(57)【要約】      （修正有）【課題】硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、半導体デバイスを固定するために用いられ、ダイシング時におけるチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に半導体デバイスをピックアップする際、硬化樹脂層における樹脂面の凹部への糊残りを抑制する。【解決手段】少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面４をもつ硬化樹脂層２が設けられた半導体デバイス１をダイシングするに際し、硬化樹脂層２の凹凸樹脂面４に貼着され、半導体デバイス１を固定するために用いられるダイシング用粘着テープ１１であって、基材フィルム６と、その上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層５を有し、かつ粘着剤層５のエネルギー線硬化前の温度２５℃における貯蔵弾性率が、１.０×１０5Ｐａ以上のダイシング用粘着テープ１１である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングする方法において、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に、ダイシング用粘着テープを粘着剤層を介して貼着し、前記半導体デバイスを固定してダイシングしたのち、粘着テープの基材フィルム側からエネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで個片化された半導体デバイスをピックアップすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が、該硬化樹脂層表面の略平坦面にレーザー光により形成された凹陥部を有するものである請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
凹陥部の溝の幅が１〜１００μｍ、深さが１〜５０μｍである請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられるダイシング用粘着テープにおいて、基材フィルムと、その上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層を有し、かつ該粘着剤層のエネルギー線硬化前の温度２５℃における貯蔵弾性率が、１.０×１０5Ｐａ以上であることを特徴とするダイシング用粘着テープ。
【請求項５】
半導体デバイスが、ウエーハの表面に回路パターンが形成され、かつ裏面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層からなる保護膜が設けられているものである請求項４に記載のダイシング用粘着テープ。
【請求項６】
半導体デバイスが、一枚の基板上にワイヤボンディング法によりボンディングされた複数の半導体チップを、硬化樹脂で一括封止したものであり、かつ前記封止硬化樹脂面に、情報の記録による凹凸を有するものである請求項４に記載のダイシング用粘着テープ。
【請求項７】
粘着剤層が、−５０〜−１０℃のガラス転移温度を有するアクリル系共重合体を含むものである請求項４に記載のダイシング用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造方法及びダイシング用粘着テープに関する。さらに詳しくは、本発明は、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられる粘着テープであって、ダイシング時におけるチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に個片化された半導体デバイスをピックアップする際、前記硬化樹脂層における樹脂面の凹部への糊残りを抑制し得るダイシング用粘着テープ、及びこのダイシング用粘着テープを用いて、前記半導体デバイスのダイシングを行い、樹脂面の凹部に糊残りのない品質の良好な半導体デバイスを、歩留りよく、効果的に製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、半導体集積回路は、高純度シリコン単結晶などをスライスしてウエーハとしたのち、ウエーハ表面にＩＣなどの所定の回路パターンをエッチング形成して集積回路を組み込み、次いでウエーハ裏面を研削機により研削して、ウエーハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。ここで、上記研削時には、ウエーハ表面に粘着シート類を貼り付けて、ウエーハの破損を防止したり、研削加工を容易にしている。また、上記ダイシング時には、ウエーハ裏面側に粘着シート類を貼り付けて、ウエーハを接着固定した状態でダイシングし、形成されるチップをフィルム基材側よりニードルなどで突き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させている。
このような目的で用いられる粘着シート類は、研削加工やダイシング加工中に剥離しない程度の粘着力が必要である一方、研削加工後や、ダイシング後のピックアップ時には、容易に剥離でき、また半導体ウエーハを破損しない程度の低い粘着力であることが要求され、さらにウエーハ表面やウエーハ裏面に糊残りを生じず、これらの面を汚染しないものであることが望まれる。
一方、近年、フェースダウン方式（フリップチップ方式）と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われるようになってきた。このフェースダウン方式では、チップの回路面側に、導通を確保するためのバンプと呼ばれる凸部が形成されてなるチップを用い、上記回路面側の凸部が基板に接続する構造をとる。
このようなフェースダウン方式に用いる半導体チップの製造においては、チップを保護するために、通常裏面側に硬化樹脂層からなる保護膜を設けてなる半導体デバイスをダイシングすることが行われる。
また、ワイヤボンディング方式の半導体チップの製造においては、一枚の基板上にワイヤボンディングされた複数の半導体チップを、硬化樹脂で一括封止したものをダイシングすることが行われている。
そして、前記の半導体デバイスの裏面側に設けられる硬化樹脂層からなる保護膜、あるいは複数の半導体チップを一括封止してなる硬化樹脂からなる封止樹脂層に対し、レーザー光による情報の記録を行うことが多く、その結果、それらの樹脂面に凹凸が形成される。ところが、ダイシング用粘着テープは、一般に前記樹脂面に貼着されるので、ダイシング後、半導体デバイスをピックアップする際、該樹脂面に形成された凹部にダイシング用粘着テープの粘着剤層が入り込み、半導体デバイスに糊残りが生じるおそれがあるという問題があった。
ダイシング用粘着テープに関する技術としては、例えば（１）基材フィルムと粘着剤層とからなるウエーハ貼着用粘着シートにおいて、基材フィルムとして、電子線又はγ線が１〜８０Ｍｒａｄ照射されたポリオレフィン系フィルムを用いてなるウエーハ貼着用粘着シート（例えば、特許文献１参照）、（２）放射線透過性のフィルム基材の片面にポリマー化した光重合開始剤を含有する放射線硬化型粘着剤層が設けられてなる半導体ウエーハ加工用粘着シート類（例えば、特許文献２参照）などが開示されている。しかしながら、前記（１）の粘着シートは、ダイシングする際に発生するダイシング屑を低減させるためのものであり、また（２）のウエーハ加工用粘着シート類は、放射線照射後の臭気の発生を抑制すると共に、ダイシングで得られた半導体デバイスへの糊残りを減少させるためのものであって、いずれも半導体デバイスに設けられた硬化樹脂層において、情報の記録により形成された樹脂面の凹部への糊残りについては全く言及されていない。
また、ダイシング用粘着テープにおいては、ダイシング時におけるチップ飛びの抑制も、歩留りなどの生産性の面で重要である。
【特許文献１】特開平５−２１１２３４号公報
【特許文献２】特開平１０−２７９８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、このような事情のもとで、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられる粘着テープであって、ダイシング時におけるチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に個片化された半導体デバイスをピックアップする際、前記硬化樹脂層における樹脂面の凹部への糊残りを抑制し得るダイシング用粘着テープ、及びこのダイシング用粘着テープを用いて、前記半導体デバイスのダイシングを行い、樹脂面の凹部に糊残りのない品質の良好な半導体デバイスを、歩留りよく、効果的に製造する方法を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材フィルム上にエネルギー線硬化型の粘着剤層が設けられ、かつ該粘着剤層のエネルギー線硬化前の貯蔵弾性率がある値以上である粘着テープが、ダイシング用粘着テープとしてその目的に適合し得ることを見出した。また、半導体デバイスに設けられた硬化樹脂層の凹凸樹脂面に、前記粘着テープを粘着剤層を介して貼着し、該半導体デバイスをダイシングしたのち、粘着テープの基材フィルム側からエネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで個片化された半導体デバイスをピックアップすることにより、樹脂面の凹部に糊残りのない半導体デバイスが歩留りよく、効果的に得られることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
（１）少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングする方法において、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に、ダイシング用粘着テープを粘着剤層を介して貼着し、前記半導体デバイスを固定してダイシングしたのち、粘着テープの基材フィルム側からエネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで個片化された半導体デバイスをピックアップすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法、
（２）情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が、該硬化樹脂層表面の略平坦面にレーザー光により形成された凹陥部を有するものである上記(１)項に記載の半導体デバイスの製造方法、
（３）凹陥部の溝の幅が１〜１００μｍ、深さが１〜５０μｍである上記(２)項に記載の半導体デバイスの製造方法、
（４）少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられるダイシング用粘着テープにおいて、基材フィルムと、その上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層を有し、かつ該粘着剤層のエネルギー線硬化前の温度２５℃における貯蔵弾性率が、１.０×１０5Ｐａ以上であることを特徴とするダイシング用粘着テープ、
（５）半導体デバイスが、ウエーハの表面に回路パターンが形成され、かつ裏面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層からなる保護膜が設けられているものである上記(４)項に記載のダイシング用粘着テープ、
（６）半導体デバイスが、一枚の基板上にワイヤボンディング法によりボンディングされた複数の半導体チップを、硬化樹脂で一括封止したものであり、かつ前記封止硬化樹脂面に、情報の記録による凹凸を有するものである上記(４)項に記載のダイシング用粘着テープ、及び
（７）粘着剤層が、−５０〜−１０℃のガラス転移温度を有するアクリル系共重合体を含むものである上記(４)項に記載のダイシング用粘着テープ、
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられる粘着テープであって、ダイシング時におけるチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に個片化された半導体デバイスをピックアップする際、前記硬化樹脂層における樹脂面の凹部への糊残りを抑制し得るダイシング用粘着テープを提供することができる。また、このダイシング用粘着テープを用いて、前記半導体デバイスのダイシングを行い、樹脂面の凹部に糊残りのない品質の良好な半導体デバイスを歩留りよく、効果的に製造する方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明のダイシング用粘着テープは、基材フィルムと、その上に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層を有する構造の粘着テープである。
前記基材フィルムとしてはエネルギー線透過性を有するものであればよく、特に制限されず、ダイシング用粘着テープの基材フィルムとして使用し得る従来公知のフィルムの中から、任意のものを適宜選択して用いることができる。この基材フィルムの具体例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸メチル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エチル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、エチレン−アノオノマー共重合体などのポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン及びこれらの混合物などからなるフィルムを挙げることができる。この基材フィルムは単層であってもよく、２層以上の積層体であってもよい。
基材フィルムの厚さは、通常４０〜２００μｍ、好ましくは５０〜１５０μｍの範囲で選定される。
本発明においては、前記基材フィルムは、その上に設けられる粘着剤層との密着性を向上させる目的で、該粘着剤層が設けられる側の面に、所望により酸化法や凹凸化法などの表面処理を施すことができる。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ処理、クロム酸処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン・紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶剤処理法などが挙げられる。これらの表面処理法は基材フィルムの種類に応じて適宜選ばれるが、一般にはコロナ放電処理法が効果及び操作性などの面から、好ましく用いられる。また、プライマー処理を施すこともできる。
【０００７】
本発明の粘着テープは、少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられる。
この粘着テープにおいて、前記基材フィルムの一方の面に設けられるエネルギー線硬化型の粘着剤層は、温度２５℃における貯蔵弾性率が、１.０×１０5Ｐａ以上であることを要す。この貯蔵弾性率が１.０×１０5Ｐａ未満では、半導体デバイスをダイシング後、エネルギー線を照射して該粘着剤層を硬化させ、個片化された半導体デバイスをピックアップする際に、前記樹脂面の凹部に糊残りが生じ、本発明の目的が達せられない。また、該貯蔵弾性率が高すぎると常態での粘着力が不十分となってダイシング時にチップ飛びが起こるおそれが生じる。したがって、該貯蔵弾性率の上限は５.０×１０6Ｐａ程度であり、好ましい貯蔵弾性率は１.０×１０5〜１.０×１０6Ｐａの範囲である。
なお、上記貯蔵弾性率は、以下に示す方法に従って測定した値である。
＜貯蔵弾性率の測定＞
粘着剤を積層し、８ｍｍφ×厚さ３ｍｍの円柱状の試験片を作製し、動的粘弾性測定装置［レオメトリックス社製、装置名「ＲＤＡ−II」］を用い、周波数１Ｈｚ、温度２５℃の条件で測定した値である。
また、本発明の粘着テープにおいては、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に記載された、粘着力における８．３．１（１）「試験板に対する１８０度引き剥がし法」により測定した粘着力が、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、特に１５００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。この粘着力が上記範囲にあれば、ダイシング時のチップ飛びを抑制することができる。また、エネルギー線による硬化後の粘着力の好ましい値は、チップサイズにもよるが、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、特に好ましくは５〜８００ｍＮ／２５ｍｍの範囲である。エネルギー線による硬化後の粘着力が上記範囲にあれば、半導体デバイスのピックアップを容易に行うことができる。
【０００８】
本発明の粘着フィルムにおけるエネルギー線硬化型の粘着剤層は、エネルギー線を照射することにより、該粘着剤層が硬化し、粘着力が著しく低下して、ダイシング後の半導体デバイスのピックアップが容易となる。ここでエネルギー線とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものであり、代表例として、紫外線や電子線などを挙げることができる。
前記粘着剤層を構成するエネルギー線硬化型の粘着剤としては特に制限はなく、従来公知のエネルギー線硬化型の粘着剤の中から、適宜選択して用いることができる。このエネルギー線硬化型の粘着剤には、アクリル系、シリコーン系、ゴム系などがあるが、性能などの面から、エネルギー線硬化型のアクリル系粘着剤が好ましい。
前記エネルギー線硬化型のアクリル系粘着剤としては、例えば、［１］粘着性アクリル系重合体とエネルギー線硬化型重合性オリゴマー及び／又は重合性モノマーと所望により光重合開始剤を含む粘着剤、［２］側鎖に重合性二重結合を有するエネルギー線硬化型官能基が導入されてなる粘着性アクリル系重合体と所望により光重合開始剤を含む粘着剤などを挙げることができる。
前記（１）の粘着剤において、粘着性アクリル系重合体としては、エステル部分のアルキル基の炭素数が１〜２０の(メタ)アクリル酸エステルと、所望により用いられる活性水素をもつ官能基を有する単量体及び他の単量体との共重合体を好ましく挙げることができる。
ここで、エステル部分のアルキル基の炭素数が１〜２０の(メタ)アクリル酸エステルの例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、２−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ミリスチル(メタ)アクリレート、パルミチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０００９】
一方、所望により用いられる活性水素をもつ官能基を有する単量体の例としては、２−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、２−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、３−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、２−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、３−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、４−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル；モノメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、モノエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、モノメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート、モノエチルアミノプロピル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸モノアルキルアミノアルキル；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸などのエチレン性不飽和カルボン酸などが挙げられる。これらの単量体は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、所望により用いられる他の単量体の例としては酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソブチレンなどのオレフィン類；塩化ビニル、ビニリデンクロリドなどのハロゲン化オレフィン類；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系単量体；ブタジエン、イソプレン、クロロプレンなどのジエン系単量体；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル系単量体；アクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアクリルアミドなどのアクリルアミド類などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
該粘着剤において、粘着性アクリル系重合体として用いられる(メタ)アクリル酸エステル系共重合体は、その共重合形態については特に制限はなく、ランダム、ブロック、グラフト共重合体のいずれであってもよい。また、分子量は、重量平均分子量で３０万以上が好ましい。
【００１０】
なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定したポリスチレン換算の値である。
また、(メタ)アクリル酸系共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、必要な粘着性を保持させるためには−１０℃以下が好ましく、特に好ましくは−５０〜−１０℃である。
本発明においては、この(メタ)アクリル酸エステル系共重合体は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、エネルギー線硬化型重合性オリゴマーとしては、例えばポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエーテルアクリレート系、ポリブタジエンアクリレート系、シリコーンアクリレート系などが挙げられる。ここで、ポリエステルアクリレート系オリゴマーとしては、例えば多価カルボン酸と多価アルコールの縮合によって得られる両末端に水酸基を有するポリエステルオリゴマーの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより、あるいは、多価カルボン酸にアルキレンオキシドを付加して得られるオリゴマーの末端の水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。エポキシアクリレート系オリゴマーは、例えば、比較的低分子量のビスフェノール型エポキシ樹脂やノボラック型エポキシ樹脂のオキシラン環に、(メタ)アクリル酸を反応しエステル化することにより得ることができる。また、このエポキシアクリレート系オリゴマーを部分的に二塩基性カルボン酸無水物で変性したカルボキシル変性型のエポキシアクリレートオリゴマーも用いることができる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、例えば、ポリエーテルポリオールやポリエステルポリオールとポリイソシアナートの反応によって得られるポリウレタンオリゴマーを、(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができ、ポリオールアクリレート系オリゴマーは、ポリエーテルポリオールの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。
【００１１】
上記重合性オリゴマーの重量平均分子量は、ＧＰＣ法で測定した標準ポリメチルメタクリレート換算の値で、好ましくは５００〜１００,０００、より好ましくは１,０００〜７０,０００さらに好ましくは３,０００〜４０,０００の範囲で選定される。
この重合性オリゴマーは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
一方、エネルギー線硬化型重合性モノマーとしては、例えばシクロヘキシル(メタ)アクリレート、２−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソボニル(メタ)アクリレートなどの単官能性アクリレート類、１,４−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、１,６−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールアジペートジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルジ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジシクロペンテニルジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性リン酸ジ(メタ)アクリレート、アリル化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの重合性モノマーは１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの重合性オリゴマーや重合性モノマーの使用量は、エネルギー線の照射により、硬化後の粘着剤が所望の性状を有するように選定される。
【００１２】
エネルギー線として、紫外線を照射する場合、所望により光重合開始剤を用いることができる。この光重合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２,２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−[４−(メチルチオ)フェニル]−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン、４−(２−ヒドロキシエトキシ)フェニル−２(ヒドロキシ−２−プロプル)ケトン、ベンゾフェノン、ｐ−フェニルベンゾフェノン、４,４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２,４−ジメチルチオキサントン、２,４−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジメチルケタール、ｐ−ジメチルアミン安息香酸エステルなどが挙げられる。これらは１種を用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、電子線照射の場合は、光重合開始剤は必要でない。
次に、前記（２）の粘着剤において、側鎖に重合性二重結合を有するエネルギー線硬化型官能基が導入されてなる粘着性アクリル系重合体としては、例えば前述の（１）の粘着剤において説明した粘着性アクリル系重合体のポリマー鎖に−ＣＯＯＨ、−ＮＣＯ、エポキシ基、−ＯＨ、−ＮＨ2などの活性点を導入し、この活性点と重合性二重結合を有する化合物を反応させて、該粘着性アクリル系重合体の側鎖に重合性二重結合を有するエネルギー線硬化型官能基を導入してなるものを挙げることができる。
【００１３】
粘着性アクリル系重合体に前記活性点を導入するには、該粘着性アクリル系重合体を製造する際に、−ＣＯＯＨ、−ＮＣＯ、エポキシ基、−ＯＨ、−ＮＨ2などの官能基と、重合性二重結合とを有する単量体又はオリゴマーを反応系に共存させればよい。
具体的には、前述の（１）の粘着剤において説明した粘着性アクリル系重合体を製造する際に、−ＣＯＯＨ基を導入する場合には(メタ)アクリル酸などを、−ＮＣＯ基を導入する場合には、(メタ)アクリロキシエチルイソシアネートなどを、エポキシ基を導入する場合には、グリシジル(メタ)アクリレートなどを、−ＯＨ基を導入する場合には、２−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、１,６−ヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレートなどを、−ＮＨ2基を導入する場合には、Ｎ−メチル(メタ)アクリルアミドなどを用いればよい。
【００１４】
これらの活性点と反応させる重合性二重結合を有する化合物としては、例えば(メタ)アクリロキシエチルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールモノ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンモノ(メタ)アクリレートなどの中から、活性点の種類に応じて、適宜選択して用いることができる。
このようにして、粘着性アクリル系重合体の側鎖に、前記活性点を介して重合性二重結合を有するエネルギー線硬化型官能基が導入されてなる粘着性アクリル系重合体が得られる。
また、エネルギー線として、紫外線を用いる場合には、前述の（１）の粘着剤の説明において例示した光重合開始剤を用いることができる。
前記の（１）及び（２）のエネルギー線硬化型の粘着剤においては、本発明の効果が損なわれない範囲で、所望により、架橋剤、粘着付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、軟化剤、充填剤などを添加することができる。
前記架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロールポリマー、アジリジン系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩などが挙げられるが、ポリイソシアネート化合物が好ましく用いられる。
ここで、ポリイソシアネート化合物の例としては、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの脂肪族ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加ジフェニルメタンジイソシアネートなどの脂環式ポリイソシアネートなど、及びそれらのビウレット体、イソシアヌレート体、さらにはエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油などの低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などを挙げることができる。これらの架橋剤は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の粘着テープにおいては、前記のエネルギー線硬化型の粘着剤層の厚さは特に制限はないが、通常５〜１００μｍ程度、好ましくは１０〜６０μｍ程度である。
本発明の粘着テープにおいては、前記エネルギー線硬化型の粘着剤は、基材フィルムに直接塗布して粘着剤層を設けてもよいし、剥離シート上に該粘着剤を塗布して粘着剤層を設けたのち、これを基材フィルムに貼着し、該粘着剤層を転写してもよい。この場合、剥離シートは、所望により剥がすことなく、そのまま付着させておいて、粘着テープの使用時に剥離してもよい。
上記剥離シートとしては、例えばグラシン紙、コート紙、キャストコート紙などの紙基材、これらの紙基材にポリエチレンなどの熱可塑性樹脂をラミネートしたラミネート紙、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、ポリプロピレンやポリエチレンなどのポリオレフィンフィルムなどのプラスチックフィルムに、シリコーン樹脂などの剥離剤を塗布したものなどが挙げられる。この剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０〜１５０μｍ程度である。
【００１５】
前記エネルギー線硬化型の粘着剤を、基材フィルムに直接に、あるいは剥離シート上に塗布し、粘着剤層を形成する方法としては特に制限はなく、前記粘着剤を含む適当な濃度の塗工液を、公知の方法、例えばナイフコート法、ロールコート法、バーコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法などにより、乾燥塗膜の厚さが所定の厚さになるように塗布、乾燥して粘着剤層を形成させればよい。
このようにして得られた本発明の粘着テープは、少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられる。
本発明の粘着テープが適用される半導体デバイスとしては、例えばウエーハの表面に回路パターンが形成され、かつ裏面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層からなる保護膜が設けられているもの、あるいは一枚の基板上にワイヤボンディング法によりボンディングされた複数の半導体チップを、硬化樹脂で一括封止したものであって、かつ前記封止硬化樹脂面に、情報の記録による凹凸を有するものなどを挙げることができる。
次に、前記粘着テープを用いた本発明の半導体デバイスの製造方法について説明する。
本発明の製造方法においては、まず、少なくとも一方の面に、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスにおける、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に、前述の本発明のダイシング用粘着テープを粘着剤層を介して貼着し、前記半導体デバイスを固定する。次に、固定された半導体デバイスをダイシングしたのち、粘着テープの基材フィルム側からエネルギー線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで個片化された半導体デバイスをピックアップすることにより、半導体デバイスを製造する。
この半導体デバイスの具体的な製造方法について、添付図面に従って説明する。図１は、本発明の半導体デバイスの製造方法における１例の製造工程図である。
【００１６】
まず、表面に回路パターンが形成された半導体ウエーハ１の裏面に、剥離シート３上に保護膜形成層２が設けられた保護膜形成用シート１０を、該保護膜形成層２を介して貼着する［（ａ）工程］。次いで、剥離シート３を剥がしたのち、保護膜形成層２を加熱又はエネルギー線照射により硬化させる［（ｂ）工程］。
次に、硬化した保護膜形成層２の表面に、レーザー光により印字を行い、情報記録部４を設ける［（ｃ）工程］。次いで、基材フィルム６上にエネルギー線硬化型の粘着剤層５を有する本発明のダイシング用粘着テープ１１を、保護膜形成層２の表面に設けられた情報記録部４に、粘着剤層５を介して貼着すると共に、リングフレーム７に固定する［（ｄ）工程］。
続いて、半導体ウエーハ１を、保護膜形成層２と共に、ダイシング装置を用いてダイシングして、個片化した半導体デバイス８ａを形成させる［（ｅ）工程］。次いで、粘着テープ１１の基材フィルム６側から、エネルギー線を照射して、粘着剤層５を硬化させたのち、個片化した半導体デバイス８ａをピックアップすることにより、所望の半導体デバイス８ｂが得られる［（ｆ）工程］。
このようにして得られた半導体デバイス８ｂにおける保護膜形成層２の情報記録部４の凹部には、糊残りが実質上生じることがない。
【実施例】
【００１７】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、粘着剤層の貯蔵弾性率及び粘着テープの粘着力は、明細書本文記載の方法に従って測定した。
また、使用したアクリル系共重合体の種類を以下に示す。
（Ａ）：ブチルアクリレート６０質量部とメチルメタクリレート１０質量部と２−ヒドロキシエチルアクリレート３０質量部との重量平均分子量５０万の共重合体（Ｔｇ−３３.０℃）に、その水酸基１００当量に対し、８０当量のメタクリロイルオキシエチレンイソシアネートを反応させて、前記共重合体の側鎖にエネルギー線重合性の二重結合を付加した共重合体。
（Ｂ）：ブチルアクリレート７５質量部とメチルメタクリレート１０質量部と２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部との重量平均分子量５０万の共重合体（Ｔｇ−４３.１℃）に、その水酸基１００当量に対し、８０当量のメタクリロイルオキシエチレンイソシアネートを反応させて、前記共重合体の側鎖にエネルギー線重合性の二重結合を付加した共重合体。
（Ｃ）：ブチルアクリレート９０質量部とアクリル酸１０質量部との重量平均分子量６０万の共重合体（Ｔｇ−４４.３℃）。
（Ｄ）：２−エチルヘキシルアクリレート７５質量部と２−ヒドロキシエチルアクリレート２５質量部との重量平均分子量４０万の共重合体（Ｔｇ−７１．３℃）に、その水酸基１００当量に対し、８０当量のメタクリロイルオキシエチレンイソシアネートを反応させて、前記共重合体の側鎖にエネルギー線重合性の二重結合を付加した共重合体。
（Ｅ）：ブチルアクリレート７５質量部と２−ヒドロキシエチルアクリレート２５質量部との重量平均分子量８０万の共重合体（Ｔｇ−４５.４℃）に、その水酸基１００当量に対し、８０当量のメタクリロイルオキシエチレンイソシアネートを反応させて、前記共重合体の側鎖にエネルギー線重合性の二重結合を付加した共重合体。
【００１８】
実施例１
アクリル系共重合体（Ａ）１００質量部、ベンゾフェノン系光重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル)１０質量部、ポリイソシアネート系架橋剤（トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物)０.５質量部及び溶媒としてトルエン１５０質量部を混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を調製した。
次に、厚さ３８μｍの剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルムの剥離処理面に、前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布、乾燥して粘着剤層を形成した。この粘着剤層を、厚さ８０μｍのエチレン−メタクリル酸共重合体フィルムに転写して粘着テープを作製した。
実施例２
実施例１において、アクリル系共重合体（Ａ）の代わりに、アクリル系共重合体（Ｂ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を調製し、さらに粘着テープを作製した。
実施例３
アクリル系共重合体（Ｃ）１００質量部、ウレタン系アクリレートオリゴマー（２官能ウレタンアクリレート、重量平均分子量１１０００）２５質量部、ベンゾフェノン系光重合開始剤（前出）２.５質量部、ポリイソシアネート系架橋剤（前出）０.５質量部及び溶媒としてトルエン１５０質量部を混合し、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を調製した。以下、実施例１と同様にして、粘着テープを作製した。
比較例１
実施例１において、アクリル系共重合体（Ａ）の代わりに、アクリル系共重合体（Ｄ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を調製し、さらに粘着テープを作製した。
比較例２
実施例１において、アクリル系共重合体（Ａ）の代わりに、アクリル系共重合体（Ｅ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、エネルギー線硬化型の粘着剤組成物を調製し、さらに粘着テープを作製した。
試験例１
実施例１〜３及び比較例１、２で得られた粘着テープについて、図１に示す製造工程図に従って試験を行い、その性能を評価した。
（ａ）工程
表面に回路パターンが形成された半導体ウエーハ［８インチ（２０.３ｃｍ）、３５０μｍ厚、＃２０００研磨］の裏面に、保護膜形成用シート［リンテック社製、商品名「Ａｄｗｉｌｌ  ＬＣ２８５０」］を、保護膜形成層を介して貼付した。なお、貼付装置としてリンテック社製「ＲＡＤ３５００Ｆ／８ＤＢＳ」を用いて貼付した。
（ｂ）工程
保護膜形成用シートの剥離シートを剥がし、１３０℃で１２０分間加熱処理して、保護膜形成層を硬化させた。
（ｃ）工程
硬化した保護膜形成層の表面に、レーザーマーキング装置［日立建機ファインテック社製、装置名「ＷＬＰレーザマーカＬＭ５０００」］を用いて、レーザー光（ＹＡＧレーザー）により印字を行った。〔レーザー光によって形成された凹陥部（幅４０μｍ×長さ４０μｍ×深さ１５μｍ）のドットによって、略全面に文字を印字。〕
（ｄ）工程
各例で得られた粘着テープを、レーザー光で印字された面に、粘着剤層を介して貼付すると共に、リングフレーム［ディスコ社製「２−６−１」］に固定した。
（ｅ）工程
半導体ウエーハを、保護膜形成層と共に、回路毎に、ダイシング装置［東京精密社製、装置名「ＡＷＤ−４００Ｂ」、ダイシングブレード（ディスコ社製「２７ＨＥＣＣ」）］を用いて、ブレードの送り速度７０ｍｍ／ｓ、回転数３００００ｒｐｍ、粘着テープへの切込み量４５μｍの条件で、５ｍｍ角にフルカットした。この際のチップ飛びを下記の要領に従って評価した。
（ｆ）工程
粘着テープの基材フィルム側から、紫外線を光量２２０ｍＪ／ｃｍ2、照度３３０ｍＷ／ｃｍ2で照射して粘着剤層を硬化させたのち、個片化したＩＣチップをピックアップした。得られたＩＣチップの印字部に対する糊残りを、下記の要領に従って評価した。
これらの結果を他のデータと共に、第１表に示す。
＜チップ飛び＞
ダイシング時において、チップ飛びが全く見られなかったものを「良好」とし、チップ飛びが見られたものを「不良」とした。
＜糊残り＞
ダイシング用粘着テープの貼付直後と、１週間経過後を測定し、糊残りが全くないものを「なし」、糊残りが確認できたものを「あり」とした。
【００１９】
【表１】
2005277297.tif 000003
【００２０】
第１表から分かるように、本発明のダイシング用粘着テープ（実施例１〜３）は、ＩＣチップの印字部に対する糊残りは、貼付直後、１週間放置後のいずれも全く認められなかったが、比較例１、２のダイシング用粘着テープは、貼付直後に糊残りが認められた。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明のダイシング用粘着テープは、情報の記録による凹凸樹脂面をもつ熱又はエネルギー線による硬化樹脂層が設けられた半導体デバイスをダイシングするに際し、前記硬化樹脂層の凹凸樹脂面に貼着され、該半導体デバイスを固定するために用いられ、ダイシング時におけるチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に個片化された半導体デバイスをピックアップする際、前記硬化樹脂層における樹脂面の凹部への糊残りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の半導体デバイスの製造方法における１例の製造工程図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  半導体ウエーハ
２  保護膜形成層
３  剥離シート
４  情報記録部
５  粘着剤層
６  基材フィルム
７  リングフレーム
８ａ  個片化した半導体デバイス
８ｂ  ピックアップされた半導体デバイス
１０  保護膜形成用シート
１１  ダイシング用粘着テープ
【図１】
2005277297.tif 000004