(57)【要約】【課題】  反り及び捩れのない薄型の半導体装置の提供。【解決手段】  半導体装置は、デバイス孔及び複数のホールを有する絶縁性のテープと、テープの一面に形成され一端側がデバイス孔に延在し、他端側が前記ホール内に延在する複数のリードと、主面に設けられた複数の電極が前記デバイス孔内に延在するリードに重ねて接続される半導体チップと、半導体チップの主面側に形成され、前記半導体チップ及び前記リード並びに前記テープの所定部を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、ホール内に延在するリードの一面に設けられるバンプ電極と、封止体とバンプ電極間のテープに設けられバンプ電極列に沿って延在するスリットと、テープに積層形成される絶縁膜からなる反り補強部とを有し、半導体チップ及びバンプ電極はリードの同一面側に接続され、バンプ電極は半導体チップの厚さよりも厚くなっている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、デバイス孔及び複数のホールを有する絶縁性のテープと、
前記テープの前記第１の面または前記第２の面に形成され、一端側が前記デバイス孔内に延在し、他端側が前記ホール内に延在する複数のリードと、
主面に設けられた複数の電極が前記デバイス孔内に延在する前記リードに重ねて接続される半導体チップと、
前記半導体チップの主面側に形成され、前記半導体チップ及び前記リード並びに前記テープの所定部を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記ホール内に延在する前記リードの一面に設けられるバンプ電極と、
前記封止体と前記バンプ電極間の前記テープに設けられ、前記バンプ電極列に沿って延在するスリットと、
前記リードを挟むように前記テープに積層形成される絶縁膜からなる反り補強部とを有し、
前記半導体チップ及び前記バンプ電極は前記リードの同一面側に接続され、前記バンプ電極は前記半導体チップの厚さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップは矩形体となり、前記半導体チップを覆う前記封止体も矩形状となり、前記封止体の各角部に対応する前記テープ部分には前記封止体の角部に沿って屈曲する前記スリットが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記スリットは前記封止体の縁に沿って不連続的に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記スリットは前記封止体の縁に沿って連続的に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記封止体の外側領域全体の前記テープ部分に前記反り補強部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止体内の前記テープ部分に前記反り補強部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記反り補強部はソルダーレジスト膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記反り補強部は樹脂性のテープで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記テープはポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ホールの内周面は、前記リード側で狭く、前記リードから遠い前記テープ表面側で広くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップの主面に設けられる前記電極は前記半導体チップの主面中央に沿って配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップの主面に設けられる前記電極は前記半導体チップの縁に沿って配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記複数のリードは、一端側が前記デバイス孔内まで延在しないダミーリードを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記バンプ電極は複数列に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記バンプ電極は複数列に配置され、かつ千鳥足跡状に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体チップの前記主面の反対面となる裏面を覆う絶縁性の樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体チップの主面に設けられる前記電極は前記半導体チップの主面中央に沿って配列され、
前記デバイス孔は前記電極列に対応しかつ所定の幅を有する細長状の孔であり、
前記デバイス孔と前記スリットとの間にはこれらとは別の開口部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１８】
請求項１の半導体装置を複数順次積層した構造であり、上段側の前記半導体装置の前記バンプ電極が下段側の前記半導体装置の前記ホールに延在する前記リードに電気的に接続されていることを特徴とする多段積層型半導体装置。
【請求項１９】
前記複数の半導体装置において、全ての半導体装置の前記半導体チップはその電極が半導体チップの主面の中央に沿って延在する構造になっていることを特徴とする請求項１８に記載の多段積層型半導体装置。
【請求項２０】
前記複数の半導体装置において、全ての半導体装置の前記半導体チップはその電極が半導体チップの主面の縁に沿って延在する構造になっていることを特徴とする請求項１８に記載の多段積層型半導体装置。
【請求項２１】
前記複数の半導体装置において、一部の前記半導体装置の前記半導体チップはその電極が半導体チップの主面の縁に沿って延在する構造になり、残りの前記半導体装置の前記半導体チップはその電極が半導体チップの主面の縁に沿って延在する構造になっていることを特徴とする請求項１８に記載の多段積層型半導体装置。
【請求項２２】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、デバイス孔及び複数のホールを有する絶縁性のテープと、前記テープの前記第１の面または前記第２の面に形成され一端側が前記デバイス孔内に延在し、他端側が前記ホール内に延在する複数のリードと、  前記ホール列に沿いかつ前記ホール列の内側の前記テープ部分に設けられるスリットと、  前記テープとの間に前記リードを挟むように前記テープに積層形成される絶縁膜からなる反り補強部とを有するＴＡＢテープを準備する工程と、
主面に複数の電極を有する半導体チップの前記各電極に前記デバイス孔内に延在する前記リードの先端を重ねて電気的に接続する工程と、
前記半導体チップの主面側を絶縁性樹脂で覆い前記半導体チップ及び前記リード並びに前記テープの所定部を覆う封止体を形成する工程と、
前記各ホール内に延在する前記リードの前記半導体チップが接続される面側に前記半導体チップよりも厚くバンプ電極を形成する工程と、
前記バンプ電極を測定端子として電気的特性検査を行う工程と、
前記ＴＡＢテープを所定形状に切断する工程とによって半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ＴＡＢテープにおいて、前記スリットの外側領域全体に前記反り補強部を設けておくことを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記ＴＡＢテープにおいて、前記バンプ電極を形成する前記ホールの内周面が、前記リード側で狭く、前記リードから遠い前記テープ表面側で広くなるように形成しておくことを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記ＴＡＢテープにおいて、前記テープをポリイミド樹脂で形成し、前記反り補強部をソルダーレジスト膜または樹脂性のテープで形成しておくことを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記ＴＡＢテープにおいて、前記反り補強部を前記絶縁性樹脂で覆う領域にも設けておくことを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記スリットが前記封止体の外側に位置するように前記封止体を形成することを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記半導体チップとして主面中央に沿って電極を有する半導体チップを準備し、前記デバイス孔内に位置する前記リードを前記電極それぞれに接続することを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記半導体チップとして主面の縁に沿って電極を有する半導体チップを準備し、前記デバイス孔内に位置する前記リードを前記電極それぞれに接続することを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記ＴＡＢテープは、一端側が前記デバイス孔内まで延在しないダミーリードを有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項２２によって製造された半導体装置を複数順次積層するとともに、上段側の前記半導体装置の前記バンプ電極を下段側の前記半導体装置の前記ホールに延在する前記リードに電気的に接続して多段積層型の半導体装置を製造することを特徴とする多段積層型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＢＧＡ（Ball Grid Array）構造の半導体装置及びその製造方法に係わり、特に絶縁性フィルムの表面にリードを形成したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いるＴ−ＢＧＡの製造に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器（電子装置）は、機能向上から内蔵する搭載部品の数も増大する傾向にあるが、一方で小型化、軽量化が要請されている。特に携帯情報端末のように携帯される電子装置の場合は、更なる小型化、薄型化、軽量化が要請される。このため、電子装置に搭載される半導体装置等を含む電子部品もより小型化、薄型化、軽量化が図られている。
【０００３】
半導体装置の集積度向上及び小型・軽量化を図るためのパッケージ構造として、絶縁性フィルムの表面にリードを形成したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いたＢＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）や、ＴＡＢテープを用いたＦＢＧＡ（Fine Pitch  ＢＧＡ）等が知られている。ポリイミド樹脂フィルム等の絶縁性フィルムに配線を形成したＴＡＢテープを配線基板とするこれらパッケージ（ＴＣＰ：Tape Carrier Package）製品は、高密度化、高機能化及び多ピン化が可能であり、また電気特性も優れる等の特長を有する。
一方、複数の半導体装置を重ねて実装して実装密度を向上させる三次元実装に適した半導体装置も提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
特許文献１に記載された半導体装置は、インターポーザの片面に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極とボンディングパッドとをワイヤで接続する構造になっている。また、ボンディングパッドに接続されたボールパッドにハンダボールが設けられている。また、ボールパッドのハンダボールの反対側のインターポーザにスルーホールが設けられている。ハンダボールの高さは半導体チップを覆う封止樹脂の高さよりも高くなっている。この結果、半導体装置を重ね合わせた際、上層の半導体装置のハンダボールの下端が下層の半導体装置のスルーホールに露出するボールパッドに重なり、電気的に接続されるようになる。
【０００５】
一方、薄型化すると共に熱放出性能を向上させる半導体パッケージとして、回路基板に設けた貫通孔に半導体チップを位置させ、半導体チップの第１面または前記第１面の反対面となる第２面を露出させ、この露出面から放熱を図る半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献２）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２２３２９７号公報
【特許文献２】特開２０００−３４０７１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本出願人においても、ＴＡＢテープを用いた三次元実装に適した半導体装置の開発を進めている。この半導体装置は、ＴＡＢテープに設けたデバイスホール（デバイス孔）に突出するリードを半導体チップの電極に接続し、ＴＡＢテープに設けたホールに位置するリードに三次元実装が可能なバンプ電極を接続し、かつリードを覆うように半導体チップの一面側を絶縁性樹脂で覆った構造になっている。
しかし、このような構造では、半導体装置の製造時ＴＡＢテープで形成した再配置配線基板となるテープ基板が熱ストレスにより反り返るものが発生することが判明した。
【０００８】
本発明の目的は、反りのない薄型の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、三次元実装に適した反りのない薄型の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、反りのない薄型の半導体装置を安価に製造することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１０】
（１）半導体装置は、
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、デバイス孔及び複数のホールを有する絶縁性のテープ（フィルム）と、
前記テープの前記第１の面または前記第２の面に形成され、一部が前記デバイス孔及び前記ホール内に延在する複数のリードと、
主面に設けられた複数の電極が前記ホール内に延在する前記リードに重ねて接続される半導体チップと、
前記半導体チップの主面側に形成され、前記半導体チップ及び前記リード並びに前記テープの所定部を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記ホール内に延在する前記リードの一面に設けられるバンプ電極と、
前記封止体と前記バンプ電極間の前記テープに設けられ、前記バンプ電極列に沿って延在するスリットと、
前記テープとの間に前記リードを挟むように前記テープに積層形成される絶縁膜からなる反り補強部とを有し、
前記半導体チップ及び前記バンプ電極は前記リードの同一面側に接続され、前記バンプ電極は前記半導体チップの厚さよりも厚くなっていることを特徴とする。
【００１１】
また、半導体チップは矩形体となり、この半導体チップを覆う封止体も矩形状となっている。封止体の各角部に対応するテープ部分には封止体の角部に沿って屈曲するスリット（コーナスリット）が設けられている。テープはポリイミド樹脂フィルムで形成され、封止体はエポキシ樹脂で形成され、反り補強部はソルダーレジスト膜で形成されている。前記封止体の外側領域のテープ部分には反り補強部が設けられている。半導体チップは主面中央に沿って電極を配列したもの（センターパッドチップ）、または主面の縁に沿って電極を配列したもの（サイドパッドチップ）のいずれでもよい。
【００１２】
このような半導体装置は、
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、デバイス孔及び複数のホールを有する絶縁性のテープと、前記テープの前記第１の面または前記第２の面に形成され一部が前記デバイス孔及び前記ホール内に延在する複数のリードと、前記ホール列に沿いかつ前記ホール列の内側の前記テープ部分に設けられるスリットと、前記テープとの間に前記リードを挟むように前記テープに積層形成される絶縁膜からなる反り補強部とを有するＴＡＢテープを準備する工程と、
（ｂ）主面に複数の電極を有する半導体チップの前記各電極に前記デバイス孔内に延在する前記リードの先端を重ねて電気的に接続する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの主面側を絶縁性樹脂で覆い前記半導体チップ及び前記リード並びに前記テープの所定部を覆う封止体を形成する工程と、
（ｄ）前記各ホール内に延在する前記リードの前記半導体チップが接続される面側に前記半導体チップよりも厚くバンプ電極を形成する工程と、
（ｅ）前記バンプ電極を測定端子として電気的特性検査を行う工程と、
（ｆ）前記ＴＡＢテープを所定形状に切断する工程とによって製造される。
【００１３】
また、半導体チップは矩形体となり、この半導体チップを覆う封止体も矩形状となる。そこで、ＴＡＢテープにおいて、封止体の各角部に対応するテープ部分に封止体の角部に沿って屈曲するスリット（コーナスリット）を設けておく。また、スリットの外側領域のテープ部分にソルダーレジスト膜からなる反り補強部を設けておく。半導体チップは主面中央に沿って電極を配列したもの（センターパッドチップ）、または主面の縁に沿って電極を配列したもの（サイドパッドチップ）のいずれでもよい。
【００１４】
（２）前記手段（１）の構成の半導体装置を複数順次積層した多段積層型半導体装置であり、上段側の前記半導体装置の前記バンプ電極が下段側の前記半導体装置の前記ホールに延在する前記リードに電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
このような半導体装置は、前記手段（１）の構成の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置を複数順次積層するとともに、上段側の前記半導体装置の前記バンプ電極を下段側の前記半導体装置の前記ホールに延在する前記リードに電気的に接続することによって製造する。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１７】
前記（１）の手段によれば、（ａ）封止体とバンプ電極列との間にスリットが設けられていることから、材質の違いによる熱応力がテープに加わっても、スリットの存在によって応力か吸収されて解消されるため、テープ、即ち半導体装置が反り、捩れ等の変形が発生し難くなる。この結果、半導体装置を実装基板にバンプ電極を介して実装する際、半導体装置が反り、捩れ等の変形がないため正確確実な実装が可能になる。特に、封止体の角部（コーナ）に対応して屈曲したスリットが設けられている。対角線上のコーナとコーナとの間のテープの長さが最も長く、この端末にスリットが存在するため、テープ、即ち半導体装置の反りや捩れは起き難くなる。
【００１８】
（ｂ）スリットの外側、換言するならば、封止体の外側のテープ部分にはソルダーレジスト膜からなる反り補強部が設けられていることから半導体装置は反りや捩れが起き難くなり、半導体装置の実装時、正確確実な実装が可能になる。
【００１９】
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）に記載するように、半導体装置には封止体とバンプ電極列との間にスリットが設けられていることと、スリット（封止体）の外側のテープ部分にはソルダーレジスト膜からなる反り補強部が設けられていることから半導体装置は反りや捩れが起き難くなり、半導体装置の実装時、正確確実な実装が可能になる。
【００２０】
（ｄ）テープの一面に支持されるリードの同一面側に半導体チップ及びバンプ電極を有し、かつ半導体チップのリードとの接続面側に封止体を形成する構造となることから、薄型の半導体装置となる。例えば、半導体装置の高さを０．５ｍｍ以下にすることが可能である。
【００２１】
（ｅ）封止体の形成時、封止体を形成する樹脂が流れても、その流れは樹脂の表面聴力もあることから、スリットの内側の縁またはスリットの外側の縁で停止されることから、形状の整った封止体を形成することができ、外観性も良好になる。
【００２２】
前記（２）の手段による多段積層型半導体装置は、前記手段（１）の構成による反りや捩れがない構造の半導体装置を複数多段に積層させた構造の半導体装置であることから、  （ａ）上下の半導体装置はバンプ電極とリードによって確実に電気的に接続され、さらに正確確実な実装が可能になる。
【００２３】
（ｂ）また、薄型の半導体装置の多段積層型であることから、薄型の多段積層型半導体装置を提供することが可能になる。
【００２４】
（ｃ）複数の半導体装置において、一部の半導体装置は半導体チップとして主面中央に沿って電極を配列したもの（センターパッドチップ）を用いて製造し、残りの半導体装置は主面の縁に沿って電極を配列したもの（サイドパッドチップ）を用いて製造することによって、センターパッドチップを組み込んだ半導体装置と、サイドパッドチップを組み込んだ半導体装置を混在させた多段積層型半導体装置とすることができる。
【００２５】
（ｄ）各半導体装置の製造において、特性検査が行われていることから、多段積層型半導体装置の製造においては特性検査で良品とされた半導体装置による製造となり、不良率低減が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２７】
本実施例１では、多段に積層できる半導体装置及び多段に積層した半導体装置（多段積層型半導体装置）に本発明を適用した例について説明する。また、本実施例１では、主面の中央に沿って１列に電極を有するいわゆるセンターパッド構造の半導体チップを用いる例について説明する。図１乃至図１８は本発明の実施例１である半導体装置及びその製造に係わる図である。
【００２８】
本実施例１の半導体装置１は、図１乃至図４に示すように半導体チップの外側に外部電極端子を配置するいわゆるファンアウト型の半導体装置である。図１乃至図４は半導体装置１の構造を示す図であり、図１は半導体装置１の封止体１９を省略した平面図、図２は半導体装置１を示す平面図、図３は図２の半導体装置１をＸ−Ｘで切断した断面図、図４は図２の半導体装置の底面図である。
【００２９】
半導体装置１は、図１乃至図４に示すように、矩形状のテープ配線基板２の下面に半導体チップ１６の主面を上面として電極１７を介してリード４の内端を接続した構造になっている。テープ配線基板２の周辺下面には一列にバンプ電極６が配置されている。半導体チップ１６の外側には半導体チップ１６を囲むようにスリット８が不連続に設けられている。この矩形枠状のスリット８の内側の領域には絶縁性樹脂からなる封止体１９が形成されている。封止体１９は半導体チップ１６の主面及びリード４を含むテープ配線基板２部分を覆うようになっている。バンプ電極６が取り付けられたリード４の上面は開口し、このリード４の上面に他の半導体装置１のバンプ電極６が重ねて接続できる構造になっている。このため、バンプ電極６は半導体チップ１６よりも下方に長く突出する構造になっている。また、スリット８の外側の上面領域には、テープ配線基板２の反り及び捩れを抑止するための強度部材になる保護膜、即ち反り補強部５が設けられている。この反り補強部５は図１、図２において点々を施した領域で示してある。
【００３０】
つぎに、各部について詳細に説明する。矩形状のテープ配線基板２はＴＡＢテープを矩形状に切断して形成されたものである。テープ配線基板２は、図３に示すように、絶縁性のテープ３と、このテープ３の一面（第１の面３ａ：図３で示す上面）に形成された複数のリード４と、前記テープ３との間にリード４を挟むようにテープ３の第１の面３ａに形成された絶縁性の保護膜５とからなっている。保護膜５は反り補強部５となる。
【００３１】
本実施例１の半導体装置１は、図１及び図３に示すように、ファンアウト型であることから、外部電極端子となるバンプ電極を形成するために、テープ配線基板２（テープ３）の縁寄りに各辺に沿って所定ピッチでホール７が形成されている。ホール７内（領域）にもリード４が横切るように延在し、このホール７内のリード４の部分はバンプ電極を形成するためのパッドであり、このパッド（リード４）下面に外部電極端子となるバンプ電極６が形成されている。バンプ電極６はテープ３の第１の面３ａの反対面となる第２の面３ｂ側に突出している。ホール７はテープ３に形成され、その後リード４が形成され、さらに反り補強部５が形成される。反り補強部（保護膜）５はテープ３の第１の面３ａに形成される。ホール７内のリード４すなわちパッドの表裏面には接続を良好とするためのメッキ膜が形成されている。これは、下面にバンプ電極が形成されることと、半導体装置１を積層して使用する場合、上段の半導体装置のバンプ電極をリード４の上面に接続するためである。リード４は銅箔をパターニングして形成され、例えば、表面に金メッキ膜が形成される。
【００３２】
図１に示すように、テープ３の中央長手方向に沿って細長のデバイス孔１５が設けられている。リード４はこのデバイス孔１５内にも片持梁状にリード４を突出させている。そして、これらリード４の先端はセンターパッド構造の半導体チップ１６の各電極１７に重ねて接続されている（図３参照）。図１において、点線で示す四角形が半導体チップ１６である。また、デバイス孔１５の両側の半導体チップ１６に対面する領域にはデバイス孔１５に沿って開口部１８が設けられている。
また、矩形枠状配列のホール７の内側であり、かつテープ配線基板２に固定された半導体チップ１６の外側には、矩形枠状に不連続にスリット８が設けられている。
【００３３】
図２及び図３に示すように、半導体チップ１６の電極１７を設けた主面側には絶縁性樹脂で封止体１９が形成されている。この封止体１９は半導体チップ１６の主面側のテープ３，リード４を覆う構造になっている。封止体１９はスリット８の内側の領域全体を覆い、デバイス孔１５及び開口部１８をも封止する構造になっている。
【００３４】
前記スリット８は、図１に示すように、テープ配線基板２の各辺に沿って直線的に延在する直線スリット８ａや、矩形枠の各角部に沿って延在する直角に屈曲するコーナスリット８ｂからなっている。そして、直線スリット８ａは当然としてコーナスリット８ｂの直線部分もテープ配線基板２のいずれかの辺に沿って延在している。
【００３５】
これら直線スリット８ａとコーナスリット８ｂは不連続に設けられることから、矩形枠状配置のスリット８の内側のテープ配線基板部分（スリット内テープ部９）は、スリットとスリット間の連結部１１によって矩形枠状配置のスリット８の外側のテープ配線基板部分（スリット外テープ部１０）に支持される構造になっている。スリット８は、半導体装置１の製造の各段階または製造後、テープ配線基板２自体、またはテープ配線基板２を含む半導体装置を構成する部材に応力（含む熱ストレス）が加わった際、ストレスをテープ配線基板２の内側領域と外側領域で分断して解消させてテープ配線基板２を含む部分が反りや捩れを起こさせない作用をするために設けられる。また、このスリット８は樹脂封止を行う際樹脂の外側（スリット外テープ部１０）への流出を停止させる働きをも兼ねるものである。
【００３６】
従って、連結部１１の幅はスリット８内テープ部９をスリット外テープ部１０で支持できることを限度に狭いことが望ましい。即ち、各箇所の連結部１１の幅が狭い程、スリット内テープ部９とスリット外テープ部１０との間でのストレスを分断し、小さくすることができ、反り及び捩れの発生を防止することができる。
【００３７】
また、連結部１１が狭いほど、封止時にスリット内テープ部９からスリット外テープ部１０に向かって流出する樹脂の流出路の幅を狭くできる。流出路の幅が狭くなるほど、樹脂の表面張力（粘性）の影響が大きくなり、樹脂の流出を停止させることができる。スリット８においては、樹脂の表面張力によってスリットの内側の縁、または外側の縁で停止してしまう。これにより、封止体の外周形状が整うことになる。
【００３８】
テープ３のスリット外テープ部１０の第１の面３ａ側にはソルダーレジスト膜からなる反り補強部５が形成されている。ホール７はこの反り補強部５が設けられた領域に形成されている。図１以降の平面図において、反り補強部５が設けられた領域を明瞭にするため点々を施した領域で示してある。本実施例１では、矩形枠状に設けられるスリット８の外側に反り補強部５が設けられ、スリット８の内側の領域、即ちスリット内テープ部９には反り補強部５は設けられていない。
【００３９】
スリット内テープ部９には選択的に開口部１８が設けられ、樹脂（ポリイミド樹脂）であるテープ３と導体（Ｃｕ箔）で形成されるリード４の熱膨張係数の違いによる反りや捩れを分断しかつ低減するようになっている。
【００４０】
各ホール７を延在するリード４は必要に応じて屈曲し、その一方の先端（内端）をデバイス孔１５のいずれかの長辺からデバイス孔１５内に突出延在させ、他方はテープ３の外縁にまで到達させた構造になっている。半導体装置１はＴＡＢテープを切断して形成するが、この切断の際リードも切断されるため、リード４の外端はテープ３の外縁に存在するようになる。リード４によっては、スリット８及び開口部１８を横切る。リード４のなかにはスリット８及び開口部１８を横切らないものもある。
また、本実施例１では、熱ストレス等における応力バランスをとるために半導体チップ１６の電極１７に接続されないダミーリード４ａやダミーバンプ電極６ａを設けている。
【００４１】
ここで、寸法関係等について一例を挙げて説明する。テープ３は厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルムで形成されている。デバイス孔１５，開口部１８，ホール７及びスリット８を形成したテープ３の第１の面または第２の面に厚さ１２μｍ程度の接着剤で厚さ３５μｍの銅箔を接着し、その後銅箔を所望パターンにエッチングしてリード４を形成する。スリット８の幅は５００μｍ程度である。反り補強部５を形成するソルダーレジスト膜の厚さは２０μｍ程度である。前記ホール７の直径は３５０μｍ程度である。前記リード４において、デバイス孔１５のリードの下面及びホール７のリードの上下面にはそれぞれ金メッキ膜が形成されている。ホール７内に延在するリード４の下面に接続されるバンプ電極６は、例えば、直径４００μｍの半田ボールであり、接続後は厚さ２５０μｍとなり、半導体チップ１６の下端よりも、例えば、５０μｍ程度厚くなっている。半導体装置１の実装時、バンプ電極６は溶けて軟化して実装基板のランドに接続されることから、例えば、半導体チップ１６の下端とバンプ電極６の下端が同じ程度の高さに位置する構造でもよい。半導体装置１の高さ（厚さ）は０．５ｍｍ以下となる。
【００４２】
つぎに、本実施形態１の半導体装置１の製造について図５乃至図１２を参照しながら説明する。図５は半導体装置の製造方法を示す工程図である。図６は半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。図７は図６に示すＴＡＢテープをＸ−Ｘで切断した断面図である。図８及び図９はＴＡＢテープのインナーリードを半導体チップの電極に接続する状態を示す平面図及び断面図である。図１０及び図１１はＴＡＢテープ及び半導体チップに封止体１９が形成された状態を示す平面図及び断面図である。図１２はホール７の領域のリード４にバンプ電極６が形成された状態を示す断面図である。
【００４３】
図５（ａ）は半導体チップ１６の主面にバンプ電極１７を形成する工程を示すものである。図５（ａ）の左側の図に示すように、半導体チップ１６の主面の下地電極１７ａの上にキャピラリ２５で保持した金ワイヤ２６の先端を超音波接続させる。金ワイヤ２６の先端は放電等によって球状化しておく。そして、この球状化部分を圧接と超音波振動とにより下地電極１７ａに擦りつけて接続し、ついで金ワイヤ２６を引っ張って接続近傍で切断させる。その後、図５（ａ）の右側の図に示すように、下地電極１７ａ上の接続部分を抑え片２７で押し潰して突起電極、即ち、バンプ電極１７を形成する。なお、下地電極１７ａ及びバンプ電極１７を含めて電極１７と呼ぶ。
【００４４】
つぎに、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ１６のインナーリード（ＩＬ）の先端（内端）を半導体チップ１６の前記電極１７に接続する。即ち、リール２８からＴＡＢテープ２９を解き出し、このＴＡＢテープ２９の下方に半導体チップ１６を位置決めし、ＴＡＢテープ２９の上方から接続工具２４を降下させてリード４の内端を電極１７に圧接して接続させる。例えば、図示しないが、リール２８から解き出したＴＡＢテープ２９を、所定温度に保たれ上面に半導体チップ１６を載置した作業テーブル上に位置決めして重ね、その後接続工具２４を降下させて超音波振動させて半導体チップ１６の電極１７とリード４の内端を接続（インナーリードボンディング：ＩＬＢ）する。ＴＡＢテープ２９は移送機構によって作業テーブル上をピッチ送りされる。
【００４５】
図６はＴＡＢテープ２９の一部を示す平面図であり、図７はそのＸ−Ｘ断面図である。図６以降では単一の半導体装置１を製造するＴＡＢテープ部分を示す。
【００４６】
ＴＡＢテープ２９は、厚さ５０μｍ程度の細長の絶縁性のテープ３の第１の面３ａに定間隔にリードパターンを有する構造となっている。テープ３は、その両側に一定間隔に配設されるスプロケットホール３０を有している。テープ３は、例えば、ポリイミド樹脂フィルムで形成されている。スプロケットホール３０に図示しないスプロケット歯車が噛み合い、かつスプロケット歯車の所定量回転によってＴＡＢテープ２９はピッチ送りされる。
【００４７】
一対のスプロケットホール列の間に、単一の半導体装置１を製造するためのリードパターンがＴＡＢテープ２９の長手方向に沿って所定間隔に配置されている。リードパターンは、既に図１で説明したパターン（製品領域３１）の外側に検査用領域３２が広がっている。即ち、図１で説明した各ホール７からその外側の検査用領域３２に向かってリード４が延在し、各リード４は検査用領域３２に設けられた検査パッド３３に繋がっている。検査パッド３３も銅箔をエッチングすることによって形成される。検査パッド３３は、例えば、ＴＡＢテープ２９の細長のデバイス孔１５の両側の端部分に１列に並んで配置され、個別の特性検査時、特性検査ソケットの測定端子に接触するようになっている。
【００４８】
製品領域３１は、既に説明した反り補強部５が設けられる領域以内の長方形領域である。そして、図６に示すように、製品領域３１と検査用領域３２との境であり、かつ長方形の各角部に対応する部分には、直角に屈曲するスリット３４が設けられている。半導体装置製造の最終段階で、隣接するスリット３４間のテープ部分を切断することによって、図１に示す半導体装置１を製造することができる。図６において、点々を施して示す矩形枠状の反り補強部５及びその内側の部分が製品領域３１となり、反り補強部５の外側の部分が検査用領域３２となる。
【００４９】
図７に示すように、インナーリードボンディングを行う前は、デバイス孔１５に突出するリード４は平坦になっている。なお、図６以降の図において、図の明瞭化から、図１乃至図４で既に説明した箇所の符号は一部を省略する。また、各図で説明した箇所の符号は必要に応じて以降の図で明記し、一部は省略する。
【００５０】
図８及び図９はインナーリードボンディングを行い、ＴＡＢテープ２９の下面側に半導体チップ１６を取り付けた状態の平面図及び断面図である。図９は図８をＸ−Ｘで切断した断面図である。
【００５１】
図９では左側及び右側からデバイス孔１５内に突出延在するリード４の内端が半導体チップ１６の主面に設けた電極１７に電気的に接続された状態を示す。図９で１つの電極１７に左右のリード４が接続されているように見えるが、実際は、１つの電極１７に左側から伸びたリード４が接続され、この１つの電極１７の後ろに設けられた他の電極１７に右側から伸びた他のリード４が接続されているのである。インナーリードボンディングが行われたＴＡＢテープ２９は、巻き取り用のリール４０に巻き取られる（図５（ｂ）では省略）。
【００５２】
この半導体チップの取り付けにおいて、テープ３及びリード４の熱膨張係数の差によって熱ストレスがテープ３やリード４に加わっても、スリット８及び開口部１８がテープ３に設けられていることから、応力が分断され、かつスリット８及び開口部１８によって応力か吸収されて解消されるため、テープ３、即ちＴＡＢテープ２９が反りや捩れ等の変形を起こさなくなる。特に、矩形状のチップ搭載領域の二点間の距離が最も長くなる対角線の端末にそれぞれコーナスリット８ｂが設けられていることから、応力は効果的に吸収されかつ解消されるため、反り及び捩れ等の変形を抑止する効果はより一層大きくなる。ＴＡＢテープ２９の反り及び捩れが抑止されＴＡＢテープ２９は平坦な状態を維持できることから、その後の作業においても支障を来さなくなる。
【００５３】
また、矩形枠状に配列されるスリット８の外側の領域（スリット外テープ部１０）にはソルダーレジスト膜からなる反り補強部５が設けられていることから、この反り補強部５は強度部材として作用するようになり、ＴＡＢテープ２９の反り及び捩れは抑止されＴＡＢテープ２９は平坦な状態を維持できるようになる。従って、その後の作業においても支障を来さなくなる。
【００５４】
つぎに、図５（ｃ）に示すように、リール４０からＴＡＢテープ２９を解き出し、ディスペンサ４１のノズル４２からＴＡＢテープ２９の製品領域３１に絶縁性の樹脂を滴下塗布（ポッティング）する。その後、図示はしないが塗布した樹脂をベークして硬化させて封止体１９を形成する。
【００５５】
図１０はＴＡＢテープ２９及び半導体チップ１６に封止体１９が形成された状態を示す平面図であり、図１１は、ＴＡＢテープ２９及び半導体チップ１６に封止体１９が形成された状態を示す図１０のＸ−Ｘ断面図である。ＴＡＢテープ２９に滴下塗布された樹脂はテープ３の上面上を広がるとともに、デバイス孔１５及び開口部１８から落ちて半導体チップ１６の主面上に広がる。テープ３上を広がる樹脂は表面張力の作用からスリット８の内縁で停止する。仮にスリット８内に入る樹脂も表面張力の作用からスリット８の外周縁で停止する。スリット８とスリット８の間の連結部１１はその幅が短いため、樹脂の表面張力によってスリット８の内周縁に対応する部分で停止する。ここで停止しない樹脂もスリット８の外周縁に対応する部分で停止する。半導体チップ１６の主面上の樹脂も半導体チップ１６の外周縁からテープ３のスリット８の内周縁に掛ける部分で停止する。このような樹脂の広がりの程度は、ディスペンサ４１による塗布量及び樹脂の粘度によって決まるので、適当に選択する。封止体１９が形成されたＴＡＢテープ２９は、巻き取り用のリール４５に巻き取られる（図５（ｃ）では省略）。
【００５６】
この封止体１９の形成において、テープ３及びリード４、即ち、ＴＡＢテープ２９には熱ストレスが作用する。また、樹脂が硬化する際樹脂の硬化収縮が起きるためＴＡＢテープ２９には応力が発生する。しかし、これら熱ストレスを含む応力も、前述のようにスリット８，開口部１８及び反り補強部５が設けられていることから、反りや捩れ等の変形の発生を抑止することができるようになる。ＴＡＢテープ２９の反り及び捩れの防止により、ＴＡＢテープ２９は平坦な状態を維持できるようになり、その後の作業においても支障を来さなくなる。なお、図１１を含み以降の断面図では、デバイス孔１５に両側から延在するリード４の先端が同一のバンプ電極１７に接続した状態として示すが、実際には左右どちらかのリード４が接続するものである。
【００５７】
つぎに、バンプ電極６を形成する。バンプ電極６の形成では、テープ配線基板２にボール付けを行ってバンプ電極６を形成した後、フラックス等を除去するための洗浄が行われる。図５（ｄ）に示すように、リール４５からＴＡＢテープ２９を解き出す。この際、テープ３の上面は第２の面３ｂとなるように前工程ではＴＡＢテープ２９をリール４５に巻き取っておく。
【００５８】
下面にボール４６を真空吸着保持できるボールホルダ４７によって複数のボール４６を保持する。ボールホルダ４７の下面には、図１及び図４で説明したホール７の配置位置に対応してボール４６を真空吸着保持するようになっている。図５（ｄ）に示すように、ＴＡＢテープ２９の各製品領域３１にボール４６を位置決め載置し、その後図示しないがリフローしてボール４６をＴＡＢテープ２９に取り付ける。これにより、ボール４６はバンプ電極６となる。また、図示はしないが洗浄が行われ、バンプ電極６やＴＡＢテープ２９に付着しているフラックス等の不要なものを洗い流す。図１２はホール７の領域のリード４にバンプ電極６が形成された状態を示す断面図である。
【００５９】
このバンプ電極６の形成において、テープ３及びリード４、即ち、ＴＡＢテープ２９には熱ストレスが作用する。しかし、この熱ストレスも、前述のようにスリット８，開口部１８及び反り補強部５が設けられていることから、反りや捩れ等の変形の発生を抑止することができるようになる。ＴＡＢテープ２９の反り及び捩れの防止により、ＴＡＢテープ２９は平坦な状態を維持できるようになり、その後の作業においても支障を来さなくなる。
【００６０】
つぎに、ＴＡＢテープ２９を所定間隔で切断して個片５０とし、図５（ｅ）に示すように、この個片５０を特性検査用ソケットの収容体５１に取り付け、この収容体５１を測定針５２を上面に突出させる本体５３に重ね、各検査パッド３３に測定針５２を接触させて所定の特性検査を行う。
【００６１】
つぎに、切断を行い、不要なＴＡＢテープ部分を除去し、図５（ｆ）に示すように半導体装置１を製造する。ＴＡＢテープ２９の切断によって製品領域３１のＴＡＢテープ２９はテープ配線基板２になる。
【００６２】
このような半導体装置１は、図１３に示すように、実装基板５５に実装される。即ち、実装基板５５の上面にはランド５６が設けられている。このランド５６は半導体装置１のバンプ電極６に対応して設けられている。また、実装基板５５のランド５６が設けられない上面は絶縁膜５７で覆われている。そこで、実装においては、半導体装置１を下面の各バンプ電極６が実装基板５５のランド５６上に重なるように載置し、その後、ランド５６の表面に設けておいたハンダ等を再溶融（リフロー）してバンプ電極６をランド５６に電気的に接続する。
【００６３】
この実装において、半導体装置１には熱ストレスが作用する。しかし、この熱ストレスも、前述のようにスリット８，開口部１８及び反り補強部５が設けられていることから、応力が吸収かつ解消されることから、半導体装置１の反りや捩れ等の変形が起きなくなり、各バンプ電極６を実装基板５５のランド５６に確実に接続することができるようになる。この結果、半導体装置１の実装の信頼性が高くなる。
【００６４】
図１４乃至図１８は実施例１の変形例１乃至変形例５の半導体装置を示す断面図である。
図１４は変形例１である半導体装置の断面図である。この半導体装置１は、実施例１とは反対にリード４の上面にテープ３が設けられ、リード４の下面に反り補強部５が設けられた構造である。反り補強部５はソルダーレジスト膜で形成されている。反り及び捩れ抑止効果は実施例１と同様である。
【００６５】
図１５は変形例２である半導体装置の断面図である。この半導体装置１は、実施例１の半導体装置１において、スリット８の内側の領域、即ちスリット内テープ部９にもテープ３に重ねて反り補強部５を設けた構造である。反り補強部５はソルダーレジスト膜で形成されている。反り及び捩れ抑止効果は実施例１に比較してさらに大きくなっている。また、この変形例２では、ホール７の内周面をリード側で狭く、リード４から遠いテープ表面側で広くなるようにしている。２枚のテープのホールの孔径を異なるようにしてこの構造を形成してもよいが、本例では、ホール７の内周面をテーパ状にしてある。これにより、半田接合性向上の効果が期待できる。
【００６６】
図１６は変形例３である半導体装置の断面図である。この半導体装置１は、変形例２の半導体装置１において、テープ３と反り補強部５の位置が上下で反対になる構造であり、リード４の上面にテープ３が設けられ、リード４の下面に反り補強部５が設けられた構造である。反り補強部５はソルダーレジスト膜で形成されている。反り及び捩れ抑止効果は変形例２と同様である。
【００６７】
図１７は変形例４である半導体装置の断面図である。この半導体装置１は、変形例２の半導体装置１において、反り補強部５を絶縁性の樹脂性テープで形成したものである。樹脂性テープであることから、ソルダーレジスト膜に比較してさらに強度が大きくなり、反り及び捩れ防止効果が高くなる。
【００６８】
図１８は変形例５である半導体装置の断面図である。この変形例は、半導体チップ１６の下面側にも絶縁性の樹脂層６０を形成したものである。これにより、反り及び捩れ防止効果を高めることができるとともに、半導体チップ１６を略全体的に樹脂で覆うことから半導体装置１の耐湿性が向上する。
【００６９】
本実施形態１によれば以下の効果を奏する。
（１）封止体１９とバンプ電極６列との間にスリット８が設けられていることから、材質の違いによる熱応力がテープ３（テープ配線基板２）に加わっても、スリット８の存在によって応力か吸収されて解消されるため、テープ３、即ち半導体装置１が反り、捩れ等の変形が発生し難くなる。この結果、半導体装置１を実装基板５５にバンプ電極６を介して実装する際、半導体装置１が反り、捩れ等の変形がないため正確確実な実装が可能になる。特に、封止体１９の角部（コーナ）に対応して屈曲したスリット８（コーナスリット８ｂ）が設けられている。対角線上のコーナとコーナとの間のテープ３の長さが最も長く、この端末にコーナスリット８ｂが存在するため、テープ３、即ち半導体装置１の反りや捩れは起き難くなる。
【００７０】
（２）スリット８の外側、換言するならば、封止体１９の外側のテープ部分にはソルダーレジスト膜からなる反り補強部５が設けられていることから半導体装置１は反りや捩れが起き難くなり、半導体装置１の実装時、正確確実な実装が可能になる。また、スリット８の内外のテープ３に重ねるように反り補強部５を設ける半導体装置１ではさらに反り及び捩れの抑止効果が高くなる。
【００７１】
（３）上記（１）及び（２）に記載するように、半導体装置１には封止体１９とバンプ電極６列との間にスリット８が設けられていることと、スリット８（封止体１９）の外側のテープ部分にはソルダーレジスト膜からなる反り補強部５が設けられていることから半導体装置１は反りや捩れが起き難くなり、半導体装置１の実装時、正確確実な実装が可能になる。
【００７２】
（４）テープ３の一面に支持されるリード４の同一面側に半導体チップ１６及びバンプ電極６を有し、かつ半導体チップ１６のリード４との接続面側に封止体１９を形成する構造となることから、薄型の半導体装置１となる。例えば、半導体装置１の高さを０．５ｍｍ以下にすることが可能である。
【００７３】
（５）封止体１９の形成時、封止体１９を形成する樹脂が流れても、その流れは樹脂の表面聴力もあることから、スリット８の内側の縁またはスリット８の外側の縁で停止されることから、形状の整った封止体１９を形成することができ、外観性も良好になる。
【実施例２】
【００７４】
図１９及び図２０は本実施例２である半導体装置に係わる図であり、図１９は半導体装置の平面図、図２０は半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【００７５】
図１９に示すように、本実施例２の半導体装置１は、スリット８が半導体チップ１６を囲むように全周に亘って設けられる構造となっている。スリット８が全周に設けられることから、熱ストレス等の応力がテープ３（テープ配線基板２）に掛かったとき、スリット８の内外の領域は応力が完全に分断される。この結果歪みも小さくなり、さらにスリット故に応力も吸収されて反り及び捩れ等の変形が起きなくなる。
【００７６】
本実施例２の半導体装置１の製造においては、図２０に示すようなＴＡＢテープ２９が使用される。矩形枠状に設けられるスリット８の内側のスリット内テープ部９と外側のスリット外テープ部１０はスリット８によって完全に分離される。しかし、スリット内テープ部９及びスリット外テープ部１０のテープ部分は多数のリード４で連結されかつ支持されることになり、半導体装置１の製造に支障を来さないようになっている。
【００７７】
半導体装置１の製造時、スリット８が連続的に設けられていることから、封止体１９の形成時、樹脂全体はスリット８の縁で停止し、封止体１９の外形線が乱れず、外観性も良好になる。
【実施例３】
【００７８】
図２１及び図２２は本実施例３である周辺パッド構造の半導体装置に係わる図であり、図２１は半導体装置の断面図、図２２は半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【００７９】
本実施例３は、周辺パッド構造の半導体チップを組み込んだ半導体装置１に本発明を適用した例について説明する。図２２に示すように、四角形状の半導体チップ１６の主面には、半導体チップ１６の各辺に沿い、かつ各辺の近傍に１列に並んで電極１７が設けられている。従って、ＴＡＢテープ２９は、実施例１のＴＡＢテープ２９において、デバイス孔１５を開口部１８が設けられる領域を越して広くした構造にする。そして、デバイス孔１５内に突出延在する各リード４の先端を電極１７に重ねて接続する（図２１参照）。
【００８０】
本実施例２においてもスリット８が設けられていることと、スリット８の外側のスリット外テープ部１０に反り補強部５が設けられていることから、ＴＡＢテープ２９やテープ配線基板２（テープ３）の反り及び捩れを抑止することができる。
【００８１】
図２３は本実施例３の変形例である周辺パッド構造の半導体装置の断面図である。実施例３ではリード４の上面にテープ３を位置させ、リード４の下面に反り補強部５を位置させた構造としたが、変形例では逆とし、リード４の下面にテープ３を位置させ、リード４の上面に反り補強部５を位置させた構造としたものである。この変形例においても実施例３で得られる効果が得られる。
【実施例４】
【００８２】
図２４乃至図２６は本実施例４である２列パッド構造の半導体装置に係わる図である。図２４は半導体装置の平面図、図２５は半導体装置の底面図、図２６は半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【００８３】
図２４及び図２５に示すように、本実施例４の半導体装置１は、矩形枠状に配置されるスリット８の外側に２列に亘ってバンプ電極６を形成してある。本実施例４の半導体装置１を製造する際、図２６に示すように、矩形枠状に配置されるスリット８の外側に２列に亘ってホール７を形成しておく。また、各ホール７内にはリード４が横切るように延在している。そして、テープ３の、例えば、第２の面３ｂにバンプ電極６を形成する。このような構造にすることにより、反り及び捩れがない多ピンの半導体装置１を提供することができる。
【００８４】
また、さらに他列にバンプ電極６を配置するようにしてもよい。また、バンプ電極６を千鳥足跡状にジグザグに配列してもよい。千鳥足跡状配列は、並列に２個バンプ電極６を配列する構造に比較して列間を狭くできるため、半導体装置１の小型化が達成できる。
【実施例５】
【００８５】
図２７は本実施例５である多段積層構造の半導体装置を示す断面図、図２８は多段積層構造の半導体装置の実装状態を示す断面図である。
【００８６】
本実施例５の多段積層型半導体装置７０は、実施例１の半導体装置１を４段に積層接続した構造の半導体装置である。即ち、４個の半導体装置１ａ〜１ｄを準備した後、半導体装置１ａ上に半導体装置１ｂを載置し、半導体装置１ｂ上に半導体装置１ｃを載置し、半導体装置１ｃ上に半導体装置１ｄを載置する。この積層時、上段側の半導体装置のバンプ電極６を下段側の半導体装置のホール７に延在するリード４に重なるように位置決めして積層する。その後，リフローによってリード４とその上のバンプ電極６を電気的に接続して多段積層型半導体装置７０を製造する。
【００８７】
図２８は多段積層型半導体装置７０を実装基板５５に搭載した例である。多段積層型半導体装置７０の最下段の半導体装置１ａのバンプ電極６を実装基板５５のランド５６に電気的に接続したものである。
【００８８】
本実施例５の多段積層型半導体装置７０は、前記実施例１で製造した反りや捩れがない良品の半導体装置１を使用することから、上下の半導体装置は確実に電気的に接続され、実装性能の良好な多段積層型半導体装置７０となる。
半導体装置１は所望数の積層が行え、多段積層型半導体装置７０を安価に製造することが可能になる。
【００８９】
多段積層型半導体装置７０は、薄型の半導体装置１の多段積層型であることから、薄型の多段積層型半導体装置７０を提供することが可能になる。
特性検査で良品となった半導体装置１を使用して多段積層型半導体装置７０を製造することから、不良率低減が可能になる。
【００９０】
図２９は本実施例５の変形例１の多段積層構造の半導体装置を示す断面図である。同図において、半導体装置１ａ〜１ｄは全て半導体チップとして主面中央に沿って電極を配列したセンターパッドチップを用いたものである。このような多段積層構造の半導体装置によれば、同一形状または同一種類のチップを積層することによる容量アップが可能である。
【００９１】
図３０と図３１は本実施例５の変形例２乃至変形例３の多段積層構造の半導体装置を示す断面図である。これら変形例では、積層する複数の半導体装置１ａ〜１ｄにおいて、一部の半導体装置は半導体チップとして主面中央に沿って電極を配列したセンターパッドチップを用いたものであり、残りの半導体装置は主面の縁に沿って電極を配列したサイドパッドチップを用いたものである。
【００９２】
図３０は半導体装置１ａ，１ｂがサイドパッドチップを組み込んだ半導体装置であり、半導体装置１ｃ，１ｄがセンターパッドチップを組み込んだ半導体装置である。同一形状または同一種類のチップ積層による容量アップが可能である、さらに複合チップ混載に有効である。
【００９３】
図３１は半導体装置１ａは小型のサイドパッドチップを組み込んだ半導体装置であり、半導体装置１ｂが半導体装置１ａよりも大型のサイドパッドチップを組み込んだ半導体装置であり、半導体装置１ｃが小型のセンターパッドチップを組み込んだ半導体装置であり、半導体装置１ｄが半導体装置１ｃよりも大型のセンターパッドチップを組み込んだ半導体装置である。複合チップ混載に有効である。
【００９４】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の封止体を省略した平面図である。
【図２】実施例１の半導体装置を示す平面図である。
【図３】実施例１の半導体装置の図２のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】実施例１の半導体装置の底面図である。
【図５】実施例１の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】実施例１の半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【図７】図６のＴＡＢテープのＸ−Ｘ断面図である。
【図８】実施例１の半導体装置の製造方法において、ＴＡＢテープのインナーリードを半導体チップの電極に接続する状態を示す平面図である。
【図９】図８に示すＴＡＢテープと半導体チップをＸ−Ｘで切断した断面図である。
【図１０】実施例１の半導体装置の製造方法において、半導体チップの一面に封止体を形成した状態を示す平面図である。
【図１１】図１０のＸ−Ｘ断面図である。
【図１２】実施例１の半導体装置の製造方法において、ＴＡＢテープにバンプ電極を形成した状態を示す断面図である。
【図１３】実施例１の半導体装置を実装基板に実装した状態を示す断面図である。
【図１４】実施例１の変形例１である半導体装置の断面図である。
【図１５】実施例１の変形例２である半導体装置の断面図である。
【図１６】実施例１の変形例３である半導体装置の断面図である。
【図１７】実施例１の変形例４である半導体装置の断面図である。
【図１８】実施例１の変形例５である半導体装置の断面図である。
【図１９】本発明の実施例２である半導体装置の平面図である。
【図２０】本発明の実施例２である半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【図２１】本発明の実施例３である周辺パッド構造の半導体装置の断面図である。
【図２２】本発明の実施例３である周辺パッド構造の半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【図２３】本発明の実施例３の変形例である周辺パッド構造の半導体装置の断面図である。
【図２４】本発明の実施例４である２列パッド構造の半導体装置の平面図である。
【図２５】本発明の実施例４である２列パッド構造の半導体装置の底面図である。
【図２６】本発明の実施例４である２列パッド構造の半導体装置の製造で使用するＴＡＢテープの一部を示す平面図である。
【図２７】本発明の実施例５である多段積層構造の半導体装置を示す断面図である。
【図２８】本発明の実施例５である多段積層構造の半導体装置の実装状態を示す断面図である。
【図２９】本実施例５の変形例１による多段積層構造の半導体装置を示す断面図である。
【図３０】本実施例５の変形例２による多段積層構造の半導体装置を示す断面図である。
【図３１】本実施例５の変形例３による多段積層構造の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１…半導体装置、２…テープ配線基板、３…テープ（フィルム）、４…リード、４ａ…ダミーリード、５…反り補強部、６…バンプ電極、６ａ…ダミーバンプ電極、７…ホール、８…スリット、８ａ…直線スリット、８ｂ…コーナスリット、９…スリット内テープ部、１０…スリット外テープ部、１１…連結部、１５…デバイス孔、１６…半導体チップ、１７…電極、１８…開口部、１９…封止体、２４…接続工具、２５…キャピラリ、２６…金ワイヤ、２７…抑え片、２８…リール、２９…ＴＡＢテープ、３０…スプロケットホール、３１…製品領域、３２…検査用領域、３３…検査パッド、３４…スリット、４０…リール、４１…ディスペンサ、４２…ノズル、４５…リール、４６…ボール、４７…ボールホルダ、５０…個片、５１…収容体、５２…測定針、５３…本体、５５…実装基板、５６…ランド、５７…絶縁膜、６０…樹脂層、７０…多段積層型半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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