(57)【要約】【課題】リードオーバレイ構造において電極膜の端部におけるエレクトロマイグレーションの発生を防止することができる、磁気抵抗効果素子等を提供する。【解決手段】薄膜磁気ヘッド１は、リードオーバレイ型の読み取り素子７を有する。かかる読み取り素子は、磁気抵抗効果膜４１と、電極４７、４９膜と、保護膜５１、５３、５５とを備えている。電極膜は、磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給するように設けられている。また、保護膜は、電極膜の上面を被覆するエッチング防止用保護膜５１、５３と、エッチング防止用保護膜の上面、電極膜の側面４７ａ、４９ａ及び磁気抵抗効果膜の上面を被覆するエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とを含む。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、電極膜と、保護膜とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記電極膜は、前記磁気抵抗効果膜の両端部を覆うように設けられており、
前記保護膜は、前記電極膜の上面を被覆するエッチング防止用保護膜と、少なくとも該電極膜の側面を被覆するエレクトロマイグレーション防止用保護膜とを含む、
磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子であって、
前記エッチング防止用保護膜及び前記エレクトロマイグレーション防止用保護膜は同材料から構成されている、
磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項３に記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する、
磁気ヘッド装置。
【請求項５】
磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項４に記載されたものでなり、
前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁気記録再生を行う、
磁気記録再生装置。
【請求項６】
磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
磁気抵抗効果膜上に、センス電流を供給する電極膜を設け、
前記電極膜上に、前記磁気抵抗効果膜の上方位置において相互に離隔する一対のエッチング防止用保護膜を設け、
前記一対のエッチング防止用保護膜で被覆されていない前記電極膜の部分をエッチング加工によって除去し、
少なくとも前記電極膜の一対の側面にエレクトロマイグレーション防止用保護膜を被覆する、
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記エッチング防止用保護膜及び前記エレクトロマイグレーション防止用保護膜は同材料から構成されている、
磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記エッチング防止用保護膜の被覆は、レジストマスクを用いたイオンビーム蒸着法において照射角度を調整することによって行われる、
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置、並びに、磁気抵抗効果素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録分野では、磁気ディスクドライブ装置の高密度化、小型化の進展に対応すべく、スピンバルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）を、読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッドが主流となっている。
【０００３】
ＳＶ膜は、基本的には、ピンド層と、フリー層とを、非磁性層を介して積層した構造を有する。ピンド層は磁化方向が一方向に固定されており、フリー層は磁化方向が外部から印加される磁界に応答して自由に動く。ＳＶ膜では、ピンド層の磁化方向と、フリー層の磁化方向とが同じであるときに、抵抗値が最小になり、逆方向の時に最大になる。この抵抗変化特性を利用して、外部磁界を検出する。
【０００４】
フリー層には、磁区制御膜による縦方向バイアス磁界が印加される。この縦方向バイアス磁界により、フリー層を単磁区化し、磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを抑止する。縦方向バイアス磁界を印加する手法としては、反強磁性膜と磁性膜との間の交換結合を利用する交換バイアス法と、硬磁性膜を用いた硬磁性バイアス法とが知られている。
【０００５】
ＳＶ膜において、磁区制御膜の付着領域近傍では、磁区制御膜による縦バイアスが強く、センサとして動作しない不感帯域を生じる。不感帯域はセンサとして機能せず、磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値を増加させる。磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値が増加すると、磁気抵抗センサ回路としての性能に制限が加わる。
【０００６】
不感帯域による電気抵抗値を低減させる手段として、不感帯域を越えて、ＳＶ膜の両側端部に電極膜を付与する、いわゆるリードオーバレイ構造が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２７６７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、かかるリードオーバレイ構造の場合、電極膜における磁気抵抗効果膜側の端部は、くさび状に立ち上がるように形成されているため、電流密度が著しく大きくなった場合には、高密度電流に起因するエレクトロマイグレーション（electro migration）が発生するおそれがある。
【０００８】
本発明の課題は、上述した従来の問題に鑑みてなされたものであり、リードオーバレイ構造において電極膜の端部におけるエレクトロマイグレーションの発生を防止することができる、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置、並びに、磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜と、電極膜と、保護膜とを含み、前記電極膜は、前記磁気抵抗効果膜の両端部を覆うように設けられており、前記保護膜は、前記電極膜の上面を被覆するエッチング防止用保護膜と、少なくとも該電極膜の側面を被覆するエレクトロマイグレーション防止用保護膜とを含む。
【００１０】
また、前記エッチング防止用保護膜及び前記エレクトロマイグレーション防止用保護膜は同材料から構成されていてもよい。
【００１１】
同課題を解決するため本発明は、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置も提供する。本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、前述の本発明に係る磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含むものである。
【００１２】
本発明に係る磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含み、前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、前記薄膜磁気ヘッドは、前述した本発明に係る読み取り素子を有する薄膜磁気ヘッドの特徴的構成を有する。
【００１３】
同課題を解決するための本発明に係る磁気記録再生装置は、磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含み、前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁気記録再生を行い、磁気ヘッド装置は、前述した本発明に係る磁気ヘッド装置の特徴的構成を有する。
【００１４】
同課題を解決するための本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁気抵抗効果膜上に、センス電流を供給する電極膜を設け、前記電極膜上に、前記磁気抵抗効果膜の上方位置において相互に離隔する一対のエッチング防止用保護膜を設け、前記一対のエッチング防止用保護膜で被覆されていない前記電極膜の部分をエッチング加工によって除去し、少なくとも前記電極膜の一対の側面にエレクトロマイグレーション防止用保護膜を被覆する。
【００１５】
前記方法において、前記エッチング防止用保護膜及び前記エレクトロマイグレーション防止用保護膜は同材料から構成されていてもよい。
【００１６】
また、前記エッチング防止用保護膜の被覆は、レジストマスクを用いたイオンビーム蒸着法において照射角度を調整することによって行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のような、本発明に係る磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置、並びに、磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、電極膜における磁気抵抗効果膜側の側面でのエレクトロマイグレーション発生を防止することができる。
【００１８】
なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。なお、本発明を記述する際に用いる上下左右方向の基準は、鉛直方向を上下方向とするものではなく、後述する積層膜構造を有する磁気抵抗効果素子の膜積み上げ方向を上下方向として決定している。さらに後述するＡＢＳ面からみた積層膜の左右方向すなわち図３の左右方向を幅方向とする。
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図であり、図２は、薄膜磁気ヘッドの書き込み素子及び読み取り素子近傍の拡大断面図である。図１に示されるように、薄膜磁気ヘッド１は、スライダ３の上に、書き込み素子５と読み取り素子７とを有する。
【００２１】
スライダ３はセラミック構造体で構成され、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体の上に、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等でなる絶縁膜を有している。スライダ３は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面（以下ＡＢＳ面と称する）９、１１を有する。スライダ３においては、図１に示すように、矢印Ａ１の方向に高速移動する磁気ディスクと対向する面側に、正圧発生用のレール部１３、１５を設け、これらレール部１３、１５の表面をＡＢＳ面９、１１として利用する。なお、このようなタイプの他、ＡＢＳ面９、１１の平面に、特殊な幾何学的形状を付与したものや、負圧タイプのもの等が知られており、何れのタイプを用いることもできる。
【００２２】
図２に示されるように、スライダ３上には、磁性材料からなる下部シールド膜２１、読取素子７を含む絶縁膜２３、磁性材料からなる上部シールド膜２５を有している。さらに、上部シールド膜２５の上方には、非磁性膜２７を介して書き込み素子５が設けられる。
【００２３】
書き込み素子５は、非磁性膜２７の上面に設けられた下部磁極膜２９と、結合部３１を介して下部磁極膜２９に結合される上部磁極膜３３とを有する。下部磁極膜２９と上部磁極膜３３との間には、コイル３５が結合部３１を軸に周回するように配置されている。また、下部磁極膜２９と上部磁極膜３３との間の媒体対向面側には、ギャップ膜３７が配置されている。なお、図示された書き込み素子５は単なる例であり、このような構造に限定されるものではない。
【００２４】
図３は、読み取り素子７近傍の拡大図である。磁気抵抗効果素子である読み取り素子７は、リードオーバレイ型であり、磁気抵抗効果膜４１と、一対の磁区制御膜４３、４５と、一対の電極膜４７、４９と、保護膜５１、５３、５５とを含んでいる。読み取り素子７は、本実施の形態では、下部シールド膜２１と上部シールド膜２５との間に配置されている。また、図示とは異なって、読み取り素子７を、書き込み素子５の上に配置する構造であってもよい。
【００２５】
磁気抵抗効果膜４１は、外部から印加される磁界に応答する膜であり、異方性磁気抵抗効果膜（ＡＭＲ膜）や、ＳＶ膜によって構成できる。本実施の形態においては、磁気抵抗効果膜４１はＳＶ膜である。ＳＶ膜に関しては、種々の積層膜、膜組成等が提案され、実用に供されており、本発明においては、殆ど制限なく、これらのＳＶ膜に適用できる。
【００２６】
ＳＶ膜は、基本的には、ピンド層とフリー層とを、非磁性層を介して積層した構造を有する。ピンド層は磁化方向が一方向に固定されており、フリー層は磁化方向が外部から印加される磁界に応答して自由に動く。ＳＶ膜では、ピンド層の磁化方向と、フリー層の磁化方向とが同じであるときに、抵抗値が最小になり、逆方向の時に最大になる。この抵抗変化特性を利用して、外部磁界を検出する。
【００２７】
図示されたＳＶ膜は、フリー層５７、非磁性層５９、ピンド層６１及び反強磁性層６３を順次積層して構成される。上記構造により、反強磁性層６３と接したピンド層６１（強磁性層）が一定方向に磁化された状態になる。
【００２８】
一対の磁区制御膜４３、４５は、フリー層５７の縦方向の両端に結合されている。本実施の形態では、磁区制御膜４３、４５として硬磁性膜を用いており、具体的にはＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ等を用いることができる。なお、これに限定されず、磁区制御膜として、反強磁性膜、あるいは、軟磁性膜及び反強磁性膜の積層膜、を用いることもできる。
【００２９】
一対の電極膜４７、４９は、一対の磁区制御膜４３、４５の上面に積層されており、磁気抵抗効果膜４１にセンス電流Ｉｓを供給するために用いられる。各電極膜４７、４９の磁気抵抗効果膜４１側の端部は、磁気抵抗効果膜４１における幅方向の両端部を覆っており、不感帯域を越えて延長している。一対の電極膜４７、４９を構成する材料としては、Ａｕを主成分とする合金が挙げられるが、本実施の形態では、ＡｕとＣｕの合金を用いている。
【００３０】
保護膜５１、５３、５５は、その機能より、一対のエッチング防止用保護膜５１、５３とエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とに区分けすることができる。エッチング防止用保護膜５１、５３は、対応する電極膜４７、４９の上面に積層されている。一方、エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５は、一対のエッチング防止用保護膜５１、５３の上面と、電極膜４７、４９の磁気抵抗効果膜４１側の側面４７ａ、４９ａと、磁気抵抗効果膜４１の上面とを被覆するように設けられている。
【００３１】
また、エッチング防止用保護膜５１、５３とエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とは、ともに同材料から構成されており、本実施の形態ではＴａより構成されている。なお、本発明はこれに限定されるものではなく、各保護膜を異なる材料から構成することもできる。さらに、各保護膜を同材料から構成する場合、異なる材料から構成する場合のいずれの場合に関しても、Ｔａ以外の例として、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆや重金属などを用いることもできる。また、図においては、説明の明瞭性を優先して、エッチング防止用保護膜５１、５３とエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５との境界は明確に図示されているが、実際は、図示のような境界の態様に限定されるものではない。また、境界は必ずしも明確に識別できることに限定されるものでもない。エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５の上方には、上部シールド膜２５が設けられている。
【００３２】
続いて、このような構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造プロセスについて説明する。まず、図４に示されるような台形状の磁気抵抗効果膜４１を得るまでの工程について説明する。反強磁性層６３、ピンド層６１、非磁性層５９、フリー層５７の主要四層を含む積層膜構造体を形成し、最上層であるフリー層５７の上面にＴａなどからなる保護層（図示省略）を形成しておく。さらに、積層膜構造体の上面に、Ｔ字状のリフトオフ用レジストマスクを設け、その上方よりイオンミリングなどのドライエッチングを施して、四層の積層膜構造体を台形状にエッチングする。
【００３３】
次に、台形状にエッチングされた磁気抵抗効果膜４１の両側に、磁区制御膜４３、４５を例えばスパッタリングによって成膜する。さらに、磁気抵抗効果膜４１及び磁区制御膜４３、４５の上面に、電極膜４６を例えばスパッタリングによって成膜する。電極膜４６は、後に一対の電極膜４７、４９を構成する層である。このようにドライエッチング工程とスパッタリングによる成膜工程とにより、図４に示される状態を得る。
【００３４】
次に、図５に示されるように、電極膜４６の上面であって、磁気抵抗効果膜４１の上方の部分に、Ｔ字状のリフトオフ用レジストマスク７７を設ける。レジストマスク７７は、フォトリソグラフィプロセスによって形成する。
【００３５】
次に、図６に示されるように、電極膜４６の上面に、一対のエッチング防止用保護膜５１、５３を被覆形成する。本実施の形態では、イオンビーム蒸着法（ＩＢＤ）を用い、レジストマスク７７に対応して照射角度の傾斜を調整する。それにより、磁気抵抗効果膜４１の上方の位置において相互に離隔する一対のエッチング防止用保護膜５１、５３が形成される。なお、本発明はこれに限らず、例えばスパッタリングによってエッチング防止用保護膜５１、５３を被覆形成することもできる。
【００３６】
次に、図７に示されるように、剥離剤を用いてレジストマスク７７をリフトオフし、さらに、上方よりイオンミリングあるいはＲＩＥなどのドライエッチングを施す。このとき、電極膜４６の上面には一対のエッチング防止用保護膜５１、５３が被覆されている。このため、エッチング防止用保護膜（Ｔａ）と電極膜（Ａｕ合金）とのエッチングレートの相違によって、これら一対のエッチング防止用保護膜５１、５３の間の、露出した電極膜４６の部分のみがエッチングされる。これによって、磁気抵抗効果膜４１の上方の位置において相互に離隔する一対の電極膜４７、４９が形成される。
【００３７】
また、図７に示されるように、各電極膜４７、４９の磁気抵抗効果膜４１側の端部は、磁気抵抗効果膜４１両端の不感帯域を越えて延長している。換言するならば、各電極膜４７、４９の端部が不感帯域を越えて残存するように、一対のエッチング防止用保護膜５１、５３の成膜長さを設定する必要がある。
【００３８】
この後、エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５の成膜を行い、図３に示される状態を得る。エレクトロマイグレーション防止用保護膜５５は、エッチング防止用保護膜５１、５３の上面、電極膜４７、４９の相互に対向する側面４７ａ、４９ａ、及び磁気抵抗効果膜４１の上面を被覆するように成膜される。かかる成膜は、ＩＢＤ又はスパッタリングを用いて行うことができる。
【００３９】
このようにして製造されたＳＶ膜を有する磁気抵抗効果膜４１においては、外部磁界が印加された場合、フリー層５７の磁化方向が外部磁界の強さに応じて回転する。ＳＶ膜の抵抗値は、ピンド層６１の磁化方向に対するフリー層５７の磁化方向の角度によって定まる。ＳＶ膜の抵抗値は、フリー層５７の磁化方向がピンド層６１の磁化方向に対して、逆方向のときに最大となり、同一の方向のときに最小になる。よって、フリー層５７の磁化方向の回転に応じて、磁気抵抗効果膜４１内を縦方向に流れるセンス電流Ｉｓの大きさが変化するので、このセンス電流Ｉｓから、外部磁界を検出することができる。
【００４０】
また、リードオーバレイ型の読み取り素子の場合には、高密度電流に起因したエレクトロマイグレーションの発生が問題となる。しかしながら、本実施の形態では、電極膜４７、４９の磁気抵抗効果膜４１側の側面４７ａ、４９ａがエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５によって覆われている。よって、エッチングによって一対の電極膜４７、４９が分離構成される態様であっても、そのエッチングによって現れた磁気抵抗効果膜側の側面からエレクトロマイグレーションが生じることを防止することができる。
【００４１】
次に、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド装置について説明する。図８は、磁気ヘッド装置の一部を示す正面図、図９は図８に示した磁気ヘッド装置の底面図である。磁気ヘッド装置１０１は、薄膜磁気ヘッド１と、ヘッド支持装置１０３とを含んでいる。薄膜磁気ヘッド１は、図１〜図３を参照して既に説明した本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。
【００４２】
ヘッド支持装置１０３は、金属薄板でなる支持体１０５の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体１０７を取付け、この可撓体１０７の下面に薄膜磁気ヘッド１を取付けた構造となっている。
【００４３】
可撓体１０７は、支持体１０５の長手方向軸線と略平行して伸びる２つの外側枠部１０９、１１１と、支持体１０５から離れた端において外側枠部１０９、１１１を連結する横枠１１３と、横枠１１３の略中央部から外側枠部１０９、１１１に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片１１５とを有する。
【００４４】
舌状片１１５のほぼ中央部には、支持体１０５から隆起した、例えば半球状の荷重用突起１１７が設けられている。この荷重用突起１１７により、支持体１０５の自由端から舌状片１１５へ荷重力が伝えられる。
【００４５】
舌状片１１５の下面に薄膜磁気ヘッド１を接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド１は、空気流出側端側が横枠１１３の方向になるように、舌状片１１５に取付けられている。なお、本発明に適用可能なヘッド支持装置は、本図８及び図９に示した実施の形態に限定されるものではない。
【００４６】
次に、本発明の実施の形態に係る磁気記録再生装置について説明する。図１０は、磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置２０１は、磁気ヘッド装置１０１と、磁気ディスク２０３とを含む。磁気ヘッド装置１０１は、図８及び図９に図示したものである。磁気ヘッド装置１０１は、ヘッド支持装置１０３の一端が位置決め装置２０５によって支持され、かつ、駆動される。磁気ヘッド装置１０１の薄膜磁気ヘッド１は、ヘッド支持装置１０３によって支持されており、磁気ディスク２０３の磁気記録面と対向するように配置される。
【００４７】
磁気ディスク２０３が、図示しない駆動装置により、矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘッド１が、微小浮上量で、磁気ディスク２０３の面から浮上する。駆動方式としては、ロータリーアクチュエータ方式が一般的であるが、リニアアクチュエータ方式を採用してもよい。本図１０においては、ロータリーアクチュエータ方式が示されており、ヘッド支持装置１０３の先端部に取り付けられた薄膜磁気ヘッド１が、磁気ディスク２０３の径方向ｂ１またはｂ２に駆動される。そして、ヘッド支持装置１０３を駆動する位置決め装置２０５により、薄膜磁気ヘッド１が、磁気ディスク２０３上の所定のトラック位置に位置決めされる。
【００４８】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、種々の改変態様を採り得ることは自明である。例えば、本発明は、必ずしもエレクトロマイグレーション防止用保護膜で磁気抵抗効果膜を被覆する態様に限定されるものではない。前述したように磁気抵抗効果膜の形成時に用いた保護層が磁気抵抗効果膜の上面に存在している場合には、エレクトロマイグレーション防止用保護膜を磁気抵抗効果膜の上面に被覆しない態様であってもよい。また、電極膜の上方には、エッチング工程の前に形成されるエッチング防止用保護膜が既に存在しているので、エレクトロマイグレーション防止用保護膜は必ずしもエッチング防止用保護膜の上面にまで被覆させなくてもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態では、磁気抵抗効果素子を、薄膜磁気ヘッドの読み取り素子として実施した例を示したが、本発明はかかる態様に限定されるものではない。すなわち、本発明の磁気抵抗効果素子は、薄膜を用いたセンサやメモリ、アクチュエータ、半導体デバイスなど、薄膜磁気ヘッド以外のマイクロデバイスに広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの書き込み及び読み取り素子近傍の拡大断面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの読み取り素子部分の構成を示す図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法、特に、読み取り素子の製造プロセスにおける一工程を示す図である。
【図５】図４の工程の後の工程を示す図である。
【図６】図５の工程の後の工程を示す図である。
【図７】図６の工程の後の工程を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド装置の要部を示す正面図である。
【図９】図８の底面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る磁気記録再生装置の平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１                      薄膜磁気ヘッド
７                      読み取り素子
４１                    磁気抵抗効果膜
４７、４９              電極膜
４７ａ、４９ａ          側面
５１、５３              エッチング防止用保護膜（保護膜）
５５                    エレクトロマイグレーション防止用保護膜（保護膜）
【図１】
2005332897.tif 000003
【図２】
2005332897.tif 000004
【図３】
2005332897.tif 000005
【図４】
2005332897.tif 000006
【図５】
2005332897.tif 000007
【図６】
2005332897.tif 000008
【図７】
2005332897.tif 000009
【図８】
2005332897.tif 000010
【図９】
2005332897.tif 000011
【図１０】
2005332897.tif 000012