(57)【要約】【課題】  トレンチ構造を有する半導体装置においてゲート電極をトレンチ外部に取り出す際に、ゲート酸化膜絶縁耐圧低下の原因の一つであるトレンチ上部の角部にゲート電極の接触を防ぎ、ゲート酸化膜絶縁耐圧向上を図る。【解決手段】  ゲート電極がトレンチの上部の角部に接触していない構造を有する半導体装置。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチ内の第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極をトレンチ外に配線を用いて引き出す時に、前記配線がトレンチ上部の角部に接触していないように、前記トレンチ上に形成された第２の絶縁膜と、前記載２のコンタクトホールを介して前記ゲート電極と前記配線とを接続した構造を有する半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、前記トレンチ内部において、前記トレンチの上部と前記トレンチの底部との間に表面が位置するように堆積されており、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート電極上に設けられ、
前記第２の絶縁体にコンタクトホールを設けられ、
前記コンタクトホール部に前記配線を堆積され、
前記配線と前記ゲート電極をコンタクトさせ前記ゲート電極をトレンチ外部に引き出す構造を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ゲート酸化膜を付けた前記トレンチ内に前記ゲート電極を堆積させ、前記トレンチ上部と前記トレンチ底部との間に前記ゲート電極表面が位置するように前記ゲート電極を全体的にエッチバックする工程と、前記ゲート電極上部に堆積させた絶縁膜に前記コンタクトホールを設ける工程と、前記コンタクトホール部に電極膜を堆積する工程を有する半導体装置の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３に従来のトレンチ（溝）構造を有する半導体装置の断面図を示す。半導体基板１にトレンチ１０構造を有する半導体装置は、トレンチ１０を含む半導体基板１表面に絶縁膜３が形成されている。トレンチ１０内部の薄い絶縁膜３は、ゲート絶縁膜となる。更にトレンチ１０内部には、ゲート電極７、４が埋め込まれている。ゲート電極７は外部の配線２に接続され任意の電圧に印加される。トレンチ１０の上部にある角部５における電界集中等のために、角部５のゲート酸化膜絶縁耐圧が通常の平面型のゲート酸化膜絶縁耐圧より低く、これを改善するために、従来は、トレンチ底部の底角部６をテーパーエッチ等で丸めてトレンチ底部に電界が集中しないようにしていた（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−０４４２１６号公報（図４ｂ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
トレンチ１０が半導体基板１表面に周期的に並ぶ領域においては、ゲート電極７のように、トレンチ１０内にゲート電極７を堆積した後、トレンチ１０の上部と底部との間にゲート電極表面が位置するようにゲート電極７をエッチバックする為、トレンチ１０底部の角部６の耐圧のみを向上させれば良い。しかしながら、ゲート絶縁膜３の絶縁耐圧低下はトレンチ１０上端の角部５でも起きる。つまり、ゲート電極７と配線２との接続部（近傍）となるトレンチ上部５の角部の電界集中が起きる。
本発明は、トレンチ構造におけるゲート絶縁膜の絶縁耐圧低下の原因の一つである電界集中をなくすものである。つまり、トレンチ上部の角部にゲート電極接続用の配線２と半導体基板１との間で電界集中を起こさない構造である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）  トレンチ内のゲート電極をトレンチ外に導体を用いて引き出す時に、前記導体がトレンチ上部の角部に接触していない構造を有する半導体装置とした。
（２）  前記トレンチ内部において、前記トレンチ上部とトレンチ底部との間に表面が位置するように堆積されたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けた絶縁体を有し、前記絶縁体にコンタクトホールを設け、前記コンタクトホール部に電極膜を堆積することにより、前記電極膜と前記ゲート電極をコンタクトさせ前記ゲート電極をトレンチ外部に引き出す構造を有する半導体装置とした。
（３）  ゲート酸化膜を付けた前記トレンチ内に前記ゲート電極を堆積させ、前記トレンチ上部と前記トレンチ底部との間に前記ゲート電極表面が位置するように前記ゲート電極を全体的にエッチバックする工程と、前記ゲート電極上部に堆積させた絶縁膜に前記コンタクトホールを設ける工程と、前記コンタクトホール部に電極膜を堆積する工程を有する半導体装置とした。
【発明の効果】
【０００５】
トレンチ構造を有する半導体装置において、終端のトレンチ上部の角部における耐圧低下の要因が完全に排除される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１は本発明の実施例である。図３に示した従来のトレンチ構造を有する半導体装置では、ゲート電極を取り出すために終端（配線との接続部）のトレンチ上部の角部５がゲート電極に接触している。それに対し、図１では終端のトレンチ１０内の配線３に接続されるゲート電極７は、他のゲート電極４と同様にトレンチ１０の上部と底部との間にゲート電極表面が位置するようにエッチバックされている。
更に、その表面に、第２の絶縁膜８が形成されている。そして、第２の絶縁膜８には、ゲート電極７と配線２との接続を行なう為のコンタクトホール１１が形成されている。コンタクトホール１１は、ゲート電極７の表面中央部のみが露出するように設けられている。つまり、トレンチ１０の上部の角部５が露出しないように設けられるものである。その上に、配線２が形成される。
【０００７】
以上の構造により、配線２、及び配線２に接続されるゲート電極７が上部の角部５に接触することなく、電極２によってゲート電極７をトレンチ外部に取り出すことができている。そのため、図１に示したトレンチ構造を有する半導体装置において、上部の角部５の耐圧低下の要因が完全に排除される。
【０００８】
以下に、製造法を記述する。図２aに示すように、半導体基板にトレンチ（溝）１０を形成し、その表面に酸化膜３を形成する。酸化膜３の一部には、厚い部分が形成されており、厚い部分は、素子分離の絶縁膜となる。特に、トレンチ１０の内部表面の絶縁膜３は、薄い酸化膜になっており、ゲート絶縁膜を形成する。そして、その絶縁膜３を介して、トレンチ内には、ゲート電極７、４が埋め込まれている。ゲート電極７、４はトレンチ内部にトレンチ１０上部端部５と底部６との間にゲート電極表面が位置するように全体的にエッチバックする。
【０００９】
つぎに図２bに示すように第２の絶縁膜８を半導体基板表面全体に堆積させる。
そして、終端のトレンチ上部の第２の絶縁膜８にコンタクトホール１１を空け、図２cに示すような構造にする。このコンタクトホール１１は、トレンチ１０の壁に接触しないように設ける。
その後、図２dに示すように半導体基板表面全体に電極膜２を堆積させ、不必要な部分をエッチングし図１に示す構造を作成する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は本発明の一実施例の断面図である。
【図２】図２aから図２dは本発明の製造工程を示す断面図である。
【図３】図３は従来のトレンチ構造を有する半導体装置の一実施例の断面図である。
【符号の説明】
【００１１】
１  半導体基板
２  ゲート電極
３  絶縁体
４  ゲート電極
５  トレンチ上部の角部
６  トレンチ底部の底角部
７  終端トレンチ内のゲート電極
８  第２の絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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