(57)【要約】【課題】スミアの発生を抑制する。【解決手段】フォトダイオード素子１１と信号検出用トランジスタ１２および１３を設けた半導体基板１０上に絶縁膜１４を介して反射防止膜、金属層、反射防止膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って第４の反射防止膜２３ａ、金属配線層１５および第５の反射防止膜２３ｂを形成する。その後、再度，反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、金属配線層１５の側面に第３の反射防止膜２３ｃを形成する。その上に絶縁膜１６を介して反射防止膜、遮光膜、反射防止膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って第１の反射防止膜２４ａ、遮光膜１７および第２の反射防止膜２４ｂを形成する。その後、再度，反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、遮光膜１７の側面に第３の反射防止膜２４ｃを形成する。【選択図】    図１
2005005540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、該光電変換素子に対向する対向位置以外の位置に遮光膜が設けられた固体撮像装置において、
該遮光膜の下部に第１の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の上部に第２の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜が設けられて、該遮光膜全体を反射防止膜で覆っている固体撮像装置。
【請求項２】
照射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、該光電変換素子に対向する対向位置以外の位置に金属配線層が設けられた固体撮像装置において、
該金属配線層の下部に第４の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の上部に第５の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜が設けられて、該金属配線層全体を反射防止膜で覆っている固体撮像装置。
【請求項３】
照射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、該光電変換素子に対向する対向位置以外の位置に金属配線層が設けられ、該金属配線層上方に絶縁膜を介して、該対向位置以外の位置に遮光膜が設けられた固体撮像装置において、
該遮光膜の下部に第１の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の上部に第２の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜が設けられて、該遮光膜全体を反射防止膜で覆っており、
該金属配線層の下部に第４の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の上部に第５の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜が設けられて、該金属配線層全体を反射防止膜で覆っている固体撮像装置。
【請求項４】
前記半導体基板上に、前記光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子が設けられた請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記半導体基板上に、前記光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路が設けられた請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第３の反射防止膜および第６の反射防止膜の少なくとも何れかは、エッチバックによって形成された反射防止膜である請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１および第２の反射防止膜と、第４および第５の反射防止膜とのうち少なくとも何れかは、平面視同一形状である請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１〜第３の反射防止膜がＴｉＮ、シリコンまたはそれらの組み合せによって構成されている請求項１または３に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第４〜第６の反射防止膜がＴｉＮ、シリコンまたはそれらの組み合せによって構成されている請求項２または３に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に、第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を形成した基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に、第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程と、
該第４の反射防止膜、金属配線層、第５の反射防止膜および第６の反射防止膜が形成された基板上に絶縁膜を形成し、その上に第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程と、
該第４の反射防止膜、金属配線層、第５の反射防止膜および第６の反射防止膜が形成された基板上に絶縁膜を形成し、その上に第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、
該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体基板上に光電変換素子を設けたＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサなどの固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の固体撮像装置として、例えばＣＣＤ型イメージセンサなどのＣＣＤ型固体撮像装置では、半導体基板上に、フォトダイオードなどの光電変換素子と、電荷転送路とが設けられている。このＣＣＤ型固体撮像装置において、光電変換素子に照射された光が信号電荷に変換され、その信号電荷が電荷転送路によって転送されて出力部から出力される。
【０００３】
また、ＣＭＯＳ型イメージセンサなどのＣＭＯＳ型固体撮像装置では、半導体基板上に、フォトダイオードなどの光電変換素子と、トランジスタなどの信号検出素子とが設けられている。このＣＭＯＳ型固体撮像装置において、光電変換素子に照射された光が信号電荷に変換され、その変換された信号電荷の電荷量に応じた信号が信号検出素子から読み出される。
【０００４】
以下に、上記従来のＣＣＤ型固体撮像装置として、例えば特許文献１に開示されている固体撮像装置について図５を用いて説明する。
【０００５】
図５は、従来のＣＣＤ型固体撮像装置における要部構成を示す断面図である。
【０００６】
図５において、このＣＣＤ型固体撮像装置４０は、基本単位部として、Ｐ型半導体基板４０Ａ上に、フォトダイオード素子４１、電荷転送路４２およびチャネルストッパー層４３が配設（レイアウト）され、その上にゲート酸化膜４４、電極４５、絶縁膜４６、第１の反射防止膜４７、遮光膜４８、第２の反射防止膜４９および表面保護膜５０の積層構造のうち、少なくともゲート酸化膜４４、絶縁膜４６および表面保護膜５０の積層構造が設けられている。
【０００７】
フォトダイオード素子４１は光電変換素子として機能する。光電変換素子として、Ｐ型半導体基板４０Ａの表層側にＮ型（Ｎ−）領域４１ａが設けられ、このＮ−領域４１ａに照射された光Ｌの光量に応じて信号電荷を生成する。
【０００８】
電荷転送路４２は、Ｐ型半導体基板４０Ａ上の表層側にＮ型領域として設けられている。この電荷転送路４２は、Ｐ型半導体基板４０Ａに複数本並列に設けられており、複数のフォトダイオード素子４１からの各信号電荷がそれぞれ、各電荷転送路４２に沿ってそれぞれ転送されるようになっている。さらに、電荷転送路４２と直交する方向にも、電荷転送路（図示せず）が設けられており、各電荷転送路４２によって転送された信号電荷は、この直交した電荷転送路を通って出力部（図示せず）から転送されるようになっている。
【０００９】
チャネルストッパー層４３は、フォトダイオード素子４１と、このフォトダイオード素子４１に隣接するフォトダイオード素子（図示せず）の信号電荷を転送するための電荷転送路４２ａとの間に設けられており、このチャネルストッパー層４３によって素子間が電気的に分離されている。
【００１０】
ゲート酸化膜４４は、Ｐ型半導体基板４０Ａ、フォトダイオード素子４１、電荷転送路４２およびチャネルストッパー層４３上を覆うように設けられている。
【００１１】
電極４５は、ゲート酸化膜４４を介してフォトダイオード素子４１上の端部から電荷転送路４２（４１ａ）上にわたって設けられており、フォトダイオード素子４１上には電極４５が設けられておらず、フォトダイオード素子４１上は光学的に開口している。この電極４５に印加される電圧を制御することによって、フォトダイオード素子４１で光電変換された信号お電荷が電荷転送路４２を介して転送されるようになっている。
【００１２】
絶縁膜４６は、層間絶縁膜として、この電極４５上およびゲート酸化膜４４上を覆うように設けられている。
【００１３】
第１の反射防止膜４７は絶縁膜４６を介して電極４５上方に設けられ、かつ、その第１の反射防止膜４７の端部４７ａは、平面視的に、電極４５の端部４５ａよりもフォトダイオード素子４１の周辺部上に所定量だけ掛かるように設けられている。
【００１４】
遮光膜４８は、第１の反射防止膜４７上に設けられており、電荷転送路４２に光が入射されてスミアが発生することを防止する。遮光膜４８の端部４８ａは、第１の反射防止膜４７の端部４７ａと揃えられている。
【００１５】
第２の反射防止膜４９は、遮光膜４８上部を覆うように設けられている。これらの第１の反射防止膜４７および第２の反射防止膜４９により遮光膜４８全体（側面部も含む）が包み込まれている。また、第２の反射防止膜４９は、平面視的に、遮光膜４８の端部よりもフォトダイオード４１に掛かる（重なる）ように配置（レイアウト）されている。
【００１６】
表面保護膜５０は、第２の反射防止膜４９上および、この第２の反射防止膜４９が設けられていない絶縁膜４６上に設けられている。
【００１７】
ここで、上記従来のＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法（特許文献１）について説明する。
【００１８】
図５に示すように、まず、Ｐ型半導体基板４０Ａ上に、イオン打ち込みなどによってフォトダイオード素子４１を構成するＮ−領域４１ａ、フォトダイオード素子４１で光電変換された信号電荷を転送するための電荷転送路４２としてのＮ型領域、およびチャネルストッパー層４３などを形成する。
【００１９】
その後、Ｐ型半導体基板４０Ａ、Ｎ−領域４１ａ、フォトダイオード素子４１、電荷転送路４２（Ｎ型領域）およびチャネルストッパー層４３上にゲート酸化膜４４を形成し、その上に多結晶シリコンなどからなる電極４５を、フォトダイオード素子４１の上方が開口するように平面視所定形状に形成する。
【００２０】
さらに、ゲート酸化膜４４および電極４５上に層間絶縁膜としての絶縁膜４６を形成した後に、ＣＶＤ法などによって、その上に、第１の反射防止膜４７を構成するＳｉ、ＴｉＮ、Ｗなどの膜と、遮光膜４８を構成するＡｌなどの膜を順次成膜する。フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングおよびエッチングを行って、第１の反射防止膜４７および遮光膜４８を平面視が所定の形状に形成する。
【００２１】
さらに、その上から、ＣＶＤ法などによって第２の反射防止膜４９を構成するＳｉ、ＴｉＮ、Ｓｉなどの膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングおよびエッチングを行って、第２の反射防止膜４９を平面視が所定の形状に形成する。これによって、Ｐ型半導体基板４０Ａ上に層間絶縁膜４６を介して、電極４５の上方に位置するように、第１の反射防止膜４７、遮光膜４８および第２の反射防止膜４９が形成される。
【００２２】
さらに、第２の反射防止膜４９および絶縁膜４６上に表面保護膜５０を形成することによって、従来の固体撮像装置４０が完成する。
【００２３】
この従来の固体撮像装置４０では、側端面を含む遮光膜４８全体を上下から挟み込んで包むように、第１の反射防止膜４７および第２の反射防止膜４９が設けられている。よって、図５に矢印で示すように、Ａｌなどからなる遮光膜４８の端部に入射光Ｌ１が入射しても、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗなどからなる第２の反射防止膜４９によって光が減衰されて乱反射が防止されるため、電荷転送路４２に光が入射されてスミアが発生することを抑制することができる。
【００２４】
また、Ｐ型半導体基板４０Ａと第１の反射防止膜４７との間から光が入射されても、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗなどからなる第１の反射防止膜４７によって光が減衰されて乱反射が防止されるため、電荷転送路４２に光が入射されてスミアが発生することを抑制することができる。
【００２５】
一方、従来のＣＭＯＳ型イメージセンサなどのＣＭＯＳ型固体撮像装置についても、上記従来のＣＣＤ型固体撮像装置４０の場合と同様、スミアが発生することを抑制するために、光電変換素子および信号検出素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して遮光膜が設けられている。よって、上記特許文献１に開示されている従来技術を適用して、遮光膜の全体を上下から挟むように第１の反射防止膜および第２の反射防止膜を設けることによって、遮光膜の端部に入射される光や、半導体基板と反射防止膜との間から入射される光を第１の反射防止膜および第２の反射防止膜によって減衰させることができる。これによって、このような入射光が異なる種類の膜間で屈折・乱反射され、それが信号検出素子に入射して、従来のようにスミアが発生することを抑制することができる。
【００２６】
さらに、従来のＣＭＯＳ型固体撮像装置では、光電変換素子および信号検出用素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、光電変換素子で変換された信号を読み出すために信号検出素子に接続された金属配線層が形成されている。この金属配線層は、遮光膜よりも下に形成されている。したがって、上記特許文献１に開示されている従来技術を適用して、金属配線層の全体を上下から挟むように第１の反射防止膜および第２の反射防止膜を設けることによって、金属配線層の端部に入射される光や、半導体基板と反射防止膜との間から入射される光を第１の反射防止膜および第２の反射防止膜によって減衰させることができる。これによって、このような入射光が異なる種類の膜の間で屈折・乱反射され、それが信号検出素子に入射してスミアが発生することを抑制することができる。
【００２７】
【特許文献１】
特開平４−２４５４７４号公報
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来（特許文献１）のＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法では、フォトダイオード素子４１および電荷転送路４２を有する半導体基板４０Ａ上にゲート酸化膜４４を介して設けられた電極４５上に、絶縁膜４６を介して反射防止膜および遮光膜を成膜し、これらをパターニングおよびエッチングによって第１の反射防止膜４７および遮光膜４８を所定形状に形成した後、反射防止膜を成膜してパターニングおよびエッチングを行うことによって第２の反射防止膜４９を所定形状に形成することにより、遮光膜４８を上下から挟んで包む反射防止膜４７および４９を設けている。
【００２９】
第２の反射防止膜４９の不要部分を除去するためのパターニングにおいて、リソグラフィパターンが位置ずれを起こした場合に、図６に示すように、遮光膜４８を覆っている第２の反射防止膜４９の一部がエッチングされ、遮光膜８が露出する。このような場合に、露出した遮光膜４８の端部に入射光Ｌ２が入射されると、遮光膜４８の露出端部によって入射光Ｌ２が乱反射され、その乱反射した入射光Ｌ２が電荷転送路４２に入射して、スミアを発生させるという問題が生じる。
【００３０】
このこと（スミア）は、この従来技術をＣＭＯＳ型固体撮像装置に適用した場合についても、ＣＣＤ型固体撮像装置の場合と同様に発生する。
【００３１】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、リソグラフィーパターンの位置ずれによる遮光膜や金属配線層の露出を生じさせることなく、遮光膜や金属配線層を反射防止膜で確実に覆ってスミアの発生を抑制できる固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像装置は、照射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、該光電変換素子に対向する対向位置以外の位置に遮光膜が設けられた固体撮像装置において、該遮光膜の下部に第１の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の上部に第２の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜が設けられて、該遮光膜全体を反射防止膜で覆っており、そのことにより上記目的が達成される。
【００３３】
本発明の固体撮像装置は、照射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、該光電変換素子に対向する対向位置以外の位置に金属配線層が設けられた固体撮像装置において、該金属配線層の下部に第４の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の上部に第５の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜が設けられて、該金属配線層全体を反射防止膜で覆っており、そのことにより上記目的が達成される。
【００３４】
本発明の固体撮像装置は、照射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子が設けられた半導体基板上に、絶縁膜を介して、該光電変換素子に対向する対向位置以外の位置に金属配線層が設けられ、該金属配線層上方に絶縁膜を介して、該対向位置以外の位置に遮光膜が設けられた固体撮像装置において、該遮光膜の下部に第１の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の上部に第２の反射防止膜が設けられ、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜が設けられて、該遮光膜全体を反射防止膜で覆っており、該金属配線層の下部に第４の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の上部に第５の反射防止膜が設けられ、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜が設けられて、該金属配線層全体を反射防止膜で覆っているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３５】
また、好ましくは、本発明の固体撮像装置における半導体基板上に、前記光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子が設けられている。
【００３６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における半導体基板上に、前記光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路が設けられている。
【００３７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第３の反射防止膜および第６の反射防止膜の少なくとも何れかは、エッチバックによって形成された反射防止膜である。
【００３８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第１および第２の反射防止膜と、第４および第５の反射防止膜とのうち少なくとも何れかは、平面視同一形状である。
【００３９】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第１〜第３の反射防止膜がＴｉＮ、シリコンまたはそれらの組み合せによって構成されている。
【００４０】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における第４〜第６の反射防止膜がＴｉＮ、シリコンまたはそれらの組み合せによって構成されている。
【００４１】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に、第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を形成した基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００４２】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に、第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００４３】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程とを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００４４】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程とを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００４５】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を検出する信号検出素子とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程と、該第４の反射防止膜、金属配線層、第５の反射防止膜および第６の反射防止膜が形成された基板上に絶縁膜を形成し、その上に第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有する含み、そのことにより上記目的が達成される。
【００４６】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換した信号電荷を転送する電荷転送路とを形成し、その上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に、第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜となる各膜および層をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第４の反射防止膜、金属配線層および第５の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該金属配線層の側面に第６の反射防止膜を形成する工程と、該第４の反射防止膜、金属配線層、第５の反射防止膜および第６の反射防止膜が形成された基板上に絶縁膜を形成し、その上に第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜となる各膜をこの順に成膜し、これらにパターニングおよびエッチングを行って、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜を、同一所定形状に形成する工程と、該第１の反射防止膜、遮光膜および第２の反射防止膜が形成された基板上に、再度、反射防止膜を成膜し、これにエッチバックを行って、該遮光膜の側面に第３の反射防止膜を形成する工程とを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００４７】
上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
【００４８】
本発明にあっては、光電変換素子と、その光電変換素子によって変換された信号電荷を読み出すための信号検出素子とが半導体基板に設けられたＣＭＯＳ型固体撮像装置において、または、光電変換素子と、その光電変換素子によって変換された信号電荷を転送するための電荷転送路とが半導体基板に設けられたＣＣＤ型固体撮像装置において、遮光膜の下部に第１の反射防止膜が設けられ、遮光膜の上部に第２の反射防止膜が設けられ、遮光膜の側面に第３の反射防止膜が設けられて、該遮光膜全体を反射防止膜で覆い、または／および、金属配線層の下部に第４の反射防止膜が設けられ、金属配線層の上部に第５の反射防止膜が設けられ、金属配線層の側面に第６の反射防止膜が設けられて、金属配線層全体を反射防止膜で覆っている。
【００４９】
これによって、ＣＭＯＳ型イメージセンサやＣＣＤ型イメージセンサなどの固体撮像装置において、側面への第３の反射防止膜および第６の反射防止膜の形成にはエッチバック処理が用いられ、従来のようにパターニングする必要がないことから、パターン位置ずれによる遮光膜の露出がなくなり、遮光膜や金属配線層の全面を反射防止膜で確実に覆うことが可能となって、スミアの発生が抑制可能となる。
【００５０】
また、第１および第２の反射防止膜と、第４および第５の反射防止膜とはそれぞれ、遮光膜や金属配線層と同時にパターニングおよびエッチングが行われるので平面視同一形状となる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の固体撮像装置の実施形態１として、光電変換素子の上部に１層の金属配線層と１層の遮光膜を有するＣＭＯＳ型イメージセンサに適用した場合について、また、本発明の固体撮像装置の実施形態２としてＣＣＤ型イメージセンサに適用した場合について、図面を参照しながら説明する。
【００５２】
（実施形態１）
図１は、本発明の固体撮像装置の実施形態１における要部構成を示す断面図である。
【００５３】
図１において、このＣＭＯＳ型固体撮像装置１０は、半導体基板１０Ａ上に、光電変換素子としてのフォトダイオード素子１１と、光電変換素子によって変換された信号電荷を読み出すための信号検出素子としてのトランジスタ１２、１３とが互いに隣接して２次元的に配置されており、その上に絶縁膜１４を介して、フォトダイオード素子１１の上方を開口（光学的な開口であって透明状態）するように、信号検出素子から信号を読み出すための金属配線層１５が設けられ、その上に絶縁膜１６を介して、フォトダイオード素子１１の上方を開口するように遮光膜１７が設けられ、その上にさらに絶縁膜の表面保護膜１８を介して、フォトダイオード素子１１に光を集めるためのレンズ部材としてのマイクロレンズ１９が、フォトダイオード素子１１に対向した対向位置（光学的な開口部）に設けられている。
【００５４】
フォトダイオード素子１１は、Ｐ型半導体基板１０Ａの表面側にＮ＋領域１１ａとして設けられており、このＮ＋領域１１ａに照射される光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子として機能する。
【００５５】
トランジスタ１２は、ソース領域１２ａ、ドレイン領域１２ｂおよびゲート電極１２ｃとを有している。ソース領域１２ａおよびドレイン領域１２ｂはそれぞれ、Ｐ型半導体基板１０Ａの表面側に各Ｎ＋領域としてそれぞれ設けられており、これらは所定の間隔を開けてそれぞれ配置されている。ソース領域１２ａとドレイン領域１２ｂとの間のＰ型半導体基板１０Ａの表面上にはゲート酸化膜２０を介してゲート電極１２ｃが形成されている。このドレイン領域１２ｂのＮ＋領域は、フォトダイオード素子１１のＮ＋領域１１ａと一体化して共通に設けられている。
【００５６】
トランジスタ１３は、ソース領域１３ａ、ドレイン領域１３ｂおよびゲート電極１３ｃとを有している。ソース領域１３ａおよびドレイン領域１３ｂはそれぞれ、Ｐ型半導体基板１０Ａの表面側に各Ｎ＋領域としてそれぞれ設けられており、これらは所定の間隔を開けてそれぞれ配置されている。ソース領域１３ａとドレイン領域１３ｂとの間のＰ型半導体基板１０Ａの表面上にはゲート酸化膜２０を介してゲート電極１３ｃが形成されている。以上のゲート電極１２ｃおよび１３ｃの側面にはそれぞれ、酸化膜１２ｄ、１３ｄがそれぞれ形成されている。
【００５７】
トランジスタ１２のソース領域１２ａ、ドレイン領域１２ｂおよびゲート電極１２ｃに印加される各電圧を制御することによって、フォトダイオード素子１１のＮ＋領域で光電変換された信号電荷がソース領域１２ａを介して読み出されるようになっている。
【００５８】
また、トランジスタ１３のソース領域１３ａ、ドレイン領域１３ｂおよびゲート電極１３ｃに印加される各電圧を制御することによって、ドレイン領域１３ｂのＮ＋領域で光電変換された信号電荷は、フォトダイオードに光が照射されない暗時の信号として、ソース領域１３ａを介して読み出されるようになっている。
【００５９】
各素子間には素子を分離するためのフィールド酸化膜２１が設けられている。フィールド酸化膜２１は、例えばフォトダイオード素子１１とトランジスタ１３との各領域間、トランジスタ１２と左側に隣接する素子領域（図示せず）との間、およびトランジスタ１３と右側に隣接する素子領域（図示せず）との間などに設けられている。
【００６０】
このように、フォトダイオード素子１１、トランジスタ１２および１３が形成された半導体基板１０Ａ上を覆うように絶縁膜１４が設けられている。金属配線層１５は、その絶縁膜１４を介して、トランジスタ１２および１３の各ソース領域１２ａおよび１３ａと平面視で重なるように設けられている。
【００６１】
絶縁膜１４には、トランジスタ１２および１３のソース領域１２ａおよび１３ａと、各金属配線層１５とを電気的にそれぞれ接続するための各コンタクトホール２２がそれぞれ設けられており、この各コンタクトホール２２をそれぞれ介して、各金属配線層１５とソース領域１２ａおよび１３ａとが電気的にそれぞれ接続されて、各信号電荷がそれぞれトランジスタ１２および１３から各金属配線層２０をそれぞれ介して読み出される。
【００６２】
金属配線層１５には、その下部に第４の反射防止膜２３ａ、その上部に第５の反射防止膜２３ｂ、その側面に第６の反射防止膜２３ｃがそれぞれ設けられており、金属配線層１５全体（全面）が反射防止膜によって覆われている。
【００６３】
さらに、これらの絶縁膜１４および反射防止膜２３ｂ，２３ｃ上を覆うように絶縁膜１６が設けられている。この絶縁膜１６上に、遮光膜１７は、金属配線層１５およびトランジスタ１３上を覆い、フォトダイオード素子１１上を開口させるように設けられている。遮光膜１７は、その下部に第１の反射防止膜２４ａ、その上部に第２の反射防止膜２４ｂ、その側面に第３の反射防止膜２４ｃが設けられており、遮光膜１７全体（全面）が反射防止膜２４ａ〜２４ｃによって覆われている。固体撮像装置１０に入射された光は、この遮光膜１７および反射防止膜２４ａ〜２４ｃによって、信号を読み出すためのトランジスタ１２および１３のソース領域１２ａおよび１３ａや金属配線層１５に照射されないようになっている。
【００６４】
さらに、これらの絶縁膜１６および反射防止膜２４ｂ，２４ｃ上を覆うように表面保護膜１８が設けられている。その表面保護膜１８上にフォトダイオード素子１１と対向する開口部にマイクロレンズ１９が設けられている。図１に矢印で示すように、このマイクロレンズ１９によって、固体撮像装置１０に照射される光Ｌがフォトダイオード素子１１のＮ＋領域１１ａに集光されるようになっている。
【００６５】
ここで、このように構成された本実施形態１の固体撮像装置１０の製造方法について説明する。
【００６６】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、図１の固体撮像装置１０の製造方法（その１）について説明するための要部断面図であり、図３（ａ）および図３（ｂ）は、図１の固体撮像装置１０の製造方法（その２）について説明するための要部断面図である。
【００６７】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板としてのＰ型Ｓｉ基板１０Ａ上に、素子間を分離するフィールド酸化膜２１を形成し、フォトダイオード素子１１とトランジスタ１２および１３とを所定位置に２次元的に形成する。本実施形態１では、半導体基板としてＰ型Ｓｉ基板１０Ａを用いたが、通常、半導体装置が製造される半導体基板であれば、特に限定されるものではない。
【００６８】
これらの素子上に、層間絶縁膜として、厚み５００ｎｍ〜１５００ｎｍ程度の絶縁膜１４を形成する。この絶縁膜１４に、トランジスタ１２および１３のソース領域１２ａおよび１３ａにそれぞれ達するように各コンタクトホール２２を形成する。ここまでの工程は、従来のＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法と同様に行うことができるので、その詳しい説明はここでは省略する。
【００６９】
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜１４上に、第４の反射防止膜２３ａとなる層として、例えばＴｉＮ層をスパッタリングにより厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍ堆積し、その上に、金属配線層１５となる層として、例えばアルミ系合金層１５ａを厚み３００ｎｍ〜９００ｎｍで堆積させた後、再度、スパッタリングにより第５の反射防止膜２３ｂとなる層として、ＴｉＮ層を厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍで堆積させる。
【００７０】
さらに、図２（ｃ）に示すように、これらのＴｉＮ層、金属アルミ系合金層１５ａおよびＴｉＮ層からなる積層構造をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングし、それらをエッチングすることによって、同一の所定形状の第４の反射防止膜２３ａ、金属配線層１５および第５の反射防止膜２３ｂを形成する。
【００７１】
その後、図３（ａ）に示すように、第６の反射防止膜２３ｃとして、アモルファスＳｉ層をＣＶＤ法により厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍで堆積した後、エッチバックを行って、金属配線層１５の側面にアモルファスＳｉ（シリコン）からなる第６の反射防止膜２３ｃを形成する。なお、第４〜第６の反射防止膜２３ａ〜２３ｃは、反射防止膜として機能する膜であれば、その種類および膜厚ともに、特に限定されるものではない。第４および第５の反射防止膜２３ａ，２３ｂとしてアモルファスＳｉ膜を用いてもよく、第６の反射防止膜２３ｃとしてＴｉＮを用いてもよい。さらに、ＴｉＮやアモルファスＳｉ以外に、ＳｉＯＮ膜などであっても用いることができる。
【００７２】
さらに、図３（ｂ）に示すように、金属配線層１５を覆う反射防止膜２３ａ〜２３ｃおよび層間絶縁膜１４上を覆うように、層間絶縁膜１６を厚み５００ｎｍ〜１５００ｎｍで堆積させる。この層間絶縁膜１６上に、第１の反射防止膜２４ａとなる層として、例えばＴｉＮ層をスパッタリングにより厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍで堆積し、その上に、遮光膜１７となる膜として、例えばアルミ系合金層を厚み３００ｎｍ〜９００ｎｍで堆積させた後、再度、スパッタリングにより第５の反射防止膜２４ｂとなる層として、ＴｉＮ層を厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍで堆積させる。
【００７３】
次いで、ＴｉＮ層、金属アルミ系合金層およびＴｉＮ層をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングし、これらをエッチングすることによって、同一所定形状の第１の反射防止膜２４ａ、遮光膜１７および第２の反射防止膜２４ｂを形成する。
【００７４】
その後、第３の反射防止膜２４ｃとして、アモルファスＳｉ層を公知の技術であるＣＶＤ法により厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍ堆積した後、エッチバックを行って、遮光膜１７の側面にアモルファスＳｉ（シリコン）からなる第３の反射防止膜２４ｃを形成する。なお、第１〜第３の反射防止膜２４ａ〜２４ｃについても、反射防止膜として機能する膜であれば、その種類および膜厚ともに、特に限定されるものではない。例えば第１および第２の反射防止膜２４ａ，２４ｂとしてアモルファスＳｉ膜を用いてもよく、第３の反射防止膜２４ｃとしてＴｉＮを用いてもよい。さらに、ＴｉＮやアモルファスＳｉ以外に、ＳｉＯＮ膜などであっても用いることができる。
【００７５】
さらに、図１に示すように、遮光膜１７を覆う第１〜第３の反射防止膜２４ａ〜２４ｃおよび層間絶縁膜１６上を覆うように、表面保護膜１８を所定の厚みで堆積する。この表面保護膜１８上のフォトダイオード素子開口部にマイクロレンズ１９を形成することにより、本実施形態１のＣＭＯＳ型固体撮像装置１０を作製することができる。
【００７６】
このようにして作製された本実施形態１のＣＭＯＳ型固体撮像装置１０は、金属配線層１５全体および遮光膜１７全体が反射防止膜によって覆われているために、金属配線層１５および遮光膜１７に入射される入射光があっても、上下の反射防止膜２３ａ〜２３ｃ，２４ａ〜２４ｃで減衰されて乱反射が抑制される。このため、信号検出素子であるトランジスタ１２および１３の各ソース領域１２ａおよび１３ａに光が照射されてスミアが発生することを抑制することができる。
【００７７】
また、第４の反射防止膜２３ａおよび第５の反射防止膜２３ｂは金属配線層１５と共にパターニングおよびエッチングされて所定形状に形成され、第６の反射防止膜２３ｃはエッチバックによって形成されているため、リソグラフィーパターンの位置ずれによって金属配線層１５が露出することはない。
【００７８】
さらに、第１の反射防止膜２４ａおよび第２の反射防止膜２４ｂも遮光膜１７と共にパターニングおよびエッチングされて所定形状に形成され、第３の反射防止膜２４ｃはエッチバックによって形成されているため、従来のようにリソグラフィーパターンの位置ずれによって遮光膜１７が露出するようなことはない。
【００７９】
なお、本実施形態１では、金属配線層１５および遮光膜１７の両方を反射防止膜で覆っているが、金属配線層１５および遮光膜１７の一方を反射防止膜で覆った構成であっても本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、金属配線層１５の上下面および側面を第４〜第６の反射防止膜２３ａ〜２３ｃで覆うことによって、金属配線層１５で入射光Ｌが乱反射してスミアが発生することを抑制することができる。また、遮光膜１７の上下面および側面を第１〜第３の反射防止膜２４ａ〜２４ｃで覆うことによって、遮光膜１７で入射光Ｌが乱反射してスミアが発生することを抑制することができる。但し、本実施形態１のように、金属配線層１５および遮光膜１７の両方を覆うように反射防止膜２３ａ〜２３ｃ，２４ａ〜２４ｃを設けることによって、金属配線層１５および遮光膜１７で入射光Ｌが乱反射してスミアが発生することを抑制することができる。
【００８０】
（実施形態２）
上記実施形態１では、ＣＭＯＳ型固体撮像装置に本発明の固体撮像装置を適用した場合について説明したが、本実施形態２ではＣＣＤ型固体撮像装置に本発明の固体撮像装置を適用した場合について説明する。この場合について図４を用いて説明する。
【００８１】
図４は、本発明の固体撮像装置の実施形態２をＣＣＤ型イメージセンサに適用した場合の一例を示す要部断面図である。
【００８２】
図４において、このＣＣＤ型固体撮像装置３０は、Ｐ型半導体基板４０Ａ上に、フォトダイオード素子４１、電荷転送路４２、およびチャネルストッパー層４３が設けられ、そのＰ型半導体基板４０Ａ上にゲート酸化膜４４、電極４５、絶縁膜４６、第１の反射防止膜５１、遮光膜４８、第２の反射防止膜５２、第３の反射防止膜５３および表面保護膜５０が設けられている。
【００８３】
この図４に示すＣＣＤ型固体撮像装置３０と、図５に示す従来のＣＣＤ型固体撮像装置４０との違いは、遮光膜４８の下部（絶縁膜４６側）に第１の反射防止膜５１が設けられ、遮光膜４８の上部に第２の反射防止膜５２が設けられており、さらに遮光膜４８の側面に第３の反射防止膜５４が設けられている点である。
【００８４】
これらの第１の反射防止膜５１、遮光膜４８および第２の反射防止膜５２は、上記実施形態１の場合と同様に、絶縁膜４６上に反射防止膜、遮光膜および反射防止膜をこの順に成膜（積層）し、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングおよびエッチングを行うことによって所定形状に形成する。また、第３の反射防止膜５３は、反射防止膜を成膜し、それに対してエッチバックを行うことによって形成される。
【００８５】
このようにして作製された本実施形態２のＣＣＤ型固体撮像装置３０は、遮光膜４８の全体が反射防止膜によって包まれて（覆われて）いるため、遮光膜４８に入射される入射光Ｌがあっても、この反射防止膜で減衰されて乱反射が抑制されるため、電荷転送路４２に光が入射されてスミアが発生することを抑制することができる。
【００８６】
また、第１の反射防止膜５１および第２の反射防止膜５２は遮光膜４８と共にパターニングおよびエッチングされて形成され、第３の反射防止膜５３はエッチバックによって形成されているため、従来のようにリソグラフィーパターンの位置ずれによって遮光膜４８が露出することはない。
【００８７】
以上により、本実施形態１，２によれば、光電変換素子としてのフォトダイオード素子１１と、そのフォトダイオード素子１１によって変換された信号電荷を読み出すための信号検出素子としてのトランジスタ１２，１３とが半導体基板１０Ａ上に設けられたＣＭＯＳ型固体撮像装置１０において、または、フォトダイオード素子４１と、そのフォトダイオード素子４１によって変換された信号電荷を転送するための電荷転送路４２とが半導体基板４０Ａ上に設けられたＣＣＤ型固体撮像装置４０において、遮光膜１７または４８の下部に第１の反射防止膜が設けられ、遮光膜１７または４８の上部に第２の反射防止膜が設けられ、遮光膜１７または４８の側面に、エッチバックよって形成された第３の反射防止膜が設けられて、遮光膜１７または４８全体を反射防止膜で覆い、または／および、金属配線層１５の下部に第４の反射防止膜が設けられ、金属配線層１５の上部に第５の反射防止膜が設けられ、金属配線層１５の側面に、エッチバックよって形成された第６の反射防止膜が設けられて、金属配線層１５全体を反射防止膜で覆っている。これによって、リソグラフィーパターンの位置ずれによる遮光膜１７または４８や金属配線層１５の露出を防ぎ、遮光膜１７または４８や金属配線層１５を反射防止膜で確実に覆うことによりスミアの発生を抑制することができる。
【００８８】
なお、上記実施形態１では、光電変換素子の上部に１層の金属配線層と１層の遮光膜を有し、それらを反射防止膜で覆ったＣＭＯＳ型イメージセンサについて本発明を適用する場合について説明し、上記実施形態２では光電変換素子の上部に１層の遮光膜を有し、それを反射防止膜で覆ったＣＣＤ型イメージセンサについて本発明を適用する場合について説明したが、これに限らず、光電変換素子の上部に１層の金属配線層または１層の遮光膜を有し、それを反射防止膜で覆ったＣＭＯＳ型イメージセンサ（ＣＭＯＳ型固体撮像装置）についても本発明を適用することができ、また、ＣＣＤ型イメージセンサ（ＣＣＤ型固体撮像装置）において、光電変換素子の上部に１層の金属配線層と１層の遮光膜を有し、それらを反射防止膜で覆った場合や、光電変換素子の上部に１層の金属配線層を有し、それを反射防止膜で覆った場合についても本発明を適用することができる。
【００８９】
【発明の効果】
以上により、本発明によれば、遮光膜や金属配線層を覆うように反射防止膜を形成する際に、従来のような反射防止膜専用のリソグラフィパターンを用いず、遮光膜や金属配線層の上部および下部に設けられる反射防止膜を遮光膜や金属配線層と共にパターニングおよびエッチングを行って形成し、遮光膜や金属配線層の側面に設けられる反射防止膜をエッチバックによって形成しているため、従来のようにパターンずれにより遮光膜や金属配線層の露出部が生じることはない。これによって、遮光膜や金属配線層の露出部に光が入射されてスミアが発生することはなくなり、確実に金属配線層や遮光膜を反射防止膜で覆って、スミア発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＣＭＯＳ型固体撮像装置の実施形態１における要部構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１のＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造工程（その１）を説明するための要部断面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、図１のＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造工程（その２）を説明するための要部断面図である。
【図４】本発明のＣＣＤ型固体撮像装置の実施形態２における要部構成を示す断面図である。
【図５】従来のＣＣＤ型固体撮像装置における要部構成を示す断面図である。
【図６】従来のＣＣＤ型固体撮像装置の問題点を説明するための要部断面図である。
【符号の説明】
１０    ＣＭＯＳ型固体撮像装置
１０Ａ    Ｐ型半導体基板
１１    フォトダイオード素子
１１ａ    Ｎ＋領域
１２、１３    トランジスタ
１２ａ、１３ａ    Ｎ＋領域（ソース領域）
１２ｂ、１３ｂ    Ｎ＋領域（ドレイン領域）
１２ｃ、１３ｃ    ゲート電極
１２ｄ、１３ｄ    酸化膜
１４、１６    絶縁膜（層間絶縁膜）
１５    金属配線層
１７    遮光膜
１８    表面保護膜
１９    マイクロレンズ
２０    ゲート酸化膜
２１    フィールド絶縁膜
２２    コンタクトホール
２３ａ    第４の反射防止膜
２３ｂ    第５の反射防止膜
２３ｃ    第６の反射防止膜
２４ａ    第１の反射防止膜
２４ｂ    第２の反射防止膜
２４ｃ    第３の反射防止膜
３０    ＣＣＤ型固体撮像装置
４０Ａ    Ｐ型半導体基板
４１    フォトダイオード素子
４１ａ    Ｎ＋領域
４２    電荷転送路
４３    チャネルストッパー層
４４    ゲート酸化膜
４５    電極
４６    絶縁膜（層間絶縁膜）
４８    遮光膜
５０    表面保護膜
５１    第１の反射防止膜
５２    第２の反射防止膜
５３    第３の反射防止膜
【図１】
2005005540.tif 000003
【図２】
2005005540.tif 000004
【図３】
2005005540.tif 000005
【図４】
2005005540.tif 000006
【図５】
2005005540.tif 000007
【図６】
2005005540.tif 000008