(57)【要約】【課題】  電子写真用感光体に使用可能な堆積膜の形成に於いて、画像欠陥の低減が可能な電子写真感光体の製造装置及び方法を提供する。【解決手段】  減圧可能な反応容器の内面に密着層を形成した後に円筒状基体を設置し、該円筒状基体状に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造装置及び製造方法であって、該密着層はガラス上に該密着層を１μｍ及び該電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で該ガラス面から破断する臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることを特徴とする【選択図】  図１
2005128366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体材料と導電性材料で構成された減圧可能な反応容器内に円筒状基体が設置され該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し該円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造装置に於いて、少なくとも該反応容器の上蓋、側壁、底面で形成された該反応容器内面及び該反応容器内部の部材表面が密着層で被覆され、該密着層はガラス上に該密着層を形成後、該電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で該ガラス面から破断する臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることを特徴とする電子写真感光体の製造装置。
【請求項２】
前記密着層の破断臨界荷重が、ガラス上に該密着層及び該電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で先端の半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓｅｃ、送りスピード１０μｍ／ｓｅｃで移動しながら該スタイラスに荷重を加えた際に、該積層膜がガラス面から破断する臨界荷重であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項３】
前記密着層が珪素原子、窒素原子を少なくとも一つ含んだ非単結晶膜であることを特徴とする請求項１及至２に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項４】
前記反応容器の少なくとも一部がアルミナセラミックで構成されている事を特徴とする請求項１及至３に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項５】
前記密着層がプラズマＣＶＤで形成した膜である事を特徴とする請求項１及至４に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項６】
前記電子写真感光体の製造装置の高周波電力供給手段に供給する高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚである事を特徴とする請求項１及至５に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項７】
前記反応容器の上蓋、側壁、底面で形成された該反応容器内面及び該反応容器内部の部材表面を被覆する密着層の膜厚が０．０５μｍ以上１０μｍ以下である事を特徴とする請求項１及至６に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項８】
前記電子写真感光体の製造装置に於いて、同一の高周波電極に供給する高周波電力が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波を少なくとも２つ含み、該周波数範囲における電力値の上位２つの高周波をそれぞれ第１の高周波（周波数ｆ１、電力Ｐ１）と第２の高周波（周波数ｆ２、電力Ｐ２）としたときに、下記式を満たす条件で、
ｆ２＜ｆ１  …  （Ａ）
１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９  …  （Ｂ）
反応容器内にプラズマを生成する事を特徴とする請求項１及至７に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項９】
少なくとも一部が誘電体材料と導電性材料で構成された減圧可能な反応容器内に円筒状基体が設置され該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し該円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法に於いて、該円筒状基体を設置する前に少なくとも該反応容器の上蓋、側壁、底面で形成された該反応容器内面及び該反応容器内部の部材表面を密着層で被覆する工程を有する電子写真感光体の製造方法であって、該密着層はガラス上に該密着層を堆積後に該電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で該ガラス面から破断する臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
該密着層の破断臨界荷重がガラス上に該密着層及び電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で先端の半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓｅｃ、送りスピード１０μｍ／ｓｅｃで移動しながら該スタイラスに荷重を加えた際に、該積層膜がガラス面から破断する臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることを特徴とする請求項９に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
前記密着層が珪素、窒素の原子を少なくとも一つ含んだ非単結晶膜であることを特徴とする請求項９及至１０に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１２】
前記反応容器内面を密着層で被覆する工程の後に円筒状基体を設置しプラズマＣＶＤ法により該円筒状基体表面に堆積膜を形成することにより電子写真感光体を作成することを特徴とする請求項９及至１１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１３】
前記反応容器の少なくとも一部がアルミナセラミックで構成されている事を特徴とする請求項９及至１２に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項１４】
前記密着層がプラズマＣＶＤ法で形成した膜である事を特徴とする請求項９及至１３に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１５】
前記密着層の形成方法が原料ガスを５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波電力により分解し該反応容器内面に堆積膜を形成した事を特徴とする請求項９及至１４に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１６】
前記反応容器の上蓋、側壁、底面で形成された該反応容器内面及び該反応容器内部の部材表面を膜厚が０．０５μｍ以上１０μｍ以下の密着層で被覆する事を特徴とする請求項９及至１５に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項１７】
前記電子写真感光体の製造方法に於いて、同一の高周波電極に供給する高周波電力が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波を少なくとも２つ含み、該周波数範囲における電力値の上位２つの高周波をそれぞれ第１の高周波（周波数ｆ１、電力Ｐ１）と第２の高周波（周波数ｆ２、電力Ｐ２）としたときに、下記式を満たす条件で、
ｆ２＜ｆ１  …  （Ａ）
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９  …  （Ｂ）
反応容器内にプラズマを生成する事を特徴とする請求項９及至１６に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に電子写真感光体に用いられる堆積膜の製造装置及び製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力により生成されるプラズマを用いた堆積膜形成法が知られており、そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基板上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）薄膜の形成方法が知られており、その製造装置も各種提案されている。
【０００４】
このような電子写真感光体形成装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のために電子写真感光体形成方法及び装置の改良が進められている。
【０００５】
例えば一部が誘電体で構成された遮蔽板の内部に複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、電極を該遮蔽板の内外に配置して円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法及び装置の技術に関して開示されている（特許文献１参照）。この堆積膜形成方法及び装置を用いて円筒状基体上に堆積膜を形成することにより、画像欠陥の低減効果が得られることが示されている。
【０００６】
更に非導電性材料で構成された反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、カソード電極を該反応容器の内外に配置して円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法及び装置の技術に関して開示されている（特許文献２参照）。この堆積膜形成方法及び装置を用いて円筒状基体上に堆積膜を形成することにより、堆積膜特性の均一性向上の効果が得られることが示されている。
【０００７】
また、反応容器内に剥離しにくい絶縁膜を形成させる目的でマイクロ波を用いたプラズマ生成手段により処理容器内部に絶縁膜を堆積させる技術に関して開示されている（特許文献３）。
【０００８】
更に、成膜室の内壁及び内部治具表面にシリコン、炭素及び炭化シリコンより選択された材料皮膜をプラズマＣＶＤにより形成し装置内の腐食、劣化を抑える技術が開示されている（特許文献４）。
【特許文献１】特開平１１−０２６３８８号公報
【特許文献２】特開平１１−０９２９３２号公報
【特許文献３】特開２００３−３７１０５号公報
【特許文献４】特開平６−１６８８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来の方法及び装置により、良好な堆積膜が形成される。しかしながら、これら堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【００１０】
例えば、電子写真感光体の場合、電子写真装置のプロセススピード向上、装置の小型化、低価格化等の要求は非常に高く、これらを実現可能な感光体特性、具体的には帯電能、感度等の向上、あるいは生産コストの低減、生産時の良品率向上が不可欠となっている。
【００１１】
また、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に成されるため、従来以上に画像濃度むらの低減が求められるようになっている。また同時に、画像上に白点或いは黒点等の画像欠陥を引き起こす球状突起等の構造欠陥についても、従来以上の低減が求められている。
【００１２】
このような構造欠陥は、堆積膜形成前から被処理物上に付着したダスト等の異物を起源として成長したもののほか、堆積膜形成途中に装置内に形成された堆積膜が、膜中の内部応力により微小な膜剥れが発生し、放電空間内に膜片となって拡散、その一部が基体上に付着したものが起源として成長したものが存在する。そのため、成膜前の基体は厳密に洗浄され、クリーンルームなどのダスト管理された環境で反応容器内に運搬することにより、基体にダストが付着することを極力避けるようにしてきた。また、反応容器内に形成された堆積膜が剥れるのを防止するために、反応容器内壁や反応容器内の構成部品等の表面に対して、粗面化する処理や、表面エネルギーの大きいセラミック材で被覆する処理等を施してきた。しかし部材の粗面化処理は広範囲を均一に粗面化することが難しいため部分的な膜剥れが発生する場合があった。更に部材表面をセラミック材で被覆した場合、初期状態では膜の密着性は良好であるが耐久性に関しては繰り返しの使用により疲労しセラミックス材自体が部材から剥れる場合があるため耐久性、コスト面で改善が望まれている。
【００１３】
また、感光体の成膜前に反応容器内を密着層で被覆することにより堆積膜の膜剥れを防止する手段が用いられる。プラズマＣＶＤで形成される密着層であればエッチングによる除去が容易であり感光体の成膜毎に密着層を設けられるため耐久性の心配もない。このような密着層としては例えば窒化シリコンがプラズマＣＶＤで容易に形成が可能で密着性の高い膜として知られており感光体としても実績がある材料である。
【００１４】
しかし、密着性向上を目的とした場合、どのような特性が好ましいかに関しての知見は少ないのが現状である。また一般にプラズマＣＶＤ法は装置依存が大きいためガス流量、ガス圧、放電電力といった装置に依存する作成条件ではなく膜の密着性とダスト発生防止効果を的確に判断する判断基準が求められている。
【００１５】
（発明の目的）
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、本発明は減圧可能な反応容器中に円筒状基体を設置し、該反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する高周波−プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成において、良好な膜特性を維持しながら、画像上に白点或いは黒点等の画像欠陥を引き起こす球状突起の低減が可能な、電子写真感光体の製造装置及び製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、特定の条件で測定した密着性の評価結果が特定の範囲になるような密着層を反応容器内に設けることで、感光体作成時に発生する反応容器内の微細な膜剥れを効果的に防止し、ダスト源を飛躍的に低減できることを見出した。更に密着性の評価に関して、部材と密着層との密着性評価では成膜時のダスト発生量との相関が正確に得られないことが判明した。これは密着層とその上に堆積される感光層との密着性が不十分でその界面から剥離する場合や密着層と感光層との応力バランスにより密着層そのものが剥離してしまう場合があるためである。よって密着性の評価は作成する感光体と同様の条件で作成した感光層と密着層との積層状態で評価することが最も重要である事が判明した。
【００１７】
即ち、少なくとも一部が誘電体材料と導電性材料で構成された減圧可能な反応容器内に円筒状基体が設置され該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し該円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造装置に於いて少なくとも該反応容器の上蓋、側壁、底面で形成された該反応容器内面及び該反応容器内部の部材表面が密着層で被覆され、該密着層はガラス上に該密着層を形成後、該電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で該ガラス面から破断する臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることを特徴とする。
【００１８】
更に前記密着層の破断臨界荷重がガラス上に該密着層及び該電子写真感光体の初期５μｍの堆積膜を順次積層した積層膜状態で先端の半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓｅｃ、送りスピード１０μｍ／ｓｅｃで移動しながら該スタイラスに荷重を加えた際に、該積層膜がガラス面から破断する臨界荷重であることを特徴とする。
【００１９】
更に前記密着層が珪素原子、窒素原子を少なくとも一つ含んだ非単結晶膜であることを特徴とする。
【００２０】
更に前記反応容器の少なくとも一部がアルミナセラミックで構成されている事を特徴とする。
【００２１】
更に前記密着層がプラズマＣＶＤで形成した膜である事を特徴とする。
【００２２】
更に前記電子写真感光体の製造装置の高周波電力供給手段に供給する高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚである事を特徴とする。
【００２３】
更に前記反応容器内面を密着層で被覆する工程の後に円筒状基体を設置しプラズマＣＶＤ法により該円筒状基体表面に堆積膜を形成することにより電子写真感光体を作成することを特徴とする。
【００２４】
更に前記反応容器の上蓋、側壁、底面で形成された該反応容器内面及び該反応容器内部の部材表面を被覆する密着層の膜厚が０．０５μｍ以上１０μｍ以下である事を特徴とする。
【００２５】
更に前記電子写真感光体の製造装置に於いて、同一の高周波電極に供給する高周波電力が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波を少なくとも２つ含み、該周波数範囲における電力値の上位２つの高周波をそれぞれ第１の高周波（周波数ｆ１、電力Ｐ１）と第２の高周波（周波数ｆ２、電力Ｐ２）としたときに、下記式を満たす条件で、
ｆ２＜ｆ１  …  （Ａ）
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９  …  （Ｂ）
反応容器内にプラズマを生成する事を特徴とする請求項１及至７に記載の電子写真感光体の製造装置。
【００２６】
（作用）
従来から密着層材料としては例えば少なくともシリコン原子を含み、炭素、窒素、酸素、水素、フッ素、ボロンなどを含む非単結晶材料、或いは少なくとも炭素原子を骨格とし、窒素、酸素、水素、フッ素、ボロンなどを含む非単結晶炭素材料、或いは窒化ボロン、窒化アルミニウムなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＩｎＯ２などの金属酸化物などが挙げられるが、下地となる金属（アルミニウムやステンレス）と親和性がよく、且つ電子写真感光体の初期の層として使用されるアモルファスシリコン系の膜とも親和性がよい材料として特に、少なくともシリコン原子と炭素原子とを含む非単結晶炭化珪素膜や、少なくともシリコン原子と窒素原子とを含む非単結晶窒化珪素膜が挙げられるが、中でも非単結晶窒化珪素膜が最も好ましいと判断し密着層の材料として選択し検討を行った。
【００２７】
まず反応容器内面にガラス基板を設置した状態で窒化シリコンからなる密着層をプラズマＣＶＤにより堆積し、スクラッチ試験により密着性を評価した。ここでスクラッチ試験とは、レコード針状のダイヤモンドスタイラスに荷重をかけながら表面を引っ掻き密着層がガラス基板から剥離する臨界荷重を測定し、その値を密着性とする測定方法である。
【００２８】
上記スクラッチ試験により様々な条件で作成した窒化シリコン密着層の密着性を評価し、反応容器内に密着性の異なる窒化シリコン密着層を形成した後、従来の方法で電子写真感光体を作成し微細な膜剥れにより発生する球状突起突起数との相関を検討した。その結果、窒化シリコン単層膜から得られた密着性の値と球状突起数に顕著な相関が見られず、特に同じ密着層を用いた場合でも電子写真感光体の作成条件を変化させると球状突起数が異なってしまう現象が発生した。
【００２９】
本発明者らは、密着性の評価方法に関して更に検討を重ねた結果、反応容器内面に設置したガラス基板に密着層を堆積し、更に実際に作成する電子写真感光体と同一の膜を積層した時のスクラッチ試験結果と球状突起数が非常によく一致することを見出した。
【００３０】
上記評価方法によれば、様々な形態、様々な方式（周波数、給電方法など）の感光体製造装置を用いた場合でも、上述したガラス上の積層膜でのスクラッチ試験による臨界荷重と、その積層膜と同様の層を用いた電子写真感光体の球状突起の数が、非常によく一致することが判明した。つまり、プラズマＣＶＤという比較的装置敏感な膜形成方法を用いているにもかかわらず、本発明の目的である球状突起の抑制が、装置に依存せずに単一の方法で評価可能であり、層構成が簡便に決定でき、短期間、低コストで異常成長が極めて少ない感光体を得ることが出来る。
【００３１】
本発明者らは検討を進めるうち、ガラス上に密着層の膜を堆積し、その上に光導電層の膜を５μｍ堆積させたとき、最も球状突起の数と相関性が高いことが判った。これは、球状突起の起点となっている場所が、感光体作成時の初期に集中しており、５μｍでそれらがほとんど網羅されているからである。また、５μｍを超えて光導電層の膜厚を増やしていくと、測定中に光導電層が脆性破壊を起こし、膜途中から割れてしまって正確な密着性が得られないことが多くなる。これらの点から、密着性を最も効果的に反映する膜厚としては５μｍが好ましいことがわかった。
【００３２】
また、このときの膜破断までの臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下の範囲にあることが最も好ましいことが判った。５０ｍＮより小さい場合には、実際の感光体作成時にも膜剥れが生じやすく、球状突起を効果的に減少させることが難しくなる。７００ｍＮより大きくなると、密着性は非常に良好であり、確かに感光体作成初期の微小剥れは非常に効果的に抑制されるが、感光体作成終盤になって基体上の膜が広範囲に剥れることがあった。これは、応力が大きすぎ、膜厚が厚くなった際に応力に耐えられなくなって膜剥れが発生したと考えられ、本願で着目した初期の応力バランス以外に、感光体に要求される数十μｍの厚膜を作成した際の応力バランスも重要であることが判った。
【００３３】
以上の点から、ガラス基板上の膜としては、密着層の上に光導電層を５μｍ堆積させて積層膜としたものを用い、臨界荷重としては５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることが、本発明の効果を得る上で最も望ましい。
【００３４】
更に、反応容器内面に形成する密着層の膜厚に関しては０．０５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。密着層の膜厚が０．０５μｍより薄いと密着層として機能せず球状突起数を抑制する能力が損なわれ逆に密着層の膜厚が１０μｍを越えると電子写真感光体の作成に伴い密着層上に感光層が数十μｍの膜厚で積層されると微小な膜剥れは発生しないものの応力バランスが崩れ広範囲での膜剥れが発生する場合がる。
【発明の効果】
【００３５】
以上説明したように本発明によれば、少なくとも一部が誘電体材料と導電性材料で構成された減圧可能な反応容器内を密着層で被覆した後に円筒状基体が設置され該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し該円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造装置および製造方法であって、該密着層の作成条件を、予めガラス基板上に該密着層の膜を形成し、その上に前記電子写真感光体の初期膜を５μｍ形成して積層膜とし、ダイヤモンドスタイラスを用いたマイクロスクラッチ試験を用いて評価したとき、膜が基板から破断する臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下となるように決定することにより、球状突起突起を極めて効果的に低減できる電子写真感光体の製造装置及び製造方法が提供出来る。更には、高品質で均一性の高い大面積の堆積膜を、更に高速で堆積させることが出来、製品品質の向上、スループットの向上や良品率向上による生産コスト低下を高い次元で両立することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明の第一の実施形態を図１に示す。図１（ａ）は本発明を用いたアモルファスシリコン感光体製造装置の一例を示した概略図である。図１（ａ）は概略断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図。
【００３７】
円筒形の反応容器１０２の底面１１７には排気口１０７が設けられ排気口１０７は排気管１１７に接続され該排気管１０７の他端は不図示の排気装置に接続されている。反応容器１０２の中心部に、堆積膜の形成される１本の円筒状基体１０１が基体支持体１０６に載置された状態で配置されている。
【００３８】
ＶＨＦ電源１０８から高周波電力をマッチングボックス１０５を介した後、高周波電極１０４より反応容器１０２内に高周波電力を供給する構成となっている。
【００３９】
電力分岐板１１３は、実質的に電磁波を閉じ込めるシールド１１４内にシールド１１４とは電気的に絶縁された状態で設置されている。即ち、絶縁体を介して、反応装置に固定されている構成となっている。さらに、放電初期の真空処理安定性を向上するために、電力分岐板１１３と高周波電極１０４の接続にはコンデンサーを介して接続してもよい。
【００４０】
高周波電極１０４から放出される高周波電力を反応容器１０２に効率良く導入するために、円筒形の反応容器１０２の側壁には誘電体であるセラミックスが用いられている。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制、耐熱性等の点からアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。
【００４１】
更に、堆積膜の膜厚、膜質等のムラを改善する目的で図２に示した様に複数の高周波電源を接続した構成としてもよいこのように複数の周波数の高周波を同一電極に同方向から重畳させて供給することにより電極上ないしは導電性基体上の定在波を抑制する事ができ、より好ましい。尚、高周波電源を複数接続してあること以外は基本的に図１と同様の構成である。
【００４２】
高周波電源２０８、２０９は、各々の発振周波数の関係が、例えば高周波電源２０８が第１の高周波（周波数ｆ１、電力値Ｐ１）を供給する第１の高周波電源、２０９が第２の高周波（周波数ｆ２、電力値Ｐ２）を供給する第２の高周波電源とした場合、
５０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９
とすることで、堆積速度、特性、ムラ抑制の観点からバランスが最も好ましく、好適である。大面積で均一な膜堆積を高速に行うためには上述したような範囲の２つの高周波を重畳する技術を使用することが最も好ましい。
【００４３】
また、第１の高周波電源にはｆ１よりも低く、ｆ２よりも高いカットオフ周波数特性をもつハイパスフィルターを設けてもよい。また、同様に第２の高周波電源にはｆ２よりも高く、ｆ１よりも低いカットオフ周波数特性をもつローパスフィルターを設けてもよい。それらの周波数選択性は高い方が、それぞれの高周波電源に回り込む他方の電力が小さく出来、より好ましい。
【００４４】
また、前記電力の範囲が
０．２≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．７
の場合がより好ましく、更に電力比の上限がｆ２／ｆ１に設定することで、放電の安定性の点で最も好ましい。
【００４５】
また、前記周波数の範囲が、
０．５＜ｆ２／ｆ１≦０．９
の範囲に設定するのが、より高い定在波抑制効果を得られるのでより好ましい。
【００４６】
更に、図２に示した装置の量産型の装置を図３に示す。図３（ａ）は、カソード電極を反応容器外に設置し、反応容器内に複数の円筒形基体を設置する構成とした電子写真感光体の量産型製造装置である。なお、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’断面図を示している。
【００４７】
図３に示す反応装置は反応容器３０２内に６本の円筒形基体３０１が同一円周上に等間隔に設置される構成となっている。また、ガスを導入するガス導入管３０３が円筒形基体の配置円外の同一円周上等間隔に６本設置されている。
【００４８】
尚、図３に示す反応容器３０２の中心部に設けた、排気口３０７を同一円周上等間隔に取り囲むように円筒状基体３０１を複数本、配置したこと以外は図２と同様の構成である。
【００４９】
図４は、本発明により作成される電子写真感光体の層構成を説明するための模式的構成図である。
【００５０】
図４（ａ）は、基体４０１の上に少なくとも水素を含むａ−Ｓｉからなる光導電層４０２、電子写真装置における顕像保持能力をもつ表面層４０３が順に積層された電子写真感光体である。
【００５１】
図４（ｂ）は本発明による電子写真感光体を説明する模式図であり基体４０１の上に電荷注入阻止層４０４、光導電層４０２、表面層４０３が順に積層された電子写真感光体である。
【００５２】
また、図５に本発明の密着性を評価するために用いるサンプルの模式的な断面図を示す。図５のサンプルは、ガラス基板５００の上に、積層膜５０６が設けられ該積層膜は密着層５０５、シリコンを母体とする光導電層５０２がこの順で設けられている。
【００５３】
この密着層５０５の材料として、例えば少なくともシリコン原子を含み、炭素、窒素、酸素、水素、フッ素、ボロンなどを含む非単結晶材料、或いは少なくとも炭素原子を骨格とし、窒素、酸素、水素、フッ素、ボロンなどを含む非単結晶炭素材料、或いは窒化ボロン、窒化アルミニウムなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＩｎＯ２などの金属酸化物などが挙げられるが、前述したように下地となる金属（アルミニウムやステンレス）と親和性がよく、且つ電子写真感光体の初期の層として使用されるアモルファスシリコン系の膜とも親和性がよい材料が好ましい。特に、少なくともシリコン原子と炭素原子とを含む非単結晶炭化珪素膜や、少なくともシリコン原子と窒素原子とを含む非単結晶窒化珪素膜が好ましく、中でも非単結晶窒化珪素膜が最も好ましい。具体的には、非晶質窒化珪素（ａ−ＳｉＮ）や水素化非晶質窒化珪素（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）、ハロゲンを含む水素化非晶質窒化珪素（ａ−ＳｉＮ：Ｈ：Ｘ）が挙げられ、部分的に微結晶を含んでいてもよい。
【００５４】
密着層５０５を形成するのに有効に使用される原料ガスとしては、窒素原子を含むものとしては、窒素、窒化物、フッ素化窒素及びアジ化物などの窒素酸化物が挙げられる。具体的には、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化窒素（Ｎ２Ｆ４）、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等が挙げられる。また、シリコン原子を含むものとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０などのシラン類、及びシラン類の水素をハロゲンで置換したハロゲン置換水素化珪素などが挙げられる。
【００５５】
また、これらのガスに加え、希釈ガスとして水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）などを適宜混合しても良い。また、電気的な特性改善を目的として、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）などの価電子制御用ガスを微量添加しても構わない。
【００５６】
これらのガスを用いて、所望の密着性を持つ膜が得られればどのような原料ガス、混合比を用いても構わないが、特にＳｉ原子含有ガスとしてはＳｉＨ４を、窒素含有ガスとしてはＮ２を用いた場合に最も密着性に優れた膜が得られるため、これらを用いることが最も好ましい。
【００５７】
また、密着層５０５作成時の圧力としては、所望の密着性が得られればどのような圧力を用いても構わないが、ある程度以上高い方が密着性の向上が得られやすい。原因は不明だが、プラズマ中の活性種の挙動が変化し、堆積する膜の結合が変化するためと思われる。具体的な圧力の数値としては、厳密には周波数によって異なるが、５０〜４５０ＭＨｚの高周波においては、好ましくは１．３Ｐａ以上、より好ましくは２Ｐａ以上とすることが望ましい。また、上限としては放電の安定性を考えると１３．４Ｐａ以下、より好ましくは１０Ｐａ以下が望ましい。
【００５８】
また図６に、前述したマイクロスクラッチ試験を模式的に示す。これはレコード針の摩擦振動を利用した表面の力学特性を測定する装置である。図６において、図５に示したガラス基板５０５上に形成した積層膜５０６の上をダイヤモンドスタイラス６０３を用いて引っ掻き（スクラッチ）ながら微小振動をモニターし、振動の変化を見ることで剥離の有無を判断できる。
【００５９】
具体的には、カートリッジ６０４を、ｘ方向に振幅ｘ０、振動周期ｆにて走引させながら（ｘ＝ｘ０ｃｏｓ２πｆｔ）、ｙ方向には一定の速度ｙ０で移動させ（ｙ＝ｙ０ｔ）、同時に一定の割合でｚ方向にかける荷重を増やしていく。荷重Ｗはアーム６０５のｚ方向の弾性係数をｋとし、ｚ方向の変位をｚとすると、Ｗ＝ｋｚで表される。この荷重Ｗはカートリッジ６０４のｚ方向への移動速度ｚ０に比例するため、ｚ０を負荷速度と称することとする。即ち荷重Ｗは負荷速度ｚ０を用いて表すと、Ｗ＝ｋｚ０ｔと表すことが出来る。その際、ダイヤモンドスタイラス６０３から伸びるアーム６０５の先端に設置された磁石６０６の振動をコイル６０７でピックアップし、信号端子６０８から取り出し、増幅することで表面を移動するダイヤモンドスタイラス６０３と薄膜との摩擦運動をモニターすることが出来る。例えば、不図示のデータロガーなどを用いて振動の様子をモニターすればよい。薄膜がスタイラスの摩擦に耐えられなくなって破壊すると、摩擦力の信号が大きく変化する。この変化した時点での荷重を臨界荷重として記録する。その時点で荷重をなくし、測定を終える。測定後は、膜破壊が起こったと思われる場所を顕微鏡観察し、基板から剥離していることを確認する。以上のような手順で密着性の評価を行うことが出来る。
【００６０】
上述したスクラッチ試験のパラメータとしては、ダイヤモンドスタイラス６０３の先端半径、ｘ方向の振動振幅ｘ０、振動周期ｆ、負荷速度ｚ０、ｙ方向への送りスピードｙ０などが挙げられる。これらについては、薄膜のスクラッチ試験として一般的なパラメータを用いればよいが、本発明者らの検討結果によると、以下の数値を用いた方がより好ましいことがわかった。具体的には、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとすることが好ましい。この数値を用いることで、実際の感光体上の異常成長の数とスクラッチ試験結果との相関が最も良好に得られるため、好ましい。
【００６１】
次に図１、２、３の装置を用いた場合の堆積膜形成の概略を図１の装置を例に、以下に説明する。
【００６２】
反応容器１０２内にダミーの円筒状基体１０１を設置し、不図示の排気装置により、排気口１０７を介して排気管１１７へ、排気が行われ反応容器１０２内を排気する。続いて、ヒーター（不図示）により円筒状基体１０１を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００６３】
ダミーの円筒状基体１０１が所定の温度となったところで、不図示の原料ガス供給手段を介して、原料ガスを反応容器１０２内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力を高周波電源１０８よりマッチングボックス１０５を介して高周波電極１０４へ供給しする。
【００６４】
これにより、反応容器１０２の内に高周波電力が導入され、反応容器１０２内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して反応容器内部の全域に密着層が形成される。
【００６５】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して密着層の形成を終える。次に反応容器内を大気雰囲気に戻しダミーの円筒状基体１０１のみを取り出し円筒状基体１０１を設置し電子写真感光体の製造工程を行う。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の感光体が形成される。
【００６６】
堆積膜の形成中、回転軸１１０を介して円筒状基体１０１をモーター１１１により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体１０１表面全周に渡って堆積膜が形成される。
【００６７】
（実施例）
以下に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本実施例及び比較例では、画像欠陥抑制の効果を明確にするために、円筒状基体以外のプラズマに曝される部材に対する表面加工は一切行わなかった。即ち、誘電体部材からなるアルミナセラミック材料で構成された反応容器の内面及び、導電性部材からなる基体支持体及び反応容器の蓋や底面等の部材表面を切削加工したままの表面状態としブラスト処理や溶射処理などの表面粗さ制御による堆積膜の膜剥れ対策は行わなかった。
【実施例１】
【００６８】
図１に示す真空処理装置を用い、反応容器１０２のプラズマ空間側の内面の縦方向の中央位置にコーニング社製７０５９ガラス（２５．４×７６．２×０．８ｍｍ）基板を設置し表１に示す条件でａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層を１μｍの膜厚になるまで堆積した。次いで反応容器内をＡｒガスでパージした後に表１の条件でａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電層を５μｍ堆積させた。このとき、表１のＮ２のガス量を、それぞれ１００、３００、５００、７００、９００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）と異なる流量で密着層を形成した積層膜サンプルＡ〜Ｅを作成した。
【００６９】
作成したサンプルＡ〜Ｅは、図５に模式的に示した、走査型スクラッチテスタ（島津製作所製、ＳＳＴ−１０１）を用いて膜の密着性を調べた。測定条件としては、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとした。結果は比較例１と共に表３に示す。
【００７０】
次に、図１に示す真空処理装置の反応容器１０２内に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーをダミーとして設置した後、上記サンプルＡ〜Ｅと同じ表１に示した密着層の作成条件で反応容器１０２、底面１１６、蓋１１５、ガス管１０３、基体支持体１０６の放電空間面に密着層を１μｍ堆積した。次いで反応容器１０２内をＡｒガスでパージ及び冷却した後、大気雰囲気に戻しダミーシリンダーを取り出した後、表面切削及び洗浄処理済みの直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを反応容器内に再度、設置し表２の条件で電子写真感光体を作成した。この方法によりＮ２ガス流量の異なる密着層を、それぞれ反応容器内面に堆積した状態で作成した電子写真感光体Ａ〜Ｅを作成した。
【００７１】
作成した電子写真感光体Ａ〜Ｅの表面を顕微鏡で観察した。周方向に９０度間隔で４方向を任意に選び、軸方向に２ｃｍ間隔で１７点、周方向４列の計６８点を選び、５０倍の視野にて直径が１０μｍ以上の球状突起の数をカウントし球状突起数の値とした。
【００７２】
結果は比較例１及び２と共に表３に示す。球状突起の評価は、比較例２の球状突起数を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど球状突起が少なく、良好である事を示す。
【００７３】
（比較例１）
図１の装置を用い、実施例１と同様に表１の条件で実施例１と同様の積層膜サンプルの堆積を行った。Ｎ２の流量は５０、１０００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）とし、サンプルＦ、Ｇを作成した。
【００７４】
取り出したサンプルを実施例１と同様の方法でスクラッチテスタにて評価した。結果は実施例１と共に表３に示す。
【００７５】
また、サンプルＦ、Ｇと同じ密着層の作成条件で反応容器１０２、底面１１６、蓋１１５、ガス管１０３、基体支持体１０６の放電空間面に密着層を１μｍの膜厚で形成すること以外は実施例１と同様に表２の条件で電子写真感光体Ｆ、Ｇを作成した。
【００７６】
作成した電子写真感光体Ｆ、Ｇの球状突起数を実施例１と同様の方法で評価した。結果は実施例１と共に表３に示す。
【００７７】
（比較例２）
図１に示す真空処理装置の反応容器１０２内に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置し、表２の条件により電子写真感光体Ｈを作成した。但し反応容器１０２、底面１１６、蓋１１５、ガス管１０３、基体支持体１０６の放電空間面に密着層の被覆はせずに電子写真感光体を作成した。作成した電子写真感光体の球状突起数を実施例１と同様の方法により評価し評価結果を表３に示す。
【００７８】
【表１】
2005128366.tif 000003
【００７９】
※）実施例１では、それぞれ１００、３００、５００、７００、９００［ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］の各流量で作成。比較例２では５０、１０００［ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］の各流量で作成。
【００８０】
【表２】
2005128366.tif 000004
【００８１】
【表３】
2005128366.tif 000005
【００８２】
以上の結果から、サンプルでの臨界荷重が本発明の５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下の密着層で反応容器内部を被覆したＣＶＤ装置により作成した電子写真感光体の球状突起は激減することが判明した。また臨界荷重が５０ｍＮを下回ると密着層としての効果が低減し球状突起の低減に効果が見られず、７００ｍＮを越えると密着層の内部応力が大きくなり感光層がある程度まで積層された段階で膜剥れが発生する場合があった。
【実施例２】
【００８３】
図１に示す構成の装置を用い、表４の条件で高周波電力の周波数を変えた以外は実施例１と同様の方法により積層膜サンプルの堆積を行った。高周波電源の周波数は４０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１５０ＭＨｚ、３００ＭＨｚ、４５０ＭＨｚ、５００ＭＨｚの６通りで、サンプルＩ〜Ｎを作成した。
【００８４】
取り出したサンプルＩ〜Ｎを実施例１と同様の方法でスクラッチテスタにて評価した。結果は表５に示す。
【００８５】
また、サンプルＩ〜Ｎで用いた表４の密着層の作成条件で反応容器１０２、底面１１６、蓋１１５、ガス管１０３、基体支持体１０６の放電空間面に密着層を１μｍの膜厚で形成すること以外は実施例１と同様に表２の条件で電子写真感光体Ｉ〜Ｎを作成した。
【００８６】
作成した電子写真感光体Ｉ〜Ｎの球状突起数を実施例１と同様の方法で評価した。結果は表５に示す。
【００８７】
【表４】
2005128366.tif 000006
【００８８】
※）それぞれ４０、５０、１５０、３００、４５０、５００  （ＭＨｚ）の各周波数で作成
【００８９】
【表５】
2005128366.tif 000007
【００９０】
以上の結果から、密着層形成に用いる高周波電力の周波数は何れの周波数でも用いることができるが、特に５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の範囲が球状突起の低減に効果が見られた。５０ＭＨｚを下回ると大面積での密着性にバラツキが見られる場合があり、４５０ＭＨｚを越えると臨界荷重で求めた密着性と球状突起の関係が一致せず評価精度が低下する場合があった。
【実施例３】
【００９１】
図１に示した構成の装置を用いて表６の条件で密着層を形成すること以外は実施例１と同様に反応容器１０２、底面１１６、蓋１１５、ガス管１０３、基体支持体１０６の放電空間面に密着層を１μｍの膜厚で形成した。尚、密着層の膜厚は、それぞれ０．０３、０．０５、０．３、３、５、１０、１３（μｍ）とした場合の７通りで電子写真感光体Ｏ〜Ｕを作成し球状突起数を実施例１と同様の方法で評価した。その評価結果を表７に示す。
【００９２】
【表６】
2005128366.tif 000008
【００９３】
※）それぞれ０．０３、０．０５、０．３、３、５、１０、１３（μｍ）の膜厚で作成。
【００９４】
【表７】
2005128366.tif 000009
【００９５】
以上の結果から、反応容器内部に被覆する密着層の膜厚は０．０５μｍ以上１０μｍ以下の範囲で球状突起数が特に低減している事が判明した。膜厚が０．０５μｍを下回ると密着層の効果が低減する場合があり、１０μｍを越えると感光層の積層膜厚が厚くなるにつれ感光層との応力バランスが崩れ膜剥れが発生する場合があった。
【実施例４】
【００９６】
図１に示す真空処理装置を用い、反応容器１０２のプラズマ空間側の内面の縦方向の中央位置にコーニング社製７０５９ガラス（２５．４×７６．２×０．８ｍｍ）基板を設置し表８に示す条件でａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層を１μｍの膜厚になるまで堆積した。次いで反応容器内をＡｒガスでパージした後に表９の電子写真感光体の作成条件の初期５μｍ分の膜、即ち表８に示した電荷注入阻止層を３μｍ、光導電層を２μｍとなるように順次積層したサンプルを作成し密着性を実施例１と同様の方法で評価した。但し、表８の電力を、それぞれ１００、３００、５００、７００、９００（ｗ）と異なる電力で密着層を形成した積層膜サンプルＶ〜Ｚを作成した。
【００９７】
次に、図１に示す真空処理装置の反応容器１０２内に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーをダミーとして設置した後、上記サンプルＯ〜Ｓと同じ作成方法にて反応容器１０２、底面１１６、蓋１１５、ガス管１０３、基体支持体１０６の放電空間面に表８の密着層を１μｍ堆積した。次いで反応容器１０２内をＡｒガスでパージ及び冷却した後、大気雰囲気に戻しダミーシリンダーを取り出した後、表面切削及び洗浄処理済みの直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを反応容器内に再度、設置し表９の条件で電子写真感光体を作成した。この方法により高周波電力の異なる密着層を、それぞれ反応容器内面に堆積した状態で作成した電子写真感光体Ｏ〜Ｓを作成した。
【００９８】
作成した電子写真感光体Ｖ〜Ｚの表面を実施例１と同様に評価した。
【００９９】
【表８】
2005128366.tif 000010
【０１００】
※それぞれ１００、３００、５００、７００、９００  （Ｗ）の各電力で作成。
【０１０１】
【表９】
2005128366.tif 000011
【０１０２】
【表１０】
2005128366.tif 000012
【０１０３】
以上の結果から、電子写真感光体の作成条件を変更した場合に於いても、作成する電子写真感光体の初期５μｍに相当する感光層を密着層上に積層したガラスサンプルにより臨界荷重（密着性）することにより電子写真感光体の球状突起数との相関は一致することが判明した。
【実施例５】
【０１０４】
図２に示す真空処理装置を用い電源２０８、２０９により１０５ＭＨｚ（ｆ１）と６０ＭＨｚ（ｆ２）の２種類の周波数の高周波電力を電極２０４に供給すること以外は実施例１と同様に、反応容器２０２内面（プラズマ空間側）の縦方向の中央位置にコーニング社製７０５９ガラス（２５．４×７６．２×０．８ｍｍ）基板を設置し表１１に示す条件でａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層を１μｍの膜厚になるまで堆積した。次いで反応容器内をＡｒガスでパージした後に表１２の電子写真感光体の作成条件の初期５μｍ分の膜、即ち表１１に示した電荷注入阻止層を３μｍ、光導電層を２μｍとなるように順次積層したサンプルを作成し密着性を実施例１と同様の方法で評価した。但し、表１１のＮ２流量を、それぞれ１００、３００、５００、７００、９００［ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］と異なる流量で密着層を形成した積層膜サンプルＡ’〜Ｅ’を作成した。
【０１０５】
次に、図２に示す真空処理装置の反応容器２０２内に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーをダミーとして設置した後、上記サンプルＡ’〜Ｅ’と同じ作成方法にて反応容器２０２、底面２１６、蓋２１５、ガス管２０３、基体支持体２０６の放電空間面に表１１の密着層を１μｍ堆積した。次いで反応容器１０２内をＡｒガスでパージ及び冷却した後、大気雰囲気に戻しダミーシリンダーを取り出した後、表面切削及び洗浄処理済みの直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを反応容器内に再度、設置し表１２の条件で電子写真感光体を作成した。この方法により高周波電力の異なる密着層を、それぞれ反応容器内面に堆積した状態で作成した電子写真感光体Ａ’〜Ｅ’を作成した。
【０１０６】
作成した電子写真感光体Ａ’〜Ｅ’の表面を実施例１と同様に評価した。更に本実施例では電子写真感光体の軸方向の球状突起数分布を以下の方法で球状突起数の軸方向バラツキとして評価した。
【０１０７】
（球状突起数の軸方向バラツキ評価）
作成した電子写真感光体Ａ’〜Ｅ’の表面を顕微鏡で観察し、５０倍の視野にて直径が１０μｍ以上の球状突起の数をカウントした。
【０１０８】
電子写真感光体の軸方向の中央を０ｍｍ位置として軸方向の端部方向に５０ｍｍ間隔で計７箇所の軸方向位置のそれぞれの位置で、周方向に１５度間隔で２４方向の球状突起数をカウントする。軸方向７箇所で得られた球状突起の最も多い値と最も少ない値の差を球状突起の軸方向バラツキとして評価した。
【０１０９】
以上の結果を表１３に示す。尚、球状突起の軸方向バラツキは、実施例４で作成した電子写真感光体Ｗを基準として電子写真感光体Ｗの軸方向バラツキを１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど軸方向における球状突起バラツキが少なく、良好である事を示す。
【０１１０】
【表１１】
2005128366.tif 000013
【０１１１】
※それぞれ１００、３００、５００、７００、９００  ［ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］の各流量で作成。
【０１１２】
【表１２】
2005128366.tif 000014
【０１１３】
【表１３】
2005128366.tif 000015
【０１１４】
以上の結果、同一電極に異なる周波数の高周波電力を複数印加することにより放電の均一性が増し密着層の密着性が広範囲でより均一化することにより単一周波数を用いた場合よりも更に球状突起の低減に効果があることが判明した。
【実施例６】
【０１１５】
図３に示す真空処理装置を用い６本の電子写真感光体を同時に作成すること以外は実施例５と同様に反応容器３０２内に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを６本ダミーとして設置した後、反応容器３０２、底面３１６、蓋３１５、ガス管３０３、基体支持体３０６の放電空間面に表１１の条件で密着層を１μｍ堆積した（但し、Ｎ２ガスの流量は５００  ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）とした）。
【０１１６】
次いで反応容器３０２内をＡｒガスでパージ及び冷却した後、大気雰囲気に戻しダミーシリンダー６本を取り出した後、表面切削及び洗浄処理済みの直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー６本を反応容器内に再度、設置し表１２の条件で６本の電子写真感光体Ｃ’１〜Ｃ’６を作成した。
【０１１７】
作成した電子写真感光体Ｃ’１〜Ｃ’６の球状突起数を実施例１と同様の方法で比較例２の電子写真感光体を基準に突起数を評価し、６本間のバラツキを判定したその結果を表１４に示す。
【０１１８】
【表１４】
2005128366.tif 000016
【０１１９】
以上の結果から、複数本の電子写真感光体を同時に作成可能な量産型の電子写真感光体の製造装置に於いても球状突起突起数の低減効果が維持され、さらにロット内でのバラツキもないことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明係わるＰＣＶＤ法を適用可能な製装置の概略図
【図２】本発明に係わるＰＣＶＤ法を適用可能な製装置であって、異なる周波数の高周波電源を複数設けた製造装置の概略図
【図３】本発明係わるＰＣＶＤ法を適用可能な量産型製装置の概略図
【図４】本発明に係わる電子写真感光体の一例を示す概略図
【図５】本発明に係わるスクラッチ試験に用いるサンプルの概略図
【図６】本発明に係わるスクラッチ試験機の動作原理を説明する為の概略図
【符号の説明】
【０１２１】
１００、２００、３００  真空処理装置
１０１、２０１、３０１  円筒状基体
１０２、２０２、３０２  反応容器
１０３、２０３、３０３  ガス導入管
１０４、２０４、３０４  高周波電極
１０５、２０５、３０５  マッチングボックス
１０６、２０６、３０６  基体支持体
１０７、２０７、３０７  排気口
１０８、２０８、３０８  第一の高周波電源
２０９、３０９  第二の高周波電源
１１０、２１０、３１０  回転軸
１１１、２１１、３１１  モーター
１１２、２１２、３１２  ギア
１１３、２１３、３１３  電力分岐部
１１４、２１４、３１４  シールド
１１５、２１５、３１５  蓋
１１６、２１６、３１６  底面
１１７、２１７、３１７  排気配管
４０１  基体
４０２  光導電層
４０３  表面層
４０４  電荷注入阻止層
５００  ガラス基板
５０２  感光層
５０６  積層膜
６０３  ダイヤモンドスタイラス
６０４  カートリッジ
６０５  アーム
６０６  磁石
６０７  コイル
６０８  信号端子
【図１】
2005128366.tif 000017
【図２】
2005128366.tif 000018
【図３】
2005128366.tif 000019
【図４】
2005128366.tif 000020
【図５】
2005128366.tif 000021
【図６】
2005128366.tif 000022