(57)【要約】【課題】  ＭＳＭ型受光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係るＭＳＭ型受光素子１００は，光吸収層２０の上面２０ａに受光面４０を有するＭＳＭ型受光素子１００であって、基板１０と、基板１０の上方に形成された光吸収層２０と、光吸収層２０の上方に形成された第１電極３０と、光吸収層２０の上方に形成された第２電極３２と、受光面４０の上方に形成されたレンズ部５０と、を含み、レンズ部５０は、受光面４０に光を集める機能を有する。【選択図】      図２
2005277312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層の上面に受光面を有するＭＳＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型受光素子であって、
基板と、
前記基板の上方に形成された前記光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成された第１電極と、
前記光吸収層の上方に形成された第２電極と、
前記受光面の上方に形成されたレンズ部と、を含み、
前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有する、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記受光面は、平面視において少なくとも前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１電極および前記第２電極は、櫛型形状を有し、
前記レンズ部は、前記第１電極および前記第２電極の上方にブロック状に形成されている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記第１電極および前記第２電極は、櫛型形状を有し、
前記レンズ部は、前記第１電極と前記第２電極との間に線状に形成されている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記レンズ部の上部の一部は、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆っている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記レンズ部は、土台部材の上方に形成されている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項７】
請求項６において、
前記土台部材は、前記光吸収層からなる、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項８】
請求項６において、
前記土台部材は、前記光吸収層の上方に形成されている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかにおいて、
前記光吸収層の上方に形成された堰き止め部材を有し、
前記レンズ部は、前記堰き止め部材によって堰き止められて形成されている、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項１０】
請求項９において、
前記堰き止め部材は、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方からなる、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に突起部を有する、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に溝部を有する、ＭＳＭ型受光素子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載のＭＳＭ型受光素子と、
ＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）と、を含む、光電子集積素子。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれかに記載のＭＳＭ型受光素子と、
発光素子と、を含む、光モジュール。
【請求項１５】
請求項１４に記載の光モジュールを含む、光伝達装置。
【請求項１６】
光吸収層の上面に受光面を有するＭＳＭ型受光素子の製造方法であって、
基板の上方に光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第１電極を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第２電極を形成する工程と、
前記受光面の上方にレンズ部を形成する工程と、を含み、
前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有するように形成される、ＭＳＭ型受光素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記受光面は、少なくとも前記第１電極と前記第２電極との間に形成される、ＭＳＭ型受光素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７において、
前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記受光面に向けて吐出する液滴吐出法によって形成される、ＭＳＭ型受光素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記レンズ部を形成する工程の前に、前記光吸収層の上方に堰き止め部材を形成する工程を含み、
前記レンズ部を形成する工程において、前記液滴は、前記堰き止め部材によって堰き止められる、ＭＳＭ型受光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＳＭ型受光素子およびその製造方法、光モジュール、並びに、光伝達装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＳＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型受光素子は、プレーナ構造を有する受光素子である（たとえば、特許文献１参照）。具体的には、ＭＳＭ型受光素子は、光吸収層となる半導体材料をエピタキシャル成長させた基板の上方に、アノード電極およびカソード電極が形成されたものである。ＭＳＭ型受光素子は、受光面積を大きく取ることができること、寄生容量が小さいために高速応答が可能であること、プレーナ構造であるために製作が容易であること等の特長を有する。
【特許文献１】特開平２−４５９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、ＭＳＭ型受光素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００４】
また、本発明の目的は、前記ＭＳＭ型受光素子を有する光モジュール、および該光モジュールを有する光伝達装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子は、
光吸収層の上面に受光面を有するＭＳＭ型受光素子であって、
基板と、
前記基板の上方に形成された前記光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成された第１電極と、
前記光吸収層の上方に形成された第２電極と、
前記受光面の上方に形成されたレンズ部と、を含み、
前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有する。
【０００６】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に設けられた他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）とは、Ａ上に直接設けられたＢと、Ａ上に、Ａ上の他のものを介して設けられたＢと、を含む。この「上方」の定義については、本発明に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法においても同様である。
【０００７】
このＭＳＭ型受光素子によれば、該ＭＳＭ型受光素子の前記受光面の上方に前記レンズ部が形成されていることにより、前記基板の上面に対して水平方向の光軸ずれの許容範囲が広がる。すなわち、このＭＳＭ型受光素子によれば、前記基板の上面に対して水平方向のトレランスが向上する。
【０００８】
また、このＭＳＭ型受光素子によれば、前記ＭＳＭ型受光素子の前記受光面の上方に前記レンズ部が形成されていることにより、前記基板の上面に対して垂直方向のトレランスが向上する。
【０００９】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記受光面は、平面視において少なくとも前記第１電極と前記第２電極との間に形成されていることができる。
【００１０】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、平面視とは、前記基板の上方から本発明に係るＭＳＭ型受光素子を平面的に見ることをいう。
【００１１】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、
前記第１電極および前記第２電極は、櫛型形状を有し、
前記レンズ部は、前記第１電極および前記第２電極の上方にブロック状に形成されていることができる。
【００１２】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、
前記第１電極および前記第２電極は、櫛型形状を有し、
前記レンズ部は、前記第１電極と前記第２電極との間に線状に形成されていることができる。
【００１３】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記レンズ部の上部の一部は、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆っていることができる。
【００１４】
このＭＳＭ型受光素子によれば、前記レンズ部の上部の一部が、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆っていることができる。これにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の垂直上方から入射する光は、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された前記受光面に集められる。そして、光は、前記光吸収層へ入射される。したがって、前記レンズ部を有しない場合に比べ、前記光吸収層への入射効率を向上させることができる。
【００１５】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記レンズ部は、土台部材の上方に形成されていることができる。
【００１６】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記土台部材は、前記光吸収層からなることができる。
【００１７】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記土台部材は、前記光吸収層の上方に形成されていることができる。
【００１８】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、
前記光吸収層の上方に形成された堰き止め部材を有し、
前記レンズ部は、前記堰き止め部材によって堰き止められていることができる。
【００１９】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記堰き止め部材は、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方からなることができる。
【００２０】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に突起部を有することができる。
【００２１】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子において、前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に溝部を有することができる。
【００２２】
本発明に係る光電子集積素子は、ＭＳＭ型受光素子と、
ＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）と、を含むことができる。
【００２３】
本発明に係る光モジュールは、上述のＭＳＭ型受光素子と、
発光素子と、を含むことができる。
【００２４】
本発明に係る光伝達装置は、上述の光モジュールを含むことができる。
【００２５】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法は、
光吸収層の上面に受光面を有するＭＳＭ型受光素子の製造方法であって、
基板の上方に光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第１電極を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第２電極を形成する工程と、
前記受光面の上方にレンズ部を形成する工程と、を含み、
前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有するように形成される。
【００２６】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法において、前記受光面は、少なくとも前記第１電極と前記第２電極との間に形成されることができる。
【００２７】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法において、前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記受光面に向けて吐出する液滴吐出法によって形成されることができる。
【００２８】
本発明に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法において、
前記レンズ部を形成する工程の前に、前記光吸収層の上方に堰き止め部材を形成する工程を含み、
前記レンズ部を形成する工程において、前記液滴は、前記堰き止め部材によって堰き止められることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
１．第１の実施の形態
１−１．デバイスの構造
図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００を模式的に示す平面図である。また、図２および図３は、図１に示すＭＳＭ型受光素子１００を模式的に示す断面図である。なお、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００３１】
本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００は、図１〜図３に示すように、基板１０と、光吸収層２０と、第１電極３０と、第２電極３２と、レンズ部５０と、を含む。ＭＳＭ型受光素子１００は、光吸収層２０の上面２０ａに受光面４０を有する。
【００３２】
基板１０は、たとえば、ＧａＡｓ基板やシリコン基板等の半導体基板や、ガラス基板あるいはプラスチック基板などを用いることができる。本実施の形態では半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いる例について説明するが、基板１０は、特に限定されるわけではない。
【００３３】
光吸収層２０は、基板１０上に形成された柱状の半導体堆積体である。すなわち、光吸収層２０の立体形状は円柱状である。光吸収層２０の立体形状は特に限定されないが、その上面２０ａ上にレンズ部５０を設置することができる構造であることができる。光吸収層２０は、レンズ部５０の土台となることができる。言い換えるならば、レンズ部５０の土台部材は、光吸収層２０からなることができる。
【００３４】
光吸収層（土台部材）２０の上面２０ａの形状は、光吸収層２０の上面２０ａ上に形成されるレンズ部５０の機能や用途によって定められる。言い換えれば、光吸収層２０の上面２０ａの形状を制御することによって、レンズ部５０の形状を制御することができる。たとえば、図１に示すように、光吸収層２０の上面２０ａの平面形状を円にすることができる。これにより、レンズ部５０の立体形状を、球状、または球の一部を切り取った形状（図１〜図３参照）に形成することができる。また、たとえば、光吸収層２０の上面２０ａの平面形状を矩形にすることもできる。光吸収層２０は、たとえば、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層からなることができる。
【００３５】
図１〜図３に示すように、第１電極３０および第２電極３２は、光吸収層２０上に形成されている。この第１電極３０および第２電極３２は、ＭＳＭ型受光素子１００に電圧を印加して、ＭＳＭ型受光素子１００を駆動させるために使用される。第１電極３０および第２電極３２は、それぞれ櫛型に形成されている。第１電極３０と第２電極３２とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置されている。
【００３６】
具体的には、第１電極３０は、第１の方向（図１の例ではＸ方向）に延在する主軸部３０ａと、第１の方向に直交する第２の方向（図１の例ではＹ方向）に延在する分岐部３０ｂと、を有する。第２電極３２は、第１の方向に延在する主軸部３２ａと、第１の方向に直交する第２の方向に延在する分岐部３２ｂと、を有する。
【００３７】
第１電極３０における分岐部３０ｂと第２電極３２における分岐部３２ｂとは、それぞれが交互に、所定の間隔をあけて配置されている。第１電極３０における主軸部３０ａは、第２電極３２における分岐部３２ｂと、所定の間隔をあけて配置されている。第２電極３２における主軸部３２ａは、第１電極３０における分岐部３０ｂと、所定の間隔をあけて配置されている。第１電極３０の分岐部３０ｂおよび第２電極３２の分岐部３２ｂは、図１の例ではそれぞれ３本であるが、それぞれ２本以上ならば所望の櫛型形状を有する電極を構成することができる。なお、第１電極３０および第２電極３２は、櫛型形状を有する場合に限定されるわけではない。
【００３８】
第１電極３０は、第１パッド部３０ｃを有する。第１パッド部３０ｃは、たとえば、第１電極３０の主軸部３０ａの端部に配置されている。第２電極３２は、第２パッド部３２ｃを有する。第２パッド部３２ｃは、たとえば、第２電極３２の主軸部３２ａの端部に配置されている。第１パッド部３０ｃおよび第２パッド部３２ｃは、電極パッドとして用いることができる。
【００３９】
第１電極３０と第２電極３２との間には開口部４２が設けられている。少なくともこの開口部４２によって露出した光吸収層２０の上面２０ａは、受光面４０である。したがって、開口部４２の平面形状および大きさを適宜設定することにより、受光面４０の形状および大きさを適宜設定することができる。
【００４０】
第１電極３０および第２電極３２には、光吸収層２０とショットキー接触する材料を用いることができる。第１電極３０および第２電極３２は、たとえば、チタン（Ｔｉ）と、白金（Ｐｔ）と、金（Ａｕ）との積層膜、または、チタンと、パラジウム（Ｐｄ）と、金との積層膜などからなることができる。第１電極３０と第２電極３２とによって光吸収層２０に電圧が印加される。なお、第１電極３０および第２電極３２を形成するための材料は、前述したものに限定されるわけではない。
【００４１】
レンズ部５０は、光吸収層２０、第１電極３０、および第２電極３２上にブロック状に形成されている。言い換えるならば、レンズ部５０は、光吸収層２０、第１電極３０、および第２電極３２上に一つの塊として形成されている。レンズ部５０の形状は、受光面４０に光を集める機能を有する形状とすることができる。レンズ部５０の形状は、たとえば、凸状の形状であることができる。より具体的には、レンズ部５０の形状は、たとえば、図１〜図３に示すように、１つの球の一部を切り取った形状とすることができる。レンズ部５０は、受光面４０に光を集める機能を有することができる。具体的には、以下の通りである。
【００４２】
図４は、ＭＳＭ型受光素子１００に入射する光のうちの一部の経路を模式的に示す図であり、図２に示す断面図に対応している。まず、図４に示すように、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００の外部から、光（図４に示す矢印ａ）がレンズ部５０に入射される。ここで、仮にレンズ部５０を有しない場合には、光は図４に示す矢印ｂの方向に進む。そして、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０の存在する領域４０ａの外側の光（たとえば、図４の矢印ａに示される光）は、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０に到達することはない。これに対し、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００では、レンズ部５０により光（図４に示す矢印ａ）は屈折され、たとえば、図４に示す矢印ｃの方向に進む。そして、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０の存在する領域４０ａの外側の光は、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０に到達する。このように、レンズ部５０は、受光面４０に光を集める機能を有することができる。
【００４３】
本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００においては、受光面４０と平行な面でレンズ部５０を切断して得られる断面の面積が最大となる断面の形状は円形である。図４に示すように、受光面４０と平行な面でレンズ部５０を切断して得られる断面の最大径Ｒ（直径）を、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０の存在する領域４０ａの幅Ｌよりも大きくすることができる。
【００４４】
レンズ部５０は、たとえば熱または光等のエネルギーによって硬化可能な液体材料（たとえば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体）を硬化させることにより形成される。紫外線硬化型樹脂としては、たとえば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、熱硬化型のポリイミド系樹脂等が例示できる。
【００４５】
１−２．デバイスの製造方法
次に、図１〜図３に示すＭＳＭ型受光素子１００の製造方法について、図５〜図８を参照して説明する。図５〜図８はそれぞれ、図１〜図３に示すＭＳＭ型受光素子１００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図２に示す断面に対応している。
【００４６】
（１）まず、図５に示すように、半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１０の表面にエピタキシャル成長させることにより、光吸収層２０を形成する。光吸収層２０は、たとえば不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層からなることができる。エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、基板１０の種類、あるいは形成する光吸収層２０の種類、厚さなどによって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることができる。
【００４７】
（２）次に、光吸収層２０上に、レジストを塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図６に示すように、所定のパターンのレジスト層Ｒ１を形成する。レジスト層Ｒ１は、光吸収層２０（図１〜図３参照）の形成予定領域の上方に形成する。次に、このレジスト層Ｒ１をマスクとして、たとえば、ドライエッチング法またはウェットエッチング法などにより、光吸収層２０をパターニングする。その後、レジスト層Ｒ１を除去する。
【００４８】
（３）次に、光吸収層２０に電圧を印加するための第１電極３０、第２電極３２および光の受光面４０（図１〜図３参照）を形成する工程について述べる。
【００４９】
まず、第１電極３０および第２電極３２を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、少なくとも光吸収層２０の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。次に、図７に示すように、たとえば真空蒸着法により光吸収層２０の上面に、たとえばチタンと、白金と、金との積層膜を形成した後、リフトオフ法により、光吸収層２０の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が受光面４０となる。すなわち、受光面４０は、少なくとも第１電極３０と第２電極３２との間に形成される。第１電極３０および第２電極３２は、それぞれ櫛型になるように形成される。第１電極３０と第２電極３２とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置される。
【００５０】
なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いることもできる。次いで、アニール処理する。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いた電極材料の場合は、通常４００℃前後で行う。以上の工程により、第１電極３０および第２電極３２が形成される。
【００５１】
（４）次に、基板１０上の全面に撥液処理を行うことができる。撥液処理としては、たとえば、基板１０をＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）ガスの雰囲気中に投入することによって、基板１０上の全面にＦＡＳの撥液膜を形成することで行うことができる。撥液膜とは、後述するレンズ部５０となるレンズ部前駆体５０ａに対して撥液性を有する膜をいう。撥液処理を行うことにより、より確実に所望の形状を有するレンズ部５０を形成することができる。
【００５２】
（５）次いで、レンズ部前駆体５０ａを形成する。具体的には、図８に示すように、光吸収層２０の上面２０ａの受光面４０に対して、レンズ部５０を形成するための液体材料の液滴５２を吐出して、レンズ部前駆体５０ａを形成する。レンズ部前駆体５０ａは、レンズ部５０（図１〜図３参照）が所望の形状となるような形状に形成される。
【００５３】
前記液体材料は、エネルギー（たとえば、紫外線や熱など）を付加することによって硬化可能な性質を有する。液体材料としては、たとえば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体が挙げられる。紫外線硬化型樹脂としては、たとえば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂などが挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、たとえば熱硬化型のポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００５４】
紫外線硬化型樹脂の前駆体は、短時間の紫外線照射によって硬化する。このため、熱工程など素子に対するダメージを与えやすい工程を経ずに硬化させることができる。このため、紫外線硬化型樹脂の前駆体を用いてレンズ部５０を形成することにより、素子に対する影響を少なくすることができる。
【００５５】
液滴５２を吐出する方法としては、たとえば、ディスペンサ法または液滴吐出法が挙げられる。ディスペンサ法は、液滴を吐出する方法として一般的な方法であり、比較的広い領域に液滴５２を吐出する場合に有効である。また、液滴吐出法は、液滴吐出用のヘッドを用いて液滴を吐出する方法であり、液滴を吐出する位置についてμｍオーダーの単位で制御が可能である。また、吐出する液滴の量を、ピコリットルオーダーの単位で制御することができるため、微細な構造のレンズ部５０を作製することができる。本実施の形態では、液滴吐出法を用いる例について説明する。
【００５６】
液滴吐出法としては、たとえば、（I）熱により液体（ここでは液滴５２）中の気泡の大きさを変化させることで圧力を生じさせ、液体をインクジェットヘッド１１４のノズル１１２から吐出させる方法や、（II）圧電素子により生じた圧力によって液体をインクジェットヘッド１１４のノズル１１２から吐出させる方法などがある。圧力の制御性の観点からは、前記（II）の方法が望ましい。
【００５７】
インクジェットヘッド１１４のノズル１１２の位置と、液滴５２の吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行なわれる。たとえば、インクジェットヘッド１１４のノズル１１２の位置と、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０の位置とのアライメントを画像認識により行う。アライメント後、インクジェットヘッド１１４に印加する電圧を制御した後、液滴５２を吐出する。
【００５８】
（６）次いで、レンズ部前駆体５０ａを硬化させて、図１〜図３に示すように、レンズ部５０を形成する。具体的には、レンズ部前駆体５０ａに対して、熱または光等のエネルギーを付与する。レンズ部前駆体５０ａを硬化する際は、液体材料の種類により適切な方法を用いる。具体的には、例えば、熱エネルギーの付加、あるいは紫外線またはレーザ光等の光照射が挙げられる。
【００５９】
以上のプロセスにより、図１〜図３に示すＭＳＭ型受光素子１００が得られる。
【００６０】
１−３．作用・効果
本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００によれば、ＭＳＭ型受光素子１００の受光面４０の全体にレンズ部５０が形成されていることにより、基板１０の上面に対して水平方向（図１〜図３の例では、Ｘ−Ｙ平面方向）の光軸ずれの許容範囲が広がる。すなわち、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００によれば、基板１０の上面に対して水平方向のトレランスが向上する。
【００６１】
また、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００によれば、ＭＳＭ型受光素子１００の受光面４０の全体にレンズ部５０が形成されていることにより、基板１０の上面に対して垂直方向（図１〜図３の例では、Ｚ方向）のトレランスが向上する。
【００６２】
また、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００およびその製造方法によれば、光吸収層２０がレンズ部５０の土台部材となる。このように土台部材があることにより、レンズ部５０を所望の形状に形成することが容易となる。
【００６３】
１−４．変形例
図１〜図３に示すＭＳＭ型受光素子１００では、レンズ部５０の土台である土台部材が光吸収層２０からなる場合について示したが、たとえば、図９に示すように、光吸収層２０上に光吸収層２０とは別の材質からなる土台部材６０を形成することもできる。土台部材６０は、所定波長の光を通過させる材質からなる。具体的には、土台部材６０は、レンズ部５０へ入射した光を通過させることができる材質からなる。たとえば、土台部材６０は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、あるいはフッ素系樹脂を用いて形成することができる。なお、土台部材６０は、所定波長の光を吸収する材質からなることもできる。土台部材６０の形成は、土台部材６０の材質や形状ならびに大きさに応じて適切な方法（例えば選択成長法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、リフトオフ法、転写法等）を選択することができる。なお、図９は、この場合のＭＳＭ型受光素子１００を模式的に示す断面図であり、図２の断面図に対応している。
【００６４】
また、たとえば、図１０に示すように、光吸収層２０上であって、第１電極３０および第２電極３２の周囲に堰き止め部材６０を形成することができる。堰き止め部材６０の断面形状および平面形状は、上述したレンズ部前駆体５０ａ（図８参照）を形成する工程において、レンズ部前駆体５０ａが所望の形状になるまでレンズ部前駆体５０ａの流出を堰き止めることができる形状であることができる。図１０に示す例では、堰き止め部材６０の断面形状は矩形である。堰き止め部材６０の平面形状は、図示しないが、たとえば円形のリング形状などである。
【００６５】
堰き止め部材６０としては、たとえばレジスト層を用いることができる。堰き止め部材６０としてレジスト層を用いた場合には、堰き止め部材６０のパターニングは、公知のリソグラフィ技術を用いて行うことができる。堰き止め部材６０としては、レジスト層に限定されず、たとえば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、あるいはフッ素系樹脂などを用いて形成することができる。なお、図１０は、この場合のＭＳＭ型受光素子１００を模式的に示す断面図であり、図２の断面図に対応している。
【００６６】
また、たとえば、図１１に示すように、堰き止め部材６０は、光吸収層２０と一体化して形成されたものであってもよい。すなわち、この場合、堰き止め部材６０は光吸収層２０と同一の材料から形成される。このような堰き止め部材６０は、たとえば、光吸収層２０をパターニングすることにより形成できる。なお、図１１は、この場合のＭＳＭ型受光素子１００を模式的に示す断面図であり、図２の断面図に対応している。
【００６７】
２．第２の実施の形態
２−１．デバイスの構造
図１２は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子２００を模式的に示す平面図である。また、図１３は、図１２に示すＭＳＭ型受光素子２００を模式的に示す断面図である。なお、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６８】
本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子２００は、図１２および図１３に示すように、基板１０と、光吸収層２０と、第１電極３０と、第２電極３２と、レンズ部５０と、を含む。光吸収層２０は、基板１０上の全面に形成されている。
【００６９】
第１電極３０および第２電極３２は、光吸収層２０上に形成されている。第１電極３０および第２電極３２は、第１の実施の形態と同様に、それぞれ櫛型に形成されている。第１電極３０と第２電極３２とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置されている。
【００７０】
第１電極３０は、図１３に示すように、上面に第１突起部３１を有し、かつ、第２電極３２は、上面に第２突起部３３を有する。このことにより、後述するレンズ部前駆体５０ａ（図１８参照）を形成する工程において、第１電極３０および第２電極３２は、レンズ部前駆体５０ａが所望の形状になるまでレンズ部前駆体５０ａの流出を堰き止めることができる。言い換えるならば、レンズ部前駆体５０ａを形成する工程において、第１電極３０および第２電極３２は、レンズ部前駆体５０ａの流出を堰き止める堰き止め部材となることができる。
【００７１】
レンズ部５０は、光吸収層２０上であって、第１電極３０と第２電極３２との間に線状に形成されている。言い換えるならば、レンズ部５０は、光吸収層２０上であって、第１電極３０と第２電極３２との間を縫って形成されている。レンズ部５０は、図１３に示すように、上部５１と、下部５３とから構成されている。レンズ部５０の上部５１は、凸状の形状を有する。レンズ部５０の上部５１の一部は、第１電極３０および第２電極３２の上面の一部を覆っている。具体的には、図１３に示すように、レンズ部５０の上部５１の一部は、第１電極３０の突起部３１の側方に位置する第１電極３０の上面３０Ａと、第２電極３２の突起部３３の側方に位置する第２電極３２の上面３２Ａと、を覆っている。
【００７２】
レンズ部５０は、受光面４０に光を集める機能を有することができる。具体的には以下の通りである。
【００７３】
図１４は、入射光のうちの一部の経路を模式的に示す図であり、図１３に示す断面図に対応している。まず、図１４に示すように、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子２００の外部から、光（図１４に示す矢印ａ）がレンズ部５０に入射される。ここで、仮にレンズ部５０を有しない場合には、光は図４に示す矢印ｂの方向に進む。そして、第１電極３０および第２電極３２の垂直上方から入射する光（たとえば、図１４の矢印ａに示される光）は、第１電極３０および第２電極３２によって反射され、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０に到達することはない。これに対し、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子２００では、レンズ部５０により光（図１４に示す矢印ａ）は屈折され、たとえば図１４に示す矢印ｃの方向に進む。そして、第１電極３０および第２電極３２の垂直上方から入射する光は、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０に到達する。このように、レンズ部５０は、受光面４０に光を集める機能を有することができる。
【００７４】
２−２．デバイスの製造方法
次に、図１２および図１３に示すＭＳＭ型受光素子２００の製造方法について、図１５〜図１８を参照して説明する。図１５〜図１８はそれぞれ、図１２および図１３に示すＭＳＭ型受光素子２００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図１３に示す断面に対応している。
【００７５】
（１）まず、図１５に示すように、半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１０の表面にエピタキシャル成長させることにより、光吸収層２０を形成する。光吸収層２０は、たとえば不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層からなることができる。エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、基板１０の種類、あるいは形成する光吸収層２０の種類、厚さなどによって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることができる。
【００７６】
（２）次に、光吸収層２０に電圧を印加するための第１電極３０、第２電極３２および光の受光面４０（図１２および図１３参照）を形成する工程について述べる。
【００７７】
まず、第１電極３０および第２電極３２を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、少なくとも光吸収層２０の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。次に、図１６に示すように、たとえば真空蒸着法により光吸収層２０の上面に、たとえばチタンと、白金と、金との積層膜を形成した後、リフトオフ法により、光吸収層２０の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が受光面４０となる。すなわち、受光面４０は、少なくとも第１電極３０と第２電極３２との間に形成される。第１電極３０および第２電極３２は、それぞれ櫛型になるように形成される。第１電極３０と第２電極３２とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置される。
【００７８】
なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いることもできる。
【００７９】
（３）次に、図１７に示すように、第１電極３０に第１突起部３１を形成し、第２電極３２に第２突起部３３を形成する。第１突起部３１および第２突起部３２は、公知のリソグラフィ技術を用いて第１電極３０および第２電極３２をパターニングすることにより形成することができる。次いで、アニール処理する。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いた電極材料の場合は、通常４００℃前後で行う。以上の工程により、第１突起部３１を有する第１電極３０および第２突起部３２を有する第２電極３２が形成される。
【００８０】
（４）次に、第１電極３０および第２電極３２の上面に撥液処理を行うことができる。具体的には、たとえば、まず、公知のリソグラフィ技術を用いて第１電極３０および第２電極３２の上面以外の領域にマスク層（図示せず）を形成する。マスク層は、たとえば、レジストなどを用いることができる。次に、基板１０をたとえばＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）ガスの雰囲気中に投入することによって、マスク層がマスクとして機能し、第１電極３０および第２電極３２の上面にＦＡＳの撥液膜が形成される。次に、マスク層を除去する。このようにして撥液処理を行うことができる。なお、撥液膜とは、後述するレンズ部５０となるレンズ部前駆体５０ａに対して撥液性を有する膜をいう。このような撥液処理を行うことにより、より確実に所望の形状を有するレンズ部５０を形成することができる。
【００８１】
（５）次いで、レンズ部前駆体５０ａを形成する。具体的には、図１８に示すように、光吸収層２０の上面２０ａの受光面４０に対して、レンズ部５０を形成するための液体材料の液滴５２を吐出して、レンズ部前駆体５０ａを形成する。レンズ部前駆体５０ａは、第１電極３０と第２電極３２との間に線状に形成される。レンズ部前駆体５０ａは、レンズ部５０（図１２および図１３参照）が所望の形状となるような形状に形成される。
【００８２】
前記液体材料は、エネルギー（たとえば、紫外線や熱など）を付加することによって硬化可能な性質を有する。液体材料としては、たとえば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体が挙げられる。紫外線硬化型樹脂としては、たとえば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂などが挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、たとえば熱硬化型のポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００８３】
液滴５２を吐出する方法としては、第１の実施の形態と同様に、たとえば、ディスペンサ法または液滴吐出法が挙げられる。本実施の形態では、液滴吐出法を用いる例について説明する。
【００８４】
図１８に示すように、インクジェットヘッド１１４のノズル１１２の位置と、液滴５２の吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行なわれる。たとえば、インクジェットヘッド１１４のノズル１１２の位置と、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０の位置とのアライメントを画像認識により行う。アライメント後、インクジェットヘッド１１４に印加する電圧を制御した後、液滴５２を吐出する。
【００８５】
この場合、ノズル１１２から吐出される液滴５２の吐出角度にはある程度のばらつきがあるが、液滴５２が着弾した位置が第１電極３０と第２電極３２との間であれば、第１電極３０と第２電極３２との間の領域に液滴５２が濡れ広がり、自動的に位置の補正がなされる。
【００８６】
液滴５２の吐出は、レンズ部前駆体５０ａが第１電極３０と第２電極３２との間に線状に形成されるように、インクジェット１１４のノズル１１２の位置を移動させて行う。インクジェット１１４のノズル１１２の移動距離および移動方向などは、レンズ部前駆体５０ａが第１電極３０と第２電極３２との間に線状に形成されるように適宜決定される。なお、必要に応じて、線状に形成されるレンズ部前駆体５０ａの端部に、第１の実施の形態と同様に、堰き止め部材（図示せず）を形成することができる。この堰き止め部材は、第１電極３０および第２電極３２によってレンズ部前駆体５０ａの流出が堰き止められる領域以外の領域に形成することができる。これにより、第１電極３０、第２電極３２、および前記堰き止め部材は、レンズ部前駆体５０ａが所望の形状になるまでレンズ部前駆体５０ａの流出を堰き止めることができる。
【００８７】
（６）次いで、レンズ部前駆体５０ａを硬化させて、図１２および図１３に示すように、レンズ部５０を形成する。具体的には、レンズ部前駆体５０ａに対して、熱または光等のエネルギーを付与する。レンズ部前駆体５０ａを硬化する際は、液体材料の種類により適切な方法を用いる。具体的には、例えば、熱エネルギーの付加、あるいは紫外線またはレーザ光等の光照射が挙げられる。
【００８８】
以上のプロセスにより、図１２および図１３に示すＭＳＭ型受光素子１００が得られる。
【００８９】
２−３．作用・効果
本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子２００によれば、レンズ部５０の上部５１の一部が、第１電極３０の上面３０Ａおよび第２電極３２の上面３２Ａを覆っている。これにより、第１電極３０および第２電極３２の垂直上方から入射する光は、第１電極３０と第２電極３２との間に形成された受光面４０に集められる。そして、光は、光吸収層２０へ入射される。したがって、レンズ部５０を有しない場合に比べ、光吸収層２０への入射効率を向上させることができる。
【００９０】
また、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００およびその製造方法によれば、第１電極３０が第１突起部３１を有し、第２電極３２が第２突起部３２を有することにより、レンズ部前駆体５０ａを形成する工程（図１８参照）において、第１電極３０および第２電極３２は、レンズ部前駆体５０ａが所望の形状になるまでレンズ部前駆体５０ａの流出を堰き止めることができる。そして、このような堰き止め部材（第１電極３０および第２電極３２）があることにより、レンズ部５０を所望の形状に形成することが容易となる。
【００９１】
また、本実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００によれば、ＭＳＭ型受光素子１００の受光面４０の上方にレンズ部５０が形成されていることにより、基板１０の上面に対して垂直方向（図１２および図１３の例では、Ｚ方向）のトレランスが向上する。
【００９２】
２−４．変形例
図１２および図１３に示すＭＳＭ型受光素子２００では、第１電極３０が第１突起部３１を有し、第２電極３２が第２突起部３３を有する場合について示したが、たとえば、図１９に示すように、第１電極３０が第１溝部３５を有し、第２電極３２が第２溝部３７を有することができる。この場合においても、レンズ部前駆体５０ａを形成する工程（図１８参照）において、第１電極３０および第２電極３２は、レンズ部前駆体５０ａが所望の形状になるまでレンズ部前駆体５０ａの流出を堰き止めることができる。なお、図１９は、この場合のＭＳＭ型受光素子１００を模式的に示す断面図であり、図１３の断面図に対応している。
【００９３】
また、図１９に示すＭＳＭ型受光素子２００では、レンズ部５０の上部５１が第１電極３０および第２電極３２の上方で接していない場合について示したが、たとえば、図２０に示すように、レンズ部５０の上部５１が第１電極３０および第２電極３２の上方で接することもできる。なお、図２０は、この場合のＭＳＭ型受光素子２００を模式的に示す断面図であり、図１３の断面図に対応している。
【００９４】
図１２および図１３に示すＭＳＭ型受光素子２００では、レンズ部５０の上部５１の一部が、第１電極３０の上面３０Ａおよび第２電極３２の上面３２Ａを覆っており、第１電極３０が第１突起部３１を有し、第２電極３２が第２突起部３３を有する場合について示したが、たとえば、図２１に示すように、第１電極３０の上面３０Ａおよび第２電極３２の上面３２Ａはレンズ部５０に覆われておらず、第１電極３０および第２電極３２の上面３０Ａ、３２Ａは平坦であることができる。なお、図２１は、この場合のＭＳＭ型受光素子２００を模式的に示す断面図であり、図１３の断面図に対応している。
【００９５】
３．第３の実施の形態
次に、図２２を用いて、第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子１００を適用した光電子集積素子３００および光モジュール７００について説明する。図２２は、本実施の形態に係る光電子集積素子３００および光モジュール７００を模式的に示す断面図である。
【００９６】
光電子集積素子３００は、図２２に示すように、ＭＳＭ型受光素子１００と、ＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１５０とを含む。ＴＩＡ１５０は、たとえば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタによって構成される。ＭＳＭ型受光素子１００およびＴＩＡ１５０は、サブマウント基板４０６上に形成されている。
【００９７】
光モジュール７００は、受信部４００、送信部５００、および電子回路部６００を含む。電子回路部６００は、増幅回路部６１０および駆動回路部６２０を含む。
【００９８】
受信部４００は、サブマウント基板４０６と、光電子集積素子３００と、筐体部４０２と、ガラス部４０４とを含む。
【００９９】
送信部５００は、サブマウント基板５０８と、発光素子５１０と、モニタフォトダイオード５１２と、斜めガラス部５０４と、筐体部５０２とを含む。発光素子５１０およびモニタフォトダイオード５１２は、サブマウント基板５０８上に形成されている。
【０１００】
筐体部４０２は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ４２０と集光部４０５と一体的に形成される。同様に筐体部５０２は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ５２０と一体的に形成される。樹脂材料としては、光を透過可能なものが選択され、たとえば、プラスチック系光ファイバ（ＰＯＦ）に用いられるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート、フェニルメタクリレート、フッ素系ポリマー等を採用することができる。
【０１０１】
スリーブ４２０、５２０は、外部から光ファイバなどの導光部材（図示せず）をはめ込み可能な形状に形成されており、収容空間４２２、５２２の周壁の一部を構成している。集光部４０５は、導光部材からの光信号を集光して送り出す。これにより、導光部材からの光の損失を低減して、ＭＳＭ型受光素子１００と導光部材との光の結合効率を良好なものとすることができる。
【０１０２】
斜めガラス部５０４は、スリーブ５２０の収容空間５２２側に設けられ、発光素子５１０からの光を反射および透過させる。モニタフォトダイオード５１２は、斜めガラス部５０４によって反射された光を受け取る。駆動回路部６２０は、モニタフォトダイオード５１２が受け取った光の光量に応じて、発光素子５１０が発光する光量を調節する。斜めガラス部５０４を透過した光は、送信部５００のスリーブ５２０にはめ込まれる導光部材に送り出される。
【０１０３】
発光素子５１０は、外部から入力した電気信号を光信号に変換して、光ファイバ（図示せず）を介して外部に出力する。ＭＳＭ型受光素子１００は、光ファイバを介して光信号を受信し、これを電流に変換し、変換した電流をＴＩＡ１５０に送る。ＴＩＡ１５０は、受け取った電流を電圧出力に変換し、増幅して、電子回路部６００に送る。増幅回路部６１０は、電圧出力が一定以上にならないように制御し、外部に出力する。なお、電気信号の出力端子や入力端子などの外部端子の説明は省略する。
【０１０４】
このように、ＭＳＭ型受光素子１００は、光電子集積素子３００、および光モジュール７００に用いられる。本実施の形態では、ＭＳＭ型受光素子１００を用いて説明したが、これに限定されず、たとえば、第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子２００が、光電子集積素子３００、または、光モジュール７００に適用されてもよい。
【０１０５】
４．第４の実施の形態
図２３は、本発明を適用した第４の実施の形態にかかる光伝達装置を模式的に示す図である。光伝達装置９０は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器９２を相互に接続するものである。電子機器９２は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置９０は、ケーブル９４の両端にプラグ９６が設けられたものであってもよい。ケーブル９４は、導光部材（たとえば光ファイバ）を含むことができる。プラグ９６は、第３の実施の形態に係る光モジュール７００を内蔵する。なお、導光部材はケーブル９４に内蔵され、光モジュール７００はプラグ９６に内蔵されているため、図２３には図示されていない。導光部材と光モジュール７００との関係は、第３の実施の形態にて説明した通りである。
【０１０６】
導光部材の両端部にはそれぞれ、第３の実施の形態に係る光モジュール７００が設けられている。図２２および図２３に示すように、導光部材の一方の端部に設置されたＭＳＭ型受光素子１００は、光信号を電気信号に変換した後、この電気信号を、ＴＩＡ１５０および電子回路部６００を介して、電子機器９２に入力する。この導光部材の他方の端部には、発光素子５１０が設置されている。すなわち、この発光素子５１０において、電子機器９２から出力された電気信号が光信号に変換される。この光信号は導光部材を伝わり、ＭＳＭ型受光素子１００に入力される。
【０１０７】
以上説明したように、本実施の形態の光伝達装置９０によれば、光信号によって、電子機器９２間の情報伝達を行うことができる。
【０１０８】
５．第５の実施の形態
図２４は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を模式的に示す図である。光伝達装置９０は、電子機器８０間に接続されている。電子機器８０として、液晶表示モニタまたはディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Point of Sale Scanning）用）、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
【０１０９】
以上、本発明の好適な実施の形態について述べたが、本発明はこれらに限定されず、各種の態様を取りうる。たとえば、上述した本発明の実施の形態では、光吸収層２０がＧａＡｓからなる場合について説明したが、設計波長に応じてその他の材料、たとえば、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＩｎＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＳｂなどの半導体材料を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す平面図。
【図２】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子に入射する光のうちの一部の経路を模式的に示す図。
【図５】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図６】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図７】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図８】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図９】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図１０】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図１１】第１の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図１２】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す平面図。
【図１３】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図１４】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子に入射する光のうちの一部の経路を模式的に示す図。
【図１５】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１６】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１７】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１８】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１９】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図２０】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図２１】第２の実施の形態に係るＭＳＭ型受光素子を模式的に示す断面図。
【図２２】第３の実施の形態に係る光電子集積素子および光モジュールを模式的に示す断面図。
【図２３】第４の実施の形態に係る光伝達装置を模式的に示す図。
【図２４】第５の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を模式的に示す図。
【符号の説明】
【０１１１】
１０  基板、２０  光吸収層、３０  第１電極、３１  第１突起部、３２  第２電極、３３  第２突起部、３５  第１溝部、３７  第２溝部、４０  受光面、４２  開口部、５０  レンズ部、５１  上部、５２  液滴、５３  下部、６０  土台部材、７０  堰き止め部材、８０  電子機器、９０  光伝達装置、９２  電子機器、９４  ケーブル、９６  プラグ、１００  ＭＳＭ型受光素子、１１２  ノズル、１１４  インクジェットヘッド、１５０  ＴＩＡ、３００  光電子集積素子、４００  受信部、４０２  筐体部、４０４  ガラス部、４０５  集光部、４０６  サブマウント基板、４２０  スリーブ、４２２  収容空間、５００  送信部、５０２  筐体部、５０４  光学部材、５０６    サブマウント基板、５１０  発光素子、５１２  モニタフォトダイオード、５２０  スリーブ、５２２  収容空間、６００  電子回路部、６１０  増幅回路部、６２０  駆動回路部、７００  光モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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