(57)【要約】【課題】所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子を容易に形成することが可能になるとともに、端子電極と内部電極との接続不良の発生を抑制する、すなわち、前記接続に対する信頼性を確保することが可能なサーミスタ素子を提供することにある。【解決手段】サーミスタ素体３の内部に、サーミスタ層を介して隔てられ積層された複数の内部電極４ａ〜４ｃが設けられ、サーミスタ素体３の両端２ａ側にそれぞれ内部電極４ａ〜４ｃと接続する外部電極５が設けられたサーミスタ素子１であって、内部電極４ａ〜４ｃは、サーミスタ素体３の端面２ａとの間に間隙Ａ、Ｂを介して配されるとともに、サーミスタ素体３の側面２ｃで外部電極５に接続されている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーミスタ素体の内部に、サーミスタ層を介して隔てられ積層された複数の内部電極が設けられ、前記サーミスタ素体の両端側にそれぞれ前記内部電極と接続する外部電極が設けられたサーミスタ素子であって、
前記内部電極は、前記サーミスタ素体の端面との間に間隙を介して配されるとともに、前記サーミスタ素体の側面又は上下面のうち少なくとも一つで前記外部電極に接続されていることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項２】
請求項１に記載のサーミスタ素子において、
前記サーミスタ素体の外表面には、前記内部電極と前記外部電極との接続部を回避して絶縁膜が設けられていることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のサーミスタ素子において、
前記サーミスタ素体の内部には、前記内部電極と前記外部電極とを接続するスルーホール電極が設けられていることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項４】
複数の内部電極からなる内部電極パターンを表面に備えた複数のグリーンシートを各別に形成するシート形成工程と、該グリーンシートを積層、圧着し圧着シートを形成する圧着工程と、該圧着シートを切断しチップ状の圧着体を形成する切断工程と、これらを焼成しサーミスタ素体を形成する焼成工程と、該サーミスタ素体の両端側に前記内部電極に接続する外部電極を形成する外部電極形成工程とを有するサーミスタ素子の製造方法であって、
前記シート形成工程は、前記内部電極パターンを形成する際に、複数の前記内部電極をグリーンシート上に前後左右にそれぞれ等ピッチで配し、前記サーミスタ素体の側面側に隣接される前記内部電極を、接続部を介して互いに連続させるとともに、前記サーミスタ素体の端面側に隣接される前記内部電極を、一定の間隙を介して配し、
前記切断工程は、前記サーミスタ素体の側面を形成する際に、前記接続部で切断を行うとともに、前記サーミスタ素体の端面を形成する際に、前記間隙で切断を行い、
前記外部電極形成工程は、前記外部電極を前記接続部に接続させて形成することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント回路基板や電子部品等に実装されるサーミスタ素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、サーミスタ素子は、各種電子機器の構成要素、例えば、水晶発振子、バッテリ等の温度を検出し、この電子機器及び構成要素の特性の変化を補償するために使用されている。近年、電子機器の小型化、高信頼性に対する要求が強く、これに伴って、サーミスタ素子の高精度化、例えば、抵抗値のばらつき低減、外部電極と内部電極との接続信頼性に対する要求が強くなっている。このサーミスタ素子は、一般に図９に示す構成のものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
サーミスタ素子１１は、略直方体状をなすサーミスタ素体１２の厚み方向で互い違いに配置された内部電極１３ａ〜１３ｃを有するチップ状のサーミスタ素体１２と、そのサーミスタ素体１２の端面１２ａ、１２ｂ側にそれぞれ形成され外部電極をなす端子電極１４ａ、１４ｂとを備えて構成されている。ここで、内部電極１３ａ、１３ｃは、端子電極１４ｂにサーミスタ素体１２の端面１２ｂを介して接続し、内部電極１３ｂは、端子電極１４ａにサーミスタ素体１２の端面１２ａを介して接続した構成となっている。
この構成において、サーミスタ素子１１の抵抗特性は、各内部電極１３ａ〜１３ｃの重なり面積と、各内部電極１３ａ〜１３ｃ間に介在する抵抗体（サーミスタ層）厚み分と、更に、各内部電極１３ａ〜１３ｃ自体の表面積とで決定されることになる。この抵抗特性は、端子電極１４ａ、１４ｂを介して外部に引き出される構成となっている。
【０００４】
ここで、上述したチップ状のサーミスタ素体１２は、一般に次のように形成される。まず、図１０、１１に示すように、内部電極１３ａ〜１３ｃをそれぞれ印刷して設けたグリーンシート１６を、互いに重ね合わせて圧着し圧着シート１５を形成する。その後、この圧着シート１５を、図１０、図１１に示す切断線Ｌ１、Ｌ２に沿って切断して焼成することにより、図９に示す、所望の大きさのチップ状のサーミスタ素体１２を形成する。ここで、グリーンシート１６表面に形成する各内部電極１３ａ〜１３ｃの長手方向の長さは、当初、２個分の長さで形成されており、切断線Ｌ１の位置で圧着シート１５を切断することにより、１個分の長さに分断され、この際、圧着シート１５の切断面には、内部電極１３ａ〜１３ｃが露出することになる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−２４７６０１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記従来のサーミスタ素子の製造方法によれば、圧着シート１５をチップ状に切断しサーミスタ素体１２を形成するに際し、使用する切断機における圧着シート１５の設置位置にずれが生ずる等した場合、特に、図１０、図１１に示す切断線Ｌ１の位置ずれが生じた場合には、各内部電極１３ａ〜１３ｃの、サーミスタ素体１２の長手方向に対する長さが、各端子電極１４ａ、１４ｂと接続する各内部電極１３ａ〜１３ｃ毎で異なることになる。これは、図１０に示すように、圧着シート１５の前記設置位置がずれる等した場合、前記切断機においては圧着シート１５を同一ピッチＤで切断することになるが、前記ずれの量ｄだけ圧着シート１５における切断予定位置（すなわち、切断線Ｌ１）からずれた状態で切断されることに起因する。
【０００７】
この場合、抵抗特性の異なる２種類のサーミスタ素体１２が形成されることになる。すなわち、図９に示すサーミスタ素子１１の構成においては、端子電極１４ａに接続する内部電極１３ｂの前記長手方向の長さが、端子電極１４ｂに接続する内部電極１３ａ、１３ｃの前記長さよりずれ量ｄだけ長い構成のものと、内部電極１３ａ、１３ｃの前記長さが、内部電極１３ｂの前記長さよりずれ量ｄだけ長い構成のものとの２種類のサーミスタ素体１２が形成されることになる。この内部電極１３ａ〜１３ｃの前記方向の長さが異なる場合、その表面積も異なることになるため、抵抗特性の異なる２種類のサーミスタ素子１１が形成されることになる。従って、所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子１１を形成することが困難であるという問題があった。
【０００８】
また、前記切断をするに際し、端子電極１４ａ、１４ｂと接続する内部電極１３ａ〜１３ｃは、サーミスタ素体１２の両端面１２ａ、１２ｂに露出することになり、グリーンシート１６同士の密着力が低下するため、デラミネーション（層間剥離）が発生する場合があり、これにより、端子電極１４ａ、１４ｂと内部電極１３ａ〜１３ｃとの接続不良が発生する場合があった。従って、前記接続に対する信頼性を確保することが困難であるという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子を高精度に且つ容易に形成することが可能になるとともに、端子電極と内部電極との接続不良の発生を抑制する、すなわち、前記接続に対する信頼性を確保することが可能なサーミスタ素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明のサーミスタ素子は、サーミスタ素体の内部に、サーミスタ層を介して隔てられ積層された複数の内部電極が設けられ、前記サーミスタ素体の両端側にそれぞれ前記内部電極と接続する外部電極が設けられたサーミスタ素子であって、前記内部電極は、前記サーミスタ素体の端面との間に間隙を介して配されるとともに、前記サーミスタ素体の側面又は上下面のうち少なくとも一つで前記外部電極に接続されていることを特徴とする。
【００１１】
このサーミスタ素子では、内部電極が、サーミスタ素体の端面との間に間隙を介して配された構成となっているため、サーミスタ素体をチップ状に切断して形成する際の寸法誤差が、内部電極の寸法精度に影響を及ぼすことがない。従って、内部電極の表面積を高精度に且つ容易に形成することができ、所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子を容易に形成することが可能になる。また、前記間隙により、前記切断によって形成される切断面（サーミスタ素体の端面）に、内部電極が露出することを回避することが可能になる。これにより、前記切断面におけるサーミスタ層同士の密着力の低下を抑制することが可能になり、この層間剥離の発生を抑制することが可能になる。従って、内部電極と外部電極との接続不良の発生を抑制することができ、前記接続に対する信頼性が高いサーミスタ素子を提供することが可能になる。
【００１２】
また、本発明のサーミスタ素子は、前記サーミスタ素体の外表面に、前記内部電極と前記外部電極との接続部を回避して絶縁膜が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
このサーミスタ素子では、サーミスタ素体の外表面には、内部電極と外部電極との接続部を回避して絶縁膜が設けられた構成となっているため、サーミスタ素子をプリント回路基板表面に実装する際の、ハンダ付けの熱応力による特性変化の発生を抑制することができ、さらには、サーミスタ素子の経時劣化の抑制を図ることが可能になる。
【００１４】
また、本発明のサーミスタ素子は、前記サーミスタ素体の内部に、前記内部電極と前記外部電極とを接続するスルーホール電極が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
このサーミスタ素子では、サーミスタ素体の内部に、内部電極と外部電極とを接続するスルーホール電極が設けられた構成となっているため、サーミスタ素体の外表面において、スルーホール電極と電気的に接続可能な個所に直接外部電極を設けることが可能になる。このため、外部電極を前記個所に設けたハンダバンプとする構成を採用することも可能になる。この場合、プリント回路基板や電子部品等表面におけるサーミスタ素子の占有面積を削減することが可能になる、すなわち電子機器の小型化に対応可能なサーミスタ素子を形成することが可能になる。
【００１６】
本発明のサーミスタ素子の製造方法は、複数の内部電極からなる内部電極パターンを表面に備えた複数のグリーンシートを各別に形成するシート形成工程と、該グリーンシートを積層、圧着し圧着シートを形成する圧着工程と、該圧着シートを切断しチップ状の圧着体を形成する切断工程と、これらを焼成しサーミスタ素体を形成する焼成工程と、該サーミスタ素体の両端側に前記内部電極に接続する外部電極を形成する外部電極形成工程とを有するサーミスタ素子の製造方法であって、前記シート形成工程は、前記内部電極パターンを形成する際に、複数の前記内部電極をグリーンシート上に前後左右にそれぞれ等ピッチで配し、前記サーミスタ素体の側面側に隣接される前記内部電極を、接続部を介して互いに連続させるとともに、前記サーミスタ素体の端面側に隣接される前記内部電極を一定の間隙を介して配し、前記切断工程は、前記サーミスタ素体の側面を形成する際に、前記接続部で切断を行うとともに、前記サーミスタ素体の端面を形成する際に、前記間隙で切断を行い、前記外部電極形成工程は、前記外部電極を前記接続部に接続させて形成することを特徴とする。
【００１７】
このサーミスタ素子の製造方法では、シート形成工程において、グリーンシート表面に内部電極パターンが上述したように配されるため、切断工程において、サーミスタ素体の端面を形成する際に、前記間隙で切断することになる。これにより、切断工程における、グリーンシートの設置位置のずれに起因した内部電極の寸法誤差の発生を抑制することが可能になり、内部電極の表面積を高精度且つ容易に形成することが可能になる。以上により、所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子を容易に形成することが可能になる。また、前記間隙により、前記切断によって形成される切断面（サーミスタ素体の端面）に、内部電極が露出することを回避することが可能になる。これにより、前記切断面におけるサーミスタ層同士の密着力の低下を抑制することが可能になり、この層間剥離の発生を抑制することが可能になる。従って、内部電極と外部電極との接続不良の発生を抑制することができ、前記接続に対する信頼性が高いサーミスタ素子を製造することが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法の第一実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。
【００１９】
サーミスタ素子１は、図１に示すように、対向する一組の端面２ａと、それぞれ対向する上下面２ｂ及び側面２ｃとで構成された略直方体状をなすサーミスタ素体３を備え、さらに、このサーミスタ素体３の厚み方向で互い違いに配置された複数の内部電極４ａ〜４ｃと、サーミスタ素体３の端面２ａ側に形成されて外部電極をなす端子電極５とを備えた構成となっている。
【００２０】
各内部電極４ａ〜４ｃは、サーミスタ層８を介して隔てられ積層された構成となっている。ここで、このサーミスタ層８を含むサーミスタ素体３は、例えば、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｕ（銅）等の遷移金属元素の酸化物を複数種用いて構成された焼結体である。後述するグリーンシート２２もこれと同一材種であるが、これを焼成することによりサーミスタ素体３（サーミスタ層８）が形成される構成となっている。
【００２１】
ここで、内部電極４ａ〜４ｃは、図２に示すように、サーミスタ素体３の側面２ｃ同士の間、すなわち幅方向に渡って側面２ｃに達するように設けられ端子電極５に接続する接続部６と、サーミスタ素体３の長手方向に渡って設けられ各内部電極４ａ〜４ｃ同士がサーミスタ素体３の厚み方向に重なり合う重ね合わせ部７とから構成され、Ｔ字状に形成されている。
【００２２】
ここで、接続部６及び重ね合わせ部７はそれぞれ、サーミスタ素体３の各端面２ａとの間に間隙Ａ及びＢを介して配された構成となっており、各内部電極４ａ〜４ｃは、サーミスタ素体３の端面２ａには露出しておらず、サーミスタ素体３の内側に配されている。また、内部電極４ａ、４ｃの接続部６は、サーミスタ素体３の一方の端面２ａ側に、内部電極４ｂの接続部６は、サーミスタ素体３の他方の端面２ａ側に設けられ、各内部電極４ａ〜４ｃの重ね合わせ部７は、サーミスタ素体３の長手方向、すなわち端面２ａ同士の間における中央部に位置する構成となっている。
【００２３】
端子電極５は、サーミスタ素体３の端面２ａ側にそれぞれ設けられ、サーミスタ素体３の端面２ａ全面から、上下面２ｂ及び側面２ｃの一部にかけて被覆した構成となっている。この端子電極５は、例えば、サーミスタ素体３の前記表面に下地電極（例えば、ガラスフリットを含有したＡｇ（銀）又はＡｇとＰｄ（パラジュウム）の合金）を形成するとともに、その下地電極表面にＮｉめっきを施した後、ＳｎＰｂめっきあるいはＳｎめっきを施すことにより形成される。すなわち、端子電極５は、下地電極と、Ｎｉめっきと、ＳｎＰｂめっきあるいはＳｎめっきとの３層構造からなるものである。
【００２４】
以上のように構成されたサーミスタ素子１を形成する製造方法を図３、図４に従い説明する。
まず、図３、図４に示すように、印刷法等適宜方法により、表面に内部電極パターン２１を備えた前記グリーンシート２２を複数形成し、このグリーンシート２２を積層、圧着して圧着シート２３を形成する。ここで、内部電極パターン２１は、内部電極４ａ〜４ｃのうちいずれか一つが、グリーンシート２２表面において、前後左右にそれぞれ等ピッチで複数配されるように形成する。この際、内部電極パターン２１は、図４に示すように、内部電極４ａ〜４ｃの接続部６を介して互いに連続して形成されるとともに、一の内部電極４ａ〜４ｃの重ね合わせ部７と、他の内部電極４ａ〜４ｃの接続部６とを一定の間隙Ａ１を介して配されるように形成される。
【００２５】
そして、圧着シート２３を切断しチップ状の圧着体を形成し、これらを焼成しサーミスタ素体３を形成する。ここで、チップ状の圧着体を形成する際、内部電極４ａ〜４ｃを構成する接続部６で切断を行い、サーミスタ素体３の側面２ｃを形成するとともに、間隙Ａ１の範囲内で切断を行い、サーミスタ素体３の端面２ａを形成する。その後、サーミスタ素体３の端面２ａ側に、端子電極５を接続部６に接続させて形成し、サーミスタ素子１を形成する。
【００２６】
以上説明したように、本実施形態によるサーミスタ素子の製造方法によれば、グリーンシート２２表面に内部電極パターン２１を形成するに際し、内部電極４ａ〜４ｃのうちいずれか一つを、サーミスタ素体３の端面２ａ側に隣接する方向に一定の間隙Ａ１を介して、等ピッチで複数配する。そして、圧着シート２３を切断しチップ状の圧着体を形成する際、前記間隙Ａ１の範囲内で切断を行うことにより、この切断位置に誤差が発生しても、この影響が内部電極４ａ〜４ｃの寸法精度に及ぼされることがない。従って、形成されるサーミスタ素子１の抵抗特性を安定的なものとすることが可能になり、所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子１を容易に形成することが可能になる。
【００２７】
また、前記切断により、サーミスタ素体３の端面２ａを形成する際、その面に、内部電極４ａ〜４ｃは露出しないことになる。これにより、前記切断面、すなわち端面２ａにおけるグリーンシート２２同士の密着力の低下を抑制することが可能になり、前記切断によるグリーンシート２２同士の間のデラミネーション（層間剥離）の発生を抑制することが可能になる。これにより、内部電極４ａ〜４ｃと端子電極５との接続不良の発生を抑制することができ、前記接続に対する信頼性が高いサーミスタ素子１を提供することが可能になる。
【００２８】
次に、本発明の第二実施形態について説明するが、上述の第一実施形態と同様の部位には、同一符号を付し、その説明を省略する。
本第二実施形態によるサーミスタ素子３０は、図５、図６に示すように、サーミスタ素体３の厚み方向で互い違いに配置された複数の内部電極３２ａ〜３２ｃと、サーミスタ素体３の端面２ａ側に形成された端子電極５と、サーミスタ素体３の側面２ｃ及び上下面２ｂに設けられた、例えばガラス膜等の絶縁膜３１とを備えた構成となっている。
【００２９】
ここで、各内部電極３２ａ〜３２ｃは、サーミスタ素体３の側面２ｃ同士の間、すなわち幅方向に渡って側面２ｃに達するように設けられるとともに、サーミスタ素体３の各端面２ａとの間にそれぞれ間隙Ａ、Ｂを介して配され略矩形状に形成された構成となっている。すなわち、各内部電極３２ａ〜３２ｃは、図６に示すように、サーミスタ素体３の側面２ｃに露出しており、この露出部分の一部が、端子電極５に接続する接続部となる。
【００３０】
ここで、絶縁膜３１は、サーミスタ素体３の外表面のうち、前記接続部を回避して設けられている。すなわち、絶縁膜３１は、サーミスタ素体３の上下面２ｂには、全面に設けられ、サーミスタ素体３の側面２ｃには、各内部電極３２ａ〜３２ｃの前記接続部を回避して、この接続部が側面２ｃに露出するように設けられている。従って、この接続部が上述した第一実施形態における接続部６と同様の構成をなすことになる。
【００３１】
以上のように構成されたサーミスタ素子３０によれば、サーミスタ素体３の上下面２ｂ及び側面２ｃに、絶縁膜３１が設けられた構成となっているため、サーミスタ素子３０をプリント回路基板等に実装する際の、ハンダ付けの熱応力による特性変化の発生を抑制することが可能になり、さらには、サーミスタ素子３０の経時劣化を抑制することが可能になる。
【００３２】
次に、本発明の第三実施形態について説明するが、上述の実施形態と同様の部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
本第三実施形態によるサーミスタ素子４０は、図７、図８に示すように、サーミスタ素体３の内部に設けられ内部電極３２ａ〜３２ｃと端子電極５とを接続するために、内部電極３２ａ〜３２ｃ表面からサーミスタ素体３の下面２ｂまで貫通したスルーホール電極４３と、サーミスタ素体３の下面２ｂ表面において、スルーホール電極４３の下端に接続状態に設けられた表面電極４４とを備えた構成となっている。また、サーミスタ素体３の上面２ｂ及び側面２ｃの全面と、下面２ｂにおいて表面電極４４の形成部分を除く全面とに、例えばガラス膜等の絶縁膜４１が形成されている。
【００３３】
また、スルーホール電極４３は、図８に示すように、サーミスタ素体３の側面２ｃ同士の間において中央部に設けられるとともに、各端面２ａ近傍に１つづつ設けられている。なお、スルーホール電極４３は、サーミスタ素体３の下面２ｂに開口した孔内に電極材料をめっき又は蒸着等により埋め込んで形成されている。
【００３４】
以上のように構成されたサーミスタ素子４０によれば、各内部電極３２ａ〜３２ｃを端子電極５に接続する接続部をスルーホール電極４３及び表面電極４４とする構成となっているため、サーミスタ素体３の側面２ｃで電気的接続を図る必要がない。このため、側面２ｃ全体を絶縁膜４１で被覆することが可能になる。
【００３５】
また、本構成においては、表面電極４４表面にハンダバンプを形成し、これを端子電極５とする構成を採用することが可能になる。このように構成されたサーミスタ素子４０をプリント回路基板表面に実装した場合、サーミスタ素子４０全体の長さが実装時そのままの大きさとなるため、実装面積が大きくなることを抑制することが可能になり、実装面積の狭小化を図ることが可能になる。
【００３６】
なお、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施の形態においては、内部電極を３個積層した構成を示したが、少なくとも一対あればよく、３個に限らず４個以上であってもよい。
【００３７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るサーミスタ素子及びその製造方法によれば、前記内部電極の表面積を高精度且つ容易に形成することができ、所望の抵抗特性を備えたサーミスタ素子を容易に形成することが可能になる。また、前記内部電極と前記外部電極との接続不良を抑制することが可能になり、前記接続に対する信頼性を確保することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第一の実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図２】図１のＸ１−Ｘ１線矢視断面図及びＹ１−Ｙ１線矢視断面図である。
【図３】本発明に係る一実施形態において、サーミスタ素子の製造方法を説明するための圧着シートを示す断面図である。
【図４】本発明に係る一実施形態において、サーミスタ素子の製造方法を説明するためのグリーンシートを示す平面図である。
【図５】本発明に係る第二の実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図６】図５のＸ２−Ｘ２線矢視断面図及びＹ２−Ｙ２線矢視断面図である。
【図７】本発明に係る第三の実施形態において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図８】図７のＸ３−Ｘ３線矢視断面図及びＹ３−Ｙ３線矢視断面図である。
【図９】本発明に係る従来例において、サーミスタ素子を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る従来例において、サーミスタ素子の製造方法を説明するための圧着シートを示す断面図である。
【図１１】本発明に係る従来例において、サーミスタ素子の製造方法を説明するためのグリーンシートを示す平面図である。
【符号の説明】
１  サーミスタ素子
２ａ  サーミスタ素体の端面
２ｂ  サーミスタ素体の上下面
２ｃ  サーミスタ素体の側面
３  サーミスタ素体
４ａ〜４ｃ  内部電極
５  外部電極（端子電極）
６  内部電極の外部電極との接続部
８  サーミスタ層
２１  内部電極パターン
２２  グリーンシート
２３  圧着シート
３１、４１  絶縁膜
４３  スルーホール電極
Ａ  サーミスタ素体の端面と内部電極との間隙
Ａ１  グリーンシート表面における内部電極同士の間隙
【図１】
2005038901.tif 000003
【図２】
2005038901.tif 000004
【図３】
2005038901.tif 000005
【図４】
2005038901.tif 000006
【図５】
2005038901.tif 000007
【図６】
2005038901.tif 000008
【図７】
2005038901.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005038901.tif 000011
【図１０】
2005038901.tif 000012
【図１１】
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