(57)【要約】【課題】  走査型電子顕微鏡でウェットホールを観察することなく、ウェットホール径を見積ることができるようにする。【解決手段】  コンタクトＣ１、Ｃ２の間隔が互いに異なるコンタクトアレイＲ１、Ｒ２を形成し、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行った後に、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２のレジストパターンの変色を金属顕微鏡にて観察する。【選択図】      図１
2005191062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクト間の間隔の異なる複数のコンタクトアレイに対応したレジストパターンを絶縁層上に形成するステップと、
前記レジストパターンを介して前記絶縁層のエッチングを行うステップと、
前記エッチング後の前記レジストパターンの変色状態に基づいてエッチング幅を判別するステップとを備えることを特徴とするエッチング幅の管理方法。
【請求項２】
前記コンタクトアレイは、
目標とするエッチング幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトから等距離にある点に達するようにコンタクト間の間隔が設定された第１のコンタクトアレイと、
前記目標とするエッチング幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトから等距離にある点に達しないようにコンタクト間の間隔が設定された第２のコンタクトアレイとを備えることを特徴とする請求項１記載のエッチング幅の管理方法。
【請求項３】
半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上の全面にレジスト膜を形成する工程と、
コンタクト間の間隔の異なる複数のコンタクトアレイに対応した開口部を前記レジスト膜に形成する工程と、
前記開口部が形成されたレジスト膜を介して前記絶縁層のウェットによるハーフエッチングを行うことにより、前記絶縁層にウェットホールを形成する工程と、
前記開口部が形成されたレジスト膜を介して前記絶縁層のドライエッチングを行うことにより、前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
前記ウェットホール形成後の前記レジストパターンの変色状態に基づいて前記ウェットホール幅を判別する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記コンタクトアレイは、
目標とするウェットホール幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトホールから等距離にある点にウェットホールが達するようにコンタクトホール間の間隔が設定された第１のコンタクトアレイと、
前記目標とするウェットホール幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトホールから等距離にある点にウェットホールが達しないようにコンタクトホール間の間隔が設定された第２のコンタクトアレイとを備えることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記各コンタクトアレイのサイズは、３０×３０μｍ以上であることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエッチング幅の管理方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、ウェットエッチングによるウェットホール形成時のウェットホール幅の管理方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置では、コンタクトホールの段差を緩和して、配線の段切れを防止するため、コンタクトホール開口位置にウェットによるハーフエッチングを行った後、同一のレジストマスクを用いてコンタクトホールを形成する方法がある。
ここで、ウェットエッチングで形成されたウェットホールの径が広がり過ぎると、レジストマスクの密着面が消失し、レジスト浮きが発生する。そして、ウェットホールの形成に使用されたレジストマスクを用いてドライエッチングを行うと、エッチング精度が劣化し、コンタクトホールを精度よく形成できなくなる。
【０００３】
このため、ウェットホール形成後にウェットホールを走査型電子顕微鏡で観察し、ウェットホール径を測定することが行われていた。
また、例えば、特許文献１には、ウェットホール形成時のレジスト浮きを防止するため、コンタクトホール間の間隔が３．６μｍより小さい場合には、コンタクトホールを間引いて配置する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−２５６２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ウェットホール径を測定するために、ウェットホールを走査型電子顕微鏡で観察する方法では、ウェットホール径の測定に時間を要し、スループットの低下を引き起こすという問題があった。
そこで、本発明の目的は、走査型電子顕微鏡でウェットホールを観察することなく、ウェットホール径を見積ることが可能なエッチング幅の管理方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るエッチング幅の管理方法によれば、コンタクト間の間隔の異なる複数のコンタクトアレイに対応したレジストパターンを絶縁層上に形成するステップと、前記レジストパターンを介して前記絶縁層のエッチングを行うステップと、前記エッチング後の前記レジストパターンの変色状態に基づいてエッチング幅を判別するステップとを備えることを特徴とする。
【０００６】
これにより、所定のエッチング幅に対して、レジスト浮きが発生するコンタクトアレイと、レジスト浮きが発生しないコンタクトアレイとを形成することが可能となるとともに、コンタクトアレイの面積を広げることで、レジスト浮きの発生面積を容易に拡大することが可能となる。
このため、レジストパターンの変色が起こっているかどうかを金属顕微鏡にて識別することが可能となり、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイとレジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイとを容易に特定することが可能となる。この結果、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイに形成されたコンタクト間の間隔と、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイに形成されたコンタクト間の間隔とからエッチング幅を見積ることが可能となり、走査型電子顕微鏡でエッチング跡を観察する必要をなくして、スループットの低下を抑制することが可能となる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係るエッチング幅の管理方法によれば、前記コンタクトアレイは、目標とするエッチング幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトから等距離にある点に達するようにコンタクト間の間隔が設定された第１のコンタクトアレイと、前記目標とするエッチング幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトから等距離にある点に達しないようにコンタクト間の間隔が設定された第２のコンタクトアレイとを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、目標とするエッチング幅に対して、レジストパターンの密着面が消失するコンタクトアレイと、レジストパターンの密着面が残っているコンタクトアレイとを形成することが可能となり、レジスト浮きが発生するコンタクトアレイと、レジスト浮きが発生しないコンタクトアレイとを形成することが可能となる。このため、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイと、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイとを形成することが可能となり、レジストパターンの変色が起こっているンタクトアレイを金属顕微鏡にて特定することを可能して、エッチング幅を効率よく見積ることができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上の全面にレジスト膜を形成する工程と、コンタクト間の間隔の異なる複数のコンタクトアレイに対応した開口部を前記レジスト膜に形成する工程と、前記開口部が形成されたレジスト膜を介して前記絶縁層のウェットによるハーフエッチングを行うことにより、前記絶縁層にウェットホールを形成する工程と、前記開口部が形成されたレジスト膜を介して前記絶縁層のドライエッチングを行うことにより、前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記ウェットホール形成後の前記レジストパターンの変色状態に基づいて前記ウェットホール幅を判別する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイと、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイとを金属顕微鏡にて特定することで、ウェットホール幅を見積ることが可能となる。このため、ウェットホール幅の管理を効率よく行うことを可能としつつ、ウェットによるハーフエッチングを行うことが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、エッジが丸められたコンタクトホールを精度よく形成することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記コンタクトアレイは、目標とするウェットホール幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトホールから等距離にある点にウェットホールが達するようにコンタクトホール間の間隔が設定された第１のコンタクトアレイと、前記目標とするウェットホール幅が得られた時に、互いに隣接する４個のコンタクトホールから等距離にある点にウェットホールが達しないようにコンタクトホール間の間隔が設定された第２のコンタクトアレイとを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、目標とするウェットホール幅に対して、レジストパターンの密着面が消失するコンタクトアレイと、レジストパターンの密着面が残っているコンタクトアレイとを形成することが可能となる。このため、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイと、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイとを形成することが可能となり、レジストパターンの変色が起こっているンタクトアレイを金属顕微鏡にて特定することを可能して、ウェットホール幅を効率よく見積ることができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記各コンタクトアレイのサイズは、３０×３０μｍ以上であることを特徴とする。
これにより、金属顕微鏡にてレジスト浮きを容易に識別することが可能となり、走査型電子顕微鏡でウェットホール幅を観察する必要をなくして、ウェットホール径を短時間で見積ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態に係るエッチング幅の寸法管理方法および半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るコンタクトアレイの配置方法を示す平面図である。
図１において、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２には、所定間隔で配置された複数のコンタクトＣ１、Ｃ２がそれぞれ設けられている。なお、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２は、例えば、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐｅ）として形成することができる。また、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２は、例えば、半導体ウェハのスクライブライン上に配置することができる。
【００１５】
ここで、コンタクトアレイＲ１に配置されたコンタクトＣ１の径Ａ１と、コンタクトアレイＲ２に配置されたコンタクトＣ２の径Ａ２とは互いに一致させることができる。また、コンタクトアレイＲ１に配置されたコンタクトＣ１の間隔Ｂ１と、コンタクトアレイＲ２に配置されたコンタクトＣ２の間隔Ｂ２とは互いに異なるように設定することができる。さらに、各コンタクトアレイＲ１、Ｒ２のサイズは、３０×３０μｍ以上とすることができる。
【００１６】
そして、コンタクトホール開口位置にウェットによるハーフエッチングを行った後、同一のレジストマスクを用いてコンタクトホールを形成する場合、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行うことにより、ウェットホール幅を見積ることができる。
図２は、本発明の一実施形態に係るコンタクトホールおよびウェットホールの形状を示す平面図である。
【００１７】
図２において、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行うことにより、絶縁層が等方的にエッチングされ、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２にそれぞれ配置されたウェットホール２、４を絶縁層に形成することができる。
次に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウェットホール２、４が形成された絶縁層のドライエッチングを行うことにより、絶縁層を異方的にエッチングすることができ、コンタクトアレイＲ１、Ｒ２にそれぞれ配置されたコンタクトホール１、３を絶縁層に形成することができる。
【００１８】
ここで、コンタクトアレイＲ１に配置されたコンタクトＣ１の間隔Ｂ１と、コンタクトアレイＲ２に配置されたコンタクトＣ２の間隔Ｂ２とを互いに異なるように設定することにより、同一条件でウェットエッチングを行った場合においても、ウェットホール２、４形成後の各コンタクトアレイＲ１、Ｒ２におけるレジストパターンの密着部分の消失時期を異ならせることができる。
【００１９】
すなわち、コンタクトアレイＲ１のコンタクトＣ１の間隔Ｂ１が、コンタクトアレイＲ２のコンタクトＣ２の間隔Ｂ２より狭い場合、コンタクトアレイＲ１では、レジストパターンの密着部分を完全に消失させることを可能としつつ、コンタクトアレイＲ２では、互いに隣接する４個のウェットホール４で囲まれた領域にレジストパターンの密着部分５を残すことが可能となる。
【００２０】
このため、レジストパターンの密着部分が完全に消失したコンタクトアレイＲ１では、コンタクトアレイＲ１全体でレジスト浮きを発生させることが可能となるとともに、レジストパターンの密着部分５が残っているコンタクトアレイＲ２では、コンタクトアレイＲ２全体でレジスト浮きを発生させないようにすることができる。
そして、コンタクトアレイＲ１では、コンタクトアレイＲ１全体でレジスト浮きが発生するようにすることにより、コンタクトアレイＲ１ではレジストパターンが変色した状態で観察されるようにすることが可能となるとともに、コンタクトアレイＲ２では、コンタクトアレイＲ２全体でレジスト浮きが発生しないようにすることにより、コンタクトアレイＲ２ではレジストパターンが変色しない状態で観察されるようにすることが可能となる。
【００２１】
ここで、各コンタクトアレイＲ１、Ｒ２のサイズを３０×３０μｍ以上とすることにより、レジストパターンの変色が起こっているかどうかを金属顕微鏡にて識別することが可能となり、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイＲ１と、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイＲ２とを容易に特定することが可能となる。
【００２２】
そして、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイＲ１と、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイＲ２とを識別することにより、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイＲ１に形成されたコンタクトＣ１間の間隔Ｂ１と、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイＲ２に形成されたコンタクトＣ２間の間隔Ｂ２とからウェットホール幅Ｗを見積ることが可能となる。
【００２３】
すなわち、コンタクトＣ１の間隔Ｂ１のコンタクトアレイＲ１では、レジストパターンの変色が起こっているのであるから、ウェットホール幅Ｗは、間隔Ｂ１で配置された互いに隣接する４個のコンタクトＣ１から等距離にある点Ｐ１までの距離より大きいと判断することができる。
一方、コンタクトＣ２の間隔Ｂ２のコンタクトアレイＲ２では、レジストパターンの変色が起こっていないのであるから、ウェットホール幅Ｗは、間隔Ｂ２で配置された互いに隣接する４個のコンタクトＣ２から等距離にある点Ｐ２までの距離より小さいと判断することができる。
【００２４】
このため、各コンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応して形成されたレジストパターンの変色が起こっているかどうかを金属顕微鏡にて識別することにより、ウェットホール幅Ｗを見積ることが可能となり、走査型電子顕微鏡でウェットホール２、４を観察する必要をなくして、スループットの低下を抑制することが可能となる。
図３は、本発明の一実施形態に係るレジスト浮き発生時のウェットホール幅の算出方法を示す図である。
【００２５】
図３において、互いに隣接する４個のコンタクトホール１１および各コンタクトホール１１に対応したウェットホール１２が形成されているものとする。ここで、コンタクトホール１１の半径をｒ、ウェットホール幅をＹ、コンタクトホール１１間の間隔を２Ｘとする。
そして、互いに隣接する４個のコンタクトホール１１から等距離にある点Ｐにウェットホール幅Ｙが達した時にレジスト浮きが発生するものとすると、この時のウェットホール幅Ｙｐは以下の（１）式で求めることができる。
【００２６】
Ｙｐ＝（ｒ＋Ｘ）＊√２−ｒ                                      ・・・（１）
図４は、本発明の一実施形態に係るレジスト浮き発生時のコンタクトホール間隔とウェットホール幅との関係を示す図である。なお、図４の例では、コンタクトホール１１の径２ｒが０．６μｍとした場合について、（１）式を用いることにより、図３のコンタクトホール１１間の間隔２Ｘに対して、点Ｐに達した時のウェットホール幅Ｙを求めた。
【００２７】
この結果、点Ｐに達した時のウェットホール幅Ｙは、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘに対してほぼ比例して増大することが判る。
このため、目標とするウェットホール幅に対して、ウェットホール幅Ｙが点Ｐに達するようにコンタクトホール１１間の間隔２Ｘが設定されたコンタクトアレイと、ウェットホール幅Ｙが点Ｐに達しないようにコンタクトホール１１間の間隔２Ｘが設定されたコンタクトアレイとを形成することにより、レジストパターンの密着面が消失するコンタクトアレイと、レジストパターンの密着面が残っているコンタクトアレイとを形成することが可能となり、レジスト浮きが発生するコンタクトアレイと、レジスト浮きが発生しないコンタクトアレイとを形成することが可能となる。従って、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイと、レジストパターンの変色が起こっていないコンタクトアレイとを形成することが可能となり、レジストパターンの変色が起こっているコンタクトアレイを金属顕微鏡にて特定することを可能として、ウェットホール幅Ｙを効率よく見積ることができる。
【００２８】
例えば、目標とするウェットホール幅Ｙが１．３０μｍである場合、コンタクトホール１１の径２ｒが０．６μｍで等しく、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍ、１．６μｍ、１．９μｍ、２．２μｍの６通りのコンタクトアレイを用いることができる。
そして、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍの場合、点Ｐに達するウェットホール幅Ｙは０．５５μｍ、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．０μｍの場合、点Ｐに達するウェットホール幅Ｙは０．８３μｍ、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．４μｍの場合、点Ｐに達するウェットホール幅Ｙは１．１１μｍ、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．６μｍの場合、点Ｐに達するウェットホール幅Ｙは１．２６μｍ、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．９μｍの場合、点Ｐに達するウェットホール幅Ｙは１．４７μｍ、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが２．２μｍの場合、点Ｐに達するウェットホール幅Ｙは１．６８μｍとなる。
【００２９】
このため、目標とするウェットホール幅Ｙとして１．３０μｍが得られた場合、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍ、１．６μｍに設定されたコンタクトアレイでは、ウェットホール幅Ｙが点Ｐに達するため、レジスト浮きが発生する。
一方、目標とするウェットホール幅Ｙとして１．３０μｍが得られた場合、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．９μｍ、２．２μｍに設定されたコンタクトアレイでは、ウェットホール幅Ｙが点Ｐに達しないため、レジスト浮きが発生しない。
【００３０】
このため、ウェットホール１２を形成するためのウェットエッチングを行った後、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが、０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍ、１．６μｍ、１．９μｍ、２．２μｍの６通りのコンタクトアレイを観察し、これらのコンタクトアレイのレジスト浮きを確認することにより、実際のウェットホール幅Ｙが、目標とするウェットホール幅Ｙ＝１．３０μｍであるかどうかを見積ることができる。
【００３１】
すなわち、ウェットホール１２を形成するためのウェットエッチングを行った後、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍ、１．６μｍ、１．９μｍ、２．２μｍの６通りのコンタクトアレイを観察した結果、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍ、１．６μｍに設定されたコンタクトアレイでは、レジスト浮きが発生し、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．９μｍ、２．２μｍに設定されたコンタクトアレイでは、レジスト浮きが発生してないとすると、実際に得られたウェットホール幅Ｙは、１．２６μｍ〜１．４７μｍに収まっていると判断することができる。
【００３２】
また、例えば、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍに設定されたコンタクトアレイでは、レジスト浮きが発生し、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが１．６μｍ、１．９μｍ、２．２μｍに設定されたコンタクトアレイでは、レジスト浮きが発生してないとすると、実際に得られたウェットホール幅Ｙは、１．１１μｍ〜１．２６μｍに収まっていると判断することができ、目標とするウェットホール幅Ｙ＝１．３０μｍからはずれていると判定することができる。
【００３３】
また、例えば、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが０．６μｍ、１．０μｍ、１．４μｍ、１．６μｍ、１．９μｍに設定されたコンタクトアレイでは、レジスト浮きが発生し、コンタクトホール１１間の間隔２Ｘが２．２μｍに設定されたコンタクトアレイでは、レジスト浮きが発生してないとすると、実際に得られたウェットホール幅Ｙは、１．４７μｍ〜１．６８μｍに収まっていると判断することができ、目標とするウェットホール幅Ｙ＝１．３０μｍからはずれていると判定することができる。
【００３４】
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図５（ａ）において、半導体基板２１上には絶縁層２２が形成されている。そして、絶縁層２２上の全面にレジスト膜２３を塗布した後、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、絶縁層２２を露出させる開口部２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂをレジスト膜２３に形成する。ここで、開口部２４ａ、２４ｂはコンタクトアレイ領域Ｒ１１に配置し、開口部２５ａ、２５ｂはコンタクトアレイ領域Ｒ１２に配置することができる。また、開口部２４ａ、２４ｂ間の間隔と、開口部２５ａ、２５ｂ間の間隔とは互いに異なるように設定することができる。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示すように、開口部２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂが形成されたレジスト膜２３をマスクとしてウェットによる絶縁層２２のハーフエッチングを行うことにより、コンタクトアレイ領域Ｒ１１の絶縁層２２にウェットホール２６ａ、２６ｂを形成するとともに、コンタクトアレイ領域Ｒ１２の絶縁層２２にウェットホール２７ａ、２７ｂを形成する。
【００３６】
ここで、コンタクトアレイ領域Ｒ１１の開口部２４ａ、２４ｂ間の間隔が、コンタクトアレイ領域Ｒ１２の開口部２５ａ、２５ｂ間の間隔より狭い場合、コンタクトアレイ領域Ｒ１１では、レジスト膜２３の密着部分を完全に消失させることが可能となるとともに、コンタクトアレイ領域Ｒ１２では、レジスト膜２３の密着部分を残すことが可能となる。
このため、レジスト膜２３の密着部分が完全に消失したコンタクトアレイ領域Ｒ１１では、レジスト浮き３０が発生し、レジスト膜２３の密着部分が残っているコンタクトアレイ領域Ｒ１２では、レジスト浮き３０が発生しないようにすることができる。
【００３７】
この結果、コンタクトアレイ領域Ｒ１１ではレジスト膜２３が変色した状態で観察されるようにすることが可能となるとともに、コンタクトアレイ領域Ｒ１２ではレジスト膜２３が変色しない状態で観察されるようにすることが可能となる。
そして、これらのコンタクトアレイ領域Ｒ１１、Ｒ１２におけるレジスト膜２３の変色状態を観察することで、ウェットホール２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂの幅を見積ることが可能となる。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示すように、ウェットホール２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂの幅が目標とする範囲内に収まっていると確認された場合、開口部２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂが形成されたレジスト膜２３をマスクとして絶縁層２２のドライエッチングを行うことにより、コンタクトアレイ領域Ｒ１１の絶縁層２２にコンタクトホール２８ａ、２８ｂを形成するとともに、コンタクトアレイ領域Ｒ１２の絶縁層２２にコンタクトホール２９ａ、２９ｂを形成する。
【００３９】
これにより、レジスト膜２３の変色が起こっているコンタクトアレイ領域Ｒ１１と、レジスト膜２３の変色が起こっていないコンタクトアレイ領域Ｒ１２とを金属顕微鏡にて特定することで、ウェットホール２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂの幅を見積ることが可能となる。このため、ウェットホール２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂの幅の管理を効率よく行うことを可能としつつ、ウェットによるハーフエッチングを行うことが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、エッジが丸められたコンタクトホール２８ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂを精度よく形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態に係るコンタクトアレイの配置方法を示す平面図。
【図２】本発明の一実施形態に係るウェットホールの形状を示す平面図。
【図３】レジスト浮き発生時のウェットホール幅の算出方法を示す図。
【図４】レジスト浮き発生時のコンタクトホール間隔とウェットホール幅との関係を示す図。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００４１】
Ｒ１、Ｒ２  コンタクトアレイ、Ｃ１、Ｃ２  コンタクト、１、３、１１、２８ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂ  コンタクトホール、２、４、１２、２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ  ウェットホール、５  レジストパターンの密着部分、Ｗ  ウェットホール幅、Ｒ１１、Ｒ１２  コンタクトアレイ領域、２１  半導体基板、２２  絶縁層、２３  レジスト膜、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ  開口部、３０  レジスト浮き
【図１】
2005191062.tif 000003
【図２】
2005191062.tif 000004
【図３】
2005191062.tif 000005
【図４】
2005191062.tif 000006
【図５】
2005191062.tif 000007