(57)【要約】【課題】  従来よりも簡単かつ高精度なパッシブアライメント技術を可能とする。【解決手段】  従来技術では、Ｖ溝と光導波路とを別々の基板に形成していたことにより、位置置合わせマークを使ってＶ溝基板に光導波路基板を接着固定する工程が必要であった。これに対して、本発明では、光導波路２１１〜２１５が形成されたＰＬＣ基板２０にＶ溝２３１〜２３５も形成するので、製造工程が簡単になり位置精度も向上する。また、従来技術では、Ｖ溝に光ファイバを沿わせても光ファイバがＶ溝内で回動することにより、位置合わせ精度が低下することがあった。これに対して、本発明では、回動防止手段を設けたことにより、製造工程中におけるＶ溝２３１内での光ファイバ１１１の回動が抑えられるので、位置決め精度が向上する。【選択図】  図１
2005308918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
斜め端面を有する光導波路と斜め端面を有する光ファイバとがそれぞれの前記斜め端面同士を合わせた状態で接続されてなる光接続構造において、
前記光導波路が形成された光導波路基板にＶ溝が形成され、
このＶ溝内に前記斜め端面同士を合わせた状態で前記光ファイバが固定され、
前記斜め端面同士を合わせる際における前記Ｖ溝内での前記光ファイバの回動を防止する回動防止手段が設けられた、
ことを特徴とする光接続構造。
【請求項２】
前記回動防止手段は、光伝送に使用される少なくとも一本の前記光ファイバと光伝送に使用されない複数本の前記光ファイバとを有する多芯テープファイバと、前記複数本の光ファイバをそれぞれ固定する複数の前記Ｖ溝とからなる、
請求項１記載の光接続構造。
【請求項３】
前記光導波路基板には斜めスリットが形成され、この斜めスリットの一部が前記光導波路の斜め端面となり、
前記複数のＶ溝は、前記光導波路基板の周端面に至る一端と前記斜めスリットに至る他端とを有し、かつ互いに平行に形成され、
前記複数のＶ溝のうち中央のＶ溝に位置する箇所にだけ前記光導波路が形成され、
前記複数本の光ファイバのうち光伝送に使用される前記光ファイバが前記中央のＶ溝に固定され、光伝送に使用されない残りの前記光ファイバが中央以外の前記Ｖ溝に固定された、
請求項２記載の光接続構造。
【請求項４】
前記回動防止手段は、前記光ファイバが予め固定された蓋部材であって、前記Ｖ溝が形成されている前記光導波路基板上に載置されることにより、前記光ファイバを前記Ｖ溝内に挿入するものである、
請求項１記載の光接続構造。
【請求項５】
前記蓋部材には、前記光ファイバを予め固定する別のＶ溝が形成された、
請求項４記載の光接続構造。
【請求項６】
光導波路基板に形成された光回路と、この光回路の入力側の前記光導波路基板に接続された光ファイバと、この光回路の出力側の前記光導波路基板に接続された光ファイバとを備えた光デバイスにおいて、
前記光回路の入力側及び出力側の少なくとも一方に、請求項１乃至５のいずれかに記載の光接続構造が用いられた、
ことを特徴とする光デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光接続構造を製造する方法であって、
前記光導波路基板に前記光導波路と前記Ｖ溝とを形成する工程と、
前記Ｖ溝内に前記光ファイバを載置する工程と、
前記Ｖ溝内の前記光ファイバと前記光導波路とを前記回動防止手段を用いつつ前記斜め端面同士を合わせた状態で接続する工程と、
を含む光接続構造の製造方法。
【請求項８】
請求項３記載の光接続構造を製造する方法であって、
シリコン基板上に前記光導波路を含むシリカガラス層を形成して前記光導波路基板を得る工程と、
前記シリコン基板に異方性エッチングを施して前記Ｖ溝を形成する工程と、
前記光導波路基板を研削することによって前記斜めスリットを形成する工程と、
前記複数のＶ溝内に前記複数本の光ファイバをそれぞれ載置する工程と、
前記複数のＶ溝内に前記複数本の光ファイバをそれぞれ載置した状態を維持しつつ、前記Ｖ溝内の前記光ファイバと前記光導波路とを前記斜め端面同士を合わせた状態で接続する工程と、
を含む光接続構造の製造方法。
【請求項９】
請求項５記載の光接続構造を製造する方法であって、
前記蓋部材に前記別のＶ溝を形成する工程と、
前記別のＶ溝内に前記光ファイバを固定する工程と、
前記光ファイバが固定された前記蓋部材を研磨することにより当該光ファイバに斜め端面を形成する工程と、
前記光導波路基板に前記光導波路と前記Ｖ溝とを形成する工程と、
前記光導波路基板上に前記蓋部材を載置することにより、前記光ファイバを前記Ｖ溝内に挿入する工程と、
前記Ｖ溝内に前記光ファイバを挿入した状態を維持しつつ、前記Ｖ溝内の前記光ファイバと前記光導波路とを前記斜め端面同士を合わせた状態で接続する工程と、
を含む光接続構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッシブアライメント技術に好適な光接続構造等に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＷＧ（Arrayed
Waveguide Grating）、ＶＯＡ（Variable Optical Attenuator）、光スプリッタ等のＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）技術を基盤とした多くの光部品が広く使われている。これらの光部品は光回路内部に干渉計や光分岐部を持ち、これらを組み合わせることで、光フィルタや光減衰器を実現し、光通信システムのキーデバイスとして使われている。
【０００３】
ＰＬＣをベースとした光部品と光ファイバとの接続には、接着剤と光ファイバとの直接接続が広く行われている。適切な接着剤を選べば、接続特性は良好であるので、実用レベルの信頼性が得られている。更に、これらの導波路デバイスは、空間伝搬の部分が無いことから、光軸ズレによる光学特性変化が無いので、安定した動作が期待できる。
【０００４】
このように、ＰＬＣをベースとした導波路型光デバイスは、高信頼性かつ安定動作の利点を有する反面、光ファイバと導波路の結合をサブμｍの精度で行わなければならず、これがコストアップの主要因となっている。
【０００５】
これを解決するため、導波路と光ファイバとを光軸調芯することなしにＶ溝を用いて結合する、パッシブアライメントの検討が進んでいる。一方、通常のパッシブアライメントでは、垂直端の光ファイバを用いる。これをそのまま用いると、光ファイバと屈折率整合剤との境界で、−４０ｄＢ程度のフレネル反射が発生する。しかし、光パッシブデバイスには−５０ｄＢ以下のモジュール反射規格が設定されるケースが多いので、垂直端の光ファイバで本規格を満足することは極めて困難である。そこで、導波路と光ファイバとをそれぞれ斜め端にして接続することにより、反射減衰量を低減する技術が知られている（特許文献１）。
【０００６】
図９及び図１０は特許文献１に開示された光導波路モジュールを示し、図９は斜視図、図１０は平面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【０００７】
この光導波路モジュール８０は、Ｖ溝基板８１、光導波路基板８６、多芯テープファイバ９１、単芯ファイバ（図示せず）等からなる光スプリッタである。Ｖ溝基板８１には、単芯接続用のＶ溝８２、光導波路基板８６載置用の凹部８３、多芯接続用のＶ溝８４、位置合わせマーク８５等が形成されている。光導波路基板８６には、単芯用の斜め端面８７、光スプリッタ用の導波路８８、多芯用の斜め端面８９、位置合わせマーク９０等が形成されている。多芯テープファイバ９１は複数の光ファイバ９２からなり、各光ファイバ９２には斜め端面９３が形成されている。図示しないが、単芯ファイバは単数の光ファイバからなり、その光ファイバには斜め端面が形成されている。
【０００８】
次に、光導波路モジュール８０の組み立て方法について説明する。まず、位置合わせマーク８５，９０を使って、Ｖ溝基板８１の凹部８３に光導波路基板８６を接着固定する。続いて、光ファイバ９２をＶ溝８４に沿って設置することにより光ファイバ９２のコアを導波路８８のコアに一致させて、Ｖ溝基板８１に多芯テープファイバ９１を接着固定する。同様に、Ｖ溝基板８１に単芯ファイバを接着固定する。
【０００９】
光導波路モジュール８０によれば、Ｖ溝８４に光ファイバ９２を沿わせることによりパッシブアライメントを実施するとともに、光ファイバ９２の斜め端面９３と光導波路基板８６の斜め端面８９とを接続することにより反射減衰量を低減している。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２２７９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図９及び図１０に示した従来技術では、次のような問題があった。
【００１２】
（１）．位置合わせマークを使ってＶ溝基板に光導波路基板を接着固定する工程が必要になるので、製造工程が複雑化したり位置合わせ精度が低下したりする。
【００１３】
（２）．単芯ファイバの場合は、Ｖ溝に光ファイバを沿わせても、光ファイバが光軸を中心にＶ溝内で回転してしまう。そのため、光ファイバの斜め端面と光導波路基板の斜め端面とを合わせることが難しい。換言すれば、光ファイバの回転角度を、光導波路の斜め端面に合わせて精密に調整しなければならない。
【００１４】
（３）．多芯ファイバの場合は、各光ファイバが光軸を中心に各Ｖ溝内で回転してしまうことは抑えられる。しかし、各光ファイバの斜め端面は自由端となっているので、各光ファイバの斜め端面が各Ｖ溝内で揺動することにより、位置合わせ精度が低下することがある。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、従来よりも簡単かつ高精度なパッシブアライメント技術を可能とする、光接続構造及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る光接続構造は、斜め端面を有する光導波路と斜め端面を有する光ファイバとが、それぞれの前記斜め端面同士を合わせた状態で接続されてなるものである。そして、この光接続構造において、前記光導波路が形成された光導波路基板にＶ溝が形成され、このＶ溝内に前記斜め端面同士を合わせた状態で前記光ファイバが固定され、前記斜め端面同士を合わせる際における前記Ｖ溝内での前記光ファイバの回動を防止する回動防止手段が設けられた、ことを特徴としている。ここでいう「回動」には、回転及び揺動も含む。
【００１７】
従来技術では、Ｖ溝と光導波路とを別々の基板に形成していたことにより、位置置合わせマークを使ってＶ溝基板に光導波路基板を接着固定する工程が必要であった。これに対して、本発明では、光導波路が形成された光導波路基板にＶ溝も形成するので、製造工程が簡単になり位置精度も向上する。また、従来技術では、Ｖ溝に光ファイバを沿わせても光ファイバがＶ溝内で回動することにより、位置合わせ精度が低下することがあった。これに対して、本発明では、回動防止手段を設けたことにより、製造工程中におけるＶ溝内での光ファイバの回動が抑えられるので、位置決め精度が向上する。
【００１８】
前記回動防止手段は、光伝送に使用される少なくとも一本の前記光ファイバと光伝送に使用されない複数本の前記光ファイバとを有する多芯テープファイバと、前記複数本の光ファイバをそれぞれ固定する複数の前記Ｖ溝とからなる、としてもよい。従来、単芯ファイバの場合は、Ｖ溝に光ファイバを沿わせても光ファイバが光軸を中心にＶ溝内で回転してしまうため、光ファイバの斜め端面と光導波路基板の斜め端面とを合わせることが難しかった。これに対して、本発明では、多芯テープファイバの光伝送に使用されない光ファイバもＶ溝に固定されることにより、光ファイバが光軸を中心にＶ溝内で回転する力が抑えられる。また、このときの回動防止手段は、既存の多芯テープファイバを流用しているので、安価である。
【００１９】
また、この場合は次のように構成してもよい。前記光導波路基板には斜めスリットが形成され、この斜めスリットの一部が前記光導波路の斜め端面となる。前記複数のＶ溝は、前記光導波路基板の周端面に至る一端と前記斜めスリットに至る他端とを有し、かつ互いに平行に形成される。前記複数のＶ溝のうち中央のＶ溝に位置する箇所にだけ、前記光導波路が形成される。前記複数本の光ファイバのうち光伝送に使用される前記光ファイバが前記中央のＶ溝に固定され、光伝送に使用されない残りの前記光ファイバが中央以外の前記Ｖ溝に固定される。
【００２０】
また、前記回動防止手段は、前記光ファイバが予め固定された蓋部材であって、前記Ｖ溝が形成されている前記光導波路基板上に載置されることにより、前記光ファイバを前記Ｖ溝内に挿入するものである、としてもよい。従来、単芯ファイバの場合も多芯ファイバの場合も、光ファイバの斜め端面は自由端となっているので、光ファイバの斜め端面がＶ溝内で回動することにより、位置合わせ精度が低下することがあった。これに対し、本発明では、光ファイバを予め蓋部材に固定しておき、この蓋部材を光導波路基板上に載置することにより、光ファイバをＶ溝内に挿入する。このとき、光ファイバは既に蓋部材に固定されているので、光ファイバの斜め端面のＶ溝内での回動が抑えられる。
【００２１】
また、前記蓋部材には、前記光ファイバを予め固定する別のＶ溝が形成された、としてもよい。この場合は、光ファイバを予め蓋部材のＶ溝に固定しておき、この蓋部材を光導波路基板上に載置することにより、光ファイバを光導波路基板のＶ溝内に挿入する。
【００２２】
本発明に係る光デバイスは、光導波路基板に形成された光回路と、この光回路の入力側の前記光導波路基板に接続された光ファイバと、この光回路の出力側の前記光導波路基板に接続された光ファイバとを備えたものである。そして、本発明に係る光デバイスは、前記光回路の入力側及び出力側の少なくとも一方に、本発明に係る光接続構造が用いられている。
【００２３】
本発明に係る製造方法は、本発明に係る光接続構造を製造する方法である。この製造方法は、前記光導波路基板に前記光導波路と前記Ｖ溝とを形成する工程と、前記Ｖ溝内に前記光ファイバを載置する工程と、前記Ｖ溝内の前記光ファイバと前記光導波路とを前記回動防止手段を用いつつ前記斜め端面同士を合わせた状態で接続する工程と、を含むものである。
【００２４】
請求項３記載の光接続構造を製造する方法は、次のようにしてもよい。この製造方法は、シリコン基板上に前記光導波路を含むシリカガラス層を形成して前記光導波路基板を得る工程と、前記シリコン基板に異方性エッチングを施して前記Ｖ溝を形成する工程と、前記光導波路基板を研削することによって前記斜めスリットを形成する工程と、前記複数のＶ溝内に前記複数本の光ファイバをそれぞれ載置する工程と、前記複数のＶ溝内に前記複数本の光ファイバをそれぞれ載置した状態を維持しつつ、前記Ｖ溝内の前記光ファイバと前記光導波路とを前記斜め端面同士を合わせた状態で接続する工程と、を含むものである。
【００２５】
請求項５記載の光接続構造を製造する方法は、次のようにしてもよい。この製造方法は、前記蓋部材に前記別のＶ溝を形成する工程と、前記別のＶ溝内に前記光ファイバを固定する工程と、前記光ファイバが固定された前記蓋部材を研磨することにより当該光ファイバに斜め端面を形成する工程と、前記光導波路基板に前記光導波路と前記Ｖ溝とを形成する工程と、前記光導波路基板上に前記蓋部材を載置することにより、前記光ファイバを前記Ｖ溝内に挿入する工程と、前記Ｖ溝内に前記光ファイバを挿入した状態を維持しつつ、前記Ｖ溝内の前記光ファイバと前記光導波路とを前記斜め端面同士を合わせた状態で接続する工程と、を含むものである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、光導波路とＶ溝とを同じ光導波路基板に形成することにより、光導波路基板とＶ溝基板とを位置合わせする工程が不要になるので、製造工程を簡単化できるとともに位置精度も向上できる。これに加え、製造工程中におけるＶ溝内での光ファイバの回動を防止する回動防止手段を設けたことにより、斜め端面を有する光導波路と斜め端面を有する光ファイバとの位置合わせが容易になるので、位置決め精度を向上できる。したがって、従来よりも簡単かつ高精度なパッシブアライメント技術を実現できる。
【００２７】
換言すると、本発明によれば、精密な角度調整をすることなく、斜め端面を有する光ファイバと斜め端面を有する光導波路とを、高精度かつ高効率に結合することができる。これにより、光モジュール製造時の大幅なコストダウンが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について図面に基づき説明する。ただし、特許請求の範囲における「光導波路基板」は、具体化して「ＰＬＣ基板」と言い換える。
【００２９】
図１及び図２は本発明に係る光デバイスの第一実施形態を示し、図１は概略平面図、図２［１］は図１におけるＩ−Ｉ線断面図、図２［２］は図１におけるII−II線断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００３０】
本実施形態の光デバイス１０は、斜め端面１２１〜１２５を有する光ファイバ１１１〜１１５と斜め端面２２１〜２２５を有する光導波路２１１〜２１５とが、それぞれの斜め端面１２１〜１２５，２２１〜２２５同士を合わせた状態で接続されてなるものである。そして、光導波路２１１〜２１５が形成されたＰＬＣ基板２０に、Ｖ溝２３１〜２３５が形成されている。Ｖ溝２３１〜２３５内には、斜め端面１２１〜１２５，２２１〜２２５同士を合わせた状態で、光ファイバ１１１〜１１５が接着剤１４によって固定されている。また、製造工程中におけるＶ溝２３１内での光ファイバ１１１の回動を防止する、回動防止手段（後述）が設けられている。この回動防止手段は、前述の光ファイバ１１１と光伝送に使用されない光ファイバ３１１，３１２とを有する三芯テープファイバ３０と、ＰＬＣ基板２０に形成され光ファイバ３１１，３１２をそれぞれ固定するＶ溝３２２，３２３とからなる。
【００３１】
ＰＬＣ基板２０は、シリコン基板２５とシリコン基板２５上に形成されたシリカガラス層２６とからなる一般的なものである。シリカガラス層２６に光導波路２１１〜２１５及び光回路２４が形成されている。光回路２４は、光導波路２１１から入射した光を四分割して光導波路２１２〜２１４へ出射する光スプリッタである。また、シリコン基板２５には、Ｖ溝２３１〜２３５，３２１，３２２が形成されている。
【００３２】
多芯テープファイバ１３及び三芯テープファイバ３０は、複数の光ファイバ素線をＵＶ樹脂で並列に固定した一般的なものである。ただし、図示した光ファイバ１１１〜１１５，３１１，３２２は、被覆が除去されて、端面側が自由端となっている。また、光ファイバ１１１〜１１５の斜め端面１２１〜１２５の角度θ１と、光導波路２１１〜２１５の斜め端面２２１〜２２５の角度θ２とは、等しくなっている。なお、光伝送に使用されない光ファイバ３１１，３１２は、切断により終端処理が施されている。
【００３３】
次に、光デバイス１０の作用について説明する。
【００３４】
従来技術では、Ｖ溝と光導波路とを別々の基板に形成していたことにより、位置置合わせマークを使ってＶ溝基板に光導波路基板を接着固定する工程が必要であった。これに対して、本実施形態では、光導波路２１１〜２１５が形成されたＰＬＣ基板２０にＶ溝２３１〜２３５も形成するので、製造工程が簡単になり位置精度も向上する。
【００３５】
また、従来技術では、Ｖ溝に光ファイバを沿わせても光ファイバがＶ溝内で回動することにより、位置合わせ精度が低下することがあった。これに対して、本実施形態では、回動防止手段を設けたことにより、製造工程中におけるＶ溝２３１内での光ファイバ１１１の回動が抑えられるので、位置決め精度が向上する。
【００３６】
特に単芯ファイバの場合は、Ｖ溝に光ファイバを沿わせても光ファイバが光軸を中心にＶ溝内で回転してしまうため、光ファイバの斜め端面と光導波路基板の斜め端面とを合わせることが難しかった。これに対して、本実施形態では、三芯テープファイバ３０の光伝送に使用されない光ファイバ３１１，３１２もＶ溝３２１，３２２に固定されることにより、光ファイバ１１１がその光軸を中心にＶ溝２３１内で回転する力が抑えられる。また、本実施形態の回動防止手段は、既存の三芯テープファイバ３０を流用しているので、安価である。
【００３７】
次に、光デバイス１０の製造方法について説明する。図３乃至図５では、光デバイス１０の製造方法について工程順に示している。図３及び図４［１］は平面図及び右側面図、図４［２］は正面図及び右側面図、図５は平面図、正面図及び右側面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００３８】
まず、表面が（１００）面となる四角形状のシリコン基板２５を用意する。そして、一般的な成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、Ｖ溝エッチング時のマスクとなるタングステンシリサイド膜（以下「ＷＳｉｘ膜」という。）２７をシリコン基板２５上に形成する（図３［１］）。
【００３９】
続いて、ＷＳｉｘ膜２７上に、光導波路及び光回路を含むシリカガラス層２６を形成する（図３［２］）。これがＰＬＣ基板２０となる。
【００４０】
続いて、Ｖ溝エッチング領域上のシリカガラス層２６を除去する（図３［３］）。これにより、Ｖ溝エッチング領域のシリコン基板２５が露出する。
【００４１】
続いて、ＷＳｉｘ膜２７及びシリカガラス層２６に覆われていないシリコン基板２５に異方性エッチングを施すことにより、Ｖ溝２３１〜２３５，３２１，３２２を形成する（図４［１］）。この異方性エッチングに使用するエッチング液は、ＫＯＨを水とイソプロピルアルコールに溶かしたものである。このとき、原子密度の低い（１００）面が先にエッチングされることにより、原子密度の高い（１１１）面からなるＶ溝２３１，…が残る。
【００４２】
続いて、ＷＳｉｘ膜２７を除去した後、光導波路の端面が角度θ２になるように、回転ブレード２８を使ってシリカガラス層２６及びシリコン基板２５を研削する（図４［２］）。この研削された部分が、特許請求の範囲における「斜めスリット」である。
【００４３】
最後に、光ファイバ１１１〜１１５，３２１,３２２をＶ溝２３１〜２３５，３２１，３２２内に沿わせて、これらを接着剤によって固定する（図５）。
【００４４】
図６及び図７は本発明に係る光デバイスの第二実施形態を示し、図６は概略平面図、図７［１］は図６におけるＩ−Ｉ線断面図、図７［２］は図６におけるII−II線断面図である。以下、この図面に基づき説明する。ただし、図１及び図２と同じ部分は同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【００４５】
本実施形態の光デバイス４０では、光ファイバ１１１，３１１，３１２が予め固定された蓋部材４１を回動防止手段として用いている。蓋部材４１は、光ファイバ１１１，３１１，３１２を予め固定するＶ溝４２１〜４２３が、シリコン基板４３に形成されたものである。光ファイバ１１１，…を予め蓋部材４１のＶ溝４２２，…に接着剤４４で固定しておき、この蓋部材４１をＰＬＣ基板２０上に載置し、光ファイバ１１１，…をＰＬＣ基板２０のＶ溝２３１，…に接着剤１４で固定する。
【００４６】
従来、単芯ファイバの場合も多芯ファイバの場合も、光ファイバの斜め端面は自由端となっているので、光ファイバの斜め端面がＶ溝内で回動することにより、位置合わせ精度が低下することがあった。これに対し、本実施形態は、光ファイバ１１１，…を予め蓋部材４１に固定しておき、この蓋部材４１をＰＬＣ基板２０上に載置し、光ファイバ１１１，…をＶ溝２３１，…に固定する。このとき、光ファイバ１１１，…は既に蓋部材４１に固定されているので、光ファイバ１１１の斜め端面１２１のＶ溝２３１内での回動が抑えられる。なお、三芯テープファイバ３０の代わりに単芯ファイバを用いてもよい。
【００４７】
図８は光デバイス４０の製造方法を示す左側面図及び正面図であり、図８［１］〜図８［４］の順に工程が進行する。以下、この図面に基づき、光デバイス４０の製造方法を説明する。
【００４８】
まず、ＰＬＣ基板側のシリコン基板２５のＶ溝２３１，…と同じ間隔及び数のＶ溝４２２，…を、シリコン基板４３に形成する。このＶ溝４２２，…の形成方法は、前述したＶ溝２３１，…の形成方法と同じである。そして、Ｖ溝４２２，…に光ファイバ１１１，…を沿わせて、シリコン基板４３に接着剤４４を介して光ファイバ１１１，…を固定する（図８［１］）。
【００４９】
続いて、光ファイバ１１１，…を覆ってシリコン基板４３上をワックス４５で固める（図８［２］）。このとき、ワックス４５の崩れを防ぐために、ガラス基板等をワックス４５に貼り付けて補強してもよい。
【００５０】
続いて、光ファイバ１１１の斜め端面１２１が角度θ１になるように、ワックス４５で固めたシリコン基板４３及び光ファイバ１１１，…を研磨する（図８［３］）。
【００５１】
続いて、ワックス４５を除去した後、ＰＬＣ基板側のシリコン基板２５のＶ溝２３１，…に、蓋部材４１に固定した光ファイバ１１１，…を挿入することにより、蓋部材４１をＰＬＣ基板と一体化させる（図８［４］）。その他の工程は第一実施形態と同じである。なお、シリコン基板４３の代わりに、ガラス基板等の透光性を有する基板を用いてもよい。この場合は、接着剤４４としてＵＶ硬化型接着剤を用い、基板側からＵＶ光を照射することにより、Ｖ溝に光ファイバを固定できる。また、ガラス基板等には、ダイシング（研削）等によってＶ溝を形成する。
【００５２】
なお、本発明は、言うまでもなく、上記第一及び第二実施形態に限定されるものではない。例えば、光回路は、光スプリッタに限らず、ＡＷＧ、ＶＯＡなどでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る光デバイスの第一実施形態を示す概略平面図である。
【図２】図２［１］は図１におけるＩ−Ｉ線断面図、図２［２］は図１におけるII−II線断面図である。
【図３】図１の光デバイスの製造方法を示す平面図及び右側面図であり、図３［１］〜図３［３］の順に工程が進行する。
【図４】図１の光デバイスの製造方法を示し、図４［１］は平面図及び右側面図、図４［２］は正面図及び右側面図であり、図４［１］〜図４［２］の順に工程が進行する。
【図５】図１の光デバイスの製造方法を示す平面図、正面図及び右側面図である。
【図６】本発明に係る光デバイスの第二実施形態を示す概略平面図である。
【図７】図７［１］は図６におけるＩ−Ｉ線断面図、図７［２］は図６におけるII−II線断面図である。
【図８】図６の光デバイスの製造方法を示す左側面図及び正面図であり、図８［１］〜図８［４］の順に工程が進行する。
【図９】従来技術を示す斜視図である。
【図１０】従来技術を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０，４０  光デバイス
１１１〜１１５  光ファイバ
１２１〜１２５  光ファイバの斜め端面
１３  多芯テープファイバ
１４  接着剤
２０  ＰＬＣ基板
２１１〜２１５  光導波路
２２１〜２２５  光導波路の斜め端面
２３１〜２３５  Ｖ溝
２４  光回路
２５  シリコン基板
２６  シリカガラス層
３０  三芯テープファイバ
３１１，３１２  光ファイバ（回動防止手段）
３２２，３２３  Ｖ溝（回動防止手段）
４１  蓋部材
４２１〜４２３  Ｖ溝
４３  シリコン基板
４４  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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