(57)【要約】【課題】  複数のリードの各々に存在する微細な異物を容易に検出することができる半導体集積回路素子の検査方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体集積回路素子の検査方法は、複数のリード３を備える半導体集積回路素子１の検査方法であって、複数のリード３の各々の間に検出用電極５を挿入する挿入工程と、検出用電極５に電圧を印加する工程と、電圧を印加する工程における検出用電極５の通電の有無に基づいて、複数のリード３に存在する異物の有無を検査する工程とを備えている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードを備える半導体集積回路素子の検査方法であって、
前記複数のリードの各々の間に電極を挿入する挿入工程と、
前記電極に電圧を印加する工程と、
前記電圧を印加する工程における前記電極の通電の有無に基づいて、前記複数のリードに存在する異物の有無を検査する工程とを備える、半導体集積回路素子の検査方法。
【請求項２】
前記挿入工程においては、前記半導体集積回路素子の下面から上面に向かって前記電極が挿入されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路素子の検査方法。
【請求項３】
前記電極の側面は、前記半導体集積回路素子の前記上面に対して傾斜していることを特徴とする、請求項２に記載の半導体集積回路素子の検査方法。
【請求項４】
前記電極を加熱する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体集積回路素子の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子の検査方法に関し、より特定的には、半導体集積回路素子の複数のリードに存在する異物の有無を検査する半導体集積回路素子の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、組立が完了したＩＣパッケージの外観検査が行なわれている。このＩＣ(Integrated Circuit）パッケージの外観検査では、リードの外観検査も行なわれる。リードの外観検査においては、リードに存在する異物の有無が検査されている。この場合の異物とは、たとえばリードおよびリード間に付着した付着物や、リードの成形やリードのメッキの際にできた突起などである。従来、リードの外観検査は以下のような方法で行なわれている。すなわち、撮影装置によってＩＣパッケージが撮影される。そして、撮影されたリードの画像情報が所定の方法でデータ処理され、撮影した画像の明部と暗部とのコントラストが強調される。そして、この画像をあらかじめ記憶された正常な画像と比較することなどにより、リードに存在する異物の有無が検査される。
【０００３】
また、従来の半導体装置の製造工程においては、組立が完了したＩＣパッケージの電気的特性の試験も行なわれている。電気的特性の試験においては、リードの各々に電極を接続してＩＣパッケージの電気的特性が測定される。リードの各々の間で、異物に起因してショートしている場合には、この電気的特性に異常が生じるので、これによりリードに存在する異物の有無を検査することができる。
【０００４】
以上、本発明についての従来の技術を出願人の知得した一般的技術情報に基づいて説明したが、出願人の記憶する範囲において、出願前までに先行技術文献情報として開示すべき情報を出願人は有していない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のリードの外観検査において微細な異物を検出するためには、撮影装置の解像度を上げたり、撮影時の光源の状態を調節するなど、撮影条件を細かく調節する必要がある。このため、リードに存在する微細な異物を容易に検出することができないという問題があった。
【０００６】
また、上記従来の電気的特性の試験は、撮影条件を細かく調節する必要がないので、リードに存在する異物を容易に検出することができるが、リードの各々の間で異物に起因してショートしていない限り異物を検出することができないという問題があった。特に異物が微細なものである場合には、それによってリードの各々の間でショートに至ることは少ないので、上記従来の電気的特性の試験によって微細な異物を検出することは困難である。しかしながら、このような微細な異物がリードに存在するＩＣパッケージは、後にショートなどの不具合を起こす可能性が高い。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、複数のリードの各々に存在する微細な異物を容易に検出することができる半導体集積回路素子の検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体集積回路素子の検査方法は、複数のリードを備える半導体集積回路素子の検査方法であって、複数のリードの各々の間に電極を挿入する挿入工程と、電極に電圧を印加する工程と、電圧を印加する工程における電極の通電の有無に基づいて、複数のリードに存在する異物の有無を検査する工程とを備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体集積回路素子の検査方法によれば、電極の通電の有無に基づいて異物を検出するので、撮影条件を細かく調節することなしに微細な異物を容易に検出することができる。また、リードの各々の間に電極を挿入して異物を検出するので、異物が、リードの各々の間でショートに至っていないような微細なものであっても、挿入された電極と異物とが接触することにより電極が通電する。その結果、微細な異物を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
【００１１】
図１は、本発明の実施の形態１における半導体集積回路素子の検査方法を説明するための平面図である。図２は、図１の側面図である。
【００１２】
図１を参照して、半導体集積回路素子１は、半導体チップ２と複数のリード３とを備えている。本実施の形態における半導体チップ２は正方形の形状を有していて、正方形の４つの辺のそれぞれと直交するように外部に向かってリード３の各々が延びている。また、リード３は、下方に折れ曲った断面形状をしている。このような断面形状により、リード３の一端は接地されている。また、リード３の他端は、半導体チップ２上の電極パッド（図示なし）と電気的に接続されている。なお、リード３のピッチｄ1はたとえば０．６５ｍｍであり、リード３の各々の隙間の幅ｄ2はたとえば０．２２ｍｍである。このような半導体集積回路素子１は、たとえば以下の方法により製造される。
【００１３】
すなわち、半導体チップ２がリードフレームのアイランド上に配置され、接着剤で固定される。次に、半導体チップ２上にある複数の電極パッドの各々と、リードフレームのリード３の各々とがワイヤで電気的に接続される。そして、半導体チップ２が配置されたリードフレームが金型にセットされ、高温の樹脂が金型に流し込まれる。これにより半導体チップ２が樹脂で覆われ、半導体集積回路素子１が製造される。続いて、リードフレームから半導体集積回路素子１が切り離される。そして、リード３が成形されてメッキされ、図１に示す半導体集積回路素子１の形状となる。
【００１４】
続いて、本実施の形態における半導体集積回路素子の検査方法について説明する。
【００１５】
図１および図２を参照して、半導体集積回路素子１が固定され、リード３の各々の間に複数の検出用電極５（電極）の各々が挿入される。検出用電極５の各々の直径ｄ3は、たとえば０．１ｍｍ以下である。検出用電極５は、たとえば半導体集積回路素子１の上面１ｂに対して傾斜している傾斜部６を側面に有している。このとき、検出用電極５の各々がリード３の各々に触れないように、たとえば以下の方法により検出用電極５が挿入される。すなわち、リード３が撮影され、撮影された画像に基づいてリード３の各々の位置が測定される。次に、リード３の各々の位置から検出用電極５の各々を挿入する位置が調節されて、検出用電極５が挿入される。ここで、好ましくは半導体集積回路素子１の下面１ａから上面１ｂに向かって検出用電極５が挿入される。
【００１６】
図３は図１の点線で囲まれた部分の拡大図である。
【００１７】
図１および図３を参照して、次に、複数の検出用電極５のうち１本の端子５ａと、電流検出装置１０の端子１５とが電気的に接続されることにより、端子５ａを有する検出用電極５に電圧が印加される。電流検出装置１０は、たとえば以下のような回路を有している。すなわち、電流検出装置１０は、直流電源１２と電流計１１と端子１５とを有している。直流電源１２のプラス極が電流計１１を介して端子１５と電気的に接続され、直流電源１２のマイナス極が接地電位に電気的に接続されている。端子１５が検出用電極５の端子と電気的に接続される。このとき、リード３ａとリード３ｂとの間に付着物１８が存在していたり、リード３ａまたはリード３ｂに突起１９が形成されていれば、これらの異物が検出用電極５と接触する。これにより、付着物１８や突起１９を介してリード３ｂまたはリード３ａに電流が流れ、その電流が電流計１１で検出される。一方、付着物１８や突起１９などの異物がリード３ａとリード３ｂとの間に存在していなければ、電流計１１に電流は流れない。このように、検出用電極５の通電の有無に基づいてリード３ａおよびリード３ｂに存在する異物の有無が検査される。なお、リード３の一端は接地されているので、リード３ｂまたはリード３ａに電流が流れる場合でも電流は接地電位の方へ流れ、半導体チップ２内部に電流が流れることはない。続いて、別の検出用電極５の端子５ｂと、電流検出装置１０の端子１５とが電気的に接続され（検出用電極５の端子が切り換えられ）、同様の方法によりリード３ｂおよびリード３ｃに存在する異物の有無が検査される。これを繰り返すことにより、全てのリード３に存在する異物の有無が検査可能となる。
【００１８】
本実施の形態における半導体集積回路素子１の検査方法によれば、検出用電極５の通電の有無に基づいて異物を検出するので、撮影条件を細かく調節することなしに微細な異物を容易に検出することができる。また、リード３の各々の間に検出用電極５の各々を挿入して異物を検出するので、異物が、リード３の各々の間でショートに至っていないような微細なものであっても、挿入された検出用電極５と異物とが接触することにより検出用電極５が通電する。その結果、微細な異物を検出することができる。
【００１９】
本実施の形態における半導体集積回路素子１の検査方法において、検出用電極５が挿入される際には、半導体集積回路素子１の下面１ａから上面１ｂに向かって検出用電極５が挿入される。
【００２０】
これにより、検出用電極５が挿入される際に、リード３の各々の間にある異物が検出用電極５によって外部へ除去される。
【００２１】
本実施の形態における半導体集積回路素子１の検査方法において、検出用電極５の側面は、半導体集積回路素子１の上面１ｂに対して傾斜している。
【００２２】
これにより、検出用電極５が挿入される際に、リード３の各々の間にある異物は、重力により傾斜に沿って落下する。したがって、リード３の各々の間にある異物がさらに外部へ除去されやすくなる。
【００２３】
（実施の形態２）
【００２４】
図４は、本発明の実施の形態２における半導体集積回路素子の検査方法を説明するための平面図である。
図４を参照して、本実施の形態における電流検出装置１０は、電流検出部分１０ａと電極加熱部分１０ｂとを有している。電流検出部分１０ａは実施の形態１における電流検出装置１０（図１）とほぼ同様の回路を有している。電極加熱部分１０ｂは、たとえば以下のような回路を有している。すなわち、電極加熱部分１０ｂは、電気抵抗１３と直流電源１４とを有している。直流電源１４のプラス極が電気抵抗１３を介して端子１６および接地電位と電気的に接続され、直流電源１４のマイナス極が接地電位に電気的に接続されている。端子１６が検出用電極５の端子５ａと電気的に接続される。
【００２５】
なお、これ以外の構成については、図１〜図３に示す実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２６】
続いて、本実施の形態における半導体集積回路素子の検査方法について説明する。
【００２７】
実施の形態１と同様の方法により、リード３の各々の間に複数の検出用電極５の各々が挿入され、検出用電極５のうち１本の端子５ａと、電流検出部分１０ａの端子１５とが電気的に接続され、リード３ａおよびリード３ｂに存在する異物の有無が検査される。そして、リード３ａおよびリード３ｂに異物が検出された場合には、端子５ａと端子１５との電気的な接続が切断され、代わって端子５ａと電極加熱部分１０ｂの端子１６とが電気的に接続される。すると、電気抵抗１３に電流が流れることで電気抵抗１３が加熱され、これにより端子５ａを有する検出用電極５が加熱される。これにより異物が溶解して除去される。または異物を溶解することでリード３ａおよびリード３ｂが再成形される。
【００２８】
本実施の形態における半導体集積回路素子１の検査方法においては、検出用電極５を加熱する工程をさらに備えている。
【００２９】
リード３に存在する異物は、リードの成形やリードのメッキの際にできた突起であることが多く、これらの突起は加熱により溶解しやすい性質を有している。したがって、検出用電極５を加熱することにより、加熱により溶解しやすい性質を有する異物を溶解して除去することができる。または加熱により溶解しやすい性質を有する異物を溶解してリード３を再成形することができる。
【００３０】
本実施の形態においては、半導体集積回路素子１が固定され、リード３の各々の間に複数の検出用電極５の各々が挿入される場合について示した。しかしながら本発明はこのような場合に限定されるものではなく、検出用電極５の各々が固定され、半導体集積回路素子１のリード３の各々が検出用電極５の各々の間に挿入されてもよい。
【００３１】
また、本実施の形態においては、複数の検出用電極５を用いる場合について示したが、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、１本の電極のみを用いてもよい。また、本実施の形態においては、１つの電流検出装置１０を用いて、端子１５と接続される検出用電極５の端子を切り換えることにより、検出用電極５の各々に電圧が印加される場合について示した。しかしながら、本発明はこのような場合の他、たとえば複数の電流検出装置を用いて、複数の検出用電極５の各々が複数の電流検出装置の各々により電圧を印加されてもよい。
【００３２】
また、本実施の形態においては、電流検出装置１０における電源として直流電源１２、１４が用いられる場合について示した。しかしながら、本発明はこのような場合の他、電源としてたとえば交流電源、直流電流源または直流電圧源などが用いられてもよい。特に、電流制限機能付の電源が用いられれば、流れる電流量を制限できるので、リード３に異物が存在して電流が流れたとしても過大な電流がリード３に流れることがなくなる。
【００３３】
さらに、本実施の形態においては、半導体集積回路素子１の上面１ｂに対して傾斜している傾斜部６を検出用電極５は側面に有しており、半導体集積回路素子１の下面１ａから上面１ｂに向かって検出用電極５が挿入される場合について示したが、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、電極の形状および電極を挿入する方向は任意である。
【００３４】
以上に開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体集積回路素子の検査方法を説明するための平面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】図１の点線で囲まれた部分の拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態２における半導体集積回路素子の検査方法を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  半導体集積回路素子、１ａ  下面、１ｂ  上面、２  半導体チップ、３，３ａ，３ｂ，３ｃ  リード、５  検出用電極、５ａ，５ｂ，１５，１６  端子、６  傾斜部、１０  電流検出装置、１０ａ  電流検出部分、１０ｂ  電極加熱部分、１１  電流計、１２，１４  直流電源、１３  電気抵抗、１８  付着物、１９  突起。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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