(57)【要約】【課題】  簡単な構成でリンギング現象を解消する回路を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の半導体レーザの駆動回路は、所定レベルの駆動信号の入力に応じて半導体レーザを発光させる半導体レーザの駆動回路であって、上記半導体レーザの発光するレーザ光の出力を検出する光検出器と、上記光検出器により検出された実際のレーザ光の強度に基づいて、半導体レーザの発光開始及び発光終了の内の少なくとも一方に生じるリンギング現象を除去するように、上記駆動信号のレベルを調整する制御回路を備えたことを特徴とする。【選択図】  図１
2005191085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定レベルの駆動信号の入力に応じて半導体レーザを発光させる半導体レーザの駆動回路であって、
上記半導体レーザの発光するレーザ光の出力を検出する光検出器と、
上記光検出器により検出された実際のレーザ光の強度に基づいて、半導体レーザの発光開始及び発光終了の内の少なくとも一方に生じるリンギング現象を除去するように、上記駆動信号のレベルを調整する制御回路を備えたことを特徴とする半導体レーザの駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザの駆動回路において、
上記制御回路は、実際のレーザ光の強度と基準値とを比較する比較部と、上記比較部における比較の結果、実際のレーザ光の強度が基準値に比べて不足している期間に、駆動信号のレベルを高める発光量増加回路と、逆に、実際のレーザ光の強度が基準値を上回っている期間に、駆動信号のレベルを低くする発光量減少回路とで構成されることを特徴とする半導体レーザの駆動回路。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体レーザの駆動回路において、
上記発光量増加回路は、駆動信号のレベルを増加するため、第１調整信号の入力に応じてオンに切り換るトランジスタスイッチとしてＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴだけを使用し、上記発光量減少回路は、駆動信号のレベルを下げるため、第２調整信号の入力に応じてオンに切り換るトランジスタスイッチとしてＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴだけを使用することを特徴とする半導体レーザの駆動回路。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体レーザの駆動回路において、
上記比較部は、実際のレーザ光の強度と基準値との差に応じたアナログの第１及び第２調整信号を、上記発光量増加回路及び発光量減少回路に出力することを特徴とする半導体レーザの駆動回路。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体レーザの駆動回路において、
上記比較部は、実際のレーザ光の強度と基準値との差に応じたディジタルの第１及び第２調整信号を、上記発光量増加回路及び発光量減少回路に出力することを特徴とする半導体レーザの駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクへのデータの記録装置、及び、これらの光ディスクからデータを読み取る再生装置等に用いられる半導体レーザの発光強度を制御する駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクへの情報記録装置、及び、これらの光ディスクからデータを読み取る再生装置等では、データの記録及び再生を行うのに、半導体レーザが発光したレーザ光を使用する。
【０００３】
例えば、ＣＤ−ＲＷディスクやＤＶＤ−ＲＷディスクの情報記録面に記録マークを正確に記録するには、当該情報記録面に照射するレーザ光の照射時間、具体的には、レーザ駆動信号の立ち上がり、及び、立ち下りに対するレーザ光のスイッチング特性を安定させなければならない。
【０００４】
例えば、以下の非特許文献１には、図８に示すように、半導体レーザを駆動するとき、駆動信号に応じて動作するスイッチ回路に並列にスナバ回路を接続し、その働きにより、半導体レーザのスイッチング特性を改善し得る技術が開示されている。
【非特許文献１】原田耕介、二宮保等による著書「スイッチングコンバータの基礎」、１０３ページ、コロナ社
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体レーザのスイッチング特性の劣化要因としては、駆動信号に対するレーザ光の出力の追随特性の他に、図９に示すように、立ち上がり及び立ち下り時に生じるレーザ光の出力のぶれ、いわゆるリンギング現象があげられる。
【０００６】
上記リンギング現象は、上記スナバ回路を用いても効果的に解消することができない。
【０００７】
本発明は、簡単な構成でリンギング現象を解消する機能を備えた半導体レーザの駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の半導体レーザの駆動回路は、所定レベルの駆動信号の入力に応じて半導体レーザを発光させる半導体レーザの駆動回路であって、上記半導体レーザの発光するレーザ光の出力を検出する光検出器と、上記光検出器により検出された実際のレーザ光の強度に基づいて、半導体レーザの発光開始及び発光終了の内の少なくとも一方に生じるリンギング現象を除去するように、上記駆動信号のレベルを調整する制御回路を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の半導体レーザの駆動回路は、上記第１の半導体レーザの駆動回路において、上記制御回路は、実際のレーザ光の強度と基準値とを比較する比較部と、上記比較部における比較の結果、実際のレーザ光の強度が基準値に比べて不足している期間に、駆動信号のレベルを高める発光量増加回路と、逆に、実際のレーザ光の強度が基準値を上回っている期間に、駆動信号のレベルを低くする発光量減少回路とで構成されることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の半導体レーザの駆動回路は、上記第２の半導体レーザの駆動回路において、上記発光量増加回路は、駆動信号のレベルを増加するため、第１調整信号の入力に応じてオンに切り換るトランジスタスイッチとしてＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴだけを使用し、上記発光量減少回路は、駆動信号のレベルを下げるため、第２調整信号の入力に応じてオンに切り換るトランジスタスイッチとしてＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴだけを使用することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の半導体レーザの駆動回路は、上記第２又は第３の半導体レーザの駆動回路において、上記比較部は、実際のレーザ光の強度と基準値との差に応じたアナログの第１及び第２調整信号を、上記発光量増加回路及び発光量減少回路に出力することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の半導体レーザの駆動回路は、上記第２又は第３の半導体レーザの駆動回路において、上記比較部は、実際のレーザ光の強度と基準値との差に応じたディジタルの第１及び第２調整信号を、上記発光量増加回路及び発光量減少回路に出力することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の第１の半導体レーザの駆動回路は、実際のレーザ光の発光強度に応じてリンギングを除去するため、適切な駆動信号の調整を行うことができる。
【００１４】
本発明の第２の半導体レーザの駆動回路は、実際のレーザ光の発光強度と基準値との比較により駆動信号の増減を行う発光量増加回路及び発光量減少回路を用いることにより、より適切なリンギングを除去を行うことができる。
【００１５】
本発明の第３の半導体レーザの駆動回路は、上記第２の半導体レーザの駆動回路において、上記発光量増加回路は、駆動信号のレベルを増加するため、第１調整信号の入力に応じてオンに切り換るトランジスタスイッチとしてＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴだけを使用し、上記発光量減少回路は、駆動信号のレベルを下げるため、第２調整信号の入力に応じてオンに切り換るトランジスタスイッチとしてＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴだけを使用することで、Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ及びＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴの両方のトランジスタスイッチで構成される通常のアナログスイッチを使用する場合に比べ、少なくとも２個のトランジスタ削除することができ、簡単な構成で、かつ、低消費電力な小型の回路を構成することができる。
【００１６】
本発明の第４の半導体レーザの駆動回路では、上記第２又は第３の駆動回路において、上記比較部は、実際のレーザ光の強度と基準値との差に応じたアナログの第１及び第２調整信号を、上記発光量増加回路及び発光量減少回路に出力して、適切なリンギングの除去を行うことができる。
【００１７】
本発明の第５の半導体レーザの駆動回路では、上記第２又は第３の駆動回路において、上記比較部は、実際のレーザ光の強度と基準値との差に応じたディジタルの第１及び第２調整信号を、上記発光量増加回路及び発光量減少回路に出力して、適切なリンギングの除去を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（１）実施の形態１
図１は、リンギング除去回路Ｃ２を備えた半導体レーザの駆動回路１００を示す図である。当該駆動回路１００は、レーザ駆動部Ｃ１、リンギング除去回路Ｃ２で構成される。
【００１９】
レーザ駆動部Ｃ１は、変調回路１、トランジスタスイッチ２、及び、半導体レーザ４で構成される。変調回路１は、変調駆動信号ＭＤをトランジスタスイッチ２のゲートに出力する。トランジスタスイッチ２のソースは、電源電圧Ｖｃｃが印加されており、ドレインは、半導体レーザ４に接続されている。変調回路１からの変調駆動信号ＭＤの入力に応じてトランジスタスイッチ２はオンに切り換り、これにより駆動電流Ｉが半導体レーザ４に入力され、半導体レーザ４を発光させる。
【００２０】
リンギング除去回路Ｃ２は、リンギング除去信号生成回路６と、リンギング除去回路Ｃ３とで構成される。リンギング除去信号生成回路６は、上記レーザ駆動部Ｃ１を構成するトランジスタスイッチ２のドレインより出力される電流Ｉ、及び、半導体レーザ４の発光したレーザを検出する光検出器５による光検出信号ＤＰＤが入力される。リンギング除去回路Ｃ３は、リンギング除去信号生成回路６より出力される信号Ｓ１，Ｓ２に応じてトランジスタスイッチ２の出力を調整し、リンギングを除去する。
【００２１】
リンギング除去回路Ｃ３は、リンギング部分の内、レーザ光の強度が基準値に比べて不足している領域において、半導体レーザ４の発光強度を補強する発光量増加回路Ｃ３ａと、逆に、レーザ光の強度が基準値を上回っている場合に、半導体レーザ４の発光強度を減少させる発光量減少回路Ｃ３ｂとで構成される。上記発光量増加回路Ｃ３ａ及び発光量減少回路Ｃ３ｂは、共にＦＥＴを用いる回路であるが、実施の形態１にかかる駆動回路１００では、これらのＦＥＴを、信号Ｓ１，Ｓ２の値に応じて開くアナログスイッチとして使用する。換言すれば、上記発光量増加回路Ｃ３ａ及び発光量減少回路Ｃ３ｂで用いるＦＥＴが、アナログスイッチとして機能する値に、信号Ｓ１，Ｓ２の設定を行う。
【００２２】
以下、上記発光量増加回路Ｃ３ａと、発光量減少回路Ｃ３ｂとの構成について説明する。発光量増加回路Ｃ３ａは、Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ７及び抵抗８で構成される。発光量減少回路Ｃ３ｂは、抵抗９及びＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０で構成される。
【００２３】
通常のアナログスイッチは、図２（ａ）に示すように、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０とＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１１を並列に接続したものである。Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートには、オン／オフの切り換え信号Ｓ０がそのまま印加され、Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートには、上記信号Ｓ０がインバータ１３を介して印加される。
【００２４】
図２（ｂ）に示すグラフは、上記構成において、印加電圧ＶＳ１（ＦＥＴ１０及び１１の各ソース・ドレイン間に印加される電圧を意味する。）の値に対応するＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０とＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１１のオン抵抗の関係、並びに、アナログスイッチとしてのオン抵抗の関係を示す図である。図示するように、アナログスイッチとして用いる場合、上記ＶＳ１の値が高い場合にはＰチャンネル型ＭＯＳＦＴＥ１１のオン抵抗が低く、上記ＶＳ１の値が低い場合にはＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０のオン抵抗が低くなる。
【００２５】
例えば、図３に示すように、電源電圧Ｖｃｃが印加される場合を考える。ＶｃｃとＶｉの電位差、即ち、ＶＳ１が大きい場合、Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１１のオン抵抗が低くなる。従って、電源電圧Ｖｃｃが印加される場合等、電位差ＶＳ１が大きくなる場合、アナログスイッチとしてＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１１だけを用いることで、回路規模及び消費電力の減少を図ることができる。
【００２６】
他方、図４に示すように、アナログスイッチの出力側が接地されており、Ｖｉと接地電位（０Ｖ）の電位差ＶＳ１が小さい場合には、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０のオン抵抗が低くなる。従って、電位差Ｖｓ１が小さくなる場合、アナログスイッチとしてＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０だけを用いることで、回路規模及び消費電力の減少を図ることができる。
【００２７】
図５は、図１に示したトランジスタスイッチ２より出力される電流Ｉにより生じる半導体レーザ４の理想的な発光強度（以下、この理想的な発光強度のことを基準値として扱う）を示す波形と、実際の発光強度を示す波形と、当該タイミングで半導体レーザ４を発光させる場合におけるリンギング除去回路Ｃ２の駆動タイミングを示すタイムチャートである。図示するように、リンギング除去回路Ｃ２は、半導体レーザ４が発光を開始及び停止し始めてからの一定の期間ｔの間だけ動作する。
【００２８】
図６は、リンギング除去回路Ｃ２を構成するリンギング除去信号生成回路６の具体的な構成を示す図である。リンギング除去信号生成回路６は、Ａ／Ｄ変換回路２０、遅延回路２１、駆動信号生成回路２２、ＡＮＤゲート２３、演算増幅器２４、アナログスイッチ２５、演算増幅器２６で構成される。
【００２９】
Ａ／Ｄ変換回路２０は、半導体レーザ４の駆動電流Ｉをディジタル変換して理想的なレーザ発光信号Ｄ０を生成する。当該レーザ発光信号Ｄ０の各タイミングにおける値は、以降の処理において基準値として用いる。遅延回路２１は、後で説明する光検出器５の出力との比較を行うため、上記レーザ発光信号Ｄ０を、回路内において生じる遅延時間だけ遅延し、遅延した信号をレーザ発光信号Ｄ１として出力する。駆動信号生成回路２２は、３つの直列に接続されたインバータ２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、２入力ＡＮＤゲート２２ｄで構成される。上記構成において、２入力ＡＮＤゲート２２ｄの一方の信号入力端子には、上記遅延回路２１により遅延されたレーザ発光信号Ｄ１が入力され、残りの信号入力端子には、３つのインバータ２２ａ〜２２ｃにより一定時間だけ遅延されたレーザ発光信号Ｄ１の反転信号が入力される。当該構成を採用することにより、レーザ発光信号の立ち上がり、及び、立ち下がりタイミングにおいて、一定時間ｔだけＨｉｇｈレベルの駆動信号Ｄ２が出力される。ＡＮＤゲート２３は、Ｈｉｇｈレベルの駆動信号Ｄ２が入力されている間だけ、遅延回路２１より出力されたレーザ発光信号Ｄ１を通過させる。
【００３０】
一方、光検出器５により検出される半導体レーザ４の実際のレーザ光の出力ＤＰＤは、アナログスイッチ２５に入力される。アナログスイッチ２５は、Ｈｉｇｈレベルの駆動信号Ｄ２の入力に応じてオンに切り換る。
【００３１】
ＡＮＤゲート２３の出力端子は、演算増幅器２４の正相入力端子、及び、演算増幅器２６の正相入力端子に接続されている。アナログスイッチ２５の出力端子は、演算増幅器２４の逆相入力端子、及び、演算増幅器２６の逆相入力端子に接続されている。
【００３２】
演算増幅器２４は、実際のレーザ光の強度が理想的なレーザ光の強度よりも大きい場合に、その差を増幅し、ＬｏｗレベルがＧＮＤ（＝０Ｖ）、ＨｉｇｈレベルがＶｃｃ（電源電圧）＝５．５Ｖのリンギング除去信号Ｓ１を出力する。ここで、信号Ｓ１はＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ７を駆動するものであるため、上記強度の差に応じて信号の値は低くなる。
【００３３】
他方、演算増幅器２６は、実際のレーザ光の強度が理想的なレーザ光の強度よりも小さい場合に、その差を増幅し、ＬｏｗレベルがＧＮＤ（＝０Ｖ）、ＨｉｇｈレベルがＶｃｃ（電源電圧）＝５．５Ｖのリンギング除去信号Ｓ２を出力する。ここで、信号Ｓ２は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０を駆動するものであるため、上記差に応じて信号の値は大きくなる。
【００３４】
上記構成のリンギング除去信号生成回路６の働きにより、半導体レーザ４のレーザ光の強度を、電流Ｉより求めた理想的なレーザ光の強度に調節する、アナログ信号Ｓ１，Ｓ２を用意することができる。
【００３５】
（２）実施の形態２
以下、実施の形態２の半導体レーザの駆動回路で用いるリンギング除去信号生成回路３０の構成について説明する。なお、当該実施の形態２にかかる半導体レーザの駆動回路の構成は、以下に説明する箇所以外、実質的に実施の形態１の半導体レーザの駆動回路１００と同じ構成であるため、特に図示しない。
【００３６】
上記実施の形態１の半導体レーザの駆動回路１００では、半導体レーザ４のレーザ光の強度を、電流Ｉより求めた理想的なレーザ光の強度に調節するアナログ信号である信号Ｓ１，Ｓ２を用意するリンギング除去信号生成回路６を用いたのに対し、実施の形態２の半導体レーザの駆動回路（図示せず）は、半導体レーザ４のレーザ光の強度が、電流Ｉより求めた理想的なレーザ光の強度（以下、基準値とする）に比して大きい場合には、Ｈｉｇｈレベルの信号Ｓ３を出力し、小さい場合には、Ｌｏｗレベルのリンギング除去信号Ｓ４を出力するリンギング除去信号生成回路３０を用いることを特徴とする。
【００３７】
なお、リンギング除去回路Ｃ３を構成するアナログスイッチは、図１に示す通りの簡略化したものを採用することにより、通常のアナログスイッチ（図２（ａ）を参照）を用いる場合に比べて一層の回路構成の小型化及び省電力化が図れるという効果を有する点は、上記した実施の形態１にかかる半導体レーザの駆動回路１００と同じである。
【００３８】
リンギング除去信号生成回路３０以外、実施の形態２における半導体レーザの駆動回路の構成は、実質的に上記駆動回路１００の構成と同じであるが、リンギング除去回路Ｃ３を構成する２個のトランジスタスイッチ、即ち、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ７とＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートに印加する信号Ｓ３，Ｓ４がディジタル信号（Ｈｉｇｈレベルが５．５Ｖ，Ｌｏｗレベルが０Ｖ）となり、ＦＥＴ７及びＦＥＴ１０をディジタルスイッチとして利用する点が異なる。
【００３９】
図７は、リンギング除去信号生成回路３０の構成を示す図である。リンギング除去信号生成回路３０は、Ａ／Ｄ変換回路３１、遅延回路３２、駆動信号生成回路３３、ＮＡＮＤゲート３４、ＡＮＤゲート３５、比較器３６、ダイオード３７，３８で構成される。
【００４０】
Ａ／Ｄ変換回路３１は、半導体レーザ４の駆動電流Ｉをディジタル変換して理想的なレーザ発光信号Ｄ３を生成する。遅延回路３２は、光検出器５の出力との比較を行うため、上記レーザ発光信号Ｄ３を回路内において生じる遅延時間だけ遅延し、遅延した信号をレーザ発光信号Ｄ４として出力する。駆動信号生成回路３３は、３つの直列に接続されたインバータ３３ａ，３３ｂ，３３ｃと、２入力ＡＮＤゲート３３ｄで構成される。上記構成において、２入力ＡＮＤゲート３３ｄの一方の信号入力端子には、上記遅延回路３２により遅延されたレーザ発光信号Ｄ４が入力され、残りの信号入力端子には、３つのインバータ３３ａ〜３３ｃにより一定時間だけ遅延されたレーザ発光信号Ｄ４の反転信号が入力される。当該構成を採用することにより、レーザ発光信号の立ち上がり及び立ち下がりタイミングにおいて、一定時間ｔだけＨｉｇｈレベルの駆動信号Ｄ６が出力される。ＮＡＮＤゲート３４及びＡＮＤゲート３５は、Ｈｉｇｈレベルの駆動信号Ｄ６が入力されている間だけ、比較器３６よりダイオード３７及び３８を介して入力される信号を通過させる。
【００４１】
比較器３６には、理想的なレーザ光として用いる，遅延後の駆動信号Ｄ４と、半導体レーザ４の実際のレーザ光の出力ＤＰＤとが入力される。比較器３６は、実際のレーザ光の出力ＤＰＤが基準値よりも大きい場合に、Ｈｉｇｈレベルの比較結果信号を出力し、小さい場合には、Ｌｏｗレベルの比較結果信号を出力する。ここで、比較器３６として、基準値Ｖｒｅｆ（＝０Ｖ）を中心として、Ｈｉｇｈレベル（＋５．５Ｖ）及びＬｏｗレベル（−５．５Ｖ）の比較結果信号を出力するものを用いる。
【００４２】
なお、ＮＡＮＤゲート３４及びＡＮＤゲート３５は、ＨＩｇｈレベルが５．５Ｖ、Ｌｏｗレベルが０Ｖのものを採用する。ダイオード３７及び３８の働きにより、実際のレーザ光の出力ＤＰＤが基準値よりも大きい場合、ＮＡＮＤゲート３４には、Ｈｉｇｈレベル（＝５．５Ｖ）の比較結果信号が入力され、ＡＮＤゲート３５にはＬｏｗレベル（＝０Ｖ）の比較結果信号が入力される。逆に、実際のレーザ光の出力ＤＰＤが基準値よりも小さい場合、ＮＡＮＤゲート３４には、Ｌｏｗレベル（＝０Ｖ）の比較結果信号が入力され、ＡＮＤゲート３５にはＨｉｇｈレベル（＝５．５Ｖ）の比較結果信号が入力される。
【００４３】
上述するように、リンギング除去信号生成回路３０では、実際のレーザ光の出力ＤＰＤが基準値と差がある場合に、これを補正するためのディジタル信号Ｓ３，Ｓ４を生成することができる。即ち、図１に示したのと同じ構成の実施の形態２にかかる駆動回路において、リンギング除去回路Ｃ３を構成する２個のトランジスタスイッチをディジタルスイッチとしてオン／オフさせることにより、リンギングを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施の形態１にかかる半導体レーザの駆動回路の構成を示す図である。
【図２】従来のアナログスイッチとそのオン抵抗特性を示す図である。
【図３】アナログスイッチに印加される電位差が大きい場合のオン抵抗の関係を説明するための図である。
【図４】アナログスイッチに印加される電位差が小さい場合のオン抵抗の関係を説明するための図である。
【図５】理想的なレーザ光と、実際のレーザ光と、リンギング除去回路の駆動タイミングとを現すタイムチャートである。
【図６】リンギング除去信号生成回路の具体的な構成を示す図である。
【図７】実施の形態２にかかる半導体レーザの駆動回路が備えるリンギング除去信号生成回路の具体的な構成を示す図である。
【図８】従来の半導体レーザの駆動回路に用いるスイッチの一例を示す図である。
【図９】半導体レーザのレーザ光のリンギング現象を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  変調回路、２，７，１０，１１，１２  トランジスタスイッチ、４  半導体レーザ、５  光検出器、６  リンギング除去信号生成回路、８，９  抵抗。
【図１】
2005191085.tif 000003
【図２】
2005191085.tif 000004
【図３】
2005191085.tif 000005
【図４】
2005191085.tif 000006
【図５】
2005191085.tif 000007
【図６】
2005191085.tif 000008
【図７】
2005191085.tif 000009
【図８】
2005191085.tif 000010
【図９】
2005191085.tif 000011