(57)【要約】【課題】  電子線装置に使用される電子ビームのブランキング装置において、アパチャ板などの電子線受け部分に蓄積された電荷が、非ビームオフ時の電子ビームの軌道へ影響を与えることを防止する。【解決手段】  電子ビームのブランキング装置を、電子線源１４から生じる電子ビームを受ける部分６３と電子ビームを通過させる部分６２とを有する電子線受け部６１と、電子線源１４と電子線受け部６１との間に設けられ、電子ビーム１５を異なる２方向に偏向可能な偏向器７２〜７５と、を備えて構成する。【選択図】      図６
2005277046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線源から生じる電子ビームを受ける部分と該電子ビームを通過させる部分とを有する電子線受け部と、
前記電子線源と前記電子線受け部との間に設けられ、前記電子ビームを異なる２方向に偏向可能な偏向器と、
を備える電子ビームのブランキング装置。
【請求項２】
さらに、前記電子線受け部上において前記電子ビームの光軸について軸対称に定められた複数箇所に、所定時間づつ前記電子ビームが順次照射するように前記偏向器を制御する偏向制御部を備える請求項１に記載のブランキング装置。
【請求項３】
さらに、前記電子線受け部上の前記電子ビームの照射位置が、前記電子ビームを通過させる部分の周囲を周回するように、前記偏向器を制御する偏向制御部を備える請求項１に記載のブランキング装置。
【請求項４】
さらに、前記電子線受け部上の前記電子ビームの照射位置が、前記電子ビームの光軸について軸対称に周回するように、前記偏向器を制御する偏向制御部を備える請求項１に記載のブランキング装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のブランキング装置を備えることを特徴とする電子線装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のブランキング装置を備えることを特徴とする電子線露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電子線露光装置であって、
露光パターンに対応する開口を有するマスクを備え、
前記マスクが、前記電子線受け部をなすことを特徴とする電子線露光装置。
【請求項８】
電子線源から生じる電子ビームを異なる２方向に偏向させて、前記電子ビームを受ける部分と前記電子ビームを通過させる部分とを有する電子線受け部で受ける電子ビームのブランキング方法。
【請求項９】
前記電子線受け部上において、前記電子ビームの光軸について軸対称に複数の電子ビーム照射箇所を定め、
これらの箇所を所定時間づつ前記電子ビームが順次照射するように前記電子ビームを偏向する請求項８に記載のブランキング方法。
【請求項１０】
前記電子線受け部上の前記電子ビームの照射位置が前記電子ビームを通過させる部分の周囲を周回するように、前記電子ビームを偏向する請求項８に記載のブランキング方法。
【請求項１１】
前記電子線受け部上の前記電子ビームの照射位置が前記電子ビームの光軸について軸対称に周回するように、前記電子ビームを偏向する請求項８に記載のブランキング方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか一項に記載のブランキング方法であって、
露光パターンに対応する開口を有するマスクを通過した電子ビームで、試料に前記露光パターンを露光する電子線露光に使用され、
前記電子線受け部として前記マスクを使用するブランキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームを使用する電子線装置において、試料への電子ビーム照射を行わないときにビームオフを行うブランキング装置及びブランキング方法に関する。特に、半導体集積回路などの製造工程で使用される微細パターンを露光する電子線露光装置における、電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化のニーズに伴い、回路パターンの一層の微細化が要望されている。現在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置であり、電子ビーム直接描画装置やＸ線露光装置などの新しい方式の露光装置が開発されている。
【０００３】
最近では新しい方式の露光装置として、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子線近接露光装置が開示されている（例えば特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願の特許文献２）。
【０００４】
図１は、特許文献１に開示された電子線近接露光装置の基本構成を示す図である。この図を参照して、電子線近接露光装置について簡単に説明する。図示するように、電子光学鏡筒（カラム）１０内には、電子ビーム１５を発生する電子線源１４と整形アパチャ１８と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２、対となる主偏向器２１、２２と、対となる副偏向器５１、５２とを含み、電子ビーム１５を光軸１９に平行に走査する走査手段２４、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０、および静電チャック４４とＸＹステージ４６とから構成される。試料（半導体ウエハ）４０は、表面にレジスト層４２が形成され、静電チャック４４上に保持されている。
【０００５】
図２（Ａ）は、マスク３０の上面図である。マスク３０は、厚い外縁部３４内の中央に開口が形成された薄膜部３２を有しており、試料４０は表面がマスク３０に近接するように配置される。開口は露光パターンに対応している。
この状態で、電子ビーム１５は、走査手段２４により偏向されて、図２（Ｂ）に示すようにマスク３０の薄膜部３２上を走査して全面にわたって垂直に照射される。すると、マスクの開口を通過した電子ビーム１５が試料４０の表面のレジスト層４２に照射され、試料４０上に露光パターンが露光される。
【０００６】
また、走査手段２４中の副偏向器５１、５２は、マスク歪みを補正するように電子ビームのマスクパターンへの入射角度を制御（傾き補正）する。いま図３に示すように電子ビーム１５の露光用のマスク３０への入射角度をα、露光用のマスク３０と試料４０とのギャップをＧとすると、入射角度αによるマスクパターンの転写位置のずれ量δは、次式、
δ＝Ｇ・ｔａｎα
で表される。
【０００７】
図３上では、マスクパターンは、ずれ量δだけ正規の位置からずれた位置に転写される。したがって、例えば露光用のマスク３０に図４（Ａ）に示されるようなマスク歪みがある場合には、電子ビーム走査位置におけるマスク歪みに応じて電子ビームの傾き制御を行うことにより、図４（Ｂ）に示されるようにマスク歪みのない状態でのマスクパターンが転写される。
【０００８】
ＸＹステージ４６は、載置する試料４０を水平の直交２軸方向（ＸＹ方向）に移動させるもので、マスクパターンの等倍転写が終了する毎に試料４０を所定量移動させ、これにより１枚の試料４０に複数のマスクパターンを転写できるようにしている。なおＸＹステージ４６は、垂直方向（Ｚ方向）を回転軸にして、試料４０を回転させることも可能である。
【０００９】
電子線近接露光装置のような電子線装置では、電子ビーム１５の照射対象である試料への電子ビーム照射を停止するために、図１に示すアパチャ板６１とブランキング偏向器７１とからなるブランキング機構を備えている。図５（Ａ）はブランキング機構の動作を説明する図である。
【００１０】
アパチャ板６１は、電子ビームを通過させる部分である通過孔６２と、通過孔６２の周囲に設けられる電子を受けるための部分である板部６３とを備える。通過孔６２は電子線源１４から生じた電子ビーム１５の光軸１９が通過するように設けられ、ブランキング偏向器７１によって偏向されていない電子ビーム１５が通過することができる。
【００１１】
ブランキング偏向器７１は、電子ビーム１５を偏向するための偏向電極１極または対向２極を有する静電偏向器（または磁気偏向器）であり、電子線源１４から生じた電子ビーム１５を１方向に偏向して前記光軸１９からそらせ、板部６３に照射させることができる（図５（Ａ）参照）。
板部６３は照射された電子ビーム１５を受け止め、板部６３より下方（すなわち電子線源１４からみて後方）に電子ビーム１５が進まないように遮断する。板部６３は導電体で構成されており、かつ照射された電子ビーム１５の電子が蓄積しないように接地されている。
電子ビーム１５を受けるアパチャ板６１に代えて、ファラデーカップのような電子ビーム受け構造が使用される機構もある。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第5,831,272号明細書（全体）
【特許文献２】日本特許第2951947号公報（全体）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述の通り、アパチャ板６１は導電体で構成され、また照射された電子ビーム１５の電荷が蓄積しないように接地されている。これは、ブランキングされた電子ビーム１５の電荷がアパチャ板６１上の一部に蓄積されると、電子ビーム光軸１９に非対称な電界が発生して電子ビーム１５の軌道に影響を与えるため、これを避ける必要があるからである。
【００１４】
しかし、電子線露光装置のように電子ビームが照射されたレジスト層からガスが発生する電子線装置では、板部６３上の電子ビームの照射を受けた部分にコンタミネーションが生じて絶縁層が形成される。
したがって、板部６３を接地導電体で構成しても、コンタミネーションにより形成された絶縁層の上から、ブランキングされた（ビームオフされた）電子ビーム１５がさらに照射されると、その照射箇所６４に電荷が蓄積されるといった現象が発生する（図５（Ｂ）参照）。
【００１５】
板部６３上の一定領域６４に電荷が蓄積されると、蓄積電荷により光軸１９に非対称な電界が発生して、非ブランキング時（すなわち試料照射時）における電子ビーム１５の軌道に影響を与え、電子ビーム１５を光軸１９をそらしてしまう。この現象は電子ビーム１５の試料への照射位置の動揺を招来する。
特に比較的電流値の大きな電子ビームを使用する電子線近接露光装置では、アパチャ板６１のコンタミネーションが多く発生するため、かかる問題点に対する対策を施すことが重要である。
【００１６】
上記問題点を鑑みて、本発明の目的は、電子線装置に使用される電子ビームのブランキング装置において、アパチャ板などの電子線受け部分に蓄積された電荷が、電子ビームの軌道へ影響を与えることを防止することとする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明に係る電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法では、電子線受け部の電子ビーム通過孔付近に蓄積される電荷をその周囲に分散させて、蓄積電荷分布の偏りを低減する。
【００１８】
このため、本発明の第１形態に係る電子ビームのブランキング装置は、電子線源から生じる電子ビームを受ける部分と電子ビームを通過させる部分とを有する電子線受け部と、電子線源と電子線受け部との間に設けられ、電子ビームを異なる２方向に偏向可能な偏向器と、を備える。
【００１９】
また、本発明の第２形態に係る電子ビームのブランキング方法は、電子線源から生じる電子ビームを異なる２方向に偏向させて、電子ビームを受ける部分と電子ビームを通過させる部分とを有する電子線受け部で受ける。
【００２０】
本発明に係る電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法では、電子ビームの光軸について軸対称に複数の電子ビーム照射箇所を定め、これらの箇所を所定時間づつ電子ビームが順次照射するように前記電子ビームを偏向することとしてよい。
また、電子線受け部上の電子ビームの照射位置が電子ビームを通過させる部分の周囲を周回するように電子ビームを偏向することとしてもよい。電子ビームの照射位置が、電子ビームの光軸について軸対称に周回するように偏向することとしてよい。
【００２１】
また、特に本発明に係るブランキング装置及びブランキング方法を、露光パターンに対応する開口を有するマスクを有する電子線露光装置に使用する場合には、このマスクを電子線受け部として使用してよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法では、ブランキング時の電子ビームの照射箇所が、電子線受け部の電子ビーム通過孔の周囲に分散するように偏向される。これにより、電子線受け部に電荷が偏って蓄積されることが防止され、ブランキングにより蓄積された電荷による非ブランキング時の電子ビーム軌道への影響を低減することが可能となる。
【００２３】
さらに、ブランキング時の電子ビームの照射箇所が、電子ビームの光軸について軸対称に分散するように電子ビームを偏向することにより、電子線受け部に蓄積された電荷による電界をかかる光軸について軸対称とする。これによりブランキングにより蓄積された電荷による非ブランキング時の電子ビーム軌道への影響をさらに低減することが可能となる。
【００２４】
また、電子線受け部上の電子ビーム照射箇所が複数箇所に分散されるため、電子線受け部上のコンタミネーション箇所も分散され、一定時間に１箇所に生じるコンタミネーションの程度が低減する。これにより電子線受け部の洗浄の頻度を少なくすることが可能となる。
【００２５】
また、特に本発明に係るブランキング装置及びブランキング方法を、露光パターンに対応する開口を有するマスクを有する電子線露光装置に使用する場合において、マスクを電子線受け部として使用することにより、上記効果に加えて、露光時の電子ビーム照射熱によるマスクの露光パターン歪みを低減することが可能となる。
【００２６】
すなわち、前記電子線露光装置のマスクを電子線受け部として使用する場合、電子ビーム通過孔である露光パターンに対応する開口の周囲のマスク外縁部分を、前記電子ビームを受ける部分として使用する。
電子線露光装置では、露光の際に電子ビームによってマスクの照射箇所が局所的に加熱され、その照射箇所とそれ以外の箇所との温度比によって、露光パターンに対応する開口に歪みが生じる。
本発明に係るブランキング装置及びブランキング方法では、ブランキングの際に電子ビームの前記外縁部分上の照射箇所が光軸１９に軸対称となるように、または前記外縁部分の周囲を周回して照射するように、電子ビームを偏向する。これによりブランキング時にマスク全体が均一に予熱されるため、非ブランキング時に生じる電子ビーム照射箇所とそれ以外の箇所との温度比を減少して、前記パターン歪みが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図６は、本発明の実施例に係るブランキング装置を備える電子線近接露光装置の基本構成図である。電子線近接露光装置１の基本構成は、図１に示した構成及び上記の文献１に開示された構成に類似した構成を有している。よって、図１と同一の機能部分には同一の参照番号を付して表し、詳しい説明は省略する。
【００２８】
図６に示すように、電子線近接露光装置は、カラム１０内に、電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と整形アパチャ１８と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２、対となる主偏向器２１、２２と、対となる副偏向器５１、５２とを含み、電子ビーム１５を光軸に平行に走査するように前記電子ビーム１５を偏向する走査手段２４、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０、静電チャック４４とＸＹステージ４６とから構成される。試料（半導体ウエハ）４０は、表面にレジスト層４２が形成され、静電チャック４４上に保持されている。
そしてマスク３０は、静電チャック４４に吸着された試料４０の表面に近接するように（マスク３０と試料４０とのギャップが、例えば、５０μｍとなるように）配置される。
【００２９】
また電子線近接露光装置は、試料４０への電子ビーム１５の照射を停止するために、電子線受け部であるアパチャ板６１とブランキング偏向器７２〜７５とからなるブランキング機構を備えている。ブランキング偏向器７２〜７５は、ブランキング偏向制御部８１によって制御され、ブランキング偏向制御部８１は、電子線近接露光装置の制御を司るコンピュータなどの制御部（図示せず）のブランキング命令信号に従って、ブランキング偏向器７２〜７５を制御して、電子ビーム１５のブランキングを行う。
【００３０】
図７（Ａ）は、本発明の実施例に係るブランキング装置の構成図である。
アパチャ板６１は、電子ビームを通過させる部分である通過孔６２と、通過孔６２の周囲に設けられる電子を受けるための部分である板部６３とを備える。通過孔６２は電子線源１４から生じた電子ビーム１５の光軸１９が通過するように設けられ、ブランキング偏向器７２〜７５による偏向がなされていない電子ビーム１５が通過することができる。
【００３１】
ブランキング偏向器７２〜７５は、異なる２つの方向であるｘ方向及びｙ方向に電子ビーム１５を偏向可能な静電偏向器であり、例えば、偏向電極７２及び７３からなるｘ方向ブランキング偏向器７２及び７３と、偏向電極７４及び７５からなるｙ方向ブランキング偏向器７４及び７５とを組み合わせて構成される。
【００３２】
また、ブランキング偏向器は、異なる２つの方向であるｘ方向及びｙ方向に電子ビーム１５を偏向可能な偏向手段であればどのようなものでもよく、上記の静電偏向器に限らず磁気偏向器であってもよい。
【００３３】
このｘ方向ブランキング偏向器７２及び７３と、ｙ方向ブランキング偏向器７４及び７５との組合せによって、ブランキング偏向器７２〜７５は、電子ビーム１５を任意の方向に変更可能であり、電子ビーム１５をアパチャ板６１上の任意の位置に照射することが可能である。
【００３４】
ブランキング偏向制御部８１は、ブランキング時の電子ビーム１５のアパチャ板６１上の照射位置を決定する照射位置決定部８２と、照射位置決定部８２により決定された照射位置に電子ビーム１５を偏向するのに必要なｘ方向偏向指令信号をｘ方向ブランキング偏向器７２及び７３に出力するｘ方向制御部８３と、ｙ方向偏向指令信号をｙ方向ブランキング偏向器７４及び７５に出力するｙ方向制御部８４と、を備える。
【００３５】
図７（Ｂ）（Ｃ）は、照射位置決定部８２により決定される、ブランキング時の電子ビーム１５の照射位置を説明する図である。
照射位置決定部８２は、ブランキング時にアパチャ板６１上に電子ビーム１５を照射する位置として、電子線源１４から生じた電子ビーム１５の光軸１９について軸対称となる複数箇所を定める。
このような光軸１９について軸対称となる複数箇所は、例えば、光軸１９とアパチャ板６１との交点について対称となる辺数３以上の正多角形の頂点としてよい。図７（Ｂ）の例では電子ビーム照射箇所として、光軸１９とアパチャ板６１との交点を中心とする正３角形の頂点６５Ａ〜６５Ｃとする。そして、照射位置決定部８２は、電子ビーム１５がこれらの照射箇所６５Ａ〜６５Ｃ上に照射されるために必要な各ｘ方向偏向量、各ｙ方向偏向量（ｘＡ，ｙＡ）、（ｘＢ，ｙＢ）及び（ｘＣ，ｙＣ）を求める。
【００３６】
ブランキング命令信号を受信すると、照射位置決定部８２は、求められた各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量（ｘＡ，ｙＡ）、（ｘＢ，ｙＢ）及び（ｘＣ，ｙＣ）を、それぞれｘ方向制御部８３及びｙ方向制御部８４に所定時間づつ一定順序で順次出力する。これにより電子ビーム１５は、これらの照射箇所６５Ａ〜６５Ｃ上に所定の時間づつ照射される。照射位置決定部８２は、各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量の出力順序を定めるにあたり、ある照射箇所から次の照射箇所に電子ビーム照射箇所を移動する際に、移動中の電子ビーム１５が光軸１９や、通過孔６２を通過しないように順序を定める。
ブランキングの間、照射位置決定部８２は求められた各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量を、一定順序で繰り返して出力する。
【００３７】
また、照射位置決定部８２は、ブランキング時にアパチャ板６１上に偏向される電子ビーム１５が、通過孔６２の周囲を周回するように位置を変えつつ照射するように、電子ビーム１５を偏向してもよい。
このとき、照射位置決定部８２は、アパチャ板６１上の電子ビーム１５の照射位置が、光軸１９とアパチャ板６１との交点について対称となる辺数３以上の正多角形の辺上を一定速度で移動して周回するように、電子ビーム１５を偏向してもよい。
例えば、図７（Ｂ）の例では、照射位置が、頂点６５Ａ〜６５Ｃを有する光軸１９とアパチャ板６１との交点を中心とする正３角形の辺上を、一定速度で移動して周回するように電子ビーム１５を偏向する。
【００３８】
ブランキング命令信号を受信した照射位置決定部８２は、３角形６５Ａ〜６５Ｃの辺に沿って連続する各位置に、電子ビーム１５を照射されるために必要な各ｘ方向偏向量、各ｙ方向偏向量を、３角形６５Ａ〜６５Ｃの辺に沿った順序で、それぞれｘ方向制御部８３及びｙ方向制御部８４に一定の時間間隔で順次出力する。
【００３９】
ブランキングの間、３角形６５Ａ〜６５Ｃの辺に沿って連続する各位置に対応するｘ、ｙ方向偏向量を、辺６５Ａ〜６５Ｃに沿った順序で、ｘ方向制御部８３及びｙ方向制御部８４に繰り返して出力する。これにより、電子ビーム１５の照射位置は通過孔６２の周囲を周回するように偏向され、かつ電子ビームの光軸１９について軸対称に周回するように偏向される。
【００４０】
また、光軸１９について軸対称となる複数箇所は、図７（Ｃ）のように光軸１９とアパチャ板６１との交点を中心とする一定半径の円周上に、一定角度の間隔をおいて設けられる各点としてもよい。図７（Ｃ）の例では、光軸１９とアパチャ板６１との交点を中心とする一定半径の円周上に、一定角度９０°の間隔をおいて設けられた各点６５Ａ〜６５Ｄとする。
照射位置決定部８２は、電子ビーム１５がこれらの照射箇所６５Ａ〜６５Ｄ上に照射されるために必要な各ｘ方向偏向量、各ｙ方向偏向量（ｘＡ，ｙＡ）、（ｘＢ，ｙＢ）、（ｘＣ，ｙＣ）及び（ｘＤ，ｙＤ）を求める。
【００４１】
ブランキング命令信号を受信すると、照射位置決定部８２は、求められた各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量（ｘＡ，ｙＡ）、（ｘＢ，ｙＢ）、（ｘＣ，ｙＣ）及び（ｘＤ，ｙＤ）を、それぞれｘ方向制御部８３及びｙ方向制御部８４に所定時間づつ一定順序で順次出力する。照射位置決定部８２は、各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量の出力順序を定めるにあたり、ある照射箇所から次の照射箇所に電子ビーム照射箇所を移動する際に、移動中の電子ビーム１５が、光軸１９や通過孔６２を通過しないように順序を定める。
ブランキングの間、照射位置決定部８２は、求められた各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量を、一定順序で繰り返して出力する。
【００４２】
また、照射位置決定部８２は、アパチャ板６１上の電子ビーム１５の照射位置が、光軸１９とアパチャ板６１との光軸を中心とする一定半径の円周上を一定速度で移動して周回するように、電子ビーム１５を偏向してもよい。
【００４３】
ブランキング命令信号を受信した照射位置決定部８２は、光軸１９とアパチャ板６１との光軸を中心とする一定半径の円周に沿って連続する各位置に、電子ビーム１５を照射されるために必要な各ｘ方向偏向量、各ｙ方向偏向量を、円周に沿った順序で、それぞれｘ方向制御部８３及びｙ方向制御部８４に一定の時間間隔で順次出力する。
【００４４】
ブランキングの間、照射位置決定部８２は、円周に沿って連続する各位置に対応するｘ、ｙ方向偏向量を円周に沿った順序で、ｘ方向制御部８３及びｙ方向制御部８４に繰り返して出力する。
【００４５】
電子線近接露光装置は、マスク３０を電子線受け部とし、主偏向器２１若しくは２２、又は副偏向器５１若しくは５２を偏向器として、本発明に係るブランキング装置を実現し、ブランキング方法を使用してもよい。
このとき、試料４０への電子ビーム１５を通過させる部分である露光パターンに対応する開口を有する薄膜部３２の周囲にある、厚い外縁部３４を電子ビームを受ける部分として使用してよい。
【００４６】
主偏向器２１及び２２は主偏向制御部２３によって制御され、副偏向器５１及び５２は副偏向制御部５３によって制御される。そして主偏向制御部２３及び副偏向制御部５３は、電子線近接露光装置の制御を司るコンピュータなどの制御部（図示せず）のブランキング命令信号に従って、主偏向器２１若しくは２２又は副偏向器５１若しくは５２を制御して、図８に示すように電子ビーム１５がマスク３０の外縁部３４に照射するように、電子ビーム１５を偏向してブランキングを行う。
【００４７】
主偏向器２１及び２２並びに副偏向器５１及び５２は、異なる２つの方向であるｘ方向及びｙ方向に電子ビーム１５を偏向可能な偏向器である。したがってこれら偏向器は、電子ビーム１５を任意の方向に変更可能であり、電子ビーム１５をマスク３０上の任意の位置に照射することが可能である。
以下、主偏向器２１及び主偏向制御部２３の組合せによりブランキングを行う場合について説明するが、主偏向器２２及び主偏向制御部２３、副偏向器５１及び副偏向制御部５３、並びに副偏向器５２及び副偏向制御部５３の組合せによりブランキングを行う場合についても同様であり、よって説明を省略する。
【００４８】
主偏向制御部２３は、ブランキング時にマスク３０の外縁部３４上に電子ビーム１５を照射する位置を、照射レンズ１６を通過した電子ビーム１５の光軸１９について軸対称となる複数箇所に定める。
このような光軸１９について軸対称となる複数箇所は、例えば、光軸１９とマスク３０との交点について対称となる辺数３以上の正多角形の頂点としてよく、該交点を中心とする一定半径の円周上に一定角度間隔をおいて設けられる各点としてよい。
【００４９】
図８の例では電子ビーム照射箇所として、光軸１９とマスク３０との交点を中心とする正方形の頂点６５Ａ〜６５Ｄとする。そして、主偏向制御部２３は、電子ビーム１５がこれらの照射箇所６５Ａ〜６５Ｄ上に照射されるために必要な各ｘ方向偏向量、各ｙ方向偏向量（ｘＡ，ｙＡ）、（ｘＢ，ｙＢ）、（ｘＣ，ｙＣ）及び（ｘＤ，ｙＤ）を求める。
【００５０】
ブランキング命令信号を受信すると、主偏向制御部２３は、求められた各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量（ｘＡ，ｙＡ）、（ｘＢ，ｙＢ）、（ｘＣ，ｙＣ）及び（ｘＤ，ｙＤ）に応じた偏向指令信号を、主偏向器２１に所定時間づつ一定順序で順次出力する。これにより電子ビーム１５は、これらの照射箇所６５Ａ〜６５Ｄ上に所定の時間づつ照射される。主偏向制御部２３は、各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量の出力順序を定めるにあたり、ある照射箇所から次の照射箇所に電子ビーム照射箇所を移動する際に、移動中の電子ビーム１５が光軸１９や、マスク３０の薄膜部３２を通過しないように順序を定める。
ブランキングの間、主偏向制御部２３は求められた各ｘ方向偏向量及び各ｙ方向偏向量に応じた偏向指令信号を、一定順序で繰り返して出力する。
【００５１】
また、主偏向制御部２３は、ブランキング時にマスク外縁部３４上に偏向される電子ビーム１５が、薄膜部３２の周囲を周回するように位置を変えつつ照射するように、電子ビーム１５を偏向してもよい。
このとき、主偏向制御部２３は、マスク外縁部３４上の電子ビーム１５の照射位置が、光軸１９とマスク３０との交点について対称となる辺数３以上の正多角形の辺上を一定速度で移動して周回するように、電子ビーム１５を偏向してもよい。または該交点を中心とする一定半径の円周上を一定速度で移動して周回するように、電子ビーム１５を偏向してもよい。
例えば、図８の例では、照射位置が、頂点６５Ａ〜６５Ｄを有する光軸１９とマスク３０との交点を中心とする正方形の辺上を、一定速度で移動して周回するように電子ビーム１５を偏向する。
【００５２】
ブランキング命令信号を受信した主偏向制御部２３は、正方形６５Ａ〜６５Ｄの辺に沿って連続する各位置に、電子ビーム１５を照射されるために必要な各ｘ方向偏向量、各ｙ方向偏向量に応じた偏向指令信号を、辺６５Ａ〜６５Ｄに沿った順序で、主偏向器２１に一定の時間間隔で順次出力する。
【００５３】
主偏向制御部２３は、ブランキングの間、辺６５Ａ〜６５Ｄの辺に沿って連続する各位置に対応するｘ、ｙ方向偏向量に応じた偏向指令信号を、辺６５Ａ〜６５Ｄに沿った順序で、主偏向器２１に繰り返して出力する。これにより、電子ビーム１５の照射位置はビーム通過孔を有する薄膜部３２の周囲を周回するように偏向され、かつ電子ビームの光軸１９について軸対称に周回するように偏向される。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】電子線近接露光装置の基本構成図である。
【図２】（Ａ）はマスクの上面図であり、（Ｂ）は電子ビームの走査方法の説明図である。
【図３】電子ビームの傾き制御の説明図である。
【図４】マスク歪み補正の説明図である。
【図５】（Ａ）および（Ｂ）は、従来のブランキング機構の説明図である。
【図６】本発明の実施例に係る電子線近接露光装置の基本構成図である。
【図７】（Ａ）は本発明の実施例に係るブランキング装置の構成図であり、（Ｂ）及び（Ｃ）は、電子ビームの偏向制御の例を示す図である。
【図８】マスクを使用したブランキング方法の説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１４…電子線源
１５…電子ビーム
１９…光軸
２１、２２…主偏向器
３０…マスク
４０…試料
５１、５２…副偏向器
６１…電子線受け部
７２〜７５…ブランキング偏向器
８１…ブランキング偏向制御部
【図１】
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【図２】
2005277046.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005277046.tif 000008
【図７】
2005277046.tif 000009
【図８】
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