(57)【要約】【課題】  トップエミッション型の発光素子を備えた表示装置において、表示面内で均一な発光強度が得られ、好ましくは屋外環境でも優れた視認性が得られる表示装置を提供する。【解決手段】  基板２０上に、前記発光素子５０を配設可能に区画形成された複数の素子領域１１０と、前記発光素子５０に導電接続された導電膜５２とが設けられており、１つの素子領域１１０に、画素電極１９と、発光層を含むＥＬ層２７と、透光性導電膜２８とを積層して含む発光素子５０が設けられ、他の素子領域１１０には、複数の前記素子領域１１０に跨って形成された透光性導電膜２８と、前記導電膜５２とが導電接続された導電接続部５１が設けられている構成の表示装置とした。【選択図】        図４
2005128310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極と、発光層を含む機能層と、第２の電極とを順次積層してなる発光素子が設けられた表示装置であって、
前記基板上に、前記発光素子を配設可能に区画形成された複数の素子領域を有し、
前記発光素子の第２の電極は、複数の前記素子領域に跨って形成された透光性導電膜を備えており、
該発光素子の第２の電極に電位を供給する導電部材が設けられ、
いずれかの前記素子領域の少なくとも一部に、前記導電部材と前記透光性導電膜とを導電接続する導電接続部が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
記導電接続部と、前記発光素子とが、１つの前記素子領域内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電接続部は、１つ又は複数の前記素子領域を占有して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記発光素子と導電接続部とは、絶縁性材料からなる隔壁により平面的に区画されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、光吸収性材料からなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板上に、前記導電部材を含む配線層が設けられ、該配線層上に形成された絶縁膜を介して前記発光素子が設けられており、
前記透光性導電膜と、前記導電部材とは、前記絶縁膜に貫設されたコンタクトホールを介して導電接続されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記導電部材は、前記配線層に平面ベタ状を成して形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記配線層に、前記発光素子の第１の電極と導電接続された電極配線が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
発光色の異なる複数種類の発光素子を備えるとともに、複数の前記発光素子を含んで１表示単位を構成する画素領域を備えており、
前記画素領域は、前記導電接続部が設けられた素子領域を含んでいることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記導電部材は、低反射性の導電材料からなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記導電部材は、Ｔｉ膜、Ｃｒ膜、あるいはＴｉ膜とＩＴＯ膜との積層膜であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記発光素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
バックライトなどを必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称す）素子を備えたＥＬ表示装置が注目されている。ＥＬ表示装置は、ＥＬ層（発光層）を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型とに分類される。近年では、ＥＬ表示装置の大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、発光素子の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション型のＥＬ表示装置の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
トップエミッション型のＥＬ表示装置では、光取り出し側の電極（上部電極）をＩＴＯ等の透明導電材料のベタ膜により形成している。ところが、これらの透明導電材料は金属に比して高抵抗であり、電極内での電圧降下が生じやすく、それにより発光層に印加される電圧が不均一になる。その結果、典型的には表示領域の中央で発光強度が低下し、表示性能が低下するという問題が生じる。そこで、このような電圧降下を防止するために、画素境界領域に上部電極とコンタクトするリブを設け、補助配線として用いる構成が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１９５００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記文献に記載の技術では、補助配線であるリブと上部電極との導電接続を確保するために、蒸着マスクを使ってＲＧＢ（赤、緑、青）の発光層を塗り分け、リブ上に発光層形成材料が付着する問題を回避することとしている。しかしながら、このような塗り分けを行うためには、高精度の蒸着マスクや、位置合わせ技術が要求され、これらの精度が十分でない場合、補助配線と上部電極との間に付着した発光層形成材料が抵抗成分となり、電圧降下を生じることになる。特に、２０インチを超える大型パネルにおいては、上記電圧降下が生じると発光強度のばらつきが極めて大きくなる。また、上記リブはＡｌ等の金属材料により形成されているため、外光が反射して視認性を低下させるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、トップエミッション型の発光素子を備えた表示装置において、表示面内で均一な発光強度が得られ、好ましくは屋外環境でも優れた視認性が得られる表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に第１の電極と、発光層を含む機能層と、第２の電極とを順次積層してなる発光素子が設けられた表示装置であって、前記基板上に、前記発光素子を配設可能に区画形成された複数の素子領域を有し、前記発光素子の第２の電極は、複数の前記素子領域に跨って形成された透光性導電膜を備えており、該発光素子の第２の電極に電位を供給する導電部材が設けられ、いずれかの前記素子領域の少なくとも一部に、前記導電部材と前記透光性導電膜とを導電接続する導電接続部が設けられていることを特徴とする表示装置を提供する。
この構成によれば、基板上を区画して設けられる素子領域に設けられた導電接続部を介して透光性導電膜の電位を制御可能であり、これにより発光素子の第２の電極にて電圧降下が生じるのを効果的に防止することができる。従って、表示領域内で発光素子を均一な強度で発光させることができ、表示品質に優れた表示装置を提供することができる。
【０００７】
本発明の表示装置では、前記導電接続部と、前記発光素子とが、１つの前記素子領域内に設けられている構成とすることもできる。また本発明の表示装置では、前記導電接続部は、１つ又は複数の前記素子領域を占有して形成されている構成とすることができる。
上記いずれの構成であっても、簡便な構成にて複数の素子領域に跨って形成される透光性導電膜の電圧降下を効果的に防止できる。また従来の表示装置に比して大きく構成を変更する必要がなく、製造の容易性にも優れている。
【０００８】
本発明の表示装置では、前記発光素子と導電接続部とは、絶縁性材料からなる隔壁により平面的に区画されている構成とすることができる。この構成によれば、導電接続部と発光素子とが隔壁で区画されるため、発光素子の形成工程にて用いられる材料等が、導電接続部に付着して抵抗成分となるのを効果的に防止することができる。また、この構成は、発光素子の構成要素である電極や機能層の形成に、液体材料を用いる場合に好適な構成である。導電接続部が１つ以上の素子領域を占有している場合には、前記素子領域同士を区画する隔壁であってもよい。
【０００９】
本発明の表示装置では、前記隔壁は、光吸収性材料からなることが好ましい。このような構成とすることで、発光素子と周辺領域とのコントラストを高め、高画質の表示を得ることができる。
【００１０】
本発明の表示装置では、前記基板上に、前記導電部材を含む配線層が設けられ、該配線層上に形成された絶縁膜を介して前記発光素子が設けられており、前記透光性導電膜と、前記導電部材とは、前記絶縁膜に貫設されたコンタクトホールを介して導電接続されている構成とすることもできる。
この構成によれば、表示装置の開口率に影響しない絶縁膜下側の層を用いて導電部材を引き回すことができ、開口率を低下させることなく表示品質を向上させることができる。また、コンタクトホール以外の領域では導電部材が絶縁膜に覆われるため、導電部材と、他の発光素子等の形成材料との接触が生じ難くなるという利点もある。
【００１１】
本発明の表示装置では、前記導電部材は、前記配線層に平面ベタ状を成して形成されていてもよい。このような構成とすれば、製造工程の複雑化を伴わず、導電部材を設けることが可能であり、製造コストの上昇を抑えつつ表示品質の向上を図ることができる。
【００１２】
本発明の表示装置では、前記配線層に、前記発光素子の第１の電極と導電接続された電極配線が設けられている構成とすることができる。すなわち、本発明では、発光素子の第１の電極、及び第２の電極にそれぞれ接続される電極配線と導電部材とを、絶縁膜下の同層に設けるた構成も適用できる。この構成によれば、導電部材と電極配線とを同工程にて形成でき、製造の効率化を実現できる。
【００１３】
本発明の表示装置では、発光色の異なる複数種類の発光素子を備えるとともに、複数の前記発光素子を含んで１表示単位を構成する画素領域を備えており、前記画素領域は、前記導電接続部が設けられた素子領域を含んでいる構成とすることができる。このような構成とすることで、例えば赤、青、緑の３色の発光素子により構成される画素領域を表示単位とするカラー表示装置において、画素領域毎に導電接続部が設けられた構成となるので、各画素領域における開口率を揃えることができるとともに、透光性導電膜、及び第２の電極の電圧降下を防止することができ、各画素領域の輝度の均一化に極めて有効である。
【００１４】
本発明の表示装置では、前記導電部材は、低反射性の導電材料からなることが好ましい。前記導電部材の配置形態によっては、導電部材に対して外光が入射可能になる場合があるが、このように低反射性の導電材料により形成しておくことで、外光の反射を効果的に防止し、強い外光が入射する屋外においても、良好な視認性を得ることが可能になる。
【００１５】
本発明の表示装置では、前記導電部材は、Ｔｉ膜、Ｃｒ膜、あるいはＴｉ膜とＩＴＯ膜との積層膜であることが好ましい。これらの金属膜、ないし積層膜を用いることで、導電部材の光反射率を良好に低減することができる。
【００１６】
本発明の表示装置では、前記発光素子は、エレクトロルミネッセンス素子である構成とすることができる。本発明は、上部電極に透光性の導電膜を用いるトップエミッション型のＥＬ表示装置に用いて好適な技術であり、本発明を適用することで、簡便な製造工程により製造が可能であり、均一な明るさの表示が得られるＥＬ表示装置を提供することができる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の表示装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示領域内で発光素子の発光強度が均一で、高輝度、高画質の表示が可能な表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す平面図、図２は、同、複数の画素の平面構成図、図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。尚、以下で参照する各図面については、各要素を見易くするために寸法や膜厚等を適宜異ならせて表示している。
【００１９】
まず、図１に基づいて、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の全体構成について説明する。
本例の有機ＥＬ表示装置１は、電気絶縁性および透光性を有する基板２０上に、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリクス状に配置されてなる平面視略矩形の画素部３（図１中の一点鎖線枠内）を具備して構成されている。画素部３は、中央部分の表示領域４（図１中の二点鎖線枠内）と、表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線枠と二点鎖線枠との間の領域）とに区画されている。表示領域４には、それぞれ画素電極を有する３色の表示ドットＲ、Ｇ、Ｂが、紙面の縦方向および横方向にそれぞれ離間してマトリクス状に配置されている。また、図１における表示領域４の左右には走査線駆動回路８０が配置される一方、図１における表示領域４の上下にはデータ線駆動回路９３が配置されている。これら走査線駆動回路８０、データ線駆動回路９３はダミー領域５の周縁部に配置されている。なお、図１においては、走査線およびデータ線の図示は省略している。
【００２０】
さらに、図１におけるデータ線駆動回路９３の上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥を検査できるようになっている。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されている。また、基板２０には駆動用外部基板９５が接続され、駆動用外部基板９５上に外部駆動回路１００が搭載されている。
【００２１】
図２は有機ＥＬ表示装置１の複数の画素を含む表示領域を示す平面構成図である。同図に示す表示領域には、電源線１０と信号線１１とにより囲まれた平面視矩形状の領域である素子領域１１０が示されている。４つの素子領域１１０のうち、３つの素子領域１１０に、発光素子５０が設けられ、残る１つの素子領域１１０には、導電接続部５１が設けられている。
上記各発光素子５０は、図１に示した表示ドットＲ，Ｇ，Ｂとして機能し、本表示装置における最小の表示単位を構成する。導電接続部５１には、発光素子５０が設けられた素子領域１１０と同様の平面形状のバンク２２が設けられているが、ＴＦＴ１２や、画素電極１９は設けられておらず、表示には寄与しない領域となっている。
【００２２】
発光素子５０は、電源線１０と走査線１１の交差点の近傍に設けられたスイッチング用ＴＦＴ１２（以下、単にＴＦＴと記す）を備えている。基板２０上に、例えば多結晶シリコン等からなる島状の半導体層１３が形成され、走査線１１から延在するゲート電極１４が半導体層１３と平面的に交差する構造によりＴＦＴ１２が構成されている。
【００２３】
ＴＦＴ１２のソース領域をなす半導体層１３の一端にはコンタクトホール１５が形成され、このコンタクトホール１５を介してＴＦＴ１２のソース領域と電源線１０とが電気的に接続されている。一方、ＴＦＴ１２のドレイン領域をなす半導体層１３の他端にもコンタクトホール１６が形成され、このコンタクトホール１６を介してＴＦＴ１２のドレイン領域と中継導電層１７とが電気的に接続されている。中継導電層１７は電源線１０と同層で形成されている。また、中継導電層１７はコンタクトホール１８を介して画素電極１９と電気的に接続されている。以上の構成により、ＴＦＴ１２のドレイン領域と画素電極１９とが中継導電層１７を介して電気的に接続されている。
【００２４】
なお、中継導電層１７と走査線１１とを平面的に重ねて配置することにより保持容量を形成しても良い。また、符号２２は、インクジェット法等に代表される液滴吐出法で後述するＥＬ層を形成する場合に、いわゆる堰（隔壁）としてＥＬ層の材料となる溶液を溜める囲いとなるバンクである。本実施の形態の場合、バンク２２は無機材料層２２Ａと有機材料層２２Ｂの２層構成となっており、画素電極１９の周縁に沿って環状に形成されている。
【００２５】
次に、図３及び図４を用いて有機ＥＬ表示装置１の断面構造について説明する。
まず、図３に示すように、ガラス等の透光性を有する基板２０上に、金属膜等からなる配線層（導電部材）５２が形成されている。本実施形態の場合、導電膜５２はベタ状の金属膜等により構成されている。この導電膜５２は、基板２０上に形成された発光素子５０の一方の電極を成す透光性導電膜２８と導電接続されるようになっており（図４参照）、電気伝導性に優れる金属材料等により形成することが好ましい。また、Ｔｉ膜やＣｒ膜、あるいはＴｉ膜とＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜との積層膜等の低反射性の金属膜を含む導電膜とすることが好ましく、このような構成とすることで、外光が強い屋外での使用に際しても、有機ＥＬ表示装置に入射した外光がこの導電膜５２により反射されるのを防止でき、良好な視認性を得られるようになる。
【００２６】
上記導電膜５２として、基板２０側からＴｉ膜とＩＴＯ膜とを順次積層した積層膜を用いる場合、ＩＴＯ膜の膜厚は６０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とすることが好ましい。ＩＴＯ膜の膜厚をこの範囲とするとほぼ可視光領域にわたって低い反射率が得られるからである。また、Ｔｉ膜の膜厚は３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲とすることが望ましい。Ｔｉ膜の膜厚が３０ｎｍよりも小さいと、反射率が高くなり、実用に供することができず、Ｔｉ膜の膜厚が５００ｎｍよりも大きいと、膜の内部応力が大きくなり、基板２０の反りや膜の剥離の原因となったり、素子を破壊するおそれがあるからである。さらに、ＩＴＯ膜の表面の算術平均粗さＲａを４ｎｍ〜５０ｎｍの範囲とすることが望ましい。ＩＴＯ膜の表面をこの程度粗すことにより更なる反射率の低減効果を得ることができるからである。
【００２７】
導電膜５２を覆って、例えばシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２３が形成され、下地絶縁膜２３上にＴＦＴ１２が形成されている。本実施の形態のＴＦＴ１２はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、半導体層１３には高濃度ソース領域１３ａ、低濃度ソース領域１３ｂ、チャネル領域１３ｃ、低濃度ドレイン領域１３ｄ、高濃度ドレイン領域１３ｅが形成されている。そして、半導体層１３上にゲート絶縁膜２４が形成され、ゲート絶縁膜２４を介してチャネル領域１３ｃと対向する領域にゲート電極１４が配置されている。ゲート電極１４および走査線１１を覆うように第１層間絶縁膜２５が形成され、第１層間絶縁膜２５上に電源線１０および中継導電層１７が形成されている。
【００２８】
電源線１０は、第１層間絶縁膜２５およびゲート絶縁膜２４を貫通するコンタクトホール１５を介して半導体層１３の高濃度ソース領域１３ａに接続されている。一方、中継導電層１７は、第１層間絶縁膜２５およびゲート絶縁膜２４を貫通するコンタクトホール１６を介して半導体層１３の高濃度ドレイン領域１３ｅに接続されている。
【００２９】
電源線１０および中継導電層１７を覆うように表面が平坦化された第２層間絶縁膜２６が形成され、第２層間絶縁膜２６上に画素電極１９が形成されている。画素電極１９は、第２層間絶縁膜２６を貫通するコンタクトホール１８を介して中継導電層１７に接続されている。画素電極１９は、Ａｌや銀等の反射性の金属膜により形成される。画素電極１９は、後述するＥＬ層に正孔を注入するための陽極として機能し、発光素子５０を構成する第１の電極を成すものである。画素電極１９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウムセリウム酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（亜鉛酸化物）等の透明導電材料で形成することもできる。また、画素電極１９は、Ａｌや銀等の反射性の金属膜とＥＬ層に正孔を注入するＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの材料とを積層した構成であっても良い。
【００３０】
画素電極１９の周縁部に沿って無機材料層２２Ａおよび有機材料層２２Ｂが形成され、これら無機材料層２２Ａおよび有機材料層２２Ｂの２層でバンク２２が構成されている。バンク２２によって区画された画素電極１９の中央部に有機ＥＬ素子（発光素子）を構成するＥＬ層２７が形成されている。本実施の形態において、ＥＬ層２７は、例えばチオフェン系導電性高分子からなる正孔注入（輸送）層２７Ａと発光ポリマー（ＬＥＰ）からなる発光層２７Ｂの２層で構成されている。ＥＬ層２７の構成としては、他にも正孔（電子）注入層と輸送層を別個に設けた構成、電子注入層、正孔注入層、発光層の３層からなる構成等を適用しても良い。
【００３１】
ＥＬ層２７を覆うように透光性導電膜２８が設けられている。透光性導電膜２８は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウムセリウム酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（亜鉛酸化物）等の透明導電材料で形成することができる。本実施の形態の場合、透光性導電膜２８はＥＬ層２７に電子を注入するための陰極として機能し、発光素子５０を構成する第２の電極を成すものである。
なお、各画素のＥＬ層２７の発光制御は各画素のＴＦＴ１２を介して画素電極１９に供給する電荷量によって行われるため、透光性導電膜２８は各画素に対して個別に形成する必要はなく、全ての画素にわたって形成すればよい。さらに、ＥＬ層２７への水分等の浸入を防止するため、透光性の封止層２９が設けられている。
【００３２】
次に、図４に示すように、導電接続部５１が設けられた素子領域１１０では、基板２０上に積層された下地絶縁膜２３、ゲート絶縁膜２４、第１層間絶縁膜２５、第２層間絶縁膜２６を貫通して導電膜５２に到るコンタクトホール５１ａが設けられており、複数の素子領域１１０を覆うようにベタ状に形成された透明導電膜２８と、導電膜５２とがコンタクトホール５１ａの底部にて電気的に接続されている。また図示は省略しているが、導電膜５２は、有機ＥＬ表示装置１に設けられた駆動回路や外部の駆動回路に接続され、任意の電圧を印加可能になっている。
【００３３】
以上の構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、基板２０上に複数の素子領域１１０を区画形成するとともに、係る素子領域１１０…に、発光素子５０又は導電接続部５１を配設する構成としたことで、導電膜５２及び導電接続部５１を介して、発光素子５０の陰極を成す透光性導電膜２８に任意の電圧を印加することができ、もって比較的抵抗の高い透光性導電膜２８における電圧降下を効果的に防止することができるようになっている。これにより、トップエミッション型の発光素子５０を表示領域内で均一な輝度にて発光させることができ、高画質の表示を得ることができる。
【００３４】
また本実施形態では、透光性導電膜２８と、その補助配線である導電膜５２とはいずれもベタ状膜であり、複雑な構造のメタルマスクを用いて選択形成する必要がなく、また精密アライメントも必要ない。よって製造の容易性が高く、導電膜５２と透光性導電膜２８との接触部分における抵抗ばらつきも生じ難くなる。従って、簡便な製造工程にて製造が可能でありながら、高画質の有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００３５】
有機ＥＬ表示装置１では、基板２０上を平面格子状に区画してなる素子領域１１０のうち、導電接続部５１が設けられた素子領域１１０は、表示画素としては機能しないため、ある頻度で表示領域内の画素が抜けている状態となるが、素子領域１１０及び発光素子５０は、数１０μｍ〜数ｍｍ程度の微細な寸法であるため、上記導電接続部５１が設けられた素子領域が目立って視認されることはない。特に、大型高精細の表示装置では、観察者は１〜数ｍ程度離れた位置にて表示画像を鑑賞するので、全く問題にならない。
【００３６】
尚、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、透光性導電膜２８と導電接続される導電膜５２が、ベタ状の金属薄膜である場合について説明したが、上記導電膜５２の形状は特に限定されず、例えば平面視線状に形成されていてもよい。このような線状の導電膜５２を用いる場合、電源線１０や中継導電層１７と同層（第１層間絶縁膜２５と第２層間絶縁膜２６との間の層）に導電部材を形成することができ、電源線１０等のパターン形成時に同時に前記導電膜を形成することができ、有機ＥＬ表示装置の製造を効率的に行えるようになる。導電膜５２は画素電極１９と基板２０の間に位置することが望ましい。このような構成とすることにより、表示装置の開口率に影響する画素電極１９と関係なく導電部材を引き回すことができるため、開口率を低下させることなく表示品質を向上させることができる。上記実施形態では、ガラス等の透光性を有する基板２０上に、金属膜等からなる配線層（導電部材）５２が形成されている構成について説明したが、トップエミッション型のＥＬ表示装置であれば、透光性を有する基板でなくてもよく、導電部材として機能することが可能な導電性を有する基板を用いても良い。
【００３７】
また、上記実施の形態で例示した各層の材料、膜厚、平面形状等の具体的な記載については適宜変更が可能である。上記実施の形態で図２の画素回路構成を用いて説明したが、これに限定されるものではない。有機ＥＬ素子をアクティブ・マトリクス方式で駆動する場合、電圧保持素子を設けて、有機ＥＬ素子に電流を供給する駆動トランジスタのゲート電圧を保持するとともに、選択期間に、画素の階調に応じた電圧を駆動トランジスタのゲートに書き込む構成が用いられるがこのような構成を用いても良い。
さらに表示装置の例としてＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型の例を挙げたが、薄膜ダイオード（Thin Film Diode,ＴＦＤ）をスイッチング素子としたアクティブマトリクス型の表示装置、パッシブマトリクス型の表示装置でも良い。さらに、有機ＥＬ表示装置のみならず、本発明は他の表示装置にも適用が可能である。
【００３８】
以下、上記構成の有機ＥＬ表示装置１の製造方法について簡単に説明する。
まず、基板２０の一面に、Ｔｉ膜やＣｒ膜、あるいはＴｉ膜とＩＴＯ膜との積層膜からなる導電膜５２を形成する。次いで、膜厚２００〜５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２３をプラズマＣＶＤ法等により成膜した後、下地絶縁膜２３上に膜厚３０〜７０ｎｍ程度のアモルファスシリコン膜からなる半導体層をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。次に、半導体層に対してレーザアニール等による結晶化処理を施し、半導体層を多結晶シリコン膜とする。次に、半導体層をパターニングして島状の半導体層１３とした後、膜厚６０〜１５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２４をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。次に、ＩＴＯ等の透光性材料をスパッタ法等により成膜した後、これをパターニングして走査線１１およびゲート電極１４を形成する。そして、ゲート電極１４をマスクとしたイオン注入により自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。
【００３９】
次に、第１層間絶縁膜２５を形成し、半導体層１３のソース・ドレイン領域に達するコンタクトホール１５，１６を形成した後、ＩＴＯ等の透光性材料をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして電源線１０および中継導電層１７を形成する。次に、第２層間絶縁膜２６を形成し、中継導電層１７に達するコンタクトホール１８を形成した後、ＩＴＯ等の透光性材料をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして画素電極１９を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法等により無機材料膜２２Ａを形成し、これをパターニングする。この無機材料膜２２Ａのパターン形成時に、図４に示したコンタクトホール５１ａを形成することができる。その後、有機材料膜２２Ｂを所定のパターンで形成し、バンク２２とする。有機材料膜２２Ｂの形成は、フォトリソグラフィー法、印刷法等を用いることができる。
【００４０】
次に、バンク２２により区画された領域内の画素電極１９上に、インクジェット法等の液滴吐出法を用いて高分子有機化合物を含む溶液を吐出し、ＥＬ層２７（正孔注入輸送層２７Ａおよび発光層２７Ｂ）を選択的に形成する。ＥＬ層２７の形成に際しては、有機化合物材料を含む溶液の充填と乾燥を層毎に繰り返す。ＥＬ層２７を形成した後、少なくとも画素部３の全面にＩＴＯ等からなる透光性導電膜２８をスパッタ法等により形成する。次に、透明樹脂や薄層による封止層２９を形成する。
次に、基板２０の有機ＥＬ素子５０を形成した側と反対側の面に、膜厚６０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴＯ膜３１Ａをスパッタ法等により成膜し、次いで、膜厚３０ｎｍ〜５００ｎｍのＴｉ膜３１Ｂをスパッタ法、イオンビーム蒸着法等により成膜することにより低反射層３１を形成する。以上の工程により、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１が完成する。
【００４１】
（表示装置の他の形態）
上記実施の形態では、導電接続部５１が、基板２０上に区画形成された素子領域の１つを占有して設けられている場合について説明したが、基板２０上における発光素子５０と導電接続部５１との配置形態は、上記構成に限定されず、種々の構成を適用することができる。図５は、本発明に係る表示装置の他の形態を示す平面構成図であって、有機ＥＬ表示装置の複数の素子領域を示す図である。
【００４２】
図５（ａ）に示す３つの素子領域１１０のうち、図示左右側の素子領域には、それぞれ発光素子５０が設けられており、図示中央の素子領域１１０には、他の領域より平面積の小さい発光素子５０ｓが配置されるとともに、導電接続部５１が設けられている。このような構成とするならば、先の実施形態の有機ＥＬ表示装置１に比して、導電接続部５１が観察者から視認され難くなり、また導電接続部５１を設けることによる開口率の低下も最小限に抑えることができる。特に、相対的に狭い面積の発光素子５０ｓを視感度の高い緑色の発光層に割り当てれば、色度や輝度のバランスを損なうことがなく都合がよい。
【００４３】
次に、図５（ｂ）には、３つの平面視長方形状の素子領域１１０が図示左右方向に配列され、中央の素子領域１１０に導電接続部５１が設けられた形態が示されている。この形態は、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色の発光素子５０により１表示単位を構成するカラー表示装置に、本発明を適用した場合を示している。
このように、本発明は、任意の画素形状を有する表示装置に適用することが可能であり、いずれの形態においても、表示領域内における発光素子５０の輝度均一化を達成でき、表示品質に優れた表示装置を提供することができる。
【００４４】
（電子機器）
図６は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ表示装置（表示装置）を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先の有機ＥＬ表示装置による均一な明るさの表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、実施形態の有機ＥＬ表示装置の全体構成図。
【図２】図２は、同、複数の素子領域を示す平面構成図。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図４】図４は、同、Ｂ−Ｂ’線に沿う断面構成図。
【図５】図５は、有機ＥＬ表示装置の他の形態を示す平面構成図。
【図６】図６は、電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００４６】
１  有機ＥＬ表示装置（表示装置）、１０  電源線（電極配線）、１１  走査線、１２  スイッチング用ＴＦＴ、１４  ゲート電極、１７  中継導電層、１９  画素電極（第１の電極）、２０  基板、２７  ＥＬ層（機能層）、２８  透光性導電膜（第２の電極）、５０  発光素子、５１  導電接続部、５１ａ  コンタクトホール、５２  導電膜（導電部材）
【図１】
2005128310.tif 000003
【図２】
2005128310.tif 000004
【図３】
2005128310.tif 000005
【図４】
2005128310.tif 000006
【図５】
2005128310.tif 000007
【図６】
2005128310.tif 000008