(57)【要約】【課題】読み込み時の受光部への入射光量の低下に対して前置増幅回路から十分な出力レベルが得られるとともに、書き込み時には前置増幅回路の飽和を回避でき、Ｓ／Ｎの向上を図ることのできる光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】メイン受光器２０ａの受光回路３１を、メイン受光器の分割受光部の出力を増幅する、差動増幅回路３３および抵抗値可変の帰還抵抗３４で構成される前置増幅回路３０と、帰還抵抗の抵抗値を制御する演算回路３５と、メイン受光器の各分割受光部に接続された前置増幅回路３０の出力信号の和（メイン受光器への入射光量信号）を求める和演算回路３６とで構成する。演算回路３５は和演算回路３６からの入射光量信号に基づいて、差動増幅回路３３の出力レベルを入射光量の多少に関らず常に高くとれ、入力ダイナミックレンジも確保できるように、入射光量に応じて帰還抵抗３４の抵抗値を動的に制御する。【選択図】      図３
2005004847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに照射するレーザ光の発生部と、
前記発生部から前記光ディスクに照射された前記レーザ光の前記光ディスクからの反射光を受光して電気信号に変換する第１の受光部と、
前記第１の受光部の出力に接続され、可変の帰還抵抗を有する前置増幅回路と、
前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を動的に制御する帰還抵抗制御手段とを具備することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記第１の受光部がメインビーム光を受光するメイン受光部と、サイドビーム光を受光するサイド受光部とを有し、
前記帰還抵抗制御手段は、前記メイン受光部の出力に接続された前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を制御することを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記帰還抵抗制御手段による前記メイン受光部の出力に接続された前記前置増幅回路の前記帰還抵抗の制御と同時に、前記メイン受光部と前記サイド受光部の出力信号の比が一定になるように前記サイド受光部の出力に接続された前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を制御する第２の帰還抵抗制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記帰還抵抗制御手段は、前記前置増幅回路の出力に基づいて前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を動的に制御することを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記発生部から前記光ディスクに照射される前記レーザ光の少なくとも一部を受光して電気信号に変換する第２の受光部を有し、
前記帰還抵抗制御手段は、前記第２の受光部の出力に基づいて前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を動的に制御することを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記第２の受光部の光路長を前記第１の受光部の光路長を短くしたことを特徴とする請求項５に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
光ディスクに照射するレーザ光の発生部と、
前記発生部から前記光ディスクに照射された前記レーザ光の前記光ディスクからの反射光を受光して電気信号に変換する第１の受光部と、
前記第１の受光部の出力に接続され、可変の帰還抵抗を有する前置増幅回路と、前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を動的に制御する帰還抵抗制御手段とを具備することを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクにレーザ光を照射して信号を抽出する光ピックアップ装置と光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ピックアップ装置は、光ディスクの情報記録面にビーム光を照射し、その情報記録面からの反射光を受光器で受けることによって電気信号に変換し、増幅して再生ＲＦ信号を生成する受光回路をもっている。
【０００３】
図９は従来の光ピックアップ装置における受光回路１の構成を示す図である。
同図に示すように、この受光回路１は、受光部２と、この受光部２の出力を増幅する前置増幅回路３を構成する差動増幅回路４および帰還抵抗５とで構成される。差動増幅回路４の正相入力には一定のバイアス電圧ＶＲＥＦＡが加えられており、逆相入力はアノードがＧＮＤに接続された受光部２のカソードと、一端が差動増幅回路４の出力に接続された帰還抵抗５の他端が接続されている。
【０００４】
光ディスクからのレーザ反射光が受光部２に入射されると、その反射光量に応じた電流が受光部２の出力に現れる。この受光部２より出力された電流信号は差動増幅回路４と帰還抵抗５で構成された前置増幅回路３によって増幅され、差動増幅回路４の出力端に電圧信号（再生ＲＦ信号）となって現れる。
【０００５】
このとき、差動増幅回路４の利得が十分高いとすると、利得および入力ダイナミックレンジは帰還抵抗５の抵抗値によって一意に決まる。したがって、一般に帰還抵抗５の抵抗値は、利得および入力ダイナミックレンジが、ある入射光量に対して最適となるように設定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように帰還抵抗５の抵抗値を固定値に設定すると、図１０に示すように、差動増幅回路４の利得は入力レベルに拠らず一定であるため、図１１および図１２に示すように、反射率の低い光ディスクの再生時は、受光部２への入射光量が少なくなって差動増幅回路４から出力される信号の振幅不足によりＳ／Ｎが劣化し、リード特性が悪化するおそれがあった。一方、光ディスクへの書き込み時など、受光部２への入射光量が大きくなると、入力ダイナミックレンジの不足によって差動増幅回路４が飽和し、Ｓ／Ｎ劣化によるアドレス読み込み不良や、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）信号の読み込み不良などが発生するおそれがあった。
【０００７】
そこで本発明は、読み込み時の受光部への入射光量の低下に対して前置増幅回路から十分な出力レベルが得られるとともに、書き込み時には前置増幅回路の飽和を回避でき、Ｓ／Ｎの向上を図ることのできる光ピックアップ装置と光ディスク装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の主たる観点に係る光ピックアップ装置は、上記課題を解決するための手段として、光ディスクに照射するレーザ光の発生部と、前記発生部から前記光ディスクに照射された前記レーザ光の前記光ディスクからの反射光を受光して電気信号に変換する第１の受光部と、前記第１の受光部の出力に接続され、可変の帰還抵抗を有する複数の前置増幅回路と、前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を動的に制御する帰還抵抗制御手段とを具備することを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、前置増幅回路の帰還抵抗を動的に制御することによって、低い入射光量に対して高いレベルの出力が前置増幅回路より得られるようになるとともに、入力ダイナミックレンジの飽和を回避することが可能になる。
【００１０】
また、この発明の光ピックアップ装置において、第１の受光部がメインビーム光を受光するメイン受光部と、サイドビーム光を受光するサイド受光部とを有し、帰還抵抗制御手段は、メイン受光部の出力に接続された前置増幅回路の帰還抵抗の制御を行うものとすることができる。
【００１１】
この発明によれば、メイン受光部に接続された前置増幅回路の帰還抵抗を動的に制御することによって、低い入射光量に対して高いレベルの出力が、メイン受光部が接続された前置増幅回路より得られるようになるとともに、当該メイン受光部が接続された前置増幅回路の入力ダイナミックレンジの飽和を回避することが可能になる。
【００１２】
さらに、この発明の光ピックアップ装置において、帰還抵抗制御手段によるメイン受光部の出力に接続された前置増幅回路の帰還抵抗の制御と同時に、メイン受光部とサイド受光部の出力信号の比が一定になるようにサイド受光部の出力に接続された前置増幅回路の帰還抵抗を制御する第２の帰還抵抗制御手段をさらに具備するものとしてもよい。
【００１３】
これにより、メイン受光器とサイド受光器の信号比が一定に保たれることによって、トラッキングエラー信号の精度を維持することができる。
【００１４】
さらに、この発明の光ピックアップ装置において、帰還抵抗制御手段は、前置増幅回路の出力に基づいて前置増幅回路の帰還抵抗を動的に制御するものとしてよい。
【００１５】
これにより、帰還抵抗の制御を、前置増幅回路の出力に基づくフィードバック制御によって良好な精度にて行うことができる。
【００１６】
また、この発明の光ピックアップ装置において、発生部から光ディスクに照射されるレーザ光の少なくとも一部を受光して電気信号に変換する第２の受光部を有し、帰還抵抗制御手段は、第２の受光部の出力に基づいて前置増幅回路の帰還抵抗を動的に制御するものとしても構わない。
【００１７】
これにより、帰還抵抗の制御を、レーザパワーを監視する第２の受光部の出力に基づくフィードフォワード制御によって良好な精度にて行うことができる。
【００１８】
さらに、この発明の光ピックアップ装置において、第２の受光部の光路長を第１の受光部の光路長を短くして、第２の受光部よりも第１の受光器の光学的遅延を長くすることで、フィードフォワード制御の見掛け上の制御応答速度を向上させることができる。
【００１９】
本発明の別の観点に係る光ディスク装置は、光ディスクに照射するレーザ光の発生部と、前記発生部から前記光ディスクに照射された前記レーザ光の前記光ディスクからの反射光を受光して電気信号に変換する複数の第１の受光部と、前記複数の第１の受光部の出力にそれぞれ接続され、可変の帰還抵抗を有する複数の前置増幅回路と、前記前置増幅回路の前記帰還抵抗を動的に制御する帰還抵抗制御手段とを具備することを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、前置増幅回路の帰還抵抗を動的に制御することによって、低い入射光量に対して高いレベルの出力が前置増幅回路より得られるようになるとともに、入力ダイナミックレンジの飽和を回避することが可能になり、Ｓ／Ｎの向上、書き込み時のＯＰＣ信号の読み込みエラーを防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の光ピックアップ装置の構成を示す図である。
【００２３】
同図に示すように、この光ピックアップ装置１１は、レーザ光源１２と、コリメータレンズ１３と、回折格子１４と、偏向ビームスプリッタ１５と、コリメータレンズ１６と、四分の一波長板１７と、対物レンズ１８と、光ディスク１９からの反射光用受光器２０と、光源モニタ用受光器２１とを有する。
【００２４】
反射光用受光器２０は、図２に示すように、メイン受光器２０ａとこのメイン受光器２０ａの両サイドに対称的に配置された２つのサイド受光器２０ｂ、２０ｂとからなる。メイン受光器２０ａは縦横２×２に４分割され、すなわち４つの分割受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで構成されている。各分割受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、レーザ光源１２より出射されたビーム光の０次回折光であるメインビーム光２２を受光し電流信号として出力する。サイド受光器２０ｂ、２０ｂは、それぞれ２分割され、すなわちそれぞれ２つの分割受光部Ｅ，Ｆおよび２つの分割受光部Ｇ，Ｈで構成されている。これらサイド受光器２０ｂ、２０ｂの各分割受光部Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈは、レーザ光源１２より出射されたビーム光の２つの１次回折光であるサイドビーム光２３，２３をトラッキングエラー検出用の信号光としてそれぞれ受光して電流信号を出力する。トラッキングエラー信号は、メイン受光器２０ａおよび２つのサイド受光器２０ｂ、２０ｂの各分割受光部Ａ−Ｈの出力信号に基づいて所定の演算方法によって求められる。具体的には、ＤＰＰ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｐｕｓｈ  Ｐｕｌｌ）法などがある。
【００２５】
この光ピックアップ装置１１では、レーザ光源１２からのビーム光はコリメータレンズ１３によって平行光線化され、回折格子１４によって０次回折光であるメインビーム光２２と２つの１次回折光であるサイドビーム光２３，２３とに分けられ、偏向ビームスプリッタ１５に到達する。偏向ビームスプリッタ１５に到達したメインビーム光２２およびサイドビーム光２３，２３の一部は、偏光ビームスプリッタ面１５Ａで偏向され、光源モニタ用受光器２１に受光される。偏向ビームスプリッタ１５で偏向されなかったメインビーム光およびサイドビーム光は、コリメータレンズ１６、四分の一波長板１７、対物レンズ１８を径由して光ディスク１９の情報記録面に到達する。
【００２６】
光ディスク１９の情報記録面からの反射光は、対物レンズ１８、四分の一波長板１７、コリメータレンズ１６を介して偏向ビームスプリッタ１５の偏光ビームスプリッタ面１５Ａに到達してここで偏向され、反射光用受光器２０にて受光される。このとき、メインビーム光２２は反射光用受光器２０のメイン受光器２０ａに、２つのサイドビーム光２３，２３は反射光用受光器２０の２つのサイド受光器２０ｂ、２０ｂにそれぞれ受光される。
【００２７】
図３は、図１の光ピックアップ装置１１の構成において、メイン受光器２０ａの一つの分割受光部（たとえばＡ）の受光回路の構成を示す図である。なお、メイン受光器２０ａの他の分割受光部Ｂ，Ｃ，Ｄの受光回路の構成も同じである。
【００２８】
同図に示すように、この受光回路３１は、上記の分割受光部Ａと、この分割受光部Ａの出力を増幅する前置増幅回路３０を構成する差動増幅回路３３および抵抗値可変の帰還抵抗３４と、帰還抵抗３４の抵抗値を制御する演算回路３５と、メイン受光器２０ａの各分割受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに接続された前置増幅回路３０の出力信号の和を求める和演算回路３６とで構成される。
【００２９】
ここで、差動増幅回路３３の正相入力には、一定のバイアス電圧ＶＲＥＦＡが加えられており、逆相入力にはアノードがＧＮＤに接続された分割受光部Ａのカソードと、一端が差動増幅回路３３の出力に接続された抵抗値可変の帰還抵抗３４の他端が接続されている。抵抗値可変の帰還抵抗３４には、たとえば、ＭＯＳトランジスタなどが用いられる。
【００３０】
演算回路３５には、一方の入力として参照電圧ＶＲＥＦＣが加えられており、他方の入力として和演算回路３６の出力である、メイン受光器２０ａの各分割受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに接続された前置増幅回路３０の出力信号の和が加えられるようになっている。このメイン受光器２０ａの各分割受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに接続された前置増幅回路３０の出力信号の和は、メイン受光器２０ａへの入射光量に相当する。
【００３１】
この受光回路３１の動作は以下の通りである。メイン受光器２０ａの分割受光部（たとえばＡ）にメインビーム光が入光すると、差動増幅回路３３の出力に、帰還抵抗３４の初期値に応じた信号が現れる。演算回路３５は、和演算回路３６から与えられた入射光量信号と参照電圧ＶＲＥＦＣとを比較し、この比較結果に基づいて帰還抵抗３４の抵抗値を動的に制御する。具体的には、図４に示すように、差動増幅回路３３の出力レベルを入射光量の多少に関らず常に高くとることができるとともに、入力ダイナミックレンジも確保できるように、入射光量に応じて帰還抵抗３４の抵抗値を動的に制御する。
【００３２】
また、このメイン受光器２０ａの前置増幅回路３０の帰還抵抗３４の制御と同時に、サイド受光器２０ｂ、２０ｂにおける個々の分割受光部Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈに接続された、図示しない前置増幅回路の帰還抵抗の値を、メイン受光器２０ａとサイド受光器２０ｂ、２０ｂの信号比が一定に保たれるように制御する。これにより、トラッキングエラー信号の精度を維持することができる。
【００３３】
なお、サイド受光器２０ｂ、２０ｂの分割受光部の受光回路も、差動増幅回路と抵抗値可変の帰還抵抗とからなる前置増幅回路とを備えて構成されている。この前置増幅回路の帰還抵抗の抵抗値は、たとえば、上記メイン受光器２０ａの演算回路３５からの制御信号、あるいはサイド受光器２０ｂ、２０ｂの分割受光部の受光回路に設けられた制御信号発生回路が上記演算回路３５からの制御信号に応じて発生した制御信号に基づいて制御される。
【００３４】
以上の制御を行うことによって、たとえば図５に示すように、入射光量が低くても差動増幅回路３３から高いレベルの出力が得られるようになるとともに、図６に示すように、入力ダイナミックレンジが飽和（点線で示す。）を起すこともなくなる。
【００３５】
ここで、帰還抵抗３４の制御は、図４の実線で示すように、すべての入力レベル域での線形制御が理想的であるが、必ずしもこのような制御を行う必要はない。たとえば、図４に点線で示すように、入力レベルがあるレベル以上になったところから帰還抵抗３４の抵抗値の低下が飽和するといった制御を行っても構わない。
【００３６】
ただし、本実施形態による帰還抵抗３４の制御はフィードバック制御となるため、書き込み時に書き込みパルスによる前置増幅回路３０の飽和が生じやすいという懸念がある。そこで、飽和した前置増幅回路３０が最小ビットを書き込む間に飽和から復帰できるよう、ループの応答時間（前置増幅回路３０の応答時間、和演算回路３６の和演算時間、演算回路３５の演算時間、帰還抵抗３４の応答時間の和）と帰還抵抗３４の初期値をそれぞれ最適に設定しなければならないことに注意を要する。
【００３７】
以上説明した受光回路３１は、メイン受光器２０ａの入射光量に基づくフィードバック制御によって、帰還抵抗３４の抵抗値を動的に制御するものであるが、この際、上記のメイン受光器２０ａの入射光量に代えて光源モニタ用受光器２１の入射光量を利用し、フィードフォワード制御により帰還抵抗３４の抵抗値を制御するようにしてもよい。
【００３８】
以下に、この光源モニタ用受光器の入射光量に基づいて、メイン受光器に接続された前置増幅回路の帰還抵抗の制御を行う光ピックアップ装置の実施形態を説明する。
【００３９】
図７は、かかる本実施形態の光ピックアップ装置における受光回路４１の構成を示す図である。
【００４０】
同図に示すように、この受光回路４１は、メイン受光器２０ａの分割受光部（たとえばＡ）と、この分割受光部Ａの出力を増幅する前置増幅回路４０を構成する差動増幅回路４３および抵抗値可変の帰還抵抗４４と、帰還抵抗４４の抵抗値を制御する演算回路４５とを備えている。
【００４１】
ここで、差動増幅回路４３の正相入力には、一定のバイアス電圧ＶＲＥＦＡが加えられており、逆相入力にはアノードがＧＮＤに接続された分割受光部Ａのカソードと、一端が差動増幅回路４３の出力に接続された抵抗値可変の帰還抵抗４４の他端が接続されている。
【００４２】
演算回路４５には、一方の入力として参照電圧ＶＲＥＦＣが加えられており、他方の入力として、光源モニタ用受光器２１の前置増幅回路５０の出力が接続されている。光源モニタ用受光器２１の前置増幅回路５０は差動増幅回路５３と帰還抵抗５４とで構成されている。差動増幅回路５３の逆相入力には、アノードがＧＮＤに接続された光源モニタ用受光器２１のカソードと、一端が差動増幅回路５３の出力に接続された帰還抵抗５４の他端が接続されている。
【００４３】
すなわち、この受光回路４１においては、演算回路４５が、光源モニタ用受光器２１の前置増幅回路５０の出力に基づいてメイン受光器２０ａへの入射光量を推測し、この推測結果に基づいてメイン受光器２０ａの分割受光部Ａに接続された前置増幅回路４０の帰還抵抗４４の抵抗値を制御する。
【００４４】
通常、光源モニタ用受光器２１に接続された前置増幅回路５０の帰還抵抗５４の値は、入射光量が最大となっても差動増幅回路５３が飽和しないよう、入力ダイナミックレンジに余裕のある値をとってある。したがって、光源モニタ用受光器２１に接続された差動増幅回路５３の出力は飽和による波形歪や遅延が生じることがない。そこで、演算回路４５は、この光源モニタ用受光器２１に接続された前置増幅回路５０の出力と参照電圧ＶＲＥＦＣとを比較し、この比較結果に基づいて帰還抵抗４４の抵抗値を動的に制御する。具体的には、第１の実施形態と同様に、メイン受光器２０ａの分割受光部Ａに接続された差動増幅回路４３の出力レベルを入射光量の多少に関らず常に高くとることができるとともに、入力ダイナミックレンジも確保できるように、入射光量に応じて帰還抵抗４４の抵抗値を動的に制御する。これにより、入射光量が低くても差動増幅回路４３から高いレベルの出力が得られるようになるとともに、入力ダイナミックレンジの飽和を回避することができる。
【００４５】
図８は、図７と同様に光源モニタ用受光器の入射光量に基づいてメイン受光器に接続された前置増幅回路の帰還抵抗の制御を行う光ピックアップ装置におけるさらに別の受光回路６１の構成を示す図である。
【００４６】
同図に示すように、差動増幅回路６３の正相入力には一定のバイアス電圧ＶＲＥＦＡが加えられており、逆相入力は、アノードがＧＮＤに接続された分割受光部Ａのカソードと、一端が差動増幅回路６３の出力に接続された第１の帰還抵抗６２の他端と、一端が差動増幅回路６３の出力に接続され、かつスイッチ６４に直列に接続された第２の帰還抵抗６５の他端が接続されている。スイッチ６４は、コンパレータ６６からの入力に応じてオン・オフの状態が切り替えられるようになっている。
【００４７】
コンパレータ６６には、正相入力として一定のバイアス電圧ＶＲＥＦＢが加えられており、逆相入力は光源モニタ用受光器２１の前置増幅回路５０の出力と接続されている。光源モニタ用受光器２１の前置増幅回路５０は差動増幅回路５３帰還抵抗５４とで構成され、差動増幅回路５３の逆相入力には、アノードがＧＮＤに接続された光源モニタ用受光器２１のカソードと、一端が差動増幅回路５３の出力に接続された帰還抵抗５４の他端が接続されている。
【００４８】
すなわち、この受光回路６１においては、光源モニタ用受光器２１の入射光量がバイアス電圧ＶＲＥＦＢによって決められる閾値より小さい場合には、コンパレータ６６の出力によりスイッチ６４をオフにするよう制御する。これにより、メイン受光器２０ａの前置増幅回路６０における帰還抵抗の値は第１の帰還抵抗６２そのものの抵抗値となり、第１の帰還抵抗６２の抵抗値を大きく設定しておけば、入力レベルが小さいときのＳ／Ｎ劣化を抑えることができる。
【００４９】
また、光源モニタ用受光器２１の入射光量がバイアス電圧ＶＲＥＦＢによって決められる閾値より大きい場合には、コンパレータ６６の出力によりスイッチ６４をオンにするよう制御する。これにより、メイン受光器２０ａの前置増幅回路６０の帰還抵抗の値は第１の帰還抵抗６２と第２の帰還抵抗６５との合成抵抗によって決まる値となるので、第２の帰還抵抗６５の抵抗値を適度な値に設定しておくことによって、入力ダイナミックレンジを拡大でき、メイン受光器２０ａに接続された差動増幅回路６３の飽和を回避することができる。
【００５０】
なお、図８ではメイン受光器２０ａに接続された前置増幅回路６０の帰還抵抗を２段階に切り替えられるように構成したが、コンパレータ６６、スイッチ６４および第２の帰還抵抗６５を複数組設けることによって多段階に切り替えるようにすることも可能である。
【００５１】
また、図７および図８に示した実施形態においても、メイン受光器２０ａに接続された前置増幅回路４０，６０の帰還抵抗の制御と同時に、サイド受光器２０ｂ、２０ｂにおける個々の分割受光部Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈに接続された前置増幅回路の帰還抵抗の値を、メイン受光器２０ａとサイド受光器２０ｂ、２０ｂの信号比が一定に保たれるように制御するようにして構わない。
【００５２】
さらに、図７および図８に示した実施形態においても、特に書き込み動作時は書き込みパルスによる差動増幅回路の飽和が生じやすくなるため、光源モニタ用受光器２１の光路長とメイン受光器２０ａの光路長の差による光の遅延差と、前置増幅回路の応答時間、演算回路やコンパレータの伝播時間、帰還抵抗やスイッチの応答時間といった電気的な応答時間の総和を、飽和した差動増幅回路が最小ビットを書き込む間に飽和から復帰可能な時間内に設定する必要がある。そこで、各回路の応答速度を高めることによっての対応を図ることは勿論のこと、光源モニタ用受光器２１の光路長をメイン受光器２０ａの光路長よりも短くすることにより、光源モニタ用受光器２１よりもメイン受光器２０ａの光学的遅延を長くすることが有効である。
【００５３】
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、低い入射光量に対して高いレベルの出力が前置増幅回路より得られるようになるとともに、入力ダイナミックレンジの飽和を回避することができ、これにより、Ｓ／Ｎの向上、書き込み時のＯＰＣ信号の読み込みエラーの防止を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の光ピックアップ装置の構成を示す図である。
【図２】図１の反射光用受光器の分割受光部の配置を示す図である。
【図３】図１のメイン受光器の一つの分割受光部の受光回路の構成を示す図である。
【図４】入射光量に応じた帰還抵抗（利得）の制御を示すグラフ図である。
【図５】入射光量に応じた帰還抵抗（利得）の制御の結果である、差動増幅回路の入力レベルと出力レベルとの関係を示すグラフ図である。
【図６】入射光量に応じた帰還抵抗（利得）の制御の結果である、差動増幅回路の入力レベルと入力ダイナミックレンジとの関係を示すグラフ図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る光ピックアップ装置の受光回路の構成を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る光ピックアップ装置の受光回路の構成を示す図である。
【図９】従来の光ピックアップ装置における受光回路の構成を示す図である。
【図１０】従来の差動増幅回路の利得と入力レベルとの相関を示すグラフ図である。
【図１１】従来の差動増幅回路の入力レベルと出力レベルとの相関を示すグラフ図である。
【図１２】従来の入力レベルと入力ダイナミックレンジとの相関を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１１      光ピックアップ装置
１２      レーザ光源
１３      コリメータレンズ
１４      回折格子
１５      偏向ビームスプリッタ
１６      コリメータレンズ
１７      四分の一波長板
１８      対物レンズ
２０      反射光用受光器
２０ａ    メイン受光器
２０ｂ    サイド受光器
２１      光源モニタ用受光器
３０      メイン受光器の前置増幅回路
３１      受光回路
３３      差動増幅回路
３４      抵抗値可変の帰還抵抗
３５      演算回路
３６      和演算回路
４０      メイン受光器の前置増幅回路
４１      受光回路
４３      差動増幅回路
４４      抵抗値可変の帰還抵抗
４５      演算回路
５０      光源モニタ用受光器の前置増幅回路
５３      差動増幅回路
５４      帰還抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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