(57)【要約】【課題】複数波長のレーザ光の光強度を簡易に正確に制御し、あるいは簡易に装置の異常箇所が特定できる走査型レ−ザ顕微鏡装置を提供すること。【解決手段】複数のＬＤ３，４から出射された複数のレーザ光Ａ，Ｂを合成し、この合成したレーザ光ＡＢを標本１５に導く光学系を介して標本１５に照射しつつ走査し、照射によって標本１５から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置１００において、合成されたレ−ザ光ＡＢの光強度をモニタする光電検出器１６と、各レーザ光Ａ，Ｂの出射を時分割制御するとともに、光電検出器１６がモニタした光強度をフィードバックして各レーザ光Ａ，Ｂの光強度を制御する制御部１７と、を備える。【選択図】        図１
2005308974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ光源から出射された複数のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して前記標本に照射しつつ走査し、該照射によって前記標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置において、
合成された前記レ−ザ光の光強度をモニタする光強度モニタ手段と、
各レーザ光の出射を時分割制御するとともに、前記光強度モニタ手段がモニタした光強度をフィードバックして各レーザ光の光強度を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項２】
複数のレーザ光源から出射された複数のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して前記標本に照射しつつ走査し、該照射によって前記標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置において、
各レーザ光源の出射口から出力されたレーザ光の光強度に対応する光強度を出力する各レーザ光源の検出口から検出光の光強度をモニタする検出光強度モニタ手段と、
各レーザ光の出射を時分割制御するとともに、前記反射光強度モニタ手段がモニタした光強度をフィードバックして各レーザ光の光強度を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項３】
複数のレーザ光源から出射された複数のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して前記標本に照射しつつ走査し、該照射によって前記標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置において、
合成された前記レ−ザ光の光強度をモニタする光強度モニタ手段と、
各レーザ光源の出射口から出力されたレーザ光の光強度に対応する光強度を出力する各レーザ光源の検出口から検出光の光強度をモニタする検出光強度モニタ手段と、
各レーザ光の出射を時分割制御するとともに、前記光強度モニタ手段あるいは前記検出光強度モニタ手段がモニタした前記レーザ光あるいは前記検出光の光強度をフィードバックして各レーザ光の光強度を制御する制御手段と、
前記レーザ光の基準光強度と前記検出光の基準光強度と前記制御手段が前記光源を制御する制御信号の応答比である基準応答比とを予め記憶する記憶手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記レーザ光の光強度と前記検出光の光強度と制御信号の応答比と、前記記憶手段に記憶された前記レーザ光の基準光強度と前記検出光の基準光強度と前記基準応答比と、をもとに当該走査型レーザ顕微鏡装置の異常箇所の特定を含めた異常の有無を判定することを特徴とする走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項４】
前記制御手段は、合成された前記レーザ光が照射される前記標本上の各照射位置毎に、少なくとも各レーザ光の全てに対する時分割出力を完了させる切替制御を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記検出光の光強度と前記検出光の基準光強度とを比較し、前記検出光の光強度が前記検出光の基準光強度に比して小さい場合、前記レーザ光源が異常であると特定することを特徴とする請求項３または４に記載の走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記検出光の光強度が前記検出光の基準光強度に比して小さくない場合、前記レーザ光の光強度と前記レーザ光の基準光強度とを比較し、前記レーザ光の光強度が前記レーザ光の基準光強度に比して小さい場合、前記レーザ光を前記標本に導く前記光学系あるいは前記光強度検出手段が異常であると特定することを特徴とする請求項５に記載の走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記レーザ光の光強度が前記レーザ光の基準光強度に比して小さくない場合、前記応答比と前記基準応答比とを比較し、前記応答比が前記基準応答比に比して小さい場合、劣化によって前記レーザ光源が異常であると特定することを特徴とする請求項６に記載の走査型レーザ顕微鏡装置。
【請求項８】
前記複数のレーザ光源は、それぞれ高速スイッチングが可能な半導体レーザであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の走査型レーザ顕微鏡装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のレーザ光源から出射された複数波長のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して標本に照射しつつ走査し、照射によって標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、互いに異なる波長の複数のレーザ光を標本に照射しつつ走査し、標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置が多用されている。標本から発する光の光強度は、標本に照射されるレーザ光の光強度に比例するため、標本から発する光の光強度を適正にするためには、標本に照射するレーザ光の光強度を適正にする必要がある。そこで、標本に照射されるレーザ光を、音響光学素子、波長選択フィルタ等を用いて波長分離を行って波長ごとに光強度をモニタし、モニタした光強度をもとに複数のレーザ光に取付けられた音響光学素子を制御する制御方法が提示されている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１７４３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数のレーザ光を波長分離して複数のレーザ光の光強度をモニタし、音響光学素子によってレーザ光の光強度を制御する場合、レーザ光が標本を走査する速度に対して制御速度が追随できず、標本に適正な光強度のレーザ光を照射した画像が得られないという問題点があった。
【０００５】
また、フィードバック制御を行い所望の光強度のレーザ光が出射されない場合、従来の装置では、装置の異常箇所が簡易に特定できないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数波長のレーザ光の光強度を簡易に正確に制御でき、あるいは簡易に装置の異常箇所が特定できる走査型レ−ザ顕微鏡装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、複数のレーザ光源から出射された複数のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して前記標本に照射しつつ走査し、該照射によって前記標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置において、合成された前記レ−ザ光の光強度をモニタする光強度モニタ手段と、各レーザ光の出射を時分割制御するとともに、前記光強度モニタ手段がモニタした光強度をフィードバックして各レーザ光の光強度を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、複数のレーザ光源から出射された複数のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して前記標本に照射しつつ走査し、該照射によって前記標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置において、各レーザ光源の出射口から出力されたレーザ光の光強度に対応する光強度を出力する各レーザ光源の検出口から検出光の光強度をモニタする検出光強度モニタ手段と、各レーザ光の出射を時分割制御するとともに、前記検出光強度モニタ手段がモニタした光強度をフィードバックして各レーザ光の光強度を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、複数のレーザ光源から出射された複数のレーザ光を合成し、この合成したレーザ光を標本に導く光学系を介して前記標本に照射しつつ走査し、該照射によって前記標本から発する光を観察する走査型レーザ顕微鏡装置において、合成された前記レ−ザ光の光強度をモニタする光強度モニタ手段と、各レーザ光源の出射口から出力されたレーザ光の光強度に対応する光強度を出力する各レーザ光源の検出口から検出光の光強度をモニタする検出光強度モニタ手段と、各レーザ光の出射を時分割制御するとともに、前記光強度モニタ手段あるいは前記検出光強度モニタ手段がモニタした前記レーザ光あるいは前記検出光の光強度をフィードバックして各レーザ光の光強度を制御する制御手段と、前記レーザ光の基準光強度と前記反射光の基準光強度と前記制御手段が前記光源を制御する制御信号の応答比である基準応答比とを予め記憶する記憶手段と、を備え、前記制御手段は、前記レーザ光の光強度と前記検出光の光強度と制御信号の応答比と、前記記憶手段に記憶された前記レーザ光の基準光強度と前記検出光の基準光強度と前記基準応答比と、をもとに当該走査型レーザ顕微鏡装置の異常箇所の特定を含めた異常の有無を判定することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項４にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、前記制御手段は、合成された前記レーザ光が照射される前記標本上の各照射位置毎に、少なくとも各レーザ光の全てに対する時分割出力を完了させる切替制御を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記検出光の光強度と前記検出光の基準光強度とを比較し、前記検出光の光強度が前記検出光の基準光強度に比して小さい場合、前記レーザ光源が異常であると特定することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項６にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記検出光の光強度が前記検出光の基準光強度に比して小さくない場合、前記レーザ光の光強度と前記レーザ光の基準光強度とを比較し、前記レーザ光の光強度が前記レーザ光の基準光強度に比して小さい場合、前記レーザ光を前記標本に導く前記光学系あるいは前記光強度検出手段が異常であると特定することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項７にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記レーザ光の光強度が前記レーザ光の基準光強度に比して小さくない場合、前記応答比と前記基準応答比とを比較し、前記応答比が前記基準応答比に比して小さい場合、劣化によって前記レーザ光源が異常であると特定することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項８にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、上記の発明において、前記複数のレーザ光源は、それぞれ高速スイッチングが可能な半導体レーザであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明にかかる走査型レーザ顕微鏡装置は、複数のレーザ光源から出射される複数のレーザ光を時分割して制御することによって、複数波長のレーザ光の光強度を簡易に正確に制御し、あるいは簡易に装置の異常箇所が特定できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる走査型レーザ顕微鏡装置の好適な実施の形態を詳細し説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１である走査型レーザ顕微鏡装置１００の概要構成を示す機能ブロック図である。この走査型レーザ顕微鏡装置１００は、蛍光顕微鏡装置であり、波長の異なる励起光源である半導体レーザ（ＬＤ）３，４を格納するＬＤユニット１，２と、ＬＤ３から出射されたレーザ光Ａを反射するミラー５と、ＬＤ３から出射されたレーザ光ＡとＬＤ４から出射されたレーザ光Ｂを単一光束のレーザ光ＡＢに合成する合成ダイクロイックミラー６と、レーザ光ＡＢを導入する光ファイバ７と、光ファイバ７から出射されたレーザ光ＡＢを入射するスキャナユニット８と、スキャナユニット８によって分離されたレーザ光ＡＢ２を用いてレーザ光Ａ，Ｂの光強度を制御する制御部１７と、スキャナユニット８によって分離されたレーザ光ＡＢ１を標本１５上の焦点に集光させる顕微鏡１４と、標本１５から発した蛍光を、スキャナユニット８を介して画像表示する表示部１８とを有している。
【００１８】
さらに、スキャナユニット８は、光ファイバ７から入射したレーザ光ＡＢをレーザ光ＡＢ１，ＡＢ２に分離するビームスプリッタ９と、ビームスプリッタ９で分離されたレーザ光ＡＢ２を光強度に対応した電気信号Ｓ２に変換する光電検出器１６と、ビームスプリッタ９を透過したレーザ光を反射する励起ダイクロイックミラー１１と、励起ダイクロイックミラー１１で反射されたレーザ光を標本１５上に走査させるガルバノ１０と、標本１５上の励起光の焦点のみから発した蛍光を通過させる共焦点ピンホール１２と、共焦点ピンホール１２を通過した蛍光を光強度に対応した電気信号に変換する光検出器１３とを有している。
【００１９】
図１において、ＬＤ３，４は、時分割された制御信号ＣＡ，ＣＢに同期してそれぞれ励起波長の異なったレーザ光Ａ，Ｂを時分割して出射する。レーザ光Ａとレーザ光Ｂとは同期して時分割されているため、合成ダイクロイックミラー６で合成されても互いに干渉することなく単一光束のレーザ光ＡＢとなる。レーザ光ＡＢは、光ファイバ７を介してスキャナユニット８に入射する。スキャナユニット８に入射したレーザ光ＡＢは、ビームスプリッタ９によって励起ダイクロイックミラー１１へ向かうレーザ光ＡＢ１と光電検出器１６へ向かうレーザ光ＡＢ２とに分離される。
【００２０】
レーザ光ＡＢ１は、標本１５を照射し、標本１５を励起させ、蛍光を発光させる。蛍光は、顕微鏡１４、ガルバノ１０を順次介して励起ダイクロイックミラー１１に入射する。励起ダイクロイックミラー１１は、励起波長の光を反射し、蛍光波長の光を透過する特性を有するため、励起ダイクロイックミラー１１に入射した蛍光は、励起ダイクロイックミラー１１を透過し、共焦点ピンホール１２を介して光電検出器１３に入射する。光電検出器１３は、入射した蛍光の光強度に対応した電気信号に変換し、表示部１８に出力する。表示部１８は入力した電気信号を表示信号し変換し、表示画面に表示する。
【００２１】
一方、レーザ光ＡＢ２は、光電検出器１６でレーザ光ＡＢ２の光強度に対応した電気信号Ｓ２に変換される。電気信号Ｓ２は、制御部１７に出力され、制御部１７は、入力した電気信号Ｓ２を制御信号ＣＡ，ＣＢに同期させて時分割して電気信号ＳＡ，ＳＢに変換し、この電気信号ＳＡ，ＳＢをもとに制御信号ＣＡ，ＣＢを出力する。
【００２２】
図２は、時分割されたレーザ光Ａとレーザ光Ｂとレーザ光ＡＢ２と信号Ｓ２との対応関係を示すタイムチャートである。図２に示すように、ＬＤ３から光強度ＶＡのレーザ光Ａがパルス状に出射され、ＬＤ４から光強度ＶＢのレーザ光Ｂがパルス状に出射される。レーザ光Ａ，Ｂは互いに干渉しないように出射されるため、合成ダイクロイックミラー６で合成されたレーザ光ＡＢは、単純にレーザ光Ａ，Ｂを合成したものとなる。したがって、制御部１７に入力される電気信号Ｓ２は、レーザ光Ａ，Ｂの光強度に対応した電気信号ＳＡ，ＳＢを単純に合成したものと対応する。
【００２３】
つまり、制御信号ＣＡ，ＣＢとレーザ光Ａ，Ｂとは、同期して時分割されているため、レーザ光Ａ，Ｂが合成されて単一光束のレーザ光ＡＢとなり、電気信号Ｓ２に変換されても、電気信号Ｓ２を制御信号ＣＡ，ＣＢに同期して時分割し、電気信号ＳＡ，ＳＢに変換すると、この電気信号ＳＡ，ＳＢは、レーザ光Ａ，Ｂに対応することになる。したがって、制御部１７は、独立にレーザ光Ａ，Ｂの光強度をフィードバック制御することができる。
【００２４】
この実施の形態１では、制御部１７は、レーザ光Ａ，Ｂを時分割して出射することによって、独立にレーザ光Ａ，Ｂをフィードバック制御するようにした。また、半導体レーザをレーザ光源に用いるとレーザ光源に対する高速のスイッチングが可能となり、上述の時分割が高速に行える。この結果、制御部１７は、ＬＤ３，４に対してナノ秒単位でレーザ光Ａ，Ｂの出射制御が可能となり、表示部１８の表示画面の１画素に対応するレーザ光の走査時間が約２マイクロ秒であることから１画素単位でレーザ光の光強度の制御が可能となる。つまり、１画素単位で所望の光強度のレーザ光によって標本１５を照射することが可能になるため、表示部１７に表示される表示画面は、所望の光強度のレーザ光によって走査されたものである。したがって、表示画面の輝度を測定することによって、蛍光の光強度の定量測定が可能となる。
【００２５】
また、ビームスプリッタ９を励起ダイクロイックミラー１１の直前に配置することによって、光学系を経由した後のレーザ光ＡＢ２をモニタすることができるため、制御部１７は、光学系による光学的損失を加味した正確なフィードバック制御を行うことができる。
【００２６】
なお、この実施の形態１では、レーザ光源を２個としたが、観察状況に対応させて３個以上の複数のレーザ光源としてもよいし、逆にレーザ光源を１個とするようにしてもよい。
【００２７】
（実施の形態２）
つぎに、この発明の実施の形態２について説明する。実施の形態１では、ビームスプリッタ９によってレーザ光ＡＢをレーザ光ＡＢ１，ＡＢ２に分離し、レーザ光Ａ，Ｂが合成されたレーザ光ＡＢ２をモニタするようにしていたが、この実施の形態２では、ＬＤ３，４にフォトダイオード（ＰＤ）２１，２２を配置し、ＰＤ２１，２２によってレーザ光Ａ，Ｂに対応した光強度をモニタするようにしている。
【００２８】
図３は、この発明の実施の形態２である走査型レーザ顕微鏡装置２００の概要構成を示す機能ブロック図である。この走査型レーザ顕微鏡装置２００は、蛍光顕微鏡装置であり、図１に示したスキャナユニット８内のビームスプリッタ９と光電検出器１６を削除して、ＬＤ３，４の検出口にそれぞれＰＤ２１，２２に配置し、制御部１７を制御部２３に代えている。ＰＤ２１，２２は、モニタしたレーザ光の光強度に対応した電気信号ＳＡ１，ＳＢ１を制御部２３に出力している。制御部２３は、入力した信号ＳＡ１，ＳＢ１をもとに制御信号ＣＡ，ＣＢを出力してＬＤ３，４を制御している。なお、図１と同一の構成部分には同一の符号を付している。
【００２９】
ＬＤ３，４は、出射口からレーザ光を出射すると、検出口から所定の比でレーザ光が検出される。この所定の比は、個々のＬＤ３，４において一定であるため、ＬＤ３，４の検出口にそれぞれＰＤ２１，２２を取付け、検出されたレーザ光の光強度をモニタすると、ＬＤ３，４の出射口から出射されたレーザ光Ａ，Ｂの光強度を間接的にモニタすることになる。
【００３０】
したがって、ＰＤ２１，２２がモニタした電気信号ＳＡ１，ＳＢ１を制御部２３が入力し、電気信号ＳＡ１，ＳＢ１をもとに制御信号ＣＡ，ＣＢを出力すると、制御部２３は、ＬＤ３，４をフィードバック制御することができる。
【００３１】
この実施の形態２では、制御部２３は、ＬＤ３，４の検出口から検出されたレーザ光をモニタすることによって、標本１５に照射されるレーザ光ＡＢの光強度を減衰させずにフィードバック制御を行うようにしている。
【００３２】
なお、この実施の形態２では、ＬＤ３，４に対してＰＤ２１，２２を個別に配置するようにしていたが、たとえばＬＤチップとモニタ用ＰＤとが一体化されたモジュールを用いるようにしてもよい。
【００３３】
（実施の形態３）
つぎに、この発明の実施の形態３について説明する。実施の形態１，２では、レーザ光源に半導体レーザを用いて２つのレーザ光を時分割して出射させ、一つの光電検出器１６によってフィードバック制御をするようにしていたが、この実施の形態３では、制御部は、光電検出器から入力した信号をもとにＬＤを制御しつつ、予め決められた複数の閾値と制御部が入出力する信号の値とを比較し、装置の異常箇所を特定するようにしている。
【００３４】
図４は、この発明の実施の形態３である走査型レーザ顕微鏡装置３００の構成を示すブロック図である。この走査型レーザ顕微鏡装置３００は、蛍光顕微鏡装置であり、図１に示したＬＤ３，４にそれぞれＰＤ２１，２２を配置し、制御部１７を制御部１９に代え、さらにレーザ顕微鏡装置３００の異常箇所の特定のために予め決められた複数の閾値を記憶する記憶部２０を有している。なお、図１と同一の構成部分には同一の符号を付している。
【００３５】
制御部１９は、光電検出器１６から電気信号Ｓ２を入力し、電気信号Ｓ２を時分割して電気信号ＳＡ，ＳＢに変換し、電気信号ＳＡ，ＳＢをもとにそれぞれ制御信号ＣＡ，ＣＢを出力してＬＤ３，４を制御している。さらに制御部１９は、入力した電気信号ＳＡ，ＳＢ，ＳＡ１，ＳＢ１と、出力した制御信号ＣＡ，ＣＢと、記憶部２０に予め記憶された閾値とを比較し、装置の異常箇所の特定を行う。
【００３６】
ここでは、制御部１９がＬＤ３あるいはＬＤ３から出射したレーザ光が経由する光学系等の異常箇所の特定をどのように行うかについて説明する。例えば、ＬＤ３が不良である場合、制御部１９は、所定の制御信号ＣＡに対してＰＤ２１から所定の電気信号ＳＡ１が入力されない。記憶部２０は、ＬＤ３が正常時の電気信号ＳＡ１に対応する所定の閾値ＳＡ１THを記憶し、制御部１９は、ＰＤ２１から電気信号ＳＡ１を入力すると、記憶部２０から閾値ＳＡ１THを抽出し、電気信号ＳＡ１と閾値ＳＡ１THとを比較し、ＬＤ３が不良であるか否かを判断する。
【００３７】
また、ＬＤ３が正常であり、ＬＤ３から出射されたレ−ザ光が経由する光学系（ミラー５、合成ダイクロイックミラー６、光ファイバ７、ビームスプリッタ９）あるいは、光電検出器１６のいずれかが不良である場合、制御部１９は、所定の制御信号ＣＡに対して光電検出器１６から所定の電気信号ＳＡが入力されない。記憶部２０は、光学系と光電検出器１６とが正常時の電気信号ＳＡに対応する所定の閾値ＳＡTHを記憶し、制御部１９は、光電検出器１６から電気信号ＳＡを入力すると、記憶部２０から閾値ＳＡTHを抽出し、電気信号ＳＡと閾値ＳＡTHとを比較し、光学系、あるいは光電検出器１６が不良であるか否かを判断する。
【００３８】
また、光学系と光電検出器１６とが正常であり、ＬＤ３が劣化している場合、制御部１９は、所定の制御信号ＣＡに対して所定の電気信号ＳＡが入力されない。記憶部２０は、ＬＤ３が正常時の制御信号ＣＡと電気信号ＳＡとの比である所定の閾値（ＳＡ／ＣＡ）THを記憶し、制御部１９は、制御信号ＣＡを出力し、電気信号ＳＡを入力すると、比（ＳＡ／ＣＡ）を演算し、記憶部２０から閾値（ＳＡ／ＣＡ）THを抽出し、比（ＳＡ／ＣＡ）と閾値（ＳＡ／ＣＡ）THとを比較し、ＬＤ３が劣化しているか否かを判断する。
【００３９】
図５は、制御部１９が装置の異常箇所を特定する手順を示すフローチャートである。図５に示すように、制御部１９は、電気信号ＳＡ１を入力すると、記憶部２０から閾値ＳＡ１THを抽出し、電気信号ＳＡと比較する（ステップＳ１０１）。電気信号ＳＡ１が閾値ＳＡ１THに比して小さい場合（ステップＳ１０１，Ｙｅｓ）、ＬＤ３が不良であると判断する（ステップＳ１０２）。電気信号ＳＡ１が閾値ＳＡ１TH以上である場合（ステップＳ１０１，Ｎｏ）、記憶部２０から閾値ＳＡTHを抽出し、電気信号ＳＡと比較する（ステップＳ１０３）。電気信号ＳＡが閾値ＳＡTHに比して小さい場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、光学系、あるいは光電検出器１６が不良であると判断する（ステップＳ１０４）。電気信号ＳＡが閾値ＳＡ１TH以上である場合（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、制御部１９は、記憶部２０から閾値（ＳＡ／ＣＡ）THを抽出し、比（ＳＡ／ＣＡ）と比較する（ステップＳ１０５）。比（ＳＡ／ＣＡ）が閾値（ＳＡ／ＣＡ）THに比して小さい場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、ＬＤ３が劣化していると判断し（ステップＳ１０６）、比（ＳＡ／ＣＡ）が閾値（ＳＡ／ＣＡ）TH以上であれば（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、装置は正常であると判断する（ステップＳ１０７）。
【００４０】
この実施の形態３では、走査型レ−ザ顕微鏡装置３００は、複数の閾値を記憶した記憶部２０を有し、制御部１９は、レーザ光の光強度に変動が発生した場合、フィードバック制御を行いレーザ光の光強度を所望の光強度に制御するとともに、この変動の値によって装置の異常箇所の特定を行うようにしている。
【００４１】
なお、実施の形態３では、ＬＤ３および、ＬＤ３から出射されたレーザ光Ａが経由する光学系等の異常判断の特定について説明したが、ＬＤ４および、ＬＤ４から出射されたレーザ光Ｂが経由する光学系等についても同様の特定が行える。また、この実施の形態３では、制御部１９は、電気信号ＳＡをもとに制御信号ＣＡを出力し、ＬＤ３を制御するようにしていたが、電気信号ＳＡ１をもとにしてＬＤ３を制御するようにしてもよいし、この２つの電気信号ＳＡ，ＳＡ１をもとにＬＤ３を制御するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】この発明の実施の形態１にかかる走査型レーザ顕微鏡装置の機能ブロック図である。
【図２】この発明の実施の形態１にかかる制御信号と電気信号との対応を示す波形図である。
【図３】この発明の実施の形態２にかかる走査型レーザ顕微鏡装置の機能ブロック図である。
【図４】この発明の実施の形態３にかかる走査型レーザ顕微鏡装置の機能ブロック図である。
【図５】この発明の実施の形態３にかかる制御部の判断手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
１，２  ＬＤユニット
３，４  ＬＤ
５    ミラー
６    合成ダイクロイックミラー
７    光ファイバ
８    スキャナユニット
９    ビームスプリッタ
１０  ガルバノ
１１  励起ダイクロイックミラー
１２  共焦点ピンホール
１３，１６  光電検出器
１４  顕微鏡
１５  標本
１７，１９，２３  制御部
１８  表示部
２０  記憶部
２１，２２  ＰＤ
１００，２００，３００  レーザ顕微鏡装置
【図１】
2005308974.tif 000003
【図２】
2005308974.tif 000004
【図３】
2005308974.tif 000005
【図４】
2005308974.tif 000006
【図５】
2005308974.tif 000007