(57)【要約】【課題】光電変換素子を用いた半導体露光装置の倍率補正の構成と手段を実現する。【解決手段】光電変換素子７を光軸方向に移動させるＺ駆動手段１１を有し、投影光学系６による倍率補正時に、移動した焦点位置へＺ駆動手段１１で光電変換素子７を移動させる。さらに、レチクル５を保持するレチクルステージのスキャン速度に対して、基板ステージ２のスキャン速度を制御することによって、偏倍の倍率補正も可能にし、それらを細かい領域で補正することによって、ディストーションの補正も可能にする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を原版に照射する照明光学系と、原版ステージ上の前記原版でパターン生成された光を光電変換素子に結像させる投影光学系と、前記光電変換素子で電子線に変換されたパターンを基板ステージ上の基板に結像させる電子光学系を備えてなり、前記原版ステージと前記基板ステージを同期させてスキャン駆動させながら露光を行う露光装置において、
前記光電変換素子を光軸方向に移動させる移動手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記投影光学系内部の光学素子を駆動させる手段と、前記移動手段を用いて前記光電変換素子を焦点位置に移動させる手段と、前記光電変換素子で変換した電子線を前記電子光学系で所望の基板高さ位置に焦点を合わせる手段と、前記基板ステージを移動させて所望の基板高さ位置に焦点を合わせる手段のうちの少なくともいずれか１つの手段を有し、前記少なくともいずれか１つの手段によって倍率補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記電子光学系の電磁または静電を制御して倍率補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記原版ステージのスキャン速度に対して前記基板ステージのスキャン速度を制御するスキャン速度制御手段と、前記基板ステージのスキャン速度に応じて露光量を制御する露光量制御手段とを有し、前記スキャン速度制御手段および露光量制御手段によって倍率補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
倍率補正を行うとともに、ディストーション補正をも行うことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項６】
前記原版ステージと前記基板ステージを光軸方向および垂直方向の二次元で同期させてスキャン駆動させながら露光を行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項７】
光源からの光を原版上に照射する照明系と、前記原版で生成された光パターンを光電変換素子上に投影する投影光学系と、前記光電変換素子で変換された電子線パターンを基板上に投影する電子光学系とを備えた露光装置において、
前記光電変換素子を光軸方向に移動させる移動手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
光源からの光を原版に照射する照明光学系と、原版ステージ上の前記原版でパターン生成された光を光電変換素子に結像させる投影光学系と、前記光電変換素子で電子線に変換されたパターンを前記基板ステージ上の基板に結像させる電子光学系を備えてなり、前記原版ステージと前記基板ステージを同期させてスキャン駆動させながら露光を行う露光装置を用い、前記投影光学系内部の光学素子を駆動させる工程と、移動手段を用いて前記光電変換素子を焦点位置に移動させる工程と、前記光電変換素子で変換した電子線を前記電子光学系で所望の基板高さ位置に焦点を合わせる工程と、前記基板ステージを移動させて所望の基板高さ位置に焦点を合わせる工程のうちの少なくともいずれか１つの工程を含み、前記少なくともいずれか１つの工程によって倍率補正を行う工程を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の露光装置を用いて基板に露光を行う工程と、露
光された前記基板を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などを製造する露光装置において、光マスク・レチクルでパターン生成を行い、そのパターンを光電変換素子で電子線に変換し、基板上にパターニングする露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造において、そのパターニングを行うリソグラフィの解像度への要求は高まっており、露光装置はｇ線やｉ線からエキシマレーザや極端紫外線（ＥＵＶ）と、露光光を短波長化することによって対応してきた。一方で光ではなく、荷電粒子（電子線やイオンビーム）による高解像度化も多くの研究機関で研究開発されている。その中の一つに光電変換素子を用いた露光装置がある。例えば、特開平１０−１７２８７９号公報（特許文献１）は、光源からの光を、原版となるレチクルを介しパターン生成し、光電変換面にて電子線に変換して基板上をパターニングする従来の構成について開示している。
【０００３】
図５に特許文献１で開示されている光電変換露光装置を示す。図５において、１０１はウエハなど被転写基板であり、基板１０１の表面にはレジストが塗布されている。１０２は基板１０１をステップアンドリピートまたはステップアンドスキャン駆動させるための基板ステージであり、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸、ならびに各軸周りの合計６軸制御が可能である。１０３は光源であり、エキシマレーザや水銀ランプなどを用いる。１０４は照明光学系であり、１０５は回路パターンが描かれたレチクル（マスク）である。なお、その間にはアパーチャがある。照明光学系１０４は光源１０３から照射された光をレチクル１０５のパターニング面に照明させるものである。１１２はレチクルステージでレチクル１０５をスキャン駆動させる。１０６は投影光学系であり、１０７は光電変換面である。投影光学系１０６はレチクル１０５でパターン形成された光を光電変換面１０７に結像させるものである。そして、１０８は電子光学系である。電子光学系１０８は縮小電子光学系や加速電極、収差補正光学系、回転レンズ、角度規定アパーチャ、位置補正偏向器、および焦点補正レンズから構成される。また、１０９は真空チャンバであり、電子線の部分を真空雰囲気にするために、光電変換面１０７から基板ステージ１０２までは真空チャンバ１０９の中に入れている。さらに、１１０は光透明部材であり、真空チャンバ１０９の真空隔壁をなすものである。
【０００４】
特許文献１では、図５に示した構成において、重ね合わせ精度向上のために、倍率補正の実施について述べている。その方法は、制御系が露光される基板１０１の伸縮率をあらかじめ収得し、その収縮率に基づいて、倍率制御回路を介して縮小電子光学系１０８の倍率を調整する。同時に、制御系は設定された倍率に対応した基板ステージ１０２の走査速度になるように基板ステージ制御回路の設定を変更するとともに、基板ステージ１０２のステップ移動する距離を設定された倍率に基づいて変更すると言うものである。
【特許文献１】特開平１０−１７２８７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来例では以下のような課題があった。
実際に、電子光学系で縮小倍率を変更すると、電子の性質上、収差補正が困難なため、露光転写精度が低下する。もしくは露光転写精度を低下させないように露光画角を小さくしなければならず、半導体などデバイスの生産性が低下する。
【０００６】
本発明はこのような背景技術の問題点に鑑み完成したものである。
本発明の第１の目的は、光電変換素子を用いた半導体露光装置の倍率補正の構成と手段を実現することにある。
【０００７】
本発明の第２の目的は、光電変換素子を用いた半導体露光装置の倍率補正とディストーション補正のうちの少なくともいずれかの補正の手段を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る手段は、次のとおりである。
（１）光源からの光を原版に照射する照明光学系と、原版ステージ上の前記原版でパターン生成された光を光電変換素子に結像させる投影光学系と、前記光電変換素子で電子線に変換されたパターンを基板ステージ上の基板に結像させる電子光学系を備えてなり、前記原版ステージと前記基板ステージを同期させてスキャン駆動させながら露光を行う露光装置において、前記光電変換素子を光軸方向に移動させる移動手段を有することを特徴とする。
【０００９】
（２）上記（１）に記載の発明において、前記投影光学系内部の光学素子を駆動させる手段と、前記移動手段を用いて前記光電変換素子を焦点位置に移動させる手段と、前記光電変換素子で変換した電子線を前記電子光学系で所望の基板高さ位置に焦点を合わせる手段と、前記基板ステージを移動させて所望の基板高さ位置に焦点を合わせる手段のうちの少なくともいずれか１つの手段を有し、前記少なくともいずれか１つの手段によって倍率補正を行うことを特徴とする。
【００１０】
（３）上記（１）に記載の発明において、電子光学系の電磁または静電を制御して倍率補正を行うことを特徴とする。
【００１１】
（４）上記（１）に記載の発明において、前記原版ステージのスキャン速度に対して前記基板ステージのスキャン速度を制御するスキャン速度制御手段と、前記基板ステージのスキャン速度に応じて露光量を制御する露光量制御手段とを有し、前記スキャン速度制御手段および露光量制御手段によって倍率補正を行うことを特徴とする。
【００１２】
（５）上記（２）〜（４）のいずれか１つに記載の発明において、倍率補正を行うとともに、ディストーション補正をも行うことを特徴とする。
【００１３】
（６）上記（１）〜（５）のいずれか１つに記載の発明において、前記原版ステージと前記基板ステージを光軸方向および垂直方向の二次元で同期させてスキャン駆動させながら露光を行うことを特徴とする。
【００１４】
（７）光源からの光を原版上に照射する照明系と、前記原版で生成された光パターンを光電変換素子上に投影する投影光学系と、前記光電変換素子で変換された電子線パターンを基板上に投影する電子光学系とを備えた露光装置において、前記光電変換素子を光軸方向に移動させる移動手段を有することを特徴とする。
【００１５】
（８）光源からの光を原版に照射する照明光学系と、原版ステージ上の前記原版でパターン生成された光を光電変換素子に結像させる投影光学系と、前記光電変換素子で電子線に変換されたパターンを前記基板ステージ上の基板に結像させる電子光学系を備えてなり、前記原版ステージと前記基板ステージを同期させてスキャン駆動させながら露光を行う露光装置を用い、前記投影光学系内部の光学素子を駆動させる工程と、移動手段を用いて前記光電変換素子を焦点位置に移動させる工程と、前記光電変換素子で変換した電子線を前記電子光学系で所望の基板高さ位置に焦点を合わせる工程と、前記基板ステージを移動
させて所望の基板高さ位置に焦点を合わせる工程のうちの少なくともいずれか１つの工程を含み、前記少なくともいずれか１つの工程によって倍率補正を行う工程を含むことを特徴とする露光方法。
【００１６】
（９）上記（１）から（６）のいずれかに記載の露光装置を用いて基板に露光を行う工程と、露光された前記基板を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
投影光学系による倍率補正や、原版ステージに対する基板ステージのスキャン速度を制御することによる倍率補正が可能になるため、重ね合わせ精度が向上し、半導体などデバイスの生産性を向上させることができる。また、細かい領域に分けてディストーション補正が可能なので、重ね合わせ精度が向上し、半導体などデバイスの生産性を向上させることができる。
【００１８】
さらに、光電変換素子を移動手段で光軸方向に移動させることができ、焦点位置がずれてもその補正が容易に行うことができるため、露光転写精度が向上し、半導体などデバイスの生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明を実施するための最良の形態について、原版がレチクルである場合の実施例を挙げて図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は本発明の実施例１に係る露光装置の要部を示す図である。図１において、１はウエハなど被転写基板であって、この基板１の表面にはレジストが塗布されている。２は基板１をステップアンドリピートまたはステップアンドスキャン駆動させるための基板ステージであり、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸、ならびに各軸周りの合計６軸制御が可能である。なお、基板ステージ２は基板１を保持するための基板保持部を搭載している。次に、３は光源であって、エキシマレーザや水銀ランプなどを用いる。４は照明光学系であり、５は回路パターンが描かれた原版としてのレチクル（マスク）である。照明光学系４は光源３から照射された光をレチクル５のパターニング面に照射させるものである。なお、照明光学系４には画角を制御するためのアパーチャがあるが、図１では不図示とした。さらにレチクル５は不図示のレチクルステージでスキャン駆動される。６は投影光学系であり、７はＣｓＩなどからなる光電変換素子であって、光を照射すると電子を放出するものである。投影光学系６はレチクル５でパターン形成された光を光電変換素子７に結像させるものである。そして、８は電子光学系である。レチクル５でパターン生成した光は、光電変換素子７で、光から電子線に変換され、電子光学系８を介して基板１上で結像し、レチクル５の回路パターンを基板１へ転写する。電子光学系８は、縮小電子光学系や加速電極、収差補正光学系、回転レンズ、角度規定アパーチャ、位置補正偏向器、および焦点補正レンズなどから構成される。なお、投影光学系６の縮小倍率と電子光学系８の縮小倍率は任意である。さらに、少なくとも光電変換素子７から基板１までは電子線なので、真空雰囲気にする必要がある。そこで、９は真空チャンバであり、１０は透過窓である。
【００２１】
そして光電変換素子７から基板ステージ２、および基板ステージ２を支える架台までが真空チャンバ９内に入れられている。透過窓１０は石英ガラスまたは蛍石などからなる。図１に示す装置では光源３から投影光学系６までは真空チャンバ９の外に配置したが、装置全体を真空チャンバ９の中に入れても良い。さらに、１１は光電変換素子７のＺ方向の位置決めを行うＺ駆動手段である。
【００２２】
図１に示す装置は、不図示のアライメントスコープで基板１をグローバルアライメント計測する。そうすると、基板１内の倍率補正量を求めることができる。投影光学系６で倍率補正を行うと、光電変換素子７上の結像位置がＺ方向に移動する。したがって、その移動した結像位置の量だけＺ駆動手段１１で光電変換素子７を移動させれば、レチクル５からの光を光電変換素子７に結像させることができる。さらに、光電変換素子７から放出される電子線の結像位置も移動するので、電子光学系８で磁界または静電を制御して結像位置を補正させる。もしくは電子線の結像位置が移動した分だけ基板ステージ２で基板１をＺ方向に移動させても良い。
【００２３】
ステップアンドスキャンによる露光では、レチクルステージのスキャン速度に対して、基板ステージ２のスキャン速度を変化させて倍率補正を行うことができる。例えば図２（ａ）において、矢印で示した方向（Ｘ方向）に基板１をスキャンさせながら露光すると仮定する。さらに、実線部は倍率補正を行わなかった場合つまり倍率補正前の転写領域２１とし、破線部は倍率補正したいまたは倍率補正後転写領域２２とする。また、ハッチングで示した領域は、光電変換素子７で変換された電子線が基板１に照射する電子線照射領域２３、すなわち結像領域である。このように転写領域を広げたい場合、レチクルステージのスキャン速度に対して、その倍率分だけ基板ステージ２のスキャン速度を上げるようにスキャン速度制御手段によって制御すれば良い。さらに基板ステージ２のスキャン速度を上げると、電子線の照射量が減るため、電子線の照射量を上げる必要がある。電子線の照射量は光電変換素子７への光照射量に依存するため、光電変換素子７の変換効率に従って、光の照射量を制御する。光の照射量は照明光学系４や投影光学系６にシャッタなどを設け、そのシャッタ駆動によって制御する方法が有効である。また、倍率を縮小して補正したい場合には、その反対にレチクルステージのスキャン速度に対して、基板ステージ２のスキャン速度をスキャン速度制御手段によって低速になるように制御し、光電変換素子７への光の照射量を下げるように露光量制御手段によって制御すれば良い。このように光照射量は基板ステージ２のスキャン速度の増減の比率に合わせて露光量制御手段によって制御し、さらに基板１への電子線照射量が所定内に収まるように制御する。以上の方法によれば、スキャン方向の倍率補正（偏倍の補正）が可能となる。
【００２４】
さらに、スキャン方向とは直角方向（Ｙ方向）の倍率補正（偏倍）を行う場合は、先述で説明した投影光学系６や電子光学系８で倍率補正（等倍の補正）を行い、基板ステージ２のスキャン速度をスキャン速度制御手段によって制御する。例えば、図２（ｂ）のように、実線部は倍率補正を行わなかった場合つまり倍率補正前の転写領域２１とし、破線部は倍率補正したいまたは倍率補正後転写領域２７とする。また、ハッチングで示した領域は、光電変換素子７で変換された電子線が基板１に照射する電子線照射領域２８、すなわち結像領域である。投影光学系６や電子光学系８でＹ方向の補正量に合わせて、等倍の倍率補正を行う。そして、スキャン方向（Ｘ方向）の倍率補正で説明した通り、基板ステージ２のスキャン速度を低速にし、光電変換素子７への光の照射量を下げるように露光量制御手段によって制御する。これとは反対に、Ｙ方向の補正量を小さくする場合には、投影光学系６や電子光学系８でＹ方向の補正量に合わせて、等倍の倍率補正を行い、レチクルステージのスキャン速度に対して、基板ステージ２のスキャン速度を高速にし、光電変換素子７への光の照射量を上げるように露光量制御手段によって制御すれば良い。
【００２５】
以上では投影光学系６のみでの倍率補正、スキャンのみの倍率補正、そして投影光学系６とスキャンの組み合わせによる倍率補正、電子光学系８とスキャンの組み合わせによる倍率補正についてそれぞれ説明した。倍率補正はそれだけに限定されない。
【００２６】
例えば、等倍の倍率補正は投影光学系６で行い、偏倍の倍率補正は電子光学系８で行うと言ったように、投影光学系６と電子光学系８の組み合わせによる倍率補正でも有効である。
【００２７】
または、１０ｐｐｍまでの等倍の倍率補正は電子光学系８、１０ｐｐｍ以上の等倍の倍率補正は投影光学系６という具合に、等倍の倍率補正は投影光学系６と電子光学系８でそれぞれのレンジ内で補正し、偏倍の倍率補正はスキャンで行うと言ったように、投影光学系６と電子光学系８、およびスキャンの組み合わせによる倍率補正でも有効である。
【００２８】
このように、倍率補正の手段は投影光学系６と電子光学系８、レチクルステージのスキャン速度に対する基板ステージ２のスキャン速度の三種類あり、その組み合わせによる等倍と、偏倍の倍率補正を行うことが有効である。
【実施例２】
【００２９】
図３は本発明の実施例２に係る露光装置を説明するための斜視図である。実施例１では倍率補正について説明したが、実施例２ではディストーションの補正について説明する。図３において、１２はレチクルステージであって、ＸＹ方向に二次元スキャンする。一般的に大画角での電子線の収差補正は困難であるため、例えば１ｍｍ×１ｍｍ程度と、その画角を小さくせざるを得ない。しかしながらそうすると、スキャン露光を行っても１ｍｍ×数十ｍｍと細長いパターンしかパターニングできないという課題は先述した。その課題解決のための露光は、基板ステージ２とレチクルステージ１２をそれぞれＸＹ方向に二次元同期スキャンしてパターニングし、数十ｍｍ×数十ｍｍの画角を確保することが好ましい。二次元スキャンの構成を図３で説明すると、レチクル５と光電変換素子７、および基板１上のハッチングで示した領域は、それぞれ、光または電子線の結像を表している。そして、基板１上の点で表した領域を露光ショットとした場合、レチクルステージ１２と基板ステージ２はＸＹ方向に同期して駆動しながら、基板１上を露光する。こうすることによって、ディストーションの補正は容易に行うことができるので、その方法を以下説明する。なお図３において、図１と符号が同じなものの説明は省略する。また、光源３と照明光学系４は不図示とし、点線で光と電子線の軌跡を模式的に示した。  
【００３０】
ディストーションは、露光画角周囲のスクライブライン上にあらかじめ（以前のレイヤで）パターニングしたアライメントマークをアライメントスコープで測定することによって求めることができる。まず、以前のレイヤで生じたディストーションに合わせてパターニングする方法について説明する。  
【００３１】
ディストーションには図４（ａ）の破線で示したような糸巻型ディストーション４１ａと、図４（ｂ）の破線で示したような樽型ディストーション４１ｂがある。図４において、点で表した領域を露光ショット４２とし、ハッチングで表した領域を結像部４３とする。
【００３２】
以前のレイヤで図４（ｃ）の破線にて示す領域４６が露光され、このパターンに合わせて露光するとき、点で表したパターニング領域４７を分割する。そして、Ｃｃ面、Ｃｄ面、Ｄｃ面、およびＤｄ面は補正量が小さいため、補正することなく露光しても良い。補正量が所定以上の場合には、例えば等倍の倍率補正を行う。なお、等倍の倍率補正の方法は実施例１と同様で良く、投影光学系６または／および電子光学系８で補正する。さらにその場合、結像位置が移動するのに合わせてＺ駆動手段１１で光電変換素子７を移動させ、基板ステージ２で基板１を移動させる必要がある。つぎに、Ｂｂ面はＡａ面とＡｂ面とＢａ面まで広げて露光する必要がある。この領域では等倍の倍率補正を行う。等倍の倍率補正は先述と同じ方法で補正する。そして、Ｂｅ面とＥｂ面、およびＥｅ面も同様に等倍の倍率補正を行う。次に、Ｂｃ面はＡｃ面まで広げて露光する必要がある。このような領域はＢｄ面、Ｅｃ面、Ｅｄ面、Ｃｂ面、Ｄｂ面、Ｃｅ面、およびＤｅ面も同様である。広げる向きがスキャン方向と同じの領域、あるいはその直角方向の領域に分け、実施例１と同様に、レチクルステージ１２のスキャン速度に対する基板ステージ２のスキャン速度と、
投影光学系６または／および電子光学系８を制御して偏倍の倍率補正を行えば良い。特に、実施例２ではレチクルステージ１２と基板ステージ２を二次元スキャンさせるので、広げる向きがスキャンと同じ方向になるように露光することも可能であり、そうすると、基板ステージ２のスキャン速度を制御するだけで補正ができる。
【００３３】
以上のディストーション補正によって、図４（ｄ）の点で表した領域４８のようにパターニングすることができる。なお、図４（ｃ）では６×６に分割しているが分割数はこれに限定されない。また分割の位置は図４（ｃ）のように等分布に限らず、補正の向きに揃えて分割しても良い。例えば、図４（ｃ）では補正する必要のないＣｃ面、Ｃｄ面、Ｄｃ面、およびＤｄ面で一分割にし、Ｂｃ面とＢｄ面、Ｅｃ面とＥｄ面、Ｄｂ面とＤｂ面、およびＣｅ面とＤｅ面はそれぞれ一分割にする方法がある。
【００３４】
なお、本実施例では、補正領域を６×６のマトリックス状に分割して説明したが、実際はその分割の境界部をスキャンさせながら露光し、さらにスキャン中でも連続的な補正が可能であるため、より滑らかなディストーションの補正ができる。特にＢｂ面やＢｅ面、Ｅｂ面、およびＥｅ面の領域では等倍の倍率補正を行うように説明したが、連続的に偏倍の倍率補正を行えば、より滑らかな補正ができる。また、糸巻型に限らず、図４（ｂ）のような樽型のディストーションでも同様の方法で補正ができる。
【００３５】
次に本装置自身が持つディストーションを補正してパターニングする方法について説明する。本装置自身が持つディストーションは、あらかじめ正方格子にマーキングした基板１上に位置合わせして露光し、あらかじめマーキングした正方格子と露光結果からディストーションを測定することによって求めることができる。
【００３６】
ディストーションの原因は、照明光学系４や投影光学系６、あるいは電子光学系８に起因する。このように装置固有のディストーションがある場合には以上で説明した、以前のレイヤで生じたディストーションに合わせてパターニングする方法の反対を行う。すなわち、装置固有のディストーションが樽型の場合には糸巻型になるような補正を行う。装置固有のディストーションは大きく変化することがないため、このようなディストーション補正は装置本体を初めて立ち上げるときに、そのディストーションを測定しておき、その補正を行う。
【００３７】
以上ではスキャンによる倍率補正を応用したディストーションの補正について説明した。ディストーションの補正に限らず、投影光学系による補正と、電子光学系と、スキャンによる補正の三種類をそれぞれ組み合わせて、ディストーションの補正を行っても有効である。さらにそれに限らず、上記三種類をそれぞれ組み合わせて、倍率補正とディストーションの補正の両者を行っても有効である。例えば、ディストーション補正は投影光学系とスキャンで補正し、倍率補正は電子光学系で行う方法などがある。
【実施例３】
【００３８】
次に、上述の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００３９】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００４０】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明に係る露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例１に係る露光装置の全体構成を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例１に係るスキャンによる倍率補正を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例２に係る露光装置の二次元スキャンを説明するための構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施例に係るディストーション補正を説明するための図である。
【図５】背景技術を説明するための図である。
【図６】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１：基板、２：基板ステージ、３：光源、４：照明光学系、５：レチクル、６：投影光学系、７：光電変換素子、８：電子光学系、９：真空チャンバ、１０：透過窓、１１：Ｚ駆動手段、１２：レチクルステージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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