(57)【要約】【課題】測定精度の向上を図りつつ、成膜中の膜厚を監視する。【解決手段】ウェハボート５の外周面に設けられたフック７ａ、７ｂにモニタウェハＭを垂直に設置し、制御部１１は、モニタウェハＭにレーザ光を入射させ、受光部１０ａ、１０ｂから送られたレーザ光の干渉情報に基づいて、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚を算出し、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した場合、バルブＶ１を閉じるとともに、バルブＶ２を開き、ガス導入管３を介して石英管２内にパージガスＧ２を噴出させることにより、ウェハＷの成膜処理を停止させる。【選択図】      図１
2005005524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを保持するウェハボートと、
前記ウェハボートを挿入可能な石英管と、
前記石英管内に酸化性ガスを導入するガス導入管と、
前記石英管の周囲に設けられた加熱手段と、
前記ウェハボートの外周面に設けられ、モニタウェハを垂直に保持する保持部と、
前記石英管の外部に設けられ、前記モニタウェハにレーザ光を出射する発光部と、
前記石英管の外部に設けられ、前記モニタウェハから反射されたレーザ光を受光する受光部とを備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
ウェハを保持するウェハボートと、
前記ウェハボートを挿入可能な石英管と、
前記石英管内に酸化性ガスを導入するガス導入管と、
前記石英管の周囲に設けられた加熱手段と、
前記ウェハボートに設けられ、前記ウェハにレーザ光を出射する発光部と、
前記ウェハボートに設けられ、前記ウェハから反射されたレーザ光を受光する受光部とを備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
前記発光部および前記受光部は、前記ウェハボートに設けられた爪に埋め込まれていることを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
ウェハを保持するウェハボートと、
前記ウェハボートを挿入可能な石英管と、
前記石英管内に酸化性ガスを導入するガス導入管と、
前記石英管の周囲に設けられた加熱手段と、
レーザ光を出射する発光部と、
レーザ光を受光する受光部と、
前記ウェハボートに設けられ、前記発光部から出射されたレーザ光を前記ウェハ上に導く第１光ファイバと、
前記ウェハボートに設けられ、前記ウェハで反射されたレーザ光を前記受光部に導く第２光ファイバとを備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記受光部で受光されたレーザ光の位相情報に基づいて、前記ウェハに成膜された酸化膜の膜厚を算出する膜厚算出手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項６】
前記膜厚算出手段で算出された膜厚に基づいて、前記石英管内へ導入されるガスを酸化性ガスからパージガスに切り替える切り替え手段をさらに備えることを特徴とする請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
製品ウェハをウェハボートに配置する工程と、
前記ウェハボートの外周面上にモニタウェハを垂直に配置する工程と、
前記製品ウェハおよびモニタウェハが配置されたウェハボートを石英管内に挿入する工程と、
前記モニタウェハにレーザ光を入射させる工程と、
前記モニタウェハから反射されたレーザ光を監視する工程と、
前記モニタウェハから反射されたレーザ光を監視しながら、前記製品ウェハおよびモニタウェハの成膜処理を行う工程とを備えることを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
製品ウェハおよびモニタウェハを石英管内に載置する工程と、
前記モニタウェハに成膜される酸化膜の膜厚を監視しながら、前記製品ウェハおよび前記モニタウェハに酸化膜を成膜する工程と、
前記モニタウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した場合、前記製品ウェハの成膜処理を停止する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜装置、成膜方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウェハの酸化処理を行う酸化炉などに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の成膜装置では、例えば、特許文献１に開示されているように、成膜中のウェハにレーザ光を照射させ、そのウェハから反射されたレーザ光の反射光量とウェハに照射される前のレーザ光の入射光量とを比較することにより、ウェハに成膜中の膜厚を監視することが行われている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−６２１２９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、膜厚が監視されるウェハには、酸化膜や溝などの様々なパターンが形成され、このようなウェハにレーザ光を照射させると、膜厚測定に誤差が発生し易くなるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、測定精度の向上を図りつつ、成膜中の膜厚を監視することが可能な成膜装置、成膜方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る成膜装置によれば、ウェハを保持するウェハボートと、前記ウェハボートを挿入可能な石英管と、前記石英管内に酸化性ガスを導入するガス導入管と、前記石英管の周囲に設けられた加熱手段と、前記ウェハボートの外周面に設けられ、モニタウェハを垂直に保持する保持部と、前記石英管の外部に設けられ、前記モニタウェハにレーザ光を出射する発光部と、前記石英管の外部に設けられ、前記モニタウェハから反射されたレーザ光を受光する受光部とを備えることを特徴とする。
【０００６】
これにより、発光部および受光部が石英管の外部に設けられている場合においても、石英管内に設置されたモニタウェハ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となる。このため、石英管内に設置された製品ウェハ上にレーザ光を入射させることなく、製品ウェハ上に成膜される酸化膜の膜厚をリアルタイムで監視することが可能となり、成膜中の膜厚の測定精度を向上させることが可能となる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る成膜装置によれば、ウェハを保持するウェハボートと、前記ウェハボートを挿入可能な石英管と、前記石英管内に酸化性ガスを導入するガス導入管と、前記石英管の周囲に設けられた加熱手段と、前記ウェハボートに設けられ、前記ウェハにレーザ光を出射する発光部と、前記ウェハボートに設けられ、前記ウェハから反射されたレーザ光を受光する受光部とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、ウェハボートに設置されたモニタウェハ上にレーザ光を入射させることが可能となるとともに、モニタウェハから反射されたレーザ光を受光することが可能となる。このため、石英管内に設置された製品ウェハ上にレーザ光を入射させることなく、製品ウェハ上に成膜される酸化膜の膜厚をリアルタイムで監視することが可能となり、成膜中の膜厚の測定精度を向上させることが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る成膜装置によれば、前記発光部および前記受光部は、前記ウェハボートに設けられた爪に埋め込まれていることを特徴とする。
これにより、ウェハがウェハボートに縦列配置されている場合において、ウェハボートに設置されたモニタウェハ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となり、測定精度の向上を図りつつ、成膜中の膜厚をリアルタイムで監視することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る成膜装置によれば、ウェハを保持するウェハボートと、前記ウェハボートを挿入可能な石英管と、前記石英管内に酸化性ガスを導入するガス導入管と、前記石英管の周囲に設けられた加熱手段と、レーザ光を出射する発光部と、レーザ光を受光する受光部と、前記ウェハボートに設けられ、前記発光部から出射されたレーザ光を前記ウェハ上に導く第１光ファイバと、前記ウェハボートに設けられ、前記ウェハで反射されたレーザ光を前記受光部に導く第２光ファイバとを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、発光部および受光部が石英管の外部に設けられている場合においても、ウェハボート上に設置されたモニタウェハ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となる。このため、石英管内に設置された製品ウェハ上にレーザ光を入射させることなく、製品ウェハ上に成膜される酸化膜の膜厚をリアルタイムで監視することが可能となり、成膜中の膜厚の測定精度を向上させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る成膜装置によれば、前記受光部で受光されたレーザ光の位相情報に基づいて、前記ウェハに成膜された酸化膜の膜厚を算出する膜厚算出手段をさらに備えることを特徴とする。
これにより、成膜中の膜厚をリアルタイムで精度よく監視することが可能となり、成膜処理を行ないながら、ウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達したかどうかを正確に判定することができる。このため、ウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に満たなかったり、規定値を超えたりした時点で、成膜処理が終了されることを防止することができ、成膜処理された製品ウェハが無駄に廃棄されることを防止することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る成膜装置によれば、前記膜厚算出手段で算出された膜厚に基づいて、前記石英管内へ導入されるガスを酸化性ガスからパージガスに切り替える切り替え手段をさらに備えることを特徴とする。
これにより、ウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した時点で、成膜処理を迅速に停止させることが可能となり、成膜処理された製品ウェハが無駄に廃棄されることを防止することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る成膜方法によれば、製品ウェハをウェハボートに配置する工程と、前記ウェハボートの外周面上にモニタウェハを垂直に配置する工程と、前記製品ウェハおよびモニタウェハが配置されたウェハボートを石英管内に挿入する工程と、前記モニタウェハにレーザ光を入射させる工程と、前記モニタウェハから反射されたレーザ光を監視する工程と、前記モニタウェハから反射されたレーザ光を監視しながら、前記製品ウェハおよびモニタウェハの成膜処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、石英管内に設置されたモニタウェハ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となる。このため、成膜中の膜厚の測定精度の向上を図りつつ、成膜処理を行うことが可能となり、ウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した時点で成膜処理を終了させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、製品ウェハおよびモニタウェハを石英管内に載置する工程と、前記モニタウェハに成膜される酸化膜の膜厚を監視しながら、前記製品ウェハおよび前記モニタウェハに酸化膜を成膜する工程と、前記モニタウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した場合、前記製品ウェハの成膜処理を停止する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、ウェハに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した時点で成膜処理を終了させることが可能となり、成膜処理された製品ウェハが無駄に廃棄されることを防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る成膜装置および膜厚監視方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
【００１９】
図１において、成膜装置には、ボート台１が設けられ、ボート台１上には、ウェハＷを縦列させて保持するウェハボート５が支持される。ここで、ウェハボート５には、ウェハＷの端部を支持し、ウェハＷを縦列させて配置するための爪６が設けられている。さらに、ウェハボート５の外周面には、モニタウェハＭを垂直に保持するフック７ａ、７ｂが取り付けられている。なお、フック７ａ、７ｂは、モニタウェハＭの代わりにモニタチップを保持するようにしてもよい。
【００２０】
また、成膜装置には、ウェハボート５を挿入可能な石英管２が設けられ、石英管２の下部には、石英管２内を排気する排気管４が設けられるとともに、石英管２の上部には、石英管２内に酸化性ガスＧ１またはパージガスＧ２を導入するガス導入管３が接続されている。なお、酸化性ガスＧ１としては、例えば、Ｏ２ガス、Ｈ２ＯガスまたはＨＣｌガスなどを用いることができる。また、パージガスＧ２としては、例えば、Ｎ２などの不活性ガスを用いることができる。そして、ガス導入管３には、酸化性ガスＧ１またはパージガスＧ２の流入の切り替えを行うためのバルブＶ１、Ｖ２が設けられている。
【００２１】
また、石英管２の周囲には、石英管２内を加熱するヒータ８ａ〜８ｃが設けられている。そして、ヒータ８ａ〜８ｃの外側には、ヒータ８ａ〜８ｃの隙間からモニタウェハＭにレーザ光を入射させる発光部９ａ、９ｂが設けられるとともに、モニタウェハＭから反射されたレーザ光を受光する受光部１０ａ、１０ｂが設けられている。
【００２２】
また、成膜装置には、発光部９ａ、９ｂの発光制御を行うとともに、受光部１０ａ、１０ｂから出力された信号に基づいて、バルブＶ１、Ｖ２の開閉制御を行う制御部１１が設けられている。
そして、ウェハＷの成膜処理を行う場合、ウェハボート５の爪６上にウェハＷを配置するとともに、ウェハボート５の外周面に設けられたフック７ａ、７ｂにモニタウェハＭを設置する。そして、ヒータ８ａ〜８ｃを用いて石英管２内を加熱しながら、ウェハＷおよびモニタウェハＭが配置されたウェハボート５を石英管２内に挿入する。なお、ウェハＷの成膜処理を行う温度は、７００〜１１００℃の範囲内に設定することができる。
【００２３】
そして、ウェハボート５が石英管２内に挿入されると、制御部１１は、バルブＶ１を開くとともに、バルブＶ２を閉じ、ガス導入管３を介して石英管２内に酸化性ガスＧ１を噴出させながら、ウェハＷの成膜処理を行わせる。また、制御部１１は、発光部９ａ、９ｂにレーザ光を出射させ、ウェハボート５の外周面に垂直に配置されたモニタウェハＭにレーザ光を入射させるとともに、モニタウェハＭで反射されたレーザ光を発光部１０ａ、１０ｂに受光させる。
【００２４】
ここで、ウェハボート５の外周面にモニタウェハＭに垂直に配置することで、発光部９ａ、９ｂおよび受光部１０ａ、１０ｂが石英管２の外部に設けられている場合においても、石英管２内に設置されたモニタウェハＭ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハＭから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となる。このため、石英管２内に設置されたウェハＷ上にレーザ光を入射させることなく、ウェハＷ上に成膜される酸化膜の膜厚をリアルタイムで監視することが可能となり、成膜中の膜厚の測定精度を向上させることが可能となる。
【００２５】
そして、制御部１１は、受光部１０ａ、１０ｂから送られたレーザ光の干渉情報に基づいて、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚を算出する。そして、制御部１１は、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した場合、バルブＶ１を閉じるとともに、バルブＶ２を開き、ガス導入管３を介して石英管２内にパージガスＧ２を噴出させることにより、ウェハＷの成膜処理を停止させる。
【００２６】
これにより、成膜処理を行ないながら、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達したかどうかを正確に判定することができる。このため、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した時点で成膜処理を迅速に終了させることが可能となり、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値から外れることを防止して、成膜処理されたウェハＷが無駄に廃棄されることを防止することができる。
【００２７】
図２は、本発明の第２実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図、図３は、図２のウェハボートの一部を拡大して示す断面図である。
図２および図３において、成膜装置には、ボート台２１が設けられ、ボート台２１上には、ウェハＷおよびモニタウェハＭを縦列させて保持するウェハボート２５が支持される。ここで、ウェハボート２５には、ウェハＷおよびモニタウェハＭの端部を支持し、ウェハＷおよびモニタウェハＭを縦列させて配置するための爪２６が設けられている。なお、モニタウェハＭは、縦列配置されたウェハＷの間に一定の割合で挿入することができ、例えば、ウェハボート２５の上部、中間部および下部に配置することができる。
【００２８】
そして、図３に示すように、爪２６には、モニタウェハＭ上にレーザ光を入射させる発光部２９が設けられるとともに、モニタウェハＭから反射されたレーザ光を受光する受光部３０が設けられている。なお、発光部２９および受光部３０を爪２６に設ける場合、発光部２９および受光部３０を爪２６内に埋め込むことができる。
【００２９】
また、成膜装置には、ウェハボート２５を挿入可能な石英管２２が設けられ、石英管２２の下部には、石英管２２内を排気する排気管２４が設けられるとともに、石英管２２の上部には、石英管２２内に酸化性ガスＧ１１またはパージガスＧ１２を導入するガス導入管２３が接続されている。なお、酸化性ガスＧ１１としては、例えば、Ｏ２ガス、Ｈ２ＯガスまたはＨＣｌガスなどを用いることができる。また、パージガスＧ１２としては、例えば、Ｎ２などの不活性ガスを用いることができる。そして、ガス導入管２３には、酸化性ガスＧ１１またはパージガスＧ１２の流入の切り替えを行うためのバルブＶ１１、Ｖ１２が設けられている。また、石英管２２の周囲には、石英管２２内を加熱するヒータ２８ａ〜２８ｃが設けられている。
【００３０】
また、成膜装置には、発光部２９の発光制御を行うとともに、受光部３０から出力された信号に基づいて、バルブＶ１１、Ｖ１２の開閉制御を行う制御部３１が設けられている。ここで、発光部２９と制御部３１とは、配線３２を介して接続され、受光部３０と制御部３１とは、配線３３を介して接続されている。なお、配線３２、３３は、ウェハボート２５の支柱に埋め込むことができる。
【００３１】
そして、ウェハＷの成膜処理を行う場合、ウェハＷおよびモニタウェハＭをウェハボート２５の爪２６上に縦列配置する。そして、ヒータ２８ａ〜２８ｃを用いて石英管２２内を加熱しながら、ウェハＷおよびモニタウェハＭが縦列配置されたウェハボート２５を石英管２２内に挿入する。なお、ウェハＷの成膜処理を行う温度は、７００〜１１００℃の範囲内に設定することができる。
【００３２】
そして、ウェハボート２５が石英管２２内に挿入されると、制御部３１は、バルブＶ１１を開くとともに、バルブＶ１２を閉じ、ガス導入管２３を介して石英管２２内に酸化性ガスＧ１１を噴出させながら、ウェハＷの成膜処理を行わせる。また、制御部３１は、発光部２９にレーザ光を出射させ、ウェハボート２５に配置されたモニタウェハＭにレーザ光を入射させるとともに、モニタウェハＭで反射されたレーザ光を発光部３０に受光させる。
【００３３】
ここで、発光部２９および受光部３０を爪２６に設けることで、ウェハＷおよびモニタウェハＭがウェハボート２５に縦列配置されている場合においても、モニタウェハＭ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハＭから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となり、ウェハＷ上に成膜される酸化膜の膜厚をリアルタイムで精度よく監視することが可能となる。
【００３４】
そして、制御部３１は、受光部３０から送られたレーザ光の干渉情報に基づいて、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚を算出する。そして、制御部３１は、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した場合、バルブＶ１１を閉じるとともに、バルブＶ１２を開き、ガス導入管２３を介して石英管２２内にパージガスＧ１２を噴出させることにより、ウェハＷの成膜処理を停止させる。
【００３５】
これにより、成膜処理を行ないながら、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達したかどうかを正確に判定することができる。このため、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した時点で成膜処理を迅速に終了させることが可能となり、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値から外れることを防止して、成膜処理されたウェハＷが無駄に廃棄されることを防止することができる。
【００３６】
図４は、本発明の第３実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図、図５は、図４のウェハボートの一部を拡大して示す断面図である。
図４および図５において、成膜装置には、ボート台４１が設けられ、ボート台４１上には、ウェハＷおよびモニタウェハＭを縦列させて保持するウェハボート４５が支持される。ここで、ウェハボート４５には、ウェハＷおよびモニタウェハＭの端部を支持し、ウェハＷおよびモニタウェハＭを縦列させて配置するための爪４６が設けられている。なお、モニタウェハＭは、縦列配置されたウェハＷの間に一定の割合で挿入することができ、例えば、ウェハボート４５の上部、中間部および下部に配置することができる。
【００３７】
また、成膜装置には、ウェハボート４５を挿入可能な石英管４２が設けられ、石英管４２の下部には、石英管４２内を排気する排気管４４が設けられるとともに、石英管４２の上部には、石英管４２内に酸化性ガスＧ２１またはパージガスＧ２２を導入するガス導入管４３が接続されている。なお、酸化性ガスＧ２１としては、例えば、Ｏ２ガス、Ｈ２ＯガスまたはＨＣｌガスなどを用いることができる。また、パージガスＧ２２としては、例えば、Ｎ２などの不活性ガスを用いることができる。そして、ガス導入管４３には、酸化性ガスＧ２１またはパージガスＧ２２の流入の切り替えを行うためのバルブＶ２１、Ｖ２２が設けられている。また、石英管４２の周囲には、石英管４２内を加熱するヒータ４８ａ〜４８ｃが設けられている。
【００３８】
また、成膜装置には、レーザ光を出射させる発光部４９が設けられるとともに、レーザ光を受光する受光部５０が設けられている。そして、ウェハボート４５には、発光部４９から出射されたレーザ光をモニタウェハＭ上に導く光ファイバ５２が設けられるとともに、モニタウェハＭから反射されたレーザ光を受光部５０に導く光ファイバ５３が設けられている。なお、光ファイバ５２、５３は、図５に示すように、ウェハボート４５の支柱および爪４６内に埋め込むことができる。
【００３９】
また、成膜装置には、発光部４９の発光制御を行うとともに、受光部５０から出力された信号に基づいて、バルブＶ２１、Ｖ２２の開閉制御を行う制御部５１が設けられている。
そして、ウェハＷの成膜処理を行う場合、ウェハＷおよびモニタウェハＭをウェハボート４５の爪４６上に縦列配置する。そして、ヒータ４８ａ〜４８ｃを用いて石英管４２内を加熱しながら、ウェハＷおよびモニタウェハＭが縦列配置されたウェハボート４５を石英管４２内に挿入する。なお、ウェハＷの成膜処理を行う温度は、７００〜１１００℃の範囲内に設定することができる。
【００４０】
そして、ウェハボート４５が石英管４２内に挿入されると、制御部５１は、バルブＶ２１を開くとともに、バルブＶ２２を閉じ、ガス導入管４３を介して石英管４２内に酸化性ガスＧ２１を噴出させながら、ウェハＷの成膜処理を行わせる。また、制御部５１は、発光部４９にレーザ光を出射させ、光ファイバ５２、５３をそれぞれ介し、ウェハボート４５に配置されたモニタウェハＭにレーザ光を入射させるとともに、モニタウェハＭで反射されたレーザ光を発光部５０に受光させる。
【００４１】
ここで、光ファイバ５２、５３をウェハボート４５に設けることで、ウェハＷおよびモニタウェハＭがウェハボート４５に縦列配置されている場合においても、発光部４９および受光部５０を石英管４２内に設置することなく、モニタウェハＭ上にレーザ光を効率よく入射させることが可能となるとともに、モニタウェハＭから反射されたレーザ光を効率よく受光することが可能となり、ウェハＷ上に成膜される酸化膜の膜厚をリアルタイムで精度よく監視することが可能となる。
【００４２】
そして、制御部５１は、受光部５０から送られたレーザ光の干渉情報に基づいて、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚を算出する。そして、制御部５１は、モニタウェハＭに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した場合、バルブＶ２１を閉じるとともに、バルブＶ２２を開き、ガス導入管４３を介して石英管４２内にパージガスＧ２２を噴出させることにより、ウェハＷの成膜処理を停止させる。
【００４３】
これにより、成膜処理を行ないながら、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達したかどうかを正確に判定することができる。このため、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値に達した時点で成膜処理を迅速に終了させることが可能となり、ウェハＷに成膜された酸化膜の膜厚が規定値から外れることを防止して、成膜処理されたウェハＷが無駄に廃棄されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図。
【図３】図２のウェハボートの一部を拡大して示す断面図。
【図４】本発明の第３実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図。
【図５】図４のウェハボートの一部を拡大して示す断面図。
【符号の説明】
Ｗ  製品ウェハ、Ｍ  モニタウェハ、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ１１、Ｖ１２、Ｖ２１、Ｖ２２  バルブ、Ｇ１、Ｇ１１、Ｇ２１  酸化性ガス、Ｇ２、Ｇ１２、Ｇ２２  パージガス、１、２１、４１  ボート台、２、２２、４２  石英管、３、２３、４３  ガス導入管、４、２４、４４  排気管、５、２５、４５  ウェハボート、６、２６、４６  爪、７ａ、７ｂ  フック、８ａ〜８ｃ、２８ａ〜２８ｃ、４８ａ〜４８ｃ  ヒータ、９ａ、９ｂ、２９、４９  発光部、１０ａ、１０ｂ、３０、５０  受光部、１１、３１、５１  制御部、３２、３３  配線部、５２、５３光ファイバ
【図１】
2005005524.tif 000003
【図２】
2005005524.tif 000004
【図３】
2005005524.tif 000005
【図４】
2005005524.tif 000006
【図５】
2005005524.tif 000007