(57)【要約】【課題】  浮上型スライダー上に備えられた半導体レーザによって熱アシスト磁気記録再生を行う記録再生装置において、記録媒体の温度上昇によって動作不良が生じることを防止する。【解決手段】  ガラス基板６１上に、厚さ５０μｍのＡｌ膜からなる第２のヒートシンク層６２、裏打ち層６３、熱障壁層６４、第１のヒートシンク層６５、磁気記録層６６、保護膜６７を備えた記録媒体７を備える。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、
上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構を備えていることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
上記浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面に、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記記録媒体と上記浮上型スライダー間に生じる気流を整流するための凸部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
上記凸部の面積が、３．５×１０‐８ｍ２以上であることを特徴とする請求項２に記載の記録再生装置。
【請求項４】
上記浮上型スライダーは、上記半導体レーザにおける基板を加工したものであり、
当該浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面における微小領域の面積をｄｓとし、上記微小領域と上記記録媒体との距離をＬ（ｓ）とし、上記対向面における全面積をＳとすると、
【数１】
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の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項５】
上記半導体レーザは、上記浮上型スライダーに半田で接合されており、
当該浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面における微小領域の面積をｄｓとし、上記微小領域と上記記録媒体との距離をＬ（ｓ）とし、上記対向面における全面積をＳとすると、
【数２】
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の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項６】
上記記録媒体を回転駆動させるための、上記記録媒体と熱的に接触している回転中心軸を備え、
上記回転中心軸に、上記記録媒体から伝熱された熱を当該記録再生装置の筐体外へ放熱させるための放熱機構が備えられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項７】
上記回転中心軸は、中空部位を備えた筒状の構造であり、
上記中空部位が、当該記録再生装置の筐体外の外気に対して開放されていることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。
【請求項８】
上記筒状の構造からなる回転中心軸の内面に、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記中空部位における気流を整流するための整流機構が備えられていることを特徴とする請求項７に記載の記録再生装置。
【請求項９】
上記中空部位内、または、上記中空部位の上記外気に対する開口部に、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記中空部位における気流を整流するための整流機構が備えられていることを特徴とする請求項７または８に記載の記録再生装置。
【請求項１０】
上記回転中心軸は、上記筐体に流体軸受けによって回転可能に支持されており、
上記流体軸受けが、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を上記筺体外へ放熱させるための放熱機構として機能することを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１１】
上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、
上記記録媒体に対して略平行に備えられ、上記筐体に熱的に接続されるか、あるいは一部が上記筐体外に突き出したヒートシンクを備えていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１２】
上記記録媒体と、上記記録媒体に対して略平行に備えられた上記ヒートシンクとの間隔が、５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の情報記録装置。
【請求項１３】
上記ヒートシンクは、
上記記録媒体における温度分布が少なくなるような形状で設けられていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の記録再生装置。
【請求項１４】
上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、
当該筐体内の空間に対流を生じさせる対流機構と、当該筐体内の空間における熱を当該筐体外に放散させる冷却機構とを備えていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１５】
上記筐体には気圧調整用の微小穴が設けられており、かつ、上記筐体における上記微小穴以外の部分では、筐体内の空間と筐体外の外気とが遮蔽されていることを特徴とする請求項１４に記載の記録再生装置。
【請求項１６】
上記浮上型スライダーには記録媒体に対して情報の記録および再生を行うための磁気ヘッドが設けられており、
上記記録媒体の記録面に垂直な方向から見て、上記磁気ヘッドと重なる当該記録媒体上の領域であって、上記半導体レーザからのレーザ光によって加熱される領域外の領域を、  磁気的補償温度に加熱するための補助熱源を備えていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１７】
上記補助熱源は補助半導体レーザからなり、
当該補助半導体レーザのレーザ光は、上記浮上型スライダーを透過して上記記録媒体に照射されることを特徴とする請求項１６に記載の記録再生装置。
【請求項１８】
上記浮上スライダーに、上記補助半導体レーザのレーザ光の、上記記録媒体上におけるスポット形状を変更する手段が備えられていることを特徴とする請求項１７に記載の記録再生装置。
【請求項１９】
上記浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面のうち、
上記補助半導体レーザから出射されたレーザ光の上記記録媒体上におけるスポット領域に対向する部分と上記記録媒体との間隔が、
上記対向面における他の部分と上記記録媒体との間隔よりも離れていることを特徴とする請求項１７または１８に記載の記録再生装置。
【請求項２０】
上記補助熱源が、上記浮上型スライダーに、熱遮蔽層を介して備えられていることを特徴とする請求項１６に記載の記録再生装置。
【請求項２１】
上記半導体レーザは、ファブリペロー型共振器構造であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２２】
上記半導体レーザは、発光層にＧａとＩｎを主に含有する窒化物半導体レーザであることを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２３】
上記半導体レーザは、基板にＧａを主に含有する窒化物半導体レーザであることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２４】
上記半導体レーザは、端面発振型の半導体レーザであって、当該端面に金属を含む膜が設けられており、
上記金属を含む膜に、当該半導体レーザのニアフィールドパターンよりも小さい微小開口が設けられていることを特徴とする請求項１〜２３のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２５】
上記半導体レ−ザは、端面発振型の半導体レーザであって、当該端面に高反射膜を備えていることを特徴とする請求項１〜２４のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２６】
上記半導体レーザは、ファブリペロー型共振器構造とリング型導波路との複合構造であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２７】
上記半導体レーザは、ファブリペロー型共振器構造と円柱型導波路との複合構造であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２８】
上記半導体レーザは、マイクロディスク型共振器からなることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項２９】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、
上記浮上型スライダーを、記録または再生時の浮上位置よりもさらに上昇させる機構を備え、
上記浮上型スライダーが、記録または再生時の浮上位置にある場合のみ、半導体レーザに電流が注入されることを特徴とする記録再生装置。
【請求項３０】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、
上記記録媒体における、記録または再生を行う位置に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御する制御部を備えることを特徴とする記録再生装置。
【請求項３１】
上記制御部は、
上記記録媒体における、記録または再生のために上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、
上記記録媒体における位置に関わらず一定になるように、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項３０に記載の記録再生装置。
【請求項３２】
上記記録媒体上における、記録または再生を行う各位置について、温度を測定する手段を備えていることを特徴とする請求項３１に記載の記録再生装置。
【請求項３３】
上記半導体レーザの記録および再生時の駆動電流はパルス電流からなり、
上記駆動電流とは異なるパルス電流を上記半導体レーザに注入することによって、上記記録媒体における温度の測定を行うことを特徴とする請求項３２に記載の記録再生装置。
【請求項３４】
上記制御部は、
上記浮上型スライダーにおける動作時のシークに伴う、上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項３０〜３３のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項３５】
上記制御部は、
雰囲気温度の変化に伴う上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項３０〜３４のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項３６】
上記制御部は、
上記半導体レーザの劣化による発熱量の増加を補償して、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項３０〜３５のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項３７】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、
浮上型スライダーの温度を把握するとともに、把握した温度データから浮上型スライダーにおける温度の時系列データを作成し、
上記作成した時系列データから、浮上型スライダーにおける動作時のシークおよび雰囲気温度の変化に伴う温度変化を抜き取ることによって、上記半導体レーザの劣化による発熱量増加の時系列データを作成し、
上記発熱量増加の時系列データに基づいて上記半導体レーザの寿命予測を行う、制御部を備えていることを特徴とする記録再生装置。
【請求項３８】
上記制御部は、
上記半導体レーザが読み取り不能状態に陥る前に、上記記録媒体に記録されている情報を、他の記録媒体に自動的に記録することを特徴とする請求項３７に記載の記録再生装置。
【請求項３９】
上記制御部は、
上記半導体レーザの劣化状況を、ユーザーに提示することを特徴とする請求項３７または３８に記載の記録再生装置。
【請求項４０】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、
上記浮上型スライダーを、記録または再生時における浮上位置よりも上昇させる機構を備え、
記録または再生のために、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、
当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱するように制御する制御部を備えることを特徴とする記録再生装置。
【請求項４１】
熱アシスト磁気記録再生方式によって記録または再生される記録媒体であって、
基板を含む複数の層からなり、上記各層における熱伝導率と層厚との積の総和が、５×１０‐３Ｗ／℃以上であることを特徴とする記載の記録媒体。
【請求項４２】
上記各層における熱伝導率と層厚との積の総和が、２０×１０‐３Ｗ／℃以上であることを特徴とする請求項４１に記載の記録媒体。
【請求項４３】
ガラス基板と記録層とヒートシンク層とを含む複数の層からなり、
上記ヒートシンク層における熱伝導率と層厚との積が、上記ガラス基板における熱伝導率と層厚との積よりも大きいことを特徴とする請求項４１または４２に記載の記録媒体。
【請求項４４】
上記ヒートシンク層は、上記ガラス基板と上記記録層との間に設けられていることを特徴とする請求項４３に記載の記録媒体。
【請求項４５】
上記記録層と上記ヒートシンク層との間に、熱伝導率が上記ヒートシンク層よりも低い熱障壁層が設けられていることを特徴とする請求項４４に記載の記録媒体。
【請求項４６】
上記ヒートシンク層は、上記ガラス基板に対して、上記記録層が備えられている側とは反対側に設けられていることを特徴とする請求項４５に記載の記録媒体。
【請求項４７】
ガラス基板と２層の記録層とヒートシンク層とを含む複数の層からなり、
上記ヒートシンク層は、上記ガラス基板と一方の記録層との間に設けられるとともに、上記ヒートシンク層と上記一方のガラス基板との間に、熱伝導率が上記ヒートシンク層よりも低い熱障壁層が設けられ、
他方の記録層は、上記ガラス基板に対して、上記一方の記録層が設けられている側とは反対側に設けられていることを特徴とする請求項４３に記載の記録媒体。
【請求項４８】
上記ヒートシンク層は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ／℃以上であり、かつ、層厚が１０μｍ以上であることを特徴とする請求項４３〜４７のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項４９】
上記ヒートシンク層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕのいずれかを含有することを特徴とする請求項４３〜４８に記載の記録媒体。
【請求項５０】
Ａｌまたはサファイアからなる基板を含む複数の層からなることを特徴とする請求項４１に記載の記録媒体。
【請求項５１】
半導体レーザおよび磁気ヘッドを用いて熱アシスト磁気記録再生方式で記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置によって記録または再生される記録媒体であって、
磁気的補償温度が、
当該記録媒体に対する記録または再生を行うために、上記半導体レーザを最大駆動電力で駆動した場合の、
当該記録媒体の記録面に垂直な方向から見て、上記磁気ヘッドと重なる当該記録媒体上の領域であって、上記半導体レーザからのレーザ光によって加熱される領域外の領域における最大温度よりも高く設定されていることを特徴とする請求項４１に記載の記録媒体。
【請求項５２】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置の駆動方法であって、
記録または再生を行う位置における、上記浮上型スライダーの温度を把握するステップを含み、
上記記録媒体における、上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体上の位置に関わらず一定になるように、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする記録再生装置の駆動方法。
【請求項５３】
上記浮上型スライダーにおける動作時のシークに伴う温度変化を把握するステップを含み、
上記動作時のシークに伴う温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項５２に記載の記録再生装置の駆動方法。
【請求項５４】
雰囲気温度の変化に伴う上記浮上型スライダーの温度変化を把握するステップを含み、
上記雰囲気温度の変化に伴う温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項５２または５３に記載の記録再生装置の駆動方法。
【請求項５５】
上記浮上型スライダーに設けられた半導体レーザの劣化による発熱の増加に伴う、上記浮上型スライダーの温度変化を把握するステップを含み、
上記半導体レーザの劣化による発熱量の増加を補償して、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴とする請求項５２〜５４のいずれか１項に記載の記録再生装置の駆動方法。
【請求項５６】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーと、上記浮上型スライダーを、記録媒体に対して記録または再生する際における浮上位置よりも上昇させる機構とを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって上記記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置記録再生装置の駆動方法であって、
記録または再生のために、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、
当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱することを特徴とする記録再生装置の駆動方法。
【請求項５７】
半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置において上記半導体レーザの寿命予測方法であって、
浮上型スライダーの温度を把握するステップと、
把握した温度データから浮上型スライダーにおける温度の時系列データを作成するステップと、
上記作成した時系列データから、浮上型スライダーにおける動作時のシークおよび雰囲気温度の変化に伴う温度変化を抜き取ることによって、上記半導体レーザの劣化による発熱量増加の時系列データを作成し、
上記発熱増加量の時系列データに基づいて上記半導体レーザの寿命予測を行うことを特徴とする半導体レーザの寿命予測方法。
【請求項５８】
記録再生装置に備えられたコンピューターを、請求項３０〜４０のいずれか１項に記載の制御部として機能させるためのプログラム。
【請求項５９】
請求項５８に記載のプログラムを記録した、プログラム記録媒体。
【請求項６０】
誘導放出光を生成するファブリペロー型共振器構造と、ウィスパリングギャラリーモードを発生するリング型導波路との複合構造からなることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項６１】
誘導放出光を生成するファブリペロー型共振器構造と、ウィスパリングギャラリーモードを発生する円柱型導波路との複合構造からなることを特徴とする半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザを用いて、熱アシスト磁気記録再生方式で情報の記録および再生を行う、記録再生装置、記録媒体、記録再生装置の駆動方法、半導体レーザの寿命予測方法、上記記録再生装置を制御するプログラムおよびそのプログラムを記録したプログラム記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光技術を用いた高密度記録や、光技術と磁気記録再生技術などの他技術との融合によって高密度記録を実現する技術が開発されている。前者の例としては、相変化型の光ディスクなどがあり、後者の例としては、光磁気記録や熱アシスト磁気記録再生などがある。例えば、特許文献１には、補償温度が略室温であるフェリ磁性体の磁気記録媒体、およびそれを使用したレーザ光による熱アシスト磁気記録再生方式が開示されている。
【０００３】
熱アシスト磁気記録再生方式では、記録時にはレーザ光によって磁気記録媒体を昇温させ、磁気記録媒体における記録領域の保磁力を低下させた状態で、記録磁気ヘッドによって外部磁界を印加し、情報を上記記録領域に記録する。また、再生時には、レーザ光によって磁気記録媒体を昇温させて上記記録領域の残留磁化の強度を増大させ、その残留磁化からの磁束を再生用磁気ヘッドで検出して情報を再生する。
【０００４】
この熱アシスト磁気記録再生方式では、レーザ光により昇温されていない略室温領域では、残留磁化がゼロに近い。このため、再生用磁気ヘッドの、トラックに対して垂直となるギャップ幅が、情報が記録されているトラックピッチより大きい場合でも、隣接トラックからのクロストークを充分に小さく抑えることが可能となり、高密度記録された情報の再生が実現できる。
【０００５】
また、磁気記録分野では、記録技術の高密度化にともない、再生ヘッドとして、磁界感度が高い磁気抵抗効果を利用したＭＲ（Magnet-Resistive）ヘッドを用いることが主流となっている。特に、最近では、さらに高い磁界感度が得られるＧＭＲ（Giant Magnet-Resistive）ヘッドが商品化されている。
【０００６】
ＧＭＲヘッドは、発熱量が大きいという性質を有している。例えば、非特許文献１では、ＧＭＲヘッドを備えた浮上型スライダーの放熱に関して報告されている。すなわち、非特許文献１では、浮上型スライダーが、回転動作中のサファイアディスク上で浮上動作している場合には、浮上型スライダーからの放熱が得られることが報告されている。
【０００７】
ところで、レーザ光を主体的あるいは補佐的に用いる情報記録再生方式では、レーザ光のスポット径を小さくすることで記録密度の向上を図ることができる。このため、回折限界を超える空間分解能を得る方法として、例えば、ＳＩＬ（Solid Immersion Lens）や近接場光の利用が考えられている。
【０００８】
また、レーザ光による熱アシスト磁気記録再生方式において、半導体レーザを直接浮上型スライダー上に設ける方式が、特許文献２に開示されている。この方式では、光学部品を介してレーザ光を取り回す従来の方式に比べて、光学部品が少ないこと、あるいは、低消費電力化を図れるなどの優位性が期待できる。
【特許文献１】特開平４-１７６０３４号公報（公開日：１９９２年６月２３日）
【特許文献２】特開２００１‐３１９３６５号公報（公開日：２００１年１１月１６日）
【非特許文献１】T.Imamura, M.Yamagishi, and S.Nishida, In situ Measurements of Temperature Distribution of Air-Bearing Surface Using Thermography, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL.38,NO5, p.2147-2149,SEPTEMBER 2002
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、熱アシスト磁気記録再生方式は、記録領域および記録領域外の温度の影響を強く受けやすいという問題がある。すなわち、熱アシスト磁気記録再生方式では、記録媒体の温度上昇を制御しないと、記録時および再生時にノイズが増加するなど、動作不良を生じる恐れがある。
【００１０】
しかしながら、特許文献２では、浮上型スライダー上に半導体レーザを設ける構造を開示しているだけであり、半導体レーザの発熱に関しては何ら考慮されていない。
【００１１】
このため、特許文献２に開示されている技術では、半導体レーザからの発熱によって、当該半導体レーザの劣化が促進されることに加えて、当該半導体レーザを設けた浮上型スライダーの温度が上昇し、これによって記録媒体の温度が上昇する恐れがある。すなわち、熱アシスト磁気記録再生方式では、半導体レーザにおける発熱量が大きいため、半導体レーザにおける発熱による影響を考慮する必要があり、半導体レーザの発熱による熱に対して、十分な放熱性を確保することが必要である。
【００１２】
そこで、例えば、浮上型スライダー上にヒートシンク等を設けることが考えられる。しかしながら、特許文献２のような、浮上型スライダー上に半導体レーザを設ける熱アシスト磁気記録再生方式では、浮上型スライダーの浮上高さを少なくとも１００ｎｍ以内にすることが好ましく、そのためにスライダーの小型化が要求されるため、浮上型スライダー上にヒートシンク等を設けることは困難である。
【００１３】
一方、非特許文献１では、浮上型スライダーからの放熱について報告されているが、磁気ヘッドのみの発熱しか考慮されていない。すなわち、非特許文献１は、熱アシスト磁気記録再生方式について考慮したものではなく、磁気ヘッドよりも発熱量が多い半導体レーザを、浮上型スライダーに設けることについては、何ら記載されていない。
【００１４】
ところで、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇は、シークに伴う浮上型スライダーの温度変化、雰囲気温度の変化に伴う浮上型スライダーの温度変化、半導体レーザの劣化による発熱量の増加に伴う浮上型スライダーの温度変化などの影響を受ける。このため、安定な熱アシスト記録再生を実現するためには、これらの影響を考慮した駆動を行う必要がある。
【００１５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、浮上型スライダー上に備えられた半導体レーザによって熱アシスト磁気記録再生を行う記録再生装置において、短期的および長期的に安定な熱アシスト記録再生を実現できる記録再生装置、記録媒体、記録再生装置の駆動方法、半導体レーザの寿命予測方法、上記記録再生装置を制御するプログラムおよびそのプログラムを記録したプログラム記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の記録再生装置は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構を備えていることを特徴としている。
【００１７】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーに設けられた半導体レーザから発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ効果的に放熱することができる。このため、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００１８】
また、本発明の記録再生装置は、上記浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面に、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記記録媒体と上記浮上型スライダー間に生じる気流を整流するための凸部が設けられていてもよい。
【００１９】
上記の構成によれば、上記記録媒体と上記浮上型スライダーとの間での熱移動を促進させることができ、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体を介して当該記録再生装置の筺体外へ効果的に放熱することができる。このため、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００２０】
また、上記凸部の面積が、３．５×１０‐８ｍ２以上であることが好ましい。これにより、上記記録媒体と上記浮上型スライダーとの間での熱移動を効果的に行わせることができる。
【００２１】
また、上記浮上型スライダーが、上記半導体レーザにおける基板を加工したものである場合、当該浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面における微小領域の面積をｄｓとし、上記微小領域と上記記録媒体との距離をＬ（ｓ）とし、上記対向面における全面積をＳとすると、
【００２２】
【数１】
2005317178.tif 000003
【００２３】
の関係を満たすことが好ましい。
【００２４】
また、上記半導体レーザが、上記浮上型スライダーに半田で接合されたものである場合、当該浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面における微小領域の面積をｄｓとし、上記微小領域と上記記録媒体との距離をＬ（ｓ）とし、上記対向面における全面積をＳとすると、
【００２５】
【数２】
2005317178.tif 000004
【００２６】
の関係を満たすことが好ましい。
【００２７】
上記いずれかの構成によれば、上記記録媒体と上記浮上型スライダーとの間での熱移動を効果的に行わせることができる。
【００２８】
また、本発明の記録再生装置は、上記記録媒体を回転駆動させるための、上記記録媒体と熱的に接触している回転中心軸を備え、上記回転中心軸に、上記記録媒体から伝熱された熱を当該記録再生装置の筐体外へ放熱させるための放熱機構が備えられている構成としてもよい。
【００２９】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体および上記回転中心軸を介して、当該記録再生装置の筺体外へ効果的に放熱することができる。このため、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００３０】
また、上記回転中心軸は、中空部位を備えた筒状の構造であり、上記中空部位が、当該記録再生装置の筐体外の外気に対して開放されている構成であってもよい。
【００３１】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体および上記回転中心軸を介して、上記中空部位における外気に放熱できる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００３２】
また、上記筒状の構造からなる回転中心軸の内面に、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記中空部位における気流を整流するための整流機構が備えられていてもよい。あるいは、上記中空部位内、または、上記中空部位の上記外気に対する開口部に、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記中空部位における気流を整流するための整流機構が備えられていてもよい。
【００３３】
これらの構成によれば、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体および上記回転中心軸を介して、上記中空部位における外気により効果的に放熱できる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００３４】
また、上記回転中心軸は、上記筐体に流体軸受けによって回転可能に支持されており、上記流体軸受けが、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を上記筺体外へ放熱させるための放熱機構として機能する構成としてもよい。
【００３５】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体および上記回転中心軸を介して上記筐体に伝熱させ、上記筐体外に放熱できる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００３６】
また、本発明の記録再生装置は、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、上記記録媒体に対して略平行に備えられ、上記筐体に熱的に接続されるか、あるいは一部が上記筐体外に突き出したヒートシンクを備える構成としてもよい。
【００３７】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体および上記ヒートシンクを介して、上記筐体外に放熱できる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００３８】
なお、上記の構成では、上記記録媒体と、上記記録媒体に対して略平行に備えられた上記ヒートシンクとの間隔が、５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３９】
上記の構成によれば、上記記録媒体と上記ヒートシンクとの間隔を５ｍｍ以下とすることにより、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記記録媒体と介して上記ヒートシンクに効果的に伝熱させることができるので、上記筐体外に効果的に放熱できる。
【００４０】
また、上記の構成において、上記ヒートシンクは、上記記録媒体における温度分布が少なくなるような形状で設けられていることが好ましい。
【００４１】
上記の構成によれば、上記記録媒体における温度分布を小さくできる。このため、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【００４２】
また、本発明の記録再生装置は、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構として、当該筐体内の空間に対流を生じさせる対流機構と、当該筐体内の空間における熱を当該筐体外に放散させる冷却機構とを備えていてもよい。
【００４３】
上記の構成によれば、上記対流機構および上記冷却機構によって、上記浮上型スライダーから発生した熱を、上記筐体外に効果的に放熱できる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００４４】
また、上記筐体には気圧調整用の微小穴が設けられており、かつ、上記筐体における上記微小穴以外の部分では、筐体内の空間と筐体外の外気とが遮蔽されていてもよい。
【００４５】
上記の構成によれば、筐体内の空間が外気に対してほぼ密閉されているにもかかわらず、筐体内部の空間における熱を、筐体外部に適切に放散できる。この結果、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制し、安定した駆動を行うことができる。
【００４６】
また、上記浮上型スライダーには記録媒体に対して情報の記録および再生を行うための磁気ヘッドが設けられており、上記記録媒体の記録面に垂直な方向から見て、上記磁気ヘッドと重なる当該記録媒体上の領域であって、上記半導体レーザからのレーザ光によって加熱される領域外の領域を、磁気的補償温度に加熱するための補助熱源を備えていてもよい。
【００４７】
上記の構成によれば、上記記録媒体における記録領域周辺の領域を磁気的補償温度にしておくことができ、この領域における残留磁化をほぼゼロとすることができる。したがって、Ｓ／Ｎ比を向上させて記録再生を行うことができる。
【００４８】
また、上記補助熱源は補助半導体レーザからなり、当該補助半導体レーザのレーザ光は、上記浮上型スライダーを透過して上記記録媒体に照射される構成としてもよい。
【００４９】
上記の構成によれば、補助半導体レーザからのレーザ光によって、上記浮上型スライダーが昇温されることを防止できる。すなわち、上記浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００５０】
また、上記の構成において、上記浮上スライダーに、上記補助半導体レーザのレーザ光の、上記記録媒体上におけるスポット形状を変更する手段が備えられていてもよい。
【００５１】
これにより、上記記録媒体の記録面に垂直な方向から見て、上記磁気ヘッドと重なる当該記録媒体上の領域であって、上記半導体レーザからのレーザ光によって加熱される領域外の領域を、磁気的補償温度に適切に加熱することができる。
【００５２】
また、上記浮上型スライダーにおける上記記録媒体との対向面のうち、上記補助半導体レーザから出射されたレーザ光の上記記録媒体上におけるスポット領域に対向する部分と上記記録媒体との間隔が、上記対向面における他の部分と上記記録媒体との間隔よりも離れている構成としてもよい。
【００５３】
上記の構成によれば、上記記録媒体上におけるスポット領域の熱が、上記浮上型スライダーへ流入することを防止できる。したがって、浮上型スライダーにおける温度上昇を抑制でき、この温度上昇による動作不良を防止できる。
【００５４】
また、上記補助熱源が、上記浮上型スライダーに、熱遮蔽層を介して備えられている構成としてもよい。
【００５５】
上記の構成によれば、上記補助熱源の熱が、上記浮上型スライダーに伝熱されることを防止できる。したがって、浮上型スライダーにおける温度上昇を抑制でき、この温度上昇による動作不良を防止できる。
【００５６】
また、上記半導体レーザは、ファブリペロー型共振器構造であってもよい。また、上記半導体レーザは、発光層にＧａとＩｎを主に含有する窒化物半導体レーザであってもよい。また、上記半導体レーザは、基板にＧａを主に含有する窒化物半導体レーザであってもよい。
【００５７】
また、上記半導体レーザは、端面発振型の半導体レーザであって、上記端面に近接場光発生機構を備えていてもよい。また、上記半導体レーザは、端面発振型の半導体レーザであって、当該端面に金属を含む膜が設けられており、上記金属を含む膜に、当該半導体レーザのニアフィールドパターンよりも小さい微小開口が設けられていてもよい。
【００５８】
上記の各構成によれば、記録領域の加熱以外の光散乱を低減させることで、閾値電流を下げることができ、半導体レーザの消費電力を削減することができる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００５９】
また、上記半導体レ−ザは、端面発振型の半導体レーザであって、当該端面に高反射膜を備えていてもよい。
【００６０】
上記の構成によれば、上記端面における端面損失を低減でき、これによって半導体レーザの閾値電流を下げ、消費電力を削減できる、したがって、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００６１】
また、上記半導体レーザは、ファブリペロー型共振器構造とリング型導波路の複合構造であってもよい。あるいは、上記半導体レーザは、ファブリペロー型共振器構造と円柱型導波路の複合構造であってもよい。
【００６２】
上記の各構成によれば、円柱型導波路またはリング導波路から上記記録媒体への光トンネリングが生じ、熱アシスト磁気記録再生を行える。
【００６３】
また、上記半導体レーザは、マイクロディスク型共振器からなるものであってもよい。
【００６４】
本発明の記録再生装置は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、上記浮上型スライダーを、記録または再生時の浮上位置よりもさらに上昇させる機構を備え、上記浮上型スライダーが記録または再生時の浮上位置にある場合のみ、半導体レーザに電流が注入されることを特徴としている。
【００６５】
上記の構成によれば、半導体レーザからの発熱を低減させることができる。したがって、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００６６】
本発明の記録再生装置は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、上記記録媒体における、記録または再生を行う位置に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御する制御部を備えることを特徴としている。
【００６７】
上記の構成によれば、上記記録媒体における、記録または再生を行う位置に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することにより、半導体レーザの駆動電力を削減することが可能となる。このため、半導体レーザの発熱に伴う浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を低減することができ、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００６８】
また、上記の構成によれば、上記記録媒体における記録または再生を行う位置に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することにより、上記記録媒体における熱分布を低減することができる。したがって、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【００６９】
また、上記制御部は、上記記録媒体における、記録または再生のために上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体における位置に関わらず一定になるように、上記半導体レーザの駆動電力を制御するものであってもよい。
【００７０】
上記の構成によれば、半導体レーザの駆動電力を削減することが可能となる。また、上記記録媒体における、記録または再生のために上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体における位置に関わらず一定になるので、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【００７１】
また、上記の構成において、上記記録媒体上における、記録または再生を行う各位置について、温度を測定する手段を備えてもよい。なお、この場合、上記半導体レーザの記録および再生時の駆動電流はパルス電流からなり、上記駆動電流とは異なるパルス電流を上記半導体レーザに注入することによって、上記記録媒体における温度の測定を行う構成であってもよい。
【００７２】
上記の各構成によれば、上記記録媒体における、記録または再生を行う各位置の温度を測定し、この測定結果に基づいて、上記半導体レーザの駆動電力を制御することができる。したがって、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御することができる。
【００７３】
また、上記制御部は、上記浮上型スライダーにおける動作時のシークに伴う、上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するものであってもよい。
【００７４】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーにおける動作時のシークに伴う上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するので、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御できる。
【００７５】
また、上記制御部は、雰囲気温度の変化に伴う上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するものであってもよい。
【００７６】
上記の構成によれば、雰囲気温度の変化に伴う上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するので、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御できる。
【００７７】
また、上記制御部は、上記半導体レーザの劣化による発熱量の増加を補償して、上記半導体レーザの駆動電力を制御するものであってもよい。
【００７８】
半導体レーザは、使用に伴って性能が劣化し、閾値が上昇することが知られている。上記の構成によれば、このような半導体レーザの劣化による発熱量の増加を補償することにより、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御できる。
【００７９】
また、本発明の記録再生装置は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、浮上型スライダーの温度を把握するとともに、把握した温度データから浮上型スライダーにおける温度の時系列データを作成し、上記作成した時系列データから、浮上型スライダーにおける動作時のシークおよび雰囲気温度の変化に伴う温度変化を抜き取ることによって、上記半導体レーザの劣化による発熱量増加の時系列データを作成し、上記発熱量増加の時系列データに基づいて上記半導体レーザの寿命予測を行う、制御部を備えていることを特徴としている。
【００８０】
上記の構成によれば、半導体レーザの寿命を的確に把握することができるので、安定した駆動を行うことができる。
【００８１】
また、上記制御部が、上記半導体レーザが読み取り不能状態に陥る前に、上記記録媒体に記録されている情報を、他の記録媒体に自動的に記録するようにしてもよい。また、上記制御部が、上記半導体レーザの劣化状況を、ユーザーに提示するようにしてもよい。
【００８２】
上記の構成によれば、半導体レーザの寿命を的確に把握することにより、記録再生装置に記録された情報の紛失を防止することができる。
【００８３】
また、本発明の記録再生装置は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置であって、上記浮上型スライダーを、記録または再生時における浮上位置よりも上昇させる機構を備え、記録または再生のために、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱するように制御する制御部を備えることを特徴としている。
【００８４】
上記の構成によれば、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱することにより、上記電子デバイスに対するアクセス時間を低減でき、安定した駆動を行える。
【００８５】
本発明の記録媒体は、上記の課題を解決するために、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録または再生される記録媒体であって、基板を含む複数の層からなり、上記各層における熱伝導率と層厚との積の総和が、５×１０‐３Ｗ／℃以上であることを特徴としている。また、上記記録媒体は、上記各層における熱伝導率と層厚との積の総和が、２０×１０‐３Ｗ／℃以上であることがさらに好ましい。
【００８６】
上記の構成よれば、例えば、当該記録媒体を記録または再生するための記録再生装置に熱的に接続することにより、この記録再生装置への放熱を促進させることができる。したがって、記録または再生時における当該記録媒体の温度上昇を低減でき、この温度上昇に伴う動作不良を防止できる。また、当該記録媒体における熱分布を低減することができるので、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【００８７】
また、ガラス基板と記録層とヒートシンク層とを含む複数の層からなり、上記ヒートシンク層における熱伝導率と層厚との積が、上記ガラス基板における熱伝導率と層厚との積よりも大きい構成としてもよい。
【００８８】
上記の構成によれば、上記記録媒体における熱伝導率を大きくなるので、例えば、当該記録媒体記録または再生するための記録再生装置と熱的に接続することにより、この記録再生装置への放熱を促進させることができる。したがって、記録または再生時における当該記録媒体の温度上昇を低減でき、この温度上昇に伴う動作不良を防止できる。また、当該記録媒体における熱分布を低減することができるので、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【００８９】
また、上記ヒートシンク層は、上記ガラス基板と上記記録層との間に設けられていてもよい。これにより、記録媒体の温度上昇を抑制でき、温度上昇による動作不良を防止できる。
【００９０】
また、上記記録層と上記ヒートシンク層との間に、熱伝導率が上記ヒートシンク層よりも低い熱障壁層が設けられていてもよい。
【００９１】
上記熱障壁層を設けることにより、記録領域における温度の変化速度を適切に調整できる。すなわち、記録領域における温度の変化速度が大きすぎると、記録領域の温度が記録のために必要な温度まで上昇しなくなるおそれがあるが、熱障壁層を設けることにより、記録領域の温度が記録に必要な温度となるように適切に調整できる。
【００９２】
また、上記ヒートシンク層は、上記ガラス基板に対して、上記記録層が備えられている側とは反対側に設けられていてもよい。この場合でも、記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００９３】
また、上記記録媒体は、ガラス基板と２層の記録層とを含む複数の層からなり、上記ヒートシンク層は、上記ガラス基板と一方の記録層との間に設けられるとともに、上記ヒートシンク層と上記一方のガラス基板との間に、熱伝導率が上記ヒートシンク層よりも低い熱障壁層が設けられ、他方の記録層は、上記ガラス基板に対して、上記一方の記録層が設けられている側とは反対側に設けられていてもよい。
【００９４】
上記の構成によれば、基板に対して表裏両面に記録層を備えた記録媒体において、記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【００９５】
また、上記ヒートシンク層は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ／℃以上であり、かつ、層厚が１０μｍ以上であることが好ましい。また、上記ヒートシンク層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕのいずれかを含有する構成であってもよい。
【００９６】
また、上記記録媒体は、Ａｌまたはサファイアからなる基板を含む複数の層からなる構成としてもよい。これらの熱伝導率が高い材料からなる基板を用いることにより、当該記録媒体の記録または再生を行う記録再生装置から当該記録媒体への熱の流れについて、定常的な熱応答を得られる。このため、安定した駆動が可能となる。
【００９７】
また、上記記録媒体は、半導体レーザおよび磁気ヘッドを用いて熱アシスト磁気記録再生方式で記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置において用いられる記録媒体であって、磁気的補償温度が、当該記録媒体に対する記録または再生を行うために、上記半導体レーザを最大駆動電力で駆動した場合の、当該記録媒体の記録面に垂直な方向から見て、上記磁気ヘッドと重なる当該記録媒体上の領域であって、上記半導体レーザからのレーザ光によって加熱される領域外の領域における最大温度よりも高く設定されていてもよい。
【００９８】
本発明の記録再生装置の駆動方法は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置の駆動方法であって、記録または再生を行う位置における、上記浮上型スライダーの温度を把握するステップを含み、上記記録媒体における、上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体上の位置に関わらず一定になるように、上記半導体レーザの駆動電力を制御することを特徴としている。
【００９９】
上記の駆動方法によれば、半導体レーザの駆動電力を削減することが可能となるので、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を低減することができ、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【０１００】
また、上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体上の位置に関わらず一定となるので、当該記録媒体における記録領域の熱分布を低減することができ、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【０１０１】
また、上記浮上型スライダーにおける動作時のシークに伴う温度変化を把握するステップを含み、上記動作時のシークに伴う温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するようにしてもよい。
【０１０２】
上記の駆動方法によれば、上記浮上型スライダーにおける動作時のシークに伴う上記記録媒体の温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するので、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御できる。
【０１０３】
また、雰囲気温度の変化に伴う上記浮上型スライダーの温度変化を把握するステップを含み、上記雰囲気温度の変化に伴う温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するようにしてもよい。
【０１０４】
上記の駆動方法によれば、雰囲気温度の変化に伴う上記浮上型スライダーの温度変化に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御するので、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御できる。
【０１０５】
また、上記浮上型スライダーに設けられた半導体レーザの劣化による発熱の増加に伴う、上記浮上型スライダーの温度変化を把握するステップを含み、上記半導体レーザの劣化による発熱量の増加を補償して、上記半導体レーザの駆動電力を制御するようにしてもよい。
【０１０６】
半導体レーザは、使用に伴って性能が劣化し、閾値が上昇することが知られている。上記の駆動方法によれば、このような半導体レーザの劣化による発熱量の増加を補償することにより、上記半導体レーザの駆動電力を適切に制御できる。
【０１０７】
本発明の記録再生装置の駆動方法は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーと、上記浮上型スライダーを、記録媒体に対して記録または再生する際における浮上位置よりも上昇させる機構とを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって上記記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置記録再生装置の駆動方法であって、記録または再生のために、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱することを特徴としている。
【０１０８】
上記の駆動方法によれば、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた半導体レーザなどの電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱することにより、上記電子デバイスに対するアクセス時間を低減でき、安定した駆動が可能となる。
【０１０９】
また、本発明の半導体レーザの寿命予測方法は、上記の課題を解決するために、半導体レーザが設けられた浮上型スライダーを備え、熱アシスト磁気記録再生方式によって記録媒体に記録および再生を行う記録再生装置において上記半導体レーザの寿命予測方法であって、浮上型スライダーの温度を把握するステップと、把握した温度データから浮上型スライダーにおける温度の時系列データを作成するステップと、上記作成した時系列データから、浮上型スライダーにおける動作時のシークおよび雰囲気温度の変化に伴う温度変化を抜き取ることによって、上記半導体レーザの劣化による発熱量増加の時系列データを作成し、上記発熱増加量の時系列データに基づいて上記半導体レーザの寿命予測を行うことを特徴としている。この方法によれば、半導体レーザの寿命を的確に把握することができ、把握した結果に基づいて安定した駆動を行うことができる。
【０１１０】
また、本発明のプログラムは、記録再生装置に備えられたコンピューターを、上記した記録再生装置の制御部として機能させるためのものである。上記のようなコンピューターにこれらのプログラムを読み取らせることで、本発明の記録再生装置における制御部の処理を、そのコンピューターによって実現することが可能となる。
【０１１１】
また、これらのプログラムをコンピューターによって読取可能な記録媒体に記録させておくことで、プログラムの保存・流通を容易に行えるようになる。上記の記録媒体に記録されプログラムを、記録再生装置に備えられたコンピューターに読み込ませることで、本発明の記録再生装置における制御部の処理を、そのコンピューターによって実現することが可能となる。
【０１１２】
本発明の半導体レーザは、誘導放出光を生成するファブリペロー型共振器構造と、ウィスパリングギャラリーモードを発生するリング型導波路との複合構造からなる。また、本発明の半導体レーザは、誘導放出光を生成するファブリペロー型共振器構造と、ウィスパリングギャラリーモードを発生する円柱型導波路との複合構造からなる。
【０１１３】
上記の構成では、ファブリペロー型共振器構造で生成された誘導放出光の一部がリング型導波路または円柱型導波路に導かれ、リング型導波路または円柱導波路におけるウィスパリングギャラリーモードと結合する。このため、リング型導波路または円柱導波路の一部を記録媒体に近接させることができる。これにより、リング型導波路または円柱導波路から記録媒体への光トンネリングが生じ、安定な熱アシスト磁気記録再生を行える。
【発明の効果】
【０１１４】
以上のように、本発明の記録再生装置は、上記浮上型スライダーにおいて発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ放熱させるための放熱機構を備えている。
【０１１５】
それゆえ、上記浮上型スライダーに設けられた半導体レーザから発生した熱を、当該記録再生装置の筺体外へ効果的に放熱することができる。これにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【０１１６】
本発明の記録再生装置は、上記浮上型スライダーを、記録または再生時の浮上位置よりもさらに上昇させる機構を備え、上記浮上型スライダーが、記録または再生時の浮上位置にある場合のみ、半導体レーザに電流が注入されることを特徴としている。
【０１１７】
それゆえ、半導体レーザからの発熱を低減させることができる。したがって、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を抑制でき、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【０１１８】
本発明の記録再生装置は、上記記録媒体における、記録または再生を行う位置に応じて、上記半導体レーザの駆動電力を制御する制御部を備えている。
【０１１９】
それゆえ、半導体レーザの駆動電力を削減することが可能となるので、半導体レーザの発熱に伴う浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を低減することができ、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【０１２０】
また、上記記録媒体における熱分布を低減することができ、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【０１２１】
本発明の記録再生装置は、浮上型スライダーの温度を把握するとともに、把握した温度データから浮上型スライダーにおける温度の時系列データを作成し、上記作成した時系列データから、浮上型スライダーにおける動作時のシークおよび雰囲気温度の変化に伴う温度変化を抜き取ることによって、上記半導体レーザの劣化による発熱量増加の時系列データを作成し、上記発熱量増加の時系列データに基づいて上記半導体レーザの寿命予測を行う、制御部を備えている。
【０１２２】
それゆえ、半導体レーザの寿命を的確に把握することができるので、安定した駆動を行うことができる。
【０１２３】
本発明の記録再生装置は、上記浮上型スライダーを、記録または再生時における浮上位置よりも上昇させる機構を備え、記録または再生のために、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱するように制御する制御部を備えていてもよい。
【０１２４】
この場合、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱することにより、上記電子デバイスに対するアクセス時間を低減でき、安定した駆動を行える。
【０１２５】
本発明の記録媒体は、基板を含む複数の層からなり、上記各層における熱伝導率と層厚との積の総和が、５×１０‐３Ｗ／℃以上である。
【０１２６】
それゆえ、例えば、当該記録媒体を記録または再生するための記録再生装置に熱的に接続することにより、この記録再生装置への放熱を促進させることができる。したがって、記録または再生時における当該記録媒体の温度上昇を低減でき、この温度上昇に伴う動作不良を防止できる。また、当該記録媒体における熱分布を低減することができるので、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【０１２７】
本発明の記録再生装置の駆動方法は、記録または再生を行う位置における、上記浮上型スライダーの温度を把握するステップを含み、上記記録媒体における、上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体上の位置に関わらず一定になるように、上記半導体レーザの駆動電力を制御する。
【０１２８】
それゆえ、半導体レーザの駆動電力を削減することが可能となるので、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を低減することができ、これらの温度上昇による動作不良を防止できる。
【０１２９】
また、上記半導体レーザのレーザ光が照射される領域の温度が、上記記録媒体上の位置に関わらず一定となるので、当該記録媒体における熱分布を低減することができ、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することが可能となる。
【０１３０】
本発明の記録再生装置の駆動方法は、上記の課題を解決するために、記録または再生のために、上記浮上型スライダーを上記浮上位置に移動させる際に、当該浮上型スライダーに設けられた電子デバイスに、微量電流をあらかじめ流して予備加熱する。
【０１３１】
これにより、上記電子デバイスに対するアクセス時間を低減できるので、上記電子デバイスからの発熱量を低減させることができる。したがって、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を低減でき、これらの温度上昇に伴う動作不良を防止できる。
【０１３２】
本発明の半導体レーザの寿命予測方法は、浮上型スライダーの温度を把握するステップと、把握した温度データから浮上型スライダーにおける温度の時系列データを作成するステップと、上記作成した時系列データから、浮上型スライダーにおける動作時のシークおよび雰囲気温度の変化に伴う温度変化を抜き取ることによって、上記半導体レーザの劣化による発熱量増加の時系列データを作成し、上記発熱増加量の時系列データに基づいて上記半導体レーザの寿命予測を行うものである。
【０１３３】
それゆえ、半導体レーザの寿命を的確に把握することができ、把握した結果に基づいて安定した駆動を行うことができる。
【０１３４】
本発明のプログラムは、記録再生装置に備えられたコンピューターを、上記いずれかに記載の制御部として機能させるためのものである。
【０１３５】
上記のようなコンピューターにこれらのプログラムを読み取らせることで、記録再生装置における制御部の処理を、そのコンピューターによって実現することが可能となる。
【０１３６】
また、これらのプログラムをコンピューターによって読取可能なプログラム記録媒体に記録させておくことで、プログラムの保存・流通を容易に行えるようになる。さらに、このプログラム記録媒体を読み込ませることで、コンピューターによって、記録再生装置における制御部の処理を実施できる。
【０１３７】
本発明の半導体レーザは、誘導放出光を生成するファブリペロー型共振器構造と、ウィスパリングギャラリーモードを発生するリング型導波路との複合構造からなる。また、本発明の他の半導体レーザは、誘導放出光を生成するファブリペロー型共振器構造と、ウィスパリングギャラリーモードを発生する円柱型導波路との複合構造からなる。
【０１３８】
上記の構成では、ファブリペロー型共振器構造で生成された誘導放出光の一部がリング型導波路または円柱型導波路に導かれ、リング型導波路または円柱導波路におけるウィスパリングギャラリーモードと結合する。このため、リング型導波路または円柱導波路の一部を記録媒体に近接させることができる。これにより、リング型導波路または円柱導波路から記録媒体への光トンネリングが生じ、安定な熱アシスト磁気記録再生を行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１３９】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について図に基づいて説明する。本実施の形態における情報記録再生装置（本記録再生装置）は、半導体レーザを用いた熱アシスト磁気記録再生方式の情報記録再生装置である。
【０１４０】
ここで、熱アシスト磁気記録再生方式とは、磁気的記録媒体の温度を制御することで、残留磁化を増加させたり、保磁力を低下させるなど、磁気的記録媒体の磁気特性を変化させることによって、再生および記録を容易にするものである。
【０１４１】
なお、本記録再生装置では、半導体レーザが浮上型スライダーに設けられている。そして、本記録再生装置は、浮上型スライダー上に設けられた半導体レーザおよび磁気ヘッドから発生した熱を、本記録再生装置における筐体の外部へ効果的に放熱させることにより、浮上型スライダーおよび記録媒体の温度上昇を防止できるようになっている。
【０１４２】
また、本記録再生装置は、半導体レーザの消費電力を削減することによって、浮上型スライダーの温度が上昇することを防止し、これによって記録媒体の温度上昇を防止できるようになっている。すなわち、半導体レーザの動作電圧や閾値電流は一般的によく知られているが、熱アシスト磁気記録再生方式では、記録領域の加熱以外の光散乱を極力抑えることで、閾値電流を下げることができる。本記録再生装置では、端面発振型の半導体レーザであって、当該端面に微小開口が設けられたＶＳＡＬ（very small aperture laser）を用い、微小開口からの放射損失以外の損失、すなわち端面損失を低くすることによって閾値電流を下げ、半導体レーザの消費電力を削減している。また、本記録再生装置では、端面損失をさらに下げるために、レーザ端面に高反射膜を設けている。
【０１４３】
一般に、半導体レーザの発振閾値は半導体レーザの活性層における利得が生じるまでに必要な透明電流、該透明電流以上の電流を注入することで得られる利得、そして、２つの端面からなる共振器内の損失によって決まる。この損失は、共振器内で平均的に発生する内部損失と端面での反射からなる端面損失とに分類される。熱アシスト磁気記録再生に用いられる、例えばＶＳＡＬでは、一方の端面を誘電体と金属膜で覆っているため反射率が高い。なお、この金属膜に設けられた微小開口は、レーザのスポットサイズに比べて十分小さいため、該開口があってもその反射率は高い。一方、他方の端面にも高反射膜を設けることで、該端面損失の総和が低減され、すなわち低閾値からなる半導体レーザを得ることが可能である。これは一方の端面の反射率を低くしているＤＶＤ等の光ピックアップ用とは特性が大きく異なると言える。
【０１４４】
レーザは、共振器による光閉じ込めが必要であり、最も一般的には２枚の鏡によってこの光閉じ込めが行われる。ここで、それぞれの鏡には、通常、反射率を制御する、または膜を保護するために、例えばＡｌミラーにＭｇＦ等の誘電膜を設けたものが用いられる。この場合、光の反射位置は空気とＭｇＦの界面、および、ＭｇＦとＡｌの界面の両方であり、それぞれの干渉によってひとつの反射波が形成される。本記録再生装置における半導体レーザは、後述するように、研磨等で形成された端面をベースとして、一方には誘電体からなる高反射膜、他方には誘電体と金属膜が設けられている。これらの反射機構はレーザ鏡とみなすことができ、上記の端面は、ファブリペロー共振器をなす端面とみなすことができる。
【０１４５】
（本記録再生装置の構成）
図２４は、本記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。図２４に示すように、本記録再生装置は、制御部１０、浮上型スライダー１、窒化物半導体レーザ（半導体レーザ）２、記録ヘッド（磁気記録ヘッド）３、再生ヘッド（磁気再生用ＧＭＲヘッド）４、サスペンション５、受光素子６、記録媒体（磁気記録再生媒体、磁気的記録媒体）７、回転中心軸８、操作部１４、表示部１５、入力部１６、出力部１７を備えている。
【０１４６】
図１（ａ）に本記録再生装置における記録ヘッド３および再生ヘッド４近傍の概略断面図を示し、図１（ｂ）に、本記録再生装置における主要部の概略斜視図を示す。
【０１４７】
制御部１０は、本記録再生装置における全ての動作を制御する、本記録再生装置の中枢部である。すなわち、制御部１０は、操作部１４に対するユーザーの指示に応じて、本記録再生装置における各部の動作を制御し、情報を記録媒体７に記録させる、あるいは記録媒体７に記録されている情報を再生させるものである。
【０１４８】
操作部１４は、本記録再生装置に対するユーザーの指示を受け付けるものである。すなわち、操作部１４は、本記録再生装置に対する駆動指示（記録、再生等）を受け付け、制御部１０に伝達するものである。
【０１４９】
表示部１５は、本記録再生装置の動作状況や、ユーザーの指示を待機している旨（ユーザーによる指示入力待ちであること）をユーザーに示すためのものである。
【０１５０】
入力部１６は、記録媒体７に記録するための情報を、外部機器から本記録再生装置に入力するためのインターフェースである。
【０１５１】
出力部１７は、記録媒体７から読み取った情報を、外部機器に出力するためのインターフェースである。
【０１５２】
浮上型スライダー１は、図１（ａ）に示すように、支柱１０００に支えられたサスペンション５に取り付けられており、浮上型スライダー１には、半導体レーザ２、記録ヘッド３、再生ヘッド４が備えられている。本記録再生装置では、制御部１０が、図示しないサスペンション駆動手段の動作を制御することによって、サスペンション５を記録媒体７に対して相対的に移動させ、これによって、半導体レーザ２、記録ヘッド３、再生ヘッド４を、記録媒体７上の記録あるいは再生を行う位置に適切に移動させるようになっている。なお、浮上型スライダー１は、非動作時に動作時の浮上位置（浮上高さ）からさらに上昇する機構を備えており、浮上型スライダー１が動作位置にある時にのみ、半導体レーザ２に電流が注入されるようになっている。ただし、このような機構を必ずしも備える必要はない。また、本実施の形態では、浮上型スライダー１が、記録媒体７に対して非接触に備えられているが、一部が記録媒体７に接触している接触型であってもよい。また、本記録再生装置における浮上型スライダー１の、記録媒体７に対する動作時の浮上高さは０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されている。浮上高さをこのように設定することにより、浮上型スライダー１における半導体レーザ２あるいは磁気ヘッド（記録ヘッド３および再生ヘッド４）等の発熱源から発生した熱を、記録媒体７へ伝導させることができるので、浮上型スライダー１の温度上昇を抑制することができる。すなわち、熱アシスト磁気記録再生動作時の半導体レーザ２および磁気ヘッドの発熱による動作不良を抑制し、安定駆動させることが可能になる。
【０１５３】
また、浮上型スライダー１は、後で説明するように、半導体レーザ２と一体に形成されている。ただし、浮上型スライダー１と半導体レーザ２とは、必ずしも一体に形成する必要はなく、浮上型スライダー１上に、半導体レーザ２を取り付ける構成としてもよい。
【０１５４】
半導体レーザ２は、記録媒体７を昇温させるためのものである。すなわち、記録時には半導体レーザ２のレーザ光（出射光）によって記録媒体７を昇温させ、記録媒体７における記録領域の保磁力を低下させた状態で、記録ヘッド３によって記録領域に外部磁界を印加することにより、情報を記録する。そして、再生時には半導体レーザ２のレーザ光によって記録媒体を昇温させて記録媒体７における記録領域の残留磁化の強度を増大させ、その残留磁化からの磁束を再生ヘッド４で検出して情報を再生する。
【０１５５】
なお、本実施の形態では、半導体レーザ２として窒化物半導体レーザを用いているが、これに限るものではない。半導体レーザ２として、発光層（図示せず）に半導体材料を用いた発光素子において、光共振器（図示せず）を有し、誘導放出光を放射するもの全般を用いることができる。半導体材料としては、例えば、Ｂ,Ａｌ,Ｇａ,ＩｎなどのＩＩＩ族からなる元素と、Ｎ,Ｐ,Ａｓ,ＳｂなどからなるＶ族元素とからなるＩＩＩ−Ｖ族半導体、あるいは、ＩＩ族元素のＺｎと、Ｏ,Ｓ,ＳｅなどのＶＩ元素からなるＩＩ−ＶＩ半導体を用いることができる。また、光共振器には、端面発光型やマイクロディスク構造など既存の技術を用いることができ、本実施の形態における効果は光共振器の構成によって限定されるものではない。
【０１５６】
ここで、浮上型スライダー１を、非動作時に、動作時の浮上位置（浮上高さ）からさらに上昇させる浮上機構を備えている場合について、図を用いて説明する。なお、前述した各部材と同じ部材番号を付した部材については、前述した部材と同様であるので、説明は省略する。
【０１５７】
図３９は、支柱１０００に備えられる、浮上型スライダー１を取り付けたサスペンション５を非動作時に動作時の浮上位置（浮上高さ）からさらに上昇させる浮上機構１００５を示す要部断面図である。
【０１５８】
図３９に示すように、筒状に形成された支柱１０００の中空部にサスペンション５を駆動させる駆動軸１００３が設けられており、駆動軸１００３が上下に動くことでサスペンション５が上下し、浮上型スライダー１を動作時の浮上高さ、あるいは、非動作時の浮上高さに移動させるようになっている。
【０１５９】
浮上機構１００５は、支柱１０００の上部に設けられたコイル１００１、支柱１０００の先端部が鉤状となっている支柱鉤部１００４、駆動軸１００３に設けられた永久磁石である駆動軸ツバ部１００２、によって構成されている。
【０１６０】
駆動軸１００３の高さは、コイル１００１に電流を注入することによって磁界を発生させ、コイル１００１と駆動軸ツバ部１００２との間で働く磁気的な引力および斥力を利用して調整する。引力および斥力の切り替えはコイル１００１に印加する電流の方向によって制御する。
【０１６１】
例えば、コイル１００１にある一方向の電流を流した時に、コイル１００１と駆動軸ツバ部１００２との間に引力が働く方向に電流を流すと、コイル１００１の上面と駆動軸ツバ部１００２の下面が接触することになる。この時の浮上型スライダー１の高さを、動作時の高さとする。また、駆動軸ツバ部１００２の上面と支柱鉤部１００４との間に空間が生じるが、この空間分（空間の高さ）が浮上型スライダー１の非動作時（記録・再生動作を行わない時）に、浮上型スライダー１を、動作時の浮上位置（浮上高さ）からさらに上昇させる距離となる。
【０１６２】
一方、コイル１００１に反対方向の電流を流すと、コイル１００１の磁力と駆動軸ツバ部１００２の磁力との斥力によって、駆動軸ツバ部１００２が持ち上げられる。この時、駆動軸１００３は、支柱鉤部１００４の下面が駆動ツバ部１００２の上面に接触するまで上昇する。
【０１６３】
このように、コイル１００１の上面と永久磁石である駆動軸ツバ部１００２との間で引力が働くようにコイル１００１に電流を流した状態が浮上型スライダー１の動作（記録・再生動作を行う）時の浮上位置であり、斥力が働くようにコイル１００１に電流を流した状態が浮上型スライダー１の非動作（記録・再生動作を行わない）時の浮上位置となる。
【０１６４】
ここで、本記録再生装置における浮上型スライダー１の、記録媒体７に対する非動作時の浮上高さは、動作時の浮上高さに加え、１μｍ〜１０μｍ程度とすることが好ましい。この場合、記録媒体（ディスク）７の面振れによって浮上型スライダー１と記録媒体７がクラッシュすることを防止できるので、浮上型スライダー１および記録媒体７が損傷することを防止できる。
【０１６５】
なお、上記した浮上機構１００５は、浮上型スライダー１を取り付けたサスペンション５を非動作時に動作時の浮上位置からさらに上昇させるための浮上機構の一例にすぎず、他の構成を用いてもよい。
【０１６６】
例えば、サスペンション５の一方（サスペンション５の延在方向における浮上型スライダー１が設けられていない側）を支柱１０００の記録媒体７に対して反対側を軸としてサスペンション５を上下方向に回動可能なように支持し、サスペンション５の他方（サスペンション５の延在方向における浮上型スライダー１が設けられた側）を押し上げるカム機構を支柱１０００に設けてもよい。
【０１６７】
また、浮上型スライダー１の浮上位置を、磁気的な引力と斥力によって調整する浮上機構を、記録媒体７の下側に設けてもよい。例えば、浮上機構１００５と同様の構成からなる浮上機構を、記録媒体７を回転させるための回転中心軸８に設けてもよい。ただし、この場合は、コイル１００１の上面と永久磁石である駆動軸ツバ部１００２との間で斥力が働くようにコイル１００１に電流を流した状態が浮上型スライダー１の動作（記録・再生動作を行う）時の浮上位置となり、反対に、引力が働くようにコイル１００１に電流を流した状態が浮上型スライダー１の非動作（記録・再生動作を行わない）時の浮上位置となる。
【０１６８】
なお、浮上機構１００５のように、浮上型スライダー１の浮上位置を磁気的な引力と斥力とによって調整する浮上機構を用いる場合、動作時の浮上位置において常に磁気的な引力もしくは斥力が働いているので、動作時に、浮上型スライダー１の浮上位置を精密に制御（固定）することができる。このため、記録媒体７に対する記録・再生を正確に行うことができる。
【０１６９】
また、浮上型スライダー１が動作時の浮上位置にあるか、あるいは非動作時の浮上位置にあるかを判別するための検知機構を設けてもよい。例えば、支柱鉤部１００４の上面およびサスペンション５の下面における互いに接触する箇所にそれぞれ電極を設け、両電極間に導通があれば浮上型スライダー１が動作時の浮上位置であり、導通がなれければ浮上型スライダー１が非動作時の浮上位置であると判別するようにしてもよい。
【０１７０】
次に、本記録再生装置における浮上高さの制御に係る動作を説明する。図４０は、図３９に示した浮上機構１００５を備えた本記録再生装置のブロック図である。この図に示すように、本記録再生装置には、図２４に示した構成に加えて浮上機構１００５を制御する浮上部（浮上制御部）１０１０が設けられている。
【０１７１】
図４０に示すように、浮上部１０１０は、制御部１０からの指示によって、サスペンション５（浮上型スライダー１）の浮上位置を非動作時の浮上位置あるいは動作時の浮上位置に移動させる。また、検出部１０１５は、サスペンション５の浮上位置を検出するものである。なお、図３９に示した浮上機構１００５を用いる場合、検出部１０１５を必ずしも備えている必要はない。また、検出部１０１５は、例えば、上記したように支柱鉤部１００４の上面およびサスペンション５の下面における互いに接触する箇所にそれぞれ電極を設け、両電極間の導通状態を検知することでサスペンション５の浮上位置を検出するものであってもよい。
【０１７２】
次に、図４１を参照して、制御部１０の動作を説明する。図４１は、制御部１０によって行われる、浮上型スライダー１の浮上位置の制御および半導体レーザ２の電流の制御を示すフローチャートである。
【０１７３】
まず、制御部１０は、記録または再生の制御信号を検出したかどうかを判断する（Ｓ１００）。ここで、記録・再生制御信号を検出していない場合には、半導体レーザ２の電流をオフとし（Ｓ１０１）、処理を終了する。
【０１７４】
一方、Ｓ１００において、記録・再生制御信号を検出したと判断した場合、制御部１０は、現在のサスペンション５の浮上位置が動作時の浮上位置であるかどうかを判断する（Ｓ１０２）。例えば、検出部１０１５に、支柱鉤部１００４の上面およびサスペンション５の下面に設けた電極間が導通しているかを判別させる。あるいは、浮上機構１００５におけるコイル１００１に注入している電流の向きによって判断してもよい。
【０１７５】
そして、Ｓ１０２において、サスペンション５の位置が動作時の浮上高さではないと判断した場合、制御部１０は、浮上部１０１０を制御し、サスペンション５を動作時の浮上高さに設定させる（Ｓ１０３）。つまり、動作時の浮上位置になるように、コイル１００１に反対方向の電流を注入して浮上型スライダー１の位置を調整する。
【０１７６】
そして、Ｓ１０３の処理を行った後、あるいはＳ１０２においてサスペンション５の位置が動作時の浮上高さであると判断した場合、制御部１０は、記録媒体７が所定速度（所定線速）で回転しているかどうかで回転しているかどうかを判断する（Ｓ１０４）。そして、記録媒体７が所定速度で回転していない場合には、記録媒体７を所定速度で回転させる（Ｓ１０４）。
【０１７７】
そして、Ｓ１０４の処理を行った後、あるいはＳ１０３において記録媒体７が所定速度で回転していると判断した場合、制御部１０は、半導体レーザ２に電流を注入し（Ｓ１０５）、記録または再生を行って処理を終了する。なお、記録または再生を行った後、Ｓ１００からの処理を繰り返し行ってもよい。つまり、次の記録・再生制御信号を検出し、図４１に示したフローチャートと同様の工程によって半導体レーザ２、サスペンション５の浮上位置および記録媒体７の回転を制御すればよい。
【０１７８】
また、次の記録・再生制御信号を検出しなかった場合は、Ｓ１０１において、半導体レーザ２への電流の注入を中止すればよい。さらに、この場合、サスペンション５を動作時の浮上位置に保ち、記録媒体７を回転させたままで、次の記録・再生制御信号を検出することを待機し、Ｓ１００からの処理を繰り返すようにしてもよい。この場合、サスペンション５は動作時の浮上位置に有り、記録媒体７も回転している状態なので、次に記録・再生制御信号を検出すると、すぐに半導体レーザ２へ電流を注入することができる。したがって、記録・再生を瞬時に行うことができる。
【０１７９】
また、図４２（ａ）に示すように、Ｓ１０１において半導体レーザ２の電流注入を中止した後（電流をオフにした後）、制御部１０が、浮上部１０１０を制御し、サスペンション５を非動作時の浮上位置にしてから（Ｓ２０１）、制御部１０の処理を終了するようにしてもよい。
【０１８０】
この場合、記録媒体７の回転は続行されており、サスペンション５は記録媒体７から離れたところに退避している状態になるので、半導体レーザ２も含めて浮上型スライダー１と記録媒体７とのクラッシュなどから保護することができる。
【０１８１】
さらに、外的な要因等により記録再生装置に衝撃が与えられた場合にも、サスペンション５は記録媒体７から離れたところに退避しているので、浮上型スライダー１と記録媒体７とが接触することを防止できる。
【０１８２】
したがって、浮上型スライダー１および記録媒体７の損傷を防止できる。なお、Ｓ１０１の後にＳ２０１の工程を実施するかどうかを、例えば、Ｓ１０１の処理を行った後の経過時間によって決定するようにしてもよい。例えば、Ｓ１０１において半導体レーザ２への電流注入を中止した後、１０分間、次の記録・再生制御信号が得られない（検出されない）場合に、Ｓ２０１の工程を行うようにすればよい。
【０１８３】
また、図４２（ｂ）に示すように、Ｓ１０１において半導体レーザ２の電流注入を中止しＳ２０１においてサスペンション５を非動作時の浮上位置に調整した後、制御部１０が、記録媒体７の回転を停止（Ｓ２０２）させた後に、制御部１０の処理を終了するようにしてもよい。
【０１８４】
この場合、記録再生装置の駆動電力を減少することができるので、節電効果が得られる。なお、Ｓ２０１の処理を行った後に、Ｓ２０２の工程を実施するかどうかを、例えば、Ｓ２０１の処理を行った後の経過時間によって決定するようにしてもよい。例えば、Ｓ２０１においてサスペンション５を非動作時の浮上高さへ調整した後、１０分間、次の記録・再生制御信号が得られない（検出されない）場合に、Ｓ２０２の工程を行うようにすればよい。
【０１８５】
また、図４２（ｃ）に示すように、Ｓ１０１において半導体レーザ２の電流注入を中止した後、制御部１０が、サスペンション５の浮上高さを動作時の浮上高さに保ったままで（Ｓ２０１の処理を行わずに）、記録媒体７の回転を停止させ（Ｓ２０２）、処理を終了するようにしてもよい。
【０１８６】
この処理は、浮上型スライダー１がＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）に対応している場合に応用することが可能である。この場合、記録再生装置の駆動電力を減少することができるので、節電効果を有する。なお、Ｓ１０１の処理を行った後、Ｓ２０２の工程を実施するかどうかは、例えば、Ｓ１０１の処理を行った後の経過時間によって決定するようにしてもよい。例えば、Ｓ１０１において半導体レーザ２への電流注入を中止した後、１０分間、次の記録・再生制御信号が得られない場合に、Ｓ２０２の処理を行うようにすればよい。
【０１８７】
上記した各フローチャートに示したように、記録・再生制御信号が検出されなかった場合に、半導体レーザ２の電流をオフにすることにより、半導体レーザ２を記録・再生時にのみ点灯させることができる。これにより、半導体レーザ２が余分に点灯されることを防止し、点灯時間を削減するように制御できるので、半導体レーザ２からの発熱量を低減することができる。
【０１８８】
記録ヘッド（磁気記録ヘッド）３は、外部磁界を印加することによって、記録媒体７における記録領域に情報を記録させるためのものである。
【０１８９】
再生ヘッド（磁気再生用ＧＭＲヘッド）４は、記録媒体７における記録領域の残留磁化からの磁束を検出して情報を再生するためのものである。
【０１９０】
サスペンション５は、半導体レーザ２、記録ヘッド３、再生ヘッド４を、記録媒体７上の記録または再生を行う位置に移動させるためのものである。また、サスペンション５には、図１（ａ）に示すように、半導体レーザ２、記録ヘッド３、再生ヘッド４等と結線されたプリント配線９が配置されている。そして、制御部１０が、このプリント配線９を介して半導体レーザ２、記録ヘッド３、再生ヘッド４等を駆動させるようになっている。
【０１９１】
受光素子（Ｓｉ受光素子）６は、半導体レーザ２の後面（記録媒体７との対向面と反対側の面）からの出射光を受光するためのものである。本記録再生装置では、図１（ａ）に示すように、サスペンション５の先端に備えられた受光素子６がプリント配線９に接続されており、これによって半導体レーザ２の後面からの出射光を受光できるようになっている。なお、受光素子６は、サスペンション５に直接接合してもよく、あるいは、半導体レーザ２の後面出射面（図示せず）に直接設けてもよい。
【０１９２】
記録媒体（磁気記録再生媒体）７は、情報を記録および再生可能な記録媒体である。なお、記録媒体７は、熱アシスト磁気記録再生方式に用いられる既知の磁気記録媒体を用いることができる。例えば、ＴｂＦｅＣｏからなるフェリ磁性体であってもよく、半導体レーザによって微小領域を加熱することで、再生時に微小領域の残留磁化が増大し、Ｓ／Ｎ比が向上するものであればよい。なお、磁気記録方式は面内磁気記録であっても、垂直磁気記録であってもよい。
【０１９３】
図８は、本実施の形態における記録媒体７の構造を示している。この図に示すように、記録媒体７は、２．５インチのガラス基板６１上に、ガラス基板６１側から順に、第２のヒートシンク層６２、裏打ち層６３、熱障壁層６４、第１のヒートシンク層６５、磁気記録層６６、保護膜６７に備えている。なお、記録媒体７は、本記録再生装置に固定（装着）されている。ただし、これに限らず、本記録再生装置と容易に分離できるものであってもよい。
【０１９４】
第２のヒートシンク層６２はＡｌからなり、厚さ５０μｍで形成されている。なお、第２のヒートシンク層６２は、Ａｌに限るものではないが、ＡｌやＡｇなどの熱伝導率の高い膜で形成することが好ましい。また、第２のヒートシンク層６２は、例えば、少なくとも熱伝導率が１００Ｗ／ｍ／℃以上の材質を用い、層厚を１０μｍ以上とすることが好ましい。また、このように厚い金属膜を設けるには、メッキ法が適しているが、既存の他の技術を用いて形成してもよい。また、第２のヒートシンク膜（第２のヒートシンク層）６２の形成後に研磨を行って表面の平坦性を高めてもよい。
【０１９５】
裏打ち層６３は１００ｎｍのパーマロイからなる。なお、裏打ち層６３は、パーマロイに限るものではなく、軟磁性体であればよい。熱障壁層６４は、ＳｉＯ２からなる。なお、熱障壁層６４は、ＳｉＯ２に限るものではないが、誘電体あるいは半導体であることが好ましい。第１のヒートシンク層６５は、５ｎｍのＡｌからなる。磁気記録層（記録層）６６は、５０ｎｍのＴｂＣｏＦｅからなる。保護膜６７は、磁気記録層６６の表面に、５ｎｍのＤＬＣ（Diamond Like Carbon）が形成されてなる。
【０１９６】
本実施の形態における記録媒体７は、半導体レーザ２により微小領域を加熱することで、再生時には微小領域の残留磁化が増大するためにＳ／Ｎ比が向上するという性質を有している。なお、本実施の形態では記録媒体７として、ＴｂＦｅＣｏからなるフェリ磁性体を用いているが、これに限るものではなく、一般に熱アシスト磁気記録再生方式で用いられる他の記録媒体を用いてもよい。また、磁気記録方式は面内磁気記録であっても、垂直磁気記録であってもよい。
【０１９７】
また、記録媒体７の構成は、上記した構成に限るものではない。例えば、第２のヒートシンク層６２を、ガラス基板６１に対して、記録層６６が備えられている側とは反対側に設けてもよい。
【０１９８】
あるいは、ガラス基板６１の両面側に記録層６６をそれぞれ備える構成としてもよい。例えば、第２のヒートシンク層６２を、ガラス基板６１と一方の記録層６６との間に設けるとともに、この第２のヒートシンク層６２とガラス基板６１との間に熱障壁層６４を設け、他方の記録層６６を、ガラス基板６１に対して、第２のヒートシンク層６２および一方の記録層６６が設けられている側とは反対側に設けてもよい。
【０１９９】
回転中心軸８は、記録媒体７を回転駆動させるものである。すなわち、回転中心軸８は、制御部１０の指示に応じて回転駆動し、これによって記録媒体７が回転するようになっている。
【０２００】
図２は、浮上型スライダーの拡大図であり、浮上型スライダー１を底面（記録媒体７側）から見た平面図である。この図に示すように、浮上型スライダー１は、整流用凸部１１、整流用凹部１２、近接場光発生機構１３、記録ヘッド３、再生ヘッド４を備えている。
【０２０１】
整流用凸部１１および整流用凹部１２は、浮上型スライダー１の底面（記録媒体７との対向面）に沿って流れる気流を一方向に整流するためのものである。このように、浮上型スライダー１の底面における気流を一方向に整流することにより、浮上型スライダー１を好適に空冷することができる。なお、この気流は、主に、記録媒体７の回転、および、浮上型スライダー１および記録媒体７からの放熱に伴う対流によって生じる。
【０２０２】
図３に、近接場光発生機構部（近接場光発生機構１３）および磁気ヘッド（記録ヘッド３および再生ヘッド４）周辺の概略構成図を示す。この図に示すように、半導体レーザ２（図３では図示せず）における記録媒体７と対向する端面には、微小開口２４（近接場光発生機構１３）が設けられており、これによって近接場を発生させるようになっている。すなわち、本記録再生装置は、いわゆるＶＳＡＬ（very small aperture laser）によって近接場を発生させるようになっている。なお、微小開口２４は、Ｐｔ薄膜２３の下層（図面垂直方向）に、Ａｌ薄膜およびＳｉＯ２膜（ともに図示せず）が積層されてなる。また、微小開口２４は、半導体レーザ２におけるＮＦＰ（ニアフィールドパターン）よりも小さいことが好ましい。
【０２０３】
近接場光発生機構１３は、近接場光、すなわち光学的近接場（optical near field）を発生させるものである。一般に近接場とは回折限界以下に閉じ込められた光の周波数を持つ電磁波であり、該近接場光発生機構に入射する光の波長をλとすれば該近接場のスポットサイズｄはｄ＜λである。このような近接場は異なる波数を持つ波の重ねあわせで表現され、低い波数をもつ波は、該近接場光発生機構１３から放出され、大気中を伝播することができる。したがって、近接場光は、光の回折限界以下の空間を伝搬するので、近接場光を用いることにより、回折限界を超える空間分解能を得ることができる。一方、高い波数を持つ波は、エバネッセント波あるいはエバネッセント光と呼ばれ、該近接場光発生機構から離れるに従って強度は指数関数的に減少し、その波長λ程度離れた場所では強度が十分低くなる。本明細書で述べる近接場光発生機構１３から生じた近接場光とは、これらの全ての電磁場を考慮したものである。
【０２０４】
なお、本実施の形態では、半導体レーザの一方の端面に金属膜と微小開口を設けたＶＳＡＬ（Very Small Aperture Laser）を用いている。該微小開口は上記の説明に従ったレーザの波長サイズ以下の開口を持つもので、微小開口内に生じる電界分布に該半導体レーザの横モードが結合することにより発生している。
【０２０５】
ところで、近接場光発生機構はＶＳＡＬに限らず、金属微粒子を用いることやボータイと呼ばれる光学的アンテナを用いることが提案されており、これらを利用してもよい。いずれの近接場光発生機構を利用する場合であっても、本発明の効果に対する影響は少なく、本発明の効果を十分に得ることができる。
【０２０６】
半導体レーザ端面に金属微粒子を用いる構造では、ＶＳＡＬの微小開口内に金属微粒子を設ける方法が提案されている。ＶＳＡＬにおける微小開口内の電界が、金属微粒子の局在プラズモンを励起し、この局在プラズモンにより高強度の近接場の発生を期待できる。なお、この方式では、金属微粒子の大きさが波長よりも小さいことが望ましく、微小開口サイズは波長よりも大きくてもかまわない。
【０２０７】
一方、ボータイを用いた近接場光発生機構を、半導体レーザの端面に設けてもよい。ボータイとは、ひとつの三角形の金属板、あるいは一対の三角形の金属板を向かい合わせた構造（いわゆる蝶ネクタイのような構造であって、結び目に相当する部分のみ金属板がなく、２つの金属板が分離されている）であり、それぞれの大きさはおおよそ波長と同程度あるいはそれよりも小さい。この構造では、半導体レーザの横モードが該金属板の表面プラズモンを励起すると考えられており、該表面プラズモンにより近接場が発生する（蝶ネクタイの結び目付近）。このようなボータイを半導体レーザの一方の端面に設けてもよい。
【０２０８】
また、本記録再生装置では、半導体レーザ２が、付加的な機構として、近接場光発生機構１３を備えているが、必ずしも近接場光発生機構１３を備える必要はない。また、付加的な機構として、波長変換素子（図示せず）などをさらに設けてもよい。
【０２０９】
また、図３に示すように、記録ヘッド３および再生ヘッド４は、浮上型スライダー１の先端側に、磁気シールド２５／記録ヘッド３／磁気シールド２５／再生ヘッド４／磁気シールド２５の順に積層されており、これらを覆うようにリターン層２６が形成されている。
【０２１０】
図４は、浮上型スライダー１および半導体レーザ２の詳細図である。この図に示すように、半導体レーザ２は、ｎ−ＧａＮ基板３１、ｎ−ＧａＮバッファ層３２、ｎ−ＧａＮ層３３、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層３４、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層３５、ｎ−ＧａＮガイド層３６、ｎ−ＩｎＧａＮ活性層３７、ｐ−ＡｌＧａＮキャリアブロック層３８、ｐ−ＧａＮガイド層３９、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層４０、ｐ−ＧａＮコンタクト層４１、絶縁膜４２、Ｎ電極４３、Ｐ電極４４からなる。また、この図に示すように、半導体レーザ２は、リッジ構造を用いた屈折率導波路を有している。
【０２１１】
また、浮上型スライダー１は、ｎ−ＧａＮ基板３１が加工されてなる。すなわち、浮上型スライダー１は、半導体レーザ２をエピタキシャル成長する際に用いる、ＧａとＮを主に含有する材料からなる基板を加工することにより、半導体レーザ２と一体に形成されている。なお、本明細書において、主に含有するとは、９９％以上を占めることを意味し、不純物や１％程度の他元素が混じっていてもよいものとする。
【０２１２】
半導体レーザ２を、熱伝導率の高いＧａＮからなる基板で形成することにより、半導体レーザ２の放熱性を高めることができるので好ましい。ただし、半導体レーザ２を構成する基板は、上記の材質に限らず、他の材質であってもよい。例えば、サファイアやＺｒＢ２やＳｉＣなどを用いることができる。
【０２１３】
（半導体レーザ２の製造方法）
ここで、本実施の形態における半導体レーザ２（半導体レーザ装置）の製造方法について、図を参照しながら説明する。
【０２１４】
まず、窒化ガリウム半導体層をＧａＮ基板３１上にエピタキシャル成長法によって形成する。なお、エピタキシャル成長法とは、基板上に結晶膜を成長させる方法であって、ＶＰＥ（気相エピタキシャル）法、ＣＶＤ（化学気相デポジション）法、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相デポジション）法、Ｈａｌｉｄｅ−ＶＰＥ（ハロゲン化学気相エピタキシャル）法、ＭＢＥ(分子線エピタキシャル)法、ＭＯＭＢＥ（有機金属分子線エピタキシャル）法、ＧＳＭＢＥ（ガス原料分子線エピタキシャル）法、ＣＢＥ（化学ビームエピタキシャル）法などを用いることができる。
【０２１５】
本実施の形態では、まず、ＭＯＣＶＤ装置に厚さ２００μｍ〜１ｍｍ程度のＧａＮ基板３１をセットし、Ｖ族原料のＮＨ３とＩＩＩ族原料のＴＭＧａを用いて、５５０℃の成長温度で低温ＧａＮバッファ層３２を２５ｎｍ成長させる。
【０２１６】
次に、１０７５℃の成長温度で前記原料にＳｉＨ４を加えｎ−ＧａＮ層３３（Ｓｉ不純物濃度１×１０１８/ｃｍ３）を３μｍ形成する。
【０２１７】
続いて、成長温度を７００℃から８００℃程度に下げ、ＴＭＩｎのＩＩＩ族原料の供給を行い、ｎ−Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層３４を５０ｎｍ成長させる。
【０２１８】
次に、基板温度を１０７５℃に上げ、ＴＭＡｌのＩＩＩ族原料を用いて、２．０μｍ厚のｎ−Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３５（Ｓｉ不純物濃度１×１０１８/ｃｍ３）を成長させ、続いて、ｎ−ＧａＮガイド層３６を０．１μｍ成長させる。
【０２１９】
なお、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層３５は上記の構成に限るものではなく、例えば、Ａｌの組成が０．０３から０．２０程度の混晶比の均一な層であってもよく、複数の混晶比からなる複数の層であってもよく、混晶比が連続的に変化する層であってもよく、層厚が異なっていても良い。ただし、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層３５は、層厚が少なくとも０．７μｍ以上であることが望ましい。また、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層３５は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるＳＬＳ（超格子）であってもよい。
【０２２０】
また、ｎ−ＧａＮガイド層３６についても、上記の構成に限るものではなく、若干のＩｎが混晶されていてもよく、アンドープ（Ｓｉ不純物濃度１×１０１７/ｃｍ３以下）であってもよく、層厚が異なっていてもよい。また、ｎ−ＧａＮガイド層３６は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなるＳＬＳであってもよい。なお、ガイド層３６にＩｎＧａＮが含まれる場合には、７００℃から８００℃程度で成長させることが望ましい。特に、ＩｎＧａＮが含まれる場合には、成長中断をすることで結晶性の向上が期待できる。
【０２２１】
その後、基板温度を７３０℃に下げ、３周期の厚さ４ｎｍのＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ井戸層と厚さ８ｎｍのＩｎ０．００７Ｇａ０．９９３Ｎバリア層より構成される活性層（多重量子井戸構造）３７をバリア層／井戸層／バリア層／井戸層／バリア層／井戸層／バリア層の順序で成長させる。なお、バリア層と井戸層、または井戸層とバリア層との間に１秒以上１８０秒以内の成長中断を行っても良い。これにより、各層の平坦性が向上し発光半値幅を減少させられる。また、本実施の形態では、活性層３７にＳｉを不純物として添加しているが、バリア層、井戸層ともにアンドープ（Ｓｉ不純物濃度１×１０１７/ｃｍ３以下）であってもよく、どちらか一方をアンドープにしてもよい。また、活性層３７は３周期に限らず、２周期から６周期程度でもよい。
【０２２２】
また、活性層３７における最終のバリア層の層厚は８ｎｍから１００ｎｍの間で変更してもよい。ｎ型からなる最終バリア層を厚くすることにより、モード屈折率を高く設計することが可能になるため、ＧａＮ基板への放射散乱を抑えることができる。
【０２２３】
次に、基板温度を再び１０５０℃まで昇温して、厚さ１８ｎｍのｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎキャリアブロック層３８を成長させる。なお、本実施の形態では、Ｃｐ２Ｍｇを用いて、前記ｐ型不純物としてＭｇを５×１０１９／ｃｍ３〜２×１０２０／ｃｍ３で添加する。また、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎキャリアブロック層３８は５ｎｍから４０ｎｍであることが望ましい。ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎキャリアブロック層３８が５ｎｍより薄くなると、閾値が上昇するからである。また、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎキャリアブロック層３８は、ｐ層方向にＡｌの組成が少なくなるような構造であってもよく、Ａｌの組成が異なる１つ以上の層の組み合わせであってもよい。
【０２２４】
続いて、層厚０．１０μｍのｐ−ＧａＮガイド層３９、層厚０．５μｍのｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層４０、０．１μｍのｐ−ＧａＮコンタクト層４１を成長させる。この際、本実施の形態では、ｐ−ＧａＮガイド層３９、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層４０、ｐ−ＧａＮコンタクト層４１の各層に、ｐ型不純物としてＭｇを５×１０１９／ｃｍ３〜２×１０２０／ｃｍ３で添加する。なお、ｐ−ＧａＮガイド層３９は、０から０．１５μｍの厚さが望ましく、形成せずに省略してもよい。また、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層４０は、上記の組成に限るものではないが、Ａｌの組成が０．０３から０．１であることが好ましい。また、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層４０は、単一層でなくてもよく、例えば、ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるＳＬＳであってもよい。
【０２２５】
このように、本実施の形態では、半導体レーザ２における各層を構成する元素およびドープ元素の各原料に、ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ、ＮＨ３、Ｃｐ２Ｍｇ、ＳｉＨ４を用いている。
【０２２６】
次に、ｐ−ＧａＮコンタクト層４１形成後、ドライエッチングによりリッジ構造を形成する。リッジ周辺は図４に示すように、Ｗチャネル構造とする。なお、図１（ａ）に示したように、浮上型スライダー１の先端にリッジ構造を備えた半導体レーザ２を設ける場合、記録媒体７との接触によってリッジ部分が破壊されることを防止するために、Ｗチャネルのリッジ脇凸領域４５がリッジ上部４６よりも高いことが望ましい。
【０２２７】
次に、リッジ脇凸領域４５およびリッジ凹領域４７を覆うように、ＳｉＯ２からなる絶縁膜４２を形成する。その後、絶縁膜４２の上面に、Ｐｄ/Ｍｏ/Ａｕからなるｐ電極４４を形成する。ｐ電極４４は、記録媒体７と対向する端面あるいは浮上型スライダー１の底面と面一でない方がよい。すなわち、ｐ電極４４が共振器長よりも短いことが望ましい。ｐ電極４４のタレにより、浮上型スライダー１下面の空気の流れが乱れ、安定浮上が妨げられる可能性があるからである。なお、記録媒体７と対向する端面とは、後に説明するように、ウェハーをダイシングおよび研磨して形成した半導体レーザ２におけるレーザ端面を意味する。また、他の方法によって端面を形成する場合であっても、端面とは形成後のレーザ端面を意味する。また、絶縁膜４２は、ＳｉＯ２に限らず、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などを用いてもよく、あるいは、これらの材質の混合体や層構造であってもよい。また、Ｓｉ等の吸収材料を用いて、ロスガイド構造にしてもよい。また、上記のリッジ構造におけるリッジ幅は、０．５μｍから３．０μｍ程度であることが好ましい。また、リッジ幅が一定でない変調リッジ構造やテーパーリッジ構造としてもよい。
【０２２８】
次に、ＧａＮ基板３１裏面に薄い金属膜を蒸着し、ｎ電極４３を形成する。本実施の形態では、Ｈｆ／Ａｌの層構造よりなるｎ電極４３を、真空蒸着法により形成する。なお、真空蒸着法は、このような薄い金属膜を膜厚の制御性よく形成するのに適している。ただし、真空蒸着法に限らず、イオンプレーティング法やスパッタ法等の他の手法を用いてもよい。また、本実施の形態では、ｐ、ｎ電極の特性を向上させ、良好なオーミック電極を得るため、金属膜形成後に５００℃でアニールを行う。
【０２２９】
次に、スパッタ法により図３に図示された磁気ヘッド（記録ヘッド３および再生ヘッド４）を形成する。なお、磁気ヘッドは、イオンプレート法や蒸着法など既存の方法を適応することによって形成できる。また、磁気ヘッドの構造は、図３に示した構造に限らず、いくつかの既存の構造を半導体レーザ２と組み合わせることができる。
【０２３０】
まず、ｐ電極４４上に、絶縁膜（図示せず）を形成し、その上に、スパッタ法等の既存の磁気ヘッド製造技術を用いて、磁気シールド２５（シールド層）、記録ヘッド３（記録層）、磁気シールド２５、再生ヘッド４（ＧＭＲ再生層）、磁気シールド２５、リターン層２６を積層する。なお、記録ヘッド３および再生ヘッド４の構成はこれに限るものではない。例えば、再生ヘッド４はＴＭＲ等であってもよい。また、記録ヘッド３および再生ヘッド４の配置は、上記した以外の配置であってもよい。
【０２３１】
このようにして形成したウェハーを、ワイヤソーもしくは薄板ブレードを用いて、ダイシング法により、１００μｍから６５０μｍ程度の幅にリッジあるいは電極ストライプと垂直に分割する。その後、半導体レーザ２の端面を形成するための研磨を行う。研磨は、ダイヤモンドスラリー等を用い、数工程にわけて鏡面加工する。
【０２３２】
なお、端面形成方法はこれに限らず、ドライエッチング法を用いてもよい。ドライエッチング法で端面の形成を行う場合には、ウェハーの段階で実施すればよい。また、ドライエッチング法で端面を形成した後、前記ダイシング法やスクライブ法によりバー分割すればよい。
【０２３３】
また、端面形成はヘキ開法で行ってもよい。この場合、まず、表面からダイヤモンドポイントでスクライブラインを入れた後、ウェハーに適宜力を入れ、スクライブラインに沿ってウェハーを分割すればよい。なお、スクライブラインは裏面から入れてもよい。
【０２３４】
また、他の手法として、例えばエキシマレーザ等のレーザ光の照射加熱とその後の急冷によって照射部にクラックを生じさせ、これをスクライブラインとするレーザスクライビング法、あるいは、高エネルギー密度のレーザ光を照射し、照射した部分を蒸発させて溝入れ加工を行うレーザアブレーション法等を用いても同様に分割可能である。
【０２３５】
次に、半導体レーザ２における後面の端面、すなわち、記録媒体７との対向面とは反対側の面に、高反射膜（図示せず）を形成する。高反射膜の形成方法は、既存の技術を用いればよく、例えば、低屈折率と高屈折率の誘電体を交互に積層するとよい。この場合、低屈折率材料としてＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３等を用い、高屈折率材質としてＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等を用いることが好ましい。また、これらの物質を、光学長λ／４ごとに、少なくとも３ペア以上積層することが好ましい。本実施の形態では、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２のペアを４ペア積層する。これにより、反射率９５％を得ることができる。
【０２３６】
次に、半導体レーザ２における前面、すなわち、記録媒体７と対向する面に、ＳｉＯ２膜（図示せず）、Ａｌ被覆膜（図示せず）、厚さ５ｎｍのＰｔ被覆膜（Ｐｔ薄膜）２３を積層し、ＦＩＢ（Focused ion beam）法により微小開口２４を設ける。Ａｌは縞状に形成される場合がありレーザ光が散乱される恐れがあるので、Ｎｉなどの皮膜率が高く、縞状になりやすい材質をあらかじめ薄く積層した上に、Ａｌを積層するとよい。また、Ａｌ被覆膜は酸化されやすいため、Ａｌ被覆膜形成後に、Ａｌ被覆膜上に酸化されにくい金属膜や誘電体膜を形成してもよい。また、Ｐｔ被覆膜２３に代えて、Ａｕなどの金属やＳｉＯ２等の誘電体からなる膜を形成してもよい。また、Ａｌ被覆膜は、Ａｇなどの金属であってもよい。また、ＳｉＯ２膜に代えて、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの他の誘電体や、ビスマス系の強誘電体などを用いてもよい。
【０２３７】
次に、浮上型スライダー１の底面、すなわち、記録媒体７との対向面に、図２に示したような整流用の凹凸（整流用凸部１１および整流用凹部１２）を形成する。これらの凹凸は、例えば、ドライエッチング等により整流用凹部１２を形成し、真空蒸着法等によって整流用凸部１１を形成してもよい。また、ＦＩＢ法によって形成してもよい。また、これらの組み合わせによって形成してもよい。また、整流用凸部１１および整流用凹部１２の材質は、特に限定されない。
【０２３８】
なお、整流用凸部１１は、下記に示す条件の少なくとも一方を満たすように設計することが好ましい。すなわち、浮上型スライダー１の底面の微小領域をｄｓとして、当該微小底面領域から記録媒体７までの距離をＬ（ｓ）とすると、平均的な浮上高さで、
【０２３９】
【数３】
2005317178.tif 000005
【０２４０】
を満たすことが好ましい。ただし、Ｓは浮上型スライダー１の全底面積である。
【０２４１】
空気の熱伝導率は２．８０×１０−２［Ｗ／ｍ℃］なので、上式より０．４［ｍ］を掛けると浮上型スライダー１と記録媒体７間の熱抵抗値は（１．１２×１０−３）−１＝８．９×１０２［℃／ｗ］である。すなわち、浮上型スライダー１上への注入電力の総和が１００ｍＷであれば、浮上型スライダー１の温度は、このスライダーの下に位置する記録媒体７の温度よりも８９℃高くなる。通常、半導体レーザの熱抵抗値は４０以下であるが、本実施の形態では、上記したように、一般的な半導体レーザよりも低閾値で発振する半導体レーザ２を用いている。このため、半導体レーザ２の発熱は、通常の半導体レーザ同様に熱暴走しない範囲である。
【０２４２】
また、整流用凸部１１の総面積は、３．５×１０‐８ｍ２以上であることが好ましい。この場合、例えば浮上型スライダー１の最大浮上高さが８７．５ｎｍ以下であれば、記録媒体７における熱の拡散を適切に行うことができる。すなわち、記録媒体７における熱暴走を防止できる。
【０２４３】
このようにして製作された浮上型スライダー１は、上面、すなわち記録媒体７との対向面とは反対側の面で、サスペンション５に接続される。サスペンション５には、プリント配線９をあらかじめ形成しておき、このプリント配線９と半導体レーザ２、記録ヘッド３、再生ヘッド４とを結線することによって、これらの駆動を行うようにする。また、図１（ａ）に示したように、サスペンション５にＳｉ受光素子（受光素子）６を設け、この受光素子６をプリント配線９に接続し、半導体レーザ２の後面からの出射光を受光できるようにする。なお、本実施の形態では、受光素子６をサスペンション５に直接接合しているが、これに限らず、半導体レーザ２の後面における出射面に直接設けてもよい。
【０２４４】
また、半導体レーザ２における活性層（ｎ−ＩｎＧａＮ活性層３７）の一部を受光素子として用いてもよい。また、図５に示すように、リッジ上部４６からわずかにはなれたリッジ脇凸領域４５上の位置にレーザ光検出用領域５１を形成してもよい。レーザ光検出用領域５１では、導波光の放射成分を活性層で吸収してｐ電極−ｎ電極間に生成した電位を検出できる。この電位あるいは両電極間を導通させることによって生成する電流により、半導体レーザ２の光出力の制御が可能となる。これは、レーザ光検出用領域５１では、無バイアス、あるいは逆バイアスにすることで、ｐ−ｎジャンクション近傍の活性層が空乏層化し、内部電界による光吸収により、生成したエレクトロンとホールがすみやかに拡散するためである。すなわち、光吸収により価電子帯の電子が伝導帯に励起され、層構造に依存する内部電界に従って、エレクトロンはｐ層側へ、ホールはｎ層側へ移動する。これにより、半導体の電荷バランスが崩れ、両電極間に電位が発生する。なお、ｐ−ｎジャンクションは、一般に、巨視的にはｐ型半導体とｎ型半導体の境界に存在する。ただし、微視的にはその近傍の活性化した電子密度の影響を受けるので、部位を特定できない。また、ｐ−ｎジャンクションには層構造方向に大きく変化する強い内部電界が存在する。本実施の形態では、最も基板に近いｐ層はキャリアブロック層３７であり、ほぼその近傍にｐ−ｎジャンクションが存在する。したがって、上記した近傍の活性層とは、ｐ層側の活性層、あるいは上部の活性層を指す。なお、受光素子６として、リッジ内の一部を用いてもよい。
【０２４５】
なお、本記録再生装置では、図１（ａ）に示したように、リッジ部を備えた半導体レーザ２を浮上型スライダー１の先端に配置しているが、これに限るものではない。例えば、図６（ａ）に示すように、浮上型スライダー１の側部にリッジ５２を形成してもよい。特に、浮上型スライダー１のディスク（記録媒体７）回転方向の長さを長くしたい場合、図１（ａ）のような構造では、ディスク回転方向の長さが、製造段階におけるエピタキシャル成長時の基板の厚さに制限されるため、十分に長くできない。これに対して、図６（ａ）に示すように、浮上型スライダー１の側部にリッジ５２を形成する場合、ディスク回転方向の長さを長くすることができる。
また、図６（ｂ）に示すように、リッジ５２を２つ設け、一方を熱アシスト磁気記録用として用い、他方を熱アシスト磁気再生用として用いてもよい。
【０２４６】
また、本記録再生装置のように、端面発振型の半導体レーザを用い、端面に近接場光発生機構を備える場合、近接場光による放射散乱以外の損失を低減することが好ましい。
【０２４７】
また、本記録再生装置をマイクロディスク構造としてもよい。この場合、Ｑ値が高く、記録媒体７への光トンネリング効果による放射損失以外の損失が小さいので、さらに消費電力の削減を期待できる。
【０２４８】
（本記録再生装置の駆動実験）
以上のように製作された半導体レーザ２を、パルス電流により駆動した場合の、半導体レーザ２の温度変化に伴う電流（current）‐出力（output power、光出力特性）の変化を図７に示す。本記録再生装置における半導体レーザ２は、端面の反射率が高いために、低い閾値でレーザ発振する特徴を有している。なお、閾値は、少なくとも４０ｍＡ以下であることが好ましく、３０ｍＡ以下であることがさらに好ましい。図７は、共振器長２００μｍ、リッジ幅１．５μｍで製作した本記録再生装置の駆動実験の結果を示すグラフである。この図に示すように、例えば、２５℃雰囲気中で駆動した場合、閾値は約１５ｍＡであった。
【０２４９】
次に、記録媒体７上で浮上型スライダー１を浮上動作させ、デューティー比５０％で駆動試験を行った。記録媒体７は、上記したように、２．５インチのガラス基板６１、第２のヒートシンク層６２、裏打ち層６３、熱障壁層６４、第１のヒートシンク層６５、磁気記録層６６、保護膜６７からなる（図８参照）。また、記録媒体７は、図１（ｂ）に示したように、回転中心軸８に接合されており、回転中心軸８とともに回転するようになっている。このような構成の本記録再生装置の駆動試験を行った結果、熱暴走せずに安定動作が得られた。
【０２５０】
次に、このような浮上型スライダー１の放熱機構を調べるために、記録媒体７、および、Ａｌ基板、ガラス基板についての熱シミュレーションを行った。
図９（ａ）は、本記録再生装置における記録媒体７、２．５インチかつ１ｍｍ厚のＡｌ基板、本記録再生装置における記録媒体７と同じ寸法のガラス基板について、回転中心軸８を温度固定端とした場合の熱シミュレーション結果である。なお、図９（ａ）における測定点２〜７は、図９（ｂ）に対応している。すなわち、回転中心軸８に最も近い側定点を７とし、記録媒体７の半径方向に沿って、回転中心軸８から遠ざかる方向に番号が小さくなるように設定されている。
【０２５１】
また、図９（ａ）における三角印（△,▲）は記録媒体７、四角印（□,■）はガラス基板、丸印（○,●）はＡｌ基板の計算結果をそれぞれ表している。また、塗りつぶした印（▲,■,●）は測定点上の浮上型スライダー１の温度を表し、白抜きの印（△,□,○）は測定点上の記録媒体７,ガラス基板,Ａｌ基板の温度をそれぞれ表している。
【０２５２】
また、図９（ａ）における計算では、浮上型スライダー１の整流用凸部１１の面積を５×１０‐８ｍ２とし、浮上高さを５０ｎｍとした。また、半導体レーザ２を０．５Ｗの駆動電力で動作させるものとした。また、雰囲気温度を２５℃とした。また、記録媒体７における径方向の熱伝導率は、各層の構成を考慮し、約２０×１０−３Ｗ／ｍ／℃として計算した。
【０２５３】
図９（ａ）に示すように、Ａｌ基板に関するシミュレーションでは、浮上型スライダー１（半導体レーザ２）の最大上昇温度は１８℃であり、半導体レーザ２の温度は約４３℃であった。ここで、最大上昇温度とは、浮上型スライダー１の温度と、雰囲気温度との温度差が最大値であり、図９（ａ）に示すように、この値は測定点に依存する。
【０２５４】
したがって、Ａｌ基板では、通常の半導体レーザの温度特性を考慮すれば、十分な冷却が行えていることがわかる。なお、通常の半導体レーザの熱抵抗は５０℃／Ｗ以下であり、注入電力はおおむね０．５Ｗ以下であるので、最大上昇温度は２５℃程度となっている。
【０２５５】
また、図９（ａ）に示すように、記録媒体７では、雰囲気温度２５℃における半導体レーザ２の温度は約５０℃であった。一方、記録媒体７と同じ寸法からなるガラス基板のシミュレーション結果では、半導体レーザ２の温度は約１０２℃、ガラス基板の温度は約８５℃まで上昇している。このように、本実施形態にかかる記録媒体７あるいはＡｌ基板からなる記録媒体を用いることにより、通常のガラス基板を用いる場合に比べて、半導体レーザ２および記録媒体の温度上昇を抑制できる。
【０２５６】
また、図９（ｃ）は、測定点２における半導体レーザ２の温度と、記録媒体７の熱伝導率との関係を示すグラフである。なお、図９（ｃ）において、横軸は、記録媒体７が基板を含めて複数の層（ｉ層）からなる記録媒体７における、各層における熱伝導率ρｉ×層厚ｄｉの総和、Σ（ρｉ×ｄｉ）（単位：１０−３Ｗ／℃）である。また、縦軸は、記録媒体７上の測定点２の位置における、半導体レーザ２の温度である。また、図９（ｃ）において、丸印（●）は浮上型スライダー１の底面における整流用凸部１１の面積を５×１０−８ｍ２、浮上高さを５０ｎｍ、半導体レーザ２に対する注入電力を０．５Ｗとした場合の計算結果である。また、四角印（□）は、整流用凸部１１の面積を５×１０−８ｍ２、浮上高さを５ｎｍ、半導体レーザ２に対する注入電力を０．５Ｗとした場合の計算結果である。また、四角印（◇）は、整流用凸部１１の面積を５×１０−８ｍ２、浮上高さを５０ｎｍ、半導体レーザ２に対する注入電力を２．０Ｗとした場合の計算結果である。また、バツ印（×）は、整流用凸部１１の面積を５×１０−８ｍ２、浮上高さを５０ｎｍ、半導体レーザ２に対する注入電力を０．１Ｗとした場合の計算結果である。
【０２５７】
この図から明らかなように、各シミュレーション条件において、概ね、Σ（ρｉ×ｄｉ）＝２０×１０−３[Ｗ／ｍ／℃]よりも熱伝導率が低くなると、半導体レーザ２の温度が増大する。言い換えれば、記録媒体７における垂直構造の各層における熱伝導率×層厚の総和を２０×１０‐３Ｗ／ｍ／℃よりも大きくすることにより、記録媒体７における浮上型スライダー１直下の領域から、当該領域外へ熱が拡散しやすくなるので、記録媒体７の放熱性が高めることができ、浮上型スライダー１および半導体レーザ２の温度を低下させることができる。したがって、記録媒体７における各層の熱伝導率×層厚の総和は、２０×１０‐３Ｗ／ｍ／℃よりも大きいことが好ましい。
【０２５８】
なお、図９（ｃ）にバツ印（×）で示したように、半導体レーザ２に対する注入電力が０．１Ｗの場合、概ねΣ（ρｉ×ｄｉ）＝５×１０−３［Ｗ／℃］よりも熱伝導率が低くなると、半導体レーザ２の温度が上昇する。したがって、例えば駆動方法を改善するなどして、半導体レーザ２に対する注入電力を０．１Ｗとできる場合には、記録媒体７における各層の熱伝導率×層厚の総和を、５×１０‐３Ｗ／℃よりも大きくすることが好ましい。
【０２５９】
一方、四角印（□）で示したように、注入電力が０．５Ｗであっても、浮上型スライダー１の浮上高さが５ｎｍと低くすれば、Σ（ρｉ×ｄｉ）＝５×１０−３［Ｗ／℃］の場合の、２５℃雰囲気中の浮上型スライダー１の温度は約５０℃であった。このように、各層における熱伝導率×層厚の総和が５×１０−３［Ｗ／℃］の場合、半導体レーザ２の注入電力が小さいあるいは浮上高さが低い必要がある。すなわち、少なくとも半導体レーザ２に対する注入電力を０．５Ｗ以下とし、浮上型スライダー１の浮上高さを５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【０２６０】
また、第２のヒートシンク層６２における熱伝導率×層厚を、記録媒体７における基板の熱伝導率×基板厚さ（層厚）よりも大きくすることが好ましい。例えば、記録媒体７におけるガラス基板６１の厚さを０．６ｍｍとすると、ガラス基板６１における熱伝導率×基板厚さは、１．３８[Ｗ／ｍ／℃]×０．６[ｍｍ]＝０．８３×１０−３[Ｗ／℃]となり、熱暴走する。ここで、ガラス基板６１の熱暴走を防止するためには、第２のヒートシンク層６２における熱伝導率×層厚を、ガラス基板６１における熱伝導率×基板厚さよりも大きくすることが好ましい。これにより、第２のヒートシンク層６２を記録媒体７の熱拡散に寄与させ、記録媒体７における熱拡散を効果的に行うことができる。
【０２６１】
なお、第２のヒートシンク層６２をＡｌ膜で形成する場合、第２のヒートシンク層６２における熱伝導率×層厚は、Ａｌの熱伝導率は２３７Ｗ／ｍ／℃なので、層厚を１０ｎｍとすると２３７×１０×１０−９＝２．４×１０−６［Ｗ／℃］、層厚を１０μｍとすると２．４×１０−３［Ｗ／℃］となる。したがって、記録媒体７におけるガラス基板６１の厚さが０．６ｍｍの場合、Ａｌ膜からなる第２のヒートシンク層６２の層厚が約１０μｍ以上であれば、記録媒体７の熱拡散を効果的に行える。より詳細には、２３７×３．５×１０−６≒０．８３×１０−３[Ｗ／℃]より、第２のヒートシンク層６２の層厚を３．５μｍ以上とすることが好ましい。
【０２６２】
また、第２のヒートシンク層６２をＡｕ膜で形成する場合、Ａｕの熱伝導率は３１５Ｗ／ｍ／℃なので、層厚を２．７μｍ以上とすることが好ましい。また、第２のヒートシンク層６２をＡｇ膜で形成する場合、Ａｇの熱伝導率は４２７Ｗ／ｍ／℃なので、層厚を２．０μｍ以上とすることが好ましい。また、第２のヒートシンク層６２をＣｕ膜で形成する場合、Ｃｕの熱伝導率は３９８Ｗ／ｍ／℃なので、層厚を２．１μｍ以上とすることが好ましい。また、例えば第２のヒートシンク層６２として熱伝導率が１００Ｗ／ｍ／℃の物質を用いる場合、第２のヒートシンク層６２の層厚は、８．３μ以上であることが好ましい。したがって、第２のヒートシンク層６２には、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ／℃以上の物質を用い、層厚を１０μｍ以上とすることが好ましい。
【０２６３】
また、図９（ａ）より、記録媒体７に熱分布が生じていることが分かる。すなわち、記録媒体７上の位置によっては、磁気的補償温度からズレが生じることがわかる。また、ガラス基板の場合には、熱分布が非常に大きくなることがわかる。ところで、記録媒体７の温度と残留磁化との関係は、図１０のようになる。図１０におけるＴ２は磁気的補償温度を表し、Ｔ１は磁気記録温度または磁気再生温度を表している。
【０２６４】
この図からわかるように、記録領域外の温度は磁気的補償温度Ｔ２周辺であるとよく、磁気記録領域の温度は磁気記録温度Ｔ１であることが望ましい。ところが、半導体レーザ２の光出力が一定の場合、ガラス基板のように大きな熱分布があると、磁気記録領域の温度が磁気記録温度Ｔ１から大きくずれてしまう。したがって、ガラスのように熱伝導率の低い基板を用いる場合には特に、本実施の形態のように熱伝導率の高い第２のヒートシンク層６２を設けることが好ましい。これにより、磁気記録領域の温度が磁気記録温度Ｔ１から大きくずれてしまうといった問題を軽減することができる。すなわち、記録媒体７では、第２のヒートシンク層６２により、磁気記録時および磁気再生時における、記録媒体７の熱分布を削減し、Ｓ／Ｎ比の悪化を防止できる。なお、第２のヒートシンク層６２は、熱伝導率の高い膜（例えば１００Ｗｍ／℃以上）で形成することが好ましい。また、第２のヒートシンク層６２は、伝熱面積を大きくするために層厚を厚くすることが好ましい（例えば１０μｍ以上）。
【０２６５】
以上のように、本記録再生装置に備えられる半導体レーザ２は、端面発振型の半導体レーザであって、記録媒体７と対向する面である端面に微小開口２４が設けられており、これによって近接場光を発生するようになっている。そして、本記録再生装置では、微小開口２４からの放射損失以外の損失、すなわち端面損失を抑制するために、半導体レーザ２の端面に高反射膜が設けられている。このため、記録領域の加熱以外の光散乱を抑制することができ、閾値電流を下げることができる。これにより、半導体レーザ２の消費電力を削減することが可能となり、浮上型スライダー１の温度上昇を防止することができる。
【０２６６】
なお、本記録再生装置に備えられる半導体レーザ２は、端面に設けた微小開口２４によって近接場光を発生する、いわゆるＶＳＡＬ（very small aperture laser）であるが、これに限らず、他の方式によって近接場光を発生するようにしてもよい。この場合にも、近接場光による放射散乱以外の損失を低減することにより、閾値電流を低下させることができ、それによって半導体レーザ２の消費電力を削減することが可能となるので、浮上型スライダー１の温度上昇を防止することができる。
【０２６７】
また、本記録再生装置をマイクロディスク構造とする場合、マイクロディスク構造はＱ値が高いので、記録媒体７への光トンネリング効果による放射損失以外の損失が小さいため、半導体レーザ２の消費電力をさらに削減でき、浮上型スライダー１の温度上昇をさらに防止することができる。
【０２６８】
また、本記録再生装置に備えられる浮上型スライダー１は、記録媒体７に対する動作時（記録時および再生時）の浮上高さが、０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されている。浮上高さをこのように設定することにより、浮上型スライダー１における半導体レーザ２あるいは磁気ヘッド（記録ヘッド３および再生ヘッド４）等の発熱源から発生した熱を、記録媒体７へ効果的に伝導させることができる。このため、浮上型スライダー１の温度上昇を抑制することができる。すなわち、熱アシスト磁気記録再生動作時の半導体レーザ２および磁気ヘッドの発熱による熱を、記録媒体７を介して外部へ効果的に放熱させることができるので、動作不良を抑制し、安定駆動させることが可能になる。
【０２６９】
また、本記録再生装置に備えられる浮上型スライダー１は、記録媒体７と対向する底面に、整流用凸部１１および整流用凹部１２を備えている。このように、浮上型スライダー１における底面の形状を最適化することにより、半導体レーザ２および磁気ヘッドの発熱による熱の、浮上型スライダー１から記録媒体７への伝熱を促進させ、記録媒体７を介して外部へ効果的に放熱させることができるので、動作不良を抑制し、安定駆動させることが可能になる。また、この場合、浮上型スライダー１から記録媒体７への熱伝導が促進されることによって、記録媒体７がヒートシンクとしての役割を果たす。そして、ヒートシンクとして機能する記録媒体７の放熱性を高め、記録媒体７の温度上昇を抑えることにより半導体レーザ２を安定に駆動することが可能となる。
【０２７０】
なお、例えば、浮上型スライダー１の底面に、浮上型スライダー１を安定に浮上させるための凹凸部が設けられている場合、浮上型スライダー１と記録媒体７間の熱伝導が十分に得られないことがある。このため、浮上型スライダー１における底面の面積（形状）と、浮上型スライダー１の浮上高さ、すなわち浮上型スライダー１と記録媒体７間の距離とは、以下の関係を満たすことが好ましい。これにより、スライダーの浮上が安定するので浮上型スライダー１と記録媒体７との間の熱伝導を安定させることができ、また、浮上型スライダー１と記録媒体７との間における十分な熱伝導が得られる。
【０２７１】
半導体レーザ２が、浮上型スライダー１と一体に形成されている場合、浮上型スライダー１の底面の微小領域をｄｓとし、当該微小領域から記録媒体７までの距離をＬ（ｓ）とすると、
【０２７２】
【数４】
2005317178.tif 000006
【０２７３】
を満たすことが好ましい。ただし、上式におけるＳは、浮上型スライダー１における全底面積である。
【０２７４】
また、浮上型スライダー１の底面に、例えば整流用凸部１１を設ける場合、整流用凸部１１の総面積が３．５×１０‐８ｍ２以上であることが好ましい。
【０２７５】
また、本記録再生装置では、半導体レーザ２を、浮上型スライダー１に半田等により接合する構成としてもよい。この場合、浮上型スライダー１の底面の微小領域をｄｓとし、当該微小底面（微小領域）から記録媒体７までの距離をＬ（ｓ）とすると、浮上型スライダー１と半導体レーザ２との間における半田の熱抵抗は１０[℃／Ｗ]程度であることから、
【０２７６】
【数５】
2005317178.tif 000007
【０２７７】
を満たすことが好ましい。ただし、上式におけるＳは、浮上型スライダー１における全底面積である。これにより、半導体レーザ２の上昇温度を適切に抑制できる。
【０２７８】
また、半導体レーザ２を、浮上型スライダー１に半田等により接合する構成において、浮上型スライダー１の底面に、例えば整流用凸部１１を設ける場合、整流用凸部１１の総面積が３．５×１０‐８ｍ２以上であることが好ましい。
【０２７９】
また、半導体レーザ２を浮上型スライダー１に半田等で接合する場合、発光層から浮上型スライダー１への熱伝導を考慮することが好ましい。
すなわち、半導体レーザ２が基板上に成長されており、浮上型スライダー１に対してジャンクションアップ（基板側が接合面）とする場合、半導体レーザ２の基板に熱伝導がよい材質を用いることが好ましい。例えば、発光層が窒化物半導体である場合、ＧａＮ基板やＡｌＧａＮ基板、ＡｌＮ基板を用いることが好ましい。また、サファイア等の熱伝導が悪い材料を基板として用いる場合、基板の厚さをできるだけ薄くすることが好ましい。例えば、５０μｍ〜１００μｍまで研磨するとよい。なお、ジャンクションダウン（エピ面（エピタキシャル成長面）が接合面）とする場合には、半導体レーザ２における基板の材質は特に問われない。
【０２８０】
また、本記録再生装置に備えられる記録媒体７は、ガラス基板６１上に、第２のヒートシンク層６２、裏打ち層６３、熱障壁層６４、第１のヒートシンク層６５、磁気記録層６６、保護膜６７を備えている。このように、記録媒体７に第２のヒートシンク層６２を備えることにより、記録媒体７の垂直構造における熱伝導率×層厚の総和を大きくすることができる。なお、この熱伝導率×層厚の総和は、上記したように５×１０‐３Ｗ／（ｍ・℃）よりも大きいことが好ましく、２０×１０‐３Ｗ／（ｍ・℃）よりも大きいことがさらに好ましい。このように、基板の垂直構造における熱伝導率×層厚の総和を大きくすることにより、記録媒体７における浮上型スライダー１直下の領域から、当該領域外へ熱が拡散しやすくなり、記録媒体７の放熱性が高めることができる。
【０２８１】
なお、熱アシスト磁気記録再生方式では、記録領域における温度の変化速度（温度変化速度）が大きいことが好ましい。温度変化速度を大きくするためには、記録層から隣接層への放熱性を高めることが好ましいが、記録層から隣接層への放熱性を高めると記録領域を昇温するための半導体レーザ２の出力を大きくする必要が生じる。このため、半導体レーザ２の出力を適切に設定するために、記録層および隣接層の熱伝導率は、適切に調整する必要がある。
【０２８２】
また、記録領域の昇温過程は、記録媒体７の回転動作に伴い、ひとつのパルス状であって過渡的な応答である。すなわち、記録媒体７の回転動作によって、記録媒体７上の記録領域は浮上型スライダー１に対して相対的に移動する。この場合、半導体レーザ２のレーザスポット内における記録媒体７上の領域の温度はパルス状に昇温されるが、記録媒体７における熱の流れが定常状態に達する前に、この領域はレーザスポットから外れ、レーザ照射前の初期状態に戻る。これに対して、浮上型スライダー１から記録媒体７への熱の流れは、定常的な応答である。このような定常的な応答は、記録媒体７の垂直構造の熱伝導率×層厚の総和で考えることができる。
【０２８３】
また、本記録再生装置における記録媒体７では、安価なガラス基板を用いることによってコストダウンを図っている。すなわち、ガラス基板は安価であり、熱アシスト磁気記録再生方式の情報記録再生装置のコストダウンを図ることができる。しかしながら、ガラス基板は、熱伝導率が小さいという問題があった。
【０２８４】
熱アシスト磁気記録再生方式では、上記したように、記録領域における温度の変化速度（温度変化速度）が大きいことが好ましく、そのような記録領域の温度特性を確保するために、記録層下に数ｎｍ〜１μｍ程度のＡｌやＡｇなどの熱伝導率の高い薄膜を第１のヒートシンク層として挿入することが、従来より提案されている。
【０２８５】
ところが、この第１のヒートシンク層が厚すぎると、記録領域の温度上昇が不十分になり、熱アシスト磁気記録再生が困難になる恐れがある。このため、記録媒体７では、浮上型スライダー１から記録媒体７への熱を定常的に放熱するために、第１のヒートシンク層６５の下に、熱伝導率が低い層からなる温度障壁層（熱障壁層６４）を設け、この熱障壁層６４とガラス基板６１との間に第２のヒートシンク層６２を設けている。なお、この第２のヒートシンク層６２は、ＡｌやＡｇなどの熱伝導率の高い膜であって、１０μｍ以上の厚さで設けられている。また、第２のヒートシンク層６２は、熱障壁層６４やガラス基板６１と接触していてもよく、熱アシスト磁気記録再生方式が、ガラス基板６１の片面のみを使用する場合にはガラス基板６１の裏面に形成されてもよい。
【０２８６】
なお、記録媒体７の基板をサファイアやＡｌなど熱伝導率の高い材料で形成する場合には、浮上型スライダー１から記録媒体７への熱の流れについて、定常的な熱応答を十分に得られる。このため、記録領域の昇温過程において過渡応答特性を備えるためには、第１のヒートシンク層６５と熱障壁層６４とを設ければよい。
【０２８７】
また、記録媒体７を垂直磁気方式とし、裏打ち層６３を備える場合、裏打ち層６３の熱伝導率が低い場合には、当該裏打ち層６３を熱障壁層６４の一部または全部として機能させることができ、裏打ち層６３の熱伝導率が高い場合には、当該裏打ち層６３を第２のヒートシンク層６２の一部または全部として機能させることができる。なお、前記２つの層とは別に裏打ち層６３を備えてもよい。すなわち、熱障壁層６４および第２のヒートシンク層６２と隣接しない位置に裏打ち層６３を形成してもよい。また、上記した各層に加えて、必要により、さらに他の層（例えば緩衝材からなる層）を設けてもよい。この場合、上記各層のいずれの位置に設けてもよい。
【０２８８】
また、記録媒体７の放熱性を高めるには、記録媒体７から本記録再生装置を内蔵する筐体外部への放熱を促進させることが好ましい。例えば、記録媒体７と熱的に接触している当該記録媒体７の回転中心軸８から筐体外部への放熱を促進させる機構（放熱機構）を備えることが好ましい。
【０２８９】
回転中心軸８から筐体外部への放熱を促進させるために、例えば、本記録再生装置における記録媒体７の回転中心軸８を、図１１に示す回転中心軸７２の構造に変更してもよい。図１１は、本記録再生装置における、回転中心軸８の変形例を示す断面図である。この図に示すように、回転中心軸７２は、中空部位７３を有する筒状の構造となっている。そして、回転中心軸７２の上端および下端は、筐体７４によって回転可能に支持されており、回転中心軸７２にはディスク状の記録媒体７が接合されている。このような構成の回転中心軸７２を用いることにより、半導体レーザ２によって生じた熱を、筐体内部の空気７５、記録媒体７、回転中心軸７２、中空部位（中空構造）７３および筐体７４を介して、外気７６に放熱することができる。すなわち、回転中心軸７２を放熱機構として機能させることができる。
【０２９０】
熱アシスト磁気記録再生方式を用いた記録再生装置では、通常、記録媒体が筐体内にほぼ密閉されているため、筐体内部の空気と外気との空気の循環を行うことが困難である。このため、筐体内部の空気の温度が記録媒体の温度上昇とともに上昇し、記録媒体表面から筐体内部の空気への熱の移動は、半導体レーザから生じる熱量に対して少ない。このため、半導体レーザから記録媒体に入力された熱が放散されにくく、記録媒体の温度を上昇させてしまう。
【０２９１】
これに対して、回転中心軸７２を用いることにより、半導体レーザ２から生じる熱量を記録媒体７、回転中心軸７２、中空部位７３および筐体７４を経由して外気７６へ効果的に放熱することができる。すなわち、回転中心軸７２が筐体７４外部への熱伝導機構として機能させることができる。なお、図１１の構成では、回転中心軸７２の中空部位７３は外気７６と接触可能であるため、中空部位７３から外気７６への放熱が行える。
【０２９２】
また、回転中心軸７２に代えて、図１２に示すように、回転中心軸７２における内表面（中空部位７３側の面）に、中空部位７３における気流を整流するための、溝などの整流機構を設けた回転中心部位（回転中心軸）７２を用いてもよい。なお、この整流機構は、記録媒体７の回転運動に伴って、一方向への気流が生じるように設けることが好ましい。これにより、半導体レーザ２から生じた熱を、外気に効果的に放熱することができる。また、回転中心軸７２における内表面の伝熱面積が増大するので、放熱効果をさらに高めることができる。
【０２９３】
なお、整流機構は、溝に限定されるものではなく、例えば、ファン等を設けるなど、既存技術を適宜用いることが可能である。
【０２９４】
また、図１３に示すように、回転中心軸７２の上下あるいは一方に、回転中心軸７２における中空部位７３の方向に滑らかに突き出した形状の整流機構７７を設けてもよい。すなわち、中空部位７３の外気に対する開口部に、中空部位７３における気流を整流するための整流機構７７を設けてもよい。このような整流機構７７を設けることにより、気流の一部が筐体７４に沿って流れる。このため、筐体７４表面から外気７６への放熱を促進させることができる。また、この場合、筐体７４にヒートシンクを別途設けてもよい。これにより、筐体表面からの放熱をさらに促進させることができ、筐体７４全体の温度を下げることが可能となる。また、整流機構７７を設けることにより、例えば隣接する他の機器との間隔が狭くても、気流を妨げることが少なく、記録媒体７の放熱を促進させることが可能である。なお、図１１または図１２の構成と、図１３の構成とを適宜組み合わせてもよい。また、図１３の構成では、中空部位７３の外気に対する開口部に整流機構７７を設けているが、これに限らず、中空部位７３内に、中空部位７３における気流を整流するための整流機構を設けてもよい。
【０２９５】
また、このような中空からなる回転中心軸７２を設けた熱アシスト磁気記録再生方式において、回転中心軸７２に接続されるモーター（回転中心軸駆動手段）は、モーター機構が、情報記録装置（本記録再生装置）および回転中心軸７２と独立している場合と、一体である場合とがある。
【０２９６】
独立方式では、例えば、図１４に示すように、回転中心軸７２の内部に小型のモーター７９を備えるようにしてもよい。この図に示すように、モーター７９のケースはバー８２により本記録再生装置と接続されており、モーター軸８１は、バー８３により回転中心軸７２と接続される。これにより、モーター７９を駆動させることで、回転中心軸７２および記録媒体７の回転運動を行える。また、モーター軸８１と回転中心軸７２とを、変速ギア等により接続してもよい。なお、回転中心軸７２は、ベアリング８０によって回転可能に支持されている。
【０２９７】
また、図１５に示すように、モーター７９を、回転中心軸７２の外部に設け、ギア８８やベルトなどの動力伝達手段を介して接続してもよい。なお、モーターの構造は、図１４および図１５に示した構造に限らず、モーターとして機能する既存の技術を適宜用いることができる。
【０２９８】
また、モーター機構が、本記録再生装置および回転中心軸７２と一体構造である一体方式では、例えば、図１６（a）に示すような構成としてもよい。この図に示す構成では、回転中心軸７２がモーターのケースを兼ねている。そして、回転中心軸７２の内側には永久磁石８４が装着されている。そして、モーター軸８１が筐体７４に接続されており、これによって、回転中心軸７２および記録媒体７の回転運動が行えるようになっている。なお、モーターの構造は、図１６（ａ）に示した構造に限らず、モーターとして機能する既存の技術を適宜用いることができる。すなわち、モーターのケースを成す部位が回転中心軸の一部であればよい。
【０２９９】
例えば、図１６（ｂ）に示すような構造としてもよい、この図に示す構造では、モーターを成すモーター軸８１が回転中心軸７２を兼ねている。このように、モーターを成すモーター軸８１が回転中心軸７２を兼ねる方式では、回転中心軸７２の中空領域７３を確保できるので、回転中心軸７２の空冷効果が大きい。また、モーターをなす各部位をシールドしやすく、外部からのゴミ等の侵入によるモーターの不良を防ぐことができる。
【０３００】
また、本記録再生装置の構造を、例えば、図１７に示すような構造としてもよい。この図に示す構造では、回転中心軸７２における少なくとも一方の端部が、筐体７４の外部に突き出しており、外気７６と接触している。これにより、回転中心軸７２から外気７６への放熱効果を高めることができる。また、この図に示す構造では、回転中心軸７２の端部にディスク状のヒートシンク部位８５が設けられている。これにより、記録媒体７から回転中心軸７２を介してヒートシンク部位８５へ放熱することができるので、放熱を促進させることができる。なお、ヒートシンク部位８５に、突起等を設けてもよい。これにより、伝熱面積が大きくなるので、放熱効果をより高めることができる。
【０３０１】
ところで、記録媒体７における熱の流れは、浮上型スライダー１の直下から流入し、前記放熱機構から放出される。この際、高速で回転運動する記録媒体７では、主に径方向の熱分布が生じやすい。回転中心軸７２から放熱する機構においては、記録媒体７の熱伝導特性が低い場合には、この径方向の熱分布が大きくなる。径方向の熱分布が大きくなると、その影響として、例えば、磁気的補償温度のズレが生じる恐れがある。すなわち、熱アシスト磁気再生方式では、記録領域外であって磁気的に感知できる領域の温度を磁気的補償温度とすることにより、Ｓ／Ｎ比を高くしているが、径方向の熱分布が大きくなることにより、一部で記録領域外の温度が磁気的補償点（磁気的補償温度）からずれ、Ｓ／Ｎ比が劣化する恐れがある。そこで、記録媒体７の径方向の温度分布（熱分布）が小さくなるようにヒートシンク形状を設定してもよい。これにより、記録領域の位置にかかわらず、Ｓ／Ｎ比を安定させることができる。
【０３０２】
また、本記録再生装置の構造を、例えば、図１８に示すような構造としてもよい。図１８の構成では、回転中心軸７２が筐体内部７４に配置されており、回転中心軸７２の端部が流体軸受け８６によって支持されている。このような構成において、流体軸受け８６の内部における液体に熱伝導率の高い材質を用いることにより、回転中心軸７２から筐体７４、あるいは筐体７４に設けられたヒートシンク８７への放熱を効果的に行うことができる。
【０３０３】
〔実施の形態２〕  ＡｌＴｉＣスライダー
本発明の他の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１における記録再生装置と同じ部材および同じ製造方法については、実施の形態１と同じ符号を用い、その説明を省略する。
【０３０４】
図１９は、本実施の形態にかかる記録再生装置に備えられる、浮上型スライダー１０１および半導体レーザ１０３における記録媒体７との対向面を示した平面図である。この図に示すように、本実施の形態にかかる記録再生装置は、ＡｌＴｉＣからなるＡｌＴｉＣスライダー（浮上型スライダー）１０１に、窒化物半導体レーザ（半導体レーザ）１０３を、半田１０２によって接合した構造である。なお、本実施の形態にかかる記録再生装置は、浮上型スライダー１の材質および形状の変更、および、半導体レーザ１０３を接合する構成であること以外は、実施の形態１と同様の構成である。また、浮上型スライダー１の製造方法および浮上型スライダー１と半導体レーザ２の接合工程以外は、実施の形態１と同様の製造方法を適用することができる。
【０３０５】
ここで、浮上型スライダー１０１の製造方法について説明する。上記したように、浮上型スライダー１０１は、概ね実施の形態１と同様に製作される。変更点を記載すれば、まず、ＡｌＴｉＣ基板上にＴｉ/Ｐｔをメタライズし、Ｐｔ上にＳｎをメッキ法によって１〜３μｍの層厚で形成する。
【０３０６】
次に、実施の形態１における半導体レーザ２と同様の方法で製作された半導体レーザ１０３のｎ電極（Ｈｆ/Ａｌ）上に、Ｍｏ/Ｐｔ/Ａｕを形成する。そして、ＡｌＴｉＣ基板のメタライズ面と、半導体レーザ１０３におけるｎ電極面を貼り合わせ、約２８０℃の温度で接合する。これにより、ＳｎとＡｕが化合物（半田１０２）を形成し、両ウェハーは強固に接合される。
【０３０７】
次に、実施の形態１と同様の方法で、記録ヘッド３および再生ヘッド４を形成する。さらに、磁気ヘッド（記録ヘッド３および再生ヘッド４）上に、ワックスを塗布し、前記ＡｌＴｉＣ基板と同じ厚みを持つダミーＡｌＴｉＣ基板を加熱しながら接合する。なお、ワックスは前記磁気ヘッドの成膜温度よりも低い融点を備えることが好ましい。また、ダミーＡｌＴｉＣ基板は次行程で半導体レーザ端面の平坦性を得るのに有効である。
【０３０８】
次に、実施の形態１と同様、例えば、ダイシング法および研作研磨法によりウェハーをバー状に分割する。そして、実施の形態１と同様の工程を随時行う。さらに、このようにして得られた浮上型スライダー１０１を昇温し、ワックスおよびダミーＡｌＴｉＣ基板を除去する。これにより、図１９に示した半導体レーザ１０２が接合されてなる浮上型スライダー１０１が完成する。
【０３０９】
このように、浮上型スライダー１０１に、半導体レーザ１０３が接合されてなる熱アシスト磁気記録再生方式の記録再生装置でも、実施の形態１と同様に駆動できる。
【０３１０】
なお、浮上型スライダー１０１の底面に、実施の形態１と同様に、整流用の凹凸を設けてもよい。また、浮上型スライダー１０１の浮上高さは、実施の形態１と同様、０〜１００ｎｍであることが好ましい。また、本実施の形態にかかる記録再生装置における各部の構成は、実施の形態１に記載した各構成と同様に変更することができる。
【０３１１】
〔実施の形態３〕  ヒートシンク
本発明の他の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、本実施の形態にかかる記録再生装置は、実施の形態１および２と同様、半導体レーザを用いた熱アシスト磁気記録再生方式の記録再生装置である。また、本実施の形態にかかる記録再生装置は、記録媒体における熱分布を解消するためのヒートシンクが備えられている以外は、実施の形態１および２と同様の構成からなる。このため、説明の便宜上、実施の形態１または２における記録再生装置と同じ部材および同じ製造方法については、実施の形態１または２と同じ符号を用い、その説明を省略する。
【０３１２】
図２０は、本実施の形態にかかる記録再生装置の主要部位を示した概略断面図である。この図に示すように、本実施の形態にかかる記録再生装置は、記録媒体７における表裏両面側に、記録媒体７と平行であって、記録媒体７と離間して設けられたヒートシンク２０４を備えている。なお、このヒートシンク２０４は、筐体（図示せず）に接続されているか、あるいは筐体を貫通して外気に接しており、記録媒体７から伝達された熱を筐体外に放熱するようになっている。
【０３１３】
実施の形態１および２では、適当な記録媒体７、すなわち熱伝導率×層厚の総和が大きい記録媒体７を用いることで、記録媒体７の熱分布を削減している。しかしながら、熱伝導率×層厚の総和が大きい記録媒体７を用いても、若干の熱分布が存在する。そこで、本実施の形態では、記録媒体７と平行かつ離間したヒートシンク２０４を設けることにより、記録媒体７における熱分布を改善することが可能となっている。すなわち、ヒートシンク２０４によって、記録媒体７からの放熱を促進させ、記録媒体７における熱分布を低減できる。
【０３１４】
これにより、磁気記録領域の温度が磁気記録温度Ｔ１から大きくずれてしまうといった問題を軽減することができる。すなわち、磁気記録時および磁気再生時における、記録媒体７の熱分布を低減することが可能となり、これによって、Ｓ／Ｎ比の悪化を防止できる。
【０３１５】
なお、ヒートシンク２０４と記録媒体７との間隔は狭いことが好ましく、例えば５ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、記録媒体７からヒートシンク２０４へ熱を直接放熱でき、より効果的な放熱を行える。特に、記録媒体７における垂直構造の熱伝導率×層厚の総和が悪い（小さい）場合には、このようなヒートシンク２０４を設けた構成とすることによって、記録媒体７の放熱性を高めることが有効である。
【０３１６】
また、図２０の構成では記録媒体７の表裏両面側にヒートシンク２０４を設けているが、これに限らず、記録媒体７の片面側にのみヒートシンク２０４を設けてもよい。図２１は、このような構成の一例を示す、記録媒体７の上面から見た平面図である。このように、記録媒体７（ディスク）の片面側にのみ平板ヒートシンク（ヒートシンク）２０４を設ける構成でも、記録媒体７における熱分布を低減させることができる。
【０３１７】
なお、図２１の構成では、ヒートシンク２０４が、記録媒体７における片面の数十％を覆っている。ヒートシンク２０４が記録媒体７を覆う部分の面積をより大きくすることにより、記録媒体７からヒートシンク２０４への放熱を促進させることができるので好ましい。
【０３１８】
図２２は、記録媒体７と同じ寸法のガラス基板（記録媒体）の片面５０％を占めるヒートシンク２０４をと当該ガラス基板の両面に配置し、ヒートシンク２０４と当該ガラス基板との距離を２ｍｍとして行ったシミュレーションの結果を示すグラフであり、当該ガラス基板における熱分布の変化を示している。なお、シミュレーションにかかる条件は、実施の形態１に記載した、図９（ａ）のシミュレーションと同様である。すなわち、図２２は、回転中心軸８を温度固定端とした場合の熱シミュレーション結果であり、測定点２〜７は、図９（ｂ）に示した測定点に対応している。また、図２２における計算では、浮上型スライダー１の整流用凸部１１の面積を５×１０‐８ｍ２とし、浮上高さを５０ｎｍとしている。また、半導体レーザ２を０．５Ｗの駆動電力で動作させるものとしている。また、雰囲気温度は２５℃としている。
【０３１９】
図２２において、四角印（□,■）はヒートシンクなしの場合を現し、四角印（◆,◇）はヒートシンクを設けた場合を表している。また、塗りつぶした印（■,◆）は測定点上の浮上型スライダー１の温度を表し、白抜きの印（□,◇）は測定点上のガラス基板の温度を表している。なお、図２２におけるヒートシンクなしの場合のシミュレーション結果（□,■）は、図９（ａ）におけるガラス基板のシミュレーション結果（□,■）と同様のものである。
【０３２０】
図２２に示されているように、ヒートシンクを設けた場合の計算結果は、ヒートシンクなしの場合の計算結果よりも、浮上型スライダー１下部における記録媒体（ガラス基板）の温度分布が小さくなっている。また、浮上型スライダー１の位置が記録媒体の最外周となる測定点２においても、半導体レーザ２の温度が低くなっていることがわかる。
【０３２１】
このシミュレーション結果から明らかなように、ヒートシンク２０４と記録媒体７の間隔を２ｍｍとすることにより、記録媒体７および浮上型スライダー１の温度上昇を十分に抑制することができる。また、ヒートシンク２０４と記録媒体７の間隔が２ｍｍの場合、ヒートシンク２０４と記録媒体７との接触による損傷の可能性はほとんど無く、製作も容易である。すなわち、本実施の形態にかかる記録再生装置では、製造が容易で、かつ、駆動時に損傷が生じる可能性も少ない構造によって、記録媒体７および浮上型スライダー１の温度上昇を抑制することができる。なお、ヒートシンク２０４と記録媒体７との間隔は、実用上問題にならない範囲で、より近づけることが好ましい。
【０３２２】
なお、ヒートシンク２０４の形状は、図２０および図２１に示した形状に限るものではなく、適宜変更してもよい。ヒートシンク２０４の形状を変えることで、動作時の記録媒体７の温度分布を変えることができる。例えば、記録媒体７における内径付近において、ヒートシンク２０４が記録媒体７を覆う部分の面積を小さくするように、ヒートシンク２０４の形状を変更することにより、記録媒体７の熱分布を一様とすることができる。このように、記録媒体７における径方向の温度分布が少なくなるようにヒートシンク２０４の形状を設定することにより、記録媒体７上の位置にかかわらずＳ／Ｎ比を安定させることができる。
【０３２３】
〔実施の形態４〕  空冷機構
本発明のさらに他の実施の形態について図に基づいて説明する。
本実施の形態にかかる記録再生装置は、筐体内部に空気の循環構造を設けることにより、記録媒体によって昇温された筐体内部の空気を冷却し、記録媒体を空冷するものである。なお、説明の便宜上、実施の形態１〜３における記録再生装置と同じ部材および同じ製造方法については、実施の形態１〜３と同じ符号を用い、その説明を省略する。
【０３２４】
一般に、浮上型スライダーを設けた熱アシスト磁気記録再生方式の記録再生装置では、浮上型スライダーの浮上高さを安定させるために、筐体内部の気圧を一定に保ち、かつ気流の乱れが少なくなるように構成される。このため、筐体は気圧調整用の微小穴を除いてほぼ密閉される。なお、この気圧調整用の穴は、通常、直径３ｍｍ以下の大きさで設けられる。また、この気圧調整用の穴には、塵埃の進入防止のためのフィルターが取り付けられる。
【０３２５】
ところが、このような形状では、筐体内部の空気（内気）は記録媒体からの発熱により記録媒体と同様に温度上昇するが、記録媒体を空冷（冷却）することが困難なため、記録媒体の温度上昇を招いてしまう。
【０３２６】
そこで、本実施の形態にかかる記録再生装置では、筐体内部において空気を循環させるとともに、循環させた空気を冷却することにより、筐体内部の温度上昇を防止している。
図２３は、本実施の形態にかかる記録再生装置の概略構成を示す平面図である。この図に示すように、本実施の形態にかかる記録再生装置は、筐体７４の内部に、半導体レーザおよび磁気ヘッド等の付属デバイス（電子デバイス）を備えた浮上型スライダー１、記録媒体７、回転中心軸８、整流機構（対流機構）３０６、冷却機構３０５を備えている。
【０３２７】
そして、回転中心軸８および記録媒体７の回転駆動によって生じる気流が、整流機構３０６によって気流（急流）の乱れを防止しつつ、循環経路３０４に沿って循環されるようになっている。
【０３２８】
また、循環（対流）された空気（気体）の熱を、冷却機構３０５として筐体７４に設けられた多数のピンから筐体７４の外部に放散し、筐体内の空気を冷却できる。これによって、記録媒体７の放熱性を向上させることができる。なお、空気の循環経路３０４は、図２３に示したような経路に限るものではない。例えば、記録媒体７の面に対して上部や下部を通るように、立体的に配置されてもよい。ただし、循環経路３０４は、対流によって浮上型スライダー１の浮上安定性を損なわないように設けることが好ましい。
【０３２９】
また、整流機構３０６の構造は、特に限定されるものではない。また、本実施の形態では、冷却機構３０５として、筐体７４に設けられた多数のピンを備えているが、冷却機構３０５の構成はこれに限るものではない。筐体７４内の空気を適切に冷却できるものであればよく、例えば、筐体７４と外気との伝熱面積を増大させる溝やフィンなどであってもよい。この場合、筐体７４内の空間における熱は、対流機構３０６によって筐体７４に対する伝熱を促進され、筐体７４および筐体７４に設けられた冷却機構３０５を介して外気に放熱される。
【０３３０】
また、対流機構３０６は、上記した整流機構に限らず、ファンなどによって強制的に対流を生じさせるものであってもよい。
【０３３１】
〔実施の形態５〕  熱分布解消駆動方法
本発明のさらに他の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１〜４における記録再生装置と同じ部材および同じ製造方法については、実施の形態１〜４と同じ符号を用い、その説明を省略する。
【０３３２】
本実施の形態にかかる記録再生装置は、制御部１０が、記録媒体７における熱分布を考慮した駆動を行うようになっている。なお、本実施の形態にかかる記録再生装置における駆動方法は、実施の形態１〜４に記載した構成からなる記録再生装置のいずれにも適用することができる。すなわち、実施の形態１〜４では、装置構成を改善することによって、記録媒体７における熱分布を削減している。これに対して、本実施の形態では、制御部１０が、浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２の駆動を、記録媒体７における熱分布を低減するように制御するようになっている。なお、以下の説明では、実施の形態１にかかる記録再生装置に本実施の形態の駆動方法を適用する場合について説明する。
【０３３３】
実施の形態１で述べたように、熱アシスト磁気記録再生方式で用いられる記録媒体７には、磁気的補償温度Ｔ２、および、磁気記録温度または磁気再生温度Ｔ１があり、通常、磁気的補償温度Ｔ２は略室温に設計される。なお、略室温とは、本実施の形態にかかる記録再生装置の動作保証をできる雰囲気温度範囲を示す。
【０３３４】
記録媒体７が一様に作られている場合には、磁気的補償温度Ｔ２は、浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２の最大駆動電流時における記録媒体７の最大温度Ｔｍａｘを考慮する必要があり、磁気的補償温度Ｔ２はＴｍａｘよりも高いことが望ましい。
【０３３５】
一方、浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度をＴ（ｒ）とすると（ｒは径方向（径方向）のパラメータ）、磁気記録温度Ｔ１−Ｔ（ｒ）は一定ではない。このため、半導体レーザ２の駆動電力が径方向に対して一定の場合、記録温度または再生温度が、記録媒体７の径方向に対して異なることになる。すなわち、径方向の位置によっては、必要以上の加熱を行ってしまう場合がある。
【０３３６】
これに対して、本実施の形態にかかる記録再生装置では、制御部１０が、同径方向の位置に応じて、半導体レーザ２の駆動電力を適宜調整するようになっている。すなわち、本実施の形態にかかる記録再生装置は、半導体レーザ２の駆動電力を適宜調整する機構を備えている。このような機構を備えることにより、径方向の位置にかかわらず、半導体レーザ２による加熱量を常に必要最小限に制御することが可能となり、必要以上の加熱を行ってしまうことを回避できる。したがって、記録時の記憶領域の温度を一定にでき、安定な記録再生を行うことができる。
【０３３７】
ところで、同径方向の位置に応じて半導体レーザ２の駆動電力を調整するためには、浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度分布を把握する必要がある。図７は、パルス駆動時の半導体レーザ２の温度変化に伴う電流‐出力（光出力特性）の変化を示している。
【０３３８】
この図に示すように、一般に、半導体レーザ２は温度上昇と共にレーザ発振閾値が上昇することが知られている。実施の形態１にかかる記録再生装置、すなわち、図１（ａ）に記載した熱アシスト磁気記録再生方式による記録再生装置では、受光素子６により、半導体レーザ２における後面端面から放射される光出力の電流依存性を得ることができる。本実施の形態にかかる記録再生装置では、このように、受光素子６によって検出された光出力の電流依存性を用いて、浮上型スライダー１の温度特性を把握する。
【０３３９】
例えば、半導体レーザ２の発振閾値（閾値）の変化で、記録媒体７における浮上型スライダー１の下部領域の温度を読み取ることができる。閾値の変化で記録媒体７における浮上型スライダー１の下部領域の温度を読み取る場合、例えば、図２５に示すように、記録パルス４０２・４０２を半導体レーザ２に印加する間に、三角波からなるパルス電流（サブパルス）４０１を半導体レーザ２に印加し、受光素子６より得られる光出力の信号から閾値を求めてもよい。
【０３４０】
また、図２６に示すように、記録パルス４０２・４０２を半導体レーザ２に印加する間に、それぞれピーク出力の異なるパルス電流（サブパルス）４０３を半導体レーザ２に印可し、受光素子６より得られる光出力から閾値を求めてもよい。
【０３４１】
あるいは、図２７に示すように、記録パルス４０２・４０２を半導体レーザ２に印加する間に、定出力のパルス電流（サブパルス）４０４を半導体レーザ２に印可し、受光素子６より得られる光出力の変化から、図７等を参照して半導体レーザ２の温度を算出してもよい。
【０３４２】
ところで、半導体レーザ２は、使用に伴って閾値が上昇することが知られている。本実施の形態にかかる記録再生装置では、これらの、半導体レーザ２の動作に影響する要因を分別して的確に記録媒体７の記録領域の温度が磁気記録温度Ｔ１になるように制御するようになっている。図２８は、本実施の形態にかかる記録再生装置の動作の流れを示すフローチャートである。なお、図２８は、温度変化の時系列データを測定する方法を示すものであり、浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度変化に影響する項目、および半導体レーザ２の記録方式に影響する項目を書き出したものである、と表現することもできる。ここで、浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度変化、および半導体レーザ２の記録方式に影響する主な項目（温度変化要因）は、シークに伴う浮上型スライダー１の温度変化、雰囲気温度の変化に伴う浮上型スライダー１の温度変化、半導体レーザ２の劣化による発熱量の増加に伴う浮上型スライダー１の温度変化である。
【０３４３】
まず、制御部１０は、上記したいずれかの方法により、半導体レーザ２の閾値から浮上型スライダー１の温度を把握する（Ｓ１）。そして、把握した温度データから、浮上型スライダー１における温度の時系列データ化を行う（Ｓ２）。
【０３４４】
次に、制御部１０は、浮上型スライダー１の位置変化、すなわちシークに伴う浮上型スライダー１の温度変化を求める（Ｓ３）。シークに伴う浮上型スライダー１の温度変化を求めるには、径方向位置ｒにおける温度Ｔ（ｒ）を求める必要がある。また、実際の測定される雰囲気温度変化ΔＴａ、および、半導体レーザ２の劣化に伴う温度変化ΔＴｌを分離する必要がある。
【０３４５】
次に、制御部１０は、Ｓ２で作成した時系列データから、シークに伴う温度変化を抜き取る（Ｓ４）。そして、制御部１０は、Ｓ２で作成した時系列データから、シークに伴う温度変化をキャンセルして温度時系列データ化を行う（Ｓ５）。
【０３４６】
上記した３種類の温度変化要因のうち、半導体レーザ２の劣化に伴う温度変化は、時定数が大きい。すなわち、半導体レーザ２は、時間の経過とともに概ね単調に劣化する。一方、雰囲気温度の変化は、ランダムであるが数秒のような急速な変化ではない。また、シークに伴う温度変化は変化速度が速い。また、シークに伴う温度変化は、シークの動きと調和することによる検出が可能である。
【０３４７】
このため、シークと調和した径方向パラメータｒに依存する温度分布Ｔ（ｒ）を温度の時系列から抜き出すことにより、少なくとも数十時間以下で変化する雰囲気温度の変化および数十時間以上で変化する劣化に伴う温度変化をデータとして読み取ることが可能になる。
【０３４８】
次に、制御部１０は、雰囲気温度の変化に伴う浮上型スライダー１の温度変化を求める（Ｓ６）。そして、制御部１０は、Ｓ５において作成した時系列データから、Ｓ６において求めた雰囲気温度変化による浮上型スライダー１の温度変化を抜き取る（Ｓ７）。そして、制御部１０は、Ｓ７の結果をもとに、半導体レーザ２の劣化による発熱増加量を定量化する（Ｓ８）。
【０３４９】
次に、制御部１０は、Ｓ１で把握した浮上型スライダー１の温度から、Ｓ８で求めた半導体レーザ２の劣化による発熱量増加分の温度上昇を除いた温度変化を求める（Ｓ９）。
【０３５０】
そして、制御部１０は、Ｓ９で把握した温度変化に基づいて、半導体レーザ２のパワー制御を行う（Ｓ１０）。なお、浮上型スライダー１を記録媒体７の径方向に移動させ、記録および再生動作を継続する場合には、移動した位置において、シークに伴う浮上型スライダー１の温度変化のみに基づいて半導体レーザ２のパワー制御を行うようにしてもよい。すなわち、Ｓ１〜Ｓ４の処理の結果に基づいて、半導体レーザのパワー制御（Ｓ１０）を行うようにしてもよい。この場合でも、雰囲気温度の変化、半導体レーザ２の劣化による浮上型スライダー１の温度変化は時定数が大きいので、記録再生装置の起動時に測定した結果に基づいて駆動を行っても、適切な駆動を行うことができる。
【０３５１】
本実施の形態にかかる記録再生装置では、シークに伴うスライダーの温度変化Ｔ（ｒ）を、Ｓ２において作成した温度の時系列データから抜き取ることで、浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度分布を的確に把握できる。このため、半導体レーザ２の温度特性を考慮して駆動することができ、記録媒体７の温度を磁気的補償温度Ｔ１に適切に制御することができる。すなわち、半導体レーザ２を、記録媒体７の径方向パラメータｒに応じて、磁気記録温度Ｔ１−Ｔ（ｒ）の温度分のみ加熱するような出射出力に駆動制御することで、Ｓ／Ｎ比を悪化させずに記録再生することができる。したがって、安定な記録再生を行うことができる。
【０３５２】
また、本実施の形態にかかる記録再生装置の駆動方法によれば、半導体レーザ２の寿命を的確に把握することが可能になる。すなわち、半導体レーザ２の劣化による発熱増加量の時系列データより、半導体レーザ２を備えた本実施の形態にかかる記録再生装置（情報記録再生装置）の寿命が予測できる。このため、半導体レーザ２の劣化によって読み取り不能状態に陥る前に、制御部１０によって記録媒体７に記録されているデータ（情報）を、自動的に他の記録媒体（情報記録媒体）に記録（バックアップ）させることも可能である。また、例えば表示部１５を介して、ユーザーに劣化状況を警告（提示）するようにすることも可能である。例えば、本実施の形態にかかる記録再生装置に液晶パネルなどの表示部（図示せず）を備え、この表示部に劣化状況を表示するようにしてもよい。あるいは、音声で半導体レーザ２の劣化状況を通知するようにしてもよい。このように、半導体レーザ２の寿命を的確に把握することにより、記録再生装置におけるデータの紛失を防止することができる。
【０３５３】
また、浮上型スライダー１に設けられた磁気ヘッド等からの発熱の影響についても、上記した方法で同様に把握できる。
【０３５４】
また、図２５、図２６、図２７におけるサブパルス４０１、４０３、４０４は、パルス幅を短く制御することが好ましく、例えば、５ｎｓ程度以下であることが望ましい。これにより、サブパルスによって記録媒体７、半導体レーザ２をほとんど加熱することなく、半導体レーザ２の温度に変換することができる。ただし、パルス幅が５ｎｓ以上であっても、本発明の効果は十分に得られる。
【０３５５】
また、このようなサブパルスは、一つの記録領域毎に行ってもよいが、処理回路の動作軽減のために、サンプリングしておいてもよい。また、前述した時系列から予め径方向パラメータを用いて、予測される半導体レーザ２のパルス駆動時の閾値変化や光出力の変化からのズレを観測し、時系列データを修正するためにサブパルスを用いてもよい。この場合には、半導体レーザ２は時系列データから予測される記録媒体７の熱分布および半導体レーザ２の光出力に従って駆動すればよい。
【０３５６】
また、本実施の形態にかかる記録再生装置では、浮上型スライダー１の温度を把握し、これに基づいて、半導体レーザ２の駆動電流を制御するものとしたが、これに限らず、例えば、記録媒体７の温度を求め、それに応じて半導体レーザ２の駆動電流を制御するようにしてもよい。
【０３５７】
また、本実施の形態にかかる熱アシスト磁気記録再生方式による記録再生装置では、記録媒体７における、記録あるいは再生に必要な温度である磁気記録温度（記録温度）あるいは磁気再生温度（再生温度）をＴ１とし、記録媒体７における記録領域外の望ましい温度である磁気的補償温度Ｔ２とすると、半導体レーザ２を記録再生のために使用する最大駆動電力において、半導体レーザ２の駆動および浮上型スライダー１に設けられた全ての発熱源からの発熱によって昇温した記録媒体７の最大温度よりも、磁気的補償温度Ｔ２を高くすることが好ましい。すなわち、記録媒体７における磁気的補償温度Ｔ２を、記録媒体７の記録面に垂直な方向から見て、磁気ヘッドと重なる記録媒体７上の領域であって、半導体レーザ２からのレーザ光によって加熱される領域外の領域における最大温度よりも高くすることが好ましい。また、これらの望ましい温度（磁気的補償温度）Ｔ２が、当該記録再生装置を動作保証できる雰囲気温度において、上記の条件を満たすような記録媒体７を用いることが好ましい。
【０３５８】
なお、上記したように、略室温とは、本実施の形態にかかる記録再生装置の動作保証をできる雰囲気温度範囲を示す。例えば、記録媒体７における基板の熱伝導率が高い場合には、磁気的補償温度Ｔ２は、略室温よりも数℃高く設定すればよい。また、安価なガラス基板などの熱伝導率が低い基板を記録媒体７の基板として用いる場合、例えば、１００℃以下に磁気的補償温度Ｔ２を設定すればよい。また、磁性膜の素材としては、例えばＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３つの金属からなる合金を用いることができる。これらの合金からなる磁性膜は、例えばＴｂの含有量により磁気的補償温度Ｔ２が変化することが一般的に知られている。
【０３５９】
また、本実施の形態にかかる記録再生装置の駆動方式では、記録媒体７の径方向を変数として半導体レーザ２の駆動電力を制御する。また、記録再生動作時の記録媒体７の温度は同径の円周方向で平均化される。このため、記録媒体７における主たる温度分布は径方向となる。また、本実施の形態にかかる記録再生装置の駆動方式では、記録あるいは再生時に、半導体レーザ２によって昇温された記録領域の温度が、記録媒体７上の位置に関わらず一定になるように、半導体レーザ２の駆動電力を制御する。これにより、熱アシスト磁気記録再生方式の記録再生装置において、記録領域の飽和磁化、保磁力を安定させることができ、良好な記録再生を実現できる。
【０３６０】
また、本実施の形態にかかる記録再生装置は、制御部１０が、半導体レーザ２にサブパルスを印加し、受光素子６より得られる光出力から閾値を求め、この閾値の変化に基づいて浮上型スライダー１の下部領域における記録媒体７の温度（記録または再生を行う各位置の温度）を読み取るようになっている。ただし、記録媒体７の径方向を変数として温度を測定する手段は、これに限るものではなく、記録媒体７における径方向の温度を適切に把握できるものであればよい。また、本実施の形態にかかる記録再生装置では、温度を測定する手段が浮上型スライダー１に設けられているが、これに限るものではない。例えば、記録媒体７の径方向を変数として温度を測定する手段は、半導体レーザ２であって、半導体レーザ２の定電流における光出力の変化で、記録媒体７における浮上型スライダー１の下部領域の温度を読み取るようにしてもよい。
【０３６１】
このように、記録媒体７の径方向を変数として温度を把握することにより、記録媒体７における径方向の温度分布を半導体レーザ２の駆動電力へフィードバックすることが可能となり、記録領域の位置によるＳ／Ｎ比のばらつきを低減できる。なお、半導体レーザ２の発振閾値と温度の関係は（温特指数）Ｔ０をパラメータとして記述でき、あらかじめＴ０の特性を把握することで温度への変換が可能である。
【０３６２】
また、本実施の形態にかかる記録再生装置の駆動方式では、駆動に伴って劣化した半導体レーザ２の発熱量の増加を補償して、半導体レーザ２の駆動電力を制御する。近年、欠陥密度の低減や消費電力の低減により半導体レーザは非常に長寿命化しているが、それでも使用に伴って閾値は上昇する。そして、半導体レーザの劣化に伴って半導体レーザからの発熱が増加するため、記録媒体も温度が上昇する。
【０３６３】
これに対して、駆動に伴って劣化した半導体レーザ２の発熱量の増加を補償して、半導体レーザ２の駆動電力を制御することにより、記録再生時における記録領域の温度を一定にできる。すなわち、半導体レーザ２の光出力を半導体レーザ２からの発熱の増加分を考慮して少なくすることにより、半導体レーザ２の発熱量を低減でき、浮上型スライダー１および記録媒体７の温度上昇を低減させることができる。
【０３６４】
なお、半導体レーザ２の劣化による発熱量の増加を考慮して、半導体レーザ２の駆動制御を行うためには、記録媒体７の温度分布と半導体レーザ２の劣化にともなう発熱の増加を分離しなければならない。このため、本実施の形態にかかる記録再生装置の駆動方法では、記録媒体７の径方向を変数として測定した、浮上型スライダー１の動作時におけるシークに伴う温度情報と、浮上型スライダー１に設けられた電子デバイスの劣化による発熱の増加にともなう記録媒体７の温度変化を切り分けて制御するようになっている。
【０３６５】
また、記録媒体７の熱分布による駆動制御は、シークに伴う時定数により決まり、半導体レーザ２の劣化を示す時定数と大きく異なる。例えば、記録媒体７の評価点、あるいは評価径を定めて、熱アシスト磁気記録動作時のシークに伴って、データを蓄積し、蓄積されたデータの経時変化を測定することで半導体レーザ２の劣化を求めることができる。一方、雰囲気温度の変化は前記２つの時定数の間に位置するために、前記蓄積されたデータの揺らぎから雰囲気温度の変化を求めることが可能である。また、別途筐体や筐体内部の固定点に雰囲気を観測できる温度測定器を設けてもよく、この場合、蓄積されたデータから得られた雰囲気温度の補正が可能となる。なお、記録媒体７の評価点、あるいは評価径を複数設けることでフィードバックがより適切になり、Ｓ／Ｎ比を低減した熱アシスト記録再生が可能となる。
【０３６６】
〔実施の形態６〕  補助半導体レーザによる記録媒体の温度分布解消
本発明のさらに他の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１〜５における記録再生装置と同じ部材および同じ製造方法については、実施の形態１〜５と同じ符号を用い、その説明を省略する。
【０３６７】
本実施の形態における記録再生装置は、記録領域を加熱するために用いられる半導体レーザ２以外に、記録媒体７を加熱する機構（補助熱源）を備えたものである。
図２９は、本実施の形態にかかる記録再生装置の概略構成を示す斜視図である。この図に示すように、本実施の形態にかかる記録再生装置は、サスペンション５上に、補助半導体レーザ５０４を備えている。また、浮上型スライダー１上に、補助半導体レーザ導引用光学系５０５を備えている。なお、その他の構成は、実施の形態１にかかる記録再生装置と略同様であり、浮上型スライダー１には、半導体レーザ２および磁気ヘッド（図示せず）が設けられている。
【０３６８】
なお、本実施の形態にかかる記録媒体７における磁気的補償温度Ｔ２は、記録媒体７の全域において一様となっている。また、磁気的補償温度Ｔ２は、浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２の最大駆動電流時における、記録媒体７の最大温度Ｔｍａｘよりも高く設定されている。また、浮上型スライダー１からの熱伝導による浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度Ｔ（ｒ）は、補助半導体レーザから供給される熱量により、ΔＴ＝Ｔ２−Ｔ（ｒ）とした場合に、ΔＴがほぼゼロになるようになっている。ここで、ｒは、記録媒体７の径方向パラメータである。
【０３６９】
図３０は、本実施の形態における記録再生装置において、記録媒体７から情報を読み出す際の記録媒体７上の様子を説明するための説明図である。図３０では、記録媒体７は時計方向に回転するようになっており、記録媒体７上の点が図面の右から左方向へ移動するようになっている。
【０３７０】
半導体レーザ２からの出射光は記録媒体７上の半導体レーザスポット部（レーザスポット）５１０に照射される。これにより、記録媒体７上には、熱分布５０６が形成される。そして、この熱分布５０６とＧＭＲ等の再生用磁気ヘッド領域（再生ヘッド領域）５０７とが重なる領域において残留磁化が大きくなり、記録媒体７に記録されている情報を読み出すことができるようになっている。
【０３７１】
しかしながら、再生ヘッド領域５０７の下部であって、熱分布５０６と重ならない領域である領域５０８では、残留磁化が発生するとＳ／Ｎ比が悪化する。このような、領域５０８におけるＳ／Ｎ比の低下を防止するためには、領域５０８における温度を磁気的補償点Ｔ２とすることが、残留磁化を少なくできるので好ましい。
【０３７２】
そこで、本実施の形態にかかる記録再生装置では、補助半導体レーザ５０４からの出射光を、当該出射光のスポットパターン５１２が再生ヘッド領域５０７よりも大きくなるように記録媒体７に照射する。なお、補助半導体レーザ５０４からの出射光は、補助半導体レーザ導引用光学系５０５を介して、記録媒体７上へ照射されるようになっている。この補助半導体レーザ５０４からの光照射により、記録媒体７上の領域５１３が加熱される。
なお、補助半導体レーザ５０４の出力は、上記したように、ΔＴ＝Ｔ２−Ｔ（ｒ）＝０となるように、制御部１０によって調整される。このように、記録媒体７を補助半導体レーザ５０４によって適当な光出力で照射することで、記録媒体７における領域５０８の温度を磁気的補償温度Ｔ２とすることができる。
【０３７３】
これにより、半導体レーザ２を用いた熱アシスト磁気記録再生方式による記録再生装置において、記録媒体７の径方向に関わらずＳ／Ｎ比を大きくすることができる。なお、このような補助半導体レーザ５０４による照射スポット（スポットパターン５１２）は、図３０に示すように、記録媒体７における記録スポットよりも上流にあるとよく、浮上型スライダー１の最上流部５０９よりも半導体レーザスポット部５１０に近いことが好ましい。なお、図３０における領域５１４は、浮上型スライダー１からの熱によって加熱された、記録媒体７上の領域である。また、符号５１１で示した部分は、記録媒体７におけるマークパターンである。
【０３７４】
ところで、浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２の記録媒体７への熱伝導経路は、浮上型スライダー１の底面を通る。このため、浮上型スライダー１下部における記録媒体７の温度が低いほど、浮上型スライダー１の温度が下がる。このため、補助半導体レーザ５０４を備える構成では、例えば、浮上型スライダー１を図３１（ａ）および図３１（ｂ）に示すような構成としてもよい。なお、図３１（ａ）は補助半導体レーザ５０４を備える場合の構成例を示す断面図であり、図３１（ｂ）はこの場合の平面図である。図３１（ａ）および図３１（ｂ）では、記録媒体７が左から右方向へ移動（進行）するようになっている。
【０３７５】
これらの図に示すように、記録媒体７上における浮上型スライダー１の下部の領域であって、補助半導体レーザ５０４によるスポットパターン５１２よりも記録媒体の進行方向上流側の領域である領域５１５、あるいは、補助半導体レーザ５０４の出射光が照射されない領域（図示せず）では、記録媒体７の温度は補助半導体レーザ５０４の出射光によってほとんど上昇されない。このように、記録媒体７の温度が低い領域を確保することで、浮上型スライダー１および浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２の温度を低くすることができる。
【０３７６】
なお、浮上型スライダー１における、スポットパターン５１２直上の部分である領域５１６は、図３１（ａ）に示すように、領域５１６における表面と記録媒体７との間隔が大きくなるように掘りこまれてあるとよい。これにより、記録媒体７上のスポットパターン５１２からの熱が、浮上型スライダー１へ流入することを防止できる。なお、領域５１６における掘り込み深さは、少なくとも０．５μｍ以上であることが望ましい。なお、図３１（ａ）において、符号５１７で示した部分は、補助半導体レーザ５０４によるレーザ光を示している。また、図３１（ｂ）における領域５１９は、浮上型スライダー１からの熱により加熱された記録媒体７上の領域を表している。
【０３７７】
なお、補助熱源は、補助半導体レーザ５０４に限るものではない。例えば、図３２（ａ）および図３２（ｂ）に示すように、浮上型スライダー１に熱源５２０を設けてもよい。なお、図３２（ａ）は、浮上型スライダー１に熱源５２０を備えた場合の記録媒体７および浮上型スライダー１の概略断面図である。また、図３２（ｂ）は浮上型スライダー１に熱源５２０を備えた場合の記録媒体７および浮上型スライダー１の概略平面図である。
【０３７８】
ただし、浮上型スライダー１に熱源５２０を備える場合、熱源５２０によって浮上型スライダー１が加熱されないように、熱源５２０と浮上型スライダー１との間に、熱伝導率が低い熱遮断層５２１を設けることが好ましい。
【０３７９】
以上のように、本実施の形態にかかる記録再生装置は、記録再生に用いられる半導体レーザ２とは異なる、記録媒体を加熱できる補助熱源を設け、この補助熱源によって半導体レーザ２により昇温された記録領域の周辺をほぼ磁気的補償温度Ｔ２まで昇温する。これにより、記録領域の周辺の記録領域外の領域を磁気的補償温度Ｔ２にしておくことができ、この領域における残留磁化をほぼゼロとすることができるので、Ｓ／Ｎ比を良くすることができる。
【０３８０】
なお、上記したように、補助熱源は、補助半導体レーザであってもよく、それ以外の構成であってもよい。また、補助熱源は、浮上型スライダー１に搭載されるものであってもよく、浮上型スライダー１とは異なる位置に備えられていてもよい。また、補助熱源による記録媒体７の昇温は、半導体レーザ２による記録領域の昇温より先になされることが望ましい。
【０３８１】
マイクロディスク７０２内にはウィスパリングギャラリーモードという円状のディスクの境界での全反射を基本にするモードが発生する。該モードではマイクロディスク周辺にエバネッセント光を発生することが知られている。該エバネッセント光は前述の記載同様に波長程度で指数関数的に減少する電磁場であって、本明細書のように該マイクロディスクの最下点（すなわちスライダーの底面）と記録媒体の距離が１００ｎｍ以下の場合、該エバネッセント光によりマイクロディスクに生じているモードが記録媒体に光トンネリングすると考えられる。このため、この光により記録媒体を加熱することにより、熱アシスト磁気記録が可能である。
【０３８２】
一方、該マイクロディスクの最下点付近に金属微粒子を配置したり、該最下点付近においてマイクロディスクの円周率の不連続点を設けたりしてもよい。金属微粒子を設ける構造では、該エバネッセント光により金属微粒子の局在プラズモンが励起され、該局在プラズモンにより高強度の近接場が期待される。円周率の不連続点を設ける構造では、前記モードが該不連続点で散乱されやすいため、該光トンネリングの効率が向上すると考えられる。
【０３８３】
また、補助半導体レーザ５０４を設ける場合、補助半導体レーザ５０４の発振波長は、浮上型スライダー１に対して透明であることが好ましい。また、補助半導体レーザ５０４は浮上型スライダー１に接触しておらず、補助半導体レーザ５０４からの出射光は、浮上型スライダー１を透過して記録媒体７に入射することが好ましい。これにより、補助半導体レーザ５０４からのレーザ光によって、浮上型スライダー１が昇温されることを防止できる。また、浮上型スライダー１に、補助半導体レーザ５０４のスポット形状を変更できる機構を備えるようにしてもよい。
【０３８４】
例えば、浮上型スライダー１が、Ｇａを主に含有する窒化物半導体からなる場合、補助半導体レーザ５０４の発振波長は、３８０ｎｍ以上の波長であることが好ましい。また、６００ｎｍ以上の波長を用いることが、Ｇａを主に含有する窒化物半導体の深い不純物準位による吸収を防げるので、さらに好ましい。また、このような補助半導体レーザ５０４は、浮上型スライダー１に接続されたサスペンション５と連結された、レーザ光引き込み方式を採用することが、補助半導体レーザ５０４からのレーザ光のアライメントが容易になるので好ましい。
【０３８５】
ところで、補助半導体レーザ５０４により昇温した記録媒体７から浮上型スライダー１への熱移動を削減するためには、補助半導体レーザ５０４による記録媒体７上のレーザスポット上にある浮上型スライダー１の下面を掘り込むとよい。これにより、記録媒体７と掘り込まれた浮上型スライダー１の下面との熱抵抗が高くなり、補助半導体レーザ５０４により昇温した記録媒体７から浮上型スライダー１への熱移動を減少させることができる。
【０３８６】
また、記録領域外の温度分布を減らすためには、浮上型スライダー１に補助半導体レーザ５０４のスポット形状を変更できる機構を備えるとよい。例えば、スポット中心のみ透過率が高く、それ以外が反射するような高反射膜を設けることで、補助半導体レーザによる記録媒体上のスポット内強度を単一に近づけることができる。
【０３８７】
また、浮上型スライダー１からの発熱（伝熱）による記録媒体７の温度分布を考慮して、記録領域周辺の温度が、記録媒体７の最大温度よりも高く設定された磁気的補償温度Ｔ２になるように、あらかじめ記録領域外（記録領域を含んでもよい）を昇温することにより、記録領域外のノイズを抑制し、再生時のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【０３８８】
ところで、上記各実施の形態では、端面発光型であってリッジストライプ構造の半導体レーザ２を用いているが、これに限るものではない。例えば、図３３のように、出射面近傍でリッジ形状が変化した半導体レーザを用いてもよい。
【０３８９】
図３３に示した半導体レーザは、窒化物半導体からなるリッジ６０２、その上に設けられたｐ電極６０３、ＳｉＯ２など低屈折率からなる領域６０１を備え、出射端面６０４から光を出射するようになっている。なお、磁気記録ヘッドあるいは磁気再生ヘッドは領域６０１上に設けることができる。これにより、領域６０１には電流注入が行えないため内部損失が増加するが、出射面でのＮＦＰ（ニアフィールドパターン）が垂直方向に圧縮されるので、レーザスポットと磁気記録ヘッドあるいは磁気再生ヘッドの間隔を狭くし、熱アシスト磁気記録再生方式の効率を高めることができる。
【０３９０】
また、例えば図３４に示すようなマイクロディスク形状の半導体レーザを用いてもよい。図３４の構成では浮上型スライダー１に、マイクロディスク７０２、磁気ヘッド７０３が備えられている。
【０３９１】
マイクロディスクからなる半導体レーザは、一般に、放射損失が低いため、Ｑ値の高い共振器が形成される。上記したように、浮上型スライダー１は記録媒体７から１００ｎｍ以下の高さで動作するため、マイクロディスク７０２から記録媒体７への光トンネリングが生じ、熱アシスト磁気記録再生を行える。なお、マイクロディスク７０２は、記録媒体７への散乱を増加するため、例えば図３７に示すようにマイクロディスク７０２の欠け部分（曲率の異なる面）７０３を備えるようにしてもよい。また、図３８に示すように、マイクロディスク７０３の表面に金属微粒子７０４を備えるようにしてもよい。
【０３９２】
また、マイクロディスクからなる半導体レーザを用いる場合、図３５に示すような構成としてもよい。図３５は、半導体レーザを斜め上から見た斜視図である。この図に示すように、端面発光型のストライプ導波路（ファブリペロー型共振器構造）８０２、円柱導波路８０３を組み合わせることにより、活性層８０６で生成された誘導放出光の一部が円柱導波路８０３内に導かれ、円柱導波路８０３におけるウィスパリングギャラリーモードと結合する。半導体レーザの端面８０７を底面とするように、この半導体レーザを浮上型スライダー１と一体として形成することによって、あるいは浮上型スライダー１に接合することによって、円柱導波路８０３の一部を記録媒体７へ近接させることができる。これにより、図３４の構成におけるマイクロディスクと同様に、円柱導波路８０３から記録媒体７への光トンネリングが生じ、熱アシスト磁気記録再生を行える。
【０３９３】
なお、図３５の構成では、ストライプ導波路８０２の端面に高反射膜８０４を備えている。これにより、ストライプ導波路８０２から記録媒体７への光出力の流出を防止できる。また、円柱導波路８０３は、記録媒体への散乱を増加するため、図３７および図３８と同様、金属微粒子や曲率の異なる面を備えるようにしてもよい。また、磁気ヘッド８０５は、図３５に示した配置に限るものではなく、記録媒体の加熱領域を考慮して適切な位置に設けるとよい。
【０３９４】
また、図３５の構成では、ストライプ導波路８０２および円柱導波路８０３の双方に活性層が設けられているが、円柱導波路８０３はパッシブであってもよい。また、高反射膜８０４は誘電体を複数備えたものであっても、金属あるいは金属と誘電体の複合膜であってもよい。
【０３９５】
ところで、円柱導波路８０３は中心部をくり抜いた、あるいは中心部を円柱導波路８０３の屈折率よりも低い屈折率を持つ材料で満たした、リング型共振器としてもよく、この場合にも同様の効果を得られる。図３６は、このような構成の半導体レーザの一例を示す斜視図である。
【０３９６】
この図に示す半導体レーザは、端面発光型のストライプ導波路（ファブリペロー型共振器構造）９０２、リング導波路９０３を組み合わせることにより、活性層９０６から生成した誘導放出光の一部はリング導波路９０３内に導かれ、リング導波路９０３におけるウィスパリングギャラリーモードと結合する。なお、リング導波路９０３の中心部、すなわち、くり抜いた部分、あるいは中心部を円柱導波路の屈折率よりも低い屈折率を持つ材料で満たした領域は、図３６において符号９０８で示している。
【０３９７】
半導体レーザの端面９０７を底面とするように、半導体レーザを浮上型スライダー１と一体として形成することにより、あるいは浮上型スライダー１に接合することにより、リング導波路９０３の一部を記録媒体７へ近接させることができる。これにより、図３５や図３６におけるマイクロディスクと同様に、リング導波路９０３から記録媒体７への光トンネリングが生じ、熱アシスト磁気記録再生を行える。
【０３９８】
なお、図３６の構成では、ストライプ導波路９０２の端面に高反射膜９０４を備えている。これにより、ストライプ導波路９０２から記録媒体７への光出力の流出を防止できる。また、リング導波路９０３は記録媒体７への散乱を増加するため、図３７および図３８と同様、金属微粒子や曲率の異なる面を備えるようにしてもよい。また、磁気ヘッド９０５は、図３６に示した配置に限るものではなく、記録媒体の加熱領域を考慮して適切な位置に設けるとよい。
【０３９９】
また、図３６の構成では、ストライプ導波路９０２およびリング導波路９０３の双方に活性層が設けられているが、リング導波路９０３はパッシブであってもよい。また、高反射膜９０４は誘電体を複数備えたものであっても、金属あるいは金属と誘電体の複合膜であってもよい。
【０４００】
なお、上記各実施の形態における記録再生装置において、浮上型スライダー１が非動作時に動作時の浮上位置から上昇する機構を備えるようにしてもよい。この場合には、半導体レーザ２を設けた浮上型スライダー１が動作時の浮上高さにある場合にのみ半導体レーザ２を駆動することが好ましい。半導体レーザ２からの発熱は、記録媒体７を介して放熱されるので、浮上型スライダー１が非動作位置にある場合には、半導体レーザ２からの放熱特性が悪化する。このため、浮上型スライダー１が非動作位置にある場合には、半導体レーザ２を駆動しないことが望ましい。また、駆動する場合でも、１０％以下のデューティー比をもつパルス駆動や、１０ｍＡ以下の低電流による駆動とすることが好ましい。
【０４０１】
また、非動作時から動作時への移行において、動作時の浮上位置に移動する際に、あらかじめ浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２などの電子デバイスに、微量電流を流して予備加熱してもよい。動作時の浮上位置にある浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２は、駆動後に温度安定化に時間を要し、その間の熱アシスト磁気記録再生はＳ／Ｎ比の悪化を伴う。このため、温度安定化するまで一定時間記録再生を待つような駆動方式としてもよいが、浮上型スライダー１が非動作時に動作時の浮上位置から上昇する機構を備え、非動作時から動作時への移行において、動作時の浮上位置に移動する際に、熱アシスト磁気記録再生動作時の半導体レーザ２の温度になるように、浮上型スライダー１に設けられた半導体レーザ２などの電子デバイスに微量電流を流して予備加熱することで、アクセス時間を低減できる。この結果、半導体レーザ２などの電子デバイスからの発熱量を低減させることができ、浮上型スライダー１および記録媒体７の温度上昇を低減できる。
【０４０２】
また、上記各実施の形態における記録再生装置では、全ての処理を制御部１０の制御により行うとしている。しかしながら、これに限らず、これらの処理を行うためのプログラムを記録媒体に記録し、このプログラムを読み出すことのできる情報処理装置を、制御部１０に代えて用いるようにしてもよい。すなわち、制御部１０の機能および各処理ステップは、ＣＰＵなどの演算手段が、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭなどの記憶手段に記憶されたプログラムを実行することにより実現することができる。したがって、これらの手段を有するコンピューターが、上記プログラムを記録した記録媒体を読み取り、当該プログラムを実行するだけで、上記各実施の形態における記録再生装置の制御部１０の各種機能および各種処理を実現することができる。また、上記プログラムをリムーバブルな記録媒体に記録することにより、任意のコンピューター上で上記の各種機能および各種処理を実現することができる。なお、上記のプログラムとは、処理を実現するソフトウェアのプログラムコード（実行形式プログラム，中間コードプログラム，ソースプログラム等）のことである。このプログラムは、単体で使用されるものでも、他のプログラム（ＯＳ等）と組み合わせて用いられるものでもよい。また、このプログラムは、記録媒体から読み出された後、装置内のメモリ（ＲＡＭ等）にいったん記憶され、その後再び読み出されて実行されるようなものでもよい。
【０４０３】
このような記録媒体としては、マイクロコンピュータで処理を行うために図示しないメモリ、例えばＲＯＭのようなプログラムメディアであっても良いし、また、図示しない外部記憶装置としてプログラム読み取り装置を設け、そこに記録媒体を挿入することによって読み取り可能なプログラムメディアであっても良い。
【０４０４】
また、何れの場合でも、格納されているプログラムは、マイクロプロセッサがアクセスして実行される構成であることが好ましい。さらに、プログラムを読み出し、読み出されたプログラムは、マイクロコンピュータのプログラム記憶エリアにダウンロードされて、そのプログラムが実行される方式であることが好ましい。なお、この場合、ダウンロード用のプログラムは予め本体装置に格納されているものとする。
【０４０５】
また、上記プログラムメディアとしては、記録再生装置に装着されているものであってもよく、あるいは、記録再生装置と分離可能に構成される記録媒体であってもよい。このような記録媒体としては、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスクやＣＤ／ＭＯ／ＭＤ／ＤＶＤ等のディスクのディスク系、ＩＣカード（メモリカードを含む）等のカード系、あるいはマスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）、フラッシュＲＯＭ等による半導体メモリを含めた固定的にプログラムを担持する記録媒体等を適用できる。また、熱アシスト磁気記録再生方式の記録媒体であってもよい。
【０４０６】
また、インターネットを含む通信ネットワークを接続可能なシステム構成であってもよく、この場合、通信ネットワークからプログラムをダウンロードするように流動的にプログラムを担持する記録媒体であってもよい。すなわち、上記のプログラムを、ネットワーク（有線回線あるいは無線回線に接続されたもの）等の伝送媒体（流動的にプログラムを保持する媒体）を介して取得するようにしてもよい。
【０４０７】
さらに、このように通信ネットワークからプログラムをダウンロードする場合には、そのダウンロード用のプログラムは予め本体装置に格納しておくか、あるいは別な記録媒体からインストールされるものであることが好ましい。
【０４０８】
なお、本発明は、記録媒体を浮上型スライダーに設けられた半導体レーザおよび電子デバイスのヒートシンクとして用いるものである、と表現することもできる。また、本発明は、浮上型スライダーからの熱を、記録媒体へ十分に放熱させるとともに、上記記録媒体の温度上昇を考慮した上記半導体レーザの駆動方法、および、熱アシスト磁気記録再生方式による記録再生装置を提供するものである、と表現することもできる。
【０４０９】
また、本発明は、記録媒体における径方向の熱伝導率を適切にし、記録媒体から筐体外部への放熱機構を設けたものである、と表現することもできる。また、本発明は、記録媒体の径方向の熱分布を補償する駆動方法を提供するものであり、この駆動方法を上記した各構成と併用することが望ましい。
【０４１０】
本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０４１１】
本発明は、半導体レーザを用いて、熱アシスト磁気記録再生方式で情報の記録および再生を行う、記録再生装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０４１２】
【図１】（ａ）は本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置の構造を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における浮上型スライダーを底面側から見た平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における浮上型スライダーの概略構成図である。
【図４】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における半導体レーザの平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における受光素子の配置例を示す概略構成図である。
【図６】（ａ）は本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置に備えられる浮上型スライダーにおける、リッジの配置例を示す平面図であり、（ｂ）は本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置に備えられる浮上型スライダーにおける、リッジの他の配置例を示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における半導体レーザを、パルス電流により駆動した場合の、Ｉ（電流）−Ｌ（光出力）特性を示すグラフである。
【図８】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における記録媒体の構造を示す断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における記録媒体７、およびＡｌ基板、およびガラス基板についての熱シミュレーション結果を示すグラフである。（ｂ）は、（ａ）のシミュレーションにおける測定点を示す平面図である。（ｃ）は、半導体レーザ２の温度と、記録媒体７の熱伝導率との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置における記録媒体の温度特性を示すグラフである。
【図１１】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸に放熱機構を設けた場合の構成例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸に放熱機構を設けた場合の他の構成例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸の上下に放熱機構を設ける場合の構成例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸の内部に当該回転中心軸を駆動するためのモーターを備える場合の構成例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸の外部に当該回転中心軸を駆動するためのモーターを備える場合の構成例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１６】（ａ）は、本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸が、当該回転中心軸を駆動するモーターのケースを兼ねる構成の一例（放熱機構例）を示す断面図である。（ｂ）は、本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸が、当該回転中心軸を駆動するモーターのモーター軸を兼ねる構成の一例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸における少なくとも一方の端部が、筐体の外部に突き出して外気７６と接触する構成の一例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１８】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置において、回転中心軸の端部が流体軸受けによって支持されている構成の一例（放熱機構例）を示す断面図である。
【図１９】本発明の他の実施の形態にかかる記録再生装置における、浮上型スライダーおよび半導体レーザの平面図である。
【図２０】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置における、ヒートシンク（放熱機構）部位の構成例を示す概略断面図である。
【図２１】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置における、ヒートシンク（放熱機構）の他の構成例を示す概略断面図である。
【図２２】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置、すなわちヒートシンク（放熱機構）を備えた構成、および、ヒートシンクを備えない構成における、温度上昇のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２３】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置、すなわち筺体内に対流機構（放熱機構）を設け、筺体に冷却機構（放熱機構）を設けた構成の一例を示す平面図である。
【図２４】本発明の一実施の形態にかかる記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２５】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置における、半導体レーザの駆動電流波形の一例を示すグラフである。
【図２６】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置における、半導体レーザの駆動電流波形の他の例を示すグラフである。
【図２７】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置における、半導体レーザの駆動電流波形のさらに他の例を示すグラフである。
【図２８】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置における、動作の流れを示すフローチャートである。
【図２９】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置の概略構成を示す斜視図である。
【図３０】本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置において、記録媒体から情報を読み出す際の動作を説明するための説明図である。
【図３１】（ａ）は本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置、すなわち補助熱源を備えた構成の一例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した構成の平面図である。
【図３２】（ａ）は本発明のさらに他の実施の形態にかかる記録再生装置、すなわち補助熱源を備えた構成の他の一例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した構成の平面図である。
【図３３】本発明の記録再生装置に備えられる半導体レーザの構成例を示す断面図である。
【図３４】本発明の記録再生装置に備えられる半導体レーザの他の構成例を示す断面図である。
【図３５】本発明の記録再生装置に備えられる半導体レーザのさらに他の構成例を示す断面図である。
【図３６】本発明の記録再生装置に備えられる半導体レーザのさらに他の構成例を示す断面図である。
【図３７】図３４に示した半導体レーザにおいて、マイクロディスクの一部に欠け部分を備える場合の構成を示す概略断面図である。
【図３８】図３４に示した半導体レーザにおいて、マイクロディスクの一部に金属微粒子を備える場合の構成を示す概略断面図である。
【図３９】本発明の記録再生装置に備えられる浮上機構の構成例を示す要部断面図である。
【図４０】本発明の記録再生装置の構成例を示す概略ブロック図である。
【図４１】本発明の記録再生装置における動作の一例を示したフローチャートである。
【図４２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の記録再生装置における動作の他の例を示したフローチャートである。
【符号の説明】
【０４１３】
１、１０１  浮上型スライダー
２、１０２  半導体レーザ
３  記録ヘッド（磁気ヘッド）
４  再生ヘッド（磁気ヘッド）
５  サスペンション
６  受光素子
７  記録媒体
８、７２  回転中心軸（放熱機構）
１１  整流用凸部（放熱機構）
１２  整流用凹部（放熱機構）
１３  近接場光発生機構
６２  第２のヒートシンク層（放熱機構）
６５  第１のヒートシンク層（放熱機構）
７３  中空部位（放熱機構）
７４  筺体
７７  整流機構（放熱機構）
８５  ヒートシンク部位（放熱機構）
８６  流体軸受け（放熱機構）
２０４  ヒートシンク（放熱機構）
３０５  冷却機構（放熱機構）
３０６  対流機構（整流機構、放熱機構）
５０４  補助半導体レーザ（補助熱源）
５０５  半導体レーザ導引用光学系
５２０  熱源（補助熱源）
Ｔ１  磁気再生温度または磁気記録温度
Ｔ２  磁気的補償温度
１０００  支柱
１００２  駆動軸ツバ部
１００３  駆動軸
１００４  支柱鉤部
１００５  浮上機構
１０１０  浮上部
１０１５  検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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