(57)【要約】【課題】緻密で空孔の少ない厚膜電極を形成することが可能な導電性ペースト、及び該導電性ペーストを用いて形成された外部電極を備えた信頼性の高いインダクタを提供する。【解決手段】平均粒径が０．５〜０．９μｍの銀粉末と、Ｂ２Ｏ３：１８〜２０重量％、ＳｉＯ２：７９〜８１重量％、Ｋ２Ｏ：１〜２重量％からなるガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有する組成を有する導電性ペーストを用いて外部電極３ａ，３ｂを形成する。磁性体磁器（セラミック素体）１の表面に形成された導体（外部電極本体）４の表面に、ニッケルめっき膜５が形成され、ニッケルめっき膜５上にはんだめっき膜６（または錫膜）が形成された複数層構造の電極（外部電極）３ａ，３ｂを備えた構成とする。【選択図】          図１
2005005591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．５〜０．９μｍの銀粉末と、
Ｂ２Ｏ３：１８〜２０重量％、ＳｉＯ２：７９〜８１重量％、Ｋ２Ｏ：１〜２重量％からなるガラスフリットと、
有機ビヒクルと
を含有することを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
磁性体磁器と、
請求項１記載の導電性ペーストを焼き付けることにより磁性体磁器の表面に形成された導体と、
前記導体上に形成されたニッケル膜と、
前記ニッケル膜上に形成された錫膜又ははんだ膜と
を具備することを特徴とするインダクタ。
【請求項３】
前記磁性体磁器が積層構造を有しており、かつ、前記磁性体磁器の内部には導体が配設されていることを特徴とする請求項２記載のインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、電子部品などに導体（厚膜電極）を形成する場合などに用いられる導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて外部電極を形成したインダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミック素体に外部電極を配設した構造を有するインダクタの一つに、例えば、図６（ａ），（ｂ）に示すような積層型インダクタがある。
この積層型インダクタは、内部に積層型のコイル５２が配設されたセラミック素体（インダクタ本体）５１に、コイル５２の両端部と導通する一対の外部電極５３ａ，５３ｂが配設された構造を有している。
【０００３】
そして、この積層型インダクタは、図６（ｂ）に示すように、Ａｇペーストをスクリーン印刷などの方法でフェライト系セラミック材料などからなる磁性体グリーンシートの表面に印刷してコイルパターン（内部電極）５２ａを形成した磁性体グリーンシート５４を複数枚積層するとともに、その上下両面側にコイルパターンの形成されていない磁性体グリーンシート（外層用シート）５４ａを積層した後、圧着し、各コイルパターン５２ａをビアホール５５により接続して積層型のコイル５２を形成し、積層体（未焼成のセラミック素体）を焼成した後、セラミック素体５１の両端部に導電ペーストを塗布、焼付けして、外部電極５３ａ，５３ｂ（図６（ａ））を形成することにより製造されている。
なお、コイルパターン５２ａは、セラミックと同時焼成が可能なＡｇやＡｇ−Ｐｄなどの金属粉末を導電成分とする導電性ペーストを用いて形成されている。
【０００４】
ところで、外部電極（以下「外部電極本体」又は「厚膜電極」ともいう）５３ａ、５３ｂを形成するための導電性ペーストとしてはＡｇなどの金属粉末と、ホウケイ酸バリウム系やホウケイ酸亜鉛系などのガラスフリットを有機ビヒクルに分散させた導電性ペーストが用いられている（例えば、特許文献１及び２参照）。
また、外部電極の耐熱性及びはんだ付け性を向上させるために、導電性ペーストを焼き付けることによって形成された外部電極（厚膜電極）の表面にニッケルめっきを行い、その上に錫めっき、あるいははんだめっきを施すことが行われている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平０５−３４２９０７号公報
【特許文献２】
特開２００１−２８２０７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のインダクタのように、最外層にはんだめっきが施されている場合、実装時のはんだ付け工程などにおける熱で、最外層のはんだめっき膜の溶融や、外部電極形成時のめっき工程において外部電極本体中にトラップされた水分が突沸して、溶融したはんだめっき膜が飛散し、場合によっては、隣接して実装された電子部品との短絡を引き起こすという問題点がある。
【０００７】
なお上記の問題点は、最外層にはんだめっきを施した場合に限らず、錫などの低融点材料からなるめっき膜を形成したセラミック電子部品にも当てはまるものである。
【０００８】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、緻密で空孔の少ない厚膜電極を形成することが可能な導電性ペースト、及び該導電性ペーストを用いて形成された厚膜電極とその表面に形成されたニッケルめっき膜と、はんだめっき膜又は錫めっき膜を備えた外部電極を有するインダクタであって、実装時のはんだ付け工程などで熱が加わった場合にも、最外層のはんだめっき膜や錫膜の溶融、厚膜電極中にトラップされた水分の突沸によるはんだめっき膜の飛散などが生じることのない、信頼性の高いインダクタを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）の導電性ペーストは、
平均粒径が０．５〜０．９μｍの銀粉末と、
Ｂ２Ｏ３：１８〜２０重量％、ＳｉＯ２：７９〜８１重量％、Ｋ２Ｏ：１〜２重量％からなるガラスフリットと、
有機ビヒクルと
を含有することを特徴としている。
【００１０】
本願発明の導電性ペーストにおいて、銀粉末の平均粒径を０．５〜０．９μｍの範囲としたのは、銀粉末の平均粒径が０．５μｍ未満になると、導電性ペーストを焼き付けることにより形成される厚膜電極が過焼結となり、ガラスが表面に浮き出して、その上にニッケルめっきなどを行う場合のめっき付き性が劣化し、また、銀粉末の平均粒径が０．９μｍを超えると、導電性ペーストを焼き付けることにより形成される厚膜電極の焼結が不十分になり、空孔が生じてめっき工程で水分が多量にトラップされることによる。
【００１１】
また、本願発明において、ガラスフリットとして、Ｂ２Ｏ３：１８〜２０重量％、ＳｉＯ２：７９〜８１重量％、Ｋ２Ｏ：１〜２重量％からなるガラスフリットを用いるようにしたのは、上記の組成範囲のガラスフリットを用いることにより、焼き付け時にガラスが表面に浮き出ることを防止して、焼き付けられた厚膜電極上にニッケルめっきなどのめっきを施す場合に、十分なめっき付き性が確保されることによる。
【００１２】
すなわち、本願発明では、ガラスフリットとして、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系でＳｉを多く含有し、めっき液への溶解性及びセラミック等の素体との反応性を低くしたものが用いられているため、インダクタを構成するフェライトに適用しても、特性の良好なものが得られる。しかも、ガラスフリットを、軟化点が高い（８００℃以上）ガラスフリットとしているため、厚膜電極中にガラスが効率よく残留して厚膜電極に生じる空孔を確実に埋め、厚膜電極の内部に水分が入り込むことを抑制することが可能になる。
したがって、本願発明の導電性ペーストを用いることにより、インダクタなどの電子部品の表面に、空孔がなく、めっき時に水分がトラップされることのない厚膜電極を形成することが可能になり、その表面にニッケルめっき膜、はんだめっき膜又は錫めっき膜を形成することにより、実装時のはんだ付け工程などで熱が加わった場合にも、厚膜電極中にトラップされた水分の突沸や、溶融したはんだめっき膜の飛散などを引き起こすことのない外部電極を備えた、信頼性の高いインダクタなどの電子部品を提供することが可能になる。
【００１３】
なお、従来のＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系ガラスフリット（軟化点７９０℃）や、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系ガラスフリット（軟化点７１５℃）を使用した導電性ペーストでは、ガラスがめっき液に溶解しやすく、焼成後の厚膜電極にめっき処理する際に、ガラスが溶解して厚膜電極中にめっき液が浸入し、外部電極を形成したセラミック電子部品を表面実装する際の熱により、厚膜電極中の水分の突沸を引き起こす。
【００１４】
なお、本願発明の導電性ペーストでは、銀粉末として、微細な銀粉末を用いるようにしているので、焼き付け後の厚膜電極の表面が平滑になるため、この点からも、その後のめっき工程におけるめっき付き性を改善して、緻密なめっき膜を形成することが可能になり、めっき工程において厚膜電極中に水分が浸入することをさらに確実に抑制することが可能になる。
【００１５】
また、本願発明（請求項２）のインダクタは、
磁性体磁器と、
請求項１記載の導電性ペーストを焼き付けることにより磁性体磁器の表面に形成された導体と、
前記導体上に形成されたニッケル膜と、
前記ニッケル膜上に形成された錫膜又ははんだ膜と
を具備することを特徴としている。
【００１６】
インダクタの外部電極については、耐熱性やはんだ付け性を向上させるべく、導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成した外部電極本体（厚膜電極）上に、ニッケルめっき膜、錫めっき膜、はんだめっき膜などのめっき膜を、電解めっき法などの方法により形成することが一般的に行われるが、そのような場合に本願発明の導電性ペーストを用いて外部電極本体（導体）を形成することにより、実装工程において、厚膜電極中にトラップされた水分の突沸や溶融したはんだめっき膜の飛散などの発生を確実に防止して、耐熱性やはんだ付け性にすぐれた外部電極を備えた信頼性の高いインダクタを得ることが可能になる。
【００１７】
すなわち、本願発明（請求項２）のインダクタは、電極（外部電極）が、請求項１記載の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより磁性体磁器の表面に形成された導体の表面に、ニッケル膜が形成され、ニッケル膜上に錫膜又ははんだ膜が形成された複数層構造を有しており、かかる複数構造を有する電極は、空孔がなく、めっき時に水分がトラップされることのないため、実装工程におけるリフローはんだ付けなどの熱により電極中の水分が突沸して錫めっき膜やはんだめっき膜などが飛散したりするおそれのない信頼性の高いインダクタを提供することが可能になる。
【００１８】
また、請求項３のインダクタは、前記磁性体磁器が積層構造を有しており、かつ、前記磁性体磁器の内部には導体が配設されていることを特徴としている。
【００１９】
本願発明を、磁性体磁器が積層構造を有し、かつ、その内部に導体が配設された構造を有するインダクタに適用することにより、小型、高性能で、信頼性の高いインダクタを提供することが可能になる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
この実施形態では、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示すような構造を有するインダクタの外部電極を、本願発明の導電性ペーストを用いて形成する場合を例にとって説明する。
【００２１】
このインダクタは、図１（ａ），（ｂ）に示すように、表面にコイル導体２ａを配設した磁性体グリーンシート１ａを積層するとともに、その上下両面側にコイル導体（２ａ）を設けていない磁性体グリーンシート１ｂ，１ｂを積層し、磁性体グリーンシート１ａに配設されたコイル導体をビアホール１１、１２、１３、１４によって導通させることによりセラミック素体（インダクタ本体）１の内部に積層型コイル２が形成され、かつ、セラミック素体１の両端部に、積層型コイル２の引き出し電極２２ａ，２２ｂと導通する外部電極３ａ、３ｂが配設された構造を有している。
【００２２】
なお、コイル導体２ａ、引き出し電極２２ａ，２２ｂは、磁性体グリーンシートと同時焼成が可能なＡｇやＡｇ−Ｐｄなどの金属粉末を導電成分とする導電性ペーストを用いて形成されている。
また、外部電極３ａ，３ｂは、図２に示すように、焼成されたセラミック素体（インダクタ本体）１に導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成された導体（厚膜電極）４の上に、ニッケル膜（ニッケルめっき膜）５及びはんだ膜（はんだめっき膜）６を設けることにより形成された複数構造の外部電極となっている。
【００２３】
次にこのインダクタの製造方法について説明する。
（１）図１（ｂ）に示すように、フェライトなどの磁性体セラミックからなる磁性体グリーンシート１ａ上に、内部電極形成用の導電性ペーストをスクリーン印刷などの方法で塗布して、所定のコイルパターン２ａを形成する。
（２）そして、この磁性体グリーンシート１ａを所定枚数積み重ね、さらにその上下にコイルパターンの配設されていない磁性体グリーンシート１ｂ，１ｂを積み重ねて圧着した後、所定の形状、及び寸法にカットし、得られたセラミック素体（未焼成のセラミック素体）１０（図１（ｂ））を所定の条件で焼成することにより、セラミック素体１（図１（ａ））を形成する。
（３）そして得られたセラミック素体１の両端側に、外部電極形成用の導電性ペーストを浸漬塗布法により付着させ、ピーク温度８５０℃で１０分間保持の条件で熱処理して導電性ペーストの焼き付けを行い、厚膜電極からなる外部電極本体（導体）４を形成する。
（４）外部電極本体（導体）４上にニッケル電解めっきを施して、ニッケルめっき膜５を形成した後、さらにニッケルめっき膜５上にはんだめっきを施して、はんだめっき膜６を形成する。
これにより、図１（ａ），（ｂ），図２に示すように、内部に積層型コイル２が配設されたセラミック素体（インダクタ本体）１に、積層型コイル２の両端部と導通する一対の外部電極３ａ，３ｂが配設された構造を有するインダクタが得られる。
【００２４】
そして、この実施形態では、以下に説明する導電性ペーストを用いて外部電極３ａ，３ｂを形成した。
すなわち、この実施形態では、表１に示すような組成のガラスフリットと、表２に示すような平均粒径の銀粉末と、有機ビヒクルとを配合し、予備混合した後、３本ロールにて十分に分散させることにより、表２の試料番号１〜３０の導電性ペーストを作製した。
【００２５】
【表１】
2005005591.tif 000003
【００２６】
【表２】
2005005591.tif 000004
【００２７】
なお、銀粉末とガラスフリットの合計量の導電性ペースト全体に対する割合は６３重量％とした。また、銀粉末とガラスフリットの配合割合については、重量比で１００：５とした。
【００２８】
また、有機ビヒクルとしては、セルロース系樹脂を樹脂成分とし、ブチルカルビトール系溶剤を溶剤成分とする有機ビヒクルを用いた。
【００２９】
なお、表１の種類Ａ〜Ｆのガラスフリットは、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系のガラスフリットである。
そして、表１の種類Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅのガラスフリットは、Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｋ２Ｏのそれぞれの割合が本願発明の範囲にあるＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系のガラスフリットである。
また、表１の種類Ａ，Ｆのガラスフリットは、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系のガラスフリットであるが、Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｋ２Ｏの割合が本願発明の範囲外の（比較例の）ガラスフリットである。
【００３０】
また、表１の種類Ｇのガラスフリットは、Ｋ２Ｏを含まないＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２系のガラスフリットであって、本願発明の範囲外の（比較例の）ガラスフリットである。
【００３１】
さらに、表１の種類Ｈのガラスフリットは、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＢａＯ、ＣａＯ、及びＡｌ２Ｏ３を配合した従来のガラスフリットであり、また、表１の種類Ｉのガラスフリットは、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣａＯ、ＺｎＯ、及びＬｉ２Ｏを配合した従来のガラスフリットである。
【００３２】
また、銀粉末としては、表２に示すような平均粒径が０．４２〜１．０μｍのＡｇ粉を用いた。
なお、表２の試料番号１〜３０のうち、試料番号１，４，５，８，９，１２，１３，１６，１７，２０，２１，２４，２５，２８は本願発明の平均粒径の範囲（０．５〜０．９μｍ）を外れた銀粉末を用いた試料であり、それ以外の試料は本願発明の平均粒径の範囲（０．５〜０．９μｍ）内の銀粉末を用いた試料である。
また、表２の試料番号１〜３０の試料のうち、試料番号５〜２０の試料では、本願発明の範囲内のガラスフリットが用いられており、試料番号１〜４及び試料番号２１〜３０では、本願発明の範囲外のガラスフリットが用いられている。
【００３３】
したがって、表２において、本願発明の要件を満たすガラスフリットと、本願発明の要件を満たす銀粉末が用いられている導電性ペーストは、試料番号６，７，１０，１１，１４，１５，１８，１９の導電性ペースト（試料）であり、その他の試料番号に＊印を付した試料は、本願発明の要件を満たさないガラスフリット及び／又は銀粉末が用いられている比較例の試料である。
【００３４】
上述のようにして調製した導電性ペーストを用いて外部電極を形成したインダクタについて、以下の方法ではんだめっき膜の飛散発生の有無を調べるとともに、ニッケルめっき後のめっき膜の生成状態（めっき付き性）を調べた。その結果を表２に併せて示す。
【００３５】
［はんだめっき膜の飛散発生の有無］
はんだめっき膜の飛散の発生を調べるにあたっては、ガラス−エポキシ基板上に試料（インダクタ）を１０００個並べて、３３０℃に加熱したときに、最外層のはんだめっき膜の飛散が発生したインダクタの数を調べることにより行った。
表２の数値は試料数１０００個あたりに対するはんだめっき膜の飛散が発生したインダクタの個数を示している。
［めっき付き性］
ニッケルめっき後のめっき付き性の評価は、電解めっきによるバレルめっきを行った後、ニッケルめっき膜の膜厚を調べ、めっき膜厚が２μｍ以上であれば合格（○）とし、２μｍ未満であれば不合格（×）と判定した。
【００３６】
平均粒径が０．５μｍ未満の銀粉末を用いた表２の試料番号１、５、９、１３、１７、２１、２５の導電性ペーストを用いた試料の場合、ニッケルめっき後のめっき膜厚がいずれも２μｍ未満で、めっき付き性が不十分であることがわかった。
また、平均粒径が０．９μｍより大きい銀粉末を用いた表２の試料番号４、８、１２、１６、２０、２４、２８の試料の場合、はんだめっき膜の飛散発生数が多くなることが確認された。
以上の結果より、銀粉末の平均粒径は０．５〜０．９μｍの範囲が好ましいことがわかる。
【００３７】
また、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＢａＯ、ＣａＯ、Ａｌ２Ｏ３を配合した従来のガラスフリットを含む導電性ペーストを用いた表２の試料番号２９の試料の場合、はんだめっき膜の飛散発生個数が７１個と多く、また、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣａＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏを配合した従来のガラスフリットを含む導電性ペーストを用いた試料番号３０の試料の場合も、はんだめっき膜の飛散発生個数が９７個と多いことが確認された。
【００３８】
さらに、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系のガラスフリットであるが、各成分の割合が本願発明の範囲外の表１のＡのガラスフリット（１８＞Ｂ２Ｏ３、７９＞ＳｉＯ２、２＜Ｋ２Ｏ）を用いた試料番号１〜４の試料の場合、表２に示すように、はんだめっき膜の飛散が、８５個（試料番号１）、６１個（試料番号２）、５２個（試料番号３）、３３個（試料番号４）と多く発生した。これはガラスの焼結不足により空孔が多く発生し、めっき処理工程で水分が多量にトラップされることによるものと考えられる。
【００３９】
また、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系のガラスフリットであるが、各成分の割合が本願発明の範囲外の表１のＦのガラスフリット（Ｂ２Ｏ３＞２０、７９＞ＳｉＯ２、２＜Ｋ２Ｏ）を用いた試料番号２１〜２４の試料の場合、はんだめっき膜の飛散発生数が、１５個（試料番号２１）、２２個（試料番号２２）、１８個（試料番号２３）、２１個（試料番号２４）と多くなっていることがわかる。
【００４０】
さらに、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系のガラスフリットであって、本願発明の範囲外の表１のＧのガラスフリット（Ｂ２Ｏ３＞２０、７９＞ＳｉＯ２、１＞Ｋ２Ｏ）を用いた試料番号２５〜２８の試料の場合、はんだめっき膜の飛散発生数が、２０個（試料番号２５）、３３個（試料番号２６）、３５個（試料番号２７）、４０個（試料番号２８）と多くなっていることがわかる。
【００４１】
これに対し、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系のガラスフリットであって、各成分の割合が本願発明の範囲内の、表２の試料番号６，７，１０，１１，１４，１５，１８，１９の導電性ペースト（試料）の場合、はんだめっき膜の飛散は発生せず、また、めっき付き性も良好となっている。
したがって、本願発明の要件を満たす導電性ペーストを用いることにより、信頼性の高い外部電極を形成することが可能になることがわかる。
【００４２】
また、図３、４，５に、試料番号６，７，２９の導電性ペーストを用いて外部電極本体を形成し、その上に電解めっきを施してニッケルめっき膜を形成し、さらにニッケルめっき膜上に錫めっき膜を形成した外部電極の断面の電子顕微鏡写真を示す。
なお、図３は本願発明の範囲内の試料番号６の導電性ペーストを用いて形成した外部電極、図４は本願発明の範囲内の試料番号７の導電性ペーストを用いて形成した外部電極、図５は従来のガラスフリットを含む試料番号２９の導電性ペーストを用いて形成した外部電極の断面を示している。
【００４３】
図３，図４に示すように、本願発明の導電性ペーストを用いて形成した外部電極は、外部電極本体４の断面が緻密であるとともに、ニッケルめっき膜５及びはんだめっき膜６も緻密であることがわかる。
一方、図５に示すように、従来のガラスフリットを含む本願発明の範囲外の試料番号２９の導電性ペーストを用いて形成した外部電極は、図３及び図４に示すような本願発明の導電性ペーストを用いて形成した外部電極とは異なり、外部電極本体４の断面がポーラスでニッケルめっき液が浸入しやすいこと、ニッケルめっき膜５の膜厚が薄くて信頼性が低いことがわかる。
【００４４】
上述のように、本願発明の導電性ペーストを用いることにより、フェライトなどの磁性体磁器を用いたインダクタに、空孔がなく、めっき時に水分がトラップされることのない外部電極を確実に形成することが可能になり、信頼性の高いインダクタを効率よく製造することが可能になる。
【００４５】
なお、上記実施形態では、ニッケルめっき膜上にはんだめっき膜を形成するようにしているが、はんだめっき膜の代わりに錫めっき膜を形成することも可能である。
【００４６】
また、上記実施形態では、積層型インダクタを例にとって説明したが、本願発明はこれに限られるものではなく、例えば、磁性体セラミック中に内部電極を配設し、内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有するインダクタなど種々の構造のインダクタにも適用することが可能である。
また、本願発明は電子部品としてインダクタ以外のコンデンサ、サーミスタ、バリスタ、複合部品等、表面に厚膜電極を有する種々の部品に適用しても、有用である。
【００４７】
本願発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００４８】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）の導電性ペーストは、平均粒径が０．５〜０．９μｍの銀粉末と、Ｂ２Ｏ３：１８〜２０重量％、ＳｉＯ２：７９〜８１重量％、Ｋ２Ｏ：１〜２重量％からなるガラスフリットと、有機ビヒクルとを配合しているので、本願発明の導電性ペーストを用いることにより、インダクタなどの電子部品の表面に、空孔がなく、めっき時に水分がトラップされることのない厚膜電極を形成することが可能になり、その表面にニッケルめっき膜、はんだめっき膜又は錫めっき膜を形成することにより、実装時のはんだ付け工程などで熱が加わった場合にも、厚膜電極中にトラップされた水分の突沸や、溶融したはんだめっき膜の飛散などを引き起こすことのない外部電極を備えた、信頼性の高いインダクタなどの電子部品を提供することができるようになる。
【００４９】
また、本願発明（請求項２）のインダクタは、電極（外部電極）が、請求項１記載の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより磁性体磁器の表面に形成された導体の表面に、ニッケル膜が形成され、ニッケル膜上に錫膜又ははんだ膜が形成された複数層構造を有しており、かかる複数構造を有する電極は、空孔がガラスにより埋められ、めっき時に水分がトラップされることのないため、実装工程におけるリフローはんだ付け工程などの熱により電極中の水分が突沸して錫めっき膜やはんだめっき膜などが飛散したりするおそれのない信頼性の高いインダクタを提供することが可能になる。また、電極上に、ニッケルめっき膜と錫めっき膜、あるいはニッケルめっき膜とはんだめっき膜を形成するようにしているので、耐熱性やはんだ付き性を向上させることが可能になる。
【００５０】
また、請求項３のインダクタのように、本願発明を、磁性体磁器が積層構造を有し、かつ、その内部に導体が配設された構造を有するインダクタに適用することにより、小型、高性能で、信頼性の高いインダクタを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態にかかる積層型インダクタを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はその構成及び製造方法を説明する内部構造を示す分解斜視図である。
【図２】本願発明の実施形態にかかる積層型インダクタの外部電極の構成を説明するために要部を断面にした正面図である。
【図３】本願発明の実施形態にかかる積層型インダクタの外部電極の断面の顕微鏡写真である。
【図４】本願発明の実施形態にかかる他の積層型インダクタの外部電極の断面の顕微鏡写真である。
【図５】従来の積層型インダクタ（比較例）の外部電極の断面の顕微鏡写真である。
【図６】従来の積層型インダクタを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はその構成及び製造方法を説明する内部構造を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１      セラミック素体（インダクタ本体）
１ａ    コイルパターンを備えた磁性体グリーンシート
１ｂ    コイルパターンを備えていない磁性体グリーンシート
２      積層型コイル
２ａ    コイル導体（コイルパターン）
３ａ，３ｂ        外部電極
４      導体（外部電極本体）
５      ニッケル膜（ニッケルめっき膜）
６      はんだ膜（はんだめっき膜）
１０    セラミック素体（未焼成のセラミック素体）
１１，１２，１３，１４    ビアホール
２２ａ，２２ｂ    引き出し電極
【図１】
2005005591.tif 000005
【図２】
2005005591.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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