(57)【要約】【課題】放射状に延伸されたリード電極と突出電極との間のクリアランスを増加させる。【解決手段】千鳥配列された内側の突出電極４２ａの配列に対して、外側の突出電極４２ｂ´を片寄らせて配列し、外側の突出電極４２ｂ´の位置を突出電極４２ｂ´´の位置にずらすとともに、突出電極４２ａ、４２ｂの接合面を正方形とする。【選択図】      図６
2005005306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップにストレート状に配列され、接合面が正方形または円形の突出電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップに千鳥配列され、一方の列の配列に対して他方の列が片寄って配列された突出電極を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記突出電極の接合面は正方形または円形であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
放射状に延伸されたリード電極が形成された回路基板と、
前記回路基板上に実装された半導体チップと、
隣接するリード電極から遠ざかる方向にずらして前記半導体チップに配置された突出電極とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
前記リード電極の傾きに基づいて前記突出電極のずれ量が調整されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
放射状に延伸されたリード電極が形成された回路基板と、
前記回路基板上に実装された電子部品と、
隣接するリード電極から遠ざかる方向にずらして前記電子部品に配置された接続端子とを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
放射状に延伸されたリード電極が形成された回路基板と、
前記回路基板上に実装された半導体チップと、
隣接するリード電極から遠ざかる方向にずらして前記半導体チップに配置された突出電極と、
前記リード電極を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
半導体チップに設けられた突出電極が放射状に延伸されたリード電極上に配置されるように、前記半導体チップの位置決めを行う工程と、
前記突出電極を前記リード電極に接合することにより、前記リード電極が形成された回路基板上に前記半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置、半導体モジュール、電子デバイス、電子機器および半導体モジュールの製造方法に関し、特に、放射状に延伸されたリード電極が用いられる場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、例えば、特許文献１に開示されているように、フィルム基板上に形成されたリード電極上に突出電極を接合することにより、半導体チップをフィルム基板上に実装する方法がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−３３５６９２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置では、突出電極は半導体チップに等間隔で配置される。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合には、突出電極が隣のリード電極に接近し、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスの確保が困難になるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、放射状に延伸されたリード電極と突出電極との間のクリアランスを増加させることが可能な半導体装置、半導体モジュール、電子デバイス、電子機器および半導体モジュールの製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体チップと、前記半導体チップにストレート状に配列され、接合面が正方形または円形の突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極が長方形の場合に比べ、斜めに延伸された隣のリード電極から突出電極を遠ざけることが可能となる。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極と突出電極との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体チップと、前記半導体チップに千鳥配列され、一方の列の配列に対して他方の列が片寄って配列された突出電極を備えることを特徴とする。
これにより、リード電極が斜め方向に延伸されている場合においても、突出電極が隣のリード電極に接触しないように、突出電極の位置を調整することが可能となる。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極の狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極と突出電極との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記突出電極の接合面は正方形または円形であることを特徴とする。
これにより、突出電極が長方形の場合に比べ、斜めに延伸された隣のリード電極から突出電極を遠ざけることが可能となる。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスをより一層増加させることが可能となり、リード電極の狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極と突出電極との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、放射状に延伸されたリード電極が形成された回路基板と、前記回路基板上に実装された半導体チップと、隣接するリード電極から遠ざかる方向にずらして前記半導体チップに配置された突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、リード電極が斜め方向に延伸されている場合においても、突出電極が隣のリード電極に接触しないように、突出電極の位置を調整することが可能となる。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極と突出電極との位置合わせを容易に行うことが可能となる。この結果、回路基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極の配列ピッチが変化した場合においても、リード電極の狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極と突出電極とを精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、前記リード電極の傾きに基づいて前記突出電極のずれ量が調整されていることを特徴とする。
これにより、リード電極の延伸方向が異なる場合においても、突出電極が隣のリード電極に近づき過ぎないように、突出電極の位置を調整することが可能となる。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極の配列ピッチの変化に対応しつつ、リード電極と突出電極との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る電子デバイスによれば、放射状に延伸されたリード電極が形成された回路基板と、前記回路基板上に実装された電子部品と、隣接するリード電極から遠ざかる方向にずらして前記電子部品に配置された接続端子とを備えることを特徴とする。
これにより、リード電極が斜め方向に延伸されている場合においても、接続端子が隣のリード電極に接触しないように、接続端子の位置を調整することが可能となる。このため、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、接続端子と隣のリード電極との間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極と接続端子との位置合わせを容易に行うことが可能となる。この結果、回路基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極の配列ピッチが変化した場合においても、リード電極の狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極と接続端子とを精度よく接合させることが可能となり、電子デバイスの小型・軽量化を図りつつ、電子デバイスの信頼性を向上させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、放射状に延伸されたリード電極が形成された回路基板と、前記回路基板上に実装された半導体チップと、隣接するリード電極から遠ざかる方向にずらして前記半導体チップに配置された突出電極と、前記リード電極を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、リード電極が放射状に延伸されている場合においても、突出電極と隣のリード電極との間のクリアランスを増加させることが可能となる。このため、リード電極の配列ピッチの変化に対応しつつ、リード電極と突出電極との位置合わせを容易に行うことが可能となり、電子機器の小型・軽量化を図りつつ、電子機器の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールの製造方法によれば、半導体チップに設けられた突出電極が放射状に延伸されたリード電極上に配置されるように、前記半導体チップの位置決めを行う工程と、前記突出電極を前記リード電極に接合することにより、前記リード電極が形成された回路基板上に前記半導体チップを実装する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、回路基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極の配列ピッチが変化した場合においても、突出電極が隣のリード電極と接触することを防止しつつ、リード電極と突出電極とを精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る放射状に延伸されたリード電極の構成を示す平面図である。
【００１７】
図１において、フィルム基板１上には、半導体チップ搭載領域４が設けられるととともに、半導体チップ搭載領域４にかかるようにリード電極２、３が形成されている。ここで、半導体チップ搭載領域４の一端にかかるリード電極２は、点Ｐ１を中心としてフィルム基板１上で放射状に延伸され、半導体チップ搭載領域４の他端にかかるリード電極３は、点Ｐ２を中心としてフィルム基板１上で放射状に延伸されている。
【００１８】
そして、放射状に延伸されるようにリード電極２、３をフィルム基板１上に形成することにより、フィルム基板１が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極２、３の配列ピッチが変化した場合においても、リード電極２、３との位置合わせ精度を向上させることが可能となる。
図２は、図１のリード電極２、３が形成されたフィルム基板１上への半導体チップ５の配置方法を示す平面図である。
【００１９】
図２において、図１のフィルム基板１にはリード電極３ａ〜３ｅが形成され、リード電極３ａ〜３ｅは、図１の点Ｐ２を中心としてフィルム基板１上で放射状に延伸されているものとする。また、半導体チップ５には、突出電極６ａ〜６ｅが、フィルム基板１のリード電極３ａ〜３ｅの配列ピッチに対応して設けられているものとする。そして、フィルム基板１に膨張・収縮が発生しない場合は、リード電極３ａ〜３ｅの配列ピッチにも変化がない。このため、突出電極６ａ〜６ｅがリード電極３ａ〜３ｅ上にそれぞれ配置されるように半導体チップ５を位置合わせすることで、半導体チップ５をフィルム基板１上に実装することができる。
【００２０】
一方、熱や吸湿などに起因してフィルム基板１が膨張したものとすると、リード電極３ａ〜３ｅの配列ピッチが変化し、リード電極３ａ〜３ｅの位置がリード電極３ａ´〜３ｅ´の位置にずれる。ここで、リード電極３ａ〜３ｅは放射状に延伸されているので、フィルム基板１が膨張した場合においても、リード電極３ａ´〜３ｅ´は、図１の点Ｐ２を中心としてフィルム基板１上で放射状に延伸された状態が維持される。
【００２１】
そして、リード電極３ａ〜３ｅの位置がリード電極３ａ´〜３ｅ´の位置にずれた場合、リード電極３ａ´〜３ｅ´の延伸方向に沿って半導体チップ５の位置をずらす。そして、リード電極３ａ´〜３ｅ´は放射状に延伸されているので、リード電極３ａ´〜３ｅ´の延伸方向に沿って半導体チップ５の位置をずらすことにより、突出電極６ａ〜６ｅがリード電極３ａ´〜３ｅ´上にそれぞれ配置されるように半導体チップ５を位置合わせすることができ、半導体チップ５をフィルム基板１上に実装することができる。
【００２２】
ここで、リード電極３ａ〜３ｅをフィルム基板１上で放射状に延伸させると、突出電極６ｃに隣接するリード電極３ｂ、３ｄは、突出電極６ｃに近づくように配置され、突出電極６ｂに隣接するリード電極３ａは、突出電極６ｂに近づくように配置され、突出電極６ｄに隣接するリード電極３ｅは、突出電極６ｂに近づくように配置される。このため、例えば、リード電極３ａから遠ざかるように突出電極６ｂを配置し、リード電極３ｅから遠ざかるように突出電極６ｄを配置するようにしてもよい。具体的には、突出電極６ｂ、６ｄを突出電極６ｃの方向にずらして配置することができる。
【００２３】
これにより、リード電極３ａ〜３ｅが斜め方向に延伸されている場合においても、突出電極６ａ〜６ｅが隣のリード電極３ａ〜３ｅに接触しないように、突出電極６ａ〜６ｅの位置を調整することが可能となる。このため、リード電極３ａ〜３ｅが放射状に延伸されている場合においても、突出電極６ａ〜６ｅと隣のリード電極３ａ〜３ｅとの間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極３ａ〜３ｅと突出電極６ａ〜６ｅとの位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【００２４】
この結果、フィルム基板１が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極３ａ〜３ｅの配列ピッチが変化した場合においても、リード電極３ａ〜３ｅの狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極３ａ〜３ｅと突出電極６ａ〜６ｅとをそれぞれ精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００２５】
また、リード電極３ａ〜３ｅをフィルム基板１上で放射状に延伸させると、突出電極６ａ〜６ｅにそれぞれ隣接するリード電極３ａ〜３ｅの傾き量が異なる。このため、突出電極６ａ〜６ｅと隣のリード電極３ａ〜３ｅとの間の間隔が増大するように、リード電極３ａ〜３ｅの傾きに基づいて突出電極６ａ〜６ｅのずれ量をそれぞれ調整するようにしてもよい。
【００２６】
なお、図１の実施形態では、リード電極２、３をフィルム基板１に形成する方法について説明したが、フィルム基板１の他、例えば、プリント基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板、ガラス基板などを用いるようにしてもよい。また、リード電極２、３が形成される基板の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、突出電極６ａ〜６ｅとしては、例えば、Ａｕバンプ、Ａｕ／Ｎｉバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。また、リード電極２、３としては、例えば、銅Ｃｕ、鉄Ｆｅ、金Ａｕ、銀Ａｇ、半田材で被覆された銅Ｃｕ、金Ａｕで被覆された銅Ｃｕなどを用いることができる。
【００２７】
また、突出電極６ａ〜６ｅをリード電極３ａ〜３ｅに接合する場合、例えば、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよく、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などの圧接接合を用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、突出電極６ａ〜６ｅをストレート配列する方法について説明したが、例えば、突出電極６ａ〜６ｅを千鳥状配列するようにしてもよい。
【００２８】
また、上述した実施形態では、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）を例にとって説明したが、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）、ＴＣＭ（テープ・キャリア・モジュール）などに適用するようにしてもよい。
図３は、本発明の第２実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図である。
【００２９】
図３において、半導体チップ１１には、突出電極１２がストレート状に配列され、フィルム基板には、放射状に延伸されたリード電極１３が形成されている。そして、突出電極１２をリード電極１３上に接合させることにより、半導体チップ１１をフィルム基板上に実装することができる。
ここで、突出電極１２の接合面は正方形とすることができる。そして、長方形の突出電極１２´の場合、突出電極１２´と隣のリード電極１３との距離がＤ１となるのに対し、正方形の突出電極１２の場合、突出電極１２と隣のリード電極１３との距離がＤ２となり、斜めに延伸された隣のリード電極１３から突出電極１２を遠ざけることが可能となる。
【００３０】
このため、リード電極１３が放射状に延伸されている場合においても、突出電極１２と隣のリード電極１３との間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極１３と突出電極１２との位置合わせを容易に行うことが可能となる。この結果、フィルム基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極１３の配列ピッチが変化した場合においても、リード電極１３の狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極１３と突出電極１２とを精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００３１】
図４は、本発明の第３実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図である。
図４において、半導体チップ２１には、突出電極２２がストレート状に配列され、フィルム基板には、放射状に延伸されたリード電極２３が形成されている。そして、突出電極２２をリード電極２３上に接合させることにより、半導体チップ２１をフィルム基板上に実装することができる。ここで、突出電極２２の接合面は円形とすることができる。
【００３２】
そして、長方形の突出電極２２´の場合、突出電極２２´と隣のリード電極２３との距離がＤ１１、正方形の突出電極２２´´の場合、突出電極２２´´と隣のリード電極２３との距離がＤ１２となるのに対し、円形の突出電極２２の場合、突出電極２２と隣のリード電極２３との距離がＤ１３となり、斜めに延伸された隣のリード電極２３から突出電極２２をより一層遠ざけることが可能となる。
【００３３】
このため、リード電極２３が放射状に延伸されている場合においても、突出電極２２と隣のリード電極２３との間のクリアランスをより一層増加させることが可能となり、リード電極２３と突出電極２２との位置合わせをより一層容易に行うことが可能となる。この結果、フィルム基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極２３の配列ピッチが変化した場合においても、リード電極２３の狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極２３と突出電極２２とを精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性をより一層向上させることが可能となる。
【００３４】
図５は、本発明の第４実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図である。
図５において、半導体チップ３１には、突出電極３２ａ、３２ｂが千鳥状に配列され、フィルム基板には、放射状に延伸されたリード電極３３ａ、３３ｂが形成されている。そして、突出電極３２ａ、３２ｂをリード電極３３ａ、３３ｂ上にそれぞれ接合させることにより、半導体チップ３１をフィルム基板上に実装することができる。
【００３５】
ここで、リード電極３３ａ、３３ｂが放射状に延伸されている場合、内側の突出電極３２ａの間に外側の突出電極３２ｂ´を等間隔に配列すると、内側の突出電極３２ａに接合されるリード電極３３ａが外側の突出電極３２ｂ´に接近し、内側の突出電極３２ａに接合されるリード電極３３ａと外側の突出電極３２ｂ´との距離がＤ２１となる。
【００３６】
このため、内側の突出電極３２ａの配列に対して、外側の突出電極３２ｂ´を片寄らせて配列し、外側の突出電極３２ｂ´の位置を突出電極３２ｂの位置にずらすことにより、内側の突出電極３２ａに接合されるリード電極３３ａから外側の突出電極３２ｂを遠ざけることが可能となり、内側の突出電極３２ａに接合されるリード電極３３ａと外側の突出電極３２ｂとの距離をＤ２２とすることができる。
【００３７】
これにより、リード電極３３ａ、３３ｂが放射状に延伸されている場合においても、突出電極３２ａ、３２ｂと隣のリード電極３３ａ、３３ｂとの間のクリアランスを増加させることが可能となり、リード電極３３ａ、３３ｂと突出電極３２ａ、３２ｂとの位置合わせを容易に行うことが可能となる。この結果、フィルム基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極３３ａ、３３ｂの配列ピッチが変化した場合においても、リード電極３３ａ、３３ｂの狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極３３ａ、３３ｂと突出電極３２ａ、３２ｂとを精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００３８】
なお、リード電極３３ａ、３３ｂをフィルム基板上で放射状に延伸させると、突出電極３２ａ、３２ｂにそれぞれ隣接するリード電極３３ａ、３３ｂの傾き量が異なるため、リード電極３３ａ、３３ｂの傾きに基づいて突出電極３２ａ、３２ｂのずれ量をそれぞれ調整するようにしてもよい。
図６は、本発明の第５実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図である。
【００３９】
図６において、半導体チップ４１には、接合面が正方形の突出電極４２ａ、４２ｂが千鳥状に配列され、フィルム基板には、放射状に延伸されたリード電極４３ａ、４３ｂが形成されている。そして、突出電極４２ａ、４２ｂをリード電極４３ａ、４３ｂ上にそれぞれ接合させることにより、半導体チップ４１をフィルム基板上に実装することができる。
【００４０】
ここで、リード電極４３ａ、４３ｂが放射状に延伸されている場合、内側の突出電極４２ａの間に外側の突出電極４２ｂ´を等間隔に配列すると、内側の突出電極４２ａに接合されるリード電極４３ａが外側の突出電極４２ｂ´に接近し、内側の突出電極４２ａに接合されるリード電極４３ａと外側の突出電極４２ｂ´との距離がＤ３１となる。
【００４１】
このため、内側の突出電極４２ａの配列に対して、外側の突出電極４２ｂ´を片寄らせて配列し、外側の突出電極４２ｂ´の位置を突出電極４２ｂ´´の位置にずらすことにより、内側の突出電極４２ａに接合されるリード電極４３ａから外側の突出電極４２ｂ´´を遠ざけることが可能となり、内側の突出電極４２ａに接合されるリード電極４３ａと外側の突出電極４２ｂ´´との距離をＤ３２とすることができる。
【００４２】
また、長方形の突出電極４２ｂ´´の場合、突出電極４２ｂ´´と隣のリード電極４３ａとの距離がＤ３２となるのに対し、正方形の突出電極４２ｂの場合、突出電極４２ｂと隣のリード電極４３ａとの距離がＤ３３となり、斜めに延伸された隣のリード電極４３ａから突出電極４２ｂをより一層遠ざけることが可能となる。
【００４３】
これにより、リード電極４３ａ、４３ｂが放射状に延伸されている場合においても、突出電極４２ａ、４２ｂと隣のリード電極４３ａ、４３ｂとの間のクリアランスをより一層増加させることが可能となり、リード電極４３ａ、４３ｂと突出電極４２ａ、４２ｂとの位置合わせを容易に行うことが可能となる。この結果、フィルム基板が熱や吸湿などに起因して膨張・収縮し、リード電極４３ａ、４３ｂの配列ピッチが変化した場合においても、リード電極４３ａ、４３ｂの狭ピッチ化に対応しつつ、リード電極４３ａ、４３ｂと突出電極４２ａ、４２ｂとを精度よく接合させることが可能となり、半導体モジュールの小型・軽量化を図りつつ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００４４】
なお、リード電極４３ａ、４３ｂをフィルム基板上で放射状に延伸させると、突出電極４２ａ、４２ｂにそれぞれ隣接するリード電極４３ａ、４３ｂの傾き量が異なるため、リード電極４３ａ、４３ｂの傾きに基づいて突出電極４２ａ、４２ｂのずれ量をそれぞれ調整するようにしてもよい。
また、図６の実施形態では、突出電極４２ａ、４２ｂの接合面を正方形にする方法について説明したが、突出電極４２ａ、４２ｂの接合面を円形にするようにしてもよい。これにより、突出電極４２ａ、４２ｂと隣のリード電極４３ａ、４３ｂとの間のクリアランスをより一層増加させることが可能となり、リード電極４３ａ、４３ｂと突出電極４２ａ、４２ｂとの位置合わせをより一層容易に行うことが可能となる。
【００４５】
なお、上述した半導体装置は、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、半導体チップを回路基板上に実装する方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップを実装する方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などを実装するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】放射状に延伸されたリード電極の構成を示す平面図。
【図２】半導体チップの配置方法を示す平面図。
【図３】第２実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図。
【図４】第３実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図。
【図５】第４実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図。
【図６】第５実施形態に係る突出電極の構成を示す平面図。
【符号の説明】
１  フィルム基板、２、３、３ａ〜３ｅ、３ａ´〜３ｅ´、１３、２３、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ  リード電極、４  半導体チップ搭載領域、５、１１、２１、３１、４１  半導体チップ、６ａ〜６ｅ、１２、１２´、２２、２２´、２２´´、３２ａ、３２ａ、３２ａ´、４２ａ、４２ａ、４２ａ´  突出電極
【図１】
2005005306.tif 000003
【図２】
2005005306.tif 000004
【図３】
2005005306.tif 000005
【図４】
2005005306.tif 000006
【図５】
2005005306.tif 000007
【図６】
2005005306.tif 000008