(57)【要約】【課題】  熱板結晶化製造方法の提供。【解決手段】  熱板エリアにより赤外線を吸収し、受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移し、該アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成し、また、パルス熱アニールプロセスを利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行ない、ガラス基板とアモルファスシリコン層が赤外線を有効に吸収できず、並びに熱板エリア工程温度が高過ぎ（＞７００℃）ることによるガラス基板破裂の問題を発生せず、これにより効率的に急速結晶化する目的を達成する。【選択図】        図２
2005005662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に応用される熱板結晶化製造方法において、
基板を形成する工程と、
アモルファスシリコン層を該基板の上方に形成する工程と、
熱板層を該アモルファスシリコン層の上方に堆積させる工程とを具え、
該熱板層に対してリソグラフィーエッチング工程を行ない熱板エリアパターンを画定して熱板エリアを獲得し、該熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させ、受熱後に熱伝導の方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させ、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させ、パルス急速高温アニール技術を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行ない、ガラス基板とアモルファスシリコンが赤外線を有効に吸収しないことと、熱板エリア工程の温度が高過ぎることによるガラス基板破裂の問題を形成しないことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の熱板結晶化製造方法において、基板がガラス基板、石英基板とされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層が赤外線を吸収し且つ高い熱安定性を具えた材料で形成されたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の熱板結晶化製造方法において、熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に、薄い酸化層を堆積させ、該酸化層により急速高温アニール時に、熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止して有効に薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を防止することを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層の材料がタングステン・モリブデンとされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項６】
請求項３記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層の材料がクロムとされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項７】
請求項３記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層の材料がタングステンとされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
【請求項８】
熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、
基板と、
該基板の上方に形成されたアモルファスシリコン層と、
該アモルファスシリコン層の上方に形成された熱板エリアと、を具え、
該熱板エリアが、該アモルファスシリコン層の上に熱板層を堆積させ、該熱板層に対してリソグラフィーエッチング工程を行ない熱板エリアパターンを画定することにより獲得され、該熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させ、受熱後に熱伝導の方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させ、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させ、パルス急速高温アニール技術を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行ない、ガラス基板とアモルファスシリコンが赤外線を有効に吸収しないことと、熱板エリア工程の温度が高過ぎることによるガラス基板破裂の問題を発生しないようにして形成された、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項８記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、基板がガラス基板、石英基板とされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項８記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層が赤外線を吸収し且つ高い熱安定性を具えた材料で形成されたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項８記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に、薄い酸化層を堆積させ、該酸化層により急速高温アニール時に、熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止して有効に薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を防止することを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１０記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層の材料がタングステン・モリブデンとされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１０記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層の材料がクロムとされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１０記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層の材料がタングステンとされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の熱板結晶化製造方法に係り、ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に適用され、特に急速高温アニールを利用した熱板結晶化製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の結晶化技術には固相結晶化技術（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＳＰＣ）とエキシマレーザー結晶化技術（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ
Ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＥＬＡ）がある。そのうち、固相結晶化技術（ＳＰＣ）の必要とする結晶化温度は６００℃程度であり、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ  １７３７）変形温度は６６６℃であり、ポリシリコン結晶化工程は価格的に比較的便宜なガラス基板上で完成することができず、高単価の材料、例えば石英（Ｑｕａｒｔｚ）を採用しなければならず、材料の制限のため量産コストが高くなる。また、レーザー結晶化技術を採用すると、結晶化工程基板温度は固相結晶化方法より低いが、この技術に使用が必要な機器設備価格が高い。このため、ガラス基板に適用でき、且つ使用する機械設備が高価でない新たな方法が求められている。
【０００３】
周知の金属誘起横方向結晶化（ＭＩＬＣ；Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）製造方法は、ランプによりアモルファスシリコン層の上に堆積された結晶種を加熱する。図１のＡ〜Ｄは周知の高温アニールの金属誘起横方向結晶化製造方法のフローを示す。それによると、まず、図１のＡに示されるように、ガラス基板１０の上方にアモルファスシリコン層２０を形成し、さらに、図１のＢに示されるように、物理気相成長或いは電気めっきの方式によりニッケル、パラジウム等の金属をアモルファスシリコン層２０の上方に堆積させ、その後、図１のＣに示されるように、リソグラフィー、エッチング等の工程によりエリア金属分布を形成し後続の金属誘起横方向結晶化工程に用いる。そのうち、アモルファスシリコン層２０は先にアモルファスシリコン層２０の上方に堆積された金属薄膜とシリサイド（Ｓｉｌｉｃｉｄｅ）３１を形成し、このシリサイド３１がアモルファスシリコン結晶をポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）３２構造となすための結晶種とされ、且つ該アモルファスシリコンのシリコン分子がシリサイド３１に溶解され並びに結晶を析出する。図１のＤの最後の工程で、高温アニールシステム中で、金属誘起横方向結晶化ステップを行ない、アモルファスシリコン結晶のポリシリコン形成を促進するが、このアモルファスシリコン層が金属誘起横方向結晶（ＭＩＬＣ）を発生する時、固溶により形成されたシリサイドが非画定のアモルファスシリコン層に拡散しうるため、薄膜トランジスタチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）に金属汚染の問題が発生して製品のリーク電流を高くし、製品の電気性質に影響を与える恐れがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は一種の熱板結晶化製造方法を提供することを目的とし、それはポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に適用され、特に、急速高温アニールを利用した熱板結晶化製造方法である。本発明の技術はパルス急速高温アニール技術（ＰＲＴＰ）を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行なう。そのうち、ガラス基板は有効に赤外線を吸収することができず、並びに熱板エリア工程の温度が高すぎる（＞７００℃）ことによるガラス基板破裂の問題を発生しえず、このため効率的に高温急速結晶化の目的を達成できるものとする。
【０００５】
本発明のもう一つの目的は、一種の熱板結晶化製造方法を提供することにあり、それは、ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に応用され、特に急速高温アニールを利用した熱板結晶化製造方法である。本発明の技術の提供する熱板エリアはアモルファスシリコン層との固溶によりシリサイドを形成せず、これによりシリサイドにより横方向結晶を誘起せず、熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性により、熱板エリアにより赤外線を吸収し、受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移し、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させる。
【０００６】
本発明の技術のもう一つの目的は、一種の熱板結晶化製造方法を提供することにあり、それは、ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に応用され、特に急速高温アニールを利用して熱板結晶化製造方法であり、さらに熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に薄い酸化層を堆積させ、該酸化層により急速高温アニール時の熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止し、薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を有効に防止する。
【０００７】
上述の目的を達成するため、本発明の熱板結晶化製造方法はポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に応用され、それは、アモルファスシリコン層を基板の上方に堆積させ、その後、熱板層を該アモルファスシリコン層の上方に堆積させ、そのうち該熱板層に対するリソグラフィーエッチング工程により熱板エリアを得て、該熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させて、受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させ、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンとなす。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に応用される熱板結晶化製造方法において、
基板を形成する工程と、
アモルファスシリコン層を該基板の上方に形成する工程と、
熱板層を該アモルファスシリコン層の上方に堆積させる工程とを具え、
該熱板層に対してリソグラフィーエッチング工程を行ない熱板エリアパターンを画定して熱板エリアを獲得し、該熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させ、受熱後に熱伝導の方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させ、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させ、パルス急速高温アニール技術を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行ない、ガラス基板とアモルファスシリコンが赤外線を有効に吸収しないことと、熱板エリア工程の温度が高過ぎることによるガラス基板破裂の問題を形成しないことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項２の発明は、請求項１記載の熱板結晶化製造方法において、基板がガラス基板、石英基板とされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項３の発明は、請求項１記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層が赤外線を吸収し且つ高い熱安定性を具えた材料で形成されたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項４の発明は、請求項１記載の熱板結晶化製造方法において、熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に、薄い酸化層を堆積させ、該酸化層により急速高温アニール時に、熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止して有効に薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を防止することを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項５の発明は、請求項３記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層の材料がタングステン・モリブデンとされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項６の発明は、請求項３記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層の材料がクロムとされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項７の発明は、請求項３記載の熱板結晶化製造方法において、熱板層の材料がタングステンとされたことを特徴とする、熱板結晶化製造方法。
請求項８の発明は、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、
基板と、
該基板の上方に形成されたアモルファスシリコン層と、
該アモルファスシリコン層の上方に形成された熱板エリアと、を具え、
該熱板エリアが、該アモルファスシリコン層の上に熱板層を堆積させ、該熱板層に対してリソグラフィーエッチング工程を行ない熱板エリアパターンを画定することにより獲得され、該熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させ、受熱後に熱伝導の方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させ、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させ、パルス急速高温アニール技術を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行ない、ガラス基板とアモルファスシリコンが赤外線を有効に吸収しないことと、熱板エリア工程の温度が高過ぎることによるガラス基板破裂の問題を発生しないようにして形成された、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
請求項９の発明は、請求項８記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、基板がガラス基板、石英基板とされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
請求項１０の発明は、請求項８記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層が赤外線を吸収し且つ高い熱安定性を具えた材料で形成されたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
請求項１１の発明は、請求項８記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に、薄い酸化層を堆積させ、該酸化層により急速高温アニール時に、熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止して有効に薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を防止することを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
請求項１２の発明は、請求項１０記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層の材料がタングステン・モリブデンとされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
請求項１３の発明は、請求項１０記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層の材料がクロムとされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
請求項１４の発明は、請求項１０記載の熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、熱板層の材料がタングステンとされたことを特徴とする、熱板結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は一種の熱板結晶化製造方法を提供し、それはポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に適用され、特に、急速高温アニールを利用した熱板結晶化製造方法であり、且つ本発明の技術の金属誘起横方向結晶化（ＭＩＬＣ）との違いは、本発明の技術の提供する熱板エリアはアモルファスシリコン層との固溶によるシリサイドを形成せず、これによりシリサイドにより横方向結晶を誘起することがなく、熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアで赤外線を吸収し、受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移し、これによりアモルファスシリコン層を急速結晶化してポリシリコンを形成させる。さらに熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に、薄い酸化層を堆積させ、該酸化層により、急速高温アニール時に、熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止し、薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を有効に防止する。また、本発明はパルス急速高温アニール技術（ＰＲＴＰ）を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行なう。そのうち、ガラス基板は有効に赤外線を吸収することができず、並びに熱板エリア工程の温度が高すぎる（＞７００℃）ことによるガラス基板破裂の問題を発生しえず、このため効率的に高温急速結晶化の目的を達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の提供する熱板結晶化製造方法は、ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に応用され、この熱板結晶化製造方法によると、まずアモルファスシリコン層を基板の上方に堆積させ、その後、熱板層を該アモルファスシリコン層の上方に堆積させ、そのうち該熱板層に対するリソグラフィーエッチング工程により熱板エリアを得る。図２のＡからＥは本発明の熱板結晶化製造方法の好ましい実施例のフロー表示図である。まず、図２のＡに示されるように、本発明は第１工程において、アモルファスシリコン層５０を基板４０の上方に堆積させる。次に、図２のＢのように、第２工程において、物理気相成長法（ＰＶＤ）の方式で、タングステン・モリブデン（ＭｏＷ）、クロム、或いはその他の赤外線を吸収し且つ高い熱安定性を具えた材料を該アモルファスシリコン層５０の上方に堆積させて熱板層６０を形成する。その後、図２のＣに示される第３工程において、リソグラフィー・エッチング工程によりエリア金属分布を形成し、このエリア金属分布は熱板エリア６１形成のためであり、図２のＤの第４工程において、熱板エリア６１に赤外線を吸収させて受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層５０に転移させ、アモルファスシリコン層５０を急速に結晶化させてポリシリコン６２を形成させる。
【００１１】
最後に、高温アニールシステムに進入させる。図２のＥの最後の工程において、赤外線加熱の急速高温アニールシステムを利用し、赤外線で瞬間加熱することと、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性を利用し、選択性加熱を行なう。そのうち、ガラス基板４０とアモルファスシリコン層５０は有効に赤外線を吸収できず、並びに熱板エリア６１工程の温度が高過ぎる（＞７００℃）ことによるガラス基板破裂の問題を発生しない。また、熱板エリアが赤外線に対して良好な吸収率と高い熱安定性の特性を有することを利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させ、受熱後に熱伝導の方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させるため、アモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させることができる。
【００１２】
このほか、熱板エリアとアモルファスシリコン層の間に、薄い酸化層を堆積させることが可能であり、この酸化層が急速高温アニール時に、熱板エリアとアモルファスシリコン層間の高温拡散現象を阻止し、薄膜トランジスタチャネルの金属汚染の問題を有効に防止する。図３のＡからＤは本発明の熱板結晶化製造方法のもう一つの実施例のフロー表示図であり、薄い酸化層を具えた薄膜トランジスタ熱板結晶化技術製造方法を示す。この実施例によると、まず、アモルファスシリコン層を基板の上方に堆積させ、その後、熱板層を該アモルファスシリコン層の上方に堆積させ、そのうち該熱板層に対するリソグラフィーエッチング工程により熱板エリアを得る。図３のＡに示されるように、本発明は第１工程において、アモルファスシリコン層５０を基板４０の上方に堆積させる。次に、化学気相成長法の方式で、アモルファスシリコン層５０の上方に薄い酸化層６３を成長させる。その後、物理気相成長法の方式で、タングステン・モリブデン（ＭｏＷ）、クロム、或いはその他の赤外線を吸収し且つ高い熱安定性を具えた材料を該薄い酸化層６３の上方に堆積させて熱板層６０を形成する。そのうち、この薄い酸化層６３によりその上方の金属の下方のアモルファスシリコン層への拡散を防止することができる。その後、図３のＣに示されるように、リソグラフィー・エッチング工程によりエリア金属分布を形成し、このエリア金属分布は熱板エリア６１形成のためであり、図３のＤに示されるように、高温アニールシステムに進入させ、赤外線加熱の急速高温アニールシステムを利用し、赤外線瞬間加熱と、物質の赤外線に対する異なる吸収率の特性により選択性加熱を行なう。そのうち、ガラス基板４０とアモルファスシリコン層５０は有効に赤外線を吸収できず、並びに熱板エリア６１工程の温度が高過ぎる（＞７００℃）ことによるガラス基板破裂の問題を発生しない。また、熱板エリア６１の赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリア６１に赤外線を吸収させて受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層５０に転移させ、アモルファスシリコン層５０を急速に結晶化させてポリシリコン６２を形成させる。
【００１３】
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【００１４】
以上は本発明の熱板結晶化製造方法の詳細な説明であり、本発明の提供する熱板結晶化製造方法は、ポリシリコン薄膜トランジスタの結晶化工程に適用され、特に急速高温アニールを利用した熱板結晶化製造方法であり、本発明の技術の提供する熱板エリアの赤外線に対する良好な吸収率と高い熱安定性の特性を利用し、熱板エリアに赤外線を吸収させ、受熱後に熱伝導方式でエネルギーを間接的にアモルファスシリコン層に転移させ、これによりアモルファスシリコン層を急速に結晶化させてポリシリコンを形成させることができる。また本発明の技術はパルス熱アニールプロセス（ＰＲＴＰ）を利用し、赤外線瞬間加熱方式で、物質の赤外線に愛する異なる吸収率の特性を利用し、選択的に加熱する。そのうち、ガラス基板は赤外線を吸収せず、並びに工程温度が高過ぎる（＞７００℃）ことによるガラス基板破裂の問題を発生せず、これにより最も有効に高温急速結晶化の目的を達成できる。
【００１５】
以上により十分に本発明の熱板結晶化製造方法が目的と機能のいずれにおても深い実施の進歩性と産業上の利用価値を有することが示された。且つ本発明は未公開であり特許の要件に符合するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】周知の高温アニールの金属誘起横方向結晶化製造方法のフロー表示図である。
【図２】本発明の熱板結晶化製造方法の好ましい実施例のフロー表示図である。
【図３】本発明の熱板結晶化製造方法のもう一つの好ましい実施例のフロー表示図である。
【符号の説明】
【００１７】
１０、４０  基板
２０、５０  アモルファスシリコン層
３０  金属層
３１  シリサイド
６０  熱板層
６１  熱板エリア
３２、６２  ポリシリコン
６３  薄い酸化層
【図１】
2005005662.tif 000003
【図２】
2005005662.tif 000004
【図３】
2005005662.tif 000005