(57)【要約】【課題】本発明は、エレクトロマイグレーションによって超小型電子技術／電子回路の障害が引き起こされることのない、乾燥剤の収容構造を提供しようとするものである。【解決手段】本発明の１実施形態による構造は、パッケージ装置の中に乾燥剤を収容し、基板と、基板上の所定の領域に配置された第１の金属層と、所定の領域を画定する第２の金属層と、第１の金属層上に配置された絶縁体層と、その上に配置された乾燥剤と、乾燥剤と絶縁体層上に配置され、乾燥剤、絶縁体層、第１の金属層を取り囲む透過膜と、透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含んでいる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハレベルのパッケージ装置とダイレベルのパッケージ装置の少なくとも１つの中に乾燥剤を収容する構造であって、
基板と、
前記基板上の所定の領域内に配置された第１の金属層と、
前記所定の領域を画定する第２の金属層と、
前記第１の金属層上に配置された絶縁体層と、
前記絶縁体層上に配置された乾燥剤と、
前記乾燥剤と前記絶縁体層上に配置された透過膜であって、前記乾燥剤、前記絶縁体層、および前記第１の金属層を取り囲み、前記所定の領域内にある透過膜と、
前記透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含むことを特徴とする構造。
【請求項２】
前記第１の金属層、前記第２の金属層、および前記金属トレースが、前記ウェーハと前記ダイの少なくとも一方の電位と実質的に等電位に保持されることを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項３】
ウェーハレベルのパッケージ装置内に乾燥剤を収容する構造であって、
基板と、
前記基板上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置され、乾燥剤が分散された透過膜と、
前記透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含むことを特徴とする構造。
【請求項４】
ウェーハレベルのパッケージ装置とダイレベルのパッケージ装置の少なくとも一方の中に乾燥剤を収容する構造を作成する方法であって、
基板上に所定の領域を画定する金属層を付着させる段階と、
前記所定の領域内に接地平面層を付着させる段階と、
前記接地平面層上に絶縁体層を付着させる段階と、
前記絶縁体層上に乾燥剤を付着させる段階と、
前記乾燥剤と前記絶縁体層上に、前記乾燥剤、前記絶縁体層および前記接地平面層を取り囲みかつ前記所定の領域内にある透過膜を付着させる段階と、
前記透過膜上に複数の金属トレースを付着させる段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
ウェーハレベルのパッケージ装置とダイレベルのパッケージ装置の少なくとも一方の中に乾燥剤を収容する構造を作成する方法であって、
基板上に金属層を付着させる段階と、
前記金属層上に、乾燥剤を分散させた透過膜を付着させる段階と、
前記透過膜上に複数の金属トレースを付着させる段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
集積回路が動作可能に収容された密閉領域と、
前記密閉領域内の乾燥剤を収容する構造であって、
基板と、
前記基板上の所定の領域内に配置された第１の金属層と、
前記所定の領域を画定する第２の金属層と、
前記第１の金属層上に配置された絶縁体層と、
前記絶縁体層上に配置された乾燥剤と、
前記乾燥剤と前記絶縁体層の上に配置されており、前記乾燥剤、前記絶縁体層および前記第１の金属層を取り囲みかつ前記所定の領域内にある透過膜と、
前記透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含む構造と、を有する集積回路。
【請求項７】
集積回路が動作可能に収容された密閉領域と、
前記密閉領域内の乾燥剤を収容する構造であって、
基板と、
前記基板上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置され、乾燥剤が分散された透過膜と、
前記透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含む構造とを含む集積回路。
【請求項８】
乾燥剤を収容する構造を使用する方法であって、
乾燥剤を収容する前記構造を超小型電子技術回路を有する基板に密閉する段階を含み、乾燥剤を収容する前記構造が、
第２の基板と、
前記第２の基板上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置され、乾燥剤を分散させた透過膜と、
前記透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
超小型電子技術回路を有する基板と、
前記密閉領域内に動作可能に配置された乾燥剤と、
前記乾燥剤のまわりに等電位領域を実質的に維持する手段とを含む密閉領域。
【請求項１０】
ウェーハレベルのパッケージ装置とダイレベルのパッケージ装置の少なくとも一方の中に乾燥剤を収容する構造であって、
基板と、
前記基板上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置された絶縁体層と、
前記絶縁体層上に配置された乾燥剤と、
前記乾燥剤と前記絶縁体層上に配置されており、前記乾燥剤、前記絶縁体層および前記金属層を取り囲む透過膜と、
前記透過膜上に配置された複数の金属トレースとを含み、前記金属層と前記金属トレースが、前記ウェーハと前記ダイの少なくとも１つの電位と実質的に等電位に保持されることを特徴とする構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に超小型電子技術に関し、より詳細にはウェーハ／ダイレベルのパッケージ装置における乾燥剤収容構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子装置は、周囲環境から保護されている場合により効率的に機能する。装置を作動条件に維持するために、電子装置をパッケージングする様々なパッケージ装置および方法が知られている。そのような装置と方法は、水分を吸収するためにパッケージ内にある種の乾燥剤を収容することがある。
【０００３】
多くの乾燥剤は移動性イオンを含む。一般に、移動性イオンは、超小型電子技術との適合性が低い。場合によって、乾燥剤の移動性イオンの化学的エレクトロマイグレーションが、超小型電子技術の障害を引き起こすことがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、エレクトロマイグレーションによって超小型電子技術／電子回路の障害が引き起こされることのない、乾燥剤の収容構造を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１実施形態によれば、超小型電子技術を有する基板を含む密閉領域が提供されている。密閉領域内に乾燥剤が動作可能に配置され、乾燥剤のまわりには等電位領域が実質的に維持されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
目的、特徴および利点は、以下の詳細な説明および図面を参照することにより明らかになるであろう。図面において、類似の参照番号は、類似しているが必ずしも同一とは限らない構成要素を示す。簡潔にするために、以前に説明した機能を有する参照番号は、その参照番号が現われる後の図面では示さないことがある。
【０００７】
後でさらに詳しく説明するように、乾燥剤収容構造の実施形態において、乾燥剤のまわりに等電位ケージが形成される。これにより、一般に、移動性イオンが任意の関連超小型電子技術／電子回路（例えば、集積回路）の方に移動する推進力が有利に除去されると考えられる。したがって、超小型電子技術回路を破壊しかつ／または劣化させる可能性を実質的に減らすことができる。乾燥剤収容構造は、水蒸気および／または水分を有利に捕捉できることを理解されたい。さらに、本発明の実施形態は、乾燥剤が水分を吸収したときに体積膨張し、乾燥剤から水分が放出されたときに体積が収縮できるように有利に変形することができる可撓性多孔質膜を提供する。
【０００８】
次に図１を参照すると、本発明の実施形態による乾燥剤収容構造が、全体が１０として示されている。乾燥剤収容構造１０は、基板１２、その上の第１の金属層１４、基板１２上の所定の領域１３を画定する第２の金属層１６、第１の金属層１４上に配置された絶縁体層１８、絶縁体層１８上に配置された乾燥剤層２０、乾燥剤層２０に重なりそのまわりを取り囲む透過膜２２、絶縁体層１８と第１の金属層１４、および透過膜２２上に配置された金属トレース２４を含む。
【０００９】
適切な基板１２の材料のいくつかの非限定的な例には、単結晶シリコン、多結晶シリコン、絶縁性基板を含む酸化シリコン、アルミナ、サファイヤ、セラミックス、ガラス、シリコンウェーハ、および／またはこれらの混合物がある。ひとつの実施形態において、基板１２としてシリコンウェーハが選択された。
【００１０】
本発明の実施形態による乾燥剤２０を収容する構造１０を作成する方法は、基板１２上の所定の領域１３内に第１の金属層１４を付着させる段階を含む。第１の金属層１４に任意の適切な金属を使用できることを理解されたい。第１の金属層１４に適切な金属の例には、金、アルミニウム、タンタル、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケルクロム、ドープドポリシリコン、および／またはこれらの混合物があるが、これらに限定されない。
【００１１】
ひとつの実施形態において、第１の金属層１４は、約０．２μｍ〜約１０μｍの範囲の厚さを有する。
【００１２】
ひとつの実施形態において、第１の金属層１４、第２の金属層１６、および金属トレース２４は、ウェーハレベルのパッケージ装置を形成するかダイレベルのパッケージ装置を形成するかによって、ウェーハおよび／またはダイに対して、かつ／またはウェーハ／ダイ全体領域に対して、実質的に等電位に保持される。これにより、電位差または電界差が実質的になくなる。第１の金属層１４は、乾燥剤２０の下に接地平面層を形成できることを理解されたい。第１の金属層１４、第２の金属層１６、および金属トレース２４が接地電位に保持されることがあることを理解されたい。
【００１３】
第１の金属層１４、第２の金属層１６、絶縁体層１８、乾燥剤２０、および透過膜２２を付着させるために、任意の適切な付着技術を使用できることが意図されている。いくつかの付着技術には、物理蒸着（ＰＶＤ）（ＰＶＤは、例えば、スパッタリング、反応性スパッタリング、反応性同時スパッタリング、蒸着、パルスレーザ蒸着、イオンビーム法を含む）、電子ビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、角度蒸着（例えば、視射角蒸着（ＧＬＡＤ）、および／またはこれらの組み合わせがあるが、これらに限定さない。ひとつの実施形態において、金属層１４、１６は、ＰＶＤ、電子ビーム法、およびＣＶＤのうちの１つによって付着され、絶縁体層１８（一般に、無機絶縁体層１８）は、ＣＶＤとＰＥＣＶＤの一方によって付着され、透過膜２２は、スピンコーティング、押し出し成形、ラミネーション、浸漬、スプレー塗装、スクリーン印刷、およびＣＶＤのうちの１つによって付着される。
【００１４】
ひとつの実施形態において、第１の金属層１４は、必要に応じて、標準的フォトリソグラフィ技術を使用してパターン形成され、次にパターンで覆われていない金属層の任意の部分を除去することができる。適切なエッチング技術には、使用する金属によって、プラズマエッチングとウェット化学エッチングがある。
【００１５】
ひとつの実施形態の方法は、必要に応じて、第１の金属層１４（および様々な他の層）を付着する所定の領域１３を画定するように、基板１２上に第２の金属層１６を付着させる段階を含む。第２の金属層１６は、約０．２μｍ〜約１０μｍの範囲の厚さを有する。第２の金属層１６のいくつかの非限定的な例には、金、アルミニウム、タンタル、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケルクロム、および／またはこれらの混合物がある。
【００１６】
次に図２を参照すると、ひとつの実施形態において、第１の金属層１４は、第２の金属層１６（仮想線で示した）が付着されることなく基板１２に付着されてもよい。この実施形態において、絶縁体層１８、乾燥剤層２０、透過膜２２、および金属トレース２４が、金属層１４上および／または金属層１４よりも上に付着されることを理解されたい。
【００１７】
この方法のひとつの実施形態は、さらに、第１の金属層１４上に絶縁体層１８を付着させる段階を含む。任意の適切な絶縁性材料を選択できることを理解されたい。ひとつの実施形態において、絶縁体層１８は、非多孔質の窒化シリコンおよび／または酸化シリコンの少なくとも一方でよい。乾燥剤２０を収容する構造１０の一方の側と他方の側でイオン濃度の大きな差がある場合に、絶縁体層１８が拡散障壁として働くことが望ましい場合があることを理解されたい。さらに、絶縁体層１８は、乾燥剤層２０を第１の金属層１４から保護することができる。ひとつの実施形態において、絶縁体層１８は、約５００オングストローム〜約３０μｍの範囲の厚さを有する。
【００１８】
絶縁体層１８が付着後にパターン形成されてもよいことを理解されたい。本明細書に示したような任意の適切なパターン形成技術を使用することができる。
【００１９】
この方法のひとつの実施形態は、さらに、絶縁体層１８上に乾燥剤層２０を付着させる段階を含む。任意の適切な乾燥剤材料を使用できることを理解されたい。乾燥剤のいくつかの非限定的な例には、シリカゲル、酸化カルシウム、硫酸カルシウム、モレキュラーシーブ、および／またはこれらの混合物があるが、これらに限定されない。適切な乾燥剤の１つの非限定的な例には、ジョージア州ＡｌｐｈａｒｅｔｔａにあるＣｏｏｋｓｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｃ．からＨＩＣＡＰ  ２０００の商標で市販されている。
【００２０】
乾燥剤層２０は、任意の適切な付着技術を使用して付着させることができる。さらにまた、乾燥剤層２０は、任意の適切な技術を使用してパターン形成することができる。
【００２１】
本発明の実施形態による乾燥剤２０を収容する構造１０を作成する方法は、さらに、乾燥剤層２０、絶縁体層１８および基板１２の上に透過膜２２を付着させる段階を含む。
【００２２】
第２の金属層１６を含む構造１０の１つの実施形態において、透過膜２２は、乾燥剤層２０、絶縁体層１８および第１の金属層１４を覆って取り囲み、第２の金属層１６によって画定された所定の領域１３（図２に仮想線で示した）内に収容されるように付着される。第２の金属層１６を含まない構造１０の代替の実施形態において、透過膜２２は、乾燥剤層２０、絶縁体層１８および第１の金属層１４を覆って取り囲むように付着される。
【００２３】
透過膜２２は、可撓性高分子材料と多孔質セラミックス材料を含むがこれらに限定されない任意の適切な材料で作成できることを理解されたい。ひとつの実施形態において、膜２２は、例えばフォトレジスト材料のような可撓性高分子材料から形成される。可撓性高分子材料の他の非限定的な例には、ポリメタクリル酸メチル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドおよび／または感光性ポリアミド、および／またはこれらの混合物があるがこれらに限定されない。１つの適切なフォトレジスト材料は、マサチューセッツ州ニュートンのＭｉｃｒｏＣｈｅｍ，Ｉｎｃ．（旧Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．）とイスラエル国テルアビブのＧｅｒｓｔｅｌ  ＳＡからＳＵ−８の商標で市販されている。
【００２４】
透過膜２２の可撓性は透過膜２２の変形を有利に可能にし、乾燥剤層２０が水分を吸収したときの体積膨張を可能にしかつ水分が乾燥剤層２０から放出されたときの体積縮小を可能にする。
【００２５】
いくつかの例では、非可撓性の多孔質セラミックス透過膜２２の使用が有利なことがある。多孔質セラミックスの材料の非限定的な例には、多孔質酸化アルミニウムおよび／または多孔質二酸化シリコンがあるがこれらに限定されない。
【００２６】
透過膜２２は、約５００オングストローム〜約３０μｍの範囲の厚さを有することができる。また、透過膜２２は、本明細書に説明したような任意の適切な技術を使用してパターン形成することができる。
【００２７】
透過膜２２と乾燥剤層２０に選択される材料は、構造１０の望ましい最終用途に基づいて選択できることを理解されたい。例えば、乾燥剤２０を収容する構造１０の実施形態は、水蒸気を捕捉するために有利に使用されることがある。この非限定的な例では、前に挙げた透過膜２２と乾燥剤２０の材料のどちらも使用することができる。
【００２８】
乾燥剤２０を収容する構造１０は、さらに、透過膜２２に付着された金属トレース２４を含む。
【００２９】
金属トレース２４は、任意の適切な金属で作成できることを理解されたい。金属トレース２４のために選択される金属のいくつかの非限定的な例には、金、アルミニウム、タンタル、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケルクロム、ドープドポリシリコン、および／またはこれらの混合物があるが、これらに限定されない。金属トレース２４は、前に説明したように、任意の適切な付着技術を使用して付着することができる。さらに、金属トレース２４は、任意の適切な技術によってパターン形成することができる。ひとつの実施形態において、金属トレース２４は、約０．２μｍ〜約１０μｍの範囲の厚さを有する。
【００３０】
次に図３を参照すると、本発明の実施形態による構造１０は、乾燥剤層２０のまわりに等電位ケージ／領域を形成し、それにより乾燥剤層２０から任意の関連超小型電子技術／電子回路２６、３０へのイオン移動が実質的に防止されることが意図されている。超小型電子技術／電子回路２６、３０の例には、集積回路３０、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）２６などがあるがこれらに限定されない。
【００３１】
ウェーハレベルのパッケージ装置１１は、適切な超小型電子技術基板１２’上に配置された集積回路（ＩＣ）３０および／または微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）２６を含む。
【００３２】
基板１２’は任意の適切な基板でよいことを理解されたい。基板１２’のいくつかの非限定的な例には、単結晶シリコン、多結晶シリコン、酸化シリコン含有絶縁性基板、アルミナ、サファイヤ、セラミックス、ガラス、シリコンウェーハ、ゲルマニウムウェーハ、および／またはガリウムヒ素ウェーハ、および／またはこれらの混合物がある。
【００３３】
本発明のひとつの実施形態において、基板１２’上に配置されたＩＣ３０またはＭＥＭＳ２６は、密閉領域３４内に動作可能に配置されてもよい。さらに、乾燥剤２０を収容する構造１０は、密閉領域３４内に動作可能に配置されてもよい。乾燥剤２０を収容する構造１０の基板１２を、ボンドおよび／またはシール２８を使用して、集積回路３０および／またはＭＥＭＳ２６を有する基板１２’に密閉できることが意図されている。構造１０は、本明細書に示した等電位ケージ／領域の実施形態を乾燥剤２０のまわりに設けることによって、乾燥剤層２０中で移動性イオンがＩＣ３０および／またはＭＥＭＳ２６に向かう化学的エレクトロマイグレーションの推進力を実質的に除去することができる。
【００３４】
本発明のもう１つの実施形態による構造は、図４に示したように全体が１０’として示されている。構造１０’は、基板１２、金属層１４、乾燥剤２０を分散した透過膜３２、および金属トレース２４を含む。
【００３５】
もう１つの実施形態１０による構造１０’を作成する方法は、基板１２に金属層１４を付着させる段階を含む。基板１２に金属層１４を付着させるために任意の適切な付着技術を選択することができる。さらに、金属層１４は、任意の適切なパターン形成技術を使用してパターン形成することができる。
【００３６】
もう１つの実施形態による乾燥剤２０を収容する構造１０’を作成する方法は、さらに、乾燥剤２０を分散させた透過膜３２を金属層１４上に付着させる段階を含む。乾燥剤２０が透過膜３２全体にわたって実質的に均一に分散されることがあることを理解されたい。乾燥剤２０を分散させた透過膜３２のいくつかの例には、シリカゲル、酸化カルシウム、モレキュラーシーブ、および／または硫酸カルシウムを有する高分子材料、並びに／またはシリカゲル、酸化カルシウム、モレキュラーシーブおよび／または硫酸カルシウムを有する多孔質セラミックス材料がある、これらに限定されない。乾燥剤２０を分散させた１つの透過膜３２は、ジョージア州ＡｌｐｈａｒｅｔｔａからＳＴＡＹＤＲＹの商標で市販されている。
【００３７】
中に乾燥剤２０を有する透過膜３２は、スピンコーティング、スプレー塗装、押出し、ラミネーション、浸漬、スプレー塗装、ＣＶＤおよびスクリーン印刷を含むがこれらに限定されない任意の適切な付着技術を使用して付着させることができる。さらに、中に乾燥剤２０を有する透過膜３２は、必要に応じて、エッチング（フォトおよびエッチングを含む）、レーザアブレーション、インプリンティング、およびフォトレジストリフトオフを含むがこれらに限定されない任意の適切なパターン形成技術を使用してパターン形成することができる。
【００３８】
ひとつの実施形態による方法は、さらに、透過膜３２に複数の金属トレース２４を付着させる段階を含む。前に示したような任意の適切な付着技術を使用することができる。さらに、金属トレース２４に適した金属のいくつかの非限定的な例は、金、アルミニウム、タンタル、これらの合金、および／またはこれらの混合物である。
【００３９】
ひとつの実施形態において、金属トレース２４は、また、任意の適切なパターン形成技術によってパターン形成することができる。
【００４０】
もう１つの実施形態による構造１０’は、乾燥剤２０を等電位ケージ／領域内に実質的に収容することが意図されている。
【００４１】
図５に、適切な超小型電子技術基板１２’上に配置された集積回路（ＩＣ）３０および／または微小電気機械的システム（ＭＥＭＳ）２６を含むウェーハレベルのパッケージ装置１１のもう１つの実施形態を示す。
【００４２】
ひとつの実施形態において、基板１２’上に配置されたＩＣ３０またはＭＥＭＳ２６を密閉領域３４内に動作可能に配置することができる。さらにまた、乾燥剤２０を収容する構造１０’を密閉領域３４内に動作可能に配置することができる。乾燥剤２０を収容する構造１０’の基板１２を、ボンドおよび／またはシール２８を使用して、集積回路３０および／またはＭＥＭＳ２６を有する基板１２’に密閉できることが意図されている。構造１０’は、乾燥剤２０のまわりに本明細書で示した等電位ケージ／領域の実施形態を設けることによって、乾燥剤層２０中のＩＣ３０および／またはＭＥＭＳ２６の方への移動性イオンの化学的エレクトロマイグレーションの推進力を実質的になくすことができる。
【００４３】
本発明の実施形態による構造１０、１０’を使用する方法は、乾燥剤２０を収容する構造１０、１０’を、超小型電子技術回路２６、３０（この非限定的な例には、ＩＣ３０および／またはＭＥＭＳ２６がある）を有する基板１２’に密閉する段階を含む。
【００４４】
代替の実施形態において、構造１０、１０’は、超小型電子技術回路２６、３０が配置された同じ基板１２’上に配置されてもよい。さらに、乾燥剤２０を収容する構造１０、１０’が、超小型電子技術回路２６、３０を有する基板１２’に対して斜めに位置決めされた基板１２上に配置されてもよいことが意図されている。したがって、乾燥剤２０を収容する構造１０、１０’をウェーハレベルのパッケージング並びにダイレベルのパッケージングに有利に使用することができる。
【００４５】
本発明の実施形態は、多くの利点を提供し、その利点の例には、以下のようなものがあるが、これらに限定されない。一般に、本発明の実施形態によって乾燥剤２０材料が有利に取り囲まれ、それにより乾燥剤２０材料が超小型電子技術２６、３０と実質的に別個に維持される。さらに、いかなる理論にとらわれることなく、可撓性多孔質膜２２、３２は、水分が乾燥剤２０に吸収されたときの体積膨張を可能にし、水分が乾燥剤２０から放出されたときに収縮するように有利に変形すると考えられる。さらに、構造１０、１０’の実施形態は、一般に、乾燥剤２０を取り囲む等電位ケージ／領域を有利に提供し、それにより、  移動性イオンマイグレーションの推進力のうちの１つが実質的に除去され、超小型電子技術回路２６、３０の劣化と破壊が有利に防止される。
【００４６】
いくつかの実施形態を詳細に示したが、開示した実施形態を修正できることは当業者に明らかである。したがって、以上の説明は、限定ではなく例示と見なされるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】乾燥剤収容構造の実施形態の断面斜視図である。
【図２】乾燥剤収容構造の実施形態の断面図である。
【図３】図２の実施形態を含むウェーハレベルパッケージ装置の断面図である。
【図４】透過膜の実施形態の全体にわたって分散された乾燥剤の実施形態を示す乾燥剤収容構造の実施形態の断面図である。
【図５】図４の実施形態を含むウェーハレベルパッケージ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  構造
１１  パッケージ装置
１２  基板
１３  所定の領域
１４、１６  金属層
１８  絶縁体層
２０  乾燥剤
２２  透過膜
２４  金属トレース
【図１】
2005277422.tif 000003
【図２】
2005277422.tif 000004
【図３】
2005277422.tif 000005
【図４】
2005277422.tif 000006
【図５】
2005277422.tif 000007