(57)【要約】【課題】多数の被測定物の抵抗値を、高速かつ効率良く測定することが可能な抵抗測定回路及び抵抗測定方法等を提供する。【解決手段】複数の被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定回路であって、各前記被測定物に対して定電流を供給する定電流供給手段と、各定電流供給経路に介挿され、当該経路の開閉を行う複数の第１の半導体スイッチング手段と、前記各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように、前記各半導体スイッチング手段を制御する制御手段と、前記各定電流供給経路の閉状態に同期して前記各被測定物の両端電圧を取り込み、当該各被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定手段と、を備える。【選択図】  図１
2005030828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定回路であって、
各前記被測定物に対して定電流を供給する定電流供給手段と、
各定電流供給経路に介挿され、当該経路の開閉を行う複数の第１の半導体スイッチング手段と、
前記各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように、前記各半導体スイッチング手段を制御する制御手段と、
前記各定電流供給経路の閉状態に同期して前記各被測定物の両端電圧を取り込み、当該各被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定手段と、を備えることを特徴とする抵抗測定回路。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗測定回路において、
前記各被測定物の両端電圧を取り込む経路に介挿され、当該経路の開閉を行う複数の第２の半導体スイッチング手段を更に備え、
前記制御手段は、同一の被測定物に対応する前記両端電圧を取り込む経路と前記定電流供給経路とが、同一のタイミングで閉状態となるように、前記第１の半導体スイッチング手段と前記第２の半導体スイッチング手段を制御することを特徴とする抵抗測定回路。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の抵抗測定回路において、
前記定電流供給手段は、定電流シンク回路と定電流ソース回路とが従属接続されて構成されており、
前記定電流ソース回路から前記各被測定物に対して定電流が供給されることを特徴とする抵抗測定回路。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の抵抗測定回路において、
前記測定された各被測定物の抵抗値が、予め定められた基準抵抗値より大きいか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段による判別結果、抵抗値が基準抵抗値より大きい被測定物についての情報を提示する提示手段と、を備えることを特徴とする抵抗測定回路。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の抵抗測定回路を備えることを特徴とする４線式抵抗測定装置。
【請求項６】
複数の被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定方法であって、
各前記被測定物に対して定電流を供給する定電流供給経路に介挿された複数の半導体スイッチング手段を、前記各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように制御し、
前記各定電流供給経路の閉状態に同期して前記各被測定物の両端電圧を取り込み、当該各被測定物の抵抗値を測定することを特徴とする抵抗測定方法。
【請求項７】
被測定物に対して定電流を供給する定電流供給回路において、
定電流シンク回路と定電流ソース回路を備え、当該定電流シンク回路と定電流ソース回路とは、従属接続されて構成されており、
前記定電流ソース回路から前記被測定物に対して定電流が供給されることを特徴とする定電流供給回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
有接点部品等の被測定物の抵抗値（接触抵抗）を測定する技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば特許文献１にて開示されているように、機械式接点の接触抵抗を測定する方法として４線式抵抗測定方法が知られている。この４線式抵抗測定方法においては、機械式接点に対して定電流を供給し、かかる電流による電圧降下を例えば電圧計にて測定することによって、最終的に接触抵抗を測定していた。また、機械式接点への定電流の供給は、機械式リレーによってオンオフされるようになっていた。
【特許文献１】
特開平９−２１１０４２号公報
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の４線式抵抗測定方法においては、多数の機械式接点の接触抵抗を測定する場合、機械式リレーの動作時間（例えば、５ｍｓｅｃ以上）を考慮しなければならず、高速に安定に測定することが困難であった。また、多数の機械式接点の接触抵抗を自動的により効率良く測定し、検査することが困難であった。
【０００４】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、多数の被測定物の抵抗値を、高速かつ効率良く測定することが可能な抵抗測定回路及び抵抗測定方法等を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、複数の被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定回路であって、各前記被測定物に対して定電流を供給する定電流供給手段と、各定電流供給経路に介挿され、当該経路の開閉を行う複数の第１の半導体スイッチング手段と、前記各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように、前記各半導体スイッチング手段を制御する制御手段と、前記各定電流供給経路の閉状態に同期して前記各被測定物の両端電圧を取り込み、当該各被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定手段と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
この発明によれば、高速で各定電流供給経路の開閉を行う複数の半導体スイッチング手段を各経路に介挿し、各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように制御しつつ、各定電流供給経路の閉状態に同期して各被測定物の両端電圧を取り込み、抵抗値を測定するように構成したので、多数の被測定物の抵抗値を、高速かつ効率良く測定することができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の抵抗測定回路において、前記各被測定物の両端電圧を取り込む経路に介挿され、当該経路の開閉を行う複数の第２の半導体スイッチング手段を更に備え、前記制御手段は、同一の被測定物に対応する前記両端電圧を取り込む経路と前記定電流供給経路とが、同一のタイミングで閉状態となるように、前記第１の半導体スイッチング手段と前記第２の半導体スイッチング手段を制御することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の抵抗測定回路において、前記定電流供給手段は、定電流シンク回路と定電流ソース回路とが従属接続されて構成されており、前記定電流ソース回路から前記各被測定物に対して定電流が供給されることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、定電流シンク回路と定電流ソース回路との組合せにより、高速切換に適し基準電圧の変化に影響されない安定した定電流を被測定物に対して供給することができる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一項に記載の抵抗測定回路において、前記測定された各被測定物の抵抗値が、予め定められた基準抵抗値より大きいか否かを判別する判別手段と、前記判別手段による判別結果、抵抗値が基準抵抗値より大きい被測定物についての情報を提示する提示手段と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、被測定物についての接触抵抗の検査結果を効果的にユーザに対して提示することができる。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れか一項に記載の抵抗測定回路を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、複数の被測定物の抵抗値を測定する抵抗測定方法であって、各前記被測定物に対して定電流を供給する定電流供給経路に介挿された複数の半導体スイッチング手段を、前記各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように制御し、前記各定電流供給経路の閉状態に同期して前記各被測定物の両端電圧を取り込み、当該各被測定物の抵抗値を測定することを特徴とする。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、被測定物に対して定電流を供給する定電流供給回路において、定電流シンク回路と定電流ソース回路を備え、当該定電流シンク回路と定電流ソース回路とは、従属接続されて構成されており、前記定電流ソース回路から前記被測定物に対して定電流が供給されることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、以下の説明は、４線式抵抗測定装置に対して本発明を適用した場合の一実施形態である。
［１．４線式抵抗測定装置の構成及び機能］
先ず、図１等を参照して、本実施形態にかかる４線式抵抗測定装置の構成及び機能について説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態にかかる４線式抵抗測定装置１の概要ブロック例を示す図である。図１に示すように、４線式抵抗測定装置１は、大別すると、定電流供給部１１、半導体スイッチング部１２、マルチプレクサ部１３、アンプ部１４、フィルタ部１５、Ａ（Ａｎａｌｏｇ）／Ｄ（Ｄｉｇｉｔａｌ）変換部１６、制御部１７、及び操作・表示部１８等を備えて構成されている。
【００１７】
［１−１．定電流供給部］
定電流供給部（定電流供給回路）１１は、本発明の定電流供給手段として、複数の被測定物のそれぞれに対して定電流を供給するようになっている。なお、本実施形態においては、上記被測定物として、機械式接点１９を適用した場合の例について説明する。
【００１８】
図２は、定電流供給部１１における回路構成例を示す図である。図２に示すように、定電流供給部１１は、定電流シンク回路１１ａと定電流ソース回路１１ｂとが従属接続されて構成されている。
【００１９】
定電流シンク回路１１ａは、オペアンプ（演算増幅器）１１１、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１２、及び抵抗Ｒ１等を備えており、オペアンプ１１１の非反転入力端１１１ａは電圧源（図示せず）に接続され、その出力端１１１ｂはＦＥＴ１１２のゲートに接続され、その反転入力端１１１ｃはＦＥＴ１１２のソース及び抵抗Ｒ１に接続されている。また、ＦＥＴ１１２のドレインは負荷ＲＬ１及び定電流ソース回路１１ｂに接続されている。
【００２０】
このような定電流シンク回路１１ａの構成において、オペアンプ１１１の非反転入力端１１１ａには、電圧源から例えば３Ｖの基準電圧Ｖｒｅｆが印加されるようになっており、また、負荷ＲＬ１には、例えば５Ｖの電圧が印加されるようになっている。なお、電圧源から印加される基準電圧Ｖｒｅｆは、例えばボリュームによって調整可能（定電流ソース回路１１ａに与える定電流を供給するための基準電圧Ｖｒｅｆは可変である）であり、後述する定電流を微調整することができるようになっている。
【００２１】
また、このオペアンプ１１１は負帰還回路構成になっているため、反転入力端１１１ｃに印加される電圧Ｖｓ１は、仮想ショートにより基準電圧Ｖｒｅｆを維持することになる。従って、出力電流ＩＬ１は、下記（１）式で表される。
【００２２】
ＩＬ１＝Ｖｒｅｆ／Ｒ１・・・（１）
つまり、出力電流ＩＬ１はＦＥＴ１１２の特性に関係なく一定となり、オペアンプ１１１は、ＦＥＴ１１２のバラツキや温度変動にも影響されず安定した動作となる。更に、ＦＥＴ１１２の出力インピーダンスはかなり高く、例えば１０００ＧΩ程度になるため、出力電流ＩＬ１は基準電圧Ｖｒｅｆの変化にも影響されない（基準電圧Ｖｒｅｆが例えば１Ｖ変化しても、出力電流ＩＬ１の電流変化は１ｐＡ程度の変化と非常に小さい）。また、抵抗Ｒ１には一定の電圧Ｖｓ１が加わることになるので、負荷ＲＬ１には一定の２Ｖの電圧Ｖｓ２が加わることになる。
【００２３】
一方、定電流ソース回路１１ｂは、オペアンプ１１５、ＦＥＴ１１６、バイポーラトランジスタ１１７、及び抵抗Ｒ２等を備えており、オペアンプ１１５の非反転入力端１１５ａは定電流シンク回路１１ａにおけるＦＥＴ１１２のドレインに接続され、その出力端１１５ｂは抵抗Ｒ２を介してＦＥＴ１１６のゲートに接続され、その反転入力端１１５ｃはＦＥＴ１１６のドレインに接続されている。また、ＦＥＴ１１６のソースはバイポーラトランジスタ１１７のベースに接続されている。また、バイポーラトランジスタ１１７のコレクタはＦＥＴ１１６のドレイン、オペアンプ１１５の反転入力端１１５ｃ、及び可変抵抗群１１８に接続されており、バイポーラトランジスタ１１７のエミッタは半導体スイッチング部１２を介して複数の被測定物としての機械式接点１９に接続されている。また、可変抵抗群１１８においては、抵抗Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５をショートピンＪＰ１により選択できるようになっている。なお、抵抗Ｒ２は、機械式接点１９が接続されていない（無負荷）時の電流パス保護用として機能するものである（無負荷時は、オペアンプ１１５がショートすることになる）。
【００２４】
このような定電流ソース回路１１ｂの構成において、オペアンプ１１５の非反転入力端１１５ａには一定の電圧Ｖｓ２が印加されることになる。また、このオペアンプ１１５も、オペアンプ１１１と同様、負帰還回路構成になっているため、反転入力端１１５ｃに印加される電圧は、電圧Ｖｓ２を維持することになる。そして、出力電流ＩＬ２は、抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５の選択によって異なり、出力電流ＩＬ２は、それぞれ、下記（２）〜（４）式で表される。
【００２５】
ＩＬ２（Ｒ３）＝Ｖｓ２／Ｒ３・・・（２）
ＩＬ２（Ｒ４）＝Ｖｓ２／Ｒ４・・・（３）
ＩＬ２（Ｒ５）＝Ｖｓ２／Ｒ５・・・（４）
このように、機械式接点１９には、トランジスタ１１７を介して定電流としての出力電流ＩＬ２が供給されることになり、抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５の選択によって所望の定電流を供給することができる。但し、抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５についても若干の誤差が想定される。この場合には、電圧源から印加する基準電圧Ｖｒｅｆを例えばボリュームによって調整することにより、定電流を微調整して所望の値に合わせることができる。
【００２６】
ここで、このトランジスタ１１７に、ｎｐｎ型トランジスタを適用することにより、定電流を微小電流（例えば１ｍＡ〜１００ｍＡ）から大電流（例えば１〜１０Ａ）まで選択する場合、ｐｎｐ型トランジスタに比べて選択範囲（品種）が広いという利点がある。なお、微小電流のみを選択する場合には、定電流を供給するためのトランジスタとしてトランジスタ１１７がなくても、ＦＥＴ１１６のみで賄うことができる。
【００２７】
以上のように、定電流供給部１１は、定電流シンク回路１１ａと定電流ソース回路１１ｂとが結合された回路構成になっているため、高速切換に適し基準電圧の変化に影響されない安定した定電流であって、かつ、トランジスタ１１７を介して微小電流から大電流までの範囲の定電流を機械式接点１９に供給することができる。
【００２８】
なお、本実施形態においては、抵抗Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５をショートピンＪＰ１により選択できる構成としたが、ショートピンＪＰ１の代わりにリレー接点（機械式リレーであっても、ＦＥＴであってもよい）を挿入し（この場合、抵抗Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５のそれぞれに対応して設ける）、それを制御部１７からの信号（例えば、操作・表示部１８にてオペレータが抵抗切換操作することによる）によって開閉させ、抵抗Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５を選択できるように構成してもよい。
【００２９】
［１−２．半導体スイッチング部］
次に、半導体スイッチング部１２は、各機械式接点１９への定電流供給経路の開閉を行う複数の第１の半導体スイッチング手段としての定電流供給経路開閉用のＭＯＳ−ＦＥＴ（以下、「定電流供給経路開閉用ＦＥＴ」という）と、各機械式接点１９の両端電圧を取り込む経路の開閉を行う複数の第２の半導体スイッチング手段としての電圧取込用のＭＯＳ−ＦＥＴ（以下、「電圧取込用ＦＥＴ」という）とを備えており、これらのＦＥＴは、複数の機械式接点１９のうち何れか一つに定電流を供給する（言い換えれば、各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となる）ようにマルチプレクサ部１３を介して制御部１７により制御されるようになっている。
【００３０】
図３は、半導体スイッチング部１２等における回路構成例を示す図である。なお、図３においては、複数の機械式接点のうち２つの機械式接点、及びそれに対応する回路を示しており、説明の便宜上、２つの機械式接点及びそれに対応する回路には同一の符号を付している。
【００３１】
図３の例では、一つの機械式接点１９への定電流供給経路１２１には、その機械式接点１９を挟み込むように、２つの定電流供給経路開閉用ＦＥＴ１２２ａ及び１２２ｂが介挿されている。更に、一つの機械式接点１９への両端電圧を取り込む経路１２３には、その機械式接点１９を挟み込むように、２つの電圧取込用ＦＥＴ１２４ａ及び１２４ｂが介挿されている。一つの（同じ）機械式接点１９に対応する定電流供給経路１２１と両端電圧を取り込む経路１２３とは、同一のタイミングで閉状態となるように、定電流供給経路開閉用ＦＥＴ１２２ａ，１２２ｂ及び電圧取込用ＦＥＴ１２４ａ，１２４ｂがマルチプレクサ部１３を介して制御部１７により制御されるようになっている。また、各機械式接点１９の両端電圧を取り込む経路１２３は、アンプ部１４に接続されている。
【００３２】
［１−３．マルチプレクサ部］
次に、マルチプレクサ部１３は、制御部１７からの切換信号に基づいて、複数チャンネル（例えば、１６チャンネル）をスキャニング（順次切り替え）し、各チャンネルに接続されたＦＥＴのゲートにオン電圧を印加するようになっている。図３の例では、１つのチャンネルには、定電流供給経路開閉用ＦＥＴ１２２ａ，１２２ｂ及び電圧取込用ＦＥＴ１２４ａ，１２４ｂの４つのＦＥＴが接続されているため、この４つのＦＥＴのオンオフ動作は同期することになる。これにより、各機械式接点１９に対して互いに異なるタイミングで定電流が供給されると共に、その時の各機械式接点１９の両端電圧がアンプ部１４に入力されることになる。なお。上記ＭＯＳ−ＦＥＴの切換時間は、例えば、７００μｓｅｃ〜１ｍｓｅｃ程度とすることができる。
【００３３】
［１−４．アンプ部及びフィルタ部］
図４は、アンプ部１４及びフィルタ部１５における回路構成例を示す図である。アンプ部１４は、図４に示すように、計測用オペアンプ１４１とオフセット補正用オペアンプ１４２を備えており、これらのオペアンプの組合せにより利得が約１００倍の高精度なＤＣアンプを実現している。また、アンプ部１４における抵抗Ｒ６及び抵抗Ｒ７は、入力オーバーロードの保護（例えば、±１５Ｖの連続オーバーロードから保護）を行うために挿入されている。アンプ部１４に入力された機械式接点１９の両端電圧はここで増幅され、増幅された両端電圧はフィルタ部１５又はＡ／Ｄ変換部１６に出力されるようになっている。フィルタ部１５又はＡ／Ｄ変換部１６の何れに出力するかは、ショートピンＪＰ２及びＪＰ３により選択できるようになっている。なお、ショートピンＪＰ２及びＪＰ３の代わりにリレー接点（機械式リレーであっても、ＦＥＴであってもよい）を挿入し、それを制御部１７からの信号（例えば、操作・表示部１８にてオペレータがフィルタ部選択操作することによる）によって開閉させ、フィルタ部１５を通すか否かを選択できるように構成してもよい。
【００３４】
フィルタ部１５は、図４に示すように、オペアンプ（１５１〜１５３）、抵抗（Ｒ８〜Ｒ１０）、及びコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ３）から構成されたアクティブフィルタ（ＲＣ能動フィルタ）を備えており、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）として機能するようになっている（例えば、遮断周波数が５００Ｈｚ、遮断特性が−１８ｄＢ／ｏｃｔのベッセル特性）。かかるフィルタ部１５により高域のノイズを除去することができる。また、アンプ部１４に入力される両端電圧が交流である場合には、フィルタ部１５を選択することで、その電圧から直流分を取り出すことが可能となる。
【００３５】
［１−５．Ａ／Ｄ変換部］
次に、Ａ／Ｄ変換部１６は、逐次比較回路、及びスイッチト・キャパシタ・Ａ／Ｄ変換回路等を備えており、処理能力２００ｋｓｐｓで高速サンプリングが可能となっている。アンプ部１４にて増幅された機械式接点１９の両端電圧は、直接又はフィルタ部１５を介してＡ／Ｄ変換部１６に入力され、アナログ／ディジタル変換された後、制御部１７に出力されるようになっている。
【００３６】
［１−６．制御部］
次に、制御部１７は、演算機能を有するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、各種データ，及びプログラムを記憶するＲＯＭ（Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、作業用ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ−Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、不揮発性メモリ等を備えており、ＣＰＵがＲＯＭに記憶されたプログラムを実行することにより、本発明の制御手段、抵抗測定手段、判別手段、及び提示手段等として機能するようになっている。例えば、制御部１７は、制御手段として、上述した各定電流供給経路１２１が互いに異なるタイミングで閉状態となるように、半導体スイッチング部１２を制御すると共に、各定電流供給経路１２１と各両端電圧を取り込む経路１２３とが同一のタイミングで閉状態となるように半導体スイッチング部１２を制御する。
【００３７】
また、制御部１７は、抵抗測定手段として、各定電流供給経路１２１の閉状態に同期して、各機械式接点１９の両端電圧をアンプ部１４及びＡ／Ｄ変換部１６等を介して取り込み、当該各機械式接点１９の抵抗値を測定するようになっている。
【００３８】
更に、制御部１７は、判別手段として、測定された各機械式接点１９の抵抗値が、予め定められた基準抵抗値より大きいか否かを判別し、その判別結果、抵抗値が基準抵抗値より大きい機械式接点１９についての情報を提示手段として例えば、操作・表示部１８に表示することによりユーザに提示するようになっている。
【００３９】
なお、制御部１７における処理の詳細は後述する。
【００４０】
［１−７．操作・表示部］
操作・表示部１８は、抵抗値測定開始指示や各種パラメータの設定を行うための操作ボタン、及び抵抗値の測定結果等の情報を表示するための表示器（例えば、液晶表示器）等を備えている。操作ボタンでは、機械式接点１９に供給される定電流の値の設定することができ、設定された値は制御部１７における例えば不揮発性メモリに記憶される。
［２．４線式抵抗測定装置の動作］
次に、図５等を参照して、４線式抵抗測定装置１の動作について、制御部１７を主体として説明する。なお、機械式接点１９に供給される定電流の値は既に設定されているものとする。また、各機械式接点１９は閉状態になっているものとする。
【００４１】
図５は、制御部１７における処理を示すフローチャートである。図５の処理は、オペレータが操作・表示部１８における操作ボタンを操作して抵抗測定開始指示を入力することによって開始される。これにより、一定間隔毎に切換信号（トリガ信号）が、制御部１７からマルチプレクサ部１３に出力される（ステップＳ１）。マルチプレクサ部１３では、かかる切換信号を受けると、１ｃｈからスキャニングを開始する。
【００４２】
即ち、上述したように、マルチプレクサ部１３は、各チャンネルに接続されたＦＥＴ（定電流供給経路開閉用ＦＥＴ１２２ａ，１２２ｂ及び電圧取込用ＦＥＴ１２４ａ，１２４ｂ）のゲートにオン電圧を、一定間隔で順次印加する。その結果、定電流供給経路開閉用ＦＥＴ１２２ａ，１２２ｂがオン動作し、定電流供給経路１２１が閉状態となって、各機械式接点１９に対して順次、定電流が供給されるようになる。この時、対応する電圧取込用ＦＥＴ１２４ａ，１２４ｂもオン動作となるので、両端電圧を取り込む経路１２３も閉状態となって、各機械式接点１９の両端電圧が順次、アンプ部１４に入力されるようになる。
【００４３】
ここで、定電流供給経路開閉用ＦＥＴ１２２ａ，１２２ｂ及び電圧取込用ＦＥＴ１２４ａ，１２４ｂのゲートへのオン電圧の印加時間は、例えば、オペレータにより操作・表示部１８を通じて任意に設定される。例えば、ＦＥＴの立上り時間（約２００μｓｅｃ）及び立下り時間（約４００μｓｅｃ）、更には上記両端電圧を制御部１９が安定して取り込む時間を考慮すると、１ｍｓｅｃに設定することができる。この場合、各チャンネルの切換時間は、１ｍｓｅｃ以上となる。
【００４４】
そして、アンプ部１４に入力された両端電圧はそこで増幅され、Ａ／Ｄ変換部１６にて高速にＡ／Ｄ変換された後、制御部１７に入力される。
【００４５】
制御部１７では、順次入力されてくる各機械式接点１９の両端電圧を取り込み、一旦ＲＡＭに記憶する（ステップＳ２）。そして、制御部１７は、両端電圧取り込み終了条件が満足したか否かを判別し（ステップＳ３）、満足した場合には、上記切換信号の出力を停止し、ステップＳ４に移行する。ここで、例えば、抵抗測定開始指示入力から、操作・表示部１８通じて設定された時間が経過したことを上記両端電圧取り込み終了条件とする。また、制御部１７に入力される両端電圧の変化が無いことを上記両端電圧取り込み終了条件としてもよい。
【００４６】
ステップＳ４では、制御部１７に入力され、ＲＡＭに記憶された各機械式接点１９の両端電圧に係る情報と、予め設定された定電流とに基づいて、各機械式接点１９の抵抗値（接触抵抗）を測定（算出）し、不揮発性メモリ等に記憶する。続いて、制御部１７は、記憶された各機械式接点１９の抵抗値が、予め設定された基準抵抗値より大きいか否かを判別（判定）し（ステップＳ５）、その判定結果を表示、例えば抵抗値が基準抵抗値より大きい機械式接点１９についての情報を操作・表示部１８に表示させ（ステップＳ６）、処理を終了する。例えば、抵抗値が基準抵抗値より大きい機械式接点１９について、接触不良である旨（例えば、「Ｎｏ１の機械式接点と、Ｎｏ１４の機械式接点が接触不良です」）が操作・表示部１８に表示される。なお、各機械式接点１９の抵抗値が表示されるように構成してもよい。また、抵抗値が基準抵抗値より小さい機械式接点１９についての情報を操作・表示部１８に表示させる（例えば、「Ｎｏ１の機械式接点と、Ｎｏ１４の機械式接点が正常です」）ように構成してもよい。
【００４７】
以上説明したように上記実施形態によれば、高速で各定電流供給経路１２１の開閉を行う複数のＦＥＴを各経路１２１に介挿し、各定電流供給経路１２１が互いに異なるタイミングで閉状態となるように制御しつつ、各定電流供給経路１２１の閉状態に同期して各機械式接点１９の両端電圧を取り込み、抵抗値を測定するように構成したので、多数の機械式接点１９の抵抗値を、高速かつ効率良く測定することができる。しかも、半導体スイッチング手段としてのＦＥＴは、機械式リレーに比べ高速で動作するという利点を有するばかりでなく、ノイズ発生を低減でき、更に、半永久的に使用可能（メンテナンスフリー）であるという利点もある（経費節減、省エネ効果も得る）。
【００４８】
更に、上記実施形態においては、高速で動作する半導体スイッチング部１２と、高速切換に適し基準電圧の変化に影響されない安定した定電流を各機械式接点１９に対して供給する定電流供給部１１と、高速サンプリング可能なＡ／Ｄ変換部１６と、を組合せ、更に、コンピュータとしてのＣＰＵで制御するように構成したので、高速で安定した接触抵抗を測定し、検査することができる。
【００４９】
また、各機械式接点１９の抵抗値が、予め設定された基準抵抗値より大きいか否かを判別し、その判定結果、抵抗値が基準抵抗値より大きい機械式接点１９についての情報を操作・表示部１８に表示させるように構成したので、ユーザは迅速に、不良である機械式接点１９を発見することができる。
【００５０】
上記実施形態においては、被測定物として機械式接点１９を適用した場合の例について説明したが、これに限定されるものではなく、その他の電気部品の接触抵抗を測定する場合にも適用することができる。
【００５１】
また、上記実施形態においては、上記定電流供給部１１を４線式抵抗測定装置１に対して適用したが、これに限定されるものではなく、被測定物に対して定電流を供給する装置であれば、如何なる装置に対しても適用可能である。
【００５２】
また、上記実施形態においては、半導体スイッチング手段としてＦＥＴを適用したが、これに限定されるものではなく、バイポーラトランジスタであってもよい。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高速で各定電流供給経路の開閉を行う複数の半導体スイッチング手段を各経路に介挿し、各定電流供給経路が互いに異なるタイミングで閉状態となるように制御しつつ、各定電流供給経路の閉状態に同期して各被測定物の両端電圧を取り込み、抵抗値を測定するように構成したので、多数の被測定物の抵抗値を、高速かつ効率良く測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態にかかる４線式抵抗測定装置１の概要ブロック例を示す図である。
【図２】定電流供給部１１における回路構成例を示す図である。
【図３】半導体スイッチング部１２等における回路構成例を示す図である。
【図４】アンプ部１４及びフィルタ部１５における回路構成例を示す図である。
【図５】制御部１７における処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  ４線式抵抗測定装置
１１  定電流供給部
１１ａ  定電流シンク回路
１１ｂ  定電流ソース回路
１２  半導体スイッチング部
１３  マルチプレクサ部
１４  アンプ部
１５  フィルタ部
１６  Ａ／Ｄ変換部
１７  制御部
１８  操作・表示部
１９  機械式接点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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