(57)【要約】【課題】光ディスク方向からの戻り光が光ディスク方向への反射光となって発生するノイズの防止対策を施した半導体レーザ素子およびそれを容易に作製する製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】第１導電型半導体基板の表面上に、発光層と第２導電型コンタクト層を有し、該発光層内の発光層積層方向に沿った共振器方向にストライプ状導波路が形成されている半導体レーザ素子において、前記基板の裏面に、レーザ光出射端面から基板の水平方向に沿って一部除去され、段差が形成され、段差の底面が、発光層の中心から５０μｍ以下の位置にあり、かつ段差の側壁面が前記底面に対して略垂直でかつレーザ出射端面に対して角度βを有することを特徴とする半導体レーザ素子により、上記の課題を解決する。【選択図】  図１
2005005454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板の表面上に、少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層が順次積層された発光層と第２導電型コンタクト層を有し、該発光層内の発光層積層方向に沿った共振器方向にストライプ状導波路が形成されている半導体レーザ素子において、前記基板の裏面に、レーザ光出射端面から基板の水平方向に沿って一部除去され、段差が形成され、段差の底面が、発光層の中心から５０μｍ以下の位置にあり、かつ段差の側壁面が前記底面に対して略垂直でかつレーザ出射端面に対して角度βを有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
段差が、垂直異方性のドライエッチングで形成されている請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
段差の側壁面が、段差の底面に対して７０°以上９０°未満の角度を有する請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
段差の側壁面が、レーザ出射端面に対して０＜β＜９０°の角度を有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
段差が、レーザ光出射端面の垂直方向に対して波状または三角状の形状の面を有する請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
段差の側壁面が、粗面化されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
段差が、基板の裏面で、レーザ光出射端面と対向する端面に対し、対称的に形成されている請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
段差が、ストライプ状導波路直上のみに設けらている請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
光ディスク用光源として使用される請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体レーザ素子において、
（ａ）第１導電型半導体基板の裏面にドライエッチングマスクを形成する工程と
（ｂ）前記基板の裏面が、垂直異方性のドライエッチングにより、レーザ光出射端面から基板の水平方向に沿って一部除去され、段差が形成され、段差の底面が、発光層の中心から５０μｍ以下の位置にあり、かつ段差の側壁面が前記底面に対して略垂直でかつレーザ出射端面に対して角度βを有するように段差を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、特に光ディスクのピックアップ用光源として用いた場合に、戻り光がチップ端面で反射し発生する悪影響を防止することができる半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の一般的な半導体レーザ素子（従来例１）は、図６の斜視図（右側面の積層構造は省略）ような構造を有している。この半導体レーザ素子においては、ｎ−ＧａＡｓ基板１の（１００）面上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２、量子井戸活性層３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４ａ、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂがエピタキシャル成長などにより順次積層されて、発光層５を構成している。さらに、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂのｐ−ＧａＡｓキャップ層６が、エピタキシャル成長などにより凸状リッジストライプ１１に積層形成されている。上記ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂ両外側には、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂよりも低屈折率のｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層７ａ及びｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層７ｂが積層形成され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６を含む電流ブロック層７ｂ上に、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８が積層形成されている。また、ｎ−ＧａＡｓ基板１の発光層５とは反対の面にＮ型電極９が形成され、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８の発光層と反対の面にＰ型電極１０が形成されている。
【０００３】
Ｎ型電極９、Ｐ型電極１０に流れる電流が、リッジストライプ１１の下の量子井戸活性層３（単に「活性層」ともいう）集中して発光し、発光した光が活性層３のリッジストライプ１１の幅に閉じ込められて発振し、半導体レーザ素子端面のリッジストライプ部分から発振光２１が、素子端面と垂直方向に放射される。
前記素子端面は、リッジストライプ１１の方向（共振器方向）と垂直の方向にへき開することにより形成されている。このへき開により、素子端面が反射鏡面となり、レーザ発振光共振器が形成される。
【０００４】
従来例１の半導体レーザ素子を、光ディスクのピックアップ用として用いる場合、対象物である光ディスクから反射した戻り光２２が発光面の近くに戻ることがある。半導体レーザ素子の素子端面全体はへき開により形成された鏡面であるため、戻り光はチップ端面で反射して再度光ディスク側に進み、ノイズとなるという問題点がある。この戻り光によるノイズを抑制するために、半導体レーザ素子の前に凸レンズ等の光学系を設けて、戻り光が発光面の近傍に入射しない技術が開発されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
しかし、上記従来例１の半導体レーザ素子では、戻り光が、ｎ−ＧａＡｓ基板１のチップ端面の鏡面部分で反射し、光ディスク方向へ反射し、ノイズが発生するという問題がある。
【０００５】
また、発光層の中心から５０μｍ以遠に戻り光が入射しても、対象物である光ディスクとは別方向に戻り光を反射させて、再度ピックアップに戻り光が入射しないようにする技術も開発されている。
図７は従来例２の半導体レーザ素子の断面図である。なお図番は図６と同じである。この半導体レーザ素子は、素子端面のｎ−ＧａＡｓ基板１の発光層中心から５０μｍ以遠のチップ端面に、ハーフダイシングにより粗面のダイシング溝を形成し、戻り光がこのダイシング溝で乱反射させて、戻り光の光ディスク方向への反射を防止している。
しかし、この半導体レーザ素子では、発光層中心から５０μｍの位置までダイシングを行っているため、この発光層近傍までへのダイシングによる発光層のダメージが懸念されるという問題、ダイシング部分の層厚が薄くダイシングダメージによりウエハが割れやすくなっているため、共振器端面形成の為のへき開前のウエハプロセスにおいて、ウエハが割れ易いという問題がある。
【０００６】
図８は従来例３の半導体レーザ素子のストライプ導波路方向断面図を示すものである。半導体レーザ素子の素子端面のｎ−ＧａＡｓ基板１側にハーフダイシングにより、発光層中心から５０μｍ以遠のチップ端面に、発光層成長面に対して垂直方向に傾斜を持つダイシング溝を形成する。前記ダイシング溝表面は鏡面であり、戻り光が来た場合でも、ダイシング溝表面で、戻り光を光ディスクとは別方向に反射させることにより、光ディスク方向への反射を防止することができる。前記鏡面のダイシング溝表面を形成するためには、ブレードのハーフダイシングの深さを徐々に深くしていき、徐々にｎ−ＧａＡｓ基板１を削っていく必要がある。
【０００７】
この半導体レーザ素子では、発光層中心から５０μｍの位置まで少しずつブレードのダイシング深さを深くしていくダイシング方法を採用していることから、従来例２よりもダイシングダメージが低減されている。しかし、戻り光のダイシング溝表面での反射光を、光ディスク方向から別方向にするためには、ダイシング溝表面と発光層成長面の角度を小さくする必要があり、ダイシング溝幅が大きくなり、ウエハ厚が薄い領域が多くなり、ウエハプロセスにおいてウエハが割れ易いという問題がある。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−１９６８１３号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２０８２９３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスク方向からの戻り光が光ディスク方向への反射光となって発生するノイズの防止対策を施した半導体レーザ素子およびそれを容易に作製する製造方法を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、第１導電型半導体基板の表面上に、少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層が順次積層された発光層と第２導電型コンタクト層を有し、該発光層内の発光層積層方向に沿った共振器方向にストライプ状導波路が形成されている半導体レーザ素子において、前記基板の裏面に、レーザ光出射端面から基板の水平方向に沿って一部除去され、段差が形成され、段差の底面が、発光層の中心から５０μｍ以下の位置にあり、かつ段差の側壁面が前記底面に対して略垂直でかつレーザ出射端面に対して角度βを有することを特徴とする半導体レーザ素子が提供される。
【００１１】
また本発明によれば、上記の半導体レーザ素子において、
（ａ）第１導電型半導体基板の裏面にドライエッチングマスクを形成する工程と
（ｂ）前記基板の裏面が、垂直異方性のドライエッチングにより、レーザ光出射端面から基板の水平方向に沿って一部除去され、段差が形成され、段差の底面が、発光層の中心から５０μｍ以下の位置にあり、かつ段差の側壁面が前記底面に対して略垂直でかつレーザ出射端面に対して角度βを有するように段差を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体レーザ素子は、発光層積層方向に沿った共振器方向にストライプ状導波路が形成されている半導体レーザ素子であり、基板の裏面に、レーザ光出射端面から基板の水平方向に沿って一部除去され、段差が形成され、段差の底面が、発光層の中心から５０μｍ以下の位置にあり、かつ段差の側壁面が前記底面に対して略垂直でかつレーザ出射端面に対して角度βを有することを特徴とする。Ａはドライエッチングにより形成された部分を示し、Ｂは発光層端面を示す。
上記の基板の裏面に形成される段差において、その側壁面が、その底面に対し略垂直とは、７０°以上９０°未満であることが好ましい。また段差の側壁面がレーザ光出射端面に対しての角度βとは、好ましくは０＜β＜９０°である。
【００１３】
この段差は、レーザ光出射端面の垂直方向に対し、三角状または波状の何れの形状を有してもよい。
そして三角状を例にとると、その三角状の頂点がストライプ状導波路の中心に存在するように形成するのが好ましい。波状のときはその波は２以上あってもよく、その波の１つの凸部の中心は、ストライプ状導波路直上の中心に存在するように形成するのが好ましい。
【００１４】
さらに、この段差は、１つのレーザ素子の裏面において少なくともレーザ光出射端面両側に設けることを必須とするが、反対端面側と左右対称に設けることができる。加えて段差の側壁面は、戻り光の乱反射を効果的にするために、粗面化されてもよい。
【００１５】
本発明の半導体レーザ素子の基本構成とその製造方法は、それ自体公知の技術を利用することができる。後述の実施例においては、第１導電型半導体基板として、ｎ−ＧａＡｓ基板、発光層として、ＡｌＧａＡｓ系を使用した赤色半導体レーザ素子について説明するが、これに特に限定されるものではない。
【００１６】
本発明の特徴とする段差の形成は、予め所定のパターンを有するドライエッチングマスクを基板の裏面に形成し、次いで垂直異方性のドライエッチングで行うことができる。ドライエッチングマスクの材質としては、エッチング速度の小さいもの、例えばＳｉＯ２膜を選択するのが望ましい。マスクのパターンは、上記の段差の形状が形成できるものである。
【００１７】
垂直異方性ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング法（プラズマスパッタ法の適用）や反応性イオンビームエッチング法（イオンビーム法の適用）等の物理的エッチングモードが高いものが利用できる。より詳しくは、大面積，高速エッチングを実現するために高密度，大口径，低圧力の高効率プラズマ源として、サイクロトロン共鳴利用のＥＣＲドライエッチング（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）や誘導結合利用のＩＣＰドライエッチング（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｐｌａｓｍａ）が望ましい。
【００１８】
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）とは、平行平板型リアクタにおいて半導体基板を搭載した下部電極に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して発生させた負の自己バイアス電圧により、反応性プラズマから生じたイオンを加速して被エッチング材に衝撃を与える方法である。
【００１９】
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）とは、イオンミリングに用いられている大口径のカウフマン型イオン源などに、ハロゲン原子を含む反応性ガスを導入して得られる反応性ガスを引き出し、加速し、そのビームをイオン源と離れた所にあるステージに衝撃してエッチングする方法である。特にＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）、ＩＣＰ（誘導結合）のような無電極型の開発により、平滑面エッチングが達成される。
【００２０】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２１】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１による半導体レーザ素子の斜視図（右の側面の積層構造は省略）である。ｎ−ＧａＡｓ基板１側を上向きとしている図を示す。図２は、この実施例１の半導体レーザ素子の上面図を示す。半導体レーザ素子の出射光２１、戻り光２２の説明図である。
この半導体レーザ素子の製造方法は、厚さ３００〜３５０μｍのｎ−ＧａＡｓ基板１の（１００）面上に、厚さ２．０μｍのｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２、量子井戸活性層３、厚さ０．３μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４ａ、厚さ１．２μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂがエピタキシャル成長され、発光層５を構成し、さらに、厚さ０．２μｍのｐ−ＧａＡｓキャップ層６がエピタキシャル成長され、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂ、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６がリッジストライプ型１１に形成され、上記ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂ両外側には、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層４ｂよりも低屈折率のｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層７ａ及びｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層７ｂが形成されており、さらにその上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層８が形成される。
【００２２】
上記のように各半導体層が成長されたウエハを、共振器端面作製及びチップ分割のためのへき開が容易な、厚さ１００μｍまで研磨する。
【００２３】
次にウエハのｎ−ＧａＡｓ基板１表面上に、ＳｉＯ２等の公知のドライエッチングマスク用誘電体膜を成膜し、公知のフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いて、リッジストライプ１１に対して角度を持つドライエッチングマスクを形成する。
【００２４】
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）や反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の物理的エッチングモードが強い垂直異方性ドライエッチングにより、ｎ−ＧａＡｓ基板１を垂直にエッチングし、発光層５の中心から厚さ５０μｍを残してエッチングを行い、図１と図２に示すようなドライエッチング溝（段差）を形成する。この段差はαが１００°（図示鈍角側角度１００°、ドライエッチング溝側面と基板表面の鋭角側角度は８０°）、βが３０°であった。ｎ−ＧａＡｓ基板１表面にｎ型電極９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８表面にｐ型電極１０を形成した後、ドライエッチング溝内中央をへき開し、共振器反射鏡面となる発光層１５のチップ端面を形成し、リッジストライプ１１と平行にチップ分割を行い、半導体レーザ素子チップを形成する（ドライエッチングの条件（ＩＣＰドライエッチングの場合）：  ガス種類ＳｉＣｌ４、圧力０．０５Ｐａ、基板側電力３０Ｗ、
コイル電力８００Ｗ）。
【００２５】
本発明の半導体レーザ素子は、図１の斜視図、図２の上面図で示されるように、エピタキシャル成長された半導体層部分の発光層５のチップ端面は、へき開により切断されているため、鏡面に形成されており、発光層５から５０μｍ以上離れたｎ−ＧａＡｓ基板１の部分はドライエッチングにより、へき開チップ端面に対して、水平面内で角度βを有するため、この半導体レーザ素子チップを用いた場合、発光層５で発振したレーザ光２１は鏡面状態のチップ端面に垂直に進み、光ディスクにより反射してきた戻り光２２がきても、ドライエッチング溝の部分にあたり、水平方向に反射するため、光ディスク方向に反射することなく、ノイズとなることがない。
【００２６】
（実施例２）
図３は、本発明の実施例２の半導体レーザ素子の上面図であり、半導体レーザ素子の出射光２１、反射光２２の説明図である。この半導体レーザ素子の製造方法は、実施例１と同様の工程であり、ウエハを厚さ１００μｍまで研磨、誘電体膜成膜後、異なる点として、リッジストライプ１１に対して角度を持つドライエッチングマスクを形成にあたって、１チップ内のチップ端面部での凹凸を２個以上設ける部分が異なっている。
【００２７】
チップ化後、本発明の半導体レーザ素子は、図３の上面図で示されるように、エピタキシャル成長された半導体層部分の発光層５のチップ端面は、へき開により切断されているため、鏡面に形成されており、発光層５から５０μｍ以上離れたｎ−ＧａＡｓ基板１の部分はドライエッチング（ドライエッチングの条件（ＩＣＰドライエッチングの場合）：  ガス種類ＳｉＣｌ４、圧力０．０５Ｐａ、基板側電力３０Ｗ、コイル電力８００Ｗ）により、へき開チップ端面に対して、水平面内で角度βを有するため、この半導体レーザ素子チップを用いた場合、発光層５で発振したレーザ光２１は鏡面状態のチップ端面に垂直に進み、光ディスクにより反射してきた戻り光２２がきても、ドライエッチング溝の部分にあたり、水平方向に反射するため、光ディスク方向に反射することなく、ノイズとなることがない。
【００２８】
また、当実施例２では、実施例１よりもドライエッチング溝の斜面数が多いため、同一の斜面角度（同一の戻り光反射角度）であっても、斜面領域の幅を小さくすることができ、ウエハ割れを低減し、ウエハ歩留りを向上させる。
【００２９】
（実施例３）
図４は本発明の実施例３の上面図であり、半導体レーザ素子の出射光２１、反射光２２の説明図である。この半導体レーザ素子の製造方法は、実施例１と同様の工程であり、ウエハを厚さ１００μｍまで研磨、誘電体膜成膜後、異なる点として、リッジストライプ１１に対して角度を持つドライエッチングマスクを形成にあたって、ドライエッチング用マスクパターンの縁に細かな凹凸を設け、ドライエッチング面の斜面を粗面とする。
【００３０】
チップ化後、本発明の半導体レーザ素子は、図４の上面図で示されるように、エピタキシャル成長された半導体層部分の発光層５のチップ端面は、へき開により切断されているため、鏡面に形成されており、発光層５から５０μｍ以上離れたｎ−ＧａＡｓ基板１の部分はドライエッチングにより、へき開チップ端面に対して、水平面内で角度βを有し、またドライエッチング面が粗面であるため、この半導体レーザ素子チップを用いた場合、発光層５で発振したレーザ光２１は鏡面状態のチップ端面に垂直に進み、光ディスクにより反射してきた戻り光２２がきても、ドライエッチング溝の部分にあたり、水平方向に角度を持ち反射するため、光ディスク方向に反射することがない、また、ドライエッチング面が粗面であることから、戻り光は乱反射するため、信号光への戻り光干渉をさらに低減することができ、ノイズとなることがない。
【００３１】
（実施例４）
図５は本発明の実施例４の半導体レーザ素子の上面図であり、半導体レーザ素子の出射光２１、反射光２２の説明図である。この半導体レーザ素子の製造方法は、実施例１と同様の工程であり、ウエハを厚さ１００μｍまで研磨、誘電体膜成膜後、異なる点として、リッジストライプ１１に対して角度を持つドライエッチングマスクを形成にあたって、ドライエッチング溝を、戻り光が反射するリッジストライプ１１の上にだけ設け、これ以外の領域には、ドライエッチング溝を設けない。
【００３２】
チップ化後、本発明の半導体レーザ素子は、図５の上面図で示されるように、エピタキシャル成長された半導体層部分の発光層５のチップ端面は、へき開により切断されているため、鏡面に形成されており、発光層５から５０μｍ以上離れたｎ−ＧａＡｓ基板１の部分はドライエッチング（ドライエッチングの条件（ＩＣＰドライエッチングの場合）：  ガス種類ＳｉＣｌ４、圧力０．０５Ｐａ、基板側電力３０Ｗ、コイル電力８００Ｗ）により、へき開チップ端面に対して、水平面内で角度βを有している。この半導体レーザ素子チップを用いた場合、発光層５で発振したレーザ光２１は鏡面状態のチップ端面に垂直に進み、光ディスクにより反射してきた戻り光２２がきても、ドライエッチング溝の部分にあたり、水平方向に角度を持ち反射するため、光ディスク方向に反射することがない、また、ドライエッチング溝はリッジストライプ１１の上にだけ設けれらているため、ドライエッチング溝によるウエハ薄層部分は少なく、ウエハ割れを低減し、ウエハ歩留りを向上させる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明では、半導体レーザ素子の基板側に発光層端面と角度βを有するドライエッチング面を形成している。そのため光ディスクのピックアップ用光源として用いる場合、光ディスクにより反射した戻り光が、前記ドライエッチング面で他の方向へ反射することから、本来の信号光へ前記戻り光が入ることがなく、ノイズが発生しない。
【００３４】
さらに前記ドライエッチング面は垂直異方性のドライエッチングで形成されているため、ドライエッチング面幅を狭くすることができ、ウエハ薄層領域を小さくすることができるため、ウエハ割れを低減し、ウエハ歩留りを向上させることができる。
【００３５】
さらに本発明では戻り光の光ディスク方向への反射防止加工として、ドライエッチングを使用することにより、ダイシングと比較して、発光層領域の低ダメージ、及び戻り光が反射する領域に限定した面形成が可能となっている。そのため面形成領域限定により、よりウエハ割れ低減、ウエハ歩留りを向上させることができる。
【００３６】
本発明では、半導体レーザ素子の基板側に発光層端面と角度βを有するドライエッチング面を形成している。そのため光ディスクのピックアップ用光源として本発明の素子を用いる場合、光ディスクにより反射した戻り光が、前記ドライエッチング面で他の方向へ反射することから、前記戻り光が、本来の信号光へ入ることが無く、ノイズが発生しない。
【００３７】
さらに前記ドライエッチング面は垂直異方性のドライエッチングで形成されているため、ドライエッチング面幅を狭くすることができ、ウエハ薄層領域を小さくすることができるため、ウエハ割れを低減し、ウエハ歩留りを向上させることができる。
【００３８】
さらに本発明では戻り光の光ディスク方向への反射防止加工として、ドライエッチングを使用することにより、ダイシングと比較して、発光層領域の低ダメージ、及び戻り光が反射する領域に限定した面形成が可能となっており、面形成領域限定により、よりウエハ割れ低減、ウエハ歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ素子の斜視図である（実施例１）。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の上面図である（実施例１）。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の上面図である（実施例２）。
【図４】本発明の半導体レーザ素子の上面図である（実施例３）。
【図５】本発明の半導体レーザ素子の上面図である（実施例４）。
【図６】従来例の半導体レーザ素子の斜視図である（従来例１）。
【図７】従来例の半導体レーザ素子のストライプ導波路方向断面図である（従来例２）。
【図８】従来例の半導体レーザ素子のストライプ導波路方向断面図である（従来例３）。
【符号の説明】
１    ｎ−ＧａＡｓ基板（第１導電型半導体基）
２    ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
３    量子井戸活性層（発光層中心）
４ａ  ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
４ｂ  ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層
５    発光層
６    ｐ−ＧａＡｓキャップ層
７    ｎ型電流ブロック層
７ａ  ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層
７ｂ  ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層
８    ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
９    Ｎ型電極
１０  Ｐ型電極
１１  リッジストライプ
２１  発振光
２２  戻り光
Ａ    ドライエッチングにより形成された部分
Ｂ    発光層端面
β    ドライエッチングにより形成された部分Ａと発光層端面Ｂのなす角
【図１】
2005005454.tif 000003
【図２】
2005005454.tif 000004
【図３】
2005005454.tif 000005
【図４】
2005005454.tif 000006
【図５】
2005005454.tif 000007
【図６】
2005005454.tif 000008
【図７】
2005005454.tif 000009
【図８】
2005005454.tif 000010