(57)【要約】【課題】  導電薄膜形成方法の提供。【解決手段】  基板を提供し、第１パターンを具えて断面が面取り形状のホトレジスト層を該基板の上に形成し、少なくとも一つの導電薄膜を堆積させ、該ホトレジスト層を剥離して該基板表面に第１パターンと相補する第２パターン導電薄膜を保留する。該薄膜を堆積する時に自然にテーパ角度が形成されることにより、後続工程のステップ被覆性を高めると共に装置中の孔の発生を減らし、複雑なエッチング工程を不要とした。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電薄膜形成方法において、
（Ａ）基板を提供する工程、
（Ｂ）断面が面取り形状を呈して第１のパターンを具えたホトレジスト層を該基板の上に形成する工程、
（Ｃ）少なくとも一つの導電薄膜を堆積させる工程、
（Ｄ）該第１のパターンを具えたホトレジスト層を剥離して、該基板の表面に、第１のパターンと相補する第２のパターンを具えた導電薄膜層を保留する工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ａ）の工程において提供する基板が、表面にガラス、窒化けい素、酸化けい素、アモルファスシリコン、結晶シリコン、不純物含有シリコン、金属層、金属窒化物、金属窒素けい化物、ポリマー又は有機発光材料を具えたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｂ）の工程において、ホトレジスト塗布、ベーク、露光、及び現像によりパターンを具えたホトレジスト層を形成することを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項４】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｅ）ホトレジスト層剥離後に、保護層或いは層間絶縁層を形成する工程、を具えたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項５】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｃ）の導電薄膜の堆積において、物理気相成長法（ＰＶＤ）、蒸着法、低圧化学気相成長法、及びプラズマ補助化学気相成長法を使用することを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項６】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜が多層金属層とされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項７】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜が単一金属層とされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項８】
請求項６記載の導電薄膜形成方法において、多層金属層が、バリア層又は接着層／導電薄膜／バリア層或いは付着層とされ、チタン／アルミニウム／チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、チタン／アルミニウム／窒化チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ）、チタン／銅／チタン層（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ）、クロム／銅／クロム層（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）、タングステン／銅／タングステン層（Ｗ／Ｃｕ／Ｗ）、モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金層（Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ）、タンタル／銅／タンタル層（Ｔａ／Ｃｕ／Ｔａ）、窒化タンタル／銅／窒化タンタル層（ＴａＮ／Ｃｕ／ＴａＮ）、窒化チタン／銅／窒化チタン層（ＴｉＮ／Ｃｕ／ＴｉＮ）、チタン／アルミニウム層（Ｔｉ／Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）のいずれかとされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項９】
請求項７記載の導電薄膜形成方法において、単一金属層が、クロム、銅、アルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）、及びアルミニウムのいずれかとされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１０】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ製造に使用されることを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜が、薄膜トランジスタのゲート或いは金属線とされることを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１２】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、半導体の金属導線形成に使用されることを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１３】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、ホトレジストの面取り形状が、逆台形型、Ｔ型、マッシュルームヘッド型のいずれかとされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１４】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、ホトレジストがネガ型或いはポジ型とされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１５】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜の辺縁にテーパ角度があり、このテーパ角度が薄膜表面と基板表面の形成する夾角とされて、且つ該テーパ角度が６０度より小さいことを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【請求項１６】
請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｃ）の工程において、ホトレジストの上に堆積させる導電薄膜と、基板上に堆積させる導電薄膜とを互いに不接触とすることを特徴とする、導電薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の導電薄膜形成方法に係り、特に、ゲート或いは金属導線とされる導電薄膜を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイパネル工程中にあって、薄膜のテーパ（ｔａｐｅｒ）角度をうまく制御することにより後続工程のステップ被覆性を高め、並びに装置中の孔の発生を減らすことができ、これが薄膜トランジスタアレイパネル工程の歩留りを決定する鍵となる。
【０００３】
薄膜トランジスタアレイパネル工程には、薄膜堆積、リソグラフィー、エッチングを順に行ない、パターン化された導線或いはゲートを形成する工程がある。一般にエッチング工程の画定する薄膜のテーパ角度は通常工程許容範囲より大きく、現在薄膜テーパ角度の調整にはエッチング工程のパラメータの調整が利用され、例えばウエットエッチング中に特殊なエッチング液を使用したり、ドライエッチングでは特殊なガスと工程条件を利用することにより達成される。
【０００４】
しかし、トランジスタ液晶ディスプレイにあって、ＲＣ時間遅延を減らすため、低い抵抗値の材料、例えば、アルミニウム、銅を金属導線となす傾向があり、また、通常、多層構造によりアルミニウム、銅材料の応用上の制限を克服している。多層構造は粘着性を増し、スパイキング（ｓｐｉｋｉｎｇ  ｉｓｓｕｅ）を減らし、層間拡散を防止するが、却ってエッチング工程の困難度を増す。図１と図２に示されるように、基板２１０表面の上に、多層金属構造、例えばチタン銅チタン層が設けられ、各層の材料が異なり、エッチング速度も異なるため、薄膜のエッチング後の幅が異なってしまう。図１中、多層金属構造の中間層２３０のエッチング速度は、上下の二つの金属層２２０より速く、このためエッチング後の多層金属構造の中間層が内縮する。図２中にあって、多層金属構造の中間層２３０のエッチング速度は上下の二層の金属層２２０より遅く、エッチング後の多層金属構造の外周が内縮する。二種類の状況において、薄膜外形はいずれも不良となり、後続工程例えば保護層２４０堆積の時、ステップ被覆性が悪くなり、層間の孔２５０が発生する。単層構造ではエッチング速度が異なるという問題はないが、エッチング制御がうまく行なわれないと、金属導線が短絡して装置を失効させるという問題を形成し、装置の操作チャネルもエッチング工程により損傷を受ける恐れがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主要な目的は、一種の導電薄膜形成方法を提供することにあり、それは、リソグラフィー工程後に堆積させる薄膜にテーパ角度を形成させることができ、後続の多層堆積構造のステップ被覆性を改善し、各層間の孔の発生を防止し、且つ複雑なエッチング工程により薄膜テーパ角度を制御する必要をなくし、エッチング時に形成されるエッチング速度の違いの問題を解決し、並びに従来の製造工程における金属導線短絡と装置操作チャネル損傷を有効に抑制し、また、製造の工程数を減らして製造コストを減らして市場での競争力を高めることができる方法であるものとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、導電薄膜形成方法において、
（Ａ）基板を提供する工程、
（Ｂ）断面が面取り形状を呈して第１のパターンを具えたホトレジスト層を該基板の上に形成する工程、
（Ｃ）少なくとも一つの導電薄膜を堆積させる工程、
（Ｄ）該第１のパターンを具えたホトレジスト層を剥離して、該基板の表面に、第１のパターンと相補する第２のパターンを具えた導電薄膜層を保留する工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ａ）の工程において提供する基板が、表面にガラス、窒化けい素、酸化けい素、アモルファスシリコン、結晶シリコン、不純物含有シリコン、金属層、金属窒化物、金属窒素けい化物、ポリマー又は有機発光材料を具えたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｂ）の工程において、ホトレジスト塗布、ベーク、露光、及び現像によりパターンを具えたホトレジスト層を形成することを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｅ）ホトレジスト層剥離後に、保護層或いは層間絶縁層を形成する工程、を具えたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｃ）の導電薄膜の堆積において、物理気相成長法（ＰＶＤ）、蒸着法、低圧化学気相成長法、及びプラズマ補助化学気相成長法を使用することを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜が多層金属層とされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜が単一金属層とされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項８の発明は、請求項６記載の導電薄膜形成方法において、多層金属層が、バリア層又は接着層／導電薄膜／バリア層或いは付着層とされ、チタン／アルミニウム／チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、チタン／アルミニウム／窒化チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ）、チタン／銅／チタン層（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ）、クロム／銅／クロム層（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）、タングステン／銅／タングステン層（Ｗ／Ｃｕ／Ｗ）、モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金層（Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ）、タンタル／銅／タンタル層（Ｔａ／Ｃｕ／Ｔａ）、窒化タンタル／銅／窒化タンタル層（ＴａＮ／Ｃｕ／ＴａＮ）、窒化チタン／銅／窒化チタン層（ＴｉＮ／Ｃｕ／ＴｉＮ）、チタン／アルミニウム層（Ｔｉ／Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）のいずれかとされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項９の発明は、請求項７記載の導電薄膜形成方法において、単一金属層が、クロム、銅、アルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）、及びアルミニウムのいずれかとされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１０の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ製造に使用されることを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１１の発明は、請求項１０記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜が、薄膜トランジスタのゲート或いは金属線とされることを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、半導体の金属導線形成に使用されることを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１３の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、ホトレジストの面取り形状が、逆台形型、Ｔ型、マッシュルームヘッド型のいずれかとされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１４の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、ホトレジストがネガ型或いはポジ型とされたことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１５の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、導電薄膜の辺縁にテーパ角度があり、このテーパ角度が薄膜表面と基板表面の形成する夾角とされて、且つ該テーパ角度が６０度より小さいことを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１記載の導電薄膜形成方法において、（Ｃ）の工程において、ホトレジストの上に堆積させる導電薄膜と、基板上に堆積させる導電薄膜とを互いに不接触とすることを特徴とする、導電薄膜形成方法としている。
【発明の効果】
【０００７】
テーパ角度を堆積薄膜表面と基板表面の形成する夾角と定義するなら、周知の技術中、薄膜に薄膜堆積、リソグラフィー、エッチング工程を行なった後に、傾斜角度は６０度より大きくなるが、本発明の導電薄膜形成方法によると、リソグラフィー工程、薄膜堆積及びホトレジスト剥離によりパターンを具え且つ傾斜角度が６０度より小さい導線或いはゲートを形成することができ、良好な導電薄膜外形を獲得でき、後続工程のステップ被覆性を高めると共に装置中の孔の発生を減らすことができ、また製造工程を簡易化し、製造工程の困難度を減らし、複雑なエッチング工程を使用せずに、生産能力と歩留りアップの二重効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の導電薄膜形成方法によると、その工程は、基板を提供し、第１のパターンを具えて断面が面取り形状のホトレジスト層を該基板の上に形成し、少なくとも一つの導電薄膜を堆積させ、該ホトレジスト層を剥離して該基板表面に第１のパターンと相補する第２のパターン導電薄膜を保留する工程を含む。
【０００９】
本発明の形成方法によると、基板を提供する工程において、該基板は表面に、ガラス、窒化けい素、酸化けい素、アモルファスシリコン、結晶シリコン、不純物含有シリコン、金属層、金属窒化物、金属窒素けい化物、ポリマー、或いは有機発光材料を具えたものとする。また、リソグラフィー工程において、ホトレジストの厚さ、ホトレジスト組成物、露光エネルギー量、焦点深さ、ベーク温度、及び現像時間等を調整して断面が面取り形状を呈して第１パターンを具えたホトレジスト層を基板の上に形成する。その面取り形状は好ましくは台形型、Ｔ型、或いはマッシュルームヘッド型とされ、ホトレジストに制限はなく、ネガ型ホトレジスト、或いはポジ型ホトレジストとされうる。物理気相成長法（ＰＶＤ）、蒸着法、低圧化学気相成長法、或いはプラズマ補助化学気相成長法等の方法で導電薄膜を堆積させる。該導電薄膜は多層金属層或いは単一金属層とする。多層金属層はバリア層或いは接着層（ｇｌｕｅ  ｌａｙｅｒ）／導電薄膜／バリア層或いは接着層とされ、例えばチタン／アルミニウム／チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、チタン／アルミニウム／窒化チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ）、チタン／銅／チタン層（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ）、チタン／銅／クロム層（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｃｒ）、チタン／銅／タングステン層（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｗ）、窒化モリブデン／アルミニウム／窒化モリブデン層（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ）、モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金層（Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ）、窒化モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金層（ＭｏＮ／Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン／アルミニウム−ネオジム合金／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ）、タンタル／銅／タンタル層（Ｔａ／Ｃｕ／Ｔａ）、窒化タンタル／銅／窒化タンタル層（ＴａＮ／Ｃｕ／ＴａＮ）、窒化チタン／銅／窒化チタン層（ＴｉＮ／Ｃｕ／ＴｉＮ）、チタン／アルミニウム層（Ｔｉ／Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）となしうる。単一金属層は、例えば、クロム、銅、アルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）、アルミニウムとなしうる。ホトレジストの上に位置する導電薄膜と基板の上に堆積される導電薄膜は好ましくは直接接触しないものとする。最後にホトレジスト層を剥離して、基板表面に第１のパターンと相補する第２のパターンを具えた導電薄膜層を保留する。本発明の導電薄膜形成方法によると、さらに剥離後に保護層或いは層間絶縁層を形成する工程を含む。
【００１０】
本発明によると、リソグラフィー工程を調整してホトレジストに面取り形状を形成させる。薄膜堆積時に、ホトレジストの面取り形状の阻止により、ホトレジスト辺縁に近接する薄膜堆積量は少なくなり、ゆえに堆積される薄膜は自然に６０度角より小さいテーパ角度を形成する。本発明の製造工程は簡単であり、並びに更に複雑な多層構造工程中に応用できる。本発明の導電薄膜形成方法は、応用範囲に制限がないが、好ましくは薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ工程中にあって、ゲート或いは金属導線の製作に応用される。本発明の方法はまた、半導体金属導線工程中に使用可能である。
【実施例１】
【００１１】
図３は本発明を薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ工程中の金属導線作成に応用した実施例である。そのフローは、基板１１０を提供する工程を具え、該基板は表面に、ガラス、窒化けい素、酸化けい素、アモルファスシリコン、結晶シリコン、不純物含有シリコン、金属層、金属窒化物、金属窒素けい化物、ポリマー、或いは有機発光材料を具えたものとする。基板１１０に対して、ホトレジスト塗布、ベーク、露光、現像を含むリソグラフィー工程を行ない、第１のパターンを具えたホトレジスト層１２０を基板１１０表面に形成する。そのうち、リソグラフィー工程中に、ホトレジストの厚さ、ホトレジスト組成物、露光エネルギー量、焦点深さ、ベーク温度、及び現像時間等を調整してホトレジスト層１２０の断面を面取り形状となし、この面取り形状は好ましくはマッシュルームヘッド型とし、ホトレジストはネガ型ホトレジストとする。さらに物理気相成長法（ＰＶＤ）、蒸着法、低圧化学気相成長法、或いはプラズマ補助化学気相成長法等の方法で多層金属層を堆積させる。多層金属層は金属層１３０、１４０、１５０を具え、そのうち、金属層１３０、１５０は同じ金属材料とされうる。この多層金属層は、例えば、チタン／アルミニウム／チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、チタン／アルミニウム／窒化チタン層（Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ）、チタン／銅／チタン層（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ）、クロム／銅／クロム層（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）、タングステン／銅／タングステン層（Ｗ／Ｃｕ／Ｗ）、モリブデン／タングステン層（Ｍｏ／Ｗ）、窒化モリブデン／アルミニウム／窒化モリブデン層（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ）、窒化タンタル／銅／窒化タンタル層（ＴａＮ／Ｃｕ／ＴａＮ）、窒化チタン／銅／窒化チタン層（ＴｉＮ／Ｃｕ／ＴｉＮ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン層（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）となしうる。そのうち、ホトレジスト層１２０の上に堆積させる金属層１３０、１４０、１５０は直接接合されない。その後、ホトレジスト層１２０を剥離し、基板１１０表面に第１のパターンと相補する第２のパターンを具えた多層金属層を保留する。最後に、基板１１０の上にさらに保護層或いは層間絶縁層１６０を堆積させ、多層金属層を保護し、或いは装置製作を進行する。
【００１２】
本発明はリソグラフィー工程を利用しホトレジストに面取り形状を形成させ、多層金属層を堆積させる時、ホトレジストの面取り形状の阻止により、ホトレジスト辺縁に近接する薄膜の堆積量を少なくし、これにより堆積させる薄膜のホトレジストに接近する位置に自然に６０度角より小さいテーパ角度を形成させ、これにより後続工程のステップ被覆性を改善し、その工程を簡易化し、また、エッチングが遭遇する困難（材料エッチング速度の違い等）を防止し、層間の孔の発生を減らし、並びに製品の歩留りと生産能力を高める。
【実施例２】
【００１３】
図４は本発明を薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ工程中の金属導線作成に応用したもう一つの実施例である。そのフローは、基板３１０を提供する工程を具え、該基板３１０は表面に、ガラス、窒化けい素、酸化けい素、アモルファスシリコン、結晶シリコン、不純物含有シリコン、金属層、金属窒化物、金属窒素けい化物、ポリマー、或いは有機発光材料を具えたものとする。基板３１０に対して、ホトレジスト塗布、ベーク、露光、現像を含むリソグラフィー工程を行ない、第１のパターンを具えたホトレジスト層３２０を基板３１０表面に形成する。そのうち、リソグラフィー工程中に、ホトレジストの厚さ、ホトレジスト組成物、露光エネルギー量、焦点深さ、ベーク温度、及び現像時間等を調整してホトレジスト層３２０の断面を面取り形状となし、この面取り形状は好ましくは台形型とし、ホトレジスト層３２０はネガ型ホトレジストとする。さらに物理気相成長法（ＰＶＤ）、蒸着法、低圧化学気相成長法、或いはプラズマ補助化学気相成長法等の方法で単一金属層、例えばクロム、銅、アルミニウムを堆積させる。ホトレジスト層３２０の上に形成する単一金属層３３０は、基板３１０の上に堆積させる単一金属層３３０と直接接触しないものとする。その後、ホトレジスト層３２０を剥離し、基板３１０表面に第１のパターンと相補する第２のパターンを具えた単一金属層３３０を形成する。最後に、基板３１０の上に更に保護層或いは層間絶縁層３４０を堆積させ、これにより単一金属層３３０を保護するか装置の製作を進行する。
【００１４】
本発明はリソグラフィー工程を利用しホトレジストに面取り形状を形成させ、単一金属層３３０を堆積させる時、ホトレジストの面取り形状の阻止により、ホトレジスト辺縁に近接する薄膜の堆積量を少なくし、これにより堆積させる薄膜のホトレジストに接近する位置に自然に６０度角より小さいテーパ角度を形成させ、これにより後続工程のステップ被覆性を改善し、並びに装置中の孔の発生を減らし、装置チャネルにエッチング工程による損傷を発生させず（ソースとドレイン表面にあって過度のエッチングにより発生するピット（ｐｉｔｓ））、工程を簡易化し、また、工程の困難度を減らし、複雑なエッチング工程を不要とし、製品の歩留りと生産能力を高める。
【００１５】
以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】周知の導電薄膜エッチング後の外形構造図である。
【図２】周知の導電薄膜エッチング後の外形構造図である。
【図３】本発明の好ましい実施例のフローチャートである。
【図４】本発明の別の好ましい実施例のフローチャートである。
【符号の説明】
【００１７】
２１０  基板        ２２０  金属層        ２３０  中間層
２４０  保護層      ２５０  層間の孔      １１０  基板
１２０  ホトレジスト層          １３０  金属層
１４０  金属層                  １５０  金属層
１６０  保護層或いは層間絶縁層
３１０  基板        ３２０  ホトレジスト層  ３３０  単一金属層
３４０  保護層或いは層間絶縁層
【図１】
2005005665.tif 000003
【図２】
2005005665.tif 000004
【図３】
2005005665.tif 000005
【図４】
2005005665.tif 000006