(57)【要約】【課題】ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドを有した磁気ディスク装置に関し、再生出力の大きな薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置を提供することを課題とする。【解決手段】スライダ９の前端面に設けられたライト素子３１で発生する熱の放熱を行うために、ライト素子３１に放熱層１０１を設ける。図１では、ライト素子３１の磁気回路を構成する上コイル３７，上部磁極３３のうちの上部磁極３３上に放熱層１０１を設けている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ライト素子に放熱層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記放熱層は、
前記ライト素子の上部磁極と下部磁極との間に設けたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記放熱層は、上部磁極と下部磁極との間の上コイルと下コイルとの間に設けたことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、放熱層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドを有する磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記録はその記録密度向上が著しく、狭コア幅で且つ再生出力の大きな薄膜磁気ヘッドが要求されている。このような狭コア幅で且つ再生出力の大きなリード素子の一例として、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ＧＭＲ素子において、大きな再生出力を得るためには、以下のような方法が知られている。
（１）薄膜磁気ヘッドの浮上量を下げる。
（２）再生時にＧＭＲ素子に流す電流（以下、センス電流と呼ぶ）を大きくする。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−６９１０８号公報（図９、図１０）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＧＭＲ素子には、以下の様な問題点があった。
（１）ライト素子を用いてデータの書込を行っている際に、ライト素子の発熱により、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜（オーバコート）が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりするので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を下げられない。
（２）ＧＭＲ素子に大きなセンス電流を流すと、ＧＭＲ素子部が発熱して、ＧＭＲ素子の物性が変化し（マイグレーション現象）、ＧＭＲ素子として使用できなくなる。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、再生出力の大きな薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する請求項１記載の発明は、ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ライト素子に放熱層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
【０００８】
ライト素子に放熱層を設けたことにより、ライト素子で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、前記放熱層は、前記ライト素子の上部磁極と下部磁極との間に設けたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドである。
【００１０】
前記ライト素子の上部磁極と下部磁極との間に放熱層を設けたことにより、ライト素子で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００１１】
請求項３記載の発明は、前記放熱層は、上部磁極と下部磁極との間の上コイルと下コイルとの間に設けたことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドである。
【００１２】
前記放熱層は、上部磁極と下部磁極との間の上コイルと下コイルとの間に設けたことにより、ライト素子の発熱源である上コイル、下コイルの間に放熱層が配置される。従って、ライト素子で発生する熱の放熱が更に効率よく行われ、薄膜磁気ヘッドの浮上量をより小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力をより大きくすることができる。
【００１３】
請求項４記載の発明は、ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、放熱層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
【００１４】
前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、放熱層を設けたことにより、ライト素子で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００１５】
更に、前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、放熱層を設けたことにより、ＧＭＲ素子で発生する熱の放熱も効率よく行われ、ＧＭＲ素子に大きなセンス電流を流すことができ、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００１６】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを有することを特徴とする磁気ディスク装置である。請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを有することにより再生出力が大きくなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
最初に、本実施の形態例の薄膜磁気ヘッドを有する磁気ディスク装置の平面図である図４、図４の切断線Ａ−Ａでの断面図である図５を用いて、磁気ディスク装置の全体構成を説明する。これらの図において、エンクロージャ１内には、スピンドルモータ３によって回転駆動される磁気ディスク５が設けられている。磁気ディスク５に対してデータの書込／読込を行なう薄膜磁気ヘッド７は、スライダ９の前部端面に設けられている。スライダ９はサスペンション（支持ばね）１１を介してアクチュエータ１３に設けられている。
【００１８】
スピンドルモータ３によって磁気ディスク５が高速で回転すると、磁気ディスク５の回転によって生じる空気流により、スライダ９は磁気ディスク５に対して微小間隔をもって浮上する。アクチュエータ１３が矢印Ｉ方向に回転移動することにより、スライダ（薄膜磁気ヘッド７）９は磁気ディスク５のトラックを横切る方向に移動し、目的のトラック上で磁気ディスク５に対してデータの書込／読込を行う。
【００１９】
次に、図４のＤ方向矢視図である図６を用いて薄膜磁気ヘッド７の一般的な説明を行う。薄膜磁気ヘッド７はライト素子３１とリード素子であるＧＭＲ素子５１とが積層されてなっている。ライト素子３１は磁気回路を構成する上部磁極３３，下部磁極３５と、上部磁極３３，下部磁極３５との間に設けられた上コイル３７，下コイル３９とからなっている。尚、上部磁極３３と下部磁極３５との間は、絶縁性を有するコイル絶縁材が充填されている。
【００２０】
このライト素子３１は、一般に下部磁極３５を形成後、下コイル３９、コイル絶縁層、上コイル３７、上部磁極３３を順次積層して形成される。そして、上コイル３７，下コイル３９に記録電流を流すと、上部磁極３３，下部磁極３５が磁化され、磁気ギャップＧから漏れる磁束により磁気ディスク５に情報が記録される。又、３９はライト素子３１、ＧＭＲ素子用の端子である。そして、薄膜磁気ヘッド７が設けられるスライダ９の面全体が図示しない保護膜で覆われてる。
【００２１】
図７に示すように、ＧＭＲ素子５１は２つの端子（電極）５３、端子（電極）５５の間に形成され、磁気ディスク５側から強磁性のフリー層５７、非磁性のＣｕ層５９、強磁性の固定層６１、反強磁性層６３からなっている。そして、反強磁性層６３の下の固定層６１は磁化の向きが固定され、外部磁界に反応しにくくなっている。Ｃｕ層５９の下のフリー層５７は外部磁界の影響を受けやすくなっている。磁気ディスク５に記録されたデータによりフリー層５７の磁化の向きが変わり、ＧＭＲ素子５１の電気抵抗が変化することにより、磁気ディスク５上のデータの読取ができる。
（第１の実施の形態例：請求項１、５に対応）
第１の実施の形態例を示す構成図である図１を用いて説明する。図１は図６のＢ方向から見た構成図である。図において、スライダ９に設けられたライト素子３１の近傍、本実施の形態例ではライト素子３１の上部磁極３３上には、放熱層１０１が設けられている。この放熱層１０１としては、導電性、熱伝導率に優れた非磁性金属、例えば、銅、アルミニウム、金、タンタル等があるが限定するものではない。
【００２２】
ライト素子３１の上部磁極３３に放熱層１０１を設けたことにより、ライト素子３１で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子５１および薄膜磁気ヘッド７を覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッド７の浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッド７の浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッド７の浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子５１の再生出力を大きくすることができる。
（第２の実施の形態例：請求項２、３、５に対応）
第２の実施の形態例を示す構成図である図２を用いて説明する。図２は図６のＣ方向から見た構成図である。図において、スライダ９に設けられたライト素子３１の上部磁極３３と下部磁極３５との間、本実施の形態例では、上部磁極３３と下部磁極３５との間の上コイル３７と下コイル３９との間に放熱層１０３が設けられている。放熱層１０３としては、導電性、熱伝導率に優れた非磁性金属、例えば、銅、アルミニウム、金、タンタル等があるが限定するものではない。
【００２３】
ライト素子３１で発生する熱は、主に上コイル３７、下コイル３９から発生する。ライト素子３１の上部磁極３３と下部磁極３５との間、本実施の形態例では、上部磁極３３と下部磁極３５との間の上コイル３７と下コイル３９との間に放熱層１０３を設けたことにより、ライト素子３１で発生する熱の放熱が更に効率よく行われ、薄膜磁気ヘッド７の浮上量をより小さくでき、ＧＭＲ素子５１の再生出力をより大きくすることができる。
【００２４】
又、ライト素子３１の形成時に、下コイル３９を形成した後、コイル絶縁層、放熱層１０３、コイル絶縁層、上コイル３７の順で積層すればよい。即ち、従来のライト素子の成形プロセスに、放熱層１０３、コイル絶縁層を形成するプロセスを加えるだけでよく、製造も容易である。
【００２５】
尚、本発明は、上記実施の形態例に限定するものではない。放熱層１０３は、上部磁極３３と上コイル３７との間に設けてもよいし、下コイル３９と下部磁極３５との間に設けてもよい。更に、上部磁極３３と上コイル３７との間、上コイル３７と下コイル３９との間、下コイル３９と下部磁極３５との間、即ち、３つの間すべてに放熱層を設けてもよい。又、２つの放熱層を上部磁極３３と上コイル３７との間、上コイル３７と下コイル３９との間、下コイル３９と下部磁極３５との間のうちの２つの間に設けてもよい。
（第３の実施の形態例：請求項４、５に対応）
第３の実施の形態例を示す構成図である図３を用いて説明する。図３は図６のＢ方向から見た構成図である。スライダ９のライト素子３１とＧＭＲ素子５１とからなる薄膜磁気ヘッド７が設けられる面に、放熱層１０５が設けられている。放熱層１０５としては、導電性、熱伝導率に優れた非磁性金属、例えば、銅、アルミニウム、金、タンタル等があるが限定するものではない。更に、この放熱層１０５は、スライダ９の薄膜磁気ヘッド７が設けられる面からはみ出さないように形成され、前述した保護膜で覆われている。
【００２６】
ライト素子３１、ＧＭＲ素子５１が設けられる面に、放熱層１０５を設けたことにより、ライト素子３１で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子５１および薄膜磁気ヘッド７を覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッド７の浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッド７の浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッド７の浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子５１の再生出力を大きくすることができる。更に、ライト素子３１、ＧＭＲ素子５１が設けられる面に、放熱層１０５を設けたことにより、ＧＭＲ素子５１で発生する熱の放熱も効率よく行われ、ＧＭＲ素子５１に大きなセンス電流を流すことができ、ＧＭＲ素子５１の再生出力を大きくすることができる。又、放熱層１０５は、保護膜で覆われ、スライダ９の薄膜磁気ヘッド７が設けられる面からはみ出さないように形成されているので、腐食することがない。
【００２７】
（付記１）  ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ライト素子に放熱層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００２８】
（付記２）  前記放熱層は、
前記ライト素子の上部磁極と下部磁極との間に設けたことを特徴とする付記１記載の薄膜磁気ヘッド。
【００２９】
（付記３）  前記放熱層は、上部磁極と下部磁極との間の上コイルと下コイルとの間に設けたことを特徴とする付記２記載の薄膜磁気ヘッド。
【００３０】
（付記４）  ライト素子とＧＭＲ素子とを有した薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、その面からはみ出さない放熱層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００３１】
（付記５）  前記放熱層は、前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面からはみ出さないことを特徴とする付記４記載の薄膜磁気ヘッド。
【００３２】
（付記６）付記１乃至５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【００３３】
【発明の効果】
以上述べたように、請求項１記載の発明によれば、ライト素子に放熱層を設けたことにより、ライト素子で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００３４】
請求項２記載の発明によれば、前記ライト素子の上部磁極と下部磁極との間に放熱層を設けたことにより、ライト素子で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００３５】
請求項３記載の発明によれば、前記放熱層は、上部磁極と下部磁極との間の上コイルと下コイルとの間に設けたことにより、ライト素子の発熱源である上コイル、下コイルの間に放熱層が配置される。従って、ライト素子で発生する熱の放熱が更に効率よく行われ、薄膜磁気ヘッドの浮上量をより小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力をより大きくすることができる。
【００３６】
請求項４記載の発明によれば、前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、放熱層を設けたことにより、ライト素子で発生する熱の放熱が効率よく行われ、ＧＭＲ素子および薄膜磁気ヘッドを覆う保護膜が熱変形して、薄膜磁気ヘッドの浮上面から突き出したり、薄膜磁気ヘッドの浮上量が変化したりすることがなくなるので、薄膜磁気ヘッドの浮上量を小さくでき、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００３７】
更に、前記ライト素子、前記ＧＭＲ素子が設けられる面に、放熱層を設けたことにより、ＧＭＲ素子で発生する熱の放熱も効率よく行われ、ＧＭＲ素子に大きなセンス電流を流すことができ、ＧＭＲ素子の再生出力を大きくすることができる。
【００３８】
請求項５記載の発明によれば、請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを有することにより再生出力が大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態例を示す構成図である。
【図２】第２の実施の形態例を示す構成図である。
【図３】第３の実施の形態例を示す構成図である。
【図４】実施の形態例の薄膜磁気ヘッドを有する磁気ディスク装置の平面図である。
【図５】図４の切断線Ａ−Ａでの断面図である。
【図６】図４のＤ方向矢視図である。
【図７】図６のＧＭＲ素子を説明する図である。
【符号の説明】
９  スライダ
３１  ライト素子
３３  上部磁極
１０１  放熱層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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