(57)【要約】【課題】輝度補正を効率的に行う。【解決手段】補正用ゲイン発生回路２４、補正用オフセット発生回路３０には、画素位置（例えば水平ライン毎）に対する駆動ＴＦＴのＶ−Ｉ特性に対応するゲイン、しきい値レベルに対応するオフセットについて補正値を発生する。そして、入力画像データの画素位置に応じて乗算器２２で補正用ゲインを乗算し、加算器２８で補正用オフセットをを加算することで画像データの補正が行え、画面上の表示のばらつき発生を防止できる。【選択図】図４
2005284172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子および輝度データに応じた駆動電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを各表示画素に含み、この表示画素をマトリクス配置する有機ＥＬ表示装置において、
表示画素の位置と、その表示画素における駆動トランジスタの輝度データに対する駆動電流の傾きを補正する補正用ゲインを記憶する補正用ゲイン記憶部と、
画素毎の輝度データを画素位置に応じて、前記補正用ゲイン記憶部に記憶されている補正用ゲインを得て、これを用いて該当画素の輝度データに補正して補正輝度データを生成する補正部と、
を有し、
前記補正部において生成された補正輝度データに基づいて、前記駆動トランジスタを駆動して対応する有機ＥＬ素子に駆動電流を供給して各表示画素の表示を行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記補正部は、輝度データに対し、補正用ゲインを乗算することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置において、
さらに、
表示画素の位置と、その表示画素における駆動トランジスタの輝度データに対するオフセットを補正するための補正用オフセットを所定の複数の表示画素からなるエリア毎に記憶する補正用オフセット記憶部を有し、
前記補正部は、画素毎の輝度データを画素位置に応じて、前記電流特性記憶部に記憶されている補正用ゲインおよび前記補正用オフセット記憶部に記憶されている補正用オフセットを得て、これを用いて該当画素の輝度データに補正して補正輝度データを生成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置において、
前記補正部は、前記補正用オフセットを前記輝度データに加算または減算することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の装置において、
前記補正用ゲイン記憶部は、水平または垂直方向の１ライン毎に補正値を記憶することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の装置において、
表示画素がマトリクス配置された表示エリア内の全部の表示画素について、互いに異なる２以上の輝度データに基づいて発光させる全体発光制御手段と、
前記表示エリア内の前記所定のエリア内の複数の表示画素の有機ＥＬ素子について、異なる２以上の輝度データに基づいて選択的に発光させる選択発光制御手段と、
全体および選択発光させた際の駆動電流をそれぞれ検出する電流検出手段と、
検出した駆動電流に基づき選択された表示画素における輝度データに対する駆動電流の傾きについて、全体の表示画素における輝度データに対する駆動電流の傾きとの関係を算出する傾き特性算出手段と、
をさらに有し、
傾き特性算出手段において算出された傾き特性に対応する補正用ゲインを前記補正用ゲイン記憶部に記憶させる有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置において、
検出した駆動電流に基づき選択された表示画素における輝度データに対する駆動電流のオフセットについて、全体の表示画素における輝度データに対する駆動電流のオフセットとの関係を算出するオフセット特性算出手段と、
をさらに有し、
オフセット特性算出手段において算出されたオフセット特性に対応する補正用オフセットを前記補正用ゲイン記憶部に記憶させる有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子を含む表示画素をマトリクス配置する有機ＥＬ表示装置、特に表示画素における輝度不均一性の補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に、アクティブ型の有機ＥＬ表示装置における１画素分の回路（画素回路）の構成例を示す。ソースが電源ラインＰＶｄｄに接続されたＰチャンネルの駆動ＴＦＴ１のドレインが有機ＥＬ素子３のアノードに接続され、有機ＥＬ素子３のカソードが陰極電源ＣＶに接続されている。駆動ＴＦＴ１のゲートには、Ｎチャンネルの選択ＴＦＴ２のソースが接続されており、この選択ＴＦＴ２のドレインはデータラインＤａｔａに接続され、ゲートはゲートラインＧａｔｅに接続されている。また、駆動ＴＦＴ１のゲートには、保持容量Ｃの一端が接続されており、他端は容量電源ラインＶｓｃに接続されている。
【０００３】
従って、水平方向に伸びるゲートラインをＨレベルにして、選択ＴＦＴ２をオンし、その状態で垂直方向に伸びるデータラインＤａｔａに表示輝度に応じた電圧を有するデータ信号をのせることで、データ信号が保持容量Ｃに蓄積される。これによって、駆動ＴＦＴ１がデータ信号に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子３に供給して、有機ＥＬ素子３が発光する。
【０００４】
ここで、有機ＥＬ素子の発光量と電流はほぼ比例関係にある。通常、駆動ＴＦＴ１のゲート−ＰＶｄｄ間には画像の黒レベル付近でドレイン電流が流れ始めるような電圧（Ｖｔｈ）を与える。また、画像信号の振幅としては、白レベル付近で所定の輝度となるような振幅を与える。
【０００５】
図２は駆動ＴＦＴ１の入力信号電圧（ゲートソース間電圧Ｖｇｓ＝データラインＤａｔａの電圧と電源ＰＶｄｄの差）に対する有機ＥＬ素子３に流れる電流ｉｃｖ（輝度に対応する）の関係を示している。そして、黒レベル電圧として、Ｖｔｈを与え、白レベル電圧として、Ｖａを与えるように、データ信号を決定することで、有機ＥＬ素子３における適切な階調制御を行うことができる。
【０００６】
ここで、有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状の多数の画素を配列した表示パネルで構成される。このため、製造上の問題で画素ごとにＶｔｈがばらつき、１枚の表示パネル上でも最適な黒レベルが画素ごとにばらつくことがある。その結果、データ信号（入力電圧）に対する発光量が画素ごとに不均一となり、輝度ムラが発生する。
【０００７】
そこで、各画素の輝度を測定し、メモリに記憶した補正データに従ってすべての画素について黒レベル電圧を補正することも提案されている（特許文献１）。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２８２４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、図３に示すように、画素駆動用ＴＦＴのＶｔｈのバラツキ（ΔＶｔｈ）だけでなく、Ｖ−Ｉ特性の傾き（ｇｍ）がばらついている場合もある。すなわち、全画素の平均的特性（ａ）に対し、ラインｎの画素の平均的特性（ｂ）は、ＶｔｈがΔＶｔｈだけ異なるだけでなく、入力電圧に対する駆動電流ｉｃｖの傾きが異なっており、入力電圧Ｖａ１、Ｖａ２，Ｖａ３における特性（ａ）と特性（ｂ）の差が均一でない。このような場合にはＶｔｈの補正だけでは十分な補正ができない。
【００１０】
本発明は、輝度データに対する駆動トランジスタの電流特性についての補償を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、有機ＥＬ素子および輝度データに応じた駆動電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを各表示画素に含み、この表示画素をマトリクス配置する有機ＥＬ表示装置において、表示画素の位置と、その表示画素における駆動トランジスタの輝度データに対する駆動電流の傾きを補正する補正用ゲインを記憶する補正用ゲイン記憶部と、画素毎の輝度データを画素位置に応じて、前記補正用ゲイン記憶部に記憶されている補正用ゲインを得て、これを用いて該当画素の輝度データに補正して補正輝度データを生成する補正部と、を有し、前記補正部において生成された補正輝度データに基づいて、前記駆動トランジスタを駆動して対応する有機ＥＬ素子に駆動電流を供給して各表示画素の表示を行うことを特徴とする。
【００１２】
また、前記補正部は、輝度データに対し、補正用ゲインを乗算することが好適である。
【００１３】
さらに、表示画素の位置と、その表示画素における駆動トランジスタの輝度データに対するオフセットを補正するための補正用オフセットを所定の複数の表示画素からなるエリア毎に記憶する補正用オフセット記憶部を有し、前記補正部は、画素毎の輝度データを画素位置に応じて、前記電流特性記憶部に記憶されている補正用ゲインおよび前記補正用オフセット記憶部に記憶されている補正用オフセットを得て、これを用いて該当画素の輝度データに補正して補正輝度データを生成することが好適である。
【００１４】
また、前記補正部は、前記補正用オフセットを前記輝度データに加算または減算することが好適である。
【００１５】
また、前記前記補正用ゲイン記憶部は、水平または垂直方向の１ライン毎に補正値を記憶することが好適である。
【００１６】
また、表示画素がマトリクス配置された表示エリア内の全部の表示画素について、互いに異なる２以上の輝度データに基づいて発光させる全体発光制御手段と、前記表示エリア内の前記所定のエリア内の複数の表示画素の有機ＥＬ素子について、異なる２以上の輝度データに基づいて選択的に発光させる選択発光制御手段と、全体および選択発光させた際の駆動電流をそれぞれ検出する電流検出手段と、検出した駆動電流に基づき選択された表示画素における輝度データに対する駆動電流の傾きについて、全体の表示画素における輝度データに対する駆動電流の傾きとの関係を算出する傾き特性算出手段と、をさらに有し、傾き特性算出手段において算出された傾き特性に対応する補正用ゲインを前記補正用ゲイン記憶部に記憶させることが好適である。
【００１７】
また、検出した駆動電流に基づき選択された表示画素における輝度データに対する駆動電流のオフセットについて、全体の表示画素における輝度データに対する駆動電流のオフセットとの関係を算出するオフセット特性算出手段と、をさらに有し、オフセット特性算出手段において算出されたオフセット特性に対応する補正用オフセットを前記補正用ゲイン記憶部に記憶させることが好適である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、画素駆動用ＴＦＴのＶ−Ｉ特性の傾き（ｇｍ）がばらついている場合に、これを補償してムラのない適切な発光を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００２０】
図４には、本発明の有機ＥＬ表示装置における、輝度データから表示パネルに供給される補正された輝度データ（アナログ信号）を作成するための構成を示してある。
【００２１】
表示パネル１０は、ＲＧＢの各色ごとの画素を有しており、表示用の輝度データは、ＲＧＢの各色ごとに別に入力されてくる。例えば、画素は垂直方向に同一色のものを配置することで、各データラインにはＲＧＢのいずれかのデータが供給され、各色ごとの表示が行える。なお、この例において、ＲＧＢの各データは、それぞれ８ビットの輝度データである。
【００２２】
ＲデータはルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｒ、ＧデータはルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｇ、ＢデータはルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｂに供給される。このルックアップテーブルＬＵＴ２０（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）には、輝度データに対する発光輝度（駆動電流）の関係が所望のカーブとなるようにガンマ補正するとともに、表示パネル１０において、平均的なオフセット、ゲインを考慮したテーブルデータが記憶されている。すなわち、図３における特性（ａ）を補償するデータが記憶されている。従って、このルックアップテーブルＬＵＴ２０を利用して輝度データを変換することで、平均的な特性の駆動ＴＦＴを駆動した場合において、有機ＥＬ素子の発光量が輝度データに対応したものとなる。
【００２３】
なお、ルックアップテーブルＬＵＴ２０に代えて、特性式を記憶しておき、演算によって輝度データを変換してもよい。なお、この例では、ルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの出力は、それぞれ１０ビットのビット幅に広げられている。また、ルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂには、画素毎の入力データに同期したクロックが供給されており、ルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂからの出力も、このクロックに同期したものになっている。
【００２４】
ルックアップテーブルＬＵＴ２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの出力は、乗算器２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂに供給される。この乗算器２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂには、補正用ゲイン発生回路２４からの乗算補正値がそれぞれ供給されている。また、補正用ゲイン発生回路２４には、メモリ２６が接続されており、補正用ゲイン発生回路２４は、入力されてくる輝度データがどの水平ラインに対応するかを入力されてくる水平同期信号から判定し、その水平ラインについての乗算補正値をメモリ２６から読み出し、乗算補正値を発生する。
【００２５】
乗算器２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂの出力は、加算器２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂにそれぞれ供給される。この加算器２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂには、補正用オフセット発生回路３０からのオフセット補正値がそれぞれ供給されている。また、補正用オフセット発生回路３０には、メモリ３２が接続されており、補正用オフセット発生回路３０は、該当水平ラインについてのオフセット補正値をメモリ３２から読み出し、オフセット補正値を発生する。
【００２６】
加算器２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂの出力は、Ｄ／Ａ変換器３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂに供給され、ここでアナログ信号に変換され、表示パネル１０の各色ごとの入力端子Ｒｉｎ、Ｇｉｎ、Ｂｉｎに供給される。そこで、これら各色ごとに画素位置に応じて補正されたデータ信号がデータラインに供給され、各画素において、ＥＬ素子がデータ信号に応じた電流で駆動される。
【００２７】
このように、本実施形態によれば、ルックアップテーブルＬＵＴ２０によって、平均的な駆動ＴＦＴを対象としたオフセット、Ｖ−Ｉ特性の補償と、ガンマ補正を行う。そして、補正用ゲイン発生回路２４、補正用オフセット発生回路３０が、メモリ２６、３２を利用して、各画素の位置における補正用ゲイン、補正用オフセットを出力する。従って、各画素における駆動トランジスタ（駆動ＴＦＴ）のしきい値電圧ＶｔｈのバラツキΔＶｔｈを補償するだけでなく、ゲートソース間電圧Ｖｇｓに対するドレイン電流（有機ＥＬの駆動電流）のＶ−Ｉ特性を補償して、輝度データに応じた適切な駆動電流を有機ＥＬ素子に供給することができる。
【００２８】
本実施形態では、この補正用ゲイン発生回路２４、補正用オフセット発生回路３０は、ライン毎に一定の補正値を発生しているが、これに限定されることなく、表示パネル１０を面と考え、各画素についての補正値を規定する式を記憶するようにしてもよい。すなわち、補正値＝ａｘ＋ｂｙ＋ｃ（または係数ａ，ｂ，ｃ）を記憶する。そして、画素に同期したクロックに応じて、データ信号の画素位置ｘ、ｙを認識し、これに対応した補正値を発生する。
【００２９】
また、補正値は、この例にように、ＲＧＢごとに別に発生できるようにしてもよいし、ＲＧＢについて共通にしてもよい。
【００３０】
なお、本実施形態では、補正用ゲイン発生回路２４、補正用オフセット発生回路３０からの出力補正値は１０ビットであり、乗算器２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ、加算器２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂビット幅は１０ビットになっている。
【００３１】
「補正用ゲインおよび補正用オフセット」
上述のように、本実施形態では、補正用ゲインがメモリ２６、補正用オフセットがメモリ３２に記憶されている。そこで、これらの補正用ゲイン、および補正用オフセットについて、以下に説明する。
【００３２】
一例として、水平ライン毎のムラが発生している場合を考える。駆動ＴＦＴのＶｔｈとｇｍがラインによって違っているパネルの全画素に、ある入力電圧Ｖａ２を印加すると、ＣＶ電流はライン毎にばらつき、筋状のムラが発生する。このような、製造上の問題により有機ＥＬ表示パネルに発生する輝度不均一性を、補正用ゲインおよび補正用オフセットで補償する。
【００３３】
これらの補正用ゲインおよび補正用オフセットの発生および補正は、次のようにして行う。
【００３４】
ｉ）表示パネル１０の全画素を２つ以上の入力電圧（この例では、図３における３点Ｖａ１，Ｖａ２，Ｖａ３）で点灯し、各入力電圧におけるＣＶ電流を測定する。表示パネル１０に流れる全電流を測定できれば、ＰＶｄｄ側で測定してもＣＶ側で測定してもよい。
【００３５】
各画素の平均電流（ｉｃｖ）はこのＣＶ電流を全画素数で割った値となるので、入力電圧対ｉｃｖの関係をプロットする。この結果により、このパネルの平均的なＴＦＴのＶ−Ｉ特性を予想し、プロットする（図３の（ａ））。
【００３６】
ｉｉ）パネルの中の任意の一水平ライン（ラインｎ）のみを２つ以上の入力電圧（この例では３点Ｖａ１，Ｖａ２，Ｖａ３）で点灯し、各入力電圧におけるＣＶ電流を測定する。このラインの各画素の平均電流（ｉｃｖ）はこのＣＶ電流を１ラインの画素数で割った値となるので、このラインの一画素のＴＦＴのＶ−Ｉ特性を予想し、プロットする（図３の（ｂ））。同様にして、全てのラインのＴＦＴのＶ−Ｉ特性を予想し、プロットする。これら各ラインのＶ−Ｉ特性も上述の全画素のＶ−Ｉ特性と同様に、近似式などを決定することができる。
【００３７】
ｉｉｉ）  図３により、平均的特性に対するラインｎのＶｔｈ及びｇｍのずれを求め、ＣＶ電流または輝度の差が最小となるように補正ゲインと補正オフセットを求める。すなわち、図５に示すように、図３の特性を補償する補正ゲインを求めればよい。この例では、補正オフセット／ゲイン特性を、直線で近似している。従って、補正用オフセットは、基準となるオフセット／ゲインのｉｃｖ＝０のパネル入力信号電圧と、特定のラインのオフセット／ゲインのｉｃｖ＝０のパネル入力信号電圧との差となる。また、補正用ゲインは、基準となるオフセット／ゲインの傾きで、特定のラインのオフセット／ゲインの傾きを除算した値となる。
【００３８】
ｉｖ）このようにして得られた補正用ゲイン及び補正用オフセットの値をメモリ２６、３２に記憶させる。これによって、入力されてくる輝度データ（Ｒデータ、Ｇデータ、Ｂデータ）に対し、乗算器２２（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）において、補正用ゲインが乗算され、加算器２８（２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ）において補正用オフセットが加算され、輝度データが補正される。従って、各輝度データが駆動するＴＦＴの特性（オフセット、Ｖ−Ｉ特性）に応じて適切に補正され、これがＤ／Ａ変換されて表示パネル１０に供給される。従って、輝度データに応じた電流が対応する有機ＥＬ素子に供給され、輝度データに応じた発光が確保される。
【００３９】
このようにして、製造上の問題により駆動ＴＦＴの特性が変化し、有機ＥＬ表示素子に発生する輝度不均一性を、簡単な測定と、比較的簡単な外部回路により補正することができる。
【００４０】
ここで、表示パネル１０は、通常ガラス基板上に形成され、表示エリアには画素回路がマトリクス状に配置され、その周辺に駆動回路が配置される。画素回路は、例えばガラス基板上にＴＦＴや配線などを通常の半導体集積回路を構成する手法で構成し、その後ＩＴＯなどの画素電極を形成し、その上に有機層、陰極を積層形成することで製作する。
【００４１】
このようにして、表示パネルが製作された場合には、電源を接続するとともに有機ＥＬ素子に流れるトータルの電流Ｉｃｖを計測する。すなわち、表示パネル１０の各電源ラインＰＶｄｄに電源電圧ＰＶｄｄを供給し、全有機ＥＬ素子に共通のカソードから電源ＣＶに流れる合計電流Ｉｃｖを電流検出器によって検出し、得られた検出結果により、上述のようにして、補正値を作成する。
【００４２】
図６には、上述のような補正を行う回路を製品自体に組み込んだ構成例を示してある。この構成において、表示パネル１０は、図４と同様に、正側が電源ＰＶｄｄに接続され、負側が低電圧電源ＣＶに接続され、表示パネル１０と低電圧電源ＣＶとの間に電流検出器４０が配置されている。
【００４３】
そして、電流検出器４０の検出値は、Ａ／Ｄ変換器４２によりデジタルデータに変換された後、ＣＰＵ４４に供給される。このＣＰＵ４４は、有機ＥＬ表示装置の各種動作を制御するマイコンであり、必要なデータを適宜記憶するメモリ４６が接続され、上述の実施形態において説明した電流検出器４０の検出値に応じたオフセット制御のための処理も行う。
【００４４】
次に、図における電流検出器４０の構成について説明する。表示パネル１０の負側は、スイッチ５０に入力される。このスイッチ５０は、１つの出力側端子ｃが低電圧電源ＣＶに接続されており、他の２つの入力側端子ａ，ｂの内の１つが選択的に電源ＣＶに接続される。このスイッチ５０の切り替えはＣＰＵ４４によって制御される。表示パネル１０の負側は、２つの入力端子ａ，ｂに接続されるが、ａはそのまま、ｂは抵抗Ｒ１を介し、スイッチ５０の入力端子に接続されている。
【００４５】
そして、ＣＰＵ４４は、通常時は入力端子ａ、補正のための処理を行う場合は入力端子ｂを選択する。これによって、通常時には、電流検出器４０における電圧降下をほぼ０とすることができる。また、入力端子ｂが選択された際には、ＣＶ電流に応じた電圧降下が抵抗Ｒ１において生じ、Ｒ１の上側の電圧がＣＶ電流に応じたものになる。
【００４６】
抵抗Ｒ１の上側（表示パネル１０との接続側）は、抵抗Ｒ３を介しオペアンプＯＰの負入力端に接続されている。また、このオペアンプＯＰの正入力端は、抵抗Ｒ４を介し低電圧電源ＣＶに接続されると共に、抵抗Ｒ５を介しグランドに接続されている。従って、オペアンプＯＰの正入力端子は、グランドと、ＣＶ電圧および抵抗Ｒ４、Ｒ５によって決定される電圧に維持される。また、オペアンプＯＰの負入力端子、出力端子間は、帰還抵抗Ｒ６によって接続されている。このため、オペアンプＯＰは、正入力端の電圧を基準として、抵抗Ｒ１の上側電圧を抵抗Ｒ３、Ｒ６によって決定される増幅率で増幅した出力をする。
【００４７】
オペアンプＯＰの出力端は抵抗Ｒ７の一端に接続され、この抵抗Ｒ７の他端はＡ／Ｄ変換器４２に接続されるとともに、コンデンサＣを介しグランドに接続されている。従って、オペアンプＯＰの出力は、抵抗Ｒ７およびコンデンサＣよりなる積分回路によって、平滑化され、平滑された電圧がＡ／Ｄ変換器４２に入力される。
【００４８】
このようにして、本実施形態では、スイッチ５０を操作して、入力端子ｂを選択することで、表示パネル１０における電流値がＣＰＵ４４に取り込まれる。
【００４９】
ＣＰＵ４４は、適宜のタイミングでスイッチ５０を操作して、表示パネル１０に流れる電流量を検出する。例えば、電源投入時や、製品の使用開始時、リセット時などに、ＣＰＵ４４は電流検出動作を行う。すなわち、スイッチ５０により入力端子ｂを選択し、この状態で全体についての２回以上の発光を行い、次にライン毎の２回以上の発光を順次行い、表示パネル１０全体における平均的な画素毎の電流量と、各ラインの平均的な画素毎の電流量を検出する。この際、パネル全体を発光させる時と、１ラインを発光させる時とで電流検出用抵抗値を変更し、より精度の高い測定を行うことが好適である。そして、検出した電流量に応じて、ライン毎の補正用ゲインおよび補正用オフセットを算出し、これをメモリ２６、３２に記憶させる。
【００５０】
なお、補正値は上述のようなライン毎のゲイン、オフセットの補正値のみでなく、上述のような表示パネル１０の全体的な傾向についての補正式でもよい。このような補正式は、表示エリア内の所定の小エリア（表示エリアを複数に分割したエリアであって、その一部でもよい）におけるＣＶ電流を検出し、検出電流に基づき表示エリア全体の補正値を規定する面の式を計算ことで得られる。このような補正式またはその係数をメモリ２６、３２に記憶させることでも、上述の実施形態と同様に、適切な補正を行うことができる。なお、通常使用時には、上述のように、スイッチ５０において、入力端子ａを選択しておくことで、何ら問題は生じない。
【００５１】
このように、図６の実施形態によれば、補正用ゲイン、補正用オフセット量検出のための構成が製品中に設けられている。そこで、製品の実際の使用時において、補正値算出式や補正値などを適宜決定し、記憶することができる。このような設定を適宜行うことで使用状況の変化や、経年的な変化に対応することも可能である。
【００５２】
「その他」
ｉ）全画素の平均的Ｖ−Ｉ特性を求める代わりに、代表的なＴＦＴのＶ−Ｉ特性を求めて用いることもできる。すなわち、あるエリアまたはラインなどを点灯し、ＣＶ電流を点灯した画素数で割り基準となるＶ−Ｉ特性を求める。
ｉｉ）上記実施形態では乗算器を用いたが、乗算器の変わりにルックアップテーブルを用いてもよい。
すなわち、乗算器による演算（リニア演算）だけでは補正が不十分な場合は、非直線な入出力特性をもったルックアップテーブルを多数用意し、ライン毎に最適なルックアップテーブルを選択することもできる。この場合メモリには、ラインに対応させた、選択すべきルックアップテーブルの番号などを格納しておく。
ｉｉｉ）図４の乗算器２２、加算器２８等は、ＬＵＴの前に置いても良いし、Ｄ／Ａ変換器３４の出力の後でアナログ的に処理することも可能である。
ｉｖ）ＣＶ電流を測定して輝度不均一性を予測するかわりに実際に輝度を測定しても良い。
ｖ）パネル出荷時に、補正のためのゲインとオフセットを、有機ＥＬパネルのガラス基板上またはパネルから引き出されているフレキシブルケーブル上におかれた不揮発性メモリに予め書き込んでおくとよい。これによって、表示パネル１０に輝度信号を供給する装置側の回路は、このデータを基に入力信号（輝度データ）の補正を行うことができる。こうすることにより、装置側は表示パネル１０が変更されたときも、パネルモジュールの不揮発性メモリからデータを読み取り、輝度データの補正を行うことが可能になる。
ｖｉ）不揮発性メモリには、ガンマデータ、輝点、滅点、明点、暗点の位置情報や、明るさなど、その他の表示パネル１０に特有なデータを書き込んでおくこともできる。これによって、装置側において、これらデータを利用して表示を制御することもできる。
ｖｉｉ）補正値について、画素位置と補正値の関係を示す式を記憶する場合において、平面の式を用いることが好適であるが、、曲面の式を用いてもよい。例えば、ｘ、ｙを変数とする高次の多項式とすることができる。
ｖｉｉｉ）ΔＶｔｈに関しては、ＣＶ電流が流れ始める点の入力電圧をＶｔｈとみなして測定することもできる。さらに、ＣＶ電流を測定して輝度不均一性を予測するかわりに実際に輝度を測定しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】アクティブ型の有機ＥＬ表示装置における画素回路の構成例を示す図である。
【図２】駆動ＴＦＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓに対する輝度及び有機ＥＬ素子に流れる電流ｉｃｖの関係を示す図である。
【図３】全体および１ラインの平均的な駆動ＴＦＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓに対する輝度及び有機ＥＬ素子に流れる電流ｉｃｖの関係を示す図である。
【図４】補正用ゲイン、補正用オフセットによる補正を行うＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図５】駆動ＴＦＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓに対する有機ＥＬ素子に流れる電流ｉｃｖの補正を示す図である。
【図６】補正算出式や補正値などを算出するための構成を含むＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  表示パネル、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）  ルックアップテーブルＬＵＴ、２２（２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）  乗算器、２４  補正用ゲイン発生回路、２６，３２  メモリ、２８（２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ）  加算器、３０  補正用オフセット発生回路、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）  Ｄ／Ａ変換器。
【図１】
2005284172.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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