(57)【要約】【課題】  写真処理装置内のような、高温、且つ酸化性雰囲気中で発生する電極の剥離、酸化、結晶の付着等によるヒータや回路基板の耐久性の低下を防止する。【解決手段】  セラミック発熱体の端部に形成された電極層をシリコン樹脂からなる耐熱、耐酸性の保護層で被覆する。また、回路基板の必要部をシリコン樹脂層で被覆する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック発熱体、該セラミック発熱体に固定された電極部及び耐熱性シリコン樹脂を主成分とし、前記電極部を被覆する保護層を有することを特徴とするヒータ。
【請求項２】
前記電極部は、前記セラミック発熱体上に形成された電極層及び該電極層に接触する電極からなることを特徴とする請求項１に記載のヒータ。
【請求項３】
前記電極を前記セラミック発熱体に固定する固定手段を有し、前記保護層は、前記固定手段を被覆することを特徴とする請求項２に記載のヒータ。
【請求項４】
前記保護層は耐熱性顔料を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒータ。
【請求項５】
写真処理槽及び乾燥室を有し、請求項１〜４の何れかに記載のヒータを前記乾燥室に設けたことを特徴とする写真処理装置。
【請求項６】
取付部品の少なくとも一部の部品をシリコン樹脂層で被覆したことを特徴とする回路基板。
【請求項７】
前記取付部品は、着脱可能に取り付けられたＲＯＭを含むことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記取付部品は、セラミックパッケージにパッケージングされた状態で取り付けられた部品を含むことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の回路基板を有することを特徴とする写真処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック発熱体を用いたヒータ及び回路基板の改良に関し、特に、ハロゲン化銀写真感光材料の乾燥に用いられるヒータの改良及び写真処理装置に組み込まれる回路基板の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック発熱体を用いたヒータでは、セラミック発熱体に接触させて設けた銀電極等の電極がはげる、酸化する等の問題があり、このような現象を防止するために、電極として銀・白金系合金を用いることが提案されている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献２では、セラミック発熱体と電極との接触部において、通電による発熱を防止するために、複層セラミック発熱体の積層断面を露出させたセラミックヒータが開示されている。
【０００４】
多数の回路素子が集中して取り付けられた回路基板では、基板上及び取り付けられた電気部品上に電極等の導電性部材の露出部が多数存在する。また、部品によっては、半田付等の固定的な回路接続ではなく、物理的な接触、すなわち、端子をソケットに差し込むことにより回路接続が形成されている部分が存在する。
【特許文献１】特許第３３８０５８３号公報
【特許文献２】特許第３３６７９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ハロゲン化銀写真感光材料処理装置の乾燥に用いられるヒータは、３００℃に近い高温と写真感光材料の処理液から蒸発した蒸気が含まれ化学的に活性な雰囲気中に曝されることから、電極部が酸化等による劣化を受けるという問題がある。
【０００６】
特許文献１のように、銀・白金合金を電極に用いることによりある程度は酸化等を防止出来るが、写真処理装置では十分ではなく、また、コスト高になるという問題がある。
【０００７】
また、特許文献２の方法では、酸化等による劣化を十分に防止出来ない。
【０００８】
従って、本発明の一つはハロゲン化銀写真感光材料の処理装置においても十分に使用可能なように、高温、且つ酸化性等雰囲気中で高い耐久性を有し、低コストで製造できるヒータ及び係るヒータを内蔵した写真処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
ハロゲン化銀写真感光材料の処理装置のように、処理液から蒸発する化学的に活性な蒸気が含まれる雰囲気中では、前記に説明したような回路基板では、前記の化学的に活性な蒸気により変質を受けたり、結晶等の析出物が付着することにより、接続不良、絶縁不良が起こる場合がある。
【００１０】
例えば、ＣＰＵのプログラムが書き込まれているＲＯＭは、装置の性能アップ時等における、プログラムの変更を目的としたＲＯＭ交換のために、差し込み式に回路基板に取り付けられている。
【００１１】
このように物理的な接触により回路接続が形成されている電気部品では、前記に説明したように、化学的に活性な雰囲気中に回路基板が設置された場合に、酸化を受けたり、基板上や部品上に蒸気からの析出物が付着して、接触不良や絶縁不良が発生するという問題がある。
【００１２】
また、プログラム変更を可能とするために、書き換え可能なＥＰＲＯＭが使用されるが、ＥＰＲＯＭは書き換え用の光照射を可能とするために、光透過窓を備えたセラミックパッケージにパッケージングされて回路基板に取り付けられる。
【００１３】
しかるに、セラミックパッケージは、水蒸気を含む雰囲気ガスと反応してＲＯＭの端子間に結晶を成長しやすく、結晶の導電性のために、絶縁不良による故障が発生する。
【００１４】
ＲＯＭを例に、接触不良や絶縁不良を説明したが、酸化による接触不良や析出物の付着による絶縁不良はＲＯＭ以外の電気部品においても発生する。
【００１５】
本発明の他の一つは写真感光材料処理装置のように、化学的に活性な雰囲気中に設置される回路基板における前記のような接続不良、絶縁不良等を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的は下記の発明により達成される。
１．
セラミック発熱体、該セラミック発熱体に固定された電極部及び耐熱性シリコン樹脂を主成分とし、前記電極部を被覆する保護層を有することを特徴とするヒータ。
２．
前記電極部は、前記セラミック発熱体上に形成された電極層及び該電極層に接触する電極からなることを特徴とする前記１に記載のヒータ。
３．
前記電極を前記セラミック発熱体に固定する固定手段を有し、前記保護層は、前記固定手段を被覆することを特徴とする前記２に記載のヒータ。
４．
前記保護層は耐熱性顔料を含有することを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のヒータ。
５．
写真処理槽及び乾燥室を有し、前記１〜４の何れかに記載のヒータを前記乾燥室に設けたことを特徴とする写真処理装置。
６．
取付部品の少なくとも一部の部品をシリコン樹脂層で被覆したことを特徴とする回路基板。
７．
前記取付部品は、着脱可能に取り付けられたＲＯＭを含むことを特徴とする前記６に記載の回路基板。
８．
前記取付部品は、セラミックパッケージにパッケージングされた状態で取り付けられた部品を含むことを特徴とする前記６又は前記７に記載の回路基板。
９．
前記６〜８のいずれか１項に記載の回路基板を有することを特徴とする写真処理装置。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜４のいずれかの発明により、高温下や酸化性等雰囲気中において、高耐久性のヒータが実現される。しかも、アルミ等の安価な電極材料を用いることが出来るので、低コストでヒータを提供することができる。
【００１８】
請求項２又は３の発明により、発熱体に電極を取り付ける組み立て作業の後に、保護層が設けられるので、ヒータの製造工程が単純であり、低い製造コストでヒータを製造することができる。
【００１９】
請求項５の発明により、写真処理液の蒸気によるヒータ電極の酸化等、酸化等に伴って起こるヒータ電極の剥離等が良好に防止されて、高耐久性の写真処理装置を低コストで提供することができる。
【００２０】
請求項６又は７の発明により、化学的に活性な雰囲気中に設置されても、接触不良や絶縁不良が発生せず高耐久性の回路基板が実現される。
【００２１】
請求項７の発明により、ソケットと電極との物理的な接触により回路接続が形成される着脱可能なＲＯＭにおいて発生しやすい電極の酸化等による接触不良が確実に防止され、高耐久性の回路基板が実現される。
【００２２】
請求項８の発明によいり、セラミックパッケージ上への蒸気からの析出物の付着による絶縁不良が良好に防止され、高耐久性の回路基板が実現される。
【００２３】
請求項９の発明により、写真処理液の蒸気による電極の酸化、蒸気から析出した結晶の付着等による接触不良や絶縁不良が良好に防止されて、高耐久性の写真処理装置が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は本発明の実施の形態に係るヒータの電気接続部を示す。
【００２５】
１はセラミック発熱体であり、図１（ｂ）に示すように、長い板状の部材である。２はアルミからなる電極層、３は電極、４は電極３をセラミック発熱体１に固定する止めネジ、５はワッシャ、６はバネワッシャである。ハッチングで示した部分７は耐熱性シリコン樹脂からなる保護層である。
【００２６】
セラミック発熱体１にワッシャ４及びバネワッシャ５を介して電極３を固定した後に、保護層７を塗布することにより、電極３が取り付けられ、電極層２と電極３の電気接続が形成される。
【００２７】
保護層７は、筆を用いた塗布や浸漬塗布等の周知の塗布方法により設けられる。
【００２８】
セラミック発熱体１には、ＳｉＣ質、ＬａＣｒＯ３質、Ｚｒ２質、ＴｈＯ２質、炭素質等に周知のセラミックが用いられ、特に限定されない。
【００２９】
電極層２には周知の導電性金属が用いられるが、コストの面からアルミニウムが好ましく、蒸着、スパッタリング等により形成される。
【００３０】
保護層７は耐熱性耐酸性シリコン樹脂を主成分とし、耐熱性及び耐酸性を高めるために、耐熱性無機顔料を含有することが好ましい。耐熱性無機顔料としては、金属、金属酸化物、シリカ等の微粒子が用いられる。
【００３１】
保護層７は、３００℃以上の耐熱性を有することが特に好ましく、このために耐熱性シリコン樹脂が用いられる。本実施の形態におけるシリコン樹脂は、狭義のシリコン樹脂及びシリコンゴムを含む広義のシリコン樹脂である。
【００３２】
図２は本発明の実施の形態に係る写真処理装置であり、ＸレイフィルムＳは導入口ＥＮから処理装置に導入され、現像槽Ａ、定着層Ｂ、水洗層Ｃの各槽で処理された後に、乾燥室Ｄに搬送され、セラミックヒータＨ１、Ｈ２の間を通過して乾燥され、現像処理により顕像化された像を担持するＸレイフィルムが排出口ＥＸから排出される。セラミックヒータＨ１、Ｈ２には、図１に示したヒータが用いられる。
【００３３】
乾燥室Ｄは３００℃程度の高温になるとともに、処理液の蒸気を含む雰囲気に曝されるが、該蒸気には硫酸イオン等の酸成分が含まれる。
【００３４】
前記に説明したように、電極部を耐熱、耐酸性のシリコン樹脂を主成分とする保護層７で被覆しているので、長期間にわたって安定して作動する。
【００３５】
図１にセラミック発熱体を熱源とするヒータで、図１に示す本発明ヒータと、保護槽７を設けない比較例ヒータとを、下記の条件下に放置した加速試験においては、
比較例ヒータでは、１３００時間放置後において、電極層の溶融消滅があったが、本発明ヒータでは溶融消滅が観察されなかった。また、電極層の電気抵抗は、比較例では実施例に比較して、３０倍以上（最大１００倍）となった。
【００３６】
なお、電極層２は、アルミ蒸着層である
前記の実験例では、２液型エポキシ変性シリコーン樹脂塗料であるサーモジンチムニ３００（東京熱化学工業製）を保護層用の塗布材料として用いた。
酢酸濃度・・・・・・・・平均１００ｐｐｍ
２酸化硫黄濃度・・・・・平均５０ｐｐｍ
温度・・・・・・・・・・３００℃
放置時間・・・・・・・・１３００時間
図３は図２に示す写真処理装置に組み込まれる回路基板であり、図３（ａ）はＥＰＲＯＭを組み付けた状態を示し、図３（ｂ）はＥＰＲＯＭを取り外した状態を示す。
【００３７】
回路基板１０には、ＣＰＵ１１、該ＣＰＵの制御プログラムが書き込まれているＥＰＲＯＭ１２等が搭載されている。
【００３８】
ＥＰＲＯＭ１２以外の回路素子は半田付により回路接続されているので、接続部の劣化はきわめて少なく、実用上ほとんどこの劣化に対する対策は不要である。
【００３９】
これに対して、ＥＰＲＯＭ１２は仕様の変更、仕様の向上等のためにプログラムを変更する際に差し替えられるために、半田付ではなく、物理的な接触により、回路基板１０にを接続される。すなわち、ＥＰＲＯＭ１２の端子は回路基板１０に設けられたソケット１２ａに端子を差し込むことにより回路基板１０との回路接続が形成される。
【００４０】
回路基板１０が酸化雰囲気等の化学的に活性な雰囲気に曝された場合に、ＥＰＲＯＭ１２の端子が酸化等により変質する場合がある。
【００４１】
また、ＥＰＲＯＭ１２はセラミックパッケージに封入された形態で回路基板１０に取り付けられるが、セラミックパッケージは良好な絶縁体ではないので、該パッケージ上に結晶等の蒸気からの析出物が付着すると該付着物の導電性により、セラミックパッケージをとおして電流が流れて絶縁不良を起こす場合がある。
【００４２】
ＲＯＭ、特にＥＰＲＯＭを例に接触不良や絶縁不良の問題を説明したが、ＲＯＭ以外にも接触不良を起こしやすい部品が回路基板に取り付けられる場合があるとともに、回路基板には、各所に電極が露出しているために、接触不良や、電極上に結晶が付着することによる絶縁不良を起こす可能性がある。
【００４３】
本実施の形態では、このような接触不良や絶縁不良を防止するために、少なくとも、ＥＰＲＯＭ等のように、接触不良や絶縁不良を起こしやすい電気部品をシリコン樹脂で被覆した。本実施の形態におけるシリコン樹脂は前記の実施の形態と同様に、狭義のシリコン樹脂及びシリコンゴムを含む広義のシリコン樹脂である。シリコン樹脂層の被覆方法としては、電気部品が組み付けられた回路基板の接触不良、絶縁不良を起こしやすい部分にシリコン樹脂液を筆等の塗布具を用いて塗布する方法がある。また、回路基板を塗布液中に浸漬する浸漬法によってもよい。
【００４４】
シリコン樹脂の被覆により、ＥＰＲＯＭ端子の酸化、端子への結晶に付着等による接触不良や絶縁不良が良好に防止された。
【００４５】
なお、図示の例は、ＥＰＲＯＭを用いた例であるが、他の電気部品に対しても、本発明を用いることにより、接触不良、絶縁不良が良好に防止される。
【００４６】
図３に示す回路基板は図２に示すハロゲン化銀写真感光材料の処理装置に組み込まれる。たとえば、図２における導入口ＥＮの下方に図３の回路基板１０が配置される。装置構成としては一応、処理槽Ａ、Ｂ、Ｃから隔離壁により隔離されているが、ガスの回り込みがあり、完全ではない。そのために回路基板１０が劣化する。本実施の形態では、回路基板１０をシリコン樹脂からなる保護層で保護しているので、長期間にわたって接触不良や絶縁不良を起こさない高耐久性の写真処理装置が得られる。なお、写真処理装置には、原液や錠剤に水を加えて混合し、現像液や定着液を調合するケミカルミキサーが装備されているものがあり、該ケミカルミキサーに回路基板が組み込まれている写真処理装置があるが、このような装置においても、本発明の回路基板を組み込むことにより、高耐久性の写真処理装置が実現される。
【００４７】
シリコン樹脂層で被覆しない従来例を組み込んだ写真処理装置では、接触不良や絶縁不良が発生していたが、本発明の回路基板を用いることにより、強制劣化試験において、このような不良はほぼ完全に解消した。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態に係るヒータを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る写真処理装置を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  セラミック発熱体
２  電極層
３  電極
７  保護層
Ｈ１、Ｈ２  セラミックヒータ
１０  回路基板
１１  ＣＰＵ
１２  ＥＰＲＯＭ
【図１】
2005332594.tif 000003
【図２】
2005332594.tif 000004
【図３】
2005332594.tif 000005