(57)【要約】【課題】  表示ムラの少ない液晶装置を高効率で製造可能で、しかも液晶劣化等も伴わない液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】  一対の基板間１０，２０に液晶層５０を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、第１基板１０上に液滴吐出法を用いて液晶を滴下する工程と、該液晶が滴下された第１基板１０とこれに対向する第２基板２０とを貼り合せる工程と、を含み、前記第１基板１０の表面であって、当該液晶装置の光出射領域内に形成される段差ｄを１８００Å以下としたことを特徴とする。【選択図】      図３
2005128341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
第１基板上に液滴吐出法を用いて液晶を滴下する工程と、
該液晶が滴下された第１基板とこれに対向する第２基板とを貼り合せる工程と、を含み、
前記第１基板の表面であって、当該液晶装置の光出射領域内に形成される段差を１８００Å以下としたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板上に液晶を滴下する工程の前に、第１基板上に、マトリクス状の遮光部によって区画された複数の画素電極を形成する工程と、該画素電極上に配向膜を形成する工程とを含み、
前記第１基板の表面に形成される段差が、前記遮光部上の基板表面と、前記画素電極上の基板表面との高さの差にて形成されるものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記基板表面に形成される段差を１３００Å以下としたことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記基板表面に形成される段差を、前記光出射領域の外側ほど相対的に大きく、前記光出射領域の内側ほど相対的に小さくしたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の製造方法により得られたことを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
光源装置と、該光源装置から出射された光を変調する光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射装置とを含み、
前記光変調装置が、請求項５に記載の液晶装置にて構成されてなることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、電子機器、及び投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや携帯用の情報機器端末の発達に伴い、液晶装置の使用が増加している。この種の液晶装置は、液晶層を介して一対の基板を貼り合わせてなるもので、これら基板には、ラビング処理が施された配向膜が形成されている。ところで、このような液晶装置の製造方法としては、２枚の基板を貼り合わせた後に、パネル内を真空にして基板間に液晶を注入させる方法が知れている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１８３６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のような方法では、注入口付近に液晶材料の流れを抑制するための突起物を形成し、液晶注入時の流速を低下させ、その流れを分散させることにより、表示ムラの少ない液晶装置の製造を実現させている。しかしながら、突起物を形成する工程が別途必要であるとともに、液晶を注入するのに多くの時間を要するため、製造効率が低下するとともに、液晶の劣化を引き起こし、該液晶の劣化が装置の品質に影響を与えることがある。また、このような注入法では、液晶の使用量が多くなり、製造コストの点でも問題がある。
【０００４】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであって、表示ムラの少ない液晶装置を、高効率で製造可能で、しかも液晶劣化等も伴わずに製造することができる方法の提供を目的としている。さらに、その製造方法により得られた表示特性に優れる液晶装置、また、このような液晶装置を備えた電子機器、及び投射型表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、第１基板上に液滴吐出法を用いて液晶を滴下する工程と、該液晶が滴下された第１基板とこれに対向する第２基板とを貼り合せる工程と、を含み、前記第１基板の表面であって、当該液晶装置の光出射領域内に形成される段差を１８００Å以下としたことを特徴とする。
【０００６】
本発明の製造方法によると、第１基板に対して液滴吐出法により液晶を滴下した後、これを対向する第２基板と貼り合せるものとしているため、上述した従来の注入法に比して製造効率が高まり、液晶の劣化等も生じ難く、また使用する液晶のロスが殆ど無いため、廃棄物質の削減に繋がり、環境保全を考慮した製造方法を提供可能となる。また、このような製造効率の高い液滴吐出法にて液晶を滴下するに際し、滴下対象物である第１基板の表面に形成される段差を１８００Å以下としたことで、製造される液晶装置において表示ムラの発生を抑えることができるようになり、その結果、高品質で信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。なお、前記基板表面に形成される段差を１３００Å以下とすれば表示ムラの発生は一層生じ難いものとなる。
【０００７】
上記本発明の液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に液晶を滴下する工程の前に、第１基板上に、マトリクス状の遮光部によって区画された複数の画素電極を形成する工程と、該画素電極上に配向膜を形成する工程とを含み、前記第１基板の表面に形成される段差が、前記遮光部上の基板表面と、前記画素電極上の基板表面との高さの差にて形成されるものとすることができる。
【０００８】
画素を区画する遮光部には例えばスイッチング素子や信号線等の配線や絶縁層等が複数積層されてなるため、該遮光部上の基板表面には盛上りが生じ、これが段差発生の一要因となっている。そして、本発明者が鋭意検討した結果、このような段差が、液滴吐出法を用いて製造した液晶装置において表示ムラを生じる要因となっていることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。なお、段差を１８００Å以下とするためには、例えば、表示エリア内に画素を形成させる工程において、ブラックマトリクス形成材料の塗布量を低減させ、成膜後の膜厚を薄くするのが最も効果的である。また露光時に光を従来よりも強く照射し、剥離量を増大させ形成される段差を低下させることもある。
【０００９】
また、前記基板表面に形成される段差について、前記光出射領域の外側ほど相対的に大きく、前記光出射領域の内側ほど相対的に小さく構成することもできる。この場合、液晶を滴下する際に、該液晶が基板の外側に大きく広がることがなく、例えば液晶を滴下する前に基板上に形成するシール剤との反応等を防止ないし抑制することが可能となる。
【００１０】
一方、本発明の製造方法により得られた液晶装置は、表示ムラが極めて生じ難く、品質の非常に高い表示を実現することが可能となる。そこで、電子機器において、この液晶装置を表示部として備える場合、高品質で良好な表示を実現できる。さらに、上記液晶装置を投射型の表示装置において光変調装置として適用した場合も、表示ムラの少ない表示品質に優れた投射型表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。
［液晶装置］
以下に示す本実施の形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクスタイプの透過型液晶装置である。図１は本実施形態の透過型液晶装置のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す要部平面図である。図３は図２のＡ−Ａ’線断面図である。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１２】
本実施の形態の液晶装置において、図１に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と、当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００１３】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１４】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００１５】
次に、図２に基づいて、本実施形態の液晶装置の要部の平面構造について説明する。図２に示すように、矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）がマトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９、及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。そして、各画素電極９を囲むデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が縦横の格子状に形成された領域を、画像の表示を行わない遮光部（非表示領域）Ｕとしている。
【００１６】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００１７】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００１８】
次に、図３に基づいて、本実施の形態の液晶装置の断面構造について説明する。図３は、上述した通り図２のＡ−Ａ’線断面図であり、ＴＦＴ素子３０が形成された領域の構成について主に示す断面図である。本実施の形態の液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。
【００１９】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜４０及び６０の間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、その液晶層５０側表面に形成されたＴＦＴ素子３０、画素電極９、配向膜４０を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１、配向膜６０、を主体として構成されている。そして、各基板１０，２０の間にはスペーサー１５が配設され、該スペーサー１５を介して所定の基板間隔が保持されている。
【００２０】
ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００２１】
上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００２２】
さらに、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。すなわち、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００２３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’および低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００２４】
また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図２に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００２５】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９および第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。したがって、このようなＴＦＴ素子３０を具備する領域においては、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち液晶層５０の挟持面には複数の凹凸ないし段差が形成された構成となっている。具体的には、図２にも示したように、各画素電極９を囲むデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された非表示領域（遮光部）Ｕ上のＴＦＴアレイ基板１０の表面と、画素電極９上のＴＦＴアレイ基板１０の表面との高さの差にて段差ｄが形成され、本実施の形態では、該段差ｄが１８００Å以下となっている。
【００２６】
他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、その略全面にわたって、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。
【００２７】
［液晶装置の製造方法］
次に、本実施の形態に示した上記液晶装置の製造方法について、その例を図面を参照しつつ説明する。
図４は、本実施形態の液晶装置の製造方法について、そのプロセスフローを示す説明図である。すなわち、本製造方法は、基板本体１０Ａ（第１基板）上に画素電極９を配設した後、該画素電極９上に配向膜４０を形成し、さらに枠状シール材を形成して、該枠状シール材の内側に液晶を滴下する工程と、基板本体２０Ａ（第２基板）上に対向電極２１を配設した後、該対向電極２１上に配向膜６０を形成する工程と、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せる工程とを含んでいる。以下、各フローについて詳細を説明する。
【００２８】
まず、図４のステップＳ１に示すように、ガラス等からなる下側の基板本体１０Ａ上にＴＦＴ素子３０及び画素電極９等を備えるＴＦＴアレイ基板１０を作成するために、遮光膜１１ａ、第１層間絶縁膜１２、半導体層１ａ、チャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ、蓄積容量電極１ｆ、走査線３ａ、容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４、データ線６ａ、第３層間絶縁膜７、コンタクトホール８、画素電極９、配向膜４０を形成する。
【００２９】
次に、図４のステップＳ２に示すように、対向電極２１等を備える対向基板２０を作成するために、ガラス等からなる上側の基板本体２０Ａ上に遮光膜２３、対向電極２１、配向膜６０を形成する。なお、各配向膜４０，６０には所定方向にラビング処理を施すものとしている。
【００３０】
次に、図４のステップＳ３において、上記ＴＦＴアレイ基板１０上に枠状のシール材を形成する。なお、シール材としては紫外線硬化樹脂等を用いることができ、これを印刷法等で枠状に形成するものとしており、液晶注入口を有しない閉口枠形状に形成する。この時、所定の基板間隔を保持する為に、シール材中にスペーサーを分散させて、所定の基板間隔を保持するようにしてもよい。
【００３１】
次に、図４のステップＳ４において、シール材を形成したＴＦＴアレイ基板１０上であって、該シール材の内側に位置するように、当該液晶装置のセル厚に見合った所定量の液晶を滴下する。その後、図４のステップＳ５において、液晶を滴下したＴＦＴアレイ基板１０と他方の対向基板２０とを、液晶を挟持するように貼り合わせ、さらに、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外面側に図示しない位相差板、偏光板等の光学フィルムを貼り合わせ、図３に示したセル構造を備える液晶装置が製造される。
【００３２】
ここで、図４のステップＳ４における液晶の滴下工程について具体的に説明する。本実施形態では、例えば図５に示すような液滴吐出装置３００を用いて液晶の滴下を行うものとしており、液晶の滴下対象たるＴＦＴアレイ基板１０の表面は、その段差ｄが１８００Å以下となるように設計されている。具体的には、表示エリア内に画素を形成させる工程において、ブラックマトリクス形成材料の塗布量を低減させ、成膜後の膜厚を薄くするにより、段差ｄが１８００Å以下、好ましくは１３００Å以下となるように設計しており、このような基板表面に対して図５の液滴吐出装置３００により液晶を滴下する。
【００３３】
図５は、液滴吐出装置３００（以下、インクジェット装置３００とも言う）の概略構成を示す斜視図である。このインクジェット装置３００は、ベース３１、基板移動手段３２、ヘッド移動手段３３、インクジェットヘッド（吐出ヘッド）３４、インク（液晶）供給手段３５等を有して構成されたものである。ベース３１は、その上に前記基板移動手段３２、ヘッド移動手段３３を設置したものである。
【００３４】
基板移動手段３２は、ベース３１上に設けられたもので、Ｙ軸方向（主走査方向）に沿って配置されたガイドレール３６を有したものである。この基板移動手段３２は、例えばリニアモータにより、スライダ３７をガイドレール３６、３６に沿って移動させるよう構成されたものである。スライダ３７には、θ軸用のモータ（図示せず）が備えられている。このモータは、例えばダイレクトドライブモータからなるものであり、これのロータ（図示せず）はテーブル３９に固定されている。このような構成のもとに、モータに通電するとロータおよびテーブル３９は、θ方向に沿って回転し、テーブル３９をＹ軸に対して所定の角度θ回転固定するようになっている。
【００３５】
テーブル３９は、基板Ｓ（本実施の形態ではＴＦＴアレイ基板１０）を位置決めし、保持するものである。すなわち、このテーブル３９は、公知の吸着保持手段（図示せず）を有し、この吸着保持手段を作動させることにより、基板Ｓをテーブル３９の上に吸着保持するようになっている。基板Ｓは、テーブル３９の位置決めピン３９ａにより、テーブル３９上の所定位置に正確に位置決めされ、保持されるようになっている。テーブル３９には、インクジェットヘッド３４がインク（液晶）を捨打ちあるいは試し打ちするための捨打ちエリア４１が設けられている。この捨打ちエリア４１は、Ｘ軸方向（副走査方向）に延びて形成されたもので、テーブル３９の後端部側に設けられたものである。
【００３６】
ヘッド移動手段３３は、ベース３１の後部側に立てられた一対の架台３３ａ、３３ａと、これら架台３３ａ、３３ａ上に設けられた走行路３３ｂとを備えてなるもので、該走行路３３ｂをＸ軸方向（副走査方向）、すなわち前記の基板移動手段３２のＹ軸方向（主走査方向）と直交する方向に沿って配置したものである。走行路３３ｂは、架台３３ａ、３３ａ間に渡された保持板３３ｃと、この保持板３３ｃ上に設けられた一対のガイドレール３３ｄ、３３ｄとを有して形成されたもので、ガイドレール３３ｄ、３３ｄの長さ方向にインクジェットヘッド３４を保持させるスライダ４２を移動可能に保持したものである。スライダ４２は、リニアモータ（図示せず）等の作動によってガイドレール３３ｄ、３３ｄ上を走行し、これによりインクジェットヘッド３４をＸ軸方向に移動させるよう構成されたものである。
【００３７】
インクジェットヘッド３４には、揺動位置決め手段としてのモータ４３、４４、４５、４６が接続されている。そして、スライダ４２とインクジェットヘッド３４とに接続されているモータ４３を作動させると、インクジェットヘッド３４はＺ軸に沿って上下動し、Ｚ軸上での位置決めが可能になっている。なお、このＺ軸は、前記のＸ軸、Ｙ軸に対しそれぞれに直交する方向（上下方向）である。また、モータ４４を作動させると、インクジェットヘッド３４は図６中のβ方向に沿って揺動し、位置決め可能になり、モータ４５を作動させると、インクジェットヘッド３４はγ方向に揺動し、位置決め可能になり、モータ４６を作動させると、インクジェットヘッド３４はα方向に揺動し、位置決め可能になる。
【００３８】
このようにインクジェットヘッド３４は、スライダ４２上において、Ｚ軸方向に直線移動して位置決め可能となり、かつ、α、β、γに沿って揺動し、位置決め可能となっている。したがって、インクジェットヘッド３４のインク吐出面を、テーブル３９側の基板Ｓに対する位置あるいは姿勢を、正確にコントロールすることができるようになっている。
【００３９】
ここで、インクジェットヘッド３４は、図６（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート１１２と振動板１１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１１４を介して接合したものである。ノズルプレート１１２と振動板１１３との間には、仕切部材１１４によって複数の空間１１５と液溜まり１１６とが形成されている。各空間１１５と液溜まり１１６の内部はインク（液晶）で満たされており、各空間１１５と液溜まり１１６とは供給口１１７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート１１２には、空間１１５からインク（液晶）を噴射するためのノズル孔１１８が一列に配列された状態で複数形成されている。一方、振動板１１３には、液溜まり１１６にインク（液晶）を供給するための孔１１９が形成されている。
【００４０】
また、振動板１１３の空間１１５に対向する面と反対側の面上には、図６（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）１２０が接合されている。この圧電素子１２０は、一対の電極１２１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子１２０が接合されている振動板１１３は、圧電素子１２０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間１１５の容積が増大するようになっている。したがって、空間１１５内に増大した容積分に相当するインク（液晶）が、液溜まり１１６から供給口１１７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子１２０への通電を解除すると、圧電素子１２０と振動板１１３はともに元の形状に戻る。したがって、空間１１５も元の容積に戻ることから、空間１１５内部のインク（液晶）の圧力が上昇し、ノズル孔１１８から基板に向けてインク（液晶）の液滴１２２が吐出される。なお、インクジェットヘッド３４のインクジェット方式としては、前記の圧電素子１２０を用いたピエゾジェットタイプ以外の方式のものとしてもよい。例えば、バブルジェット（登録商標）方式でも良い。
【００４１】
図５に戻り、インク供給手段３５は、インクジェットヘッド３４にインク（液晶）を供給するインク供給源４７と、このインク供給源４７からインクジェットヘッド３４にインク（液晶）を送るためのインク供給チューブ４８とからなるものである。すなわちステンレス製等の容器からなるインク供給源４７にインク（液晶）を一時保管して、そこよりインク（液晶）をインク供給チューブ４８によりヘッドまで供給する方式を採用している。
【００４２】
以上のようなインクジェット装置３００を用いてＴＦＴアレイ基板１０上に液晶を滴下し、該液晶が滴下されたＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とを貼り合せ、必要に応じて偏光板等を配設することで本実施の形態に係る液晶装置が製造される。特に、本実施の形態では、液晶を滴下するＴＦＴアレイ基板１０の表面の段差ｄを１８００Å以下としたことで、製造される液晶装置において表示ムラが生じ難いものとなっている。
【実施例】
【００４３】
以下、上記実施の形態の液晶装置と同様の構成を備え、段差ｄの大きさをそれぞれ異ならせて製造した実施例１〜４及び比較例１の液晶装置の表示ムラの発生具合について検討した。結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2005128341.tif 000003
【００４５】
表１から分かるように、段差ｄを１３００Å以下として製造した実施例１〜３の液晶装置では表示ムラが観察されなかった。また、段差ｄを１８００Åとした実施例４の液晶装置では一部で表示ムラが観察されたものの、殆どが表示ムラなしの結果となった。一方、段差ｄを２０００Åとした比較例１の液晶装置では表示ムラが観察された。
【００４６】
以上の結果から、段差ｄを１８００Å以下、好ましくは１３００Å以下とすることで、表示ムラの殆どない液晶装置を作成することが可能となる。そして、このような表示ムラの少ない液晶装置は信頼性が高く、極めて品質の高いものとなる。
【００４７】
［電子機器］
次に、上記実施形態で示した液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図７は携帯電話の一例を示した斜視図である。図７において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施の形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。このように、図７に示すそれぞれの電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、表示品位に優れた表示部を有する電子機器となる。また、上記実施形態で示した液晶装置を備えた電子機器としては、車載用ナビゲーションモニター、携帯型液晶ＴＶなどが挙げられ、視認性の良い、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器となる。
【００４８】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態で示した液晶装置を備えた投射型表示装置の具体例について説明する。図８は、上記実施の形態の液晶装置を液晶ライトバルブ（光変調手段）として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図８において、符号８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶ライトバルブ、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズを示す。
【００４９】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上記実施形態の液晶装置を備えた緑色光用液晶ライトバルブ８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上記実施形態の液晶装置を備えた青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射される。また、各色光用液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４の入射側および出射側には偏光板８３２ａ，８３２ｂ，８３３ａ，８３３ｂ，８３４ａ，８３４ｂがそれぞれ設けられている。
【００５０】
各液晶ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００５１】
上記構成の投射型表示装置は、上記実施の形態の液晶装置を備えたものであるので、表示ムラの少ない信頼性の高い投射型表示装置となっている。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態である液晶装置の等価回路図。
【図２】図１の液晶装置について画素構造を示す平面図。
【図３】図１の液晶装置の要部を示す断面図。
【図４】図１の液晶装置の製造方法について一例を示す工程説明図。
【図５】液晶装置を製造する液滴吐出装置を示す斜視図。
【図６】図５の要部斜視図及び要部断面図。
【図７】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【図８】投射型表示装置の一実施形態を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００５３】
１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）、３４…インクジェットヘッド（吐出ヘッド）、５０…液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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