(57)【要約】 【課題】  筐体および電子部品の温度を可及的確実にそれらの許容温度を超えないようにする電子機器の放熱設計方法を提供する。【解決手段】  筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を設定する設定工程と放熱解析によって電子部品および筐体の温度を求める温度解析工程と、電子部品の温度が、部品許容温度を超えているか否かを検出して、筐体の温度が、筐体許容温度を超えているか否かを検出する温度超過検出工程と、許容温度を超えている電子部品および筐体に対して、設定工程において設定された筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を設定変更する温度低減化処理工程とを含み、電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になるまで温度解析工程、温度超過検出工程および温度低減化処理工程を繰返して、筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を決定する。【選択図】      図１
2005038168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、前記筐体に収納される発熱する電子部品とを含む電子機器の放熱設計方法であって、
筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を設定する設定工程と
放熱解析によって電子部品および筐体の温度を求める温度解析工程と、
電子部品の温度が、前記電子部品に予め定められる部品許容温度を超えているか否かを検出するとともに、筐体の温度が、前記筐体に予め定める筐体許容温度を超えているか否かを検出する温度超過検出工程と、
許容温度を超えている電子部品および筐体に対して、設定工程において設定された筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を設定変更する温度低減化処理工程とを含み、
電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になるまで温度解析工程、温度超過検出工程および温度低減化処理工程を繰返して、電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になったときの筐体の内表面部の放射率を設計放射率とするとともに、このときの電子部品の放熱面積を設計放熱面積とすることを特徴とする電子機器の放熱設計方法。
【請求項２】
前記温度低減化工程では、電子部品の温度から電子部品の許容温度を減算した値、および筐体の温度から筐体の許容温度を減算した値に基づいて、電子部品の放熱面の放射率ならびに筐体の内表面部の放射率および筐体の外表面部の放射率の組合わせを設定することを特徴とする請求項１記載の電子部品の放熱設計方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の電子機器の放熱設計方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば携帯情報端末装置などの電子機器の放熱設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パーソナルコンピュータなどに代表される携帯情報端末装置は、より一層の高性能化とともに薄形化および軽量化が進められている。携帯情報端末装置の高性能化を実現するためには、従来に比べてより高速処理が可能な中央演算処理装置（略称：ＣＰＵ）および高集積化された電子部品を搭載する必要がある。このようなＣＰＵおよび電子部品（以後、これらをまとめて単に「電子部品」と表記する）は、駆動させることによって熱を発生する。放熱設計が充分になされていない携帯情報端末装置では、利用者がその筐体に触れると、発熱する電子部品によって、利用者が不愉快を感じるほどの高温に加熱される。たとえばノート型パーソナルコンピュータの場合、筐体に設けられるパームレスト部には、利用者がキーボードの入力操作中に手のひらを接触させているため、電子部品の発熱によって、利用者に不愉快を与えるだけでなく、利用者の手に低温火傷を引き起こす恐れがある。
【０００３】
携帯情報端末装置に搭載される電子部品を冷却するためには、一般的に冷却ファンが搭載される。しかし携帯情報端末装置に冷却ファンを搭載すると、携帯情報端末装置が大形化および重量化するだけでなく、冷却ファンの駆動による騒音などの問題が発生する。
【０００４】
そこで携帯情報端末装置の小形化だけでなく騒音を無くすために、冷却ファンを搭載しない携帯情報端末装置に用いられる電子機器用筐体がある（たとえば特許文献１参照）。この電子機器用筐体では、筐体の内面に赤外線放射率の高い表面処理を施すことによって、発熱する電子部品の温度を下げている。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−８４４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発熱する電子部品からの熱は、放射および対流によって筐体に伝わる。筐体内面を高放射率にすることによって、電子部品からの熱の吸収が改善されて、筐体自身がより多くの熱を吸収するので、筐体の電子部品に対向する部分に高温温度集中点（「ヒートスポット」と表記する場合がある）が発生する。したがって、このような電子機器用筐体では、筐体の内面に一律に赤外線放射率の高い表面処理を施すことで、前記筐体に収納され発熱する電子部品の温度低減は行なえても、前記筐体に発生するヒートスポットを無くすことはできない。
【０００７】
本発明の目的は、筐体および電子部品の温度を可及的確実にそれらの許容温度を超えないようにする電子機器の放熱設計方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、筐体と、前記筐体に収納される発熱する電子部品とを含む電子機器の放熱設計方法であって、
筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を設定する設定工程と
放熱解析によって電子部品および筐体の温度を求める温度解析工程と、
電子部品の温度が、前記電子部品に予め定められる部品許容温度を超えているか否かを検出するとともに、筐体の温度が、前記筐体に予め定める筐体許容温度を超えているか否かを検出する温度超過検出工程と、
許容温度を超えている電子部品および筐体に対して、設定工程において設定された筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を設定変更する温度低減化処理工程とを含み、
電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になるまで温度解析工程、温度超過検出工程および温度低減化処理工程を繰返して、電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になったときの筐体の内表面部の放射率を設計放射率とするとともに、このときの電子部品の放熱面積を設計放熱面積とすることを特徴とする電子機器の放熱設計方法である。
【０００９】
また本発明は、前記温度低減化工程では、電子部品の温度から電子部品の許容温度を減算した値、および筐体の温度から筐体の許容温度を減算した値に基づいて、電子部品の放熱面の放射率ならびに筐体の内表面部の放射率および筐体の外表面部の放射率の組合わせを設定することを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、前記電子機器の放熱設計方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、設定工程では、筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積が設定される。温度解析工程では、放熱解析によって電子部品および筐体の温度を求められる。温度超過検出工程では、電子部品の温度が、前記電子部品に予め定められる部品許容温度を超えているか否かが検出されるとともに、筐体の温度が、前記筐体に予め定める筐体許容温度を超えているか否かが検出される。温度低減化処理工程では、許容温度を超えている電子部品および筐体に対して、設定工程において設定された筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積が設定変更される。温度解析工程、温度超過検出工程および温度低減化処理工程は、電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になるまで繰返されて、電子部品の温度が部品許容温度以下になるとともに筐体の温度が筐体許容温度以下になったときの筐体の内表面部の放射率が設計放射率となるとともに、このときの電子部品の放熱面積が設計放熱面積となる。このように筐体の電子部品からの熱の吸収を抑えて筐体の温度を許容温度以下になるように筐体の内表面部の設計放射率および電子部品の設計放熱面積を決定できるとともに、電子部品の放熱を容易にして電子部品の温度を許容温度以下になるように、筐体の内表面部の放射率および電子部品の放熱面積を決定することができる。これによって筐体の一部が許容温度を超えることを防止することができる。
【００１２】
また本発明によれば、前記温度解析工程では、電子部品の温度から電子部品の許容温度を減算した値、および筐体の温度から筐体の許容温度を減算した値に基づいて、電子部品の放熱面の放射率ならびに筐体の内表面部の放射率および筐体の外表面部の放射率の組合わせを設定する。これによって電子部品の温度から電子部品の許容温度を減算した値、および筐体の温度から筐体の許容温度を減算した値を小さくするように、電子部品の放熱面の放射率ならびに筐体の内表面部の放射率および筐体の外表面部の放射率の組合わせを設定することで、筐体の電子部品からの熱の吸収を抑えて筐体の温度を許容温度以下になるように設定できるとともに、電子部品の放熱を容易にして電子部品の温度を許容温度以下になるように設定することができる。
【００１３】
また本発明によれば、コンピュータに前述の電子機器の放熱設計方法を実行させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の実施の一形態の電子部品の放熱設計方法の手順を示すフローチャートである。筐体と、前記筐体に収納される発熱する電子部品とを含む電子機器の放熱設計方法は、パーソナルコンピュータなどの電子計算装置で実行可能なプログラムとして電子計算装置に供給されて実行され、電子計算装置に搭載される入力装置から各種情報が入力され、電子計算装置に搭載される出力装置から設計結果が出力される。ステップａ０で手順が開始されて、ステップａ１に進む。
【００１５】
ステップａ１では、電子機器の放熱解析に必要な、電子部品、筐体およびプリント基板などに関する形状情報、材料の熱伝導率および放射率が入力されるとともに、表１に示す筐体と電子部品の上下関係による放射の影響と対流の影響度とを定義する両者の距離の閾値を定義しているテーブル、および表２に示す初期放射パターンの組合せテーブルが入力されて、ステップａ２に進む。
【００１６】
【表１】
2005038168.tif 000003
【００１７】
【表２】
2005038168.tif 000004
【００１８】
設定工程であるステップａ２では、表２に示す初期放射パターンの組合せテーブルを用いて初期放射率を設定して、ステップａ３に進む。ステップａ２の処理の関しては、後述する図２のフローチャートで詳細な説明をする。
ステップａ３では、ループ変数Ｉに対してＩ＝０として、ステップａ４に進む。
【００１９】
温度解析工程であるステップａ４では、筐体および電子部品の放熱解析を行ない、ステップａ５に進む。この放熱解析では、有限要素法および有限差分法などの数学的手法による熱解析が行われる。これらの手法では、放熱解析の対象である単体部品を簡略化した放熱解析モデルが用いられ、放熱解析モデル上の熱解析の対象となる領域が有限要素またはセルにメッシュ分割されて、放熱解析される。
【００２０】
ステップａ５では、テーブル要素の変数Ｊに対してＪ＝１として、ステップａ６に進む。
【００２１】
ステップａ６では、表３に示す検索テーブルＳＴ、および表４に示す放射パターンテーブルを作成して、ステップａ７に進む。
【００２２】
【表３】
2005038168.tif 000005
【００２３】
表４に示す放射パターンテーブルは、テーブル番号、筐体および電子部品を識別するためのタイプ、放射パターンの中心座標、基本外形サイズ、低放射率面の状態ＳＴＥＡＴ１の番号および高放射率面の状態ＳＴＥＡＴ２の番号を含む。低放射率面の状態ＳＴＥＡＴ１の番号および高放射率面の状態ＳＴＥＡＴ２の番号と倍率との関係を表５に示す。
【００２４】
【表４】
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【００２５】
【表５】
2005038168.tif 000007
【００２６】
温度超過検出工程であるステップａ７では、表３に示す検索テーブルＳＴにおいて、筐体の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、超えていないと判断するとステップａ８に進み、超えていると判断するとステップａ９に進む。
【００２７】
温度超過検出工程であるステップａ８では、表３に示す検索テーブルＳＴにおいて、電子部品の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、超えていないと判断するとステップａ１０に進み、超えていると判断するとステップａ１１に進む。
【００２８】
ステップａ７において筐体の温度が許容温度を超えていると判断されてステップａ９に進むと、温度低減化処理工程であるステップａ９では、後述する図４に示す筐体温度低減化処理が行われて、ステップａ８に進む。
【００２９】
ステップａ８において電子部品の温度が許容温度を超えていると判断されてステップａ１１に進むと、温度低減化処理工程であるステップａ１１では、後述する図７に示す電子部品温度低減化処理が行われて、ステップａ１０に進む。
【００３０】
ステップａ１０では、検索テーブルＳＴ内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われたか否かを判断して、処理が行われたと判断するとステップａ１２に進み、処理が行われていないと判断するとステップａ１３に進む。
【００３１】
ステップａ１０において検索テーブルＳＴ内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われたと判断されてステップａ１２に進むと、ステップａ１２では、検索テーブルＳＴ内の全ての電子部品の温度および筐体の温度がそれぞれの許容温度を超えているか否かを判断し、超えていると判断するとステップａ１４に進み、超えていないと判断するとステップａ１６に進み、全ての手順を終了する。
【００３２】
ステップａ１０において検索テーブルＳＴ内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われていないと判断されてステップａ１３に進むと、ステップａ１３では、テーブル要素の変数Ｊの値を１つ増やして、ステップａ７に戻る。
【００３３】
ステップａ１２において検索テーブルＳＴ内の全ての電子部品の温度および筐体の温度がそれぞれの許容温度を超えていると判断されてステップａ１４に進むと、ステップａ１４では、ループ変数Ｉが最大ループ数ＭＡＸを以上であるか否かを判断し、Ｉ＜ＭＡＸであると判断するとステップａ１５に進み、Ｉ≧ＭＡＸであると判断するとステップａ１６に進み、全ての手順を終了する。
【００３４】
ステップａ１４においてＩ＜ＭＡＸであると判断されてステップａ１５に進むと、ステップａ１５では、ループ変数Ｉの値を１つ増やして、ステップａ４に戻る。
【００３５】
図２は、図１のフローチャートにおけるステップａ２の手順を示すフローチャートである。ステップｂ０で手順が開始されて、ステップｂ１に進む。
ステップｂ１では、変数Ｋに対してＫ＝０として、ステップｂ２に進む。
【００３６】
ステップｂ２では、表２に示す電子部品放射面、筐体受熱面（筐体内表面）および筐体放熱面（筐体外表面）の放射率を含む初期放射パターンの組合せテーブルの条件Ｃ（Ｋ）で、放熱解析を行ない、ステップｂ３に進む。すなわちステップｂ２では、図１に示すフローチャートにおけるステップａ１で入力された電子部品および筐体の放射率の代わりに、初期放射パターンの組合せテーブルの放射率を用いて放熱解析を行う。
【００３７】
ステップｂ３では、ステップｂ２の結果に基づいて、後述する図３に示す手順に従って、表３に示すような検索テーブルＳＴを作成して、ステップｂ４に進む。表３に示す検索テーブルＳＴは、電子部品の名称、電子部品の温度、電子部品の許容温度、隣接筐体の座標、隣接筐体の温度および筐体の許容温度を含む。隣接筐体の座標は、電子部品の中心座標から最短距離となる筐体の座標である。また筐体の温度は、隣接筐体の座標における筐体の温度である。
【００３８】
ステップｂ４では、検索テーブルＳＴにおける電子部品に関し、電子部品の温度から電子部品の許容温度を減算した値、および隣接筐体の温度から筐体の許容温度を減算した値を求め、これらの２つの値の総和ＳＵＭ（Ｋ）を求めて、ステップｂ５に進む。
ステップｂ５では、変数Ｋの値を１つ増やして、ステップｂ６に進む。
【００３９】
ステップｂ６では、変数Ｋが、初期放射パターンの組合せテーブルの条件数ＫＭＡＸであるか否かを判断し、Ｋ＝ＫＭＡＸであると判断するとステップｂ７に進み、Ｋ≠ＫＭＡＸであると判断するとステップｂ２に戻る。
【００４０】
ステップｂ６においてＫ＝ＫＭＡＸであると判断されてステップｂ７に進むと、ステップｂ７では、Ｋ＝０からＫ＝ＫＭＡＸ−１までの範囲で、ＳＵＭ（Ｋ）が最小となるＫを求めて、ステップｂ８に進み全ての手順を終了する。このようにして求めた条件Ｋの放射率条件が初期放射パターンとなる。
【００４１】
図３は、図２のフローチャートにおけるステップｂ３の手順を示すフローチャートである。ステップｃ０で手順が開始されて、ステップｃ１に進む。
ステップｃ１では、変数ｉに対してｉ＝０として、ステップｃ２に進む。
【００４２】
ステップｃ２では、検索テーブルＳＴの第ｉ番目の電子部品Ｐ（ｉ）に隣接する筐体の座標Ｑ（ｘ，ｙ，ｚ）を求めて、ステップｃ３に進む。
【００４３】
ステップｃ３では、熱解析によって筐体の座標Ｑ（ｘ，ｙ，ｚ）における温度ＴＱ（ｉ）を求めて、ステップｃ４に進む。
【００４４】
ステップｃ４では、熱解析によって電子部品Ｐ（ｉ）の温度ＴＰ（ｉ）を求めて、ステップｃ５に進む。
【００４５】
ステップｃ５では、電子部品Ｐ（ｉ）の温度ＴＰ（ｉ）ならびに電子部品Ｐ（ｉ）に隣接する筐体の座標Ｑ（ｘ，ｙ，ｚ）および温度ＴＱ（ｉ）を検索テーブルＳＴ（ｉ）に書込んで、ステップｃ６に進む。
【００４６】
ステップｃ６では、全ての電子部品に対してステップｃ２〜ステップｃ５の処理を行なったか否かを判断し、処理を行ったと判断するとステップｃ８に進み、全ての手順を終了し、処理を行ってないと判断するとステップｃ７に進む。
ステップｃ７では、変数ｉの値を１つ増やして、ステップｃ２に戻る。
【００４７】
図４は、図１に示すフローチャートにおけるステップａ９の筐体温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。ステップｄ０で手順が開始されて、ステップｄ１に進む。
【００４８】
ステップｄ１では、筐体において温度が許容温度を超えている位置の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、表３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｄ２に進む。
【００４９】
ステップｄ２では、前述の筐体の許容温度を超えている位置に最も近い電子部品の中心の座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）を、検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｄ３に進む。
【００５０】
ステップｄ３では、Ｚ１がＺ２を超えているか否かを判断し、Ｚ１＞Ｚ２であると判断するとステップｄ４に進み、Ｚ１≦Ｚ２であると判断するとステップｄ６に進む。
【００５１】
ステップｄ３において、Ｚ１＞Ｚ２であると判断されてステップｄ４に進むと、ステップｄ４では、表１に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ００，Ｌ１＝Ｌ０１として、ステップｄ５に進む。
ステップｄ５では、Ｌ＝Ｚ１−Ｚ２として、ステップｄ８に進む。
【００５２】
ステップｄ３において、Ｚ１≦Ｚ２であると判断されてステップｄ６に進むと、ステップｄ６では、表１に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ１０，Ｌ１＝Ｌ１１として、ステップｄ７に進む。
【００５３】
ステップｄ７では、Ｌ＝Ｚ２−Ｚ１として、ステップｄ８に進む。
ステップｄ８では、Ｌ≧Ｌ０であるか否かを判断し、Ｌ≧Ｌ０であると判断するとステップｄ９に進み、Ｌ＜Ｌ０であると判断するとステップｄ１０に進む。
【００５４】
ステップｄ８でＬ≧Ｌ０であると判断されてステップｄ９に進むと、ステップｄ９では、後述する図５および図６に示す放射率変更による筐体の温度低減化処理を行って、ステップｄ１４に進み、全ての手順を終了する。
【００５５】
ステップｄ８でＬ＜Ｌ０であると判断されてステップｄ１０に進むと、ステップｄ１０では、Ｌ１＜Ｌ＜Ｌ０であるか否かを判断し、Ｌ１＜Ｌ＜Ｌ０であると判断するとステップｄ１１に進み、Ｌ１＜Ｌ＜Ｌ０でない、換言すればＬ≦Ｌ１であると判断するとステップｄ１３に進む。
【００５６】
ステップｄ１０においてＬ１＜Ｌ＜Ｌ０であると判断されてステップｄ１１に進むと、ステップｄ１１では、後述する図１０に示す電子部品の仮想面積拡大処理を行い、ステップｄ１２に進む。
【００５７】
ステップｄ１２では、後述する図５および図６に示す放射率変更による筐体の温度低減化処理を行ない、ステップｄ１４に進み、全ての手順を終了する。
【００５８】
ステップｄ１０においてＬ１＜Ｌ＜Ｌ０でないと判断されてステップｄ１３に進むと、ステップｄ１３では、後述する図１０に示す電子部品の仮想面積拡大処理を行い、ステップｄ１４に進み、全ての手順を終了する。
【００５９】
図５および図６は、図４に示すフローチャートにおけるステップｄ９およびステップｄ１２の放射率変更による筐体温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。ステップｅ０で手順が開始されて、ステップｅ１に進む。
【００６０】
ステップｅ１では、筺体における許容温度を超えている位置（以後、「温度超過位置」と表記することがある）の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）と、前記温度超過位置との距離が最小になる電子部品の座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）とを、検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｅ２に進む。
【００６１】
ステップｅ２では、筺体の温度超過位置の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ１を求めて、ステップｅ３に進む。
ステップｅ３では、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ＝ＳＴＥＡＴ１として、ステップｅ４に進む。
【００６２】
ステップｅ４では、ＳＴＥＡＴ１＝０であるか否かを判断し、ＳＴＥＡＴ１＝０であると判断するとステップｅ５に進み、ＳＴＥＡＴ１≠０であると判断するとステップｅ９に進む。
【００６３】
ステップｅ４においてＳＴＥＡＴ１＝０であると判断されてステップｅ５に進むと、ステップｅ５では、ＳＴＥＡＴ１＝３として、ステップｅ６に進む。
【００６４】
ステップｅ６では、電子部品Ｐの温度Ｔ（Ｐ）と、電子部品Ｐの許容温度ＴＭＡＸ（Ｐ）とを、検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｅ７に進む。
【００６５】
ステップｅ７では、ＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であるか否かを判断し、ＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であると判断するとステップｅ８に進み、ＴＭＡＸ（Ｐ）≧Ｔ（Ｐ）であると判断すると図６に示すステップｅ１２に進む。
【００６６】
ステップｅ７においてＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であると判断されてステップｅ８に進むと、ステップｅ８では、ＳＴＥＡＴ１の値を１減らして、図６に示すステップｅ１２に進む。ステップｅ７の処理によって、ＳＴＥＡＴ１＝３の場合と比較すると、低放射率面の面積が小さくなるので、電子部品の熱の筐体への放射伝熱量が増加して、電子部品の温度を低減する効果が生じる。
【００６７】
ステップｅ４においてＳＴＥＡＴ１≠０であると判断されてステップｅ９に進むと、ステップｅ９では、ＳＴＥＡＴ１の値を１増やして、ステップｅ１０に進む。
【００６８】
ステップｅ１０では、ＳＴＥＡＴ１＞７であるか否かを判断し、ＳＴＥＡＴ１＞７であると判断するとステップｅ１１に進み、ＳＴＥＡＴ１≦７であると判断すると図６に示すステップｅ１２に進む。
【００６９】
ステップｅ１０においてＳＴＥＡＴ１＞７であると判断されてステップｅ１１に進むと、ステップｅ１１では、ＳＴＥＡＴ１の値を１減らして、図６に示すステップｅ１２に進む。
【００７０】
図６に示すステップｅ１２では、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ＝ＳＴＥＡＴ１であるか否かを判断し、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ＝ＳＴＥＡＴ１であると判断するとステップｅ２０に進み、全ての手順を終了し、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ≠ＳＴＥＡＴ１であると判断するとステップｅ１３に進む。
【００７１】
ステップｅ１２においてＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ≠ＳＴＥＡＴ１であると判断されてステップｅ１３に進むと、ステップｅ１３では、ＳＴＥＡＴ１の値を表５に示す放射パターンテーブルに書き込んで、ステップｅ１４に進む。
【００７２】
ステップｅ１４では、ＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であるか否かを判断し、ＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であると判断するとステップｅ２０に進み、全ての手順を終了し、ＴＭＡＸ（Ｐ）≧Ｔ（Ｐ）であると判断するとステップｅ１５に進む。
【００７３】
ステップｅ１４においてＴＭＡＸ（Ｐ）≧Ｔ（Ｐ）であると判断されてステップｅ１４に進むと、電子部品Ｐの座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ１を求めて、ステップｅ１５に進む。
【００７４】
ステップｅ１５では、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ＝ＳＴＥＡＴ１として、ステップｅ１７に進む。
【００７５】
ステップｅ１７では、ＳＴＥＡＴ１＝３であるか否かを判断し、ＳＴＥＡＴ１＝３であると判断するとステップｅ１９に進み、ＳＴＥＡＴ１≠３であると判断するとステップｅ１８に進む。
【００７６】
ステップｅ１７においてＳＴＥＡＴ１≠３であると判断されてステップｅ１８に進むと、ステップｅ１８では、ＳＴＥＡＴ１の値を１増やして、ステップｅ１９に進む。ステップｅ１９の処理によって、電子部品の低放射率面の面積が増加して、電子部品から筐体への放射伝熱量が減少する。
【００７７】
ステップｅ１９では、電子部品Ｐの放射パターンテーブルにＳＴＥＡＴ１の値を書き込んで、ステップｅ２０に進み、全ての手順を終了する。
【００７８】
図７は、図１に示すフローチャートにおけるステップａ１１の電子部品温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。ステップｆ０で手順が開始されて、ステップｆ１に進む。
【００７９】
ステップｆ１では、電子部品の許容温度を超えている位置の座標Ｐ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｆ２に進む。
【００８０】
ステップｆ２では、電子部品の許容温度を超えている位置に最も近い筐体の部分の座標Ｑ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）を、検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｆ３に進む。
【００８１】
ステップｆ３では、Ｚ１＜Ｚ２であるか否かを判断し、Ｚ１＜Ｚ２であると判断するとステップｆ４に進み、Ｚ１≧Ｚ２であると判断するとステップｆ６に進む。
【００８２】
ステップｆ３においてＺ１＜Ｚ２であると判断されてステップｆ４に進むと、ステップｆ４では、表１に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ００，Ｌ１＝Ｌ０１として、ステップｆ５に進む。
ステップｆ５では、Ｌ＝Ｚ２−Ｚ１として、ステップｆ８に進む。
【００８３】
ステップｆ３において、Ｚ１≦Ｚ２であると判断されてステップｆ６に進むと、ステップｆ６では、表１に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ１０，Ｌ１＝Ｌ１１として、ステップｆ７に進む。
【００８４】
ステップｆ７では、Ｌ＝Ｚ１−Ｚ２として、ステップｆ８に進む。
ステップｆ８では、Ｌ≧Ｌ０であるか否かを判断し、Ｌ≧Ｌ０であると判断するとステップｆ９に進み、Ｌ＜Ｌ０であると判断するとステップｆ１０に進む。
【００８５】
ステップｆ８でＬ≧Ｌ０であると判断されてステップｆ９に進むと、ステップｆ９では、後述する図８および図９に示す放射率変更による電子部品の温度低減化処理を行って、ステップｆ１４に進み、全ての手順を終了する。
【００８６】
ステップｆ８でＬ＜Ｌ０であると判断されてステップｆ１０に進むと、ステップｆ１０では、Ｌ１＜Ｌ＜Ｌ０であるか否かを判断し、Ｌ１＜Ｌ＜Ｌ０であると判断するとステップｆ１１に進み、Ｌ１＜Ｌ＜Ｌ０でない、換言すればＬ≦Ｌ１であると判断するとステップｆ１３に進む。
【００８７】
ステップｆ１０においてＬ１＜Ｌ＜Ｌ０であると判断されてステップｆ１１に進むと、ステップｆ１１では、後述する図１０に示す電子部品の仮想面積拡大処理を行い、ステップｄ１２に進む。
【００８８】
ステップｆ１２では、後述する図８および図９に示す放射率変更による電子部品の温度低減化処理を行ない、ステップｆ１４に進み、全ての手順を終了する。
【００８９】
ステップｆ１０においてＬ１＜Ｌ＜Ｌ０でないと判断されてステップｆ１３に進むと、ステップｆ１３では、後述する図１０に示す電子部品の仮想面積拡大処理を行い、ステップｆ１４に進み、全ての手順を終了する。
【００９０】
図８および図９は、図７に示すフローチャートにおけるステップｆ９およびステップｆ１２の放射率変更による電子部品の温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。ステップｇ０で手順が開始されて、ステップｇ１に進む。
【００９１】
ステップｇ１では、電子部品Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）に近い筺体の部分の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｇ２に進む。
【００９２】
ステップｇ２では、座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ２を、表４に示す放射パターンテーブルから読出して、ステップｇ３に進む。
【００９３】
ステップｇ３では、座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）の温度Ｔ（Ｑ）および許容温度ＴＭＡＸ（Ｑ）を表７に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｇ４に進む。
【００９４】
ステップｇ４では、座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）における筐体の温度Ｔ（Ｑ）が、筐体の許容温度ＴＭＡＸ（Ｑ）を超えているか否かを判断し、超えていると判断すると図９に示すステップｇ１１に進み、超えていないと判断するとステップｇ５に進む。
【００９５】
ステップｇ４においてＴＭＡＸ（Ｑ）≧Ｔ（Ｑ）であると判断されてステップｇ５に進むと、ステップｇ５では、ＳＴＥＡＴ２＝０であるか否かを判断し、ＳＴＥＡＴ２＝０であると判断するとステップｇ６に進み、ＳＴＥＡＴ２≠０であると判断するとステップｇ７に進む。
【００９６】
ステップｇ５においてＳＴＥＡＴ２＝０であると判断されてステップｇ６に進むと、ステップｇ６では、ＳＴＥＡＴ２＝３として図９に示すステップｇ１０に進む。
【００９７】
ステップｇ５においてＳＴＥＡＴ２≠０であると判断されてステップｇ７に進むと、ステップｇ７では、ＳＴＥＡＴ２の値を１増やして、ステップｇ８に進む。
【００９８】
ステップｇ８では、ＳＴＥＡＴ２＞７であるか否かを判断し、ＳＴＥＡＴ２＞７であると判断するとステップｇ９に進み、ＳＴＥＡＴ２≦７であると判断すると図９に示すステップｇ１０に進む。
【００９９】
ステップｇ８においてＳＴＥＡＴ２＞７であると判断されてステップｇ９に進むと、ステップｇ９では、ＳＴＥＡＴ２の値を１減らして、図９に示すステップｇ１０に進む。
【０１００】
図９に示すステップｇ１０では、ＳＴＥＡＴ２の値を、表４に示す放射パターンテーブルに書き込んで、ステップｇ１１に進む。
【０１０１】
ステップｇ１１では、電子部品の座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ２を、表４に示す放射パターンテーブルから読出して、ステップｇ１２に進む。
ステップｇ１２では、ＳＴＥＡＴ２の値を１増やして、ステップｇ１３に進む。
【０１０２】
ステップｇ１３では、ＳＴＥＡＴ２＝４であるか否かを判断し、ＳＴＥＡＴ２＝４であると判断するとステップｆ１５に進み、全ての手順を終了し、ＳＴＥＡＴ２≠４であると判断するとステップｇ１４に進む。
【０１０３】
ステップｇ１３においてＳＴＥＡＴ２≠４であると判断されてステップｇ１４に進むと、ステップｇ１４では、電子部品ＰのＳＴＥＡＴ２の値を表４に示す放射パターンテーブルに書き込んで、ステップｇ１５に進み、全ての手順を終了する。
【０１０４】
図８および図９に示す放射率変更による電子部品の温度低減化処理では、電子部品の温度が許容温度を超えた場合、筐体の温度が許容温度以下であるときには、筐体の内表面部の高い放射率の部分の面積を順次増加していくことによって、筐体への放射伝熱量を増加させて、電子部品の温度を下げることができる。また電子部品の高い放射率となる部分の面積を順次増加していくことによって、電子部品の放射伝熱量が増加して、電子部品の温度を下げることができる。
【０１０５】
表６は、図４および図７のフローチャートの説明におけるＬと、表１に示すＬ００，Ｌ０１およびＬ１０，Ｌ１１との関係を示す表である。
【０１０６】
【表６】
2005038168.tif 000008
【０１０７】
ここでＬは、前述のようにＬ＝Ｚ１−Ｚ２またはＬ＝Ｚ２−Ｚ１であり、電子部品と筐体の当該電子部品に最も近い部分との距離を表す。
【０１０８】
図１０は、図４に示すフローチャートにおけるステップｄ１１およびステップｄ１３ならびに図７に示すステップｆ１１およびステップｆ１３における電子部品の仮想面積拡大処理の手順を示すフローチャートである。ステップｈ０で手順が開始されて、ステップｈ１に進む。
【０１０９】
ステップｈ１では、電子部品の座標Ｐ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、表３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｈ２に進む。
【０１１０】
ステップｈ２では、電子部品の表面積係数ＦＡＣＴを、表３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）から読出して、ステップｇ３に進む。
ステップｈ３では、ＦＡＣＴの値を１増やして、ステップｈ４に進む。
【０１１１】
ステップｈ４では、表４に示す放射パターンテーブルから電子部品の外形サイズを読出し、前記外形サイズとＦＡＣＴとの積を仮想サイズＳとして求め、ステップｈ５に進む。
【０１１２】
ステップｈ５では、仮想サイズＳ＞配置可能サイズであるか否かを判断し、仮想サイズＳ＞配置可能サイズであると判断するとステップｈ６に進み、仮想サイズＳ≦配置可能サイズであると判断するとステップｈ７に進む。
【０１１３】
ステップｈ５において仮想サイズＳ＞配置可能サイズであると判断されてステップｈ６に進むと、ステップｈ６では、仮想サイズＳ＝配置可能サイズとして、ステップｈ７に進む。
【０１１４】
ステップｈ７では、表３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）を更新して、ステップｈ８に進み、全ての手順を終了する。
【０１１５】
図１１は、電子機器１０を示す断面図である。電子機器１０は、電子部品１１ａ，１１ｂ、基板１２、支持柱１３および筐体１４を含む。電子部品１１ａ，１１ｂは、基板１２に設けられる。筐体１４は、板状の下キャビネット１４ａと、前記下キャビネット１４ａを嵌合可能な開放部を有する上キャビネット１４ｂとを含む。筐体１４は、下キャビネット１４ａが上キャビネット１４ｂに嵌合される状態で、閉じた内空間１５が形成される。基板１２は、支持柱１３を介して下キャビネット１４ａに連結される。上キャビネット１４ｂの内空間１５に臨み、基板１２に対向する内表面部には、熱放射部１６が設けられる。
【０１１６】
図１０は、図１のフローチャートにおけるステップａ２の初期放射パターン生成後の熱放射部１６の形成パターンを示す平面図である。表７は、図１のフローチャートにおけるステップａ２の初期放射パターン生成後の検索テーブルＳＴ（０）を示す表である。
【０１１７】
【表７】
2005038168.tif 000009
【０１１８】
図１１に示す電子部品１１ａは、表２における番号０の電子部品（ＣＰＵ）であるとし、図１１に示す電子部品１１ｂは、表２における番号１の電子部品（メモリ）であるとする。この電子部品１１ａは、温度が８３℃であり、その許容温度８０℃を３℃超えている。また前記電子部品１１ａに隣接する筺体の温度は５３℃であり、その許容温度５０℃を３℃超えている。電子部品１１ｂは、温度が６０℃であり、その許容温度７０℃以下であるけれども、前記電子部品１１ｂに隣接する筺体の温度は５４℃であり、その許容温度５０℃を４℃超えている。この時の熱放射部１６の形成パターンは、図１０に示すように、熱放射部１６が全く設けられていない状態である。
【０１１９】
図１に示すフローチャートを用いて、熱放射部１６の形成パターンの生成を説明する。ステップａ０で手順が開始されて、ステップａ１に進む。
【０１２０】
ステップａ１では、電子機器の放熱解析に必要な、電子部品、筐体およびプリント基板などに関する形状情報、材料の熱伝導率および放射率が入力されるとともに、表１に示す筐体と電子部品の上下関係による放射の影響と対流の影響度とを定義する両者の距離の閾値を定義しているテーブル、および表２に示す初期放射パターンの組合せテーブルが入力されて、ステップａ２に進む。
【０１２１】
ステップａ２では、表２に示す初期放射パターンの組合せテーブルを用いて初期放射率を設定して、ステップａ３に進む。ステップａ２の処理の関しては、前述した図２のフローチャートの説明を参照する。
ステップａ３では、ループ変数Ｉに対してＩ＝０として、ステップａ４に進む。
【０１２２】
ステップａ４では、表７に示す検索テーブルＳＴ（１）および表４に示す放射パターンテーブルを用いて、筐体および電子部品１１ａ，１１ｂの放熱解析を行ない、ステップａ５に進む。
【０１２３】
ステップａ５では、テーブル要素の変数Ｊに対してＪ＝１として、ステップａ６に進む。
【０１２４】
ステップａ６では、表７に示す検索テーブルＳＴ（１）、および表４に示す放射パターンテーブルを更新して、ステップａ７に進む。
【０１２５】
ステップａ７では、表７に示す検索テーブルＳＴ（１）において、筐体の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断するので、ステップａ９に進む。
【０１２６】
ステップａ９の筐体温度低減化処理は、図４に示すフローチャートを用いて説明する。ステップｄ０で手順が開始されて、ステップｄ１に進む。
【０１２７】
ステップｄ１では、筐体において温度が許容温度を超えている位置の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、表７に示す検索テーブルＳＴ（１）からＱ（１２０，１２０，２０）を読出して、ステップｄ２に進む。
【０１２８】
ステップｄ２では、前述の筐体の許容温度を超えている位置に最も近い電子部品の中心の座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）を、検索テーブルＳＴ（１）からＰ（１２０，１２０，１０）を読出して、ステップｄ３に進む。
【０１２９】
ステップｄ３では、Ｚ１がＺ２を超えているか否かを判断し、ここでＺ１＝２０，Ｚ２＝１０であるからＺ１＞Ｚ２であると判断するので、ステップｄ４に進む。
【０１３０】
ステップｄ４では、表８に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ００＝８ｍｍ，Ｌ１＝Ｌ０１＝２ｍｍとして、ステップｄ５に進む。
【０１３１】
【表８】
2005038168.tif 000010
【０１３２】
ステップｄ５では、Ｌ＝Ｚ１−Ｚ２＝２０ｍｍ−１０ｍｍ＝１０ｍｍとして、ステップｄ８に進む。
【０１３３】
ステップｄ８では、Ｌ≧Ｌ０であるか否かを判断し、ここではＬ＝１０ｍｍ，Ｌ０＝８ｍｍであるので、Ｌ≧Ｌ０であると判断して、ステップｄ９に進む。
【０１３４】
ステップｄ９の放射率変更による筐体の温度低減化処理は、図５および図６を用いて説明する。ステップｅ０で手順が開始されて、ステップｅ１に進む。
【０１３５】
ステップｅ１では、筺体における温度超過位置の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）と、前記温度超過位置との距離が最小になる電子部品の座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）とを、検索テーブルＳＴ（１）からＱ（１２０，１２０，２０），Ｐ（１２０，１２０，１０）を読出して、ステップｅ２に進む。
【０１３６】
ステップｅ２では、筺体の温度超過位置の座標Ｑ（１２０，１２０，２０）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ１を、表９に示す放射パターンテーブルからＳＴＥＡＴ１＝０として、ステップｅ３に進む。
【０１３７】
【表９】
2005038168.tif 000011
【０１３８】
ステップｅ３では、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ＝ＳＴＥＡＴ１＝０として、ステップｅ４に進む。
【０１３９】
ステップｅ４では、ＳＴＥＡＴ１＝０であるか否かを判断し、ここではＳＴＥＡＴ１＝０であると判断するのでステップｅ５に進む。
ステップｅ５では、ＳＴＥＡＴ１＝３として、ステップｅ６に進む。
【０１４０】
ステップｅ６では、電子部品Ｐの温度Ｔ（Ｐ）と、電子部品Ｐの許容温度ＴＭＡＸ（Ｐ）とを、検索テーブルＳＴ（１）から、Ｔ（Ｐ）＝８３℃，ＴＭＡＸ（Ｐ）＝８０℃と読出して、ステップｅ７に進む。
【０１４１】
ステップｅ７では、ＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であるか否かを判断し、ここではＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であると判断されるので、ステップｅ８に進む。
【０１４２】
ステップｅ８では、ＳＴＥＡＴ１の値を１減らして、ＳＴＥＡＴ１＝２として、図６に示すステップｅ１２に進む。
【０１４３】
図６に示すステップｅ１２では、ＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ＝ＳＴＥＡＴ１であるか否かを判断し、ここではＯＲＧ＿ＳＴＥＡＴ≠ＳＴＥＡＴ１であると判断するので、ステップｅ１３に進む。
【０１４４】
ステップｅ１３では、ＳＴＥＡＴ１の値（２）を表９に示す放射パターンテーブルに書き込んで、ステップｅ１４に進む。この時の放射パターンテーブルを、表１０に示す。
【０１４５】
【表１０】
2005038168.tif 000012
【０１４６】
図１２は、図１のフローチャートにおけるＩ＝０，Ｊ＝１のときのステップａ９の筐体温度低減化処理後の熱放射部１６の形成パターンを示す平面図である。
【０１４７】
ステップｅ１４では、ＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であるか否かを判断し、ここではＴＭＡＸ（Ｐ）＜Ｔ（Ｐ）であると判断するので、ステップｅ２０に進み、さらに図４に示すフローチャートのステップｄ１４を経て、図１に示すフローチャートのステップａ８に進む。
【０１４８】
ステップａ８では、表７に示す検索テーブルＳＴ（１）において、電子部品１１ａの温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断するので、ステップａ１１に進む。
【０１４９】
ステップａ１１の電子部品温度低減化処理は、図７に示すフローチャートを用いて説明する。ステップｆ０で手順が開始されて、ステップｆ１に進む。
【０１５０】
ステップｆ１では、電子部品１１ａの許容温度を超えている位置の座標Ｐ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、検索テーブルＳＴ（１）からＰ（１２０，１２０，１０）を読出して、ステップｆ２に進む。
【０１５１】
ステップｆ２では、電子部品１１ａの許容温度を超えている位置に最も近い筐体の部分の座標Ｑ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）を、検索テーブルＳＴ（１）からＱ（１２０，１２０，１２０）読出して、ステップｆ３に進む。
【０１５２】
ステップｆ３では、Ｚ１＜Ｚ２であるか否かを判断し、ここではＺ１＝１０ｍｍ，Ｚ２＝２０ｍｍであるのでＺ１＜Ｚ２であると判断してステップｆ４に進む。
【０１５３】
ステップｆ４では、表８に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ００＝８ｍｍ，Ｌ１＝Ｌ０１＝２ｍｍとして、ステップｆ５に進む。
【０１５４】
ステップｆ５では、Ｌ＝Ｚ２−Ｚ１＝２０ｍｍ−１０ｍｍ＝１０ｍｍとして、ステップｆ８に進む。
【０１５５】
ステップｆ８では、Ｌ≧Ｌ０であるか否かを判断し、ここでは、Ｌ＝１０ｍｍ、Ｌ０＝８ｍｍであるので、Ｌ≧Ｌ０であると判断してステップｆ９に進む。
【０１５６】
ステップｆ９の放射率変更による電子部品の温度低減化処理は、図８および図９に示すフローチャートを用いて説明する。ステップｇ０で手順が開始されて、ステップｇ１に進む。
【０１５７】
ステップｇ１では、電子部品１１ａ（Ｐ（１２０，１２０，１０））に近い筺体の部分の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、検索テーブルＳＴ（１）からＱ（１２０，１２０，２０）を読出して、ステップｇ２に進む。
【０１５８】
ステップｇ２では、座標Ｑ（１２０，１２０，２０）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ２＝０を、表１０に示す放射パターンテーブルから読出して、ステップｇ３に進む。
【０１５９】
ステップｇ３では、座標Ｑ（１２０，１２０，２０）の温度Ｔ（Ｑ）および許容温度ＴＭＡＸ（Ｑ）を表７に示す検索テーブルＳＴ（１）から、Ｔ（Ｑ）＝５４，ＴＭＡＸ（Ｑ）＝５０を読出して、ステップｇ４に進む。
【０１６０】
ステップｇ４では、座標Ｑ（１２０，１２０，２０）における筐体の温度Ｔ（Ｑ）が、筐体の許容温度ＴＭＡＸ（Ｑ）を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断して図９に示すステップｇ１１に進む。
【０１６１】
ステップｇ１１では、電子部品の座標Ｐ（１２０，１２０，１０）の表面処理状態ＳＴＥＡＴ２を、表１０に示す放射パターンテーブルから読出してＳＴＥＡＴ２＝０として、ステップｇ１２に進む。
【０１６２】
ステップｇ１２では、ＳＴＥＡＴ２の値を１増やしてＳＴＥＡＴ２＝１として、ステップｇ１３に進む。
【０１６３】
ステップｇ１３では、ＳＴＥＡＴ２＝４であるか否かを判断し、ここではＳＴＥＡＴ２≠４であると判断するので、ステップｇ１４に進む。
【０１６４】
ステップｇ１３においてＳＴＥＡＴ２≠４であると判断されてステップｇ１４に進むと、ステップｇ１４では、電子部品ＰのＳＴＥＡＴ２の値（１）を表１１に示す放射パターンテーブルに書き込んで、ステップｇ１５に進み、図４に示すフローチャートのステップｄ１４を経て、図１に示すフローチャートのステップａ１０に進む。
【０１６５】
【表１１】
2005038168.tif 000013
【０１６６】
ステップａ１０では、検索テーブルＳＴ（Ｊ）内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われたか否かを判断して、ここではＪ＝１で電子部品の数ＰＭＡＸ＝２でありＪ≠ＰＭＡＸであり、全ての電子部品に関して前述の処理が行われていないと判断するので、ステップａ１３に進む。
【０１６７】
ステップａ１３では、テーブル要素の変数Ｊの値を１つ増やしてＪ＝２として、ステップａ７に戻る。
【０１６８】
ステップａ７では、表７に示す検索テーブルＳＴ（１）において、筐体の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは番号２の発熱部品１１ｂの隣接筐体の温度が許容温度を超えていると判断するのでステップａ９に進む。
【０１６９】
ステップａ９の筐体温度低減化処理は、図４に示すフローチャートを用いて説明する。ステップｄ０で手順が開始されて、ステップｄ１に進む。
【０１７０】
ステップｄ１では、筐体において温度が許容温度を超えている位置の座標Ｑ（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）を、表１２に示す検索テーブルＳＴ（２）からＱ（２００，９０，１２）を読出して、ステップｄ２に進む。
【０１７１】
ステップｄ２では、前述の筐体の許容温度を超えている位置に最も近い電子部品の中心の座標Ｐ（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）を、検索テーブルＳＴ（１）からＰ（２００，９０，２０）を読出して、ステップｄ３に進む。
【０１７２】
ステップｄ３では、Ｚ１がＺ２を超えているか否かを判断し、ここでＺ１＝１２，Ｚ２＝２０であるからＺ１＜Ｚ２であると判断するので、ステップｄ６に進む。
【０１７３】
ステップｄ６では、表８に示す筐体および電子部品の上下関係と放射および対流での熱の伝わる割合が変化する閾値を表すテーブルから、Ｌ０＝Ｌ１０＝５ｍｍ，Ｌ１＝Ｌ１１＝１ｍｍとして、ステップｄ５に進む。
【０１７４】
ステップｄ７では、Ｌ＝Ｚ２−Ｚ１＝２０ｍｍ−１２ｍｍ＝８ｍｍとして、ステップｄ８に進む。
【０１７５】
ステップｄ８では、Ｌ≧Ｌ０であるか否かを判断し、ここではＬ＝８ｍｍ，Ｌ０＝５ｍｍであるので、Ｌ≧Ｌ０であると判断して、ステップｄ９に進む。
【０１７６】
ステップｄ９の放射率変更による筐体の温度低減化処理は、前述と同様であるので、この処理において得られる放射パターンテーブルを表１２に示す。
【０１７７】
【表１２】
2005038168.tif 000014
【０１７８】
図１３は、図１のフローチャートにおけるＪ＝２のときのステップａ９の筐体温度低減化処理後の熱放射部１６の形成パターンを示す平面図である。
【０１７９】
ステップａ８では、表１２に示す検索テーブルＳＴ（２）において、電子部品１１ｂの温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていないと判断するので、ステップａ１０に進む。
【０１８０】
ステップａ１０では、検索テーブルＳＴ（２）内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われたか否かを判断して、ここではＪ＝２で電子部品の数ＰＭＡＸ＝２でありＪ≠ＰＭＡＸであり、全ての電子部品に関して前述の処理が行われてたと判断するので、ステップａ１２に進む。
【０１８１】
ステップａ１２では、検索テーブルＳＴ（Ｊ）内の全ての電子部品の温度および筐体の温度がそれぞれの許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断するとステップａ１４に進む。
【０１８２】
ステップａ１４では、ループ変数Ｉが最大ループ数ＭＡＸを以上であるか否かを判断し、ここではＩ＝０，ＭＡＸ＝５であるので、Ｉ＜ＭＡＸであると判断して、ステップａ１５に進む。このＭＡＸは、電子部品の発熱量が大きく、輻射率変更処理および面積変更処理を行っても、許容温度を満たさないため、変更処理を無限に繰り返す場合があるので、指定回数ＭＡＸで繰り返し処理の回数を制限するために設定される。
【０１８３】
ステップａ１５では、ループ変数Ｉの値を１つ増やしてＩ＝１として、ステップａ４に戻る。
【０１８４】
ステップａ４では、表１２に示す放射パターンテーブルに基づいて、筐体および電子部品の放熱解析を行ない、ステップａ５に進む。
【０１８５】
ステップａ６では、表１３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）、および表１４に示す放射パターンテーブルを作成して、ステップａ７に進む。
【０１８６】
【表１３】
2005038168.tif 000015
【０１８７】
【表１４】
2005038168.tif 000016
【０１８８】
ステップａ７では、表１３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）において、筐体の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断するので、ステップａ９に進む。
【０１８９】
ステップａ９では、前述の図４に示す筐体温度低減化処理が行われて、ステップａ８に進む。
【０１９０】
ステップａ８では、表１３に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）において、電子部品の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断するのでステップａ１１に進む。
【０１９１】
ステップａ１１では、前述の図７に示す電子部品温度低減化処理が行われて、ステップａ１０に進む。
【０１９２】
ステップａ１０では、検索テーブルＳＴ（Ｊ）内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われたか否かを判断して、ここでは処理が行われたと判断してステップａ１２に進む。
【０１９３】
ステップａ１２では、検索テーブルＳＴ（Ｊ）内の全ての電子部品の温度および筐体の温度がそれぞれの許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていると判断するとステップａ１４に進む。
【０１９４】
ステップａ１４では、ループ変数Ｉが最大ループ数ＭＡＸを以上であるか否かを判断し、ここではＩ＜ＭＡＸであると判断するので、ステップａ１６に進む。
【０１９５】
ステップａ１５では、ループ変数Ｉの値を１つ増やして、ステップａ４に戻る。
【０１９６】
ステップａ４では、表１４に示す放射パターンテーブルに基づいて、筐体および電子部品の放熱解析を行ない、ステップａ５に進む。
【０１９７】
ステップａ６では、表１５に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）を作成して、ステップａ７に進む。
【０１９８】
【表１５】
2005038168.tif 000017
【０１９９】
ステップａ７では、表１５に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）において、筐体の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていないと判断するので、ステップａ８に進む。
【０２００】
ステップａ８では、表１５に示す検索テーブルＳＴ（Ｊ）において、電子部品の温度が許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていない判断するのでステップａ１０に進む。
【０２０１】
ステップａ１０では、検索テーブルＳＴ（Ｊ）内の全ての電子部品に関してステップａ７、ステップａ８、ステップａ９およびステップａ１１の処理が行われたか否かを判断して、ここでは処理が行われたと判断してステップａ１２に進む。
【０２０２】
ステップａ１２では、検索テーブルＳＴ（Ｊ）内の全ての電子部品の温度および筐体の温度がそれぞれの許容温度を超えているか否かを判断し、ここでは超えていないと判断するとステップａ１６に進み、全ての手順を終了する。
【０２０３】
以上のように、筺体と発熱部品の上下関係および距離の関係に基づいて、効果的な放熱対策を選択し、逐次改良処理を繰り返すことで、発熱部品および筺体の温度低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０４】
【図１】本発明の実施の一形態の電子部品の放熱設計方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】図１のフローチャートにおけるステップａ２の手順を示すフローチャートである。
【図３】図２のフローチャートにおけるステップｂ３の手順を示すフローチャートである。
【図４】図１に示すフローチャートにおけるステップａ９の筐体温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。
【図５】図４に示すフローチャートにおけるステップｄ９およびステップｄ１２の放射率変更による筐体温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。
【図６】図４に示すフローチャートにおけるステップｄ９およびステップｄ１２の放射率変更による筐体温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。
【図７】図１に示すフローチャートにおけるステップａ１１の電子部品温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。
【図８】図７に示すフローチャートにおけるステップｆ９およびステップｆ１２の放射率変更による電子部品の温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。
【図９】図７に示すフローチャートにおけるステップｆ９およびステップｆ１２の放射率変更による電子部品の温度低減化処理の手順を示すフローチャートである。
【図１０】図４に示すフローチャートにおけるステップｄ１１およびステップｄ１３ならびに図７に示すステップｆ１１およびステップｆ１３における電子部品の仮想面積拡大処理の手順を示すフローチャートである。
【図１１】電子機器１０を示す断面図である。
【図１２】図１のフローチャートにおけるＩ＝０，Ｊ＝１のときのステップａ９の筐体温度低減化処理後の熱放射部１６の形成パターンを示す平面図である。
【図１３】図１のフローチャートにおけるＩ＝０，Ｊ＝２のときのステップａ９の筐体温度低減化処理後の熱放射部１６の形成パターンを示す平面図である。
【符号の説明】
【０２０５】
１０  電子機器
１１ａ，１１ｂ  電子部品
１４  筐体
１６  熱放射部
【図１】
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【図２】
2005038168.tif 000019
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005038168.tif 000024
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2005038168.tif 000028
【図１２】
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【図１３】
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