(57)【要約】【課題】  放熱性が高められると共に、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズを低減して狭シールド間隔化を実現可能なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを得る。【解決手段】  所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に位置し、該薄膜磁気ヘッド素子及び下部シールド層を覆う絶縁層と、この絶縁層によって画定された領域内に備えられた第１非磁性金属層と、この第１非磁性金属層、絶縁層及び薄膜磁気ヘッド素子と上部シールド層との間に介在し、上部シールド層からの電流を第１非磁性金属層を経由させて薄膜磁気ヘッド素子に導く第２非磁性金属層とを備えた。【選択図】  図１
2005346762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に位置し、該薄膜磁気ヘッド素子及び前記下部シールド層を覆う絶縁層と、
この絶縁層によって画定された領域内に備えられた第１非磁性金属層と、
この第１非磁性金属層、前記絶縁層及び前記薄膜磁気ヘッド素子と前記上部シールド層との間に介在し、前記上部シールド層からの電流を前記第１非磁性金属層を経由させて前記薄膜磁気ヘッド素子に導く第２非磁性金属層と、
を備えたことを特徴とするＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層は、該上面と前記薄膜磁気ヘッド素子の上面が同一平面を構成する膜厚で形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層は、該上面高さ位置が前記薄膜磁気ヘッド素子の上面高さ位置を超える膜厚で形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層は、トラック幅方向において前記薄膜磁気ヘッド素子よりも大きく形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層及び前記第２非磁性金属層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及び白金系金属の少なくとも一種を含んで形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項５記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層及び第２非磁性金属層の比抵抗は、１０μΩｃｍ以下であるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項５記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層及び第２非磁性金属層の比抵抗は、５μΩｃｍ以下であるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１非磁性金属層及び前記非磁性金属層は、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのいずれかにより形成されているＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部シールド層を、前記薄膜磁気ヘッド素子の上に位置する第１上部シールド層と該第１上部シールド層よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層とに分離して形成し、前記絶縁層から表面露出して前記第２上部シールド層に導通接続するコンタクト部を前記下部シールド層に設け、さらに、前記絶縁層とは別に、前記第２上部シールド層と前記下部シールド層のコンタクト部に接触する側で前記第１非磁性金属層を覆う第２の絶縁層を設けたＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項９記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶縁層は、前記薄膜磁気ヘッド素子及び前記コンタクト部との接触部近傍領域での膜厚が、該近傍領域外よりも大きいＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
請求項９または１０記載のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第２上部シールド層と前記下部シールド層のコンタクト部との間に、第３非磁性金属層を介在させたＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚方向（膜面に直交する方向）にセンス電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッド素子として用いられる巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）やトンネル巨大磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）は、素子を構成する各層の膜面に対して平行な方向にセンス電流が流れるＣＩＰ（Current In the Plane）型と、素子を構成する各層の膜面に対して垂直な方向にセンス電流が流れるＣＰＰ（Current Perpendicular to the Plane）型とに大別することができる。
【０００３】
図１２は、従来のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド構造を示す断面図である。ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、所定のシールド間隔Ｒ−ＧＬをあけて形成された下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０と、この上下シールド層１１０、１３０間に形成されて記録媒体との対向面に露出する薄膜磁気ヘッド素子１２０と、この薄膜磁気ヘッド素子１２０のハイト方向奥側で上下シールド層１１０、１３０の間を埋める絶縁層１４０とを有している。上部シールド層１３０は、薄膜磁気ヘッド素子１２０の上に位置する第１上部シールド層１３１と、この第１上部シールド層１３１よりもハイト方向奥側に位置し、絶縁層１４０内に設けたコンタクトホール１４１を介して下部シールド層１１０と導通接続した第２上部シールド層１３２とに分離されている。第１上部シールド層１３１と薄膜磁気ヘッド素子１２０の間、及び第２上部シールド層１３２と下部シールド層１１０の間には、上下シールド層１１０、１３０よりも比抵抗の小さい非磁性金属材料からなる非磁性金属層１５１、１５２がそれぞれ介在している。図示されていないが、下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０の直下にはシールド下地層がそれぞれ形成されている。
【０００４】
センス電流Ｉは、第１上部シールド層１３１から非磁性金属層１５１、薄膜磁気ヘッド素子１２０、下部シールド層１１０及び非磁性金属層１５２を経由して第２上部シールド層１３２へ流れる。あるいは、第２上部シールド層１３２から非磁性金属層１５２、下部シールド層１１０、薄膜磁気ヘッド素子１２０及び非磁性金属層１５１を経由して第１上部シールド層１３１へ流れる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１５０５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来のヘッド構造では、上下シールド層間でのショートを防止すべく、絶縁層１４０が薄膜磁気ヘッド素子１２０のハイト方向奥側に５０ｎｍ程度の厚い膜厚で備えられているため、薄膜磁気ヘッド素子１２０及び上下シールド層１１０、１３０で発生した熱が逃げづらく、放熱性が悪化してしまっている。
【０００７】
また上記従来のヘッド構造では、周知のように、ＮｉＦｅ等の軟磁性材料によって下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０が形成されている。よって、下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０にセンス電流Ｉが流れると、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗）効果が生じて下部シールド層１１０及び上部シールド層１３０の抵抗が低減し、この抵抗変化が薄膜磁気ヘッド素子１２０の素子出力に対してノイズとなる。特に、センス電流の出入り口となる範囲は電流密度が高く、ＡＭＲ効果によるノイズ発生も増大する。このＡＭＲ効果によるノイズを低減させるには、ＡＭＲ効果の小さいシールド材料を用いて上下のシールド層１１０、１３０を形成することが考えられるが、ＡＭＲ効果の小さいシールド材料では十分な磁気シールド効果が得られない。あるいは、非磁性金属層１５１、１５２の膜厚を増大させて上下のシールド層１１０、１３０に流れる電流量を減少させることも可能ではあるが、非磁性金属層１５１、１５２の膜厚が増大すると上下のシールド間隔Ｒ−ＧＬが大きくなり、狭シールド間隔化の妨げになる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、放熱性が高められると共に、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズを低減して狭シールド間隔化を実現可能なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に備える絶縁層を薄くすれば放熱性を改善できること、上部シールド層と薄膜磁気ヘッド素子の間に非磁性金属材料によるバイパス電流経路を設ければ上部シールド層内に流れるセンス電流量を低減できること、及び、このバイパス電流経路を設ける領域としては薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に備える絶縁層内が最適であることに着目したものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、所定間隔で離間させた下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を有し、この薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して直交する方向に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に位置し、該薄膜磁気ヘッド素子及び前記下部シールド層を覆う絶縁層と、この絶縁層によって画定された領域内に備えられた第１非磁性金属層と、この第１非磁性金属層、絶縁層及び薄膜磁気ヘッド素子と上部シールド層との間に介在し、上部シールド層からの電流を第１非磁性金属層を経由させて薄膜磁気ヘッド素子に導く第２非磁性金属層とを備えたことを特徴としている。
【００１１】
第１非磁性金属層は、該上面と薄膜磁気ヘッド素子の上面が同一平面を構成する膜厚で形成することができる。あるいは、その上面高さ位置が薄膜磁気ヘッド素子の上面高さ位置を超える膜厚で形成されていてもよい。また、第１非磁性金属層は、トラック幅方向において薄膜磁気ヘッド素子よりも大きく形成されていることが好ましい。第１非磁性金属層が大面積または厚い膜厚で備えられれば、該第１非磁性金属層の電気抵抗は低減するので、上部シールド層から第１非磁性金属層に流れ込むセンス電流量が増え、結果として上部シールド層内を流れる電流を減らすことができる。
【００１２】
第１非磁性金属層及び第２非磁性金属層は、上下のシールド層よりも比抵抗が小さい非磁性金属材料により形成されていることが好ましい。具体的には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及び白金系金属の少なくとも一種を含んで形成されているとよく、その比抵抗が１０μΩｃｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、比抵抗が５μΩｃｍ以下であり、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのいずれかにより形成されているとよい。
【００１３】
上部シールド層は、薄膜磁気ヘッド素子の上に位置する第１上部シールド層と該第１上部シールド層よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層とに分離して形成することができる。この場合には、薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に位置する絶縁層から表面露出して第２上部シールド層に導通接続するコンタクト部を下部シールド層に設け、さらに、絶縁層とは別に、第２上部シールド層と下部シールド層のコンタクト部に接触する側で前記第１非磁性金属層を覆う第２の絶縁層を設けることが好ましい。
【００１４】
薄膜磁気ヘッド素子のハイト方向奥側に位置する絶縁層は、薄膜磁気ヘッド素子及びコンタクト部との接触部近傍領域での膜厚が、該近傍領域外よりも大きいことが好ましい。別言すれば、薄膜磁気ヘッド素子及びコンタクト部との接触部近傍領域では絶縁層を厚く備えてリーク電流を確実に防止し、上記接触部近傍領域外では絶縁層を必要な最小限の膜厚で備えることが好ましい。
【００１５】
第２上部シールド層と下部シールド層のコンタクト部との間には、第３非磁性金属層を介在させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、放熱性が高められると共に、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズを低減して狭シールド間隔化を実現可能なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向（記録媒体からの洩れ磁界方向）、Ｚ方向は記録媒体の移動方向及び薄膜磁気ヘッド素子を構成する各層の積層方向である。
【００１８】
図１〜図１０は、本発明によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの第１実施形態を示している。図１はＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の構造を素子中央で切断して示す部分断面図、図２はＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の構造を記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図、図３はＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１を上から見て示す模式平面図である。
【００１９】
ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１は、図示Ｚ方向に所定のシールド間隔Ｒ−ＧＬで離間させた下部シールド層１０と上部シールド層３０の間に薄膜磁気ヘッド素子２０を有し、該薄膜磁気ヘッド素子２０を構成する各層の膜面に対して垂直方向（図示Ｚ方向）にセンス電流Ｉが流れたときに、薄膜磁気ヘッド素子２０の磁気抵抗効果を利用して記録媒体からの洩れ磁界を検出する。
【００２０】
下部シールド層１０及び上部シールド層３０は、磁気シールドとしての機能と薄膜磁気ヘッド素子２０に給電する電極としての機能とを両方備え、十分な磁気シールド効果が得られる軟磁性材料、例えばＮｉＦｅにより約１μｍ程度の膜厚で形成されている。上部シールド層３０は、薄膜磁気ヘッド素子２０の上に位置する第１上部シールド層３１と、この第１上部シールド層３１よりもハイト方向奥側に位置する第２上部シールド層３２とにより分離して形成されている。下部シールド層１０は、薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側の第２上部シールド層３２に対向する位置に突出するコンタクト部１０ａを有し、このコンタクト部１０ａを介して第２上部シールド層３２に導通接続する。コンタクト部１０ａの上面位置は、薄膜磁気ヘッド素子２０の上面位置とほぼ同一積層高さ位置である。下部シールド層１０、第１上部シールド層３１及び第２上部シールド層３２のそれぞれは、薄膜磁気ヘッド素子２０のトラック幅寸法Ｔｗ及びハイト方向寸法ＭＲｈよりも十分に大きな面積で存在しており、十分な磁気シールド効果を発揮する。
【００２１】
薄膜磁気ヘッド素子２０としては、周知のように、巨大磁気抵抗効果を発揮する巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、トンネル巨大磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）を用いることができる。この薄膜磁気ヘッド素子２０は、図２及び図３に示されるように、図示Ｘ方向において下部シールド層１０及び第１上部シールド層３１のほぼ中央部に位置している。薄膜磁気ヘッド素子２０の図示Ｘ方向の両側部には、下部シールド層１０側から順に、第１絶縁層６１、ハードバイアス層６２及び第２絶縁層６３が積層形成されている。第１絶縁層６１及び第２絶縁層６３は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成され、ハードバイアス層６２と下部シールド層１０及び第２非磁性金属層５２との間をそれぞれ埋めている。ハードバイアス層６２は、図示Ｘ方向に磁化されており、薄膜磁気ヘッド素子２０のフリー磁性層に該フリー磁性層の磁化を図示Ｘ方向に揃える縦バイアス磁界を与える。図２では図示されていないが、実際にはハードバイアス層６２の直下に、該ハードバイアス層６２の特性（保磁力、角形比）を向上させるためのバイアス下地層が形成されている。また、薄膜磁気ヘッド素子２０と下部シールド層１０の間には、第２非磁性金属層５２と同様の非磁性金属層が介在していてもよい。
【００２２】
下部シールド層１０上であって薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側には、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料からなるバックフィルギャップ層（絶縁層）４０が、薄膜磁気ヘッド素子２０とコンタクト部１０ａの上面を除く下部シールド層１０との露出面２０ａ、１０ｂを覆って形成されている。バックフィルギャップ層４０は、薄膜磁気ヘッド素子２０及びコンタクト部１０ａとの接触部近傍領域では５０ｎｍ程度の膜厚ｔ１で備えられ、該薄膜磁気ヘッド素子２０及びコンタクト部１０ａからのリーク電流を確実に防止する一方、上記接触部近傍領域外（薄膜磁気ヘッド素子２０とコンタクト部１０ａに挟まれた中間領域）ではリーク電流を防止するために必要な１０ｎｍ程度の最小限の膜厚ｔ２で備えられている。このようにバックフィルギャップ層４０の膜厚を必要最小限に抑えれば、薄膜磁気ヘッド素子２０とコンタクト部１０ａの絶縁性を確保しつつ、放熱性を改善することができる。
【００２３】
薄膜磁気ヘッド素子２０よりもハイト方向奥側には、バックフィルギャップ層４０によって画定された凹領域αが存在し、この凹領域α内に、上下のシールド層１０、３０よりも比抵抗の小さい非磁性金属からなる第１非磁性金属層５１が備えられている。第１非磁性金属層５１は、その上面５１ａが薄膜磁気ヘッド素子２０、バックフィルギャップ層４０及びコンタクト部１０ａの各上面２０ａ、４０ａ、１０ａと同一平面を構成する膜厚ｔ３を有し、薄膜磁気ヘッド素子２０の素子面積（トラック幅寸法Ｔｗ、ハイト方向寸法ＭＲｈ）よりも大面積で存在している。この第１非磁性金属層５１は、第２非磁性金属層５２を介して第１上部シールド層３１に導通接続し、第１上部シールド層３１及び第２非磁性金属層５２と共に電極として機能する。第２非磁性金属層５２は、第１上部シールド層３２と、薄膜磁気ヘッド素子２０、バックフィルギャップ層４０、第１非磁性金属層５１及びエクストラギャップ層４１との間に、５〜１０ｎｍ程度の膜厚でそれぞれ介在している。この第２非磁性金属層５２は、第１非磁性金属層５１と同様に、上下のシールド層１０、３０よりも比抵抗の小さい非磁性金属からなる。具体的に第１非磁性金属層５１及び第２非磁性金属層５２は、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ及び白金系金属材料（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ）等の少なくとも一種を含んで形成され、１０μΩｃｍ程度、より好ましくは５μΩｃｍ程度の比抵抗を有する。この第１非磁性金属層５１及び第２非磁性金属層５２は、より好ましくはＡｕ、Ａｇ及びＣｕのいずれかにより形成されていることがよい。第１非磁性金属層５１は、上述したように大面積及び膜厚ｔ３で存在しているので、第２非磁性金属層５２よりも電気抵抗が小さくセンス電流Ｉが流れやすい。
【００２４】
エクストラギャップ層４１は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料からなる絶縁層であり、下部シールド層１０のコンタクト部１０ａの周囲に露出している第１非磁性金属層５１の表面を覆って備えられている。このエクストラギャップ層４１により、下部シールド層１０と第２上部シールド層３２のコンタクト部１０ａ、３２ａからのリーク電流が防止され、第１非磁性金属層５１と下部シールド層１０及び第２上部シールド層３２との間の絶縁性が確保されている。本実施形態のエクストラギャップ層４１は、下部シールド層１０のコンタクト部１０ａのハイト方向奥側に形成されたバックフィルギャップ層４０の上にも備えられており、このエクストラギャップ層４１によって第２上部シールド層３２のコンタクト部３２ａの位置が規定されている。第２上部シールド層３２の直下には、第１非磁性金属層５１及び第２非磁性金属層５２と同様に、上下のシールド層１０、３０よりも比抵抗の小さい非磁性金属からなる第３非磁性金属層５３が存在しており、この第３非磁性金属層５３を介して、下部シールド層１０と第２上部シールド層３２が導通接続している。
【００２５】
第１上部シールド層３１と第２上部シールド層３２の間には、第１非磁性金属層５１、第２非磁性金属層５２、薄膜磁気ヘッド素子２０、下部シールド層１０及び第３非磁性金属層５３を経由するセンス電流経路が形成される。図１及び図２に示す矢印は、第１上部シールド層３１から第２上部シールド層３２に向かってセンス電流Ｉを流した場合に生じる電流経路を示している。
【００２６】
第１上部シールド層３１に与えられたセンス電流は、その大部分が第１上部シールド層３１よりも比抵抗の小さい第２非磁性金属層５２及び第１非磁性金属層５１に流れ込む。第２非磁性金属層５２及び第１非磁性金属層５１に流れ込んだセンス電流Ｉは、より電気抵抗の小さい第１非磁性金属層５１内を膜面に対して平行に流れた後、薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向奥側端面に接するバックフィルギャップ層４０の近傍で、第１非磁性金属層５１と第２非磁性金属層５２の界面から第２非磁性金属層５２に入り、第２非磁性金属層５２から薄膜磁気ヘッド素子２０の各層の膜面に直交する方向（図示Ｚ方向）に流れる。そしてセンス電流Ｉは、薄膜磁気ヘッド素子２０の最下層と下部シールド層１０の界面から下部シールド層１０に入り、下部シールド層１０内を膜面に対して平行に流れ、コンタクト部１０ａで下部シールド層１０よりも比抵抗の小さい第３非磁性金属層５３に流れ込み、この第３非磁性金属層５３を介して第２上部シールド層３２に到達する。
【００２７】
上記電流経路によれば、薄膜磁気ヘッド素子２０の直上位置で第１上部シールド層３１から薄膜磁気ヘッド素子２０に流れこむセンス電流は、ほとんどない。すなわち、第１上部シールド層３１に与えられたセンス電流Ｉの大部分が第１非磁性金属層５１及び第２非磁性金属層５２を経由して薄膜磁気ヘッド素子２０に流れ、第１上部シールド層３１内を流れるセンス電流Ｉの割合は減少する。よって、第１上部シールド層３１のＡＭＲ効果が生じても該ＡＭＲ効果によるノイズは小さく抑えられ、良好な素子出力が得られる。なお、第２上部シールド層３２から第１上部シールド層３１に向かってセンス電流Ｉを流す場合には、センス電流Ｉの流れる方向は逆向きであるが、同様の電流経路ができる。
【００２８】
次に、図４〜図１０を参照し、図１〜図３に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施形態について説明する。
【００２９】
先ず、図４に示すように、下部シールド層１０の上に、全面的に、薄膜磁気ヘッド素子２０を構成する各層を積層形成する。
【００３０】
次に、図５に示すように、薄膜磁気ヘッド素子２０の上に、トラック幅寸法Ｔｗを規定するリフトオフ用の第１レジスト層Ｒ１を形成する。第１レジスト層Ｒ１を形成したら、該第１レジスト層Ｒ１で覆われていない薄膜磁気ヘッド素子２０の各層をイオンミリングやエッチング等により除去し、該除去部分に下部シールド層１０を露出させる。この工程により、下部シールド層１０の図示Ｘ方向の中央部に、トラック幅寸法Ｔｗを有する断面略台形形状の薄膜磁気ヘッド素子２０が残る。なお、薄膜磁気ヘッド素子２０の図示Ｘ方向の両側端面にはイオンミリングで除去された物質の一部が再付着するので、この再付着物を再度ミリングで除去することが好ましい。続いて、薄膜磁気ヘッド素子２０の図示Ｘ方向の両側端面にかけて、第１絶縁層６１、ハードバイアス層６２及び第２絶縁層６３を連続でスパッタ成膜し、成膜後に第１レジスト層Ｒ１をリフトオフにより除去する。
【００３１】
第１レジスト層Ｒ１を除去したら、図６に示すように、薄膜磁気ヘッド素子２０及び下部シールド層１０のコンタクト部１０ａの上に、ハイト方向寸法ＭＲｈを規定するリフトオフ用の第２レジスト層Ｒ２を形成し、第２レジスト層Ｒ２で覆われていない薄膜磁気ヘッド素子２０の各層及び下部シールド層１０をイオンミリングやエッチング等により除去して、薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向奥側に下部シールド層１０を露出させる。
【００３２】
続いて、図７に示すように、第２レジスト層Ｒ２から露出している薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向奥側端面とコンタクト部１０ａを除く下部シールド層１０の上面とを覆うバックフィルギャップ層４０を形成する。バックフィルギャップ層４０は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ２等の絶縁材料により、薄膜磁気ヘッド素子２０及びコンタクト部１０ａとの接触部近傍領域での膜厚ｔ１を５０ｎｍ程度で形成し、薄膜磁気ヘッド素子２０とコンタクト部１０ａの中間領域での膜厚ｔ２を１０ｎｍ程度で形成する。これにより、薄膜磁気ヘッド素子２０のハイト方向奥側端面から下部シールド層１０のコンタクト部１０ａまでの間には、バックフィルギャップ層４０によって凹領域αが画定される。
【００３３】
続いて、第２レジスト層Ｒ２を残した状態のまま、バックフィルギャップ層４０によって画定された凹領域α内に、第１非磁性金属層５１をスパッタ成膜する。この第１非磁性金属層５１は、上下のシールド層１０、３０よりも比抵抗の小さい非磁性金属材料、具体的にはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ及び白金系金属材料（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ）等の少なくとも一種を含んで形成し、その比抵抗を１０μΩｃｍ程度とする。より好ましくは、比抵抗を５μΩｃｍ程度とし、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇのいずれかにより形成されているとよい。本実施形態の第１非磁性金属層５１は、図８に示すように、その上面５１ａと薄膜磁気ヘッド素子２０の上面２０ａとが同一平面を構成する膜厚ｔ３で形成する。第１非磁性金属層５１の成膜後は、第２レジスト層Ｒ２をリフトオフにより除去する。
【００３４】
続いて、図９に示すように、エクストラギャップ層の形成領域を空間とするリフトオフ用の第３レジスト層Ｒ３を形成し、該第３レジスト層Ｒ３に覆われていない第１非磁性金属層５１及びバックフィルギャップ層４０の上に、エクストラギャップ層４１を形成する。エクストラギャップ層４１の形成後は、第３レジスト層Ｒ３をリフトオフにより除去する。このエクストラギャップ層４１により、コンタクト部１０ａ側の第１非磁性金属層５１の露出面が覆われると共に、コンタクト部１０ａの上に第２上部シールド層３２のコンタクト部形成用の凹空間が形成される。
【００３５】
続いて、例えばエッチング等により、表面に露出している各層（薄膜磁気ヘッド素子２０、バックフィルギャップ層４０、第１非磁性金属層５１、エクストラギャップ層４１及び下部シールド層１０のコンタクト部１０ａ）の表面酸化層を除去した後、これら各層の上に、図１０に示すように、非磁性金属層５０と上部シールド層３０を積層形成する。非磁性金属層５０は、第１非磁性金属層５１と同様に、上下のシールド層１０、３０よりも比抵抗の小さい非磁性金属材料、具体的にはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ及び白金系金属材料（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ）等の少なくとも一種を含んで形成し、その比抵抗を１０μΩｃｍ程度にする。より好ましくは、比抵抗を５μΩｃｍ程度とし、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのいずれかにより形成することがよい。
【００３６】
上部シールド層３０を形成したら、第１非磁性金属層５１の上に位置するエクストラギャップ層４１の表面を露出させる開放部β（図１）を形成する。この開放部βにより、上部シールド層３０は、薄膜磁気ヘッド素子２０に導通接続する第１上部シールド層３１と、下部シールド層１０のコンタクト部１０ａに導通接続する第２上部シールド層３２とに分離され、非磁性金属層５０は、第１上部シールド層３１の直下位置に存在する第２非磁性金属層５２と、第２上部シールド層３２の直下位置に存在する第３非磁性金属層５３とに分離される。
【００３７】
以上の工程により、図１〜図３に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１が得られる。
【００３８】
図１１は、本発明の第２実施形態によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１'の構造を、素子中央で切断して示す部分断面図である。第２実施形態によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１'は、第１非磁性金属層５１の膜厚ｔ４（ｔ４＞ｔ１）を第１実施形態よりも大きくした点で第１実施形態と異なる。この第１非磁性金属層５１の膜厚が異なる点以外は第１実施形態の構成と同一であり、上述した第１実施形態によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド１の製造工程において、第１非磁性金属層５１の膜厚を変えれば形成することができる。この第２実施形態によれば、第１非磁性金属層５１の電気抵抗がさらに低減するので、第１上部シールド層３１から第１非磁性金属層５１に流れ込むセンス電流Ｉは増大し、第１上部シールド層３１のＡＭＲ効果によるノイズ発生をより一層低減させることができる。
【００３９】
上記各実施形態のＣＰＰ−ＧＭＲヘッドは、再生用薄膜磁気ヘッドのみでなく、この再生用薄膜磁気ヘッド上にさらに記録用のインダクティブヘッドを積層した録再用薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態であるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの構造を素子中央で切断して示す部分断面図である。
【図２】図１のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの構造を記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図３】ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドを上から見て示す模式平面図である。
【図４】図１に示すＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図５】図４に示す工程後に行なう一工程を、（ａ）素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図、（ｂ）記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。
【図６】図５に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図７】図６に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図８】図７に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図９】図８に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図１０】図９に示す工程後に行なう一工程を、素子部中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態によるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの構造を素子中央でハイト方向に平行に切断して示す部分断面図である。
【図１２】ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドの従来構造を素子中央で切断して示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１     ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド
１０   下部シールド層
１０ａ コンタクト部
１０ｂ 露出面（上面）
２０   薄膜磁気ヘッド素子
２０ａ ハイト方向奥側端面（露出面）
３０   上部シールド層
３１   第１上部シールド層
３２   第２上部シールド層
３２ａ コンタクト部
４０   バックフィルギャップ層
４１   エクストラギャップ層
５０   非磁性金属層
５１   第１非磁性金属層
５２   第２非磁性金属層
５３   第３非磁性金属層
Ｒ１   第１レジスト層
Ｒ２   第２レジスト層
Ｒ３   第３レジスト層
α     凹領域
β     開放部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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