(57)【要約】【課題】保護膜として無機絶縁膜を使用する液晶表示素子の構造において、ブラックマトリックス層の線幅を減らして開口率を向上させ、画像品質を向上させる液晶表示素子を提供する。【解決手段】第１基板５１１上に形成されたゲート配線５１２と、ゲート配線５１２を含む全面に形成されたゲート絶縁膜５１３と、ゲート絶縁膜５１３上でゲート配線５１２に交差して画素を定義するデータ配線５１５と、ゲート配線５１２及びデータ配線５１５の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、薄膜トランジスターを含む全面に形成された保護膜５１６と、保護膜５１６上に形成されて薄膜トランジスターのドレイン電極に接続される画素電極５１７と、データ配線５１５と画素電極５１７との間の寄生キャパシタンスを防止するためにデータ配線５１５と画素電極５１７との間に形成され、電圧が印加される遮光金属５３２とを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート配線に交差して画素を定義するデータ配線と、
前記ゲート配線及び前記データ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、
前記薄膜トランジスターを含む全面に形成された保護膜と、
前記保護膜上に形成されて前記薄膜トランジスターのドレイン電極に接続される画素電極と、
前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属と
を含んで構成されることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記ゲート配線から突出して前記ゲート配線と一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記ゲート配線に平行する共通配線を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記保護膜は、無機絶縁物質であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記無機絶縁物質は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記第１基板に対向する第２基板上にブラックマトリックス、カラーフィルター層及び共通電極が更に具備されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記ブラックマトリックス層の角は、前記遮光金属の角と同一線上に位置することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
前記遮光金属は、前記画素電極と前記データ配線にそれぞれオーバーラップすることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
前記遮光金属は、前記画素電極とオーバーラップし、前記データ配線の角と対応するように前記遮光金属の角が位置合わせされることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子に関し、特に開口率を高めて寄生キャパシタンスを減らすための液晶表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子として最近脚光を浴びている液晶表示素子は、コントラスト比が大きくて、階調表示や動画像表示に適しており、電力消費が少ないという長所のため活発な研究が行われている。
特に、薄い厚さで製作可能であり、将来壁掛けＴＶのような超薄形表示装置として使用できるばかりでなく、軽量で電力消費もＣＲＴブラウン管に比べて相当に少ないため、バッテリーで動作するノートパソコンのディスプレー、個人携帯電話端末機、ＴＶ、航空用モニターに用いられるなど、次世代表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
このような液晶表示素子は、一般的にゲート配線及びデータ配線によって定義された各画素領域に薄膜トランジスター、画素電極、及びストレージキャパシターが形成された薄膜トランジスターアレイ基板と、カラーフィルター層及び共通電極が形成されたカラーフィルターアレイ基板と、前記両基板の間に介在する液晶層とで構成され、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることで透過される光の量を調節して画像を表示する。
【０００４】
以下、図面を参照にして従来技術に係る液晶表示素子を具体的に説明すると、次の通りである。
【０００５】
図１は、従来技術に係る液晶表示素子の平面図で、図２は、図１のＩ−Ｉ´線上での液晶表示素子の断面図である。
液晶表示素子は、薄膜トランジスターアレイ基板１１１とカラーフィルターアレイ基板１２１とが一定の間隔を持って貼り合わせられ、前記貼り合わせられた両基板の間に液晶層１３１が形成される。そして、このような液晶表示素子は、非発光表示素子であるので、前記貼り合わせられた両基板に均一な光源を提供するためのバックライト１５０が別途必要となる。よって、前記薄膜トランジスターアレイ基板１１１の下側に前記バックライト１５０が具備される。
【０００６】
前記液晶表示素子の薄膜トランジスターアレイ基板１１１には、図１及び図２に示したように、画素領域を定義するため、互いに垂直した方向に配列されるゲート配線１１２及びデータ配線１１５と、前記各画素領域に形成されて印加されるデータ信号によって液晶層に信号電圧をかける画素電極１１７と、前記ゲート配線１１２及びデータ配線１１５が交差する部分に形成され、前記ゲート配線１１２に印加されるスキャン信号によってターンオン又はターンオフされて前記データ配線に印加された前記データ信号を前記画素電極１１７へ伝達する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と、レベル−シフト電圧を小さくして非選択期間の間に画素情報を維持するストレージキャパシターが具備されている。
【０００７】
この時、前記ゲート配線１１２とデータ配線１１５との間には、絶縁膜のゲート絶縁膜１１３が更に具備され、前記薄膜トランジスターと画素電極との間には、保護膜１１６が更に具備される。
【０００８】
よって、前記薄膜トランジスター（ＴＦＴ）アレイ基板は、前記ゲート配線１１２から分岐するゲート電極１１２ａと、前記ゲート電極１１２ａを含む全面に形成されたゲート絶縁膜１１３と、前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に形成された半導体層１１４と、前記データ配線１１５から分岐して前記半導体層１１４の両端にそれぞれ形成されるソース電極１１５ａ及びドレイン電極１１５ｂとで構成され、前記ドレイン電極１１５ｂは、前記保護膜１１６を貫いて前記画素電極１１７に接続され、画素電極に電圧を印加する。
【０００９】
そして、ストレージキャパシター（Ｃｓｔ）は、キャパシター電極１２６、画素電極１１７、ゲート絶縁膜１１３、及び保護膜１１６からなる。ここで、キャパシター電極１２６は、前記ゲート配線１１２と同一層に前記ゲート配線１１２に平行して形成される。さらに、ゲート絶縁膜１１３及び保護膜１１６は、前記キャパシター電極１２６と画素電極１１７との間に介在する。従って、薄膜トランジスターのターンオフ区間の間、液晶に充電された電荷が維持される。
【００１０】
前記ストレージキャパシター（Ｃｓｔ）は、図面には示していないが、ゲート配線の所定領域をキャパシター電極に活用して、ゲート配線の上部に形成されることもある。
【００１１】
通常、ストレージキャパシターは、互いに対向するキャパシターの上・下部電極の間に絶縁層が形成された構造を有するが、前記キャパシター電極１２６は、キャパシター下部電極の役割を果たし、前記ゲート絶縁膜１１３及び保護膜１１６は、絶縁層の役割を果たし、そして前記キャパシター電極１２６にオーバーラップする画素電極１１７の所定の領域は、キャパシター上部電極の役割を果たす。
【００１２】
この時、前記ゲート絶縁膜１１３は、誘電率が７．５程度のシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機材料を使って１５００〜５０００Åの厚さで形成され、前記保護膜１１６は、３．４の低誘電率であるＢＣＢ（BenzoCycloButene）、アクリル係物質のような有機材料を使用して３〜５μｍ程度の厚さで形成される。
【００１３】
上記のように、前記保護膜１１６をＢＣＢのような有機絶縁膜で形成する場合には、データ配線層及び画素電極の間の寄生キャパシタンスを減少させることができる。よって、画素電極１１７を前記データ配線にオーバーラップさせて高開口率構造を具現することができる。
しかし、前記ＢＣＢのような有機絶縁膜を保護膜として使用する場合には、前記保護膜１１６が厚くなるので、モバイルフォンモデルのように小型モデルの液晶表示装置では、有機絶縁膜を保護膜として使用することができない。
【００１４】
よって、小型モデルの液晶表示装置では、保護膜としてシリコン窒化膜のような無機絶縁膜を保護膜として使用する。このように、誘電率が相対的に高い無機絶縁膜を保護膜として使用するようになると、前記保護膜として有機絶縁膜を使用する場合より前記寄生キャパシタンスが増加するので、前記画素電極をデータ配線にオーバーラップさせることができない。
【００１５】
もし前記データ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスが増加すると、前記寄生キャパシタンスは、液晶に印加される交流電圧に対して直流電圧オフセット、即ち△Ｖｐを誘発させるが、このような直流電圧オフセットは、液晶表示素子において、画面のちらつき、イメージの固着、画面明度の不均一性など不良効果を引き起こすようになる。
【００１６】
一方、前記薄膜トランジスターアレイ基板１１１に対向するカラーフィルターアレイ基板１２１は、一定の順序で配列され色相を具現する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター層１２３と、Ｒ、Ｇ、Ｂセル間の区分と光遮断の役割をするブラックマトリックス層１２２と、液晶層１３１に電圧を印加するための共通電極１２４とで構成されている。
【００１７】
この時、前記カラーフィルター層１２３は、通常、Ｒ、Ｇ、Ｂの色素を有する画素が配列されるが、各サブ画素が一つの色素を有してそれぞれ独立的に駆動し、これらの組合せによって一つの画素の色が表示される。
【００１８】
そして、前記ブラックマトリックス層１２２は、通常、サブ画素の周縁及びＴＦＴアレイ基板の薄膜トランジスターが形成される領域に相応するように形成され、不安定な電界を有する領域での光漏れを遮光する役割を果たす。
【００１９】
ここで、上述したように、保護膜で無機絶縁膜を使用する場合には、画素電極を前記データ配線にオーバーラップさせることができないので、前記画素電極とデータ配線との間の光漏れ現象を防止するために、前記ブラックマトリックス層１２２と画素電極１１７とがオーバーラップするようにする。この時、前記画素電極１１７は、薄膜トランジスターアレイ基板に形成され、前記ブラックマトリックス層１２２は、カラーフィルターアレイ基板に形成されるので、前記ブラックマトリックス層１２２は、光漏れを防止するための貼り合わせマージンが必要である。よって、貼り合わせ装置によって貼り合わせマージンが変わることがあるが、図２に示したように、ブラックマトリックス層１２２と画素電極１１７とが最小限５μｍ〜６．７μｍ程度オーバーラップするように形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、上記のような従来技術に係る液晶表示素子においては、次のような問題点がある。
【００２１】
第一に、保護膜で無機絶縁膜を使用する場合には、前記画素電極が隣接したデータ配線にオーバーラップするように形成することができないので、前記画素電極とデータ配線の光漏れを防止するために、前記ブラックマトリックス層が前記画素電極にオーバーラップするよう、十分な貼り合わせマージンを有するように形成される。よって、前記貼り合わせマージンによってブラックマトリックス層の面積が大きくなり、結局液晶表示素子の開口率が落ちるようになる。
【００２２】
第二に、前記保護膜として無機絶縁膜を使用するようになるので、前記画素電極が隣接したデータ配線にオーバーラップしないように画素電極を形成するが、保護膜の誘電率が有機絶縁膜より高いため、前記画素電極とデータ配線との間で寄生キャパシタンスが発生するようになり、前記寄生キャパシタンスによってデータ電圧レベルが減少するソースディレーが発生して、前記ソースディレーによる輝度変化が発生する垂直クロストーク現象が発生して画像品質を低下させる。
【００２３】
本発明は上記のような問題点を解決するために案出されたもので、保護膜として無機絶縁膜を使用する液晶表示素子の構造において、光を遮断すると同時に前記データ配線と画素電極との間で発生する寄生キャパシタンスを最小化することのできる遮光金属を前記データ配線と画素電極との間に追加で配置して、前記ブラックマトリックス層の線幅を減らして開口率を向上させ、前記データ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスを最小化して画像品質を向上させることのできる液晶表示素子を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示素子は、第１基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート配線に交差して画素を定義するデータ配線と、前記ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターを含む全面に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成されて前記薄膜トランジスターのドレイン電極に接続される画素電極と、前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属とを含んで構成されることを特徴とする。
【００２５】
ここで、前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記ゲート配線から突出して前記ゲート配線と一体に形成されることを特徴とする。
【００２６】
前記ゲート配線に平行する共通配線を更に具備し、前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記保護膜は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜などの無機絶縁物質で形成されることを特徴とする。
【００２８】
前記第１基板に対向する第２基板上にブラックマトリックス、カラーフィルター層及び共通電極が更に具備されることを特徴とする。
【００２９】
前記ブラックマトリックス層の角は、前記遮光金属の角と同一線上に位置することを特徴とする。
【００３０】
前記遮光金属は、前記画素電極と前記データ配線にそれぞれオーバーラップすることを特徴とする。
【００３１】
前記遮光金属は、前記画素電極とオーバーラップし、前記データ配線の角と対応するように前記遮光金属の角が位置合わせされることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に係る液晶表示素子においては、次のような効果がある。
【００３３】
前記データ配線及び画素電極の間に前記画素電極とデータ配線にそれぞれオーバーラップするように遮光金属を形成し、前記遮光金属がゲート配線又は共通配線に接続されるようにして前記遮光金属に電圧が印加されるので、前記データ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスが９．７６０Ｅ−１８[Ｆ／μｍ]まで減少した。参照までに、従来の無機絶縁膜を保護膜として使用した４マスク液晶表示素子におけるデータ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスは、２．８７６Ｅ−１７[Ｆ／μｍ]であった。
よって、垂直クロストーク問題が改善され、寄生キャパシタンスによる画面のちらつき、イメージ固着などの問題も改善され画質が向上する。
【００３４】
第二に、前記データ配線と画素電極との間に、前記画素電極とデータ配線にそれぞれオーバーラップするように遮光金属を形成するので、前記データ配線と画素電極との間の光漏れが防止されるので、ブラックマトリックス層の貼り合わせマージンを減らすことができると共に、ブラックマトリックス層の面積が減少するので液晶表示素子の開口率を向上させることができる。
【００３５】
第三に、寄生キャパシタンスが減少するので、保護膜として無機絶縁物質を使用することができるようになって、保護膜を形成するための工程が容易となり、段差が低くなる。
【００３６】
第四に、保護膜としてＢＣＢのように高価な有機絶縁膜を使用しないので、単価が低廉となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明に係る液晶表示素子の好適な実施例について、添付の図面を参照にして詳細に説明する。
【００３８】
実施例１
図３は、本発明の実施例１による液晶表示素子の平面図で、図４は、図３のＩＩ−ＩＩ´線上での液晶表示素子の断面図である。
本発明の実施例１による液晶表示素子は、図３及び図４に示したように、薄膜トランジスターアレイ基板５１１とカラーフィルターアレイ基板５２１とが一定の間隔を持って貼り合わせられ、前記貼り合わせられた両基板５１１、５２１の間に液晶層５３１が形成される。そして、上記のように貼り合わせられた基板に均一な光源を供給するバックライト５５０が前記薄膜トランジスターアレイ基板５１１の下部に形成される。
【００３９】
ここで、前記薄膜トランジスターアレイ基板５１１上には、図３及び図４に示したように、画素領域を定義するために、互いに垂直した方向に配列されるゲート配線５１２及びデータ配線５１５と、前記ゲート配線５１２及びデータ配線５１５の間に形成されたゲート絶縁膜５１３と、前記ゲート配線５１２とデータ配線５１５とが交差する部分で前記ゲート配線５１２から突出するゲート電極５１２ａと、前記ゲート電極５１２ａの上側の前記ゲート絶縁膜５１３上に形成される半導体層５１４と、前記データ配線５１５から突出して前記半導体層５１４にオーバーラップするソース電極５１５ａと、前記ソース電極に対向するように前記半導体層５１４にオーバーラップするドレイン電極５１５ｂと、前記ソース／ドレイン電極を含む基板の全面に形成される保護膜５１６と、前記ドレイン電極５１５ｂ上の保護膜５１６に形成されるコンタクトホール５１８と、前記保護膜のコンタクトホール５１８を介して前記ドレイン電極５１５ｂに接続されるように各画素領域にＩＴＯ又はＩＺＯの透明導電物質で形成され、画素電極５１７と、光漏れを防止し、前記画素電極５１７とデータ配線５１５との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記ゲート配線５１２から突出して前記データ配線５１５方向に沿って前記データ配線５１５と画素電極５１７との間に形成される遮光金属５３２とが具備される。
【００４０】
ここで、前記保護膜５１６は、蒸着が容易でその厚さが薄くて段差の問題がないシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁膜で形成され、前記遮光金属５３２及びゲート配線５１２は、低い比抵抗を持って光を遮光可能な銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタリウム（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などの低抵抗金属層で形成される。
【００４１】
そして、前記薄膜アレイ基板５１１に対向するカラーフィルターアレイ基板５２１上には、クロム酸化物（ＣｒＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、カーボン系統の有機物質で画素端と薄膜トランジスター領域とにオーバーラップするように形成されて光漏れを防止するブラックマトリックス層５２２と、前記ブラックマトリックス層５２２の間に形成されてＲ、Ｇ、Ｂの色相を表現するカラーフィルター層５２３と、前記カラーフィルター層５２３の上部に形成されて画素電極５１７と共に液晶を制御するための電界を形成する共通電極５２４とが具備される。
【００４２】
この時、前記遮光金属５３２は、前記データ配線５１５に沿って形成されるが、前記ゲート配線５１２と同一の物質で前記ゲート配線と同一層に形成され、前記データ配線５１５と前記画素電極５１７との間に形成される。前記遮光金属５３２は、電界を印加できるように、前記ゲート配線５１２と一体に形成され、前記データ配線５１５と画素電極５１７とにそれぞれオーバーラップするように形成されるか、前記画素電極５１７にオーバーラップして前記ブラックマトリックス層５２２の角と前記遮光金属５３２の角とが同一線上に位置するように形成される。
【００４３】
このように、前記遮光金属５３２がゲート配線５１２に接続され、一定の電圧が印加されて一定の電界を形成するので、前記遮光金属５３２による電界効果によって、データ配線５１５と画素電極５１７との間に形成される寄生キャパシタンスが従来に比べて減少するようになる。すなわち、電界が印加される前記遮光金属５３２が、前記データ配線５１５と画素電極５１７との間に、前記データ配線５１５と画素電極５１７とにそれぞれオーバーラップするように形成されるので、前記遮光金属５３２とデータ配線５１５との間に寄生キャパシタンスが形成され、前記遮光金属５３２と画素電極５１７との間にも寄生キャパシタンスが形成される。
【００４４】
従って、前記遮光金属５３２によって前記データ配線５１５と画素電極５１７との間に形成される寄生キャパシタンスが減少し、前記データ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスの減少によって垂直クロストーク問題などが改善され、画質が向上する。
【００４５】
また、同一の基板（薄膜トランジスターアレイ基板）上で、前記データ配線と画素電極との間に遮光金属５３２が形成されるので、前記遮光金属５３２によって前記データライン５１５と画素電極５１７との間の光漏れ現象が防止される。よって、前記カラーフィルターアレイ基板５２１に形成されるブラックマトリックス層５２２と、前記薄膜トランジスターアレイ基板５１１に形成される画素電極５１７との貼り合わせマージンを減らすることができ、結局前記ブラックマトリックス層５２２の面積を減らせるようになるので、画素の透過領域が広くなる。
【００４６】
即ち、従来は、前記ブラックマトリックス層５２２と前記画素電極５１７との貼り合わせマージンを５μｍ以上にしたが、本発明では、５μｍ以下（１〜３．５μｍ程度）に減らすことができる。前記ブラックマトリックス層の角部分が前記遮光金属層と位置合わせされるようにすると、液晶表示素子の開口率を最大に増加させることができる。
【００４７】
上記のような本発明の技術的思想を１２０〜１５０ｐｐｉ級モバイルフォンモデルの液晶表示素子に適用した結果、開口率が最大１８％上昇し、現在１８０ｐｐｉ級モバイルフォンモデルに対しても拡大して適用している。
【００４８】
即ち、本発明に係る遮光金属５３２は、前記データ配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスを減少させると同時に、前記データ配線と画素電極との間の光漏れを防止する役割を果たすので、前記ブラックマトリックス層５２２の面積を減らして開口率を高めるような役割を果たす。
【００４９】
一方、前記遮光金属は、ゲート配線の前面に接続して電圧を印加してもよく、別途の共通配線を追加形成した後、前記共通配線に接続して電圧を印加してもよい。
このように遮光金属がストレージ配線に接続される構造を有する本発明の実施例２及び実施例３を説明すると次の通りである。
【００５０】
実施例２
図５は、本発明の実施例２による液晶表示素子の平面図で、ある。
本発明の実施例２による液晶表示素子は、本発明の実施例１において、遮光金属５３２がゲート配線５１２の前面でデータ配線５１５に沿って形成されるものではない。図５に示したように、別途の共通配線５２６を前記ゲート配線５１２に平行して画素領域に形成し、前記データ配線５１５に沿って、前記共通配線５２６から突出するように遮光金属５３２を形成したものである。
【００５１】
即ち、残りの構成は、本発明の実施例１と同じで、前記データ配線５１５と画素電極５１７との間に前記データ配線５１５に沿って、共通配線５２６から突出するように遮光金属５３２を形成する。この時、前記遮光金属５３２は、電界を印加できるように前記共通配線５２６と一体に形成され、前記データ配線５１５と画素電極５１７とにそれぞれオーバーラップするように形成されるか、前記画素電極５１７にオーバーラップして前記ブラックマトリックス層５２２の角と前記遮光金属５３２の角とが同一線上に位置するように形成される。
【００５２】
実施例３
図６は、本発明の実施例３による液晶表示素子の平面図である。本発明の実施例３の液晶表示素子は、画素領域に共通配線を形成する段階までは実施例２と同様である。しかし、本発明の実施例３は、図６に示したように、前記ゲート配線５１２に隣接した所に前記ゲート配線５１２と平行するように共通配線５２６を追加形成し、前記データ配線５１５に沿って、前記共通配線５２６から突出するように遮光金属５３２を形成して前記遮光金属５３２に電圧を印加できるようにしたものである。
【００５３】
同様に、本発明の実施例３でも前記遮光金属５３２が前記データ配線５１５と画素電極５１７との間に形成され、前記データ配線５１５と画素電極５１７とにそれぞれオーバーラップするように形成されるか、前記画素電極５１７にはオーバーラップして前記ブラックマトリックス層５２２の角と前記遮光金属５３２の角とが同一線上に位置するように形成される。
【００５４】
上記で説明した本発明の実施例１の液晶表示素子は、ストレージオンゲート構造の薄膜アレイ基板を表したもので、本発明の実施例２、実施例３の液晶表示素子は、ストレージオン共通電極構造の薄膜アレイ基板を表したものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来技術に係る液晶表示素子の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ´線上での液晶表示素子の断面図である。
【図３】本発明の実施例１による液晶表示素子の平面図である。
【図４】図３のＩＩ−ＩＩ´線上での液晶表示素子の断面図である。
【図５】本発明の実施例２による液晶表示素子の平面図である。
【図６】本発明の実施例３による液晶表示素子の平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
５１１  薄膜アレイ基板、５１２  ゲート配線、５１２ａ  ゲート電極、５１３  ゲート絶縁膜、５１４  半導体層、５１５  データ配線、５１５ａ  ソース電極、５１５ｂ  ドレイン電極、５１６  保護膜、５１７  画素電極、５２１  カラーフィルター基板、５２２  ブラックマトリックス、５２３  カラーフィルター層、５２４  共通電極、５２６  共通配線、５３１  液晶層、５３２  遮光金属、５５０  バックライト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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