(57)【要約】【課題】レジスト膜の局所的な領域液膜を形成して露光を行う液浸露光に於いて、形成されるレジストパターンの精度を向上させるため、フォトマスクに形成されるマスクパターンの描画パターンの生成方法を提供すること。【解決手段】  前記単位露光領域の前記レジスト膜と前記液膜との接触履歴値の代表的分布を求める（ステップＳＴ１２）。第１のパターンデータに対応するパターンを前記接触履歴値の代表的分布に応じた複数の領域に分割する（ステップＳＴ１９）。分割された各領域に含まれるパターンの補正を前記接触履歴値に応じたルールに基づいて行う（ステップＳＴ２０）。【選択図】      図４
2005308903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写して潜像を形成するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を移動させる移動機構とを具備する露光装置で使用されるフォトマスクに前記マスクパターンを描画するための描画パターンデータをパターンデータから生成する描画パターンの生成方法であって、
前記単位露光領域の前記レジスト膜と前記液膜との接触履歴値の代表的分布を求める工程と、
前記パターンデータに対応するパターンを前記接触履歴値の代表的分布に応じた複数の領域に分割する工程と、
分割された各領域に含まれるパターンの補正を前記接触履歴値に応じたルールに基づいて行う工程と
を含むことを特徴とする描画パターンの生成方法。
【請求項２】
複数の前記単位露光領域について前記レジスト膜と前記液膜との接触履歴値の分布を求める工程を更に具備し、
前記接触履歴値の代表的分布は、求められた複数の接触履歴値の分布から求められることを特徴とする請求項１に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項３】
前記接触履歴値の分布が単位露光領域に応じて異なる場合、それぞれの接触履歴値が異なる領域について、前記レジスト膜に形成された潜像、または前記レジスト膜を現像して得られたパターンの寸法変化を求める工程を更に含み、
前記接触履歴値が異なる領域に対応する前記代表的分布中の接触履歴値は、前記寸法変化が大きい接触履歴値に対応させることを特徴とする請求項２に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項４】
前記寸法変化が大きい領域の接触履歴値は、前記接触履歴値が最大値または最小値とることを特徴とする請求項３に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項５】
前記接触履歴値の分布が単位露光領域に応じて異なる場合、それぞれの接触履歴値が異なる領域について、前記レジスト膜に形成された潜像、または前記レジスト膜を現像して得られたパターンの寸法変化を求める工程を更に含み、
前記寸法変化が接触履歴値に応じて略単調に変化する場合、前記接触履歴値が異なる領域に対応する前記代表的分布中の接触履歴値は、接触履歴値の平均値に対応させることを特徴とする請求項２に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項６】
前記接触履歴値の分布が単位露光領域に応じて異なる場合、
各単位露光領域について接触履歴値の分布を求め、
前記接触履歴値の分布が同一である単位露光領域の数が最大である接触履歴値の分布を前記接触履歴値の代表的分布とすることを特徴とする請求項２に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項７】
前記接触履歴値の分布が同一である単位露光領域の数が最大である接触履歴値の分布が複数ある場合、
前記接触履歴値の代表的分布を、分布が同一である単位露光領域の数が最大である前記接触履歴値の分布の平均に対応させることを特徴とする請求項６に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項８】
前記接触履歴値の分布が単位露光領域に応じて異なる場合、
各単位露光領域について接触履歴値の分布を求め、
前記接触履歴値の代表的分布を、前記接触履歴値の分布が同一である単位露光領域の数が上位４つの接触履歴値の分布の平均に対応させることを特徴とする請求項２に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項９】
前記接触履歴値の分布が単位露光領域に応じて異なる場合、
前記接触履歴値の代表的分布は、隣接する単位露光領域の数が最大の単位露光領域に対応する接触履歴値の分布に対応させることを特徴とする請求項２に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項１０】
隣接する単位露光領域の数が最大である接触履歴値の分布が複数ある場合、
前記接触履歴値の代表的分布を、隣接する単位露光領域の数が最大である単位露光領域の接触履歴値の分布の平均に対応させることを特徴とする請求項９に記載の描画パターンの生成方法。
【請求項１１】
前記接触履歴値が、前記液膜と前記レジスト膜との接触時間、前記液膜と前記レジスト膜との接触回数、前記液膜の量、前記液膜の流れによりレジスト膜表面にかかる力の力積、及び前記液膜に対するレジスト膜の表面の最大摩擦力、の少なくとも一つの情報を含むことを特徴とする請求項１〜請求項１０の何れかに記載の描画パターンの生成方法。
【請求項１２】
前記接触履歴値が、前記単位露光領域中の潜像の形成前及び／または形成後の接触履歴値であることを特徴とする請求項１〜請求項１１の何れかに記載の描画パターンの生成方法。
【請求項１３】
基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する第１の液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記第１の液浸機構に対して前記基板を相対的に水平移動させるステージとを具備する露光装置を用いて前記レジスト膜に前記マスクパターンを転写する工程と、
前記マスクパターンが転写されたレジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターンの形成方法であって、
前記単位露光領域の前記レジスト膜と前記液膜との接触履歴値の分布を補正し、他の単位露光領域の前記接触履歴値の分布に略等しくするための補正処理を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項１４】
前記補正処理は、前記マスクパターンが前記レジスト膜に転写しないで、前記第１の液浸機構及びステージを駆動させることであることを特徴とする請求項１３に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項１５】
前記補正処理は、
前記第１の液浸機構が形成する液膜の面積より小さい液膜を前記レジスト膜上に形成する第２の液浸機構を用意する工程と、
第２の液浸機構を用いて前記レジスト膜の局所的な領域に液膜を形成すると共に、前記基板に対して前記第２の液浸機構を相対的に移動させる工程とを含むことを特徴とする請求項１３に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項１６】
前記補正処理は、
単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値以外の単位露光領域について、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値となるように仮想的な単位露光領域が設定され、前記仮想的な単位露光領域に対して前記マスクパターンの転写を行わずに、前記第１の液浸機構が前記仮想的な単位露光領域に前記液膜を形成することを特徴とする請求項１３に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１７】
基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を相対的に水平移動させるステージとを具備する露光装置を用いて前記レジスト膜に前記マスクパターンを転写する工程と、
前記マスクパターンが転写されたレジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターンの形成方法であって、
単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値以外の単位露光領域について、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値となるように仮想的な単位露光領域を設定し、仮想的な単位露光領域に対して前記マスクパターンの転写を行わずに、前記液浸機構により前記仮想的な単位露光領域に前記液膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項１８】
基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を相対的に水平移動させるステージとを具備する露光装置の制御方法であって、
単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値以外の単位露光領域について、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値となるように仮想的な単位露光領域を設定し、
単位露光領域及び仮想的な単位露光領域に応じて前記基板に対する前記液浸機構の移動順序を決定することを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項１９】
請求項１〜請求項１２の何れかに記載された描画パターンの生成方法を用いて生成された描画パターンに基づいてフォトマスクを製作する工程と、
制作されたフォトマスクに形成されたマスクパターンを半導体基板上に形成されたレジスト膜に転写し、潜像を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１３〜請求項１７の何れかに記載されたレジストパターンの作成方法を用いて、フォトマスクに形成されたマスクパターンを半導体基板上に形成されたレジスト膜に転写し、潜像を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載された露光装置の制御方法を用いて、フォトマスクに形成されたマスクパターンを半導体基板上に形成されたレジスト膜に転写し、潜像を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光に用いるマスクパターンを描画するための描画パターンの生成方法、液浸露光によるレジストパターンの形成方法、及び液浸露光型の露光装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子のパターン微細化にともなって露光装置の開発が進行している。現在実用化されている１９３ｎｍ光源の次世代露光装置としては、１５７ｎｍ光源露光装置が開発されていた。しかし、露光装置、レジスト開発の遅れから、現時点では１９３ｎｍの液浸露光装置が有力視されている。液浸露光装置は、対物レンズと結像対象であるレジスト積層膜との間を空気よりも屈折率の大きい媒質である水などの溶媒で満たすことで、対物レンズと前記媒質界面、あるいは前記媒質と前記レジスト積層膜界面の臨界角を大きくし、適切なレンズを用いることで、より回折角の大きい微細パターンの結像を可能とするものである。
【０００３】
１９３ｎｍの液浸露光においては、前記溶媒として、屈折率１．４３から１．４４である純水の使用が検討されている。水がレジスト積層膜と接することにより、レジスト膜中からのレジスト組成物の溶出、レジスト膜中への水の染込みによるレジスト膜中の組成物分布の変化、などによって、レジスト形状に対する変化が生じることが学会において報告されている。具体的には、レジストパターンがＴ−ｔｏｐ形状を示すことである。この問題を解決するために、フッ素樹脂からなる保護膜をレジスト積層膜上に形成し、前記水中へのレジスト組成物である酸発生剤（ＰＡＧ：Photo Acid Generator）や光発生酸や塩基などの溶出および、前記水のレジスト溶媒への染込みを防止しているとの報告も学会においてなされている。しかし、前記保護膜の剥離は特別な溶剤を用いて行う必要があるものである。前記剥離溶剤が一般的なレジスト溶剤とは異なり、非水溶性であることから、廃棄物処理上の観点から、専用の塗布ユニット或は／及び現像ユニットが必要となる。半導体等の素子製造工程においては、製造コストの上昇に繋がることから、専用の塗布・現像ユニットを必要とする前記種類の保護膜の使用は難しいと考えられる。したがって、特別な除去装置を必要としない、酸あるいは塩基可溶性の保護膜が存在することが望ましい。さらには、保護膜を必要としないレジスト膜材料、あるいはレジストプロセスであることがより望ましい。酸もしくはアルカリ可溶性の保護膜においては、酸あるいは塩基水溶液による剥離を目的としていることから、水の浸透性が前記特殊な剥離溶剤を要する保護膜に比べて低下することは確実である。その結果、レジスト膜中にある程度の水が染込むことから、前記レジスト組成物の液浸溶液である水中への溶出もまた発生すると考えられる。
【０００４】
このように、液浸露光装置を用いるリソグラフィー工程において製造コストの面から保護膜を使用しない場合、あるいは酸／塩基に可溶性の保護膜を使用する場合には、レジスト積層膜と液浸溶液との接触は避け得ない。特許文献１および非特許文献１によれば、実用的な液浸露光装置は、露光領域のレジスト多層膜上のみに選択的に液浸溶液を供給する機構を有する。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【非特許文献１】Soichi Owa and Hiroyuki Nagasaka, Immersion lithography; its potential performance and issues, Proc. of SPIE Vol.5040, pp.724-733
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、レジスト膜上の局所的な領域に液膜を形成する露光技術に於いて、形成されるレジストパターンの寸法精度の向上を図り得る描画パターンの生成法、レジストパターンの作成方法、露光装置の制御方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一例に係わる描画パターンの生成方法は、基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写して潜像を形成するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を移動させる移動機構とを具備する露光装置で使用されるフォトマスクに前記マスクパターンを描画するための描画パターンデータをパターンデータから生成する描画パターンの生成方法であって、前記単位露光領域の前記レジスト膜と前記液膜との接触履歴値の代表的分布を求める工程と、前記パターンデータに対応するパターンを前記接触履歴値の代表的分布に応じた複数の領域に分割する工程と、分割された各領域に含まれるパターンの補正を前記接触履歴値に応じたルールに基づいて行う工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の一例に係わるレジストパターンの形成方法は、基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を相対的に水平移動させるステージとを具備する露光装置を用いて前記レジスト膜に前記マスクパターンを転写する工程と、前記マスクパターンが転写されたレジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターンの形成方法であって、前記単位露光領域の前記レジスト膜と前記液膜との接触履歴値の分布を補正し、他の単位露光領域の前記接触履歴値の分布に略等しくするための補正処理を行うことを特徴とする。
【０００８】
本発明の一例に係わるレジストパターンの形成方法は、基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を相対的に水平移動させるステージとを具備する露光装置を用いて前記レジスト膜に前記マスクパターンを転写する工程と、前記マスクパターンが転写されたレジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターンの形成方法であって、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値以外の単位露光領域について、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値となるように仮想的な単位露光領域を設定し、仮想的な単位露光領域に対して前記マスクパターンの転写を行わずに、前記液浸機構により前記仮想的な単位露光領域に前記液膜を形成することを特徴とする。
【０００９】
本発明の一例に係わる露光装置の制御方法は、基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写するための投影光学系と、前記投影光学系と前記レジスト膜との間を含む局所的な領域に液膜を形成する液浸機構と、前記レジスト膜に設定された複数の単位露光領域のそれぞれに前記マスクパターンを転写するために前記投影光学系及び前記液浸機構に対して前記基板を相対的に水平移動させるステージとを具備する露光装置の制御方法であって、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値以外の単位露光領域について、単位露光領域に隣接する単位露光領域の数が最大値となるように仮想的な単位露光領域を設定し、単位露光領域及び仮想的な単位露光領域に応じて前記基板に対する前記液浸機構の移動順序を決定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レジスト膜上の局所的な領域に液膜を形成する露光技術に於いて、形成されるレジストパターンの寸法精度の向上を図り得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
基板上に、必要に応じて反射防止膜を形成した上に、レジスト膜を形成し、さらに必要に応じて上層反射防止膜あるいは保護膜を形成し、液浸露光装置によって、フォトマスク上のパターンを介した露光によってレジスト膜に投影像を形成し、必要に応じて露光後加熱を行い、現像によってレジストパターンを形成する。
【００１３】
前記液浸露光装置は、フォトマスクを介したレジスト積層膜への投影像が膜平面上において所定位置となるようにフォトマスクと基板を連動させてフォトマスク及び基板を動かす機構を有するスキャン＆リピート型の露光装置であって、さらに液浸露光を行うための機構が付加された構造となる。
【００１４】
図１に露光装置の概略を示す。図１は、本発明の第１の実施形態に係わる露光装置の概略構成を示す図である。図示されない照明光学系の下方にレチクルステージ３１が配置されている。レチクルステージ３１上にフォトマスクであるレチクル３２が設置されている。レチクルステージ３１は平行移動可能である。レチクルステージ３１の下方に投影レンズ系３３が配置されている。投影レンズ系３３の下方にウェハステージ３４が配置されている。ウェハステージ３４上に前述した処理が行われた半導体基板１０が設置されている。ウェハステージ３４は、半導体基板１０と共に平行移動する。半導体基板１０の周囲にはサポート板３７が設けられている。
【００１５】
投影レンズ系３３の下方には、フェンス３５が取り付けられている。投影レンズ系３３の横にフェンス３５内への水の供給及びフェンス３５内からの水の排出を行う一対の水供給・排出器３６が設けられている。露光時、フェンス３５と投影レンズ３３で囲まれた領域の基板１０と投影レンズ系３３との空間は水の液膜で満たされる。投影レンズ系３３から射出する露光光は水の層を通過して照射領域に到達する。照射領域にあたる基板表面のフォトレジストにレチクル３２上のマスクパターン（図示せず）の像が投影され、潜像が形成される。
【００１６】
スキャンアンドリピート型の露光装置においては、フォトマスク上のパターン全てが一括でレジスト積層膜に転写されるのではなく、フォトマスク上および共役な基板平面上における露光フィールドと呼称される所定範囲のパターンのみが一度に転写される。前記露光フィールドを基準として投影光学系の倍率に応じた速度比率でフォトマスクと基板が連動して共役な方向に移動することで、前記露光フィールド中に位置するフォトマスク上のパターン領域が移動し、フォトマスク上の所定範囲の全パターンがレジスト積層膜に投影される。
【００１７】
フォトマスクの方が基板よりも移動距離が大きいことから、通常はフォトマスクの移動回数を減らすことによる露光工程処理時間短縮を目的として、単位露光領域の露光順序によってフォトマスクおよび基板の相対移動方向はそれぞれ逆方向とすることが一般的である。
【００１８】
なお、マスクブラインドと呼称される絞りによっても、フォトマスク上のパターン領域の制限を行うことも可能である。フォトマスク上のマスクパターンに対応したレジスト積層膜に形成された潜像の領域を単位露光領域は、通常は露光ショットなどと呼称される。
【００１９】
露光光の照射エネルギーは相対移動速度、および光源の強度によって決定されることから、前記単位露光領域中の照射量を均一にするために、フォトマスクおよび基板の相対移動には、加速および減速用の補助的移動を必要とする。
【００２０】
液浸露光における相対的移動について図２を参照して説明する。実際には基板が移動するが、ここでは基板を基準にして露光フィールドが移動するかのように説明する。
【００２１】
図２に示すように、露光フィールドＥＦは位置Ｐ1から移動を開始する。露光フィールドＥＦの単位露光領域ＵＥＲの一端側の端が単位露光領域ＵＥＲの一端に接する時の位置をＰ2とする。この位置Ｐ1から位置Ｐ2までの間で、露光フィールドＥＦの速度が所定速度まで加速される。この区間の距離をＤ+aとする。そして、露光フィールドＥＦの他端が単位露光領域ＵＥＲの他端に接する位置Ｐ3まで到達する間、露光フィールドＥＦは等速移動する。この区間でマスクパターンがレジスト膜に転写され、レジスト膜に潜像が形成される。この区間の距離をＤmとする。そして、位置Ｐ3以降で露光フィールドＥＦは減速し、位置Ｐ4で停止する。位置Ｐ3と位置Ｐ4間の距離をＤ-aとする。前述した距離Ｄmは距離Ｄ+aと距離Ｄ-aとの和である。なお、図２に於いて符号ＲLIは液浸溶液による液膜が形成される領域である。
【００２２】
また、前記単位露光領域は、通常は直交な二軸方向に所定間隔で基板上に配置され、前記単位露光領域の配置間隔は単位露光領域の各軸方向の長さと概同一である。前記基板およびフォトマスクの相対移動方向をＹ軸、基板平面上の垂直方向をＸ軸とする。
【００２３】
前記液浸溶媒の供給機構によって液浸溶液がレジスト積層膜上に形成される領域は、液浸露光の目的上、前記露光フィールドよりも大きい必要がある。
【００２４】
このため、ある一つの単位露光領域とＸ方向で隣接する単位露光領域の潜像形成によって、前記着目露光領域の前記隣接単位露光領域近傍は、液浸溶液とレジスト積層膜との付加的な接触を生じる。また、Ｙ方向に隣接する単位露光領域の加速もしくは減速の補助的移動によっても、前記着目露光領域の前記隣接単位露光領域近傍は、液浸溶液とレジスト積層膜の付加的な接触を生じる。さらに、単位露光領域の潜像形成終了後に、次の単位露光領域の適切な位置に基板を移動させる必要がある。この結果、さらに液浸溶液とレジスト積層膜との接触が生じる。
【００２５】
このように、単位露光領域内において液浸溶液とレジスト積層膜との接触の履歴に分布が生じる。
【００２６】
液浸露光においては、レジスト積層膜中への液浸溶液の染込みによるレジスト積層膜中の組成分布変化、液浸溶液中へのレジスト組成物の溶出および前記溶出物のレジスト積層膜の異なる位置への再付着、などによる３次元的なレジスト形状変化の発生、形状変化の分布が生じることが懸念される。
【００２７】
この結果、液浸露光においては、単位露光領域内の液浸溶液とレジスト積層膜の接触履歴によって、レジスト形状の変化、形状変化の分布が生じることが懸念される。
【００２８】
フォマスク上の位置によらず、同一の補正量によってパターンデータ補正を行ったフォトマスクを使用した場合には、前記単位露光領域内の液浸溶液とレジスト積層膜との履歴に由来したレジストパターンあるいはレジストパターンの基板への転写パターンの寸法変化が単位露光領域内において生じると考えられる。
【００２９】
一例として、露光フィールドが長方形、溶液がレジスト積層膜上に形成される領域も長方形である場合における、ある単位露光領域内における液浸溶液とレジスト積層膜との接触回数の分布を示す（図３）。ここでは、簡略化のために、着目単位露光領域への潜像形成に伴う基板移動、前記加速および減速のための補足的基板移動、隣接単位露光領域への移動のための基板移動、を全て等速度運度である簡略図を示す。露光時間は規格値である。
【００３０】
上述した、単位露光領域内部に生じるパターン寸法変化を抑制する手段の一例を以下に説明する。本実施形態では、単位露光領域内の溶液の接触履歴に応じて、露光ショット内の領域を分割し、各分割領域について対応するフォトマスクの描画パターンを溶液との接触履歴に応じて異なるルールに基づいて補正を行う。
【００３１】
図４は、本発明の第１の実施形態に係わる描画パターンの生成方法の手順を示すフローチャートである。
【００３２】
レジスト積層膜の各単位露光領域について、液浸溶液とレジスト積層膜の接触履歴値の分布を求める（ステップＳＴ１１）。接触履歴値としては、前記溶液と前記レジスト膜との接触時間、前記溶液と前記レジスト膜との接触回数、前記溶液の量、前記溶液の流れによりレジスト膜表面にかかる力の力積、前記溶液に対するレジスト膜の表面の最大摩擦力、の少なくとも一つの情報を含む。
【００３３】
求められた複数の接触履歴値の分布から、パターンデータを補正するための接触履歴値の代表分布を決定する（ステップＳＴ１２）。
【００３４】
図５に示す単位露光領域の配置を考える。図５において、矩形は単位露光領域、破線矢印は単位露光領域の露光順序、矩形中の矢印は露光フィールドの移動方向を示す。図５中の単位露光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触履歴のひとつである液浸溶液とレジスト積層膜との接触回数の分布を図６（ａ）〜図６（ｄ）に示す。
【００３５】
隣接する単位露光領域の全てに欠損がないＡ（図６（ａ））、Ｂ（図６（ｂ））における前記接触回数の分布は上下に線対称な分布である。しかし、Ｙ方向の隣接単位露光領域が欠損しているＣ（図６（ｃ））、Ｘ方向およびＹ方向および斜め方向の隣接単位露光領域が欠損しているＤ（図６（ｄ））では、単位露光領域内部の前記接触回数の分布が大きく異なる。このため、隣接単位露光領域が欠損している単位露光領域においては、レジストパターン形状の分布が隣接単位露光領域の欠損がない単位露光領域から差異が生じると考えられる。
【００３６】
図６に示した液浸溶液とレジスト積層膜との接触回数に変えて、接触時間の分布を図７（ａ），図７（ｂ）に示す。ここでは、図５中の隣接する単位露光領域の全てに欠損がないが、フォトマスクの移動方向が逆向きである２箇所の単位露光領域Ａ（図７（ａ））、Ｂ（図７（ｂ））の接触時間の分布を示す。
【００３７】
回数とは異なり、接触時間の分布では、隣接単位露光領域の欠損がない単位露光領域では、紙面左右に対称な分布となる。
【００３８】
図６，７に示したように、単位露光領域に応じて接触履歴の分布が異なる。そこで、フォトマスクに形成される描画パターンを生成するためには、接触履歴の代表分布を求め、代表分布に応じてパターンデータを補正する必要がある。代表分布の求め方は後に説明する。
【００３９】
次に、レジスト積層膜に設定された各単位露光領域に液浸露光によりパターンを転写し、転写されたパターンの寸法を求める（ステップＳＴ１３）。ここでは、先に求められた接触履歴値の分布が異なる単位露光領域毎に測定を行う。さらに、単位露光領域内の接触履歴値が異なる領域毎に測定を行う。測定は、パターンの転写によりレジスト膜に形成された潜像の寸法を測定しても良いし、現像後のレジストパターンの寸法を測定しても良い。
【００４０】
この際には、フォトマスクとしては同一パターンが複数配置された第１のテスト用フォトマスクを用いることが望ましい。また、必要に応じてレジストパターンをマスクにして下層膜をエッチングし、下層膜に形成されたパターンの寸法を測定しても良い。
【００４１】
次に、単位露光領域内におけるパターン寸法から、第１のテスト用フォトマスク上のパターン寸法分布、照射露光量分布等の誤差要因を除去する（ステップＳＴ１４）。例えば、リソグラフィーシミュレーションを用いて、マスク寸法による変動量を補正する。
【００４２】
次いで、単位露光領域内部の補正済みのパターン寸法と、溶液とレジスト積層膜との複数の接触履歴値との相関を調べる（ステップＳＴ１５）。相関に基づいて、前記パターン寸法分布の要因となる接触履歴値と寸法との応答関数を決定する。
【００４３】
次いで、第２のテスト用フォトマスクに形成されたパターンをレジスト膜に転写し、接触履歴値が特定の値である領域に含まれるパターンの寸法を測定する（ステップＳＴ１６）。測定された寸法から、光近接効果補正ルール、あるいはプロセス近接効果補正ルールを取得する（ステップＳＴ１７）。
【００４４】
次いで、代表分布と取得された補正ルールを形成すべきパターンデータに適用して、第１の補正パターンデータを得る（ステップＳＴ１８）。
【００４５】
次いで、第１の補正パターンデータに対応するパターンを接触履歴値の代表分布に応じて複数の領域に分割する（ステップＳＴ１９）
分割された各領域に含まれるパターンを前述した応答関数に基づいた補正を行い、第２の補正パターンデータを得る（ステップＳＴ２０）。
【００４６】
次いで、第２の補正パターンデータに基づいて、ブランクス基板にパターンを描画してフォトマスクを作成する（ステップＳＴ２１）。
【００４７】
前記フォトマスクを使用することで、単位露光領域内部のパターン寸法変化を低減し、作成する素子の歩留まり、性能を向上させることが可能となる。
【００４８】
本実施例の記述では任意のデータに対する補正を、光またはプロセス近接効果補正と、履歴値に応じた補正との二段階に分けて記述しているが、連続的処理とすることが望ましい。
【００４９】
前記第１のテスト用フォトマスクと前記第２のフォトマスクは別のパターンが形成されたものであっても良いが、フォトマスクの作成コスト、データ取得時間を考慮した場合には同一であることが望ましい。第１および第２の工程で使用する単位露光領域内の寸法分布を得るパターン種は複数であることが望ましく、必要に応じて、第３の工程の記述した応答関数がパターン種毎に異なる可能性ある。例えば、密パターンと、孤立パターンなどである。第２の工程における誤差要因の除去は、必ずしも必須ではなく、サンプリング数の積算など適切な方法に基づいて省略しても良い。
【００５０】
また、同一のレジストプロセスを使用する複数のフォトマスクのデータ補正においては、ステップＳＴ１１からステップＳＴ１７の工程の適切な工程を省略することが可能である。
【００５１】
また、ステップＳＴ１７では、接触履歴値がある値の部分に着目して近接効果補正を行うためのルールを求めた。しかし、接触履歴値に応じてそれぞれ近接効果補正を行うためのルールを求めても良い。
【００５２】
（代表分布の求め方Ａ）
上述したように記述したように、基板上の配置において端部に位置する単位露光領域は、隣接単位露光領域の欠損がない単位露光領域と、液浸溶液とレジスト積層膜との接触履歴が異なる。そのような場合における、単位露光領域内部における接触履歴の代表的分布の決定方法について記述する。
【００５３】
本実施例では、パターン寸法変化の要因となる接触履歴値ｐと前記応答関数ｆ（ｐ）の応答に着目する方法を記述する。
【００５４】
基板上に所定に配置された全ての単位露光領域における前記接触履歴との対応を、単位露光領域内部の座標毎の前記接触履歴の分布として整理する。
【００５５】
前記応答関数ｆ（ｐ）の１階微分ｆ’(p)、２階微分ｆ”(p)に着目する。
【００５６】
ｆ’×ｆ”＜０の場合には、接触履歴値ｐが少ない領域においての寸法変化が激しい。この場合、単位露光領域内部の任意の座標において、前記座標において取りうる接触履歴の最小値の寸法変化量ｆに応じた補正であれば、接触履歴値ｐがそれ以上の値をとっても寸法変化量の誤差は小さい。この場合、任意の接触履歴の最小値ｐminに対する補正量として、ｆ(pmin)に応じた補正ではなく、Δｐ＞０である適切な増分を加えたｆ(pmin+Δp)に応じた補正を行うことが望ましい。
【００５７】
逆に、ｆ’×ｆ”＞０の場合には、接触履歴のｐが大きい領域においての寸法変化が激しい。この場合、単位露光領域内部の任意の座標において、前記座標において取りうる接触履歴の最大値の寸法変化量ｆに応じた補正であれば、接触履歴値ｐがそれ以下の値をとっても寸法変化量の誤差は小さい。この場合、任意の接触履歴の最大値ｐmaxに対する補正量として、ｆ(ｐmax)に応じた補正ではなく、Δｐ＞０である適切な増分を引いたｆ(ｐmin-Δp)に応じた補正を行うことが望ましい。
【００５８】
ｆ’≒０である場合、すなわち接触履歴に対する寸法変化がほぼ単調増加あるいは単調減少である場合には、単位露光領域内部の任意の座標において、前記座標において取りうる接触履歴値の平均値を元にした補正を行うことで、もっとも最大の補正効果を得ることが可能となる。
【００５９】
（代表分布の求め方Ｂ）
本手法では、基板平面上の単位露光領域の配置において、より多数の単位露光領域において、十分な補正効果を得ることに着目した方法を記述する。この着目点に即した方法として、下記の３種の方法が考えられる。
【００６０】
第１の方法は、基板上に所定に配置された全ての単位露光領域における前記接触履歴との対応を、単位露光領域内部の座標毎の前記接触履歴の分布として整理し、前記座標において取りうる接触履歴値の平均値を前記座標における代表値とする分布を、前記代表的分布とするものである。この場合には、全ての単位露光領域に対して、単位露光領域内部の接触履歴の分布の頻度に応じた補正効果が得られる。
【００６１】
第２の方法は、基板上に所定に配置された全ての単位露光領域における各単位露光領域中の接触履歴の分布を比較し、同一の分布である単位露光領域の数が最大である分布を代表的分布とするものである。接触履歴の種類によっては、複数の分布の頻度が同等となる場合がある。その場合には、頻度が同等な複数の分布の平均的な分布を代表的分布とする。また、頻度がほぼ同等なものがある場合、頻度が上位４つの分布の平均的な分布、あるいは頻度を加味した平均による分布を代表的分布とする。この結果、より多数の単位露光領域に対して、ほぼ適切な補正効果を得ることが可能となる。
【００６２】
第３の方法は、基板上に所定に配置された単位露光領域において、隣接する単位露光領域の欠損がない単位露光領域の接触履歴を代表的分布として用いるものである。この場合、接触履歴の種類によっては、２種もしくは４種の分布が存在する場合がある。この場合には、前記２種もしくは４種の分布の平均的な分布、あるいは前記複数の分布の頻度を加味した平均的な分布を代表的分布として用いる方法である。この結果、より多数の単位露光領域に対して、ほぼ適切な補正効果を得ることが可能となる。
【００６３】
前記第２もしくは第３の方法は、実質的には概同一になる。また、後述する第２の実施形態に示す方法と組み合わせることでより高い補正効果を得ることが可能となる。
【００６４】
（加速距離及び減速距離の設定）
図７（ａ）と図７（ｂ）に示した接触時間の分布では左右に線対称な分布となっていた。しかし、加速距離及び減速距離を調整することによって、図５中の単位露光領域Ａ、Ｂ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触履歴のひとつである液浸溶液とレジスト積層膜との接触時間の分布を同一にすることができる。
【００６５】
図８に示すように、加速距離ｄ+aと減速距離ｄ-aと露光フィールドのｙ方向の幅Ｗyとの和を単位露光領域の相対方向の配置間隔Ｐに等しくする。すると、図９に示すように、隣接する単位露光領域ＵＥＲ２，３にマスクパターンを転写する場合、加速または減速距離ｄ2，ｄ3を考慮すると単位露光領域ＵＥＲ１の全面を露光フィールドＥＦが通過するようになる。
【００６６】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に図５中の単位露光領域Ａ，Ｂ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触時間の分布を示す。図１０（ａ）が単位露光領域Ａ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触時間の分布を示し、図１０（ｂ）が単位露光領域Ｂ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触時間の分布を示す。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、単位露光領域Ａ，Ｂの接触時間の分布は同一である。
【００６７】
よって、異なる接触履歴時間の分布の数が少なくなり、接触履歴時間の代表分布を求めるのが容易になる。
【００６８】
（接触履歴値について）
単位露光領域内のパターン寸法の変化要因として考えられる液浸溶液とレジスト積層膜との接触履歴値として考慮する物理量について説明する。
【００６９】
液浸露光において、溶液とレジスト積層膜との接触によってレジストパターン形状が変化する。前記レジストパターン形状変化は、レジスト膜中への液浸溶媒の進入および拡散に伴うレジスト膜中の組成物分布の変化、レジスト膜中からの組成物の液浸溶媒への溶出によるレジスト膜中の組成物分布の変化、前記溶出した組成物のレジスト膜への吸着および取り込み、前記溶出物による光路である液浸溶液の光学定数の変化および気泡発生によるフレア量の変化、液浸溶液の乾燥によるレジスト表面状態の変化、などの現象が原因であるとモデル化される。
【００７０】
前記原因現象は、材料を含むレジストプロセス、液浸露光における液浸溶液の水流状態、基板の相対移動、などによって変化すると考えられる。
【００７１】
しかし、前記現象の主要因を特定すること、また前記現象を総合的かつ定量的に記述し、その結果から前記パターン寸法変化量を定量的に記述することは困難である。特にレジスト膜等の材料の寄与を定量的に表記することは困難である。
【００７２】
そこで、レジスト積層膜の移動によって変化する観測可能あるいは解析的に算出が可能な物理量に着目し、前記物理量によって前記レジスト形状の変化が生じるとの仮定の元に、現象論的な解析を行うことが有効であると考える。レジストパターン形状を変化させると想定される物理量としては、前記液浸溶液と前記レジスト積層膜との接触時間、前記液浸溶液と前記レジスト積層膜との接触回数、前記単位露光領域中の着目点を通過する前記液浸溶液の量、前記単位露光領域における前記液浸溶液の流れ等によってレジスト積層膜の表面に加わる力の力積、前記単位露光領域におけるレジスト積層膜の表面と前記液浸溶液との最大摩擦力などが考えられる。
【００７３】
また、前記物理量においても、露光工程中における総量ではなく、着目位置への潜像の形成前あるいは潜像の形成後における接触履歴を考慮することが妥当である場合もあり得る。
【００７４】
前記物理量においても、露光工程中における総量ではなく、着目位置への潜像の形成前あるいは潜像の形成後における接触履歴を考慮することが妥当である場合もあり得る。
【００７５】
現在使用されているＡｒＦレジストの多くは、メタクリレートあるいはアクリレート樹脂、あるいは無水マレイン酸−ノルボルネンの共重合樹脂などをベース樹脂とする。これらの樹脂においては、ポリヒドロキシスチレンをベース樹脂とするＫｒＦレジストとは異なり、レジストから光酸発生剤(PAG：Photo Acid generator)へのエネルギーの移動が殆ど生じないとされている。したがって、光発生酸は、投影光が光酸発生剤に吸収されることのみによって生じるため、露光時の光酸発生剤の量によって光発生酸の量は変化する。
【００７６】
ここで、光酸発生剤からの露光量Ｅに対する光発生効率Ｃとする。このとき、液浸溶液のレジスト積層膜への接触による光酸発生剤および光発生酸の液浸溶液中への単位時間あたりの溶出率がａで等しいと仮定する。液浸溶液と時間ｔだけ接触した後に露光される領域１、露光後に液浸溶液と時間ｔだけ接触する領域２を仮定する。このとき、初期ＰＡＧ量に対する最終的な光発生酸量は、{1-exp(-CE)}{1-exp(-at)}で等しい。しかし、ここで着目点の露光量Ｅは、それよりも上層のレジスト膜の透過率に依存する。光酸発生剤の透過率と、それから発生する光発生酸とカウンターカチオンの透過率の合計とが等しい場合以外は、レジスト膜下部においては液浸溶液との接触が露光前後の何れであるかによって、照射量Ｅが変化する。さらに、学会報告（W. Hinsberg他、2004 SPIE Microlithography 予稿集5376-03、C. L. Soles他、2004 SPIE Microlithography 予稿集5376-06）において、光酸発生剤に比べて光発生酸の溶出率の方が大きい場合がある。したがって、レジスト樹脂の脱保護反応量を規定する光発生酸の量は、液浸溶液とレジスト積層膜との接触が露光前であるか露光後であるかによって変化する場合があると考えられる。
【００７７】
また、光発生酸とクエンチャーとの液浸溶液中への溶出率が大きく異なる場合にも、液浸溶液との接触が露光前あるいは露光後であるかによって、クエンチャーにトラップされずに残るレジスト膜中の光発生酸の量が変化する。
【００７８】
前記光発生酸やクエンチャーなどの液浸溶液への溶出量は、前記単位露光領域におけるレジスト積層膜の表面と前記液浸溶液との力積、前記単位露光領域におけるレジスト積層膜の表面と前記液浸溶液との最大摩擦力などによっても変化する場合も考えられる。このように、レジスト膜の種類によっては、レジスト積層膜と液浸溶液との接触が露光前あるいは露光後であるかも大きな影響を与える場合があると考えられる。
【００７９】
（第２の実施形態）
前述したように、基板上の所定に配置において周辺部に位置する単位露光領域は隣接単位露光領域の欠損によって、隣接単位露光領域の欠損がない単位露光領域内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触履歴の分布が変化する。液浸溶液と概同一の溶液と、他の単位露光領域と内部の前記履歴の分布が異なる領域のレジスト積層膜を付加的に接触させることで、前記接触履歴の分布の変化を補うことができる。この結果、基板上の配置において周辺部に位置する単位露光領域内部の寸法分布が、隣接単位露光領域の欠損がない単位露光領域と概同一にすることが可能となる。
【００８０】
第１の実施形態の方法と本実施形態の方法とを組み合わせることで、前記第１の実施形態による効果がより多くの単位露光領域に対して得ることが可能となる。
【００８１】
具体的な方法としては、３種の方法を示す。
【００８２】
第１の方法は、基板上のレジスト積層膜の所定領域のみを選択的に液浸溶液と接触させる第二の液浸機構を露光装置内部あるいは露光工程からＰＥＢ工程処理までのウェハ移動経路中に設け、前記第二の液浸機構によって、基板平面上の所定配置において他の単位露光領域と内部の前記接触履歴の異なる部分週集合領域を移動させることで、前記接触履歴の補正を行う方法である。本方法において、前記第二の液浸機構による液浸溶液と接触するレジスト積層膜の面積は、投影光学系およびその周囲のレジスト積層膜上を溶液で満たす機構による面積よりも十分に狭いことが望ましい。十分に第二の液浸機構の面積が小さい場合には、さらに、隣接単位露光領域の欠損がない単位露光領域内部における前記接触履歴の分布を緩和する効果も得ることも可能となる。
【００８３】
第２の方法は、液浸露光装置の有する前記レジスト積層膜上の所定領域のみに選択的に液浸溶液で満たす機構を利用し、前記第１の方法と同様に基板平面上の所定配置において他の単位露光領域と内部の前記接触履歴の異なる部分週集合領域を移動させることで、前記接触履歴の補正を行う方法である。この方法においては、前記レジスト積層膜上の所定領域のみに選択的に液浸溶液で見たす機構の面積が大きいことから、前記配置において周辺に位置する単位露光領域に隣接する欠損している単位露光領域に対する潜像形成と概同様の基板の移動、潜像の形成を伴わずに行うことが望ましい。なお、基板およびフォトマスクの相対移動方向と平行方向に位置する単位露光領域の欠損による前記接触履歴の変化を補正する基板の移動は、前記欠損単位露光領域に対して潜像を形成する場合に比べて、前記接触履歴の補正対象である単位露光領域とは逆方向に対しては短くとも良い。具体的には、前記レジスト積層膜上の所定領域のみに選択的に液浸溶液で満たす機構によって前記接触履歴の補正対象となる単位露光領域の一部が前記液浸溶液と接触を起こす範囲以上であれば良い。この場合、現像工程における現像液の拡散等の影響を加味して、前記補正対象となる単位露光量の一部が前記液浸溶液と接触を起こす範囲よりも多くの距離を移動させることが望ましい。
【００８４】
第３の方法について説明する。単位露光領域に隣接する単位領域の数が最大値以外の単位露光領域について、隣接する単位露光領域の数が最大値となるように仮想的な単位露光領域を設定する。単位露光領域へのマスクパターンの転写時、前記単位露光領域及び仮想的な単位露光領域に応じてウエハを移動させる。マスクパターンの転写は、前記単位露光領域についてのみ行い、仮想的な単位露光領域に対しては基板の移動のみを行う。この結果、前記所定配置である単位露光領域内の接触履歴は、同一、あるいは頻度が概同値である類似した複数の分布となる。この結果、単位露光領域内部の寸法分布は、単位露光領域によらず、ほぼ同一となる。
【００８５】
単位露光領域が図５である場合において、仮想的な単位露光領域を設定した例を図１１〜図１４に示す。仮想的な単位領域は、単位領域に隣接する単位露光領域の数が最大値以外の露光領域について隣接する露光領域の数が最大値となるように配置されている。仮想的な露光領域に対して液膜を形成することで接触履歴値の分布を補正し、他の露光領域の接触履歴値の分布に略等しくする。なお、仮想的な単位露光領域ではパターンの転写を行わないものとする。図１１〜図１４に於いて、点が描かれた領域が仮想的な単位露光領域である。
【００８６】
図１１は、各露光領域に隣接する単位露光領域の数が等しくなるように仮想的な単位露光領域を設定した例である。ウエハの外周に隣接する単位露光領域の接触履歴値の分布を内側の単位露光領域の接触履歴値の分布にほぼ等しくすることができる。しかし、Ｙ方向に隣接する単位露光領域において、露光フィールドを移動させるための基板移動の方向が同一となる場合があり、該当単位露光領域内部の前記接触履歴の着目量によっては他の単位露光領域との間に分布の差が生じることがある。
【００８７】
図１２はさらに改良を施した配置である。斜線で塗られた擬似的な単位露光領域を追加することで、Ｙ方向に隣接する所望単位露光領域に対する露光フィールドの移動方向を全て逆向きとしたものである。この結果、所望単位露光領域中の前記接触履歴の分布を、着目する接触履歴にもよるが、最大２種にまで削減することが可能となる。なお、この例では擬似的な単位露光領域を追加したが、基板動作と連動しないフォトマスクの移動を加えることで、隣接するＹ方向の単位露光領域の相対移動方向を全て逆向きに制御することも可能である。
【００８８】
図１３は、全ての単位露光領域について隣接する単位露光領域の数を等しくしない例を示す。ｘ方向及びｙ方向及び斜め方向に隣接する単位露光領域ない場合、ｘ方向及びｙ方向に隣接する仮想的な単位露光領域を設定し、斜め方向に隣接する仮想的な単位露光領域を設定しない。上述した条件に当てはまる単位露光領域は、接触履歴が他の単位露光領域と異なる。しかし、液膜が形成される大きさが露光フィールドと概同等である場合、もしくは単位露光領域中の四隅の寸法精度が低くとも良い場合には、図１２、図１３の方法と比べて露光時間の短縮を図ることができる。
【００８９】
単位露光領域の配置においてＹ方向を移動するにおいて、通常行われるように基板の相対移動距離が最小となる経路を取るのではなく、図１４に示すように擬似的な単位露光領域を含む単位露光領域の配置図において一つの単位露光量領域分Ｘ方向で外側に移動してからＹ方向に移動する。この結果、基板の斜め方向の相対移動による前記周辺領域の単位露光量領域内部の接触履歴あるいは寸法の変化を抑制することができる。
【００９０】
なお、以上の実施例は全て、基板上の単位露光領域の配置が直交二軸方向への周期的配置示したが、それ以外の配置であっても良い。例えば、３回対称である配置、一例としてＸ方向には等間隔で周期的に配置され、Ｙ方向に１列ずれる毎にＸ方向の周期が半周期ずれる配置である。
【００９１】
また、光路および周辺の投影光学系とレジスト積層膜の間を選択的に液浸溶液で満たす機構について、フォトマスクと基板の相対移動と一辺が平行かつ他辺が垂直である矩形形状である場合を示した。しかし、本発明の効果は、前記機構の形状が矩形である場合に限定されるものでない。
【００９２】
上記実施形態では、スキャン＆リピート型の液浸露光装置を用いた場合を説明したが、ステップ＆リピート型の液浸露光装置を用いても良い。
【００９３】
なお、上述した実施形態に述べた方法は半導体装置の製造工程に適用することが好ましい。
【００９４】
なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１の実施形態に係わる露光装置の概略構成を示す図。
【図２】露光フィールドと単位露光領域との相対的な移動の説明に用いる図。
【図３】ある単位露光領域内における液浸溶液とレジスト積層膜との接触回数の分布を示す平面図。
【図４】第１の実施形態に係わる描画パターンの生成方法の手順を示すフローチャート。
【図５】ウエハ上の単位露光領域、単位露光領域の露光順序、及び露光フィールドの移動方向を示す平面図。
【図６】図５中の単位露光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触回数の分布を示す図。
【図７】図５中の単位露光領域Ａ、Ｂ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触弛緩の分布を示す図。
【図８】単位露光領域に対する加速距離及び減速距離に適した距離の説明に用いる図。
【図９】単位露光領域に対する加速距離及び減速距離に適した距離の説明に用いる図。
【図１０】図５中の単位露光領域Ａ、Ｂ内部の液浸溶液とレジスト積層膜との接触弛緩の分布を示す図。
【図１１】ウエハ上の単位露光領域及び仮想的な単位露光領域、単位露光領域の露光順序、ならびに露光フィールドの移動方向を示す平面図。
【図１２】ウエハ上の単位露光領域及び仮想的な単位露光領域、単位露光領域の露光順序、ならびに露光フィールドの移動方向を示す平面図。
【図１３】ウエハ上の単位露光領域及び仮想的な単位露光領域、単位露光領域の露光順序、ならびに露光フィールドの移動方向を示す平面図。
【図１４】ウエハ上の単位露光領域及び仮想的な単位露光領域、単位露光領域の露光順序、ならびに露光フィールドの移動方向を示す平面図。
【符号の説明】
【００９６】
３１…レチクルステージ，３２…レチクル，３３…投影レンズ系，３４…ウェハステージ，３５…フェンス，３６…水供給・排出器，３７…サポート板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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