(57)【要約】【課題】  個人用コンピュータの周辺機器として使われるカメラ及び一般移動用カメラに使われるＣＩＳモジュールを提供する。【解決手段】  本発明はイメージセンサー用の第１半導体チップ及びデジタル信号処理用の第２半導体チップの基板の上下面に配置し、透明高分子素材の封止樹脂を射出成形、あるいはトランスファー成形方式で第１及び第２半導体チップと密着されて射出成形方式で密封することを特徴とする透明高分子素材を適用したイメージセンサー用半導体パッケージモジュール及びその製造方法である。よって、一度の成形工程で封止樹脂部を形成することによってコスト低減効果が達成できる。【選択図】  図２
2005005720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面にワイヤーボンディングできる回路パターンが形成された基板と、
前記基板の上面に搭載され、ワイヤーボンディングされたイメージセンサー用の第１半導体チップと、
前記基板の下面に搭載され、ワイヤーボンディングされたデジタル信号処理用の第２半導体チップと、
前記基板表面に射出成形方式で形成され、前記第１及び第２半導体チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部と、
を具備することを特徴とする透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項２】
前記封止樹脂部は前記第１半導体チップにのみ完全に密着されて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項３】
前記透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュールは、
前記基板の下面で前記第２半導体チップと密着されて形成されたＥＭＣ部をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項４】
前記封止樹脂部は前記第１半導体チップ及び第２半導体チップと完全に密着されて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項５】
前記封止樹脂部は上側にレンズキットが結合できるネジ溝が形成されたことを特徴とする請求項２に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項６】
前記封止樹脂部は側面に光が透過しない保護材がさらに形成されたことを特徴とする請求項２に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項７】
前記保護材はテープであることを特徴とする請求項６に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項８】
前記封止樹脂部は前記ネジ溝と結合されるレンズキットをさらに具備することを特徴とする請求項５に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項９】
前記レンズキットは光学レンズと赤外線フィルタとが垂直に配列された構造であることを特徴とする請求項８に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１０】
前記封止樹脂部は射出成形時に光学レンズの機能を含むように内部にプラスチックレンズ部が作られた構造であることを特徴とする請求項２に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１１】
前記プラスチックレンズ部は表面に赤外線フィルタがコーティング処理されたことを特徴とする請求項１０に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１２】
前記基板は下面に搭載された受動素子をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１３】
前記受動素子は前記ＥＭＣ部により密封されることを特徴とする請求項１２に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１４】
前記封止樹脂部は前記第１及び第２半導体チップと完全に密着されて形成され、上側にはレンズキットを組立てられるネジ溝が形成されたことを特徴とする請求項４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１５】
前記基板上面の封止樹脂部は前記ネジ溝と結合されるレンズキットをさらに具備することを特徴とする請求項１４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１６】
前記レンズキットは光学レンズと赤外線フィルタとが垂直に配列された構造であることを特徴とする請求項１５に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１７】
前記封止樹脂部は射出成形時に内部に光学レンズの機能を含むようにプラスチックレンズ部が作られた構造であることを特徴とする請求項４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１８】
前記プラスチックレンズ部は表面に赤外線フィルタがコーティング処理されたことを特徴とする請求項１７に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項１９】
前記封止樹脂部は基板上面で側面に光が透過しない保護材がさらに形成されたことを特徴とする請求項４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項２０】
前記基板は下面に搭載された受動素子をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項２１】
前記保護材はテープであることを特徴とする請求項１９に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項２２】
前記封止樹脂部はＰＭＭＡ、ＰＣ、熱硬化性透明エポキシ及び透明ＡＢＳよりなる透明高分子素材のうち選択された何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール。
【請求項２３】
両面にワイヤーボンディングできる回路パターンが形成された基板を準備する段階と、
前記基板の下面にデジタル信号処理用の第２半導体チップ及び受動素子を搭載する段階と、
前記第２半導体チップと前記基板の下面とを電気的に連結するワイヤーボンディングを進める段階と、
前記基板の下面をＥＭＣでモールディングする段階と、
前記基板の上面にイメージセンサー用の第１半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングする段階と、
前記基板の上面に成形工程を進行して前記第１半導体チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部を形成する段階と、
を具備することを特徴とする透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項２４】
前記封止樹脂部を形成する段階は、上側にレンズキットが結合できるネジ溝が作られた構造で形成することを特徴とする請求項２３に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項２５】
前記ネジ溝にレンズキットを結合する段階をさらに進めることを特徴とする請求項２４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項２６】
前記封止樹脂部を形成する段階は、射出成形時に内部に光学レンズの機能を含むようにプラスチックレンズ部が作られた構造で形成することを特徴とする請求項２３に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項２７】
前記プラスチックレンズ部上に赤外線フィルタをコーティングする段階をさらに進めることを特徴とする請求項２６に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項２８】
前記基板上の封止樹脂部の側面に光が透過しない保護材を形成する段階をさらに進めることを特徴とする請求項２３に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項２９】
前記封止樹脂部を形成するための成形工程は射出成形工程であることを特徴とする請求項２４に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３０】
両面にワイヤーボンディングができる回路パターンが形成された基板を準備する段階と、
前記基板の下面にデジタル信号処理用の第２半導体チップ及び受動素子を搭載する段階と、
前記第２半導体チップと前記基板の下面とを電気的に連結するワイヤーボンディングを進める段階と、
前記基板の上面にイメージセンサー用の第１半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングする段階と、
前記基板に成形工程を進行して前記第１及び第２半導体チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部を形成する段階と、
を具備することを特徴とする透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３１】
前記封止樹脂部を形成する段階は、上側にレンズキットが結合できるネジ溝が作られた構造で形成することを特徴とする請求項３０に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３２】
前記ネジ溝にレンズキットを結合する段階をさらに進めることを特徴とする請求項３１に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３３】
前記封止樹脂部を形成する段階は、射出成形時に内部に光学レンズの機能を含むようにプラスチックレンズ部が作られた構造で形成することを特徴とする請求項３０に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３４】
前記プラスチックレンズ部上に赤外線フィルタをコーティングする段階をさらに進めることを特徴とする請求項３３に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３５】
前記基板上の封止樹脂部の側面に光が透過しない保護材を形成する段階をさらに進めることを特徴とする請求項３３に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【請求項３６】
前記封止樹脂部を形成するための成形工程は射出成形工程であることを特徴とする請求項３０に記載の透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに係り、より詳細には、カメラの画像認識用として使われるイメージセンサー用半導体チップと、デジタル信号処理用半導体チップを内蔵するＣＭＯＳ型イメージセンサー（ＣＩＳ：ＣＭＯＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ）モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラ装置に使われるイメージセンサーモジュールは、内部にイメージセンサー用半導体チップと、前記イメージセンサー用半導体チップで収集した光学映像を電気信号に変換するのに使われるデジタル信号処理用半導体チップと、を含むマルチチップ構造の半導体素子である。前記イメージセンサーモジュールは内部に適用される半導体チップの種類によって電荷結合素子（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサーモジュールと、ＣＩＳモジュールとに大別される。
【０００３】
前記イメージセンサーモジュールのうちＣＩＳモジュールに関する従来技術が特許文献１に特許出願されている。
【０００４】
図１は、前述した従来技術によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【０００５】
図１を参照すれば、従来技術によるＣＩＳモジュールの構造は、基板１１上にイメージセンサー用半導体チップ１２と、デジタル信号処理用半導体チップ１８とが水平構造で搭載されている。また、イメージセンサー用半導体チップ１２を動作させるための別途のレンズキット１３が設置されており、前記レンズキット１３は接合手段であるポッティング材２７１、２７２を通じて前記基板１１に付着されている。
【０００６】
前記イメージセンサー用半導体チップ１２は透明な素材の保護手段２５とさらに他のポッティング材２６１、２６２とを通じてキャップを密封する方式で形成されており、前記デジタル信号処理用半導体チップ１８も注射器形態のポッティング手段を使用して密封されている。図面で、１５は光学レンズを示し、１４は赤外線フィルタを示し、１６は仕切り板をそれぞれ示す。
【０００７】
しかし、前述した従来技術によるＣＩＳモジュールは次のような点で改善せねばならない。
【０００８】
第１に、レンズキット１３を基板１１に付着し、イメージセンサー用半導体チップ１２とデジタル信号処理用半導体チップ１８とをそれぞれ別途の工程を通じてモルディングせねばならないために、ＣＩＳモジュールの製造工程が複雑になり、製造コストが高まる問題が発生する。
【０００９】
第２に、製造工程が複雑で、大量生産が難しいために不良発生率が高まり、生産性が低下する問題が発生する。
【００１０】
第３に、イメージセンサー用半導体チップとデジタル信号処理用半導体チップとが水平状態で基板に付着されるためにＣＩＳモジュールのサイズが大きくなる問題が発生する。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００３−００２５８２５号明細書（「Ｓｍａｌｌ Ｉｍａｇｅ Ｐｉｃｋｕｐ Ｍｏｄｕｌｅ」，Ｏｌｙｍｐｕｓ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏ., Ｌｔｄ., ２００２年８月２９日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明が解決しようとする技術的課題は、簡単なモールディング工程を使用して半導体チップを密封し、ＣＩＳモジュールのサイズが縮小でき、大量生産で製造コストが下げられる透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュールを提供するところにある。
【００１２】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュールの製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記技術的課題を解決するために本発明は、両面にワイヤーボンディングができる回路パターンが形成された基板と、前記基板の上面に搭載され、ワイヤーボンディングされたイメージセンサー用の第１半導体チップと、前記基板の下面に搭載され、ワイヤーボンディングされたデジタル信号処理用の第２半導体チップと、前記基板表面に射出成形方式で形成され、前記第１及び第２半導体チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部と、を具備することを特徴とする透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュールを提供する。
【００１４】
本発明の望ましい実施例によれば、前記封止樹脂部は第１半導体チップにのみ完全に密着されて形成されるか、あるいは第１及び第２半導体チップと完全に密着されて形成されうる。
【００１５】
前記封止樹脂部が前記第１半導体チップとのみ完全に密着されて形成される場合、前記第２半導体チップはエポキシモールドコンパウンド（ＥＭＣ：Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）部によって密封される。
【００１６】
また、本発明の望ましい実施例によれば、前記第１半導体チップと完全に密着されて形成される封止樹脂部は必要に応じてレンズキットとの結合のためのネジ溝を具備するか、光学レンズの機能を代えられるプラスチックレンズ部が具備できる。
【００１７】
望ましくは、本発明による透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュールは前記基板下部に搭載される受動素子をさらに含むことができ、前記基板上に形成された封止樹脂部側面に光が透過することが防止できる保護材をさらに含みうる。
【００１８】
前記ネジ溝に結合されるレンズキットは光学レンズと赤外線フィルタとが垂直方向に配列された構造物であることが望ましい。前記基板上の封止樹脂部にプラスチックレンズ部が形成された場合には前記封止樹脂部上に赤外線フィルタがさらにコーティングできる。
【００１９】
前記他の技術的課題を解決するために本発明は第１及び第２実施例を通じて、両面にワイヤーボンディングができる回路パターンが形成された基板を準備する段階と、前記基板の下面にデジタル信号処理用の第２半導体チップ及び受動素子を搭載する段階と、前記第２半導体チップと前記基板の下面とを電気的に連結するワイヤーボンディングを進める段階と、前記基板の下面をＥＭＣでモールディングする段階と、前記基板の上面にイメージセンサー用の第１半導体チップを搭載してワイヤーボンディングする段階と、前記基板の上面に射出成形工程を進行して前記第１半導体チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部を形成する段階と、を具備することを特徴とする透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法を提供する。
【００２０】
本発明の望ましい実施例によれば、前記封止樹脂部を形成する方法は上側にレンズキットが結合できるネジ溝が作られた構造で形成することが適している。その後、前記ネジ溝にレンズキットを結合する段階をさらに進行できる。
【００２１】
また、本発明の望ましい実施例によれば、前記封止樹脂部を形成する方法は成形時に内部に光学レンズの機能を含むようにプラスチックレンズ部が作られた構造で形成することが適している。その後、前記プラスチックレンズ部上に赤外線フィルタをコーティングする段階をさらに進行できる。
【００２２】
望ましくは、前記封止樹脂部を形成する段階後に、前記基板上にある封止樹脂部の側面に光が透過しない保護材を形成する段階をさらに進めることが適している。
【００２３】
前記他の技術的課題を解決するために本発明は第３及び第４実施例を通じて、両面にワイヤーボンディングができる回路パターンが形成された基板を準備する段階と、前記基板の下面にデジタル信号処理用の第２半導体チップ及び受動素子を搭載する段階と、前記第２半導体チップと前記基板の下面とを電気的に連結するワイヤーボンディングを進める段階と、前記基板の上面にイメージセンサー用の第１半導体チップを搭載してワイヤーボンディングする段階と、前記基板に射出成形工程を進行して前記第１及び第２半導体チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部を形成する段階と、を具備することを特徴とする透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール製造方法を提供する。
【００２４】
本発明の望ましい実施例によれば、前記封止樹脂部を形成する方法は上側にレンズキットが結合できるネジ溝が作られた構造で形成することが適している。その後、前記ネジ溝にレンズキットを結合する段階をさらに進行できる。
【００２５】
また、本発明の望ましい実施例によれば、前記封止樹脂部を形成する方法は射出成形時に内部に光学レンズの機能を含むようにプラスチックレンズ部が作られた構造で形成することが適している。その後、前記プラスチックレンズ部上に赤外線フィルタをコーティングする段階をさらに進行できる。
【００２６】
望ましくは、前記封止樹脂部を形成する段階後に、前記基板上にある封止樹脂部の側面に光が透過しない保護材を形成する段階をさらに進めることが適している。
【００２７】
本発明によれば、最初に、密封工程を別途の工程に分けて実施しないために工程が単純化され、第２に、大量生産が可能であるために生産性を高められ、第３に、イメージセンサー用の第１半導体チップと、デジタル信号処理用の第２半導体チップと、を基板に搭載する時に上下方向に垂直配列するためにＣＩＳモジュールのサイズを縮小させうる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、最初に、密封工程を別途の工程に分けて実施しないために全体的な工程段階が減らせる。これにより、工程が単純化されて生産コストが節減される効果がある。
【００２９】
第２に、射出成形を利用した大量生産が可能であるために簡単な工程でＣＩＳモジュールが大量生産できる。
【００３０】
第３に、イメージセンサー用の第１半導体チップと、デジタル信号処理用の第２半導体チップと、を基板に搭載する時に上下方向に垂直配列するためにＣＩＳモジュールのサイズを縮小させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。しかし、下記の詳細なる説明で開示される実施例は本発明を限定しようとする意味でなく、本発明が属した技術分野で当業者に本発明の開示が実施可能な形態に完全になるように発明の範疇を知らせるために提供されるものである。
【００３２】
本明細書でいう成形工程は最も広い意味で使用しており、下記の実施例で説明される射出成形工程のみを限定するものではない。
【００３３】
本発明はその精神及び必須の特徴を離脱せずに他の方式で実施できる。例えば、前記望ましい実施例においては透明高分子素材を適用した封止樹脂部が成型されることが射出成形であるが、これは他の方法で変形してトランスファーモールド装備を使用した成形、あるいはインジェクションモールド装備を使用した成形であっても関係ない。また、前記保護材として使われるテープは光を透過させない他種のコーティング材に置換可能である。したがって、下記の望ましい実施例で記載した内容は例示的なものであり、本発明を限定する意味ではない。
【００３４】
［実施例１］
＜第１半導体チップにのみ透明な封止樹脂部を形成し、ネジ溝を形成した場合＞
図２は、本発明の第１実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【００３５】
図２を参照すれば、本発明の第１実施例によるＣＩＳモジュール１００の構成は、両面にワイヤーボンディングができる回路パターン（図示せず）が形成された基板１１０と、前記基板１１０の上面に搭載され、ワイヤーボンディングされたイメージセンサー用の第１半導体チップ１２０と、前記基板１１０の下面に搭載され、ワイヤーボンディングされたデジタル信号処理用の第２半導体チップ１３０と、前記基板１１０表面に射出成形方式で形成され、前記第１半導体１２０チップと完全に密着されて形成された透明高分子素材の封止樹脂部１４０と、を具備する。
【００３６】
本発明の第１実施例によるＣＩＳモジュール１００は前記基板１１０下面に搭載された第２半導体チップ１３０及び受動素子１６２を密封するＥＭＣ部１６０をさらに具備でき、前記封止樹脂部１４０側面に付着される保護材１４４がさらに具備でき、前記封止樹脂部１４０上に形成されたネジ溝１４２と結合されるレンズキット１７０がさらに具備できる。
【００３７】
前記保護材１４４は光が内部に透過することを防止するためのものであって、望ましくは、テープが使用できる。前記レンズキット１７０はレンズキットハウジング１５０に光学レンズ１５４と赤外線フィルタ１５２とが垂直配列された状態の構造物であることが適している。前記受動素子１６２は抵抗素子やキャパシタのような小型電子部品であることが適している。前記第１半導体チップ１２０及び第２半導体チップ１３０を前記基板１１０と電気的に連結する手段は金線１２２、１３２であることが適している。図面の１１２は柔軟性印刷回路基板（flexible printed circuit board：ＦＰＣＢ）であり、ＣＩＳモジュール１００が付着されるマーザーボードを示す。
【００３８】
前記封止樹脂部１４０の材質が熱可塑性高分子素材である場合、封止樹脂部１４０の熱変形温度が１００〜１２０℃程度で非常に低い。したがって、透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール１００を柔軟性印刷回路基板１１２に接合時に低温で接合することが必要である。
【００３９】
具体的に説明すれば、前記ＣＩＳモジュール１００と柔軟性印刷回路基板１１２との接合は、局部的に加熱して相互接合するか、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ、図示せず）を使用して相互接合が可能である。
【００４０】
前記封止樹脂部１４０はＰＭＭＡ、ＰＣ、熱硬化性透明エポキシ及び透明ＡＢＳなどの透明高分子素材よりなる物質のうち選択された何れか１つの物質で作る。前記ＰＭＭＡはＣＤ、レンズ、ＬＣＤ導光板などで既に光学的用途に広範囲に使われている素材であり、前記透明ＡＢＳはアクリロニトリル、ブタジエン、スチレンなどの３つの物質より作られる熱可塑性樹脂として日常生活用品から電子部品、自動車部品、産業用資材に至るまで広く使われる素材である。
【００４１】
前記封止樹脂部１４０の材質はフィラーを入れていない形態の透明エポキシも使用可能である。このような物質は既にＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）部品で適用されている一般的な素材である。前記フィラーを入れていない形態の透明エポキシは約１５０℃温度でトランスファーモールド装備を利用した成形が可能である。
【００４２】
［実施例２］
＜第１半導体チップにのみ透明な封止樹脂部を形成し、プラスチックレンズ部を形成した場合＞
以下、第２ないし第４実施例では前述した第１実施例と同じ部分については重複を避けるためにその詳細な説明を省略し、理解を容易にするために参照符号を前述した第１実施例と相互対応して構成した。
【００４３】
図３は、本発明の第２実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【００４４】
図３を参照すれば、本発明の第２実施例によるＣＩＳモジュール２００は、封止樹脂部２４０にネジ溝の代りにプラスチックレンズ部２４６を形成して第１実施例のレンズキット１７０の役割を代えた。前記プラスチックレンズ部２４６上には赤外線フィルタの役割を行う物質２５２をコーティングさせて形成することによって封止樹脂部２４０にレンズキット部を含ませる構造である。
【００４５】
本発明の第１及び第２実施例による透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール１００、２００の製造方法は次のようである。
【００４６】
まず、両面にワイヤーボンディングができる回路パターンが形成された基板２１０を準備する。前記基板２１０は一般的に使われるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ製造用の両面基板と類似した構造の基板である。前記基板２１０の下面にデジタル信号処理用（ＤＳＰ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）第２半導体チップ２３０と受動素子２６２とを搭載し、金線２３２を利用したワイヤーボンディング工程を進める。
【００４７】
次いで、通常の方法によって前記基板２１０の下面をＥＭＣを使用して密封することによりＥＭＣ部２６０を形成する。次いで、前記基板２１０の上面にイメージセンサー用の第１半導体チップ２２０を搭載して金線２２２を利用したワイヤーボンディング工程を進める。
【００４８】
最後に、前記基板２１０の上面を透明高分子素材を使用して成形することによって封止樹脂部２４０を作る。ここで、第１実施例の場合には封止樹脂部（図２の１４０）上部にネジ溝１４２を作った後、レンズキット１７０を結合する。そして、第２実施例の場合には封止樹脂部の上部にプラスチックレンズ部２４６を作り、赤外線フィルタの機能を行う物質２５２をコーティング処理する。必要に応じて、前記基板２１０上にある封止樹脂部２４０の側面に光の透過が防止できる保護材２４４、例えばテープを付着する。
【００４９】
前記封止樹脂部２４０を形成する時、材質としてＰＣや透明ＡＢＳなどの素材を利用する場合、射出成形条件は射出温度が２００〜２５０℃範囲、射出圧力は８００kgｆ／cm２範囲が適当である。しかし、このような射出条件は透明高分子素子の種類と分子量とによって異なりうる。また、イメージセンサー内のマイクロレンズの形成如何によっても射出条件が異なりうる。
【００５０】
［実施例３］
＜第１及び第２半導体チップに共に透明な封止樹脂部を形成し、ネジ溝を形成した場合＞
図４は、本発明の第３実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【００５１】
図４を参照すれば、基板３１０下部にＥＭＣ部を形成せずに基板３１０の上下面共に透明高分子素材を利用した封止樹脂部３４０を形成した場合である。そして、基板３１０上面の封止樹脂部３４０の上側にネジ溝３４２を形成し、レンズハウジング３５０、赤外線フィルタ３５２及び光学レンズ３５４よりなるレンジキットを結合させた場合である。
【００５２】
［実施例４］
＜第１及び第２半導体チップに共に透明な封止樹脂部を形成し、プラスチックレンズ部を形成した場合＞
図５は、本発明の第４実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【００５３】
図５を参照すれば、基板４１０下部にＥＭＣ部を形成せずに基板４１０の上下面共に透明高分子素材を利用した封止樹脂部４４０を形成したのは第３実施例と同一である。しかし、基板４１０上部の封止樹脂部４４０上部にネジ溝の代りにプラスチックレンズ部４４６を形成した場合である。その後、前記プラスチックレンズ部４４６上に赤外線フィルタの機能を行う物質４５２をコーティングしてレンズキット機能を封止樹脂部４４０に含ませたものである。
【００５４】
本発明の第３及び第４実施例による透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール３００、４００の製造方法は次のようである。
【００５５】
まず、両面にワイヤーボンディングができる回路パターンが形成された基板４１０を準備する。前記基板４１０はＢＧＡパッケージ製造用として使われる一般的なものが使用できる。前記基板４１０下面にデジタル信号処理用の第２半導体チップ４３０及び受動素子４６２を搭載し、金線４３２を利用したワイヤーボンディングを行う。引続き、前記基板４１０の上面にイメージセンサー用の第１半導体チップ４２０を搭載し、金線４２２を利用したワイヤーボンディングを行う。本実施例では基板４１０の下面に第２半導体チップ４３０を搭載した後、上面に第１半導体チップ４２０を搭載したが、これとは逆に第１半導体チップ４２０を基板４１０の上面に先に搭載した後、第２半導体チップ４３０を基板４１０下面に搭載する方式に変形しても関係ない。
【００５６】
次いで、前記第１及び第２半導体チップ４２０、４３０が搭載された基板４１０に対する成形工程を進める。前記成形は射出成形、トランスファーモールド装備を使用した成形及びインジェクションモールド装備を使用した成形方法などが適用できる。
【００５７】
第３実施例の場合には封止樹脂部（図４の３４０）上部にネジ溝３４２を作った後、レンズキットを結合する。そして、第４実施例の場合には封止樹脂部４４０の上部にプラスチックレンズ部４４６を作り、赤外線フィルタの機能を行う物質４５２をコーティング処理する。必要に応じて、前記基板４１０上の封止樹脂部４４０の側面に光の透過が防止できる保護材４４４、例えばテープを付着する。その後、前記透明高分子素材を適用したＣＩＳモジュール３００、４００を柔軟性印刷回路基板３１２、４１２にＡＣＦを使用して低温で接合させる。
【００５８】
前記封止樹脂部４４０を形成する時、材質としてＰＣや透明ＡＢＳなどの素材を利用する場合、射出成形条件は射出温度が２００〜２５０℃範囲、射出圧力は８００kgｆ／cm２範囲が適当である。しかし、このような射出条件は透明高分子素子の種類と分子量とによって異なりうる。また、プラスチックレンズ部２４６の形成如何によっても射出条件が異なりうる。
【００５９】
本発明は前記した実施例に限定されず、本発明が属する技術的思想内で当業者により多くの変形が可能であることが明白である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、電子装置でデジタル信号処理を主とする画像認識であって、例えば半導体素子分野（デジタルカメラ、カムコーダ及び携帯電話）に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来技術によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【図４】本発明の第３実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【図５】本発明の第４実施例によるＣＩＳモジュールを説明するために示した断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１００    ＣＩＳモジュール
１１０    基板
１１２    柔軟性印刷回路基板
１２０    第１半導体
１２２、１３２    金線
１３０    第２半導体チップ
１４０    封止樹脂部
１４２    ネジ溝
１４４    保護材
１５０    レンズキットハウジング
１５２    赤外線フィルタ
１５４    光学レンズ
１６０    ＥＭＣ部
１６２    受動素子
１７０    レンズキット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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