(57)【要約】    【課題】  本発明は、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保した露光方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。    【解決手段】  反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法であって、前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上から前記被加工物にフォーカス調整用のビームを照射し、前記反射膜により反射された反射光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整する露光方法により上記課題を解決する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法であって、
前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、を備え、
前記レジスト層上から前記被加工物にフォーカス調整用のビームを照射し、前記反射膜により反射された反射光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
ホログラムマスク及び被加工物からの反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整するホログラフィック露光方法であって、
前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、を備え、
前記レジスト層の上方に設置されたホログラムマスクと、当該ホログラムマスクを介して前記被加工物とにフォーカス調整用のビームを照射して、前記ホログラムマスク及び前記反射膜より反射された反射光の干渉光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整することを特徴とする露光方法。
【請求項３】
前記フォーカス調整用のビームの波長が８００〜９００ｎｍであり、前記反射膜が当該波長に対し、フォーカス調整可能な最小限の反射光量を確保し得る反射率を有する、請求項１又は請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
反射光に基づいて加工対象層への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法を利用した半導体装置の製造方法であって、
前記加工対象層上に当該加工対象層より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、
前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層上から前記被加工対象層にフォーカス調整用のビームを照射して、前記反射膜により反射された反射光に基づきフォーカスを調整しながら、前記レジスト層を露光し、パターニングする工程と、
前記パターニングしたレジスト層をエッチングマスクとしてエッチング処理することにより、前記被加工対象層に凹部又は溝部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部又は前記溝部が、コンタクトホール、ビアホール、又は配線溝である、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記反射膜が配線材料で構成されており、さらに、
前記凹部又は前記溝部に前記配線材料を充填すると共に、前記被加工対象層上に前記配線材料を用いて配線層を形成する工程と、
前記配線層上にレジスト層を形成し、当該レジスト層をパターニングする工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして前記配線層をエッチング処理する工程と、
を含み、
前記配線層をエッチング処理する工程で、前記配線層と共に前記反射膜を同時に除去する、請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光技術に関し、詳しくは、フォーカス調整機構により焦点合わせを行う露光方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置のパターニングプロセスにおいて、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ：全内部反射）型ホログラフィック露光技術が注目されている。この露光技術は、ホログラムマスクに対し所望のパターンを記録する記録工程と、このホログラムマスクに再生光を照射して半導体パターン用のフォトレジストを感光する露光工程とからなる。
【０００３】
記録工程では、まず半導体装置のパターンに対応したマスクパターン(元レチクル)にレーザー光の記録ビームを照射して回折光を生じさせ、ホログラムマスクの記録面に射出する。一方、ホログラムマスクの記録面に対し一定の角度でホログラムマスクの裏側から参照光を照射し、元レチクルからの回折光と干渉させる。これによってホログラムマスクの記録面に干渉パターンを生じさせこれをホログラム記録面に記録させる。
【０００４】
露光工程では、元レチクルと同じ位置にホログラムマスクを置いて、記録時と反対方向から再生光である露光ビームを照射し、基板に形成されたフォトレジストに元のパターンを再現した回折光を結像させてフォトレジストを露光する。
【０００５】
例えば非特許文献１に記載されているように、通常、露光工程においては、再生光である露光ビームの焦点を合わせるために、別途フォーカスビームを基板上に照射して、反射して得られる反射光を検出することにより、露光ビームのフォーカス制御を行っている。
【非特許文献１】クルーベら（F. Clube et al.）,「低温ポリシリコンディスプレイのための０．５μｍが可能なリソグラフィー（“0.5mm Enabling Lithography for Low-temperature Polysilicon Displays"）」、インフォメーションディスプレイ学会  ２００３  国際シンポジウム  技術論文ダイジェスト、３４巻、ブックＩ、ｐ．３５０−３５３（SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY, 2003 INTERNATIONAL SYMPOSIUM, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, VOLUME XXXIV, BOOK I, pp.350-353）、２００３年５月２０日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、例えば、半導体装置の製造方法において、酸化シリコンなどから構成される絶縁層にコンタクトホールを上記のような露光方法で形成する場合には、絶縁層の反射率が少ないために、フォーカスビームが絶縁層を透過してしまい、十分な反射光が得られないため、フォーカス制御が有効に機能し得ないという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保した露光方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法であって、前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、を備え、前記レジスト層上から前記被加工物にフォーカス調整用のビームを照射し、前記反射膜により反射された反射光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整する露光方法を提供するものである。
【０００９】
これによれば、被加工物上に当該被加工物より大きい反射率を有する反射膜を形成しているので、フォーカス調整用のビームを照射した際に、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保することが可能となる。したがって、例えば、被加工物がフォーカス調整用のビームをフォーカス調整に必要な量反射し得ない材料で構成される場合であっても、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となり、精度良く露光を行うことが可能となる。
【００１０】
本発明の他の態様は、ホログラムマスク及び被加工物からの反射光に基づいて被加工物への露光ビームのフォーカスを調整するホログラフィック露光方法であって、前記被加工物上に当該被加工物より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、を備え、前記レジスト層の上方に設置されたホログラムマスクと、当該ホログラムマスクを介して前記被加工物とにフォーカス調整用のビームを照射して、前記ホログラムマスク及び前記反射膜より反射された反射光の干渉光に基づいて前記露光ビームのフォーカスを調整する露光方法を提供するものである。
【００１１】
このように、本発明はホログラム露光に用いた場合にも、被加工物上に当該被加工物より大きい反射率を有する反射膜を形成しているので、フォーカス調整用のビームを照射した際に、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保することが可能となる。したがって、例えば、被加工物がフォーカス調整用のビームをフォーカス調整に必要な量反射し得ない材料で構成される場合であっても、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となり、精度良く露光を行うことが可能となる。
【００１２】
前記フォーカス調整用のビームの波長が８００〜９００ｎｍであり、前記反射膜が当該波長に対し、フォーカス調整可能な最小限の反射光量を確保し得る反射率を有することが好ましい。フォーカス調整用のビームは、波長が、例えば上記範囲のものが好適に用いられ、このような波長領域で反射膜が、フォーカス調整に必要な量の反射光量を確保し得ることにより、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となる。
【００１３】
ここで、フォーカス調整に必要な量の反射光量は、露光装置に備えられたフォーカスビームの検出装置の感度によっても異なるが、例えば、反射膜の反射率が約２０％以上であると、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となる。
【００１４】
本発明の他の態様は、反射光に基づいて加工対象層への露光ビームのフォーカスを調整する露光方法を利用した半導体装置の製造方法であって、前記加工対象層上に当該加工対象層より大きな反射率を有する反射膜を形成する工程と、前記反射膜上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上から前記被加工対象層にフォーカス調整用のビームを照射して、前記反射膜により反射された反射光に基づきフォーカスを調整しながら、前記レジスト層を露光し、パターニングする工程と、前記パターニングしたレジスト層をエッチングマスクとしてエッチング処理することにより、前記被加工対象層に凹部又は溝部を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１５】
これによれば、加工対象層上に当該加工対象層より大きい反射率を有する反射膜を形成しているので、フォーカス調整用のビームを照射した際に、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保することが可能となる。したがって、例えば、加工対象層がフォーカス調整用のビームをフォーカス調整に必要な量反射し得ない材料で構成される場合であっても、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となり、精度良く露光を行うことが可能となる。よって、半導体装置の設計の自由度が広がる。なお、ここで、半導体装置としては、例えば薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含むものが挙げられる。
【００１６】
前記凹部又は前記溝部が、コンタクトホール、ビアホール、又は配線溝である場合にも好適に適用し得る。通常、コンタクトホール、ビアホール、又は配線溝は、層間絶縁膜等の絶縁層に形成することが多い。このような絶縁層は、例えばシリコン酸化膜のように透光性であることが多く、十分な反射量を期待し得ない場合がある。このような場合においても、本発明の製造方法によれば好適に形成し得る。
【００１７】
前記反射膜が配線材料で構成されており、さらに、前記凹部又は前記溝部に前記配線材料を充填すると共に、前記被加工対象層上に前記配線材料を用いて配線層を形成する工程と、前記配線層上にレジスト層を形成し、当該レジスト層をパターニングする工程と、前記レジスト層をエッチングマスクとして前記配線層をエッチング処理する工程と、を含み、前記配線層をエッチング処理する工程で、前記配線層と共に前記反射膜を同時に除去することが好ましい。これによれば、反射膜が配線材料で構成されているので、配線層をエッチング処理する工程で、同時に不要部位の反射膜を除去することが可能となる。よって、別途不要な反射膜を除去する工程を必要としないので、製造工程を簡略化することができ、半導体装置の生産効率を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態に係る露光方法について、図面を参照しながら説明する。
まず、本実施形態に用いられる露光装置について説明する。
図１は、本実施形態に用いられる露光装置の一例の全体構成を示す図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態に用いられるホログラフィック露光装置は、プリズム２０１、ステージ２２０を備えるステージ装置２２２、第１情報処理装置２３０、距離測定光学系２４０、膜厚測定光学系２５０、光源２６０、第２情報処理装置２７０、露光光源２８０、および露光光源駆動装置２８２により構成される。
【００２０】
ステージ装置２２２は、被加工物としての基体２１０上にレジスト層（感光性材料膜）２１２が形成された被露光基板２１６を真空チャック等でステージ２２０上に保持して、上下方向（Ｚ方向）及び水平方向（ＸＹ平面）へのステージ２２０の位置調整が可能に構成されている。
【００２１】
光源２６０は、距離測定光学系２４０および膜厚測定光学系２５０の測定用光ビームを射出可能に構成されている。距離測定光学系２４０については、後に詳しく説明する。膜厚測定光学系２５０は、ビームスプリッタ、フォトデテクタ、増幅器、Ａ／Ｄ変換器等を備え、基体２１０上に形成されたレジスト層２１２の膜厚を測定するための構成を備えている。第２情報処理装置２７０は、露光光源２８０から照射される露光ビームが適正な露光領域内を走査するように露光光源２８０を移動させるとともに、膜厚測定光学系２５０により出力されたレジスト層２１２の膜厚の相対値に基づいて露光の光量を制御するように構成されている。露光光源２８０は、ホログラムマスク２００のホログラム記録面２０２に露光ビームを照射可能に構成されている。露光光源駆動装置２８２は、本発明の駆動装置に係り、この露光光源２８０を移動して被露光基板２１６上の所望の露光領域を走査して露光するように構成されている。また当該露光装置は、被露光基板２１６に対向する面に、所定のレチクルパターンに対応した干渉パターンが記録されているホログラムマスク２００を装着したプリズム２０１を備えている。
【００２２】
次に、距離測定光学系２４０について説明する。
図２は、距離測定光学系２４０を説明するための図である。距離測定光学系２４０は、ビームスプリッタ３１０、回折格子３１２、光センサとしてのリニアＣＣＤアレイ３１４（Linear Charge-Coupled Devices Array）、および誤差信号検出器３１６等を備えている。
【００２３】
距離測定光学系２４０の機構について説明する。光源２６０から出射されたフォーカス調整用のビーム（フォーカスビームともいう。例えば、波長８００〜９００ｎｍのビームが用いられる）は、プリズム２０１を介してホログラムマスク２００及び基体２１０上で反射する。このホログラムマスク２００及び基体２１０で各々反射した異なる波長を有する反射光が、ビームスプリッタ３１０により回折格子３１２に導かれる。その後、回折格子３１２によって分散され、リニアＣＣＤアレイ３１４上に集中する。このホログラムマスク２００及び基体２１０の反射光の干渉波により、ＣＣＤを通過する際の強度分布が変化する。このリニアＣＣＤアレイ３１４から得られる強度分布の変化を誤差信号検出器３１６により検出し、ホログラムマスク２００と基体２１０との距離の変化を算出する。その後、算出された誤差情報が、第１情報処理装置２３０に伝えられる。第１情報処理装置２３０では、距離測定光学系２４０により計測されたホログラム記録面と被露光基板に形成されたレジスト層表面との距離に基づいてフォーカスが適正となるようにステージ２２０の位置を設定するための位置情報をステージ装置２２２に送る。ステージ装置２２２は、このステージ２２０の位置を設定するための位置情報に基づいて上下方向（Ｚ方向）にステージ２２０の位置調整を行う。このような機構により、ホログラム記録面２０２と被露光基板上に塗布されたレジスト層表面２１４との距離を調整することが可能となり、精度良く露光することが可能となる。
【００２４】
次に、図３及び図４を参照しながら本実施形態の露光方法について、半導体装置の製造方法を例に採り説明する。図３及び図４は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。本例では、特に半導体装置の配線層の形成工程を例に採り説明する。
【００２５】
まず、図３（Ａ）に示すように、例えば、ガラス等の基板１０上にｐ−Ｓｉ層１２（例：５０ｎｍ）、加工対象層としてのシリコン酸化膜１４（例：８００ｎｍ）、反射膜としての窒化チタン膜１６（例：５０ｎｍ）、及びレジスト層２１２（例：１μｍ）がこの順に積層された被露光基板２１６を準備する。ここで、基板１０、ｐ−Ｓｉ層１２、加工対象層としてのシリコン酸化膜１４、及び窒化チタン膜１６から構成される積層構造が基体２１０に該当する。また、基体２１０、及びレジスト層２１２から構成される積層構造が、被露光基板２１６に該当する。
【００２６】
具体的には、ｐ−Ｓｉ層１２は、薄膜トランジスタ等の活性層であってもよく、例えばＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、スパッタリング法等の各種成膜法により形成される。シリコン酸化膜１４は、例えば電子サイクロトロン共鳴ＰＥＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法）又はＰＥＣＶＤ法等の成膜法によって形成することができる。窒化チタン膜１６は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の成膜法により形成することができる。なお、図示しないが、基板１０とｐ−Ｓｉ層１２との間には、例えばシリコン酸化膜等の下地絶縁層が形成されていてもよい。
【００２７】
この被露光基板２１６上に、露光ビーム２０を照射し、レジスト層２１２をパターニングする。これにより、露光ビーム２０で照射した所望の領域１８が感光される。
具体的には、本実施形態では、コンタクトホールを形成する予定領域１８を露光ビーム２０で露光する。この際、露光ビーム２０のフォーカス制御を行うために、上述したようなフォーカス調整用のビームを同時に被露光基板２１６に照射する。
【００２８】
ここで、加工対象層であるシリコン酸化膜１４は、光透過性が高い。したがって、例えば８００〜９００ｎｍの波長のフォーカス調整用ビームを照射した場合、反射率が低いため、露光ビーム２０のフォーカス調整に必要な反射光量が十分に得られない。しかし、本実施形態では、このシリコン酸化膜１４よりも反射率が高い窒化チタン膜１６を形成しているため、フォーカス調整に十分な反射光量が得られる。
【００２９】
なお、ここで、反射膜として窒化チタン膜１６を用いたが、これに限定されず、少なくともフォーカス調整に必要十分な最小限の反射光量が得られればよい。また、フォーカス調整に必要な量の反射光量とは、露光装置に備えられたフォーカスビームの検出装置の感度によっても異なるが、例えば、反射膜の反射率が約２０％以上、例えば２０〜８０％であることが好ましい。反射率が上記範囲にあると、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となり、また、露光ビーム２０の照射を妨げることもない。なお、本実施形態では露光装置（フォーカスシステムを含む）としては、ホルトロニックテクノロジーズ（Holtronic Technologies）社製のホログラム露光装置を用いた。
【００３０】
ただし、後の工程で、配線層を形成後に反射膜を除去する必要がある場合には、配線層のパターニング後のエッチング処理時に同時に反射膜を除去し得るので、配線層を形成するのに使用されるのと同様の配線材料で反射膜を形成することが好ましい。このような反射膜を形成するのに用いられる配線材料としては、例えば、バリアメタル又は金属が挙げられる。より具体的には、例えば配線層がアルミニウム等の金属で構成されている場合には、反射膜として例えばＴｉ又はＴｉＮ等を用いることにより、後の工程で同時にエッチングにより除去し得る。また、反射膜は露光ビームの照射に対し、実質的な影響を及ぼさないものであることが好ましい。例えば反射膜としてＴｉ又はＴｉＮを用いた場合には、露光ビームに対して実質的な影響を及ぼすことがなく、精度よく露光することが可能であるので好ましい。さらに、反射膜はフォーカス調整用ビームの波長に対し、十分な遮光性（減衰率）を持つものが好ましい。反射膜が透過性の高い膜（減衰率の低い膜、例えばａ−Ｓｉ）である場合には、反射膜の下に形成された膜がパターニングされている場合、反射膜の下に形成された膜により反射されたフォーカス調整用ビームの影響をフォーカスシステムがノイズとして拾ってしまう虞がある。この場合、フォーカス制御の精度が落ちる虞があるので好ましくない。Ｔｉ又はＴｉＮの場合には、このようなノイズによる影響がないことが確認されている。
【００３１】
本実施形態で用いられる露光装置では、上記のように、フォーカス調整用ビームを被露光基板２１６に垂直に照射するので、反射光が特に得られ難い。したがって、このような装置では、フォーカス調整用ビームの反射光の検出感度を特に上げる必要があり、上記反射膜の利用はこのような装置では特に有用である。
【００３２】
次に、図３（Ｂ）に示すように、上記レジスト層２１２を現像する。続いて、図３（Ｃ）に示すように、現像後のレジスト層２１２をエッチングマスクとして用いて、反射膜としての窒化チタン膜１６及びシリコン酸化膜１４のエッチング処理を行う。この際、エッチング処理は、例えば、ウェットエッチングで行ってもドライエッチングで行ってもよい。その後、レジスト層２１２を除去することにより、コンタクトホール２１が形成される。
【００３３】
次に、図３（Ｄ）に示すように、配線層２８を形成する。配線層２８を構成する配線材料としては、特に限定するものではないが、例えば、タンタル、アルミニウム等の金属が用いられる。本実施形態では、配線層２８は、チタン層２２（例：５０ｎｍ）、アルミニウム層２４（例：８００ｎｍ）、及び窒化チタン層２６（例：５０ｎｍ）から構成される。配線層２８は、配線層２８を構成する金属材料を例えばスパッタリング等の方法で堆積することにより形成される。
【００３４】
次に、図４（Ａ）に示すように、配線層２８上にレジスト層３０を形成し、レジスト層３０のパターニングを行い、現像する。その後、図４（Ｂ）に示すように、配線層２８をエッチング処理する。この際、不要な領域に形成された窒化チタン膜１６も配線層２８と同時にエッチング処理が可能となる。その後、レジスト層３０を除去することにより、所望のパターンの配線層２８が形成された半導体装置を得ることが可能となる（図４（Ｃ）参照）。
【００３５】
本実施形態によれば、レジスト層２１２の下部に反射膜１６を形成しているので、フォーカスビームを照射した際に、フォーカス制御に必要な反射光の反射光量を確保することが可能となる。したがって、被加工物がフォーカスビームを所要量反射し得ない材料で構成される場合であっても、感度良くフォーカス調整を行うことが可能となり、精度良く露光を行うことが可能となる。また、本実施形態に用いる露光装置のように、フォーカスビームが垂直に入射する場合には、反射光が得られ難いため、検出に十分な反射光量を得ることが困難な場合が多い。したがって、このような露光装置の場合には、本発明は特に有用である。
【００３６】
また、本実施形態によれば、反射膜１６の材料を配線層を構成する材料と同様にすることで、不要な領域に形成された反射膜１６を配線層のエッチング処理と同時に行えるので、都合がよい。
なお、本実施形態では、コンタクトホールの形成工程を例に挙げて説明したが、本発明の方法は、ビアホールの形成、又は溝の形成等にも適用することが可能である。
【００３７】
本発明の半導体装置の製造方法は、例えば、ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの電気光学装置における各画素を構成する画素回路や、当該画素回路を制御するドライバ（集積回路）の形成等に適用することができる。また、このような電気光学装置の製造以外にも、種々のデバイス製造に適用することが可能である。例えば、ＦｅＲＡＭ（ferroelectric RAM）、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＮＯＲ型ＲＡＭ、ＮＡＮＤ型ＲＡＭ、浮遊ゲート型不揮発メモリ、マグネティックＲＡＭ（ＭＲＡＭ）など各種のメモリ製造が可能である。また、この他、薄膜トランジスタを使用して集積化したセンサ、ＣＰＵを搭載したバンクカード等にも利用可能である。さらに、マイクロ波を用いた非接触型の通信システムにおいて、微小な回路チップ（ＩＣチップ）を搭載した安価なタグを製造する場合にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本実施形態に用いられる露光装置の一例の全体構成を示す図である。
【図２】図２は、距離測定光学系２４０を説明するための図である。
【図３】図３は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０・・・基板、１２・・・ｐ−Ｓｉ層、１４・・・シリコン酸化膜、１６・・・窒化チタン膜、１８・・・露光領域、２０・・・露光ビーム、２１・・・コンタクトホール、２２・・・チタン層、２４・・・アルミニウム層、２６・・・窒化チタン層、２８・・・配線層、３０・・・レジスト層、１１０・・・遮光装置、２００・・・ホログラムマスク、２０１・・・プリズム、２０２・・・ホログラム記録面、２１０・・・基体、２１２・・・レジスト層、２１４・・・レジスト層表面、２１６・・・被露光基板、２２０・・・ステージ、２２２・・・ステージ装置、２３０・・・情報処理装置、２４０・・・距離測定光学系、２５０・・・膜厚測定光学系、２６０・・・光源、２７０・・・情報処理装置、２８０・・・露光光源、２８２・・・露光光源駆動装置、３１０・・・ビームスプリッタ、３１２・・・回折格子、３１４・・・リニアＣＣＤアレイ、３１６・・・誤差信号検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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