(57)【要約】【課題】信号伝送線路に対する高速化,高周波化ならびに製品の低コスト化のための効率的なガス抜きを両立させる高性能且つ高信頼の積層体基板を提供する。【解決手段】ストリップラインを構成する上下接地導体CG1、CG2に同一形状の小ホールMHを格子状に配列した格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2をそれぞれに形成し,且つ格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2の対向する小ホールMHが積層方向に互い違いになるように配列し、さらにそのホール配列と中心導体MCを斜めに交差させることにより、ストリップラインのインピーダンスZcを低減して課題を解決する。【選択図】図１
2005191902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導体層、第１誘電体層、第２導体層、第２誘電体層および第３導体層をこの順序で積層した積層体基板において、
前記第１導体層には厚さ方向に導体層を貫通する同一形状のホールを第１方向に第１間隔DP1で配列され、他方第１方向と直交する第２方向に第２間隔DP2で配列された第１格子状ホールパターンを有する第１接地導体が形成され、
前記第２導体層には前記第１格子状ホールパターンの前記第１方向にその中心線が平行する帯状導体パターンが中心導体として形成され、
前記第３導体層には前記第１導体層上の前記格子状ホールパターンを積層方向に投影した第２格子状ホールパターンを有する第２接地導体が形成され、
前記第１導体層上の前記第１格子状ホールパターンと前記第３導体層上の前記第２格子状ホールパターンのホールが重なりを生じないように、それぞれのホール位置が定められ、
前記第１格子状ホールパターンの前記第１方向または前記第２方向に平行なホール配列が前記中心導体に対して斜めに交差して前記ホールと前記中心導体の重なりが、前記第１格子状ホールパターンの前記第１方向または前記第２方向に平行なホール配列が前記中心導体に対して平行に重なるときに比べて、少なくなるようにしたことを特徴とするメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体を用いた積層体基板の伝送線路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展に伴って携帯電話、衛星通信等の移動体通信網あるいはインターネット、高速データ通信等の固定通信網が普及し、これらの通信機器に使用される無線高周波回路または高速デジタル回路に、機器の軽薄短小、低コス化、高性能化を実現する方法として、誘電体を用いた積層体基板が多用されるようになった。積層体基板は大別して電気絶縁材料である樹脂材を使用した有機基板とアルミナセラミック等を使用した無機基板が有る。何れの基板においても、高周波信号あるいは高速デジタル信号を伝送あるいは信号処理するために比較的に面が大きいグランド導体または接地導体を形成する導体層にCu、Auなどの高価な金属導電材料が多量に使用され、その使用量を減少させることが製品のコスト低減の要件の１つになっている。
【０００３】
セラミック積層体基板の場合には、原料セラミック粉末を溶剤および添加剤等で混練したグリーンシートを加工して製品を形成するので焼成工程において基板からガスが発生する。他方、ビルドアップ基板と呼ばれる有機基板の場合には、樹脂を多層に重ねたコア基板の上に、熱硬化性樹脂あるいは感光性樹脂を使用して絶縁層を形成しその上に銅メッキして導体層を形成する。熱硬化性樹脂にも、感光性樹脂にも溶媒、添加剤等が含まれており、基板を熱成形して樹脂をキュアする際にガスが発生する。このように両基板の焼成あるいは熱成形の製造工程において、発生するガスを効率的に放出させてその所要時間を短縮させることが生産効率の向上につながる。
【０００４】
このような金属導電材料の低減およびガス抜きを両立させる方法として、面積の大きい接地導体等に開口部を形成して導体面積を低減し併せて積層体（誘電体／導体）から発生する有機溶媒等のガスを効率的に放出することが行われている。接地導体に開口を設けて発生するガスを逃がす方法として、接地導体の１つであるアース電極にスリット状の開口部を設けて発生するガスを逃げやすくし、アース電極の剥離や、アース電極周囲の誘電体層の剥離が効果的に防げることが特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開平５−２９１８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接地導体に基板全体サイズにおよぶスリットあるいは方形等の開口部を設けることは、信号を送受する伝送線路の特性について問題が生じる。具体的には、２つの接地導体間に中心導体が挿入された導体３層構造の分布定数線路であるストリップラインや、１つの接地導体の上部に誘電体層を介して中心導体が置かれた導体２層構造の分布定数線路であるマイクロストリップの線路インピーダンス、すなわち特性インピーダンスがその開口部付近で大きく変動することである。
【０００６】
特にデジタル回路に使用されるMPUやRAM等のLSIの性能向上に対する社会的ニーズの増大に伴い、その動作速度［MIPS: Million Instruction Per Second］の向上が要求されてクロック周波数が数GHz以上の高速デジタル信号をこれらの分布定数線路で扱う必要性が生じている。もう一方では、通信機器の普及と更なる増大が求められる社会的ニーズに対して周波数割当等の電波利用容量の逼迫に対処するため移動通信、無線データ通信等の電波利用機器の使用周波数帯の高周波化が進んでおり、それらが扱う高周波信号の帯域が数GHzから数十GHzへと拡大している。このようなデジタル信号の高速化並びに無線関連高周波信号の一層の高周波化に対応するためには、それを扱う積層体基板の伝送線路はその特性インピーダンスが高周波で安定でかつ基準値50Ω等に対して広帯域で高精度に保たれる必要がある。
【０００７】
本発明の課題は、前記のように積層体基板に求められる高速化、高周波のニーズとその製品に要求される低コスト化実現のためのガス抜き方法を両立させる高性能・高信頼の積層体基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、第１導体層、第１誘電体層、第２導体層、第２誘電体層および第３導体層をこの順序で積層した積層体基板において、
第１導体層には厚さ方向に導体層を貫通する同一形状のホールを第１方向に第１間隔DP1で配列され、他方第１方向と直交する第２方向に第２間隔DP2で配列された第１格子状ホールパターンを有する第１接地導体が形成され、
第２導体層には第１格子状ホールパターンの第１方向にその中心線が平行する帯状導体パターンが中心導体として形成され、
第３導体層には第１導体層上の格子状ホールパターンを積層方向に投影した第２格子状ホールパターンを有する第２接地導体が形成され、
第１導体層上の第１格子状ホールパターンと第３導体層上の第２格子状ホールパターンのホールが重なりを生じないように、それぞれのホール位置が定められ、
第１格子状ホールパターンの第１方向または第２方向に平行なホール配列が中心導体に対して斜めに交差してホールと中心導体の重なりが、第１格子状ホールパターンの第１方向または第２方向に平行なホール配列が中心導体に対して平行に重なるときに比べて、少なくなるようにしたことを特徴とする。
【０００９】
上記本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、ストリップラインを構成する第１接地導体に第１方向に間隔DP1、第１方向に直角な第２方向に間隔DP2で配置された第１格子状ホールパターンを、第２接地導体に第１格子状ホールパターンと同一のホール配列を有する第２格子状ホールパターンをそれぞれ設ける。第１接地導体上の第１格子状ホールパターンと第２接地導体上の第２格子状ホールパターンは互いのホール配列において各ホールが重ならないように(互い違いに)配置し、中心導体は第１方向に平行なホール配列または第２方向に平行なホール配列に角度θをもって斜めに交差（図１参照）するように構成する。
【００１０】
このように積層体基板から発生するガスを接地導体面から抜けや易くするために接地導体面に均一に小ホール（開口部）を分散配置する。格子状に均一配列された格子状ホールパターンは第１接地導体と第２接地導体の両方に配置されているので、発生するガスを均等に分散して逃がし、効率的にガスを抜くことができる。その結果、接地導体、中心導体等の導体層と誘電体層の間に生じる剥離、空洞、凹凸、起伏を解消することができると共に、導体層と誘電体層の間に残る残留応力を取り除くことができるので、積層体基板の製品の信頼性並びに品質を向上させる。第１接地導体および第２接地導体に形成された格子状ホールパターンのホール列と中心導体とを斜めに交差させるので、その交差角θを適切に選ぶことでそのホールと中心導体の重なりを少なくすることができる。メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、格子状ホールパターンの各ホールに対する中心導体の重なり面積が減少すれば、その特性インピーダンスZcが小さくなり（図５参照）高速デジタル信号および高周波信号に対する信号伝送線路の性能を安定、向上させることができる。        
【００１１】
また本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、ストリップラインの特性インピーダンスZcが、第１接地導体および第２接地導体に格子状ホールパターンが配列されていない場合のストリップラインの特性インピーダンスをZ0としたときに、ZcがZ0＋10%以内に収まるように、第１接地導体上の第１格子状ホールパターンと第２接地導体上の第２格子状ホールパターンとが重ならないように千鳥状に配置し、第１格子状ホールパターンのホール径DHと両間隔DP1、DP2を定める構成にすることもできる。このようにすると、ストリップラインの第１接地導体の第１格子状ホールパターンのホール配列（SB1、SB2、SB3、---）および第２接地導体の第２格子状ホールパターンのホール配列（ST1、ST2、ST3、---）と中心導体との重なり面積をさらに小さく（図６参照）して、メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスZcを基準の特性インピーダンスZ0に一層近づけることができる。またこのようにすれば、第１接地導体、第２接地導体の両接地導体に形成された格子状ホールパターンの開口面積率を一定にするので、総開口面積に比例する効率的なガス放出と特性インピーダンスZcの性能を両立させることができる。例えば、開口比率DH/DP1≒0.45のときに、Zc≦Z0＋10%の良好な特性インピーダンスを得ると共に、開口面積率＝（ホール総面積/接地導体の面積）≒16%で良好なガス放出を達成できる。いずれにしても中心導体と第１接地導体上および第２接地導体上のホール配列が斜めに交差し、両接地導体上の各ホールが千鳥状に配列された場合には、メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスZcと基準の特性インピーダンスZ0との差の偏差インピーダンスΔZは、ΔZ≒I×(DH/DP1)/｛Gf(θ)−J(DH/DP1)｝-----(1)、（但しG、I、J：比例定数）で［後述の(326)参照］与えられる。よって交差角θおよび開口比率(DH/DP1)を適正な範囲に選ぶことで偏差インピーダンスΔZを小さくしてメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスZcを基準の特性インピーダンスZ0にかなり近づけることができる。
【００１２】
また本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、縦横等間隔の第１格子状ホールパターンの第１方向または第２方向に平行なホール配列が帯状パターンの中心導体に対して斜め交差する角度θを20°≦θ≦35°に選定して、特性インピーダンスZcがZ0＋６%以内に収まるように構成することもできる。このようにすると、ストリップラインの第１接地導体の第１格子状ホールパターンのホール配列（SB1、SB2、SB3、---）および第２接地導体の第２格子状ホールパターンのホール配列（ST1、ST2、ST3、---）と中心導体との重なり面積を一層に小さくして、メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスZcを基準の特性インピーダンスZ0に尚一層近づける［図６の(302)、(304)参照］ことができる。詳細には、第１格子状ホールパターンのホール配列が帯状パターンの中心導体に対して斜め交差する角度θを20°≦θ≦35°に選ぶことにより、図７の解析結果が示すようにメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスZcをZ0＋3（Ω）以内の極小範囲に収めることが可能である。
【００１３】
また本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、縦横等間隔の第１格子状ホールパターンの第１方向または第２方向に平行なホール配列が帯状パターンの中心導体に対して斜め交差する角度をπ/8ラジアンに定めて、ホールと中心導体の重なりが最小になるように構成し、特性インピーダンスZcがZ0＋5%以内に収まるように構成することが好ましい。このようにすれば、ストリップラインの第１接地導体の第１格子状ホールパターンのホール配列および第２接地導体の第２格子状ホールパターンのホール配列と中心導体との重なり面積を略最小にして、メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスZcを基準の特性インピーダンスZ0のZ0＋5%以内に収める（表１参照）ことができる。
【００１４】
また本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板は、中心導体の厚みをｔ、第１誘電体層と第２誘電体層の比誘電率をεr、SがS≧wとしたときに、特性インピーダンスZc：Zc≒Z0＋{15K/(εr)1/2}（Sc/lA）、中心導体のインダクタンスの形状に伴う補正係数：k≒［loge{Sc/(w＋t)}］＋1.193＋0.2235(w＋t)/Sc、開口比率DH／DPに関する補正係数：Sc/lA≒0.781(DH/DP)/{(3cosθ＋sinθ)/2−0.781(DH/DP)}、中心導体と上下接地導体がなす単位長当たりの容量がホールによって減少することに伴う補正係数：K≒k−4.43×10-5×Z02×εr{2w/(B−t)＋(1.13π/2)×(t/H)1/4}×{1.5＋(sinθ)1/2}/2、中心導体とホール配列の交差角度：θ、中心導体の中心線と上下接地導体間の距離：H＝B/2，直径DHの円形ホールと同一面積を有する等面積正方形開口の辺長：S＝0.886DH、等面積正方形開口が端効果容量による開口サイズの縮小に伴う補正：Sc＝S loge{1＋(2)1/2}から構成される一連の関係式で表される、
特性インピーダンスZcを、Zc−Z0が最小となるように定めることが好ましい。
【００１５】
このように構成すると、特性インピーダンスZcはZc≒ Z0＋{15K/(εr)1/2}｛Sｃ/(DPf(θ)−Sc)｝-----(2)で与えられ、メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の形状・構成（ｗ、t、B、DH、DP1、DP2）並びにホール配列と中心導体の交差角θを最適化することによりその特性インピーダンスZcと基準の特性インピーダンスZ0との差である偏差インピーダンスΔZを最小［図７と表１参照］にすることができる。試作評価段階では比誘電率：εr＝2.9、DH＝75umで偏差インピーダンスΔZを、ΔZ≦2.2Ωにすることが可能であり、本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板を50Ωの伝送線路（通常使用される各種分布定数線路）に接続したときに、最良の伝送特性を得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の最良形態を説明する。図１に本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板(以後、「MHGSL」という)の模式的な基本構造を示す。［１Ａ］において、MHGSL1は、厚さ14.5umの第１接地導体GC1(以後、「下側接地導体」ともいう)を有する第１導体層CL1、厚さH≒４０umで比誘電率εr＝2.9を有する誘電体層DL1、厚さ14.5umの中心導体MC(以後、「線路」ともいう)を形成した第２導体層CL2、厚さH≒４０umで比誘電率εr＝2.9を有する誘電体層DL2および厚さ14.5umの第２接地導体GC2(以後、「上側接地導体」ともいう)を有する第３導体層CL3の順序に最下層から最上層に積層されている。なお、第１接地導体GC1と第２接地導体GC2には、同一形状のホールMHを格子状に配列した第１格子状ホールパターンLAMH1と第２格子状ホールパターンLAMH2がそれぞれ形成されており、第１格子状ホールパターンLAMH1のホール配列と第２格子状ホールパターンLAMH2のホール配列におけるそれぞれのホールは積層面の方向に重ならないように（互い違いに）配置されている。
【００１７】
本発明のMHGSLの第１接地導体GC1上に形成された第１格子状ホールパターンLAMH1の詳細を［１Ｂ］に示す。円形開口を有するホールMHの開口径（直径）はDHであり、このホールMHは第１方向に第１間隔（隣接するMHの中心間距離）DP1で、第１方向に直交する第２方向に間隔DP2で格子状に配置され、幅ｗの帯状導体パターンである中心導体MCは第１方向のホール配列に対して角度θで交差する。またMHGSLの第２接地導体GC2上に形成された第２格子状ホールパターンLAMH2の詳細を［１C］に示す。円形開口を有するホールMHの開口径（直径）は同様にDHであり、このホールMHは第１方向に第１間隔（隣接するMHの中心間距離）DP1で、第１方向に直交する第２方向に間隔DP2で格子状に配置され、中心導体MCは第１方向のホール配列に対して角度θで交差している。実際の製品の形態は、図２に示すように設計仕様に合わせて、図１で表されるMHGSLを使用した伝送線路／フィルタなどを幾層にも積層した複合積層体基板１０で構成される。この場合には、中心導体MCはMeander Line 構造等を採用してその線路長を最適（例えば1/4波長など）値に設定することが可能である。
【００１８】
ここで発明のMHGSL1を採用した複合積層体基板１０の具体的構成について、アルミナセラミックスを誘電体材料として使用した無機基板例にとって説明する。各誘電体層DL(DL1、DL2)は比誘電率εrを有する誘電体材料で形成され、誘電体材料にはアルミナ含有量を９８％以上としたアルミナ質セラミックス、ムライト質セラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、窒化珪素セラミックス、炭化珪素セラミックスおよびガラスセラミックス等、高周波領域において誘電損失が小さい材質が適用される。この場合、比誘電率εrはεr＝5〜20に調整される。また、各導体層CL(CL1、CL2、CL3)には分布定数線路（ストリップライン他）やコンデンサの電極、あるいはグランド面（接地導体他）が金属導体で形成され、金属導体の材質としては、例えばセラミック誘電体層の材質としてガラスセラミックスを用いる場合には、Ag、Au、Cuのいずれかを主成分とするものを使用することができる。
【００１９】
次に本発明のMHGSL１を採用した複合積層体基板１０の製造方法について簡単に説明する。まず、誘電体層DLとなるべきセラミックグリーンシートを用意する。該セラミックグリーンシートは、セラミック誘電体層の原料セラミック粉末（例えば、ガラスセラミック粉末の場合、ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ等のセラミックフィラー粉末との混合粉末）に溶剤（アセトンなど）、結合剤［アクリル系樹脂（例えば、ポリアクリル酸エステル）など］、可塑剤（ブチルベンジルフタレート等）、解膠剤［脂肪酸（グリセリントリオレート等）など］の添加剤を配合して混練し、ドクターブレード法等によりシート状に成形したものである。
【００２０】
そして、このセラミックグリーンシート上に、導体層CL（接地導体、中心導体を含む）である各種導体パターン（格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2または中心導体MCの帯状パターンなど）あるいは電極導体を金属粉末を使用して所定の形状に形成する。この金属粉末形状はCuまたはAgを主成分とする金属粉末のペーストを用いて公知のスクリーン印刷法により形成される。導体層の金属粉末形状を形成したら、その上に別のセラミックグリーンシートを重ね、さらに金属粉末形状印刷／セラミックグリーンシート積層の工程を繰り返し、セラミック積層体基板１０となるべきグリーン積層体を得る。上記のグリーン積層体は、個々のセラミック積層体基板１０(本発明のMHGSL1を採用)の導体層金属粉末形状が所定配置・配列にて連続的に複数形成されたものであり、これをカッターを用いて切断線に沿って切断・分離することにより、各々個別にセラミック積層体１０となるべき分離グリーン積層体が得られる。これを焼成することにより、図２に示すような、複合積層体基板１０が得られる。
【００２１】
またビルドアップ法で樹脂材を積層して有機基板を形成する場合には、各誘電体層DL1、DL2は樹脂誘電体シートにて形成され、例えば感光性樹脂で構成されたビルドアップ層となっている。感光性樹脂組成物はエポキシ樹脂（FR4:Fiber Reinforced）等にて構成され比誘電率εrはεr＝２〜４に調整されている。樹脂を誘電体とする積層体基板１０の製造方法は次のようになる。樹脂を多層に積層したコア基板に感光性樹脂をコートし、その上に導体パターンを作製するためのフォトマスクを重ね紫外線で露光、現像することで、格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2、帯状パターンなどの導体パターンに応じたフォトバイアを形成する。表面処理剤等で樹脂の表面を粗面化した後に無電解銅メッキしてフォトバイア部に銅薄膜を形成し、さらに電解銅メッキして所定厚（数十um）の導体層を前述の導体パターンに応じて形成する。この感光性樹脂のコートから電解銅メッキの工程を繰り返すことで誘電体層（誘電体層DL1、DL2に相当）と導体層（CL1、CL2、CL3に相当）を交互に積層し、積層体基板１０を連続的に面状配列した樹脂シートを作製する。カッターを用いてこの樹脂シートを切断線に沿って切断・分離することにより、各々個別に有機積層体基板１０となるべき分離樹脂シートが得られる。最後にこの分離樹脂シートを熱処理して樹脂層のキュアを行い樹脂層が硬化され、複合積層体基板１０が得られる。
【００２２】
前述のように、セラミック積層体基板の製造に際して、原料セラミック粉末を溶剤および添加剤等で混練したグリーンシートを加工して製品を形成するので焼成工程において基板からガスが発生する。また、ビルドアップ基板と呼ばれる有機基板の製造において、樹脂を多層に重ねたコア基板の上に熱硬化性樹脂あるいは感光性樹脂を使用して絶縁層を形成しその上に銅メッキして導体層を形成する。熱硬化性樹脂、感光性樹脂はいずれにも溶媒、添加剤等が含まれており、基板を熱処理して樹脂をキュアする際等にガスが発生する。このように基板の焼成あるいは熱処理の製造工程において発生するガスを、誘電体層を挟む各導体層にメッシュ状の小ホールMHを分散配置させてガスを効率的に放出させ、セラミックの焼成工程あるいは樹脂の熱処理工程の所要時間を短縮させることは生産効率の向上につながる。
【００２３】
第１接地導体と第２接地導体上には格子状に小ホールMHを均一配列した前述の格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2がそれぞれ配置されているので、発生するガスを均等に分散して逃がす効果が有り、積層体基板１０に発生するガスを旨く放出することができる。その結果、接地導体、中心導体等の導体層と誘電体層の間に生じる可能性がある剥離、空洞、凹凸、起伏などを解消することができると共に、導体層と誘電体層の間に残る残留応力を取り除くことができるので、積層体基板の製品の信頼性／品質を一層向上させることができる。第１接地導体GC1、第２接地導体GC2上に形成された各格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2におけるホールMHをどのように配列（ホールの開口径DH、第１間隔DP1、第２間隔DP2および上下ホールの位置関係）し、またホール配列と中心導体MCの交差角θをどのように定めるか。この条件設定によって、メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板MHGLS1の特性インピーダンスZc（線路インピーダンス）を、第１接地導体GC1、第２接地導体GC2上に格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2が無いとき、すなわちベタ・アースを有するストリップラインの特性インピーダンスZ0（以後、このインピーダンスを「基準インピーダンス」という）にどの程度近づけることができるか、これが本発明の中心課題である。そこで、特性インピーダンスZcの基準インピーダンスZ0に対する偏差ΔZ、ΔZ＝Zc−Z0-----(20)  と格子状ホールパターンLAMH1、LAMH2におけるホールMHの最適配列の関係について順次に説明する。
【００２４】
発明における設計開発とその評価の過程で明らかとなったメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板MHGLS1の特性インピーダンスZcに関する高周波線路解析の結果の要点は以下の通りである。その際、通常知られている回路解析・線路解析の過程についてはその説明を省略する。まず図３を使用して、ホールMH、等面積正方形開口SQiおよび縮小補正等価正方形開口SQcの関係を説明する。開口径DHのホールMHの開口面積と同一面積を有する等面積正方形開口SQiとし、その辺長をSとする。この等面積正方形開口SQiに対する端効果容量CSfにより、等面積正方形開口SQiの開口を縮小補正した縮小補正等価正方形開口SQcの辺長をScとする。このときS＝{(π)1/2/2}≒0.886DH-----(21)、Sc＝S loge{1＋(2)1/2}≒0.881S-----(22)の関係を有し、よってSc≒0.781DH-----(23)を得る。
【００２５】
次に、図４を使用してMHGSL1の線路長方向に対する断面構成、並びに下側接地導体GC1、上側接地導体GC2と中心導体（線路）MCの間の結合によって生じる容量について説明する。第１接地導体（下側接地導体）CG1に形成された第１格子状ホールパターンLAMH1のホールMHが作る縮小補正等価正方形開口SQcに対して、中心導体MCと重なった縮小補正等価正方形開口SQcの隣接する３開口SB1、SB2、SB3を合成した合成開口CSBは、中心導体MCの幅wおよびその両外側に位置する幅Hからなる［上下接地導体CG1、CG2と中心導体MC間の］結合領域を完全に（詳細は図６参照）覆う。また、第２接地導体（上側接地導体）CG2に形成された第２格子状ホールパターンLAMH2が作るホールMHによる縮小補正等価正方形開口SQcにおいて、中心導体MC重なった縮小補正等価正方形開口SQcの隣接する３開口ST1、ST2、ST3を合成した合成開口CSTは、同様に前記の結合領域を覆う。よって、真空の誘電率をε0、誘電体の比誘電率をεrとしたときに、中心導体MCと上側接地導体GC2の間で形成される板極間容量Cp1は(101)で与えられるが、中心導体MCの直下の下側接地導体GC1は合成開口CBTとなっているので、この板極間容量Cp1はCp1＝0-----(102)となる。
【００２６】
厚さtの中心導体MCと上側接地導体GC2の間で形成される端効果容量Cf2（中心導体MCの側面から放射状に伸びる電気力線がその下方あるいは上方に有る下側接地導体GC1、上側接地導体GC2に届く範囲で両者の結合が生じて発生する容量）は、種々の電磁解析並びにコンピュータ解析の結果として(103)で近似（今回の発明における大きな特徴の1つである）できることが分かった。下側接地導体GC1上の合成開口CSBはこの端効果容量Cf1を生じる幅Hの両領域を越えているので、Cf1＝０-----(104)となる。以上より、線路長方向に対して単位長(um)当たりの総合容量をCtとすると、gt(B,t,w)≡Ct/（ε0εr）＝2w/(B-t)＋(1.13π/2)（t/H）1/4-----(106)と与えられる。
【００２７】
次に、後述の図６に示す線路が連続した場合に、MHGSL1である線路が形成する特性インピーダンスZcとその反射係数ΓTを導出する。図５に本発明のMGHSL1の線路の等価回路を示す。直列インダクタンスLsと接地容量Csで構成され破線で囲まれたブロック回路ECs1、---ECsnが、図６の合成開口CSBあるいは合成開口CSTに該当する部分の等価回路（合成開口の幅Scに対応した線路で表示）を表し、また接地容量Csは図５の単位長当たりの総合容量Ctに関係する。ブロック回路ECs1、---Ecsnの合成インピーダンスをZsとし、その反射係数をΓsと定める。図６において合成開口部CSB、CSTが無い領域の線路長lAが、各ブロック回路ECs1、---Ecsnの前後に接続されている、基準インピーダンスZ0、電気長θA、線路長lAの単位分割線路に相当する。MHGSL1において中心導体MCの上下にn個の合成開口CSB、CSTが形成されている場合に、MHGSL1の線路の等価回路はブロック回路ECs1、---ECsnとそれに挟まれた単位分割線路(Z0、θA、lA)がn個直列に接続された構成になる。ここで等価回路各部のインピーダンス並びにその反射係数を求めると次のようになる。ブロック回路ECs1、---Ecsnの合成インピーダンスZsは合成開口CSB、CSTが生じるインダクタンスをLs、図６の単位長当たりの総合容量CTに伴う接地容量CsをCs＝ScCT-----(24)とするとZs≒Z0＋jω(Ls−CsZ02)/2-----(201)で近似される。この合成インピーダンスZsに対する反射係数Γsは(202)で与えられ、Γs≪1-----(25)であるのでMHGSL1の線路の等価回路の総合反射係数ΓTは最終的に(205)のように求められる。この(205)には線路長2(n+1)θAに伴う位相回転部が含まれるので、これを除いたMHGSL1の線路の特性インピーダンスZcに相当する反射係数Γtは、(206)に(202)や種々の関係式の(208)を適用して最終的に、Γt≒7.5K/{(εr)1/2Z0}(Sc/lA)-----(209)と求まる。
【００２８】
次に、図６を使用して第１接地導体CG1に形成された第１格子状ホールパターンLAMH1のホール配列に斜めに交差する中心導体MCと上下接地導体CG1、CG2の関係を求める。第１接地導体CG1に形成された第１格子状ホールパターンLAMH1のホールMHおよび第２接地導体CG1に形成された第２格子状ホールパターンLAMH2のホールMHが中心導体MCに重なると、上下接地導体CG1、CG2と中心導体MCの結合領域（線a、bの間でその幅はw＋B）上に、３つの縮小補正等価正方形開口［SB1、SB2、SB3］（下側接地導体CG1上）および［CST1、CST2、CST3］（上側接地導体CG2上）が隣接して配置される。３つの縮小補正開口［SB1、SB2、SB3］の内SB2の両側に位置するSB1とSB3を中心導体（線路）に平行に移動して合成し、合成開口CSBを作る。同様に、３つの縮小補正開口［ST1、ST2、ST3］の内ST2の両側に位置するST1とST3を中心導体（線路）に平行に移動して合成し、合成開口CSTを作る。開口比：DH/DP＝0.45および交差角θが10°≦θ≦20°の条件において、両合成開口CSB、CSTは長さがSc（線路長方向）で幅が略3Sc（線路幅方向）の方形となり、その幅は結合領域を越える。よって、単位長当たりの総合容量Ctの基本関数gt(B,t,w)＝Ct/(ε0εr)は前述の通り(106)で与えられる。この合成開口CSB、CSTは一組の合成容量CT（線路長方向に単位長当たり）を生じるが、種々の解析並びにコンピュータ計算を行った結果として、75(um)≦DH≦100(um)、10°≦θ≦30°-----(26)の範囲において、交差角θに対して(302)が良好な近似を与えることが判った。また、合成開口CSBとCSTの間隔（合成開口が無い、無開口領域の距離）lAは、図６の幾何学的条件から凡そlA≒(DP/2)（3cosθ＋sinθ）−Sc-----(304)で与えられることが分かる。
【００２９】
【数１】
2005191902.tif 000003
【００３０】
図５の(210)、図４の(106)および図６の(302)の関係から係数Kは(321)のように導かれる。メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板MHGSL1の特性インピーダンスZcと図５の(209)で与えられる反射係数ΓtはZc≒Z0(1＋2Γt)-----(323)の関係で表されるので、最終的に、その特性インピーダンスZcはZc≒Z0＋{15K/(εr)1/2}［Sc/{(DP/2)(3cosθ＋sinθ)−Sc}］-----(324)と導出される。これを(20)に適用すると、MHGSL1の特性インピーダンスZcの基準インピーダンスZ0に対する偏差ΔZはΔZ≒{15K/(εr)1/2}［Sc/{(DP/2)(3cosθ＋sinθ)−Sc}］-----(325)と求まる。これに前述のSc≒0.781DH-----(23)を適用すると、
ΔZ≒{15K/(εr)1/2}（0.781DH/DP）［1/{(3cosθ＋sinθ)/2−（0.781DH/DP）}］-----(326)を得る。本発明の最大の特徴である(326)の作用を大まかに分析してみると、先ず開口比率：(DH/DP)を小さくすれば概ね比例して偏差ΔZは小さくなる。もし、開口比率：(DH/DP)＝一定とした場合には、図７で示されるように交差角θがθ≒25°〜30°の付近で偏差ΔZを最小にすることができる。
【００３１】
米国マイクロソフト社の表計算ソフトExcel用いて、上記の (321)、(324)、他の一連の関係式を計算処理し、その結果をグラフに自動作図したものを図７に示す。この数値解析では、積層体基板１０の誘電体の比誘電率をεr=2.9とし、ストリップラインの形状について、上下接地導体GC1とGC2の面間距離をB＝80.5um、中心導体MCの幅と厚みをそれぞれw＝31um、t＝14.5umと設定し、上下接地導体GC1とGC2に格子状ホールパターンLAMHが無い(ベタ・アースの)ストリップラインの特性インピーダンス（基準線路インピーダンス）をZ0＝50Ωとした。このとき、格子状ホールパターンLAMHに対するホール間隔DP（＝220um、165um）ホール開口径DH（＝100um、75um）の組合において、交差角θを変化させた場合の本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板MHGSL1の特性インピーダンス（線路総合インピーダンス）Zcを表している。ホール開口径DH=75umのとき、θ≒30°で最小値Zcmin≒52.1Ωを得ている。最後に本発明のMHGSL1に対する電磁解析シミュレーションの結果を表１に示し、本発明の効果を簡単に説明する。このシミュレーションはアプライド・シミュレーション・テクノロジ社のApsimFDFTを使用したFDTD
(Finite Different Time Domain ：時間領域有限差分法)の電磁解析Simulation を適用して行われた。
【００３２】
【表１】
2005191902.tif 000004
【００３３】
表１よりFDTDのシミュレーション結果の特性インピーダンスZcと高周波線路解析結果の特性インピーダンスZcの差異はDH＝250umで約1(Ω)、DH＝75umで約0.2（Ω）であり、FDTDシミュレーション並びに高周波解析を適用して本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板MHGSL1を高精度且つ高性能に設計開発できることが分かった。以上の結果から、本発明のMHGSL1は製造工程における発生ガスの効率的な放出という生産性、および線路インピーダンスの最適化という電気的性能の両面において大きな効果を奏することが判った。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の基本構成を示す模式構造図。
【図２】本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板を採用した複合積層体基板の模式構造図。
【図３】上下接地導体に形成された格子状ホールパターンの円形ホール開口、等面積正方形開口および縮小補正等価正方形開口の関係を示す図。
【図４】本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の中心導体と上下接地導体との結合よって生じる容量を説明する図。
【図５】本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板におけるホール開口部の等価回路とホール間隔部分の線路とからなる周期的構成を表す等価回路図。
【図６】本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の中心導体とホール配列の交差角に対する合成開口ならびに総合容量の関係を説明する図。
【図７】本発明のメッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板の特性インピーダンスを導出する関係式を適用した計算ソフトExcelの計算結果をグラフに表した図。
【符号の説明】
【００３５】
1    メッシュホールグランドストリップライン構造を有する積層体基板（MHGSL、信号伝送線路、線路、ストリップライン）
10    複合積層体基板
CL1、CL2、CL3  導体層
DL1、DL2  誘電体層
LAMH1、LAMH2  格子状ホールパターン
MH1、MH2  ホール  
CG1  第１接地導体（下側接地導体）
CG2  第２接地導体（上側接地導体）
MC  中心導体（帯状導体パターン、線路）
SQi  等面積正方形開口
SQc  縮小補正等価正方形開口
Cp  板極間容量
Cf  端効果容量
Zc  特性インピーダンス
Z0  基準の特性インピーダンス（基準インピーダンス）
ΔZ  偏差インピーダンス（特性インピーダンスZcと基準インピーダンスZ0の偏差）
DP1  第１ホール間隔
DP2  第２ホール間隔
DH  ホール開口径
DH/DP  開口比率
S  等面積正方形開口の辺長
Sc  縮小補正等価正方形開口の辺長
B  上側接地導体と下側接地導体の面間距離(導体間距離)
w  中心導体の帯幅(幅)
t  中心導体の厚さ  
Ct  単位長当たりの総合容量
Ecs  ブロック回路
ΓT、Γt、Γs  反射係数
BT1、BT2,BT3  中心導体と重なった第１接地導体上の縮小補正等価正方形開口
ST1、ST2、ST3  中心導体と重なった第２接地導体上の縮小補正等価正方形開口
CST、BST  合成開口
θ  格子状ホールパターンのホール配列と中心導体の格差角
lA  合成開口に対する無開口領域の距離
【図１】
2005191902.tif 000005
【図２】
2005191902.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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