(57)【要約】【課題】  直流抵抗値のばらつき及びインダクタンス値のばらつきが抑制できると共に、小型化を図ることが可能な積層型電子部品を提供すること。【解決手段】  積層型ビーズアレイ１は、素子３を備えており、複数のコイルＣ１〜Ｃ４を含むコイル部１０を有している。各コイルＣ１〜Ｃ４は、導体パターン１１〜１９が形成された複数の磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９が積層されることにより構成される。磁性体グリーンシートＧ９には、コイルＣ２，Ｃ３にそれぞれ対応するように、２つの磁束遮断パターン３１が形成されている。磁束遮断パターン３１は、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向から見て、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分（螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａ）の内側に位置している。磁束遮断パターン３１は、コイルＣ２，Ｃ３の磁束を遮断する材料からなる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体パターンがそれぞれ電気的に絶縁された状態で形成された絶縁体が複数積層されることによって構成される複数のコイルを有する積層体を備え、
前記積層体には、前記絶縁体の積層方向から見て前記複数のコイルのうち少なくとも１つのコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含み、当該コイルの磁束を遮断する材料からなる磁束遮断パターンが形成されていることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
前記磁束遮断パターンの材料が、前記複数の導体パターンの材料と同じであることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
前記磁束遮断パターンは、前記導体パターンが形成される前記絶縁体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
複数積層された前記絶縁体のうち前記磁束遮断パターンと前記積層方向に隣接する導体パターンが形成された絶縁体の厚みは、当該絶縁体以外の他の絶縁体の厚みと異なることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項５】
前記導体パターンは、前記コイルの端に位置し且つ一端が前記積層体の側面に引き出されるように前記絶縁体に形成される引き出し導体パターンを含み、
前記磁束遮断パターンは、前記引き出し導体パターンが形成される前記絶縁体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項６】
前記コイルは、前記積層体内において前記積層方向と交差する方向に３個以上併設されており、
前記磁束遮断パターンは、前記コイルのうち併設方向の両端に位置するコイル以外のコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項７】
導体パターンが形成された絶縁体が複数積層されることによって構成されるコイルを有する積層体を備え、
前記積層体には、前記絶縁体の積層方向から見て前記コイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含み、当該コイルの磁束を遮断する材料からなる磁束遮断パターンが形成されていることを特徴とする積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の積層型電子部品として、複数の導体パターンがそれぞれ電気的に絶縁された状態で形成された絶縁体が複数積層されることによって構成される複数のコイルを有する積層体を備えるものが知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。複数のコイルは、積層体内において絶縁体の積層方向に直交する方向に併設されている。
【０００３】
ところで、上述したような構成の積層型電子部品では、小型化を図るために各コイルを積層体内に近接させて配置すると、各コイルの磁路の独立性が低下してコイル相互間の磁気結合が大きくなる。この結果、積層体内において、各コイルのインダクタンス値にばらつきが生じてしまう。通常、積層体の端面に隣接するコイルは、その磁路が積層体の端面部で狭くなるために、内側に位置しているコイルよりもインダクタンス値が小さくなる。
【０００４】
このため、特許文献１に記載された積層型電子部品（積層型インダクタアレイ）では、積層体の端面に隣接するコイルに対して、当該コイルの内側に位置するコイルの形状又はターン数を小さくすることにより、複数のコイルそれぞれのインダクタンス値を等しくしている。また、特許文献２に記載された積層型電子部品（積層型インダクタアレイ）では、複数のコイルの巻数を等しくすると共に、積層体の端面に隣接するコイルの螺旋状部分の長さを当該コイルの内側に位置するコイルの螺旋状部分の長さよりも短くすることにより、複数のコイルそれぞれのインダクタンス値を等しくしている。
【特許文献１】特開平１１−１４４９５７号（特許第３３５３６７３号）公報
【特許文献２】特開２００１−１０２２２３号（特許第３４４６６８１号）公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、積層体の端面に隣接するコイルに対して、内側に位置するコイルの形状又はターン数を小さくする場合、積層体の端面に隣接するコイルの導体長さと、内側に位置するコイルの導体長さとが異なることとなる。したがって、特許文献１に記載された積層型電子部品では、各コイルの直流抵抗値がばらつくという問題点がある。
【０００６】
また、複数のコイルの巻数を等しくすると共に、内側に位置するコイルの螺旋状部分の長さを積層体の端面に隣接するコイルの螺旋状部分の長さよりも長くする場合、絶縁体の層数が増えることとなる。したがって、特許文献２に記載された積層型電子部品では、積層型電子部品が大型化してしまうという問題点がある。
【０００７】
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、直流抵抗値のばらつき及びインダクタンス値のばらつきが抑制できると共に、部品の大型化を防ぐことが可能な積層型電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る積層型電子部品は、複数の導体パターンがそれぞれ電気的に絶縁された状態で形成された絶縁体が複数積層されることによって構成される複数のコイルを有する積層体を備え、積層体には、絶縁体の積層方向から見て複数のコイルのうち少なくとも１つのコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含み、当該コイルの磁束を遮断する材料からなる磁束遮断パターンが形成されていることを特徴とする。
【０００９】
絶縁体の積層方向から見てコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含むように磁束遮断パターンが存在すると、当該コイルのインダクタンス値は低くなる。したがって、本発明では、インダクタンス値の高いコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含むように磁束遮断パターンを存在させることで、各コイルのインダクタンス値のばらつきを抑制することが可能となる。
【００１０】
また、本発明では、各コイルのインダクタンス値のばらつきを抑制するために各コイルの導体長さを異ならせる必要はない。このため、特許文献１に記載された積層型電子部品のようにコイルの形状又はターン数を変更するものに比して、各コイルの直流抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００１１】
また、本発明では、各コイルのインダクタンス値のばらつきを抑制するために各コイルの螺旋状部分の長さを異ならせる必要はない。このため、特許文献２に記載された積層型電子部品のように絶縁体の層数を増やすものに比して、部品の大型化を防ぐことができる。
【００１２】
また、磁束遮断パターンの材料が、複数の導体パターンの材料と同じであることが好ましい。磁束遮断パターンを形成する材料として、複数の導体パターンを形成する材料を用いることができるので、磁束遮断パターンを形成するための材料を新たに準備する必要がない。したがって、製造工程が複雑化することなく、低コスト化を図ることができる。
【００１３】
また、磁束遮断パターンは、導体パターンが形成される絶縁体に形成されていることが好ましい。この場合、磁束遮断パターンを形成するための新たな絶縁体が不要となり、部品が大型化することはない。
【００１４】
また、複数積層された絶縁体のうち磁束遮断パターンと積層方向に隣接する導体パターンが形成された絶縁体の厚みは、当該絶縁体以外の他の絶縁体の厚みと異なることが好ましい。この場合、インダクタンス値の調整を容易に行うことができ、各コイルのインダクタンス値のばらつきをより一層抑制することが可能となる。
【００１５】
また、導体パターンは、コイルの端に位置し且つ一端が積層体の側面に引き出されるように絶縁体に形成される引き出し導体パターンを含み、磁束遮断パターンは、引き出し導体パターンが形成される絶縁体に形成されていることが好ましい。磁束遮断パターンは、コイルを構成する導体パターンとは電気的に絶縁させる必要がある。コイルの螺旋状部分を構成する導体パターン（以下、螺旋状導体パターンと称する）が形成される絶縁体に磁束遮断パターンを形成する場合、螺旋状導体パターンとの接触を防止するために磁束遮断パターンのサイズや形成位置に大きな制約を受けることとなる。これに対して、引き出し導体パターンが形成される絶縁体に磁束遮断パターンを形成する場合、上述した制約はなく、磁束遮断パターンをインダクタンス値の調整のための適切なサイズや位置に形成することができる。
【００１６】
また、コイルは、積層体内において積層方向と交差する方向に３個以上併設されており、磁束遮断パターンは、コイルのうち併設方向の両端に位置するコイル以外のコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含んでいることが好ましい。この場合、コイルが積層体内において積層方向と交差する方向に３個以上併設された、すなわちコイルがアレイ状に配置された積層型電子部品において、各コイルのインダクタンス値のばらつきを抑制することが可能となる。
【００１７】
本発明に係る積層型電子部品は、導体パターンが形成された絶縁体が複数積層されることによって構成されるコイルを有する積層体を備え、積層体には、絶縁体の積層方向から見てコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含み、当該コイルの磁束を遮断する材料からなる磁束遮断パターンが形成されていることを特徴とする。
【００１８】
絶縁体の積層方向から見てコイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含むように磁束遮断パターンが存在すると、当該コイルのインダクタンス値は低くなる。したがって、本発明では、コイルの螺旋状部分の内側に位置する部分を含むように磁束遮断パターンを存在させることで、コイルのインダクタンス値を調整することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、直流抵抗値のばらつき及びインダクタンス値のばらつきが抑制できると共に、小型化を図ることが可能な積層型電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施形態に係る積層型電子部品について図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。
【００２１】
本実施形態は、本発明を積層型ビーズアレイに適用したものである。まず、図１〜図３に基づいて、本実施形態に係る積層型ビーズアレイの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層型ビーズアレイを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層型ビーズアレイの断面構成を説明するための概略図である。図３は、本実施形態に係る積層型ビーズアレイを示す分解斜視図である。
【００２２】
積層型ビーズアレイ１は、図１に示されるように、直方体形状の素子（積層体）３と、素子３の一方の側面に形成された複数（本実施形態においては、４個）の入出力電極５と、素子３の他方の側面に形成された複数（本実施形態においては、４個）の入出力電極７とを備えている。積層型ビーズアレイ１は、図２及び図３に示されるように、複数（本実施形態においては、４個）のコイルＣ１〜Ｃ４を含むコイル部１０を有している。
【００２３】
各コイルＣ１〜Ｃ４は、導体パターン１１〜１９が形成された複数（本実施形態においては、９層）の磁性体グリーンシート（絶縁体）Ｇ１〜Ｇ９が積層されることにより構成される。入出力電極５，７が形成された側面は、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向に平行である。各導体パターン１１〜１９は、相互に電気的に接続されることで、各コイルＣ１〜Ｃ４を構成する。本実施形態では、コイル部１０内に、４個のコイルＣ１〜Ｃ４が磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向に直交する方向に併設されることとなる。
【００２４】
各導体パターン１１は、図３にも示されるように、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向（磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向に直交する方向）に併設されている。導体パターン１１同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１１は、引き出し導体パターン１１ａと貫通電極１１ｂとを含む。各引き出し導体パターン１１ａは、磁性体グリーンシートＧ１上で略Ｊ字状に伸びている。引き出し導体パターン１１ａの一端は、磁性体グリーンシートＧ１の縁部に引き出されており、磁性体グリーンシートＧ１の端面（素子３の側面）に露出している。引き出し導体パターン１１ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の一方の端部に位置することとなる。コイルＣ１〜Ｃ４の一方の端部（引き出し導体パターン１１ａ）は、素子３の縁部まで引き出されており、一方の入出力電極５に電気的に接続される。貫通電極１１ｂは、磁性体グリーンシートＧ１を貫通するように形成されており、引き出し導体パターン１１ａの他端と電気的に接続されている。
【００２５】
各導体パターン１２は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１２同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１２は、螺旋状導体パターン１２ａと貫通電極１２ｂとを含む。螺旋状導体パターン１２ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ２上で略Ｕ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１２ａの一端は、貫通電極１１ｂと電気的に接続される。貫通電極１２ｂは、磁性体グリーンシートＧ２を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１２ａの他端と電気的に接続されている。
【００２６】
各導体パターン１３は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１３同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１３は、螺旋状導体パターン１３ａと貫通電極１３ｂとを含む。螺旋状導体パターン１３ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ３上で略Ｃ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１３ａの一端は、貫通電極１２ｂと電気的に接続される。貫通電極１３ｂは、磁性体グリーンシートＧ３を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１３ａの他端と電気的に接続されている。
【００２７】
各導体パターン１４は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１４同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１４は、螺旋状導体パターン１４ａと貫通電極１４ｂとを含む。螺旋状導体パターン１４ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ４上で略Ｕ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１４ａの一端は、貫通電極１３ｂと電気的に接続される。貫通電極１４ｂは、磁性体グリーンシートＧ４を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１４ａの他端と電気的に接続されている。
【００２８】
各導体パターン１５は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１５同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１５は、螺旋状導体パターン１５ａと貫通電極１５ｂとを含む。螺旋状導体パターン１５ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ５上で略Ｃ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１５ａの一端は、貫通電極１４ｂと電気的に接続される。貫通電極１５ｂは、磁性体グリーンシートＧ５を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１５ａの他端と電気的に接続されている。
【００２９】
各導体パターン１６は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１６同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１６は、螺旋状導体パターン１６ａと貫通電極１６ｂとを含む。螺旋状導体パターン１６ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ６上で略Ｕ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１６ａの一端は、貫通電極１５ｂと電気的に接続される。貫通電極１６ｂは、磁性体グリーンシートＧ６を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１６ａの他端と電気的に接続されている。
【００３０】
各導体パターン１７は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１７同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１７は、螺旋状導体パターン１７ａと貫通電極１７ｂとを含む。螺旋状導体パターン１７ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ７上で略Ｃ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１７ａの一端は、貫通電極１６ｂと電気的に接続される。貫通電極１７ｂは、磁性体グリーンシートＧ７を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１７ａの他端と電気的に接続されている。
【００３１】
各導体パターン１８は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１８同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１８は、螺旋状導体パターン１８ａと貫通電極１８ｂとを含む。螺旋状導体パターン１８ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の略３／４ターン分に相当し、磁性体グリーンシートＧ８上で略Ｕ字状に巻き回されている。螺旋状導体パターン１８ａの一端は、貫通電極１７ｂと電気的に接続される。貫通電極１８ｂは、磁性体グリーンシートＧ８を貫通するように形成されており、螺旋状導体パターン１８ａの他端と電気的に接続されている。
【００３２】
各導体パターン１９は、互いに所定の間隔を有した状態で、素子３の長手方向に併設されている。導体パターン１９同士は、電気的に絶縁されている。導体パターン１９は、引き出し導体パターン１９ａを含む。各引き出し導体パターン１９ａは、磁性体グリーンシートＧ９上で略Ｊ字状に伸びている。引き出し導体パターン１９ａの一端は、磁性体グリーンシートＧ９の縁部（素子３の側面）に引き出されており、磁性体グリーンシートＧ９の端面に露出している。引き出し導体パターン１９ａは、コイルＣ１〜Ｃ４の他方の端部に位置することとなる。コイルＣ１〜Ｃ４の他方の端部（引き出し導体パターン１９ａ）は、素子３の縁部まで引き出されており、他方の入出力電極７に電気的に接続される。引き出し導体パターン１９ａの他端は、貫通電極１８ｂと電気的に接続される。
【００３３】
磁性体グリーンシートＧ９には、４個のコイルＣ１〜Ｃ４のうち両端に位置する、すなわち素子３の長手方向の両端に近接するコイルＣ１，Ｃ４以外のコイルＣ２，Ｃ３にそれぞれ対応するように、２つの磁束遮断パターン３１が形成されている。磁束遮断パターン３１は、図４にも示されるように、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向から見て、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分（螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａ）の内側に位置している。磁束遮断パターン３１は、矩形状を呈しており、コイルＣ２，Ｃ３の磁束を遮断する材料からなる。磁束を遮断する材料としては、金属材料が挙げられる。
【００３４】
コイル部１０（磁性体グリーンシートＧ１）の上には、引き出し導体パターン１１ａ（導体パターン１１）を保護するためのベース層とされる磁性体グリーンシートＧ１０が積層されている。また、コイル部１０（磁性体グリーンシートＧ９）の下にも、磁性体グリーンシートＧ１１が積層されている。磁性体グリーンシートＧ１０，Ｇ１１は、電気絶縁性も有している。
【００３５】
磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ１１は、例えばフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、又は、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト等）粉末を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ１１の厚みは、例えば２０μｍ程度である。
【００３６】
導体パターン１１〜１９及び磁束遮断パターン３１は、例えば、銀を主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。
【００３７】
素子３は、導体パターン１１〜１９及び磁束遮断パターン３１が形成された磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ１１を、図３に示されるように積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、８００〜９００℃）にて焼成することにより、得られる。素子３は、例えば、完成後における長手方向の長さが３．２ｍｍ程度、幅が１．６ｍｍ程度、高さが０．８ｍｍ程度となるようにする。
【００３８】
入出力電極５，７は、上述するように得られた素子３の外面に銀を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、ＣｕとＮｉとＳｎ、ＮｉとＳｎ、ＮｉとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｇ、又は、ＮｉとＡｇ等を用いることができる。
【００３９】
引き出し導体パターン１１ａ，１９ａ及び螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａの焼成後における幅は、例えば１００μ程度に設定される。引き出し導体パターン１１ａ，１９ａ、螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａ、及び磁束遮断パターン３１の焼成後における厚みは、例えば１８μ程度に設定される。
【００４０】
以上のように、本実施形態においては、磁束遮断パターン３１が磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向から見てコイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分の内側に位置しているので、当該コイルＣ２，Ｃ３の磁束は磁束遮断パターン３１により遮断され、コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値（インダクタンス値）は所定量だけ低下することとなる。したがって、素子３の長手方向の両端に近接するコイルＣ１，Ｃ４の磁路が素子３の端面部で狭くなることにより、当該コイルＣ１，Ｃ４のインピーダンス値が小さくなる場合において、内側に位置するコイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値をコイルＣ１，Ｃ４のインピーダンス値と同等まで低下させることができる。この結果、各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値（インダクタンス値）のばらつきを抑制することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態は、各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値（インダクタンス値）のばらつきを抑制するために各コイルＣ１〜Ｃ４の導体長さを異ならせる必要はない。このため、コイルＣ１〜Ｃ４の形状又はターン数を変更してインピーダンス値のばらつきを抑制するものに比して、各コイルＣ１〜Ｃ４の直流抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値（インダクタンス値）のばらつきを抑制するために各コイルＣ１〜Ｃ４の螺旋状部分の長さを異ならせる必要はない。このため、絶縁体（磁性体グリーンシート）の層数を増やしてインダクタンス値のばらつきを抑制するものに比して、積層型ビーズアレイ１の大型化を防ぐことができる。
【００４３】
コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値（インダクタンス値）の低下量は、磁束遮断パターン３１と当該磁束遮断パターン３１と磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向に隣接する螺旋状導体パターン１８ａの間隔、すなわち磁性体グリーンシートＧ８の厚みにより調節される。また、コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値の低下量は、磁束遮断パターン３１の面積に対するコイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分（螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａ）の内側面積の比率（以下、磁束遮断パターンの面積比率と称する）によっても調節される。
【００４４】
図５は、磁束遮断パターン３１の面積比率に対するコイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値の低下率（＝（Ｚ２−Ｚ１）／Ｚ１＊１００）の変化を示す線図である。磁束遮断パターン３１の面積比率が「０」とは、磁束遮断パターン３１が存在しない状態である。ここで、「Ｚ１」は磁束遮断パターン３１が存在しない場合のインピーダンス値であり、「Ｚ２」は磁束遮断パターン３１が存在する場合のインピーダンス値である。特性Ａは磁性体グリーンシートＧ８の厚みを１００μｍに設定した場合におけるインピーダンス値の低下率の変化を示し、特性Ｂは磁性体グリーンシートＧ８の厚みを５０μｍに設定した場合におけるインピーダンス値の低下率の変化を示している。
【００４５】
図５から分かるように、磁束遮断パターン３１の面積比率を大きくするにしたがって、インピーダンス値の低下率は大きくなる。また、磁束遮断パターン３１の面積比率が同じであっても、磁性体グリーンシートＧ８の厚みを薄くすることにより、インピーダンス値の低下率は大きくなる。このように、インピーダンス値の低下率を考慮して、磁性体グリーンシートＧ８の厚みや磁束遮断パターン３１の面積比率を設定することにより、コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値（インダクタンス値）が所望の値に設定されることとなる。
【００４６】
ところで、コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値（インダクタンス値）を低下させる手法として、コイルＣ２，Ｃ３の磁束を遮るように非磁性体を配置することが考えられる。非磁性体を配置した場合、コイルＣ２，Ｃ３にて形成される磁路の断面積が狭くなるものの、コイルＣ２，Ｃ３の磁束が遮断されることはない。したがって、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向の厚みが同じとされた磁束遮断パターン３１と非磁性体とを比べた場合、非磁性体の方がコイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値の低下量が少ない。コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値の低下量を確保するためには、非磁性体の磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向での厚みを大きくする必要があり、積層型ビーズアレイ１が大型化してしまうこととなる。
【００４７】
また、本実施形態においては、磁束遮断パターン３１の材料が、導体パターン１１〜１９の材料と同じである。この場合、磁束遮断パターン３１を形成するための材料を新たに準備する必要がないので、積層型ビーズアレイ１の製造工程が複雑化することなく、低コスト化を図ることができる。
【００４８】
また、本実施形態において、磁束遮断パターン３１は、導体パターン１９（引き出し導体パターン１９ａ）が形成される磁性体グリーンシートＧ９に形成されている。これにより、磁束遮断パターン３１を形成するための磁性体グリーンシートが不要となり、積層型ビーズアレイ１が大型化することはない。また、磁束遮断パターン３１の材料を導体パターン１１〜１９の材料と同じにした場合、特に、磁束遮断パターン３１を導体パターン１９（引き出し導体パターン１９ａ）と共に形成することが可能であり、積層型ビーズアレイ１の製造工程が複雑化するのを防ぐことができる。
【００４９】
また、本実施形態において、磁性体グリーンシートＧ８の厚みを、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ７，Ｇ９の厚みと異ならせてもよい。この場合、コイルＣ２，Ｃ３のインピーダンス値（インダクタンス値）の調整を容易に行うことができ、各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値のばらつきをより一層抑制することが可能となる。
【００５０】
また、本実施形態において、導体パターン１９は引き出し導体パターン１９ａを含み、磁束遮断パターン３１は、引き出し導体パターン１９ａが形成される磁性体グリーンシートＧ９に形成されている。磁束遮断パターン３１は、コイルＣ２，Ｃ３を構成する導体パターン１９とは電気的に絶縁させる必要がある。螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａが形成される磁性体グリーンシートＧ２〜Ｇ８に磁束遮断パターン３１を形成する場合、螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａとの接触を防止するために磁束遮断パターン３１のサイズや形成位置に大きな制約を受けることとなる。これに対して、引き出し導体パターン１９ａが形成される磁性体グリーンシートＧ９に磁束遮断パターン３１を形成する場合、上述した制約はなく、磁束遮断パターン３１をインピーダンス値（インダクタンス値）の調整のための適切なサイズや位置に形成することができる。
【００５１】
次に、図６〜図８を参照して、本実施形態に係る積層型ビーズアレイの変形例について説明する。図６〜図８は、本実施形態に係る積層型ビーズアレイの一変形例を示す分解斜視図である。
【００５２】
図６に示された変形例では、磁性体グリーンシートＧ９だけでなく、磁性体グリーンシートＧ１にも磁束遮断パターン３１が形成されている。磁性体グリーンシートＧ１に形成された磁束遮断パターン３１も、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向から見て、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分（螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａ）の内側に位置している。
【００５３】
図７に示された変形例では、磁束遮断パターン３１は磁性体グリーンシートＧ８に形成されている。磁性体グリーンシートＧ８に形成された磁束遮断パターン３１は、略Ｕ字状とされた螺旋状導体パターン１８ａの内側に位置している。
【００５４】
図８に示された変形例では、コイルＣ１，Ｃ２の巻回方向とコイルＣ３，Ｃ４の巻回方向とが異なっている。磁束遮断パターン３１は磁性体グリーンシートＧ９に形成されている。
【００５５】
上述したいずれの変形例においても、各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値（インダクタンス値）のばらつきを抑制することが可能となる。また、各コイルＣ１〜Ｃ４の直流抵抗値のばらつきを抑制することができると共に、積層型ビーズアレイ１の大型化を防ぐことができる。
【００５６】
ここで、本実施形態に係る積層型ビーズアレイによって、インピーダンス値のばらつきを抑制することができることを、実施例及び比較例によって、具体的に示す。実施例では、本実施形態の積層型ビーズアレイ１と同じ構成の積層型フィルタを用いた。比較例では、磁束遮断パターン３１を備えていない点を除いて上述した積層型ビーズアレイ１と同じ構成の積層型ビーズアレイを用いた。
【００５７】
実施例に係る積層型ビーズアレイでは、磁束遮断パターン３１の面積比率は略１０％に設定され、磁性体グリーンシートＧ８の厚みは５０μｍに設定されている。磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ７，Ｇ９の厚みは、２０μｍに設定されている。実施例に係る積層型フィルタを製造し、製造された積層型フィルタから所定数（３０個）の検体を抜き取り、各検体の各コイルＣ１〜Ｃ４の１００ＭＨｚでのインピーダンス値を測定した。各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値の平均値及びインピーダンス値（平均値）のばらつきは、図９に示されるように、１．０１６ｋΩ、１．０２４ｋΩ、１．０１５ｋΩ、１．００９ｋΩ、１．４６％である。
【００５８】
比較例に係る積層型ビーズアレイでは、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の厚みは、２０μｍに設定されている。比較例に係る積層型フィルタを製造し、製造された積層型フィルタから所定数（３０個）の検体を抜き取り、各検体の各コイルＣ１〜Ｃ４の１００ＭＨｚでのインピーダンス値を測定した。各コイルＣ１〜Ｃ４のインピーダンス値の平均値及びインピーダンス値（平均値）のばらつきは、同じく図８に示されるように、１．０１２ｋΩ、１．１２９ｋΩ、１．１２６ｋΩ、１．００８ｋΩ、１０．７２％である。
【００５９】
以上のことから、本実施形態の有効性が確認された。なお、インピーダンス値（平均値）のばらつきは、下記の（１）式に基づいて算出している。
（（Ｚｍａｘ−Ｚｍｉｎ）／Ｚｘ）＊１００            …  （１）
Ｚｍａｘ：インピーダンス値（平均値）の最大値
Ｚｍｉｎ：インピーダンス値（平均値）の最小値
Ｚｘ：インピーダンス値（平均値）の平均値
【００６０】
続いて、図１０〜図１２を参照して、本実施形態に係る積層型チップビーズについて説明する。図１０は、本実施形態に係る積層型チップビーズを示す斜視図である。図１１は、本実施形態に係る積層型チップビーズの断面構成を説明するための概略図である。図１２は、本実施形態に係る積層型チップビーズを示す分解斜視図である。
【００６１】
積層型チップビーズ５１は、素子５３と、素子５３の長手方向の両端部に形成された一対の入出力電極５，７とを備えている。積層型チップビーズ５１は、コイルＣ５を含むコイル部１０を備えている。コイルＣ５は、導体パターン１１〜１９が形成された複数（本実施形態においては、９層）の磁性体グリーンシート（絶縁体）Ｇ１〜Ｇ９が積層されることにより構成される。磁束遮断パターン３１は、磁性体グリーンシートＧ９に形成されている。磁束遮断パターン３１は、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９の積層方向から見て、コイルＣ５の螺旋状部分（螺旋状導体パターン１２ａ〜１８ａ）の内側に位置している。
【００６２】
磁束遮断パターン３１が、磁性体グリーンシートＧ１〜Ｇ９から見てコイルＣ５の螺旋状部分の内側に位置していると、コイルＣ５のインピーダンス値（インダクタンス値）は低くなる。したがって、積層型チップビーズ５１では、コイルＣ５の螺旋状部分の内側に磁束遮断パターン３１を位置させることで、コイルＣ５のインダクタンス値を調整することができる。
【００６３】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、積層型ビーズアレイ１が有するコイルの数は、上述した４個に限られることなく、３個でもよく、また５個以上でもよい。また、磁束遮断パターン３１の形状は、上述した実施形態及び変形例にて示された矩形状に限られことなく、面状であれば他の形状（円形状、多角形状、略十字状、略Ｕ字状、又は略Ｏ状等）であってもよい。また、磁束遮断パターン３１は、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分の内側に位置しているのであれば、複数に分割された形状であってもよい。
【００６４】
また、磁束遮断パターン３１は、上述した実施形態及び変形例のように、全体がコイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分の内側に位置するものに限られることはなく、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分の内側に位置している部分を含んでいればよい。すなわち、磁束遮断パターン３１の一部が、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分と重なっていてもよい。また、磁束遮断パターン３１の一部が、コイルＣ２，Ｃ３の螺旋状部分の外側に位置していてもよい。
【００６５】
また、本実施形態及び変形例においては、磁束遮断パターン３１の材料は導体パターン１１〜１９の材料と同じであるが、これに限られることなく、コイルＣ２，Ｃ３の磁束を遮断する材料であれば、導体パターン１１〜１９の材料と異なってもよい。
【００６６】
また、本実施形態及び変形例においては、グリーンシートを積層すること（グリーンシート積層工法）により素子３，５３を構成しているが、これに限られることなく、磁性体スラリーを用い、当該磁性体スラリー、導体パターン１１〜１９及び磁束遮断パターン３１を印刷して積層すること（印刷積層工法）により素子３，５３を構成するようにしてもよい。
【００６７】
本実施形態においては、本発明を積層型ビーズアレイあるいは積層型チップビーズに適用しているが、これに限られることなく、本発明を積層型インダクタアレイあるいは積層型チップインダクタに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本実施形態に係る積層型ビーズアレイを示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層型ビーズアレイの断面構成を説明するための概略図である。
【図３】本実施形態に係る積層型ビーズアレイを示す分解斜視図である。
【図４】螺旋状導体パターンと磁束遮断パターンとの位置関係を説明するための概略図である。
【図５】磁束遮断パターンの面積比率に対するインピーダンス値の低下率の変化を示す線図である。
【図６】本実施形態に係る積層型ビーズアレイの一変形例を示す分解斜視図である。
【図７】本実施形態に係る積層型ビーズアレイの一変形例を示す分解斜視図である。
【図８】本実施形態に係る積層型ビーズアレイの一変形例を示す分解斜視図である。
【図９】実施例及び比較例における各コイルのインピーダンス値の平均値及びインピーダンス値（平均値）のばらつきを示す図表である。
【図１０】本実施形態に係る積層型チップビーズを示す斜視図である。
【図１１】本実施形態に係る積層型チップビーズの断面構成を説明するための概略図である。
【図１２】本実施形態に係る積層型チップビーズを示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１…積層型ビーズアレイ、３…素子、５，７…入出力電極、１０…コイル部、１１〜１９…導体パターン、１１ａ，１９ａ…引き出し導体パターン、１２ａ〜１８ａ…螺旋状導体パターン、１１ｂ〜１８ｂ…貫通電極、３１…磁束遮断パターン、５１…積層型チップビーズ、５３…素子、Ｃ１〜Ｃ５…コイル、Ｇ１〜Ｇ１１…磁性体グリーンシート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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