(57)【要約】【課題】ウエーハ外周部の突起部分をなくし、高平坦度なウエーハを得ることができるウエーハの研磨方法を提供する。【解決手段】ウエーハ主面を不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドに摺接して鏡面研磨する研磨方法において、該研磨パッドの表面粗さＲａが３．０μｍ〜５．０μｍであるか又は該研磨パッドの表面粗さＲａ（μｍ単位）と硬度（アスカーＣ硬度）の比（Ｒａ／硬度）が０．０３２〜０．０５８であるようにした。上記研磨パッドの硬度はアスカーＣ硬度で８７〜９３である。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハ主面を不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドに摺接して鏡面研磨する研磨方法において、該研磨パッドの表面粗さＲａが３．０μｍ〜５．０μｍであることを特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項２】
ウエーハ主面を不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドに摺接して鏡面研磨する研磨方法において、該研磨パッドの表面粗さＲａ（μｍ単位）と硬度（アスカーＣ硬度）の比（Ｒａ／硬度）が０．０３２〜０．０５８であることを特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項３】
前記研磨パッドの硬度がアスカーＣ硬度で８７〜９３であることを特徴とする請求項１又は２記載のウエーハの研磨方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のウエーハの研磨方法であって、キャリアプレートに形成されたウエーハ保持孔内に前記ウエーハを挿入・保持し、スラリーを供給しながら、前記研磨パッドが貼付された上定盤及び下定盤の間で、該キャリアプレートを運動させて、前記ウエーハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨装置を用い研磨することを特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項５】
前記研磨パッドの密度が０．３９±０．０３ｇ／ｃｍ３、圧縮率が２．３±１．０％、及び圧縮弾性率が６０±１５％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のウエーハの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高平坦度なウエーハを得ることができるウエーハの研磨方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
従来、半導体基板材料として用いられるシリコンウエーハの製造方法は、一般にチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ；ＣＺ）法や浮遊帯域溶融（Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｚｏｎｅ；ＦＺ）法等を使用して単結晶インゴットを製造する結晶成長工程、この単結晶インゴットをスライスし、少なくとも一主面が鏡面状に加工されるウエーハ加工工程を経る。更に詳しくその工程を示すと、ウエーハ加工工程は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウエーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、このウエーハを平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、そのウエーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研磨されたウエーハを洗浄して、これに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を有している。上記ウエーハ加工工程は、主な工程を示したもので、他に熱処理工程等の工程が加わったり、同じ工程を多段で行ったり、工程順が入れ換えられたりする。
【０００３】
これらの工程のうち、研磨（ポリッシング）工程ではいろいろな形態の研磨方法がある。例えば、シリコンウエーハの鏡面研磨方法は、ラッピング加工のように両面を同時に鏡面化する両面研磨方式や１枚ずつウエーハをプレートに真空吸着保持して研磨する枚様方式、ウエーハをワックス等の接着剤を使用しないで、バッキングパッドとテンプレートで保持しつつ研磨するワックスフリー研磨方式など様々な方式がある。現在のところガラスやセラミック等のプレートに複数枚のウエーハをワックスで貼り付けて片面を研磨するワックスマウントバッチ式片面研磨装置が主流である。この研磨装置ではウエーハが保持されたプレートを研磨パッドを貼った定盤上に置き、上部トップリングに荷重を掛けて、定盤及びトップリングを回転させながら研磨を行う。
【０００４】
また、直径３００ｍｍウエーハの研磨では、初めの１次研磨では、両面同時研磨装置を用い、２次研磨、仕上げ研磨などで片面研磨装置を用いるなど、種々の態様の研磨装置を組合せ研磨することが行われている。
【０００５】
これらの研磨で用いられる研磨パッドは、一般的に不織布タイプの研磨パッドやスエードタイプの研磨パッドなどが用いられている。不織布タイプの研磨パッドはポリエステルフェルト（組織はランダムな構造）にポリウレタンを含浸させたもので多孔性があり、かつ弾性も適度で、高い研磨速度と平坦性にすぐれ、ダレの少ない加工ができるようになっている。この不織布タイプの研磨パッドは、シリコン基板の１次研磨用として広く使用されている。
【０００６】
スエードタイプ研磨パッドは、ポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させた基材に、ポリウレタン内に発泡層を成長させ、表面部位を除去し発泡層に開口部を設けたもの（この層をナップ層と呼ぶ）であって、特に仕上げ研磨用に使用されており、発泡層内に保持された研磨剤が、工作物と発泡層内面との間で作用することにより研磨が進行する。このスエードタイプの研磨パッドはケミカルメカニカルな研磨に多用され、ダメージのない面が得られる。上記した不織布タイプやスエードタイプの研磨パッドの他にも発泡ウレタンシートなどの研磨パッドがある。
【０００７】
研磨パッドの製造方法としては、例えば不織布タイプの研磨パッド等はポリエステルフェルトにポリウレタン等の樹脂を含浸させ硬化させ、その表面をダイヤモンドの砥粒の付いたロール状の砥石あるいはサンドペーパーを用いて研削（バフィングという）して任意の特性の研磨パッドを作製している。樹脂の材質や含浸量及び表面のバフィング加工条件によってその研磨パッドの硬度や圧縮率等を制御している。現状、研磨パッドの硬度としてはアスカーＣ硬度で５０以上のものが用いられている。
【０００８】
アスカーＣ硬度とは、スプリング硬さ試験機の一種であるアスカーゴム硬度計Ｃ型により測定した値であり、ＳＲＩＳ（日本ゴム協会規格）０１０１に準じた値である。
【０００９】
１次研磨で両面研磨装置を用いた場合、片面研磨と比較し、ウエーハ外周がダレやすいと言う問題がある。外周ダレを制御するには一般的には研磨パッドの表面硬度が高い（アスカーＣ硬度で８５以上の高硬度の）研磨パッドが用いられるようになっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、両面研磨装置において、高硬度の研磨パッドが用いられるようになっているが、硬質研磨パッドでは一般的に多孔性が乏しくなり、直ぐに目詰まり等が起こりやすく研磨パッドとしては扱いにくい。そこで最近では含浸させる樹脂の硬度自体を硬い樹脂にして、多孔性を有したまま硬質にした研磨パッドなどが開発されている。
【００１１】
研磨工程では、ウエーハを高平坦度に加工することが重要である。しかし、上記のような研磨装置及び硬質の研磨パッド（例えば、アスカーＣ硬度が８７〜９３程度で表面粗さＲａが２．５μｍ程度）を用いて研磨を行った場合、ウエーハ外周部のダレはある程度改善されるものの、図４に示すように、ウエーハＷの外周部に突起状の異常形状、即ち外周突起Ｒが観察されることがあった。
【００１２】
本発明は、上記事情を鑑みなされたものであって、上記のようなウエーハ外周部の突起部分をなくし、高平坦度なウエーハを得ることができるウエーハの研磨方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明者が鋭意調査したところ、このようなウエーハ外周部の異常形状を無くし高平坦度なウエーハを得るためには、研磨パッドの粗さが特に影響することを見出し、本発明を完成させた。
【００１４】
つまり、本発明のウエーハの研磨方法の第１の態様は、ウエーハ主面を不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドに摺接して鏡面研磨する研磨方法において、該研磨パッドの表面粗さＲａが３．０μｍ〜５．０μｍであることを特徴とする。
【００１５】
従来の研磨布は、研磨布が比較的柔らかいために表面粗さも粗くなりＲａは１０μｍ以上となるのが一般的であった。また、近年外周部のダレの改善に用いられる高硬度の研磨布（例えば、アスカーＣ硬度で８５以上の研磨布）では、研磨布表面の多孔性が乏しい、または不織布に含浸させる樹脂自体の硬度が高いなどの理由から、特に積極的にバフィングしない限り、表面粗さＲａは２μｍ程度の粗さにしかならなかった。今まで不織布の表面粗さが平坦度に影響することは考えられておらず、この程度の粗さの研磨布を用い研磨されていた。
【００１６】
本発明者は研磨パッドの表面粗さに着目し、上記のような範囲の表面粗さＲａの研磨パッドを用いることによりウエーハ外周部の異常形状を無くし高平坦度なウエーハを得ることができることを見出した。なお、この表面粗さＲａは研磨布を使用する前の初期表面粗さを確認すれば、実際に使用中の粗さを確認しなくてもほぼ目的を達成することができる。つまり、初期表面粗さＲａ＝３．０μｍ〜５．０μｍの研磨パッドを定盤に貼付し研磨すると良い。
【００１７】
本発明のウエーハの研磨方法の第２の態様は、ウエーハ主面を不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドに摺接して鏡面研磨する研磨方法において、該研磨パッドの表面粗さＲａ（μｍ単位）と硬度（アスカーＣ硬度）の比（Ｒａ／硬度）が０．０３２〜０．０５８であることを特徴とする。
【００１８】
このような範囲の研磨パッドを用いることで、特にウエーハ外周部の異常形状を無くし高平坦度なウエーハを得ることができる。
【００１９】
また、この時用いる研磨パッドの硬度がアスカーＣ硬度で８７〜９３であると好ましい。これより柔らかい研磨パッドではバッフイングにより表面粗さが１０μｍ以上となり突起状の異常形状は発生しにくくなるが、外周ダレ等が逆に発生しやすくなることがあり平坦度が十分でないこともある。従来ダイヤモンドドレス及びサンドペーパー等を用いバッフイング（ドレッシング）すると平坦度が悪くなることがあったが、これは比較的柔らかい研磨パッドを用いた場合であり、本発明のように硬質の研磨パッドであれば高平坦度なウエーハが研磨できる。
【００２０】
特に、前記鏡面研磨するための研磨方法が、キャリアプレートに形成されたウエーハ保持孔内にウエーハを挿入・保持し、スラリーを供給しながら、前記研磨パッドが貼付された上定盤及び下定盤の間で、キャリアプレートを運動させて、前記ウエーハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いウエーハを研磨する場合に、上記表面粗さＲａ及び硬度の研磨パッドを用いると良い。このようなタイプの研磨装置で特にウエーハ外周部の異常が発生しやすいからである。
【００２１】
また、研磨パッドとしては、不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドが用いられる。特に密度が０．３９±０．０３ｇ／ｃｍ３、硬度が９０±３（アスカーＣ硬度）、圧縮率が２．３±１．０％、及び圧縮弾性率が６０±１５％であるような特性を有する研磨パッドを用いると高平坦度なウエーハに研磨できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、図示例は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。
【００２３】
図１は本発明方法を実施する際に用いられる両面研磨装置の一例を示す縦断面説明図である。図２は図１の両面研磨装置におけるキャリアプレートの一例を示す平面説明図である。
【００２４】
図１において、１０は両面研磨装置で、互いに相対向するように設けられた上定盤１２及び下定盤１４を備えている。
【００２５】
上記上定盤１２は、回転及び研磨荷重をかける上シリンダーロッド１６やその荷重を上定盤１２に伝えるハウジング１７などから構成されている。該上定盤１２の下部には研磨パッド１８が貼付してある。この他に、該上定盤１２内には該上定盤１２の温度を制御するための冷却手段（図示せず）や、スラリーを供給するためのスラリー供給手段１３が設けられている。
【００２６】
上記下定盤１４は、回転を与えるモータ及び減速機（図示せず）に接続する下シリンダーロッド２０や、下定盤１４の荷重を支えるスラスト軸受２２などから構成されている。下定盤１４の上部には研磨パッド２４が貼付してある。この他に、下定盤１４内には下定盤１４の温度を制御するための冷却手段（図示せず）が設けられている。
【００２７】
２６は上定盤１２及び下定盤１４の間に設けられたキャリアプレートである。該キャリアプレート２６のウエーハ保持孔２８にはウエーハＷが旋回自在に挿入保持される。該ウエーハ保持孔２８に保持されたウエーハＷは、上定盤１２及び下定盤１４によって上下方向から挟み込まれるとともに、該上定盤１２及び下定盤１４をウエーハＷに対して相対的に回転させることでウエーハ面が研磨される。３０はキャリアプレート２６を外方から支持する環状のキャリアホルダである。キャリアプレート２６は、例えば図２に示すように５つのウエーハ保持孔２８を有する円板形状のプレート状に形成されている。このキャリアプレート２６の材質等は特に限定するものではないが、例えばガラスエポキシ製のものが使用される。
【００２８】
このキャリアプレート２６は、そのキャリアプレート２６自体が円運動機構によって、揺動するような構成となっている。このために、キャリアプレート２６を外方から保持する環状のキャリアホルダ３０を有している。
【００２９】
このキャリアホルダ３０の外周部には、外方へ突出した複数の軸受部３２が配設されている。各軸受部３２には、小径円板形状の偏心アーム３４が挿着されている。また、偏心アーム３４の各下面の中心部には、回転軸３６が垂設されている。これらの回転軸３６の下方に突出した先端部には、それぞれスプロケット（図示せず）が固着されている。そして、各スプロケットには、一連にタイミングチェーン３８が水平状態で架け渡されている。これらのスプロケットとタイミングチェーン３８とは、偏心アーム３４と同期して円運動を行うように、回転軸３６を同時に回転させる同期手段を構成している。
【００３０】
したがって、円運動用モータの出力軸を回転させると、その回転力は回転軸３６に固着されたスプロケットを介してタイミングチェーン３８に伝達され、このタイミングチェーン３８が周転することで、偏心アーム３４が同期して回転軸３６を中心に水平面内で回転する。これにより、それぞれの偏心アーム３４に一括して連結されたキャリアホルダ３０、ひいてはこのキャリアホルダ３０に保持されたキャリアプレート２６が、このキャリアプレート２６に平行な水平面内で、自転をともなわない円運動を行う。
【００３１】
すなわち、キャリアプレート２６は上定盤１２及び下定盤１４の軸線から所定距離だけ偏心した状態を保って旋回する。この所定距離は、偏心アーム３４と回転軸３６との離間距離と同じである。この円運動により、キャリアプレート２６上の全ての点は、同じ大きさの小円の軌跡を描く。
【００３２】
本発明の研磨方法で用いる研磨パッドについて更に詳しく説明する。研磨パッドは、不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドが主に用いられる。特に研磨パッドの硬度がアスカーＣ硬度で８７〜９３程度の研磨パッドを用いると良い。なかでも密度が０．３９±０．０３ｇ／ｃｍ３、圧縮率が２．３±１．０％、圧縮弾性率が６０±１５％であるような特性の研磨パッドを用いると高平坦度なウエーハが研磨できる。この時、初期の研磨パッド粗さが（使用前の研磨パッド表面粗さが）、触針式の粗さ測定器で測定してＲａ＝３．０μｍ〜５．０μｍの範囲であると好ましい。
【００３３】
研磨パッドの製造方法は特に従来方法とは違わないが、本発明に用いる研磨パッドでは特に表面粗さに注意し製造する必要がある。上記のような研磨パッドを製造する時の方法としては、例えば不織布タイプの研磨パッドでポリエステルフェルトに硬度の高いポリウレタンを含浸させ、ポリウレタンの含浸量を調整し、研磨パッドの硬度及び多孔性を制御し、次に表面粗さが任意の粗さとなるように砥石あるいはサンドペーパーにより研磨パッド表面をバフィングすることにより表面粗さを調整すれば良い。特にアスカーＣ硬度で８７〜９３程度の研磨布とした場合、本発明の条件になるようにバッフイングするには＃２００番より粗いダイヤモンドドレスなどの砥石あるいはサンドペーパーを用いればよい。
【００３４】
このような研磨パッドが貼付された両面同時研磨装置によりウエーハ表裏両面を研磨している。具体的には図１に示すように、上定盤１２は、上方に延びた回転軸（シリンダーロッド１６）を介して、上側回転モータにより水平面内で回転される。また、この上定盤１２は軸線方向へ進退させる昇降装置により垂直方向に昇降させられる。この昇降装置は、シリコンウエーハＷをキャリアプレート２６に供給及び排出する際などに使用される。なお、上定盤１２及び下定盤１４のシリコンウエーハＷの表裏両面に対する押圧は、流体等を介した加圧方法により行う。主に上定盤１２に配置したハウジング部分により加圧される。
【００３５】
下定盤１４は、その出力軸（シリンダーロッド２０）を介して、下側回転モータにより水平面内で回転させられる。
【００３６】
上記キャリアプレート２６は、該キャリアプレート２６自体が自転しないように、キャリアプレート円運動機構によって、該キャリアプレート２６の面と平行な面（水平面）内で円運動する。
【００３７】
スラリー供給手段１３においては、例えば上定盤１２に形成される複数のスラリー供給孔１３ａがシリコンウエーハＷが常に存在する所定幅の円環状の領域に配置されている。ウエーハＷが揺動してもその裏面に常にスラリーが供給されるよう構成されている。
【００３８】
使用するスラリーの種類は限定されない。例えば、コロイダルシリカを含有したｐＨ９〜１１のアルカリ溶液を採用することができる。スラリーの供給量はキャリアプレートの大きさにより異なり限定されないが、通常は２．０〜６．０リットル／分である。
【００３９】
上定盤１２及び下定盤１４の回転速度は限定されない。各回転方向も限定されない。上定盤１２及び下定盤１４のウエーハＷに対しての押圧力も限定されないが、通常は１００〜３００ｇ／ｃｍ２である。また、ウエーハ表裏両面の研磨量及び研磨速度も限定されない。さらに、本発明方法が適用される研磨装置は、特に上記した図示例の形態に限定されるものではない。
【００４０】
次に、このような両面研磨装置１０を用いてシリコンウエーハＷの両面を研磨する方法を説明する。まず、キャリアプレート２６の各ウエーハ保持孔２８（５つのウエーハ保持孔を有するキャリアプレート）にそれぞれ旋回自在に、例えば、直径３００ｍｍのシリコンウエーハを５枚（１バッチ５枚）挿入する。各ウエーハＷは研磨パッド１８，２４が貼付された上下定盤１２，１４により上記したような任意の荷重で押し付けられ研磨される。
【００４１】
その後、これらの両研磨パッド１８，２４をウエーハＷの表裏両面に押し付けたまま、上定盤１２側からスラリーを供給しながら、円運動用モータによりタイミングチェーン３８を周転させる。これにより、各偏心アーム３４が水平面内で同期回転し、各偏心アーム３４に一括して連結されたキャリアホルダ３０及びキャリアプレート２６が、このプレート表面に平行な水平面内で、自転をともなわない円運動（直径１０ｃｍ程度の円運動）を行う。その結果、各シリコンウエーハＷは、対応するウエーハ保持孔２８内で水平面内に旋回しながら、それぞれのウエーハＷの表裏両面が両面研磨される。
【００４２】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００４３】
図１に示した研磨装置を用い、上述した研磨条件（ウエーハへの押圧力：２５０ｇ／ｃｍ２）で直径３００ｍｍのシリコンウエーハを研磨し、研磨パッドの表面粗さと、ウエーハ外周部の異常形状（凸部）の発生状況を確認する実験を行った。なお、スラリーとしては、ｐＨ１１のアルカリ性溶液中に、平均粒度０．０３５μｍのコロイダルシリカからなる研磨砥粒が分散したものを使用した。
【００４４】
確認した研磨パッドは、上記のように作製したウレタン樹脂からなる不織布（密度：０．３９±０．０３ｇ／ｃｍ３、圧縮弾性率：６０±１５％）で圧縮率＝２．３±１．０％、アスカーＣ硬度＝８７〜９３からなる研磨パッドである。この研磨パッドの表面を＃８０からなるダイヤモンドドレス、＃１２０、＃２４０からなるサンドペーパーでドレッシング（バッフイング）し、表面粗さが、Ｒａ＝８．０μｍ（Ｒａ／硬度＝０．０９２）、Ｒａ＝４．０μｍ（Ｒａ／硬度＝０．０４４）、Ｒａ＝２．５μｍ（Ｒａ／硬度＝０．０２７）の３種類の研磨パッドを用意した。
【００４５】
ここで、研磨パッドの圧縮率はＪＩＳ  Ｌ−１０９６に準拠した方法で測定した。具体的には圧縮弾性試験機を使用し、研磨パッドに対して初荷重Ｗ０を負荷した後１分経過後の研磨パッドの厚さＴ１を読み、同時に荷重をＷ１に増やし、１分経過後の研磨パッドの厚さＴ２を読む。そして圧縮率（％）は、｛（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１｝×１００で算出した。ここでＷ０は５０ｇ／ｃｍ２、Ｗ１は３００ｇ／ｃｍ２で評価した。
【００４６】
また、表面粗さは、研磨パッドの表面を触針式の粗さ測定器で、測定条件（測定端子８００μｍ、測定長７．５ｍｍ、測定速度１ｍｍ／ｓ、カットオフ０．８ｍｍ、Ｒａ値）で測定した。
【００４７】
（実施例１）
上述した研磨方法により直径３００ｍｍウエーハを１００枚研磨した。この研磨に際しては、上記した表面粗さＲａ＝４．０μｍ（アスカーＣ硬度９１）の研磨パッドを用いた。研磨したウエーハの平坦度をフラットネス測定機を用い、周辺２ｍｍ除外の条件で平坦度（ＳＦＱＲｍａｘ）を測定した。
【００４８】
ＳＦＱＲとは、平坦度に関して表面基準の平均平面をサイト（通常２６ｍｍ×３３ｍｍの正方形のエリア）毎に算出し、その面に対する凹凸の最大値を表した値（設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、この平面からの＋側、−側各々最大変位量の絶対値の和）であり各サイト毎に評価された値で、ＳＦＱＲｍａｘとはウエーハ上の全サイトのＳＦＱＲの中の最大値である。
【００４９】
研磨終了後、ウエーハの形状及び平坦度を確認し、その結果の１例を図３に示した。すべてのウエーハで図３に示すような形状を有し、ウエーハ外周部の異常形状は観察されなかった。またＳＦＱＲｍａｘはすべてのウエーハで０．１３μｍ以下と高平坦度なウエーハが得られた。外周部まで平坦なウエーハが安定して研磨されている事がわかる。
【００５０】
なお、本実施例及び後述する比較例においては、図４に示すように、フラットネス測定機で測定した時に、断面図にて最外周から外周５０ｍｍ間に変曲点Ｈをもつような突起状の形状、即ち、外周突起Ｒが現れた時に異常形状と判断した。
【００５１】
（比較例１）
実施例１と同様な方法で上記した表面粗さＲａ＝２．５μｍ（アスカーＣ硬度９３）の研磨パッドを用い研磨した。その結果を図３に示した。図３に示されるように、図４に示すような形状をしたウエーハが複数枚観察された。平坦度はＳＦＱＲｍａｘで０．１３μｍ以下のウエーハも存在するものの、ＳＦＱＲｍａｘ＝０．２０μｍ程度のウエーハもあり安定した特性（平坦度）のウエーハが得られなかった。
【００５２】
なお、他の粗さの研磨パッドを用意し、ウエーハ外周部の形状異常を観察したところ、特に表面粗さＲａが３μｍ程度を境に、これより粗さが小さいとウエーハ外周部の形状異常が出やすく、これより粗さが大きいとウエーハ外周部の形状異常が観察されなかった。
【００５３】
（比較例２）
実施例１と同様な方法で上記した表面粗さＲａ＝８．０μｍ（アスカーＣ硬度８７）の研磨パッドを用い研磨した。その結果を図３に示した。図３に示されるように、形状異常は発生しなかったものの、平坦度はＳＦＱＲｍａｘで０．２０μｍ程度のウエーハであった。
【００５４】
このように研磨パッド表面の粗さを５μｍ以上としても、ウエーハ外周部の形状異常の発生は抑えられるものの、研磨パッドの硬度への影響が発生し高平坦度なウエーハが得られにくくなる。好ましくはＲａ＝３〜５μｍ（アスカーＣ硬度８７〜９３）程度にするのが適当であった。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５６】
【発明の効果】
以上述べたごとく、本発明の代表的なものの効果について説明すれば、上記研磨パッドを用いた事により外周の異常形状が防止でき、特に２ｍｍ除外のＳＦＱＲｍａｘで０．１３μｍ以下の高平坦度なウエーハの製造が安定して達成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施する際に用いられる両面研磨装置の一例を示す縦断面説明図である。
【図２】図１の両面研磨装置におけるキャリアプレートの一例を示す平面説明図である。
【図３】実施例１及び比較例１、２における研磨結果（ＳＦＱＲｍａｘ及びウエーハ形状の鳥瞰図）を示す図表である。
【図４】従来の研磨パッドを用いたウエーハの研磨結果の一例を示す図面で、（ａ）はウエーハ形状の鳥瞰図及び（ｂ）はウエーハ表面の粗さを示すグラフである。
【符号の説明】
１０：両面研磨装置、１２：上定盤、１３：スラリー供給手段、１３ａ：スラリー供給孔、１４：下定盤、１６：上シリンダーロッド、１７：ハウジング、１８，２４：研磨パッド、２０：下シリンダーロッド、２２：スラスト軸受、２６：キャリアプレート、２８：ウエーハ保持孔、３０：キャリアホルダ、３２：軸受部、３４：偏心アーム、３６：回転軸、３８：タイミングチェーン、Ｈ：変曲点、Ｒ：外周突起、Ｗ：ウエーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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