(57)【要約】【課題】半導体チップ一般を基板等に実装するための外装であるＩＣパッケージ、そのようなＩＣパッケージを実装したＩＣパッケージ実装体の検査方法、ＩＣパッケージ実装体のリペア方法、およびそのような検査で用いられるＩＣパッケージ実装体検査用ピンにおいて、接続不良を容易に検知しその不良低減を図ること。【解決手段】インターポーズ基板と、インターポーズ基板の面にグリッド状に配設された外部接続用ランドとを具備し、インターポーズ基板が、グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーズ基板と、
前記インターポーズ基板の面にグリッド状に配設された外部接続用ランドとを具備し、
前記インターポーズ基板が、前記グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔を有すること
を特徴とするＩＣパッケージ。
【請求項２】
前記貫通孔の位置が、前記外部接続用ランドによるグリッドの縦線上または横線上にあることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージ。
【請求項３】
前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の四隅近傍それぞれの前記外部接続用ランド間に少なくとも設けられていることを特徴とする請求項２記載のＩＣパッケージ。
【請求項４】
前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の四隅近傍それぞれにおける前記外部接続用ランドの３×３グリッドの前記外部接続用ランド間それぞれに設けられていることを特徴とする請求項３記載のＩＣパッケージ。
【請求項５】
前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の各辺近傍の前記外部接続ランド間に少なくとも設けられていることを特徴とする請求項２記載のＩＣパッケージ。
【請求項６】
前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の各辺近傍における前記外部接続用ランドの最外１列の前記外部接続用ランド間それぞれに設けられていることを特徴とする請求項５記載のＩＣパッケージ。
【請求項７】
前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の四隅近傍それぞれにおける前記外部接続用ランドの３×３グリッドの前記外部接続用ランド間それぞれに設けられていることを特徴とする請求項６記載のＩＣパッケージ。
【請求項８】
前記貫通孔が、０．５ｍｍ以下の直径を有することを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージ。
【請求項９】
前記貫通孔が、その内壁面に導電層を有していないことを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージ。
【請求項１０】
グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔が設けられたインターポーズ基板を有するＩＣパッケージが前記外部接続用ランドに位置する半田ボールにより基板に実装された実装体において、前記貫通孔にふたつの導電ピンを有する検査用ピンを挿入する工程と、
前記貫通孔に挿入された前記検査ピンにおける前記ふたつの導電ピン間の導通状態を調べる工程と
を具備することを特徴とするＩＣパッケージ実装体の検査方法。
【請求項１１】
グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔が設けられたインターポーズ基板を有するＩＣパッケージが前記外部接続用ランドに位置する半田ボールにより基板に実装された実装体において、前記貫通孔に耐熱性管を挿入する工程と、
前記貫通孔に挿入された前記耐熱性管の内部にホットエアーを送り込む工程と
を具備することを特徴とするＩＣパッケージ実装体のリペア方法。
【請求項１２】
グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔が設けられたインターポーズ基板を有するＩＣパッケージが前記外部接続用ランドに位置する半田ボールにより基板に実装された実装体において、前記貫通孔に耐熱性管を挿入する工程と、
前記貫通孔に挿入された前記耐熱性管の内部を介して溶融半田を前記半田ボールの位置まで送り込む工程と
を具備することを特徴とするＩＣパッケージ実装体のリペア方法。
【請求項１３】
互いにほぼ平行に位置するふたつの導電ピンと、
前記ふたつの導電ピンの片側それぞれを固定し、かつ前記ふたつの導電ピンの長手方向に軸方向が平行な円柱形状の支持部と
を具備することを特徴とするＩＣパッケージ実装体検査用ピン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ一般を基板等に実装するための外装であるＩＣパッケージ、そのようなＩＣパッケージを実装したＩＣパッケージ実装体の検査方法、ＩＣパッケージ実装体のリペア方法、およびそのような検査で用いられるＩＣパッケージ実装体検査用ピンに係り、特に、実装不良の低減に好適なＩＣパッケージ、ＩＣパッケージ実装体の検査方法、ＩＣパッケージ実装体のリペア方法、およびＩＣパッケージ実装体検査用ピンに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣパッケージ、例えばＢＧＡパッケージ（ball grid array パッケージ）などでは、ＩＣパッケージ側に設けられた半田ボールを介してこのＩＣパッケージが他の基板に実装される（＝電気的、機械的に接続される）。この実装には、例えば、基板側の所定位置にクリーム半田を塗布しておき、対応する位置にＩＣパッケージを位置決めマウントの後、これをリフロー炉に適用するという各工程が用いられる。
【０００３】
このような実装において、電気的、機械的な接続の不良モードとして、典型的には、半田ボール同士が半田によって短絡するいわゆる半田ブリッジと、半田ボールの基板側への接続がなされないかまたは不完全に留まるいわゆる未半田不良とがある。これらの不良をリペアするのに利用可能と考えられる方法として、例えば下記特許文献１記載のものがある。この開示内容では、リペアするため半田を再溶融するのに、ＩＣパッケージのインターポーズ基板に設けられたスルーホールが利用される。このスルーホールは、半田ボールの直上に位置するものであり、すなわち、電気的な層間接続としてのスルーホールでもある。
【特許文献１】特開２００３−３３８５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献に開示の技術では、リペアに先立つ接続不良検知については、これを直接検知することについての言及はない。すなわち、実装された半導体装置としての機能不良や、その実装体が用いられた製品としての不具合に言及があるのみである。現状では、一般的に、半田ブリッジなどを直接検知するには、例えば、Ｘ線装置を用いて接続状態を確認する必要がある。なお、半田ブリッジと未半田不良とでは、発生頻度として半田ブリッジの方が顕著に高い。
【０００５】
本発明は、上記の事情を考慮してなされたもので、半導体チップ一般を基板等に実装するための外装であるＩＣパッケージ、そのようなＩＣパッケージを実装したＩＣパッケージ実装体の検査方法、ＩＣパッケージ実装体のリペア方法、およびそのような検査で用いられるＩＣパッケージ実装体検査用ピンにおいて、接続不良を容易に検知しその不良低減が可能なＩＣパッケージ、ＩＣパッケージ実装体の検査方法、ＩＣパッケージ実装体のリペア方法、およびＩＣパッケージ実装体検査用ピンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明に係るＩＣパッケージは、インターポーズ基板と、前記インターポーズ基板の面にグリッド状に配設された外部接続用ランドとを具備し、前記インターポーズ基板が、前記グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔を有することを特徴とする。すなわち、インターポーズ基板にこのような貫通孔を有することにより、外部接続用ランド同士間で電気的短絡が生じる半田ブリッジなどの不良箇所を直接その上からのぞくことが可能になる。よって、この貫通孔を利用することにより不良の容易な検知やリペアが可能になる。
【０００７】
また、本発明に係るＩＣパッケージ実装体の検査方法は、グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔が設けられたインターポーズ基板を有するＩＣパッケージが前記外部接続用ランドに位置する半田ボールにより基板に実装された実装体において、前記貫通孔にふたつの導電ピンを有する検査用ピンを挿入する工程と、前記貫通孔に挿入された前記検査ピンにおける前記ふたつの導電ピン間の導通状態を調べる工程とを具備することを特徴とする。これは、上記のＩＣパッケージが実装された実装体に適用可能な不良検査方法である。貫通孔にふたつの導電ピンを有する検査用ピンを挿入し、この検査ピンにおけるふたつの導電ピン間の導通状態を調べることで、半田ブリッジの存在を調べる。この検査で導電ピン間が導通状態であれば不良と判断できる。
【０００８】
また、本発明に係るＩＣパッケージ実装体のリペア方法は、グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔が設けられたインターポーズ基板を有するＩＣパッケージが前記外部接続用ランドに位置する半田ボールにより基板に実装された実装体において、前記貫通孔に耐熱性管を挿入する工程と、前記貫通孔に挿入された前記耐熱性管の内部にホットエアーを送り込む工程とを具備することを特徴とする。これは、上記のＩＣパッケージが実装された実装体に適用可能なリペア方法である。貫通孔に耐熱性管を挿入し、この耐熱性管の内部にホットエアーを送り込むことで、半田ブリッジを溶融・消滅させ、または未半田不良状態を解消し、本来の位置のみに半田が存在する状態にする。
【０００９】
また、本発明に係るＩＣパッケージ実装体の別のリペア方法は、グリッド状に配設された外部接続用ランド同士間の少なくともひとつの位置に貫通孔が設けられたインターポーズ基板を有するＩＣパッケージが前記外部接続用ランドに位置する半田ボールにより基板に実装された実装体において、前記貫通孔に耐熱性管を挿入する工程と、前記貫通孔に挿入された前記耐熱性管の内部を介して溶融半田を前記半田ボールの位置まで送り込む工程とを具備することを特徴とする。これは、上記のＩＣパッケージが実装された実装体に適用可能な別のリペア方法である。貫通孔に耐熱性管を挿入し、この耐熱性管の内部を介して溶融半田を半田ボールの位置まで送り込むことで、未半田不良を解消する。ここで上記のリペア方法を併用するようにしてもよい。すなわち、溶融半田の送り込みに続きホットエアーを送り込むという手順である。
【００１０】
また、本発明に係るＩＣパッケージ実装体検査用ピンは、互いにほぼ平行に位置するふたつの導電ピンと、前記ふたつの導電ピンの片側それぞれを固定し、かつ前記ふたつの導電ピンの長手方向に軸方向が平行な円柱形状の支持部とを具備することを特徴とする。これは、上記のＩＣパッケージが実装された実装体の不良検査で使用可能な検査用ピンである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体チップ一般を基板等に実装するための外装であるＩＣパッケージ、そのようなＩＣパッケージを実装したＩＣパッケージ実装体の検査方法、ＩＣパッケージ実装体のリペア方法、およびそのような検査で用いられるＩＣパッケージ実装体検査用ピンにおいて、接続不良を容易に検知しその不良低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施態様として、前記貫通孔の位置は、前記外部接続用ランドによるグリッドの縦線上または横線上にある。グリッドの縦線上または横線上は、隣接する半田ボール間として距離が短く半田ブリッジができやすいのでこれに対応するためである。
【００１３】
また、ここで、前記貫通孔は、前記インターポーズ基板の四隅近傍それぞれの前記外部接続用ランド間に少なくとも設けられている、とすることができる。インターポーズ基板の四隅近傍は、種々の要因により半田ブリッジなどの不良発生頻度が他の部分に比較して最も高い。そこでこれに対応するものである。
【００１４】
また、さらに、前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の四隅近傍それぞれにおける前記外部接続用ランドの３×３グリッドの前記外部接続用ランド間それぞれに設けられている、とすることができる。半田ブリッジなどの不良発生の特に高い箇所を具体的に特定して対応するものである。
【００１５】
また、前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の各辺近傍の前記外部接続ランド間に少なくとも設けられている、とすることもできる。インターポーズ基板の各辺近傍は、四隅近傍についで半田ブリッジなどの不良発生頻度が高い。そこでこれに対応するものである。
【００１６】
また、さらに、前記貫通孔が、前記インターポーズ基板の各辺近傍における前記外部接続用ランドの最外１列の前記外部接続用ランド間それぞれに設けられている、とすることができる。半田ブリッジなどの不良発生の特に高い箇所を具体的に特定して対応するものである。
【００１７】
また、実施態様として、前記貫通孔は、０．５ｍｍ以下の直径を有する、とすることができる。これは、ＩＣパッケージとしてのグリッドのピッチが、現状で１．２７ｍｍまたは１．０ｍｍである場合が多いことに鑑みて設定したサイズである。すなわち、外部接続用ランドに接続の半田ボールの直径もほぼ１．２７ｍｍまたは１．０ｍｍ程度であり、貫通孔直径が０．５ｍｍを超えるとこれに沿った太さの検査用ピンが半田ボール間を通りにくくなるからである。
【００１８】
また、実施態様として、前記貫通孔は、その内壁面に導電層を有していない、とし得る。電気的な層間接続としてのスルーホールとは別に貫通孔として設けるものである。
【００１９】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す斜視図（図１（ａ））および断面図（図１（ｂ））である。図１（ｂ）は、図１（ａ）中に示すＡ−Ａａ断面の矢視方向図である。このＩＣパッケージ１０は、半導体装置の外装として機能するいわゆＢＧＡパッケージと呼ばれるものである。
【００２０】
図示するように、このＩＣパッケージ１０はインターポーザ（インターポーズ基板）１１を有し、インターポーザ１１の片面には縦横のグリッド状に半田ボール１２が取り付けられている。半田ボール１２は、インターポーザ１１の片面に設けられた外部接続用ランド１４上にそれぞれ設けられている。インターポーザ１１は図示しない半導体チップ上の端子（パッド）と外部接続用ランド１４との電気的接続パターンを提供するための基材である。
【００２１】
また、インターポーザ１１において、外部接続用ランド１４同士間の位置に、ところにより貫通孔１３が設けられている。貫通孔１３の全体的な配置については具体的な例をのちに示す実施形態でさらに説明する。貫通孔１３は、その内表面に導電層を有するものであっても有しないものであってもよい。内表面に導電層を有する場合は、いわゆる電気的な層間接続のためのスルーホールということになる。
【００２２】
インターポーザ１１は、材質として、セラミックスや樹脂を用いることができる。外部接続用ランド１４の配置ピッチは、１．２７ｍｍや１．０ｍｍが多く用いられているが、さらに狭ピッチのもの（ファインピッチＢＧＡ）でもよい。外部接続用ランド１４の配置ピッチと半田ボール１２の直径とは、その関係として、半田ボール１２の直径が配置ピッチの半分程度にされる場合が多い。配置ピッチが１．２７ｍｍ、１．０ｍｍの場合、それぞれ半田ボール１２の直径は、０．６４ｍｍ、０．５ｍｍ程度である。貫通孔１３を設けた理由は、半田ボール１２間に発生し得る半田ブリッジの検知およびそのリペアである。そのため、貫通孔１３の直径は、０．６４ｍｍ以下、または０．５ｍｍ以下とするのが適当である。
【００２３】
なお、ここでは半導体装置のＩＣパッケージ１０として半田ボール１２が取り付けられているものを説明したが、半田ボール１２が取り付けられていない形態のもの（land grid array：ＬＧＡ）でもよい。ＬＧＡでは、例えば、配線基板側にあらかじめ半田ボールを取りつけておいて実装する（電気的・機械的接続する）ことができる。
【００２４】
図２は、本発明の一実施形態に係るＩＣパッケージ実装体の検査方法およびリペア方法の過程を断面で示す工程図である。この実施形態は、実装不良として半田ブリッジが生じた場合の検査およびそのリペアを示す。図２において、図１に示したものと同一相当のものには同一符号を付してある。その部分の説明は省略する。図２（ａ）、同（ｂ）、同（ｃ）の順に工程が進行する。
【００２５】
図２（ａ）は、ＩＣパッケージ化された半導体装置を配線基板２１上に実装した状態を示す。半導体装置の各半田ボール１２は配線基板２１上に設けられたランド２２に電気的・機械的に接続されている。このような接続は、周知のように、例えば、配線基板２１側の所定位置にクリーム半田を塗布しておき、対応する位置にＩＣパッケージ化された半導体装置を位置決めマウントの後、これをリフロー炉に適用するという各工程を経て得ることができる。ここで、一部の半田ボール１２間に半田ブリッジ１２ａが生じているものとする。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、各貫通孔１３を利用して、半田ブリッジの有無を調べる。具体的には、互いにほぼ平行に位置するふたつの導電ピン３１ａ、３１ｂと、それらの片側をそれぞれ固定しかつ導電ピン３１ａ、３１ｂの長手方向に軸方向が平行な円柱形状の支持部３１ｃとを有するＩＣパッケージ実装体検査用ピンを用いて、これを各貫通孔１３に挿入していく。導電ピン３１ａ、３１ｂは電気的に導線部材３２を介してテスタ（図示せず）に接続されている。導電ピン３１ａ、３１ｂ間の導通を調べることにより半田ブリッジ２１ａの形成を検知できる。すなわち、導通がなければ導電ピン３１ａ、３１ｂの先端は配線基板２１に達したものと考えられ半田ブリッジの発生はない。導通であれば半田ブリッジ２１ａに導電ピン３１ａ、３１ｂが接触したものと考えられる。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、検査用ピンに代えて、半田ブリッジ１２ａが検知された貫通孔１３にホットエアーを供給するための耐熱性管４１を挿入する。耐熱性管４１は、ホットエアー供給部材４２を介してホットエアー供給源（図示せず）に接続されている。耐熱性管４１は、例えば金属やセラミックスからなる管（パイプあるいはチューブ）であり、貫通孔１３に挿入できる程度の直径を有する。貫通孔１３に耐熱性管４１を挿入したらホットエアー供給源からホットエアーを供給する。ホットエアーは、例えば３００℃から４００℃程度の温度である。これにより半田ブリッジ１２ａが溶融され、これを消滅させることができる。すなわち、ホットエアーにより半田ブリッジ１２ａが溶融されると、インターポーザ１１側のランド１４および配線基板側のランド２２に対する半田の濡れ性および溶融半田の表面張力によりブリッジが分離される。
【００２８】
なお、図２（ｃ）に示すホットエアーの供給工程に続き再び図２（ｂ）に示す導通検査工程を行って半田ブリッジ１２ｂの消滅を確認することもできる。以上説明のＩＣパッケージ実装体の検査方法では、接続状態を調べるのに例えばＸ線装置のような大掛かりな装置を必要とせず、簡易かつ確実な検査が実行できる。また、貫通孔１３を検査のためだけでなくリペアのためにも活用できる。
【００２９】
図３は、本発明の別の実施形態に係るＩＣパッケージ実装体のリペア方法の過程を断面で示す工程図である。この実施形態は、実装不良として未半田不良が生じた場合の対応を示す。図３において、図１、図２に示したものと同一相当のものには同一符号を付してある。その部分の説明は省略する。図３（ａ）、同（ｂ）、同（ｃ）の順に工程が進行する。
【００３０】
図３（ａ）は、ＩＣパッケージ化された半導体装置を配線基板２１上に実装した状態を示す。半導体装置の各半田ボール１２は配線基板２１上に設けられたランド２２に電気的・機械的に接続されている。ここで、一部の半田ボール１２に未半田不良の半田ボール１２ｂが生じているものとする。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、未半田不良の半田ボール１２ｂが生じている近傍の貫通穴１３に溶融半田５３を供給するための耐熱性管５１を挿入する。耐熱性管５１は、溶融半田供給部（図示せず）に接続されている。耐熱性管５１は、例えば金属やセラミックスからなる管（パイプあるいはチューブ）であり、貫通孔３１に挿入できる程度の直径を有する。貫通孔１３に耐熱性管１３を挿入したら溶融半田供給源から溶融半田５３を半田ボール１２ｂ付近に送り込む。これにより、インターポーザ１１側のランド１４および配線基板側のランド２２で半田濡れ性が発揮されかつ溶融半田５３に表面張力があることから、未半田不良の半田ボール１２ｂを正常な接続状態に改善することができる。
【００３２】
図３（ｂ）に示す工程の後、さらに、図３（ｃ）に示すようにホットエアーの供給を行うようにしてもよい。図３（ｃ）の工程は図２（ｃ）を参照して説明した工程と同じである。図３（ｃ）に示すホットエアーの供給工程により、インターポーザ１１側のランド１４および配線基板側のランド２２に対する半田の濡れ性および溶融半田の表面張力さらに発揮させ、未半田不良が解消された半田ボール１２ｂａを形状としてさらに整えることができる。以上説明のＩＣパッケージ実装体のリペア方法では、貫通孔１３を利用して未半田不良のリペアを行うことができる。
【００３３】
次に、ＩＣパッケージにおける貫通孔１３の全体的な配置について具体的な例を図４から図６を参照して説明する。これらの図において図１に示したものと同一相当のものには同一符号を付してある。その部分の説明は特に加えることがない限り省略する。
【００３４】
図４は、本発明の別の実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す平面図である。この実施形態のＩＣパッケージ１０Ａでは、貫通孔１３の配置がインターポーザ１１の四隅近傍に各１２箇所とされている。より具体的には、半田ボール１２（外部接続用ランド）によるグリッドの縦線上または横線上であって、インターポーザ１１の四隅近傍それぞれにおける半田ボール１２の３×３グリッドの半田ボール１２間それぞれに設けられている。
【００３５】
インターポーザ１１の四隅付近に限り貫通孔１３を設けたのは、この領域は他の領域に比較して半田ブリッジなどの接続不良が発生しやすいのでこれに対応するためである。このような不良発生の原因として挙げられるのは、ひとつとして、インターポーザ１１が特に樹脂製である場合にはそりが生じる場合があり、実装工程時に、実装されるべき配線基板との距離という意味でそりの影響を最も受ける領域だからである。さらに、インターポーザ１１の中ほどの領域では、実装工程時に各半田ボール１２に四方から均等な半田ボール１２同士による影響が及ぶが、各辺近傍では、その一方からの影響がなく、さらに四隅近傍では四方のうち三方からの影響がなくなり、特にバランスが崩れるからである。
【００３６】
なお、貫通孔１３をグリッドの面心に設けることも考えられるが、半田ボール１２間の半田ブリッジはそれら間の距離が短いほどできやすいので、半田ボール１２によるグリッドの縦線上または横線上に設ける方が得策と考えられる。また、ここでは、端子数が１２×１２の１４４端子であるＩＣパッケージ１０Ａの例を示したが、端子数はこれ以外であってももちろんよい（これは以下で説明する図５、図６の場合も同じ）。いずれの場合も、貫通孔１３を配置すべき対象グリッドは、３×３以外に、２×２、４×４、…などとしてもよい。
【００３７】
図５は、本発明のさらに別の実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す平面図である。この実施形態のＩＣパッケージ１０Ｂでは、貫通孔１３の配置がインターポーザ１１における半田ボール１２の各辺近傍の半田ボール１２間それぞれとされている。より具体的には、半田ボール１２（外部接続用ランド）によるグリッドの縦線上または横線上であって、半田ボール１２の最外１列の半田ボール１２間それぞれに設けられている。
【００３８】
このような貫通孔１３の配置を選択した理由はすでに説明したように各辺近傍は半田ブリッジなどの接続不良が発生しやすいからである。なお、さらなる変形例としては、最外の１列のみを貫通孔１３配置の対象とするのでなく、その対象を２列や、３列、…などとすることも考えられる。また、各辺の長さ方向すべてを貫通孔１３配置の対象とせず、各辺の中央付近は貫通孔１３の配置を省略するようにすることも考えられる。この理由も先に述べたとおりである。
【００３９】
図６は、本発明のさらに別の実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す平面図である。この実施形態のＩＣパッケージ１０Ｃは、貫通孔１３の配置として、図４に示した実施形態の配置と図５に示した実施形態の配置とを加算したものとしている。したがって、その効果を重畳的に得ることができる。この場合の変形例としては、図４および図５それぞれで説明した変形例を適宜参照して構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す斜視図および断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係るＩＣパッケージ実装体の検査方法およびリペア方法の過程を断面で示す工程図。
【図３】本発明の別の実施形態に係るＩＣパッケージ実装体のリペア方法の過程を断面で示す工程図。
【図４】本発明の別の実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す平面図。
【図５】本発明のさらに別の実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す平面図。
【図６】本発明のさらに別の実施形態に係るＩＣパッケージの構成を示す平面図。
【符号の説明】
【００４１】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…ＩＣパッケージ、１１…インターポーズ基板（インターポーザ）、１２…半田ボール、１２ａ…半田ブリッジ、１２ｂ…未半田不良の半田ボール、１２ｂａ…未半田不良が解消された半田ボール、１３…貫通孔、１４…外部接続用ランド、２１…配線基板、２２…半導体装置実装用ランド、３１ａ，３１ｂ…導電ピン、３１ｃ…支持部、３２…導線部材、４１…耐熱性管、４２…ホットエアー供給部材、５１…耐熱性管、５２…溶融半田供給部材、５３…溶融半田。
【図１】
2005277013.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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