(57)【要約】【課題】  非晶質シリコン薄膜トランジスタを備えながらも臨界電圧の遷移量を低減することができる表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】  本発明の表示装置は、発光素子ＯＬＥＤ、走査信号に応じてデータ信号を伝達する第１スイッチングトランジスタＱｓ１、スイッチング信号に応じて逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタＱｓ２、データ信号に基づいた電圧を充電し、逆バイアス電圧によって放電するキャパシタＣｓ、及び駆動電圧に連結されており、キャパシタＣｓに充電された電圧に応答してターンオン又はターンオフされて、駆動電圧から発光素子ＯＬＥＤに達する信号経路を導通又は遮断する駆動トランジスタＱｄを各々含む複数の画素を含む。本発明によれば、駆動トランジスタＱｄの臨界電圧の遷移量を低減することができる。【選択図】            図２
2005346055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
走査信号に応じてデータ信号を伝達する第１スイッチングトランジスタと、
スイッチング信号に応じて逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタ、
前記データ信号に基づいた電圧を充電し、前記逆バイアス電圧によって放電するキャパシタと、
駆動電圧に連結されており、前記キャパシタに充電された電圧に応答してターンオン又はターンオフされて、前記駆動電圧から前記発光素子に達する信号経路を導通又は遮断する駆動トランジスタと、を各々備える複数の画素、
を含む表示装置。
【請求項２】
前記逆バイアス電圧は０Ｖ以下である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１スイッチングトランジスタは、第１区間の間順にターンオンされ、第２及び第３区間の間同時にターンオフされ、
前記第２スイッチングトランジスタは、全て前記第１及び第２区間の間ターンオフされ、前記第３区間でターンオンされる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動電圧は、前記第２区間で前記発光素子に連結されている共通電圧より大きく、前記発光素子は前記第２区間で同時に発光する、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動電圧は二つ以上の互いに異なる電圧レベルを有する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記共通電圧は二つ以上の互いに異なる電圧レベルを有する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２スイッチングトランジスタは、前記発光素子の発光が完了した後、所定の時間経過して同時にターンオンされる、請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画素は、第１画素集合と第２画素集合を含み、
前記第２画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なり、
前記第２画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期と前記第１画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期は連続する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１画素集合の発光素子と前記第２画素集合の発光素子は少なくとも一定の時間同時に発光する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記画素は第３画素集合をさらに含み、
前記第３画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１及び第２画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なり、
前記第３画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１及び第２画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なる、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２画素集合に各々連結されており、前記駆動電圧を伝達する第１及び第２駆動信号線をさらに含み、前記第１及び第２駆動信号線は互いに分離されている、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２駆動信号線の各々は、一方向に延びている一つ以上の主配線と、前記主配線から並行に延びて出た複数の第１岐配線とを含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１及び第２駆動信号線の各々は、前記第１岐配線に交差して連結されている複数の第２岐配線をさらに含む、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１及び第２スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタは非晶質シリコンを含む、請求項１乃至１４のうちのいずれかに記載の表示装置。
【請求項１６】
前記スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタはＮＭＯＳ薄膜トランジスタである、請求項１乃至１４のうちのいずれかに記載の表示装置。
【請求項１７】
前記走査信号を生成する走査駆動部と、
前記データ信号を生成するデータ駆動部と、
前記駆動電圧及び前記スイッチング信号を生成する駆動信号生成部と、
をさらに含む、請求項１乃至１４のうちのいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記走査駆動部、前記データ駆動部、及び前記駆動信号生成部を制御する信号制御部をさらに含む、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記データ信号は電圧信号である、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２０】
第１発光素子と、前記第１発光素子に電流を供給する第１駆動トランジスタを含む複数の第１画素とを含む表示装置の駆動方法において、
前記第１画素に第１データ信号を順に記入する段階、
前記複数の第１画素に前記第１データ信号の記入を全て完了した後、前記記入された第１データ信号に基づいて前記第１発光素子を同時に発光させる段階、及び
前記第１駆動トランジスタに同時に逆バイアスを提供する段階を含み、
前記第１発光素子が前記記入段階で発光しないように抑制する、表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記第１駆動トランジスタによって前記第１発光素子に印加される電圧を下げ、前記第１発光素子の発光を抑制する、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記表示装置は、第２発光素子と、前記第２発光素子に電流を供給する第２駆動トランジスタを含む複数の第２画素とをさらに含み、
前記表示装置の駆動方法は、
前記第２画素に第２データ信号を順に記入する段階、
前記複数の第２画素に前記第２データ信号の記入を全て完了した後、前記記入された第２データ信号に基づいて前記第２発光素子を同時に発光させる段階、及び
前記第２駆動トランジスタに同時に逆バイアスを提供する段階を含み、
前記第２発光素子が前記第２データ信号記入段階で発光しないように抑制し、前記第２データ信号の記入段階は前記第１データ信号記入段階の後に開始される、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記第２発光素子の発光段階は前記第１発光素子の発光段階と少なくとも所定の時間重なる、請求項２２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
前記第１データ信号の記入段階と前記第２データ信号の記入段階の持続時間が同一であり、前記第２データ信号の記入段階は、前記第１データ信号記入段階に連続して開始される、請求項２２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２５】
前記第１及び第２駆動トランジスタによって前記第１及び第２発光素子に各々印加される電圧を下げ、前記第１及び第２発光素子の発光を抑制する、請求項２２乃至２４のうちのいずれかに記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、パソコンやテレビなどの軽量化及び薄形化に伴って表示装置も軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求により、陰極線管（ＣＲＴ）が平板表示装置で代替されている。
【０００３】
このような平板表示装置には、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、有機発光表示装置、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）などがある。
【０００４】
一般的に、アクティブマトリックス型平板表示装置では、複数の画素がマトリックス形態に配列され、与えられた輝度情報によって各画素の光強度を制御することによって画像を表示する。このうちの有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、自己発光型であって消費電力が小さく、視野角が広くて画素の応答速度が速いので、高画質の動映像を表示するのが容易である。
【０００５】
有機発光表示装置は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）とこれを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える。この薄膜トランジスタは、活性層の種類によって多結晶シリコン薄膜トランジスタと、非晶質シリコン薄膜トランジスタなどに区分される。多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は多様な長所があるので一般的に広く用いられているが、多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造工程が複雑であり、したがって製造費用も増加する。また、このような有機発光表示装置は大画面を得るのが難しい。
【０００６】
一方、非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は大画面を得るのが容易であり、多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置より製造工程の数も相対的に少ない。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタは、時間の経過に伴って臨界電圧の遷移が発生して有機発光素子に流れる電流が不均一になり、これにより画質が劣化する現象が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、非晶質シリコン薄膜トランジスタを備えながらも臨界電圧の遷移量を低減することができる表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような技術的課題を構成するための本発明の一つの実施例による表示装置は、発光素子、走査信号に応じてデータ信号を伝達する第１スイッチングトランジスタと、スイッチング信号に応じて逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタと、前記データ信号に基づいた電圧を充電し、前記逆バイアス電圧によって放電するキャパシタと、駆動電圧に連結されており、前記キャパシタに充電された電圧に応答してターンオン又はターンオフされて、前記駆動電圧から前記発光素子に達する信号経路を導通又は遮断する駆動トランジスタと、を各々備える複数の画素を含む。
【０００９】
前記逆バイアス電圧は０Ｖ以下であることができる。
【００１０】
前記第１スイッチングトランジスタは、第１区間の間順にターンオンされ、第２及び第３区間の間同時にターンオフされ、前記第２スイッチングトランジスタは、全て前記第１及び第２区間の間ターンオフされ、前記第３区間でターンオンされることができる。
【００１１】
前記駆動電圧は、前記第２区間で前記発光素子に連結されている共通電圧より大きく、前記発光素子は前記第２区間で同時に発光することができる。
【００１２】
前記駆動電圧は、二つ以上の互いに異なる電圧レベルを有することができる。
【００１３】
前記共通電圧は、二つ以上の互いに異なる電圧レベルを有することができる。
【００１４】
前記第２スイッチングトランジスタは、前記発光素子の発光が完了した後、所定の時間経過して同時にターンオンされることができる。
【００１５】
前記画素は、第１画素集合と第２画素集合を含み、前記第２画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なり、前記第２画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なることができる。
【００１６】
前記第２画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期と前記第１画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期は連続することができる。
【００１７】
前記第１画素集合の発光素子と前記第２画素集合の発光素子は少なくとも一定の時間同時に発光することができる。
【００１８】
前記画素は第３画素集合をさらに含み、前記第３画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１及び第２画素集合の第１スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なり、前記第３画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期は、前記第１及び第２画素集合の第２スイッチングトランジスタのターンオン時期と異なることができる。
【００１９】
前記第１及び第２画素集合に各々連結されており、前記駆動電圧を伝達する第１及び第２駆動信号線をさらに含み、前記第１及び第２駆動信号線は互いに分離されていることができる。
【００２０】
前記第１及び第２駆動信号線の各々は、一方向に延びている一つ以上の主配線と、前記主配線から並行に延びて出た複数の第１岐配線とを含むことができる。
【００２１】
前記第１及び第２駆動信号線の各々は、前記第１岐配線に交差して連結されている複数の第２岐配線をさらに含むことができる。
【００２２】
前記第１及び第２スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタは非晶質シリコンを含むことができる。
【００２３】
前記スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタはＮＭＯＳ薄膜トランジスタであることができる。
【００２４】
また、本発明の表示装置は、前記走査信号を生成する走査駆動部と、前記データ信号を生成するデータ駆動部と、前記駆動電圧及び前記スイッチング信号を生成する駆動信号生成部とをさらに含むことができる。
【００２５】
前記走査駆動部、前記データ駆動部、及び前記駆動信号生成部を制御する信号制御部をさらに含むことができる。
【００２６】
前記データ信号は電圧信号であり得る。
【００２７】
本発明の他の実施例による、第１発光素子と、前記第１発光素子に電流を供給する第１駆動トランジスタを含む複数の第１画素とを含む表示装置の駆動方法は、前記第１画素に第１データ信号を順に記入する段階、前記複数の第１画素に前記第１データ信号の記入を全て完了した後、前記記入された第１データ信号に基づいて前記第１発光素子を同時に発光させる段階、及び前記第１駆動トランジスタに同時に逆バイアスを提供する段階を含み、前記第１発光素子が前記記入段階で発光しないように抑制する。
【００２８】
前記第１駆動トランジスタによって前記第１発光素子に印加される電圧を下げ、前記第１発光素子の発光を抑制することができる。
【００２９】
前記表示装置は、第２発光素子と、前記第２発光素子に電流を供給する第２駆動トランジスタを含む複数の第２画素とをさらに含み、前記表示装置の駆動方法は、前記第２画素に第２データ信号を順に記入する段階、前記複数の第２画素に前記第２データ信号の記入を全て完了した後、前記記入された第２データ信号に基づいて前記第２発光素子を同時に発光させる段階、及び前記第２駆動トランジスタに同時に逆バイアスを提供する段階を含み、前記第２発光素子が前記第２データ信号記入段階で発光しないように抑制し、前記第２データ信号の記入段階は前記第１データ信号記入段階の後に開始されることができる。
【００３０】
前記第２発光素子の発光段階は、前記第１発光素子の発光段階と少なくとも所定の時間重なることができる。
【００３１】
前記第１データ信号の記入段階と前記第２データ信号の記入段階の持続時間が同一であり、前記第２データ信号の記入段階は、前記第１データ信号記入段階に連続して開始されることができる。
【００３２】
前記第１及び第２駆動トランジスタによって前記第１及び第２発光素子に各々印加される電圧を下げ、前記第１及び第２発光素子の発光を抑制することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の表示装置及びその駆動方法によれば、一つのフレームを３個の区間に分けてデータ信号を記入し、発光素子を発光させ、駆動トランジスタに逆バイアスを提供することにより、駆動トランジスタの臨界電圧の遷移量を低減することができる。
【００３４】
また、表示板を複数のブロックに分割して駆動することによって各ブロックの発光時間を増やすことができ、表示装置の最大消費電流量を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。
【００３６】
図面において、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とすれば、これは他の部分の“すぐ上にある”場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上にある”とすれば、中間に他の部分がないことを意味する。
【００３７】
次に、本発明の実施例による表示装置及びその駆動方法について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３８】
まず、図１乃至図７を参照して、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置について説明する。
【００３９】
図１は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図であり、図３は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。図４は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の一つの画素の駆動トランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図であり、図５は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。図６は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の例であり、図７は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの各端子に示される電圧波形図の例である。
【００４０】
図１に図示したように、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置は、表示板（ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）３００及びこれに連結された走査駆動部４００、データ駆動部５００、駆動信号生成部７００、及びこれらを制御する信号制御部６００を含む。
【００４１】
表示板３００は、等価回路で見れば、複数の信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、Ｌｖ、Ｌｒ、Ｌｎ）、及びこれらに連結されており、大略行列形態に配列された複数の画素を含む。
【００４２】
信号線は、走査信号（Ｖｇ１〜Ｖｇｎ）を伝達する複数の走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）と、データ信号（Ｖｄ）を伝達するデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）を含む。走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）は大略行方向に延びており、互いにほとんど並行しており、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）は大略列方向に延びており、互いにほとんど並行する。
【００４３】
図２及び図３を参照すれば、信号線はまた、駆動電圧信号（Ｖｐ）を伝達する駆動信号線（Ｌｖ）、スイッチング信号（Ｖｒ）を伝達するスイッチング信号線（Ｌｒ）、及び逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を伝達する逆バイアス線（Ｌｎ）を含む。信号線（Ｌｖ、Ｌｒ、Ｌｎ）は行方向又は列方向に延びている。
【００４４】
図３に示したように、駆動信号線（Ｌｖ）は、表示板３００の上端と下端に行方向に各々延びており、駆動電圧信号（Ｖｐ）が印加される主配線（Ｌｖｍ）と、その間を連結して列方向に並行に延び、各画素に駆動電圧信号（Ｖｐ）を伝達する複数の岐配線（Ｌｖｂ）とからなる。主配線（Ｌｖｍ）の幅は、全画素が発光するのに消費する電流を充分に供給するのに適した幅に設定し、岐配線（Ｌｖｂ）の幅より大きく設定する。これとは違って、駆動電圧信号（Ｖｐ）が印加される主配線が表示板３００の両側端に列方向に延びており、その間に、行方向に並行に延びている複数の岐配線が連結されることができる。
【００４５】
図２に示したように、各画素は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、２個のスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）、キャパシタ（Ｃｓ）、及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）を含む。
【００４６】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２）に連結されており、入力端子（Ｎｄ）は、駆動電圧信号（Ｖｐ）を供給する駆動信号線（Ｌｖ）に連結されており、出力端子（Ｎｓ）は有機発光素子（ＯＬＥＤ）に連結されている。駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間にかかる電圧（Ｖｇｓ）の大きさに応じてその大きさが制御される出力電流（ＩＯＬＥＤ）を、出力端子（Ｎｓ）を通して有機発光素子（ＯＬＥＤ）に出力する。
【００４７】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）の制御端子及び入力端子は、各々走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）及びデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）に連結されており、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）に連結されている。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は、走査信号線（Ｇｉ）に印加される走査信号（Ｖｇｉ）に応じて、データ線（Ｄｊ）に印加されているデータ信号（Ｖｄ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
【００４８】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）の制御端子及び入力端子は、各々スイッチング信号線（Ｌｒ）及び逆バイアス線（Ｌｎ）に連結されており、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）に連結されている。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）は、スイッチング信号線（Ｌｒ）に印加されるスイッチング信号（Ｖｒ）に応じて、逆バイアス線（Ｌｎ）に印加されている逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
【００４９】
逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間に充分に大きな逆バイアスがかかるように決定することができるが、０Ｖ以下の電圧が好ましく、例えば、−１５Ｖである。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）がターンオンされて逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）に印加されれば、有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光する間に駆動トランジスタ（Ｑｄ）のゲート絶縁膜にトラップされた電子を放出させることができる。
【００５０】
スイッチング及び駆動トランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２、Ｑｄ）は、非晶質シリコンからなるｎチャンネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタで形成される。しかし、これらトランジスタ（Ｑｓ１、Ｑｓ２、Ｑｄ）はＰＭＯＳトランジスタでも形成されることができ、この場合、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタは互いに相補的（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）であるので、ＰＭＯＳトランジスタの動作と電圧及び電流はＮＭＯＳトランジスタのそれと反対となる。
【００５１】
キャパシタ（Ｃｓ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間に連結されている。このキャパシタ（Ｃｓ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）に印加されるデータ信号（Ｖｄ）や逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を充電して一定の期間維持する。
【００５２】
有機発光素子（ＯＬＥＤ）のカソードは共通電圧（Ｖｃｏｍ）に連結されており、アノードは駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）に連結されている。有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）からの出力電流（ＩＯＬＥＤ）によって発光する。
【００５３】
以下、このような有機発光表示装置の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と有機発光素子（ＯＬＥＤ）の構造について説明する。
【００５４】
図４に示したように、絶縁基板１１０上に制御端子電極１２４が形成されている。制御端子電極１２４は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は２０−８０゜である。
【００５５】
制御端子電極１２４上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる絶縁膜１４０が形成されている。
【００５６】
絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉという）又は多結晶シリコンなどからなる半導体１５４が形成されている。
【００５７】
半導体１５４の上部には、シリサイド又はｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。
【００５８】
半導体１５４と抵抗性接触部材１６３、１６５の側面は傾いており、傾斜角は３０−８０゜である。
【００５９】
抵抗性接触部材１６３、１６５及び絶縁膜１４０上には、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５が形成されている。
【００６０】
入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は互いに分離されており、制御端子電極１２４を基準に両側に位置する。制御端子電極１２４、入力端子電極１７３、及び出力端子電極１７５は半導体１５４と共に駆動トランジスタを構成し、駆動トランジスタのチャンネルは、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５との間の半導体１５４に形成される。
【００６１】
入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５も半導体１５４などと同様に、その側面が約３０−８０゜の角度で各々傾いている。
【００６２】
入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５と露出された半導体１５４部分の上には、有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質又は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０をなす物質は、平坦化特性又は感光性を有することができる。
【００６３】
保護膜１８０には、入力端子電極１７３を露出する接触孔１８５が形成されている。
【００６４】
保護膜１８０上には、接触孔１８５を介して入力端子電極１７３と物理的・電気的に連結されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム又は銀合金などの反射性に優れた物質で形成することができる。
【００６５】
保護膜１８０の上部には、有機絶縁物質又は無機絶縁物質からなり、有機発光セルを分離させるための隔壁３６０が形成されている。隔壁３６０は画素電極１９０の縁周辺を囲んで、有機発光層３７０が満たされる領域を限定している。
【００６６】
隔壁３６０に囲まれた画素電極１９０の上の領域には有機発光層３７０が形成されている。
【００６７】
有機発光層３７０は、図５に示したように、発光層（ＥＭＬ）の他に、電子と正孔を均衡させて発光効率を向上させるために電子輸送層（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）を含んだ多層構造からなり、また、別途の電子注入層（ＥＩＬ）と正孔注入層（ＨＩＬ）を含むことができる。
【００６８】
隔壁３６０上には、隔壁３６０と同一な模様のパターンからなり、金属のように低い比抵抗を有する導電物質からなる補助電極３８２が形成されている。補助電極３８２は、後で形成される共通電極２７０と接触し、共通電極２７０に伝達される信号が歪曲されることを防止する機能をする。
【００６９】
隔壁３６０、有機発光層３７０、及び補助電極３８２上には、共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質からなっている。仮に、画素電極１９０が透明な場合には、共通電極２７０はカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを含む金属からなることができる。
【００７０】
不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上方向に画像を表示する前面発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に画像を表示する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用する。
【００７１】
画素電極１９０、有機発光層３７０、及び共通電極２７０は図２に示した有機発光素子（ＯＬＥＤ）を構成し、画素電極１９０はアノード、共通電極２７０はカソード又は画素電極１９０はカソード、共通電極２７０はアノードとなる。有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、発光層（ＥＭＬ）を形成する有機物質によって三原色、例えば、赤色、緑色、青色のうちの一つを固有に表示して、これら三原色の空間的合計で所望の色相を表示する。
【００７２】
図１及び図６を参照すれば、走査駆動部４００は、表示板３００の走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に連結されてスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）をターンオンさせるゲートオン電圧（Ｖｏｎ１）と、ターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ１）の組み合わせでなる走査信号（Ｖｇ１、Ｖｇ２、…、Ｖｇｎ）を走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に印加し、複数の集積回路からなることができる。
【００７３】
データ駆動部５００は、表示板３００のデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）に連結されて画像信号を示すデータ電圧（Ｖｄ）を画素に印加し、複数の集積回路からなることができる。
【００７４】
複数の走査駆動集積回路又はデータ駆動集積回路は、チップの形態にＴＣＰ（図示せず）方式で装着して、ＴＣＰを表示板３００に付着することもでき、ＴＣＰを使用せず、ガラス基板上にこれら集積回路チップを直接付着することもでき（ＣＯＧ実装方式）、これら集積回路を画素の薄膜トランジスタと共に表示板３００に直接形成することもできる。
【００７５】
駆動信号生成部７００は表示板３００の駆動信号線（Ｌｖ）に連結されており、高電圧（ＶＨ）と低電圧（ＶＬ）の組み合わせでなる駆動電圧信号（Ｖｐ）を生成し、駆動信号線（Ｌｖ）に印加する。高電圧（ＶＨ）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）より高い電圧レベルであり、低電圧（ＶＬ）は共通電圧（Ｖｃｏｍ）以下の電圧レベルである。
【００７６】
また、駆動信号生成部７００は、表示板３００のスイッチング信号線（Ｌｒ）に連結されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をターンオンさせるゲートオン電圧（Ｖｏｎ２）とターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ２）の組み合わせでなるスイッチング信号（Ｖｒ）を生成し、スイッチング信号線（Ｌｒ）に印加する。
【００７７】
信号制御部６００は、走査駆動部４００、データ駆動部５００、及び駆動信号生成部７００などの動作を制御する。
【００７８】
以下では、このような有機発光表示装置の動作について詳細に説明する。
【００７９】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メーンクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などを提供を受ける。信号制御部６００は、入力映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づき、映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板３００の動作条件に合うように適切に処理して、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び発光制御信号（ＣＯＮＴ３）などを生成した後、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を走査駆動部４００に排出し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理した映像信号（ＤＡＴ）はデータ駆動部５００に排出し、発光制御信号（ＣＯＮＴ３）は駆動信号生成部７００に排出する。
【００８０】
走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の出力開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の出力時期を制御するゲートクロック信号、（ＣＰＶ）及びゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）などを含む。
【００８１】
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、映像データ（ＤＡＴ）の入力開始を指示する水平同期開始信号（ＳＴＨ）と、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に当該データ電圧を印加するようにするロード信号（ＬＯＡＤ）などを含む。
【００８２】
このような制御信号（ＣＯＮＴ１〜ＣＯＮＴ３）に応じて走査駆動部４００、データ駆動部５００、及び駆動信号生成部７００が動作し、表示板３００に信号を印加するが、これらの動作は一つのフレームを周期で繰り返され、一つのフレームはその動作特性によって記入区間（ＷＲ）、発光区間（ＥＭ）、及び回復区間（ＲＥ）に分けられる。
【００８３】
記入区間（ＷＲ）
まず、駆動信号生成部７００は、信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）に応じて、駆動信号線（Ｌｖ）に印加される駆動電圧信号（Ｖｐ）を低電圧（ＶＬ）に作る。低電圧（ＶＬ）は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のカソードに印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）以下であるのが好ましい。本実施例では一例として、共通電圧（Ｖｃｏｍ）と低電圧（ＶＬ）を０Ｖとして説明する。しかし、これに限定されず、様々な変化が可能である。
【００８４】
また、駆動信号生成部７００は、スイッチング信号線（Ｌｒ）に印加されるスイッチング信号（Ｖｒ）を、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ２）に作る。このゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ２）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）が確実にオフの状態になるように逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）以下であるのが好ましく、例えば、−２０Ｖである。このようにスイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）がオフされれば逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が遮断されて、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｇ）に伝達されない。
【００８５】
一方、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）に応じて一つの行の画素に対する映像データ（ＤＡＴ）を順に受信してシフトさせ、各映像データ（ＤＡＴ）に対応するデータ電圧（Ｖｄ）を当該データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加する。
【００８６】
走査駆動部４００は、信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）に応じて走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に印加される走査信号（Ｖｇ１〜Ｖｇｎ）の電圧値をゲートオン電圧（Ｖｏｎ１）に作って、この走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に連結されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）をターンオンさせる。これにより、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加されたデータ電圧（Ｖｄ）が、ターンオンされたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を通して当該駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）及びキャパシタ（Ｃｓ）に印加され、キャパシタ（Ｃｓ）はこのデータ電圧（Ｖｄ）を充電する。
【００８７】
１水平周期（又は“１Ｈ”）［水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、データイネーブル信号（ＤＥ）、ゲートクロック（ＣＰＶ）の一周期］が過ぎると、データ駆動部５００と走査駆動部４００は次の行の画素に対して同一な動作を繰り返す。このような方式で、記入区間（ＷＲ）内で全ての走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に対して順に走査信号（Ｖｇ１〜Ｖｇｎ）を印加して、全ての画素に当該データ電圧（Ｖｄ）を印加する。
【００８８】
キャパシタ（Ｃｓ）に充電された電圧は、走査信号（Ｖｇ１〜Ｖｇｎ）がオフ電圧（Ｖｏｆｆ）になってスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）がオフされても、記入区間（ＷＲ）内で継続して維持されるので、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）の電圧（Ｖｎｇ）は一定に維持される。
【００８９】
ところが、前述のように、記入区間（ＷＲ）では駆動電圧信号（Ｖｐ）が共通電圧（Ｖｃｏｍ）のレベル以下であるため、駆動トランジスタ（Ｑｄ）がターンオンされるとしても有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードにかかる電圧がカソードにかかる電圧以下であるので、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に電流（ＩＯＬＥＤ）が流れず、その結果、有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光しない。
【００９０】
結局、記入区間（ＷＲ）ではデータ電圧（Ｖｄ）が各画素に記入されるが、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は発光しない。
【００９１】
発光区間（ＥＭ）
全ての画素にデータ電圧を記入した後、信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）に応じて、駆動信号生成部７００が駆動電圧信号（Ｖｐ）を高電圧（ＶＨ）に変えることによって発光区間（ＥＭ）が開始される。この時、高電圧（ＶＨ）は大略１５Ｖ内外であるのが好ましい。ここで、発光区間（ＥＭ）は全ての画素にデータ電圧が記入された後、時間の余裕をもって開始されることができる。
【００９２】
このように駆動電圧信号（Ｖｐ）の電圧レベルが上昇すれば、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード電圧がカソード電圧より高くなって電流（ＩＯＬＥＤ）が流れ始める。この時、電流（ＩＯＬＥＤ）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）に依存する。そして、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、電流（ＩＯＬＥＤ）の大きさによって強さを別にして発光することによって当該画像を表示する。
【００９３】
図７に示したように、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子電圧（Ｖｎｄ）が上昇すれば、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）と出力端子電圧（Ｖｎｓ）も上昇する。これは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の各端子の間の寄生容量とキャパシタ（Ｃｓ）によるブートストラッピング（ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ）によることである。駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＯＬＥＤ）は、このように上昇した制御端子電圧（Ｖｎｇ）と出力端子電圧（Ｖｎｓ）との間の差電圧（Ｖｇｓ）、又はキャパシタ（Ｃｓ）に充電された電圧に応じて決められる。
【００９４】
一方、スイッチング信号（Ｖｒ）は、発光区間（ＥＭ）でもゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ２）を維持し続けて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をオフの状態に維持する。
【００９５】
結局、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、記入区間（ＷＲ）の間には発光せずに発光区間（ＥＭ）でのみ発光するが、このようにすれば、各有機発光素子（ＯＬＥＤ）の発光時間を同一にすることができる。
【００９６】
回復区間（ＲＥ）
信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）に応じて、駆動信号生成部７００が駆動電圧信号（Ｖｐ）を再び低電圧（ＶＬ）まで落とすことによって回復区間（ＲＥ）が開始される。そうすると、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に電流が流れないようになって有機発光素子（ＯＬＥＤ）は発光しない。そして、所定遅延時間（ΔＴ）の後、スイッチング信号（Ｖｒ）を、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）がターンオンされるゲートオフ電圧（Ｖｏｎ２）に上昇させる。このゲートオン電圧（Ｖｏｎ２）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）を確実にオンさせるために１５Ｖ以上であるのが好ましく、例えば、２０Ｖであるのがさらに好ましい。
【００９７】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）がオンになれば、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が駆動トランジスタ（Ｑｓ）の制御端子（Ｎｇ）に印加され、キャパシタ（Ｃｓ）に充電された電圧が放電されながら駆動トランジスタ（Ｑｄ）がターンオフされる。これにより、発光区間（ＥＭ）の間、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のゲート絶縁膜にトラップされた電子が放出され、したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の臨界電圧（Ｖｔｈ）の遷移量が低減される。
【００９８】
遅延時間（ΔＴ）は、回復区間（ＲＥ）で駆動電圧信号（Ｖｐ）が低電圧（ＶＬ）になった後、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）と出力端子電圧（Ｖｎｓ）が記入区間（ＷＲ）での値に充分に戻ることができる時間に決定される。このようにすれば、回復区間（ＲＥ）で、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）によって駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との差電圧（Ｖｇｓ）が充分に大きな負の電圧値を有するようになり、これにより、臨界電圧（Ｖｔｈ）の遷移量はさらに減少する。
【００９９】
しかし、必要に応じて、遅延時間（ΔＴ）を０にすることもでき、回復区間（ＲＥ）で、駆動電圧信号（Ｖｐ）を継続して低電圧（ＶＬ）に維持することもできる。
【０１００】
一方、フレーム単位でなく行単位で区間を分けて画素を駆動させようとすれば、駆動信号線（Ｌｖ）を各行別に分離しなければならず、駆動電圧信号（Ｖｐ）を各駆動信号線（Ｌｐ）に印加するための別途の駆動装置を必要とし、制御アルゴリズムも複雑になる。しかし、本発明の実施例のように一つのフレームを３個の区間に分けて全体画素を駆動させれば、表示装置の駆動部を簡単にすることができ、制御アルゴリズムも簡単にすることができる。
【０１０１】
一つのフレーム内での各区間（ＷＲ、ＥＭ、ＲＥ）の長さは必要に応じて設定することができ、一例として、有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光する区間（ＥＭ）と発光しない区間（ＷＲ、ＲＥ）の長さが同一であるように設定することができる。また、逆バイアスによって駆動トランジスタ（Ｑｄ）の劣化現象を減らすように回復区間（ＲＥ）の長さを設定することができる。一方、本発明の一つの実施例のように一つのフレーム内で有機発光素子（ＯＬＥＤ）が発光する時間と発光しない時間が適切な比率で存在すれば、インパルシブ（ｉｍｐｕｌｓｉｖｅ）方式の表示効果が生ずるので、動画像実現時に画面の引き摺った現象が無くなる。
【０１０２】
駆動電圧信号（Ｖｐ）、スイッチング信号（Ｖｒ）、及び逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、前述の値に限定されるものではなく、必要に応じて変化可能である。また、一つのフレームを３個の区間に分けて制御することでなく、２個の区間に分けたり、４個以上の区間に分けて画像を表示することもできる。つまり、データ記入と同時に有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させ、その後に逆バイアスを提供する方式で２個の区間に分けることができる。そして、前述の３個の区間（ＷＲ、ＥＭ、ＲＥ）を各々分け、各区間の間に挿入する方式で４個以上の区間に分けることができる。
【０１０３】
図８は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の他の例である。
【０１０４】
図８に示したように、駆動電圧信号（Ｖｐ）を一定の電圧（ＶＬ）、例えば、０Ｖにし、共通電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧レベルを各区間別に変化させることにより、先に説明した表示動作を行うことができ、同一な効果を得ることができる。つまり、記入区間（ＷＲ）では、共通電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧レベル（ＶｃｏｍＨ）を駆動電圧信号（Ｖｐ）の低電圧（ＶＬ）以上、例えば、０Ｖにし、有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させずに、データ電圧（Ｖｄ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）に記入する。発光区間（ＥＭ）では、共通電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧レベル（ＶｃｏｍＬ）を駆動電圧信号（Ｖｐ）の低電圧（ＶＬ）より充分に低く、例えば、−１５Ｖにして有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させる。最後に、回復区間（ＲＥ）では、再び共通電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧レベル（ＶｃｏｍＨ）を駆動電圧信号（Ｖｐ）の低電圧（ＶＬ）以上、例えば、０Ｖにして、有機発光素子（ＯＬＥＤ）を発光させずに、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）に逆バイアス電圧がかかるようにする。
【０１０５】
それでは、本発明の他の実施例による表示装置について、図９Ａ乃至図１１を参照して説明する。
【０１０６】
図９Ａ乃至図９Ｃは、本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【０１０７】
図９Ａ乃至図９Ｃは、有機発光表示装置の表示板３００を上下２個のブロックに分割して駆動する場合の駆動信号線の配線構造を示すものであり、この場合、駆動信号線（Ｌｖ）は、上部ブロックに位置し、駆動電圧信号（Ｖｐ１）を伝達する上部駆動信号線と、下部ブロックに位置し、駆動電圧信号（Ｖｐ２）を伝達する下部駆動信号線とに分かれている。
【０１０８】
また、別途に示してはいないが、上部ブロックのスイッチング信号線と下部ブロックのスイッチング信号線も互いに分離されている。しかし、データ線は、上部ブロックと下部ブロックを貫通する。
【０１０９】
図９Ａの場合、上部駆動信号線は、表示板３００の上端に行方向に延びており、駆動電圧信号（Ｖｐ１）が印加される主配線（Ｌｖｍ１）と、この主配線（Ｌｖｍ１）から列方向に延びている複数の岐配線（Ｌｖｂ１）とからなる。下部駆動信号線は上部駆動信号線に対して対称構造を有するが、表示板３００の下端に行方向に延びており、駆動電圧信号（Ｖｐ２）が印加される主配線（Ｌｖｍ２）と、この主配線（Ｌｖｍ２）から列方向に延びている複数の岐配線（Ｌｖｂ２）とからなる。主配線（Ｌｖｍ１、Ｌｖｍ２）の幅は岐配線（Ｌｖｂ１、Ｌｖｂ２）の幅より大きいのが好ましい。
【０１１０】
図９Ｂの場合、上部駆動信号線は表示板３００の両側端で列方向に延びており、駆動電圧信号（Ｖｐ１）が印加される一対の主配線（Ｌｖｍ１）と、この主配線（Ｌｖｍ１）の間に連結されており、行方向に延びている複数の岐配線（Ｌｖｂ１）とからなる。主配線（Ｌｖｍ１）の幅は岐配線（Ｌｖｂ１）の幅より大きいのが好ましい。下部駆動信号線も上部駆動信号線と同一な構造を有する。
【０１１１】
図９Ｃに示した配線構造は、図９Ｂに示した配線構造と基本的には同一であるが、ただし、列方向に延びている複数の岐配線（Ｌｖｂ３、Ｌｖｂ４）が追加されて、行方向に延びている岐配線（Ｌｖｂ１、Ｌｖｂ２）と各々交差して連結されている。このように格子紋を有する配線構造は、各画素に駆動電圧信号（Ｖｐ）を伝達するのに効果的である。
【０１１２】
以下では、このように２個のブロックに分割されている有機発光表示装置の駆動について、図１０及び図１１を参照して詳細に説明する。
【０１１３】
図１０は、図９Ａ乃至図９Ｃに示した有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例であり、図１１は、図９Ａ乃至図９Ｃに示した有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の他の例である。
【０１１４】
図１０及び図１１を参照すれば、この表示装置では２個のブロックが時差をおいて駆動される。上部ブロックには一番目からｌ番目の走査信号線があり、下部ブロックには（ｌ＋１）番目から２ｌ番目の走査信号線があると仮定し、上部ブロックのスイッチング信号をＶｒ１、下部ブロックのスイッチング信号をＶｒ２とする。また、上部ブロックの記入区間、発光区間、及び回復区間を各々ＷＲ１、ＥＭ１、及びＲＥ１とし、下部ブロックの記入区間、発光区間、及び回復区間を各々ＷＲ２、ＥＭ２、及びＲＥ２とする。
【０１１５】
図１０及び図１１に示したように、下部ブロックの記入区間（ＷＲ２）は、上部ブロックの記入区間（ＷＲ１）が終わった後で開始する。言い換えれば、下部ブロックは、上部ブロックの記入区間（ＷＲ１）だけ遅延されて動作する。上部ブロック及び上部ブロックに対する各区間での動作は前述の実施例でのそれと同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１１６】
図１０に示した例において、各記入区間（ＷＲ１、ＷＲ２）の長さは半フレームに該当する時間であり、下部ブロックの記入区間（ＷＲ２）は、上部ブロックの記入区間（ＷＲ１）の終了と同時に開始する。このように設定すれば、各走査信号（Ｖｇ１〜Ｖｇ２ｌ）のパルスの幅を相対的に大きくすることができ、これによりデータ電圧（Ｖｄ）をキャパシタ（Ｃｓ）に充電する時間を増加させることができる。また、上部ブロックの発光区間（ＥＭ１）と上部ブロックの発光区間（ＥＭ２）が同時に重ならないようになるので、表示装置の最大消費電流量を減らすことができる。
【０１１７】
一方、図１１に示した例では、各記入区間（ＷＲ１、ＷＲ２）の長さが半フレームより小さい。このように設定すれば、各ブロックの発光区間（ＥＭ１、ＥＭ２）と回復区間（ＲＥ１、ＲＥ２）が長くなるので、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の発光時間を増加させることができる。また、必要に応じて回復区間（ＲＥ１、ＲＥ２）を長くすることもできる。ここで、図１１には、第１ブロックの記入区間（ＷＲ１）が終わって直ちに第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）が開始されると示したが、必ず連続的である必要はない。
【０１１８】
それでは、本発明の他の実施例による有機発光表示装置について、図１２Ａ乃至図１３を参照して説明する。
【０１１９】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【０１２０】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、有機発光表示装置の表示板３００を第１乃至第３ブロックに分割して駆動する場合の駆動信号線の配線構造を示す。ここで、第１乃至第３ブロックは表示板３００の上部から下部方向に順に位置する。この場合、駆動信号線（Ｌｖ）は、第１ブロックに位置し、駆動電圧信号（Ｖｐ１）を伝達する第１駆動信号線、第２ブロックに位置し、駆動電圧信号（Ｖｐ２）を伝達する第２駆動信号線、及び第３ブロックに位置し、駆動電圧信号（Ｖｐ３）を伝達する第３駆動信号線に分かれる。
【０１２１】
また、別途に示されてはいないが、第１乃至第３ブロックのスイッチング信号線は互いに分離されている。しかし、データ線は第１乃至第３ブロックを貫通する。
【０１２２】
図１２Ａの場合、第１駆動信号線は、表示板３００の両側端で列方向に延びており、駆動電圧信号（Ｖｐ１）が印加される一対の主配線（Ｌｖｍ１）と、この主配線（Ｌｖｍ１）の間に連結されており、行方向に延びている複数の岐配線（Ｌｖｂ１）とからなる。主配線（Ｌｖｍ１）の幅は岐配線（Ｌｖｂ１）の幅より大きいのが好ましい。第２及び第３駆動信号線も第１駆動信号線と同一な構造を有する。
【０１２３】
図１２Ｂに示した配線構造は図１２Ａに示した配線構造と基本的に同一であるが、ただし、列方向に延びている複数の岐配線（Ｌｖｂ４、Ｌｖｂ５、Ｌｖｂ６）が追加されて、行方向に延びている岐配線（Ｌｖｂ１、Ｌｖｂ２、Ｌｖｂ３）と各々交差して連結されている。このように格子紋を有する配線構造は、各画素に駆動電圧信号（Ｖｐ）を伝達するのに効果的である。
【０１２４】
以下では、このように３個のブロックに分割されている有機発光表示装置の駆動について、図１３を参照して詳細に説明する。
【０１２５】
図１３は、図１２Ａ及び図１２Ｂに示した有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例である。
【０１２６】
図１３を参照すれば、この表示装置では３個のブロックが時差をおいて駆動される。第１ブロックには一番目からｋ番目の走査信号線があり、第２ブロックには（ｋ＋１）番目から２ｋ番目の走査信号線があり、第３ブロックには（２ｋ＋１）番目から３ｋ番目の走査信号線があるとし、第１ブロックのスイッチング信号をＶｒ１、第２ブロックのスイッチング信号をＶｒ２、及び第３ブロックのスイッチング信号をＶｒ３とする。また、第１ブロックの記入区間、発光区間、及び回復区間を各々ＷＲ１、ＥＭ１、及びＲＥ１とし、第２ブロックの記入区間、発光区間、及び回復区間を各々ＷＲ２、ＥＭ２、及びＲＥ２とし、第３ブロックの記入区間、発光区間、及び回復区間を各々ＷＲ３、ＥＭ３、及びＲＥ３とする。
【０１２７】
図１３に示したように、第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）は、第１ブロックの記入区間（ＷＲ１）が終わった後で開始し、第３ブロックの記入区間（ＷＲ３）は、第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）が終わった後で開始する。言い換えれば、第２ブロックは、第１ブロックの記入区間（ＷＲ１）だけ遅延されて動作し、第３ブロックは、第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）だけ遅延されて動作する。第１乃至第３ブロックに対する各区間での動作は、前述の実施例でのそれと同一であるので詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図１３に示した例において、各記入区間（ＷＲ１、ＷＲ２、ＷＲ３）の長さは１／３フレームに該当する時間であり、第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）は、第１ブロックの記入区間（ＷＲ１）の終了と同時に開始し、第３ブロックの記入区間（ＷＲ３）は、第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）の終了と同時に開始する。このように設定すれば、各走査信号のパルス幅を相対的に大きくすることができ、これによりデータ電圧（Ｖｄ）をキャパシタ（Ｃｓ）に充電する時間を増やすことができる。また、第１乃至第３ブロックの発光区間（ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３）が同時に重ならないようになるので、表示装置の最大消費電流量を減らすことができる。
【０１２９】
一方、これとは違って、各記入区間（ＷＲ１、ＷＲ２、ＷＲ３）の長さを１／３フレームより小さく設定することもできる。このように設定すれば、各ブロックの発光区間（ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３）と回復区間（ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３）が長くなるので、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の発光時間を増加させることができる。また、必要に応じて回復区間（ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３）を長くすることもできる。この場合、第１ブロックの記入区間（ＷＲ１）が終わって直ちに第２ブロックの記入区間（ＷＲ２）が開始される必要はなく、第３ブロックの記入区間（ＷＲ３）も同様である。
【０１３０】
一方、本発明の他の実施例による有機発光表示装置は、表示板を４個以上のブロックに分割して画像を表示することができる。これについては、前述の実施例と同一な方式であるのでその説明を省略する。
【０１３１】
図１４は、本発明の一つの実施例による有機発光表示装置での分割駆動による発光時間と回復時間との関係を示すグラフである。発光時間、記入時間、及び回復時間は、各々発光区間、記入区間、及び回復区間の長さを意味する。
【０１３２】
図１４に示したように、分割による発光時間と回復時間との関係は、負の傾きを有する１次関数で示され、回復時間が長くなると発光時間が短くなる。ここで、分割された一つのブロックの記入時間は、一つのフレームを分割されたブロック数で割り算した値とする。例えば、３分割された各ブロックの記入時間は、１／３フレームに該当する時間である。したがって、２分割の場合、一つのフレーム中で一つのブロックの発光時間と回復時間の合計は、１／２フレームに該当する時間（６０Ｈｚの場合２５／３ｍｓ）となり、３分割の場合、それは２／３フレームに該当する時間（１００／９ｍｓ）となり、４分割の場合、それは３／４フレームに該当する時間（２５／２ｍｓ）となる。
【０１３３】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）の臨界電圧（Ｖｔｈ）の遷移量を減らすためには充分な回復時間を確保しなければならないが、そうすると発光時間が短くなる。しかし、図１４に示したように、同一な回復時間に対して分割数が大きくなるほど発光時間が増加する。結局、分割数を調整することによって所望の回復時間と発光時間を得ることができる。
【０１３４】
以上、説明した本発明の実施例による表示装置において、階調を示すデータ信号としてデータ電圧をキャパシタ（Ｃｓ）に印加するいわゆる電圧記入（ｖｏｌｔａｇｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）方式を利用して画像を表示することを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、データ信号としてデータ電流を印加するいわゆる電流記入（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）方式を利用して画像を表示することもできる。
【０１３５】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【図４】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の一つの画素の駆動トランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図である。
【図５】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【図６】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の例である。
【図７】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの各端子に示される電圧波形図の例である。
【図８】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の他の例である。
【図９Ａ】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【図１０】図９Ａ乃至図９Ｃに示した有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例である。
【図１１】図９Ａ乃至図９Ｃに示した有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の他の例である。
【図１２Ａ】発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【図１２Ｂ】発明の他の実施例による有機発光表示装置の駆動信号線の配線構造を概略的に示した図である。
【図１３】図１２Ａ及び図１２Ｂに示した有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例である。
【図１４】本発明の他の実施例による有機発光表示装置において、分割による発光時間と回復時間との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１３７】
３７０  有機発光層
１１０  絶縁基板
１２４  制御端子電極
１４０  絶縁膜
１５４  半導体
１６３、１６５  抵抗性接触部材
１７３  出力端子電極
１７５  入力端子電極
１８０  保護膜
１８３接触孔
１９０  画素電極
２７０  共通電極
３８２  補助電極
３００  表示板
３６０  隔壁
４００  走査駆動部
５００  データ駆動部
６００  信号制御部
７００  駆動信号生成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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