(57)【要約】【課題】  品質にバラつきの少ない反射体を効率よくローコストに大量生産することが可能な反射体の製造方法を提供する。【解決手段】  反転型（第２の反転型）２３は、例えば厚さ１０ｍｍ程度のシリコンゴムで形成されれば良く、一面に多数の微細な突起２５が形成されている。この突起２５を基板材料１９のレジスト材１８表面に押し付けることで、レジスト材１８に凹部を形成する。また、反転型２３の裏面側には、表面粗さ数μｍ程度の微細な凹凸２８が形成されている。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に多数の凹部が形成された基板と、この基板の一面に成膜された反射膜とを具備してなる反射体の製造方法であって、
前記凹部を形成するにあたって、前記凹部の形状に倣った多数の凹凸を備えたマスター型から第１の反転型を成型し、この第１の反転型から前記マスター型に倣った多数の凹凸を備えたレプリカ型を成型し、このレプリカ型から第２の反転型を複数個成型し、この第２の反転型を１枚の支持板に複数配列して前記基板の構成材料に型押しすることによって前記反射体を得ることを特徴とする反射体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の反転型および第２の反転型は、それぞれ樹脂から形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の反射体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の凹部が形成された基板と反射膜とからなる反射体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話や携帯用ゲーム機などの携帯電子機器では、そのバッテリ駆動時間が使い勝手に大きく影響するために、消費電力を抑えることができる反射型液晶表示装置を表示部として備えている。反射型液晶表示装置は、その前面から入射する外光を反射するための反射膜を備えており、その形態としては液晶パネルを構成する２枚の基板の間に反射膜を内蔵したものや、透過型の液晶パネルの背面側に半透過膜を備えた反射体を配設したものが知られている。
【０００３】
光を反射させるための反射体としては、表面に多数の凹部を形成した基板の表面に反射膜を成膜した反射体が知られている。こうした反射体は、多数の凹部の作用によって反射面内でムラなく均一な反射光を得ることができる。凹部は、ムラのない均一な反射光を形成するために、反射面内でランダムな形状で形成されるのが好ましい。
【０００４】
こうした反射体の従来の製造方法としては、例えば、下記特許文献１に記載されている方法が挙げられる。即ち、元となる多数の凹部を備えたマスター型を形成して、このマスター型から複数の反転型を成型し、反転型を用いて樹脂板等の基板に凹部を形成する。その後、基板を硬化させた後、凹部が形成された基板表面にアルミニウム等の反射膜を成膜して反射体を得る方法が知られている。
【特許文献１】特開２００２−２２９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような反射体の製造方法では、多数の反射体をいくつもの製造ラインで大量に製造する場合には、１つのマスター型から多数の反転型を成型する必要があり、多数の反転型の成型過程でマスター型が磨耗してしまう。マスター型が磨耗すると、得られる反転型の形状にバラつきが生じ、結果的に多数の反射体を一定の品質で製造できないという問題が生じる。また、マスター型を多数の反転型の母型として使用することは、作業中のミスによりマスター型にキズや汚れを付着させることになり、結果的に多数の反転型が必要な量産工程で生産不能となる。
【０００６】
特に、反転型の製造に用いられるマスター型は、塑性変形する部材、例えば金属、硬質の高分子等の基材の表面に、それよりも十分堅い材質、例えば超硬、セラミック、ダイアモンド等からなり、その先端形状が得ようとする反射体の凹凸の断面形状・深さ・ピッチに対応した形状となした圧子等をランダムに移動させつつ繰り返し押し付けて、基材に凹部を形成して得るものであり、その製造には多くの時間とコストがかかり、また同一形状のものを複数形成することは事実上不可能である。このため、マスター型から互いにその断面形状・深さ・ピッチ等が厳密に制御された同一の反転型を多数形成し、一定の品質で反射体を大量生産する方法が望まれていた。
【０００７】
或いはまた、上述したマスター型から第１の反転型を成型するにあたっては、マスタ型にエポキシ樹脂やウレタン樹脂等を流し込んで型取りし、第１の反転型を得る方法も考えられる。しかし、金属で精密に形成されたマスター金型に流し込んで硬化させた樹脂をマスター型から剥離させるのは極めて困難である。特に、マスター型から樹脂に転写された凹凸は数μｍ程度の非常に微細なものであり、マスター型に密着した樹脂をマスター金型から剥離させる際にこうした微細な凹凸が崩れたり、樹脂の収縮により凹凸形状が精密に転写されない恐れがある。
また、樹脂の剥離時に、わずかでも樹脂材料がマスター型に残ると、成型される第２の反転型にムラやキズが発生して、マスター型はそれ以後使用不能となってしまう。
【０００８】
樹脂の収縮を防いで凹凸を精密に転写させるために、樹脂にフィラーと呼ばれる充填材を混錬する方法もあるが、樹脂の収縮防止効果を持たせるためには樹脂中にフィラー微粉末を、体積分率で２０％程度混入させる必要がある。この体積分率を満足するには極めて多量の微粉末が必要であり、樹脂中にフィラーを均一に混錬するには多大な時間とコストがかかる。成型される型へのゴミの混入を防止するためにクリーンルーム内の作業が必須となるが、上述のように多量の粉末がクリーンルームの工程内を汚染しやすく、結果的に工程内異物の発生につながる。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、品質にバラつきの少ない反射体を効率よくローコストに大量生産することが可能な反射体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明によれば、一面に多数の凹部が形成された基板と、この基板の一面に成膜された反射膜とを具備してなる反射体の製造方法であって、前記凹部を形成するにあたって、前記凹部の形状に倣った多数の凹凸を備えたマスター型から第１の反転型を成型し、この第１の反転型から前記マスター型に倣った多数の凹凸を備えたレプリカ型を成型し、このレプリカ型から第２の反転型を複数個成型し、この第２の反転型を１枚の支持板に複数配列して前記基板の構成材料に型押しすることによって前記反射体を得ることを特徴とする反射体の製造方法が提供される。また、前記第１の反転型および第２の反転型は、それぞれ樹脂から形成されればよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の反射体の製造方法によれば、反射体の基板に対して凹部を形成する第２の反転型を得るために、微細な凹部を個々にその断面形状・深さ及びピッチを制御してランダムに多数形成して得た原型であるマスター型から第１の反転型を形成し、この第１の反転型を用いてレプリカ型を形成し、このレプリカ型を用いて多数の第２の反転型を得ることができる。
【００１２】
これにより、多数の反射体の基板に対して一括して凹部を形成する際に、マスター型を用いて直接何度も反転型を形成する必要がなくなる。よって、製造に時間とコストのかかるマスター型を多数製造する必要がなく、また同一形状のものを複数形成することが困難なマスター型の磨り減りも防止する。凹凸の断面形状・深さ・ピッチ等が厳密に制御された反射体を一定の品質でローコストに大量生産することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を交えて説明する。まず最初に本発明の反射体の製造方法によって製造される反射体の一例について説明する。図１は、反射体の構成の一例を示す部分斜視図であり、図２は、図１に示す反射体の断面模式図であり、図３Ａは、図１に示す反射体に形成された凹部の平面構成図であり、図３Ｂは、図３Ａに示すＧ−Ｇ線に沿う断面構成図である。
【００１４】
図１に示すように、反射体１０は基板１１と、この基板１１の一面１１ａ上に積層されたＡｌやＡｇ等の高反射率の反射膜１２とから概略構成されている。基板１１は、支持層１５と、この支持層１５上に形成されたレジスト層１６とから構成されている。レジスト層１６は、反射膜１２に所定の表面形状、すなわちレジスト層１６の凹部１３に倣った凹部１２ａを与えるもので、一面１１ａに複数の凹部１３が設けられている。
【００１５】
このような凹部は、例えば塑性変形性の金属／樹脂等の母型部材表面に、その先端形状が、目的とする反射体の凹部断面形状に対応した加工ツールを、深さ及びそのピッチを制御しながらランダムに多数押圧することにより形成し、さらに得られた母型＝マスター型をもとに加工用型を２回反転させたもので形成可能である。
【００１６】
こうした凹部１３によって反射膜１２に凹部１２ａが形成され、反射膜１２にムラの無い均一な反射性を与える。こうした基板１１を構成する支持層１５は、例えばＳｉＯ２ 付きのガラス板或いは高分子フィルム（ＰＥＴ，ポリカーボネート、アクリル、トリアセチルセルロース  等）から構成されれば良く、また、レジスト層１６は紫外線硬化性樹脂から構成されていればよい。こうした基板１１の厚さは、例えば５〜１０００μｍの範囲であれば好ましい。
【００１７】
反射膜１２は、基板の一面１１ａ上に、例えば、ＡｌやＡｇ等の高反射特性の金属を蒸着して形成すればよく、膜厚は０．０５〜０．３μｍの範囲が良く、０．０８〜０．２０μｍの範囲が特に好ましい。反射膜１２の膜厚が０．０５μｍ未満だと反射率が低下してしまうので好ましくなく、０．３μｍを超えると必要以上に成膜コストがかかることや、凹部１３によって与えられる凹部１２ａが小さくなってしまうので好ましくない。
【００１８】
凹部１３は、基板１１のレジスト層１６に対して、後ほど詳述する反転型を用いて加熱型押し加工（いわゆるエンボス加工）或いは加熱無しの型押し加工によって形成されたものであり、図１及び図２に示すように、反射膜１２上において、各凹部１３の輪郭１３ｃ同士が相互に接している。
【００１９】
この輪郭１３ｃ同士が接する部分は先の尖ったピーク形状に形成され、凹部１３同士の間にある平坦部分１３ｄの領域が少ないのが反射特性上好ましい。すなわち、輪郭１３Ｃ同士が接する部分が尖ったピーク形状にされることで、凹（又は凸）部の断面傾斜角を実現することにより、反射体に付与される所定の反射視角特性において所望の視角範囲で反射光の輝度が高くなるように制御されるからである。このような断面形状の制御は、既存の加工法、例えばサンドブラスト法、多数枚の階調マスクを用いたフォトリソグラフィ、あるいはこれらの組み合わせによる方法等では、実現不可能である。
【００２０】
また図３に示すように、凹部１３の内面は、例えば、各々半径が異なる２つの球面の一部である第１曲面１３ａと、第２曲面１３ｂとを含んでおり、これらの曲面１３ａ，１３ｂの中心Ｏ１，Ｏ２は凹部１３の最深点Ｏの法線上に配置されている。第１曲面１３ａはＯ１を中心とする半径Ｒ１の球面の一部とされ、第２曲面１３ｂはＯ２を中心とする半径Ｒ２の球面の一部とされている。そして、図３のＡに示す平面図において、凹部１３の最深点Ｏを通過し、Ｇ−Ｇ線に直交する直線Ｈの近傍において第１曲面１３ａと第２曲面１３ｂとが概ね区画されている。凹部１３の深さは例えば０．３〜２．０μｍ程度に形成されればよい。
【００２１】
また、隣接する凹部は１３は、１μｍ以上３０μｍ以下の範囲内のピッチで不規則にばらついているのが好ましい。このようにすることで、不要なモアレ（反射体のこれら微小な凹凸形状配列の極めてわずかな規則性とこれを組み込んだ液晶表示素子の電極あるいはカラーフィルターパターンの規則性とが干渉することで発生する。）あるいは虹状の干渉色の発生を抑えながら、且つ反射視角特性が所望の視角範囲内で高くなるように制御された反射体を得ることができる。
【００２２】
図４は、上述したような構成の反射体１０に、図３における図示右側から入射角３０°で光を照射し、受光角を反射面に対する正反射の方向である３０°を中心として±３０°の範囲（０°〜６０°；０°が反射体一面の法線方向に相当）で振って反射体１０の反射率（％）を測定した結果を示すグラフである。
【００２３】
図４に示すグラフから明らかなように、上記構成を備えた反射体１０によれば、半径の比較的小さい球面からなる第２曲面１３ｂの傾斜角（例えば図３−Ｂに示すように、凹部断面を微小区間例えば０．５μｍ程度あるいはそれ以下に区切って求めた断面の傾き角）の絶対値が比較的大きいことから、反射光が広角に散乱されて約１５°〜５０°の広い受光角範囲で高い反射率を得ることができる。また、半径が比較的大きい球面からなる第１曲面１３ａにおける反射により、前記第２曲面１３ｂよりも特定方向の狭い範囲に散乱される反射が生じるため、全体として反射率が正反射方向である３０°よりも小さい角度で最大となり、そのピークの近傍における反射率も高くなる。
【００２４】
その結果、反射体１０に入射し反射された光のピークが正反射方向よりも反射体１０の法線方向に近い側にシフトするので、反射体１０正面方向の反射輝度を高めることができる。従って、こうした反射体１０が液晶表示装置の反射層に適用されれば、液晶表示装置の正面方向における反射輝度を向上させることができ、液晶表示装置の観察者方向への輝度を高めることができる。なお、上述の例では凹部の断面が球面である例で説明したが、傾斜角が制御された球面以外の曲面であっても、同様の効果が得られる。
【００２５】
次に本発明の反射体の製造方法に用いられる製造装置について説明する。図５は、反射体を製造する際に使用する型押し加工機を示す断面図である。型押し加工機２０を使用して反射体１０を製造する際には、ＳｉＯ２ 付きのガラス板等で形成された支持層１５上に紫外線硬化性樹脂等からなるレジスト材１８を塗布した基板材料１９を準備して、この基板材料１９を型押し加工機２０にセットする。
【００２６】
型押し加工機２０は、反転型（第２の反転型）２３と台座２４とからなる型押しブロック２１と、この型押しブロック２１が取り付けられるベースプレート２２とを備えている。反転型２３は、例えば厚さ１０ｍｍ程度のゴム弾性体、例えば二トリル系、ウレタン系、アクリル系、フッ素系、あるいはシリコーン系等から適宜選択されたゴムで形成されれば良く、一面に多数の微細な突起２５が形成されている。この突起２５を基板材料１９のレジスト材１８表面に押し付けることで、レジスト材１８に凹部を形成する。
【００２７】
種々のゴム弾性体に要求される特性としては、レジスト剤あるいはその溶剤への安定性、或いはこれらの材料系との剥離性、小さな重合ひずみ・形状安定性、機械的な変形に対する耐久性または復元性等である。これらの要求を満足するものとしては、ふっ素系あるいはシリコーン系等が好ましく、特に、室温〜５０℃以下の温度で硬化するものが良い。硬化温度が低いゴム弾性体では、硬化歪が小さくこと、あるいは成形時にマスタ型の微細な凹凸断面形状・深さ・ピッチを忠実に（９９％以上の寸法精度で）再現可能である。
【００２８】
また、反転型２３の裏面側には、ブラスト処理等で形成される表面粗さ数μｍ程度の微細な凹凸２８が、台座２４に接着される周辺部２７を除いて反転型の内面のほぼ全面に形成されている。こうした凹凸形状は、反転型の成形時にその成形マスタ表面に予め形成しておくことで簡単に付与可能である。このような形状の反転型２３の製造方法は後ほど詳述する。
【００２９】
台座２４は、例えば厚み２０ｍｍ程度のステンレスで形成されれば良く、一面の周縁部には一定幅で接着しろ３１が設けられている。台座２４の中央には、上面２４ａから反転型の裏面３２まで貫通する通気孔３４が形成されている。また、通気孔３４の左右には、位置決め穴３５およびネジ穴３６がそれぞれ形成されている。
【００３０】
ベースプレート２２は、例えば厚さ２０ｍｍ程度のジュラルミン合金で形成されれば良く、上下動機構（図示せず）に取り付けられて型押しブロック２１を上下動させる。ベースプレート２２には、型押しブロック２１が複数個取り付けられれば良く、それぞれの型押しブロック２１の取り付け位置には、台座２４の位置決め穴３５に嵌合する位置決め突起３７が突設されている。こうした位置決め穴３５と位置決め突起３７との嵌合によって、型押しブロック２１はベースプレート２２の所定位置に位置決めされる。
【００３１】
ベースプレート２２が台座２４の通気孔３４に対応する位置には、通気開口３８が形成され、また、台座２４のネジ穴３６に対応する位置にはネジ開口３９がそれぞれ形成されている。そして、ネジ４１をネジ開口３９を介してネジ穴３６に螺合させることにより、ベースプレート２２に型押しブロック２１が固着される。
【００３２】
一方、通気開口３８にはコンプレッサ（図示せず）から延びる空気給排気管４２が接続される。こうした空気給排気管４２からは、型押しブロック２１を基板材料１９のレジスト材１８表面に押し付けて凹部を形成する際に空気が送り込まれ、通気孔３４を介して反転型２３の内面と台座２４の反転型に対向する面との間に空気層を形成する。このように空気層を形成することで、シリコンゴム製の反転型２３が中央部分を中心に僅かに膨らんで、型押しブロック２１を基板材料１９から引き離す際に、レジスト材１８表面に形成された硬化前の凹部の型崩れを防止する。
【００３３】
なお、図６に示すように、こうした反転型２３の内面と台座２４の反転型に対向した面との間に空気を送り込む際に、反転型２３の内面に形成された凹凸２８によって、反転型２３の内面が台座２４の反転型への対向面に密着するのを防止し、これらの間に空気が迅速に広がって空気層が形成される。これにより、押圧加工時の加工制御を安定して行なうことができる。
【００３４】
次に、本発明の反射体の製造方法について、反転型の製造過程を中心に詳述する。反射体を製造するにあたっては、まず図７に示すように、原型となるマスター型４１を製造する。マスター型４１は、塑性変形性の金属、例えばアルミニウム板などをその表面を平坦に研磨したものを準備して、前記塑性変形する材料よりも十分硬度の高い材料、例えば超硬チップ、炭化珪素あるいはダイアモンド等からなる圧子４２を先端に備えた加工治具４３を前記金属版に打刻しつつ位置を制御しながら移動させて、金属板の表面に位置、深さ、ピッチ等を制御した凹部（凹凸）４４を多数形成する。なお、金属の代わりに硬質プラスチックを用いることも可能で、この場合には圧子４２の材質としては超硬などよりも柔らかい材質のものが利用できることは言うまでもない。
【００３５】
こうしたマスター型４１の製造にあたっては、ダイヤモンド圧子４２の外形を、製造目的の反射体１０の凹部１３（図１参照）の設計サイズと同じにすればよい。また、マスター型４１の凹部４４はランダムなピッチで規則性が出ないように形成することが好ましい。このため、金属板と加工治具４３との移動をランダムに行ったりすればよい。マスター型４１には、例えば５０×５０ｍｍの面に１７００万個程度の凹部４４が形成されれば良い。加工治具４３の上下動には、例えばソレノイドあるいはピエゾ素子を利用した打刻機構を備えた打刻機等を用いればよい。
【００３６】
図８に示すように、次にマスター型４１を用いて第１の反転型４６を形成する。第１の反転型４６は、マスター型４１に成形性の良い材料、例えば、ニトリル系、ウレタン系、アクリル系、フッ素系、シリコーン系等から適宜選択されたゴム弾性体を射出して形成すれば良い。これにより第１の反転型４６にはマスター型４１の凹部４４を反転して象った凸部４７が形成される。この後、図９に示すように、マスター型４１から成型した樹脂を離型して第１の反転型４６が得られる。
【００３７】
こうして得た第１の反転型４６を用いて、図１０に示すようにレプリカ型５１を形成する。レプリカ型５１は、表面にレジスト層５２を積層した支持体５３からなり、レジスト層５２には多数の凹部（凹凸）５４が形成されている。こうしたレプリカ型５１は、第１の反転型４６をレジスト層５２に押し付けて凹部（凹凸）５４を形成し、その後、図１１に示すように、第１の反転型４６から成型した硬化前のレプリカ型５１を離型し、更にこの凹部５４が形成されたレジスト層５２を紫外線等で硬化させればレプリカ型５１が得られる。これによりレジスト層５２には第１の反転型４６の凸部４７を反転して象った凹部５４が形成され、凹部５４は図７に示すマスター型４１の凹部４４とその断面形状、深さ及びピッチにおいて同じ形状になる。
【００３８】
こうして得たレプリカ型５１を用いて、図１２に示すように、第２の反転型５６を多数形成する。第２の反転型５６の製造にあたっては、レプリカ型５１に例えばシリコン樹脂を射出して形成すれば良い。これにより第２の反転型５６にはレプリカ型５１の凹部５４を反転して象った凸部５７が多数形成される。この時、第２の反転型５６の凸部５７が形成される面と反対側に表面粗さを数μｍ程度に荒らした面が形成されるように成形面を作ればよい。
【００３９】
こうして得られた第２の反転型５６は、別途作成した図５に示す台座２４に取り付けられ、型押しブロック２１が完成する。こうした型押しブロック２１は図１４に示すように型押し加工機２０のベースプレート２２に多数配列され、図１に示す反射体１０のレジスト層１６に対して複数個一括して１回の押圧動作で凹部１３を型押し形成することができる。
【００４０】
以上のように、本発明による反射体１０の製造方法では、反射体１０のレジスト層１６に対して凹部１３を形成する第２の反転型５６を得るために、原型であるマスター型４１から第１の反転型４６を形成し、この第１の反転型４６を用いてレプリカ型５１を形成し、このレプリカ型５１を用いて多数の第２の反転型５６を得る。
【００４１】
これにより、多数の反射体１０のレジスト層１６に対して一括して凹部１３を形成する際に、マスター型４１を用いて直接何度も反転型を形成する必要がなくなる。よって、製造に時間とコストのかかるマスター型４１を多数製造する必要がなく、また断面形状、深さおよびピッチのいずれにおいても同一形状のものを複数形成することが困難なマスター型４１の磨り減りも防止する。反射体１０を一定の品質でローコストに大量生産することが可能になる。
【実施例１】
【００４２】
本発明の効果を検証した。検証にあたっては、図１４に示すように、複数（４０個）の台座２４及び反転型２１からなる加工治具をベースプレート２２に配置したものを用意した。
この反転型の微細な凹凸は、マスター型の表面形状（凹部深さ０．４〜２μｍ、ピッチ３〜３０μ）を９０％以上の精度で忠実に再現したものであった。そして、これを用いて、０．５５ｍｍのガラス基板上に３．５μｍの厚みで塗布したレジスト材（不図示）表面に押圧した。
この時、台座２４の通気孔３４にから空気を送り込み、厚さ約１０ｍｍのシリコーンゴム反転型２３を約０．１ｍｍ膨らませてから型押しブロック２１を降下させ、反転型２３をレジスト材４５に約０．３ｍｍ／ｓｅｃの微速で接触させた後、徐々に荷重をかけた。そして、反転型２３をレジスト材に単位面積荷重０．８kg/cm２で５０秒間押し付けた。その後、型押しブロック２１を上記と同様の微速で上昇させて反転型２３をレジスト材から引き離した。こうして得た、凹部１３を形成したレジスト材には、転写ムラは殆ど見られず均一な加工面が得られた。
【００４３】
この基板を所定の加熱条件（２４０度ｘ約１時間）で処理したのち、アルミ膜を約１５００Å蒸着して反射体基板（反射体基板単体で、設計された反射視角特性に近い特性となった。）とし、さらにＣＦ（カラーフィルタ）層を形成した後、ＳＴＮパネルを作製した。
得られたＳＴＮパネルは、パネル全面で均一で高い反射性（反射率４０％）を示すとともに、図４に示すように、パネル法線から１０〜２０度以内に最大の反射輝度が得られた。また、１５°から４０°の範囲では、パネルの輝度は実用上良好なものであった。
【００４４】
（比較例１）
実施例１と同様の基板に対し、平均粒径３３μｍのガラス球を圧搾空気で吹き付けたところ、平均径６〜９μｍ、深さ０．１５〜０．４μｍのランダムな微細な凹部が得られた。また、この凹部の断面形状は、凹凸曲線が滑らかに繋がったものであった。
その後、この基板を洗浄後、表面に厚さ約１５００Åのアルミ膜を成膜し反射体を得た。この反射体の反射特性は、基板法線方向に反射輝度の最大値があり、明るさが不足（反射率２０％以下）していた。またこの反射体を実施例１と同様にＳＴＮパネルに組み込んで観察したところ、パネル法線から前後２０°以内で、パネルの輝度が暗く視認性が悪かった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、図１は、一実施形態の反射体の構成の一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す反射体の断面模式図である。
【図３】図３は、図１に示す反射体に形成された凹部の平面構成図である。
【図４】図４は、図３に示すＧ−Ｇ線に沿う断面構成図である。
【図５】図５は、反射体を製造する際に使用する型押し加工機を示す断面図である。
【図６】図６は、図５に示す型押し加工機の部分拡大図である。
【図７】図７は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の反射体の製造方法の一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  反射体
１１  基板
１２  反射膜
１３  凹部
４１  マスター型
４６  第１の反転型
５１  レプリカ型
５６  第２の反転型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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