(57)【要約】【課題】  実装基板に接着して装着した際の熱伝導性および接着力が大きく、平易かつ安価に実装基板に装着することが可能なヒートシンクに適用する表面処理Ａｌ板、およびその表面処理Ａｌ板を用いてなるヒートシンク、ならびにそのヒートシンクをリフローハンダ付けしてなる実装部品を提供する。【解決手段】  Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層をめっきにより形成させ、さらに選択的に熱放射性を向上させる層を形成させてなる表面処理Ａｌ板をヒートシンクとして用い、このヒートシンクを実装基板の回路上などにリフローハンダ付けして実装部品とする。【選択図】      図１
2005332840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ基板表面に、基板表面側から順にＺｎ層、Ｎｉ層を形成させてなり、Ｔピール法で測定したハンダ強度が３ｋｇｆ／７ｍｍ以上であることを特徴とするヒートシンク用の表面処理Ａｌ板。
【請求項２】
Ａｌ基板表面に、基板表面側から順にＺｎ層、Ｎｉ層、Ｓｎ層を形成させてなり、Ｔピール法で測定したハンダ強度が３ｋｇｆ／７ｍｍ以上であることを特徴とするヒートシンク用の表面処理Ａｌ板。
【請求項３】
前記Ｚｎ層が５〜５００ｍｇ／ｍ２の皮膜量で設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板。
【請求項４】
Ｎｉ層上にさらに熱放射性を向上させる層を形成させてなることを特徴とする請求項１または請求項３に記載のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板。
【請求項５】
Ｓｎ層上にさらに熱放射性を向上させる層を形成させてなることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面処理Ａｌ板を用いてなることを特徴とするヒートシンク。
【請求項７】
熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項６に記載のヒートシンク。
【請求項８】
請求項４または請求項５に記載の表面処理Ａｌ板を用いてなることを特徴とするヒートシンク。
【請求項９】
熱放射率が０．２〜０．９であることを特徴とする請求項８に記載のヒートシンク。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項に記載のヒートシンクを、実装基板にリフローハンダ付けしてなることを特徴とする実装部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヒートシンク、特に実装基板用のヒートシンクに用いる表面処理を施してなるＡｌ板、およびそれを用いたヒートシンク、特に実装基板用のヒートシンク、ならびにそのヒートシンクを実装基板にリフローハンダ付けしてなる実装部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化や多機能化にともなって機器の発熱密度が増大し、機器の誤動作を生じたり、人体に対して低温火傷を生じさせる危険性が高まっており、電子機器の狭い筐体内部や間隙が殆ど無い状態で装填された部品の温度上昇を抑制する必要が生じている。これらの電子機器に用いるプリント基板においては、部品の温度上昇を抑制するために、放熱用のヒートシンクを取り付けた基板が用いられている。ヒートシンクは、従来はスルーホールにより基板に穿設した孔を通してリード線やチップの足などを基板の裏面の回路に導き、溶融ハンダに浸漬して接着させていた。しかし、上記のようにさらなる電子機器の小型化や多機能化を達成するため、近年では基板表面の回路に直接チップなどの部品をハンダ付けした表面実装部品が用いられるようになってきており、充分な放熱が得られるような大きさのヒートシンクを設けることが困難になっている。そのため、図２に示すように、実装基板に表面実装したチップなどの部品上に接着剤を用いてヒートシンクを装着することが行われている（例えば、特許文献１参照）。しかし、接着剤を用いた場合、熱伝導性の低下を極力抑制するために極めて薄い接着層を設けて接着させる必要があり、安定した強固な接着強度が得られにくく、また、接着剤を塗布し硬化させる工程を余分に必要としている。
【０００３】
本発明に関する先行技術文献として以下のものがある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−０７１６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、実装基板に接着して装着した際の熱伝導性および接着力が大きく、平易かつ安価に実装基板に装着することが可能なヒートシンクに適用する表面処理Ａｌ板、およびその表面処理Ａｌ板を用いてなるヒートシンク、ならびにそのヒートシンクをリフローハンダ付けしてなる実装部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的を達成するため、本発明のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板は、Ａｌ基板表面に、基板表面側から順にＺｎ層、Ｎｉ層を形成させてなり、ＪＩＳ Ｚ ３２８２：Ｈ６０Ａに基づくハンダ強度が３ｋｇｆ／７ｍｍ以上である、ヒートシンク用の表面処理Ａｌ板（請求項１）、または
Ａｌ基板表面に、基板表面側から順にＺｎ層、Ｎｉ層、Ｓｎを形成させてなり、ＪＩＳ Ｚ ３２８２：Ｈ６０Ａに基づくハンダ強度が３ｋｇｆ／７ｍｍ以上である、ヒートシンク用の表面処理Ａｌ板（請求項２）であり、
上記（請求項１または２）のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板において、前記Ｚｎ層が５〜５００ｍｇ／ｍ２の皮膜量で設けられてなること（請求項３）を特徴とし、また
上記（請求項１または請求項３）のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板において、Ｎｉ層上にさらに熱放射性を向上させる層を形成させてなること（請求項４）を特徴とし、
上記（請求項２または請求項３）のヒートシンク用の表面処理Ａｌ板において、Ｓｎ層上にさらに熱放射性を向上させる層を形成させてなること（請求項５）を特徴とする。
【０００７】
また、本発明のヒートシンクは、上記（請求項１〜３）の表面処理Ａｌ板を用いてなるヒ−トシンク（請求項６）であり、
上記（請求項６）のヒートシンクにおいて、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であること（請求項７）を特徴とし、またはさらに
本発明のヒートシンクは、上記（請求項４または請求項５）の表面処理Ａｌ板を用いてなるヒ−トシンク（請求項８）であり、
上記（請求項８）のヒートシンクにおいて、熱放射率が０．２〜０．９であること（請求項９）を特徴とする。
【０００８】
そして、本発明の実装部品は、上記（請求項６〜９）のヒートシンクを、実装基板にリフローハンダ付けしてなる実装部品（請求項１０）である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のヒートシンク用表面処理Ａｌ板は、軽量で熱伝導性が大きいために小型の電子機器用のヒートシンクとして好適に適用できる。また、本発明のヒートシンクはＡｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層をめっきにより形成させてなる表面処理Ａｌ板を用いているので、ハンダ付けが可能であり、リフローハンダ付け法などを用いて半導体チップなどの実装部品とともに、同時に実装基板の回路上などに接着することができる。また、接着剤を用いず溶融したハンダで接着するので、強固な接着状態が得られ、熱伝導性も殆ど低下することがないので、優れた放熱性を具備することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
本発明のヒートシンク用表面処理Ａｌ板の基板となるＡｌ板としては、純Ａｌ板およびＪＩＳ規格の１０００系、２０００系、３０００系、５０００系、６０００系、７０００系のいずれのＡｌ合金板も用いることができる。放熱性を向上させるため、プレス加工により表面にフィン状の凹凸部を形成させたり、ローレット加工などにより表面を粗面加工してもよい。これらの純Ａｌ板やＡｌ合金板を脱脂し、次いで酸性エッチングし、次いでスマットを除去した後、Ｚｎを置換めっきする。Ｚｎの置換めっきは、硝酸浸漬処理、第一Ｚｎ置換処理、硝酸亜鉛剥離処理、第二Ｚｎ置換処理の工程を経ておこなう。この場合、各工程の処理後には水洗処理を実施する。この第一Ｚｎ置換処理および第二Ｚｎ置換処理により形成するＺｎ層は、この置換処理後にＮｉめっきを施す際にわずかに溶解するので、Ｚｎ層の皮膜量としてはＮｉめっき後の状態で５〜５００ｍｇ／ｍ２  であることが好ましく、３０〜３００ｍｇ／ｍ２  であることがより好ましい。皮膜量は処理液中のＺｎイオンの濃度および第二Ｚｎ置換処理において処理液中に浸漬する時間を適宜選択して調整する。皮膜量が５ｍｇ／ｍ２  未満であるとＺｎ層の上に形成させるＮｉめっき層との密着性に乏しくなり、曲げ加工を施した際にめっき層が剥離しやすくなる。一方、皮膜量が５００ｍｇ／ｍ２  を超えるとＮｉめっきが不均一になり、ハンダ強度が低下する。
【００１２】
次いで、このようにして形成されたＺｎ層の上にＮｉ層をめっきする。Ｎｉめっき層は、電気めっき法または無電解めっき法のいずれのめっき法を用いて形成させてもよい。無電解めっき法を用いる場合は、還元剤としてＰ化合物やＢ化合物を用いるので、Ｎｉめっき膜はＮｉ−Ｐ合金やＮｉ−Ｂ合金からなる皮膜として形成されるが、電気めっき法による純ニッケルからなる皮膜と同様に、めっき皮膜のＡｌ基板に対する優れた密着性や、優れたハンダ濡れ性およびハンダ強度が得られる。このようにして得られるＮｉ層は、皮膜量として０．２〜５０ｇ／ｍ２  であることが好ましく、１〜１０ｇ／ｍ２  であることがより好ましい。皮膜量が０．２ｇ／ｍ２  未満であるとＮｉ層がＺｎ層の全面を均一に被覆することができないので十分なハンダ強度が得られない。一方、皮膜量が５０ｇ／ｍ２  を超えるとハンダ濡れ性およびハンダ強度の向上効果が飽和し、コスト的に有利でなくなる。このようにしてＡｌ板にＺｎ層、Ｎｉ層を形成させることにより、本発明の表面処理Ａｌ板が得られる。
【００１３】
本発明の表面処理Ａｌ板は、上記のようにＡｌ板にＺｎ層、Ｎｉ層を形成させた後、さらにその上にＳｎ層をめっきしたものであってもよい。Ｓｎめっき層は、電気めっき法または無電解めっき法のいずれのめっき法を用いて形成させてもよい。Ｓｎ層は、皮膜量として０．２〜２０ｇ／ｍ２  であることが好ましく、１〜１０ｇ／ｍ２  であることがより好ましい。皮膜量が０．２ｇ／ｍ２  未満であると非活性のフラックスを用いた場合にハンダが濡れにくくなる。一方、皮膜量が２０ｇ／ｍ２  を超えてもハンダ濡れ性およびハンダ強度の向上効果が飽和し、コスト的に有利でなくなる。このようにしてＡｌ板にＺｎ層、Ｎｉ層、Ｓｎ層を形成させることにより、本発明の表面処理Ａｌ板が得られる。また、これらの表面処理Ａｌ板を加熱して、Ａｌ基板とＺｎ層、Ｚｎ層とＮｉ層を拡散させることにより、Ａｌ基板とめっき層および各めっき層同士の密着強度を向上させることもできる。同様に、表面処理Ａｌ板の最表面のＳｎ層が下層のＮｉ層やＡｌ基板と合金化して全て失われることなく遊離Ｓｎが残存する程度に加熱して、Ａｌ基板とＺｎ層、Ｚｎ層とＮｉ層、およびＮｉ層とＳｎ層、またはＡｌ基板とＺｎ層とＮｉ層、Ｚｎ層とＮｉ層とＳｎ層を拡散させることにより、Ａｌ基板とめっき層および各めっき層同士の密着強度を向上させることもできる。
【００１４】
これらの本発明のヒートシンク用表面処理Ａｌ板は６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有しており、熱伝導性に優れたヒートシンクとして発熱体から熱を好適に吸収して放熱することができるが、Ｓｎ層上に熱放射性を向上させる層を設けることにより、放熱性をさらに向上させることが可能となる。本発明の表面処理Ａｌ板の熱放射率は０．０５〜０．１前後であるが、熱放射性を向上させる層を設けることにより、熱放射率は０．２〜０．９程度まで向上させることができる。熱放射性を向上させる層は以下のようにしてＮｉ層上またはＳｎ層上に形成させる。すなわち、Ｚｎ層、Ｎｉ層、またはＺｎ層、Ｎｉ層、Ｓｎ層を順に形成させた表面処理Ａｌ板、またはこれらの表面処理Ａｌ板に上記の加熱拡散処理を施した後、黒色顔料と水溶性ロジンを含有させた水系アクリル樹脂や水系ウレタン樹脂などの水系樹脂を塗布し、乾燥させて処理皮膜とする。この処理皮膜はフラックス効果を有しており、ハンダ濡れ性も向上させる。これらの水系樹脂の濃度は１００〜９００ｇ／Ｌであることが好ましく、黒色顔料は樹脂中に樹脂の固形分に対して５０重量％以下で含有させることが好ましい。５０重量％を超えて含有させるとハンダ濡れ性およびハンダ強度が不良となる。乾燥後の処理皮膜の厚さは０．０５〜１０μｍであることが好ましい。０．０５μｍ未満では放熱性の向上効果に乏しく、１０μｍを超えると熱伝導性が損なわれるようになり、放熱性を向上させることが不可能になる。このようにＳｎ層上に熱放射性を向上させる層を設けることにより、ヒートシンクの放熱性を向上させることができる。
【００１５】
このようにして作成される本発明のヒートシンク用表面処理Ａｌ板を切断、折曲加工などにより、所定寸法の形状として本発明のヒートシンクとする。本発明のヒートシンクは、図２の従来例と同様に接着剤を用いて部品上に接着することもできるが、ハンダ付性に優れたＮｉ層またはＳｎ層や、さらにＮｉ層またはＳｎ層上にフラックス効果を有する層を備えているので、半導体チップなどをクリームハンダを用いて実装基板上にリフローハンダする際に、図１に示すように実装基板の銅箔からなる回路上または実装基板の銅箔部分に特に設けたヒートシンク接着用部分に、クリームハンダを用いて半導体チップなどの電子部品とともに実装基板にリフローハンダ付けすることができる。そのため、ヒートシンク接着専用の工程を削除することが可能となる。また、本発明のヒートシンクはハンダ濡れ性も優れているので、溶融したハンダで接着面全体が濡れ、ハンダ固化後に強力な接着状態が得られる。
【実施例】
【００１６】
以下、実施例にて本発明を詳細に説明する。
【００１７】
（実施例１）
（供試板の作成）
Ａｌ合金板（ＪＩＳ ５０５２Ｈ１９、板厚０.５ｍｍ）をめっき基板として、アルカリ液で脱脂し、次いで硫酸中でエッチング処理を施し、次いで硝酸中で脱スマット処理を施した後、水酸化ナトリウム：１５０ｇ／Ｌ、ロッシェル塩：５０ｇ／Ｌ、酸化亜鉛：２５ｇ／Ｌ、塩化第一鉄１．５ｇ／Ｌを含む処理液中に浸漬して第一Ｚｎ置換処理を行い、次いで４００ｇ／Ｌの硝酸水溶液中に浸漬して置換析出したＺｎを除去した後、第一Ｚｎ置換処理で用いたのと同一の処理液中に浸漬して第二Ｚｎ置換処理を行った。次いで、この置換Ｚｎめっき上にワット浴を用いて下記の条件でＮｉめっきを施して供試板とした。さらに、一部の供試板は上記のようにしてＮｉめっきを施した後、さらにＮｉめっき上にフェロスタン浴を用いてＳｎめっきを施し、供試板とした。
【００１８】
<Ｎｉめっき>
浴組成
硫酸ニッケル                          ３００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル                            ４５ｇ／Ｌ
ホウ酸                                  ４５ｇ／Ｌ
浴温                                    ５５℃
ｐＨ                                  ３．０
電流密度                                  ５Ａ／ｄｍ２
<Ｓｎめっき>
浴組成
硫酸第一錫                              ３０ｇ／Ｌ
フェノールスルホン酸                    ３０ｇ／Ｌ
エトキシ化−αナフトール                  ２ｇ／Ｌ
浴温                                    ４０℃
ｐＨ                                  ２．０
電流密度                                  ５Ａ／ｄｍ２
【００１９】
一部の供試板については、これらのめっきを施した後、２８０℃に加熱し、Ａｌ基板とめっき層およびめっき層同士を拡散させる拡散熱処理を施した。Ｓｎ層を形成させた供試板の場合は、Ｓｎ層を溶融させるとともに、最表面の遊離Ｓｎが失われない程度にＡｌ基板とめっき層およびめっき層同士を拡散させた。また他の一部の供試板については、表２に示す液組成の処理液を用いて熱放射性を向上させる層を形成させた。
【００２０】
また、比較用として、上記のＡｌ合金板にＺｎ置換めっき層を設けずに直接Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を設けた供試板、上記のＡｌ合金板にＺｎ置換めっき層を設けずにＳｎめっき層のみを設けた供試板、低炭素鋼板（板厚０．５ｍｍ）にＳｎめっき層のみを設けた供試板を作成した。
【００２１】
【表１】
2005332840.tif 000003
【００２２】
【表２】
2005332840.tif 000004
【００２３】
（供試板の特性評価）
上記のようにして得られた供試板を、下記の特性について評価した。
【００２４】
[ハンダ濡れ性]
メニスコグラフ法（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｂ）により、ＳＯＬＤＥＲＣＨＥＣＫＥＲ（ＭＯＤＥＬ  ＳＡＴ−５０００、ＲＨＥＳＣＡ製）を使用し、上記の各供試材から切り出した幅７ｍｍの試片をフラックス（ＮＡ−２００、タムラ化研製）に浸漬し、その後２５０℃に保持したハンダ浴（ＪＩＳ Ｚ ３２８２：Ｈ６０Ａ）に前記のフラックスを塗布した試片を浸漬速度：２ｍｍ／秒で２ｍｍ浸漬し、ハンダが濡れるまでの時間ゼロクロスタイムを測定し、下記に示す基準でハンダ濡れ性を評価した。短時間であるほどハンダ濡れ性が良好であることを示す。
◎：５秒未満
○：５〜７秒未満
△：７〜１０未満
×：１０秒以上
【００２５】
[ハンダ強度]
上記の各供試材から切り出した幅７ｍｍ、長さ５０ｍｍの試片をＬ字型に折り曲げた２つの切り出し片を、評価面を向かい合わせてＴ字状になるように重ね、Ｔ字の縦棒の部分の間に厚さ：０．５ｍｍの鋼板を挟み、Ｔ字の縦棒の下部に０．５ｍｍの空隙部を形成させた試片を作成した。この試片の空隙部に上記のハンダ濡れ性の評価に用いたのと同様のフラックスを塗布した後、ソルダーチェッカー（ＳＡＴ−５０００、レスカ製）を用い、２５０℃に保持したハンダ浴（ＪＩＳ Ｚ ３２８２：Ｈ６０Ａ）に試片の空隙部を１０ｍｍの深さまで浸漬し５秒間保持して空隙部にハンダを充填させた後取り出し、Ｔピール試験片とした。次いでテンシロンを用い、Ｔピール試験片のＴ字の横棒部をチャックで挟んで引張ってＴ字の縦棒部のハンダ充填部を引き剥がし、ハンダ強度を測定し、下記に示す基準でハンダ強度を評価した。
◎：４ｋｇｆ／７ｍｍ以上
○：３〜４ｋｇｆ／７ｍｍ未満
△：１〜３ｋｇｆ／７ｍｍ未満
×：１ｋｇｆ／７ｍｍ未満
【００２６】
[めっき皮膜の密着性]
上記の各供試材から幅１５ｍｍ、長さ５０ｍｍの試片を切り出し、９０°折り曲げ、折り曲げ部にスコッチテープを貼り付け、次いで引き剥がした後、めっき皮膜の剥離の有無を肉眼観察し、下記の基準でめっき皮膜の密着性を評価した。
○：剥離は認められない。
×：剥離が認められる。
【００２７】
[放熱性]
上記の各供試材から幅５ｍｍ、長さ１０ｍｍの試片を切り出し、光交流法熱定数測定装置（ＰＩＴ−Ｒ２型、真空理工製）を用いて熱伝導率を測定した。また、放射率計（Ｄ ａｎｄ Ｓ ＡＥＲＤ放射率計、京都電子工業製）を用いて熱放射率を測定し、下記に示す基準で放熱性を評価した。
◎：熱伝導率６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上でかつ熱放射率０．２０以上
○：熱伝導率６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上でかつ熱放射率０．０５〜０．２０未満
△：熱伝導率４０〜６０Ｗ／ｍ・Ｋ未満
×：熱伝導率４０Ｗ／ｍ・Ｋ未満
【００２８】
【表３】
2005332840.tif 000005
【００２９】
表３に示すように、Ａｌ板にＺｎ層、Ｎｉ層、またはＺｎ層、Ｎｉ層、Ｓｎ層を形成させた本発明のヒートシンク用表面処理Ａｌ板はハンダの濡れ性に優れ、ハンダ強度が高く、かつ熱伝導率が大きく放熱性に優れている。また、この表面処理Ａｌ板のＳｎ層上に熱放射性を向上させる層を設けることにより、放熱性がさらに向上する。そのため、ハンダ付けが可能な放熱性に優れたヒートシンクとして好適に適用できる。
【００３０】
（実施例２）
表１に示す試料番号１４の供試板からコの字状のヒートシンク（幅：５ｍｍ、中央平坦部長さ：１０ｍｍ、中央平坦部の両端の垂直部長さ：３ｍｍ）を切出し、実装基板（面積：４０ｍｍ×６０ｍｍ）の銅箔の配線部分（幅：３ｍｍ）に、１０個ずつ、クリームハンダ（千住金属工業（株）製、２２１ＢＭ５−Ｋ）を用いてリフロー付けするか、または銀ペースト（京セラケミカル（株）製、ＣＴ２８４）を用いて接着し、実装基板の裏面に８０ｇの重りを取り付け、携帯電話器とほぼ同重量の落下試験用試験片とした。これらのヒートシンクをクリームハンダでリフロー付けした試験片および銀ペーストで接着した試験片をそれぞれ１５０組作成した。これらの試験片を１．５ｍの高さからコンクリートの床面に落下させ、実装基板から剥離脱落したヒートシンクの個数を計測したところ、クリームハンダでリフロー付けした場合は、１５０組の試験片についてヒートシンクが剥離脱落したものは皆無であった。一方、銀ペーストで接着した場合は、１組の試験片で２個のヒートシンクが剥離脱落し、３組の試験片で１個のヒートシンクが剥離脱落した。このように、本発明の実装基板にヒートシンクをクリームハンダでリフロー付けした実装部品においては、ヒートシンクと実装基板との極めて高い接着力が得られ、小型電子機器などに組み込まれて落下した場合でも、ヒートシンクが実装基板から剥離脱落することがない。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明のヒートシンク用表面処理Ａｌ板は、Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層をめっきにより形成させてなり、軽量で熱伝導性が大きく、かつハンダ付けが可能であるため、実装基板の銅箔からなる回路上などにクリームハンダを用いてリフロー付けすることにより、小型の電子機器用のヒートシンクとして好適に適用できる。また、クリームハンダを用いてリフロー付けすることができるので、半導体チップなどの実装部品とともに、同時に実装基板の回路上などに接着することが可能であり、工程を節減できる。さらに、接着剤を用いず溶融したハンダで接着するので、強固な接着状態が得られ、小型電子機器などに組み込まれて落下した場合でも、実装基板から剥離脱落することがなく、またさらに、樹脂層が介在しない金属同士による接着であるので、熱伝導性も殆ど低下することがなく、優れた放熱性を具備している。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実装基板の回路上または実装基板に設けたヒートシンク接着用部分に、クリームハンダを用いて電子部品とともに実装基板にヒートシンクをリフローハンダ付けする本発明の一例を示す概略図
【図２】実装基板に表面実装したチップなどの部品上に接着剤を用いてヒートシンクを装着する従来の例を示す概略図
【符号の説明】
【００３３】
１    ：  ヒートシンク
２    ：  実装基板
２ａ  ：  回路部分
３    ：  電子部品
４    ：  ハンダ
５    ：  接着剤
【図１】
2005332840.tif 000006
【図２】
2005332840.tif 000007