(57)【要約】    【課題】銀喰われ現象を回避し、誘電体磁器素体と接地金具相互間、及び、誘電体磁器素体と貫通導体相互間と強固に結合するともに、温度衝撃に対して導通不良及び耐電圧不良などを発生しない高信頼性の高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置及びマグネトロンを提供する。    【解決手段】誘電体磁器素体２１０は、貫通孔２１１、２１２を有する。個別電極２１３、２１４は、貫通孔２１１、２１２の開口する一面に付着されている。共通電極２１５は、貫通孔２１１、２１２の開口する他面に付着されている。個別電極２１３、２１４及び共通電極２１５は、Ａｇを主成分とし、磁性材料、具体的にはＮｉ金属粒子を含有する。【選択図】      図１
2005191308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体磁器素体と、共通電極と、個別電極とを含む高電圧貫通型コンデンサであって、
前記誘電体磁器素体は、貫通孔を有しており、
前記個別電極は、前記貫通孔の開口する一面に付着されており、
前記共通電極は、前記貫通孔の開口する他面に付着されており、
前記個別電極及び前記共通電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、磁性材料を含有する
高電圧貫通型コンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載された高電圧貫通型コンデンサであって、
前記磁性材料は、Ｎｉ金属粒子である
高電圧貫通型コンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された高電圧貫通型コンデンサであって、
前記電極は、銀（Ａｇ）１００ｗｔ％に対して、Ｎｉ金属粒子が２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％含まれている
高電圧貫通型コンデンサ。
【請求項４】
少なくとも１つの接地金具と、少なくとも１つの高電圧貫通型コンデンサと、少なくとも１つの電極接続体と、少なくとも１つの貫通導体とを含む高電圧貫通型コンデンサ装置であって、
前記接地金具は、鉄を主成分とする金属材料を使用している。
前記高電圧貫通型コンデンサは、請求項１乃至３の何れかに記載されたものでなり、前記共通電極が前記接地金具の一面上に半田付けされており、
前記電極接続体は、鉄を主成分とする金属材料でなり、貫通孔を有し、前記個別電極に半田付けされており、
前記貫通導体は、前記接地金具、前記高電圧貫通型コンデンサ、及び、前記電極接続体、の前記貫通孔を貫通し、前記電極接続体に半田付けされている
高電圧貫通型コンデンサ装置。
【請求項５】
請求項４に記載された高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法であって、
前記接地金具、前記高電圧貫通型コンデンサ、前記電極接続体及び前記貫通導体の前記半田付けをすべき箇所に、半田層を付与して組立体を構成し、
次に、前記組立体を誘導加熱して、前記半田層を溶融し半田付けする
工程を含む高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法。
【請求項６】
高電圧貫通型コンデンサ装置を含むマグネトロンであって、
前記高電圧貫通型コンデンサ装置は、請求項４又は５の何れかに記載されたものでなり、フィルタとして組み込まれている
マグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、この高電圧貫通型コンデンサでなるフィルタを有するマグネトロンに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の高電圧貫通型コンデンサ装置は、例えば特許文献１、特許文献２、及び、文献３等でよく知られている。その一般的な構造は、次のようなものである。高電圧貫通型コンデンサを構成する誘電体磁器素体に、２つの貫通孔を間隔おいて形成する。誘電体磁器素体の貫通孔を開口させた両面に、互いに独立した個別電極、及び、個別電極に対して共通となる共通電極を設ける。個別電極及び共通電極は、銀を主成分とする非磁性導電材料で構成される。共通電極は接地金具の浮上り部上に半田付け等の手段によって固着される。高電圧貫通型コンデンサの貫通孔及び接地金具の貫通孔を通って、貫通導体を貫通させる。この貫通導体は、高電圧貫通型コンデンサの個別電極に、電極接続体等を用いて半田付けされる。
【０００３】
ところで、近年、環境保護の観点から、上述した半田付け工程において、鉛フリー半田の使用が推奨されている。一般に、鉛フリー半田の半田付け温度は、従来の鉛半田の半田付け温度に比べて高温となる。従って、電極を銀のみ（Ａｇ１００ｗｔ％）で構成した場合、しばしば、半田付け温度の高温化による銀の喰われ現象が発生し、その結果、半田付け強度が大幅に低下してしまう問題があった。
【０００４】
また、この種の高電圧貫通型コンデンサは、製品自体が比較的大きいから、製品全体を雰囲気で加熱して半田付けを行うことは、大幅な生産効率低下とコストアップを招く。この点を考慮して、近年は誘導加熱による部分発熱で、半田付けが行われている。しかし、銀（Ａｇ）自体は誘導加熱されないため、本来半田付けに必要な温度よりも高電圧貫通型コンデンサ全体を高温にする必要があり、それゆえに、余計に銀喰われ現象を引起すことがあった。
【特許文献１】特開平８−３１６０９９号公報
【特許文献２】実開平４−４０５２４号公報
【特許文献３】実開平０４−３１６０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、銀喰われ現象を回避した高信頼性の高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置及びマグネトロンを提供することである。
【０００６】
本発明のもう一つ課題は、誘電体磁器素体と接地金具相互間、及び、誘電体磁器素体と貫通導体相互間が強固に結合されている高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置及びマグネトロンを提供することである。
【０００７】
本発明の更にもう一つ課題は、温度衝撃に対して導通不良及び耐電圧不良等を発生しにくい高信頼性の高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置及びマグネトロンを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）高電圧貫通型コンデンサ
上述した課題を解決するため、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサは、誘電体磁器素体と、共通電極と、個別電極とを含む。前記誘電体磁器素体は、貫通孔を有している。前記個別電極は、前記貫通孔の開口する一面に付着されている。前記共通電極は、前記貫通孔の開口する他面に付着されている。前記個別電極及び前記共通電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、磁性材料を含有する。
【０００９】
上述したように、個別電極及び共通電極は、磁性材料を含有するから、接地金具や、電極接続体への半田付けにおいて、誘導加熱により、個別電極及び共通電極自体を発熱させることができる。従って、実質的に半田付け温度が低減され、Ａｇを主成分とする電極において、銀喰われ現象が発生する不都合を回避できる。
【００１０】
個別電極及び共通電極に含有される磁性材料としては、好ましくは、ニッケル金属粒子（Ｎｉ金属粒子）が用いられる。具体的には、Ａｇ１００ｗｔ％に対して、Ｎｉ金属粒子が２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％含まれている組み合わせが好適である。
【００１１】
（２）高電圧貫通型コンデンサ装置
本発明に係る高電圧貫通型コンデンサは、接地金具や電極接続体などと組み合わされ、高電圧貫通型コンデンサ装置を構成する。即ち、高電圧貫通型コンデンサ装置は、少なくとも１つの接地金具と、少なくとも１つの高電圧貫通型コンデンサと、少なくとも１つの電極接続体と、少なくとも１つの貫通導体とを含む。前記接地金具は、鉄を主成分とする金属材料で構成する。
【００１２】
前記高電圧貫通型コンデンサは、本発明に係るものでなり、前記共通電極が前記接地金具の一面上に半田付けされている。
【００１３】
前記電極接続体は、鉄を主成分とする金属材料でなり、貫通孔を有し、前記個別電極に半田付けされている。
【００１４】
前記貫通導体は、前記接地金具、前記高電圧貫通型コンデンサ、及び、前記電極接続体、の前記貫通孔を貫通し、前記電極接続体に半田付けされている。
【００１５】
本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置は、上述した本発明に係る高電圧貫通型コンデンサを含む。従って、上述した高電圧貫通型コンデンサの利点を全て有する。
【００１６】
さらに高電圧貫通型コンデンサ装置においては、接地金具及び電極接続体が、通常、鉄を主成分とする金属材料によって構成されるから、誘導加熱において、上述した個別電極及び共通電極自体の発熱とともに、接地金具や、電極接続体をも、発熱させることができる。従って、実質的に半田付け温度が低減され、銀喰われ現象の発生を回避することができるから、共通電極と接地金具相互間、及び、個別電極と電極接続体相互間を強固に結合しうるとともに、温度衝撃に対しても導通不良及び耐電圧不良の発生の無い高信頼性の高電圧貫通型コンデンサ装置を提供することができる。
【００１７】
（３）高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法
本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法では、まず、前記接地金具、前記高電圧貫通型コンデンサ、前記電極接続体及び前記貫通導体の前記半田付けをすべき箇所に、半田層を付与して組立体を構成する。次に、前記組立体を誘導加熱して、前記半田層を溶融し半田付けする。
【００１８】
ここで、個別電極及び共通電極は、磁性材料を含有するから、接地金具や、電極接続体への半田付けにおいて、誘導加熱により、個別電極及び共通電極自体を発熱させることができる。従って、実質的に半田付け温度が低減され、Ａｇを主成分とする電極において、銀喰われ現象が発生するのを回避できる。
【００１９】
接地金具及び電極接続体が、鉄を主成分とする金属材料によって構成されるから、誘導加熱において、上述した個別電極及び共通電極自体の発熱とともに、接地金具や、電極接続体をも、発熱させることができる。従って、実質的に半田付け温度が低減され、銀喰われ現象の発生を回避することができるから、共通電極と接地金具相互間、及び、個別電極と電極接続体相互間を強固に結合しうるとともに、温度衝撃に対しても導通不良及び耐電圧不良が発生しにくくなる。
【００２０】
（４）マグネトロン
本発明に係るマグネトロンは、上述した高電圧貫通型コンデンサ装置を含む。従って、上述した高電圧貫通型コンデンサ、及び、高電圧貫通型コンデンサ装置の利点を全て有する。本発明にかかる高電圧貫通型コンデンサ装置は、この種の高電圧貫通型コンデンサ装置の一般的構造を備える。従って、電子レンジのマグネトロンに使用した場合、貫通導体を給電端子とし、この貫通端子と、アース電位となる接地金具との間に高電圧貫通型コンデンサを接続し、貫通導体を通るノイズを高電圧貫通型コンデンサ装置のフィルタ作用によって吸収することができる。
【００２１】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【発明の効果】
【００２２】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（１）銀喰われ現象を回避した高信頼性の高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、マグネトロンを提供することができる。
（２）誘電体磁器素体と接地金具相互間、及び、誘電体磁器素体と貫通導体相互間が強固に結合されている高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、マグネトロンを提供することができる。
（３）温度衝撃に対して、導通不良及び耐電圧不良などを発生しにくい高信頼性の高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、それらを用いたマグネトロンを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
１．高電圧貫通型コンデンサ
図１は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサの斜視図である。図示する高電圧貫通型コンデンサは、誘電体磁器素体２１０と、個別電極２１３、２１４、と共通電極２１５とを含む。
【００２４】
誘電体磁器素体２１０の組成としては、一種または複数種の添加物を含む周知の組成をあげることができる。好ましくはBaTiO3−BaZrO3−CaTiO3を主成分とする。
【００２５】
誘電体磁器素体２１０は、貫通孔２１１、２１２を有する。貫通孔２１１、２１２の開口する両面には、電極２１３〜２１５が備えられている。より具体的には、個別電極２１３は貫通孔２１１の開口する面に付着され、個別電極２１４は貫通孔２１２の開口する一面に付着されている。共通電極２１５は、貫通孔２１１、２１２の開口する他面に付着されている。
【００２６】
個別電極２１３、２１４及び共通電極２１５はＡｇを主成分とし、磁性材料としてＦｅ、ＣｏもしくはＮｉ、またはそれらの組み合わせを含有する。上述した構成のうち、用いられる磁性材料としては、Ｎｉ金属粒子が好ましい。Ｎｉは加熱などにより酸化し
難いからである。具体的には、Ａｇ１００ｗｔ％に対して、Ｎｉ金属粒子が２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲で含まれている組み合わせが好適である。好ましくは、個別電極２１３、２１４及び共通電極２１５は、印刷焼付けで形成されている。
【００２７】
２．高電圧貫通型コンデンサ装置
図２は本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の正面断面図、図３は図２に示した高電圧貫通型コンデンサ装置の分解斜視図である。図２及び図３を参照すると、高電圧貫通型コンデンサは、接地金具１と、高電圧貫通型コンデンサ２と、貫通導体４、５と、絶縁ケース６と、絶縁樹脂７、８と、絶縁カバー９と、絶縁チューブ１０、１１とを含む。
【００２８】
接地金具１は、鉄材を使用して形成されており、その一面側に浮き上り部１１１を有する。浮き上り部１１１は、一面側から他面側に貫通する貫通孔１１２を有している。
【００２９】
高電圧貫通型コンデンサ２は図１に示したものでなり、共通電極２１５が、接地金具１に半田付けされている。詳しくは、高電圧貫通型コンデンサ２は、接地金具１の浮き上り部１１１上に配置され、且、共通電極２１５が浮き上り部１１１に鉛フリー半田を用いた半田付けにより固着されている。本実施例において、半田付けに用いられる鉛フリー半田は、液相線が２２２℃程度である。半田付け方法は、好ましくは高周波誘導加熱方法により実行される。この点については後に詳細に説明する。
【００３０】
貫通導体４、５は、鉄材で構成された電極接続体１２、１３、高電圧貫通型コンデンサ２及び接地金具１を貫通し、電極接続体１２、１３に半田付けされ、電極接続体12、13を介して個別電極２１３、２１４に導通接続されている。具体的には、貫通導体４は、貫通孔２１１及び貫通孔１１２の内部を貫通し、電極接続体１２に鉛フリー半田を用いた半田付けされ、個別電極２１３に導通している。同様に、貫通導体５は、貫通孔２１２及び貫通孔１１２の内部を貫通し、電極接続体１３に鉛フリー半田を用いた半田付けにより固着され、個別電極２１４に導通する。
【００３１】
図示する貫通導体４は、高電圧貫通型コンデンサ２を貫通する貫通部４２と、タブ接続子として用いられるタブ部４１とを有する。貫通部４２とタブ部４１とは、かしめ４３により接続されている。同様に、図示する貫通導体５も貫通部５２とタブ部５１とを有しており、貫通部５２とタブ部５１とがかしめ５３により接続されている。
【００３２】
絶縁樹脂７、８は、絶縁ケース６の内部、及び、絶縁カバー９の内部に充填されるとともに、高電圧貫通型コンデンサ２の周りに充填されている。具体的には、絶縁樹脂７は、鉄材を使用した１つの接地金具１の一面側であって、高電圧貫通型コンデンサ２の周りに充填され、誘電体磁器素体２１０の表面に密着している。絶縁樹脂８は、鉄材を使用した１つの接地金具１に備えられた浮き上り部１１１の内側及び高電圧貫通型コンデンサ２の貫通孔２１１、２１２内に充填され、誘電体磁器素体２１０の表面に密着している。絶縁樹脂７、８は、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成できる。更に、フェノール樹脂やシリコーン樹脂等も用いることができる。
【００３３】
絶縁カバー９は、接地金具１の他面側に備えられている。この絶縁カバー９は、一端が浮き上り部１１１の内周側に挿着されている。絶縁カバー９はポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレートあるいは変性メラミン等で構成できる。
【００３４】
絶縁チューブ１０、１１は、貫通導体４、５の、貫通孔２１１、２１２内に位置する部分に被せて設けられている。絶縁チューブ１０、１１は、シリコーン等により構成される。
【００３５】
絶縁ケース６は、接地金具１の一面側に備えられている。この絶縁ケース６は、一端が浮き上り部１１１の外周側に挿着されている。絶縁ケース６も、絶縁カバー９と同様に、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレートあるいは変性メラミン等で構成できる。
【００３６】
上述した高電圧貫通型コンデンサにおいて、高電圧貫通型コンデンサ２は、共通電極２１５が接地金具１の一面上に固着されて、接地金具１上に備えられている。貫通導体４、５は、高電圧貫通型コンデンサ２及び鉄材を使用した１つの接地金具１を貫通し、個別電極２１３、２１４に半田付けされている。従って、電子レンジのマグネトロンに使用した場合、貫通導体４、５を給電端子とし、この貫通導体４、５と、アース電位となる接地金具１との間に高電圧貫通型コンデンサ２を接続し、貫通導体４、５を通るノイズを高電圧貫通型コンデンサ２のフィルタ作用によって吸収する高電圧貫通型コンデンサが得られる。
【００３７】
高電圧貫通型コンデンサをマグネトロンに使用した場合、接地金具１はアースされ、貫通導体４、５に高電圧が印加される。
【００３８】
接地金具１は、少なくとも一つの貫通孔１１２を有しており、高電圧貫通型コンデンサ２は誘電体磁器素体２１０を貫通する少なくとも一つの貫通孔２１１、２１２を有しているから、アースに対して高電位となる貫通導体４、５を、アース電位となる接地金具１及び高電圧貫通型コンデンサ２の共通電極２１５との間に、貫通孔２１１、２１２による充分な電気絶縁を確保することができる。
【００３９】
絶縁樹脂７、８が高電圧貫通型コンデンサ２の回りに充填されているから、高温負荷試験や耐湿負荷試験等の信頼性試験または高温多湿の環境で使用された場合等の信頼性が向上する。
【００４０】
本発明の特徴は、上述した一般的構造において、電極２１３〜２１５がＡｇを主成分とし、磁性材料としてＦｅ、ＣｏもしくはＮｉ、またはそれらの組み合わせを含有する点にある。具体的には、既に述べたように、Ａｇ１００ｗｔ％に対してＮｉ金属粒子が２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲で混合されており、印刷乾燥後、空気中で焼き付けして形成されている。
【００４１】
上述した構造によると、誘導加熱による半田付け時において、Ｎｉ金属粒子自身が誘導加熱されることを利用して、電極自体を発熱させことにより、実質的に半田付け温度を低くできる。従って、半田付け温度が低減され、銀喰われ現象の発生を回避することができるから、誘電体磁器素体と接地金具相互間、及び、誘電体磁器素体と貫通導体相互間を強固に結合し、温度衝撃に対しても導通不良及び耐電圧不良の発生の無い高信頼性の高電圧貫通型コンデンサを提供することができる。
【００４２】
次に、試験データを挙げて説明する。
実施例の高電圧貫通型コンデンサの誘電体磁器素体と接地金具及び誘電体磁器素体と貫通導体間の固着強固度について、熱衝撃性を確認するため、固着強度試験及び熱衝撃試験を行った。図４は、図２及び図３に示した高電圧貫通型コンデンサを用いた固着強度試験の試験方法を示す部分断面図である。
【００４３】
Ｆ１加重は、誘電体磁器素体と、電極接続体を有する貫通導体との固着強度を評価するための加重である。一方、Ｆ２加重は、誘電体磁器素体と、接地金具との固着強度を評価するための加重である。評価に当たっては、破断するまで加重し、破断した時の加重数値を記録した。
【００４４】
以下に示す表１及び２は、図４に示した方法を用いた固着強度試験の結果を示している。表１及び２において、サンプル１乃至１０は、それぞれ同一の製造工程において作られた高電圧高電圧貫通型コンデンサから無作為に抽出したものであって、Ｎｉ金属粒子の含有量（０．０〜１５．０ｗｔ％）が異なる以外は同一の構造を有する。
【００４５】
【表１】
2005191308.tif 000003
【００４６】
【表２】
2005191308.tif 000004
図５は表１に示した固着強度試験結果の分布図、図６は表２に示した固着強度試験結果の分布図である。図５及び図６の折れ線は、平均値の推移を表している。
【００４７】
図５及び図６を参照すると、Ｎｉ金属粒子の含有量と、固着強度との関係は、Ｆ１加重による固着強度試験においても、Ｆ２加重による固着強度試験においても、Ｎｉ金属粒子の含有量が２．５ｗｔ％よりも小さくなると、固着強度が低下する傾向となる。また、７．５ｗｔ％を超えると、固着強度は単純に低下し続ける。これに対して、Ｎｉ金属粒子の含有量が２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲では、高い安定した固着強度を維持するが、従って、安定し、且、優れた固着強度を有するＮｉ金属粒子の含有量は、２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲となる。
【００４８】
次に、表３は、熱衝撃試験の結果を示している。熱衝撃試験は、一４０℃（１時間）〜＋１２０℃（１時間）の温度サイクルを１００サイクル行った。さらに、上記試験後の試料に、ＡＣｌ３kv、５秒間の耐電圧試験を行った。
【００４９】
【表３】
2005191308.tif 000005
【００５０】
一方、比較例２及び３を参照すると、Ｎｉ金属粒子の含有量が７．５ｗｔ％を越えた場合も同様に十分な固着強度が得られず（図４、図５参照）、熱衝撃試験で導通不良が発生する。
【００５１】
これに対し、実施例１乃至３を参照すると、電極に用いられる電極導電ペーストが、Ａｇ及びＮｉ金属粒子導電金属で構成され、Ａｇ１００ｗｔ％に対してＮｉ金属粒子を２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲で含有する場合、熱衝撃に対する導通不良及び耐電圧不良の発生について、いずれも比較例１乃至３より良好な結果が得られている。これは、Ｎｉ金属粒子を２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲で含有する場合、表１、２及び図４、５で見たように、誘電体磁器素体と接地金具及び誘電体磁器素体と貫通導体間の固着強度が高くなるからであると推測される。
【００５２】
従って、表１において、実施例１乃至３の高電圧貫通型コンデンサと、従来技術にかかる比較例１、及び、比較例２、３の高電圧貫通型コンデンサとを対比した場合、実施例１乃至３の高電圧貫通型コンデンサは、固着強度及び耐電圧性能が大幅に向上していることがわかる。
【００５３】
表１乃至表３の結果から明らかなように、誘電体磁器素体と接地金具相互間、及び、誘電体磁器素体と貫通導体相互間が強固に結合されており、且、温度衝撃に対して導通不良及び耐電圧不良の発生の無い高信頼性を有する高電圧貫通型コンデンサを提供するに適したＮｉ含有量の範囲は、２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％である。
【００５４】
図７は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の別の実施例を示す正面断面図である。図７において、図２及び図３に図示した構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００５５】
図７に示す高電圧貫通型コンデンサは、図２及び図３に示す高電圧貫通型コンデンサと異なり、貫通導体４、５において、電極接続体１２、１３が一体で形成されている構造に相違点がある。勿論、この実施例の場合も、電極２１３〜２１５は、Ａｇを主成分とし、磁性材料としてＦｅ、ＣｏもしくはＮｉ、またはそれらの組み合わせを含有する。具体的には、Ａｇ１００ｗｔ％に対して、Ｎｉ金属粒子が２．５ｗｔ％〜７．５ｗｔ％の範囲で含まれている。この構成によれば、誘導加熱による半田付け時において、Ｎｉ金属粒子自身が誘導加熱されることを利用し、電極自体が発熱することにより、実質的に半田付け温度を低くし、銀喰われ現象の発生を回避し、誘電体磁器素体と接地金具相互間、及び、誘電体磁器素体と貫通導体相互間の固着を強固にし、温度衝撃に対しても導通不良及び耐電圧不良の発生の無い高信頼性の高電圧貫通型コンデンサを得ることができる。
【００５６】
３．高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法
図８乃至図１０は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法を示す図である。まず、図８を参照すると、接地金具１の上部に高電圧貫通型コンデンサ２を配置する。浮き上り部１１１と、共通電極２１５との界面には、半田層３を付着させておく。高電圧貫通型コンデンサ２の上部に電極接続体１２、１３を配置する。個別電極２１３と電極接続体１２との界面、及び、個別電極２１４と電極接続体１３との界面に、半田層３を付着させておく。貫通導体４を、接地金具１の貫通孔１１２、及び、高電圧貫通型コンデンサ２の貫通孔２１１に挿通するとともに、貫通導体４と、電極接続体１２との界面に、半田層３を付着させておく。貫通導体５を、接地金具１の貫通孔１１２、及び、高電圧貫通型コンデンサ２の貫通孔２１２に挿通する。貫通導体４と、電極接続体１３との界面には、半田層３を付着させておく。上述した組み合わせにより、高電圧貫通型コンデンサ装置組立体が構成される。
【００５７】
次に、図９に示すように、誘導加熱炉Ｒを用いて、高電圧貫通型コンデンサ装置組立体を誘導加熱する。高電圧貫通型コンデンサ装置組立体は、誘導加熱炉Ｒの内部において、支持台Ｔ等により支持されることが好ましい。誘導加熱方法には、加熱電流が被熱物を流れる直接式と、加熱媒介物を流れる間接式とがあるが、両者を適宜選択することができる。また、図９において誘導加熱炉Ｒは、好ましくは、高周波誘導加熱炉である。
【００５８】
図１０を参照すると、高電圧貫通型コンデンサ装置組立体は、誘導加熱により各半田層３が溶融し、各構成部材が半田付けされている。この後、高電圧貫通型コンデンサ装置組立体には、周知の方法により、絶縁ケース６、絶縁樹脂７、８、及び、絶縁カバー９が備えられ、高電圧貫通型コンデンサ装置が完成する。
【００５９】
４．マグネトロン
図１１は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置をフィルタとして組込んだマグネトロンの部分破断面図である。図示する１５は陰極ステム、１６はフィルタボックス、１７、１８はインダクタ、１９はインダクタ１７、１８と共にフィルタとして使用された本発明に係る高電圧貫通型コンデンサである。フィルタボックス１６は陰極ステム１５を覆うように配置してあり、また高電圧貫通型コンデンサ１９は、フィルタボックス１６の側面板１６１に設けた貫通孔を通して、絶縁樹脂７が外部に出るように貫通して設けられ、鉄材を使用した１つの接地金具１の部分で、フィルタボックス１６の側面板１６１に取付け固定されている。インダクタ１７、１８はフィルタボックス１６の内部において、陰極ステム１５の陰極端子と、高電圧貫通型コンデンサ１９の貫通導体４、５との間に直列に接続されている。２１は冷却フィン、２２はガスケット、２３はＲＦ出力端、２４は磁石である。
【００６０】
電子レンジのマグネトロンを発振させるために、商用周波数または２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持つ４ｋＶ0-P程度の電圧が、高電圧貫通型コンデンサ１９の貫通導体４、５に供給される。供給された高電圧は、貫通導体４、５からインダクタ１７、１８を通してマグネトロンに供給される。貫通導体４、５を通るノイズは高電圧貫通型コンデンサ２及びインダクタ１７、１８のフィルタ作用によって吸収される。
【００６１】
上述した構成において、高電圧貫通型コンデンサ１９は、図１乃至図４に示した高電圧貫通型コンデンサと同様の構成を有する。従って、図示するマグネトロンは、図１乃至図４を参照して説明した高電圧高電圧貫通型コンデンサの利点を全て有する。
【００６２】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種種の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサの斜視図である。
【図２】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の正面断面図である。
【図３】図２に示した高電圧貫通型コンデンサ装置の分解斜視図である。
【図４】図２に示した高電圧貫通型コンデンサ装置の固着強度試験の試験方法を示す部分断面図である。
【図５】表１に示した固着強度試験結果の分布図である。
【図６】表２に示した固着強度試験結果の分布図である。
【図７】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の別の実施例を示す正面断面図である。
【図８】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の製造方法を示す図である。
【図９】図８の後の製造方法を示す図である。
【図１０】図９の後の製造方法を示す図である。
【図１１】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置をフィルタとして組込んだマグネトロンの部分破断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１                接地金具
１２、１３        電極接続体
２                高電圧貫通型コンデンサ
２１０            誘電体磁器素体
２１１、２１２    貫通孔
２１３、２１４    個別電極
２１５            共通電極
３                半田層
４、５            貫通導体
【図１】
2005191308.tif 000006
【図２】
2005191308.tif 000007
【図３】
2005191308.tif 000008
【図４】
2005191308.tif 000009
【図５】
2005191308.tif 000010
【図６】
2005191308.tif 000011
【図７】
2005191308.tif 000012
【図８】
2005191308.tif 000013
【図９】
2005191308.tif 000014
【図１０】
2005191308.tif 000015
【図１１】
2005191308.tif 000016