(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップに形成された樹脂層に生じた内部応力による影響を抑制すること。【解決手段】樹脂層２０の多辺形面１４との対向面は、第１の辺Ｓ１に対向する第３の辺Ｓ３と、第２の辺Ｓ２に対向する第４の辺Ｓ４と、を有する。対向する第１及び第３の辺Ｓ１，Ｓ３の間の間隔Ｗ１は、対向する第２及び第４の辺Ｓ２，Ｓ４の間の間隔Ｗ２よりも狭くなるように設定されている。複数の電極１６は、対向する第１及び第３の辺Ｓ１，Ｓ３の間の領域を避けて、対向する第２及び第４の辺Ｓ２，Ｓ４の間の領域に配列されている。第３の辺Ｓ３は、第１の曲線Ｃ１と、第１の曲線Ｃ１の両側に接続されてなる一対の第２の曲線Ｃ２と、からなり、第１の曲線Ｃ１は、樹脂層２０の内方向に凸となるように屈曲し、第２の曲線Ｃ２は、樹脂層２０の外方向に凸となるように屈曲している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多辺形面を含み、集積回路が形成されてなる半導体チップと、
前記半導体チップの前記多辺形面に形成されてなる複数の電極と、
前記半導体チップの前記多辺形面に形成されてなる樹脂層と、
いずれかの前記電極上から前記樹脂層上に至るように形成されてなる配線と、
前記配線の前記樹脂層上の部分に設けられてなる外部端子と、
を有し、
前記多辺形面は、平行な一対の第１の辺と、平行な一対の第２の辺と、を有し、
前記樹脂層の前記多辺形面との対向面は、前記第１の辺に対向する第３の辺と、前記第２の辺に対向する第４の辺と、を有し、
対向する前記第１及び第３の辺の間の間隔は、対向する前記第２及び第４の辺の間の間隔よりも狭くなるように設定され、
前記複数の電極は、対向する前記第１及び第３の辺の間の領域を避けて、対向する前記第２及び第４の辺の間の領域に配列され、
前記第３の辺は、第１の曲線と、前記第１の曲線の両側に接続されてなる一対の第２の曲線と、からなり、前記第１の曲線は、前記樹脂層の内方向に凸となるように屈曲し、それぞれの前記第２の曲線は、前記樹脂層の外方向に凸となるように屈曲する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の曲線上の全て点における曲率半径は、それぞれの前記第２の曲線上のどの点における曲率半径よりも大きい半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項５】
複数の集積回路が形成されてなる半導体ウエハと、
前記半導体ウエハのそれぞれの前記集積回路の上方の多辺形面に形成された樹脂層と、
前記半導体ウエハの前記多辺形面に形成されてなる複数の電極と、
いずれかの前記電極上から前記樹脂層上に至るように形成されてなる配線と、
前記配線の前記樹脂層上の部分に設けられてなる外部端子と、
を有し、
前記多辺形面は、平行な一対の第１の辺と、平行な一対の第２の辺と、を有し、
前記樹脂層の前記多辺形面との対向面は、前記第１の辺に対向する第３の辺と、前記第２の辺に対向する第４の辺と、を有し、
対向する前記第１及び第３の辺の間の間隔は、対向する前記第２及び第４の辺の間の間隔よりも狭くなるように設定され、
前記複数の電極は、対向する前記第１及び第３の辺の間の領域を避けて、対向する前記第２及び第４の辺の間の領域に配列され、
前記第３の辺は、第１の曲線と、前記第１の曲線の両側に接続されてなる一対の第２の曲線と、からなり、前記第１の曲線は、前記樹脂層の内方向に凸となるように屈曲し、それぞれの前記第２の曲線は、前記樹脂層の外方向に凸となるように屈曲する半導体装置。
【請求項６】
（ａ）複数の集積回路が形成された半導体ウエハであって、それぞれの前記集積回路の上方の多辺形面に複数の電極が形成されてなる半導体ウエハの前記多辺形面に樹脂層を形成すること、
（ｂ）いずれかの前記電極上から前記樹脂層上に至るように配線を形成すること、及び、
（ｃ）前記配線の前記樹脂層上の部分に外部端子を設けること、
を含み、
前記多辺形面は、平行な一対の第１の辺と、平行な一対の第２の辺と、を有し、
前記樹脂層を、その前記多辺形面との対向面が、前記第１の辺に対向する第３の辺と、前記第２の辺に対向する第４の辺と、を有するように形成し、
前記樹脂層を、対向する前記第１及び第３の辺の間の間隔が、対向する前記第２及び第４の辺の間の間隔よりも狭くなるように形成し、
前記樹脂層を、前記第３の辺が、第１の曲線と、前記第１の曲線の両側に接続されてなる一対の第２の曲線と、からなり、前記第１の曲線が、前記樹脂層の内方向に凸となるように屈曲し、それぞれの前記第２の曲線が、前記樹脂層の外方向に凸となるように屈曲するように形成し、
前記樹脂層を、前記複数の電極が、対向する前記第１及び第３の辺の間の領域を避けて、対向する前記第２及び第４の辺の間の領域に配列されるように形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、半導体チップに形成された樹脂層によって、外部端子（例えばハンダボール）に加えられる外力を吸収する構造が開発されている。この構造でも、樹脂層自体の内部応力が半導体チップ（特にその表面に形成されたパッシベーション膜）に与える影響を抑える必要がある。
【特許文献１】特開２００３−２８２７９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、半導体チップに形成された樹脂層に生じた内部応力による影響を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、多辺形面を含み、集積回路が形成されてなる半導体チップと、
前記半導体チップの前記多辺形面に形成されてなる複数の電極と、
前記半導体チップの前記多辺形面に形成されてなる樹脂層と、
いずれかの前記電極上から前記樹脂層上に至るように形成されてなる配線と、
前記配線の前記樹脂層上の部分に設けられてなる外部端子と、
を有し、
前記多辺形面は、平行な一対の第１の辺と、平行な一対の第２の辺と、を有し、
前記樹脂層の前記多辺形面との対向面は、前記第１の辺に対向する第３の辺と、前記第２の辺に対向する第４の辺と、を有し、
対向する前記第１及び第３の辺の間の間隔は、対向する前記第２及び第４の辺の間の間隔よりも狭くなるように設定され、
前記複数の電極は、対向する前記第１及び第３の辺の間の領域を避けて、対向する前記第２及び第４の辺の間の領域に配列され、
前記第３の辺は、第１の曲線と、前記第１の曲線の両側に接続されてなる一対の第２の曲線と、からなり、前記第１の曲線は、前記樹脂層の内方向に凸となるように屈曲し、それぞれの前記第２の曲線は、前記樹脂層の外方向に凸となるように屈曲する。本発明によれば、樹脂層の第３の辺（第４の辺よりも多辺形面の辺に近い）が曲線からなるので、ストレスの局所的な集中を防止し、多辺形面を構成する部材のクラックを防止することができる。
（２）この半導体装置において、
前記第１の曲線上の全て点における曲率半径は、それぞれの前記第２の曲線上のどの点における曲率半径よりも大きくてもよい。
（３）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されてなる。
（４）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（５）本発明に係る半導体装置は、複数の集積回路が形成されてなる半導体ウエハと、
前記半導体ウエハのそれぞれの前記集積回路の上方の多辺形面に形成された樹脂層と、
前記半導体ウエハの前記多辺形面に形成されてなる複数の電極と、
いずれかの前記電極上から前記樹脂層上に至るように形成されてなる配線と、
前記配線の前記樹脂層上の部分に設けられてなる外部端子と、
を有し、
前記多辺形面は、平行な一対の第１の辺と、平行な一対の第２の辺と、を有し、
前記樹脂層の前記多辺形面との対向面は、前記第１の辺に対向する第３の辺と、前記第２の辺に対向する第４の辺と、を有し、
対向する前記第１及び第３の辺の間の間隔は、対向する前記第２及び第４の辺の間の間隔よりも狭くなるように設定され、
前記複数の電極は、対向する前記第１及び第３の辺の間の領域を避けて、対向する前記第２及び第４の辺の間の領域に配列され、
前記第３の辺は、第１の曲線と、前記第１の曲線の両側に接続されてなる一対の第２の曲線と、からなり、前記第１の曲線は、前記樹脂層の内方向に凸となるように屈曲し、それぞれの前記第２の曲線は、前記樹脂層の外方向に凸となるように屈曲する。本発明によれば、樹脂層の第３の辺（第４の辺よりも多辺形面の辺に近い）が曲線からなるので、ストレスの局所的な集中を防止し、多辺形面を構成する部材のクラックを防止することができる。
（６）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）複数の集積回路が形成された半導体ウエハであって、それぞれの前記集積回路の上方の多辺形面に複数の電極が形成されてなる半導体ウエハの前記多辺形面に樹脂層を形成すること、
（ｂ）いずれかの前記電極上から前記樹脂層上に至るように配線を形成すること、及び、
（ｃ）前記配線の前記樹脂層上の部分に外部端子を設けること、
を含み、
前記多辺形面は、平行な一対の第１の辺と、平行な一対の第２の辺と、を有し、
前記樹脂層を、その前記多辺形面との対向面が、前記第１の辺に対向する第３の辺と、前記第２の辺に対向する第４の辺と、を有するように形成し、
前記樹脂層を、対向する前記第１及び第３の辺の間の間隔が、対向する前記第２及び第４の辺の間の間隔よりも狭くなるように形成し、
前記樹脂層を、前記第３の辺が、第１の曲線と、前記第１の曲線の両側に接続されてなる一対の第２の曲線と、からなり、前記第１の曲線が、前記樹脂層の内方向に凸となるように屈曲し、それぞれの前記第２の曲線が、前記樹脂層の外方向に凸となるように屈曲するように形成し、
前記樹脂層を、前記複数の電極が、対向する前記第１及び第３の辺の間の領域を避けて、対向する前記第２及び第４の辺の間の領域に配列されるように形成する。本発明によれば、樹脂層の第３の辺（第４の辺よりも多辺形面の辺に近い）が曲線からなるので、ストレスの局所的な集中を防止し、多辺形面を構成する部材のクラックを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
図１は、本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図２は、図１に示す半導体装置のII−II線断面の一部を示す図である。
【０００７】
半導体装置１は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０には、集積回路１２が形成されている。集積回路１２は、トランジスタ等の能動素子を含む。半導体チップ１０は、図１に示すように、多辺形面（例えば、四辺形面）１４を有する。多辺形面１４は、多角形面（例えば矩形面）の角が欠けた形状であってもよい。多辺形面１４は、平行な一対の第１の辺Ｓ１と、平行な一対の第２の辺Ｓ２と、を有する（あるいは、これらのみからなる）。第１及び第２の辺Ｓ１，Ｓ２は隣同士で接していてもよい。第１及び第２の辺Ｓ１，Ｓ２の間の角は直角であってもよい。
【０００８】
多辺形面１４には、複数の電極（例えばパッド）１６が設けられている。電極１６は、半導体チップ１０の内部（例えば、集積回路１２あるいは集積回路１２を避けた半導体結晶部分）に電気的に接続されている。複数の電極１６は、多辺形面１４の端部に配列されている。複数の電極１６は、多辺形面１４の第２の辺Ｓ２に沿って側端部に配列されている。複数の電極１６は、多辺形面１４の第１の辺Ｓ１に沿った側端部を避けて配列されている。
【０００９】
半導体チップ１０の多辺形面１４は、図２に示すように、パッシベーション膜（例えばシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜又は有機薄膜又はこれらの積層構造を有する。）１８の表面である。パッシベーション膜１８は、電極１６の少なくとも中央部を避けて（中央部を露出させるように）形成されている。パッシベーション膜１８は絶縁膜である。パッシベーション膜１８は、半導体チップの半導体結晶部分の周縁に至るように形成されていてもよいし、半導体結晶部分の周縁に至らないように形成されていてもよい。
【００１０】
多辺形面１４（例えばパッシベーション膜１８上）には、少なくとも１層からなる樹脂層２０が形成されている。樹脂層２０は多辺形面１４に密着（接着）している。樹脂層２０は、多辺形面１４の中央部に形成されてもよい。樹脂層２０は、電極１６を避けて形成されている。樹脂層２０は、応力緩和機能を有してもよい。樹脂層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）、フェノール系樹脂、架橋ゴム等の樹脂で形成することができる。
【００１１】
樹脂層２０の多辺形面１４との対向面（底面）２２は、多辺形（例えば矩形などの四辺形）をなしており、一対の第１の辺Ｓ１にそれぞれ対向する一対の第３の辺Ｓ３と、一対の第２の辺Ｓ２にそれぞれ対向する一対の第４の辺Ｓ４と、を有する。本願の明細書で、辺が対向するとは、一方の辺の接線に垂直に引いた直線が他方の辺と交差することをいう。
【００１２】
対向する第１及び第３の辺Ｓ１，Ｓ３の間の間隔Ｗ１は、対向する第２及び第４の辺Ｓ２，Ｓ４の間の間隔Ｗ２よりも狭くなっている。複数の電極１６は、対向する第１及び第３の辺Ｓ１，Ｓ３の間の領域を避けて、対向する第２及び第４の辺Ｓ２，Ｓ４の間の領域に配列されている。
【００１３】
第３の辺Ｓ３は、第１の曲線Ｃ１と、第１の曲線Ｃ１の両側に接続されてなる一対の第２の曲線Ｃ２と、からなる。第１の曲線Ｃ１は、樹脂層２０の内方向に凸となるように屈曲し、第２の曲線Ｃ２は、樹脂層２０の外方向に凸となるよう屈曲している。第１の曲線Ｃ１上の全て点における曲率半径Ｒ１は、第２の曲線Ｃ２上のどの点における曲率半径Ｒ２よりも大きくなっていてもよい。
【００１４】
樹脂層２０の熱膨張係数（例えば線膨張係数）は、多辺形面１４を構成する部材（例えばパッシベーション膜１８）とは異なっている（例えば、前者が後者よりも大きい）。そのため、多辺形面１４に密着（接着）した樹脂層２０は、膨張又は収縮すると、内部応力が生じる。樹脂層２０の内部応力によって、多辺形面１４を構成する部材に力が加えられる。特に、樹脂層２０の周縁では、周縁内側の樹脂層２０直下の多辺形面１４に加わるストレスと周縁外側の樹脂層２０が存在しない周縁近傍の多辺形面１４に加わるストレス差が大きい。したがって、力が加えられる位置が、多辺形面１４を構成する部材の周縁に近いほど、多辺形面１４を構成する部材には、クラックが生じやすい。
【００１５】
本実施の形態では、樹脂層２０の第３の辺Ｓ３（第４の辺Ｓ４よりも多辺形面１４の周縁に近い）が曲線からなるので、内部応力の局所的な集中を防止し（すなわち多辺形面１４に加える力を分散し）、多辺形面１４を構成する部材（例えばパッシベーション膜１８）のクラックを防止することができる。
【００１６】
なお、樹脂層２０の側面は、図２に示すように傾斜していてもよい。その場合、樹脂層２０の上面は、多辺形面１４との対向面２２よりも小さくなる。変形例として、樹脂層２０の側面は、多辺形面１４との対向面２２から垂直に立ち上がる面であってもよい。樹脂層２０は、側面から上面にかけて角を有しないようにカーブしていてもよい。
【００１７】
樹脂層２０は、配線３０を形成する領域の一部では、平坦な面になるように形成されていてもよい。例えば、第４の辺Ｓ４から立ち上がる側面から上面にかけて、少なくとも配線３０の下では、樹脂層２０は平坦面を有していてもよい。そのため、第４の辺Ｓ４は、図１に示すように直線であってもよい。
【００１８】
半導体装置１は、配線３０を有する。配線３０は、電極１６上から樹脂層２０上に至るように形成されている。詳しくは、配線３０は、電極１６と重なる部分を有しており、電極１６と電気的に接続されている。配線３０は、樹脂層２０（その側面及び上面）と重なる部分を有する。配線３０は、樹脂層２０（その上面）上では、ランド（他の部分よりも幅の広い部分）を有していてもよい。配線３０は、電極１６と樹脂層２０との間では、パッシベーション膜１８上に形成されていてもよい。
【００１９】
配線３０は、導電材料（例えば金属）で形成されている。配線３０は、１層又は複数層で形成されている。複数層の場合には、構造の信頼性及び電気特性を考慮して、配線３０を異なる複数の材料（例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）など）を組み合わせて形成してもよい。
【００２０】
半導体装置１は、複数の外部端子４０を含む。外部端子４０は、配線３０（詳しくは、配線３０の樹脂層２０上の部分（例えばランド））上に設けられている。外部端子４０は、配線３０に電気的に接続されている。外部端子４０は、配線３０を介して電極１６に電気的に接続されている。外部端子４０は、導電性を有する金属で形成されてもよい。外部端子４０は、ろう材で形成されてもよい。外部端子４０は、例えば球の一部を切り欠いた形状を有してもよく、例えばハンダボールであってもよい。
【００２１】
樹脂層２０上には、第２の樹脂層５０が形成されている。第２の樹脂層５０は、遮光性を有していてもよいし、光透過性を有してもよい。第２の樹脂層５０は、配線３０の一部（例えばランドの少なくとも中央部以外の部分）を覆うように形成されている。第２の樹脂層５０は、配線３０の一部（樹脂層２０上の部分（例えばランドの少なくとも中央部））を避けて（露出させるように）形成されている。
【００２２】
配線３０の、第２の樹脂層５０からの露出部３２上に外部端子４０が設けられている。すなわち、第２の樹脂層５０からの露出部３２は外部端子４０との接合部である。第２の樹脂層５０は、ソルダレジストとして使用される。露出部３２が円形であって、露出部３２の外形（円）と同心の円３４（図１参照）の一部（弧）が、上述した第２の曲線Ｃ２であってもよい。その場合、外部端子４０から露出部３２に外力が伝えられたとき、樹脂層２０の第２の曲線Ｃ２を含む端部では内部応力が均等に分散するので、局所的な応力の集中を防止することができる。
【００２３】
図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。図１に示す半導体装置１は、図３に示す半導体装置２を切断（例えばダイシング）して得られる。なお、図３には、半導体装置２の一部が示されている。半導体装置２は、半導体ウエハ６０を有する。半導体ウエハ６０を切断（例えばダイシング）して、複数の半導体チップ１０（図１参照）が得られるので、半導体ウエハ６０は複数の半導体チップ１０の集合体である。半導体装置２は、複数の半導体装置１の集合体である。
【００２４】
半導体ウエハ６０には、複数の集積回路１２が形成されている。半導体ウエハ６０には、相互に間隔をあけて複数の樹脂層２０が配置されている。半導体ウエハ６０のそれぞれの集積回路１２の上方の多辺形面１４には樹脂層２０が形成されている。ここで、多辺形面１４とは、半導体チップ１０となる領域であって、例えば、半導体ウエハ６０の複数のダイシングラインＬに囲まれた領域である。その他の詳細は、上述した半導体装置１の内容が該当する。
【００２５】
半導体装置２の製造方法では、半導体ウエハ６０の多辺形面１４に樹脂層２０を形成する。樹脂層２０は、樹脂前駆体を、スピンコート法などによって半導体ウエハ６０上に層をなすように形成し、これをリソグラフィなどによってパターニングすることで形成してもよい。樹脂層２０の詳細は上述した通りである。
【００２６】
いずれかの電極１６上から樹脂層２０上に至るように配線３０を形成する。その形成方法は、スパッタリング又は蒸着などの方法による膜の形成及びそのエッチングを含んでもよい。配線３０の膜厚を厚くするため、スパッタリング等で第１の導電層を形成した後、その上にレジストを形成して所望の形状にパターニングし、電気めっきあるいは無電解めっき等の方法を用いて、第１の導電層のレジストからの露出部に第２の導電層を積層し、レジストを剥離後、第２の導電層をマスクとして第１の導電層のエッチングを行い、厚い配線３０を形成してもよい。また、配線３０の形成方法はインクジェット法等で直接形成してもよい。
【００２７】
配線３０をその一部を除いて覆うように、それぞれの樹脂層２０上に第２の樹脂層５０を形成する。第２の樹脂層５０は、樹脂前駆体を、スピンコート法などによって層をなすように形成し、これをリソグラフィなどによってパターニングすることで形成してもよい。樹脂層２０の配線３０を形成する領域は、平坦面になっていれば、配線３０を形成しやすい。
【００２８】
そして、配線３０の樹脂層２０上の部分に外部端子４０を設ける。さらに、半導体ウエハ６０を、複数の集積回路１２の領域ごとに切断する。半導体ウエハ６０を切断して複数の半導体装置１が得られる。これによれば、ウエハ単位でパッケージングがなされる。なお、その他の事項及び効果は、上述の半導体装置において説明した内容から導くことができるので省略する。
【００２９】
図４には、本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図５にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図６には携帯電話３０００が示されている。
【００３０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外したものであってもよい。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外したものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置のII−II線断面の一部を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…半導体装置  ２…半導体装置  １０…半導体チップ  １２…集積回路  １４…多辺形面  １６…電極  １８…パッシベーション膜  ２０…樹脂層  ２２…対向面  ３０…配線  ３２…露出部  ３４…円  ４０…外部端子  ５０…第２の樹脂層  ６０…半導体ウエハ  Ｓ１…第１の辺  Ｓ２…第２の辺  Ｓ３…第３の辺  Ｓ４…第４の辺  Ｃ１…第１の曲線  Ｃ２…第２の曲線  Ｒ１…曲率半径  Ｒ２…曲率半径
【図１】
2005317738.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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