(57)【要約】【課題】  パターンを使い分けなくとも収差の偶関数成分と奇関数成分を測定でき、更に光軸付近の収差も測定できる。【解決手段】  露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系の収差を測定するための収差測定方法であって、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンが設けられたテスト用マスクを投影光学系１３により基板１４上に投影露光し、且つ該テスト用マスクにおけるプラス２次及びマイナス２次の回折光が投影光学系１３に入射しないように、遮蔽機構１５によりテスト用マスクからの光を一部遮蔽し、テスト用マスクの投影露光により基板１４上に形成された回折格子のパターン位置を測定し、パターン位置の測定結果から投影光学系１３の収差を求める。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系の収差を測定するための収差測定方法であって、
入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンが設けられたテスト用マスクを前記投影光学系により基板上に投影露光し、且つ該テスト用マスクにおけるプラス２次及びマイナス２次の回折光が前記投影光学系に入射しないように前記テスト用マスクからの光を一部遮蔽する工程と、
前記テスト用マスクの投影露光により前記基板上に形成された回折格子のパターン位置を測定する工程と、
前記パターン位置の測定結果から前記投影光学系の収差を求める工程と、
を含むことを特徴とする投影光学系の収差測定方法。
【請求項２】
前記テスト用マスクには、前記回折格子パターンと共に基準パターンが設けられており、前記位置測定の際には、前記基板上に形成された回折格子のパターン位置と基準パターン位置との相対距離を測定することを特徴とする請求項１記載の投影光学系の収差測定方法。
【請求項３】
前記テスト用マスクを照明するための照明光学系の開口数は、前記投影光学系の開口数の１／３以下であることを特徴とする請求項１記載の投影光学系の収差測定方法。
【請求項４】
前記テスト用マスクからの光を一部遮蔽するために、前記投影光学系のレンズの開口数をＮＡ、前記マスク上のパターンのピッチをＰ、前記マスクに照射する光の波長をλ、前記照明光学系のコヒーレンスファクタをσとするとき、
Ｐ＝２×λ÷｛ＮＡ×（１＋σ）｝
を満たすＮＡの値よりも小さな値の開口数になるように前記投影光学系に設けられた遮蔽機構を制御することを特徴とする請求項１記載の露光装置の収差測定方法。
【請求項５】
前記テスト用マスクとして、プラス１次光の方が強度の強い回折格子パターンを有するものと、マイナス１次光の方が強度の強い回折格子パターンを有するものとを用い、各々のマスクを用いて独立に、前記基板上に形成された回折格子のパターン位置を基準パターン位置に対して測定することを特徴とする請求項２記載の投影光学系の収差測定方法。
【請求項６】
露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系のフォーカス位置を測定するためのフォーカス測定方法であって、
入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンが設けられたテスト用マスクを前記投影光学系により基板上に投影露光し、且つ該テスト用マスクにおけるプラス２次及びマイナス２次の回折光が前記投影光学系に入射しないように前記テスト用マスクからの光を一部遮蔽する工程と、
前記テスト用マスクの投影露光により前記基板上に形成された回折格子のパターン位置を測定する工程と、
前記パターン位置の測定結果から前記投影光学系のフォーカス位置を求める工程と、
を含むことを特徴とする投影光学系のフォーカス位置測定方法。
【請求項７】
露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系の収差測定のために用いられるテスト用マスクであって、
円周上に沿って形成された基準パターンと、
前記基準パターンと同心円の円周上に沿って該基準パターンの内側又は外側に配置され、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンと、
を具備してなることを特徴とするテスト用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に用いられる投影光学系の収差やフォーカスを測定するための投影光学系の収差測定方法及びフォーカス測定方法に関する。また、このような測定方法に用いられるテスト用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置のデザインルールが小さくなるに伴い、リソグラフィに要求される光学系の収差及びフォーカスの許容度が益々狭くなってきている。投影光学系の収差を測定する方法として、回折格子パターンを転写し、その転写位置やフォーカス位置によって収差を測定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、この種の方法では、パターンに依存してフォーカス位置が変わる収差の偶関数成分と、パターンに依存して転写位置が光軸と垂直方向に移動する収差の奇関数成分とは別々のパターンと露光によって求める必要があった。このような露光のパターンの使い分けは測定時の誤差発生の要因となっていた。
【０００４】
また、回折格子の０次光と＋又は−の１次光の転写位置やフォーカス位置を測定するが、この場合に２次光が投影レンズに入ると測定誤差となるため、２次光がレンズに入らないような回折格子ピッチしか使用することができなかった。このようにすると、レンズの中心部付近に１次光を通すことができない。即ち、レンズの光軸に近い部分の収差を測定することができないという問題があった。
【特許文献１】特許第３２９７４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように従来、投影光学系の収差を測定する方法として、回折格子パターンを転写し、その転写位置やフォーカス位置によって収差を測定する方法が提案されているが、この方法では、収差の偶関数成分と奇関数成分とを別々のパターンと露光によって求める必要があり、これが測定時の誤差発生の要因となっていた。また、２次光がレンズに入らないような回折格子ピッチしか使用することができず、レンズの光軸に近い部分の収差を測定することができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところ、パターンを使い分けなくとも収差の偶関数成分と奇関数成分を測定でき、更に光軸付近の収差も測定できる投影光学系の収差測定方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、投影光学系のフォーカスを簡易に測定することのできる投影光学系のフォーカス測定方法を提供することにある。さらに、本発明の別の目的は、上記の方法に使用するテスト用マスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【０００９】
即ち、本発明の一態様は、露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系の収差を測定するための収差測定方法であって、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンが設けられたテスト用マスクを前記投影光学系により基板上に投影露光し、且つ該テスト用マスクにおけるプラス２次及びマイナス２次の回折光が前記投影光学系に入射しないように前記テスト用マスクからの光を一部遮蔽する工程と、前記テスト用マスクの投影露光により前記基板上に形成された回折格子のパターン位置を測定する工程と、前記パターン位置の測定結果から前記投影光学系の収差を求める工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別の態様は、露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系のフォーカス位置を測定するためのフォーカス測定方法であって、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンが設けられたテスト用マスクを前記投影光学系により基板上に投影露光し、且つ該テスト用マスクにおけるプラス２次及びマイナス２次の回折光が前記投影光学系に入射しないように前記テスト用マスクからの光を一部遮蔽する工程と、前記テスト用マスクの投影露光により前記基板上に形成された回折格子のパターン位置を測定する工程と、前記パターン位置の測定結果から前記投影光学系のフォーカス位置を求める工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の更に別の態様は、露光用マスク上に形成されたパターンの像を、投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置に対し、投影光学系の収差測定のために用いられるテスト用マスクであって、円周上に沿って形成された基準パターンと、前記基準パターンと同心円の円周上に沿って該基準パターンの内側又は外側に配置され、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子パターンと、を具備してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なる回折格子が設けられたテスト用マスクを投影光学系により投影露光し、この投影露光で得られた回折格子のパターン位置を測定することにより、投影光学系の収差やフォーカスを求めることができる。しかも、パターンを使い分けなくとも収差の偶関数成分と奇関数成分を測定することができる。
【００１３】
そしてこの場合、テスト用マスクにおけるプラス２次及びマイナス２次の回折光が前記投影光学系に入射しないように前記テスト用マスクからの光を一部遮蔽することにより、２次の回折光により測定誤差が発生するのを未然に防止することができ、これにより光軸付近の収差も測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態方法に使用した露光装置を示す概略構成図である。
【００１６】
図中の１１は照明光学系であり、この照明光学系１１により半導体集積回路パターンが形成された露光用マスク１２が照明される。マスク１２の像は投影光学系１３により半導体ウェハ等の基板１４上に投影露光される。また、投影光学系１３の光入射側には、絞りなどの遮蔽機構１５が設けられている。この遮蔽機構１５は、投影光学系１３のレンズ内に設けたものであっても良い。
【００１７】
なお、基板１４は最上面にレジストが塗布されており、上記の露光後に、現像処理を施すことによってレジストパターンが形成され、このレジストパターンをマスクに選択エッチングを行うことによって所望のパターンが形成されるものとなっている。
【００１８】
本実施形態では、上記の露光装置に対して投影光学系１３の収差を測定するために、次のようにしている。
【００１９】
テスト用マスクとして、図２に示すように、石英等の透光基板２１上に位相シフト膜２２及び遮光膜２３が積層され、位相シフト膜２２及び遮光膜２３を選択的にエッチングすることによりラインアンドスペースの回折格子パターンが形成されている。ここで、ラインは透光部でスペースは遮光部であり、ラインとスペースの比は１：１である。ラインにおいて、位相シフト膜２２の存在しない部分（位相シフトしていない部分）２４と、位相シフト膜２２の存在する部分（９０度シフトした部分）２５との比は１：１の関係となっている。
【００２０】
このようなテスト用マスク２０を照明光学系１１により照明すると、マスク２０を透過する回折光の分布は、図３に示すようになる。即ち、０次，＋１，＋２，−２次の回折光は発生しているが、−１次の回折光は発生していない。なお、透過領域の位相が９０度シフトした部分２５とシフトしていない部分２４の順序を逆にすると、−１次は発生するが＋１次が発生しなくなる。
【００２１】
前記図１の露光装置において、露光用マスク１２の代わりに上記のようなテスト用マスク２０を用い、例えば０次光と＋１次光のみの回折光を投影光学系１３の瞳面内に入射させる。すると、その回折光によって形成される投影像の振幅は、文献１（H.Nomura,“A Novel Technique for Measureing Defocus with Phase Shift Grating on a Photomask”, Opt. Rev., vol.8, No. 3, pp183-190, 2001）に開示されているようになる。
【００２２】
Ｅ（ｘ，ｚ）＝ｃ0 ＋ｃ1 exp｛２πi（ｘ／Ｐ＋ｋｚ−Ｗ1）｝ …（１）
ここで、
ｋ＝ [１−{１−(λ／Ｐ)2}1/2 ]／λ                        …（２）
であり、Ｗ1：投影レンズの収差、ｃ1：一次回折光の振幅である。
【００２３】
これより、像の強度は、
Ｉ(x,z)＝|Ｅ(x,z)|2 
＝ｃ02＋ｃ12＋２ｃ0ｃ1 cos［２πi（ｘ／ｐ＋ｋｚ−Ｗ1)]…（３）
と表すことができ、像の位置も求めることかできる。また、この式（３）から、像強度は観測位置が投影されたｘ方向（光軸と直交する方向）とｚ方向（光軸方向、いわゆるフォーカス方向）に動くにつれて変化し、また、変化の様子は投影レンズの収差の関数にもなっていることが分かる。
【００２４】
ここで、０次光と＋１次光のみの回折光を瞳面内に入射する場合、高次の回折光も含めた瞳面での回折光の分布は、図４のような場合と図５のような場合とが考えられる。図４は、プラス１次及びマイナス１次の回折光がレンズの開口数ＮＡで決まる範囲内に入る状態を示し、図５は、プラス２次及びマイナス２次の回折光がＮＡで決まる範囲外にある状態を示している。
【００２５】
従って、回折光の１次光と２次光が重ならないような条件は、
Ｐ＞λ／｛ＮＡ（１−σ）｝        …（４）
Ｐ＜２λ／｛ＮＡ（１＋σ）｝      …（５）
となるときである。これより、少なくとも
σ＜１／３                        …（６）
を満たす必要がある。収差の測定をする場合は、回折光が完全に分離できないと正確に測定できないので、この条件を満たす必要がある。即ち、照明（コヒーレンスファクタ）σは０．３３以下でなければならない。
【００２６】
さて、前記式（３）において、フォーカスが合っている状態、即ちｚ＝０で、像強度を観測すると、像の位置は投影光学系１３のレンズの収差量によって変化する。例えば、像の明るい部分の位置は、ｚ＝０のとき、
ｘ／Ｐ−Ｗ1 ＝０                  …（７）
これより、収差は
Ｗ1 ＝ｘ／Ｐ                      …（８）
となって、ピッチＰのパターンが転写された位置を測定することにより求めることができる。従って、ピッチＰを種々変えたパターンを用意しておいて、その位置ずれ量を測定すれば収差を求めることができる。図６に、収差があるときと無いときのパターンが形成される位置を示す。収差があると＋１次の回折光の進行方向が変わるため、収差がないときに比べるとパターンが形成される位置がずれることになる。
【００２７】
露光装置として、投影光学系のレンズの開口数ＮＡp が０．７５で光源波長が１９３ｎｍのＡｒＦ露光装置の収差を測定する場合を考える。照明σは０．１０を用いることにする。この場合、照明光学系側の開口数ＮＡi は０．０７５である。回折格子パターンのピッチと１次回折光の瞳面上での位置との関係は、下記の（表１）のようになる。
【表１】
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【００２８】
また、高次の回折光が入らないように、即ち前記式（４）（５）を満たすように、露光時に投影レンズのＮＡを調整しながら露光する。さらに、この場合に前記式（６）を満たす必要がある。今回の実施形態の場合は、
ρ＝（ＮＡi／ＮＡp）＜１／３      …（９）
となりＮＡi が０．０７５であることから、測定できる最も内側の測定点は式（９）のＮＡp の値で０．２２５となる。さらに、測定できる最大の測定点は、投影レンズの開口数ＮＡp が０．７５であるから、照明光学系の開口数ＮＡi である０．０７５だけ内側によった０．６７５である。これより、前記（表１）から測定パターンとして０．７７２μｍから０．２９７μｍまでのパターンを用意して測定する。
【００２９】
また、瞳の中心付近を測定するために回折格子パターンのピッチを広くして光軸付近の収差を測定したいときには、瞳の絞りを絞って±２次光が入射しないようにして測定すればよい。
【００３０】
投影レンズのＮＡの調整にあたっては必ずしも射出瞳面内で調整する必要はなく、高次の回折光が入射しないように回折光に対して遮蔽できる手段（図１の遮蔽機構１５）を設け、実質的にＮＡが調整されたのと同じ効果を生じる手段を用いてもよい。
【００３１】
具体的には、前記投影光学系のレンズの開口数をＮＡ、前記マスク上のパターンのピッチをＰ、前記マスクに照射する光の波長をλ、前記照明光学系のコヒーレンシーをσとするとき、
Ｐ＝２×λ÷｛ＮＡ×（１＋σ）｝  …（１０）
を満たすＮＡの値よりも小さな値の開口数になるように遮蔽範囲を制御すればよい。
【００３２】
測定用のパターンとしては、例えば図７に示したいわゆるバーインバーを用いることができる。
【００３３】
基準パターン３０とＬ／Ｓパターン４０から１組のバーインバーが形成されている。点Ｏを中心にこれを９０度ずつ回転させて４組のバーインバー（３１〜３４，４１〜４４）が形成され、これらは点対称となっている。
【００３４】
バーインバーの基準パターン３１〜３４には、例えば遮光パターンを用いればよく、パターン幅としては１μｍ以上の太いパターンを用いる。それは、基準パターン自体も収差の影響で位置ずれを起こすが、ある程度以上太くなると瞳の中心付近のみ結像に大きく影響する回折光が透過するようになり、瞳の中心付近の収差の影響しか受けないので、後で行う収差量の計算に好都合であるからである。
【００３５】
なお、パターン幅が太くなると位置ずれ量が一定になるという現象については、文献２（T.Sato, et al,“Coma aberration measurement by relative shift of displacement with pattern dependence”, J.J.A.P., vol.37, no.6A :  P.P.3553-7 ,June 1998.）に記載されている。
【００３６】
また、バーインバーマークのＬ／Ｓからなる回折格子パターン４１〜４４は、前記図２に示すように構成され、＋１，＋２，−２次の回折光は発生するが、−１次の回折光は発生してようになっている。また、Ｌ／Ｓの端の方は周期性が保存されないので、収差測定の際誤差の発生原因になる。このため、Ｌ／Ｓパターン４１〜４４の両端の方にあるパターンは、バーインバーパターンを形成する際、二重露光法によって、パターンを消すようにした方がよい。
【００３７】
このようなパターンを前記図１の露光装置を用いて露光すれば、基板１４上に基準パターンと回折格子パターンが形成されることになり、基準パターンの位置は収差に拘わらず一定であり、回折格子パターンの位置は収差によって変化するため、基準パターンの位置と回折格子パターンの位置との相対距離を測定することによって、収差を求めることが可能となる。図７のパターンでは、ｘ方向及びｙ方向の収差が測定可能となる。
【００３８】
また更に、バーインバーマークのパターンとして、図８（ａ）〜（ｈ）に示すように回転させた８個のパターンを用意し、それらのパターンも測定するようにすると瞳面の収差をｘ，ｙ方向だけでなく、回転方向に関しても測定可能になる。図では２２．５度ずつ回転させている。矢印はこのパターンがｙ方向について０次光と＋１次光で形成しているとして場合のｙ方向の＋１次光の入射方向である。ｘ方向については図に方向を示すことを省略したが、バーインバーを用いれば、両方向を同時に測定可能である。図８から分かるように、瞳面全体を測定するには、２２．５度ずつ回転させた場合は８個のパターンが必要になる。
【００３９】
このように本実施形態によれば、０次，＋１次，＋２次，−２次の回折光は発生するが−１次の回折光は発生しないテスト用マスク２０を用い、このマスクを投影光学系１３により基板１４上に投影露光すると共に、レンズ開口数ＮＡの制御又は遮蔽機構１５により＋２次及び−２次の回折光が投影光学系１４に入射しないようにする。そして、マスク２０の投影露光により基板１４上に形成された回折格子のパターン位置を測定することにより、投影光学系１３の収差を求めることができる。そしてこの場合、マスク２０における＋２次及び−２次の回折光が投影光学系１３に入射しないようにしているため、光軸付近の収差を測定する際にも２次の回折光により測定誤差が発生するのを未然に防止することができる。
【００４０】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態として、テスト用マスクのパターンを改良した例を説明する。
【００４１】
図９は、本発明の第２の実施形態に使用したテスト用マスクのパターン配置を示す平面図である。
【００４２】
図中の６０は前記図２で示した位相シフト部を含んだ構造体で形成された回折格子パターン、７０は基準パターンであり、例えば幅１．５μｍの遮光パターンである。両者は同心円となるように配置され、回折格子パターン６０が基準パターン７０の内側に配置されている。
【００４３】
このようなテスト用マスクを用いると、回折格子パターン６０と基準パターン７０との相対距離（基板１４上に形成されるパターン間の相対距離）は、無収差の場合はどの方向に対しても一定であるが、収差があるとその収差に応じて距離が変動し楕円になったりする。従って、その距離を測定することで収差量を求めることができる。この場合、回折格子パターン６０のピッチと露光する際の光学条件の関係は、第１の実施形態で示したのと同じである。また、様々なピッチで測定することで投影光学系１３のレンズ全体の収差量を測定可能である。
【００４４】
（第３の実施形態）
第１の実施形態においては収差測定の場合について考えたが、ここではフォーカス位置測定に関する実施形態を述べる。
【００４５】
前記式（２）において、収差が小さく０と見なして良い場合は、パターンの形成位置とフォーカス位置即ちｚの値とは、次のように表すことができる。
【００４６】
ｘ／Ｐ＋ｋｚ＝０            …（１１）
ｚ＝−ｘ／ｋＰ              …（１２）
これより、ｘ方向の位置ずれを測定すれば、フォーカス位置を測定することができる。しかし、この場合も、±２次以上高次成分が入射すると正確な測定ができないため、用いたパターンのピッチに応じて高次成分を遮閉する必要がある。その方法は、第１の実施形態で行った条件と同じである。
【００４７】
具体的には、前記図１に示す露光装置において、露光用マスク１２の代わりに前記図７に示すようなテスト用マスクを用い、このマスクを照明光学系１１により照明し、投影光学系１３により基板１４上に投影露光する。このとき、マスクに形成された回折格子パターンのピッチに応じて遮蔽機構１５による遮蔽範囲を設定し、＋２次及び−２次の回折光が投影光学系１３に入射しないようにする。
【００４８】
このようにして露光した基板１４を現像処理しレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンに形成されたパターンに対し、基準パターンと回折格子パターンとの相対距離を測定することによって、式（１２）から投影光学系１３のフォーカス位置を求めることができる。
【００４９】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態で用いるテスト用マスクの回折格子パターンは前記図２に示す構造に限定されるものではなく、図１０（ａ）に示すように光透過部を斜面にしたもの、或いは図１０（ｂ）に示すように光透過部を階段状にしたものであってもよい。要は、入射光に対してプラス１次光とマイナス１次光の回折効率が異なるものであればよい。
【００５０】
また、上述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００５１】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施形態に使用した露光装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態に使用したテスト用マスクの回折格子パターンの例を説明するためのもので、−１次の回折光をカットするパターン例を示す断面図。
【図３】図２のマスクを用いた場合の回折次数に対する回折光強度の関係を示す特性図。
【図４】０次光と＋１次光のみの回折光を瞳面内に入射する場合、高次の回折光も含めた瞳面での回折光の分布の例を示す図。
【図５】０次光と＋１次光のみの回折光を瞳面内に入射する場合、高次の回折光も含めた瞳面での回折光の分布の別の例を示す図。
【図６】収差が有るときと無いときのパターンが形成される位置を示す図。
【図７】測定用のパターンとして用いることができるバーインバーパターンの例を示す平面図。
【図８】測定用のパターンのバーインバーマークの回転させたパターンの組を示す平面図。
【図９】位相シフト部を含んだ構造体と基準パターンであり、両者は同心円となるように配置それたパターン例を示す平面図。
【図１０】本発明の変形例を説明するためのもので、−１次の回折光をカットするパターン例を示す断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１１…照明光学系
１２…露光用マスク
１３…投影光学系
１４…基板
１５…遮蔽機構
２０…テスト用マスク
２１…透光基板
２２…位相シフト膜
２３…遮光膜
２４…位相シフトしていない部分
２５…９０度シフトした部分
３０，３１〜３４，７０…基準パターン
４０，４１〜４４，６０…回折格子パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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