(57)【要約】【課題】平面精度を高く維持した状態で基板を保持する。【解決手段】ウエハホルダ７０では、複数の突起状のピン３２Ａと、ピン３２Ｂ，３２ＣとによってウエハＷが支持されるが、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の少なくとも一部の高さは、ピン３２Ａの先端部の高さよりも低くなるように設定されている。このように、ウエハＷを支持する高さを、外気開放部近傍では低くなるように設定しておけば、ウエハＷの反りや盛り上がりを矯正することができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板を保持する基板保持装置であって、
本体部の所定面積の領域上にそれぞれの先端部が略同一平面上に配置され、前記各先端部によって前記基板を支持可能な突起状の複数の第１支持部と；
前記各第１支持部とともに前記基板を支持可能で、その支持状態で、前記基板が外気に開放されている外気開放部と前記各第１支持部によって支持された部分との境界を形成し、前記基板を支持する先端部の少なくとも一部の高さが前記各第１支持部の先端部の高さと異なるように設定された第２支持部と；を備える基板保持装置。
【請求項２】
前記各第１支持部の先端部と前記第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差が、支持対象である前記基板の変形に応じて決定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記第２支持部の先端部の少なくとも一部の高さが、前記各第１支持部の先端部の高さより低く設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記各第１支持部の先端部と前記第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差が調節可能であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記第２支持部は、前記領域の外側を取り囲む第１隔壁と、前記基板を着脱するための着脱機構を前記領域から突出及び退避可能とするために前記領域内に設けられた開口部の周辺を取り囲む第２隔壁との少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記第２支持部は、前記第１隔壁上及び前記第２隔壁上の少なくとも一方に配設された複数の突起部をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記第２支持部は、前記複数の突起部が配設された前記第１隔壁及び前記第２隔壁を有し、
前記第１隔壁上の複数の突起部の先端部の少なくとも一部の高さと、前記第２隔壁上の複数の突起部の先端部の少なくとも一部の高さとが互いに異なるように設定されていることを特徴とする請求項６に記載の基板保持装置。
【請求項８】
平板状の基板を露光する露光方法であって、
前記基板を支持する複数の突起状の第１支持部の先端部と、前記各第１支持部によって支持された部分よりも外気に開放されている前記基板の部分を支持する第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差を、プロセスの進行による前記基板の変形に応じた差としたうえで前記基板を保持する第１工程と；
前記第１工程で保持された前記基板を露光する第２工程と；を含む露光方法。
【請求項９】
前記第１工程では、予め用意した前記高さの差がそれぞれ異なる複数の基板保持装置の中から、前記基板の変形に応じた前記高さの差を有する基板保持装置を選択し、選択した基板保持装置を用いて前記基板を保持することを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記第１工程では、前記高さの差を調整可能な基板保持装置を用い、前記高さの差を前記基板の変形に応じた差に調整して前記基板を保持することを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１１】
パターンを、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板保持装置と；
前記基板保持装置に保持された基板を移動するために前記基板保持装置を駆動するステージ装置と；を備える露光装置。
【請求項１２】
前記高さの差が異なる複数の前記基板保持装置を備えることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記複数の基板保持装置の中から選択された１つの基板保持装置を前記ステージ装置に搬送する搬送系をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記複数の基板保持装置の中から、前記基板の変形に応じた前記高さの差を有する基板保持装置を選択する選択装置をさらに備えることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記基板の変形に応じた前記高さの差を算出する算出装置をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
パターンを、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、
請求項４に記載の基板保持装置と；
前記各第１支持部の先端部と前記第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差を調節する調節装置と；を備える露光装置。
【請求項１７】
前記基板保持装置により保持された基板の変形量を検出する検出系をさらに備え、
前記調節装置は、前記検出系によって検出された前記基板の変形量に基づいて前記高さの差を調節することを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持装置、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、平板状の基板を保持する基板保持装置、平板状の基板を露光する露光方法、該基板保持装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いて露光を行うデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板（以下、「ウエハ」と総称する）上に転写する露光装置が用いられている。近年では、半導体素子の高集積化に伴い、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）等の逐次移動型の投影露光装置が主流となっている。
【０００３】
このような投影露光装置においては、２次元面内を移動可能なウエハステージが設けられており、このウエハステージ上に固定されたウエハホルダにより、ウエハが真空吸着或いは静電吸着等により保持されている。このようなウエハホルダでは、ウエハとの間に異物の挟み込みが生じるとウエハ表面に凹凸が生じ、露光の際の焦点ずれ、ひいては転写精度の劣化が発生してしまう場合がある。
【０００４】
また、このような投影露光装置では、回路パターンの微細化の要求に対応するため解像力の向上が至上命題となっている。そのため、投影光学系の開口数（Ｎ．Ａ．）を大きくする大Ｎ．Ａ．化が進んでいるが、その大Ｎ．Ａ．化は、投影光学系の焦点深度の狭小化を招く。したがって、投影光学系の大Ｎ．Ａ．化に対応するためには、ウエハホルダとウエハとの間の異物の挟み込みを回避することが重要となる。
【０００５】
最近では、ウエハホルダとウエハとの間の異物の挟み込みを回避するため、様々なウエハホルダが提案されている。例えば、特許文献１などに開示されている多数のピン状の支持部材（以下、「ピン」という）によりウエハを支持するピンチャック式のウエハホルダが比較的多く用いられるようになってきた。かかるピンチャック式のウエハホルダによれば、前述の異物挟み込みの発生をほぼ確実に抑制することが可能である。
【０００６】
半導体素子は、ウエハ上に複数層のパターンを重ね合わせて製造されるため、ウエハはプロセスの進行に伴って、次第に変形する。このため、ウエハホルダには、ベアウエハだけでなく、様々なプロセスを経て、ある程度変形したウエハが載置されることとなる。したがって、前述の焦点深度の狭小化に対応するためには、ピンチャック式のウエハホルダにおいても、ウエハを矯正、或いはウエハの平面精度を維持したうえでそのウエハを保持するのが望ましい。なお、ここで、「プロセス」とは、露光工程などを含む半導体素子等の製造プロセスを指す。
【特許文献１】特開平１−１２９４３８号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、平板状の基板（Ｗ）を保持する基板保持装置であって、本体部の所定面積の領域上にそれぞれの先端部が略同一平面上に配置され、前記各先端部によって前記基板を支持可能な突起状の複数の第１支持部（３２Ａ）と；前記基板を支持可能で、その支持状態で、前記基板が外気に開放されている外気開放部と前記各第１支持部によって支持された部分との境界を形成し、前記各第１支持部とともに前記基板を支持する先端部の少なくとも一部の高さが前記各第１支持部の先端部の高さと異なるように設定された第２支持部（３２Ｂ，３２Ｃ）と；を備える基板保持装置（７０）である。
【０００８】
これによれば、本体部が有する複数の突起状の第１支持部と、第２支持部とによって平板状の基板が支持されるが、外気開放部近傍の第２支持部の先端部の少なくとも一部の高さは、複数の第１支持部の先端部の高さと異なるように設定されている。このように、基板を支持する高さを、基板の大部分を支持する複数の第１支持部と外気開放部近傍の第２支持部とで異なるようにしておけば、基板の形状に適合した形でその基板を支持することができるようになるため、結果的に、プロセスを経て様々な形に変形した基板であっても、平面精度を維持した状態で保持することができるようになる。なお、本明細書において、「外気開放部」とは、基板の裏面が外気中に開放されている部分を指し、例えば、基板の外周部付近や、基板を脱着するための脱着機構によって支持される基板の部分などを指す。
【０００９】
この場合、請求項２に記載の基板保持装置のごとく、前記各第１支持部の先端部と前記第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差が、支持対象である前記基板の変形に応じて決定されていることとすることができる。
【００１０】
かかる場合には、複数の第１支持部の先端部と第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差が、支持対象である基板の変形に応じて決定されているので、基板の変形状態によらず、複数の第１支持部と第２支持部とによって平坦性良く（平面精度を高く維持した状態で）基板を支持することが可能となる。
【００１１】
上記請求項１又は２に記載の基板保持装置において、請求項３に記載の基板保持装置のごとく、前記第２支持部の先端部の少なくとも一部の高さが、前記各第１支持部の先端部の高さより低く設定されていることとすることができる。かかる場合には、第２支持部の先端部の少なくとも一部の基板に対向する部分の高さが、各第１支持部の先端部より低く設定されていることにより基板と対向する第２支持部との間に生じる隙間のため、たとえ支持対象の基板の第２支持部に対向する部分がプロセスにより第２支持部に対して離れる方向に局所的に変形していた場合でも、基板を吸着した際にその基板の変形した部分は第２支持部に近づく方向に矯正されるので、複数の第１支持部と第２支持部とによって平坦性良く（平面精度を高く維持した状態で）基板を支持することが可能となる。
【００１２】
上記請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項４に記載の基板保持装置のごとく、前記各第１支持部の先端部と前記第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差が調節可能であることとすることができる。
【００１３】
かかる場合には、各第１支持部の先端部と第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差が調節可能であることから、基板の変形状態に応じてその高さの差を調節することにより、基板の変形状態によらず複数の第１支持部と第２支持部とによって平坦性良く（平面精度を高く維持した状態で）基板を支持することが可能となる。
【００１４】
上記請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項５に記載の基板保持装置のごとく、前記第２支持部は、前記領域の外側を取り囲む第１隔壁と、前記基板を着脱するための着脱機構を前記領域から突出及び退避可能とするために前記領域内に設けられた開口部の周辺を取り囲む第２隔壁との少なくとも一方を有することとすることができる。
【００１５】
この場合、請求項６に記載の基板保持装置のごとく、前記第２支持部は、前記第１隔壁上及び前記第２隔壁上の少なくとも一方に配設された複数の突起部をさらに有することとすることができる。かかる場合には、第２支持部と基板との接触面積を少なくすることができるため、それらの間に異物が挟み込まれる確率を極めて小さくすることができる。
【００１６】
この場合、請求項７に記載の基板保持装置のごとく、前記第２支持部は、前記複数の突起部が配設された前記第１隔壁及び前記第２隔壁を有し、前記第１隔壁上の複数の突起部の先端部の少なくとも一部の高さと、前記第２隔壁上の複数の突起部の先端部の少なくとも一部の高さとが互いに異なるように設定されていることとすることができる。
【００１７】
このように、第１隔壁上の複数の突起部の先端部の少なくとも一部の高さと、第２隔壁上の複数の突起部の先端部の少なくとも一部の高さとを異なるようにし、それぞれが支持する箇所の変形に応じた高さに設定すれば、基板の変形により適合した状態で基板を支持することができるようになる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、平板状の基板を露光する露光方法であって、前記基板を支持する複数の突起状の第１支持部の先端部と、前記各第１の支持部によって支持された部分よりも外気に開放されている前記基板の部分を支持する第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差を、プロセスの進行による前記基板の変形に応じた差としたうえで前記基板を保持する第１工程と；前記第１工程で保持された基板を露光する第２工程と；を含む露光方法である。
【００１９】
これによれば、第１工程において、第１支持部の先端部と第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差を、プロセスの進行による前記基板の変形に応じた差としたうえで基板を支持する。このようにすれば、プロセスの進行により変形した基板の形状に、より適合した形でその基板を支持することができるようになるため、プロセスを経て様々な形に変形した基板を、その平面精度を維持しながら支持することができる。そのため、第２工程において、平坦度良く支持された基板に対し、高精度な露光を実現することができる。
【００２０】
この場合において、請求項９に記載の露光方法のごとく、前記第１工程では、予め用意した前記高さの差がそれぞれ異なる複数の基板保持装置の中から、前記基板の変形に応じた前記高さの差を有する基板保持装置を選択し、選択した基板保持装置を用いて前記基板を保持することとすることができるし、請求項１０に記載の露光方法のごとく、前記第１工程では、前記高さの差を調整可能な基板保持装置を用い、前記高さの差を前記基板の変形に応じた差に調整して前記基板を保持することとすることもできる。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、パターンを、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板保持装置と；前記基板保持装置に保持された基板を移動するために前記基板保持装置を駆動するステージ装置と；を備える露光装置である。
【００２２】
これによれば、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板保持装置によって基板が保持されているため、その基板が平面精度を良好に維持するように支持される。そして、ステージ装置により駆動される基板保持装置上に平坦度良く支持された基板に対して投影光学系を介してパターンが転写される。よって、この場合、基板上の露光領域（被露光領域）を、投影光学系の焦点深度内に高精度に合致させることが容易となり、デフォーカスに起因するパターンの転写精度の劣化が殆どない、高精度な露光が可能となる。
【００２３】
この場合、請求項１２に記載の露光装置のごとく、前記高さの差が異なる複数の前記基板保持装置を備えることとすることができる。
【００２４】
この場合、請求項１３に記載の露光装置のごとく、前記複数の基板保持装置の中から選択された１つの基板保持装置を前記ステージ装置に搬送する搬送系をさらに備えることとすることができる。かかる場合には、基板保持装置を手動で転写位置に設置する必要がなくなるため、基板保持装置を転写位置に設置するための作業者の負担が軽減されるとともにその設置時間を短縮することができる。
【００２５】
上記請求項１２又は１３に記載の露光装置において、請求項１４に記載の露光装置のごとく、前記複数の基板保持装置の中から、前記基板の変形に応じた前記高さの差を有する基板保持装置を選択する選択装置をさらに備えることとすることができる。かかる場合には、複数の基板保持装置の中から、基板保持装置を自動的に選択することができるようになるため、基板保持装置を選択するための作業者の負担を軽減することができるとともに、その選択のために要する時間を短縮することができる。
【００２６】
上記請求項１４に記載の露光装置において、請求項１５に記載の露光装置のごとく、前記基板の変形に応じた前記高さの差を算出する算出装置をさらに備えることとすることができる。
【００２７】
請求項１６に記載の発明は、パターンを、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、請求項４に記載の基板保持装置と；前記各第１支持部の先端部と前記第２支持部の先端部の少なくとも一部との高さの差を調節する調節装置と；を備える露光装置である。
【００２８】
かかる場合には、各第１支持部の先端部と第２支持部の少なくとも一部の先端部との高さの差が調節可能な基板保持装置と、それらの高さの差を調節する調節装置とを備えていることから、調節装置により基板の変形状態に応じてその高さの差を調節することにより、基板の変形状態によらず複数の第１支持部と第２支持部とによって平坦性良く（平面精度を高く維持した状態で）基板を支持することが可能となる。このため、基板保持装置を何種類も備える必要がなく、その分コストの削減が可能となるとともに、その複数の基板保持装置の格納スペースも不要となるため、装置の小型化を図ることも可能となる。
【００２９】
この場合、請求項１７に記載の露光装置のごとく、前記基板保持装置により保持された基板の変形量を検出する検出系をさらに備え、前記調節装置は、前記検出系によって検出された前記基板の変形量に基づいて前記高さの差を調節することとすることができる。
【００３０】
かかる場合には、第２支持部の先端部の少なくとも一部の高さと第１支持部の先端部との高さの差を自動的に調整することができるようになるため、その差を調整するための作業者の負担を軽減することができるとともにその調整時間を短縮することができる。
【００３１】
請求項１８に記載の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うデバイス製造方法である。
【００３２】
これによれば、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置によって露光が行われるため、デフォーカスに起因するパターンの転写精度の劣化が殆どない高精度な露光が可能となるので、高集積度のデバイスの生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の一実施形態について、図１〜図５に基づいて説明する。
【００３４】
図１には、本発明の一実施形態に係る露光装置１００の概略構成が示されている。この露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置である。この露光装置１００は、照明系１０、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、基板としてのウエハＷが搭載されるステージ装置５０、及びこれらの制御系等を備えている。
【００３５】
照明系１０は、例えば特開平６−３４９７０１号公報などに開示されるように、光源、オプティカル・インテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）あるいは回折光学素子等）などを含んで構成される照度均一化光学系、リレーレンズ、可変ＮＤフィルタ、レチクルブラインド、及びダイクロイックミラー等（いずれも不図示）を含んで構成されている。
【００３６】
この照明系１０は、回路パターン等が描かれたレチクルＲ上のレチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域部分をエネルギビームとしての照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとしては、ＫｒＦエキシマレーザ光（出力波長２４８ｎｍ）などの遠紫外光、ＡｒＦエキシマレーザ光（出力波長１９３ｎｍ）、あるいはＦ2レーザ光（出力波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光などが用いられる。照明光ＩＬとして、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）を用いることも可能である。
【００３７】
レチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系１０の光軸（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で微少駆動可能であるとともに、所定の走査方向（ここではＹ軸方向とする）に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【００３８】
レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位置は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１６によって、移動鏡１５を介して、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置情報はステージ制御装置１９及びこれを介して制御装置としての主制御装置２０に供給される。ステージ制御装置１９では、主制御装置２０からの指示に応じ、レチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部（不図示）を介してレチクルステージＲＳＴを駆動制御する。ここで、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反射面（移動鏡１５の反射面に相当）を形成しても良い。
【００３９】
投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸの方向がＺ軸方向とされている。投影光学系ＰＬとしては、例えば両側テレセントリックで所定の縮小倍率（例えば１／４又は１／５）を有する屈折光学系が使用されている。このため、照明系１０からの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（部分倒立像）が表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハＷ上に形成される。
【００４０】
ステージ装置５０は、ウエハステージＷＳＴ、該ウエハステージＷＳＴ上に設けられたウエハホルダ７０、これらウエハステージＷＳＴ及びウエハホルダ７０を駆動するウエハステージ駆動部２４等を備えている。
【００４１】
ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図１における下方で、不図示のベース上に配置され、ウエハステージ駆動部２４を構成する不図示のリニアモータ等によってＸＹ方向へ駆動されるＸＹステージ３１と、該ＸＹステージ３１上に載置され、ウエハステージ駆動部２４を構成する不図示のＺ・チルト駆動機構によって、Ｚ軸方向、及びＸＹ面に対する傾斜方向（Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向））へ微小駆動されるＺ・チルトステージ３０とを備えている。このＺ・チルトステージ３０上にウエハＷを保持する基板保持装置としてのウエハホルダ７０が搭載されている。なお、ウエハホルダ７０は、真空吸着によりＺ・チルトステージ３０上に保持されている。
【００４２】
図２には、ウエハホルダ７０を＋Ｚ側からみたときの平面図が示されており、図３には、ウエハホルダ７０のＡ−Ａ線断面図が示されている。図２では、ウエハホルダ７０上にウエハＷが保持されていない状態となっているが、図３では、ウエハホルダ７０上にウエハＷが保持されている状態となっている。ウエハホルダ７０は、図２の平面図に示されるように、円形板状の本体部としてのベース部２６、該ベース部２６の上面（図２における紙面手前側の面）の中央部の所定面積の領域に所定の間隔で設けられた複数の第１支持部としての突起状のピン３２Ａ，３２Ａ，……、これら複数のピン３２Ａが配置された前記領域を取り囲む状態で外周縁近傍に設けられた環状の第１隔壁としての凸部（以下、「リム部」と称する）２８等を備えている。リム部２８上には、複数の第２支持部の一部としての突起状のピン３２Ｂ，３２Ｂ, ……、が所定の間隔で設けられている。
【００４３】
ベース部２６の中央部近傍には、その中心（ホルダセンタ）との距離が等しいほぼ正三角形の各頂点の位置に３つの貫通孔８４が形成されている。これらの貫通孔８４それぞれには、円柱形状を有し、上下方向（図２における紙面直交方向）に可動な上下動ピン（センタアップ）３４ａ，３４ｂ，３４ｃが挿入されており、これら３つのセンタアップ３４ａ〜３４ｃは、図１のウエハステージ駆動部２４を構成する不図示の上下動機構を介して、上下方向（Ｚ軸方向）に同時に同一量だけ、昇降（上下動）されるようになっている。また、図示していないが、センタアップ３４ａ〜３４ｃの上下動機構は少なくとも一部がＸＹステージ３１に設けられ、センタアップ３４ａ〜３４ｃはウエハホルダ７０の３つの貫通孔８４に対応してＺ・チルトステージ３０に設けられる３つの貫通孔にも挿入されている。図３には、ウエハＷが、センタアップ３４ａ〜３４ｃに支持された状態が図示されている（ただし、紙面より手前に配置されているセンタアップ３４ｃは、図示されていない）。ウエハロード、ウエハアンロード時には、センタアップ３４ａ〜３４ｃが上下動機構により駆動されることで、センタアップ３４ａ〜３４ｃによってウエハＷを下方から支持したり、その状態でウエハＷを上下動させたりすることができるようになっている。
【００４４】
センタアップ３４ａ〜３４ｃを取り囲む状態で、センタアップ３４ａ〜３４ｃが挿入された貫通孔８４と、ピン３２Ａが配置された領域とを隔てる第２隔壁としてのリム部３５Ａ〜３５Ｃが、それぞれ設けられている。それらリム部３５Ａ〜３５Ｃ上にも、第２支持部の一部としての複数の突起状のピン３２Ｃが所定の間隔で設けられている。
【００４５】
図３に示されるように、リム部２８及びリム部３５Ａ〜３５Ｃは、ベース部２６の上面よりも＋Ｚ側に突出している。ロードされたウエハＷは、真空吸着時には、複数のピン３２Ａの先端部と、リム部２８及びリム部３５Ａ〜３５Ｃ上に設けられた複数のピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部によって支持されるようになる。本実施形態では、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部のＺ軸方向の高さは、ピン３２Ａの先端部のＺ軸方向の高さよりも約２〜３μｍ低くなるように設定されている。
【００４６】
なお、ウエハホルダ７０は、低熱膨張率の材料、例えばセラミックス等のある程度弾性を有する材料より形成されており、全体として円盤状のセラミックス等の材料の表面をエッチングすることによって、底面部を構成する円形板状のベース部２６と、リム部２８，３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ及び複数のピン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃとが一体的に形成されたものとなっている。
【００４７】
また、ベース部２６の上面には、図２に示されるように、複数の給排気口３６が、ベース部２６上面の中心部近傍から放射状（ほぼ１２０°の中心角の間隔を有する３本の半径線の方向）に、所定間隔で形成されている。これら給排気口３６も、ピン３２Ａと干渉しない位置に形成されている。給排気口３６は、それらの直下の配管をそれぞれ介してベース部２６内部に形成された給排気路３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃにそれぞれ接続され、これらの給排気路３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃが後述する給排気機構８０を構成する給排気枝管４０ａ、４０ｂ、４０ｃと連通している。
【００４８】
上述のようにして構成されたウエハホルダ７０には、図２に示されるように、ウエハホルダ７０上に載置され、複数のピン３２Ａ等によって下方から支持されたウエハＷを、吸着保持するために、そのウエハＷと、ベース部２６と、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ等で囲まれた領域を真空状態とする真空吸着機構を含む給排気機構８０が接続されている。
【００４９】
給排気機構８０は、第１真空ポンプ４６Ａ、真空室４６Ｂａ及び第２真空ポンプ４６Ｂｂ、並びに給気装置４６Ｃと、これら第１真空ポンプ４６Ａ、真空室４６Ｂａ及び第２真空ポンプ４６Ｂｂ、並びに給気装置４６Ｃを給排気路３８Ａ〜３８Ｃにそれぞれ接続する給排気管４０とを備えている。
【００５０】
給排気管４０は、給排気本管４０ｄと、該給排気本管４０ｄの一端から３つに枝分かれした前述の給排気枝管４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、給排気本管４０ｄの他端から３つに枝分かれした第１排気枝管４０ｅ、第２排気枝管４０ｆ、給気枝管４０ｇとから構成されている。
【００５１】
前記第１排気枝管４０ｅの給排気本管４０ｄとは反対側の端部には、電磁弁（電磁バルブ）Ｖ１を介して第１真空ポンプ４６Ａが接続されている。また、前記第２排気枝管４０ｆの給排気本管４０ｄとは反対側の端部には、電磁弁Ｖ２を介して真空室４６Ｂａの一端部が接続されている。この真空室４６Ｂａの他端部には、第２真空ポンプ４６Ｂｂが接続されている。また、前記給気枝管４０ｇの給排気本管４０ｄとは反対側の端部には、電磁弁Ｖ３を介して給気装置４６Ｃが接続されている。
【００５２】
また、図示は省略されているが、給排気本管４０ｄの一部には、給排気管４０内部の気圧を計測するための気圧計が接続されている。この気圧計による計測値は図１の主制御装置２０に供給され、主制御装置２０は、気圧計による計測値とウエハＷのロード、アンロードの制御情報とに基づいて、各電磁弁Ｖ１〜Ｖ３の開閉と、真空ポンプ４６Ａ，４６Ｂｂ及び給気装置４６Ｃの動作とを制御するようになっている。なお、これらの動作については、後に更に詳述する。
【００５３】
本実施形態では、第１真空ポンプ４６Ａ、電磁弁Ｖ１、給排気管４０、給排気路３８Ａ〜３８Ｃ、及び給排気口３６にそれぞれ接続された配管によって吸着機構としての真空吸着機構が構成されている。
【００５４】
前記給排気路３８Ａ〜３８Ｃについて、図３に示される給排気路３８Ａを代表的に採り上げて簡単に説明する。この給排気路３８Ａは、ベース部２６の外周面からベース部２６の中心部近傍にかけて半径方向（Ｘ軸方向）に沿って形成された幹路８８Ａと、該幹路８８Ａから半径方向に所定間隔を隔てて、それぞれ＋Ｚ方向に分岐された複数（ここでは５つ）の分岐路８６Ａ1〜８６Ａ5とから成る通路である。この場合、分岐路８６Ａ1〜８６Ａ5の上端の開口端それぞれが、前述した給排気口３６となっている。なお、残りの２つの給排気路３８Ｂ，３８Ｃも給排気路３８Ａと同様の構成となっている。
【００５５】
すなわち、ピン３２Ａ等によってウエハＷが支持された状態で、真空吸着機構が動作すると、ウエハＷとベース部、リム部２８、３５Ａ〜３５Ｃによって囲まれた領域の気体がその真空吸着機構の真空ポンプによって、給排気口３６、給排気路３８Ａ〜３８Ｃを介して吸い出され、その領域が減圧状態となる。すると、大気圧によってウエハＷが−Ｚ側に押しつけられ、ウエハホルダ７０に真空吸着されるようになる。なお、ウエハＷの裏面のうち、ウエハＷとベース部２６、リム部２８、３５Ａ〜３５Ｃによって囲まれた領域以外の裏面、すなわち外気圧空間に開放されている部分を外気開放部と呼ぶ。本実施形態では、センタアップ３４ａ〜３４ｃによって支持される部分や、リム部２８の外側のわずかな部分が外気開放部に相当する。なお、本実施形態ではリム部２８の外径がウエハＷの半径よりも僅かに小さくなるようにウエハホルダ７０が構成されているものとしたが、リム部２８の外径がウエハＷの半径と同一、あるいはウエハの半径よりも僅かに大きくなる（但し、リム部２８の内径はウエハＷの半径よりも小さくなる）ようにウエハホルダ７０を構成してもよい。この場合、ウエハＷ、ベース部２６、及びリム部２８、３５Ａ〜３５Ｃによって規定され、内部の気体が排出される減圧空間以外、即ちリム部２８の外側、及びリム部３５Ａ〜３５Ｃの内側が外気開放部となる。また、上述の真空吸着動作については、後に更に詳述する。
【００５６】
図１に戻り、ＸＹステージ３１は、走査方向（Ｙ軸方向）の移動のみならず、ウエハＷ上で２次元に配列される複数のショット領域をそれぞれ走査露光するために、走査方向に直交する非走査方向（Ｘ軸方向）にも移動可能に構成されており、ウエハＷ上の各ショット領域を走査（スキャン）露光する動作と、次ショットの露光のための加速開始位置まで移動する動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作を行う。
【００５７】
ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での位置（Ｚ軸回りの回転（θｚ回転）を含む）は、Ｚ・チルトステージ３０の上面に設けられた移動鏡１７を介して、ウエハレーザ干渉計システム１８によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。ここで、実際には、Ｚ・チルトステージ３０上には、例えば図２に示されるように、走査方向（Ｙ軸方向）に直交する反射面を有するＹ移動鏡１７Ｙと非走査方向（Ｘ軸方向）に直交する反射面を有するＸ移動鏡１７Ｘとが設けられ、これに対応してウエハレーザ干渉計システム１８もＹ移動鏡１７Ｙに垂直に干渉計ビームを照射するＹ干渉計と、Ｘ移動鏡１７Ｘに垂直に干渉計ビームを照射するＸ干渉計とが設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡１７、ウエハレーザ干渉計システム１８として示されている。なお、ウエハレーザ干渉計システム１８のＹ干渉計及びＸ干渉計は、測長軸を複数有する多軸干渉計であり、これらの干渉計によって、ウエハステージＷＳＴ（より正確には、Ｚ・チルトステージ３０）の回転（θｚ回転(ヨーイング)、Ｙ軸回りの回転であるθｙ回転（ピッチング）、及びＸ軸回りの回転であるθｘ回転（ローリング））も計測されている。なお、Ｘ、Ｙ移動鏡１７Ｘ，１７Ｙは、Ｚ・チルトステージ３０と別の部材に反射面を形成してＺ・チルトステージ３０に固定したものでも良いし、あるいはＺ・チルトステージ３０の端面（側面）に反射面を形成したものでも良い。
【００５８】
ウエハレーザ干渉計システム１８によって検出されたウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）はステージ制御装置１９、及びこれを介して主制御装置２０に供給される。ステージ制御装置１９では、主制御装置２０からの指示に応じ、ウエハステージＷＳＴの上記位置情報（又は速度情報）に基づき、ウエハステージ駆動部２４を介してウエハステージＷＳＴの位置を制御する。
【００５９】
本実施形態の露光装置１００では、図１に示されるように、主制御装置２０によってオン・オフが制御される光源を有し、投影光学系ＰＬの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を、光軸ＡＸに対して斜め方向より照射する照射系６０ａと、それらの結像光束のウエハＷ表面での反射光束を受光する受光系６０ｂとから成る斜入射方式の多点焦点位置検出系から成る焦点位置検出系が設けられている。なお、本実施形態の焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）と同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例えば特開平６−２８３４０３号公報等に開示されている。
【００６０】
主制御装置２０の指示の下、ステージ制御装置１９では、後述する走査露光時等に、受光系６０ｂからの焦点ずれ信号（デフォーカス信号）、例えばＳカーブ信号に基づいて焦点ずれが零となるように、ウエハステージ駆動部２４を介してＺ・チルトステージ３０及びウエハホルダ７０のＺ軸方向への移動、及び２次元の傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）を制御する。すなわち多点焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）を用いてＺ・チルトステージ３０及びウエハホルダ７０の移動を制御することにより、照明光ＩＬの照射領域（照明領域と結像関係）内で投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実行する。本実施形態では、主制御装置２０、ステージ制御装置１９及びウエハステージ駆動部２４によって、焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）の検出結果に基づいて、ウエハホルダ７０を光軸ＡＸ方向及び光軸ＡＸに直交する面に対する傾斜方向に駆動する駆動装置が構成されている。
【００６１】
次に、本実施形態の露光装置１００におけるウエハホルダ７０に対するウエハＷのロード時及びアンロード時における動作について説明する。
【００６２】
ウエハＷのロードに際しては、図２の電磁弁Ｖ１〜Ｖ３は全て閉じられており、給排気機構８０による給気動作及び排気動作はオフされている。
【００６３】
不図示のウエハローダにより、ウエハＷがウエハホルダ７０上方に搬送されると、主制御装置２０の指示の下、ステージ制御装置１９が不図示の上下動機構を介してセンタアップ３４ａ〜３４ｃを上昇させる。ここでセンタアップ３４ａ〜３４ｃの上昇量が所定量に達すると、ウエハローダ上のウエハＷがセンタアップ３４ａ〜３４ｃに受け渡され、ウエハローダがウエハホルダ７０上方から退避する。その後、ステージ制御装置１９がセンタアップ３４ａ〜３４ｃを下降することにより、ウエハホルダ７０上にウエハＷが載置される。
【００６４】
上記のようにしてウエハホルダ７０上にウエハＷが載置されると、主制御装置２０は、図２の高速排気用の真空室４６Ｂａに通じる電磁弁Ｖ２を開いて、ベース部２６、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ、及びウエハＷで囲まれた空間内の気体を高速に吸引（排気）する。この際、本実施形態では、スループットの向上を図るため、真空室４６Ｂａを使用することによって吸引圧力を、例えば−８００ｈＰａ程度と高く（高度な真空状態に）設定している。
【００６５】
このようにして、ウエハＷを高速に吸着保持することでウエハロードが終了する。その後、主制御装置２０は、図２の電磁弁Ｖ２を閉じ、通常時に使用する第１真空ポンプ４６Ａに通じる電磁弁Ｖ１を開く。これ以降は第１真空ポンプ４６Ａの吸引力によりウエハＷが吸着保持されることとなる。
【００６６】
ここで、ウエハＷをウエハホルダ７０で吸着保持してから、ウエハＷを取り出すまでの間は、ウエハステージＷＳＴの移動等によりウエハＷが横ずれしてアライメント精度等に悪影響を与えない程度の吸引圧力（吸着力）があれば良く、本実施形態では、真空吸着によるウエハＷの変形を最小限に抑えるように、通常使用する第１真空ポンプ４６Ａによる吸引圧力を、例えば−２６６．５ｈＰａ〜−３３３．２ｈＰａ程度と低く（低度の真空状態に）設定している。また、ウエハＷをウエハホルダ７０上に載置する場合とそれ以外の動作を行う場合とで吸引圧力を異ならせることで、ウエハロードに要する時間を短縮できる。
【００６７】
一方、ウエハＷをアンロードするに際しては、主制御装置２０は、まず、図２の電磁弁Ｖ１を閉じ、吸着動作をオフする。次いで、主制御装置２０は、センタアップ３４ａ〜３４ｃを所定量上昇するとともに、給気弁Ｖ３を開き、ウエハＷの底面に向けて気体を吹き付ける。これにより、上述の真空状態が直ちに解除される。
【００６８】
センタアップ３４ａ〜３４ｃが所定量上昇すると、ピン３２Ａ等にて支持されているウエハＷがセンタアップ３４ａ〜３４ｃに受け渡され、不図示のウエハアンローダがウエハＷの下側に入り込むとともに、センタアップ３４ａ〜３４ｃが下降することで、センタアップ３４ａ〜３４ｃからウエハアンローダにウエハＷが受け渡される。そして、ウエハアンローダがウエハホルダ７０上から退避することにより、ウエハアンロードが終了する。
【００６９】
このように、ウエハＷをウエハホルダ７０からアンロードする際にウエハＷの底面に気体を吹き付けることにより、ウエハＷのアンロード時間が短縮されることになる。
【００７０】
なお、照明光ＩＬとして真空紫外光等を使用する場合には、照明光ＩＬの光路上の気体をヘリウム等の照明光に対して透過性の高い気体で置換するが、このような場合には、ウエハＷの底面に吹き付ける気体も、照明光ＩＬに対して透過性の高い気体とすることが望ましい。また、ウエハＷの底面に吹き付ける気体の量は、ウエハＷが浮き上がらないような微小量とすることが望ましい。なお、ウエハＷのアンロード時に必ずしも気体の吹き付けを行わなくてもよい。
【００７１】
上述したような動作によって、ウエハＷのウエハホルダ７０へのロード、アンロードが実行されるが、その際、ウエハホルダ７０にロードされるウエハＷは、ベアのウエハだけではなく、様々なプロセスを経たウエハである場合もある。そのようなウエハは、プロセスの影響により、変形している場合が多く、例えば、中心から円周部（外縁部）に向かって反りあがっていたり、中心がその周辺部に比べて盛り上がっていたりする場合がある。このようなウエハの変形は、プロセスが進むにつれて大きくなっていく。
【００７２】
本実施形態では、ウエハホルダ７０に備えられた複数のピン３２Ａ，３２Ｂ，３２ＣによってウエハＷが支持されるようになるが、外気開放部近傍にあるピン３２Ｂ及びピン３２Ｃの先端部の高さは、真空吸着が行われる領域に配設されたピン３２Ａの先端部の高さよりも低くなるように設定されている。なお、図３では、ピン３２Ａの高さを示す線を一点鎖線で示しており、ピン３２Ｂ，３２Ｃの高さを示す線を点線で示している。
【００７３】
このように、外気開放部近傍にあるピン３２Ｂ及びピン３２Ｃの先端部が、ピン３２Ａの先端部の高さよりも低くなるように設定されていると、ピン３２Ａの先端部にウエハＷが接触しても、ピン３２Ｂ及びピン３２Ｃの先端部とウエハＷとの間にはわずかな隙間が生じる。この状態で、ピン３２Ａによって支持された部分の真空吸着を行うと、大気圧等の外気の圧力の作用によってウエハＷが吸着されるが、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示されるように、同時に、ウエハＷが外気に開放されている外気開放部から前述の隙間を通過してピン３２Ａによって支持された部分へ向かう気流が発生し、その隙間に負圧が生じる。すると、この負圧と大気圧との作用によってその隙間を形成するウエハＷの部分がリム部２８，３５Ａ〜３５Ｃにより近づくように変形する。したがって、例えば、ウエハＷがプロセスを経て変形し、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部に対応する部分が反りあがって（盛り上がって）いたとしても、その部分は、前述の負圧等の作用によって、ウエハホルダ７０側に矯正され、そのウエハＷの反りあがり（盛り上がり）を平らに矯正することができる。
【００７４】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）には、ウエハＷの変形が上述の作用により、矯正された状態が示されている。図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示されるように、プロセスを経て変形されたウエハＷは平らに矯正されており、ウエハＷの平面精度が向上しているのがわかる。また、ウエハＷが平らに矯正されていたとしても、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さは、ピン３２Ａの先端部の高さよりも低く設定されているため、ピン３２Ｂ，３２ＣとウエハＷとの間の隙間が保たれ、上述の負圧等によるウエハＷの矯正力が維持されてウエハＷの平坦度が保たれるほか、ピン３２Ｂ，３２ＣとウエハＷとが直接接触しないため、ピン３２Ｂ，３２Ｃを境界とするウエハＷに対する真空吸着力の違いにより、ピン３２Ｂ，３２Ｃを支点として、ウエハＷが反りあがったり、盛り上がったりするのを防止することができる。また、仮に、ウエハＷの矯正力によりウエハＷがピン３２Ｂ，３２Ｃに接触する程度に折り曲げられたとしても、ウエハＷの平坦度は、ピン３２Ａの先端部とピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さｈ以内に収まるようになる。
【００７５】
次に、本実施形態の露光装置１００における走査露光動作について簡単に説明する。
【００７６】
本実施形態の露光装置１００によると、通常のスキャニング・ステッパと同様に、レチクルアライメント、不図示のアライメント系のベースライン計測、並びにＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）等のウエハアライメント等の所定の準備作業の後、以下のようにしてステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
【００７７】
すなわち、ステージ制御装置１９は、主制御装置２０の指示の下、ウエハアライメントの結果に基づいて、ウエハホルダ７０に保持されたウエハＷ上の第１ショット領域（ファーストショット）の露光のための加速開始位置にウエハステージＷＳＴを移動する。そして、ステージ制御装置１９では、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとのＹ軸方向の相対走査を開始して、ウエハＷ上のファーストショットの走査露光を行い、ファーストショットにレチクルＲの回路パターンを、投影光学系ＰＬを介して縮小転写する。
【００７８】
ここで、上記の走査露光中には、照明光ＩＬの照射領域（投影光学系ＰＬに関して照明領域と共役な露光領域）内でウエハＷ上の各ショット領域の表面が投影光学系ＰＬの結像面に実質的に一致した状態で露光が行われる必要があるため、前述した焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）の出力に基づくオートフォーカス、オートレベリングが主制御装置２０により実行されている。
【００７９】
このようにして、ファーストショットの走査露光が終了すると、主制御装置２０からの指示に応じ、ステージ制御装置１９により、ウエハステージＷＳＴがＸ軸方向にステップ移動され、セカンドショット（第２番目のショット領域）の露光のための加速開始位置に移動される。そして、主制御装置２０の管理の下、セカンドショットに対して上記と同様の走査露光が行われる。
【００８０】
このようにして、ウエハＷ上のショット領域の走査露光とショット領域間のステッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハＷ上の全ての露光対象ショット領域にレチクルＲの回路パターンが順次転写される。
【００８１】
以上詳細に説明したように、本実施形態では、ウエハホルダ７０の本体部が有する複数の突起状のピン３２Ａとリム部２８上のピン３２Ｂ及びリム部３５Ａ〜３５Ｃ上のピン３２ＣとによってウエハＷが支持されるが、外気開放部近傍のピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さは、ピン３２Ａの先端部の高さよりも低くなるように設定されているため、外気圧の作用によってその隙間を形成するウエハＷの部分が矯正されるので、そのウエハＷの反りや盛り上がりを平らに矯正することができる。
【００８２】
なお、本実施形態では、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さを、ピン３２Ａの先端部の高さよりも低くしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さを、ピン３２Ａの先端部の高さよりも高くしても良い。例えば、ウエハＷの周辺部又はセンタアップ３４ａ〜３４ｃ周辺の反りが非常に大きい場合には、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さを、ピン３２Ａの先端部の高さよりも低くすると、リム部２８又はリム部３５Ａ〜３５Ｃとの隙間が大きくなり過ぎてしまい、却って真空吸着率が低下してしまうという不都合が発生する。そこで、このようなウエハＷを吸着するには、場合によっては、ピン３２Ｂ，３２Ｃの高さを、ピン３２Ａの高さよりも高くするようにしても良い。
【００８３】
すなわち、本発明では、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さは、ピン３２Ａの先端部の高さと異なるように設定されていれば良い。プロセスを経たウエハは、真空吸着される部分（減圧空間内）と外気開放部付近との吸着力の違いなどにより変形するため、ウエハＷを支持する高さを、真空吸着される部分と外気開放部付近とで異なるようにしておけば、ウエハＷの形状に適合した形でそのウエハＷを支持することができるようになる。このようにすれば、プロセスを経て様々な形に変形したウエハＷを各ピン３２Ａ〜３２Ｃで平面精度を維持した状態で支持することができるようになる。
【００８４】
なお、本実施形態では、ピン３２Ｂの先端部の高さと、ピン３２Ｃの先端部の高さとは、必ずしも同じでなくてもよく、保持するウエハＷの形状に合わせた高さとなっていれば良い。例えば、ウエハＷの中央部の盛り上がりが、ウエハＷの縁の反りあがりよりも大きい場合には、ピン３２Ｃの先端部の高さを、ピン３２Ｂの先端部の高さよりも高くしても良い。このような場合には、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂの先端部の高さの差と、ピン３２Ｂの先端部の高さの差とを異ならしめることができるようになり、外周部付近でのウエハの変形量と、中央部付近でのウエハの変形量とに違いがある場合には、それぞれの先端部の高さの差を、その部分での変形量に応じたものとすることができるので有利である。
【００８５】
また、本実施形態では、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さを全てピン３２Ａの先端部の高さと異なるようにしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、ピン３２Ａの先端部の高さと、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さとの差が、保持するウエハの形状に適合するようになっていれば良い。すなわち、ウエハの外気開放部付近のごく一部だけが反りあがっているかあるいは盛り上がっているような場合には、その一部に対応するピン３２Ｂ，３２Ｃの少なくとも一部の先端部の高さが、ピン３２Ａの先端部の高さと異なるようになっているだけでも良い。
【００８６】
また、本実施形態では、リム部２８の高さとリム部３５Ａ〜３５Ｃの高さとを同じにしたが、これらは異なっていてもよい。このようにしても、ウエハの外周部と中央部とで変形量が異なる場合に対応することができる。
【００８７】
また、本実施形態のウエハホルダ７０は、リム部２８の上にピン３２Ｂを有し、リム部３５Ａ〜３５Ｃの上にピン３２Ｃを有していたが、リム部２８の上にピン３２Ｂが配設されていなくても良く、リム部３５Ａ〜３５Ｃの上にピン３２Ｃが配設されていなくても良い。この場合には、ピンが配設されていないリム部（２８又は３５Ａ〜３５Ｃ）の上部が、ウエハに相対する部分となるため、このリム部（２８又は３５Ａ〜３５Ｃ）の上部の少なくとも一部の高さが、ピン３２Ａの先端部の高さと異なっていれば良い。また、この場合でも、リム部２８の高さとリム部３５Ａ〜３５Ｃの高さとを異なるように設定してもよい。このようにすれば、それらとピン３２Ａの先端部との高さの差を、その部分でのウエハの変形量に応じたものとすることができる。
【００８８】
また、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃが必ずしも配設されている必要はなく、ピン３２Ｂ，３２Ｃは、ピン３２Ａと同様に、ベース部２６上にそのまま配設されるようにしても良い。この場合でも、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の少なくとも一部の高さは、ピン３２Ａの高さと異なっている必要がある。なお、この場合には、ウエハホルダ７０の真空吸着性を維持するために、ピン３２Ｂ，３２Ｃの配置をさらに密にするのが望ましい。
【００８９】
いずれにしても、本実施形態では、外気に開放されている部分周辺でウエハＷを支持する部分の一部の高さを、ピン３２Ａの先端部の高さと異ならしめることにより、保持するウエハの形状に適合するようになっていれば良い。なお、このとき、本実施形態のように、ピン３２Ｂ，３２ＣとウエハＷとの間に隙間ができるようになっていなくても良い。隙間がなくても、ピン３２Ｂ，３２Ｃの高さがウエハの形状に適合するようになっていれば、少なくともウエハの現状の平面精度を維持することができるからである。
【００９０】
なお、本実施形態の露光装置１００において、ウエハホルダ７０のピン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さの差は固定となっているため、１台のウエハホルダ７０を備えただけでは、様々なウエハの変形に対応することは実質的に困難である。そこで、露光装置１００或いは、その露光装置１００が動作する半導体製造ラインにおける基板処理システムにおいて、ウエハホルダ７０と構成がほぼ同一で、ピン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さの差がそれぞれ異なっている何種類かの複数のウエハホルダを、例えば露光装置１００の内部あるいはクリーンルーム内の収納装置に用意しておき、それらのウエハホルダの中から露光対象であるウエハの変形量に応じたウエハホルダを選択し、まず、選択したウエハホルダをＺ・チルトステージ３０上に装着してから、ウエハをロードして上述した走査露光動作を実行するようにしても良い。なお、ここでいう基板処理システムとは、複数の露光装置を備え、例えばリソグラフィ工程の各プロセスを管理するホストコンピュータの指示によって、それらの露光装置が協調して露光動作を実行するリソグラフィシステムのことである。露光装置１００は、通常このような基板処理システムの一露光装置として、他の露光装置とともに、ホストコンピュータからの指示によりウエハの露光動作を行っている。
【００９１】
なお、複数のウエハホルダから、ウエハの変形に適合した形状を有するウエハホルダを選択するには、まず、ウエハの変形量を計測する必要がある。そこで、このような基板処理システムでは、複数の露光装置の他に、プロセスにより変形したウエハの変形量を計測する計測装置を備えていても良い。このような計測装置で計測されたウエハの計測量の情報は、例えばその計測装置とホストコンピュータとを繋ぐＬＡＮなどのネットワークを介して、ホストコンピュータに送信され、ウエハのプロセス管理情報とともに、例えばホストコンピュータが管理するデータベース等に格納される。そして、ホストコンピュータにより、あるウエハの露光が、露光装置１００で行われるような工程がスケジューリングされたとすると、ホストコンピュータから露光装置１００（この装置も前述のネットワークに接続されているものとする）に対し、そのウエハの露光指示（処理するウエハの識別番号などがこの指示に含まれている）が送信されるとともに、そのウエハの変形に関する情報が前述のデータベースから読み出されて送信される。
【００９２】
露光装置１００の主制御装置２０は、受信したウエハの変形に関する情報を、例えば不図示の表示装置などに表示すると、オペレータは、表示された情報を参照して、複数のウエハホルダの中から、ウエハの変形に最も適合するウエハホルダを選択し、そのウエハホルダを露光装置１００のＺ・チルトステージ３０上に装着し（前回の露光に用いられたウエハホルダがＺ・チルトステージ３０に搭載されたままであればそのウエハホルダと交換）、この装着完了後、露光対象のウエハが露光装置１００に搬送され、そのウエハの形状に最も適合するウエハホルダ上に真空吸着（ロード）された後、そのウエハの露光が上述したように実行される。このようにすれば、ウエハを吸着保持するウエハホルダの形状は、常にプロセスの進行によるウエハの変形に応じたものとなるので、様々な変形を有するウエハに対応することができる。なお、ウエハの変形量を計測しないで、例えばオペレータがウエハを見てウエハホルダの選択を行うだけでも良い。
【００９３】
なお、上述のウエハホルダの交換等の作業は、オペレータ等の手作業により行っても良いが、主制御装置２０による制御により自動化するようにしても良い。図６（Ａ）には、露光装置１００の本体チャンバ１２をＸＹ面に平行な面に沿って切断した場合の断面図が示されている。図６（Ａ）に示されるように、本体チャンバ１２内には、図１に示される主制御装置２０や照明系１０の一部などを除く各構成要素（図６（Ａ）では、ウエハステージＷＳＴのみ図示されている）の他に、主制御装置２０の制御により動作するウエハホルダ搬送系１３２、ウエハホルダの収納装置１１６が備えられている。ウエハホルダ搬送系１３２は、多関節ロボットであり、支柱９４に備えられた駆動部９２をはじめとする各関節に備えられた回転モータ等の駆動部の回転駆動により、アーム９０上に載置されるウエハホルダを搬送する搬送系である。なお、駆動部９２の駆動により、アーム９０は、上下方向（Ｚ軸方向）にも移動可能となっている。
【００９４】
図６（Ｂ）には、収納装置１１６の一例の斜視図が示されている。図６（Ｂ）に示されるように、この収納装置１１６は、土台部１２０の上に設けられた本体ケース１２２の中に、１４段の収納棚１２６が設けられており、各収納棚１２６にそれぞれウエハホルダを格納可能となっている。なお、それぞれのウエハホルダの収納位置は予め決められており、例えば、一番上の棚から順番に、識別番号１番、２番・・・１４番のウエハホルダというように収納されているものとする。また、図６（Ｂ）に示されるように、この収納装置１１６には、パーティクルが除去されたクリーンな雰囲気ガス（例えばドライエア）を収納棚１２６に供給できるように、給気管１３０及びエア噴出機構１２４が設けられているが、これらは設けられていなくても良い。また、収納棚１２６の数は１４段には限られない。
【００９５】
なお、ウエハステージＷＳＴには、ウエハホルダを支持した状態で、上下動可能な上下動機構１６１（ウエハＷにとってのセンタアップ３４ａ〜３４ｃに相当、図６（Ａ）では図示せず、図７（Ａ）参照）を有しているものとする。
【００９６】
前述のように、オペレータが、複数のウエハホルダの中から、ウエハの変形に最も適合するウエハホルダを選択し、主制御装置２０の不図示のキーボード等の入力装置により、選択するウエハホルダを指定すると、主制御装置２０は、ウエハホルダの交換作業を実行する。なお、ここでは、ウエハステージＷＳＴ上には、指定されていたウエハホルダでなく、別のウエハホルダが搭載されているものとする。
【００９７】
まず、主制御装置２０は、ステージ制御装置１９を介して前述の上下動機構１６１を上昇させ、その上下動機構１６１によって、ウエハホルダをＺ・チルトステージ３０から浮かせた状態で支持させる。そして、主制御装置２０は、ウエハホルダ搬送系１３２を駆動し、そのアーム９０をウエハホルダの下に進入させる（図６（Ａ）では、このときのウエハホルダ搬送系１３２の状態が点線で示されている）。この状態で、主制御装置２０の指示により、上下動機構１６１を下降させると、ウエハホルダはアーム９０に支持される。
【００９８】
次に、主制御装置２０は、ウエハホルダ搬送系１３２を駆動して、そのアーム９０を、ウエハホルダを支持したまま、収納装置１１６の前まで移動させる（図６（Ａ）では、このときのウエハホルダ搬送系１３２の状態が実線で示されている）。そして、主制御装置２０の指示により、アーム９０が、支持するウエハホルダがかつて収納されていた収納棚１２６のＺ軸方向に関する位置に移動し、アーム９０をその収納棚に進入させる。各収納棚１２６には、アーム９０の厚みよりも厚い例えば２枚の板状のスペーサが底面に設置されている。主制御装置２０は、アーム９０を収納棚１２６に進入させた後、アーム９０を収納棚１２６に接触しない程度に下降させ、ウエハホルダをそのスペーサに支持させた後、アーム９０を収納棚１２６から退避させる。
【００９９】
次に、主制御装置２０は、指定されたウエハホルダが収納されている収納棚１２６の高さにアーム９０を移動させ、アーム９０をその収納棚１２６の底面とウエハホルダとの間に進入させ、アーム９０をわずかに上昇させて、収納されているウエハホルダを上段の収納棚１２６に接触させることなくスペーサから浮かせた状態で支持し、アーム９０をその収納棚から退避させる。そして、主制御装置２０は、アーム９０をＺ・チルトステージ３０の上に移動させ、前述の上下動機構１６１を、ステージ制御装置１９を介して上昇させ、アーム９０が支持しているウエハホルダを上下動機構１６１によって支持させた後、アーム９０を退避させる。そして、主制御装置２０の指示によるステージ制御装置１９の制御により、上下動機構１６１が下降して、ウエハホルダがＺ・チルトステージ３０に載置され、ウエハホルダの自動交換が完了する。なお、主制御装置２０は、このとき載置しているウエハホルダの識別番号を、後の交換動作のときのために不図示の記憶装置に記憶しておくようにする。また、このシステムでは、ウエハホルダを搬送する専用のウエハホルダ搬送系１３２を本体チャンバ１２内に設置するものとしたが、この搬送系の役割の全て又はその一部を、ウエハをロード、アンロードするウエハローダ、ウエハアンローダに代行させるようにしても良い。また、収納装置１１６の各収納棚１２６に、本体チャンバ１２の外部からウエハホルダをオペレータが収納できるように、本体チャンバ１２及び収納装置１１６に開閉扉を設置するようにしても良い。
【０１００】
なお、上述の説明では、入出力装置に表示されたウエハの変形に関する情報に基づいて、オペレータがウエハホルダを選択したが、主制御装置２０が、ホストコンピュータから送信されたウエハの変形に関する情報に基づいて、複数のウエハホルダの中から、自動的にウエハホルダを選択するようにしても良い。例えば、主制御装置２０の前述の記憶装置の中に、ウエハの変形に関する情報と、その変形量に最も適合するウエハホルダの識別番号とが対応付けられたテーブルを記憶しておき、選択装置としての主制御装置２０が、ホストコンピュータからウエハの変形に関する情報を受信すると、その情報に基づいて、そのウエハの形状に最も合致するウエハホルダをそのテーブルを参照して検出し、上述のウエハホルダ交換動作を行うようにすれば良い。
【０１０１】
また、このウエハホルダの選択の際に、算出装置としての主制御装置２０は、送信されるウエハの変形に関する情報から、そのウエハに適合するピン３２Ａの先端部とピン３２Ｂの先端部の高さの差と、ピン３２Ａの先端部とピン３２Ｃの先端部との高さの差とを算出し、前述の記憶装置に記憶されたウエハホルダのそれらの高さの差が記憶されているテーブルを参照し、算出された高さの差に対応する最適なウエハホルダを選択するようにしても良い。例えば、ウエハの変形に関する情報に含まれるウエハＷの外縁部の反りあがりや盛り上がりの高さと、ウエハＷを矯正するのに要する吸引力を生みだすのに必要な、ピン３２Ａの先端部とピン３２Ｂの先端部の高さの差と、ピン３２Ａの先端部とピン３２Ｃの先端部との高さの差との関係式を求めておき、その関係式に基づいてそれらの高さの差を主制御装置２０において算出するようにすれば良い。
【０１０２】
なお、上述の例では、露光装置１００内に複数のウエハホルダを用意するとしたが、基板処理システム全体で複数のウエハホルダを管理し、システム内の複数の露光装置で、それらのウエハホルダを共通して用いるようにしても良い。
【０１０３】
また、必ずしも、複数のウエハホルダを用意し、真空吸着するウエハＷの形状に適合したウエハホルダを選択する必要はなく、ウエハホルダのピン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃを例えば圧電素子等のアクチュエータによってＺ軸方向に移動又は伸縮可能にし、ピン３２Ａとピン３２Ｂとの先端部の高さの差と、ピン３２Ａとピン３２Ｃとの先端部の高さの差を調整可能とするようにしても良い。さらに、このようなウエハホルダを適用し、前述のアクチュエータによって各ピン３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃの高さを、例えば、調節装置としての主制御装置２０の制御により、真空吸着するウエハＷの形状に合わせて調整するようにしても良い。このようにすることによって、各ピン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの高さの差を調節可能な１つのウエハホルダだけで、プロセスに応じて様々に変形したウエハを、精度良く真空吸着することが可能となり、高さの差が異なるウエハホルダを何種類も備える必要がなくなるため、露光装置１００のコストを削減することができるとともに、その複数のウエハホルダの格納スペース（例えば図６（Ｂ）に示される収納装置１１６）も不要となるため、露光装置１００の小型化を図ることもできる。なお、ピン３２Ａとピン３２Ｂ，ピン３２Ｃとの少なくとも一方を可動としてその高さの差を調整するものとしたが、リム部２８、３５Ａ〜３５Ｃのみ、ピン３２Ａが配置されるリム部２８の内部の領域のみ、あるいはその両方をＺ軸方向に可動としても良い。
【０１０４】
また、この場合、露光装置１００では、ウエハホルダ７０により保持されたウエハＷの変形量を、照射系６０ａと、受光系６０ｂとから成る多点焦点位置検出系を用いて検出するようにしても良い。この検出系によって検出されたウエハの変形に関する情報は、主制御装置２０に送信され、主制御装置２０が、その情報に基づいて前述したアクチュエータを駆動し、ピン３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さをウエハの変形に適合するように調整するようにしても良い。
【０１０５】
また、上記実施形態では、主制御装置２０は、選択装置、算出装置及び調節装置の各機能の少なくとも一部を担うものとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、主制御装置２０以外、例えば外付けの装置や、前述のホストコンピュータ、あるいは基板処理システムに接続されるサーバなどにそれらの役割（機能）を与えるようにしても良い。
【０１０６】
図７（Ａ）には、ウエハホルダ交換を自動的に行う際の制御系のブロック図の一例が示されている。図７（Ａ）に示されるように、ウエハホルダ交換動作の制御系は、主制御装置２０を中心に構成されており、主制御装置２０の制御により、ウエハホルダ搬送系１３２が、ウエハホルダをＺ・チルトステージ３０上あるいは収納装置１１６に搬送する。主制御装置２０は、ステージ制御装置１９を介してウエハレーザ干渉計システム１８から得られる位置情報によってＺ・チルトステージ３０の位置を把握し、ステージ制御装置１９を介してウエハホルダを支持する上下動機構１６１を上昇あるいは下降させる。なお、主制御装置２０は、ウエハホルダ搬送系１３２の各関節に取り付けられた回転モータのエンコーダなどから得られるそれらの回転情報に基づいて、ウエハホルダ搬送系１３２の姿勢制御を行い、上述の交換動作を実行する。
【０１０７】
図７（Ｂ）には、ピン３２Ａ〜３２Ｃの高さの差を調節可能な場合の制御系のブロック図の一例が示されている。図７（Ｂ）に示されるように、ピン３２Ａ〜３２Ｃの制御系は、主制御装置２０を中心に構成されている。ウエハがロードされると、焦点位置検出系６０ａ，６０ｂによって、そのウエハの各部分（例えばマトリクス状にウエハ上に配置された複数の検出点）のＺ軸方向に関する位置情報が検出され、主制御装置２０に送信される。主制御装置２０は、その位置情報に基づいて、ウエハＷのピン３２Ｂ，３２Ｃの位置に対応する反りあがり（盛り上がり）の変形量を算出し、駆動装置１５０を介してピン３２Ｂ，３２Ｃのアクチュエータ（１５１，１５２）をそれぞれ駆動して、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の高さを調整し、ピン３２Ａとピン３２Ｂ及びピン３２Ａとピン３２Ｃの高さの差をウエハＷの反りあがり（盛り上がり）を適度に矯正できる差とする。
【０１０８】
なお、ホルダは、その本体の表面を加工してピンやリム部を形成した後、例えばホルダ本体と同一又は異なる材料でその表面をコーティングした上で最終仕上げを行うようにして形成されたものであっても良い。また、上記実施形態では、図２に示したように、ウエハホルダの中心部近傍から放射方向に沿って配列される複数の給排気口３６をほぼ１２０°間隔で設けるものとしたが、本発明がこれに限定されるものではなく、例えば複数の給排気口３６を井桁状に配列してもよい。さらに、本実施形態では、リム部２８とリム部３５Ａ〜３５Ｃとにそれぞれピン３２Ｂ，ピン３２Ｃを設けるものとしたが、リム部２８とリム部３５Ａ〜３５Ｃとの一方のみにピンを設けるだけでもよい。また、上記実施形態ではウエハのロード及びアンロード時にセンタアップ３４ａ〜３４ｃを上下動させるものとしたが、その代わりに、あるいはそれと組み合わせて、ウエハホルダ７０を上下動させてもよい。さらに、上記実施形態ではウエハホルダを、例えば真空吸着にてウエハステージＷＳＴ（Ｚ・チルトステージ３０）に固定するものとしたが、例えばＺ・チルトステージ３０を加工してその一部にウエハホルダを形成しても良い。また、上記実施形態ではウエハなどの円形基板を保持するホルダを用いるものとしたが、基板保持装置で保持する基板は円形に限られるものではなく、例えば矩形基板などでもよい。さらに、上記実施形態では、本発明の基板保持装置がウエハホルダに採用される場合について説明したが、本発明の基板保持装置はこれに限られるものではなく、例えば反射型レチクルではその裏面側をレチクルホルダにて保持するので、このようなレチクルホルダに対して本発明を適用することとしてもよい。
【０１０９】
なお、上記実施形態では、光源としてＦ2レーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等の真空紫外域のパルスレーザ光源、ＫｒＦエキシマレーザ光源（出力波長２４８ｎｍ）などの遠紫外光源を用いるものとしたが、これに限らず、Ａｒ2レーザ光源（出力波長１２６ｎｍ）などの他の真空紫外光源を用いても良い。また、例えば、真空紫外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限らず、ＤＦＢ（Distributed Feedback、分布帰還）半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【０１１０】
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式、ステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置（静止型露光装置）にも本発明は好適に適用できる。また、例えば国際公開ＷＯ９９／４９５０４などに開示される、投影光学系ＰＬとウエハとの間に液体が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用してもよい。液浸型露光装置は、反射屈折型の投影光学系を用いる走査露光方式でもよいし、あるいは投影倍率が１／８の投影光学系を用いる静止露光方式でもよい。後者の液浸型露光装置では、基板上に大きなパターンを形成するために、上述のステップ・アンド・スティッチ方式を採用することが好ましい。さらに、例えば特開平１０−２１４７８３号公報及びこれに対応する米国特許第６，３４１，００７号、あるいは国際公開ＷＯ９８／４０７９１号及びこれに対応する米国特許第６，２６２，７９６号などに開示されているように、それぞれ独立に可動な２つのウエハステージを有する露光装置にも本発明を適用してよい。
【０１１１】
なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより、上記実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１１２】
また、上記実施形態では、本発明が半導体製造用の露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、薄膜磁気へッド、撮像素子、マイクロマシン、有機ＤＬ、ＤＮＡチップなどを製造するための露光装置などにも本発明は広く適用できる。
【０１１３】
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。
【０１１４】
さらに、上記実施形態では、本発明の基板保持装置が露光装置に適用された場合について説明したが、上述のようなプロセスによって変形するウエハを保持しそのウエハの変形を精度良く保持する必要があるのであれば、露光装置以外の検査装置、加工装置などの装置であっても、本発明の基板保持装置を好適に適用することができる。
【０１１５】
《デバイス製造方法》
次に上述した露光装置１００をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【０１１６】
図８には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されている。図８に示されるように、まず、ステップ２０１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【０１１７】
次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立てステップ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。このステップ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０１１８】
最後に、ステップ２０６（検査ステップ）において、ステップ２０５で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１１９】
図９には、半導体デバイスにおける、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図９において、ステップ２１１（酸化ステップ）においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４（イオン打ち込みステップ）においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１２０】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステップ）において、上で説明したウエハホルダを用いたリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、次に、ステップ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０１２１】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１２２】
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上記実施形態の露光装置が用いられるので、精度良くレチクルのパターンをウエハ上に転写することができる。この結果、高集積度のデバイスの生産性（歩留まりを含む）を向上させることが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
以上説明したように、本発明の基板保持装置は、半導体素子、液晶表示素子等が形成される基板を保持するのに適しており、本発明の露光方法及び装置は、半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程に適しており、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１のウエハホルダと、該ウエハホルダに接続された給排気機構を示す平面図である。
【図３】ウエハホルダの断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、ウエハホルダのウエハの外縁部付近の断面図であり、図４（Ｂ）は、ウエハホルダのセンタアップ近傍の断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、ウエハが矯正された状態でのウエハホルダのウエハの外縁部付近の断面図であり、図５（Ｂ）は、ウエハが矯正された状態でのウエハホルダのセンタアップ近傍の断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、本体チャンバをＸＹ面に平行な面に沿って切断した場合の断面図であり、図６（Ｂ）は、ウエハホルダの収納装置を示す斜視図である。
【図７】図７（Ａ）は、ウエハホルダ自動交換を行う制御系のブロック図であり、図７（Ｂ）は、ピンの高さを調整可能なウエハホルダを用いる場合の制御系のブロック図である。
【図８】本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図９】図８のステップ２０４の詳細を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２５】
２０…主制御装置（選択装置、算出装置、調節装置）、２６…ベース部、２８…リム部（第１隔壁）、３２Ａ…ピン（第１支持部）、３２Ｂ，３２Ｃ…ピン（第２支持部）、３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ…リム部（第２隔壁）、６０ａ，６０ｂ…焦点位置検出系（検出系）、７０…ウエハホルダ（基板支持装置）、１３２…ウエハホルダ搬送系（搬送系）、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
2005277117.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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