(57)【要約】【課題】半導体基板の裏面側に薄い樹脂層を形成することにより、半導体基板の反りを防いで半導体基板の薄型化（裏面研削処理）を良好に行うことができるようにし、かつ、これにより、半導体装置に生じるクラックやカケを低減するようにすることができる半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の一方表面に形成された突起電極２または配線の少なくとも一方を有するとともに、半導体基板１の一方表面に形成された第１樹脂膜３と半導体基板１の他方表面に形成された第２樹脂膜４とを有し、第２樹脂膜４が、半導体基板１の他方表面への衝撃を吸収する程度に低弾性であること及び半導体基板の厚みよりも薄いことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、該半導体基板の一方表面に形成された突起電極または配線の少なくとも一方を有するとともに、前記半導体基板の一方表面に形成された第１樹脂膜と前記半導体基板の他方表面に形成された第２樹脂膜とを有し、該第２樹脂膜が、前記半導体基板の他方表面への衝撃を吸収する程度に低弾性であること及び半導体基板の厚みよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、該半導体基板の一方表面に形成された突起電極または配線の少なくとも一方を有するとともに、前記半導体基板の一方表面に形成された第１樹脂膜と前記半導体基板の他方表面に形成された第２樹脂膜とを有し、該第２樹脂膜の弾性率が１５ＧＰＳ以下であることを特徴とする半導体装置。  
【請求項３】
前記第２樹脂膜の厚みが第１樹脂膜の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２樹脂膜の厚みが３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２樹脂膜は前記半導体基板表面のマーキングを確認できる程度に透光性を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１樹脂膜の厚みが５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の一方表面に突起電極または配線のうち少なくとも一方を形成する工程と、前記半導体基板の一方表面に前記半導体基板との物理的変形に耐える程度に低弾性である第１樹脂膜を形成する工程と、前記半導体基板の他方表面を研磨または研削、または及び化学エッチングすることによって前記半導体基板を薄くする薄型化工程と、該薄型化工程の後に第１樹脂膜と同等に低弾性であり且つ第１樹脂膜の厚みよりも薄い第２樹脂膜を前記半導体基板の他方表面に形成する工程と、第２樹脂膜形成後に前記半導体基板を個片に切り出す工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、携帯電話やＩＣカード等の携帯機器に用いるのに有用な小型及び薄型の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、機器の小型化及び薄型化に伴って半導体チップの厚みを薄くするために、半導体素子や配線等が表面に形成された半導体基板（以下、単に「ウエハ」という。）の裏面側を機械的に削る研削工程、若しくは裏面側を化学的に溶かすエッチング工程、若しくはその両方の工程によりウエハを薄型化する裏面薄型化工程が行われている。通常、裏面薄型化工程として研削工程を行う場合には、ウエハの表面に軟質性の保護フィルムを貼り付け、この保護フィルムを介してウエハを加圧してウエハの裏面を砥石に押し付け、その状態でウエハまたは砥石を回転させることによって研削していた。
【０００３】
しかしながら、裏面研削されて薄型化されたウエハは、その後の工程、例えば、ウエハから個々の半導体チップを切り出す切り出し工程や、切り出された半導体チップをリードフレームに搭載するマウント工程において、移送用のロボット等でハンドリングされる時にウエハや半導体チップが破損してしまい易く、歩留まりが低下していた。特に、今日では、ウエハが大口径化してきているので、裏面研削により薄型化されたウエハはより一層破損しやすくなっている。
【０００４】
このような問題を解決するために、たとえば、下記の特許文献には、ウエハの表面に突起電極群を形成した後に、このウエハ表面にポリイミドやエポキシ等の樹脂を用いた樹脂膜を形成して熱硬化させ、この硬化させた樹脂膜を保護強化膜として用いることが提案されている。この特許文献の半導体装置の製造方法では、樹脂膜の形成後にウエハの裏面研削が行われ、更に、樹脂膜の表層部分がエッチングにより除去されることにより突起電極群の頂部を露出させ、その後、スクライブラインに沿ってウエハを切断して、個々の半導体チップを切り出すようにすることが示されている。また、半導体チップの側面、裏面および突起電極表面を除いた樹脂膜最表面にプラズマＣＶＤ法により絶縁保護強化膜を形成することが示されている。
【０００５】
この方法で作製された半導体チップは、露出した突起電極の頂部を除く表面が硬い樹脂膜で覆われているので、裏面研削時やウエハから個々のチップを切り出す際にウエハおよびチップの破損を生じさせることなく良好にハンドリングできる。また、露出した突起電極の頂部を配線基板の電極パッドなどに接続するだけで、半導体チップを実装することができるので、ワイヤボンディングなどを用いて外部端子を引き出す構成に比較して半導体装置を著しく薄型化できる。
【特許文献１】特開平１１−１５００９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の特許文献の半導体装置は、その裏面側が半導体装置の厚みを薄くするために研磨またはエッチングされたまま、言い換えれば、半導体装置の裏面側基板が露出した状態となっている。そのため、裏面研削中やハンドリング時の破損は低減されるものの、以下のような問題を低減することはできなかった。即ち、ダイシング工程と呼ばれる半導体チップの切り出しに際し、半導体装置の裏面側の個片周辺部（切り出し部）に図４に示すようなチッピングと呼ばれる小さなカケやマイクロクラックが生じやすく、これらの欠けやクラックにより半導体装置の信頼性を著しく低下させることがある。また、切り出された半導体チップを配線基板などに実装する際に半導体チップの裏面側に異物などが付着していると、配線基板に実装した後で半導体チップの露出した裏面側基板に異物を通じて応力がかかり易く、半導体チップや基板にクラックやカケが生じやすかった。また、半導体装置を配線基板などに実装する際に実装機の移送吸着コレットで吸着した時の半導体装置への衝撃等によっても、衝撃が加えられ半導体装置にクラックやカケが生じる恐れもあった。また、半導体基板と樹脂との熱膨張／収縮係数の相違に起因してウェハが反ってしまう恐れもあった。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、上述のような技術的課題を解決し、半導体装置の薄型化を維持するとともに、半導体装置に生じるクラックやカケを低減するようにした半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するための請求項１に記載の半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板の一方表面に形成された突起電極または配線の少なくとも一方を有するとともに、前記半導体基板の一方表面に形成された第１樹脂膜と前記半導体基板の他方表面に形成された第２樹脂膜とを有し、該第２樹脂膜が、前記半導体基板の他方表面への衝撃を吸収する程度に低弾性であること及び半導体基板の厚みよりも薄いことを特徴とする。
【０００９】
また、請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一方表面に突起電極または配線のうち少なくとも一方を形成する工程と、前記半導体基板の一方表面に前記半導体基板との物理的変形に耐える程度に低弾性である第１樹脂膜を形成する工程と、前記半導体基板の他方表面を研磨または研削、または及び化学エッチングすることによって前記半導体基板を薄くする薄型化工程と、該薄型化工程の後に第１樹脂膜と同等の低弾性であり且つ第１樹脂膜の厚みよりも薄い第２樹脂膜を前記半導体基板の他方表面に形成する工程と、第２樹脂膜形成後に前記半導体基板を個片に切り出す工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、他方表面に形成する樹脂膜は低弾性であり、半導体装置に生じるクラックやカケを防止することができる。また、半導体チップの裏面に異物が付着した状態で半導体チップを実装するような場合でも、異物の凹凸を幾分吸収して半導体チップや基板のクラックやカケを防止できるようになる。尚、他方表面に形成された樹脂膜は一方表面に形成された樹脂膜よりも薄いため、半導体装置が必要以上に厚くなるのを抑えられるようになる。また、半導体基板の一方表面だけでなく他方表面にも低弾性な樹脂層を設けるようにしたので、相反する方向へウエハを反らそうとする力が働くことになり、半導体基板と樹脂膜との熱膨張／収縮の相違に起因する反りが一方だけの場合よりも生じ難くなる。また、ウエハが反り難くなることにより、ウエハが平坦な状態でウエハから半導体チップの個片を切り出すことになるので、ウエハの中心領域および周縁領域のいずれにおいても均一に半導体チップの個片を切り出すことができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１乃至図３を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図解的なウエハ断面図である。同図において、半導体基板１（「ウエハ１」とも言う。）は、種々の素子形成工程および配線工程などを経ていて、活性表層領域側の面（活性表面）である表面１ａの端子部（図示なし）以外の部分は、窒化膜などからなる保護膜（パッシベーション膜）（図示なし）で覆われている。端子部は、ウエハ内に形成された回路を外部と電気的に接続するためのパッドが形成または接続されている。
【００１３】
このパッド上に、図１（ａ）に示すように、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、半田等からなる突起電極２（ポスト）を、例えば、電解めっきにより複数形成する。この突起電極２は、その保護膜表面から５０μｍ程度の高さを有し、円柱状または四角柱状などの柱状の形状をしている。パッドの表面に金層を形成しておけば、突起電極２との接合を良好に保てるようになるとともに、パッドの保護にもなり好ましい。また、ウエハ１の表面１ａ上で個々の半導体素子の境界（図２に矢印Ａで示す位置）には、スクライブライン（図示なし）が形成されている。
【００１４】
次に、このウエハ１の表面１ａに、ウエハ１の表面を保護するための第１樹脂膜３を形成する（図１（ｂ））。第１樹脂膜３は、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、バーコーティング法等により液状の樹脂を表面１ａに塗布した後、硬化させることにより得ることができる。樹脂の種類は、ポリイミドやエポキシ樹脂などとすることができる。第１樹脂膜３は、硬化後に突起電極２を埋没させることができる厚さで形成されており、５０〜１００μｍ程度となっている。これにより、突起電極２の有無に関係なく第１樹脂膜３の表面を平坦にすることができるようになる。尚、第１樹脂膜３の硬化後の弾性率は１５ＧＰａ以下、好ましくは５ＧＰａ程度にするのが良い。
【００１５】
続いて、このような第１樹脂膜３が形成されたウエハ１の裏面１ｂを、例えば、グラインダを用いてウエハ１が５５０μｍ以下の厚さになるまで研削する（図１（ｃ））。この時、第１樹脂膜３は突起電極２の頂部を完全に覆うように形成されており、第１樹脂膜３の表面は略平坦となっているので、ウエハ１を第１樹脂膜３が形成された側から均一に加圧して研削することができる。その後、研削されたウエハの裏面側にレーザー若しくはインク等によりデータのマーキング（標印）を実施した後、半導体基板の裏面側に３０μｍ程度の第２樹脂膜４を形成する（図１（ｄ））。第２樹脂層４は、衝撃力に対する効果を得られる範囲でできるだけ薄いほうが良いので、第１樹脂膜３よりも薄く形成するようにしている。第２樹脂膜４は、第１樹脂膜３と同様に、ポリイミドやエポキシ等の液状の樹脂をスクリーン印刷法、スピンコーティング法、バーコーティング法等により塗布した後、硬化させて約３０μｍ程度の厚さになるようにしている。第２樹脂膜４は、第１樹脂膜と同様に絶縁保護強化膜よりの弾性力のある弾性率１５ＧＰａ以下の低弾性なものが良い。また、第２樹脂膜４は、前述のマーキングを確認できるようにするために、光の透過性を持つものが望ましい。
【００１６】
続いて、第１樹脂膜３が形成されたウエハの突起電極２または配線等を設けた面の樹脂層を、グラインダ等を用いて約５０μｍ以下の厚さになるまで研削して突起電極２の頂上部を露出させる。この時、機械的な研削に代えて薬品による化学的なエッチングを行っても良いし、その両方を実施しても良い。
【００１７】
続いて、このような第１樹脂膜３および第２樹脂膜４が形成されたウエハ１にダイシングテープと呼ばれるテープに貼り付け、ダイシングと呼ばれる切り出し工程にてウエハ１のスクライブラインを切断して図３に示すような半導体チップ５を形成する。従って、スクライブラインの位置を確認し易くするために、第１樹脂膜３も光の透過性を有する方が良い。スクライブを行う時のテープ貼り付けは、電極面である第１樹脂膜３側でも反対側の第２樹脂膜４側でも構わないが、第２樹脂層４にテープを貼り付ける方が剥がすときに表面１ａへのダメージを抑えることができる。尚、ダイシングテープの粘着力（接着力）によりダイシング時に半導体チップの個片が散乱することは殆どない。
【００１８】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハ１の表面１ａに形成された第１樹脂膜３及び裏面に形成された第２樹脂膜４により樹脂による保護層が形成され、切り出し工程におけるウエハ１のハンドリングの際や、ダイシングブレードによりウエハ１を切断する際にも、第１樹脂膜３および第２樹脂膜４がウエハ１を補強しているから、ウエハ１や半導体チップ５の破損が生じ難くなっている。したがって、ウエハ１を所望の厚さまで容易に薄型化することができ、これにより、半導体チップ５の薄型化に貢献することができる。
【００１９】
そして、図３の個片化された半導体チップ５においては、表面１ａ側に形成された第１樹脂膜３によりその表面側へのダメージを抑制できるとともに、その裏面側に形成された第２樹脂層４によりその裏面への衝撃を受けた際のダメージを抑制できる。この効果は、第２樹脂層４が形成されて無いものと比較して約４倍もの衝撃に耐えることが確認できている。また、第２樹脂層４が第１樹脂膜３よりも薄く形成されているのは、表面１ａ側には突起電極２による影響で第１樹脂膜３の表面が凸凹になるのを防ぐために樹脂を厚めにする必要があったのに対し、裏面に対する衝撃を吸収する効果は樹脂の厚さが３０μｍ程度で飽和してしまい、それ以上樹脂を厚くしてもより一層の効果を期待できないからである。言い換えれば、第２樹脂層４を薄くすることでその分ウエハ１を厚くして半導体装置の折り曲げ強度を高くすることにより、個片化された半導体装置を厚くすることなく高信頼性な半導体装置を得ることができる。
【００２０】
このように、本願発明のウエハ１の両面は２種類の樹脂によりそれぞれ保護及び補強されている。即ち、ウエハ１の表面１ａを第１樹脂膜３からなる樹脂層により補強及び保護するとともに、裏面側においても第２樹脂膜４からなる樹脂層により補強及び保護するようになっている。特に、各樹脂膜として絶縁保護強化膜よりも弾性の低い低弾性樹脂を用いることにより弾性率が高い場合よりも樹脂厚が薄くても衝撃に強くできる。また、第１樹脂膜３および第２樹脂膜４は透光性を持っているのでスクライブラインの位置やウエハ１の裏面にマーキングされた文字等のデータを確認できる。尚、ウエハ１の表面１ａは第１樹脂膜３により封止されているとともに、突起電極２が露出しているので、この半導体チップ５を更にパッケージングしなくても構わない。従って、極めて小型化、薄型化された半導体装置を品質を維持しながら得ることができる。また、樹脂厚が薄くて済むのでその分半導体基板を厚くでき、半導体装置の曲げ強度を高くできる。これにより半導体装置単体としての信頼性が向上するとともに、配線基板に実装した後の信頼性をも向上できるようになる。このように形成された半導体装置（半導体チップ５）は、露出した突起電極２を配線基板に形成された電極パッドなどに対向（フェイスダウン）させて実装することができる。
【００２１】
以上の実施形態は、ウエハ１の一方表面に形成された端子部の上に突起電極２を形成した場合を示しているが、各端子部につながる突出した外部配線を形成すれば、突起電極２を形成しなかった場合でも、外部配線の一部を第１樹脂膜３から露出させて、配線基板の電極パッドなどに接続することができる。
【００２２】
尚、第１樹脂膜は、突起電極または外部配線の頂部を覆うように形成することにより、樹脂膜の表面を平坦にするのが良い。このようにすると、ウエハ１の裏面研削時にウエハ１を第１樹脂膜３が形成された側から均一に加圧することができる。また、研削後もウエハ１やチップ５の表面は第１及び第２樹脂膜により覆われて保護強化されているので、ウエハ１やチップ５をハンドリングする際、これらが破損し難くなる。そして、突起電極または配線の頂部は、第１樹脂膜の表層部を除去する工程を実施して露出させる。この工程は、エッチングなど化学的処理によるものであっても良く、研削など物理的処理によるものであっても良い。
【００２３】
研削などの物理的処理により突起電極または外部配線の頂部を露出させる場合、突起電極または外部配線の頂部と樹脂膜の表面とは面一となる。これにより、突起電極または外部配線の頂部を露出させる工程を実施した後、半導体基板の一方表面から均一に加圧して他方表面の研削工程若しくはエッチングなど化学的処理を実施することにより、製造時に実施する工程の順序に自由度が増大させることができる。ただし、裏面の研削後に研削面に品番等のマーキングを実施し低弾性な樹脂を形成した後に活性面の突起電極または配線の頂部を露出させる工程を実施した方が、その露出部分を傷つけたり露出部分が化学変化したりする恐れが低減するので好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
ウエハから個別チップとして切り出された半導体チップは、突起電極または外部配線の露出した部分を、直接配線基板の電極パッドやリードフレームなどに接続することにより実装することができるので、チップサイズでの実装を行うことができる。また露出した突起電極や外部配線に半田等により突状の電極（バンプ）を更に設け実装するようにしても良い。また、半導体基板の裏面を基板やリードフレームに取り付けた後、露出した突起電極２や外部配線とリードフレームや外部の電極との間にワイヤボンディング接続を行ってから封止樹脂をポッティングするようにしても良い。このように、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能であり、携帯電話等の携帯機器の小型化及び歩留まり向上によるコストダウンに有用な技術となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明の半導体装置の製造方法を工程順に示す図解的なウエハ断面図である。
【図２】ウエハ状態の半導体基板を示す図解的な斜視図である。
【図３】この発明の半導体チップの図解的な斜視図である。
【図４】従来の半導体チップの問題を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００２６】
１    ウエハ
２    突起電極
３    第１樹脂膜
４    第２樹脂膜
５    半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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