(57)【要約】  【課題】  絶縁抵抗の劣化が抑制され、信頼性が高められた積層型フィルタ２を提供すること。  【解決手段】  コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部４２と、内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部４４と、前記コイル部及び前記コンデンサ部の間に形成された中間材層４６とを、有する積層型フィルタ２であって、前記中間材層４６が、Ｚｎを含む非磁性セラミックと、ホウ珪酸亜鉛系ガラスとを、含んで構成されていることを特徴とする。  【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部と、
前記コイル部及び前記コンデンサ部の間に形成された中間材層とを、有する複合電子部品であって、
前記中間材層が、Ｚｎを含む非磁性セラミックと、ホウ珪酸亜鉛系ガラスとを、含んで構成されていることを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
前記中間材層は、Ｚｎを含む非磁性セラミック１００重量部に対し、ホウ珪酸亜鉛系ガラスが０．３〜４重量部含有されている請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項３】
前記非磁性セラミックが、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックである請求項１または２に記載の複合電子部品。
【請求項４】
前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスは、（Ｂ２  Ｏ３  −ＺｎＯ−ＳｉＯ２  ）に、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項５】
前記中間材層の厚みが、５〜１００μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項６】
前記磁性体層は、ＮｉＣｕＺｎ系磁性フェライトまたはＣｕＺｎ系磁性フェライトで構成されており、前記誘電体層は、Ｔｉ系セラミックで構成されている請求項１〜５のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項７】
前記コイル部とコンデンサ部とで構成される集中定数回路が形成される請求項１〜６のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項８】
前記集中定数回路が、Ｌ型、Ｔ型、π型、またはダブルπ型のいずれかである請求項７に記載の複合電子部品。
【請求項９】
コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部と、
前記コイル部及び前記コンデンサ部の間に形成された中間材層とを、有する複合電子部品を製造する方法であって、
最終的に、Ｚｎを含む非磁性セラミックとホウ珪酸亜鉛系ガラスを含んで構成されることとなる中間材層のすべての製造原料成分を混合する工程と、
前記混合後の原料を５００〜８５０℃で予備焼成する工程と、
前記予備焼成後の粉体を粉砕し、０．１〜０．８μｍの平均粒子径を持つ粉体を得る工程と、
前記粉体をスラリー化して、焼成前中間材層を形成し、焼成する工程とを、有する複合電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記製造原料成分が、少なくともＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｎの酸化物及び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物と、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ及びＮａの酸化物のうち１種類以上とを含有するものである、請求項９に記載の複合電子部品の製造方法。
【請求項１１】
コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部と、
前記コイル部及び前記コンデンサ部の間に形成された中間材層とを、有する複合電子部品を製造する方法であって、
最終的に、Ｚｎを含む非磁性セラミックとホウ珪酸亜鉛系ガラスを含んで構成されることとなる中間材層の製造原料成分のうち、Ｚｎを含む非磁性セラミックの製造原料成分を混合する工程と、
前記混合後の原料を５００〜８５０℃で予備焼成する工程と、
前記予備焼成後の粉体を粉砕し、０．１〜０．８μｍの平均粒子径を持つ粉体を得る工程と、
前記粉体に対して、ホウ珪酸亜鉛系ガラスまたは該ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分を加えてスラリー化し、焼成前中間材層を形成し、焼成する工程とを、有する複合電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記Ｚｎを含む非磁性セラミックの製造原料成分が、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎの酸化物及び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物であり、
前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスが、（Ｂ２  Ｏ３  −ＺｎＯ−ＳｉＯ２  ）と、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上とを含有するものであり、
前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分が、少なくともＢ２  Ｏ３  、ＺｎＯ及びＳｉＯ２  を含み、さらにＡｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上を含有するものである、請求項１１に記載の複合電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記焼成前中間材層を焼成する際に、前記コイル部を形成することとなる焼成前コイル部と、前記コンデンサ部を形成することとなる焼成前コンデンサ部とを同時焼成し、前記コイル部、前記中間材層及び前記コンデンサ部を一体焼結させる、請求項９〜１２のいずれかに記載の複合電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等のノイズ除去に用いられる積層型フィルタに係り、特に、コイル導体及び磁性体層と、コンデンサ電極及び誘電体層を一体焼成して得られる積層体を備える積層型フィルタなどの複合電子部品の、信頼性向上を目的とした構造と製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器のＥＭＩ対策部品として、複合電子部品としての積層型フィルタが用いられている。この積層型フィルタは、コイル部とコンデンサ部とを独立させて有する電子部品である。このため、該積層型フィルタを製造するに際し、コイル導体及び磁性体で構成されるコイル部と、コンデンサ電極及び誘電体で構成されるコンデンサ部とを、互いに重ね合わせた上で同時焼成し、一体焼結させる必要がある。なお、ＥＭＩとは、「Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ（電磁妨害）」の略であり、電子機器が、他の電子機器の妨害要因となる電磁波を意図的にではなく放射することを意味する。
【０００３】
近年、積層型フィルタを製造するに際し、コイル部とコンデンサ部との間に、両者の中間の焼結特性を持つ中間材層を介在させることが行われている。中間材層を介在させるのは、第１にコイル部とコンデンサ部の接着性を向上させ、十分な強度を保つこと、第２にコイル部とコンデンサ部の熱収縮率の違いによる界面の剥離を防止すること、第３にコイル部とコンデンサ部の熱膨張係数の差による応力の緩和をはかること、第４にコイル部とコンデンサ部の界面において相互拡散が生じ、磁性体及び誘電体の双方における特性の劣化を防止すること、などが挙げられる。
【０００４】
中間材層を介在させる技術として、種々の提案が為されている。  
【０００５】
積層型フィルタではないが、コンデンサ単独またはインダクタ単独の積層部品に関し、特許文献１では、誘電体または磁性体と内部電極金属との間に、誘電体、ガラス等の絶縁体、磁性体およびこれらと金属粉末の混合物より選ばれた材料からなる中間材層を介在させることが開示されている。
【０００６】
積層型フィルタに関し、特許文献２及び３では、コイル部とコンデンサ部との間に、前記特許文献１での中間材層と略同様の材料で構成される中間材層を介在させることが開示されている。
【０００７】
上述したいずれの特許文献１〜３でも、要するに、上下層に配置される各層間での、熱膨張係数の差により生じる応力を緩和することを目的としている。
【０００８】
確かに、特許文献１〜３での中間材層は、応力緩和作用を発揮し、同時焼成され、一体焼結されたコイル部とコンデンサ部との界面におけるクラックを防止できる効果を奏する。
【０００９】
しかしながら、積層型フィルタにおいて、コイル部とコンデンサ部とを同時焼成し、一体焼結させる場合、両部の界面を通して相互拡散が生じ易く、誘電体および磁性体の双方において特性が変化することがある。
【００１０】
この問題を解決する技術として、特許文献４では、コイル部とコンデンサ部との間に、中間材として、ＺｒＯ２  、ＴｉＯ２  またはそれらの混合系にＣｕＯを所定量で含有させて調合されたセラミック材料を介在させる技術が提案されている。
【００１１】
また、特許文献５では、ガラスを含有するコンデンサ部とコイル部との間に、ＢａＯとＴｉＯ２  を所定割合で含むセラミック及び前記コンデンサ部に含有されているガラスで構成される中間材層を介在させる技術が開示されている。
【００１２】
しかしながら、これらの特許文献４及び５の技術をもってしても、未だコイル部とコンデンサ部の接合部で生じる相互拡散を適切に制御できるものではなく、依然として課題を有していた。
【００１３】
特にガラス成分は、コイル部とコンデンサ部との良好な接合を図るために有効であるが、その反面、ガラスを含む中間材層を介在させた場合、ガラス成分自体が磁性体または誘電体に拡散し、磁性体または誘電体の特性を劣化させ、特に素子の絶縁抵抗を劣化させることがあった。  
従って、コイル部及びコンデンサ部中の各セラミックの組成に対して、中間材層に含まれるガラス成分の組成を適切に制御することは極めて重要である。
【特許文献１】特開昭５９−９０９１５号公報
【特許文献２】特開昭５８−１７２８０４号公報
【特許文献３】特公昭５９−３３２４７号公報
【特許文献４】特開平３−９７２１１号公報
【特許文献５】特開平８−３１６９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、絶縁抵抗の劣化が抑制され、信頼性が高められた積層型フィルタなどの複合電子部品と、該複合電子部品の製造方法とを、提供することである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【００１５】
Ｚｎを含む非磁性セラミック（たとえばＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミック）単独の中間材層、あるいはＺｎを含む非磁性セラミックにＺｎを含まないガラス（たとえばホウ珪酸系ガラス）を混合させた中間材層を、コイル部とコンデンサ部の間に介在させた場合、コイル部とコンデンサ部の界面において、Ｚｎの相互拡散が生じ、コンデンサ部のコンデンサ電極層間の絶縁抵抗が劣化し、結果としてＣｕ偏析が生じ（図７（Ｂ）、図８（Ａ）、図９（Ａ）参照）、コイル部とコンデンサ部との接着強度が保てず、デラミネーションと称される層間剥離現象が発生する。また、現在、電子部品には使用禁止となっている鉛系ガラスやビスマス系ガラスをＺｎを含む非磁性セラミックに混合した中間材層を、コイル部とコンデンサ部との間に介在させた場合も同様である。このように、中間材層の一構成材料としてＺｎを含まないガラスを使用した場合、コイル部の磁性体層からＺｎ成分の拡散が多く、拡散個溶したＺｎがＴｉとの価数の違いにより、電気的収支が合わず、酸素欠乏を多く生成してしまう。このため、焼結性を劣化させ、結果として絶縁抵抗を劣化させるものと考えられる。
【００１６】
本発明者らは、相互拡散は濃度勾配に起因するため、コイル部の磁性体層に対してＺｎ含有量の多い層を中間材層に介在させることで、コイル部の磁性体層からの拡散量を抑制できるとの知見を得、この知見の下に検討を重ねた結果、本発明に到達した。
【００１７】
すなわち、本発明によれば、
コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部と、
コイル部及びコンデンサ部の間に形成された中間材層とを、有する複合電子部品であって、
中間材層が、Ｚｎを含む非磁性セラミックと、ホウ珪酸亜鉛系ガラスとを、含んで構成されていることを特徴とする複合電子部品が提供される。
【００１８】
この発明によると、コイル部とコンデンサ部の間に介在させる中間材層として、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックなどのＺｎを含む非磁性セラミックにホウ珪酸亜鉛系ガラスを含有させたものを用いる。すなわち、Ｚｎを含む非磁性セラミックに対して、最適化されたガラス成分を含有させる。このため、コイル部とコンデンサ部の界面においてＺｎの相互拡散が生じにくく、コンデンサ部のコンデンサ電極層間の絶縁抵抗の劣化が抑制され、結果的にはＣｕ偏析も抑えられ（図７（Ａ）、図８（Ｂ）、図９（Ｂ）参照）、さらに中間材層自体もガラスの液相効果により、焼結性の向上がなされ、これらの相乗効果により複合電子部品の絶縁抵抗の向上を図ることができる。その結果、複合電子部品の信頼性が高められる。
【００１９】
本発明において用いる非磁性セラミック中にＺｎを含めるのは、セラミックを非磁性にするためであるとともに、同時焼成の際に、焼成前コイル部と焼成前コンデンサ部との熱膨張係数を合わせるためであり、かつ熱膨張係数が多少ずれても熱膨張係数差による応力を緩和させるためである。
そのため、磁性材料に対し接着性の良い非磁性セラミックを選択する必要がある。このような非磁性セラミックの例示として、たとえばＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックが挙げられる。
本発明において、”非磁性”セラミックとは、常温（本発明の複合電子部品の使用温度よりも低い温度）にキュリー点を持たないセラミック（たとえばフェライトなど）を意味しており、常温より高いキュリー点を持つセラミックを意味する”磁性”セラミックと区別して用いる。
【００２０】
ホウ珪酸亜鉛系ガラスは、非磁性セラミックの組成ずれを防止する役割を果たすものであり、ホウ珪酸亜鉛系ガラスとしては、（Ｂ２  Ｏ３  −ＺｎＯ−ＳｉＯ２  ）に、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上を含有するものが挙げられる。このように、中間材層のＦｅＺｎＣｕ系の非磁性体に含有するホウ珪酸亜鉛系ガラスは、Ｂ２  Ｏ３  −ＺｎＯ−ＳｉＯ２  の混合粉に対し、Ａｌ２  Ｏ３  あるいはＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上を含有することで、所望の信頼性を得ることが可能である。
【００２１】
中間材層の熱収縮率は、デラミネーションを防止するために、コイル部の磁性体層の熱収縮率と、コンデンサ部の誘電体層の熱収縮率の、中間位に設計してあることが好ましい。
【００２２】
中間材層の厚みは、５〜１００μｍであることが好ましい。コイル部とコンデンサ部を有する複合電子部品は、使用される電子機器によって要求される電流容量や耐圧、基板の実装スペースにより形状が決定され、０６０３形状（長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍ）の超小型品から、４５３２形状（長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．０ｍｍ）の大型品でも、前記中間材層の厚みが、５〜１００μｍであればどの形状にでも対応可能である。
【００２３】
中間材層は、Ｚｎを含む非磁性セラミック１００重量部に対し、ホウ珪酸亜鉛系ガラスが０．３〜４重量部、含有されていることが好ましい。ホウ珪酸亜鉛系ガラスを含有しない場合や含有量が少ない場合は、コイル部の磁性体層側からコンデンサ部の誘電体層側へのＺｎの拡散を抑制できない傾向がある。このようなＺｎの拡散を抑制できないと、絶縁抵抗が低下するとともに、高温負荷寿命試験において絶縁抵抗劣化が早くなる傾向がある。逆に、ガラス含有量が多くなると、ガラスの脆性により層間クラックが増加する傾向にある。
【００２４】
コイル部の一構成材料としての磁性体層は、ＮｉＣｕＺｎ系磁性フェライト、ＣｕＺｎ系磁性フェライトなどで構成されることが好ましい。コンデンサ部の一構成材料としての誘電体層は、焼成温度が低いＴｉ系セラミックで構成されることが好ましい。このように、積層型フィルタ等の複合電子部品においては、コイル部の一構成材料としての磁性体層や、コンデンサ部の一構成材料としての誘電体層材料として、種々の材料が使用可能であり、選択した材料によって、積層型フィルタ等の複合電子部品の周波数特性を制御することは可能であるが、本発明においては、上記材料を使用することが好ましい。
【００２５】
本発明に係る複合電子部品において、好ましくは、前記コイル部とコンデンサ部とで構成される集中定数回路が形成される。
【００２６】
本発明に係る複合電子部品において、好ましくは、前記集中定数回路が、Ｌ型、Ｔ型、π型またはダブルπ型の回路のいずれかである。
【００２７】
本発明の複合電子部品において、その回路構成は、目的に応じて種々の構成とすれば良いが、Ｌ型、Ｔ型、π型またはダブルπ型の集中定数回路のいずれかを形成することが好ましい。
【００２８】
本発明に係る複合電子部品は、たとえば次に示す方法により製造されることが好ましい。次に示す方法によると、所望の信頼性を持つ複合電子部品を製造することができる。
【００２９】
その方法は、
コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部と、
コイル部及びコンデンサ部の間に形成された中間材層とを、有する複合電子部品を製造する方法であって、
最終的に、Ｚｎを含む非磁性セラミックとホウ珪酸亜鉛系ガラスを含んで構成されることとなる中間材層のすべての製造原料成分を混合する工程と、
混合後の原料を５００〜８５０℃で予備焼成する工程と、
予備焼成後の粉体を粉砕し、０．１〜０．８μｍの平均粒子径を持つ粉体を得る工程と、
粉体をスラリー化して、焼成前中間材層を形成し、焼成する工程とを、有する。
【００３０】
また、別の方法は、
コイル導体及び磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極及び誘電体層で構成されるコンデンサ部と、
コイル部及びコンデンサ部の間に形成された中間材層とを、有する複合電子部品を製造する方法であって、
最終的に、Ｚｎを含む非磁性セラミックとホウ珪酸亜鉛系ガラスを含んで構成されることとなる中間材層の製造原料成分のうち、Ｚｎを含む非磁性セラミックの製造原料成分を混合する工程と、
混合後の原料を５００〜８５０℃で予備焼成する工程と、
予備焼成後の粉体を粉砕し、０．１〜０．８μｍの平均粒子径を持つ粉体を得る工程と、
粉体に対して、ホウ珪酸亜鉛系ガラスまたは該ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分を加えてスラリー化し、焼成前中間材層を形成し、焼成する工程とを、有する。
【００３１】
スラリーは、粘度調整を施し、そのまま印刷積層工法用のペーストとして使用してもよい。
【００３２】
好ましくは、前記焼成前中間材層を焼成する際に、前記コイル部を形成することとなる焼成前コイル部と、前記コンデンサ部を形成することとなる焼成前コンデンサ部とを同時焼成し、前記コイル部、前記中間材層及び前記コンデンサ部を一体焼結させる。
【００３３】
好ましくは、前記製造原料成分が、少なくともＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｎの酸化物及び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物と、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ及びＮａの酸化物のうち１種類以上とを含有するものである。
【００３４】
好ましくは、Ｚｎを含む非磁性セラミックの製造原料成分が、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎの酸化物及び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物である。
【００３５】
好ましくは、前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスが、（Ｂ２  Ｏ３  −ＺｎＯ−ＳｉＯ２  ）と、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上とを含有するものである。
【００３６】
好ましくは、前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分が、少なくともＢ２  Ｏ３  、ＺｎＯ及びＳｉＯ２  を含み、さらにＡｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上を含有するものである。
【００３７】
本発明に係る複合電子部品としては、特に限定されないが、積層型フィルタ、積層型ノイズフィルタなどが例示される。
【００３８】
本発明に係る複合電子部品は、たとえば、パソコンや携帯電話などの情報機器；テレビやビデオカメラなどの映像機器；などのさまざまな電子機器に搭載されて使用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。  
図１は本発明の一実施形態に係る積層型フィルタの外観斜視図、
図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図、
図３は図１の積層型フィルタの内部構造を示す要部分解斜視図、
図４（Ａ）はＴ型の回路の回路図、図４（Ｂ）はπ型の回路の回路図、図４（Ｃ）はＬ型の回路の回路図、
図５は本発明の他の実施形態に係る積層型フィルタ（Ｌ型回路アレータイプの層型フィルタ）の外観斜視図、
図６は図５の積層型フィルタの内部構造を示す要部分解斜視図、
図７（Ａ）は本発明の実施例サンプル（サンプル５）における中間材層近辺の焼結状態を模式的に表した図、図７（Ｂ）は本発明の比較例サンプル（サンプル１）における中間材層近辺の焼結状態を模式的に表した図、
図８（Ａ）は本発明の比較例サンプル（サンプル１）におけるコンデンサ部と中間材層付近の焼結状態を示す電子顕微鏡写真、図８（Ｂ）は本発明の実施例サンプル（サンプル５）におけるコンデンサ部と中間材層付近の焼結状態を示す電子顕微鏡写真、
図９（Ａ）は本発明の比較例サンプル（サンプル１）におけるコンデンサ部と中間材層付近のＥＰＭＡ分析図、図９（Ｂ）は本発明の実施例サンプル（サンプル５）におけるコンデンサ部と中間材層付近のＥＰＭＡ分析図、である。
【００４０】
本実施形態では、複合電子部品を具体化した積層型フィルタを例示し、その構造と製造方法を説明する。
【００４１】
第１実施形態
積層型フィルタ 
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層型フィルタ２は、Ｔ型の集中定数回路構成の積層型３端子フィルタであり、素子本体４を有する。素子本体４の両端部には、外部電極６１〜６６が設けられている。
【００４２】
素子本体４の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度とすることができる。
【００４３】
図２に示すように、素子本体４は、コイル部としての積層型チップインダクタ部４２と、コンデンサ部としての積層型チップコンデンサ部４４とが上下に形成され、これらインダクタ部４２及びコンデンサ部４４の間に中間材層４６を介在させ、一体化してある。
【００４４】
積層型チップインダクタ部 
積層型チップインダクタ部４２は、磁性体層４２２と内部電極層４２４とが交互に積層一体化された多層構造のチップ本体４２６を有する。
【００４５】
磁性体層４２２は、磁性フェライト組成物を含有する。磁性フェライト組成物としては、たとえば、ＮｉＣｕＺｎ系磁性フェライト、ＮｉＣｕＺｎＭｇ系磁性フェライト、ＣｕＺｎ系磁性フェライト、ＮｉＣｕ系磁性フェライトなどが挙げられる。ＮｉＣｕＺｎ系磁性フェライトを例示した場合、ＮｉＣｕＺｎ系磁性フェライトとしては特に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択すればよいが、焼成後のフェライト焼結体中のモル％で、Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０モル％、ＮｉＯ：０．１〜４０モル％、ＣｕＯ：３〜２０モル％、及びＺｎＯ：０．５〜３５モル％であるフェライト組成物を用いることが好ましい。
【００４６】
内部電極層４２４は、各層が略Ｃ字形であり、チップ本体４２６の内部で、スパイラル状に導通が確保されて閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端は、外部電極６１，６３，６４，６６に接続されている。この内部電極層４２４は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて形成される。
【００４７】
インダクタ部４２の磁性体層４２２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はなく、電極間厚み（内部電極層４２４，４２４の間隔）は１０〜１００μｍ、ベース厚みは１００〜５００μｍ程度で設定することができる。さらに、内部電極層４２４の厚みは、通常５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピッチは１０〜４００μｍ程度、巻数は１．５〜５０．５ターン程度とすることができる。
【００４８】
積層型チップコンデンサ部 
積層型チップコンデンサ部４４は、誘電体層４４２と内部電極層４４４とが交互に積層一体化された多層構造のチップ本体４４６を有する。
【００４９】
誘電体層４４２は、誘電体磁器組成物を含有する。誘電体磁器組成物としては、特に制限はないが、焼成温度が低いＴｉ系セラミックで構成されることが好ましい。Ｔｉ系セラミックとしては、たとえば、ＴｉＯ２  、ＣｕＯ及びＮｉＯを主成分とし、これらに若干量のＭｎ３  Ｏ４  やガラス等を添加した材料が挙げられる。また、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物を使用することもできる。
【００５０】
内部電極層４４４は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて形成されており、内部電極層４４４の各層は、交互に、外部電極６２，６５に接続されている。
【００５１】
コンデンサ部４４の誘電体層４４２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はなく、電極間厚み（内部電極層４４４，４４４の間隔）は１０〜３０μｍ、ベース厚みは５０〜５００μｍ程度で設定することができる。さらに、内部電極層４４４の厚みは、誘電体層４４２の厚みに応じて適宜決定すればよいが、通常５〜３０μｍの範囲で設定できる。
【００５２】
中間材層 
中間材層４６は、本実施形態では、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性フェライトと、ホウ珪酸亜鉛系ガラスとを、含んで構成されている。
【００５３】
ＦｅＺｎＣｕ系非磁性フェライトとしては、特に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択すればよいが、焼成後のフェライト焼結体中のモル％で、Ｆｅ２  Ｏ３  ：３５〜５０モル％、ＺｎＯ：３３〜６０モル％、及びＣｕＯ：３〜２０モル％の主成分を含むフェライト組成物を用いることが好ましい。このフェライト組成物は、前記主成分の他に、たとえばＭｎ３  Ｏ４  、ＣｏＯなどの副成分を含有してあってもよい。副成分を含有する場合の含有量は、主成分１００モルに対し、０〜３モル（０モルを除く）程度とすることができる。
【００５４】
ホウ珪酸亜鉛系ガラスとしては、少なくとも、Ｂ２  Ｏ３  、ＺｎＯ及びＳｉＯ２  を主成分として含有するガラスを意味する。主成分中の組成は、Ｂ２  Ｏ３  ：１５〜３５モル％、ＺｎＯ：３５〜７０モル％、及びＳｉＯ２  ：５〜２５モル％のガラス組成物を用いることが好ましい。
【００５５】
ホウ珪酸亜鉛系ガラス中には、前記主成分以外に、添加成分として、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏの１種類以上を含有させてもよい。この場合の添加量は、主成分１００重量部に対して、合計で、０．３〜４重量部程度である。また、添加成分は、ガラスの性質に影響するため、適切のものを選択する必要がある。
【００５６】
ＦｅＺｎＣｕ系非磁性フェライトとホウ珪酸亜鉛系ガラスの割合は、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性フェライト１００重量部に対して、ホウ珪酸亜鉛系ガラスが、好ましくは０．３〜４重量部、より好ましくは０．５〜３重量部とする。ホウ珪酸亜鉛系ガラスの混合割合が少なすぎると、コイル部の磁性体層側から、コンデンサ部の誘電体層側へのＺｎの拡散を抑制できない傾向がある。このようなＺｎの拡散を抑制できないと、絶縁抵抗が若干低下するとともに、高温負荷寿命試験において絶縁抵抗劣化が早くなる傾向がある。逆に、ガラスの混合割合が多くなりすぎると、ガラスの脆性により層間クラックが増加する傾向にある。
【００５７】
中間材層４６の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜５０μｍである。あまりに薄すぎると効果がない。
【００５８】
外部電極 
外部電極６１〜６６は、特に限定されないが、たとえば電気メッキを施したＡｇ電極が使用できる。電気メッキは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ等で行うことが好ましい。
【００５９】
積層型フィルタの製造方法 
次に、積層型フィルタ２の製造方法の一例を説明する。本実施形態の積層型フィルタ２は、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシート及び中間材グリーンシートを準備し、これらのグリーンシートを積層し、グリーン状態の焼成前素子本体を形成し、これを焼成した後、外部電極を形成することにより製造される。以下、具体的に説明する。
【００６０】
誘電体グリーンシートの製造 
まず、誘電体原料を構成する各原料を準備し、これを塗料化して、誘電体層用ペーストを調製する。
【００６１】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。誘電体原料としては、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉなどの酸化物あるいは焼成後にこれらの酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。誘電体原料として、上記主成分以外にも、必要に応じて、Ｍｎの酸化物やガラスなどの副成分の出発原料を含有してもよい。なお、誘電体原料は、誘電体層用ペーストとする前に、誘電体原料を構成する各出発原料を予備焼成（仮焼成）等により、あらかじめ反応させておいてもよい。
【００６２】
内部電極層用ペーストは、たとえばＡｇなどの導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００６３】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、焼成前粉体１００重量％に対して、バインダは５〜１５重量％程度、溶剤は５０〜１５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００６４】
次に、誘電体層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、誘電体グリーンシートを形成する。
【００６５】
次に、誘電体グリーンシート上に、内部電極を形成する。内部電極の形成は、内部電極用ペーストをスクリーン印刷等の方法によって、誘電体グリーンシート上に形成する。なお、内部電極の形成パターンは、製造する積層型フィルタの回路構成等に応じて適宜選択すればよいが、本実施形態においては、後述する各パターンとする。
【００６６】
磁性体グリーンシートの製造 
まず、磁性体原料を構成する各原料を準備し、これを塗料化して、磁性体層用ペーストを調製する。
【００６７】
磁性体層用ペーストは、磁性体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。磁性体原料としては、主成分の出発原料として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどの酸化物あるいは焼成後にこれらの酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。また、磁性体原料として、上記主成分以外にも必要に応じて副成分の出発原料を含有してもよい。なお、磁性体原料は、磁性体層用ペーストとする前に、磁性体原料を構成する各出発原料を予備焼成（仮焼成）等により、あらかじめ反応させておいてもよい。
【００６８】
内部電極（コイル導体）用ペーストは、たとえばＡｇなどの導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００６９】
次に、磁性体層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、磁性体グリーンシートを形成する。
【００７０】
次に、上記にて作製した磁性体グリーンシート上に、内部電極（コイル導体）を形成する。コイル導体の形成は、コイル導体用ペーストをスクリーン印刷等の方法によって、磁性体グリーンシート上に形成する。なお、コイル導体の形成パターンは、製造する積層型フィルタの回路構成等に応じて適宜選択すればよいが、本実施形態においては、後述する各パターンとする。
【００７１】
次に、磁性体グリーンシート上のコイル導体にスルーホールを形成する。スルーホールの形成方法としては、特に限定されないが、たとえばレーザー加工などにより行うことができる。なお、スルーホールの形成位置は、コイル導体上であれば特に限定されないが、コイル導体の端部に形成することが好ましく、本実施形態においては、後述する各位置とする。
【００７２】
中間材グリーンシートの製造 
まず、中間材原料を構成する各原料を準備する。中間材原料としては、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックの製造原料成分と、ホウ珪酸亜鉛系ガラスまたは該ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分とが挙げられる。
【００７３】
次に、後述する第１の観点の方法か、第２の観点の方法のいずれかの方法により製造された中間材原料を塗料化して、中間材層用ペーストを調製する。
【００７４】
中間材層用ペーストは、中間材原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００７５】
中間材層用ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、中間材原料１００重量％に対して、バインダは５〜１５重量％程度、溶剤は５０〜１５０重量％程度とすればよい。また、ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００７６】
次に、中間材層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、中間材グリーンシートを形成する。
【００７７】
第１の観点 
第１の観点では、上述した中間材原料を構成する各原料のうち、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックの製造原料成分を混合し、第１粉体を調製する。本実施形態では、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックの製造原料成分として、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎの酸化物及び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物を用いる。
第１粉体の調製方法は、特に限定されないが、たとえば、原料粉末を粉体状態で乾式混合により行っても良いし、原料粉末に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行っても良い。
【００７８】
次に、得られた第１粉体について、予備焼成を行い粉体化する。予備焼成は、保持温度を好ましくは５００〜８５０℃、さらに好ましくは６００〜８５０℃、温度保持時間を好ましくは１〜１５時間とする。この予備焼成は、大気中で行っても良く、また大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気または純酸素雰囲気で行っても良い。
【００７９】
次に、予備焼成にて得られた粉体の粉砕を行い、第２粉体を得る。粉体の粉砕の方法としては、特に限定されないが、たとえば、粉体に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行うことができる。粉砕は、粉砕後の第２粉体の平均粒子径が、好ましくは０．１〜０．８μｍ程度となるように行う。第２粉体の平均粒子径が、大き過ぎると焼結性が劣化する傾向にあり、小さ過ぎると取扱が困難になる傾向にある。粉砕時間は、１２〜７２時間であることが好ましく、さらに好ましくは１６〜４８時間である。粉砕時間が短すぎると、粉砕が不十分となる傾向にある。
【００８０】
次に、第２粉体に対して、ホウ珪酸亜鉛系ガラスまたは該ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分を加えて第３粉体（中間材原料）とする。本実施形態では、前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスとして、（Ｂ２  Ｏ３  −ＺｎＯ−ＳｉＯ２  ）と、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上とを含有するものを用いる。前記ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分として、少なくともＢ２  Ｏ３  、ＺｎＯ及びＳｉＯ２  を含み、さらにＡｌ２  Ｏ３  、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｎａ２  Ｏのうち１種類以上を含有するものを用いる。ホウ珪酸亜鉛系ガラスまたは該ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分の添加量は、第２粉体１００重量部に対して、好ましくは０．３〜４重量部、より好ましくは０．５〜３重量部とする。
【００８１】
第２の観点 
第２の観点では、上述した中間材原料を構成する各原料のすべての製造原料成分を混合し、第１粉体を調製する。本実施形態では、中間材原料を構成する各原料のすべての製造原料成分として、少なくともＦｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｎの酸化物及び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物と、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ及びＮａの酸化物を用いる。ホウ珪酸亜鉛系ガラスの製造原料成分の添加量は、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックの製造原料成分１００重量部に対して、好ましくは０．３〜４重量部、より好ましくは０．５〜３重量部とする。ここでの第１粉体の調製方法は、上述した第１の観点における場合と同様である。
【００８２】
次に、得られた第１粉体について、予備焼成を行い粉体化する。予備焼成の条件は、上述した第１の観点における場合と同様である。
【００８３】
次に、予備焼成にて得られた粉体の粉砕を行い、第２粉体（中間材原料）を得る。粉体の粉砕条件についても上述した第１の観点における場合と同様である。
【００８４】
各グリーンシートの積層 
次に、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシート及び中間材グリーンシートを１枚以上積層し、グリーン状態の焼成前素子本体を形成する。
【００８５】
本実施形態では、グリーン状態の焼成前素子本体は、図３に示すように、コイル部を構成するコイル導体が形成された磁性体グリーンシートを複数枚積層し、その上に中間材グリーンシートを介して、コンデンサ部を構成する内部電極が形成された誘電体グリーンシートを複数枚積層して製造される。
【００８６】
なお、図３に示すように、コイル部の最下層にコイル導体を形成していない磁性体グリーンシートを積層してもよいし、コンデンサ部の最上層に内部電極を形成していない誘電体グリーンシートを積層してもよい。
【００８７】
以下、グリーンシートの積層工程の一例を説明する。  
【００８８】
図３に示すように、まず、最下層に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅを配置する。コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅは、コイル部を保護するために使用され、その厚みは、適宜調整すれば良い。
【００８９】
次に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅの上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側の端部に突出する導出部２１ａおよび２３ａをそれぞれ有する一対のコイル導体４１ａが形成された磁性体グリーンシート４２ａを積層する。
【００９０】
その上に、略Ｃ字形の一対のコイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂを積層する。なお、略Ｃ字形のコイル導体４１ｂは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側となるように配置され、さらに、磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側の一端にスルーホール５１ｂが形成されている。
【００９１】
また、略Ｃ字形の一対のコイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂを積層する際に、導体ペーストを使用し、スルーホール５１ｂを介して、コイル導体４１ａとコイル導体４１ｂを接合する。なお、スルーホールを接合する際に使用する導体ペーストは、特に限定されないが、Ａｇペーストであることが好ましい。
【００９２】
略Ｃ字形の一対のコイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂの上に、上記コイル導体４１ｂと逆のパターンの一対のコイル導体４１ｃが形成された磁性体グリーンシート４２ｃを積層する。すなわち、略Ｃ字形のコイル導体４１ｃは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの奥側となるように配置されている。さらに、コイル導体４１ｃは、磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の一端にスルーホール５１ｃが形成されており、このスルーホール５１ｃを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体４１ｂとコイル導体４１ｃを接合する。
【００９３】
同様に、コイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂと、コイル導体４１ｃが形成された磁性体グリーンシート４２ｃとを交互に複数枚積層する。そして、コイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂの上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の端部に突出する導出部２４ｂおよび２６ｂをそれぞれ有する一対のコイル導体４１ｄが形成された磁性体グリーンシート４２ｄを積層する。なお、コイル導体４１ｄには、磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側の一端にスルーホール５１ｄが形成されており、このスルーホール５１ｄを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体４１ｂとコイル導体４１ｄを接合する。
【００９４】
上記のように、各スルーホールを介して、各磁性体グリーンシート上のコイル導体を接合することにより、磁性体グリーンシート２枚で１巻きとなるコイルが形成される。コイルの形成数については、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
【００９５】
次に、コイル導体４１ｄが形成された磁性体グリーンシート４２ｄの上に、中間材グリーンシート１００を積層する。なお、中間材グリーンシート１００を積層する前に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅを１枚以上積層してもよい。中間材グリーンシート１００は、主として、コイル部の磁性体層側からコンデンサ部の誘電体層側へのＺｎの拡散を抑制するために使用され、その厚みは、焼成後の厚みが５〜１００μｍとなるように、調整することが好ましい。なお、中間材グリーンシート１００は、上述した目的の他に、コイル部と後述するコンデンサ部とを分離する目的、あるいは積層型フィルタの厚み寸法を調整する目的でも用いられる。
【００９６】
次に、上記にて積層された中間材グリーンシート１００の上に、グリーン状態のコンデンサ部を形成する。
【００９７】
まず、中間材グリーンシート１００の上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の側部から誘電体グリーンシートの端部に突出する一対の導出部２４ａおよび２６ａを有する内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａを積層する。
【００９８】
次に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａの上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側及び奥側からそれぞれ誘電体グリーンシートの端部に突出する一対の導出部２２ａおよび２５ａを有する内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂを積層する。
【００９９】
このように内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａと、内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂとを積層することにより、内部電極３１ａ、３１ｂと誘電体グリーンシート３２ｂとで構成されるグリーン状態の単層のコンデンサ３０ｂが形成される。
【０１００】
次に、内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂの上に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａを積層し、同様に、内部電極３１ａ、３１ｂと誘電体グリーンシート３２ａとで構成されるグリーン状態の単層のコンデンサ３０ａが形成される。
【０１０１】
同様に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａと、内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂとを交互に積層することにより、複数のグリーン状態の単層のコンデンサ３０ａおよび３０ｂを交互に形成することができる。
【０１０２】
最後に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａの上に、内部電極を形成していない誘電体グリーンシート３２ｃを積層して、グリーン状態の焼成前素子本体を得る。
この内部電極を形成していない誘電体グリーンシート３２ｃは、コンデンサ部を保護するため、あるいは積層型フィルタ２としての厚み寸法を維持するために使用され、その厚みは、適宜調整すれば良い。なお、この内部電極を形成していない誘電体グリーンシート３２ｃのみの最終層には、個々のチップになった場合に方向性を示す、マークを設けてもよい。
【０１０３】
本実施形態においては、単層のコンデンサ３０ａ、３０ｂが合計で６層となるように積層したが、その積層数については特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
【０１０４】
焼成前素子本体の焼成、及び外部電極の形成 
次に、上記にて作製されたグリーン状態の焼成前素子本体を焼成して、焼結体としての素子本体４（図１及び図２参照）を形成する。  
【０１０５】
焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、さらに好ましくは２００〜３００℃／時間、保持温度を好ましくは８４０〜９００℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、さらに好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、さらに好ましくは２００〜３００℃／時間とする。
【０１０６】
次に、素子本体（焼結体）４に、たとえばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、素子本体４の両側面に外部電極用ペーストを塗布・乾燥した後、焼き付けを行うことにより図１に示す外部電極６１〜６６を形成する。なお、外部電極には、電気メッキを行う。電気メッキは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ等で行うことが好ましい。
【０１０７】
外部電極を形成する際に、図１に示す外部電極６１，６３は、コイル部の導出部２１ａおよび２３ａと接続し、入出力端子とする。図１に示す外部電極６４は、コンデンサ部の各導出部２４ａおよびコイル部の導出部２４ｂに接続し、コンデンサ部とコイル部を接続する入出力端子とする。図１に示す外部電極６６も同様に、コンデンサ部の各導出部２６ａおよびコイル部の導出部２６ｂに接続し、コンデンサ部とコイル部を接続する入出力端子とする。図１に示す外部電極６２および６５は、それぞれコンデンサ部の各導出部２２ａおよび２５ａに接続し、接地（グランド）端子とする。
【０１０８】
上記のように、素子本体４に外部電極６１〜６６を形成することにより、本実施形態の積層型フィルタ２は、図４（Ａ）に示すＴ型の集中定数回路構成の積層型３端子フィルタを構成する。  
【０１０９】
このようにして製造された本実施形態の積層型フィルタ２は、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【０１１０】
その他の実施形態 
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施しうることは勿論である。
【０１１１】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る複合電子部品として積層型フィルタを例示したが、本発明に係る複合電子部品としては、積層型フィルタに限定されない。
【０１１２】
また、上述した実施形態では、Ｔ型の回路が形成された積層型フィルタを例示したが、他の集中定数回路が形成された積層型フィルタとすることも可能である。たとえば、他の集中定数回路としては、図４（Ｂ）に示すπ型や、図４（Ｃ）に示すＬ型や、二つのπ型の回路により形成されるダブルπ型としても良く、また、図５及び図６に示すＬ型の回路が４つ形成された積層型フィルタとしても良い。
【０１１３】
図５及び図６に示すＬ型の回路が４つ形成された積層型フィルタは、上述した実施形態と誘電体層や磁性体層を構成する材料などは同じものが使用でき、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシート及び中間材グリーンシートは、上述した実施形態と同様に作製すればよい。
【０１１４】
以下に、Ｌ型の回路が４つ形成された積層型フィルタの製造方法について、図６を参照しつつ、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシート及び中間材グリーンシートを積層する工程から後の工程を説明する。
【０１１５】
図６に示すように、まず、最下層に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート１４２ｇを積層し、その上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側から端部に突出する導出部１２５ｂ、１２６ｂ、１２７ｂ、１２８ｂをそれぞれ有する４つのコイル導体１４１ａが形成された磁性体グリーンシート１４２ａを積層する。
【０１１６】
次に、その上に、略Ｕ字形の４つのコイル導体１４１ｂが形成された磁性体グリーンシート１４２ｂを積層する。なお、略Ｕ字形のコイル導体１４１ｂは、曲部が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｂには、コイル導体１４１ｂの一端にスルーホール１５１ｂが形成されており、このスルーホール１５１ｂを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ａとコイル導体１４１ｂとを接合する。
【０１１７】
次に、その上に、略Ｃ字形の４つのコイル導体１４１ｃが形成された磁性体グリーンシート１４２ｃを積層する。なお、略Ｃ字形のコイル導体１４１ｃは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｃには、コイル導体１４１ｃの一端にスルーホール１５１ｃが形成されており、このスルーホール１５１ｃを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｂとコイル導体１４１ｃとを接合する。
【０１１８】
次に、その上に、略Ｃ字形の４つのコイル導体１４１ｄが形成された磁性体グリーンシート１４２ｄを積層する。なお、略Ｃ字形のコイル導体１４１ｄは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｄには、コイル導体１４１ｄの一端にスルーホール１５１ｄが形成されており、このスルーホール１５１ｄを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｃとコイル導体１４１ｄとを接合する。
【０１１９】
次に、その上に、略Ｕ字形の４つのコイル導体１４１ｅが形成された磁性体グリーンシート１４２ｅを積層する。なお、略Ｕ字形のコイル導体１４１ｅは、曲部が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｅには、図６に示すように、コイル導体１４１ｅの一端にスルーホール１５１ｅが形成されており、このスルーホール１５１ｅを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｄとコイル導体１４１ｅとを接合する。
【０１２０】
次に、その上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側から端部に突出する導出部１２１ｂ、１２２ｂ、１２３ｂ、１２４ｂをそれぞれ有する４つのコイル導体１４１ｆが形成された磁性体グリーンシート１４２ｆを積層する。なお、コイル導体１４１ｆの導出部の一端には、スルーホール１５１ｆが形成されており、このスルーホール１５１ｆを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｅとコイル導体１４１ｆとを接合する。
【０１２１】
上記のように、各スルーホールを介して、各磁性体グリーンシート上のコイル導体を接合することにより、コイルが形成される。コイルの形成数については、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
【０１２２】
次に、４つのコイル導体１４１ｆが形成された磁性体グリーンシート１４２ｆの上に、中間材グリーンシート１００を積層する。
【０１２３】
次に、上記にて積層された中間材グリーンシート１００の上に、グリーン状態のコンデンサ部を形成する。
【０１２４】
まず、中間材グリーンシート１００の上に、誘電体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側および奥側の側部から、誘電体グリーンシートの端部に突出する一対の導出部１２０ａおよび１２９ａを有する内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層する。
【０１２５】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａの上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の側部から、誘電体層の端部に突出する導出部１２５ａを有する内部電極１３１ｂが形成された誘電体グリーンシート１３２ｂを積層する。
【０１２６】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、その上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の側部から、誘電体層の端部に突出する導出部１２６ａを有する内部電極１３１ｃが形成された誘電体グリーンシート１３２ｃを積層する。なお、導出部１２６ａは、導出部１２５ａより誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って奥側に配置してある。
【０１２７】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、その上に、導出部が１２６ａより誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って奥側に配置された導出部１２７ａを有する内部電極１３１ｄが形成された誘電体グリーンシート１３２ｄを積層する。
【０１２８】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、その上に、導出部が１２７ａより誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って奥側に配置された導出部１２８ａを有する内部電極１３１ｅが形成された誘電体グリーンシート１３２ｅを積層する。
【０１２９】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、それぞれの導出部が誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って異なる位置に形成されたグリーン状態の単層のコンデンサ１３０ａ〜１３０ｅが形成される。
【０１３０】
最後に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａの上に、内部電極を形成していない誘電体グリーンシート１３２ｆを積層し、グリーン状態の焼成前素子本体を得る。この内部電極を形成していない誘電体グリーンシート１３２ｆは、コンデンサ部を保護するため、あるいは積層型フィルタとしての厚み寸法を維持するために使用され、その厚みは、適宜調整すれば良い。なお、この内部電極を形成していない誘電体グリーンシート１３２ｆのみの最終層には、個々のチップになった場合に方向性を示す、マークを設けてもよい。
【０１３１】
次に、得られたグリーン状態の焼成前素子本体を焼成して素子本体１１１を得た後、該素子本体１１１に端面研磨を施し、外部電極１２１〜１２９を形成する。
【０１３２】
外部電極を形成する際に、図５に示す外部電極１２１〜１２４は、コイル部の各導出部１２１ａ〜１２４ａと接続し、入出力端子とする。図５に示す外部電極１２５〜１２８は、コンデンサ部の各導出部１２５ａ〜１２８ａおよびコイル部の各導出部１２５ｂ〜１２８ｂに接続し、コンデンサ部とコイル部を接続する入出力端子とする。図５に示す外部電極１２０および１２９は、それぞれコンデンサ部の各導出部１２０ａおよび１２９ａに接続し、接地（グランド）端子とする。
【０１３３】
上記のように、素子本体１１１に各外部電極１２０〜１２９を形成することにより、本実施形態の積層型フィルタは、図４（Ｃ）に示すＬ型の回路が４つ形成された構成となる。  
【実施例】
【０１３４】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【０１３５】
誘電体グリーンシートの作製 
まず、誘電体原料を構成する各原料として、主成分原料としてのＴｉＯ２  、ＣｕＯ及びＮｉＯと、副成分原料としてのＭｎＣＯ３  を準備し、これらの原料を配合し、仮焼成および粉砕を行い誘電体原料粉末を調製した。なお、各化合物の配合量は、主成分原料を、ＴｉＯ２  ：９２モル％、ＣｕＯ：３モル％及びＮｉＯ：５モル％で構成し、主成分原料１００重量部に対して、ＭｎＣＯ３  を１重量部の割合で添加した。得られた誘電体原料粉末に、樹脂バインダー、溶剤、可塑剤および分散剤を添加し、ドクターブレード法により誘電体グリーンシートを作製した。誘電体グリーンシートの厚みは、焼成後に２５．０μｍとなる厚みとした。
【０１３６】
次に、Ａｇを主成分とする内部電極用ペーストを使用し、内部電極を誘電体グリーンシート上に形成し、所望の電極パターン（焼成後に厚み５．０μｍとなる厚み）を有する誘電体グリーンシートを作製した。なお、本実施例においては、内部電極のパターンが、図３に示すような各パターンとなるよう、複数のパターンを有する誘電体グリーンシートを作製した。
【０１３７】
磁性体グリーンシートの作製 
まず、磁性体原料粉末を構成する原料として、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯおよびＦｅ２  Ｏ３  を準備し、これらの原料を配合し、仮焼成および粉砕を行い磁性体原料粉末を調製した。なお、各化合物の配合量は、ＮｉＯ：２５モル％、ＣｕＯ：１１モル％、ＺｎＯ：１５モル％、残部をＦｅ２  Ｏ３  とした。得られた磁性体原料粉末に、樹脂バインダー、溶剤、可塑剤および分散剤を添加し、ドクターブレード法により磁性体グリーンシートを作製した。磁性体グリーンシートの厚みは、約２０μｍとした。
【０１３８】
次に、Ａｇを主成分とするコイル導体用ペーストを使用し、スクリーン印刷によりコイル導体のパターン（焼成後に厚み１２μｍとなる厚み）を磁性体グリーンシート上に形成し、さらに、レーザー加工によりスルーホールを作製し、所望の導体パターンおよび、スルーホールを有する磁性体グリーンシートを作製した。なお、本実施例においては、コイル導体のパターンおよびスルーホールの位置が、図３に示すような各パターンおよび各位置となるよう、複数のパターンを有する磁性体グリーンシートを作製した。
【０１３９】
中間材グリーンシートの作製 
まず、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックの製造原料成分として、主成分原料としてのＣｕＯ、ＺｎＯ及びＦｅ２  Ｏ３  と、副成分原料としてのＭｎ３  Ｏ４  を準備し、これらの各粉末原料を配合し、混合粉末とした。なお、各化合物の配合量は、主成分原料を、Ｆｅ２  Ｏ３  ：４３．８５モル％、ＣｕＯ：４．９０モル％及びＺｎＯ：５１．２５モル％で構成し、主成分原料１００モルに対して、Ｍｎ３  Ｏ４  を０．９３モルの割合で添加した。
【０１４０】
次に、混合原料１００重量部に対し、所定量（表１の「ガラス添加量」の欄を参照）のホウ珪酸亜鉛系ガラスを添加して、混合粉とした。なお、ホウ珪酸亜鉛系ガラスの組成は、Ｂ２  Ｏ３  ：２１．５０モル％、ＺｎＯ：５８．３０モル％、ＳｉＯ２  ：９．８０モル％、Ａｌ２  Ｏ３  ：９．３０モル％とした。
【０１４１】
次に、得られた混合紛に、純水とジルコニアボールをメディアとして加えた後、ボールミルにて１６時間混合してスラリーを得た。
【０１４２】
次に、得られたスラリーを乾燥した後、７７０℃で２時間、仮焼成（予備焼成）し、粉体を得た。
【０１４３】
次に、得られた粉体に、純水とジルコニアボールをメディアとして再度加え、ボールミルにより１８時間粉砕した後に乾燥し、平均粒子径が０．６μｍの中間材原料を得た。
【０１４４】
次に、中間材原料に樹脂バインダー、溶剤、可塑剤および分散剤を添加してスラリー化し、これを用いてドクターブレード法により中間材グリーンシートを作製した。中間材グリーンシートの厚みは、約２０μｍとした。
【０１４５】
各グリーンシートの積層、焼成、及び外部電極の形成 
次に、図３に示すように、作製した複数の誘電体グリーンシート及び複数の磁性体グリーンシートを、間に中間材グリーンシートを挟んで積層し、多数個取りの積層型３端子フィルタをグリーン状態で形成し、その後の切断において、寸法が焼成後に２０１２形状（長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、高さ０．８ｍｍ）の寸法となるように単体（焼成前素子本体）に切断し、８７０℃にて焼成して、焼結体としての素子本体４（図１及び図２参照）を作製した。
【０１４６】
次に、焼成を行った素子本体４の両側面に外部電極用ペーストを塗布・乾燥し、焼成による外部電極の焼き付けを行い、図１に示すような積層型フィルタ試料を作製した。
【０１４７】
得られたフィルタ試料について、比誘電率ε及び絶縁抵抗ＩＲの測定、直流電界下でのＩＲ寿命の測定（高温負荷寿命）、層間クラックの発生率の測定を行った。
【０１４８】
比誘電率（ε） 
フィルタ試料のコンデンサ部に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ＭＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）０．７Ｖｒｍｓ／μｍの条件下で、静電容量Ｃを測定した。そして、得られた静電容量から、比誘電率（単位なし）を算出したところ、各試料の比誘電率（ε）は、約１００であった。
【０１４９】
絶縁抵抗（ＩＲ） 
フィルタ試料のコンデンサ部に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２５℃においてＤＣ５０Ｖを６０秒間印加した後の絶縁抵抗ＩＲ（単位はΩ）を測定した。絶縁抵抗ＩＲは、１０８  Ω以上を良好とした。結果を表１に示す。
【０１５０】
直流電界下でのＩＲ寿命（高温負荷寿命） 
直流電界下でのＩＲ寿命の測定は、得られたフィルタ試料に対し、８５℃の恒温槽中で、１０Ｖの直流電界を印加し、５００時間、１０００時間、１５００時間および２０００時間の各印加時間の絶縁抵抗を測定することにより行った。直流電界下でのＩＲ寿命の評価としては、２０個の試料について試験を行い、各印加時間における絶縁抵抗が１０８  Ω以下となったものを「不可」とした。各印加時間における、試験を行った試料の数（２０個）に対する「不可」となった試料の数を表１に示す。
【０１５１】
層間クラックの発生率 
層間クラックの発生率は、各フィルタ試料毎に、１万個を抜き取り、１００倍の金属顕微鏡にて外観検査を行い、算出した。層間クラックの発生率は、０．１％以下を良好とした。結果を表１に示す。
【０１５２】
【表１】
2005317748.tif 000003
【０１５３】
表１に示すように、ホウ珪酸亜鉛系ガラスを添加しない場合（サンプル１）や、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミック１００重量部に対するホウ珪酸亜鉛系ガラスの添加量が少ない場合（サンプル２）は、コイル部の磁性体層側からコンデンサ部の誘電体層側へのＺｎの拡散を抑制することができず、絶縁抵抗が低下する傾向にある。また、高温負荷寿命試験において絶縁抵抗劣化が早いことが分かる。
図７（Ｂ）にサンプル１における中間材層近辺の焼結状態を模式的に表した図を示し、図８（Ａ）にサンプル１におけるコンデンサ部と中間材層付近の焼結状態を示す電子顕微鏡写真を示し、図９（Ａ）にサンプル１におけるコンデンサ部と中間材層付近のＥＰＭＡ分析図を示す。図７（Ｂ）、図８（Ａ）及び図９（Ａ）に示すように、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミック単独の中間材層をコイル部とコンデンサ部の間に介在させると、コイル部とコンデンサ部の界面において、Ｚｎの相互拡散が生じ、コンデンサ部のコンデンサ電極層間の絶縁抵抗が劣化し、結果としてＣｕ偏析が生じた。
【０１５４】
ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミック１００重量部に対するホウ珪酸亜鉛系ガラスの添加量が多い場合（サンプル９，１０）は、ガラスの脆性により層間クラックが増加する傾向にある。また、サンプル９では、層間クラックの発生を多少、抑制できているとも考えられるが、印加時間１０００時間以上で、絶縁抵抗が１０８  Ω以下となるものが発生した。なお、サンプル１０については、層間クラックが多く発生したので、高温負荷寿命試験を行わなかった。
【０１５５】
これに対し、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミック１００重量部に対するホウ珪酸亜鉛系ガラスの添加量が適正範囲にある場合（サンプル３〜８）は、コイル部の磁性体層側からコンデンサ部の誘電体層側へのＺｎの拡散を抑制できており、絶縁抵抗の低下や、高温負荷寿命試験における絶縁抵抗の劣化を防止できている。特に、印加時間２０００時間においても、絶縁抵抗の極端な低下は確認されず、「不可」となる試料は無かった。しかも、層間クラックの発生も極めて少ない。
図７（Ａ）にサンプル５における中間材層近辺の焼結状態を模式的に表した図を示し、図８（Ｂ）にサンプル５におけるコンデンサ部と中間材層付近の焼結状態を示す電子顕微鏡写真を示し、図９（Ｂ）にサンプル５におけるコンデンサ部と中間材層付近のＥＰＭＡ分析図を示す。図７（Ａ）、図８（Ｂ）及び図９（Ｂ）に示すように、ＦｅＺｎＣｕ系非磁性セラミックに適正量のホウ珪酸亜鉛系ガラスを混合させた中間材層をコイル部とコンデンサ部の間に介在させると、コイル部とコンデンサ部の界面においてＺｎの相互拡散がほとんど生じず、コンデンサ部のコンデンサ電極層間の絶縁抵抗の劣化が抑制され、結果的にはＣｕ偏析も抑えられた。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層型フィルタの外観斜視図である。
【図２】図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図３は図１の積層型フィルタの内部構造を示す要部分解斜視図である。
【図４】図４（Ａ）はＴ型の回路の回路図、図４（Ｂ）はπ型の回路の回路図、図４（Ｃ）はＬ型の回路の回路図である。
【図５】図５は本発明の他の実施形態に係る積層型フィルタ（Ｌ型回路アレータイプの層型フィルタ）の外観斜視図である。
【図６】図６は図５の積層型フィルタの内部構造を示す要部分解斜視図である。
【図７】図７（Ａ）は本発明の実施例サンプル（サンプル５）における中間材層近辺の焼結状態を模式的に表した図、図７（Ｂ）は本発明の比較例サンプル（サンプル１）における中間材層近辺の焼結状態を模式的に表した図である。
【図８】図８（Ａ）は本発明の比較例サンプル（サンプル１）におけるコンデンサ部と中間材層付近の焼結状態を示す電子顕微鏡写真、図８（Ｂ）は本発明の実施例サンプル（サンプル５）におけるコンデンサ部と中間材層付近の焼結状態を示す電子顕微鏡写真である。
【図９】図９（Ａ）は本発明の比較例サンプル（サンプル１）におけるコンデンサ部と中間材層付近のＥＰＭＡ分析図、図９（Ｂ）は本発明の実施例サンプル（サンプル５）におけるコンデンサ部と中間材層付近のＥＰＭＡ分析図である。
【符号の説明】
【０１５７】
２，１０１…  積層型フィルタ
４，１１１…  素子本体
４２…  積層型チップインダクタ部（コイル部）
４２２…  磁性体層
４２４…  内部電極層
４２６…  チップ本体
４４…  積層型チップコンデンサ部（コンデンサ部）
４４２…  誘電体層
４４４…  内部電極層
４４６…  チップ本体
４６…  中間材層
６１〜６６，１２０〜１２９…  外部電極
２１ａ〜２６ａ，２４ｂ，２６ｂ，１２０ａ〜１２９ａ，１２５ｂ〜１２８ｂ…  導出部
３０ａ，３０ｂ，１３０ａ〜１３０ｅ…  コンデンサ
３１ａ，３１ｂ，１３１ａ〜１３１ｅ…  内部電極
３２ａ〜３２ｃ，１３２ａ〜１３２ｆ…  誘電体グリーンシート
４１ａ〜４１ｄ，１４１ａ〜１４１ｆ…  コイル導体
４２ａ〜４２ｆ，１４２ａ〜１４２ｈ…  磁性体グリーンシート
５１ｂ〜５１ｄ，１５１ｂ〜１５１ｆ…  スルーホール
１００…  中間材グリーンシート
【図１】
2005317748.tif 000004
【図２】
2005317748.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005317748.tif 000008
【図６】
2005317748.tif 000009
【図７】
2005317748.tif 000010
【図９】
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【図８】
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