(57)【要約】【課題】  光ファイバアレイの基板の反りを低減させて良好な伝送特性を維持することができる。【解決手段】  光ファイバアレイ１０は、光ファイバ２４を収容する収容溝３４が形成されている基板３０と、収容溝３４に収容された光ファイバ２４を覆う蓋板１２と、光ファイバ２４を収容溝３４に収容した基板３０と蓋板１２とを接合する接着層１６とを備えている。収容溝３４の深さをＬ１、収容溝３４の底部から基板３０の底部までの長さをＬ２としたとき３≦Ｌ２／Ｌ１≦１５を満たす。基板３０は、５ｍｍ以上の幅で形成されている。収容溝３４は、基板３０の幅の５０％以上の範囲に形成され、収容溝３４は、基板３０上に１７本以上形成されている。また、収容溝３４の深さＬ１と光ファイバ２４の直径Ｒとの比Ｌ１／Ｒは、０．８〜１．６の範囲であり、Ｌ２は、３００〜１５００μｍの範囲である。この光ファイバアレイ１０では、基板３０の反りを低減可能となる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバを収容する収容溝が形成されている基板と、
前記収容溝に収容された光ファイバを覆う蓋板と、
前記光ファイバを前記収容溝に収容した前記基板と前記蓋板とを接合する接着層と、
を備え、
前記収容溝の深さをＬ１、前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さをＬ２としたとき３≦Ｌ２／Ｌ１を満たす、
光ファイバアレイ。
【請求項２】
前記収容溝の深さをＬ１、前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さをＬ２としたときＬ２／Ｌ１≦１５を満たす、請求項１に記載の光ファイバアレイ。
【請求項３】
前記収容溝は、前記基板上に１７本以上形成されている、請求項１又は２に記載の光ファイバアレイ。
【請求項４】
前記基板は、５ｍｍ以上の幅で形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の光ファイバアレイ。
【請求項５】
前記収容溝の深さＬ１と前記光ファイバの直径Ｒとの比Ｌ１／Ｒは、０．８〜１．６の範囲である、請求項１〜４のいずれかに記載の光ファイバアレイ。
【請求項６】
前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さＬ２は、３００〜１５００μｍの範囲である、請求項１〜５のいずれかに記載の光ファイバアレイ。
【請求項７】
前記収容溝は、前記基板の幅の５０％以上の範囲に形成されている、請求項１〜６のいずれかに記載の光ファイバアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ファイバアレイとしては、所定配列ピッチで光ファイバを収容する収容溝が形成された基板とこの収容溝に収容された光ファイバを覆う蓋板とを接着層で接合させるものにおいて、収容溝が２０本以上形成された基板の反りを低減するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載された光ファイバアレイは、所定配列ピッチの収容溝の総数の範囲が２０本のときに基板の厚さを１．１０ｍｍとし、収容溝の総数の範囲が２１〜２４本のときに基板の厚さを１．４５ｍｍとし、収容溝の総数の範囲が２５〜２８本のときに基板の厚さを１．７３ｍｍとするというように、所定配列ピッチの収容溝の総数の範囲に対して基板の厚みを予め設定し、接着層の硬化後の基板の反りを低減して光信号の伝送特性の低下を防止する。
【特許文献１】特開２００３−１４９５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された光ファイバアレイでは、所定配列ピッチの収容溝の本数と基板の厚さを設定して基板の反りを低減することはできるものの、基板には収容溝が形成されているため、収容溝と基板の厚さなどとの関係によっては基板の反りを十分に低減させることができず十分に伝送特性を維持することができないことがあった。
【０００４】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、基板の反りを低減させて良好な伝送特性を維持することができる光ファイバアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の光ファイバアレイは、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。すなわち、本発明の光ファイバアレイは、
光ファイバを収容する収容溝が形成されている基板と、
前記収容溝に収容された光ファイバを覆う蓋板と、
前記光ファイバを前記収容溝に収容した前記基板と前記蓋板とを接合する接着層と、
を備え、
前記収容溝の深さをＬ１、前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さをＬ２としたとき３≦Ｌ２／Ｌ１を満たすものである。
【０００６】
一般に、この種の光ファイバアレイでは、基板上に光ファイバを収容する収容溝を形成し光ファイバをこの収容溝に収容させて基板と蓋板とを接着層により接合させる。ここで、接着層は、基板や蓋板を形成している部材に比べ熱膨張係数が大きく、硬化収縮や温度変化による膨張・収縮などが起きると収容溝の形成面に圧縮又は引っ張り応力を及ぼすことがある。収容溝が形成された部分は剛性が低いため、この圧縮又は引っ張り応力により基板に反りが生じることがある。本発明者らは、収容溝の深さと収容溝の底部から基板の底部までの長さとの関係が基板の剛性に影響を与えることに着目し、鋭意研究した結果、収容溝の深さをＬ１、前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さをＬ２としたところ３≦Ｌ２／Ｌ１を充足すると基板の反りを低減させて良好な伝送特性を維持することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
本発明の光ファイバアレイにおいて、前記収容溝の深さをＬ１、前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さをＬ２としたときＬ２／Ｌ１≦１５を満たすことが好ましい。こうすれば、収容溝の深さＬ１に対しＬ２が１５倍を超えることがなく、収容溝の深さＬ１に対し基板の厚さを大きくせずに基板の反りを低減させて良好な伝送特性を維持することができる。
【０００８】
本発明の光ファイバアレイにおいて、前記収容溝は、前記基板上に１７本以上形成されていることが好ましい。収容溝を１７本以上形成すると基板の反りが大きくなることがあるため、本発明を適用する意義が高い。
【０００９】
本発明の光ファイバアレイにおいて、前記基板は、５ｍｍ以上の範囲の幅で形成されていることが好ましい。基板の幅が５ｍｍ以上では基板の反りが大きくなることがあるため、本発明を適用する意義が高い。
【００１０】
本発明の光ファイバアレイにおいて、前記収容溝の深さＬ１と前記光ファイバの直径Ｒとの比Ｌ１／Ｒは、０．８〜１．６の範囲であることが好ましい。Ｌ１／Ｒは、０．８未満では光ファイバを収容溝に十分に収容しにくくなり、１．６を超えると光ファイバと蓋板とに隙間が生じたりして光ファイバを安定して収容しにくくなる。
【００１１】
本発明の光ファイバアレイにおいて、前記収容溝の底部から前記基板の底部までの長さＬ２は、３００〜１５００μｍの範囲であることが好ましい。Ｌ２は、３００μｍ未満では反りを低減しにくくなり、１５００μｍを超えると基板の厚さが大きくなりコンパクト化の観点からは好ましくない。
【００１２】
本発明の光ファイバアレイにおいて、前記収容溝は、前記基板の幅の５０％以上の範囲に形成されていることが好ましい。基板の幅の５０％以上の範囲で収容溝が形成されると基板の反りが大きくなることがあるため、本発明を適用する意義が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の光ファイバアレイ１０の斜視図であり、図２は、光ファイバアレイ１０の正面図である。光ファイバアレイ１０は、図１に示すように、光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４と、光ファイバ２４を収容する収容溝３４が形成されている基板３０と、収容溝３４に収容された光ファイバ２４を覆う蓋板１２と、基板２０と蓋板１２とを接合する接着層１６とを備えている。なお、この光ファイバアレイ１０は、隣接して二段に重ねた光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４を基板３０と蓋板１２とにより固定するようにしているが（図２参照）、配置の仕方はこれに限定されるものではなく、一段の光ファイバリボン２０や多段の光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４を基板３０と蓋板１２とにより固定するようにしてもよいし、隣接させる光ファイバリボン２０の数を適宜変更してもよい。
【００１４】
光ファイバリボン２０は、複数の光ファイバ２４を並べて結束部２３によりその外部を覆ったものであり、リボン状に成形されている。光ファイバ２４は、ガラスで構成され光信号を伝送するファイバであり、図２に示すように、光信号を伝送するコア２４ａの周りにコアと屈折率の異なるガラス層であるクラッド２４ｂが形成されている。この光ファイバ２４の外周には、保護層となる被覆部２２により被覆されている。この被覆部２２及び結束部２３は、光ファイバ２４を被覆して保護可能なもの、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂及び光硬化性樹脂から選ばれる１種又は２種以上の樹脂により形成されている。この光ファイバ２４は、例えば被覆部２２により被覆された光ファイバ２４の直径が約２５０μｍであり、光ファイバ２４の直径が約１２５μｍであり、コア２４ａの直径が約９μｍで形成されている。光ファイバリボン２０から光ファイバ２４を引き出す方法は、例えば被覆部等除去治具（ストリッパなど）により光ファイバリボン２０の被覆部２２及び結束部２３を除去して引き出すことができる。なお、ここではリボン状のものを用いたが、光ファイバ２４を引き出すことができるものであれば特に限定されず、例えば多芯ケーブルなどを用いることができる。
【００１５】
基板３０は、光ファイバリボン２０及び光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４を固定する部材である。基板３０の材質としては、外形加工をした際に平坦性に優れ形状保持性の高いものが好ましく、例えば、ガラス、シリコン及びセラミックなどの無機材料や、銅、鉄及びニッケルなどの金属材料や、エンジニアリングプラスチックなどの有機材料などが挙げられるが、なかでも熱や湿度によって変形しにくい無機材料が好ましい。基板３０の幅は、例えば５ｍｍ以上（好ましくは６〜１５ｍｍ）の範囲に形成されている。基板の幅が５ｍｍを超えると基板３０の反りが大きくなることがある。なお、基板３０の幅が１５ｍｍを超えると基板３０が大型化してコンパクト化の観点からは好ましくない。基板３０の長さ（光ファイバ２４の軸方向の長さ）は、例えば５〜２０ｍｍ（好ましくは１０〜１５ｍｍ）の範囲に形成され、基板３０の厚さは、例えば０．５〜２．０ｍｍ（好ましくは１．０〜１．５ｍｍ）の範囲に形成されている。この基板３０は、光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４を収容するファイバ設置部３１と光ファイバリボン２０を戴置する戴置部３２とを備える。
【００１６】
ファイバ設置部３１には、光ファイバ２４を収容する収容溝３４が形成されている。収容溝３４は、任意の配列ピッチ、例えば光ファイバ２４の直径と略同じ配列ピッチでファイバ設置部３２の上面に戴置部３２側から手前側に向かって複数設けられている。この収容溝３４は、ファイバ設置部３１に例えば１７本以上で形成されている。この収容溝３４は、光ファイバ２４を十分安定して固定できるような深さ及び形状（例えば断面Ｖ字状）に形成されている。ここで、収容溝３４の深さＬ１（図２参照）と光ファイバ２４の直径Ｒとの比Ｌ１／Ｒは、０．８〜１．６の範囲であることが好ましい。Ｌ１／Ｒは、０．８未満では光ファイバ２４を収容溝３４に十分に収容しにくくなり、１．６を超えると光ファイバ２４と蓋板１２とに隙間が生じたりして光ファイバ２４を安定して収容しにくくなる。なお、光ファイバ２４の直径Ｒが１２５μｍであるときには収容溝３４の深さＬ１は、１００〜２００μｍの範囲となる。このとき、収容溝３４の形成面と形成面との角度θ（図２参照）は、５５°〜９５°であることが好ましく、６５°〜８５°がより好ましく、６０°〜８０°が最も好ましい。ここで、収容溝３４の底部３４ａから基板３０の底部までの厚さをＬ２とすると（図２参照）、Ｌ２は、３００〜１５００μｍの範囲とすることが好ましく、収容溝３４の深さＬ１に合わせて適宜決めてもよい。Ｌ２は、３００μｍ未満では反りを低減しにくくなり、１５００μｍを超えると基板の厚さが大きくなりコンパクト化の観点からは好ましくない。そして、Ｌ２／Ｌ１値は、３≦Ｌ２／Ｌ１を充足する。また、３≦Ｌ２／Ｌ１≦１５を満たすことが好ましい。Ｌ２／Ｌ１値が３未満では、十分に接着層の応力を緩和できず、Ｌ２／Ｌ１値が１５を超えると収容溝３４の深さＬ１に対して基板３０の厚さが大きくなり基板３０が大型化してしまう。また、収容溝３４は、例えば基板３０の幅の５０％以上の範囲に形成されている。基板の幅の５０％以上の範囲で収容溝３４が形成されると基板３０の反りが大きくなることがある。なお、収容溝３４は、例えば溝を形成する方向に溝形成用装置（例えばダイシングソーなど）により基板３０を切削加工して形成することができるし、基板３０にレジスト処理を行ったあとに溝を形成する方向に写真法などによりレジストを除去しエッチング処理を行い形成することができる。
【００１７】
戴置部３２は、光ファイバリボン２０を載せて固定する部分であり、光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４が収容溝３４に入るようにファイバ設置部３１に対して段差となるように形成された部分である。この戴置部３２は、基板３０と略同じ幅に形成され、戴置部３２の長さ（光ファイバ２４の軸方向の長さ）は、例えば光ファイバリボン２０を安定して戴置させることができるように形成することが好ましく、用いる光ファイバリボンなどの形状に合わせて適宜決めてもよい。また、戴置部３２の深さは、例えば光ファイバ２４の曲がり量が少なくなるように収容溝３４に引き出されるような範囲で形成されている。そして、上述の光ファイバリボン２０を戴置部３２に上下、左右に戴置し、引き出した光ファイバ２４を収容溝３４に収容させる。このとき、２段に戴置された光ファイバリボン２０から引き出した光ファイバ２４が重ならないように上下の光ファイバリボン２０の位置を幅方向にずらして戴置させる（図１参照）。
【００１８】
蓋板１２は、収容溝３４に収容された光ファイバ２４を覆う部材である。この蓋板１２は、例えば基板３０と同様の材質で形成することが好ましい。この蓋板１２の幅及び厚さは、基板３０と略同じ幅及び厚さに形成され、蓋板１２の長さ（光ファイバ２４の軸方向の長さ）は、２〜１０ｍｍ（好ましくは４〜１０ｍｍ）の範囲に形成されている。基板３０の厚さと蓋板１２の厚さとを略同じとすることにより光ファイバアレイ１０の反りを低減することができる。なお、蓋板１２から戴置部３２までの被覆部２２が除去された光ファイバ２４は接着剤などで覆いこれを保護するようにする。
【００１９】
接着層１６は、基板３０と蓋板１２とを接合して光ファイバ２４を固定する層である。接着層１６を形成するものとしては、例えばエポキシ樹脂及びフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂や、ポリスルフォン及びポリイミドなどの熱可塑性樹脂、アクリル樹脂及び紫外線硬化樹脂などの光硬化性樹脂から選ばれる１種又は２種以上の樹脂が挙げられるが、光硬化性樹脂が好ましい。この接着層１６は、光ファイバ２４が収容された収容溝３４に未硬化状態の樹脂を流し込みこの樹脂が硬化することにより形成される。また、接着層１６は、硬化する際に収縮し、基板３０や蓋板１２よりも熱膨張係数が１桁以上大きく、硬化後であっても温度や湿度の影響を受けて膨張・収縮する。なお、光硬化性樹脂を用いる際には、基板３０や蓋板１２の少なくとも一方は、光が透過しやすい透明な材質（例えばガラスなど）とすることが好ましい。
【００２０】
以上詳述した本実施形態の光ファイバアレイ１０によれば、収容溝３４の深さをＬ１、収容溝３４の底部３４ａから基板３０の底部までの長さをＬ２としたとき３≦Ｌ２／Ｌ１を満たすため、基板３０の反りを低減させて良好な伝送特性を維持することができる。また、Ｌ２／Ｌ１≦１５を満たすため、収容溝３４の深さＬ１に対しＬ２が１５倍を超えることがなく、収容溝の深さＬ１に対し基板３０の厚さを大きくせずに基板の反りを低減させて良好な伝送特性を維持することができる。更に、収容溝３４は、基板３０上に１７本以上形成されたときに基板３０の反りが大きくなることがあるため、本発明を適用する意義が高い。更にまた、基板３０は、５ｍｍ以上の幅で形成されたときに基板３０の反りが大きくなることがあるため、本発明を適用する意義が高い。そして、前記収容溝の深さＬ１と前記光ファイバの直径Ｒとの比Ｌ１／Ｒが０．８〜１．６の範囲であり、収容溝３４の深さＬ１は、１００〜２００μｍの範囲であるため、光ファイバ２４を安定して収容することができる。そしてまた、Ｌ２は、３００〜１５００μｍの範囲であるため基板３０の反りを低減し、コンパクト化を図ることができる。そして更にまた、収容溝３４は、基板３０の幅の５０％以上の範囲に形成されたときに基板３０の反りが大きくなることがあるため、本発明の適用意義が高い。
【００２１】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【実施例】
【００２２】
以下には、種々の条件で作成した光ファイバアレイ１０の実施例及び比較例について説明する。
【００２３】
［実施例１］
基板１０は、硼硅酸ガラスからなる平板から幅９ｍｍ×長さ１２ｍｍ×厚さ０．６ｍｍとなるように切削し、その後部に戴置部３２（長さ４ｍｍ）を形成した。次に、ファイバ設置部３１の中心から左右に１６本ずつ（合計３２本）配列ピッチが約１２７μｍの断面Ｖ字状の収容溝３４を形成した。収容溝３４は、角度θを７０°とし、深さを１５０μｍとし、長さ（光ファイバ２４の軸方向の長さ）を蓋板１２の長さと同じとした。なお、Ｌ２は、４５０μｍであった。この収容溝３４は、ファイバ設置部３１の中心から左右に３ｍｍ（合計約６ｍｍ）の範囲に形成した。したがって、基板３０の幅に対する収容溝３４の範囲は、６６．７％であった。次に、蓋板１２は、硼硅酸ガラスからなる平板から幅９ｍｍ×長さ５ｍｍ×厚さ０．６ｍｍとなるように切削して作製した。次に、被覆部２２（ＵＶアクリル樹脂製）により被覆された光ファイバ２４（石英ガラス製）を結束部３２（ＵＶアクリル樹脂製）により８本束ねた光ファイバリボン２０を用意した。被覆部２２により被覆された光ファイバ２４の直径は約２５０μｍであり、光ファイバ２４の直径は約１２５μｍであり、コアの直径は約９μｍであった。なお、収容溝３４の深さＬ１と光ファイバ２４の直径Ｒとの比Ｌ１／Ｒは、１．２であった。結束部２３の厚さは、上下部分はそれぞれ２５μｍであり、左右部分はそれぞれ５０μｍであった。続いて、この光ファイバリボン２０の被覆部２２及び結束部２３をストリッパを用いて剥ぎ、光ファイバ２４を引き出した光ファイバリボン２０を４つ作製した。この４つの光ファイバリボン２０を戴置部３２に左右、上下に戴置して引き出した光ファイバ２４を収容溝３４に収容させた。このとき、２段に戴置された光ファイバリボン２０から引き出された光ファイバ２４が重ならないように上下の光ファイバリボン２０の位置を幅方向にずらして戴置させた（図１参照）。そして、光ファイバ２４を収容させた収容溝３４に接着剤を流し込み、蓋板１２により固定した。接着剤は、ＵＶアクリル樹脂を用い、紫外線を照射することにより硬化させた。硬化した接着剤により接着層１６が形成された。最後に基板１０からはみ出た接着層１６や光ファイバ２４を切削又は研磨などして実施例１の光ファイバアレイ１０を得た（図１及び図２参照）。なお、切削や溝切などは、ダイアモンドカッタやダイシングソーなどを用いて行った。ここで、収容溝３４の深さをＬ１とし、収容溝３４の底部３４ａから基板３０の底部までの長さをＬ２と規定した。この実施例１の光ファイバアレイ１０の収容溝深さＬ１、Ｌ２、基板厚さ、蓋板厚さ、Ｌ２／Ｌ１値をまとめたものを図３の表に示す。なお、この図３の表には後述する実施例２〜３及び比較例１〜２に関する内容もまとめて示す。
【００２４】
［実施例２〜３］
実施例１と同様の蓋板１２、光ファイバ２４、接着剤を用い、図３の表に示した実施例２〜３の条件となる基板１０を作製し、実施例１に示したものと同様の工程を行い、図３の表に示した収容溝深さ、Ｌ２、基板厚さ、蓋板厚さ、Ｌ２／Ｌ１値となるような光ファイバアレイ１０をそれぞれ作製し、得られた光ファイバアレイ１０を実施例２，３とした。なお、全てのサンプルにおいてファイバ設置部３１及びリボン設置部３２の長さは同じとした。
【００２５】
［比較例１〜２］
実施例１と同様の蓋板１２、光ファイバ２４、接着剤を用い、図３の表に示した比較例１〜２の条件となる基板１０を作製し、実施例１に示したものと同様の工程を行い、図３の表に示した収容溝深さ、Ｌ２、基板厚さ、蓋板厚さ、Ｌ２／Ｌ１値となるような光ファイバアレイをそれぞれ作製し、得られた光ファイバアレイを比較例１〜２とした。なお、全てのサンプルにおいてファイバ設置部３１及びリボン設置部３２の長さは同じとした。
【００２６】
［反り量測定］
実施例１〜３及び比較例１〜２の反り量測定を行った。各サンプルは、沸騰水に長時間（６０ｈ）入れることにより光ファイバアレイ１０の劣化を促進させる煮沸試験を行ったのちに反り量を測定した。測定には、ピッチ測定器（モリテックス製ＦＺ−１０００）を用いた。測定方法を図４を用いて説明する。まず、光ファイバアレイ１０の最外部の２つの光ファイバ２４の中心を結ぶ仮想の水平軸をとり、その水平軸から光ファイバアレイ１０の中心に最も近い光ファイバ２４までの距離を反り量とした。なお、この反り量は、光ファイバ２４の数が奇数のときには、中心の光ファイバ２４と水平軸との距離とし、光ファイバ２４の数が偶数のときには、中心に最も近い２つの光ファイバ２４のうち水平軸との距離が長い方とした。
【００２７】
［結合損失測定］
実施例１〜３及び比較例１〜２の結合損失測定を行った。測定には、図５に示す調芯装置５０（モリテックス製ＰＡＷ２７８）を用いた。測定方法を図５を用いて説明する。まず、図５（ａ）に示すように、煮沸試験を行う前に同じ光ファイバアレイ１０（例えば実施例１同士）を対向させ、発光部５２に配置した光ファイバアレイ１０から入力電力Ｐ１（１ｍＷ）の光を入力させ、受光部５４に配置した光ファイバアレイ１０から出力させて出力電力Ｐ２を測定し、入力電力Ｐ１及び出力電力Ｐ２から次式（１）を用いて結合損失Ｃを算出した。なお、光ファイバアレイ１０同士の間に１μｍのクリアランスを設け、測定される出力電力Ｐ２が最も大きくなるように光ファイバアレイ１０を位置決めして測定した。ここで算出したものを結合損失の初期値Ｃ１とした。
結合損失Ｃ＝１０・ｌｏｇ（Ｐ１／Ｐ２）…式（１）
【００２８】
次に、出力側の光ファイバアレイ１０を用いて上述した煮沸試験を６０ｈ行い、図５（ｂ）に示すように、発光部５２に配置した煮沸試験を行わない光ファイバアレイ１０から入力電力Ｐ１（１ｍＷ）の光を入力させ、受光部５４に配置した煮沸試験を６０ｈ行った劣化後の光ファイバアレイ１０から出力させ、入力電力Ｐ１及び出力電力Ｐ２から式（１）を用いて光ファイバアレイ１０の劣化後の結合損失Ｃ２を算出した。この初期値Ｃ１と劣化後の値Ｃ２との差分を結合損失値とした。なお、この結合損失値は、０．３ｄＢ以下が好ましく、０．２ｄＢ以下がより好ましい。光ファイバアレイは、光信号を多分岐させるスプリッタなどと接合させることがあるため、０．３ｄＢを超えると各分岐ごとに損失が生まれ全体として結合損失が大きくなりすぎてしまうためである。
【００２９】
［実験結果］
実施例１〜３及び比較例１〜２の反り量測定結果及び結合損失測定結果を図６の表に示し、反り量及び結合損失とＬ２／Ｌ１値との関係を表す測定結果を図７に示す。まず、反り量測定結果より、比較例では反り量が２．５μｍ以上と大きかったのに対し、実施例では１．０μｍ以下と小さく、劣化後の反りを低減できることがわかった。また、結合損失測定結果より、比較例では、結合損失値が０．５ｄＢ以上であったのに対し、実施例では、結合損失値が０．１９ｄＢ以下と劣化後の損失値が小さかった。これらの結果から、Ｌ２／Ｌ１値を３以上とすると、基板３０の反りを低減し光ファイバ２４が収容溝３４でずれないようになり、良好な伝送特性を維持することができるとわかった。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施形態の光ファイバアレイ１０の斜視図である。
【図２】本実施形態の光ファイバアレイ１０の正面図である。
【図３】実施例及び比較例の作製条件をまとめた表である。
【図４】反り量測定の説明図である。
【図５】調芯装置５０の説明図である。
【図６】実施例及び比較例の測定結果をまとめた表である。
【図７】反り量及び結合損失とＬ２／Ｌ１値との関係を表す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  光ファイバアレイ、１２  蓋板、１６  接着層、２０  光ファイバリボン、２２  被覆部、２３  結束部、２４  光ファイバ、２４ａ  コア、２４ｂ  クラッド、３０  基板、３１  ファイバ設置部、３２  戴置部、３４  収容溝、３４ａ  底部、５０  調芯装置、５２  発光部、５４  受光部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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