(57)【要約】【課題】本発明の目的は、容易かつ安価に所定パターンの膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、少なくとも膜を形成する側の面に撥液性を有する基材５の前記膜を形成する膜形成領域９に、所定の処理を施し、膜形成領域９の撥液性を、前記膜を形成しない非膜形成領域９’の撥液性より低くする工程と、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、基材５の膜形成領域９に、選択的に触媒を含有する触媒層６を形成する工程と、触媒層６上に、触媒層６の触媒機能を利用して前記膜を形成する工程とを有する成膜方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、所定パターンの膜を形成する成膜方法であって、
少なくとも前記膜を形成する側の面に撥液性を有する基材の前記膜を形成する膜形成領域に、所定の処理を施し、前記膜形成領域の撥液性を、前記膜を形成しない非膜形成領域の撥液性より低くする第１の工程と、
前記基材の前記面に触媒を含有する液体を供給し、前記膜形成領域と前記非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、前記膜形成領域に選択的に触媒層を形成する第２の工程と、
前記触媒層上に、該触媒層の触媒機能を利用して前記膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第１の工程における前記所定の処理は、前記基材の前記膜形成領域に対して、活性エネルギー線を照射することにより行われる請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記活性エネルギー線は、紫外線、電子線およびイオンビームのうちの少なくとも１種である請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足する請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記触媒層における前記触媒の含有量は、５０ｗｔ％以上である請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
前記触媒は、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記膜は、主として金属材料で構成される金属膜である請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記第３の工程において、前記金属膜は、無電解メッキ法またはＣＶＤ法により形成される請求項７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記基材は、少なくとも前記膜を形成する側の面付近が、主として樹脂材料で構成された母材の前記面に対して、フッ素プラズマを照射することにより得られたものである請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする膜。
【請求項１１】
請求項１０に記載の膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、膜、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定パターンの膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、I：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した膜形成層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３３８１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、容易かつ安価に所定パターンの膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基材上に、所定パターンの膜を形成する成膜方法であって、
少なくとも前記膜を形成する側の面に撥液性を有する基材の前記膜を形成する膜形成領域に、所定の処理を施し、前記膜形成領域の撥液性を、前記膜を形成しない非膜形成領域の撥液性より低くする第１の工程と、
前記基材の前記面に触媒を含有する液体を供給し、前記膜形成領域と前記非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、前記膜形成領域に選択的に触媒層を形成する第２の工程と、
前記触媒層上に、該触媒層の触媒機能を利用して前記膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ安価に、高い成膜精度で膜を形成することができる。
【０００６】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程における前記所定の処理は、前記基材の前記膜形成領域に対して、活性エネルギー線を照射することにより行われることが好ましい。
これにより、前記膜形成領域の撥液性が前記非膜形成領域の撥液性よりも低いものとなる。
本発明の成膜方法では、前記活性エネルギー線は、紫外線、電子線およびイオンビームのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、前記膜形成領域の撥液性を、より容易かつ確実に消失または低減させて、前記非膜形成領域の撥液性より低くすることができる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足することが好ましい。
膜形成領域と非膜形成領域とが、前記関係を満足することにより、第２の工程において、触媒液中の触媒が、より高い選択性をもって基材の膜形成領域上に吸着し、より正確に膜形成領域の形状に対応した触媒層を形成することができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記触媒層における前記触媒の含有量は、５０ｗｔ％以上であることが好ましい。
これにより、前記触媒層に、十分な触媒機能を発揮させることができ、第３の工程において、より確実に膜を形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記触媒は、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらのものは、いずれも、高い触媒機能を有しており、第３の工程において、触媒として機能し、確実に膜を形成することができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記膜は、主として金属材料で構成される金属膜であることが好ましい。
金属膜は、触媒層の触媒機能を利用して、高い成膜精度で効率よく膜を形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記第３の工程において、前記金属膜は、無電解メッキ法またはＣＶＤ法により形成されることが好ましい。
無電解メッキ法を用いることにより、真空装置等の大がかりな装置を必要とせず、容易かつ安価に、高い成膜精度で金属膜（本発明の膜）を成膜することができる。また、ＣＶＤ法を用いることにより、緻密な（高密度な）金属膜を成膜することができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記基材は、少なくとも前記膜を形成する側の面付近が、主として樹脂材料で構成された母材の前記面に対して、フッ素プラズマを照射することにより得られたものであることが好ましい。
フッ素プラズマを照射する方法によれば、母材の上面をほぼ全体に渡って均一にフッ化することができ、上面に均一に（ムラなく）撥液性を有する基材を得ることができる。
【００１１】
本発明の膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、より容易かつ安価に高い成膜精度で膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
図１および図２は、それぞれ本発明の成膜方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本発明の成膜方法は、基材５上に所定パターンの膜８を形成する方法であり、図１および図２に示すように、少なくとも膜８を形成する側の面に撥液性を有する基材５の膜８を形成する膜形成領域９に、所定の処理を施し、膜形成領域９の撥液性を、膜８を形成しない非膜形成領域９’の撥液性より低くする撥液性調整工程と、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、基材５の膜形成領域９に、選択的に触媒を含有する触媒層６を形成する触媒層形成工程と、触媒層６上に、この触媒層６の触媒機能を利用して膜８を形成する膜形成工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００１３】
［１］撥液性調整工程
まず、少なくとも膜８を形成する側の面（上面）に撥液性を有する基材５を用意する（図１（ａ）参照）。
この基材５は、その少なくとも上面に撥液性を有するものであれば、その構成は特に限定されず、例えば、Ｘ：少なくとも上面付近が主として樹脂材料で構成された母材の上面に対して、フッ素プラズマを照射することにより得られたもの、Ｙ：各種ガラス材料やＳｉのような各種半導体材料で構成された母材の上面に、撥液性を有する膜を形成することにより得られたもの等が挙げられる。
【００１４】
なお、構成Ｘの場合、前記母材は、各種ガラス材料やＳｉのような各種半導体材料で構成された基部の上面に樹脂層が形成された積層構成のものであってもよく、母材の全体が樹脂材料で構成されたものであってもよい。
この中でも、基材５としては、特に構成Ｘのようにして得られたものが好ましい。具体的には、チャンバー内に前記母材をセット（設置）した状態で、ガス状のフッ素化合物を供給しつつ電界を付与する。これにより、ガス状のフッ素化合物がプラズマ化されてフッ素プラズマが発生する。このフッ素プラズマが母材の上面に照射され、母材の上面付近を構成する樹脂材料の分子構造に、例えば、吸着、結合等する。その結果、母材の上面付近がフッ素化されて、少なくとも上面に撥液性を有する基材５が得られる。
【００１５】
かかる方法によれば、母材の上面をほぼ全体に渡って均一にフッ化することができ、上面に均一に（ムラなく）撥液性を有する基材５を得ることができる。
母材の表面付近を構成する樹脂材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、芳香族ポリアミド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１６】
また、ガス状のフッ素化合物としては、特に限定されないが、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）、四フッ化エチレン（Ｃ２Ｆ４）、六フッ化プロピレン（Ｃ３Ｆ６）、八フッ化ブチレン（Ｃ４Ｆ８）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このガス状のフッ素化合物を供給する際の流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜３００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００１７】
放電電力は、１００〜１５００Ｗ程度であるのが好ましく、３００〜５００Ｗ程度であるのがより好ましい。
基材５の温度は、１０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。
ガス状のフッ素化合物の流量、放電電力および基材５の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、基材５の少なくとも上面付近を、より容易かつ確実に撥液性を有する樹脂材料で構成されたものとすることができる。
【００１８】
なお、ガス状のフッ素化合物は、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガスとともに、供給するようにしてもよい。これにより、比較的高い圧力下（例えば、大気圧下）において、フッ素プラズマを発生させることができるようになり、フッ素プラズマ処理をより簡便に行うことが可能になる。
次に、基材５の膜８を形成する膜形成領域９に、所定の処理を施し、膜形成領域９の撥液性を、膜８を形成しない非膜形成領域９’の撥液性より低くする。
【００１９】
この所定の処理としては、膜形成領域９の撥液性が非膜形成領域９’の撥液性より低くなるような処理であれば、いかなるものであってもよく、特に限定されないが、基材５の膜形成領域９に活性エネルギー線２を照射する方法を用いるのが好ましい。
具体的には、非膜形成領域９’の形状に対応するフォトマスク７を用いて、膜形成領域９に対して活性エネルギー線２を照射して（図１（ｂ）参照）、膜形成領域９の撥液性を低下させるものである（図１（ｃ）参照）。
【００２０】
この処理法を用いることにより、例えば、基材５の膜形成領域９の上面付近に存在するフッ素原子が除去されたり、膜形成領域９の基材５の上面付近（フッ素原子を含有する部分）が除去されて、本来の母材表面が露出することとなる。これにより、膜形成領域９の撥液性が非膜形成領域９’の撥液性よりも低いものとなる。
活性エネルギー線２としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線のような電磁波、電子線、イオンビーム、中性子線およびα線のような粒子線等が挙げられるが、これらの中でも、紫外線、電子線、イオンビームのうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。これにより、膜形成領域９の撥液性を、より容易かつ確実に消失または低減させて、非膜形成領域９’の撥液性より低くすることができる。
【００２１】
Ｉ：活性エネルギー線２として紫外線を用いる場合
照射する紫外線の波長は、１００〜３６５ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、前記紫外線の照射強度は、０．１〜１００ｍＷ程度であるのが好ましく、１〜５０ｍＷ程度であるのがより好ましい。
【００２２】
さらに、前記紫外線の照射時間は、０．１〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１５分程度であるのがより好ましい。
なお、この際の照射雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等、いかなる雰囲気であってもよいが、不活性雰囲気であるのが好ましい。
次に、前記照射雰囲気の温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
紫外線の波長、照射強度、照射時間、照射雰囲気および照射雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、膜形成領域９の撥液性を非膜形成領域９’の撥液性よりも、より確実に低いものにすることができる。
【００２３】
II：活性エネルギー線２として電子線を用いる場合
照射する電子線の加速電圧は、５０〜３００ｋＶ程度であるのが好ましく、８０〜１５０ｋＶ程度であるのがより好ましい。
また、前記電子線の線量は、１０〜１５００ｋＧｙ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｋＧｙ程度であるのがより好ましい。
【００２４】
なお、この際の照射雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等、いかなる雰囲気であってもよいが、真空または減圧状態下であるのが好ましい。
次に、前記照射雰囲気の温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
電子線の加速電圧、線量、照射雰囲気および照射雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、膜形成領域９の撥液性を非膜形成領域９’の撥液性よりも、より確実に低いものにすることができる。
【００２５】
III：活性エネルギー線２としてイオンビームを用いる場合
照射するイオンビームの加速電圧は、１〜１５０ｋＶ程度であるのが好ましく、１０〜５０ｋＶ程度であるのがより好ましい。
また、前記イオンビームのビーム電流は、０．０１〜５０ｎＡ程度であるのが好ましく、０．０１〜２０ｎＡ程度であるのがより好ましい。
【００２６】
さらに、前記イオンビームの照射時間は、０．００１〜５０ｓｅｃ程度であるのが好ましく、０．０１〜３０ｓｅｃ程度であるのがより好ましい。
なお、この際の照射雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等、いかなる雰囲気であってもよいが、真空または減圧状態下であるのが好ましい。
【００２７】
次に、前記照射雰囲気の温度は、０〜１００℃であるのが好ましく、２０〜５０℃であるのがより好ましい。
イオンビームの加速電圧、ビーム電流、照射時間、照射雰囲気および照射雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、膜形成領域９の撥液性を非膜形成領域９’の撥液性よりも、より確実に低いものにすることができる。
【００２８】
この膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の程度の違いは、各種の指標により表すことができるが、接触角を用いて好適に表すことができる。具体的には、非膜形成領域９’に対する純水の接触角をＡ［°］とし、膜形成領域９に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５［°］なる関係を満足するのが好ましく、Ａ−Ｂ≧３０［°］なる関係を満足するのがより好ましく、Ａ−Ｂ≧５０［°］なる関係を満足するのが特に好ましい。膜形成領域９と非膜形成領域９’とが、前記関係を満足することにより、後述する触媒層形成工程において、触媒液１０中の触媒が、より高い選択性をもって基材５の膜形成領域９上に吸着し、より正確に膜形成領域９の形状に対応した触媒層６が形成される。
なお、本実施形態では、基材５の膜形成領域９に活性エネルギー線２を照射することにより、膜形成領域９の撥液性を非膜形成領域９’の撥液性より低くする場合について説明したが、これに限定されず、例えば、膜形成領域９の基材５の上面に、非膜形成領域９’の撥液性より低い材料で構成される膜（親液膜）を形成するようにしてもよい。
【００２９】
［２］触媒層形成工程
次に、基材５の上面に触媒を含有する液体（触媒液）を供給する。そして、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、膜形成領域９に選択的に前記触媒を含有する触媒層６を形成する。
触媒液を基材５に供給する方法としては、例えば、触媒液中に基材５を浸漬させる方法（浸漬法）、触媒液を基材５にシャワー（噴霧）する方法、基材５に触媒液を塗布する方法（塗布法）等が挙げられるが、特に、浸漬法を用いるのが好ましい、浸漬法によれば、大量の基材５を容易に処理することができる。
このように、液体を基材５に供給する方法には、各種方法があるが、以下の各工程では、液体を接触させる方法として、浸漬法を用いる場合を代表に説明する。
【００３０】
［２−I］  まず、基材５上を、基材５の膜形成領域９に触媒層６を形成するための前処理を行う。
この前処理は、例えば、カチオン性界面活性剤を含む溶液（界面活性剤溶液）に基材５を浸漬させることにより行う。そして、基材５を前記溶液から取り出すと、膜形成領域９は、撥液性が低い（親液性が高い）ため、この溶液が付着した状態となる。一方、非膜形成領域９’は、撥液性が高いため、この溶液が非膜形成領域９’に付着することが防止される。さらに、膜形成領域９に付着した溶液により引き寄せられるようにして、非膜形成領域９’の溶液は、膜形成領域９に集まる（凝集する）。すなわち、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いにより、前記溶液が膜形成領域９に集まる。
【００３１】
その後、膜形成領域９に凝集した前記溶液の溶媒を除去することにより、基材５の膜形成領域９の表面にカチオン性界面活性剤が付着する。
このカチオン性界面活性剤の付着により、基材５の膜形成領域９の表面がプラスに帯電する。これにより、無電解メッキで用いる触媒が吸着し易いようになり、結果として、膜形成領域９に形成される膜８と基材５との密着性が向上する。
【００３２】
カチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化アルキルアンモニウム、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、ステアリン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
処理に際する界面活性剤溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
【００３３】
また、界面活性剤溶液中での基材５の処理時間は、１０〜９０秒程度であるのが好ましく、３０〜６０秒程度であるのがより好ましい。
このようにして、前処理が施された基材５を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
なお、本実施形態では、基材５の膜形成領域９上に触媒層６を形成するための前処理として、カチオン性界面活性剤を用いるものとして説明を行ったが、例えば、アミノシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、のようなシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネートのようなチタン系カップリング剤、ジルコニウムアセチルアセトネート、アセチルアセトンジルコニウムブチレートのようなジルコニウム系カップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリスアセチルアセトネートのようなアルミニウム系カップリング剤等のカップリング剤を用いて前処理を行ってもよい。
なお、本工程は、必要に応じて省略することもできる。
【００３４】
［２−II］  次に、基材５の膜形成領域９上に、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、触媒を含有する触媒層６を形成する。
この触媒としては、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｍｏおよびこれらを含む合金等各種のものを用いることができるが、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔおよびこれらを含む合金のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。これらのものは、いずれも、高い触媒機能を有しており、後述する膜形成工程において、触媒として機能し、確実に膜８を形成することができる。
【００３５】
また、触媒層６における前記触媒の含有量は、５０ｗｔ％以上であるのが好ましく７０ｗｔ％以上であるのがより好ましい。これにより、触媒層６に、十分な触媒機能を発揮させることができる。その結果、後述する膜形成工程において、より確実に膜８を形成することができる。
具体的には、触媒としてＰｄを用いる場合には、例えば、塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液、またはＳｎ−Ｐｄ等のＰｄ合金のコロイド液中（以下、これらを「触媒含有溶液」という。）に、基材５を浸漬する。そして、基材５を触媒含有溶液から取り出すと、膜形成領域９には、前述した工程［２−I］の界面活性剤溶液と同様に、触媒含有溶液が集まる（凝集する）。すなわち、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いにより、触媒含有溶液が膜形成領域９に集まる。
【００３６】
その後、膜形成領域９に凝集した触媒含有溶液の溶媒を除去する。
さらに、触媒に関与しない元素を除去することにより、Ｐｄを基材５の膜形成領域９の表面に露出させることができる。
例えば、塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液を用いる場合には、図１（ｄ）に示すように、基材５を触媒液１０に浸漬する。その後、酸溶液に浸漬することにより、Ｐｄに配位しているＳｎが溶解して除去され、基材５の膜形成領域９上にＰｄが露出し触媒層６が形成される（図１（ｅ）参照）。
【００３７】
酸溶液としては、例えば、ＨＢＦ４、ＨＣｌ等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、これに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。
基材５を浸漬する触媒液１０の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
次に、触媒液１０中での基材５の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
【００３８】
一方、この酸溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜５５℃程度であるのがより好ましい。
また、酸溶液中での基材５の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、３０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
このようにして、基材５の膜形成領域９上に設けられた触媒層６を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
【００３９】
［３］膜形成工程
次に、触媒層６上に、この触媒層６の触媒機能を利用して膜８を形成する。
膜８としては、例えば、主として金属材料で構成される金属膜、主として酸化物で構成される酸化物膜、主として繊維状炭素物質で構成される炭素膜等を形成することができるが、これらの中でも金属膜を形成するのが好ましい。金属膜は、触媒層６の触媒機能を利用して、特に効率よく形成（成膜）することができる。
【００４０】
この金属膜（膜８）としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属、これらを含む合金等のうちの少なくとも１種を主材料として構成することができる。
この膜８の形成方法としては、特に限定されないが、無電解メッキ法またはＣＶＤ法を用いるのが好ましい。無電解メッキ法を用いることにより、真空装置等の大がかりな装置を必要とせず、容易かつ安価に、高い成膜精度で金属膜を成膜することができる。また、ＣＶＤ法を用いることにより、緻密な（高密度な）金属膜を成膜することができる。
以下では、まず、無電解メッキ法による膜８の膜形成工程を説明し、次に、ＣＶＤ法による膜８の膜形成工程を説明する。
【００４１】
［３ａ］無電解メッキ法による膜形成工程
金属膜の形成に無電解メッキ法を用いる場合、基材５をメッキ液１１に浸漬する（図２（ｆ）参照）。これにより、膜形成領域９の触媒層６に存在する触媒に、金属元素が析出し、この領域の形状に対応した膜８が形成される（図２（ｇ）参照）。
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
【００４２】
還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム等うちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、膜８の成膜速度が適正なものとなり、膜８において求められる最適な膜厚範囲に、容易に膜厚を制御できるようになる。また、形成される膜８が、均一な膜厚、かつ、良好な表面性を有する（膜表面モフォロジーが高い）ものとなる。
【００４３】
メッキ液１１における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、１〜５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５〜２５ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、膜８を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
また、メッキ液１１における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、１０〜２００ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
【００４４】
このようなメッキ液１１には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液１１のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、膜８の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
【００４５】
メッキ液１１への浸漬（メッキ処理）の際のメッキ液１１のｐＨは、５〜１２程度であるのが好ましく、６〜１０程度であるのが好ましい。
また、メッキ処理の際のメッキ液１１の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、メッキ液１１中での基材５の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
【００４６】
メッキ液１１のｐＨ、温度、メッキ液１１による処理時間を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚の膜８を高い精度で形成することができる。
なお、作業温度（メッキ液１１の温度）、作業時間（メッキ時間）、メッキ液１１の量、メッキ液１１のｐＨ、メッキ回数（ターン数）等のメッキ条件を設定することにより、形成される膜８の厚さを調整することができる。
【００４７】
また、メッキ液１１中には、例えば、錯化剤、安定化剤等の添加物を、適宜添加するようにしてもよい。
錯化剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、酢酸のようなカルボン酸類、酒石酸、クエン酸のようなオキシカルボン酸類、グリシンのようなアミノカルボン酸類、トリエタノールアミンのようなアミン類、グリセリン、ソルビトールのような多価アルコール類等が挙げられる。
【００４８】
安定化剤としては、例えば、２，２’−ビピリジル、シアン化合物、フェロシアン化合物、フェナントロリン、チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、チオグリコール酸等が挙げられる。
このようにして、膜８が膜形成領域９に対応する部分に形成された基材５を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
【００４９】
［３ｂ］ＣＶＤ法による膜形成工程
金属膜の形成にＣＶＤ法を用いる場合、チャンバー内に触媒層６が形成された基材５を設置（セット）した状態で、前駆体ガス（ガス状の金属膜の構成材料の前駆体）１２と、キャリアガスと、必要に応じて、前駆体ガス１２から金属元素を生成させるためのガスとを供給し、例えば、熱、レーザー光等のエネルギーを付与する（図２（ｆ’）参照）。これにより、膜形成領域９の触媒層６に存在する触媒が核となり、化学反応が進行して金属元素が堆積することにより金属膜（膜８）が形成される（図２（ｇ’）参照）。
【００５０】
この前駆体ガス１２としては、例えば、金属ハロゲン化合物や、アルキル化された金属のような有機金属化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、キャリアガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅのような不活性ガスが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
前記ガスの供給流量は、１００〜７００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、３００〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
チャンバー内の圧力は、０．５〜５Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１〜３Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
チャンバー内の温度は、５０〜２００℃程度であるのが好ましく、１００〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
【００５２】
なお、前記エネルギーは、チャンバー内に供給されたガスおよび触媒層６のいずれか一方または双方に付与するようにすればよい。
以上のような工程を経て、金属膜（本発明の膜８）が得られる。
本発明によれば、基板上に直接マスク（レジスト層）を形成することを要せず、高い成膜精度で膜８を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、より容易かつ安価に高い成膜精度で膜８を得ることができる。
【００５３】
＜電子部品＞
このような膜８は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）に適用した場合を代表に説明する。
【００５４】
図３（ａ）は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下では、図３中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３（ａ）に示す薄膜トランジスタ１００は、基板２０（基材５）上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【００５５】
具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【００５６】
この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００５７】
以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。
【００５８】
この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。
【００５９】
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
これらのソース電極３０、ドレイン電極４０、および、後述するゲート電極７０に、本発明の膜８を適用することができる。
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。
【００６０】
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。
【００６１】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００６２】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。
【００６３】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００６４】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
【００６５】
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００６６】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【００６７】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【００６９】
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。
【００７０】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【００７１】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。
【００７２】
＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００７３】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００７４】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００７５】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【００７６】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００７７】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７８】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
２……活性エネルギー線  ５……基材  ６……触媒層  ７……フォトマスク  ８……膜  ９……膜形成領域  ９’……非膜形成領域  １０……触媒液  １１……メッキ液  １２……前駆体ガス  １００‥‥薄膜トランジスタ  ２０‥‥基板  ３０‥‥ソース電極  ４０‥‥ドレイン電極  ５０‥‥有機半導体層  ５１０‥‥チャネル領域  ６０‥‥ゲート絶縁層  ７０‥‥ゲート電極  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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