(57)【要約】【課題】  高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にし、このキャパシタを低コストで製造することのできるキャパシタの製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。【解決手段】  本発明のキャパシタは、誘電体膜３を第１電極２と第２電極４との間に挟んだ構造を有しており、前記誘電体膜３が、一般式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物を主成分とするとともに、Ｓｉ、Ｇｅのうちの少なくとも１種を含んでおり、前記ビスマス層状化合物が、前記誘電体膜の膜厚方向にｃ軸配向している構成である。【選択図】        図１
2005191153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜を第１電極と第２電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタであって、
前記誘電体膜が、一般式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物を主成分とするとともに、Ｓｉ、Ｇｅのうち少なくとも１種を含んでおり、
前記ビスマス層状化合物が、前記誘電体膜の膜厚方向にｃ軸優先配向していることを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記ビスマス層状化合物が、ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５（ｍ＝４）、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂ１−ｘ）２Ｏ９（但し、０≦ｘ≦１）（ｍ＝２）、Ｂｉ３Ｔｉ（ＴａｘＮｂ１−ｘ）２Ｏ９（但し、０≦ｘ≦１）（ｍ＝２）のいずれか又は混合相であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記Ｓｉ及びＧｅの合計含有量が、０．１モル％以上１０．０モル％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記第１電極及び／又は第２電極が、白金、イリジウム、ルテニウム、金、銀、から選ばれる１種以上の金属材料、あるいはこれらの金属材料の酸化物からなる電極であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第１電極及び／又は第２電極が、ペロブスカイト型の金属酸化物を主成分としてなる電極であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記第１電極を構成する金属酸化物の主たる配向方向が、擬キュービックで（１００）配向であることを特徴とする請求項５に記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記第１電極が、ＳｒＲｕＯ３からなることを特徴とする請求項５又は６に記載のキャパシタ。
【請求項８】
前記第１電極の下方にバッファ層が形成されており、該バッファ層はイオンビームアシストを用いて形成され、且つ、（１００）配向を有することを特徴とする請求項６に記載のキャパシタ。
【請求項９】
誘電体膜を第１電極と第２電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタの製造方法であって、
一般式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物の前駆体化合物と、Ｓｉ及びＧｅのうち少なくとも１種以上とを含有する液状体を基体上に配する工程と、
前記前駆体化合物を含有する液状体を熱処理することにより、前記ビスマス層状化合物を含む前記誘電体膜を形成する工程とを含み、
前記液状体を熱処理する工程において、熱処理温度を５５０℃以下とすることを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載のキャパシタ、あるいは請求項９に記載の製造方法により得られたキャパシタを備えたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ及びその製造方法、並びに係るキャパシタを備えた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、その構成素子として種々のキャパシタが用いられている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４参照）。例えば、半導体装置における発振回路や電源回路等には、オペアンプ発振防止用、安定化用、平滑用、昇圧回路用などの目的でキャパシタが用いられている。
このようなキャパシタとしては、これを回路内部に作製する内付けの場合、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸化窒化シリコン膜等の誘電体膜を、シリコン、金属、あるいは窒化チタン、窒化アルミ等からなる上下電極膜の間に挟んだ構造が多く採用されている。また、回路等に対して外付けで用いるものとしては、チタン酸バリウム等のセラミックス製の誘電体膜を備えた積層コンデンサ等のキャパシタが知られている。
尚、このようなキャパシタを作製するにあたり、特にその誘電体膜を形成するには、通常、スパッタ法やＣＶＤ法、レーザーアブレーション法等が用いられている。
【０００３】
ところで、キャパシタの容量は、誘電体膜の誘電率、面積に比例し、厚さに反比例する。したがって、回路内部に内付けで小型、高容量のキャパシタを形成したい場合には、リーク電流の観点から膜厚を稼ぐために、誘電体膜を誘電率の高い材料によって形成することにより、高容量化を図ることが望まれている。一方、外付けのキャパシタの場合には、組立コストを下げ、歩留まりを上げたいとの要望があり、薄膜で容易に作製できることが望まれている。
このような背景から、キャパシタの誘電体膜の誘電率については、その面積と膜厚とを考慮すると、内部回路の場合には３００以上、外付けの場合には１０００以上であるのが好ましいとされている。
【特許文献１】特開平７−２２６４８５号公報
【特許文献２】特開平９−１３９４８０号公報
【特許文献３】特開平５−８２８０１号公報
【特許文献４】特開平５−４７５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記の回路内部に作製するキャパシタでは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜あるいは酸化窒化シリコン膜などを誘電体膜として用いているが、これら誘電体膜はその誘電率が１０以下と低く、したがって容量を上げるためには面積を増やす等の必要がある。このようにキャパシタの面積を増やすと、回路におけるキャパシタの占有面積が大きくなってしまい、回路の小型化が妨げられてしまう。また容量をかせぐために膜厚を薄くする手段も考えられるが、膜厚を薄くするとリーク電流が増大し効率が下がるという問題点がある。さらに、膜厚が低下すると絶縁破壊が起こりやすくなるという問題点がある。
【０００５】
誘電率の高い絶縁体材料としては、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸バリウム等の強誘電体材料が知られている。このような強誘電体材料にあっては、同じ半導体装置内に設けられている他の半導体素子や配線等への影響から、その成膜温度を５５０℃程度以下にすることが好ましい。しかしながら、このような低温では結晶化が起こりにくく、したがって得られた誘電体膜は、酸化シリコン膜等に比べれば高い誘電率を有するものとなるものの、所望する高誘電率を有するまでには至らない。また、周波数や温度変化に対する誘電率の変化が大きく、このため酸化シリコン膜等に比べても劣ったものとなってしまう。
【０００６】
一方、チタン酸バリウム等のセラミックスからなるキャパシタを外付けで形成する場合では、キャパシタ自体のコストは低くなるものの、外付けするときの位置合わせや他の素子とのボンディングなどの組立コストがかかってしまい、また歩留まり等の問題もあることから、十分な低コスト化が達成されるまでには至っていない。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にし、このキャパシタを低コストで製造することのできるキャパシタの製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、誘電体膜を第１電極と第２電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタであって、前記誘電体膜が、一般式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物を主成分とするとともに、Ｓｉ、Ｇｅのうちの少なくとも１種を含んでおり、前記ビスマス層状化合物が、前記誘電体膜の膜厚方向にｃ軸配向していることを特徴とするキャパシタを提供する。
【０００９】
このキャパシタによれば、上記誘電体膜が、一般式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（（Ｂ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−）で示されるｍ＝２又はｍ＝４のビスマス層状化合物を主体としてなるとともに、そのｃ軸が誘電体膜の膜厚方向に配向しているものとされたことにより、従来に比して高い誘電率を得られ、従ってこれを備える装置の小型化が可能になる。また誘電体膜中にＳｉ、Ｇｅのうち少なくとも１種が添加されているため、製造時に良好な結晶性を有するビスマス層状化合物を得やすく、特に前駆体化合物を焼成して誘電体膜を形成する場合には、焼成温度を低くすることができ、他の半導体素子や配線等への影響を少なくすることができ、本発明のキャパシタを採用することで、装置製造の容易性が向上し、装置設計の自由度が向上する。
さらに、誘電体膜がＰｂを含有していないことから環境汚染に対しても有利なものとなり、したがってこれを備えたキャパシタ自体も環境上有利なものとなる。
【００１０】
本発明のキャパシタでは、前記ビスマス層状化合物が、ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５（ｍ＝４）、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂ１−ｘ）２Ｏ９（但し、０≦ｘ≦１）（ｍ＝２）、Ｂｉ３Ｔｉ（ＴａｘＮｂ１−ｘ）２Ｏ９（但し、０≦ｘ≦１）（ｍ＝２）のいずれか又は混合相であることが好ましい。ｍ＝２，４のビスマス層状化合物のうちでも、特に上記組成を有したものを用いるならば、成膜時に副生成物を生じ難く、高い誘電率を得ることができる。
【００１１】
本発明のキャパシタでは、前記Ｓｉ及びＧｅの合計含有量が、０．１モル％以上１０．０モル％以下であることが好ましい。Ｓｉ、Ｇｅの総添加量が０．１モル％未満になると、Ｓｉ、Ｇｅの触媒としての作用が良好に発揮されなくなり、１０．０モル％を越えると、主成分であるビスマス層状化合物の量が相対的に減ることで誘電率が低下するからである。
【００１２】
本発明のキャパシタは、前記第１電極及び／又は第２電極が、白金、イリジウム、ルテニウム、金、銀、から選ばれる１種以上の金属材料、あるいはこれらの金属材料の酸化物からなる電極である構成とすることができる。これらの金属材料等を用いるならば、容易かつ効率的に電極を形成できる。
【００１３】
本発明のキャパシタは、前記第１電極及び／又は第２電極が、ペロブスカイト型の金属酸化物を主成分としてなる電極である構成とすることもできる。さらにこの本発明のキャパシタでは、前記第１電極が、ＳｒＲｕＯ３からなる電極であることが好ましい。
また本発明のキャパシタでは、前記第１電極を構成する金属酸化物の主たる配向方向が、擬キュービックで（１００）配向であることが好ましい。さらに好ましくは、前記第１電極の下方にバッファ層が形成されており、該バッファ層はイオンビームアシストを用いて形成され、且つ、（１００）配向を有するものであるのがよい。
本構成においても、上記「主成分」の定義については先に記載の通りであり、上記金属酸化物のほかに、当該金属酸化物の結晶性を損なわない範囲で添加物ないし不純物が存在していてもよいことを示している。
特に第１電極にペロブスカイト型の金属酸化物を用いるならば、誘電体膜を構成するビスマス層状化合物が膜厚方向でｃ軸配向し、かつその結晶性を良好なものとすることができるため、誘電率をさらに高めてキャパシタ容量を増大させることが可能である。また、上記第１電極の金属酸化物の主たる配向を、擬キュービック（立方晶）で（１００）配向とすることで、第１電極上に形成されるビスマス層状化合物の結晶性がより良好なものとなる。さらに、上記イオンビームアシスト法によるバッファ層を用いるならば、上記配向性を得やすくなるとともに、キャパシタが形成される基体の表面状態の制限を緩和できる。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するために、誘電体膜を第１電極と第２電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタの製造方法であって、化学式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物の前駆体化合物と、Ｓｉ及びＧｅのうち少なくとも１種以上とを含有する液状体を基体上に配する工程と、前記前駆体化合物を含有する液状体を熱処理することにより、前記ビスマス層状化合物を含む前記誘電体膜を形成する工程とを含み、前記液状体を熱処理する工程において、熱処理温度を５５０℃以下とすることを特徴とするキャパシタの製造方法を提供する。
このキャパシタの製造方法によれば、前記ビスマス化合物を主成分とし、かつ当該化合物のｃ軸が前記第１電極の面に対してほぼ垂直に配向している誘電体膜を形成することができ、これによってこの誘電体膜を有するキャパシタを備えた装置の小型化を図ることができる。またこのような結晶性に優れた誘電体膜を５５０℃以下の低温焼成にて得られるので、例えば基体上に他の半導体素子や配線等を形成している場合に、これらへの熱的影響を少なくすることが可能になる。またＳｉないしＧｅの添加量調整により焼成温度を４５０℃とするならば、上記熱的影響をより小さくできるため好ましい。またさらに、誘電体膜がＰｂを含有していないことから環境汚染に対しても有利なものとなり、したがってこれを備えたキャパシタを製造することによって得られたキャパシタ自体も環境上有利なものとなる。
【００１５】
次に、本発明の半導体装置は、先に記載の本発明のキャパシタ、あるいは先に記載の本発明に係る製造方法により得られたキャパシタを備えたことを特徴としている。
この構成によれば、高誘電率の誘電体膜を有したことで小型化されたキャパシタを備えたことにより、容易に小型化、高集積化を実現できる半導体装置を提供することができる。また特に前記誘電体膜が液滴吐出法を用いて形成されたものであるならば、製造コストの低減も実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（キャパシタ）
以下、本発明を詳しく説明する。 
図１は、本発明のキャパシタの一実施形態を示す図であり、図１中符号１はキャパシタである。このキャパシタ１は、例えば図２に示す本発明の半導体装置の一実施形態となる半導体装置５０において、従来の回路内部キャパシタに置き換えられるキャパシタ１ａとして、さらに回路に対して外付けのキャパシタに置き換えられるキャパシタ１ｂとして用いられるものである。
【００１７】
ここで、半導体装置５０には、基板５１上にＣＭＯＳトランジスタなどの各種トランジスタやメモリ素子が形成されており、また、これらの間や前記キャパシタ１ａ、１ｂとの間を電気的に接続する各種配線やプラグ等が、層間絶縁膜上あるいは層間絶縁膜中に形成されている。尚、キャパシタ１ａ、１ｂが形成される下地となる層間絶縁膜５２までを、本発明においては基体５３と称している。また、図示しないものの、キャパシタ１ａ、１ｂの上には保護層や配線等が形成され、さらにこれらを覆って絶縁層が形成されている。
【００１８】
キャパシタ１ａ、１ｂとして用いられるキャパシタ１は、図１に示したように、例えばポリイミドからなる層間絶縁膜５２上（基体５３上）に形成されたもので、層間絶縁膜５２上に形成された第１電極２と、第１電極２上に形成された誘電体膜３と、誘電体膜３上に形成された第２電極４とからなるものである。すなわち、このキャパシタ１は、第１電極２と第２電極４との間に誘電体膜３を挟んだ構造のもので、第１電極２には層間絶縁膜５２中に形成された埋め込み配線５が接続されており、第２電極４にはさらに別の配線（図示せず）が接続されている。
【００１９】
第１電極２、第２電極４には、白金、イリジウム（又は酸化イリジウム）、ルテニウム、金、銀等の金属材料や、ペロブスカイト型の金属酸化物を用いることができる。特に、ペロブスカイト型の金属酸化物を第１電極２に用いるならば、その上に形成される誘電体膜３の結晶性を高め、より高い誘電率を得ることができる。また、これらの電極は、上記に挙げた金属材料の微粒子を焼結してなる金属焼結体によって形成されたものとすることもできる。ペロブスカイト型の金属酸化物を用いた例については後段にて詳述する。
【００２０】
誘電体膜３は、一般式Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３（すなわち（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−）（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物を主成分とし、Ｓｉ、Ｇｅのうちの少なくとも一種が添加されて形成されており、前記ビスマス層状化合物が、誘電体膜３の膜厚方向にｃ軸配向したものである。具体的には、前記ビスマス層状化合物が、ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５（ｍ＝４）、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂ１−ｘ）２Ｏ９（但し、０≦ｘ≦１）（ｍ＝２）、Ｂｉ３Ｔｉ（ＴａｘＮｂ１−ｘ）２Ｏ９（但し、０≦ｘ≦１）（ｍ＝２）のいずれか又は混合相であることが好ましい。
【００２１】
ここで、本発明において前記の主成分とは、誘電体膜３の成分として、ＳｉやＧｅ以外にもある程度の不純物が入ることを許容するとともに、ビスマス層状化合物が全体の５０モル％以上を占めていることを意味している。この誘電体膜３は、その誘電率が例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸化窒化シリコン膜等の誘電体膜に比べて高く、従ってこれを有したキャパシタ１は、従来のものに比べて高容量化が可能となっており、また、従来のものと同等の容量に設計した場合にはその小型化が可能となっている。
【００２２】
この誘電体膜３では、主成分となる前記ビスマス層状化合物以外の成分として、Ｓｉ、Ｇｅのうちの少なくとも一種が添加されている。これらＳｉまたはＧｅは、前記誘電体膜３中に、合計量（総量）として０．１モル％以上１０．０モル％以下添加されているのが好ましく、０．５モル％以上８．０モル％以下、さらには１．０モル％以上５．０モル％以下添加されているのが望ましい。このような総添加量でＳｉ、Ｇｅを添加すると、後述するようにこれらＳｉ、Ｇｅが、誘電体膜３の前駆体材料を焼成して前記ビスマス層状化合物を主成分とする酸化物を形成する際に触媒として作用するようになる。すなわち、この触媒作用により、焼成温度を低温にしてもビスマス層状化合物の結晶層が形成されるようになり、したがって高い誘電率が得られるようになる。従来は、前駆体化合物の焼成によりビスマス層状化合物を得る場合、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）等の材料よりも焼成温度を高くする必要があり、上記ＳｉないしＧｅを添加しない場合、７００〜８００℃程度の焼成温度とする必要があった。これに対して、本実施形態に係る誘電体膜３では、上述した触媒作用を有するＳｉあるいはＧｅの添加により、低温で焼成した場合にも良好な結晶性を有するビスマス層状化合物を得ることができ、具体的には５５０℃以下にまで焼成温度を下げることができる。これにより基体５３上の他の半導体素子（ＣＭＯＳ等）や配線等への熱的影響を少なくすることもできる。
【００２３】
尚、Ｓｉ、Ｇｅの総添加量が０．１モル％未満になると、これらの触媒としての作用が良好に発揮されなくなり、１０．０モル％を越えると、主成分であるビスマス層状化合物の量が相対的に減ることで誘電率が低下する。また、このようなＳｉ、Ｇｅの触媒作用を良好に発揮させると同時に、誘電率低下にならないような添加量としては、０．５モル％以上８．０モル％以下とするのが好ましく、１．０モル％以上５．０モル％以下とするのがさらに好ましい。
【００２４】
また本実施形態に係る誘電体膜３では、主成分であるビスマス層状化合物が、誘電体膜３の膜厚方向（電極２，４の法線方向）とほぼ平行にｃ軸優先配向している。このように膜厚方向にｃ軸優先配向したビスマス層状化合物では、その主たる分極軸が誘電体膜３の面方向となり、本実施形態の誘電体膜３のようにｍ＝２又はｍ＝４のビスマス層状化合物を用いている場合、前記分極軸は誘電体膜３の面方向に限定される。この構成により、本実施形態に係る誘電体膜３は、高い誘電率が得られるとともに、その電圧特性においてヒステリシスを生じず、従って挙動制御性に優れ、かつエネルギー損失の少ない誘電体膜となっている。従って、本実施形態のキャパシタによれば、これを組み込んだ回路の設計が容易になるとともに、その小型化、高性能化が容易なものとなる。
【００２５】
ここで、本実施形態に係るキャパシタ１の第１電極２に、ペロブスカイト型の金属酸化物を用いる場合について説明する。このような金属酸化物からなる電極を用いることで、直上に形成される誘電体膜３の結晶性を高め、より高い誘電率を得ることができるとともに、誘電体膜３のｃ軸優先配向度を高めることで厚さ方向における分極軸の発現を効果的に抑制し、エネルギー損失を生じ難くすることができる。
上記ペロブスカイト型の金属酸化物としては、ＳｒＲｕＯ３、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３、Ｌａ−ＳｒＴｉＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＭｎＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯ３のうちから選択された少なくとも一種が好適に用いられる。ここで、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３はＳｒＴｉＯ３にＮｂをドープしたものであり、Ｌａ−ＳｒＴｉＯ３はＳｒＴｉＯ３にＬａをドープしたものである。これらの金属酸化物は、導電性や化学的安定性に優れているため、これらから形成される下部電極４も導電性や化学的安定性に優れたものとなる。特に、ＳｒＲｕＯ３を用いた場合に、誘電体膜３を構成するビスマス層状化合物が良好に結晶成長することが本発明者らにより確認されている。さらに、上記ペロブスカイト型酸化物が（１００）配向であるならば、ビスマス層状化合物のｃ軸配向度が高まり都合がよい。
【００２６】
上述したように、半導体装置に実装するキャパシタにおいては、下側の第１電極２が形成される層間絶縁膜５２の表面は、必ずしも結晶成長に都合の良い配向面を有するものではないため、誘電体膜３の結晶性を高めるべく第１電極２を金属酸化物により構成する場合、任意の表面上で第１電極２が良好な結晶性を有して形成されていることが好ましい。そこで、上記第１電極２の配向制御を行うべく、第１電極２の下側（基体側）に、バッファ層を設けることが好ましい。このバッファ層は、キャパシタのそれぞれについて設けられていてもよく、同層に形成される複数のキャパシタで単一のバッファ層を共有する構成としてもよい。
【００２７】
上記バッファ層としては、単一配向している（厚さ方向にのみ配向方位が揃っている）ものであればよいが、さらに面内配向している（三次元方向の全てに配向方位が揃っている）ものであるのが好ましい。このようなバッファ層を設けることにより、層間絶縁膜５２と第１電極２との間で、優れた接合性（密着性）を得ることもできるからである。
【００２８】
また、このバッファ層は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物、ペロブスカイト構造の金属酸化物等のうちの少なくとも１種を含むものが好ましく、特に、ＮａＣｌ構造の金属酸化物又は蛍石型構造の金属酸化物と、ペロブスカイト構造の金属酸化物とが積層された構造となっているの好ましい。ＮａＣｌ構造の金属酸化物や蛍石型構造の金属酸化物は、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物との格子不整合が小さいので、第１電極２として特にペロブスカイト構造のものを形成する場合に、その下地となるペロブスカイト構造の層を形成するうえで有利となるからである。
【００２９】
以上の理由により、第１電極２のバッファ層としては、例えば、層間絶縁膜５２側から順に、ＮａＣｌ構造の金属酸化物又は蛍石型構造の金属酸化物からなる第１バッファ層及び第２バッファ層と、この第２バッファ層の上に形成されたペロブスカイト構造を有する金属酸化物からなる第３バッファ層とが積層された構成とすることができる。
層間絶縁膜５２上に形成される第１バッファ層は、立方晶（１００）配向のイットリア安定化ジルコニア（以下、ＹＳＺ）からなり、厚さが例えば１００ｎｍ程度に形成されたものが適用できる。ただし、ＹＳＺとしては、以下の式で表されるものが任意に用いられる。
Ｚｒ１−ｘＬｎｘＯｙ    ０≦ｘ≦１．０（Ｌｎ；Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ）
【００３０】
ここで、この第１バッファ層は、前記層間絶縁膜５２上に直接形成されるものであるが、先に記載のように層間絶縁膜５２は、有機絶縁材料や酸化シリコン等により形成されるため、層間絶縁膜５２上にＹＳＺをエピタキシャル成長させることは一般的な成膜法では難しい。そこで、イオンビームアシスト法を用いてエピタキシャル成長させることにより、この第１バッファ層を形成するものとするならば、この第１バッファ層上に形成される第２バッファ層の結晶性をさらに高めることが可能である。本発明におけるイオンビームアシスト法とは、レーザーアブレーション法やスパッタ法等による成膜中に、基材表面に対して不活性イオン（Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒ等のイオン）、あるいは不活性イオンと酸素イオンとの混合イオンをビーム照射する成膜方法である。
次に、第２バッファ層は、立方晶（１００）配向のＣｅＯ２からなるものが適用でき、前記第１バッファ層上に厚さが例えば１００ｎｍ程度にエピタキシャル成長したものを用いるのがよい。
【００３１】
尚、これら第１バッファ層及び第２バッファ層としては、上に挙げたＹＳＺやＣｅＯ２に限定されることなく、任意のＮａＣｌ構造の金属酸化物や蛍石型構造の金属酸化物を用いることができる。ＮａＣｌ構造の金属酸化物としては、例えばＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＭｎＯ、ＦｅＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、またはこれらを含む固溶体等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、または、これらを含む固溶体のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。このようなＮａＣｌ構造の金属酸化物は、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物との格子不整合が特に小さいものとなる。尚、ＹＳＺに代えてＭｇＯを用いた場合、この第１バッファ層の厚さは例えば２０ｎｍ程度とする。
【００３２】
一方、蛍石型構造の金属酸化物としては、例えば、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＴｈＯ２、ＵＯ２、またはこれらを含む固溶体等が挙げられるが、これらの中でも、ＹＳＺ、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、またはこれらを含む固溶体のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。このような蛍石型構造の金属酸化物も、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物との格子不整合が特に小さいものとなる。
【００３３】
第３バッファ層は、層状ペロブスカイト型酸化物であるＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（ｘは例えば７）により形成することができ、第２バッファ層上に厚さが例えば３０ｎｍ程度にエピタキシャル成長（斜方晶（００１）配向）させたものを用いることができる。このようにペロブスカイト構造を有する金属酸化物からなるものとされたことで、第３バッファ層は、前述したように第２バッファ層との間で格子不整合が特に小さいものとなる。したがって、欠陥等がない良好な結晶構造を有するものとなるとともに、この第３バッファ層上に、ペロブスカイト型の第１電極２を良好にエピタキシャル成長させることができるものとなっている。
尚、第３バッファ層としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘに限定されることなく、他のペロブスカイト型金属酸化物を用いることもできる。例えば、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＭｎＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｒＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯ３、または、これらを含む固溶体等を用いることもできる。
【００３４】
（キャパシタの製造方法）
次に、本発明のキャパシタの製造方法の一実施形態を、図３を参照して説明する。尚、この実施形態では、本発明のキャパシタの製造方法を、図２に示した半導体装置５０におけるキャパシタ１（１ａ、１ｂ）の製造に適用した場合の例として示す。
【００３５】
＜第１導電膜（第１電極）の形成工程＞
まず、図３（ａ）に示すように、層間絶縁膜５２上に、第１電極２となるべき第１導電膜２Ａを形成する。この第１導電膜２Ａの形成に際しては、スパッタ法や蒸着法等の気相成膜法や、液滴吐出法やスピンコート法、印刷法等を用いた液相成膜法を用いることができる。以下に、第１導電膜２Ａを液相成膜法により形成する場合について説明する。
尚、本発明において液滴吐出法とは、液状体からなる液滴を所望のパターンに吐出することにより、基体上に所望のパターンを形成する方法であり、インクジェット法などの総称である。但し、吐出する液状体（液滴）としては、印刷物に用いられる所謂インクではなく、デバイスを構成する各種材料物質を含む液状体であり、この材料物質として具体的には、導電物質または絶縁物質として機能し得る物質などが挙げられる。
【００３６】
液相成膜法により第１導電膜２Ａを形成するには、金属微粒子を分散させた液状体を層間絶縁膜５２上に塗布した後、焼成して形成する。第１導電膜２Ａの形成材料となる金属微粒子は、白金、イリジウム、ルテニウム、金、銀等から選択された１種又は複数種とされ、これらの金属微粒子を分散媒に分散して調製した液状体の形態で層間絶縁膜５２上に供給される。金属微粒子の粒径としては、５０ｎｍ以上０．１μｍ以下とするのが好ましく、このような範囲とすることにより、分散媒に分散しやすくなり、絶縁膜５２上における拡散性も良好になる。尚、金属微粒子については、その表面を有機物などでコーティングしておくことで、分散媒中への分散性を高めることができる。
【００３７】
使用する溶媒としては、前記の金属微粒子を凝集を生じさせることなく良好に分散させることができるものであれば、特に限定されることはない。具体的には、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性溶媒を挙げることができる。これらのうち、金属微粒子の分散性と分散液の安定性の点で、水、アルコール類、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、更に好ましい溶媒としては水、炭化水素系分散媒を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用可能である。
【００３８】
前記金属微粒子を分散媒に分散させて分散液を形成する際の、分散液中の金属微粒子の濃度としては、１重量％以上８０重量％以下とするのが好ましく、特にこの範囲において、形成する金属膜（第１電極２）の膜厚に応じて調整するのが望ましい。８０重量％を越えると、金属微粒子の凝集が生じやすくなって均一な塗布膜が得にくくなるからであり、また、１重量％未満では分散媒を蒸発させるための乾燥に長時間を要することとなり、生産性が低下するからである。
【００３９】
このような金属微粒子分散液（液状体）を層間絶縁膜５２上に塗布したならば、基体５３を加熱することによって金属微粒子分散液に熱処理を施す。すると、金属微粒子分散液中から分散媒が除去され、さらに金属微粒子が焼結されることにより、図３（ａ）に示すように微粒子間の電気的接触が十分良好となった第１導電膜２Ａが形成される。
熱処理の条件としては、特に限定されることなく一般的な条件が採用可能である。例えば、熱処理雰囲気としては、大気中で行なってもよく、また、必要に応じて窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理温度としては、分散媒の沸点（蒸気圧）、圧力および金属微粒子の熱的挙動を考慮して適宜に決定されるが、特に４００℃以下とするのが好ましい。４００℃以下とすることにより、例えば基体５３に他の半導体素子やＡｌ配線、樹脂からなる保護層や絶縁層等を形成している場合に、これらへの熱的影響を十分に少なくすることができるからである。
【００４０】
熱処理における加熱方法としては、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他に、ランプアニールによっても行うこともできる。ホットプレートや電気炉などで熱処理を行う場合、その条件としては例えば熱処理温度が３００℃とされ、処理時間が３０分間とされる。このような条件で第１電極２を形成することにより、得られる第１導電膜２Ａは例えばその厚さが０．１μｍ程度となる。
また、ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないものの、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００４１】
尚、第１電極２としてペロブスカイト型の金属酸化物（ＳｒＲｕＯ３、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３、Ｌａ−ＳｒＴｉＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＭｎＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯ３等）を形成する場合には、レーザーアブレーション法を好適な成膜方法として挙げることができる。また、上記金属酸化物の成膜に先立って、例えば３層構造のバッファ層を層間絶縁膜５２上に形成しておくことが好ましい。このようにバッファ層を介して金属酸化物の第１導電膜２Ａを形成することで、ポリイミドや酸化シリコン等のアモルファス絶縁材料からなる層間絶縁膜５２上に良好な結晶性を有するペロブスカイト型金属酸化物の第１導電膜２Ａ（第１電極２）を形成でき、これにより後続の工程で第１導電膜２Ａ上に形成される金属酸化物膜の結晶性を良好なものとすることができるので、高誘電率の誘電体膜を得やすくなる。
【００４２】
＜金属酸化物膜（誘電体膜）の形成工程＞
第１導電膜２Ａを形成したならば、次に、第１導電膜２上に誘電体膜３となるべき金属酸化物膜３Ａを形成する。この金属酸化物膜３Ａの形成に際しては、気相成膜法であるレーザーアブレーション法や、ＭＯＣＶＤ法（有機金属を用いた化学的気相堆積法）、液相成膜法であるＭＯＤ法（金属有機酸塩を用いた塗布法）、ゾルゲル法（金属アルコキシドを用いた塗布法）、液滴吐出法等、任意の成膜方法を用いることができる。以下では、ＭＯＤ法を用いた金属酸化物膜３Ａの形成工程を例に挙げて説明する。
【００４３】
誘電体膜３を構成するビスマス層状化合物の前駆体材料として、この酸化物の各構成金属、すなわちＳｒ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｔａ（又はＮｂ）を含有する有機酸塩を、それぞれの金属元素ごとに用意する。また、これらとは別に、ＳｉあるいはＧｅの少なくとも一種を含む酸化物等の化合物を用意する。
具体的例を挙げると、上記有機酸塩としては、２エチルヘキサン酸ストロンチウム（Ｓｒ）、２エチルヘキサン酸ビスマス（Ｂｉ）、２エチルヘキサン酸タンタル（Ｔａ）、２エチルヘキサン酸ニオブ（Ｎｂ）、２エチルヘキサン酸チタン（Ｔｉ）等を用いることができ、いずれもオクタン、ブトキシエタノール、あるいはキシレン等の溶媒に溶解して用いる。またＳｉを添加するには、これらの溶液にテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を所定量添加すればよい。さらにＧｅを添加する場合、これらの溶液にテトラエトキシゲルマニウムを所定量添加すればよい。
【００４４】
そして、これら金属化合物を、ビスマス層状化合物を構成する各元素のモル比（例えばｍ＝２のビスマス層状化合物ＳｒＢｉ２（Ｔａ，Ｎｂ）２Ｏ９の場合、Ｓｒ：Ｂｉ：（Ｔａ，Ｎｂ）＝１：２：２）となるように混合する。また、ＳｉあるいはＧｅについても、これらの総添加量が、最終的に得られる誘電体膜中にて０．１モル％以上１０．０モル％以下の範囲で含有されるように混合する。ここで、これらＳｉ、Ｇｅの前駆体化合物として、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｔａ、あるいはＮｂを含有する金属化合物を用いた場合、これらの元素の含有量が前記条件、すなわちビスマス層状化合物の組成比条件を損なわないように添加する必要がある。尚、このようにして混合された前駆体化合物について塗布性を改善するべく、例えばアルコール類等の適宜な溶媒あるいは分散媒等を添加してゾル状の液状体に調製してもよい。
【００４５】
続いて、このように調製した液状体を、ディップコート法やスピンコート法、印刷法等を用いて前記第１導電膜２Ａ上に均一な厚さとなるように塗布する。その後、所定温度で所定時間乾燥し、液状体中の液分を除去する。さらに、この乾燥後、大気雰囲気下において所定の高温（例えば４５０℃）で所定時間（例えば３０分間）脱脂し、これによって金属に配位している有機成分を熱分解し、金属を酸化して金属酸化物にする。そして、このような塗布→乾燥→脱脂の各工程を所定回数繰り返し、金属酸化物を所望の厚さにする。
【００４６】
その後、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）炉で酸素フローしながら所定温度、例えば５５０℃以下、好ましくは４５０℃から５５０℃で熱処理を行い、前記金属酸化物を焼成して図３（ｂ）に示すように第１導電膜２Ａ上に金属酸化物膜３Ａを厚さ０．２μｍ程度に形成する。４５０℃以下で熱処理を行うことにより、特に基体５３に他の半導体素子や配線等を形成している場合に、これらへの熱的影響を少なくすることができる。尚、熱処理については、ＲＴＡ炉に限るものではない。
【００４７】
＜第２導電膜（第２電極）の形成工程＞
このようにして金属酸化物膜３Ａまでを形成したら、続いてこの金属酸化物膜３Ａ上に、図３（ｃ）に示すように第２導電膜４Ａを形成する。この第２導電膜４Ａの形成については、先の第１導電膜２Ａの形成法とほぼ同一の形成法によって行うことができる。すなわち、金属微粒子を含む液状体を誘電体膜３上に塗布し、その後熱処理を施して金属微粒子を焼結することにより、第２導電膜４Ａを形成する。液状体中に含有させられる金属微粒子、すなわち第２導電膜４Ａの形成材料となる金属微粒子としては、第１電極２の場合と同様、白金、イリジウム、ルテニウム、金、銀等から選択された一種または複数種、あるいはペロブスカイト型の金属酸化物（ＳｒＲｕＯ３等）が用いられる。また、熱処理についても、特に４００℃以下で行うのが好ましい。また、第２導電膜４Ａの形成に際して、スパッタ法や蒸着法等の気相成膜法や、液滴吐出法やスピンコート法等の液相法を用いても良いのは勿論である。
【００４８】
＜積層膜のパターニング工程＞
以上の工程により層間絶縁膜５２上に、第１導電膜２Ａと、金属酸化物膜３Ａと、第２導電膜４Ａとからなる積層膜を形成したならば、係る積層膜を所定平面形状にパターニングすることで、図３（ｄ）に示す如く第１電極２と誘電体膜３と第２電極４とを積層した構造のキャパシタ１（１ａ、１ｂ）を得ることができる。図示したように、第１電極２は、埋込配線５と当接して電気的に接続されている。そして、このようにしてキャパシタ１を形成したら、このキャパシタ１の第２電極４に接続する配線やこれらを覆う保護層、絶縁層を形成することにより、半導体装置５０を得る。
尚、本工程における積層膜のパターニング手段としては、公知のフォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法や、イオンミリング法等が適用できる。
【００４９】
このようにして得られたキャパシタ１にあっては、誘電体膜３が一般式（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−（但し、ｍ＝２，４、ＡはＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｉから選ばれる金属元素、ＢはＦｅ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる金属元素）で示されるビスマス層状化合物を主成分としていることによってその誘電率が高くなり、従ってこれを有したキャパシタ１は、従来のものに比べて高容量化が可能となり、また、従来のものと同等の容量に設計した場合にはその小型化が可能となっている。
【００５０】
また、このようなキャパシタ１の製造方法にあっては、ゾル状の液状体を塗布して成膜する液相成膜法を適用でき、液状体による塗布膜を熱処理することで誘電体膜３を形成することができるので、大掛かりな成膜装置を必要とせず、また材料の使用効率や消費エネルギーの点でも有利になることなどから、コスト低減化を図ることができる。さらに、前記液状体にＳｉ、Ｇｅが添加されていることから、焼成温度を５５０℃以下の低温とした場合にも良好な結晶性を有するビスマス層状化合物を得ることができ、基体５３上に既設の半導体素子や配線等への熱的影響を少なくすることができる。特に、誘電体膜３が表面に形成される第１電極２についてペロブスカイト型の金属酸化物を用いるならば、さらに良好にビスマス層状化合物をｃ軸配向させることができ、より高い誘電率を有する誘電体膜３を得ることができる。そして、高誘電率の誘電体膜３を形成することができることから、キャパシタ１の高容量化、または小型化を可能にすることができる。
また、前記キャパシタ１を備えた半導体装置５０にあっては、このキャパシタ１が高誘電率の誘電体膜３を有したことで小型化が可能になっていることから、半導体装置５０自体も小型化が可能となる。
【実施例】
【００５１】
次に、実施例によって本発明をさらに具体的に説明する。本実施例では、図３（ａ）〜（ｄ）に示した製造方法に基づき、図１に示したキャパシタ１を製造した。
まず、基体５３上に設けられたポリイミドからなる層間絶縁膜５２上の所定位置に、Ｐｔの微粒子を分散させた液状体をスピンコート法によって吐出し、さらにホットプレートにより３００℃で３０分間加熱処理を行うことにより、第１電極２を形成するべき第１導電膜２Ａを厚さ０．１μｍ程度に形成した。
【００５２】
次に、第１導電膜２Ａ上に、スピンコート法により、ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５の前駆体化合物を含有する液状体を配した。この前駆体化合物としては、各金属、すなわちＳｒ、Ｂｉ、Ｔｉそれぞれの金属有機酸塩を用い、また、Ｓｉを添加する目的でテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を用意した。上記前駆体化合物をその金属のモル比が所定比となるようにして混合し、ゾル状の液状体に調製するとともに、テトラエトキシシランをＳｉ成分が所定量（０〜３モル％）となるようにして前記液状体を調製した。
【００５３】
続いて、第１導電膜２Ａ上に配した液状体に対し、乾燥・脱脂を行った。そして、液状体の塗布→乾燥→脱脂の各工程を所定回数繰り返した後、ＲＴＡ炉で酸素フローしながら所定温度（例えば４５０℃）で熱処理を行い、前記金属酸化物を焼成して第１導電膜２Ａ上に、誘電体膜３を形成するべき金属酸化物膜３Ａを厚さ０．２μｍ程度に形成した。
次いで、金属酸化物膜３Ａ上に、Ｐｔの微粒子を分散させた液状体をスピンコート法で吐出し、さらに熱処理することにより、第１導電膜２Ａと同様に、第２電極４を形成するべき第２導電膜４Ａを、Ｐｔを用いて厚さ０．１μｍ程度に形成した。
その後、所定平面形状にパターニングすることで、キャパシタ１を得た。
【００５４】
以上の工程により得られるキャパシタについて、Ｓｉ又はＧｅの添加量（０〜３モル％）と、焼成温度（４００〜９００℃）とを異ならせて複数種類のサンプルを作製し、得られたキャパシタの誘電体膜の誘電率を測定した。この測定結果を以下の表１に示す。表１に示す「焼成温度」は、対応するＳｉ又はＧｅの添加量において、１０００以上の誘電率が得られる最低焼成温度を示しており、例えば、サンプル１（シリコン添加なし）では焼成温度を８５０℃以上とした場合に１０００以上の誘電率を有する誘電体膜が得られ、サンプル２（１モル％Ｓｉ添加）では焼成温度を６５０℃以上とした場合に１０００以上の誘電率を有する誘電体膜が得られたことを示している。
【００５５】
【表１】
2005191153.tif 000003
【００５６】
表１に示すように、Ｓｉ又はＧｅを添加することで、１０００以上の高誘電率を得られる焼成温度を低下させることができ、これらの添加元素が焼成時に触媒として作用し、ビスマス層状化合物の結晶性を向上させることが確認された。従って本発明に係る製造方法では、Ｓｉを添加することで４５０℃の低温焼成条件でも高誘電率の誘電体膜を得られ、Ｇｅを添加すれば５５０℃の低温焼成条件で高誘電率の誘電体膜を得ることができる。そして、このような低温焼成が可能とされたことで、基材上に既設の半導体素子や配線等への影響を少なくでき、高歩留まりにてキャパシタを備えた半導体装置を製造することが可能になる。またキャパシタを備える半導体装置の設計自由度を高め、半導体装置の高集積化、高性能化にも寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明のキャパシタの一実施形態を示す側断面図。
【図２】図２は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す側断面図。
【図３】図３は、実施形態に係るキャパシタの製造工程を示す側断面図。
【符号の説明】
【００５８】
１、１ａ、１ｂ…キャパシタ、２…第１電極、３…誘電体膜、４…第２電極、５０…半導体装置、５１…基板、５２…層間絶縁膜、５３…基体、２Ａ…第１導電膜、３Ａ…金属酸化物膜、４Ａ…第２導電膜
【図１】
2005191153.tif 000004
【図２】
2005191153.tif 000005
【図３】
2005191153.tif 000006