(57)【要約】【課題】  同一基板上における中心周波数のばらつきを効率よく抑えることができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。【解決手段】  圧電性基板２上に成膜された金属膜１１上にレジスト１４を塗布し、素子領域１０を含む単位領域２ｂ毎にレジスト１４を露光し、露光されたレジスト１４を現像することにより、櫛形電極３の形状パターンを有するマスク層１３を金属膜１１上に形成するマスク形成工程と、金属膜１１のマスク層１３に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極３を形成する電極形成工程とを備え、マスク形成工程の際に、単位領域２ｂ毎に決定された露光量でレジスト１４を露光することにより、各単位領域２ｂに含まれる素子領域１０の中心周波数を調整する。【選択図】  図１
2005191703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性基板上の複数の素子領域のそれぞれに櫛形電極を形成し、前記複数の素子領域単位に前記圧電性基板を分割することにより弾性表面波素子を製造する方法であって、
前記圧電性基板上に成膜された金属膜上にレジストを塗布し、前記素子領域を含む単位領域毎に前記レジストを露光し、露光された前記レジストを現像することにより、前記櫛形電極の形状パターンを有するマスク層を前記金属膜上に形成するマスク形成工程と、
前記金属膜の前記マスク層に覆われていない部分をエッチングすることにより前記櫛形電極を形成する電極形成工程と
を備え、
前記マスク形成工程の際に、前記単位領域毎に決定された露光量で前記レジストを露光することにより、各単位領域に含まれる前記素子領域の中心周波数を調整することを特徴とする、弾性表面波素子の製造方法。
【請求項２】
前記櫛形電極が形成された第１の前記圧電性基板における前記複数の素子領域それぞれの中心周波数を測定する中心周波数測定工程をさらに備え、
第２の前記圧電性基板に対する前記マスク形成工程の際に、前記中心周波数測定工程において測定された前記中心周波数に基づいて、前記単位領域毎に前記露光量を決定することを特徴とする、請求項１に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の圧電性基板に対する前記マスク形成工程の際に、前記レジストとしてポジ型レジストを用いる場合には、前記中心周波数測定工程において測定された前記中心周波数が大きい前記単位領域ほど前記露光量を小さくし、前記レジストとしてネガ型レジストを用いる場合には、前記中心周波数測定工程において測定された前記中心周波数が大きい前記単位領域ほど前記露光量を大きくすることを特徴とする、請求項２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
前記圧電性基板上に形成された前記金属膜の膜厚分布を測定する膜厚測定工程をさらに備え、
前記マスク形成工程の際に、前記膜厚測定工程において測定された前記金属膜の前記膜厚分布に基づいて、前記単位領域毎に前記露光量を決定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
前記マスク形成工程の際に、前記レジストとしてポジ型レジストを用いる場合には、前記膜厚測定工程において測定された前記金属膜の膜厚が厚い前記単位領域ほど前記露光量を大きくし、前記レジストとしてネガ型レジストを用いる場合には、前記膜厚測定工程において測定された前記金属膜の膜厚が厚い前記単位領域ほど前記露光量を小さくすることを特徴とする、請求項４に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等に内蔵される高周波回路用の部品として、圧電性基板上に櫛形電極が形成された弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子などの弾性表面波素子が多く用いられている。弾性表面波素子は、従来から用いられてきた誘電体フィルタ等と比較して、小型化が可能であり且つ優れた電気特性を有している。
【０００３】
一般的に、弾性表面波素子は、次のようにして製造される。まず、圧電性基板上に金属膜が成膜される。次に、金属膜上に櫛形電極の形状パターンを有するマスク層が形成される。そして、金属膜のうちマスク層に覆われていない部分がエッチングされ、櫛形電極が形成される。最後に、圧電性基板が分割され、複数の弾性表面波素子が完成する。
【０００４】
ここで、弾性表面波素子の製造段階においては、その中心周波数が使用目的に応じて調整される。弾性表面波素子の中心周波数を調整する従来の方法としては、圧電性基板の材料を選択する方法、櫛形電極の高さを調整する方法（例えば特許文献１）、或いは圧電性基板の主面上または側面上に中心周波数調整用のポリイミド膜を成膜する方法（例えば特許文献２、３）などがある。
【特許文献１】特開２００３−１７９４５３号公報
【特許文献２】特開２０００−２７８０６８号公報
【特許文献３】特開２００２−３５３７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば圧電性基板上に成膜される金属膜の膜厚が同一基板上において均一ではない場合には、櫛形電極の厚さも同一基板上において均一ではなくなる。この結果、同一の圧電性基板から製造される複数の弾性表面波素子それぞれの中心周波数にばらつきが生じてしまうこととなる。上記した各特許文献１〜３では、圧電性基板を分割した後の弾性表面波素子の中心周波数を個別に調整する方法しか開示されておらず、同一基板上における上記したような中心周波数のばらつきを効率よく抑えることが難しい。
【０００６】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、同一基板上における中心周波数のばらつきを効率よく抑えることができる弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した課題を解決するために、本発明による第１の弾性表面波素子の製造方法は、圧電性基板上の複数の素子領域のそれぞれに櫛形電極を形成し、複数の素子領域単位に圧電性基板を分割することにより弾性表面波素子を製造する方法であって、圧電性基板上に成膜された金属膜上にレジストを塗布し、素子領域を含む単位領域毎にレジストを露光し、露光されたレジストを現像することにより、櫛形電極の形状パターンを有するマスク層を金属膜上に形成するマスク形成工程と、金属膜のマスク層に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極を形成する電極形成工程とを備え、マスク形成工程の際に、単位領域毎に決定された露光量でレジストを露光することにより、各単位領域に含まれる素子領域の中心周波数を調整することを特徴とする。
【０００８】
上記した弾性表面波素子の製造方法では、単位領域毎に決定された露光量でもってレジストを露光することにより、単位領域に含まれる素子領域の中心周波数を調整している。すなわち、露光量を変えることによってマスク層のパターン幅が変化し、これによって櫛形電極の幅が変化する。櫛形電極の幅が変化すると、中心周波数が変化する。従って、単位領域毎に好適な露光量を決定することにより、単位領域毎に中心周波数を任意に変化させることができる。この製造方法によれば、同一の圧電性基板上における中心周波数のばらつきを、単位領域毎に露光量を決定することよって相殺することができるので、同一基板上における中心周波数のばらつきを効率よく抑えることができる。
【０００９】
また、弾性表面波素子の製造方法は、櫛形電極が形成された第１の圧電性基板における複数の素子領域それぞれの中心周波数を測定する中心周波数測定工程をさらに備え、第２の圧電性基板に対するマスク形成工程の際に、中心周波数測定工程において測定された中心周波数に基づいて、単位領域毎に露光量を決定することを特徴としてもよい。
【００１０】
例えば、第１の圧電性基板上に櫛形電極を形成するときの形成条件と、第２の圧電性基板上に櫛形電極を形成するときの形成条件とが同じ条件であるような場合には、第１及び第２の圧電性基板のそれぞれにおける中心周波数分布は互いに似た傾向を示す。従って、この製造方法によれば、第２の圧電性基板上にマスク層を形成する際の単位領域毎の露光量を第１の圧電性基板における中心周波数分布に基づいて決定することによって、露光量を単位領域毎に好適に決定でき、同一基板上における中心周波数のばらつきを効果的に抑えることができる。
【００１１】
また、弾性表面波素子の製造方法は、第２の圧電性基板に対するマスク形成工程の際に、レジストとしてポジ型レジストを用いる場合には、中心周波数測定工程において測定された中心周波数が大きい単位領域ほど露光量を小さくし、レジストとしてネガ型レジストを用いる場合には、中心周波数測定工程において測定された中心周波数が大きい単位領域ほど露光量を大きくすることを特徴としてもよい。
【００１２】
マスク形成工程の際にポジ型レジストを用いる場合には、露光量を比較的小さくすると、櫛形電極の幅が広くなって中心周波数を小さくなる方向へ変化させることができる。また、ネガ型レジストを用いる場合には、露光量を比較的大きくすると、櫛形電極の幅が広くなって中心周波数を小さくなる方向へ変化させることができる。従って、中心周波数が大きい単位領域ほど、ポジ型レジストを用いる場合には露光量を小さくし、ネガ型レジストを用いる場合には露光量を大きくすることによって、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【００１３】
また、弾性表面波素子の製造方法は、圧電性基板上に形成された金属膜の膜厚分布を測定する膜厚測定工程をさらに備え、マスク形成工程の際に、膜厚測定工程において測定された金属膜の膜厚分布に基づいて、単位領域毎に露光量を決定することを特徴としてもよい。
【００１４】
例えば、圧電性基板上において金属膜の膜厚が厚い単位領域では、金属膜がエッチングされて形成される櫛形電極も厚くなり、中心周波数が比較的小さくなる。また、逆に、金属膜の膜厚が比較的薄い単位領域では中心周波数が比較的大きくなる。このように、金属膜の膜厚分布の不均一さは中心周波数のばらつきの要因となる。上記した製造方法によれば、単位領域毎の露光量を金属膜の膜厚分布に基づいて決定するので、金属膜の膜厚分布の不均一さ（櫛形電極の厚さの不均一さ）に起因する中心周波数のばらつきを、櫛形電極の幅を単位領域毎に変えることによって相殺することができる。従って、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【００１５】
また、弾性表面波素子の製造方法は、マスク形成工程の際に、レジストとしてポジ型レジストを用いる場合には、膜厚測定工程において測定された金属膜の膜厚が厚い単位領域ほど露光量を大きくし、レジストとしてネガ型レジストを用いる場合には、膜厚測定工程において測定された金属膜の膜厚が厚い単位領域ほど露光量を小さくすることを特徴としてもよい。
【００１６】
上述したように、金属膜の膜厚が厚い単位領域ほど中心周波数が小さくなる傾向がある。従って、金属膜の膜厚が厚い（すなわち中心周波数が小さい）単位領域ほど、ポジ型レジストを用いる場合には露光量を大きくし、ネガ型レジストを用いる場合には露光量を小さくすることによって、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【００１７】
なお、上記した弾性表面波素子の製造方法において、圧電性基板は、圧電性材料からなる基板の他、非圧電性材料からなる基板上に圧電性材料の層が形成されているものも含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による弾性表面波素子の製造方法によれば、同一基板上における中心周波数のばらつきを効率よく抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明による弾性表面波素子の製造方法の実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
まず、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法によって製造される中間生産物について説明する。図１は、本実施形態によって製造される中間生産物１を示す側面断面図である。なお、図１においては、中間生産物１の中央部分（図中Ａ）及び周辺部分（図中Ｂ）を拡大して示している。図１を参照すると、中間生産物１は、圧電性基板２と、圧電性基板２上に形成された複数の櫛形電極（ＩＤＴ、Interdigital Transducer）３と、図示しない反射電極、電極パッド、及び保護膜とを備えている。
【００２１】
圧電性基板２は、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、水晶などの圧電性材料からなるウェハ状の基板である。圧電性基板２は、主面上に複数の素子領域１０を有しており、複数の素子領域１０のそれぞれには所定数の櫛形電極３、反射電極、及び電極パッドが形成される。なお、後に詳述する弾性表面波素子の製造方法においては、素子領域１０単位に圧電性基板２が分割されることにより、複数の弾性表面波素子が製造される。
【００２２】
複数の櫛形電極３は、例えばＡｌを主成分とする金属材料からなり、圧電性基板２上において櫛形状にそれぞれ形成されている。反射電極は、例えば櫛形電極３と同じ材料からなり、櫛形電極３を挟む位置に形成される。電極パッドは、例えば櫛形電極３と同じ材料からなり、配線パターンを介して櫛形電極３と電気的に接続されている。保護膜は、圧電性基板２、櫛形電極３、反射電極、及び電極パッドを覆う絶縁性の膜である。
【００２３】
櫛形電極３及び反射電極の厚さは、圧電性基板２上において不均一であり、櫛形電極３及び反射電極の形成位置によって異なっている。例えば、本実施形態では、図１に示すように圧電性基板２の中央部分に位置する素子領域１０上の櫛形電極３の厚さｔ１が、圧電性基板２の周辺部分に位置する素子領域１０上の櫛形電極３の厚さｔ２よりも薄くなっている。このように、櫛形電極３及び反射電極の厚さが圧電性基板２上において不均一なのは、櫛形電極３及び反射電極を形成するための金属膜を圧電性基板２上に成膜する際に、該金属膜の厚さを厳密に均一とすることが難しいからである。
【００２４】
中間生産物１においては、櫛形電極３及び反射電極の厚さが不均一であることに起因する、素子領域１０の中心周波数の領域間のばらつきを規定範囲内に調整するために、櫛形電極３及び反射電極の幅が同一基板内において変化している。例えば、本実施形態では、図１に示すように、圧電性基板２の中央部分に位置する素子領域１０上の櫛形電極３の幅Ｗ１が、圧電性基板２の周辺部分に位置する素子領域１０上の櫛形電極３の幅Ｗ２よりも広くなっている。すなわち、櫛形電極３の厚さが比較的薄い部分においては櫛形電極３の幅が広くなっており、櫛形電極３の厚さが比較的厚い部分においては櫛形電極３の幅が狭くなっている。中間生産物１では、このように複数の櫛形電極３の断面積が互いに近づくように櫛形電極３が形成されることにより、素子領域１０の中心周波数の領域間のばらつきが規定範囲内に調整されている。
【００２５】
次に、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法について説明する。図２は、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法を示すフローチャートである。また、図３及び図４は、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法を説明するための断面図である。図２〜図４を参照すると、本製造方法では、まず圧電性材料からなるウェハ状の圧電性基板２を準備する（Ｓ１０１）。続いて、圧電性基板２の主面２ａを洗浄し、洗浄した主面２ａ上に金属膜１１を成膜する（Ｓ１０２、図３（ａ））。なお、金属膜１１を成膜する際には、例えばＡｌを主成分とする金属材料をスパッタリング等によって主面２ａ上に成膜するとよい。
【００２６】
続いて、金属膜１１の膜厚分布を測定する（膜厚測定工程、Ｓ１０３）。すなわち、圧電性基板２の主面２ａ上における金属膜１１の膜厚分布を、蛍光Ｘ線等を用いて測定する。ここで、図５（ａ）及び図５（ｂ）は、金属膜１１の膜厚分布の典型例を示す断面図である。図５（ａ）は、圧電性基板２の中央部分における金属膜１１の厚さｔ３が、圧電性基板２の周辺部分における金属膜１１の厚さｔ４よりも薄い場合を示している。また、図５（ｂ）は、圧電性基板２の中央部分における金属膜１１の厚さｔ３が、圧電性基板２の周辺部分における金属膜１１の厚さｔ４よりも厚い場合を示している。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した例のように、金属膜１１の膜厚は、圧電性基板２の中央部分と周辺部分とにおいて互いに対照的である場合が多い。なお、膜厚分布の測定方法は、蛍光Ｘ線を用いる方法に限らず他の方法を用いてもよい。
【００２７】
続いて、複数の圧電性基板２のなかから一つの圧電性基板２（試行基板）を選択し、選択した圧電性基板２上の金属膜１１上にマスク層１３を形成する（第１の圧電性基板に対するマスク形成工程、Ｓ１０４）。まず、金属膜１１上にレジスト１４を塗布する（図３（ｂ））。そして、櫛形電極形状、反射電極形状、パッド電極形状、及び配線パターン形状の各形状を含む所定パターンに該レジスト１４を露光する（図３（ｃ））。すなわち、レジスト１４がポジ型レジストである場合には、レジスト１４のうち櫛形電極等の形成予定領域を覆う部分以外の部分１４ｂに紫外線等を照射することにより、櫛形電極等の形成予定領域を除く領域上に感光部が形成される。そして、レジスト１４を現像することにより、レジスト１４の感光部１４ｂが除去されてマスク層１３が形成される（図３（ｄ））。或いは、レジスト１４がネガ型レジストである場合には、レジスト１４のうち櫛形電極等の形成予定領域を覆う部分１４ａに紫外線等を照射することにより、櫛形電極等の形成予定領域上に感光部が形成される。そして、レジスト１４を現像することにより、レジスト１４の感光部以外の部分１４ｂが除去されてマスク層１３が形成される（図３（ｄ））。
【００２８】
ここで、図６は、ウェハ状の圧電性基板２の平面図である。本実施形態では、上記したマスク形成工程におけるレジスト１４の露光を、図６に示す単位領域２ｂ毎に行う。すなわち、ｉ線ステッパーなどの露光装置を用いて、櫛形電極形状などを含む所定パターンの露光ショットを単位領域２ｂ毎に照射する。このとき、各単位領域２ｂに対する露光量を、それぞれ個別に決定する。レジスト１４を露光する際には、レジスト１４に対する露光量を大きくするほど、レジスト１４内の露光部の面積が広くなる傾向がある。従って、レジスト１４がポジ型レジストである場合には、レジスト１４に対する露光量を大きくするほどマスク層１３のパターン幅が狭くなり、レジスト１４がネガ型レジストである場合には、レジスト１４に対する露光量を大きくするほどマスク層１３のパターン幅が広くなる。なお、本実施形態においては、単位領域２ｂには所定数の素子領域１０（図１参照）が含まれる。
【００２９】
また、本実施形態のマスク形成工程では、膜厚測定工程（Ｓ１０３）において測定された金属膜１１の膜厚分布に基づいて、各単位領域２ｂに対する露光量を決定する。すなわち、圧電性基板２上において金属膜１１の膜厚が比較的厚い単位領域（図３（ｃ）の単位領域２ｃ）では、後の工程において該金属膜１１から形成される櫛形電極の厚さも比較的厚くなる。櫛形電極が厚くなるほど、単位領域２ｃに含まれる素子領域の中心周波数が小さくなる傾向があるので、本実施形態では、金属膜１１の膜厚が比較的厚い単位領域２ｃにおいては櫛形電極の幅が狭く形成されるように、また、金属膜１１の膜厚が比較的薄い単位領域（図３（ｃ）の単位領域２ｄ）においては櫛形電極の幅が広く形成されるように、マスク層１３を形成する。すなわち、金属膜１１の膜厚が比較的厚い単位領域２ｃにおいて、ポジ型レジストを用いる場合には露光量を比較的大きくし、ネガ型レジストを用いる場合には露光量を比較的小さくする。このようにして、各単位領域２ｂに含まれる素子領域１０の中心周波数を規定領域内に調整する。
【００３０】
続いて、金属膜１１のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチング除去することにより、櫛形電極３と、電極パッドの基礎部分となる入出力電極５と、図示しない反射電極及び配線パターンとを形成する（電極形成工程、Ｓ１０５、図３（ｅ））。そして、櫛形電極３等を形成後、マスク層１３を除去する。なお、本実施形態においては、金属膜１１をＩＣＰ（誘導結合プラズマ：Inductive Coupling Plasma）エッチングなどのドライエッチングによってエッチングするとよい。
【００３１】
続いて、圧電性基板２上における中心周波数分布を測定する（中心周波数測定工程、Ｓ１０６）。すなわち、試行基板における複数の素子領域１０それぞれの中心周波数特性を例えばウェハプローバを用いて測定し、各素子領域の位置を考慮して中心周波数分布を求める。
【００３２】
続いて、上記したステップＳ１０４において選択された試行基板以外の圧電性基板２（量産基板）上に、マスク層１３を形成する（第２の圧電性基板に対するマスク形成工程、Ｓ１０７）。このステップＳ１０７は、レジスト１４に対する露光量の決定条件を除いて、上記したステップＳ１０４と同様である。すなわち、このステップＳ１０７では、ステップＳ１０６において測定された中心周波数分布と、ステップＳ１０３において測定された金属膜１１の膜厚分布とに基づいて、各単位領域２ｂに対する露光量を決定する。
【００３３】
ここで、図７は、ポジ型のレジスト１４に対する露光量と、該露光量により形成された櫛形電極を有する素子領域１０の中心周波数との相関を示すグラフである。図７を参照すると、ポジ型のレジスト１４に対する露光量と素子領域１０の中心周波数とはほぼ比例しており、露光量が大きくなるほど中心周波数が大きくなっている。これは、ポジ型のレジスト１４に対する露光量を大きくすると、櫛形電極３の幅が狭くなるためである。すなわち、レジスト１４としてポジ型レジストを用いる場合には、中心周波数が大きい単位領域２ｂほど露光量を小さくするとよい。また、レジスト１４としてネガ型レジストを用いる場合には、中心周波数が大きい単位領域２ｂほど露光量を大きくするとよい。このようにして、各単位領域２ｂに含まれる素子領域１０の中心周波数を規定範囲内に調整することができる。なお、量産基板において所望の中心周波数を実現するための各単位領域２ｂへの露光量は、図７のグラフの傾きを用いて、ステップＳ１０６において測定した試行基板における中心周波数と、試行基板の各単位領域２ｂへの露光量とに基づいて算出される。
【００３４】
ステップＳ１０７では、上記したような露光量と中心周波数との関係に基づいて、量産基板の各単位領域２ｂに対する露光量を決定する。さらに、ステップＳ１０７では、上記したステップＳ１０４と同様にして、各単位領域２ｂに対する露光量を金属膜１１の膜厚分布に基づいて決定する。
【００３５】
続いて、量産基板上の金属膜１１のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチング除去することにより、量産基板上に櫛形電極３及び入出力電極５等を形成する（電極形成工程、Ｓ１０８、図３（ｅ））。そして、櫛形電極３等を形成後、マスク層１３を除去する。なお、量産基板上に櫛形電極３及び入出力電極５等を形成する際には、エッチング条件を試行基板に対する条件と同様にすることが好ましい。
【００３６】
続いて、量産基板上における中心周波数分布を測定する（中心周波数測定工程、Ｓ１０９）。すなわち、量産基板における複数の素子領域１０それぞれの中心周波数特性を例えばウェハプローバを用いて測定し、各素子領域１０の中心周波数が規定範囲内にあることを確認する。
【００３７】
続いて、入出力電極５上に嵩上げ電極を形成する（Ｓ１１０）。まず、圧電性基板２、櫛形電極３、入出力電極５、及び反射電極を覆うようにＣｒ等からなるバリア層１２を形成する（図４（ａ））。圧電性基板２、櫛形電極３、及び反射電極を覆っているこのバリア層１２はマスク１７除去時に除去される。次に、圧電性基板２、櫛形電極３、入出力電極５、及び反射電極を覆うように、例えばＡｌ、又は主成分としてＡｌを含有の合金を含む材料からなる金属膜１５を形成する（図４（ｂ））。次に、金属膜１５上にレジストを塗布し、金属膜１５上において入出力電極５に対応する位置にレジストが残るように露光及び現像を行う。これにより、図４（ｃ）に示すように、金属膜１５上において入出力電極５に対応する位置にマスク１７が形成される。そして、図４（ｄ）に示すように、金属膜１５のうちマスク１７に覆われていない部分をエッチングすることによって、入出力電極５上に嵩上げ電極７を形成する。こうして、入出力電極５及び嵩上げ電極７を含む電極パッド８が形成される。
【００３８】
続いて、圧電性基板２、櫛形電極３、電極パッド８、及び反射電極等を覆う保護膜９を形成する（Ｓ１１１、図４（ｅ））。以上の工程によって、図１に示した中間生産物１が形成される。そして、この中間生産物１を各素子領域に分割することにより（Ｓ１１２）、複数の弾性表面波素子が完成する。
【００３９】
以上に説明した本実施形態による弾性表面波素子の製造方法は、以下の効果を有する。すなわち、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法では、複数の単位領域２ｂ毎に決定された露光量でレジスト１４を露光することにより、単位領域２ｂに含まれる素子領域１０の中心周波数を調整している。この製造方法によれば、同一の圧電性基板２上における中心周波数のばらつきを、単位領域２ａ毎に露光量を選択することよって相殺することができるので、同一基板上における中心周波数のばらつきを効率よく抑えることができる。
【００４０】
また、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法では、量産基板にマスク層１３を形成する際に、試行基板において測定された中心周波数に基づいて、露光量を単位領域２ｂ毎に決定している。本実施形態のように、試行基板上に櫛形電極３を形成するときの形成条件と、量産基板上に櫛形電極３を形成するときの形成条件とがほぼ同じ条件であるような場合には、それぞれの基板における中心周波数分布は互いに似た傾向を示す。従って、この製造方法によれば、量産基板上のレジスト１４に対する露光量を単位領域２ｂ毎に好適に決定できるので、同一基板上における中心周波数のばらつきを効果的に抑えることができる。
【００４１】
また、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法では、量産基板に対するマスク形成工程の際において、レジスト１４としてポジ型レジストを用いる場合には、試行基板において中心周波数が大きい単位領域２ｂほど露光量を小さくしている。また、レジスト１４としてネガ型レジストを用いる場合には、試行基板において中心周波数が大きい単位領域２ｂほど露光量を大きくしている。マスク形成工程の際にポジ型レジストを用いる場合には、露光量を小さくすると、櫛形電極３の幅が広くなって中心周波数が小さくなる方向へ変化する。また、ネガ型レジストを用いる場合には、露光量を大きくすると、櫛形電極の幅が広くなって中心周波数が小さくなる方向へ変化する。従って、中心周波数が大きい単位領域２ｂほど、ポジ型レジストを用いる場合には露光量を小さくし、ネガ型レジストを用いる場合には露光量を大きくすることによって、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【００４２】
また、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法では、マスク形成工程の際に、金属膜１１の膜厚分布に基づいて単位領域毎に露光量を決定している。圧電性基板２上において金属膜１１の膜厚が厚い単位領域２ｂでは、櫛形電極３も厚くなり、中心周波数が比較的小さくなる。また、逆に、金属膜１１の膜厚が比較的薄い単位領域２ｂでは、中心周波数が比較的大きくなる。本実施形態による弾性表面波素子の製造方法によれば、単位領域２ｂ毎の露光量を金属膜１１の膜厚分布に基づいて決定しているので、金属膜１１の膜厚分布の不均一さ（櫛形電極３の厚さの不均一さ）に起因する中心周波数のばらつきを、櫛形電極３の幅を単位領域２ｂ毎に変えることによって相殺することができる。従って、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【００４３】
また、本実施形態による弾性表面波素子の製造方法では、マスク形成工程の際に、レジスト１４としてポジ型レジストを用いる場合には、金属膜１１の膜厚が厚い単位領域２ｂほど露光量を大きくし、レジスト１４としてネガ型レジストを用いる場合には、金属膜１１の膜厚が厚い単位領域２ｂほど露光量を小さくしている。これによって、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【実施例１】
【００４４】
図８及び図９は、上記した実施形態による弾性表面波素子の製造方法の実施例を示す図である。図８は、上記した製造方法における中間生産物１の中心周波数分布の測定結果を示す図である。また、図９は、図８に示す中心周波数分布における中心周波数の頻度を示すヒストグラムである。また、図１０及び図１１は、比較例として、中心周波数を調整しない場合の例を示す図である。図１０は、比較例における中間生産物の中心周波数分布の測定結果を示す図である。また、図１１は、図１０に示す中心周波数分布における中心周波数の頻度を示すヒストグラムである。なお、図８及び図１０において、格子状の線は単位領域の境界線を示している。
【００４５】
図１０を参照すると、中心周波数を調整しない製造方法による中間生産物では、中心周波数が各単位領域間で大きく異なっており、圧電性基板の中心部分における中心周波数が周辺部分における中心周波数よりも大きいことがわかる。これは、圧電性基板上に金属膜を成膜する際に、金属膜の膜厚分布が基板中心部分において比較的薄く、基板周辺部分において比較的厚く成膜されたためであると考えられる（図５（ａ）参照）。また、図１１のヒストグラムを参照しても、規定範囲Ｒ外の中心周波数を有する素子領域が多く、同一基板上において中心周波数がばらついていることがわかる。
【００４６】
これに対し、図８を参照すると、上記実施形態の製造方法による中間生産物１では、各単位領域の中心周波数が基板上においてほぼ一様であることがわかる。なお、本実施例における金属膜１１の膜厚分布は、図１０に示した比較例における金属膜の膜厚分布と同様である。また、図９のヒストグラムを参照すると、規定範囲Ｒ外の中心周波数を有する素子領域がほとんどなく、同一基板上において中心周波数が規定範囲内に調整されていることがわかる。このように、上記した実施形態による弾性表面波素子の製造方法によれば、同一基板上における中心周波数のばらつきを好適に抑えることができる。
【００４７】
本発明による弾性表面波素子の製造方法は、上記した各実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記した実施形態では、膜厚測定工程を試行基板上の金属膜に対してのみ行っているが、膜厚測定工程をさらに量産基板上の金属膜に対して行っても良い。これにより、量産基板上における中心周波数の調整精度をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、中間生産物を示す側面断面図である。
【図２】図２は、弾性表面波素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、弾性表面波素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は、弾性表面波素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、金属膜の膜厚分布の典型例を示す断面図である。
【図６】図６は、ウェハ状の圧電性基板の平面図である。
【図７】図７は、ポジ型のレジストに対する露光量と、該露光量により形成された櫛形電極を有する素子領域の中心周波数との相関を示すグラフである。
【図８】図８は、上記した実施形態による弾性表面波素子の製造方法の実施例であって、中間生産物の中心周波数分布の測定結果を示す図である。
【図９】図９は、上記した実施形態による弾性表面波素子の製造方法の実施例であって、図８に示す中心周波数分布における中心周波数の頻度を示すヒストグラムである。
【図１０】図１０は、露光量を調整しない場合の例であって、中間生産物の中心周波数分布の測定結果を示す図である。
【図１１】図１１は、露光量を調整しない場合の例であって、図１０に示す中心周波数分布における中心周波数の頻度を示すヒストグラムである。
【符号の説明】
【００４９】
１…中間生産物、２ａ…主面、２ｂ〜２ｄ…単位領域、２…圧電性基板、３…櫛形電極、５…入出力電極、７…嵩上げ電極、８…電極パッド、９…保護膜、１０…素子領域、１１…金属膜、１２…バリア層、１３…マスク層、１４…レジスト、１５…金属膜、１７…マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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