(57)【要約】【課題】基板にイオンを注入する際、イオンの損失を抑えて、浅く、かつ、高濃度にイオンを注入する。【解決手段】イオン注入装置内において、まず、基板上に形成された自然酸化膜を除去する。その後、イオン注入装置内において、続けて、基板へのイオン注入を行う。より具体的な１の方法としては、イオン注入装置のプラズマ室に、エッチングガスを供給して、エッチングガスをプラズマ化し、これを基板に照射して、自然酸化膜を除去する。その後、続けて、同一イオン注入装置内のプラズマ室に、ハロゲンガスを供給して、プラズマ化して、これをガイドチューブ内に充填した後、ガイドチューブ内に、不純物として注入するイオンを供給し、ガイドチューブから、基板上にイオンを照射する。また、この間、イオン注入装置内を高真空に保っておく。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入装置内において、基板上の自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、
前記イオン注入装置内において、前記基板にイオンを注入するイオン注入工程と、
を備えることを特徴とするイオン注入方法。
【請求項２】
前記自然酸化膜除去工程は、
前記イオン注入装置のプラズマ室に、エッチングガスを供給するエッチングガス供給工程と、
前記プラズマ室においてプラズマ化した前記エッチングガスを、前記基板に照射するエッチングガス照射工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項３】
前記エッチングガスとして、ＣＦ４、ＣＦＨ３、あるいは、ＣＨ２Ｆ２を含むガスを用いることを特徴とする請求項２に記載のイオン注入方法。
【請求項４】
前記自然酸化膜除去工程は、
前記エッチングガス供給工程の後、
前記プラズマ化したエッチングガスを、前記イオン注入装置内において、所定のバイアス電圧が印加されたガイドチューブに充填するエッチングガス充填工程を含み、
前記エッチングガス照射工程は、前記ガイドチューブから、前記基板に、エッチングガスを照射することにより行うことを特徴とする請求項２または３に記載のイオン注入方法。
【請求項５】
前記エッチングガス照射工程は、前記ガイドチューブに印加する電圧を必要に応じて変化させることにより、エッチングのエネルギーを調節して行うことを特徴とする請求項４に記載のイオン注入方法。
【請求項６】
前記自然酸化膜除去工程は、前記エッチングガス照射工程において照射した前記エッチングガスを、イオン電流として計測する計測工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のイオン注入方法。
【請求項７】
前記イオン注入工程は、
前記イオン注入装置のプラズマ室に、ハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給工程と、
前記プラズマ室においてプラズマ化されたハロゲンガスを、前記イオン注入装置内において、所定の電圧が印加されたガイドチューブに充填するハロゲンガス充填工程と
前記ガイドチューブに、イオンを供給するイオン供給工程と、
前記ハロゲンガスと、前記イオンの充填されたガイドチューブから、前記基板に注入するイオンを照射するイオン照射工程と、
を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のイオン注入方法。
【請求項８】
基板に、イオンを注入するためのイオン注入装置であって、
供給されたガスをプラズマ化するプラズマ室と、
前記プラズマ室に、前記基板上の自然酸化膜を除去するためのエッチングガスを供給するエッチングガス供給源と、
前記プラズマ室に、ハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給源と、
前記基板に注入するためのイオンを供給する注入イオン供給源と、
前記プラズマ室及びイオン供給源に接続し、前記プラズマ室からのプラズマ化されたガス、あるいは、前記イオン供給源からのイオン、が導入され、かつ、導入された前記ガス又は前記イオンを、前記基板に照射するガイドチューブと、
を備えることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項９】
前記ガイドチューブに接続され、可変に、バイアス電圧を印加するバイアス電源を備えることを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
前記基板に照射された前記エッチングガスを、イオン電流として測定することができるイオン電流計測用電流計を備えることを特徴とする請求項８または９に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、イオン注入方法及びイオン注入装置に関する。更に、具体的には、基板に、不純物を注入する際に用いられるイオン注入方法及びイオン注入装置として好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の微細化、高集積化に伴い、ｐｎ接合においては、接合深さの浅接合化、及び、低抵抗化が求められている。即ち、ｐｎ接合層においては、浅く、高濃度に不純物を注入することが求められている。
【０００３】
半導体基板にｐｎ接合を形成する場合、ＩＩＩ族、Ｖ族の不純物を半導体基板に導入する。この不純物の導入方法としては、一般に、イオン注入法が用いられている。また、イオン注入法においては、一般に、基板上に、膜厚数ｎｍ程度の透過酸化膜を形成し、この透過酸化膜を介して、不純物として、イオンを注入している。
【０００４】
図６は、イオン注入法により、半導体基板にイオンを注入した場合に、半導体基板に注入された不純物の濃度と、深さとの関係を示すグラフ図である。図６において、縦軸は、半導体基板内の不純物濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）を示し、横軸は、半導体基板表面からの深さ（ｎｍ）を示す。
【０００５】
図６に示すように、イオン注入によりイオンを注入した場合、不純物濃度は、基板表面が一番大きい。即ち、注入されたイオンは、基板の表面付近に最も多く取り込まれている。従って、上述のように、イオン注入において透過酸化膜を用いてイオンを注入する場合、透過酸化膜の膜厚が厚いと、注入したイオンの多くが透過酸化膜中に取り込まれることとなる。このため、半導体基板中には、十分な量のイオンが注入されない場合がある。そこで、十分な量のイオンを注入するため、透過酸化膜の膜厚を十分に薄くする必要がある。
【０００６】
図６を参照して、例えば、不純物の損失を１０％以下に抑えるためには、透過酸化膜の膜厚は、０．３ｎｍ程度以下とする必要がある。しかし、現在の薄膜形成技術においては、０．３ｎｍの膜厚の薄膜を形成することは非常に困難である。現在の薄膜形成技術に基づく場合、薄膜の膜厚は、１．５ｎｍ程度が限界であるが、この膜厚でイオン注入を行う場合、不純物の損失は、８０％にも達してしまう。
【０００７】
ここで、十分な不純物濃度を確保するため、イオン注入量を増加するか、あるいは、注入エネルギーを増加させることも考えられるが、これでは、接合深さが深くなってしまい、浅接合化を図ることができない。
【０００８】
そこで、特に、微細化する半導体装置に対応し、十分な不純物濃度を確保するため、透過酸化膜を形成せず、半導体基板の表面が露出した状態で、イオンの注入を行うことも考えられている。この場合、イオンを注入する前に、予め、湿式あるいは、乾式エッチングにより、半導体基板表面から余分な膜を除去する。その後、半導体基板の表面が剥き出しの状態のまま、イオンの注入を行う。ここで、半導体基板の表面に、全く余分な膜が堆積していない状態であれば、注入したイオンは、確実に、半導体基板中に取り込まれるため、不純物の損失を防ぎ、十分に不純物濃度を高くすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のようにイオン注入直前にエッチングを行っても、エッチングの完了からイオン注入までの工程において、半導体基板の搬送などにより、半導体基板表面が大気に露出する機会が生じる。剥き出しの半導体基板は、その表面が活性状態にあるため、大気に晒されると、大気中の水分と容易に反応し、その結果、半導体基板表面に自然酸化膜が堆積されてしまう。
【００１０】
このように堆積される自然酸化膜の膜厚は、大気への露出時間や、湿度によって、異なるものではあるが、通常、０．５ｎｍ〜１．０ｎｍ程度である場合が多い。従って、イオン注入前に、半導体基板上の余分な膜を除去する工程を設けても、自然酸化膜が堆積されると、図６にも示す通り、注入した不純物は、大量に、自然酸化膜内に取り込まれることとなり、不純物の損失が大きくなってしまう。
【００１１】
従って、この発明は、上述の問題を解決し、半導体基板に、浅く、高濃度に不純物を注入するイオン注入方法及びこれに用いるイオン注入装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明によるイオン注入方法は、イオン注入装置内において、基板上の自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、
前記イオン注入装置内において、前記基板にイオンを注入するイオン注入工程と、
を備えるものである。
【００１３】
また、この発明におけるイオン注入装置は、基板に、イオンを注入するためのイオン注入装置であって、
供給されたガスをプラズマ化するプラズマ室と、
前記プラズマ室に、前記基板上の自然酸化膜を除去するためのエッチングガスを供給するエッチングガス供給源と、
前記プラズマ室に、ハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給源と、
前記基板に注入するためのイオンを供給する注入イオン供給源と、
前記プラズマ室及びイオン供給源に接続し、前記プラズマ室からのプラズマ化されたガス、あるいは、前記イオン供給源からのイオン、が導入され、かつ、導入された前記ガス又は前記イオンを、前記基板に照射するガイドチューブと、
を備えるものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を省略ないし簡略化する。
【００１５】
実施の形態．
図１は、この発明の実施の形態において用いるイオン注入装置１００を説明するための模式図である。
イオン注入装置１００は、基板２００に不純物として、イオンを注入するための装置である。
【００１６】
図１に示す通り、イオン注入装置１００には、基板に注入する不純物を供給するためのイオン供給源２が設けられている。イオン供給源２から供給するイオンは、ｐ型あるいはｎ型のそれぞれの場合に応じて、適切なイオンを選択すればよい。イオン供給源２は、ガイドチューブ４に接続されている。
【００１７】
ガイドチューブ４には、プラズマ室６が、接続管８を介して、接続されている。プラズマ室６には、フィラメント１０が設けられている。また、プラズマ室６には、供給管１２の一端が接続されている。供給管１２の他端は二方向に分かれ、一方には、プラズマ室６内に、エッチングガスとして、ＣＦ４を供給するためのＣＦ４供給源１４がバルブ１６を介して設けられ、また、他方には、プラズマ室６内に、Ａｒガスを供給するためのＡｒガス供給源１８がバルブ２０を介して設けられている。また、ガイドチューブ４と、プラズマ室６との間には、バイアス電圧２２が印加されている。
【００１８】
また、ガイドチューブ４のイオン供給源２側とは反対側に対向して、プレート２４が設けられている。プレート２４には、イオン注入の際には、基板２００が装着される。プレート２４は、基板２００よりも径の大きい円盤形状であり、円心を中心とした回転運動、及び、円盤と垂直方向の、往復運動ができるようになっている。ガイドチューブ４と、プレート２４との間には、バイアス電圧２６が印加されている。更に、プレート２４には、イオン電流計測用電流計２８が接続されている。
【００１９】
以上のように構成されたイオン注入装置１００は、従来から用いられているイオン注入装置１００と類似するものである。但し、この実施の形態におけるイオン注入装置１００のプラズマ室６には、供給管１２、及び、バルブ１６、２０を介して、ＣＦ４ガス供給源１４と、Ａｒガス供給源１８とが接続されている。
【００２０】
上述のように、イオン注入装置１００において、ガイドチューブ４と、プレート２４との間には、バイアス電圧２６が印加されている。また、バイアス電圧２６は、必要に応じて、所望の大きさに変更することができる。このバイアス電圧２６により、ガイドチューブ４に充填されたイオンや、あるいは、ＣＦ４等は、所望のエネルギーで加速され、プレート２４上の基板２００に照射されるようになっている。これにより、不純物の注入深さや、あるいは、エッチングの速度などを調節することができる。
【００２１】
また、プラズマ室６内においては、フィラメント１０により発生する熱電子が、プラズマ処理室６内に供給されたガスのガス分子に衝突する。これにより、プラズマ室６に供給されたガス分子は、電気的に分解してイオン化し、やがてプラズマ状態となる。このようにして、プラズマ室６内において、供給されたガスがプラズマ化されるようになっている。
【００２２】
また、プラズマ室６には、供給管１２を介して、ＣＦ４供給源１４と、Ａｒガス供給源１８とが接続され、ガスの供給ができるようになっている。また、ＣＦ４ガスと、Ａｒガスとの供給の切り替えは、供給管１２に設けられたバルブ１６、２０を開閉することにより行うことができる。
【００２３】
また、プラズマ室６内においてプラズマ化したガスは、プラズマ室６と、ガイドチューブ４との間に供給されたバイアス電圧２２により、ガイドチューブ４側に導かれるようになっている。
【００２４】
図２は、この実施の形態において、イオン注入装置１００によりイオンを注入する基板２００について説明するための断面模式図である。
図２において、基板２００は、ＣＭＯＳトランジスタ形成用の基板の一部分を表している。
【００２５】
図２に示すように、Ｓｉ基板３０には、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ；素子分離領域）３２が形成されている。また、Ｓｉ基板３０上の、ＳＴＩ３２により分離された領域には、ゲート絶縁膜３４を介して、ゲート電極３６が形成されている。この実施の形態においては、Ｓｉ基板３０の、ゲート電極３６と、ＳＴＩ３２との間の部分のイオン注入領域３８に、不純物としてのイオンが注入される。ゲート電極３６表面と、ＳＴＩ３２の表面には、イオン注入におけるダメージを防止するため、レジストマスク４０が形成されている。また、Ｓｉ基板３０のイオン注入領域３８上には、自然酸化膜４２が堆積されている。
【００２６】
基板２００において、ゲート電極３６とＳｉ基板３０とに挟まれた部分のゲート絶縁膜３４を残し、Ｓｉ基板３０上の他の部分に形成された余分な絶縁膜は、イオン注入前に、乾式、あるいは、湿式エッチングにより、一度、除去されている。従って、エッチング直後は、Ｓｉ基板３０表面の一部は剥き出しの状態とされる。しかし、基板２００は、各製造工程で用いる所定の処理装置等へ搬送する際等に、大気中に晒される。このため、イオン注入装置１００に装着する前の基板２００は、Ｓｉ基板３０の露出する部分、即ち、イオン注入領域３８上には、自然酸化膜４２が堆積された状態となっている。
【００２７】
この実施の形態においては、図２に示すような自然酸化膜４２が堆積された状態のままの基板２００を、イオン注入装置１００内において処理する。
図３は、この発明の実施の形態におけるイオン注入方法を説明するためのフロー図である。また、図４、図５は、イオン注入の過程における基板２００の状態を説明するための断面模式図である。
以下、図１〜図５を用いて、この発明の実施の形態におけるイオン注入方法について具体的に説明する。
【００２８】
まず、図２に示した状態の基板２００を、イオン注入装置１００内の、プレート２４に装着する（ステップＳ２）。ここでは、イオン注入装置１００に設けられた搬送装置（図示せず）を用いればよい。また、このとき、イオン注入装置１００内は、全体が、高真空に保たれている。また、イオン注入完了まで、この高真空の状態が保たれる。
【００２９】
次に、プラズマ室６内に、ＣＦ４ガスの供給を開始する（ステップＳ４）。ここでは、バルブ１６を開放することにより、ＣＦ４ガス供給源１４から、供給管１２を通じて、プラズマ室６内に、ＣＦ４ガスを供給する。このとき、ＣＦ４ガスの流量は、３ｓｃｃｍ〜５ｓｃｃｍとする。ＣＦ４ガスが供給されると、プラズマ室６内では、フィラメント１０から発生した熱電子が、供給されたＣＦ４ガスのガス分子に衝突する。これにより、ＣＦ４ガスは、電気的に分解して、イオン化し、やがて、プラズマ状態となる。
【００３０】
プラズマ状態となったＣＦ４ガスは、プラズマ室６と、ガイドチューブ４との間に印加されたバイアス電圧２２により、接続管８を介して、ガイドチューブ４内に導かれ、閉じ込められる。
【００３１】
この状態から、図４に示すように、基板２００へ、ＣＦ４ガスが照射される（ステップＳ６）。ガイドチューブ４内に一端閉じ込められたＣＦ４ガスは、ガイドチューブ４と、プレート２４との間に印加された１００Ｖ程度のバイアス電圧２６により、矢印４４の方向に加速され、基板２００に照射され、自然酸化膜４２のエッチングが行われる。なお、基板２００と、プレート２４とは、同心円上に配置され、ＣＦ４ガス照射中は、プレート２４が回転、往復運動をすることにより、基板２００上に、ＣＦ４ガスが均一に照射される。
【００３２】
また、ＣＦ４ガス照射中は、イオン電流計測用電流計２８によりイオン電流を計測する。この実施の形態においては、２００ｍＡ程度のイオン電流を取得することができる条件となっている。また、上述のように印加しているバイアス電圧２６は、Ｓｉ基板３０へのダメージを考慮して、約１００Ｖ程度に抑えている。従って、エッチングに寄与するパワーは、１Ｗ／ｃｍ２である。このパワーと、エッチングの時間、また、ＣＦ４ガスの供給量から、膜厚１ｎｍ程度の自然酸化膜４２を十分に除去するよう、モニターする。
【００３３】
自然酸化膜４２の除去が終了すると、次に、バルブ１６を閉じて、ＣＦ４ガスの導入を停止する（ステップＳ８）。続けて、イオン注入装置１００のバイアス電圧２２、２６の電極を変更する（ステップＳ１０）。ここでは、図１のように、ガイドチューブ４側が、バイアス電圧２２、２６共に、プラスとなっている状態から、ガイドチューブ４側を、共にマイナスに変更する。
【００３４】
次に、Ａｒガスの導入を開始する（ステップＳ１２）。ここでは、バルブ２０を開放することにより、Ａｒガス供給源１８から、プラズマ室６内にＡｒガスを供給する。供給されたＡｒガスは、上述の過程と同様に、熱電子によりプラズマ化されて、バイアス電圧２２により、ガイドチューブ内４に、プラズマ中の電子が導入される。ここで、Ａｒの流量は、２〜３ｓｃｃｍ、バイアス電圧２２は、５〜１０Ｖとする。
【００３５】
次に、図５に示すように、基板２００に注入する不純物として、イオンの供給を開始する（ステップＳ１４）。ここでは、イオン供給源２から、ガイドチューブ４内に、イオンの供給が行われる。ガイドチューブ４内に供給されたイオン及びプラズマ室６よりガイドチューブ４内に導入され、バイアス電圧２６により加速された電子は、基板２００に注入される（ステップＳ１６）。これにより、基板２００に、ソース・ドレイン４６が形成される。同時に、注入された電子は、イオン注入により生じた基板２００上の正の帯電を中和する。
【００３６】
以上説明したように、この実施の形態によれば、浅いｐｎ接合形成のためのイオン注入を行う際、まず、イオン注入処理装置１００内で、基板２００上の自然酸化膜４２を除去してから、そのまま、基板２００を移動せず、イオン注入装置１００内でイオンを注入することができる。また、イオン注入装置１００内は、高真空に保たれている。従って、基板２００の自然酸化膜４２を除去した後、基板２００の表面が剥き出しになった状態でも、イオン注入までの間に自然酸化膜が堆積するのを抑えることができる。従って、ｐｎ接合形成のためのイオン注入の際、自然酸化膜４２の堆積による不純物の損失を抑えることができる。これにより、浅く、高濃度に、イオン注入を行うことができ、浅接合、かつ、低抵抗のｐｎ接合を実現することができる。
【００３７】
また、この実施の形態によれば、従来のイオン注入装置に、ＣＦ４等のエッチングガスを供給できるようにして、バイアス電圧を変更するだけで、自然酸化膜の除去をできるようにしている。従って、特に、特別な装置を準備することなく、浅接合、かつ、低抵抗のｐｎ接合を実現することができ、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００３８】
なお、この実施の形態においては、ｐｎ接合を形成するためのイオン注入について説明した。しかし、この発明は、これに限るものではなく、半導体装置の製造工程等において、自然酸化膜等が形成されるような他の膜にイオンを注入する場合にも適用することができる。この場合にも、注入するイオンの損失を抑えて、高濃度にイオンの注入を行うことができる。
【００３９】
また、この実施の形態では、プラズマ室６内に、供給管１２を介して、ＣＦ４ガス供給源１４と、Ａｒガス供給源１８とを接続し、バルブ１６、２０の開閉により、各ガスの供給を制御する場合について説明した。しかし、この発明において、イオン注入装置はこのような構造に限るものではなく、プラズマ室６内に、ＣＦ４等のエッチングガスと、Ａｒ等のハロゲンガスとを切り替えて導入できるものであれば、他の構造のものであってもよい。
【００４０】
また、この実施の形態においては、エッチングガスとして、ＣＦ４を用いる場合について説明した。しかし、この発明は、これに限るものではなく、ＣＦＨ３、ＣＨ２Ｆ２等、自然酸化膜４２を除去できるエッチングガスであれば、他のガスであってもよい。
【００４１】
また、この実施の形態においては、既存のイオン注入装置のプラズマ室６を用いて、ＣＦ４ガスをプラズマ化し、プラズマエッチングにより、自然酸化膜４２を除去する場合について説明した。しかし、この発明において自然酸化膜の除去方法は、この方法に限るものではなく、イオン注入装置に、他のエッチング用のガスまたは溶液を供給し、同一装置内で、自然酸化膜の除去と、イオン注入とをできるようにしたものであってもよい。自然酸化膜４２の除去方法が異なるものであっても、同一のイオン注入装置内で除去できるものであれば、自然酸化膜４２除去後の、自然酸化膜の堆積を防ぐことができ、従って、浅く、高濃度にイオン注入を行うことができる。
【００４２】
また、実施の形態においては、Ａｒガスをプラズマ化し、不純物としてのイオンを注入する場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、Ａｒガスの代わりに、他のハロゲンガスを用いてもよい。
【００４３】
また、この実施の形態において、イオン電流計測用電流計８をモニターし、エッチング時のパワーや、ＣＦ４ガス注入量等から、自然酸化膜４２が完全に除去された状態となっていることを確認した後に、バルブ１６、２０の開閉等により、自然酸化膜の除去から、イオン注入への切り替えを行う場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、例えば、計測したイオン電流や、バイアス電圧等から、自然酸化膜４２の除去状態を測定し、自動的に切り替えを行う制御装置等を設けたものであっても良い。また、基板２００に、直接、自然酸化膜４２の膜厚等を測定するセンサ等を設けて、膜厚を観測して切り替えるもの等も考えられる。
【００４４】
また、この発明において、イオン注入装置の詳細な構造や、使用するガスの流量、あるいは、電圧等についても、この実施の形態において説明したものに限るものではなく、この発明の目的を達成できるものであればよい。
【００４５】
なお、この実施の形態において、例えば、ＣＦ４供給源１４は、この発明のエッチングガス供給源に該当し、Ａｒガス供給源１８は、ハロゲンガス供給源に該当する。
【００４６】
また、例えば、実施の形態において、ステップＳ４〜Ｓ６を実行することにより、この発明における自然酸化膜除去工程が実行され、ステップＳ１２〜Ｓ１６を実行することにより、イオン注入工程が実行される。また、例えば、ステップＳ４を実行することにより、この発明のエッチングガス供給工程が実行され、ステップＳ６を実行することにより、エッチングガス照射工程が実行される。また、例えば、ステップＳ１２を実行することにより、ハロゲンガス供給工程が実行され、ステップＳ１４を実行することにより、イオン供給工程が実行され、ステップＳ１６を実行することにより、イオン照射工程が実行される。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、イオン注入装置内において、自然酸化膜を除去し、続けて、同一装置内で、イオンの注入を行うことができる。従って、イオン注入前に、基板に自然酸化膜が堆積するのを抑えることができ、イオン注入の際の自然酸化膜による不純物の損失を抑えることができる。従って、浅く、高濃度に不純物を注入することができ、接合の浅接合化、及び、低抵抗化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態におけるイオン注入装置を説明するための断面模式図である。
【図２】この発明の実施の形態において、イオンを注入装置に装着する直前の状態の基板を説明するための断面模式図である。
【図３】この発明の実施の形態におけるイオン注入方法を説明するためのフロー図である。
【図４】この発明の実施の形態におけるイオン注入過程の基板の状態を説明するための断面模式図である。
【図５】この発明の実施の形態におけるイオン注入過程の基板の状態を説明するための断面模式図である。
【図６】イオン注入法により、半導体基板にイオンを注入した場合に、半導体基板に注入された不純物の濃度と、深さとの関係を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１００  イオン注入装置
２００  基板
２  イオン供給源
４  ガイドチューブ
６  プラズマ室
８  接続管
１０  フィラメント
１２  供給管
１４  ＣＦ４ガス供給源
１６  バルブ
１８  Ａｒガス供給源
２０  バルブ
２２  バイアス電圧
２４  プレート
２６  バイアス電圧
２８  イオン電流計測用電流計
３０  Ｓｉ基板
３２  ＳＴＩ
３４  ゲート絶縁膜
３６  ゲート電極
３８  イオン注入領域
４０  レジストマスク
４２  自然酸化膜
４６  ソース・ドレイン
【図１】
2005038937.tif 000003
【図２】
2005038937.tif 000004
【図３】
2005038937.tif 000005
【図４】
2005038937.tif 000006
【図５】
2005038937.tif 000007
【図６】
2005038937.tif 000008