(57)【要約】【課題】半導体装置と光半導体装置とを一体に形成し小型化することで実装面積を小さくし、且つ半導体装置または光半導体装置を有効に再利用できる光半導体モジュールを提供すること。【解決手段】半導体素子搭載部とインナーリードとアウターリードとからなるリードフレームと、半導体素子とインナーリードとを接続する導電性ワイヤとを封止樹脂により内包された半導体装置において、封止樹脂からリードフレームに連なる貫通孔が形成され、貫通孔に光半導体装置の接続端子が挿通され、リードフレームと接続端子とを接続する。【選択図】  図１
2005005498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子搭載部とインナーリードとアウターリードとからなるリードフレームと、半導体素子と前記インナーリードとを接続する導電性ワイヤとを封止樹脂により内包された半導体装置において、前記封止樹脂から前記リードフレームに連なる貫通孔が形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子搭載部とインナーリードとアウターリードとからなるリードフレームと、半導体素子と前記インナーリードとを接続する導電性ワイヤとを封止樹脂により内包され、前記封止樹脂から前記リードフレームに連なる貫通孔が形成された半導体装置と、前記貫通孔に光半導体装置の接続端子が挿通され、前記リードフレームと前記接続端子とが接続されたことを特徴とする光半導体モジュール。
【請求項３】
前記半導体装置と、前記光半導体との間に放熱手段を備えたことを特徴とする請求項２記載の光半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置および光半導体装置と半導体装置とからなる光半導体モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光源に発光ダイオードや半導体レーザーなどの光半導体を用いた光伝送装置において、光半導体モジュールが使用されている。従来の光半導体モジュールとしては、光ファイバなどからの光信号を電気信号に変換して出力したり、電気信号を光信号に変換して出力する光半導体と、その光半導体を制御する制御回路とを樹脂モールドによりパッケージ化しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図２は、前記特許文献１  に記載された従来の光半導体モジュールを示すものである。
【０００４】
図２において、光半導体モジュール１０１は、光半導体（図示せず。）などは光半導体封止部１０２に、また、制御回路（図示せず。）などは制御回路封止部１０３に、それぞれ独立して封止されている。これらの光半導体封止部１０２および制御回路封止部１０３の間は、内部リード端子１０４によって接続されている。
【０００５】
また、この光半導体モジュールはＤＩＰ（デュアルインラインパッケージ）型であって、制御回路封止部１０３の両側に制御回路（図示せず。）にそれぞれ接続された外部リード端子１０５が設けられていた。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−１８８３７２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、光半導体封止部１０２と制御回路封止部１０３とが、各々個別に封止する構成とされていることから、小型化が困難となりどうしても実装面積を小さくすることができなかった。
【０００８】
また、光半導体封止部１０２と制御回路封止部１０３とが内部リード端子１０４で一体的に接続されており、光半導体（図示せず。）または制御回路（図示せず。）のどちらか一方が動作不良に陥るとそれ以外の良品も含めて廃棄しなければならないという課題を有していた。
【０００９】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、光半導体封止部１０２と制御回路封止部１０３とを一体に形成し小型化することで実装面積を小さくし、且つ光半導体（図示せず。）または制御回路（図示せず。）を有効に再利用できる光半導体モジュールを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体素子搭載部とインナーリードとアウターリードとからなるリードフレームと、半導体素子と前記インナーリードとを接続する導電性ワイヤとを封止樹脂により内包された半導体装置において、前記封止樹脂から前記リードフレームに連なる貫通孔が形成された半導体装置である。これによれば、貫通孔に光半導体装置などを搭載することができる。
【００１１】
さらに、本発明の光半導体モジュールは、半導体素子搭載部とインナーリードとアウターリードとからなるリードフレームと、半導体素子と前記インナーリードとを接続する導電性ワイヤとを封止樹脂により内包され、前記封止樹脂から前記リードフレームに連なる貫通孔が形成された半導体装置と、前記貫通孔に光半導体装置の接続端子が挿通され、前記リードフレームと前記接続端子とが接続された光半導体モジュールであり、さらに半導体装置と、光半導体との間に放熱手段を備えるものである。これによれば、半導体装置の外形程度に実装面積を抑えることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（実施の形態）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態における光半導体モジュールの斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った要部断面図である。
【００１４】
図１（ａ）、（ｂ）において、１は光半導体モジュール、２は光半導体モジュールの光半導体装置として例えば砲弾型発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称す）、３はエポキシ樹脂封止された制御用半導体装置、５は光半導体モジュールと外部回路とを接続するための外部リード端子、６はＬＥＤ２と制御用半導体装置３とを接続する接続端子、７は制御用半導体装置３に内包された制御用半導体素子、８は制御用半導体素子７を搭載するリードフレーム、９は接続端子６を挿通するよう制御用半導体装置３に設けられた樹脂封止部貫通孔、１０は接続端子６を挿通するよう制御用半導体装置３に設けられたリードフレーム貫通孔、１１は接続端子６とリードフレーム８とを接着する導電性接着剤、１２は光半導体素子、１３は光半導体素子と接続端子６および制御用半導体素子７とリードフレーム８とを導通接続する導電性ワイヤである。
【００１５】
詳細な構成を下記に説明する。
【００１６】
ＬＥＤ２は、出力特性など特に限定されることなく、砲弾型やＣＡＮシール型など接続端子６を有したものであれば適宜選定すればよい。
【００１７】
制御用半導体装置３は、リードフレーム８には制御用半導体素子７を搭載するダイパッド部と接続端子６を挿通するリードフレーム貫通孔１０が形成されている。リードフレーム８には光半導体素子１２の電気信号を制御する制御用半導体素子７が装着されている。エポキシ樹脂により樹脂封止され制御用半導体装置３を構成している。このとき、封止樹脂にはリードフレーム貫通孔１０に連なる樹脂封止部貫通孔９が形成されており、樹脂封止部貫通孔９の直径はリードフレーム貫通孔１０の直径よりも大きく、且つリードフレーム８の一部が露出する様形成されている。これによれば、接続端子６の挿通をスムーズにすると共に、挿通された接続端子６とリードフレーム８とを接続する導電性接着剤１１の接着を容易にするものである。
【００１８】
樹脂封止部貫通孔９およびリードフレーム貫通孔１０に接続端子６が挿通され、導電性接着剤１１により接続されている。これによれば、実装面積を制御用半導体装置３の外形程度に抑えるものである。さらにはＬＥＤ２または制御用半導体装置３のどちらか一方が動作不良に陥った場合、動作不良となった一方のみ交換すれば足り、装置の再利用性に優れるものである。
【００１９】
また、図示しないが光半導体装置２と制御用半導体装置３との間に放熱性に優れる銅やアルミニウムなどの放熱板を備えることも可能であり、発熱量が大きな高出力タイプの光半導体装置を用いる場合特に効果的である。
【００２０】
なお、本実施形態では砲弾型ＬＥＤを単独で使用する場合を説明したが、これに限らず受発光など複数の光半導体装置を搭載することも可能である。さらには可変ボリュームを備えることにより、特性調整機能を具備することも可能となる。
【００２１】
【発明の効果】
以上のように、本発明の光半導体モジュールによれば、制御用半導体装置の外形寸法程度に実装面積を抑えることができる。また、再利用性に優れると共に特性調整機能を具備することが可能となり生産効率に優れた光半導体モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態における光半導体モジュールの斜視図
（ｂ）図１（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った要部断面図
【図２】従来の光半導体モジュールの斜視図
【符号の説明】
１  光半導体モジュール
２  ＬＥＤ
３  制御用半導体装置
５  外部リード端子
６  接続端子
７  制御用半導体素子
８  リードフレーム
９  樹脂封止部貫通孔
１０  リードフレーム貫通孔
１１  導電性接着剤
１２  光半導体素子
１３  導電性ワイヤ
１０１  光半導体モジュール
１０２  光半導体封止部
１０３  制御回路封止部
１０４  内部リード端子
１０５  外部リード端子
【図１】
2005005498.tif 000003
【図２】
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