(57)【要約】【課題】高周波誘導加熱方式における欠点を簡易な構成で除去して、長時間安定的且つコスト安に金属薄膜を蒸着できる極めて実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源並びにその蒸着装置を提供するものである。【解決手段】金属材料１を高周波誘導加熱方式により加熱して蒸発させ、基板２上に付着させることでこの基板２上に金属薄膜を成膜する蒸着装置における前記金属材料１を充填する容器５と、この容器５の周囲に配設される誘導コイル６とから成る金属材料用蒸発源であって、容器５を高周波誘導加熱されない材質で形成したものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料を高周波誘導加熱方式により加熱して蒸発させ、基板上に付着させることでこの基板上に金属薄膜を成膜する蒸着装置における前記金属材料を充填する容器と、この容器の周囲に配設される誘導コイルとから成る金属材料用蒸発源であって、容器を高周波誘導加熱されない材質で形成したことを特徴とする金属材料用蒸発源。
【請求項２】
前記容器として、セラミック製のものを採用したことを特徴とする請求項１記載の金属材料用蒸発源。
【請求項３】
前記容器と前記誘導コイルとの間に保温材を設けたことを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の金属材料用蒸発源。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属材料用蒸発源を一個以上真空槽内に配置したことを特徴とする蒸着装置。
【請求項５】
前記金属薄膜を、前記基板上に成膜された有機薄膜上に成膜するように設定したことを特徴とする請求項４記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記真空槽内にして、前記金属材料用蒸発源から放出される熱により加熱される部位に、冷媒と、この冷媒が流通する管体とから成る冷却機構を設けたことを特徴とする請求項４，５のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記金属材料用蒸発源から放出される熱を遮断し得る壁部を、この金属材料用蒸発源を略囲繞するように設け、この壁部に、前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記基板と容器の間に開閉自在に設けられ、この容器から蒸発する金属材料の前記基板上への付着を開閉により制御するシャッター部に、前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６，７のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記シャッター部と前記真空槽内壁との間に設けられ、容器から蒸発した金属材料の前記基板上への付着を阻止する防着板に，前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
前記基板に、前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蒸着装置における金属材料用蒸発源並びにその蒸着装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ素子は一般に、基板上に、ＩＴＯから成る透明電極（陽極），有機ＥＬ材料から成る有機ＥＬ層，Ａｌから成る金属電極（陰極）の順に成膜することで作製される。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ層に成膜される金属電極は真空蒸着法、具体的には、抵抗加熱方式，Ｅ−Ｂ蒸着方式，高周波誘導加熱方式等の方法によって蒸着されるが、いずれの方式にも以下のような欠点がある。
【０００４】
（１）  抵抗加熱方式
抵抗加熱方式は、金属電極材料を入れたボート状（フィラメント状でもバスケット状でも良い）の抵抗体に電流を流すことで前記金属電極材料を加熱・溶融・蒸発させるもので、構造が簡易でコスト安に成膜できるが、このボート内の金属電極材料を溶融させると、特にＡｌはボート材料に対する濡れ性が良く、その結果、濡れたボートの抵抗値を下げ、ボートの発熱を阻害するので、少量のＡｌしか蒸発しなくなり、蒸着が困難となる。また、ボートを大型化し、金属電極材料を多くすると電流の制御が極めて困難となり、一度に大量の材料を安定して蒸着することができない。
【０００５】
また、前記金属電極材料として一般的に用いられるＡｌは、特開平１０−１５８６３８号公報に開示されているように、難蒸着材料（他にＡｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｐｄ等がある）と呼ばれ、前記抵抗体と反応してこの抵抗体の耐久性を大きく低下させる特性を持ち、そのため安定的に連続成膜を行うのは困難である。
【０００６】
従って、この抵抗加熱方式は生産性に劣り、量産品の製作に際しては殆ど用いられていない。
【０００７】
（２）  Ｅ−Ｂ蒸着方式
Ｅ−Ｂ蒸着方式は、金属電極材料をるつぼに入れ、この金属電極材料を電子線で直接加熱・蒸発させるもので、この金属電極材料を直接加熱できるため、応答性が良好で難蒸着材料とるつぼとの濡れ性や反応も考慮する必要がないことから、安定して連続成膜を行うことが可能であるが、前記電子線が金属電極材料に照射されると、この金属電極材料から二次電子が放出され、この二次電子が前記有機ＥＬ層に衝突すると、この有機ＥＬ層を破壊して発光効率を低下させてしまう。
【０００８】
従って、良好な有機ＥＬ素子を製作するためには、特開平２０００−３０６６６５号公報に開示されているように、この二次電子が前記有機ＥＬ層に衝突しないように、二次電子を誘導するための磁界を発生させる等の対策を施す必要があり、コスト高となるのは避けられないし、また、Ｘ線も発生する。
【０００９】
（３）  高周波誘導加熱方式
高周波誘導加熱方式は、金属電極材料を金属製のるつぼに入れ、このるつぼごと金属電極材料を高周波誘導コイルから生じる磁束により誘導加熱するもので、前記（１）と同様に難蒸着材料の影響は避けられないし、金属電極材料を加熱した際、この金属電極材料が著しく加熱され、この金属電極材料の発熱及びその輻射熱により、有機物である前記有機ＥＬ層が加熱され、（一般に１００℃以上に加熱されることで）この有機ＥＬ層が劣化してしまう。
【００１０】
従って、このような理由から、有機ＥＬ層を劣化させることなく長時間安定的且つコスト安に金属電極を蒸着することは、未だに実現できていないのが現状である。
【００１１】
本発明は、上述のような現状に鑑み、一度に大量の材料を蒸着でき、二次電子対策の必要がなく且つＸ線が出ない高周波誘導加熱方式に着目し、高周波誘導加熱方式における欠点を簡易な構成で除去して、長時間安定的且つコスト安に金属薄膜を蒸着できる極めて実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源並びにその蒸着装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するため手段】
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
【００１３】
金属材料１を高周波誘導加熱方式により加熱して蒸発させ、基板２上に付着させることでこの基板２上に金属薄膜を成膜する蒸着装置における前記金属材料１を充填する容器５と、この容器５の周囲に配設される誘導コイル６とから成る金属材料用蒸発源であって、容器５を高周波誘導加熱されない材質で形成したことを特徴とする金属材料用蒸発源に係るものである。
【００１４】
また、前記容器５として、セラミック製のものを採用したことを特徴とする請求項１記載の金属材料用蒸発源に係るものである。
【００１５】
また、前記容器５と前記誘導コイル６との間に保温材１１を設けたことを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の金属材料用蒸発源に係るものである。
【００１６】
また、前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属材料用蒸発源を一個以上真空槽７内に配置したことを特徴とする蒸着装置に係るものである。
【００１７】
また、前記金属薄膜を、前記基板２上に成膜された有機薄膜３上に成膜するように設定したことを特徴とする請求項４記載の蒸着装置に係るものである。
【００１８】
また、前記真空槽７内にして、前記金属材料用蒸発源から放出される熱により加熱される部位に、冷媒と、この冷媒が流通する管体とから成る冷却機構を設けたことを特徴とする請求項４，５のいずれか１項に記載の蒸着装置に係るものである。
【００１９】
また、前記金属材料用蒸発源から放出される熱を遮断し得る壁部８を、この金属材料用蒸発源を略囲繞するように設け、この壁部８に、前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６記載の蒸着装置に係るものである。
【００２０】
また、前記基板２と容器５の間に開閉自在に設けられ、この容器５から蒸発する金属材料１の前記基板２上への付着を開閉により制御するシャッター部９に、前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６，７のいずれか１項に記載の蒸着装置に係るものである。
【００２１】
また、前記シャッター部９と前記真空槽７内壁との間に設けられ、容器５から蒸発した金属材料１の前記基板２上への付着を阻止する防着板１０に，前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の蒸着装置に係るものである。
【００２２】
また、前記基板２に、前記冷却機構を設けたことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の蒸着装置に係るものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
好適と考える本発明の実施の形態（発明をどのように実施するか）を、図面に基づいてその作用効果を示して簡単に説明する。
【００２４】
容器５に充填した金属材料１を加熱・蒸発させ、この蒸発した金属材料１を基板２上に付着させることでこの基板２上に金属薄膜を成膜する。
【００２５】
この際、金属材料１が充填される容器５は高周波誘導加熱されない材質（例えば絶縁物であるセラミック）で形成したから、磁束により導電体の表面にうず電流を生じさせて加熱する高周波誘導加熱方式によっては加熱されずに、前記金属材料１が直接加熱される。
【００２６】
即ち、従来のように、金属材料を金属製のるつぼごと加熱していた場合と異なり、容器５としてセラミック製のるつぼ等を採用してこの金属材料１を直接加熱することで、難蒸着材料と呼ばれるＡｌ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｐｄ等が容器５と反応することを阻止できる。
【００２７】
従って、この難蒸着材料による容器５の耐久性の低下を考慮する必要なく、長時間連続して安定的に金属材料１を基板２上に成膜することができる。
【００２８】
また、容器５は、高周波誘導によっては加熱されないが、前記金属材料１の加熱に応じて加熱されることになり、この金属材料１を一層良好に加熱することができる。
【００２９】
この際、容器５と誘導コイル６との間に（例えば、前記容器５と同様にセラミック製の）保温材１１を設けることで、この容器５及び金属材料１からの外部への放熱を阻止して、より一層効率良く金属材料１を加熱することができる。
【００３０】
また、上述のような金属材料用蒸発源を真空槽７内に配置した蒸着装置において、基板２上に成膜した有機薄膜３上に金属薄膜を成膜する際、例えば、前記金属材料用蒸発源から放出される熱により加熱される部位に、冷媒と、この冷媒が流通する管体とから成る冷却機構を設けることで、前記各部位の加熱が可及的に阻止されて、この各部位が加熱されることで生じる輻射熱による有機薄膜３の劣化、若しくは、直接この基板２上に成膜された有機薄膜３が加熱されることによるこの有機薄膜３の劣化を阻止できる。
【００３１】
具体的には、例えば、前記基板２と容器５の間に開閉自在に設けられ、この容器５から蒸発する金属材料１の前記基板２上への付着を開閉により制御するシャッター部９と、このシャッター部９と前記真空槽７内壁との間に設けられ、容器５から蒸発する金属材料１の前記基板２上への付着を阻止する防着板１０とに、夫々前記冷却機構を設けることで、加熱された金属材料１（及び容器５）から放出される熱及びこの熱により前記シャッター部９及び防着板１０が加熱されることで生じる輻射熱によって、前記有機薄膜３が加熱されることを確実且つコスト安に阻止することができ、高周波誘導加熱方式を用いてこの有機薄膜３を劣化させることなく前記金属薄膜を成膜できる。
【００３２】
更に、例えば、前記基板２に前記冷却機構を設けた場合には、この基板２の冷却に伴い有機薄膜３も冷却されるから、前記蒸発した（高温の）金属材料１が前記基板２上に成膜した有機薄膜３上に付着した際、この有機薄膜３の温度上昇を確実に抑制することができ、この有機薄膜３の劣化をより一層確実に阻止できる。
【００３３】
また、例えば、前記金属材料用蒸発源から放出される熱を遮断し得る壁部８を、この金属材料用蒸発源を囲繞するように設け、この壁部８に、前記冷却機構を設けることで、この金属材料用蒸発源から放出される熱が、真空槽７内の他の機器を加熱することを阻止でき、この他の機器の熱による劣化・故障等を確実に阻止することができる。
【００３４】
従って、本発明は、高周波誘導加熱方式により長時間安定してコスト安に金属薄膜を成膜できる極めて実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源並びにその蒸着装置となる。
【００３５】
【実施例】
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
【００３６】
本実施例は、真空槽７内部で金属材料１を高周波誘導加熱方式により加熱して蒸発させ、基板２上に成膜した薄膜３上に付着させることでこの薄膜３上に金属薄膜を成膜する蒸着装置であって、前記金属材料１を充填する高周波誘導されない材質で形成した容器５と、この容器５の周囲に配設される誘導コイル６とから成る金属材料用蒸発源を設けたものである。
【００３７】
具体的には、図１に図示したように、真空槽７の上部に基板２（例えばガラス基板２）を設けると共に膜厚センサー（図示省略）を設け、この膜厚センサーにより蒸着レートを測定しつつ、真空槽７の下部に設けた金属材料用蒸発源を昇温・降温制御して、前記金属材料１を基板２上、具体的にはこの基板２に成膜した有機薄膜３上に成膜する。本実施例においては、有機ＥＬ材料から成る有機ＥＬ薄膜上にＡｌ電極を成膜する。
【００３８】
金属材料用蒸発源について説明する。
【００３９】
容器５としてはセラミック製のものを採用している。具体的には、石英，窒化アルミニュウム，窒化ホウ素，窒化ケイ素，炭化ケイ素若しくは酸化アルミニュウム製のものを採用すると良い。本実施例においては、容器５として酸化アルミニュウム製のるつぼを採用している。尚、容器５としてるつぼを採用しているが、ボート型等、他の形状のものを採用しても良い。
【００４０】
即ち、本実施例においては、前記容器５は絶縁物であるセラミック製であるため、前記誘導コイル６から生ずる磁束によって表面にうず電流が生じない、即ち、高周波誘導加熱されないことになる。
【００４１】
従って、前記金属材料１が容器５を介さずに直接加熱されると共に、この容器５は金属製でなくセラミック製であるから、難蒸着材料であるＡｌ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｐｄ等を蒸着する場合であっても、この難蒸着材料と容器５との反応は可及的に阻止され、従って、長時間連続して安定的に蒸着を行うことが可能となる。
【００４２】
この容器５には、高周波電源（図示省略）と接続された誘導コイル６が巻回され、この誘導コイル６により発生する磁束が容器５全体、具体的にはこの容器５に充填される金属材料１全体に届くように構成している。尚、この誘導コイル６から発生する磁束が前記金属材料１の一部のみを透過するように設定しても良い。
【００４３】
また、容器５は、高周波誘導によっては加熱されないが、前記金属材料１の加熱に応じて加熱されて保温作用を発揮し、この金属材料１を一層良好に加熱することができる。
【００４４】
更に、容器５と誘導コイル６との間に、円筒形状のセラミック製の保温材１１を設けている。従って、この容器５及び金属材料１から生じる熱をこの保温材１１によっても保温することができ、この容器５及び金属材料１からの外部への放熱を一層少なくして、より一層効率良く金属材料１を加熱することができる。
【００４５】
本蒸着装置は、上述の金属材料用蒸発源を真空槽７内部に一設けた構成であり、以下に説明する。尚、この金属材料用蒸発源を複数設けた構成としても良い。
【００４６】
金属材料用蒸発源は、真空槽７の底部１３に立設されたセラミック製の支承材１２により、所定高さ位置で支承保持される。
【００４７】
支承材１２は、その先端部を前記容器５を載置するための載置用径大部１２ａに設定し、その基端部を真空槽７の底部１３に当接してこの支承材１２を安定的に設置するための設置用径大部１２ｂに設定している。この支承材１２（特に前記載置用径大部１２ａ）によっても、前記容器５及び金属材料１の保温作用が発揮される。
【００４８】
具体的には、載置用径大部１２ａは、上部を開口した円筒体に形成し、内部に前記容器５が載置されるように設定している。また、この円筒体の周壁部で前記保温材１１を支承するように設定している。
【００４９】
この支承材１２を立設した真空槽７の底部１３には、冷媒と、この冷媒が流通する管体とから成る冷却機構を設けている。
【００５０】
具体的には、この冷却機構として、通水管１４に水道水を流通させることで周囲を冷却する構成のものを採用している。尚、本実施例においては、冷媒として、最も入手が容易で安価な水道水を採用しているが、液体窒素等、より強い冷却作用を有する他の冷媒を採用しても良い。
【００５１】
即ち、前記真空槽７の底部１３の外面に複数の通水管１４を付設し、この通水管１４に水道水を流通させることにより、前記金属材料１が加熱されることで高温化する金属材料用蒸発源から放出される熱によって加熱される前記真空槽７の底部１３を冷却し得るように構成している。
【００５２】
また、この保温材１１及び支承材１２と前記金属材料用蒸発源とを囲繞するように設けた壁部８により、この金属材料用蒸発源から放出される熱を遮断するように構成している。この壁部８にも前記冷却機構を設けている。
【００５３】
具体的には、この壁部８を、平面視Ｏ字状且つ断面視略長方形状で内部に空洞を有する壁管体１５を真空槽７の底部１３に立設することで形成し、この空洞を通水部としてこの空洞に水道水を流通させることで、この壁部８を冷却するように構成している。また、この壁管体１５の上端部には前記容器５の径よりやや大きな径の蒸着用孔を中央部に有するセラミック製の円盤体１６を設けている。この円盤体１６は、壁管体１５と接しているため、この壁管体１５を流通する水道水により冷却される。
【００５４】
尚、本実施例においては、この壁部８と冷却機構とを一体にした構成であるが、例えば、真空槽７の底部１３に板状体を立設し、この板状体に通水管を付設する構成等、他の構成でも良い。また、円盤体１６にも冷却機構を設けた構成としても良い。
【００５５】
更に、前記壁部８として、前記金属材料用蒸発源を（金属材料用蒸発源からの放熱による外部への影響を阻止できる程度に）略囲繞する平面視略Ｏ字状若しくはＣ字状の壁部８を採用しても良い。
【００５６】
即ち、本蒸着装置は、前記金属材料用蒸発源から放出される熱を可及的に内部に閉じ込めて効率的に蒸着を行うことができるようにすると共に、この熱による他の機器への影響を可及的に阻止できるように構成している。
【００５７】
従って、本蒸着装置は、前記金属材料１を効率良く蒸着させてエネルギー効率に秀れるのは勿論、真空槽７内の他の機器への熱の影響を阻止することで、この他の機器の劣化や故障等を阻止することができ、メンテナンス性にも秀れたものとなる。
【００５８】
また、前記基板２と容器５の間に開閉自在に設けられ、この容器５から蒸発する金属材料１の前記基板２上への付着を開閉により制御するシャッター部９と、このシャッター部９と前記真空槽７内壁との間に設けられ、容器５から蒸発した金属材料１の前記基板２上への付着を阻止する防着板１０とに、夫々前記冷却機構を設けている。
【００５９】
具体的には、このシャッター部９及び防着板１０にして基板２側に付設した通水管１４に水道水を流通させてこのシャッター部９及び防着板１０を冷却することで、このシャッター部９及び防着板１０の前記金属材料用蒸発源から放出される熱による温度上昇を確実に阻止できる。
【００６０】
従って、前記金属材料１が加熱され、この金属材料１及び容器５が高温化しても、このシャッター部９及び防着板１０が加熱されることが阻止され、基板２（に成膜した有機薄膜３）がこのシャッター部９及び防着板１０からの輻射熱により加熱されることが確実に阻止される。
【００６１】
更に、本蒸着装置においては、基板２にも前記冷却機構を設けた構成としている。具体的には、基板２にして金属薄膜が蒸着される蒸着面の裏面側に冷却用板４を付設し、この冷却用板４に前記通水管１４を複数並設状態に付設している。尚、この通水管１４を冷却用板４に付設した構成とせずに、この基板２に直接付設した構成としても良い。
【００６２】
従って、前記輻射熱による前記有機薄膜３への影響が更に軽減されるのは勿論、シャッター部９を開放状態とした際、高温化した金属材料用蒸発源からの放熱による温度上昇及び前記金属材料１が薄膜３に付着した際の温度上昇が確実に阻止され、この基板２に成膜した有機薄膜３の劣化を確実に阻止できる。
【００６３】
尚、前記冷却機構として、他の冷却機構を採用しても良いし、各部で同一の冷却機構を採用せずに、夫々異なる冷却機構を採用しても良い。また、前述の各部全てに冷却機構を設けずに、所定の部位にのみ冷却機構を設けた構成としても良い。
【００６４】
本実施例は上述のように構成したから、容器５に充填した金属材料１を加熱・蒸発させ、この蒸発した金属材料１を基板２上に成膜した有機薄膜３上に付着させることでこの有機薄膜３上に金属薄膜を成膜する際、金属材料１が充填される容器５は高周波誘導加熱されないセラミックで形成したから、磁束により導電体の表面にうず電流を生じさせて加熱する高周波誘導加熱方式によっては加熱されずに、前記金属材料１が直接加熱される。
【００６５】
即ち、従来のように、金属材料を金属製のるつぼごと加熱していた場合と異なり、容器５としてセラミック製のるつぼ等を採用してこの金属材料１を直接加熱することで、難蒸着材料と呼ばれるＡｌ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｖ，Ｐｄ等が容器５と反応することを阻止できる。
【００６６】
従って、この難蒸着材料による容器５の耐久性の低下を考慮する必要なく、長時間連続して安定的に金属材料１を有機薄膜３上に成膜することができる。
【００６７】
また、容器５は、高周波誘導によっては加熱されないが、前記金属材料１の加熱に応じて加熱されることになり、この金属材料１を内外から一層良好に加熱することができる。
【００６８】
更に、容器５と誘導コイル６との間に前記容器５と同様にセラミック製の保温材１１を設けているから、この容器５及び金属材料１からの外部への放熱を阻止して、より一層効率良く金属材料１を加熱することができる。
【００６９】
また、真空槽７内にして前記金属材料用蒸発源から放出される熱により加熱される部位に、冷媒を流通する管体１４を備えた冷却機構を設けているから、この加熱された金属材料用蒸発源による各部位の加熱が可及的に阻止されて、この各部位が加熱されることによる輻射熱による、若しくは、直接この基板２上に成膜された有機薄膜３が加熱されることによる有機薄膜３の劣化を阻止できる。
【００７０】
具体的には、前記シャッター部９と、前記防着板１０とに、夫々前記冷却機構を設けることで、加熱された金属材料１（及び容器５）から放出される熱及びこの熱により前記シャッター部９及び防着板１０が加熱されることで生じる輻射熱によって、前記有機薄膜３が加熱されることを確実且つコスト安に阻止することができ、高周波誘導加熱方式を用いてこの有機薄膜３を劣化させることなく前記金属薄膜を成膜できる。
【００７１】
更に、前記基板２に前記冷却機構を設けることで、前記蒸発した（高温の）金属材料１が前記基板２上に成膜した有機薄膜３上に付着した際、この基板２が冷却されているから、この有機薄膜３の温度上昇を確実に抑制することができ、この有機薄膜３の劣化をより一層確実に阻止できる。
【００７２】
その上、前記金属材料用蒸発源を囲繞するように設けた壁部８に、前記冷却機構を設けているから、この金属材料用蒸発源から放出される熱により、真空槽７内の他の機器が加熱されることを阻止でき、この他の機器の熱による劣化・故障等を確実に阻止することができる。
【００７３】
また、本高周波誘導装置におけるるつぼは、上部が開いていても良い、即ち、蒸発部分の面積が２次元的なので、電子ビーム蒸着に比べて、成膜レートを高く設定することが可能である。
【００７４】
即ち、有機ＥＬ素子を製作するに際し、前記基板２上に成膜された有機ＥＬ薄膜を劣化させることなく、金属電極（Ａｌ）を長時間安定的に且つ高い成膜レートで成膜することができる。
【００７５】
また、ワイヤ状若しくは粒状金属電極材料を連続的若しくは断続的に供給することにより、長時間連続蒸着も可能となる。
【００７６】
従って、本実施例は、高周波誘導加熱方式により長時間安定してコスト安に金属薄膜を成膜できる極めて実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源並びにその蒸着装置となる。
【００７７】
以下、図２，３に図示した本実施例の実験例について説明する。
【００７８】
図２は、高周波誘導加熱方式において、本実施例の冷却機構のような金属材料用蒸発源からの放熱対策を何ら施していない場合の基板温度及び蒸着レートを示しており、図３は、本実施例における冷却機構を基板２以外に設けた場合の基板温度及び蒸着レートを示している。
【００７９】
両者を比較すると、図２においては、シャッター部を開放状態として蒸着を始める前（蒸着レートを安定化させるための予備加熱中）から既に基板温度が上昇しているのに対し、図３においては、基板温度の上昇は見られない。
【００８０】
即ち、前記シャッター部９と防着板１０とに設けた冷却機構により、前記金属材料用蒸発源から放出される熱により、このシャッター部９と防着板１０とが加熱されることで生じる輻射熱による基板２（有機薄膜３）への影響を阻止できることが確認できた。
【００８１】
また、図２においては蒸着中に基板温度が約１５０℃（一般に約１００℃以上まで加熱されると有機ＥＬ薄膜は劣化することが確認されている。）に達してるが、図３においては約９０℃と、有機ＥＬ薄膜を劣化させることなく蒸着できることが確認できた。
【００８２】
従って、前記冷却機構を設けることにより、高周波誘導加熱方式における欠点である金属材料用蒸発源の高温化に伴う有機ＥＬ薄膜の劣化を確実に阻止できることが確認できた。
【００８３】
尚、この実験例においては、前述したように基板２に冷却機構を設けた構成でないため、蒸着時に基板温度の上昇が見られるが、基板２に冷却機構を設けることで、この蒸着時の基板温度の上昇も抑えることができ、一層確実に前記基板２に蒸着した有機ＥＬ薄膜の劣化を阻止してより一層良好に金属電極を蒸着することができることは確認済みである。
【００８４】
【発明の効果】
本発明は上述のように構成したから、高周波誘導加熱方式により基板に成膜された有機薄膜を劣化させることなく長時間連続安定的且つ高い成膜レートで金属薄膜を成膜できる極めて実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源並びにその蒸着装置となる。
【００８５】
また、請求項２記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できる一層実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源となる。
【００８６】
また、請求項３記載の発明においては、効率良く金属材料を加熱することができる一層実用性に秀れた蒸着装置における金属材料用蒸発源となる。
【００８７】
また、請求項４，５記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できる一層実用性に秀れた蒸着装置となる。
【００８８】
また、請求項６〜１０記載の発明においては、高周波誘導加熱方式における欠点を容易な構成で除去できるより一層実用性に秀れた蒸着装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の真空槽内の概略説明図である。
【図２】本実施例の実験例（冷却機構なし）の説明図である。
【図３】本実施例の実験例（冷却機構あり）の説明図である。
【符号の説明】
１  金属材料
２  基板
３  有機薄膜
５  容器
６  誘導コイル
７  真空槽
８  壁部
９  シャッター部
１０  防着板
１１  保温材
【図１】
2005038646.tif 000003
【図２】
2005038646.tif 000004
【図３】
2005038646.tif 000005