(57)【要約】      （修正有）【課題】  基板の一側辺部に沿ってリードが表面に固着された回路基板の裏面を外部に露出させて封止を行う混成集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板１６の表面に形成された導電パターン１８および導電パターン１８と電気的に接続された回路素子１４から成る電気回路を構成する工程と、回路基板１６の一側辺に沿って配置された導電パターン１８から成るパッド１８Ａにリード１１を固着する工程と、回路基板１６をモールド金型のキャビティに収納し、モールド金型でリード１１を狭持することによりリード１１を固定する工程と、キャビティの内部に封止樹脂１２を封入することで回路基板１６の裏面を金型の下面に当接させて封止を行う工程とを具備する。【選択図】  図１
2005191146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の表面に形成された導電パターンおよび前記導電パターンと電気的に接続された回路素子から成る電気回路を構成する工程と、
前記導電パターンから成るパッドにリードを固着する工程と、
前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納し、前記モールド金型で前記リードを狭持することにより前記リードを固定する工程と、
前記キャビティの内部に封止樹脂を封入することで前記回路基板の裏面を前記金型の下面に当接させて封止を行う工程と、
を具備することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記リードを固定する工程では、
前記リードを前記金型で狭持することで前記回路基板は前記金型の底面に対して斜めに位置が固定され、
前記封止樹脂の重みおよび圧力により前記回路基板の底面を前記金型の底面に当接させることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記パッドの裏面は第１の接着剤を介して前記回路基板と接着され、
前記第１の接着剤よりも接着力が大きい第２の接着剤を介して前記リードは前記パッドの表面と接着され、
前記封止樹脂の重みおよび圧力により前記回路基板の底面を前記金型の底面に当接させることで、前記パッドの表面が前記リードと接着された状態で、前記パッドの裏面は前記回路基板から剥離することを特徴とする請求項２記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の接着剤は絶縁性の接着剤であり、前記第２の接着剤は導電性の接着剤であることを特徴とする請求項３記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の接着剤は樹脂を含む接着剤であり、前記第２の接着剤は金属から成る接着剤であることを特徴とする請求項３記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記パッドの裏面を前記回路基板に接着する第１の接着剤は、前記封止を行う際の前記金型の温度よりも低い温度で軟化する材料から成り、
前記回路基板を前記金型の内部に配置することで、前記第１の接着剤は軟化して接着力は小さくなり、
前記前記封止樹脂の重みおよび圧力により前記回路基板の底面を前記金型の底面に当接させることで、前記パッドの表面が前記リードと接着された状態で、前記パッドの裏面は前記回路基板から剥離することを特徴とする請求項２記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の接着剤は、樹脂を含む接着剤であることを特徴とする請求項６記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
剥離した前記パッドと前記回路基板との間には前記封止樹脂が充填されることを特徴とする請求項３から請求項７のいずれかに記載の混成集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は混成集積回路装置の製造方法に関し、特に、回路基板の裏面を封止樹脂から露出させる混成集積回路装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０を参照して、従来の混成集積回路装置の構成を説明する（例えば、特許文献１を参照）。図１０（Ａ）は混成集積回路装置１００の斜視図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＸ−Ｘ’線に於ける断面図である。
【０００３】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）を参照して、従来の混成集積回路装置１００は次のような構成を有する。矩形の基板１０６と、基板１０６の表面に設けられた絶縁層１０７上に形成された導電パターン１０８と、導電パターン１０８上に固着された回路素子１０４と、回路素子１０４と導電パターン１０８とを電気的に接続する金属線１０５と、導電パターン１０８と電気的に接続されたリード１０１とで、混成集積回路装置１００は構成されている。以上のように、混成集積回路装置１００は全体が封止樹脂１０２で封止されている。封止樹脂１０２で封止する方法としては、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドと、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールドとがある。
【０００４】
図１１を参照して、トランスファーモールドにより樹脂封止を行う工程を説明する。図１１は金型１１０を用いて樹脂封止を行う状態を示す断面図である。
【０００５】
基板１０６の表面には、回路素子１０４等から成る電気回路が表面に形成されている。この基板１０６は上金型１１０Ａおよび下金型１１０Ｂにより固定される。上金型１１０Ａと下金型１１０Ｂとを噛み合わせることにより、樹脂が封入される空間であるキャビティが形成される。ゲート１１１から封止樹脂を注入することにより、基板１０６は封止される。また、リードフレーム１０１Ａは、上金型１１０Ａおよび下金型１１０Ｂにより狭持される。このことにより、基板１０６の平面的な位置が固定される。更に、上金型１１０Ａから下方に延在する抑えピンＰが設けられている。この抑えピンＰが基板１０６の表面を押圧することで、封止の工程に於ける基板１０６の厚み方向への固定が行われていた。
【０００６】
以上の工程で封止された後に、熱硬化性樹脂の特性を安定化させるアフターキュアの工程等を経て、混成集積回路装置は製品として完成する。
【特許文献１】特開平６−１７７２９５号公報（第４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したような混成集積回路装置の製造方法は以下に示すような問題を有していた。
【０００８】
抑えピンＰが当接するための領域を基板１０６に設ける必要が有ったため、この領域がデッドスペースと成ってしまい、基板の小型化を阻んでいた。更に、抑えピンＰが当接する領域にはトランジスタ等の回路素子を載置することが出来ないことから、導電パターン１０８の設計を行う際の自由度が低下してしまう問題もあった。更に、押さえピン周辺での樹脂周り不足が発生する問題もあった。
【０００９】
更に、上述説明では基板の裏面を含めて全体を封止する方法が説明されたが、放熱性の向上のために基板１０６の裏面を封止樹脂１０２から露出させる場合もある。この様な場合に於いて、抑えピンＰを用いた場合、基板１０６の厚みには有る程度の公差が有ることから、基板１０６の表面に正確に抑えピンＰの先端部を当接させることが困難であった。従って信頼性が低下してしまう問題があった。
【００１０】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。従って、本発明の主な目的は、基板の一側辺部に沿ってリードが表面に固着された回路基板の裏面を外部に露出させて封止を行う混成集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の混成集積回路装置の製造方法は、回路基板の表面に形成された導電パターンおよび前記導電パターンと電気的に接続された回路素子から成る電気回路を構成する工程と、前記導電パターンから成るパッドにリードを固着する工程と、前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納し、前記モールド金型で前記リードを狭持することにより前記リードを固定する工程と、前記キャビティの内部に封止樹脂を封入することで前記回路基板の裏面を前記金型の下面に当接させて封止を行う工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
更に本発明は、前記リードを固定する工程では、前記リードを前記金型で狭持することで前記回路基板は前記金型の底面に対して斜めに位置が固定され、前記封止樹脂の重みにより前記回路基板の底面を前記金型の底面に当接させることを特徴とする。
【００１３】
更に本発明は、前記パッドの裏面は第１の接着剤を介して前記回路基板と接着され、前記第１の接着剤よりも接着力が大きい第２の接着剤を介して前記リードは前記パッドの表面と接着され、前記封止樹脂の重みにより前記回路基板の底面を前記金型の底面に当接させることで、前記パッドの表面が前記リードと接着された状態で、前記パッドの裏面は前記回路基板から剥離することを特徴とする。上記第1の接着剤としては、例えば樹脂から成る樹脂層を採用することができる。また、上記第２の接着剤としては、半田等のロウ材を採用することもができる。
【００１４】
更に本発明は、前記第１の接着剤は絶縁性の接着剤であり、前記第２の接着剤は導電性の接着剤であることを特徴とする。
【００１５】
更に本発明は、前記第１の接着剤は樹脂を含む接着剤であり、前記第２の接着剤は金属から成る接着剤であることを特徴とする。
【００１６】
更に本発明は、前記パッドの裏面を前記回路基板に接着する第１の接着剤は、前記封止を行う際の前記金型の温度よりも低い温度で軟化する材料から成り、前記回路基板を前記金型の内部に配置することで、前記第１の接着剤は軟化して接着力は小さくなり、前記前記封止樹脂の重みにより前記回路基板の底面を前記金型の底面に当接させることで、前記パッドの表面が前記リードと接着された状態で、前記パッドの裏面は前記回路基板から剥離することを特徴とする。
【００１７】
更に本発明は、前記第１の接着剤は、樹脂を含む接着剤であることを特徴とする。
【００１８】
更に本発明は、剥離した前記パッドと前記回路基板との間には前記封止樹脂が充填されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、以下に示すような効果を奏することができる。
【００２０】
樹脂封止の工程に於いて、キャビティに封入される封止樹脂自体を用いて回路基板を金型の下面に当接させている。従って、従来例に示す抑えピンＰのような余計な構造を省いて封止の工程を行うことが出来る。更に、抑えピンＰの当接領域を回路基板の表面に設ける必要がないことから、回路基板の表面の実質全域に導電パターンを形成することが出来る。また、トランジスタ等の回路素子を配置する位置にも制限が無いことから、導電パターンや、回路素子を配置する位置等を設計する際の自由度を向上させることが出来る。更に、樹脂が薄くなる部分が無いことから、信頼性を向上させることができる。
【００２１】
更に、回路基板の厚さ、回路基板とリードフレームとを接続する接着剤の厚さ、リードフレームの厚さ等にばらつきがある場合でも、パッドの裏面を回路基板から剥離させることにより、このばらつきにより生じる応力を緩和させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１を参照して、本発明の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ’断面での断面図である。
【００２３】
本発明の混成集積回路装置１０は、導電パターン１８と回路素子１４とから成る電気回路が表面に形成された回路基板１６と、電気回路を封止して、少なくとも回路基板１６の表面を被覆する封止樹脂１２とを有する。このような各構成要素を以下にて説明する。
【００２４】
回路基板１６は、アルミや銅等の金属から成る基板である。１例として回路基板１６としてアルミより成る基板を採用した場合、回路基板１６とその表面に形成される導電パターン１８とを絶縁させる方法は２つの方法がある。１つは、アルミ基板の表面をアルマイト処理する方法である。もう１つの方法は、アルミ基板の表面に絶縁層１７を形成して、絶縁層１７の表面に導電パターン１８を形成する方法である。ここでは、回路基板１６の表面に載置された回路素子１４から発生する熱を好適に外部に逃がすために、回路基板１６の裏面は封止樹脂１２から外部に露出している。
【００２５】
回路素子１４は導電パターン１８上に固着され、回路素子１４と導電パターン１８とで所定の電気回路が構成されている。回路素子１４としては、トランジスタやダイオード等の能動素子や、コンデンサや抵抗等の受動素子が採用される。また、パワー系の半導体素子等の発熱量が大きいものは、金属より成るヒートシンクを介して回路基板１６に固着されても良い。ここで、フェイスアップで実装される能動素子等は、金属線１５を介して、導電パターン１８と電気的に接続される。
【００２６】
導電パターン１８は銅等の金属から成り、回路基板１６と絶縁して形成される。また、リード１１が導出する辺に、導電パターン１８からなるパッド１８Ａが形成される。ここでは、回路基板１６の一つの辺付近に、整列したパッド１８Ａが複数個設けられる。更に、導電パターン１８は、絶縁層１７を接着剤として、回路基板１６の表面に接着されている。
【００２７】
リード１１は、回路基板１６の周辺部に設けられたパッド１８Ａに固着され、例えば外部との入力・出力を行う働きを有する。ここでは、一辺に多数個のリード１１が設けられている。リード１１とパッド１８Ａとの接着は、半田（ロウ材）等の導電性接着剤を介して行われている。
【００２８】
封止樹脂１２は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールド、または、熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。ここでは、回路基板１６およびその表面に形成された電気回路を封止するように封止樹脂１２が形成され、回路基板１６の裏面は封止樹脂１２から露出している。
【００２９】
パッド１８Ａの裏面は、回路基板１６の表面から浮き上がっても良い。浮き上がったパッド１８Ａと回路基板１６との間には封止樹脂１２が充填されている。また、パット１８Ａと他の部分との導電パターン１８とは電気的に繋がっている。そして、リード１１は封止樹脂により機械的に支持されている。
【００３０】
図２以降を参照して、混成集積回路装置１０の製造方法を説明する。混成集積回路装置１０の製造方法は、回路基板１６の表面に形成された導電パターン１８および導電パターン１８と電気的に接続された回路素子１４から成る電気回路を構成する工程と、回路基板１６の一側辺に沿って配置された導電パターン１８から成るパッド１８Ａにリード１１を固着する工程と、回路基板１６をモールド金型３０のキャビティ３１に収納し、モールド金型３０でリード１１を狭持することによりリード１１を固定する工程と、キャビティ３１の内部に封止樹脂１２を封入することで回路基板１６の裏面を金型３０の下面に当接させて封止を行う工程とを具備する。この製造方法を以下にて説明する。
【００３１】
先ず、図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して、回路基板１６の表面に導電パターン１８および回路素子１４から成る電気回路を構成する。導電パターン１８の製造方法としては、先ず、絶縁層１７を介して導電箔を回路基板１８の表面に接着する。そして、この導電箔をエッチングすることにより所望のパターン形状を有する導電パターン１８を得る。更に、導電パターン１８の所望の箇所に回路素子１４を配置して、金属細線１５を用いて電気的に接続することにより、所望の電気回路を構成する。回路素子１４としては半導体素子等の能動素子や、抵抗やコンデンサ等の受動素子を全般的に採用することができる。また、パワー系の半導体素子のように大きな発熱を伴う素子は、ヒートシンク等を介して実装基板１６に固着されてもよい。
【００３２】
ここで、絶縁層１７は、導電パターン１８と回路基板１６とを絶縁させる働きを有すると同時に、両者を接着する働きも有する。絶縁層１７の材料としては、例えば、エポキシ樹脂にアルミナ等の無機フィラーを混入させたものを採用することができる。このように無機フィラーが充填された樹脂を絶縁層１７の材料として採用することにより、回路素子１４から発生する熱が回路基板１６に導電する際の熱抵抗を小さくすることができる。
【００３３】
次に、図３および図４を参照して、リード１１を回路基板１６に固着する工程を説明する。先ず、図３を参照して、リードフレーム２０の構造を説明する。本発明では、リード１１は、リードフレーム２０の状態で供給される。即ち、本形態のリードフレーム２０は、リード１１および回路基板１６の搭載領域から成るユニット２１が複数固形されている。更に、リードフレーム２０は、短冊状の外形を有し、各ユニット２１は所定の間隔で離間されて複数個が配置されている。更に、各ユニット２１の間にはスリット２５が設けられて、モールド工程等の加熱を伴う工程にて発生する熱応力を吸収している。また、リードフレーム２０の長手方向の両周辺部には、ガイド孔２２が設けられ、各工程での位置決めに用いられる。更に、各ユニット２１に設けられる複数個のリード１１は、第１の連結部２３および第２の連結部２４により連結されて、その形状および位置が固定されている。
【００３４】
各ユニット２１には、支持部２６および突出部２５が設けられている。突出部２５は、各ユニット２１の両端から内側に延在する部位であり、その平面的形状および位置は、図１に示す固定部１３と同等に形成されている。支持部２６は、後の樹脂封止の工程にて封止樹脂に埋め込まれることにより、回路装置とリードフレーム２０とを最終工程まで一体に連結する働きを有する。支持部２６の形状は、その内部に孔部を有する形状となっており、この孔部に封止樹脂が充填されることで、支持部２６と封止樹脂との結合力が向上される。また、支持部２６は、各ユニット２１の対向する辺に２個ずつ形成されて、後の工程にて、回路装置とリードフレーム２０との結合を強化している。更に、このように支持部２６に孔部を設けることにより、支持部２６とリードフレーム２０との機械的結合が弱くなるので、後の工程における回路装置とリードフレーム２０との分割を容易にすることができる。また、支持部２６は、回路基板１６が配置される予定の領域Ａ１を除外した領域のユニット２１内に形成されている。このように支持部２６を配置することにより、支持部２６を封止樹脂に埋め込むことによる、回路装置の耐湿性の低下を防止することができる。
【００３５】
次に、図４を参照して、リードフレーム２０の各ユニット２１に回路基板１６を固着する。図４（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図４（Ｂ）は断面方向Ｄ１から見た断面図である。回路基板１６とリードフレーム２０との固着は、各ユニット２１のリード１１の先端部と回路基板１６のパッド１８Ａとを、半田等のろう材を介して固着することにより行われる。図４（Ｂ）を参照して、パッド１８Ａに固着される部分のリード１１は、回路基板１６とのショートを防止するために曲折されている。
【００３６】
次に、図５から図８を参照して、回路基板１６の裏面を露出させて、封止樹脂１２による封止を行う。先ず、図５を参照して、封止を行う金型３０の内部に回路基板１６を収納させる。図５（Ａ）および図５（Ｂ）は本工程での断面図である。ここでは、１つの回路基板１６を封止する方法を説明するが、実際には複数個の回路基板１６がリードフレーム２０にて連結された状態で本工程は行われる。
【００３７】
先ず、図５（Ａ）を参照して、封止を行う金型３０と回路基板１６との関連構成を説明する。本工程で封止を行う金型３０は、上金型３０Ａおよび下金型３０Ｂからなり、両者を上下からかみ合わせることにより、封止を行う空間であるキャビティ３１が形成される。更に、上金型３０Ａおよび下金型３０Ｂには、当接部３２Ａおよび当接部３２Ｂが設けられ、これらの当接部３２がリード１１を狭持することにより、回路基板１６の平面的な位置が固定される。この図では、回路基板１６を下金型３０Ｂに載置した後に、上金型３０Ａを下金型３０Ｂに嵌合させた状態を示している。ここで、キャビティ３１の下面と、下金型の当接部３２Ａ上端との上下方向の距離をＤ１とする。そして、回路基板１６の下面と、リード１１の下面との上下方向の距離をＤ２とする。そうすると、本実施の形態では、Ｄ１はＤ２よりも短く設定されている。この構成により、下金型３０Ｂの下面に回路基板１６を載置すると、リード１１と当接部３２Ｂとの間には、Ｄ１とＤ２との差に対応した間隙が形成される。
【００３８】
図５（Ｂ）を参照して、リード１１が当接部３２Ｂに接触するまで、上金型３０Ａを押圧方向Ｄに押圧する。このことにより、キャビティ３１内部において、回路基板１６はキャビティ３１の下面に対して斜めに固定される。具体的には、リード１１が固着される辺を支点にして、回路基板１６の位置は斜めに固定されている。これは、リード１１が傾斜部を介して延在していることから、リード１１の先端部を当接部３２Ａが下方に押圧されることにより、下方向と前後方向（図面では左右方向）への力が回路基板１６に作用することが原因である。ここでは、キャビティ３１の下面と回路基板１６とが成す角度をαとする。
【００３９】
次に図６を参照して、キャビティ３１に封止樹脂１２を封入する。図６（Ａ）はキャビティ３１に封止樹脂１２を封入する途中の段階を示す断面図であり、図６（Ｂ）は樹脂封入が行われた後の状態を示す断面図である。
【００４０】
図６（Ａ）を参照して、ゲートＧから封止樹脂１２をキャビティ３１内部に封入することにより、モールドを行う。更に本工程では、封止樹脂１２を回路基板１６の上部に位置させることにより、封止樹脂１２の重みを用いて回路基板１６の裏面をキャビティ３１の下面に当接させている。具体的には、樹脂封止の工程が進行するに伴い、回路基板１６の上部に位置する封止樹脂１２の量が徐々に多くなり、キャビティ３１の下面と回路基板１６とが成す角度αが小さく成る。そして、回路基板１６の裏面はキャビティ３１の下面に当接される。また、キャビティ３１に封入される際の封入圧も、回路基板１６を下方向に押圧する作用を有する。
【００４１】
ゲートＧは、回路基板１６の上面よりも上方に位置する箇所の金型の側面で、リードと接する箇所に設けられている。この図ではリード１１が固定される辺に対抗してゲートＧが設けられているが、紙面の奥行き方向に位置する金型の側辺にゲートＧを設けてもよい。
【００４２】
図６（Ｂ）を参照して、キャビティ３１に封止樹脂１２が充填されるまで封止を行うことにより、モールドの工程は終了する。封止の工程の途中段階で回路基板１６の裏面がキャビティの下面に当接されるので、回路基板１６の裏面は封止樹脂１２から露出する構造となる。また、本工程は、金型３０全体を１８０度程度に加熱して行われる。また、回路基板１６の裏面がキャビティの下面に当接するまでの段階で、パッド１８Ａの裏面が回路基板１６の表面から剥離する場合もある。
【００４３】
次に、図７の断面図を参照して、モールドの工程が終了した後の混成集積回路装置１０の構成を説明する。この図を参照して、パッド１８Ａの裏面は部分的に回路基板１６から剥離した構造になっている。そして、パッド１８Ａの表面は、ロウ材１９を介してリード１１と固着されている。パッド１８Ａの裏面が剥離することで、上記モールドの工程で回路基板１６の角度αを変化させることにより発生する応力を吸収している。本形態では、パッド１８Ａと回路基板１６との接着強度を、パッド１８Ａとリード１１との接着強度よりも小さくすることで斯かる構成を実現している。また、剥離したパッド１８Ａと回路基板１６との間には、封止樹脂１２が充填されている。
【００４４】
具体的には、パッド１８Ａの裏面は絶縁層１７を介して回路基板１６の表面と接着されている。そして、パッド１８Ａの表面はロウ材１９を介してリード１１と接着されている。ロウ材１９による接着強度は、絶縁層１７による接着強度よりも大きい。従って、モールドの工程にてパッド１８Ａを剥離する外力が加わった際には、パッド１８Ａの裏面を優先的に剥離させる。更に、モールドの工程では、キャビティ３１の内部は１８０度程度に加熱される。この状況下では、パッド１８Ａと回路基板１６との接着を行う絶縁層１７は、軟化して接着力が弱くなる。それに対して、パッド１８Ａとリード１１との接着を行うロウ材１９は、この程度の温度では軟化しない。従って、図６に示すような構造を容易に得ることができる。
【００４５】
パッド１８Ａの裏面を回路基板１６から剥離させることにより、パッド１８Ａの裏面は回路基板１６から剥離する。しかしながら、回路基板１６に接触する付近のリード１１は、全体を封止する封止樹脂１２に埋め込まれているので、リード１１の機械的保持は封止樹脂１２を介して行われている。そして、リード１１の電気的接続はパッド１８Ａを介して行われている。
【００４６】
上記工程により、パッド１８Ａに連続する部分の導電パターン１８には、若干の延びが生じる。しかしながら、導電パターン１８の材料として銅を用いた場合、銅は延伸性に優れた材料であるので、この延びによる断線等の恐れはない。また、図７では、パッド１８Ａの裏面が絶縁層１７から剥離しているが、絶縁層１７がパッド１８Ａの裏面に接着した状態で、パッド１８Ａが回路基板１６から剥離してもよい。
【００４７】
図８を参照して、モールドの工程が終了した後のリードフレーム２０の平面的な状態を説明する。この図は、図３に示したリードフレーム２０の一部分を拡大した平面図である。
【００４８】
封止樹脂は、各ユニット２１に固着された回路基板１６を封止するように形成されている。そして、突出部２５の領域に対応する箇所には封止樹脂１２が形成されない。従って、この箇所は、図１に示すような固定部１３となる。また、支持部２６は、モールドの工程にて封止樹脂１２に埋め込まれている。この図では、封止樹脂に埋め込まれる部分の支持部２６を点線にて示している。
【００４９】
次に、図９を参照して、各ユニット２１からリード１１を分離する。ここでは、点線で示す第1の連結部２３を、パンチング等の除去方法により削除して、各リード１１を機械的・電気的に分離する。更に、第２の連結部２４に連続する部分のリード１１をカットすることにより、リード１１をリードフレーム２０から分離する。リードフレーム２０とリード１１とを機械的に分離することにより、樹脂封止された回路基板１６とリードフレーム２０とは、支持部２６を介して連結されている。従って、本形態では、リード１１の分離を行った後でも、各ユニット２１の混成集積回路装置とリードフレーム２０とは、一体に支持されているので、工程間の搬送等を容易に行えるメリットを有する。
【００５０】
上記工程が終了した後は、リード１１を所望の形状に曲折してフォーミングを行う工程、各混成集積回路装置をリードフレーム２０から分離する工程、各混成集積回路装置の電気的特性を計測する工程を経て、例えば図１に示すような混成集積回路装置１０が完成する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の混成集積回路装置の斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図２】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図３】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図４】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図９】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１０】従来の混成集積回路装置を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図１１】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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