(57)【要約】  【課題】  放電開始電圧Ｖｆを低減することによって、高価な高耐圧トランジスタやドライバＩＣを用いなくても放電効率を高めることができ、且つ、壁電荷の保持性能を維持することによって、高い画像品質を維持することができるＰＤＰを提供する。  【解決手段】  添加物としてＳを含有し、ＭｇＯ0.9Ｓ0.1の構成を有する保護層１５（１）では、従来の保護層に比べて、電子親和力Ｅａが０．０３（ｅＶ）深くなり、Ｖ．Ｂ．トップ位置が０．１（ｅＶ）上昇する。これによって、保護層１５（１）は、バンドギャップＥｇが小さく、従来のＭｇＯ単体からなる保護層に比べて、Ｖ．Ｂ．、Ｃ．Ｂ．およびバンドギャップ内に存在する電子の放電空間２４への遷移確率が変化する。  【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間内に放電ガスが充填されてなる密閉容器を有し、当該密閉容器における放電空間を臨む内表面の一部領域に保護層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層は、酸化マグネシウムを主要素とし、これにＶＩ族元素または当該元素を含む化合物が添加された組成で構成されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記保護層に添加されているのは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの３種の中から選択される少なくとも１種の元素または当該元素を含む化合物である
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記保護層に添加された物質をＶＩと標記するとき、
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＶＩxからなる組成をもって構成されており、
当該組成において、０＜ｘ≦０．２の関係を有する
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記保護層に添加された物質をＶＩと標記するとき、
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＶＩxからなる組成をもって構成されており、
当該組成において、０．１≦ｘ≦０．２の関係を有する
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記保護層に添加された物質は、Ｓであって、
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)Ｓxからなる組成をもって構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
放電空間内に放電ガスが充填されてなる密閉容器を有し、当該密閉容器における放電空間を臨む内表面の一部領域に保護層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層は、酸化マグネシウムを主要素とし、これにＩＩ族元素または当該元素を含む化合物が添加された組成で構成されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記保護層に添加されているのは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇの３種の中から選択される少なくとも１種の元素または当該元素を含む化合物である
ことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記保護層に添加された物質をＩＩと標記するとき、
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＩＩxからなる組成をもって構成されており、
当該組成において、０＜ｘ≦０．２の関係を有する
ことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記保護層に添加された物質をＩＩと標記するとき、
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＩＩxからなる組成をもって構成されており、
当該組成において、０．１≦ｘ≦０．２の関係を有する
ことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記保護層に添加された物質は、Ｚｎであって、
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)Ｚｎxからなる組成をもって構成されている
ことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
放電空間内に放電ガスが充填されてなる密閉容器を有し、当該密閉容器における放電空間を臨む内表面の一部領域に保護層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層は、酸化マグネシウムを主要素とし、これにＩＩ族元素およびＶＩ族元素またはこれら元素を含む化合物が添加された組成で構成されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記保護層に添加されているのは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇの３種の元素からなる第１の元素群と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの３種の元素からなる第２の元素群との各々から選択された少なくとも各１種の元素、または、これら元素を含む化合物である
ことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記保護層に添加された物質は、ＺｎＳである
ことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)（ＺｎＳ）xからなる組成をもって構成されており、
当該組成において、０＜ｘ≦０．２の関係を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記保護層は、ＭｇＯ(1-x)（ＺｎＳ）xからなる組成をもって構成されており、
当該組成において、０．１≦ｘ≦０．２の関係を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記保護層には、酸素欠損部分が存在する
ことを特徴とする請求項１から１５の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記放電ガスは、少なくともＸｅを含んでおり、
当該Ｘｅ分圧は、１０％以上である
ことを特徴とする請求項１から１６の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記密閉容器は、前記放電空間を挟んで対向配置され、互いの外周縁が封着されてなる一対の基板により構成されている
ことを特徴とする請求項１から１７の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、特に、保護層の組成に関する。
【背景技術】
【０００２】
信頼性および画質などの面から普及が進んでいるＡＣ型のプラズマディスプレイパネル（以下では、「ＰＤＰ」と記載する。）は、前面パネルと背面パネルとが、背面パネルに形成された隔壁を間に介した状態で対向配置され、両パネルの外周部どうしが封止された構造を有する。そして、両パネル間に形成され、隔壁で複数に仕切られた放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅ系あるいはＮｅ−Ｈｅ−Ｘｅ系などの放電ガスが封入されている。
【０００３】
ＰＤＰを構成する２枚のパネルの内、前面パネルは、前面基板の表面上に表示電極対、誘電体層、保護層が順に積層された構成を有する。表示電極対は、各々が透明電極とバス電極との積層構造からなるスキャン電極（以下では、「Ｓｃｎ電極」と記載する。）およびサスティン電極（以下では、「Ｓｕｓ電極」と記載する。）で構成されている。
一方、背面パネルは、背面基板の表面上にデータ電極（以下では、「Ｄａｔ電極」と記載する。）、誘電体層が順に積層され、さらに、誘電体層の表面上における各Ｄａｔ電極間の部分に隔壁が形成されている。また、誘電体層および隣り合う一対の隔壁で構成される各溝部分には、赤、緑、青の各色蛍光体層が順に形成されている。なお、前面パネルと背面パネルとの配置の方向は、表示電極対とＤａｔ電極とが略直交する方向にされている。
【０００４】
ＰＤＰにおいては、表示電極対とＤａｔ電極との各立体交差箇所が各々放電セルに該当することになり、パネル全体としてマトリクス状に放電セルが配されていることになる。
ＰＤＰには、表示電極対およびＤａｔ電極の各々に電圧を印加する駆動部が接続されている。ＰＤＰの駆動には、所謂、時分割階調表示方式が用いられるのが一般的であり、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドを初期化期間、アドレス期間、維持期間等から構成している。ここで、ＰＤＰの各期間における放電は、確率現象に基づいて生じるものであるため、個々の放電セルで放電が発生する確率（放電確率と呼ばれる。）が基本的にバラツキを有する性質をもつ。よって、この性質によれば、例えば、書き込み期間における放電（書き込み放電）は、これを実行する印加パルス幅に比例して放電確率を高めることができることになる。
【０００５】
ところで、ＰＤＰの構成の内、放電空間を臨む保護層については、パネル駆動時における放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護する個とを主目的として形成されているのであるが、放電空間を臨む陰極としても機能する。その膜質がパネルの放電特性に大きく影響を及ぼすことが知られている。そして、ＰＤＰの低電圧化によって省電力駆動を行うために、保護層の構成についての種々の取り組みがなされている（例えば、特許文献１、特許文献２）。これらの特許文献には、保護層を構成するＭｇＯに酸素欠損部分を存在させたり、不純物を添加することでＭｇＯの禁制帯中に伝導帯（Ｃ．Ｂ．；Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｂａｎｄ）近傍のエネルギ準位を形成すると、放電開始電圧Ｖｆが低減されることや、放電特性（特に、放電バラツキ）を改善する技術が開示されている。
【０００６】
図９には、上記特許文献１、２における保護層のＭｇＯ中のエネルギ状態を示す。図９において、Ｅｇは、ＭｇＯのバンドギャップで７．８（ｅＶ）、Ｅａは、ＭｇＯの電子親和力で０．８５（ｅＶ）であることをそれぞれ示している。
【特許文献１】特開２００１−３３２１７５号公報
【特許文献２】特開平１０−３３４８０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１、２を含む従来の技術では、ＰＤＰの駆動における放電開始電圧Ｖｆを十分低減するということと、所謂、黒ノイズと呼ばれる表示乱れの解消を図ることとの両立を図ることが困難であった。ここで、黒ノイズとは、点灯させようとする放電セル（選択セル）で点灯しない現象をいい、パネルの中の点灯領域と非点灯領域との境界で生じ易い。ただし、黒ノイズは、１ラインに相当する全ての選択セルで発生するというものではなく、点在して発生するものである。これより、黒ノイズの発生原因は、書き込み期間に適正に書き込み放電が発生しないか、または、書き込み放電が発生したとしてもその放電強度が不足することにあると考えられる。
【０００８】
即ち、黒ノイズの発生原因は、単純に保護層のＭｇＯにおける禁制帯中の伝導帯近傍にエネルギ準位を設け、放電開始電圧Ｖｆを低減させるだけでは壁電荷の保持性能を低下させ、書き込み時における実効電圧の低下を招くことから、書き込みミスを生じてしまうことに有ると考えられる。
また、保護層のＭｇＯにおける禁制帯中の伝導帯近傍にエネルギ準位を設け、且つ、壁電荷の保持性能を低下させないようにするためには、そのエネルギ準位のオリジンとなるべき添加不純物の量を高精度に制御することが必要となり、製造プロセスを考慮するとき、実際にこれを実施することは困難である。
【０００９】
本発明は、以上の問題を解決しようとなされたものであって、放電開始電圧Ｖｆを低減することによって、高価な高耐圧トランジスタやドライバＩＣを用いなくても放電効率を高めることができ、且つ、壁電荷の保持性能を維持することによって、高い画像品質を維持することができるＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、以下のような特徴を有するものとした。
（１−１）本発明に係るＰＤＰは、放電空間内に放電ガスが充填されてなる密閉容器を有し、当該密閉容器における放電空間を臨む内表面の一部領域に保護層が形成されてなる構成を有するものであって、保護層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主要素とし、これにＶＩ族元素または当該元素を含む化合物が添加された組成で構成されていることを特徴とする。
（１−２）上記（１−１）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加されているのは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの３種の中から選択される少なくとも１種の元素または当該元素を含む化合物であることを特徴とする。
（１−３）上記（１−２）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質をＶＩと標記するとき、保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＶＩxからなる組成をもって構成されており、当該組成において、０＜ｘ≦０．２の関係を有することを特徴とする。
（１−４）上記（１−２）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質をＶＩと標記するとき、保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＶＩxからなる組成をもって構成されており、当該組成において、０．１≦ｘ≦０．２の関係を有することを特徴とする。
（１−５）上記（１−１）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質は、Ｓであって、保護層は、ＭｇＯ(1-x)Ｓxからなる組成をもって構成されていることを特徴とする。
（２−１）本発明に係るＰＤＰは、放電空間内に放電ガスが充填されてなる密閉容器を有し、当該密閉容器における放電空間を臨む内表面の一部領域に保護層が形成されてなる構成を有するものであって、保護層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主要素とし、これにＩＩ族元素または当該元素を含む化合物が添加された組成で構成されていることを特徴とする。
（２−２）上記（２−１）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加されているのは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇの３種の中から選択される少なくとも１種の元素または当該元素を含む化合物であることを特徴とする。
（２−３）上記（２−２）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質をＩＩと標記するとき、保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＩＩxからなる組成をもって構成されており、当該組成において、０＜ｘ≦０．２の関係を有することを特徴とする。
（２−４）上記（２−２）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質をＩＩと標記するとき、保護層は、ＭｇＯ(1-x)ＩＩxからなる組成をもって構成されており、当該組成において、０．１≦ｘ≦０．２の関係を有することを特徴とする。
（２−５）上記（２−１）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質は、Ｚｎであって、保護層は、ＭｇＯ(1-x)Ｚｎxからなる組成をもって構成されていることを特徴とする。
（３−１）本発明に係るＰＤＰは、放電空間内に放電ガスが充填されてなる密閉容器を有し、当該密閉容器における放電空間を臨む内表面の一部領域に保護層が形成されてなる構成を有するものであって、保護層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主要素とし、これにＩＩ族元素およびＶＩ族元素またはこれら元素を含む化合物が添加された組成で構成されていることを特徴とする。
（３−２）上記（３−１）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加されているのは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇの３種の元素からなる第１の元素群と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの３種の元素からなる第２の元素群との各々から選択された少なくとも各１種の元素、または、これら元素を含む化合物であることを特徴とする。
（３−３）上記（３−１）に係るＰＤＰにおいて、保護層に添加された物質は、ＺｎＳである  ことを特徴とする。
（３−４）上記（３−３）に係るＰＤＰにおいて、保護層は、ＭｇＯ(1-x)（ＺｎＳ）xからなる組成をもって構成されており、当該組成において、０＜ｘ≦０．２の関係を有することを特徴とする。
（３−５）上記（３−３）に係るＰＤＰにおいて、保護層は、ＭｇＯ(1-x)（ＺｎＳ）xからなる組成をもって構成されており、当該組成において、０．１≦ｘ≦０．２の関係を有する  ことを特徴とする。
（４）上記（１−１）〜（１−５）、（２−１）〜（２−５）、（３−１）〜（３−５）の何れかに係るＰＤＰにおいて、保護層には、酸素欠損部分が存在することを特徴とする。
（５）上記（１−１）〜（１−５）、（２−１）〜（２−５）、（３−１）〜（３−５）、（４）の何れかに係るＰＤＰにおいて、放電ガスは、少なくともＸｅを含んでおり、当該Ｘｅ分圧は、１０％以上であることを特徴とする。
（６）上記（１−１）〜（１−５）、（２−１）〜（２−５）、（３−１）〜（３−５）、（４）、（５）の何れかに係るＰＤＰにおいて、密閉容器は、放電空間を挟んで対向配置され、互いの外周縁が封着されてなる一対の基板により構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るＰＤＰでは、上記（１−１）、（２−１）、（３−１）のように、保護層にＶＩ族元素やＩＩ族元素を元素の状態あるいはこれらを含む化合物の状態で添加することを特徴とし、これによってＭｇＯ単体からなる保護層に比べて、ＭｇＯの価電子帯の最大エネルギ位置が上昇するとともに、電子親和力（Ｅａ）が深くなる。
この内、ＭｇＯの価電子帯の最大エネルギ位置の上昇は、ＰＤＰにおける放電開始電圧Ｖｆの低減に結びつくものであり、また、電子親和力（Ｅａ）が深くなるような保護層の組成制御によって、壁電荷の保持性能を確保することができる。このように、本発明に係るＰＤＰでは、放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減と壁電荷の保持性能とのトレードオフの関係を制御可能となる。
【００１２】
従って、本発明に係るＰＤＰでは、放電開始電圧Ｖｆを低減することによって、高価な高耐圧トランジスタやドライバＩＣを用いなくても放電効率を高めることができ、且つ、壁電荷の保持性能を維持することによって、高い画像品質を維持することができる。
また、上記（１−３）、（２−３）、（３−４）のように、保護層を、ＭｇＯ(1-x)ＶＩx、ＭｇＯ(1-x)ＩＩx、ＭｇＯ(1-x)（ＩＩ＋ＶＩ）xと標記するとき、その結晶性を確保するためには、ｘを０．２以下の範囲に設定することが望ましい。
【００１３】
また、本発明に係る保護層が有する上記効果を確実に得ようとする場合には、ｘを０．１以上の範囲に設定しておくことが望ましい。
さらに、放電ガス中のＸｅ分圧を５（％）以上、あるいは１０（％）以上まで高めることによって発光輝度を向上可能であるが、従来のＰＤＰのように保護層をＭｇＯ単体から構成する場合には、放電開始電圧ＶｆがＸｅ分圧に大きく依存することになり、発光輝度を高めると放電開始電圧Ｖｆの上昇を招いてしまう。これに対して、上記（１−１）、（２−１）、（３−１）のような本発明に係るＰＤＰでは、上記添加物を保護層に含むことで、放電開始電圧ＶｆのＸｅ分圧への依存性を低いものとすることができる。
【００１４】
なお、上記（１−２）、（２−２）、（３−２）のように、ＶＩ族元素あるいはＩＩ族元素の内でも、ＭｇＯにおけるＯ原子の原子半径に最も近い（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）、（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ）が望ましく、上記（１−５）、（２−５）、（３−３）のように、Ｓ、Ｚｎがより望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、本発明を実施するための最良の形態について、ＡＣ型ＰＤＰ（以下では、単に「ＰＤＰ」と記載する。）を一例に、図面を用い説明する。なお、以下で説明の形態は、あくまで本発明の特徴を説明するために用いる一例であって、本発明は、これに何ら限定を受けるものではない。
１．ＰＤＰ１の構成
先ず、ＰＤＰ１の構成について、図１を用いて説明する。図１は、ＰＤＰ１の一部分を切り出して描いた要部斜視図であり、また、実際の駆動時には、これに駆動部が接続されることになる。
【００１６】
図１に示すように、ＰＤＰ１は、４２インチクラスのＮＴＳＣ仕様に適合させたパネルであり、前面パネル１０と背面パネル１６とが間に放電空間２４を有する状態に対向配置された構成を有している。
１−１．前面パネル１１の構成
前面パネル１０は、前面基板１１における背面パネル１６と対向する側の面（図１では下面）に、スキャン電極（以下では、「Ｓｃｎ電極」と記載する。）１２とサスティン電極（以下では、「Ｓｕｓ電極」と記載する。）１３とで構成される電極対が、互いに平行に複数対配置され、これら電極１２、１３を覆うように、誘電体層１４および保護層１５が順に被覆形成されている。
【００１７】
Ｓｃｎ電極１２およびＳｕｓ電極１３の各々は、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどからなる幅広の透明電極１２０、１３０（例えば、厚みが０．１μｍ、幅が１５０μｍ）と、電気抵抗を下げるためのＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒなどから形成されたバス電極１２１、１３１（例えば、厚みが７（μｍ）、幅が９５（μｍ））とをそれぞれ組み合わせて構成されている。なお、以下では、Ｓｃｎ電極１２とＳｕｓ電極１３とで構成する電極対を、表示電極という場合がある。
【００１８】
また、誘電体層１４は、低融点ガラス材料（例えば、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化リンなどを主成分とする。）から形成されており、厚みが、例えば２０（μｍ）〜５０（μｍ）となっている。保護層１５は、その厚みが、例えば１．０（μｍ）に形成された層であって、その構成については、後述する。
１−２．背面パネル１６の構成
背面パネル１６は、背面基板１７における前面パネル１０と対向する側の面（図１では上面）に、Ｓｃｎ電極１２およびＳｕｓ電極１３と略直交する方向において、データ電極（以下では、「Ｄａｔ電極」と記載する。）１８が複数配置されており、このＤａｔ電極１８を覆うように、誘電体層１９が形成されている。また、誘電体層１９上には、隣り合うＤａｔ電極１８間に隔壁２０が立設されていて、誘電体層１９と隣り合う２条の隔壁２０とで形成される溝の内壁面には、Ｄａｔ電極１８に沿った方向に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各蛍光体層２１、２２、２３が設けられている。
【００１９】
Ｄａｔ電極１８は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒなどの金属材料から形成されており、例えば、厚みが０．１（μｍ）〜１０（μｍ）、幅が６０（μｍ）、ピッチが３６０（μｍ）である。
誘電体層１９は、基本的に前面パネル１０の誘電体層１４と同じく、低融点ガラス材料から形成されているが、酸化チタン（ＴｉＯ2）が含まれたものでもよい。また、隔壁２０は、例えば、鉛ガラス材料を用い形成されている。
【００２０】
蛍光体層２０、２１、２２は、例えば、次に示すような各色蛍光体を用い形成されている。
（Ｒ）蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ
（Ｇ）蛍光体；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
（Ｂ）蛍光体；ＢａＭｇ2Ａｌ14Ｏ24：Ｅｕ
１−３．前面パネル１０と背面パネル１６との配置
ＰＤＰ１は、前面パネル１０と背面パネル１６とが、ギャップ材として背面パネル１６に形成された隔壁２０を間に挟み、且つ、Ｓｃｎ電極１２およびＳｕｓ電極１３とＤａｔ電極１８とが略直交する方向に配され、この状態で各々のパネル１０、１６の外周部どうしが封止されて構成されている。これによって、前面パネル１０と背面パネル１６との間には、各隔壁２０によって仕切られた放電空間２４が形成され、両パネル１０、１６が密閉容器を形成することになる。ＰＤＰ１における放電空間２４には、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｈｅ等が混合されてなる放電ガスが充填され構成されている。放電ガスの封入圧力は、例えば、５０〜８０（ｋＰａ）程度である。なお、放電ガス中におけるＸｅ分圧を５（％）以上、あるいは１０（％）以上としてもよい。
【００２１】
ＰＤＰ１では、表示電極対１２、１３とＤａｔ電極１８とが立体交差する各箇所に放電セルが形成される。そして、ＰＤＰ１には、複数の放電セルがマトリックス配列された状態となっている。本実施の形態に係るＰＤＰ１では、セルピッチはｘ方向に１０８０（μｍ）、ｙ方向に３６０（μｍ）となり、隣り合う３つのサブピクセルで１画素（１０８０（μｍ）×１０８０（μｍ））を構成する。
【００２２】
２．ＰＤＰ１の駆動方法
上記構成を有するＰＤＰ１の各電極１２、１３、１８には、駆動回路の各ドライバが接続されており（不図示）、所謂、フィールド内時分割階調表示方式に基づき、所定のタイミングをもってパルス状の電圧が印加される。この各電極１２、１３、１８への電圧印加により、ＰＤＰ１では、所定の放電セルにおける放電空間２４中で放電を発生し、これによって発生の紫外線をもって蛍光体層２１〜２３が励起し可視光発光する。
【００２３】
ＰＤＰ１の駆動に際して、駆動回路は、各放電セルの発光をＯＮ／ＯＦＦの２値によって制御して階調表現を行い、このために外部からの入力画像信号である時系列の各フィールドＦを、例えば、６つのサブフィールドに分割する。各サブフィールドの輝度の相対比が、例えば、１：２：４：８：１６：３２になるように各サブフィールドの維持パルス数を設定しておき、各サブフィールドの点灯／非点灯を表示輝度のデータに従ってコントロールする。これによって、ＰＤＰ１では、６つのサブフィールドの組み合わせをもって階調表示がなされる。第ｍ番目のサブフィールドを一例として、図２の基づいて各期間の説明をする。
【００２４】
図２に示すように、サブフィールドは、全サブフィールドで共通の一定時間を有する初期化期間、アドレス期間および消去期間と、輝度の相対比に対応した長さを有する維持期間とから構成されている。この内、初期化期間では、ＰＤＰ１の全Ｓｃｎ電極１２に初期化パルス（下りランプ波形）を印加することで、全放電セルにおいて初期化放電を生じさせ、各放電セルにおける当該第ｍ番目サブフィールドよりも時間的に前の第（ｍ−１）番目サブフィールドに行われた放電による影響の除去や放電セル間での放電特性のバラツキを吸収するために放電セルの初期化が実施されるものである。なお、初期化期間においては、背面パネル１６の側の帯電およびイオン衝撃によるダメージを防止するために、全てのＤａｔ電極１８に正極性の電圧パルスを印加してもよい。
【００２５】
次に、アドレス期間では、サブフィールドデータに従ってＳｃｎ電極１２を１ライン毎にスキャンしてゆき、Ｓｃｎ電極１２とＤａｔ電極１８との間で微小放電（アドレス放電）を発生させ、点灯させようとする放電セル、即ち、Ｓｃｎ電極１２およびＳｕｓ電極１３上の保護層１５の表面に対して、維持放電を生じさせるために必要となる量の壁電荷の蓄積が行われる。
【００２６】
維持期間では、全てのＳｃｎ電極１２およびＳｕｓ電極１３に対して、所定の電圧で且つ周期（例えば、ＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの時間が２．５（μｓｅｃ．）であって、周期が５．０（μｓｅｃ．））を有する矩形波の維持パルスが印加される。このとき、Ｓｃｎ電極１２に印加されるパルスとＳｕｓ電極１３に印加されるパルスとは、各々の波形の位相が半周期ずれた状態となっている。そして、アドレス期間において、書き込みがなされ壁電荷が形成された放電セルでは、維持パルスの印加によって放電開始電圧Ｖｆを超えて維持放電を発生することになる。
【００２７】
消去期間では、Ｓｃｎ電極１２に漸減パルスが印加されることで、放電セルの放電空間を臨む壁面に残る壁電荷が消去される。
ＰＤＰ１では、上記操作がサブフィールド毎に実施され、規則的に並んだ放電セルが表示画像データに対応して選択的に放電発光され、画像表示領域に画像が表示される。
３．保護層１５の構成
本実施の形態に係るＰＤＰ１では、保護層１５の構成に特徴を有している。即ち、本実施の形態では、保護層１５がＭｇＯを主な構成材料とし、これに以下の（実施例１）〜（実施例３）に示すような元素を添加したものである。
【００２８】
３−１．実施例１（ＶＩ族元素）
保護層１５への添加物としては、ＶＩ族元素が望ましいが、中でも、特に、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの３種で構成する元素群から選択される少なくとも１種の元素を添加することが望ましく、保護層１５を構成する元素の組成をＭｇＯ(1-x)ＶＩxで表すとき、ｘは、次の数値範囲内とすることが望ましい。
【００２９】
０<ｘ≦０．２
即ち、保護層１５の形成にあたり、ＭｇＯに対してＶＩ族元素を添加する場合には、上記組成式におけるｘが０．２を超えると、その結晶系が岩塩構造から閃亜鉛構造へと相変化してしまい、また、ＶＩ族元素の存在に起因した結晶歪で結晶性が悪くなることから、電子状態が大きく変化し、保護層１５としての性能の低下を招いてしまう。よって、ｘは、０．２以下であることが望ましい。
【００３０】
また、添加物の実効性等を考慮するときには、ｘを次の数値範囲内とすることがより望ましい。
０．１≦ｘ≦０．２
ここで、上記３種のＶＩ族元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）の内でも、ＭｇＯにおけるＯ原子の原子半径に最も近いＳがさらに望ましい。
【００３１】
なお、上記組成式における「ＶＩ」とは添加するＶＩ族元素を示すものである。
説明の都合上、以下では、実施例１に係る構成の保護層を符号１５（１）で示す。
３−２．実施例２（ＩＩ族元素）
また、保護層１５への添加物としては、ＩＩ族元素も望ましいが、中でも、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇの３種で構成する元素群から選択される少なくとも１種の元素を添加することが望ましく、保護層１５を構成する元素の組成をＭｇＯ(1-x)ＩＩxで表すとき、ｘは、次の数値範囲内とすることが望ましい。
【００３２】
０<ｘ≦０．２
保護層１５の形成にあたり、ＭｇＯに対してＩＩ族元素を添加する場合には、上記組成式中におけるｘが０．２を超えると、その結晶系が岩塩構造から六方晶へと相変化してしまい、また、ＩＩ族元素の存在に起因した結晶歪で結晶性が悪くなることから、上記実施例１のＶＩ族元素を添加の場合と同様に、電子状態が大きく変化し、保護層１５としての性能の低下を招いてしまう。よって、ＩＩ族元素を添加する本実施例の場合にも、ｘは、０．２以下であることが望ましい。
【００３３】
また、上記同様に、添加物としてのＩＩ族元素の実効性等を考慮するとき、ｘを次の数値範囲内とすることがより望ましい。
０．１≦ｘ≦０．２
ここで、上記３種のＩＩ族元素（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ）の内でも、ＭｇＯにおけるＯ原子の原子半径に最も近いＺｎがさらに望ましい。
【００３４】
なお、本実施例においても、上位組成式における「ＩＩ」とは添加するＩＩ族元素を示すものである。
説明の都合上、以下では、実施例２に係る構成の保護層を符号１５（２）で示す。
３−３．実施例３（ＶＩ族元素＋ＩＩ族元素）
さらに、保護層１５へ、ＩＩ族元素とＶＩ族元素との両方を添加することも望ましい。中でも、ＩＩ族元素としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇの３種で構成する元素群から選択される少なくとも１種の元素が望ましく、また、ＶＩ族元素としては、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの３種で構成する元素群から選択される少なくとも１種の元素が望ましい。そして、保護層１５を構成する元素の組成をＭｇＯ(1-x)（ＩＩ＋ＶＩ）xで表すとき、ｘは、次の数値範囲内とすることが望ましい。
【００３５】
０<ｘ≦０．２
保護層１５の形成にあたり、ＭｇＯに対してＩＩ族元素とＶＩ族元素とを添加する場合にも、上記実施例１および実施例２と同様に、上記数値範囲内に制御することで、保護層１５における結晶構造の変化や結晶性の低下を抑制することができる。
また、上記同様に、添加物としてのＩＩ族元素およびＶＩ族元素の実効性等を考慮するとき、ｘを次の数値範囲内とすることがより望ましい。
【００３６】
０．１≦ｘ≦０．２
ここで、ＭｇＯにおけるＯ原子の原子半径に最も近いという理由から、ＩＩ族元素としては、上記３種（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ）の内でもＺｎがさらに望ましく、ＶＩ族元素としては、上記３種（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）の中でもＳがさらに望ましい。即ち、ＩＩ族元素とＶＩ族元素とを添加する場合には、ＺｎＳを用いることが望ましい。
【００３７】
なお、上記ＩＩ族元素とＶＩ族元素とを添加する場合には、アニオンおよびカチオンがバランスよく添加されることに起因して、上記範囲内でＸの値を高くした場合にも高い結晶性を有し、優れた特性の保護層１５を形成することができる。
説明の都合上、以下では、実施例３に係る構成の保護層を符号１５（３）で示す。
３−４．参考例
次に、参考例として、本願発明者らが本願発明と並行して研究・開発を行っている保護層の構成について、図３を用い説明する。図３は、参考例に係る保護層のエネルギバンド図である。
【００３８】
図３に示すように、本参考例に係る保護層では、禁制帯中における伝導帯（Ｃ．Ｂ．）近傍の第１のエネルギ準位１５１に加え、価電子帯（Ｖ．Ｂ．；Ｖａｒｅｎｃｅ  Ｂａｎｄ）近傍の第２のエネルギ準位１５２を有するという特性を備えるものである。即ち、本参考例に係る保護層は、これを半導体として見たとき、第１のエネルギ準位１５１は電子を放出しやすいドナーライクな性質を有し、一方、第２のエネルギ準位１５２は電子を保持しやすいアクセプタライクな性質を有する、ということができる。
【００３９】
参考例に係る保護層が上記構成を有することにより、これを備えるＰＤＰでは、第１のエネルギ準位１５１による放電開始電圧Ｖｆの低減と放電確率の確保を図ることができ、且つ、第２のエネルギ準位１５２により壁電荷の保持を確実にして黒ノイズの発生を抑制可能となる。即ち、本参考例に係る保護層を備えるＰＤＰでは、パネル駆動時において、Ｃ．Ｂ．近傍に設けられた第１のエネルギ準位１５１で、負の帯電状態に対応して容易に第１のエネルギ準位に電子を占有できる状態となり、励起される電子数が増加し放電空間２４への電子供給が容易になっている。
【００４０】
以上より、当該ＰＤＰでは、放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆが低減され、良好な放電確率が発揮される。
一方、Ｖ．Ｂ．近傍に設けられた第２のエネルギ準位１５２においても、第１のエネルギ準位１５１が保持していた電子を受けた状態となる。この第２のエネルギ準位１５２に占有される電子によって、保護層では十分な壁電荷を保持することができるとともに、放電開始電圧Ｖｆの低減を図ることが容易になっている。よって、本参考例に係るＰＤＰでは、従来のようなＭｇＯの絶縁抵抗の低下が抑制され、点灯させようとするセルが点灯しないという、所謂、黒ノイズの発生を抑制することができる。
【００４１】
ここで、本参考例に示す第１のエネルギ準位１５１と第２のエネルギ準位１５２とを併せ持つ保護層の形成には、ＭｇＯにおける結晶の欠損、または不純物として添加物（ドーパント）を用いることによって実現できる。下の表１には、保護層の禁制帯中において、上記した第１のエネルギ準位１５１を形成し得る酸素欠損および不純物と、第２のエネルギ準位１５２を形成し得るＭｇＯ欠損および添加物である各種元素を纏めて示している。
【００４２】
【表１】
2005332718.tif 000003
表１に示すように、本参考例に係る保護層は、第１のエネルギ準位１５１および第２のエネルギ準位１５２に起因するものを一定の組み合わせ、場合によっては、複数種の元素を混合してＭｇＯに対してドーピングする「ｃｏ−ｄｏｐｉｎｇ」によって実現することができる。この組み合わせについては、本発明者らが研究・開発過程において独自に見出したものである。
【００４３】
なお、上記表１において、各種元素としては、次のものを用いることが望ましい。
（１−１）ＩＩＩ族元素・・・Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ
（１−２）ＩＶ族元素・・・・Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ
（１−３）ＶＩＩ族元素・・・Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
（２−１）Ｉ族元素・・・・・Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ａｇ（Ｈは除く。）
（２−２）Ｖ族元素・・・・・Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ
４．本実施の形態における各実施例に係る保護層１５を有するＰＤＰ１が有する優位性
以下では、上記実施例１〜３における保護層が有する優位性について、参考例に係る保護層を比較対象としながら、図４〜８を用いて説明する。
【００４４】
４−１．実施例１に係る保護層１５（１）を備えるＰＤＰ１が有する優位性
実施例１の具体例として、ＭｇＯ0.9Ｓ0.1を保護層１５（１）の構成材料として用い、その際に保護層１５（１）のエネルギバンド図を図４に示す。
図４に示すように、ＭｇＯ単体で形成された従来の保護層の場合（図４の左側に示す。）には、価電子帯Ｖ．Ｂ．トップと伝導帯Ｃ．Ｂ．ボトムとのエネルギ差であるバンドギャップＥｇが７．８（ｅＶ）であり、また、電子親和力Ｅａが０．８５（ｅＶ）である。
【００４５】
これに対して、添加物としてＳを含有し、ＭｇＯ0.9Ｓ0.1の構成を有する本実施例１に係る保護層１５（１）では、上記従来の保護層に比べて、電子親和力Ｅａが０．０３（ｅＶ）深くなり、Ｖ．Ｂ．トップ位置が０．１（ｅＶ）上昇する（図４の右側部分参照）。これによって、保護層１５（１）は、バンドギャップＥｇが小さくなり、上記従来の保護層に比べて、Ｖ．Ｂ．、Ｃ．Ｂ．およびバンドギャップ内に存在する電子の放電空間２４への遷移確率が変化する。
【００４６】
従って、本実施例１に係る保護層１５（１）を備えるＰＤＰ１では、上記従来の保護層を有するＰＤＰに比べて、Ｖ．Ｂ．トップ位置の上昇によって、放電開始電圧Ｖｆが低くなり、また、Ｃ．Ｂ．ボトム位置の低減によって、放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減と壁電荷の保持力との間にトレードオフの関係を制御することができ、壁電荷の保持力を維持しつつ放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減を図ることが可能となる。
【００４７】
次に、本実施例１に係る保護層１５（１）の特性について、図５、６を用いて説明する。図５は、本実施例１に係る保護層１５（１）の光電子分光特性を示す特性図であり、また、図６は、保護層１５（１）における放電開始電圧ＶｆのＸｅ分圧依存性を示す特性図である。
図５に示すように、本実施例１に係る保護層１５（１）では、上記参考例に係る保護層に比べて、より低いエネルギの光によって電子放出が開始される。これは、上記図３のように、本実施例１に係る保護層１５（１）のＶ．Ｂ．トップ位置が上昇したことによるものであると考えられる。
【００４８】
次に、図６に示すように、本実施例１に係る保護層１５（１）および上記参考例に係る保護層では、ＭｇＯ単体から構成される上記従来の保護層に比べて、Ｘｅ分圧の変化に対しても放電開始電圧Ｖｆの変化が少なく、Ｘｅ分圧を高めた場合にも放電開始電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。中でも、実施例１に係る保護層１５（１）は、上記参考例に係る保護層よりも、より放電開始電圧ＶｆのＸｅ分圧依存性が低い。よって、本実施例１に係る保護層１５（１）の構成は、発光輝度を高めるためにＸｅ分圧を高くする場合にも適しているといえる。
【００４９】
以上より、本実施例１に係る保護層１５（１）は、保護層の構成材料としてＳなどのＶＩ族元素を添加することで、ＭｇＯ単体から構成される従来の保護層あるいは蒸気参考例に係る保護層などに比べて、ＰＤＰにおける放電開始電圧Ｖｆの低減および放電バラツキと壁電荷の保持性能との両立を図ることを可能とする。
なお、図４〜図６では、ＶＩ族元素の一例としてＳを用いているが、これ以外の元素を保護層に添加した場合にも、同様の効果を得ることができる。特に、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを採用することが望ましい。
【００５０】
４−２．実施例２に係る保護層１５（２）を備えるＰＤＰ１が有する優位性
実施例２の具体例として、Ｍｇ0.9Ｚｎ0.1Ｏを保護層１５（２）の構成材料として用い、その際に保護層１５（２）のエネルギバンド図を図７に示す。
図７に示すように、ＭｇＯ単体で形成された従来の保護層の場合には、上記図４と同様に、バンドギャップＥｇが７．８（ｅＶ）であり、また、電子親和力Ｅａが０．８５（ｅＶ）である。
【００５１】
これに対して、添加物としてＺｎを含有し、Ｍｇ0.9Ｚｎ0.1Ｏの構成を有する本実施例２に係る保護層１５（２）は、従来の保護層に比べて、電子親和力Ｅａが０．３４（ｅＶ）深くなり、Ｖ．Ｂ．トップ位置が０．１３（ｅＶ）上昇する（図７の右側部分参照）。この傾向は、上記実施例１に係る保護層１５（１）の特性と同様であるが、実施例１に係る保護層１５（１）よりもより顕著にその変化が現れている。このような特性より、保護層１５（２）を有するＰＤＰ１では、上記実施例１に係る保護層１５（１）を有するＰＤＰよりも、Ｖ．Ｂ．トップ位置の上昇によって、放電開始電圧Ｖｆが低くなり、また、Ｃ．Ｂ．ボトム位置の低減によって、放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減と壁電荷の保持力との間にトレードオフの関係を制御することができ、壁電荷の保持力を維持しつつ放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減を図ることが可能となる。
【００５２】
なお、本実施例２に係る保護層１５（２）を備えるＰＤＰ１については、上記図５、図６に相当するデータを示していないが、上記図７のデータを考慮するとき、上述の実施例１に係る保護層１５（１）を備えるＰＤＰ１よりもその優位性が顕著に得られるといえる。
また、図７では、ＩＩ族元素の内、Ｚｎを添加した保護層を一例として、その特性データを示したが、これ以外のＩＩ族元素を添加した場合にも、同様の効果を得ることができる。特に、ＩＩ族元素の内でも、 Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ等の元素を用いることが望ましい。
【００５３】
４−３．実施例３に係る保護層１５（３）を備えるＰＤＰ１が有する優位性
実施例３の具体例として、（ＭｇＯ）0.8（ＺｎＳ）0.2を保護層１５（３）の構成材料として用い、その際に保護層１５（３）のエネルギバンド図を図８に示す。
図８に示すように、ＭｇＯ単体で形成された従来の保護層の場合には、上記図４および図７と同様に、バンドギャップＥｇが７．８（ｅＶ）であり、また、電子親和力Ｅａが０．８５（ｅＶ）である。
【００５４】
これに対して、添加物としてＺｎＳを含有し、（ＭｇＯ）0.8（ＺｎＳ）0.2の構成を有する本実施例３に係る保護層１５（３）は、従来の保護層に比べて、電子親和力Ｅａが０．６２（ｅＶ）深くなり、Ｖ．Ｂ．トップ位置が０．２４（ｅＶ）上昇する（図８の右側部分参照）。この傾向は、上記実施例１および実施例２に係る保護層１５（１）、１５（２）の特性と同様であるが、これらよりもより顕著にその変化が現れている。このような特性より、保護層１５（３）を有するＰＤＰ１では、上記実施例１および実施例２に係る保護層１５（１）、１５（２）を有するＰＤＰよりも、Ｖ．Ｂ．トップ位置の上昇によって、放電開始電圧Ｖｆが低くなり、また、Ｃ．Ｂ．ボトム位置の低減によって、放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減と壁電荷の保持力との間にトレードオフの関係を制御することができ、壁電荷の保持力を維持しつつ放電バラツキおよび放電開始電圧Ｖｆの低減を図ることが可能となる。
【００５５】
なお、本実施例３に係る保護層１５（３）を備えるＰＤＰ１についても、上記実施例２と同様に上記図５、図６に相当するデータを示していないが、上記図８のデータを考慮するとき、上述の実施例１および実施例２に係る保護層１５（１）、１５（２）を備えるＰＤＰ１よりもその優位性が顕著に得られるといえる。
また、図８では、ＩＩ族元素としてＺｎを、ＶＩ族元素としてＳをそれぞれ用いることとして、保護層１５（３）の特性データを示したが、これ以外のＩＩ族元素およびＶＩ族元素の組み合わせを採用した場合にも、同様の効果を得ることができる。特に、ＩＩ族元素としてＺｎ、Ｃｄ、Ｈｇ等の元素を用い、ＶＩ族元素としてＳ、Ｓｅ、Ｔｅなどの元素を用い、これらを族毎に選択して合わせて保護層１５（３）に添加することが望ましい。
【００５６】
５．ＰＤＰ１の製造方法
次に、本実施の形態に係るＰＤＰ１の製造方法について説明するが、保護層１５の構成以外については、従来のＰＤＰと差異を有するものではなく、製造方法についても保護層１５の形成方法が従来のＰＤＰに係る製造方法と異なる点である。よって、以下では、保護層１５の形成方法のみを説明するものであり、その他の構成要素の形成方法については、公知のＰＤＰの製造方法を用いるものとする。
【００５７】
先ず、公知のＰＤＰの製造方法を用い、前面基板１１の一方の主面に、Ｓｃｎ電極１２およびＳｕｓ電極１３とをそれぞれ交互に複数形成し、これらの上を覆うように、誘電体層１４を被覆形成する。
次に、ペレット状のＭｇＯ材料にＶＩ族元素またはＩＩ族元素、あるいはこれらの混合物を添加する。そして、これを成膜材料として、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて保護層１５の成膜を行う。
【００５８】
以上のようにして、本実施の形態に係る保護層１５を有する前面パネル１０の形成がなされ、これと別途形成しておいた背面パネル１６とを対向配置して外周部分を封着し、放電空間２４に放電ガスを封入することでＰＤＰ1の製造が完了する。
６．その他の事項
上記実施の形態に係るＰＤＰ１については、本発明の特徴および優位性を説明するために一例として用いたものであり、本発明は、上記特徴を有する保護層１５の構成以外、これに限定を受けるものではない。例えば、図１では、ストライプ状の隔壁２０を有する構成を一例としてあげたが、本発明に係るＰＤＰは、井桁構造の隔壁を有するものであってもよい。
【００５９】
また、上記実施の形態に係るＰＤＰ１では、背面パネル１６には複数のＤａｔ電極１８のみを有するものとしたが、これ以外に背面パネル１６に補助電極などを備える構成としてもよい。この場合には、パネルの駆動に際して、補助電極などに対して、アドレス期間および維持期間などにおいて、電圧パルスを印加するという方法を採ることもできる。
また、上記実施の形態で採った各数値についても、一例に過ぎず、これ以外の数値を採ることも勿論できる。
【００６０】
さらに、本実施の形態においては、前面パネル１０と背面パネル１６とを対向配置し、外周部分を封着することで密閉容器を構成し、これによって放電空間２４を確保したが、このような構成を採らない、例えば、チューブ体の内方に放電ガスを充填したような構成を採ることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、大型のテレビジョンやハイビジョンテレビジョンあるいは大型表示装置など、映像機器産業、宣伝機器産業やその他の産業分野に利用するＰＤＰを実現する上で有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の形態に係るＰＤＰ１を示す要部斜視図である。
【図２】ＰＤＰ１の駆動において、各電極に印加される電圧パルスを示す波形図である。
【図３】参考例に係る保護層のエネルギバンド図である。
【図４】実施例１に係る保護層１５（１）のエネルギバンド図である。
【図５】実施例１に係る保護層１５（１）の光電子分光特性を示す特性図である。
【図６】実施例１に係る保護層１５（１）における放電開始電圧のＸｅ分圧依存性を示す特性図である。
【図７】実施例２に係る保護層１５（２）のエネルギバンド図である。
【図８】実施例３に係る保護層１５（３）のエネルギバンド図である。
【図９】従来の保護層のエネルギバンド図である。
【符号の説明】
【００６３】
１．ＰＤＰ
１０．前面パネル
１２．スキャン電極
１３．サスティン電極
１４．誘電体層
１５．保護層
１６．背面パネル
１８．データ電極
２１、２２、２３．蛍光体層
２４．放電空間
【図１】
2005332718.tif 000004
【図２】
2005332718.tif 000005
【図３】
2005332718.tif 000006
【図４】
2005332718.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005332718.tif 000010
【図８】
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【図９】
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