(57)【要約】 【課題】  平坦度の良好な吸着面を備え、使用時にもその吸着面の平坦度が維持される真空吸着装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  真空吸着装置１０は、開気孔を備えた多孔質組織を有し、その表面でウエハＷを吸着保持する載置部１１と、載置部１１を支持する支持部１２から構成される。支持部１２の内底に凹凸部１８を形成し、載置部１１の下面にこの凹凸部１８と嵌合する凹凸部１９を形成し、載置部１１と支持部１２とを実質的に隙間なく直接に接合した。載置部１１に真空吸引力を発生させるための吸気孔として、凹凸部１８の凸壁１８ａに載置部１１が有する開気孔と連通する溝部１３ａを設け、この溝部１３ａと連通するように支持部１２に第１貫通孔１３ｂを設けた。【選択図】  図４
2005205507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開気孔を備えた多孔質組織を有し、その表面で被処理物を吸着保持する載置部と、
前記載置部を支持し、前記載置部が有する開気孔と連通する吸気孔を備えた支持部と、
を具備し、
前記載置部と前記支持部とは、実質的に隙間なく直接に接合されていることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項２】
前記支持部は、所定パターンの第１の凹凸部を備え、
前記載置部は、前記第１の凹凸部と嵌合する第２の凹凸部を備え、
前記吸気孔は、前記第１の凹凸部の凹部に開口するようにその凸部に設けられた溝部および前記溝部と連通する孔部を有することを特徴とする請求項１に記載の真空吸着装置。
【請求項３】
前記載置部は、アルミナとガラスからなる複合組織、または、炭化珪素とガラスからなる複合組織を有し、
前記支持部は、アルミナ、ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素のいずれかからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空吸着装置。
【請求項４】
器状のセラミック部材を作製する工程と、
所定のセラミックス粉末とガラス粉末とを含むスラリーを調製する工程と、
前記スラリー調製工程において作製したスラリーを前記セラミック部材に充填する工程と、
前記スラリーが充填されたセラミック部材を前記ガラス粉末の軟化点以上の温度で焼成し、前記セラミック部材と直接に接合された多孔質部を形成する工程と、
を有することを特徴とする真空吸着装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体ウエハやガラス基板等に研磨等の湿式加工を行うために、半導体ウエハ等を真空吸着保持する真空吸着装置、およびその製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハを搬送、加工、検査する場合に、真空吸引力を利用した真空吸着装置が広く用いられている。このような真空吸着装置としては、吸着面に開口した複数の貫通孔を有するものが一般的であったが、この場合には貫通孔のみが吸着作用を示すために、吸着面内の吸着力が不均一となりやすく、これによって半導体ウエハの加工精度が低下する等の問題を生じていた。
【０００３】
そこで、半導体ウエハのより均一な吸着を行うために、多孔質な載置部を有する真空吸着装置が検討されている。例えば、図６の垂直断面図に示すように、多孔質な載置部９１と、載置部９１の下側に空間部９４が形成されるように載置部９１を支持し、この空間部９４に連通する吸気孔９３を有する支持部９２とを備え、載置部９１と支持部９２とが樹脂またはガラス等の接着剤で接合された真空吸着装置９０が知られている。
【０００４】
また、図７の垂直断面図に示すように、多孔質な載置部８１と、この載置部８１を支持し、載置部８１の開気孔と連通する吸気孔８３を有する支持部８２とを備えた真空吸着装置８０や、図８の垂直断面図に示す真空吸着装置８０´のように、図７に示した真空吸着装置８０の吸気孔８３を複数の細い吸気孔８３´に変更した形態を有するもの知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００５】
これらの真空吸着装置８０等ではそれぞれが具備する吸気孔８３等を通して載置部８１等に真空吸引力を生じさせることにより、半導体ウエハＷを載置部８１等の全面で吸着保持するため、載置部８１等の表面の平坦度を高める必要がある。そこで、載置部８１等の表面には、載置部８１等が支持部８２等に保持された状態で、ダイヤモンド砥石等による平面研削加工が施される。
【０００６】
しかしながら、図６に示した真空吸着装置９０では、載置部９１の下側に空間部９４が形成されているために、載置部９１表面の平面研削加工時の撓み変形が大きく、高い平坦度を得ることが困難である。図７および図８に示した真空吸着装置８０・８０´のように載置部８１の下側に空間部９４のような空間がない場合でも、平面研削加工時の載置部８１の撓み変形によって吸気孔８３・８３´が載置部８１の表面に転写されて凹みが生じ、載置部８１の表面の平坦度が低下するという問題がある。
【０００７】
また、これら真空吸着装置８０・８０´においては、載置部８１と支持部８２とを樹脂またはガラス等の接着剤により接合しているために、この接着剤が載置部８１の内部に浸透して接着剤の厚みが不均一になりやすく、しかも、空隙が発生しやすい。これにより載置部８１の接着強度にばらつきが生じ、平面研削加工時の撓み変形によって接着部の空隙が載置部８１の表面に転写されて、載置部８１表面の平坦度を悪化させる。
【０００８】
このように表面の平坦度が良好でない載置部８１等を備えた真空吸着装置８０等に半導体ウエハＷを真空吸着した場合には、載置部８１等の表面形態に倣って半導体ウエハＷに反りが生じるため、半導体ウエハＷの加工精度が低下する。
【０００９】
さらに、真空吸着装置９０では、載置部９１がその周縁のみで支持部９２に支持されているために、半導体ウエハＷの真空吸着時に半導体ウエハＷの表面加わる大気圧によって、載置部９１および半導体ウエハＷに反りが生ずる問題がある。また、真空吸着装置８０・８０´では、載置部８１等の下側に吸気孔８３・８３´が形成されており、また、載置部８１と支持部８２との間に空隙が形成されやすいために、この大気圧によって、これら吸気孔８３・８３´や空隙が載置部８１の表面に転写され、これによって載置部８１の表面に吸着保持される半導体ウエハＷの平坦度も低下するという問題がある。
【００１０】
さらにまた、上述した真空吸着装置８０等のように、載置部８１等と支持部８２等とが接着された構造では、載置部８１等の外周側壁と支持部８２等の内周側壁との間に隙間が生じやすく、これによって半導体ウエハＷの吸着が不均一となる問題や、半導体ウエハＷにはこの隙間部分の上側で窪みが生じて半導体ウエハＷの平坦度が低下するという問題もある。
【特許文献１】特開昭５３−０９０８７１号公報
【特許文献２】特開昭６１−１８２７３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、平坦度の良好な吸着面を備え、使用時にもその吸着面の平坦度が維持される真空吸着装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
すなわち、本発明によれば、開気孔を備えた多孔質組織を有し、その表面で被処理物を吸着保持する載置部と、
前記載置部を支持し、前記載置部が有する開気孔と連通する吸気孔を備えた支持部と、
を具備し、
前記載置部と前記支持部とは、実質的に隙間なく直接に接合されていることを特徴とする真空吸着装置、が提供される。
【００１３】
この真空吸着装置においては、前記支持部は所定パターンの第１の凹凸部を備え、前記載置部は前記第１の凹凸部と嵌合する第２の凹凸部を備え、前記支持部に設けられた吸気孔は、前記第１の凹凸部の凹部に開口するようにその凸部に設けられた溝部およびこの溝部と連通する孔部とを有することが好ましい。載置部は、アルミナとガラスからなる複合組織、または、炭化珪素とガラスからなる複合組織を有し、支持部はアルミナ、ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素のいずれかからなることが好ましい。
【００１４】
また、本発明によれば、器状のセラミック部材を作製する工程と、
所定のセラミックス粉末とガラス粉末とを含むスラリーを調製する工程と、
前記スラリー調製工程において作製したスラリーを前記セラミック部材に充填する工程と、
前記スラリーが充填されたセラミック部材を前記ガラス粉末の軟化点以上の温度で焼成し、前記セラミック部材と直接に接合された多孔質部を形成する工程と、
を有することを特徴とする真空吸着装置の製造方法、が提供される。
【００１５】
このような真空吸着装置の製造方法においては、前記セラミック部材として、その内底に所定パターンの凹凸部が形成され、前記凹凸部の凹部に開口するようにその凸部に吸気孔が形成されたものを用い、前記スラリーを前記セラミック部材に充填する前に前記吸気孔に加熱により焼失する材料を充填し、焼成工程によって、前記吸気孔と前記多孔質部が有する空孔とを連通させることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、載置部と支持部とが実質的に隙間なく直接に接合されているために、載置部の表面の平坦度を著しく高めることができ、しかも被処理物を吸着保持した際の撓み変形（反り）が抑制される。また、吸気漏れがないために、被処理物を均一に吸着保持することができる。さらに、載置部の下面と直接に連通する吸気孔が形成されていないために、載置部の表面を平面研削加工する際の吸気孔の表面転写による平坦度の悪化を抑制することができ、また被処理物の吸着保持時における被吸着物の撓み発生をも防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ここでは、被処理物の例として半導体ウエハを取り上げ、この半導体ウエハを吸着保持する真空吸着装置について説明することとする。
【００１８】
図１は本発明に係る真空吸着装置２０の概略平面図であり、図２は図１中の線ＡＡを含む垂直断面図である。
真空吸着装置２０は、連通する気孔（開気孔；図示せず）を備えた多孔質組織を有し、半導体ウエハＷを吸着保持する載置部２１と、この載置部２１を支持する支持部２２から構成されている。
【００１９】
支持部２２は、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素 、ジルコニアから選ばれたセラミックスから構成される。支持部２２は器状であり、その内側の側面に開口するように、所定位置に複数の吸気孔２３が略水平に形成されている。一方、載置部２１は、アルミナおよびガラス、または、炭化珪素およびガラスから構成される。載置部２１が有する開気孔の平均気孔径は１０〜１５０μｍ、気孔率は２０〜４０％であることが好ましい。
【００２０】
吸気孔２３は載置部２１が有する開気孔と連通している。また、載置部２１は、その側面および下面で支持部２２と実質的に隙間なく直接に接合されている。ここで、「実質的に隙間なく直接に接合された」とは、載置部２１の多孔質構造が支持部２２の界面と接していることを指す。このため、支持部２２の吸気孔２３に真空ポンプ等の吸気装置を取り付けて吸気を行うと、吸気孔２３に連通する載置部２１の開気孔を通して、載置部２１の表面全体に吸引力が発生する。このとき、載置部２１と支持部２２とが実質的に隙間なく接合されているために、吸気漏れが発生せず、これにより確実に半導体ウエハＷを吸着保持することができる。
【００２１】
載置部２１の表面（つまり、吸着面）は、後述するように、製造工程の最終段階において、載置部２１の上面と支持部２２の外周部上面とを同時に平面研削／研磨加工することにより形成される。真空吸着装置２０においては、載置部２１と支持部２２との間に実質的に隙間がなく、しかも、載置部２１の下側に吸気孔がないことから、平面研削／研磨加工時に、載置部２１の撓み変形が起こり難く、しかも載置部２１の表面への吸気孔等に起因する転写が防止され、高い平坦度を有する吸着面を形成することができる。また、載置部２１と支持部２２との間に実質的に隙間がないために、半導体ウエハＷを吸着保持した際にも、半導体ウエハＷの平坦度を高く維持することができる。
【００２２】
次に、本発明に係る真空吸着装置の別の実施形態について説明する。図３は本発明に係る真空吸着装置１０の概略構造を示す平面図であり、図４は図３に示す線ＢＢを含む垂直断面図、図５は図３に示す線ＣＣを含む垂直断面図である。
【００２３】
真空吸着装置１０は、先に説明した真空吸着装置２０と同様に、連通する開気孔を備えた多孔質組織を有し、半導体ウエハＷを吸着保持する載置部１１と、この載置部１１を支持し、載置部１１が有する開気孔と連通する吸気孔１３を備えた支持部１２と、を具備している。載置部１１を構成する材料は、先に説明した真空吸着装置２０の載置部２１を構成する各材料と同じであり、支持部１２を構成する材料は支持部２２を構成する材料と同じである。
【００２４】
支持部１２は器状の形状を有し、その内底には、同心円状パターンの凹凸部１８が形成されている。支持部１２に形成される凹凸パターンは、同心円状に限定されるものではなく、格子状、放射状、千鳥模様（市松模様）状等であってもよい。凹凸部１８の凸壁１８ａには、隣接する凸壁１８ａ間の凹部に開口するように、リング状の溝部１３ａが形成されている。また、この溝部１３ａと連通するように複数の第１貫通孔１３ｂが所定位置に設けられている。さらに、支持部１２の内側の側面に開口するように、略水平に第２貫通孔１３ｃが所定位置に複数設けられている。これら溝部１３ａと第１貫通孔１３ｂと第２貫通孔１３ｃが吸気孔１３を構成する。なお、真空吸着装置１０を、第２貫通孔１３ｃを設けない形態に変更してもよい。
【００２５】
載置部１１の外周側面は支持部１２に囲繞され、載置部１１の底面には凹凸部１８と嵌合するパターンを有する凹凸部１９が形成されており、載置部１１と支持部１２とは、実質的に隙間なく直接に接合されている。後に真空吸着装置１０の製造方法について説明する通り、凹凸部１９は、載置部１１の成形段階で支持部１２の凹凸部１８と嵌合できるように容易に形成することができる。
【００２６】
真空吸着装置１０では、支持部１２に形成された第１貫通孔１３ｂおよび第２貫通孔１３ｃに真空ポンプを取り付けて吸気を行うと、溝部１３ａおよび溝部１３ａと連通する載置部１１の開気孔を通して、載置部１１の表面全体に吸引力が発生する。なお、載置部１１に半導体ウエハＷを真空吸着させるための必要な吸着力を生じさせることができるように、凹凸部１８における凸壁１８ａの数（段差数）や凹凸部１８の段差寸法、溝部１３ａの数と幅と高さ、第１貫通孔１３ｂの配設数等は、真空吸着装置１０の使用条件を考慮して適切に定めればよい。
【００２７】
このような構造を有する真空吸着装置１０では、載置部１１が側面および下面全面で支持部１２に保持されているために、平面研削加工時の撓み変形が抑制され、平坦度の高い吸着面を得ることができる。また、支持部１２には、載置部１１の凹凸部１９の垂直面に連通するように溝部１３ａが形成され、凹凸部１９の水平面に連通する吸気孔が形成されていないために、平面研削加工時に、載置部１１の表面への溝部１３ａや第１貫通孔１３ｂの転写は起こらない。さらに、載置部１１と支持部１２とが直接に実質的に隙間なく接合されているために、吸気漏れがなく、これにより、半導体ウエハＷを均一に吸着保持することができる。さらにまた、半導体ウエハＷを吸着保持した際にもその平坦度が維持されるために、半導体ウエハＷに反りや窪みが生ずることが抑制される。これにより、半導体ウエハＷを高い精度で処理することができる。
【００２８】
本発明に係る真空吸着装置は、上記真空吸着装置１０・２０のように、その平面形状が円形のものに限定されず、吸着保持する被処理物の形状に応じた変形が可能である。例えば、本発明に係る真空吸着装置の平面形状は略四角形であってもよい。
【００２９】
次に、真空吸着装置１０を例に、その製造方法について説明する。
最初に、支持部１２となる器状のセラミック部材を作製する。例えば、アルミナ等のセラミックス粉末に所定量のバインダを加えて造粒処理し、これを一軸プレス成形し、さらにＣＩＰ成形して、円板状のプレス成形体を作製する。次いで、このプレス成形体を器状に加工して内底に所定パターンの凹凸部を形成し、この凹部に開口する溝部と、この溝部に連通する第１貫通孔と、内側の側面に開口する第２貫通孔とを形成する。得られた加工体を必要に応じて脱脂処理した後、所定の雰囲気、温度、時間で焼成することにより、支持部１２となるセラミック部材を得ることができる。なお、プレス成形体を仮焼し、得られた仮焼体に凹凸部等を形成する加工を施し、その後に焼成処理を行ってもよい。
【００３０】
その一方で、載置部１１を形成するために用いられるスラリーを調製する。このスラリーは、セラミックス粉末（アルミナ粉末または炭化珪素粉末）およびガラス粉末に、水またはアルコール等の溶剤を加えて、ボールミル、ミキサー等の公知の方法により混合することにより作製することができる。なお、水またはアルコール等の添加量は、特に限定されるものではないが、セラミックス粉末の粒度、ガラス粉末の添加量を考慮して、所望の流動性が得られるように、調節することが好ましい。
【００３１】
ここで、開気孔の平均気孔径が１０〜１５０μｍ、気孔率が２０〜４０％である載置部１１を最終的に形成するためには、セラミックス粉末（つまり、アルミナ粉末または炭化珪素粉末）としては、その平均粒径が３０μｍ〜５００μｍのものを使用することが好ましい。
【００３２】
載置部１１の構成成分の１つであるガラスとしては、その熱膨張係数が、載置部１１のもう一方の構成成分であるセラミックスの熱膨張係数より小さいものを用いることが好ましい。これにより、後の焼成段階で、支持部１２の界面と実質的に連続している組織を有する載置部１１を形成することができる。また、載置部１１において結合材としての役割を有するガラスに圧縮応力が加わった状態を作り出すことができる。ガラスは一般的に引張強度に弱いために、ガラスに圧縮応力が加わった状態とすることにより、載置部１１の強度が高められ、研削加工時の脱粒や欠け等の発生も抑制される。
【００３３】
載置部１１を形成するための原料であるガラス粉末の平均粒子径は、載置部１１のもう一方の原料であるセラミックス粉末の平均粒子径よりも小さいことが好ましい。これは、ガラス粉末の平均粒径がセラミックス粉末よりも大きいと、セラミックス粉末の充填が阻害されて、後のガラス軟化点以上での焼成時に焼成収縮を起こしてしまうからであり、この場合には、セラミック部材と焼成により形成された多孔質部との境界に隙間が生じてしまうこととなる。ガラス粉末の平均粒径は、セラミックス粉末の平均粒径の１／３以下であることが好ましく、１／５以下であることがより好ましい。
【００３４】
セラミックス粉末に対して添加するガラス粉末の量は、使用するセラミックス粉末の粒度（粒度分布）や焼成温度におけるガラスの粘性等を考慮して調整されるが、多過ぎるとセラミックス粉末の充填が阻害されて焼成収縮が生じ、逆に少な過ぎるとセラミックス粉末の結合強度が低下し、脱粒や欠け等が生ずる。このため、ガラス粉末の量は、所望の結合強度、気孔率が得られる範囲においてできるだけ少ないことが好ましく、具体的には、概ね、セラミックス粉末１００質量部に対して、５〜３０質量部とすることが好ましい。
【００３５】
次に、セラミック部材に形成されている溝部、第１貫通孔および第２貫通孔に、樹脂等の焼失材料を充填する。次いで、作製したスラリーをセラミック部材に充填して、後の焼成により載置部１１となる部分を成形する。その際に必要に応じて、スラリー中の残留気泡を除去するための真空脱泡処理や充填率を高めるための振動を加えるとよい。
【００３６】
こうしてスラリーが充填されたセラミック部材を十分に乾燥させた後、載置部１１形成用のガラスの軟化点以上の温度で焼成し、多孔質部を形成する。このとき、焼成温度がガラスの軟化点より低いと、セラミック部材と多孔質部を十分に一体化することができないが、反対に焼成温度が高過ぎると多孔質部が変形や収縮を起こすため、できるだけ低温で焼成することが望ましい。続いて、得られた焼成体の表面全体を研削し、さらに必要に応じて研磨処理することにより、真空吸着装置１０が得られる。
【００３７】
このような真空吸着装置１０の製造方法によれば、載置部１１と支持部１２とを別個に製造する必要がなく、また、支持部１２を構成する器状セラミック部材の加工形状にしたがって載置部１１となる多孔質部を形成することができるために、載置部１１と支持部１２との境界の面合わせ加工が不要となる。これにより、製造コストを大幅に低減することができる。さらに、載置部１１と支持部１２との界面に隙間が生ずることがないために、載置部１１を平面研削加工する際に、このような隙間に起因する転写の発生がない。これにより平坦度の高い吸着面を得ることができる。
【実施例】
【００３８】
（実施例）
実施例として図３〜５に示した真空吸着装置１０を作製した。すなわち、公知のセラミック部材の製造方法により、支持部１２と同構造を有する緻密質アルミナ部材（外径：２５０ｍｍ、内径：２００ｍｍ、高さ（厚さ）：５０ｍｍ、深さ：４０ｍｍ、熱膨張係数：８．０×１０−６／℃）を作製し、この緻密質アルミナ部材に設けられた吸気孔に樹脂を充填した。また、アルミナ粉末（平均粒径：１２５μｍ）とガラス粉末（ほう珪酸ガラス、平均粒径：２０μｍ、熱膨張係数：４０×１０−７／℃、軟化点：８００℃）と蒸留水とを、１００：２０：２０の質量比で秤量し、ミキサーを用いて混練して、スラリーを作製した。
【００３９】
得られたスラリーを緻密質アルミナ部材に注型し、真空脱泡を行った後、振動を加えてスラリーに含まれる粉末を沈降充填させた。これを１００℃で乾燥させ、その後に１０００℃で焼成した。これによりスラリーが充填された部分にアルミナとガラスからなる多孔質部が形成された。続いて、得られた焼成体の表面をダイヤモンド砥石で平面研削し、真空吸着装置１０を得た。
【００４０】
この真空吸着装置の多孔質部（つまり、載置部１１）と緻密質アルミナ部材（つまり、支持部１２）との接合界面を観察したところ、亀裂や隙間は観察されなかった。また、多孔質部の表面には脱粒等の欠陥も観察されなかった。さらに、この多孔質部の表面の平坦度と、この多孔質部の表面に直径２００ｍｍ×厚さ０．１ｍｍの半導体ウエハを吸着保持した際の半導体ウエハの反りとを、真直度測定装置により測定した結果、ともに０．５μｍ程度と良好であった。
【００４１】
（比較例）
比較例として図８に示す真空吸着装置８０´を作製した。すなわち、アルミナ多孔質体を加工して載置部８１を作製し、緻密質アルミナ体を加工して支持部８２を作製した。この支持部８２の内表面にガラスペーストを塗布した後、載置部８１を支持部８２に挿入して８００℃で焼成し、これらをガラス接合した。得られた接合体の表面を平面研削して、真空吸着装置１０を得た。
【００４２】
こうして作製した真空吸着装置における載置部８１と支持部８２との境界（接合部）を観察したところ、小さな隙間が複数箇所に観察された。また、実施例と同様に、載置部８１の表面の平坦度を測定した結果、約５μｍと大きかった。さらに載置部８１に半導体ウエハを吸着保持させたときの半導体ウエハの反りは約１５μｍとなり、載置部８１表面の平坦度よりも大きな変形が生じていた。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の真空吸着装置は、例えば、半導体ウエハやガラス基板等の搬送装置、加工装置、検査装置等に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の真空吸着装置の第１の実施形態を示す平面図。
【図２】図１中に示す線ＡＡを含む垂直断面図。
【図３】本発明の真空吸着装置の第２の実施形態を示す平面図。
【図４】図３中に示す線ＢＢを含む垂直断面図。
【図５】図３中に示す線ＣＣを含む垂直断面図。
【図６】従来の真空吸着装置の一例を示す断面図。
【図７】従来の真空吸着装置の別の例を示す断面図。
【図８】従来の真空吸着装置のさらに別の例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１０；真空吸着装置
１１；載置部
１２；支持部
１３；吸気孔
１３ａ；溝部
１３ｂ；第１貫通孔
１３ｃ；第２貫通孔
１８；凹凸部
１８ａ；凸壁
１９；凹凸部
２０；真空吸着装置
２１；載置部
２２；支持部
２３；吸気孔
８０・８０´・９０；真空吸着装置
８１・９１；載置部
８２・９２；支持部
８３・８３´・９３；吸気孔
９４；空間部
【図１】
2005205507.tif 000003
【図２】
2005205507.tif 000004
【図３】
2005205507.tif 000005
【図４】
2005205507.tif 000006
【図５】
2005205507.tif 000007
【図６】
2005205507.tif 000008
【図７】
2005205507.tif 000009
【図８】
2005205507.tif 000010