(57)【要約】【課題】  半田バンプの頂面の径の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】  凹部４０ａを設けた加圧治具４０を用いて半田バンプ１１を加圧する。【選択図】  図６
2005191133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と導体層とを交互に積層して配線積層部を形成し、該配線積層部の最外層に位置する前記誘電体層の主面上に前記導体層に導通する外部接続用の端子パッドを設け、該端子パッド上に半田バンプを配置したのち、当該配線基板の面内に垂直な方向から前記半田バンプの頂部を加圧して平坦な頂面を形成する際、前記頂部が基板面内方向に自由変形することを制限しながら前記加圧を行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部を有し、該配線積層部の最外層に位置する前記誘電体層の主面上に前記導体層に導通する外部接続用の端子パッドが設けられ、該端子パッド上に半田バンプが配置された配線基板において、前記半田バンプの頂部は平坦な頂面を有する被成形部とされ、基部は自由変形部を含んでいることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法と配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣチップを配線基板に実装する方法として、配線基板のチップ搭載面に、複数の半田バンプを格子状または千鳥状に形成し、それら半田バンプ上にＩＣチップを重ね合わせて所定の接続温度に加熱（リフロー）することにより半田バンプを介して両者を接続する、いわゆるフリップチップと呼ばれる接続方式が知られている。配線基板には、次のような方法によって半田バンプを形成することができる。すなわち、半田ペーストをスクリーンマスク（あるいはメタルマスク）を介して基板状の所定位置に印刷し、さらにこれを加熱（リフロー）する。
【０００３】
通常、リフロー直後の半田バンプの頂部は、半球状の形態をなしている。しばしば半田印刷量のバラツキが原因で、半田バンプの高さに不一致が生じている。また、多層配線基板では、内層の配線の粗密によって基板表面に凹凸が生じ、この凹凸が原因で半田バンプの高さが不揃いとなることもある。このような状態でＩＣチップの搭載を試みると、接続不良を招く恐れがある。そこで、リフローを行なった後に、半田バンプの頂部を治具で加熱・加圧し、基板の面内方向に平行かつ平坦な頂面を形成するとともに、半田バンプの高さを揃えることが行なわれている（たとえば下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２１８１６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで近年、ＩＣの高集積化にともなって配線基板のファインピッチ化に対する要請がますます厳しくなってきている。その要請は、配線基板の構成要素としての半田バンプに対しても及び始めている。具体的には、従来、半田バンプは高さが一定で頂面が平坦であれば、頂面の径に対する制限はあまり厳しくなかった。しかし、ファインピッチ化が進むにつれて、半田バンプの頂面の径のバラツキがＩＣチップと配線基板との接続信頼性に悪影響を及ぼすことが懸念されており、径に対する要請も出始めている。上記特許文献１に開示されているような方法ないし装置では、平坦な頂面は形成できたとしても、径まで均一にすることは困難である。将来的に、半田バンプの頂面の径のバラツキが外観検査項目として加えられたりすると、従来の方法では検査にパスできない製品が頻発する可能性がある。
【０００５】
本発明の課題は、半田バンプの頂面の径の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供することにある。また、外観の良好な半田バンプを有し、ＩＣチップ等の電子部品との接続性が良好な配線基板を提供する。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明の配線基板の製造方法は、誘電体層と導体層とを交互に積層して配線積層部を形成し、該配線積層部の最外層に位置する誘電体層の主面上に導体層に導通する外部接続用の端子パッドを設け、該端子パッド上に半田バンプを配置したのち、当該配線基板の面内に垂直な方向から半田バンプの頂部を加圧して平坦な頂面を形成する際、頂部が基板面内方向に自由変形することを制限しながら加圧を行なうことを主要な特徴とする。
【０００７】
上記本発明によれば、半田バンプの頂部が基板面内方向に自由変形することを制限しつつ加圧を行なうので、頂面が一定以上の大きさに拡径することを制限できる。したがって、従来のように単純に平坦な加圧面で加圧する方法（特許文献１参照）に比べ、頂面の径のバラツキを小さくできる。基板の平坦性の改善や半田量の制御とあわせて上記方法を実施することにより、より形状統一性のある半田バンプを持った配線基板を製造することが可能となる。
【０００８】
具体的には、半田バンプの基部側の自由変形を許容して加圧を行なうとよい。この方法によれば、基部側を自由変形に半田バンプの高さの変化を吸収させることが可能なので、半田バンプの体積差に基づく高さの差、あるいは基板自体の凹凸に基づく半田バンプの高さの差を当該加圧によって調整することに何ら支障が生じない。
【０００９】
また、端子パッドを複数形成し、それら端子パッドに個別に半田バンプを配置したのち、複数の半田バンプの頂部を一括して加圧し、各半田バンプに同時に平坦な頂面を形成する際に、半田バンプごとに頂部の自由変形を制限すると同時に、同一面内に属する加圧面を各半田バンプに当接させる。これによれば、径の均一化を図ると同時に、半田バンプの高さを確実に一定させることができる。
【００１０】
また、半田バンプの平坦な頂面を形成するための円状の加圧面が底面となり、内周面が半田バンプの頂部の基板面内方向への変形量を制限する拘束面となるような凹部が設けられた加圧治具を用い、凹部に半田バンプの頂部が収容される位置関係にて加圧治具と当該配線基板とを相対接近させて、半田バンプの頂部への加圧を行なうようにすることができる。この方法によれば、半田バンプの頂部は凹部の内周面に当接した後、それ以上拡径することが制限されるので、頂面の径の均一化を確実に図れる。さらに、加圧治具の凹部の内周面が、凹部の開口側が拡径する形のテーパ面とされていると、上記のような効果を過不足無く得ることが容易であるから好適である。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部を有し、該配線積層部の最外層に位置する誘電体層の主面上に導体層に導通する外部接続用の端子パッドが設けられ、該端子パッド上に半田バンプが配置された配線基板において、半田バンプの頂部は平坦な頂面を有する被成形部とされ、基部は自由変形部を含んでいることを主要な特徴とする。このような配線基板は、半田バンプの外観が良好であり、ＩＣチップのアセンブリを確実に行なえる。
【００１２】
好適な態様においては、端子パッドを露出させるための開口を有するソルダーレジスト層が設けられ、開口から突出するように端子パッド上に半田バンプが配置され、該半田バンプの基部のうち開口より突出した部分が自由変形部とされ、頂部は基板の面内に垂直な方向の断面において台形状を呈している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図３は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００１４】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、感光性樹脂組成物６にて構成された第一ビア層（ビルドアップ層：誘電体層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７を有する第一導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第一導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第一導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、感光性樹脂組成物６を用いた第二ビア層（ビルドアップ層：誘電体層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド１０，１７を有する第二導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第一導体層Ｍ２，Ｍ１２と第二導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００１５】
板状コア２の第一主表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１、第一ビア層Ｖ１、第一導体層Ｍ２および第二ビア層Ｖ２が第一の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第二主表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１１、第一ビア層Ｖ１１、第一導体層Ｍ１２および第二ビア層Ｖ１２が第二の配線積層部Ｌ２を形成している。いずれも、第一主表面ＣＰが誘電体層６にて形成されるように、誘電体層と導体層とが交互に積層されたものであり、該第一主表面ＣＰ上には、複数の金属端子パッド１０，１７がそれぞれ形成されている。金属端子パッド１０，１７は、第一配線積層部Ｌ１，Ｌ２の第一主表面ＣＰ側から、Ｃｕメッキ層、無電解Ｎｉメッキ層および無電解Ａｕメッキ層がこの順序で積層された構造を有するものである。第一配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）である半田ランドを構成する。また、第二配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものである。
【００１６】
図１に示すように、半田ランド１０は配線基板１の第一主表面の略中央部分に格子状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１（図３）とともにチップ搭載部４０を形成している。また、図２に示すように、第二導体層Ｍ１３内の裏面ランド１７も、格子状に配列形成されている。そして、各第二導体層Ｍ３，Ｍ１３上には、それぞれ、感光性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層８，１８（ＳＲ１，ＳＲ１１）が形成されている。いずれも半田ランド１０あるいは裏面ランド１７を露出させるために、各ランドに一対一に対応する形で開口部８ａ，１８ａが形成されている。
【００１７】
ビア層Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ２，Ｖ１２、およびソルダーレジスト層８，１８はたとえば以下のようにして製造されたものである。すなわち、感光性樹脂組成物ワニスをフィルム化した感光性接着フィルムをラミネート（貼り合わせ）し、ビアホール３４ｈに対応したパターンを有する透明マスク（たとえばガラスマスクである）を重ねて露光する。ビアホール３４ｈ以外のフィルム部分は、この露光により硬化する一方、ビアホール３４ｈ部分は未硬化のまま残留するので、これを溶剤に溶かして除去すれば、所期のパターンにてビアホール３４ｈを簡単に形成することができる（いわゆるフォトビアプロセス）。なお、フォトビアプロセスの代わりにレーザによりビアを形成するレーザビアプロセスを採用することもできる。
【００１８】
第一配線積層部Ｌ１側に形成された半田バンプ１１は、たとえばＳｎ−Ｐｂ半田もしくはＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田（Ｐｂフリー半田）にて構成することができる。半田バンプ１１は、平坦な頂面１１ａを有している。各半田バンプ１１の頂面１１ａは、当該配線基板１の面内に略平行な同一面内に属しており、これにより半田バンプ１１の高さが略一致されている。図４に半田バンプ１１の拡大模式図を示す。半田バンプ１１の頂部１１ｔは、平坦化された頂面１１ａを有する被成形部とされ、当該配線基板１の面内に垂直な方向の断面において台形状を呈している。頂部１１ｔの外周面１１ｐは、平坦な頂面１１ａを含む成形面となっている。他方、該頂部１１ｔよりも下（端子パッド１０側）の部分である基部１１ｓは、ソルダーレジスト層８の開口８ａから食み出ている部分において、曲面状の外周面１１ｑを有する自由変形部となっている。このような半田バンプ１１は、外観が良好である。
【００１９】
以下、配線基板１の製造工程について説明する。
まず、周知のビルドアップ法等により、板状コア２の両主表面に誘電体層と導体層とを交互に積層して、配線積層部Ｌ１，Ｌ２をそれぞれ形成する（配線積層部形成工程）。次に、配線積層部Ｌ１，Ｌ２のうち最も外側（最上層）に位置する誘電体層６の主面（第一配線積層部Ｌ１および第二配線積層部Ｌ２の各第一主表面ＣＰ）上に、端子パッド１０，１７を形成する。具体的には、第一配線積層部Ｌ１および第二配線積層部Ｌ２の各第一主表面ＣＰに、メッキ導通路をなすメッキ用下地導電層を無電解Ｃｕメッキでそれぞれ形成したのち、該メッキ用下地導電層を、フォトレジスト等からなるマスク材にてフォトリソグラフィー工程により、金属端子パッド１０，１７の形成予定領域が露出するように覆い、その後電解Ｃｕメッキを行なう。電解Ｃｕメッキを行なったのち、マスク材を除去するとともに、メッキ用下地導電層（無電化Ｃｕメッキ）を化学エッチングにより除去する。このようにしてパターンメッキ工程を行ない、図５の工程１に示すように、金属端子パッド１０の形成予定位置にＣｕメッキ層５２（厚さ：たとえば１０μｍ以上３０μｍ以下）を分散形態で形成する。
【００２０】
次に、図５の工程２に示すように、配線積層部Ｌ１を構成する誘電体層６の第一主表面ＣＰをソルダーレジスト層８にて覆う（ソルダーレジスト形成工程）。ソルダーレジスト層８は、感光性樹脂からなるソルダーレジストフィルムを用いたフォトリソグラフィー工程により形成することができる。具体的には、金属端子パッド１０を個別に露出させるための開口８ａが形成されるとともに、開口８ａの内周縁が金属端子パッド１０の主表面外周縁よりも内側に張り出して位置するように、ソルダーレジスト層８のパターニングを行なう。これにより、該開口８ａの内周縁部にて、Ｃｕメッキ層５２の主表面外周縁部は、当該ソルダーレジスト層８と直接接触した形で覆われることとなる。ソルダーレジスト層８を形成したのち、該ソルダーレジスト層８の開口８ａ内に露出したＣｕメッキ層５２にＮｉ／Ａｕメッキを施すことにより、端子パッド１０を形成することができる（図５：工程２）。
【００２１】
次に、ソルダーレジスト層８をマスク７０で被覆し、ソルダーレジスト層８の開口８ａ内に半田ペーストを印刷法により充填する（図５：工程３）。マスク７０を除去し、リフロー工程（図５：工程４）を行なうことにより、端子パッド１０の上に半田バンプ１１が形成される。リフロー直後（リフロー炉より取出して半田バンプを室温近傍まで冷却した時点）においては、半田バンプ１１の頂部は球面状（曲面状）をなしている。
【００２２】
次に、半田バンプ１１の頂部を加熱・加圧により成形して、図３で示したように平坦な頂面１１ａを形成する。本発明においては、図６に示すように、半田バンプ１１の１つ１つに対応するように凹部４０ａが設けられた加圧治具４０を用いて、半田バンプ１１を当該配線基板１の面内方向（以下、ＸＹ方向ともいう）に垂直な方向（以下、Ｚ方向ともいう）から加熱・加圧するようにしている。加圧治具４０に設けられた凹部４０ａに半田バンプ１１の頂部１１ｔ（図７参照）が収容される位置関係にて、加圧治具４０と当該配線基板１とを相対接近させ、半田バンプ１１の頂部１１ｔへの加圧を行なう。配線基板１はステージ等に固定しておき、加圧治具４０を上下動させる方法が好適である。半田バンプ１１は、加圧治具４０の凹部４０ａに応じた形状に成形されるので、形状バラツキ、ひいては頂面１１ａの径のバラツキを小さくできる。具体的には、所期値に対する誤差を１０μｍ以下に抑えることが可能となる。
【００２３】
図６に示すように、加圧治具４０は、ヒータ５０，５０を内蔵したホルダ４４に連結および固定されており、ホルダ４４からの熱伝導により、適度に加熱されるようになっている。これにより、加圧治具４０で半田バンプ１１を加圧したときには、半田バンプ１１が加熱されて若干軟化するので、該半田バンプ１１の変形を促すことができる。半田バンプ１１との接触側における加圧治具４０の温度は、半田の組成に応じて定めることができ、たとえばＳｎ−Ｐｂ共晶半田であれば１２０℃〜１４０℃程度が適正である。なお、Ｓｎ−ＡｇやＳｎ−Ａｇ−ＣｕなどのＰｂフリー半田を使用してもよい。また、加圧治具４０が実質的に半田バンプ１１を加圧している時間は、およそ１秒程度に調整すると好適である。なお、ヒータ５０は加圧治具４０自身が内蔵するようにしてもよい。
【００２４】
図７に未成形の半田バンプ１１および加圧治具４０の凹部４０ａの拡大断面模式図を示す。図７に示すように、凹部４０ａの内周面４０ｑは、開口側が拡径する向きのテーパ面とされている。凹部４０ａの底面４０ｐは円状とすることが普通であるが、楕円状や方形状としてもよい。配線基板１と加圧治具４０との相対位置関係は、端子パッド１０の表面の中心と、凹部４０ａの底面４０ｐの中心とがＺ方向で概ね一致する位置関係となるようにする。Ｚ方向におけるその位置関係を保ちつつ、加圧治具４０を下降する。凹部４０ａの深さｈは、半田バンプ１１のソルダーレジスト層８の主表面８ｐからの突出高さＨよりも小に調整されており、かつ凹部４０ａの開口径ｗは、ソルダーレジスト層８の開口８ａの径Ｗよりも若干小さめに調整されている。これにより、半田バンプ１１の頂部１１ｔが凹部４０ａに嵌りこんで底面４０ｐに当接する一方、半田バンプ１１の基部１１ｓ側は凹部４０ａから食み出るようになる。このような位置関係によれば、加圧治具４０の下面４０ｒがソルダーレジスト層８の主表面８ｐに接触しないので、半田バンプに十分な加圧力が付与される。
【００２５】
加圧治具４０を配線基板１に十分接近させると、図８に示すように、凹部４０ａの形状に沿って半田バンプ１１の頂部１１ｔが変形する。半田バンプ１１の頂部１１は、凹部４０ａ内を充填するように変形したのち、ＸＹ方向への自由変形が制限されて、拡径できなくなる。他方、基部１１ｓ側における、ソルダーレジスト層８から突出した部分は、加圧治具４０の下端面４０ｒとソルダーレジスト層８の主表面８ｐとの間に形成された間隙ＨＳに逃げるように、ＸＹ方向に変形（膨張）することができる。また、加圧中に間隙ＨＳが形成されるように、加圧治具４０の凹部４０ａの深さ調整を行なうことが望ましい。この構成によれば、半田バンプ１１はソルダーレジスト層８から食み出ている部分が確実に変形できることとなるので、無理な応力が端子パッド１０ひいては配線基板１に懸かったりすることを防止できる。
【００２６】
また、図６に示したように、配線基板１には端子パッド１０が複数形成されており、それら端子パッド１０に個別に半田バンプ１１が配置される。複数の半田バンプ１１の頂部１１ｔを一括して加圧し、各半田バンプ１１に同時に平坦な頂面１１ａを形成するために、加圧治具４０においては、配線基板１における半田バンプ１１の配列に一致するように、互いに同一形態（深さ、底面の径など）に調整されてなる複数の凹部４０ａを形成するとよい。加圧治具４０の凹部４０ａの底面４０ｐは、互いに同一面内に属するので、半田バンプ１１の高さを一定にすることができる。
【００２７】
なお、本実施形態においては、加圧治具４０の凹部４０ａは、円状の底面４０ｐと、開口側が拡径する形のテーパが付与された内周面４０ｑとを持つものとして構成した。その構成において凹部４０ａは、開口側に向かって連続的に拡径することとなる。他方、図９に示すような別形態を採用することも可能である。図９（ａ）は、段差面４６ｆを設けることにより、開口側に向かうにしたがって段階的に拡径している段付凹部４６ａを形成した加圧治具４６を示している。また、本実施形態と図９（ａ）の形態とを組み合わせることも可能である。すなわち、図９（ｂ）のように、開口側が拡径する形のテーパ面４８ｑと、段差面４８ｆとを有する凹部４８ａを形成した加圧治具４８も好適に採用できる。
【００２８】
加圧治具４０は、強度、難半田付着性、凹部４０ａの形成精度等を考慮し、少なくとも凹部４０ａがセラミックによって構成されていることが望ましい。たとえば、加圧治具４０全体をセラミックで構成するほか、半田バンプ１１との接触側にセラミック層を形成するようにしてもよい。本実施形態では、加圧治具４０全体をセラミックで構成している。好適に使用できるセラミックとしては、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素などを例示することができる。本実施形態においては、窒化珪素セラミックで加圧治具４０を構成している。加圧治具４０をホルダ４４に着脱可能とすることにより、ホルダ４４から取り外して清掃したり、新品に交換したりすることが簡単になる。
【００２９】
加圧治具４０は、たとえば次のようにして作製することができる。まず、ダイプレス成形法や射出成形法により原料粉末を成形して粉末成形体を作り、これを焼成する。得られた焼成品に切削加工等により凹部４０ａを形成することにより、加圧治具４０が得られる。凹部４０ａを形成するための切削加工を施したのちに、難半田付着性を向上させるために、化学エッチング等の手法により凹部４０ａ内を研磨するとよい。一方、ホルダ４４は、たとえば金属、セラミック、超硬合金やサーメット等の金属−セラミック複合材料により構成することができる。ヒータ５０としては、セラミックあるいは金属製の抵抗発熱体を内蔵したセラミックヒータ等を使用することができる。
【００３０】
次に、図１０に示すのは、半田バンプ１１の頂部１１ｔを加圧して平坦な頂面１１ａを形成するための半田バンプ平坦化装置１００の主要な構成を表す概略図である。半田バンプ平坦化装置１００は、配線基板１を載置するステージ５５と、ＸＹ方向における配線基板１と加圧治具４０との相対位置調整を行なうためにステージ５５を駆動するモータＭ（アクチュエータ）と、ステージ５５に載置された配線基板１の半田バンプ１１を加圧する加圧治具４０と、加圧治具を連結固定するホルダ４４と、ホルダ４４を上下動してステージ５５上に固定された配線基板１に対して加圧治具４０を接近・離間させる昇降機構８３と、ホルダ４４に内蔵されたヒータ５０への通電を行なうためのリード５１を含む電源５３とを備えている。
【００３１】
ステージ５５は、配線基板１を支持する平坦な支持面５５ｐと、ステージ５５上での配線基板１の位置を固定するための固定具５５ｋとを有している。昇降機構８３は、ホルダ４４に連結された加圧治具４０が、配線基板１との距離が十分離間した退避位置と、配線基板１の半田バンプ１１が凹部４０ａに嵌り込んで平坦な頂面１１ａが適正に形成されることとなる成形終了位置と、を往復動するように装置されている。具体的には、空気圧シリンダや油圧シリンダなどのシリンダ機構により昇降機構８３を構成できる。図１０の例では、シリンダ部８１に圧縮空気を導入してシリンダ軸８０を昇降する仕組みとなっている。シリンダ軸８０の昇降移動量の調節により、加圧治具４０が半田バンプ１１に付与する加圧力を調節できるようにしてもよい。
【００３２】
なお、複数個の配線基板１が連結された連結配線基板（多数個取り基板、大判とも呼ばれている）をステージ５５の上に載置および固定し、個々の配線基板１に形成された半田バンプ１１を成形する場合には、次のような手順を採用することができる。すなわち、ＮＣ制御装置等によってモータＭを駆動してステージ５５をＸＹ方向に移動させることにより、連結配線基板と加圧治具４０との相対位置関係を切り換えつつ、加圧治具４０を各配線基板１に対して順次昇降させ、これにより各配線基板１の半田バンプ１１を成形する。また、モータＭの駆動をＮＣ制御装置等により制御するようにすれば、配線基板１と加圧治具４０との相対位置合わせ精度も高い。
【００３３】
また、配線基板１と加圧治具４０との相対位置合わせ精度を高めるために、フィードバック機構を設けることができる。具体的には、図１２に示すように、配線基板１に予め形成したアライメントマークＡＲを撮像するＣＣＤセンサ等の撮像手段９０と、撮像手段９０から取得する撮像結果に基づいてＸＹ方向へのステージ５５の移動量を算出する算出手段を含む制御装置９１と、上記算出手段によって算出されたステージ５５の必要移動量に対応した命令を制御装置９１より取得してモータＭの駆動を制御するモータ制御手段９２（図１２中ではドライバ）と、を図１０の半田バンプ平坦化装置１００に追加装備し、改良された半田バンプ平坦化装置１０１を構成することができる。この半田バンプ平坦化装置１０１は、凹部４０ａを形成した加圧治具４０を適用するのにすこぶる好適である。なお、図１０および図１２の形態では、ステージ５５をＸＹ方向（基板の主面に平行な方向）に移動させるようにしているが、加圧治具４０、ホルダ４４および昇降機構８３をＸＹ方向に移動するようにモータ等の駆動系を装置してよい。
【００３４】
また、凹部４０ａを設けた加圧治具４０で半田バンプ１１を平坦化するに際しては、両者の位置合わせ精度が技術的にクリアすべきハードルとなる。すでに例示したＮＣ制御やフィードバック制御により、マイクロメートルオーダの位置合わせ制度を得ることが十分可能であるものの、装置コストの面で不利が生じることも考えられる。位置合わせ精度の問題に鑑み、図１１に示すような、改良された加圧治具４２を提供することもできる。加圧治具４２は、揺動部材５９を介挿する形でホルダ４４に連結されている。ヒータ５８は、加圧治具４２に内蔵するようにしてもよい。揺動部材５９は、ＸＹ方向に微小に弾性変形するような金属部材（たとえばベローズ）とすることができる。このような加圧治具４２は、ＸＹ方向に微小揺動するので凹部４２ａと半田バンプ１１とが上下で多少ずれていても、そのズレを揺動部材５９に吸収させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明にかかる配線基板の一実施形態を示す平面図。
【図２】同じく裏面図。
【図３】配線基板の断面構造の一例を示す図。
【図４】本発明にかかる方法により成形された半田バンプの拡大模式図。
【図５】配線基板の製造方法にかかる工程説明図。
【図６】半田バンプの平坦化方法を示す説明図。
【図７】未成形の半田バンプおよび加圧治具の凹部の拡大断面模式図。
【図８】加圧時の半田バンプおよび加圧治具の凹部の拡大断面模式図。
【図９】加圧治具の凹部の別形態を示す断面模式図。
【図１０】半田バンプ平坦化装置の主要な構成を表す概略図。
【図１１】加圧治具の改良例を示す概略図。
【図１２】図１０の半田バンプ平坦化装置に位置合わせ機構を設けた概略図。
【符号の説明】
【００３６】
１  配線基板
６  誘電体層
７  内層導体層
８  ソルダーレジスト層
８ａ  開口
Ｌ１  配線積層部
１０  金属端子パッド（端子パッド）
１１  半田バンプ
１１ａ  頂面
１１ｔ  頂部
１１ｓ  基部
４０，４２，４６，４８  加圧治具
４０ａ，４２ａ，４６ａ，４８ａ  凹部
４０ｐ  底面
４０ｑ  内周面
１００，１０１  半田バンプ平坦化装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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