(57)【要約】【課題】サージ耐量を増大させることができるチップ型サージアブソーバを提供することにある。【解決手段】絶縁基板２に放電間隙５を介して互いに対向配置されて設けられた放電電極３，４と、各放電電極３，４の基端部を含む絶縁基板２の外周部上にその周縁部を接着した蓋体６とを備えたチップ型サージアブソーバ１において、絶縁基板２表面に溝部１０が形成され、この溝部１０が、最深部から溝幅が上方に向けて漸次拡がるように形成された一対の対向状態の傾斜面１０ａを有し、各放電電極３，４が、放電間隙５を溝部１０の最深部に配して傾斜面１０ａに形成されている。【選択図】        図１
2005038624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に放電間隙を介して互いに対向配置されて設けられた一対の放電電極と、
前記各放電電極の基端部を含む前記絶縁基板の外周部上に、その周縁部が接着された蓋体とを備えたチップ型サージアブソーバであって、
前記絶縁基板表面に溝部が形成され、
前記溝部が、最深部から溝幅が上方に向けて漸次拡がるように形成された一対の対向状態の傾斜面を有し、
前記各放電電極が、前記放電間隙を前記溝部の最深部に配して前記傾斜面に形成されていることを特徴とするチップ型サージアブソーバ。
【請求項２】
請求項１記載のチップ型サージアブソーバにおいて、
前記溝部は、断面Ｖ字状溝とされていることを特徴とするチップ型サージアブソーバ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サージから種々の電子機器等を保護し、事故を未然に防ぐために使用されるチップ型サージアブソーバに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
サージアブソーバは、電話機やモデム等の電子機器が通信線と接続する部分、或いはＣＲＴ駆動回路など、雷サージや静電気等の異常電圧による電撃を受け易い部分に接続され、外部から浸入する異常電圧によって電子機器が破壊されるのを防ぐために使用されている。
【０００３】
従来のチップ型サージアブソーバ（例えば特許文献１参照）は、図５に示すように、アルミナ等により形成される絶縁基板２１の表面に対向配置された放電電極２２，２３と、放電電極２２，２３同士の間に形成されるマイクロギャップと称される放電間隙２４とを備えている。これら放電電極２２，２３は、ガラス等の絶縁材料により箱状に形成された蓋体２６に覆われており、この蓋体２６は、その周縁部が絶縁基板２１上に接着されている。そして、放電電極２２，２３と蓋体２６との間に形成された内部空間２５に、放電に好適な所定のガスが満たされる。また、蓋体２６及び絶縁基板２１の両端部には、これら両端部を被覆するように端子電極２７，２８が設けられており、これらの端子電極２７，２８は各々、各放電電極２２，２３に接続されている。
【０００４】
そして、放電電極２２，２３同士の間に、放電間隙２４を介してサージ電圧が流れた際には、図５の符号ａで示すように、グロー放電が放電間隙２４を介して放電電極２２，２３の先端側同士の間でトリガされる。そして、この放電は、矢印ｂで示すように、空間２５内を沿面放電の形態で両放電電極２２，２３の基端側まで次第に伸展し、その後、符号ｃで示すように、両放電電極２２，２３の基端側同士の間でアーク放電する。以上により、サージ電圧が吸収されるようになっている。
ところで、このようなチップ型サージアブソーバにおいては、高い信頼性及び耐久性を実現するために、高いサージ電圧にも耐え得る構成であることが要請されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−０４３０２２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のチップ型サージアブソーバによれば、グロー放電がトリガされた後、この放電が空間２５内を沿面放電の形態で両放電電極２２，２３の基端側まで伸展するが、放電電極２２と放電電極２３とが同一平面内に設けられているため、放電が放電電極２２，２３の上方近傍で発生する。従って、放電電極２２，２３は高温になり易く、この熱により変質等が発生し易いという問題があった。このため、チップ型サージアブソーバの放電開始電圧が変化し易い、すなわちサージ耐量が低下し易く、前記要請に応えることが困難であるという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、サージ耐量を増大させることができるチップ型サージアブソーバを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明のチップ型サージアブソーバは、絶縁基板に放電間隙を介して互いに対向配置されて設けられた一対の放電電極と、前記各放電電極の基端部を含む前記絶縁基板の外周部上に、その周縁部が接着された蓋体とを備えたチップ型サージアブソーバであって、前記絶縁基板表面に溝部が形成され、前記溝部が、最深部から溝幅が上方に向けて漸次拡がるように形成された一対の対向状態の傾斜面を有し、前記各放電電極が、前記放電間隙を前記溝部の最深部に配して前記傾斜面に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このチップ型サージアブソーバでは、各放電電極が、絶縁基板表面に形成された前記溝部の傾斜面に、前記放電間隙を当該溝部の最深部に配して形成されているので、サージ電圧が印加され、放電間隙を介して放電電極の先端部間でグロー放電がトリガされた後に、この放電が放電電極の基端部にまで伸展する過程において、この放電がなされる面領域が、溝部の最深部から上方に向けて伸展し、漸次遠ざかることになる。従って、放電電極の基端部間に形成されるアーク放電は、互いに離間した面領域間で形成されることになり、放電が放電電極表面から離れて発生する。これにより、電極に熱による変質等が発生することを最小限に抑制することができ、放電開始電圧の変化を抑制するとともに、サージ耐量の低下を抑制することができる。
また、各放電電極は、グロー放電がトリガされた後に、アーク放電が形成されるまでの過程において、対向した面間で放電が生じることになるので、サージ耐量の増大を確実に実現することができる。
【００１０】
また、本発明のチップ型サージアブソーバは、請求項１記載のチップ型サージアブソーバにおいて、前記溝部は、断面Ｖ字状溝とされていることを特徴とする。
【００１１】
このチップ型サージアブソーバでは、容易かつ高精度に形成することができるとともに、請求項１記載の作用を確実に有することになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るチップ型サージアブソーバの第一実施形態を、図１，図２を参照しながら説明する。
図１に示す本実施形態のチップ型サージアブソーバ１は、アルミナ等からなる絶縁基板２に、放電間隙５を介して互いに対向配置されて設けられた放電電極３，４と、ガラス等の絶縁材料からなる蓋体６と、絶縁基板２及び蓋体６の両端部を被覆するＡｇ等からなる端子電極８，９とを備えている。ここで、放電電極３，４は、Ａｌ，Ｔｉ，ＳｎＯ２，Ｗ，Ｎｉ，Ｎｂ，ＴｉＮ，Ｂａ，Ｃｕ，若しくはＦｅ、またはこれらの材料のうち２つ以上を含有する合金材料により形成されている。
【００１３】
絶縁基板２の表面には、この基板２の両端部２ａ，２ａから、これらの端部２ａ，２ａ同士の間の中央部に向かうに従い漸次下方に傾斜した傾斜面１０ａが、前記中央部で連続する構成とされた断面Ｖ字状の溝部１０が形成されている。放電電極３，４は、溝部１０の各傾斜面１０ａ上に、先端部３ｂ，４ｂが溝部１０の最深部に放電間隙５を介して互いに対向配置されるように設けられている。すなわち、溝部１０は、最深部から溝幅が上方に向けて漸次拡がるように形成された一対の対向状態の傾斜面１０ａを有し、この傾斜面１０ａ上に、各放電電極３，４が、放電間隙５を溝部１０の最深部に配して形成された構成となっている。これにより、サージ電圧が印加され、放電間隙５を介して各放電電極３，４の先端部３ｂ，４ｂ同士の間でグロー電圧がトリガされた後に、この放電が放電電極３，４の基端部３ａ，４ａにまで伸展する過程において、この放電がなされる面領域が、溝部１０の最深部から上方に向けて伸展し、漸次遠ざかるようになっている。
【００１４】
そして、この放電電極３，４は、これらの基端部３ａ，４ａが、絶縁基板２及び蓋体６の外端面まで延在するとともに、端子電極８，９と接続され、さらに、この放電電極３，４の基端部３ａ，４ａ及び絶縁基板２の外周部上に絶縁性接着剤を介して蓋体６が被着された構成となっている。
この構成において、絶縁基板２と蓋体６との間には、内部空間７が形成されており、この内部空間７に、放電に好適な所定のガスが充填され、放電電極３，４及び放電間隙５は前記所定のガス雰囲気に晒されるようになっている。
【００１５】
以上説明したように、本実施形態によるチップ型サージアブソーバ１によれば、各放電電極３，４が、絶縁基板２の表面に形成された溝部１０の傾斜面１０ａに、放電間隙５を溝部１０の最深部に配して形成されているので、サージ電圧が印加され、放電間隙５を介して放電電極３，４の先端部３ｂ，４ｂ間でグロー放電がトリガされた後に、この放電が放電電極３，４の基端部３ａ，４ａにまで伸展する過程において、この放電がなされる面領域が、溝部１０の最深部から上方に向けて伸展し、漸次遠ざかることになる。
【００１６】
従って、各放電電極３，４の基端部３ａ，４ａ間に形成されるアーク放電は、互いに離間した面領域間で形成されることになり、放電が放電電極３，４表面から離れて発生する。これにより、電極に熱による変質等が発生することを最小限に抑制することができ、放電開始電圧の変化を抑制するとともに、サージ耐量の低下を抑制することができる。
また、各放電電極３，４は、グロー放電がトリガされた後に、アーク放電が形成されるまでの過程において、対向した面間で放電が生じることになるので、サージ耐量の増大を確実に実現することができる。
【００１７】
次に、この発明の第二実施形態について図３に従い説明する。なお、前述の第一実施形態によるチップ型サージアブソーバと同一部位には同一符合を付しその説明及び図示を省略する。
【００１８】
図３に示すチップ型サージアブソーバの絶縁基板３３の表面には、傾斜面３０ａが下方に凸となる曲面状とされた溝部３０が形成されている。放電電極３１，３２は、溝部３０の傾斜面３０ａ上に、先端部３１ｂ，３２ｂが溝部３０の最深部に放電間隙５を介して互いに対向配置されるように設けられている。すなわち、溝部３０は、最深部から溝幅が上方に向けて漸次拡がるように形成された一対の対向状態の傾斜面３０ａを有し、この傾斜面３０ａ上に、各放電電極３１，３２が、放電間隙５を溝部３０の最深部に配して形成された構成となっている。これにより、サージ電圧が印加され、放電間隙５を介して各放電電極３１，３２の先端部３１ｂ，３２ｂ同士の間でグロー電圧がトリガされた後に、この放電が放電電極３１，３２の基端部３１ａ，３２ａにまで伸展する過程において、この放電がなされる面領域が、溝部３０の最深部から上方に向けて伸展し、漸次遠ざかるようになっている。
【００１９】
以上説明したように、本実施形態によるチップ型サージアブソーバによれば、各放電電極３１，３２が、絶縁基板３３の表面に形成された溝部３０の傾斜面３０ａに、放電間隙５を溝部３０の最深部に配して形成されているので、前記第一実施形態と同様の作用，効果を有することになる。
【００２０】
次に、この発明の第三実施形態について図４に従い説明する。なお、前述の第一，第二実施形態によるチップ型サージアブソーバと同一部位には同一符合を付しその説明及び図示を省略する。
【００２１】
図４に示すチップ型サージアブソーバの絶縁基板４３の表面には、傾斜面４０ａが上方に凸となる曲面状とされた溝部４０が形成されている。放電電極４１，４２は、溝部４０の傾斜面４０ａ上に、先端部４１ｂ，４２ｂが溝部４０の最深部に放電間隙５を介して互いに対向配置されるように設けられている。すなわち、溝部４０は、最深部から溝幅が上方に向けて漸次拡がるように形成された一対の対向状態の傾斜面４０ａを有し、この傾斜面４０ａ上に、各放電電極４１，４２が、放電間隙５を溝部４０の最深部に配して形成された構成となっている。これにより、サージ電圧が印加され、放電間隙５を介して各放電電極４１，４２の先端部４１ｂ，４２ｂ同士の間でグロー電圧がトリガされた後に、この放電が放電電極４１，４２の基端部４１ａ，４２ａにまで伸展する過程において、この放電がなされる面領域が、溝部４０の最深部から上方に向けて伸展し、漸次遠ざかるようになっている。
【００２２】
以上説明したように、本実施形態によるチップ型サージアブソーバによれば、各放電電極４１，４２が、絶縁基板４３の表面に形成された溝部４０の傾斜面４０ａに、放電間隙５を溝部４０の最深部に配して形成されているので、前記第一実施形態と同様の作用，効果を有することになる。
【００２３】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００２４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るチップ型サージサージアブソーバによれば、各放電電極が、絶縁基板表面に形成された前記溝部の傾斜面に、前記放電間隙を当該溝部の最深部に配して形成されているので、放電電極の基端部間に形成されるアーク放電は、互いに離間した面領域間で形成されることになり、放電が放電電極表面から離れて発生する。これにより、電極に熱による変質等が発生することを最小限に抑制することができ、放電開始電圧の変化を抑制するとともに、サージ耐量の低下発生を最小限に抑制することができる。
【００２５】
また、各放電電極は、グロー放電がトリガされた後に、アーク放電が形成されるまでの過程において、対向した面間で放電が生じることになるので、サージ耐量の増大を確実に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第一実施形態において、チップ型サージアブソーバを示す一部を破断した斜視図である。
【図２】本発明に係る第一実施形態のチップ型サージアブソーバを示す縦断面図である。
【図３】本発明に係る第二実施形態において、チップ型サージアブソーバの絶縁基板及び放電電極を示す縦断面図である。
【図４】本発明に係る第三実施形態において、チップ型サージアブソーバの絶縁基板及び放電電極を示す縦断面図である。
【図５】本発明に係る従来例において、チップ型サージアブソーバを示す縦断面図である。
【符号の説明】
１  チップ型サージアブソーバ
２，２３，３３  絶縁基板
３，４、２１，２２、３１，３２  放電電極
３ａ，４ａ、３１ａ，３２ａ、４１ａ，４２ａ  放電電極の基端部
５  放電間隙
６  蓋体
１０，３０  溝部
１０ａ，３０ａ  傾斜面
【図１】
2005038624.tif 000003
【図２】
2005038624.tif 000004
【図３】
2005038624.tif 000005
【図４】
2005038624.tif 000006
【図５】
2005038624.tif 000007