(57)【要約】 【課題】  半導体レーザの低出力動作時に外部からの高周波重畳を行うことなく戻り光の影響を低減して情報の読込みが行えるとともに、半導体レーザの高出力動作による情報の書込みも可能な光ピックアップを提供する。【解決手段】  光ピックアップ２０の光源であるレーザ２１は、電圧が個別に印加される第１電極３１と第１電極よりも光記録媒体２７寄りに配置される第２電極３２とを備え、情報読取時、第１電極には利得領域となるように第１電圧値で電圧が印加され、第２電極には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧が印加されて、モード同期発振される。またレーザ内の共振器光路長Ｌｉと、外部光路長Ｌｅとが、次式［（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数］を満足するように構成される。【選択図】      図１
2005346823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザを光源とし、レーザから出射されるレーザ光を用いて光記録媒体に記録された情報を読取り、また光記録媒体に情報を書込む光ピックアップにおいて、
レーザは、
電圧が個別に印加される第１の領域と第１の領域よりも光記録媒体寄りに配置される第２の領域とを備え、
光記録媒体に記録された情報を読取るとき、第１の領域には利得領域となるように第１電圧値で電圧が印加され、第２の領域には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧が印加されて、モード同期発振されることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
レーザ内の共振器光路長をＬｉとし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、下記式を満足することを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数
【請求項３】
レーザは発光層を備え、
発光層がＡｌｙＧａｘＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体レーザであることを特徴とする請求項１または２記載の光ピックアップ。
【請求項４】
レーザは、
異なる中心波長で発振する複数の導波路を有することを特徴とする請求項１または２記載の光ピックアップ。
【請求項５】
レーザは、
異なる中心波長で発振するＭ個の導波路を有し、
各中心波長に対するレーザ内の各導波路における共振器光路長をＬｉｊ（ｊは１からＭまでの整数）とし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、それぞれの中心波長に対して同時に下記式を満足することを特徴とする請求項４記載の光ピックアップ。
（Ａｊ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉｊ＜（Ａｊ＋３／４）；Ａｊは整数
【請求項６】
レーザは、２個の第１および第２導波路を有し、
第１導波路における共振器光路長をＬｉ１、第２導波路における共振器光路長をＬｉ２とし（ただし、Ｌｉ２＞Ｌｉ１）、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとし、次式［１／Ｌｉ１−１／Ｌｉ２＝Ｎ／Ｌｅ０；Ｎは整数］によってＬｅ０を定義するとき、以下の各式を満足することを特徴とする請求項５記載の光ピックアップ。
３Ｌｅ０／４＜Ｌｅ＜５Ｌｅ０／４
（Ａ１＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ１＜（Ａ１＋３／４）；Ａ１は整数
（Ａ２＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ２＜（Ａ２＋３／４）；Ａ２は整数
【請求項７】
レーザは、
第２の領域よりもさらに光記録媒体寄りに配置されて光の吸収および発光が抑制される窓領域を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の光ピックアップ。
【請求項８】
電圧が個別に印加される第１の領域と第１の領域よりも光記録媒体寄りに配置される第２の領域とを備えるレーザを光源とし、レーザから出射されるレーザ光を用いて光記録媒体に記録された情報を読取り、また光記録媒体に情報を書込む光ピックアップの駆動方法において、
光記録媒体に記録された情報を読取るとき、
第１の領域には利得領域となるように第１電圧値で電圧を印加し、第２の領域には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧を印加して、レーザをモード同期発振させ、
光記録媒体に情報を書込むとき、
第１の領域と第２の領域とがともに利得領域となるような電圧値で電圧を印加して、レーザを発振させることを特徴とする光ピックアップの駆動方法。
【請求項９】
レーザ内の共振器光路長をＬｉとし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、下記式を満足するように外部光路長Ｌｅを設定してレーザを発振させることを特徴とする請求項８記載の光ピックアップの駆動方法。
（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数
【請求項１０】
レーザが、異なる中心波長で発振するＭ個の導波路を有し、
各中心波長に対するレーザ内の各導波路における共振器光路長をＬｉｊ（ｊは１からＭまでの整数）とし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、
ｊ番目の導波路においてｊ番目の中心波長で、下記式が満足されるように外部光路長Ｌｅを設定してレーザを発振させることを特徴とする請求項９記載の光ピックアップの駆動方法。
（Ａｊ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉｊ＜（Ａｊ＋３／４）；Ａｊは整数
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばコンピュータ、ビデオ録画再生機器、車載光ディスク装置などに好適に用いられる光ピックアップおよびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンパクトディスク（略称ＣＤ）、デジタルバーサタイルディスク（略称ＤＶＤ）、ミニディスク（略称ＭＤ）、光磁気ディスク（略称ＭＯ）、青紫色レーザを用いるBlu-ray Diskなどの光記録媒体もしくは光磁気記録媒体（ここでは、これらを代表して光記録媒体と呼ぶ）に情報を記録／再生する光ディスク記録再生装置において、データの読取り／書込みを行うことに用いられる光ピックアップには、光源であるたとえば半導体レーザのノイズに起因して読取りまたは書込みエラーが生じるという問題がある。
【０００３】
光ピックアップの光源として汎用されている半導体レーザは、通常単一縦モード発振をしているけれども、記録媒体によって反射された戻り光が半導体レーザに入射した場合、別の単一縦モードに移行することがある。このような単一縦モードの移行が起こる際に光出力レベルの変化、すなわちノイズが発生する。
【０００４】
この戻り光によるノイズの問題を回避する従来技術の一つに、半導体レーザの駆動に際し、直流電流とともに数百メガヘルツ程度の高周波電流を重畳することによって、単一縦モード発振を多重縦モード発振に変化させて、戻り光ノイズの影響を低減させるものがある（特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示される技術では、高周波発振器が必要となるので、それに伴い高周波発振器から発生する電磁波をシールドするための電磁障害（ＥＭＩ：
Electro Magnetic Interference）対策がさらに必要となる。電磁波シールドは、高周波発振器および半導体レーザを覆う大がかりなものとなるので、光ピックアップに求められる小型化の妨げとなる。また、駆動電圧が高くインピーダンスの高い青紫色半導体レーザの場合、高周波重畳をかけるのが難しいという問題がある。
【０００６】
高周波発振器を用いることなくノイズを低減する方法として、自励発振型半導体を用いる光ピックアップが提案されている。半導体レーザの活性層厚さ、導波路を適度に設定することによって、外部の発振器を用いなくても半導体レーザが自励発振し、自励発振によって縦モードが多重となるので戻り光ノイズの影響が低減される。この自励発振は、記録媒体から情報を読取る低出力動作時には生じるけれども、記録媒体に情報を書込むために必要な高出力動作時には停止してしまうという問題がある。このような問題を解決する従来技術として、自励発振型低出力半導体レーザと高出力半導体レーザとを２個搭載することによって、高周波重畳回路を不要にするとともに、情報の書込みに必要とされる高出力動作をも可能にする光ピックアップが提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
しかしながら、自励発振型低出力半導体レーザと高出力半導体レーザとを２個搭載する特許文献２に開示される光ピックアップでは、装置の組立調整時に、２個の半導体レーザの光軸を合わせる煩瑣な調整が必要となり、生産効率が低下するなどの問題がある。
【０００８】
また、活性層にＧａＩｎＮ系材料を用いる青紫色半導体レーザは、動作電圧が高くインピーダンスが高いので、他の半導体レーザに比べて高周波重畳を行うことが困難である。したがって、青紫色半導体レーザを光源として用いる場合、１／４波長板を用いて戻り光の偏光を直交させ、偏光ビームスプリッタと組合わせて、戻り光が青紫色半導体レーザに帰還するのを低減することが提案されている（特許文献３参照）。
【０００９】
しかしながら、１／４波長板は波長依存性があるので、青紫色半導体レーザに有効な１／４波長板を設定すると、青紫色半導体レーザとは波長が異なるレーザ光を出射するＣＤおよびＤＶＤ用半導体レーザに対しては、その戻り光の帰還量の抑制が不充分になるという問題がある。
【００１０】
また他の従来技術では、調節可能なパワーとコヒーレンス性とを有するレーザ光源として、自励発振もしくはモード同期発振を行うことができる半導体レーザが提案されている（特許文献４参照）。
【００１１】
図８は、従来技術における半導体レーザ１の構成を簡略化して示す図である。従来の半導体レーザ１では、導波路に対する電流注入が３つの領域に分けて行われる。第１のコンタクト２と第３のコンタクト４には、第１の電圧源５から第１および第３抵抗７，９をそれぞれ介して電圧Ｖ１が印加され、第２のコンタクト３には、第２の電圧源６から第２抵抗８を介して電圧Ｖ２が印加される。
【００１２】
電圧Ｖ１と電圧Ｖ２とが、共にプラス（＋）の場合、コンタクトを分割しない場合の動作と同じであり、半導体レーザ１は高出力高コヒーレンスで発振する。電圧Ｖ１が＋、電圧Ｖ２がマイナス（−）の場合、半導体レーザ１は自励発振し、高出力低コヒーレンスで動作する。このようにして、１つの半導体レーザ１を用いて低出力動作と高出力動作とを行うことができる。従来技術の半導体レーザ１では、電圧Ｖ２が−の場合、典型的には緩和効果に関連している約１ＧＨｚの繰返し周波数の自励発振モードで発振するが、約１０ＧＨｚの繰返し周波数のモード同期動作も可能としている。
【００１３】
以下半導体レーザにおける自励発振と類似のモード同期発振との違いについて説明する。
【００１４】
（ａ）モード同期レーザでは、共振器長よりも空間的に短い幅のパルス光がレーザ共振器内を往復する。一方、自励発振レーザでは、レーザ内全体で発振・停止を繰り返す。このように空間的に短い幅のパルス光は、複数の縦モード（レーザ共振器光路長に対して存在が許される発振波長）の位相がそろった場合に生じるので、モード同期発振と呼ばれる。通常の自励発振動作においても複数の縦モードが生じるけれども、位相関係はモード同期発振と異なり一定ではない。
【００１５】
（ｂ）モード同期レーザでは、３ｍｍ程度の共振器光路長（共振器長×屈折率）を仮定した場合、５０ＧＨｚ程度の非常に高速なパルス列を発生する（光速度をｃ、レーザの光路長をＬとすると、モード同期発振周波数ｆ＝ｃ／２Ｌで得られる）。一方、自励発振レーザでは、数百〜１ＧＨｚ程度の比較的遅いパルス列を発生する。モード同期レーザの発振周波数は、ほぼレーザの共振器長によって決まるので、動作状態による変動が少ないのに対して、自励発振レーザの発振周波数は、光出力などを変化させることによって大きく変化する。
【００１６】
（ｃ）モード同期レーザでは、導波路の一部に可飽和吸収体を設けるだけでパルス発振を行うため、たとえば高出力レーザ用の内部構造を用いることができる。一方、通常の自励発振レーザでは、レーザの活性層厚などの内部構造を自励発振用に変更しているので、キンクレベルが低くなり、高出力動作を行うことができないなどの限界がある。
【００１７】
このようにモード同期レーザは、高出力レーザ用の内部構造を用いることができるので、高出力動作して記録媒体に対する情報の書込みをすることができ、また位相がそろった複数の縦モードで非常に高速なパルス列を発生することができるので高周波重畳を行うことなく、戻り光の影響を低減して記録媒体からの情報の読出し（低出力）動作が可能となる。
【００１８】
しかしながら、モード同期型半導体レーザは、可飽和吸収体の位置によって特性が大きく異なり、従来技術の半導体レーザ１の場合、縦モードが多重になることによるノイズ低減効果を発現することができるけれども、出射されたレーザ光の一部が記録媒体により反射された戻り光として光路を逆にたどり第３のコンタクト領域４に入り、この第３のコンタクト領域４が利得領域であるので、戻り光が増幅されて強いノイズになるという問題がある。
【００１９】
【特許文献１】特公昭５９−９０８６号公報
【特許文献２】特開２００３−２４３７５９号公報
【特許文献３】特開２００３−３２３７３５号公報
【特許文献４】特開平８−３３０６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の目的は、半導体レーザの低出力動作時に外部からの高周波重畳を行うことなく戻り光の影響を低減して情報の読込みが行えるとともに、半導体レーザの高出力動作による情報の書込みも可能な光ピックアップおよびその駆動方法を提供することである。
【００２１】
また本発明のもう一つの目的は、複数の異なる中心波長で発振されるいずれの波長についても高周波重畳を行わずにノイズ低減が可能な光ピックアップおよびその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、レーザを光源とし、レーザから出射されるレーザ光を用いて光記録媒体に記録された情報を読取り、また光記録媒体に情報を書込む光ピックアップにおいて、
レーザは、
電圧が個別に印加される第１の領域と第１の領域よりも光記録媒体寄りに配置される第２の領域とを備え、
光記録媒体に記録された情報を読取るとき、第１の領域には利得領域となるように第１電圧値で電圧が印加され、第２の領域には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧が印加されて、モード同期発振されることを特徴とする光ピックアップである。
【００２３】
また本発明は、レーザ内の共振器光路長をＬｉとし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、下記式を満足することを特徴とする。
（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数
【００２４】
また本発明は、レーザは発光層を備え、発光層がＡｌｙＧａｘＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体レーザであることを特徴とする。
【００２５】
また本発明は、レーザが、異なる中心波長で発振する複数の導波路を有することを特徴とする。
【００２６】
また本発明は、レーザは、
異なる中心波長で発振するＭ個の導波路を有し、
各中心波長に対するレーザ内の各導波路における共振器光路長をＬｉｊ（ｊは１からＭまでの整数）とし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、それぞれの中心波長に対して同時に下記式を満足することを特徴とする。
（Ａｊ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉｊ＜（Ａｊ＋３／４）；Ａｊは整数
【００２７】
また本発明は、レーザは、２個の第１および第２導波路を有し、
第１導波路における共振器光路長をＬｉ１、第２導波路における共振器光路長をＬｉ２とし（ただし、Ｌｉ２＞Ｌｉ１）、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとし、次式［１／Ｌｉ１−１／Ｌｉ２＝Ｎ／Ｌｅ０；Ｎは整数］によってＬｅ０を定義するとき、以下の各式を満足することを特徴とする。
３Ｌｅ０／４＜Ｌｅ＜５Ｌｅ０／４
（Ａ１＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ１＜（Ａ１＋３／４）；Ａ１は整数
（Ａ２＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ２＜（Ａ２＋３／４）；Ａ２は整数
【００２８】
また本発明は、レーザは、第２の領域よりもさらに光記録媒体寄りに配置されて光の吸収および発光が抑制される窓領域を備えることを特徴とする。
【００２９】
本発明は、電圧が個別に印加される第１の領域と第１の領域よりも光記録媒体寄りに配置される第２の領域とを備えるレーザを光源とし、レーザから出射されるレーザ光を用いて光記録媒体に記録された情報を読取り、また光記録媒体に情報を書込む光ピックアップの駆動方法において、
光記録媒体に記録された情報を読取るとき、
第１の領域には利得領域となるように第１電圧値で電圧を印加し、第２の領域には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧を印加して、レーザをモード同期発振させ、
光記録媒体に情報を書込むとき、
第１の領域と第２の領域とがともに利得領域となるような電圧値で電圧を印加して、レーザを発振させることを特徴とする光ピックアップの駆動方法である。
【００３０】
また本発明は、レーザ内の共振器光路長をＬｉとし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、下記式を満足するように外部光路長Ｌｅを設定してレーザを発振させることを特徴とする。
（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数
【００３１】
また本発明は、レーザが、異なる中心波長で発振するＭ個の導波路を有し、
各中心波長に対するレーザ内の各導波路における共振器光路長をＬｉｊ（ｊは１からＭまでの整数）とし、レーザのレーザ光出射面から光記録媒体までの外部光路長をＬｅとするとき、
ｊ番目の導波路においてｊ番目の中心波長で、下記式が満足されるように外部光路長Ｌｅを設定してレーザを発振させることを特徴とする。
（Ａｊ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉｊ＜（Ａｊ＋３／４）；Ａｊは整数
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、レーザは、電圧が個別に印加される第１の領域と第１の領域よりも光記録媒体寄りに配置される第２の領域とを備え、光記録媒体に記録された情報を読取るとき、第１の領域には利得領域となるように第１電圧値で電圧が印加され、第２の領域には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧が印加されて、モード同期発振される。レーザから出射され光記録媒体で反射された戻り光は、利得領域である第１の領域に入射する前に、まず可飽和吸収領域である第２の領域に入射する。このように戻り光が、可飽和吸収領域で吸収されてから利得領域に入射するので、戻り光が増幅されることがなく、戻り光によるノイズが抑制される。このことによって、光ディスク記録再生装置の小型化および低価格化に寄与することができ、また光ピックアップの軽量化につながるので情報に対する高速アクセスが可能になる。ここで、可飽和吸収領域とは、飽和吸収量未満の弱い光に対しては光を吸収するように動作し、飽和吸収量以上の強い光に対しては光を透過するように動作する領域のことをいう。
【００３３】
また本発明によれば、レーザ内の共振器光路長Ｌｉと、外部光路長Ｌｅとの間に、次式［（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数］が満足される。このことによって、光記録媒体で反射された戻り光が、レーザの光出射面付近に戻ってきたとき、レーザ内部のパルスはレーザの光出射面と反対側である後面側にあるので、光出射面付近にある可飽和吸収領域の第２の領域では、到達した光が弱く光を透過することがない。したがって、戻り光がレーザ内の利得領域である第１の領域に入射することができないので、戻り光によるノイズが抑制される。
【００３４】
また本発明は、レーザに備わる発光層が、ＡｌｙＧａｘＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体レーザである。ＡｌＧａＩｎＮ系半導体レーザは、高周波重畳をかけることが困難であり、高周波重畳によるノイズ低減をすることができないけれども、モード同期動作のレーザを用いる光ピックアップとすることによって、高周波重畳をかけることなく低ノイズ化を実現することができ、低コストで小型化された光ピックアップが提供される。
【００３５】
また本発明によれば、レーザは異なる中心波長で発振する複数たとえばＭ個の導波路を有し、各中心波長に対するレーザ内の各導波路における共振器光路長Ｌｉｊ（ｊは１からＭまでの整数）と、外部光路長をＬｅとするとき、それぞれの中心波長に対して同時に次式［（Ａｊ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉｊ＜（Ａｊ＋３／４）；Ａｊは整数］が満足される。このことによって、単純な構成で、複数の中心波長に対してモード同期レーザに対する戻り光によるノイズの低減を同時に実現することができる。なお、ここで中心波長とは、モード同期発振時に複数のわずかに異なる波長（縦モード）で発振しているスペクトルの加重平均的な波長のことをいう。
【００３６】
また本発明によれば、レーザは、２個の第１および第２導波路を有し、第１導波路における共振器光路長をＬｉ１、第２導波路における共振器光路長をＬｉ２とする（ただし、Ｌｉ２＞Ｌｉ１）とき、式［１／Ｌｉ１−１／Ｌｉ２＝Ｎ／Ｌｅ０；Ｎは整数］で定義されるＬｅ０を起点にして、外部光路長Ｌｅを、３Ｌｅ０／４＜Ｌｅ＜５Ｌｅ０／４の範囲で探索し設定することによって、以下の各式［（Ａ１＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ１＜（Ａ１＋３／４）；Ａ１は整数］、［（Ａ２＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ２＜（Ａ２＋３／４）；Ａ２は整数］を満足する外部光路長Ｌｅが容易に求められる。このことによって、異なる２つの中心波長で発振するレーザの場合、いずれの中心波長に対しても戻り光ノイズを低減することができる。
【００３７】
また本発明によれば、レーザは、第２の領域よりもさらに光記録媒体寄りに配置されて光の吸収および発光が抑制される窓領域を備える。この窓領域は光を吸収しないので、窓領域が形成される光出射面付近における光吸収に起因する発熱が抑制される。このことによって、レーザの高出力動作時において、光出射面が劣化することが抑制される。なお、窓領域はモード同期発振動作およびノイズに対しては影響を及ぼさない。
【００３８】
本発明によれば、光ピックアップは、光記録媒体に記録された情報を読取るとき、第１の領域には利得領域となるように第１電圧値で電圧を印加し、第２の領域には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値で電圧を印加して、レーザをモード同期発振させ、光記録媒体に情報を書込むとき、第１の領域と第２の領域とがともに利得領域となるような電圧値で電圧を印加して、レーザを発振させるように駆動される。この駆動方法によって、情報を読取る低出力時にはモード同期発振動作させ、情報を書込む高出力時には通常の発振動作させることができるので、戻り光に起因するノイズを低減した記録／再生が可能になる。
【００３９】
また本発明によれば、レーザ内の共振器光路長Ｌｉと、外部光路長Ｌｅとが、次式［（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数］を満足するように外部光路長Ｌｅを設定してレーザが発振される。このことによって、レーザの温度変化に伴う共振器光路長Ｌｉの変動など各種変動に対しても戻り光によるノイズが小さい条件を維持することができる。
【００４０】
また本発明によれば、レーザが、異なる中心波長で発振するＭ個の導波路を有し、各中心波長に対する各導波路における共振器光路長をＬｉｊ（ｊは１からＭまでの整数）とするとき、ｊ番目の導波路において、ｊ番目の中心波長で、次式［（Ａｊ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉｊ＜（Ａｊ＋３／４）；Ａｊは整数］が満足されるように外部光路長Ｌｅを設定してレーザが発振される。この駆動方法によって、発振される中心波長が異なる場合にも戻り光ノイズを低減することができる。複数の中心波長に対して同時に戻り光ノイズを低減する条件は、望ましい外部光路長に比べて実際の外部光路長Ｌｅの方が長くなる場合があるなど、制約が厳しいけれども、外部光路長Ｌｅを可変に設定可能とすることによって、実際の外部光路長Ｌｅを望ましい外部光路長に近い値とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
図１は本発明の実施の第１形態である光ピックアップ２０の構成を簡略化して示す図であり、図２は図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た半導体レーザ２１の構成を示す断面図である。
【００４２】
光ピックアップ２０は、光源である半導体レーザ２１と、コリメータレンズ２２と、ビームスプリッタ２３と、対物レンズ２４と、集光レンズ２５と、多分割光検出器２６とを含んで構成される。
【００４３】
コリメータレンズ２２は、最も半導体レーザ２１寄りに配置されて、半導体レーザ２１から出射された光を略平行にする。ビームスプリッタ２３は、コリメータレンズ２２で略平行にされた光を透過し、光記録媒体２７で反射された戻り光を反射する。対物レンズ２４は、ビームスプリッタ２３を透過した光を光記録媒体２７の情報記録面に集光する。対物レンズ２４で集光された光は、光記録媒体２７で反射されて戻り光となり、再び対物レンズ２４を透過し、ビームスプリッタ２３で反射されて集光レンズ２５へ導かれる。集光レンズ２５へ入射した光は、集光レンズ２５によって多分割光検出器２６に集光照射され、多分割光検出器２６によってピット信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号が検出される。
【００４４】
光源である半導体レーザ２１は、電圧が個別に印加される第１の領域である第１電極３１と第２の領域である第２電極３２とを備える。第２電極３２は、第１電極３１よりも光記録媒体２７寄りに配置され、第１電極３１と第２電極３２とは、分離部３３を介して連なって形成される。
【００４５】
第２電極３２のコリメータレンズ２２を臨む面からはレーザ光が出射されるので、この面を出射面３４と呼ぶ。出射面３４には、たとえば酸化チタンと酸化ケイ素との多層膜からなる反射率３０％の前面反射膜３５が形成される。出射面３４の反対側に位置する第１電極３１の端面３６（便宜上後面３６と呼ぶ）には、たとえば酸化チタンと酸化ケイ素との多層膜からなる反射率９０％の後面反射膜３７が形成される。
【００４６】
半導体レーザ２１内には、導波路３８となるリッジが形成され、出射面３４と後面３６との間で、発振されたパルス光が繰返し反射しながら導波路３８中を進行する。この導波路３８の長さが共振器長であり、共振器長に屈折率を乗算（屈折率×共振器長）したものが、共振器光路長Ｌｉである。
【００４７】
本実施の形態の半導体レーザ２１について共振器光路長Ｌｉを例示すると、以下のようである。第１電極３１部分の長さ：５３０μｍ、第２電極３２部分の長さ：５５μｍ、分離部３３の長さ：１５μｍ、これらの和である共振器長：６００μｍ（＝０．６ｍｍ）であり、共振器長に屈折率２．５を乗算（０．６ｍｍ×２．５）して得られる共振器光路長Ｌｉ：１．５ｍｍである。
【００４８】
一方、半導体レーザ２１の出射面３４から光記録媒体２７までの外部光路長Ｌｅは、屈折率×長さの積分で与えられ、本実施の形態では、外部光路長Ｌｅ：３８．２５ｍｍに設定される。
【００４９】
半導体レーザ２１内において発振し前面反射膜３５で反射されたパルス光が、導波路３８内を進んで後面反射膜３７で反射されて再び前面反射膜３５まで達するのに要する時間ｔｉは、式：（２Ｌｉ／ｃ；ただしｃは光速）で与えられる。一方、半導体レーザ２１の出射面３４から出射された光が、光記録媒体２７で反射された戻り光として再び出射面３４へ達するまでに要する時間ｔｅは、式：（２Ｌｅ／ｃ）で与えられる。したがって、上記所要時間の比（ｔｅ／ｔｉ）は、外部光路長Ｌｅと共振器光路長Ｌｉとの比（Ｌｅ／Ｌｉ）として与えられる。本実施の形態の光ピックアップ２０では、外部光路長Ｌｅと共振器光路長Ｌｉとの比（Ｌｅ／Ｌｉ）は、２５．５（＝Ｌｅ／Ｌｉ＝３８．２５ｍｍ／１．５ｍｍ）である。
【００５０】
以下所要時間の比（ｔｅ／ｔｉ）と、半導体レーザ２１の出射面３４における光量との関係について説明する。図３は、時間と光路長との関係を示す図である。図３では、横軸に時間ｔ、縦軸に光路長Ｌの２軸を採り、光路長軸の０点が、半導体レーザ２１の出射面３４であり、光路長軸の＋側に外部光路長Ｌｅを示し、光路長軸の−側に共振器光路長Ｌｉを示す。
【００５１】
図３（ａ）では、戻り光が出射面３４に達するタイミングと、後面反射膜３７で反射されたパルス光が出射面３４に達するタイミングとが一致する状態を示す。このとき、所要時間の比（ｔｅ／ｔｉ）すなわち外部光路長Ｌｅと共振器光路長Ｌｉとの比（Ｌｅ／Ｌｉ）が整数で表され、出射面３４において一時に達する光量が多いことを意味する。
【００５２】
一方、図３（ｂ）では、戻り光が出射面３４に達するタイミングと、後面反射膜３７で反射されたパルス光が出射面３４に達するタイミングとがずれ、戻り光が出射面３４に達しているときには、パルス光が後面反射膜３７に達している状態を示す。このとき、所要時間の比（ｔｅ／ｔｉ）すなわち外部光路長Ｌｅと共振器光路長Ｌｉとの比（Ｌｅ／Ｌｉ）が（整数＋１／２）で表され、出射面３４において一時に達する光量が少ないことを意味する。
【００５３】
光記録媒体２７に記録された情報を読取る低出力動作をするとき、第１電極３１には利得領域となるように第１電圧値たとえば約＋４．６Ｖで電圧を印加し、第２電極３２には可飽和吸収領域となるように第１電圧値よりも低い第２電圧値たとえば０Ｖで電圧を印加してモード同期発振することによって、第１電極３１よりも光記録媒体２７寄りに配置される第２電極３２が可飽和吸収体として動作する。
【００５４】
また、外部光路長Ｌｅと共振器光路長Ｌｉとの比（Ｌｅ／Ｌｉ）が（整数＋１／２）となり、出射面３４において一時に達する光量が少なくなるように設定することによって、モード同期発振時、可飽和吸収体として動作する第２電極３２が、少ない光量（飽和吸収量未満の弱い光）に対してこれを吸収する言わば閉じたシャッタとして作用するので、戻り光が利得領域である第１電極３１に達することがなく、戻り光によるノイズの影響を低減することが可能になる。
【００５５】
このように半導体レーザ２１の出射面３４において、戻り光と、導波路３８内を繰返し反射したパルス光とが重畳せず、第２電極３２を閉じたシャッタとして動作させるための条件、すなわち戻り光が出射面３４に戻ってきたとき、半導体レーザ２１内パルス光が後面近くにあり、可飽和吸収領域である第２電極３２が閉じたシャッタとして動作するという条件を表すと、式（１）で与えられる。
（Ａ＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋３／４）；Ａは整数            …（１）
【００５６】
本実施の形態の光ピックアップでは、外部光路長Ｌｅと共振器光路長Ｌｉとの比（Ｌｅ／Ｌｉ）が２５．５、すなわち（２５＋１／２）であり、式（１）の条件を満足するように設定される。
【００５７】
なお、式（１）の条件は、パルス幅が狭くなるのに伴って緩和される。たとえば、パルス幅がパルス周期の１／１０であれば、式（２）で表される条件に緩和される。
（Ａ＋１／１０）＜Ｌｅ／Ｌｉ＜（Ａ＋９／１０）；Ａは整数        …（２）
【００５８】
ここで注意すべき点は、内部光路長Ｌｉは、モード同期周波数ｆ＝２ｃ／Ｌｉから導かれる値であるということである。実効的な内部光路長を導出する方法として、縦モード発振する２つの波長差から光路長を導出する方法もあるけれども、この方法によって得られる値はモード同期周波数から導かれる値とは異なり屈折率の波長分散の影響を受ける。
【００５９】
光記録媒体２７に情報を書込むとき、書込み信号に従って第１電極３１と第２電極３２との両方に６Ｖ程度の電圧を印加する。このことによって、第１電極３１と第２電極３２とのいずれもが利得領域として動作し、たとえばパルス最大出力６０ｍＷの高出力動作を行うことができる。光記録媒体２７に書込まれている情報を消去する場合、第１電極３１と第２電極３２との両方に同じ電圧を印加し、たとえば連続（ＣＷ：Continuous Wave）出力３０ｍＷで発振させる。
【００６０】
図２に戻って、半導体レーザ２１の構成例について説明する。半導体レーザ２１は、ｎ型ＧａＮ基板２１１上に、ｎ型ＧａＮ下部コンタクト層２１２、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ下部クラッド層２１３、ｎ型ＧａＮ下部ガイド層２１４、ＩｎｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｖ≦１）バリア層とＩｎｗＧａ１−ｗＮ（０≦ｗ≦１）ウェル層との交互積層構造（バリア層／ウェル層／・・・ウェル層／バリア層）からなる発光層である多重量子井戸活性層２１５、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ蒸発防止層２１６、ｐ型ＧａＮ上部ガイド層２１７、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ上部クラッド層２１８、ｐ型ＧａＮ上部コンタクト層２１９が形成される。また半導体レーザ２１には、導波路３８となるリッジストライプ部２２０が形成され、リッジストライプ部２２０の側面を覆うようにＳｉＯ２誘電体膜２２１が形成される。さらに、ｐ型ＧａＮコンタクト層２１９上にはｐ側電極２２２が形成され、ｎ型ＧａＮ基板２１１の下にはｎ側電極２２３が形成される。
【００６１】
ｐ側電極２２２は、ｐ型ＧａＮ上部コンタクト層２１９寄り側から順にＰｄ／Ｍｏ／Ａｕそれぞれから成る積層構造に形成され、このｐ側電極２２２が、第１電極３１と第２電極３２とに分割され、第１電極３１と第２電極３２との間の分離部３３においては除去されている。またｎ側電極２２３は、ｎ型ＧａＮ基板２１１寄り側から順にＴｉ／Ａｌそれぞれを蒸着して形成される。
【００６２】
本実施の形態で用いられるＧａＩｎＮ系レーザは、波長が短いので、本質的に１．２４／波長（μｍ）＝３Ｖ以上の電圧が必要である。しかも、クラッドに用いるｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ上部クラッド層などのＡｌＧａＮは、活性キャリア濃度を高くするのが難しく、材料の移動度が小さいので、抵抗値がＡｌＧａＡｓおよびＡｌＧａＩｎＰに比べて高い。その結果、ＡｌＧａＡｓ系レーザおよびＡｌＧａＩｎＰ系レーザにおいては、３ｍＷ程度の低出力動作時における動作電圧が２．５Ｖ程度と低いのに対し、はるかに大きい電圧が必要であり、本質的に高インピーダンスであるため高周波重畳をかけるのが難しいという問題を有していた。しかしながら、本発明のモード同期動作のレーザを用いる光ピックアップとすることによって、高周波重畳をかけることなく低ノイズ化を実現することができる。
【００６３】
なお本発明の光ピックアップにおける第１電極および第２電極の長さは、本実施の形態に例示される値に限定されるものでなく、光記録媒体からの情報の読取り時に第２電極に与えられる印加電圧（利得領域である第１電極に印加される電圧より低い範囲であればよく、例示の０Ｖに限定されない）、多重量子井戸活性層の厚さに応じて、モード同期発振が充分起こるような値に調整されればよい。
【００６４】
本発明の光ピックアップ２０における半導体レーザ２１における多重量子井戸活性層２１５は、ＩｎｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｖ≦１）バリア層とＩｎｗＧａ１−ｗＮ（０≦ｗ≦１）ウェル層との交互積層構造（バリア層／ウェル層／・・・ウェル層／バリア層）からなる発光層としたけれども、これに限定されることなく、波長の調整などを目的として、ＡｌｙＧａｘＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）バリア層、ＡｌｑＧａｐＩｎ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０≦ｑ≦１、ｐ＋ｑ≦１）ウェル層で構成してもよい。
【００６５】
図４は本発明の実施の第２形態である光ピックアップ４０の構成を簡略化して示す図であり、図５は図４の切断面線Ｖ−Ｖから見た半導体レーザ４１の構成を示す断面図である。本実施の形態の光ピックアップ４０は、実施の第１形態の光ピックアップ２０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００６６】
光ピックアップ４０は、光ピックアップ４０に備わる半導体レーザ４１が、それぞれ異なる中心波長で発振する２個の第１および第２導波路４２，４３を有することを特徴とする。このような半導体レーザ４１は、たとえばＣＤ用の波長７８４ｎｍで発振する半導体レーザと、ＤＶＤ用の波長６５６ｎｍで発振する半導体レーザとが、１チップに集積された２波長半導体レーザである。
【００６７】
半導体レーザ４１の第１および第２導波路４２，４３は、実施の第１形態における半導体レーザ２１の導波路３８と同様に構成され、利得領域である第１電極４４ａ，４４ｂ、可飽和吸収領域である第２電極４５ａ，４５ｂおよび電極を第１電極４４ａ，４４ｂと第２電極４５ａ，４５ｂとに分割する分離部４６ａ，４６ｂをそれぞれ含む構成である。第１電極４４ａ，４４ｂの共振器方向の長さは５３０μｍであり、第２電極４５ａ，４５ｂの共振器方向の長さは５０μｍであり、分離部４６ａ，４６ｂの長さは２０μｍ、したがって、共振器長は、６００μｍ（＝０．６ｍｍ）である。
【００６８】
また波長７８４ｎｍで発振する半導体レーザの導波光に対する等価屈折率が３．３６、波長６５６ｎｍで発振する半導体レーザの導波光に対する等価屈折率が３．４４であるので、半導体レーザ４１における第１導波路４２の共振器光路長Ｌｉ１は、共振器長×屈折率＝０．６ｍｍ×３．３６＝２．０１６ｍｍであり、第２導波路４３の共振器光路長Ｌｉ２は、共振器長×屈折率＝０．６ｍｍ×３．４４＝２．０６４ｍｍである。
【００６９】
半導体レーザ４１の出射面３４には、アルミナからなる前面反射膜４７（波長６５６ｎｍの光に対して反射率８％、波長７８４ｎｍの光に対して反射率２０％）が形成され、後面３６にはアルミナとアモルファスＳｉとの多層膜からなる後面反射膜４８（両波長の光に対して反射率６０％以上）が形成される。
【００７０】
光記録媒体２７に記録された情報を読取る低出力動作をするとき、第２電極４５ａ，４５ｂは、後述するｎ側電極４３２と同電位（０Ｖ）になるようにそれぞれ電圧が印加されてモード同期発振し、光記録媒体２７に情報を書込む高出力動作をするとき、第１電極４４ａ，４４ｂと第２電極４５ａ，４５ｂとが、同電位になるようにそれぞれ電圧が印加されて通常動作する。
【００７１】
本実施の形態の光ピックアップ４０では、第１導波路４２および第２導波路４３のいずれにおいても、モード同期発振動作時、戻り光によるノイズを低減するために、式（３）および式（４）が同時に満足されるように外部光路長Ｌｅが設定される。
（Ａ１＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ１＜（Ａ１＋３／４）                …（３）
（Ａ２＋１／４）＜Ｌｅ／Ｌｉ２＜（Ａ２＋３／４）                …（４）
【００７２】
以下、外部光路長Ｌｅ設定の一方法について説明する。まず式（５）によって定義されるＬｅ０を求める。ただし、本実施の形態では、前述のようにＬｉ２＞Ｌｉ１である。
１／Ｌｉ１−１／Ｌｉ２＝Ｎ／Ｌｅ０；Ｎは整数                    …（５）
【００７３】
ここで、Ｎ＝１の場合、Ｌｅ０は、［Ｌｉ１・Ｌｉ２／（Ｌｉ２−Ｌｉ１）］で与えられ、前述の値をそれぞれ代入すると、８６．６８８ｍｍである。また光ピックアップにおける光学的配置の観点から、Ｌｅ０と外部光路長Ｌｅとの間で、式（６）を満足することが好ましく、また式（６）が満足される範囲内に限定して外部光路長Ｌｅを選定することによって、容易に所望の外部光路長Ｌｅの選定が可能になる。
３Ｌｅ０／４＜Ｌｅ＜５Ｌｅ０／４                                …（６）
【００７４】
本実施の形態では、外部光路長Ｌｅを８９．７ｍｍに設定する。このことによって、Ｌｅ／Ｌｉ１＝４４．５、Ｌｅ／Ｌｉ２＝４３．５となり、前記式（３）および式（４）を満足するので、第１および第２導波路４２，４３のいずれにおいても、戻り光が出射面３４に達するとき、第２電極４５ａ，４５ｂが閉じたシャッタとして動作し、戻り光ノイズが低減される。なお、式（３）、式（４）および式（６）を満足する適正な外部光路長Ｌｅは、半導体レーザの層構成を変化させてＬｉ１および／またはＬｉ２を変えることによっても調整することができる。
【００７５】
以下図５を参照して半導体レーザ４１の構成例について説明する。前述のように半導体レーザ４１は、ＣＤ用およびＤＶＤ用の２波長半導体レーザである。ｎ型ＧａＡｓ基板４１１上に形成されるレーザは、ＣＤ用半導体レーザ４２０であり、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４１３、ＡｌＧａＡｓガイド層４１４、多重量子井戸活性層４１５、ＡｌＧａＡｓガイド層４１６、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４１７、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１８、ｐ側電極４１９が順次形成され、第１導波路４２である第１リッジ４２１に沿って光が導波する。
【００７６】
ｎ型ＧａＡｓ基板４１１上に形成されるもう一つのレーザは、ＤＶＤ用半導体レーザ４３０であり、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４２２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２３、ＡｌＧａＩｎＰガイド層４２４、多重量子井戸活性層４２５、ＡｌＧａＩｎＰガイド層４２６、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２７、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４２８、ｐ側電極４２９が順次形成され、第２導波路４３である第２リッジ４３１に沿って光が導波する。ｎ型ＧａＡｓ基板４１１の下側にはｎ側電極４３２が形成される。
【００７７】
なお、本実施の形態における光ピックアップの光路長は、固定されるけれども、発振波長が温度などで変動することに対応してコリメータレンズ２２と対物レンズ２４との間隔などをアクチュエータなどで変化させることによって、常に戻り光ノイズが最も抑制される最適状態を保つ手法を用いてもよい。この手法を用いる場合、外部光路長Ｌｅが、上記Ｌｅ０近傍の値であるという制約に拘束されることなく、外部光路長Ｌｅを短くして光ピックアップを小型化することができる。
【００７８】
図６は本発明の実施の第３形態である光ピックアップ５０の構成を簡略化して示す図であり、図７は図６の切断面線ＶＩＩ−ＶＩＩから見た半導体レーザ５１の構成を示す断面図である。本実施の形態の光ピックアップ５０は、実施の第１形態の光ピックアップ２０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００７９】
半導体レーザ５１は、たとえば波長６５６ｎｍで発振するＤＶＤ用半導体レーザである。この半導体レーザ５１は、第２の領域である第２電極５３よりもさらに光記録媒体２７寄りに配置されて光の吸収および発光が抑制される第１窓領域５５と、第１の領域である第１電極５２よりもさらに後面３６寄りに第１窓領域５５と同様の特性を有する第２窓領域５６とを備えることを特徴とする。なお第１電極５２と第２電極５３とが、分離部５４で分割されることは、先の実施形態の光ピックアップ２０と同様である。
【００８０】
第１窓領域５５の光記録媒体２７寄りの面である前面３４には、たとえばアルミナからなる反射率６％の前面反射膜５７が形成され、第２窓領域５６の光記録媒体２７とは反対側の面である後面３６には、たとえばアルミナと酸化チタンとの多層膜からなる反射率９５％以上の後面反射膜５８が形成される。
【００８１】
第１および第２窓領域５５，５６は、前述のようにほとんど光を吸収しない。したがって、光出射面である前面３４部分および光反射面である後面３６部分での発熱を抑制する。特に、繰返し反射された光が出射するとともに、戻り光が照射される光出射面である前面３４部分では、光を吸収して温度が上昇し、端面が溶融するという光学損傷（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage）が発生するというおそれがあるけれども、本実施の形態のように、光をほとんど吸収しない第１窓領域５５を設けることによって、ＣＯＤの発生が防止される。
【００８２】
この窓領域は、戻り光ノイズに対して増幅作用がないので、モード同期発振時に可飽和吸収領域となる第２電極５３よりも光出射面である前面３４に近い側に設けられても悪影響を及ぼすことはなく、またモード同期発振の阻害要因とはならないので、利得領域となる第１電極５２よりも後面３６に近い部分に配することもできる。
【００８３】
以下図７を参照して半導体レーザ５１の構成例について説明する。半導体レーザ５１は、ｎ型ＧａＡｓ基板５１１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層５１２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５１３、ＡｌＧａＩｎＰガイド層５１４、多重量子井戸活性層５１５、ＡｌＧａＩｎＰガイド層５１６、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５１７、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５１８、ｐ側電極５１９が形成され、導波路であるリッジ５２１に沿って光が導波する。ｎ型ＧａＡｓ基板５１１の下側にはｎ側電極５２０が形成される。
【００８４】
本実施の形態の半導体レーザ５１では、多重量子井戸活性層５１５が、図７（ｂ）に示すように、それぞれ厚さ６ｎｍの第１〜第３ＧａＩｎＰウェル層５１５Ａ，５１５Ｃ，５１５Ｅと、それぞれ厚さ６ｎｍの第１および第２ＡｌＧａＩｎＰバリア層５１５Ｂ，５１５Ｄとを、ウェル層とバリア層とが交互になるように積層したものである。
【００８５】
半導体レーザ５１において第１および第２窓領域５５，５６の形成手法としては、たとえば半導体層であるｎ型ＧａＡｓバッファ層５１２からｐ型ＧａＡｓコンタクト層５１８までを形成後、窓領域を形成するべき部分におけるｐ型ＧａＡｓコンタクト層５１８上に、図７では不図示のＺｎＯ膜を形成し、５５０℃〜６５０℃程度の温度で熱処理をする方法が挙げられる。このようなＺｎＯ膜形成後熱処理を施すことによって、多重量子井戸活性層５１５におけるウェル層とバリア層との積層構造が平均化され、ここでの光吸収が抑制される。したがって、高出力動作時に光吸収に伴うＣＯＤが生じる光出射面（前面３４）近傍に窓領域を設けることが望ましい。
【００８６】
以上に述べたように、本実施の形態では、光記録媒体をＣＤ、ＤＶＤなどのディスクに関するものとしたけれども、これに限定されることなく、光記録媒体はディスク形状を有する必要はなく、レーザを用いて光情報を読み出すに際し戻り光ノイズを抑制する必要がある光記録媒体全般に適用できる。またレーザとして内部共振器型半導体レーザを用いるけれども、これに限定されることなく、たとえばレーザ後面から光を出射させたのち外部に設置された反射鏡によって光をレーザに戻す外部共振器型半導体レーザを用いてもよい。また、レーザは半導体レーザに限定されることなく、たとえばＳＨＧ（Second
Harmonic Generation）レーザと可飽和吸収体とを組み合わせるものであってもよい。
【００８７】
なおここで開示される実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および特許請求の範囲内におけるすべての変更を含むことが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の実施の第１形態である光ピックアップ２０の構成を簡略化して示す図である。
【図２】図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た半導体レーザ２１の構成を示す断面図である。
【図３】時間と光路長との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の第２形態である光ピックアップ４０の構成を簡略化して示す図である。
【図５】図４の切断面線Ｖ−Ｖから見た半導体レーザ４１の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の第３形態である光ピックアップ５０の構成を簡略化して示す図である。
【図７】図６の切断面線ＶＩＩ−ＶＩＩから見た半導体レーザ５１の構成を示す断面図である。
【図８】従来技術における半導体レーザ１の構成を簡略化して示す図である。
【符号の説明】
【００８９】
２０，４０，５０  光ピックアップ
２１，４１，５１  半導体レーザ
２２  コリメータレンズ
２３  ビームスプリッタ
２４  対物レンズ
２５  集光レンズ
２６  多分割光検出器
２７  光記録媒体
３１，４４，５２  第１電極
３２，４５，５３  第２電極
３３，４６，５４  分離部
３４  出射面
３５，４７，５７  前面反射膜
３６  後面
３７，４８，５８  後面反射膜
３８，４２，４３  導波路
５５  第１窓領域
５６  第２窓領域
【図１】
2005346823.tif 000003
【図２】
2005346823.tif 000004
【図３】
2005346823.tif 000005
【図４】
2005346823.tif 000006
【図５】
2005346823.tif 000007
【図６】
2005346823.tif 000008
【図７】
2005346823.tif 000009
【図８】
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