(57)【要約】【課題】高アスペクト比の凹部を有する磁気記録媒体用スタンパーを容易に製造し得る磁気記録媒体用スタンパーの製造方法を提供する。【解決手段】支持用の基材Ｂの上に形成したレジスト層Ｒに凹凸パターンを形成し、凹凸パターンを覆うようにして導電膜２を形成した後にめっき処理によって導電膜２の上に金属膜３を形成し、基材Ｂから導電膜２と金属膜３との積層体を剥離することにより、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体用スタンパーを製造する。【選択図】        図８
2005038477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基材の上に形成した樹脂層に凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターンを覆うようにして導電膜を形成した後にめっき処理によって当該導電膜の上に金属膜を形成し、前記支持基材から前記導電膜と前記金属膜との積層体を剥離することにより、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体用スタンパーを製造する磁気記録媒体用スタンパーの製造方法。
【請求項２】
前記凹凸パターンにおける各凸部のうちの、前記磁気記録媒体におけるデータ記録領域に対応する部位の凹部を前記スタンパーに形成するための凸部を１以上のアスペクト比で形成する請求項１記載の磁気記録媒体用スタンパーの製造方法。
【請求項３】
前記樹脂層としてのレジスト層に露光用ビームを照射して潜像を形成した後に現像して前記凹凸パターンを形成する請求項１または２記載の磁気記録媒体用スタンパーの製造方法。
【請求項４】
前記凹凸パターンをインプリント法によって形成する請求項１または２記載の磁気記録媒体用スタンパーの製造方法。
【請求項５】
支持基材の上に樹脂層を形成する樹脂層形成装置と、前記樹脂層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置と、前記凹凸パターンを覆うようにして導電膜を形成する導電膜形成装置と、めっき処理によって前記導電膜の上に金属膜を形成する金属膜形成装置とを備えて、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体用スタンパーを製造可能に構成されている磁気記録媒体用スタンパーの製造装置。
【請求項６】
前記凹凸パターン形成装置は、前記樹脂層としてのレジスト層に露光用ビームを照射して潜像を形成する露光装置と、前記潜像が形成された前記レジスト層を現像して前記凹凸パターンを形成する現像装置とを備えて構成されている請求項５記載の磁気記録媒体用スタンパーの製造装置。
【請求項７】
前記凹凸パターン形成装置は、インプリント法によって前記凹凸パターンを形成するインプリント装置を備えて構成されている請求項５記載の磁気記録媒体用スタンパーの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体用スタンパーを製造する磁気記録媒体用スタンパーの製造方法、および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録媒体等の情報記録媒体を製造するためのスタンパーの製造方法として、導電膜（３）および電鋳膜（４）を備えて構成されたスタンパー（５）の製造方法が特開平５−２０５３２１号公報に開示されている。なお、本明細書では、以下、同公報中の符号については括弧付きで記載する。この製造方法では、まず、石英ガラス基板（１）の上に塗布したフォトレジスト（２）にレーザー光（６）を照射した後に現像して、石英ガラス基板（１）の上に微細パターン（２ａ）を形成する。次に、微細パターン（２ａ）をマスクとして用いて石英ガラス基板（１）をエッチングすることにより、石英ガラス基板（１）に凹部を形成してマスター原盤（１ａ）を製作する。次いで、マスター原盤（１ａ）の表面にスパッタリング法によって導電膜（３）を形成し、この導電膜（３）を使用して電鋳加工を行うことによって電鋳膜（４）を形成する。この後、導電膜（３）と電鋳膜（４）との積層体をマスター原盤（１ａ）から剥離することにより、スタンパー（５）が完成する。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−２０５３２１号公報（第３頁）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来のスタンパーの製造方法には、以下の問題点がある。すなわち、この従来の製造方法では、微細パターン（２ａ）をマスクとして石英ガラス基板（１）をエッチングして形成したマスター原盤（１ａ）に導電膜（３）および電鋳膜（４）を形成することによってスタンパー（５）を製造している。一方、次世代の磁気記録媒体として注目されているディスクリートトラック型の磁気記録媒体（以下、「ディスクリートトラック媒体」ともいう）を製造する際には、記録データの高密度記録化を図るために、データ記録用トラックのトラックピッチをある程度小さくする必要がある。したがって、磁性体層に形成する溝部（記録データの記録再生時において隣り合うデータ記録用トラックに対する磁気的な影響を軽減するための非磁性体部）をある程度幅狭に形成する必要がある。
【０００５】
この場合、図１１に示すように、例えばレジストで形成したマスクＭを使用してメタルマスク層および磁性体層をエッチングして溝部を形成するときには、同図に破線で示すように、マスクＭから離れるほど（同図における下側ほど）エッチングされる溝幅が狭くなる傾向がある。このため、データ記録用トラックの形成ピッチを変えずにマスクＭにおける凸部の幅Ｗ２を広げ過ぎたときには、基材まで到達する深さの溝部を形成するのが困難となるおそれがある。また、マスクＭの高さＨ２が低過ぎるときには、エッチング時にマスクＭが短時間で消失するため、磁性体層に溝部を形成するのに十分な時間だけエッチングするのが困難となる。このため、エッチングによって磁性体層に溝部を形成するためには、マスクＭにおける凸部のアスペクト比（高さＨ２／幅Ｗ２）を大きく形成する必要がある。したがって、インプリント法によってマスクＭを形成する際には、その凹凸パターンにおける凹部のアスペクト比（凹部の深さ／凹部の幅）が十分に大きいスタンパー（磁気記録媒体用スタンパー）を使用する必要がある。
【０００６】
一方、従来の製造方法に従って、その凹部のアスペクト比が大きい凹凸パターンを有するスタンパー（５）を製造する場合、石英ガラス基板（１）に形成する凸部のアスペクト比を大きくする必要がある。したがって、エッチングによって石英ガラス基板（１）に凹部を形成するための微細パターン（２ａ：フォトレジストからなるマスク）における凸部（石英ガラス基板（１）を覆う部位）のアスペクト比を十分に大きくする必要が生じる。しかし、フォトレジスト（２）に対する露光および現像によって凸部のアスペクト比が大きい微細パターン（２ａ）を形成する場合、露光が完了したフォトレジスト（２）を現像液に浸したときや、現像が完了した微細パターン（２ａ）をリンス液に浸したときなどに、パターン（凸部）が倒壊することがある。このパターンの倒壊現象については、微細パターン（２ａ）における凸部のアスペクト比が大きくなるほど顕著に発生する（倒壊し易くなる）ため、従来の製造方法には、その高アスペクト比の凹部を有するスタンパーを製造するのが困難であるという問題点が存在する。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、高アスペクト比の凹部を有する磁気記録媒体用スタンパーを容易に製造し得る磁気記録媒体用スタンパーの製造方法、および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置を提供することを主目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本発明に係る磁気記録媒体用スタンパーの製造方法は、支持基材の上に形成した樹脂層に凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターンを覆うようにして導電膜を形成した後にめっき処理によって当該導電膜の上に金属膜を形成し、前記支持基材から前記導電膜と前記金属膜との積層体を剥離することにより、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体用スタンパーを製造する。なお、本発明におけるディスクリートトラック型磁気記録媒体には、同心円状に形成した複数の溝（グルーブ）または螺旋状に形成した溝によって隣り合うデータ記録用トラック（磁性体部）が磁気的に互いに分離されたデータ記録領域を有する磁気記録媒体のみならず、データ記録領域をメッシュ状またはドット状に区切って（各データ記録用トラックをその長手方向においても磁気的に複数に分離させて）形成したデータ記録部（磁性体部）が島状（アイランド状）に孤立している、いわゆるパターンド媒体も含まれる。
【０００９】
この場合、前記凹凸パターンにおける各凸部のうちの、前記磁気記録媒体におけるデータ記録領域に対応する部位の凹部を前記スタンパーに形成するための凸部を１以上のアスペクト比（凸部の高さ／凸部の幅）で形成するのが好ましい。この際に、１以上３以下の範囲内のアスペクト比で凸部を形成するのが一層好ましい。なお、本発明における「磁気記録媒体におけるデータ記録領域」とは、記録データを磁気的に書き込み可能な領域をいう。したがって、トラッキング用のサーボパターンが記録された領域（サーボ記録領域）や、磁気ヘッドの待避領域などは、本発明における「データ記録領域」に含まれないものとする。
【００１０】
また、前記樹脂層としてのレジスト層に露光用ビームを照射して潜像を形成した後に現像して前記凹凸パターンを形成するのが好ましい。
【００１１】
さらに、前記凹凸パターンをインプリント法によって形成するのが好ましい。
【００１２】
また、本発明に係る磁気記録媒体用スタンパーの製造装置は、支持基材の上に樹脂層を形成する樹脂層形成装置と、前記樹脂層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置と、前記凹凸パターンを覆うようにして導電膜を形成する導電膜形成装置と、めっき処理によって前記導電膜の上に金属膜を形成する金属膜形成装置とを備えて、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体用スタンパーを製造可能に構成されている。
【００１３】
この場合、前記樹脂層としてのレジスト層に露光用ビームを照射して潜像を形成する露光装置と、前記潜像が形成された前記レジスト層を現像して前記凹凸パターンを形成する現像装置とを備えて前記凹凸パターン形成装置を構成するのが好ましい。
【００１４】
また、インプリント法によって前記凹凸パターンを形成するインプリント装置を備えて前記凹凸パターン形成装置を構成するのが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る磁気記録媒体用スタンパー、および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置の好適な実施の形態について添付図面を参照して説明する。
【００１６】
最初に、本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体用スタンパー（以下、「スタンパー」ともいう）１の構成、およびスタンパー１を製造するためのスタンパー製造装置１０の構成について、図面を参照して説明する。
【００１７】
図１に示すスタンパー１は、ディスクリートトラック媒体Ｄ（図１１参照）の製造に際して磁性体層に溝部を形成する（エッチングする）ためにインプリント法によってマスクＭを形成するためのスタンパーであって、導電膜２と金属膜３とを積層して構成されている。導電膜２は、金属を蒸着して厚みが３０ｎｍ程度に形成されている。金属膜（電解ニッケル膜）３は、導電膜２を電極として用いて電解めっき処理（析出処理）を行うことにより、厚みが１２０μｍ程度に形成されている。また、このスタンパー１の凹凸パターンにおける凹部は、一例として、その深さ（凸部としての高さでもあり、以下、「深さＨ２」ともいう）が１３０ｎｍ程度で、幅Ｗ２が５５ｎｍ程度に形成され、これにより、凹部のアスペクト比（深さＨ２／幅Ｗ２）が２．３６に規定されている。
【００１８】
一方、図２に示すスタンパー製造装置１０は、本発明に係る磁気記録媒体用スタンパーの製造装置に相当し、塗布装置１１、描画装置１２、現像装置１３、乾燥装置１４、成膜装置１５および電鋳装置１６を備えてスタンパー１を製造可能に構成されている。塗布装置１１は、本発明における樹脂層形成装置に相当し、図３に示すように、例えばスピンコート法によって基材Ｂの上にレジストを塗布してレジスト層Ｒ（本発明における樹脂層の一例）を形成する。描画装置１２は、本発明における露光装置を構成すると共に現像装置１３と相俟って本発明における凹凸パターン形成装置を構成し、図４に示すように、基材Ｂ上のレジスト層Ｒに電子線ＥＢ（本発明における「露光用ビーム」の一例）を照射することによってレジスト層Ｒに潜像Ｒｉを形成する。現像装置１３は、図５に示すように、潜像Ｒｉの形成が完了したレジスト層Ｒを現像することによって基材Ｂの上にレジストパターンＲｐ（本発明における凹凸パターン）を形成する。乾燥装置１４は、レジストパターンＲｐの形成が完了した基材Ｂを乾燥させる。成膜装置１５は、本発明における導電膜形成装置に相当し、図６に示すように、レジストパターンＲｐを覆うようにして導電膜２を形成する。電鋳装置１６は、本発明における金属膜形成装置に相当し、図８に示すように、電解めっき処理によって導電膜２の上に金属膜３を形成する。
【００１９】
次に、スタンパー製造装置１０を用いたスタンパー１の製造方法について図面を参照して説明する。
【００２０】
まず、図３に示すように、塗布装置１１がスピンコート法によって基材Ｂの上にレジスト（一例として、ポジ型の電子線レジスト）を塗布して、厚み１３０ｎｍ程度のレジスト層Ｒを形成する。この場合、基材Ｂは、本発明における支持基材に相当し、一例として、その表面を平坦に研磨した平板状のシリコン基材が使用されている。次に、１８０℃で５分程度のベーク処理を実行してレジスト層Ｒを硬化させた後に、この状態の基材Ｂを描画装置１２にセットする。次いで、図４に示すように、描画装置１２が、スタンパー１の凸部を形成すべき部位に、パターニング用の電子線ＥＢを照射する。これにより、形成ピッチが１５０ｎｍ程度で幅が７６ｎｍ程度の同心円状の潜像Ｒｉ，Ｒｉ・・がレジスト層Ｒに形成される。次に、現像装置１３が、この状態のレジスト層Ｒを現像することにより、図５に示すように、潜像Ｒｉの部位を除去して基材Ｂの表面の一部を露出させる。この場合、現像液として、例えば、商品名ＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン（株）製）を用い、現像液を２６℃にして基材Ｂを３分間浸漬した。これにより、基材Ｂの上にレジストパターンＲｐが形成される。この場合、現像液および後述するリンス液に浸した際に、レジストパターンＲｐの各凸部が倒壊するのを回避するためには、この凸部のアスペクト比が３以下であるのが好ましい。次いで、この状態の基材Ｂを２３℃（室温）のリンス液（一例として、商品名ＺＭＤ−Ｄ（日本ゼオン（株）製））に浸した後に、乾燥装置１４が、窒素ガスを吹き付けることによってレジストパターンＲｐ（レジスト層Ｒ）を乾燥させる。この場合、乾燥装置１４による乾燥が完了したレジストパターンＲｐは、その凸部の幅Ｗが７４ｎｍ程度で高さＨが１３０ｎｍ程度（アスペクト比が約１．７６）に形成されている。
【００２１】
次に、図６に示すように、成膜装置１５が、レジストパターンＲｐを覆うようにしてＮｉを蒸着することにより、厚みが３０ｎｍ程度の導電膜２を成膜する。この際に、レジストパターンＲｐを形成しているレジスト層Ｒの膜応力と導電膜２の膜応力との間に差が生じる。したがって、図７の左図に矢印で示すように、レジスト層Ｒ（レジストパターンＲｐにおける凸部）を収縮させようとする力が作用する（働く）。この結果、導電膜２の成膜が完了した時点では、同図右図および図６に示すように、レジストパターンＲｐにおける凸部の幅Ｗ１が６７ｎｍ程度まで狭くなると共にその高さＨ１が僅かに低くなって、アスペクト比が約１．９４となる。次いで、図８に示すように、電鋳装置１６が、導電膜２を電極として使用して電解めっき処理を実行することにより、導電膜２の上に厚み１２０μｍ程度の金属膜（電解ニッケル膜）３を形成する。この際に、レジストパターンＲｐを形成しているレジスト層Ｒの膜応力と、導電膜２および金属膜３の積層体（後にスタンパー１となる積層体）の膜応力との間に差が生じる。したがって、レジスト層Ｒ（レジストパターンＲｐにおける凸部）をさらに収縮させようとする力が作用する（働く）。この結果、金属膜３の形成が完了した時点では、レジストパターンＲｐにおける凸部の幅Ｗ２（すなわち、スタンパー１の凹部となる部位の幅Ｗ２）が５５ｎｍ程度まで狭くなると共にその高さＨ２が僅かに低くなって、アスペクト比が約２．３６となる。この後、基材Ｂ、レジスト層Ｒ、導電膜２および金属膜３の積層体をレジスト剥離液に浸してレジスト層Ｒを溶解することにより、図９に示すように、導電膜２および金属膜３の積層体を基材Ｂから剥離する。この際に、専用の剥離装置（図示せず）を使用して剥離することもできる。これにより、図１に示すように、スタンパー１が完成する。
【００２２】
次に、導電膜２を成膜する以前のレジストパターンＲｐにおける凸部のアスペクト比（高さＨ／幅Ｗ）と、スタンパー１における凹部のアスペクト比（深さＨ２／幅Ｗ２）との関係について、図面を参照して説明する。
【００２３】
上記のように、レジストパターンＲｐを覆うようにして導電膜２および金属膜３を順に形成することにより、レジストパターンＲｐを構成するレジスト層Ｒの膜応力と、導電膜２および金属膜３の膜応力との間に差が生じて、レジスト層Ｒを収縮させようとする力が作用する。この場合、発明者は、導電膜２を形成する前の状態におけるレジストパターンＲｐの凸部のアスペクト比が大きいほど、導電膜２および金属膜３を形成した後の状態における凸部のアスペクト比（すなわち、スタンパー１の凹凸パターンにおける凹部のアスペクト比）が大きくなることを確認している。
【００２４】
具体的には、図１０に示すように、レジストパターンＲｐにおける凸部のアスペクト比（以下、「凸部アスペクト比」ともいう）を０．４２としたときには、スタンパー１の凹凸パターンにおける凹部のアスペクト比（以下、「凹部アスペクト比」ともいう）が０．４３であって０．０１だけ大きくなるのに対して、凸部アスペクト比を０．７３としたときには、凹部アスペクト比が０．７６まで大きくなる。また、凸部アスペクト比を１．００、１．３０、１．７６および２．４１としたときには、凹部アスペクト比がそれぞれ１．１６、１．５３、２．３６および６．５０のように大きくなる。この場合、凸部アスペクト比を１．００未満としたときには、凸部アスペクト比と凹部アスペクト比との変化量が僅かとなっている。一方、凸部アスペクト比を１．００としたときには、凸部アスペクト比と凹部アスペクト比との変化量が比較的大きくなり、凸部アスペクト比を１．００よりも大きくするほど、凸部アスペクト比と凹部アスペクト比との変化量が徐々に大きくなる。
【００２５】
したがって、レジストパターンＲｐの形成に際して、その凸部のアスペクト比が１以上となるように形成することにより、高アスペクト比の凹部を有するスタンパー１が容易に製造される。また、ディスクリートトラック媒体Ｄの高密度記録化を図るべく高アスペクト比のマスクＭを形成するためには、スタンパー１の凹凸パターンにおける凹部のアスペクト比を２．０以上とするのが好ましい。したがって、そのようなスタンパー１を製造するためには、レジストパターンＲｐの形成に際して、その凸部のアスペクト比が１．６以上となるように形成する必要がある。この場合、このスタンパー１を使用して製造するディスクリートトラック媒体Ｄの高密度記録化を図るためには、ディスクリートトラック媒体Ｄにおけるデータ記録用トラック（データ記録部）の形成ピッチを２００ｎｍ以下に規定するのが好ましい。したがって、スタンパー１における凹部の形成ピッチ（すなわち、レジストパターンＲｐにおける凸部の形成ピッチ）についは、２００ｎｍ以下に規定するのが好ましい。
【００２６】
このように、本発明の実施の形態に係るスタンパー１の製造方法およびスタンパー製造装置１０によれば、基材Ｂの上に形成したレジストパターンＲｐを覆うようにして導電膜２を形成した後にめっき処理によって金属膜３を形成してスタンパー１を製造することにより、導電膜２の成膜時、および金属膜３の形成時において、レジストパターンＲｐを構成するレジスト層Ｒを収縮させようとする力が作用してレジストパターンＲｐにおける凸部のアスペクト比（すなわち、スタンパー１における凹部のアスペクト比）を大きくすることができる。したがって、高アスペクト比の凸部を有するレジストパターンを形成することなく、高アスペクト比の凹部を有するスタンパー１を容易に製造することができる。この場合、レジストパターンＲｐにおける凸部を１以上のアスペクトで形成することにより、十分に高アスペクト比の凹部を有するスタンパー１を確実に製造することができる。この結果、十分に高密度記録が可能なディスクリートトラック媒体Ｄを製造し得るスタンパー１を確実に製造することができる。また、レジスト層Ｒに電子線ＥＢを照射して潜像Ｒｉを形成した後に現像してレジストパターンＲｐを形成することにより、特殊な設備を使用することなく、スタンパー１を製造するための凹凸パターン（レジストパターンＲｐ）を容易に形成することができる。
【００２７】
なお、本発明は、上記した発明の実施の形態に限らず、適宜変更が可能である。例えば、本発明の実施の形態では、平板状のシリコン基材を支持基材として使用した例について説明したが、本発明はこれに限定されず、ガラス基材、セラミック基材等の各種支持基材を使用してスタンパー１を製造することができる。この場合、絶縁性材料で形成された支持基材を使用すると共に電子線ＥＢを照射してレジスト層Ｒに潜像Ｒｉを形成する製造方法を採用するときには、電子線ＥＢの照射時におけるチャージアップを回避するために、支持基材の表面に導電処理を施すのが好ましい。また、本発明の実施の形態では、ポジ型の電子線レジストを用いてレジスト層Ｒを形成する例について説明したが、ネガ型の電子線レジスト等の各種レジストを用いてレジスト層Ｒを形成することもできる。
【００２８】
さらに、本発明の実施の形態では、レジスト層Ｒに電子線ＥＢを照射して潜像Ｒｉを形成した後に現像することによってレジストパターンＲｐを形成する例について説明したが、本発明における凹凸パターンの形成方法はこれに限定されず、基材Ｂ上に形成する凹凸パターンと相補的形状の凹凸パターンが形成されたスタンパーをインプリント装置によってレジスト層Ｒに押し付けて基材Ｂ上に凹凸パターンを形成する（転写する）インプリント法によってレジストパターンＲｐを形成することができる。このインプリント法によってレジストパターンＲｐを形成することにより、現像液やリンス液に浸すことなくレジストパターンＲｐを形成することができるため、アスペクト比が大きい凸部を形成する場合であったとしても、凸部の倒壊（いわゆる「パターン倒れ」）を確実に回避することができる。したがって、高アスペクト比の凹部を有するスタンパー１を一層確実に製造することができる。この場合、インプリント法によってスタンパー製造用の凹凸パターンを形成する際には、基材Ｂ上にレジスト層Ｒを形成する上記の方法のみならず、レジストに代えて各種樹脂材料で樹脂層を形成し、この樹脂層に凹凸パターンを形成することができる。また、本発明の実施の形態では、レジストパターンＲｐを覆うようにしてＮｉ（ニッケル）を蒸着することによって導電膜２を成膜する例について説明したが、本発明における磁気記録媒体用スタンパーの製造方法はこれに限定されず、無電解めっき処理やスパッタリングによって導電膜２を形成することもできる。
【００２９】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る磁気記録媒体用スタンパーの製造方法および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置によれば、支持基材上の樹脂層に形成した凹凸パターンを覆うようにして導電膜を形成した後にめっき処理によって金属膜を形成して磁気記録媒体用スタンパーを製造することにより、磁気記録媒体用スタンパーを製造するためのレジストパターンにおける凸部のアスペクト比をそれほど高めることなく、高アスペクト比の凹部を有する磁気記録媒体用スタンパーを容易に製造することができる。
【００３０】
この場合、磁気記録媒体におけるデータ記録領域に対応する部位の凹部をスタンパーに形成するための凸部を１以上のアスペクト比で形成することにより、十分に高密度記録が可能な磁気記録媒体を製造し得る磁気記録媒体用スタンパーを確実に製造することができる。
【００３１】
また、本発明に係る磁気記録媒体用スタンパーの製造方法および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置によれば、樹脂層としてのレジスト層に露光用ビームを照射して潜像を形成した後に現像して凹凸パターンを形成することにより、特殊な設備を使用することなく、磁気記録媒体用スタンパーを製造するための凹凸パターンを容易に形成することができる。
【００３２】
さらに、本発明に係る磁気記録媒体用スタンパーの製造方法および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置によれば、インプリント法によって凹凸パターンを形成することにより、現像液やリンス液に浸すことなく凹凸パターンを形成することができるため、アスペクト比が大きい凸部を形成する場合であったとしても、凸部の倒壊を確実に回避することができる。したがって、高アスペクト比の凹部を有する磁気記録媒体用スタンパーを一層確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る製造方法に従って製造したスタンパー１の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るスタンパー製造装置１０の構成を示すブロック図である。
【図３】基材Ｂの上にレジスト層Ｒを形成した状態の断面図である。
【図４】レジスト層Ｒに電子線ＥＢを照射して潜像Ｒｉを形成した状態の断面図である。
【図５】レジスト層Ｒの現像（レジストパターンＲｐの形成）が完了した状態の断面図である。
【図６】レジストパターンＲｐを覆うようにして導電膜２を成膜した状態の断面図である。
【図７】導電膜２の成膜時におけるレジスト層Ｒの収縮について説明するための断面図である。
【図８】導電膜２の上に金属膜３を形成した状態の断面図である。
【図９】導電膜２および金属膜３の積層体（スタンパー１）を剥離した状態の断面図である。
【図１０】現像完了直後のレジストパターンＲｐにおける凸部のアスペクト比と、スタンパー１における凹部のアスペクト比との関係を示す特性図である。
【図１１】ディスクリートトラック媒体Ｄについての製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１  スタンパー
２  導電膜
３  金属膜
１０  スタンパー製造装置
１１  塗布装置
１２  描画装置
１３  現像装置
１４  乾燥装置
１５  成膜装置
１６  電鋳装置
Ｂ  基材
ＥＢ  電子線
Ｄ  ディスクリートトラック媒体
Ｍ  マスク
Ｒ  レジスト層
Ｒｉ  潜像
Ｒｐ  レジストパターン
Ｈ，Ｈ１，Ｈ２  高さ（深さ）
Ｗ，Ｗ１，Ｗ２  幅
【図１】
2005038477.tif 000003
【図２】
2005038477.tif 000004
【図３】
2005038477.tif 000005
【図４】
2005038477.tif 000006
【図５】
2005038477.tif 000007
【図６】
2005038477.tif 000008
【図７】
2005038477.tif 000009
【図８】
2005038477.tif 000010
【図９】
2005038477.tif 000011
【図１０】
2005038477.tif 000012
【図１１】
2005038477.tif 000013