(57)【要約】【課題】毒性の低い溶媒を用いてチオエーテル化合物からメルカプト化合物を得る。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物に対して下記一般式（２）で表される化合物を作用させて、対応する下記一般式（３）で表される化合物を得る製造方法において、該反応をヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）以外の非プロトン性極性溶媒中で行うメルカプト化合物の製造方法。一般式（１）：    Ａｒ１−Ｓ−Ｒ１  式中、Ａｒ１はアリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｓは硫黄原子を表し、Ｒ１はアルキル基を表す。一般式（２）    【化１】2005220062.tif 000009  式中、Ｍはアルカリ金属を表し、Ｎは窒素原子を表し、Ｒ２およびＲ３は各々アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。一般式（３）：    Ａｒ１−ＳＨ  式中、Ａｒ１は上記一般式（１）に記載のものと同義であり、ＳＨはメルカプト基を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを反応させて、メルカプト化合物を得る製造方法において、溶媒としてヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）以外の非プロトン性極性溶媒を用いることを特徴とするメルカプト化合物の製造方法。
一般式（１）
Ａｒ１−Ｓ−Ｒ１
式中、Ａｒ１はアリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｓは硫黄原子を表し、Ｒ１はアルキル基を表す。
一般式（２）
【化１】
2005220062.tif 000008
式中、Ｍはアルカリ金属を表し、Ｎは窒素原子を表し、Ｒ２およびＲ３は各々アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
【請求項２】
該溶媒がアミド系もしくはウレア系化合物の非プロトン性極性溶媒であることを特徴とする請求項１記載のメルカプト化合物の製造方法。
【請求項３】
該溶媒が１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）または１，３−ジメチルー３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）であることを特徴とする請求項１または２記載のメルカプト化合物の製造方法。
【請求項４】
一般式（２）で表される化合物が、総炭素数５以上３０以下の化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のメルカプト化合物の製造方法。
【請求項５】
該メルカプト化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のメルカプト化合物の製造方法。
一般式（３）
Ａｒ１−ＳＨ
式中、Ａｒ１は上記一般式（１）に記載のものと同義であり、ＳＨはメルカプト基を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メルカプト化合物の製造方法、特に、毒性の低い溶媒を用いることを特徴とするアルキルチオエーテルの脱アルキル化によるメルカプト化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アリールチオフェノール化合物をアリールチオエーテル化合物から合成する反応としては、従来、液体アンモニア中リチウムを作用させる方法（非特許文献１参照）、ＮａＳＭｅを作用させる方法（非特許文献２参照）、ヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）中金属アルキルアミドを作用させる方法（非特許文献３参照）が報告されているが、非特許文献１および非特許文献２の方法では、反応収率が低い、非特許文献２の方法では、悪臭化合物が副生する、非特許文献３の方法では、毒性の高いヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）を用いる必要があるという課題があった。
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９５９年、第８１巻、第４９３９頁
【非特許文献２】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８０年、第４５巻、第４３７６頁
【非特許文献３】Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，１９８２年、第５８３頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、製造適性の高いメルカプト化合物の製造方法、特に、毒性の低い溶媒を用いる製造方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
発明者が鋭意検討した結果、本発明にかかるメルカプト化合物の製造方法は、毒性の低い反応溶媒を適用できることを見出した。すなわち、本発明のメルカプト化合物の製造方法は以下のものである。
【０００５】
［１］  下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを反応させて、メルカプト化合物を得る製造方法において、溶媒としてヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）以外の非プロトン性極性溶媒を用いることを特徴とするメルカプト化合物の製造方法。
一般式（１）
Ａｒ１−Ｓ−Ｒ１
式中、Ａｒ１はアリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｓは硫黄原子を表し、Ｒ１はアルキル基を表す。
一般式（２）
【０００６】
【化１】
2005220062.tif 000002
【０００７】
式中、Ｍはアルカリ金属を表し、Ｎは窒素原子を表し、Ｒ２およびＲ３は各々アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
［２]  該溶媒がアミド系もしくはウレア系化合物の非プロトン性極性溶媒であることを特徴とする［１]記載のメルカプト化合物の製造方法。
［３]  該溶媒が１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）または１，３−ジメチルー３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）であることを特徴とする［１]または［２]記載のメルカプト化合物の製造方法。
［４］  一般式（２）で表される化合物が、総炭素数５以上３０以下の化合物であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載のメルカプト化合物の製造方法。
［５］  該メルカプト化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載のメルカプト化合物の製造方法。
一般式（３）
Ａｒ１−ＳＨ
式中、Ａｒ１は上記一般式（１）に記載のものと同義であり、ＳＨはメルカプト基を表す。
【発明の効果】
【０００８】
本発明にかかるメルカプト化合物の製造方法は、毒性の低い反応溶媒を用いることができ、製造適性の観点から有用性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
【００１０】
一般式（１）について説明する。
【００１１】
一般式（１）
Ａｒ１−Ｓ−Ｒ１
式中、Ａｒ１はアリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｓは硫黄原子を表し、Ｒ１はアルキル基を表す。
Ａｒ１としては、炭素数６から２０、好ましくは炭素数６から１５、更に好ましくは炭素数６から１０の置換又は無置換のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、ｐ−カルボキシフェニル、ｐ−ニトロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、ｐ−シアノフェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−トリル、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニル）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数２から１０、更に好ましくは炭素数４から６の置換又は無置換のヘテロアリール基（例えばピリジル、５−メチルピリジル、チエニル、フリル、キノリルなど）が挙げられる。
Ａｒ１の表すアリール基またはヘテロアリール基は、さらに置換基を有していてもよく、置換基としては、下記の置換基群Ｖが挙げられる。
置換基群Ｖ：
ハロゲン原子（例えば塩素、臭素、沃素、フッ素）、メルカプト基、シアノ基、カルボキシル基、リン酸基、スルホ基、ヒドロキシ基、炭素数１から１０、好ましくは炭素数２から８、更に好ましくは炭素数２から５のカルバモイル基（例えばメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、モルホリノカロボニル）、炭素数０から１０、好ましくは炭素数２から８、更に好ましくは炭素数２から５のスルファモイル基（例えばメチルスルファモイル、エチルスルファモイル、ピペリジノスルフォニル）、ニトロ基、炭素数１から２０、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から８のアルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、２−フェニルエトキシ）、炭素数６から２０、好ましくは炭素数６から１２、更に好ましくは炭素数６から１０のアリールオキシ基（例えばフェノキシ、ｐ−メチルフェノキシ、ｐ−クロロフェノキシ、ナフトキシ）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数２から１２、更に好ましくは炭素数２から８のアシル基（例えばアセチル、ベンゾイル、トリクロロアセチル）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数２から１２、更に好ましくは炭素数２から８のアシルオキシ基（例えばアセチルオキシ、ベンゾイルオキシ）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数２から１２、更に好ましくは炭素数２から８のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から８のスルホニル基（例えばメタンスルホニル、エタンスルホニル、ベンゼンスルホニル）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から８のスルフィニル基（例えばメタンスルフィニル、エタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数１から１２、更に好ましくは炭素数１から８の置換または無置換のアミノ基（例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ベンジルアミノ、アニリノ、ジフェニルアミノ、４−メチルフェニルアミノ、４−エチルフェニルアミノ、３−ｎ−プロピルフェニルアミノ、４−ｎ−プロピルフェニルアミノ、３−ｎ−ブチルフェニルアミノ、４−ｎ−ブチルフェニルアミノ、３−ｎ−ペンチルフェニルアミノ、４−ｎ−ペンチルフェニルアミノ、３−トリフルオロメチルフェニルアミノ、４−トリフルオロメチルフェニルアミノ、２−ピリジルアミノ、３−ピリジルアミノ、２−チアゾリルアミノ、２−オキサゾリルアミノ、Ｎ，Ｎ−メチルフェニルアミノ、Ｎ，Ｎ−エチルフェニルアミノ）、炭素数０から１５、好ましくは炭素数３から１０、更に好ましくは炭素数３から６のアンモニウム基（例えばトリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム）、炭素数０から１５、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から６のヒドラジノ基（例えばトリメチルヒドラジノ基）、炭素数１から１５、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から６のウレイド基（例えばウレイド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド基）、炭素数１から１５、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から６のイミド基（例えばスクシンイミド基）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数１から１２、更に好ましくは炭素数１から８のアルキルチオ基（例えばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ）、炭素数６から８０、好ましくは炭素数６から４０、更に好ましくは炭素数６から３０のアリールチオ基（例えばフェニルチオ、ｐ−メチルフェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、２−ピリジルチオ、１−ナフチルチオ、２−ナフチルチオ、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニルチオ）、炭素数１から８０、好ましくは炭素数１から４０、更に好ましくは炭素数１から３０のヘテロアリールチオ基（例えば２−ピリジルチオ、３−ピリジルチオ、４−ピリジルチオ、２−キノリルチオ、２−フリルチオ、２−ピロリルチオ）、炭素数２から２０、好ましくは炭素数２から１２、更に好ましくは炭素数２から８のアルコキシカルボニル基（例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、２−ベンジルオキシカルボニル）、炭素数７から２０、好ましくは炭素数７から１２、更に好ましくは炭素数７から１０のアリーロキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボニル）、炭素数１から１８、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から５の無置換アルキル基（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル）、炭素数１から１８、好ましくは炭素数１から１０、更に好ましくは炭素数１から５の置換アルキル基｛例えばヒドロキシメチル、トリフルオロメチル、ベンジル、カルボキシエチル、エトキシカルボニルメチル、アセチルアミノメチル、またここでは炭素数２から１８、好ましくは炭素数３から１０、更に好ましくは炭素数３から５の不飽和炭化水素基（例えばビニル基、エチニル基１−シクロヘキセニル基、ベンジリジン基、ベンジリデン基）も置換アルキル基に含まれることにする｝、炭素数６から２０、好ましくは炭素数６から１５、更に好ましくは炭素数６から１０の置換又は無置換のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、ｐ−カルボキシフェニル、ｐ−ニトロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、ｐ−シアノフェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−トリル、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニル）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数２から１０、更に好ましくは炭素数４から６の置換又は無置換のヘテロアリール基（例えばピリジル、５−メチルピリジル、チエニル、フリル、モルホリノ、テトラヒドロフルフリル）。
これら置換基群Ｖはベンゼン環やナフタレン環が縮合した構造もとることができる。さらに、これらの置換基上にさらに此処までに説明したＶの説明で示した置換基が置換していても良い。
【００１２】
置換基群Ｖとして好ましいものは上述のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子である。
Ａｒ１として好ましくはアリール基であり、より好ましくは置換（好ましくは置換基がシクロヘキシル、フェニル、塩素原子）または無置換のフェニル基である。
【００１３】
Ｒ１はアルキル基を表すが、好ましい例としては、炭素数１から３０、好ましくは炭素数１から１２、更に好ましくは炭素数１から８の置換もしくは無置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、シクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、４−エチルシクロヘキシル、４−プロピルシクロヘキシル、４−ブチルシクロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル、ヒドロキシメチル、トリフルオロメチル、ベンジル）である。
Ｒ１として特に好ましくはメチル基、エチル基、ベンジル基であり、さらに好ましくは、メチル基である。Ｒ１はさらに置換基を有していてもよく、置換基としては上記置換基群Ｖが挙げられる。
【００１４】
次に、一般式（２）について説明する。
【００１５】
一般式（２）
【００１６】
【化２】
2005220062.tif 000003
【００１７】
式中、Ｍはアルカリ金属を表し、Ｎは窒素原子を表し、Ｒ２およびＲ３は各々アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ｍはアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウムなど）を表すが、好ましくは、ナトリウム、カリウムであり、特に好ましくはナトリウムである。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基としては、上記置換基群Ｖで記載したものが挙げられる。Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基として好ましくは、炭素数１から３０、好ましくは炭素数１から１２、更に好ましくは炭素数１から８のアルキル基（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、シクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、４−エチルシクロヘキシル、４−プロピルシクロヘキシル、４−ブチルシクロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル、ヒドロキシメチル、トリフルオロメチル、ベンジル）、炭素数６から２０、好ましくは炭素数６から１５、更に好ましくは炭素数６から１０の置換又は無置換のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、ｐ−カルボキシフェニル、ｐ−ニトロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、ｐ−シアノフェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−トリル、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニル）、炭素数１から２０、好ましくは炭素数２から１０、更に好ましくは炭素数４から６の置換又は無置換のヘテロアリール基（例えばピリジル、５−メチルピリジル、チエニル、フリル、キノリル、イミダゾリル、チアゾリル）である。
Ｒ２およびＲ３はさらに置換基を有していてもよく、置換基としては上記置換基群Ｖが挙げられる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基として好ましくは、Ｒ２とＲ３の合計の炭素数（一般式（２）の化合物の総炭素数）が５以上３０以下の場合であり、特に好ましくは、５以上２０以下の場合である。
【００１８】
次に、一般式（３）について説明する。
【００１９】
一般式（３）
Ａｒ１−ＳＨ
式中、Ａｒ１は上記一般式（１）に記載のものと同義であり、好ましいものも同様である。ＳＨはメルカプト基を表す。
一般式（３）で表される化合物中、下記一般式（３Ａ）で表される化合物が好ましい。
【００２０】
【化３】
2005220062.tif 000004
【００２１】
式中、Ｒ３Ａは水素原子、ハロゲン原子（好ましくは塩素原子）、アルキル基またはアリール基を表す。前記アルキル基としては、好ましくは置換シクロヘキシル基（好ましい置換基はプロピル、ｎ−アミル、置換シクロヘキシル）であり、前記アリール基としては、好ましくは置換フェニル基（好ましい置換基は置換シクロヘキシル）である。ｍは１〜５の整数（好ましくは１）を表す。上記において置換基の置換位置はパラ位が好ましい。
以下に本発明の製造方法で合成しうる一般式（３）の具体例を示すが、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【００２２】
【化４】
2005220062.tif 000005
【００２３】
次に、反応条件について説明する。
反応溶媒として、ヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）以外の非プロトン性極性溶媒を用いる。前記溶媒中でもアミド系もしくはウレア系化合物を用いることが好ましい。より好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）または１，３−ジメチルー３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）である。上記溶媒は一般式（２）で表されるアミド化合物を安定に存在させ、かつ、その求核性を高める作用のある非プロトン性極性溶媒である。これらの溶媒は、組み合わせて用いてもよい。特に好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を少なくとも含む溶媒である。
ヘキサメチルホスホリック  トリアミド（ＨＭＰＡ）以外の溶媒のうち、一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物とが反応しうるものであれば、いかなるものも併用できる。併用できる溶媒として好ましくは、例えば、炭化水素系化合物（ベンゼン、トルエン、キシレンなど）、ニトリル化合物（アセトニトリルなど）、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルムなど）、アミド化合物（ジメチルアセトアミドなど）などである。
本発明の製造方法においては、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）または１，３−ジメチルー３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）と他の溶媒を混合して用いることが好ましい。混合溶媒として好ましくは、炭化水素系化合物（ベンゼン、トルエン、キシレンなど）、ニトリル化合物（アセトニトリルなど）、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルムなど）である。更に好ましくは、炭化水素系化合物（ベンゼン、トルエン、キシレンなど）であり、特に好ましくは、キシレンである。
【００２４】
次に、一般式（２）で表される化合物の調製方法について述べる。一般式（２）で表される化合物は、対応するアミン化合物と塩基を作用させることにより調製することができる。塩基としては、いかなるものであってもよいが、好ましくは、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウムなど）、アルカリ金属塩化合物（炭酸カリウム、炭酸リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム）あるいは水素化金属化合物（水素化ナトリウムなど）である。好ましくは、水素化金属化合物であり、特に好ましくは水素化ナトリウムである。対応するアミン化合物と塩基を作用させる温度は、０℃〜１００℃の範囲が好ましくは、特に好ましくは１０℃〜５０℃の範囲である。対応するアミン化合物と塩基を作用させる反応時間は、いかなるものであってもよいが、好ましくは、１０分〜１０時間であり、特に好ましくは２０分〜２時間である。
一般式（２）で表される化合物は対応するアミン化合物と塩基を反応させ、一般式（２）で表される化合物として、取り出すことなく、一般式（１）で表される化合物と反応させることも好ましい。
【００２５】
一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物の当量比率はいかなるものであってもよいが、好ましくは、一般式（１）で表される化合物に対して、一般式（２）で表される化合物が、０．５〜５．０倍当量の範囲が好ましくは、更に好ましくは、１．０〜３．０当量の範囲である。
反応基質の溶媒に対する濃度は、いかなるものであってもよいが、好ましくは、１〜１０００質量％の範囲であり、特に好ましくは、５〜５０質量％の範囲である。
反応温度は、いかなるものであってもよいが、好ましくは、５０℃〜２００℃の範囲であり、特に好ましくは、８０℃〜１８０℃の範囲である。
反応時間は、いかなるものであってもよいが、好ましくは、１０分〜１０時間の範囲であり、特に好ましくは、１時間〜７時間の範囲である。
【００２６】
次に、反応の工程について説明する。工程についてはいかなるものであってもよいが、好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）あるいは１，３−ジメチルー３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）の溶媒中で最初に一般式（２）で表される化合物を調整したのち、次に一般式（１）で表される化合物を添加する方法である。一般式（２）で表される化合物の調整工程としては、好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）あるいは１，３−ジメチルー３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）の溶媒中に、塩基をあらかじめ存在させておき、そこに、対応するアミン化合物を添加する方法である。対応するアミン化合物および一般式（１）で表される化合物を添加する速度は、反応系の発熱が１０℃以上とならない速度が好ましい。対応するアミン化合物および一般式（１）で表される化合物が液体の場合には、滴下する方法が好ましい。
【００２７】
[実施例]
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の主旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【実施例１】
【００２８】
＜原料化合物Ｍ−１の合成＞
【００２９】
【化５】
2005220062.tif 000006
【００３０】
１−（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）−４−ブロモベンゼン（関東化学製）６４．９５ｇと４−メチルチオベンゼンボロン酸（アルドリッチ製）５０ｇをトルエン６００ｍｌと水３００ｍｌ中に添加し、その後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成製）１．１６ｇと炭酸カリウム８２．９３ｇを添加し、窒素雰囲気下において、内温７５℃にて２時間攪拌させた。反応液を冷却後、セライトろ過を行い、パラジウム触媒を除去し、メタノール１Ｌをろ液に添加し、析出した粗結晶をろ別した。得られた粗結晶をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液、ヘキサン：塩化メチレン＝６：１）にて精製することにより目的とする原料化合物Ｍ−１を４９．９８ｇ（収率６７％）を得た。白色結晶。ＮＭＲデータを以下に示す。
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：７．５２（４Ｈ、ｍ）、７．４−７．３（４Ｈ、ｍ）、２．６−２．５（４Ｈ、ｍ）、１．９（３Ｈ、ｔ）、１．６−１．５（２Ｈ、ｍ）、１．３−１．２（１０Ｈ、ｍ）、１．１５−１．０（２Ｈ、ｍ）、０．９０（３Ｈ、ｔ）。
＜化合物Ｓ−４の合成（反応溶媒としてＤＭＩを使用）＞
【００３１】
【化６】
2005220062.tif 000007
【００３２】
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ、東京化成製）２０ｍｌとキシレン２０ｍｌの溶液中に水素化ナトリウム（６０％）３．４０ｇを分散させて、内温４０℃にて攪拌させながら、ジブチルアミン（東京化成製）１１．０ｇを滴下させた。内温４０℃にて３０分間攪拌させた後、原料化合物（Ｍ−１）１０．０ｇを添加し、次に、外温を１５０℃まで加熱させ、該温度にて５時間攪拌した。反応液を冷却後、希塩酸水を添加し、クロロホルムにて有機物を抽出した。クロロホルム溶液を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液、ヘキサン：塩化メチレン＝６：１）にて精製することにより目的とする化合物Ｓ−４を６．５６ｇ（収率６８％）を得た。白色結晶。ＮＭＲデータを以下に示す。
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：７．５０（４Ｈ、ｄｄ）、７．３（２Ｈ、ｄ）、７．２（２Ｈ、ｄ）、３．５（１Ｈ、ｓ）、２．５（２Ｈ、ｍ）、１．９（３Ｈ、ｔ）、１．６−１．５（２Ｈ、ｍ）、１．３−１．２（１０Ｈ、ｍ）、１．１５−１．０（２Ｈ、ｍ）、０．８９（３Ｈ、ｔ）。
【００３３】
＜化合物Ｓ−４の合成（反応溶媒としてＤＭＰＵを使用）＞
上記反応を、反応溶媒をＤＭＩのかわりに、ＤＭＰＵ（東京化成製）を用いたところだけ変更して、同様の反応を行ったところ、目的とする化合物Ｓ−４を収率５８％で得た。