(57)【要約】【課題】高分子フィルムと強い接着性を有する薄膜が形成できる巻き取り式蒸着装置及びＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】巻き取り式蒸着装置及びＣＶＤ装置において、薄膜形成工程の前に前処理部を設け、該前処理部は独立したチャンバーからなり、処理槽、特定空間、冷却ロール、活性ガスを導入するためのガス導入系、プラズマ発生用アンテナ状電極、加熱ヒーター、所定の真空度に排気するための真空排気系から構成され、前処理部の特定空間の真空圧Ｐ３が、上部真空チャンバーの真空圧Ｐ２、下部真空チャンバーの真空圧Ｐ１とした場合、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係を保持して、該前処理部で前記高分子フィルム表面を活性化処理し薄膜を形成する。前記前処理部での活性化処理の際、高分子フィルムの冷却及びプラズマ処理を併用することにより、活性化処理作用を促進すことができる。【選択図】図２
2005220445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空中で蒸発材料を加熱させて該蒸発材料を蒸発させると共に、巻き出しローラーから連続的に巻き出されて前記蒸発材料に対向配置されるように走行する高分子フィルムを巻取ローラーで巻き取ることにより、前記高分子フィルムの表面に前記蒸発材料の蒸着膜を形成する巻き取り式蒸着装置であって、真空排気可能な真空容器を備え、該真空容器内に設けられた遮蔽板が該真空容器内を上部及び下部の真空チャンバーに仕切っていて、
上部真空チャンバーには、巻き出しロール、円筒状冷却ロール、巻き取りロールが設けられ、円筒状冷却ロールは、外周面の一部が遮蔽板から下部真空チャンバー内に突出するように配置されていて、下部真空チャンバーには蒸着膜形成部が配置され、円筒状冷却ロールと遮蔽板の間隔を通して上部及び下部真空チャンバーは互いに連通され、
巻き出しロールと円筒状冷却ロールとの間に、前処理部が設けられており、前処理部は、独立したチャンバーからなり、処理槽、特定空間、冷却ロール、活性ガスを導入するためのガス導入系、プラズマ発生用アンテナ状電極、加熱ヒーター、所定の真空度に排気するための真空排気系から構成され、
前処理部の特定空間の真空圧Ｐ３が、上部真空チャンバーの真空圧Ｐ２、下部真空チャンバーの真空圧Ｐ１とした場合、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係を保持して、該前処理部で前記高分子フィルム表面を活性化処理することを特徴とする巻き取り式蒸着装置。
【請求項２】
真空中で高分子フィルムを巻き出しローラーから連続的に巻き取りローラーに巻き取ることにより、前記高分子フィルムの表面に薄膜形成材料により薄膜を形成する連続ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  以下ＣＶＤと呼ぶ）装置であって、真空排気可能な真空容器を備え、該真空容器内に設けられた遮蔽板が該真空容器内を上部及び下部の真空チャンバーに仕切っていて、
上部真空チャンバーには、巻き出しロール、円筒状冷却ロール、巻き取りロールが設けられ、円筒状冷却ロールは、外周面の一部が遮蔽板から下部真空チャンバー内に突出するように配置されていて、下部真空チャンバーには蒸着膜形成部が配置され、円筒状冷却ロールと遮蔽板の間隔を通して上部及び下部真空チャンバーは互いに連通され、
巻き出しロールと円筒状冷却ロールとの間に、前処理部が設けられており、前処理部は、独立したチャンバーからなり、処理槽、特定空間、冷却ロール、活性ガスを導入するためのガス導入系、プラズマ発生用アンテナ状電極、加熱ヒーター、所定の真空度に排気するための真空排気系から構成され、
前処理部の特定空間の真空圧Ｐ３が、上部真空チャンバーの真空圧Ｐ２、下部真空チャンバーの真空圧Ｐ１とした場合、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係を保持して、該前処理部で前記高分子フィルム表面を活性化処理することを特徴とする巻き取り式ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記前処理部の内部に冷却手段を有することを特徴とする請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記冷却手段が０℃以下に冷却可能な金属ローラーを少なくとも一つ有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記前処理部の内部にプラズマを発生させるための手段を具備したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続的に走行する高分子フィルム上に薄膜を形成する巻き取り式蒸着装置及びＣＶＤ装置に係わり、特に連続的に薄膜を強密着に高分子フィルムへ形成し得る巻き取り式蒸着装置及びＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、食品を包装する透明な高分子フィルムの作成には、香り、水及び酸素の透過を防ぐために高分子フィルムの表面に薄膜を蒸着させる連続蒸着装置が広く用いられている。図５はこの種の連続蒸着装置の構成を示す模式図である。
【０００３】
この連続蒸着装置は、真空排気可能な真空容器１内に水平に設けられた長方形の開口面２ａを有する遮蔽板２が該真空容器１内を上部及び下部真空チャンバー３、４に仕切っている。上部真空チャンバー３では、夫々遮蔽板２の開口面長手方向に平行に回転軸を有する巻き出しロール５、円筒状冷却ロール６、巻き取りロール７及びそれらの間に介在する４つの補助ロール８１〜８４が回転可能に設けられている。
【０００４】
巻き出しロール５は、蒸着前の高分子フィルム９が予め巻かれ、この高分子フィルム９を２つの補助ロール８１、８２を介して円筒状冷却ロール６に連続的に送り出している。円筒状冷却ロール６は、良好な熱伝導性をもつ金属を材料とし、外周面の一部が遮蔽板２から下部真空チャンバー４内に突出するように配置されている。巻取りロール７は、円筒状冷却ロール６から下部真空チャンバー４を経由してきた高分子フィルム９を２つの補助ロール８３、８４を介して連続的に巻き取っている。
【０００５】
一方、下部真空チャンバー４では、遮蔽板２から突出した円筒状冷却ロール６及びその外周部の高分子フィルム９に対向するように、蒸発材料１０を有するルツボ１１が円筒状冷却ロール６の下方に載置されている。また、ルツボ１１内の蒸発材料１０は、抵抗加熱法、高周波誘導加熱法、あるいは電子ビーム加熱法等により加熱・蒸発される。図５では、電子ビーム加熱法によるものが記載されている。
【０００６】
従来から、蒸着膜を高分子フィルムに強密着に形成するためには、あらかじめ高分子フィルム表面に特定の樹脂をコーティングしたり、原材料のポリマーを変性して蒸着膜との密着性をあげるなどの試みがなされていた。しかし、いずれの方法においても蒸着膜の種類が変わると最適な条件が変化するばかりでなく、性能的にも決して十分ではなかった。
【０００７】
また、最近はＣＶＤ法により比較的低温で高分子フィルム基材上へ薄膜形成するための装置が開発されているが、耐熱性の低い汎用の高分子フィルムへの薄膜形成は高分子フィルムの変形、破壊等により困難であったり、高分子フィルムと薄膜との密着性が十分でない場合があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来の問題点を解決するものであり、薄膜を高分子フィルムに強密着に形成するための巻き取り式蒸着装置及びＣＶＤ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を達成するため、すなわち、
請求項１に係る発明は、真空中で蒸発材料を加熱させて該蒸発材料を蒸発させると共に
、巻き出しローラーから連続的に巻き出されて前記蒸発材料に対向配置されるように走行する高分子フィルムを巻取ローラーで巻き取ることにより、前記高分子フィルムの表面に前記蒸発材料の蒸着膜を形成する巻き取り式蒸着装置であって、真空排気可能な真空容器を備え、該真空容器内に設けられた遮蔽板が該真空容器内を上部及び下部の真空チャンバーに仕切っていて、
上部真空チャンバーには、巻き出しロール、円筒状冷却ロール、巻き取りロールが設けられ、円筒状冷却ロールは、外周面の一部が遮蔽板から下部真空チャンバー内に突出するように配置されていて、下部真空チャンバーには蒸着膜形成部が配置され、円筒状冷却ロールと遮蔽板の間隔を通して上部及び下部真空チャンバーは互いに連通され、
巻き出しロールと円筒状冷却ロールとの間に、前処理部が設けられており、前処理部は、独立したチャンバーからなり、処理槽、特定空間、冷却ロール、活性ガスを導入するためのガス導入系、プラズマ発生用アンテナ状電極、加熱ヒーター、所定の真空度に排気するための真空排気系から構成され、
前処理部の特定空間の真空圧Ｐ３が、上部真空チャンバーの真空圧Ｐ２、下部真空チャンバーの真空圧Ｐ１とした場合、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係を保持して、該前処理部で前記高分子フィルム表面を活性化処理することを特徴とする巻き取り式蒸着装置である。
【００１０】
請求項２に係る発明は、真空中で高分子フィルムを巻き出しローラーから連続的に巻き取りローラーに巻き取ることにより、前記高分子フィルムの表面に薄膜形成材料により薄膜を形成する連続ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  以下ＣＶＤと呼ぶ）装置であって、真空排気可能な真空容器を備え、該真空容器内に設けられた遮蔽板が該真空容器内を上部及び下部の真空チャンバーに仕切っていて、
上部真空チャンバーには、巻き出しロール、円筒状冷却ロール、巻き取りロールが設けられ、円筒状冷却ロールは、外周面の一部が遮蔽板から下部真空チャンバー内に突出するように配置されていて、下部真空チャンバーには蒸着膜形成部が配置され、円筒状冷却ロールと遮蔽板の間隔を通して上部及び下部真空チャンバーは互いに連通され、
巻き出しロールと円筒状冷却ロールとの間に、前処理部が設けられており、前処理部は、独立したチャンバーからなり、処理槽、特定空間、冷却ロール、活性ガスを導入するためのガス導入系、プラズマ発生用アンテナ状電極、加熱ヒーター、所定の真空度に排気するための真空排気系から構成され、
前処理部の特定空間の真空圧Ｐ３が、上部真空チャンバーの真空圧Ｐ２、下部真空チャンバーの真空圧Ｐ１とした場合、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係を保持して、該前処理部で前記高分子フィルム表面を活性化処理することを特徴とする巻き取り式ＣＶＤ装置である。
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記前処理部の内部に冷却手段を有することを特徴とする請求項１または２記載の装置である。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記冷却手段が０℃以下に冷却可能な金属ローラーを少なくとも一つ有することを特徴とする請求項３に記載の装置である。
【００１３】
請求項５に係る発明は、前記前処理部の内部にプラズマを発生させるための手段を具備したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の装置である。
＜作用＞
本発明は、薄膜を形成する巻き取り式蒸着装置において、巻き出しローラーと薄膜形成部との間に前記前処理部を設けることにより、薄膜を形成する直前に高分子フィルムの表面を活性化できるので、プラズマ処理をオフラインで行ったものと本質的に違い、活性ガスが有効に高分子フィルム上で化学結合を行ない、より強い接着層としてはたらくため高分子フィルムへ密着性の強い薄膜が形成できる。
【００１４】
また、前処理部の活性化処理の工程で冷却ロールを設け、高分子フィルムを冷却するこ
とにより、活性ガスまたは活性物質を該高分子フィルムに効率よく吸着、保持できるので、活性ガスが有効に高分子フィルム上で化学結合を行ない、より強い接着層としてはたらくため、高分子フィルムへ密着性の強い薄膜が形成できる。
【００１５】
さらに、前処理部の内部にプラズマを発生させるための手段を具備することにより、高分子フィルムの表面を活性ガスにより活性化処理する際に、活性あるいは不活性ガス（例えばアルゴンガス等）のプラズマイオンにより高分子フィルムの表面層にラジカル、イオン等の化学結合点を発生させながら種々の活性ガスにより活性化処理できるので、活性ガスのみで処理したものに較べて、強い接着性を有する薄膜が形成できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、薄膜形成工程の直前に前処理部を設け、高分子フィルム表面を種々のガスまたは物質により活性化処理及びプラズマ処理を併用し、インラインでフィルム表面を改質できるので、強い接着性を有する蒸着膜を形成できる巻き取り式蒸着装置を提供できる。また、従来のＣＶＤ装置では達成出来なかった耐熱性の低い高分子フィルムについても、薄膜形成工程の直前に前処理部を設け、高分子フィルム表面を種々のガスまたは物質により活性化処理及びプラズマ処理を併用し、インラインでフィルム表面を改質できるので、高分子フィルムと接着性のあまりよくない各種の機能薄膜についても、強い接着性を有する薄膜を形成できる巻き取り式ＣＶＤ装置を提供出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態の一例について図面を参照して説明する。図１は、本発明の巻き取り式蒸着装置の構成の一例を示す主要部斜視図である。図２は、本発明の巻き取り式蒸着装置の構成の一例を示す主要部断面図である。図３は、本発明の巻き取り式蒸着装置における前処理部の構成の一例を示す主要部断面図である。図４は、本発明の巻き取り式ＣＶＤ装置の構成の一例を示す主要部断面図である。
【００１８】
本発明の巻き取り式蒸着装置は、図１、２に示すように、真空排気可能な真空容器２１内に設けられた遮蔽板２２が該真空容器２１内を上部及び下部の真空チャンバー２３，２４に仕切っている。なお、図１において、下部真空チャンバー２４は一部のみが示され、大部分が省略されている。
【００１９】
図２において上部真空チャンバー２３では、各々遮蔽板２２の開口面長手方向に平行に回転軸を有する巻出しロール２５、円筒状冷却ロール２６、巻き取りロール２７及びそれらの間に介在する５つの補助ロール２８1〜２８5が回転可能に設けられている。また、上部真空チャンバー２３は窓２９を有すると共に、５つの真空ポンプ３０を有する吸引ポート３１がフランジとして設けられ、各真空ポンプ３０により所定の真空度に排気される。
【００２０】
巻出しロール２５は、蒸着前の高分子フィルム３２が予め巻かれ、この高分子フィルム３２を３つの補助ロール２８1〜２８3を介して円筒状冷却ロール２６に連続的に送り出すものである。
【００２１】
巻き出しロール２５と蒸着膜形成部の円筒状冷却ロール２６との間に、図３に示す前処理部１２０が設けられており、該前処理部１２０は処理槽１０２、特定空間１００、冷却ロール１０１、ガス導入系（５０、５１、５２、５３）、プラズマ発生用アンテナ状電極１１１、加熱ヒーター１１４、真空排気系１１５から構成されている。
【００２２】
連続的に巻き出しロール２５から冷却ロール２６へ走行する高分子フィルム３２は処理槽１０２に設けられた冷却ロール１０１に抱かれながら、所定の濃度に制御された活性ガスにより吸着処理される。前処理部１２０の冷却ロールは熱伝導性の良好な金属材料から
なり、０℃以下に保持される。
【００２３】
前処理部１２０の特定空間１００のガス濃度は処理槽１０２の特定空間１００を真空排気系１１５により真空度１×１０-4Ｐａ以下に排気した後マスフローコントローラー５１を介して活性ガスを導入し、ガス濃度は真空計１１６により１〜数百Ｐａに制御される。ガス導入については、図３に示すように、常温で気体のものはボンベ５０、マスフローコントローラー５１を介して、また、常温で液体のものはボンベ５２、気化装置５３、マスフローコントローラー５１を介して行われる。
【００２４】
ガスの液化防止や安定した流量制御をするために、ガス導入管１１２を必要に応じて中空の２重構造にしたり外部から任意のヒーターで加熱する等の方法をとる場合がある。特定空間１００内の真空圧Ｐ３は蒸着室の真空圧をＰ１、巻き取り室の真空圧をＰ２とした場合Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にあり、巻き取り室より前処理部の特定空間の真空圧が高いことが必要である。
【００２５】
また、前処理部１２０で行われる活性ガスによる吸着処理において、活性ガス種による高分子フィルム表面の改質を促進するために補助的に直流、交流、高周波あるいはマイクロ波電力を利用したプラズマを発生させることができる。図３に示すように、処理槽１０２の冷却ロール１０１に対向する位置にプラズマ発生用のアンテナ状電極１１１が配置されており、特定空間１００に活性ガスが導入され、１０〜０．１Ｐａに保持された空間に高周波電源１１３より高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加してプラズマを容易に発生させることができる。
【００２６】
図２に示すプラズマ処理ユニット１０３は高分子フィルム表面をアルゴンボンバードあるいはプラズマ処理するためのもので、任意の形状をした電極とガス導入を備えたプラズマ形成空間である。直流、交流、高周波等の電源が該電極と接続され、アルゴン等の不活性ガスや酸素、窒素等の活性ガスにより所定の真空度を保持しながらプラズマを発生させ、高分子フィルムの表面を活性化するものである。このプラズマ処理ユニットは、高分子フィルムの表面にラジカルやイオン性結合点を形成させるところで、前処理部１２０で活性ガスにより高分子フィルム表面に改質層を形成する際に、必要に応じて設けるものである。
【００２７】
前処理部で使用される活性ガスとしては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤、あるいはイソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシベルホスファイト）チタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート等のチタンカップリング剤が例えば利用できる。しかし、上記物質に限定したものではなく他のガスも必要に応じて利用できる。
【００２８】
上記活性ガス物質が前処理部１２０の処理槽１０２の内壁での液化を防ぐために、図３に示すように、外部からヒーター１１４で保温することも必要に応じて行われる。
【００２９】
蒸着膜形成部の円筒状冷却ロール２６は、良好な熱伝導性をもつ金属材料とし、外周面の一部が遮蔽板２２から下部真空チャンバー２４内に突出するように配置されている。なお、円筒状冷却ロール２６と遮蔽板２２の間隔をごく僅かとし、この僅かな間隔を通して
上部及び下部真空チャンバー２３、２４を互いに連通させることにより、両真空チャンバー２３、２４間に２桁の圧力差をもたせている。巻き取りロール２７は、円筒状冷却ロール２６から下部真空チャンバー２４を経由して、蒸着膜の形成された高分子フィルム３２を２つの補助ロール２８４〜２８５を介して連続的に巻き取るものである。一方、下部真空チャンバー２４は、図示しない拡散ポンプを有し、この拡散ポンプにより１０-2Ｐａ以下の真空度に到達可能となっている。
【００３０】
また、下部真空チャンバー２４は、その下部に水平方向に底面プレート３３が設けられている。底面プレート３３には、円筒状冷却ロール２６及びその外周部の高分子フィルム３２に対向し、且つ円筒状冷却ロール２６の長手方向に沿うように蒸発材料３４を有する長尺のルツボ３５が載置されている。ルツボ３５は冷却水を循環させる冷却水パイプ３６により巻装され、ルツボカバー３７が上方に配置されている。このルツボ内の蒸着材料を加熱する手段としては、直接抵抗加熱法、高周波誘導加熱法、あるいは電子ビーム加熱方法いずれであってもよい。また、底面プレート３３はルツボ３５の４隅にルツボ３５から離間して夫々支持部材（一部のみ図示している）３８が立設され、各支持部材３８はルツボ３５の長手方向に直交する方向（以下、ルツボの幅方向という）に沿って水平にスライド支持面３９が互いに架け渡されている。
【００３１】
さらに、下部真空チャンバー２４の下部には、ルツボ３５の長手方向に平行な第１の回動軸４０ａを基端部に有するロータリーアーム４０が回動自在に設けられている。ロータリーアーム４０は第１の回動軸４０ａに平行な第２の回動軸４０ｂを先端部に有し、第２の回動軸４０ｂにより回動自在にスライド板４１が取付けられている。スライド板４１はロータリーアーム４０に応動してスライド支持面３９上を進退自在に摺動するものであり、ルツボカバー３７の上方を開閉する機能をもっている。
【００３２】
また、加熱方式が電子ビーム法である場合は、ルツボ３５の隣にはルツボ３５の長手方向に平行にマグネットコイル４２が載置され、かつマグネットコイル４２の端部には一部しか図示されないがルツボ３５の全幅を挟むようにルツボ３５の幅方向にってヨーク金属シート４３が取付けられている。このヨーク金属シート４３はマグネットコイル４２により発生する磁界をルツボ３５の上方に形成するものである。
【００３３】
また、下部真空チャンバー２４は、真空容器２１の外壁に設けられたフランジ４４を介して２台の電子銃４５1、４５2がルツボ３５の上方の空間に向けて取付けられている。各電子銃４５1、４５2は電子ビーム４６を照射する機能を有し、この電子ビーム４６はヨーク金属シート４３が形成する磁界によりルツボ３５内に偏向可能となっている。なお、ルツボ３５内の蒸発材料３４は、電子銃４５1、４５2から照射された電子ビーム４６により昇華又は蒸発され、走行する高分子フィルム３２の膜形成面上に連続的に蒸着膜を形成している。また、このようなルツボ３５内の蒸発材料３４に電子ビーム４６が照射される様子は下部真空チャンバー２４に設けられた窓４７を通して監視可能となっている。また、各電子銃４５1、４５2は排気のためのターボモレキュラーポンプ（図示せず）が使用可能となっている。
【００３４】
図４は請求項２に係る実施形態の一例を示したものである。本発明の法巻き取り式ＣＶＤ装置の構成は、巻き出し部（Ｉ）、プラズマ処理部（ＩＩ）、前処理部（ＩＩＩ）、薄膜形成部（ＩＶ）、巻き取り部（Ｖ）からなっており、巻き出し部（Ｉ）の巻き出しロール２００から連続的に走行する高分子フィルム２１０はプラズマ処理部（ＩＩ）でプラズマ処理された後、前処理部（ＩＩＩ）にて高分子フィルムの表面を活性化処理した後、薄膜形成部（ＩＶ）にて薄膜形成されて、巻き取り部（Ｖ）の巻き取りロール２０１に巻き取られる連続式のＣＶＤ装置である。
【００３５】
巻き出し部（Ｉ）の卷き出しロール２００から供給された高分子フィルム２１０は最初プラズマ処理部（ＩＩ）にて高分子フィルムの表面がプラズマ処理される。プラズマ処理部（ＩＩ）はプラズマ発生電極２８２、真空排気系２６１及びガス導入系からなり、プラズマ処理条件は必要に応じて適宜設定することができる。
【００３６】
プラズマ処理の終わった高分子フィルムは次の前処理部（ＩＩＩ）にて高分子フィルムの表面を活性化処理する。前処理部（ＩＩＩ）は特定空間２４０、冷却ロール３０１、真空排気系２６２、活性ガスを導入、流量制御するためのガス導入系（２５０、２５１、２５２、２５３）から構成されている。活性ガス導入及びガス濃度は、前処理部（ＩＩＩ）の特定空間２４０を真空排気系２６２により所定の真空度まで排気し、ガス導入系のマスフローコントローラー２５０と真空排気系に接続されているコンダクタンスバルブ３０２にて、所定のガス濃度になるように制御される。
【００３７】
前処理部（ＩＩＩ）で使われる活性ガスとしては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤、あるいはイソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシベルホスファイト）チタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート等のチタンカップリング剤が例えば利用できる。しかし、上記物質に限定したものではなく他のガスも必要に応じて利用できる。
【００３８】
活性ガスを導入する際、常温で気体のものはボンベ２５１から直接マスフローコントローラー２５０を介して、また、常温で液体のものはボンベ２５３から気化装置２５２を経由してマスフローコントローラー２５０を介して処理槽２４０に導入される。ガスの液化防止や安定した流量制御をするために、導入管を中空の二重管にしたり、外部から任意のヒーターで加熱するなどの方法が必要に応じて行なわれる。前処理部（ＩＩＩ）の冷却ロ−ル３０１は良好な熱伝導性の金属材料からなり、０℃以下に保持される。
【００３９】
さらに、前処理部（ＩＩＩ）にて高分子フィルム表面を活性ガスで活性化処理する際、補助的に直流、交流、高周波電力を使ってプラズマを発生させることにより、活性ガスが有効に高分子フィルム上で化学結合し、活性化処理を促進する働きをさせる。
【００４０】
活性化処理の終わった高分子フィルムは次の薄膜形成部（ＩＶ）に送られ、通常のＣＶＤ法で薄膜が形成される。該薄膜形成部（ＩＶ）は処理槽２３０、真空排気系２６３、ガス導入系（２９０、２２０）、プラズマ発生電極及び高周波電源から構成されている。
【００４１】
薄膜形成された高分子フィルムは巻き取り部（Ｖ）に送られて巻き取りロール２０１によって巻き取られ、ＣＶＤによる一連の薄膜形成が完了する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の巻き取り式蒸着装置の構成の一例を示す主要部斜視図である。
【図２】本発明の巻き取り式蒸着装置の構成の一例を示す主要部断面図である。
【図３】本発明の巻き取り式蒸着装置における前処理部の構成の一例を示す主要部断面図である。
【図４】本発明の巻き取り式ＣＶＤ装置の構成の一例を示す主要部断面図である。
【図５】従来の巻き取り式連続蒸着装置の構成の一例を示す主要部断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…真空容器
２…遮蔽板
３…上部真空チャンバー
４…下部真空チャンバー
５…巻き出しロール
６…円筒状冷却ロール
７…巻き取りロール
８1〜８4…補助ロール
９…高分子フイルム
１０…蒸発材料
１１…ルツボ
２１…真空容器
２２…遮蔽板
２３…上部真空チャンバー
２４…下部真空チャンバー
２５…巻き出しロール
２６…冷却ロ−ル
２７…巻き取りロ−ル
２８1〜２８5…補助ロ−ル
３２…高分子フィルム
５０…ボンベ
５１…マスフローコントローラー
５２…ボンベ
５３…気化装置
１００…特定空間
１０１…冷却ロール
１０２…処理槽
１０３…プラズマ処理ユニット
１１１…プラズマ発生用アンテナ状電極
１１２…ガス導入管
１１３…高周波電源
１１４…加熱ヒーター
１１５…真空排気系
１１６…真空計
１２０…前処理部
２００…巻き出しロール
２０１…巻き取りロール
２１０…高分子フィルム
２３０…薄膜形成空間
２４０…特定空間
２５０…マスフローコントローラー
２５１…ボンベ
２５２…気化装置
２５３…ボンベ
２６０〜２６４…真空排気系
２８０…プラズマ処理空間
２８２…プラズマ電極
２９０…マスフローコントローラー
３０１…冷却ロール
３０２…コンダクタンスバルブ
【図１】
2005220445.tif 000003
【図２】
2005220445.tif 000004
【図３】
2005220445.tif 000005
【図４】
2005220445.tif 000006
【図５】
2005220445.tif 000007