(57)【要約】【課題】レジスト剥離廃液から高品質の再生レジスト剥離液を得ることを可能とし、少なくともその再生再利用のライフを延長できるレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置を提供する。【解決手段】レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び／又はイオン性不純物を除去するか、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤や脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減するか、これらの両方の処理を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び／又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理工程、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び／又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理工程の一方又は両方の工程を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理方法。
【請求項２】
前記イオン交換樹脂が、陰イオン交換樹脂及び／又は水素イオン形及びアルカノールアミン形の少なくとも一方の陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。
【請求項３】
前記イオン交換樹脂が、その水分含有量が３０重量％以下である乾燥イオン交換樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。
【請求項４】
膜分離処理装置によりレジストが濃縮された濃縮液と共に前記のレジスト剥離廃液に由来する処理液ともなり得るアルカノールアミン及び有機溶媒を主として含む透過液を得る膜分離処理工程を更に包含することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。
【請求項５】
イオン交換処理工程及び／又は水分除去処理工程を少なくとも経て得られる処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整する工程を更に包含することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。
【請求項６】
レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る装置であって、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び／又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理装置、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び／又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理装置の一方又は両方の装置を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理装置。
【請求項７】
レジストが濃縮された濃縮液と共に前記のレジスト剥離廃液に由来する処理液ともなり得るアルカノールアミン及び有機溶媒を主として含む透過液を得る膜分離処理装置を更に包含することを特徴とする請求項６に記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。
【請求項８】
イオン交換処理装置及び／又は水分除去処理装置を少なくとも経て得られる処理液を貯留し、該処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整するための濃度調整槽、該濃度調整槽にアルカノールアミンを供給するアルカノールアミン供給手段及び該濃度調整槽に有機溶媒を供給する有機溶媒供給手段を更に包含することを特徴とする請求項６又は７に記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。
【請求項９】
前記膜分離処理装置からの透過液を、該膜分離処理装置が多段の場合は少なくとも第１段の透過液を、系外にドレンするライン及び／又は該膜分離処理装置の前段に返送するラインが設けられていることを特徴とする請求項７又は８に記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。
【請求項１０】
前記膜分離処理装置からの透過液の成分濃度検出器が設けられていることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等のフラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造過程などから発生するレジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得るレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品等の製造過程には、フォトリソグラフィー工程が含まれる。この工程では、ウエハやガラス基板等の基板上にフォトレジストの皮膜を形成し、その所定部分に光等を照射し、次いで現像液により不要のフォトレジストを溶解・現像してレジストパターンを形成し、更にエッチング等の処理を行った後、基板上の不溶性のレジスト膜を剥離する。フォトレジストは、露光部分が現像液に可溶性となるポジ型と露光部分が不溶性となるネガ型がある。半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ等の電子部品の製造分野ではポジ型フォトレジストが主に使用される。上記の剥離の工程では、基板上の不溶性のレジスト膜を剥離するためにレジスト剥離液が用いられる。この剥離液は、一般的には、有機溶媒、アルカノールアミン、水（０．５％重量以下）などから構成されている。また、レジスト剥離液中に存在する微量の金属類による電子部品上の腐食を防止するために、腐食防止剤、キレート剤、有機酸といった添加剤がレジスト剥離液には混合されている場合もある。レジスト剥離液を用いて基板上のレジスト膜を溶解し、基板から剥離する。その結果、溶解レジストを含むレジスト剥離廃液が生じる。
【０００３】
このようなレジスト剥離廃液を再生処理し、レジスト剥離液を再生する方法としては、下記の特許文献に開示される方法が知られている。
【特許文献１】特許第２６０２１７９号公報
【特許文献２】特開２００３−１６７３５８号公報
【０００４】
特許第２６０２１７９号公報に開示される方法は、レジスト剥離廃液中の有機溶媒、アルカノールアミン、溶解レジストの濃度を吸光光度計で測定し、測定濃度に基づき、有機溶媒及びアルカノールアミンを供給して各成分濃度を調整して再生する単純な方法である。特開２００３−１６７３５８号公報に開示される方法は、ナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜）を用いた膜分離処理によりレジスト剥離廃液からレジストを主に除去して得られた有機溶媒とアルカノールアミンを主として含有する透過液の各成分濃度を有機溶媒及び／又はアルカノールアミンを供給して調整し、元の（新品）レジスト剥離液とほぼ同等の状態として再生、再利用する方法である。
【０００５】
これらの再生処理方法においては、レジストや他の陰イオン類や、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ａｌ等の金属類や陽イオン類などの各種不純物類の除去率が悪いため、これらの各種不純物の観点からは再生レジスト剥離液を元の（新品）レジスト剥離液とほぼ同等であるとは言い難く、特に電子部品類の製造に再利用するのに問題となることがある。さらに、再利用を繰り返すことにより、上記の様な各種不純物は次第に高濃度に濃縮されるので、各種不純物濃度が一定値にまで高まった時点で再利用を終了し、全量交換することが必要である。
【０００６】
また、レジスト剥離液の水分含有量は、通常、剥離効果の観点から０．５重量％以下であることが求められる。上記のいずれの再生処理方法でも、レジスト剥離工程などからレジスト剥離廃液に混入して来る水分の除去が困難であり、その再生処理による再利用を繰り返すうちに再生レジスト剥離液中の水分含有量が高まり、剥離効果に悪影響を及ぼし、また、レジスト剥離液の腐食性が高まるなどのため、上記の各種不純物の場合と同様に一定の水分含有量にまで高まったレジスト剥離廃液は再生による再利用を終了し、全量交換する必要がある。
【０００７】
この様にして生じる高各種不純物濃度及び／又は高水分含有量の廃液は、通常、焼却処分され、これに伴い大気中に炭酸ガスが放出されることになり、環境に配慮すると好ましくない。また、上記のいずれの再生処理方法でも、定期的に新品レジスト剥離液の供給が必要であり、ランニングコストが多大となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、レジスト剥離廃液から高品質の再生レジスト剥離液を得ることを可能とし、少なくともその再生再利用のライフを延長して、必要に応じて新品レジスト剥離液の主成分や添加剤の供給を充分に低減することもできるレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び／又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理工程、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び／又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理工程の一方又は両方の工程を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理方法、並びに、レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る装置であって、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び／又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理装置、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び／又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理装置の一方又は両方の装置を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理装置を提供するものである。ここで、「イオン交換樹脂」とは、陰イオン交換樹脂や陽イオン交換樹脂の他に、キレート樹脂も含めた概念とする。また、「レジスト剥離廃液に由来する処理液」とは、イオン交換処理及び水分除去処理の一方の工程を行って、他方の工程をその後行う時は、該一方の工程で得られる処理液は該他方の工程における「レジスト剥離廃液に由来する処理液」となるのであり、また、後述する膜分離処理による透過液などの処理液も「レジスト剥離廃液に由来する処理液」となり得るものである。
【００１０】
レジスト剥離液は、アルカノールアミンと有機溶媒を主成分とする。アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等を挙げることができる。有機溶媒は上記アルカノールアミンとは異なる有機溶媒であり、その具体例としては、ジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピロリドン系原液、グリコールエーテル系原液などを挙げることができる。また、腐食防止剤、キレート剤、有機酸といった添加剤がレジスト剥離液には混合されている場合もある。
【００１１】
レジスト剥離廃液は、上記のレジスト剥離液を基板上のレジスト膜の剥離に使用して生じる廃液であり、その中にはレジストや他の陰イオン類や、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ａｌ等の金属類や陽イオン類などの各種不純物類が含まれており、薬品（新品レジスト剥離液や、アルカノールアミン、有機溶媒、添加剤など）に元来含有されていた各種不純物類の他に、配管材等からの溶出により含まれて来る各種不純物もある。また、薬品（新品レジスト剥離液や、アルカノールアミン、有機溶媒、添加剤など）に元来含有されていた水分の他に、レジスト剥離工程などからレジスト剥離廃液に混入して来る水分もある。これらの各種不純物及び／又は水分を除去するのが本発明の特徴である。各種不純物又は水分を除去するか、あるいは両方を除去するかは、コストなどとの関連で、レジスト剥離廃液の性状や再生レジスト剥離液に要求される品質などを考慮して決めればよい。なお、金属類は、どのような形態で除去されるかは必ずしも明らかでない。
【００１２】
イオン交換処理工程に用いるイオン交換樹脂としては、陰イオン交換樹脂及び／又は水素イオン形及びアルカノールアミン形の少なくとも一方の陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂を用いるのが好ましい。イオン交換樹脂として、陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂、キレート樹脂の一種を単独で用いるか、または、二種又は三種を組み合わせて用いるかは、レジスト、他の陰イオン類、金属類、陽イオン類等の不純物の種類や濃度、さらには再生されるレジスト剥離液の用いられる工程で製造される電子部品の種類などとの関連でこれらの不純物の残存許容量によって決めれば良い。しかし、不純物のより少ない再生レジスト剥離液を得て、再生再利用のライフをできるだけ延長するためには、陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂との少なくとも二種を用いるのが好ましい。陰イオン交換樹脂はレジストも含めた陰イオン性不純物を除去してその濃度を低減し、陽イオン交換樹脂は後述する膜分離処理を行ったとしても除去が不十分な金属類や陽イオン性不純物（特にＮａイオンなど）を除去してその濃度を低減し、キレート樹脂は特に金属イオン類を除去してその濃度を低減する。
【００１３】
特に電子部品製造工程においては、各金属不純物の含有量がより低いレベルに抑制されたレジスト剥離液を用いることが要求されており、電子部品の種類にもよるが、少なくとも各金属不純物含有量については１０ｐｐｂ未満であることが要求され、従って、再生レジスト剥離液にも同様のことが要求される。また、レジスト剥離工程における電子部品への金属の付着と腐食の防止の為に、レジスト剥離液には腐食防止剤、キレート剤、有機酸といった添加剤が用いられる場合があるが、特開２００１−２２８６３５号公報に記載されている様に、これらの添加剤は一般的に金属不純物含有量が多く、予め金属含有量低減処理を行う必要がある程で、金属不純物源となり得るし、それを防止する為に予め添加剤に金属含有量低減処理を行えばコストがかかる。それゆえ、陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂と接触させることによって、レジスト剥離工程あるいは添加剤から混入する金属類の含有量を低減することにより、金属混入に対応する為の金属腐食防止剤やキレート剤など、一部の添加剤の使用量を低減あるいは使用しなくてもよくなり、コストの低減が図れる。
【特許文献３】特開２００１−２２８６３５号公報
【００１４】
陰イオン交換樹脂としては、スチレン系やアクリル系等の粒状や多孔性濾過膜状の水酸化物イオン形の陰イオン交換樹脂が好ましく、特にレジスト除去効率の点ではスチレン系陰イオン交換樹脂が、また、強塩基性陰イオン交換樹脂が好ましいが、これらに限定されない。レジストは、フェノール性水酸基などの陰イオン性基を有しており、陰イオン交換樹脂との接触により除去されるので、後述の膜分離処理工程が無くても陰イオン交換樹脂を用いたイオン交換処理工程を実施すれば、処理液のレジスト濃度は低下するが、後述の膜分離処理工程から得られる透過液（または、その水分除去処理などの処理液）を陰イオン交換樹脂と接触させる方がイオン交換処理の負荷が小さくなるので好ましい。また、陰イオン交換樹脂を用いれば、後述の膜分離処理工程を行った場合も、透過液（または、その水分除去処理などの処理液）中の微量の残存レジストを除去できるので、得られる処理液にはレジストが殆ど残存しない程度まで低レジスト濃度を達成することもできる。陰イオン交換樹脂を用いれば、種類や濃度などにもよるが、他の陰イオン類も除去できる。
【００１５】
陽イオン交換樹脂としては、処理効率の点でスチレン系やアクリル系等の水素イオン形やアルカノールアミン形の粒状や多孔性濾過膜状の陽イオン交換樹脂が好ましく、また、弱酸性陽イオン交換樹脂や強酸性陽イオン交換樹脂のいずれでもよい。水素イオン形の陽イオン交換樹脂を用いるのが工業的に簡易であるので好ましいが、予めアルカノールアミン形にした陽イオン交換樹脂は、水素イオン形陽イオン交換樹脂の場合に通液初期にアルカノールアミンが陽イオン交換樹脂に吸着されて処理液中のその濃度が低下するという現象を発生するのを回避できる点では好ましい。陽イオン交換樹脂は、一部がアルカノールアミン形で他の一部が水素イオン形となっていても、両形の樹脂が任意の割合で混合又は積層されてもよい。なお、水素イオン形陽イオン交換樹脂は、レジスト剥離液又はそれに由来する処理液の通液の時間経過とともにアルカノールアミン形となるので、或る程度の時間経過以降は実質的にはアルカノールアミン形陽イオン交換樹脂を用いていることになる。
【００１６】
キレート樹脂としては、イミノ二酢酸型、アミノ燐酸型、ポリアミン型、グルカミン型等のキレート基を有する粒状や多孔性濾過膜状の樹脂類を好ましく用いることができる。
【００１７】
粒状の陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂、キレート樹脂の少なくとも二種を用いる場合、混合して（混床として）用いてもよいし、積層して用いてもよく、また、別のカラムに充填して連結して用いてもよい。多孔性濾過膜状の樹脂類の場合は、モジュール（又はエレメント）として用いることができる。積層や別カラムで二種以上を用いる場合や別モジュール（又はエレメント）で用いる場合、その順序は基本的には限定されず、あらゆる順序を採ることができる。但し、粒状の樹脂と多孔性濾過膜状の樹脂とを二種以上を併用する場合、粒状の樹脂から発生する可能性のある微粒子を除去できる点では多孔性濾過膜状の樹脂を後段に配置するのが好ましい。イオン交換処理装置の入口で被処理液（レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液）のレジスト濃度が高い場合、陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂とを用いるのが好ましい。この場合は、陰イオン交換樹脂を上流側に陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂を下流側に積層したり別カラムや別モジュール（又はエレメント）を配置したりして用いるのが好ましい。また、陰イオン交換樹脂と接触させ、次いで陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂と接触させた後、更に陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂の混合樹脂（混床のカートリッジポリッシャーなど）に通液するのが、不純物濃度がより低減された処理液を得ることができ、良好な再生レジスト剥離液とすることができるので好ましい。陰イオン交換樹脂を上流側に陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂を下流側に配置するのが好ましい理由は、高分子物質であるレジストが陽イオン交換樹脂の表面に吸着して陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂の活性を低下させてしまう虞があるため、陰イオン交換樹脂との接触で予めレジストを除去しておくのが有利であるからである。なお、この場合において陽イオン交換樹脂とキレート樹脂との両方を用いる場合は、どちらを上流側に配置してもよく、また、両者の混合としてもよい。なお、粒状の樹脂は処理効率の点で優れ、多孔性濾過膜状の樹脂は微粒子を発生しない点では好ましい。
【００１８】
陰イオン交換樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーライト９００Ｃｌ、ＩＲＡ４００Ｃｌ、ＩＲＡ４０２ＢＬＣｌ、アンバージェット４４００Ｃｌ、ＩＲＡ９６ＳＢ、ＸＴ６０５０ＲＦ、ＩＲＡ４７８ＲＦＣｌ、アンバーリストＡ２６などを挙げることができる。陽イオン交換樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーライトＩＲ１２４、ＩＲ１２０Ｂ、２００ＣＴ、ＩＲＣ７６、アンバージェット１０６０、アンバーリスト１５ＪＷＥＴなどを挙げることができる。キレート樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーライトＩＲＣ７４８、ＩＲＣ７４７、ＩＲＡ７４３などを挙げることができる。
【００１９】
水分除去処理工程で用いてもよい水分除去剤（乾燥剤）としては、乾燥イオン交換樹脂、モレキュラーシーブ、シリカゲル、ゼオライトなどを挙げることができる。この場合、水分除去処理装置としては、例えば、このような水分除去剤を充填したカラムを好ましく用いることができる。乾燥イオン交換樹脂の水分含有量は３０重量％以下であるのが好ましく、１５重量％以下であるのがより好ましく、１０重量％以下であるのが更に好ましく、１重量％以下であるのが特に好ましい。ここで、乾燥イオン交換樹脂は、金属類やイオン性不純物の除去の機能と、水分除去剤としての水分除去の機能との両方を兼ねることもできるので、乾燥イオン交換樹脂で両機能の兼用を行うことができる点で好ましい。この場合、イオン交換処理工程と水分除去処理工程が併せて実際は一工程で行うこととなり、また、イオン交換処理装置と水分除去処理装置が併せて実際は一装置を構成する。乾燥イオン交換樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーリスト１５ＤＲＹ（陽イオン交換樹脂）や、オルガノ株式会社製のアンバーリストＭＳＰ・ＤＲＹ（混床イオン交換樹脂）、アンバーリストＢ２０−ＨＧ・ＤＲＹ（陰イオン交換樹脂）、アンバーリスト１５ＪＳ−ＨＧ・ＤＲＹ（陽イオン交換樹脂）などを、モレキュラーシーブの具体例としてはモレキュラーシーブ３Ａを、シリカゲルの具体例としては関東化学株式会社製のものを、ゼオライトの具体例としては、東ソー株式会社製のゼオラムＡ−３を挙げることができる。
【００２０】
水分除去処理工程で用いてもよい脱気膜としては、セルガード株式会社製のリキセル、大日本インキ株式会社製のＳＥＰＡＲＥＬなどを挙げることができる。レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液と脱気膜とを接触させると、沸点の低い水は、気化して脱気膜を透過し、沸点が高く脱気膜を実質的に透過しないアルカノールアミン及び有機溶媒から分離・除去することができる。この場合、水分除去処理装置としては、例えば、脱気膜モジュール（又はエレメント）を用いた膜脱気処理装置を用いることができる。水分除去剤カラムと膜脱気処理装置を併用することもできる。例えば、乾燥イオン交換樹脂カラムでイオン交換兼水分除去処理工程を行い、膜脱気処理装置で更に水分の除去を行う様な場合である。
【００２１】
イオン交換処理工程と水分除去処理工程の両方を行う場合、その順序は特に限定されないが、モレキュラーシーブ、ゼオライト等の金属成分を含む水分除去剤を用いる場合はイオン交換処理工程を後段で行う方が望ましい。
【００２２】
通常、レジスト剥離廃液とレジスト剥離後に用いられる洗浄水（リンス水）から生じるリンス廃液とは分別して取り扱われるので、イオン交換処理や水分除去処理の前後でレジスト剥離廃液の成分であるアルカノールアミンと有機溶媒の比率はそれほど変化せず、レジスト剥離液とほぼ同じであることが多いので、レジスト剥離廃液をイオン交換処理や水分除去処理しただけでも、レジスト濃度が許容できる値であれば、再生レジスト剥離液として用いることができる場合がある。しかし、膜分離処理装置によりレジスト剥離廃液を膜分離処理して、レジストを濃縮液側に少なくとも或る程度除去して得られる透過液（または、その水分除去処理などの処理液）をイオン交換処理工程に供するのが好ましい。この場合、レジストを始めとして或る程度金属類やイオン性不純物が膜分離処理の濃縮液側に除去されて、透過液はイオン交換処理、特に陰イオン交換処理に対する負荷が小さくなっている。一方、水分除去処理工程は、膜分離処理の後段で行うのが水分除去剤や脱気膜がレジストにより汚染されるのを回避できる点では好ましい。膜分離処理装置としては、ＮＦ膜分離処理装置や一般の逆浸透膜分離処理装置などを用いることができるが、ＮＦ膜分離処理装置が好ましい。膜分離処理工程とイオン交換処理工程を行う場合、工程の順序に関しては、上述の様な「ＮＦ膜分離処理等の膜分離処理→イオン交換処理」の順が金属類及び／又はイオン性不純物を可及的に除去する点では好ましいが、「イオン交換処理→ＮＦ膜分離処理等の膜分離処理」の順でもそれなりの効果があり、粒状のイオン交換樹脂を用いた場合にこれから発生する可能性がある微粒子を膜分離処理で除去できるので、本発明はかかる逆の順の方法や装置を排除するものではない。膜分離処理工程と水分除去処理工程を行う場合、通常はこの順序で行うのが好ましいが、水分除去剤の種類（モレキュラーシーブ、ゼオライトなど）によっては、水分除去処理工程を膜分離処理工程の前段で行うのが好ましいこともある。
【００２３】
ＮＦ膜分離処理装置に用いるＮＦ膜は、０．２％（重量／容積）の塩化ナトリウム水溶液を被処理液として２５℃で分離処理した時の塩化ナトリウムの阻止率（除去率）が９０％以下の特性を有する分離膜であり、敢えて分画分子量で表すとすれば分画分子量が１００〜１５００の範囲内であるのが好ましいが、レジスト等の不純物が濃縮された濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒とを主として含む透過液とに分離する機能を有する限り必ずしもこの範囲内に限定されない。分画分子量は２００〜１２００がより好ましく、４００〜１０００が更に好ましい。アルカノールアミンと有機溶媒はＮＦ膜を透過してその殆どが透過液中に入って来るが、レジストは余り又は殆どＮＦ膜を透過せず、大部分は濃縮液側に残存して濃縮されるので、レジスト等の不純物を主として含む濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒を主として含む透過液が得られる。ＮＦ膜による膜分離処理工程を実施するＮＦ膜分離処理装置は、比較的低コスト且つ操作が容易で、アルカノールアミンと有機溶媒をかなりの程度精製できる点で好ましいものである。
【００２４】
本発明に用いてもよいＮＦ膜分離処理装置に用いることができるＮＦ膜としては、例えば、日東電工株式会社製のＮＴＲ−７４１０、ＮＴＲ−７４５０、ＮＴＲ−７２５ＨＦ、ＮＴＲ−７２５０、ＮＴＲ−７２９ＨＦ、ＮＴＲ−７６９ＳＲ、東レ株式会社製のＳＵ−２００Ｓ、ＳＵ−５００、ＳＵ−６００、フィルムテック社製のＮＦ−４５、ＮＦ−７０、ＮＦ−９０、コーク・メンブレン・システムズ社製の「Ｓｅｌ  ＲＯTM」シリーズのＭＰＳ／Ｔ−２０、ＭＰＳ／Ｔ−２１、ＭＰＳ／Ｔ−３１、ＭＰＳ／Ｔ−３４、ＭＰＳ／Ｔ−３６、ＭＰＳ／Ｔ−４４、ＭＰＳ／Ｔ−５０、ＭＰＳ／Ｔ−６０等を挙げることができる。これらの中でも、コーク・メンブレン・システムズ社製の「Ｓｅｌ  ＲＯTM」シリーズのＮＦ膜は、耐アルカリ性に優れ、ｐＨ全域で使用できる点で好ましい。
【００２５】
ＮＦ膜の微粒子不純物等による目詰まりの虞を避けるために、ＮＦ膜の前段（好ましくは直前）に保安フィルターを設けるのが好ましい。
【００２６】
上述した様に、イオン交換処理や水分除去処理の前後でレジスト剥離廃液の成分であるアルカノールアミンと有機溶媒の比率はそれほど変化せず、レジスト剥離液とほぼ同じであることが多いので、イオン交換処理のみ、水分除去処理のみ、または、上記両処理のみで精製を行う場合は、処理液を濃度調整せずに用いることができる場合もある。しかし、場合によっては外的な要因などで、また、ＮＦ膜分離処理等の膜分離処理を行ってレジスト剥離液の該比率と異なってきた場合などには、イオン交換処理工程及び／又は水分除去処理工程を少なくとも経て得られる処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整する工程を更に行うのが好ましい。この濃度調整工程を行うには、イオン交換処理装置及び／又は水分除去処理装置を少なくとも経て得られる処理液を貯留し、該処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整するための濃度調整槽、該濃度調整槽にアルカノールアミンを供給するアルカノールアミン供給手段及び該濃度調整槽に有機溶媒を供給する有機溶媒供給手段を更に包含する様に構成したレジスト剥離廃液の再生処理装置を用いるのが、容易に濃度調整できる点で好ましい。なお、濃度調整の為に各成分濃度を測定する濃度検出器としては、各成分濃度を測定できるかぎり特に限定されないが、レジスト、アルカノールアミン、有機溶媒にそれぞれ特有な吸収波長の光を吸収する吸光光度計を用いるのが簡易で好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、従来のレジスト剥離廃液の再生処理方法では除去不可能であった金属類及び／又はイオン性不純物及び／又は水分が、イオン交換樹脂を用いたイオン交換処理装置によるイオン交換処理工程及び／又は水分除去剤や脱気膜を用いた水分除去処理装置による水分除去処理工程により除去されるので、再利用するのに好適な再生レジスト剥離液を得ることができる。また、本発明によれば、従来のレジスト剥離廃液の再生処理方法では再生再利用を繰り返すことにより一定の金属類及び／又はイオン性不純物濃度及び／又は一定の水分含有量にまで高まったレジスト剥離廃液は再生による再利用を終了して全量交換するか又は一定量を新品レジスト剥離液に入れ替える必要があるのに対し、少なくともこのような全量交換又は一定量入替の頻度を少なくすることもできる。
【００２８】
さらに、ＮＦ膜分離処理装置等の膜分離処理装置による膜分離処理工程をイオン交換処理工程及び水分除去処理工程（両方兼用の一工程の場合もある）に加えて行い、必要に応じて濃度調整槽でアルカノールアミンと有機溶媒の濃度の調整の工程を行うことにより、元の（新品）レジスト剥離液とほぼ同等の状態の高品質の再生レジスト剥離液を調製することもでき、長期にわたりレジスト剥離廃液からレジスト剥離液を繰り返し再生し、再利用することが可能となる。
【００２９】
さらに、本発明において、イオン交換処理装置に陽イオン交換樹脂及び／又はキレート樹脂を少なくとも用い、レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液と接触させる場合は、再生レジスト剥離液中の金属類や陽イオン類の濃度が常に低いレベルに保たれるので、腐食防止剤やキレート剤や有機酸等の添加剤の追加的な添加量や時には初期の添加量をも低減させることができ、場合によってはかかる添加剤の追加的な添加は不要となるという利点が生じる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
次に、図面を参照しつつ発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
図１は、本発明の方法を実施できる本発明のレジスト剥離廃液再生処理装置の一例を示すフロー図である。レジスト剥離装置１で濃度調整槽２５から送られた新品又は再生されたレジスト剥離液でウェハやガラス基板等の基板上のレジストを溶解・剥離する。ここから生じたレジスト剥離廃液は、ライン２を通して一旦レジスト剥離廃液貯留槽３に貯留する。レジスト剥離廃液貯留槽３に貯留されたレジスト剥離廃液は、場合によっては弁５を開けてライン４を通して系外にその一部を排出（ドレン）してもよく、また、レジスト剥離廃液の性状が再生に適さないと考えられる時には全量を系外にドレンしてもよい。ポンプ７を駆動し、レジスト剥離廃液貯留槽３からレジスト剥離廃液をライン６を通して濃縮液槽８に送り、ＮＦ膜分離処理装置１１から返送されてくる濃縮液と合流する。弁１３、２４を開いた状態で、流量調節ポンプ１０を駆動して、レジスト剥離廃液と濃縮液の混合物をライン９を通してＮＦ膜分離処理装置１１に送り、濃縮液と透過液を得る。得られた濃縮液はライン１２を通して濃縮液槽８に返送され、循環されるが、その際、流量計１４により返送される濃縮液流量が監視される。
【００３２】
得られた透過液は、ライン２０を通してイオン交換処理装置２１に送られ、ここで残存レジスト等の陰イオン類やＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属類や陽イオン類が除去される［乾燥イオン交換樹脂が用いられる場合は、水分も除去され、イオン交換兼水分除去処理装置として機能し、また、イオン交換処理装置の代わりに水分除去剤又は脱気膜が用いられた水分除去処理装置を配置する場合もあり、また、水分除去処理装置とイオン交換処理装置を直列に連結して（順序はこの順又は逆の順）配置する場合もある］。得られるイオン交換処理液は、ライン２３を通して流量計２２を経由して濃度調整槽２５に送られる。流量計２２は、図示される様にイオン交換処理装置２１の後段に設置する代わりにＮＦ膜分離処理装置１１とイオン交換処理装置２１の間のライン２０上に配置してもよい。この流量計２２で透過液から得られるイオン交換処理液の流量が監視され、流量計１４による流量値と共にＮＦ膜分離処理装置１１の運転（特に透過液回収率）の管理に利用される。濃度調整槽２５にはドレンするためのライン２６と弁２７が付設され、濃度調整槽２５の液量の調整などを行うこともある。なお、濃度調整槽２５の直前又は直後のラインに微粒子を除去する為の精密濾過膜処理装置等の濾過膜処理装置（図示されていない）を設けてもよい。
【００３３】
ポンプ３１を駆動し、濃度調整槽２５にはアルカノールアミン貯留槽３２からライン３３とライン３０とを通してアルカノールアミンが添加され、その添加量の調節に制御弁３４が使われる。同様に、濃度調整槽２５には有機溶媒貯留槽３５からライン３６とライン３０とを通して有機溶媒が添加され、その添加量の調節に制御弁３７が使われる。
【００３４】
ポンプ４０を駆動して、濃度調節された再生レジスト剥離液はライン４１を通してレジスト剥離装置１に送られる。送られる再生レジスト剥離液の流量は、制御弁４２により調節される。レジスト剥離装置１に常に再生レジスト剥離液が供給されるわけではなく、供給しない時は弁４２を閉じ、ライン４１から分岐するライン４９を通して再生レジスト剥離液は濃度調整槽２５に戻されて循環し、ライン４１から分岐するサンプリングライン４３への供給が停止しない様にしている。このサンプリングライン４３を通して少量の再生レジスト剥離液をアルカノールアミン濃度検出器としての第一吸光光度計４４と有機溶媒濃度検出器としての第二吸光光度計４５に供給し、その後ライン４６を通してライン４１に戻す。但し、直接メインライン上に第一吸光光度計４４と第二吸光光度計４５を設置してもよい。第一吸光光度計４４と第二吸光光度計４５により得られたアルカノールアミンと有機溶媒の濃度値データを制御装置４７に送信し、制御装置４７が制御弁３４、３７の開度を調節し、アルカノールアミン添加量と有機溶媒添加量を調節する。なお、アルカノールアミン濃度検出器及び有機溶媒濃度検出器としては、上記の様に、簡易な測定器として吸光光度計を用いるのが好ましいが、これらの成分の濃度を検出できる限り、吸光光度計に限定されるものではない。なお、図示されていないが、必要に応じ、腐食防止剤、キレート剤、有機酸等の添加剤の濃度検出器、貯留槽、ライン、弁等からなる添加剤供給装置を同様に付設してもよい。
【００３５】
図１のレジスト剥離廃液再生処理装置では、好ましい態様として、ＮＦ膜分離処理装置１１からの透過液（ＮＦ膜分離処理装置１１が多段の場合は、少なくとも第１段の透過液）を弁５１を開いて系外にドレンするライン５０と、弁５３を開いてＮＦ膜分離処理装置１１の前段、図１の場合にはレジスト剥離廃液貯留槽３に返送する戻りライン５２が設けられている。生産ラインの稼動率が低下するなどして、使用されるレジスト剥離液量が減少すると、レジスト剥離装置１から送出されるレジスト剥離廃液量が減り、レジスト剥離廃液再生処理装置の処理能力が送出されるレジスト剥離廃液量を上回る。このようなとき、このレジスト剥離廃液再生処理装置は運転／待機を繰り返すオンオフ運転状態となる。例えば、このようなオンオフ運転状態では、ＮＦ膜分離処理装置１１の待機中に、レジスト剥離廃液中のレジスト等の不純物がＮＦ膜分離処理装置１１の透過液側に拡散により移動し、再起動初期に透過液の不純物濃度が高くなり、再生レジスト剥離液の品質不良や後段のイオン交換処理装置の負荷上昇といった問題が生じる。この様な問題を回避するのが、ドレンライン５０と戻りライン５２であり、片方設けただけでもよいが、両方設けた方があらゆる事態に対応できる点で好ましい。また、メンテナンスや装置異常のために一時停止するときにも同様の問題を回避できる。ＮＦ膜分離処理装置１１が所定時間以上停止した後に再起動する際、弁５１又は弁５３を開き、弁２４を閉じて、不純物を高濃度で含む透過液を所定量又は所定時間、ライン５０を通じて系外にドレンするか又はライン５２を通じてＮＦ膜分離処理装置１１の前段、図１の場合にはレジスト剥離廃液貯留槽３に戻すために、タイマー等を用い、弁５１や弁５３として調節弁を用い、好ましくは制御装置を用いる。なお、上述したことは、ＮＦ膜分離処理装置に限られることではなく、他の膜分離処理装置を用いる場合も同様である。
【００３６】
また、図１のレジスト剥離廃液再生処理装置では、好ましい態様として、レジスト剥離廃液貯留槽３からのレジスト剥離廃液の成分濃度検出器、特にレジスト濃度検出器としての第三吸光光度計５５、および、ＮＦ膜分離処理装置１１からの透過液の成分濃度検出器、特にレジスト濃度検出器としての第四吸光光度計５６がサンプリングライン５４、５７を介して設けられている（但し、レジスト剥離廃液貯留槽３からのレジスト剥離廃液の成分濃度検出器は無くてもよく、また、サンプリングラインを介さないで、直接メインライン上に成分濃度検出器を設置してもよい）。濃度検出に利用した液はサンプリングライン５４、５７を介してレジスト剥離廃液貯留槽３に返送するか、または、ドレンすればよいが、図示の様に返送とドレンの両方の手段を設ける必要は無く、通常は一手段のみ設ければよい。レジスト濃度検出器の代わりに、アルカノールアミン濃度検出器や有機溶媒濃度検出器又はこれらの三種の検出器の二種以上を用いてもよいが、通常はレジスト濃度検出器が最も効果的でこれのみで充分である。ＮＦ膜の処理性能は中長期的に劣化し、透過液の液質（各成分濃度、特にレジスト濃度）が変化する。透過液の液質変化は再生レジスト剥離液の品質にも影響を及ぼすため、劣化が進行する前にＮＦ膜モジュール（又はエレメント）を定期的に交換する必要があるが、ＮＦ膜モジュール（又はエレメント）の製品毎の個性、運転履歴、レジスト剥離廃液組成の変動などによってＮＦ膜モジュール（又はエレメント）の性能劣化の程度は異なるため、最適な時期での交換は極めて難しく、交換時期が遅れた場合、再生レジスト剥離液の品質が劣化して、製品の歩留まりに影響を及ぼす可能性がある。逆に、余裕をみて早めに交換する場合、ＮＦ膜モジュール（又はエレメント）の交換に伴うコスト（ＮＦ膜購入費用、交換作業費用など）が大きくなってしまう問題がある。また、交換作業時は、ＮＦ膜処理を実施するレジスト剥離廃液再生処理装置の一時的な停止、場合によっては現像装置や製造ラインの停止が必要となるため、交換頻度の上昇は好ましくない。このような諸問題を解決する為に第三吸光光度計５５及び第四吸光光度計５６が設けられている。即ち、ＮＦ膜が劣化すると、特にそのレジスト除去率が変化し、通常は低下するので透過液中のレジスト濃度は変化し（他の成分の濃度も変化する可能性がある）、通常は増加する傾向となる。従って、予め液質管理基準値の範囲を定め、測定したレジスト濃度値がそれから外れたところでＮＦ膜モジュール（又はエレメント）の交換を実施する。また、ＮＦ膜分離処理装置１１の手前にも第三吸光光度計５５が設けられていることで、この測定値と透過液の測定値を比較してＮＦ膜モジュール（又はエレメント）の交換時期をより正確に判断できる。ＮＦ膜分離処理装置が多段の場合は、各段の透過液の成分濃度を測定できる様な構成であるのが望ましいのは勿論のことである。なお、上述したことは、ＮＦ膜分離処理装置に限られることではなく、他の膜分離処理装置を用いる場合も同様である。
【００３７】
ＮＦ膜分離処理装置は、例えば、図１に関連して上述した様に濃縮液を循環させる一段方式でもよいが、多段方式でもよい。多段方式のＮＦ膜分離処理装置として、図面を参照しつつ三つの態様を次に説明する。ここで、被処理液は、レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液で、通常はレジスト剥離廃液であるが、これを「原廃液」と略称する。
【００３８】
＜１＞高回収率のための２段方式（図２参照）
原廃液を入れた原廃液槽６１からポンプ６２により保安フィルター６３を通して、更にポンプ６４により第１ナノフィルター６５に送液し、ここでＮＦ膜によりレジスト等の不純物が濃縮された濃縮液（以下、「ＮＦ濃縮液」と言う）とアルカノールアミンと有機溶媒を主に含む透過液（以下、「ＮＦ透過液」と言う）とに分離される。ＮＦ濃縮液はポンプ６６により第２ナノフィルター６７に送液され、一方、ＮＦ透過液は、ＮＦ透過液槽６８に送液される。
【００３９】
第２ナノフィルター６７では、上記ＮＦ濃縮液をＮＦ膜分離処理し、上記ＮＦ濃縮液中のアルカノールアミンと有機溶媒をＮＦ透過液側に更に回収し、このＮＦ透過液をＮＦ透過液ライン６９を経由して返送し、原廃液中に混入させてもよい。一方、第２ナノフィルター６７から得られるＮＦ濃縮液は、例えば、ドレンライン７０を通して、系外に廃液として排出する。この第２ナノフィルター６７から得られるＮＦ透過液のレジスト濃度が比較的低い場合は、少なくともその一部をＮＦ透過液ライン７１を通して、ＮＦ透過液槽６８に送り、第１ナノフィルター６５から得られるＮＦ透過液と合流させてもよい。第２ナノフィルター６７から得られるＮＦ透過液を原廃液中に戻すか、少なくともその一部を第１ナノフィルター６５から得られるＮＦ透過液と合流させるかは、その純度等を考慮して弁７２と弁７３により調節する。ＮＦ透過液槽６８中のＮＦ透過液は、図示されていないイオン交換処理装置などに送る。なお、ＮＦ透過液槽６８は省略してもよい。
【００４０】
＜２＞高精製度のための２段方式（図３参照）
原廃液を入れた原廃液槽８１からポンプ８２により保安フィルター８３を通して、更にポンプ８４により第１ナノフィルター８５に送液し、ここでＮＦ膜によりレジスト等の不純物が濃縮されたＮＦ濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒を主に含むＮＦ透過液とに分離される。ＮＦ濃縮液は、例えば、ドレンライン８６を通して、系外に廃液として排出する。一方、ＮＦ透過液は、ポンプ８７により第２ナノフィルター８８に送液し、ここでＮＦ膜により残存レジスト等の不純物が濃縮されたＮＦ濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒を主に含む更に精製されたＮＦ透過液とに分離される。このＮＦ濃縮液は比較的清浄なのでＮＦ濃縮液ライン８９を経由して返送し、原廃液中に混入させる。一方、第２ナノフィルター８８から得られるＮＦ透過液をＮＦ透過液槽９０に送り、次いで図示されていないイオン交換処理装置などに送る。なお、ＮＦ透過液槽９０は省略してもよい。
【００４１】
＜３＞上述の二方式の組み合わせ方式（図４参照）
原廃液槽９１、ポンプ９２、保安フィルター９３、ポンプ９４、第１ナノフィルター９５、ポンプ９６、第２ナノフィルター９７、ＮＦ透過液ライン９８と９９、弁１００と１０１、ドレンライン１０２が上述の＜１＞の２段方式（図２）と実質的に同様のシステムを構成している。また、原廃液槽９１、ポンプ９２、保安フィルター９３、ポンプ９４、第１ナノフィルター９５、ポンプ１０３、第３ナノフィルター１０４、ＮＦ濃縮液ライン１０５、ＮＦ透過液槽１０６が上述の＜２＞の２段方式（図３）と実質的に同様のシステムを構成している。但し、図３におけるドレンライン８６を通して第１ナノフィルター８５から得られるＮＦ濃縮液が系外に排出される代わりに、図４では第１ナノフィルター９５から得られるＮＦ濃縮液は第２ナノフィルター９７に送液される点と、図３におけるＮＦ濃縮液ライン８９の代わりに、図４ではＮＦ濃縮液ライン１０５と１０７とに分岐し、第３ナノフィルター１０４から得られるＮＦ濃縮液はＮＦ濃縮液ライン１０５を通して原廃液と合流させるか、ＮＦ濃縮液ライン１０７を経由して第１ナノフィルターから得られるＮＦ濃縮液と合流させ、第２ナノフィルター９７に送ることができるように構成されている点で両図のシステムは異なる。第３ナノフィルター１０４から得られるＮＦ濃縮液を原廃液中に戻すか、少なくともその一部を第１ナノフィルター９５から得られるＮＦ濃縮液と合流させるかは、その純度等を考慮して弁１０８と弁１０９により調節する。ＮＦ透過液槽１０６中のＮＦ透過液は、図示されていないイオン交換処理装置などに送る。なお、ＮＦ透過液槽１０６は省略してもよい。
【００４２】
このような多段方式は、勿論、＜１＞又は＜２＞の各２段方式を３段以上の方式として構成することもできる。
【００４３】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４４】
ＬＣＤ製造工程から排出されたレジスト剥離廃液を用いて試験を行った。このレジスト剥離廃液の性状は、レジスト＝５２４ｐｐｍ、Ｎａ＝１９００ｐｐｂ、Ａｌ＝２４３０ｐｐｂ、Ｆｅ＝９３ｐｐｂ、水分＝４重量％であった。本実施例において、レジストは吸光光度法により定量し、Ｎａ、Ａｌ、Ｆｅは原子吸光法で定量し、水分はカールフィッシャー水分計を用いて定量した。
【００４５】
ＮＦ膜として日東電工株式会社製ＮＴＲ−７４５０（４インチモジュール）を使用し、運転濾過圧＝１０ｋｇｆ／ｃｍ２、透過液回収率＝３３％で上記レジスト剥離廃液を膜分離処理してＮＦ透過液を得た。
【００４６】
乾燥強塩基性陰イオン交換樹脂アンバーリストＢ２０−ＨＧ・ＤＲＹ（水分含有量：１０重量％）及び乾燥強酸性陽イオン交換樹脂アンバーリスト１５ＪＳ−ＨＧ・ＤＲＹ（水分含有量：０．５重量％）をそれぞれ充填した別カラムにいずれもＳＶ＝５の条件でこの順で通液してイオン交換処理液を得た。液の性状の変化を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2005215627.tif 000003
【００４８】
ＮＦ膜分離処理は、レジスト除去にはかなり効果的であるが、Ｎａ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属類の除去には不十分であり、水分の除去は不可能であることが、ＮＦ透過液のデータから分かる。ＮＦ透過液を更にイオン交換処理すると、レジスト、金属類、水分が極めて効果的に除去されていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、レジスト剥離廃液から高品質の再生レジスト剥離液を得ることを可能とし、少なくともその再生再利用のライフを延長して、新品レジスト剥離液の主成分や添加剤の供給を充分に低減することもできるレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置が提供されるので、得られる再生レジスト剥離液は、半導体デバイス、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等のフラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造におけるフォトリソグラフィー工程のレジスト剥離液として再利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明の方法を実施できる本発明のレジスト剥離廃液再生処理装置の一例を示すフロー図である。
【図２】図２は、本発明で用いてもよい２段方式のＮＦ膜分離処理装置の一例を示すフロー図である。
【図３】図３は、本発明で用いてもよい２段方式のＮＦ膜分離処理装置の他の一例を示すフロー図である。
【図４】図４は、本発明で用いてもよい多段方式のＮＦ膜分離処理装置の他の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    レジスト剥離装置
１１  ＮＦ膜分離処理装置
２１  イオン交換処理装置（イオン交換兼水分除去処理装置などの場合あり）
２５  濃度調整槽
【図１】
2005215627.tif 000004
【図２】
2005215627.tif 000005
【図３】
2005215627.tif 000006
【図４】
2005215627.tif 000007