(57)【要約】【課題】  ウェハを保持するトレイと反応管に設けた孔との位置合わせを精度良く行い、トレイと反応管の孔との隙間を均一に保つことにより、ウェハ表面における原料ガスの流れを安定させて、安定した成膜を行うことが可能な気相成長装置を提供する。【解決手段】  下端部にウェハ１が装着されるトレイ１１と、トレイ１１の下端が挿入される孔２３が設けられた上面板２２を有し、反応ガスが水平方向にその内部を流れる反応管２１と、トレイ１１を保持し、自転可能なサセプタ３１と、トレイ１１に装着されたウェハ１を加熱する加熱装置４１とを備えたものであって、さらに、トレイ１１を孔２３の上方まで搬送する第１のトレイ受け５１と、トレイ１１を垂直方向に搬送する第２のトレイ受け６１とを備えている。【選択図】        図１
2005191490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下端部にウェハが装着されるトレイと、
前記トレイの下端が挿入される孔が設けられた上面板を有し、反応ガスが水平方向にその内部を流れる反応管と、
前記トレイを保持し、自転可能なサセプタと、
前記トレイに装着されたウェハを加熱する加熱装置とを備えた気相成長装置において、
前記トレイを前記トレイの設置位置の上方まで搬送する第１のトレイ受けと、前記トレイを垂直方向に搬送する第２のトレイ受けとを備え、
前記第２のトレイ受けは、前記トレイの設置位置の上方において前記第１のトレイ受けから前記トレイを受け取り、前記トレイを下方に搬送して前記トレイの下端を前記孔に挿入すると共に前記トレイを前記サセプタ上に載置する、気相成長装置。
【請求項２】
前記第２のトレイ受けは、前記トレイに当接する当接部を有し、前記トレイを前記当接部に当接することにより前記トレイを前記第２のトレイ受けの所定位置に位置決めする、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記第１のトレイ受けは、前記トレイを第２のトレイ受けの前記当接部に向かって押圧するばねを有する、請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記第１のトレイ受けが前記トレイの設置位置の上方まで搬送した前記トレイを、前記第２のトレイ受けが上昇して受け取り、前記第１のトレイ受けを再度搬送方向に動かすことで、前記ばねにより押圧して前記トレイを前記当接部に当接させる、請求項３に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記第２のトレイ受けは、前記トレイを保持しながら下降して、前記トレイを前記サセプタ上に載置し、さらに下降して前記トレイと非接触状態となる、請求項１から４のいずれかに記載の気相成長装置。
【請求項６】
前記トレイは、前記第１のトレイ受けと係合する第１のフランジと、前記第１のフランジとは異なる高さに設けられた、前記第２のトレイ受けと係合する第２のフランジとを有する、請求項１から５いずれかに記載の気相成長装置。
【請求項７】
前記第２のトレイ受けは、前記反応管に当接して、第２のトレイ受けと反応管とを位置決めする位置決め部を有する、請求項１から６のいずれかに記載の気相成長装置。
【請求項８】
前記第２のトレイ受けの位置決め部は、垂下する一対の案内棒で構成される、請求項７に記載の気相成長装置。
【請求項９】
前記反応管は、反応管本体と、その上方に設けられた水平板とを有し、
前記水平板には、前記案内棒が挿入される、入り口側が広く奥側が狭い一対のガイド溝が設けられている、請求項８に記載の気相成長装置。
【請求項１０】
その下端部にウェハが装着されるトレイと、
前記トレイの下端が挿入される孔が設けられた上面板を有し、反応ガスが水平方向にその内部を流れる反応管と、
回転可能に前記トレイを保持するサセプタと、
前記トレイに装着されたウェハを加熱する加熱装置とを備えた気相成長装置において、
前記トレイを搬送する第１のトレイ受けと、前記第１のトレイ受けから前記トレイを受け取り、前記トレイをサセプタ上に載置する第２のトレイ受けとを備え、
前記第２のトレイ受けは、前記反応管との位置決めを行う位置決め部を有する、気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ウェハに膜を形成する気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機金属気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition、以下、「ＭＯＣＶＤ」という。）は、化合物半導体等の結晶成長技術の一つである。ＭＯＣＶＤ装置には、設置された基板の表面に対して垂直に原料ガスを流す縦型ＭＯＣＶＤ装置や、設置された基板の表面に対して平行に原料ガスを流す横型ＭＯＣＶＤ装置がある。
【０００３】
ＭＯＣＶＤ装置においては、サセプタ上のウェハを交換したり、反応管を交換したりするたびに反応炉を大気に開放すると、生産性が低下する。そのため反応炉を大気に開放しなくてもこれらを交換できるよう、ウェハや反応管を自動搬送する装置を設ける必要がある。
【０００４】
また、ＭＯＣＶＤ装置においては、ウェハに均一な膜を形成するため、ウェハ上の各位置における、原料ガスの流れや温度を均一にする必要がある。この課題を解決するため、一般的には、ウェハを回転させるようにしている。
【０００５】
このような自動搬送装置とウェハの回転装置とを備えた気相成長装置として、特許文献１に開示されたようなものがある。その気相成長装置を図１１に示す。この気相成長装置においては、公転する軸１２０の上にキャリア１２１を設け、ここに遊星歯車を有するサセプタ受け歯車１２２を軸支している。サセプタ受け歯車１２２の上には、サセプタ１２３を設置し、サセプタ１２３にはウェハ１２９を装着している。遊星歯車１２５は中央にある静止した太陽歯車１２６と噛み合っている。キャリア１２１が公転すると、サセプタ受け歯車１２２およびサセプタ１２３は自転する。
【０００６】
サセプタ１２３は、サセプタ支持トレイ１０１の段部１２４の内径より広い直径を有している。サセプタ支持トレイ１０１を持ち上げると、サセプタ１２３がサセプタ支持トレイ１０１の段部１２４に引っ掛かり、サセプタ受け歯車１２２から離れて持ち上がる。サセプタ支持トレイ１０１を搬送ロボットなどで持ち上げ交換することで、サセプタ１２３に装着されたウェハ１２９も同時に交換することができる。
【特許文献１】特開平５−１２９２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１記載の気相成長装置において、搬送ロボットにより、サセプタ支持トレイ１０１を自動搬送し、支持筒１３０に載置するためには、サセプタ支持トレイ１０１と支持筒１３０との間には図１１に示すような隙間１２７が必要となる。この隙間１２７は、少なくとも２ｍｍ程度は必要である。この気相成長装置においては、サセプタ支持トレイ１０１を支持筒１３０に載せているだけであるので、サセプタ支持トレイ１０１は、サセプタ支持トレイ１０１と支持筒１３０の隙間１２７の範囲内でずれて載せられることとなるが、そのずれ量は一定にはならない。
【０００８】
横型ＭＯＣＶＤ装置においては、原料ガスが流れる反応管１０３に設けた孔１０４に、ウェハ１２９を装着したトレイ１０１の先端が挿入され、ウェハ１２９の表面に沿って原料ガスを流す。このとき、サセプタ支持トレイ１０１に位置ずれが生じていると、サセプタ支持トレイ１０１と反応管１０３に設けられた孔１０４との間にも位置ずれが生じ、図１２に示すように、不均一な隙間１０２が形成された状態となる恐れがある。また、この隙間１０２はサセプタ支持トレイ１０１の搬送のたびに異なるものとなる。
【０００９】
このように、サセプタ支持トレイ１０１と反応管１０３との相対関係が変化し、隙間１０２からの原料ガスの漏れの状態が不均一であると、原料ガスの流れが一定にならない。その結果、成膜において、膜厚および膜質が安定しないという問題がある。
【００１０】
この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、ウェハを保持するトレイと反応管に設けた孔との位置合わせを精度良く行い、トレイと反応管の孔との隙間を均一に保つことにより、ウェハ表面における原料ガスの流れを安定させて、安定した成膜を行うことが可能な気相成長装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に基づいた気相成長装置のある局面に従えば、下端部にウェハが装着されトレイと、上記トレイの下端が挿入される孔が設けられた上面板を有し、反応ガスが水平方向にその内部を流れる反応管と、上記トレイを保持し、自転可能なサセプタと、上記トレイに装着されたウェハを加熱する加熱装置とを備えている。さらに、この気相成長装置は、上記トレイを上記トレイの設置位置の上方まで搬送する第１のトレイ受けと、上記トレイを垂直方向に搬送する第２のトレイ受けとを備えている。上記第２のトレイ受けは、上記トレイの設置位置の孔の上方において上記第１のトレイ受けから上記トレイを受け取り、上記トレイを下方に搬送して上記トレイの下端を上記孔に挿入すると共に上記トレイを上記サセプタ上に載置する。
【００１２】
上記気相成長装置によると、第１のトレイ受けが孔の上方までトレイを搬送し、第２のトレイ受けは垂直搬送のみを行うようにしている。第２のトレイ受けは、垂直搬送のみを行うようにしたので、第２のトレイ受けは、垂直方向の動きのみが可能となるように、構成することができ、第２のトレイ受けによる垂直搬送時に生ずる水平方向のトレイの搬送誤差を最小限にすることができる。これによりトレイをサセプタ上の所定の設置位置に正確に載置することができる。
【００１３】
上記気相成長装置において好ましくは、上記第２のトレイ受けは、上記トレイに当接する当接部を有し、上記トレイを上記当接部に当接することにより上記トレイを上記第２のトレイ受けの所定位置に位置決めする。この構成によると、トレイを当接部に当接させることで、第２のトレイ受け上の所定位置に正確に位置させることができる。
【００１４】
上記気相成長装置においてさらに好ましくは、上記第１のトレイ受けは、上記トレイを第２のトレイ受けの上記当接部に向かって押圧するばねを有している。さらにこの構成において、上記第１のトレイ受けが上記トレイの設置位置の上方まで搬送した上記トレイを、上記第２のトレイ受けを上昇させることで上記第２のトレイ受けが受け取り、上記第１のトレイ受けを再度搬送方向に動かすことで、上記ばねにより押圧して上記トレイを上記当接部に当接させるようにしてもよい。この構成によると、第１のトレイ受けから第２のトレイ受けにトレイを受け渡したときに、第２のトレイ受け上でトレイが位置ずれしていた場合でも、ばねにより押圧することで、トレイの位置を補正することができる。
【００１５】
上記気相成長装置においてさらに好ましくは、上記第２のトレイ受けは、上記トレイを保持しながら下降して、上記トレイを上記サセプタ上に載置し、さらに下降して上記トレイと非接触状態となる。この構成によると、サセプタおよびサセプタ上のトレイが回転するときに、第２のトレイ受けとトレイとが接触しないので、その回転を妨げることがない。
【００１６】
上記気相成長装置においてさらに好ましくは、上記トレイは、上記第１のトレイ受けと係合する第１のフランジと、上記第１のフランジとは異なる高さに設けられた、上記第２のトレイ受けと係合する第２のフランジとを有している。この構成によると、第１のトレイ受けと第２のトレイ受けとが干渉することなく、スムーズにトレイの受け渡しが可能となる。
【００１７】
上記気相成長装置においてさらに好ましくは、上記第２のトレイ受けは、上記反応管に当接して、第２のトレイ受けと反応管とを位置決めする位置決め部を有している。この構成においてさらに、上記第２のトレイ受けの位置決め部を、垂下する一対の案内棒で構成してもよい。さらに、上記反応管の上部に水平板を設け、この水平板に上記案内棒が挿入される入り口側が広く奥側が狭い一対のガイド溝を形成しても良い。この構成によると、第２のトレイ受けと反応管との相対位置を正確に位置決めすることができるので、反応管の孔とトレイとを正確に位置決めすることができる。
【００１８】
この発明に基づいた気相成長装置の他の局面に従えば、その下端部にウェハが装着されるトレイと、上記トレイの下端が挿入される孔が設けられた上面板を有し、反応ガスが水平方向にその内部を流れる反応管と、回転可能に上記トレイを保持するサセプタと、上記トレイに装着されたウェハを加熱する加熱装置とを備えている。さらに、この気相成長装置は、上記トレイを搬送する第１のトレイ受けと、上記第１のトレイ受けから上記トレイを受け取り、上記トレイをサセプタ上に載置する第２のトレイ受けとを備え、上記第２のトレイ受けは、上記反応管との位置決めを行う位置決め部を有している。この構成によると、第２のトレイ受けと反応管との相対位置を正確に位置決めすることができるので、反応管の孔とトレイとを正確に位置決めすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
トレイと反応管に設けた孔との位置合わせを精度良く行うことができ、その結果、トレイと反応管の孔との隙間を均一に保つことができる。これにより、ウェハ表面における原料ガスの流れを安定させて、安定した成膜を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る気相成長装置の一実施の形態について、図１から図１０を参照して説明する。
【００２１】
本実施の形態の気相成長装置は、下端部にウェハ１が装着されるトレイ１１と、トレイ１１の下端が挿入される孔２３が設けられた上面板２２を有し、反応ガスが水平方向にその内部を流れる反応管２１と、トレイ１１を保持し、自転可能なサセプタ３１と、トレイ１１に装着されたウェハ１を加熱する加熱装置４１とを備えたものであって、さらに、トレイ１１を孔２３の上方まで搬送する第１のトレイ受け５１と、トレイ１１を垂直方向に搬送する第２のトレイ受け６１とを備えている。
【００２２】
図１および図２を用いて、本実施の形態の気相成長装置の構造の概略について説明する。図１は、本実施の形態の気相成長装置の反応炉を示す縦断面図である。図２は、気相成長装置の全体構造を示す正面図である。図１に示すように、気相成長装置の反応炉４５は、箱型に形成され、天板４６には、加熱装置４１が下端に装着された支持軸４２が垂直方向に貫通している。反応炉４５の図１における左側の側面には、図２に示すロボット室４８に連通する、開口４７が形成されている。ロボット室４８内には、第１のトレイ受け５１が収容されており、この第１のトレイ受け５１により、反応炉４５内にトレイ１１を搬送する。
【００２３】
第１のトレイ受け５１に搬送されたトレイ１１は、反応炉４５内に設けられた第２のトレイ受け６１に受け渡される。第２のトレイ受け６１は、反応炉４５の天板４６から垂下する一対のシャフト６２により支持されており、第２のトレイ受け６１は、このシャフト６２が昇降することにより、上下方向にのみ駆動される。第２のトレイ受け６１の下面には、一対の案内棒６３ａ，６３ｂが設けられている。案内棒６３ａ，６３ｂにより反応管２１と第２のトレイ受け６１との位置決めを行う。
【００２４】
反応管２１の上方には、トレイ１１が載置されるサセプタ３１が設けられている。このサセプタ３１は、トレイ１１が載置される段部３２を有するリング状のサセプタ本体３３と、サセプタ本体３３を回動自在に下面から支持する支持リング３４とで構成される。支持リング３４とサセプタ本体３３との摺動面には、鋼球が配設され、サセプタ本体３３のスムーズな回転を実現している。
【００２５】
サセプタ本体３３の外周はギアを構成しており、サセプタ本体３３に隣接して、このギアと噛みあう駆動ギア３８が設けられている。駆動ギア３８は、反応炉４５の天板４６から垂下する駆動軸３９により駆動される。駆動ギア３８が駆動されると、それに噛みあうサセプタ本体３３の外周のギアも駆動され、サセプタ本体３３が、支持リング３４上で回動する。これによりサセプタ３１およびトレイ１１により支持されるウェハ１の温度を均一にすることができる。支持リング３４は、図示しない支持棒を介して、反応炉４５の底板４９に固定されている。駆動ギア３８には図示しないモータが接続される。
【００２６】
反応炉４５の下部を水平方向に貫通するように、反応管２１が設けられている。反応管２１には、図１において右側から左側に向かって原料ガスが流れる。反応管２１は、上流部２４、中流部２５、下流部２６の３つのパーツに分解されている。これにより、洗浄の頻度が最も高い中流部２５のみを取り出して洗浄することができる。中流部２５の上面板２２には、トレイ１１の下端が挿入される孔２３が形成されている。また中流部２５の上面板２２の両端には、水平板２７が設けられており、水平板２７には後述する案内溝が形成されている。この案内溝には、案内棒６３ａ，６３ｂが挿入される。
【００２７】
図３から図６を参照しながら、本実施の形態の気相成長装置さらに詳しい構造について説明する。
【００２８】
図３は、トレイの構造を示す縦断面図である。トレイ１１は、上面が開放した略円筒状に構成され、その外周には、第１のトレイ受け５１と係合する第１のフランジ１２と、第１のフランジ１２とは異なる高さに設けられた、第２のトレイ受け６１と係合する第２のフランジ１３とが設けられている。
【００２９】
また、トレイ１１の底面には、開口１５が形成されている。開口１５の外周に沿って、円環状の載置リブ１４が設けられている。この載置リブ１４には、ウェハ１が、ロボット室４８等の別室で載置される。トレイ１１に装着されたウェハ１の反応面は、下方向に露出する。
【００３０】
図４は、第１のトレイ受けの構造を示す斜視図である。図４に示すように、第１のトレイ受け５１は、トレイ１１の受け渡しが可能なように、先端が開いた二股状に構成されている。第１のトレイ受け５１には、トレイ１１の第１のフランジ１２が載置される円形の段差部５２が形成されている。この段差部５２の外周は、トレイ１１の第１のフランジ１２の外周より少し大きく形成されており、これによりトレイ１１の大まかな位置決めをすることができる。
【００３１】
また、第１のトレイ受け５１の後部には、トレイ１１を押圧する、板ばね５４が、両端を側面視Ｌ字型の支持体５５により支持されて設けられている。板ばね５４は、一部がコ字型に屈曲されて、復元性を向上させている。本実施の形態では、ばねとして板ばねを用いたが、トレイ１１に当接する当接板とこれに接続したコイルばねなどを組み合わせて使用しても良い。
【００３２】
この第１のトレイ受け５１に載置されたトレイ１１は、第１のトレイ受け５１により、サセプタ３１の上方まで搬送され、第２のトレイ受け６１に引き渡される。
【００３３】
図５は、第２のトレイ受けの構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。図５に示すように、第２のトレイ受け６１も、トレイ１１の受け渡しが可能なように、二股状に構成されている。第２のトレイ受け６１の上面には、トレイ１１を位置決めするため、当接部としての一対の位置決めピン６４，６４が設けられている。
【００３４】
第２のトレイ受け６１の下面には、対角線上に一対の案内棒６３が設けられている。案内棒６３は、反応管２１の水平板２７に形成した案内溝に挿入される。
【００３５】
図６は、反応管の構造を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図である。前述のように、反応管２１は、上流部２４、中流部２５、下流部２６の３つのパーツで構成されている。中流部２５の上面板２２には、トレイ１１の下端が挿入される孔２３が形成されている。
【００３６】
また中流部２５の上面板２２の両端上方には、水平板２７が設けられている。この水平板２７の下面に自動搬送装置のフォークを挿入して持ち上げることで、洗浄の頻度が最も高い中流部２５のみを取り出すことができる。さらに、水平板２７には、反応管２１を横断する方向に案内溝２８ａ，２８ｂが形成されている。案内溝２８ａ，２８ｂは、入り口側が広く、奥に進むにしたがって狭くなるように構成されている。この案内溝２８ａ，２８ｂには、それぞれ対応する案内棒６３ａ，６３ｂが奥まで挿入され、第２のトレイ受け６１と反応管２１とを位置決めする。
【００３７】
次に、本実施の形態の気相成長装置の動作について説明する。トレイ１１の搬送を開始する前に、加熱装置４１がトレイ１１の搬送を妨げない位置まで上昇する。この後トレイ１１は、反応炉４５の中央に位置する第２のトレイ受け６１まで、第１のトレイ受け５１により搬送される。
【００３８】
第２のトレイ受け６１まで搬送した時点で第１のトレイ受け５１は一旦停止し、第２のトレイ受け６１が１０ｍｍ程度上昇する。これにより、トレイ１１は第１のトレイ受け５１から離れ、第２のトレイ受け６１に載せられる。また、第１のトレイ受け５１に取り付けられた板ばね５４のセンターとトレイ１１の第２のフランジ１３のセンターとが一致する。
【００３９】
図７は、トレイが第１のトレイ受けから第２のトレイ受けに引き渡された状態を示す縦断面図である。この時点では、トレイ１１は第２のトレイ受け６１に載せられただけで、位置決めはなされていない。次に、位置決めを行うために、第１のトレイ受け５１を再び矢印で示す搬送方向へ移動させる。これにより、板ばね５４がトレイ１１の第２のフランジ１３を押す。トレイ１１は、第２のトレイ受け６１に設けられた位置決めピン６４に当接するまで移動し、位置決めピン６４により止められ位置決めが完了する。
【００４０】
図８は、トレイが、第１のトレイ受けの板ばねに押されて第２のトレイ受けの位置決めピンに当接する状態を示す平面図である。図８に示すように、トレイ１１がずれておかれた場合は、トレイ１１は当初、一方の位置決めピン６４に接触し、さらに力を加え押していくと接触した一方の位置決めピン６４の方向には進めないため、他方の位置決めピン６４の方向に回転し、他方の位置決めピン６４に当接して停止する。以上のように、トレイ１１を第１のトレイ受け５１から第２のトレイ受け６１に引き渡す際に、トレイ１１のセンターがずれて置かれた場合でも、トレイ１１を第２のトレイ受け６１の所定の位置に設置することができる。トレイ１１を第２のトレイ受け６１の所定の位置に設置した後、第１のトレイ受け５１は、初期位置であるロボット室４８に戻る。以上により、トレイ１１の水平方向の位置決めが完了し、トレイ１１は、トレイ１１が設置される設置位置の真上に位置する。
【００４１】
次に反応管２１の位置決めについて説明する。ロボット室等の別室で、図６に示す反応管２１の上部に設けられた水平板２７の下に搬送用フォークが挿入される。搬送用フォークにより持ち上げられて、反応管２１は反応炉４５内に搬送される。
【００４２】
第２のトレイ受け６１の下面に設けられた案内棒６３ａ，６３ｂが反応管２１の水平板２７に設けられた案内溝２８ａ，２８ｂに挿入される。この案内溝２８は開口側が大きく、根元が小さいテーパ状になっている。入り口側が広くなっているため、反応管２１が少しずれている場合においても、案内棒６３ａ，６３ｂを案内溝２８ａ，２８ｂに挿入することができる。
【００４３】
その後、反応管２１は、案内棒６３ａ，６３ｂに沿って位置修正されながら搬送され、第２のトレイ受け６１により反応管２１の水平方向の位置決めがなされる。このとき案内棒６３ａ，６３ｂが、対角線上に設けられているので、搬送後に反応管２１が回転することを防止することができる。以上により反応管２１の位置決めが完了する。
【００４４】
続いて、第２のトレイ受け６１を下げ、トレイ１１をサセプタ３１に載置する。この時、第２のトレイ受け６１は停止せず、さらに５ｍｍ程度下がる。
【００４５】
図９は、トレイがサセプタ上に載置された状態を示す縦断面図である。図９に示すように、トレイ１１はサセプタ３１に載置され、第２のトレイ受け６１がさらに降下することで、第２のフランジ１３が第２のトレイ受け６１から離れ、トレイ１１はサセプタ３１と共に回転することが可能となる。
【００４６】
最後に、加熱装置４１がウェハ１の上まで降下し、すべての搬送及び位置決めが完了する。気相成長が終わり、ウェハ１を取り出す場合は、まず加熱装置４１がトレイ１１の搬送を妨げない位置まで上昇する。この後、第２のトレイ受け６１を上昇させ、トレイ１１の第２のフランジ１３を第２のトレイ受けに載せ、トレイ１１をサセプタ３１から持ち上げ、そのままトップの位置まで上昇させる。
【００４７】
次に、ロボット室４８等から搬送用の第１のトレイ受け５１が、第２のトレイ受け６１の位置まで進み停止する。その後、第２のトレイ受け６１が１０ｍｍ程度下がり初期位置に移動し、トレイ１１の第１のフランジ１２を第１のトレイ受け１２に載せる。これでトレイ１１は第２のトレイ受け６１から離れる。
【００４８】
図１０は、トレイが第２のトレイ受けから第１のトレイ受けに引き渡された状態を示す縦断面図である。この後、第１のトレイ受け５１は、トレイ１１を載せて矢印の方向に後退しトレイ１１を反応炉４５から取り出す。
【００４９】
なお、上で説明した反応管２１の位置決めは、反応管２１を、洗浄等のために交換した場合にのみ行う。
【００５０】
このように、本実施の形態の気相成長装置においては、トレイ１１および反応管２１の水平方向の位置決めを、いずれも第２のトレイ受け６１を基準に行う。また、第２のトレイ受け６１は、垂直方向にのみ移動する構造のため、水平方向の位置精度は極めて高いものとすることができる。これにより、トレイ１１および反応管２１を正確に位置決めすることができる。その結果、反応管２１に対して、トレイ１１が正確に位置決めされ、反応管２１の孔２３内の正確な位置にトレイ１１が挿入され、孔２３とトレイ１１の隙間を均一にすることができるので、反応管２１内における、原料ガスの流れが安定し、均一な成膜が可能となる。
【００５１】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明に基づいた実施の形態における気相成長装置の反応炉を示す縦断面図である。
【図２】この発明に基づいた実施の形態における気相成長装置の全体構造を示す正面図である。
【図３】この発明に基づいた実施の形態におけるトレイの構造を示す縦断面図である。
【図４】この発明に基づいた実施の形態における第１のトレイ受けの構造を示す斜視図である。
【図５】この発明に基づいた実施の形態における第２のトレイ受けの構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図６】この発明に基づいた実施の形態における反応管の構造を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図である。
【図７】トレイが第１のトレイ受けから第２のトレイ受けに引き渡された状態を示す縦断面図である。
【図８】トレイが、第１のトレイ受けの板ばねに押されて第２のトレイ受けの位置決めピンに当接する状態を示す平面図である。
【図９】トレイがサセプタ上に載置された状態を示す縦断面図である。
【図１０】トレイが第２のトレイ受けから第１のトレイ受けに引き渡された状態を示す縦断面図である。
【図１１】従来の気相成長装置を示す縦断面図である。
【図１２】従来の問題点を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ウェハ、１１  トレイ、１２  第１のフランジ、１３  第２のフランジ、２１  反応管、２２  上面板、２３  孔、２７  水平板、２８ａ，２８ｂ  案内溝、３１  サセプタ、４１  加熱装置、６３ａ，６３ｂ  案内棒、６４  位置決めピン（当接部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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