(57)【要約】【課題】モードロックレーザから出力されるモード数を制限する。【解決手段】１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２の両端にそれぞれ結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂを形成し、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂをそれぞれ形成する。【選択図】      図１
2005005502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、
前記発光領域の少なくとも一端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、
前記発光領域の少なくとも一端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域と、
前記発光領域内に設けられた過飽和吸収領域とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、
前記発光領域の少なくとも一端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域と、
前記発光領域内に設けられ、印加電圧に基づいて光吸収量を制御する光強度変調領域とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記回折格子反射領域によって構成される共振器の光出力端の一方に設けられた光吸収領域をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の発光装置。
【請求項５】
半導体基板上に形成された活性層と、
前記半導体基板上に形成され、前記活性層の少なくとも一端に結合された回折格子反射鏡導波路と、
所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記回折格子反射鏡導波路上に形成された回折格子反射鏡と、
前記活性層および前記回折格子反射鏡上に形成されたクラッド層と、
前記クラッド層上に形成され、前記回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第１電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記活性層に電流を注入する第２電極とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成された活性層と、
前記半導体基板上に形成され、前記活性層の一端に結合された過飽和吸収層と、
前記半導体基板上に形成され、前記活性層の他端に結合された第１回折格子反射鏡導波路と、
所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第１回折格子反射鏡導波路上に形成された第１回折格子反射鏡と、
前記半導体基板上に形成され、前記過飽和吸収層に結合された第２回折格子反射鏡導波路と、
前記所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第２回折格子反射鏡導波路上に形成された第２回折格子反射鏡と、
前記活性層、前記過飽和吸収層、前記第１回折格子反射鏡および前記第２回折格子反射鏡上に形成されたクラッド層と、
前記クラッド層上に形成され、前記第１回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第１電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記第２回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第２電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記活性層に電流を注入する第３電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記過飽和吸収層に電流を注入する第４電極とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
半導体基板上に形成された活性層と、
前記半導体基板上に形成され、前記活性層の一端に結合された光強度変調層と、
前記半導体基板上に形成され、前記活性層の他端に結合された第１回折格子反射鏡導波路と、
所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第１回折格子反射鏡導波路上に形成された第１回折格子反射鏡と、
前記半導体基板上に形成され、前記光強度変調層に結合された第２回折格子反射鏡導波路と、
前記所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第２回折格子反射鏡導波路上に形成された第２回折格子反射鏡と、
前記活性層、前記光強度変調層、前記第１回折格子反射鏡および前記第２回折格子反射鏡上に形成されたクラッド層と、
前記クラッド層上に形成され、前記第１回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第１電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記第２回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第２電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記活性層に電流を注入する第３電極と、
前記クラッド層上に形成され、前記光強度変調層に電圧を印加する第４電極とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
前記半導体基板上に形成され、前記回折格子反射鏡によって構成される共振器の光出力端の一方に設けられた光吸収層をさらに備えることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載の発光装置。
【請求項９】
エピタキシャル成長により、半導体基板上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に二酸化珪素層を形成する工程と、
前記二酸化珪素層および前記活性層をパターニングすることにより、活性領域の両側の二酸化珪素層および活性層を除去する工程と、
前記二酸化珪素層をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記活性領域の両側の前記半導体基板上に導波層を形成する工程と、
所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能となる周期で前記導波層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記導波層をエッチングすることにより、前記導波層上に回折格子を形成する工程と、
前記活性層の二酸化珪素層および前記導波層上のレジスト層を除去する工程と、
エピタキシャル成長により、前記活性層および前記回折格子が形成された導波層上にクラッド層を形成する工程とを備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１０】
複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、
前記発光領域の両端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域と、
前記回折格子反射領域を介して前記発光領域から出力された光を入力するアレー導波路回折格子フィルタとを備えることを特徴とする波長多重光通信システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光装置、発光装置の製造方法および波長多重光通信システムに関し、特に、光出力スペクトル上に等光周波数間隔で並んだ複数の基線スペクトル（発振モード）を有する半導体多波長光源に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信分野では、波長多重光通信システムが実用化され、そのチャンネル間光周波数間隔として２５ＧＨｚを最小グリッド間隔としたチャンネル配置を用いたものがある。また、現在実用的な最低光周波数間隔として５０ＧＨｚ間隔のグリッドを用いたものもある。
ここで、単一モード半導体レーザを用いて波長多重光通信システムを構築すると、光周波数間隔が５０ＧＨｚの単一モード半導体レーザを複数用意する必要があり、光学系が煩雑になる。
【０００３】
このため、波長多重光通信システムの光源として、共振器の光往復時間に起因した光周波数間隔で複数のモードを発振することができる半導体モードロックレーザを用いる方法がある。この半導体モードロックレーザは、光出力スペクトル上に等光周波数間隔で並んだ複数の基線スペクトルを発生させることができ、１台の光源から光周波数間隔５０ＧＨｚの複数チャンネルの信号光を出力させることが可能となる。
【０００４】
例えば、光周波数間隔５０ＧＨｚの複数チャンネルの信号光を広い周波数帯域に渡って発生する方法として、共振器のラウンドトリップ周期を５０ＧＨｚとしたファブリペロレーザの共振器内に過飽和吸収領域が設けられた受動モードロックレーザ、あるいは、非特許文献１に開示されているように、共振器内に高速変調器を集積した能動モードロックレーザなどを用いることができる。
【０００５】
図１３は、モードロックレーザから出力される多モードスペクトルの一例を示す図である。
図１３において、モードロックレーザでは、光周波数間隔５０ＧＨｚの複数チャンネルの信号光が広い周波数帯域に渡って発生される。ただし、これらのモードロックレーザからの出力光は、時間軸上では当該周波数を繰り返し周波数としたパルス形状となっている。
【０００６】
このため、モードロックレーザを複数の等光周波数間隔のＤＣ光として使用するためには、光フィルタを用いることにより、モードロックレーザから出力される個々のモードを切り出す必要がある。
また、現状の波長多重光通信システムでは、膨大な数のＤＣ光を発生する光源を実現できたとしても、それらにデジタル信号を重畳させる必要があるため、必要なチャンネル数としては８〜１６チャンネル程度が現実的であり、冗長なチャンネルは不用である。
【０００７】
ここで、モードロックレーザから数多くのモードを切り出すために、単一波長のみを選択的に透過させる光フィルタを用いる方法では、モードの数だけ光フィルタが必要になり、波長多重光通信システムの構成が煩雑化する。
このため、例えば、非特許文献２に開示されているように、アレー導波路回折格子フィルタを用いることにより、モードロックレーザから出力される個々のモードを切り出す方法が提案されている。このアレー導波路回折格子フィルタでは、出力チャンネル分のポートが設けられている。そして、モードロックレーザから出力される各モードの波長に従って、異なるポートから各モードの光を取り出すことができ、１台のアレー導波路回折格子フィルタで複数の波長の光を切り出すことができる。
【０００８】
図１４は、モードロックレーザからのスペクトル切り出しによる多チャンネルＤＣ光の発生方法を示す図である。
図１４において、アレー導波路回折格子フィルタ１００には、出力チャンネル分のポートＰ１〜ＰＮが設けられている。そして、モードロックレーザから出力された多チャンネル分の光は、アレー導波路回折格子フィルタ１００に入力される。ここで、モードロックレーザから出力された多チャンネル分の光には、複数のモードＭ１〜Ｍｎの光が含まれているものとする。そして、モードロックレーザから出力された複数のモードＭ１〜Ｍｎの光がアレー導波路回折格子フィルタ１００に入力されると、個々のモードＭ１〜Ｍｎの光が切り出され、個々のモードＭ１〜Ｍｎの光を各ポートＰ１〜ＰＮからそれぞれ出力させることができる。
【０００９】
【非特許文献１】
佐藤他  ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｅｌｅｃｔｅｄ  Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｒｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．３，ｐｐ．５９０−５９５，１９９９
【非特許文献２】
八坂他  “Ｍｕｌｔｉｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｌｉｇｈｔ  ｓｏｕｒｃｅ  ｗｉｔｈ  ｐｒｅｃｉｓｅ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｓｐａｃｉｎｇ  ｕｓｉｎｇ  ｍｏｄｅ−ｌｏｃｋｅｄ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｌａｓｅｒ  ａｎｄ  ａｒｒａｙｅｄ  ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  ｇｒａｔｉｎｇ  ｆｉｌｔｅｒ．”，ＯＣＦ  ‘９６，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，ＦＢ３，１９９６
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１３に示すように、半導体モードロックレーザからの出力光は、スペクトルが広い光周波数（波長）範囲に渡っており、数十のモードが含まれている。
一方、アレー導波路回折格子フィルタ１００には透過特性に周期性があり、アレー導波路回折格子フィルタ１００のポート数が半導体モードロックレーザのモード数より少ないと、同一のポートから異なるモードの光が出力される。
【００１１】
図１５は、アレー導波路回折格子フィルタの周期性を示す図である。
図１５において、アレー導波路回折格子フィルタ１０１には、例えば、１６チャンネル分のポートＰ１〜Ｐ１６が設けられているものとする。そして、モードロックレーザから出力された多チャンネル分の光がアレー導波路回折格子フィルタ１０１に入力されると、１チャンネル目〜１６チャンネル目の光はポートＰ１〜Ｐ１６からそれぞれ出力される。そして、モードロックレーザに１７チャンネル目以降の光が含まれる場合、１７チャンネル目以降の光は再びポートＰ１〜Ｐ１６からそれぞれ出力される。
【００１２】
このため、アレー導波路回折格子フィルタ１０１の１個のポートから１個のモードの光のみを出力させるためには、アレー導波路回折格子フィルタ１０１のポート数が半導体モードロックレーザのモード数以上となるように、アレー導波路回折格子フィルタ１０１のポート数を増加させる必要があり、コストアップを招くという問題があった。
【００１３】
また、従来の半導体モードロックレーザでは、多くのモードをロックするために、反射鏡の波長依存性を極力少なくする構成をとる必要があり、半導体モードロックレーザと反射鏡として素子の劈開面が用いられていた。
このため、半導体モードロックレーザを光集積回路などに集積する場合、劈開面が構成できるように素子の設置場所などを調整する必要があり、集積化の障害になっていた。
そこで、本発明の目的は、モードロックレーザから出力されるモード数を制限することが可能な発光装置、発光装置の製造方法および波長多重光通信システムを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の発光装置によれば、複数の基線スペクトル含む光を発生させる発光領域と、前記発光領域の少なくとも一端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、発光領域で発生される基線スペクトルの本数を制限することが可能となり、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となる。このため、１台の光源で生成可能なチャンネル数をアレー導波路回折格子フィルタの出力ポート数に一致させることが可能となり、アレー導波路回折格子フィルタの出力ポート数の増大を抑制することを可能として、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となる。
【００１６】
また、回折格子反射領域を用いて共振器を構成することが可能となり、劈開面を反射鏡として用いる必要がなくなることから、発光装置の設置場所の制約をなくすことを可能として、光集積化を容易に実現することが可能となる。
また、請求項２記載の発光装置によれば、複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、前記発光領域の両端にそれぞれ結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域と、記発光領域内に設けられた過飽和吸収領域とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、過飽和吸収領域への光入力に応じて光吸収量を変化させることが可能となり、共振器内を往復する光の往復時間に対応して光出力をパルス化させ易くすることが可能となる。このため、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、所定のモードのみを選択的に発振させることが可能となり、各モードの光出力強度の均一化を可能としつつ、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となる。
【００１８】
また、請求項３記載の発光装置によれば、複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、前記発光領域の少なくとも一端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域と、前記発光領域内に設けられ、印加電圧に基づいて光吸収量を制御する光強度変調領域とを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、共振器内を往復する光の往復時間に同調させて光強度変調領域へ印加する電圧を変調することで、光出力をパルス化することが可能となるとともに、各モードの周波数間隔を印加電圧の変調周波数に一致させることが可能となる。このため、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることが可能としつつ、所定のモードのみを選択的に発振させることが可能となり、各モードの光出力強度の均一化を可能としつつ、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となるとともに、各モードの周波数間隔を高精度化することが可能となる。
【００２０】
また、請求項４記載の発光装置によれば、前記回折格子反射領域によって構成される共振器の光出力端の一方に設けられた光吸収領域をさらに備えることを特徴とする。
これにより、片側の光出力を完全に吸収させることが可能となり、光出力の単一方向性を実現することが可能となる。このため、片側から出力される不要な光出力が光集積回路内に混入することを避けることが可能となり、光集積回路の動作を安定化させることが可能となる。
【００２１】
また、請求項５記載の発光装置によれば、半導体基板上に形成された活性層と、前記半導体基板上に形成され、前記活性層の少なくとも一端に結合された回折格子反射鏡導波路と、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記回折格子反射鏡導波路上に形成された回折格子反射鏡と、前記活性層および前記回折格子反射鏡上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成され、前記回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第１電極と、前記クラッド層上に形成され、前記活性層に電流を注入する第２電極とを備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、活性層および回折格子反射鏡を同一の半導体基板上にモノリシック集積化することが可能となり、劈開面を反射鏡として用いることなく、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となる。このため、アレー導波路回折格子フィルタの出力ポート数の増大を抑制することが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、光集積化を容易に実現することが可能となり、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００２３】
また、請求項６記載の発光装置によれば、半導体基板上に形成された活性層と、前記半導体基板上に形成され、前記活性層の一端に結合された過飽和吸収層と、前記半導体基板上に形成され、前記活性層の他端に結合された第１回折格子反射鏡導波路と、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第１回折格子反射鏡導波路上に形成された第１回折格子反射鏡と、前記半導体基板上に形成され、前記過飽和吸収層に結合された第２回折格子反射鏡導波路と、前記所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第２回折格子反射鏡導波路上に形成された第２回折格子反射鏡と、前記活性層、前記過飽和吸収層、前記第１回折格子反射鏡および前記第２回折格子反射鏡上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成され、前記第１回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第１電極と、前記クラッド層上に形成され、前記第２回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第２電極と、前記クラッド層上に形成され、前記活性層に電流を注入する第３電極と、前記クラッド層上に形成され、前記過飽和吸収層に電流を注入する第４電極とを備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、活性層、過飽和吸収層および回折格子反射鏡を同一の半導体基板上にモノリシック集積化することが可能となり、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、所定のモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、劈開面を反射鏡として用いる必要がなくなる。このため、回路規模の増大を抑制しつつ、光集積化を容易に実現することが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの動作の安定化を図りつつ、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００２５】
また、請求項７記載の発光装置によれば、半導体基板上に形成された活性層と、前記半導体基板上に形成され、前記活性層の一端に結合された光強度変調層と、前記半導体基板上に形成され、前記活性層の他端に結合された第１回折格子反射鏡導波路と、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第１回折格子反射鏡導波路上に形成された第１回折格子反射鏡と、前記半導体基板上に形成され、前記光強度変調層に結合された第２回折格子反射鏡導波路と、前記所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能なように前記第２回折格子反射鏡導波路上に形成された第２回折格子反射鏡と、前記活性層、前記光強度変調層、前記第１回折格子反射鏡および前記第２回折格子反射鏡上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成され、前記第１回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第１電極と、前記クラッド層上に形成され、前記第２回折格子反射鏡導波路に電流を注入する第２電極と、前記クラッド層上に形成され、前記活性層に電流を注入する第３電極と、前記クラッド層上に形成され、前記光強度変調層に電圧を印加する第４電極とを備えることを特徴とする。
【００２６】
これにより、活性層、光強度変調層および回折格子反射鏡を同一の半導体基板上にモノリシック集積化することが可能となり、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、所定のモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、各モードの周波数間隔を高精度化することが可能となる。このため、回路規模の増大を抑制しつつ、光集積化を容易に実現することを可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの動作の安定化を図りつつ、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００２７】
また、請求項８記載の発光装置によれば、前記半導体基板上に形成され、前記回折格子反射鏡によって構成される共振器の光出力端の一方に設けられた光吸収層をさらに備えることを特徴とする。
これにより、活性層、光吸収層および回折格子反射鏡を同一の半導体基板上にモノリシック集積化することが可能となり、発光装置の構成の複雑化を抑制しつつ、光出力の単一方向性を実現することが可能となることから、波長多重光通信システムの動作の安定化を図りつつ、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００２８】
また、請求項９記載の発光装置の製造方法によれば、エピタキシャル成長により、半導体基板上に活性層を形成する工程と、前記活性層上に二酸化珪素層を形成する工程と、前記二酸化珪素層および前記活性層をパターニングすることにより、活性領域の両側の二酸化珪素層および活性層を除去する工程と、前記二酸化珪素層をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、前記活性領域の両側の前記半導体基板上に導波層を形成する工程と、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみが選択的に発振可能となる周期で前記導波層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をマスクとして、前記導波層をエッチングすることにより、前記導波層上に回折格子を形成する工程と、前記活性層の二酸化珪素層および前記導波層上のレジスト層を除去する工程と、エピタキシャル成長により、前記活性層および前記回折格子が形成された導波層上にクラッド層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００２９】
これにより、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、活性層および回折格子反射鏡を同一の半導体基板上にモノリシック集積化することが可能となるとともに、劈開面を反射鏡として用いる必要がなくなり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００３０】
また、請求項１０記載の波長多重光通信システム発光装置によれば、複数の基線スペクトルを含む光を発生させる発光領域と、前記発光領域の両端に結合され、前記基線スペクトルの本数を制限するように結合係数が設定された回折格子反射領域と、前記回折格子反射領域を介して前記発光領域から出力された光を入力するアレー導波路回折格子フィルタとを備えることを特徴とする。
【００３１】
これにより、アレー導波路回折格子フィルタの出力ポート数の増大を抑制しつつ、アレー導波路回折格子フィルタの１個のポートから１個のモードの光のみを出力させることが可能となるとともに、１台のアレー導波路回折格子フィルタで複数の波長の光を切り出すことが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
図１において、ｎ−ＩｎＰ基板１上には、活性領域Ｒ１、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３が形成されている。ここで、活性領域Ｒ１では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２がｎ−ＩｎＰ基板１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２に電流を注入する電流注入電極６ｃが設けられている。
【００３３】
一方、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２の両端にそれぞれ結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂが形成され、最低次モードのみを伝播する２次元的に光を閉じ込め可能な単一横モード導波路が構成されている。
【００３４】
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂがそれぞれ形成されている。そして、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層５上には、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂに電流を注入する電流注入電極６ａ、６ｂがそれぞれ設けられている。
【００３５】
また、活性領域Ｒ１、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３において、ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面には共通電極７が設けられている。
例えば、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３は、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振可能なように構成することができる。具体的には、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂの結合係数を２６０ｃｍ−１、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３の長さをそれぞれ１５０μｍに設定することができる。そして、素子内部の光の往復時間が２０ピコ秒となり、光出力スペクトル中の各モード間隔が５０ＧＨｚとなるように、活性領域Ｒ１の長さを８４０μｍに設定することができる。
【００３６】
なお、ＩｎＧａＡｓＰのバンド端波長は、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙで表した場合、ＩｎとＧａの組成比（１−ｘ：ｘ）、ＡｓとＰの組成比（ｙ：１−ｙ）で決めることができる。例えば、ＩｎＰに整合したＩｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙの場合、バンド端波長λは組成比を調整することにより、以下のように制御することができる。
λ≒Ｅｇ／ｈｃ
Ｅｇ＝１．３５−０．７２ｙ＋０．１２ｙ２
ｘ≒０．４６７ｙ
【００３７】
そして、電流注入電極６ｃからｐ−ＩｎＰクラッド層５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２に電流が注入されると、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２にて、光が発生・増幅される。そして、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２で発生された光は、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂを導波する。そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂを導波する光は、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂで反射され、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させることができる。
【００３８】
また、電流注入電極６ａ、６ｂをそれぞれ介し光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３に注入される電流をそれぞれ調整することにより、光出力側回折格子反射領域Ｒ２を介して出力される光の波長を制御することが可能となる。
これにより、活性領域Ｒ１、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３を同一のｎ−ＩｎＰ基板１上にモノリシック集積化することを可能としつつ、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となる。このため、劈開面を反射鏡として用いることなく、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、光集積化を容易に実現することを可能として、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００３９】
図２は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の反射特性を示す図である。
図２において、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂのピッチで決まる最大反射波長（ブラッグ波長）の周囲で、±４００ＧＨｚ程度の高反射率光周波数（波長）領域が形成されていることがわかる。
図３は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の出力光スペクト特性を示す図である。
【００４０】
図３において、図２のブラッグ波長の周囲で、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードが発生していることが確認できた。
図４は、本発明の第１実施形態に係る発光装置からの多チャンネルＤＣ光の発生方法を示す図である。
図４において、図１の光出力側回折格子反射領域Ｒ２を介して出力された１６チャンネル分の光がアレー導波路回折格子フィルタ１０１に入力されると、１チャンネル目〜１６チャンネル目の光はポートＰ１〜Ｐ１６からそれぞれ出力される。そして、図１の光出力側回折格子反射領域Ｒ２を介して出力された光には、１７チャンネル目以降の光は含まれていないため、各ポートＰ１〜Ｐ１６から複数のモードの光が出力されることを防止することができる。
【００４１】
このため、アレー導波路回折格子フィルタ１０１の出力ポート数の増大を抑制しつつ、アレー導波路回折格子フィルタ１０１の１個のポートから１個のモードの光のみを出力させることが可能となるとともに、１台のアレー導波路回折格子フィルタ１０１で複数の波長の光を切り出すことが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００４２】
図５、本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図５（ａ）において、エピタキシャル成長により、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２をｎ−ＩｎＰ基板１上に形成する。そして、例えば、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２膜を１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２上に形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いることにより、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３のＳｉＯ２膜を除去し、活性領域Ｒ１上にＳｉＯ２マスク１１を形成する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１を用いて１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２のエッチングを行うことにより、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３の１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２を除去する。
次に、図５（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１を用いてエピタキシャル成長を行うことにより、光出力側回折格子反射領域Ｒ２および回折格子反射領域Ｒ３に、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂをそれぞれ選択的に形成する。
【００４４】
次に、図５（ｄ）に示すように、レジストを全面に塗布する。そして、電子ビーム露光装置を用いてレジストを焼き付けることにより、反射鏡中心波長が所望の波長となるような周期で回折格子の山が残るようなレジストパターン１２ａ、１２ｂを形成する。
次に、図５（ｅ）に示すように、レジストパターン１２ａ、１２ｂをマスクとして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂのエッチングを行うことにより、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂ上に光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂをそれぞれ形成する。そして、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂがそれぞれ形成されると、ＳｉＯ２マスク１１およびレジストパターン１２ａ、１２ｂを除去する。
【００４５】
次に、図５（ｆ）に示すように、エピタキシャル成長により、ｐ−ＩｎＰクラッド層５を全面に形成する。
そして、図１に示すように、光出力側回折格子反射領域Ｒ２、回折格子反射領域Ｒ３および活性領域Ｒ１にそれぞれ対応して、ｐ−ＩｎＰクラッド層５上に電流注入電極６ａ〜６ｃをそれぞれ形成するとともに、ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面に共通電極７を形成する。
【００４６】
これにより、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂを同一のｎ−ＩｎＰ基板１上にモノリシック集積化することが可能となるとともに、劈開面を反射鏡として用いる必要がなくなり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００４７】
図６は、本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
図６において、ｎ−ＩｎＰ基板１１上には、活性領域Ｒ１１、過飽和吸収領域Ｒ１２、光出力側回折格子反射領域Ｒ１３および回折格子反射領域Ｒ１４が形成されている。ここで、活性領域Ｒ１１では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２がｎ−ＩｎＰ基板１１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２に電流を注入する電流注入電極１６ｃが設けられている。
【００４８】
また、過飽和吸収領域Ｒ１２では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８がｎ−ＩｎＰ基板１１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８に電流を注入する電流注入電極１６ｄが設けられている。
【００４９】
一方、光出力側回折格子反射領域Ｒ１３では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路１３ａが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路１３ａには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡１４ａが形成されている。そして、光出力側回折格子反射鏡１４ａ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５上には、光出力側回折格子反射鏡１４ａに電流を注入する電流注入電極１６ａが設けられている。
【００５０】
また、回折格子反射領域Ｒ１４では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路１３ｂが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路１３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための回折格子反射鏡１４ｂが形成されている。そして、回折格子反射鏡１４ｂ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５上には、回折格子反射鏡１４ｂに電流を注入する電流注入電極１６ｂが設けられている。
【００５１】
また、活性領域Ｒ１１、過飽和吸収領域Ｒ１２、光出力側回折格子反射領域Ｒ１３および回折格子反射領域Ｒ１４において、ｎ−ＩｎＰ基板１１の裏面には共通電極１７が設けられている。
例えば、光出力側回折格子反射領域Ｒ１３および回折格子反射領域Ｒ１４は、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振可能なように構成することができる。具体的には、光出力側回折格子反射鏡１４ａおよび回折格子反射鏡１４ｂの結合係数を２６０ｃｍ−１、光出力側回折格子反射領域Ｒ１３および回折格子反射領域Ｒ１４の長さをそれぞれ１５０μｍに設定することができる。そして、素子内部の光の往復時間が２０ピコ秒となり、光出力スペクトル中の各モード間隔が５０ＧＨｚとなるように、活性領域Ｒ１１と過飽和吸収領域Ｒ１２との長さの和を８４０μｍに設定することができる。
【００５２】
そして、電流注入電極１６ｃからｐ−ＩｎＰクラッド層１５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２に電流が注入されると、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２にて、光が発生・増幅される。そして、電流注入電極１６ｄからｐ−ＩｎＰクラッド層１５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８に電流を注入し、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８を通過する光の吸収量を制御しながら、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂを導波させる。そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３ｂを導波する光を、光出力側回折格子反射鏡４ａおよび回折格子反射鏡４ｂで反射させ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させる。
【００５３】
ここで、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層１８への光入力に応じて光吸収量が変化し、共振器内を往復する光の往復時間に対応して光出力をパルス化させ易くすることが可能となる。このため、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となる。
また、電流注入電極１６ａ、１６ｂをそれぞれ介し光出力側回折格子反射領域Ｒ１２および回折格子反射領域Ｒ１３に注入される電流をそれぞれ調整することにより、光出力側回折格子反射領域Ｒ１２を介して出力される光の波長を制御することが可能となる。
【００５４】
これにより、各モードの光出力強度の均一化を可能としつつ、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、活性領域Ｒ１１、過飽和吸収領域Ｒ１２、光出力側回折格子反射領域Ｒ１３および回折格子反射領域Ｒ１４を同一のｎ−ＩｎＰ基板１１上にモノリシック集積化することが可能となる。このため、劈開面を反射鏡として用いることなく、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの動作の安定化を図りつつ、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００５５】
図７は、本発明の第２実施形態に係る発光装置の出力光スペクト特性を示す図である。
図７において、図２のブラッグ波長の周囲で、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードが発生していることが確認できた。また、過飽和吸収領域Ｒ１２を設けることにより、各モードの出力光強度も同一レベルに制御することができた。
【００５６】
図８は、本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
図８において、ｎ−ＩｎＰ基板２１上には、活性領域Ｒ２１、光強度変調領域Ｒ２２、光出力側回折格子反射領域Ｒ２３および回折格子反射領域Ｒ２４が形成されている。ここで、活性領域Ｒ２１では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２がｎ−ＩｎＰ基板２１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２に電流を注入する電流注入電極２６ｃが設けられている。
【００５７】
また、光強度変調領域Ｒ２２では、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８がｎ−ＩｎＰ基板２１上に形成され、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５上には、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８に電圧を印加する電圧印加電極２６ｄが設けられている。
【００５８】
一方、光出力側回折格子反射領域Ｒ２３では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路２３ａが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路２３ａには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡２４ａが形成されている。そして、光出力側回折格子反射鏡２４ａ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５上には、光出力側回折格子反射鏡２４ａに電流を注入する電流注入電極２６ａが設けられている。
【００５９】
また、回折格子反射領域Ｒ２４では、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路２３ｂが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路２３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための回折格子反射鏡２４ｂが形成されている。そして、回折格子反射鏡２４ｂ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５上には、回折格子反射鏡２４ｂに電流を注入する電流注入電極２６ｂが設けられている。
【００６０】
また、活性領域Ｒ２１、光強度変調領域Ｒ２２、光出力側回折格子反射領域Ｒ２３および回折格子反射領域Ｒ２４において、ｎ−ＩｎＰ基板２１の裏面には共通電極２７が設けられている。
例えば、光出力側回折格子反射領域Ｒ２３および回折格子反射領域Ｒ２４は、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振可能なように構成することができる。具体的には、光出力側回折格子反射鏡２４ａおよび回折格子反射鏡２４ｂの結合係数を２６０ｃｍ−１、光出力側回折格子反射領域Ｒ２３および回折格子反射領域Ｒ２４の長さをそれぞれ１５０μｍに設定することができる。そして、素子内部の光の往復時間が２０ピコ秒となり、光出力スペクトル中の各モード間隔が５０ＧＨｚとなるように、活性領域Ｒ２１と光強度変調領域Ｒ２２との長さの和を８４０μｍに設定することができる。
【００６１】
そして、電流注入電極２６ｃからｐ−ＩｎＰクラッド層２５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２に電流が注入されると、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２にて、光が発生・増幅される。そして、電圧印加電極２６ｄからｐ−ＩｎＰクラッド層２５を介して１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８に電圧を印加し、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８を通過する波長１．５５μｍ付近の光の吸収量を制御しながら、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路２３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路２３ｂを導波させる。そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路２３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路２３ｂを導波する光を、光出力側回折格子反射鏡２４ａおよび回折格子反射鏡２４ｂで反射させ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させる。
【００６２】
ここで、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８では、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層２８への印加電圧に応じて波長１．５５μｍ付近の光吸収量が変化し、共振器内を往復する光の往復時間に同調させて電圧印加電極２６ｄに印加される電圧を変調させることにより、光出力をパルス化することが可能となる。このため、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となる。また、各モードの周波数間隔は電圧印加電極２６ｄに印加される電圧の変調周波数に一致させることができ、各モードの周波数間隔を高精度化することが可能となる。
【００６３】
さらに、電流注入電極２６ａ、２６ｂをそれぞれ介し光出力側回折格子反射領域Ｒ２２および回折格子反射領域Ｒ２３に注入される電流をそれぞれ調整することにより、光出力側回折格子反射領域Ｒ２２を介して出力される光の波長を制御することが可能となる。
これにより、活性領域Ｒ２１、光強度変調領域Ｒ２２、光出力側回折格子反射領域Ｒ２３および回折格子反射領域Ｒ２４を同一のｎ−ＩｎＰ基板２１上にモノリシック集積化することが可能となり、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、所定のモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、各モードの周波数間隔を高精度化することが可能となる。このため、回路規模の増大を抑制しつつ、光集積化を容易に実現することを可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、波長多重光通信システムの動作の安定化を図りつつ、波長多重光通信システムの小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００６４】
図９は、本発明の第３実施形態に係る発光装置の出力光スペクト特性を示す図である。
図９において、図２のブラッグ波長の周囲で、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードが発生していることが確認できた。また、光強度変調領域Ｒ２２を設けることにより、各モードの出力光強度を同一レベルに制御することができるとともに、各モードの周波数間隔を５０ＧＨｚに精度よく設定することができた。
【００６５】
図１０は、本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
図１０において、ｎ−ＩｎＰ基板３１上には、活性領域Ｒ３１、光出力側回折格子反射領域Ｒ３２、回折格子反射領域Ｒ３３および光吸収領域Ｒ３４が形成されている。ここで、活性領域Ｒ３１では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２がｎ−ＩｎＰ基板３１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２に電流を注入する電流注入電極３６ｃが設けられている。
【００６６】
一方、光出力側回折格子反射領域Ｒ３２および回折格子反射領域Ｒ３３では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２の両端にそれぞれ結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３３ｂが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡３４ａおよび回折格子反射鏡３４ｂがそれぞれ形成されている。そして、光出力側回折格子反射鏡３４ａおよび回折格子反射鏡３４ｂ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５上には、光出力側回折格子反射鏡３４ａおよび回折格子反射鏡３４ｂに電流を注入する電流注入電極３６ａ、３６ｂがそれぞれ設けられている。
【００６７】
また、光吸収領域Ｒ３４では、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３３ｂに結合されるようにして、１．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３８が形成され、１．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３８上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５が形成されている。
また、活性領域Ｒ３１、光出力側回折格子反射領域Ｒ３２、回折格子反射領域Ｒ３３および光吸収領域Ｒ３４において、ｎ−ＩｎＰ基板３１の裏面には共通電極３７が設けられている。
【００６８】
例えば、光出力側回折格子反射領域Ｒ３２および回折格子反射領域Ｒ３３は、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振可能なように構成することができる。具体的には、光出力側回折格子反射鏡３４ａおよび回折格子反射鏡３４ｂの結合係数を２６０ｃｍ−１、光出力側回折格子反射領域Ｒ３２および回折格子反射領域Ｒ３３の長さをそれぞれ１５０μｍに設定することができる。そして、素子内部の光の往復時間が２０ピコ秒となり、光出力スペクトル中の各モード間隔が５０ＧＨｚとなるように、活性領域Ｒ３１の長さを８４０μｍに設定することができる。
【００６９】
そして、電流注入電極３６ｃからｐ−ＩｎＰクラッド層３５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２に電流が注入されると、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２にて、光が発生・増幅される。１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２で発生された光は、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３３ｂを導波する。
【００７０】
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路３３ｂを導波する光は、光出力側回折格子反射鏡３４ａおよび回折格子反射鏡３４ｂで反射され、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させることができる。そして、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２にて発生された光は、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３３ａを介して外部に出力され、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路３３ｂを介して出力される光は、光吸収領域Ｒ３４にて完全に吸収させることができる。
【００７１】
これにより、活性領域Ｒ３１、光出力側回折格子反射領域Ｒ３２、回折格子反射領域Ｒ３３および光吸収領域Ｒ３４を同一のｎ−ＩｎＰ基板３１上にモノリシック集積化することを可能としつつ、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、光出力の単一方向性を実現することが可能となる。このため、波長多重光通信システムの小型・軽量、低価格化を図ることが可能となるとともに、片側から出力される不要な光出力が光集積回路内に混入することを避けることが可能となり、光集積回路の動作を安定化させることが可能となる。
【００７２】
図１１は、本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
図１１において、ｎ−ＩｎＰ基板４１上には、活性領域Ｒ４１、過飽和吸収領域Ｒ４２、光出力側回折格子反射領域Ｒ４３、回折格子反射領域Ｒ４４および光吸収領域Ｒ４５が形成されている。ここで、活性領域Ｒ４１では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２がｎ−ＩｎＰ基板４１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２に電流を注入する電流注入電極４６ｃが設けられている。
【００７３】
また、過飽和吸収領域Ｒ４２では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８がｎ−ＩｎＰ基板４１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８に電流を注入する電流注入電極４６ｄが設けられている。
【００７４】
一方、光出力側回折格子反射領域Ｒ４３では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路４３ａが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路４３ａには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡４４ａが形成されている。そして、光出力側回折格子反射鏡４４ａ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５上には、光出力側回折格子反射鏡４４ａに電流を注入する電流注入電極４６ａが設けられている。
【００７５】
また、回折格子反射領域Ｒ４４では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路４３ｂが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路４３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための回折格子反射鏡４４ｂが形成されている。そして、回折格子反射鏡４４ｂ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５上には、回折格子反射鏡４４ｂに電流を注入する電流注入電極４６ｂが設けられている。
【００７６】
また、光吸収領域Ｒ４５では、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路４３ｂに結合されるようにして、１．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４９が形成され、１．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４９上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層４５が形成されている。
また、活性領域Ｒ４１、過飽和吸収領域Ｒ４２、光出力側回折格子反射領域Ｒ４３、回折格子反射領域Ｒ４４および光吸収領域Ｒ４５において、ｎ−ＩｎＰ基板４１の裏面には共通電極４７が設けられている。
【００７７】
例えば、光出力側回折格子反射領域Ｒ４３および回折格子反射領域Ｒ４４は、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振可能なように構成することができる。具体的には、光出力側回折格子反射鏡４４ａおよび回折格子反射鏡４４ｂの結合係数を２６０ｃｍ−１、光出力側回折格子反射領域Ｒ４３および回折格子反射領域Ｒ４４の長さをそれぞれ１５０μｍに設定することができる。そして、素子内部の光の往復時間が２０ピコ秒となり、光出力スペクトル中の各モード間隔が５０ＧＨｚとなるように、活性領域Ｒ４１と過飽和吸収領域Ｒ４２との長さの和を８４０μｍに設定することができる。
【００７８】
そして、電流注入電極４６ｃからｐ−ＩｎＰクラッド層４５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２に電流が注入されると、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２にて、光が発生・増幅される。そして、電流注入電極４６ｄからｐ−ＩｎＰクラッド層４５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８に電流を注入し、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８を通過する光の吸収量を制御しながら、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路４３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路４３ｂを導波させる。そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路４３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路４３ｂを導波する光を、光出力側回折格子反射鏡４４ａおよび回折格子反射鏡４４ｂで反射させ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させる。
【００７９】
ここで、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層４８への光入力に応じて光吸収量が変化し、共振器内を往復する光の往復時間に対応して光出力をパルス化させ易くすることが可能となる。このため、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となる。また、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層４２にて発生された光は、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路４３ａを介して外部に出力され、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路４３ｂを介して出力される光は、光吸収領域Ｒ４５にて完全に吸収させることができる。
【００８０】
これにより、活性領域Ｒ４１、過飽和吸収領域Ｒ４２、光出力側回折格子反射領域Ｒ４３、回折格子反射領域Ｒ４４および光吸収領域Ｒ４５を同一のｎ−ＩｎＰ基板４１上にモノリシック集積化することを可能としつつ、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、各モードの光出力強度の均一化を可能としつつ、光出力の単一方向性を実現することが可能となる。このため、波長多重光通信システムの小型・軽量、低価格化を図ることが可能となるとともに、片側から出力される不要な光出力が光集積回路内に混入することを避けることが可能となり、光集積回路の動作を安定化させることが可能となる。
【００８１】
図１２は、本発明の第６実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
図１２において、ｎ−ＩｎＰ基板５１上には、活性領域Ｒ５１、光強度変調領域Ｒ５２、光出力側回折格子反射領域Ｒ５３、回折格子反射領域Ｒ５４および光吸収領域Ｒ５５が形成されている。ここで、活性領域Ｒ５１では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２がｎ−ＩｎＰ基板５１上に形成され、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５上には、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２に電流を注入する電流注入電極５６ｃが設けられている。
【００８２】
また、光強度変調領域Ｒ５２では、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８がｎ−ＩｎＰ基板５１上に形成され、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５上には、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８に電圧を印加する電圧印加電極５６ｄが設けられている。
【００８３】
一方、光出力側回折格子反射領域Ｒ５３では、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路５３ａが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路５３ａには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための光出力側回折格子反射鏡５４ａが形成されている。そして、光出力側回折格子反射鏡５４ａ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５上には、光出力側回折格子反射鏡５４ａに電流を注入する電流注入電極５６ａが設けられている。
【００８４】
また、回折格子反射領域Ｒ５４では、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８に結合されるようにして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路５３ｂが形成されている。
そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路５３ｂには、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させるための回折格子反射鏡５４ｂが形成されている。そして、回折格子反射鏡５４ｂ上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５が形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５上には、回折格子反射鏡５４ｂに電流を注入する電流注入電極５６ｂが設けられている。
【００８５】
また、光吸収領域Ｒ５４では、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路５３ｂに結合されるようにして、１．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層５９が形成され、１．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層５９上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層５５が形成されている。
また、活性領域Ｒ５１、光強度変調領域Ｒ５２、光出力側回折格子反射領域Ｒ５３、回折格子反射領域Ｒ５４および光吸収領域Ｒ５５において、ｎ−ＩｎＰ基板５１の裏面には共通電極５７が設けられている。
【００８６】
例えば、光出力側回折格子反射領域Ｒ５３および回折格子反射領域Ｒ５４は、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振可能なように構成することができる。具体的には、光出力側回折格子反射鏡５４ａおよび回折格子反射鏡５４ｂの結合係数を２６０ｃｍ−１、光出力側回折格子反射領域Ｒ５３および回折格子反射領域Ｒ５４の長さをそれぞれ１５０μｍに設定することができる。そして、素子内部の光の往復時間が２０ピコ秒となり、光出力スペクトル中の各モード間隔が５０ＧＨｚとなるように、活性領域Ｒ５１と光強度変調領域Ｒ５２との長さの和を８４０μｍに設定することができる。
【００８７】
そして、電流注入電極５６ｃからｐ−ＩｎＰクラッド層５５を介して１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２に電流が注入されると、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２にて、光が発生・増幅される。そして、電圧印加電極５６ｄからｐ−ＩｎＰクラッド層５５を介して１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８に電圧を印加し、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８を通過する波長１．５５μｍ付近の光の吸収量を制御しながら、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路５３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路５３ｂを導波させる。そして、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路５３ａおよび１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路５３ｂを導波する光を、光出力側回折格子反射鏡５４ａおよび回折格子反射鏡５４ｂで反射させ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させる。
【００８８】
ここで、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８では、１．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層５８への印加電圧に応じて波長１．５５μｍ付近の光吸収量が変化し、共振器内を往復する光の往復時間に同調させて電圧印加電極５６ｄに印加される電圧を変調させることにより、光出力をパルス化することが可能となる。このため、光出力スペクトル上の各モードの同期状態を強めることを可能としつつ、５０ＧＨｚ間隔の１６チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となる。また、各モードの周波数間隔は電圧印加電極５６ｄに印加される電圧の変調周波数に一致させることができ、各モードの周波数間隔を高精度化することが可能となる。また、１．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層５２にて発生された光は、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路５３ａを介して外部に出力され、１．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路５３ｂを介して出力される光は、光吸収領域Ｒ５５にて完全に吸収させることができる。
【００８９】
これにより、活性領域Ｒ５１、光強度変調領域Ｒ５２、光出力側回折格子反射領域Ｒ５３、回折格子反射領域Ｒ５４および光吸収領域Ｒ５５を同一のｎ−ＩｎＰ基板５１上にモノリシック集積化することを可能としつつ、所定周波数間隔の所定チャンネルのモードのみを選択的に発振させることが可能となるとともに、各モードの光出力強度の均一化および各モードの周波数間隔の高精度化を可能としつつ、光出力の単一方向性を実現することが可能となる。このため、波長多重光通信システムの小型・軽量、低価格化を図ることが可能となるとともに、片側から出力される不要な光出力が光集積回路内に混入することを避けることが可能となり、光集積回路の動作を安定化させることが可能となる。
【００９０】
なお、上述した実施形態では、ＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いた構成を例にとって説明したが、本発明は必ずしもＩｎＧａＡｓＰ系に限定されることなく、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ系、あるいはＧａＳｂ／ＡｌＧａＳｂ系などに適用するようにしてもよい。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基線スペクトルの本数を制限する回折格子反射領域を発光領域の両端に設けることにより、１台の光源を用いて必要なチャンネル数を確保することが可能となり、波長多重光通信システムのコストダウンを図ることが可能となるとともに、劈開面を反射鏡として用いる必要がなくなり、光集積化を容易に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る発光装置の反射特性を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る発光装置の出力光スペクト特性を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る発光装置からの多チャンネルＤＣ光の発生方法を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る発光装置の出力光スペクト特性を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る発光装置の出力光スペクト特性を示す図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第６実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１３】モードロックレーザから出力される多モードスペクトルの一例を示す図である。
【図１４】モードロックレーザからのスペクトル切り出しによる多チャンネルＤＣ光の発生方法を示す図である。
【図１５】アレー導波路回折格子フィルタの周期性を示す図である。
【符号の説明】
Ｒ１、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１  活性領域
Ｒ２、Ｒ１３、Ｒ２３、Ｒ３２、Ｒ４３、Ｒ５３  光出力側回折格子反射領域
Ｒ３、Ｒ１４、Ｒ２４、Ｒ３３、Ｒ４４、Ｒ５４  回折格子反射領域
Ｒ１２、Ｒ４２  過飽和吸収領域
Ｒ２２、Ｒ５２  光強度変調領域
Ｒ３４、Ｒ４５、Ｒ５５  光吸収領域
１、１１、２１、３１、４１、５１  ｎ−ＩｎＰ基板
２、１２、２２、３２、４２、５２  １．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層
３ａ、１３ａ、２３ａ、３３ａ、４３ａ、５３ａ  １．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光出力側回折格子反射鏡導波路
３ｂ、１３ｂ、２３ｂ、３３ｂ、４３ｂ、５３ｂ  １．３μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子反射鏡導波路
４ａ、１４ａ、２４ａ、３４ａ、４４ａ、５４ａ  光出力側回折格子反射鏡
４ｂ、１４ｂ、２４ｂ、３４ｂ、４４ｂ、５４ｂ  回折格子反射鏡
５、１５、２５、３５、４５、５５  ｐ−ＩｎＰクラッド層
６ａ〜６ｃ、１６ａ〜１６ｄ、２６ａ〜２６ｃ、３６ａ〜３６ｄ、４６ａ〜４６ｄ、５６ａ〜５６ｃ  電流注入電極
２６ｄ、５６ｄ  電圧印加電極
７、１７、２７、３７、４７、５７  共通電極
１８、４８  １．５５μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ過飽和吸収層
２８、５８  １．４８μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光強度変調層
３８、４９、５９  １．６μｍ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層
１１  ＳｉＯ２マスク
１２ａ、１２ｂ  レジストパターン
１０１  アレー導波路回折格子フィルタ
【図１】
2005005502.tif 000003
【図２】
2005005502.tif 000004
【図３】
2005005502.tif 000005
【図４】
2005005502.tif 000006
【図５】
2005005502.tif 000007
【図６】
2005005502.tif 000008
【図７】
2005005502.tif 000009
【図８】
2005005502.tif 000010
【図９】
2005005502.tif 000011
【図１０】
2005005502.tif 000012
【図１１】
2005005502.tif 000013
【図１２】
2005005502.tif 000014
【図１３】
2005005502.tif 000015
【図１４】
2005005502.tif 000016
【図１５】
2005005502.tif 000017