(57)【要約】【課題】  チップ積層タイプの半導体装置において、樹脂封止時のダイパッドシフトを防止し、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させる。【解決手段】  複数の吊りリード４に支持されたダイパッド５に複数の半導体チップ２，３が搭載され、リードフレームを封止金型１２の下金型１３と上金型１４とで挟み、封止金型１２内に封止樹脂１０を注入して樹脂封止された半導体装置であって、吊りリード４には、下金型１３の内壁面１３ａに向けて突出する突出部１７が形成され、突出部１７は、ディプレス加工により形成され、吊りリード４の一部を板厚方向に屈曲して形成され且つ２段に分割された第１段屈曲部と第２段屈曲部とを有し、突出部１７の突端１７ｇが封止樹脂１０の下面に露出している。【選択図】  図５
2005191333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吊りリードに支持されたダイパッドに複数の半導体チップが搭載され、
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出する突出部が形成され、
上記突出部は、吊りリードの一部を板厚方向に屈曲して形成され且つ複数段に分割された屈曲部を有し、
上記突出部の突端が封止樹脂の表面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
突出部に支持部材が取付けられ、
上記突出部の突端が封止樹脂の上下いずれか一方の面に露出し、
上記支持部材の突出部とは反対側の端部が封止樹脂の上下いずれか他方の面に露出していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体チップはダイパッドの上面に積層されて搭載され、
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の半導体チップはダイパッドの上面に積層されて搭載され、
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出し、
上記支持部材の上端部が封止樹脂の上面に露出していることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
金属平板を用いてリードフレームにダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードの一部をディプレス加工して突出部を形成する形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記突出部の突端を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
形成工程において、支持部材を突出部に取付け、
封止工程において、支持部材の上記突出部とは反対側の端部を上金型と下金型とのいずれか他方の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
搭載工程において、複数の半導体チップをダイパッドの上面に積層して搭載し、
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
搭載工程において、複数の半導体チップをダイパッドの上面に積層して搭載し、
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させるとともに支持部材の上端部を上金型の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
封止工程において、突出部の突端が当接する上下いずれかの金型とは反対側の金型に形成された注入口から封止金型内に封止樹脂を注入することを特徴とする請求項５から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
吊りリードに支持されたダイパッドに複数の半導体チップが搭載され、
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、吊りリードとは別部材の支持部材が取付けられ、
上記支持部材は上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出し、
上記支持部材の先端部が封止樹脂の表面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
吊りリードの下面に、下金型の内壁面側に向けて突出する第１の支持部材が取付けられ、
吊りリードの上面に、上金型の内壁面側に向けて突出する第２の支持部材が取付けられ、
上記第１の支持部材の先端部が封止樹脂の下面に露出し、
上記第２の支持部材の先端部が封止樹脂の上面に露出していることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記請求項１０又は請求項１１に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
金属平板を用いてダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードに支持部材を取付ける形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記支持部材の先端部を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
形成工程において、吊りリードの下面に第１の支持部材を取付けるとともに、吊りリードの上面に第２の支持部材を取付け、
封止工程において、第１の支持部材の先端部を下金型の内壁面に当接させるとともに第２の支持部材の先端部を上金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数の半導体チップを１つのパッケージに搭載したチップ積層タイプの半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今や標準化した表面実装型の半導体パッケージの技術は、銅（Ｃｕ）合金または鉄―ニッケル（Ｆｅ―Ｎｉ）系合金のリードフレームのダイパッドに半導体チップがダイボンディングにより搭載され、半導体チップのボンディングパッド（電極パッド）とリードフレームのリード部の先端とが金（Ａｕ）線等の金属細線でワイヤーボンディングされ、所定の形状を持った封止金型にて樹脂封止（樹脂モールド）されてパッケージ体が構成されたものである。
【０００３】
近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置においては、薄型化が進んでいる。そこで、このような薄型の半導体装置では、吊りリードの幅を狭くしたリードフレームが使用されているため、吊りリードの強度の低下による樹脂封止時のダイパッドシフトを考慮した設計を行う必要がある。
【０００４】
以下、従来の表面実装型の半導体装置について図１７〜図２５を参照しながら説明する。
図１７に示すように、従来の半導体装置４０は、リードフレーム４１のダイパッド４２に半導体チップ４３が接着剤４４を介したダイボンディングにより搭載され、半導体チップ４３のボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム４１のインナーリード部４４ａの先端とが金属細線４５でワイヤーボンディングされて電気的接続がなされ、所定の形状を持った封止金型にて封止樹脂４６でモールドされて半導体装置４０を構成している。また、リードフレーム４１のアウターリード部４４ｂはリードフォーミング金型にて所定のリード形状に加工されている。尚、上記ダイパッド４２は複数の吊りリード４７に支持されており、各吊りリード４７には、ダイパッド４２の半導体チップ４３を搭載した面の反対側（下側）へ突出する突出部４８が形成されている。
【０００５】
図１８に示すように、上記突出部４８は、ダイパッド４２に連続する内側の平坦部４７ａから斜め下方に屈曲された内側の屈曲部４８ａと、上記内側の平坦部４７ａに対向する外側の平坦部４７ｂから斜め下方に屈曲された外側の屈曲部４８ｂと、上記両屈曲部４８ａ，４８ｂの下端間に平坦に形成された突端４８ｃとで構成されている。図１７（ｂ）に示すように、上記突端４８ｃの下面は封止樹脂４６の下面から露出している。
【０００６】
尚、図１９（ｂ）に示すように、ダイパッド４２は、リードフレーム４１のインナーリード部４４ａより低く、且つ、突出部４８の突端４８ｃよりも高くなるように位置決めされる。また、図１８（ａ）に示すように突端４８ｃの下面から外側の平坦部４７ｂの下面までの高さＨ１は、図２１（ｂ）に示すように後述する下金型５２の内壁面５２ａからインナーリード部４４ａの下面までの高さＨ２とほぼ一致する。
【０００７】
次に従来の半導体装置４０の製造方法について説明する。
まず、金属薄板をエッチング加工またはプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレーム４１を作成する。図１９に示すように、リードフレーム４１には、半導体チップ４３が搭載されるダイパッド４２と、半導体チップ４３と結線するためのインナーリード部４４ａと、ダイパッド４２を支持する吊りリード４７とが形成されている。
【０００８】
また、図１８に示すように、吊りリード４７の一部にディプレス（ｄｅｐｒｅｓｓ）加工を施すことにより、突出部４８を形成する。尚、上記ディプレス加工により形成される突出部４８の両屈曲部４８ａ，４８ｂは下方へ引き延ばされるため、その分、屈曲部４８ａ，４８ｂの板厚ｔが吊りリード４７の板厚Ｔ（＝リードフレーム４１の板厚）よりも薄くなる。
【０００９】
次に、図２０に示すようにダイパッド４２に半導体チップ４３を搭載し、接着剤４４を用いて接着し、半導体チップ４３のボンディングパッド（図示せず）とインナーリード４４ａとを金属細線４５で結線する。
【００１０】
そして、図２１に示すように、ダイパッド４２上に半導体チップ４３が搭載され、金属細線４５で電気的に接続されたリードフレーム４１を封止金型５１の下金型５２と上金型５３とで密封し、封止樹脂４６を注入ゲート５４より注入方向５５へ注入して樹脂封止する。このとき、吊りリード４７の突出部４８の突端４８ｃが下金型５２の内壁面５２ａに当接している。封止樹脂４６の硬化後に、封止金型５１の下金型５２と上金型５３とを開き、これにより、図１７に示すように半導体装置４０が製造される。
【００１１】
このタイプ半導体装置４０では、図２１（ｂ）に示すように、樹脂封止時に、各突出部４８の突端４８ｃが下金型５２の内壁面５７ａに当接することによって、突出部４８の下端面が固定される。これにより、吊りリード４７に接続されたダイパッド４２を封止金型５１内の一定の高さに固定するとともに、ダイパッド４２の位置精度を安定にしてダイパッドシフト（ダイパッドの上下変動）を防止した状態で樹脂封止することができる。よって、品質の安定した半導体装置４０を製造することができる。
【００１２】
上記のように吊りリード４７に突出部４８を形成した半導体装置４０としては、例えば、下記特許文献１が提案されている。すなわち、ダイパッドに半導体チップが搭載され、上記ダイパッドと一体に一対の吊りリードが形成され、一対の吊りリードには、半導体チップの搭載面の側（上側）に突出する突出部が形成されている。樹脂封止時に、ダイパッドの下面を下金型の内壁面に、突出部の頂部突端を上金型の内壁面にそれぞれ当接させながら樹脂封止する。これにより、封止時のダイパッドの変位が抑えられる。
【特許文献１】特開２００１−１７７０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記従来の半導体装置４０ではダイパッド４２上に半導体チップ４３を単数搭載しているが、複数の半導体チップを搭載したチップ積層タイプの半導体装置として、図２２および図２３に示すものがある。
【００１４】
すなわち、図２２に示すチップ積層タイプの半導体装置６０は、リードフレーム４１のダイパッド４２の表面（上面）に第１の半導体チップ４３ａが接着剤４４によりダイボンディングされ、そのダイパッド４２の裏面（下面）に第２の半導体チップ４３ｂがダイボンディングされ、金属細線４５ａ，４５ｂにより第１，第２の半導体チップ４３ａ，４３ｂと各インナーリード部４４ａとが各々表面（上面）と裏面（下面）で電気的に接続され、封止樹脂４６によりモールドされて２チップを１パッケージとしていた。
【００１５】
また、図２３に示すチップ積層タイプの半導体装置６１は、リードフレーム４１のダイパッド４２の表面（上面）に第１の半導体チップ４３ａの底面が接着剤４４によりダイボンディングされ、その第１の半導体チップ４３ａの表面（上面）に第２の半導体チップ４３ｂがその底面側で熱可塑性シート６２を介してダイボンディングされ、金属細線４５ａ，４５ｂにより第１，第２の半導体チップ４３ａ，４３ｂの各表面（上面）と各インナーリード部４４ａの表面（上面）とが電気的に接続され、封止樹脂４６によりモールドされて２チップを１パッケージとしていた。
【００１６】
上記のような各チップ積層タイプの半導体装置６０，６１ではそれぞれ、複数の半導体チップ４３ａ，４３ｂを搭載しているため、各半導体装置６０，６１の内部の発熱量がより大きくなり、その放熱を考慮した設計を行う必要がある。そこで、例えば、封止樹脂４６を厚くして、各半導体チップ４３ａ，４３ｂからの発熱を封止樹脂４６内に分散させることが考えられる。一般的に、封止樹脂４６の体積が増えると、熱抵抗値が小さくなることが知られているが、これまでの実験によると、封止樹脂４６の厚さが１．４倍になると、熱抵抗値が１０％程度小さくなっている。
【００１７】
しかし、図２２，図２３に示すようなチップ積層タイプの半導体装置６０，６１において、上記のように封止樹脂４６を厚くした場合、各突出部４８の突端４８ｃが封止樹脂４６の内部に埋没して封止樹脂４６の下面（又は上面）から露出しなくなる。したがって、図２４に示すように、各突出部４８の突端４８ｃが下金型５２の内壁面５２ａの上方に位置して内壁面５７ａに当接せず、このため、樹脂封止時にダイパッドシフトが発生するといった問題があった。また、上記特開２００１−１７７０３５号公報に記載された半導体装置についても、同様に、吊りリードに形成された突出部の突端が上金型の内壁面の下方に位置して内壁面に当接せず、このため、樹脂封止時にダイパッドシフトが発生するといった問題があった。
【００１８】
上記のような問題の対策として、図２５（ｂ）に示すように、突出部４８のディプレス量Ｄ（＝落し込み量）を深くして、突出部４８の突端４８ｃを封止樹脂４６の下面に露出させることが考えられる。この場合、樹脂封止時に、上記突出部４８の突端４８ｃが下金型５２の内壁面５７ａに当接するため、ダイパッドシフトを防止することができる。しかしながら、一般に、上記ディプレス量Ｄはリードフレーム４１の板厚Ｔの２倍程度が限界であり、それ以上のディプレス量Ｄを得ようとすると、吊りリード４７よりも薄い板厚ｔの両屈曲部４８ａ，４８ｂが下方に延長されるため、上記両屈曲部４８ａ，４８ｂの長さＬが長くなって強度が不足し、これにより、ディプレス加工の安定性が低下するといった問題が発生する。
【００１９】
本発明は、ダイパッドに複数の半導体チップを搭載した半導体装置において、樹脂封止時のダイパッドシフトの発生を防止し、さらに、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために本第１発明は、吊りリードに支持されたダイパッドに複数の半導体チップが搭載され、
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出する突出部が形成され、
上記突出部は、吊りリードの一部を板厚方向に屈曲して形成され且つ複数段に分割された屈曲部を有し、
上記突出部の突端が封止樹脂の表面に露出しているものである。
【００２１】
これによると、突出部の突端が封止樹脂の表面に露出しているため、樹脂封止時において、突出部の突端は上金型と下金型とのいずれかの内壁面に当接し、吊りリードが封止金型内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。
【００２２】
また、吊りリードを加工して突出部を形成する際、突出部の屈曲部の板厚が吊りリードの板厚より薄くなっても、屈曲部は複数段に短く分割されているため、突出部の強度が十分に保たれ、突出部を加工する際の安定性が向上する。
【００２３】
本第２発明は、突出部に支持部材が取付けられ、
上記突出部の突端が封止樹脂の上下いずれか一方の面に露出し、
上記支持部材の突出部とは反対側の端部が封止樹脂の上下いずれか他方の面に露出しているものである。
【００２４】
これによると、樹脂封止時において、突出部の突端が上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接するとともに、支持部材の端部が上金型と下金型とのいずれか他方の内壁面に当接するため、吊りリードが封止金型内に一層強固に固定され、ダイパッドシフトが確実に防止される。
【００２５】
本第３発明は、複数の半導体チップはダイパッドの上面に積層されて搭載され、
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出しているものである。
【００２６】
これによると、樹脂封止時において、突出部の突端は下金型の内壁面に当接するため、吊りリードが封止金型内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。
本第４発明は、複数の半導体チップはダイパッドの上面に積層されて搭載され、
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出し、
上記支持部材の上端部が封止樹脂の上面に露出しているものである。
【００２７】
これによると、突出部の突端が下金型の内壁面に当接するとともに、支持部材の上端部が上金型の内壁面に当接するため、吊りリードが封止金型内に一層強固に固定され、ダイパッドシフトが確実に防止される。
【００２８】
本第５発明は、上記第１発明〜第４発明のいずれかに記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
金属平板を用いてリードフレームにダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードの一部をディプレス加工して突出部を形成する形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記突出部の突端を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有するものである。
【００２９】
これによると、突出部の強度が十分に保たれ、突出部をディプレス加工する際の安定性が向上する。
本第６発明は、形成工程において、支持部材を突出部に取付け、
封止工程において、支持部材の上記突出部とは反対側の端部を上金型と下金型とのいずれか他方の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止するものである。
【００３０】
本第７発明は、搭載工程において、複数の半導体チップをダイパッドの上面に積層して搭載し、
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入するものである。
【００３１】
本第８発明は、搭載工程において、複数の半導体チップをダイパッドの上面に積層して搭載し、
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させるとともに支持部材の上端部を上金型の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入するものである。
【００３２】
本第９発明は、封止工程において、突出部の突端が当接する上下いずれかの金型とは反対側の金型に形成された注入口から封止金型内に封止樹脂を注入するものである。
これによると、封止工程において、突出部が封止金型内に注入される封止樹脂によって押され、突出部の突端を上下いずれかの金型の内壁面に押圧する力が働き、突出部の突端が上下いずれかの金型の内壁面に確実に当接する。これにより、ダイパッドの位置精度を安定にして、ダイパッドシフトを確実に防止することができる。
【００３３】
本第１０発明は、吊りリードに支持されたダイパッドに複数の半導体チップが搭載され、
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、吊りリードとは別部材の支持部材が取付けられ、
上記支持部材は上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出し、
上記支持部材の先端部が封止樹脂の表面に露出しているものである。
【００３４】
これによると、支持部材の先端部が封止樹脂の表面に露出しているため、樹脂封止時において、支持部材の先端部は上金型と下金型とのいずれかの内壁面に当接し、吊りリードが封止金型内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。
【００３５】
また、吊りリードにディプレス加工を施して突出部が形成されている場合、突出部の突端に上記支持部材を取付けることによって、ディプレス加工時の突出部のディプレス量を浅くすることができる。したがって、突出部の強度が十分に保たれ、突出部をディプレス加工する際の安定性が向上する。
【００３６】
本第１１発明は、吊りリードの下面に、下金型の内壁面側に向けて突出する第１の支持部材が取付けられ、
吊りリードの上面に、上金型の内壁面側に向けて突出する第２の支持部材が取付けられ、
上記第１の支持部材の先端部が封止樹脂の下面に露出し、
上記第２の支持部材の先端部が封止樹脂の上面に露出しているものである。
【００３７】
これによると、第１の支持部材の先端部が封止樹脂の下面に露出し、第２の支持部材の先端部が封止樹脂の上面に露出しているため、樹脂封止時において、第１の支持部材の先端部は下金型の内壁面に当接し、第２の支持部材の先端部は上金型の内壁面に当接する。これにより、吊りリードが封止金型内に一層強固に固定され、ダイパッドシフトが確実に防止される。
【００３８】
また、吊りリードにディプレス加工を施して突出部が形成されている場合、突出部の突端に上記第１および第２の支持部材を取付けることによって、ディプレス加工時の突出部のディプレス量を浅くすることができる。したがって、突出部の強度が十分に保たれ、突出部をディプレス加工する際の安定性が向上する。
【００３９】
本第１２発明は、上記第１０発明又は第１１発明に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
金属平板を用いてダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードに支持部材を取付ける形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記支持部材の先端部を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有するものである。
【００４０】
本第１３発明は、形成工程において、吊りリードの下面に第１の支持部材を取付けるとともに、吊りリードの上面に第２の支持部材を取付け、
封止工程において、第１の支持部材の先端部を下金型の内壁面に当接させるとともに第２の支持部材の先端部を上金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止するものである。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によると、ダイパッドシフトを防止し、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させることができる。これにより、複数の半導体チップを信頼性良く積層してダイパッドに搭載し、半導体装置を高生産汎用性、高信頼性、高密度実装性のもとで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図５を参照しながら説明する。
図１〜図３に示すように、１は２個の半導体チップ２，３を１つのパッケージに搭載したチップ積層タイプの半導体装置である。このうち、第１の半導体チップ２は４本の吊りリード４に支持されたダイパッド５の表面（上面）に接着剤６で接着され、第２の半導体チップ３は熱可塑性シート７により第１の半導体チップ２上に接着されている。また、ダイパッド５の周囲には複数のリード８が配置されており、これら吊りリード４とリード８とダイパッド５とによりリードフレーム９が構成されている。
【００４３】
第１および第２の半導体チップ２，３の各ボンディングパッド（図示せず）は、第１および第２の金属細線１９，２０を介して、リード８のインナーリード部８ａに電気的に接続されている。上記吊りリード４とリード８とダイパッド５と半導体チップ２，３とは封止樹脂１０によって樹脂封止（樹脂モールド）されている。
【００４４】
各吊りリード４には、後述する封止金型１２の下金型１３の内壁面１３ａに向けて下方へ突出する突出部１７がディプレス加工により形成されている。すなわち、図４に示すように、上記各突出部１７は、ダイパッド５に連続する内側の平坦部４ａから斜め下方に屈曲された内側の第１段屈曲部１７ａと、この屈曲部１７ａの下端に形成された内側の中間平坦部１７ｂと、この中間平坦部１７ｂの外端から斜め下方に屈曲された内側の第２段屈曲部１７ｃと、上記内側の平坦部４ａに対向する外側の平坦部４ｂから斜め下方に屈曲された外側の第１段屈曲部１７ｄと、この屈曲部１７ｄの下端に形成された外側の中間平坦部１７ｅと、この中間平坦部１７ｅの内端から斜め下方に屈曲された外側の第２段屈曲部１７ｆと、上記両第２段屈曲部１７ｃ，１７ｆの下端間に平坦に形成された突端１７ｇとで構成されている。
【００４５】
尚、図２に示すように、ダイパッド５は、リード８のインナーリード部８ａよりも低く且つ突出部１７の突端１７ｇよりも高い位置に形成されている。また、図１に示すように、各突出部１７の突端１７ｇは封止樹脂１０の下面に露出している。
【００４６】
次に、上記半導体装置１の製造方法を説明する。
上記製造方法は形成工程と搭載工程と接続工程と封止工程とを有している。
先ず、形成工程において、図２に示すように、金属薄板をエッチング加工またはプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレーム９を作成する。リードフレーム９には、吊りリード４とダイパッド５とリード８とが一体に形成される。吊りリード４の一部に階段状のディプレス加工を施すことにより、突出部１７を形成する。
【００４７】
次に、図３に示すように、搭載工程において、接着剤６を用いて、第１の半導体チップ２をダイパッド５に接着し、熱可塑性シート７を用いて、第２の半導体チップ３を第１の半導体チップ２に接着する。
【００４８】
その後、接続工程において、第１の半導体チップ２のボンディングパッド（図示せず）とリード８のインナーリード部８ａとの間を第１の金属細線１９によって結線し、第２の半導体チップ３のボンディングパッド（図示せず）とリード８のインナーリード部８ａとの間を第２の金属細線２０によって結線する。
【００４９】
次に、図５に示すように、封止工程において、封止金型１２を用いて樹脂封止する。すなわち、封止金型１２は下金型１３と上金型１４とで構成されており、下金型１３の四隅のいずれか一隅には、封止樹脂１０を注入する注入ゲート１５（注入口の一例）が形成されている。上記半導体チップ２，３とリードフレーム９と金属細線１９，２０とを封止金型１２内に収納し、リードフレーム９を下金型１３と上金型１４とで挟み、上記各突出部１７の突端１７ｇの下面を下金型１３の内壁面１３ａに当接させ、この状態で、封止樹脂１０を注入ゲート１５より注入方向２２へ注入して封止金型１２内に充填する。封止樹脂１０が硬化した後、下金型１３と上金型１４とを開くことにより、図１に示すように、樹脂封止された半導体装置１が製造される。この際、各突出部１７の突端１７ｇの下面は封止樹脂１０の下面に露出している。
【００５０】
尚、図５（ｂ）に示すように、封止樹脂１０は、注入ゲート１５を通り、吊りリード４に対して突出部１７と同じ側（すなわち下側）から封止金型１２内に注入される。また、図４に示すように突端１７ｇの下面から外側の平坦部４ｂの上面までの高さをＨ１とし、図５（ｂ）に示すように下金型１３の内壁面１３ａから上金型１４の外縁部の下端までの高さをＨ２とすると、Ｈ１＝Ｈ２となるように寸法設定されている。また、上記高さＨ１は、下金型１３の内壁面１３ａからインナーリード部８ａの上面までの高さとほぼ一致している。
【００５１】
上記のようにして製造される半導体装置１の作用について以下に説明する。
図５に示すように、上記封止工程において、各突出部１７の突端１７ｇの下面が下金型１３の内壁面１３ａに当接するため、各吊りリード４が封止金型１２内に固定され、ダイパッドシフト（ダイパッド５の上下変動）が防止され、これにより、品質の安定した半導体装置１を製造することができる。
【００５２】
また、図４に示すように、各突出部１７はディプレス加工により形成されるため、第１段屈曲部１７ａ，１７ｄと第２段屈曲部１７ｃ，１７ｆとの各板厚ｔが吊りリード４の板厚Ｔ（＝リードフレーム９の板厚）よりも薄くなるが、上記内側の屈曲部１７ａ，１７ｃは内側の中間平坦部１７ｂを挟んで２段に短く分割され、同様に、外側の屈曲部１７ｄ，１７ｆは外側の中間平坦部１７ｅを挟んで２段に短く分割されているため、上記個々の屈曲部１７ａ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｆの長さＬに短く分割され、これにより、突出部１７のディプレス量Ｄが従来のものよりも増長しているにもかかわらず、突出部１７の強度が十分に保たれ、突出部１７をディプレス加工する際の安定性が向上する。
【００５３】
尚、上記第１の実施の形態では、突端１７ｇの下面から外側の平坦部４ｂの上面までの高さＨ１（図４参照）と下金型１３の内壁面１３ａから上金型１４の外縁部の下端までの高さＨ２（図５（ｂ）参照）とを一致させているが、Ｈ２をＨ１よりも僅かに低く（Ｈ１＞Ｈ２）してもよい。この場合、リードフレーム９を下金型１３と上金型１４とで挟んだ際、吊りリード４の外側の平坦部４ｂが上金型１４の外縁部の下端によって下方へ押さえ込まれるため、吊りリード４が封止金型１２内に強固に固定される。
【００５４】
上記第１の実施の形態では、突出部１７を下向きに突出させ、突端１７ｇを下金型１３の内壁面１３ａに当接させることで、突端１７ｇが封止樹脂１０の下面に露出するが、突出部１７を上向きに突出させ、突端１７ｇを上金型１４の内壁面１４ａに当接させることで、突端１７ｇが封止樹脂１０の上面に露出するものであってもよい。
【００５５】
次に、本発明の第２の実施の形態を図６〜図８を参照しながら説明する。
図６，図７に示すように、各突出部１７の突端１７ｇの上面に、丸棒状の支持部材２６が接着剤（図示せず）を介して固定されている。上記支持部材２６の上端部（すなわち突出部１７とは反対側の端部）は封止樹脂１０の上面に露出している。尚、支持部材２６及び上記接着剤の材質は、封止樹脂１０に用いられる熱硬化樹脂がよい。また、支持部材２６の高さＨ３は、突出部１７の突端１７ｇの上面から上金型１４の内壁面１４ａまでの高さとほぼ一致する。
【００５６】
次に、上記半導体装置１の製造方法を説明する。
先ず、形成工程において、リードフレーム９を作成し、図７に示すように、吊りリード４の一部に階段状のディプレス加工を施して突出部１７を形成する。また、接着剤を用いて、各突出部１７に支持部材２６を接着する。
【００５７】
その後、搭載工程と接続工程を行う。
次に、封止工程において、図８に示すように、上記半導体チップ２，３とリードフレーム９と金属細線１９，２０とを封止金型１２内に収納し、リードフレーム９の外端部を下金型１３と上金型１４とで挟み、上記各突出部１７の突端１７ｇの下面を下金型１３の内壁面１３ａに当接させるとともに、各支持部材２６の上端部を上金型１４の内壁面１４ａに当接させ、この状態で、封止樹脂１０を注入ゲート１５より注入方向２２へ注入して封止金型１２内に充填する。封止樹脂１０が硬化した後、下金型１３と上金型１４とを開くことにより、図６に示すように、樹脂封止された半導体装置１が製造される。この際、各突出部１７の突端１７ｇの下面は封止樹脂１０の下面に露出し、各支持部材２６の上端部は封止樹脂１０の上面に露出している。
【００５８】
上記のようにして製造される半導体装置１の作用について以下に説明する。
図８に示すように、上記封止工程において、各突出部１７の突端１７ｇの下面が下金型１３の内壁面１３ａに当接するとともに、各支持部材２６の上端部が上金型１４の内壁面１４ａに当接するため、各吊りリード４が封止金型１２内に一層強固に固定され、ダイパッド５の位置精度が安定してダイパッドシフトが確実に防止される。これにより、品質のより安定した半導体装置１を製造することができる。
【００５９】
上記第２の実施の形態では、突出部１７を下向きに突出させ、突端１７ｇを下金型１３の内壁面１３ａに当接させることで、突端１７ｇが封止樹脂１０の下面に露出し、さらに、上記突端１７ｇの上面に支持部材２６を取付け、支持部材２６の上端部を上金型１４の内壁面１４ａに当接させることで、支持部材２６の上端部が封止樹脂１０の上面に露出するが、突出部１７を上向きに突出させ、突端１７ｇを上金型１４の内壁面１４ａに当接させることで、突端１７ｇが封止樹脂１０の上面に露出し、さらに、上記突端１７ｇの下面に支持部材２６を取付け、支持部材２６の下端部を下金型１３の内壁面１３ａに当接させることで、支持部材２６の下端部が封止樹脂１０の下面に露出するものであってもよい。
【００６０】
上記第１および第２の実施の形態では、突出部１７は、２段に分割された屈曲部すなわち第１段屈曲部１７ａ，１７ｄと第２段屈曲部１７ｃ，１７ｆとを有しているが、３段以上に分割された屈曲部を有するものでもよい。
【００６１】
次に、本発明の第３の実施の形態を図９〜図１２を参照しながら説明する。
図１１に示すように、各吊りリード４には、図１８に示した従来のものと同一の突出部４８がディプレス加工によって形成されている。すなわち、突出部４８は、ダイパッド５に連続する内側の平坦部４ａから斜め下方に屈曲された内側の屈曲部４８ａと、上記内側の平坦部４ａに対向する外側の平坦部４ｂから斜め下方に屈曲された外側の屈曲部４８ｂと、上記両屈曲部４８ａ，４８ｂの下端間に平坦に形成された突端４８ｃとで構成されている。尚、上記突出部４８のディプレス量Ｄも図１８に示した従来のものと同一で浅く、これにより、図１２に示すように、封止工程において、上記突端４８ｃは、下金型１３の内壁面１３ａの上方に位置し、封止樹脂６の内部に埋没する。
【００６２】
図１１に示すように、上記各突出部４８の突端４８ｃの下面には、吊りリード４とは別部材である丸棒状の支持部材３０が接着剤（図示せず）を介して接着されている。尚、支持部材３０及び接着剤の材質は、封止樹脂１０に用いられる熱硬化樹脂がよい。また、各支持部材３０は下金型１３の内壁面１３ａに向けて下方へ突出しており、図９に示すように、各支持部材３０の下端部が封止樹脂１０の下面に露出している。
【００６３】
また、図１１（ａ）に示すように支持部材３０の下端部から外側の平坦部４ｂの上面までの高さＨ１とし、図１２（ｂ）に示すように下金型１３の内壁面１３ａから上金型１４の外縁部の下端までの高さをＨ２とすると、Ｈ１＝Ｈ２となるように寸法設定されている。また、支持部材３０の高さは下金型１３の内壁面１３ａから突出部４８の突端４８ｃの下面までの高さとほぼ一致している。
【００６４】
次に、上記半導体装置１の製造方法を説明する。
先ず、図１０に示すように、形成工程において、リードフレーム９を作成し、吊りリード４の一部にディプレス加工を施して突出部４８を形成する。また、接着剤を用いて、各突出部４８に支持部材３０を接着する。
【００６５】
その後、搭載工程と接続工程を行う。
次に、封止工程において、図１２に示すように、上記半導体チップ２，３とリードフレーム９と金属細線１９，２０とを封止金型１２内に収納し、リードフレーム９を下金型１３と上金型１４とで挟み、各支持部材３０の下端部を下金型１３の内壁面１３ａに当接させ、この状態で、封止樹脂１０を注入ゲート１５より注入方向２２へ注入して封止金型１２内に充填する。封止樹脂１０が硬化した後、下金型１３と上金型１４とを開くことにより、図９に示すように、樹脂封止された半導体装置１が製造される。この際、各支持部材３０の下端部は封止樹脂１０の下面に露出している。
【００６６】
上記のようにして製造される半導体装置１の作用について以下に説明する。
図１２に示すように、上記封止工程において、各支持部材３０の下端部が下金型１３の内壁面１３ａに当接するため、各吊りリード４が封止金型１２内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。
【００６７】
また、図１１に示すように、突出部４８の突端４８ｃに支持部材３０を接着することにより、突出部４８のディプレス量Ｄを従来と同様に浅くすることができる。したがって、両屈曲部４８ａ，４８ｂの長さＬが従来と同様に短くなり、これにより、突出部４８の強度が十分に保たれ、突出部４８をディプレス加工する際の安定性が向上する。
【００６８】
上記第３の実施の形態では、突出部４８を下金型１３の内壁面１３ａに向けて下方へ突出させ、支持部材３０の下端部を下金型１３の内壁面１３ａに当接させることで、支持部材３０の下端部が封止樹脂１０の下面に露出するが、突出部４８を上金型１４の内壁面１４ａに向けて上方へ突出させ、支持部材３０を突出部４８の突端４８ｃの上面に接着し、支持部材３０の上端部を上金型１４の内壁面１４ａに当接させることで、支持部材３０の上端部が封止樹脂１０の上面に露出するものであってもよい。
【００６９】
次に、本発明の第４の実施の形態を図１３〜図１５を参照しながら説明する。
図１４に示すように、各吊りリード４には、図１８に示した従来のものと同一の突出部４８がディプレス加工によって形成されている。すなわち、突出部４８は屈曲部４８ａ，４８ｂと突端４８ｃとで構成されている。尚、上記突出部４８のディプレス量Ｄも図１８に示した従来のものと同一で浅く、これにより、図１５に示すように、封止工程において、上記突端４８ｃは、下金型１３の内壁面１３ａの上方に位置し、封止樹脂６の内部に埋没する。
【００７０】
各突出部４８の突端４８ｃの下面には、吊りリード４とは別部材である丸棒状の第１の支持部材３１が接着剤（図示せず）を介して接着されている。上記各第１の支持部材３１は下金型１３の内壁面１３ａに向けて下方へ突出しており、図１３に示すように、各第１の支持部材３１の下端部が封止樹脂１０の下面に露出している。また、各突出部４８の突端４８ｃの上面には、吊りリード４とは別部材である丸棒状の第２の支持部材３２が接着剤（図示せず）を介して接着されている。上記各第２の支持部材３２は上金型１４の内壁面１４ａに向けて上方へ突出しており、図１３に示すように、各第２の支持部材３２の上端部が封止樹脂１０の上面に露出している。尚、第１および第２の支持部材３１，３２及び接着剤の材質は、封止樹脂１０に用いられる熱硬化樹脂がよい。
【００７１】
また、図１４（ａ）に示した第１の支持部材３１の下端部から第２の支持部材３２の上端部までの高さＨ１は、図１５に示した下金型１３の内壁面１３ａから上金型１４の内壁面１４ａまでの高さＨ２とほぼ一致するように寸法設定されている。
【００７２】
次に、上記半導体装置１の製造方法を説明する。
先ず、形成工程において、リードフレーム９を作成し、図１４に示すように、吊りリード４の一部にディプレス加工を施して突出部４８を形成する。また、接着剤を用いて、各突出部４８に第１の支持部材３１と第２の支持部材３２とを接着する。
【００７３】
その後、搭載工程と接続工程を行う。
次に、封止工程において、図１５に示すように、上記半導体チップ２，３とリードフレーム９と金属細線１９，２０とを封止金型１２内に収納し、リードフレーム９を下金型１３と上金型１４とで挟み、各第１の支持部材３１の下端部を下金型１３の内壁面１３ａに当接させるとともに、各第２の支持部材３２の上端部を上金型１４の内壁面１４ａに当接させ、この状態で、封止樹脂１０を注入ゲート１５より注入方向２２へ注入して封止金型１２内に充填する。封止樹脂１０が硬化した後、下金型１３と上金型１４とを開くことにより、図１３に示すように、樹脂封止された半導体装置１が製造される。この際、各第１の支持部材３１の下端部が封止樹脂１０の下面に露出し、各第２の支持部材３２の上端部が封止樹脂１０の上面に露出している。
【００７４】
上記のようにして製造される半導体装置１の作用について以下に説明する。
図１５に示すように、上記封止工程において、第１の支持部材３１の下端部が下金型１３の内壁面１３ａに当接するとともに、第２の支持部材３２の上端部が上金型１４の内壁面１４ａに当接するため、各吊りリード４が封止金型１２内に一層強固に固定され、ダイパッド５の位置精度が安定してダイパッドシフトが確実に防止される。これにより、品質のより安定した半導体装置１を製造することができる。
【００７５】
また、図１４に示すように、突出部４８の突端４８ｃに第１およびの第２の支持部材３１，３２を接着することにより、突出部４８のディプレス量Ｄを従来と同様に浅くすることができる。したがって、屈曲部４８ａ，４８ｂの長さＬが従来と同様に短くなり、これにより、突出部４８の強度が十分に保たれ、突出部４８をディプレス加工する際の安定性が向上する。
【００７６】
次に、本発明の第５の実施の形態を図１６を参照しながら説明する。
封止金型１２の注入ゲート１５（注入口の一例）は、突出部１７の突端１７ｇが当接する下金型１３とは反対側である上金型１４の四隅のいずれか一隅に形成されている。
【００７７】
これによると、半導体装置１の製造時、封止工程において、封止金型１２を用いて樹脂封止する際、リードフレーム９を下金型１３と上金型１４とで挟み、封止樹脂１０を注入ゲート１５より注入方向２２へ注入して封止金型１２内に充填する。この時、図１６（ｂ）に示すように、封止樹脂１０は吊りリード４に対して上方（すなわち突出部１７とは反対側の方向）から封止金型１２内に注入されるため、突出部１７が上記封止樹脂１０によって下向きに押され、突出部１７の突端１７ｇを下金型１３の内壁面１３ａに押圧する力が働く。これにより、突出部１７の突端１７ｇが確実に下金型１３の内壁面１３ａに当接し、ダイパッド５の位置精度が安定して、ダイパッドシフトを確実に防止することができる。
【００７８】
上記第１〜第５の各実施の形態では、ダイパッド５の表面（上面）に両半導体チップ２，３を搭載しているが、ダイパッド５の裏面（下面）に両半導体チップ２，３を搭載してもよい。また、両半導体チップ２，３のいずれか一方をダイパッド５の表面（上面）に搭載し、他方をダイパッド５の裏面（下面）に搭載してもよい。また、２個の半導体チップ２，３に限定されることはなく、３個以上の半導体チップを搭載してもよい。
【００７９】
上記第１〜第５の各実施の形態では、ダイパッド５を４本の吊りリード４で支持しているが、４本に限定されるものではなく、４本以外の複数本の吊りリード４で支持してもよい。
【００８０】
尚、本発明の半導体装置１およびその製造方法においては、上記第１〜第５の実施の形態を単独で実施してもよく、或いは、これら実施の形態の複数を適宜組合せて実施してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
ダイパッドシフトを防止し、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させることができる半導体装置又は電子部品にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の断面図である。
【図２】同、半導体装置のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図３】同、半導体装置の製造方法における形成工程から搭載工程を経て接続工程までを施した際の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図４】同、半導体装置の突出部の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
【図５】同、半導体装置の製造方法における封止工程の図であり、（ａ）は封止金型内に収納された半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における半導体装置の断面図である。
【図７】同、半導体装置の突出部の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
【図８】同、半導体装置の製造方法の封止工程において、封止金型内に収納された半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態における半導体装置の断面図である。
【図１０】同、半導体装置のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１１】同、半導体装置の突出部の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
【図１２】同、半導体装置の製造方法における封止工程の図であり、（ａ）は封止金型内に収納された半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態における半導体装置の断面図である。
【図１４】同、半導体装置の突出部の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
【図１５】同、半導体装置の製造方法の封止工程において、封止金型内に収納された半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第５の実施の形態における半導体装置の製造方法における封止工程の図であり、（ａ）は封止金型内に収納された半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１７】従来の半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１８】同、半導体装置の突出部の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。
【図１９】同、半導体装置のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図２０】同、半導体装置の製造方法における形成工程から搭載工程を経て接続工程までを施した際の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図２１】同、半導体装置の製造方法における封止工程の図であり、（ａ）は封止金型内に収納された半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図２２】従来の半導体装置において、ダイパッドの表裏両面にそれぞれ半導体チップを搭載したチップ積層タイプの半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図２３】従来の半導体装置において、ダイパッドの表面のみに複数の半導体チップを搭載したチップ積層タイプの半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図２４】従来の半導体装置の製造方法における封止工程の断面図であり、ダイパッドシフトが発生した状態を示す。
【図２５】従来の半導体装置の突出部の図であり、（ａ）は突出部の突端が封止樹脂内に埋没した状態、（ｂ）はディプレス量を拡大して、突出部の突端が封止樹脂の下面に露出した状態を示す。
【符号の説明】
【００８３】
１    半導体装置
２，３    半導体チップ
４    吊りリード
５    ダイパッド
９    リードフレーム
１０    封止樹脂
１２    封止金型
１３    下金型
１３ａ    内壁面
１４    上金型
１４ａ    内壁面
１５    注入ゲート（注入口）
１７    突出部
１７ａ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｆ    屈曲部
１７ｇ    突端
１９，２０    金属細線
２６    支持部材
３０    支持部材
３１    第１の支持部材
３２    第２の支持部材
４８    突出部
【図１】
2005191333.tif 000003
【図２】
2005191333.tif 000004
【図３】
2005191333.tif 000005
【図４】
2005191333.tif 000006
【図５】
2005191333.tif 000007
【図６】
2005191333.tif 000008
【図７】
2005191333.tif 000009
【図８】
2005191333.tif 000010
【図９】
2005191333.tif 000011
【図１０】
2005191333.tif 000012
【図１１】
2005191333.tif 000013
【図１２】
2005191333.tif 000014
【図１３】
2005191333.tif 000015
【図１４】
2005191333.tif 000016
【図１５】
2005191333.tif 000017
【図１６】
2005191333.tif 000018
【図１７】
2005191333.tif 000019
【図１８】
2005191333.tif 000020
【図１９】
2005191333.tif 000021
【図２０】
2005191333.tif 000022
【図２１】
2005191333.tif 000023
【図２２】
2005191333.tif 000024
【図２３】
2005191333.tif 000025
【図２４】
2005191333.tif 000026
【図２５】
2005191333.tif 000027