(57)【要約】【課題】  例えば実装基板に実装した際にシールドケースなどの接地された導体や周辺部品が近接しても特性変動の生じにくい誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供する。【解決手段】  誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１の外部結合孔３ｔｘ，３ａｎｔ，３ｒｘの短絡端領域および共振器孔２ａ，２ｉの開放端の近傍に凹部９ａ，９ｄを設け、誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１の凹部を除く部分の外導体６を削除して、各共振器孔２ａ〜２ｉの開放面を形成する。これにより、誘電体ブロック１端部での共振器孔２ａ，２ｉの開放端領域を凹部９ａ，９ｄで制限し、トラップ共振器による減衰極周波数を安定化および高精度化する。【選択図】  図１
2005277962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平行関係にある第１端面と第２端面との間に連続する側面を有する誘電体ブロックの内部に両端面間を貫通する複数の共振器孔および少なくとも１つの外部結合孔を設け、各共振器孔および外部結合孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成した誘電体フィルタにおいて、
前記誘電体ブロックの第１端面の外部結合孔の短絡端領域および所定共振器孔の開放端の近傍に凹部を設け、第１端面の前記凹部以外の外導体を削除して、第１端面に各共振器孔の開放面を形成するとともに、近傍に前記凹部を設けた共振器孔の開放端領域を前記凹部で制限したことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】
近傍に前記凹部を設けた共振器孔は、前記誘電体ブロックの側面のうち、第１端面と第２端面に短辺として現れる側面付近に設けた共振器孔である請求項１に記載の誘電体フィルタ。
【請求項３】
前記複数の共振器孔のうちのいくつかの共振器孔による共振器で帯域通過フィルタ部を構成し、近傍に前記凹部を設けた共振器孔で、前記帯域通過フィルタ部の通過帯域の高域側または低域側の阻止周波数またはその近傍の周波数に減衰極を設けるトラップ共振器を構成した請求項１または２に記載の誘電体フィルタ。
【請求項４】
誘電体ブロックに複数のフィルタ部が構成され、そのうち少なくとも一つのフィルタ部が請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体フィルタである誘電体デュプレクサ。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体フィルタまたは請求項４に記載の誘電体デュプレクサを高周波回路部に備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波回路に適応される誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
誘電体ブロックに複数の共振器孔を設けた誘電体フィルタが特許文献１に開示されている。
【０００３】
図９はその特許文献１に示されている誘電体デュプレクサの斜視図である。この誘電体デュプレクサは、略直方体形状の誘電体ブロック１を備え、共振器孔２ｂ，２ｃの２段の共振器によるバンドパスフィルタと共振器孔２ａによるトラップ共振器とで送信フィルタが構成され、共振器孔２ｄ〜２ｆの３段の共振器によるバンドパスフィルタと共振器孔２ｇによるトラップ共振器とで受信フィルタが構成されている。誘電体ブロック１の第１端面１ａには、共振器孔２ａ−２ｂ間、共振器孔２ｃ−２ｄ間および２ｆ−２ｇ間にそれぞれ凹部８が形成され、各凹部８の領域に外部結合孔３ａ，３ｂ，３ｃおよび外部結合調整孔４ａ，４ｂ，４ｃがそれぞれ形成されている。
【特許文献１】特開２０００−２０１００２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、図９に示したように、略直方体形状の誘電体ブロックに複数の共振器孔を形成し、誘電体ブロックの端面を開放面とした誘電体フィルタや誘電体デュプレクサにおいては、その誘電体ブロックの開放面側に金属などの導体が近づくことによって特性変動が生じたり誘電体フィルタや誘電体デュプレクサから電磁波が漏れるという問題があった。例えば携帯電話端末機の基板への実装状態では、限られた空間内に多数の電子部品を実装することになり、高周波部品を覆うシールドケース、ＶＣＯやＳＡＷフィルタなどの周辺部品の影響を受けやすい。
【０００５】
特に、略直方体形状の誘電体ブロックに設けた複数の共振器孔のうち、誘電体ブロックの端部付近に設けた共振器孔は周囲の部品や部材の影響を受けやすい。また、所定帯域の減衰量を確保するために、図９に示したようなトラップ共振器を設けた誘電体フィルタや誘電体デュプレクサにおいては、そのトラップ共振器にシールドケースなど導体が近接すると、その導体との間の容量が発生して、トラップ共振器の共振周波数が低下し、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサの減衰極周波数が変動し、フィルタの減衰特性に大きな変動を及ぼすという問題があった。バンドパスフィルタ部を構成する共振器についても同様に、導体との間で容量が発生するとフィルタ特性が変化するが、上記トラップ共振器のような問題は生じない。すなわち、一般に通過帯域の特性には余裕があるので、通過帯域の高域または低域から遮断域への阻止周波数部分の特性を決定するトラップ共振器のような致命的な変動は生じない。
【０００６】
例えば規格上の通過帯域が例えば３０ＭＨｚであっても、フィルタとしての通過帯域はそれより広い例えば４０ＭＨｚで設計されるので、多少の通過帯域の中心周波数ｆｏの変動は許される。それに対し、トラップ共振器で１ＭＨｚ変動すると、必要な減衰量を得る周波数での減衰量が大きく変動してしまう。バンドパスフィルタ部の共振器が同様に１ＭＨｚ変動しても通過帯域全体の特性としてはその影響をほとんど受けない。
【０００７】
しかも、上述の問題は誘電体フィルタや誘電体デュプレクサの実装基板への実装後に生じるので、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサ単体の部品としての設計にとどまらず基板への実装構造や実装方法にまで設計を考慮する必要が生じてしまう。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解消し、例えば実装基板に実装した際にシールドケースなどの導体や周辺部品が近接しても特性変動の生じにくい、また所定のフィルタ特性を高精度に得られるようにした、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）この発明の誘電体フィルタは、略平行関係にある第１端面と第２端面との間に連続する側面を有する誘電体ブロックの内部に両端面間を貫通する複数の共振器孔および少なくとも１つの外部結合孔を設け、各共振器孔および外部結合孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、誘電体ブロックの第１端面の外部結合孔の短絡端領域および所定共振器孔の開放端の近傍に凹部を設け、第１端面の凹部以外の外導体を削除して、第１端面に各共振器孔の開放面を形成するとともに、近傍に前記凹部を設けた共振器孔の開放端領域を該凹部で制限したことを特徴としている。
【００１０】
（２）この発明の誘電体フィルタは、（１）において、近傍に前記凹部を設けた共振器孔は、誘電体ブロックの側面のうち第１端面と第２端面に短辺として現れる側面付近に設けた共振器孔とする。
【００１１】
（３）この発明の誘電体フィルタは、（１），（２）において、複数の共振器孔のうちのいくつかの共振器孔による共振器で帯域通過フィルタ部を構成し、近傍に前記凹部を設けた共振器孔で、前記帯域通過フィルタ部の通過帯域の高域側または低域側の阻止周波数またはその近傍の周波数に減衰極を設けるトラップ共振器を構成したことを特徴としている。
【００１２】
（４）この発明の誘電体デュプレクサは、誘電体ブロックに構成する複数のフィルタ部の少なくとも一つのフィルタ部が請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体フィルタとしたことを特徴としている。
【００１３】
（５）この発明の通信装置は、（１）〜（３）の誘電体フィルタまたは（４）の誘電体デュプレクサを高周波回路部に設けて構成したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
（１）誘電体ブロックの第１端面の外部結合孔の短絡端領域および所定共振器孔の開放端の近傍に凹部を設け、この凹部以外の外導体を削除することによって第１端面に各共振器孔の開放面が形成されるとともに、近傍に凹部を設けた共振器孔の開放端領域が制限される。したがって、近傍に前記凹部を設けた共振器孔の開放端領域が誘電体ブロックの端面の全面にわたって開放されている従来の構造に比べて、共振器孔の開放端領域が制限されるので、基板への実装状態でシールドカバーなどの導体や他の部品が近接しても、それらの影響を受けにくくなり、電磁波のリークも抑制できる。また、誘電体ブロックの端面に形成した外導体を削除することによって共振器孔の開放面を形成しただけの構造に比べて共振器の開放端領域の形状寸法を精度よく設定できる。例えば、誘電体ブロック全体の形状を変えることなく上記凹部の位置と寸法を設定するだけで、その凹部を近傍に設けた共振器の特性を高精度に定めることができる。
【００１５】
（２）前記凹部を誘電体ブロックの第１端面と第２端面に短辺として現れる側面に設けたことにより、その誘電体フィルタを基板に実装した状態で、シールドケースや他の部品と広範囲にわたって近接しやすい共振器について、その特性の安定化を有効に図れる。
【００１６】
（３）近傍に前記凹部を設けた共振器孔でトラップ共振器を構成し、そのトラップ共振器で帯域通過フィルタの通過帯域の高域側または低域側の阻止周波数の近傍に減衰極を設けるように構成することによって、最も影響を受けやすい減衰極周波数を安定化でき、フィルタ特性全体を安定化できる。
【００１７】
（４）また、この発明によれば、（１）〜（３）のいずれかの誘電体フィルタをフィルタ部として単一の誘電体ブロックに備えた誘電体デュプレクサを構成することによって、例えばアンテナ共用器として用いられるようになる。
【００１８】
（５）また、この発明によれば、前記誘電体フィルタまたは誘電体デュプレクサを高周波回路部に設けたことにより、高周波回路特性に優れた小型の通信装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
第１の実施形態に係る誘電体デュプレクサの構成を図１〜図６を参照して説明する。
図１は誘電体デュプレクサの外観斜視図である。但し、後に説明する入出力電極の形成位置を示すために、基板への実装状態とは逆に、上下面を裏返した状態で示している。また、図２はこの誘電体デュプレクサの三面図であり、（Ａ）は開放面側から見た正面図、（Ｂ）は底面図、（Ｃ）は右側面図である。
【００２０】
図１における誘電体ブロック１の左手前の面が第１端面Ｓ１、それに対向する右後方の面が第２端面Ｓ２である。この誘電体ブロック１は、第１端面Ｓ１と第２端面Ｓ２との間に連続する四側面を有する略直方体形状をなしている。この誘電体ブロック１には、それぞれの内面に内導体５を形成した、複数の共振器孔２ａ〜２ｉ、外部結合孔３ｔｘ，３ａｎｔ，３ｒｘおよび外部結合調整孔４ｔｘ，４ａｎｔ，４ｒｘを、第１端面Ｓ１と第２端面Ｓ２との両端面間を貫通するように設けている。共振器孔２ａ〜２ｉは、図２の（Ａ）に現れているように、開放端側の内径が短絡端側の内径より広いステップ形状としている。
【００２１】
誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１には、外部結合孔３ｔｘと外部結合調整孔４ｔｘの短絡端領域となる部分に凹部８ａを設けている。また外部結合孔３ａｎｔと外部結合調整孔４ａｎｔの短絡端領域となる部分に凹部８ｂを設けている。同様に外部結合孔３ｒｘと外部結合調整孔４ｒｘの短絡端領域となる部分に凹部８ｃを設けている。但し、この例では凹部８ａ，８ｂ，８ｃの深さが浅いため、図１では凹部８ａ，８ｂ，８ｃが共振器孔２ａ〜２ｉの開放面と略同一平面であるかのように見えている。
【００２２】
また、誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１には、共振器孔２ａの開放端の近傍に第１端面Ｓ１から所定深さだけ凹んだ凹部９ａを設けている。同様に、共振器孔２ｉの開放端の近傍に第１端面Ｓ１から所定深さだけ凹んだ凹部９ｄを設けている。さらに共振器孔２ｂ，２ｃ，２ｄの開放端の近傍に凹部９ｂを、共振器孔２ｆ，２ｇ，２ｈの近傍に凹部９ｃをそれぞれ設けている。
【００２３】
誘電体ブロック１の外面には外導体６を形成している。但し、誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１には、一旦形成した外導体６を研削または研磨により削除して共振器孔２ａ〜２ｉの開口部の外導体を削除することによって、それらの開口部を共振器孔の開放端としている。この研削または研磨の際、凹部８ａ〜８ｃ，９ａ〜９ｄの内面の外導体６は削除されずに残る。
【００２４】
誘電体ブロック１の第２端面Ｓ２から図１における上面にかけて、外部結合孔３ｔｘ，３ａｎｔ，３ｒｘの内面に形成した内導体にそれぞれ導通する３つの入出力電極７ｔｘ，７ａｎｔ，７ｒｘを形成している。これらの入出力電極７ｔｘ，７ａｎｔ，７ｒｘは外導体６から分離形成している。
【００２５】
共振器孔２ａ〜２ｉはそれぞれ一方端開放他方端短絡の１／４波長共振器として作用する。凹部９ｂの内面には外導体６が形成されているため、共振器孔２ｂ，２ｃ，２ｄの開放端付近と凹部９ｂの外導体との間に所定の浮遊容量が生じている。これにより共振器孔２ｂ，２ｃ，２ｄによる３つの共振器は順に誘導性結合する。共振器孔２ｂによる共振器と外部結合孔３ｔｘによる線路とはインターディジタル的に結合する。同様に、共振器孔２ｄによる共振器と外部結合孔３ａｎｔによる線路とがインターディジタル的に結合する。この共振器孔２ｂ，２ｃ，２ｄによる３つの共振器が、通過帯域の高域側に減衰極を有する通過帯域特性を示すフィルタとして作用する。
【００２６】
また、共振器孔２ａによる共振器は、単独で外部結合孔３ｔｘとインターディジタル的に結合することによってトラップ共振器として作用する。このトラップ共振器の共振周波数は上記通過帯域の高域側阻止周波数またはその近傍の周波数とする。これにより、入出力電極７ｔｘ−７ａｎｔ間で通過帯域から高域側減衰域への減衰特性が急峻な帯域通過特性を有する送信フィルタ部を構成している。
【００２７】
一方、共振器孔２ｅ，２ｆによる２つの共振器は容量性結合する。共振器孔２ｆ，２ｇによる２つの共振器は、それらの開放端の近傍の凹部９ｃの存在によって誘導性結合する。また、共振器孔２ｇ，２ｈによる２つの共振器は容量性結合する。共振器孔２ｅによる共振器は外部結合孔３ａｎｔによる線路とインターディジタル的に結合する。同様に、共振器孔２ｈによる共振器と外部結合孔３ｒｘによる線路とがインターディジタル的に結合する。このように、共振器孔２ｅ〜２ｈによる４つの共振器が、誘導性結合と容量性結合によって通過帯域の低域側と高域側にそれぞれ減衰極を有する帯域通過フィルタ特性を示すフィルタとして作用する。
【００２８】
共振器孔２ｉによる共振器は、単独で外部結合孔３ｒｘとインターディジタル的に結合することによってトラップ共振器として作用する。このトラップ共振器の共振周波数を上記通過帯域の低域側阻止周波数またはその近傍の周波数とする。これにより、入出力電極７ｒｘ−７ａｎｔ間で通過帯域から低域側減衰域への減衰特性が急峻な帯域通過特性を有する受信フィルタ部を構成している。
【００２９】
このように共振器孔２ａ，２ｉの開放端の近傍には、凹部９ａ，９ｄの内面に外導体６が形成された凹部９ａ，９ｄを設けているため、共振器孔２ａ，２ｉの開放端領域が制限され、基板への実装状態でシールドカバーなどの接地導体や他の部品が近接しても、それらの影響を受けにくくなり、また電磁波のリークも抑制できる。
【００３０】
さらに、誘電体ブロックの端面に形成した外導体を削除することによって共振器孔の開放面を形成しただけの構造に比べて共振器の開放端領域の形状寸法を精度よく設定できる。例えば、誘電体ブロック全体の形状を変えることなく、凹部９ａ，９ｄの位置と寸法を設定するだけで、その共振器孔２ａ，２ｉによるトラップ共振器の特性を高精度に定めることができる。
【００３１】
なお、両端を外導体６に短絡した外部結合調整孔４ｔｘを共振器孔２ａ−２ｂ間に配置したことにより、両共振器孔による２つの共振器間の不要な結合が阻止できる。また、外部結合孔３ｔｘとの位置関係によって共振器孔２ａによるトラップ共振器との外部結合量および共振器孔２ｂによる共振器との外部結合量を定めることができる。同様に、両端を外導体６に短絡した外部結合調整孔４ｒｘを共振器孔２ｈ−２ｉ間に配置したことにより、両共振器孔による２つの共振器間の不要な結合を阻止できる。また、外部結合孔３ｒｘとの位置関係によって共振器孔２ｉによるトラップ共振器との外部結合量および共振器孔２ｈによる共振器との外部結合量を定めることができる。さらに同様に、外部結合調整孔４ａｎｔを共振器孔２ｄ−２ｅ間に配置したことにより、両共振器孔による２つの共振器間の不要な結合を阻止できる。また、外部結合孔３ａｎｔとの位置関係によって共振器孔２ｄによる共振器との外部結合量および共振器孔２ｅによる共振器との外部結合量を定めることができる。
【００３２】
この誘電体デュプレクサの製造方法は次のとおりである。
（１）まず、複数の共振器孔２ａ〜２ｉ、外部結合孔３ｔｘ，３ａｎｔ，３ｒｘ、外部結合調整孔４ｔｘ，４ａｎｔ，４ｒｘ、および凹部９ａ〜９ｄを設けた誘電体ブロック１を誘電体セラミックの成形により形成する。
【００３３】
（２）次に、この誘電体ブロック１の各孔の内面と、誘電体ブロック１の各凹部を含む外面の全面に導体膜を形成する。
【００３４】
（３）誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１を所定厚み分研削または研磨することによって凹部８ａ〜８ｃ，９ａ〜９ｄ以外の面の導体膜を除去して開放面を形成する。
【００３５】
（４）入出力電極７ｔｘ，７ａｎｔ，７ｒｘとなる部分の周囲を超音波研削ツールを用いて所定量研削することによって、上記導体膜の一部で入出力電極７ｔｘ，７ａｎｔ，７ｒｘを形成する。
【００３６】
図３は上記送信フィルタ部と受信フィルタ部のフィルタ特性を示している。（Ａ）は送信フィルタ部の通過特性Ｓ２１と、送信信号入力端子である入出力電極７ｔｘから見た反射特性をＳ１１とについて示している。ここで、ｆｔａ，ｆｔｂは図１に示した共振器孔２ｂ，２ｃ，２ｄによる３つの共振器の誘導性結合により生じた２つの減衰極である。また、ｆｔｔは共振器孔２ａのトラップ共振器による減衰極である。
【００３７】
このように、通過帯域の高域側阻止周波数またはその近傍にトラップ共振器による減衰極ｆｔｔを生じさせたことによって、通過帯域から高域側減衰域への減衰特性を急峻にできる。
【００３８】
図３の（Ｂ）は受信フィルタ部の通過特性Ｓ２１とアンテナ端子である入出力電極７ａｎｔから見た反射特性Ｓ１１とについて示している。ここで、ｆｒａ，ｆｒｂ，ｆｒｃは図１に示した共振器孔２ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈによる４つの共振器の容量性結合と誘導性結合による減衰極である。またｆｒｔは共振器孔２ｉのトラップ共振器による減衰極である。
【００３９】
このように、通過帯域の低域側阻止周波数またはその近傍にトラップ共振器による減衰極ｆｒｔを生じさせたことによって、通過帯域から低域側減衰域への減衰特性を急峻にできる。
【００４０】
次に、この誘電体デュプレクサへの導体接近に対する特性安定性について求めた結果を示す。
図４はその安定性測定装置の構成を示している。試料である誘電体デュプレクサ１００の開放面（第１端面）から所定距離離れた位置に接地された導体（金属ユニット）２０２を接近させるために、スペーサ固定部２００とスペーサ２０１を誘電体デュプレクサ１００の取り付け位置に対して所定位置に設けておき、導体２０２を載置した場合と載置しなかった場合とで特性変化を求めた。
【００４１】
ここで、誘電体デュプレクサ１００の各部の寸法は図２に示したとおりである。図中の数値の寸法は［ｍｍ］である。図５は、図１に示した凹部９ｄを設けた場合と設けなかった場合とについて、その特性の違いを示している。（Ａ）において横軸は誘電体デュプレクサ１００の開放面−導体２０２間の距離、縦軸は受信フィルタ部についてのトラップ共振器による減衰極の周波数である。また図５の（Ｂ）は、開放面−導体間距離を１ｍｍとした時の、周波数１９３０〜１９９０ＭＨｚにおける挿入損失、リップル、反射損失、および１９１０ＭＨｚにおける減衰量を示している。
【００４２】
このように、開放面に対する導体の接近によって、凹部９ｄが無い場合に比べて凹部９ｄが有る場合、周波数変動が小さく抑えられる。また、開放面に導体が接近した状態での挿入損失、リップル、反射損失および減衰量のいずれについても、その劣化を抑えることができる。
【００４３】
図６は受信フィルタ部の通過特性について、凹部９ｄの有無による特性の違いを示している。（Ａ），（Ｂ）は凹部９ｄを設けた場合の特性であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＣ部分の拡大図である。また（Ｃ）は凹部９ｄを設けなかった場合の特性であり、（Ｄ）は（Ｃ）におけるＣ部分の拡大図である。凹部９ｄを設けなかった場合、トラップ共振器による減衰極近傍の周波数で減衰量はｐ２からｐ２′へ大きく劣化するのに対し、凹部９ｄを設けた場合、減衰量はｐ１からｐ１′へ劣化するだけである。このように、トラップ共振器による減衰極近傍の周波数での減衰量の変動が小さく抑えられる。
【００４４】
次に、第２の実施形態に係る誘電体デュプレクサについて図７を参照して説明する。
図７は構成の異なる２つの誘電体デュプレクサの外観斜視図である。（Ａ）に示す例では、共振器孔２ａ，２ｉの開放端の近傍に設けた凹部９ａ，９ｄの形状を図１に示したものと異ならせている。図１に示した例では、凹部９ａ，９ｄを誘電体ブロックの第１端面Ｓ１から所定深さ凹ませた段形状としたが、この図７の（Ａ）に示す例では、誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１および第２端面Ｓ２に長辺として現れる側面（図における上下面）と誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１とで構成される稜を面取りしたような形状としている。
【００４５】
図７の（Ｂ）に示した例では、外部結合孔の短絡端領域に設けた凹部８ａ，８ｂ，８ｃと同様に、第１端面Ｓ１から第２端面Ｓ２方向に所定深さだけ凹んだ凹部９ａ，９ｄを形成している。このような形状であっても同様の効果が得られる。但し、（Ａ）の例では誘電体ブロック１の第１端面Ｓ１の研削量によって共振器孔２ａ，２ｉの開放端領域の形状が変化するので、共振器孔２ａ，２ｉによる２つのトラップ共振器の共振周波数が所定周波数となるようにその研削量を制御すればよい。
【００４６】
なお、第１・第２の実施形態では、単一の誘電体ブロックに送信フィルタ部と受信フィルタ部を設けたアンテナ共用器としての誘電体デュプレクサを構成したが、２つの入出力電極を備えた単一のフィルタについても同様に適用できる。
【００４７】
次に、第３の実施形態に係る通信装置の構成例を図８を参照して説明する。図８においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオシレータ、ＳＹＮは周波数シンセサイザである。
【００４８】
ＭＩＸａは送信中間周波信号ＩＦと、ＳＹＮから出力された信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮから出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして受信中間周波信号ＩＦを出力する。
【００４９】
図８に示したデュプレクサＤＰＸ部分には、第１・第２の実施形態に係るデュプレクサを用いる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂには、第１・第２の実施形態に係るデュプレクサのうち一方のフィルタ部分の構造を備えた誘電体フィルタを用いる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１の実施形態に係る誘電体デュプレクサの外観斜視図
【図２】同誘電体デュプレクサの三面図
【図３】同誘電体デュプレクサの送信フィルタ部と受信フィルタ部の周波数特性を示す図
【図４】同誘電体デュプレクサの導体接近に対する特性安定性測定状態を示す図
【図５】凹部の有無による導体接近に対する特性安定性の違いを示す図
【図６】凹部の有無による導体接近に対する特性安定性の違いを示す図
【図７】第２の実施形態に係る２つの誘電体デュプレクサの構成例を示す斜視図
【図８】第３の実施形態に係る通信装置の構成を示すブロック図
【図９】従来の誘電体デュプレクサの構成を示す図
【符号の説明】
【００５１】
１−誘電体ブロック
２−共振器孔
３−外部結合孔
４−外部結合調整孔
５−内導体
６−外導体
７−入出力電極
８，９−凹部
Ｓ１−第１端面
Ｓ２−第２端面
１００−誘電体デュプレクサ
２００−スペーサ固定部
２０１−スペーサ
２０２−導体
【図１】
2005277962.tif 000003
【図２】
2005277962.tif 000004
【図３】
2005277962.tif 000005
【図４】
2005277962.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005277962.tif 000009
【図８】
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【図９】
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