(57)【要約】【課題】  斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより形成するＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜の微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールし、液晶配向を揃え、色ムラを低減して高輝度、高精細、高性能の液晶表示装置を提供する。【解決手段】  複数の画素がマトリックス形状に形成された非透明ＴＦＴ基板チップ３と、非透明ＴＦＴ基板チップと所定の間隙を介して対面配置された透明対向基板チップ４と、これら非透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップの間隙内に保持された液晶５とを備える反射型ＬＣＤパネル１において、非透明ＴＦＴ基板チップは画素毎に形成された画素電極７と、画素電極を被覆する非晶質透明導電膜８と、非晶質透明導電膜の上層に斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって形成されたＳｉＯｘ膜９を備え、透明対向基板チップはその表面に形成された非晶質透明導電膜８と、非晶質透明導電膜の上層に斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって形成されたＳｉＯｘ膜を備える。【選択図】    図１
2005215419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟んで対向させた光反射層を備えた駆動基板と対向基板を備える反射型液晶表示装置において、
前記駆動基板は、同駆動基板の画素毎に形成された画素電極と、
少なくとも該画素電極を被覆する非晶質透明膜と、
該非晶質透明膜の上層に形成された第１の無機配向膜を備え、
前記対向基板は、同対向基板の表面に形成された非晶質透明導電膜と、
該非晶質透明導電膜の上層に形成された第２の無機配向膜を備える
ことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
前記非晶質透明膜が導電膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項３】
前記非晶質透明膜は、非晶質ガラスまたは非晶質ガラス及び非晶質透明導電膜から成る
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の無機配向膜は、前記駆動基板の少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域を除く領域に形成され、
前記第２の無機配向膜は、前記対向基板の少なくともコモン領域を除く領域に形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を挟んで対向させた駆動基板と対向基板を備える透過型液晶表示装置において、
前記駆動基板は、同駆動基板の画素毎に形成された非晶質透明導電材料から成る画素電極と、
該画素電極の上層に形成された第１の無機配向膜を備え、
前記対向基板は、同対向基板の表面に形成された非晶質透明導電膜と、
該非晶質透明導電膜の上層に形成された第２の無機配向膜を備える
ことを特徴とする透過型液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１の無機配向膜は、前記駆動基板の少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域を除く領域に形成され、
前記第２の無機配向膜は、前記対向基板の少なくともコモン領域を除く領域に形成された
ことを特徴とする請求項６に記載の透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反射型液晶表示装置及び透過型液晶表示装置に関する。詳しくは、非晶質透明材料の上に斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより無機系配向膜を形成することによって、液晶配向を揃わせ、色ムラを低減しようとした反射型液晶表示装置及び透過型液晶表示装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶用配向膜には、ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜とＳｉＯｘ等の無機系配向膜がある。
前者の場合は、正の誘電異方性のツイストネマティック型液晶などに用いられ、ロールコーティング、スピンコーティング、ディッピング、バーコーティング等でＴＦＴ基板或いは対向基板にポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を形成した後、バフラビング配向処理、２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射などの光照射配向処理、アルゴンイオンビーム照射などのイオンビーム照射配向処理、２６６ｎｍＹＡＧレーザー照射などのレーザー照射配向処理などの配向処理が行われ、透過型液晶表示装置（以後透過型ＬＣＤとも言う）が製作される。後者の場合は、負の誘電異方性のツイストネマティック型液晶いわゆる垂直配向型液晶などに用いられ、例えば、エレクトロンビーム蒸着装置によりガラス材を所望の斜め蒸着角で飛ばし、ＴＦＴ基板や対向基板上に所望の角度を有するガラス微粒子の積層膜（斜め蒸着膜）の配向膜形成、或いはガラス材をミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）で所望の角度で飛ばし、ＴＦＴ基板や対向基板上に所望のスパッタリング角度を有するガラス微粒子の積層膜（斜めスパッタリング膜）の配向膜形成が行われ、反射型ＬＣＤが製作される。
【０００３】
ところで、最近ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型ＬＣＤが、プロジェクタ用途等に採用されている。これは、単結晶Ｓｉの高い電子／正孔移動度を利用し、汎用ＭＯＳＬＳＩ技術により単結晶Ｓｉ基板表面に周辺駆動回路及び表示素子のみならず、映像信号処理回路、メモリー回路等の機能を取り込んだ反射型ＬＣＤであり、高精細、高輝度といった特徴を有するものであり、このＬＣＯＳには強い入射光でも劣化しないＳｉＯｘ等の無機系配向膜と垂直配向型液晶が用いられている。
【０００４】
ここで、斜め蒸着膜は、溝構造と柱状構造を持ち、蒸着角度により両者の特徴が変化し液晶の配向方向が変化することが知られており、また、蒸着ビームが基板法線となす角度である蒸着角度によって柱状の微細構造の角度や密度が変化することが知られている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００５】
この蒸着角度が２０°以上では面内配向方向は決まらずランダムな配向となり、５０°前後では表面のビームの入射面に垂直な溝構造により傾き角０°の水平配向が出現する。また、入射角８０°以上ではセルフシャドーニング効果により、柱状構造の異方性が発達し液晶分子の長軸はビームに平行な方向に配向して傾き角を発現する。
【０００６】
従って、液晶配向を揃わせるためには、斜め蒸着膜の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールすることが重要である。
【０００７】
【非特許文献１】液晶便覧編集委員会編，「液晶便覧」，丸善株式会社，平成１２年１０月３０日，ｐ．２２９−２３０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の反射型及び透過型液晶表示装置の対向基板の透明電極や、透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板の透明画素電極は、結晶化したＩＴＯ透明導電膜で形成されており、この結晶化したＩＴＯ透明導電膜で形成された対向基板の透明電極やＴＦＴ基板の透明画素電極にガラス材を所望の斜め角度で飛ばし、ガラス微粒子の積層膜を形成しているために、下地のランダムなＩＴＯ透明導電膜の結晶形状に沿ってガラス微粒子が積層し、柱状の微細構造の角度や密度のコントロールが困難であった。
【０００９】
また、反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素電極は、高反射率のアルミニウム等で形成されており、スパッタリングで形成したアルミニウム膜であっても微細な結晶集合体であり、この微細な結晶集合体で形成されたＴＦＴ基板の画素電極にガラス材を所望の斜め角度で飛ばし、ガラス微粒子の積層膜を形成しているために、下地のランダムな微細アルミニウム結晶形状に沿ってガラス微粒子が積層し、柱状の微細構造の角度や密度のコントロールが困難であった。
【００１０】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより形成する無機系配向膜のガラス微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールし、液晶配向を揃え、色ムラを低減して高輝度、高精細、高性能、高品質、高信頼性の反射型液晶表示装置及び透過型液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明に係る反射型液晶表示装置は、液晶を挟んで対向させた光反射層を備えた駆動基板と対向基板を備える反射型液晶表示装置において、前記駆動基板は、同駆動基板の画素毎に形成された画素電極と、少なくとも該画素電極を被覆する非晶質透明膜と、該非晶質透明膜の上層に形成された第１の無機配向膜を備え、前記対向基板は、同対向基板の表面に形成された非晶質透明導電膜と、該非晶質透明導電膜の上層に形成された第２の無機配向膜を備える。
【００１２】
また、本発明に係る透過型液晶表示装置は、液晶を挟んで対向させた駆動基板と対向基板を備える透過型液晶表示装置において、前記駆動基板は、同駆動基板の画素毎に形成された非晶質透明導電材料から成る画素電極と、該画素電極の上層に形成された第１の無機配向膜を備え、前記対向基板は、同対向基板の表面に形成された非晶質透明導電膜と、該非晶質透明導電膜の上層に形成された第２の無機配向膜を備える。
【００１３】
ここで、上記本発明に係る反射型液晶表示装置において、駆動基板が、同駆動基板の画素毎に形成された画素電極を被覆する非晶質透明膜を備えることによって、画素電極の結晶形状の影響をなくし、下地に影響されることなく第１の無機配向膜を形成することができる。
【００１４】
また、上記本発明に係る透過型液晶表示装置において、駆動基板が、同駆動基板の画素毎に形成された非晶質透明導電材料から成る画素電極を備えることによって、下地に影響されることなく第１の無機配向膜を形成することができる。
【００１５】
更に、上記本発明に係る反射型及び透過型液晶表示装置において、対向基板が、同対向基板の表面に形成された非晶質透明導電膜を備えることによって、下地に影響されることなく第２の無機配向膜を形成することができる。
【００１６】
ここで、上記本発明に係る反射型液晶表示装置において、非晶質透明膜は導電膜であることが望ましい。これにより、液晶駆動時に駆動基板の画素電極と対向基板の非晶質透明導電膜との間に印加する電圧のロスを低減することができるからである。
【００１７】
なお、上記本発明に係る反射型及び透過型液晶表示装置において、駆動基板の少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域を除く領域に第１の無機配向膜が形成され、対向基板の少なくともコモン領域を除く領域に第２の無機配向膜が形成されることによって、駆動基板の外部引き出しパット電極と外部との電気的な接続を可能にすると共に、コモン領域に塗布されるコモン剤による駆動基板と対向基板の電気的導通を確保することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明を適用した反射型若しくは透過型液晶表示装置では、駆動基板の画素毎に形成された画素電極を非晶質透明膜で被覆若しくは駆動基板の画素毎に形成される画素電極を非晶質透明導電材料で形成しているために、画素電極の上層に形成する第１の無機配向膜が下地の影響を受けずに、ガラス微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、色ムラが低減できる。
【００１９】
また、本発明を適用した反射型若しくは透過型液晶表示装置では、対向基板の表面に非晶質透明導電膜を形成しているために、この非晶質透明導電膜の上層に形成する第２の無機配向膜が下地の影響を受けずに、ガラス微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、色ムラが低減できる。
【００２０】
また、上記した様に、駆動基板側及び対向基板側共に液晶配向が揃い、色ムラが低減できるために、高輝度、高精細、高性能の液晶表示装置を実現できる。
【００２１】
更に、反射型液晶表示装置の場合には、画素電極を非晶質透明膜で被覆しているために、画素電極を構成する高反射率の金属を液晶中に浸透した水分による腐食から保護することができ、腐食による反射率劣化が少なく、高輝度、高精細、高性能、高品質、高信頼性の反射型液晶表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した液晶表示装置の一例である反射型ＬＣＤパネルを説明するための模式的な図である。ここで示す反射型ＬＣＤパネル１は、シール剤２及びコモン剤（図示せず）によって所定の間隙を介して重ね合わせられた非透明ＴＦＴ基板チップ３及び透明対向基板チップ４と、これら非透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基板チップの間隙内に保持された垂直配向型の液晶５とを備えている。
【００２３】
非透明ＴＦＴ基体は、複数の非透明ＴＦＴ基板チップ及びスクライブラインから構成される単結晶Ｓｉ基板であり、単結晶Ｓｉ基板からなるＴＦＴ基板チップは表示領域、周辺回路領域、シール領域（コモン領域含む）、外部取り出し電極領域などからなる。
そして、表示領域は各画素電極下に絶縁層を介して各表示回路、またはメモリー含む周辺回路の一部及び表示回路が形成されている。この表示領域には複数の画素表示用ＴＦＴ６がマトリックス形状に形成されており、これら画素表示用ＴＦＴ６に対応して形成されたアルミニウムなどから成る厚さ１００〜２００ｎｍの画素電極７が形成されている。また、画素電極を被覆する厚さ３０〜２００ｎｍの非晶質ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide；酸化インジウムと酸化亜鉛の混合透明導電膜）や非晶質ＩＴＯ（Indium Tin  Oxide；酸化インジウムと酸化錫の混合透明導電膜）等の非晶質透明導電膜８が形成されており、非晶質透明導電膜の上層には例えば斜め蒸着角度６０°の斜方蒸着によって厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜９がＴＦＴ基板チップの少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域を除く領域に形成されている。
この時に、シール領域にＳｉＯｘ膜９が形成されてもシール性に問題ないので必ずしもシール領域にマスキングする必要はない。
【００２４】
なお、非晶質透明膜は、微細なアルミニウム結晶集合体である画素電極の結晶形状の影響をなくし、下地に影響されることなくＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜を形成できるようにすれば充分であり、必ずしも非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の透明導電膜である必要は無く、結晶化したＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜上に形成する薄い非晶質ＳｉＯ２等であっても良い。但し、反射型或いは透過型ＬＣＤパネルの駆動時にＴＦＴ基板チップと対向基板チップとの間に印加する電圧のロスを低減するためには、非晶質透明導電膜であった方が好ましい。
また、画素電極は必ずしもアルミニウムによって形成される必要は無く、アルミニウム−シリコン合金、銀、銀合金、チタン、チタン合金、ニッケル、ニッケル合金等の高反射率金属であれば良い。
【００２５】
また、石英ガラス材、ネオセラム等の透明結晶化ガラス材から成る透明対向基板チップ４は、その表面に厚さ１００〜１５０ｎｍの非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電膜８が形成されており、非晶質透明導電膜の上層には例えば斜め蒸着角度６０°の斜方蒸着によって厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜９が対向基板チップのコモン領域を除く領域に形成されている。
この時もＴＦＴ基板同様に、非晶質透明膜は微細な結晶化したＩＴＯやＩＺＯ等の結晶形状の影響をなくし、下地に影響されることなくＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜を形成できるようにすれば充分であり、必ずしも非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の透明導電膜である必要は無く、結晶化したＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜上に形成する薄い非晶質ＳｉＯ２等であっても良い。但し、反射型或いは透過型ＬＣＤパネルの駆動時にＴＦＴ基板チップと対向基板チップとの間に印加する電圧のロスを低減するためには、非晶質透明導電膜であった方が好ましい。
この時に、シール領域にＳｉＯｘ膜９が形成されてもシール性に問題ないので必ずしもマスキングする必要はない。
【００２６】
以下、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法について、図２〜図５に示す工程フローに沿って説明する。
【００２７】
図２に工程フローを示す反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）では、単個状態の良品の非透明ＴＦＴ基板チップと単個状態の良品の透明対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成するいわゆる単単液晶組立て方法である。
【００２８】
先ず、単結晶Ｓｉ基板から成る非透明ＴＦＴ基体に複数の画素がマトリックス形状に形成されている非透明ＴＦＴ基板チップを複数形成する。また、各非透明ＴＦＴ基板チップに形成されている各画素に対応してスパッタリング等によってアルミニウムから成る厚さ１００〜２００ｎｍの画素電極を形成し、この画素電極を被覆する様にスパッタリングによって厚さ３０〜２００ｎｍの非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電膜を形成する。更に、非透明ＴＦＴ基体内の各非透明ＴＦＴ基板チップの少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域をマスクキング冶具でマスクした後、非晶質透明導電膜の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着によって形成して非透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。その後、非透明ＴＦＴ基板を非透明ＴＦＴ基板チップ毎にブレードダイシングを行って単個状態の非透明ＴＦＴ基板チップを形成し、必要に応じて洗浄を行う。
【００２９】
この時に、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーまたはＹＡＧレーザー及びＣＯ２レーザーを組み合わせたレーザーシステムなどのレーザー加工、更にはレーザーとウオータージェットを組み合わせたレーザーウオータージェット加工、更には基板の切断予定ラインに沿って基板内部に多光子吸収による改質領域形成するレーザーダイシングによる切断を行ってもよく、この場合には必ずしも洗浄は必要でない。
【００３０】
次に、透明対向基体は複数の透明対向基板チップ及びスクライブラインから構成される石英ガラス材、ネオセラム等の透明結晶化ガラス材等のガラス系基板であり、透明対向基板チップはベタ透明導電膜基板（パターン無しの非晶質ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電体）或いはブラックマスク基板（画素開口部以外に遮光膜形成したベタ透明導電膜基板）などが形成されている。
この石英ガラス材、ネオセラム等の透明結晶化ガラス材等から成る透明対向基体に透明対向基板チップを複数形成する。また、各透明対向基板チップの表面に厚さ１００〜１５０ｎｍの非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電膜を形成する。更に、透明対向基体内の透明対向基板チップの少なくともコモン領域をマスキング冶具でマスクした後、非晶質透明導電膜の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着によって形成し透明対向基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。その後、透明対向基体を透明対向基板チップ毎にブレードダイシングを行って単個状態の透明対向基板チップを形成し、必要に応じて洗浄を行う。
【００３１】
このブレードダイシングの場合は、透明対向基体内の透明対向基板チップの切断ラインの裏面に予めＶカットまたはＵカットの溝を形成しておき、ＳｉＯｘ膜形成後に、ダイシングテープを切らないフルカットダイシングすれば、ゴミ、汚れの少ない透明対向基板チップが得られる。
またこの時に、ＹＡＧレーザー及びＣＯ２レーザーを組み合わせたレーザーシステムなどのレーザー加工、更にはレーザーとウオータージェットを組み合わせたレーザーウオータージェット加工により切断を行ってもよく、この場合には必ずしも洗浄は必要ではない。
【００３２】
続いて、単個状態の良品の非透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域に、可視光を照射することによって硬化する可視光照射硬化型接着剤若しくは紫外線を照射することによって硬化する紫外線照射硬化型接着剤中に液晶ギャップ相当のマイクロファイバー或いはマイクロファイバー及びフィラーを混入したシール剤と、液晶ギャップより若干大きい金メッキ樹脂のミクロパールを混入したコモン剤を塗布し、所定の液晶ギャップで単個状態の良品の対向基板チップと重ね合わせを行って、空セルを形成する際に、非透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基板チップの重ね合わせ時の加圧でミクロパールを破砕し、破砕された金メッキ樹脂が双方の透明導電膜を電気的に導通させて空セルを形成する。
その後に、この空セル中に垂直配向型液晶を注入封止する。
【００３３】
ところでシール剤とコモン剤は、可視光照射硬化型接着剤、熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤、若しくは紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化併用の紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤のいずれでもよいが、特性及び作業面から同じタイプとするのが好ましい。
具体的なシール剤及びコモン剤は、例えばシール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現する変性アクリレートオリゴマー、液の粘度調整するアクリレートモノマー、可視光硬化またはＵＶ硬化部分を硬化する光開始剤、シール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現するエポキシ樹脂、エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤、シール剤中には外気からの水分進入を防ぐ充填フィラー（シリカ真球など）、液晶ギャップ相当のファイバーなどから構成されている。
【００３４】
尚、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜貫通は難しいので、対向基板との電気的導通の為に非透明ＴＦＴ基板チップのコモン剤塗布領域をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜形成されないようにしておく必要がある。
更に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはフレキシブル基板の異方性導電膜の熱圧着による電気的接続は難しいので、フレキシブル基板との電気的導通の為に非透明ＴＦＴ基板チップの外部取り出し電極部はマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜形成されないようにしておく必要がある。
【００３５】
その後、透明対向基板チップに低反射膜付きの防塵ガラスを可視光照射硬化型、可視光照射＋低温硬化型、ＵＶ照射硬化型、ＵＶ照射＋低温硬化型、低温硬化型等の透明接着剤で貼り合わせ、非透明ＴＦＴ基板チップの外部引き出しパット電極１２にフレキ基板１３を異方性導電膜の熱圧着で取り付けると共に、非透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップを金属枠に取り付け、非透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップと金属枠との間を高熱伝導性モールド樹脂で固着する。こうして得られた液晶表示装置の画質検査を行って、合格したものを出荷することでプロジェクタ用反射型液晶表示装置を製作する。
【００３６】
図３に工程フローを示す反射型ＬＣＤパネルの製造方法（２）は、非透明ＴＦＴ基体内の良品の非透明ＴＦＴ基板チップに単個状態の良品の透明対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成するいわゆる面単液晶組立て方法である。
【００３７】
上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、非透明ＴＦＴ基板チップの形成、画素電極の形成、画素電極を被覆する非晶質透明導電膜の形成、非透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜の形成し、洗浄を行う。
また、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、単個状態の透明対向基板チップを形成し、洗浄を行う。
【００３８】
続いて、非透明ＴＦＴ基体に形成された良品の非透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、所定の液晶ギャップで単個状態の良品の透明対向基板チップと重ね合わせを行って空セルを形成し、この空セル中に垂直配向型液晶を注入封止した後、非透明ＴＦＴ基体のダイシングを行う。
その後の出荷までの工程は、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様である。
【００３９】
図４に工程フローを示す反射型ＬＣＤパネルの製造方法（３）は、非透明ＴＦＴ基体内の非透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基体内の透明対向基板チップを相対して重ね合わせて空セルを形成するいわゆる面面液晶組立て方法である。
【００４０】
上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、非透明ＴＦＴ基体内の非透明ＴＦＴ基板チップの形成、画素電極の形成、画素電極を被覆した非晶質透明導電膜の形成、非透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜の形成を行う。
また、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明ＴＦＴ基体内の透明対向基板チップの形成、非晶質透明導電膜の形成、透明対向基板チップ側の無機系液晶配向膜の形成を行う。
【００４１】
次に、非透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、非透明ＴＦＴ基体に形成された非透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基体に形成された透明対向基板チップが所定の液晶ギャップを介して対面配置する様に、ＴＦＴ基体と対向基体とを重ね合わせて空セルを形成する。
【００４２】
続いて、非透明ＴＦＴ基体及び透明対向基体のレーザーダイシングを行った後に空セル中に垂直型液晶を注入封止、若しくは、透明対向基体のみをレーザー等で非透明対向基板チップ毎に分断し、空セル中に垂直配向型液晶を注入封止した後に非透明ＴＦＴ基体を非透明ＴＦＴ基板チップ毎にブレードダイシングを行う。
【００４３】
この時に、非透明ＴＦＴ基体及び透明対向基体切断の際に切削水を使用するブレードダイシングやレーザーウオータージェットあるいは高圧ウオータージェットで行うと、その切削水が空セル中に浸入するので、例えばＹＡＧレーザーとＣＯ２レーザーを組み合わせた複合レーザーシステムなどのレーザーダイシングで水などの液体を使用しないのが好ましい。
その後の出荷までの工程は、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様である。
【００４４】
図５に工程フローを示す反射型ＬＣＤパネルの製造方法（４）は、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）の変形で、単個状態の良品の非透明ＴＦＴ基板チップと単個状態の良品の透明対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成するいわゆる単単液晶組立て方法である。
【００４５】
まず、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）のように、非透明ＴＦＴ基板チップの形成、画素電極の形成を行う。
また、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明対向基板チップの形成、非晶質透明導電膜の形成を行う。
【００４６】
次に、非透明ＴＦＴ基体内の非透明ＴＦＴ基板チップに形成された画素電極を被覆する様に厚さ１００〜１５０ｎｍの非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電膜を形成し、画素電極を被覆して露出しないように大き目にパターニングする。また、非透明ＴＦＴ基体を非透明ＴＦＴ基板チップ毎にダイシングを行って単個状態の非透明ＴＦＴ基板チップを形成し、必要に応じて洗浄を行う。更に、非透明ＴＦＴ基板チップの少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域をマスキング冶具でマスクした後、非晶質透明導電膜の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着によって形成して非透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。
【００４７】
次に、透明対向基体を透明対向基板チップ毎にダイシングを行って単個状態の透明対向基板チップを形成し、必要に応じて洗浄を行う。また、透明対向基板チップの少なくともコモン領域をマスキング冶具でマスクした後、非晶質透明導電膜の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着によって形成し透明対向基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。
【００４８】
続いて、単個状態の良品の非透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、所定の液晶ギャップで単個状態の良品の透明対向基板チップと重ね合わせて空セルを形成し、この空セル中に垂直配向型液晶を注入封止する。
その後の出荷までの工程は、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様である。
【００４９】
図６は本発明を適用した液晶表示装置の他の一例である透過型ＬＣＤパネルを説明するための模式的な図である。ここで示す透過型ＬＣＤパネル１０は、シール剤２及びコモン剤（図示せず）によって所定の間隙を介して重ね合わせられた透明ＴＦＴ基板チップ１４及び透明対向基板チップ４と、これら透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基板チップで形成された空セルの間隙内に保持された正の誘電異方性のＴＮ（Twisted Nematic）モードの液晶５とを備えている。
【００５０】
透明ＴＦＴ基体は複数の透明ＴＦＴ基板チップ及びスクライブラインから構成されるガラス系基板であり、透明ＴＦＴ基板チップは表示領域、周辺回路領域、シール領域（コモン領域含む）、外部取り出し電極領域などからなり、ＴＦＴ素子などのスイッチング素子、非晶質ＩＴＯ、非晶質IＺＯなどの非晶質透明導電体からなる画素電極、配線、外部取り出し電極などが形成されている。
尚、透明対向基体は複数の対向基板チップ及びスクライブラインから構成されるガラス系基板であり、透明対向基板チップはベタ基板（パターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの非晶質透明導電体膜形成）またはブラックマスク基板（画素開口部以外に遮光膜形成したパターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの非晶質透明導電体膜）、あるいはマイクロレンズ基板（複数のマイクロレンズアレイにスタック層を介してパターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの非晶質透明導電体膜形成または複数のマイクロレンズアレイに直接パターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの非晶質透明導電体膜形成）などが形成されている。
【００５１】
この透明ＴＦＴ基板チップ１４と透明対向基板チップ４を相対して所定間隔で重ね合わせ、これらの基板間に注入される液晶５とを備えてアクティブマトリクス型のＬＣＤパネルが構成される。
【００５２】
ここで、石英ガラス材などから成る透明ＴＦＴ基板チップは、複数の画素表示用ＴＦＴ６がマトリックス形状に形成されており、これら各画素表示用ＴＦＴ６に対応して厚さ１００〜１５０ｎｍの非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電材料から成る透明画素電極１１が形成されており、透明画素電極の上層には例えば斜め角度６０°の斜方蒸着によって厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜９が透明ＴＦＴ基板チップの少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域を除く領域に形成されている。
【００５３】
なお、透明画素電極は、その表面に、下地に影響されることなくＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜を形成できれば充分であり、必ずしも非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電材料から成る透明画素電極である必要は無く、結晶化したＩＺＯやＩＴＯ等から成る透明画素電極を被覆する非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電膜を形成したり、結晶化したＩＺＯやＩＴＯ等から成る透明画素電極を被覆する薄い非晶質ＳｉＯ２等の非晶質透明膜を形成したりしても良い。但し、結晶化したＩＺＯやＩＴＯ等から成る透明画素電極を被覆する非晶質透明導電膜や非晶質膜を形成するためには、透明画素電極を形成した後に成膜作業が必要となり、また、結晶化したＩＺＯやＩＴＯ等から成る透明画素電極を非晶質膜で被覆した場合には、透過型ＬＣＤパネルの駆動時にＴＦＴ基板チップと対向基板チップとの間に印加する電圧をロスしてしまうために、透明画素電極は非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質導電材料から構成された方が好ましい。
【００５４】
また、石英ガラス材、透明結晶化ガラス材などから成る透明対向基板チップは、その表面に厚さ１００〜１５０ｎｍの非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電膜が形成されており、非晶質透明導電膜の上層には例えば斜め角度６０°の斜方蒸着によって厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜９が対向基板チップの少なくともコモン領域を除く領域に形成されている。
【００５５】
以下、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法について、図７〜図１０に示す工程フローに沿って説明する。
【００５６】
図７に工程フローを示す透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）は、単個状態の良品の透明ＴＦＴ基板チップと単個状態の良品の透明対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成するいわゆる単単液晶組立て方法である。
【００５７】
先ず、石英ガラス材などから成る透明ＴＦＴ基体に複数の画素がマトリックス形状に形成されている透明ＴＦＴ基板チップを複数形成する。また、各透明ＴＦＴ基板チップに形成されている各画素表示用ＴＦＴに対して非晶質ＩＺＯや非晶質ＩＴＯ等の非晶質透明導電材料から成る透明画素電極を形成する。更に、透明ＴＦＴ基板チップの少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域をマスキング冶具でマスクした後、透明画素電極の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着によって形成して透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。その後、透明ＴＦＴ基体を透明ＴＦＴ基板チップ毎にダイシングを行って単個状態の透明ＴＦＴ基板チップを形成し、洗浄を行う。
また、上記した反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、単個状態の透明対向基板チップを形成し、洗浄を行う。
【００５８】
続いて、単個状態の良品の透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、所定の液晶ギャップで単個状態の良品の透明対向基板チップと重ね合わせて空セルを形成し、ＴＮモード液晶を注入封止し、液晶配向の熱処理をする。
【００５９】
その後、透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップに低反射膜付きの防塵ガラスを可視光照射硬化型、可視光照射＋低温硬化型、ＵＶ照射硬化型、ＵＶ照射＋低温硬化型、低温硬化型等の透明接着剤で貼り合わせ、透明ＴＦＴ基板チップの外部引き出しパット電極１２にフレキ基板１３を異方性導電膜の熱圧着で取り付けると共に、透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップを金属枠に取り付け、透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップと金属枠との間を高熱伝導性モールド樹脂で固着する。こうして得られた液晶表示装置の画質検査を行って、合格したものを出荷することでプロジェクタ用透過型ＬＣＤを製作する。
【００６０】
図８に工程フローを示す透過型ＬＣＤパネルの製造方法（２）は、透明ＴＦＴ基体内の良品の透明ＴＦＴ基板チップに単個状態の良品の透明対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成するいわゆる面単液晶組立て方法である。
【００６１】
上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明ＴＦＴ基体に透明ＴＦＴ基板チップの形成、非晶質透明画素電極の形成、透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜の形成し、洗浄を行う。
また、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、単個状態の透明対向基板チップを形成し、洗浄を行う。
【００６２】
続いて、透明ＴＦＴ基体に形成された良品の透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、所定の液晶ギャップで単個状態の良品の透明対向基板チップと重ね合わせを行って、ＴＮモード液晶を注入封止及び液晶配向の熱処理した後、透明ＴＦＴ基体のダイシングを行う。
その後の出荷までの工程は、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様である。
【００６３】
図９に工程フローを示す透過型ＬＣＤパネルの製造方法（３）は、透明ＴＦＴ基体内の透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基体内の透明対向基板チップを相対して重ね合わせて空セルを形成するいわゆる面面液晶組立て方法である。
【００６４】
上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明ＴＦＴ基体に透明ＴＦＴ基板チップの形成、非晶質透明画素電極の形成、透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜の形成し、洗浄を行う。
また、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明対向基体に透明対向基板チップの形成、非晶質透明導電膜の形成、透明対向基板チップ側の無機系液晶配向膜の形成し、洗浄を行う。
【００６５】
次に、透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、透明ＴＦＴ基体に形成された透明ＴＦＴ基板チップと透明対向基体に形成された透明対向基板チップが所定の液晶ギャップを介して対面配置する様に、透明ＴＦＴ基体と透明対向基体の重ね合わせを行い、空セルを形成する。
【００６６】
続いて、透明ＴＦＴ基体及び透明対向基体のダイシングを行った後にＴＮモード液晶を注入封止及び液晶配向の熱処理した後、若しくは、透明対向基体のみをレーザー等で透明対向基板チップ毎に分断し、ＴＮモード液晶を注入封止及び液晶配向の熱処理した後に透明ＴＦＴ基体を透明ＴＦＴ基板チップ毎にダイシングを行う。
その後の出荷までの工程は、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様である。
【００６７】
図１０に工程フローを示す透過型ＬＣＤパネルの製造方法（４）は図７に工程フローを示す透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）の変形で、単個状態の良品の透明ＴＦＴ基板チップと単個状態の良品の透明対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成するいわゆる単単液晶組立て方法である。
【００６８】
上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明ＴＦＴ基体に透明ＴＦＴ基板チップの形成、非晶質透明画素電極の形成を行う。
また、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様にして、透明対向基体に透明対向基板チップの形成、非晶質透明導電膜の形成を行う。
【００６９】
次に、透明ＴＦＴ基体を透明ＴＦＴ基板チップ毎にダイシングを行って単個状態の透明ＴＦＴ基板チップを形成し、洗浄を行う。また、透明ＴＦＴ基板チップの少なくとも外部引き出しパット電極領域及びコモン領域をマスキング冶具でマスクした後、非晶質透明画素電極の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって形成して透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。
【００７０】
また、透明対向基体を透明対向基板チップ毎にダイシングを行って単個状態の透明対向基板チップを形成し、洗浄を行う。更に、透明対向基板チップのコモン領域をマスキング冶具でマスクした後、非晶質透明導電膜の上層に例えば斜め蒸着角度６０°で厚さ３０〜２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって形成し透明対向基板チップ側の無機系液晶配向膜とする。
【００７１】
続いて、単個状態の良品の透明ＴＦＴ基板チップのシール領域及びコモン領域にシール剤とコモン剤を塗布し、所定の液晶ギャップで単個状態の良品の透明対向基板チップと重ね合わせて空セルを形成し、ＴＮモード液晶を注入封止及び液晶配向の熱処理をする。
その後の出荷までの工程は、上記した透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）と同様である。
【００７２】
上記した本発明を適用した反射型ＬＣＤパネル及びその製造方法では、非透明ＴＦＴ基板チップの各画素に対応してスパッタリング等によって形成された高反射のアルミニウムから成る画素電極を被覆する様に非晶質透明膜または非晶質透明膜及び非晶質透明導電膜が形成されているために、ＳｉＯｘ等の斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって非透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜を形成する際に、下地の影響を受けることなく柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、反射色ムラが低減する。
即ち、スパッタリング等で形成した高反射のアルミニウムであっても微細なランダム結晶集合体であり、所望の斜め蒸着角度でガラス微粒子の積層膜を形成しようとしても、下地のランダムな微細アルミニウム結晶形状に沿ってガラス微粒子が積層するので、柱状の微細構造の角度や密度をコントロールし難いが、本発明を適用した反射型ＬＣＤパネル及びその製造方法では、画素電極を非晶質透明膜または非晶質透明膜及び非晶質透明導電膜で被覆しているために、柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、反射色ムラが低減する。
【００７３】
また、透明対向基板チップの表面に非晶質透明導電膜が形成されているために、ＳｉＯｘ等の斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって透明対向基板チップ側の無機系液晶配向膜を形成する際に、下地の影響を受けることなく柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、反射色ムラが低減する。
即ち、その表面に結晶化した透明導電膜が形成された透明対向基板チップに所望の斜め蒸着角度でガラス微粒子の積層膜を形成しようとしても、下地のランダムな透明導電膜の結晶形状に沿ってガラス微粒子が積層するので、柱状の微細構造の角度や密度をコントロールし難いが、本発明を適用した反射型ＬＣＤパネル及びその製造方法では、透明対向基板チップの表面に非晶質透明導電膜を形成しているために、柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、反射色ムラが低減する。
【００７４】
また、上記した様に、非透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップ共に液晶配向が揃い、反射色ムラが低減できるために、高輝度、高精細、高性能の反射型ＬＣＤパネルを実現することができる。
【００７５】
更に、画素電極を非晶質透明導電膜で被覆しているために、画素電極を構成する高反射の例えばアルミニウムを液晶中に浸透した水分による腐食から保護することができ、腐食による反射率低下が少なく、高輝度、高精細、高性能、高品質、高信頼性の反射型ＬＣＤパネルを実現できる。
【００７６】
上記した本発明を適用した透過型ＬＣＤパネル及びその製造方法では、透明ＴＦＴ基板チップの各画素に対応して非晶質透明導電材料から成る透明画素電極が形成されているために、ＳｉＯｘ等の斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって透明ＴＦＴ基板チップ側の無機系液晶配向膜を形成する際に、下地の影響を受けることなく柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、色ムラが低減する。
即ち、透明ＴＦＴ基板チップの各画素に対応して結晶化した透明導電材料から成る透明画素電極に所望の斜め蒸着角度でガラス微粒子の積層膜を形成しようとしても、下地のランダムな透明画素電極の結晶形状に沿ってガラス微粒子が積層するので、柱状の微細構造の角度や密度をコントロールし難いが、本発明を適用した透過型ＬＣＤパネル及びその製造方法では、透明ＴＦＴ基板チップの各画素に対応して非晶質透明導電材料から成る透明画素電極が形成されているために、柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、色ムラが低減する。
尚、ＩＴＯなどの結晶性透明導電材料を使用する場合には、非晶質のＳｉＯ２などの非晶質透明膜を形成して下地の影響を無くしてＳｉＯｘ等の斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって透明ＴＦＴ基板チップ側に無機系液晶配向膜を形成してもよい。
【００７７】
また、透明対向基板チップの表面に非晶質透明導電膜が形成されているために、ＳｉＯｘ等の斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによって対向基板チップ側の無機系液晶配向膜を形成する際に、下地の影響を受けることなく柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、色ムラが低減する。
即ち、その表面に結晶化した透明導電膜が形成された透明対向基板チップに所望の斜め蒸着角度でガラス微粒子の積層膜を形成しようとしても、下地のランダムな透明導電膜の結晶形状に沿ってガラス微粒子が積層するので、柱状の微細構造の角度や密度をコントロールし難いが、本発明を適用した透過型ＬＣＤパネル及びその製造方法では、透明対向基板チップの表面に非晶質透明導電膜を形成しているために、柱状の微細構造の角度や密度のコントロールができ、液晶配向が揃い、色ムラが低減する。
【００７８】
また、上記した様に、透明ＴＦＴ基板チップ及び透明対向基板チップ共に液晶配向が揃い、色ムラが低減できるために、高輝度、高精細、高性能の透過型ＬＣＤパネルを実現することができる。
【００７９】
尚、上記では斜方蒸着によるＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜形成の実施例を述べたが、ミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）によるＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜形成の場合も、斜方蒸着の蒸着角とほぼ等しいスパッタリング角で形成してもよい。
また、斜方蒸着或いは指向性スパッタリングによるＳｉＯｘ膜にアルゴン等のイオンビーム照射することで、更に液晶配向性を向上させてもよい。
【００８０】
更に、ＣＶＤ法によりＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を約１０ｎｍ厚形成し、これにアルゴン等のイオンビームを基板に対して４５°の方向から照射する方法で無機系配向膜を形成する場合に、下地の結晶性透明導電膜の影響を受けてうまく配向しないことがあり、この場合にも本発明の結晶性透明導電膜上に非晶質透明膜を介してＤＬＣ膜形成する、或いは非晶質透明導電膜上にＤＬＣ膜形成することで、液晶配向ムラ低減するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明を適用した液晶表示装置の一例である反射型ＬＣＤパネルを説明するための模式的な図である。
【図２】反射型ＬＣＤパネルの製造方法（１）の工程フローである。
【図３】反射型ＬＣＤパネルの製造方法（２）の工程フローである。
【図４】反射型ＬＣＤパネルの製造方法（３）の工程フローである。
【図５】反射型ＬＣＤパネルの製造方法（４）の工程フローである。
【図６】本発明を適用した液晶表示装置の他の一例である透過型ＬＣＤパネルを説明するための模式的な図である。
【図７】透過型ＬＣＤパネルの製造方法（１）の工程フローである。
【図８】透過型ＬＣＤパネルの製造方法（２）の工程フローである。
【図９】透過型ＬＣＤパネルの製造方法（３）の工程フローである。
【図１０】透過型ＬＣＤパネルの製造方法（４）の工程フローである。
【符号の説明】
【００８２】
１  反射型ＬＣＤパネル
２  シール剤
３  非透明ＴＦＴ基板チップ
４  透明対向基板チップ
５  液晶
６  画素表示用ＴＦＴ
７  画素電極
８  非晶質透明導電膜
９  ＳｉＯｘ膜
１０  透過型ＬＣＤパネル
１１  透明画素電極
１２  外部引き出しパット電極
１３  フレキ基板
１４  透明ＴＦＴ基板チップ
【図１】
2005215419.tif 000003
【図２】
2005215419.tif 000004
【図３】
2005215419.tif 000005
【図４】
2005215419.tif 000006
【図５】
2005215419.tif 000007
【図６】
2005215419.tif 000008
【図７】
2005215419.tif 000009
【図８】
2005215419.tif 000010
【図９】
2005215419.tif 000011
【図１０】
2005215419.tif 000012