(57)【要約】【課題】蛍光体層への水分吸着をより抑制可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、背面板９１上の隔壁１１４間に形成される蛍光体層１１５をフッ化処理するフッ化処理ステップを有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板上の隔壁間に形成される蛍光体層をフッ化処理するフッ化処理ステップを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記フッ化処理ステップでは、前記隔壁及び前記蛍光体層と、フッ素元素を含む第１の反応ガスとを接触させることにより前記フッ化処理を実施することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、さらに、
前記フッ化処理ステップの実施に先行して、前記隔壁及び前記蛍光体層と酸素元素を含む第２の反応ガスとを接触させることにより、前記蛍光体層の表面または表面近傍における酸素欠損の存在する割合が、前記蛍光体層内部における酸素欠損の存在する割合よりも低くなるように改質する蛍光体層改質ステップを有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第２の反応ガスは、オゾンが含まれていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記第２の反応ガスのオゾン濃度は、１体積％以上３０体積％以下であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、さらに、
前記蛍光体層改質ステップの実施に先行して、前記蛍光体層が形成されている側が内側となるように前記背面基板と前面基板とを対向させて重ね合わせた後、これらの周縁部同士を封着する封着ステップを有し、
前記蛍光体層改質ステップでは、前記前面基板と前記背面基板間との間に形成された空間に前記第２の反応ガスを導入することにより前記改質が実施されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記蛍光体層改質ステップにおいて、表示電極及びアドレス電極に電圧パルスを印加して、放電を生じさせることにより、第２反応ガスの反応性を高めることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、さらに、
前記封着ステップの実施後、前記蛍光体層改質ステップの実施に先行して、前記空間に前記蛍光体層と化学反応を起こさない非反応ガスを導入して排出することにより、前記蛍光体層に吸着されていた水分を吸着箇所から除去する水分除去ステップを有することを特徴とする請求項６または７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記水分除去ステップでは、前記背面基板が所定の温度となるように加熱することを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記フッ化処理ステップでは、前記背面基板が所定の温度となるように加熱することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記蛍光体層改質ステップでは、前記背面基板が所定の温度となるように加熱することを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記所定の温度は、１００℃以上４００℃以下であることを特徴とする請求項９、１０及び１１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
背面基板上の隔壁間に形成されている蛍光体層表面がフッ化処理されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記隔壁がフッ化処理されていることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記蛍光体層の表面また表面近傍における酸素欠損の存在する割合が、前記蛍光体層内部における酸素欠損の存在する割合よりも低くなっていることを特徴とする請求項１３または１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラーテレビ受像機のディスプレイ等に使用するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に、背面基板上に形成された蛍光体層への処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータやテレビ等に用いられているディスプレイ装置において、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）は、大型で薄型軽量化を実現することのできるものとして注目されている。
このＰＤＰは、誘電体層に覆われたストライプ状のアドレス電極が表面に形成され、隣り合うアドレス電極同士の間に隔壁が形成された背面基板と、誘電体層に覆われたストライプ状の表示電極が表面に形成された前面基板とを双方の電極が直交するように対向配置され、内部の放電空間に放電ガスが充填されてなる。
【０００３】
隣り合う隔壁によって形成される溝には、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）及びＢ（Ｂｌｕｅ）の発光特性を有する蛍光体層が規則的に形成されている。
上記表示電極は２本で１対を構成しており、その一方をＸ電極、他方をＹ電極という。
上記一対の表示電極と１本のアドレス電極とが、放電空間を挟んで交差する領域が画像表示に寄与するセルとなる。
【０００４】
以下、ＰＤＰの製造工程の概略について説明する。
ＰＤＰの製造工程では、通常、背面基板としての一例である背面ガラス基板上に、アドレス電極、隔壁及び蛍光体層の順に形成することにより、背面板が作成される。
また、前面基板の一例としての前面ガラス基板上に、表示電極（Ｘ電極及びＹ電極）、誘電体層及び保護層の順に形成することにより、前面板が作成される。
【０００５】
このように作成された前面板と背面板とを重ね合わせ、互いの外縁部を封着ガラスにより封着し、不純物除去を目的とするベーキングの実施後、放電ガスが充填され封止されることによりＰＤＰが完成する。
なお、上記蛍光体層の形成工程では、隣り合う隔壁の間に蛍光体インクを塗布し、これを焼成することにより蛍光体層を形成している。
【０００６】
このうち青色の蛍光体層の発光特性としては、青みの強いものが望まれるが、製造されたＰＤＰにおいて、青みが薄らいでしまうなどの当初予定していた発光特性を発揮できないものが生じる場合がある。
このような発光特性の悪化の原因の１つとして、水分が蛍光体層に吸着して吸着箇所の蛍光体層が変質し、発光特性が劣化することが挙げられる。
【０００７】
水分が吸着するケースとしては、蛍光体層の形成工程後に背面板が保管、搬送される際、大気中の水分を吸着する場合などが考えられる。
従来、ＰＤＰの製造方法として、上記蛍光体インクに用いる蛍光体粒子に予めフッ化処理を施し、蛍光体粒子に撥水性を持たせることで、この蛍光体インク及びインク噴射ノズル先端間に働く表面張力の影響を緩和し、インクの飛沫範囲を集中化するものがある。（例えば、特許文献１参照）
このように蛍光体粒子に撥水性を持たせることで、蛍光体粒子への水分吸着は抑制されると考えられる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−８７０３０号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記蛍光体インクから蛍光体層を形成する際、上記蛍光体インクが塗布された背面板を約５００℃の高温で焼成するため、蛍光体粒子を覆っていた撥水皮膜が失われる場合があり、焼成後の撥水性能が低下し、蛍光体層への水分吸着抑制の有効な方法とはならない。
【００１０】
つまり、蛍光体層形成後からＰＤＰ完成に至るまでには幾つかの工程が実施されることとなるため、これらの各工程及び各工程間における搬送時、保管時においても、蛍光体層が曝されている雰囲気中に含まれる水分の蛍光体層への吸着を抑制することが望まれている。
そこで本発明は、上記要望に応えるためになされたものであり、蛍光体層への水分吸着をより抑制可能なプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【００１１】
さらに、蛍光体層への水分吸着をより抑制可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、背面基板上の隔壁間に形成される蛍光体層をフッ化処理するフッ化処理ステップを有することを特徴とする。
蛍光体層形成後にフッ化処理を実施するので、蛍光体層が形成された後においても、蛍光体層への水分の吸着を抑制することができる。
【００１３】
また、前記フッ化処理ステップでは、前記隔壁及び前記蛍光体層と、フッ素元素を含む第１の反応ガスとを接触させることにより前記フッ化処理を実施することが好ましい。
これにより、蛍光体層だけでなく隔壁に対してもフッ化処理が実施することができる。
【００１４】
つまり、蛍光体層と隔壁との両方をフッ化処理することにより、蛍光体層への直接的な水分侵入と、隔壁を介して蛍光体層への水分侵入との両方が抑制される。
また、前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、さらに、前記フッ化処理ステップの実施に先行して、前記隔壁及び前記蛍光体層と酸素元素を含む第２の反応ガスとを接触させることにより、前記蛍光体層の表面または表面近傍における酸素欠損の存在する割合が、前記蛍光体層内部における酸素欠損の存在する割合よりも低くなるように改質する蛍光体層改質ステップを有することが好ましい。
【００１５】
これにより、蛍光体層の表面また表面近傍における酸素欠損が減少し、良好な発光特性が得られる。
また、前記第２の反応ガスは、オゾンが含まれていることが好ましい。
これにより、オゾン発生装置などを用いることにより前記改質の実施される。
また、前記第２の反応ガスのオゾン濃度は、１体積％以上３０体積％以下であることが好ましい。
【００１６】
これにより、前記改質に用いるオゾン発生装置の装置規模が大がかりにならなくても済み、設備コストが低減される。
また、前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、さらに、前記蛍光体層改質ステップの実施に先行して、前記蛍光体層が形成されている側が内側となるように前記背面基板と前面基板とを対向させて重ね合わせた後、これらの周縁部同士を封着する封着ステップを有し、前記蛍光体層改質ステップでは、前記前面基板と前記背面基板間との間に形成された空間に前記第２の反応ガスを導入することにより前記改質が実施されることが好ましい。
【００１７】
これにより、封止ステップ以降は、背面基板の蛍光体層側表面は、前面基板で覆われ、周縁部同士もシールされるので、蛍光体改質ステップ以降において、水分の侵入経路がガスの流入出孔に限定され、さらに水分の侵入が抑制される。
また、前記蛍光体層改質ステップにおいて、表示電極及びアドレス電極に電圧パルスを印加して、放電を生じさせることにより、第２反応ガスの反応性を高めることが好ましい。
【００１８】
これにより、第２の反応ガスの反応性が高められ、前記改質に要する時間が短縮される。
また、前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、さらに、前記封着ステップの実施後、前記蛍光体層改質ステップの実施に先行して、前記空間に前記蛍光体層と化学反応を起こさない非反応ガスを導入して排出することにより、前記蛍光体層に吸着されていた水分を吸着箇所から除去する水分除去ステップを有することが好ましい。
【００１９】
これにより、水分除去がより促進される。
また、前記水分除去ステップでは、前記背面基板が所定の温度となるように加熱することが好ましい。
これにより、吸着されている水分子の吸着箇所からの放出が促進される。
また、前記フッ化処理ステップでは、前記背面基板が所定の温度となるように加熱することが好ましい。
【００２０】
これにより、第１の反応ガスの反応性が高まり、効率的にフッ化処理が実施される。
また、前記蛍光体層改質ステップでは、前記背面基板が所定の温度となるように加熱することが好ましい。
これにより、第２の反応ガスの反応性が高まり、効率的に前記改質が実施される。
【００２１】
また、前記所定の温度は、１００℃以上４００℃以下であることが好ましい。
これにより、前記蛍光体層が高温となることりより、前記蛍光体層の発光特性及び撥水性能の低下が防止される。
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、背面基板上の隔壁間に形成されている蛍光体層表面がフッ化処理されていることを特徴とする。
【００２２】
これにより、前記蛍光体層の水分吸着を抑制することができる。
また、前記隔壁がフッ化処理されていることが好ましい。
これにより、蛍光体層だけでなく、隔壁もフッ化処理されるため、隔壁を通過して蛍光体層に水分が侵入し難くなり、蛍光体層の水分吸着をより抑制することができる。
【００２３】
また、前記蛍光体層の表面また表面近傍における酸素欠損の存在する割合が、前記蛍光体層内部における酸素欠損の存在する割合よりも低くなっていることが好ましい。
これにより、蛍光体層の表面また表面近傍における酸素欠損が減少し、良好な発光特性が得られる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
（構成）
図１は、本発明の第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの概略図である。
【００２５】
ＰＤＰ１００は、交流型（ＡＣ型）のＰＤＰであり、互いに主面を対向させて配設された前面板９０および背面板９１から構成される。
前面板９０は、前面ガラス基板１０１と、表示電極１０２と、誘電体層１０６と、保護層１０７とからなる。
前面ガラス基板１０１は、前面板９０のベースとなる材料で、この前面ガラス基板１０１上に表示電極１０２が形成されている。
【００２６】
この表示電極１０２は、透明電極１０３と、黒色電極膜１０４と、バス電極１０５とからなる。
黒色電極膜１０４は、主成分の酸化ルテニウムが黒色を呈することで、ガラス裏面側から見た場合の外光の反射を防止する役割を果たす。
また、バス電極１０５は、高い導電性を有する銀を主成分とするため、全体の抵抗値を下げる役割を果たす。
【００２７】
ここで、便宜的に、黒色電極膜１０４とバス電極１０５とを合わせたものを多層電極３０９という。
この多層電極３０９は、長手方向の一端に、駆動回路に接続するためのインターフェースとして、電極の幅が局部的に拡大された矩形状の端子部１０８を有する。
【００２８】
表示電極１０２及び前面ガラス基板１０１は、さらに、誘電体層１０６及び保護層１０７で覆われている。
背面板９１は、背面ガラス基板１１１と、アドレス電極１１２と、誘電体層１１３と、隔壁１１４と、隣接する隔壁１１４どうしの間隙（以下、「隔壁溝」という。）の壁面に形成された蛍光体層１１５とからなる。
【００２９】
ここで、蛍光体層１１５は、その表面と内部とを比較したとき、酸素原子の含まれる割合が内部よりも表面の方が多くなっている。
上記蛍光体層の発光物質としては、例えば、下記に示すような蛍光体材料を用いる。
青色蛍光体  ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ
緑色蛍光体  Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
赤色蛍光体  Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ
また、背面板９１の内面には、フッ化処理が施されており、内面全体が撥水性を有している。
【００３０】
前面板９０及び背面板９１は、図１に示すように重ね合わされ、その周縁部に設けられた封着ガラス１９０を介して接合されている。
放電空間１１６には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅなどの希ガス成分からなる放電ガス（封入ガス）が５００〜６００Ｔｏｒｒ（６６．５〜７９．８ｋＰａ）程度の圧力で封入されている。
【００３１】
隣り合う一対（Ｘ電極及びＹ電極）の表示電極１０２と１本のアドレス電極１１２とが、放電空間１１６を挟んで交差する領域が画像表示に寄与するセルとなる。
このＰＤＰ１００と未図示の駆動回路とを接続することにより未図示のプラズマディスプレイ表示装置が構成される。
【００３２】
上記駆動回路は、メモリ及び外部より到来する画像信号にもとづいて、アドレス電極１１２及び表示電極１０２に電圧を印加する回路である。
このＰＤＰ１００において、点灯させようとするセルを横切るＸ電極とアドレス電極１１２間に電圧が印加されてアドレス放電がなされた後に、前記セルを横切るＸ電極及びＹ電極にパルス電圧が印加されることにより維持放電がなされる。
【００３３】
ＰＤＰ１００において、放電空間１１６では、この維持放電により紫外線が発生し、発生した紫外線が蛍光体層１１５に当たることにより、この紫外線が可視光に変換され、セルが点灯し、画像が表示される。
（ＰＤＰの製造方法）
次に、ＰＤＰの製造方法を示す。
（前面板の製造方法）
以下、前面板９０の作成方法について説明する。
【００３４】
平坦な前面ガラス基板１０１の内面に、銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、上記前面ガラス基板１０１全体を加熱することにより、上記銀ペーストを焼成して表示電極１０２を形成する。
そして、上記表示電極１０２が形成された前面ガラス基板１０１の内面に誘電体ガラスペーストを塗布した後、上記前面ガラス基板１０１全体を加熱することにより、上記誘電体ガラスペーストを焼成して誘電体層１０６を形成し、さらに、その上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を塗布して、上記と同様の焼成を行い、保護層１０７を形成する。
（背面板の製造方法）
以下、背面板９１の作成方法について説明する。
【００３５】
平坦な背面ガラス基板１１１の内面に、銀ペーストをライン状に等ピッチで塗布した後、上記背面ガラス基板１１１全体を加熱することにより、上記銀ペーストを焼成してアドレス電極１１２を形成する。
そして、隣り合うアドレス電極１１２の間にガラスペーストを塗布し、上記背面ガラス基板１１１全体を加熱することにより、上記ガラスペーストを焼成して隔壁１１４を形成する。
【００３６】
さらに、隣り合う隔壁１１４同士の間に、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体インクを塗布し、背面ガラス基板１１１を約５００℃に加熱することにより、上記蛍光体インクを焼成して、蛍光体インク内のバインダーとしての樹脂成分等を除去することにより蛍光体層１１５を形成する。
上述のように作成された背面板９１には、蛍光体層の発光特性改善のために、蛍光体層改質処理及びフッ化処理が実施される。
【００３７】
図２は、蛍光体層改質処理及びフッ化処理を実施するガス処理装置３００ａを示す図である。
このガス処理装置３００ａは、図２に示すように、加熱炉２００内に低融点ガラス管からなるガス導入経路２０１及びガス排出経路２０２が連絡しており、ガス排出経路２０２の下流側が排気ポンプ２０９に接続され、さらに、このガス排出経路２０２上の加熱炉２００と排気ポンプ２０９との間にバルブ２２０ｂが挿入されている。
【００３８】
一方、ガス導入経路２０１の上流側には、流路切り替え弁２１０に連絡しており、ガス導入経路２０１上の加熱炉２００と流路切り替え弁２１０との間には、上流から下流に向かって順に、バルブ２２０ａ及び圧力計２２１が挿入されている。
流路切り替え弁２１０の上流側には、窒素ガスタンク３０１、オゾンガス発生装置３０３及びフッ化ガスタンク３０５へとそれぞれに連絡するガス流路２０３ａ、２０３ｂ及び２０３ｃに接続しており、これらのガス流路のうちのいずれか一つと選択的に連通する機能を有する。
【００３９】
また、ガス流路２０３ａ、２０３ｂ及び２０３ｃの経路上には、それぞれガス経路上におけるガス流量を検出し、ガス流路経断面積を変化させることによりガス流量を調節する流量調節器３０２、３０４及び３０６が挿入されている。
加熱炉２００は、温度制御機能を有する電気炉であって、その内部に背面板９１を支持するための支持台２００ａを有する。
【００４０】
この支持台２００ａは、開口部を有する箱型構造となっており、この開口部に隔壁を嵌め込むように背面板９１をセットすることで、背面板９１の内面側にのみガスが流通する。
流量調節器３０２、３０４及び３０６は、それぞれ自器内を通過する流体の流量を計測して、外部から入力された設定値に流体の流量を調整する機器である。
【００４１】
窒素ガスタンク３０１は、高純度窒素ガスを貯蔵するタンクである。
オゾンガス発生装置３０３は、酸素ガス中で高圧放電させて一部の酸素分子の酸素原子同士を分離し、分離した酸素原子を他の酸素分子と結合させることによりオゾンにすることで、オゾンと酸素の混合ガス（以下、「混合ガスＡ」という。）を発生させる装置であって、オゾン濃度が３０体積％を上限として混合ガスＡを生成する能力を有する。
【００４２】
なお、オゾン濃度が３０体積％を越える上記混合ガスＡを生成する場合、一般規模のオゾンガス発生装置では生成能力が不足するため、大規模なオゾンガス発生装置が必要となり、設備上好ましくない。
フッ化ガスタンク３０５は、四フッ化メタン（ＣＦ４）：５０体積％＋窒素：５０体積％の混合ガス（以下、「混合ガスＢ」という。）を貯蔵するタンクである。
（蛍光体層改質処理工程）
以下、蛍光体層改質処理について説明する。
【００４３】
図２に示すように、背面板９１の内側がガス流路に面するように、背面板９１を加熱炉２００内の支持台２００ａにセットした後、加熱炉２００内を密閉する。
そして、加熱炉２００内の温度を１００℃〜４００℃（好ましくは、３５０℃程度）に維持しながら、加熱炉２００内のガス流路にオゾン：１〜３０体積％の＋酸素：９９〜７０体積％からなる混合ガスＡを３００〜２０００Ｔｏｒｒの圧力条件下で導入して約１時間状態を保持した後に排出する。
【００４４】
上記混合ガスＡの排出は、排気ポンプ２０９により加熱炉２００内を減圧してもよく、また、窒素ガスタンク３０１から加熱炉２００内に窒素ガスを導入しつつ排気することにより上記混合ガスＡと置換してもよい。
ところで、発光体物質である酸化物蛍光体と水分とが化学反応すると、酸化物蛍光体の結晶格子から酸素原子が奪われ（以下、「酸素欠損」という。）、発光特性、即ち、発光色が変化するという不都合が生じる場合がある。
【００４５】
上述のように背面板９１をオゾンガス雰囲気に曝す目的は、上記酸素原子の欠落が生じている箇所に酸素原子を補給し、上記酸素欠損を修復することにある。
（フッ化処理工程）
蛍光体層改質処理に引き続き、背面板９１が支持台２００ａにセットされた状態のまま、加熱炉２００内の温度を上記蛍光体層改質処理と同様に、１００℃〜４００℃（好ましくは、３５０℃程度）に維持しながら、加熱炉２００内のガス流路にフッ化ガスタンク３０５からＣＦ４：５０体積％と窒素ガス：５０体積％とからなる混合ガスＢを導入して、１〜３時間経過後、混合ガスＢを排出する。
【００４６】
このようにＣＦ４ガスを含む雰囲気に背面板９１を曝す目的は、背面板９１の光体層１１５及び隔壁１１４の表面全体に撥水処理を施し、その後の工程における蛍光体層１１５及び隔壁１１４への水分吸着を防止することにある。
つまり、ＰＤＰ１００が完成するまでには、フッ化処理工程実施後、背面板９１は、幾つかの処理工程（以下、「フッ化処理後工程」という。）を経ることとなるので、隔壁１１４を含め、蛍光体層１１５のある背面板９１内面全体に撥水処理が施されている。
【００４７】
仮に、蛍光体層１１５に対してフッ化処理がなされ、隔壁１１４に対してフッ化処理がなされていないとすると、上記各フッ化処理後の工程、工程間における搬送時及び保管時において、外気からの直接的な蛍光体層１１５への水分侵入は抑制することができても、外気から多孔質な隔壁１１４へと水分が吸着し、この吸着した水分が隔壁１１４から蛍光体層１１５内部へと水分が侵入する可能性がある。
（封着工程）
図３に示すように、前面板９０と背面板９１とを重ね合わせ、低融点ガラス粒子及び樹脂などの有機成分が混合されてなるガラスペーストを背面板９１の周縁部に塗布し、３００℃〜５００℃（好ましくは、約３５０℃）の温度で焼成して、上記ガラスペーストからバインダーなどの樹脂成分等を除去することにより封着ガラス１９０を形成する。
【００４８】
これにより、前面板９０と背面板９１とが封着ガラス１９０を介して一体となり、放電ガスが封入されていない状態のＰＤＰ１００（以下、「ＰＤＰ１００ａ」という。）が完成する。
図４は、ベーキング及び放電ガスの充填を実施するガス処理装置３００ｂを示す図である。
【００４９】
ガス処理装置３００ｂは、上述したガス処理装置３００ａの構成と以下の点において異なる。
即ち、ガス処理装置３００ａでは、装置構成に含まれていたガス流路２０３ｂ、２０３ｃ、流量調節器３０４、３０６、オゾンガス発生装置３０３及びフッ化ガスタンク３０５が、ガス処理装置３００ｂの装置構成に含まれておらず、逆に、ガス処理装置３００ａでは、装置構成に含まれていなかったガス流路２０３ｄ、流量調節器３０８及び放電ガスタンク３０７がガス処理装置３００ｂの装置構成に含まれている。
【００５０】
放電ガスタンク３０７は、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅなどの希ガス成分からなる放電ガスを貯蔵するタンクである。
流量調節器３０８は、自器を通過する放電ガスの流量を検出し、ガス流路経断面積を変化させることにより、上記放電ガスの流量を調節する機能を有する。
（ベーキング工程）
ＰＤＰ１００ａをガス処理設備３００ｂの加熱炉２００に入れ、背面板に設けられている２つの貫通孔にガス導入経路２０１とガス排出経路２０２とを挿入して加熱し、挿入部を軟化させて接合する。
【００５１】
バルブ２２０ａ及びバルブ２２０ｂを開放した状態で、窒素ガスタンク３０１を加熱炉２００に数秒間導入し、加熱炉２００内に存在していた空気を窒素ガスに置換する。
そして、バルブ２２０ａを閉鎖し、バルブ２２０ｂを閉鎖した状態で、加熱炉２００の温度を２００℃〜５００℃（好ましくは、約３００℃）に約３０分間維持する。
【００５２】
続いて、排気ポンプ２０９を駆動させ、バルブ２２０ａを閉鎖し、バルブ２２０ｂを開放した状態で、加熱炉２００内を約３０分間減圧する。
（放電ガス充填工程）
その後、バルブ２２０ａを開放し、バルブ２２０ｂを閉鎖した状態で、炉中温度３０〜５０℃において、圧力計２２１で計測している圧力が６６．５〜７９．８ｋＰａとなるまで、放電ガスタンク３０７を導入し、バルブ２２０ａを閉鎖する。
（封止工程）
そして、ＰＤＰ１００ａをガス導入経路２０１及びガス排出経路２０２に接続された状態まま加熱炉２００から取り出した後、背面板９１との接合部近傍において、ガス導入経路２０１及びガス排出経路２０２（ガラス管）を加熱して流路を潰して塞ぎながら溶断（チップオフ）することにより封じきる。
【００５３】
この封止工程の完了によりＰＤＰ１００が完成する。
（発光特性劣化度合い確認試験）
蛍光体層改質処理及びフッ化処理の実施有無の違いにより生じる以下の４つの試験品Ａ〜Ｄについて、５００℃、湿度６０％の雰囲気中に１時間曝すことにより、蛍光体層への水分吸着度合いの違いによる発光特性への影響を確認する発光特性劣化度合い確認試験を行った。
【００５４】
このような過酷な条件下に試験品を曝すことで、製造過程における環境から到来する水分及び完成後のＰＤＰ１００の内部材から徐々に放出される水分（汚染物質を含む）が蛍光体層に与える影響を再現する加速試験とみることができる。
表１に、試験品の仕様を示す。
【００５５】
【表１】
2005005214.tif 000003
【００５６】
蛍光体層改質処理では、パネル温度を２００℃に設定し、オゾン：２０体積％＋酸素：８０体積％からなる混合ガスを３００〜２０００Ｔｏｒｒの圧力条件下でパネル内に充填した状態で１時間維持した。
また、フッ化処理では、パネル温度を２００℃に設定し、ＣＦ４：５０体積％＋窒素：５０体積％からなる混合ガスを３００〜２０００Ｔｏｒｒの圧力条件下でパネル内に充項させて１時間維持した。
【００５７】
ここで、蛍光体層改質処理及びフッ化処理の両方を実施する場合、フッ化処理後に蛍光体層改質処理を実施することも考えられるが、試験品Ｄのように、蛍光体層改質処理後にフッ化処理を実施するもののみに限定した理由は、フッ化処理を蛍光体層改質処理に先行して実施した場合、酸素欠損が生じている箇所へのオゾンの侵入、つまり、酸素欠損の修復を妨げるおそれがあり、現実的ではないと判断したためである。
（試験結果）
試験評価は、水分吸着後における蛍光体層を発光させて、ＣＩＥ表色系による２次元色空間を示すｘｙ色度座標のｙ値を検出することにより実施した。
【００５８】
このようにｙ値のみを評価対象とした理由は、青色蛍光体が劣化する場合、ｘの値の変化は小さく、ｙ値の変化が大きいことによる。
ｙ値は、低いほど青みが増し、色再現性が良好となり、高いほど緑色側にシフトし、色再現性が悪化する。
このｙ値は、発光色の青みと輝度を示す性質を有しており、本試験では、このｙ値の狙い値を０．０５とする。
【００５９】
また、蛍光体層改質処理後、フッ化処理後、蛍光体層改質処理を行い、さらにフッ化処理を行った後の上記ｙ値も検出し、比較評価した。
なお、ＰＤＰにおける蛍光体層の発光特性の青み及び輝度を評価する。
【００６０】
【表２】
2005005214.tif 000004
【００６１】
試験品Ａでは、水分吸着によってｙ値が０．０５９３から０．０９５１まで増加して緑色に近づくため色再現性を悪化させている。
試験品Ｂでは、蛍光体層改質処理後において、ｙ値が０．０５９３から０．０４９５に減少し、より青みが増すが、水分吸着させると、ｙ値が０．０５５０に増加し、若干緑色に近づく。
【００６２】
このように、試験品Ｂにおいて、蛍光体層改質処理後にｙ値が減少するのは、青色蛍光体の酸素欠損部分に酸素が結合して酸素原子が補われることによって、上記酸素欠損が少なくなるためである。
また、水分吸着後における試験品Ｂのｙ値と試験品Ａのｙ値とを比較すると、試験品Ｂのｙ値増加度合いが小さく抑えられており、酸素欠損の修復は、水分吸着の抑制にも寄与していることが判る。
【００６３】
試験品Ｃでは、ベーキング後において蛍光体層に存在していた酸素欠損の数は、フッ化処理後においても変わっていないため、フッ化処理の前後において、ｙ値がほとんど変わらないが、水分吸着前後のｙ値の変化度合いは、試験品Ｂよりも小さくなっている。
これは、蛍光体層表面にフッ素化合物が形成され、撥水効果が生じ、蛍光体層内部まで水分子が侵入し難くなり、酸素欠損の増加を抑制しているためと思われる。
【００６４】
試験品Ｄでは、蛍光体層改質処理後、さらに、フッ化処理を実施しているため、蛍光体層の酸素欠損を修復した後に、撥水性が付加されるため、ベーキング直後に０．０５９３であったｙ値が、フッ化処理後には０．０４９４まで減少させることができ、また、水分を吸着させてもｙ値の増加は、僅か０．０００１に留まり、蛍光体層がほとんど水分を吸着していないことがわかる。
【００６５】
以上のように本第１の実施形態におけるＰＤＰは、蛍光体層改質処理とフッ化処理とを段階的に行うことによって、蛍光体層の初期の発光特性を改善し、さらに、蛍光体層表面への水分の吸着を抑制し、青みが強い状態を維持可能な蛍光体層を作成することができる。
なお、本第１の実施形態では、オゾンガス発生装置において発生させるオゾンの濃度の上限は３０体積％としたが、これに限らず、高性能なオゾンガス発生装置を用いるなどして、オゾンの濃度の上限をもっと高い値としてもよい。但し、オゾン濃度が高すぎると、逆に蛍光体層の酸素欠損が生じている箇所以外の箇所との反応が進み、結晶格子が破壊され、輝度が激減してしまうおそれがあるため、充填されるオゾン＋窒素混合ガスにおけるオゾン濃度は、５０体積％以下に設定することが好ましい。
【００６６】
また、本第１の実施形態における蛍光体層改質処理では、オゾン＋窒素混合ガスを用いたが、オゾン＋酸素の混合ガス、酸素＋窒素の混合ガス、オゾン＋酸素＋窒素の混合ガス及び酸素ガスなどを用いても構わない。
その場合、酸素はオゾンに比べて反応性が低いため、第１の実施形態と同程度の酸素欠損の修復を実施するためには、混合ガス中における酸素濃度の割合をオゾン＋窒素の混合ガス中におけるオゾンの割合よりも高めたり、酸素ガスのみを充填したり、混合ガスや酸素ガスのＰＤＰ１００ａへの充填期間を延長したり、または、充填圧力を高めたりすることが必要となる。
【００６７】
また、本第１の実施形態におけるこのガス処理装置３００ａの支持台２００ａは、開口部を有する箱型構造となっており、この開口部に隔壁を嵌め込むように背面板９１をセットすることで、背面板９１の内面側にのみガスが流通するとしたが、箱型構造を有さず単なる支持台であって、背面板９１の内面側及び外面にもガスが流通するとしてもよい。
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルは、本発明の第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルと同様の構成であり、第１の実施形態において述べたベーキング、蛍光体層改質処理及びフッ化処理の実施方法のみが異なる。
【００６８】
より具体的には、第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法では、ベーキング、蛍光体層改質処理及びフッ化処理を前面板９０と背面板９１とが一体化される前に実施されていたが、第２の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法では、前面板９０と背面板９１とが封着されて一体化された後に実施される。
【００６９】
つまり、前面板及び背面板の製造→封着工程→蛍光体層改質処理工程→フッ化処理工程→放電ガス充填工程→封止工程の順に処理が行われる。
以下、ベーキング、蛍光体層改質処理及びフッ化処理の実施方法について説明する。
図５は、ベーキング、蛍光体層改質処理及びフッ化処理を実施するガス処理装置３００ｃを示す図である。
【００７０】
ガス処理装置３００ｃは、第１の実施形態において先に述べたガス処理装置３００ｂと略同一の構成を有しており、流路切り替え弁２１０の上流側にオゾンガス発生装置３０３及びフッ化ガスタンク３０５が配置され、これらそれぞれに接続されるガス流路２０３ｂ及び２０３ｃには、それぞれ流量調節器３０４及び３０６が挿入されている点で、ガス処理装置３００ｂとは異なる。
（ベーキング工程）
ＰＤＰ１００ａをガス処理設備３００ｂの加熱炉２００に入れ、背面板に設けられている２つの貫通孔にガス導入経路２０１とガス排出経路２０２とを挿入して加熱し、挿入部を軟化させて接合する。
【００７１】
バルブ２２０ａ及びバルブ２２０ｂを開放した状態で、窒素ガスタンク３０１を加熱炉２００に数秒間導入し、加熱炉２００内に存在していた空気を窒素ガスに置換する。
そして、バルブ２２０ａを閉鎖し、バルブ２２０ｂを閉鎖した状態で、加熱炉２００の温度を２００℃〜５００℃（好ましくは、約３００℃）に約３０分間維持する。
【００７２】
続いて、排気ポンプ２０９を駆動させ、バルブ２２０ａを閉鎖し、バルブ２２０ｂを開放した状態で、加熱炉２００内を約３０分間減圧する。
（蛍光体層改質処理工程）
その後、バルブ２２０ａを開放し、バルブ２２０ｂを閉鎖した状態で、加熱炉２００内の温度を１００℃〜４００℃（好ましくは、３５０℃程度）に維持しながら、加熱炉２００内のガス流路にオゾンガスを含む混合ガスＡを３００〜２０００Ｔｏｒｒの圧力条件下で導入し、約１時間後に排出する。
【００７３】
混合ガスＡの排出は、排気ポンプ２０９により加熱炉２００内を減圧してもよく、また、窒素ガスタンク３０１から加熱炉２００内に窒素ガスを導入しつつ排気することにより上記混合ガスＡと置換してもよい。
（フッ化処理工程）
蛍光体層改質処理に引き続き、加熱炉２００内の温度を上記蛍光体層改質処理と同様に、１００℃〜４００℃（好ましくは、３５０℃程度）に維持しながら、加熱炉２００内のガス流路にフッ化ガスタンク３０５から混合ガスＢを導入して、１〜３時間経過後、排気ポンプ２０９により加熱炉２００内を減圧して上記混合ガスＢを排出する。
（放電ガス充填工程）
その後、バルブ２２０ａを開放し、バルブ２２０ｂを閉鎖した状態で、炉中温度が３０〜５０℃となったとき、圧力計２２１で計測している圧力が６６．５〜７９．８ｋＰａとなるまで、放電ガスタンク３０７を導入し、バルブ２２０ａを閉鎖する。
（封止工程）
そして、ＰＤＰ１００ａをガス導入経路２０１及びガス排出経路２０２に接続された状態まま加熱炉２００から取り出した後、背面板９１との接合部近傍において、ガス導入経路２０１及びガス排出経路２０２（ガラス管）を加熱して流路を塞ぎながら溶断（チップオフ）することにより封じきる。
【００７４】
これによりＰＤＰ１００が完成される。
以上のように本第２の実施形態におけるＰＤＰは、前面板９０と背面板９１とが封着されて一体化された後に、ベーキング、蛍光体層改質処理及びフッ化処理を段階的に実施するため、ベーキング後において、外気が背面板内面と直接接触することがないため、水分を吸着する機会がさらに少なくなり、蛍光体層表面への水分吸着をさらに抑制することができる。
【００７５】
なお、蛍光体層改質処理の実施に要する時間を低減するために、上記蛍光体層改質処理を以下のようにしてもよい。
図６は、蛍光体層改質処理を短時間で実施可能なガス処理装置３００ｄを示す図であり、装置構成としては、ガス処理装置３００ｃと略同一であり、ＰＤＰ１００ａのアドレス電極に電圧パルスを印加するデータドライバ４０１と、ＰＤＰ１００ａのＸ電極及びＹ電極に電圧パルスを印加する走査・維持ドライバ４０２とが追加されている点において、ガス処理装置３００ｃとは異なる。
【００７６】
このガス処理装置３００ｃは、第２の実施形態と同様に蛍光体層改質処理以外に、ベーキング及びフッ化処理を実施する。
以下、処理時間が低減可能な蛍光体層改質処理（以下、「蛍光体層改質短縮処理」という。）について説明する。
第２の実施形態の蛍光体層改質処理では、蛍光体層改質処理の実施中に、ＰＤＰ１００ａに配設された表示電極１０２（Ｘ電極、Ｙ電極）及びアドレス電極１１２に対して何ら電気的操作がなされていなかったが、蛍光体層改質短縮処理は、表示電極１０２（Ｘ電極、Ｙ電極）及びアドレス電極１１２に電圧パルスを印加する点で、第２の実施形態における蛍光体層改質処理とは異なる。
（蛍光体層改質短縮処理）
バルブ２２０ａを開放し、バルブ２２０ｂを閉鎖した状態で、加熱炉２００内の温度を１００℃〜４００℃（好ましくは、３５０℃程度）に維持しながら、加熱炉２００内のガス流路に混合ガスＡを３００〜２０００Ｔｏｒｒの圧力条件下で導入し、データドライバ４０１によってＰＤＰ１００ａのアドレス電極に電圧パルスを印加し、走査・維持ドライバ４０２によってＰＤＰ１００ａのＸ電極とＹ電極とに電圧パルスを印加し、各セル内で放電させるという電気的操作を約３０分間継続実施した後、上記混合ガスＡを排出する。
【００７７】
データドライバ４０１及び走査・維持ドライバ４０２により印加する電圧パルスの波形は、従来から実施されているエージングにおいて印加される電圧の波形と同一である。
第１及び第２の実施形態の蛍光体層改質処理では、混合ガスＡをＰＤＰ１００ａに導入している時間は、約１時間であったのに対し、蛍光体層改質短縮処理では、混合ガスＡをＰＤＰ１００ａに導入している時間を３０分としたのは、上記電圧パルスの印加により、オゾンの反応性がさらに高まるため、上記蛍光体層改質処理よりも短時間で酸素欠損が修復されるためである。
【００７８】
上記混合ガスＡの排出は、排気ポンプ２０９により加熱炉２００内を減圧してもよく、また、窒素ガスタンク３０１から加熱炉２００内に窒素ガスを導入しつつ排気することによりオゾンガスと置換してもよい。
以上のように蛍光体層改質短縮処理では、蛍光体層改質処理中に、オゾンの反応性を増すようにセル内で放電させることにより、蛍光体層の酸素欠損の修復を早めることができる。
【００７９】
また、上記蛍光体層改質短縮処理では、オゾン：３０体積％＋酸素：７０体積％の混合ガスＡをＰＤＰ１００ａ内に導入しているが、これに限らず、酸素：１００％、酸素＋窒素の混合ガスなどを導入し、セル内で発生する放電により、一部の酸素分子を酸素原子に変え、放電により生じた酸素原子により酸素欠損を修復してもよい。
【００８０】
その場合、酸素：１００％、酸素＋窒素の混合ガスの反応性は、オゾンを含む混合ガスＡの反応性よりも劣るため、これらのガスをＰＤＰ１００ａ内に導入する時間は、３０分よりも長くする必要がある。
【００８１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るＰＤＰは、隔壁及び蛍光体層を含む背面板内面がフッ化処理されているので、蛍光体層表面からの水分吸着のみならず、隔壁から侵入する水分の吸着までも防止することができ、蛍光体層の初期の発光特性を長期に渡り維持することができる。
【００８２】
また、上記フッ化処理に先行して、蛍光体改質処理を実施することにより、蛍光体層表面の酸素欠損を修復することができ、蛍光体層初期の発光特性を良好なものとすることがでる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの概略図である。
【図２】第１の実施形態におけるガス処理装置を示す図である。
【図３】前面板と背面板とを重ね合わせ、封着する様子を示す図である。
【図４】第１の実施形態におけるガス処理装置を示す図である。
【図５】第２の実施形態におけるガス処理装置を示す図である。
【図６】蛍光体層改質短縮処理を行うガス処理装置を示す図である。
【符号の説明】
９０    前面板
９１    背面板
１００    ＰＤＰ
１００ａ  ＰＤＰ
１０１    前面ガラス基板
１０２    表示電極
１０３    透明電極
１０４    黒色電極膜
１０５    バス電極
１０６    誘電体層
１０７    保護層
１０８    端子部
１１１    背面ガラス基板
１１２    アドレス電極
１１３    誘電体層
１１４    隔壁
１１５    蛍光体層
１１６    放電空間
１９０    封着ガラス
２００    加熱炉
２００ａ  支持台
２０１    ガス導入経路
２０２    ガス排出経路
２０３ａ  ガス流路
２０３ｂ  ガス流路
２０３ｃ  ガス流路
２０３ｄ  ガス流路
２０９    排気ポンプ
２１０    流路切り替え弁
２２０ａ  バルブ
２２０ｂ  バルブ
２２１    圧力計
３００ａ  ガス処理装置
３００ｂ  ガス処理設備
３００ｂ  ガス処理装置
３００ｃ  ガス処理装置
３００ｄ  ガス処理装置
３０１    窒素ガスタンク
３０２    ガス流量調節器
３０３    オゾンガス発生装置
３０４    流量調節器
３０５    フッ化ガスタンク
３０７    放電ガスタンク
３０８    流量調節器
３０９    多層電極
４０１    データドライバ
４０２    走査・維持ドライバ
【図１】
2005005214.tif 000005
【図２】
2005005214.tif 000006
【図３】
2005005214.tif 000007
【図４】
2005005214.tif 000008
【図５】
2005005214.tif 000009
【図６】
2005005214.tif 000010