(57)【要約】【課題】  ベース板上にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が設けられ、半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層上に上層絶縁膜および上層配線が設けられた半導体装置において、シリコン基板の側面と該側面を覆っている絶縁層との間の密着性を良くする。【解決手段】  半導体構成体２はシリコン基板４の側面に設けられた封止膜１３を一体的に有するものであるので、シリコン基板４とその側面を覆っている封止膜１３との密着性は良く、また、封止膜１３とその側面を覆っている絶縁層１４との間の密着性も樹脂同士であるから良く、したがって、シリコン基板４とその側面を封止膜１３を介して覆っている絶縁層１４との間の密着性を良くすることができる。なお、シリコン基板４と接着層３との間に下層絶縁膜を介在させると、シリコン基板４と接着層３との間の密着性も良くすることができる。【選択図】  図１
2005191234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部材と、前記ベース部材上に設けられ、且つ、半導体基板、該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極および前記半導体基板の側面に設けられた絶縁膜を有する少なくとも１つの半導体構成体と、前記半導体構成体の周囲における前記ベース部材上に設けられた絶縁層と、前記半導体構成体および前記絶縁層上に前記半導体構成体の外部接続用電極に電気的に接続されて設けられ、接続パッド部を有する少なくとも１層の上層配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記絶縁層は少なくとも樹脂を含む材料からなり、前記半導体構成体の絶縁膜は前記樹脂と同じ樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は前記半導体基板の下面に設けられた下層絶縁層を有し、前記下層絶縁層は前記ベース部材上に接着層を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記絶縁層は少なくとも樹脂を含む材料からなり、前記接着層は前記樹脂と同じ樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有し、さらに、前記柱状電極の周囲を覆い、且つ、前記絶縁膜を含む封止膜を有するものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記最上層の上層配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記最上層の上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体を複数個備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
各々が半導体基板、該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極および前記半導体基板の側面に設けられた絶縁膜を有する複数の半導体構成体と、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有す絶縁層とを、ベース部材上に、前記絶縁層形成用シートの開口部内に前記半導体構成体が配置されるように配置する工程と、
前記半導体構成体および前記前記杖層上に、接続パッド部を有する少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の外部接続用電極に電気的に接続させて形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記ベース板および前記絶縁層を少なくとも切断して前記半導体構成体が少なくとも１つ含まれる半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記絶縁層は少なくとも樹脂を含む材料からなり、前記半導体構成体の絶縁膜は前記樹脂と同じ樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の発明において、前記半導体構成体は前記半導体基板の下面に設けられた下層絶縁層を有し、前記半導体構成体を配置する工程は、前記下層絶縁層を前記ベース部材上に接着層を介して接着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発明において、前記絶縁層は少なくとも樹脂を含む材料からなり、前記接着層は前記樹脂と同じ樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有し、さらに、前記柱状電極の周囲を覆い、且つ、前記絶縁膜を含む封止膜を有するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の発明において、前記最上層の上層配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発明において、前記最上層の上層配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項９に記載の発明において、前記切断は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、シリコン基板のサイズ外にも接続端子としての半田ボールを備えるため、上面に複数の接続パッドを有するシリコン基板をベース板の上面に接着層を介して接着し、シリコン基板の周囲におけるベース板の上面に絶縁層を設け、シリコン基板および絶縁層の上面に上層絶縁膜を設け、上層絶縁膜の上面に上層配線をシリコン基板の接続パッドに接続させて設け、上層配線の接続パッド部を除く部分を最上層絶縁膜で覆い、上層配線の接続パッド部上に半田ボールを設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２９８００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置では、シリコン基板の側面をポリイミド系樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁層で覆っているので、シリコン基板と絶縁層との間の密着性が劣り、また、シリコン基板と絶縁層との間の熱膨張係数差がかなり大きく、そのため、シリコン基板と絶縁層との間に熱ストレスによる剥離が発生することがあるという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、シリコン基板等からなる半導体基板とその側面を覆っている絶縁層との間の密着性を良くすることができ、且つ、半導体基板と絶縁層との間の熱ストレスによる剥離を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記目的を達成するため、ベース部材上に設けられた半導体構成体を、半導体基板、該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極および前記半導体基板の側面に設けられた絶縁膜を有するものとし、前記半導体構成体の周囲における前記ベース部材上に絶縁層を設けたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、半導体構成体は半導体基板の側面に設けられた絶縁膜を一体的に有するものであるので、半導体基板とその側面を覆っている絶縁膜との密着性は良く、また、当該絶縁膜とその側面を覆っている絶縁層との間の密着性も絶縁材料同士であるから良く、したがって、半導体基板とその側面を絶縁膜を介して覆っている絶縁層との間の密着性を良くすることができ、且つ、半導体基板とその側面を絶縁膜を介して覆っている絶縁層との間の熱ストレスによる剥離を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は平面方形状のベース板（ベース部材）１を備えている。ベース板１は、例えば、ガラス布、アラミド繊維等からなる基材にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたもの、あるいは、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂のみからなっている。
【０００９】
ベース板１の上面には、ベース板１のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体２の下面がダイボンド材からなる接着層３を介して接着されている。この場合、半導体構成体２は、後述する配線、柱状電極、封止膜を有しており、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、特に、後述の如く、シリコンウエハ上に配線、柱状電極、封止膜を形成した後、ダイシングにより個々の半導体構成体２を得る方法を採用しているため、特に、ウエハレベルＣＳＰ（Ｗ−ＣＳＰ）とも言われている。以下に、半導体構成体２の構成について説明する。
【００１０】
半導体構成体２はシリコン基板（半導体基板）４を備えている。シリコン基板４は接着層３を介してベース板１に接着されている。この場合、接着層３のサイズはシリコン基板４のサイズよりもある程度大きくなっている。そして、シリコン基板４の周囲に突出された接着層３の上面には凹部３ａが設けられている。すなわち、凹部３ａの部分における接着層３の厚さはシリコン基板４下の接着層３の厚さよりもある程度薄くなっている。
【００１１】
シリコン基板４の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド５が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド５の中央部を除くシリコン基板４の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜６が設けられ、接続パッド５の中央部は絶縁膜６に設けられた開口部７を介して露出されている。
【００１２】
絶縁膜６の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）８が設けられている。この場合、絶縁膜６の開口部７に対応する部分における保護膜８には開口部９が設けられている。保護膜８の上面には銅等からなる下地金属層１０が設けられている。下地金属層１０の上面全体には銅からなる配線１１が設けられている。下地金属層１０を含む配線１１の一端部は、両開口部７、９を介して接続パッド５に接続されている。
【００１３】
配線１１の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極（外部接続用電極）１２が設けられている。配線１１を含む保護膜８の上面および接着層３の凹部３ａ上におけるシリコン基板４の側面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜（絶縁膜）１３がその上面が柱状電極１２の上面と面一となるように設けられている。このように、Ｗ−ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２は、シリコン基板４、接続パッド５、絶縁膜６を含み、さらに、保護膜８、配線１１、柱状電極１２、封止膜１３を含んで構成されている。
【００１４】
半導体構成体２の周囲におけるベース板１の上面には方形枠状の絶縁層１４がその上面が半導体構成体２の上面とほぼ面一となるように設けられている。絶縁層１４は、通常、プリプレグ材と言われるもので、例えば、ガラス布、アラミド繊維等からなる基材にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたものからなっている。
【００１５】
半導体構成体２および絶縁層１４の上面には第１の上層絶縁膜１５がその上面を平坦とされて設けられている。第１の上層絶縁膜１５は、ビルドアップ基板に用いられる、通常、ビルドアップ材と言われるもので、例えば、エポキシ系樹脂やＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂中に繊維やフィラー等の補強材を分散させたものからなっている。この場合、繊維は、ガラス繊維やアラミド繊維等である。フィラーは、シリカフィラーやセラミックス系フィラー等である。
【００１６】
柱状電極１２の上面中央部に対応する部分における第１の上層絶縁膜１５には開口部１６が設けられている。第１の上層絶縁膜１５の上面には銅等からなる第１の上層下地金属層１７が設けられている。第１の上層下地金属層１７の上面全体には銅からなる第１の上層配線１８が設けられている。第１の上層下地金属層１７を含む第１の上層配線１８の一端部は、第１の上層絶縁膜１５の開口部１６を介して柱状電極１２の上面に接続されている。
【００１７】
第１の上層配線１８を含む第１の上層絶縁膜１５の上面には第１の上層絶縁膜１５と同一の材料からなる第２の上層絶縁膜１９が設けられている。第１の上層配線１８の接続パッドに対応する部分における第２の上層絶縁膜１９には開口部２０が設けられている。第２の上層絶縁膜１９の上面には銅等からなる第２の上層下地金属層２１が設けられている。第２の上層下地金属層２１の上面全体には銅からなる第２の上層配線２２が設けられている。第２の上層下地金属層２１を含む第２の上層配線２２の一端部は、第２の上層絶縁膜１９の開口部２０を介して第１の上層配線１８の接続パッド部に接続されている。
【００１８】
第２の上層配線２２を含む第２の上層絶縁膜１９の上面にはソルダーレジスト等からなる最上層絶縁膜２３が設けられている。第２の上層配線２２の接続パッド部に対応する部分における最上層絶縁膜２３には開口部２４が設けられている。開口部２４内およびその上方には半田ボール２５が第２の上層配線２２の接続パッド部に接続されて設けられている。複数の半田ボール２５は、最上層絶縁膜２３上にマトリクス状に配置されている。
【００１９】
ところで、ベース板１のサイズを半導体構成体２のサイズよりもある程度大きくしているのは、シリコン基板４上の接続パッド５の数の増加に応じて、半田ボール２５の配置領域を半導体構成体２のサイズよりもある程度大きくし、これにより、第２の上層配線２２の接続パッド部（最上層絶縁膜２３の開口部２４内の部分）のサイズおよびピッチを柱状電極１２のサイズおよびピッチよりも大きくするためである。
【００２０】
このため、マトリクス状に配置された第２の上層配線２２の接続パッド部は、半導体構成体２に対応する領域のみでなく、半導体構成体２の周側面の外側に設けられた絶縁層１４に対応する領域上にも配置されている。つまり、マトリクス状に配置された半田ボール２５のうち、少なくとも最外周の半田ボール２５は半導体構成体２よりも外側に位置する周囲に配置されている。
【００２１】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明するに、まず、半導体構成体２の製造方法の一例について説明する。この場合、まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）４ａ上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド５、酸化シリコン等からなる絶縁膜６およびエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜８が設けられ、接続パッド５の中央部が絶縁膜６および保護膜８に形成された開口部７、９を介して露出されたものを用意する。
【００２２】
上記において、ウエハ状態のシリコン基板４ａには、各半導体構成体が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド５は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。なお、図２において符号３１で示す領域は、ダイシングラインに対応する領域である。
【００２３】
次に、図３に示すように、シリコン基板４ａの下面全体に接着層３を接着する。接着層３は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等のダイボンド材からなるものであり、加熱加圧により、半硬化した状態でシリコン基板４ａに固着する。次に、接着層３の下面をダイシングテープ３２の上面に貼り付ける。
【００２４】
次に、図４に示すように、両開口部７、９を介して露出された接続パッド５の上面を含む保護膜８の上面全体に下地金属層１０を形成する。この場合、下地金属層１０は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。これは、後述する第１、第２の上層下地金属層１７、２１も同様である。
【００２５】
次に、下地金属層１０の上面にメッキレジスト膜３３をパターン形成する。この場合、配線１１形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３３には開口部３４が形成されている。次に、下地金属層１０をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３３の開口部３４内の下地金属層１０の上面に配線１１を形成する。次に、メッキレジスト膜３３を剥離する。
【００２６】
次に、図５に示すように、配線１１を含む下地金属層１０の上面にメッキレジスト膜３５をパターン形成する。この場合、柱状電極１２形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３５には開口部３６が形成されている。次に、下地金属層１０をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３５の開口部３６内の配線１１の接続パッド部上面に柱状電極１２を形成する。次に、メッキレジスト膜３５を剥離し、次いで、配線１１をマスクとして下地金属層１０の不要な部分をエッチングして除去すると、図６に示すように、配線１１下にのみ下地金属層１０が残存される。
【００２７】
次に、図７に示すように、ダイシングライン３１およびその両側の領域において、保護膜８、絶縁膜６およびシリコン基板４ａをフルカットする。この場合、接着層３の中間までカットする。すると、ウエハ状態のシリコン基板４ａは個々のシリコン基板４に分離されるが、各シリコン基板４の下面が接着層３を介してダイシングテープ３２に貼り付けられているので、バラバラになることはない。また、上記カットにより、各シリコン基板４間における接着層３の上面には凹部３ａが形成されている。
【００２８】
次に、図８に示すように、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、ダイコート法等により、柱状電極１２、配線１１を含む保護膜８の上面全体および接着層３の凹部３ａ内を含む各シリコン基板４間にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１３をその厚さが柱状電極１２の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１２の上面は封止膜１３によって覆われている。また、シリコン基板４の側面は封止膜１３によって覆われている。
【００２９】
次に、封止膜１３および柱状電極１２の上面側を適宜に研磨し、図９に示すように、柱状電極１２の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１２の上面を含む封止膜１３の上面を平坦化する。ここで、柱状電極１２の上面側を適宜に研磨するのは、電解メッキにより形成される柱状電極１２の高さにばらつきがあるため、このばらつきを解消して、柱状電極１２の高さを均一にするためである。
【００３０】
次に、図１０に示すように、ダイシングライン３１に沿って封止膜１３をフルカットする。この場合、ダイシングテープ３２の中間までカットする。すると、封止膜１３は各シリコン基板４間において分離されるが、この場合も、各シリコン基板４の下面が接着層３を介してダイシングテープ３２に貼り付けられているので、バラバラになることはない。また、この状態においても、シリコン基板４の側面は封止膜１３によって覆われている。
【００３１】
次に、封止膜１３等を含むシリコン基板４を接着層３と共にダイシングテープ３２から剥がすと、図１に示すように、シリコン基板４の側面が封止膜１３で覆われ、且つ、シリコン基板４の下面に接着層３を有する半導体構成体２が複数個得られる。なお、この剥離工程は、ダイシングテープ３２から半導体構成体２を１個ずつ剥離する工程であるので、次工程の直前に剥離するようにしてもよい。
【００３２】
このようにして得られた半導体構成体２では、シリコン基板４の側面に設けられた封止膜（絶縁膜）１３を一体的に有するものであるので、シリコン基板４とその側面を覆っている封止膜１３との密着性を良くすることができ、且つ、シリコン基板４とその側面を覆っている封止膜１３との間の熱ストレスによる剥離を抑制することができる。
【００３３】
次に、このようにして得られた半導体構成体２を用いて、図１に示す半導体装置を製造する場合の一例について説明する。まず、図１１に示すように、図１に示すベース板１を複数枚採取することができる大きさで、限定する意味ではないが、平面方形状のベース板１を用意する。ベース板１は、例えば、通常、プリント基板用して用いられる材料であればよく、一例を挙げれば、ガラス繊維等の基材にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を硬化させてシート状となしたものであってもよく、また、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂のみからなるを硬化させてシート状となしたものであってもよい。
【００３４】
次に、ベース板１の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体２のシリコン基板４およびその側面に設けられた封止膜１３の下面に接着された接着層３を接着する。ここでの接着は、加熱加圧により、接着層３を本硬化させる。一例として、加熱機構付きのボンディングツール（図示せず）を用い、図１０に示すように、ダイシングテープ３２上に接着層３を介して貼り付けられた半導体構成体２を１個ずつピックアップし、加熱した状態で一定の圧力をかけながら、ピックアップした半導体構成体２をその接着層３を介してベース板１の上面の所定の箇所に仮圧着する。
【００３５】
次に、半導体構成体２間および最外周に配置された半導体構成体２の外側におけるベース板１の上面に、格子状の２枚の絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂをピン等で位置決めしながら積層して配置し、さらにその上面に第１の上層絶縁膜形成用シート１５ａを配置する。なお、２枚の絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂを積層して配置した後に、半導体構成体２を配置するようにしてもよい。
【００３６】
絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂは、ガラス布等の基材にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態（Ｂステージ）にしてシート状となしたプリプレグ材に、型抜き加工やエッチング等により複数の方形状の開口部３７を形成することにより得られる。この場合、絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂは、平坦性を得るためにシート状であることが必要であるが、材料は、必ずしもプリプレグ材に限られるものではなく、熱硬化性樹脂中にシリカフィラーやガラス繊維等の補強材を混入させたものであってもよく、また、熱硬化性樹脂のみからなるものであってもよい。
【００３７】
第１の上層絶縁膜形成用シート１５ａは、限定する意味ではないが、シート状のビルドアップ材が好ましく、このビルドアップ材としては、エポキシ系樹脂やＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラーを混入させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしたものがある。なお、第１の上層絶縁膜形成用シート１５ａは、上述のプリプレグ材または熱硬化性樹脂のみからなるものであってもよい。
【００３８】
ここで、絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂの開口部３７のサイズは半導体構成体２のサイズよりもやや大きくなっている。このため、絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂと半導体構成体２との間には隙間３８が形成されている。また、絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂの合計厚さは、半導体構成体２の厚さよりもある程度厚く、後述の如く、加熱加圧されたときに、隙間３８を十分に埋めることができる程度の厚さとなっている。
【００３９】
この場合、絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂとして、厚さが同じものを用いているが、厚さが異なるものを用いてもよい。また、絶縁層形成用シートは、上記の如く、２層であってもよいが、１層または３層以上であってもよい。なお、第１の上層絶縁膜形成用シート１５ａの厚さは、図１において、半導体構成体２上に形成すべき第１の上層絶縁膜１５の厚さに対応する厚さまたはそれよりもやや厚い厚さとなっている。
【００４０】
次に、図１２に示すように、一対の加熱加圧板３９、４０を用いて上下から絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂおよび第１の上層絶縁膜形成用シート１５ａを加熱加圧する。すると、絶縁層形成用シート１４ａ、１４ｂ中の溶融された熱硬化性樹脂が押し出されて、図１１に示す隙間３８に充填され、その後の冷却により、各半導体構成体２の周囲におけるベース板１の上面に絶縁層１４が形成される。また、半導体構成体２および絶縁層１４の上面に第１の上層絶縁膜１５が形成される。
【００４１】
この場合、半導体構成体２はシリコン基板４の側面に設けられた封止膜１３を一体的に有するものであるので、シリコン基板４とその側面を覆っている封止膜１３との密着性は良く、また、例えばエポキシ系樹脂からなる封止膜１３とその側面を覆っている例えばエポキシ系樹脂を含む絶縁層１４との間の密着性も同じ樹脂同士であるから良く、したがって、シリコン基板４とその側面を封止膜１３を介して覆っている絶縁層１４との間の密着性を良くすることができ、且つ、シリコン基板４とその側面を封止膜１３を介して覆っている絶縁層１４との間の熱ストレスによる剥離を抑制することができる。
【００４２】
次に、図１３に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、柱状電極１２の上面中央部に対応する部分における第１の上層絶縁膜１５に開口部１６を形成する。次に、必要に応じて、開口部１６内等に発生したエポキシスミア等をデスミア処理により除去する。
【００４３】
次に、図１４に示すように、開口部１６を介して露出された柱状電極１２の上面を含む第１の上層絶縁膜１５の上面全体に、銅の無電解メッキ等により、第１の上層下地金属層１７を形成する。次に、第１の上層下地金属層１７の上面にメッキレジスト膜４１をパターン形成する。この場合、第１の上層配線１８形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜４１には開口部４２が形成されている。
【００４４】
次に、下地金属層１９をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜４１の開口部４２内の第１の上層下地金属層１７の上面に第１の上層配線１８を形成する。次に、メッキレジスト膜４１を剥離し、次いで、第１の上層配線１８をマスクとして第１の上層下地金属層１７の不要な部分をエッチングして除去すると、図１５に示すように、第１の上層配線１８下にのみ第１の上層下地金属層１７が残存される。
【００４５】
次に、図１６に示すように、第１の上層配線１８を含む第１の上層絶縁膜１５の上面にシート状のビルドアップ材等からなる第２の上層絶縁膜１９を形成する。次に、レーザビームを照射するレーザ加工により、第１の上層配線１８の接続パッド部に対応する部分における第２の上層絶縁膜１９に開口部２０を形成する。次に、必要に応じて、開口部２０内等に発生したエポキシスミア等をデスミア処理により除去する。
【００４６】
次に、図１７に示すように、開口部２０を介して露出された第１の上層配線１８の接続パッド部を含む第２の上層絶縁膜１９の上面全体に、銅の無電解メッキ等により、第２の上層下地金属層２１を形成する。次に、第２の上層下地金属層２１の上面にメッキレジスト膜４３をパターン形成する。この場合、第２の上層配線２２形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜４３には開口部４４が形成されている。
【００４７】
次に、第２の上層下地金属層２１をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜４３の開口部４４内の第２の上層下地金属層２１の上面に第２の上層配線２２を形成する。次に、メッキレジスト膜４３を剥離し、次いで、第２の上層配線２２をマスクとして第２の上層下地金属層２１の不要な部分をエッチングして除去すると、図１８に示すように、第２の上層配線２２下にのみ第２の上層下地金属層２１が残存される。
【００４８】
次に、図１９に示すように、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、第２の上層配線２２を含む第２の上層絶縁膜１９の上面にソルダーレジスト等からなる最上層絶縁膜２３を形成する。この場合、第２の上層配線２２の接続パッド部に対応する部分における最上層絶縁膜２３には開口部２４が形成されている。次に、開口部２４内およびその上方に半田ボール２５を第２の上層配線２２の接続パッド部に接続させて形成する。
【００４９】
次に、図２０に示すように、互いに隣接する半導体構成体２間において、最上層絶縁膜２３、第２の上層絶縁膜１９、第１の上層絶縁膜１５、絶縁層１４およびベース板１を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００５０】
以上のように、上記製造方法では、ベース板１上に複数の半導体構成体２を接着層３を介して配置し、複数の半導体構成体２に対して、第１、第２の上層配線１８、２２および半田ボール２５の形成を一括して行い、その後に分断して複数個の半導体装置を得ているので、製造工程を簡略化することができる。また、図１２に示す製造工程以降では、ベース板１と共に複数の半導体構成体２を搬送することができるので、これによっても製造工程を簡略化することができる。
【００５１】
（製造方法の他の例）
上記製造方法では、図７に示すように、柱状電極１２を形成して、配線１１下にのみ下地金属層１０を残存させた後に、ダイシングライン３１およびその両側の領域において、保護膜８、絶縁膜６およびシリコン基板４ａをフルカットする場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図３に示すように、シリコン基板４ａの下面全体に接着層３を接着し、接着層３の下面をダイシングテープ３２の上面に貼り付けた後に、図２１に示すように、ダイシングライン３１およびその両側の領域において、保護膜８、絶縁膜６およびシリコン基板４ａをフルカットするようにしてもよい。この場合も、接着層３の中間までカットする。
【００５２】
（第２実施形態）
図２２はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す場合と異なる点は、半導体構成体２を、シリコン基板４と接着層３との間に介在された、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる下層絶縁膜２６を有する構成とした点である。
【００５３】
この半導体装置を製造する場合には、一例として、図２に示すものを用意した後に、図２３に示すように、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、シリコン基板４ａの下面にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる下層絶縁膜２６を形成する。次に、下層絶縁膜２６の下面に接着層３を接着する。次に、接着層３の下面をダイシングテープ３２の上面に貼り付ける。
【００５４】
次に、図４〜図６に示す場合と同様の工程を経た後に、図２４に示すように、ダイシングライン３１およびその両側の領域において、保護膜８、絶縁膜６、シリコン基板４ａおよび下層絶縁膜２６をフルカットする。この場合も、接着層３の中間までカットする。次に、図８および図９に示す場合と同様の工程を経た後に、図２５に示すように、ダイシングライン３１に沿って封止膜１３および接着層３をフルカットする。この場合も、ダイシングテープ３２の中間までカットする。以下の工程は、上記第１実施形態の場合と同じであるので、省略する。
【００５５】
そして、この半導体装置では、半導体構成体２は、半導体基板１の絶縁膜１３が一体的に形成されたものであるから、半導体基板１とその側面を絶縁膜１３を介して覆っている絶縁層１４との間の密着性を良くすることができる、という上記第１実施形態と同様の効果を有するものであり、加えて、半導体構成体２はシリコン基板４の下面に設けられた下層絶縁膜２６を一体的に有するものであるので、シリコン基板４とその下面を覆っている下層絶縁膜２６との密着性は良く、また、例えばエポキシ系樹脂からなる下層絶縁膜２６とその下面を覆っている例えばエポキシ系樹脂からなる接着層３との間の密着性も同じ樹脂同士であるから良く、したがって、シリコン基板４と該シリコン基板４をベース板１に接着するための接着層３との間の密着性を良くすることができ、且つ、シリコン基板４と接着層３との間の熱ストレスによる剥離を抑制することができる、という効果を有する。
【００５６】
（第３実施形態）
図２６はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２２に示す場合と異なる点は、シリコン基板４の周囲における接着層３の上面に凹部を設けずに、シリコン基板４の周囲における下層絶縁膜２６の上面に凹部２６ａを設けた点である。
【００５７】
この半導体装置を製造する場合には、一例として、図２４に示すような工程において、図２７に示すように、ダイシングライン３１およびその両側の領域において、保護膜８、絶縁膜６およびシリコン基板４ａをフルカットする。この場合、下層絶縁膜２６の中間までカットする。そして、図２５に示すような工程において、図２８に示すように、ダイシングライン３１に沿って封止膜１３、下層絶縁膜２６および接着層３をフルカットする。この場合も、ダイシングテープ３２の中間までカットする。
【００５８】
（その他の実施形態）
なお、上記実施形態では、互いに隣接する半導体構成体２間において切断したが、これに限らず、２個またはそれ以上の半導体構成体２を１組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、複数で１組の半導体構成体２は同種、異種のいずれであってもよい。また、上記実施形態では、上層配線を２層とした場合について説明したが、これに限らず、１層または３層以上としてもよい。さらに、ベース板１は、プリント基板のコア材のみでなく、コア材の一面または両面に銅箔等の金属箔が全面あるいはパターニングされて形成された基板、銅やステンレス鋼等からなる金属板、あるいはガラス基板、セラミック基板等であってもよく、また、１枚の部材に限らず、絶縁膜および配線が交互に積層された多層印刷回路板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例を説明するために示す所定の工程の断面図。
【図２２】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２３】図２２に示す半導体装置を製造する際の所定の工程の断面図。
【図２４】図２２に示す工程後の所定の工程の断面図。
【図２５】図２４に示す工程後の所定の工程の断面図。
【図２６】この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２７】図２６に示す半導体装置を製造する際の所定の工程の断面図。
【図２８】図２７に示す工程後の所定の工程の断面図。
【符号の説明】
【００６０】
１  ベース板
２  半導体構成体
３  接着層
４  シリコン基板
５  接続パッド
１１  配線
１２  柱状電極
１３  封止膜
１４  絶縁層
１５  第１の上層絶縁膜
１８  第１の上層配線
１９  第２の上層絶縁膜
２２  第２の上層配線
２３  最上層絶縁膜
２５  半田ボール
２６  下層絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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