(57)【要約】【課題】  コンタクトホールとビアホールの表面における隅部分を屈曲して，短絡不良を減らす。【解決手段】  基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層２１１と，上記基板上に形成され，連結ホール２６１，２６２，２７１を通じて上記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極２１５，２１６を備える薄膜トランジスタと，上記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて上記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極２３１と，上記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層２３２と，上記有機発光層の上部に形成される上部電極２３３とを含み，上記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲されることを特徴とする，有機電界発光表示装置が提供される。【選択図】    図２Ｃ
2005215675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；
前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；
前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；
前記有機発光層の上部に形成される上部電極と；
を含み，
前記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲されることを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記連結ホールの下部面の隅は屈曲し，下部面における曲率半径の中心は前記下部面上に存在し，
前記連結ホールの上部面の隅も屈曲し，上部面における曲率半径の中心は，前記下部面における曲率半径の中心から，前記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置し，
前記上部面の曲率半径は，前記下部面の曲率半径より大きいことを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記連結ホールの屈曲した隅は，前記上部面および下部面の四隅に形成されることを特徴とする，請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，
前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，
前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きいことを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記ソース／ドレイン領域と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，コンタクトホールであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記ソース／ドレイン電極と前記下部電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，ビアホールであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記下部電極はアノード電極，前記上部電極はカソード電極であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層を形成する段階と；
前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極を形成する段階と；
前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と；
前記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階と；
を含み，
前記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲されるように形成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記連結ホールは，
下部面における曲率半径の中心が前記下部面上に存在するように下部面の隅を屈曲させ，
上部面における曲率半径の中心が前記下部面における曲率半径の中心から，前記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置するように上部面の隅も屈曲させ，
前記上部面の曲率半径は，前記下部面の曲率半径より大きくなるように形成されることを特徴とする，請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記連結ホールの屈曲した隅は，前記上部面および下部面の四隅に形成されることを特徴とする，請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記連結ホールは，
上部および下部面が，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心が前記下部面に対して垂直な同一の軸上に位置するように，円形に形成され，
前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きくなるように形成されることを特徴とする，請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機電界発光表示装置およびその製造方法に係り，より具体的には上部と下部の導電層間に形成され，上部と下部の導電層を連結させる連結ホールの表面隅の部分が屈曲された有機電界発光表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用したアクティブマトリックス平板表示装置であるＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）開発が進行している。かかる技術を携帯電話などに適用すると，厚さや大きさを大幅に縮小することができ，さらに製造費用も節減され，工程を単純化することができる。
【０００３】
図１Ａは，従来の有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の平面構造を示したものである。図１Ａの有機電界発光表示装置は，２個のトランジスタと一つのキャパシターで構成された素子を例示したのである。
【０００４】
図１Ｂは，図１ＡのＩ−Ｉ線による断面構造を示したものである。図１Ｂを参照すると，従来の有機電界発光表示装置は，画素電極である下部電極１３１，有機発光層１３２および上部電極１３３が形成される発光領域１３０と，２個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），キャパシターが形成される非発光領域１１０とを備えている。
【０００５】
非発光領域１１０において，例えばガラス基板のような透明な絶縁基板１００上にバッファー層１４０が形成され，上記バッファー層１４０の上部に非晶質シリコーンを蒸着し，パターニングした後，結晶化させて半導体層１１１を形成する。以後，基板全面にゲート絶縁膜１５０を形成して，上記ゲート絶縁膜１５０上にゲート電極用金属物質を蒸着し，さらにパターニングして上記半導体層１１１上にゲート１１２を形成する。これと同時にキャパシター下部電極１２２も形成する。上記ゲート１１２およびキャパシター下部電極１２２形成と同時に，図１Ａに示したゲートライン１０２も形成される。
【０００６】
この後，上記半導体層１１１で所定導電型，例えばＰ型またはＮ型不純物をイオン注入してソース／ドレイン領域１１３，１１４を形成する。
【０００７】
続いて，基板全面に層間絶縁膜１６０を形成して，上記ソース／ドレイン領域１１３，１１４の一部分が露出するように上記層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１５０をエッチングして，ソース／ドレイン電極用コンタクトホール１６１，１６２を形成する。
【０００８】
次に，上記層間絶縁膜１６０上にソース／ドレイン電極用金属物質を蒸着し，上記コンタクトホール１６１，１６２を介して上記ソース／ドレイン領域１１３，１１４と接続されるソース／ドレイン電極１１５，１１６を形成する。上記ソース／ドレイン電極１１５，１１６のうち一つ，例えば，ドレイン電極１１６から延びるキャパシター上部電極１２６が形成されると同時に，図１Ａに示すようなデータライン１０４および電源ライン１０６も形成される。
【０００９】
続いて，上記層間絶縁膜１６０上にパッシベーション膜１７０を形成する。そして，上記ソース／ドレイン電極１１５，１１６のうち他の一つ，例えばソース電極１１５の一部分が露出するように上記パッシベーション膜１７０をエッチングして画素電極用コンタクトホール１７１を形成する。
【００１０】
その後，発光領域１３０の上記パッシベーション膜１７０上に透明導電膜を蒸着し，さらにパターニングし，上記画素電極用コンタクトホール１７１を通じて上記ソース電極１１５と接続される下部電極１３１を形成する。
【００１１】
上記パッシベーション膜１７０上に絶縁膜１８０を形成し，続いて上記下部電極１３１が露出するように開口部１８１を形成する，上記開口部１８１を含んだ平坦化膜１８０上に有機発光層１３２を形成して，その上に上部電極１３３を形成する。
【００１２】
前述したような構造を有する従来の有機電界発光表示装置のコンタクトホールのテーパー角が大きい場合，コンタクトホール付近の段差になった部分でピンホール不良が発生していた。
【００１３】
このような問題点を補完するために上記のコンタクトホール１６１，１６２，１７１のエッジ部分でテーパー角を緩和させて上記の不良を防止している。
【００１４】
このようにテーパー角を緩和させた従来の有機電界発光表示装置のコンタクトホールの形成される工程を，図１Ｃまたは図１Ｄを介して詳細に説明する。
【００１５】
図１Ｃは，上記コンタクトホール１６１，１６２，１７１の形状を示す斜視図であり，図１Ｄは，上記コンタクトホール１６１，１６２，１７１の平面図を示した図面であり，上記図１Ｅは，上記図１ＣのＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００１６】
図１Ｃ〜図１Ｅを参照すると，上記コンタクトホール１６１，１６２，１７１の上部および下部面の四隅が角を有して形成され，図１Ｅに表されているように，上記コンタクトホール１６１，１６２，１７１の上部面における長さＬ１が，上記コンタクトホール１６１，１６２，１７１の下部面における長さＬ２より大きくなるように形成されている。
【００１７】
すなわち，上記コンタクトホール１６１，１６２，１７１はテーパー角を有するように側面が傾斜して形成される。
【００１８】
上記のような従来の有機電界発光表示装置の場合，テーパー角の緩和によるピンホール不良をある程度緩和することが可能であるが，有機電界発光表示装置の表面上の角度を有する隅のエッジオープン（ｅｄｇｅ  ｏｐｅｎ）による短絡（ｓｈｏｒｔ−ｃｉｒｃｕｉｔ）不良が生じる。
【００１９】
図１Ｆは，短絡不良が発生した場合の発光領域の拡大写真図である。短絡不良が生じる場合，コンタクトホール１６１，１６２，１７１の隅部分で暗点（ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は，従来の有機電界発光表示装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，コンタクトホールとビアホールの表面における隅部分に丸みをつけて，短絡不良を減らすことが可能な，新規かつ改良された有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供することである。
【００２１】
また，本発明の他の目的は，寿命を延長して画質を向上可能な有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；上記基板上に形成され，連結ホールを通じて上記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；上記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて上記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；上記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；上記有機発光層の上部に形成される上部電極と；を含み，上記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲されることを特徴とする，有機電界発光表示装置が提供される。
【００２３】
上記連結ホールの下部面の隅は屈曲し，下部面における曲率半径の中心は上記下部面上に存在し，上記連結ホールの上部面の隅も屈曲し，上部面における曲率半径の中心は，上記下部面における曲率半径の中心から，上記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置し，上記上部面の曲率半径は，上記下部面の曲率半径より大きいとしても良い。
【００２４】
上記連結ホールの屈曲した隅は，上記上部面および下部面の四隅に形成されるとしても良い。
【００２５】
上記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，上記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，上記上部面の半径は，上記下部面の半径より大きいとしても良い。
【００２６】
上記ソース／ドレイン領域と上記ソース／ドレイン電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，コンタクトホールであっても良い。
【００２７】
上記ソース／ドレイン電極と上記下部電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，ビアホールであっても良い。
【００２８】
上記下部電極はアノード電極，上記上部電極はカソード電極であるとしても良い。
【００２９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層を形成する段階と；上記基板上に形成され，連結ホールを通じて上記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と；上記基板上に形成され，連結ホールを通じて上記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極を形成する段階と；上記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と；上記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階と；を含み，上記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲されるように形成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
【００３０】
上記連結ホールは，下部面における曲率半径の中心が上記下部面上に存在するように下部面の隅を屈曲させ，上部面における曲率半径の中心が上記下部面における曲率半径の中心から，上記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置するように上部面の隅も屈曲させ，上記上部面の曲率半径は，上記下部面の曲率半径より大きくなるように形成されるとしても良い。
【００３１】
上記連結ホールの屈曲した隅は，上記上部面および下部面の四隅に形成されるとしても良い。
【００３２】
上記連結ホールは，上部および下部面が，上記上部面の半径中心と下部面の半径中心が上記下部面に対して垂直な同一の軸上に位置するように，円形に形成され，上記上部面の半径は，上記下部面の半径より大きくなるように形成されるとしても良い。
【発明の効果】
【００３３】
以上説明したように本発明によれば，コンタクトホールやビアホールの表面における隅部分を折り曲げ（丸め），短絡不良を減らし，信頼性および収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３５】
図２Ａは，本発明の有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）の第１実施形態による平面構造を示したものである。上記実施形態における有機電界発光表示装置は，２個のトランジスタと一つのキャパシターで構成された素子を例示している。
【００３６】
図２Ｂは，図２ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面構造を示したものである。
【００３７】
図２Ｂを参照すると，本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の非発光領域２１０において，例えばガラス基板のような透明な絶縁基板２００上にバッファー層２４０が形成され，上記バッファー層２４０の上部に非晶質シリコーンを蒸着し，パターニングした後，結晶化させて半導体層２１１を形成する。以後，基板全面にゲート絶縁膜２５０を形成して，上記ゲート絶縁膜２５０上にゲート電極用金属物質を蒸着し，さらにパターニングして上記半導体層２１１上にゲート２１２を形成する。これと同時にキャパシター下部電極２２２も形成する。上記ゲート２１２およびキャパシター下部電極２２２形成と同時に，図１Ａに示したゲートライン２０２も形成される。
【００３８】
この後，上記半導体層２１１で所定導電型，例えばＰ型またはＮ型不純物をイオン注入してソース／ドレイン領域２１３，２１４を形成する。
【００３９】
続いて，基板全面に層間絶縁膜２６０を形成して，上記ソース／ドレイン領域２１３，２１４の一部分が露出するように上記層間絶縁膜２６０とゲート絶縁膜２５０をエッチングして，ソース／ドレイン電極用第１および第２連結ホール２６１，２６２を形成する。
【００４０】
次に，上記層間絶縁膜２６０上にソース／ドレイン電極用金属物質を蒸着し，上記第１および第２連結ホール２６１，２６２を介して上記ソース／ドレイン領域２１３，２１４と接続されるソース／ドレイン電極２１５，２１６を形成する。上記ソース／ドレイン電極２１５，２１６のうち一つ，例えば，ドレイン電極２１６から延びるキャパシター上部電極２２６が形成される同時に，図２Ａに示したデータライン２０４および電源ライン２０６も形成される。
【００４１】
続いて，上記層間絶縁膜２６０上にパッシベーション膜２７０を形成する。そして，上記ソース／ドレイン電極１１５，１１６のうち他の一つ，例えばソース電極２１５の一部分が露出するように上記パッシベーション膜２７０をエッチングして第３連結ホール２７１を形成する。
【００４２】
この時，図２Ａに示した上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１が形成される工程を，図２Ｃ〜図２Ｅを参照して詳細に説明する。
【００４３】
図２Ｃは上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の全体形状を示した斜視図であり，図２Ｄは，上記第１，第２，第３コンタクトホール２６１，２６２，２７１の平面図を示した図面であり，上記図３Ｅは上記図ＩＶ−ＩＶ線による断面図である。
【００４４】
上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の形成時には，上記図２Ｄに示したように平面上における上部面２６１ａの四隅が屈曲されて（例えば丸く角を落としたように形成され），上記下部面２６１ｂの四隅も同様に折れ曲がっており，図２Ｅに示したように上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１は，テーパーになるように形成され，上部面２６１ａが上記下部面２６１ｂより広くなるように形成される。
【００４５】
これを数学式で示せばρ１＞ρ２＞０のようになる。
【００４６】
ここで，ρ１は上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の上部面２６１ａの曲率半径であって，ρ２は上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の下部面２６１ｂの曲率半径である。
【００４７】
上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の下部面２６１ｂの四隅は屈曲（例えば丸め）を有し，上記下部面２６１ｂの曲率半径ρ２の中心が上記下部面２６１ｂ上に存在するように形成されるとしても良い。また，上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の上部面２６１ａにおける曲率半径ρ１の中心は，上記下部面２６１ｂの曲率半径ρ２中心から垂直方向に延びた同一軸上に位置しているとしても良い。
【００４８】
このように，上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の上部面２６１ａにおける曲率半径ρ１は，上記下部面２６１ｂの曲率半径ρ２より大きく形成され，上記第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１の下部面２６１ｂと共に上部面２６１ａの四隅も屈曲されている。これによって，上記四隅のエッジオープンによる短絡不良を防止することができる。
【００４９】
この後，発光領域２３０の上記パッシベーション膜２７０上に透明導電膜を蒸着し，さらにパターニングし，上記第３連結ホール２７１を通じて上記ソース電極２１５と接続される下部電極２３１を形成する。
【００５０】
上記パッシベーション膜２７０上に絶縁膜２８０を形成し，続いて上記下部電極２３１が露出するように開口部２８１を形成する，上記開口部２８１を含んだ平坦化膜２８０上に有機発光層２３２を形成して，その上に上部電極２３３を形成する。
【００５１】
図３Ａは，本発明の有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）の第２実施形態による平面構造を示したものである。
【００５２】
上記実施形態における有機電界発光表示装置は，２個のトランジスタと一つのキャパシターで構成された素子を例示している。
【００５３】
図３ＡのＶ−Ｖ線による断面構造は，上記第１実施形態の図２Ｂと同一な断面構造を有している。従って，第２実施形態による製造方法は，上記第１実施形態で説明した製造方法と類似するため，本発明が属する技術分野の通常の知識を有する者が理解できるのでその説明を省略する。
【００５４】
第１の実施形態と第２の実施形態とは，主に連結ホールの形状が相違する。以下，図３Ａ〜Ｄでは，に第１の実施形態の第１，第２，第３連結ホール２６１，２６２，２７１に対応した第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の形状を詳細に説明する。
【００５５】
図３Ｂは，第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の全体の形態を示した斜視図であり，図３Ｃは，上記第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の平面図を示した図面であり，上記図３Ｄは，上記図３ＣのＶＩ−ＶＩ線による断面図である。
【００５６】
上記第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１は，図３Ｃに示したように上部面および下部面が平面的に円形であり，図３Ｄに示したようにテーパーになるように，即ち，上部面が下部面より広くなるように形成される。
【００５７】
これを数学式で示せばｒ１＞ｒ２＞０のようになる。
【００５８】
ここで，ｒ１は第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の上部面の半径であって，ｒ２は第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の下部面の半径である。
【００５９】
上記第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の上部および下部面は円形に形成され，上記上部面の半径中心と下部面の半径中心は垂直方向に同一軸上に位置するとしても良い。また，上記連結ホールの上部面の半径は，上記下部面の半径より大きくなるように形成される。これによって，上記第１，第２，第３連結ホール３６１，３６２，３７１の隅のエッジオープンによる短絡不良を防止することができる。
【００６０】
上記ソース／ドレイン領域と上記ソース／ドレイン電極とを絶縁させるためのゲート絶縁膜および層間絶縁膜上に形成された連結ホールは，コンタクトホールになっており，上記ソース／ドレイン電極と上記下部電極とを絶縁させるためのパッシベーション膜上に形成された連結ホールは，ビアホールになる。
【００６１】
上記下部電極はアノード電極とし，上記上部電極はカソード電極とすることができる。
【００６２】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６３】
例えば，上記の第１および第２の実施形態で説明した連結ホールに対する説明は，平坦化膜の開口部形成時にも同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は，有機電界発光表示装置およびその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１Ａ】従来の有機電界発光表示装置の平面構造図。
【図１Ｂ】図１ＡのＩ−Ｉ線による従来の有機電界発光表示装置の断面構造図。
【図１Ｃ】図１Ａに示したコンタクトホールまたはビアホールが形成された形態を示す斜視図。
【図１Ｄ】上記図１Ｃに示したコンタクトホールまたはビアホールの平面図。
【図１Ｅ】上記図１ＤのＩＩ−ＩＩ線によるコンタクトホールまたはビアホールの断面図。
【図１Ｆ】短絡不良の場合を示す発光領域の拡大写真図。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の平面構造図。
【図２Ｂ】図２ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線による本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の断面構造図。
【図２Ｃ】図２Ａに示したコンタクトホールまたはビアホールが形成された形態を示す斜視図。
【図２Ｄ】図２Ｃに示したコンタクトホールまたはビアホールの平面図。
【図２Ｅ】図２ＤのＩＶ−ＩＶ線によるコンタクトホールまたはビアホールの断面図。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の平面構造図。
【図３Ｂ】図３Ａに示したコンタクトホールまたはビアホールが形成された形態を示す斜視図。
【図３Ｃ】図３Ａに示したコンタクトホールまたはビアホールの平面図。
【図３Ｄ】図３ＣのＶＩ−ＶＩ線によるコンタクトホールまたはビアホールの断面図。
【符号の説明】
【００６６】
２００：絶縁基板
２１０：非発光領域
２３０：発光領域
２４０：バッファー層
２５０：ゲート絶縁膜
２６０：層間絶縁膜
２１１：半導体層
２１２：ゲート
２１３，２１４：ソース／ドレイン領域
２１５，２１６：ソース／ドレイン電極
２３１：下部電極
２３２：有機発光層
２３３：上部電極
２７０：パッシベーション膜
２６１，２６２：コンタクトホール
２７１：ビアホール
【図１Ａ】
2005215675.tif 000003
【図１Ｂ】
2005215675.tif 000004
【図１Ｃ】
2005215675.tif 000005
【図１Ｄ】
2005215675.tif 000006
【図１Ｅ】
2005215675.tif 000007
【図１Ｆ】
2005215675.tif 000008
【図２Ａ】
2005215675.tif 000009
【図２Ｂ】
2005215675.tif 000010
【図２Ｃ】
2005215675.tif 000011
【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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