(57)【要約】【課題】  ＩＣ設計への大きな制約やパターン間の短絡を発生させることなく、ＩＣへの外光の入射を確実に防止することのできる実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】  素子基板１０のＩＣ実装領域６０において、ＩＣ４と平面的に重なる領域には、ストライプ状に並列する幅広の遮光パターン６３と、これらの遮光パターン６３の表面側を覆う短絡防止用絶縁層６４とが形成され、短絡防止用絶縁層６４の表面には、幅の狭い検査パターン６９が形成されている。遮光によるＩＣ４の保護の役目は、下層側で短絡防止用絶縁層６４で覆われた幅広の遮光パターン６３で行う。【選択図】    図５
2005215036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を備えた基板上に複数の入力パッドおよび出力パッドを備えたＩＣ実装領域にＩＣを実装した実装構造体において、
前記ＩＣ実装領域で前記ＩＣと平面的に重なる領域には、ストライプ状に並列する複数の遮光パターンと、該複数の遮光パターンの表面側を覆う短絡防止用絶縁層とを備えていることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の出力パッドおよび前記複数の入力パッドの少なくとも一方のパッドは、前記遮光パターンと同一の第１金属層からなる下パッド、前記短絡防止用絶縁層と同一の絶縁層、および第２金属層からなる上パッドが積層された構造を備え、
前記遮光パターンは、前記下パッドから延びていることを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
請求項２において、前記短絡防止用絶縁層および前記絶縁層は、前記遮光パターンおよび前記下パッドに対する陽極酸化膜であることを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
請求項２または３において、前記遮光パターンの上層側には、前記短絡防止用絶縁層の表面に、前記遮光パターンよりも狭い幅寸法をもって前記上パッドから延びた検査パターンを備えていることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項４において、前記一方のパッドは、前記出力パッドであることを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、前記実装構造体は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であり、
前記出力パッドには、マトリクス状に配置された多数の画素を駆動するための信号を供給する信号線が接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項２ないし５のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、前記実装構造体は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であり、
前記出力パッドには、マトリクス状に配置された多数の画素を駆動するための信号を供給する複数の信号線が接続され、
前記多数の画素の各々には、前記信号線に接続する薄膜ダイオード素子が形成され、
当該薄膜ダイオード素子は、前記第１金属層からなる下電極と、該下電極の表面を陽極酸化してなる陽極酸化膜と、該陽極酸化膜の表面上に形成された前記第２金属層からなる上電極とを備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項６または７に規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にＩＣがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装された実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型液晶装置や、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの電気光学装置では、多数のデータ線と多数の走査線との各交点に相当する位置に画素が形成されており、データ線および走査線を介して各画素に所定の信号を供給して各画素の駆動を行う。このため、電気光学装置では、図９に示すように、電気光学物質を保持する基板１０ｘ上に駆動用のＩＣ４をＣＯＧ実装し、このＩＣ４から信号線５２ｘに信号を出力する。ここで、基板１０ｘとしてはガラスなどの透明基板が用いられ、この透明基板を介して出射されて画像を表示する。また、基板１０ｘにＩＣ４を実装するために、基板１０ｘには、図１０に示すように、複数の入力パッド６１および出力パッド６２を備えたＩＣ実装領域６０が形成されており、複数の出力パッド６１の各々からは、マトリクス状に配置された多数の画素を駆動するための信号を供給する信号線５２ｘが延びている。なお、図１１に示すように、ＩＣ実装領域６０において、ＩＣ４と平面的に重なる領域に出力パッド６２から検査パターン６９ｘを延設し、この検査パターン６９ｘにより、信号線５２ｘの短絡などの検査を行う場合がある。
【０００３】
このように構成した電気光学装置において、基板１０ｘとして透光性基板を用いると、図９に矢印Ｂで示すように、基板１０ｘに進入した外光が基板１０ｘ内を伝ってＩＣ４の能動面４０に侵入すると、ＩＣ４において光リーク電流が流れ、動作電流の増大や誤動作が発生する。そこで、ＩＣ４の能動面４０に遮光膜を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２２２１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示の技術のように、ＩＣ４の能動面４０に遮光膜を形成する方法は、ＩＣ４の設計上、大きな制約を発生させてしまうという問題点がある。
【０００５】
そこで、図１１に示す検査パターン６９ｘの幅を広くし、この検査パターン６９ｘで外光を遮光することが考えられる。しかしながら、検査パターン６９ｘの幅を広くすると、検査パターン６９ｘ間で短絡が発生するおそれがあり、電気光学装置の信頼性が低下するという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ＩＣ設計への大きな制約やパターン間の短絡を発生させることなく、ＩＣへの外光の入射を確実に防止することのできる実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、透光性を備えた基板上に複数の入力パッドおよび出力パッドを備えたＩＣ実装領域にＩＣを実装した実装構造体において、前記ＩＣ実装領域で前記ＩＣと平面的に重なる領域には、所定の間隔を開けてストライプ状に並列する複数の遮光パターンと、該複数の遮光パターンの表面側を覆う短絡防止用絶縁層とを備えていることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、ＩＣ実装領域においてＩＣと平面的に重なる領域に遮光パターンが形成されているので、外光を遮光パターンで遮ることができる。従って、ＩＣに遮光膜を形成しなくても、ＩＣの能動面への外光の入射を防止することができるので、ＩＣ設計への大きな制約を発生することがない。また、遮光パターンは、短絡防止用絶縁層で覆われているので、遮光パターンを幅広に形成した場合、遮光パターン間での短絡に起因する不具合が発生しない。
【０００９】
本発明において、前記複数の出力パッドおよび前記複数の入力パッドの少なくとも一方のパッドは、前記遮光パターンと同一の第１金属層からなる下パッド、前記短絡防止用絶縁層と同一の絶縁層、および第２金属層からなる上パッドが積層された構造を備えている場合、前記遮光パターンは、前記下パッドから延びていることが好ましい。このように、遮光パターンを下パッドから延ばした場合には、前記短絡防止用絶縁層および前記絶縁層のいずれについても、前記遮光パターンおよび前記下パッドに対する陽極酸化膜として同時に形成することができる。この場合も、遮光パターンは、短絡防止用絶縁層で覆われているので、遮光パターンを幅広に形成した場合、遮光パターン間での短絡に起因する不具合が発生しない。
【００１０】
本発明において、前記遮光パターンの上層側には、前記短絡防止用絶縁層の表面に、前記遮光パターンよりも狭い幅寸法をもって前記上パッドから延びた検査パターンを備えていることが好ましい。このように構成すると、検査パターンを介してパッド、あるいはそれから延びた配線に対して短絡の有無などの検査を行うことができる。また、遮光によるＩＣの保護の役目は、下層側で短絡防止用絶縁層で覆われた遮光パターンが担うので、検査パターンの幅は狭くてよい。それ故、検査パターンで短絡が発生するおそれがないので、検査パターンでの短絡などに起因する信頼性の低下を確実に防止できる。
【００１１】
本発明において、前記一方のパッドが前記出力パッドであることが好ましい。液晶装置などといった電気光学装置では、出力パッドから多数の信号線が狭いピッチで延びているので、信号線での短絡の有無を検査パターンを用いて効率よく行うことができる。
【００１２】
本発明に係る実装構造体は、液晶装置やエレクトロルミネッセンス表示装置などといった電気光学装置などに適用できる。この場合、前記実装構造体は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であり、前記配線パターンは、マトリクス状に配置された各画素を駆動するための信号を供給するための信号線である。
【００１３】
ここで、本発明に係る実装構造体を、薄膜ダイオード素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置に用いることが好ましい。この場合、前記多数の画素の各々には、前記信号線に接続する薄膜ダイオード素子を備え、該薄膜ダイオード素子は、前記第１金属層からなる下電極と、該下電極の表面を陽極酸化してなる陽極酸化膜と、該陽極酸化膜の表面側に形成された前記第２金属層からなる上電極とを備えている。従って、薄膜ダイオード素子を製造する工程をそのまま利用して、遮光パターンや短絡防止用絶縁層を形成することができる。すなわち、新たな工程を追加することなく、ＩＣの能動面への光の到達を防止することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。特に本発明に係る電気光学装置は、ストロボを搭載した電子機器に搭載した場合でも、ストロボ光がＩＣの能動面に到達することに起因する不具合の発生を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
（電気光学装置の全体構成）
図１は、電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。図３は、図２に示す電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面図である。
【００１７】
図１に示す電気光学装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード／Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延びており、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００１８】
このような電気光学装置１ａを構成するにあたっては、図２（Ａ）、（Ｂ）および図３に示すように、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶１９を封入する。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶１９の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００１９】
素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックなどの透光性の基板である。素子基板１０の内側（液晶１９の側）表面には、上述した複数のデータ線５２ａ、画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図２および図３には図示せず）、画素電極３４ａ、配向膜（図示せず）が形成されている。一方、対向基板２０の内側の面上には複数の走査線５１ａが形成され、走査線５１ａの表面側に配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２０】
実際には、素子基板１０および対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜、貼着される。また、カラー表示を行う場合には、対向基板２０に対して、画素電極３４ａと対向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形成され、画素電極３４ａに対向しない領域にはブラックマトリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面に走査線５１ａが形成されるが、本発明とは直接の関係がないため、偏光板、位相差板、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、平坦化膜については、その図示および説明を省略する。
【００２１】
（ＴＦＤ素子の構成）
図４（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図２に示す電気光学装置の画素構成を示す平面図、および各画素に画素スイッチング素子として形成したＴＦＤ素子の説明図である。
【００２２】
図４（Ａ）、（Ｂ）において、素子基板１０は、表面に下地層１４が形成され、ＴＦＤ素子５６ａは、この下地層１４の上に形成された第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６ａは、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１４は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成され、ＴＦＤ素子５６ａの密着性を向上させ、さらに素子基板１０からの不純物の拡散を防止するために設けられている。
【００２３】
第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂは、第１金属層３２ａ（下電極）と、この第１金属層３２ａの表面に形成された絶縁層３２ｂ（陽極酸化膜）と、この絶縁層３２ｂの表面に互いに離間して形成された第２金属層３２ｃ、３２ｄ（上電極）とによって構成されている。
【００２４】
本形態において、第１金属層３２ａは、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍのタンタル（Ｔａ）単体膜やタンタル合金膜等によって形成され、絶縁層３２ｂは、陽極酸化法によって第１金属層３２ａの表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。第２金属層３２ｃ、３２ｄは、厚さが５０〜３００ｎｍのクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって形成されている。第２金属層３２ｃは、そのままデータ線５２ａとなり、他方の第２金属層３２ｄは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電材からなる画素電極３４ａに接続されている。
【００２５】
（ＩＣ実装領域の構成）
図５（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板の第１のＩＣ実装領域の一部を拡大して示す平面図、データ線の説明図、出力パッドの説明図、および遮光パターンの説明図である。
【００２６】
再び図２（Ａ），（Ｂ）および図３において、電気光学装置１ａは、素子基板１０と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせた状態で、素子基板１０は、シール材３０の外周縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａに向けて、データ線５２ａおよび走査線５１ａに接続する配線パターン８（信号線）が延びている。シール材３０には導電性を有する多数の導通粒子が分散されており、この導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された配線パターン同士を基板間導通させる機能を備えている。このため、本形態では、データ線５２ａに対して画像信号を出力する第１のＩＣ４（フェイスダウンボンディングタイプのＩＣチップ）、および走査線５１ａに走査信号を出力する２つの第２のＩＣ５（フェイスダウンボンディングタイプのＩＣチップ）が素子基板１０の張り出し領域１０ａのみにＣＯＧ実装され、かつ、この素子基板１０の張り出し領域１０ａの端縁（基板接続領域７０）に対して可撓性基板７が接続されている。第１のＩＣ４の駆動電圧は、例えば、５Ｖであり、第２のＩＣ５の駆動電圧は、例えば、３０Ｖである。
【００２７】
このような実装を行うにあたって、本形態では、基板縁１１に沿う方向における中央領域に、データ線駆動回路や電源回路を内蔵の第１のＩＣ４がＣＯＧ実装される第１のＩＣ実装領域６０が形成され、第１のＩＣ実装領域６０の両側には、走査線駆動回路や電源回路を内蔵の第２のＩＣ５がＣＯＧ実装される第２のＩＣ実装領域５０が形成されている。また、素子基板１０の張り出し領域１０ａにおいて、ＩＣ実装領域５０、６０よりもさらに基板縁１１の側には、基板縁１１に沿って、可撓性基板７が接続される基板接続領域７０が形成されている。
【００２８】
第１のＩＣ実装領域６０には、第１のＩＣ４のバンプが異方性導電材（異方性導電材含有フィルムあるいは異方性導電材含有ペースト）などにより接続される多数のパッドが基板縁１１と平行に配列されている。これらのパッドのうち、第１のＩＣ実装領域６０の基板縁１１に近い領域には、基板接続領域７０から延びていた配線パターンの端部からなる複数の入力パッド６１が形成され、第１のＩＣ実装領域６０の基板縁１１に遠い位置（配線パターン８が延びてくる側）には、図５（Ａ）に示すように、データ線５２ａに対して配線パターン８を介して接続する複数の出力パッド６２が形成されている。
【００２９】
このように構成した第１のＩＣ実装領域６０において、配線パターン８は、図５（Ｂ）に示すように、データ線５２ａと同様、タンタル単体膜、タンタル合金膜等からなる第１金属層３２ａ、酸化タンタルからなる絶縁層３２ｂ、およびクロム等からなる第２金属層３２ｃがこの順に積層された構造を有している。
【００３０】
また、出力パッド６２も、タンタル単体膜、タンタル合金膜等からなる第１金属層３２ａ（下パッド６２１）、酸化タンタルからなる絶縁層３２ｃ（絶縁層６２２）、およびクロム等からなる第２金属層３２ｃ（上パッド６２３）がこの順に積層された構造になっており、その幅寸法は、配線パターン８よりもかなり広い。ここで、出力パッド６２の上パッド６２３は、クロム等からなる第２金属層３２ｃ（上パッド６２３）の上にＩＴＯ膜が積層された構造を有する場合もある。なお、入力パッド６１も、出力パッド６２と同様な構造になっているので、その説明は省略する。
【００３１】
さらに、本形態では、ＩＣ実装領域６０でＩＣ４と平面的に重なる領域には、ストライプ状に並列する複数の遮光パターン６３と、これらの遮光パターン６３の表面側を覆う短絡防止用絶縁層６４とを備えており、遮光パターン６３の幅寸法は、入力パッド６１および出力パッド６２の幅寸法よりも広い。ここで、遮光パターン６３は、出力パッド６２の下パッド６２１から入力パッド６１が形成されている側に向けて直線的に延びたタンタル単体膜、タンタル合金膜等からなる第１金属層３２ａで構成され、短絡防止用絶縁層６４は、酸化タンタルからなる絶縁層３２ｂで構成されている。
【００３２】
さらにまた、遮光パターン６３の上層側には、短絡防止用絶縁層６４の表面に、出力パッド６１の上パッド６２３から遮光パターン６３に沿って直線的に延びた検査パターン６９が形成されている。検査パターン６９の幅寸法は、遮光パターン６３や出力パッド６２よりも幅寸法がかなり狭く、配線パターン８の幅寸法と同等である。ここで、検査パターン６９は、上パッド６２３と同様、クロム等からなる第２金属層３２ｃから構成されている。なお、出力パッド６２の上パッド６２３が、クロム等からなる第２金属層３２ｃ（上パッド６２３）とＩＴＯ膜との積層構造を有している場合、検査パターン６９も、クロム等からなる第２金属層３２ｃ（上パッド６２３）とＩＴＯ膜との積層構造を有する場合がある。
【００３３】
（電気光学装置１ａの製造方法）
図６（Ａ）〜（Ｇ）は、本形態の電気光学装置の製造方法のうち、素子基板１０の製造方法を示す工程図である。なお、素子基板１０を製造するにあたっては、単品サイズの素子基板１０を多数取りできる大型の元基板の状態で行われるが、以下の説明では、元基板と単品サイズの素子基板１０とを区別せずに説明する。
【００３４】
本形態の電気光学装置の製造方法において、素子基板１０を製造するには、図６（Ａ）に示す下地層形成工程において、ガラス等といった透光性の絶縁基板からなる素子基板１０の表面にタンタル酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層１４を形成する。
【００３５】
次に、図６（Ｂ）に示す第１金属層形成工程において、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いて、データ線５２ａの第１金属層３２ａ、およびＴＦＤ素子５６の第１金属層３２ａを同時にパターニング形成する。このとき、データ線５２ａの第１金属層３２ａと、ＴＦＤ素子５６の第１金属層３２ａとはブリッジ部（図示せず）で繋がっている。また、この工程では、図５（Ｃ）、（Ｄ）を参照して説明した下パッド６２１、および遮光パターン６３も形成する。
【００３６】
次に、図６（Ｃ）に示す絶縁層形成工程において、素子基板１０を電解液に浸漬した状態で陽極酸化を行う。その際、素子基板１０上に形成した給電パターン、およびデータ線５２ａの第１金属層３２ａを介してＴＦＤ素子５６の第１金属層３２ａに給電され、それらの表面には、絶縁層３２ｂとして作用する陽極酸化膜が形成される。また、この工程では、図５（Ｃ）、（Ｄ）を参照して説明した絶縁層６２２、および短絡防止用絶縁層６４も形成する。
【００３７】
次に、図６（Ｄ）に示すアニール工程（ｄ）において、素子基板１０を加熱する。その結果、絶縁層３２ｂ内の転位や空孔などの欠陥密度が低減されるので、ＴＦＤ素子５６のＩ／Ｖ値を高くすることができる。
【００３８】
次に、図６（Ｅ）に示す第２金属層形成工程において、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線５２ａの最上層としての第２金属層３２ｃを形成するとともに、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの上電極としての第２金属層３２ｃ、３２ｄを形成する。以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６が形成される。また、この工程では、図５（Ｃ）、（Ｄ）を参照して説明した上パッド６２３、および検査パターン６９も形成する。
【００３９】
次に、図６（Ｆ）に示すブリッジ部除去及び下地層除去工程において、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を素子基板１０から除去する。これにより、第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂの第１金属層３２ａおよび絶縁層３２ｂが、データ線５２ａから島状に分断される。また、画素電極３４ａに相当する領域の下地層１４を除去して素子基板１０を露出させる。この工程では、ブリッジ部の他に、給電パターンなどとして用いた不要なタンタル膜も除去する。
【００４０】
次に、図６（Ｇ）に示す電極形成工程において、画素電極３４ａを形成するためのＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極３４ａをその一部が第２金属層３２ｄに重なるように形成する。これらの一連の工程により、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すＴＦＤ素子５６ａおよび画素電極３４ａが形成される。
【００４１】
しかる後には、配向膜形成工程において、素子基板１０の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜を形成した後、ラビング処理工程において、配向膜に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００４２】
なお、上記の説明では、第１のＩＣ実装領域６０の出力パッド６２側についてのみ説明したが、入力パッド６１の側や第２のＩＣ実装領域５０でも、同様な工程が同時に行われる。その際、入力パッド６１の側やＩＣ実装領域５０に対する陽極酸化も所定の給電パターンを介して給電が行われるが、このような給電パターンも、図６（Ｅ）に示すブリッジ部除去及び下地層除去工程において除去される。
【００４３】
以上により素子基板１０が製造されるが、それ以降の工程については周知の技術を適用できるので、それらの説明を省略する。
【００４４】
（本形態の効果）
以上説明したように、本形態では、ＩＣ実装領域６０でＩＣ４と平面的に重なる領域には、ストライプ状に並列する複数の遮光パターン６３が形成されている。このため、図３に矢印Ａで示すように、透光性を有する素子基板１０に外光が進入した場合でも、このような外光は、素子基板１０内を伝っても、遮光パターン６３で遮断され、ＩＣ４の能動面４０に届かない。また、電気光学装置１ａを携帯電話機などといった、ストロボを搭載した電子機器に搭載した場合でも、ストロボ光がＩＣ４の能動面４０に到達することを確実に防止できる。それ故、ＩＣ４において光リーク電流が流れることを確実に防止できるので、ＩＣ４の誤動作などを防止することができる。
【００４５】
しかも、ＩＣ４の能動面４０への外光の入射を素子基板１０の側で防止するので、ＩＣ４は従来構成のままでよいので、ＩＣ設計への大きな制約を発生することがない。
【００４６】
また、遮光パターン６３は、出力パッド６２の下パッド６２１から延びているが、遮光パターン６３は、短絡防止用絶縁層６４で覆われているので、遮光パターン６３を幅広に形成して遮光能力を高めても短絡などの問題点が発生しない。
【００４７】
さらに、ＴＦＤ５６ａを製造する工程をそのまま利用して、遮光パターン６３や短絡防止用絶縁層６４を形成することができるので、新たな工程を追加することなく、ＩＣ４の能動面への光の到達を防止することができる。
【００４８】
さらにまた、遮光パターン６３の上層側には、短絡防止用絶縁層６４の表面に検査パターン６９が形成されているので、検査パターン６９を介して出力パッド６２、あるいはそれから延びた配線パターン８やデータ線５２ａに対して短絡の有無などの検査を行うことができる。また、遮光によるＩＣ４の保護の役目は、短絡防止用絶縁層６４で覆われた遮光パターン６３が担うので、検査パターン６９の幅は狭くてよい。それ故、検査パターン６９で短絡が発生するおそれがないので、検査パターン６９での短絡などに起因する信頼性の低下を確実に防止できる。
【００４９】
ここで、検査パターン６９は、出力パッド６２に対してのみ形成されているが、入力パッド６１と比較して、出力パッド６２の方に多数の配線パターン８やデータ線５２ａが狭いピッチで延びているので、配線パターン８やデータ線５２ａの短絡の有無を検査パターン６９を用いて効率よく行うことができる。
【００５０】
［その他の実施の形態］
また、上記形態は、ＴＦＤを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、以下に示す電気光学装置でも、駆動回路内蔵のＩＣがＣＯＧ実装、あるいはＣＯＦ実装されることがあるので、このような電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００５１】
図７は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図８は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００５２】
図７に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５３】
ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００５４】
図８に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００５５】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【００５６】
また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。
【００５７】
ここで、発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００５８】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００５９】
［電子機器への搭載例］
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。その際、電気光学装置をストロボを搭載した電子機器に搭載した場合でも、ストロボ光がＩＣの能動面に到達することに起因する不具合の発生を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。
【図３】図２に示す電気光学装置の断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図２に示す電気光学装置の画素構成を示す平面図、および各画素に画素スイッチング素子として形成したＴＦＤ素子の説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、図２に示す電気光学装置に用いた素子基板の第１のＩＣ実装領域の一部を拡大して示す平面図、データ線の説明図、出力パッドの説明図、および遮光パターンの説明図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｇ）はそれぞれ、図２に示す電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図８】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図９】従来の電気光学装置の断面図である。
【図１０】従来の電気光学装置に用いた基板のＩＣ実装領域の一部を拡大して示す平面図である。
【図１１】別の従来の電気光学装置に用いた基板のＩＣ実装領域の一部を拡大して示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１ａ  電気光学装置、４  第１のＩＣ、５  第２のＩＣ、８  配線パターン、１０  素子基板（電気光学装置用基板）、１０ａ  素子基板の張り出し領域、２０  対向基板、３２ａ  第１金属層、３２ｂ  絶縁層（陽極酸化膜）、３２ｃ  第２金属層５０  第２のＩＣ実装領域、５２ａ  データ線、５６ａ  ＴＦＤ素子、６０  第１のＩＣ実装領域、６１  入力パッド、６２  出力パッド、６３  遮光パターン、６４  短絡防止用絶縁層  ６９  検査パターン、６２１  下パッド、６２２  絶縁層、６２３  上パッド
【図１】
2005215036.tif 000003
【図２】
2005215036.tif 000004
【図３】
2005215036.tif 000005
【図４】
2005215036.tif 000006
【図５】
2005215036.tif 000007
【図６】
2005215036.tif 000008
【図７】
2005215036.tif 000009
【図８】
2005215036.tif 000010
【図９】
2005215036.tif 000011
【図１０】
2005215036.tif 000012
【図１１】
2005215036.tif 000013