(57)【要約】【課題】エッジグロースを防止して開口率を向上し、かつアノード・カソード間ショートを回避し、またスメアの発生を抑制して高輝度、高画質の表示を可能とした有機ＥＬ表示装置を提供する【解決手段】基板ＳＵＢ上に配置された一方の電極ＩＴＯの上に形成される有機発光層ＯＣＴおよび他方の電極ＣＭでなる発光エリアを、膜厚が薄くテーパの少ない無機絶縁膜のバンクＢＭＰで囲む構成とし、バンクＢＭＰの段差を小さくすることでエッジグロースを無くし、隣接画素からの迷光の反射防止と電極の段切れを回避する。【選択図】          図１
2005005227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、
前記基板の主面上に二次元的に配置された複数の画素と、
前記基板の主面上に第１の方向に沿って並設された複数の走査信号線と、
前記基板の主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並設された複数のデータ信号線と、
前記基板の主面上に配置された複数の電流供給線を備え、
前記複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数のアクティブ素子と、
前記第１アクティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子と、
前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により発光する有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬ発光表示装置であって、
隣接する前記画素の有機ＥＬ素子の発光エリアが無機絶縁膜により分離されていることを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置。
【請求項２】
前記無機絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
【請求項３】
主面を有する基板と、
前記基板の主面上に二次元的に配置された複数の画素と、
前記基板の主面上に第１の方向に沿って並設された複数の走査信号線と、
前記基板の主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並設された複数のデータ信号線と、
前記基板の主面上に配置された複数の電流供給線を備え、
前記複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数のアクティブ素子と、
前記第１アクティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子と、
前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により発光する有機ＥＬ発光素子とを有する有機ＥＬ発光表示装置であって、
前記有機ＥＬ発光素子の一方の電極は、前記走査信号線に接続されたアクティブ素子のゲート電極と同一層上に形成され、隣接する前記画素の有機ＥＬ素子の発光エリアは前記アクティブ素子の層間絶縁膜により分離されていることを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置。
【請求項４】
前記データ保持素子の一方の電極は、前記有機ＥＬ発光素子の一方の電極と同一の材料で構成され、前記アクティブ素子のゲート電極と同一層上に配置されており、前記データ保持素子の他方の電極は、前記アクティブ素子の半導体層と同一材料で構成され、これら一対の電極と、該一対の電極で挟持された前記アクティブ素子のゲート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜とにより前記データ保持素子を構成していることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ発光表示装置。
【請求項５】
主面を有する基板と、
前記基板の主面上に二次元的に配置された複数の画素と、
前記基板の主面上に第１の方向に沿って並設された複数の走査信号線と、
前記基板の主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並設された複数のデータ信号線と、
前記基板の主面上に配置された複数の電流供給線を備え、
前記複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数のアクティブ素子と、
前記第１アクティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子と、
前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により発光する有機ＥＬ発光素子）とを有する有機ＥＬ発光表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子の一方の電極は、これを取り囲む絶縁膜中に埋め込まれており、
前記一方の電極の表面高さは、これを取り囲む絶縁膜の表面の高さと略同一であり、前記一方の電極のパターン端部の側面は有機ＥＬ素子を構成する材料と隔離されていることを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、その各画素にエレクトロルミネッセンス現象により発光する有機材料からなる領域が設けられた有機ＥＬ発光表示装置に係り、各画素に設けられたスイッチング素子によるアクティブ・マトリクス駆動で画像を表示する有機ＥＬ発光表示装置に好適な画素構造を有する有機ＥＬ発光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブ・マトリクス方式で駆動される（ＴＦＴ型ともよばれる）有機ＥＬ発光表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）は、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラットパネル・ディスプレイとして期待されている。
【０００３】
従来の有機ＥＬ発光表示装置の画素構成及び画素回路は、例えば下記特許文献１乃至４に開示されている。
【特許文献１】
日本国：特開平１１−３２９７１５  号公報
【特許文献２】
日本国：特表平１１−５０３８６８  号公報
【特許文献３】
日本国：特表平１１−５０３８６９  号公報
【特許文献４】
米国：特許第６，１５７，３５６  号明細書
【特許文献５】
米国：特許第  ５，５６１，４４０号明細書
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の有機ＥＬ発光表示装置では、一方の電極（例えばアノード電極、以下アノード電極として説明する）上に有機絶縁材料で形成した厚膜のバンク（上記一方の電極の一部を露出する如く発光部（発光領域または発光エリアとも称する）を形成する堤状構造または隣接画素間の隔離構造）で有各画素を構成する機ＥＬ素子（発光層）の上記発光エリアを規定している。そして、このバンクの内部に有機ＥＬ素子の発光層を形成し、さらにその上層を他方の電極（例えばカソード電極、以下カソード電極として説明する）で覆った構造を持つ。アノード電極とカソード電極とは発光エリアの外周でバンクにより絶縁されている。
【０００５】
上述した有機ＥＬ素子からの光で生じる不測の問題は、有機ＥＬ表示装置の発光領域（有機材料層）を画素間で隔てる絶縁膜（所謂バンク層）を通して、或る画素で生じた光が、これに隣接する他の画素に迷光となって漏れ出ることにも起因すると考えられる。斯様に生じる光漏れは、スメア（Ｓｍｅａｒ  ）やコントラスト不良として有機ＥＬ表示装置のユーザに知覚される。
【０００６】
また、有機ＥＬ発光表示装置に表示される画像のコントラストという観点では、非発光状態にある画素の黒色度を上げることが非常に重要になる。有機ＥＬ発光表示装置では、基板内で光の反射等による光漏れが黒表示に与える影響は、液晶表示装置におけるそれより大きくなる。従って、白表示状態の画素の高い輝度も、この画素が黒表示状態にあるときに生じる光漏れにより相殺され、表示画像のコントラストは依然低いレベルに留まる。その結果、この表示画像の画質は、液晶表示装置の表示画像に比べて劣らざるを得ない。
【０００７】
さらに、上記した所謂バンクの材料として有機材料を用いた有機ＥＬ発光表示装置では、その製造工程において、所謂高分子系の有機ＥＬ材料が溶液状態で各画素に供給される場合、当該有機ＥＬ材料の溶液を一時的に蓄えられる深さの開口を上記バンクに設けねばならない。このため、ＴＦＴ基板側に光を放つボトムエミッション型の有機ＥＬ発光表示装置では、このバンクの開口がＴＦＴ基板側で狭まることによる発光領域の縮小も考慮せねばならない。従って、バンク上面にて開口形成に宛がわれる領域は、あまり小さくすることができない。その一方、各画素には、これに設けられた有機ＥＬ素子を制御する画素回路も形成される。従って、各画素においては、画素回路に含まれるスイッチング素子や容量素子に提供される領域を確保することが必要とされる。このような事情において、各画素には、その内部に上記２つの領域を平面的に巧く配置することが要請される。
【０００８】
上記高分子量の有機ＥＬ材料に比べて、各画素に昇華された状態で供給できる所謂低分子量の有機ＥＬ材料では、上記バンク開口を浅く形成することが許される。しかし、低分子量の有機ＥＬ材料からなる有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置においても、上述の如く、各画素に発光領域と画素回路領域とを平面的に配置することが要請される。
【０００９】
このような有機ＥＬ発光表示装置は高輝度で明るい画像表示が行える利点を持つ一方で、その画素毎に設けられた有機ＥＬ素子の発光部（発光エリア）がその周辺部分から非発光となる領域が成長し、その結果として画面全体の輝度が低下するエッジグロースと呼ばれる劣化現象が観察されている。このエッジグロースが発生する原因として、発光エリアを規定している有機薄膜で形成されるバンク材料から有機ＥＬ素子内に水分あるいは酸素等、有機ＥＬ材料を変質させる何らかの物質が拡散している可能性が指摘されている。エッジグロースが発生すると、所謂開口率が減少して上記した画面全体での輝度が低下することになる。
【００１０】
また、試作した有機ＥＬ発光表示装置に表示装置の検査に用いられるＡＮＳＩパターンを表示したときのコントラスト比（ＡＮＳＩコントラスト）が５０程度と低い値に留まることも観察されている。これは、黒表示部の画素に白表示部（発光部）の画素からの迷光が到達し、この迷光が画素のバンク開口のテーパ部から反射して黒表示部の輝度が十分に小さくならないためであることが確かめられている。さらに、この迷光が連続して画面上に出射するとスメアとなって画質を劣化させてしまう。
【００１１】
さらに、発光エリアを規定する厚膜のバンクに有機ＥＬ素子を塗布し、その上を覆い、かつバンクの全面を覆うようにカソード電極を形成しているため、バンクの開口端部における段差でカソード電極とアノード電極とにショートが発生することがある。
【００１２】
本発明の目的は、上記従来技術に於ける諸問題を解決してエッジグロースを防止して開口率を向上し、かつアノード・カソード間ショートを回避し、またスメアの発生を抑制して高輝度、高画質の表示を可能とした有機ＥＬ発光表示装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の代表的な例を以下に記す。すなわち、
（１）本発明による有機ＥＬ発光表示装置の第１例は、主面を有する基板と、前記基板の主面上に二次元的に配置された複数の画素と、前記基板の主面上に第１の方向に沿って並設された複数の走査信号線と、前記基板の主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並設された複数のデータ信号線、及び前記基板の主面上に配置された複数の電流供給線を備える。この複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数のアクティブ素子、前記第１アクティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子、並びに、前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により発光する有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）とを有する。そして、隣接する前記画素の有機ＥＬ素子の発光エリアを、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜のいずれかで形成される無機絶縁膜により分離した。
【００１４】
（２）本発明による有機ＥＬ発光表示装置の第２例は、主面を有する基板と、前記基板の主面上に二次元的に配置された複数の画素と、前記基板の主面上に第１の方向に沿って並設された複数の走査信号線と、前記基板の主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並設された複数のデータ信号線、及び前記基板の主面上に配置された複数の電流供給線を備える。この複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数のアクティブ素子、前記第１アクティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子、並びに、前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により発光する有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）とを有する。そして、前記有機ＥＬ発光素子の一方の電極は、前記走査信号線に接続されたアクティブ素子のゲート電極と同一層上に形成され、隣接する前記画素の有機ＥＬ素子の発光エリアを前記アクティブ素子の層間絶縁膜により分離した。
【００１５】
また、前記データ保持素子の一方の電極を、前記有機ＥＬ発光素子の一方の電極と同一の材料で構成し、前記アクティブ素子のゲート電極と同一層上に配置し、前記データ保持素子の他方の電極を、前記アクティブ素子の半導体層と同一材料で構成し、これら一対の電極と、該一対の電極で挟持された前記アクティブ素子のゲート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜とにより前記データ保持素子を構成した。
【００１６】
（２）本発明による有機ＥＬ発光表示装置の第３例は、主面を有する基板と、前記基板の主面上に二次元的に配置された複数の画素と、前記基板の主面上に第１の方向に沿って並設された複数の走査信号線と、前記基板の主面上に前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って並設された複数のデータ信号線、及び前記基板の主面上に配置された複数の電流供給線を備える。この複数の画素の各々は、前記複数のデータ信号線の一つにより伝送されるデータ信号を前記複数の走査信号線の一つにより印加される電圧信号に応じて取り込む第１アクティブ素子と前記複数の電流供給線の一つから供給される電流を前記データ信号に応じて調整する第２アクティブ素子とを含む複数のアクティブ素子、前記第１アクティブ素子で取り込まれた前記データ信号を保持するデータ保持素子、並びに、前記第２アクティブ素子で調整された電流の供給により発光する有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）とを有する。そして、前記有機ＥＬ素子の一方の電極を、これを取り囲む絶縁膜中に埋め込み、前記一方の電極の表面高さを、これを取り囲む絶縁膜の表面の高さと略同一とし、前記一方の電極のパターン端部の側面を有機ＥＬ素子を構成する材料と隔離した。
【００１７】
また、上述した本発明による有機ＥＬ発光表示装置の更に具体的な他の構成例の夫々は、以下のように記述される。
【００１８】
（３）有機ＥＬ発光表示装置には、前記複数の画素の一つに配置された前記有機ＥＬ素子からの複数の画素の一つ又はこれに隣接する前記複数の画素の他の一つに配置された前記複数のアクティブ素子へ向けて放射される光を遮る位置に配置された第１の光シールド部材、及び前記複数の画素の互いに隣接する一対の境界に配置され且つ複数の画素の一対間での光漏れを境界にて遮る第２の光シールド部材をも備える。
【００１９】
（４）有機ＥＬ発光表示装置では、前記複数のアクティブ素子は、例えば半導体の多結晶又は擬似単結晶からなるチャネル層を有する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子として設けられる。有機ＥＬ発光表示装置に設けられる前記有機ＥＬ素子の一例は、前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透明電極、前記透明電極上に形成され且つこの透明電極の上面の一部を露出する開口を有する絶縁膜（前記バンク）、及び、前記透明電極の前記上面の一部上に形成された有機材料層を含む。前記絶縁膜は、暗色（黒色）の材料や無機材料で形成される。前記絶縁膜は、ポリイミド系材料で形成してもよい。また、前記絶縁膜の前記開口の断面は、前記透明電極の上面に向けてテーパ状に形成してもよい。
【００２０】
（５）前記有機ＥＬ素子が、前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透明電極、前記透明電極上に形成され且つこの透明電極の上面の一部を露出する開口を有する絶縁膜（前記バンク）、及び、前記絶縁膜の前記開口及びこの絶縁膜の開口に沿う部分を覆い且つ前記透明電極の前記上面の一部を通して前記電流が供給される有機材料層を含む場合、前記絶縁膜の前記部分と前記有機材料層との間に形成される境界は、前記基板主面から見て前記光シールド部材で覆われる。
【００２１】
（６）前記光シールド部材として、前記走査信号線の一部及び前記データ保持素子の電極の一方として形成された導体層の少なくとも一つが提供される。
【００２２】
（７）前記光シールド部材として、前記走査信号線と同層で形成され且つ前記基板主面から見て前記有機エレクトロルミネセンス素子の発光領域の周辺にリング状、Ｌ字状、又はＵ字状に成形された導体層が提供される。
【００２３】
（８）前記光シールド部材は、前記データ信号線及び前記電流供給線の少なくとも一方と同層に形成され且つ前記有機ＥＬ素子に電流を供給する配線の一部であり、例えば、前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける有機ＥＬ素子の前記透明電極に電気的に接続される。
【００２４】
（９）前記光シールド部材は、アルミニウム層を含む。
【００２５】
（１０）前記光シールド部材は前記複数の画素の各々に配置され、この複数の画素の各々にて前記複数のアクティブ素子と前記有機ＥＬ素子とはこの光シールド部材により前記基板主面沿いに分離される。
【００２６】
（１１）前記有機ＥＬ素子は、前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける透明電極、前記透明電極上に形成され且つこの透明電極の上面の一部を露出する開口を有する絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記開口及びこの絶縁膜の開口に沿う部分を覆い且つ前記透明電極の前記上面の一部を通して前記電流が供給される有機材料層を含む場合、前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シールド部材は前記基板主面と前記透明電極との間に形成され、且つ前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シールド部材の少なくとも一つは前記絶縁膜の下側から前記絶縁膜の開口の下側へ延在する。
【００２７】
（１２）前記第１の光シールド部材は前記走査信号線の一部及び前記データ保持素子の電極の一方として形成された導体層の少なくとも一つで成形され、前記第２の光シールド部材はこのデータ保持素子の一方の電極として形成された導体層及び前記電流供給線に接続された導体層の少なくとも一つである。
【００２８】
（１３）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シールド部材の一方は、前記走査信号線の一部であり、その他方はこの走査信号線と同層で形成され且つ前記基板主面から見て前記有機ＥＬ素子の発光領域の周辺にリング状、Ｌ字状、又はＵ字状に成形された導体層である。
【００２９】
（１４）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シールド部材の少なくとも一方は、前記データ信号線並びに前記電流供給線の少なくとも一方の一部、又はこのデータ信号線並びにこの電流供給線の少なくとも一方と同層で形成され且つ前記有機ＥＬ素子に電流を供給する配線の一部（例えば、例えば、前記第２アクティブ素子から供給される電流を受ける有機ＥＬ素子の前記透明電極に電気的に接続される）である。
【００３０】
（１５）前記第１の光シールド部材及び前記第２の光シールド部材は、アルミニウム層を含む。
【００３１】
（１６）前記複数の画素の各々は、前記基板主面沿いに前記複数のアクティブ素子が形成される領域と前記有機ＥＬ素子が形成される他の領域とに分かれている。
【００３２】
尚、本発明は上記の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能である。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の一実施例における一画素付近の構成を説明する断面図である。また、図２は図１に示した一画素付近の平面図である。ここでは、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３としてのアクティブ素子が薄膜トランジスタである場合として説明する。図１、図２において、参照符号ＳＵＢは主面に窒化シリコンＳｉＮ、酸化シリコンＳｉＯ２  を成膜した透明なガラスを好適とする基板であり、前記したＴＦＴ基板となるものである。この酸化シリコンＳｉＯ２  膜の上のスイッチング素子領域に半導体膜のパターニングでファーストゲートＦＧが形成されている。ファーストゲートＦＧを覆ってゲート絶縁膜ＧＩが形成され、ゲート絶縁膜ＧＩの上にセカンドゲートＳＧがパターニングされ、さらにその上を覆って絶縁膜１Ｂが成膜されている。
【００３４】
参照符号ＡＬはスイッチング素子のドレイン電極となるスイッチング素子間の配線（スイッチ間配線、信号配線、ドレイン配線）、ＡＬＳはソース電極でかつスイッチング素子間の配線兼シールド部材（スイッチ間配線兼シールド部材）を示し、絶縁膜１Ｂとゲート絶縁膜ＧＩを貫通するコンタクトホールを通してファーストゲートＦＧに接続されている。スイッチ間配線ＡＬとスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳを覆って絶縁膜１Ｃが成膜されている。この絶縁膜１Ｃに設けたコンタクトホールを通してスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳに接続する一方の電極ＩＴＯが発光エリアに延びている。ここでは、一方の電極ＩＴＯはアノード電極である。
【００３５】
一方の電極ＩＴＯ上には無機絶縁材料の成膜で、発光エリアに開口部（バンク開口、後述の図４に参照符号ＯＰＥＮで示す）を有するバンクＢＭＰが形成されている。したがって、バンクＢＭＰはその開口部に凹みを有した形状となっている。このバンクＢＭＰと、バンク開口に露呈した一方の電極（透明電極）ＩＴＯを覆ってホール輸送層ＨＴＬ、および発光層を構成する有機材料層ＯＣＴが形成されている。この有機材料層ＯＣＴはバンク開口の内縁を覆って形成されている。そして、最上層には他方の電極（ここでは、カソード電極）ＣＭが全面に形成されている。
【００３６】
本実施例による有機ＥＬ発光表示装置は、隣接する前記画素の有機ＥＬ素子の発光エリアが、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜のいずれかで形成され無機絶縁膜のバンクにより分離されている。これにより、バンク材料からの水分や酸素などが有機ＥＬ層に拡散することがなく、従って前記したエッジグロースの発生が抑制されて開口率の低下のない高輝度の画像表示を得ることができる。
【００３７】
また、このバンクＢＭＰは他方の電極ＣＭの厚みよりも薄く形成され、バンク開口における他方の電極ＣＭの凹みの深さは他方の電極ＣＭの厚み以下とされる。これにより、バンクＢＭＰの内周縁の段差が小さくなり、バンク開口のテーパ部から迷光の反射が抑制されて輝度の低下が防止される。その結果、スメアの発生の抑制される。さらに、バンクの開口端部における段差が小さいために、バンクにピンホールやクラック等が発生し難く、従来のようなカソード電極とアノード電極とのショートを防止できる。
【００３８】
また、有機ＥＬ発光素子の一方の電極は、前記走査信号線に接続されたアクティブ素子のゲート電極と同一層上に形成され、隣接する前記画素の有機ＥＬ素子の発光エリアは前記アクティブ素子の層間絶縁膜により分離されている。データ保持素子の一方の電極は、有機ＥＬ発光素子の一方の電極と同一の材料で構成され、前記アクティブ素子のゲート電極と同一層上に配置されており、前記データ保持素子の他方の電極は、前記アクティブ素子の半導体層と同一材料で構成され、これら一対の電極と、該一対の電極で挟持された前記アクティブ素子のゲート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜とにより前記データ保持素子を構成している。
【００３９】
また、有機ＥＬ素子の一方の電極は、これを取り囲む絶縁膜中に埋め込まれており、前記一方の電極の表面高さは、これを取り囲む絶縁膜の表面の高さと略同一であり、前記一方の電極のパターン端部の側面は有機ＥＬ素子を構成する材料と隔離されている。
【００４０】
このように、エッジグロースを防止して開口率を向上し、かつアノード・カソード間ショートを回避し、またスメアの発生を抑制して高輝度、高画質の表示を可能とした有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００４１】
なお、このような主面に積層膜構造を形成した基板ＳＵＢは、その主面側をカバーガラスＣＧで封止し、封止内部の間隙ＢＧに図示しない乾燥剤を装入し、あるいは不活性ガスを充填して有機ＥＬ表示装置とする。
【００４２】
また、図２の平面図において、参照符号はデータ信号線、ＧＬは走査信号線、ＰＬは電流供給線、ＣＬ１，ＣＬ２はコントロール信号線、Ｃ１，Ｃ２は容量素子（コンデンサ）を構成する導体層、ＤＴはドライブトランジスタとなるスイッチング素子を示す。
【００４３】
図３（Ａ）は、本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の一例における一つの画素を示す平面図である。図１（Ｂ）は、この一つの画素（画素素子）の等価回路を図１（Ａ）に示すスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２、及び後述のコンタクト・ホール（図３（Ａ）にて二重の四角形状で示される）Ｃｏｎｔ−ＤＬ，Ｃｏｎｔ−ＰＬ、ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３として形成されるノード（Ｎｏｄｅ）に対応させて示す。
【００４４】
容量素子を構成する導体層Ｃ１，Ｃ２の各々は、絶縁材料層（誘電体層）を挟む一対の電極として設けられた半導体層ＣＳｉとその上部に横たわる導体層Ｃ１又はＣ２との対で記された参照符号にて特定される。画素毎に設けられる有機ＥＬ素子（発光素子）ＬＥＤもこの等価回路に含まれるが、図３（Ａ）には完全に図示されてはいない。図３（Ａ）（Ｂ）において、有機ＥＬ素子ＬＥＤは透明電極ＩＴＯ（その輪郭が図３（Ａ）に一点鎖線で示される）とその上面に順次積層される有機材料層及び電極層（ともに図３（Ａ）には示されない）とからなる。
【００４５】
図４は本発明の有機ＥＬ発光表示装置の画像表示領域の一部を説明する平面図である。本発明の有機ＥＬ表示装置の画像表示領域には、複数個の図３に示す画素を図４に示す如く２次元的に配置した所謂アクティブ・マトリクスの画素アレイが設けられる。図３（Ｂ）に示す１画素分の等価回路に含まれる各部材（半導体層ＣＳｉや電極層Ｃ１，Ｃ２）は、図４の画素領域ＰＩＸに対応する破線枠内に概ね囲まれる。
【００４６】
図３（Ａ）にて参照符号ＯＰＮが付された八角形の輪郭は、バンクＢＭＰの開口部を示す。バンクＢＭＰは、透明電極ＩＴＯの上面の周縁に形成される絶縁材料層であり、その開口から露出される透明電極ＩＴＯの上面に上述の有機材料層（図２に参照符号ＯＣＴとして示される）が接する。バンクＢＭＰは一方の電極である透明電極ＩＴＯ上に形成される有機材料層を画素毎に電気的に分離し、その開口部ＯＰＮは画素毎に設けられる有機ＥＬ素子ＬＥＤ（図１（Ｂ）参照）の発光領域とほぼ一致する。
【００４７】
一方、本実施例にて、透明電極ＩＴＯとともに有機材料層を挟んで有機ＥＬ素子ＬＥＤをなす上述の電極層（図１０以降に部材ＣＭとして後述される）は複数の画素に跨り、ツイステッド・ネマティック型（所謂ＴＮ型）の液晶表示装置における対向電極（共通電極）の如く形成される。図３（Ａ）にてバンクＢＭＰの開口ＯＰＮとして示される有機ＥＬ素子ＬＥＤには、電流供給線ＰＬの分岐線からノードＣＨ３，スイッチング素子ＤＴ，ノードＣＨ２，スイッチング素子ＳＷ２が順次設けられた電流パスを通過した電流（電荷）が、この電流パスにコンタクトホールＣｏｎｔ−ＩＴＯを通して電気的に接続される透明電極ＩＴＯを通して供給される。ドライブトランジスタＤＴ及びスイッチング素子ＳＷ２の各々（図３（Ａ）にて円で囲まれる）にて、この電流パスは半導体層（図中、濃い灰色で表示）として形成され、その上部には金属又は合金からなる電極層（図中、淡い灰色で表示）が絶縁層を介して形成される。換言すれば、上記電流パスにおける電荷の流れは、これに設けられたドライブトランジスタＤＴ及びスイッチング素子ＳＷ２（これらに対応する半導体層に印加される電界）により制御される。例えば、スイッチング素子ＳＷ２を通過する電流パスの電荷は、コントロール信号線ＣＬ１に印加される電界により制御される。
【００４８】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す本実施の形態の各画素における有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流注入は、ドレイン線（映像信号線）ＤＬから画素毎に供給される映像信号（電圧信号）に応じて制御される。換言すれば、有機ＥＬ素子ＬＥＤには、このドレイン線ＤＬで伝送される映像信号に応じた電流が印加される。スイッチング素子ＳＷ１はコントロールトランジスタとも呼ばれ、この領域を示す円内で、ノードＣｏｎｔ−ＤＬにてドレイン線ＤＬと電気的に接続された半導体層を２回跨ぐように走査信号線ＧＬが形成される。図３（Ａ）に示されるスイッチング素子ＳＷ１のように、そのチャネル層（半導体層）と２回交差するゲート電極（ここでは走査信号線ＧＬ）は、デュアル・ゲートとも呼ばれる。スイッチング素子ＳＷ１から出力された映像信号は、２つのコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２を跨ぐ導体層を経て、容量素子Ｃ１−ＣＳｉをなす一対の電極の一方たる導体層Ｃ１に到達する。従って、ドレイン線沿いに並設される画素行（ドレイン線の延伸方向に交差する方向に並ぶ画素群）の各々に属する各画素には、この画素行に対応した走査信号線ＧＬで伝送される走査信号に応じて、ドレイン線ＤＬから映像信号が入力され、その電圧は各画素に次の映像信号が入力されるまで容量素子Ｃ１−ＣＳｉに保持される。この容量素子Ｃ１−ＣＳｉは、ＴＮ型の液晶表示装置にて液晶層を挟む一対の電極からなる容量の如く機能する。
【００４９】
一方、有機ＥＬ素子ＬＥＤの輝度は、これに電流を供給する電流パスに設けられたドライブトランジスタＤＴで制御される。このため、このスイッチング素子はドライブトランジスタと呼ばれる。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されるように、本実施の形態では、ドライブトランジスタＤＴを示す円内で、ノードＣＨ１にて容量素子Ｃ１−ＣＳｉをなす一対の電極の他方たる半導体層ＣＳｉと電気的に接続された導体層が、上記電流パスの半導体層の上部に形成される。従って、ドレイン線ＤＬから入力された映像信号に応じて容量素子Ｃ１−ＣＳｉに保持された電圧に応じた電流が、電流供給線ＰＬからドライブトランジスタＤＴを通して、有機ＥＬ素子の発光領域（上述のバンクの開口ＯＰＮに対応）に書き込まれる。
【００５０】
なお、走査信号線ＧＬは上述のノードＣｏｎｔ−ＤＬ等をなすコンタクトホール（二重の四角形状として図３（Ａ）に示される）を避けるジグザク形状に形成されるが、画像表示領域全体においては図４に例示されるようにドレイン線ＤＬや電流供給線ＰＬの延伸方向に交差する方向に延びる。走査信号線ＧＬは、画素内にてこれに隣接する画素（図３（Ａ）では上側）の発光領域（開口ＯＰＮ）に沿い、上記電流供給線ＰＬの分岐線にオーバーラップされる。このように形成された走査信号線ＧＬは、当該画素に設けられる上記スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴの各々のチャネル層（図中、濃い灰色で示される半導体層）よりもその上側（隣の画素側）に横たわる。従って、走査信号線ＧＬを金属、合金等の光を吸収し易い又は光を反射し易い材料で形成することにより、これらのチャネル層をドレイン線ＤＬ又は電流供給線ＰＬ沿いに隣接する他の画素（図３（Ａ）では上隣の画素）で生じた光から隠すことができる。特に、電流供給線ＰＬの分岐線が光を吸収又は反射し易い材料で形成されると、これにオーバーラップされる走査信号線ＧＬの部分は上記チャネル層の各々を効率よく遮光する（この走査信号線ＧＬの一部分は、図４にて遮光層ＧＬＳを示す円に囲まれる）。このような走査信号線ＧＬは、本発明による遮光構造を特徴付ける一つであり、走査信号線ＧＬに代えて、ドレイン線ＤＬや電流供給線ＰＬの延伸方向に交差する方向に延びるコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２で上述の遮光構造を形成してもよい。
【００５１】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す如く、本実施例に示す画素の夫々には、２本のコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２とそのいずれかにより制御されるスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３が設けられる。有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流供給量でその輝度を制御する所謂電流駆動型の有機ＥＬ発光表示装置では、その動作原理からして、斯様なコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２やスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３の配置を必ずしも要しない。例えば、図１８に示される有機ＥＬ表示装置や図２０に示されるその画素構造では、これらのコントロール信号線やスイッチング素子が設けられない。夫々の画素に配置されるドライブトランジスタＤＴの特性（特に「閾電圧値」）にバラツキがなく又はそれが無視できる限り、図２０に示される画素構造の有機ＥＬ発光表示装置を実用に供することができる。
【００５２】
またはドライブトランジスタＤＴの特性の線形領域を用いて時間軸の制御で輝度の変調を行う方式により有機ＥＬ発光表示装置を実用に供することができる。しかし、ドライブトランジスタＤＴのチャネル層をシリコン等の半導体材料の多結晶や擬似単結晶で形成する場合、その結晶化工程（例えば、レーザ照射によるアニーリング）の条件が画素間で異なる可能性は否めない。このような結晶化工程の条件の相違は、一つの有機ＥＬ発光表示装置の画像表示領域内にドライブトランジスタＤＴの特性が互いに異なる画素を共存させ、その結果、例えば画面全体を同じ階調で表示する画像データが入力された有機ＥＬ表示装置の画像表示領域内に輝度の相違（輝度ムラ）を生成する。
【００５３】
本実施例において、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す２本のコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２とその夫々により制御されるスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３とを設けた動機の一つは、画像表示領域内にて斯様に不均一となるドライブトランジスタＤＴの特性を概ね一様にすることにあり、これらの機能は、次のように説明される。コントロール信号線ＣＬ１とＣＬ２とには、それぞれタイミングが異なる制御信号が、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）には示されないコントロール信号供給回路から供給される。
【００５４】
具体的には、まず、コントロール信号線ＣＬ１を通して伝送された制御信号がスイッチング素子（第１の入力スイッチ）ＳＷ２をターン・オンさせる。このとき、ドライブトランジスタＤＴはターン・オンされないものの、そのノードＣＨ２側はフローティング状態から有機ＥＬ素子ＬＥＤを通して基準電位に接続され、その電位は所定の値に上がる。次にコントロール信号線ＣＬ２を通して伝送された制御信号が、これに対応するスイッチング素子（第２の入力スイッチ）ＳＷ３をターン・オンさせる。これにより、フローティング状態にあった容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の一方の電極ＣＳｉは、スイッチング素子ＳＷ３を通してドライブトランジスタＤＴのノードＣＨ２側と接続され、その電位は上記所定の値に上がる。このとき、ドライブトランジスタＤＴのゲート電位（ノードＣＨ１の電位）はその出力側（ノードＣＨ２側）と同じため、ドライブ・トランジスタＤＴのチャネル層は電荷の流れを遮断する。
【００５５】
電流供給線ＰＬには、ドレイン線ＤＬで伝送される映像信号に関係なく所定の電流が流れるため、その電位も概ね一定である。従って、２つのスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３を順次ターン・オンする（夫々のチャネル層を順次導通状態にする）ことにより、いずれの画素の容量素子ＣＳｉ−Ｃ２にも概ね同じ量の電荷が蓄えられる。この状態で、ＳＷ３のチャネル層を閉ざし、次にスイッチング素子（コントロールトランジスタ）ＳＷ１がターン・オンされると、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に印加される電圧（映像信号）に応じて、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの容量も変わり、これに応じてノードＣＨ１の電位（ドライブトランジスタＤＴのゲート電位）とその出力側（ノードＣＨ２側）の電位との間に差が生じる。この電位差により本実施の形態に示す画素においては、ドライブトランジスタＤＴをターン・オンし、またターン・オンされたチャネルに流れる電荷量を制御して有機ＥＬ素子ＬＥＤを所望の輝度で光らせる。
【００５６】
ドライブトランジスタＤＴのチャネル層は、通常所定のゲート電位（閾電圧）Ｖｔｈに対してターン・オンされるが、このチャネル層が例えば半導体材料の多結晶層又は擬似単結晶層として形成される場合、上述の如く、画素に応じてその閾電圧Ｖｔｈが相違する。本実施の形態では、斯様な閾電圧Ｖｔｈに依存するドライブトランジスタＤＴの動作点を容量素子ＣＳｉ−Ｃ２で与えられるノードＣＨ１の電位を基準に設定し、そのオン・オフを容量素子ＣＳｉ−Ｃ２と容量素子Ｃ１−ＣＳｉとの容量バランスにより制御することにより安定化させて、画素間に生じたＶｔｈのばらつき補正を行う。スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴの各々の動作の詳細は以下の通りである。
【００５７】
コントロールトランジスタとも呼ばれるスイッチング素子ＳＷ１は、画素毎に映像信号電圧を入力するスイッチで、本実施の形態のみならず、ドライブトランジスタＤＴのチャネル層の導通状態をその閾電圧Ｖｔｈで制御する有機ＥＬ表示装置の画素にも設けられる。スイッチング素子ＳＷ１は、そのチャネル層（半導体層）と交差する走査信号線ＧＬに伝送される走査信号に応じてオン／オフされ、ドレイン線ＤＬから入力された映像信号電圧を画素毎に設けられた所謂画素回路の容量素子（コンデンサ）に書き込む。
【００５８】
各画素に設けられた有機ＥＬ素子を電流注入により駆動する有機ＥＬ発光表示装置の画像表示領域に、例えば、画像データをフレーム期間（垂直走査期間）毎に１回書き込むとき、各画素に設けられたスイッチング素子ＳＷ１がターン・オンされる期間は走査信号線ＧＬ毎に宛がわれた水平走査期間に限られる。このため、夫々の走査信号線ＧＬに対応した画素行に含まれる有機ＥＬ素子への電流注入量（電荷注入量）も制限される。このような電流駆動型の有機ＥＬ表示装置では、ＴＮ型液晶表示装置のような電圧駆動型の表示装置と異なり、画像データ（映像信号）を取り込むスイッチング素子ＳＷ１で所定の期間に亘り画素の輝度を維持することは困難である。このため、上述したようにドライブトランジスタＤＴとも呼ばれる別のスイッチング素子と電流供給線ＰＬを画素毎に設け、そのチャネル層の導通状態を所定の期間に亘り維持することで、各画素の輝度を確保する。スイッチング素子（コントロールトランジスタ）ＳＷ１の出力側に接続される容量素子は、上記ドライブトランジスタＤＴのゲート電位を所定の期間に亘り所望の値に維持し、有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流注入を持続させる。従って、ドライブトランジスタＤＴの導通状態をその閾電圧Ｖｔｈを基準に制御する場合も、本実施の形態に準じて制御する場合も、スイッチング素子ＳＷ１の出力側に容量素子を設けることが推奨される。
【００５９】
本実施の形態のスイッチング素子ＳＷ１は、そのチャネル層が、図３（Ａ）に示す如く、２個所の部分で走査信号線ＧＬと交差するデュアル・ゲート構造を有する。この２個所の部分の制御で、ドレイン線ＤＬから供給される信号電圧を容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に書き込む動作を安定化させている。また、このデュアル・ゲート構造により容量素子のスイッチング素子ＳＷ１側（ドレイン線ＤＬ側）の電極（本実施の形態では、導体層Ｃ１）に蓄積された電荷の漏洩を押え、ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位を所定の期間に亘り安定させる。
【００６０】
スイッチング素子ＳＷ２は、上述の如き容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の一方の電極（半導体層）ＣＳｉへの電荷蓄積を制御するのみならず、ドライブトランジスタＤＴから有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流供給スイッチとしても機能する。後者の機能は、電流供給線ＰＬから供給され且つドライブトランジスタＤＴでドレイン線から入力された映像信号に応じて調整された電流を、スイッチング素子ＳＷ２のオンで、有機ＥＬ素子ＬＥＤに書き込むもので、本実施の形態のみならず、ドライブトランジスタＤＴの導通状態をその閾電圧Ｖｔｈを基準に制御する場合にも利用される。このようなスイッチング素子（電流供給スイッチＳＷ２）は、コントロール信号線ＣＬ１のタイミングで、オン／オフ制御される。
【００６１】
スイッチング素子ＳＷ３は、ドライブトランジスタＤＴの閾電圧ＶｔｈをコンデンサＣＳｉ−Ｃ２に記憶させるための制御をするスイッチであり、図３（Ｂ）に示す本実施の形態の画素回路に特有なスイッチング素子である。
【００６２】
ドライブトランジスタＤＴは、図３（Ａ）に示すように、他のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３に比べて、そのチャネル層（半導体層）を覆う導体層がチャネル層の延伸方向沿いに長く延びた比較的大きなゲート長を有する。本実施の形態のドライブトランジスタＤＴは上記スイッチング素子（タイミングスイッチ）ＳＷ３を通して容量素子ＣＳｉ−Ｃ２に蓄積された電荷と上記スイッチング素子（コントロールトランジスタ）ＳＷ１を通して容量素子Ｃ１−ＣＳｉに蓄積された電荷とのバランスに応じてターン・オンされる。これにより、ドレイン線ＤＬから供給される映像信号に応じた電流が電流供給線ＰＬの分岐線に設けられたコンタクトホールＣＨ３を通して、上記スイッチング素子（電流供給スイッチ）ＳＷ２の手前まで流れる。さらに、電流供給スイッチＳＷ２のオンにより、有機ＥＬ素子ＬＥＤに、電流供給線ＰＬの電流が書き込まれるのである。
【００６３】
図４は、上記図３（Ａ）の画素をマトリクス状に配置した平面図である。図３（Ａ）に示される一つの画素は、図４において太い破線で囲まれた画素領域ＰＩＸに対応する。本発明による有機ＥＬ表示装置は、図３（Ａ）に示す画素が図４に示す如く２次元的に配置されたアクティブ・マトリクス構造の画像表示領域を備える。
【００６４】
図３（Ｂ）に示す一画素の等価回路に含まれる容量素子（コンデンサ）Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の夫々に備えられた一方の電極（半導体層）ＣＳｉは、図４に示す画素領域ＰＩＸのバンク開口ＯＰＮ（有機材料層ＯＣＴを備えた発光領域）の上側から右側に掛けて延在する濃い色の領域として記される。容量素子Ｃ１−ＣＳｉの他方の電極Ｃ１もバンク開口ＯＰＮの上側から右側に掛けて延在し且つ上記半導体層ＣＳｉの上部に絶縁材料層（誘電体層）を介して形成される。容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の他方の電極Ｃ２はバンク開口ＯＰＮの右下側に延びた半導体層ＣＳｉの上部に絶縁材料層（誘電体層）を介して形成され、画素領域の右下の隅に設けられたコンタクトホールＣｏｎｔ−ＰＬにて、その上部に形成される電流供給線ＰＬと電気的に接続する。
【００６５】
容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の夫々にて上記一方の電極となる半導体層ＣＳｉには、スイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３を通して電荷が供給される。容量素子Ｃ１−ＣＳｉの他方の電極Ｃ１（半導体層ＣＳｉより薄い色で示される）には、画素領域ＰＩＸの左端に設けられたドレイン線ＤＬからコンタクトホールＣｏｎｔ−ＤＬ及びスイッチング素子ＳＷ１を通して電荷が供給される。容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の他方の電極Ｃ２（半導体層ＣＳｉより薄い色で示される）には、画素領域ＰＩＸの右端に設けられた電流供給線ＰＬからコンタクトホールＣｏｎｔ−ＰＬを通して電荷が供給される。
【００６６】
厳密に記すと、図４の画素領域ＰＩＸに対応した半導体層ＣＳｉ及び導体層Ｃ１，Ｃ２の夫々の一部は、この画素領域ＰＩＸを示す太い破線の枠の右端から外側へ突き出し、この画素領域ＰＩＸの左隣の画素領域に対応する半導体層ＣＳｉ及び導体層Ｃ１，Ｃ２の夫々の一部が画素領域ＰＩＸを示す太い破線の枠の左端からその内部に入る。
【００６７】
上述のとおり、本実施の形態に記す有機ＥＬ表示装置では、画素領域ＰＩＸに対応して設けられた２つの容量素子（コンデンサ）をなす半導体層ＣＳｉと導体層Ｃ１、Ｃ２の夫々に蓄えられた電荷が、画素領域ＰＩＸの上端に延びる電流供給線ＰＬの分岐線からコンタクトホールＣＨ３、ドライブ・トランジスタというスイッチング素子ＤＴ、及びコンタクトホールＣｏｎｔ−ＩＴＯを通して有機ＥＬ素子の発光領域（バンク開口ＯＰＮに形成される有機材料層ＯＣＴ）に書き込まれる電流量を決める。なお、図４の画素領域ＰＩＸでは、図３（Ａ）に示した透明電極層ＩＴＯは省略されている。
【００６８】
本実施例における有機ＥＬ発光表示装置では、画素毎に設けられるスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３、およびドライブトランジスタＤＴとして、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉとも記される）からなるチャネル層を有する電界効果型トランジスタ（薄膜トランジスタ又はＰｏｌｙ−ＳｉＴＦＴとも記される）を用いる。この種のスイッチング素子（Ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ）で画像表示領域に配置される複数の画素の各々を駆動する表示装置では、画素毎に設けられたスイッチング素子のチャネル層（多結晶シリコン層）に光が照射されて現れる光起電力効果により当該チャネル層の導通状態が変動し易いため、このスイッチング素子（ＴＦＴ）で駆動される画素の輝度が所望の値から外れて画像表示領域の画質の劣化を招くことがある。
【００６９】
とりわけ、アクティブ・マトリクス型の有機ＥＬ発光表示装置の画素においては、有機ＥＬ素子（発光部）とこれを制御するアクティブ素子（スイッチング素子）が近接しているため、数十万ルックスに到る強度の光がスイッチング素子のチャネル層に向けてその斜め方向から照射される。例えば、米国特許第５，５６１，４４０  号明細書に記載される従来のＴＦＴ型液晶表示装置と同様な遮光構造を有機ＥＬ表示装置の画素に適用しても、この強力な光からスイッチング素子のチャネル層をシールドすることは不可能である。そのため、本発明では、本実施の形態に例示した如く画素毎に形成される回路（画素回路）の容量素子（コンデンサ）の電極層を遮光材として多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなるスイッチング素子のチャネル層と有機ＥＬ素子ＬＥＤの発光部との間に配置して、有機ＥＬ表示装置に表示される画像の劣化を防いでいる。
【００７０】
図４に太い破線で囲まれて示される一つの画素領域ＰＩＸにおいては、有機ＥＬ発光表示装置の画素毎に設けられる容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極となる導体層Ｃ１が、光透過率の低い材料（例えば、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）やチタン・タングステン（ＴｉＷ）等の高融点金属、その合金、又はそのシリサイド）で、発光部（有機材料層ＯＣＴ）が設けられるバンク開口部ＯＰＮとスイッチング素子群（ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）との間に形成される。一方、本実施の形態では、上記容量素子Ｃ１−ＣＳｉの電極の他方が上述のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴのチャネル層とともに多結晶シリコン層ＣＳｉで形成される。多結晶シリコン層ＣＳｉは、これに入射する光を最大９０％まで吸収するため、その上部に設けた当該容量素子の上記一方の電極（導体層Ｃ１）とともに、この画素領域ＰＩＸ内にて上記発光部（有機材料層ＯＣＴ）からの光が上記スイッチング素子群の各チャネル層に照射されることを防ぐ。
【００７１】
図３（Ａ）や図４に示す如く、本実施例における有機ＥＬ発光表示装置の各画素において、夫々に設けられる２つの容量素子（コンデンサ）Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の電極となる導体層ＣＳｉ，Ｃ１，Ｃ２は、電流供給線ＰＬとドレイン線ＤＬの下にも形成される。このように導体層ＣＳｉ，Ｃ１，Ｃ２を、画素領域間に配置される電流供給線ＰＬとこれに隣接して並設されるドレイン線ＤＬとに沿い延伸させることにより、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２のコンデンサ領域（一対の電極が対向しあう面積）を最大限に拡げ且つ画素領域ＰＩＸにおける発光領域も最大限に拡げる。上述のように有機ＥＬ表示装置は各画素の発光部を電流駆動させるため、上記容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の電極Ｃ１，Ｃ２を、電流供給線ＰＬとドレイン線ＤＬと対向させても、クロストークが発生し難い。
【００７２】
なお、本実施例における容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２は、隣接し合う画素間に並設された電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬの両方にオーバラップされる構造に限られず、夫々に求められる容量に応じたコンデンサ領域の広さに即して、これを当該電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬのいずれか一方にオーバラップさせてもよい。いずれの場合も、電流供給線ＰＬやドレイン線ＤＬ沿いに延びる容量素子Ｃ１−ＣＳｉ（一部）及び容量素子ＣＳｉ−Ｃ２は、走査信号線ＧＬの延伸方向沿いに隣接し合う画素間に生じる光の漏洩を遮断する。有機ＥＬ表示装置において、画素毎に設けられる容量素子Ｃ１−ＣＳｉはドレイン線ＤＬからの信号電圧（映像信号）を保持するために必要であるが、これを電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬの少なくとも一方の下部に延在させて上述の画素間を遮光するためのシールド部材を兼ねさせる必要はない。換言すれば、走査信号線ＧＬ沿いに隣接する画素間の光漏れは、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ及び容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の少なくとも一方で抑えられる。なお、容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の一方の電極Ｃ２は、図１（Ａ）や図２に示す如くコンタクトホールＣｏｎｔ−ＰＬで電流供給線ＰＬと接続されている必要はなく、その電位は例えばフローティング状態でも構わない。
【００７３】
図４に示す実施例では、画素領域ＰＩＸの長手方向の中心近傍で、上記２つの導体層Ｃ１とＣ２との境界が現れる。上述した画素間の光漏れに対するシールド機能の観点では、このようなシールド部材（遮光部材）の不連続部分を発光部（有機材料層ＯＣＴ）の中心付近に形成しないほうが望ましく、例えば、容量素子Ｃ１−ＣＳｉで当該画素間のシールド部材全てを形成したほうがよい。また、上述の容量素子Ｃ１−ＣＳｉや容量素子ＣＳｉ−Ｃ２に代えて、画素回路とは電気的に独立したリング状、Ｌ字状、コの字形状のシールド部材を新たに設けてもよい。さらに、画素領域ＰＩＸを囲むリング状のシールド部材は、発光部（有機材料層ＯＣＴ）の中心から充分離れた位置（例えば、画素領域ＰＩＸの隅部）では不連続となってもよいため、その一部を図２に示す走走査信号線ＧＬの一部ＧＬＳに置き換えてもよい。また、走査信号線ＧＬと同層に、走査信号線とは電気的に分離されたリング状の導電層をシールド部材として新たに設けてもよい。
【００７４】
図４に示す如く、画素領域ＰＩＸにおいて、容量素子Ｃ１−ＣＳｉを走査信号線ＧＬやコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２とバンクの開口部ＯＰＮ（有機材料層ＯＣＴからなる発光部）との間に設け、且つ走査信号線ＧＬの一部ＧＬＳを画像領域ＰＩＸの端部に配置することで、バンクの開口部ＯＣＴからの光が、画素領域ＰＩＸ内に設けられたスイッチング素子群（ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）の各チャネル層に照射され難くなる。また、容量素子Ｃ１−ＣＳｉや容量素子ＣＳｉ−Ｃ２を画素領域ＰＩＸの端部に沿う電流供給線ＰＬやドレイン線ＤＬと重ねて配置することで、隣接し合う２つの画素からの光が混じり難くなる。これにより、本実施の形態の有機ＥＬ発光表示装置においては、画像表示領域に配置される有機ＥＬ素子の各々から所望の発光量（輝度）が得られ、きれいで鮮やかな画像が表示できる。
【００７５】
上述の如く、有機ＥＬ発光表示装置においては、画素領域ＰＩＸ毎に配置された有機ＥＬ素子で強い光が発生し得る。多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）らなるチャネルを備えたスイッチング素子（本実施の形態では、ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）は斯様な強度の光に照射されると、そのチャネルをなすシリコン層（Ｓｉ層）は電界強度に応じた光起電力効果を示す。これに因りチャネル（Ｓｉ層）に生じた電界は、例えばスイッチング素子がターン・オフ状態の電界をそのチャネルに印加しているにもかかわらず、その内部に正孔電子対を生成させるため、スイッチング素子としての、電荷保持特性が悪化してしまう。例えば、容量素子Ｃ１−ＣＳｉに蓄積された電荷（ドライブ・トランジスタＤＴの制御電圧を決める）がターン・オフ状態にあるスイッチング素子（コントロール・トランジスタ）ＳＷ１のチャネルを通してドレイン線ＤＬに漏れ、その結果、ドライブ・トランジスタＤＴを通して有機ＥＬ素子に供給される電流を減らす。
【００７６】
このような問題は、従来のＴＦＴ型液晶表示装置では顕在化しなかったため、これに採用されてきた遮光構造では、有機ＥＬ素子からの強力な光をスイッチング素子に対してシールドすることは不可能である。とりわけ、本実施例の如く基板主面側（ＴＦＴ基板側）から透明電極ＩＴＯ，有機材料層ＯＣＴ，電極層を順次積層して有機ＥＬ素子ＬＥＤを形成し、有機材料層ＯＣＴで生じた光をＴＦＴ基板側に放出するボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、画素領域ＰＩＸから放たれた光がこれに設けられたスイッチング素子のチャネルを照射し易く、このスイッチング素子の制御（所謂ＴＦＴ駆動）による表示画像の画質が劣化しやすい。
【００７７】
そのため、本実施例による有機ＥＬ発光表示装置では、上記容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の夫々の電極（導体層）Ｃ１、Ｃ２が、遮光層としても機能するように設計されている。具体的には、図４に示す通り、バンクの開口部ＯＰＮの電流供給線ＰＬ又はドレイン線ＤＬに沿う両端に容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２を配置し、走査信号線ＧＬの延伸方向（電流供給線ＰＬ又はドレイン線ＤＬの延伸方向と交差する方向）沿いに夫々の電極Ｃ１、Ｃ２の幅を広げる。これによって、図４における走査信号線ＧＬの延伸方向に漏れる光を電極Ｃ１、Ｃ２で遮る。電極Ｃ１、Ｃ２の面積が容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２に所望される容量で制限される場合は、電流供給線ＰＬからの電流を最終的に透明電極に供給する配線Ｍ１（図１（Ａ）参照，その詳細は後述され、参照符号ＡＬＳとしても記される）を延長させ、または電流供給線ＰＬ及びドレイン線ＤＬの少なくとも一方の幅を広げて、電極Ｃ１、Ｃ２に代わる遮光層を形成してもよい。
【００７８】
さらに、図４に示す通り、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの電極（導体層）Ｃ１の一部は、発光領域（バンク開口ＯＰＮ）とスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３の間に形成され、画素領域ＰＩＸ内部（その発光領域の上側）の遮光も図っている。バンクの開口ＯＰＮの上端に隣接する電極Ｃ１の一部は、その遮光効果を高めるために、電流供給線ＰＬ又はドレイン線ＤＬ沿いに幅を広げられ、その上部に図１（Ａ）に示すように配線Ｍ１と上記透明電極ＩＴＯとを電気的に接続するコンタクト・ホールＣｏｎｔ−ＩＴＯが形成される。
【００７９】
また、本実施例では、画素領域ＰＩＸの下側（当該画素領域ＰＩＸの電流供給線ＰＬ又はドレイン線ＤＬ沿いに別の画素領域に隣接する端部）の遮光のために、この別の画素領域の上端にその駆動に関与する走査信号線の一部ＧＬＳが遮光層として配置される。画素領域ＰＩＸ内でみると、上記走査信号線の一部ＧＬＳは、その下側に配置されたスイッチング素子ＳＷ１を、この画素領域ＰＩＸの上側に隣接する別の画素領域の発光領域から遮光する。
【００８０】
以上に説明されるように、本実施例に示される本発明による有機ＥＬ発光表示装置は、隣接する画素間にあるバンクを無機材料で形成し、かつその厚みを上層の電極よりも薄く形成することにより、エッジグロースの発生がないため、開口率の低下が防止され輝度の低下が回避される。また、無機材料の薄いバンクとしたことで当該バンクの内周にあるスロープが無視できる程度となることから、隣接画素からの迷光がバンクのスロープで反射されることによる輝度低下も抑制され、さらに段差も殆ど有しないために有機ＥＬ層を挟む電極間のショートの発生も防止される。
【００８１】
また、画素領域毎に設けられた容量素子（コンデンサ）及び走査信号線を、発光領域（有機材料層ＯＣＴ）の上側、下側、左側、及び右側のそれぞれに配置して、有機材料層ＯＣＴからの光が、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３に、照射されるのを防ぐ構造となっている。上述したスイッチング素子のチャネル層に現れる光起電力効果は、ドライブトランジスタＤＴの機能（発光領域の発光期間内にターン・オンする）において、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３の夫々の機能に与えるほどの影響を及ぼさない。従って、画素領域ＰＩＸに配置される４つのスイッチング素子において、ドライブトランジスタＤＴは他の３つに比べて発光領域の近くに配置できるが、図５に示す如く、発光領域（画素領域ＰＩＸの上側の発光領域ＯＰＮ’）と遮光部材（走査信号線の一部ＧＬＳ）を隔てて配置するのが望ましい。また、容量素子Ｃ１−  ＣＳｉ，ＣＳｉ−  Ｃ２の電極（導体層）Ｃ１、Ｃ２の上部に重なり形成される電流供給線ＰＬも、これらの電極Ｃ１、Ｃ２と同様に光の漏れを遮光することができる。
【００８２】
図１乃至図４に示した本実施例の有機ＥＬ発光表示装置に備えられる画素アレイ（画像表示領域の一部）は、図５乃至図９に示す６種類のフォトパターンを有するマスクを用いたフォトリソグラフィにより形成される。図５乃至図９の各々に示されるフォトパターンには、図４に示す画素アレイ構造との対応を取り易くするため、図４に例示された画素領域ＰＩＸに対応する領域が太い破線枠ＰＩＸで囲まれる。
【００８３】
また、図１０は図１乃至図４に示した本実施例の有機ＥＬ発光表示装置の製造プロセスの説明図である。基板ＳＵＢ上に絶縁層ＳｉＮ、ＳｉＯ２  を成膜し、その上にファーストゲートＦＧをパターニングする（図１０（Ａ））。次に、ゲート絶縁膜ＧＩを成膜し、ファーストゲートＦＧの上方にセカンドゲートＳＧをパターニングする（図１０（Ｂ））。絶縁膜１Ｂを成膜後、ドレイン電極ともなるスイッチ間配線ＡＬとソース電極ともなるスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳを形成する（図１０（Ｃ））。その上に絶縁１Ｃを成膜し（図１０（Ｄ））、スイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳに接続する透明導電膜ＩＴＯを形成し（図１０（Ｅ））、無機絶縁材料でバンクＢＭＰを形成する（図１０（Ｆ））。このバンクＢＭＰの開口部には一方の電極である透明導電膜ＩＴＯが露呈しており、この開口部を含む上部全面にホール輸送層ＨＴＬを成膜する（図１０（ＦＧ）。次に、上記開口部に有機ＥＬ発光層を形成し（図１０（Ｈ））、最後に他方の電極（カソード電極）ＣＭを成膜する（図１０（Ｉ））。
【００８４】
図５，図６，及び図７には、画素領域ＰＩＸに限り、図７に示すコンタクトホール（例えば、Ｃｏｎｔ−ＤＬ，ＣＨ３）の矩形パターンのうちの、各フォトパターンで成形される半導体層や導体層への電気的な結線に関わる群のみが描かれる。また、図５，図６，及び図８には、画素領域ＰＩＸ及びその上側に隣接する他の画素領域のバンク開口ＯＰＮ，ＯＰＮ’が細い破線枠で示される。さらに、図８，及び図９には、画素領域ＰＩＸに限り、図３（Ａ）に示す配線Ｍ１と有機ＥＬ素子の一部である透明電極ＩＴＯとを電気的に接続する矩形のコンタクト・ホールＣｏｎｔ−ＩＴＯが示される。これらの構成要件は、画素領域ＰＩＸ外のフォトパターンから明らかなように、夫々の図に対応するフォトパターンには含まれず、図５，図６，図７，及び図８においてこれらを識別する参照符号はイタリック体で記される。
【００８５】
図５は、図４に示される複数の画素がマトリクス状に配置された画素アレイの形成に用いられる第１フォトパターンを示す。上述のＴＦＴ基板として石英基板を用いる場合はその主面上に、ソーダガラスを用いる場合はその主面に形成された絶縁膜ＩＡ上に、以下に説明する第１フォトパターンから第７フォトパターンの夫々が描かれた７枚のマスクを用いたフォトリソグラフィにより、画素アレイをなす薄膜や開口を順次形成する。なお、第１フォトパターンから第６フォトパターンに至るフォトリソグラフィで、画素領域の各々にて有機ＥＬ素子を駆動する画素回路が完成する。本実施の形態では、画素回路に含まれるスイッチング素子のチャネルを非晶質シリコン層で成形し、この非晶質シリコン層をレーザ照射等による比較的低い温度のプロセスで多結晶シリコン層に変えてチャネルにおける電子の移動度を高める。このため、第１フォトパターンから第６フォトパターンに至る一連の工程は、低温ポリシリコン工程又はＬＴＰＳ工程とも呼ばれる。これに対し、第７フォトパターンを用いたフォトリソグラフィでは、有機ＥＬ素子の発光部となるバンク開口ＯＰＮが形成される。従って、第７フォトパターンを用いた工程は、有機発光ダイオード工程又はＬＴＰＳ工程と呼ばれる。これらのＬＴＰＳ工程とＯＬＥＤ工程とにより、図２に示す画素アレイを備えた有機ＥＬ発光表示装置が完成する。
【００８６】
図５に示す第１フォトパターンでは、画素回路に含まれるスイッチング素子（本実施例ではＴＦＴ）のチャネル領域、及び容量素子（コンデンサ）Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の基板側（下側）電極となるシリコン層（Ｓｉ層）が着色されたパターンのように形成される。具体的には、多結晶シリコン層からなるスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴのチャネル領域ＦＧ（ＳＷ１），ＦＧ（ＳＷ２），ＦＧ（ＳＷ３），ＦＧ（ＤＴ）と、上述の導体層Ｃ１、Ｃ２の下面に対向するシリコン領域ＣＳｉである。なお、シリコン領域ＣＳｉは、その上面に形成される第１の絶縁膜（図１０に示すスイッチング素子のゲート絶縁膜ＧＩ）の段差を緩和し、この絶縁膜上に形成される上記導体層の破断を防ぐ。第１フォトパターンが形成されたマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で成形される半導体層のうち、スイッチング素子の夫々のチャネルに用いられるものは、以下の説明にて、参照符号ＦＧで総称されることもある。
【００８７】
図６は、図４に示される画素アレイの形成に用いられる第２フォトパターンを示す。第２フォトパターンにより、上述の第１の絶縁膜上に、走査信号線ＧＬ（スイッチング素子ＳＷ１の制御電極ＳＧ（ＳＷ１）も兼ねる）、コントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の上側電極となる導体層Ｃ１，Ｃ２、及びドライブトランジスタの制御電極ＳＧ（ＤＴ）が、図６に示す灰色のパターンとして一括して形成される。コントロール信号線ＣＬ１は、図３（Ｂ）に示す有機ＥＬ素子ＬＥＤへの電流供給を制御し且つドライブ・トランジスタＤＴの駆動条件を調整するスイッチング素子ＳＷ２の制御電極ＳＧ（ＳＷ２）に制御信号を印加する。また、ドライブトランジスタＤＴの駆動条件調整のために容量素子ＣＳｉ−Ｃ２を画素回路に設けた本実施の形態では、これに所定の電荷を供給して、有機ＥＬ素子ＬＥＤに供給される電流を映像信号に応じて調整するスイッチング素子ＳＷ３を備える。このため、本実施例では、このスイッチング素子ＳＷ３の制御電極ＳＧ（ＳＷ２）に制御信号を印加するコントロール信号線ＣＬ２も設けられる。第２フォトパターンが形成されたマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で成形される導体層のうち、スイッチング素子（ドライブ・トランジスタＤＴを含む）の夫々の制御電極に用いられるものは、以下の説明にて、参照符号ＳＧで総称されることもある。
【００８８】
上述のように、走査信号線ＧＬは、スイッチング素子ＳＷ１のチャネル領域における映像信号の画素領域への取り込みを制御する働きと、この画素領域に隣接した別の画素領域からこの画素領域のスイッチング素子群に向けて漏れ出す光を遮る働きとを併せ持つ。そのため、走査信号線ＧＬは、図６に示す如く、その延伸方向（図６の横方向）に対して、屈曲を繰り返すステップ状に形成される。走査信号線ＧＬの遮光特性の観点からすると、その遮光機能を兼ねる部分ＧＬＳをできるだけ画素領域の端（換言すれば、この画素領域に隣接する別の画素領域の発光部ＯＣＴに近づけたほうがよい。また、走査信号線ＧＬとともに形成される容量素子Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２の上側電極（導体層）Ｃ１，Ｃ２にも既に説明したように遮光機能が要請される。このため、第２フォトパターンで形成される導体層は、その光透過率を抑えるに適した材料と厚さで形成される。導体層の材料としては、その吸光度や反射率に着眼し、例えば前者の観点でモリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ）として例示される高融点金属（Ｒｅｒａｃｔｏｒｙ      Ｍｅｔａｌ  ）やその合金並びにシリサイドが推奨される。また、後者の観点では、アルミニウム（Ａｌ）やその合金が推奨され、これらの材料を複数層積層させてもよい。
【００８９】
なお、図６では、遮光部材としても機能する走査信号線の一部ＧＬＳがスイッチング素子ＳＷ１の制御電極ＳＧ（ＳＷ１）となる部分と同じ幅に形成されているが、この走査信号線の一部ＧＬＳの幅を走査信号線ＧＬの他の部分に比べて太くして、その遮光性能を上げてもよい。これにより、次段の走査信号線に接続される画素領域（図６では、例えば画素領域ＰＩＸの上側に示される）に対する遮光特性が向上する。さらに、本実施例において、走査信号線ＧＬは、ステップ状に形成されているが、従来のアクティブ・マトリクス方式で駆動されるＴＦＴ型液晶表示素子のように、直線状であっても良い。走査信号線ＧＬの形状は、画素領域毎に形成されるスイッチング素子の個数及び配置に応じて適宜変更される。
【００９０】
図７は、図４に示される画素アレイの形成に用いられる第３フォトパターンを示す。第３フォトパターンは、第２フォトパターンにより成形された走査信号線ＧＬ等の導体層を覆う第２の絶縁膜（例えば、図１０に示される絶縁膜ＩＢ）の上面から基板主面（ＴＦＴ基板）に向けて掘られるコンタクトホールのパターンである。これらのパターンで形成されるコンタクトホールの各々は、図８に示される第４フォトパターンを参照して後述される導体層（上記第２の絶縁膜上に形成される）と、第１フォトパターンで成形された半導体層及び第２フォトパターンで成形された導体層のいずれか一方とを電気的に接続する。従って、図５の画素領域ＰＩＸ内に示される１２個のコンタクトホールの９個（コンタクトホールＣｏｎｔ−  ＤＬ，ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３を含む）は、図５の画素領域ＰＩＸ内の半導体層（ＣＳｉ，ＦＧ）上面にも示される。また、図５の画素領域ＰＩＸ内に示される１２個のコンタクトホールの残り３個（コンタクトホールＣｏｎｔ−  ＰＬを含む）は、図６の画素領域ＰＩＸ内の導体層（Ｃ１，Ｃ２，ＳＧ（ＤＴ））上面にも示される。
【００９１】
図７に示されるコンタクトホールの機能を、コンタクトホールＣｏｎｔ−ＰＬ，Ｃｏｎｔ−  ＤＬを例のついて図３（Ｂ）及び図４を参照して簡単に説明する。コンタクトホールＣｏｎｔ−ＰＬは、上述の第１の絶縁膜上に第２フォトパターンで形成された容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の上側電極（導体層）Ｃ２と上述の第２の絶縁膜上に図８に示す第４フォトパターンで形成される電流供給線ＰＬとを第２の絶縁膜を通して接続する。走査信号線ＧＬからスイッチング素子ＳＷ１に制御信号（走査信号）が印加されるタイミングで変動する容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の下側電極（半導体層）ＣＳｉにおける電荷の蓄積量に応じて、その上側電極（導体層）Ｃ２にはコンタクトホールＣｏｎｔ−ＰＬを介して、電流供給線ＰＬから電荷が供給される。
【００９２】
一方、コンタクトホールＣｏｎｔ−ＤＬは、第１フォトパターンで形成され  且つ上述の第１の絶縁膜に覆われたスイッチング素子（コントロール・トランジスタ）ＳＷ１のチャネル層ＦＧ（ＳＷ１）の一端（ドレイン領域とも呼ばれる）と、第４フォトパターンで上述の第２の絶縁膜上に形成されるドレイン線ＤＬとを、第１及び第２の絶縁膜を通して接続する。スイッチング素子（コントロール・トランジスタ）ＳＷ１のチャネル層ＦＧ（ＳＷ１）が走査信号線ＧＬからの制御信号の印加によりターン・オンされると、ドレイン線ＤＬから映像信号（電圧信号）がコンタクトホールＣｏｎｔ−ＤＬ及びチャネル層ＦＧ（ＳＷ１）を通して容量素子Ｃ１−ＣＳｉの上側電極Ｃ１に印加される。この容量素子Ｃ１−ＣＳｉに蓄積される電荷量は、容量素子ＣＳｉ−Ｃ２に蓄積される電荷量とともにドライブ・トランジスタＤＴの制御電極ＳＧ（ＤＴ）に印加される電圧を制御する。従って、スイッチング素子ＳＷ１がターン・オンされるタイミングに応じて、ドライブトランジスタＤＴのチャネルＦＧ（ＤＴ）に映像信号に応じた電流が流れる。この映像信号に応じた電流は、スイッチング素子ＳＷ２、配線Ｍ１、及びコンタクトホールＣｏｎｔ−ＩＴＯを通して透明電極ＩＴＯに書き込まれる。この透明電極ＩＴＯに書き込まれた映像信号に応じた電流が、透明電極ＩＴＯ上に形成された有機材料層ＯＣＴを通して、これらとともに有機ＥＬ素子ＬＥＤに含まれるもう一方の電極ＣＭ（図８及び図９を参照して後述される）に流れて、有機材料層ＯＣＴ（これに含まれるエレクトロルミネセンス材料層）を発光させる。
【００９３】
図８は、図４に示される画素アレイの形成に用いられる第４フォトパターンを示す。第４フォトパターンにより、電流供給線ＰＬ並びにその分岐線ＰＬＢ、ドレイン線ＤＬ、及び上述したドライブトランジスタを含むスイッチング素子群（ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＤＴ）の少なくとも一つに接続される配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４の各々が、図８に示す着色されたパターンとして上述の第２の絶縁膜上に形成される。
【００９４】
配線Ｍ１は、スイッチング素子ＳＷ２の出力側と有機ＥＬ素子ＬＥＤの透明電極ＩＴＯに接続されるノード（コンタクトホール）Ｃｏｎｔ−ＩＴＯとの間に設けられる電流路として形成される。配線Ｍ２は、ドライブトランジスタＤＴの一端とスイッチング素子ＳＷ３の一端との間に設けられる電荷路として形成される。配線Ｍ３は、スイッチング素子ＳＷ３の他端、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ並びに容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の下側電極となる半導体層ＣＳｉ、及びドライブトランジスタＤＴの制御電極ＳＧ（ＤＴ）を互いに電気的に接続し、スイッチング素子ＳＷ３の他端から半導体層ＣＳｉに到る電荷路及びノード（コンタクトホール）ＣＨ１からドライブトランジスタの制御電極ＳＧ（ＤＴ）に到る電圧信号路として機能する。配線Ｍ４は、スイッチング素子ＳＷ１の出力側（ソースとも呼ばれる）と容量素子Ｃ１−ＣＳｉの上側電極Ｃ１との間に設けられる電圧信号路として形成される。
【００９５】
第４フォトパターンで成形される導体層には電流供給線ＰＬも含まれるため、このマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で成形される導電性材料は、第２フォトパターンのマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で成形されるそれに比べて抵抗を低くすることが望ましい。例えば、アルミニウム、又はこれを含む合金又はシリサイドが、第４フォトパターンで成形される導電性材料として推奨される。
【００９６】
本実施例では、この導電性材料として用いられたアルミニウムにより電流供給線ＰＬ並びにその分岐線ＰＬＢ、ドレイン線ＤＬ、及び配線群Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４が第２の絶縁膜上に形成される。また、このアルミニウムにより第３フォトパターンで成形されたコンタクトホールを通して、第２の絶縁膜の下側に横たわる半導体層ＣＳｉ，ＦＧ及び導体層Ｃ１，Ｃ２，ＳＧ（ＤＴ）のいずれかに到る電流路、電荷路、及び電圧信号路の各々も形成される。このため、以下に記す本実施の形態の説明では、第４フォトパターンが形成されたマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で成形される上記導体層ＰＬ，ＰＬＢ，ＤＬ，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４は、参照符号ＡＬ，ＡＬＳで示されることもある。
【００９７】
図９は、図４に示される画素アレイの形成に用いられる第５フォトパターン及び第６フォトパターンを併せて示す。なお、第５フォトパターンを有するマスクを用いたフォトリソグラフィ工程の前に、第４フォトパターンにより形成された電流供給線ＰＬ，配線Ｍ１等の導体層ＡＬ上に第３の絶縁膜（図１０に示される絶縁膜ＩＣ）を形成し、その配線Ｍ１上に位置する領域にコンタクトホールＣｏｎｔ−  ＩＴＯを形成する。この工程に関する図は、本明細書において割愛される。
【００９８】
第５フォトパターンは図９に矩形の枠ＩＴＯで示されたパターンのみを有し、これにより、上述の第３の絶縁膜上に透明電極ＩＴＯを短冊状に形成し、またその一部はコンタクトホールＣｏｎｔ−ＩＴＯを通して配線Ｍ１に電気的に接続される。第５フォトパターンを有するマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で形成される透明電極ＩＴＯは、インジウム・錫・酸化物（Ｉｎｄｉｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ  ，ＩＴＯとも略される）やインジウム・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ  ，ＩＺＯとも略される）に代表される光を透過する導電性酸化物の非晶質層又は多結晶層として形成される。有機ＥＬ表示装置では、発光部となるエレクトロルミネセンス材料層（有機材料層ＯＣＴに含まれる）を一様な厚さで且つ平坦に形成することが要請される。また、有機材料層ＯＣＴを分解させる高温プロセスは、製造工程上排除しなければならない。斯様な事情の下、上記インジウム・錫・酸化物等の導電性酸化物は、その熱処理の温度を低く抑えても、表面の粗さが少ない膜が得られるので、本実施の形態に示す有機ＥＬ表示装置には適している。第５フォトパターンを有するマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で画素領域ごとに透明電極ＩＴＯを形成した後、透明電極ＩＴＯの上面とこれが形成されない上記第３の絶縁膜の上面に、後述のバンクＢＭＰに成形される第４の絶縁膜が形成される。
【００９９】
第６フォトパターンは図９に八角形の枠ＢＭＰで示されたパターンのみを有し、これにより、上述した透明電極ＩＴＯ及び第３の絶縁膜の上面を覆う第４の絶縁膜に八角形の開口が形成されてバンクＢＭＰが完成する。バンクＢＭＰ（第４の絶縁膜）は、ポリイミドなどの有機膜またはＳｉＯ２  などの無機膜で形成される。有機ＥＬ素子の発光領域は、有機材料を昇華した状態又は液滴として透明電極ＩＴＯ上に供給して形成されるため、有機材料層ＯＣＴ（これに含まれるエレクトロルミネセンス材料層）に流れる電流を画素毎に分離する窪みを設けることが推奨される。このために、透明電極ＩＴＯ上に画素毎に発光領域を分離する絶縁膜のバンクＢＭＰが形成される。本実施の形態の有機ＥＬ表示装置では、八角形の開口部（図２に参照符号ＯＰＮとして示される）を有するバンクＢＭＰが透明電極ＩＴＯの周縁にオーバーラップされ、透明電極ＩＴＯの中央部（発光領域に対応する）がバンクＢＭＰの開口から露出される。
【０１００】
本発明による有機ＥＬ表示装置では、バンクＢＭＰとなる上述の第４の絶縁膜を、ＳｉＯ２  やＳｉＮｘ  等の無機材料、及び黒色材料のいずれかを用いて上層に形成する他方の電極の厚みよりも薄く形成する。後者の材料で形成されたバンクＢＭＰは、以下、ブラックバンクと呼ぶ。このブラックバンクＢＭＰは、例えば、ポジ型の感光性ブラックポリイミドにより形成される。この種の材料として、本実施の形態では、株式会社日東電工製の商品ＪＲ    ３１２０Ｐを例示する。上述のようにバンクＢＭＰの開口には有機材料層ＯＣＴが形成されるため、これに含まれる発光領域とバンクＢＭＰとは光学的に結合される。従って、有機材料層ＯＣＴからの光に対してバンクＢＭＰが透明または半透明であると、或る画素に設けられた有機ＥＬ素子ＬＥＤからの光がバンクＢＭＰ内を伝播し、この画素に隣接する他の画素に迷光となって漏れることもある。この画素間に亘る光の漏れは、スメア（ｍｅａｒ）として観察者に認識される。しかし、本実施の形態のように、上層に形成する他方の電極の厚みよりも薄く形成することで、このような光の漏れを抑制でき、発光領域に流れる電流を画素毎に確実に分離して有機ＥＬ表示装置の表示画像の精細度を高め、その内部を伝播する発光領域からの光で表示画像の画質が劣化するのを防止する。
【０１０１】
図１１は本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の実施例の一画素付近の構成を説明する断面図である。図１１が図１と異なる構成は、バンクＢＭＰが絶縁膜１Ｂと１Ｃで形成されており、一方の電極（アノード電極）となる透明導電膜ＩＴＯがバンクＢＭＰの下層でスイッチ間の配線かつシールド電極ＡＬＳとは上記バンクＢＭＰを貫通するコンタクトホールで接続している点である。前記図１と同一些少符号は同一機能部分に対応する。また、図１２は図１１に示した画素をマトリクス状に配置した平面図である。
【０１０２】
図１３乃至図１８は本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の他の実施例の製造プロセスを順に説明する図１２と同様の平面図である。また、図１９は本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の他の実施例の製造プロセスを説明する断面図である。本実施例におけるバンプは無機材料の絶縁層１Ｂと１Ｃで形成される。図１９において、基板ＳＵＢの主面に窒化シリコンＳｉＮと酸化シリコンＳｉＯ２  を成膜し、その上にファーストゲートＦＧをパターニングする（図１９（Ａ））。ファーストゲートＦＧの形成パターンを図１３に示す。次に、その上にゲート絶縁膜ＧＩを成膜し、アクティブ素子形成領域のファーストゲートＦＧの上にセカンドゲートＳＧをパターニングする（図１９（Ｂ））。セカンドゲートＳＧＮＯ形成パターンを図１４に示す。
【０１０３】
次に、発光エリアとアクティブ素子形成領域以外のファーストゲートＦＧの上を覆って透明導電膜ＩＴＯを形成する（図１９（Ｃ））。透明導電膜ＩＴＯの形成パターンを図１５に示す。発光エリアを除く部分に絶縁層１Ｂをパターニングし、その上にアクティブ素子のドレイン電極ともなるスイッチ間の配線ＡＬとソース電極ともなるスイッチ間の配線兼シールド部材ＡＬＳをパターニングする（図１９（Ｄ））。スイッチ間の配線ＡＬとスイッチ間の配線兼シールド部材ＡＬＳはコンタクトホールでファーストゲートＦＧに接続される。コンタクトホールの形成位置を図１６に、スイッチ間の配線ＡＬとスイッチ間の配線兼シールド部材ＡＬＳの形成パターンを図１７に示す。
【０１０４】
スイッチ間の配線ＡＬとスイッチ間の配線兼シールド部材ＡＬＳを形成後、絶縁層１Ｃを形成する（図１９（Ｅ））。この絶縁層１Ｃは発光エリアに開口を有するバンク形状をなし、透明導電膜ＩＴＯを露出している。絶縁層１Ｃおよび透明導電膜ＩＴＯを覆ってホール輸送層ＨＴＬを全面に形成し（図１９（Ｆ））、絶縁層１Ｃで形成されるバンク内に有機発光層ＯＣＴを形成する（図１９（Ｇ））。有機発光層ＯＣＴの形成パターンを図１８に示す。その後、全面を他方の電極（カソード電極）ＣＭで覆う（図１９（Ｈ））。
【０１０５】
本実施例の有機ＥＬ発光表示装置も前記した実施例と同様に、隣接する画素間にあるバンクを無機材料で形成し、かつその厚みを上層の電極よりも薄く形成することにより、エッジグロースの発生がないため、開口率の低下が防止される。また隣接画素からの迷光がバンクのスロープで反射されることによる輝度低下も抑制され、さらに有機ＥＬ層を挟む電極間のショートの発生も防止される。
【０１０６】
図２０は本発明を適用したさらに有機ＥＬ発光表示装置のさらに他の実施例の一画素付近の構成を説明する断面図である。図２０の有機ＥＬ発光表示装置が図１および図１１の有機ＥＬ表示装置と異なる構成は、アクティブ素子の構造が前記の構成とは上下が逆で、前記した実施例におけるような堤状のバンク構造を有しない点である。前記の各実施例の説明図と同一の参照符号は同一機能部分に対応する。この有機ＥＬ発光表示装置は、基板ＳＵＢの主面に接着材層ＧＲＵでアクティブ素子、発光エリアの構造体を形成する多層構造が接着されている。
【０１０７】
図２１は図２０に示した有機ＥＬ発光表示装置の製造プロセスを説明する断面図である。先ず、仮基板ＡＳＵＢに一方の電極（アノード電極）となる透明導電膜ＩＴＯを成膜する（図２１（Ａ））。その上を覆って無機材料の絶縁層ＳｉＯ２  を形成する（図２１（Ｂ））。絶縁層ＳｉＯ２  の上にファーストゲートＦＧをパターニングし、その上をゲート絶縁層ＧＩで被覆し、さらにセカンドゲートＳＧをパターニングする（図２１（Ｃ））。セカンドゲートＳＧ上に無機材料からなる絶縁層１Ｂを形成する（図２１（Ｄ））。絶縁層１Ｂにコンタクトホールを開けてスイッチ間の配線ＡＬとスイッチ間の配線兼シールド部材ＡＬＳを形成する（図２１（Ｅ））。スイッチ間の配線ＡＬとスイッチ間の配線兼シールド部材ＡＬＳを覆って無機材料からなる絶縁層１Ｃを形成する（図２１（Ｆ））。
【０１０８】
絶縁層１Ｃの上面に接着剤ＧＲＵで透明ガラスを好適とする基板ＳＵＢを接着する（図２１（Ｇ））。この状態ではまだ有機発光層は形成されていない。次に、仮基板ＡＳＵＢを剥離して透明導電膜ＩＴＯを露出させる（図２１（Ｈ））。その後、透明導電膜ＩＴＯの上にホール輸送層ＨＴＬ、有機発光層ＯＣＴ、他方の電極（カソード電極）ＣＭを形成する（図２１（Ｉ））。
【０１０９】
本実施例の有機ＥＬ表示装置は、所謂バンクを有しないため、有機発光層に水分や酸素などが入り込んで有機発光層の劣化をもたらすことがなく、開口率の低下による輝度の劣化が回避され、また隣接画素からの迷光が入り込むこともなく、さらに画素エリアの周囲に段差を有しないため、所謂段切れの発生は無く、一方の電極ＩＴＯと他方の電極ＣＭ間のショートは発生しない。
【０１１０】
図２２は、本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の回路構成の説明図である。本発明の有機ＥＬ発光表示装置は、基板ＳＵＢ上に複数のドレイン線ＤＬと複数の走査信号線（ゲート線）ＧＬとのマトリクス配列で形成した表示部ＤＩＰ（図２２にて点線で囲まれた領域）の周囲にデータ駆動回路ＤＤＲ、走査駆動回路ＤＤＧ、電流供給回路ＰＷを配置して構成されている。
【０１１１】
データ駆動回路ＤＤＲはＮ型チャネルを備えたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とＰ型チャネルを備えたＴＦＴを含む相補型回路、またはＮ型チャネルを備えたＴＦＴのみ、またはＰ型チャネルを備えたＴＦＴのみからなるシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などを備える。データ線ＤＬとゲート線ＧＬで囲まれた画素ＰＸには、スイッチング素子（コントロールトランジスタ）ＳＷ１、電流供給トランジスタ（ドライブトランジスタ）ＤＴ、コンデンサＣ、および有機ＥＬ素子ＯＣＴが配置される。スイッチング素子ＳＷ１の制御電極（ゲート）はゲート線ＧＬに、チャネルの一端（ドレイン）はデータ線ＤＬに接続されている。電流供給トランジスタＤＴのゲートはスイッチング素子ＳＷ１のチャネルの他端（ソース）に接続され、この接続点にはコンデンサＣの一方の電極（＋極）が接続されている。電流供給トランジスタＤＴのチャネルの一端（ドレイン）は電流供給線ＰＬに、その他端（ソース）は有機ＥＬ素子ＬＥＤの陽極に接続されている。データ線ＤＬはデータ駆動回路ＤＤＲで駆動され、走査線（ゲート線）ＧＬは走査駆動回路ＤＤＧで駆動される。また、電流供給線ＰＬは共通電位供給バスラインＰＬＡを通して電流供給回路ＰＷに接続される。
【０１１２】
図２２において、１つの画素ＰＸが走査線ＧＬで選択されて、そのスイッチング素子（コントロールトランジスタ）ＳＷ１がターン・オンすると、データ線ＤＬから供給される画像信号がコンデンサＣに蓄積される。その後、スイッチング素子ＳＷ１がターン・オフした時点で電流供給トランジスタＤＴがターン・オンし、電流供給線ＰＬから有機ＥＬ素子ＬＥＤに、ほぼ１フレーム期間に亘って電流が流れる。有機ＥＬ素子ＬＥＤに流れる電流は電流供給トランジスタＤＴにより調整され、また、電流供給トランジスタＤＴのゲートには、コンデンサＣに蓄積されている電荷に応じた電圧が印加される。これにより、画素の発光が制御される。図２２には示されないが、コンデンサＣの動作レベルを図３（Ａ）に示すようにされるコントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２の電位で制御してもよい。
【０１１３】
図３（Ａ）の画素構造では、コントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２を画素領域の一部を貫通して設けるため、発光領域の面積が制限される。しかし、コントロール信号線ＣＬ１，ＣＬ２により表示画面内に配置される複数の電流供給トランジスタＤＴの動作を調整することにより、これらの特性のばらつきに影響されることなく画像を表示画面に生成できる利点がある。
【０１１４】
図２３は本発明による有機ＥＬ発光表示装置の製品例の基板上での配置を説明する平面図である。図２２と同一参照符号は同一機能部分に対応する。この基板ＳＵＢの中央の大部分は画素回路のマトリクスアレイＡＭＸと有機発光層（図示せず）で構成される表示領域ＡＲで占められる。この表示領域ＡＲの外側にはデータ駆動回路ＤＤＲ、走査駆動回路ＤＤＧおよび電流供給回路ＰＷが配置されている。これらの各回路および表示領域ＡＲの最外周にシール剤が塗布されて後述するカバーガラスが張り合わされる。なお、データ駆動回路ＤＤＲ、走査駆動回路ＤＤＧおよび電流供給回路ＰＷは、基板ＳＵＢの一辺に設けたパッドＰＡＤで外部回路と接続する。
【０１１５】
図２４は本発明による有機ＥＬ発光表示装置の製品例の全体構成を説明する展開斜視図、図２５は図２４のＡ−Ａ’線の沿った断面図である。図２４、図２５における基板の構成は図２３で説明したとおりであり、ここでは、説明のために有機発光層ＯＬＥが画素回路のマトリクスアレイＡＭＸとは別個に示してある。しかし、画素回路のマトリクスアレイＡＭＸと有機発光層ＯＬＥは前記したように一体的に形成されているものであることは言うまでもない。カバーガラスＣＧは、その外縁でシール剤ＳＨＬで基板ＳＵＢに接着固定されている。この構成例では、カバーガラスＣＧの内面に凹みを設け、ここに乾燥剤（吸湿剤ＤＣＫが収容され、フィルムで覆われている。
【０１１６】
本発明による有機ＥＬ表示表示装置は、これに供給される電流量にほぼ比例した輝度で、かつ当該有機発光素子に設けられた発光層を形成する有機発光材料（エレクトロルミネセンス材料）に応じた色で発光する。カラー表示を行う有機ＥＬ表示装置においては、赤、緑、青の画素毎に発光層に用いる有機発光層材料を変えることが多い。また、所謂白色光を輻射する有機発光層材料で各画素の発光層を形成し、これに液晶表示装置に用いられるようなカラーフィルタを組合せた有機ＥＬ発光表示装置でカラー画像を表示することもある。
【０１１７】
なお、上述した有機ＥＬ発光表示装置のいずれにおいても、映像信号（データ信号）は、アナログ量、及び時分割のデジタル量のいずれでも伝送できる。また、有機ＥＬ表示装置の階調制御に、赤、緑、青の各画素の発光面積を分割した面積階調方式を組合せてもよい。
【０１１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アクティブ・マトリクス駆動（ＴＦＴ駆動）により画像表示を行う有機ＥＬ発光表示装置において、その画質の劣化とスメアの発生が防止され、また、表示画像のコントラスト比や輝度が向上する。これにより、高品位の画像表示が行える有機ＥＬ発光表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の一実施例における一画素付近の構成を説明する断面図である。
【図２】図１に示した一画素付近の平面図である。
【図３】図３は本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の一実施例における（Ａ）一つの画素の平面図および（Ｂ）一つの画素（画素素子）の等価回路図である。
【図４】図３（Ａ）の画素をマトリクス状に配置した平面図である。
【図５】有機ＥＬ発光表示装置に備えられる画素アレイをフォトリソグラフィにより形成するために用いる第１のフォトパターンを有するマスクの平面図である。
【図６】有機ＥＬ発光表示装置に備えられる画素アレイをフォトリソグラフィにより形成するために用いる第２のフォトパターンを有するマスクの平面図である。
【図７】有機ＥＬ発光表示装置に備えられる画素アレイをフォトリソグラフィにより形成するために用いる第３のフォトパターンを有するマスクの平面図である。
【図８】有機ＥＬ発光表示装置に備えられる画素アレイをフォトリソグラフィにより形成するために用いる第４のフォトパターンを有するマスクの平面図である。
【図９】有機ＥＬ発光表示装置に備えられる画素アレイをフォトリソグラフィにより形成するために用いる第５と第６のフォトパターンを有するマスクの平面図である。
【図１０】本発明の有機ＥＬ発光表示装置の製造プロセス例の説明図である。
【図１１】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の実施例における一画素付近の構成を説明する断面図である。
【図１２】図１１に示した画素をマトリクス状に配置した平面図である。
【図１３】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の実施例の製造プロセスを順に説明する図１２と同様の平面図である。
【図１４】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の製造プロセスを順に説明する図１３に続く平面図である。
【図１５】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の製造プロセスを順に説明する図１４に続く平面図である。
【図１６】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の製造プロセスを順に説明する図１５に続く平面図である。
【図１７】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の製造プロセスを順に説明する図１６に続く平面図である。
【図１８】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の製造プロセスを順に説明する図１７に続く平面図である。
【図１９】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の他の製造プロセスを説明する断面図である。
【図２０】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置のさらに他の実施例における一画素付近の構成を説明する断面図である。
【図２１】図２０に示した有機ＥＬ発光表示装置のさらに他の実施例における製造プロセスを説明する断面図である。
【図２２】本発明を適用した有機ＥＬ発光表示装置の回路構成の説明図である。
【図２３】本発明による有機ＥＬ発光表示装置の製品例の基板上での配置を説明する平面図である。
【図２４】本発明による有機ＥＬ発光表示装置の製品例の全体構成を説明する展開斜視図である。
【図２５】図２４のＡ−Ａ’線の沿った断面図である。
【符号の説明】
ＯＣＴ・・・有機材料層、ＰＬ・・・電流供給線、ＤＬ・・・ドレイン信号線、ＳＷ１・・・スイッチング素子（コントロールトランジスタ）、ＳＷ２，ＳＷ３・・・スイッチング素子、ＤＴ・・・スイッチング素子（ドライブトランジスタ）、ＧＬ・・・走査信号線、ＣＬ１，ＣＬ２・・・コントロール信号線、ＤＴ・・・ドライブトランジスタ、Ｃ１−ＣＳｉ，ＣＳｉ−Ｃ２・・・コンデンサ、Ｃｏｎｔ−ＤＬ，Ｃｏｎｔ−ＰＬ，Ｃｏｎｔ−ＩＴＯ，ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３・・・コンタクトホール、ＩＴＯ・・・有機エレクトロルミネセンス素子の一方の電極（アノード電極）、ＣＭ・・・有機エレクトロルミネセンス素子の他方の電極（カソード電極）、ＢＭＰ・・・バンク、ＯＣＴ・・・有機発光層、ＩＢ，ＩＣ・・・絶縁膜、ＦＧ・・・半導体チャネル、ＳＧ・・・ゲート電極、ＡＬ・・・スイッチング素子間の配線、ＣＧ・・・カバーガラス、ＡＬＳ・・・スイッチング素子間の配線（光シールドも兼ねる部分）、ＳＵＢ・・・基板、ＤＩＰ・・・表示部、ＰＷ・・・電流供給回路、ＤＤＲ・・・データ駆動回路、ＤＤＧ・・・走査駆動回路、ＰＬ・・・電流供給線、ＰＬＡ・・・共通電位供給バスライン、ＰＸ・・・画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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