(57)【要約】【課題】具体的には、銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、コア層を持たない、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄い、半導体パッケージ用のインターポーザ用の配線板であって、反りについて実用レベルで対応できるものを提供する。【解決手段】薄型の配線板に要求される最高温度をＴ０とし、各最外層ついて、その絶縁材料のガラス転移点、線膨張係数を、それぞれ、Ｔｇ（℃）、α（％／℃）とし、その弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）をＥ（ＧＰａ）、基板の最も外側の配線層を形成する銅層の線膨張係数を０．  ００１７（％／℃）とすると、室温度Ｔｒ（℃）における前記最外層の絶縁材料の応力Ｐｏは、Ｔｏ≧Ｔｇの場合、Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｇ−Ｔｒ）Ｔｏ＜Ｔｇの場合、またはＴｇがない場合、Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）であるが、前記応力Ｐｏを調整し、反り量を制御したものである。【選択図】  図１
2005038906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、コア層を持たない、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄い、半導体パッケージ用のインターポーザ用の配線板であって、前記薄型の配線板に要求される最高温度をＴ０とし、各最外層ついて、その絶縁材料のガラス転移点、線膨張係数を、それぞれ、Ｔｇ（℃）、α（％／℃）とし、その弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）をＥ（ＧＰａ）、基板の最も外側の配線層を形成する銅層の線膨張係数を０．  ００１７（％／℃）とすると、室温度Ｔｒ（℃）における前記最外層の絶縁材料の応力Ｐｏは、
Ｔｏ≧Ｔｇの場合、
Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｇ−Ｔｒ）
Ｔｏ＜Ｔｇの場合、またはＴｇがない場合、
Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）
であるが、前記応力Ｐｏを調整し、反り量を制御したものであることを特徴とするコア層を持たない薄型の配線板。
【請求項２】
請求項１に記載のコア層を持たない薄型の配線板であって、前記応力Ｐｏが、
２．  ５＞Ｐｏ＞−２．  ５
を満たすものであることを特徴とするコア層を持たない薄型の配線板。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載のコア層を持たない薄型の配線板であって、ビルドアップ層のみで銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成したものであることを特徴とするコア層を持たない薄型の配線板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のコア層を持たない薄型の配線板であって、最外層のソルダーレジストが感光性エポキシあるいは感光性ポリイミドからなることを特徴とするコア層を持たない薄型の配線板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のコア層を持たない薄型の配線板であって、最外層の絶縁層として１面に、厚さ２００μｍ以下の絶縁層を設けていることを特徴とするコア層を持たない薄型の配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄型の配線板に関し、特に、銅を母体とする複数の配線層を絶縁層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁層で覆われた、０．  ５ｍｍ以下のコア層を持たない薄型の配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の益々の小型化や軽量化に対応する為、プリント基板、半導体周辺に使用される回路基板、各種ディスプレイに用いられる配線基板等の、各種配線基板においては、高密度化が強く求められ、片面配線から両面配線への転換、更に多層化が進められている。
尚、配線基板の金属配線の形成には、通常、絶縁層上全体に金属配線部形成するための金属層を形成していおき、これをエッチング等により所定領域を除去して配線部をサブトラクティッブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁層上に付け加え形成していくアディティブ法等が用いられている。
このような中、多層の配線基板においては、従来の貼り合わせ型の配線基板に比べて、微細な配線パターンを高密度に収容できるものとして、コア基材の両面に配線層を配設したコア基板を用い、該コア基板の両面に、順に絶縁層、配線層からなるビルドアップ層を、更に積層形成していくビルドアップ方式の、ビルドアップ型の多層配線基板（以下ビルドアップ基板とも言う）が、各種開発されており、その作製法も種々である。
【０００３】
そして、最近では、更なる電子機器の小型化や軽量化に伴ない、配線板の軽量化、薄型化も余儀なくされている。
しかし、従来の多層ビルドアップ基板は、通常、コア基板が厚さ０．  ４ｍｍ以上で、絶縁層、配線層からなる１つのビルドアップ層は、厚さ６０μｍ程度であるため、０．  ５ｍｍ以下の薄型化が難しかった。
一方、ポリイミド等のフレキシブル基板を用いた薄型基板もあるが、特に、パッケージ用のインターポーザとして利用される配線基板とした場合には、反りの発生が、その薄型化および実装性に大きな妨げとなっていた。
尚、本願出願人は、先に、特願平２００３−１５３６４５号公報、特願平２００３−１４０２９３号公報にて、コア基板を用いない配線基板を提案している。
【０００４】
【特許文献１】
特願平２００３−１５３６４５号公報
【特許文献２】
特願平２００３−１４０２９３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、最近では、更なる電子機器の小型化や軽量化に伴ない、配線板の軽量化、薄型化も余儀なくされており、コア基板を用いない多層の配線板で、反りの発生が少ないものが求められている。
特に、半導体パッケージ用のインターポーザとしては、反りが実用レベルで対応でき、且つ、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄型のものが求められていた。
本発明は、これに対応するもので、具体的には、銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、コア層を持たない、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄い、半導体パッケージ用のインターポーザ用の配線板であって、反りについて実用レベルで対応できるものを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のコア層を持たない薄型の配線板は、銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、コア層を持たない、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄い、半導体パッケージ用のインターポーザ用の配線板であって、前記薄型の配線板に要求される最高温度をＴ０とし、各最外層ついて、その絶縁材料のガラス転移点、線膨張係数を、それぞれ、Ｔｇ（℃）、α（％／℃）とし、その弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）をＥ（ＧＰａ）、基板の最も外側の配線層を形成する銅層の線膨張係数を０．  ００１７（％／℃）とすると、室温Ｔｒ（℃）における前記最外層の絶縁材料の応力Ｐｏは、
Ｔｏ≧Ｔｇの場合、
Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｇ−Ｔｒ）
Ｔｏ＜Ｔｇの場合、またはＴｇがない場合、
Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）
であるが、前記応力Ｐｏを調整し、反り量を制御したものであることを特徴とするものである。
そして、上記に記載のコア層を持たない薄型の配線板であって、前記応力Ｐｏが、
２．  ５＞Ｐｏ＞−２．  ５
を満たすものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記のコア層を持たない薄型の配線板であって、ビルドアップ層のみで銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成したものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれか１に記載のコア層を持たないビルドアップ型の配線板であって、最外層のソルダーレジストが感光性エポキシあるいは感光性ポリイミドからなることを特徴とするものである。
また、上記のいずれか１に記載のコア層を持たないビルドアップ型の配線板であって、最外層の絶縁層として１面に、厚さ２００μｍ以下の絶縁層を設けていることを特徴とするものである。
【０００７】
尚、ここで、「前記薄型の配線板に要求される最高温度をＴ０」とは、この薄型の配線板を作製する過程や使用する過程における予め決められた最高温度、あるいは、それに許容温度を持たせた温度を言う。
室温Ｔｒ（℃）は２５℃程度が一般的である。
また、本発明のコア層を持たない薄型の配線板は、０．  ５ｍｍ以下であって、ビルドアップ層のみで銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成したものである場合、通常、１つのビルドアップ層の厚さは７０μ〜８０μｍ程度で、ソルダーレジストは３０μｍ程度で、例えば、両面にソルダーレジストを配する場合は、ビルドアップ層が５層以下となり、また、例えば、２００μｍ厚のポリイミドフィルムを片側の最外層とする場合には、ビルドアップ層が３層以下となる。
勿論、本発明の配線板における各配線層は、それぞれ、平坦な状態の絶縁層上に配設されるものであることを前提としている。
また、最外層の絶縁材料の応力Ｐｏの範囲は、反り量が半導体パッケージ用のインターポーザとして利用できる範囲となるもので、通常、半導体パッケージ用のインターポーザの場合、反り量を１０ｍｍ以下とする必要があり、ここでは、反り量が１０ｍｍ以下になるようにＰ０の範囲を設定するものである。
尚、ここでは、反り量は、１００ｍｍ□の試料について、その一辺を水平にして配線板を鉛直方向に垂れ下げた状態で、該鉛直方向に直交する方向への変位量で表している。
【０００８】
【作用】
本発明のコア層を持たない薄型の配線板は、上記のような構成にすることによって、銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、コア層を持たない、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄い、半導体パッケージ用のインターポーザ用の配線板であって、比較的簡単に、反りについて実用レベルで制御できるものの提供を可能としている。
具体的には、最外層の絶縁材料の応力Ｐｏを、
２．  ５＞Ｐｏ＞−２．  ５
のように設定することにより、反り量を１０ｍｍ以下にすることができ、結果、半導体パッケージ用のインターポーザとして利用できるものとしている。
【０００９】
最外層のソルダーレジストとしては、感光性エポキシあるいは感光性ポリイミドが挙げられる。
また、最外層の絶縁層として１面に、剛性のない厚さ２００ｍｍ以下のポリイミドフィルムからなる絶縁層を設けた形態も挙げることができる。
【００１０】
本発明の薄型の配線板においては、基板に発生する反り量は、最外層にある絶縁材料の応力が支配的になる傾向があるが、この理由をここで簡単に説明しておく。
配線層が１層の場合については、即ち、１層の配線層の両側に絶縁材料層を配した構造の配線板（図２（ｍ）や図３（ｆ）を参照）については、その発生する反り量は、最外層にある絶縁材料層の応力が支配的になるのは言うまでもなく、以下、配線層が多層の場合について説明する。
配線材料としては母体として銅が使用されているため、半導体パッケージ用のインターポーザとして利用される場合、その二次元的な配線の分布状態から、基板の反りには、配線層の存在が大きく関わってくる。
例えば、図４（ａ）に示すように、絶縁材料層を１層、配線層２層の場合、絶縁材料層１１の両側には、配線層２１、２２が配されており、両側の配線層２１、２２により反りは発生し難い構造であり、これにさらにビルドアップ層を１層配した図４（ｂ）の場合も、絶縁材料層１１と絶縁材料層１２とは、いずれも、その両側に配線層を配する構成で、且つ、全体としても両方の最外表に配線層２１、２３を配した構成で、配線層により反りを発生し難い構成と言える。
更に、ビルドアップ層を１層配した図４（ｃ）の場合、さらにまた順次ビルドアップ層を配し、配線層を４層、５層とした場合も、同様で、各絶縁材料層の両側には配線層を配する構成で、且つ、全体としても両方の最外表に配線層を配した構成であり、配線層により反りを発生し難い構成と言える。
このため、このような構成のものの表裏に絶縁材料層を配した構造の配線板に発生する反り量は、最外層にある絶縁材料層の応力が支配的になるのである。
特に、このような構成の、銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、総厚が０．  ５ｍｍ以下のコア層を持たない薄い配線板における、前記両面の絶縁材料層がない構成のもので、半導体パッケージ用のインターポーザとして利用されるものの場合には、配線層により反りを発生し難いことを見出し、本願発明を成したものである。
【００１１】
配線材料としては母体として銅が使用されているため、表面に配線層が形成された基板上に絶縁材料を配設した場合、基板の線膨張係数は銅の線膨張係数と置き換えることができ、基板の反りを小さくするためには、銅に対する前記基板上の絶縁材料の応力を小さくすることが必須になる。
ここで、以下、最外層の絶縁材料の応力Ｐを計算してみる。
最外層の絶縁材料の応力Ｐは、
Ｐ＝Ｅ・ε                                                （１）
と表されるが、ここで、Ｅは弾性率（ＧＰａ）、εはひずみである。
また、ひずみεは、一般に、
ε＝（α１０−α２０）ΔＴ＝（α１０−α２０）（Ｔｏ−Ｔｒ）  （２）
と表される。
ここで、α１０は最外層の絶縁材料の線膨張係数（％／℃）、α２０は基板の線膨張係数（％／℃）、ΔＴは基板の受ける温度差（℃）、Ｔｏは基板にかかる最高温度（℃）、Ｔｒは室温（℃）である。
尚、室温は２５℃程度とするのが一般的である。
ここで、（１）式に（２）式のεを代入し、基板の線膨張係数α２０に銅の線膨張係数を０．  ００１７（％／℃）を代入すると、
Ｐ＝Ｅ（α１０−０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）              （３）
となる。
ところで、最外層が有機樹脂の場合、ガラス転移点以上では応力緩和が働き、応力は小さくなり、これを考慮すると、応力Ｐは、
Ｔｏ≧Ｔｇの場合、
Ｐ＝Ｅ（α１０−０．  ００１７）（Ｔｇ−Ｔｒ）              （４）
Ｔｇ＞Ｔｏに場合、
Ｐ＝Ｅ（α１０−０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）              （５）
となる。
【００１２】
本願発明は、上記のような知見に基づき、配線層を両側に配した状態の薄型の配線板材（図４（ａ）〜図４（ｃ）等）に対し、この両面に、少なくとも片面の最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われた、厚さ０．  ５ｍｍ以下の薄い配線板に対し、反りの発生をできるだけ小さくしようとするもので、特に、半導体パッケージ用のインターポーザとして利用できるように、小さく制御しようとするものである。
先の述べた（１）式〜（５）式からも分かるように、このような薄い配線板に要求される最高温度をＴ０（℃）とし、各最外層ついて、その絶縁材料のガラス転移点、線膨張係数を、それぞれ、Ｔｇ（℃）、α（％／℃）とし、その弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）をＥ（ＧＰａ）、基板の最も外側の配線層を形成する銅層の線膨張係数を０．  ００１７（％／℃）とすると、室温Ｔｒ（℃）における前記最外層の絶縁材料の応力Ｐｏは、
Ｔｏ≧Ｔｇの場合、
Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｇ−Ｔｒ）            （６）
Ｔｏ＜Ｔｇの場合、またはＴｇがない場合、
Ｐｏ＝Ｅ（αー０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）            （７）
であるが、本願請求項１の発明は、前記応力Ｐｏが、下記（８）式を満たすものであることにすることにより、半導体パッケージ用のインターポーザとして、反りを問題とせずに使用することを可能としている。
２．  ５＞Ｐｏ＞−２．  ５                              （８）
ここで、（８）式は、図４（ａ）の構成の配線板に対し、片面側の最外層の絶縁材料の応力Ｐ０への影響がほぼないものとし、即ち、例えば、図５（ａ）に示すように、片方側には絶縁材料層を覆わないで配線層２１を露出させ、あるいは、図５（ｂ）のように、その影響がほとんどない絶縁材料層３２で覆い、もう一方側に最外層として絶縁材料層３１を配設した状態にして、前記一方側の絶縁材料について、反り量を評価することにより、その配線層である銅に対する応力を決定したもので、ここでは、半導体パッケージ用のインターポーザとして、問題なく使用できる反り量の値１０ｍｍから決められる。
【００１３】
尚、最外層の絶縁材料層以外の、ｎ層の内層の絶縁材料層の各絶縁材料の応力Ｐｉ１（ｉ＝１〜ｎ、ｎは整数）は、前記ビルドアップ型の配線基板に要求される最高温度をＴ０、最外層の絶縁材料のガラス転移点、線膨張係数を、それぞれ、Ｔｇｉ（℃）、αｉ（％／℃）とし、その弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）をＥｉ（ＧＰａ）、基板の最も外側の配線層を形成する銅層の線膨張係数を０．  ００１７（％／℃）とすると、室温Ｔｒ（℃）において、
Ｔｏ≧Ｔｇｉの場合、
Ｐｉ１＝Ｅｉ（α１ー０．  ００１７）（Ｔｇｉ−Ｔｒ）
Ｔｏ＜Ｔｇｉの場合、またはＴｇｉがない場合、
Ｐｉ１＝Ｅｉ（αｉー０．  ００１７）（Ｔｏ−Ｔｒ）
であるが、前記室温Ｔｒ（℃）における各応力Ｐｉ１を、
２．  ５＞Ｐｉ１＞−２．  ５
を満たすようにした場合には、より確実に、半導体パッケージ用のインターポーザとして、反りについて実用レベルで対応できる。
【００１４】
最外層のソルダーレジストとしては、感光性エポキシあるいは感光性ポリイミドが挙げられる。
最外層の絶縁層として１面にソルダーレジストを配し、他の１面に、剛性のない厚さ２００ｍｍ以下のポリイミドフィルムからなる絶縁層を設けるものも挙げられる。
ポリイミドフィルムは、応力の面、耐性の面、絶縁性の面で優れ、最外層の絶縁層として好適であるが、これに限定はされない。
尚、ここで、２００μｍ以下とする理由は、これより厚いと、薄化という点でメリットがなくなるためである。
また、上記のいずれか１に記載のコア層を持たないビルドアップ型の配線板であって、半導体パッケージ用のインターポーザとし利用されるものであることを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図２（ｎ）は本発明のコア層を持たない薄型の配線板の実施の形態の第１の例の概略断面図で、図１（ａ）〜図１（ｈ）は第１の例の製造工程の一部を示した工程断面図で、図２（ｉ）〜図２（ｎ）は図１に続く製造工程を示した工程断面図で、図３（ｆ）は本発明のコア層を持たない薄型の配線板の実施の形態の第２の例の概略断面図で、図３（ａ）〜図３（ｆ）は第２の例の製造工程を示した工程断面図である。
尚、図１（ａ）〜図２（ｉ）の右側は、給電層を形成する部分を示した図で、無電解めっきにより導通をとり、これを電解Ｃｕめっきの給電層とする工程を説明するために図示したものである。
図１中、１１０は銅基板、１２０、１２０Ａは絶縁材料（絶縁材料層とも言う）、１２５は貫通孔、１３０、１３０Ａは無電解めっき層、１４０はレジスト、１４５は開口部、１５０、１５０Ａは配線層、１５１、１５１Ａは電解Ｃｕめっき層、１６０はソルダーレジスト（絶縁材料とも言う）、１６５は開口部、１７０はレジスト、２１０は絶縁材料フィルム（ポリイミドフィルム）、２１５は絶縁材料、２２０Ｓは銅箔、２２０は配線、２３０はレジスト、２３５は開口部、２４０は配線、２４１は無電解めっき層、２４２は電解Ｃｕめっき層、２５０はソルダーレジスト（絶縁材料とも言う）、２５５は開口部である。
【００１６】
本発明のコア層を持たない薄型の配線板の実施の形態の第１の例を図に基づいて説明する。
第１の例のコア層を持たない薄型の配線板は、半導体パッケージ用のインターポーザに利用される配線板で、図２（ｎ）にその一部断面を示すが、剛性のない厚さ３０μｍ〜１００μｍ程度の薄い絶縁材料１２０の一面にアディティブ法により配線層１５０を形成し、更に、その上に剛性のない厚さ３０〜１００μｍ程度の薄い絶縁材料１２０Ａを介してアディティブ法により該配線層１５０Ａを形成し、該配線層１５０Ａ側全体を厚さ４０μｍ程度のソルダーレジスト１６０で覆ったもので、順に、絶縁材料１２０、配線層１５０、絶縁材料１２０Ａ、配線層１５０Ａ、ソルダーレジストからなる配線層２層の配線板である。
そして、配線層１５０Ａに対するソルダーレジスト１６０の応力、および配線層１５０に対する絶縁材料１２０の式（６）ないし（７）で表される応力を、それぞれ、２．  ５より小で、−２．  ５の範囲にしてある。
【００１７】
絶縁材料１２０、１２０Ａとしては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、環状オレフィン、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド、フェノール樹脂、アラミド、ポリオレフィン、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フルオレイン樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル、液晶ポリマー、ＢＴレジン（ビスマレイミドとトリアジンからなる樹脂）、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、熱可塑性ポリイミドベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサソール、ポリエーテルサルフォン、等を単独でまたは２種以上を混合して使用できる。
また、上記樹脂にガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミ等、無機フィラーを併用することができる。
さらに、前記樹脂と補強材として、ガラス、アラミド、フッ素、ポリベンゾオキサノール、液晶ポリマー等を織布、不織布、編み物等の強化繊維を組み合わせても使用できる。
絶縁材料１２０の厚さとしては、薄化という面からは、剛性のない厚さ２００ｍｍ以下のものが用いられる。
ソルダーレジスト１６０としては、感光性のエポキシ樹脂、感光性のフルオレン樹脂、感光性ポリイミド等が用いられるが、これに限定はされない。
厚さとしては、その目的から２０μｍ〜５０μｍ程度にして用いられる。
配線層としては、厚さ５μｍ〜３５μｍ程度の電解Ｃｕめっき層が主に用いられるが、使用目的に応じ、適宜、その所定の表面部分にＡｇめき、Ａｕメッキ、Ｎｉメッキ＋Ａｕめっき等を施す。
【００１８】
第１の例の製造方法の１例を図１、図２に基づいて簡単に説明する。
剛性のある銅基板（図１（ａ））の平坦性が確保された一面に剛性のない薄い絶縁材料１２０（図１（ｂ））を圧着積層し（図１（ｃ））、まず、後述する電解Ｃｕめっきを行うための給電用の貫通孔１２５を配線領域にかからないように所定の位置にレーザ等を用いて形成する。（図１（ｄ））
次いで、デスミア処理を施した後、絶縁材料１２０の全面に無電解めっきを施し、無電解めっき層１３０を形成するとともに、無電解めっき層１３０と銅基板１１０とを電気的に接続する。（図１（ｅ））
次いで、形成する配線層の形状にあわせ開口部１４５を設けてレジスト１４０をフォトリソ法により配設する。（図１（ｆ））
次いで、銅基板１１０、無電解めっき層１３０を給電層として、レジストの開口部１４５に電解銅めっきを施し電解めっき層１５０を形成する。（図１（ｇ））  次いで、レジスト１４０を除去し（図１（ｈ））、露出した無電解めっき層１３０をフラッシュエッチングにより除去する。（図２（ｉ））
このようにして配線層１５０は形成される。
同様にして、配線層１５０の上側に、絶縁層１２０Ａを介して配線層１５０Ａを形成する。（図２（ｊ））
図１（ｄ）〜図１（ｈ）〜図２（ｉ）と同様の工程を行う。
次いで、必要に応じ所定の開口部１６５を設け、全面にソルダーレジスト１６０を配設する。（図２（ｋ））
次いで、ソルダレジスト側全面をドライフィルムレジスト等のレジスト１７０で覆い（図２（ｌ））、銅基板１１０のみをエッチング除去する。（図２（ｍ））
エッチングは塩化第二て鉄溶液等にて行う。
次いで、レジスト１７０を除去し、第１の例のコア層を持たない薄型の配線板を得る。（図２（ｎ））
【００１９】
尚、第１の例は、半導体パッケージ用のインターポーザに利用される、小サイズのものであり、通常は、製品部を面付けして形成される。
また、本発明の別の形態として、絶縁材料と配線層との組みをビルドアップ層として、この順に図２（ｉ）の配線層１５０上に、ビルドアップ層を更に２層以上形成した後、同様に、表面部にソルダーレジストを配設した構造のものも挙げられる。
このように、更にビルドアップ層を２層形成したものが図５（ｂ）に相当する構成である。
更に形成するビルドアップ層の形成方法としては、図１〜図２に示すようなアディティブ法の他、特に限定はされない。
【００２０】
本発明のコア層を持たない薄型の配線板の実施の形態の第２の例を図に基づいて説明する。
第２の例のコア層を持たない薄型の配線板は、図３（ｆ）にその一部断面を示すが、剛性のない厚さ３０μｍ〜１００μｍ程度の薄い絶縁材料２１０の一面にサブトラックティブ法により配線層２２０を形成し、更に、その上に剛性のない厚さ３０μｍ〜１００μｍ程度の薄い絶縁材料２１５を介してアディティブ法により該配線層２４０を形成し、該配線層２４０側全体を厚さ４０μｍ程度のソルダーレジスト１６０で覆った、順に、絶縁材料２１０、配線層２２０、絶縁材料２１５、配線層２４０、ソルダーレジスト２５０からなる配線層２層の配線板である。
そして、配線層２４０に対するソルダーレジスト２５０の応力、および配線層２２００に対する絶縁材料２１０の式（６）ないし（７）で表される応力を、それぞれ、２．  ５より小で、−２．  ５の範囲にしてある。
絶縁材料層２１０、２１５、ソルダーレジスト２５０については、それぞれ、第１の例の絶縁材料層１２０（あるいは１２０Ａ）、ソルダーレジスト１６０と同様のものが適用できるが、本例の場合、配線層２２０については、後に図３に基づき説明するが、サブトラックティブ法により形成されるため、銅箔とポリイミドフィルムからなる絶縁材料フィルムとの積層材が用いられ、その厚さはある程度限定される。
【００２１】
次に、第２の例の製造方法の１例を、図３に基づいて簡単に説明する。
先ず、所定の厚さの銅箔２２０と絶縁材料層からなるフィルムの積層材（図３（ａ））に対し、形成する配線層の形状にあわせ開口部２３５を設けてレジスト２３０をフォトリソ法により配設する。（図３（ｂ））
次いで、銅箔２２０のレジスト２３０の開口部２３５から露出した領域をエッチング除去し、配線２２０Ａを形成した（図３（ｃ））後、レジスト２３０を除去し、必要に応じ、洗浄処理等を施しておく。（図３（ｄ））
次いで、第１の例の場合とほぼ同様にして、無電解めっき層を給電層として、フォトリソ方により形成されたレジストパターンを耐めっきマスクとして選択的に電解Ｃｕめっきを行い、余分な無電解めっき部をフラッシュエッチングして除去し、絶縁材料２１５を介して配線層２４０を形成する。（図３（ｅ））
次いで、感光性ソルダーレジストを塗布し、所定の箇所に開口部２５５を設け、全面にソルダーレジスト２５０を配設する。（図３（ｆ））
このようにして第２の例のコア層を持たない薄型の配線板が得られる。
【００２２】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
実施例１は、実施の形態の第１の例のコア層を持たない薄型の配線板で、絶縁材料層１２０をプリプレグにて形成した、半導体パッケージ用のインターポーザとして利用される配線板であり、図１〜図２に示す製造方法にて作製した。
図１、図２に基づきその製造方法を説明する。
支持板として、厚み０．  １２５ｍｍの銅基板（古河電工（株）製ＥＦＴＥＣ６４Ｔ）１１０を準備し（図１（ａ））、この銅基板１１０と厚さ６０μｍのプリプレグ（ＧＨＰＬ−８３０ＨＧ    ＨＱ７６）からなる絶縁材料層１２０（図１（ｂ））を重ね、熱プレスにより熱圧着（１３０℃、２０分、２００℃、１２０分）し、銅基板上に絶縁材料層１２０を積層した。（図１（ｃ））
次いで、絶縁材料層１２０上に配線層１５０を以下のようにして形成した。
まず、後述する電解Ｃｕめっきを行うための給電用の貫通孔１２５を配線領域にかからないように所定の位置にレーザを用いて形成した。（図１（ｄ））
次いで、貫通孔１２５にデスミア処理を施した後、絶縁材料層１２０の全面に無電解Ｃｕめっきを施し、絶縁材料層１２０表面に０．  ５μｍ厚に無電解Ｃｕめっき層１３０を形成するとともに、無電解Ｃｕめっき層１３０と銅基板１１０とを電気的に接続した。（図１（ｅ））
この基板にレジスト（ニチゴーモートン（株）ＮＩＴ２２５）１４０をラミネートし、露光、現像を行い所定のレジストパターンを形成した。（図１（ｆ））
次いで、銅基板１１０、無電解めっき層１３０を給電層として、レジストの開口部１４５に電解銅めっきを施し電解めっき層１５０を形成した。（図１（ｇ））  電解銅めっきには、硫酸銅めっき浴（Ｄｋ＝２）を用いて、厚さ１８μｍにＣｕ層を形成した。
次いで、レジスト１４０を除去し（図１（ｈ））、露出した無電解めっき層１３０をフラッシュエッチングにより除去し、配線１５０を形成した。（図２（ｉ））
【００２３】
次いで、配線層１５０の上側に、絶縁材料層１２０Ａを介して配線層１５０Ａを形成した（図２（ｊ））が、上記の図１（ｄ）〜図１（ｈ）〜図２（ｉ）と同様して、同じ材料を用い、同じ条件にて行った。
次に、配線１５０Ａが形成された側に、感光性エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト（ＰＦＲ−８００    ＡＵＳ４０２：太陽インキ製）をラミネートして露光、現像、硬化を行い、所定の開口部１６５を設け、ソルダーレジシト１７０を配設した。（図２（ｊ））
次いで、ソルダレジスト側全面をレジスト（ＡＱ２５５８、旭化成社製）１７０で覆い（図２（ｋ））、銅基板１１０のみをエッチング除去した（図２（ｌ））後、レジスト１７０を除去し、実施例１のコア層を持たない薄型の配線板を得た。（図２（ｍ））
銅基板１１０の選択エッチングは、メルテックス（株）製エープロセスを用い、スプレーエッチング（液温度５０℃、スプレー圧０．  ２ＭＰａ）で行なった。
また、レジストを剥離は、水酸化カリウム水溶液を用いて行った。
このようにして実施例１のコア層を持たない薄型の配線板を得た。
ソルダーレジスト１６０の、ガラス転移温度、線膨張係数、弾性率、処理最高温度は、それぞれ、１０３℃、０．  ００６５（％／℃）、３．  ４ＧＰａ、１５０℃、式（６）ないし（７）で表される応力は１．  ３で、プリプレグからなる絶縁材料層１２０、１２０Ａ処理のガラス転移温度、線膨張係数、弾性率、処理最高温度は、それぞれ、２０５℃、０．  ００１５（％／℃）、２０ＧＰａ、２００℃、式（６）ないし（７）で表される応力は−０．  ７であり、得られた実施例１のコア層を持たない薄型の配線板の反り量は１ｍｍであった。
【００２４】
（実施例２）
実施例２は、実施の形態の第２の例のコア層を持たない薄型の配線板で、絶縁材料層２１０を厚さ７５μｍのポリイミドフィルム、銅箔２２０Ｓを厚さ１８μｍとし、絶縁材料２１０の一面にサブトラックティブ法により配線層２２０を形成し、更に、その上に剛性のない厚さ６０μｍの薄い絶縁材料２１５を介してアディティブ法により該配線層２４０を形成したもので、図３に示す製造方法にて作製した。
図３に基づきその製造方法を説明する。
先ず、所定の厚さの銅箔２２０Ｓと絶縁材料層からなるフィルムの積層材（図３（ａ））に対し、形成する配線層の形状にあわせ開口部２３５を設け、レジストを製版して（図３（ｂ））、該レジストをマスクとして、銅箔２２０Ｓのレジスト２３０の開口部２３５から露出した領域をエッチング除去し、ポリイミドフィルムからなる絶縁材料２１０上に、銅箔２２０Ｓからなる配線２２０を形成した。（図３（ｃ））
次いで、レジスト２３０を除去し、洗浄処理等を施した（図３（ｄ））後、実施例１と同様にして、同じ材料を用い、配線層２２０上に絶縁材料層２１５を介してアデティブ法により配線層２４０を形成した。（図３（ｅ））
次いで、配線層２４０側に、感光性ソルダーレジストとしてエポキシフィルム（ＴＲ６３７５、太陽インキ社製）を７０℃でラミネートし、露光５００ｍＪ、１％炭酸ナトリウムで現像し、硬化１５０℃、６０分して、所定の箇所に開口部２４５を設け、全面にソルダーレジスト２４０を配設した。（図３（ｆ））
このようにして実施例２のコア層を持たない薄型の配線板を得た。
ソルダーレジスト２４０の、ガラス転移温度、線膨張係数、弾性率、処理最高温度は、それぞれ、７１℃、０．  ０１０５（％／℃）、２．  １ＧＰａ、１５０℃、式（６）ないし（７）で表される応力は０．  ８５で、ポリイミドフィルムからなる絶縁材料層２１０処理のガラス転移温度、線膨張係数、弾性率、処理最高温度は、それぞれ、５００℃、０．  ００１５（％／℃）、６．  ９ＧＰａ、２００℃、式（６）ないし（７）で表される応力は−０．  ２４であり、実施例２のコア層を持たない薄型の配線板の反り量は０．  ５ｍｍであった。
【００２５】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、銅を母体とする複数の配線層を絶縁材料層を介して積層形成し、且つ、少なくとも片面最外層をソルダーレジストとして両面が絶縁材料層で覆われ、コア層を持たない、総厚が０．  ５ｍｍ以下の薄い、半導体パッケージ用のインターポーザ用の配線板であって、反りについて実用レベルで対応できる配線板の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｈ）は第１の例の製造工程の一部を示した工程断面図である。
【図２】図２（ｎ）は本発明のコア層を持たない薄型の配線板の実施の形態の第１の例の概略断面図で、図２（ａ）〜図２（ｎ）は図１に続く製造工程を示した工程断面図である。
【図３】図３（ｆ）は本発明のコア層を持たない薄型の配線板の実施の形態の第２の例の概略断面図で、図３（ａ）〜図３（ｆ）は第２の例の製造工程を示した工程断面図である。
【図４】複数層の配線層を有する基板の反りについての説明をするための図である。
【図５】最外層の絶縁材料層と反りとの関係を説明をするための図である。
【符号の説明】
１１０              銅基板
１２０、１２０Ａ    絶縁材料
１２５              貫通孔
１３０、１３０Ａ    無電解めっき層
１４０              レジスト
１４５              開口部
１５０、１５０Ａ    配線層
１５１、１５１Ａ    電解Ｃｕめっき層
１６０              ソルダーレジスト（絶縁材料とも言う）
１６５              開口部
１７０              レジスト
２１０              絶縁材料フィルム（ポリイミドフィルム）
２１５              絶縁材料
２２０Ｓ            銅箔
２２０              配線
２３０              レジスト
２３５              開口部
２４０              配線
２４１              無電解めっき層
２４２              電解Ｃｕめっき層
２５０              ソルダーレジスト（絶縁材料とも言う）
２５５              開口部
１１、１２、１３    絶縁材料
２１、２２、２３    配線層
３１、３３          絶縁材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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