(57)【要約】【課題】半導体が動作する使用環境温度でも昇圧回路の誤作動や破壊を起こすことなく安定して使用することができる、軟Ｘ線照射装置及び半導体の組立装置並びに組立装置を提供する。【解決手段】軟Ｘ線発生部１と制御部２とを別体で構成し、この軟Ｘ線発生部１と制御部２とを高圧ケーブル３で接続することで、軟Ｘ線発生部１を小型化することができると共に、この軟Ｘ線発生部１を半導体の組立装置７や半導体の検査装置８に備えると共に、軟Ｘ線を照射して空気をイオン化させて、半導体Ｚ又は半導体チップＶに帯電した静電気を除電する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線発生部と、前記軟Ｘ線発生部の電源の供給及び制御を行う制御部とを備える軟Ｘ線照射装置であって、前記軟Ｘ線発生部と制御部とが別体で形成され、一部が高圧ケーブルで接続されていることを特徴とする軟Ｘ線照射装置。
【請求項２】
前記軟Ｘ線発生部は、断熱材で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の軟Ｘ線照射装置。
【請求項３】
前記断熱材は、シリコンゴムを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の軟Ｘ線照射装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の軟Ｘ線照射装置を備える半導体の組立装置であって、前記軟Ｘ線照射装置と、半導体のボンディングパットとリードを結線するキャピラリと、前記半導体を搬送する搬送手段とを備え、前記軟Ｘ線発生部から軟Ｘ線を照射し、前記半導体及び前記組立装置に帯電した静電気の除電を行うことを特徴とする半導体の組立装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の軟Ｘ線照射装置を備える半導体の検査装置であって、中空部を有し箱型に形成されたチャンバと、このチャンバの内部に設けられ半導体の検査を行う検査手段と、前記半導体の搬送を行う搬送手段を備え、前記チャンバの一側面に前記軟Ｘ線照射装置の軟Ｘ線発生部とを備えると共に前記チャンバの内部に軟Ｘ線を照射し、前記検査手段及び前記半導体に帯電した静電気を除電することを特徴とする半導体の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、軟Ｘ線を照射して空気をイオン化させる軟Ｘ線照射装置及び軟Ｘ線照射装置を用いた半導体の組立装置並びに半導体の検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射装置は、軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線光源部と、この軟Ｘ線光源部に電源を供給するインバーター回路等を備えた電源部と、軟Ｘ線光源を制御する制御部等を備えて構成されている。特に、軟Ｘ線を照射させるために、電源部から供給される電圧を高電圧に昇圧させる昇圧装置が軟Ｘ線光源と一緒に組み込まれている。
【０００３】
このように構成された軟Ｘ線照射装置は、空気中に向けて軟Ｘ線を照射すると、空気をイオン化させることができる。このイオン化された空気は、静電気が帯電した対象物に接触することで、対象物から静電気を除電することができる。特に、半導体等の集積回路に静電気が放電すると静電気放電破壊を起こすため、半導体、半導体の製造装置、半導体の検査装置等に帯電した静電気を除電するために軟Ｘ線照射装置が利用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−４５６９５号公報（全頁、第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の軟Ｘ線照射装置は、軟Ｘ線光源と昇圧回路が一体化して構成されているので、軟Ｘ線光源部の構成が大きくなり、既存の半導体の組立装置や検査装置に軟Ｘ線照射装置を取り付けるのが難しいという問題があった。
【０００６】
また、半導体を通電させて、半導体の使用環境温度（動作時の温度）の状態で検査を行う場合、半導体の検査装置の温度も高温となり、軟Ｘ線光源と一緒に組み付けた昇圧回路が誤作動や破損してしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、半導体が動作する使用環境温度でも昇圧回路の誤作動や破壊を起こすことなく安定して使用することができる、軟Ｘ線照射装置及び半導体の組立装置並びに組立装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するために、本発明の軟Ｘ線照射装置は、軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線発生部と、前記軟Ｘ線発生部の電源の供給及び制御を行う制御部とを備える軟Ｘ線照射装置であって、前記軟Ｘ線発生部と制御部とが別体で形成され、一部が高圧ケーブルで接続されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の軟Ｘ線照射装置によれば、軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線発生部と、この軟Ｘ線発生部の電源の供給及び制御を行う制御部とを備え、軟Ｘ線発生部と制御部とを別体で形成し、軟Ｘ線発生部と制御部とを高圧ケーブルで接続するように構成することで、軟Ｘ線発生部を小型化させることができ、軟Ｘ線照射装置の構成を簡単にすることができる。特に、軟Ｘ線発生部を小型化することによって、様々な装置に簡単に取り付けて、軟Ｘ線を照射して空気をイオン化することができる。
【００１０】
また、本発明の軟Ｘ線照射装置の前記軟Ｘ線発生部は、断熱材で被覆されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の軟Ｘ線照射装置によれば、軟Ｘ線発生部を断熱材で被覆することで、効果的に断熱することができ、軟Ｘ線発生部の外部の温度が高温であっても、軟Ｘ線発生部を設置する場所の温度に左右されることがなく、軟Ｘ線発生部の損傷や破壊を防止し、高温環境下でも軟Ｘ線を照射することができる。また、軟Ｘ線発生部に、冷却板や冷却フィンや冷却ファン等の冷却手段を備えて冷却を行うように構成してもよい。
【００１２】
また、本発明の軟Ｘ線照射装置の軟Ｘ線発生部に用いられる断熱材は、シリコンゴムを用いることを特徴とする。
【００１３】
本発明の軟Ｘ線照射装置によれば、軟Ｘ線発生部を被覆する断熱材として、シリコンゴムを用いることで効果的に断熱することができ、軟Ｘ線発生部の外部の温度が高温であっても、軟Ｘ線発生部の損傷や破壊を防止し、高温環境下でも軟Ｘ線を照射することができる。
【００１４】
さらに、本発明の半導体の組立装置は、軟Ｘ線照射装置と、半導体のボンディングパットとリードを結線するキャピラリと、組立済みの前記半導体を搬送する搬送手段とを備える半導体の組立装置であって、前記軟Ｘ線発生部から軟Ｘ線を照射し、前記半導体及び前記組立装置に帯電した静電気の除電を行うことを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体の組立装置によれば、半導体の組立装置に軟Ｘ線照射装置の軟Ｘ線発生部を備え、この軟Ｘ線発生部から軟Ｘ線を照射して空気をイオン化させることで、半導体や半導体の組立装置に帯電している静電気を簡単に除電することができる。このため、半導体の組立作業中又は半導体の搬送時に発生する静電気による半導体の静電気放電破壊を防止することができる。なお、半導体の組立装置として、ウエハーマウンター型、ワイヤーボンダー型、マーキング型等を用いることができる。
【００１６】
また、本発明の半導体の検査装置は、軟Ｘ線照射装置と、中空部を有し箱型に形成されたチャンバと、このチャンバの内部に設けられ半導体の検査を行う検査手段と、半導体の搬送を行う搬送手段とを備える半導体の検査装置であって、前記チャンバの一側面に前記軟Ｘ線照射装置の軟Ｘ線発生部を備えると共に前記チャンバの内部に軟Ｘ線を照射し、前記検査手段及び前記半導体に帯電した静電気を除電することを特徴とする。
【００１７】
本発明の半導体の検査装置によれば、内部に半導体の検査手段や搬送手段を備えたチャンバの一側面に軟Ｘ線発生部を備えると共に、軟Ｘ線の照射方向をチャンバの内部方向に構成することで、軟Ｘ線発生部から軟Ｘ線を照射してチャンバ内部の空気をイオン化し、チャンバ内部の半導体、半導体の検査手段及び半導体の搬送手段等に帯電した静電気を除電して、半導体の静電気放電破壊を防止することができる。なお、半導体の検査装置として、プローバー型、ハンドラ型、スキャナー型等を検査装置として用いることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る軟Ｘ線照射装置の一実施形態について、適宣図面を参照して説明する。まず、本発明に係る軟Ｘ線照射装置の構成について、図１を参照して説明する。参照する図面において、図１は、軟Ｘ線照射装置の構成を示す斜視図である。図２は、図１に示した軟Ｘ線発生部を示す拡大図である。図３（ａ）は、図１に示した制御部の操作パネルを示す平面図であり、図３（ｂ）は、図１に示した制御部の配電パネルを示す平面図である。
【００１９】
本発明の軟Ｘ線照射装置Ｘは、図１に示すように、軟Ｘ線発生部１と、制御部２と、軟Ｘ線発生部１と制御部２とを接続する高圧ケーブル３と、制御部２に外部から電源を取り込むコンセント付ケーブル６と、制御部２と外部のコンピュータ等と接続する制御ケーブル４と、制御部２の表示内容を出力する表示灯ケーブル５とを備えて構成されている。
【００２０】
軟Ｘ線発生部１は、図２に示すように、一部局面を有した筒状部材１ａと、この筒状部材１ａの内部に軟Ｘ線を発生する光源１ｂを備えて構成されている。筒状部材１ａは、シリコンゴム等の断熱材で形成され、軟Ｘ線発生部１の周囲の温度が１０℃〜１２０℃の間であれば、軟Ｘ線発生部１の内部に備えられた光源１ｂを破損させることなく、軟Ｘ線を照射することができるようになっている。また、筒状部材１ａには、光源１ｂに制御部２からの電力を供給する高圧ケーブル３を接続する図示しない接続ソケットが設けられている。
【００２１】
制御部２は、箱状に形成されたケース２ａ（図１参照）と、ケース２ａの内部に軟Ｘ線発生部１用の図示しない昇圧回路や制御回路と、ケース２ａの一側面に設けられた操作パネル２ｂと、この操作パネル２ｂの反対側に設けられた配電パネル２ｃとを備えて構成されている。なお、制御部２の内部の昇圧回路は、制御部２の外部から入力される電圧を高電圧に昇圧するものであり、特に、半導体の検査時に支障となるようなノイズを発生しないように構成されている。また、制御回路は、軟Ｘ線照射装置Ｘの制御を行い、軟Ｘ線発生部１から安定して軟Ｘ線を照射することができるように構成されている。
【００２２】
制御部２の操作パネル２ｂには、図３（ａ）に示すように、電流計２ｄと、電圧計２ｅと、出力電流の調整を行う電流調整ダイヤル２ｆと、出力電圧の調整を行う電圧調整ダイヤル２ｇと、軟Ｘ線照射装置Ｘの動作状況等を知らせる複数の発光ダイオード２ｈ（表示手段）とスイッチ２ｉが備わっている。
また、ケース２ａの配電パネル２ｃには、図３（ｂ）に示すように、高圧ケーブル３を接続するソケット２ｊと、外部入力から制御部２を操作するための外部入力端子２ｋと、制御部２の制御状態を外部に出力する外部出力端子２ｌと、制御部２の主電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える電源スイッチ２ｍと、制御部２に電力を供給するためにコンセント付ケーブル６が設けられている。
【００２３】
高圧ケーブル３は、制御部２の内部で昇圧された高電圧を軟Ｘ線発生部１に送電する時に使用するものであり、この高圧ケーブル３の両端部には、軟Ｘ線発生部１に設けられた図示しないソケットと制御部２に設けられたソケット２ｊに接続することができるように構成されている。
【００２４】
このように構成された軟Ｘ線照射装置Ｘは、制御部２の操作パネル２ｂにある電源スイッチを入れ、制御部２の内部の昇圧回路で高電圧に変換し、高圧ケーブル３で軟Ｘ線発生部１に送電されると、軟Ｘ線発生部１の光源１ｂから軟Ｘ線が照射され、照射された空気をイオン化させることができる。特に、軟Ｘ線発生部１と制御部２が別体で構成することで、軟Ｘ線発生部１を小型化することができる。
【００２５】
また、軟Ｘ線照射装置Ｘで電圧が２ＫＶ〜４ＫＶの範囲を有効に使用することができるように、軟Ｘ線発生部１の光源１ｂの軟Ｘ線放射窓であるベリリウムの厚さを１００μｍないし２００μｍの厚さのベリリウムを備えるように構成することで、帯電した静電気を短時間で除電することができる。なお、ベリリウムは、全ての物質の中で電磁波を吸収する力がもっとも低いため好適に利用することができる。
【００２６】
また、軟Ｘ線の光源１ｂを常温度１０Ｗクラスの熱容量の大きな光源１ｂを使用することにより、高温環境でも光源１ｂの機能劣化を起こすことがなく使用することができる。
【００２７】
また、軟Ｘ線発生部１が小型に形成されていることで、既存の半導体の組立装置や半導体の検査装置に簡単に取り付けることができ、特に、半導体の組立，搬送，検査等に発生する静電気を簡単に除電することができる。なお、軟Ｘ線で空気をイオン化すると、イオンバランスが５０：５０（プラスイオン：マイナスイオン）となるため、逆帯電を起こすことがなく、短時間できわめて低い電位まで除電することができる。
【００２８】
次に、軟Ｘ線照射装置Ｘを備えた半導体の組立装置及び半導体の検査装置について説明する。まず、軟Ｘ線照射装置Ｘを備えた半導体の組立装置について、図面を用いて詳細に説明する。
図４は、半導体の組立装置における、ワイヤーボンダーの構成を示す斜視図である。図５（ａ）は、半導体を示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した半導体を載置するリードを有する基板を示す斜視図である。図６（ａ）は、半導体を基板に載置した状態を示す斜視図であり、図６（ｂ）は、半導体とリードとを結線している状態を示す斜視図である。なお、以下の説明において、半導体とリードとが結線されたもの（組立済み）を半導体チップとする。
【００２９】
軟Ｘ線発生装置Ｘを備える半導体の組立装置７は、図４に示すように、軟Ｘ線発生装置Ｘの軟Ｘ線発生部１と、基板Ｓ上に設けられたリードＲと半導体Ｚを結線するキャピラリ７ａと、半導体Ｚを移動させる図示しない搬送装置と、半導体Ｚを定位置に載置する図示しない載置装置等を備えて構成されている。なお、軟Ｘ線発生部１に電源の供給や制御を行う制御部２は、高圧ケーブル３で軟Ｘ線発生部１と接続されると共に半導体の組立装置７の外部に設けられている。
【００３０】
ここで、リードＲは、基板Ｓ上に複数設けられると共に、基板Ｓ上に載置された半導体ＺのボンディングパットＺ１と結線することで、半導体Ｚに電力を供給して半導体チップＶとして動作させることができる。また、ボンディングパットＺ１は、半導体Ｚの内部の集積回路とリードＲを結線するために、半導体Ｚ上にリードＲと同数設けられている。
【００３１】
キャピラリ７ａは、半導体ＺとリードＲとを金線等を用いて結線する際に使用するものであり、このキャピラリ７ａを使用して半導体ＺとリードＲとの金線Ｇの結線方法は、キャピラリ７ａに高電流を流し、金線を溶接することでボンディングパットＺ１とリードＲを結線することができる（図６（ｂ）参照）。
【００３２】
搬送装置は、組立前のリードＲを有する基板Ｓを搬送すると共に、リードＲと半導体Ｚが結線された（組立済み）半導体チップＶを搬送することができるものであり、例えば、ローラやベルトコンベア等を搬送装置として用いることができる。
また、載置装置は、基板Ｓ上の定位置に半導体Ｚを載置する際に使用するものであり、例えば、ロボットハンド等を載置装置として用いることができる。
【００３３】
このように構成された半導体の組立装置７は、半導体の組立装置７に備える軟Ｘ線発生部１から軟Ｘ線を照射し、組立装置７の空気をイオン化させ、図５（ａ）に示すように、基板Ｓ上の定位置に載置装置を使い、図５（ｂ）に示すように、半導体Ｚを定位置に載置して固定する。基板Ｓ上に半導体Ｚを載置する際に静電気が発生しても、イオン化された空気によって静電気を除電することができる。
【００３４】
そして、図６（ａ）に示すように、基板Ｓ上に載置された半導体ＺのボンディングパットＺ１とリードＲを、図６（ｂ）に示すように、キャピラリ７ａを用いて金線Ｇで溶接することで結線して半導体チップＶを完成させる。このとき、リードＲとボンディングパットＺ１との溶接時に静電気が発生しても、軟Ｘ線を照射して空気がイオン化されているため、発生した静電気を除電することができる。
【００３５】
以上より、軟Ｘ線照射装置Ｘを備えた半導体の組立装置７は、軟Ｘ線照射装置Ｘの軟Ｘ線発生部１を半導体の組立装置７に備えて、軟Ｘ線を照射して半導体の組立装置７の空気をイオン化させることで半導体チップＶの組み立て時に発生する静電気を除電することができると共に、半導体チップＶを静電気によって静電気放電破壊することなく組み立てることができる。
【００３６】
また、半導体の組立装置７を用いて、半導体Ｚの受け渡しや結線する際に発生する静電気を距離１０ｃｍで１０００Ｖ〜０Ｖまで落とす時間が１２秒以下の短時間で除電することで、半導体Ｚ又は半導体チップＶにごみの付着、静電気放電破壊、静電気放電による劣化を防止することができる。
【００３７】
次に、軟Ｘ線照射装置Ｘを用いた半導体の検査装置について図面を参照して詳細に説明する。図７（ａ）は、半導体の検査装置の構成を示す断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す半導体の検査装置の平面図である。
【００３８】
図７（ａ）に示すように、軟Ｘ線照射装置Ｘを用いた半導体の検査装置８は、中空部を備えた箱型のチャンバ８ａと、このチャンバ８ａの内部に設けられたロータリーヘッド８ｂと、ロータリーヘッド８ｂに取り付けられ鉛直方向に稼動可能なコンタクトチャック８ｃと、コンタクトチャック８ｃに取り付けられ、半導体チップＶを載置するシャトル８ｅと、半導体チップＶの動作検査を行うコンタクト部８ｆと、チャンバ８の内部に軟Ｘ線が照射されるようにチャンバ８ａの一側面に設けられた軟Ｘ線発生部１と、軟Ｘ線発生部１に高圧ケーブル３の一端部が接続され、多端部がチャンバ８ａの外部に設置された制御部２と接続されて構成されている。
【００３９】
このように構成された半導体の検査装置８の使用方法について説明する。図７（ａ）に示すように、まず、チャンバ８ａの一側面に備えられた軟Ｘ線発生部１から軟Ｘ線を照射し、チャンバ８ａの内部の空気をイオン化させる。
【００４０】
次に、検査する半導体チップＶをシャトル８ｅに載置すると共に、シャトル８ｅをロータリーヘッド８ｂのコンタクトチャック８ｃに取り付ける。そして、ロータリーヘッド８ｂを回転させてコンタクト部８ｆの上方に移動させる。コンタクト部８ｆの上方に半導体チップＶが載置されたシャトル８ｅが到着した後、コンタクトチャック８ｃを下降させシャトル８ｅに載置された半導体チップＶをコンタクト部８ｆと接続すると共に、半導体チップＶに通電させて動作確認を行う。
【００４１】
そして、半導体チップＶに通電させて動作確認を行ったあと、コンタクトチャック８ｃを上昇させてコンタクト部８ｆから検査済みの半導体チップＶが載置されたシャトル８ｅを取り外す。そして、ロータリーヘッド８ｂを回転させて、コンタクトチャック８ｃを移動させて、半導体の検査装置８の検査済み取り出し口からシャトル８ｅを取り出す。
【００４２】
このような半導体チップＶの検査工程において、半導体の検査装置８や半導体チップＶに発生した静電気は、イオン化された空気によって除電することができる。また、検査内容で半導体チップＶの温度及び装置内部の温度を上昇させた状態で（５５℃から１２０℃）検査を行うことが多くなっており、高温下での使用を考え、半導体の検査装置８が高温になっても、軟Ｘ線照射装置Ｘの制御部２がチャンバ８ａの外部に配置してあるので熱の影響で誤作動や破壊されることがない。このため、軟Ｘ線発生部１から軟Ｘ線をチャンバ８ａの内部に照射し、空気をイオン化させることができ、半導体チップＶに帯電した静電気を除電することができる。特に、軟Ｘ線発生部１は、高温に耐えられるように断熱材を用いて構成しているので、軟Ｘ線の光源１ｂが熱で破壊されることがなく、安定して軟Ｘ線を照射することができる。
【００４３】
以上より軟Ｘ線照射装置Ｘを備えた半導体の検査装置８は、チャンバ８ａの一側面に設けた軟Ｘ線発生部１からチャンバ８ａの内部に向けて軟Ｘ線を照射して空気をイオン化させることで、半導体の検査装置８及び半導体チップＶに帯電した静電気を除電することができ、半導体チップＶに静電気が放電することによって生じる静電気放電破壊を防止することができる。
【００４４】
また、半導体の検査装置８を用いて、半導体Ｚの受け渡しをする際に発生する静電気を距離１０ｃｍで１０００Ｖ〜０Ｖまで落とす時間が１２秒以下の短時間で除電することで、静電気放電破壊、静電気放電による劣化を防止することができると共に、ノイズ対策も同時に行うことができる。
【００４５】
また、軟Ｘ線発生部１の断熱材として、シリコンゴムを用いたが本発明を限定するものではなく、例えば、ガラス繊維を用いたグラスウール、セラミック、フェノール等の材料を用いることができる。
【００４６】
以上、本発明の一実施の形態について説明したが、本発明はこのような実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく限りにおいて、種々の変形が可能である。
【００４７】
例えば、本発明の実施形態では、軟Ｘ線照射装置１を半導体の組立装置７及び検査装置８に備える構成を示したが、本発明を限定するものではなく、液晶の製造装置、液晶の組立装置、液晶の検査装置等に利用することができ、帯電した静電気を除電して静電気放電破壊を防止することができる。
【００４８】
また、本発明の実施形態で、軟Ｘ線照射装置Ｘを半導体の組立装置７及び半導体の検査装置８に備える構成を示したが、特に限定されるものではなく、軟Ｘ線照射装置Ｘは、軟Ｘ線発生部１と制御部２を別体で構成しているので、例えば、既存の半導体の組立装置や検査装置に簡単に取り付けて使用することができる。
【００４９】
さらに、半導体の組立装置７及び半導体の検査装置８に空気を循環させるファンを取り付け、イオン化された空気を循環させるように構成してもよい。特に、半導体の検査装置８のような密閉状態で構成されている場合でも、イオン化された空気を内部に循環させることができ、効果的に静電気を除電することができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の軟Ｘ線照射装置は、軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線発生部と、この軟Ｘ線発生部の電源の供給及び制御を行う制御部とを別体に構成すると共に、高圧ケーブルで接続する構成にすることで、軟Ｘ線発生部を小型化させることができ、また、軟Ｘ線発生部を断熱材で被覆することにより、高温環境下でも安定して軟Ｘ線発生部から軟Ｘ線を照射することができる。
【００５１】
また、本発明の軟Ｘ線照射装置の軟Ｘ線発生部を半導体の組立装置や検査装置に備えることで、半導体の組立工程や検査工程で発生する静電気を簡単に除電することができると共に、半導体の組立装置や半導体の検査装置の構成を大きく変更することなく簡単に取り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】軟Ｘ線照射装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示した軟Ｘ線発生部を示す拡大図である。
【図３】（ａ）は、図１に示した制御部の操作パネルを示す平面図である。
（ｂ）は、図１に示した制御部の配電パネルを示す平面図である。
【図４】半導体の組立装置における、ワイヤーボンダーの構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は、半導体を示す斜視図である。
（ｂ）は、図５（ａ）に示した半導体を載置するリードを有する基板を示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、半導体を基板に載置した状態を示す斜視図である。
（ｂ）は、半導体とリードとを結線している状態を示す斜視図である。
【図７】（ａ）は、半導体の検査装置の構成を示す断面図である。
（ｂ）は、図７（ａ）に示す半導体の検査装置の平面図である。
【符号の説明】
１    ・・・  軟Ｘ線発生部
１ａ  ・・・  筒状部材
１ｂ  ・・・  光源
２    ・・・  制御部
２ａ  ・・・  ケース
２ｂ  ・・・  操作パネル
２ｃ  ・・・  配電パネル
２ｄ  ・・・  電流計
２ｅ  ・・・  電圧計
２ｆ  ・・・  電流調整ダイヤル
２ｇ  ・・・  電圧調整ダイヤル
２ｈ  ・・・  発光ダイオード
２ｉ  ・・・  スイッチ
２ｊ  ・・・  ソケット
３    ・・・  高圧ケーブル
４    ・・・  制御ケーブル
５    ・・・  表示灯ケーブル
６    ・・・  コンセント付ケーブル
７    ・・・  組立装置
７ａ  ・・・  キャピラリ
８    ・・・  検査装置
８ａ  ・・・  チャンバ
８ｂ  ・・・  ロータリーヘッド
８ｃ  ・・・  コンタクトチャック
８ｄ  ・・・  ロータリーヘッド
８ｅ  ・・・  シャトル
８ｆ  ・・・  コンタクト部
Ｚ    ・・・  半導体
Ｚ１  ・・・  ボンディングパッド
Ｖ  ・・・    半導体チップ
Ｘ  ・・・    軟Ｘ線照射装置
【図１】
2005005172.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005005172.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005005172.tif 000007
【図６】
2005005172.tif 000008
【図７】
2005005172.tif 000009