(57)【要約】【課題】電子ビーム露光中にマスク状態を観察し、かつ観察に使用するマスク状態画像が正常に更新されていることを、オペレータが容易に視認することができる電子ビーム露光装置を提供する。【解決手段】電子ビーム露光装置１を、マスク３０上を走査する電子ビーム１５の反射電子を検出する電子検出器７０と、この電子検出器７０の出力信号に基づいて反射電子像８１を表示画面８０に表示する画像表示手段６２と、表示画面１画面分の反射電子像を所定回数表示する毎に、表示画像の表示モードを更新する表示モード更新手段６９とを備えて構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを発生する電子ビーム源と、前記電子ビームの経路中に配置されるマスクとを備え、前記電子ビームを前記マスク上に走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料の表面に前記マスクのマスクパターンを露光する電子ビーム露光装置において、
前記マスク上で反射する前記電子ビームの反射電子を検出する電子検出器と、
前記電子ビームの走査位置に応じた前記電子検出器の出力信号に基づいて、前記マスクの２次元反射電子像を表示画面に表示する画像表示手段と、
前記表示画面の１画面分を所定回数表示する毎に、前記画像表示手段の表示モードを更新する表示モード更新手段と、を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２】
前記画像表示手段は、前記電子検出器の出力信号値に応じて、前記電子ビームの走査位置に対応する表示画面上位置の画素の明度を変えて表示することにより前記２次元反射電子像を表示し、
表示モード更新手段は、前記表示画面全体の画素の色相若しくは彩度、前記電子検出器の所定の各出力信号値に対応する画素の各明度、または前記電子検出器の所定の２つの検出量に対する２画素のコントラストのうち少なくとも１つを更新することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項３】
前記画像表示手段は、前記電子検出器の出力信号値に応じて、前記電子ビームの走査位置に対応する表示画面上位置の画素の彩度を変えて表示することにより前記２次元反射電子像を表示し、
表示モード更新手段は、前記表示画面全体の画素の色相若しくは明度、または前記電子検出器の所定の各出力信号値に対応する画素の各彩度のうち少なくとも一つを更新することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項４】
前記画像表示手段は、前記電子検出器の出力信号値に応じて、前記電子ビームの走査位置に対応する表示画面上位置の画素の色相を変えて表示することにより前記２次元反射電子像を表示し、
表示モード更新手段は、前記電子検出器の所定の各出力信号値に対応する各色相、または前記表示画面全体の彩度若しくは明度のうち少なくとも一つを更新することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項５】
前記画像表示手段は、前記電子検出器の出力信号値に応じて、前記電子ビームの走査位置に対応する表示画面上位置の画素の色相、彩度又は明度のうち少なくとも１つを変えて表示することにより前記２次元反射電子像を表示し、
表示モード更新手段は、前記表示画面の１画面分を所定回数表示する毎に、前記電子検出器の出力信号のゲイン、または前記電子検出器のダイノードの増幅ゲインを変更して、前記電子検出器の各検出電子量に対応する出力信号値を更新することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路などの製造工程で使用される微細パターンを露光する電子ビーム露光装置に関し、特に露光パターンに対応するマスクに、マスク欠陥や異物付着が生じているか否かを観察しうる電子ビーム露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化のニーズに伴い、回路パターンの一層の微細化が要望されている。現在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置であり、電子ビーム直接描画装置やＸ線露光装置などの新しい方式の露光装置が開発されている。
【０００３】
最近では新しい方式の露光装置として、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子ビーム近接露光装置が開示されている（例えば特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願の特許文献２）。
【０００４】
図６は、特許文献１に開示された電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。この図を参照して、従来の電子ビーム近接露光装置について簡単に説明する。図示するように、電子光学鏡筒（カラム）１０内には、電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と整形アパーチャ１８と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２、対となる主偏向器２２、２４、対となる副偏向器５１、５２とを含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走査手段２１、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０、および表面にレジスト層４２が形成された試料（半導体ウエハ）４０が設けられている。
【０００５】
マスク３０は、厚い外縁部内の中央に開口の形成された薄膜部を有しており、試料４０は表面がマスク３０に近接するように配置される。この状態で、マスクに垂直に電子ビームを照射すると、マスクの開口を通過した電子ビームが試料４０の表面のレジスト層４２に照射される。そして、電子ビーム１５は、走査手段２１により偏向されて、図７に示すようにマスク３０の薄膜部上を走査して全面にわたって露光する。以上の動作によって、マスク３０の薄膜部に形成されたマスクパターンを、試料４０の表面のレジスト層４２に転写することが可能となる。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第５，８３１，２７２号明細書（全体）
【特許文献２】
日本特許第２９５１９４７号公報（全体）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の電子ビーム近接露光装置に限らず一般に電子ビーム露光装置では、転写されたパターンの解像性を高めるために、マスク薄膜部が非常に薄く作られる場合が多い。このため非常に薄いマスク薄膜部が露光中絶えず電子ビームに曝されていることになり、熱による変形やマスクパターンの一部が欠落することが生じうる。
【０００８】
一方で、マスク交換のときに大気中に置かれたマスクに異物（パーティクル）が付着し、あるいは露光中に試料表面のレジスト層から発生したハイドロカーボン系のガスにより、マスクにコンタミネーションが発生することもある。
【０００９】
これらマスク欠陥発生又はマスクに異物付着による不良品の発生を防止するためには、露光中にマスクの様子をインサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔｕ）に観察して、マスク欠陥発生又はマスクに異物付着が生じたとき、直ちに露光装置を停止してマスクを交換または補修しなければならない。
【００１０】
上述のマスク観察のためには、電子ビーム露光装置に露光中のマスクを撮像する撮像手段と、撮像信号を表示する表示手段を設けて、露光中のマスク画像を表示することが考えられる。
しかし、かかる場合には表示画面に常に同じマスクが表示されることになる。すなわち、表示画面にはマスク欠陥等が生じない限り常に同じ画像がされ続けるため、これがマスク状態に変化がないことを示すものなのか、それとも撮像手段や表示手段等の故障により同じ映像を表示し続けているために生じているものなのかを、マスク観察を行うオペレータにおいて判断することが困難となる。
【００１１】
上記事情を鑑み、本発明では露光中のマスク状態をインサイチューに観察し、かつ、このために使用するマスク状態画像が正常に更新されていることを、オペレータが容易に視認することができる電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の電子ビーム露光装置は、マスク上を走査する電子ビームの反射電子を検出する電子検出器と、この電子検出器の出力信号（又は検出電子量）に基づいて２次元反射電子像（以下、単に反射電子像と記す）を表示画面に表示する画像表示手段と、表示画面１画面分の反射電子像を所定回数表示する毎に、表示画像の表示モードを更新する表示モード更新手段を備えて構成される。
【００１３】
例えば、画像表示手段は、電子ビームの走査位置に対応する電子検出器の出力信号値（又は検出電子量）の変化に応じて、表示画面上位置の画素の明度を変えることにより反射電子像を作出して表示する。これにより、電子ビーム露光に使用される走査電子ビームを使用して、マスク欠陥や、マスクに付着するパーティクル等のマスク異常を、電子ビーム露光中に（インサイチューに）観察することが可能となる。
【００１４】
その一方で、表示モード更新手段は、表示画面１画面分の反射電子像が（例えば１回）表示する毎に、画像表示手段の表示モードを更新する（例えば、前記電子検出器の所定の各出力信号値（又は各検出電子量）に対応する画素の各明度を更新する）。したがって、表示画面には反射電子像が１画面分ずつ表示モードを変えて（例えば、前回の電子ビーム走査による反射電子像よりも明るい反射電子像に明度を変えて）表示される。
【００１５】
これにより、オペレータは、前回の反射電子像の表示が終了して、次の反射電子像の表示が進行中であり、反射電子像の更新が正常に行われていることを視認し易くなる。さらに、オペレータは、次の反射電子像の更新を視認することで、電子ビーム露光装置の露光が異常なく進行しているか否かを視認することが可能となる。
【００１６】
ここに、表示画像の表示モードとは、表示画面全体の画素の色相、明度、若しくは彩度、電子検出器の各出力信号値（又は各検出電子量）に対応して表示する画素の色相、明度、若しくは彩度、又は電子検出器の出力信号値（又は検出電子量）の異なる２値に対する２つの画素間のコントラストなどにより定まる画像の表示形態をいうものとする。したがって、表示モードの更新には、作出される反射電子像の作出方法に応じて、以下に示す反射電子像の表示形態の更新が含まれる。
【００１７】
反射電子像が電子ビームの走査位置に対応する電子検出器の出力信号値（又は検出電子量）の変化に応じて、表示画面上位置の画素の明度を変えることによって作出される場合には、表示画面全体の色相若しくは彩度、所定の各出力信号値（又は各検出電子量）に対応する画素の各明度、または前記電子検出器の所定の２つの出力信号値（又は検出電子量）に対する２画素のコントラストを更新することをいう。
【００１８】
または、反射電子像が電子ビームの走査位置に対応する電子検出器の出力信号値（又は検出電子量）の変化に応じて、表示画面上位置の画素の彩度を変えることによって作出される場合には、表示画面全体の画素の色相若しくは明度、または電子検出器の所定の各出力信号値（又は各検出電子量）に対応する画素の各彩度を更新することをいう。
【００１９】
さらにまた、反射電子像が電子ビームの走査位置に対応する電子検出器の出力信号値（又は検出電子量）の変化に応じて、表示画面上位置の画素の色相を変えることによって作出される場合には、電子検出器の所定の各出力信号値（又は各検出電子量）に対応する各色相、または表示画面全体の彩度若しくは明度を更新することをいう。
【００２０】
ここに、表示モード更新手段による表示モードの更新の頻度は、表示画面１画面分の反射電子像が表示される毎に１回行うことが好適である。
しかし、マスク上の表示対象領域が小さすぎる、又はビーム走査速度が速すぎるために、表示画面がチラついてオペレータが視認しにくい場合には、表示画面１画面分の反射電子像が複数回表示される毎に１回行うこととしてもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１に、本発明の実施例に係る電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す。基本構成は、図６に示した構成及び上記の文献１に開示された構成に類似した構成を有するので、図６と同一の機能部分には同一の参照番号を付して表す。
【００２２】
図示するように、電子ビーム近接露光装置１の電子光学鏡筒（カラム）１０には、電子ビーム１５を発生する電子銃１４と、電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６と、主偏向器２１及び２２と、副偏向器５１及び５２とが設けられる。
【００２３】
真空試料室（チャンバ）８には、試料（半導体ウエハ）４０をウエハチャック４４により保持して移動するウエハステージ４６が設けられている。なお、ウエハステージ４６は、少なくとも電子ビーム光軸に垂直なＸＹ平面において移動可能である。
【００２４】
さらに、電子ビーム近接露光装置１には、主偏向器２１及び２２を制御して、上述の図７に示すようにマスク３０上で電子ビーム１５を走査するための主偏向器制御部６１と、マスク３０上で反射した電子ビーム１５の電子量を検出する電子検出器７０と、電子検出器７０の出力信号と電子ビーム１５のマスク３０上走査位置とに基づいて、マスク３０の反射電子像８１を作出する画像表示手段６２と、画像表示手段６２により作出された反射電子像８１を表示する表示画面８０と、表示画面８０の１画面分の反射電子像８１を所定回数表示する毎に、自動的に画像表示手段６２の表示モードを更新する表示モード更新手段６９と、を備える。
【００２５】
電子検出器７０には、例えば図２に示すような二次電子検出器を用いる。試料３０に照射された電子ビーム１５によって試料３０面から飛び出した二次電子は、シンチレータチップ７３に印加される高電圧により生じる電場によって引き寄せられ、コレクタ７２の中心付近の有効シンチレータ面に集光される。
【００２６】
この二次電子は、シンチレータチップ７３に印加される高電圧により加速されて、シンチレータ７３の蛍光体の表面に形成されているアルミニウム膜７３ａにぶつかり、なだれ的に電子数を増やして、コロジオン膜７３ｂを通過しシンチレータ７３ｃにぶつかって発光する。このうちの一部が透明のチップ材７３ｄを通過する。
この透明のチップ材７３ｄを通過した光量子は、ライトパイプ７４内を通り光電子増倍管７５の陰極７６まで達する。光量子により陰極７６からたたき出された光電子は、多数の二次電子増倍面（ダイノード）７７にて増倍され陽極７８に捕捉される。従って、陽極７８からは、シンチレータ７３に捕集された二次電子の量に応じた信号が得られる。
なお、電子検出器７０はマスク３０よりも上方に、すなわちマスク３０より電子ビーム源１４側に設けられる。
【００２７】
画像表示手段６２は、マスク３０の反射電子像８１を、電子検出器７０の出力信号と電子ビーム１５のマスク３０上走査位置とに基づいて、マスク３０上各位置における反射電子強度分布として作出する。
画像表示手段６２は、主偏向器制御部６１から電子ビーム１５のマスク３０上走査位置情報を、例えば主偏向器２１、２２の走査信号として入力してディジタル信号に変換する第１のＡＤ変換器６３と、電子検出器７０の出力信号を入力してディジタル信号に変換する第２のＡＤ変換器６４と、反射電子像の各画素値を算出するためのＭＰＵ６５と、表示モード交信手段６９〜画像表示手段６２間の信号を入出力するためのインタフェース６６を備える。
【００２８】
また、画像表示手段６２はＭＰＵ６５により作出された反射電子像の各画素値を各メモリセルに記憶するビデオメモリ６７と、ビデオメモリ６７に記憶される画像を、表示画面８０に表示するためのビデオ信号を生成するビデオ信号生成回路６８とを備える。ここに、第１のＡＤ変換器６３、及び第２のＡＤ変換器６５の出力、インタフェース６６及びビデオメモリ６７のデータ入出力は、ＭＰＵ６５のデータバスに接続され、これらの入出力値はＭＰＵ６５により処理することが可能である。
【００２９】
ＭＰＵ６５は、電子ビーム１５のマスク３０上走査位置情報及び電子検出器７０の出力による反射電子強度に応じて、取得したマスク３０上走査位置情報に対応する表示画面位置の画素の色相、明度又は彩度のうち少なくとも１つを変化させて画素値を算出し、算出した画素値をビデオメモリ６７の表示画面位置に対応するアドレスに書き込む。
電子ビーム１５が、図７に示すようにマスク３０全面を走査するのにともなって、走査位置に対応するアドレスに画素値を順次書き込んでゆくと、マスク３０全面の反射電子像８１がビデオメモリ６７内に記録される。
【００３０】
ビデオ信号生成回路６８は、ビデオメモリ６７に現在記憶されている画像情報に基づいて、反射電子像８１のビデオ信号を生成して表示画面８０に送信する。ビデオ信号生成回路６８は、ビデオカード等の既存のビデオ信号生成回路を利用してよく、表示画面８０の種類（例えば、ＣＲＴ等のアナログ信号表示画面や、ディジタル液晶画面等のディジタル信号表示画面など）に応じて選択される。
【００３１】
以上により、露光中の電子ビーム１５を使用して、そのマスク３０での反射電子像８１を表示することにより、露光中にマスクの様子をインサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔｕ）に観察するためのマスク撮像手段及び表示手段を実現することができる。
【００３２】
ここで、表示画面８０に表示される反射電子像８１は、電子ビーム１５がマスク３０全面を走査するのにともなって、前回露光中の反射電子像８２から、現在露光中の反射電子像８３へと、図３に示す矢印のように更新される。
しかし、画像表示手段６２によりビデオメモリ６７にマスク３０の反射電子像８１の各画素値を記録する際に、上述のように前回撮像した画素値に上書きしていくと、表示画面８０上には、今回撮像中の反射電子像８１の部分画像と、前回撮像した反射電子像８１の部分画像が混在して表示されることになる。この様子を図４に示す。
【００３３】
図４（ａ）は、今回撮像中の反射電子像８１の部分画像８３と、前回撮像した反射電子像の部分画像８２が混在して表示される表示画面８０の様子を示したものである。ここに部分画像８２及び８３は、ともに同じマスクの相補する部分画像であり、実際には（図の点線のような）継ぎ目なく表示される。すると表示画面８０には、図４（ｂ）のような一見完全な１画面の反射電子像８１が常に表示され続けているかのように見える。
【００３４】
したがってオペレータには、電子ビーム１５の走査が順調に行われて表示が更新されているのか、それとも電子ビーム近接露光装置１の故障により電子ビーム１５の走査が停止しているにもかかわらず、同じ反射電子像８１が表示され続けているのか、判断するのは困難である。
【００３５】
これを避けるために、１画面分の反射電子像８１を表示し終える毎に、画面表示を消去する手法も考えられる。そのためには、１画面分の反射電子像８１の表示を完了する毎に、全画面分のビデオメモリ６７にゼロデータを書き込む等のメモリ消去操作の必要があるが、その書き込み時間の間は、電子ビーム露光を待機させなければならず、電子ビーム近接露光装置１のスループット低下の原因となる。
【００３６】
そこで、表示モード更新手段６９は、１画面分の反射電子像８１を表示し終える毎に、表示画面８０に反射電子像８１を表示する表示モードを微妙に変更することとする。
【００３７】
例えば、画像表示手段６２のＭＰＵ６５が、電子検出器７０の出力信号値に示される反射電子量に応じて画素の明度を変化させて、反射電子像８１を作出する場合には、表示モード更新手段６９はＭＰＵ６５に、１画面分の反射電子像８１を表示し終える毎に、表示画面８１に表示する反射電子像８１全体の色相又は彩度を変更する指示信号を送信する。
【００３８】
ＭＰＵ６５はこの指示信号に基づき、今回撮像した反射電子像８３と画素値の色相又は彩度を、前回撮像した反射電子像８２と微妙に変化させて算出し、ビデオメモリ６７に記憶する。これにより、今回撮像中の反射電子像８３と前回撮像した反射電子像８２とは、色相又は彩度が微妙に異なって表示される。
【００３９】
したがって、表示画面８０に表示される反射電子像のうち、どの範囲までが現在撮像中の反射電子像８１の部分画像８３であり、どの範囲までが前回撮像した反射電子像８１の部分画像８２であるのかを視認することが容易になる。この様子を、図５を参照して説明する。
【００４０】
図５（ａ）の状態の場合、現在撮像中の反射電子像８３と前回撮像した反射電子像８２とが混在している。図示するとおり、反射電子像８３、８２とは、色相又は彩度を変更して作出されているため、どの範囲までが現在撮像中の反射電子像８３であり、どの範囲までが前回撮像した反射電子像８２であるのかを視認することが容易である。
【００４１】
図５（ｂ）の状態に至ると現在撮像中の反射電子像８３の割合が増加し、逆に前回撮像した反射電子像８２の割合が減少する。このように、反射電子像全体を占める、異なる色相又は彩度の画像部分の割合の変化を観察することにより、オペレータは、電子ビーム１５の走査が順調に行われて表示が更新されているのか、もしくは電子ビーム近接露光装置１の故障により電子ビーム１５の走査が停止しているにもかかわらず、同じ反射電子像が表示され続けているのかを認識することが容易になる。
【００４２】
図５（ｃ）は、現在撮像中の反射電子像８３を完了する。表示画面には、１画面分の完全な反射電子像８３が表示される。
【００４３】
図５（ｄ）に至ると、画像表示手段６２は次の反射電子像８４の作出を始める。このとき表示モード更新手段６９は、図示するとおり反射電子像８４の色相又は彩度を、直前の反射電子像８３とは微妙に変えるように画像表示手段６２に指示信号を送出しているため、反射電子像８４は、反射電子像８３と色相又は彩度を更に変えて表示される。
【００４４】
このように、表示モード更新手段６９は、１画面分の反射電子像の表示が完了する毎に、表示画像の色相又は彩度を変更する。これによりオペレータは、表示される反射電子像の切替を容易に視認することが可能となる。
またこの手段によれば、表示の切り替えの際に、ビデオメモリ６７全部にゼロデータを書き込む必要がないため、電子ビーム近接露光装置１のスループットに影響を与えることもない。
【００４５】
なお、上述のように１画面分の反射電子像の表示が完了する毎に表示モードを変更すると、かえって表示画面がチラついてオペレータが視認しにくい場合には、表示画面１画面分の反射電子像の表示を複数回行う毎に１回だけ変更することとしてもよい。
【００４６】
画像表示手段６２は、電子検出器７０の出力信号値に示される反射電子量に応じて、画素の明度を変化させて反射電子像８１を作出するとき、表示モード更新手段６９は、表示画面１画面分の反射電子像を表示する毎に、電子検出器７０の所定の各出力信号値に対応する画素の各明度を更新するように前記指示信号を送信してもよい。
【００４７】
これは例えば、前回の反射電子像８１の作出の際には、電子検出器７０の出力値０〜１０（ｍＶ）に対して画素の明度を０〜１２７（画素値）に比例させて算出していたところ、次の反射電子像８１の作出の際には、出力値０〜１０（ｍＶ）に対して画素の明度を１２８〜２５５（画素値）に比例させて算出する。又は出力値０〜１０（ｍＶ）に対して画素の明度を０〜２５５（画素値）に比例させて算出するように変更する。
これにより、表示画面１画面分の反射電子像が表示する毎に、反射電子像の明度が変更されて、反射電子像の切替を容易に視認することが可能となる。
【００４８】
また、画像表示手段６２は、電子検出器７０の出力信号値に示される反射電子量に応じて、画素の明度を変化させて反射電子像８１を作出するとき、表示モード更新手段６９は、表示画面１画面分の反射電子像を表示する毎に、電子検出器の所定の２つの出力信号値に対する２画素のコントラストを更新することとしてもよい。
これは例えば、前回の反射電子像８１の作出の際には、電子検出器７０の出力値０〜１０（ｍＶ）に対して画素の明度を６４〜１９１（画素値）に比例させて算出していたところ、次の反射電子像８１の作出の際には、出力値０〜１０（ｍＶ）に対して画素の明度を０〜２５５（画素値）に比例させて算出するように変更する。これにより、表示画面１画面分の反射電子像が表示する毎に、反射電子像のコントラストが変更されて、反射電子像の切替を容易に視認することが可能となる。
【００４９】
また、画像表示手段６２が、電子ビーム１５の走査位置に対応する電子検出器７０の出力信号値の変化に応じて、表示画面８０上位置の画素の彩度を変えることにより反射電子像８１を作出する場合には、表示モード更新手段６９が、表示画面１画面分の反射電子像８１が表示される毎に、表示画面８０全体の画素の色相若しくは明度を変更し、または電子検出器７０の所定の各出力信号値に対応する画素の各彩度を更新するように前記指示信号を送信することとしてもよい。
【００５０】
この場合の各彩度の更新は、電子検出器７０の出力信号値に応じて画素の明度を変化させて反射電子像８１を作出する上記例で説明した、各明度の更新と同様に行うこととしてよい。
【００５１】
また、画像表示手段６２が、電子ビーム１５の走査位置に対応する電子検出器７０の出力信号値に示される反射電子量の変化に応じて、表示画面８０上位置の画素の色相を変えることにより反射電子像８１を作出する場合には、表示モード更新手段６９が、表示画面１画面分の反射電子像８１が表示される毎に、表示画面８０全体の画素の彩度若しくは明度を変更し、または電子検出器７０の所定の各出力信号値に対応する画素の各色相を更新するように前記指示信号を送信することとしてもよい。
【００５２】
この場合の各色相の更新は、電子検出器７０の出力信号値に応じて画素の明度を変化させて反射電子像８１を作出する上記例で説明した、各明度の更新と同様に行うこととしてよい。
【００５３】
さらにまた、表示モード更新手段６９は、電子検出器７０の出力信号のゲイン、またはダイノード７７の増幅ゲインを変更して、電子検出器７０の各検出電子量に対応する出力信号値を変更することとしてもよい。
これにより、画像表示手段６２が、電子検出器７０の出力信号値に応じて電子ビーム１５の走査位置に対応する各画素の色相、彩度又は明度を変えて反射電子像８１を作出するとき、所定の出力信号値に対応する各画素のそれぞれ色相、彩度又は明度を、表示画面１画面分の反射電子像８１が所定回数表示される毎に変更することができる。
【００５４】
さらに、表示モード更新手段６９は、前記指示信号をビデオ信号生成回路６８に送信して、ビデオ信号生成回路６８が備える明度、彩度、色相、コントラスト変更機能を利用して、表示画面１画面分の反射電子像８１が所定回数表示される毎に、反射電子像８１の表示モードを変更することとしてもよい。
【００５５】
【発明の効果】
本発明では、電子ビーム露光中のマスク状態をインサイチューに撮像して観察することが可能となる。マスク撮像画像が正常に更新されていることを、容易に視認することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。
【図２】２次電子検出器の構成図である。
【図３】表示画面の更新順序の説明図である。
【図４】画面に表示される反射電子像の様子を示す図である。
【図５】表示画面における反射電子像の遷移を示す図である。
【図６】従来の電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。
【図７】電子ビーム近接露光装置の電子ビームの走査方法の説明図である。
【符号の説明】
１…電子ビーム近接露光装置
８…試料室（チャンバ）
１０…電子光学鏡筒（カラム）
１４…電子ビーム源
１５…電子ビーム
２１、２２…主偏向器
３０…マスク
４０…試料（半導体ウエハ）
６１…主偏向器制御部
６２…画像表示手段
６９…表示モード更新手段
７０…電子検出器
８０…表示画面
８１…反射電子像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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