(57)【要約】  【課題】  検査対象物を撮像し、欠陥を含んだ画像を出力するとともに、欠陥部位を抽出し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較して欠陥分類情報を出力する欠陥検査分類装置において、とくに基板上における塵埃の付着か傷かの区別が容易につき、あるいはまたリペアのためのレーザ照射量を確実に予測することが可能な欠陥検査分類装置を提供する。  【解決手段】  検査対象物１２を対物レンズ１４およびイメージセンサ１５によって撮像し、欠陥を含んだ検出画像１６を出力し、欠陥部位を抽出し、特徴情報を数値化し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較して欠陥分類コード２５を出力する欠陥検査分類装置において、とくに欠陥対象の高さ情報あるいは３次元情報を計測して取得できる共焦点型光学系１８、１９ｂ、２０、２１を設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物を撮像し、欠陥を含んだ画像を出力するとともに、欠陥部位を抽出し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較し、欠陥分類情報を出力する欠陥検査分類装置において、
検査対象物の３次元情報を出力する光学系を設けたことを特徴とする欠陥検査分類装置。
【請求項２】
抽出された欠陥部位の特徴情報を数値化してデータベースと比較することを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査分類装置。
【請求項３】
検査対象の３次元情報を出力する光学系が欠陥対象の高さ情報を計測して出力することを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査分類装置。
【請求項４】
検査対象の３次元情報を出力する光学系が、走査型共焦点顕微鏡であることを特徴とする請求項１の記載の欠陥検査分類装置。
【請求項５】
検査対象の３次元情報を出力する光学系が、撮像手段をＺ軸方向に微小距離ずつ移動させながら該撮像手段によって対象物の撮像を行なって各撮像画面に基いて画像処理によりフォーカス値を計算し、フォーカス値の波形からフォーカス位置を検出することにより対象物の高さを測定することを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査分類装置。
【請求項６】
特定の分類情報の欠陥についてのみ欠陥の高さ情報を計測できる機能を有し、その３次元情報または高さ情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査分類装置。
【請求項７】
検査対象物が半導体ウエーハであることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査分類装置。
【請求項８】
検査対象物が液晶ＴＦＴ基板であることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査分類装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は欠陥検査分類装置に係り、とくに検査対象物を撮像し、欠陥を含んだ画像を出力するとともに、欠陥部位を抽出し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較し、欠陥分類情報を出力する欠陥検査分類装置であって、半導体ウエーハや液晶ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  薄膜トランジスタ）基板等の欠陥の検査分類を行なうのに用いて好適な欠陥検査分類装置（レビューステーション）に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶ＴＦＴ基板は、ウエーハやガラス基板に微細なパターンを形成することによってそれぞれ製作される。このようなパターンを形成するときに、それらの上に塵埃等が付着することによって、パターン同士のショート、パターンなしのオープン不良や、塵埃付着のまま上に絶縁膜を形成して上層パターンと下層パターンのショートが発生し、デバイスが不良になる。このようなデバイスの不良は歩留りを低下させる原因になる。
【０００３】
従って製造ラインの歩留りを高い水準で安定させるためには、塵埃やそれによって発生したパターン不良を早期に発見し、その原因を突止め、製造設備や製造プロセスに対して有効な対策を講ずることが好ましい。一般にウエーハや液晶ＴＦＴ基板の全面を検査して欠陥を発見する欠陥検査機と、その欠陥の位置情報を元に欠陥を拡大して撮像し、より詳細な欠陥情報を表示し、さらに欠陥の特徴からその種類別に分類する欠陥検査分類装置（レビューステーション）が知られている。
【０００４】
従来のレビューステーションは、例えば特開２００３−２３３８０１号公報に示される。この装置は図９に示すように、搬送ステージ１上に検査対象物としての半導体ウエーハや液晶ＴＦＴ基板を載置している。この検査対象物２の欠陥位置は、予め欠陥検査機によって検査して判明している。
【０００５】
このように予め欠陥位置が分っている検査対象物を搬送ステージ１によって対物レンズ４の真下の位置に欠陥位置が移動される。光源３、ハーフミラー３ａ、イメージセンサ５等で構成された検出系によって欠陥画像が撮像されて検出画像６が得られる。そしてこのような検出画像６はメモリ画像７として格納保存される。そしてこの画像を画像処理回路８で画像処理し、欠陥の分類コード９と欠陥のレビュー画像１０とが出力される。
【０００６】
このような従来のレビューステーションの処理フローは図１０に示されるようになっている。すなわち撮像された欠陥画像は、欠陥部のみが抽出され、特徴量を抽出して数値化される。そしてデータベースによって予め登録してある欠陥種別の分類コード別の特徴量のデータと比較する。今回の欠陥の分類コードが決定し、出力される。同時に欠陥のレビュー画像が出力される。
【０００７】
また図９に示す従来のレビューステーションの生産プロセスにおける適用例の一例は図１１に示される。あるプロセス１の処理後に、基板は欠陥検査で欠陥総数や基板上の欠陥位置をマクロ的にプロットしたＭＡＰを元に欠陥改善対策が行なわれる。さらにレビューステーションによる欠陥レビュー／ＡＤＣ（Ａｕｔｏ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ）により、欠陥の種類や詳細な欠陥画像、すなわち２次元レビュー画像がフィードバックされ、これらの情報を元により的確な改善を行なうことが可能になる。
【０００８】
このように、従来のレビューステーションによる欠陥レビー／ＡＤＣは、欠陥発生工程の特定や原因の特定、あるいは欠陥改善対策に有効であるが、レビュー画像が図９の光学系で得られる２次元の平面画像であって、高さ情報をもっていない。従って次のような問題がある。
【０００９】
まず欠陥、とくに塵埃に見えるものが実は基板の表面に付着しているものか、基板表面から削られた傷になっているものかの区別がつかない。表面に付着した塵埃は次工程が洗浄等の場合には、この工程で取除かれる可能性が高く、このために不良の原因とはならない。このような不良はノンキラー欠陥と呼ばれる。しかし、傷になっている欠陥は、洗浄してもとれず、不良の原因になり易い。このような不良の原因になる欠陥をキラー欠陥と称する。
【００１０】
上述のように高さ情報を含んでいないために、欠陥が塵埃か傷かの区別がつき難いために、その発生工程における原因を特定し難い場合が生ずる。
【００１１】
また液晶ＴＦＴ基板等で、金属配線のショート不良をレーザで蒸発除去させるリペア処理を行なう場合に、蒸発除去させたい金属の容積が正確に把握できず、レーザ照射量が不正確になり、リペア成功率が低下する。絶縁膜中の異物欠陥をレーザで蒸発除去する場合にも同様であって、蒸発除去させたい異物欠陥の容積が正確に分らず、リペア率が低下する問題がある。
【特許文献１】特開２００３−２３３８０１号公報
【特許文献２】特開２００２−３９９６３号公報
【特許文献３】特開平４−５０６４２号公報
【特許文献４】特開平２−８２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本願発明の課題は、上述のような従来の問題点を解消した欠陥検査分類装置を提供することである。
【００１３】
本願発明の別の課題は、３次元情報を含むレビュー画像を用いて欠陥分類情報を出力することができる欠陥検査分類装置を提供することである。
【００１４】
本願発明のさらに別の課題は、検査対象物あるいは欠陥の高さ情報を含む特徴情報を用いて欠陥分類情報を出力する欠陥検査分類装置を提供することである。
【００１５】
本願発明の別の課題は、基板の表面に付着したものか基板に生じた傷なのかを区別することが可能な欠陥検査分類装置を提供することである。
【００１６】
本願発明のさらに別の課題は、リペア処理を行なう際における金属の容積を正確に把握してレーザ照射を正確に行なうことが可能な欠陥検査分類装置を提供することである。
【００１７】
本願発明の上記の課題および別の課題は、以下に述べる発明の技術思想および実施の形態によって明らかにされよう。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本願発明の課題は、検査対象物を撮像し、欠陥を含んだ画像を出力するとともに、欠陥部位を抽出し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較し、欠陥分類情報を出力する欠陥検査分類装置において、
検査対象物の３次元情報を出力する光学系を設けたことを特徴とする欠陥検査分類装置に関するものである。
【００１９】
ここで抽出された欠陥部位の特徴情報を数値化してデータベースと比較してよい。また検査対象の３次元情報を出力する光学系が欠陥対象の高さ情報を計測して出力するものであってよい。また検査対象の３次元情報を出力する光学系が、走査型共焦点顕微鏡であってよい。また検査対象の３次元情報を出力する光学系が、撮像手段をＺ軸方向に微小距離ずつ移動させながら該撮像手段によって対象物の撮像を行なって各撮像画面に基いて画像処理によりフォーカス値を計算し、フォーカス値の波形からフォーカス位置を検出することにより対象物の高さを測定してよい。また特定の分類情報の欠陥についてのみ欠陥の高さ情報を計測できる機能を有し、その３次元情報または高さ情報を取得してよい。また検査対象物が半導体ウエーハであってよい。また検査対象物が液晶ＴＦＴ基板であってよい。
【００２０】
本願発明の好ましい態様は、検査対象物を撮像し、欠陥を含んだ画像（レビュー画像）を出力するとともに、欠陥部位を抽出し、特徴情報を数値化し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較し、欠陥分類コードを出力する欠陥検査分類装置（レビューステーション）において、欠陥対象の高さ情報を計測できる光学系を組込んだ欠陥検査分類装置である。ここでとくに特定の分類コードの欠陥についてのみ、欠陥の高さ情報を計測できる機能をもち、任意の欠陥についてのみ、その高さ情報および３次元画像（立体レビュー画像）を取得できるようにすることが好適である。
【００２１】
このような態様によれば、欠陥レビュー時に高さ情報まで得られるために、基板上の塵埃と傷の区別が容易につけられる。従来であれば、レビューステーションの後ＳＥＭ（走査型顕微鏡）等を使って行なっていた欠陥解析の一部を実現できる。これによって、キラー欠陥とノンキラー欠陥の明確化、および欠陥発生工程への改善スピードアップ等、歩留り維持向上に貢献できる。
【００２２】
またＡＤＣによる欠陥分類において、欠陥の高さ情報も特徴量に追加して数値化できるために、欠陥分類率が向上する。さらに液晶ＴＦＴ基板等では、高さ情報が分るために、リペア（ザッピング）領域と容積が正確に分り、必要なレーザ照射量を明確にでき、リペア率は向上する。
【発明の効果】
【００２３】
本願の主要な発明は、検査対象物を撮像し、欠陥を含んだ画像を出力するとともに、欠陥部位を抽出し、同様の特徴情報でグループ化されたデータベースと比較し、欠陥分類情報を出力する欠陥検査分類装置において、検査対象物の３次元情報を出力する光学系を設けたものである。
【００２４】
従ってとくに検査対象物の３次元情報を出力する光学系によって検査対象物あるいは欠陥の３次元情報や高さを知ることができ、基板上に塵埃等が付着したのか傷がついているのかを確実に区別できる。またリペア処理を行なうためのレーザ照射量を正確に把握することによって、リペア率を改善することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下本願発明を図示の実施の形態によって説明する。図１は本実施の形態の欠陥検査分類装置の全体の構成を示すものであって、この装置は搬送ステージ１１を備えている。搬送ステージ１１はその上に載置される対象物基板１２をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させて位置決めするものである。そしてこの搬送ステージ１２上には光源１３、ハーフミラー１３ａ、対物レンズ１４、ハーフミラー１９、イメージセンサ１５から成る光学系が設けられている。上記イメージセンサ１５は検出画像１６を出力するとともに、この検出画像１６を蓄えてメモリ画像１７にする。そしてメモリ画像１４は画像処理回路２２によって画像処理される。
【００２６】
さらにこの検査装置は、３次元の情報を取得するための光学系を備えている。この光学系はレーザ光源１８、ハーフミラー１９ａ、ピンホール板２０、受光素子２１を備えている。
【００２７】
次に以上の構成に係る検査装置の動作の概要を説明する。搬送ステージ１１上に検査対象物１２、例えば半導体ウエーハや液晶ＴＦＴ基板を載置しておく。この検査対象物１２の欠陥位置は、欠陥検査機によって予め検査されて既知である。そして搬送ステージ１１によって検査対象物１２の欠陥位置を対物レンズ１４の下まで移動させる。そして光源１３、ハーフミラー１３ａ、対物レンズ１４、イメージセンサ１５等で構成された検出系によって欠陥画像が撮像されて検出画像１６が得られる。この検出画像がメモリ画像１７に格納保存される。
【００２８】
さらにここでは欠陥の高さ情報を測定するための共焦点光学系が追加されている。すなわちレーザ光源１８、ハーフミラー１９ｂ、ピンホール板２０、受光素子２１を備えている。これらの共焦点光学系によって、対物レンズ１４を移動させてそれぞれのフォーカス位置で撮像した画像を画像処理回路２２で合成し、欠陥の３次元レビュー画像２３を出力することができる。また従来のレビューステーション機能をも有しており、画像処理回路２２の処理によって、欠陥の分類コード２５と欠陥の２次元レビュー画像２４とが出力される。
【００２９】
図２はこのようなレビューステーションの処理の工程を示している。すなわち対物レンズ１４を含む欠陥画像撮像装置によって画像を得、ＡＤＣの処理を行なって分類コードを決定する。そしてこのときに分類コードが３次元計測コードかどうかの判断を行なうとともに、３次元計測コードでない場合には２次元の平面レビュー画像２４を出力する。これに対して３次元の計測コードである場合には、欠陥の高さ計測を共焦点光学系を用いて計測し、３次元レビュー画像２３を出力し、さらに必要に応じて高さ情報の追加出力を行なう。
【００３０】
次に図１に示すレビューステーションの特徴である３次元情報の取得の原理についてとくに図３により説明する。この原理は走査型共焦点顕微鏡の原理を用いるものであって、点光源１８によって対象物基板１２の欠陥位置を点状に照明し、照明された試料からの透過光または反射光を再び点状に結像させて、ピンホール２０ａを有するピンホール板２０を備える検出器２１で像の濃淡情報を得るものである。
【００３１】
点光源を構成するレーザ光源１８から出たレーザはハーフミラー１９ｂを透過し、ハーフミラー１９ａの反射面で反射され、収差の良く補正された対物レンズ１４によって対物基板１２の所定の位置に点として結像され、この基板１２の表面を照明する。そして基板１２の表面で反射した光は再び対物レンズ１４を通ってハーフミラー１９ａおよび１９ｂで反射されて集光する。そしてこの集光位置にピンホール２０ａを有するピンホール板２０が配置され、ここを通った光が受光素子２１で検出される。そして対象物基板１２をその平面方向であって２次元に走査することによって、対物基板１２の２次元画像が得られる。
【００３２】
いま対物レンズ１４に対する対象物基板１２の位置が鎖線で示す位置であって、対物レンズ１４の焦点位置から下方にずれた位置にある場合には、この対象物基板１２の反射光はピンホール板２０上には集光しない。従ってピンホール２０ａを通過することができず、受光素子２１は検出動作を行なわない。すなわちこのような光学系では、対物レンズ１４の集光位置、すなわち合焦位置のみの画像を得ることが可能になる。
【００３３】
従って表面の形状が局部的に凹凸を有し高さ方向に異なる試料である場合には、対物レンズ１４の合焦位置から外れた面はぼけてしまう。従って対象物基板１２の凹凸の互いに高さの異なる部位の合焦した画像を得ることが不可能である。しかしながら共焦点光学系をもつ場合には、ある高さにピントを合わせた画像を画像メモリ４１に保存し、この後対物レンズ１４の高さ調整を行なうことによって、異なる高さの画像を足し合わせることにより、全面に合焦した画像が得られる。実際には各画素について明るさの最大値を保持させればよい。
【００３４】
上述のような光学的特性を利用して試料の表面形状を測定することができる。すなわち試料を載せたステージ１１（図１参照）を光軸方向にＺ軸回路４０によって移動させながら各画素について最大強度となるときの対物レンズ１４と対象物基板１２との間の高さ方向の移動量を制御用コンピュータ４２のメモリに順次記憶させておく。
【００３５】
最大強度を検出するために、現在のステージ位置での光強度と、その前のステージ位置での強度とを比較する機能を備えている。ここで現在のステージ位置での光強度が１つ前のステージ位置での強度よりも大きい場合には、現在のステージ位置での光強度とステージの移動量がそれぞれコンピュータ４２のメモリに記憶される。そうでない場合は、１つ前のステージ位置での強度とステージの移動量が引き続き記憶される。以上のような方法によって、対象物基板１２を対物レンズ１４に対して相対的に光軸方向に移動させながら反射光の最大ピークを検出することによって、試料の高さ方向の情報が得られる。
【００３６】
別の３次元情報の取得のための構成は図４に示される。ここではフレーム３０上にステージ３１を配するとともに、このステージ３１上の対象物基板３２を、取付け台３３を介して取付けられるレール３４上のビデオカメラ３５によって撮像する。このときにビデオカメラ３５を高さ方向に微小量移動させながら画像の取込みを行なうことによって、コンピュータ４５で３次元画像を得るようになっている。
【００３７】
この動作を図５によって説明する。図示を省略した移動手段によってビデオカメラ３５の撮像における最初の位置、例えば最も基板３２から離れたデフォーカスとなるような位置にこのビデオカメラ３５を移動させる。次いでこのビデオカメラ３５がコンピュータ４５によって制御されることによって、基板３２の画像の取込みを行なう。この取込みの画像データは、コンピュータ４５のメモリ４７に入力される。
【００３８】
上記の画像の取込みを終了したならば、移動手段によって撮像用のビデオカメラ３５を微小距離だけＺ軸方向に移動させる。そしてビデオカメラ３５がその位置で対象物基板３２の画像の取込みを行なう。そしてこの画像の取込み時に、取得された画素が画像データの最終画素か否かを判断し、最終画素でない場合には、上記画像データを全フォーカス画像メモリ４８に記憶させ、さらに映像出力部を介してモニタの画面５２上に取込み画面を表示させるとともに、入力メモリ４７から画像データを読込んで各画素毎に、コンピュータ４５のフォーカス値演算部からフォーカス値を計算し、そのフォーカス値および高さ情報をフォーカス値メモリに記憶させて元のステップに戻る。
【００３９】
ここで上記の高さ情報は、対象物基板３２の高さ方向Ｚにおける位置情報、すなわち画像がピント領域となっている状態の基板３２からビデオカメラ３５までの高さである。
【００４０】
また取得された画像が画像データの最終画像である場合には、コンピュータ４５が画像取込みが終了していると判断した後に、次の画像を取込むために、移動手段を制御してビデオカメラをＺ方向に微小距離だけ対象物基板３２に向って移動させる。そして所定回数、例えばｎ回の画像の取込みを終了したかどうかを判断し、終了していない場合には再び上記の動作を繰返す。これによって対象物３２についてＺ軸方向に微小距離ずつビデオカメラ３５を移動させることにより、ｎ枚の画像が撮像される。その際に各画像は順次にモニタ５２の画面上に表示されることになり、基板３２に対するピント領域が徐々に移動するにつれて、所定の領域のみ焦点の合った実画像や、別の領域に焦点の合った画像が得られる。従ってｎ枚の何れかの実画像から焦点の合った領域のみを取出して、合成部４９で合成することによって、画面全体で焦点の合った合成画像を生成し、いわゆる全フォーカス法による撮像画面を得ることができる。これによって合成画像に基いて、対象物基板３２の形状検査が行なわれる。
【００４１】
所定回数の画像取込みが終了した場合には、最終画面の画素が画像データの最終画素であるか否かを判断する。そして最終画素でない場合には、入力メモリ４７から画像を読込んで、各画素毎にフォーカス値演算部によりフォーカス値を計算し、そのフォーカス値および高さ情報をフォーカスメモリ４８に記憶させる。
【００４２】
また取得された画素が画像データの最終画素である場合には、コンピュータ４５はフォーカス値メモリ４８に記憶されたｎ枚のフォーカス値および高さ情報に基いて、次に示すように、フォーカス値のＺ軸方向からのフォーカス位置を検出し、このフォーカス位置を対象物基板３２の高さとすることによって、対象物基板３２の高さの測定が完了する。
【００４３】
本実施の形態のフォーカス値のＺ軸方向からのフォーカス位置を検出する方法は図６に示される。このフローチャートにおいて、コンピュータ４５は各画素のフォーカス値に関して、その画像データの最終画素に関するフォーカス値であるか否かを判断し、最終画素でなければ、各画素毎に以下の処理を行なう。すなわち図７のＺ１からＺｎに関するフォーカス値の波形に対応して、ローパスフィルタによって波形のノイズを除去する（図７Ｂ参照）。
【００４４】
そしてコンピュータ４５はこの整形されたフォーカス値の波形について、前後の値から微分値を計算し、この微分値に基いてフォーカス値の波形の立上り（プラス方向の最大値）か否かを判断する。波形の立上り部には、立上りポイントとして記憶し、波形の立上りでない場合にはフォーカス値の波形の立下り（マイナス方向の最大値）か否かを判断する。
【００４５】
波形の立下りの場合には、コンピュータ４５は立下りポイントとして記憶し、波形の立上りでない場合にはコンピュータ４５は波形の最終データか否かを判断する。そして波形の最終データでなければ、フォーカス値について元の動作に戻って上述の動作を繰返す。これに対して波形の最終データである場合には、コンピュータ４５は、フォーカス値の波形の立上りポイントおよび立下りポイントに基いて、フォーカス位置であるジャストフォーカスポイントを演算し、これに対応する高さ情報値を入力メモリ４７から読込んで被写体３２の高さを決定する。
【００４６】
この場合にジャストフォーカスポイントの演算は、例えば立上りポイントおよひへ立下りポイントの中間位置をジャストフォーカスポイントとすることにより行なわれる。またジャストフォーカスポイントの演算は、他の方法によれば、予め高さの分っている数個の対象物上述の方法により計測して、立上りポイントおよび立下りポイントとの位置関係を求めておき、この位置関係に基いて高さ測定対象の立上りポイントおよび立下りポイントからジャストフォーカスポイントを求めるようにしてもよい。さらに被写体が１画素単位で大きく高さが異なることのない形状を有している場合には、ジャストフォーカスポイントの演算により求められた被写体の高さを、例えば対象画素と周辺画素における高さの中間値を採る処理であるいわゆるメディアンフィルタ等を使用することにより、１画素単位で大きく異なる高さを除去することにより、より正確な高さ測定が行なわれる。
【００４７】
このような３次元のレビュー画像を入手できるレビューステーションの生産プロセスの適用例は図８に示すようになる。所定のプロセス、例えばプロセス１の処理後に、この基板は欠陥検査で欠陥総数や基板上の欠陥位置をマクロ的にプロットしたＭＡＰを元に欠陥改善対策が行なわれる。さらに３次元レビューステーションによる欠陥レビュー／ＡＤＣによって、欠陥の種類や、詳細な３次元画像立体レビュー画像）が分り、より的確な発生原因の特定と改善が行ない得る。さらに３次元情報を積極的に用いて、この３次元情報に基く高さ情報によって、リペア（ザッピング）領域と容積が的確に分り、必要なレーザ照射量を明確にでき、液晶ＴＦＴ基板のパターン不良のリペア処理が的確に実現されることになる。
【００４８】
以上本願発明を図示の実施の形態によって説明したが、本願発明は上記実施の形態によって限定されることなく、本願発明の技術的思想の範囲内において各種の変更が可能である。例えば上記実施の形態は、半導体ウエーハや液晶ＴＦＴ基板の検査装置に関するものであるが、本願発明はその他各種の検査対象物の検査に広く適用可能であって、上述の対象物に限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本願発明は、半導体ウエーハや液晶ＴＦＴ基板等の欠陥の検査分類に広く利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】一実施の形態に係る欠陥検査装置の全体の構成を示すブロック図である。
【図２】同欠陥検査分類装置の全体の動作を示すフローチャートである。
【図３】共焦点光学系による３次元画像の取得の動作を示す要部ブロック図である。
【図４】ビデオカメラの微小移動による３次元画像の取得のためのシステムの側面図である。
【図５】同装置における３次元情報の取込みを示すフローチャートである。
【図６】同装置による高さ情報の取得の動作を示すフローチャートである。
【図７】複数の位置におけるフォーカス値の変化を示すグラフである。
【図８】欠陥検査分類装置の適用例を示すブロック図である。
【図９】従来の欠陥検査分類装置のブロック図である
【図１０】同装置の全体の動作を示すフローチャートである。
【図１１】この欠陥検査分類装置の適用例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５１】
１‥‥搬送ステージ、２‥‥検査対象物（ワーク）、３‥‥光源、３ａ‥‥ハーフミラー、４‥‥対物レンズ、５‥‥イメージセンサ、６‥‥検査画像、７‥‥メモリ画像、８‥‥画像処理回路、９‥‥分類コード、１０‥‥レビュー画像、１１‥‥搬送ステージ、１２‥‥対象物基板（ワーク）、１３‥‥光源、１３ａ‥‥ハーフミラー、１４‥‥対物レンズ、１５‥‥イメージセンサ、１６‥‥検出画像、１７‥‥メモリ画像、１８‥‥レーザ光源、１９‥‥ハーフミラー、２０‥‥ピンホール板、２０ａ‥‥ピンホール、２１‥‥受光素子、２２‥‥画像処理回路、２３‥‥レビュー画像（３次元）、２４‥‥レビュー画像（２次元）、２５‥‥分類コード、３０‥‥フレーム、３１‥‥ステージ、３２‥‥対象物基板、３３‥‥取付け台、３４‥‥レール、３５‥‥ビデオカメラ、４０‥‥Ｚ軸回路、４１‥‥画像メモリ、４２‥‥コンピュータ、４５‥‥コンピュータ、４６‥‥Ａ／Ｄ変換器、４７‥‥画像メモリ、４８‥‥フォーカス画像メモリ、４９‥‥合成部、５２‥‥モニタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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