(57)【要約】【課題】光ディスク上の所定位置のチルト量をトラッキング制御した状態で容易に且つ正確に検出することができる光ディスク及びその傾き補正方法を提供する。【解決手段】トラッキング用の溝が形成された光ディスク上の再生可能領域内の少なくとも一部の領域に、光ディスクの傾き量を検出するためのチルト検出領域が設けられており、そのチルト検出領域が３つの隣接する該溝により形成されている。３つの隣接する溝のうち中央の溝の両側に隣接する２つの溝が中央の溝に対して対称に且つ径方向に互いに離れる方向に変位している。そして、該中央の溝上の所定位置に照射されるレーザ光のメインスポットのプッシュプル信号から光ディスクの傾き量を検出する。【選択図】  図１
2005004859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、
所定領域内を３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の両側に位置する２つの溝が、該所定領域内で、該特定の溝に対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、該所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、
所定領域内を３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の一部が該所定領域内で分断されて、その間にランド部が画成され、該特定の溝の両側に位置する２つの溝が、該所定領域内で、該ランド部に対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位しており、該所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、
所定領域内を２つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該２つ以上の溝のうち隣接する２つの溝が該所定領域内で、径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、該所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、
該光ディスクが第１所定領域及び第２所定領域を備え、
第１所定領域内には３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の両側に位置する２つの溝が、第１所定領域内で、該特定の溝に対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、
第２所定領域内には２つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該２つ以上の溝のうち隣接する２つの溝が第２所定領域内で、径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、
第１所定領域または第２所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、
該光ディスクが第１所定領域及び第２所定領域を備え、
第１所定領域内には３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の一部が第１所定領域内で分断されて、その間にランド部が画成され、該特定の溝の両側に位置する２つの溝が、第１所定領域内で、該ランド部に対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位しており、
第２所定領域内には２つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該２つ以上の溝のうち隣接する２つの溝が第２所定領域内で、径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、
第１所定領域または第２所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスク。
【請求項６】
第１所定領域及び第２所定領域における光ディスクの傾き量の検出感度が、ほぼ同じであることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク。
【請求項７】
上記請求項１〜６のいずれか一項に記載の光ディスクの傾き補正方法であって、
上記光ディスクの溝上あるいは溝間に形成されたランド上に光ビームを照射してトラッキング制御を行いながら、上記所定領域に照射される該光ビームのスポットからのプッシュプル信号を検出する工程と、
該検出されたプッシュプル信号に基づいて、光ディスクに照射される光ビームの光路長を変化させて該スポットのコマ収差を低減する工程とを含むことを特徴とする光ディスクの傾き補正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク及び光ディスクの傾き補正方法に関し、特に高記録密度の光ディスク及び光ディスクの傾き補正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光記録媒体の大容量化の必要性に応えて、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光記録媒体（光ディスク）が製品化されている。これらの光ディスクは、例えば、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、誘電体層、記録層等を積層し、さらにそれらの層上に保護層を形成した光ディスクを２枚用意し、互いの保護層側を貼り合わせることにより製造される。このように記録層を２層設けることにより大容量化が図られる。
【０００３】
これらの大容量のＤＶＤ製品では、情報の高記録密度化のために、情報の記録再生時の光ディスク面上に集光するレーザ光のスポット径を小さくする。これは、光ディスクに照射するレーザ光の波長を短くし、且つレーザ光を光ディスク面上に集光するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくすることにより達成される。現在のＤＶＤ製品では、レーザ光源の波長を６５０ｎｍまたは６３５ｎｍとし、対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．６にしている。しかしながら、レーザ光の短波長化及び対物レンズの高ＮＡ化に伴い、光ディスクの傾き（ディスクチルト）による光スポットのコマ収差などの影響が大きくなり、情報の記録再生特性が劣化するという問題が生じる。それゆえ、高密度記録された光ディスクでは、精度良く光ディスクの傾き量を検出して補正する必要がある。
【０００４】
従来の光ディスクの傾き量はチルトセンサにより検出され、チルトセンサでは、光ディスクにＬＥＤ等の光ビームを照射して、光ディスクからの反射光を２つの光センサで受光し、その２つの光センサの受光量の差から光ディスクの傾き量を検出する方法が用いられている。
【０００５】
また、チルトセンサを用いた検出方法以外では、光ディスクのトラッキング制御時に用いられるプッシュプル信号から光ディスクの傾き量を求める方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の光ディスクの傾き量の検出方法は、次の通りである。周期Ｇｐの連続した溝を有する光ディスクの、ｎ番目のトラックＧｎに隣接するトラックＧｎ−１、Ｇｎ＋１とするとき、Ｇｎ−１とＧｎ＋１のトラックの溝を一部無くし、等価的に溝周期がＧｐの２倍となる領域を設ける。そして、溝周期Ｇｐの領域から得られるプッシュプル信号と溝周期２Ｇｐの領域から得られるプッシュプル信号との差を演算してチルト誤差信号を求めている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１７５６３６号公報（第５−８頁、第１−４図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスクの傾き量の検出にチルトセンサを用いた場合、チルトセンサが光ディスクドライブの固定部分に設置されていると、光ディスク上の特定の場所の傾き量しか検出できないという問題が生じる。一方、チルトセンサが光ディスクドライブの対物レンズと一緒に動く可動部分に設置されていると、可動部分が重くなるのでアクセススピードなどの記録再生性能が低下し、さらに可動部分の駆動に必要な電流も増加する。
【０００８】
また、チルトセンサを光ディスクドライブの固定部分または可動部分のいずれに設置しても、記録または再生している光ディスク上の所定位置とは異なった位置の傾き量を検出しているという欠点があった。さらに、チルトセンサを設置するために記録または再生に直接関係のない部品が必要となるため、コストアップの要因になる。
【０００９】
また、次世代の光ディスクでは、さらなる高記録密度の光ディスクが求められている。この期待の応えるためには、レーザ光源の波長を４０５ｎｍ程度、ＮＡを０．６以上とする必要がある。この際、光ディスクの傾きにより発生する光スポットのコマ収差の影響がさらに大きくなり、スポット径が大きくなるので高密度記録が困難になる恐れがある。従って、従来よりさらに精度良く光ディスクの傾き量を検出することが求められている。
【００１０】
本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決するためになされたものであって、高記録密度の光ディスク上の所定位置の傾き量を、フォーカス制御およびトラッキング制御をした状態で容易に且つ正確に検出することができる光ディスク及びその傾き補正方法を提供することである。また、情報の記録または再生に直接関係のない部品を必要とせずに、光ディスクの傾き量を容易に且つ正確に検出することができる光ディスク及びその傾き補正方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に従えば、螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、所定領域内を３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の両側に位置する２つの溝が、該所定領域内で、該特定の溝に対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、該所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスクが提供される。
【００１２】
本発明の第１の態様の光ディスクの一例を図１に示す。図１中の破線領域１１、１２及び１３が、第１の態様に従う光ディスクの所定領域、すなわち、チルト検出領域である。例えば、図１のチルト検出領域１２について説明すると、チルト検出領域１２は３つの隣接する溝Ｎ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部により形成されており、チルト検出領域１２内の特定の溝Ｎ（図１の例ではチルト検出領域１２内の中央の溝）の領域１２ｂの径方向に隣接する２つの溝Ｎ−１及びＮ＋１の領域１２ａ及び１２ｃが特定の溝Ｎの領域１２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。すなわち、チルト検出領域１２内の溝Ｎ−１及びＮ＋１の領域１２ａ及び１２ｃが略逆位相でウォブルしている。
【００１３】
図１に示すようなチルト検出領域を有する光ディスクに対して、例えば、図３に示すような３つの光スポット１４、１５及び１６を用いたディファレンシャルプッシュプル方式などでトラッキング制御を行い、チルト検出領域内の特定の溝Ｎ上の所定位置（例えば、図１中の位置Ｐ）でメインスポット１５のプッシュプル信号を検出すると、そのプッシュプル信号は光ディスクの傾き方向及び傾き量に比例した信号が得られる。その一例を図８（ａ）に示す。
【００１４】
図８（ａ）は、光ディスクの傾き量（以下、チルト量ともいう）の変化に対して、チルト検出領域内の特定の溝Ｎ上の所定位置で検出されるメインスポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。図８（ａ）から明らかなように、チルト検出領域内の特定の溝Ｎ上の所定位置で検出されるメインスポット１５のプッシュプル信号出力は、光ディスクのチルト量にほぼ比例することが分かる。すなわち、トラッキング制御しながらもチルト検出領域内の特定の溝Ｎ上の所定位置に照射されるレーザ光のメインスポットのプッシュプル信号出力を検出することにより、光ディスクのチルト検出領域付近のチルト量を検出することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様に従えば、螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、所定領域内を３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の一部が該所定領域内で分断されて、その間にランド部が画成され、該特定の溝の両側に位置する２つの溝が、該所定領域内で、該ランド部に対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位しており、該所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスクが提供される。
【００１６】
本発明の第２の態様の光ディスクの一例を図１０に示す。図１０中の破線領域２１、２２及び２３が、第２の態様に従う光ディスクの所定領域、すなわち、チルト検出領域である。例えば、図１０のチルト検出領域２２について説明すると、チルト検出領域２２は、３つの隣接する溝Ｎ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部により形成されている。また、チルト検出領域２２内で、特定の溝Ｎ（図１０の例ではチルト検出領域２２内の中央の溝）は途中で分断されており、特定の溝Ｎ間にランド部２２ｂが画成されている。そして、図１０に示すように、チルト検出領域２２内のランド部２２ｂの径方向に隣接する２つの溝Ｎ−１及びＮ＋１の領域２２ａ及び２２ｃがランド部２２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位している。すなわち、チルト検出領域２２内の溝Ｎ−１及びＮ＋１の領域２２ａ及び２２ｃが略逆位相でウォブルしている。
【００１７】
図１０に示すようなチルト検出領域を有する光ディスクに対して、例えば、図３に示すような３つの光スポット１４、１５及び１６を用いたディファレンシャルプッシュプル方式などでトラッキング制御を行い、チルト検出領域２２内の特定の溝Ｎ間に画成されたランド部２２ｂの所定位置（例えば、図１０中の位置Ｐ）でメインスポット１５のプッシュプル信号を検出すると、そのプッシュプル信号の出力は光ディスクのチルト方向及びチルト量に比例した信号が得られる。その一例を図１１（ａ）に示す。
【００１８】
図１１（ａ）は、光ディスクのチルト量の変化に対して、チルト検出領域内の特定の溝Ｎ間に画成されたランド部２２ｂ上の所定位置で検出されるメインスポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。図１１（ａ）から明らかなように、チルト検出領域内の特定の溝Ｎ間に画成されたランド部２２ｂで検出されるメインスポット１５のプッシュプル信号出力は、光ディスクのチルト量にほぼ比例することが分かる。すなわち、本発明の第２の態様に従う光ディスクにおいても、トラッキング制御しながらチルト検出領域内の特定の溝間に画成されたランド部の所定位置に照射されるレーザ光のメインスポットのプッシュプル信号出力を検出することにより、光ディスクのチルト検出領域付近のチルト量を検出することができる。
【００１９】
本発明の第３の態様に従えば、螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、所定領域内を２つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該２つ以上の溝のうち隣接する２つの溝が、該所定領域内で、径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、該所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスクが提供される。
【００２０】
本発明の第３の態様に従う光ディスクは、溝間に形成されたランド上にレーザ光のメインスポットをトレースしてトラッキング制御を行うタイプの光ディスクである。本発明の第３の態様の光ディスクの一例を図１３に示す。図１３中の破線領域３１、３２及び３３が、第３の態様に従う光ディスクの所定領域、すなわち、チルト検出領域である。例えば、図１３のチルト検出領域３２について説明すると、チルト検出領域３２は２つの隣接する溝Ｎ及びＮ＋１の領域３２ａ及び３２ｃと、その領域３２ａ及び３２ｃにより画成されたランド部３２ｂにより形成されている。そして、図１３に示すように、チルト検出領域３２内の領域３２ａ及び３２ｃは、ランド部３２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。すなわち、チルト検出領域３２内の溝Ｎ及びＮ＋１の領域２２ａ及び２２ｃが略逆位相でウォブルしている。
【００２１】
図１３に示すような光ディスクに対して、例えば、図３に示すような３つの光スポット１４、１５及び１６を用いたディファレンシャルプッシュプル方式などでトラッキング制御を行い、チルト検出領域３２内のランド部３２ｂ上の所定位置（例えば、図１３中の位置Ｐ）でメインスポット１５のプッシュプル信号を検出すると、そのプッシュプル信号は光ディスクのチルト方向およびチルト量に比例した信号が得られる。その一例を図１４（ａ）に示す。
【００２２】
図１４（ａ）は、光ディスクのチルト量の変化に対して、チルト検出領域内の溝間に画成されたランド部上の所定位置で検出されるメインスポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。図１４（ａ）から明らかなように、チルト検出領域内のランド部上の所定位置で検出されるメインスポット１５のプッシュプル信号出力は、光ディスクのチルト量にほぼ比例することが分かる。すなわち、本発明の第３の態様に従う光ディスクにおいても、トラッキング制御しながらチルト検出領域内のランド部上の所定位置に照射されるレーザ光のメインスポットのプッシュプル信号出力を検出することにより、光ディスクのチルト検出領域付近のチルト量を検出することができる。
【００２３】
本発明の第４の態様に従えば、螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、該光ディスクが第１所定領域及び第２所定領域を備え、第１所定領域内には３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の両側に位置する２つの溝が、第１所定領域内で、該特定の溝に対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、第２所定領域内には２つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該２つ以上の溝のうち隣接する２つの溝が第２所定領域内で、径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、第１所定領域または第２所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスクが提供される。
【００２４】
本発明の第４の態様の光ディスクの一例を図１６に示す。図１６中の破線領域４２が第４の態様に従う光ディスクの第１所定領域、すなわち、第１チルト検出領域であり、破線領域４１及び４３が、第４の態様に従う光ディスクの第２所定領域、すなわち、第２チルト検出領域である。第４の態様に従う光ディスクでは、図１６に示すように、３つの隣接する溝Ｎ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第１チルト検出領域４２と、２つの隣接する溝Ｎ−１及びＮあるいは溝Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第２チルト検出領域４１あるいは４３が形成されている。
【００２５】
第１チルト検出領域４２は、図１６に示すように、第１チルト検出領域４２内の特定の溝Ｎ（図１６の例では第１チルト検出領域４２内の中央の溝）の領域４２ｂの径方向に隣接する２つの溝Ｎ−１及びＮ＋１の領域４２ａ及び４２ｃが領域４２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。すなわち、第１チルト検出領域４２は、本発明の第１の態様に従う光ディスクに形成されたチルト検出領域と同じ構造である。
【００２６】
一方、第２チルト検出領域４１と４３は同じ構造を有し、例えば、第２チルト検出領域４１は２つの隣接する溝Ｎ−１及びＮの一部の領域４１ａ及び４１ｃと、領域４１ａと４１ｃにより画成されたランド部４１ｂとから形成されている。そして、図１６に示すように、第２チルト検出領域４１内の溝Ｎ−１及びＮの領域４１ａ及び４１ｃは、ランド部４１ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。すなわち、第２チルト検出領域４１及び４３は、本発明の第３の態様に従う光ディスクに形成されたチルト検出領域と同じ構造である。
【００２７】
本発明の第４の態様に従う光ディスクには、図１６に示すように、第１の態様に従う光ディスクのチルト検出領域（第１チルト検出領域）と、第３の態様に従う光ディスクのチルト検出領域（第２チルト検出領域）が混在して形成されている。それゆえ、トラッキング制御の際、レーザ光のメインスポットを溝上にトレースしてトラッキング制御する場合には、図１６中の第１チルト検出領域４２内の特定の溝Ｎ上の位置Ｐ２におけるメインスポットのプッシュプル信号を検出することにより、第１チルト検出領域４２付近の光ディスクのチルト量を検出することができる。また、レーザ光のメインスポットを溝間に形成されたランド上にトレースしてトラッキング制御する場合には、例えば、図１６中の第２チルト検出領域４１内のランド部４１ｂ上の位置Ｐ１におけるメインスポットのプッシュプル信号を検出することにより、第２チルト検出領域４１付近の光ディスクのチルト量を検出することができる。すなわち、第４の態様に従う光ディスクでは、溝上及び溝間のランド上のいずれをトラッキングする場合でも、光ディスクのチルト量を検出することができる。従って、本発明の第４の態様に従う光ディスクを用いることにより、例えば、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ等のように仕様、規格などが異なる光ディスク群に対して、光ディスクの溝形状を同じ形状にすることができるので、用途及びフォーマットに応じて検出回路を変更する必要がなくなる。それゆえ、光ディスク装置の部品点数を減らすことができ、光ディスク装置の低価格化を図ることができる。また、仕様、規格などが異なる光ディスク群に対して、光ディスクの基板を共通化することができるので、仕様、規格などに応じて個別に基板を製造する必要が無くなり、光ディスクの製造時のコストを削減することができ、光ディスクの低価格化を図ることができる。
【００２８】
本発明の第５の態様に従えば、螺旋状あるいは同心円状にトラッキング用の溝が形成された光ディスクであって、該光ディスクが第１所定領域及び第２所定領域を備え、第１所定領域内には３つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該３つ以上の隣接する溝のうち特定の溝の一部が第１所定領域内で分断されて、その間にランド部が画成され、該特定の溝の両側に位置する２つの溝が、第１所定領域内で、該ランド部に対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位しており、第２所定領域内には２つ以上の隣接するトラッキング用の溝が通っており、該２つ以上の溝のうち隣接する２つの溝が第２所定領域内で、径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位しており、第１所定領域または第２所定領域に光が照射されることにより光ディスクの傾き量が検出されることを特徴とする光ディスクが提供される。
【００２９】
本発明の第５の態様の光ディスクの一例を図１８に示す。図１８中の破線領域５２が第５の態様に従う光ディスクの第１所定領域、すなわち、第１チルト領域であり、破線領域５１及び５３が、第５の態様に従う光ディスクの第２所定領域、すなわち、第２チルト検出領域である。第５の態様に従う光ディスクでは、図１８に示すように、３つの隣接する溝Ｎ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第１チルト検出領域５２と、２つの隣接する溝Ｎ−１及びＮあるいは溝Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第２チルト検出領域５１あるいは５３が形成されている。
【００３０】
第１チルト検出領域５２は、図１８に示すように、第１チルト検出領域５２内では、特定の溝Ｎ（図１８の例では第１チルト検出領域５２内の中央の溝）上の一部では溝が分断されて、その間にランド部５２ｂが画成されている。また、図１８に示すように、第１チルト検出領域５２内のランド部５２ｂの径方向に隣接する２つの溝Ｎ−１及びＮ＋１の領域５２ａ及び５２ｃがランド部５２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位している。すなわち、第１チルト検出領域５２は、本発明の第２の態様に従う光ディスクに形成されたチルト検出領域と同じ構造である。
【００３１】
一方、第２チルト検出領域５１と５３は、図１８に示すように、同じ構造を有し、例えば、第２チルト検出領域５１は２つの隣接する溝Ｎ−１及びＮの一部の領域５１ａ及び５１ｃと、領域５１ａと５１ｃにより画成されたランド部５１ｂとから形成されている。そして、図１８に示すように、第２チルト検出領域５１内の溝Ｎ−１及びＮの領域５１ａ及び５１ｃは、ランド部５１ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。すなわち、第２チルト検出領域５１及び５３は、本発明の第３の態様に従う光ディスクに形成されたチルト検出領域と同じ構造である。
【００３２】
本発明の第５の態様に従う光ディスクには、図１８に示すように、第２の態様に従う光ディスクのチルト検出領域（第１チルト検出領域）と、第３の態様に従う光ディスクのチルト検出領域（第２チルト検出領域）が混在して形成されている。それゆえ、トラッキング制御の際、レーザ光のメインスポットを溝上にトレースしてトラッキング制御する場合には、図１８中の第１チルト検出領域５２内の特定の溝Ｎ間に画成されたランド部５２ｂ内の位置Ｐ２におけるメインスポットのプッシュプル信号を検出することにより、第１チルト検出領域５２付近の光ディスクのチルト量を検出することができる。また、レーザ光のメインスポットを溝間に形成されたランド上にトレースしてトラッキング制御する場合には、例えば、図１８中の第２チルト検出領域５１内のランド部５１ｂ上の位置Ｐ１におけるメインスポットのプッシュプル信号を検出することにより、第２チルト検出領域５１付近の光ディスクのチルト量を検出することができる。すなわち、第５の態様に従う光ディスクでは、溝上及び溝間のランド上のいずれをトラッキングする場合でも、光ディスクのチルト量を検出することができる。従って、本発明の第５の態様に従う光ディスクを用いることにより、例えば、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ等のように仕様、規格などが異なる光ディスク群に対して、光ディスクの溝形状を同じ形状にすることができるので、用途及びフォーマットに応じて検出回路を変更する必要がなくなる。それゆえ、光ディスク装置の部品点数を減らすことができ、光ディスク装置の低価格化を図ることができる。また、仕様、規格などが異なる光ディスク群に対して、光ディスクの基板を共通化することができるので、仕様、規格などに応じて個別に基板を製造する必要が無くなり、光ディスクの製造時のコストを削減することができ、光ディスクの低価格化を図ることができる。
【００３３】
本発明の第５の態様に従う光ディスクでは、第１所定領域及び第２所定領域における光ディスクの傾き量の検出感度が、ほぼ同じであることが好ましい。
【００３４】
本発明の第６の態様に従えば、上記第１〜５の態様のいずれかの光ディスクの傾き補正方法であって、上記光ディスクの溝上あるいは溝間に形成されたランド上に光ビームを照射してトラッキング制御を行いながら、上記所定領域に照射される該光ビームのスポットからのプッシュプル信号を検出する工程と、該検出されたプッシュプル信号に基づいて、光ディスクに照射される光ビームの光路長を変化させて該スポットのコマ収差を低減する工程とを含むことを特徴とする光ディスクの傾き補正方法が提供される。
【００３５】
光ディスクが傾いていると、光ディスク上に集光された光スポットの結像の対称性が崩れてコマ収差が発生する。コマ収差が発生するとスポット径が大きくなり情報の高密度記録が困難となる。本発明の光ディスクの傾き補正方法では、コマ収差を補正することにより光ディスクの傾き補正を行う。コマ収差は光ディスクに照射されるレーザ光の光路長を変化させることによって補正することができる。
【００３６】
レーザ光の光路長を変化させる方法としては、光ディスクに照射されるレーザ光の光路の途中に屈折率の異なる素子を挿入することにより、光路長を変化させる方法がある。例えば、図２２に示すような位相補正素子を光ディスクに照射されるレーザ光の光路の途中に設けることにより光路長を変化させることができる。この位相補正素子は、２枚の円板状の透明ガラス基板と、２枚の透明ガラス基板の間に封入された液晶などの異方性光学媒質とから構成され、各透明ガラス基板の液晶に接する側の表面には、図２２に示すような透明分割電極ａ〜ｇが形成されている。液晶は印加される電圧により液晶分子の向きを水平方向から垂直方向まで変化させることが可能であり、これにより、液晶の屈折率を変化させることができる。すなわち、各透明分割電極ａ〜ｇに印加する電圧を変えることにより、位相補正素子内の液晶中の屈折率分布を変化させることができる。この際、屈折率分布は分割電極の分布形状に対応した分布になる。それゆえ、位相補正素子の屈折率分布を調整してレーザ光の光路長を、光スポットのコマ収差が低減されるように調整することにより、光ディスクの傾きを補正することができる。
【００３７】
本発明の光ディスクの傾き補正方法では、まずトラッキング制御を行いながら、光ディスク上に形成されたチルト検出領域内の所定位置に照射されるレーザ光のスポットのプッシュプル信号を検出する。次いで、検出された光スポットのプッシュプル信号に基づいて、光ディスクに照射されるレーザ光の光路長を変化させることにより、光スポットのコマ収差を低減して光ディスクの傾きを補正する。ただし、チルト検出領域内の所定位置で検出される光スポットのプッシュプル信号は、上述したように、光ディスクのチルト量に比例する値であり、光ディスクのチルト量が小さくなると、プッシュプル信号のオフセットが小さくなる。また、光ディスクのチルト量が小さくなると、光スポットにコマ収差が低減される。それゆえ、光スポットのプッシュプル信号のオフセットが小さくなるように、光ディスクに照射されるレーザ光の光路長を変化させて、光ディスクの傾きを補正する。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に示す実施例により、本発明の光ディスク及び光ディスクの傾き補正方法を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００３９】
【実施例１】
実施例１で作製した光ディスク上のチルト検出領域のグルーブパターンを図１に示した。図１中の破線領域１１、１２及び１３がチルト検出領域であり、図１に示すように、この例では、光ディスクの所定トラック上に複数のチルト検出領域を一定周期で形成した。
【００４０】
この例では、図１に示すように、各チルト検出領域１１、１２及び１３は、３つの隣接するグルーブＮ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成されており、各チルト検出領域１１、１２及び１３は全て同じ構造を有する。例えば、チルト検出領域１２内のグルーブＮ（特定の溝）の領域１２ｂの径方向に隣接する２つのグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域１２ａ及び１２ｃは、グルーブＮの領域１２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。ただし、この例では、チルト検出領域１２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域１２ａ及び１２ｃの径方向の変位量を一定（矩形状のウォブル）とした。なお、本明細書では、グルーブを径方向に変位させた場合の変位量をウォブル振幅といい、グルーブが径方向に変位している領域の周方向の長さをウォブル長さという。
【００４１】
ここで、この例で作製した光ディスクの製造方法について説明する。この例で作製した光ディスクは、書替え可能型の光ディスクであり、基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層及び保護層を順次積層した構造を有する。
【００４２】
まず、基板の作製方法について説明する。直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍのガラス基板（不図示）を用意し、そのガラス基板上にレジスト膜を形成した。次に、原盤製造装置（不図示）を用いて、ガラス基板上のレジスト膜に露光ビームを基板の表面に形成される溝パターンに応じて照射した。次いで、原盤製造装置により露光されたレジスト膜を現像液で現像して、露光された部分を溶解し除去することにより原盤を得た。次に、この原盤表面を円滑化した後、原盤からＮｉメッキ法によりスタンパを作製した。さらに、そのスタンパを用いて射出成形法によりポリカーボネート製の基板を作製した。基板の直径は１２０ｍｍ、厚さは０．６ｍｍとした。上記作製方法により、この例の光ディスクの基板を得た。
【００４３】
ただし、図１に示すようなチルト検出領域１１、１２及び１３を露光する際、グルーブＮ−１上を露光している露光ビームは、チルト検出領域１１、１２及び１３内で一定期間内周方向に変位させて露光した。また、グルーブＮ＋１上を露光している露光ビームは、チルト検出領域１１、１２及び１３内で一定期間外周方向に変位させて露光した。ただし、例えばチルト検出領域１２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域１２ａ及び１２ｃのウォブル形状が、トラックＮの領域１２ｂに対して径方向に対称となるように、チルト検出領域１２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１上を露光する露光ビームの変位量、変位させるタイミング及び変位期間を調整した。上記露光方法により、図１に示すようなチルト検出領域１１、１２及び１３のグルーブパターンを形成した。
【００４４】
上記方法で作製された基板上に、第１誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を、スパッタ法により、約６０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、第１誘電体層上に、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化材料を、スパッタ法により、約１５ｎｍの膜厚で形成した。次いで、記録層上に、第２誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を、スパッタ法により、約２０ｎｍの膜厚で形成した。更に、第２誘電体層上に、反射層としてＡｇ合金を、スパッタ法により、約１００ｎｍの膜厚で形成した。最後に、反射層上に、保護層としてＵＶ硬化膜を、スピンコートにより、約１μｍの膜厚で形成した。上記製造方法により実施例１の光ディスクを得た。
【００４５】
この例では、トラックピッチ０．６８μｍ、グルーブ幅０．３４μｍ、及び溝深さ０．０４２μｍの光ディスクと、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、及び溝深さ０．０３２μｍの光ディスクを作製した。また、この例では、チルト検出領域内のグルーブＮ−１及びＮ＋１に形成されたウォブル領域（例えば、図１中の領域１２ａ及び１２ｃ）のウォブル長さを２．０μｍで一定とし、ウォブル振幅を０．０５〜０．２μｍの間で変化させて種々の光ディスクを作製した。
【００４６】
この例で用いた光情報記録再生装置の全体構成を図２に示した。光情報記録再生装置１０は、図２に示すように、レーザ光源１、コリメートレンズ２、回折格子３、ビームスプリッタ４、反射ミラー５、対物レンズ６、集光レンズ７、フォトディテクタ８及び光ディスク９から構成される。なお、この例ではレーザ光源１として、波長が約４０５ｎｍの半導体レーザを用いた。このレーザ光源１は、ほぼ直線的に偏光し且つ発散した光束を発生する。また、対物レンズ６のＮＡは０．６５であり、対物レンズ６の開口径と対物レンズ６に入射するレーザ光束の１／ｅ２径（ｅは自然対数の底であり、約２．７１８２８である）の比率（Ａ／Ｗ）は、タンジェンシャル方向、ラジアル方向とも約０．６である。
【００４７】
レーザ光源１から発光されたレーザ光は、図２に示すように、コリメートレンズ２により平行な光束に変換される。その光束は回折格子３で０次光及び１次光に回折される。回折光はビームスプリッタ４を介して、反射ミラー５に入射される。反射ミラー５に入射した光束は入射方向に対して９０度方向に反射される。反射ミラー５により反射された光束はアクチュエータ（不図示）に取り付けられた対物レンズ６により集光されて光ディスク９に照射され複数の光スポットを結像する。
【００４８】
光ディスク９に集光されたレーザ光の複数の光スポットの様子を図３に示した。この例では、図３に示すようにメイン収束スポット１５と２つのサブ収束スポット１４及び１６を用いた。このような複数の光スポットの位置は、回折格子３を光束に対して垂直な面内で回転させることにより調節される。この例では、回折格子３の回転量を調整して、図３に示すように、メイン収束スポット１５がグルーブＮ上をトレースし、サブ収束スポット１６は、メイン収束スポット１５よりトレース方向に先行する位置に形成され、且つ、グルーブＮとグルーブＮ＋１により画成されたランド上をトレースするように調整した。また、サブ収束スポット１４は、メイン収束スポット１５よりトレース方向に遅れた位置に形成され、且つ、グルーブＮとグルーブＮ−１により画成されたランド上をトレースするように調整した。
【００４９】
光ディスク９からの反射光は、図２に示すように、再び対物レンズ６を通り、反射ミラー５で反射されて、ビームスプリッタ４に入射される。ビームスプリッタ４に入射した反射光は入射方向に対して９０度方向に反射され、その反射光は集光レンズ７により集光されて、フォトディテクタ８上に結像される。
【００５０】
この際、フォトディテクタ８上に結像した３つの光スポットの位置関係は、光ディスク９上に集光された３つの光スポット１４、１５及び１６の位置関係と相似になる。それゆえ、図４に示すように、フォトディテクタ８上には、メイン収束スポットの受光素子１８、サブ収束スポットの受光素子１７及び１９を、光スポット１４、１５及び１６の位置関係と相似になるような位置関係で設けられている。これにより、光ディスク９上に集光された各光スポットからの反射光を個別に受光して、光ディスク９上に記録された情報を読み取ることができる。ただし、この例で用いたフォトディテクタ９の受光素子１７、１８及び１９は、図４に示すように、２分割の受光素子を用いた。
【００５１】
また、この例では、トラッキング制御の方法として、ディファレンシャルプッシュプル信号（以下、ＤＰＰ信号という）による方法を採用した。ここで、ＤＰＰ信号によるトラッキング制御方法を、図４を用いて簡単に説明する。メイン収束スポット１５の受光素子１８のａ側及びｂ側で受光した光量をそれぞれ１８ａ及び１８ｂとし、サブ収束スポット１６の受光素子１９のａ側及びｂ側で受光した光量をそれぞれ１９ａ及び１９ｂとし、サブ収束スポット１４の受光素子１７のａ側及びｂ側で受光した光量をそれぞれ１７ａ及び１７ｂとすると、ＤＰＰ信号は次の（１）式で表される。
2005004859.tif 000003
（１）式で表されるＤＰＰ信号が０になるよう制御することにより、オフセット補正されたトラッキング制御をすることができる。
【００５２】
次に、この例で作製した光ディスクのチルト量を変化させてＤＰＰ信号を測定し評価した。ただし、この評価では、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、溝深さ０．０３２μｍ、そして、チルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍ及びウォブル振幅０．１μｍの光ディスクについて評価を行った。その結果を図５〜７に示した。
【００５３】
トラッキング制御オフ時のＤＰＰ信号波形のラジアルチルト特性を図５に示した。図５（ａ）〜（ｅ）は光ディスクのチルト量を−８ｍｒａｄ〜＋８ｍｒａｄに変化させた場合のＤＰＰ信号波形の変化を示している。図５から明らかなように、光ディスクが傾いていても、ＤＰＰ信号にはラジアルオフセットが生じないことが分かった。
【００５４】
トラッキング制御オフ時のレーザ光のメイン収束スポット１５のプッシュプル信号波形のラジアルチルト特性を図６に示した。図６（ａ）〜（ｅ）は光ディスクのチルト量を−８ｍｒａｄ〜＋８ｍｒａｄに変化させた場合のメイン収束スポット１５のプッシュプル信号波形の変化を示している。図６から明らかなように、光ディスクが傾いた場合、メイン収束スポット１５のプッシュプル信号にはラジアルオフセットが生じることが分かった。また、チルト量が大きくなるに従って、プッシュプル信号のオフセット量が大きくなることが分かった。また、図６の結果から、図５に示したＤＰＰ信号波形では、光ディスクが傾いていても、サブ収束スポット１４及び１６のプッシュプル信号により、メイン収束スポットのオフセット量が補正されていることが分かる。
【００５５】
また、トラッキング制御オン時のレーザ光のメイン収束スポット１５のプッシュプル信号波形のラジアルチルト特性を図７に示した。ただし、図７（ａ）〜（ｅ）の信号波形は、ローパスフィルタを通す前のプッシュプル信号波形である。また、図７（ａ）及び（ｂ）中の下向きの凸状のピーク領域と図７（ｄ）及び（ｅ）中の上向きの凸状のピーク領域は光ディスク上のチルト検出領域に対応しており、それ以外の波形領域はウォブルしていないグルーブ領域に対応する。図７から明らかなように、光ディスクが傾いた場合、トラッキング制御を行っていてもメイン収束スポット１５のプッシュプル信号波形にはラジアルオフセットが生じることが分かった。また、チルト量が大きくなるに従って、プッシュプル信号のオフセット量が大きくなることが分かった。
【００５６】
さらに、この例では、トラッキング制御しながら、光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を調べた。この例では、チルト検出領域のウォブル振幅を０．０５〜０．２μｍの間で変化させた。そして、各ウォブル振幅で形成されたチルト検出領域をＤＰＰ信号でトラッキング制御を行い、メイン収束スポット１５の受光素子１８で受光されるプッシュプル信号の出力を測定した。その結果を図８及び図９に示した。ただし、図１に示すように、チルト検出領域内のグルーブＮの領域（例えば、図１中の領域１２ｂ）のほぼ中央位置Ｐで、メイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力を検出した。なお、プッシュプル信号出力の検出位置は、チルト検出領域内でグルーブのウォブル振幅が最大となる位置でメイン収束スポット１５のプッシュプル信号を検出することが好ましい。しかしながら、この例では、図１に示すように、チルト検出領域のウォブル振幅は一定であるので、ウォブルが振幅している範囲であれば、チルト検出領域内のグルーブＮ上の領域どの位置においてもほぼ同じメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力が得られる。また、図１に示すようにチルト検出領域が複数箇所存在する場合は、いずれのチルト検出領域で検出しても良い。
【００５７】
この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域内で検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を図８に示した。ただし、図８は、トラックピッチ０．６８μｍ、グルーブ幅０．３４μｍ、溝深さ０．０４２μｍ、そして、チルト検出領域内のグルーブのウォブル長さが２．０μｍの光ディスクの測定結果である。
【００５８】
図８（ａ）は、光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は０．１μｍとした。図８（ａ）から明らかなように、メイン収束スポットの受光素子で検出されるプッシュプル信号出力が、光ディスクのチルト量に比例して変化することが分かった。
【００５９】
図８（ｂ）は、光ディスクのチルト検出領域内のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域内で検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、図８（ｂ）では、光ディスクのチルト量を８ｍｒａｄとした。図８（ｂ）から明らかなように、メイン収束スポット１５の受光素子で検出されるプッシュプル信号出力が、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大していることが分かった。
【００６０】
すなわち、チルト検出領域を図１に示すようなグルーブパターンで形成することにより、チルト検出領域内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域（例えば、図１中の領域１２ａ及び１２ｂ）をウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０）に比べて、チルト検出領域内のグルーブＮ上の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力が増大して、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【００６１】
この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を図９に示した。ただし、図９は、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、溝深さ０．０３２μｍ、及びチルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果である。
【００６２】
図９（ａ）は、光ディスクのチルト量に対するチルト検出領域内で検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は０．１μｍとした。図９（ａ）から明らかなように、図８（ａ）と同様に、メイン収束スポットの受光素子で検出されるプッシュプル信号出力が、光ディスクのチルト量にほぼ比例して変化することが分かった。
【００６３】
図９（ｂ）は、光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域で検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、光ディスクのチルト量を８ｍｒａｄとした。図９（ｂ）から明らかなように、図８（ｂ）と同様に、チルト検出領域でメイン収束スポット１５から検出されるプッシュプル信号出力が、チルト検出領域のウォブル振幅が大きくなるに従って増大することが分かった。
【００６４】
すなわち、トラックピッチを０．４μｍにした場合も、チルト検出領域を図１に示すようなグルーブパターンで形成することにより、チルト検出領域内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域をウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０）に比べて、チルト検出領域内のグルーブＮ上の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力が増大して、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【００６５】
次に、この例で行った光ディスクのチルト補正方法について説明する。光ディスクが傾いていると、光ディスク上の光スポットの結像の対称性が崩れてコマ収差が発生する。このコマ収差は光ディスクに照射されるレーザ光の光路長を調整することにより補正することができる。そこで、この例では、光ディスクに照射されるレーザ光の光路長を調整することにより光ディスクの傾きを補正した。光ディスクの傾き補正に用いた光情報記録再生装置の概略構成を図２１に示した。
【００６６】
図２１に示すように、コマ収差を補正するために用いた光情報記録再生装置１００には、図２に示した光情報記録再生装置１０のビームスプリッタ４と反射ミラー５との間に、コマ収差を補正するための位相補正素子１０１が配置されている。また、光情報記録再生装置１００は、図２１に示すように、位相補正素子１０１を制御するための位相補正素子制御回路１０２を備えている。
【００６７】
位相補正素子１０１は、円板状の透明ガラス基板を２枚と、２枚の透明ガラス基板の間に封入された液晶などの異方性光学媒質とから構成され、各透明ガラス基板の液晶に接する側の表面には、図２２に示すような透明分割電極ａ〜ｇが形成されている。２枚の透明ガラス基板表面にそれぞれ形成された各透明分割電極ａ〜ｇは液晶を介して互いに対向する位置に来るように調節されている。ただし、透明分割電極ａ〜ｇの電極パターンはこれに限定されず、図２２で示したパターン以外の電極パターンを形成しても良い。また、透明分割電極としては一般にインジウム‐スズ酸化物が用いられ、液晶にはネマチック液晶などが用いられる。また、２枚の透明ガラス基板を貼り合わせる際、エポキシ系接着剤からなるシール材を用いて液晶が２枚の透明ガラス基板間に封入されるように貼り合わせる。
【００６８】
液晶は印加される電圧により液晶分子の向きが水平方向から垂直方向まで変化する。それゆえ、液晶に印加する電圧により、液晶の屈折率を変化させることができる。図２２に示したような位相補正素子１０１では、各透明分割電極ａ〜ｇに印加する電圧を変えることにより、位相補正素子１０１内の液晶中に分割電極の分布形状に対応した屈折率分布を形成することができる。そして、位相補正素子１０１の屈折率分布を変化させることにより、位相補正素子１０１に入射するレーザ光の光路長を変化させることができる。従って、光ディスクに照射されるレーザ光の光路の途中に位相補正素子１０１を設けて、光ディスクに照射されるレーザ光の光路長を所望の長さに調整することにより、光ディスクが傾いている際に発生する光スポットのコマ収差を補正することができる。
【００６９】
光ディスクの傾き補正の方法は次の通りである。まず、トラッキング制御しながら、フォトディテクタ８で検出されたチルト検出領域内のメイン収束スポットのプッシュプル信号を位相補正素子制御回路１０２でモニタする。ただし、プッシュプル信号のモニタは必要に応じて適宜モニタしても良いし、常時モニタしていても良い。次いで、位相補正素子制御回路１０２によりモニタされたメイン収束スポットのプッシュプル信号に応じて、位相補正素子１０１の分割透明電極ａ〜ｇに印加する電圧を制御して、位相補正素子１０１内の液晶中に所望の屈折率分布を形成する。この際、レーザ光のメイン収束スポットにコマ収差が小さい場合、メイン収束スポットのプッシュプル信号のオフセットも小さくなるので、位相補正素子制御回路１０２ではメイン収束スポットのプッシュプル信号のオフセットが小さくなるように位相補正素子１０１の分割透明電極ａ〜ｇに印加する電圧を決定する。そして、所望の屈折率分布が形成された位相補正素子１０１にレーザ光が入射されると、その光路長が所望の長さで変化して、メイン収束スポットのコマ収差が補正される。この例では、上記方法により光ディスクの傾き補正を行った。その結果、メイン収束スポットのコマ収差が補正され光ディスクの傾きを補正することができた。
【００７０】
【実施例２】
実施例２で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを図１０に示した。図１０中の破線領域２１、２２及び２３がチルト検出領域であり、図１０に示すように、この例では、光ディスクの所定トラック上に複数のチルト検出領域を一定周期で形成した。
【００７１】
この例では、図１０に示すように、各チルト検出領域２１、２２及び２３は、３つの隣接するグルーブＮ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成されており、各チルト検出領域２１、２２及び２３は全て同じ構造で形成されている。また、例えば、チルト検出領域２２内では、図１０に示すように、グルーブＮ（特定の溝）上の領域の一部が途中で分断されて、その間に鏡面部（ランド部）２２ｂが画成されている。そして、チルト検出領域２２内の鏡面部２２ｂの径方向に隣接する２つのグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域２２ａ及び２２ｃは、鏡面部２２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位している。ただし、この例では、チルト検出領域２２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域２２ａ及び２２ｃの径方向の変位量を一定（矩形状のウォブル）とした。
【００７２】
この例の光ディスクは、チルト検出領域のグルーブパターンが異なる以外は、実施例１と同様にして作製した。
【００７３】
この例では、実施例１と同様に、この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域内から検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を調べた。その結果を図１１及び図１２に示した。この例では、実施例１と同様に、チルト検出領域のウォブルの振幅を０．０５〜０．２μｍの間で変化させた。また、この例では、図１０に示すように、チルト検出領域内のグルーブＮ上に形成された鏡面部のほぼ中央位置Ｐでメイン収束スポットのプッシュプル信号出力を検出した。ただし、図１０に示すようにチルト検出領域が複数箇所存在する場合は、いずれのチルト検出領域で検出しても良い。
【００７４】
この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を図１１に示した。ただし、図１１は、トラックピッチ０．６８μｍ、グルーブ幅０．３４μｍ、溝深さ０．０４２μｍ、及びチルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果である。
【００７５】
図１１（ａ）は、光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は０．１μｍとした。図１１（ａ）から明らかなように、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力が、光ディスクのチルト量に対して比例して変化することが分かった。
【００７６】
図１１（ｂ）は、光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、図１１（ｂ）では、光ディスクのチルト量を８ｍｒａｄとした。図１１（ｂ）から明らかなように、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力が、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大していることが分かった。すなわち、チルト検出領域を図１０に示すようなグルーブパターンで形成することにより、チルト検出領域内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域（例えば、図１１中の領域２２ａ及び２２ｃ）をウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０）に比べて、チルト検出領域内のグルーブＮ上の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力が増大して、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【００７７】
この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を図１２に示した。ただし、図１２は、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、溝深さ０．０３２μｍ、及びチルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果である。
【００７８】
図１２（ａ）は、光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は０．１μｍとした。図１２（ａ）から明らかなように、図１１（ａ）と同様に、トラックピッチを狭くしてもメイン収束スポットの受光素子で検出されるプッシュプル信号出力が、光ディスクのチルト量に対してほぼ比例して変化することが分かった。
【００７９】
図１２（ｂ）は、光ディスクのチルト量のチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、図１２（ｂ）では、光ディスクのチルト量を８ｍｒａｄとした。図１２（ｂ）から明らかなように、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されたメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力は、最初、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大するが、ウォブル振幅が約０．０５μｍでプッシュプル信号出力が最大となり、さらにウォブル振幅を大きくするとプッシュプル信号出力が減少することが分かった。
【００８０】
しかしながら、図１２（ｂ）から明らかなように、ウォブル振幅を約０．０８μｍ以下の範囲で変位させることにより、チルト検出領域内のグルーブＮ上の鏡面部の径方向に隣接する２つのグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域（例えば、図１０中の領域２２ａ及び２２ｃ）をウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０の場合）に比べて、チルト検出領域内の鏡面部上の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が増大して、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【００８１】
また、この例で作製した光ディスクに対しても、実施例１と同様に図２１に示した光情報記録再生装置１００を用いて、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力に基づいて、メイン収束スポットのコマ収差が低減されるように位相補正素子１０１の屈折率分布を変化させて光ディスクの傾き補正を行った。その結果、この例で作製した光ディスクに対しても、メイン収束スポットのコマ収差が低減されて光ディスクの傾きを補正することができた。
【００８２】
【実施例３】
実施例３で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを図１３に示した。図１３中の破線領域３１、３２及び３３がチルト検出領域であり、図１３に示すように、この例では、光ディスクの所定トラック上に複数のチルト検出領域を一定周期で形成した。
【００８３】
この例では、図１３に示すように、各チルト検出領域３１、３２及び３３は、隣接する２つのグルーブＮ及びＮ＋１の一部の領域と、その領域間に画成されたランド部とにより形成されており、各チルト検出領域３１、３２及び３３は全て同じ構造で形成されている。また、図１３に示すように、例えば、チルト検出領域３２内のグルーブＮ及びＮ＋１の領域３２ａ及び３２ｃが、領域３２ａ及び３２ｃの間に画成されたランド部３２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位して形成されている。ただし、チルト検出領域３２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域３２ａ及び３２ｃの径方向の変位量は一定（矩形状のウォブル）とした。なお、この例で作製した光ディスクでは、グルーブ間に形成されたランド上をレーザ光のメイン光スポットでトレースしてトラッキング制御が行われる。
【００８４】
この例の光ディスクは、チルト検出領域のグルーブパターンが異なる以外は、実施例１と同様にして作製した。
【００８５】
この例では、実施例１と同様に、光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を調べた。その結果を図１４及び図１５に示した。この例では、実施例１と同様に、チルト検出領域のウォブル振幅を０．０５〜０．２μｍの間で変化させた。また、この例では、図１３に示すように、チルト検出領域内のグルーブＮ及びＮ＋１のウォブル領域間に画成されたランド部（例えば、図１３中の領域３２ｂ）のほぼ中央位置Ｐでレーザ光のメイン収束スポット１５のプッシュプル信号出力を検出した。ただし、図１３に示すようにチルト検出領域が複数箇所存在する場合は、いずれのチルト検出領域で検出しても良い。
【００８６】
この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域内の所定位置Ｐから検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を図１４に示した。ただし、図１４は、トラックピッチ０．６８μｍ、グルーブ幅０．３４μｍ、溝深さ０．０４２μｍ、及びチルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果である。
【００８７】
図１４（ａ）は、光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は０．１μｍとした。図１４（ａ）から明らかなように、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が、光ディスクのチルト量に対して比例して変化することが分かった。
【００８８】
図１４（ｂ）は、光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、図１４（ｂ）では、光ディスクのチルト量を８ｍｒａｄとした。図１４（ｂ）から明らかなように、チルト検出領域内の所定位置Ｐから検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大し、ウォブル振幅が約０．１５μｍでプッシュプル信号出力が最大となることが分かった。また、図１４（ｂ）から明らかなように、ウォブル振幅が約０．１５μｍより大きくなると、プッシュプル信号出力も減少するが、チルト検出領域内のグルーブＮ及びＮ＋１の領域（例えば、図１３中の領域３２ａ及び３２ｃ）をウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０の場合）に比べて、メイン収束スポットのプッシュプル信号出力が増大した。
【００８９】
この例で作製した光ディスクのチルト量及びチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するチルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を図１５に示した。ただし、図１５は、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、溝深さ０．０３２μｍ、及びチルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果である。
【００９０】
図１５（ａ）は、光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は０．１μｍとした。図１５（ａ）から明らかなように、図１４（ａ）と同様に、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が、光ディスクのチルト量に対してほぼ比例して変化することが分かった。
【００９１】
図１５（ｂ）は、光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅の変化に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を表わした図である。ただし、図１５（ｂ）では、光ディスクのチルト量を８ｍｒａｄとした。図１５（ｂ）から明らかなように、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されたレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大することが分かった。
【００９２】
すなわち、チルト検出領域を図１３に示すようなグルーブパターンで形成することにより、チルト検出領域内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域をウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０）に比べて、チルト検出領域内のランド部の所定位置Ｐで検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が増大して、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【００９３】
また、この例で作製した光ディスクに対しても、実施例１と同様に、図２１に示した光情報記録再生装置１００を用いて、チルト検出領域内の所定位置Ｐで検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号に基づいて、メイン収束スポットのコマ収差が低減されるように位相補正素子１０１の屈折率分布を変化させて光ディスクの傾き補正を行った。その結果、この例で作製した光ディスクに対しても、メイン収束スポットのコマ収差が低減されて光ディスクの傾きを補正することができた。
【００９４】
【実施例４】
実施例４では、グルーブ上及びランド上のいずれをトラッキングした場合でも、光ディスクのチルト量を検出することができる光ディスクを作製した。実施例４で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを図１６に示した。図１６中の破線領域４１、４２及び４３がこの例のチルト検出領域であり、図１６に示すように、この例では、光ディスクの所定トラック上に複数のチルト検出領域を一定周期で形成した。
【００９５】
この例では、図１６に示すように、光ディスク上に３つの隣接するグルーブＮ−１、Ｎ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第１チルト検出領域４２と、２つの隣接するグルーブＮ−１及びＮ上あるいはグルーブＮ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第２チルト検出領域４１あるいは４３が形成されている。
【００９６】
第１チルト検出領域４２は、図１６に示すように、第１チルト検出領域４２内のグルーブＮ（特定の溝）の領域４２ｂの径方向に隣接する２つのグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域４２ａ及び４２ｃが領域４２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。また、第１チルト検出領域４２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域４２ａ及び４２ｃの径方向の変位量は一定（矩形状のウォブル）とした。すなわち、第１チルト検出領域４２は、実施例１の光ディスクで形成したチルト検出領域（例えば、図１中の破線領域１２）と同じ構造である。
【００９７】
また、第２チルト検出領域４１と４３は同じ構造で形成されており、例えば、第２チルト検出領域４１は、グルーブＮ−１及びＮの一部の領域４１ａ及び４１ｃと、領域４１ａ及び４１ｃの間に画成されたランド部４１ｂにより形成されている。そして、第２チルト検出領域４１のグルーブＮ−１及びＮの領域４１ａ及び４１ｃは、ランド部４１ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。また、第２チルト検出領域４１内のグルーブＮ−１及びＮの領域４１ａ及び４１ｃの径方向の変位量は一定（矩形状のウォブル）とした。すなわち、この例で形成した第２チルト検出領域４１及び４３は、実施例３の光ディスクで形成したチルト検出領域（図１３中の破線領域３２）と同じ構造である。
【００９８】
この例で作製した光ディスクでは、グルーブ上をトラッキングする場合、第１チルト検出領域４２内の所定位置Ｐ２からメイン収束スポットのプッシュプル信号を検出することにより光ディスクのチルト量を検出することができる。一方、ランド上をトラッキングする場合は、第２チルト検出領域４１または４３内の所定位置Ｐ１またはＰ３からメイン収束スポットのプッシュプル信号を検出することにより光ディスクのチルト量を検出することができる。
【００９９】
この例の光ディスクは、チルト検出領域のグルーブパターンが異なる以外は、実施例１と同様にして作製した。
【０１００】
この例では、実施例１と同様に、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅の変化に対する第１及び第２チルト検出領域内の所定位置で検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を調べた。ただし、全ての第１及び第２チルト検出領域内でグルーブのウォブル振幅の変化量は同じとした。また、この例では、実施例１と同様に、第１及び第２チルト検出領域のウォブルの振幅を０．０５〜０．２μｍの間で変化させた。
【０１０１】
さらに、この例では、ランド上をトラッキングした場合とグルーブ上をトラッキングした場合の測定結果を比較した。ランド上をトラッキングした場合は、第２チルト検出領域４１内のランド部４１ｂのほぼ中央位置Ｐ１でメイン収束スポットのプッシュプル信号出力を検出した。グルーブ上をトラッキングした場合は、第１チルト検出領域４２内のグルーブＮの領域４２ｂのほぼ中央位置Ｐ２でメイン収束スポットのプッシュプル信号出力を検出した。その結果を図１７に示した。
【０１０２】
図１７（ａ）は、この例で作製した光ディスクの第１及び第２チルト検出領域におけるウォブル振幅の変化に対する第１及び第２チルト検出領域内の所定位置Ｐ２及びＰ１で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を比較した図である。ただし、図１７（ａ）は、トラックピッチ０．６８μｍ、グルーブ幅０．３４μｍ、溝深さ０．０４２μｍ、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果であり、光ディスクのチルト量は８ｍｒａｄとした。図１７（ａ）中の破線は、図１６中の第１チルト検出領域４２内のグルーブＮの領域４２ｂ上の所定位置Ｐ２におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性であり、図１７（ａ）中の実線は、図１６中の第２チルト検出領域４１内のランド部４１ｂ上の所定位置Ｐ１におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性である。
【０１０３】
図１７（ａ）から明らかなように、第１チルト検出領域４２内の所定位置Ｐ２及び第２チルト検出領域４１内の所定位置Ｐ１で検出されたレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力は、いずれもウォブル振幅が大きくなるに従って増大していることが分かった。
【０１０４】
図１７（ｂ）は、この例で作製した光ディスクの第１及び第２チルト検出領域におけるウォブル振幅の変化に対する第１及び第２チルト検出領域内の所定位置Ｐ２及びＰ１で検出されたメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を比較した図である。ただし、図１７（ｂ）は、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、溝深さ０．０３２μｍ、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果であり、光ディスクのチルト量は８ｍｒａｄとした。図１７（ｂ）中の破線は、図１６中の第１チルト検出領域４２内のグルーブＮの領域４２ｂ上の所定位置Ｐ２におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性であり、図１７（ｂ）中の実線は、図１６中の第２チルト検出領域４１内のランド部４１ｂ上の所定位置Ｐ１におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性である。
【０１０５】
図１７（ｂ）から明らかなように、トラックピッチ０．６８μｍの光ディスク（図１７（ａ））と同様に、第１チルト検出領域４２内のＰ２位置及び第２チルト検出領域４１内のＰ１位置にて検出されたメイン収束スポットのプッシュプル信号出力は、共にウォブル振幅が大きくなるに従って増大していることが分かった。
【０１０６】
すなわち、図１７の結果から、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブパターンを図１６に示すようなウォブル構造にすることにより、トラッキング位置（グルーブ上あるいはランド上）に関わらず、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブをウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０の場合）に比べて、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【０１０７】
この例で作製した光ディスクに対しても、実施例１と同様に、図２１に示した光情報記録再生装置１００を用いて、第１または第２チルト検出領域で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号に基づいて、メイン収束スポットのコマ収差が低減されるように位相補正素子１０１の屈折率分布を変化させて光ディスクの傾き補正を行った。その結果、この例で作製した光ディスクに対しても、メイン収束スポットのコマ収差が低減されて光ディスクの傾きを補正することができた。
【０１０８】
【実施例５】
実施例５では、実施例４と同様に、グルーブ上及びランド上のいずれをトラッキングした場合でも、光ディスクのチルト量を検出することができる光ディスクを作製した。実施例５で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを図１８に示した。図１８中の破線領域５１、５２及び５３がこの例のチルト検出領域であり、図１８に示すように、この例では、光ディスクの所定トラック上に複数のチルト検出領域を一定周期で形成した。
【０１０９】
この例では、図１８に示すように、光ディスク上に３つの隣接するグルーブＮ−１、Ｎ及びＮ＋１に一部の領域により形成された第１チルト検出領域５２と、２つの隣接するグルーブＮ−１及びＮあるいはグルーブＮ及びＮ＋１の一部の領域により形成された第２チルト検出領域５１あるいは５３が形成されている。
【０１１０】
第１チルト検出領域５２は、図１８に示すように、第１チルト検出領域５２内ではグルーブＮ（特定の溝）上の一部が途中で分断されて、その間に鏡面部（ランド部）５２ｂが画成され、その鏡面部５２ｂの径方向に隣接する２つのグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域５２ａ及び５２ｃが鏡面部５２ｂに対して径方向に対称に且つ互いに近づく方向に変位している。また、第１チルト検出領域５２内のグルーブＮ−１及びＮ＋１の領域５２ａ及び５２ｃの径方向の変位量は一定（矩形状のウォブル）とした。すなわち、第１チルト検出領域５２は、実施例２の光ディスクで形成したチルト検出領域（例えば、図１０の破線領域２２）と同じ構造である。
【０１１１】
また、第２チルト検出領域５１と５３は同じ構造で形成されており、例えば、第２チルト検出領域５１は、グルーブＮ−１及びＮの一部の領域５１ａ及び５１ｃと、領域５１ａと５１ｃとの間に画成されたランド部５１ｂにより形成されている。そして、第２チルト検出領域５１のグルーブＮ−１及びＮの領域５１ａ及び５１ｃは、ランド部５１ｂに対して径方向に対称に且つ互いに離れる方向に変位している。また、第２チルト検出領域５１内のグルーブＮ−１及びＮの領域５１ａ及び５１ｃの径方向の変位量は一定（矩形状のウォブル）とした。すなわち、この例で形成した第２チルト検出領域５１及び５３は、実施例３の光ディスクで形成したチルト検出領域（例えば、図１３の破線領域３２）と同じ構造である。
【０１１２】
この例で作製した光ディスクでは、グルーブ上をトラッキングする場合、第１チルト検出領域５２内の所定位置Ｐ２からメイン収束スポットのプッシュプル信号を検出することにより光ディスクのチルト量を検出することができる。一方、ランド上をトラッキングする場合は、第２チルト検出領域５１または５３内の所定位置Ｐ１またはＰ３からメイン収束スポットのプッシュプル信号を検出することにより光ディスクのチルト量を検出することができる。
【０１１３】
この例の光ディスクは、チルト検出領域のグルーブパターンが異なる以外は、実施例１と同様にして作製した。
【０１１４】
この例では、実施例１と同様に、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅の変化に対する第１及び第２チルト検出領域内の所定位置で検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を調べた。ただし、全ての第１及び第２チルト検出領域内でグルーブのウォブル振幅の変化量は同じとした。また、この例では、実施例１と同様に、第１及び第２チルト検出領域のウォブルの振幅を０．０５〜０．２μｍの間で変化させた。
【０１１５】
さらに、この例では、ランド上をトラッキングした場合とグルーブ上をトラッキングした場合の測定結果を比較した。ランド上をトラッキングした場合は、第２チルト検出領域５１内のランド部５１ｂのほぼ中央位置Ｐ１でメイン収束スポットのプッシュプル信号出力を検出した。グルーブ上をトラッキングした場合は、第１チルト検出領域５２内のグルーブＮ上の鏡面部５２ｂのほぼ中央位置Ｐ２でメイン収束スポットのプッシュプル信号出力を検出した。その結果を図１９に示した。
【０１１６】
図１９（ａ）は、この例で作製した光ディスクの第１及び第２チルト検出領域におけるウォブル振幅の変化に対する第１及び第２チルト検出領域内の所定位置Ｐ２及びＰ１で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を比較した図である。ただし、図１９（ａ）は、トラックピッチ０．６８μｍ、グルーブ幅０．３４μｍ、溝深さ０．０４２μｍ、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果であり、光ディスクのチルト量は８ｍｒａｄとした。図１９（ａ）中の破線は、図１８中の第１チルト検出領域５２内のグルーブＮの鏡面部５２ｂ上の所定位置Ｐ２におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性であり、図１９（ａ）中の実線は、図１８中の第２チルト検出領域５１内のランド部５１ｂ上の所定位置Ｐ１におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性である。
【０１１７】
図１９（ａ）から明らかなように、第１チルト検出領域５２内の所定位置Ｐ２及び第２チルト検出領域５１内の所定位置Ｐ１で検出されたレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号出力は、いずれもウォブル振幅が大きくなるに従って増大していることが分かった。すなわち、トラックピッチ０．６８μｍの光ディスクでは、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブパターンを図１８に示すようなウォブル構造にすることにより、トラッキング位置（グルーブ上あるいはランド上）に関わらず、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブをウォブルさせない場合（ウォブル振幅が０の場合）に比べて、チルト検出領域付近のチルト量を感度良く検出できることが分かった。
【０１１８】
また、図１９（ａ）から明らかなように、トラックピッチ０．６８μｍの光ディスクでは、ウォブル振幅を約０．１３μｍにした場合、第１チルト検出領域５２内の所定位置Ｐ２で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力と、第２チルト検出領域５１内の所定位置Ｐ１で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が同じになることが分かった。すなわち、トラックピッチ０．６８μｍの光ディスクでは、第１及び第２チルト検出領域のウォブル振幅を約０．１３μｍにすると、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブ上及びランド上から検出されるレーザ光のメイン収束スポットのプッシュプル信号の検出感度を同じにすることができることが分かった。これにより、グルーブ用のプッシュプル信号検出回路とランド用のプッシュプル信号検出回路の増幅率を共通化することが可能になり、光情報記録再生装置の部品点数を減らすことができる。
【０１１９】
図１９（ｂ）は、この例で作製した光ディスクの第１及び第２チルト検出領域におけるウォブル振幅の変化に対する第１及び第２チルト検出領域内の所定位置Ｐ２及びＰ１で検出されたメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を比較した図である。ただし、図１９（ｂ）は、トラックピッチ０．４μｍ、グルーブ幅０．２μｍ、溝深さ０．０３２μｍ、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブのウォブル長さ２．０μｍの光ディスクの測定結果であり、光ディスクのチルト量は８ｍｒａｄとした。図１９（ｂ）中の破線は、図１８中の第１チルト検出領域５２内のグルーブＮの鏡面部５２ｂ上の所定位置Ｐ２におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性であり、図１９（ｂ）中の実線は、図１８中の第２チルト検出領域５１内のランド部５１ｂ上の所定位置Ｐ１におけるメイン収束スポットのプッシュプル信号の特性である。
【０１２０】
図１９（ｂ）から明らかなように、トラックピッチ０．４μｍの光ディスクでは、第１チルト検出領域５２内の所定位置Ｐ２で検出されたメイン収束スポットのプッシュプル信号出力は、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大することが分かった。一方、第２チルト検出領域５１内の所定位置Ｐ１で検出されたメイン収束スポットのプッシュプル信号出力は、最初、ウォブル振幅が大きくなるに従って増大するが、ウォブル振幅が約０．０５μｍでプッシュプル信号出力が最大となり、さらにウォブル振幅を大きくするとプッシュプル信号出力が減少する結果が得られた。
【０１２１】
また、図１９（ｂ）から明らかなように、トラックピッチ０．４μｍの光ディスクでは、第１及び第２チルト検出領域内のウォブル振幅が約０．０８μｍで、第１チルト検出領域５２内の所定位置Ｐ２で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力と、第２チルト検出領域５１内の所定位置Ｐ１で検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力が同じ値になることが分かった。すなわち、トラックピッチ０．４μｍの光ディスクでは、第１及び第２チルト検出領域のウォブル振幅を約０．０８μｍにすることにより、第１及び第２チルト検出領域内のグルーブ及びランドから検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号の検出感度を同じにすることができることが分かった。これにより、グルーブ用のプッシュプル信号検出回路とランド用のプッシュプル信号検出回路の増幅率を共通化することが可能になり、光情報記録再生装置の部品点数を減らすことができる。
【０１２２】
また、この例で作製した光ディスクに対しても、実施例１と同様に図２１に示した光情報記録再生装置１００を用いて、第１及び第２チルト検出領域から検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号に基づいて、メイン収束スポットのコマ収差が低減されるように位相補正素子１０１の屈折率分布を変化させて光ディスクの傾き補正を行った。その結果、この例で作製した光ディスクに対しても、メイン収束スポットのコマ収差が低減されて光ディスクの傾きを補正することができた。
【０１２３】
【変形例】
上記実施例１〜５で示した光ディスクのチルト検出領域内のグルーブを光ディスクの径方向に変位させてウォブルを形成する際に用いられる原盤製造装置の露光ビームの偏向機構は、一般にはＡＣカップリングが用いられる。ＡＣカップリングを用いて、露光ビームを一方の径方向にのみ繰り返して変位させると、露光ビームの中心がトラックピッチからずれて、トラックのピッチむらが発生する恐れがある。そのような場合には露光ビームを一定期間内で対称に変位させてチルト検出領域内のグルーブパターンを露光することが好ましい。
【０１２４】
トラックピッチのずれを防止するためのチルト検出領域のグルーブパターンの一例を図２０に示した。図２０中の破線領域６１、６２及び６３がこの例のチルト検出領域であり、図２０に示すように、光ディスクの所定トラック上に複数のチルト検出領域が一定周期で形成されている。この例では、図２０に示すように、チルト検出領域６１、６２及び６３は実施例４と同じ構造を有する。また、この例の光ディスクでは、トラックピッチのずれを防止するために、第２チルト検出領域６１からトラックの周方向に距離Ｌの間に、２つのダミー領域６４及び６５が形成されている。
【０１２５】
ダミー領域６４及び６５内のグルーブＮ−１のウォブル領域６４ａ及び６５ａは、第２チルト検出領域６１内のグルーブＮ−１のウォブル領域６１ａ及び第１チルト検出領域６２内のグルーブＮ−１のウォブル領域６２ａと同じウォブル振幅で反対方向に変位している。また、ダミー領域６４及び６５内のグルーブＮ＋１のウォブル領域６４ｃ及び６５ｃは、第１チルト検出領域６２内のＮ−１のウォブル領域６２ｃ及び第２チルト検出領域６３内のグルーブＮ＋１のウォブル領域６３ｃと同じウォブル振幅で反対方向に変位している。このような構造を有するグルーブＮ−１あるいはＮ＋１を原盤露光で形成する場合、露光ビームは距離Ｌの間に径方向に対称に変位されるので、トラックピッチのずれを防止することができる。
【０１２６】
なお、グルーブＮに関しては、第２チルト検出領域６１内のグルーブＮのウォブル領域６１ｃと第２チルト検出領域６３内のグルーブＮのウォブル領域６３ａが、同じウォブル振幅で互いに逆の径方向に変位されているので、グルーブＮにはダミー領域を設けなくても、トラックピッチのずれは発生しない。ただし、図２０のチルト検出領域６１からダミー領域６５が形成されている領域のトラック方向の長さＬを１ｍｍより大きくすると、トラックピッチのずれが発生する恐れがあるので、実用上Ｌの長さは約１ｍｍ以内にすることが好ましい。
【０１２７】
上記実施例１〜５では、光ディスク上の所定トラック上に複数のチルト検出領域を等間隔でトラック方向に配置した例を説明したが、本発明はこれに限定されない。光ディスク上の再生可能領域内の全域に渡って、チルト検出領域を適宜設けても良く、例えば、各グルーブあるいはランドにチルト検出領域を１つずつ形成し、隣接するグルーブあるいはランド間ではチルト検出領域が径方向に互いに重複しないような位置関係で配置してもよい。また、データフォーマット効率を考慮して記録領域の内外周及びゾーン切り替え部などにチルト検出領域を設けても良い。
【０１２８】
上記実施例１〜５では、チルト検出領域内のグルーブのウォブル形状をウォブル振幅一定の矩形状としたが、本発明はこれに限定されない。チルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅を周方向に連続的に変化させても良く、例えば、ウォブル振幅が周方向に正弦波状に変化するウォブルを形成しても良い。このようなウォブルで形成されたチルト検出領域では、ウォブル振幅が最大となる位置でメイン収束スポットのプッシュプル信号を検出することが好ましい。
【０１２９】
上記実施例１〜５では、形成された全てのチルト検出領域内のグルーブのウォブル振幅は一定としたが、本発明はこれに限定されない。チルト検出領域の形成位置に応じて任意にウォブル振幅を変化させても良い。
【０１３０】
上記実施例１〜５では、プッシュプル信号の受光素子には２分割の受光素子を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、４分割、８分割、１６分割等の受光素子を用いても良い。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明の光ディスク及びその傾き補正方法によれば、フォーカス制御及びトラッキング制御をしながら、光ディスク上の再生可能領域内の任意の位置の傾き量をリアルタイムで感度良く検出することができるとともに、検出された傾き量に基づいて容易にコマ収差を補正することができる。それゆえ、高記録密度の光ディスクに対しても、容易に且つ正確に光ディスクの傾き量が検出可能になり、光ディスクの傾き補正を行うことができる。
【０１３２】
また、本発明の光ディスク及びその傾き補正方法では、トラッキング制御時のレーザ光のプッシュプル信号を用いて、光ディスクの傾き量を検出してコマ収差を補正することができるので、チルトセンサなどの傾き量検出用の新たな部品を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを示した図である。
【図２】実施例１で作製した光ディスクのチルト量を検出するための光情報記録再生装置の概略構成図である。
【図３】光ディスク上に集光された光スポットとチルト検出領域内のグルーブとの位置関係を示した図である。
【図４】光ディスクからの反射光を受光するフォトディテクタ上の受光素子配置を示した図である。
【図５】実施例１で作製した光ディスクのトラッキング制御オフ時のＤＰＰ信号波形のラジアルチルト特性を示した図である。
【図６】実施例１で作製した光ディスクのトラッキング制御オフ時のメイン収束スポットのプッシュプル信号波形のラジアルチルト特性を示した図である。
【図７】実施例１で作製した光ディスクのトラッキング制御時のメイン収束スポットのプッシュプル信号波形のラジアルチルト特性の図である。
【図８】実施例１で作製したトラックピッチ０．６８μｍの光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図８（ａ）は光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図８（ｂ）はチルト検出領域のグルーブのウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図９】実施例１で作製したトラックピッチ０．４μｍの光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図９（ａ）は光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図９（ｂ）はチルト検出領域のグルーブのウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図１０】実施例２で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを示した図である。
【図１１】実施例２で作製したトラックピッチ０．６８μｍの光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図１１（ａ）は光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図１１（ｂ）はチルト検出領域のグルーブのウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図１２】実施例２で作製したトラックピッチ０．４μｍの光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図１２（ａ）は光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図１２（ｂ）はチルト検出領域のグルーブのウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図１３】実施例３で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを示した図である。
【図１４】実施例３で作製したトラックピッチ０．６８μｍの光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図１４（ａ）は光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図１４（ｂ）はチルト検出領域のグルーブのウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図１５】実施例３で作製したトラックピッチ０．４μｍの光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図１５（ａ）は光ディスクのチルト量に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図１５（ｂ）はチルト検出領域のグルーブのウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図１６】実施例４で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを示した図である。
【図１７】実施例４で作製した光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図１７（ａ）はトラックピッチ０．６８μｍの光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図１７（ｂ）はトラックピッチ０．４μｍの光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図１８】実施例５で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを示した図である。
【図１９】実施例５で作製した光ディスクのチルト検出領域からトラッキング制御時に検出されるメイン収束スポットのプッシュプル信号出力特性を示した図であり、図１９（ａ）はトラックピッチ０．６８μｍの光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図であり、図１９（ｂ）はトラックピッチ０．４μｍの光ディスクのチルト検出領域のウォブル振幅に対するメイン収束スポットのプッシュプル信号出力の変化を示した図である。
【図２０】変形例で作製した光ディスクのチルト検出領域のグルーブパターンを示した図である。
【図２１】実施例１で作製した光ディスクの傾き補正を行うために用いた光情報記録再生装置の概略構成図である。
【図２２】位相補正素子の概略平面図である。
【符号の説明】
１  レーザ光源
２  コリメートレンズ
３  回折格子
４  ビームスプリッタ
５  反射ミラー
６  対物レンズ
７  集光レンズ
８  フォトディテクタ
９  光ディスク
１０，１００  光情報記録再生装置
１１，１２，１３  チルト検出領域
２１  メイン収束スポット
２２  サブ収束スポット
２３  サブ収束スポット
１０１  位相補正素子
１０２  位相補正素子制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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