(57)【要約】    【課題】  本発明は、転写元基板と転写先基板との接合時に、両基板全体に略均一に押圧力を付与し得る転写方法、並びに、回路基板、電気光学装置及び電子機器の製造方法を提供することを目的としている。    【解決手段】  第１の基板１００と第２の基板２００とを対向して部分的に接着し、前記第１の基板１００に保持された複数の薄膜要素１３０のうちの一部を剥離して第２の基板２００側に転写することにより形成される基板であって、薄膜要素１３０又は第２の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素１３０に対応する領域内に接着剤２０６を閉じ込めると共に第二の基板２００上に想定される被転写領域１１６を画定する接着剤２０６の広がり防止手段１１４を備えたことを特徴とする基板により上記課題を解決する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを対向して部分的に接着し、前記第１の基板に保持された複数の薄膜要素のうちの一部を剥離して前記第２の基板側に転写することにより形成される基板であって、
前記薄膜要素又は前記第２の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素に対応する領域内に接着剤を閉じ込めると共に第２の基板上に想定される被転写領域を画定する接着剤の広がり防止手段を備えたことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記複数の薄膜要素はエネルギ照射によって破壊する剥離層を介して前記第１の基板に保持され、前記被転写領域の略外縁に沿ってレーザ照射範囲が画定される請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記薄膜要素又は第２の基板が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部である請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記薄膜要素又は第２の基板が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部である請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項５】
前記薄膜要素及び第２の基板は共に前記接着剤広がり防止手段を備え、前記第１及び第２の基板のうち一方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であり、前記第１及び第２の基板のうち他方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部である請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項６】
前記突起部が前記凹溝部内に位置するように形成される請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記突起部と前記凹溝部との間に隙間が存在するように形成される請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記第１の基板は前記薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を保持する薄膜トランジスタ回路基板であり、前記第２の基板は前記薄膜回路を接続する配線を有する回路基板である請求項１乃至７のいずれかに記載の基板。
【請求項９】
請求項８に記載の基板を含む電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の基板を含む電子機器。
【請求項１１】
薄膜要素を保持した第１の基板及び／又は前記薄膜要素の転写先である第２の基板上に、接着剤の広がりを防止し、被転写領域を画定する突起部又は凹溝部を形成する第一の工程と、
前記被転写領域に接着剤を供与する第二の工程と、
前記接着剤を介して前記第１の基板に保持された薄膜要素と前記第２の基板を接合する第三の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を離間させることにより、前記薄膜要素を前記第１の基板から前記第２の基板に転写する第四の工程と、
を含むことを特徴とする転写方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の転写方法を用いて実装基板を形成する実装基板の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜回路チップなどの薄膜層よりなる被転写体（薄膜要素）を剥離して、他の基板へ剥離転写する転写技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はＥＬ素子等を用いたディスプレイを製造する際には、通常、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を経る。薄膜トランジスタの形成工程は一般に高温下でなされるため、薄膜トランジスタが形成される基板には耐熱性が高いことが要求される。しかし、このような耐熱性の高い基板は高価であり、製品のコストが高くなるため、基板上に薄膜トランジスタを形成してから安価な基板に薄膜トランジスタを転写する方法が開発されている。
【０００３】
例えば特開平１０−１２５９２９号公報（特許文献１）に、このような薄膜トランジスタの転写方法が開示されている。当該公報に記載の方法では、薄膜トランジスタ等の被転写体の形成を石英ガラス等の耐熱性の高い基板上で行った後、耐熱性の低い安価な転写先基板にこの被転写体を転写するといった方法が開示されている。
【０００４】
このような方法によれば、高温下で行うプロセスを耐熱性の高い基板上で行った後に、安価で加工し易い基板に被転写体を転写し得るので、大型で安価な液晶ディスプレイ等を容易に製造し得ることになる。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような転写方法においては、被転写体が形成された元の基板（転写元基板）と転写先基板を接合する際に接着剤を介して接合するが、流動性の高い接着剤を用いた場合には所望の領域以外の領域にまで接着剤が流出してしまう場合がある。被転写体の接合領域の周辺に他の部品との電気的接続領域がある場合には、接着剤がこの領域を覆うことにより接続不良等を起こす虞がある。また、一方で、転写元基板には通常複数の被転写体が形成されており、今回転写対象となる被転写体と今回転写対象とならない被転写体が隣接する場合に、今回転写対象とならない被転写体にまで接着剤が付着してしまうと次回に使用予定の被転写体が破損する虞があり、転写元基板の再利用ができなくなる場合がある。
【０００６】
したがって、本発明はこのような問題を解決し、接着剤の広がりを防止し、不必要な箇所へ接着剤が広がることによる影響を防止し得る基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第一の態様は、第１の基板と第２の基板とを対向して部分的に接着し、前記第１の基板に保持された複数の薄膜要素のうちの一部を剥離して前記第２の基板側に転写することにより形成される基板であって、前記薄膜要素又は前記第２の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素に対応する領域内に接着剤を閉じ込めると共に第２の基板上に想定される被転写領域を画定する接着剤の広がり防止手段を備えたことを特徴とする基板を提供するものである。
【０００８】
これによれば、接着剤の広がりを防止し得るとともに、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じするのを防止することが可能となる。
【０００９】
前記複数の薄膜要素はエネルギ照射によって破壊する剥離層を介して前記第１の基板に保持され、前記被転写領域の略外縁に沿ってレーザ照射範囲が画定されることが好ましい。これによれば、所望の薄膜要素に確実にレーザを照射することが可能となる。
【００１０】
前記薄膜要素又は第２の基板が備える接着剤広がり防止手段は、前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であってもよく、凹溝部であってもよい。
【００１１】
前記薄膜要素及び第２の基板は共に前記接着剤広がり防止手段を備え、前記第１及び第２の基板のうち一方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であり、前記第１及び第２の基板のうち他方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部であることが好ましい。これによれば、突起部と凹溝部を組合わせているので、接着剤の広がりを突起部で防ぐとともに、過剰の接着剤を凹溝部に貯留することが可能となるので、より確実に接着剤の不要な部位への広がりを防止することが可能となる。
【００１２】
前記突起部は前記凹溝部内に位置するように形成されることが好ましい。これによれば、より確実に接着剤の不要な部位への広がりを防止することが可能となる。また、前記突起部と前記凹溝部との間に隙間が存在するように形成されていてもよい。
【００１３】
前記第１の基板は前記薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を保持する薄膜トランジスタ回路基板であり、前記第２の基板は前記薄膜回路を接続する配線を有する回路基板であることが好ましい。これによれば、信頼性の高い実装基板を形成することが可能となる。
【００１４】
本発明の第二の態様は、上記いずれかに記載の基板を含む電気光学装置を提供するものである。これによれば、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。
【００１５】
本発明の第三の態様は、上記いずれかに記載の基板を含む電子機器を提供するものである。これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。
【００１６】
本発明の第四の態様は、薄膜要素を保持した第１の基板及び／又は前記薄膜要素の転写先である第２の基板上に、接着剤の広がりを防止し、被転写領域を画定する突起部又は凹溝部を形成する第一の工程と、前記被転写領域に接着剤を供与する第二の工程と、前記接着剤を介して前記第１の基板に保持された薄膜要素と前記第２の基板を接合する第三の工程と、前記第１の基板と前記第２の基板を離間させることにより、前記薄膜要素を前記第１の基板から前記第２の基板に転写する第四の工程と、を含むことを特徴とする転写方法を提供するものである。これによれば、接着剤の広がりを防止し、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じするのを防止することが可能となる。
【００１７】
本発明の第五の態様は、上記転写方法を用いて実装基板を形成する実装基板の形成方法を提供するものである。これによれば、信頼性の高い実装基板を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、各図を参照して本発明の実施形態について説明する。
（第一の実施形態）
第一の実施形態としては、接着剤の広がり防止手段として突起部を形成したものについて説明する。
【００１９】
図１及び図２は、第２の基板２００上に、第１の基板１００に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示している。
＜突起部形成工程＞
図１（Ａ）に示すように、第１の基板１００に突起部１１４を形成する。
（ｉ）第１の基板準備段階
まず、第１の基板（転写元基板）１００を準備する。第１の基板１００は、少なくとも、基礎となる基板１１０上に、剥離層１１２、配線層１１３、薄膜トランジスタ部１０２及び薄膜トランジスタ部１０２と後述する第２の基板に形成された配線との電気的接続を図るための電極パッド１２０が形成された構成を有する。同図中、１３０は転写単位を示し、転写単位１３０は、一の薄膜トランジスタ部１０２と複数の電極パッド１２０を含む。第１の基板１００上には、このような転写単位１３０が縦横に複数形成されている。
【００２０】
基板１１０としては、例えば耐熱性ガラスなどの透光性及び耐熱性を有する基板を用いることが好ましい。これにより、後の光照射工程において、照射された光を基板１１０を介して剥離層１１２に到達させることが可能となる。
【００２１】
ここで、剥離層１１２は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、剥離層１１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
【００２２】
さらに、光の照射により、剥離層１１２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層１１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
【００２３】
このような剥離層１１２としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、剥離層１１２は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成されたＡｌ等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス，金属，有機高分子材料などを用いることも可能である。
【００２４】
剥離層１１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
【００２５】
なお、図１（Ａ）には示されないが、基板１１０及び剥離層１１２の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１１０と剥離層１１２の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
【００２６】
また、剥離層１１２及びは配線層１１３の間には、図示せぬ絶縁膜（例：酸化シリコン）が形成されている。これにより、配線層１１３の保護が図られると共に、外部との電気的絶縁を保っている。
（ｉｉ）突起部形成段階
このように準備された第１の基板１００上に、突起部（土手部）１１４を形成する。突起部１１４は、第１の基板１００上に形成された一の転写単位１３０と隣接する他の転写単位１３０との間に形成する。この突起部１１４は、第１の基板１００上に後述する接着工程において、接着剤２０６の広がりを防ぐものである。また、この突起部１１４により、一の転写単位１３０が画定されるとともに、後述する第２の基板２００上に想定される被転写領域１１６を画定するものでもある。このような突起部１１４は、例えば、第１の基板１００上に、感光性樹脂を塗布し、フォトリソプロセスを用いてパターンニングし、露光・現像する等の方法で形成することが可能である。
【００２７】
突起部１１４の材質は、第１の基板１００の表層に形成される膜（例：酸化シリコン等の保護膜）と同種の材料、好ましくは同一材料により形成することが好ましい。これによれば、第１の基板１００と突起部１１４とが同じ強度により接着剤２０６を介して第２の基板と接合されるため、第１の基板１００及び第２の基板２００間の接合力がより強固なものとなる。また、製造工程の面でも上記したフォトリソプロセス等を利用することにより、突起部１１４を容易に形成し得ることになる。
【００２８】
突起部１１４の構造については、後に詳しく説明する。
＜接着剤供与工程＞
図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１００上に形成された突起部１１４により画定される被転写領域１１６内に接着剤２０６を供与する。
【００２９】
接着剤２０６としては、導電粒子２０８を含む異方性導電ペースト（ＡＣＰ）が好適に用いられる。但し、これに限らず、導電粒子２０８を含まない非導電性ペースト（ＮＣＰ）を用いてもよい。
【００３０】
接着剤２０６の供与方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサ、スクリーン印刷又はインクジェット式液滴吐出装置等のいずれの方法を用いてもよい。
【００３１】
また、接着剤２０６の供与量は、第１の基板１００側の電極パッド１２０と第２の基板２００側の電極パッド２０４とが接合し得る量があればよく、特に限定するものではない。但し、第１の基板及び第２の基板の被転写領域１１６内に形成された配線又は回路を保護（封止）し、また、両基板間の接着を強固にするという観点からは、第１の基板１００と第２の基板２００との間の被転写領域１１６に対応する空間内が満たされる量の接着剤を供与することが好ましい。
＜位置合わせ工程＞
図１（Ｃ）に示すように、第１の基板１００と別途準備した第２の基板２００とのアライメント（位置合わせ）を行う。
【００３２】
第１の基板１００上に形成された突起部１１４は、アライメントの際の指標ともなり得る。
【００３３】
第２の基板（回路基板又は転写先基板）２００は、例えばガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板２１０上に、配線層２１２、第１の基板１００側の電極パッド１２０と接続される電極パッド２０４及び配線層２１２を保護する保護膜２１４を含み構成されている。保護膜２１４は、例えば、酸化シリコン、樹脂等で構成され、配線層２１２と外部との電気的絶縁を図る役割も担う。
＜接合工程＞
図２（Ｄ）に示すように、第１の基板１００上に形成された電極パッド１２０と第２の基板２００上に形成された電極パッド２０４とを当接させて転写単位１３０の貼り合わせが行われる。この際、必要に応じて適度な押圧力が付与される。接着剤２０６は、第２の基板２００上に形成された突起部２０２により堰き止められるため、不要な領域に接着剤が及ぶことがない。したがって、後に他の部品（例：有機ＥＬ基板等の他基板に形成される電極パッド等）との電気的接続に使用される隣接する接続部２０５等を接着剤が覆うことがないので、接続不良を低減することが可能となる。
＜光照射工程＞
その後、図２（Ｅ）に示すように、今回転写対象となる薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を含む転写単位１３０にのみ光Ｌが照射されるように、第１の基板１００の背面側から光Ｌを照射する。この際、第１の基板１００上に形成された突起部１１４により被転写領域１１６が画定されるので、当該範囲に光Ｌを照射することにより、確実に所望の転写単位１３０を第２の基板２００側に転写することが可能となる。
【００３４】
レーザ照射範囲は、例えばマスクを介して照射することにより調整し得る。照射されたレーザ光Ｌは、第１の基板１００を透過して剥離層１１２で吸収されて剥離（層内剥離および／または界面剥離）が生じる。剥離層１１２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１１２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
【００３５】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層１１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【００３６】
剥離層１１２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１１２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００３７】
照射する光Ｌとしては、剥離層１１２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ2レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が挙げられる。
＜転写工程＞
上記工程によるレーザ照射後、第１の基板１００を第２の基板２００から離間させることにより、薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を含む転写単位１３０を第２の基板２００側に転写することが可能となる。
【００３８】
このように形成された実装基板３００に、さらに例えば有機ＥＬチップを含む有機ＥＬ基板を貼り合せることで有機ＥＬ表示装置を製造することが可能である。
【００３９】
次に、突起部１１４の構造について説明する。
【００４０】
図３は、突起部１１４の高さを説明するための図である。
【００４１】
図３（ａ）に示すように、突起部１１４の高さは、第１の基板１００と第２の基板２００の圧着後の第１の基板１００側に形成された電極パッド１２０の高さＸ３、第２の基板２００側に形成された電極パッド２０４の高さＸ１、及び電極パッド１２０及び電極パッド２０４の間に介在する導電粒子２０８を含む接着剤２０６の層の高さＸ２の合計距離Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３と略同一又は低いことを要する。この合計距離よりも高いと電極パッド間の電気的接続に不具合が生じる虞があるからである。
【００４２】
また、図３（ｂ）に示すように、第１の基板１００及び第２の基板２００の貼り合せ前において、接着剤２０６が断面略半円状又は外周部が他の部位よりも低くなるように供与される時に、突起部１１４の高さが、接着剤２０６層の最大高さＸ４よりも高いことが好ましい。これにより、突起部１１４を乗り越えて接着剤が近接する位置に形成された電極パッドに付着することにより、他の部品との接続不良が生じるという問題を回避することが可能となる。
【００４３】
突起部２０２の幅は、特に限定するものではないが、隣接する転写単位１３０の要部が形成されていない領域において、できるだけ広くとることが好ましい。本実施形態では、具体的には、薄膜トランジスタ部１０２の外周に形成された電極パッド１２０に触れない程度に形成される。
【００４４】
接着剤２０６は、表面張力によりその表面積をできるだけ小さくしようとする傾向にある。したがって、突起部２０２に幅をもたせることで、この表面張力による凝集力をできる限り利用することが可能となり、接着剤２０６が突起部２０２を越えて周囲に流出するのを防止することが可能となる。
【００４５】
図４に、突起部１１４の形成パターンの例を示す。
【００４６】
図４（ａ）に示すように、本実施形態では、転写単位１３０の周囲を囲うように、矩形状の連続した突起部２０２が形成される。この突起部１１４には、四隅に切れ目１２２が設けられている。このように、四隅に切れ目１２２が設けられていることにより、後の工程で接着剤を介して第１の基板１００と第２の基板２００を接合する際に、過剰の接着剤が突起部１１４を乗り越えて流出するよりも先にこの四隅の切れ目１２２から漏れることになる。したがって、隣接する領域に形成された転写単位１３０に接着剤２０６が付着することがないので、第１の基板１００に形成された、今回転写対象とならなかった転写単位１３０についても、そのまま次回の転写に利用することが可能である。また、第２の基板２００についても、周囲に形成された他部品との接続部（例：電極パッド）等に接着剤が付着することもないので、後の工程で接続する他部品との接続不良等を防止することが可能となる。
【００４７】
なお、突起部２０２の形成パターンは上記に限らず、例えば、図４（ｂ）に示すように、矩形状に設けられた突起部の一方の短辺の中央に切れ目１２２ａを１つ設け、他方の短辺の両端に２つ切れ目１２２ｂを入れたパターンを繰り返してもよい。これによれば、中央部に設けた切れ目１２２ａから漏れた接着剤を隣接する突起部の短辺で堰き止めることが可能となるので、隣接する領域に接着剤が流入することがない。
【００４８】
本実施形態によれば、突起部１１４が形成されていることで周囲の不要な部位にまで接着剤２０６が広がるのを防止し得るとともに、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じるのを防止することが可能となる。また、転写単位１３０の周囲が突起部１１４により囲われていることで、強度が向上する。さらに、レーザ照射範囲を突起部１１４により画定されるので、確実に転写単位１３０を転写することが可能となる。したがって、本実施形態によれば、信頼性の高い実装基板を提供することが可能となる。
【００４９】
なお、本実施形態では、隣接する転写単位１３０間に共通する一重の突起部しか設けていないが、多重（複数）の突起部を形成していてもよい。
【００５０】
図５に示すように、一の転写単位１３０に対し、この転写単位を囲う一の突起部１１４を設けることで、今回転写対象となる転写単位１３０を転写した後にも、今回転写対象とならなかった転写単位１３０の周囲に突起部１１４が残るので、新たに突起部１１４を形成することなく、次の転写を行うことが可能となる。また、転写単位１３０ごとに突起部１１４を形成し、隣接する転写単位１３０の突起部１１４との間に間隔を設けることにより、レーザ照射範囲に余裕を持たせることが可能となる。
【００５１】
また、本実施形態では突起部１１４も転写単位１３０に含まれて、第２の基板２００側に転写される態様について記載したが、突起部１１４が接着剤２０６と付着しないような材料で形成されている場合等には、必ずしも突起部１１４が転写されなくてもよい。
【００５２】
また、本実施形態では、第１の基板１００側に突起部１１４を設けたが、これに限定されない。
【００５３】
図６に、突起部の変形例を示す。図６（ａ）に示すように、突起部１１４ａを被転写体１３０が転写される先である第２の基板２００側に形成してもよい。また、図６（ｂ）に示すように、第１の基板１００側及び第２の基板２００側に、それぞれ対応する位置に突起部１１４ｂ及び１１４ｃを形成してもよい。さらに、図６（ｃ）に示すように、第１の基板１００側及び第２の基板２００側に互い違いになるように、それぞれ突起部１１４ｄ及び１１４ｅを形成してもよい。
（第二の実施形態）
第二の実施形態としては、接着剤の広がり防止手段として凹溝部を形成したものについて説明する。
【００５４】
図７は、第２の基板２００上に凹溝部を形成した例を説明するための図である。図７（ａ）は、第１の基板１００及び第２の基板２００の接合時の断面図であり、図７（ｂ）は、第２の基板２００を上面から見た概略図を示す。なお、同図中、図１乃至図６と同じ構成要素については、同一符号を付し説明を省略する。
【００５５】
同図（ａ）及び（ｂ）に示すように、凹溝部２１５を第２の基板２００上に形成された電極パッド１２０の周囲に設けることにより、第１の基板１００と第２の基板２００との接合時に接着剤２０６が流出することにより、周囲の望まない箇所である例えば、後の工程で接続される他の部品との接続部２０５等に付着するのを防止することが可能となる。
【００５６】
また、同図（ｂ）に示すように、２×５個配置された電極パッド２０４の周囲の連続した凹溝部２１５の幅を、長手方向の幅ａを長手方向に垂直な方向の幅ｂよりも広く構成することが好ましい。このように、ａ＞ｂとすることにより、供与した接着剤２０６が接続時において、電極パッド２０４の配置の長手方向により広がることになるため、電極パッド２０４の全体に確実に接着剤２０６を付与することが可能となり、第１の基板１００及び第２の基板２００間の電気的接続の信頼性を高めることが可能となる。
【００５７】
凹溝部２１５の深さは、特に限定するものではなく、例えば基板２１１内部に配線層が形成されている場合においても、当該配線層に接するまで深く形成されていてもよい。また、凹溝部２１５の深さは、必ずしも全て同じでなくてもよく、例えば、基板２１１の凹溝部２１５を形成する下層に配線が形成されているか否かにより凹溝部２１５の深さを適宜変更してもよい。
【００５８】
また、凹溝部２１５は、電極パッド２０４の周囲に連続的に形成されているが、電極パッド２０４の周囲に断続的に複数の凹溝部を配置させていてもよい。
【００５９】
また、凹溝部２１５は、電極パッド２０４の周囲に一重のみではなく、多重に形成されていてもよい。例えば、接着剤２０６がインクジェット式液滴吐出装置により供給される場合には、接着剤２０６が一箇所に複数滴供与されることがある。この場合には、複数回滴下すると滴下時の衝撃により、一重の凹溝部のみでは接着剤２０６の広がりを防止しきれない場合もある。しかし、多重に凹溝部２１５が形成されることで、このような場合にも確実に接着剤２０６の広がりを防止することが可能となる。
【００６０】
このような凹溝部２１５は、例えばエッチングにより形成することが可能である。
【００６１】
本実施形態によれば、凹溝部２１５を形成することで接着剤２０６が不必要な領域に流出するのを防止することが可能となる。したがって、隣接する位置にある他の部品との接続部（例：電極パッド）に接着剤２０６が付着することによる接続不良等を回避することが可能となる。また、今回転写対象とならなかった転写単位１３０に接着剤２０６が付着し破損する虞もなく、次回の転写に良好に使用することが可能となる。
【００６２】
また、凹溝部２１５により、被転写領域１１６を画定することができるので、レーザ照射領域をも画定することが可能となる。したがって、所望の転写単位１３０を確実に転写先基板に転写することが可能となる。
（第三の実施形態）
図８は、接着剤の広がり防止手段として、転写単位１３０の周囲に凹溝部と突起部を隣接して設けた例を示す。
【００６３】
同図（ａ）に示すように転写単位１３０の周囲に凹溝部２１５及び突起部２１７を隣接して設けることで、凹溝部から溢れ出た接着剤２０６が隣接領域に侵入するのを防止することが可能となる。
【００６４】
また、同図（ｂ）に示すように、突起部２１７を隣接する他部品（例えばＥＬ基板上に形成されたＥＬ素子との電気的接続に用いられる電極パッド）と接続するための接続部２０５（例：電極パッド）により構成してもよい。すなわち、他部品との接続部２０５を電極パッド２０４よりも高く形成することにより、被転写領域１１６に供与される接着剤２０６が接続部２０５の上面に付着するのを防止することが可能となる。特に、異方性導電ペーストを用いた場合には、接続部２０５との電気的絶縁性も担保できるので好ましい。
（第四の実施形態）
図９は、接着剤の広がり防止手段として、一方の基板に突起部を形成し他方の基板に凹溝部を形成した例を示す。なお、同図中、図１乃至図８と同じ構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。
【００６５】
同図（ａ）に示すように、本実施形態では、第１の基板１００側に突起部１１４を設け、第２の基板２００側に凹溝部２１５を設けた例について説明する。
【００６６】
このように、突起部１１４と凹溝部２１５を組合わせることで、接着剤２０６の広がりを突起部１１４でまず堰き止め、さらに過剰の接着剤２０６を凹溝部２１５に溜めることができるので、周囲の不必要な領域に接着剤２０６が流出するのをより確実に防止することが可能となる。
【００６７】
また、さらに、同図（ｂ）に示すように、突起部１１４の高さを凹溝部２１５に嵌る高さとすることで、より確実に接着剤２０６の広がりを防止することが可能となる。
【００６８】
なお、本実施形態においては、レーザ照射範囲は突起部１１４により画定されることが好ましい。突起部１１４の外周で定まる領域をレーザ照射範囲とすることで、確実に転写単位１３０を転写先基板側に転写することが可能となる。
（電気光学装置及び電子機器）
本実施形態に係る基板を、電気光学装置や電子機器を好適に利用することが可能である。このように、本実施形態の電気光学装置及び電子機器は、上記のような実装基板を使用するので信頼性が高い。
【００６９】
本発明に適用し得る電気光学装置及び電子機器の具体例を図１０及び図１１を参照しながら説明する。
【００７０】
図１０及び図１１は、電気光学装置６００（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【００７１】
図１０（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置６００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図１０（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ８５０はカメラ部８５１、操作部８５２、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ８６０はバンド８６１、光学系収納部８６２および本発明の電気光学装置６００を備えている。
【００７２】
図１１（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は本発明に係る電気光学装置６００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明の電気光学装置６００を適用し得る。図１１（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は本発明の電気光学装置６００を備えている。
【００７３】
なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示装置を挙げたが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子（例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など）を用いて構成される電気光学装置に対して適用することが可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。
【００７４】
また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。
【００７５】
また、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明にかかる回路基板の適用例として電気光学装置を説明していたが、これ以外にも各種の電子機器（例えば、ＩＣカード等）に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】図１は、第２の基板上に、第１の基板に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示す図である。
【図２】図２は、第２の基板上に、第１の基板に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示す図である。
【図３】図３は、突起部１１４の高さを説明するための図である。
【図４】図４は、突起部の形成パターンの例を示す図である。
【図５】図５は、複数の突起部を設けた例を示す図である。
【図６】図６は、突起部の変形例を示す図である。
【図７】図７は、第２の基板上に凹溝部を形成した例を説明するための図である。
【図８】図８は、転写単位の周囲に凹溝部と突起部を隣接して設けた例を示す。
【図９】図９は、一方の基板に突起部を形成し他方の基板に凹溝部を形成した例を示す。
【図１０】図１０は、電気光学装置を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【図１１】図１１は、電気光学装置を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００７７】
１００・・・第１の基板、１０２・・・薄膜トランジスタ部、１１０・・・基板、１１２・・・剥離層、１１３・・・配線層、１１４・・・突起部、１１６・・・被転写領域、１２０・・・電極パッド、１３０・・・転写単位、２００・・・第２の基板、２０２・・・突起部、２０４・・・電極パッド、２０５・・・接続部、２０６・・・接着剤、２０８・・・導電粒子、２１０・・・基板、２１２・・・配線層、２１４・・・保護膜、２１５・・・凹溝部、２１７・・・突起部、３００・・・実装基板
【図１】
2005191271.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005191271.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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