(57)【要約】【課題】超臨界流体を用いた現像において、パターンの倒れなどが発生することなく、かつ、精度良く寸法を制御できるようにする。【解決手段】圧力容器中に、液化ＣＨＦ３を導入し、潜像が形成されたレジスト膜１０２が、液化ＣＨＦ３１０４に接触した状態とし、圧力容器の内部圧力及び内部温度を、ＣＨＦ３の臨界点以上とし、潜像が形成されたレジスト膜１０２を超臨界状態としたＣＨＦ３（超臨界現像剤）により現像し、この後、超臨界ヘリウムを導入して超臨界現像剤を排出し基板１０１の表面及びパターン１０６が、現像性のない超臨界状態のヘリウム（超臨界リンス剤）１０７に接触している状態とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成された感光性を有するレジスト膜に所定のパターン像を露光する第１工程と、
前記基板を容器内に配置し、前記容器内を所定の温度及び所定の圧力の臨界条件とし、大気雰囲気では気体である第１物質を超臨界状態とした第１超臨界流体を前記容器内に導入し、前記第１超臨界流体で前記レジスト膜を現像して前記基板上にレジストパターンを形成する第２工程と、
前記臨界条件とされた前記容器内に、不活性気体である第２物質を超臨界状態とした第２超臨界流体を導入し、前記容器内より前記第１超臨界流体を排出して前記容器内を前記第２超臨界流体で充填し、前記現像を停止する第３工程と、
前記容器内の圧力を低下させて前記第２超臨界流体を気化させる第４工程と
を少なくとも備えたことを特徴とする超臨界現像方法。
【請求項２】
請求項１記載の超臨界現像方法において、
前記第１物質は、極性を有するものである
ことを特徴とする超臨界現像方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超臨界流体を用いた現像方法に関し、特に、ｎｍオーダの微細なパターンを形成する現像に適した超臨界乾現像法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
よく知られているように、ＬＳＩを始めとする大規模・高性能デバイスを作製するために、極微細パターンが用いられている。この極微細パターンは、例えば、露光，現像，リンス処理を経て形成される、光やＸ線又は電子線に感光性を有する有機材料からなるレジストのパターンである。現状では、１００ｎｍより微細な寸法のパターンが用いられ、研究開発の段階では、１０ｎｍ以下の寸法のパターンも形成されている。
【０００３】
レジストパターンの形成例について説明すると、まず、基板の上に膜厚２００〜５００ｎｍ程度にレジスト膜を形成する。次に、この膜にＫｒＦやＡｒＦレーザなどの光源により所望のパターン像を露光する。次に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド（ＴＭＡＨ）からなる現像液を用いて現像し、この後、水洗などのリンス処理により現像液を除去して現像を停止する。最後に、リンス処理による水などの液体を乾燥し、レジストパターンの形成を終了する。
【０００４】
ところで、上述したように、従来よりある現像処理は液処理であるため、まず、廃液が発生するので、この処理が必要となる。一般に、現像廃液は簡単に再利用できず、廃液は廃棄処理することになり、様々な観点から問題となる。
また、上述したような微細なパターンを形成するためのレジストでは、現像液がパターン内に含浸し易いため、形成されたパターンを乾燥するときなどにパターンが変形するなどの問題も発生している。
【０００５】
また、乾燥時には、パターンの間に残った液体と、外部の空気との圧力差により、曲げ力（毛細管力）が働き、形成したパターンが倒れるという問題が発生する。この倒れる現象は、パターンが高アスペクト比になるほど顕著になる。上記毛細管力は、水などのリンス液とパターンとの間での液体と気体との界面で生じる表面張力に依存することが報告されている（非特許文献１参照）。
【０００６】
水の表面張力は約７２×１０−３Ｎ／ｍと大きく、上述した毛細管力は、有機材料からなるレジストパターンを倒すだけでなく、無機材料であるシリコンなどのより丈夫なパターンをも歪める力を有している。このため、上述した液体による表面張力の問題は、重要となっている。
【０００７】
これらの問題を解消する技術として、例えば超臨界二酸化炭素を用いて現像する方法が提案されている（特許文献１，２参照）。この現像方法では、シリコン基板に電子線レジストを塗布し、これに電子線で露光をし、露光処理済みのシリコン基板を超臨界流体に浸漬して現像を行うようにしている。この方法では、最後に、温度を臨界点以下に下げるなどにより超臨界流体を気化させることで、形成したパターンが乾燥した状態を得ている。
【０００８】
この現像方法によれば、まず、現像液を使用しないため、廃液処理が容易となる。また、超臨界流体が気化するときには、液体と気体の界面が存在しないので、上述したパターンの倒れも発生しない。
【０００９】
【特許文献１】
特許第２６６３４８３号公報
【特許文献２】
特開２０００−１３８１５６号公報
【非特許文献１】
アプライド・フィジクス・レターズ、６６巻、２６５５−２６５７頁、１９９５年
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、超臨界流体を用いた従来の現像方法では、現像をした後の現像の停止処理を行っていないため、現像の停止を精度良く制御できず、形成したレジストパターンの寸法を精度良く制御できないという問題があった。ここで、超臨界流体による現像を行った後、従来のように水などにより現像を停止したのでは、この後で液体を乾燥させることになり、パターンの倒れが発生することになる。
【００１１】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、超臨界流体を用いた現像において、パターンの倒れなどが発生することなく、かつ、精度良く寸法を制御できるようにすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る超臨界現像方法は、基板の上に形成された感光性を有するレジスト膜に所定のパターン像を露光した後、まず、基板を容器内に配置し、容器内を所定の温度及び所定の圧力の臨界条件とし、大気雰囲気では気体である第１物質を超臨界状態とした第１超臨界流体を容器内に導入し、第１超臨界流体でレジスト膜を現像して基板上にレジストパターンを形成し、次に、臨界条件とされた容器内に、不活性気体である第２物質を超臨界状態とした第２超臨界流体を導入し、容器内より第１超臨界流体を排出して容器内を第２超臨界流体で充填し、現像を停止し、この後、容器内の圧力を低下させて第２超臨界流体を気化させるようにしたものである。
この現像方法によれば、液処理を行うことなく、現像及び現像の停止がなされ、乾燥した状態のパターンが形成される。なお、上記超臨界現像方法において、第１物質として、極性を有するものを用いることで、現像性を向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
本実施の形態における超臨界現像方法は、超臨界状態としたＣＨＦ３やＣＯＦ２などの流体（第１超臨界流体）により現像を行ってパターンを形成し、引き続いて、現像に用いた第１超臨界流体を、ヘリウムなどの不活性ガスの超臨界流体（第２超臨界流体）に置換し、これによって現像を停止し、この後、不活性ガスの超臨界流体を気化させ、乾燥した状態で現像パターンを得ようとしたものである。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１０１の上に感光性を有するレジスト膜１０２を形成し、次いで、図１（ｂ）に示すように、フォトマスク１０３を用いた露光により所定の潜像１０２ａをレジスト膜１０２に形成する。以下、レジスト膜１０２は、ポジ型のレジストであり、露光により形成された潜像１０２ａの領域が、例えば、露光によって発生した酸により分解された低分子量化して溶解し易くなるものである。
【００１５】
次に、基板１０１を所定の圧力容器内に導入し、圧力容器を密閉し、圧力容器内を所定の圧力及び所定の温度とし、この中に、液化ＣＨＦ３を導入し、図１（ｃ）に示すように、潜像が形成されたレジスト膜１０２が、液化ＣＨＦ３１０４に接触した状態とする。引き続いて、圧力容器の内部圧力及び内部温度を、ＣＨＦ３の臨界点以上とし、潜像が形成されたレジスト膜１０２を超臨界状態としたＣＨＦ３（超臨界現像剤）により現像し、図１（ｄ）に示すように、基板１０１の上に、レジストパターン１０６が形成された状態とする。ここで、液化ＣＨＦ３は、臨界圧力以上としておく方がよい。臨界圧力以上とした液化ＣＨＦ３を導入すれば、温度を臨界点以上とすれば、液化ＣＨＦ３を超臨界状態とすることができる。なお、液化ＣＨＦ３ではなく、超臨界ＣＨＦ３を導入し、圧力容器の内部が超臨界現像液で充填された状態としてもよい。
【００１６】
ところで、超臨界現像剤１０５は、未露光部であるレジストパターン１０６に対しても溶解性を有している。このため、レジストパターン１０６は、超臨界現像剤１０５に接触している間は溶解し続け、寸法が減少する。この状態を回避する、すなわち現像を停止するためには、図１（ｄ）に示すような、レジストパターン１０６が超臨界現像剤１０５に接触している状態を解消する必要がある。
ここで、本実施の形態では、超臨界現像剤を導入した後、ヘリウムや窒素などの不活性ガスを超臨界状態とし、これを圧力容器の内部に導入し、圧力容器内より超臨界現像剤を排除し、現像を停止させるようにした。
【００１７】
例えば、圧力容器内部が、ＣＨＦ３の臨界条件となる状態を維持し、所定の導入口より、上記臨界条件の圧力，温度としたヘリウムを導入し、一方で、所定の排出口より、圧力容器の内部流体を排出する。このことにより、圧力容器の内部にあった超臨界現像剤（ＣＨＦ３）は排出され、圧力容器の内部は、導入されたヘリウムで充填され、図１（ｅ）に示すように、基板１０１の表面及びレジストパターン１０６が、現像性のない超臨界状態のヘリウム（超臨界リンス剤）１０７に覆われて接触している状態となる。
【００１８】
この後、圧力容器内より充填されている流体を排出し、圧力容器内の圧力を低下させ、超臨界リンス剤１０７を気化させることで、図１（ｆ）に示すように、パターン倒れなどのことがない状態で、基板１０１の上にレジストパターン１０６が形成された状態が得られる。ヘリウムなどの不活性ガスの超臨界流体を導入することで、現像を停止させるようにしたので、現像により形成されるパターンの寸法制御が、より正確に行えるようになる。
【００１９】
また、上述した現像処理によれば、排出される流体は気体となっているので、廃液の処理が極めて容易となる。例えば、超臨界現像剤が反応容器の外部に排出されて気化すると、現像により超臨界現像剤に溶解していたレジスト材料は固化するので、現像剤よりレジスト剤を分離することが極めて容易であり、現像剤を再利用することが容易である。同様に、リンス剤を再利用することも容易である。
【００２０】
なお、上述では、超臨界状態で現像剤として作用する第１物質としてＣＨＦ３を用いるようにしたが、これに限るものではない。ＣＨＦ３の他に、ＣＨ３Ｆ，ＣＨＦ２ＣＦ３，ＣＨ２Ｆ２，ＣＦ３ＣＨ３，ＣＨＦ２ＣＨＦ２などのハイドロフルオロカーボンを用いるようにしてもよい。また、ＣＯＦ２，ＣＦ３ＣＯＦなどのフッ化カルボニル系化合物、ＣＦ３ＯＦ，ＣＨＦ２ＯＣＨＦ２などのハイポフルオライト化合物、あるいは、ＦＮＯ，Ｆ３ＮＯなどのハロゲン化窒化物などを用いることができる。また、二酸化炭素やＳＦ６を用いることも可能である。
【００２１】
一般に、感光性を有するレジスト材料は、高分子材料であり、ネガ形では高エネルギー線の照射により、例えばエポキシ基が開環して分子間に架橋を作り、高分子が現像剤に対して不溶になる。また、ポジ形では、高エネルギー線の照射により高分子の架橋が分解し、現像剤に対して溶解するようになる。また、ノボラック樹脂型や化学増幅型など、光や高エネルギー線に反応する反応性の材料を高分子に添加したものもある。これらは、反応性の材料が、例えば光により分解して酸を生成し、生成された酸によりベースとなっている高分子の樹脂の架橋を分解し、現像剤に対して溶解し易い状態とするものである。
【００２２】
これらレジスト材料を構成する高分子は、軟化温度が１００℃程度である。前述した超臨界現像剤が超臨界状態となる温度が、１００℃を超えるような高い温度の場合、現像を行う環境が、レジストパターンを軟化させる温度となる。これでは、レジストパターンを変形させてしまう。従って、現像剤には、現像を行うレジストの軟化温度より低い臨界温度の材料を用いる必要がある。なお、レジスト材料は、上述したように有機材料であるため、超臨界状態で現像剤として作用する第１物質として極性を有するものを用いた方が、より高い現像性を期待できる。
【００２３】
また、上述では、リンス剤としてヘリウムを用いるようにしたが、これに限るものではない。有機材料を溶解することがない、不活性な材料であれば良く、例えば、Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅなどの希ガスや窒素などの不活性ガスを、超臨界状態として用いるようにしてもよい。
【００２４】
次に、上述した超臨界現像方法を実施する超臨界現像装置について説明する。図２は、上述した超臨界現像方法を実施する超臨界現像装置の構成例を示す模式的な断面図である。
この装置は、密閉可能な高圧容器２０１と、高圧容器２０１の内部に設けられた反応室２０２から構成されている。
【００２５】
反応室２０２の底面には、処理対象となる基板１０１が載置されるステージ２１２が配置されている。高圧容器２０１は、例えばステンレスで構成され、壁の厚さが２０ｍｍ程度に形成されている。
また、高圧容器２０１は、容器上部２０１ａと、底部にステージ２１２が固定された容器下部２０１ｂとから構成され、例えば、容器上部２０１ａを取り外すことで、反応室２０２の内部を開放状態とすることが可能である。
【００２６】
また、本装置は、ＣＨＦ３が加圧されて収容されたボンベ２０３と、ヘリウムが加圧されて収容されたボンベ２０３ａとを備えている。ボンベ２０３に収容されているＣＨＦ３は、配管２０４ａを通り、切り替えバルブ２２３を介して配管２０４へ導入される。また、ボンベ２０３ａに収容されているヘリウムは、配管２０４ｂを通り、切り替えバルブ２２３を介して配管２０４へ導入される。従って、切り替えバルブ２２３を切り替えることで、配管２０４に導入する流体を、ＣＨＦ３もしくはヘリウムに切り替えることが可能となっている。
【００２７】
配管２０４に導入されたＣＨＦ３もしくはヘリウムは、導入口２０５を介して反応室２０２の内部に導入される。配管２０４の途中には、圧送ポンプ２０６と導入バルブ２０７とを備え、また、圧送ポンプ２０６の吐出側には、ここの圧力を測定する圧力計２０８を備えている。圧送ポンプ２０６により、配管２０４に導入された流体を反応室２０２の内部へ圧送することを可能としている。また、圧力計２０８の圧力測定結果により導入バルブ２０７の開度を制御することを可能としている。
【００２８】
また、本装置は、反応室２０２の内部圧力を測定する圧力計２０９と、反応室２０２内部の流体を排出する排出口２１０と、排出口２１０の途中に設けられた圧力制御バルブ２１１とを備えている。圧力制御バルブ２１１は、圧力計２０９の圧力測定結果により開度を制御し、排出口２１０より排出する流体の量を制御する。なお、ボンベ２０３が、ＣＨＦ３の代わりに、前述した現像剤として用いることができる材料を収容するものであってもよい。また、ボンベ２０３ａが、ヘリウムの代わりに、前述したリンス剤として用いることができる材料を収容するものであってもよい。
【００２９】
加えて、高圧容器２０１は、外壁と内壁との間にヒータ２１３を備え、ヒータ制御部２２１の制御により反応室２０２の内部を加熱可能としている。また、圧送ポンプ２０６より反応室２０２側の配管２０４にもヒータ２１３を備えている。ヒータ２１３は、例えば、抵抗加熱や高周波誘導加熱による加熱手段であればよい。
【００３０】
この超臨界現像装置では、ボンベ２０３より供給されたＣＨＦ３は、圧送ポンプ２０６に圧送され、配管を通過して導入口２０５より反応室２０２に輸送される。また、圧送されるＣＨＦ３は、配管２０４に設けられたヒータ２１３により所定温度に加熱され、反応室２０２に輸送される。本装置によれば、例えば、圧送ポンプ２０６により臨界圧力以上とし、ヒータ２１３により臨界温度以上とすることで、超臨界状態としたＣＨＦ３を、反応室２０２の内部に輸送することが可能である。
【００３１】
また、圧力計２０９が測定した圧力値がＣＨＦ３の臨界点の圧力を保持する範囲で、圧力制御バルブ２１１の開度を調整し、圧力計２０８が測定した圧力値がＣＨＦ３の臨界点の圧力を保持する範囲で、圧送ポンプ２０６による圧送の圧力を調整することも可能である。このようにすることで、反応室２０２の内部に、常に超臨界状態のＣＨＦ３が供給される状態が得られる。また、切り替えバルブ２２３を切り替えて、ボンベ２０３ａよりヘリウムを供給するようにしても、上述と同様である。あるいは、所定の圧力に制御されたヘリウムを使用すれば、圧送ポンプ２０６を介さずに、反応室２０２にヘリウムを導入することも可能である。
【００３２】
始めにボンベ２０３よりＣＨＦ３を供給し、反応室２０２の内部が超臨界ＣＨＦ３で充填された後、切り替えバルブ２２３を切り替えれば、ボンベ２０３ａよりヘリウムが供給される状態とすれば、反応室２０２の内部は、超臨界ヘリウムで充填された状態となる。
このようにして、反応室２０２内において、基板１０１（レジストパターン１０６）が、超臨界ヘリウムに晒されている状態とすれば、現像を停止させることができる。
【００３３】
また、次に示すことにより、反応室２０２内に充填されている超臨界流体を、攪拌状態とすることが可能となる。
反応室２０２の内部が、すでに超臨界ＣＨＦ３で充填されている状態で、まず、圧力計２０８の圧力測定値により導入バルブ２０７の開度を制御し、圧送ポンプ２０６の排出側と導入バルブ２０７との間の配管２０４内の圧力（圧力計２０８の圧力測定値）が、２０ＭＰａとなるまで導入バルブ２０７を閉じた状態とする。圧送ポンプ２０６を動作させた状態で導入バルブ２０７を閉じておけば、圧送ポンプ２０６の排出側と導入バルブ２０７との間の配管２０４内の圧力は瞬時に上昇する。また、ヒータ２１３により、配管２０４の内部温度を５０℃程度としておく。
【００３４】
次いで、圧力計２０８の測定値が２０ＭＰａとなったところで、導入バルブ２０７を開放する。このことにより、臨界温度以上及び臨界圧力以上とされた配管２０４内の超臨界ＣＨＦ３が反応室２０２内に導入され、反応室２０２の内部圧力は瞬時に上昇する。ここで、圧力計２０９の圧力測定値により、反応室２０２内の内部圧力が１５ＭＰａとなるように圧力制御バルブ２１１の開度を制御しておけば、反応室２０２の内部圧力は、直ちに１５ＭＰａ程度に低下する。
【００３５】
反応室２０２内の圧力が１５ＭＰａ程度に低下したことは、導入バルブ２０７を開放しているので、圧力計２０８にも検出される。圧力計２０８の測定値が１５ＭＰａとなったところで、再度、導入バルブ２０７を閉じる。このことにより、再び、圧送ポンプ２０６の排出側と導入バルブ２０７との間の圧力は瞬時に上昇する。一方、反応室２０２の内部は、圧力計２０９と圧力制御バルブ２１１とにより、１５ＭＰａ程度に維持されている。
【００３６】
再度導入バルブ２０７を閉じることにより、圧力計２０８の圧力測定値が２０ＭＰａとなるまで、圧送ポンプ２０６の排出側と導入バルブ２０７との間の圧力を上昇させ、この後、直ちに導入バルブ２０７を開放させる。このことにより、再度、反応室２０２の内部圧力は瞬時に上昇する。
【００３７】
以上のことを繰り返すことで、反応室２０２の内部圧力を、変動させることができる。例えば、図３に示すように、時間の経過とともに、時点Ａで導入バルブ２０７を閉じて時点Ｂで導入バルブ２０７を開放することを繰り返し、反応室２０２における内部圧力の変動を繰り返させる。このような圧力変動により、反応室２０２内の超臨界ＣＨＦ３を、攪拌された状態とすることができる。
【００３８】
また、図４に示すように、反応室２０２の内部に複数のフィンが固定された整流機構４２０を設け、上述した圧力変動による攪拌をより効果的に行うようにしてもよい。整流機構４２０は、例えば、図５の斜視図に示すように、基板１０１と同一の平面に配置されたリング状の枠体上に、複数のフィンが直立して固定されたものである。導入口２０５より導入された流体は、例えば、図４（ｂ）の平面図に点線で示すように、整流機構４２０により流れる方向が変更されて基板１０１の上に流れ込む。
【００３９】
このように、反応室２０２の内部において整流機構４２０を用い、基板１０１の上に供給される液化二酸化炭素などの流体を整流することで、基板１０１の上における現像をより効率よく行うことが可能なる。また、導入口２０５より供給する超臨界流体の流速が早いほど、整流機構４２０の効果が向上する。
なお、整流機構は、基板１０１の全周を囲うように設けられている必要はなく、導入口２０５の付近に部分的に配置されていてもよい。導入口２０５より導入された流体が、基板１０１上を曲線的に流れるように整流する機構であれば、どのような整流機構を設けるようにしてもよい。
【００４０】
次に、本発明の超臨界現像方法の実施例について、より詳細に説明する。
まず、シリコンからなる基板を用意し、この上に紫外線レジスト（ＳＥＰＲ５５１：信越化学製）を塗布し、膜厚３００ｎｍ程度のレジスト膜を形成する。次いで、形成したレジスト膜に、ＫｒＦを光源とした所定の光像を露光し、所定温度の加熱処理を加えることで、所定のパターンの潜像を形成する。このパターンは、幅１００ｎｍ程度である。
【００４１】
以上のようにして潜像を形成したら、基板を図２に示した装置のステージ２１２の上に固定し、反応室２０２を密閉状態とし、ヒータ制御部２２１の制御により、各ヒータ２１３を加熱し、配管２０４や反応室２０２の内部温度を５０℃の状態とする。この状態で、ボンベ２０３に収容されているＣＨＦ３を、圧力１５ＭＰａとして圧送ポンプ２０６により反応室２０２内に圧送する。
【００４２】
以上のことにより、反応室２０２の内部には、導入口２０５より超臨界ＣＨＦ３が供給され、反応室２０２の内部が超臨界ＣＨＦ３で充填される。この後、前述したように圧力変動を起こすことで、反応室２０２の内部の超臨界ＣＨＦ３が攪拌した状態とする。この状態を約５分ほど保持する。この５分間により、潜像が形成されている基板の上のレジスト膜は、超臨界現像剤である超臨界ＣＨＦ３により現像され、パターンが形成される。
【００４３】
この後、切り替えバルブ２２３を切り替え、ボンベ２０３ａに収容されているヘリウムが圧送される状態とする。このことにより、超臨界ヘリウムが反応室２０２の内部に供給し、反応室２０２の内部圧力を１５ＭＰａに保つように開度が制御されている圧力制御バルブ２１１を通り、排出口２１０より超臨界ＣＨＦ３を排出する状態とする。この結果、基板の上では、超臨界現像剤が超臨界リンス剤に置換され、現像が停止された状態となる。
【００４４】
以上のことにより現像を停止した後、まず、圧送ポンプ２０６による圧送を停止し、また、導入バルブを閉じる。また、圧力制御バルブ２１１の開度を所定の状態とし、反応室２０２の内部の流体を排出して内部圧力を低下させ、超臨界リンス剤を気化させる。このことにより、基板の上では、倒れや変形などの問題が発生することなく、レジストのパターンが形成された状態が、乾燥した状態で得られる。
なお、上述では、ポジ型レジストの現像を例にして説明したが、これに限るものではない。ネガ型のレジストの現像であっても、同様である。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、大気雰囲気では気体である第１物質を超臨界状態とした第１超臨界流体を容器内に導入し、第１超臨界流体でレジスト膜を現像し、臨界条件とされた容器内に、不活性気体である第２物質を超臨界状態とした第２超臨界流体を導入し、容器内より第１超臨界流体を排出して容器内を第２超臨界流体で充填し、現像を停止するようにした。従って、本発明によれば、液処理によらずに、現像停止を行えるので、超臨界流体を用いた現像において、パターンの倒れなどが発生することなく、かつ、精度良く寸法を制御できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における超臨界現像方法の一例を説明するための工程図である。
【図２】実施の形態の超臨界現像方法を実施するための超臨界現像装置の構成例を概略的に示す模式的な断面図である。
【図３】圧力変動を起こさせるタイミングを示すタイミングチャートである。
【図４】実施の形態の超臨界現像方法を実施するための超臨界現像装置の他の構成例を概略的に示す模式的な断面図（ａ）及び部分を示す平面図（ｂ）である。
【図５】実施の形態の超臨界現像方法を実施するための超臨界現像装置の他の構成例を部分的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１０１…基板、１０２…レジスト膜、１０２ａ…潜像、１０３…フォトマスク、１０４…液化ＣＨＦ３、１０５…超臨界現像剤、１０６…レジストパターン、１０７…超臨界状態のヘリウム（超臨界リンス剤）。
【図１】
2005005566.tif 000003
【図２】
2005005566.tif 000004
【図３】
2005005566.tif 000005
【図４】
2005005566.tif 000006
【図５】
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