(57)【要約】【課題】製品信頼性を向上させた電子装置を提供する。【解決手段】    導体パターンからなる実装基板１１と電気的に接続される電子部品１３を有する電子装置１０からなり、電子部品１３は、一方の面１３ａにおいて実装基板１１のパターン化導体部１２と電気的に接続かつ機械的に接合される接続電極１４を有し、電子部品１３の他方の面１３ｂには、可視光を透過する保護材１５が被覆される。そして、電子部品１３は、他方の面１３ｂから、接続電極１４の可視光透過の非破壊接合検査が可能である。これにより、接続電極１４にクラックや割れが生じた場合でも、可視光で保護材１５と電子部品１３を透過してクラックや割れを確認することができる。電子装置１０の信頼性向上に貢献できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンからなる実装基板と電気的に接続される電子部品を有する電子装置であって、
前記電子部品は、一方の面において前記実装基板の導体パターンと電気的に接続かつ機械的に接合される接続電極を有し、
前記電子部品の他方の面には、可視光を透過する保護材が被覆されることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記電子部品は、前記他方の面が粗面化処理された圧電体素子であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記粗面化処理された圧電体素子は、該表面粗さが０．１〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記粗面化処理された圧電体素子は、該基板厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記可視光を透過する保護材は、可視光透過率の高い樹脂成分を含む部材であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記可視光を透過する保護材は、可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記可視光を透過する保護材は、該保護材の厚さが２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記電子部品は、弾性表面波素子を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項９】
前記接続電極は、金（Ａｕ）を主成分にしたボンディングにより前記実装基板と接続され、前記弾性表面波素子は、前記実装基板にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記電子部品は、その基板がタンタル酸リチウム単結晶基板であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１１】
一方の面において露出する導体パターンを有する実装基板と、一方の面において接続電極を有し、該接続電極を有する面が前記実装基板の一方の面に対向するように配置され、
前記接続電極が、前記実装基板の導体パターンに電気的に接続かつ機械的に接合された電子部品を備えた電子装置の接合検査方法であって、
前記電子部品の接続電極を、前記実装基板の導体パターンに電気的に接続かつ機械的に接合する工程と、
前記電子部品の接続電極が形成されない他方の面に、前記電子部品および前記実装基板を覆うように可視光を透過する保護材を配置する工程と、  
前記電子部品の他方の面の保護材を透過する可視光により、前記接続電極の接合状態を検査する工程とを、備えたことを特徴とする電子装置の接合検査方法。
【請求項１２】
前記電子部品は、前記他方の面が粗面化処理された圧電体素子であることを特徴とする請求項１１に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１３】
前記粗面化処理された圧電体素子は、該表面粗さが０．１〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１２に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１４】
前記粗面化処理された圧電体素子は、該基板厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１５】
前記保護材は、エポキシ系樹脂、ポリエチレンまたはポリオレフィンのいずれかを主成分とし、可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１６】
前記可視光を透過する保護材は、該保護材の厚さが２００μｍ以下に形成されることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１７】
前記接続電極は、金（Ａｕ）を主成分にしたボンディングにより前記実装基板と接続され、前記電子部品は、前記実装基板にフリップチップ実装されてなることを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１８】
前記電子部品は、その基板がタンタル酸リチウム単結晶基板から形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項１９】
ウエハ上に複数形成された電子部品をダイシングにより切り分け、実装基板に接続電極を介してフリップチップ実装される電子部品を備えた電子装置の接合検査方法であって、
前記電子部品の接続電極を、前記実装基板に電気的に接続かつ機械的に接合する工程と、
前記電子部品の接続電極が形成されない他方の面には、前記電子部品を覆うようにダイシングテープからなる保護材が塗布されており、該保護材を透過する可視光により、前記接続電極の接合状態を検査する工程とを、備えたことを特徴とする電子装置の接合検査方法。
【請求項２０】
前記保護材は、可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする請求項１９に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項２１】
前記接合状態の検査は、金属顕微鏡によって行われることを特徴とする請求項１９または２０に記載の電子装置の接合検査方法。
【請求項２２】
前記接合状態の検査は、赤外線顕微鏡によって行われることを特徴とする請求項１９または２０に記載の電子装置の接合検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板と、実装基板に実装された電子部品とを備えた電子装置、およびその電子装置の接合検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動体通信機器に用いられるフィルタなどに広く用いられる電子部品として、弾性表面波素子がある。この弾性表面波素子は、圧電基板の一方の面に櫛型電極が形成されたものである。
【０００３】
そして、この電子部品は、実装基板上に実装され、電子部品の接続電極と実装基板のパターン化された導体部が、電気的に接続される。さらに、この電気的接続部分は、エポキシなどの封止材によって、封止された構造を有するパッケージの形態で出荷される。なお、本願において、実装基板と、この実装基板に実装された電子部品とを備えたものを電子装置という。
【０００４】
このような電子部品の接続電極と、実装基板の導体パターンとの機械的な接合は、製造工程で加えられる加重や超音波振動によって、クラックまたは割れが発生する場合がある。特にフリップチップ実装などで、接続電極が金（Ａｕ）の場合は、一般的に熱圧着・超音波接合を使用するので、製造工程で圧電基板に数ｋｇの衝撃加重がかかる。許容以上の負荷がかかると、圧電体基板にクラックや割れが、頻繁に発生する可能性がある。このようなクラックや割れは、たとえばリフローや落下などの負荷が加わると、断線する可能性が高くなる。そのため、工程内での測定検査を厳重に行う必要がある。
【０００５】
このようなクラックまたは割れを防止するものとして、電子部品を被膜する樹脂フィルムの形状を状況に応じて変化させるもの（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）あるいは、加重や超音波振動を吸収するダミーバンプおよびダミー電極を設けるものもある（たとえば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００２−２５２２３８号公報
【特許文献２】特開２００２−２１７２２０号公報
【特許文献３】特開平０８−３３０８８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、圧電体基板のクラックや割れを完全に排除することは、困難である。一旦、圧電体基板にクラックや割れが発生してしまった場合でも、工程内での測定検査では、発見できない場合が多い。すなわち、工程内の測定検査では、薄膜のみで導通している場合が多いためである。さらに、接合検査は、シェア検査などの破壊検査であり、検査サンプルの数量が限られ、時間も長時間要するものであるからである。
【０００７】
このような場合に、電子部品の裏面から可視光透過の非破壊測定検査が可能であれば、製品不良の出荷をきわめて簡単に防ぐことができるが、特に表面弾性表面波素子の圧電体基板の裏面は、バルク波除去のために粗面化されており、裏面から接合面および機能面を観察することはできない。
【０００８】
本願発明はこのような不都合を解消するために発明されたもので、製品信頼性を向上させた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本願における電子装置の第一の解決手段として代表的な発明は、導体パターンからなる実装基板と電気的に接続される電子部品を有する電子装置であって、電子部品は、一方の面において実装基板の導体パターンと電気的に接続かつ機械的に接合される接続電極を有し、電子部品の他方の面には、可視光を透過する保護材が被覆されることを特徴とする。
【００１０】
上記電子部品は、他方の面が粗面化処理された圧電体素子であることを特徴としてもよい。
【００１１】
上記粗面化処理された圧電体素子は、該表面粗さが０．１〜１．０μｍの範囲内であることを特徴としてもよい。
【００１２】
上記粗面化処理された圧電体素子は、該基板厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴としてもよい。
【００１３】
上記可視光を透過する保護材は、可視光透過率の高い樹脂成分を含む部材であることを特徴としてもよい。
【００１４】
上記可視光を透過する保護材は、可視光の透過率が４０％以上であることを特徴としてもよい。
【００１５】
上記可視光を透過する保護材は、該保護材の厚さが２００μｍ以下であることを特徴としてもよい。
【００１６】
上記電子部品は、弾性表面波素子を有してもよい。
【００１７】
上記接続電極は、金（Ａｕ）を主成分にしたボンディングにより実装基板と接続され、弾性表面波素子は、実装基板にフリップチップ実装されているように構成してもよい。
上記電子部品は、その基板がタンタル酸リチウム単結晶基板であることを特徴としてもよい。
【００１８】
また、本願の第二の解決手段として代表的な発明は、一方の面において露出する導体パターンを有する実装基板と、一方の面において接続電極を有し、該接続電極を有する面が実装基板の一方の面に対向するように配置され、接続電極が、実装基板の導体パターンに電気的に接続かつ機械的に接合された電子部品を備えた電子装置の接合検査方法であって、電子部品の接続電極を、実装基板の導体パターンに電気的に接続かつ機械的に接合する工程と、電子部品の接続電極が形成されない他方の面に、電子部品および実装基板を覆うように可視光を透過する保護材を配置する工程と、電子部品の他方の面の保護材を透過する可視光により、接続電極の接合状態を検査する工程とを、備えたことを特徴とする。
【００１９】
上記電子部品は、他方の面が粗面化処理された圧電体素子であることを特徴としてもよい。
【００２０】
上記粗面化処理された圧電体素子は、該表面粗さが０．１〜１．０μｍの範囲内であることを特徴としてもよい。
【００２１】
上記粗面化処理された圧電体素子は、該基板厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴としてもよい。
【００２２】
上記保護材は、エポキシ系樹脂、ポリエチレンまたはポリオレフィンのいずれかを主成分とし、可視光の透過率が４０％以上であることを特徴としてもよい。
【００２３】
上記可視光を透過する保護材は、該保護材の厚さを２００μｍ以下に形成してもよい。
【００２４】
上記接続電極は、金（Ａｕ）を主成分にしたボンディングにより実装基板と接続され、電子部品は、実装基板にフリップチップ実装してもよい。
上記電子部品は、その基板がタンタル酸リチウム単結晶基板から形成されていることを特徴としてもよい。
【００２５】
また、本願の第三の解決手段として代表的な発明は、ウエハ上に複数形成された電子部品をダイシングにより切り分け、実装基板に接続電極を介してフリップチップ実装される電子部品を備えた電子装置の接合検査方法であって、電子部品の接続電極を、実装基板に電気的に接続かつ機械的に接合する工程と、電子部品の接続電極が形成されない他方の面には、電子部品を覆うようにダイシングテープからなる保護材が塗布されており、該保護材を透過する可視光により、接続電極の接合状態を検査する工程とを、備えたことを特徴とする。
【００２６】
上記保護材は、可視光の透過率が４０％以上であることを特徴としてもよい。
【００２７】
上記接合状態の検査は、金属顕微鏡によって行われることを特徴としてもよい。
【００２８】
さらに、上記接合状態の検査は、赤外線顕微鏡によって行われることを特徴としてもよい。
【００２９】
本発明の電子装置によれば、圧電体のバンプ接合部にクラックや割れが生じた場合でも、可視光で保護層と電子部品を透過してクラックや割れを確認することができる。これにより、電子装置の信頼性向上に貢献できるものである。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように、本発明の電子装置によれば、電子装置の信頼性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態に係る電子装置について、図面を参照して説明する。
【００３２】
図１は、本発明の実施形態に係る電子装置を示す断面図である。本実施の形態に係る電子装置１０は、一方の面１１ａにおいて露出し、所定の形状にパターン化されたパターン化導体部１２を有する実装基板１１と、一方の面１３ａにおいて接続電極１４を有し、この接続電極１４を有する面１３ａが実装基板１１の一方の面１１ａに対向するように配置される。
【００３３】
接続電極１４が、実装基板１１のパターン化導体部１２に電気的に接続され、かつ、機械的に接合された電子部品１３と、電子部品１３の実装基板１１とは反対側の面１３ｂと、電子部品１３の周辺の部分における実装基板１１の一方の面１１ａとに密着するように、電子部品１３および実装基板１１を覆う保護材１５とを備えている。
【００３４】
実装基板１１は、ガラス、樹脂またはセラミック等で形成されている。電子部品１３は、例えば弾性表面波素子、振動子、高周波回路部品等であるが、その他の電子部品であってもよい。電子部品１３は、その基板が、例えばタンタル酸リチウム単結晶基板から形成されている。電子部品１３は、上述するように、接続電極１４を有する面１３ａが実装基板１１に向くように配置される、フェースダウンボンディングによって、実装基板１１に実装されている。電子部品１３の一方の面１３ａと実装基板１１の一方の面１１ａとの間には、空間１６が形成されている。
【００３５】
なお、二つ表示されている接続電極１４のうち左側の接続電極１４は、クラックが生じている例を示している。このクラックは、製造工程で電子装置１０に数ｋｇの衝撃加重がかかると、頻繁に発生する可能性がある。このようなクラックには、たとえばリフローや落下などの負荷が加わると、実装基板１１と電子部品１３との接続が断線する可能性が高くなる。
【００３６】
電子部品１３の実装基板１１とは反対側の面１３ｂは、保護材１５によって隙間なく覆われている。実装基板１１の一方の面１１ａのうち、電子部品１３の周辺の部分も、隙間なく保護材１５によって覆われている。また、保護材１５は、電子部品１３の接続電極１４と実装基板１１のパターン化導体部１２との電気的接続部分を含めて、電子部品１３の全体を封止している。
【００３７】
保護材１５は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂によって形成されている。保護材１５の厚みについては後述する。
【００３８】
次に、本実施の形態に係る電子装置１０の製造方法の概略について説明する。この電子装置１０の製造方法は、電子部品１３の一方の面１３ａが実装基板１１の一方の面１１ａに対向するように、電子部品１３と実装基板１１とを配置し、電子部品１３の接続電極１４を、実装基板１１のパターン化導体部１２に電気的に接続し、かつ、機械的に接合する工程がある。そして、さらに、電子部品１３の実装基板１１とは反対側の面１３ｂと、電子部品１３の周辺の部分における実装基板１１の一方の面１１ａとに、密着して電子部品１３および実装基板１１を覆うように保護材１５を配置し、保護材１５を実装基板１１に接着する工程とを備えている。
【００３９】
図２は、図１示す電子装置の接合検査を示す図である。本実施の形態では、実装された電子装置１０を、矢印方向から倍率２００以上の金属顕微鏡を用いて、接続電極１４の接合検査を行っている。特に制限されないが、実装基板１１に形成された複数の電子部品１３のうち、それぞれのコーナー部と中央部の５個の電子部品１３を、接合検査している。
【００４０】
また、電子部品１３は、可視光率の高い保護材１５で、図１に示す電子部品１３の粗面化側１３ｂを覆うことにより、粗面化による乱反射を防ぎ、金属顕微鏡による接合面の観察を可能としている。これにより、圧電体のバンプ接合部にクラックが生じたときに、可視光で保護材１５と圧電体を透過してクラックを確認することができる。
【００４１】
接合検査の結果、割れやクラックがある場合は、フリップチップ実装の条件の変更を速やかに行い、不良品の発生を最低限に抑えるよう、製造工程中でのフィードバックをかける。具体的には、接続電極が金（Ａｕ）の場合における熱圧着・超音波接合の製造工程の衝撃加重を軽減したりする。割れやクラックがある実装基板１１は廃棄される。
【００４２】
これまでは、実装後にロットからの抜き取り検査、破壊検査および特性検査で断線などの状態を確認していた。そして、割れやクラックなどが、ある基準を超えるロットは、その全てをロットアウトとして廃棄していた。本実施の形態によれば、製品の歩留まりを著しく向上させるとともに、製品不良が市場に流出することを効果的に防ぎ、製品の信頼性を飛躍的に向上させることができる。
【００４３】
次に、電子装置１０の接合検査を行った際の実際の不良チップの観察具合について、図３〜図５を用いて説明する。図３は、図２示す電子装置の接合検査の判定方法を示す。本図では、電子部品１３を図２の矢印方向から、金属電子顕微鏡で見た場合を、示している。本実施の形態において、電子部品１３は、接続電極３０乃至３５の６つのバンプを有している。
【００４４】
このうち、接合検査の結果、接続電極３０乃至３４の５つのバンプは正常であったが、接続電極３５はパッド上に薄くクラックが存在しているのが見えた。すなわち、割れやクラックなどの異常が何もない場合は、パッド上には何も見えないが、割れやクラックが発生しまった個所は、本図で示すような割れやクラックなどの異常な輪郭が薄く見えるのである。具体的には、接続電極３５において、本図に示すように、薄く丸状の割れやクラックなどの異常の輪郭が見えるのがわかる。
【００４５】
このように、電子部品１３の実装基板１１への実装後に、接合面の確認が容易できるため、非破壊検査で異常のあった基板のみ廃棄することができる。これにより、製品の歩留まりを著しく向上させることができる。
【００４６】
図４は、図３示す電子装置の接合検査の金属顕微鏡写真である。具体的には、電子部品１３を図２の矢印方向から、金属電子顕微鏡で見た場合の金属顕微鏡写真である。
【００４７】
ここで、図４（ａ）乃至（ｄ）を接合検査したところ、図４（ｂ）乃至（ｄ）の３つのバンプは正常であったが、図４（ａ）はパッド上に薄くクラックが存在しているのが見える。すなわち、割れやクラックなどの異常が何もない場合は、パッド上には何も見えないが、割れやクラックが発生しまった個所は、本図で示すような割れやクラックなどの輪郭が薄く見えるのである。このようなパッドを含む電子部品１３は不良品として処分される。あるいは、このような不良品を一定以上含む実装基板１１やロットは、処分されるようにしてもよい。特に制限されないが、本実施の形態において、金属電子顕微鏡の倍率は、２００倍である。
【００４８】
図５は、図３示す電子装置の接合検査の赤外線顕微鏡写真である。本図は、電子部品１３を図２の矢印方向から、赤外線顕微鏡で見た場合の赤外線顕微鏡写真である。割れやクラックなどの異常は、金属電子顕微鏡の他に、赤外線顕微鏡でも観察することができる。本図においては、割れあるいはクラック５０が確認できる。
【００４９】
このように、金属電子顕微鏡の他、赤外線顕微鏡を電子装置１０の接合検査に用いてもよい。特に制限されないが、本実施の形態において、可視光線透過率の測定方法は、ＪＩＳＫ７１０５を基準に行っている。
【００５０】
以上、図３〜図６を用いて、不良チップの観察具合を具体的に説明した。従来は、電子装置１０の接合検査は、シェア検査などの破壊検査であり、サンプル数量も限られ、検査時間も長時間を要したが、本実施の形態の接合検査によれば、非破壊で簡単に接合検査を行うことができる。
【００５１】
図６は、電子部品を透過率の低い保護材で封止した場合の顕微鏡写真である。本図は、電子部品１３を図２の矢印方向から、顕微鏡で見た場合である。本発明の保護材１５は、加熱および硬化後も高い透過率が要求される。本図に示すように、電子部品１３を透過率の低い保護材１５で封止したような場合は、圧電体のバンプ接合部に生じたクラックは、保護材１５で遮断されクラックを確認することができず、本発明の目的を達成することはできない。
【００５２】
すなわち、本発明は保護材１５の透過率、厚さなどの選定と、弾性表面波素子用の圧電体である電子部品１３の厚さ、表面粗さなどを、総合的に考慮しなければならないのがわかる。保護材１５の具体的な透過率、厚さなどの数値と、弾性表面波素子用の圧電体である電子部品１３の厚さ、表面粗さの具体的な数値は、実験結果をもとに以下に説明する。
【００５３】
図７は、粗面化処理された圧電体素子の表面粗さと可視光を透過する保護材１５の関係を示す顕微鏡写真である。図７（ａ）は、電子部品１３の算術表面粗さ（Ｒａ）が、０μｍ以上であって０．１μｍ未満の場合である。図７（ｂ）は、電子部品１３の算術表面粗さ（Ｒａ）が、０．１μｍ以上であって１μｍ以下の場合である。図７（ｃ）および図７（ｄ）は、電子部品１３の算術表面粗さ（Ｒａ）が、１μｍより大きい場合である。
【００５４】
なお、本実施の形態で用いている電子部品１３は、保護材１５で被膜された弾性表面波素子用の圧電体であり、基板の底面で反射したバルク波による不要な信号を抑圧するために、電子部品１３の機能面とは反対側の面に、溝加工などを施している。具体的には、図１に示すように、電子部品１３の他方の面１３ｂの表面に設けられた溝のように形成されていて、バルク波による不要な信号を抑圧する。
【００５５】
そのため、可視透過率の高い樹脂やテープを圧電体基板の裏面に密着させても、上述の溝などで乱反射が生じてしまい、上述の金属顕微鏡や実体顕微鏡などでは観測できない。このような理由から、電子部品１３の算術表面粗さ（Ｒａ）を、接合面の観測具合という点と、バルク波による不要な信号からの影響を効果的に防ぐ点という、両面から検討する必要がある。
【００５６】
図７（ａ）において、接合面の観察具合は最も良好であるが、算術表面粗さ（Ｒａ）０．１μｍ未満では、バルク波の影響が発生してしまった。また、図７（ｂ）では、接合面の観察具合は良好であり、この範囲の算術表面粗さ（Ｒａ）では、バルク波の影響は見られなかった。一方で、図７（ｃ）および図７（ｄ）では、バルク波の影響は生じなかったが、接合面の観察は本図で示す通り不可であった。
【００５７】
このような結果に基づき、弾性表面波素子用の圧電体である電子部品１３の算術表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが必要であることがわかる。
【００５８】
また、弾性表面波素子用の圧電体である電子部品１３の基板厚さに関しても、同様の接合面の観察具合の点から検討した。その結果、基板厚さが０．５ｍｍ以下である場合に、接合面の観察を行うことができた。
【００５９】
以上の点から、電子部品１３は、その算術表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内であって、基板厚さが０．５ｍｍ以下である場合に、接合面の観察を行うことができるものと結論付けることができる。
【００６０】
図８は、可視光を透過する保護材の透過率との関係を示す顕微鏡写真である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、保護材１５の可視光線透過率（Ｋ）が０％以上で４０％未満である場合であり、図８（ｃ）は、保護材１５の可視光線透過率（Ｋ）が４０％以上である場合である。
【００６１】
本図に示す通り、図８（ａ）および図８（ｂ）のサンプルでは、接合面の観察は不可であった。一方で、図８（ｃ）のサンプルでは、可視光線透過率（Ｋ）が４０％以上である場合は、接合面の観察は良好であった。
【００６２】
このような結果から、保護材１５は、可視光線透過率（Ｋ）が４０％以上である材質を用いることが必要であることがわかる。なお、特に制限されないが、本実施例において、保護材１５は、可視光透過率の高い樹脂成分を用い、具体的には、エポキシ系樹脂、ポリエチレンまたはポリオレフィンのいずれかを主成分とするものを用いている。
【００６３】
そして、保護材１５の厚さに関しても、同様の接合面の観察具合の点から検討した。その結果、保護材１５の厚さが２００μｍ以下である場合に、接合面の観察を行うことができた。他方、保護材１５の厚さが２００μｍを超えると、図６に示すような観察結果になった。
【００６４】
以上の点から、保護材１５は、可視光線透過率（Ｋ）が４０％以上である材質を用い、厚さが２００μｍ以下である場合に、接合面の観察を行うことができる。
【００６５】
図９は、本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程である前工程を示す。本図の工程において、ウエハ９０上には、複数の電子部品１３の薄膜が形成される。特に制限されないが、各電子部品１３の寸法は、縦１．３ｍｍで横０．８ｍｍである。それぞれの電子部品１３は、櫛型電極９１を有する。櫛型電極９１は、弾性表面波を発生し、電子部品１３は、この弾性表面波を基本動作に利用して使用される素子である。
【００６６】
そして、それぞれの電子部品１３には、接続電極１４を介して、実装基板１１と接続するためのボンディングパット９２が複数形成される。ボンディングパット９２は、特に制限されないが、アルミニュウム（Ａｌ）あるいはアルミニュウム合金を用いている。
【００６７】
図１０は、本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程である前工程を示す。本図で示す工程では、図９の工程においてウエハ９０上に形成された薄膜のボンディングパット９２に接続電極１４を形成する工程である。
【００６８】
接続電極１４は、金（Ａｕ）あるいは、はんだバンプによって形成されており、特に制限はされないが、本実施の形態においては、直径１００μｍで高さ４０μｍで形成されている。
【００６９】
図１１は、本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程であるダイシング工程を示す。ウェハ９０をチップ単位に分割する工程（ダイシング工程）である。具体的には、図１０において形成された電子部品１３を、図示するような格子状に、それぞれのチップ単位に切り分ける。
【００７０】
この際に、接続電極１４が形成されたウエハ９０は、ダイシングフレーム１１０に固定され、一方の面にはダイシングテープ１１１が貼付されている。そして、ダイシング工程が完了すると、次の各チップを実装基板上に固定させる工程（ダイボンド工程）に移る。
【００７１】
図１２は、本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程であるダイボンド工程を示す。図１１のダイシング工程で切り分けられた各チップを実装基板１１上に固定させる工程（ダイボンド工程）である。具体的には、電子部品１３の接続電極１４と実装基板１１のパターン化導体部１２を、それぞれ接合させる。
【００７２】
本実施の形態においては、特に制限されないが、電子部品１３の接続電極１４および実装基板１１のパターン化導体部１２の接続部は、ともに金（Ａｕ）を主成分にする材料で形成されている。
【００７３】
たとえば、パターン化導体部１２は、特に制限されないが、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ａｕメッキでパターニングされている。そして、実装基板１１は、特に制限されないが、縦横およそ７０ｍｍｘ７０ｍｍの厚さ０．２７ｍｍのＢＴレジンあるいはセラミックの基板である。各電子部品１３の具体的な実装の方法を以下に説明する。図１３は、本発明の実施形態に係る電子装置の実装方法を示す。各電子部品１３の具体的な実装の方法としては、図１３（ａ）で示すようなダイシング工程で切り分けられた電子部品１３を反転して、実装基板１１に実装させる。この際に電子部品１３の接続電極１４および実装基板１１のパターン化導体部１２の接続部は、図１３（ｂ）に示すように互いに接するように配置され、接続電極１４とパターン化導体部１２の接続部は電気的に接続される。
【００７４】
そして、接続電極１４とパターン化導体部１２は、電極１３０と電極１３１から構成されており、電極１３０は電極１３１によって実装基板裏面へと引き延ばされている。本実施の形態において、接続電極１４と電極１３０との接合条件は、特に制限されないが、超音波接合０．５（ｓｅｃ）で５００ｇの加重を加え、基板温度はおよそ１００度としている。そして、電子部品１３と電極１３０との空間１６は、特に制限されないが、およそ１０〜２０μｍとしている。
【００７５】
さらに、接続電極１４とパターン化導体部１２の接続部の周囲における、電子部品１３と実装基板１１の間には、非導電性または異方性導電性の接合用ペーストが注入される。そして、この接合用ペーストの収縮力によって、接続電極１４とパターン化導体部１２との機械的接合が、安定的に確保されることとなる。
【００７６】
そして、ダイボンド工程が完了すると、作成したチップを樹脂封止（モールド工程）する工程に移る。
【００７７】
図１４は、本発明の実施形態に係る電子装置の封止工程および接合検査工程を示す。上述のダイボンド工程で作成したチップを、たとえばエポキシ系の熱硬化樹脂などで樹脂封止（モールド工程）する工程を行う。
【００７８】
具体的には、図１２および図１３で説明した電子部品１３の実装基板１１とは相対する面側に、エポキシ系の熱硬化樹脂を被覆し、仮硬化としておよそ３分間１００度に維持した上で、本硬化としてオーブンで２時間の間１５０度に維持する。
【００７９】
本実施の形態では、エポキシ系の熱硬化樹脂を用いているが、可視光の透過率が４０％以上であることが重要であるため、保護材１５は、エポキシ系樹脂、ポリエチレンまたはポリオレフィンのいずれかを主成分とし、可視光の透過率が４０％以上であればよい。
【００８０】
本硬化が完了した後に、図２の矢印方向から、金属顕微鏡などで所定の電子部品を観察する接合検査を行う。この接合検査では、図３〜５で説明したように、圧電基板の割れやクレタリングなどの接合不良が、実装後に発見することができるので、製品の歩留まり向上、作業性の改善、コストダウンに貢献するものである。  
【００８１】
図１５は、本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程であるダイシング工程を示す。図１４までの工程で作成した電子装置１０を、ダイシングカッタ１５０で個別の電子装置１０に切り分ける工程である。接合不良が一定の基準よりも多いロットに関しては、この状態で上述した接合検査を再度行ってもよい。特に制限されないが、本工程で切り分けられた電子装置１０が出荷される。  
【００８２】
図１６は、本発明の実施形態に係る電子装置の実装方法の他の実施形態を示す。本実施の形態において、図１３で説明した実施の形態と異なるのは、ダイシング工程で切り分けられた電子部品１３に、図１１で説明したダイシングテープ１１１の接着層が保護材１５として、形成されている点である。
【００８３】
本実施の形態では、ダイシングテープ１１１の接着層が保護材１５としても機能しており、ダイシングテープ１１１の接着層を、電子部品１３の表面上にそのまま残している。そして、このダイシングテープ１１１の接着層は、可視光透過率が４０％以上のものであるため、接合状態の検査においても、接合面の不具合を観察することができる。
【００８４】
具体的な工程は、ウエハ上に複数形成された電子部品１３をダイシングにより切り分け（図１６（ａ））、電子部品１３を反転させて、実装基板１１に接続電極を介してフリップチップ実装し、電子部品１３の接続電極１４を、実装基板の電極１３０に電気的に接続かつ機械的に接合する（図１６（ｂ））。
【００８５】
電子部品１３の接続電極１４が形成されない他方の面には、電子部品１３を覆うように、ダイシングテープからなる保護材１５が塗布されており、この保護材を透過する可視光により、接続電極１４の接合状態を検査する工程を実施するのである。この実施の形態においては、ダイボンド工程が完了すると、モールド工程を行う必要がなく、製造工程を簡略化および短縮化することができる。
【００８６】
ただし、電子部品１１が、弾性表面波素子である場合には、特有の問題として、表面に櫛型電極９１が形成されており、この櫛型電極９１に水分や塵埃などの異物が進入しないように、弾性表面波素子を封止する必要がある。そのため、本実施の形態では、次に述べるように、特殊な封止工程を設けている。
【００８７】
図１７は、本発明の実施形態に係る電子装置の他の封止工程および接合検査工程を示す。図１６で説明したダイシングテープ１１１の接着層が保護材１５として形成されている場合において、櫛型電極９１に水分や塵埃などの異物が進入しないように、弾性表面波素子を封止する必要があるが、具体的には、本実施の形態においては、ダムキャップ方式により封止している。
【００８８】
本実施の形態では、ダム１７１が実装基板１１上の電子部品１３を取り囲むように形成されて、その上面にはキャップ１７０が被せられている。このように形成することによって、櫛型電極９１を封止すると同時に、弾性表面波素子の表面における弾性表面波伝搬領域に、封止用の樹脂などが接触しないので、素子の機能面に影響を全く与えなくなる。
【００８９】
なお、本発明においては、必要に応じて種々の変更が可能であって、たとえば、電子部品１１は、弾性表面波素子ではなく、他の半導体装置への利用も可能である。
【００９０】
表面弾性波装置用の圧電体基板の裏面は、バルク波除去のために粗面化されて乱反射するため、裏面から機能面・接合面を観察することが困難であるが、同様の理由によって、裏面から観察できない半導体装置への適用は可能であるからである。たとえば、熱放出のため裏面を粗面化されている半導体装置などに、本願発明は適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施形態に係る電子装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子装置の接合検査を示す図である。
【図３】図２に示す電子装置の接合検査の判定方法を示す図である。
【図４】図３に示す電子装置の接合検査の金属顕微鏡写真である。
【図５】図３に示す電子装置の接合検査の赤外線顕微鏡写真である。
【図６】電子部品を透過率の低い保護材で封止した場合の顕微鏡写真である。
【図７】粗面化処理された圧電体素子の表面粗さと可視光を透過する保護材の関係を示す顕微鏡写真である。
【図８】可視光を透過する保護材の透過率との関係を示す顕微鏡写真である。
【図９】本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程である前工程を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程である前工程を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程であるダイシング工程を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程であるダイボンド工程を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る電子装置の実装方法を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る電子装置の封止工程および接合検査工程を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る電子装置の製造工程であるダイシング工程を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る電子装置の実装方法の他の実施形態を示す図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る電子装置の他の封止工程および接合検査工程を示す図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０      電子装置
１１      実装基板
１２      パターン化導体部
１３      電子部品
１４      接続電極
１５      保護材
１６      空間
３０      接続電極
３１      接続電極
３２      接続電極
３３      接続電極
３４      接続電極
３５      接続電極
５０      割れあるいはクラック
９０      ウエハ
９１      櫛型電極
９２      ボンディングパット
１１０    ダイシングフレーム
１１１    ダイシングテープ
１３０    電極
１３１    電極
１４０    保護材
１５０    ダイシングカッタ
１６０    保護材
１７０    キャップ
１７１    ダム
【図１】
2005191283.tif 000003
【図２】
2005191283.tif 000004
【図３】
2005191283.tif 000005
【図９】
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【図１０】
2005191283.tif 000007
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2005191283.tif 000010
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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