(57)【要約】【課題】  ループの共振現象によってワイヤの破断や断線が発生するのを防止するように設計された半導体装置を提供すること。【解決手段】  半導体装置は、半導体チップ５と、インナーリード２と、半導体チップ５のパッドとインナーリード２とを結線するワイヤ１とを含む。ワイヤ１は、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないように形成される。したがって、ループの共振現象によってワイヤ１の破断や断線が発生するのを防止することが可能となる。【選択図】        図２
2005277201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
インナーリードと、
前記半導体チップのパッドと前記インナーリードとを結線するワイヤとを含んだ半導体装置であって、
前記ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないように形成される、半導体装置。
【請求項２】
前記ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないようなループ長を有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないようなループ高さを有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないようにループ長さに応じたループ高さを有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないような直径を有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないような弾性率を有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップのパッドおよびインナーリードの平面座標からワイヤのループ長さを算出する算出手段と、
前記算出手段によって算出されたワイヤのループ長さからループ形状を特定する第１の特定手段と、
前記第１の特定手段によって特定されたループ形状からループの固有振動数を特定する第２の特定手段と、
前記第２の特定手段によって特定されたループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内の場合に、ワイヤのループ形状を変更する変更手段とを含む半導体設計装置。
【請求項８】
前記変更手段は、前記第２の特定手段によって特定されたループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内の場合に、ワイヤのループ長を変更する、請求項７記載の半導体設計装置。
【請求項９】
前記変更手段は、前記第２の特定手段によって特定されたループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内の場合に、ワイヤのループ高さを変更する、請求項７記載の半導体設計装置。
【請求項１０】
半導体チップのパッドとインナーリードとをワイヤで結線することにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
ワークを加熱するステップと、
前記ワイヤを前記インナーリードに押圧するステップと、
前記ワイヤをインナーリードに対して相対的に運動させるステップとを含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップとインナーリードとにワイヤをボンディングすることによりループを形成する技術に関し、特に、超音波振動を用いてループを形成する際にループが超音波振動によって共振を起こさないように設計された半導体装置、その半導体装置を設計するための半導体設計装置およびその半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ、携帯電話などの情報通信機器や、家電機器などに半導体装置が広く使用されている。このような半導体装置の製造においては、インナーリードと半導体チップのパッドとを、Ａｕ線などの金属線であるワイヤで結線してループを形成する際、ワイヤを超音波熱圧着方式を用いて接合するのが一般的である。これに関連する技術として、特開平９−１３４９３２号公報および特開２００２−３１９５９６号公報に開示された発明がある。
【０００３】
特開平９−１３４９３２号公報に開示されたワイヤボンディング装置は、ボンディング点間にワイヤによって形成されるワイヤループの共振周波数を算出する共振周波数算出部と、キャピラリに付与される超音波振動の超音波振動数を記憶する超音波振動数記憶部と、共振周波数と超音波周波数とを比較し、両者の一致、不一致を判定する比較判定部と、比較判定部において共振周波数と機械振動数とが不一致の場合に、ワイヤボンディングを実施すべくキャピラリを駆動制御する制御装置とを含む。
【０００４】
また、特開２００２−３１９５９６号公報に開示されたワイヤボンディングを用いた接続方法においては、１次ボンディングを行なった後、１次ボンディング部と２次ボンディング部との間において線材が治具によって支持された状態で、２次ボンディングを行なうことにより、２次ボンディングによる線材の共振振動が抑制され、振動の１次ボンディング部への伝達が抑制されることが記載されている。
【特許文献１】特開平９−１３４９３２号公報
【特許文献２】特開２００２−３１９５９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ループは、有限の長さのワイヤと、その両端に形成された接合部分とから構成される。一般に、ループの形成には、超音波振動が用いられる。ループは、まず第１端を超音波振動によって接合した後、第２端を超音波振動によって接合することにより形成される。
【０００６】
第１端と第２端との間に存在するワイヤの部分の固有振動数が、第２端の接合の際に印加される超音波振動の周波数と一致、またはそれに近い場合に、ループが共振現象を起こし、金属疲労を呈し、破断や断線に至るという不具合がある。しかしながら、従来の半導体装置の製造においては、ループの共振現象が考慮されていなかった。
【０００７】
また、上述した特開平９−１３４９３２号公報においては、ループの共振現象を考慮したキャピラリを駆動制御する制御装置が開示されているが、キャピラリによるボンディング点をずらすことによって共振現象を防止するものであり、それ以外の要因については考慮されていない。
【０００８】
また、上述した特開２００２−３１９５９６号公報においては、線材を治具で支持することによって共振現象を防止しているが、治具を移動するなどの機構が必要になり、半導体の製造装置の構造が複雑になるといった問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、第１の目的は、ループの共振現象によってワイヤの破断や断線が発生するのを防止するように設計された半導体装置を提供することである。
【００１０】
第２の目的は、ループの共振現象によってワイヤの破断や断線が発生するのを防止するように半導体装置を設計する半導体設計装置を提供することである。
【００１１】
第３の目的は、超音波振動を用いずにワイヤを接合することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のある局面に従えば、半導体チップと、インナーリードと、半導体チップのパッドとインナーリードとを結線するワイヤとを含んだ半導体装置であって、ワイヤは、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないように形成される。
【００１３】
本発明の別の局面に従えば、半導体設計装置は、半導体チップのパッドおよびインナーリードの平面座標からワイヤのループ長さを算出する算出手段と、算出手段によって算出されたワイヤのループ長さからループ形状を特定する第１の特定手段と、第１の特定手段によって特定されたループ形状からループの固有振動数を特定する第２の特定手段と、第２の特定手段によって特定されたループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内の場合に、ワイヤのループ形状を変更する変更手段とを含む。
【００１４】
本発明のさらに別の局面に従えば、半導体チップのパッドとインナーリードとをワイヤで結線することにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、ワークを加熱するステップと、ワイヤをインナーリードに押圧するステップと、ワイヤをインナーリードに対して相対的に運動させるステップとを含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のある局面によれば、ワイヤが、ループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内にならないように形成されるので、ループの共振現象によってワイヤの破断や断線が発生するのを防止できる半導体装置を提供することが可能となった。
【００１６】
本発明の別の局面によれば、変更手段が、第２の特定手段によって特定されたループの固有振動数が、ループ形成時に使用される超音波振動数の所定範囲内の場合に、ワイヤのループ形状を変更するので、ループの共振現象によってワイヤの破断や断線が発生するのを防止できる半導体装置を設計可能な半導体設計装置を提供することが可能となった。
【００１７】
本発明のさらに別の局面によれば、半導体装置の製造方法は、ワークを加熱するステップと、ワイヤをインナーリードに押圧するステップと、ワイヤをインナーリードに対して相対的に運動させるステップとを含むので、超音波振動を用いずにワイヤを接合することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置のループの長さと固有振動数との関係を示す図である。図１は、ワイヤのループ高さを１５０μｍ固定とし、ワイヤのループ長を０．７〜１．５ｍｍで変化させたときの固有振動数（ｋＨｚ）を示している。固有振動数は、有限要素法などによる数値計算、または実験により得ることができる。キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚの場合、ループ長が１ｍｍのワイヤの固有周波数と一致していることが分かる。したがって、キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚのとき、ループ長が１ｍｍまたはそれに近い長さのときにループの共振現象が発生する。
【００１９】
図２は、第１の実施の形態における半導体装置の概略を示すＷＤ図である。この半導体装置は、複数のインナーリード２と、半導体チップ５と、インナーリード２とチップ５のパッドとを結線する複数のループ１とを含む。キャピラリ３は、矢印４の方向に超音波振動することによりワイヤ１をインナーリード２に接合する。
【００２０】
本実施の形態においては、図１に示すグラフを用いて、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似するときのループ長を求め、この長さにならないように図２に示すＷＤ図をレイアウトする。そして、作成されたＷＤ図に基づいて半導体装置を製造する。なお、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致するときのループ長を求め、そのループ長から所定の範囲内にならないようにループ長を決定して、ＷＤ図を作成するようにしてもよい。
【００２１】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置によれば、ループ高さを固定とし、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにループ長を決定するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することが可能となった。
【００２２】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置のループの高さと固有振動数との関係を示す図である。図３は、ワイヤのループ長を１ｍｍ固定とし、ワイヤのループ高さを１００〜３００μｍで変化させたときの固有振動数（ｋＨｚ）を示している。固有振動数は、有限要素法などによる数値計算、または実験により得ることができる。キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚの場合、ループ高さが１５０μｍのワイヤの固有周波数と一致していることが分かる。したがって、キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚのとき、ループ高さが１５０μｍまたはそれに近似する高さのときにループの共振現象が発生する。
【００２３】
本実施の形態においては、図３に示すグラフを用いて、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似するときのループ高さを求め、この高さにならないように全ループのループ高さを一律に定め、図２に示すＷＤ図をレイアウトする。そして、作成されたＷＤ図に基づいて半導体装置を製造する。なお、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致するときのループ高さを求め、そのループ高さから所定の範囲内にならないようにループ高さを決定して、ＷＤ図を作成するようにしてもよい。
【００２４】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置によれば、ループ長を固定とし、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにループ高さを決定するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することが可能となった。
【００２５】
（第３の実施の形態）
図４は、本発明の第３の実施の形態における半導体装置のループの長さと固有振動数との関係を示す図である。図４は、ワイヤのループ高さを１５０μｍまたは１９０μｍ固定とし、ワイヤのループ長さを０．７〜１．５ｍｍで変化させたときの固有振動数（ｋＨｚ）を示している。固有振動数は、有限要素法などによる数値計算、または実験により得ることができる。キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚの場合に、ループ長が１ｍｍ、ループ高さが１５０μｍのワイヤの固有周波数と一致していることが分かる。
【００２６】
ループ長が１ｍｍのワイヤを使用せざるを得ない場合に、ループ高さを１５０μｍから、たとえば１９０μｍに変更して、図２に示すＷＤ図をレイアウトする。そして、作成されたＷＤ図に基づいて半導体装置を製造する。
【００２７】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置によれば、ループ長が、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似するループ長となることを避けられない場合に、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにループ高さを決定するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することが可能となった。
【００２８】
（第４の実施の形態）
図５は、本発明の第４の実施の形態における半導体装置のワイヤの直径とループの固有振動数との関係を示す図である。図５は、ワイヤのループ長を１ｍｍ、ループ高さを１５０μｍ固定とし、ワイヤの直径を２０〜３０ｍｍで変化させたときの固有振動数（ｋＨｚ）を示している。固有振動数は、有限要素法などによる数値計算、または実験により得ることができる。キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚの場合、直径が２７μｍのワイヤの固有周波数と一致していることが分かる。
【００２９】
ループ長が１ｍｍ、ループ高さが１５０μｍのワイヤを使用せざるを得ない場合に、図５に示すグラフを用いて、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにワイヤ直径を求め、その直径のワイヤで半導体装置を製造する。なお、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致するときのワイヤ直径を求め、そのワイヤ直径から所定の範囲内にならないようにワイヤ直径を決定するようにしてもよい。
【００３０】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置によれば、ループ長およびループ高さが、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似するループ長およびループ高さとなることを避けられない場合に、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにワイヤ直径を決定するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することが可能となった。
【００３１】
（第５の実施の形態）
図６は、本発明の第５の実施の形態における半導体装置のワイヤの弾性率とループの固有振動数との関係を示す図である。図６は、ワイヤのループ長を１ｍｍ、ループ高さを１５０μｍ固定とし、ワイヤの弾性率を６０００〜９０００ｋｇｆ／ｍｍで変化させたときの固有振動数（ｋＨｚ）を示している。固有振動数は、有限要素法などによる数値計算、または実験により得ることができる。キャピラリの超音波振動数が６３ｋＨｚの場合、弾性率が８０００ｋｇｆ／ｍｍのワイヤの固有周波数と一致していることが分かる。
【００３２】
ループ長が１ｍｍ、ループ高さが１５０μｍのワイヤを使用せざるを得ない場合に、図６に示すグラフを用いて、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにワイヤの弾性率を求め、その弾性率のワイヤで半導体装置を製造する。なお、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致するときのワイヤの弾性率を求め、そのワイヤの弾性率から所定の範囲内にならないようにワイヤの弾性率を決定するようにしてもよい。
【００３３】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置によれば、ループ長およびループ高さが、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似するループ長さおよびループ高さとなることを避けられない場合に、キャピラリの超音波振動数と固有振動数とが一致または近似しないようにワイヤの弾性率を決定するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することが可能となった。
【００３４】
（第６の実施の形態）
図７は、本発明の第６の実施の形態における半導体設計装置の構成例を示すブロック図である。この半導体設計装置は、コンピュータ本体１１、ディスプレイ装置１２、ＦＤ（Flexible Disk）１４が装着されるＦＤドライブ１３、キーボード１５、マウス１６、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Read Only Memory）１８が装着されるＣＤ−ＲＯＭ装置１７、およびネットワーク通信装置１９を含む。
【００３５】
半導体設計プログラムは、ＦＤ１４またはＣＤ−ＲＯＭ１８等の記憶媒体によって供給される。半導体設計プログラムがコンピュータ本体１１によって実行されることにより、半導体装置の設計が行なわれる。また、半導体設計プログラムは他のコンピュータよりネットワーク通信装置１９を経由し、コンピュータ本体１１に供給されてもよい。
【００３６】
図７に示すコンピュータ本体１１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０、ＲＯＭ（Read Only Memory）２１、ＲＡＭ（Random Access Memory）２２およびハードディスク２３を含む。ＣＰＵ２０は、ディスプレイ装置１２、ＦＤドライブ１３、キーボード１５、マウス１６、ＣＤ−ＲＯＭ装置１７、ネットワーク通信装置１９、ＲＯＭ２１、ＲＡＭ２２またはハードディスク２３との間でデータを入出力しながら処理を行う。
【００３７】
ＦＤ１４またはＣＤ−ＲＯＭ１８に記憶された半導体設計プログラムは、ＣＰＵ２０によりＦＤドライブ１３またはＣＤ−ＲＯＭ装置１７を介してハードディスク２３に格納される。ＣＰＵ２０は、ハードディスク２３から適宜半導体設計プログラムをＲＡＭ２２にロードして実行することによって、半導体装置の設計が行なわれる。
【００３８】
図８は、本発明の第６の実施の形態における半導体設計装置の機能的構成を示すブロック図である。この半導体設計装置は、ＣＡＤ（Computer Aided Design）平面座標からワイヤのループ長を算出するループ長算出部３１と、ループ長算出部３１によって算出されたループ長からループ形状を特定するループ形状特定部３２と、ループ形状特定部３２によって特定されたループ形状からループの固有振動数を特定する周波数特定部３３と、周波数特定部３３によって特定されたループの固有振動数に基づいてループ長を変更するループ変更部３４と、ループ形状特定部３２がループ形状を特定する際に使用される第１のデータベース３５と、周波数特定部３３がループの固有振動数を特定する際に使用される第２のデータベース３６とを含む。
【００３９】
第１のデータベース３５は、ワイヤのループ長とループ形状との関係をデータベースとして保持する。ループ形状は、ワイヤのループ長とループ高さとの関数で表わすことができるが、本実施の形態においてはループ高さを定数とし、ワイヤのループ長からループ形状を特定する。
【００４０】
また、第２のデータベース３６は、たとえば図１、図３〜６に示すワイヤのループ形状とループの固有振動数との関係をデータベースとして保持する。これによって、ワイヤ形状からループの固有振動数を特定することができる。
【００４１】
図９は、本発明の第６の実施の形態における半導体設計装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。まず、ループ長算出部３１は、チップ５のパッドおよびインナーリード上のボンド点のＣＡＤ平面座標からループ長を算出する（Ｓ１１）。
【００４２】
次に、ループ形状特定部３２は、第１のデータベース３５を参照して、ループ長算出部３１によって算出されたループ長に対応するループ形状を抽出して、各ワイヤのループ形状を特定する（Ｓ１２）。
【００４３】
次に、周波数特定部３３は、第２のデータベース３６を参照して、ループ形状特定部３２によって特定された各ワイヤのループ形状からループの固有振動数を抽出して、各ループの固有振動数を特定する（Ｓ１３）。そして、各ループの固有振動数とキャピラリの超音波振動数とを比較することによりループ長を変更する必要があるか否かが判定される（Ｓ１４）。なお、この処理は、ループの固有振動数とキャピラリの超音波振動数との差の絶対値が、予め設定されたしきい値以下であるか否かによって行なわれる。
【００４４】
ループ長を変更する必要がない場合には（Ｓ１４，Ｎｏ）、各ワイヤのループ長を変更せずにＷＤ図を確定する（Ｓ１５）。また、ループ長を変更する必要がある場合には（Ｓ１４，Ｙｅｓ）、チップ５のパッドおよびインナーリード上のボンド点のＣＡＤ平面座標を変更することにより、ワイヤのループ長を変更し（Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻って以降の処理を繰返す。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態における半導体設計装置によれば、データベースを参照することによって特定された各ループの固有振動数と、キャピラリの超音波振動数とを比較し、ワイヤのループ長を変更する必要がある場合にはＣＡＤ平面座標を変更するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することができるように半導体装置を設計することが可能となった。
【００４６】
（第７の実施の形態）
本発明の第７の実施の形態における半導体設計装置の構成例は、図７に示す第６の実施の形態における半導体設計装置の構成例と同様である。また、本発明の第７の実施の形態における半導体設計装置の機能的構成は、図８に示す第６の実施の形態における半導体設計装置の機能的構成と比較して、第１のデータベースおよびループ変更部の機能が異なる点のみが異なる。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。なお、本実施の形態における第１のデータベースおよびループ変更部の参照符号を、それぞれ３５’および３４’として説明する。
【００４７】
第１のデータベース３５’は、ワイヤのループ高さとループ形状との関係をデータベースとして保持する。ループ形状は、ワイヤのループ長とループ高さとの関数で表わすことができるが、本実施の形態においてはループ長を定数とし、ワイヤのループ高さからループ形状を特定する。また、ループ変更部３４’は、周波数特定部３３によって特定されたループの固有振動数に基づいてループの高さを変更する。
【００４８】
図１０は、本発明の第７の実施の形態における半導体設計装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。まず、ループ長算出部３１は、チップ５のパッドおよびインナーリード上のボンド点のＣＡＤ平面座標からループ長を算出する（Ｓ２１）。
【００４９】
次に、ループ形状特定部３２は、第１のデータベース３５’を参照して、ループ長算出部３１によって算出されたループ長に対応するループ形状を抽出して、各ワイヤのループ形状を特定する（Ｓ２２）。
【００５０】
次に、周波数特定部３３は、第２のデータベース３６を参照して、ループ形状特定部３２によって特定された各ワイヤのループ形状からループの固有振動数を抽出して、各ループの固有振動数を特定する（Ｓ２３）。そして、各ループの固有振動数とキャピラリの超音波振動数とを比較することによりループ高さを変更する必要があるか否かが判定される（Ｓ２４）。なお、この処理は、ループの固有振動数とキャピラリの超音波振動数との差の絶対値が、予め設定されたしきい値以下であるか否かによって行なわれる。
【００５１】
ループ高さを変更する必要がない場合には（Ｓ２４，Ｎｏ）、各ワイヤのループ高さを変更せずにＷＤ図を確定する（Ｓ２５）。また、ループ高さを変更する必要がある場合には（Ｓ２４，Ｙｅｓ）、ワイヤのループ高さを変更し（Ｓ２６）、ステップＳ２１に戻って以降の処理を繰返す。
【００５２】
以上説明したように、本実施の形態における半導体設計装置によれば、データベースを参照することによって特定された各ループの固有振動数と、キャピラリの超音波振動数とを比較し、その結果に応じてワイヤのループ高さを変更するようにしたので、ループの共振現象による金属疲労によって、ワイヤの破断や断線が発生するのを防止することができるように半導体装置を設計することが可能となった。
【００５３】
（第８の実施の形態）
図１１は、本発明の第８の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための図である。この半導体装置の製造方法は、超音波振動を使用せずにループを形成するものである。ワイヤ１をインナーリード２に接合するときに、ヒータ４３によってワークを加熱する。そして、ボンディングヘッド４１に設けられたキャピラリ３によってワイヤ１を下方へ押圧しながら、ＸＹテーブル４２によってワイヤ１をインナーリード２に対して相対的に運動させる。
【００５４】
このように、ワークを加熱することによる熱エネルギーと、キャピラリ３によってワイヤ１を下方に押圧することによる荷重と、ＸＹテーブル４２を運動させることによる摩擦力とによって、ワイヤ１をインナーリード２に接合する。
【００５５】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、超音波振動を使用せずにワイヤ１をインナーリード２に接合することができ、ループの共振現象によるワイヤの破断や断線を防止することが可能となった。
【００５６】
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置のループの長さと固有振動数との関係を示す図である。
【図２】第１の実施の形態における半導体装置の概略を示すＷＤ図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における半導体装置のループの高さと固有振動数との関係を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態における半導体装置のループの長さと固有振動数との関係を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態における半導体装置のワイヤの直径とループの固有振動数との関係を示す図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態における半導体装置のワイヤの弾性率とループの固有振動数との関係を示す図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態における半導体設計装置の構成例を示すブロック図である。
【図８】本発明の第６の実施の形態における半導体設計装置の機能的構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態における半導体設計装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の第７の実施の形態における半導体設計装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明の第８の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  ループ、２  インナーリード、３  キャピラリ、４  超音波振動、５  半導体チップ、１１  コンピュータ本体、１２  ディスプレイ装置、１３  ＦＤドライブ、１４  ＦＤ、１５  キーボード、１６  マウス、１７  ＣＤ−ＲＯＭ装置、１８  ＣＤ−ＲＯＭ、１９  ネットワーク通信装置、２０  ＣＰＵ、２１  ＲＯＭ、２２  ＲＡＭ、２３  ハードディスク、３１  ループ長算出部、３２  ループ形状特定部、３３  周波数特定部、３４  ループ変更部、３５  第１のデータベース、３６  第２のデータベース、４１  ボンディングヘッド、４２  ＸＹテーブル、４３  ヒータ。
【図１】
2005277201.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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