(57)【要約】【課題】  磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状をより改善することができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ、このＨＧＡを備えたＨＡＡ、このＨＧＡを備えた磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  下部磁極と、書込みギャップ層と、この書込みギャップ層を介して下部磁極と対向する上部磁極とを少なくとも含むインダクティブ素子を備えており、上部磁極の磁気媒体に対向する先端におけるトラック幅方向の磁極幅ＷＰ２が下部磁極の磁気媒体に対向する先端におけるトラック幅方向の磁極幅ＷＰ１より大きく、かつ上部磁極の先端から上部磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ２が下部磁極の先端から下部磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ１より小さい。【選択図】  図３
2005346786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁極と、書込みギャップ層と、該書込みギャップ層を介して前記下部磁極と対向する上部磁極とを少なくとも含むインダクティブ素子を備えており、前記上部磁極の磁気媒体に対向する先端におけるトラック幅方向の磁極幅ＷＰ２が前記下部磁極の磁気媒体に対向する先端におけるトラック幅方向の磁極幅ＷＰ１より大きく、かつ前記上部磁極の前記先端から該上部磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ２が前記下部磁極の前記先端から該下部磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ１より小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記上部磁極の積層面内の面積が前記下部磁極の積層面内の面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記上部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅が前記下部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅に等しいことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅が前記下部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅より大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記上部磁極の前記先端から前記後端までの長さが前記下部磁極の前記先端から前記後端までの長さに等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記上部磁極の前記先端から前記後端までの長さが前記下部磁極の前記先端から前記後端までの長さより大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記インダクティブ素子が前記下部磁極と磁気的に接合する下部ヨーク層をさらに含んでおり、該下部磁極が該下部ヨーク層とは独立した層として形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記インダクティブ素子が前記下部磁極と磁気的に接合する下部ヨーク層をさらに含んでおり、該下部磁極が該下部ヨーク層の一部として形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
磁気抵抗効果素子をさらに備えていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のヘッドジンバルアセンブリを備えたことを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
【請求項１２】
情報を記録する磁気記録媒体と、請求項１０に記載のヘッドジンバルアセンブリと、前記磁気記録媒体上で前記ヘッドジンバルアセンブリを移動させる手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１３】
下部ヨーク層上に形成した第１パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極を形成し、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が前記第１パターンより大きくかつ該先端からフレアポイントまでの距離が前記第１パターンより小さい第２パターンのレジストマスク層を用いることにより、書込みギャップ層を介して前記下部磁極と対向する上部磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記書込みギャップ層が、前記第２パターンのレジストマスク層を用いて成膜することにより形成されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記書込みギャップ層が、前記第１パターンのレジストマスク層を用いて成膜することにより形成されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１６】
下部ヨーク層上に第１パターンのレジストマスク層を形成し、該第１パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極を形成し、該第１パターンのレジストマスク層を用いて書込みギャップ層を形成し、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が前記第１パターンより大きくかつ該先端からフレアポイントまでの距離が前記第１パターンより小さい第２パターンのレジストマスク層を用いて、前記書込みギャップ層を介して前記下部磁極と対向する上部磁極を形成し、その後、前記レジストマスク層を除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
下部ヨーク層上に第１パターンのレジストマスク層を形成し、該第１パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極を形成し、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が前記第１パターンより大きくかつ先端からフレアポイントまでの距離が前記第１パターンより小さい第２パターンのレジストマスク層を用いて、書込みギャップ層と該書込みギャップ層を介して前記下部磁極と対向する上部磁極とを形成し、その後、前記レジストマスク層を除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第１パターンのレジストマスク層のパターン幅を拡張することによって前記第２パターンのレジストマスク層を形成することを特徴とする請求項１３から１７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記パターン幅の拡張が、アッシングによって行われることを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記パターン幅の拡張が、ウェットエッチングによって行われることを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２１】
下部ヨーク層上に書込みギャップ層を形成し、該書込みギャップ層上に形成したレジストマスク層を用いて上部磁極を形成し、前記レジストマスク層を除去し、前記上部磁極をマスクとして前記下部ヨーク層をドライエッチングすることにより、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が前記上部磁極より大きくかつ先端からフレアポイントまでの距離が前記上部磁極より小さい下部磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記書込みギャップ層が、少なくとも前記上部磁極より、同じエッチング方法においてエッチングレートの高い材料で形成されていることを特徴とする請求項２１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクティブ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、このＨＧＡを備えたヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）、このＨＧＡを備えた磁気ディスク装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドのインダクティブ書込みヘッド素子における下部磁極と上部磁極とは、通常、その積層面から見た形状が互いにほぼ等しくなるように形成されている。即ち、下部磁極及び上部磁極の磁気媒体に対向する先端の幅（トラック幅方向の幅）が互いに等しくなるように形成されている。
【０００３】
本出願人が以前に提案した特許文献１には、下部磁極及び上部磁極の先端幅が互いに等しい磁気ヘッド、下部磁極の先端幅が上部磁極の先端幅より大きい磁気ヘッド、並びに上部磁極の先端幅が下部磁極の先端幅より大きい磁気ヘッドが記載されている。ただし、特許文献１においては、上部磁極の側部から生じるフリンジング磁界を減少させるために、上部磁極の先端幅を下部磁極の先端幅より大きくしている。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−３６２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の一般的な磁気ヘッドのように下部磁極及び上部磁極の先端幅が等しいと、磁気ヘッドが磁気媒体に対してスキューしている場合に、下部磁極の書込みギャップ層に隣接するエッジが、磁気媒体の隣接トラックにはみ出してしまい、この隣接トラックの信号を一部消去してしまうおそれがある。高記録密度化が進み、トラック間隔がより狭くなってくると、この傾向はますます顕著化する。
【０００６】
上部磁極の先端幅を下部磁極の先端幅より大きくすれば、スキュー動作時にも、このような隣接トラックへへの影響が多少は少なくなるが、充分ではない。
【０００７】
従って本発明の目的は、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状をより改善することができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ、このＨＧＡを備えたＨＡＡ、このＨＧＡを備えた磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、下部磁極と、書込みギャップ層と、この書込みギャップ層を介して下部磁極と対向する上部磁極とを少なくとも含むインダクティブ素子を備えており、上部磁極の磁気媒体に対向する先端におけるトラック幅方向の磁極幅ＷＰ２が下部磁極の磁気媒体に対向する先端におけるトラック幅方向の磁極幅ＷＰ１より大きく、かつ上部磁極の先端から上部磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ２が下部磁極の先端から下部磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ１より小さい薄膜磁気ヘッドが提供される。
【０００９】
ＷＰ２＞ＷＰ１、かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１とすることにより、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状が上部磁極側で大きくなる理想的な逆台形形状となり、書込みギャップ磁界も大きくなって、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好となる。
【００１０】
上部磁極の積層面内の面積が下部磁極の積層面内の面積より大きいことが好ましい。
【００１１】
上部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅が下部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅に等しいことも好ましい。
【００１２】
上部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅が下部磁極の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅より大きいことも好ましい。
【００１３】
上部磁極の先端から後端までの長さが下部磁極の先端から後端までの長さに等しいか、又は上部磁極の先端から後端までの長さが下部磁極の先端から後端までの長さより大きいことがより好ましい。
【００１４】
インダクティブ素子が下部磁極と磁気的に接合する下部ヨーク層をさらに含んでおり、下部磁極が下部ヨーク層とは独立した層として形成されているか、又は下部磁極が下部ヨーク層の一部として形成されていることが好ましい。
【００１５】
磁気抵抗効果（ＭＲ）素子をさらに備えていることも好ましい。
【００１６】
本発明によれば、さらに、上述した薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えたＨＧＡが提供され、また、じょうじゅつのＨＧＡを備えたＨＡＡが提供され、さらに、情報を記録する磁気記録媒体と、上述のＨＧＡと、磁気記録媒体上でＨＧＡを移動させる手段とを備えた磁気ディスク装置が提供される。
【００１７】
本発明によれば、さらにまた、下部ヨーク層上に形成した第１パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極を形成し、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が第１パターンより大きくかつ先端からフレアポイントまでの距離が第１パターンより小さい第２パターンのレジストマスク層を用いることにより、書込みギャップ層を介して下部磁極と対向する上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１８】
このような第１パターン及び第２パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極及び上部磁極をそれぞれ製造することにより、ＷＰ２＞ＷＰ１、かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１である薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。このような薄膜磁気ヘッドを用いれば、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状が上部磁極側で大きくなる理想的な逆台形形状となり、書込みギャップ磁界も大きくなって、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好となる。
【００１９】
書込みギャップ層が、第２パターン又は第１パターンのレジストマスク層を用いて成膜することにより形成されることが好ましい。
【００２０】
本発明によれば、さらに、下部ヨーク層上に第１パターンのレジストマスク層を形成し、第１パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極を形成し、第１パターンのレジストマスク層を用いて書込みギャップ層を形成し、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が第１パターンより大きくかつ先端からフレアポイントまでの距離が第１パターンより小さい第２パターンのレジストマスク層を用いて、書込みギャップ層を介して下部磁極と対向する上部磁極を形成し、その後、レジストマスク層を除去する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００２１】
本発明によれば、さらにまた、下部ヨーク層上に第１パターンのレジストマスク層を形成し、第１パターンのレジストマスク層を用いて下部磁極を形成し、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が第１パターンより大きくかつ先端からフレアポイントまでの距離が第１パターンより小さい第２パターンのレジストマスク層を用いて、書込みギャップ層とこの書込みギャップ層を介して下部磁極と対向する上部磁極とを形成し、その後、レジストマスク層を除去する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００２２】
第１パターンのレジストマスク層のパターン幅を拡張することによって第２パターンのレジストマスク層を形成することが好ましく、この場合、パターン幅の拡張が、アッシング又はウェットエッチングによって行われることがより好ましい。
【００２３】
本発明によれば、さらに、下部ヨーク層上に書込みギャップ層を形成し、書込みギャップ層上に形成したレジストマスク層を用いて上部磁極を形成し、レジストマスク層を除去し、上部磁極をマスクとして下部ヨーク層をドライエッチングすることにより、磁気媒体に対向する側の先端におけるトラック幅方向の幅が上部磁極より大きくかつ先端からフレアポイントまでの距離が上部磁極より小さい下部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００２４】
このように上部磁極をマスクとして下部ヨーク層をドライエッチングすることにより、ＷＰ２＞ＷＰ１、かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１である薄膜磁気ヘッドをさらに容易に製造することができる。このような薄膜磁気ヘッドを用いれば、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状が上部磁極側で大きくなる理想的な逆台形形状となり、書込みギャップ磁界も大きくなって、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好となる。
【００２５】
この場合、書込みギャップ層が、少なくとも上部磁極より、同じエッチング方法においてエッチングレートの高い材料で形成されていること望ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ＷＰ２＞ＷＰ１、かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１とすることにより、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状が上部磁極側で大きくなる理想的な逆台形形状となり、書込みギャップ磁界も大きくなって、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスク装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００２８】
同図において、１０は動作時に軸１０ａの回りを回転する単数又は複数の磁気ディスク、１１は少なくとも１つの薄膜磁気ヘッドがその後端面に形成されている磁気ヘッドスライダ１２とこの磁気ヘッドスライダ１２を先端部で支持するサスペンション１３とを備えたＨＧＡをそれぞれ示している。ＨＧＡ１１は支持アーム１４の先端部に取付けられており、この支持アーム１４はキャリッジ１５により軸１５ａを中心にして角揺動可能となっている。キャリッジ１５は例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）からなるアクチュエータを角揺動駆動される。同図において、１６はこのＶＣＭの駆動コイルである。
【００２９】
図２は図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構造を示す断面図である。
【００３０】
以下、同図を用いて、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの層構造を説明する。例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等のセラミック材料による磁気ヘッドスライダ基板２０の後端面上に、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の電気絶縁材料をスパッタして下地膜２１が形成されており、この下地膜２１上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすること等により下部シールド層２２が形成されている。
【００３１】
この下部シールド層２２上には、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子などのＭＲ素子２３がギャップ絶縁膜２４に挟まれる形で形成されている。即ちＭＲ素子２３は、下部シールド層２３上にＡｌ２Ｏ３等をスパッタして形成された下部ギャップ絶縁膜上にＧＭＲ積層体を積層しパターニングすることによって形成される。ＭＲ素子２３には、Ｃｕ等によるリード（図示なし）がめっき等によって形成されており、また、ＭＲ素子２３にバイアスを与えるためのバイアス層等が必要に応じて形成されている。ＭＲ素子２３、リード及び下部ギャップ絶縁膜上にはＡｌ２Ｏ３等をスパッタすることにより上部ギャップ絶縁膜が形成され、これにより上述のギャップ絶縁膜２４が形成されることとなる。
【００３２】
ギャップ絶縁膜２４の上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっき等することにより上部シールド層２５が形成されている。
【００３３】
これら下部シールド層２２、ＭＲ素子２３、リード、ギャップ絶縁膜２４及び上部シールド層２５がＭＲ読出しヘッド素子を構成している。
【００３４】
上部シールド層２５上には、Ａｌ２Ｏ３又はＰｔ等をスパッタすることにより非磁性膜２６が形成されている。
【００３５】
非磁性膜２６上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより下部ヨーク層２７が形成されており、その上にレジスト材料等の絶縁層２８に挟まれてＣｕ等によるコイル導体２９が設けられており、さらにその上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより上部ヨーク層３０が形成されている。
【００３６】
磁気媒体に対向する面３１側において、下部ヨーク層２７の上面にはパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより下部磁極３２が形成されており、この下部磁極３２上にはＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等をスパッタすることにより書込みギャップ層３３が形成されている。さらに、この書込みギャップ層３３上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより上部磁極３４が形成されている。下部磁極３２は下部ヨーク層２７と、上部磁極３４は上部ヨーク層３０と磁気的に結合している。
【００３７】
下部ヨーク層２７及び上部ヨーク層３０は、磁気媒体に対向する面３１とは反対側の部分３０ａにおいて互いに磁気的に結合されている。コイル導体２９は、下部ヨーク層２７及び上部ヨーク層３０の結合部３０ａの回りをうず巻き状に巻回するように形成されている。
【００３８】
上部ヨーク層３０の上には、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等をスパッタした保護膜３５が形成されている。
【００３９】
なお、下部ヨーク層２７が上部シールド層２５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいことは明らかである。この場合、当然のことながら非磁性膜２６は省略される。
【００４０】
図３は図２の薄膜磁気ヘッドのインダクティブ書込みヘッド素子における下部磁極及び上部磁極の構造を概略的に示す斜視図であり、図４は従来の薄膜磁気ヘッド、図２の薄膜磁気ヘッド、及びその変更態様における下部磁極及び上部磁極の積層面内の形状を示す平面図である。
【００４１】
図４（Ａ）に示すように、従来の一般的な薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁極４２及び上部磁極４４の積層面内の形状が互いにほぼ等しく、従って、下部磁極４２及び上部磁極４４の磁気媒体に対向する先端の幅（トラック幅方向の幅）ＷＰ２及びＷＰ１が互いに等しく、かつ磁極の磁気媒体に対向する先端からその磁極のフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ２及びＦＰＤＰ１も互いに等しくなるように形成されている。なお、「フレアポイント」とは、上部及び／又は下部磁極のトラック幅方向の幅が、その積層面内において、拡がり始める点を称している。
【００４２】
本実施形態においては、図３及び図４（Ｂ）に示すように、下部磁極３２の積層面内の面積が上部磁極３４の積層面内の面積より大きくなるように設定されている。即ち、上部磁極３４の磁気媒体に対向する先端の幅（トラック幅方向の幅）ＷＰ２が下部磁極３２の磁気媒体に対向する先端の幅（トラック幅方向の幅）ＷＰ１より大きく、かつ上部磁極３４の磁気媒体に対向する先端からそのフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ２が下部磁極３２の磁気媒体に対向する先端からそのフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ１より小さくなるように形成されている。
【００４３】
このように、ＷＰ２＞ＷＰ１、かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１とすることにより、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状が上部磁極３４の近傍で大きくなる理想的な逆台形形状となる。その結果、書込みギャップ磁界が大きくなって、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好となる。
【００４４】
図５は下部磁極及び上部磁極の形状に基づいて書込みギャップ磁界がどのように変わるかをシミュレートした結果を表すグラフである。ただし、このシミュレーションの条件は、下部磁極３２及び上部磁極３４が２３ｋＧのＦｅＣｏＮｉであり、ＷＰ２＝０．２０μｍ、ＷＰ１＝０．１８μｍであり、ギャップ長が０．０９μｍである。なお、他の材料でシミュレートした場合にも、同じ傾向が得られた。
【００４５】
下部磁極及び上部磁極の先端の幅がＷＰ２＝ＷＰ１でありかつ磁極の先端からその磁極のフレアポイントまでの距離がＦＰＤＰ２＝ＦＰＤＰ１である従来の一般的な薄膜磁気ヘッドにおいては書込みギャップ磁界が６２７．２６×１０３Ａ／ｍ（７８８２．４Ｏｅ）であるが、磁極の先端からその磁極のフレアポイントまでの距離はＦＰＤＰ２＝ＦＰＤＰ１の状態で磁極の先端の幅がＷＰ２＞ＷＰ１となる磁極形状とすると、書込みギャップ磁界が６２８．８１×１０３Ａ／ｍ（７９０１．８Ｏｅ）と高くなる。さらに、本実施形態のように、磁極の先端の幅がＷＰ２＞ＷＰ１であり、かつ磁極の先端からその磁極のフレアポイントまでの距離をＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１となる磁極形状とすると、書込みギャップ磁界が６３３．１８×１０３Ａ／ｍ（７９５６．８Ｏｅ）と非常に高くなり、書込み品質、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好になることが分かる。
【００４６】
本実施形態では、図４（Ｂ）に示すように、下部磁極３２の積層面内の面積が上部磁極３４の積層面内の面積より大きくなるように設定されている。特に、上部磁極３４の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅が下部磁極３２の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅より大きく、さらに、上部磁極３４の先端から後端までの長さが下部磁極３２の先端から後端までの長さより大きく設定されている。
【００４７】
しかしながら、図４（Ｃ）に示すように、上部磁極３４′の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅と下部磁極３２′の磁気媒体とは反対側の後端におけるトラック幅方向の幅とが互いに等しく、さらに、上部磁極３４′の先端から後端までの長さと下部磁極３２′の先端から後端までの長さとを互いに等しくした状態で、ＷＰ２＞ＷＰ１かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１とし、下部磁極３２′の積層面内の面積が上部磁極３４′の積層面内の面積より大きくなるように設定しても良い。
【００４８】
図６は本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法においてインダクティブ書込みヘッド素子を形成する工程を説明する断面図であり、図７はその下部磁極及び上部磁極を形成する工程を説明する断面図及び平面図である。
【００４９】
以下これらの図を参照して本実施形態の薄膜磁気ヘッドの一部製造工程について説明する。
【００５０】
まず、公知の製造工程を実施することによって、ウエハ基板上に前述したＭＲ読出しヘッド素子を形成する。このＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層２５上にＡｌ２Ｏ３又はＰｔ等をスパッタすることにより非磁性膜２６を形成し、その上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより下部ヨーク層２７を形成し、さらにその上を化学機械研磨（ＣＭＰ）法等により表面研磨して平坦化した後、図６（Ａ）に示すように、めっき用電極膜６０を成膜する。
【００５１】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、下部磁極３２、書込みギャップ３３及び上部磁極３４を順次形成する。以下この工程について、図７を用いて詳細に説明する。
【００５２】
まず、下部ヨーク層２７上にフォトレジスト層を塗布し、露光、現像を含むパターニングを行うことにより、図７（Ａ）に示すような第１パターンを有するレジストマスク層６１を形成する。ここで、第１パターンは、磁気媒体に対向する側の先端の幅（トラック幅方向の幅）がＷＰ１であり、かつ磁気媒体に対向する側の先端からそのフレアポイントまでの距離がＦＰＤＰ１となるような下部磁極用の開口６１ａを有するパターンである。
【００５３】
次いで、このレジストマスク層６１を用いてパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより、図７（Ｂ１）及び（Ｂ２）に示すように、下部磁極３２を形成する。
【００５４】
次いで、図７（Ｃ）に示すように、レジストマスク層６１を除去することなくアッシング処理又はアルカリ溶液を用いたウェットエッチング処理を行うことにより、その開口６１ａを拡げ、第２パターンを有するレジストマスク層６１′を形成する。ここで、第２のパターンは、磁気媒体に対向する側の先端の幅（トラック幅方向の幅）がＷＰ２（ただし、ＷＰ２＞ＷＰ１）であり、かつ磁気媒体に対向する側の先端からそのフレアポイントまでの距離がＦＰＤＰ２（ただし、ＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１）となるような上部磁極用の開口６１ａ′を有するパターンである。
【００５５】
次いで、このレジストマスク層６１′を用いてＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等をスパッタすることにより、図７（Ｄ１）及び（Ｄ２）に示すように、書込みギャップ層３３を形成する。なお、この書込みギャップ層３３を、開口を拡げる前の第１パターンを有するレジストマスク層６１を用いて形成しても良いことはもちろんである。
【００５６】
その後、このレジストマスク層６１′を用いてパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより、図７（Ｅ）に示すように、書込みギャップ層３３上に上部磁極３４を形成する。
【００５７】
次いで、レジストマスク層６１′を除去し、図７（Ｆ）に示すように、必要に応じてイオンミリング等のドライエッチング処理を行うことによって、磁極の先端の幅ＷＰ１及びＷＰ２を調整する。
【００５８】
以上の工程により、ＷＰ２＞ＷＰ１かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１である下部磁極３２及び上部磁極３４が得られる。
【００５９】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、磁極保護用絶縁膜６２をＡｌ２Ｏ３等をスパッタすることにより形成し、図６（Ｄ）に示すように、Ｃｕ等をめっきすることによりコイル導体２９を形成し、図６（Ｅ）に示すように、コイル導体２９を線間絶縁するためのレジスト材料等による絶縁層２８を形成する。
【００６０】
次いで、図６（Ｆ）に示すように、上部磁極３４、コイル導体２９及び絶縁膜２８の上表面をＣＭＰ法等により表面研磨して平坦化し、図６（Ｇ）に示すように、コイル導体２９の上部を絶縁するための絶縁膜６３をＡｌ２Ｏ３等をスパッタすることにより形成し、さらに、図６（Ｈ）に示すように、バックギャップ用の穴６４を形成する。
【００６１】
その後、図６（Ｉ）に示すように、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより上部ヨーク層３０を形成する。
【００６２】
以後のウエハ工程及びその後のウエハ切断及び加工工程は周知であるため、説明は省略する。
【００６３】
図８は本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構造を示す断面図である。
【００６４】
以下、同図を用いて、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの層構造を説明する。ただし、同図において、図２と同一の構成要素には同一の参照番号が付与されている。例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等のセラミック材料による磁気ヘッドスライダ基板２０の後端面上に、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の電気絶縁材料をスパッタして下地膜２１が形成されており、この下地膜２１上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすること等により下部シールド層２２が形成されている。
【００６５】
この下部シールド層２２上には、例えばＧＭＲ素子などのＭＲ素子２３がギャップ絶縁膜２４に挟まれる形で形成されている。即ちＭＲ素子２３は、下部シールド層２３上にＡｌ２Ｏ３等をスパッタして形成された下部ギャップ絶縁膜上にＧＭＲ積層体を積層しパターニングすることによって形成される。ＭＲ素子２３には、Ｃｕ等によるリード（図示なし）がめっき等によって形成されており、また、ＭＲ素子２３にバイアスを与えるためのバイアス層等が必要に応じて形成されている。ＭＲ素子２３、リード及び下部ギャップ絶縁膜上にはＡｌ２Ｏ３等をスパッタすることにより上部ギャップ絶縁膜が形成され、これにより上述のギャップ絶縁膜２４が形成されることとなる。
【００６６】
ギャップ絶縁膜２４の上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっき等することにより上部シールド層２５が形成されている。
【００６７】
これら下部シールド層２２、ＭＲ素子２３、リード、ギャップ絶縁膜２４及び上部シールド層２５がＭＲ読出しヘッド素子を構成している。
【００６８】
上部シールド層２５上には、Ａｌ２Ｏ３又はＰｔ等をスパッタすることにより非磁性膜２６が形成されている。
【００６９】
非磁性膜２６上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより下部ヨーク層２７が形成されており、この下部ヨーク層２７上にはＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等をスパッタすることにより書込みギャップ層８３が形成されており、その上にレジスト材料等の絶縁層２８に挟まれてＣｕ等によるコイル導体２９が設けられており、さらにその上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより上部ヨーク層３０が形成されている。
【００７０】
磁気媒体に対向する面３１側において、下部ヨーク層２７の一部を削ることにより下部磁極８２が形成されており、この下部磁極８２上に前述の書込みギャップ層８３が形成されており、その上には、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより上部磁極８４が形成されている。下部磁極８２は下部ヨーク層２７と、上部磁極８４は上部ヨーク層３０と磁気的に結合している。
【００７１】
下部ヨーク層２７及び上部ヨーク層３０は、磁気媒体に対向する面３１とは反対側の部分３０ａにおいて互いに磁気的に結合されている。コイル導体２９は、下部ヨーク層２７及び上部ヨーク層３０の結合部３０ａの回りをうず巻き状に巻回するように形成されている。
【００７２】
上部ヨーク層３０の上には、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等をスパッタした保護膜３５が形成されている。
【００７３】
なお、下部ヨーク層２７が上部シールド層２５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいことは明らかである。この場合、当然のことながら非磁性膜２６は省略される。
【００７４】
本実施形態においても、図３及び図４（Ｂ）を参照して説明したように、下部磁極８２の積層面内の面積が上部磁極８４の積層面内の面積より大きくなるように設定されている。即ち、上部磁極８４の磁気媒体に対向する先端の幅（トラック幅方向の幅）ＷＰ２が下部磁極８２の磁気媒体に対向する先端の幅（トラック幅方向の幅）ＷＰ１より大きく、かつ上部磁極８４の磁気媒体に対向する先端からそのフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ２が下部磁極８２の磁気媒体に対向する先端からそのフレアポイントまでの距離ＦＰＤＰ１より小さくなるように形成されている。
【００７５】
このように、ＷＰ２＞ＷＰ１、かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１とすることにより、磁気媒体が実際に感じる磁界の分布形状が上部磁極８４の近傍で大きくなる理想的な逆台形形状となる。その結果、書込みギャップ磁界が大きくなって、特にスキュー動作時の書込み品質が非常に良好となる。
【００７６】
図９は本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法においてインダクティブ書込みヘッド素子を形成する工程を説明する断面図であり、図１０はその下部磁極及び上部磁極を形成する工程を説明する断面図及び平面図である。
【００７７】
以下これらの図を参照して本実施形態の薄膜磁気ヘッドの一部製造工程について説明する。
【００７８】
まず、公知の製造工程を実施することによって、ウエハ基板上に前述したＭＲ読出しヘッド素子を形成する。このＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層２５上にＡｌ２Ｏ３又はＰｔ等をスパッタすることにより非磁性膜２６を形成し、その上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより下部ヨーク層２７を形成し、さらに、図９（Ａ）に示すように、その上を化学機械研磨（ＣＭＰ）法等により表面研磨して平坦化する。
【００７９】
次いで、図９（Ｂ）に示すように、その上に、Ａｕ又はＣｕ等のミリングによるエッチングレートが下部磁極及び上部磁極の構成材料より高い、高エッチングレート材料をスパッタすることにより、書込みギャップ層８３を形成する。
【００８０】
次いで、図９（Ｃ）に示すように、下部磁極８２の形状加工と、上部磁極８４及びヨークのバックギャップ部９０の形成を行う。以下この工程について、図１０を用いて詳細に説明する。
【００８１】
まず、下部ヨーク層２７上にフォトレジスト層を塗布し、露光、現像を含むパターニングを行うことにより、図１０（Ａ）に示すような第２パターンを有するレジストマスク層９１を形成する。ここで、第２パターンは、磁気媒体に対向する側の先端の幅（トラック幅方向の幅）がＷＰ２であり、かつ磁気媒体に対向する側の先端からそのフレアポイントまでの距離がＦＰＤＰ２となるような上部磁極用の開口９１ａを有するパターンである。
【００８２】
次いで、このレジストマスク層９１を用いてパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより、図１０（Ｂ１）及び（Ｂ２）に示すように、上部磁極８４を形成する。同時にヨークのバックギャップ部９０も形成する。
【００８３】
次いで、図１０（Ｃ）に示すように、レジストマスク層９１を除去した後、イオンミリング等のドライエッチング処理を行うことによって、書込みギャップ層８３を形状加工すると共に、下部ヨーク層２７をエッチングすることにより、下部磁極８２を形成する。この場合、図１０（Ｄ１）及び（Ｄ２）に示すように、下部磁極８２が、第２パターンの外形を有するように加工する。ここで、第２のパターンは、磁気媒体に対向する側の先端の幅（トラック幅方向の幅）がＷＰ２（ただし、ＷＰ２＞ＷＰ１）であり、かつ磁気媒体に対向する側の先端からそのフレアポイントまでの距離がＦＰＤＰ２（ただし、ＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１）となるようなパターンである。書込みギャップ層８３の構成材料のエッチングレートが下部磁極及び上部磁極の構成材料より高いため、書込みギャップ層８３の断面形状は、図１０（Ｄ１）に示すように逆台形形状となる。
【００８４】
以上の工程により、ＷＰ２＞ＷＰ１かつＦＰＤＰ２＜ＦＰＤＰ１である下部磁極８２及び上部磁極８４が得られる。
【００８５】
次いで、図９（Ｄ）に示すように、磁極保護用絶縁膜９２をＡｌ２Ｏ３等をスパッタすることにより形成し、図９（Ｅ）に示すように、Ｃｕ等をめっきすることによりコイル導体２９を形成し、図９（Ｆ）に示すように、コイル導体２９を線間絶縁するためのレジスト材料等による絶縁層２８を形成する。
【００８６】
次いで、図９（Ｇ）に示すように、上部磁極８４、コイル導体２９及び絶縁膜２８の上表面をＣＭＰ法等により表面研磨して平坦化し、図１０（Ｈ）に示すように、コイル導体２９の上部を絶縁するための絶縁膜９３をＡｌ２Ｏ３等をスパッタすることにより形成する。
【００８７】
その後、図９（Ｉ）に示すように、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金をめっきすることにより上部ヨーク層３０を形成する。
【００８８】
以後のウエハ工程及びその後のウエハ切断及び加工工程は周知であるため、説明は省略する。
【００８９】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一実施形態として、磁気ディスク装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構造を示す断面図である。
【図３】図２の薄膜磁気ヘッドのインダクティブ書込みヘッド素子における下部磁極及び上部磁極の構造を概略的に示す斜視図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッド、図２の薄膜磁気ヘッド、及びその変更態様における下部磁極及び上部磁極の積層面内の形状を示す平面図である。
【図５】下部磁極及び上部磁極の形状に基づいて書込みギャップ磁界がどのように変わるかをシミュレートした結果を表すグラフである。
【図６】図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法においてインダクティブ書込みヘッド素子を形成する工程を説明する断面図である。
【図７】図６の下部磁極及び上部磁極を形成する工程を説明する断面図及び平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構造を示す断面図である。
【図９】図８の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法においてインダクティブ書込みヘッド素子を形成する工程を説明する断面図である。
【図１０】図９の下部磁極及び上部磁極を形成する工程を説明する断面図及び平面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  磁気ディスク
１０ａ、１５ａ  軸
１１  ＨＧＡ
１２  磁気ヘッドスライダ
１３  サスペンション
１４  支持アーム
１５  キャリッジ
１６  ＶＣＭの駆動コイル
２０  磁気ヘッドスライダ基板
２１  下地膜
２２  下部シールド層
２３  ＭＲ素子
２４  ギャップ絶縁膜
２５  上部シールド層
２６  非磁性膜
２７  下部ヨーク層
２８  絶縁層
２９  コイル導体
３０  上部ヨーク層
３１  磁気媒体に対向する面
３２、３２′、４２、８２  下部磁極
３３、８３  書込みギャップ層
３４、３４′、４４、８４  上部磁極
６０  めっき用電極膜
６１、６１′、９１  レジストマスク層
６１ａ  下部磁極用の開口
６１ａ′、９１ａ  上部磁極用の開口
６２、９２  磁極保護用絶縁膜
６３、９３  絶縁膜
６４  バックギャップ用の穴
９０  ヨークのバックギャップ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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