(57)【要約】      （修正有） 【課題】基体上にイメージを形成するマスク。【解決手段】マスクは水性塩基可溶性または分散性ポリマーおよび遮光剤からなり、ポリマーとしては、ビニルピロリドン、アクリル酸コポリマー、メチルビニルエーテル・無水マレイン酸コポリマー、アクリル系ポリマー、あるいはスチレン・無水マレイン酸コポリマーが好ましい。ポリマーは９００ダルトン以上の分子量を有し、６０以上の酸価を有することが好ましい。遮光剤は５００ｎｍ未満の光をブロックする。マスクを基体上の放射エネルギー感受性物質に選択的に施用する。複合体に施用された化学線は、放射エネルギー感受性物質のマスクにより覆われていない部分を化学的に変化させる。適当な水性塩基現像液を用いてマスクおよび放射エネルギー感受性物質の部分を除去する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性化合物、１以上の遮光剤を含む組成物であって、溶媒除去または相変化後、２５℃以下の温度で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有する前記組成物。
【請求項２】
１以上の化合物が少なくとも９００ダルトンの分子量を有するポリマーである請求項１記載の組成物。
【請求項３】
１以上の遮光剤が５００ｎｍ未満の光をブロックする請求項１記載の組成物。
【請求項４】
１以上のポリマーが６０以上の酸価を有する請求項１記載の組成物。
【請求項５】
遮光剤が、顔料、染料、光開始剤、および吸収剤のうちの少なくとも一つを含む請求項１記載の組成物。
【請求項６】
遮光剤が組成物の０．１重量％〜９０重量％を構成する請求項１記載の組成物。
【請求項７】
１以上の化合物が非ポリマー系酸または無水物である請求項１記載の組成物。
【請求項８】
イメージを形成する方法であって：
ａ）放射エネルギー感受性物質を基体に施用し；
ｂ）１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性ポリマー、１以上の遮光剤を含む遮光組成物を基体上の放射エネルギー感受性物質に選択的に施用して、複合体を形成し；
ｃ）組成物から溶媒を除去するか、または相変化を起こし；
ｄ）組成物を化学線に露光し；さらに
ｅ）遮光剤組成物および放射エネルギー感受性物質の水性塩基中に可溶性であるかまたは分散できる部分を除去して、基体上にイメージを形成することを含む方法。
【請求項９】
遮光組成物が放射エネルギー感受性物質にインクジェットにより施用される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
遮光組成物がインクジェットにおいて５ｃｐ〜２５ｃｐの粘度を有する請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光をブロックするための組成物および該組成物を使用する方法に関する。さらに詳細には、本発明は光をブロックするための組成物であって、水性塩基中に分散可能であるかまたは可溶性であり、施用後にその形状を保持し、基体上にイメージを形成するために用いることができる組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
基体上にイメージを形成する方法は、様々な産業、例えばエレクトロニクス、グラフィックアートおよび織物産業を網羅する。イメージの形成は、典型的にはリソグラフィーまたはフォトリソグラフィーを含む。例えば、プリントされた布のラベルは様々な技術、例えばスクリーン印刷、オフセットリソグラフィー印刷、染色、フレキソグラフィー印刷、インプラント印刷、およびトランスファー印刷を用いて作ることができる。このようなラベルは、装飾、識別、広告、洗濯および手入れの指示、サイズ、価格の目的、ならびに他の目的のために衣類に関して好適である。
【０００３】
スクリーン印刷は、シルクスクリーンとしても知られているが、スクリーン上に載せた有孔ステンシルを利用し、ここにおいて非印刷領域はステンシルにより保護される。マスキング材料はさらに、乾燥ラッカー、シェラックまたはノリであってもよい。印刷は、布をスクリーンの下に供給し、塗料のような粘稠度を有するインクをスクリーンに施用し、塗布し、細目メッシュ開口部を通してスキージ−で押し出すことにより、機械化されたプレス上で行われる。
【０００４】
オフセットリソグラフィー法において、イメージおよび非イメージ領域は薄い金属プレートの表面の本質的に同じ平面上にあり、その間の鮮明度は化学的に維持される。インクはプレート上の疎水性領域にはつくが、親水性領域にはつかない。イメージは次いでオフセットゴムローラーに転写され、次いでローラーからファブリックシートに転写される。
【０００５】
フレキソグラフィー印刷は、柔軟なゴムプレートおよび速乾性流体インクを用いるロータリー凸版印刷の形態である。ゴムプレートは、イメージを形成するために、イメージ領域が非イメージ領域よりも上に隆起しているレリーフ法を利用する。インクローラーは隆起した領域の上部表面にふれるだけである。周りの非印刷領域は低く、インクがつかない。インクがついたイメージは直接布に転写される。染色は、前記印刷プロセスのいずれにおいても顔料インクでなく染料を使用することにより達成できる。しかしながら、染料の使用は織物中に染料を定着させるための追加の後処理を必要とする。
【０００６】
電子産業において、フォトリソグラフィーにより回路を形成するために基体上にイメージが形成される。これは、放射エネルギー感受性物質、例えば感光性物質の使用を含み、これは全領域コーティング（スピンコーティング、ローラーコーティング、スプレーおよびスクリーン印刷、およびディッピング）または全領域シート（ラミネーション）として表面に施用される。必要なパターンマスクをコートされたウェハまたは銅パネルの前に導入する前に感光性物質があらかじめ露光されないことを確実にするために、光が管理された実験室内で物質を施用する。マスクは、コンタクトマスク、プロキシミティーマスクまたはプロジェクションマスクのいずれかであり得る。全ての場合において、マスクは別個のユニットとして非常に精巧に製造され、損傷または吸塵に対して慎重に保護される。一旦マスクを設置すると、感光性物質において用いられる光開始剤に合致した放射性物質のランプを使用して、マスクにより保護されない領域において基体コーティングを露光させる。使用される感光性物質の種類に応じて、達成されるパターン転写は、マスクに関してポジ型またはネガ型のいずれかである。露光後、感光性物質を、未処理物質が水性浸漬浴またはコンベヤシャワー／スプレー中で洗い流されるようにコーティングの化学的性質を修飾する現像剤に曝露させる。
【０００７】
表面レリーフイメージを得るスピンキャスト、ディップ、ローラーコーティング、スプレーおよびスクリーン印刷、またはシートラミネーションフォトリソグラフィー法は成功しているが、材料の消耗（全面技術のため）、選択的３Ｄパターニングが困難で、時間がかかること、感光性物質において用いられる化学反応が非常に有毒であること、大容量の毒物および現像剤の処置、および単純なパターニングがフォトコーティング、マスク配列、放射線露光、マスク除去、パターン現像、過剰の物質のリンス除去、および基体乾燥などの多段プロセスであることなどの多くの問題がある。
【０００８】
これらの問題のうちの１以上は、ステンシル（スクリーン印刷）、ミクロドット転写（スタンピング）、およびレーザーライティング−エッチング（アブレーションスクライビングおよびダイレクトライトフォトリソグラフィー等価イメージングを包含する）を包含する、パターン化されたレリーフ構造を表面上に提供できるさらなるプロセスを導入することにより対処される。各技術にはスピードパターン生成、レリーフパターン厚さ、制御されたエッチ可能性、プロセスのコストおよび使用プロセスの容易性などの意図する用途の詳細により決まるメリットと制限がある。しかしながら、どのプロセスも前記問題の全てに対応するわけではない。
【０００９】
米国特許第６０９３２３９号は、例えばプリンティングスクリーン製造プロセスにおいて、基体上にマークを形成するために使用できるホットメルトインクを開示している。該特許は、インクは少なくとも５０％水自己分散性であることを開示している。インクは、ワックスまたは樹脂、着色剤、安定剤を含有し、インクジェット装置を用いて施用できる。該特許は、インクは室温で固体であり、室温より高い温度で液体であることを開示している。該特許はさらに、インクはイメージングが完了した後に水で基体から容易に除去できることも開示している。しかしながら、インクの水自己分散性は欠点である。かかるインクは、多くの製造工場においてみられるような湿度の高い環境における使用に適さない。かかるインクは、適切な用途の吸湿性のために過度に流動性になりやすい。
【００１０】
エレクトロニックデバイスの製造において用いられる多くの方法は、感光性物質の選択的施用を必要とし、これは次いで全体的製造プロセスのその後の段階を可能にするために使用される。例えば、ソルダーマスクはプリント配線板のスルーホールから排除されるが、製造プロセスにおいて後に施用されるソルダーに対して耐性であることを必要とするボードの他の領域に存在する。
【００１１】
ソルダーマスクまたは他の感光性物質が選択的に最終的に存在できるようにする様々な方法が現在実施されている。例えば、ソルダーマスクは、例えば別の成分とはんだ付けするために露出されていることを意図される部分を除いて電子回路を完全に覆うためにパターン化される。ソルダーマスクは典型的には感光性物質から形成され、これはプリント回路板などの基体に施用される。感光性物質を化学線に露光し、これはアートワークまたはフォトツールによりイメージ化される。露光後、感光性物質を溶媒中で現像し、溶媒は物質の露光された部分または露光されていない部分（感光性物質がポジ型であるかまたはネガ型であるかによって変わる）を洗い流す。基体上に残存する物質の部分を次いで例えば熱またはＵＶ光で硬化させて、プリント回路を保護することを意図される硬質のパーマネントソルダーマスクを形成する。
【００１２】
電子産業における問題の一つは、多層プリント配線板の製造におけるような適切な配列またはレジストレーションである。レジストレーションは、１以上のプリント配線パターンまたはその一部の、プリント配線板上の所望の位置またはボードの反対側の別のパターンについての相対的な位置である。多層プリント配線板の製造における課題の一つは、適切な内層レジストレーションを得ることである。内部構造は、互いに適切に見当付けされていなければならず、これらは任意の穴に正確に見当付けされていなければならない。穴と内層のミスレジストレーション（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏｎ）は、穴とラインの接続不良および穴と分離されたコンダクター間の短絡という２つの潜在的な信頼性の問題を生じる。内層のミスレジストレーションはまた、電気抵抗を増大させ、導電性を低下させる。重大なミスレジストレーションにより、開放回路状態が生じ、連続性が完全に失われる。
【００１３】
多層プリント配線板の製造における最終工程の一つは、ソルダーマスクを外層上に施用することである。前記のように、ソルダーマスクは、特定の領域がボードから現像できるようにフォトツール（ｐｈｏｔｏｔｏｏｌ）を用いて選択的に露光される。このようなフォトツールは、典型的にはジアゾ、ハロゲン化銀または石英およびクロムから構成されるが、回路線配置の「理想的な」寸法に基づいて調製される。しかしながら、ボードの製造において用いられる苛烈な処理のために、「理想的な」寸法から回路線の実際のボード寸法はずれるのが一般的である。ボードを力学的に変化させながら「理想的な」フォトツールを使用すると、しばしば多層ラミネートにおけるボード間にレジストレーションの問題が生じる。ソルダーマスク工程は多層プリント配線板の製造における最後の工程の一つであるので、ミスレジストレーションにより廃棄されるボードのために製造プロセスは費用がかかり、非効率的になる。
【００１４】
さらに、通常の実施において、作業者はしばしば複数の一定のフォトツールを準備し、ミスレジストレーションを回避するためにフォトツールとボード間の最適の適合を見いだすために手作業で試行する。このようなプロセスは、不正確かつ時間がかかり、その結果、多層プリント配線板の製造がさらに非効率的になる。
【００１５】
したがって、基体上にイメージを形成する改良された方法が必要とされている。
【００１６】
【特許文献１】米国特許第６０９３２３９号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１７】
組成物は、１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性化合物、１以上の遮光剤を含み、溶媒除去または組成物の相変化後に２５℃以下で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度（ｐｓｅｕｄｏｖｉｓｃｏｓｉｔｙ）を有する。
【００１８】
もう一つの態様において、組成物は、９００ダルトン以上の分子量を有する、１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性ポリマー、１以上の遮光剤を含み、溶媒除去または組成物の相変化後に２５℃以下で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有する。
【００１９】
さらなる態様において、組成物は１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性ポリマー、５００ｎｍ未満の光を遮断するための１以上の遮光剤を含み、溶媒除去または組成物の相変化後に２５℃以下で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有する。
【００２０】
さらなる態様において、組成物は１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性ポリマー（この１以上のポリマーは６０以上の酸価を有する）、１以上の遮光剤を含み、溶媒除去または組成物の相変化後に２５℃以下で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有する。
【００２１】
もう一つの態様は、イメージを形成する方法であって、基体を提供し；放射エネルギー感受性物質を基体に施用し；組成物を放射線エネルギー感受性物質に選択的に施用して、複合基体を形成し（該組成物は１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性化合物、１以上の遮光剤を含み、溶媒の除去または相変化後に２５℃以下の温度で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有する）；複合基体を化学線に露光し；組成物および化学線に露光されていない放射エネルギー感受性物質を現像して除き、基体上にイメージを形成することを含む方法である。イメージ形成された基体をさらに多層プリント配線板の形成など、またはイメージにより形成された空間またはチャンネル中に金属を堆積させることにより基体上に電気回路を形成するなど、さらに処理することができる。
【００２２】
組成物は水性塩基で容易に除去可能である。従って、有機現像液は、組成物を用いたイメージ化法において回避でき、かくして作業員は多くの従来のイメージ化法において用いられる毒性で環境に優しくない有機現像液にさらされない。さらに、組成物は水性塩基（中性または酸性溶液でない）中に容易に分散可能であるかまたは可溶性であるので、湿度の高い環境中での使用に好適である。このような湿度の高い環境は多くの製造工場において一般的である。
【００２３】
組成物は溶媒除去または相変化後に２５℃以下の温度で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有し、このことにより組成物は施用後に基体上に所望のパターンを維持できる。
【００２４】
さらに、レジストレーションの問題は、多くの公知技術と従来のフォトツールを用いて修正することが困難であるが、遮光組成物を用いたイメージ化法により有効に対処される。このようなレジストレーションの問題は典型的には多層プリント配線板の製造において見られ、ここにおいて隣接するボード間のスルーホールの配列は電子装置におけるボードの効率的な製造および操作に重要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本明細書全体にわたって使用される場合、特に明記しない限り次の略号は次の意味を有する：℃＝摂氏度；ｇｍ＝グラム；Ｌ＝リットル；ｍＬ＝ミリリットル；ｗｔ％＝重量％；ｃｐ＝センチポアズ；ｋＶ＝キロボルト；ｐｓｉ＝１平方インチあたりのポンド；ｍＪ＝ミリジュール；ｃｍ＝センチメートル。
【００２６】
「プリント配線板」および「プリント回路板」なる用語は本明細書全体にわたって交換可能に用いられる。「堆積」および「メッキ」は本明細書全体にわたって交換可能に用いられ、無電解メッキおよび電解メッキの両方を包含する。「多層」とは、２以上の層を意味する。「ポリマー」および「コポリマー」は本明細書全体にわたって交換可能に用いられる。「放射エネルギー」とは、光または熱からのエネルギーを意味する。「化学線」とは、化学的変化を生じる光からの放射線を意味する。「（アルキル）アクリレート」は、「アクリレート」と「アルキルアクリレート」の両方を包含する。「粘度」＝内部流体摩擦または流体の剪断応力と剪断速度の比。「疑似粘度」＝その最も粘性が高い状態におけるチキソトロピー物質の粘度。酸価＝１グラムの遊離酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのグラム数（物質中に存在する遊離酸を測定するためのもの）。
【００２７】
全てのパーセンテージは特に明記しない限り重量パーセントであり、乾燥重量または溶媒を含まない重量に基づく。全ての数値範囲は両端を含み、かかる数値範囲が合計して１００％までに限定されるのが理にかなっている場合を除いて、任意の順序で組み合わせ可能である。
【００２８】
組成物は１以上の水性塩基分散性または水性塩基可溶性化合物、１以上の遮光剤を含み、溶媒除去または組成物の相変化後に２５℃以下の温度で少なくとも１００００ｃｐの疑似粘度を有する。相変化の一例は、ウォームメルト（ｗａｒｍ  ｍｅｌｔ）およびホットメルト（ｈｏｔ  ｍｅｌｔ）の冷却である。基体上にイメージを形成する方法において遮光組成物をマスクとして用いることができる。遮光組成物は放射エネルギー感受性物質に対して選択的に施用できる。例えば、感光性物質を、プリント配線板の形成などにおいて基体に施用することができる。遮光組成物の成分を有するマスクを、デジタル法などの任意の好適な方法によりパターン的に感光性物質に施用することができる。化学線が、基体、感光性物質およびパターン形成されたマスクを含む複合体に施用される。マスク中に含まれる遮光剤は、感光性物質の化学的変化を防止するために、十分な化学線がマスクにより覆われた感光性物質に到達することをブロックする。例えば、光は組成物中の１以上の遮光剤により吸収または反射されうる。遮光組成物により覆われていない感光性物質は化学的に変化する。マスクを次いで水性塩基で除去する。適当な水性塩基溶液は７．５〜１４、または例えば８〜１３、または例えば９〜１２の範囲のｐＨを有する。
【００２９】
水性塩基溶液はまた、化学線に露光されなかった感光性物質を除去することができるか、または別法として、化学線に露光された感光性物質を除去することができる。典型的には、化学線に露光されていないネガ型感光性物質は除去され、化学線に露光されたポジ型感光性物質は除去される。かかる感光性物質の例は、レジストおよびインクを包含する。レジストは、フォトレジスト、例えばネガ型およびポジ型フォトレジスト、プレーティングレジスト、エッチまたは内層レジストおよびソルダーマスクを包含する。
【００３０】
遮光組成物は、水性塩基分散性または水性塩基可溶性である１以上の化合物を含む。かかる化合物は、組成物を水性塩基分散性または水性塩基可溶性にするために十分な量において該組成物中に含まれる。かかる化合物は、これらに限定されないが、酸性官能基、無水物官能基またはその組み合わせを含有する化合物を包含する。かかる化合物は組成物の０．１重量％〜９９重量％または例えば１重量％〜９０重量％、または例えば１５重量％〜８０重量％、または例えば２５重量％〜６０重量％を構成する。かかる化合物の例としては、これらに限定されないが、酸性官能基、無水物官能基、およびその組み合わせを有するポリマー、および非ポリマー有機酸、無水物含有化合物、およびその組み合わせが挙げられる。ポリマーおよび非ポリマー化合物をあわせて混合して、水性塩基分散性または水性塩基可溶性を提供することができる。
【００３１】
ポリマーを使用する場合、ポリマーは１重量％〜９９重量％または例えば１０重量％〜８０重量％、または例えば２５重量％〜６０重量％の遮光組成物を含む。遮光組成物が水性塩基可溶性または少なくとも水性塩基分散性であるならば、任意のポリマーまたはポリマーの組み合わせが組成物中に含まれていてもよい。適当なポリマーの例としては、これらに限定されないが、ポリアミド；ポリビニルピロリドンおよびその誘導体およびコポリマー；ポリビニルピロリドン、ビニルピロリドンおよびビニルアセテートコポリマー、アルキル化ポリビニルピロリドン、ビニルピロリドンおよびジメチルアミノエチルメタクリレートコポリマー、ビニルピロリドン−ビニルカプロラクタム−ジメチルアミノエチルメタクリレートターポリマー、ビニルピロリドンおよびスチレンコポリマー、およびビニルピロリドンおよびアクリル酸コポリマー；メチルビニルエーテルおよび無水マレイン酸コポリマー；ポリオキサゾリン、例えばポリ（２−エチル−２−オキサゾリン、およびポリ（２−エチル−２−オキサゾリン）−コ−（２−フェニル−２−オキサゾリン）；ポリビニルメチルエーテル；ポリアクリルアミド；ポリビニルアルコール；ポリアルコキシレート；ポリアルキレングリコール；酸官能性アクリルポリマー；スチレンおよび無水マレイン酸コポリマー；およびヒドロキシル、アミド、スルホン、ホスフェート、スルホンアミド、ウレタン、カルボン酸、アミンおよびカルボネート官能基を含有する極性ワックスを包含する熱可塑性ポリマーワックスが挙げられる。前記ポリマーおよびコポリマーの適当な誘導体も用いることができる。このようなポリマーおよびコポリマーの多くは商業的に入手可能であるか、または当該分野および文献において公知の方法により容易に製造できる。かかるポリマーは典型的には９００ダルトン以上、または例えば２０００〜５０００００ダルトン、または例えば１００００〜３０００００ダルトン、または例えば２００００〜１０００００の分子量を有する。
【００３２】
水性塩基可溶性または分散性を提供するために、遮光組成物は典型的にはその構造内に無水物、または酸官能基またはその組み合わせを有する１以上のポリマーを含む。かかる無水物、または酸官能基およびその組み合わせを有するポリマーの例としては、これらに限定されないが、ビニルピロリドンおよびアクリル酸コポリマー、メチルビニルエーテルおよび無水マレイン酸コポリマー、酸官能性アクリルポリマーおよびコポリマー、およびスチレンおよび無水マレイン酸コポリマー、および酸官能基を有する熱可塑性ワックスが挙げられる。典型的には、無水物または酸官能基を有する１以上の前記ポリマーおよびコポリマーが遮光組成物中に含まれる。かかるポリマーの酸価は、少なくとも６０ｇｍの水酸化カリウム、または例えば７０〜３５０ｇｍの水酸化カリウム、または例えば８０〜２５０ｇｍの水酸化カリウム、または例えば９０〜１５０ｇｍの水酸化カリウムの範囲である。かかる酸および無水物を含有するポリマーは、典型的には遮光組成物のポリマー成分の１０重量％〜１００重量％、または例えば２０重量％〜８０重量％、または例えば４０重量％〜６０重量％を構成する。
【００３３】
適当な非ポリマー系酸性または無水物含有化合物の例としては、これらに限定されないが、オクタン酸、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、クエン酸、安息香酸、フタル酸、グリコール酸、リンゴ酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、乳酸、サリチル酸、セバシン酸、ベンゼントリカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、および無水フタル酸が挙げられる。１以上のかかる化合物は組成物の２５重量％以下、または例えば組成物の２０重量％以下、または例えば組成物の１５重量％〜０．１重量％、または例えば組成物の１０重量％〜１重量％の量において用いることができる。
【００３４】
適当な遮光剤は、該薬剤が放射エネルギー感受性物質の光化学的変化を防止するために十分な光をブロックする限り用いることができる。例えば、ある遮光剤は典型的には光開始剤系の吸収スペクトルと重複し、４００ｎｍ以上、または例えば４２５ｎｍから７００ｎｍ、または例えば４５０ｎｍから５００ｎｍの光を吸収する。かかる遮光剤の例としては、これらに限定されないが、顔料、例えば無機顔料および有機顔料、染料、光開始剤、および吸収剤が挙げられる。合成および天然の染料および顔料は、カラーインデックス（Ｃ．Ｉ．：Ｔｈｅ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｄｙｅｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｌｏｒｉｓｔｓ  Ｃｏｍｐａｎｙにより出版）において「顔料」と分類される化合物とともに配合される。１以上のかかる遮光剤は、例えば遮光組成物の０．１重量％〜９０重量％、または例えば１重量％〜５０重量％、または例えば１０重量％〜３０重量％の量において該組成物中に配合される。５００ｎｍ未満の波長の光、または４５０ｎｍ未満の光、または４５０ｎｍ〜５００ｎｍの光がブロックされるように１以上の遮光剤が組成物中に配合される。
【００３５】
適当な無機顔料の例としては、これらに限定されないが、酸化鉄、例えば酸化鉄（ＩＩＩ）、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化コバルト、カドミウムレッド、硫酸バリウム、群青（アルミノ珪酸塩）、混合相チタネート、例えばＣ．Ｉ．ピグメントグリーン−イエローＰＹ−５３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエローＰＹ−５３、およびＣ．Ｉ．ピグメントレッド−イエローＰＢｒ−２４、混合相金属酸化物、例えばＣ．Ｉ．ピグメントイエローＰＹ−１１９、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラウンＰＢｒ−２９、およびＣ．Ｉ．ピグメントブラウンＰＢｒ−３１、二酸化チタン、たとえばルチルおよびアナターゼ、コハク、およびクロム酸鉛が挙げられる。
【００３６】
適当な有機顔料の例としては、これらに限定されないが、カーボンブラック、インディゴ、フタロシアニン、パラレッド、例えば赤、黄、青、オレンジおよび象牙色などのフラバノイドが挙げられる。
【００３７】
適当な有機染料の例としては、これらに限定されないが、アゾ染料、アントラキノン、ベンゾジフラノン、インディゴールド、ポリメチンおよび関連する染料、スチリル、ジ−およびトリアリールカルボニウム染料および関連する染料、キノフタロン、硫黄ベースの染料、ニトロおよびニトロソ染料、スチルベン、ホルマザン、ジオキサジン、ペリレン、キナクリドン、ピロロ−ピロール、イソインドリンおよびイソインドリノンが挙げられる。
【００３８】
カラーインデックス（Ｃ．Ｉ．）値を有する顔料の例としては、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１２、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１４、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１７、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー２０、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー２４、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー３１、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー５５、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー８３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー９３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１０９、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１１０、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１５３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１５４、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１６６、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１６８、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ４３、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ５１、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド９７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１４９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７６、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１８０、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２１５、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット１９、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット２９、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラウン２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラウン２５、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１およびＣ．Ｉ．ピグメントブラック７が挙げられる。
【００３９】
適当な吸収剤としては、これらに限定されないが、ベンゾフェノンおよび誘導体、例えばヒドロキシベンゾフェノン、ベンゾトリアゾールおよび誘導体、例えばベンゾトリアゾールカルボン酸、トリアジン、例えばｓ−トリアジン、ベンゾエート、例えばオクチル−ｐ−ジメチルアミノベンゾエート、シンナメート、例えばオクチルメトキシシンナメート、サリチレート、例えばオクチルサリチレート、クリレン、例えばオクトクリレン、シアノアクリレート、例えば２−エチルヘキシル２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、マロネート、オキサニリド、２−シアノアクリレート、およびホルムアミジンが挙げられる。
【００４０】
適当な光開始剤としては、これらに限定されないが、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、アルファ−アミノアルキルフェノン、アシルホスフィンオキシド、オニウム塩、およびアリールスルホニウム塩が挙げられる。
【００４１】
前記のポリマーおよび遮光剤に加えて、遮光剤は任意の他の成分を含んでもよい。かかる任意の成分としては、これらに限定されないが、酸化防止剤、可塑剤、増粘剤、界面活性剤、保湿剤、キレート剤、消泡剤、緩衝剤、殺生物剤、殺真菌剤、粘度調整剤、殺菌剤、溶媒、例えば水および有機溶媒、および疎水性ポリマーおよびワックス、例えば飽和および不飽和炭化水素が挙げられる。遮光組成物の粘度および疑似粘度、機械的性質、接着性および耐摩耗性を調節するために、任意の成分、例えば可塑剤、増粘剤、疎水性ポリマーおよびワックスを用いることができる。
【００４２】
可塑剤は、遮光組成物の０．５重量％〜２０重量％、または例えば１重量％〜１５重量％、または例えば５重量％〜１０重量％の量において配合される。適当な可塑剤の例としては、エチレンビニルアセテート、フタレートエステル、例えばジブチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジオクチルフタレート、およびジアリルフタレート、グリコール、例えばポリエチレングリコール、およびポリプロピレングリコール、グリコールエステル、例えばトリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、およびジプロピレングリコールジベンゾエート、ホスフェートエステル、例えばトリクレシルホスフェート、およびトリフェニルホスフェート、アミド、例えばｐ−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、およびＮ−Ｎ−ブチルアセトンアミド、脂肪族二塩基エステル、例えば、ジイソブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセバケート、ジオクチルアゼレート、およびジブチルマレエート、シトレート、例えばトリエチルシトレート、トリブチルシトレート、トリエチルアセチルシトレート、ブチルラウレート、ジオクチル−４，５−ジエポキシシクロヘキサン−１，２−ジカルボキシレート、およびグリセリントリアセチルエステルが挙げられる。様々な可塑剤の混合物も使用できる。
【００４３】
適当な増粘剤を使用できる。多くの公知増粘剤は、当該分野において周知である。増粘剤は０．０５重量％〜１０重量％、または例えば１重量％〜５重量％の量において含めることができる。適当な増粘剤の例としては、これらに限定されないが、ベントナイトおよび他のシリケートタイプの物質、ラウリル酸またはステアリン酸などの脂肪酸のアルミニウム、カルシウム、および亜鉛塩、およびヒュームドシリカ（ｈｕｍｅｄ  ｓｉｌｉｃａ）、またはその混合物が挙げられる。
【００４４】
適当な界面活性剤は、非イオン性界面活性剤、イオン性界面活性剤、例えばアニオン性およびカチオン性界面活性剤、および両性界面活性剤、またはその混合物を包含する。界面活性剤は、遮光組成物の０．５重量％〜１０重量％、または例えば１重量％〜５重量％の量において配合される。
【００４５】
任意の適当な溶媒または希釈剤、例えば水または１以上の有機溶媒、またはその混合物を用いることができる。有機溶媒の例としては、低級アルキルアルコール、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ケトン、例えばアセトンおよびメチルエチルケトンが挙げられる。水と１以上の有機溶媒の混合物を用いることができる。一般に、所望の固体処方を得るための量において溶媒を使用する。典型的な固体処方は、５重量％〜９０重量％、または例えば１０重量％〜８０重量％、または例えば２０重量％〜７０重量％の範囲である。
【００４６】
任意の適当な熱安定剤を使用できる。かかる熱安定剤は、公知量において使用され、当業者に公知である。
【００４７】
他の任意の成分を公知量において配合することができるか、またはわずかな実験を用いることにより特定の処方について調整することができる。
【００４８】
遮光組成物は、当該分野において公知の適当な方法により調製することができる。一方法は、成分の懸濁液またはエマルジョンを形成することである。成分を適当な混合または均質化装置中で任意の順序で組み合わせることができる。成分が不十分な流体であるならば、混合に十分であるようにするために、水または有機溶媒などの溶媒を成分に添加することができる。
【００４９】
成分の混合中に、混合物の粘度が高くなりすぎるのを回避するために、混合物を２５℃以上から１５０℃の温度に加熱することができる。成分を均一に混合した後、混合物を冷却してもよいが、２５℃以下の温度で遮光組成物は典型的には施用するには粘度が高くなりすぎるので、２５℃以下にならないように冷却する。従って、遮光組成物は暖かい環境中で貯蔵されるか、または使用直前に調製される。
【００５０】
遮光組成物は任意の適当な手段により放射エネルギー感受性物質に選択的に施用される。適当な施用法の一例としては、これらに限定されないが、インクジェットが挙げられる。放射エネルギー感受性物質の例としては、これらに限定されないが、レジストおよびインクが挙げられる。レジストは、フォトレジストなどの感光性物質、およびプレーティングレジストを包含する。
【００５１】
遮光組成物を放射エネルギー感受性物質に選択的に施用するために、任意の適当なインクジェット装置を使用できる。インクジェット装置は、放射エネルギー感受性物質に施用するためにデザインされた選択的マスクについて情報をその記憶装置にデジタル処理で貯蔵することができ、かくして中間工程無しに選択的かつ直接的に遮光組成物を放射エネルギー感受性物質に施用することができる。適当なコンピュータープログラムの例は、ツーリングデータの生成のための標準的ＣＡＤ（計算機支援設計）プログラムである。作業者らは、インクジェット装置中にデジタル処理で貯蔵されたプログラムを変更することにより、遮光組成物の選択的堆積を容易に修飾できる。加えて、レジストレーションの問題も容易に対応できる。インクジェット装置は、例えば多層プリント配線板の製造において基体間の潜在的に不正な整列を認識するためにプログラムすることができる。装置がボード間のミスレジストレーションを検知すると、プログラムは隣接するボード間のミスレジストレーションを回避または修正するためにマスクパターンのインクジェットアプリケーションを修正する。ボードからボードへのマスクパターンを再設計する能力は、ボード間のミスレジストレーションの可能性を低減し、複数の固定フォトツールを調製するための費用がかかり、かつ非効率的なタスクを排除する。従って、マスクの選択的堆積およびイメージ形成の効率は、多くの公知方法よりも向上される。
【００５２】
「ドロップ・オン・デマンド」インクジェットと「連続」インクジェットの２つの主なインクジェット印刷の種類がある。ドロップオンデマンドインクジェット技術を使用すると、遮光組成物は貯蔵器に貯蔵され、プリンターのプリントヘッドのノズルに送達される。遮光組成物の単一液滴をノズルから放射エネルギー感受性物質上へと押し進める手段が存在する。典型的には、これは、液滴をノズルから「噴出（ｐｕｍｐ）」させるチャンバー内の隔膜のピエゾ電気作用であるか、またはチャンバー内の圧力を増大させるための流体の局部的加熱であり、かくして、液滴が噴射させられる。連続インクジェットについては、導電性遮光組成物が圧力下にインクノズルに供給され、典型的には３５μｍ〜８０μｍの直径の小さな孔を通って押し出される。ノズルを通過する前に、加圧された遮光組成物流れは電流をかけられたセラミッククリスタル中を前進する。この電流はＡＣ（交流）の周波数と等しいピエゾ電気振動を引き起こす。この振動により今度は連続した流れから組成物の液滴が生じる。組成物はバラバラになって連続した液滴になり、これは等間隔で、同じ大きさである。液滴が荷電電極（ｃｈａｒｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）における液体流れから分離する位置でジェットの周囲で、荷電電極と液滴流れ間に電圧がかけられる。液滴が流れからバラバラになると、それがバラバラになった瞬間、各液滴は加えられた電圧に比例した電荷を有する。荷電電極電圧を液滴が生じるのと同じ割合で変えることにより、各液滴をあらかじめ決められたレベルに荷電させることができる。液滴流れは飛び続け、一定の電位、例えば±０．１ｋＶ〜±５ｋＶ、または例えば±１ｋＶ〜±３ｋＶに維持された２つのデフレクタープレート間を通過する。この電場の存在下で、液滴はその保有する電荷に比例した量によりプレートの一つへ向かって偏向する。荷電していない液滴は偏向せず、ガッタ中に集められ、インクノズルへリサイクルされる。荷電し、従って偏向した液滴は、液滴偏向の方向と直角に移動する放射エネルギー感受性物質に衝突する。各液滴の電荷を変えることにより、所望のパターンを施用することができる。液滴の寸法は、３０μｍ〜１００μｍ、または例えば４０μｍ〜８０μｍ、または例えば５０μｍ〜７０μｍの直径である。
【００５３】
インクジェットプロセスは、連続可変データの高速アプリケーションのコンピューター制御に適用可能である。インクジェット印刷法は、３つの主な種類：高圧（１０ｐｓｉ以上）、定圧（１０ｐｓｉ未満）および真空技術に分類できる。すべて当該分野において公知であるか、または文献に記載され、遮光組成物の放射エネルギー感受性物質への施用に使用できる。
【００５４】
遮光組成物は、２５℃より高い温度、または例えば５０℃から２５０℃、または例えば１００℃から１５０℃で、５ｃｐ〜２５ｃｐ、または例えば５ｃｐ〜２０ｃｐ、または例えば１０ｃｐ〜１５ｃｐの粘度でインクジェットから施用される。遮光組成物の疑似粘度は、２５℃以下の温度、または例えば１５℃から２３℃で、１００００ｃｐ以上、または例えば２００００ｃｐ〜１０００００ｃｐ、または例えば３００００ｃｐ〜７００００ｃｐである。このような疑似粘度は、溶媒除去または相変化後である。典型的には、相変化は、組成物が、ウォームメルトまたはホットメルトとして冷却されて、堅固な結合を形成する場合である。溶媒は、当該分野において公知の適当な方法、例えば空気乾燥または熱を加えることにより除去することができる。ウォームおよびホットメルトは、当該分野において公知の任意の適当な方法、例えば冷気での空気乾燥を使用することにより相変化を受け得る。
【００５５】
前記ポリマーおよびかかるポリマーの量は、所望の粘度および疑似粘度の形成に寄与する。前記の任意の成分も所望の粘度および疑似粘度を達成するために使用される。遮光組成物はインクジェット装置のノズルで希薄（５ｃｐ〜２５ｃｐ）であり、基体上に施用後は増粘される（１００００ｃｐ以上）。
【００５６】
マスクを除去するために、任意の適当な水性塩基を使用できる。かかる水性塩基としては、これらに限定されないが、水性アルカリ性溶液、例えば水酸化リチウム、ナトリウムおよびカリウムまたは塩基反応性アルカリ金属塩または弱酸、例えば炭酸および炭酸水素リチウム、ナトリウム、およびカリウムの水性溶液が挙げられる。かかる溶液は、０．００１重量％〜１０重量％、または例えば０．５重量％〜３重量％の量においてアルカリ剤を含有する。
【００５７】
放射エネルギー感受性物質の任意の部分とともにマスクを除去した後、パターンが基体上に残る。パターン形成された基体はさらに加工される場合もあるし、あるいはパターン形成された基体が完成した物品である場合もある。ソルダーマスクの場合、基体上に残存する該物質の部分はＵＶ光またはＵＶ熱放射線により硬化する。公知方法を使用できる。
【００５８】
電子物品に用いられる基体は、１以上の金属層をパターンにより形成された空間およびチャンネル中に堆積させることによりさらに加工することができる。金属または合金を無電解、電解的、および浸漬により堆積させることができる。金属または合金層を堆積させるために、任意の適当な無電解、電解的、および浸漬浴および方法を用いることができる。多くのこのような浴は商業的に入手可能であるか、または文献から容易に製造できる。また、多くの方法は当該分野および文献から公知である。堆積できる金属は、これらに限定されないが、貴金属および非貴金属およびその合金を包含する。適当な貴金属の例としては、金、銀、白金、パラジウムおよびその合金が挙げられる。適当な非貴金属の例としては、銅、ニッケル、コバルト、鉛、鉄、ビスマス、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、ルビジウム、インジウム、およびその合金が挙げられる。
【００５９】
金属または合金堆積物を含有する基体は、例えばラミネーションにより合わせて多層プリント回路板を形成することができる。様々なラミネーションプロセスが当該分野において公知であるか、または文献に記載されている。多層プリント配線板の製造に関連する問題の一つは前記のようなレジストレーションである。レジストレーションは１以上のプリント配線パターンまたはその部分の、プリント配線板上の所望の位置またはボードの他の面上のもう一つのパターンに関する相対的な位置である。多層プリント配線板の製造における課題の一つは、適切な内層レジストレーションを得ることである。内部構造は、互いに正確に見当付けされなければならず、これらは任意の孔に正確に見当付けされなければならない。ホールと内層のミスレジストレーションは２つの潜在的な信頼性の問題：ホールとラインコネクションの不全およびホールと分離されたコンダクター間の短絡を生じる。内層のミスレジストレーションはさらに、電気抵抗を増大させ、導電性を低下させる。重度のミスレジストレーションは開放回路状態を形成し、導電性が完全に失われる。
【００６０】
本発明の方法は、ミスレジストレーションの問題を取り扱う。例えば、インクジェットにより遮光組成物を施用することにより、基体上の放射エネルギー感受性物質上の選択的地点で組成物の正確な堆積が可能になる。インクジェットは正確に繰り返し施用するためにデジタル処理でプログラムすることができるので、このような選択的堆積は複数の基体について信頼性が高い正確さで繰り返すことができる。さらに、このようなプログラムは、ずれを検知し、隣接する基体間のミスレジストレーションを防止するためにマスクパターンを再設計することによりミスレジストレーションの問題について修正することができる。
【００６１】
一具体例において、遮光組成物はプリント回路板などの基体上でのソルダーマスクの形成においてフォトレジスト上に選択的に堆積させることができる。ソルダーマスクは非導電性物質の硬質の恒久的な層であり、プリント回路板の表面を覆い、プリント回路の回路トレースを封入する。遮光組成物は、最終製品においてソルダーマスクが回路トレースを覆うようにマスクがパターンの輪郭を描くようにプリント回路板上のフォトレジストに選択的に施用することができる。遮光組成物の選択的施用は、インクジェットにより行うことができる。
【００６２】
ポジ型およびネガ型フォトレジストを液体および乾燥フィルムと同様に用いることができる。例えば、遮光組成物がマスクとしてネガ型フォトレジストに施用されるならば、マスクおよびフォトレジストは両方とも化学線に露光された後に水性塩基で除去することができる。遮光組成物がマスクとしてポジ型フォトレジストに施用されるならば、マスクと露光されたフォトレジストは両方とも水性塩基で除去することができる。フォトレジストの基体上に残存する部分を、公知方法を用いて硬化させ、基体を任意に業界で公知の方法に従ってさらに処理することができる。
【００６３】
遮光組成物およびマスクを形成する方法は、任意の適当な放射エネルギー感受性物質に関して実施することができる。典型的には、かかる物質は、マスクを形成する前に基体上にコートまたは積層される。適当な基体の例としては、これらに限定されないが、金属、誘電体、例えばセラミック、ガラス、プラスチック、ＦＲ４プリント配線板におけるようなエポキシ／ガラス繊維物質が挙げられる。
【００６４】
遮光組成物を用いる前記マスク形成法は網羅的ではない。本発明は遮光組成物を放射エネルギー感受性物質に施用し、物品を製造する他の装置および方法を包含する。
【実施例】
【００６５】
実施例１
ネガ型フォトレジスト上のマスク形成
ネガ型液体フォトレジストを、プリント回路板にカーテンコーティングプロセスによりフィルムとして施用する。次の条件を使用する：ボード上に２ｍｉｌのフィルム厚、銅回路上に０．１ｍｉｌの厚さを達成するために、１平方メートルあたり２５グラムの湿潤コーティング物質を施用する。コーティング速度は１分あたり２メートルである。フォトレジストを９０℃で１５分間乾燥し、室温に冷却する。
【００６６】
遮光組成物を次のようにして処方する：
【表１】
2005187792.tif 000002
【００６７】
追加のポリマーを次の一般的手順に従って調製する：
３リットルのフラスコに、９６０ｇの脱イオン水を入れ、窒素雰囲気下に置き、８５℃に加熱する。２７５ｇの２−エチルヘキシルアクリレート（５２部）、２２７ｇのメチルメタクリレート（４３部）、２７ｇのメタクリル酸（５部）、１．５ｇのＴＲＥＭ  ＬＦ−４０溶液（３６％、Ｈｅｎｋｅｌ  Ｃｏｒｐ．）、および１７７ｇの脱イオン水からなるモノマーエマルジョンを別に調製する。このエマルジョンを反応釜に添加する前に、アンモニア（２４ｇの４．８〜９．６％水性溶液）、過硫酸アンモニウム（１１ｇの９．６％溶液）、および５４ｎｍアクリルポリマーシード（２２．５ｇの２２．８％溶液）を反応釜に添加する。モノマーエマルジョンを次いで反応釜に撹拌しながら３．９ｇ／分の速度で２０分間、０．２ｇ／分の速度での２４．６ｇの２．２４％水性過硫酸アンモニウムとともに添加し、続いて１００分間、それぞれ６．４および０．２０ｇ／分で添加し、保持時間は２０分である。混合物を６０℃に冷却し、２．６ｇの０．１５％硫酸第一鉄、続いて３．２ｇの４．４％ｔ−ブチルヒドロペルオキシドおよび６．１ｇの１．６％ナトリウムホルムアルデヒドスルホキシレートの混合物を添加し、２０分間保持し、続いて第二の同じ量のｔＢＨＰおよびＳＦＳを添加する。混合物を次いで冷却し、濾過し、十分な２９％水性アンモニアを添加して、ｐＨを８．０〜９．０の範囲に調節する。
【００６８】
５５グラムの量のアクリルコポリマーを水中１グラムの１，３−ジヒドロキシベンゾフェノンおよび１４グラムのポリオキシエチレン（４０）モノステアレートと混合し、放置する。
【００６９】
２０グラムの二酸化チタンおよび１０グラムのカーボンブラックを大豆油中に飽和するまで溶解させる。二酸化チタンおよびカーボンブラックを大豆油中に溶解させ、次いで水中で成分と混合する。公知乳化装置を用いて混合物を乳化させる。十分な量の水を乳化した成分に添加して、６０重量％固形分の処方を得る。
【００７０】
遮光組成物をドロップオンデマンドインクジェット装置の貯蔵器に入れる。適当な機械は、ピエゾ電気ドロップオンデマンドインクジェットヘッドを有するＳｐｅｃｔｒａ  Ａｐｏｌｌｏである。遮光組成物を選択的に施用して、プリント配線板の銅回路トレースを覆わないフォトレジストの部分の上に選択的マスクを形成するためにインクジェット装置をプログラムする。高圧技術、すなわち５０ｐｓｉを用いて遮光組成物をインクジェット装置から噴射させる。
【００７１】
遮光組成物を貯蔵器から５０ｐｓｉで噴出させ、直径７０μｍの孔を有するインクジェットノズルから噴射させる。組成物液滴の粘度は５ｃｐから２０ｃｐであると予想される。粘稠性遮光組成物の温度は、周囲温度で空気を吹き付けることにより２０℃に低下する。組成物はフォトレジストに接着して、フォトレジスト上にマスクを形成し、これはボード上の回路トレースを覆わない。遮光組成物の液滴は１００００ｃｐ以上であると予想される。
【００７２】
ボード、フォトレジストおよびマスクの複合体は、少なくとも３５０ｍＪ／ｃｍ２のＵＶエネルギー露光レベルを有する化学線に露光される。マスクは、マスクにより覆われたフォトレジストを水性塩基で除去できるように十分な量のＵＶエネルギーをブロックする。露光時間は、化学線に露光されたフォトレジストの部分が水性塩基施用中に未反応のままであるような時間である。
【００７３】
マスクを露光されていないフォトレジストとともに、１重量％の炭酸ナトリウム一水和物の水性塩基溶液を用いて複合体から現像する。銅回路トレースを覆うソルダーマスクがボード上に残る。ボードを１以上の他のボードに積層して、多層プリント配線板を形成する。
【００７４】
実施例２
ポジ型フォトレジスト上のマスク形成
ポジ型液体フォトレジストを、プリント回路板にカーテンコーティングプロセスにより湿潤フィルムとして施用する。次の条件を使用する：ボード上に３ｍｉｌのフィルム厚、銅回路上に０．１ｍｉｌの厚さを達成するために、１平方メートルあたり２０グラムの湿潤コーティング物質を施用する。コーティング速度は１分あたり２メートルである。フォトレジストを９０℃で１５分間乾燥し、室温に冷却する。フォトレジストを次いで以下に記載する遮光組成物で選択的にコートする。
【００７５】
遮光組成物を次のようにして処方する：
【表２】
2005187792.tif 000003
成分をメチルエチルケトン中２５℃から５０℃の温度で混合する。
【００７６】
遮光組成物をドロップオンデマンドインクジェット装置の貯蔵器に入れる。遮光組成物を選択的に施用して、プリント配線板の銅回路トレースを覆うフォトレジストの部分の上にマスクを形成するためにインクジェット装置をプログラムする。高圧技術、すなわち６０ｐｓｉを用いて遮光組成物をインクジェット装置から噴射させる。
【００７７】
遮光組成物を貯蔵器から６０ｐｓｉで噴出させ、直径８０μｍの孔を有するインクジェットノズルから噴射させる。液滴の粘度は５ｃｐから２０ｃｐであると予想される。粘稠性遮光組成物の温度は７５℃であり、慣用のヘアドライヤーを用いてメチルエチルケトン溶媒を除去する。組成物はフォトレジストに接着して、フォトレジスト上に選択的にマスクを形成し、これはボード上の回路トレースを覆う。ボードの周りの周囲温度は２２℃である。遮光組成物の液滴がフォトレジストの表面と接触する場合、組成物の疑似粘度は溶媒の除去後、１００００ｃｐ以上であると予想される。
【００７８】
ボード、フォトレジストおよびマスクの複合体は、３００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶエネルギー露光レベルを有する化学線に露光される。マスクは、マスクにより覆われたポジ型フォトレジストが水性塩基で除去されないように、化学的に変化しないために十分な量のＵＶエネルギーをブロックする。露光時間は、化学線に露光されたフォトレジストの部分が水性塩基でボードから容易に除去されるような時間である。
【００７９】
露光されたポジ型フォトレジストとともに、マスクを、１重量％の炭酸ナトリウムの水性塩基溶液を用いて複合体から現像する。銅回路トレースを覆うソルダーマスクがボード上に残る。ボードを１以上の他のボードに積層して、多層プリント配線板を形成する。
【００８０】
実施例３
ネガ型フォトレジスト上のマスク形成
ネガ型液体フォトレジストをスクリーン印刷によりプリント回路板上に湿潤フィルムとして施用する。スクリーンメッシュは６１から１２０メッシュポリエステルである。スクリーンされたフォトレジストを８０℃で３０分間乾燥する。後記の処方を有する遮光組成物をフォトレジスト上に選択的マスクとして施用する。
【００８１】
次のような成分を有する遮光組成物を調製する：
【表３】
2005187792.tif 000004
前記成分を１５０℃の温度で一緒に混合する。
【００８２】
遮光組成物をドロップオンデマンドインクジェット装置の貯蔵器に入れる。遮光組成物を施用して、プリント配線板の銅回路トレースを覆わないフォトレジストの部分の上にマスクを形成するためにインクジェット装置をプログラムする。高圧技術、すなわち７０ｐｓｉを用いて遮光組成物をインクジェットから噴射させる。
【００８３】
遮光組成物を貯蔵器から７０ｐｓｉで噴出させ、直径８０μｍの孔を有するインクジェットノズルから噴射させる。組成物液滴の粘度は５ｃｐから２０ｃｐであると予想される。粘稠性遮光組成物の温度は、インクジェットを出る際に１５０℃である。組成物はボード上のフォトレジストに接着して、周囲温度でフォトレジスト上に選択的マスクを形成する。プリント配線板の周りの周囲温度は２３℃である。組成物の疑似粘度は１００００ｃｐ以上であると予想される。
【００８４】
ボード、フォトレジストおよびマスクの複合体は、少なくとも２７５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶエネルギー露光レベルを有する化学線に露光される。マスクは、マスクにより覆われたフォトレジストを水性塩基で除去できるような、十分な量のＵＶエネルギーをブロックする。露光時間は、化学線に露光されたフォトレジストの部分が水性塩基施用中にボード上に残存するような時間である。
【００８５】
マスクを露光されていないフォトレジストとともに、１重量％の炭酸ナトリウム一水和物の水性塩基溶液を用いて複合体から現像する。銅回路トレースを覆うソルダーマスクが各ボード上に残る。ボードを１以上の他のボードに積層して、多層プリント配線板を形成する。
【００８６】
実施例４
マスク形成
遮光組成物を次のようにして形成する：
【表４】
2005187792.tif 000005
【００８７】
１０％固形分組成物を得るために十分な量のメチルエチルケトンを添加する。組成物の成分を４５℃でブレンドして、混合物を形成する。遮光組成物を次いで前記実施例１、２および３と同様にマスクとして選択的に施用して、プリント配線板上の銅回路を覆うソルダーマスクを形成する。ボードを他のボード上に積層して、多層ラミネートを形成することができる。
【００８８】
実施例５
マスク処方
次の遮光組成物を調製する：
【表５】
2005187792.tif 000006
【００８９】
１５０℃の温度で１０％固形分処方を形成するために十分な量のアセトンと成分を混合する。遮光組成物を次いでマスクとして施用して、実施例１、２および３におけるようにプリント配線板上にソルダーマスクを形成する。ソルダーマスクを有するボードを次いで他のボード上に積層して、多層プリント配線板を形成する。
【００９０】
実施例６
ウォームメルト
次のウォームメルト遮光組成物を調製する：
【表６】
2005187792.tif 000007
【００９１】
成分を６０℃の温度で混合する。遮光組成物を次いでインクジェットにより７０℃から９０℃の温度で施用して、実質的に実施例１、２、および３に記載したようなプリント配線板上のソルダーマスクを形成する。ソルダーマスクを有するボードを次いで他のボードと積層して、多層プリント配線板を形成することができる。
【外国語明細書】
2005187792000001.pdf
2005187792000002.pdf
2005187792000003.pdf