(57)【要約】【課題】円形電極を有するインプレーンスイッチング方式液晶表示装置に関する。【解決手段】インプレーンスイッチング方式液晶表示装置は、第１基板上に縦横に配列されて複数のサブ画素領域を含む単位画素を定義するゲートライン及びデータラインと、前記サブ画素領域に閉曲面形状に交代に形成されて第１領域を定義し、前記第１領域内に横電界を発生させる共通電極及び画素電極と、前記画素領域の外郭部に互いに重畳されるように配置されて前記共通電極及び画素電極と第２領域を定義し、前記共通電極及び画素電極と接続されて前記第２領域に横電界を発生させる少なくとも１対の共通ライン及び画素電極ラインと、第２基板上に形成されたカラーフィルタ層と、前記第１及び第２基板間に形成された液晶層と、を含む。【選択図】  図６
2005346056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に縦横に配列されて複数のサブ画素領域を含む単位画素を定義するゲートライン及びデータラインと、
前記サブ画素領域に閉曲面形状に交互に形成されて第１領域を定義し、前記第１領域内に横電界を発生させる共通電極及び画素電極と、
前記画素領域の外郭部に互いに重畳されるように配置されて前記共通電極及び画素電極と第２領域を定義し、前記共通電極及び画素電極とに接続されて前記第２領域に横電界を発生させる少なくとも１対の共通ライン及び画素電極ラインと、
第２基板上に形成されたカラーフィルタ層と、
前記第１及び第２基板間に形成された液晶層と、
を含むことを特徴とするインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素領域内のデータラインに平行に隣接した２つのサブ画素領域で、共通電極及び画素電極が交互に前記サブ画素領域の最外郭に位置することを特徴とする請求項１に記載のインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項３】
前記サブ画素領域の最外郭に共通電極が位置し、前記サブ画素領域内で共通ラインより画素電極ラインが前記共通電極に近接することを特徴とする請求項１に記載のインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項４】
データライン方向に隣接したサブ画素領域間の境界に沿って直線状に配置されて画素電極ラインと電気的に連結された少なくとも１つの第１補助電極をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項５】
第１基板と第２基板との間に液晶層が配置されているインプレーンスイッチング方式液晶表示装置において、
該第１基板上にマトリックス状に配列された単位画素を定義するゲートラインとデータライン、
該単位画素を、各々が閉曲面形状の複数のサブ画素領域に分割している第１の電位が与えられる第１の電極（２１１ｂ）、
該サブ画素領域の閉曲面形状内に配置され、第１の電位が与えられる第２の電極（２１１ａ）、
該第１と第２の電極を連結する第１連結ライン（２１１’）、
該サブ画素領域において、該第１と第２の電極の間に配置され、第２の電位が与えられるリング状の第３の電極（２１９）、及び
該第３の電極に該第２の電位を与えるため第２連結ライン（２１９’）とからなり、
該サブ画素領域の各々において、該第１と第２の電位が与えられたとき、該第１と第３電極と該第２電極間で、該サブ画素領域の閉曲面形状の中心から放射状の横方向電界が生成されるよう、該第１、第２及び第３電極は構成されているインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置において、第１と第２の電極及び第１連結ラインは、該第１の基板上で、該第３の電極と第２連結ラインとは絶縁層（２１３）を介して異なる層レベルに形成されており、
該第１連結ライン（２１１’）と該第２連結ライン（２１９’）とは重なる位置に形成されているインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項７】
請求項５に記載の装置において、該第１と第２の電極は共通電極であり、該第３の電極は画素電極であり、該第２の電極は該サブ画素領域の閉曲面形状の中心に形成され、該第１の電極はリング状の該第３の電極の周囲を囲んでいるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項８】
請求項５又は７に記載の装置において、
該第１の電極はリング状の電極(３１１ｂ)であり、
該単位画素領域の周辺に形成され、該第２の電位が与えられる第４の電極（３２０）を含み、
該単位画素領域において、該第１と第２の電位が与えられたとき、該第１の電極（３１１ｂ）と該第４の電極(３２０)間にも横方向の電界が生成されるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置において、該単位画素内において該リング状の第１の電極と隣接するリング状の第１の電極の間に、該第４の電極（４２０）から延在する補助電極（４２５ａ）が形成されているインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置において、該データラインの延在する方向に、該単位画素内で複数のサブ画素領域が形成されており、該補助電極は隣接するサブ画素領域間で該ゲートラインに平行に配置されているインプレーンスイッチング方式液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円形電極を有するインプレーンスイッチング方式液晶表示装置に関し、特に、横電界を印加する一対の電極配置構造を閉曲面形状に変換させることで、全方位の広視野角を確保すると共に、色変換の問題を解決するインプレーンスイッチング方式液晶表示装置に関する。また、横電界を印加する円形電極の外郭部にも横電界が形成されるように画素内に三角形状の光透過領域を形成して液晶の駆動を誘発することによって、開口率及び液晶モード効率を向上させる円形電極インプレーンスイッチング方式(In-Plane Swithching)液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の発展と共に、表示装置に対する多様な要求が増加しつつあり、ＬＣＤ(液晶表示装置)、ＰＤＰ(プラズマ表示パネル)、ＥＬＤ(ＥＬ表示装置)、ＦＥＤ(電界放出表示装置)、ＶＦＤ(真空蛍光表示装置)などの平板表示装置に対する研究が活発に進行されている。その中、高画質の実現、量産化技術、駆動手段の容易性、軽量、薄型及び低消費電力などの理由で液晶表示装置(ＬＣＤ)が最も注目を集めている。
【０００３】
この液晶表示装置は、画像を表現する液晶パネルと、前記液晶パネルに駆動信号を印加するための駆動部と、に区分され、前記液晶パネルは、第１及び第２基板と、前記第１基板と第２基板間に注入される液晶層とから構成される。
【０００４】
前記液晶表示装置は、細長い液晶分子の配列によって多様な表示モードが存在し、その中、白黒表示が容易で、応答速度が速くて、駆動電圧が低いという長所を有するＴＮ(Twisted Nematic)モード液晶表示装置が主に使用されている。しかしながら、ＴＮ方式では、上下にかかる電場により液晶分子が垂直に配向されるため、液晶分子の屈折率異方性により視野角特性が劣化するという短所がある。従って、この短所を克服するために、新しい技術、即ち、インプレーンスイッチング方式液晶表示装置が提案されている。
【０００５】
このインプレーンスイッチング方式液晶表示装置は、電圧の印加時、平面上に横電界を形成して液晶分子を平面上に配向することによって、既存のＴＮモード液晶表示装置に比べて、広視野角特性を確保する液晶表示装置である。
【０００６】
図９は、従来技術によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の単位画素の平面図で、図１０は、図９のＡ−Ａ’線の断面図である。図示されたように、インプレーンスイッチング方式液晶表示装置は、第１基板１０３の上に配列されて画素領域を定義するデータライン１００及びゲートライン１０１と、ゲートライン１０１とデータライン１００の交差点に配置された薄膜トランジスタＴと、前記画素内にデータライン１００と略平行に配列された画素電極１１９及び共通電極１１１と、から構成される。
【０００７】
薄膜トランジスタＴは、第１基板１０３の上に形成されて前記ゲートライン１０１と接続されるゲート電極１１０と、前記ゲート電極１１０の上に積層されたＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどの物質からなるゲート絶縁膜１１３と、前記ゲート絶縁膜１１３の上に形成された半導体層１１５と、前記半導体層１１５の上に形成されたオーム接触層１１６と、前記オーム接触層１１６の上に形成されてデータライン１００と画素電極１１９にそれぞれ接続されるソース電極１１７及びドレイン電極１１８と、から構成される。
【０００８】
画素内の共通電極１１１は、第１基板１０３の上に形成されて共通ライン１０５に接続され、画素電極１１９は、ゲート絶縁膜１１３上に形成されて薄膜トランジスタＴのドレイン電極１１８に接続される。
【０００９】
薄膜トランジスタＴ、画素電極１１９及びゲート絶縁膜１１３の上には、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどの物質からなる保護膜１２０が基板全体に積層され、その上に、第１配向膜(図示せず)が塗布されて液晶層の配向方向が決定される。液晶分子１０２は、電圧無印加時、共通電極１１１と画素電極１１９間でラビング方向に配向される。
【００１０】
また、第１基板１０３と対応する第２基板１０４の上には光の漏れを防止する遮光層１０６と、Ｒ、Ｇ及びＢのカラーフィルタ装置からなるカラーフィルタ層１０７と、オーバーコート層１０８とが順に積層されている。
【００１１】
前記インプレーンスイッチング方式は、液晶表示装置を正面から見た時、上下左右に約７０゜方向から可視であるため、既存のＴＮ方式に比べて広視野角が確保でき、前記第１ドメインと第２ドメインで色変換が互いに補償されるため、色変換が発生しない。
【００１２】
しかしながら、前述したようなインプレーンスイッチング方式液晶表示装置は、視野角特性の向上に限界があり、実質的に、前記２つのドメインインのプレーンスイッチング方式液晶表示装置をＣＲＴ(Cathod Ray Tube)に比べると、視野角特性及び及び色変換に多くの問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前述したような従来技術の問題点を解決するために提案されたもので、本発明の目的は、インプレーンスイッチング方式液晶表示装置の第１基板上の画素領域内に横電界を印加する複数の共通電極及び画素電極を閉曲面形状に所定間隔を置いて交代に形成することで、全方位からの視野角特性を向上させることにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、前記共通電極及び画素電極の内部だけでなく、外郭部にも液晶駆動領域を形成することで液晶表示装置の開口率及び輝度を向上させ、前記液晶駆動領域上に共通電極及び画素電極の補助電極を形成することで液晶モードの効率を最大化することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような目的を達成するために本発明によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置は、第１基板上に形成されてゲートラインに接続されるゲート電極と、前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたオーム接触層と、前記オーム接触層上に形成されてデータラインと画素電極にそれぞれ接続されるソース電極及びドレイン電極と、前記画素領域に横電界を発生させ、閉曲面形状を有する少なくとも１対の共通電極及び画素電極と、少なくとも２つ以上の共通電極を電気的に連結する共通電極連結ラインと、少なくとも２つ以上の画素電極を電気的に連結する画素電極連結ラインと、から構成され、前記閉曲面形状の共通電極及び画素電極とこれに対向する画素電極連結ライン及び共通ラインとの間の領域に補助電極を追加に含むことができる。また、前記第１基板と対応する第２基板上には、薄膜トランジスタ、ゲートライン、データライン及び共通ラインの近くから光が漏れることを防止する遮光層を形成し、その上に、カラーフィルタ層、オーバーコート層を順次に形成する。ここで、前記カラーフィルタ層は、前記共通電極及び画素電極の形状によって複数のＲ、Ｇ及びＢのカラーフィルタ装置から形成される。次に、基板全体に第２配向膜を形成した後、前記２つの基板間に液晶層を形成する。
【００１６】
本発明の他の側面では、第１基板と第２基板との間に液晶層が配置されているインプレーンスイッチング方式液晶表示装置において、該第１基板上にマトリックス状に配列された単位画素を定義するゲートラインとデータライン、該単位画素を、各々が閉曲面形状の複数のサブ画素領域に分割している第１の電位が与えられる第１の電極（２１１ｂ）、該サブ画素領域の閉曲面形状内に配置され、第１の電位が与えられる第２の電極（２１１ａ）、該第１と第２の電極を連結する第１連結ライン（２１１’）、該サブ画素領域において、該第１と第２の電極の間に配置され、第２の電位が与えられるリング状の第３の電極（２１９）、及び該第３の電極に該第２の電位を与えるため第２連結ライン（２１９’）とからなり、該サブ画素領域の各々において、該第１と第２の電位が与えられたとき、該第１と第３電極と該第２電極間で、該サブ画素領域の閉曲面形状の中心から放射状の横方向電界が生成されるよう、該第１、第２及び第３電極は構成されている。
【００１７】
第１と第２の電極及び第１連結ラインは、該第１の基板上で、該第３の電極と第２連結ラインとは絶縁層（２１３）を介して異なる層レベルに形成されており、該第１連結ライン（２１１’）と該第２連結ライン（２１９’）とは重なる位置に形成されている。
【００１８】
第１と第２の電極は共通電極であり、該第３の電極は画素電極であり、該第２の電極は該サブ画素領域の閉曲面形状の中心に形成され、該第１の電極はリング状の該第３の電極の周囲を囲んでいる。
【００１９】
第１の電極はリング状の電極(３１１ｂ)であり、該単位画素領域の周辺に形成され、該第２の電位が与えられる第４の電極（３２０）を含み、該単位画素領域において、該第１と第２の電位が与えられたとき、該第１の電極（３１１ｂ）と該第４の電極(３２０)間にも横方向の電界が生成される。
【００２０】
単位画素内において該リング状の第１の電極と隣接するリング状の第１の電極の間に、該第４の電極（４２０）から延在する補助電極（４２５ａ）が形成されている。
【００２１】
データラインの延在する方向に、該単位画素内で複数のサブ画素領域が形成されており、該補助電極は隣接するサブ画素領域間で該ゲートラインに平行に配置されている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による円形電極インプレーンスイッチング方式液晶表示装置の画素は、少なくとも１つ以上のサブ画素が一群をなして形成され、前記サブ画素は、閉曲面形状に交代に配置されて横電界を発生させる少なくとも１つ以上の共通電極及び画素電極から構成される。従って、前記閉曲面形状によって全方位への電界が形成され、色変換が補償されることで、視野角特性が向上する。また、閉曲面形状の共通電極及び画素電極と画素電極ライン及び共通ライン間にも横電界が発生してサブ画素の外郭部でも液晶が駆動され、これによって、液晶モード効率が向上し、開口率が増加する。さらに、前記サブ画素の外郭部に直線状または三角形状の補助電極を形成することによって液晶モードの効率を増加させ、結果的に、前記円形電極インプレーンスイッチング方式液晶表示装置の光効率を最大化するという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の望ましい実施形態に対して図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置を示す平面図で、図示されたように、少なくとも１つ以上のサブ画素が一群をなして１つの画素として定義される。本発明では、第１基板２０３の上に共通電極２１１ａ、ｂ及び画素電極２１９が閉曲面形状に所定間隔を置いて配置されて横電界を発生する第１領域を形成する。即ち、サブ画素領域の中央に円状の共通電極２１１ａが配置され、画素電極２１９が共通電極２１１ａの外郭に所定間隔に離隔して閉曲面のリング状に配置される。また、画素電極２１９から所定間隔に離隔した最外郭部にさらに共通電極２１１bが曲率を有する形態に形成される。この例では、共通電極２１１ｂが複数のサブ画素領域に単位画素を分割している。共通電極２１１a,b及び画素電極２１９は、それぞれ共通電極連結ライン２１１’及び画素電極連結ライン２１９’を通じて電気的に連結され、ここで、共通電極連結ライン２１１’と画素電極連結ライン２１９’は、図示されたように、データライン２００と平行に形成され、一部区間で重畳される。
【００２５】
データライン２００は、ゲートライン２０１と交差して配置されて画素領域を定義し、金属層のソース電極２１７は、データライン２００から分離されて隣接するゲートライン２０１と重畳され、半導体層２１５がソース電極２１７とゲートライン２０１、即ち、ゲート電極(図示せず)との間に配置される。また、ゲートライン２０１の上にドレイン電極２１８が配置されてソース電極２１７と対向される。
【００２６】
図２は、図１のＢ−Ｂ’線の断面図である。図２を参照すると、本発明の共通電極２１１及び画素電極２１９が第１基板２０３の上に所定間隔を置いて交代に配置されることが分かる。液晶表示装置の駆動装置である薄膜トランジスタは、ゲートライン２０１の一部であるゲート電極２１０と、ゲート電極２１０の上に積層されたゲート絶縁膜２１３と、ゲート絶縁膜２１３の上に形成された半導体層２１５と、半導体層２１５の上に形成されたオーム接触層２１６と、オーム接触層２１６の上に形成されてデータライン２００に接続されるソース電極２１７及びドレイン電極２１８と、から構成され、画素電極ライン２２０は、コンタクトホール２２１を通じてドレイン電極２１８に接続され、第１基板２０３の全面に保護膜２３０が形成される。
【００２７】
一方、第１基板２０３の上に閉曲面形状に形成された共通電極２１１a,b及び画素電極２１９は、図１に示すように、交代に配置され、サブ画素の円形電極の内部、即ち、第１領域で横電界を発生させる。画素電極ライン２２０及び共通ライン２０５は、ゲート絶縁膜２１３を挟んで重畳されてストレージキャパシタ(Storage Capacity)を形成し、ここで、画素電極ライン２２０は画素電極２１９に接続され、共通ライン２０５は円形電極の最外郭共通電極２１１の一部として形成される。
【００２８】
電圧が印加されると、共通電極２１１と画素電極２１９間に横電界が発生し、液晶分子２０２が電界の方向に沿って配置される。図示されたように、電極に電圧が印加されない場合は、図面の点線表示のようにラビング方向(図１のＲ方向)に沿って液晶分子２０２が配向され、逆に、電圧が印加される場合は、図面の実線表示のように液晶分子２０２が配向される。ここで、前記ラビング方向は、データライン２００と平行した方向である。
【００２９】
この構造では、液晶分子２０２を挟んで横電界を印加する２つの電極が中央の電極を中心に閉曲面形状に形成されることで、液晶分子２０２がどの位置でも電極に垂直した電界に沿って配列されるので、優れた視野角特性を得ることができる。即ち、画素電極２１９と共通電極２１１間に形成された横電界が液晶分子２０２を図示されたように配列させるので、各画素領域における対角方向の色変換を補償し、よって、一般のインプレーンスイッチング方式液晶表示装置で現れる方位角±４５゜における色反転がほとんど完壁に解決される。
【００３０】
しかしながら、前述したような構造のインプレーンスイッチング方式液晶表示装置は、サブ画素の最外郭に位置した不透明共通電極２１１a,bが占める占有面積により開口率が低下し、輝度が減少するという短所がある。また、共通電極２１１a,bが透明電極で形成される場合も、共通電極２１１a,bの上部では実質的に液晶駆動の制御が不可能なので、前記最外郭の共通電極２１１a,bが曲率を有する面と一側の画素電極ライン２２０間に略三角形状の光遮断領域部が発生する。
【００３１】
従って、本発明の第２実施形態は、特に、このような問題を解決し、開口率を最大化できるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置を提供する。本実施形態の構成は、第１実施形態と類似しているので、相違点のみを説明する。
【００３２】
本実施形態では、図１で最外郭に位置した共通電極２１１bを図３のように曲率を有するリング状の共通電極３１１bで形成することで、前記第１実施形態で現れた三角形状の光遮断領域部を除去する。言い換えると、共通電極３１１a,bの生成段階で、金属層の共通電極３１１bと共通ライン３０５間に略三角形の光透過領域が追加に発生するように金属層をパターニングして追加の横電界を発生させる第２領域を形成する。
【００３３】
従って、共通電極３１１bと画素電極ライン３２０に電圧が印加される場合、前記追加された光透過領域に横電界が発生することで、図示されたように、液晶分子３０２ａが前記共通電極３１１bと画素電極ライン３２０間の電界によって配向され、結果的に、開口率及び輝度が向上する。
【００３４】
一方、図示されていないが、本実施形態の他の構成として、サブ画素の最外郭に位置する電極を全て曲率を有する輪状の画素電極で形成することもある。この場合、前記サブ画素内で共通ラインが画素電極ラインより前記最外郭の画素電極に近接するように形成されることができる。
【００３５】
図７及び図８には、それぞれ本発明の第１実施形態による輝度イメージと第２実施形態による輝度イメージを示す。本発明の第２実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の開口率は、第１実施形態に比べると、第１実施形態の約３５％より１０％が向上した４５％であり、その輝度は、３００nitより４０nitが向上した３４０nitである(バックライト(B/L)：７８００nit、カラーフィルタ透過率：２６％、偏光板透過率：３８％基準)。
【００３６】
しかしながら、前述したように、単純に液晶分子３０２ａ、３０２ｂの駆動領域、即ち、光透過領域のみを拡張すると、前記光透過領域の一縁部で垂直に隣接した２つのサブ画素のそれぞれの最外郭の共通電極３１１が互いに鋭角で対向するようになって液晶分子３０２ｂの配向が反転される回位(Discliantion)現象が発生する。言い換えると、前述した構造のみでは、液晶モードの効率の向上に限界がある。従って、本発明の第３実施形態では、前記第２実施形態の画素構造に補助電極を追加することによって液晶モードの効率を向上させる。
【００３７】
図４は、本発明の第３実施形態を示す図で、本実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の構造は、第２実施形態の液晶表示装置構造と類似しているので、同一の構成に対しては説明を省略して、相異部分に対するのみ説明する。図示されたように、画素の第２領域には、垂直に隣接した２つのサブ画素の境界地点からゲートライン４０１に平行してデータライン４００に垂直した方向に、画素電極ライン４２０に至る地点まで第１補助電極４２５ａが形成される。即ち、略三角形の第２領域に、図４に示すように、直線の第１補助電極４２５ａが形成され、該第１補助電極４２５ａは、各サブ画素の最外郭に位置した共通電極と反対の極性を有する画素電極ライン４２０から直線状に突出して形成される。
【００３８】
図４の領域Ｃを見ると、データライン４００の延長方向に隣接した２つのサブ画素のうち、上部のサブ画素に位置した最外郭の共通電極４１１ａと共通電極４１１ａに約４５゜の角度で接する第１補助電極４２５ａ及び画素電極ライン４２０ａ間に平均に−４５°の方向を有する横電界が形成され、液晶分子４０２ａが前記電界の方向に沿って１つのドメインをなして配向される。また、下部のサブ画素に位置した最外郭の共通電極４１１ｂと共通電極４１１ｂに約４５゜の角度で接する第１補助電極４２５ａと画素電極ライン４２０ｂ間にも同様に＋４５°の方向に配向されるまた１つの液晶ドメインが形成される。ここで、前記２つのドメインは、ゲートライン４０１と平行した方向を基準に対称になり、このような現象は、全体の液晶表示装置に同様に現れ、結果的に、液晶のモード効率を向上させる。
【００３９】
実質的に、前述したように液晶が配向される構造では、サブ画素の最外郭に位置した共通電極４１１と第１補助電極４２５ａ及び画素電極ライン４２０により発生する横電界が、ゲートライン４０１と平行方向へのラビング、即ち、液晶分子の横配向(図示せず)も可能にする。言い換えると、この領域で電極に電圧が印加されていないときはゲートラインと平行に横配向される液晶分子が、電極に電圧が印加されることにより、±４５°の角度での電界に沿って配向されるので、画面表示が可能になる。実際に、電圧が印加されていない場合、液晶分子が横配向されると、最外郭の共通電極４１１と画素電極ライン４２０間の残留電圧による液晶分子のねじれ現象がないため、白黒モード時にも光漏れ現象のような不良が発生しない。
【００４０】
図５は、本発明の第４実施形態を示す平面図で、本実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置では、隣接するサブ画素の最外郭の電極位置に共通電極５１１bと画素電極５１９bが交代に配置される。即ち、垂直または水平に隣接する２つのサブ画素で共通電極５１１a及び画素電極５１９aがサブ画素の中央に交代に配置され、これによって、中央の共通電極５１１a−中間の画素電極５１９−最外郭の共通電極５１１bの構造と、中央の画素電極５１９a−中間の共通電極５１１−最外郭の画素電極５１９bの構造を有するサブ画素が画素内で反復配置される。結果的に、隣接するサブ画素内の最外郭に位置した電極間の極性が逆極性になる。
【００４１】
従って、最外郭に共通電極５１１bが位置するサブ画素領域の周りには共通電極５１１bと反対の極性を有する画素電極ライン５２０を対向させることで横電界を発生させ、最外郭に画素電極５１９aが位置するサブ画素領域の周りには画素電極５１９aと反対の極性を有する共通ライン５０５を前記最外郭の画素電極と対向させる。即ち、画素電極ライン５２０と共通ライン５０５を交代にサブ画素の外郭部に近接配置させることで液晶モードの効率を向上させる。
【００４２】
また、本実施形態では、前述したように、サブ画素の最外郭に共通電極５１１b及び画素電極５１９bが交代に配置されるので、画素電極ライン５２０で構成された第１補助電極５２５ａ以外に共通ライン５０５で構成される第２補助電極５２５ｂを設置する。第１補助電極５２５ａ及び第２補助電極５２５ｂは、それぞれ画素電極ライン５２０及び共通ライン５０５が接する地点で直線状に突出されて形成される。
【００４３】
図６は、本発明の第５実施形態を示す平面図で、図示されたように、本実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の第３補助電極６２５ａ及び第４補助電極６２５ｂの構造は三角形状である。本実施形態の第３補助電極６２５ａ及び第４補助電極６２５ｂは、第４実施形態の直線状の第１補助電極５２５ａ及び第２補助電極５２５ｂに比べて画素内の占有面積が小さいため、液晶表示装置の透過率が向上する。また、前記サブ画素の最外郭の電極と一側の画素電極ライン６２０及び共通ライン６０５によって形成される液晶駆動領域で最外郭の共通電極６１１bと第３補助電極６２５ａ間の距離及び最外郭の画素電極６１９bと第４補助電極６２５ｂ間の距離がそれぞれほぼ一定に保持されるため、サブ画素領域外郭部の液晶モード効率が増加する。このような第３補助電極６２５ａ及び第４補助電極６２５ｂの形成は、前述したように、最外郭の共通電極６１１b及び第３補助電極６２５ａと最外郭の画素電極６１９b及び第４補助電極６２５ｂ間に横電界を発生させて±４５°角度の液晶配向を誘導することによって、クロストーク及びフリッカーに有利な液晶の横配向も可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’線の断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の平面図である。
【図４】本発明の第３実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の平面図である。
【図５】本発明の第４実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の平面図である。
【図６】本発明の第５実施形態によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による画素の輝度を示すイメージである。
【図８】本発明の第２実施形態による画素の輝度を示すイメージである。
【図９】従来技術によるインプレーンスイッチング方式液晶表示装置の平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図１０】
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【図７】
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【図８】
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