(57)【要約】【課題】高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性の高いマイクロスイッチを提供する。【解決手段】片持ち梁型の屈曲変位部材７０を有する可動電極接点部材７１と、圧電／電歪体及び電圧印加用電極層を有する圧電／電歪素子２０と、可動電極接点部材７１の支持部８に接合され固定電極３をその表面上に有する基材７とを備え、圧電／電歪素子２０の駆動により可動電極２を変位させ、可動電極２と固定電極３を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチ１である。屈曲変位部材７０の少なくとも薄板部６がセラミックス材料からなるとともに、薄板部６、圧電／電歪体、及び電圧印加用電極層が焼成一体化されている。【選択図】図１
2005332802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板部及び前記薄板部の端部に連結する少なくとも一の支持部を持った屈曲変位部材並びに可動電極を有する可動電極接点部材と、
前記薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、
前記可動電極接点部材の前記支持部に接合され、前記可動電極に対向配置される固定電極をその表面上に有する基材と、を備え、
前記屈曲変位機構の駆動により前記可動電極を変位させ、前記可動電極と前記固定電極を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであって、
前記屈曲変位部材の少なくとも前記薄板部がセラミックス材料からなるとともに、前記薄板部、前記圧電／電歪体、及び前記電圧印加用電極層が焼成一体化されているマイクロスイッチ。
【請求項２】
前記固定電極が分割された２つの固定電極ａ及び固定電極ｂからなるとともに信号線導体として構成され、前記可動電極と前記２つの固定電極ａ及び固定電極ｂとを電気的な接続状態又は切断状態とすることにより、信号線を導通又は遮断させて機能する請求項１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項３】
前記固定電極が信号線導体として構成されるとともに前記可動接点が接地導体として構成され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的な接続状態又は切断状態とすることにより、信号線と接地線との間を短絡又は非短絡とさせて機能する請求項１に記載のマイクロスイッチ。
【請求項４】
薄板部で構成される屈曲変位部材及び可動電極を有する可動電極部材と、
前記薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、
前記可動電極部材の前記薄板部の一の端部に接合され、前記可動電極に対向配置される固定電極をその表面上に有する基材と、を備え、
前記屈曲変位機構の駆動により前記可動電極を変位させ、前記可動電極と前記固定電極を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであって、
前記屈曲変位部材の少なくとも前記薄板部がセラミックス材料からなるとともに、前記薄板部、前記圧電／電歪体、及び前記電圧印加用電極層が焼成一体化されているマイクロスイッチ。
【請求項５】
前記固定電極及び可動電極が信号線導体として構成され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的な接続状態又は切断状態とすることにより、信号線を導通又は遮断させて機能する請求項４に記載のマイクロスイッチ。
【請求項６】
対向配置された一対の薄板部及び前記薄板部のそれぞれの一端部同士を連結する支持部を持った屈曲変位部材並びに一対の可動電極を有する可動電極接点部材と、
前記薄板部のそれぞれの少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、を備え、
前記屈曲変位機構の駆動により前記可動電極を変位させ、前記可動電極同士の間を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであって、
前記屈曲変位部材の少なくとも前記薄板部がセラミックス材料からなるとともに、前記薄板部、前記圧電／電歪体、及び前記電圧印加用電極層が焼成一体化されているマイクロスイッチ。
【請求項７】
前記薄板部の厚さが２〜２００μｍである請求項１〜６の何れか一項に記載のマイクロスイッチ。
【請求項８】
前記薄板部が、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、スピネル、及びムライトからなる群より選択される少なくとも一種を主成分としてなる請求項１〜７の何れか一項に記載のマイクロスイッチ。
【請求項９】
前記電圧印加用電極層が、白金、金、銀、パラジウム、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、タンタル、タングステン、及びイリジウムからなる群より選択される一種の金属、又はこれらの二種以上を組み合わせた合金からなる請求項１〜８の何れか一項に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１０】
前記電圧印加用電極層が、酸化ルテニウム又は酸化イリジウムからなる請求項１〜８の何れか一項に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１１】
前記圧電／電歪体が、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、及びタンタル酸ストロンチウムビスマスからなる群より選択される少なくとも一種のセラミックスからなる請求項１〜１０の何れか一項に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１２】
前記屈曲変位機構が、複数の前記電圧印加用電極層により複数の前記圧電／電歪体が交互に挟持・積層されてなるものである請求項１〜１１の何れか一項に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１３】
薄板部及び前記薄板部の端部に連結する少なくとも一の支持部を持った屈曲変位部材並びに可動電極を有する可動電極接点部材と、前記薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、前記可動電極接点部材の前記支持部に接合され、前記可動電極に対向配置される信号線電極層をその表面上に有する配線基板とを備えたマイクロスイッチの製造方法であって、
所定形状を有する複数のセラミックスグリーンシートを積層及び焼成してセラミックス構造体を作製する第１の工程と、
前記セラミックス構造体の所定の面上に、前記屈曲変位機構を、焼成により一体化形成して屈曲変位機構配設体を作製する第２の工程と、
所定の位置に前記可動電極を配設して可動電極配設体を作製する第３の工程と、
絶縁性基板上に前記信号線電極層を形成して前記配線基板を作製する第４の工程と、
前記配線基板上に前記可動電極配設体を配設するとともに不要部の除去を行い一以上の前記マイクロスイッチを作製する第５の工程と、
を含むマイクロスイッチの製造方法。
【請求項１４】
前記第５の工程において、配線基板上に可動電極配設体を配設する前に、可動電極配設体を前記配線基板とは異なる仮固定基板に仮固定し、その仮固定基板に仮固定した可動電極配設体に対し、仮固定基板は分割されず可動電極配設体が分割されるように切込加工を施すことにより不要部の分離を行う請求項１３に記載のマイクロスイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロスイッチ及びその製造方法に関し、更に詳しくは、携帯電話をはじめとする携帯通信機器用の小型高周波スイッチ等として有用なマイクロスイッチ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯通信機器をはじめとする種々の高周波機器の市場拡大、開発促進により、これらの機器に組み込まれる高周波用電子部品の製造も活発化している。特に、携帯通信機器に組み込まれる高周波信号送受信回路において、アンテナへの入出力信号の切り替えを行うために使用される小型高周波スイッチに対しては、更なる高性能化の要求が高まっている。
【０００３】
特に高性能化が要求されるのは、スイッチオン時の高周波信号の低挿入損失とスイッチオフ時の高アイソレーション化である。現在、この小型高周波スイッチは、リレーを使用した機械式やＰＩＮダイオード等を使用した電子式が一般的であるが、最近では半導体製造プロセスを応用したシリコンプロセスを主とする微細電子機械システム（Ｓｉ−ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ））技術の発達とともにマイクロスイッチの使用が検討されている。マイクロスイッチの利点としては、他の電子式スイッチに比して高周波信号の挿入損失が少ないことや、比較的低コストで低消費電力であること等が挙げられる。
【０００４】
上述したＳｉ−ＭＥＭＳ技術を応用したマイクロスイッチ（以下、「Ｓｉ−ＭＥＭＳ型スイッチ」と記す）の駆動方式としては、静電気力を駆動力とする静電型、バイメタルからなる部材を加熱変形させる熱型、磁力を駆動力とする磁性型、及び圧電／電歪素子の駆動力を用いた圧電型等が挙げられる。これらのなかでも圧電型の駆動方式を採用したマイクロスイッチは、他の駆動方式を採用したマイクロスイッチに比して高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るものとして注目されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、前記特許文献１等において提案されているＳｉ−ＭＥＭＳ型スイッチは、Ｓｉ基材の弾性変形により高周波信号の切り替えを行うものであるため、長期間の駆動に関する信頼性については必ずしも十分とはいえない場合がある。更に、真空成膜プロセスによって圧電膜及び電極膜をＳｉ基材上に形成するため、Ｓｉ基材−電極膜−圧電膜相互間の熱膨張差に起因するクラック・膜剥離の発生を回避する必要性がある。従って、圧電膜及び電極膜の厚膜化が困難であるという問題がある。
【０００６】
一方、Ｓｉ−ＭＥＭＳ型スイッチ以外のマイクロスイッチとして、信号線路導体と、Ｃｒ等のばね特性を有する材料からなる片持ち梁型の駆動短絡機構と、圧電体とを備え、圧電体により駆動短絡機構を変位させることにより信号線路導体と所定の接地導体とを短絡させて信号線路導体を流れる高周波信号を遮断するマイクロマシンスイッチが提案されている（例えば、特許文献２参照）。又、その面上に圧電素子が貼り付けられた所定形状の金属板を、この圧電素子の駆動により屈曲させるように構成した圧電アクチュエータが提案されている（例えば、特許文献３参照）。尚、金属製の基材表面に圧電体（圧電素子）を配設する方法としては、真空成膜プロセスや、別途作製した圧電素子を接着剤等で貼り付ける方法等が挙げられる。
【０００７】
しかしながら、既述の如く、真空成膜プロセスによっては圧電素子（圧電膜及び電極膜）の厚膜化が困難であるという問題がある。又、接着剤を用いて基材に圧電素子を貼り付けた場合には、接着面における耐久性や信頼性が必ずしも十分であるとはいえず、特に高周波信号を長期間に渡って確実に切り替えることが要求されるマイクロスイッチとしては更なる改善を図る必要性がある。
【特許文献１】特表２００３−５１９８２１号公報
【特許文献２】特開２００３−２１７４２１号公報
【特許文献３】特開２００１−６８７５１号公報
【特許文献４】特開２００３−１８１８００号公報
【特許文献５】特許３３８８８３４号公報
【非特許文献１】第１７回エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集（２００３）１４Ｃ−１０、著者：横浜国立大学  間宮宏樹、他
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性の高いマイクロスイッチ、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、屈曲変位部材を構成する薄板部をセラミックス材料によって形成するとともに、この薄板部と、圧電／電歪体と、電圧印加用電極層とを焼成一体化することによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明によれば、以下に示されるマイクロスイッチ及びその製造方法が提供される。
【００１１】
［１］薄板部及び前記薄板部の端部に連結する少なくとも一の支持部を持った屈曲変位部材並びに可動電極を有する可動電極接点部材と、前記薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、前記可動電極接点部材の前記支持部に接合され、前記可動電極に対向配置される固定電極をその表面上に有する基材と、を備え、前記屈曲変位機構の駆動により前記可動電極を変位させ、前記可動電極と前記固定電極を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであって、前記屈曲変位部材の少なくとも前記薄板部がセラミックス材料からなるとともに、前記薄板部、前記圧電／電歪体、及び前記電圧印加用電極層が焼成一体化されているマイクロスイッチ（以下、「第一のマイクロスイッチ」ともいう）。
【００１２】
［２］前記固定電極が分割された２つの固定電極ａ及び固定電極ｂからなるとともに信号線導体として構成され、前記可動電極と前記２つの固定電極ａ及び固定電極ｂとを電気的な接続状態又は切断状態とすることにより、信号線を導通又は遮断させて機能する前記［１］に記載のマイクロスイッチ。
【００１３】
［３］前記固定電極が信号線導体として構成されるとともに前記可動接点が接地導体として構成され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的な接続状態又は切断状態とすることにより、信号線と接地線との間を短絡又は非短絡とさせて機能する前記［１］に記載のマイクロスイッチ。
【００１４】
［４］薄板部で構成される屈曲変位部材及び可動電極を有する可動電極部材と、前記薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、前記可動電極部材の前記薄板部の一の端部に接合され、前記可動電極に対向配置される固定電極をその表面上に有する基材と、を備え、前記屈曲変位機構の駆動により前記可動電極を変位させ、前記可動電極と前記固定電極を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであって、前記屈曲変位部材の少なくとも前記薄板部がセラミックス材料からなるとともに、前記薄板部、前記圧電／電歪体、及び前記電圧印加用電極層が焼成一体化されているマイクロスイッチ（以下、「第二のマイクロスイッチ」ともいう）。
【００１５】
［５］前記固定電極及び可動電極が信号線導体として構成され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的な接続状態又は切断状態とすることにより、信号線を導通又は遮断させて機能する前記［４］に記載のマイクロスイッチ。
【００１６】
［６］対向配置された一対の薄板部及び前記薄板部のそれぞれの一端部同士を連結する支持部を持った屈曲変位部材並びに一対の可動電極を有する可動電極接点部材と、前記薄板部のそれぞれの少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、を備え、前記屈曲変位機構の駆動により前記可動電極を変位させ、前記可動電極同士の間を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであって、前記屈曲変位部材の少なくとも前記薄板部がセラミックス材料からなるとともに、前記薄板部、前記圧電／電歪体、及び前記電圧印加用電極層が焼成一体化されているマイクロスイッチ（以下、「第三のマイクロスイッチ」ともいう）。
【００１７】
［７］前記薄板部の厚さが２〜２００μｍである前記［１］〜［６］の何れかに記載のマイクロスイッチ。
【００１８】
［８］前記薄板部が、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、スピネル、及びムライトからなる群より選択される少なくとも一種を主成分としてなる前記［１］〜［７］の何れかに記載のマイクロスイッチ。
【００１９】
［９］前記電圧印加用電極層が、白金、金、銀、パラジウム、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、タンタル、タングステン、及びイリジウムからなる群より選択される一種の金属、又はこれらの二種以上を組み合わせた合金からなる前記［１］〜［８］の何れかに記載のマイクロスイッチ。
【００２０】
［１０］前記電圧印加用電極層が、酸化ルテニウム又は酸化イリジウムからなる前記［１］〜［８］の何れかに記載のマイクロスイッチ。
【００２１】
［１１］前記圧電／電歪体が、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、及びタンタル酸ストロンチウムビスマスからなる群より選択される少なくとも一種のセラミックスからなる前記［１］〜［１０］の何れかに記載のマイクロスイッチ。
【００２２】
［１２］前記屈曲変位機構が、複数の前記電圧印加用電極層により複数の前記圧電／電歪体が交互に挟持・積層されてなるものである前記［１］〜［１１］の何れかに記載のマイクロスイッチ。
【００２３】
［１３］薄板部及び前記薄板部の端部に連結する少なくとも一の支持部を持った屈曲変位部材並びに可動電極を有する可動電極接点部材と、前記薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、前記可動電極接点部材の前記支持部に接合され、前記可動電極に対向配置される信号線電極層をその表面上に有する配線基板とを備えたマイクロスイッチの製造方法であって、所定形状を有する複数のセラミックスグリーンシートを積層及び焼成してセラミックス構造体を作製する第１の工程と、前記セラミックス構造体の所定の面上に前記屈曲変位機構を、焼成により一体化形成して屈曲変位機構配設体を作製する第２の工程と、所定の位置に前記可動電極を配設して可動電極配設体を作製する第３の工程と、絶縁性基板上に前記信号線電極層を形成して前記配線基板を作製する第４の工程と、前記配線基板上に前記可動電極配設体を配設するとともに不要部の除去を行い一以上の前記マイクロスイッチを作製する第５の工程と、を含むマイクロスイッチの製造方法。
【００２４】
［１４］前記第５の工程において、配線基板上に可動電極配設体を配設する前に、可動電極配設体を前記配線基板とは異なる仮固定基板に仮固定し、その仮固定基板に仮固定した可動電極配設体に対し、仮固定基板は分割されず可動電極配設体が分割されるように切込加工を施すことにより不要部の分離を行う前記［１３］に記載のマイクロスイッチの製造方法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の第一のマイクロスイッチは、薄板部及び薄板部の端部に連結する少なくとも一の支持部を持った屈曲変位部材、並びに可動電極を有する可動電極接点部材と、薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、可動電極接点部材の前記支持部に接合され、可動電極に対向配置される固定電極をその表面上に有する基材とを備え、屈曲変位機構の駆動により可動電極を変位させ、可動電極と固定電極を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであり、屈曲変位部材の少なくとも薄板部がセラミックス材料からなるとともに、薄板部、圧電／電歪体、及び電圧印加用電極層が焼成一体化されているものである。従って、高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性が高いという効果を奏するものである。
【００２６】
本発明の第二のマイクロスイッチは、薄板部で構成される屈曲変位部材及び可動電極を有する可動電極部材と、薄板部の少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構と、可動電極部材の薄板部の一の端部に接合され、可動電極に対向配置される固定電極をその表面上に有する基材と、を備え、屈曲変位機構の駆動により可動電極を変位させ、可動電極と固定電極を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであり、屈曲変位部材の少なくとも薄板部がセラミックス材料からなるとともに、薄板部、圧電／電歪体、及び電圧印加用電極層が焼成一体化されているものである。従って、高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性が高いという効果を奏するものである。又、好ましい態様として固定電極及び可動電極を信号線導体として構成することにより、信号線を含んだ構成の配線分割型のスイッチにすることが出来、よりコンパクトなスイッチになり得て、実装性に優れたものになる。
【００２７】
又、本発明の第三のマイクロスイッチは、対向配置された一対の薄板部及び薄板部のそれぞれの一端部同士を連結する支持部を持った屈曲変位部材、並びに一対の可動電極を有する可動電極接点部材と、薄板部のそれぞれの少なくとも一方の面上に配設された、膜状の圧電／電歪体及び少なくとも一対の電圧印加用電極層を有する屈曲変位機構とを備え、屈曲変位機構の駆動により可動電極を変位させ、可動電極同士の間を電気的な接続状態又は切断状態とすることが可能なマイクロスイッチであり、屈曲変位部材の少なくとも薄板部がセラミックス材料からなるとともに、薄板部、圧電／電歪体、及び電圧印加用電極層が焼成一体化されているものである。従って、高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性が高いという効果を奏するものである。
【００２８】
本発明のマイクロスイッチの製造方法によれば、高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性が高いといった効果を奏する本発明のマイクロスイッチを効率的且つ簡便に製造することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜、設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。尚、これ以降、単に「本発明のマイクロスイッチ」というときは、第一のマイクロスイッチと第二のマイクロスイッチと第三のマイクロスイッチの何れをも意味する。
【００３０】
図１は、本発明の第一のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す斜視図である。又、図２は、本発明の第一のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す断面図である。図１及び図２に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ１は、屈曲変位部材７０及び可動電極２を有する可動電極接点部材７１と、薄板部６の面上に配設された圧電／電歪素子２０と、可動電極接点部材７１の支持部８に接合され、可動電極２に対向配置される任意のパターンで形成された固定電極３（固定電極３ａ，３ｂ）をその表面上に有する基材７とを備えている。屈曲変位部材７０は、薄板部６と、その後端部分５に配設された支持部８とからなる、いわゆる片持ち梁型の部材である。尚、特に図示しないが、圧電／電歪素子２０は、少なくとも一の圧電／電歪体と、この圧電／電歪体に電圧を印加するための、少なくとも一対の電圧印加用電極層とを備えた屈曲変位機構であり、電気的エネルギーと機械的エネルギーとを相互変換する機構（素子）である。
【００３１】
可動電極２が配設された薄板部６の先端部分４は、薄板部６の厚さ方向に変位可能である。又、基材７上に配設された固定電極３は、可動電極２に対して対向配置されている。固定電極３の構造としては、高周波信号のスイッチングに適したコプレナ構造（ＣＰＷ）を採用することが望ましい。ここで、圧電／電歪素子２０は、薄板部６の面上に配設されており、その圧電効果に基づく駆動によって薄板部６の先端部分４を変位させることが可能な素子である。従って、図２に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ１は圧電／電歪素子２０を駆動させることにより、可動電極２と固定電極３ａ，３ｂを電気的に接続状態／非接続状態とすることが出来るものである。
【００３２】
本実施形態のマイクロスイッチ１（図１参照）は、屈曲変位部材７０のうちの少なくとも薄板部６がセラミックス材料により構成されており、圧電／電歪素子２０を構成する圧電／電歪体と電圧印加用電極層は、後述するスクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の厚膜形成法によって、薄板部６上に膜状に成形されるとともに、焼成されることによって薄板部６と一体化して配設されている。このような厚膜形成法を用いて形成された圧電／電歪素子２０は、接着剤を用いることなく薄板部６と一体化されているものであるため、薄板部６との密着性に優れ、耐久性、及び長期間駆動に対する信頼性が極めて高い。
【００３３】
又、スクリーン印刷法等の厚膜形成法によって形成された圧電／電歪材料からなる膜を焼成して得られた圧電／電歪層には、多数の微細な空孔が存在することとなる。このような空孔が存在することによって、焼成後におけるクラックの発生が効果的に抑制されるため、本実施形態のマイクロスイッチ１は、圧電／電歪素子２０にクラック等の不具合のない信頼性の高いものである。又、圧電／電歪層に多数の微細な空孔が存在することによって、圧電／電歪素子２０の駆動時に各層の界面において発生する応力を緩衝する効果が発揮されることが期待される。
【００３４】
尚、本発明の第一のマイクロスイッチにおいては、特に図示しないが、２つの支持部が薄板部の両端に互いに離隔した状態で配設された、いわゆる両持ち梁型の屈曲変位部材を構成するとともに、薄板部の略中央部付近に可動電極を配設してもよい。即ち、このような両持ち梁型の屈曲変位部材を構成しても、圧電／電歪素子を駆動させることにより可動電極と固定電極とを電気的に接続状態／非接続状態とすることが出来る。又、四つの支持部が薄板部の四隅に互いに離隔した状態で配設されてもよく、支持部の数はいくつでもよい。
【００３５】
本発明の第一のマイクロスイッチは、四面を拘束された、いわゆるキャビティ型の屈曲変位部材を構成するものであってもよい。図２１及び図２２は、本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態にあたるものであり、キャビティ型の屈曲変位部材を構成したマイクロスイッチの態様を模式的に示す断面図である。図２１に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ２１１は、屈曲変位部材７２及び可動電極２を有する可動電極接点部材７３と、薄板部６の面上に配設された圧電／電歪素子２０と、可動電極接点部材７３の支持部１８に接合され、可動電極２に対向配置される任意のパターンで形成された固定電極３をその表面上に有する基材７とを備えている。屈曲変位部材７２は、薄板部６と、その薄板部６と基材７との間の空間を区画してキャビティ４６を形成する面状の支持部１８と、からなるキャビティ型の部材である。特に図示しないが、圧電／電歪素子２０は、少なくとも一の圧電／電歪体と、この圧電／電歪体に電圧を印加するための、少なくとも一対の電圧印加用電極層とを備えた屈曲変位機構であり、電気的エネルギーと機械的エネルギーとを相互変換する機構（素子）である。可動電極２が配設された薄板部６はその厚さ方向に変位可能であり、基材７上に配設された固定電極３は可動電極２に対して対向配置されている。圧電／電歪素子２０は、薄板部６の、キャビティ４６とは反対側の面上に配設されており、その圧電効果に基づく駆動によって薄板部６を変位させることが可能な素子である。従って、図２１に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ２１１は圧電／電歪素子２０を駆動させることにより、可動電極２と固定電極３を電気的に接続状態／非接続状態とすることが出来るものである。尚、図２２に示される本実施形態のマイクロスイッチ２２１は、圧電／電歪素子２０が、薄板部６の、キャビティ４６側の面上に配設されているところがマイクロスイッチ２１１と異なり、他はマイクロスイッチ２１１に準じたものである（説明は省略する）。
【００３６】
本発明の第一のマイクロスイッチは、変位累積機構を具備するものであってもよい。図２３は、本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態にあたるものであり、変位累積機構を具備するマイクロスイッチの態様を模式的に示す断面図である。屈曲変位機構が圧電／電歪素子で構成される場合、変位の大きさはその圧電／電歪素子の長さに比例するため、大変位を発現させるためには圧電／電歪素子の長さを大きく取らねばならず、マイクロスイッチの大型化に繋がり好ましくない。そこで、小型であっても大変位を発現し得るマイクロスイッチを作製するためには、圧電／電歪素子（屈曲変位機構）が配設される薄板部を折り返す等の工夫が必要となる。このような工夫に関する先行技術として、特許文献４、特許文献５、及び非特許文献１が知られている。
【００３７】
図２３に示される本実施形態のマイクロスイッチ２３１は、屈曲変位部材７０及び可動電極２を有する可動電極接点部材１７１と、薄板部６（６ａ）の面上に配設された圧電／電歪素子２０と、可動電極接点部材１７１の支持部８に接合され、可動電極２に対向配置される任意のパターンで形成された固定電極３をその表面上に有する基材７とを備えている。屈曲変位部材７０は、薄板部６（６ａ）と、その後端部分５に配設された支持部８とからなる、いわゆる片持ち梁型の部材である。本実施形態のマイクロスイッチ２３１は、可動電極接点部材１７１が、薄板部６（６ａ）の先端部分４に接合された連結部９を介して２つめの薄板部６ｂを折り返すように設け（図２３参照）、更には、薄板部６ｂに接合された、もう１つの連結部９を介して３つめの薄板部６ｃを再度折り返すように設けた（図２３参照）ところに特徴がある。本実施形態のマイクロスイッチ２３１では、薄板部６ｂ，６ｃにもそれぞれ圧電／電歪素子２０が配設されており、（上記したように）固定電極３に対向配置させて薄板部６ｃに可動電極２を配設したものである。３つの圧電／電歪素子２０は、それぞれが、少なくとも一の圧電／電歪体と、この圧電／電歪体に電圧を印加するための、少なくとも一対の電圧印加用電極層とを備えた屈曲変位機構であり、電気的エネルギーと機械的エネルギーとを相互変換する機構（素子）である。薄板部６（６ａ），６ｂ，６ｃは、それぞれに配設された圧電／電歪素子２０の圧電効果に基づく駆動によって、それぞれ厚さ方向に変位可能であり、本実施形態のマイクロスイッチ２３１は、３つの圧電／電歪素子２０を駆動させることにより、可動電極２と固定電極３を電気的に接続状態／非接続状態とすることが出来るものである。
【００３８】
次に、本発明の第一のマイクロスイッチの駆動状態について説明する。以下の説明においては、主として片持ち梁型の屈曲変位部材を用いた場合を例に挙げる。図１８は、本発明の第一のマイクロスイッチの他の実施形態を模式的に示す斜視図であり、図４は、図１８に示される本発明の第一のマイクロスイッチの他の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。図４においては、マイクロスイッチ１０４を構成する基材７上には、２つに分割された信号線導体として構成される固定電極３ａ，３ｂ（本発明の第一のマイクロスイッチにおける好ましい態様の固定電極ａ及び固定電極ｂに相当）と、接地導体として構成される固定電極１０３（ＧＮＤ）が配設されており、薄板部６の先端部分４の変位（図４における上下方向の変位）に従って可動電極２と固定電極３ａ，３ｂとが接触と非接触を繰り返す状態が示されている。可動電極２と固定電極３ａ，３ｂとが接触している場合には、可動電極２を介して一方の固定電極（例えば、固定電極３ａ）から他方の固定電極（例えば、固定電極３ｂ）へと信号線が導通することとなる。一方、可動電極２と固定電極３ａ，３ｂとが接触していない場合には、信号線は遮断されることとなる。
【００３９】
図１９は、本発明の第一のマイクロスイッチの更に他の実施形態を模式的に示す斜視図であり、図５は、図１９に示される本発明の第一のマイクロスイッチの更に他の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。図５においては、マイクロスイッチ１０５を構成する基材７上には、信号線導体として構成される一の固定電極３と、接地導体として構成される固定電極１０３（ＧＮＤ）が配設されており、薄板部６の先端部分４の変位（図５における上下方向の変位）に従って、可動電極１２と、固定電極３及び固定電極１０３（ＧＮＤ）とが接触と非接触を繰り返す状態が示されている。可動電極１２と、固定電極３及び固定電極１０３（ＧＮＤ）とが接触していない場合には、信号線は接地導体から遮断され信号が固定電極３を流れることとなる。一方、可動電極１２と、固定電極３及び固定電極１０３（ＧＮＤ）とが接触している場合には、信号線は可動電極１２と導通し、更に接地導体である固定電極１０３（ＧＮＤ）に導通して、固定電極３から可動電極１２を介し固定電極１０３（ＧＮＤ）へと短絡して信号が流れることとなる。従って、短絡という物理的な作用で信号線を遮断することが出来るため、例えば高周波の信号の外部への漏洩を効果的に遮断することが出来る。
【００４０】
上記した本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態（マイクロスイッチ１０４，１０５）は、可動電極が小さい点で優れている。可動電極が大きくなると微小ギャップ間に働く静電気力等が無視出来なくなり、その静電気力等により可動電極と固定電極とが接触しっ放しになってスイッチとして機能しなくなるおそれがあるからである。例えば、従来の静電気力を用いたＳｉ−ＭＥＭＳスイッチ等では、電極間に働く静電気力に逆らってスイッチを機能させることが出来なくなる不良（スッティキング）が知られているが、本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態によれば、そのような問題が生じ難い。従来の、金属板に圧電素子を貼り合せた圧電アクチュエータ（特許文献３参照）や、真空成膜プロセスで圧電膜及び電極膜をＳｉ基材上に形成したＳｉ−ＭＥＭＳスイッチでは、微細加工が困難であるため、可動電極を小さくするのに限界がある。本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態では、薄板部と焼成一体化された圧電／電歪素子（圧電／電歪体及び電圧印加用電極層からなる屈曲変位機構）が、十分な剛性を有するので、可動電極を含め微細に加工することが可能であり、この点において、本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態は、従来技術より有利である。
【００４１】
図６は、本発明の第一のマイクロスイッチの更に他の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。本実施形態のマイクロスイッチ１０６は、アクチュエータの駆動により可動電極２と固定電極間３ａ，３ｂとが近接し、両電極間の静電容量が増大することにより交流信号が伝達される、いわゆる容量結合型マイクロスイッチである。図６においては、マイクロスイッチ１０６を構成する基材７上には２つに分割された固定電極３ａ，３ｂが配設されており、可動電極２の表面には誘電体１５が配設された状態が示されている。又、薄板部６の先端部分４の変位（図６における上下方向の変位）に従って可動電極２と固定電極３ａ，３ｂとが誘電体１５を介して接触と非接触を繰り返す状態が示されている。このように、可動電極２と固定電極３ａ，３ｂとが誘電体１５を介して接触している場合には、信号線が導通し、誘電体１５を介して一方の固定電極（例えば、固定電極３ａ）から他方の固定電極（例えば、固定電極３ｂ）へと信号が流れることとなる。一方、誘電体１５と固定電極３ａ，３ｂとが接触していない場合には、信号線は遮断されることとなる。尚、図６においては可動電極２の表面に誘電体１５が配設された状態を示しているが、固定電極３ａ，３ｂの表面に誘電体１５が配設されてもよい。
【００４２】
次に、本発明の第二のマイクロスイッチの実施形態について説明する。図２０は、本発明の第二のマイクロスイッチの一の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。図２０に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ２０１は、薄板部６で構成される屈曲変位部材７７及び可動電極２を有する可動電極部材７８と、薄板部６の面上に配設された圧電／電歪素子２０と、可動電極部材７８の薄板部６の一の端部に接合され、可動電極２に対向配置される任意のパターンで形成された固定電極３をその表面上に有する基材７とを備えている。尚、特に図示しないが、圧電／電歪素子２０は、少なくとも一の圧電／電歪体と、この圧電／電歪体に電圧を印加するための、少なくとも一対の電圧印加用電極層とを備えた屈曲変位機構であり、電気的エネルギーと機械的エネルギーとを相互変換する機構（素子）である。
【００４３】
圧電／電歪素子２０が配設された面とは反対側の面に可動電極２が形成された薄板部６は、基材７と接合された後端部分５５とは反対側の先端部分４４において、その厚さ方向に変位可能である。又、基材７上に配設された固定電極３は、可動電極２に対して対向配置されている。固定電極３の構造としては、高周波信号のスイッチングに適したコプレナ構造（ＣＰＷ）を採用することが望ましい。ここで、圧電／電歪素子２０は、薄板部６の面上に配設されており、その圧電効果に基づく駆動によって薄板部６の上記先端部分４４を変位させることが可能な素子である。従って、図２０に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ２０１は圧電／電歪素子２０を駆動させることにより、可動電極２と固定電極３を電気的に接続状態／非接続状態とすることが出来るものである。本実施形態のマイクロスイッチ２０１は、可動電極２が信号線導体として構成されているところが上記した本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態と異なり、この可動電極２と固定電極３とを信号線導体として構成することにより、可動電極２と固定電極３とが接触している場合には、信号線が導通することになり、一方、可動電極２と固定電極３とが接触していない場合には、信号線は遮断されることとなる。
【００４４】
本実施形態のマイクロスイッチ２０１は、屈曲変位部材７７を構成する薄板部６がセラミックス材料により構成されており、圧電／電歪素子２０を構成する圧電／電歪体と電圧印加用電極層は、後述するスクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の厚膜形成法によって、薄板部６上に膜状に成形されるとともに、焼成されることによって薄板部６と一体化して配設されている。このような厚膜形成法を用いて形成された圧電／電歪素子２０は、接着剤を用いることなく薄板部６と一体化されているものであるため、薄板部６との密着性に優れ、耐久性、及び長期間駆動に対する信頼性が極めて高い。
【００４５】
又、スクリーン印刷法等の厚膜形成法によって形成された圧電／電歪材料からなる膜を焼成して得られた圧電／電歪層には、多数の微細な空孔が存在することとなる。このような空孔が存在することによって、焼成後におけるクラックの発生が効果的に抑制されるため、本実施形態のマイクロスイッチ２０１は、圧電／電歪素子２０にクラック等の不具合のない信頼性の高いものである。又、圧電／電歪層に多数の微細な空孔が存在することによって、圧電／電歪素子２０の駆動時に各層の界面において発生する応力を緩衝する効果が発揮されることが期待される。
【００４６】
次に、本発明の第三のマイクロスイッチの実施形態について説明する。図７は、本発明の第三のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す斜視図である。又、図８は、本発明の第三のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す断面図である。図７及び図８に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ１０は、屈曲変位部材７５及び一対の可動電極２ａ，２ｂを有する可動電極接点部材７６と、薄板部６のそれぞれの面上に配設された圧電／電歪素子２０とを備えている。屈曲変位部材７５は、対向配置された一対の薄板部６と、これらの一端部（後端部分５）同士を連結する支持部８とからなる、いわゆるＵ字型の部材である。尚、圧電／電歪素子２０は、少なくとも一の圧電／電歪体と、この圧電／電歪体に電圧を印加するための、少なくとも一対の電圧印加用電極層とを備えた屈曲変位機構であり、電気的エネルギーと機械的エネルギーとを相互変換する機構（素子）である。
【００４７】
可動電極２ａ，２ｂが配設された薄板部６のそれぞれの先端部分４は、薄板部６の厚さ方向、即ち、互いに離隔する方向に変位可能である。ここで、圧電／電歪素子２０は、それぞれの薄板部６の面上に配設されており、その圧電効果に基づく駆動によって薄板部６の先端部分４を変位させることが可能な素子である。従って、図８に示されるように、本実施形態のマイクロスイッチ１０は圧電／電歪素子２０を駆動させることにより、可動電極２ａ，２ｂ同士を電気的に接続状態／非接続状態とすることが出来るものである。尚、既に述べた第一のマイクロスイッチと同様に、可動電極２ａ，２ｂの少なくとも一方の表面に誘電体が配設され、可動電極２ａ，２ｂ同士を、この誘電体を介して電気的に接続させることも好ましい。
【００４８】
図７及び図８に示されるマイクロスイッチ１０においては、その薄板部６の先端部分４にそれぞれ同一の可動電極２ａ，２ｂが、一ずつ配設された状態を示しているが、本発明においてはこのような可動電極の配設状態に限定されるものではない。例えば、可動電極２ａ，２ｂのうち、一方を接地導体、他方を信号線導体とし、両者を接触させること、即ち短絡させることにより信号線を遮断する構成としてもよい。又、一の先端部分に配設される可動電極の数も任意に設定することが出来る。
【００４９】
本実施形態のマイクロスイッチ１０は、屈曲変位部材７５のうちの少なくとも薄板部６がセラミックス材料により構成されており、圧電／電歪素子２０を構成する圧電／電歪体と電圧印加用電極層は、後述するスクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の厚膜形成法によって、薄板部６上に膜状に成形されるとともに、焼成されることによって薄板部６と一体化して配設されている。このような厚膜形成法を用いて形成された圧電／電歪素子２０は、接着剤を用いることなく薄板部６と一体化されているものであるため、薄板部６との密着性に優れ、耐久性、及び長期間駆動に対する信頼性が極めて高い。
【００５０】
又、スクリーン印刷法等の厚膜形成法によって形成された圧電／電歪材料からなる膜を焼成して得られた圧電／電歪層には、多数の微細な空孔が存在することとなる。このような空孔が存在することによって、焼成後におけるクラックの発生が効果的に抑制されるため、本実施形態のマイクロスイッチ１０は、圧電／電歪素子２０にクラック等の不具合のない信頼性の高いものである。又、圧電／電歪層に多数の微細な空孔が存在することによって、圧電／電歪素子２０の駆動時に各層の界面において発生する応力を緩衝する効果が発揮されることが期待される。
【００５１】
又、本発明の実施形態であるマイクロスイッチは、圧電／電歪素子の膜厚Ａ（図２及び図８参照）が、２〜２００μｍの範囲であることが好ましく、１０〜１５０μｍであることが更に好ましく、２０〜１００μｍであることが特に好ましい。即ち、従来のマイクロスイッチを構成する圧電／電歪素子の膜厚に比して十分に厚いものであるため、耐久性に優れているとともに駆動力が大きく、低消費電力で応答性にも優れたものとすることが出来る。尚、圧電／電歪素子の膜厚が２μｍ未満であると、厚膜形成法を採用する場合に、多層構造の圧電／電歪素子を作製することが実質的に難しくなる場合がある。一方、圧電／電歪素子の膜厚が２００μｍ超であると、薄板部の変位が拘束される場合がある。ここで、本明細書にいう「圧電／電歪素子の膜厚」とは、圧電／電歪素子の平均膜厚をいい、複数の圧電／電歪体及び複数の電圧印加用電極層が積層されることによって圧電／電歪素子が構成されている場合には、その最下層の端面から最上層の端面までの距離（厚さ）の平均値をいう。
【００５２】
本発明の実施形態であるマイクロスイッチは、薄板部の厚さＢ（図２及び図８参照）が、２〜２００μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることが更に好ましく、１５〜８０μｍであることが特に好ましく、２０〜６０μｍであることが最も好ましい。薄板部の厚さＢが２μｍ未満であると、加工時に薄板部が破損する場合やセラミックス焼成時に薄板部を水平に焼成することが困難となる場合がある。一方、薄板部の厚さＢが２００μｍ超であると、圧電駆動による薄板部の変位が抑制される場合がある。従って、薄板部の厚さＢをこのような数値範囲内とすることにより、クラックフリーで長期信頼性に優れ、低電圧で駆動出来るスイッチを提供することが出来る。
【００５３】
又、本発明の実施形態であるマイクロスイッチは、薄板部の後端部分から先端部分までの長さ（薄板部の長さＣ（図２及び図８参照））が、０．２〜１０ｍｍであることが好ましく、０．３〜６ｍｍであることが更に好ましく、０．５〜３ｍｍであることが特に好ましい。薄板部の長さＣが０．２ｍｍ未満であると、スイッチング可能な十分な変位が得られない場合がある。一方、薄板部の長さＣが１０ｍｍ超であると、片持ち梁の共振周波数が低下する場合がある。従って、薄板部の長さＣをこのような数値範囲内とすることにより、スイッチング可能な十分な変位量を有し、高速スイッチングに適当な共振周波数を有するアクチュエータを提供することが出来る。
【００５４】
図３は、本発明のマイクロスイッチを構成する圧電／電歪素子の一例を模式的に示す斜視図である。図３に示されるように、本発明の実施形態であるマイクロスイッチにおいては、屈曲変位機構である膜状の圧電／電歪素子３０が、複数の電圧印加用電極層２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにより複数の圧電／電歪体２５ａ，２５ｂ，２５ｃが交互に挟持・積層されてなるものであること、即ち、複層構造の圧電／電歪素子３０であることが好ましい。このような複層構造を有する圧電／電歪素子３０は駆動力が大きく、可動電極が配設された薄板部６の先端部分の変位を大きくすることが出来る。又、マイクロスイッチ自体の剛性を高めることが出来るため、高共振周波数とすることが出来、変位動作の高速化をも図ることが出来る。
【００５５】
尚、圧電／電歪体及び電圧印加用電極層の数を多くすれば、圧電／電歪素子の駆動力は増大するが、それに伴い消費電力も増える。従って、用途や使用状態に応じて積層数を適宜設定すればよい。具体的には、圧電／電歪層の数は１０以下が好ましく、５以下であることが更に好ましい。
【００５６】
ここで、図３においては圧電／電歪体２５ａ，２５ｂ，２５ｃを三層構造とし、四層の電圧印加用電極層２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを、二層ずつの電極層で、一対の櫛歯状の電極対を形成した例を示している。この場合、電圧印加用電極層２３ａ，２３ｃ、及び電圧印加用電極層２３ｂ，２３をそれぞれ連結して共通化しているため、端子２１，２２の数を減らすことが出来る。従って、多層化に伴う圧電／電歪素子３０のサイズの大型化を抑えることが出来る。
【００５７】
本発明の実施形態であるマイクロスイッチの薄板部を構成するセラミックスとしては、適度なばね性及び剛性を有するものであれば特に限定されないが、後述するセラミックスグリーンシートを積層する方法を適用出来るセラミックスを好適に用いることが出来る。具体的には、安定化ジルコニア、部分安定化ジルコニアをはじめとする酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化チタン、スピネル、又はムライトを主成分とする材料等が挙げられる他、これらの混合物を主成分とした材料が挙げられるが、薄肉とした場合であっても機械的強度や靱性が高い点において、酸化ジルコニウム、特に安定化ジルコニアを主成分とする材料や、部分安定化ジルコニアを主成分とする材料が好ましい。尚、薄板部を構成するセラミックスは、後述する圧電セラミックスでもよい。圧電セラミックスであっても、電圧印加用電極層を含まない不活性状態であれば構造材として機能するので薄板部に用いることが可能である。
【００５８】
薄板部６は可撓性を有する薄板状の部材であり、表面に配設された圧電／電歪素子２０の伸縮変位を屈曲変位として増幅し、可動電極２が配設された先端部分４を変位させる機能を有する（図２及び図８参照）。従って、薄板部６の形状や材質は、可撓性を有し、屈曲変形によって破損しない程度の機械的強度を有するものであれば足り、先端部分４の応答性、操作性を考慮して適宜選択することが出来る。
【００５９】
ジルコニアは、以下に示されるように安定化又は部分安定化されたもの（安定化又は部分安定化ジルコニア）が好ましい。即ち、ジルコニアを安定化又は部分安定化させる化合物としては、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウム、及び酸化マグネシウムを挙げることが出来る。これらの化合物にうちの少なくとも一種類をジルコニアに添加して含有させることによって、目的とするジルコニアを安定化又は部分安定化させることが出来る。
【００６０】
尚、酸化イットリウムや酸化イッテルビウムの添加量は、１〜３０モル％とすることが好ましく、１．５〜１０モル％とすることが更に好ましい。又、酸化セリウムの添加量は、６〜５０モル％とすることが好ましく、８〜２０モル％とすることが更に好ましい。酸化カルシウムや酸化マグネシウムの添加量は、５〜４０モル％とすることが好ましく、５〜２０モル％とすることが更に好ましい。これらの化合物のなかでも、特に酸化イットリウムを安定化剤として用いることが好ましく、１．５〜１０モル％の酸化イットリウムを添加することが好ましく、２〜４モル％を添加することが更に好ましい。又、焼結助剤等の添加物として、アルミナ、シリカ、遷移金属酸化物等を０．０５〜２０質量％の範囲で添加することが出来る。
【００６１】
尚、薄板部の機械的強度を十分に確保するため、及び安定した結晶相とするために、ジルコニアの平均結晶粒子径を０．０５〜３μｍとすることが好ましく、０．０５〜１μｍとすることが更に好ましい。又、薄板部と支持部を、異なるセラミックスを用いて構成することも可能であるが、実質的に同一のセラミックスを用いて構成することが、これらの接合部分の信頼性、及びマイクロスイッチ全体の強度の確保、並びに製造の煩雑さの低減を図る上で好ましい。
【００６２】
圧電／電歪素子２０は、少なくとも圧電／電歪体と、この圧電／電歪体に電界をかけるための一対の電圧印加用電極層を有するものであり、ユニモルフ型、バイモルフ型等の圧電／電歪素子を用いることが出来る。但し、薄板部と組み合わせたユニモルフ型の圧電／電歪素子の方が、発生する変位量の安定性に優れ、軽量化に有利である。尚、図２及び図８に示されるように、薄板部６の側面に圧電／電歪素子２０を配設することが、薄板部６の先端部４をより大きく変位させることが出来る点で好ましい。
【００６３】
圧電／電歪素子の圧電／電歪層を構成する材料としては、圧電セラミックスが好適に用いられるが、電歪セラミックス、強誘電体セラミックス、又は反強誘電体セラミックスを用いることも可能である。但し、先端部分の変位量と、駆動電圧又は出力電圧とのリニアリティが重要であるため、歪み履歴の小さい材料を用いることが好ましく、抗電界が１０ｋＶ／ｍｍ以下の材料を用いることが好ましい。
【００６４】
圧電／電歪素子の圧電／電歪層を構成する具体的な材料としては、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等を単独で、又は混合物として含有するセラミックスが挙げられる。特に、高い電気機械結合係数と圧電定数を有し、圧電／電歪層の焼結時における薄板部との反応性が小さく、安定した組成のものが得られる点において、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、若しくはマグネシウムニオブ酸鉛を主成分とする材料、又はチタン酸ナトリウムビスマスを主成分とする材料が好適に用いられる。
【００６５】
更に、圧電／電歪素子の圧電／電歪層を構成する上記の材料に、ランタン、カルシウム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸化物等を単独で、又はこれらの酸化物の混合物を添加してもよい。例えば、主成分であるジルコン酸鉛、チタン酸鉛、又はマグネシウムニオブ酸鉛にランタンやストロンチウム等の酸化物を含有させることにより、抗電界や圧電特性を調整可能となる等の利点を得られる場合がある。
【００６６】
但し、圧電／電歪素子の圧電／電歪層を構成する材料には、シリカ等のガラス化し易い材料を添加することは避けることが望ましい。シリカ等の材料は、圧電／電歪層の熱処理時に圧電／電歪材料と反応し易く、圧電／電歪材料の組成を変動させ、圧電特性を劣化させる場合があるからである。
【００６７】
圧電／電歪素子を構成する電圧印加用電極層は、室温で固体であり、導電性に優れた金属で構成されていることが好ましい。例えば、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等の金属単体、又はこれらの合金が好適に用いられる。又、これらの金属単体又は合金に、圧電／電歪体や薄板部を構成する材料と同じ材料を分散させたサーメット材料を用いてもよい。一方、酸化ルテニウム又は酸化イリジウムによって電圧印加用電極層を構成することも、圧電／電歪材料の耐久性向上に関して効果的であるために好ましい。
【００６８】
圧電／電歪素子を構成する電極（電圧印加用電極層）の材料選定は、圧電／電歪体の形成方法に依存して決定される。例えば、薄板部上に一の電極を形成した後、この電極上に圧電／電歪体を焼成して形成する場合は、一の電極を構成する材料としては、圧電／電歪体を焼成して形成する際の温度（焼成温度）においても変化しない白金、パラジウム、白金−パラジウム合金、銀−パラジウム合金等の高融点金属を使用する必要がある。一方、薄板部上に圧電／電歪体を形成した後、この圧電／電歪体上に形成される最外層の他の電極を構成する材料としては、前記焼成温度よりも低い温度で形成され得るため、アルミニウム、金、銀等の低融点金属を主成分として使用することが出来る。
【００６９】
又、電極の厚さは、少なからず圧電／電歪素子の変位量を変動させる要因ともなる。特に、圧電／電歪体の焼成後に形成される電極を構成する材料には、焼成後に緻密でより薄い膜が得られる有機金属ペースト、例えば金レジネートペースト、白金レジネートペースト、銀レジネートペースト等の材料を用いることが好ましい。
【００７０】
次に、本発明のマイクロスイッチの製造方法の、一の実施形態について具体的に説明する。ここで、定義付けをしておく。セラミックスグリーンシートを積層して得られた積層体をセラミックスグリーン積層体５８（例えば図１０参照）と定義する。又、このセラミックスグリーン積層体５８を焼成して一体化したものをセラミックス構造体６０（例えば図１１参照）と定義する。
【００７１】
先ず、ジルコニア等のセラミックス粉末にバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード法等の方法により、所定の厚さを有するセラミックスグリーンシートを作製する。次に、金型を用いた打抜加工やレーザ加工等の方法により、セラミックスグリーンシートを図９のような種々の形状に加工して、基体形成用の複数枚のセラミックスグリーンシート５０Ａ，５０Ｂ，５２Ａを得る。
【００７２】
これらセラミックスグリーンシート５０Ａ，５０Ｂ，５２Ａは、少なくとも窓部５４が形成された複数枚（例えば２枚）のセラミックスグリーンシート５０Ａ，５０Ｂと、後に薄板部となるセラミックスグリーンシート５２Ａに分類される。尚、セラミックスグリーンシートの枚数は、あくまでも一例である。その後、図１０に示されるように、セラミックスグリーンシート５０Ａ，５０Ｂ，５２Ａを積層・圧着してセラミックスグリーン積層体５８とした後、このセラミックスグリーン積層体５８を焼成してセラミックス構造体６０（図１１参照）を得る（第１の工程）。
【００７３】
尚、積層一体化のための圧着回数や順序は限定されないが、例えば窓部５４の形状、セラミックスグリーンシートの枚数等により所望の構造を得るように適宜決めることが出来る。尚、窓部５４の形状はすべて同一である必要はなく、適宜決定することが出来る。又、セラミックスグリーンシートの枚数、各セラミックスグリーンシートの厚さも特に限定されない。
【００７４】
圧着は、熱を加えることで、より積層性を向上させることが出来る。又、セラミックス粉末（セラミックスグリーンシートに使用されたセラミックスと同一又は類似した組成であると、信頼性確保の点で好ましい）、バインダを主体としたペースト、スラリー等をセラミックスグリーンシート上に塗布、印刷して、接合補助層とすることで、セラミックスグリーンシート界面の積層性を向上させることが出来る。尚、セラミックスグリーンシート５２Ａが薄い場合には、プラスチックフィルム、中でも表面にシリコーン系の離型剤をコーティングしたポリエチレンテレフタレートフィルムを用いて取り扱うことが好ましい。
【００７５】
次に、図１１に示されるように、セラミックス構造体６０の一の面、即ち、セラミックスグリーンシート５２Ａが積層された表面に相当する面に膜状の圧電／電歪体及び電圧印加用電極層を有する圧電／電歪素子２０（屈曲変位機構）を形成して屈曲変位機構配設体８０を作製する（第２の工程）。圧電／電歪素子２０の形成法としては、スクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の厚膜形成法を用いることが出来る。このような厚膜形成法を用いて圧電／電歪素子２０を形成することにより、接着剤を用いることなく、圧電／電歪素子２０と薄板部とを焼成によって一体化して配設することが出来、信頼性、再現性を確保出来るとともに、容易に高集積化することが出来る。
【００７６】
特に、圧電／電歪体を形成するに際して厚膜形成法を用いれば、平均粒径０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍの圧電セラミックスの粒子、粉末を主成分とするペーストやスラリー、又はサスペンションやエマルジョン、ゾル等を用いて圧電／電歪体を形成することが出来、焼成によって良好な圧電／電歪特性を得ることが出来る。尚、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い形状精度で形成出来るという利点がある。又、スクリーン印刷法は、膜形成とパターン形成とを同時に出来るため、製造工程の簡略化に有利である。
【００７７】
圧電／電歪素子２０の形成方法について具体的に説明する。先ず、セラミックスグリーン積層体５８を１２００℃〜１６００℃の温度で焼成、一体化してセラミックス構造体６０を得る（第１の工程）。得られたセラミックス構造体６０の上面の所定位置に、一の電圧印加用電極層を印刷、焼成し、次に、膜状の圧電／電歪体を印刷、焼成する。更に、一の電圧印加用電極層と対をなす他の電圧印加用電極層を印刷、焼成する。これらの操作を所定回数繰り返して（即ち、圧電／電歪素子２０が複層構造である場合）、圧電／電歪素子２０を形成する。その後、各電極層を駆動回路に電気的に接続するための端子（図示せず）を印刷、焼成する。
【００７８】
一の電圧印加用電極層として白金（Ｐｔ）、圧電／電歪体としてジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、他の電圧印加用電極層として金（Ａｕ）、更に、端子として銀（Ａｇ）というように、各部材の焼成温度が積層順に従って低くなるように材料を選定すると、ある焼成段階において、それより以前に焼成された材料の再焼結が起こらず、電圧印加用電極層等の剥離や凝集といった不具合の発生を回避することが出来る。尚、適当な材料を選択することにより、圧電／電歪素子２０を構成する各部材と端子を逐次印刷し、１回の焼成によって一体化することも可能である。又、最外層の圧電／電歪体を形成した後に、低温で最外層の電極層を設けることも出来る。
【００７９】
圧電／電歪素子の形成に際しては、セラミックスグリーン積層体５８（図１０参照）の上面に予め圧電／電歪素子を形成しておき、このセラミックスグリーン積層体５８と圧電／電歪素子とを同時に焼成することも好ましく行われる。同時焼成にあたっては、セラミックスグリーン積層体５８と圧電／電歪素子のすべての構成層（電圧印加用電極層、圧電／電歪体）の焼成を行うようにしてもよく、一の電圧印加用電極層とセラミックスグリーン積層体５８とを同時焼成したり、他の電圧印加用電極層を除く他の構成層とセラミックスグリーン積層体５８とを同時焼成する方法等が挙げられる。
【００８０】
圧電／電歪素子とセラミックスグリーン積層体５８（図１０参照）とを同時焼成する方法としては、スラリー原料を用いたテープ成形法等によって圧電／電歪体の前駆体を成形し、この焼成前の圧電／電歪体の前駆体をセラミックスグリーン積層体５８の表面上に熱圧着等で積層し、同時に焼成して、薄板部、支持部、圧電／電歪体を同時に作製する方法が挙げられる。更に、セラミックスグリーン積層体５８の少なくとも最終的に薄板部となる部分にスクリーン印刷により圧電／電歪素子の各構成層である電圧印加用電極層、圧電／電歪体を形成し、同時に焼成することも出来る。
【００８１】
圧電／電歪素子２０（図１１参照）の構成層の焼成温度は、これらを構成するそれぞれの材料によって適宜決定されるが、一般には、５００℃〜１５００℃であり、圧電／電歪体については１０００℃〜１４００℃で焼成することが好ましい。又、圧電／電歪体の組成を制御するためには、圧電／電歪体の材料の蒸発源の存在下に焼結することが好ましい。尚、圧電／電歪体とセラミックスグリーン積層体５８を同時焼成する場合には、両者の焼成条件を合わせることが必要である。
【００８２】
次に、図１１及び図１２に示されるように、屈曲変位機構配設体８０を、切断線Ｃ１〜Ｃ３で切断して不要な部分を取り除くとともに、薄板部６の先端部分に可動電極２を配設して可動電極配設体８５を作製する（第３の工程）。切断する位置は、セラミックス構造体６０の側部、特に、切断することによってセラミックス構造体６０の側面に窓部５４（図９参照）による切欠部が形成される箇所（図１１における切断線Ｃ１〜Ｃ３）である。
【００８３】
切断方法としては、ダイシング加工方法、ワイヤソー加工方法等の機械加工方法の他、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いるレーザ加工方法や電子ビーム加工方法を適用することが可能である。又、これらの加工方法を組み合わせてもよい。
【００８４】
図１１に示される切断線Ｃ１〜Ｃ３の切断にあたっては、切断後に３００〜８００℃の加熱処理を実施することが好ましい。切断加工により、セラミックス基体１６内にマイクロクラック等の欠陥が生じ易くなる場合があるが、熱処理することによってこの欠陥を取り除くことが出来、信頼性が向上するからである。更に、この熱処理後に８０℃程度の温度で少なくとも１０時間程度放置し、エージング処理を施すことが好ましい。このエージング処理で、製造過程中で生じた種々の応力等を緩和することが出来、特性の向上に寄与するからである。尚、図１２に示される可動電極２は、絶縁性基板上に電極層を形成した部材を接着することで作製することが出来る。
【００８５】
次いで、図１に示されるように、絶縁性基板の上に信号線電極層となる固定電極３ａ，３ｂを所望のパターンで形成して基材７（配線基板）を作製する（第４の工程）。この基材７上の所定の位置に、第３の工程で作製した可動電極配設体８５（図１２参照）の支持部８を適当な接着方法によって配設すれば本実施形態のマイクロスイッチ１（図１参照）を得ることが出来る（第５の工程）。基材７を構成する絶縁性基板としては、石英、ＳＯＩウエハ等の材料からなるものを挙げることが出来る。又、真空成膜プロセス及びフォトリソグラフィによって基材７上に信号線電極層を形成することが、正確なパターンニングとすることが出来るために好ましい。尚、基材７上に支持部８を固定するに際しての接着方法としては、熱硬化性樹脂接着剤等の接着剤を用いる方法を挙げることが出来る。
【００８６】
次に、本発明のマイクロスイッチの製造方法の、他の実施形態について具体的に説明する。先ず、前述のマイクロスイッチの製造方法の一の実施形態の場合と同様の方法により、図１３（ａ）に示されるような所定形状のセラミックス構造体６０を得（第１の工程）、得られたセラミックス構造体６０を用いて、圧電／電歪素子２０（屈曲変位機構）が形成された屈曲変位機構配設体８０を作製する（第２の工程）。又、この屈曲変位機構配設体８０の所定の箇所に可動電極２を配設して可動電極配設体８５（図１３（ｂ）参照）を作製する（第３の工程）。
【００８７】
次に、図１４（ａ）に示されるように、作製した可動電極配設体８５を、適当なサイズの仮固定基板６１上に、上下反転させた状態で脱着可能な仮固定用接着層６２によって仮固定することが、これ以降の作業効率性向上の観点から好ましい。この仮固定用接着層６２は、例えば紫外線硬化型接着剤や熱発泡性シート等によって構成することが出来る。次いで、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示されるように、後に不要部を除去して所望とする形状のマイクロスイッチとするために、数箇所に切込線Ｓ１〜Ｓ４（Ｓ）に沿って切込みを入れる。本発明のマイクロスイッチの製造方法では、可動電極配設体８５を作製した後、仮固定基板６１上に仮固定し切込加工を施すことにより、可動電極配設体８５のみを分割し、仮固定基板６１は分割せず、バラバラにならない状態で保持するので、個々の圧電／電歪素子２０の配列ピッチは機械加工精度で保たれ、高精度に実装することが可能である。可動電極配設体８５を分割してしまうと、圧電／電歪素子２０の損傷、汚れ、実装精度の低下等の問題が生じ得るが、本発明のマイクロスイッチの製造方法によればこのような問題を回避出来る。即ち、本発明のマイクロスイッチの製造方法は、圧電／電歪素子２０を多個取り配置した可動電極配設体８５を個々に分割せず、一括して実装出来るところに特徴がある。
【００８８】
次に、図１５に示されるように、絶縁性基板８６の上に信号線電極層となる固定電極３及び接地電極層となる固定電極１０３を所望のパターンで形成した配線基板９０（第４の工程）上に、可動電極２と固定電極３とが当接するようにアライメントしつつ可動電極配設体８５を配設する。尚、作製しようとするマイクロスイッチの支持部となる箇所に適当な接着剤を塗布して可動電極配設体８５を配線基板９０上に配設すればよい。配線基板９０上に可動電極配設体８５を配設した後に、仮固定用接着層６２を剥離除去するとともに不要部６４ａ〜６４ｄを除去してマイクロスイッチ前駆体６６を得る。尚、圧電／電歪素子２０を構成する電圧印加用電極層と圧電／電歪素子駆動用電極９３とを、例えばワイヤボンディング９２等によって接続して外部電源（図示せず）を確保してもよい。
【００８９】
得られたマイクロスイッチ前駆体６６（図１５参照）に、図１６に示されるような封止用基板６５を配設してなるマイクロスイッチ前駆体６７とすることも可能である。このような封止用基板６５を用いることにより、個別に封止されたマイクロスイッチモジュールを作製することが出来る。マイクロスイッチ前駆体６７を、例えば切断線Ｃ４〜Ｃ７で切断して分割すれば、本発明の実施形態であるマイクロスイッチ１７０を複数個（図１６においては２個）得ることが出来る（第５の工程）。尚、配線基板９０及び可動電極配設体８５のサイズについては、使用する絶縁性基板やセラミックスグリーンシートのサイズによって任意に設定することが出来る。従って、本実施形態のマイクロスイッチの製造方法は、使用する材料や部材のサイズを適宜設定すれば、第１の工程〜第５の工程を１回流すだけで、本発明のマイクロスイッチ１７０を一度に複数個製造することの出来る、いわゆる多個取り可能な製造方法である。従って、極めて生産効率に優れた製造方法であるといえる。
【００９０】
尚、配線基板には、高周波用プリント基板を採用することが可能である。即ち、高周波用プリント基板はセラミックスグリーンシート等を用いた積層プロセスによって作製可能なものであることから、図１７（ａ）〜図１７（ｃ）に示されるように、固定電極９５及び圧電／電歪素子駆動用電極９３ａ，９３ｂ，９３ｃを配線基板の下面９４の側へと引き出すことが可能である。従って、このように封止用基板６５でパッケージ化された本実施形態のマイクロスイッチ１７０は、個別に取り扱い可能なものであり、個々に直接所定の回路基板上に実装することが出来るために極めて実用性が高いものである。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明のマイクロスイッチは、高周波信号の切り替えを低消費電力で効率よく行うことが出来るとともに、応答性、及び耐久性に優れ、長期間駆動に対する信頼性の高いものであるため、携帯電話をはじめとする携帯通信機器用の小型高周波スイッチ等として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第一のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第一のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明のマイクロスイッチを構成する圧電／電歪素子の一例を模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明の第一のマイクロスイッチの他の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の第一のマイクロスイッチの更に他の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の第一のマイクロスイッチの更に他の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第三のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す斜視図である。
【図８】本発明の第三のマイクロスイッチの一の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図９】セラミックスグリーンシートの積層過程を示す説明図である。
【図１０】セラミックスグリーン積層体を示す説明図である。
【図１１】セラミックス構造体に圧電／電歪素子を形成した状態を示す説明図である。
【図１２】可動電極配設体の一例を示す側面図である。
【図１３（ａ）】セラミックス構造体に圧電／電歪素子を形成する状態を示す説明図である。
【図１３（ｂ）】可動電極配設体の一例を示す斜視図である。
【図１４（ａ）】可動電極配設体を加工する工程を示す説明図である。
【図１４（ｂ）】可動電極配設体を仮固定基板上に配設した状態を示す斜視図である。
【図１５】マイクロスイッチ前駆体を得る工程を示す説明図である。
【図１６】マイクロスイッチを得る工程を示す説明図である。
【図１７（ａ）】マイクロスイッチ前駆体の一例を示す斜視図である。
【図１７（ｂ）】本発明の第一のマイクロスイッチの他の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図１７（ｃ）】図１７（ｂ）に示されるマイクロスイッチの下面図である。
【図１８】本発明の第一のマイクロスイッチの他の実施形態を模式的に示す斜視図である。
【図１９】本発明の第一のマイクロスイッチの更に他の実施形態を模式的に示す斜視図である。
【図２０】本発明の第二のマイクロスイッチの一の実施形態における駆動状態を模式的に示す断面図である。
【図２１】本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態にあたるものであり、キャビティ型の屈曲変位部材を構成したマイクロスイッチの態様を模式的に示す断面図である。
【図２２】本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態にあたるものであり、キャビティ型の屈曲変位部材を構成したマイクロスイッチの態様を模式的に示す断面図である。
【図２３】本発明の第一のマイクロスイッチの実施形態にあたるものであり、変位累積機構を具備するマイクロスイッチの態様を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１，１０，１０４，１０５，１０６，１７０，２０１，２１１，２２１，２３１…マイクロスイッチ、２ａ，２ｂ，２…可動電極、３ａ，３ｂ，３…固定電極、４，４４…先端部分、５，５５…後端部分、６，６ａ，６ｂ，６ｃ，１０ａ，１０ｂ…薄板部、７…基材、８，１８…支持部、９…連結部、１２…可動電極、１５…誘電体、１６…セラミックス基体、２０，３０…圧電／電歪素子、２１，２２…端子、２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ…電圧印加用電極層、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ…圧電／電歪体、４６…キャビティ、５０Ａ，５０Ｂ，５２Ａ…セラミックスグリーンシート、５４…窓部、５８…セラミックスグリーン積層体、６０…セラミックス構造体、６１…仮固定用基板、６２…仮固定用接着層、６３…接着剤、６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ…不要部、６５…封止用基板、６６，６７…マイクロスイッチ前駆体、７０，７２，７５，７７…屈曲変位部材、７１，７３，７６…可動電極接点部材、７８…可動電極部材、８０…屈曲変位機構配設体、８５…可動電極配設体、８６…絶縁性基板、９０…配線基板、９２…ワイヤボンディング、９３ａ，９３ｂ，９３ｃ，９３…圧電／電歪素子駆動用電極、９４…配線基板の下面、９５…固定電極、１０３…固定電極、１７１…可動電極接点部材、Ａ…圧電／電歪素子の膜厚、Ｂ…薄板部の厚さ、Ｃ…薄板部の長さ、Ｃ１〜Ｃ７…切断線、Ｓ１〜Ｓ４，Ｓ…切込線。
【図１】
2005332802.tif 000003
【図２】
2005332802.tif 000004
【図３】
2005332802.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005332802.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005332802.tif 000009
【図８】
2005332802.tif 000010
【図９】
2005332802.tif 000011
【図１０】
2005332802.tif 000012
【図１１】
2005332802.tif 000013
【図１２】
2005332802.tif 000014
【図１３（ａ）】
2005332802.tif 000015
【図１３（ｂ）】
2005332802.tif 000016
【図１４（ａ）】
2005332802.tif 000017
【図１４（ｂ）】
2005332802.tif 000018
【図１５】
2005332802.tif 000019
【図１６】
2005332802.tif 000020
【図１７（ａ）】
2005332802.tif 000021
【図１７（ｂ）】
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【図１７（ｃ）】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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