(57)【要約】【課題】      半導体ウエハーのテスト用プローブの表面の汚染の除去や防止の方法と装置を提供する。【解決手段】  プローブ１０６が、覆い部１２の本体１４の壁部と絶縁体１８とプローブアーム１１０の一部で形成されたチャンバー３０を貫通するよう配置されている。本体１４にはチャンバー３０に通じる入力路１８が形成され、更に、チャンバー３０と通じる出力路２０が覆い部１２の基部２３に形成されている。ガスが入力路１８、チャンバー３０、出力路２０を通過し、プローブ１０６の先端１１２領域の付近を流れることによりプローブ表面の汚染が除去されたり、汚染が防止される。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法であって、
（ａ）入力路と出力路とに連通するチャンバーに、前記プローブの先端が前記出力路を貫通して延び、前記出力路の前記チャンバーとは反対側に延びるよう、前記プローブの少なくとも一部を配置するステップと、
（ｂ）ガスを前記入力路を通して前記チャンバーへ流し込ませ、前記出力路より排出させ、これにより、前記プローブの先端の周辺環境を変えるステップと、を含むプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法。
【請求項２】
前記プローブの先端の周辺環境を変えるステップには、
（ｉ）前記環境の相対湿度を低下させるステップと、
（ｉｉ）前記環境から少なくとも一つの汚染物質を除去するステップと、
（ｉｉｉ）前記環境の水分を蒸発させるステップと、
（ｉｖ）前記環境の気化された汚染物質を消散させるステップと、
の少なくとも一つが含まれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも一つの汚染物質は、汚染された気化物質である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガスの流れは、層流と乱流とのいずれかである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ガスは設定温度に加熱される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記温度は変更可能である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ガスは不活性ガスである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記入力路と、前記チャンバーと、前記出力路との少なくとも一つにおいてガスの流れを制御するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法であって、
（ａ）入力路と出力路とに連通するチャンバーに、前記プローブの先端が前記出力路を貫通して延び、前記出力路の前記チャンバーとは反対側に延びるよう、前記プローブの少なくとも一部を配置するステップと、
（ｂ）ガスを加熱するステップと、
（ｃ）前記加熱されたガスを前記入力路を通して前記チャンバーへ流し込ませ、前記出力路より排出させ、前記プローブの少なくとも先端に、前記加熱されたガスを接触させるステップと、を含むプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法。
【請求項１０】
前記（ｃ）のステップには、
（ｉ）前記環境の相対湿度を低下させるステップと、
（ｉｉ）前記環境から少なくとも一つの汚染物質を除去するステップと
（ｉｉｉ）前記環境の水分を蒸発させるステップと、
（ｉｖ）前記環境の気化された汚染物質を消散させるステップと、の少なくとも一つが含まれる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの汚染物質は、汚染された気化物質である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ガスの流れは、層流と乱流とのいずれかである請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ガスは設定温度に加熱される請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記加熱されたガスの前記温度は変更可能である請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記ガスは不活性ガスである請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ガスの流れと前記ガスの加熱の少なくとも一方を制御するステップが更に含まれる請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
絶縁体を貫通して延び、プローブアームに取り付けられているプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うためのシステムであって、
（ｉ）前記プローブが貫通するチャンバーを、前記絶縁体と前記プローブアームと共に形成する壁部を形成する本体と、（ｉｉ）前記壁部を貫通して延び、前記チャンバーと流体的に連通状態にある入力路と、（ｉｉｉ）前記本体の基部を貫通し、前記チャンバーと流体的に連通状態にある出力路と、を有する覆い部と、
前記本体の前記入力路と流体的に連通状態にあり、前記入力路を介してチャンバーへ前記ガスを流し、前記出力路より排出させるよう構成されたガス源と、を備えるプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うためのシステム。
【請求項１８】
前記ガス源は、液状ガス容器とガス容器とガス発生装置の少なくとも一つである請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記ガス源と前記入力路を連結する手段を更に備える請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記連結手段は、取り付け具と、ホースと、ノズルと、ガス噴射器との少なくとも一つである請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記ガスが前記チャンバーに流れ込む前に、設定温度に前記ガスを加熱するよう構成された加熱装置を更に備える請求項１７に記載のシステム。
【請求項２２】
前記ガス源と連通し、前記チャンバーへのガスの流れと圧力の少なくとも一方を制御するよう構成されたガス制御装置を備える請求項１７に記載のシステム。
【請求項２３】
前記ガス制御装置は、気体制御装置と、デジタル制御装置と、アナログ制御装置と、自動制御装置と、手動制御装置との少なくとも一つである請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記入力路と流体的に連通し、前記チャンバーへのガスの、制御され、方向付けられた流れを提供するよう構成された流れ制御装置を備える請求項１７に記載のシステム。
【請求項２５】
前記ガスは不活性ガスである請求項１７に記載のシステム。
【請求項２６】
前記覆い部は前記プローブアームと着脱可能に連結されている請求項１７に記載のシステム。
【請求項２７】
前記プローブの先端は、前記出力路を貫通して延び、前記出力路の前記チャンバーとは反対側に延びている請求項１７に記載のシステム。
【請求項２８】
プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための覆い部であって、壁部と基部を形成する本体と、前記本体を貫通して延び、前記壁部の外へ開く入力路と、前記基部を貫通して延びる出力路と、を備えるプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための覆い部。
【請求項２９】
前記本体を貫通し、前記覆い部をプローブアームに取り外し可能に取り付けるための固定具を受け入れるよう構成された孔を更に備える請求項２８に記載の覆い部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハー用プローブに関し、特に、プローブの、通常、作用端、すなわち、先端の表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法と装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野において、半導体ウエハーは、この上に集積回路が形成される前、或いは、形成された後に、電気的性質を確認するためにテストする必要がある。弾性金属ゲート（ＥＭゲート）プローブを使用することにより、これらの電気的性質を判断することが可能である。このプローブが好まれる理由の一つには、半導体ウエハーの前面に接当する、弾性変形可能の電導先端部を有することが挙げられる。弾性変形可能の電導先端部と半導体ウエハーの間に電気的刺激が加えられ、この電気的刺激に対する反応が測定される。この反応より、半導体ウエハーの誘電体、及び／又は、半導体材料の電気的性質の少なくとも一つを判断できる。プローブの電導先端部は、タンタル等の金属、伝導性エラストマー、伝導性ポリマー等から形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＥＭゲートプローブを使用するデメリットの一つに、半導体ウエハーと接するプローブの表面が汚染される可能性があるということが挙げられる。このような表面汚染は、測定に悪影響を与えるため望ましくない。この汚染は、通常、多種の気体の混合体や気体化した物質である、プローブ周りの領域の未処理の空気が原因である。このような気化物質がプローブ表面で液化し、液膜、或いは、半液状膜を形成する場合がある。この汚染層の成分は正確には知られていないが、水が主な成分であると考えられている。他の汚染物質には、有機汚染物質と通常呼ばれる種々の炭化水素分子が含まれる。
【０００４】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、先行技術の欠点を有さない、プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法と装置を提供する事である。本発明の別の目的は、プローブの作動や測定能力に影響を与えずに、プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法と装置を提供する事である。本発明の更なる目的は、現存するプローブやプローブアーム本体に取り付けることが出来る、プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法と装置を提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための、本発明に係る第１の特徴によるプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法は、
（ａ）入力路と出力路とに連通するチャンバーに、前記プローブの先端が前記出力路を貫通して延び、前記出力路の前記チャンバーとは反対側に延びるよう、前記プローブの少なくとも一部を配置するステップと、
（ｂ）ガスを前記入力路を通して前記チャンバーへ流し込ませ、前記出力路より排出させ、これにより、前記プローブの先端の周辺環境を変えるステップと、を含む事を特徴とする。
【０００６】
また、第２の特徴による方法は、上記第１の特徴の前記プローブの先端の周辺環境を変えるステップには、
（ｉ）前記環境の相対湿度を低下させるステップと、
（ｉｉ）前記環境から少なくとも一つの汚染物質を除去するステップと、
（ｉｉｉ）前記環境の水分を蒸発させるステップと、
（ｉｖ）前記環境の気化された汚染物質を消散させるステップと、
の少なくとも一つが含まれる事を特徴とする。
【０００７】
第３の特徴による方法は、上記第２の特徴における前記少なくとも一つの汚染物質が、汚染された気化物質である事を特徴とする。
【０００８】
第４の特徴による方法は、上記第１の特徴に加えて、前記ガスの流れは、層流と乱流とのいずれかである事を特徴とする。
【０００９】
第５の特徴による方法は、上記第１の特徴に加えて、前記ガスは設定温度に加熱される事を特徴とする。
【００１０】
第６の特徴による方法は、上記第５の特徴に加えて、前記温度は変更可能である事を特徴とする。
【００１１】
第７の特徴による方法は、上記第１の特徴に加えて、前記ガスは不活性ガスである事を特徴とする。
【００１２】
第８の特徴による方法は、上記第１の特徴に加えて、前記入力路と、前記チャンバーと、前記出力路との少なくとも一つにおいてガスの流れを制御するステップを含む事を特徴とする。
【００１３】
更に、本発明に係る第９の特徴によるプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法は、
（ａ）入力路と出力路とに連通するチャンバーに、前記プローブの先端が前記出力路を貫通して延び、前記出力路の前記チャンバーとは反対側に延びるよう、前記プローブの少なくとも一部を配置するステップと、
（ｂ）ガスを加熱するステップと、
（ｃ）前記加熱されたガスを前記入力路を通して前記チャンバーへ流し込ませ、前記出力路より排出させ、前記プローブの少なくとも先端に、前記加熱されたガスを接触させるステップと、を含む事を特徴とする。
【００１４】
第１０の特徴による方法は、上記第９の特徴の前記（ｃ）のステップには、
（ｉ）前記環境の相対湿度を低下させるステップと、
（ｉｉ）前記環境から少なくとも一つの汚染物質を除去するステップと
（ｉｉｉ）前記環境の水分を蒸発させるステップと、
（ｉｖ）前記環境の気化された汚染物質を消散させるステップと、の少なくとも一つが含まれる事を特徴とする。
【００１５】
第１１の特徴による方法は、上記第１０の特徴に加えて、前記少なくとも一つの汚染物質は、汚染された気化物質である事を特徴とする。
【００１６】
第１２の特徴による方法は、上記第９の特徴に加えて、前記ガスの流れは、層流と乱流とのいずれかである事を特徴とする。
【００１７】
第１３の特徴による方法は、上記第９の特徴に加えて、前記ガスは設定温度に加熱される事を特徴とする。
【００１８】
第１４の特徴による方法は、上記第９の特徴に加えて、前記加熱されたガスの前記温度は変更可能である事を特徴とする。
【００１９】
第１５の特徴による方法は、上記第９の特徴に加えて、前記ガスは不活性ガスである事を特徴とする。
【００２０】
第１６の特徴による方法は、上記第９の特徴に加えて、ガスの流れと前記ガスの加熱の少なくとも一方を制御するステップが更に含まれる事を特徴とする。
【００２１】
本発明に係る第１７の特徴による、絶縁体を貫通して延び、プローブアームに取り付けられているプローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うためのシステムは、（ｉ）前記プローブが貫通するチャンバーを、前記絶縁体と前記プローブアームと共に形成する壁部を形成する本体と、（ｉｉ）前記壁部を貫通して延び、前記チャンバーと流体的に連通状態にある入力路と、（ｉｉｉ）前記本体の基部を貫通し、前記チャンバーと流体的に連通状態にある出力路と、を有する覆い部と、
前記本体の前記入力路と流体的に連通状態にあり、前記入力路を介してチャンバーへ前記ガスを流し、前記出力路より排出させるよう構成されたガス源と、を備える事を特徴とする。
【００２２】
第１８の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記ガス源は、液状ガス容器とガス容器とガス発生装置の少なくとも一つである事を特徴とする。
【００２３】
第１９の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記ガス源と前記入力路を連結する手段を更に備える事を特徴とする。
【００２４】
第２０の特徴によるシステムは、上記第１９の特徴に加えて、前記連結手段は、取り付け具と、ホースと、ノズルと、ガス噴射器との少なくとも一つである事を特徴とする。
【００２５】
第２１の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記ガスが前記チャンバーに流れ込む前に、設定温度に前記ガスを加熱するよう構成された加熱装置を更に備える事を特徴とする。
【００２６】
第２２の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記ガス源と連通し、前記チャンバーへのガスの流れと圧力の少なくとも一方を制御するよう構成されたガス制御装置を備える事を特徴とする。
【００２７】
第２３の特徴によるシステムは、上記第２２の特徴に加えて、前記ガス制御装置は、気体制御装置と、デジタル制御装置と、アナログ制御装置と、自動制御装置と、手動制御装置との少なくとも一つである事を特徴とする。
【００２８】
第２４の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記入力路と流体的に連通し、前記チャンバーへのガスの、制御され、方向付けられた流れを提供するよう構成された流れ制御装置を備える事を特徴とする。
【００２９】
第２５の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記ガスは不活性ガスである事を特徴とする。
【００３０】
第２６の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記覆い部は前記プローブアームと着脱可能に連結されている事を特徴とする。
【００３１】
第２７の特徴によるシステムは、上記第１７の特徴に加えて、前記プローブの先端は、前記出力路を貫通して延び、前記出力路の前記チャンバーとは反対側に延びている事を特徴とする。
【００３２】
更に、本発明に係る第２８の特徴による、プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための覆い部は、壁部と基部を形成する本体と、前記本体を貫通して延び、前記壁部の外へ開く入力路と、前記基部を貫通して延びる出力路と、を備える事を特徴とする。
【００３３】
第２９の特徴による覆い部は、上記第２８の特徴に加えて、前記本体を貫通し、前記覆い部をプローブアームに取り外し可能に取り付けるための固定具を受け入れるよう構成された孔を更に備える事を特徴とする。
本発明の構造や作動方法、及び、他の目的や優れた点は、添付の図面と共に、以下の説明より理解できるものである。
【発明の効果】
【００３４】
上記の通りの発明の特徴により、好ましくはプローブの作動や測定能力に影響を与えずに、プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための方法と装置を提供する事ができる。また、第２８の特徴として記載される覆い部により、現存するプローブやプローブアーム本体に取り付けることが出来る、プローブの表面汚染の除去と防止との少なくともいずれか一方を行うための装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１で示されるとおり、半導体ウエハー、或いは、サンプル１０２に対して分析や測定を行う、先行技術によるシステム１００は、半導体ウエハー１０２を支持する真空チャック（つかみ）装置１０４や、プローブアーム１１０により支持される絶縁体１０８を貫通するプローブ１０６を備える。プローブ１０６は、半導体ウエハー１０２に接当するよう構成された作用端、すなわち、先端１１２を有する。
【００３６】
システム１００には、真空チャック部１０４により支持されている半導体ウエハー１０２の面に対して、プローブ１０６の先端１１２を接当させるよう移動するために使われる接当形成手段を有する。プローブ１０６の先端１１２が半導体ウエハー１０２と接当すると、電気的刺激付与手段１１４が、プローブ１０６と半導体ウエハー１０２の間に適切な電気的刺激を与え、測定手段１１６が電気的刺激に対する半導体ウエハー１０２の反応を測定することができるようになっている。
【００３７】
添付の図面で示されるとおり、本発明はプローブ１０６の先端１１２の汚染を、絶縁体１０８に隣接するプローブアーム１１０に連結された覆い部１２により、排除と防止との少なくとも何れか一方を行う方法と装置に関する。
【００３８】
図２から４に示されるとおり、覆い部１２は、凹部、或いは、スロット１６が形成された本体１４を有する。入力路１８は、本体１４の壁部、すなわち、面２２を貫通して延びており、スロット１６と流体的に連通している。更に、出力路２０は、本体１４の基部２３を貫通して延びており、これもスロット１６と流体的に連通している。
図５で示されるとおり、出力路２０の先端は先細り形状に形成されており、これによりプローブ先端１１２付近で、ガス２３の流出速度を上げることが可能となるが、このように先細り形状としなくとも良い。
【００３９】
本体１４には、これを貫通し、スロット１６と連通する孔２６が設けられている。プローブアーム１１０は、一対の間隔を開けたアーム部２７を有し、これらがアーム２７間で絶縁体１０８を挟みつけるように保持するスロット２９を形成している。アーム２７の一つには、覆い部１２とプローブアーム１１０が合致された際に、孔２６の長手軸と位置合わせされる長手軸を有し、雌ネジの切られた孔２８が備えてられている。覆い部１２をプローブアーム１１０に対して取り付けるために、孔２６を貫通して突出し、雄ネジが切られた固定具３１が、孔２８の雌ネジと螺合できるようになっている。覆い部１２がプローブアーム１１０に取り付けられると、壁部２２、基部２３、絶縁体１０８、及び、アーム２７が、図５で最も良く示されているように、プローブ１０６の下部を包囲するオープンチャンバー（非閉鎖部屋）３０を形成する。図１と図３を比較すると、図３の絶縁体１０８の少なくとも下部が、チャンバー３０の形成に役立つように構成されていることが理解できる。覆い部１２がプローブアーム１１０に取り付けられると、プローブ１０６が、通路２０を、これに対して非接触状態で貫通し、プローブ１０６の先端１１２が、このチャンバー３０とは反対側に位置するように構成されている。
【００４０】
図５と６に示されるとおり、本体１４の入力路１８と流体的に連通しているガス源３２により、ガス３４が、入力路１８を通り、チャンバー３０へ流入し、ガス３４によりチャンバー３０内のプローブ１０６が包み込まれる。チャンバー３０に流入するガス３４は、出力路２０を介してチャンバー３０を出て、その後、ガス３４は、プローブ１０６の先端１１２の横を流れる。プローブ１０６の先端１１２の横を流れるガス３４の流れにより、プローブ１０６の先端１１２の汚染の除去、及び／又は、防止を実現すべく、先端周辺環境の状態を変える。このように覆い部１２に入力路１８や出力路２０やチャンバー３０の一部を形成する壁部を設けることにより、覆い部１２にプローブ１０６の先端１１２にガス３４を流すための要素を備えさせると、現存するプローブアームに取り付け可能に構成することができて好ましいが、これらの入力路１８や出力路２０や壁部を他の部分に形成して、チャンバー３０へガス３４を導入させることも可能である。
【００４１】
この周辺状態は色々な形で変えることができる。例えば、ガス３４の流れにより、周辺の相対湿度を下げる、及び、周辺環境より一つ、或いは、複数の汚染物質を除去することができる。更に、水分を周辺より蒸発させることができ、更に、汚染された気化物質も周辺より消散させることができる。汚染物質は、汚染された気化物質である場合もあり、或いは、複数の望ましくない化合物や複合物である場合もある。システム１００と覆い部１２の利用を示す概略図を図６で示す。
【００４２】
ガス３４がチャンバー３０を連続して通過する流れを供給できるよう、ガス３４の流れを制御することができる。ガス３４の流れは、ラミナーフロー（層流）であっても良いし、乱流であっても良い。更に、ガス３４は、取り付け具、ホース、ノズル等の周知の技術である連結手段２４により通路１８に注入されても良い。使用されるガス３４は、空気や他の気体でも良いが、窒素、アルゴン、純粋窒素、純粋アルゴン等の不活性ガスであることが望ましい。通路１８、チャンバー３０、及び、出力路２０を通過するガス３４の流れを制御しても良い。プローブ１０６は、半導体ウエハープローブや、ＥＭゲートプローブや、弾性金属の先端を有するプローブでも良い。
【００４３】
図７で示されるとおり、加熱装置３６を利用して、チャンバー３０へガス３４が送り込まれる前に、ガス３４を設定温度に加熱することができる。ガス３４の温度は変更可能であり、導入中、或いは、導入に先立ち制御できるようにすることが考えられる。熱せられたガス３４は、プローブ１０６、特に、その先端１１２に接し、対流によりプローブ１０６の表面を熱する。この加熱作用は、プローブ１０６の表面汚染の防止、及び／又は、除去する機能を有する。
【００４４】
ガス制御装置３８を、ガス源３２と加熱装置３６の間に流体的連通状態で連結させ、ガス３４の流れ、及び／又は、圧力を制御することができる。ガス制御装置３８は、気体制御装置、デジタル制御装置、アナログ制御装置、自動制御装置、手動制御装置等の装置のいずれでも良いし、他の制御装置であっても良い。
【００４５】
［例］
本発明の一つの例では、加熱された窒素であるガス３４が、入力路１８を介してチャンバー３０に導入される。この例では、汚染の除去、及び／又は、防止は、同時に作動する二つの手段により行われる。先ず、汚染除去は、熱せられた窒素がプローブ１０６の表面上を流れることにより発生する、強制対流状態により主に発生する加熱作用による、プローブ１０６に対する加熱により行われる。汚染除去と防止の第２の手段は、局所的に湿度や他の気化した汚染物質のレベルを実質的に低下させる環境を作り出すことにより行われる。これは、この例においては、非常に純粋化された（好ましくは９９％以上の純度の）窒素ガスを利用して行われ、これがプローブ１０６の先端周辺の大気を押しのけ、取ってかわることにより行われる。窒素ガスは、液体、或いは、気体状窒素容器から、或いは、窒素生成装置より得ることになるので、この窒素には、水蒸気、或いは、有機物はほとんど含まれていない。従って、加熱作用とは独立して、窒素の局所的流れにより、水分や有機物の汚染を消散させるような環境が作り出される。加えて、汚染除去速度が本発明により増大し、これは、この例における汚染除去が、自然発散や、自然対流の原理のみに依拠するものでは無いためである。逆に、プローブ１０６の先端を通過する流れが維持される。これにより、プローブ１０６が、加熱窒素環境との平衡点に到達するために必要な時間が短縮される。
【００４６】
本発明は、大気から堆積するプローブ１０６の表面汚染を除去、及び／又は、防止するための方法と装置を提供するものである。ＥＭゲートプローブにおいては、本発明により、プローブを感度の高い電気測定ができる状態にすることができる。本発明による、周辺環境を改変する事と、加熱作用の一方、或いは、両方が行われることにより汚染除去が行われる。強制的に対流が発生されることにより、除去速度が加速される。しかし、非利用時には、気体の流れを止めることが可能であり、これにより、好ましくない周辺環境の加熱を最小限にすることが可能である。  
【００４７】
以上、本発明が好適実施形態を使って説明された。以上の詳細なる説明の検討、及び、理解に基づき、自明な改変や変更が可能である。出願の請求範囲、又は、その均等の範囲に含まれる限り、そのような改変や変更の全てが本発明に含まれるよう解釈されることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明では、半導体ウエハー等の検査に使われるプローブの先端の表面の汚染の除去又は防止、或いは、これら両方を行うための方法と装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】半導体サンプルをテストする従来システムの概略図
【図２】本発明による、図１で示されるシステムのプローブアームに連結された覆い部の斜視図
【図３】図１で示されるシステムの覆い部とプローブアームの更なる斜視図
【図４】図１で示されるシステムのプローブアームに連結された、図２と図３の覆い部の平面図
【図５】図４の線Ｖ−Ｖで取られた断面図
【図６】図１で示されるシステムの、図５の覆い部とプローブアームの作動中の概略図
【図７】プローブの汚染を除去、及び／又は、防止するための本発明によるシステムの別実施形態を示す概略図
【符号の説明】
【００５０】
１２    覆い部
１４    本体
１８    入力路
２０    出力路
２３    基部
３０    チャンバー
３４    ガス
１０２  半導体ウエハー
１０６  プローブ
１０８  絶縁体
１１０  プローブアーム
１１２  プローブ先端
【図１】
2005317971.tif 000003
【図２】
2005317971.tif 000004
【図３】
2005317971.tif 000005
【図４】
2005317971.tif 000006
【図５】
2005317971.tif 000007
【図６】
2005317971.tif 000008
【図７】
2005317971.tif 000009