(57)【要約】【課題】インクジェットヘッドノズルから半導体基板上の所定の領域内にドーパント液を安定して塗布することができ、光電変換効率の高い太陽電池を作製することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】インクジェットヘッドノズル１１から半導体基板１上にドーパント液２を塗布する工程を含む太陽電池の製造方法であって、ドーパント液２を構成する溶媒が、グリセリンと、ジメチルホルムアミドと、を含み、グリセリンの含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下であって、ジメチルホルムアミドの含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下である太陽電池の製造方法である。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットヘッドノズルから半導体基板上にドーパント液を塗布する工程を含む太陽電池の製造方法であって、
前記ドーパント液を構成する溶媒が、グリセリンと、ジメチルホルムアミドと、を含み、
前記グリセリンの含有率が前記ドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下であって、
前記ジメチルホルムアミドの含有率が前記ドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下であることを特徴とする、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記ドーパント液を構成する溶媒が、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールを含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記ドーパント液を構成する溶媒が、前記グリセリンと、前記ジメチルホルムアミドと、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールとからなることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記グリセリンと前記ジメチルホルムアミド以外の成分の含有率が、前記ドーパント液を構成する溶媒全体の３０体積％以上であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板はｐ型のシリコン基板であって、前記ドーパント液は前記シリコン基板上に形成されるリンシリケードガラスの液状前駆体であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記ドーパント液を構成する溶媒が、カルボン酸を含まないことを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池の製造方法に関し、特にインクジェットヘッドノズルから半導体基板上の所定の領域内にドーパント液の塗布を行なうインクジェット塗布法を用いた太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ２の増加のような地球環境問題等からクリーンなエネルギの開発が望まれている。特に、太陽電池を用いた太陽光発電が、上記地球環境問題等を解決することができる新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。太陽電池は、例えばｐ型とｎ型の半導体を接合することにより構成され得る。この太陽電池に太陽光が入射すると、正電荷を持つ正孔と、負電荷を持つ電子とが発生し、それらがｐ型とｎ型の半導体の接合部で分けられ、ｐ型半導体側に正孔が、ｎ型半導体側に電子が集まる。そして、このｐ型半導体とｎ型半導体とを外部回路で結ぶと、ｎ型半導体側に集まった電子が、この外部回路を通ってｐ型半導体側に向かうことにより電流が流れる。
【０００３】
図３に従来の太陽電池の製造工程の一例の一連の流れを示す。まず、図３（Ａ）において、半導体基板１０１の製造時に生じる表面の加工変質層１０１ａを除去するため、あるいは異方性エッチングによって半導体基板１０１の表面に微細なピラミッド状の凹凸を含むテクスチャ表面を形成するため、半導体基板１０１を水酸化ナトリウムを含む溶液中に浸漬することで、半導体基板１０１のエッチング処理を行なう。ここで、半導体基板１０１はｐ型の多結晶シリコン角型基板が用いられている。
【０００４】
次に、図３（Ｂ）に示すように、リン等の拡散源を含むドーパント液１０２をスピン塗布法を用いて半導体基板１０１の表面に塗布する。その際、ドーパント液１０２は、半導体基板１０１の側面あるいは裏面といった領域にも付着する。
【０００５】
その後、ドーパント液１０２が塗布された半導体基板１０１を拡散炉で熱処理することによって、図３（Ｃ）に示すように、半導体基板１０１の受光面側にｎ＋層１０３が形成されてｐｎ接合を生じさせる。しかし、上述したようにドーパント液は半導体基板１０１の側面あるいは裏面といった領域にも付着しているため、その部分にもｎ＋層１０３ａが形成される。
【０００６】
そして、図３（Ｄ）に示すように、ドーパント液により生じたＰＳＧ（リンシリケードガラス）層１０２ａをフッ化水素酸等を用いたエッチングにより除去した後、図３（Ｅ）に示すように窒化シリコン等からなる反射防止膜１０４をプラズマＣＶＤ法等を用いて成膜する。
【０００７】
さらに、図３（Ｆ）に示すように半導体基板１０１の裏面側にはスクリーン印刷法によってＡｌ電極１０５とＡｇ電極１０６とが形成される。また、半導体基板１０１の受光面側には、Ａｇ電極１０７が形成される。そして、半導体基板１０１全体の熱処理を行なうことによって、半導体基板１０１と、Ａｌ電極１０５、Ａｇ電極１０６およびＡｇ電極１０７との電気的コンタクトが形成される。すなわち、この熱処理の間に、反射防止膜１０４上に印刷されたＡｇ電極１０７が反射防止膜１０４を貫通して、ｎ＋層１０３と接合する電極となる。
【０００８】
他方、半導体基板１０１の裏面側のＡｌ電極１０５からはＡｌが半導体基板１０１内に拡散し、ｐ＋層１０８を形成する。しかし同時に、半導体基板１０１の裏面側におけるｎ＋層１０３ａとｐ＋層１０８とが接触している部分、およびｎ＋層１０３ａとＡｌ電極１０５とが接触している部分においては電気的に短絡する。したがって、従来の太陽電池においては、この短絡によって太陽電池の暗電流が増加し、曲線因子が悪くなって最大出力が低下してしまうという問題があった。また、太陽光が低照度の場合には、さらに開放電圧が暗電流による並列抵抗の影響を受け、暗電流が大きい太陽電池は低照度における発電量が低下してしまうという問題もあった。
【０００９】
このような問題を解決するため、ドーパント液を塗布する際に、半導体基板の裏面側にｐｎ接合が形成することを防止するためのマスク材を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示されている方法においては、半導体基板上にドーパント液を塗布する方法としてスピン塗布法が用いられているため、半導体基板の回転の加減速に時間を要するという問題があった。また、半導体基板の回転モーメントにより、特に多結晶半導体基板の場合には割れが生じ易く歩留りを低下させるという問題もあった。また、スピン塗布法を用いた場合には薬液が無駄になる割合が多いという問題もあった。また、マスク材の塗布およびマスク材の除去の工程が増えることに伴う設備増、薬液量および処理時間の増加に伴うコスト増の問題が生じていた。さらに、逆にマスク材が表面に回りこむことによる特性劣化の問題も生じていた。
【００１１】
また、半導体基板上にドーパント液を塗布する方法として、ジェットプリンタを用いる方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１２】
しかし、この方法においては、ジェットプリンタのインクジェットヘッドノズルから吐出されたドーパント液の液滴がスプラッシュ状に飛散したり、ノズル面ににじみが生じたりして、ドーパント液を半導体基板上の所定の領域内に安定して塗布することができないという問題があった。
【００１３】
【特許文献１】
特開平７−１３５３３３号公報
【００１４】
【特許文献２】
特開２０００−１８３３７９号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記事情に鑑みて本発明は、インクジェットヘッドノズルからドーパント液を半導体基板上の所定の領域内に安定して塗布することができ、光電変換効率の高い太陽電池を作製することができる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、インクジェットヘッドノズルから半導体基板上にドーパント液を塗布する工程を含む太陽電池の製造方法であって、ドーパント液を構成する溶媒が、グリセリンと、ジメチルホルムアミドと、を含み、グリセリンの含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下であって、ジメチルホルムアミドの含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下である太陽電池の製造方法である。
【００１７】
ここで、本発明の太陽電池の製造方法においては、ドーパント液を構成する溶媒が、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールを含むことが好ましい。
【００１８】
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、ドーパント液を構成する溶媒が、グリセリンと、ジメチルホルムアミドと、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールとからなることが好ましい。
【００１９】
さらに、本発明の太陽電池の製造方法においては、ドーパント液を構成する溶媒中のグリセリンとジメチルホルムアミド以外の成分の含有率が、ドーパント液を構成する溶媒全体の３０体積％以上であることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、上記半導体基板はｐ型のシリコン基板であって、上記ドーパント液はこのシリコン基板上に形成されるリンシリケードガラスの液状前駆体であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、上記ドーパント液を構成する溶媒が、カルボン酸を含まないことが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２３】
図１に本発明に係る太陽電池の製造方法の一例の一連の流れを示す。まず、図１（Ａ）に示すように、ｐ型の多結晶シリコンからなる半導体基板１を用意し、この半導体基板１の製造時に生じる加工変質層１ａを除去するため、あるいは半導体基板１の表面に微細なピラミッド状の凹凸などのテクスチャ表面を形成するため、半導体基板１を水酸化ナトリウムを含む溶液中に浸漬することによって半導体基板１のエッチング処理を行なう。
【００２４】
次に、図１（Ｂ）に示すように、インクジェットヘッドノズルから半導体基板１上の所定の領域内にドーパント液２を塗布する。
【００２５】
ここで、本発明に用いられるドーパント液２を構成する溶媒は、グリセリンと、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）とを含み、グリセリンの含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下であり、ＤＭＦの含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下である。
【００２６】
エタノールまたはイソプロピルアルコールを主体とする従来のドーパント液を用いた場合には、ドーパント液の粘度および表面張力が小さすぎて、インクジェットヘッドノズルからドーパント液が安定して吐出されないという問題があった。
【００２７】
この問題を解決するため、本発明者は、グリセリンを混合することによって、ドーパント液の粘度を増加させて、ドーパント液の吐出安定性を向上させることを考えた。しかしながら、グリセリンのみを混合した場合には、グリセリンの混合量に対してドーパント液の粘度を大幅に増加させることができたが、ドーパント液の表面張力をあまり増加させることができなかった。それゆえ、ドーパント液の粘度を適度に調整した場合でも、ドーパント液の表面張力が小さいため、インクジェットヘッドノズルから吐出された後のドーパント液の形態が安定しないことがあり、吐出安定性が十分とはいえなかった。
【００２８】
そこで、本発明者がさらに検討を重ねた結果、混合量に対してドーパント液の粘度をあまり増加させず、表面張力を大幅に増加させることができるＤＭＦをさらに混合することによって、ドーパント液の粘度をあまり増加させることなく、表面張力を増加させることが可能となった。そして、ドーパント液を構成する溶媒中のグリセリンの含有率をこの溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下とし、ＤＭＦの含有率をこの溶媒全体の２０体積％以上４０体積％以下とすることによって、ドーパント液の吐出安定性をより向上させることが可能となったのである。
【００２９】
ここで、ドーパント液２を構成する溶媒中に含まれるグリセリンおよびＤＭＦ以外の成分の含有率がドーパント液を構成する溶媒全体の３０体積％以上であることが好ましい。この含有率が３０体積％未満である場合には、ドーパント液２を構成する溶媒を占めるグリセリンおよびＤＭＦの割合が多くなりすぎて、ドーパント液２に添加される溶質が十分に溶解しない傾向にある。それゆえ、ドーパント液２に十分に溶解していない溶質が固形分となって、これがインクジェットヘッドノズルにおけるドーパント液２の流路を塞ぐことにより、インクジェットヘッドノズルが詰まりやすくなる。ノズルが詰まった箇所からはドーパント液２が半導体基板１上に塗布されないことから、ドーパント液２が塗布されなかった半導体基板１上の領域にはｐｎ接合が形成されず、結果として太陽電池の光電変換効率が低下してしまう。
【００３０】
また、ドーパント液２の溶媒を構成するグリセリンおよびＤＭＦ以外の成分として、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールが含まれていることが好ましい。この場合には、ドーパント液２に含まれる溶質を安定に溶解させることができる。
【００３１】
したがって、ドーパント液２を構成する溶媒が、グリセリンと、ＤＭＦと、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールとからなる場合には、ドーパント液２の吐出安定性とドーパント液２中の溶質の溶解安定性とを共に向上させることができる。なお、ドーパント液２の吐出安定性を向上させる観点からは酢酸等のカルボン酸が含まれていないことが好ましい。
【００３２】
また、ドーパント液２は、エタノールおよび／またはイソプロピルアルコールに溶質を溶解させた後、グリセリンとＤＭＦとを混合して作製されることが好ましい。この場合には、ドーパント液２中において溶質を安定して溶解させることができる。
【００３３】
ここで、ドーパント液２は、ＰＳＧの液状前駆体であることが好ましい。この場合には、ｐ型のシリコンからなる半導体基板１上の所定の領域内に塗布されたドーパント液２を乾燥させることによって、容易にｐｎ接合を形成することができる。なお、ドーパント液２がＰＳＧの液状前駆体である場合には、溶質として、ケイ酸エチル等の有機シリコン化合物と、五酸化二リン等のリン化合物とが添加される。
【００３４】
そして、上述のようにして得られたドーパント液２は、インクジェットヘッドノズルから、例えば図１（Ｃ）に示す半導体基板１の四辺のそれぞれから約０．１ｍｍ内側の領域９内に塗布される。
【００３５】
図２の模式的斜視図に、本発明に用いられるインクジェット式塗布装置の一例を示す。このインクジェット式塗布装置は、半導体基板１を保持する半導体基板チャック１０と、複数のインクジェットヘッドノズル１１と、半導体基板形状測定装置１２とを含んでいる。このインクジェットヘッドノズル１１においては、例えばピエゾ素子またはバルブ駆動等によりドーパント液２の吐出動作が制御される。なお、インクジェットヘッドノズル１１および半導体基板形状測定装置１２は固定されている。
【００３６】
図２を参照して、半導体基板チャック１０に保持された半導体基板１は、まず図２に示す矢印の方向に水平に移動する。次に、半導体基板１は半導体基板形状測定装置１２の下方を通過し、その通過中に半導体基板１の外形が測定される。最後に、半導体基板１はインクジェットヘッドノズル１１の下方を通過し、その通過中に複数のインクジェットヘッドノズル１１からドーパント液２が吐出される。その際、あらかじめ半導体基板形状測定装置１２で測定した半導体基板１の外形寸法をもとに、半導体基板１の四辺からそれぞれ約０．１ｍｍ内側の領域９内にドーパント液２が塗布されるようにインクジェットヘッドノズル１１の動作が制御される。例えば、半導体基板１の領域９の上方にあるインクジェットヘッドノズル１１からドーパント液２の吐出が行なわれ、半導体基板１の領域９よりも外側の領域の上方にあるインクジェットヘッドノズル１１からはドーパント液２の吐出が行なわれないように制御される。
【００３７】
なお、半導体基板１の形状については半導体基板１が丸型半導体基板の場合には、半導体基板形状測定装置１２を備えていたとしても、塗布領域９内にドーパント液２が塗布されるように制御することが困難となるため、半導体基板１としては矩形半導体基板または正方形半導体基板を用いることが好ましい。
【００３８】
その後、この半導体基板１を拡散炉で熱処理をすることによって、図１（Ｄ）に示すように、半導体基板１の表面に熱処理後のドーパント層２ａが形成され、半導体基板１の受光面側にｎ＋層３が形成されて、ｐｎ接合が形成される。本発明においては、半導体基板１の側面および裏面にドーパント液２が付着しないため、半導体基板１の側面および裏面にはｎ＋層３が形成されない。
【００３９】
次いで、図１（Ｅ）に示すように、熱処理後の半導体基板１をフッ化水素を含む溶液に浸漬することによって、熱処理後のドーパント層２ａをエッチングにより除去する。そして、図１（Ｆ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて、半導体基板１の受光面上に窒化シリコンからなる反射防止膜４を形成する。
【００４０】
最後に、図１（Ｇ）に示すように、半導体基板１の受光面側にＡｇ電極７を形成し、半導体基板１の裏面側にＡｌ電極５とＡｇ電極６とを形成した後、半導体基板１を熱処理することによって、半導体基板１と、Ａｌ電極５、Ａｇ電極６およびＡｇ電極７との電気的コンタクトが形成され、太陽電池が作製される。すなわち、この熱処理の間に、反射防止膜４上に印刷されたＡｇ電極７は反射防止膜４を貫通してｎ＋層３と電気的に接合する電極となり、また裏面側のＡｌ電極５からはＡｌが半導体基板１内に拡散しｐ＋層８が形成されることによって、Ａｌ電極５、Ａｇ電極６およびＡｇ電極７と、半導体基板１との電気的コンタクトが形成されるのである。
【００４１】
ここで、本発明においては、半導体基板１上の領域９内にドーパント液２を安定して塗布することができるため、従来のように、ｎ＋層３とｐ＋層８とが接触せず、またｎ＋層３とＡｌ電極５も接触しない。それゆえ、本発明の製造方法によって作製された太陽電池は電気的に短絡する箇所を有しないため、光電変換効率の高い太陽電池を高い歩留まりで作製することができるのである。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
まず、一辺約１２５ｍｍの略正方形形状のｐ型の多結晶シリコン基板を用意し、このシリコン基板を水酸化ナトリウムを含む溶液中に浸漬した。次に、エタノール中に溶質としてケイ酸エチルと五酸化二リンとをそれぞれ適量添加して溶解させた後、ドーパント液を構成する溶媒全体に対するグリセリンの割合が２５体積％、ＤＭＦの割合が３５体積％およびエタノールの割合が４０体積％となるようにこれらの溶媒を混合して、ＰＳＧの液状前駆体であるドーパント液を作製した。
【００４３】
そして、図２に示すインクジェット式塗布装置の複数のインクジェットヘッドノズル（ノズル先端の開口部の直径２５μｍ）から、このドーパント液を上記シリコン基板上の所定の領域内に塗布した。ここで、当該所定の領域は、シリコン基板の四辺のそれぞれから約０．１ｍｍ内側の領域であった。
【００４４】
次いで、ドーパント液塗布後のシリコン基板を拡散炉内に設置し、拡散炉において９００℃で１５分間、このシリコン基板の熱処理を行なった。そして、熱処理後のシリコン基板上に生じた層厚約８０ｎｍのＰＳＧ層をフッ化水素を含む溶液を用いてエッチングにより除去した後、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコンからなる反射防止膜をシリコン基板上に形成した。
【００４５】
最後に、シリコン基板の受光面側にＡｇ電極を形成し、シリコン基板の裏面側にＡｇ電極およびＡｌ電極を形成した後、熱処理を行なうことにより、これらの電極とシリコン基板との電気的コンタクトを形成して、実施例１の太陽電池を作製した。
【００４６】
この太陽電池の光電変換特性を測定したところ、光電変換効率は１６．５％であって、逆方向電流量は０．０２Ａであった。また、ドーパント液の吐出安定性も良好であり、ノズル詰まりも発生しなかった。
【００４７】
また、比較例１として、エタノールのみからなる溶媒に溶質としてケイ酸エチルと五酸化二リンとをそれぞれ適量添加してドーパント液を作製した。このドーパント液をスピン塗布法を用いて、シリコン基板上に塗布した。その他は、実施例１と同様にして、比較例１の太陽電池を作製した。
【００４８】
この太陽電池の光電変換特性を測定したところ、光電変換効率は１３．３％であって、逆方向電流量は２．１Ａであった。
【００４９】
実施例１においては、シリコン基板の四辺のそれぞれから約０．１ｍｍ内側の領域にドーパント液を安定して塗布することができた。それゆえ、実施例１の太陽電池には電気的に短絡する箇所がほとんど生じなかったため、高い光電変換効率を得ることができ、また逆方向電流量も少なかった。
【００５０】
しかし、比較例１においては、スピン塗布法を用いてドーパント液を塗布しているため、シリコン基板の側面および裏面にドーパント液が付着し、その付着した領域にｎ＋層が形成された。それゆえ、比較例１の太陽電池には、電気的に短絡する箇所が生じたため、実施例１と比べて、光電変換効率が低下し、逆方向電流量が増大する結果となった。
【００５１】
（実施例２〜１１）
表１に示す溶媒組成となるようにそれぞれの材料（グリセリン、ＤＭＦおよびエタノール）を混合してドーパント液を構成する溶媒を作製したこと以外は実施例１と同様にして実施例２〜１１のドーパント液を作製した。そして、これらのドーパント液を図２に示すインクジェット式塗布装置の複数のインクジェットヘッドノズル（ノズル先端の開口部の直径２５μｍ）から、シリコン基板の四辺のそれぞれから約０．１ｍｍ内側の領域に塗布したときのドーパント液の吐出安定性と、ノズル詰まりとを目視により観察し、下記の基準により評価した。その評価結果を表１に示す。
【００５２】
なお、表２に示す溶媒組成となる比較例２〜１１についても実施例２〜１１と同様の評価を行なった。その評価結果を表２に示す。なお、表１および表２において、溶媒組成は、溶媒全体に対する含有率（体積％）で表わされている。
（吐出安定性の評価基準）
○…ドーパント液の吐出安定性が良好であった
△…ドーパント液の吐出安定性が少し不良であった
×…ドーパント液の吐出安定性が不良であった
（ノズル詰まりの評価基準）
○…ノズル詰まりが発生しなかった
△…ノズル詰まりが少数発生した
×…ノズル詰まりが多数発生した
【００５３】
【表１】
2005038997.tif 000003
【００５４】
【表２】
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【００５５】
表１に示すように、グリセリンの含有率が２０体積％以上４０体積％以下であって、ＤＭＦの含有率が２０体積％以上４０体積％以下であるドーパント液（実施例２〜１１）においては、インクジェットヘッドノズルからのドーパント液の吐出安定性が良好であった。
【００５６】
しかしながら、表２に示すように、グリセリンの含有率が１５体積％のドーパント液（比較例２〜３）およびＤＭＦの含有率が１５体積％のドーパント液（比較例４、６、８）においては、グリセリンまたはＤＭＦの含有率が溶媒全体の２０体積％に満たないため、ドーパント液の吐出安定性が不良または少し不良であった。
【００５７】
また、表２に示すように、グリセリンの含有率が４５体積％のドーパント液（比較例９〜１１）およびＤＭＦの含有率が４５体積％のドーパント液（比較例５、７）においては、グリセリンまたはＤＭＦの含有率が溶媒全体の４０体積％を超えているため、ドーパント液の吐出安定性が少し不良であった。特に、グリセリンの含有率が４５体積％のドーパント液（比較例９〜１１）においては、ノズル詰まりが多数発生した。
【００５８】
さらに、表１に示すように、グリセリンの含有率およびＤＭＦの含有率はそれぞれ２０体積％以上４０体積％以下であるが、グリセリンおよびＤＭＦ以外の成分（エタノール）の含有率が３０体積％未満のドーパント液（実施例７、１０〜１１）においては、ノズル詰まりが少数発生した。
【００５９】
本実施例では、グリセリンおよびＤＭＦ以外の成分としてエタノールを用いたが、エタノールのかわりにイソプロピルアルコールを用いた場合にも同様の結果が得られることは言うまでもない。
【００６０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、半導体基板上の所定の領域内にドーパント液を安定して塗布することができ、光電変換効率の高い太陽電池を作製することができる太陽電池の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の太陽電池の製造方法の一例の一連の流れを示した模式的な概念図である。
【図２】本発明の太陽電池の製造方法に用いられるインクジェット式塗布装置の一例の模式的な斜視図である。
【図３】従来の太陽電池の製造方法の一例の一連の流れを示した模式的な概念図である。
【符号の説明】
１，１０１  半導体基板、２，１０２  ドーパント液、３，１０３  ｎ＋層、４，１０４  反射防止膜、５，１０５  Ａｌ電極、６，７，１０６，１０７  Ａｇ電極、８，１０８  ｐ＋層、９  領域、１０  半導体基板チャック、１１  インクジェットヘッドノズル、１２  半導体基板形状測定装置。
【図１】
2005038997.tif 000005
【図２】
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【図３】
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