(57)【要約】【課題】  素子出力ノイズ及び素子出力に寄与しない抵抗を低減し、且つ、薄膜磁気ヘッド素子へのエッチングダメージを回避して狭シールド化に有利なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。【解決手段】  所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に、薄膜磁気ヘッド素子と該薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に設けた絶縁層とを有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、上部シールド層を、薄膜磁気ヘッド素子の上に位置する第１上部シールド層と該第１上部シールド層よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層とに分離して形成すると共に、絶縁層内に、第２上部シールド層と下部シールド層と導通接続させる金属層を設けた。【選択図】  図１
2005346763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に、薄膜磁気ヘッド素子と該薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に設けた絶縁層とを有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部シールド層を、前記薄膜磁気ヘッド素子の上に位置する第１上部シールド層と、この第１上部シールド層よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層とに分離して形成し、前記絶縁層内に、前記第２上部シールド層と前記下部シールド層と導通接続させる金属層を設けたことを特徴とするＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜磁気ヘッド素子の上面と前記絶縁層の上面と前記金属層の上面とが、同一平面を構成しているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記金属層は、トラック幅方向において前記薄膜磁気ヘッド素子よりも大きく形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記金属層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＰｔ系金属材料のうち少なくとも１種を含んで形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶縁層は、前記薄膜磁気ヘッド素子よりもハイト方向奥側で前記第２上部シールド層と対向する位置に前記下部シールド層の一部を露出させるコンタクトホールを有し、このコンタクトホール内に前記金属層が設けられているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に、薄膜磁気ヘッド素子と該薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に設けた絶縁層とを有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記絶縁層を形成した後に、
前記薄膜磁気ヘッド素子及び前記絶縁層の上に、該薄膜磁気ヘッド素子よりもハイト方向奥側の特定位置にホール形成用空間を有するリフトオフ用のレジスト層を形成する工程と、
このレジスト層により前記薄膜磁気ヘッド素子の上面を覆った状態で、該レジスト層のホール形成用空間に露出している絶縁層を除去し、さらに、この絶縁層の直下にある前記下部シールド層の表面酸化層を完全に除去する工程と、
前記絶縁層と前記下部シールド層の表面酸化層を除去した部分に金属層を形成し、前記レジスト層をリフトオフにより除去する工程と、
前記薄膜磁気ヘッド素子、前記絶縁層及び前記金属層の表面酸化層を除去してから前記上部シールド層を形成する工程と、
この上部シールド層を、前記薄膜磁気ヘッド素子及び前記絶縁層の上に位置する第１上部シールド層と、前記絶縁層及び前記金属層の上に位置する第２上部シールド層とに分離する工程と、
を有することを特徴とするＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶縁層及び前記金属層は、該各上面と前記薄膜磁気ヘッド素子の上面とが同一平面を構成する膜厚で形成するＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項６または７記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッド素子の最上層はＲｕ膜とＴａ膜の積層構造によるキャップ層で形成し、前記金属層の表面酸化層を除去する際に前記キャップ層のＴａ膜を完全に除去して前記Ｒｕ膜を露出させ、該Ｒｕ膜上に前記第１上部シールド層を形成するＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚方向（膜面に直交する方向）にセンス電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッド素子として用いられる巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）やトンネル巨大磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）は、素子を構成する各層の膜面に対して平行な方向にセンス電流が流れるＣＩＰ（Current In the Plane）型と、素子を構成する各層の膜面に対して垂直な方向にセンス電流が流れるＣＰＰ（Current Perpendicular to the Plane）型とに大別することができる。
【０００３】
図１１は、従来のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド構造を示す断面図である。ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、所定のシールド間隔をあけて形成された下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０と、この上下シールド層１１０、１３０間に形成されて記録媒体との対向面に露出する薄膜磁気ヘッド素子１２０と、この薄膜磁気ヘッド素子１２０のハイト方向奥側で上下シールド層１１０、１３０の間を埋める絶縁層１４０とを有している。上部シールド層１３０は、薄膜磁気ヘッド素子１２０の上に位置する第１上部シールド層１３１と、この第１上部シールド層１３１よりもハイト方向奥側に位置し、絶縁層１４０内に設けたコンタクトホール１４１を介して下部シールド層１１０と導通接続した第２上部シールド層１３２とに分離されている。図示されていないが、下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０の直下にはシールド下地層がそれぞれ形成されている。
【０００４】
センス電流Ｉは、図１１の矢印で示すように、第１上部シールド層１３１から薄膜磁気ヘッド素子１２０、下部シールド層１１０を経由して第２上部シールド層１３２へ流れる。あるいは、第２上部シールド層１３２から下部シールド層１１０、薄膜磁気ヘッド素子１２０を経由して第１上部シールド層１３１へ流れる。第１上部シールド層１３１及び第２上部シールド層１３２は、センス電流Ｉの出入口になっている。このように上下シールド層１１０、１３０を電極として機能させるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド構造では、素子出力に寄与しない抵抗及び該抵抗変化による素子出力ノイズを低減させるため、下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０と薄膜磁気ヘッド素子１２０との界面に、酸化層を介在させないことが必要である。そこで従来は、下部シールド層１１０の上に薄膜磁気ヘッド素子１２０を形成する際、及び、薄膜磁気ヘッド素子１２０の上に上部シールド層１３０を形成する際に、例えばエッチング等により表面酸化層を除去する前処理をそれぞれ実行している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−７４９３６号公報
【特許文献２】特開２００２−１５７７１１号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ９７／４４７８１号公報（特表平１１−５０９９５６号公報）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上部シールド層１３０を形成する際の前処理では、同一のエッチング処理により、薄膜磁気ヘッド素子１２０の表面酸化層と、絶縁層１４０のコンタクトホール１４１に露出している下部シールド層１１０の表面酸化層とを同時に除去する。この際、下部シールド層１１０の表面はすでに前工程（例えば薄膜磁気ヘッド素子１２０を形成する際等）で大気に曝され、薄膜磁気ヘッド素子１２０の表面酸化層よりも厚い表面酸化層が形成されているから、該下部シールド層１１０の表面酸化層を完全に除去するためには通常よりもエッチング量が多く必要である。しかしながら、下部シールド層１１０の表面酸化層を完全除去するためにエッチング量を増大させると、薄膜磁気ヘッド素子１２０の表面も深く削られてしまい、素子に対するダメージが大きい。このため、薄膜磁気ヘッド素子１２０の最上層であるキャップ層を厚く形成しなければならず、狭シールド間隔化の妨げになっている。酸化しづらい材料でキャップ層を形成すれば、薄膜磁気ヘッド素子１２０の表面のエッチング量は最小限に抑えることができる。逆に、薄膜磁気ヘッド素子１２０へのダメージを回避するためにエッチング量を減らすと、下部シールド層１１０の表面酸化層を十分に除去することができず、下部シールド層１１０と第２上部シールド層１３２のコンタクト抵抗が不安定化すると共に、素子出力に寄与しない抵抗が増大して素子出力が低下する虞がある。下部シールド層１１０をＲｕ等の酸化しづらい材料で形成すれば、コンタクトホール１４１に露出している下部シールド層１１０のエッチング量は少なくて済むので上記課題を解消できるが、磁気シールド効果等を考慮すると、上記酸化しづらい材料をシールド材料として用いることは現状では難しい。Ｒｕ等の酸化しづらい材料は、磁気的性質を持たず、シールド効果が期待できないためである。また、シールド効果を持つ磁性材料であって、且つ、酸素（大気）に曝されても、生じる表面酸化層の膜厚が薄膜磁気ヘッド素子１２０の表面酸化層と同程度に薄い材料はない。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、素子出力ノイズ及び素子出力に寄与しない抵抗を低減でき、且つ、薄膜磁気ヘッド素子へのエッチングダメージを回避して狭シールド化に有利なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、薄膜磁気ヘッド素子上面と下部シールド層のコンタクト上面とが同時にエッチングされること、及び、この薄膜磁気ヘッド素子上面と下部シールド層のコンタクト上面とでは表面酸化層を除去するのに必要なエッチング量が異なることが、上記課題の要因になっていることを認識してなされたものである。
【０００９】
すなわち、本発明は、所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に、薄膜磁気ヘッド素子と該薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に設けた絶縁層とを有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、上部シールド層は、薄膜磁気ヘッド素子の上に位置する第１上部シールド層と、この第１上部シールド層よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層とに分離して形成され、絶縁層内に、第２上部シールド層と下部シールド層と導通接続させる金属層を設けたことを特徴としている。
【００１０】
この態様によれば、第２上部シールド層と下部シールド層は直接接触せず、第２上部シールド層と下部シールド層とを導通接続させる金属層の上面が第２上部シールド層との接触面になるから、下部シールド層上の表面酸化層と薄膜磁気ヘッド素子上の表面酸化層とを別の工程でそれぞれ除去することができる。これにより、薄膜磁気ヘッド素子にダメージを与えることなく、薄膜磁気ヘッド素子上及び下部シールド層上の表面酸化層を最小限のエッチング量でそれぞれ完全に除去することが可能である。
【００１１】
薄膜磁気ヘッド素子の上面と絶縁層の上面と金属層の上面は、同一平面を構成していることが好ましい。
【００１２】
金属層は、トラック幅方向において薄膜磁気ヘッド素子よりも大きく形成されていることが好ましい。この金属層は、下部シールド層及び第２上部シールド層と共に電極として機能するため、大面積で備えられることにより電極全体の電極抵抗を低減させることができる。
【００１３】
金属層は、酸化しづらく且つ電気抵抗の比較的小さい金属材料で形成されることが好ましく、具体的にはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＰｔ系金属材料のうち少なくとも１種を含んで形成されているとよい。
【００１４】
絶縁層には、薄膜磁気ヘッド素子よりもハイト方向奥側で第２上部シールド層と対向する位置に下部シールド層の一部を露出させるコンタクトホールを設け、このコンタクトホール内に金属層を形成することが実際的である。
【００１５】
また本発明は、製造方法の態様によれば、所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に、薄膜磁気ヘッド素子と該薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に設けた絶縁層とを有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁層を形成した後に、薄膜磁気ヘッド素子及び絶縁層の上に、該薄膜磁気ヘッド素子よりもハイト方向奥側の特定位置にホール形成用空間を有するリフトオフ用のレジスト層を形成する工程と、このレジスト層により薄膜磁気ヘッド素子の上面を覆った状態で、該レジスト層のホール形成用空間に露出している絶縁層を除去し、さらに、この絶縁層の直下にある下部シールド層の表面酸化層を完全に除去する工程と、絶縁層と下部シールド層の表面酸化層を除去した部分に金属層を形成し、レジスト層をリフトオフにより除去する工程と、薄膜磁気ヘッド素子、絶縁層及び金属層の表面酸化層を除去してから上部シールド層を形成する工程と、この上部シールド層を、薄膜磁気ヘッド素子及び絶縁層の上に位置する第１上部シールド層と、絶縁層及び金属層の上に位置する第２上部シールド層とに分離する工程とを有することを特徴としている。
【００１６】
上記態様によれば、ホール形成用空間に露出した下部シールド層上の表面酸化層を除去する工程と、薄膜磁気ヘッド素子上の表面酸化層を除去する工程とが別々に行なわれるので、薄膜磁気ヘッド素子にダメージを与えることなく、薄膜磁気ヘッド素子上及び下部シールド層上の表面酸化層をそれぞれ確実に除去することができる。また、必要最小限のエッチング量で薄膜磁気ヘッド素子上の表面酸化層を除去できるので、薄膜磁気ヘッド素子の最上層であるキャップ層を厚く設ける必要がなく、狭シールド化に有利である。このように薄膜磁気ヘッド素子を流れる電流の経路内に酸化層が介在しなければ、素子出力に寄与しない抵抗及び該抵抗変化による出力ノイズが低減する。
【００１７】
絶縁層及び金属層は、該各上面と薄膜磁気ヘッド素子の上面とが同一平面を構成する膜厚で形成することが好ましい。
【００１８】
薄膜磁気ヘッド素子の最上層は、Ｒｕ膜とＴａ膜の積層構造によるキャップ層で形成することが好ましい。そして、金属層の表面酸化層を除去する際にキャップ層のＴａ膜を完全に除去してＲｕ膜を露出させ、該Ｒｕ膜上に第１上部シールド層を形成する。表面酸化層を除去するのに必要なエッチング量を抑えるため、キャップ層はＲｕ等の酸化しづらい材料で形成することが好ましい。ただし、最上層にＲｕが露出しているとフォトリソグラフィ工程を良好に行なえないことから、フォトリソグラフィ工程に最適なＴａ膜をＲｕ膜上に積層して備え、第１上部シールド層を形成する直前にＴａ膜を完全に除去する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、素子出力ノイズ及び素子出力に寄与しない抵抗を低減でき、且つ、薄膜磁気ヘッド素子へのエッチングダメージを回避して狭シールド化に有利なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向（記録媒体からの洩れ磁界方向）、Ｚ方向は記録媒体の移動方向及び薄膜磁気ヘッド素子を構成する各層の積層方向である。
【００２１】
図１〜図３は、本発明によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示している。図１はＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の構造を素子中央で切断して示す部分断面図、図２はＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の構造を記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図、図３はＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１を上から見て示す模式平面図である。
【００２２】
ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１は、図示Ｚ方向に所定のシールド間隔で離間させた下部シールド層１０と上部シールド層３０の間に薄膜磁気ヘッド素子２０を有し、該薄膜磁気ヘッド素子２０を構成する各層の膜面に対して垂直方向（図示Ｚ方向）にセンス電流Ｉが流れたときに、薄膜磁気ヘッド素子２０の磁気抵抗効果を利用して記録媒体からの洩れ磁界を検出する。
【００２３】
下部シールド層１０及び上部シールド層３０は、磁気シールドとしての機能と薄膜磁気ヘッド素子２０に給電する電極としての機能とを両方備え、十分な磁気シールド効果が得られる軟磁性材料、例えばＮｉＦｅにより約１μｍ程度の膜厚で形成されている。上部シールド層３０は、薄膜磁気ヘッド素子２０の上に位置する第１上部シールド層３１と、この第１上部シールド層３１よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層３２とにより分離して形成されている。第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２は、均一の膜厚を有している。下部シールド層１０、第１上部シールド層３１及び第２上部シールド層３２のそれぞれは、薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗ及びハイト方向寸法ＭＲｈよりも十分に大きな面積で存在しており、十分な磁気シールド効果を発揮する。
【００２４】
薄膜磁気ヘッド素子２０としては、周知のように、巨大磁気抵抗効果を発揮する巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、トンネル巨大磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）を用いることができる。この薄膜磁気ヘッド素子２０は、図２及び図３に示されるように、図示Ｘ方向において下部シールド層１０及び第１上部シールド層３１のほぼ中央部に位置している。薄膜磁気ヘッド素子２０の最上層は、例えばＲｕ、Ａｕ、Ｃｕのような酸化しづらい材料からなるキャップ層２１である。本実施形態のキャップ層２１は、３ｎｍ程度の膜厚を有するＲｕ膜２１ａにより形成されている。薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅方向の両側部には、下部シールド層１０側から順に、第１絶縁層６１、ハードバイアス層６２及び第２絶縁層６３が積層形成されている。第１絶縁層６１及び第２絶縁層６３は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成され、ハードバイアス層６２と下部シールド層１０及び第１上部シールド層３１との間をそれぞれ埋めている。ハードバイアス層６２は、図示Ｘ方向に磁化されており、薄膜磁気ヘッド素子２０のフリー磁性層に該フリー磁性層の磁化を図示Ｘ方向に揃える縦バイアス磁界を与える。図２では図示されていないが、実際にはハードバイアス層６２の直下に、該ハードバイアス層６２の特性（保磁力、角形比）を向上させるためのバイアス下地層が形成されている。また、薄膜磁気ヘッド素子２０と下部シールド層１０及び第１上部シールド層３１との間には、下部シールド層１０及び第１上部シールド層３１と共に電極として機能する非磁性金属層がそれぞれ介在していてもよい。
【００２５】
薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側の位置では、絶縁層４０によって、下部シールド層１０と上部シールド層３０の間が埋められている。絶縁層４０は、その上面と薄膜磁気ヘッド素子２０の上面（キャップ層２１の上面）とが同一の高さ位置（図示Ｚ方向位置）になる膜厚で形成されている。第１上部シールド層３１と下部シールド層１０は、薄膜磁気ヘッド素子２０を介して導通接続し、薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側では絶縁層４０により絶縁されている。
【００２６】
絶縁層４０は、薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側であって第２上部シールド層３２と対向する位置に、下部シールド層１０の表面を一部露出させるコンタクトホール４１を有しており、このコンタクトホール４１内に、下部シールド層１０と第２上部シールド層３２とを導通接続させる低抵抗金属層５０が形成されている。低抵抗金属層５０は、下部シールド層１０及び上部シールド層３０よりも比抵抗が小さい金属材料からなり、具体的に例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＰｔ系金属材料（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ）のうち少なくとも１種を含んで形成されていることが好ましい。本実施形態の低抵抗金属層５０は、下部シールド層１０側から順にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｔａ／Ａｕを積層形成した多層構造をなしている。この低抵抗金属層５０の上面５０ａは、絶縁層４０の上面４０ａ及び薄膜磁気ヘッド素子２０の上面（キャップ層２１の上面）２０ａと同一平面を構成しており、第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２は同一の積層高さ位置にそれぞれ形成されている。
【００２７】
第２上部シールド層３２は、上記低抵抗金属層５０を介して下部シールド層１０と導通接続し、絶縁層４０を介して第１上部シールド層３１と絶縁されている。第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２の間には、薄膜磁気ヘッド素子２０、下部シールド層１０及び低抵抗金属層５０を経由するセンス電流経路が形成される。センス電流Ｉは、第１上部シールド層３１から薄膜磁気ヘッド素子２０、下部シールド層１０及び低抵抗金属層５０を経由して第２上部シールド層３２へ流れる。あるいは、第２上部シールド層３２から低抵抗金属層５０、下部シールド層１０及び薄膜磁気ヘッド素子２０を経由して第１上部シールド層３１へ流れる。図１及び図２の矢印は、第１上部シールド層３１から第２上部シールド層３２に向かってセンス電流Ｉを流した場合に生じる電流経路を示している。低抵抗金属層５０（及びコンタクトホール４１）は、図示Ｘ方向において薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗよりも大きな寸法で設けられ、大面積で下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２にそれぞれ接触しているので、該接触面（界面）ではセンス電流Ｉが膜面に対して平行に流れ、この結果、下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２の電気抵抗が低減する。
【００２８】
次に、図４〜図１０を参照し、図１〜図３に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の製造方法について説明する。
【００２９】
先ず、図４に示すように、例えばエッチング処理により下部シールド層１０の表面酸化層を完全に除去し、酸化層の生じていない新たな膜面を露出させる。次に、図５に示すように、新たな膜面を露出させた下部シールド層１０の上に、全面的に、薄膜磁気ヘッド素子２０を構成する各層を積層形成する。薄膜磁気ヘッド素子２０の最上層は、Ｒｕ膜２１ａとＴａ膜２１ｂの２層構造からなるキャップ層２１で形成する。Ｔａ膜２１ｂは、表面ぬれ性等によりＲｕがフォトリソグラフィ技術を施す面として適さないことから、フォトリソグラフィ工程を良好に行なうべく備えられたもので、上部シールド層を形成する際の前処理で完全に除去されるように１ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００３０】
続いて、図６に示すように、キャップ層２１の上に、形成すべき薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗを規定するリフトオフ用の第１レジスト層Ｒ１を形成する。第１レジスト層Ｒ１を形成したら、該第１レジスト層Ｒ１で覆われていない薄膜磁気ヘッド素子２０の各層をイオンミリングやエッチング等により除去し、該除去部分に下部シールド層１０を露出させる。この工程により、下部シールド層１０の図示Ｘ方向の中央部に、トラック幅寸法Ｔｗを有する断面略台形形状の薄膜磁気ヘッド素子２０が残る。なお、薄膜磁気ヘッド素子２０の図示Ｘ方向の両側端面にはイオンミリングで除去された物質の一部が再付着するので、この再付着物を再度ミリングで除去することが好ましい。続いて、薄膜磁気ヘッド素子２０の両側端面にかけて、第１絶縁層６１、ハードバイアス層６２及び第２絶縁層６３を連続でスパッタ成膜し、成膜後に第１レジスト層Ｒ１をリフトオフにより除去する。
【００３１】
第１レジスト層Ｒ１を除去したら、図７に示すように、キャップ層２１の上に、形成すべき薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向寸法ＭＲｈを規定するリフトオフ用の第２レジスト層Ｒ２を形成する。そして、第２レジスト層Ｒ２で覆われていない薄膜磁気ヘッド素子２０の各層と下部シールド層１０の一部をイオンミリングやエッチング等により除去する。この工程により、薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側には、表面酸化層の生じていない下部シールド層１０が露出する。本工程で新たに露出させた下部シールド層１０の領域と前工程で既に露出させてあった下部シールド層１０の領域との境界には、段差αが生じている。
【００３２】
続いて、露出させた下部シールド層１０の上に、すなわち、下部シールド層１０の上であって薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向奥側に、例えばＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層４０を成膜する。絶縁層４０は、その上面の積層高さ位置と薄膜磁気ヘッド素子２０の最上面の積層高さ位置とが一致する膜厚で形成する。絶縁層４０の成膜後は、リフトオフにより第２レジスト層Ｒ２を除去する。
【００３３】
第２レジスト層Ｒ２を除去したら、図８に示すように、薄膜磁気ヘッド素子２０及び絶縁層４０の上に、薄膜磁気ヘッド素子２０（及び下部シールド層１０の段差部α）よりもハイト方向奥側の所定位置にホール形成用空間βを有する第３レジスト層Ｒ３を形成する。ホール形成用空間βは、図示Ｘ方向において薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗよりも大きく、後工程で形成する低抵抗金属層５０と下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２との接触面積を例えば１００μｍ2程度の大面積で確保できる広さを有している。そして、第３レジスト層Ｒ３のホール形成用空間βから露出している絶縁層４０を例えばイオンミリングやエッチング等により除去してコンタクトホール４１を形成し、このコンタクトホール４１内に下部シールド層１０を露出させる。そして、更にイオンミリングまたはエッチング工程を継続し、コンタクトホール４１内に露出させた下部シールド層１０の表面酸化層を完全に除去する。このイオンミリングまたはエッチング工程において、薄膜磁気ヘッド素子２０の上面は第３レジスト層Ｒ３により覆われているのでエッチングによるダメージを受けることがない。表面酸化層を完全に除去するためには、コンタクトホール４１内に下部シールド層１０を露出させた後、更に１０ｎｍ程度、下部シールド層１０を削ることが好ましい。
【００３４】
続いて、図９に示すように、第３レジスト層Ｒ３を残したままの状態で、表面酸化層の生じていない新たな膜面を露出させた下部シールド層１０の上に低抵抗金属層５０を形成する。これにより、下部シールド層１０と低抵抗金属層５０の界面には表面酸化層が介在せず、下部シールド層１０と低抵抗金属層５０を確実に接触させて接触抵抗の安定化を図ることができる。低抵抗金属層５０は、下部シールド層１０及び上部シールド層３０よりも比抵抗が小さい金属材料、具体的に例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＰｔ系金属材料（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ）のうち少なくとも１種を含んで形成されていることが好ましい。本実施形態の低抵抗金属層５０は、下部シールド層１０側から順にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｔａ／Ａｕを積層形成した多層構造をなしている。この低抵抗金属層５０は、該上面５０ａの積層高さ位置と絶縁層４０の上面４０ａの積層高さ位置とを一致させる膜厚で形成する。別言すれば、低抵抗金属層５０の上面５０ａと絶縁層４０の上面４０ａと薄膜磁気ヘッド素子２０の上面（キャップ層２１の上面）２０ａとが同一平面を構成する膜厚で形成する。低抵抗金属層５０の形成後は、リフトオフにより第３レジスト層Ｒ３を除去する。
【００３５】
続いて、図１０に示すように、上部シールド層３０を形成する際の前処理として、例えばエッチングやイオンミリング等により薄膜磁気ヘッド素子２０、絶縁層４０及び低抵抗金属層５０の各上面２０ａ、４０ａ、５０ａを同時に削り、表面酸化層の生じていない新たな膜面をそれぞれ露出させる。薄膜磁気ヘッド素子２０、絶縁層４０及び低抵抗金属層５０に生じた表面酸化層を除去するために必要なエッチング量（ミリング量）はほぼ同じであるから、該薄膜磁気ヘッド素子２０、絶縁層４０及び低抵抗金属層５０のいずれかを必要以上に深く削ってしまうことがなく、エッチング量（ミリング量）を最小限に抑えることができる。上述したように薄膜磁気ヘッド素子２０の最上層はＲｕ膜２１ａとＴａ膜２１ｂの積層構造で形成されたキャップ層２１であるが、この工程によりＴａ膜２１ｂが全て除去され、キャップ層２１としてはＲｕ膜２１ａのみが残る。
【００３６】
そして、新たに露出させた薄膜磁気ヘッド素子２０のＲｕ膜２１ａ、絶縁層４０及び低抵抗金属層５０の上に全面的に上部シールド層３０をスパッタ成膜し、薄膜磁気ヘッド素子２０と低抵抗金属層５０の間に介在する絶縁層４０の上で該上部シールド層３０を第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２に分離する、開放部γを形成する。第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２は図示Ｚ方向の位置がほぼ同一にある。このようにセンス電流Ｉの流出入口となる第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２の積層高さ位置が同一であれば、後工程で外部に接続する場合に工程が容易になる。
【００３７】
以上により、図１〜図３に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１が得られる。
【００３８】
以上の実施形態によれば、コンタクトホール４１内に露出した下部シールド層１０上の表面酸化層を除去する工程と薄膜磁気ヘッド素子２０上の表面酸化層を除去する工程とが別々に行なわれ、薄膜磁気ヘッド素子２０の上面２０ａを第３レジスト層Ｒ３で覆った状態で上記下部シールド層１０を削るので、薄膜磁気ヘッド素子２０にエッチングによるダメージを与えることなく下部シールド層１０の表面酸化層を完全に除去することができる。そして、表面酸化層を完全除去した下部シールド層１０上に、該下部シールド層１０と第２上部シールド層３２を導通接続する低抵抗金属層５０を設けたので、上部シールド層３０を形成する際の前処理では薄膜磁気ヘッド素子２０の上面２０ａと低抵抗金属層５０の上面５０ａが同時に削られることから、下部シールド層と第２上部シールド層を直接接触させる従来構造（図１１）よりも少ないエッチング量（ミリング量）で表面酸化層を除去でき、薄膜磁気ヘッド素子２０へのダメージが少ない。このように第１上部シールド層３１、薄膜磁気ヘッド素子２０、下部シールド層１０、低抵抗金属層５０及び第２上部シールド層３２の間に生じる電流経路内に酸化層が介在しなければ、素子出力に寄与しない抵抗は増大しない。すなわち、薄膜磁気ヘッド素子２０と第１上部シールド層３１、及び低抵抗金属層５０と第２上部シールド層３２がそれぞれ確実に接触して接触抵抗の安定化が図れ、素子出力ノイズを低減させることができる。また、必要最小限のエッチング量で薄膜磁気ヘッド素子２０の表面酸化層を除去できることから、薄膜磁気ヘッド素子２０の最上層となるキャップ層２１を厚く備える必要がなく、狭シールド間隔化に有利となる。
【００３９】
また以上の実施形態によれば、上下シールド層１０、３０よりも比抵抗の小さい低抵抗金属層５０が図示Ｘ方向において薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗよりも大きく、下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２と大面積で接触して備えられているので、センス電流Ｉが低抵抗金属層５０と下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２の界面で該界面に対して平行に流れ、下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２の抵抗を低減させることができる。
【００４０】
本実施形態のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、再生用薄膜磁気ヘッドのみでなく、この再生用薄膜磁気ヘッド上にさらに記録用のインダクティブヘッドを積層した録再用薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態であるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの構造を素子中央で切断して示す部分断面図である。
【図２】図１のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの構造を記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図３】ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを上から見て示す模式平面図である。
【図４】図１に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図５】図４に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図６】図５に示す工程後に行なう一工程を、（ａ）素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図、（ｂ）記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図７】図６に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図８】図７に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図９】図８に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図１０】図９に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図１１】ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの従来構造を素子中央で切断して示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１     ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド
１０   下部シールド層
２０   薄膜磁気ヘッド素子
２０ａ 上面
２１   キャップ層
２１ａ Ｒｕ膜
２１ｂ Ｔａ膜
３０   上部シールド層
３１   第１上部シールド層
３２   第２上部シールド層
４０   絶縁層
４０ａ 上面
４１   コンタクトホール
５０   低抵抗金属層
５０ａ 上面
Ｒ１   第１レジスト層
Ｒ２   第２レジスト層
Ｒ３   第３レジスト層
α     段差部
β     ホール形成用空間
γ     開放部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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