(57)【要約】【課題】従来装置では、縮小投影光学系による縮小倍率をいくら高くしても、分解能を約１５０ｎｍより高めることができなかった。【解決手段】レーザ光Ｌ１はマイクロレンズアレイ４を通過後、絞られながら進むレーザ光Ｌ２となって、ピンホール板５に与えられる。ピンホール板５は、石英板１０が基板として用いられており、上面には反射膜８が付いており、下面にはシフター９が付いている。反射膜８とシフター９には穴が空いているが、シフター９の穴が反射膜８の穴よりも小さくなっている。その結果、反射膜８の穴から下方に進むレーザ光Ｌ３におけるビームの周囲のみがシフター９を通過するようになる。したがってレーザ光Ｌ３においては、ビームの周囲のみが中心に比べて位相がシフトするようになる。この構成では、縮小投影光学系におけるプロセス定数を０．３〜０．４と小さくできるため、解像性能を従来よりも高めることができ、線幅１５０ｎｍ以下の微細なパターンを描画できる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元に配列された微小ミラーを含むミラーデバイスと、このミラーデバイスからの光を受けるマイクロレンズと、該マイクロレンズで集光された光を個別に通すピンホール板と、縮小投影光学系とを含むパターン描画装置であって、前記ピンホール板における各ピンホールの周辺にレーザ光の位相をシフトする手段を設けたことを特徴とするパターン描画装置。
【請求項２】
前記レーザ光の位相をシフトする手段が前記ピンホール板の主面の一方に設けられた半透明膜を含むことを特徴とする前記請求項１のパターン描画装置。
【請求項３】
前記ピンホール板には前記主面の前記一方または他方に光反射膜が設けられ、該光反射膜に前記各ピンホールが形成されていることを特徴とする前記請求項２のパターン描画装置。
【請求項４】
前記半透明膜には、前記ピンホール板の前記光反射膜に形成された前記各ピンホールに対応する位置に前記各ピンホールよりも小さい穴が形成されていることを特徴とする前記請求項３のパターン描画装置。
【請求項５】
前記半透明膜の穴の形成が前記マイクロレンズを通過したレーザ光を用いた露光に基づくことを特徴とする前記請求項４のパターン描画装置。
【請求項６】
前記ピンホール板の前記各ピンホールの形成が前記マイクロレンズを通過したレーザ光を用いた露光に基づくことを特徴とする前記請求項３乃至５のどれか一つに記載のパターン描画装置。
【請求項７】
二次元に配列された微小ミラーを含むミラーデバイスと、このミラーデバイスからの光を受けるマイクロレンズと、該マイクロレンズで集光された光を個別に通すピンホール板と、縮小投影光学系とを含むパターン描画装置において、前記ピンホール板から前記縮小投影光学系内に進むレーザ光の中で、前記ピンホール板における個別のピンホールから垂直に進む成分の少なくとも一部の前記垂直進行を妨げる手段をさらに備えたことを特徴とするパターン描画装置。
【請求項８】
前記妨げる手段が、前記マイクロレンズに設けられた遮光部材を含むことを特徴とする前記請求項７のパターン描画装置。
【請求項９】
前記妨げる手段が、前記ピンホール板に設けられた遮光部材を含むことを特徴とする前記請求項７のパターン描画装置。
【請求項１０】
前記ピンホール板には主面の一方に光反射膜が設けられ、該光反射膜に前記各ピンホールが形成されており、前記遮光部材は前記各ピンホールの穴径より小さい形状であって前記主面の他方に設けられていることを特徴とする前記請求項９のパターン描画装置。
【請求項１１】
プロセス定数に依存した解像度を有するパターン描画装置において、前記プロセス定数が０．５より小さいことを特徴とするパターン描画装置。
【請求項１２】
基板と、当該基板の表面にピンホールを規定する膜と、前記ピンホールの周辺におけるレーザ光の位相をシフトする位相シフト膜とを有することを特徴とするピンホール板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩチップやＬＣＤ・有機ＥＬディスプレイ等の表示デバイス中の半導体素子部分等（以下、半導体集積回路という）を製造する時の露光工程で用いられるマスクを製造するために用いられるマスク描画装置に適用するパターン描画装置に関する。また、マスクを用いずに回路パターンをウエハ上に直接描画するマスクレス露光装置にも適用できる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造時の露光工程では、回路パターンが描かれたマスク（レチクルと呼ばれることもある。）を用いてレジストが塗布されたウエハ上に回路パターンを描画させる（パターン露光と呼ばれる。）必要があり、そのための装置は露光装置あるいは露光機と呼ばれる。
【０００３】
一方、マスクを製造するには、マスクの基板となる石英板などの表面に、目的とする回路パターンに相当するパターン状に露光光を通過させるように遮光用のクロム膜などを付ける必要がある。このクロム膜などはパターン露光によって形成され、そのパターン露光を行う装置はマスク描画装置と呼ばれる。マスク描画の手法には、電子ビームを用いた電子ビーム描画が一般的であり、そのための装置は電子ビーム描画装置（以下、ＥＢ描画装置と示す。）と呼ばれている。
【０００４】
マスク描画装置には、ＥＢ描画装置の他に、紫外域のレーザ光（以下、紫外レーザ光と略す。）を用いてパターン描画（すなわちレジストが塗布されたマスク基板に対してパターン露光）する手法に基づく装置（特にレーザビーム描画装置と呼ばれることがあるが、ここでは単にパターン描画装置と呼ぶ。）も製品化されている。その装置の従来例としては、微小なミラーを二次元配列状に多数並べたデバイス（デジタルマイクロミラーデバイスなどと呼ばれるが、ここでは、以下、ミラーデバイスと略す。）を用いて、これに対して、ＫｒＦエキシマレーザから取り出されるパルス状で紫外域のレーザ光を照射し、反射光をパターン的に制御して、マスク基板上にパターン描画するものがある。ただし、これを用いて直接ウエハ上にパターン描画をすることも可能であるため、パターン描画する対象を、ここでは単に基板と言及する。
【０００５】
このようなパターン描画装置では、回路パターンの中の一部のパターンを一括して露光できることから、処理速度が速い特徴があることが知られている。なお、これに関しては、例えば、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．４１８６，ＰＰ．１６−２１、あるいは、ＵＳＰ６，４２８，９４０において示されている。これによると、ミラーデバイスを用いた従来のパターン描画装置では、およそ１００万個（約５００×約２０００個）のマイクロミラーを用いたミラーデバイスが用いられ、各マイクロミラーは１６ミクロン前後の大きさである。これを縮小投影光学系によって、基板上に例えば１／１６０の大きさに縮小投影させて微細なパターンを描画できるようにしている。これによると１つのマイクロミラーに対応するパターンは一辺０．１ミクロン、すなわち１００ｎｍの正方形になり、これが最小画素として構成された任意なパターンが基板に描画できることになる。
【０００６】
これに対して、ミラーデバイスをそのまま縮小投影せずに、ミラーデバイスにおける各マイクロミラーで反射した多数のレーザビームの各々をマイクロレンズによって集光して、多数のスポットから成るパターンを形成し、これを縮小投影させて基板にパターンを投影する描画装置もあった。例えば、１つのマイクロミラーの一辺が１６ミクロンの場合、１／１６の縮小倍率のマイクロレンズを用いて、直系１ミクロンのスポットで構成されるパターンを形成し、これを１／１０の縮小投影レンズを用いることで、直径１００ｎｍのスポットの集合体が形成でき、これをスキャンすることで最小寸法１００ｎｍの任意なパターンを描画できる。なお、この方式では連続光源が必要であるが、特に短波長の連続光源として、連続発振するアルゴンレーザの第２高調波が利用できる。なお、以上の装置に関しては、例えば、特願２００３年第７８９５１号において説明されている。
【０００７】
【非特許文献１】
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．４１８６，ＰＰ．１６−２１
【０００８】
【特許文献１】
ＵＳＰ６，４２８，９４０
【０００９】
【特許文献２】
特願２００３−７８９５１公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ミラーデバイスを用いた前記２つの方式のどちらの場合も、実際には最小寸法１００ｎｍもの高分解能のパターンを描画することが困難であった。すなわち、解像度Ｒは、Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡで表される。ここで、ｋ１はプロセス定数、λは光源の波長、ＮＡは投影系の開口数である。光源の波長は、前記ＫｒＦエキシマレーザでは２４８ｎｍであり、アルゴンレーザの第２高調波は２５７ｎｍである。また、縮小投影光学系のＮＡとしては、高いものでは約０．８まで容易に設計、製作できることが知られている。これに対して、プロセス定数ｋ１は約０．５であり、これらを考慮すると、解像度Ｒは、１５５〜１６０ｎｍとなり、縮小投影光学系による縮小倍率をいくら高くしても、解像度を約１５０ｎｍより小さくすることができなかった。
【００１１】
なお、前記ミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、ミラーデバイスの像を縮小投影光学系によって縮小投影する場合に、プロセス定数ｋ１を約０．５までしか小さくできない理由は以下のように考えられる。すなわち、半導体用の露光装置で利用されている超解像マスクではないからであり、ミラーデバイスは、バイナリーマスクと呼ばれる通常のマスク（すなわちＯＮとＯＦＦだけで光量を制御するマスク）と同じ作用をするからである。なお、半導体用の露光装置において超解像マスクを利用すると、プロセス定数ｋ１が０．３〜０．４と小さくなって解像度が向上することは広く知られている。
【００１２】
本発明の目的は、ミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、従来よりも高い解像度が得られる装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、前記２通りのミラーデバイスを用いたパターン描画装置における後者において、ミラーデバイスにおける各マイクロミラーで反射した多数のレーザビームの各々をマイクロレンズによって集光する位置にピンホール板を配置して、このピンホール板における各ピンホールの周辺にレーザ光の位相をシフトする手段を設けた。これによると、縮小投影光学系によって基板に投影されるピンホールの像が鮮明になることから、ピンホールの投影像を小さくできる。すなわち、半導体用の露光装置における位相シフトマスクと同等な作用を実現できるようになり、プロセス定数ｋ１を０．３〜０．４と小さくできる。その結果、解像度Ｒを９６〜１２９ｎｍとなることから、基板に微小なパターンを投影できる。
【００１４】
あるいは、各ピンホールから縮小投影光学系に進むレーザ光の中で、ピンホールから縮小投影光学系内に進むレーザ光の中で、ピンホールから垂直に進む成分を妨げる手段を設けることも好ましい。これによると、半導体用の露光装置における輪帯照明（あるいは斜入射照明）と呼ばれる方式を形成できるため、前記同様にプロセス定数を小さくでき、解像度を高めることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
【００１６】
第１の実施例を図１と図２を用いて説明する。図１は本発明の第１の実施例としてのパターン描画装置１００の主な構成図であるが、本発明に直接関わる部分は図２に示した。パターン描画装置１００は、前記２通りのミラーデバイスを用いたパターン描画装置における後者の方式のものである。図示していない紫外のレーザ装置から供給されたレーザ光はミラーデバイス１に入射し、反射してレーザ光Ｌ１となる。ミラーデバイス１は、図示しない制御手段によって所望のパターンに応じて選択されたミラーを動かして入射したレーザ光を下に行かせないようにし、その他のミラーに入射したもののみをレーザ光Ｌ１として、マイクロレンズアレイ４に入射する。すなわち、ミラーデバイス１における各マイクロミラーから進む所望のパターンに応じた（レーザ光Ｌ１を構成する）各細いビームが、マイクロレンズアレイ４を構成する各マイクロレンズに１対１で入射する。したがってマイクロレンズアレイ４を出射するレーザ光Ｌ２は、絞られながら進む多数の細いビームで構成される。レーザ光Ｌ２を構成する各細いビームはピンホール板５の位置で集光されるようになるため、ピンホール板５の各穴から各細いビームが出射でき、レーザ光Ｌ３となる。レーザ光Ｌ３は、レンズ６ａと６ｂとで構成される縮小投影光学系６を通過する。これによって、ピンホール板５での光の像が基板３上のパターン投影部２に投影される。
【００１７】
なお、図１では、簡略化のため、ミラーデバイス１にはマイクロミラーを６個、また、マイクロレンズアレイ４にもマイクロレンズが６個、ピンホール板５にも穴が６個、したがってパターン投影部２にも投影画素７が６個描かれている。しかし実際には、ミラーデバイス１として、例えば、画素数として１０２４×７６８（ＸＧＡ）個程度のマイクロミラーから成るものを用いるのが好ましい。
【００１８】
後者の方式における従来のパターン描画装置は、基本的には図１に示された構成を有するが、本発明では、ピンホール板５が単に穴（ピンホール）を有するだけでなく、図２に断面構造を示すように、レーザ光の位相をシフトする手段９をも有するようになっている。以下、ピンホール板５の断面構造を示した図２を用いて説明する。
【００１９】
レーザ光Ｌ１はマイクロレンズアレイ４を通過後、絞られながら進むレーザ光Ｌ２となって、ピンホール板５は、石英板１０が基板として用いられており、上面には反射膜８が付いており、下面には、レーザ光Ｌ２の位相をシフトさせるシフター９が付いている。なお、反射膜８としてクロム等の反射率の高い金属を上面に蒸着させ、またシフター９としては、ＣｒＯＮ、あるいはＣｒＯなどレーザ光Ｌ２に対して多少透過率を有する材質から成る膜をＣＶＤ等によって付け、それをホトリソグラフ法でパターニングすればよい。
【００２０】
本発明ではピンホール板５の穴を形成するために、反射膜８が穴を有するようになっている。また、シフター９においても、穴を有するようになっているが、シフター９の穴が反射膜８の穴よりも小さくなっている。その結果、反射膜８の穴から下方に進むレーザ光Ｌ３におけるビームの周囲がシフター膜９を通過し、ビームの中心部分は穴を通るようになる。したがってレーザ光Ｌ３においては、ビームの周囲のみが中心に比べて位相がシフトするようになる。その結果、図１に示されたように、レーザ光Ｌ３を構成する各細いビームの基板３上への投影である投影画素７に関しては、図３に示したような光強度分布となる。つまり、ピンホール板５が単に穴を有するだけの構造であった従来の場合、図３（ａ）に示したような光強度分布となるが、図２に示した断面構造のピンホール板５を用いた本発明では、図３（ｂ）に示したような光強度分布となる。すなわち、ビームの周囲で位相がずれた光が重なる結果、それらが打ち消しあって、光強度が下がるようになり、投影画素７は小さくなる。なお、これは露光技術におけるハーフトーン位相シフトマスクを適用した場合と同等の効果になるため、解像度が向上できる。
【００２１】
次に、図２に断面構造を示したピンホール板５の製造方法を図４〜８を用いて説明する。図４に示した製法（ここでは、１Ａとする）では、ピンホール板の基板となる石英板１０の下側にシフターを付けて、これに穴を空けるまでの工程の一例を示してある。また図５に示したピンホール板５の製法（ここでは、１Ｂとする）では、ピンホール基板１０の上側に反射膜８を付けて、これに穴を空けるまでの工程の一例を示してある。
【００２２】
図４（ａ）に示したように、先ずはピンホール板５の基板である石英板１０の下側にシフター９を膜付けする。次に、（ｂ）に示したように、シフター９にレジスト１１を塗布し、レーザ光Ｌ２（厳密にはレーザ光Ｌ２を構成する多数の細いビームの１本）によってレジスト１１を露光する。レーザ光Ｌ２は中心部の光強度が高いため、露光時間を調整することで、（ｃ）に示したように、現像によって形成される穴の大きさをレーザ光Ｌ２のビーム径よりも多少小さくできる。次に、（ｄ）に示したようにエッチングをすることで、シフター９に穴を形成でき、（ｅ）に示したように、アッシング等のレジスト除去工程を経ることで、レジスト１１が除去される。
【００２３】
次に、ピンホール板５の上側に付ける反射膜８の加工工程を図５で説明する。図５（ｆ）のように、先ずは基板である石英板１０の上面に反射膜８を蒸着する。次に（ｇ）に示したように反射膜８の上にレジスト１１を塗布し、レーザ光Ｌ２で露光する。レーザ光Ｌ２の露光時間を調整することで、（ｈ）に示したように、現像によって形成される穴の大きさをレーザ光Ｌ２のビーム径と同程度にできる。次に（ｉ）に示したようにエッチングをすることで、反射膜８に穴を形成でき、（ｊ）に示したように、アッシング等のレジスト除去工程を経ることで、レジスト１１が除去される。
【００２４】
以上に示したように、ピンホール板５を構成する反射膜８とシフター９に形成する穴は、レーザ光Ｌ２を用いた露光によって形成でき、また露光時間を調整することで、反射膜８の穴をシフター９の穴よりも大きくできる。特に露光工程において、ミラーデバイス１から進んできたレーザ光Ｌ２を用いることで、実際にパターン描画装置１００を用いてパターン描画に使用する場合に、レーザ光Ｌ２がピンホール板５の穴の位置からずれることがないことも本実施例の特徴である。
【００２５】
次に、反射膜８を、シフター９と同様に、ピンホール板５の下面に付ける場合の加工工程である製法（１Ｂ’）を図６を用いて説明する。ただし、シフター９を膜付けするまでは、図４に示したピンホール板５の製法（１Ａ）と同様である。図６（ｆ）に示したように、先ずは反射膜８を下側全面に蒸着する。次に、（ｇ）に示したように、反射膜８の下側にレジスト１１を塗布し、レーザ光Ｌ２を照射する。レーザ光Ｌ２はシフター９に加工された穴から下方に進むため、レジスト１１を露光する。なお、レーザ光Ｌ２は回折によって広がるため、露光時間を多少長めにすることで、レジスト１１中で露光される領域が、シフター９の穴よりも大きくなる。その結果、（ｈ）に示したように、現像後、レジスト１１には、シフター９の穴よりも大きな穴が形成される。したがって（ｉ）に示したように、エッチングすることで、反射膜８にもシフター９の穴よりも大きな穴が形成され、（ｊ）に示したようにレジストを除去すればよい。
【００２６】
本実施例の特徴としては、シフター９と反射膜８との両方を石英板１０の下側に形成したことが特徴であるが、これによると、レジスト塗布、現像、エッチング、レジスト除去などの各工程で必要な薬液等を、マイクロレンズアレイ４とピンホール板５との間に流す必要がない。したがって、マイクロレンズアレイ４とピンホール板５とを一体化した後で、これら一連の加工処理を行うことができ、マイクロレンズアレイ４で集光されるレーザ光Ｌ２の集光点の位置と、加工処理によって形成される穴の位置とに関して、加工時と実際の使用時とでずれることがない。
【００２７】
次に、前記同様に、石英板１０の下側のみに反射膜８とシフター９とを形成する加工の他の実施例を図７と図８とを用いて説明する。図７は、ピンホール板５の製法（２Ａ）であり、基板である石英板１０に、反射膜８を付けて穴を空けるまでの工程であり、図８に示したピンホール板５の製法（２Ｂ）は、シフター９を付けて穴を空けるまでの工程である。
【００２８】
図７（ａ）に示したように、先ずは石英板１０の下側に反射膜８を蒸着し、次に（ｂ）に示したように、レジスト１１を塗布し、レーザ光Ｌ２によって露光する。その結果、（ｃ）に示したように、現像後、レジスト１１に穴が形成され、（ｄ）に示したように、エッチングによって反射膜８に穴が形成され、（ｅ）に示したようにレジスト除去を行う。次に図８（ｆ）に示したように、反射膜８の下側にシフター９を膜付けし、（ｇ）に示したように、レジスト１１を塗布して、レーザ光Ｌ２によって露光する。なお、ここでは、露光量を少なめにする。その結果、レーザ光Ｌ２のビーム断面の中心周辺のみが、光強度が高いため露光される。したがって（ｈ）に示したように、現像後、レジスト１１には、反射膜８の穴よりも小さめの穴が形成される。これにより、（ｉ）に示したエッチングによって、シフター９にも反射膜８の穴よりも小さめの穴が形成され、（ｊ）に示したように、レジスト除去によって完成する。
【００２９】
本実施例の特徴としては、石英板１０に対して、反射膜８をシフター９よりも先に付けるため、シフター９のエッチング加工が安定に行える。これに対して、前述の実施例における図６（ｉ）に示したエッチング工程では、反射膜８のエッチング時に、両膜の材料によってはシフター９までエッチングされる場合もある等の問題点もある。
【００３０】
次に本発明の第２の実施例を図９を用いて説明する。図９は本発明のパターン描画装置２００における一部分を示した断面図である。パターン描画装置２００の全体構成は、図１に示されたパターン描画装置１００と同様であるため省略する。すなわち、パターン描画装置１００におけるマイクロレンズアレイ４とピンホール板５とが異なる構造になっており、パターン描画装置２００ではマイクロレンズアレイ４ｂ、及びピンホール板５ｂとなっている。マイクロレンズアレイ４ｂには図６のようにマイクロレンズの中央部に円形遮光部１２が付いている。これにより、マイクロレンズアレイ４ｂに入射するレーザ光Ｌ１（厳密にはレーザ光Ｌ１を構成する多数の細いビームの１本）は、出射するとレーザ光Ｌ２ｂのように、断面がリング状になって絞られながら進み、ピンホール板５ｂに当たる。ピンホール板５ｂには上面に反射膜８ｂが蒸着されているが、反射膜８ｂにはレーザ光Ｌ２ｂが集光される位置に穴が空いている。これにより反射膜８ｂの穴から出射するレーザ光Ｌ３ｂにおいては、図９中に点線の矢印で示したように、斜めに進む成分のみになる。したがって、反射膜８ｂの像が（図１に示された）縮小投影光学系６によって投影されるパターン投影部２は、輪帯照明が適用されるようになっている。したがって、解像度が向上し、投影画素７が鮮明になる。また逆に、ピンホール板５ｂの穴を小さくできるようになり、投影画素７を小さくできる。
【００３１】
次に本発明の第３の実施例を図１０を用いて説明する。図１０は本発明のパターン描画装置３００における一部分を示した断面図である。パターン描画装置３００の全体構成も、図１に示されたパターン描画装置１００と同様であるため省略する。すなわち、パターン描画装置１００におけるピンホール板５が異なる構造になっており、パターン描画装置３００ではピンホール板５ｃとなっている。マイクロレンズアレイ４に入射するレーザ光Ｌ１は、出射してレーザ光Ｌ２となり、ピンホール板５ｃに当たる。ピンホール板５ｃには上面に反射膜８ｃが蒸着されているが、反射膜８ｃにはレーザ光Ｌ２が集光される位置に穴が空いている。
【００３２】
本実施例では、ピンホール板５ｃの下面に円形遮光部１２’が付いている。これによりピンホール板５ｃから出射するレーザ光Ｌ３ｃにおいては、図７中に点線の矢印で示したように、斜めに進む成分のみになる。したがって、反射膜８ｃの像が（図１に示された）縮小投影光学系６によって投影されるパターン投影部２は、輪帯照明が適用されるようになっている。したがって、解像度が向上し、投影画素７が鮮明になる。また逆に、ピンホール板５ｃの穴を小さくできるようになり、投影画素７を小さくできる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明のパターン描画装置によると、縮小投影光学系におけるプロセス定数を０．３〜０．４と小さくできるため、解像性能を従来よりも高めることができ、線幅１５０ｎｍ以下の微細なパターンを描画できる。
【００３４】
また、本発明に基づくピンホール板への位相シフターの膜付け手法によると、装置を稼動する場合に発生させるレーザ光によって、膜付け加工の露光処理を行うことから、位相シフターや反射膜への穴空け加工が正確に行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例におけるパターン描画装置１００の構成図である。
【図２】ピンホール板５に関する説明図である。
【図３】本発明の効果の説明図である。
【図４】ピンホール板５の製法（１Ａ）の一部を示す図である。
【図５】ピンホール板５の製法（１Ｂ）の他の一部を示す図である。
【図６】ピンホール板５の製法（１Ｂ’）の一部を示す図である。
【図７】ピンホール板５の製法（２Ａ）の一部を示す図である。
【図８】ピンホール板５の製法（２Ｂ）の他の一部を示す図である。
【図９】本発明の第２実施例におけるパターン描画装置２００の構成図である。
【図１０】本発明の第３実施例におけるパターン描画装置３００の構成図である。
【符号の説明】
１    ミラーデバイス
２    パターン投影部
３    基板
４、４ｂ    マイクロレンズアレイ
５、５ｂ、５ｃ    ピンホール板
６    縮小投影光学系
６ａ、６ｂ    レンズ
７    投影画素
８、８ｂ、８ｃ    反射膜
９    シフター
１０    石英板
１１    レジスト
１２、１２’    円形遮光部
１００、２００、３００    パターン描画装置
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ２ｂ、Ｌ３、Ｌ３ｂ、Ｌ３ｃ    レーザ光
【図１】
2005005307.tif 000003
【図２】
2005005307.tif 000004
【図３】
2005005307.tif 000005
【図４】
2005005307.tif 000006
【図５】
2005005307.tif 000007
【図６】
2005005307.tif 000008
【図７】
2005005307.tif 000009
【図８】
2005005307.tif 000010
【図９】
2005005307.tif 000011
【図１０】
2005005307.tif 000012