(57)【要約】【課題】ＩＣチップのトランジスタ・レベルにおけるＤＣ電圧変動および／またはＡＣ電圧変動を小さくするための新規な方法および装置を提供すること。【解決手段】本発明装置は、電力バスと接地バスの複数の対を備えている。電力バスと接地バスの対の各々は、１本の電力バスおよび１本の接地バスを有している。装置は、さらに、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の電力バスを備えている。この第１の電力バスは、複数の電力バンプを備えている。また、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の接地バスを備えている。この第１の接地バスは、複数の接地バンプを備えている。複数の電力／接地バンプの各々は、第１の接地バスの任意の直接隣り合う接地バンプから、実質的に等距離に配置されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力バスと接地バスの複数の対であって、電力バスと接地バスの対の各々が、それぞれ１本の電力バスおよび１本の接地バスを有し、電力バスと接地バスの各対のバスの各々の相互距離が、電力バスと接地バスの異なる対のバスとの距離より短い、電力バスと接地バスの複数の対と、
複数の電力バンプを備えた、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の電力バスと、
複数の接地バンプを備えた、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の接地バスであって、複数の電力バンプの各々が、第１の接地バスの任意の直接隣り合う接地バンプから実質的に等距離に配置され、かつ、複数の接地バンプの各々が、第１の電力バスの任意の直接隣り合う電力バンプから実質的に等距離に配置された第１の接地バスとを備えた装置。
【請求項２】
第１の電力バスおよび第１の接地バスが、電気短絡を生じずに、互いに可能な限り接近して配置された請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第１の電力バスおよび第１の接地バスが、信号の劣化を生じずに、互いに可能な限り接近して配置された請求項１に記載の装置。
【請求項４】
装置が、電力バスおよび接地バスと結合したインダクタンスを小さくする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
第１の電力バスが複数のワイヤを備えた請求項１に記載の装置。
【請求項６】
複数のワイヤが電気結合された請求項５に記載の装置。
【請求項７】
第１の接地バスが複数のワイヤを備えた請求項１に記載の装置。
【請求項８】
複数のワイヤが電気結合された請求項７に記載の装置。
【請求項９】
第１の電力バスの幅を第１の接地バスとは反対の側に拡張する追加ワイヤをさらに備えた請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
追加ワイヤが、第１の電力バスと結合した抵抗およびインダクタンスのうちの少なくとも一方を小さくする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
第１の接地バスの幅を第１の電力バスとは反対の側に拡張する追加ワイヤをさらに備えた請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
追加ワイヤが、第１の接地バスと結合した抵抗を小さくする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
実質的に等距離にあるバンプに関連する距離が、装置を製造するために利用する半導体プロセスによって決まる請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
装置がＶＬＳＩチップに利用される請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
除去されるバンプを備えたバスに関連する電圧降下を大きくすることなく、個々のバンプが除去される請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
除去されるバンプがα感応回路上に配置された請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
除去するバンプに関連する電圧降下を補償するべく、バスの少なくとも１つの金属の幅が拡大される請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
電力バスおよび接地バスが、複数の電力バンプおよび接地バンプの位置を変更することなく、選択された抵抗値に調整される請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
複数の電力バンプが鉛を含む請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
複数の接地バンプが鉛を含む請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
複数の電力バンプのパターンが対角線状パターンである請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
電力バスと接地バスの複数の対を形成するステップであって、電力バスと接地バスの対の各々が、それぞれ１本の電力バスおよび１本の接地バスを有し、電力バスと接地バスの各対のバスの各々の相互距離が、電力バスと接地バスの異なる対のバスとの距離より短いステップと、
複数の電力バンプを備えた、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の電力バスを形成するステップと、
複数の接地バンプを備えた、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の接地バスを提供するステップであって、複数の電力バンプの各々が、第１の接地バスの任意の直接隣り合う接地バンプから実質的に等距離に配置され、かつ、複数の接地バンプの各々が、第１の電力バスの任意の直接隣り合う電力バンプから実質的に等距離に配置されるステップとを含むバンプ構造を得る方法。
【請求項２３】
第１の電力バスおよび第１の接地バスが、電気短絡を生じずに、互いに可能な限り接近して配置される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
第１の電力バスおよび第１の接地バスが、信号の劣化を生じずに、互いに可能な限り接近して配置される請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
装置が、電力バスおよび接地バスと結合したインダクタンスを小さくする請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に集積回路（ＩＣ）内の電力分配に関する。より詳細には、本発明の一実施態様は、インダクタンスおよび抵抗の小さい電力バスおよびバンプ・パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日の電子製品に対する機能要求の増加に伴い、これらの電子製品に関連するＩＣ設計もますます複雑になっている。マイクロプロセッサ・チップ（カリフォルニア州パロアルトのＳｕｎ  Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ社製のマイクロプロセッサ・チップを含む）などの超大規模集積（ＶＬＳＩ）回路は、このようなＩＣ設計の一例である。これらの設計が、同一のフロア空間に追加機能を組み込むためによりコンパクトになるにつれ、トランジスタ・レベルにおける電圧変動が設計者にとって即重大な問題になっている。より詳細には、今日のＩＣ設計者が直面している課題は、ＩＣチップのトランジスタの直流（ＤＣ）電圧および交流（ＡＣ）電圧の変動を小さくすることである。
【０００３】
ＡＣ電圧変動においては、電圧変動は、インダクタンスおよび電流変動率に正比例しており、したがって電流スイングが大きくなると、それに伴って電圧の変動が大きくなる。電流の大きなスイングは、例えばチップ内の様々なクロック・ゲーティング（すなわちターン・オフ／オン）ブロック、命令とデータの高いスイッチング・パターン、および幅広の命令バスとデータ・バスによるものである。ＤＣ電圧変動においては、電圧変動は、一般的に所与の経路の抵抗に正比例しており、したがって経路の抵抗が大きくなると、それに伴ってその経路における電圧降下が大きくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、従来技術にかかわる問題には、電力消費の増加および部分的にチップのトランジスタの不安定電圧レベルおよび／または予測不能電圧レベルによる性能低下が含まれている。また、トランジスタ・レベルにおける不安定電圧および／または予測不能電圧により、チップの信頼性が低下している。
【０００５】
今日のＩＣ設計者が直面しているもう１つの問題は、α粒子に敏感な回路の上にバンプを配置する電流バンプ配置技法を使用しなければならないことである。なぜなら、ほぼすべてのバンプが鉛を含んでいるためである。鉛はα粒子を放出する。α粒子がＩＣの動作を妨害するため、極めて望ましくない。
【０００６】
図１は、従来技術による電力グリッド１００の例示的断面図を示したものである。第１の電力バス１０２は、バンプ１０４ａ、１０４ｂおよび１０４ｃを第１の電力バス上に有している。接地バス１０６は、バンプ１０８ａ、１０８ｂおよび１０８ｃを接地バス上に有している。第２の電力バス１１０は、バンプ１１２ａ、１１２ｂおよび１１２ｃを備えている。図１に示すように、接地バス１０６は、第１の電力バス１０２と第２の電力バス１１０の間に配置されている。別法としては、２つの接地バス（図示せず）の間に電力バスを配置することもできる。図１に示すように、異なるバスのバンプがほぼ整列している。例えばバンプ１０４ａは、バンプ１０８ａおよび１１２ａと整列している。
【０００７】
本発明は、新規な電力バンプ・パターンおよび接地バンプ・パターン、および／または新規な電力グリッドと接地グリッドを生成することにより、ＩＣチップのトランジスタ・レベルにおけるＤＣ電圧変動および／またはＡＣ電圧変動を小さくするための新規な方法および装置を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施態様は、上記したパターンおよびグリッドが、バンプに接続されるＩＣの頂部の金属層に配置されている。他の実施態様では、新規な電力バンプ・パターンおよび接地バンプ・パターン、および／または新規な電力グリッドと接地グリッドは、低抵抗低インダクタンス電力構造（ＬＲＬＩＰＳ）とされている。さらに他の実施態様では、ＬＲＬＩＰＳは、ＶＬＳＩ設計の電力グリッドと接地グリッドの抵抗および／またはインダクタンスを小さくしている。
【０００９】
さらに他の実施態様では、電力バスと接地バスの複数の対を備えた装置が開示される。電力バスと接地バスの対の各々は、それぞれ１本の電力バスおよび１本の接地バスを有している。電力バスと接地バスの各対のバスの各々の相互距離は、電力バスと接地バスの異なる対のバスとの距離より短くなっている。この装置は、さらに、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の電力バスを備えている。この第１の電力バスは、複数の電力バンプを備えている。また、装置は、電力バスと接地バスの複数の対の第１の対の第１の接地バスを備えている。この第１の接地バスは、複数の接地バンプを備えている。複数の電力バンプの各々は、第１の接地バスの任意の直接隣り合う接地バンプから実質的に等距離に配置されている。また、複数の接地バンプの各々は、第１の電力バスの任意の直接隣り合う電力バンプから実質的に等距離に配置されている。
【００１０】
添付の図面を参照することにより、当分野の技術者に本発明がより深く理解され、また、本発明の多数の目的、特徴および利点が明らかになるであろう。
【００１１】
異なる図面の中で使用されている同一参照記号は、類似または同一アイテムを表している。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下の説明においては、多数の詳細が示されているが、これらの特定の詳細がなくても本発明の実施形態を実践することができることは、当分野の技術者には明らかであろう。したがって、説明の曖昧な理解を避けるために、良く知られている構造、デバイスおよび技法については、ここではその詳細は省略されている。したがって以下の説明は、本発明を制限するものとしてではなく、単なる例として捕えるべきである。
【００１３】
本明細書の中で言及している「一実施形態」は、その実施形態に関連して記述されている特定の特徴、構造あるいは特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれていることを意味している。したがって本明細書の様々な部分に出現する「一実施形態では」という語句は、必ずしも同じ実施形態をすべて指しているわけではない。
【００１４】
図２は、本発明の一実施形態による電力グリッド２００の例示的断面を示したものである。電力グリッド２００は、それぞれワイヤ２０３ａ〜２０３ｅおよび２０７ａ〜２０７ｅを有する第１の電力バス２０２と第２の電力バス２０６を備えている。一実施形態では、各ワイヤ・セットのワイヤ（２０３ａ〜２０３ｅおよび２０７ａ〜２０７ｅ）は、任意のタイプの誘電体で分離されている。図に示すように、一実施形態によれば、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび２０７ａ〜２０７ｅ）は、例えばコネクタ２０５および２０９（それぞれワイヤ２０３ａ〜２０３ｅおよび２０７ａ〜２０７ｅ全体に見られる）を利用して電気結合されている。一実施形態では、これらのコネクタ（例えば２０５および／または２０９）は、個別の構造ではなく、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび／または２０７ａ〜２０７ｅ）の一体部分である。一実施形態では、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび／または２０７ａ〜２０７ｅ）および／またはコネクタ（例えば２０５および／または２０９）は、同じ材料を利用して構築されている。一実施形態では、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび／または２０７ａ〜２０７ｅ）および／またはコネクタ（例えば２０５および／または２０９）は、銅、アルミニウム、銀、金、他の種類の導電物質、および／またはそれらの任意の組合せを含むグループから選択された材料を使用して構築されている。
【００１５】
第１および第２の電力バス（２０２および２０６）は、それぞれバンプ２０４ａ、２０４ｂおよび２０８ａ、２０８ｂを有している。電力グリッド２００は、さらに、それぞれバンプ２１２ａ〜２１２ｃおよび２１６ａ〜２１６ｃを有する第１の接地バス２１０と第２の接地バス２１４を備えている。一実施形態では、隣接する電力バスと接地バスの任意の対は、短絡しない程度に互いに可能な限り接近している。隣接する電力バスと接地バスの間の距離は、回路を実装するために利用する技術によって異なり、例えば隣接する電力バスと接地バスの間の最短距離は、ある技術では３０ミクロンであり、他の技術では１０ミクロンである。
【００１６】
また、電力バスと接地バスの各対の間の距離を短くすることによって相互インダクタンスを大きくし、それにより設計の全体的なインダクタンスを小さくするようにしている。特定のアプリケーション、特に、より高い周波数（設計によっては、現在、２ＧＨｚを超えているものもある）を利用するアプリケーションでは、インダクタンスを小さくすることが極めて有利であることが分かるであろう。一実施形態では、インダクタンスを小さくすることにより、信頼性の向上ばかりでなく、特定の設計に対する速度が速くなっている。次の式（１）は、相互インダクタンスを小さくすることによる効果をより詳細に示している。
【００１７】
Ｌｔｏｔａｌ＝Ｌ１＋Ｌ２−（２＊Ｌｍｕｔｕａｌ）      （式１）
【００１８】
式１において、Ｌ１およびＬ２は、回路１および２に関連するインダクタンスであり、Ｌｍｕｔｕａｌは、回路１および２の相互インダクタンスである。また、Ｌｔｏｔａｌは、回路１および２の総インダクタンスである。一実施形態では、回路１と２は、それぞれ隣接する電力バスと接地バスである。また、各回路のインダクタンスを小さくすることによって、総インダクタンスを小さくしようとしている。例えば一実施形態では、電力バスおよび／または接地バスの幅がより広く、かつ／または長さがより短くなっているが、有効フロア空間および／または関連するコストに応じて、相互インダクタンス（Ｌｍｕｔｕａｌ）を大きくすることによって総インダクタンス（Ｌｔｏｔａｌ）を小さくすることがより望ましい。したがって、一実施形態では、短絡しない程度に、かつ／または隣接するバスの信号搬送能力に悪影響（例えば、隣接するバスと結合した電界の変動等による）を及ぼさない程度に、対になった電力バスと接地バスの間の間隙を狭くすることが望ましい。このような実施形態では、電力グリッドと接地グリッドのインダクタンスを、それらに関連する抵抗を変化させることなく小さくすることができる。
【００１９】
図２に示すように、一実施形態では、異なる電力バスのバンプが実質的に整列している（例えば垂直方向に）。例えば第１の電力バス２０２のバンプ２０４ａは、第２の電力バス２０６のバンプ２０８ａと整列している。同様に、一実施形態では、接地バスのバンプは整列している。例えば第１の接地バス２１０のバンプ２１２ｂは、第２の接地バス２１４のバンプ２１６ｂと整列している。一実施形態では、電力バスのバンプは、隣接する接地バスのバンプから等距離に配置されている。例えばバンプ２０４ａからバンプ２１２ａおよび２１２ｂまでの距離はほぼ等しい。同様に、一実施形態では、接地バスのバンプは、隣接する電力バスのバンプからほぼ等距離に配置されている。例えばバンプ２１２ｂからバンプ２０４ａおよび２０４ｂまでの距離はほぼ等しい。
【００２０】
図３は、本発明の一実施形態による拡大させた電力グリッド３００の例示的断面図を示したものである。電力グリッド３００は、バンプ２０４ａおよびワイヤ２０３ａ〜２０３ｅを有する第１の電力バス２０２を備えている。電力グリッド３００は、さらに、バンプ２１２ａおよびワイヤ２１１ａ〜２１１ｅを有する第１の接地バス２１０を備えている。図に示すように、バンプ２０４ａとバンプ２１２ａは、垂直方向に整列していない（図２に関連して考察したように）。一実施形態では、各ワイヤ・セットのワイヤ（２０３ａ〜２０３ｅおよび２１１ａ〜２１１ｅ）は、任意の種類の誘電体で分離されている。図３に示すように、一実施形態によれば、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび２１１ａ〜２１１ｅ）は、例えばコネクタ２０５および２１３（それぞれワイヤ２０３ａ〜２０３ｅおよび２１１ａ〜２１１ｅのすべてに渡って示されている）を利用して電気結合されている。他の実施形態では、ワイヤ２０３ａ〜２０３ｅおよび２１１ａ〜２１１ｅは、それぞれ単一ワイヤ（例えば２０３および２１１）である。また、プロセスの制限により、単一ワイヤではなく、ワイヤ・セットを必要とすることがある。
【００２１】
さらに他の実施形態では、これらのコネクタ（例えば２０５および／または２１３）は、個別の構造ではなく、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび／または２１１ａ〜２１１ｅ）の一体部分であることが意図されている。一実施形態では、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび／または２１１ａ〜２１１ｅ）および／またはコネクタ（例えば２０５および／または２１３）は、同じ材料を利用して構築されている。一実施形態では、ワイヤ（例えば２０３ａ〜２０３ｅおよび／または２１１ａ〜２１１ｅ）および／またはコネクタ（例えば２０５および／または２１３）は、銅、アルミニウム、銀、金、他の種類の導電物質、および／またはそれらの任意の組合せを含むグループから選択された材料を使用して構築されている。
【００２２】
電力グリッド３００は、さらに、拡張ワイヤ３０２ａ、３０２ｂおよび３０４ａ、３０４ｂを備えている。図３に示すように、一実施形態によれば、ワイヤ（例えば３０２ａ、３０２ｂおよび２０３ａ〜２０３ｅ）は、例えばコネクタ３０３（ワイヤ３０２ａおよび３０２ｂの両方に渡って示されている）を利用して電気結合されている。同様に、一実施形態によれば、ワイヤ（例えば３０４ａ、３０４ｂおよび２１１ａ〜２１１ｅ）は、例えばコネクタ３０５（ワイヤ３０４ａおよび３０４ｂの両方に渡って示されている）を利用して電気結合されている。一実施形態では、これらのコネクタ（例えば３０３および／または３０５）は、個別の構造ではなく、ワイヤ（例えば３０２ａ、３０２ｂおよび／または３０４ａ、３０４ｂ）の一体部分であることが意図されている。他の実施形態では、ワイヤ（例えば３０２ａ、３０２ｂおよび／または３０４ａ、３０４ｂ）および／またはコネクタ（例えば３０３および／または３０５）は、同じ材料を利用して構築されている。さらに他の実施形態では、ワイヤ（例えば３０２ａ、３０２ｂおよび／または３０４ａ、３０４ｂ）および／またはコネクタ（例えば３０３および／または３０５）は、銅、アルミニウム、銀、金、他の種類の導電物質、および／またはそれらの任意の組合せを含むグループから選択された材料を使用して構築されている。
【００２３】
第１の電力バス２０２のワイヤ・セット２０３ａ〜２０３ｅは、第１の接地バス２１０とは反対の側へ拡張させている（例えば拡張ワイヤ３０２ａ、３０２ｂを利用して）。また、ワイヤ・セット２１１ａ〜２１１ｅは、第１の電力バス２０２とは反対の側へ拡張している（例えば拡張ワイヤ３０４ａ、３０４ｂを利用して）。部分的に、総インダクタンスを小さくするように、ワイヤ・セットを互いに可能な限り接近させる場合（例えば、図２に対する考察を参照されたい）に、例えば拡張ワイヤ３０２ａ、３０２ｂおよび３０４ａ、３０４ｂの各々を使用して、ワイヤ・セット２０３ａ〜２０３ｅおよび２１１ａ〜２１１ｅをこのように拡張させているので、実施形態が短絡することはない。総インダクタンスは、（１）自己インダクタンスが小さくなる（例えば、より広い導電経路を導入することにより）、および／または（２）相互インダクタンスが大きくなる（例えば図３参照）の２つの理由のいずれか１つ、あるいは両方の理由によって小さくなる。この効果により、ワイヤを追加することによって、どちらの１つまたは複数のバスの幅を広げるかに応じて、より幅の広い電力バスおよび／または接地バスが提供される。また、本発明の一実施形態によれば、例えば拡張ワイヤ３０４ａ、３０４ｂと隣接する電力グリッド（図示せず）との間の相互インダクタンスが大きくなり、一方、ワイヤ・セット２１１ａ〜２１１ｅと隣接する電力グリッドとの間の相互インダクタンスが小さくなる。
【００２４】
したがって、本発明の一実施形態では、１本または複数本のワイヤを追加することによって、隣接する電力／接地バスのワイヤ・セットの反対側にワイヤ・セットを拡張する。例えば、図２に関して、第２の電力バス２０６と第２の接地バス２１４を一対の電力バスと接地バスと見なすと、第２の接地バス２１４とは反対の側にワイヤを追加することにより、ワイヤ・セット２０７ａ〜２０７ｅを拡張させることができる。同様に、第２の電力バス２０６とは反対の側にワイヤを追加することにより、ワイヤ２１５ａ〜２１５ｅを拡張させることができる。
【００２５】
一実施形態では、ワイヤ・セットを拡張することにより、電力バスおよび／または接地バスと結合した抵抗を小さくし、抵抗を小さくすることによって、ＤＣによる電圧変動を小さくしている。この電圧変動は、ＩＲ降下としても知られている（Ｉは電流、Ｒは抵抗であり、この２つを掛け合わせることにより、オームの法則すなわちＶ＝Ｉ＊Ｒに従った電圧が得られる）。本発明の一実施形態によるＬＲＬＩＰＳの利点は、電力グリッドと接地グリッドを、バンプ・パターンを変化させることなく、任意の抵抗値に調整できることである。例えば、極めて抵抗の小さい電力グリッドと接地グリッドを設計することができるが、このような設計の場合、大域信号を経路指定するための空間がほとんど残されない。
【００２６】
したがって、本発明の一実施形態によれば、ＬＲＬＩＰＳにより、電力抵抗と接地抵抗が正確な平衡に到達し、かつ、大域信号を追跡することができる。また、一実施形態では、局部化された電力グリッドと接地グリッドを調整することによって所与のＩＣを調整し、それにより電力バンプおよび接地バンプを変更することなく、すべてのトランジスタのＩＲ降下を同じにしている。
【００２７】
また、電力グリッドのインダクタンスが小さくなることにより、ＡＣによる電圧変動が小さくなっている。この電圧変動は、Ｌ＊（ｄｉ／ｄｔ）としても知られている（Ｌはインダクタンスを表し、ｄｉ／ｄｔは、時間（ｔ）に対する電流（ｉ）の変化率を表している）。ｄｉ／ｄｔは、主としてＩＣのアーキテクチャ、周波数および電力によって決定される。インダクタンスＬは、本発明の一実施形態によれば、電力グリッドと接地グリッドが極めて接近し、かつ、互いに緊密に結合しているため、ＬＲＬＩＰＳと共に小さくなる（例えば、図２に対する考察を参照されたい）。一実施形態では、電力グリッドと接地グリッドのインダクタンスを小さくすることにより、時間に対する電流の変動による電圧変動を小さくすることができる。これらの電流変動は、その電流変動が命令とデータ・パターンによるものである場合、それを予測し、かつ、推定することは困難である。したがって本発明の特定の実施形態は、所与の電力グリッドと接地グリッドのインダクタンス（Ｌ）を小さくすることによって、大きな電流変動による影響を抑制し、それにより大きな電圧変動を押え、延いては信頼性および回路の性能を向上させることができる。
【００２８】
一実施形態では、安定かつ予測可能な電圧をすべてのトランジスタに持たせることにより、卓越した最大性能および最少電力消費を達成することができる。また、安定かつ予測可能な電圧をすべてのトランジスタに持たせることにより、ＩＣの信頼性を向上させることができる（例えば、電力バジェットの予測に際して、電圧変動に対する十分な保護帯域が割り当てられていない場合）。
【００２９】
また、一実施形態では、本発明により、電圧降下を大きくすることなく、あるいは電力バンプや接地バンプの全体構造を修正することなく、個々の電力バンプと接地バンプを除去する柔軟性が提供されている。これは、個々のバンプが、例えばα感応回路上にある場合に有効である。このことは、ほとんどすべてのバンプが鉛（鉛は、α粒子を放出する）を含んでいるため、特に貴重である。さらに他の実施形態では、幅の広い金属を利用して、バンプの除去に伴う電圧降下を補償している。また、本発明の一実施形態によれば、ＬＲＬＩＰＳが、ＶＬＳＩチップの歩留まり、すなわち製造可能性に影響を及ぼすことはない。したがって、本発明の一実施形態によれば、ＬＲＬＩＰＳは、ＩＣの実行をより高速にし、ＩＣの総合電力消費を低減し、かつ／またはこれらの性能および電力利益の何らかの組合せを提供している。
【００３０】
また、低電圧コーナにおいてトランジスタがより高速にスイッチするよう、トランジスタにより高い最小電圧を持たせることにより、ＩＣをより高速に実行させることができる。詳細には、ＡＣ電圧降下およびＤＣ電圧降下に対するバジェットが小さい（すなわち、Ｖｔｒａｎ＝Ｖｓｕｐｐｌｙ−Ｖａｃ＿ｄｒｏｐ−Ｖｄｃ＿ｄｒｏｐ、Ｖｔｒａｎはトランジスタの電圧、Ｖｓｕｐｐｌｙは電源電圧、Ｖａｃ＿ｄｒｏｐは、ＡＣ降下に関連する電圧、Ｖｄｃ＿ｄｒｏｐは、ＤＣ降下に関連する電圧）ため、上記最小電圧はより大きくなる。別法としては、一実施形態では、トランジスタの電圧はそのままで（例えば、同じ性能が得られる）、Ｖｓｕｐｐｌｙを小さくすることによって総合電力消費を小さくしている。
【００３１】
したがって、一実施形態では、パッケージ電力平面のチーズ化を小さくするように、バンプ・パターンが対角線状のパターンになっており、それにより、例えばセラミック・パッケージの抵抗（Ｒ）およびインダクタンス（Ｌ）を小さくしている。また、このような実施形態は、総合電圧降下を小さくすることが意図されている。
【００３２】
以上、特定の実施形態について説明した。利点のすべて、またはいくつかを獲得したことにより、上で説明した実施形態に改変を加えることができることは、当分野の技術者には明らかであろう。例えば、本発明の実施形態は、電力グリッドおよび／または接地グリッドを備えた任意のデバイスに等しく適用することができる。したがって、特許請求の範囲の目的は、このようなすべての変形形態および改変を、本発明の実施形態の精神および範囲に帰属するものとして包含することである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による電力グリッド１００の例示的断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による電力グリッド２００の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による拡大電力グリッド３００の例示的断面図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００  電力グリッド
１０２、１１０、２０２、２０６  電力バス
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、２０４ａ、２０４ｂ、２０８ａ、２０８ｂ、２１２ａ〜２１２ｃ、２１６ａ〜２１６ｃ  バンプ
１０６、２１０、２１４  接地バス
２０３ａ〜２０３ｅ、２０７ａ〜２０７ｅ、２１１ａ〜２１１ｅ、２１５ａ〜２１５ｅ  ワイヤ
２０５、２０９、２１３、３０３、３０５  コネクタ
３０２ａ、３０２ｂ、３０４ａ、３０４ｂ  拡張ワイヤ
【図１】
2005005654.tif 000003
【図２】
2005005654.tif 000004
【図３】
2005005654.tif 000005