(57)【要約】 【課題】  下部基板の製造工程の数の増加を抑え、収率を向上させる。【解決手段】下部基板は画像を表示する画素部及び画素部を駆動する回路部を具備する。回路部は、第１信号電極、第１信号電極を露出させる第１絶縁膜を具備する。第１絶縁膜上には、第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極が具備される。また、第１及び第２信号電極は、コンタクトホールが形成された第２絶縁膜によって共に露出され、導電膜は、第２絶縁膜上に具備され、第１信号電極と第２信号電極を電気的に連結する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部内に配置された第１信号電極と、
前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜と、
前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極と、
前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２信号電極を露出させるコンタクトホールが形成された第２絶縁膜と、
前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜と、を含む下部基板。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、前記第１信号電極の一部を露出させ、前記第２絶縁膜は、前記第１及び第２信号電極の一部を露出させることを特徴とする請求項１記載の下部基板。
【請求項３】
前記導電膜は、
透明性導電物質で形成された透過電極と、
前記透過電極上に具備され、反射物質で形成された反射電極と、を含むことを特徴とする請求項１記載の下部基板。
【請求項４】
前記反射電極は、前記透過電極に対応されることを特徴とする請求項３記載の下部基板。
【請求項５】
前記導電膜の一部は、前記コンタクトホールが形成された領域内に位置することを特徴とする請求項１記載の下部基板。
【請求項６】
前記導電膜の端部は、前記第２絶縁膜の上部に部分的に延び、前記コンタクトホールを通じて露出された前記第１及び第２信号電極をカバーすることを特徴とする請求項５記載の下部基板。
【請求項７】
前記コンタクトホールは、前記導電膜に対応することを特徴とする請求項１記載の下部基板。
【請求項８】
前記下部基板は、
画素部内に配置されたゲートラインと、
前記画素部内に配置されたデータラインと、
前記画素部内に配置され、前記ゲートラインに電気的に連結されたゲート電極、前記データラインに電気的に連結されたソース電極及び前記ソース電極と所定間隔に離隔されたドレイン電極で構成された薄膜トランジスタと、
前記第２絶縁膜上に配置された画素電極と、を更に含み、
前記第２絶縁膜は、前記ドレイン電極と前記画素電極を電気的に連結する他の開口部と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載の下部基板。
【請求項９】
前記画素電極は、
透明性導電物質からなる透過電極と、
前記透過電極上に具備され、反射物質からなる反射電極と、を含むことを特徴とする請求項８記載の下部基板。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜は、無機絶縁膜及び前記無機絶縁膜上に具備される有機絶縁膜で構成され、二重膜の構造を有することを特徴とする請求項１記載の下部基板。
【請求項１１】
回路部内に配置された第１信号電極と、
前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜と、
前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極と、
前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２信号電極を露出させる第１コンタクトホールが形成された第２絶縁膜と、
前記第１コンタクトホールに隣接する前記第２絶縁膜と前記第１コンタクトホールを通じて露出された前記第１及び第２信号電極を露出させる第３コンタクトホールを含み、前記第２絶縁膜上に配置された第２絶縁膜と、
前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜と、を含むことを特徴とする下部基板。
【請求項１２】
前記第１絶縁膜は、前記第１信号電極の一部を露出させ、前記第１及び第２コンタクトホールは、前記第１及び第２信号電極の一部を露出させることを特徴とする請求項１１記載の下部基板。
【請求項１３】
前記導電膜は、
透明性導電物質で形成された透過電極と、
前記透過電極上に具備され、反射物質で形成された反射電極と、を含むことを特徴とする請求項１１記載の下部基板。
【請求項１４】
前記透過電極の一部は、前記第２コンタクトホールが形成された領域内に位置し、前記透過電極の端部は、前記第２コンタクトホールによって露出された前記第２絶縁膜の上面に配置されることを特徴とする請求項１３記載の下部基板。
【請求項１５】
前記反射電極は、前記透過電極上に位置することを特徴とする請求項１４記載の下部基板。
【請求項１６】
回路部内に配置された第１信号電極と、前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜と、前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極と、前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２電極を露出させるコンタクトホールが形成された第１絶縁膜と、前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を含む下部基板と、
前記下部基板と向い合う上部基板と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
回路部内に配置された第１信号電極と、前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜と、前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極と、前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２信号電極を露出させる第１コンタクトホールが形成された第２絶縁膜と、前記第１コンタクトホールに隣接する前記第２絶縁膜と前記第１コンタクトホールを通じて露出された前記第１及び第２信号電極を露出させる第２コンタクトホールを含み、前記第２絶縁膜上に配置された第３絶縁膜と、前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を含む下部基板と、
前記下部基板に対向する上部基板と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
回路部に第１信号電極を形成する段階と、
前記第１信号電極が形成された前記回路部上に第１絶縁膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜上に前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極を形成する段階と、
前記第１絶縁膜と前記第２信号電極が形成された前記回路部上に第２絶縁膜を形成する段階と、
前記第１及び第２絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする下部基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第２絶縁膜は、無機絶縁膜及び前記無機絶縁膜上に具備される有機絶縁膜で構成されることを特徴とする請求項１８記載の下部基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第２絶縁膜をパターニングする段階は、
前記コンタクトホールに対応する前記有機絶縁膜を露光する段階と、
前記有機絶縁膜を現像して露光された前記有機絶縁膜を除去する段階と、
前記有機絶縁膜が除去された部分に対応する前記無機絶縁膜を除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項１９記載の下部基板の製造方法。
【請求項２１】
前記導電膜を形成する段階は、
透明性導電物質からなる透過電極を形成する段階と、
反射物質からなり、前記透過電極上に反射電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１８記載の下部基板の製造方法。
【請求項２２】
回路部に第１信号電極を形成する段階と、
前記第１信号電極が形成された前記回路部上に第１絶縁膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜上に前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極を形成する段階と、
前記第１絶縁膜及び第２信号電極上に第２絶縁膜を形成する段階と、
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階と、
前記第３絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極が形成された領域で前記第２絶縁膜を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１及び第２絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極と共に露出させ、前記第１コンタクトホールより小さいサイズを有する第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を形成する段階と、を含む下部基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第３コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールに隣接する前記第２絶縁膜を露出させ、
前記導電膜の端部は、前記第２絶縁膜の上面にまで延びられることを特徴とする請求項２２記載の下部基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第２絶縁膜は無機絶縁膜であり、前記第３絶縁膜は有機絶縁膜であることを特徴とする請求項２２記載の下部基板の製造方法。
【請求項２５】
回路部に第１信号電極を形成する段階と、
前記第１信号電極が形成された前記回路部上に第１絶縁膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜上に前記第１信号電極と離隔された第２信号電極を形成する段階と、
前記第１絶縁膜と前記第２信号電極上に第２絶縁膜を形成する段階と、
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階と、
前記第３絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極が形成された領域に対応して前記第２絶縁膜を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１コンタクトホールに隣接する前記第３絶縁膜の一部分と露出された前記第２絶縁膜の下部に配置された第１絶縁膜を除去して前記第１及び第２信号電極を共に露出させる第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする下部基板の製造方法。
【請求項２６】
前記第２絶縁膜は、無機絶縁膜であり、前記第３絶縁膜は有機絶縁膜であることを特徴とする請求項２５記載の下部基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下部基板、これを有する表示装置及びこれの製造方法に関し、より詳細には収率を向上させることができる下部基板、これを有する表示装置及びこれの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は、下部基板、上部基板及び下部基板と上部基板との間に介在された液晶層を含む。
【０００３】
下部基板は、表示領域と表示領域に隣接した周辺領域で構成される。表示領域には複数の画素がマトリクスの形態で具備される。複数の画素それぞれは、ゲートライン、データライン、ゲートラインとデータラインに連結された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びＴＦＴに結合された画素電極で構成される。
【０００４】
周辺領域には、ゲートラインに駆動電圧を印加するためのゲート駆動回路がＴＦＴ工程によって形成される。このように、ゲート駆動回路を下部基板上に直接形成することで、液晶表示装置の体積及びサイズを節減させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ゲート駆動回路を下部基板上に形成する過程において、工程上の不良が発生されることができる。また、ゲート駆動回路と上部基板に形成される共通電極との間の寄生キャパシタンスによって液晶表示装置の収率が低下される。
【０００６】
従って、本発明の目的は、収率を向上させるための下部基板を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、前記の下部基板を有する表示装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、前記の下部基板を製造するのに適切した製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明１は、下記の要素を含む下部基板を提供する。
・回路部内に配置された第１信号電極、
・前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜、
・前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極、
・前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２信号電極を露出させるコンタクトホールが形成された第２絶縁膜、
・前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜。
【００１０】
本願発明２は、前記発明１において、前記第１絶縁膜は、前記第１信号電極の一部を露出させ、前記第２絶縁膜は、前記第１及び第２信号電極の一部を露出させることを特徴とする下部基板を提供する。
【００１１】
本願発明３は、前記発明１において、前記導電膜が、透明性導電物質で形成された透過電極と、前記透過電極上に具備され、反射物質で形成された反射電極と、を含むことを特徴とする下部基板を提供する。
【００１２】
本願発明４は、前記発明３において、前記反射電極は、前記透過電極に対応されることを特徴とする下部基板を提供する。
【００１３】
本願発明５は、前記発明１において、前記導電膜の一部は、前記コンタクトホールが形成された領域内に位置することを特徴とする下部基板を提供する。
【００１４】
透過電極及び反射電極がコンタクトホールが形成された領域内に具備される場合のゲート回路部（ＧＣＰ）と共通電極との距離が第２絶縁膜上に配置された場合に比べて増加する。従って、ゲート回路部（ＧＣＰ）と共通電極との間で生成される寄生キャパシタンスを減少させることができる。
【００１５】
本願発明６は、前記発明５において、前記導電膜の端部は、前記第２絶縁膜の上部に部分的に延び、前記コンタクトホールを通じて露出された前記第１及び第２信号電極をカバーすることを特徴とする下部基板を提供する。
【００１６】
本願発明７は、前記発明１において、前記コンタクトホールは、前記導電膜に対応することを特徴とする下部基板を提供する。
【００１７】
導電膜は、コンタクトホールが形成された領域内に位置し、第２絶縁膜と下部基板との間で発生する段差に影響を受けない。従って、コンタクトホールが形成された領域で透過電極がオープンされることを防止することができる。
【００１８】
本願発明８は、前記発明１において、下部基板が下記の構成要素をさらに含む下部基板を提供する。
・画素部内に配置されたゲートライン、
・前記画素部内に配置されたデータライン、
・前記画素部内に配置され、前記ゲートラインに電気的に連結されたゲート電極、前記データラインに電気的に連結されたソース電極及び前記ソース電極と所定間隔に離隔されたドレイン電極で構成された薄膜トランジスタ、
・前記第２絶縁膜上に配置された画素電極。
【００１９】
この発明において、前記第２絶縁膜は、前記ドレイン電極と前記画素電極を電気的に連結する他の開口部と、を更に含む。
【００２０】
本願発明９は、前記発明８において、前記画素電極が、透明性導電物質からなる透過電極と、前記透過電極上に具備され、反射物質からなる反射電極と、を含む下部基板を提供する。
【００２１】
本願発明１０は、前記発明１において、前記第２絶縁膜は、無機絶縁膜及び前記無機絶縁膜上に具備される有機絶縁膜で構成され、二重膜の構造を有することを特徴とする下部基板を提供する。
【００２２】
本願発明１１は、下記の構成要素を含む下部基板を提供する。
・回路部内に配置された第１信号電極、
・前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜、
・前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極、
・前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２信号電極を露出させる第１コンタクトホールが形成された第２絶縁膜、
・前記第１コンタクトホールに隣接する前記第２絶縁膜と前記第１コンタクトホールを通じて露出された前記第１及び第２信号電極を露出させる第３コンタクトホールを含み、前記第２絶縁膜上に配置された第２絶縁膜、
・前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜。
【００２３】
本願発明１２は、前記発明１１において、前記第１絶縁膜は、前記第１信号電極の一部を露出させ、前記第１及び第２コンタクトホールは、前記第１及び第２信号電極の一部を露出させることを特徴とする下部基板を提供する。
【００２４】
本願発明１３は、前記発明１１において、前記導電膜は、透明性導電物質で形成された透過電極と、前記透過電極上に具備され、反射物質で形成された反射電極と、を含むことを特徴とする下部基板を提供する。
【００２５】
本願発明１４は、前記発明１３において、前記透過電極の一部は、前記第２コンタクトホールが形成された領域内に位置し、前記透過電極の端部は、前記第２コンタクトホールによって露出された前記第２絶縁膜の上面に配置されることを特徴とする下部基板を提供する。
【００２６】
透過電極の電気的特性は、コンタクトホールによって形成しざるを得ない第２絶縁膜と下部基板との間に発生する段差に影響を受けない。従って、透過電極がコンタクトホールが形成された領域でオープンされることを防止することができる。
【００２７】
本願発明１５は、前記発明１４において、前記反射電極は、前記透過電極上に位置することを特徴とする下部基板を提供する。
【００２８】
これによって、第２導電膜と第２透明電極とが接触される面積が減少し、それによって両者の間に腐食が発生するのを防止することができる。
【００２９】
本願発明１６は、下部基板と、前記下部基板と向い合う上部基板と、を含むことを特徴とする表示装置を提供する。前記下部基板は、回路部内に配置された第１信号電極と、前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜と、前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極と、前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２電極を露出させるコンタクトホールが形成された第１絶縁膜と、前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を含む。
【００３０】
本願発明１７は、下部基板と、前記下部基板に対向する上部基板と、を含むことを特徴とする表示装置を提供する。前記下部基板は、回路部内に配置された第１信号電極と、前記第１信号電極を露出させる第１絶縁膜と、前記回路部内の前記第１絶縁膜上に具備され、前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極と、前記第１絶縁膜上に配置され、前記第１及び第２信号電極を露出させる第１コンタクトホールが形成された第２絶縁膜と、前記第１コンタクトホールに隣接する前記第２絶縁膜と前記第１コンタクトホールを通じて露出された前記第１及び第２信号電極を露出させる第２コンタクトホールを含み、前記第２絶縁膜上に配置された第３絶縁膜と、前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を含む。
【００３１】
本願発明１８は、下記段階を含む下部基板の製造方法を提供する。
・回路部に第１信号電極を形成する段階、
・前記第１信号電極が形成された前記回路部上に第１絶縁膜を形成する段階、
・前記第１絶縁膜上に前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極を形成する段階、
・前記第１絶縁膜と前記第２信号電極が形成された前記回路部上に第２絶縁膜を形成する段階、
・前記第１及び第２絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階、
・前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を形成する段階。
【００３２】
本願発明１９は、前記発明１８において、前記第２絶縁膜は、無機絶縁膜及び前記無機絶縁膜上に具備される有機絶縁膜で構成されることを特徴とする下部基板の製造方法を提供する。
【００３３】
本願発明２０は、前記発明１９において、前記第２絶縁膜をパターニングする段階が以下の段階を含む下部基板の製造方法を提供する。
・前記コンタクトホールに対応する前記有機絶縁膜を露光する段階、
・前記有機絶縁膜を現像して露光された前記有機絶縁膜を除去する段階、
・前記有機絶縁膜が除去された部分に対応する前記無機絶縁膜を除去する段階。
【００３４】
本願発明２１は、前記発明１８において、前記導電膜を形成する段階が以下の段階を含む下部基板の製造方法を提供する。
・透明性導電物質からなる透過電極を形成する段階、
・反射物質からなり、前記透過電極上に反射電極を形成する段階。
【００３５】
本願発明２２は、以下の段階を含む下部基板の製造方法を提供する。
・回路部に第１信号電極を形成する段階、
・前記第１信号電極が形成された前記回路部上に第１絶縁膜を形成する段階、
・前記第１絶縁膜上に前記第１信号電極と所定間隔に離隔された第２信号電極を形成する段階、
・前記第１絶縁膜及び第２信号電極上に第２絶縁膜を形成する段階、
・前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階、
・前記第３絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極が形成された領域で前記第２絶縁膜を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階、
・前記第１及び第２絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極と共に露出させ、前記第１コンタクトホールより小さいサイズを有する第２コンタクトホールを形成する段階、
・前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を形成する段階。
【００３６】
本願発明２３は、前記発明２２において、前記第３コンタクトホールは、前記第２コンタクトホールに隣接する前記第２絶縁膜を露出させ、前記導電膜の端部は、前記第２絶縁膜の上面にまで延びられることを特徴とする下部基板の製造方法を提供する。
【００３７】
本願発明２４は、前記発明２２において、前記第２絶縁膜は無機絶縁膜であり、前記第３絶縁膜は有機絶縁膜であることを特徴とする下部基板の製造方法を提供する。
【００３８】
本願発明２５は、下記段階を含むことを特徴とする下部基板の製造方法を提供する。
・回路部に第１信号電極を形成する段階、
・前記第１信号電極が形成された前記回路部上に第１絶縁膜を形成する段階、
・前記第１絶縁膜上に前記第１信号電極と離隔された第２信号電極を形成する段階、
・前記第１絶縁膜と前記第２信号電極上に第２絶縁膜を形成する段階、
・前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階、
・前記第３絶縁膜をパターニングして前記第１及び第２信号電極が形成された領域に対応して前記第２絶縁膜を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階、
・前記第１コンタクトホールに隣接する前記第３絶縁膜の一部分と露出された前記第２絶縁膜の下部に配置された第１絶縁膜を除去して前記第１及び第２信号電極を共に露出させる第２コンタクトホールを形成する段階、
・前記第１及び第２信号電極を電気的に連結する導電膜を形成する段階。
【００３９】
本願発明２６は、前記発明２５において、前記第２絶縁膜は、無機絶縁膜であり、前記第３絶縁膜は有機絶縁膜であることを特徴とする下部基板の製造方法を提供する。
【００４０】
以上に述べた下部基板、これを有する表示装置及びこれの製造方法によると、下部基板の回路部で絶縁膜は第１及び第２信号電極を共に露出させ、第１及び第２信号電極は導電膜を通じて電気的に連結される。従って、コンタクトホールに隣接した部分で導電膜がオープンされることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
＜第１実施例＞
図１は、本発明の一実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図であり、図２は、図１に図示された下部基板の平面図である。
【００４２】
図１を参照すると、本発明の一実施例による半透過型液晶表示装置４００は、下部基板１００、前記下部基板１００と向い合う上部基板２００及び前記下部基板１００と上部基板２００との間に介在された液晶層３００を含む。
【００４３】
図２に図示されたように、前記下部基板１００は、複数の画素が形成された画素部（ＰＰ）、前記画素部（ＰＰ）の周辺に配置され、前記画素部（ＰＰ）を駆動するゲート回路部（ＧＣＰ）及びデータ回路部（ＤＣＰ）で構成される。
【００４４】
前記画素部（ＰＰ）は、互いに隣接する複数のゲートライン（ＧＬ）と前記ゲートライン（ＧＬ）と直交して互いに隣接する複数のデータライン（ＤＬ）によって区画される複数の画素領域で構成される。前記各画素領域にはＴＦＴ１２０、前記ＴＦＴ１２０に連結された第１透過電極１５１及び第１反射電極１６１で構成された各画素が具備される。
【００４５】
前記ゲート回路部（ＧＣＰ）は、前記複数のゲートライン（ＧＬ）に電気的に連結されて前記複数のゲートライン（ＧＬ）に順次にゲート信号を出力する。前記データ回路部（ＤＣＰ）は、前記複数のデータライン（ＤＬ）に電気的に連結され、前記複数のデータライン（ＤＬ）にデータ信号を出力する。
【００４６】
前記ゲート回路部（ＧＣＰ）は、前記画素部（ＰＰ）に複数の画素を形成する薄膜工程を通じて前記下部基板１００上に直接的に形成される。
【００４７】
再び図１を参照すると、下部基板１００は、画素部（ＰＰ）に対応して第１基板１１０上に形成される第１ゲート電極１２１ａ及びゲート回路部（ＧＣＰ）に対応して前記第１基板１１０上に形成される第２ゲート電極１２１ｂを具備する。
【００４８】
前記第１及び第２ゲート電極（１２１ａ，１２１ｂ）が形成された前記第１基板１１０上にはゲート絶縁膜１２２が形成される。前記ゲート絶縁膜１２２は前記ゲート回路部（ＧＣＰ）で前記第２ゲート電極１２１ｂを露出させる開口部を含む。
【００４９】
前記第１ゲート電極１２１ａをカバーするように前記ゲート絶縁膜１２２上にはアクティブ層１２４が形成され、前記アクティブ層１２４上にはオーミックコンタクト層１２５が形成される。
【００５０】
前記オーミックコンタクト層１２５と前記ゲート絶縁膜１２２上には互いに所定間隔に離隔された第１及び第２データ電極１２３ａ、１２３ｂが形成される。これによって、前記画素部（ＰＰ）にはＴＦＴ１２０が完成する。また、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）に対応して前記ゲート絶縁膜１２２上には第３データ電極１２３ｃが形成される。前記第３データ電極１２３ｃは前記第２ゲート電極１２１ｂと所定間隔に離隔される。  
【００５１】
前記画素部（ＰＰ）及びゲート回路部（ＧＣＰ）に対応して無機絶縁膜１３０が形成され、前記無機絶縁膜１３０上には有機絶縁膜１４０が形成される。前記無機絶縁膜１３０及び有機絶縁膜１４０には、前記ＴＦＴ１２０の第２データ電極１２３ｂを露出させる第１コンタクトホール１４１が形成される。また、前記無機絶縁膜１３０及び有機絶縁膜１４０には、前記第３データ電極１２３ｃの一部分と第２ゲート電極１２１ｂを一部分を共に露出させる第２コンタクトホール１４２が形成される。
【００５２】
第１透過電極１５１は、前記第１コンタクトホール１４１を通じて前記第２データ電極１２３ｂと電気的に連結される。第２透過電極１５２は、前記第２コンタクトホール１４２を通じて前記第３データ電極１２３ｃの一部分と第２ゲート電極１２１ｂの一部分に電気的に連結される。
【００５３】
第１反射電極１６１は、前記第１透過電極１５１上に具備され、前記第２データ電極１２３ｂと電気的に連結され、第２反射電極１６２は前記第２透過電極１５２上に具備され、前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。
【００５４】
ここで、前記第１反射電極１６１は、前記第１透過電極１５１を部分的にカバーする。従って、前記画素部（ＰＰ）は、前記第１反射電極１６１が形成された領域である反射領域（ＲＡ）と前記第１透過電極１５１が前記第１反射電極１６１によって露出される領域である透過領域（ＴＡ）で構成される。外部から入射された第１光（Ｌ１）は、前記反射領域（ＲＡ）で前記第１反射電極１６１によって反射され、バックライトアセンブリー（図示せず）で生成された第２光（Ｌ２）は前記透過領域（ＴＡ）で前記第１透過電極１５１を通じて透過される。
【００５５】
図３は、図１に図示されたゲート回路部を具体的に示した平面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ’に沿って見た断面図であり、図５は、図３のＣ−Ｃ’による断面図である。
【００５６】
図１及び図３を参照すると、ゲート回路部（ＧＣＰ）で第２コンタクトホール１４２は、第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂを共に露出させる。第２透過電極１５２は、第２コンタクトホール１４２が形成された領域内に位置して前記第２透過電極１５２は、前記有機絶縁膜１４０と前記第１基板１１０との間で発生する段差に影響を受けない。従って、前記第２透過電極１５２が前記第２コンタクトホール１４２が形成された領域でオープンされることを防止することができる。
【００５７】
ここで、第２反射電極１６２が形成された第２電極領域（ＥＡ２）は、前記第２透過電極１５２が形成された第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。
【００５８】
図３及び図４を参照すると、前記第２透過電極１５２と前記第２反射電極１６２の端部は、前記第３電極１２３ｃと前記有機絶縁膜１４０の境界に隣接する領域に対応する前記有機絶縁膜１４０上に配置される。従って、前記第２透過電極１５２と第２反射電極１６２は、前記第２コンタクトホール１４２によって露出される前記第３データ電極１２３ｃをカバーする。
【００５９】
図３及び図５に図示されたように、前記第２透過電極１５２と第２反射電極１６２の端部は、前記第２ゲート電極１２１ｂと前記有機絶縁膜１４０の境界に隣接する領域に対応する前記有機絶縁膜１４０上に配置される。従って、前記第２透過電極１５２と第２反射電極１６２は、前記第２コンタクトホール１４２によって露出される前記第２データ電極１２１ｂをカバーする。
【００６０】
再び図１を参照すると、上部基板２００は、第２基板２１０、前記第２基板２１０上に配置されたカラーフィルタ２２０及び共通電極２３０を具備する基板である。前記カラーフィルタ２２０は、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）カラーフィルタで構成され、前記共通電極２３０は、透明性導電物質で構成される。
【００６１】
前記下部基板１００のゲート回路部（ＧＣＰ）に具備される第２透過電極１５２と第２反射電極１６２が第２コンタクトホール１４２が形成された領域内に具備される。従って、前記第２透過電極１５２及び前記第２反射電極１６２が前記第２コンタクトホール１４２が形成された領域内に具備される場合のゲート回路部（ＧＣＰ）と前記共通電極２３０との距離が有機絶縁膜上に配置された場合に比べて増加されるようになる。一般的にキャパシタンスは距離に半比例する。従って、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）と前記共通電極２３０との離隔距離が増加されることによって、ゲート回路部（ＧＣＰ）と共通電極２３０との間で生成される寄生キャパシタンスを減少させることができる。
【００６２】
図６乃至図１２は、図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【００６３】
図６を参照すると、ガラス又はセラミックのような絶縁物質で形成された第１基板１１０上にアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）又はモリブデンタングステン（ＭｏＷ）で形成された第１金属膜（図示せず）をスパッタリング方法によって蒸着する。その後、第１マスク１７１を用いたフォトリングラフィ工程で第１金属膜（図示せず）をパターニングする。従って、画素部（ＰＰ）には第１ゲート電極１２１ａが形成され、これと同時に、ゲート回路部（ＧＣＰ）には第２ゲート電極１２１ｂが形成される。
【００６４】
次の図７を参照すると、第１及び第２ゲート電極（１２１ａ，１２１ｂ）が形成された第１基板１１０上にはシリコン窒化物を蒸着してゲート絶縁膜１２２を形成する。ここで、前記シリコン窒化物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法で蒸着することもできる。
【００６５】
図８を参照すると、ゲート絶縁膜１２２上に非晶質シリコン膜（図示せず）を形成し、その上にｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜（図示せず）を形成する。前記非晶質シリコン膜（図示せず）及び前記ｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜（図示せず）は、プラズマ化学気相蒸着方法によって蒸着して形成することもできる。ここで、非晶質シリコン膜及びｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜をプラズマ化学気相蒸着設備の同一チャンバー内でインシチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で蒸着する。
【００６６】
その後、非晶質シリコン膜（図示せず）及びｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜をパターニングして前記第１ゲート電極１２１ａが形成された領域に対応するアクティブ層１２４及びオーミックコンタクト層１２５を形成する。
【００６７】
前記ゲート絶縁膜１２２と前記オーミックコンタクト層１２５が形成された第１基板１１０上にはクロム（Ｃｒ）のような第２金属膜（図示せず）を形成する。ここで、前記第２金属膜（図示せず）は、スパッタリング方法によって蒸着して形成することもできる。その後、第２マスク１７２を用いたフォトリングラフィ工程で第２金属膜をパターニングする。従って、画素部（ＰＰ）には、第１データ電極１２３ａ、前記第１データ電極１２３ａと所定間隔に離隔された第２データ電極１２３ｂが形成される。また、ゲート回路部（ＧＣＰ）には第３データ電極１２３ｃが形成される。
【００６８】
第３データ電極１２３ｃは、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）内に前記第１データ電極１２３ａ及び前記第２データ電極１２３ｂと共に形成される。前記第３データ電極１２３ｃは、前記第２コンタクトホール１４２を通じて露出された前記第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。 
【００６９】
その後、第１と第２データ電極（１２３ａ，１２３ｂ）との間で露出されたオーミックコンタクト層１２５を除去する。前記露出されたオーミックコンタクト層１２５は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって除去されることもできる。そうすると、前記第１と第２データ電極（１２３ａ，１２３ｂ）との間で露出されたアクティブ層１２４がＴＦＴ１２０のチャンネル領域に提供される。これで、前記画素部（ＰＰ）にはＴＦＴ１２０が形成される。
【００７０】
図９を参照すると、画素部（ＰＰ）及びゲート回路部（ＧＣＰ）全体的にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン参加膜（ＳｉＯｘ）で形成された無機絶縁膜１３０が形成される。
【００７１】
図１０に図示されたように、無機絶縁膜１３０上には、感光性を有するアクリル系樹脂で形成された有機絶縁膜１４０が形成される。その後、前記有機絶縁膜１４０の上部に第３マスク１７３を用いたパターニング工程を通じて前記有機絶縁膜１４０と無機絶縁膜１３０に前記第２データ電極１２３ｂを露出させる第１コンタクトホール１４１が形成される。これと同時に、前記有機絶縁膜１４０と無機絶縁膜１３０には、前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂを共に露出させる第２コンタクトホール１４２が形成される。
【００７２】
図１１を参照すると、下部基板１００の全体に透明性導電物質であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又は亜鉛酸化物（ＺＯ）からなる第１導電膜（図示せず）が形成される。その後、第４マスク１７４を用いたパターニング工程を通じて前記画素部（ＰＰ）には第１透過電極１５１が形成され、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）には第２透過電極１５２が形成される。
【００７３】
前記第１透過電極１５１は、前記第１コンタクトホール１４１を通じて露出された前記第２データ電極１２３ｂと電気的に連結される。また、前記第２透過電極１５２は、前記第２コンタクトホール１４２を通じて露出された第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。従って、前記第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂは、前記第２透過電極１５２を通じて互いに電気的に連結される。
【００７４】
ここで、前記第２透過電極１５２が形成された第１電極領域（ＥＡ１）は、前記第２コンタクトホール１４２が形成された領域内に位置する。従って、前記第２透過電極１５２の電気的特性は、前記第２コンタクトホール１４２によって形成しざるを得ない前記有機絶縁膜１４０と第１基板１１０との間に発生する段差に影響を受けない。これで、前記第２透過電極１５２が前記第２コンタクトホール１４２が形成された領域でオープンされることを防止することができる。
【００７５】
図１２に図示されたように、下部基板１００の全体にアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる第２導電膜（図示せず）が形成される。その後、第５マスク１７５を用いたパターニング工程を通じて前記画素部（ＰＰ）には第１反射電極１６１が形成され、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）には第２反射電極１６２形成される。
【００７６】
前記第１反射電極１６１は、前記第１透過電極１５１を通じて前記第２データ電極１２３ｂと電気的に連結される。また、前記第２反射電極１６２は、前記第２透過電極１５２を通じて第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極２１２ｂと電気的に連結される。
【００７７】
前記第２反射電極１６２は、前記第２透過電極１５２のためのリダンダンシー電極であって、製造工程上の不良によって前記第２透過電極１５２がオープンされたとしても、前記第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂは、前記第２反射電極１６２を通じて電気的に連結されることができる。
【００７８】
前記第２反射電極１６２をパターニングする過程で、前記アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）と前記第２透過電極１５２との間に ガルバニック腐食が発生される。特に、ガルバニック腐食は、第２透過電極１５２がＩＺＯで形成された場合、前記アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）と亜鉛（Ｚｉｎｃ）との間のイオン化傾向の差によって発生する。
【００７９】
前記第２反射電極１６２が形成された第２電極領域（ＥＡ２）が前記第２透過電極１５２が形成された第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。これによって、前記アルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）とＩＺＯが接触される面積が減少され、それによって前記ガルバニック腐食を防止することができる。
【００８０】
以上述べた下部基板、これを有する表示装置及びこれの製造方法によると、下部基板のゲート回路部において、有機及び無機絶縁膜は、第２ゲート電極と第３データ電極を共に露出させる開口部を含み、第２ゲート電極と第３データ電極は第２透過電極と第２反射電極を通じて電気的に連結される。
【００８１】
従って、コンタクトホールに隣接した部分で有機絶縁膜と第１基板との段差によって、第２透過電極と第２反射電極がオープンされることを防止することができる。これによって、下部基板及び下部基板を有する表示装置の収率を向上させることができる。
＜第２実施例＞
図１３は、本発明の他の実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図であり、図１４は、図１３のゲート回路部を具体的に示した平面図である。但し、図１３及び図１４では、図１及び図３に図示された構成要素と同じ構成要素に対しては同じ参照符号を併記し、それに対した具体的な説明は省略する。
【００８２】
図１３及び図１４を参照すると、前記下部基板１００は、第１基板１１０、無機絶縁膜１３０及び有機絶縁膜１４０を含む。第１基板１１０には無機絶縁膜１３０と有機絶縁膜１４０が順次形成される。前記無機絶縁膜１３０と有機絶縁膜１４０にはゲート回路部（ＧＣＰ）で第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂを共に露出させる第２コンタクトホール１４２が形成される。
【００８３】
第３透過電極１５３は、前記第２コンタクトホール１４２を通じて前記第３データ電極１２３ｃの一部分と第２ゲート電極１２１ｂの一部分に電気的に連結される。前記第２コンタクトホール１４３は、前記第３透過電極１５３が形成された第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。即ち、前記第３透過電極１５３の端部は、前記第２コンタクトホール１４３に隣接する前記有機絶縁膜１４０の上面にまで延びられる。
【００８４】
一方、第３反射電極１６３は、前記第３透過電極１５３上に具備され、前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。前記第３反射電極１６３が形成された第２電極領域（ＥＡ２）は、前記第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。これによって、前記第３反射電極１６３と前記第３透過電極１５３との間に発生するガルバニック電気腐食を防止することができる。
＜第３実施例＞
図１５は、本発明の他の実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図であり、図１６は、図１５に図示されたゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【００８５】
図１５を参照すると、下部基板１００の画素部（ＰＰ）とゲート回路部（ＧＣＰ）には無機絶縁膜１３０及び有機絶縁膜１８０が形成される。前記無機絶縁膜１３０及び有機絶縁膜１８０にはＴＦＴ１２０の第２データ電極１２３ｂを露出させる第３コンタクトホール１８１及び前記第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂを共に露出させる第４コンタクトホール１８２が形成される。
【００８６】
前記第３及び第４コンタクトホール１８１、１８２が形成された領域を第１及び第２コンタクト領域（ＣＴＡ１，ＣＴＡ２）に定義すると、前記有機絶縁膜１８０は、前記第１及び第２コンタクト領域（ＣＴＡ１，ＣＴＡ２）に隣接する第１及び第２側壁領域（ＳＷＡ１，ＳＷＡ２）を有する。前記有機絶縁膜１８０は、前記第１及び第２側壁領域（ＳＷＡ１，ＳＷＡ２）で曲げられた断面の形状を有する。
【００８７】
図１５及び図１６に図示されたように、第４透過電極１５４は、画素部（ＰＰ）で有機絶縁膜１８０及び第３コンタクトホール１８１を通じて露出された前記第２データ電極１２３ｂ上に具備される。第５透過電極１５５は、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）で前記第４コンタクトホール１８２を通じて前記第３データ電極１２３ｃの一部分と第２ゲート電極１２１ｂの一部分に電気的に連結される。
【００８８】
前記第５透過電極１５５の端部は、前記第４コンタクトホール１８２に隣接する前記有機絶縁膜１８０の上面にまで延びられる。従って、前記第４コンタクトホール１８２が形成された第２コンタクト領域（ＣＴＡ２）は、前記第５透過電極１５５が形成される第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。
【００８９】
前記有機絶縁膜１８０は、前記第２側壁領域（ＳＷＡ２）で曲げられた断面の形状を有することで、前記有機絶縁膜１８０の第１基板１１０との境界部で緩慢な傾斜を有する。従って、前記第５透過電極１５５が前記有機絶縁膜１８０の上面にまで延びられても、前記第２透過電極１５５が前記第２側壁領域（ＳＷＡ２）でオープンされる現象を防止することができる。
【００９０】
第４反射電極１６４は、前記画素部（ＰＰ）で前記第４透過電極１５４上に具備され、前記第２データ電極１２３ｂと電気的に連結される。第５反射電極１６５は、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）で前記第５透過電極１５５上に具備され、前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。ここで、前記第５反射電極１６５が形成される第２電極領域（ＥＡ２）は、前記第５透過電極１５５が形成される第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。
【００９１】
図１７乃至２０は、図１５に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【００９２】
図１７を参照すると、無機絶縁膜１３０上には感光性を有するアクリル系樹脂で形成された有機絶縁膜１８０が形成される。その後、前記有機絶縁膜１８０の上部に形成される第６マスク１７６を利用して前記有機絶縁膜１８０をパターニングして第２データ電極１２３ｂが形成された領域に対応して、前記無機絶縁膜１３０を露出させる第５コンタクトホール１８３及び前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂが形成された領域で前記無機絶縁膜１３０を露出させる第６コンタクトホール１８４が形成される。
【００９３】
図１８を参照すると、パターニングされた前記有機絶縁膜１８０上には、前記第５及び第６コンタクトホール（１８３，１８４）より大きいサイズを有する第１及び第２透明部（１７７ａ，１７７ｂ）が形成された第７マスク１７７が具備される。従って、前記第７マスク１７７は、前記第５及び第６コンタクトホール（１８３，１８４）に隣接する前記有機絶縁膜１８０を露出させる。
【００９４】
前記第７マスク１７７を用いたパターニング工程を通じて、前記第５及び第６コンタクトホール（１８３，１８４）によって露出される前記無機絶縁膜１３０と前記第５及び第６コンタクトホール（１８３，１８４）に隣接する前記有機絶縁膜１８０が除去される。
【００９５】
これによって、前記有機絶縁膜１８０と無機絶縁膜１３０には、前記第５及び第６コンタクトホール（１８３，１８４）に対応して第３及び第４コンタクトホール（１８１，１８２）が形成される。従って、前記有機絶縁膜１８０は、前記第１及び第２コンタクト領域（ＣＴＡ１，ＣＴＡ２）に隣接する第１及び第２側壁領域（ＳＷＡ１，ＳＷＡ２）で曲げられた形状を有する。
【００９６】
図１９を参照すると、下部基板１００の全体にＩＴＯ又はＩＺＯからなる第１導電膜（図示せず）が形成される。その後、第８マスク１７８を用いたパターニング工程を通じて前記画素部（ＰＰ）には第４透過電極１５４が形成され、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）には第５透過電極１５５が形成される。
【００９７】
前記第５透過電極１５５の端部は、前記第２コンタクトホール１８２の外側に延びられ、前記有機絶縁膜１８０の上面に位置する。従って、前記第４コンタクトホール１８２は前記第５透過電極１５５に対応する第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。
【００９８】
ここで、前記有機絶縁膜１８０は、前記第１及び第２側壁領域（ＳＷＡ１，ＳＷＡ２）で曲げられた形状を有する。従って、このような屈曲によって前記有機絶縁膜１８０と第１基板１１０との段差が緩慢になる。これによって、前記第２透過電極１５２が前記有機絶縁膜１８０の上面にまで延びられても、前記第２側壁領域（ＳＷＡ２）でオープンされることを防止することができる。
【００９９】
図２０に図示されたように、下部基板１００の全体にアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる第２導電膜（図示せず）が形成される。その後、第９マスク１７９を用いたパターニング工程を通じて前記画素部（ＰＰ）には第４反射電極１６４が形成され、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）には第５反射電極１６５が形成される。
【０１００】
前記第５反射電極１６５は、前記第５透過電極１５５を通じて第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。ここで、前記第５反射電極１６５が形成された第２電極領域（ＥＡ２）が前記第５透過電極１５５が形成された第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。従って、前記第５反射電極１６５と前記第５透過電極１５５が接触される面積を減少させることができ、それによって前記ガルバニック電気腐食を防止することができる。
＜第４実施例＞
図２１は、本発明の他の実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図であり、図２２は、図２１に図示されたゲート駆動領域の平面図である。
【０１０１】
図２１及び図２２を参照すると、ゲート回路部（ＧＣＰ）で第６透過電極１５６は、第４コンタクトホール１８２が形成された第２コンタクト領域（ＣＴＡ２）内に位置する。また、第１電極領域（ＥＡ１）は、前記第６透過電極１５６に対応する。第６反射電極１６６に対応する第２電極領域（ＥＡ２）は、前記第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。
【０１０２】
前記第６透過電極１５６と第６反射電極１６６の端部は、第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂに隣接する有機絶縁膜１８０の上面に配置される。従って、前記第６透過電極１５６と第６反射電極１６６は、前記第４コンタクトホール１８２によって露出される前記第３データ電極１２３ｃ及び前記第２ゲート電極１２１ｂをカバーする。
【０１０３】
前記第２コンタクト領域（ＣＴＡ２）と隣接する前記有機絶縁膜１８０の第２側壁領域（ＳＷＡ２）で前記有機絶縁膜１８０は曲げられた形状を有することで、前記第６透過電極１５６と第６反射電極１６６が前記第２側壁領域（ＳＷＡ２）でオープンされることを防止することができる。
＜第５実施例＞
図２３は、本発明の他の実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図であり、図２４は、図２３に図示されたゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【０１０４】
図２３及び図２４を参照すると、下部基板１００の画素部（ＰＰ）とゲート回路部（ＧＣＰ）には無機絶縁膜１３０及び有機絶縁膜１４０が形成される。
【０１０５】
前記無機絶縁膜１３０には、第３データ電極１２３ｃ、第２ゲート電極１２１ｂ及び第１基板１１０を露出させる第７コンタクトホール１３１が形成される。前記有機絶縁膜１４０には前記第７コンタクトホール１３１より大きいサイズを有する第８コンタクトホール１４３が形成される。  従って、前記８コンタクトホール１４３は、前記第３データ電極１２３ｃ、第２ゲート電極１２１ｂ及び第１基板１１０を露出させるだけでなく、前記第７コンタクトホール１３１に隣接する前記無機絶縁膜１３０の一部分まで露出させる。
【０１０６】
第７透過電極１５７は、前記ゲート回路部（ＧＣＰ）で前記第８コンタクトホール１４３を通じて露出された前記第３データ電極１２３ｃの一部分、第２ゲート電極１２１ｂの一部分及び無機絶縁膜１３０の一部分上に具備される。従って、前記第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂは、前記第７透過電極１５７を通じて電気的に連結される。
【０１０７】
第７反射電極１６７は、前記第７透過電極１５７上に具備され、前記第７透過電極１５７を通じて前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。前記第７反射電極１６７が形成される第２電極領域（ＥＡ２）は、前記第７透過電極１５７が形成される第１電極慮息（ＥＡ１）内に位置する。
【０１０８】
図２５は、図２４のＨ−Ｈ’に沿って見た断面図であり、図２６は、図２４のＩ−Ｉ’による断面図である。
【０１０９】
図２５及び図２６を参照すると、第７透過電極１５７の端部は、無機絶縁膜１３０の上面にまで延びられ、第８コンタクトホール１４３を通じて露出された第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂをカバーする。
【０１１０】
また、前記第７反射電極１６７は、前記第７透過電極１５７上に配置され、前記第７反射電極１６７の一部は前記第７透過電極１５７が形成された前記無機絶縁膜１３０に対応する。前記第７反射電極１６７の幅は、前記第７透過電極１５７の幅より小さい。従って、前記第７反射電極１６７が形成される第２電極領域（ＥＡ２）は、前記第７透過電極１５７が形成される第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。
【０１１１】
図２７乃至３０は、図２３に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【０１１２】
図２７を参照すると、無機絶縁膜１３０上には感光性を有するアクリル樹脂からなる有機絶縁膜１４０が形成される。その後、前記有機絶縁膜１４０は、その上部に形成され、第１透明部を含む第１０マスク１９１によってパターニングされる。従って、前記有機絶縁膜１４０には、前記第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂと対応する前記無機絶縁膜１３０を露出させる第８コンタクトホール１４３が形成される。
【０１１３】
図２８を参照すると、第８コンタクトホール１４３を通じて露出された前記無機絶縁膜１３０及びパターニングされた前記有機絶縁膜１４０上には、第２透明部を含む第１１マスク１９２が形成される。その後、前記第１１マスク１９２を用いたパターニング工程を通じて露出された前記無機絶縁膜１３０が部分的に除去され、前記第２透明部に対応する前記第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂを共に露出させる。ここで、前記第８コンタクトホール１４３を通じて露出された前記無機絶縁膜１３０のうちの一部は、残留する。
【０１１４】
図２９を参照すると、下部基板１００の全体にＩＴＯ又はＩＺＯからなる導電膜（図示せず）が形成される。その後、第１２マスク１９３を用いたパターニング工程を通じて前記ゲート回路部（ＧＣＰ）には第７透過電極１５７が形成される。
【０１１５】
前記第７透過電極１５７は、前記第８コンタクトホール１４３を通じて第３データ電極１２３ｃ及び第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。前記第８コンタクトホール１４３は、前記第７透過電極１５７が形成された第１電極領域（ＥＡ１）内に位置する。従って、前記第７透過電極１５７が前記第８コンタクトホール１４３が形成された領域でオープンされることを防止することができる。
【０１１６】
また、前記第７透過電極１５７の端部は、前記第８コンタクトホール１４３によって露出された前記無機絶縁膜１３０の上面にまで延びられる。これによって、前記第７透過電極１５７は、前記有機絶縁膜１４０の上面にまで延びられず、前記第８コンタクトホール１４３によって露出される第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂを完全にカバーすることができる。
【０１１７】
図３０に図示されたように、下部基板１００の全体にアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）合金からなる第２導電膜（図示せず）が形成される。その後、第１３マスク１９４を用いたパターニング工程を通じて前記ゲート回路部（ＧＣＰ）には第７反射電極１６７が形成される。
【０１１８】
前記第７反射電極１６７は、前記第７透過電極１５７を通じて第３データ電極１２３ｃと第２ゲート電極１２１ｂと電気的に連結される。ここで、前記第７反射電極１６７が形成された第２電極領域（ＥＡ２）が前記第７透過電極１５７が形成された第１電極領域（ＥＡ１）内に位置することで、ガルバニック電気腐食を防止することができる。
【０１１９】
以上の実施例で述べたような下部基板、これを有する表示装置及びこれの製造方法によると、下部基板のゲート回路部において、有機及び無機絶縁膜は、第２ゲート電極と第３データ電極を共に露出させる開口部を含み、第２ゲート電極と第３データ電極は第２透過電極と第２反射電極を通じて電気的に連結される。
【０１２０】
従って、コンタクトホールに隣接した部分で有機絶縁膜と第１基板との段差によって、第２透過電極と第２反射電極がオープンされることを防止することができる。これによって、下部基板及び下部基板を有する表示装置の収率を向上させることができる。
【０１２１】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本発明の第１実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図である。
【図２】図１に図示された下部基板の平面図である。
【図３】図１に図示されたゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’に沿って見た断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ’による断面図である。
【図６】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図７】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図８】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図９】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図１０】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図１１】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図１２】図１に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図１３】本発明の第２実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図である。
【図１４】図１３のゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【図１５】本発明の第３実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図である。
【図１６】図１５に図示されたゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【図１７】図１５に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図１８】図１５に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図１９】図１５に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図２０】図１５に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図２１】本発明の第４実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図である。
【図２２】図２１のゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【図２３】本発明の第５実施例による半透過型液晶表示装置を示した断面図である。
【図２４】図２３に図示されたゲート回路部を具体的に示した平面図である。
【図２５】図２４のＨ−Ｈ’に沿って見た断面図である。
【図２６】図２４のＩ−Ｉ’に沿って見た断面図である。
【図２７】図２３に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図２８】図２３に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図２９】図２３に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【図３０】図２３に図示された下部基板の製造過程を示した図面である。
【符号の説明】
【０１２４】
１００  下部基板
１１０  第１基板
１２０  ＴＦＴ
１２２  ゲート絶縁膜
１２４  アクティブ層
１２５  オーミックコンタクト層
１３０  無機絶縁膜
１３１  第７コンタクトホール
１４０、１８０  有機絶縁膜
１４１  第１コンタクトホール
１４２  第２コンタクトホール
１４３  第８コンタクトホール
１５１  第１透過電極
１５２  第２透過電極
１５６  第６透過電極
１５７  第７透過電極
１６１  第１反射電極
１６２  第２反射電極
１６３  第３反射電極
１６４  第４反射電極
１６５  第５反射電極
１６６  第６反射電極
１６７  第７反射電極
１７１  第１マスク
１７２  第２マスク
１７３  第３マスク
１７４  第４マスク
１７５  第５マスク
１７６  第６マスク
１７７  第７マスク
１７８  第８マスク
１７９  第９マスク
１８１  第３コンタクトホール
１８２  第４コンタクトホール
１８３  第５コンタクトホール
１８４  第６コンタクトホール
１９１  第１０マスク
１９２  第１１マスク
１９３  第１２マスク
１９４  第１３マスク
２００  上部基板
２１０  第２基板
２２０  カラーフィルタ
２３０  共通電極
３００  液晶層
４００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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