(57)【要約】【課題】電子冷却素子の吸熱面と放熱面とに生じる熱歪に起因するベースの変形を抑制する。【解決手段】レーザ共振器を構成する光学素子を設置するベース１に、複数の電子冷却素子２Ａ，２Ｂを、ベース１の吸放熱面の複数箇所に設置し、各電子冷却素子２Ａ，２Ｂを直列接続して駆動する。【効果】電子冷却素子の熱歪みによるベースの変形を抑制できる。従って、外気温が変化したり、レーザ発振を長時間行わせても、ベース上の各光学素子のアライメントの変動が小さくて済み、長時間にわたって安定なレーザ発振が可能になる。【選択図】  図４
2005005627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子冷却素子を用いる事で、電子冷却素子起因の熱歪が、温度制御される物体に及ぼす影響を抑制する事を特徴とする温度制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の温度制御装置において、前記複数の電子冷却素子が直列接続されていることを特徴とする温度制御装置。
【請求項３】
請求項１及び請求項２記載の温度制御装置が、レーザ共振器の温度制御に用いられている事を特徴とするレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度制御装置およびレーザ装置に関し、さらに詳しくは、レーザ共振器等の部品を載置したベースの変形を抑制することが出来る温度制御装置およびレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、非線形光学素子を用いた可視域の半導体レーザ励起固体レーザ装置では、縦モード競合による「グリーンプロブレム」と呼ばれるカオス的なノイズが発生することが知られている。このノイズを抑える手法のひとつに、発振縦モードを単一化し、モード競合を回避する手法がある。
発振縦モードを単一化するには、その構成要素に一層の安定性が要求される。特に、レーザ共振器を構成する各光学部品の位置安定性を高め、構成部品を精度よく温度制御する必要がある。
そこで、従来、線膨張係数の小さい材料を用いてレーザ共振器を構成したり、共振器温度を電子冷却素子により高精度で温度制御することが知られている。
【０００３】
他方、従来、レーザ共振器と、そのレーザ共振器を設置する部品設置面を片面に有すると共に冷却面を他面に有する平板状のベースと、そのベースの冷却面に当接される吸熱面を片面に有すると共に放熱面を他面に有するベース温度制御用ペルチエ素子と、そのベース温度制御用ペルチエ素子の放熱面から放熱させるヒートシンクと、そのヒートシンクに当接される吸熱面を片面に有すると共に放熱面を他面に有するヒートシンク用ペルチエ素子と、そのヒートシンク用ペルチエ素子の放熱面から放熱させる第二のヒートシンクとを備えたレーザ装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−９１６７３号公報（図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、電子冷却素子を用いた温度制御を行うと、電子冷却素子自身に生じる吸熱面と放熱面との歪みがベースに作用し、ベースに載置したレーザ共振器の各構成要素のアライメントが変動することがある。このレーザ共振器の歪みは、光学素子の位置ずれを発生させ、ミスアライメントによる出力低下を生じさせる。また、波長選択性素子（エタロンなど）による選択波長性を不安定にし、最悪の場合マルチモードレーザに至り、安定な縦シングルモード発振を妨げる結果となる。
【０００６】
これに対して、上記従来のレーザ装置では、ベース温度制御用ペルチエ素子とヒートシンク用ペルチエ素子の２個のペルチエ素子を重ねることで、ベース温度制御用ペルチエ素子の吸熱面と放熱面の温度差を小さくし、ベース温度制御用ペルチエ素子の熱歪みを抑制している。しかしながら、レーザ共振器ブロックが環境温度の変化を受け、ベースに受ける歪みの影響が考慮されていない。
また、ベース温度制御用ペルチエ素子の制御系とヒートシンク用ペルチエ素子の制御系とをそれぞれ独立に設ける必要があるため、ハードウエア的にもソフトウエア的にも構成が複雑になり、消費電力も増大する問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明の第１の目的は、吸熱あるいは放熱するレーザ共振器等の部品を載置してもベースの変形を抑制することが出来る温度制御装置およびレーザ装置を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、構成を簡単化できる温度制御装置およびレーザ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１の観点では、本発明は、複数の電子冷却素子を用いる事で、電子冷却素子起因の熱歪が、温度制御される物体に及ぼす影響を抑制する事を特徴とする温度制御装置を提供する。
上記第１の観点による温度制御装置では、１個の温度制御素子を使用した場合、その面積が大きいため、吸熱面の収縮と放熱面の膨張による差が大きくなり、この影響が電子冷却素子に固定されているベースに伝わり大きな歪を生じてしまう。一方、電子冷却素子を複数備えている場合、各々の電子冷却素子の面積は小さくなり、電子冷却素子の吸熱面と放熱面とで生じる歪みが小さくなる。このため、ベースの歪みが局限され、各電子冷却素子の熱的影響がベースに伝わっても、全体で熱による歪みが局限され、ベース全体の変形を抑制できる。
【０００９】
第２の観点では、本発明は、上記構成の温度制御装置において、前記複数の電子冷却素子が直列接続されていることを特徴とする温度制御装置を提供する。
上記第２の観点による温度制御装置では、複数の電子冷却素子を単に直列接続する。これにより、各電子冷却素子の内部抵抗の個体差による通電電流の差を抑制できるため、電流量の違いによる吸放熱量の個体差を低減できる。また、電子冷却素子の制御系が１つで済み、ハードウエア的にもソフトウエア的にも構成を簡単化できる。
【００１０】
第３の観点では、本発明は、上記構成の温度制御装置がレーザ共振器の温度制御に用いられている事を特徴とするレーザ装置を提供する。
上記第３の観点によるレーザ装置では、電子冷却素子を複数備えているので、１つの電子冷却素子ごとの面積が小さくなり、電子冷却素子の吸熱面と放熱面とで生じる歪みが小さくなる。このため、吸・放熱に伴うベースの歪みが局限され、各電子冷却素子の熱による歪の影響がベースに伝わっても、ベース全体の変形を抑制できる。この結果、環境温度の変化などによる影響を抑え、ベースの変形に起因するレーザ特性の変動を防止できる。
また特に、このレーザ装置が、縦シングルモード半導体レーザ励起高調波固体レーザである場合、電子冷却素子とベースとの当接面や、各光学素子の載置面のストレスおよび位置のずれを抑え、安定な単一縦モード発振が可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図に示す実施形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００１２】
−第１の実施形態−
図１は、第１の実施形態に係る温度制御装置１０を示す平面図である。図２は、温度制御装置１０を示す側面図である。
この温度制御装置１０は、部品Ｈを設置する部品設置面を上面に有するベース１と、ベース１の下面に当接され片面から吸熱し他面から放熱する電子冷却素子２Ａ，２Ｂと、電子冷却素子２Ａ，２Ｂの下面に当接されたフィン３と、ベース１に埋設された温度センサ４と、温度センサ４でベース１の温度を検出しそれが実質的に一定になるように電子冷却素子２Ａ，２Ｂを駆動するコントローラ５とを備えている。
【００１３】
ベース１の平面形状は、縦横比が１．０：３．４の長方形であり、直交する２つの対称中心線Ａｘ，Ａｙを有している。
また、ベース１は、使用温度（例えば１７℃〜４０℃）において線膨張係数が小さい材料、例えばインバーやスーパーインバー製である。
【００１４】
電子冷却素子２Ａ，２Ｂは、例えばペルチエ素子であり、ベース１の縦寸法と同じ辺長の正方形の吸放熱面を持っている。
また、電子冷却素子２Ａ，２Ｂは、対称中心線Ａｘ，Ａｙに対して対称な位置に配設されている。
さらに、電子冷却素子２Ａ，２Ｂは、電気的には、コントローラ５に対して直列に接続されている。
【００１５】
フィン３も、使用温度（例えば１７℃〜４０℃）において線膨張係数が小さい材料、例えばインバーやスーパーインバー製である。
【００１６】
温度センサ４は、例えばサーミスタである。
コントローラ５は、例えばマイクロプロセッサである。
【００１７】
ベース１と電子冷却素子２Ａ，２Ｂとは接着剤で固定されている。また、電子冷却素子２Ａ，２Ｂとフィン３とは接着剤で固定されている。
【００１８】
第１の実施形態に係る温度制御装置１０によれば、複数の電子冷却素子２Ａ，２Ｂを備えているため、ベース１の変形を抑制することが出来る。また、電子冷却素子２Ａ，２Ｂは、電気的に直列にコントローラ５に接続されているため、コントローラ５が１個で済み、ベース１が温度発振することもなく、ハードウエア的にもソフトウエア的にも構成を簡単化できる。
【００１９】
−第２の実施形態−
図３は、第２の実施形態に係るレーザ装置３０を示す平面図である。図４は、レーザ装置３０を示す側面図である。
このレーザ装置３０は、第１の実施形態に係る温度制御装置１０におけるベース１の上面に、フォーカシングレンズ６６，レーザ媒質６７，非線形光学素子６８，波長選択性素子６９，レーザミラー６１０，光検出器６１１およびレンズ６１２を、それぞれホルダに装着し、調整して、設置したものである。
【００２０】
フォーカシングレンズ６６は、ベース１上にない半導体レーザ（図示せず）から出射しコリメーティングレンズ（図示せず）で平行光にされた励起レーザ光６５を、レーザ媒質６７へ集光する。
レーザ媒質６７は、その半導体レーザ側の端面とレーザミラー６１０とによりレーザ共振器を形成している。レーザ媒質６７は、励起レーザ光６５で励起され、レーザミラー６１０との間で構成された共振器間で、レーザ光を発生する。
非線形光学素子６８は、発生したレーザ光を波長変換し、第二高調波レーザ光を発生する。
波長選択性素子６９は、発振縦モードを単一化する。
【００２１】
光検出器６１１は、入射光の一部を分離するビームスプリッタと、分離された入射光の一部を受光し入射光の強度を表す検出信号を出力するフォトダイオードとからなる。検出信号は、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路（図示せず）に入力され、半導体レーザ７１４の出力が制御される。
レンズ６１２は、第二高調波レーザ光を平行光６１３に整形して出射する。
【００２２】
レーザ装置３０において、ベース１が変形すると、ベース１上の各部品のアライメントがずれるため、安定なレーザ発振が阻害される。特に、縦シングルモード半導体レーザ励起第二高調波固体レーザとして動作するレーザ装置３０では、共振器間隔（レーザ媒質６７の半導体レーザ側の端面とレーザミラー６１０の半導体レーザ側の端面の間隔）が変動すると、共振器縦モード間隔が変化するので、波長選択素子６９による縦モードの選択性が低下し、モードホップを引き起こしたり、縦マルチモード発振に至ることもある。また、励起光学系とのミスアライメントも発生し、安定な励起も損なわれる。
しかし、第２の実施形態に係るレーザ装置３０では、第１の実施形態に係る温度制御装置１０を用いているため、ベース１の変形が抑制される。このため、ベース１の変形に起因するレーザ特性の変動を防止でき、励起光学系とのミスアライメントも抑制できる。
【００２３】
第２の実施形態に係るレーザ装置３０は、縦シングルモード半導体レーザ励起第二高調波固体レーザとして動作するが、第１の実施形態に係る温度制御装置１０を用いているため、ベース１の変形が抑制される。このため、ベース１の変形に起因するレーザ特性の変動を防止でき、励起光学系からのミスアライメントも抑制できる。
【００２４】
【実施例】
−比較例−
図５は、比較例の温度制御装置９０を示す平面図である。図６は、温度制御装置９０を示す側面図である。
この温度制御装置９０は、部品Ｈを設置する部品設置面を上面に有するベース１と、ベース１の下面に当接され片面から吸熱し他面から放熱する電子冷却素子２と、電子冷却素子２の下面に当接されたフィン３と、ベース１に埋設された温度センサ４と、温度センサ４でベース１の温度を検出しそれが実質的に一定になるように電子冷却素子２を駆動するコントローラ５とを備えている。
【００２５】
電子冷却素子２以外の構成要素は、第１の実施形態で説明した構成要素と同じである。
電子冷却素子２は、例えばペルチエ素子であり、ベース１の縦寸法の２倍の辺長を有する正方形の吸放熱面を持っている。
【００２６】
−測定例−
第１の実施形態に係る温度制御装置１０におけるベース１の変形特性、ならびに、比較例の温度制御装置９０におけるベース１の変形特性を次のようにして測定した。各変位量の測定には、株式会社ミツトヨ製のリニアゲージを使用した。
（０）図７および図８に示す変位測定点ＰＬ，ＰＣ，ＰＲに、リニアゲージを設置する。同様に、図９および図１０に示す変位測定点ＰＬ，ＰＣ，ＰＲに、リニアゲージを設置する。
（１）ベース１の温度を１７℃から４０℃に上昇させ、変位測定点ＰＬ，ＰＣ，ＰＲの変位量を測定する。そして、変位測定点ＰＬでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＬ−ＰＣ｜（歪量）、および、変位測定点ＰＲでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＲ−ＰＣ｜（歪量）を算出する。
（２）ベース１の温度を４０℃から１７℃に下降させ、同様に、変位測定点ＰＬ，ＰＣ，ＰＲの変位量を測定する。そして、変位測定点ＰＬでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＬ−ＰＣ｜（歪量）、および、変位測定点ＰＲでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＲ−ＰＣ｜（歪量）を算出する。
（３）ベース１の温度を１７℃から４０℃に上昇させ、同様に、変位測定点ＰＬ，ＰＣ，ＰＲの変位量を測定する。そして、変位測定点ＰＬでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＬ−ＰＣ｜（歪量）、および、変位測定点ＰＲでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＲ−ＰＣ｜（歪量）を算出する。
（４）ベース１の温度を４０℃から１７℃に下降させ、同様に、変位測定点ＰＬ，ＰＣ，ＰＲの変位量を測定する。そして、変位測定点ＰＬでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＬ−ＰＣ｜（歪量）、および、変位測定点ＰＲでの変位量と変位測定点ＰＣでの変位量との差｜ＰＲ−ＰＣ｜（歪量）を算出する。
【００２７】
図１１に、第１の実施形態に係る温度制御装置１０の測定結果を示す。なお、横軸は歪量の大きさを表す。この歪量の大きさは、後述する図１２に示す（３）の歪量｜ＰＬ−ＰＣ｜の大きさを「１」として規格化した相対値で示している。
歪量｜ＰＬ−ＰＣ｜，｜ＰＲ−ＰＣ｜の大きさは、小さい方が好ましいが、第１の実施形態の測定例では「０．２」以下であり、非常に小さく抑制されていることが分かる。
【００２８】
図１２に、比較例に係る温度制御装置９０の測定結果を示す。なお、横軸は、歪量の大きさを表す。この歪量の大きさは、（３）の歪量｜ＰＬ−ＰＣ｜の大きさを「１」として規格化した相対値で示している。
歪量｜ＰＬ−ＰＣ｜，｜ＰＲ−ＰＣ｜の大きさは、小さい方が好ましいが、比較例の測定例では、いずれも「０．６」以上であり、第１の実施形態の測定結果（図１１）より大きいことが分かる。
【００２９】
−第１の応用例−
図１３は、第１の応用例に係る温度制御装置４０を示す平面図である。図１４は、温度制御装置４０を示す側面図である。
この温度制御装置４０は、部品Ｈ’を設置する部品設置面を上面に有する平板状のベース１’と、ベース１’の下面に当接される電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄと、電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄの下面に当接されるフィン３と、ベース１’に埋設された温度センサ４と、温度センサ４でベース１’の温度を検出しそれが実質的に一定になるように電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄを駆動するコントローラ５とを備えている。
【００３０】
ベース１’の平面形状は、縦横比が４：５の長方形であり、直交する２つの対称中心線Ａｘ，Ａｙを有している。
また、ベース１’は、使用温度（例えば１７℃〜４０℃）において線膨張係数が小さい材料、例えばインバーやスーパーインバー製である。
【００３１】
電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、例えばペルチエ素子であり、ベース１’の縦寸法の３／８の辺長を有する正方形の面を持っている。
また、電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、対称中心線Ａｘ，Ａｙに対して対称な位置に配設されている。
さらに、電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、電気的には、コントローラ５に対して直列に接続されている。
【００３２】
フィン３も、使用温度（例えば１７℃〜４０℃）において線膨張係数が小さい材料、例えばインバーやスーパーインバー製である。
【００３３】
温度センサ４は、例えばサーミスタである。
コントローラ５は、例えばマイクロプロセッサである。
【００３４】
ベース１’と電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄとは接着剤で固定されている。また、電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄとフィン３とは接着剤で固定されている。
【００３５】
第１の応用例に係る温度制御装置４０によれば、複数の電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄを備えているため、熱的歪みが局限され、ベース１’全体の変形を抑制することが出来る。また、電子冷却素子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、電気的に直列にコントローラ５に接続されているため、コントローラ５が１個で済み、ベース１’が温度発振することもなく、ハードウエア的にもソフトウエア的にも構成を簡単化できる。
【００３６】
−第２の応用例−
図１５は、第２の応用例に係るレーザ装置２０を示す平面図である。図１６は、レーザ装置２０を示す側面図である。
このレーザ装置２０は、第１の実施形態に係る温度制御装置１０におけるベース１の上面に、半導体レーザ７１４，コリメーティングレンズ７１５，フォーカシングレンズ６６，レーザ媒質６７，非線形光学素子６８，波長選択性素子６９，レーザミラー６１０，光検出器６１１およびレンズ６１２を、それぞれホルダに装着して、それぞれ調整し、設置したものである。
【００３７】
半導体レーザ７１４は、励起レーザ光を出射する。
コリメーティングレンズ７１５は、半導体レーザ７１４からの励起レーザ光を平行光に整形する。
フォーカシングレンズ６６は、励起レーザ光をレーザ媒質６７へ集光する。
レーザ媒質６７は、その半導体レーザ側の端面とレーザミラー６１０とによりレーザ共振器を形成している。レーザ媒質６７は、励起レーザ光６５で励起され、レーザミラー６１０との間で構成された共振器間で、レーザ光を発生する。
非線形光学素子６８，波長選択性素子６９，レーザミラー６１０，光検出器６１１，レンズ６１２は、第２の実施形態と同じ構成である。
【００３８】
レーザ装置２０において、ベース１が変形すると、ベース１上の各部品のアライメントがずれるため、安定なレーザ発振が阻害される。特に、縦シングルモード半導体レーザ励起第二高調波固体レーザとして動作するレーザ装置２０では、共振器間隔（レーザ媒質６７の半導体レーザ側の端面とレーザミラー６１０の半導体レーザ側の端面の間隔）が変動すると、共振器縦モード間隔が変化するので、波長選択素子６９による縦モードの選択性が低下し、モードホップを引き起こしたり、縦マルチモード発振に至ることもある。
しかし、第２の応用例に係るレーザ装置２０では、第１の実施形態に係る温度制御装置１０を用いているため、ベース１の変形が抑制される。このため、ベース１の変形に起因するレーザ特性の変動を防止できる。
さらに、半導体レーザ７１４およびコリメーティングレンズ７１５からなる励起光学系と、非線形光学素子６８およびレーザミラー６１０を含む共振器部とが、同一のベース１上に載置されているため、励起レーザ光のミスアライメントによる影響を抑制できる。
【００３９】
−第３の応用例−
図１７は、第３の応用例に係るレーザ装置５０を示す平面図である。
このレーザ装置５０は、第１の応用例に係る温度制御装置４０におけるベース１’の上面に、フォーカシングレンズ６６，反射ミラー８１６Ａ，レーザ媒質６７，反射ミラー８１６Ｂ，反射ミラー８１６Ｃ，非線形光学素子６８，波長選択性素子６９，光アイソレータ８１７，レーザミラー６１０，光検出器６１１およびレンズ６１２を、それぞれホルダに装着して、それぞれ調整し、設置したものである。
【００４０】
フォーカシングレンズ６６は、ベース１’上にない半導体レーザ（図示せず）から出射しコリメーティングレンズ（図示せず）で平行光にされた励起レーザ光６５を、レーザ媒質６７へ集光する。
レーザ媒質６７，非線形光学素子６８，波長選択性素子６９，レーザミラー６１０，光検出器６１１，レンズ６１２は、第２の実施形態と同じ構成である。
【００４１】
３個の反射ミラー８１６Ａ，８１６Ｂ，８１６Ｃは、それらの各凹面とレーザミラー６１０の凹面とにより、レーザ共振器を形成する。
光アイソレータ８１７は、レーザ光を進行波にする。
【００４２】
第３の応用例に係るレーザ装置５０は、縦シングルモード半導体レーザ励起リング共振器型第二高調波固体レーザとして動作するが、第１の応用例に係る温度制御装置４０を用いているため、ベース１’の変形が抑制される。このため、ベース１’の変形に起因するレーザ特性の変動を防止できる。
【００４３】
−他の応用例−
電子冷却素子の数を、３個または５個以上としてもよい。
電子冷却素子を多数設けることにより、電子冷却素子１つ当たりの吸放熱面積がより小さくなり、吸熱あるいは放熱に伴う電子冷却素子由来のベースの歪みをより小さくすることが出来る。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の温度制御装置によれば、複数の電子冷却素子を備えているため、吸熱あるいは放熱に伴い電子冷却素子が歪んでも、ベースの歪みが局限され、ベース全体の変形を抑制できる。
【００４５】
本発明のレーザ装置によれば、複数の電子冷却素子を備えているため、吸熱あるいは放熱に伴い電子冷却素子が歪んでも、ベースの歪みが局限され、ベース全体の変形を抑制できる。従って、環境温度が変化したり、レーザ発振を長時間行わせても、ベース上の各光学素子のアライメントの変動が小さくて済み、長時間にわたり安定なレーザ発振が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る温度制御装置を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る温度制御装置を示す側面図である。
【図３】第２の実施形態に係るレーザ装置を示す平面図である。
【図４】第２の実施形態に係るレーザ装置を示す側面図である。
【図５】比較例の温度制御装置を示す平面図である。
【図６】比較例の温度制御装置を示す側面図である。
【図７】第１の実施形態に係る温度制御装置の変位測定点を示す平面図である。
【図８】第１の実施形態に係る温度制御装置の変位測定点を示す側面図である。
【図９】比較例に係る温度制御装置の変位測定点を示す平面図である。
【図１０】比較例に係る温度制御装置の変位測定点を示す側面図である。
【図１１】第１の実施形態に係る温度制御装置の歪量測定結果を示すグラフである。
【図１２】比較例に係る温度制御装置の歪量測定結果を示すグラフである。
【図１３】第１の応用例に係る温度制御装置を示す平面図である。
【図１４】第１の応用例に係る温度制御装置を示す側面図である。
【図１５】第２の応用例に係るレーザ装置を示す平面図である。
【図１６】第２の応用例に係るレーザ装置を示す側面図である。
【図１７】第３の応用例に係るレーザ装置を示す平面図である。
【符号の説明】
１，１’                        ベース
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ      電子冷却素子
３                              フィン
４                              温度センサ
５                              コントローラ
１０，４０                      温度制御装置
２０，３０，５０                レーザ装置
６５                            励起半導体レーザ光
６６                            フォーカシングレンズ
６７                            レーザ媒質
６８                            非線形光学素子
６９                            波長選択素子
６１０                          レーザミラー
６１１                          光検出器
６１２                          レンズ
６１３                          第二高調波レーザ光
７１４                          半導体レーザ素子
７１５                          コリメーティングレンズ
８１６Ａ，８１６Ｂ，８１６Ｃ    共振器ミラー
８１７                          光アイソレータ
Ｈ，Ｈ’                        部品
【図１】
2005005627.tif 000003
【図２】
2005005627.tif 000004
【図３】
2005005627.tif 000005
【図４】
2005005627.tif 000006
【図５】
2005005627.tif 000007
【図６】
2005005627.tif 000008
【図７】
2005005627.tif 000009
【図８】
2005005627.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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