(57)【要約】【課題】  集塵手段の熱容量の影響よる温度誤差、及び温調手段の応答遅れによる温度変動を抑制できるようにすることで、高精度の温度制御ニーズに対応する空気調和装置を提供する。【解決手段】  温調手段（40）と集塵手段（23）との間に第１温度センサ（41）を設け、集塵手段（23）の下流側に第２温度センサ（42）を設ける。そして、第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの温度差により温調手段（40）の能力補正を行う一方、第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１に基づいて温調手段（40）の主制御を行うようにする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気通路（11）に、被処理空気を温調する温調手段（40）と、該温調手段（40）で温調された被処理空気中の塵埃を捕集する集塵手段（23）と、上記温調手段（40）で温調された被処理空気の温度を検出する温度センサ（41,42）とが配置され、上記温度センサ（41,42）の検出温度に基づいて上記温調手段（40）の能力を調整する制御手段（50）を備えた空気調和装置であって、
温度センサ（41,42）は、上記温調手段（40）と上記集塵手段（23）との間に配置された第１温度センサ（41）と、該集塵手段（23）の下流側に配置された第２温度センサ（42）とを備えている空気調和装置。
【請求項２】
請求項１に記載の空気調和装置において、
制御手段（50）は、温度制御対象に供給される被処理空気の設定温度Ｔｓが入力される設定入力部（53）と、上記第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの温度差に基づき上記温調手段（40）の制御目標温度Ｔｃを決定する目標温度算出部（51）と、上記第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づき温調手段（40）の能力を調整する主制御部（52）とを備えている空気調和装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の空気調和装置において、
第２温度センサ（42）は、空気通路（11）の下流端近傍に配置されている空気調和装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１に記載の空気調和装置において、
空気通路（11）には、冷凍サイクルを行う冷媒回路（30）に接続された蒸発器（20）が配置され、
温調手段（40）は、上記蒸発器（20）で冷却された被処理空気を温調するヒータ（22）で構成されている空気調和装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温調手段によって被処理空気を温調して温度制御対象に供給する空気調和装置に係り、特に、半導体製造装置などの温度制御対象に対して高精度に温調した被処理空気を供給する空気調和装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば半導体製造装置などを温度制御対象とし、この温度制御対象に対して温調した空気を供給する空気調和装置が知られている。
【０００３】
図４に示すように、特許文献１に開示されている空気調和装置は、ケーシング（70）内の空気通路（71）に、冷却器（72）、ヒータ（温調手段）（73）、及び温度センサ（74）を備えている。上記冷却器（72）は、冷凍機（75）に接続されており、空気通路（71）の流入口（76）より供給された空気を冷却する。また、ヒータ（73）は、上記冷却器（72）によって一旦冷却された被処理空気を加熱して所定温度に温調する。さらに、温度センサ（74）は、上記ヒータ（73）によって加熱された被処理空気の温度を検出する。また、空気通路（71）における被処理空気の流出口（77）には、フィルタ（集塵手段）（78）が設けられている。このフィルタ（78）は、流出口（77）より温度制御対象に供給される被処理空気中の塵埃を捕集する。
【０００４】
また、この空気調和装置は、上記温度センサ（74）の検出温度に基づいて上記ヒータ（73）の能力を調整する制御手段（80）を備えている。この制御手段（80）は、例えば温度制御対象に供給すべき被処理空気の温度（設定温度Ｔs）と、上記温度センサ（74）の検出温度Ｔ１との温度差によってヒータ（73）の能力を調整するフィードバック制御を行うように構成されている。
【０００５】
以上の構成の空気調和装置において、図示しないファンが起動すると、被処理空気が流入口（76）よりケーシング（70）内に吸引され空気通路（71）を流通する。この被処理空気は、冷却器（72）によって所定温度まで冷却される。そして、冷却された被処理空気は、ヒータ（73）によって加温（リヒーティング）される。なお、この際、制御手段（80）は、ヒータ（73）の能力を温度センサ（74）の検出温度Ｔ１に基づき調整する。このようにして、設定温度Ｔｓに近い温度まで温調された被処理空気は、上記フィルタ（78）を通過した後、ケーシング（70）の流出口（77）より温度制御対象に供給される。そして、この空気調和装置は、半導体製造装置などの温度制御対象を一定温度に保持するようにしている。
【特許文献１】特開平１１−２１９８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、半導体製造装置における半導体製造工程においては、製品の品質の向上を図るため、特に高い温度精度（例えば±０．０１℃の精度）での温度制御が要求される傾向にある。このため、上記高精度の温度制御ニーズに対応する空気調和装置が望まれている。
【０００７】
一方、特許文献１に開示されているような空気調和装置では、上記高精度の温度制御ニーズを満たそうとする上で次のような問題がある。
【０００８】
図４に示す空気調和装置においては、ヒータ（73）によって設定温度Ｔsに近い温度に温調した被処理空気を温度制御対象に供給するようにしている。しかしながら、ヒータ（73）を通過した被処理空気は、フィルタ（78）を通過してから温度制御対象に供給される。このため、上記フィルタ（78）の有する熱容量の影響によって、被処理空気の温度が変化してしまい、温度制御対象に供給される被処理空気の実温度と、設定温度Ｔsとの間に誤差が生じてしまう。よって、上述した高精度の温度制御ニーズを満たすことができないという問題が生じる。
【０００９】
この問題を解決する手段として、例えば上記温度センサ（74）をフィルタ（78）の下流近傍に配置し、この位置における検出温度Ｔ１と設定温度Ｔsとを近づけるようにヒータ（73）の能力を調整することも考えられる。しかしながら、この場合、ヒータ（73）を通過した被処理空気の熱量がフィルタ（78）を介して温度センサ（74）に到達するまでに所定の時間を要してしまうため、上記温度センサ（74）で検出された検出温度Ｔ１に対してヒータ（73）の応答が遅くなってしまう。したがって、温度制御対象に供給される被処理空気の実温度が設定温度Ｔｓに対してオーバーシュート、あるいはアンダーシュートしてしまう可能性がある。よって、この場合にも上述した高精度の温度制御ニーズを満たすことが困難となる。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みて創案されたものであり、その目的は、集塵手段の熱容量の影響による温度誤差、及び温調手段の応答遅れによる温度変動を抑制できるようにすることで、高精度の温度制御ニーズに対応できる空気調和装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、集塵手段の上流側と下流側とにそれぞれ温度センサを設け、両温度センサの検出温度に基づいて温調手段を制御するようにしたものである。
【００１２】
具体的に、第１の発明は、空気通路（11）に、被処理空気を温調する温調手段（40）と、該温調手段（40）で温調された被処理空気中の塵埃を捕集する集塵手段（23）と、上記温調手段（40）で温調された被処理空気の温度を検出する温度センサ（41,42）とが配置され、上記温度センサ（41,42）の検出温度に基づいて上記温調手段（40）の能力を調整する制御手段（50）を備えた空気調和装置を前提としている。そして、この空気調和装置は、温度センサ（41,42）が、上記温調手段（40）と上記集塵手段（23）との間に配置された第１温度センサ（41）と、該集塵手段（23）の下流側に配置された第２温度センサ（42）とを備えているものである。
【００１３】
上記第１の発明では、空気通路（11）に取り込まれた被処理空気が温調手段（40）を通過することで、この被処理空気の温度が調整される。さらに、温調された被処理空気は、集塵手段（23）を通過することで、この被処理空気中の集塵が捕集される。その後、この被処理空気は、空気通路（11）の流出端より温度制御対象に供給される。
【００１４】
ここで、本発明では、温調手段（40）と集塵手段（23）との間の空気通路（11）に第１温度センサ（41）が配置され、集塵手段（23）の下流側に第２温度センサ（42）が配置される。このため、第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１に基づいて温調手段（40）の能力を調整する一方、第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２に基づいて温調手段（40）の能力を補正することができる。
【００１５】
このことについて、具体例を挙げて更に詳細に説明する。例えば、この空気調和装置の供給空気によって温度制御される温度制御対象の要望温度が１０℃の場合、空気調和装置の制御手段（50）は、温調手段（40）によって温調された被処理空気の温度（すなわち第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１）が１０℃に近づくように温調手段（40）の能力を調整する。その結果、温調手段（40）によって温調された被処理空気の温度が１０℃となる。ところが、１０℃に温調された被処理空気が集塵手段（23）を通過する際、該集塵手段（23）の熱容量の影響を受けてしまい、この被処理空気の温度が１０．０２℃に上昇変化してしまった場合、供給空気の温度と設定温度Ｔｓとの間に誤差が生じてしまう。
【００１６】
ここで、本発明では、第２温度センサ（42）によって、集塵手段（23）の下流側の温度（１０．０２℃）を検出できるため、検出温度Ｔ２（１０．０２℃）と要望温度１０℃との温度差より、集塵手段（23）の熱容量によって上昇する温度（０．０２℃）を算出し、上記温調手段（40）の能力を補正する（例えば検出温度Ｔ１が９．９８℃となるように温調手段（40）の能力を補正する）ことができる。その結果、集塵手段（23）を通過した被処理空気が該集塵手段（23）の熱容量の影響によって１０℃となり、供給空気の温度を要望温度と実質的に同じにできる。
【００１７】
また、この場合には、温調手段（40）の主制御を第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１によって行うことができるため、温度センサの検出温度に対して温調手段（40）の応答が遅れしまうことも抑制できる。
【００１８】
第２の発明は、第１の発明の空気調和装置において、制御手段（50）は、温度制御対象に供給される被処理空気の設定温度Ｔｓが入力される設定入力部（53）と、上記第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの温度差に基づき上記温調手段（40）の制御目標温度Ｔｃを決定する目標温度算出部（51）と、上記第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づき温調手段（40）の能力を調整する主制御部（52）とを備えているものである。
【００１９】
上記第２の発明では、制御手段（50）に目標温度算出部（51）、主制御部（52）、及び設定入力部（53）が設けられることで、第１の発明で上述したような温調手段（40）の能力調整が行われる。
【００２０】
具体的に上述した例を用いて説明すると、例えば温度制御対象の要望温度が１０℃の場合、設定入力部（53）には、設定温度Ｔｓ（１０℃）が入力される。そして、目標温度算出部（51）は、第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２（例えば１０．０２℃）と設定温度Ｔｓ（１０℃）との温度差（０．０２℃）を算出し、この温度差より温調手段（40）の制御目標温度Ｔｃ（９．９８℃）を決定する。一方、主制御部（52）は、第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１（例えば１０℃）が上記制御目標温度Ｔｃ（９．９８℃）となるように温調手段（40）の能力を低減させる。その結果、温調手段（40）で温調された被処理空気の温度が９．９８℃となるため、集塵手段（23）を通過した被処理空気の温度が設定温度Ｔｓと同じ１０℃となる。このように、本発明では、第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの温度差によって集塵手段（23）の熱容量の影響を加味した温調手段（40）の制御を行うことができる。
【００２１】
また、温調手段（40）の能力調整は、第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１に基づいて主制御部（52）で行われるため、温度センサの検出温度に対して温調手段（40）の応答が遅れてしまうことも抑制できる。
【００２２】
第３の発明は、第１又は第２の発明の空気調和装置において、第２温度センサ（42）は、空気通路（11）の下流端近傍に配置されているものである。
【００２３】
上記第３の発明では、第２温度センサ（42）が集塵手段（23）の下流側であって、かつ空気通路（11）の下流端近傍に配置される。このため、第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２は、空気通路（11）において温度制御対象に対して最短となる位置に設けられる。このようにすると、温調手段（40）で温調された被処理空気が上記集塵手段（23）の熱容量の影響以外（例えば空気通路（11）での放熱、整流板などの熱容量の影響）によって温度変化した際にも、検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの温度差によってこれらの温度変化を加味した温調手段（40）の制御を行うことができる。
【００２４】
第４の発明は、第１から第３のいずれか１の発明の空気調和装置において、空気通路（11）には、冷凍サイクルを行う冷媒回路（30）に接続された蒸発器（20）が配置され、温調手段（40）は、上記蒸発器（20）で冷却された被処理空気を温調するヒータ（22）で構成されているものである。
【００２５】
上記第４の発明では、冷媒が循環して冷凍サイクルを行う冷媒回路（30）が設けられ、冷媒回路（30）に接続された蒸発器（20）が冷却器として機能する。そして、空気通路（11）に取り込まれた被処理空気が、冷却器となる蒸発器（20）によって冷却され、その後、ヒータ（22）によって温調（加温）されることで被処理空気の温調が行われる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明では、以下の効果が発揮される。
【００２７】
上記第１又は第２の発明によれば、集塵手段（23）の上流側と下流側とにそれぞれ温度センサ（41,42）を設けるようにしている。そして、制御手段（50）によって第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１に基づく温調手段（40）の能力を調整する一方、第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２に基づいて温調手段（40）の能力を補正できるようにしている。このため、仮に集塵手段（23）の熱容量の影響により、温調手段（40）で温調された被処理空気の温度と実際に温度制御対象に供給される温度が異なってしまった場合にも、この温度差を補正しながら温調手段（40）の能力調整を行うことができる。したがって、集塵手段（23）の熱容量に起因する温度誤差を抑制できる。
【００２８】
また、温調手段（40）の主制御は、第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１に基づいて行われるため、検出温度に対する温調手段（40）の応答が遅れてしまい、例えばオーバーシュートやアンダーシュートが生じ供給空気の温度変動が大きくなってしまうことも抑制できる。
【００２９】
以上のように、本発明によれば、集塵手段（23）の熱容量に起因する温度誤差と温調手段（40）の応答遅れによる温度変動誤差を極力抑えるようにできるため、供給空気の温度精度を効果的に向上させることができる。したがって、例えば半導体製造装置などにおける±０．０１℃といった高精度の温度制御ニーズに対応する空気調和装置を提供することができる。
【００３０】
上記第３の発明によれば、第２温度センサ（42）を空気通路（11）の下流端に設けることで、温調手段（40）によって温調された被処理空気が空気通路（11）の下流端より温度制御対象に供給されるまでの間の温度誤差を確実に抑制できる。したがって、供給空気の温度精度を一層効果的に向上できる。
【００３１】
上記第４の発明によれば、冷却器となる蒸発器（20）によって被処理空気を冷却した後、ヒータ（22）で被処理空気の温調を行うようにしている。ここで、第１又は第２の発明による制御手段（50）によって上記ヒータ（22）の加温能力を調整することで、上述と同様の作用効果によって供給空気の温度精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３３】
本発明の実施形態に係る空気調和装置は、温調された被処理空気を温度制御対象である半導体製造装置に供給して、この半導体製造装置の温度を一定に保持するためのものである。
【００３４】
図１に示すように、空気調和装置（1）は、横長のケーシング（10）内に被処理空気が流通する空気通路（11）を備えている。このケーシング（10）には、被処理空気が空気通路（11）に導入される流入口（12）と、空気通路（11）の被処理空気が温度制御対象に供給される流出口（13）とが形成されている。
【００３５】
空気通路（11）には、大略的に述べると、上流側より順に、冷却器（蒸発器）（20）、ファン（21）、温調手段（40）であるヒータ（22）、フィルタ（集塵手段）（23）が配置されている。
【００３６】
上記冷却器（20）は、流入口（12）より導入された被処理空気を冷却するものである。この冷却器（20）は、冷媒が循環して冷凍サイクルを行う冷媒回路（30）に接続されて蒸発器として機能する。この冷却器（20）は、例えばフィンコイル型熱交換器で構成されている。
【００３７】
なお、冷媒回路（30）は、上記冷却器（20）、アキュムレータ（31）、圧縮機（32）、凝縮器（33）、膨張弁（34）が順に接続されて閉回路となっている。また、上記凝縮器（33）には、圧縮機（32）で圧縮されて高温高圧となった冷媒が流通する冷媒用通路（33a）と、冷却水が流通する冷却用通路（33b）とが形成されている。そして、凝縮器（33）は、冷媒と冷却水とを熱交換させることで、この冷媒を凝縮させる。
【００３８】
上記ファン（21）は、流入口（12）より空気通路（11）に被処理空気を吸引して、この空気を流出口（13）より温度制御対象に供給するものである。
【００３９】
上記ヒータ（22）は、上記冷却器（20）で冷却された被処理空気を加温して温調するものである。このヒータ（22）は、空気通路（11）の流通断面の全域に跨るようにして配置形成されている。
【００４０】
上記フィルタ（23）は、上記ヒータ（22）で温調された被処理空気中の塵埃を捕集するものである。このフィルタ（23）は、例えばＵＬＰＡフィルタ（ultra low penetration airfilter）などで構成され、被処理空気中の微細な粉塵までも捕集可能となっている。
【００４１】
また、本実施形態の空気調和装置（1）は、被処理空気の温度を検出する温度センサ（41,42）と、該温度センサ（41,42）の検出温度に基づいてヒータ（22）の能力を調整するコントローラ（制御手段）（50）とを備えている。
【００４２】
具体的に、温度センサ（41,42）は、ヒータ（22）とフィルタ（23）との間に配置された第１温度センサ（41）と、フィルタ（23）の下流側に配置された第２温度センサ（42）とで構成されている。
【００４３】
第１温度センサ（41）は、ヒータ（22）の下流側であって、かつフィルタ（23）の上流側近傍に配置されている。この第１温度センサ（41）は、ヒータ（22）によって温調された被処理空気の温度Ｔ１を検出する。なお、第１温度センサ（41）は、例えばＰｔ材料からなる測温抵抗体によって構成されている。
【００４４】
一方、第２温度センサ（42）は、フィルタ（23）の下流側であって、かつ空気通路（11）の下流端近傍に配置されている。この第２温度センサ（42）は、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度Ｔ２を検出する。なお、第２温度センサ（42）は、第１温度センサ（41）と同様に、例えばＰｔ材料からなる測温抵抗体によって構成されている。
【００４５】
上記コントローラ（50）は、上記第１，第２温度センサ（41,42）と配線を介して接続されている。このコントローラ（50）は、温度制御対象に供給される被処理空気の設定温度Ｔｓが入力される設定入力部（53）と、ヒータ（22）の能力補正を行う目標温度算出部（51）と、ヒータ（22）の能力の主制御を行う主制御部（52）とを備えている。
【００４６】
目標温度算出部（51）は、上記第２温度センサ（42）の検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの差を算出し、この温度差に基づきヒータ（22）の制御目標温度Ｔｃを決定するように構成されている。一方、主制御部（52）は、第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づきヒータ（22）の能力を調整するように構成されている。したがって、この空気調和装置（1）では、主制御部（52）によってヒータ（22）の能力を主に制御する一方、このヒータ（22）の制御目標温度Ｔｃを目標温度算出部（51）によって補正し、半導体製造装置への供給空気の温度を設定温度Ｔｓと同じにするようにしている。
【００４７】
−運転動作−
次に、本実施形態に係る空気調和装置（1）の運転動作について説明する。
【００４８】
空気調和装置（1）の運転時には、ファン（21）が起動し、被処理空気がケーシング（10）の流入口（12）より空気通路（11）へ吸引される。一方、冷媒回路（30）では、圧縮機（32）が起動し、冷媒が冷媒回路（30）内を循環し冷凍サイクルが行われる。そして、冷却器（20）が蒸発器として機能する。
【００４９】
空気通路（11）を流れる被処理空気は、上記冷却器（20）を流通する。この際、被処理空気は、冷却器（20）に吸熱されて所定温度に冷却される。冷却器（20）を通過した被処理空気は、ヒータ（22）を流通する。そして、この被処理空気が所定温度に温調される。ヒータ（22）を通過した被処理空気は、フィルタ（23）を流通する。この被処理空気はフィルタ（23）によって塵埃が捕集される。以上のように温調されるとともに塵埃が除去された被処理空気は、流出口より温度制御対象に供給される。
【００５０】
ところで、上記ヒータ（22）は、コントローラ（50）によって能力調整されている。このコントローラ（50）によるヒータ（22）の制御方法について図２のフローチャートを参照しながら説明する。なお、図２において、左側のフローチャートは、コントローラ（50）の目標温度算出部（51）の制御動作を示し、右側のフローチャートは、コントローラ（50）の主制御部（52）の制御動作を示している。
【００５１】
目標温度算出部（51）では、ステップＳ１において所定時間がカウントされた後、第２温度センサ（42）によってフィルタ（23）の下流側における温度Ｔ２が検出される（ステップＳ２）。なお、この第２温度センサ（42）による温度Ｔ２の検出は、ｎ回以上になるまで行われる（ステップＳ３）。ここで、ステップＳ４において所定時間がカウントされると、第２温度センサ（42）で複数回検出されたＴ２の平均値Ｔ２が算出される（ステップＳ５）。次に、このコントローラ（50）に設定された設定温度ＴｓとＴ２の平均値Ｔ２との温度差ｄＴが算出される（ステップＳ６）。すなわち、ステップＳ６では、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度と設定温度Ｔｓとの間のずれが算出される。次に、ヒータ（22）の制御目標温度Ｔｃが温度差ｄＴによって更新され（新しいＴｃ’が古いＴｃとｄＴとの差によって算出され）、新たなＴｃ’が決定される（ステップＳ７）。すなわち、ステップＳ７では、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度と設定温度Ｔｓとの間のずれを加味した新たな制御目標温度Ｔｃを決定する。なお、この新たな制御目標温度Ｔｃは、所定の頻度で後述の主制御部（52）に出力される。その後、ステップＳ８において、第２温度センサ（42）の検出回数がクリアされ、再びステップ１が実行される。
【００５２】
一方、主制御部（52）では、ステップＳ１１において所定時間がカウントされた後、上記目標温度算出部（51）によって更新された制御目標温度Ｔｃが入力される（ステップＳ１２）。さらに、第１温度センサ（41）によってヒータ（22）で温調された直後の被処理空気の温度Ｔ１が検出される（ステップＳ１３）。そして、上記制御目標温度Ｔｃと第１温度センサ（41）の検出温度Ｔ１との温度差よりヒータ（22）の制御量が算出される（ステップＳ１４）。その結果、ヒータ（22）の能力が所定能力に調整され（ステップＳ１５）、再びステップＳ１１が実行される。
【００５３】
−実施形態の効果−
上記実施形態では、以下の効果が発揮される。
【００５４】
上記実施形態では、目標温度算出部（51）によって設定温度Ｔｓと検出温度Ｔ２との温度差を算出し、ヒータ（22）の制御目標温度Ｔｃを決定するようにしている。このため、ヒータ（22）によって温調された被処理空気の温度がフィルタ（23）を通過する際、このフィルタ（23）の熱容量の影響によって被処理空気の温度が変化してしまった場合にも、制御目標温度Ｔｃを更新することで、ヒータ（22）の能力を、上記フィルタ（23）の熱容量の影響を加味した能力に補正することができる。したがって、フィルタ（23）の熱容量に起因する温度誤差を抑制でき、この空気調和装置（1）の供給空気の温度精度を向上させることができる。
【００５５】
また、ヒータ（22）の能力は、主制御部（52）による制御目標温度Ｔｃと検出温度Ｔ１との温度差によって調整される。このため、検出温度に対してヒータ（22）の応答が遅れてしまい、例えばオーバーシュートやアンダーシュートが生じ供給空気の温度変動が大きくなってしまうことを抑制できる。したがって、この空気調和装置（1）の供給空気の温度精度を一層向上させることができる。
【００５６】
さらに、上記実施形態では、第２温度センサ（42）を空気通路（11）の下流端に設けるようにしている。このため、ヒータ（22）によって温調された被処理空気が、空気通路（11）の下流端に流れるまでの間に放熱してしまった場合にも、この温度誤差を確実に抑制できる。したがって、供給空気の温度精度を一層効果的に向上できる。
【００５７】
−実施形態の変形例−
次に、上記実施形態の変形例について説明する。この変形例の空気調和装置（1）は、上記実施形態の構成において、空気通路（11）におけるフィルタ（23）の下流側に被処理空気の流れ方向を調節する整流板（60）が配置されているものである。そして、フィルタ（23）及び整流板（60）は、第１温度センサ（41）と第２温度センサ（42）との間に介在する状態となっている。
【００５８】
この変形例においても、目標温度算出部（51）によって設定温度Ｔｓと検出温度Ｔ２との温度差を算出し、ヒータ（22）の制御目標温度Ｔｃを決定するようにしている。また、主制御部（52）は、この制御目標温度Ｔｃと検出温度Ｔ１との温度差に基づいてヒータ（22）の能力を調整するようにしている。
【００５９】
この変形例では、ヒータ（22）によって温調された被処理空気の温度がフィルタ（23）及び整流板（60）を通過する際、これらフィルタ（23）及び整流板（60）の熱容量の影響によって被処理空気の温度が変化してしまった場合にも、制御目標温度Ｔｃを更新することでヒータ（22）の能力を補正することができる。したがって、フィルタ（23）及び整流板（60）の熱容量に起因する温度誤差を抑制でき、この空気調和装置（1）の供給空気の温度精度を向上させることができる。
【００６０】
《その他の実施形態》
本発明では、上記実施形態以外に以下の構成としてもよい。
【００６１】
上記実施形態では、被処理空気を温調する温調手段（40）としてヒータ（22）を用いている。しかしながら、ヒータ（22）以外にも、被処理空気を高精度に温調できるものであれば、如何なる温調手段（40）を用いてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、フィルタ（23）の上流側と下流側とにそれぞれ温度センサ（41,42）を配置することで、フィルタ（23）の熱容量の影響を抑制したヒータ（22）の能力調整を行うようにしている。しかしながら、上記フィルタ（23）、あるいは変形例で上述した整流板（60）以外にも、所定の熱容量を有する機能部品が温度センサ（41,42）の間に配置される場合には、この機能部品の熱容量の影響を抑制したヒータ（22）の能力調整を行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】実施形態に係る空気調和装置の全体を示す概略構成図である。
【図２】実施形態に係る空気調和装置のコントローラの制御動作を示すフローチャートである。
【図３】実施形態の変形例に係る空気調和装置の全体を示す概略構成図である。
【図４】従来の空気調和装置の全体を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００６４】
(1)      空気調和装置
（11）    空気通路
（20）    冷却器
（22）    ヒータ（温調手段）
（23）    フィルタ（集塵手段）
（30）    冷媒回路
（41）    第１温度センサ
（42）    第２温度センサ
(50）    コントローラ（制御手段）
(51)     目標温度算出部
(52)     主制御部
（53）    設定入力部
【図１】
2005315489.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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