(57)【要約】【課題】  簡易な方法で、品質の安定した半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成された半導体素子１０４と、半導体素子１０４を封止する封止樹脂１０８とを有する。基板１０２は、素子搭載面に外縁に沿って段差が設けられ、段差が封止樹脂により被覆された構成を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含み、
前記基板は、素子搭載面に外縁に沿って段差が設けられ、前記段差が前記封止樹脂により被覆されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記基板の側壁には、導電性材料が露出していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の素子形成領域が設けられた基板に、前記素子形成領域の外縁に沿って溝を形成する工程と、
前記複数の素子形成領域上に、それぞれ、複数の半導体素子を配置する工程と、
前記複数の半導体素子を封止樹脂により封止するとともに前記溝内に前記封止樹脂を埋め込む工程と、
前記素子形成領域の外縁に沿って、前記溝の幅よりも狭い幅で前記基板を前記封止樹脂とともに切断して複数の半導体装置を個別化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は、従来の半導体装置の構成を示す図である。ここでは、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージを示す。図１０（ａ）は、半田ボール１４が形成された面を示す図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【０００３】
図１０（ｂ）に示すように、半導体装置は、基板２と、その上に配置された半導体素子４とを有する。半導体素子４は、基板２上に配置されたボンディングパッド（不図示）とボンディングワイヤ６を介して電気的に接続される。半田ボール１４は、ボンディングワイヤ６や基板２中の配線等と電気的に接続される。
【０００４】
このような半導体装置は、通常、以下のようにして形成される。まず、基板２上にボンディングパッド等を形成して複数の素子形成領域を設け、各素子形成領域に半導体素子４を配置する。つづいて、半導体素子４と基板２上のボンディングパッドとをボンディングワイヤ６により接続する。ボンディングワイヤは、たとえば金により構成される。つづいて、半導体素子４を封止樹脂８で封止する。その後、基板２の裏面に半田ボール１４を形成する。次いで、素子形成領域の外縁に沿って基板２を封止樹脂８とともにダイシングする。これにより、図１０（ｂ）に示したような半導体装置が得られる。
【０００５】
このような基板２内には、多層配線構造が形成されており、複数の素子形成領域にわたって導電性材料が含まれる。そのため、基板２を素子形成領域に沿ってダイシングする際に、このような導電性材料が切断面に露出してしまうという問題があった。このような切断面からの吸湿が起こり、半導体装置の品質が低下するという課題もあった。また、基板２のダイシングには、金属刃が用いられるため、このような金属刃が基板２中の導電性材料と接触して静電破壊（ＥＳＤ）が生じるという問題もあった。
【０００６】
特許文献１には、外部汚染による製品劣化や、歩留まりの低下を抑えるとともに、設計自由度を確保することの可能なＢＧＡパッケージおよびその製造方法が開示されている。ここでは、基板を金型により打抜き、複数のチップ搭載領域の周辺部にスリットを形成し、スリットを樹脂で封止した後にダイシングを行い、ＢＧＡパッケージを得る技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−３３８５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載したように、チップ搭載領域の周辺部に基板を貫通するスリットを形成してしまうと、スリットを樹脂で封止する際に、樹脂が基板の裏面（半田ボールが形成された面）にまでまわり込んでしまうという問題があった。そのため、取り扱いが面倒であった。
【０００８】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、簡易な方法で品質の安定した半導体装置を提供する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、基板と、基板上に配置された半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、を含み、基板は、素子搭載面に外縁に沿って段差が設けられ、段差が封止樹脂により被覆されたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１０】
ここで、基板は、半導体素子搭載基板とすることができる。また、半導体装置は、ＢＧＡパッケージとすることができる。
【００１１】
なお、段差は、階段状、直線状の傾斜、または曲線状の傾斜等種々の形状とすることができる。
【００１２】
本実施の形態において、基板の外縁には段差が設けられ、段差が封止樹脂に覆われているので、基板の側壁からの吸湿を低減することができ、半導体装置の品質を安定させることができる。
【００１３】
本発明の半導体装置において、基板の側壁には、配線が露出していない構成とすることができる。
【００１４】
本発明によれば、複数の素子形成領域が設けられた基板に、素子形成領域の外縁に沿って溝を形成する工程と、複数の素子形成領域上に、それぞれ、複数の半導体素子を配置する工程と、複数の半導体素子を封止樹脂により封止するとともに溝内に封止樹脂を埋め込む工程と、素子形成領域の外縁に沿って、溝の幅よりも狭い幅で基板を封止樹脂とともに切断して複数の半導体装置を個別化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】
このようにすれば、半導体装置を個別化する際に、切断幅よりも広い幅の溝が形成されているので、切断に用いる金属刃等が基板中の導電性材料と接触することがない。これにより、切断時の半導体素子の静電破壊を防ぐことができ、安定的に半導体装置を製造することができる。なお、半導体素子を配置する前に基板に溝が形成されるので、溝形成時に半導体素子への静電破壊が生じることもない。
【００１６】
また、基板を貫通するスリットではなく、基板に溝が設けられているので、半導体素子を封止樹脂で封止する際に、樹脂が基板の裏面に回り込むこともなく、取り扱いを簡易にすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、簡易な方法で、品質の安定した半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本実施の形態における半導体装置１００の構成を示す断面図である。
半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に配置された１０４と、半導体素子１０４を封止する封止樹脂１０８とを有する。基板１０２は、複数の層が積層された多層配線層とすることができる。基板１０２は、たとえばエポキシ樹脂やＢＴレジン等の絶縁材料により構成することができる。ここで、図示していないが、半導体素子１０４上にはパッドが設けられ、基板１０２上に設けられたボンディングパッド（不図示）とボンディングワイヤ１０６を介して電気的に接続される。本実施の形態において、基板１０２の周辺部には凹部１１０が形成されている。凹部１１０は、基板１０２の他の領域よりも積層方向において厚さが薄く形成される。基板１０２の他の領域の側部１１２は、封止樹脂１０８により覆われる。
【００１９】
本実施の形態において、基板１０２の側部１１２が封止樹脂１０８により覆われているので、基板１０２の切断面からの吸湿を防ぐことができ、半導体装置１００の品質を安定させることができる。
【００２０】
次に、このような半導体装置１００の製造手順を説明する。
図２（ａ）は、基板１０２の構成の一例を示す断面図である。本実施の形態において、基板１０２は、コア２０１の表裏に配線２０３が形成され、配線２０３の表面にエポキシ樹脂等のプリプレグ２０５が形成された構成を有する。さらに、プリプレグ２０５の表面にはメタル層２０７が形成されている。基板１０２の最表面にはソルダレジスト２０９が形成されている。
【００２１】
本実施の形態において、図２（ｂ）に示すように、このように形成された基板１０２のソルダレジスト２０９を残して、凹部１１０を形成する。凹部１１０は、たとえばエッチングや部分的なダイシングにより形成することができる。
【００２２】
図３は、以上のようにして凹部１１０が形成された基板１０２上に複数の半導体素子１０４が配置された状態を示す上面図である。
【００２３】
図４は、図３のＡ−Ａ’断面図である。このように、基板１０２は、底部の一部を残した状態で、ダイシングラインに沿った凹部１１０が形成される。図５は、凹部１１０の状態を示す拡大断面図である。凹部１１０は、基板１０２において、導電性材料がダイシングラインをまたいで形成された層を切断するように形成される。本実施の形態においては、最下層１０２ａ（ソルダレジスト２０９）のみを残して、その他の層を切断して凹部１１０を形成する。
【００２４】
つづいて、図６に示すように、半導体素子１０４を封止樹脂１０８で封止する。このとき、基板１０２の凹部１１０も樹脂で埋め込まれる。封止樹脂１０８は、たとえばトランスファモールド等により形成することができる。この後、基板１０２の裏面に半田ボール（不図示）を形成する。
【００２５】
その後、図７に示すように、ダイシングライン１２０に沿って、基板１０２および封止樹脂１０８を切断する。本実施の形態において、基板１０２に形成される凹部１１０の幅は、基板１０２をダイシングするダイシング刃の幅よりも広く形成される。これにより、基板１０２をダイシングする際に、基板１０２の側部１１２が露出することなく封止樹脂１０８により覆われた構成とすることができる。以上の手順により、図１に示した構成の半導体装置１００が得られる。
【００２６】
本実施の形態において、基板１０２には、ダイシングライン１２０に沿って、ダイシング刃の幅よりも広い凹部１１０が形成されているため、ダイシング時に金属刃が基板１０２中の導電性材料と接触することがない。これにより、ダイシング時に半導体素子１０４の静電破壊（ＥＳＤ）を防ぐことができ、安定的に半導体装置１００を形成することができる。
【００２７】
また、基板１０２を貫通するスリットではなく、基板１０２に凹部１１０を形成するので、封止樹脂１０８を形成する際に、樹脂が基板１０２の裏面に回り込むことなく、取り扱いを簡易にすることができる。
【００２８】
以上のように形成された半導体装置１００は、側部１１２が封止樹脂１０８により覆われているので、基板１０２の切断面からの吸湿を防ぐことができ、品質を安定させることもできる。
【００２９】
以上、本発明を実施の形態および実施例に基づいて説明した。この実施の形態および実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００３０】
以上の実施の形態においては、ダイシングライン１２０に沿って凹部１１０を形成する例を示したが、凹部１１０は、図８に示すように、ダイシングライン１２０に沿って部分的に形成することもできる。この場合も、基板１０２において、ダイシングライン１２０をまたいで導電性材料が形成された領域に凹部１１０が設けられる。また、凹部１１０の幅は、基板１０２をダイシングするダイシング刃の幅よりも広く形成される。これにより、ダイシング時に金属刃がと接触することがなく、また、導電性材料等が封止樹脂１０８により覆われた構成とすることができる。そのため、実施の形態で示したのと同様の効果を得ることができる。
【００３１】
また、以上の実施の形態においては、図５に示したように、凹部１１０が階段状に形成された段差を例として示したが、凹部１１０は、図９（ａ）に示すように、直線状の傾斜を有する略Ｖ字型とすることもでき、また、図９（ｂ）に示すように、曲線状の傾斜を有する略Ｕ字型とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】基板の構成を示す断面図である。
【図３】基板上に複数の半導体素子が配置された状態を示す上面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】溝の状態を示す拡大断面図である。
【図６】半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図７】半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図９】凹部の他の例を示す図である。
【図１０】従来の半導体装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３３】
１００  半導体装置
１０２  基板
１０４  半導体素子
１０６  ボンディングワイヤ
１０８  封止樹脂
１１０  凹部
１１２  側部
１２０  ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005277099.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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