(57)【要約】  【課題】  ウエハの欠陥を迅速に修復できる形状修復装置を提供する。  【解決手段】  形状修復装置３００は、被検査対象の試料を載置するためのステージ３７０と、ステージ３７０上に載置されるウエハWに検査用のエネルギー線を照射して試料の欠陥を検出する欠陥検査装置３２０と、欠陥検査装置３２０に対してステージ３７０の移動方向に並んで配置され、ステージ３７０上に載置されるウエハWに修復用のエネルギー線を照射して試料の欠陥を修復する欠陥修復装置３４０と、欠陥検査装置３２０にて検出された欠陥を修復するように、ステージ３７０の移動に応じて欠陥修復装置３４０を制御するＰＣとを備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査対象の試料を載置するためのステージと、
前記ステージ上に載置される試料に検査用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を検出する欠陥検査手段と、
前記欠陥検査手段に対して前記ステージの移動方向に並んで配置され、前記ステージ上に載置される試料に修復用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を修復する欠陥修復手段と、
を備えることを特徴とする形状修復装置。
【請求項２】
前記欠陥検査手段にて検出された欠陥を修復するように、前記ステージの移動に応じて前記欠陥修復手段を制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の形状修復装置。
【請求項３】
前記ステージの移動速度に基づいて、前記欠陥検査手段にて検出された欠陥が前記ステージの移動によって前記修復用のエネルギー線の照射位置に到着する時刻を求め、前記到着時刻に前記欠陥修復手段に修復用のエネルギー線を照射させる制御手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の形状修復装置。
【請求項４】
前記ステージの移動方向に並んで配置された複数の前記欠陥検査手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の形状修復装置。
【請求項５】
前記ステージの移動方向に並んで配置された複数の前記欠陥修復手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の形状修復装置。
【請求項６】
被検査対象の試料に検査用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を検出する欠陥検査手段と、
前記欠陥検査手段にて検出された欠陥に有機金属化合物を供給する供給手段と、
前記供給手段にて前記有機金属化合物を供給した箇所に修復用のエネルギー線を照射する照射手段と、
を備えることを特徴とする形状修復装置。
【請求項７】
前記欠陥検査手段、前記供給手段および前記照射手段を真空排気された雰囲気中に収容するための処理室を備えることを特徴とする請求項６に記載の形状修復装置。
【請求項８】
前記照射手段は、前記修復用のエネルギー線として、１ｅＶ以上かつ２０ｋｅＶ以下のエネルギーを有する荷電粒子ビームを照射することを特徴とする請求項６に記載の形状修復装置。
【請求項９】
被検査対象の試料をステージに載置するステップと、
ステージ上に載置された試料に検査用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を検出する欠陥検査ステップと、
前記欠陥ステップにて検出された欠陥を修復するように、前記ステージの移動に応じて、前記試料に前記修復用のエネルギー線を照射する欠陥修復ステップと、
を備えることを特徴とする形状修復方法。
【請求項１０】
前記欠陥修復ステップは、
前記欠陥に有機金属化合物を供給する供給ステップと、
前記供給ステップにおいて前記有機金属化合物を供給した箇所に前記修復用のエネルギー線を照射する照射ステップと、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の形状修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の試料の欠陥を修復する形状修復装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に記載されているように、従来から半導体のウエハ等の試料の欠陥を検査する方法が知られていた。
【０００３】
特許文献１には、ドライエッチング後のホールパターンの検査方法が記載されている。まず、検査装置にウエハを搬送し、検査装置にウエハをロードする。続いて、二次電子画像取得ビームでウエハをスキャンし、ウエハの二次電子画像を取得する。そして、取得した二次電子画像と予め記憶されたパターンとを比較して、欠陥を検出する。その後、ウエハの検査結果を出力し、ウエハをアンロードする。この検査方法によれば、欠陥の要因を早期に特定でき、ドライエッチングプロセスへのフィードバックを早期に行える。
【特許文献１】特開２００２−２７０６５５号公報（第６−８頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これまで提案されている上記したような検査方法は、欠陥を精度良く検出することに重点が置かれ、検出された欠陥を修復する観点からのアプローチが欠けていた。上記した検査方法で発見されたウエハの欠陥を修復する場合、検査装置からアンロードしたウエハを欠陥修復装置に搬送し、検出された欠陥の修復を行う必要がある。このため、ウエハの搬送等に時間を要し、ウエハの形状修復に時間を要する。
【０００５】
本発明は、上記背景に鑑み、試料の欠陥を迅速に修復できる形状修復装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の形状修復装置は、被検査対象の試料を載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される試料に検査用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を検出する欠陥検査手段と、前記欠陥検査手段に対して前記ステージの移動方向に並んで配置され、前記ステージ上に載置される試料に修復用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を修復する欠陥修復手段とを備える。
【０００７】
このように欠陥検査手段と欠陥修復手段とをステージの移動方向に並べて配置することにより、欠陥検査手段にて検出された欠陥がステージの移動によって欠陥修復手段の修復用のエネルギー線の照射位置に移動する。検出された欠陥が修復用のエネルギー線の照射位置に来たときに欠陥修復手段を動作させ、欠陥検査手段にて検出された欠陥を修復できる。従って、一連のステージ動作により、欠陥の検出および修復を行うことができる。
【０００８】
また、本発明の形状修復装置は、前記欠陥検査手段にて検出された欠陥を修復するように、前記ステージの移動に応じて前記欠陥修復手段を制御する制御手段を備えてもよい。
【０００９】
この構成により、欠陥修復手段の制御を制御手段によって適切に行える。
【００１０】
また、本発明の形状修復装置は、前記ステージの移動速度に基づいて、前記欠陥検査手段にて検出された欠陥が前記ステージの移動によって前記修復用のエネルギー線の照射位置に到着する時刻を求め、前記到着時刻に前記欠陥修復手段に修復用のエネルギー線を照射させる制御手段を備えてもよい。
【００１１】
このようにステージの移動速度に基づいて欠陥修復手段を制御する制御手段を有することにより、ステージの移動速度を様々に変えることができる。
【００１２】
本発明の形状修復装置は、前記ステージの移動方向に並んで配置された複数の前記欠陥検査手段を備えてもよい。
【００１３】
このように、複数の欠陥検査手段を備えることにより、検査精度を高めることができる。また、欠陥修復手段を挟んで欠陥検査手段を配置すれば、欠陥修復後の再検査を行うことも可能となる。
【００１４】
本発明の形状修復装置は、前記ステージの移動方向に並んで配置された複数の前記欠陥修復手段を備えてもよい。
【００１５】
このように、複数の欠陥修復手段を備えることにより、欠陥の修復を確実に行うことが可能となる。また、欠陥検査手段を挟んで欠陥修復手段を配置すれば、ステージを往復する際に、往路、復路のいずれでも欠陥の検査および修復を行うことができる。
【００１６】
本発明の形状修復装置は、被検査対象の試料に検査用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を検出する欠陥検査手段と、前記欠陥検査手段にて検出された欠陥に有機金属化合物を供給する供給手段と、前記供給手段にて前記有機金属化合物を供給した箇所に修復用のエネルギー線を照射する照射手段とを備える。
【００１７】
本発明によれば、有機金属化合物にエネルギー線を照射することにより金属膜が形成され、欠陥の修復を行える。このようにエネルギー線を照射することにより欠陥を修復する構成により、エネルギー線を照射して行う欠陥の検査と同じ処理室で欠陥の修復を行うことができ、欠陥修復の処理時間を短縮できる。また、有機金属化合物を用いることにより、有機金属化合物の有機成分が熱により分解し、金属成分が結晶化するので、グレインサイズの大きい金属膜を形成でき、金属膜の電気抵抗を小さくできる。
【００１８】
また、本発明の形状修復装置は、前記欠陥検査手段、前記供給手段および前記照射手段を真空排気された雰囲気中に収容するための処理室を備えてもよい。
【００１９】
このように真空雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、適切に検査および修復を行うことができる。
【００２０】
本発明の形状修復装置において、前記照射手段は、前記修復用のエネルギー線として、１ｅＶ以上かつ２０ｋｅＶ以下のエネルギーを有する荷電粒子ビームを照射してもよい。
【００２１】
修復用のエネルギー線として、１ｅＶ以上かつ２０ｋｅＶ以下のエネルギーを有する荷電粒子ビームを用いることにより、欠陥を適切に修復できる。
【００２２】
本発明の形状修復方法は、被検査対象の試料をステージに載置するステップと、ステージ上に載置された試料に検査用のエネルギー線を照射して前記試料の欠陥を検出する欠陥検査ステップと、前記欠陥ステップにて検出された欠陥を修復するように、前記ステージの移動に応じて、前記試料に前記修復用のエネルギー線を照射する欠陥修復ステップと、を備える。
【００２３】
このようにステージの移動に応じて欠陥の修復を行うことにより、本発明の形状修復装置と同様に、一連のステージ動作で欠陥の検出および修復を行うことができる。
【００２４】
また、本発明の形状修復方法において、前記欠陥修復ステップは、前記欠陥に有機金属化合物を供給する供給ステップと、前記供給ステップにおいて前記有機金属化合物を供給した箇所に前記修復用のエネルギー線を照射する照射ステップと、を備えてもよい。
【００２５】
このように有機金属化合物を供給した箇所にエネルギー線を照射することにより、本発明の形状修復装置と同様に、電気抵抗の小さい金属膜で欠陥を修復できる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、欠陥検査手段と欠陥修復手段とをステージの移動方向に並べて配置し、ステージの移動に応じて欠陥修復手段を制御するので、一連のステージ動作によって欠陥の検出および修復を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態の形状修復装置について図面を用いて説明する。本実施の形態では、半導体ウエハに形成された配線パターンの欠陥を検出して修復する形状修復装置について説明する。
【００２８】
図１は、本実施の形態の形状修復装置３００を示す図である。形状修復装置３００は、形状修復処理を行うビーム照射室３０２と、ビーム照射室３０２での処理前、処理後の半導体ウエハＷを出し入れするためのロードロック室３０４を備えている。ロードロック室３０４とビーム照射室３０２との間には、ウエハＷを搬送するための真空搬送ロボット３０６が配置され、ロードロック室３０４と半導体ウエハＷを収容するウエハカセット３０８，３１０との間には、大気中でウエハＷを搬送する大気搬送ロボット３１２が配置されている。ビーム照射室３０２、真空搬送ロボット室３１４、ロードロック室３０４は、真空に排気され、それぞれの接続部分にはバルブ３１６が設けられている。
【００２９】
ビーム照射室３０２には、ウエハＷの欠陥を検出する２台の欠陥検査装置３２０と、ウエハＷの欠陥を修復する欠陥修復装置３４０が備えられている。欠陥修復装置３４０は、２台の欠陥検査装置３２０の間に配置されている。
【００３０】
図２は、ビーム照射室３０２の内部の構成を模式的に示す図である。ビーム照射室３０２の内部には、ウエハＷを載置するステージ３７０が備えられている。ステージ３７０はＸＹ方向に移動可能であるが、欠陥検査および欠陥修復を行う際には、ステージ３７０は、矢印Ａで示す方向に移動する。これにより、ステージ３７０上のウエハＷが荷電粒子ビームによって走査される。２台の欠陥検査装置３２０と、１台の欠陥修復装置３４０は、ステージ３７０の移動方向Ａに並んで配置されている。より詳しくは、欠陥検査装置３２０および欠陥修復装置３４０から出力される荷電粒子ビームの照射位置がステージ３７０の移動方向Ａに並んで配置されている。
【００３１】
図３は、欠陥検査装置３２０の構成を示す図である。欠陥検査装置３２０は、ＳＥＭ（scanning electron microscope）型ウエハ検査装置である。欠陥検査装置３２０は、荷電粒子ビームＢを出力する荷電粒子源３２２を備え、荷電粒子源３２２からの荷電粒子ビームＢの出力方向に沿って、集束レンズ３２４、走査電極３２６、対物レンズ３２８が配置されている。これらの各構成要素は図示しない鏡筒に収容されている。走査電極３２６は、走査回路３３０を介してＰＣ３３２に接続されている。また、欠陥検査装置３２０は、検査対象であるウエハＷに照射された荷電粒子ビームＢの二次荷電粒子、後方散乱荷電粒子、ミラー電子を含む反射荷電粒子等を検出する検出器３３４を備える。検出器３３４は、Ａ／Ｄ変換器３３６を介してＰＣ３３２に接続されている。検出器３３４にて検出された荷電粒子データはＰＣ３３２で処理され、ウエハＷの表面の情報がＣＲＴ３３８に表示される。
【００３２】
ここで、欠陥検査装置３２０の仕様について説明する。本実施の形態では、欠陥検査装置３２０の鏡筒内の真空度は１０-3〜１０-6Ｐａ、好ましくは１０-4〜１０-6Ｐａ、さらに好ましくは１０-5〜１０-6Ｐａである。加速電圧は０．１Ｖ〜１００ｋＶ、好ましくは１Ｖ〜１０ｋＶ、さらに好ましくは１０Ｖ〜１０ｋＶである。照射電流は０．１〜１００μＡ、好ましくは１〜１００μＡ、さらに好ましくは１０〜１００μＡである。ビーム径はφ１〜１０００ｎｍ、好ましくはφ１０〜１０００ｎｍ、さらに好ましくはφ１０〜１００ｎｍである。
【００３３】
図４は、欠陥修復装置３４０の構成を示す図である。欠陥修復装置３４０は、荷電粒子ビームＢを出力する荷電粒子源３４２を備え、荷電粒子源３４２からの荷電粒子ビームＢの出力方向に沿って、開口３４４、偏向器３４６、開口３４８、電磁レンズ３５０、偏向器３５２が配置されている。これらの各構成要素は、１０-3〜１０-6Ｐａに真空排気された鏡筒３５４内に収容されている。鏡筒３５４の出口には、荷電粒子ビームＢを遮るためのシャッター３５６が設けられている。鏡筒３５４内のシャッター３５６付近には、ウエハＷに照射された荷電粒子ビームＢの二次荷電粒子、後方散乱荷電粒子、ミラー反射荷電粒子等を検出する検出器３５８を備える。
【００３４】
また、欠陥修復装置３４０は、鏡筒３５４の外部に、ウエハＷの欠陥に滴下する有機金属化合物を収容したリザーブタンク３６０を備えている。リザーブタンク３６０に収容される有機金属化合物は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、ＩｎおよびＳｎより選択される少なくとも１種の金属元素を含んでいる。ここで用いられる有機金属化合物としては、例えば、シクロペンタジエニル金属や、金属アルコキシド、金属βジケトネート、ジピバロイルメタナト金属塩、金属カルボン酸塩等の有機金属錯体を挙げることができる。さらに、有機金属錯体としては、アセチルアセトン金属塩、ジエタノールアミン金属塩、トリエタノールアミン金属塩、ジエチレングリコール金属塩、アセト酢酸アルキルエステル金属塩、アロン酸エステル金属塩、ヒドラゾン金属塩等の金属キレート化合物を挙げることができる。これらの中では、好ましくは、金属アルコキシド、金属βジケトネート、ジピバロイルメタナト金属塩、金属カルボン酸塩及びこれらのキレート化合物を挙げることができる。これらの有機金属化合物を、適当な溶媒に溶解または分散させて、例えば、溶液状やペースト状の有機金属化合物とすることが好ましい。
【００３５】
有機金属化合物の供給路３６２は、リザーブタンク３６０からステージ３７０を収容した加工室チャンバ３７２の内部に入り、ステージ３７０上の荷電粒子ビームＢの照射位置まで延びている。なお、加工室チャンバ３７２は、１０-3〜１０-6Ｐａに真空排気されている。
【００３６】
荷電粒子源３４２、偏向器３４６，３５２、電磁レンズ３５０、検出器３５８、およびリザーブタンク３６０は、欠陥検査装置３２０と共通のＰＣ３３２に接続されている。これにより、ＰＣ３３２が形状修復装置３００の全体を制御可能となる。すなわち、欠陥検査装置３２０からの欠陥データに基づいて欠陥修復装置３４０を制御することが可能となる。
【００３７】
ここで、欠陥修復装置３４０の仕様について説明する。本実施の形態では、欠陥修復装置３４０の加速電圧は０．１Ｖ〜１００ｋＶ、好ましくは１Ｖ〜１０ｋＶ、さらに好ましくは１０Ｖ〜１０ｋＶである。照射電流は０．１〜１００μＡ、好ましくは１〜１００μＡ、さらに好ましくは１０〜１００μＡである。ビーム径はφ１〜１０００ｎｍ、好ましくはφ１０〜１０００ｎｍ、さらに好ましくはφ１０〜１００ｎｍである。照射電流およびビーム径は、荷電粒子ビームの電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ2以下、好ましくは５ｍＡ／ｃｍ2以下、さらに好ましくは１ｍＡ／ｃｍ2以下となるように制御されることが好ましい。また、荷電粒子ビームのエネルギー量は、有機金属化合物の種類や量に応じて適宜決定されるものであるが、例えば、１ｅＶ〜３００ｋｅＶを、好ましくは１ｅＶ〜１００ｋｅＶを、より好ましくは、１ｅＶ〜２０ｋｅＶを挙げることができる。
【００３８】
次に、本実施の形態の形状修復装置３００の動作について説明する。まず、大気搬送ロボット３１２が、形状修復の処理前のウエハＷが収容されたウエハカセット３０８からウエハＷを取り出し、ロードロック室３０４に搬送する。続いて、真空搬送ロボット３０６がロードロック室３０４からウエハＷを取り出してビーム照射室３０２に搬送し、ビーム照射室３０２内のステージ３７０にウエハＷを載置する。
【００３９】
次に、形状修復装置３００の欠陥検査装置３２０は、ウエハＷを載せたステージ３７０を移動させながら、ウエハＷに荷電粒子ビームを照射する。そして、ウエハＷから発生する二次荷電粒子、反射荷電粒子、後方散乱荷電粒子、ミラー電子を検出器３３４によって検出し、その検出結果をＰＣ３３２に入力する。ＰＣ３３２は、検出結果からウエハＷの表面の画像データを生成し、基準の配線パターンとの比較を行うことによって欠陥を検出する。欠陥検査装置３２０は、欠陥の種類、座標および深さ等を測定する。
【００４０】
形状修復装置３００は、引き続き欠陥検査装置３２０で欠陥の検出を行う一方で、検出された欠陥のデータに基づいて欠陥修復装置３４０を制御する。まず、欠陥のデータから欠陥に供給すべき有機金属化合物の量や、荷電粒子ビームの照射を開始するまでの時間、荷電粒子ビームの照射時間、照射形状、照射位置等を求める。例えば、欠陥修復装置３４０の荷電粒子ビームの照射開始の時間ｔ［ｓｅｃ］は、ステージ３７０の移動速度をＳ［ｍｍ／ｓｅｃ］、荷電粒子ビームの照射位置の間隔をＤ［ｍｍ］とすると、ｔ＝Ｄ／Ｓの算式により求めることができる。
【００４１】
続いて、欠陥修復装置３４０は、欠陥検査装置３２０により求められた欠陥の情報に基づいて欠陥の修復を行う。本実施の形態の欠陥修復装置３４０は、配線の金属が不足している欠陥と、配線から金属がはみ出した欠陥の２種類の欠陥を修復できる。
【００４２】
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、配線を構成する金属の一部が不足している欠陥の修復工程を示す図である。図５（ａ）に示すように配線３８０を構成する金属の一部が欠けている場合、欠陥修復装置３４０は、図５（ｂ）に示すように欠陥部分３８４に有機金属化合物３８６を滴下する。具体的には、図４に示す欠陥修復装置３４０において、まず荷電粒子ビームＢを偏向器３４６によって曲げてブランクし、荷電粒子ビームＢがウエハＷに照射されないようにした後で、鏡筒３５４のシャッター３５６を閉じて加工室チャンバ３７２と鏡筒３５４とを隔離する。これにより、有機金属化合物の蒸発物によって、鏡筒３５４の内部の電子光学系が汚染される危険を回避できる。この処理の後、有機金属化合物３８６をウエハＷの欠陥部分に滴下し、乾燥させる。
【００４３】
有機金属化合物３８６が乾燥した後、欠陥部分３８４に荷電粒子ビームを照射する。すなわち、鏡筒３５４のシャッター３５６を開き、偏向器を元の状態に戻して荷電粒子ビームのブランキングを解除して、荷電粒子ビームをウエハＷに照射する。このとき、図５（ｃ）に矢印Ｓで示すように、荷電粒子ビームによって欠陥部分の領域を走査する。ここでは、荷電粒子ビームの走査は、偏向器３５２によって行う。走査の回数または照射する荷電粒子ビームのエネルギーは、欠陥部分３８６の深さに基づいて制御する。
【００４４】
図６は、ウエハＷの欠陥部分３８４を示す断面図である。図６に示すように欠陥部分の深さが一定でない場合、欠陥が深い場所ｈ１の走査回数を欠陥が浅い場所ｈ２より増やす。走査回数を増やすことによって、より大量の金属が析出するので、欠陥修復後の表面のレベルを絶縁部３８２の高さに揃えることができる。以上の欠陥修復動作により、図５（ｄ）に示すように、配線３８０の欠陥部分が修復される。
【００４５】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、配線から金属がはみ出した欠陥の修復工程を示す図である。図７（ａ）に示すように、配線３８０から金属がはみ出している場合に、欠陥修復装置３４０は、はみ出した部分３８８に荷電粒子ビームを照射する。これにより、図７（ｂ）に示すようにはみ出し部分を切除できる。
【００４６】
欠陥修復装置３４０にて修復された欠陥の部分は、ステージ３７０の移動に従って、もう一方の欠陥検査装置３２０の下に移動する。このとき、欠陥検査装置３２０は、修復された欠陥を検査し、修復が完了しているか否かをチェックする。
【００４７】
以上のように、形状修復装置３００は、ステージ３７０の動作に応じて欠陥検出および欠陥修復を継続的に行い、ウエハＷの全体を検査および修復する。そして、ウエハＷの全体の形状修復がなされた後に、真空搬送ロボット３０６は、ビーム照射室３０２からウエハＷを取り出してロードロック室３０４に搬送する。そして、大気搬送ロボット３１２がロードロック室３０４からウエハＷを取り出して、修復済みのウエハＷカセット３１０に収容する。この際、ウエハＷの洗浄および表面平滑化の処理を行ってもよい。
【００４８】
以上、本発明の実施の形態の形状修復装置３００について説明した。
【００４９】
本実施の形態の形状修復装置３００は、欠陥検査装置３２０と欠陥修復装置３４０とをステージ３７０の移動方向に並べて配置し、欠陥検査装置３２０にて検出した欠陥が修復用の荷電粒子ビームの照射位置に来たときに、欠陥検査装置３２０にて検出した欠陥の情報に基づいて欠陥修復装置３４０を動作させることにより、欠陥検査装置３２０にて検出された欠陥を修復する。これにより、一連のステージ３７０の動作により、欠陥の検出および修復を行うことができる。従って、欠陥を検出した後で、欠陥を修復するための別の装置に搬送する必要がないので、迅速に欠陥の修復を行うことができる。
【００５０】
また、本実施の形態では、配線の金属が欠けている場合に、有機金属化合物を滴下して乾燥させた後に荷電粒子ビームを照射して金属を析出させる。これにより、有機金属化合物の有機成分が熱により分解し金属成分が結晶化するので、図８に示すように、グレインサイズの大きい金属部分３９０が生成される。グレイン間のバリアは、電気伝導性を低下させる抵抗となるので、グレインサイズが大きい方が電気抵抗は小さくなる。本実施の形態によれば、電気抵抗の小さい金属で欠陥を修復できるので、配線の修復に適している。
【００５１】
以上、本発明の形状修復装置３００について実施の形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではない。
【００５２】
上記した実施の形態では、２台の欠陥検査装置３２０と１台の欠陥修復装置３４０を備える形状修復装置３００を例として説明したが、本発明は上記構成に限定されない。例えば、欠陥検査装置３２０と欠陥修復装置３４０を１台ずつ備えてもよい。これにより、欠陥検査装置３２０の数を減らして、簡易な構成で形状修復装置３００を実現できる。また、１台の欠陥検査装置３２０と、欠陥検査装置３２０を挟んで配置した２台の欠陥修復装置３４０とを備えることとしてもよい。これにより、ステージ３７０を往復させるときに、往路および復路のいずれでも欠陥の検出および修復を行うことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上説明したように、本発明は、一連のステージ動作によって欠陥の検出および修復を行うことができ、半導体ウエハなどの試料の欠陥を修復する形状修復装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態の形状修復装置の構成を示す図である。
【図２】ビーム照射室の構成を示す図である。
【図３】欠陥検査装置の構成を示す図である。
【図４】欠陥修復装置の構成を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、欠陥修復の工程を示す図である。
【図６】ウエハの欠陥部分の断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、欠陥修復の工程を示す図である。
【図８】欠陥修復後のウエハの断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
３００  形状修復装置
３０２  ビーム照射室
３０４  ロードロック室
３０６  真空搬送ロボット
３０８  ウエハカセット
３１０  ウエハカセット
３１２  大気搬送ロボット
３１４  真空搬送ロボット室
３１６  バルブ
３１８  アライメント
３２０  欠陥検査装置
３２２  荷電粒子源
３２４  集束レンズ
３２６  走査電極
３２８  対物レンズ
３３０  走査回路
３３２  ＰＣ
３３４  検出器
３３６  Ａ／Ｄ変換器
３３８  ＣＲＴ
３４０  欠陥修復装置
３４２  荷電粒子源
３４４  開口
３４６  偏向器
３４８  開口
３５０  電磁レンズ
３５２  偏向器
３５４  鏡筒
３５６  シャッター
３５８  検出器
３６０  リザーブタンク
３６２  供給路
３７０  ステージ
３７２  加工室チャンバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005332888.tif 000009
【図８】
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