(57)【要約】【課題】犠牲膜をドライエッチングして、 ＭＥＭＳデバイスの構成体を形成するエッチング技術を提供する。【解決手段】シリコン基板上に犠牲膜を形成する段階、前記犠牲膜をパターニングする段階、前記パターニングされた犠牲膜上にＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜を積層する段階、前記ＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜をパターニングする段階を経て構成されたＭＥＭＳ基材Ｗを、エッチング処理室１内において常温〜３００℃の範囲内の所定の温度に保持するとともに、１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持した状態で、ＨＦベーパに曝すことにより、前記犠牲膜をドライエッチングする。これにより、コンデンシングの起こらない条件下でエッチングでき、ウエットエッチング方式で生じるようなスティッキング現象を起こすことなく、犠牲膜をエッチングできる。【選択図】 図１
2005205511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスを形成する際の犠牲膜をエッチングする方法であって、
犠牲膜が形成されたＭＥＭＳ基材を、常温〜３００℃の範囲内の所定の温度下でかつ１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持した状態でＨＦベーパに曝すことにより、前記犠牲膜をドライエッチングする
ことを特徴とする犠牲膜のエッチング方法。
【請求項２】
前記犠牲膜がＳｉＯ２からなる酸化膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の犠牲膜のエッチング方法。
【請求項３】
前記ＨＦベーパの補助剤として純水ベーパを加える
ことを特徴とする請求項１または２に記載の犠牲膜のエッチング方法。
【請求項４】
前記ＨＦベーパの補助剤としてＩＰＡベーパを加える
ことを特徴とする請求項１または２に記載の犠牲膜のエッチング方法。
【請求項５】
前記ドライエッチングされたＭＥＭＳ基材を、４００℃以下の所定温度で再加熱する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載の犠牲膜のエッチング方法。
【請求項６】
前記ＭＥＭＳ基材が、シリコン基板上に犠牲膜を形成する段階、前記犠牲膜をパターニングする段階、前記パターニングされた犠牲膜上にＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜を積層する段階、前記ＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜をパターニングする段階を経て構成された
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一つに記載の犠牲膜のエッチング方法。
【請求項７】
ＭＥＭＳデバイスを形成する際の犠牲膜をエッチングする装置であって、
犠牲膜が形成されたＭＥＭＳ基材を気密状態で収容可能なエッチング処理室と、
このエッチング処理室内に設けられて、前記ＭＥＭＳ基材を載置して加熱する加熱テーブルと、
前記エッチング処理室内を減圧状態にする減圧手段と、
前記ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜に向けてエッチングガスを噴射供給するエッチングガス供給手段とを備えてなり、
前記減圧手段により、前記エッチング処理室内が１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持されるとともに、前記加熱テーブルにより、前記ＭＥＭＳ基材が常温〜３００℃の範囲内の所定の温度下に保持される構成とされている
ことを特徴とする犠牲膜のエッチング装置。
【請求項８】
前記エッチング処理室は、低温下で前記ＭＥＭＳ基材の犠牲膜をドライエッチング処理する低温処理室と、高温下で前記ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をドライエッチング処理する高温処理室と、高温下で前記ＭＥＭＳ基材を再加熱する高温再加熱室とを備えてなるマルチタイプとされている
ことを特徴とする請求項７に記載の犠牲膜のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は犠牲膜のエッチング方法およびその装置に関し、さらに詳細には、特に半導体集積回路の製造技術を応用してＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスを形成する際にＭＥＭＳ基材上に犠牲膜として介在する酸化膜をドライエッチングするのに最適なエッチング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造技術いわゆる半導体製造技術を利用して、自動車用エアバッグに使う加速度センサー、姿勢制御用ジャイロセンサー、インクジェットプリンターのプリントヘッド部などのＭＥＭＳデバイスが実用化されている。
【０００３】
ＭＥＭＳデバイスの一般的な概略構成が図３に示されている。このＭＥＭＳデバイスは、具体的には、単結晶シリコン基板等からなるシリコン基板１０と、このシリコン基板１０上に固定されたアンカー３０ａ，３０ａと、これらアンカー３０ａ，３０ａから水平方向に張り出したクロスビーム３０ｂ，３０ｂとを備えてなる極小のデバイスで、上記クロスビーム３０ｂ、３０ｂが図示しない電極に加えられる電気駆動力によって上下方向に揺動する構成とされている。
【０００４】
これらＭＥＭＳデバイスの製造にあたっては、半導体製造技術である薄膜形成技術やリソグラフィ技術が駆使されており、その一般的な製造方法が図４に示されている（特許文献１等参照）。
【０００５】
（１）シリコン基板１０上の表面全体に、犠牲膜としてＳｉＯ２からなる酸化膜２０を成膜する（図４（ａ））。
【０００６】
（２）この酸化膜２０をパターニングして、開口部２０ａ等を形成する（図４（ｂ））。
【０００７】
（３）このパターニングされた酸化膜２０上の全面にポリシリコン膜３０を成膜する。これにより、ポリシリコン膜３０ａが酸化膜２０の開口部２０ａを通じてシリコン基板１０に堆積し、これがＭＥＭＳデバイスのアンカー部となる（図４（ｃ））。
【０００８】
（４）上記ポリシリコン膜３０をパターニングして、クロスビーム３０ｂ，３０ｂ等を形成する（図４（ｄ））。
【０００９】
（５）犠牲膜である酸化膜２０をエッチング液によってエッチングする。これにより、上記シリコン基板１０上に、アンカー３０ａ，３０ａと、これらアンカー３０ａ，３０ａの上部から水平方向へ延びるクロスビーム３０ｂ，３０ｂが形成される（図４（ｅ））。
【００１０】
ところで、ＭＥＭＳデバイスにおける細部寸法、例えば、上記シリコン基板１０とクロスビーム３０ａ，３０ａとの間隔寸法Ｂは１０ｎｍ〜５０ｎｍほどの極小寸法で極めて狭いことから、上記（５）のエッチング工程において、上記極小隙間による表面張力の影響で、エッチング液がＭＥＭＳデバイスの細部まで行き渡ることができず、酸化膜（犠牲膜）にエッチングむらが生じる。
【００１１】
この点に関して、上記のようにエッチング液を用いるウェットエッチングの代わりに、エッチングガスを用いたドライエッチングも採用されつつあるが、この方法においても、エッチングガスのコンデンシングによって水が発生し、この水の毛細管現象と表面張力によって、図４に示すようにクロスビーム３０ａ，３０ａがスティッキングを起こしてしまうという不具合があった。
【００１２】
すなわち、図５を参照して、シリコン基板１０とクロスビーム３０ａ，３０ａとの間の極小隙間に水４０が存在すると、この水４０は、毛細管現象によって矢印で示すように極小隙間の水平方向へ浸入するとともに、その時に発生する表面張力により、上記クロスビーム３０ａ，３０ａが、破線で示すように、シリコン基板１０の表面方向へ折り曲げられて、最悪の場合はシリコン基板１０の表面に接触してしまう。
【００１３】
また、ＭＥＭＳ基材として、上記シリコン基板１０の上面にさらにＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）が成膜された基板が用いられる場合があるが、このような基板をドライエッチングすると、上記ＳｉＮ膜がエッチングガスと反応してエッチング反応物が生成されて、これが残渣物として基板上に残り、絶縁不良等の悪影響を及ぼす。
【特許文献１】特開２００３−１９１１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、その主たる目的は、微細加工に適したドライエッチング技術を採用するとともに、スティッキングを起こすことなくＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をエッチングすることができるエッチング技術を提供することにある。
【００１５】
また、本発明のさらなる目的は、ドライエッチングを施すに際して、エッチング反応物としての残渣物を残すことなく、ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をエッチングすることができるエッチング技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の犠牲膜のエッチング方法は、犠牲膜が形成されたＭＥＭＳ基材を、常温〜３００℃の範囲内の所定の温度下でかつ１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持した状態でＨＦベーパに曝すことにより、上記犠牲膜をドライエッチングすることを特徴とする。
【００１７】
すなわち、本発明者は、種々の試験研究を行った結果、ＭＥＭＳデバイスの寸法条件に対応して、エッチング処理の環境条件、特に温度と圧力を上記条件下で適宜制御することにより、上述した従来の欠点を除去することに成功したのである。
【００１８】
好適な実施態様として、上記犠牲膜としてＳｉＯ２からなる酸化膜を用いる。また、上記ＨＦベーパの補助剤として純水ベーパまたはＩＰＡベーパを加える。さらに好適には、上記ドライエッチングされたＭＥＭＳ基材を、４００℃以下の所定温度で再加熱する。
【００１９】
また、上記ＭＥＭＳ基材として、シリコン基板上に犠牲膜を形成する段階、前記犠牲膜をパターニングする段階、前記パターニングされた犠牲膜上にＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜を積層する段階、前記ＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜をパターニングする段階を経て構成された基材が好適に用いられる。
【００２０】
さらに、本発明の犠牲膜のエッチング装置は、上記エッチング方法を実施するための装置であって、犠牲膜が形成されたＭＥＭＳ基材を気密状態で収容可能なエッチング処理室と、このエッチング処理室内に設けられて、上記ＭＥＭＳ基材を載置して加熱する加熱テーブルと、上記エッチング処理室内を減圧状態にする減圧手段と、上記ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜に向けてエッチングガスを噴射供給するエッチングガス供給手段とを備えてなり、上記減圧手段により、上記エッチング処理室内が１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持されるとともに、上記加熱テーブルにより、上記ＭＥＭＳ基材が常温〜３００℃の範囲内の所定の温度下に保持される構成とされていることを特徴とする。
【００２１】
上記エッチング処理室は、一室のみに設定されるほか、低温下で上記ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をドライエッチング処理する低温処理室と、高温下で前記ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をドライエッチング処理する高温処理室と、高温下で前記ＭＥＭＳ基材を再加熱する高温再加熱室とを備えてなるマルチタイプとされても良い。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、犠牲膜をドライエッチングする際、犠牲膜が形成されたＭＥＭＳ基材を、常温〜３００℃の範囲内の所定の温度で、かつ１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に維持した状態で、ＨＦベーパに曝すことにより、コンデンシングを有効に防止して、スティッキングを発生することなく、犠牲膜を確実に除去することができる。
【００２３】
また、ドライエッチングされたＭＥＭＳ基材を４００℃以下の所定の温度で再加熱することにより、エッチング反応により生成された残渣物を確実に昇華除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
実施形態１
本発明に係るエッチング装置を図１に示し、このエッチング装置は、ＭＥＭＳ基材Ｗ上の犠牲膜をドライエッチングするためのもので、エッチング処理室１、加熱テーブル２、減圧装置（減圧手段）３およびエッチングガス供給装置（エッチングガス供給手段）４を主要部として備えてなる。
【００２６】
エッチング処理室１は、犠牲膜が形成されたＭＥＭＳ基材Ｗを気密状態で収容可能な構造を備え、ＭＥＭＳ基材Ｗを所定の減圧下でかつ所定の温度下でドライエッチングする処理室である。エッチング処理室１には、完全密封式のゲート１ａが設けられており、ＭＥＭＳ基材Ｗは、図示しない搬送ロボットにより、このゲート１ａを通じてエッチング処理室１内に対し搬入・搬出される。また、エッチング処理室１は、その外周全体がヒーティングジャケット等の加熱手段１ｂにより加熱されて一定温度に維持される構成とされている。
【００２７】
加熱テーブル２は、エッチング処理室１内に設けられて、上記搬送ロボットにより搬入されるＭＥＭＳ基材Ｗを載置して加熱するものである。この加熱テーブル２は、ＭＥＭＳ基材Ｗを常温〜３００℃の任意の設定温度に加熱維持するため、その下部に図示しない加熱手段が備えられている。この加熱手段は、具体的には加熱温度に応じて、ウオータージャケットやシーズヒータや加熱ランプ等が好適に用いられる。
【００２８】
減圧装置３は、上記エッチング処理室１内を減圧状態にするもので、エッチング処理室１内に排気管３ａの一端が連通接続されるとともに、この排気管３ａの他端に真空ポンプ等の減圧ポンプ３ｂが接続されている。この減圧装置３の減圧ポンプ３ｂにより、エッチング処理室１内の気体が排気されて所定の圧力まで減圧される（本実施形態においては１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の減圧）。
【００２９】
また、排気管３ｂは、その外周がテープヒータ等の加熱手段３ｃにより加熱されて一定温度に維持され、これにより、エッチング処理室１の温度降下が有効に防止されて、エッチング処理室１の温度制御が容易かつ確実にされている。
【００３０】
エッチングガス供給装置４は、加熱テーブル２上のＭＥＭＳ基材Ｗ上の犠牲膜に向けてエッチングガスを噴射供給するもので、エッチング処理室１内の上部位置に、噴射ノズル４ａが加熱テーブル２上のＭＥＭＳ基材Ｗ表面に対向して配置されるとともに、この噴射ノズル４ａが配管４ｂを介してガス供給源であるガスボックス４ｃに連通されている。
【００３１】
ガスボックス４ｃは、図示しない複数のガスボンベから送られてくるＨＦガス、ＩＰＡガスおよびＮ２ガス、ならびに図示しない純水ベーパ生成装置から送られてくる純水ベーパを高温（本実施形態においては１００℃）に保つとともに、図示しない切換弁やマスフローコントローラ等を備えて、これらのガスを単品でまたは適宜混合してエッチング処理室１に供給する。
【００３２】
そして、噴射ノズル４ａは、ガスボックス４ｃから吸気管４ｂを通って送られてくるエッチングガス、つまり、ＨＦベーパ、あるいはＨＦベーパにＩＰＡベーパや純水ベーパを混合したガスを、加熱テーブル２上のＭＥＭＳ基材Ｗ表面に噴射供給する。
【００３３】
なお、ガスボックス４ｃは、高温（１００℃）に保つために、その外周全体をヒーティングジャケット等の加熱手段４ｄで覆われており、また、ガスボックス４ｃ内の各ガスラインとエッチング処理室１を連通する吸気管４ｂもテープヒータ等の加熱手段４ｅにより高温（１００℃）に保たれる。これにより、ガスボックス４ｃから噴射ノズル４ａに供給されるエッチングガスは常に気相状態に保たれる。
【００３４】
しかして、上記のように構成されたエッチング装置を用いたＭＥＭＳ基材Ｗの犠牲膜のエッチング方法は、下記の工程を経て行われることとなる。
【００３５】
Ａ．ＭＥＭＳ基材の準備：
ＭＥＭＳ基材Ｗの準備にあたっては、以下のように、従来と同様な製造工程がとられる（図４参照）。
【００３６】
（１）犠牲膜を形成する段階：
シリコン基板１０上の表面全体に、犠牲膜としてＳｉＯ２からなる酸化膜２０を成膜する（図４（ａ））。
【００３７】
（２）犠牲膜をパターニングする段階：
上記酸化膜２０をパターニングして、開口部２０ａ等を形成する（図４（ｂ））。
【００３８】
（３）パターニングされた犠牲膜上にＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜を積層する段階：
パターニングされた上記酸化膜２０上の全面にポリシリコン膜３０を成膜する。これにより、ポリシリコン膜３０ａが酸化膜２０の開口部２０ａを通じてシリコン基板１０に堆積し、これがＭＥＭＳデバイスのアンカー部となる（図４（ｃ））。
【００３９】
（４）ＭＥＭＳデバイスの構成体となる膜をパターニングする段階：
上記ポリシリコン膜３０をパターニングして、クロスビーム３０ｂ，３０ｂ等を形成して、ＭＥＭＳ基材Ｗとする（図４（ｄ））。
【００４０】
このようにして準備されたＭＥＭＳ基材Ｗは、図示のごとく、ベースである単結晶シリコン基板１０と、ポリシリコン膜からなるアンカー３０ａ，３０ａと、同じくポリシリコン膜からなるクロスビーム３０ｂ，３０ｂと、ＳｉＯ２からなる酸化膜（犠牲膜）２０とからなり、その主要部の寸法は、例えば、Ａ寸法が３，０００ｎｍ、Ｂ寸法が１５ｎｍ、Ｃ寸法が１００ｎｍに設定されてなる。
【００４１】
Ｂ．ＭＥＭＳ基材上の犠牲膜のエッチング：
ＭＥＭＳ基材Ｗ上の犠牲膜２０のエッチングは、犠牲膜２０を、常温〜３００℃の範囲内の所定の温度下でかつ１Ｋｐａ〜１５Ｋｐａの範囲内の所定の減圧下に保持した状態でＨＦベーパに曝すことにより、犠牲膜２０にドライエッチングを施すもので、具体的には、図１に示されるエッチング装置を用いて、以下の工程により行われる。
【００４２】
（１）エッチング処理室１の温度設定：
エッチング処理室１がヒーティングジャケット等の加熱手段１ｂにより、ガスボックス４ｃがヒーティングジャケット等の加熱手段７Ｂにより、また配管４ｂがテープヒータ等の加熱手段４ｅにより、それぞれ加熱されて約１００℃に維持されるとともに、排気管３ａがテープヒータ等の加熱手段３ｃにより加熱されて約５０℃に維持される。
【００４３】
また、エッチング処理室１内においては、加熱テーブル２が加熱されて例えば、約１５０℃に維持される。
【００４４】
（２）ＭＥＭＳ基材Ｗのローディング：
エッチング処理室１のゲート５が開かれ、図示しない搬送ロボットで、上記のように準備されたＭＥＭＳ基材Ｗが加熱テーブル２上に着座（ローディング）させられる。着座後は、上記搬送ロボットがエッチング処理室１から離間されるとともに、ゲート５が閉じられてエッチング処理室１が密封されて気密状態に置かれる。
【００４５】
加熱テーブル２上に着座されたＭＥＭＳ基材Ｗは、加熱テーブル２と同じ約150℃まで加熱されてこの温度下に保持される。
【００４６】
（３）エッチング処理室１の圧力設定：
減圧装置３より、エッチング処理室１内が上記範囲内の所定の減圧下に保持される。具体的には、減圧ポンプ３ｂが駆動され、排気管３ａを介してエッチング処理室１内が掃引・排気される。この排気動作は、エッチング処理室１内の圧力が例えば、１２Ｋｐａになるまで続けられる。
【００４７】
（４）ドライエッチング：
ＨＦベーパに補助剤としてＩＰＡベーパが加えられてなる混合ガスが、ガスボックス４ｃから配管４ｂを介して噴射ノズル４ａに供給され、この噴射ノズル４ａからエッチング処理室１内に噴射されて充満される。この場合、上記混合ガスにおけるＨＦベーパとＩＰＡベーパとの容積比は２／１に設定されている。また、上記混合ガスとしては、ＨＦベーパに補助剤として純水ベーパを加えてもよい。
【００４８】
上記の条件下で、ＭＥＭＳ基材Ｗを６０分間保持することにより、犠牲膜２０がＨＦベーパの混合ガスに曝されてドライエッチングされる。これにより、図４（ｅ）に示すように、シリコン基板１０上に、アンカー３０ａ，３０ａと、これらアンカー３０ａ，３０ａの上部から水平方向へ延びるクロスビーム３０ｂ，３０ｂが形成されてなるＭＥＭＳデバイスが完成する。
【００４９】
（５）ＭＥＭＳ基材Ｗのアンローディング：
上記減圧装置３の減圧ポンプ３ｂを停止するとともに、ゲート１ａを開いて、図示しない搬送ロボットにより、再びＭＥＭＳ基材Ｗが加熱テーブル２上から離座されて、エッチング処理室１外へ取り出される（アンローディング）。
【００５０】
以上の製造工程により製作されたＭＥＭＳデバイスを観察したところ、クロスビーム３０ｂ，３０ｂのスタッキング現象は見られず、水平を保った状態で犠牲膜２０がエッチングされていた。
【００５１】
エッチング条件すなわち、エッチング処理室１内の気圧（減圧度）や温度およびテーブルＴの加熱温度等は、ＭＥＭＳ基材Ｗの構成寸法たとえば、上述したＡ寸法、Ｂ寸法、Ｃ寸法等によって最適値に設定される。
【００５２】
アンカー３０ａ，３０ａやクロスビーム３０ｂ，３０ｂの材質にＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）が採用された場合には、上記のドライエッチング処理に加えて、４００℃以下の高温で再加熱することにより、エッチング反応により生成された残渣物を除去できる。
【００５３】
実施形態２
本発明に係るマルチタイプのエッチング装置を図２に示し、このエッチング装置は、常温〜１００℃の低温下でＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をドライエッチング処理する低温処理室１０１と、１００℃〜３００℃の高温下でＭＥＭＳ基材上の犠牲膜をドライエッチング処理する高温処理室１０２と、ＭＡＸ４００℃の高温下でＭＥＭＳ基材を再加熱する高温再加熱室１０３の三つの処理室を備えるとともに、この三つの処理室にＭＥＭＳ基材Ｗを振り分けるための振り分け室１０４と、前工程で形成されたＭＥＭＳ基材を受け入れるための前室１０５と、前記三つの処理室にエッチングガス等を供給するエッチングガス供給装置１０６とを主要部として備えてなる。
【００５４】
低温処理室１０１、高温処理室１０２、高温再加熱室１０３の基本的構造は、実施形態１で示したエッチング処理室１と同様な形態とされてなる。すなわち、各処理室は図示しない減圧装置に連通接続されて所定の減圧下に維持されるとともに、エッチングガス供給装置１０６に連通接続されて処理室内の噴射ノズル（図示省略）にエッチングガスが供給される。
【００５５】
また各処理室内には、加熱テーブルとそれぞれの処理温度に適した加熱手段（図示省略）が備えられている。この加熱手段は、常温〜１００℃の低温下で使用される低温処理室１０１に対してはウオータージャケット式のヒータが好適に用いられ、１００℃〜３００℃の高温下で使用される高温処理室１０２に対してはシーズヒータが好適に用いられ、ＭＡＸ４００℃の高温下で使用される高温再加熱室１０３に対してはランプ加熱ヒータが好適に用いられる。
【００５６】
振り分け室１０４は、上記三つの処理室１０１，１０２，１０３と前室１０５とに接するように装置の真ん中に配置されるとともに、その室内中央には搬送ロボットＲが据え付けられている。
【００５７】
搬送ロボットＲは、前工程から前室１０５のテーブル１０５ｂ上に届いたＭＥＭＳ基材Ｗを前室１０５の内側（振り分け室側）に存在するゲートバルブ１０５ａを介して受け取り、ゲートバルブ１０１ａを介して低温処理室１０１かゲートバルブ１０２ａを介して高温処理室１０２に受け渡してエッチング処理させたり、エッチング処理の終わったＭＥＭＳ基材Ｗをゲートバルブ１０３ａを介して高温再加熱室１０３に受け渡したりする。
【００５８】
その他、図示は省略するが、各処理室外側がヒートジャケット等で加熱されて高温に維持されたり、配管部分がテープヒータ等で加熱されて高温に維持されたりする構造は実施形態１と同様の形態とされる。
【００５９】
しかして、上記のように構成されたエッチング装置を用いたＭＥＭＳ基材Ｗ上の犠牲膜のエッチングは、下記の工程を経て実施される。なお、ＭＥＭＳ基材Ｗの準備工程に関しては実施形態１と同じであり、説明を省略する。
【００６０】
（１）装置の温度設定：
低温処理室１０１，高温処理室１０２、高温再加熱室１０３が各々ヒーティングジャケット等の加熱手段（図示要略）により、ガスボックス１０５がヒーティングジャケット等の加熱手段（図示省略）により、また各配管（図示省略）部分がテープヒータ等の加熱手段（図示省略）により、それぞれ加熱されて約１００℃に維持されるとともに、排気管（図示省略）がテープヒータ等の加熱手段（図示省略）により加熱されて約５０℃に維持される。
【００６１】
また、低温処理室１０１内の加熱テーブル１０１ｂが加熱されて常温〜１００℃の範囲内の所定温度例えば８０℃に維持され、高温処理室１０２内の加熱テーブル１０２ｂが加熱されて１００℃〜３００℃の範囲内の所定温度例えば２００℃に維持され、高温再加熱室１０３内の加熱テーブル１０３ｂが加熱されて４００℃以下の所定温度例えば３００℃に維持される。
【００６２】
（２）ＭＥＭＳ基材Ｗのローディング：
前工程から前室１０５のテーブル１０５ｂに届くＭＥＭＳ基材Ｗは、搬送ロボットＲによって低温処理室１０１と高温処理室１０２のどちらかに搬入されるが、どちらに搬入するかはＭＥＭＳ基材の物理的な構成寸法等により前もって決定される。
【００６３】
たとえば、ＭＥＭＳ基材Ｗの物理的な構成寸法が２００℃の高温でエッチングするのに適したものである場合には、高温処理室１０２のゲートバルブ１０２ａが開かれ、ＭＥＭＳ基材Ｗが搬送ロボットＲによって搬入され、加熱テーブル１０２ｂの上に着座させられる。着座後は、上記搬送ロボットＲが高温処理室１０２から離間されるとともに、ゲート１０２ａが閉じられて高温処理室１０２が密封されて気密状態に置かれる。
【００６４】
高温処理室１０２の加熱テーブル１０２ｂ上に着座されたＭＥＭＳ基材Ｗは、加熱テーブル１０２ｂと同じ約２００℃まで加熱されてこの温度下に保持される。
【００６５】
（３）処理室の圧力設定：
高温処理室１０２の圧力設定工程は、実施形態１と同様であるので説明を省略する。
【００６６】
（４）ドライエッチング：
ドライエッチング工程も実施形態１と同様であるので説明を省略する。
【００６７】
（５）ＭＥＭＳ基材Ｗの再加熱：
もしＭＥＭＳ基材の構成体例えば、図３におけるアンカー３０ａ，３０ａやクロスビーム３０ｂ，３０ｂの材質にＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）が採用された場合には、上記のドライエッチング処理に加えて、４００℃以下の高温で再加熱することにより、エッチング反応により生成された残渣物を除去できる。
【００６８】
すなわち、高温処理室１０２においてドライエッチング処理が終了すると、ゲートバルブ１０２ａが開くとともに、高温再加熱室１０３のゲートバルブ１０３ａが開き、搬送ロボットＲにより、ＭＥＭＳ基材Ｗが高温処理室１０２の加熱テーブル１０２ｂから離座された後、高温処理室１０３の加熱テーブル１０３ｂに着座させられ、この加熱テーブル温度と同じ３００℃に再加熱される。
【００６９】
（６）ＭＥＭＳ基材Ｗのアンローディング：
高温再加熱室１０３のゲートバルブ１０３ａが開いて、振り分け室１０４の搬送ロボットＲにより、ＭＥＭＳ基材Ｗが加熱テーブル１０３ｂ上から離座されて、高温再加熱室１０３から取り出された後、前室１０５のゲートバルブ１０５ａが開いて、前室１０５のテーブル１０５ｂ上に着座させられ、次工程への搬送を待つ。
【００７０】
なお、上述した実施形態はあくまでも本発明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれに限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可能である。
【００７１】
例えば、加熱テーブルは、本実施形態においては固定式にしているが、回転するターンテーブル式にしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、半導体基板のＣＶＤ前のドライエッチング等に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る実施形態１であるＭＥＭＳ基板上の犠牲膜をエッチングする装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る実施形態２であるＭＥＭＳ基板上の犠牲膜をエッチングする装置を示す概略構成図である。
【図３】同ＭＥＭＳ基板から形成されたＭＥＭＳデバイスの一例を示す斜視図である。
【図４】同ＭＥＭＳデバイスの製造工程の一例を示す説明図である。
【図５】同ＭＥＭＳデバイスのスティッキング発生状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７４】
Ｗ              ＭＥＭＳ基材
１              エッチング処理室
１ａ            ゲートバルブ
２              加熱テーブル
３              減圧装置（減圧手段）
３ｂ            減圧ポンプ
４              エッチングガス供給装置（エッチングガス供給手段）
４ａ            噴射ノズル
４ｃ            ガスボックス
４ｂ            配管
５              ゲート
１０            単結晶シリコン基板
２０            犠牲膜（SiO2膜）
３０            ポリシリコン膜（またはシリコン窒化膜）
３０ａ          アンカー
３０ｂ          クロスビーム
１ｂ            ヒーティングジャケット（加熱手段）
３ｃ            ヒーティングジャケット（加熱手段）
４ｄ            テープヒータ（加熱手段）
４ｄ            テープヒータ（加熱手段）
４ｅ            テープヒータ
１０１          低温処理室（エッチング処理室）
１０２          高温処理室（エッチング処理室）
１０３          高温再加熱室
101a〜103a     ゲートバルブ
１０５ａ        ゲートバルブ
101b〜103b     加熱テーブル
１０４          振り分け室
１０５          前室
１０６          エッチングガス供給装置（エッチングガス供給手段）
【図１】
2005205511.tif 000003
【図２】
2005205511.tif 000004
【図３】
2005205511.tif 000005
【図４】
2005205511.tif 000006
【図５】
2005205511.tif 000007