(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの駆動電圧を抑制しながら、発光効率を向上させる。【解決手段】第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された、封入ガスが封入された放電空間とを設けたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜はＺｎＯからなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルを用いた。【選択図】          図５
2005004991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、
前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層を覆うように形成された保護膜と、
前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された、封入ガスが封入された放電空間とを設けたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜はＺｎＯからなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
略帯状に形成された前記第１の電極と、略帯状に形成された前記第２の電極が、交差するように前記第１の基板と前記第２の基板が重ねられていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記放電空間を分割する隔壁が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第２の誘電体層の前記第１の基板に面した側には蛍光体層が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか１項記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記封入ガスはＸｅを含み、前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比が１０％以上であることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか１項記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記保護膜のＺｎＯ結晶の六方晶系のｃ軸が基板に垂直に成長し、（０００１）面に優先配向していることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか１項記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、以下文中ではＰＤＰと表記する）に係り、更には保護膜に覆われた電極を有するＰＤＰに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＤＰは、大画面化が容易なこと、表示品質がよいこと、また、液晶ディスプレイと比べた場合に視野角が広いなどの特長があり、薄型化が可能なことから例えば壁掛け型ディスプレイなどの大型表示装置として用いられるようになってきている。
【０００３】
ＰＤＰの動作原理の概要は、表示セルと呼ばれる、例えば希ガスからなる封入ガスが封入された放電空間で放電を起こすことによって希ガスの粒子（分子、原子）を励起し、その光学的遷移によって生じる紫外線によって蛍光体を励起し、当該蛍光体からの可視光を表示発光に利用するものである。
【０００４】
図１（Ａ）は、従来の交流（ＡＣ）駆動型のＰＤＰの構造の１表示セルの断面図を模式的に示したものであり、図１（Ｂ）にはそのＡ−Ａ断面図を示す。また図２には、図１（Ａ），（Ｂ）に示した表示セルを複数個並べたＡＣ駆動型のカラーＰＤＰ１００の斜視図を示す。
【０００５】
図１（Ａ）、（Ｂ）および図２を参照するに、前記ＰＤＰ１００では、放電空間１１０を挟んで、ガラス基板からなる前面板１０１と背面板１０５が対向する形で配置されている。前記前面板１０１上の、前記背面板１０５に対向する側には表示用電極１０２が配置され、当該表示用電極１０２は、例えば酸化鉛系ガラスなどからなる誘電体層１０３に覆われ、さらに当該誘電体層１０３が、ＭｇＯからなる保護膜１０４で覆われた構造としている。前記表示用電極１０２は、対をなす帯状の走査電極および維持電極が互いに平行に配置されることにより、構成されている。
【０００６】
一方、前記背面板１０５上の、前記前面板１０１に対向する側には前記表示用電極１０２に直交する帯状の複数のデータ電極１０６が設けられており、これら複数のデータ電極１０６は互いに平行に配置され、またそれぞれの前記データ電極１０６は誘電体層１０７によって覆われている。
【０００７】
さらに複数のデータ電極１０６を分離し、かつ放電空間１１０を形成する隔壁１０８が前記誘電体層１０７上に設けられている。また前記データ電極１０６上の前記誘電体層１０７の上から前記隔壁１０８の側面にわたって、蛍光体層１０９が形成されている。図３に示すＰＤＰ１００の場合、カラー表示を可能にするために、前記隔壁１０８を挟んで、例えば赤、緑、青の蛍光体１０９が順に配置された構造になっている。
【０００８】
前記放電空間１１０には不活性ガスからなる封入ガスが封入され、前記封入ガスは、例えばＨｅ，Ｎｅ，およびＡｒのうち、少なくともひとつと、Ｘｅの混合ガスからなる。
【０００９】
このような構造の前記ＰＤＰ１００において、前記誘電体層１０３および１０７は、前記表示電極１０２および前記データ電極１０６に電圧を印加することで生じた電荷を蓄積するために設けられている。
【００１０】
また、図２には、例として１表示セルを３つ組み合わせた形状を示しているが、表示セルの個数は任意であり、実際にはさらに多数の表示セルを組み合わせて大型表示装置であるＰＤＰを形成する。
【００１１】
前記ＰＤＰ１００の動作原理は以下の通りである。まず、前記表示電極１０２（走査電極および維持電極間）のリセット放電を全てのセルの前記放電空間１１０で行い、壁電荷の状態を同じにし、次に前記表示用電極１０２の走査電極の走査にあわせて前記データ電極１０６に選択的に電圧を印加して前記放電空間１１０においてアドレス放電を起こす。
【００１２】
これにより、前記表示用電極１０２上に選択的に壁電荷を形成する。そのために、次に放電維持電圧を前記表示用電極１０２に印加した際に、前記放電空間１１０での放電発生の有無を制御することができ、前記放電空間１１０での維持放電の回数により、画像表示の階調を制御して、画像を表示することができる。
【００１３】
このように、前記ＰＤＰ１００では、前記放電空間１１０における放電を制御することで、画像表示を行っている。
【００１４】
しかし、近年の高性能化したＰＤＰにおいては更なる高輝度化や高精細化が要求されており、例えば、ＰＤＰの高輝度化や高精細化を実現するために、図１（Ａ），（Ｂ）に示した前記放電空間１１０に封入される封入ガスに添加されたＸｅの分圧を増加させる方法が提案されている。（例えば非特許文献１参照。）
しかし、このような高輝度化や高精細化を実現するために発光効率を上げようとすると、消費電力が増大してしまうという問題が生じるため、例えば前記ＰＤＰ１００の構造において、前記保護膜１０７に用いられているＭｇＯのバンドギャップ中に局在準位を形成することにより二次電子放出利得を高めて、放電開始電圧を下げて駆動電圧を低下させる方法が提案されている。（例えば特許文献１および特許文献２参照。）
【非特許文献１】
Ｇ．Ｏｖｅｒｓｌｕｉｚｅｎ  ｅｔ  ａｌ，ＳＩＤ  ｉｎｔ．  Ｓｙｍｐ．  Ｄｉｇ．  Ｔｅｃｈ．  Ｐａｐｅｒｓ，  ｐｐ８４８−８５１，ＶＯＬ，  ＸＸＸＩＩＩ，  Ｍａｙ  ２００２
【００１５】
【非特許文献２】
Ｙ．Ｍｏｔｏｙａｍａ  ｅｔａｌ，Ｐｒｏｃ．Ｉｎｔ．Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ’００，ｐｐ．７９９−８０２，Ｄｅｃ．２０００
【００１６】
【特許文献１】
特開平８−２３６０２８号公報
【００１７】
【特許文献２】
特開平１１−３３９６６５号公報
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
一般的に、ＰＤＰの放電空間に封入される封入ガスに添加されたＸｅの分圧を増加させると、発光効率が上がって高輝度化や高精細化が実現する反面、駆動電圧も増大してしまい、駆動回路のコスト増大や消費電力の増大といった問題が生じてしまう。
【００１９】
図３は、図２に示したＰＤＰ１００において、前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比を変更した場合の、ＰＤＰの駆動維持電圧の変化を示したものである。図３を参照するに、Ｘｅの分圧を増加させるに従い、駆動維持電圧が増大していることがわかる。従来、ＰＤＰの駆動回路の耐圧の制限より、前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比は５〜６％程度で用いられており、Ｘｅの分圧を増加させることで発光効率を改善して高輝度化や高精細化を行うことは困難であった。
【００２０】
また、前記保護膜１０７に用いられているＭｇＯのバンドギャップ中に局在準位を形成することにより二次電子放出利得を高めて、放電開始電圧を下げて駆動電圧を低下させる方法を用いた場合でも、図３に示したＸｅの分圧の増加に対する電圧の上昇を効果的に抑制するには至っていない。
【００２１】
そこで、本発明では上記の問題を解決するために有用なＰＤＰを提供することを目的としている。
【００２２】
本発明の具体的な課題は、発光効率を高めて高輝度化や高精細化を実現し、かつ駆動電圧を抑制して低消費電力であるＰＤＰを提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記の課題を解決するために、第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された、封入ガスが封入された放電空間とを設けたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜はＺｎＯからなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより、解決する。
【００２４】
本発明によれば、前記第１の電極が前記第１の誘電体層に覆われ、さらに前記第１の誘電体層が、ＺｎＯからなる保護膜に覆われた構造になっているため、前記放電空間での放電開始電圧を低くしてＰＤＰの駆動電圧を低くすることができる。ＺｎＯは、封入ガスのイオンや励起粒子（原子や分子）がＺｎＯに入射する際に、ＺｎＯ表面から二次電子が放出されやすく、すなわち二次電子利得γが大きい。ＰＤＰの駆動電圧を決定づける放電開始電圧は、前記二次電子利得γに大きく依存し、ＺｎＯはこの値が大きいために放電開始電圧を低くすることができ、発光効率を高めて高輝度化、高精細化を実現しながら、ＰＤＰの駆動電圧を低く抑えることが可能となる。
【００２５】
また、上記の場合、前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比を１０％以上とするとより好適である。この場合には発光効率が増大して、高輝度化、高精細化が可能となり、さらに従来の場合に比べて駆動電圧の抑制の効果が特に大きくなる。
【００２６】
また、上記の場合、前記保護膜のＺｎＯ結晶の六方晶系のｃ軸が基板に垂直に成長し、（０００１）面に優先配向しているとより好適である。この場合、前記放電空間で放電が起こった場合の、前記保護膜のスパッタリング耐性が向上する。
【００２７】
【発明の実施の形態】
［第１実施例］
次に、本発明の実施の形態に関して、図面に基づき以下に説明する。
【００２８】
図４（Ａ）は、本発明の第１実施例による交流（ＡＣ）駆動型のＰＤＰの構造の１表示セルの断面図を模式的に示したものであり、図４（Ｂ）にはそのＢ−Ｂ断面図を示す。また図５には、図４（Ａ），（Ｂ）に示した表示セルを複数個並べたＡＣ駆動型のカラーＰＤＰ１０の斜視図を示す。
【００２９】
図４（Ａ）、（Ｂ）および図５を参照するに、前記ＰＤＰ１０では、放電空間２０を挟んで、ガラス基板からなる前面板１１と背面板１５が対向する形で配置されている。前記前面板１１上の、前記背面板１５に対向する側には表示用電極１２が配置され、当該表示用電極１２は、例えば酸化鉛系ガラスなどからなる誘電体層１３に覆われ、さらに当該誘電体層１３が、ＺｎＯからなる保護膜１４で覆われた構造としている。前記表示用電極１２は、対をなす帯状の走査電極および維持電極が互いに平行に配置されることにより、構成されている。
【００３０】
本実施例においては、前記表示用電極１２が、ＺｎＯからなる前記保護膜１４で覆われた構造となっており、当該保護膜１４が前記放電空間２０に面した構造になっている。このため、前記放電空間２０での放電開始電圧を低くして、ＰＤＰの駆動電圧を低く抑えることが可能となる。このような、保護膜にＺｎＯを用いた場合の効果の詳細に関しては後述する。
【００３１】
また、前記背面板１５上の、前記前面板１１に対向する側には前記表示用電極１２に直交する帯状の複数のデータ電極１６が設けられており、これら複数のデータ電極１６は互いに平行に配置され、またそれぞれの前記データ電極１６は誘電体層１７によって覆われている。
【００３２】
さらに複数のデータ電極１６を分離し、かつ放電空間２０を形成する隔壁１８が、前記データ電極１６と略平行に前記誘電体層１７上に設けられている。また前記データ電極１６上の前記誘電体層１７の上から前記隔壁１８の側面にわたって、蛍光体層１９が形成されている。図５に示すＰＤＰ１０の場合、カラー表示を可能にするために、前記隔壁１８を挟んで、例えば赤、緑、青の蛍光体１９が順に配置された構造になっている。
【００３３】
前記放電空間１１には不活性ガスからなる封入ガスが封入され、前記封入ガスは、例えばＨｅ，Ｎｅ，およびＡｒのうち、少なくともひとつと、Ｘｅの混合ガスからなる。また、ＰＤＰの発光効率は前記封入ガスに大きく依存し、例えば前記封入ガスのＸｅの混合比、または前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比を増加させると発光効率が向上して、ＰＤＰの高輝度化、高精細化が可能となる。
【００３４】
しかし従来、前記封入ガス中のＸｅの分圧を増加させると、ＰＤＰの駆動電圧が増大する傾向にあり、Ｘｅの分圧を増加させるのは困難であった。しかし、本実施例では前記保護膜１４にＺｎＯからなる層を用いたことで、ＰＤＰの駆動電圧が低くなり、さらに前記封入ガス中のＸｅの分圧を増加させた場合の駆動電圧の増加量を抑制する効果を奏するため、Ｘｅの分圧を増加させて発光効率を向上させることが可能となった。
【００３５】
また、前記ＰＤＰ１０において、前記誘電体層１３および１７は、前記表示電極１２および前記データ電極１６に電圧を印加することで生じた電荷を蓄積するために設けられている。
【００３６】
なお、図５には、例として１表示セルを３つ組み合わせた形状を示しているが、表示セルの個数は任意であり、実際にはさらに多数の表示セルを組み合わせて大型表示装置であるＰＤＰを形成する。
【００３７】
前記ＰＤＰ１０の動作原理は以下の通りである。まず、前記表示電極１２（走査電極および維持電極間）のリセット放電を全てのセルの前記放電空間２０で行い、壁電荷の状態を同じにし、次に前記表示用電極１２の走査電極の走査にあわせて前記データ電極１６に選択的に電圧を印加して前記放電空間２０においてアドレス放電を起こす。
【００３８】
これにより、前記表示用電極１２上に選択的に壁電荷を形成する。そのために、次に放電維持電圧を前記表示用電極１２に印加した際に、前記放電空間２０での放電発生の有無を制御することができ、前記放電空間２０での維持放電の回数により、画像表示の階調を制御して、画像を表示することができる。
【００３９】
このように、前記ＰＤＰ１０では、前記放電空間２０における放電を制御することで、画像表示を行っており、前記放電空間２０での放電開始電圧を低下させることが前記ＰＤＰ１０の駆動電圧を低下させることになる。
【００４０】
本実施例では、前記前記表示用電極１２が、ＺｎＯからなる前記保護膜１４で覆われた構造となっており、前記保護膜１４が前記放電空間２０に面した構造になっているが、前記放電空間２０での放電特性、放電開始電圧などは前記保護膜１４表面から放出される二次電子に大きく依存する。
【００４１】
例えば、放電開始電圧は、前記封入ガスのイオンや励起粒子が前記保護膜１４に入射する際に、前記保護膜１４の表面から放出される二次電子の出やすさである二次電子利得γに大きく依存し、当該二次電子利得γが大きいほど、放電開始電圧が低くなる。この二次電子利得γは、おもに前記保護膜１４を構成する材料のバンド構造と入射粒子のポテンシャルエネルギーによってきまる値である。
【００４２】
例えば前記保護膜１４の材料としては、従来、比較的二次電子利得γが大きいＭｇＯが広く用いられてきた。例えば、ＭｇＯの、Ｎｅイオンに対する二次電子利得γの値については、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの材料に比べて高い値を示していることが知られている。（Ｙ．Ｍｏｔｏｙａｍａ  ｅｔ  ａｌ，  Ｐｒｏｃ．  Ｉｎｔ．Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐｓ  ’００，  ｐｐ．７９９−８０２，Ｄｅｃ．２０００）
しかし、例えば前記ＰＤＰ１０のように、励起されたＸｅから放出される紫外線を利用している現状のＰＤＰの場合、前記保護膜１４に入射する粒子のうちで最も多いものはＸｅイオンである。そのため、Ｘｅイオンが前記保護膜１４に入射した場合に、二次電子が放出される量が多い場合に最も効率的に放電電圧が低下する。
【００４３】
例えば、比較的二次電子利得γが大きいＭｇＯの場合であっても、ＭｇＯにＸｅイオンが入射した場合には二次電子は放出されず、二次電子利得は０に近い値である。これは、以下の理由による。
【００４４】
まず、イオンにより、保護膜から二次電子が放出されるための条件は、保護膜への入射イオンの電離エネルギーをＥｉ、保護膜の材料のバンドギャップをＥｇ、電子親和力をｘとしたとき、条件１であるＥｉ＞２（Ｅｇ＋ｘ）で近似できる。Ｘｅの電離エネルギーＥｉは、１２．１３ｅＶであるが、保護膜にＭｇＯを用いた場合には、２（Ｅｇ＋ｘ）＝１５．３ｅＶとなるために前記条件１を満たさず、二次電子は放出されない。そのため、例えば、ＭｇＯ材料に局在準位を持たせて当該局在準位から二次電子を出す方法が提案されているが、ＭｇＯが、前記条件１を満たさない材料であるため、困難である。
【００４５】
そのため、前記条件１を満たす保護膜の材料を用いることが必要である。例えば、ＢａＯを用いた場合には、２（Ｅｇ＋ｘ）＝１０．２ｅＶとなり、ＢａＯは、前記条件１を満たす材料である。
【００４６】
しかし、ＢａＯを形成する工程を考えると、ＢａＣＯ３を８００℃以上の温度で熱分解してＢａＯを形成する必要があるため、６００℃以下にする必要があるＰＤＰの製造工程で用いることは困難である。
【００４７】
そこで、本発明の発明者は、前記条件１において、ｘ＝２．０８ｅＶ、Ｅｇ＝３．３ｅＶであって前記条件１を満たし、Ｘｅイオンの入射に対して二次電子を放出する材料として、ＺｎＯを見出した。
【００４８】
すなわち、図５に示した前記ＰＤＰ１０において、前記保護膜１４にＺｎＯを用いたことで、Ｘｅイオンに対する二次電子利得γが大きく、前記放電空間２０での放電電圧が低下し、ＰＤＰ１０の駆動電圧を低く抑えて、ＰＤＰの低消費電力化を実現できる。
【００４９】
このように前記空間２０での放電開始電圧の低下の効果は、特に、前記封入ガスのＸｅの分圧を増加させた場合に大きく、例えば前記封入ガスのＸｅ分圧を１０％以上とした場合に顕著になる。
【００５０】
前記ＰＤＰ１０は、放電によって励起されたＸｅから放出される紫外線を利用して画像を表示しているため、前記封入ガスのＸｅ分圧を増加させると、発光効率が増大し、高輝度化、高精細化が可能になる。従来は、Ｘｅの分圧を増加させると、放電電圧が急速に増大するため、Ｘｅ分圧を増加させることは困難であった。
【００５１】
本実施例においては、前記保護膜１４にＺｎＯを用いたことで前記放電空間２０の放電開始電圧を低下させ、さらに、Ｘｅ分圧を増加させた場合の放電開始電圧の増大を抑制するため、従来用いることが困難であった、封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比が１０％以上の封入ガスを用いることが可能となり、その結果、ＰＤＰの駆動電圧を抑制すると同時に、高輝度化、高精細化を可能とした。
【００５２】
また、前記保護膜１４は、前記放電空間２０で放電が起こる際に形成されたイオンの衝突などにより、スパッタされ、当該保護膜１４の表面がスパッタエッチングによって削られてしまう。
【００５３】
そのため、前記保護膜１４のスパッタリングによる損傷に起因する前記ＰＤＰの寿命もしくはメンテナンスサイクルを長くするため、前記保護膜１４の、ＺｎＯのスパッタリング耐性を大きくする、すなわち前記保護膜１４がスパッタエッチングされる速度を小さくすることが重要である。
【００５４】
本発明の発明者は、実験の結果、前記保護膜１４を構成するＺｎＯ膜を形成する場合に、ＺｎＯ結晶の六方晶系のｃ軸が、ＺｎＯ膜が形成される面に対して垂直に成長した配向で、ＺｎＯ膜が（０００１）面に優先配向するように形成した場合、当該ＺｎＯ膜のスパッタリング耐性が大きいことが見出された。
【００５５】
そのため、前記保護膜１４であるＺｎＯ膜のＺｎＯ結晶の六方晶系のｃ軸が、ＺｎＯ膜が形成される面に対して垂直に成長した配向で、ＺｎＯ膜が（０００１）面に優先配向するように形成することで、前記ＰＤＰ１０の前記保護膜１４がスパッタエッチングされる速度が小さくなり、前記ＰＤＰ１０の寿命もしくはメンテナンスサイクルを長くすることが可能となった。
【００５６】
次に、図４（Ａ），（Ｂ）および図５に示した前記ＰＤＰ１０の製造方法について説明する。ただし以下文中、先に説明した部分には同一の参照符号を用いて、詳細な説明を省略する。
【００５７】
まず、前面板１１ガラス基板からなる前記前面板１１上に、例えばＩＴＯまたはＳｎＯ２などからなる透明導電膜およびクロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／Ｃｒ（クロム）からなる積層膜を、スパッタリング法によって成膜する。
【００５８】
次に、前記透明導電膜および積層膜を、フォトリソグラフィの手法を用いて、それぞれ前記透明導電膜を１７０μｍ、前記積層膜を５５μｍの帯状のパターンに形成し、前記表示用電極１２とする。
【００５９】
次に、前記表示用電極１２が形成された前記前面板１１上に、低融点ガラスペーストを印刷して乾燥させた後、焼成することによって、膜厚略２０μｍの前記誘電体層３を形成する。
【００６０】
次に、前記誘電体層３を被覆するように、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて、ＺｎＯからなる前記保護膜１４を、厚さが０．８μｍとなるように形成する。また、前記保護膜１４を形成する方法としては、前記ＲＦマグネトロンスパッタ法の他にも、例えばＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＤＬ法（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法を用いることが可能である。
【００６１】
また、前記したように、前記保護膜１４のスパッタリング耐性を高めるために、ＺｎＯ結晶の六方晶系のｃ軸が基板に垂直に成長したｃ軸配向をを優先的に成長させるため、スパッタリング蒸着を、例えば、スパッタ圧力１〜１０Ｐａ、Ａｒと酸素の混合ガス中の酸素濃度１０〜５０％、基板温度１５０〜５００℃、蒸着レート１．０μｍ／ｈｒの条件で行う。
【００６２】
次に、ガラス基板からなる前記背面板１５上の所望の位置に、感光性銀ペーストをフォトリソグラフィの手法を用いて帯状パターンに形成して、銀からなる前記データ電極１６を形成し、さらに当該データ電極１６を覆うように前記誘電体層１７を形成した。
【００６３】
さらに、前記誘電体層１７上には、幅６０μｍ、高さ１３０μｍの前記隔壁８を形成し、前記蛍光体１９を前記隔壁１８および前記誘電体層１７の表面上に塗布した。前記蛍光体９は、例えば、赤色発光体（（ＹｘＧｄ１−ｘ）ＢＯ３：Ｅｕ３＋）、緑色発光体（ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ）および青色発光体（ＢａＭｇＡｌ１４Ｏ２３：Ｅｕ２＋）を塗り分けるようにする。
【００６４】
次に、前記前面板１１と背面板１５を、前記表示用電極１２とデータ電極１６が直交するように張り合わせ、周辺部をガラスフリットを用いて封着し、前記放電空間２０を排気した後に、当該放電空間２０に、ＮｅにＸｅを混合した封入ガスを、前記放電空間の圧力が５ｋＰａ〜７０ｋＰａとなるように封入する。この場合、Ｘｅの分圧は、封入ガスの全圧に対して１０％以上となるようにし、またＮｅを混合せずに、封入ガスとしてはＸｅのみを用いてもよい。
【００６５】
次に、図６には、前記ＰＤＰ１０において、前記封入ガスのＸｅの分圧を増加させた場合の、ＰＤＰの駆動維持電圧を測定した結果を示す。また、比較のために、前記保護膜１４に、従来用いられていたＭｇＯからなる膜を０．８μｍ形成した場合の駆動維持電圧の結果も併記する。この場合の封入ガスの全圧は６７ｋＰａとした。なお、ＰＤＰの駆動維持電圧は前記放電空間の放電開始電圧に強く依存し、ＰＤＰの駆動維持電圧の増減の割合は、当該放電開始電圧の増減の割合を示している。
【００６６】
図６を参照するに、前記保護膜１４にＭｇＯからなる膜を用いた場合には、前記保護膜１４にＺｎＯからなる膜を用いた場合に比べて駆動維持電圧が高く、特に前記封入ガス中のＸｅの分圧を増加させると、駆動維持電圧が著しく増大する傾向にある。
【００６７】
一方、本実施例における、前記保護膜１４にＺｎＯかららなる膜を用いたＰＤＰ１０においては、前記保護膜１４にＭｇＯからなる膜を用いた場合にくらべて駆動維持電圧が低いことがわかる。特に、前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比が１０％以上となる領域において、駆動維持電圧を抑制する効果が大きい。
【００６８】
これは、前記したように、ＭｇＯに比べてＺｎＯのＸｅイオンに対する二次電子利得γが大きいため、Ｘｅ分圧が高くなるほど、ＺｎＯを用いた場合の放電開始電圧を低く抑える効果が大きくなり、そのためにＰＤＰの駆動維持電圧を低く抑える効果が大きくなるためと考えられる。
【００６９】
このような効果を得るために、前記封入ガスの全圧は、５ｋＰａ〜７０ｋＰａの範囲とすることが好ましい。
【００７０】
また、現状のＰＤＰでは、駆動回路の耐圧条件が略２５０Ｖであり、本実施例においては、従来用いることが困難であった、封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比が１０％以上の封入ガスを用いることが可能となった。また、封入ガスをＮｅとＸｅの混合ガスではなく、Ｘｅからなるガスにした場合にも、駆動維持電圧を２５０Ｖ以下とすることが可能となった。
【００７１】
そのため、ＰＤＰの発光効率を増大させることが可能となり、ＰＤＰの駆動電圧を低く抑えながら、高輝度化、高精細化が可能となった。
【００７２】
また、本実施例では、前記保護膜１４にＺｎＯを用いる場合について説明したが、本発明の効果はこれに限定されるものではなく、例えば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｌｉなどの金属を微量に含んだＺｎＯ系化合物を前記保護膜１４に用いても、本実施例に記述した場合と同様の効果を奏する。
【００７３】
例えば、ＲＦマグネトロンスパッタリング法でＺｎＯを形成する場合に、Ｃｕを同時にスパッタリングすることでＣｕをＺｎＯ膜中に混合し、Ｃｕの原子量比が０．５ａｔ．％となるようにして形成したＺｎＯ系化合物の場合、抵抗率（Ω・ｃｍ）は１×１０―９〜１×１０―８程度の値となり、高い絶縁性を有するため、ＡＣ駆動型のＰＤＰの保護膜に用いるのに適している。
【００７４】
さらに、本実施例においてはＡＣ駆動型のＰＤＰの保護膜としてＺｎＯからなる膜を用いたが、これはＡＣ駆動型に限られるものではなく、ＤＣ駆動型、またはＡＣ／ＤＣハイブリッド駆動型においても、陰極や陽極を被覆する保護膜として用いることにより、駆動電圧が低く、高効率なＰＤＰを形成することができる。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、ＰＤＰの駆動電圧を低く抑えると共に、高い発光効率を達成することが可能となり、ＰＤＰの消費電力を抑えて、高輝度化・高精細化を達成することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は、従来のＰＤＰの構造の１表示セルの断面図を模式的に示したものであり、（Ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
【図２】図１の表示セルを複数個並べた従来のＡＣ駆動型のカラーＰＤＰの断面斜視図である。
【図３】従来のＰＤＰの、駆動維持電圧のＸｅ分圧依存を示す図である。
【図４】図４（Ａ）は、本発明のＰＤＰの構造の１表示セルの断面図を模式的に示したものであり、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図４の表示セルを複数個並べた本発明のＡＣ駆動型のカラーＰＤＰの断面斜視図である。
【図６】本発明の実施例に係る、ＰＤＰの、駆動維持電圧のＸｅ分圧依存の測定結果である。
【符号の説明】
１０，１００  ＰＤＰ
１１，１１１  前面板
１２，１０２  表示用電極
１３，１０３  誘電体層
１４，１０４  保護膜
１６，１０６  データ電極
１７，１０７  誘電体層
１８，１０８  隔壁
１９，１０９  蛍光体
２０，１１０  放電空間
【図１】
2005004991.tif 000003
【図２】
2005004991.tif 000004
【図３】
2005004991.tif 000005
【図４】
2005004991.tif 000006
【図５】
2005004991.tif 000007
【図６】
2005004991.tif 000008