(57)【要約】【課題】  黒表示の際の光漏れを防止する。【解決手段】  一対の基板間に狭持された液晶に対して上記基板面に対して平行な電界を印加することによって表示状態を変化する液晶表示装置であって、上記電界を発生するための画素電極６と、上記液晶の配向方向を規定するための配向膜と、上記基板間のギャップを均一化するためのスペーサ１０とを備え、ラビング処理する際に上記配向膜に生じる非ラビング処理領域Ｘが非画素電極６上に位置されるように上記スペーサ１０が配置されている。【選択図】              図１
2005346007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に狭持された液晶に対して前記基板面に対して平行な電界を印加することによって表示状態を変化する液晶表示装置であって、
前記電界を発生するための画素電極と、前記液晶の配向方向を規定するための配向膜と、前記基板間のギャップを均一化するためのスペーサとを備え、
ラビング処理する際に前記配向膜に生じる非ラビング処理領域が非画素電極上に位置されるように前記スペーサが配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、透光性を有する導電材料によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一対の基板間に狭持された液晶に対して前記基板面に対して平行な電界を印加することによって表示状態を変化する液晶表示装置の製造方法であって、
一方の前記基板上に前記電界を発生するための画素電極を形成する工程と、
前記基板間のギャップを均一化するためのスペーサを一方の前記基板上に形成する工程と、
一方の前記基板上に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜に対してラビング処理を行う工程と、
を有し、
前記スペーサは、ラビング処理する際に前記配向膜に生じる非ラビング処理領域が非画素電極上に位置されるように配置される
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置とその製造方法、並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いた液晶表示装置では、従来から視野角が狭いことが問題視されている。このような問題点を解決するために、液晶に対して基板面と平行な電界（以下、横電界という）を印加することによって表示状態を変化するインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードの液晶表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
近年、このようなＩＰＳモードの液晶表示装置における基板間のギャップを均一化する目的で、基板間に複数のスペーサを形成する技術が開示されている（特許文献２参照）。このように、基板間に複数のスペーサを形成することによって、基板間のギャップが均一化され、液晶表示装置において安定した表示特性を得ることが可能となる。
【特許文献１】特開平６−１６０８７８号公報
【特許文献２】特開平１１−１１９２５２号公報
【特許文献３】特開平２０００−３３８５０４号公報
【特許文献４】特許３３８８４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のようなスペーサを形成するためには、まず、配向膜が形成された一方の基板上にスペーサの形成材料を配置し、このスペーサの形成材料をパターニングすることによって形成される。そして、スペーサが形成された後に、配向膜に対してラビング処理が行われる。一般的に、ラビング処理は、配向膜に対して布が巻かれたロールを一定方向に転がすことによって行われるため、スペーサの裏側に布が触れず、ラビング処理が行われない領域（非ラビング処理領域）が生じる。
液晶表示装置に、このような非ラビング処理領域が生じると、その領域において液晶分子がランダムに配置されることとなり、光漏れの原因となるが、一般的にＩＰＳモードの液晶表示装置は、電界印加時に白表示とされる、いわゆるノーマリーブラックで使用されるため、光漏れが生じないと考えられていた。
【０００５】
しかしながら、液晶表示装置をテレビ等に用いる場合には、バックライトの輝度が非常に高く、７０００〜１００００ｃｄ／ｍ２にもなる。このような輝度が非常に高いバックライトを用いた場合には、非ラビング処理領域のランダムに配置された液晶分子を無視することができず、黒表示の際に光漏れが生じる。そして、このように黒表示の際に光漏れが生じると、黒が浮き、コントラストが低下する。
【０００６】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、黒表示の際の光漏れを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に狭持された液晶に対して上記基板面に対して平行な電界を印加することによって表示状態を変化する液晶表示装置であって、上記電界を発生するための画素電極と、上記液晶の配向方向を規定するための配向膜と、上記基板間のギャップを均一化するためのスペーサとを備え、ラビング処理する際に上記配向膜に生じる非ラビング処理領域が非画素電極上に位置されるように上記スペーサが配置されていることを特徴とする。
【０００８】
このような特徴を有する本発明の液晶表示装置によれば、画素電極上に非ラビング処理領域が位置されるようにスペーサが配置されている。
ＩＰＳモードの液晶表示装置においては、画素電極と共通電極との電位を変化させることによって、画素電極と共通電極との間に基板面に対して平行な電界を発生している。しかしながら、画素電極上においては、電界の方向が基板面と平行にならず、基板面に対して略垂直方向となる。このため、非ラビング処理領域、すなわち液晶分子がランダム配置される領域が画素電極上に位置している場合には、ランダム配置された液晶分子に対して、基板面に略垂直方向の電界が印加されることとなる。
ＩＰＳモードの液晶表示装置は、黒表示の場合であっても、画素電極と共通電極との間に若干の電位差を持たせている。このため、非ラビング処理領域が画素電極上に位置している場合には、黒表示の場合であっても、非ラビング処理領域の液晶分子に略垂直方向の電界が印加される。
これに対し、本発明の液晶表示装置では、画素電極上に非ラビング処理領域が位置されるようにスペーサが配置されているため、黒表示の場合に、液晶分子に対して基板面に対して平行な電界が印加されることとなり、非ラビング処理領域の液晶分子が、ラビング領域の液晶分子と同様に基板面に対して略平行に向く。したがって、本発明の液晶表示装置によれば、黒表示の際の光漏れを防止することが可能となり、コントラストの低下を防止することが可能となる。
【０００９】
なお、本発明の液晶表示装置においては、上記画素電極が透光性を有する導電材料によって形成されていることが好ましい。
このように、画素電極を透光性を有する導電材料によって形成することによって、画素電極の影が液晶表示装置に表示されることがなくなり、液晶表示装置の画素の開口率を上げることができる。
【００１０】
次に、本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に狭持された液晶に対して上記基板面に対して平行な電界を印加することによって表示状態を変化する液晶表示装置の製造方法であって、一方の上記基板上に上記電界を発生するための画素電極を形成する工程と、上記基板間のギャップを均一化するためのスペーサを一方の上記基板上に形成する工程と、一方の上記基板上に配向膜を形成する工程と、上記配向膜に対してラビング処理を行う工程と、を有し、上記スペーサは、ラビング処理する際に上記配向膜に生じる非ラビング処理領域が非画素電極上に位置されるように配置されることを特徴とする。
【００１１】
このような特徴を有する本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、非ラビング処理領域が非画素電極上に位置された液晶表示装置が製造される。したがって、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、黒表示の際の光漏れが防止された液晶表示装置を製造することが可能となる。
【００１２】
次に、本発明の電子機器は、本発明の液晶表示装置を備えることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置によれば、黒表示の際の光漏れが防止され、コントラストの低下が防止される。したがって、このような本発明の液晶表示装置を備える本発明の電子機器においても、黒表示の際の光漏れを防止し、コントラストの低下を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明に係る液晶表示装置とその製造方法、並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００１４】
図１は、本実施形態の液晶表示装置における下基板の構成を示す平面図であり、図２は、本実施形態の液晶表示装置の一部を拡大した断面図である。
図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置は、一対の基板２１，２２間に狭持された液晶層２３に対して基板面に対して平行な電界を印加することによって表示状態を変化する、いわゆるＩＰＳモードの液晶表示装置である。
【００１５】
基板２１，２２は、透光性を有する材料によって形成されており、例えば、ガラスやプラスチック等によって形成されている。
基板２１（下基板）は、図１に示すように、紙面縦方向に延在する複数のソース線２と、紙面横方向に延在する複数のゲート線３とが互いに交差するようにマトリックス状に設けられている。そして、図１においてソース線２及びゲート線３に囲まれた領域が１画素として構成されている。ゲート線３は、各画素の左下の部分において画素の内側に向けて分岐されている。このゲート線３の分岐部がゲート電極４として構成され、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，以下「ＴＦＴ」と略記する）５の一部を構成している。
【００１６】
各画素のＴＦＴ５においては、ソース電極とドレイン電極とが半導体層を介して接続されており、ソース電極の端部がソース線２と接続されている。ソース線２、ゲート線３及びＴＦＴ５上には、絶縁層が形成されており、ドレイン電極が絶縁層に形成されたコンタクトホール５２を介して画素電極６と接続されている。
【００１７】
画素電極６は、透光性を有する導電材料（例えば、ＩＴＯ等）によって形成されており、紙面縦方向に延在して配置されている。このように画素電極６を透光性を有する導電材料によって形成することによって、画素電極６の影が本実施形態の液晶表示装置に表示されることがなくなり、液晶表示装置の開口率を上げることが可能となる。
共通電極７も、透光性を有する導電材料によって形成されており、図１に示すように、紙面縦方向に延在して配置されている画素電極６、共通電極７の間に配置されるように形成されている。すなわち、本実施形態の液晶表示装置においては、画素の略中央部において、画素電極６と共通電極７とが交互に配置されており、画素電極６に対して電圧が印加されると、画素電極６と共通電極７との間に基板面に対して平行な電界が生じる。なお、基板２１に形成される全ての共通電極７同士は接続されており、例えば、接地電位に保持されている。
【００１８】
図２は、図１におけるＡ−Ａ’線断面図である。この図に示すように、本実施形態の液晶表示装置は、基板２１上にソース線２（図２においては不図示），ゲート線３及びＴＦＴ５（図２においては不図示）が形成されており、これらソース線２，ゲート線３及びＴＦＴ５上には、アクリル等の樹脂によって形成された絶縁層８が形成されている。絶縁層８上には、画素電極６（図２においては不図示）及び共通電極７（図２においては不図示）を介して、紙面右側から左側に向けてラビング処理された配向膜９１が形成されている。この配向膜９１は、例えばポリイミドによって形成されており、紙面右側から左側に向けてラビング処理されることによって液晶層２３に含まれる液晶分子の配向方向を規定する。また、基板２１の下には、例えば、紙面左右方向の透過軸を有する第１偏光板１６ａが配置されている。この第１偏光板１６ａは、液晶表示装置の下方から入射する光のうち透過軸と平行な成分のみを通過するものである。
【００１９】
また、絶縁層８上には、基板２１と基板２２とのギャップを均一化するための柱状スペーサ１０（スペーサ）が形成されている。この柱状スペーサ１０は、例えば、高さが４μｍで、底面が直径１０μｍの円形となるように形状設定されている。そして、本実施形態の液晶表示装置においては、柱状スペーサ１０は、図１に示すように、画素の端部、本実施形態においてはゲート線３の近傍に配置されており、かつ、画素電極６の延在方向とずらされて配置されている。なお、柱状スペーサ１０の高さや底面直径は、液晶表示装置の種類に応じて変更可能なものである。そして、このような柱状スペーサ１０が１画素毎、あるいは複数画素毎に形成されることによって、基板２１と基板２２とのギャップが均一化される。
【００２０】
液晶層２３上には、基板２２に対して形成された配向膜９２が形成されている。この配向膜９２も配向膜９１同様、紙面右側から左側に向けてラビング処理されている。なお、配向膜９２に対するラビング処理は、配向膜９２に対して布が巻かれたロールを図２における右側から左側（図１における上側から下側）に向けて転がすことによって行われる。このため、柱状スペーサ１０の裏側に布が触れず、ラビング処理が行われない領域である非ラビング処理領域Ｘが生じる。
ここで、本実施形態の液晶表示装置においては、上述のように、柱状スペーサ１０が画素電極６の延在方向とずらして配置されているため、非ラビング処理領域Ｘは、図１に示すように、画素電極６からずれた位置に生じる。すなわち、本実施形態の液晶表示装置においては、ラビング処理する際に配向膜９２に生じる非ラビング処理領域Ｘが非画素電極６上に位置されるように柱状スペーサ１０が配置されている。
【００２１】
また、配向膜９２上には、オーバーコート材１１を介してカラーフィルタ１２が形成されている。このカラーフィルタ１２は、各画素に応じて、例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑）、Ｂ（青）に着色されている。
そして、柱状スペーサ１０は、その底面が絶縁層８と接触され、その上面がオーバーコート材１１と接触された状態で、基板２１，２２間に配置されている。
【００２２】
また、カラーフィルタ１２上には、黒色に着色された樹脂からなるブラックマトリックス１３が形成されている。このブラックマトリックス１３は、各画素を区切るためのものであり、図１に示すソース線２及びゲート線３に沿って形成されている。
【００２３】
カラーフィルタ１２及びブラックマトリックス１３上には、基板２２が配置されており、この基板２２上には、透光性を有する導電材料からなる導電膜１５が形成されている。このような導電膜１５を基板２２上に形成することによって、基板２２の静電破壊を抑止することができる。
【００２４】
また、導電膜１５上には、第２偏光板１６ｂが配置されている。この第２偏光板１６ｂは、上述の第１偏光板１６ａと直交する透過軸を有している。
【００２５】
このように構成された本実施形態の液晶表示装置において、画素電極６及び共通電極７によって液晶層２３に対して強い電界を印加すると、電界に沿って液晶分子が配列される。このような場合には、第１偏光板１６ａを介して液晶層２３に入射した光が液晶分子によって複屈折されることによって、光の偏光方向が９０°回転される。このため、液晶層２３内を通過した光が第２偏光板１６ｂを介して液晶表示装置から出射され、液晶表示装置において白表示を行うことができる。
なお、液晶層２３に対して微弱な電界を印加している場合には、液晶分子は、配向膜９１，９２のラビング方向に沿って配列されている。このような場合には、第１偏光板１６ａを介して液晶層２３に入射した光が偏光方向を回転されることなく、第２偏光板１６ｂに到達する。このため、液晶層２３内を通過した光が第２偏光板１６ｂによって遮光され、液晶表示装置において黒表示を行うことができる。
【００２６】
ここで、本実施形態の液晶表示装置においては、柱状スペーサ１０の裏側（図２において左側）に位置する配向膜９２の部位に非ラビング処理領域Ｘが生じている。しかしながら、非ラビング処理領域Ｘが非画素電極６上に位置されているため、黒表示の場合に、液晶分子に対して基板面に対して平行な微弱電界が印加されることとなり、非ラビング処理領域Ｘの液晶分子が、ラビング領域の液晶分子と同様に基板面に対して略平行に向く。したがって、本発明の液晶表示装置によれば、黒表示の際の光漏れを防止することが可能となり、コントラストの低下を防止することが可能となる。
【００２７】
次に、図３〜図８を参照して、本発明の液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００２８】
まず、図３（ａ）に示すように、基板２１上にＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法等によって、窒化シリコン膜４１とポリシリコン膜４２とを２０〜１００ｎｍの膜厚に成膜し、その後、エキシマレーザ照射等によりポリシリコン膜４２を活性化する。次に、図３（ｂ）に示すように、島状のポリシリコン層４２を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ法を用いてポリシリコン膜４２（半導体層）をパターニングすること島状のポリシリコン膜４２形成することができる。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法等を用いて酸化シリコンからなる絶縁薄膜（ゲート絶縁膜）５４を５０〜１００ｎｍの膜厚にて形成する。続いて、絶縁薄膜５４上にフォトレジスト４３を配置し、図３（ｄ）に示すように、ポリシリコン膜４２の所定領域を覆うようにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする。その後、フォトレジスト４３をマスクとしてイオンドーピング、イオンインプラ等のイオン注入手段を用いてリンイオンが高濃度に導入されたＮ＋層１Ａ，１Ｂを形成する。
【００３０】
フォトレジスト４３を除去した後、Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ等の金属薄膜をスパッタリング法等によって基板２１上に配置し、この金属薄膜をパターニングすることによって、図４（ａ）に示すように、フォトレジスト４２によって覆った領域より小さい領域に、ゲート電極４を形成する。なお、このゲート電極４を形成すると同時に上述のゲート線３が形成される。続いて、ゲート電極４をマスクとしてイオンドーピング、イオンインプラ等のイオン注入手段を用いてリンイオンが高濃度に導入されたＮ−層１Ｃ，１Ｄを形成する。その後、Ｎ＋層１Ａ，１Ｂ及びＮ−層１Ｃ，１Ｄを覆うようにフォトレジスト４４を配置し、このフォトレジスト４４をマスクとしてポリシリコン膜４２にボロンイオンを注入することによって、図４（ｂ）に示すようにＰ＋層１Ｅを形成する。
【００３１】
フォトレジスト４４を除去した後、基板２１上にＰＥＣＶＤ法でシリコン酸化膜４５を５００〜１０００ｎｍの膜厚で成膜し、このシリコン酸化膜４５にドライエッチング法等によって、ポリシリコン膜４２に接続されるコンタクトホール４６，４７を図４（ｃ）に示すように形成する。続いて、Ａｌ等の金属薄膜を４００〜７００ｎｍの膜厚でスピンコート法等によって成膜し、この成膜された金属薄膜をパターニングすることによって、ソース電極５０及びドレイン電極５１を形成する。なお、このソース電極５０及びドレイン電極５１を形成すると同時に上述のソース線２が形成される。
【００３２】
次に、シリコン酸化膜４５上に、シリコン窒化膜４８をＰＥＣＶＤ法によって１００〜２００ｎｍの膜厚で成膜し、さらに、このシリコン窒化膜４８上にアクリル膜等の感光性の有機樹脂を絶縁層８としてスピンコート法等によって１〜２μｍの膜厚で成膜する。その後、これらシリコン窒化膜４８及び絶縁層８に対して上述のソース電極５０とドレイン電極５１とに各々接続されるコンタクトホール５２を図４（ｄ）に示すように形成する。
そして、以上の工程により、ＴＦＴ５が形成される。
【００３３】
続いて、基板２１上にＩＴＯ膜５３をスパッタリング法等によって成膜し、このＩＴＯ膜をパターニングすることによって、画素電極６及び共通電極７を形成する（図１参照）。なお、画素電極６は、コンタクトホール５２を介してドレイン電極５１と接続される（図４参照）。
【００３４】
次に、図５（ａ）に示すように、基板２１上に配向膜９１を３０〜１００ｎｍの膜厚で成膜する。そして、図５（ｂ）に示すように、この配向膜９１に対して図面右方向から左方向に向けて布が巻かれたロール１００を転がすことによって、配向膜９１に対してラビング処理が行われる。
そして、以上の工程により、図２において示した液晶表示装置の液晶層２３より下方部分（第１偏光板１６ａを除く）が製造される。
なお、図５及び図６において、ＴＦＴ５の構造は基板２１に含まれているものとする。
【００３５】
次に、図６（ａ）に示すように、基板２２上にブラックマトリックス１３の材料となる顔料分散レジスト樹脂ブラックを約１〜２μｍの厚みで成膜し、パターニングすることによってブラックマトリックス１３を形成する。なお、ブラックマトリックス１３は、上述のように、ソース線２及びゲート線３に応じてパターニングされる。
【００３６】
その後、カラーフィルタ１２となるレジストを各色毎に基板２２上に配置し、パターニングすることによって、図６（ｂ）に示すように、カラーフィルタ１２を形成する。なお、図６（ｂ）においては、単一のカラーフィルタ１２のみを図示している。
続いて、オーバーコート材１１をカラーフィルタ１２上に、スピンコート法等を用いて形成する。
【００３７】
次に、オーバーコート材１１上に柱状スペーサ１０を形成するための感光性の透明樹脂を２〜６μｍ（本実施形態においては４μｍ）の膜厚にスピンコート法等を用いて配置した後、プリベーク、露光、現像、ポストベークすることによって、図６（ｃ）に示すように、柱状スペーサ１０を形成する。なお、上述のように柱状スペーサ１０は、画素電極６の延在方向からずれた位置に形成される。また、柱状スペーサ１０を形成するための感光性の透明樹脂としては、透明ポリイミド樹脂あるいはアクリル樹脂を用いることができる。
【００３８】
続いて図６（ｄ）に示すように、基板２２の裏面（図６（ｄ）における下側面）に透光性を有する導電膜１５をスパッタリング法等によって、１０〜５０ｎｍの膜厚に成膜する。なお、この導電膜１５としては、ＩＴＯを用いることができる。
【００３９】
次に、図７（ａ）に示すように、基板２２上に配向膜９２を３０〜１００ｎｍの膜厚で成膜する。そして、図７（ｂ）に示すように、この配向膜９２に対して図面右方向から左方向に向けて布が巻かれたロール１００を転がすことによって、配向膜９２に対してラビング処理が行われる。この際、図７（ｃ）に示すように、柱状スペーサ１０の裏側に布が触れず、ラビング処理が行われない領域である非ラビング処理領域Ｘが生じる。
そして、図６（ａ）〜図７（ｃ）までに示した工程によって、液晶表示装置の液晶層２３より上方部分（第２偏光板１６ｂを除く）が製造される。
【００４０】
なお、図３（ａ）〜図５（ｂ）までに示した工程（液晶層２３より下方部分を製造する工程）と、図６（ａ）〜図７（ｃ）までに示した工程（液晶層２３より上方部分を製造する工程）とは、平行して行うことができる。
【００４１】
次に、図８に示すように、基板２２を反転させて、基板２１と貼り合せる。続いて、基板２１，２２間に液晶を注入することによって、液晶層２３を形成し、基板２１側に第１偏光板１６ａ、基板２２側に第２偏光板１６ｂを配置し、さらに、ソース線２やゲート線３等を駆動ドライバと接続することによって、本実施形態の液晶表示装置が製造される。
【００４２】
このようにして製造された本実施形態の液晶表示装置においては、非ラビング処理領域Ｘが非画素電極６上に位置されているため、黒表示の場合に、液晶分子に対して基板面に対して平行な微弱電界が印加されることとなり、非ラビング処理領域Ｘの液晶分子が、ラビング領域の液晶分子と同様に基板面に対して略平行に向く。したがって、本発明の液晶表示装置によれば、黒表示の際の光漏れを防止することが可能となり、コントラストの低下を防止することが可能となる。
【００４３】
次に、図９を参照して本発明の電子機器について説明する。
図９は、本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶表示装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記各実施の形態の液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、黒表示の際の光漏れが防止され、コントラストの低下が防止される。
【００４４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る液晶表示装置とその製造方法、並びに電子機器好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４５】
例えば、上記実施形態においては、液晶表示装置を製造する際に、柱状スペーサ１０を基板２２側に形成した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、基板２１側に柱状スペーサ１０を形成しても良い。なお、この場合には、非ラビング処理領域Ｘは、配向膜９１側に生じることとなるが、このような場合であっても、本発明によれば、液晶表示装置の黒表示の際の光漏れが防止され、コントラストの低下が防止される。
【００４６】
また、近年は、ＩＰＳモードの液晶表示装置における視野角をさらに向上させるべく、画素電極及び共通電極をくの字状に形成する技術が提案されている。そして、本発明は、このようなくの字状の画素電極及び共通電極を有する液晶表示装置に応用することもできる。
【００４７】
また、上記実施形態の液晶表示装置は、いわゆるＬＤＤ構造のＴＦＴを有するものとして説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、異なる構造のＴＦＴを有していても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態である液晶表示装置における下基板の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態である液晶表示装置の一部を拡大した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施形態である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の一実施形態である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
２１，２２……基板、２３……液晶層（液晶）、９１，９２……配向膜、１０……柱状スペーサ（スペーサ）、Ｘ……非ラビング処理領域
【図１】
2005346007.tif 000003
【図２】
2005346007.tif 000004
【図３】
2005346007.tif 000005
【図４】
2005346007.tif 000006
【図５】
2005346007.tif 000007
【図６】
2005346007.tif 000008
【図７】
2005346007.tif 000009
【図８】
2005346007.tif 000010
【図９】
2005346007.tif 000011