(57)【要約】  【課題】  タンタル電解コンデンサを半田付けをするときに高温に曝されても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができるとともに、小型化でき量産性に優れるタンタル電解コンデンサ用のセラミック容器およびタンタル電解コンデンサを提供すること。  【解決手段】  セラミック容器６は、内面に第一のメタライズ層３ａおよび第二のメタライズ層３ｂが互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層３ｃおよび第二の導体層３ｄが互いに独立して形成された凹部３−Ｂを有するセラミック基体３と、セラミック基体３の側面に上下方向に形成された第一の溝30の内面に形成された第一の接続導体３ｅと、セラミック基体３の側面に上下方向に形成された第二の溝31の内面に形成された第二の接続導体３ｆとを具備しており、第一の溝30および第二の溝31は、上端部および下端部が曲面状に面取りされている面取り部を有している。【選択図】  図１
2005191194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の内面に第一のメタライズ層および第二のメタライズ層が互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して形成されたセラミック基体と、前記セラミック基体の側面に上下方向に形成された第一の溝の内面に形成され、前記第一のメタライズ層と前記第一の導体層とを電気的に接続する第一の接続導体と、前記セラミック基体の側面に上下方向に形成された第二の溝の内面に形成され、前記第二のメタライズ層と前記第二の導体層とを電気的に接続する第二の接続導体とを具備しており、前記第一の溝および前記第二の溝は、上端部および下端部が曲面状に面取りされている面取り部を有していることを特徴とするセラミック容器。
【請求項２】
前記第一の溝の面取り部に位置する前記第一の接続導体の厚みは、前記第一の接続導体の前記面取り部以外の部位および前記第一のメタライズ層および前記第一の導体層の各厚みよりも厚く、前記第二の溝の面取り部に位置する前記第二の接続導体の厚みは、前記第二の接続導体の前記面取り部以外の部位および前記第二のメタライズ層および前記第二の導体層の各厚みよりも厚いことを特徴とする請求項１記載のセラミック容器。
【請求項３】
前記第一の接続導体の幅は前記第一のメタライズ層より広く、前記第二の接続導体の幅は前記第二のメタライズ層の幅より広いことを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミック容器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が前記第一のメタライズ層に溶接接合されている陽極リード端子、および前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするタンタル電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路などに使用されるタンタル電解コンデンサに関し、特にセラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止された固体電解質コンデンサとして面実装型のタンタル電解コンデンサが知られている。このタンタル電解コンデンサは携帯電話などの通信機器やデジタルカメラなどのＡＶ機器、パソコンなどのコンピュータ機器、エアバッグやアンチロックブレーキなどの自動車用機器をはじめとする幅広い分野で大量に用いられ、また、用途としては電源の平滑回路やコンピュータのバックアップ，タンタル電解コンデンサの充放電時間を利用したタイマー回路，高周波フィルタなどがあり、上記機器類に欠くことのできない電子部品である。
【０００３】
このようなタンタル電解コンデンサは、タンタル電解コンデンサ素子部とリードフレームとこれらを気密に封止する外装樹脂とから成り、リードフレームは一般的に例えば鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金などの強度が高いものが使用される。また外装樹脂としてはエポキシ樹脂などが耐熱性や耐湿性が良好なために用いられている。
【０００４】
以下に、この種の従来のタンタル電解コンデンサについて図５を用いて説明する。図５は従来のタンタル電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図において11はタンタル電解コンデンサ、12はタンタル電解コンデンサ素子、12ｂは陽極リードを示し、タンタル電解コンデンサ素子12はタンタルなどから成る陽極リード12ｂの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体12ａに誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層12ｃを形成することにより得られる。
【０００５】
陽極リード12ｂは他端部がリードフレーム13に溶接され、このリードフレーム13が外装樹脂14から突出して外装樹脂14の外形に沿って下面に至るまで折り曲げられることにより外部接続用の陽極端子13ａとされる。また、リードフレーム13が導電性接合材15を介して陰極層12ｃ上に接合され、外装樹脂14から突出して外装樹脂14の外形に沿って外装樹脂14の下面に至るように折り曲げられることにより外部接続用の陰極端子13ｂとされる。リードフレーム13は両極用の接続端子とするとともに曲げ加工を可能とするために外装樹脂14の対向する側面の同じ高さから両側方向に導出された構造となっている。
【０００６】
次に、このタンタル電解コンデンサ11の製造方法について説明する。まず、リードフレーム13のタンタル電解コンデンサ素子12の固定部16にタンタル電解コンデンサ素子12を載置し、タンタル電解コンデンサ素子12の陰極層12ｃと陰極端子13ｂとを熱硬化性の導電性接合材15を介して接合する。さらにタンタル電解コンデンサ素子12の陽極リード12ｂと陽極端子13ａとを溶接により互いに接合する。また。導電性接合材15は例えば銀（Ａｇ）を含有するエポキシ系樹脂接合材が用いられ、300℃程度の温度で約10分加熱することにより硬化される。
【０００７】
さらに、リードフレーム13に接合したタンタル電解コンデンサ素子12を所定の位置に載置し、次いで外部電気回路基板との接合部となる陽極端子13ａおよび陰極端子13ｂの端部を外部に露出するようにしてタンタル電解コンデンサ素子12をリードフレーム13の一部とともにエポキシ系から成る外装樹脂14で被覆し、150〜180℃で約１時間加熱することにより外装樹脂14を硬化させる。これにより、外装樹脂14の高分子架橋の割合が増加して耐熱性および耐湿性が向上し、信頼性の高いタンタル電解コンデンサ11が得られる。次いで、陽極端子13ａ、陰極端子13ｂがタンタル電解コンデンサ11の下面に位置するようにリードフレーム13が外装樹脂14の外形に沿うように下方に曲げられてタンタル電解コンデンサ11の下面の一部を構成する。これにより外部電気回路基板への実装を容易なものとし、量産に適したものとすることができる。
【特許文献１】特開2002−134360号公報（３−４頁，図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、近年、地球環境問題の意識が高まるとともに鉛（Ｐｂ）を用いないＰｂフリー半田が使用されるようになってきた。Ｐｂフリー半田は、半田付けする際の温度が従来の錫（Ｓｎ）60％−Ｐｂ40％の半田の処理温度（220〜230℃）に比して40〜50℃高くなり、この温度で半田付けが行なわれると外装樹脂14が熱で変質してリードフレーム13との間に隙間が発生し、この隙間から水分等が侵入して漏れ電流を発生させたり、ショートによる不良を発生させたりするという問題点を有していた。
【０００９】
そこで、外装樹脂14にシリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのフィラーを添加して高耐熱性を付与することが検討されたが、この場合には外装樹脂14の熱膨張率が小さくなり、リードフレーム13との熱膨張係数の差が増大する。これにより半田付け処理の温度でリードフレーム13と外装樹脂14との間に隙間が発生し、水分等が侵入して上記不良を発生させるため、この方法は実用的ではなかった。
【００１０】
さらに、外装樹脂14としてポリイミドなどの高耐熱性の樹脂を用いることも検討されたが、材料が高価であることに加えてポリイミドでは熱膨張率がリードフレーム13の熱膨張係数（７×10−６／℃）の８倍を超える値の60×10−６／℃程度であることから、やはりリードフレーム13と外装樹脂14との間に隙間が発生し、上記不良を発生するという問題点を有していた。
【００１１】
また、従来のタンタル電解コンデンサ11は、外装樹脂14からリードフレーム13が突出する構造であるため、近時のタンタル電解コンデンサ11の小型化の要求に応えられなくなってきた。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、タンタル電解コンデンサを半田付け処理時等の高温に曝しても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができるとともに、小型化が可能で機械的信頼性や電気的特性および量産性に優れるタンタル電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のセラミック容器は、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の内面に第一のメタライズ層および第二のメタライズ層が互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して形成されたセラミック基体と、前記セラミック基体の側面に上下方向に形成された第一の溝の内面に形成され、前記第一のメタライズ層と前記第一の導体層とを電気的に接続する第一の接続導体と、前記セラミック基体の側面に上下方向に形成された第二の溝の内面に形成され、前記第二のメタライズ層と前記第二の導体層とを電気的に接続する第二の接続導体とを具備しており、前記第一の溝および前記第二の溝は、上端部および下端部が曲面状に面取りされている面取り部を有していることを特徴とする。
【００１４】
本発明のセラミック容器において、好ましくは、前記第一の溝の面取り部に位置する前記第一の接続導体の厚みは、前記第一の接続導体の前記面取り部以外の部位および前記第一のメタライズ層および前記第一の導体層の各厚みよりも厚く、前記第二の溝の面取り部に位置する前記第二の接続導体の厚みは、前記第二の接続導体の前記面取り部以外の部位および前記第二のメタライズ層および前記第二の導体層の各厚みよりも厚いことを特徴とする。
【００１５】
本発明のセラミック容器において、好ましくは、前記第一の接続導体の幅は前記第一のメタライズ層より広く、前記第二の接続導体の幅は前記第二のメタライズ層の幅より広いことを特徴とする。
【００１６】
本発明のタンタル電解コンデンサによれば、本発明のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が前記第一のメタライズ層に溶接接合されている陽極リード端子、および前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のセラミック容器によれば、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、凹部の内面に第一のメタライズ層および第二のメタライズ層が互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して形成されたセラミック基体と、セラミック基体の側面に上下方向に形成された第一の溝の内面に形成され、第一のメタライズ層と第一の導体層とを電気的に接続する第一の接続導体と、セラミック基体の側面に上下方向に形成された第二の溝の内面に形成され、第二のメタライズ層と第二の導体層とを電気的に接続する第二の接続導体とを具備していることから、Ｐｂフリー半田を用いて第一の導体層および第二の導体層を外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続しても、セラミック基体は耐熱性を有するため、セラミック基体が熱で変形してセラミック容器に隙間が発生することがないので、気密性を良好に維持できる。従って、セラミック容器の内部に水分が侵入するのを有効に防止し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりするのを有効に防止できる。
【００１８】
よって、従来の外装樹脂とリードフレームとを有する構成における気密性に比べて、格段に気密信頼性があり、タンタル電解コンデンサ素子を内部に収容した場合、タンタル電解コンデンサ素子が水分による腐食等で誤作動するのを有効に防止できるとともに、タンタル電解コンデンサ素子の電気特性を長期間にわたって良好に維持することができる。
【００１９】
また、第一の溝および第二の溝を形成した後、第一の接続導体を第一の溝の内面に、また第二の接続導体を第一の溝の内面に形成するので、第一の接続導体および第二の接続導体を所望の位置に正確に形成できるとともに生産性を向上させることができ、セラミック容器を効率よく製造することができる。
【００２０】
さらに、接続導体をセラミック基体の平坦な側面に形成するのに比べて、溝の内面に形成することにより接続導体とセラミック基体との接合面積を大きくすることができるので、接続導体とセラミック基体との接合強度が向上するとともに接続導体の電気抵抗を小さくすることができる。
【００２１】
また、本発明のセラミック容器によれば、セラミック基体の側面に上下方向に形成された第一の溝および第二の溝は、上端部および下端部が曲面状に面取りされている面取り部を有していることから、溝の上下端部に曲面状に面取りがされていない、すなわち溝の上下端部に角を有する場合と比較し、メタライズ層，配線導体および導体層の導電距離を短くすることができるとともに、電流が流れる際に電気抵抗が高くなりやすい角部がないことから、電気抵抗を小さいものとすることができ、常に所望の性能で良好に作動させることができる。
【００２２】
また、接続導体の電気抵抗を小さくすることにより、接続導体に大きな電流を流すことができ、第一のメタライズ層にタンタル電解コンデンサ素子の陽極リード端子を溶接法によって溶接する際、第一のメタライズ層と陽極リード端子との接触部においてのみ電気抵抗を大きくして高温とすることが可能となる。従って、陽極リード端子を第一のメタライズ層に効率よくかつ確実に溶接接合することができる。
【００２３】
さらに、セラミック基体の側面に上下方向に溝が形成されているとともにその内側面に接続導体が形成され、溝の下端部に曲面状に面取りがされていることから、タンタル電解コンデンサを半田等を用いて外部電気回路基板の電極に表面実装する際、接続導体と外部電気回路基板の電極との間の接合部の接合面積を大きくし、かつ良好なメニスカスを形成することができるので、接合強度が高いとともに電気抵抗の小さいものとすることができる。
【００２４】
本発明のセラミック容器によれば、好ましくは、溝の面取り部に位置する接続導体の厚みは、接続導体の面取り部以外の部位，メタライズ層および導体層の各厚みよりも厚いことから、電気抵抗の大きくなりやすい溝の上下端部においてより一層電気抵抗を小さくできる。すなわち、メタライズ層，接続導体および導体層により形成される導電路の電気抵抗をより小さいものとすることができ、タンタル電解コンデンサを常に所望の性能で良好に作動させることができるとともに、陽極リード端子を第一のメタライズ層により効率よくかつ確実に溶接接合することができる。
【００２５】
本発明のセラミック容器によれば、好ましくは、第一の接続導体の幅は第一のメタライズ層より広く、第二の接続導体の幅は第二のメタライズ層の幅より広いことから、第一および第二の接続導体の電気抵抗を第一および第二のメタライズ層より小さいものとすることができる。これにより、タンタル電解コンデンサを常に所望の性能で良好に作動させることができるとともに、陽極リード端子を第一のメタライズ層に効率よくかつ確実に溶接接合することができる。
【００２６】
本発明のタンタル電解コンデンサによれば、本発明のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が第一のメタライズ層に溶接接合されている陽極リード端子、および焼結体の下面に被着されるとともに第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、セラミック基体の上面に凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることから、気密性が高いとともに機械的および電気的信頼性が高く、生産性の向上および小型化が可能なものとなるとともに陽極リード端子とメタライズ層との溶接接合が効率よくかつ確実に行なえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明のセラミック容器およびタンタル電解コンデンサについて以下に詳細に説明する。図１（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のセラミック容器の断面図である。また、図４は本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の一例を示す断面図である。これらの図において、１はタンタル電解コンデンサ、２はタンタル電解コンデンサ素子、３はセラミック基体、３ａは第一のメタライズ層、３ｂは第二のメタライズ層、３ｃは第一の導体層、３ｄは第二の導体層、３ｅは第一の接続導体、３ｆは第二の接続導体、30は第一の溝、31は第二の溝、４は蓋体、６はセラミック容器である。
【００２８】
本発明のセラミック容器６は、上面の中央部に直方体状の凹部３−Ｂが形成され、凹部３−Ｂの内面に第一のメタライズ層３ａおよび第二のメタライズ層３ｂが互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層３ｃおよび第二の導体層３ｄが互いに独立して形成されたセラミック基体３と、セラミック基体３の側面に上下方向に形成された第一の溝30の内面に形成され、第一のメタライズ層３ａと第一の導体層３ｃとを電気的に接続する第一の接続導体３ｅと、セラミック基体３の側面に上下方向に形成された第二の溝31の内面に形成され、第二のメタライズ層３ｂと第二の導体層３ｄとを電気的に接続する第二の接続導体３ｆとを具備しており、第一の溝30および第二の溝31は、上端部および下端部が曲面状に面取りされている面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂを有している。
【００２９】
そして、セラミック容器６は、第一のメタライズ層３ａにタンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂが溶接接合されるとともに、第二のメタライズ層３ｂにタンタル電解コンデンサ素子２の陰極層２ｃが電気的に接合され、セラミック基体３の側壁３−Ａの上面に凹部３−Ｂを塞ぐように蓋体４が取着されることによりタンタル電解コンデンサ１と成る。
【００３０】
セラミック基体３は、アルミナ質焼結体等のセラミックスから成り、好ましくは、図１（ｂ）に示すように第一のメタライズ層３ａが凹部３−Ｂの一側面と底面との間に形成された段差３−Ｃの上面に形成されているのがよい。これにより、タンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａへ電気的に接続することが容易になり、作業効率が大幅に改善される。
【００３１】
しかし、第一のメタライズ層３ａの形成位置はこれに限られることはなく、凹部３−Ｂの内面に形成されていればよい。例えば第一のメタライズ層３ａが、凹部３−Ｂの底面に第二のメタライズ層３ｂとは電気的に接続されないように互いに独立して形成され、タンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード２ｂが下方へ折り曲げられて第一のメタライズ層３ａに溶接接合される構成としてもよい。
【００３２】
セラミック容器６は、例えば、以下のようにして作製する。セラミック基体３がアルミナ質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーと成す。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってグリーンシートと成し、所要の大きさに切断する。次に、複数のグリーンシートにおいて凹部３−Ｂや段差３−Ｃを形成するために適当な打抜き加工を施す。
【００３３】
そして、これらのグリーンシートにタングステン（Ｗ）等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを印刷塗布して第一および第二のメタライズ層３ａ，３ｂや第一および第二の導体層３ｃ，３ｄを形成する。また、外側面に第一の溝30，第二の溝31と成る打抜き部を形成し、その打抜き部の内面に第一および第二の接続導体３ｅ，３ｆと成る金属ペーストを塗布する。次いでこれらのグリーンシートを積層し、最後に約1600℃の温度で焼成することによりセラミック容器６を作製する。
【００３４】
また、このようにしてセラミック容器６に形成した各導体（以下、配線導体ともいう）の露出表面には、耐食性に優れかつ半田との濡れ性に優れる金属、例えば厚さ１〜12μｍのニッケル（Ｎｉ）および厚さ0.3〜５μｍの金（Ａｕ）をめっき法等により順次被着しておくのがよい。これにより、配線導体が大気中の酸素や水分等により酸化腐食されるのを防止するとともに、第一および第二の導体層３ｃ，３ｄにおいては半田との濡れ性が良くなり、外部電気回路基板上の電極（図示せず）との接合強度がより強固なものとなる。
【００３５】
Ｎｉ層の厚さが１μｍ未満であれば、配線導体が酸化腐蝕するのを防止することが困難になり外部電気回路基板への接合強度が低化しやすくなる。また、Ｎｉ層の厚さが12μｍを超えると、めっき形成に多大の時間がかかることになり量産性が低下しやすくなるとともに配線導体との熱膨張差による応力によってめっき層が剥がれやすくなる。
【００３６】
また、Ａｕ層の厚さが0.3μｍ未満であれば、均一な厚さのＡｕ層を形成するのが困難となり、Ａｕ層が形成されていない部位が生じたりするとともに、酸化腐食の防止効果や半田との濡れ性が低下しやすくなる。またＡｕ層の厚さが５μｍを超えると、めっき形成に多大の時間がかかることになり量産性が低下しやすくなる。
【００３７】
セラミック容器６の内部にタンタル電解コンデンサ素子２を収容し、その陽極リード端子２ｂは第一のメタライズ層３ａに、陰極層２ｃは第二のメタライズ層３ｂに接続され、下面の第一および第二の導体層３ｃ，３ｄが外部電気回路基板上の電極にＡｕ−Ｓｎ半田やＡｇ−Ｓｎ半田等の半田を介して接合されることにより、内部に収容するタンタル電解コンデンサ素子２と外部電気回路基板上の電極とを電気的に接続させることができる。
【００３８】
本発明のセラミック容器６は、第一のメタライズ層３ａと第一の導体層３ｃとを電気的に接続する第一の接続導体３ｅが形成された第一の溝30および第二のメタライズ層３ｂと第二の導体層３ｄとを電気的に接続する第二の接続導体３ｆが形成された第二の溝31とを具備している。
【００３９】
この構成により、第一の溝30および第二の溝31をセラミック基体３の側面の所望の位置に形成した後、第一の接続導体３ｅと第二の接続導体３ｆとを形成すればよく、第一の接続導体３ｅと第二の接続導体３ｆをセラミック基体３の側面の所望の位置に正確に形成できるとともに、第一の接続導体３ｅと第二の接続導体３ｆの形成がキャスタレーション導体形成法によって形成できるようになり容易になる。これにより、セラミック容器６を効率よく製造できるようになる。
【００４０】
また、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆをセラミック基体３の平坦な側面に形成するのに比べて、第一の溝30および第二の溝31の内面に形成することにより第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆとセラミック基体３との接合面積を大きくすることができるので、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆとセラミック基体３との接合強度が向上し、また、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆの電気抵抗を効果的に小さくすることができる。
【００４１】
また、第一の溝30および第二の溝31の上端部および下端部が曲面状に面取りがされている面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂを有しているので、面取りがされていない場合と比較し、配線導体の導電距離を短くすることができるとともに、電流が流れる際に電気抵抗が高くなりやすい角部がないことから、電気抵抗を小さいものとすることができ、常に所望の性能で良好に作動させることができる。
【００４２】
また、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆの電気抵抗を小さくすることにより、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆに大きな電流を流すことができ、第一のメタライズ層３ａにタンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂを抵抗溶接法によって溶接する際、第一のメタライズ層３ａと陽極リード端子２ｂとの接触部においてのみ電気抵抗を大きくして高温とすることが可能となる。これにより、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａに効率よくかつ確実に溶接接合することができる。
【００４３】
なお、陽極リード端子２ｂと第一のメタライズ層３ａとの溶接接合は、第一の導体層３ｃまたは第一の接続導体３ｅと陽極リード端子２ｂとの間に大きな電流を流し、第一のメタライズ層３ａと陽極リード端子２ｂとの接触部の電気抵抗により接触部を発熱させ、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ｃに溶着させることにより行なわれる。従って、第一のメタライズ層３ａと陽極リード端子２ｂとの接触部以外の電気抵抗は小さいのが好ましい。
【００４４】
さらに、タンタル電解コンデンサ１を半田等を用いて外部電気回路基板上に実装する際、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆと外部電気回路基板の電極との間の接合部の接合面積を大きくし、かつ良好なメニスカスを形成することができるので、接合強度が高いとともに電気抵抗の小さいものとすることができる。なお、セラミック基体３の側面に形成された第一の溝30および第二の溝31の水平方向の断面形状は、図２（ａ）の円弧状や図２（ｂ）の四角形状の角部に設けられた円弧状や放物線状等の種々の曲線形状とし得る。
【００４５】
また、好ましくは、第一の溝30の面取り部30ａ，30ｂに位置する第一の接続導体３ｅの厚みは、第一の接続導体３ｅの面取り部30ａ，30ｂ以外の部位および第一のメタライズ層３ａおよび第一の導体層３ｃの各厚みよりも厚く、第二の溝31の面取り部31ａ，31ｂに位置する第二の接続導体３ｆの厚みは、第二の接続導体３ｆの面取り部31ａ，31ｂ以外の部位および第二のメタライズ層３ｂおよび第二の導体層３ｄの各厚みよりも厚く、これにより電気抵抗の大きくなりやすい第一の溝30の面取り部30ａ，30ｂに位置する第一の接続導体３ｅや第二の溝31の面取り部31ａ，31ｂに位置する第二の接続導体３ｆにおいてより一層電気抵抗を小さくできる。すなわち、配線導体の電気抵抗をより小さいものとすることができ、タンタル電解コンデンサ１を常に所望の性能で良好に作動させることができるとともに、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａにより効率よくかつ確実に溶接接合することができる。
【００４６】
好ましくは、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第一の接続導体３ｅの幅が第一のメタライズ層３ａの幅より広いこと、および第二の接続導体３ｆの幅が第二のメタライズ層３ｂの幅より広いことにより、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆの電気抵抗をそれぞれ第一のメタライズ層３ａおよび第二のメタライズ層３ｂより小さいものとすることができる。その結果、第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆに大きな電流を流すことができるので、タンタル電解コンデンサ１を常に所望の性能で良好に作動させることができるとともに、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａにより効率よくかつ確実に溶接接合することができる
また、図３に示すように第一の溝30の幅が、第二の溝31の幅よりも大きいのがよく、これにより、陽極リード端子２ｂと溶接接合する第一のメタライズ層３ａでは、第一の接続導体３ｅの抵抗値を大幅に下げて、第一のメタライズ層３ａ，第一の接続導体３ｅおよび第一の導体層３ｃから成る導体の電気抵抗を下げ、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａにさらに溶接接合しやすくする。また、第二の溝31の幅をタンタル電解コンデンサ１が常に所望の性能で良好に作動できる必要最低限の幅とするとともにセラミック容器６の切り欠き量を最小限とすることで、セラミック容器６の機械的強度が低下するのを抑制できる。
【００４７】
また、第一の溝30と第二の溝31との幅を異なるものとすることによって、タンタル電解コンデンサ１の陽極と負極との判別を容易とすることができ、タンタル電解コンデンサ１を外部電気回路基板等に誤実装することを防止できるので、タンタル電解コンデンサ１が組み込まれる製品の歩留りを大幅に改善することができる。
【００４８】
第一の溝30および第二の溝31の上端部および下端部の曲面状に面取りされた面取り部30ａ，30ｂ，31a，31bを形成する方法として、セラミック容器６と成るグリーンシートに第一の溝30および第二の溝31と成る部位を打抜き形成する際、通常の打抜き加工する場合よりも速い速度でグリーンシートの上端から打抜くことによって、打抜き時に上端となる部位に面取り部を形成する。そして、打抜き時に下端となる部位に面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂを形成するには、打抜き加工後に先端が面取り部と同様な曲面を有する金属製のピンを押しつけることによって面取り部30ａ，30ｂ，31a，31bを形成する。または、セラミック容器６と成るグリーンシートに第一の溝30および第二の溝31と成る部位を打抜き、次にその部位の上端および下端を先端が面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂと同様な曲面を有する金属製のピンを押しつけることによって面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂを形成することができる。
【００４９】
面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂに位置する第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆを他の配線導体の部位よりも厚くする方法として、例えば、第一のメタライズ層３ａ，第一の導体層３ｃ，第二のメタライズ層３ｂおよび第一の導体層３ｄと成る金属ペーストを面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂにも塗布されるように塗布した後、溝30および溝31の内面に第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆと成る金属ペーストを面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂにも塗布する方法によればよい。
【００５０】
また、面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂに位置する第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆの厚みは、他の配線導体の部位の厚みに対して1.1〜1.5倍程度であるのがよく、この構成により、有効に電気抵抗を低下させ、タンタル電解コンデンサ１としてさらに良好に作動させることができるとともに、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａにさらに溶接接合しやすくすることができる。
【００５１】
面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂに位置する第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆの厚みは、他の配線導体の部位の厚みに対して1.1倍未満であると、電気抵抗を有効に低下させることが困難となりやすく、1.5倍を超えると、面取り部30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂに位置する第一の接続導体３ｅおよび第二の接続導体３ｆの厚みが厚くなりすぎて、セラミック容器６に強固に密着させることができなくなるといった問題が発生しやすくなる。
【００５２】
また、第一のメタライズ層３ａを形成するメタライズ層はモリブデン（Ｍｏ）を含んでいるとよく、第一のメタライズ層３ａにタンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂを溶接法によって溶接する際、Ｍｏは抵抗値（5.7×10-8Ωｍ）が高いことから第一のメタライズ層３ａと陽極リード端子２ｂとの接触部において抵抗値を高くすることができるので、この接触部を高温としやすくなり陽極リード端子２ｂの第一のメタライズ層３ａに接触する部位をより溶かしやすくすることができる。
【００５３】
本発明のタンタル電解コンデンサ１は、本発明のセラミック容器６と、タンタル粉末の焼結体２ａの側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が第一のメタライズ層３ａに溶接接合されている陽極リード端子２ｂ、および焼結体２ａの下面に被着されるとともに第二のメタライズ層３ｂに電気的に接続されている陰極層２ｃとを有するタンタル電解コンデンサ素子２と、セラミック基体３の上面に凹部３−Ｂを塞ぐように取着された蓋体４とを具備している。
【００５４】
タンタル電解コンデンサ素子２は、タンタルなどから成る陽極リード端子２ｂの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体２ａに誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層２ｃを形成することにより得られる。
【００５５】
陽極リード端子２ｂは他端部が抵抗溶接法やレーザ溶接法等の溶接法によって、第一のメタライズ層３ａに電気的に接続される。この第一のメタライズ層３ａは第一の接続導体３ｅを経由して第一の導体層３ｃに電気的に接続されている。すなわち、第一の導体層３ｃが外部配線基板の電極に接続されるタンタル電解コンデンサ１の陽極端子と成る。
【００５６】
陽極リード端子２ｂは、例えばタンタルやニオブ等から成るが、好ましくは、陽極リード端子２ｂがタンタルから成ることにより、タンタル電解コンデンサ素子２と成るタンタルの焼結体２ａに強固に接合させることができるとともに、タンタルは抵抗値（13.5×10-8Ωｍ）が高いことから、陽極リード端子２ｂを溶かしやすくすることができ、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａに確実に接続しやすくすることができる。
【００５７】
また、陰極層２ｃはＡｇを含有するエポキシ系樹脂接合材等の導電性接合材５を介して第二のメタライズ層３ｂ上に電気的に接続されていてもよい。そして、第二のメタライズ層３ｂは第二の接続導体３ｆを経由して第二の導体層３ｄに電気的に接続されている。すなわち、第二の導体層３ｄが外部配線基板の電極に接続されるタンタル電解コンデンサ１の陰極端子と成る。
【００５８】
このように構成された本発明のタンタル電解コンデンサ１によれば、Ｐｂフリー半田を用いて第一および第二の導体層３ｃ，３ｄを外部電気回路基板に電気的に接続しても、セラミック基体３は耐熱性を有するため、セラミック基体３が熱で変形してセラミック容器６に隙間が発生することがないので気密性を良好に維持できる。従って、セラミック容器６の内部に水分が侵入するのを有効に防止し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりするのを有効に防止できる。
【００５９】
よって、従来の外装樹脂とリードフレームを有する構成における気密性に比べて、格段に気密信頼性が高くなり、タンタル電解コンデンサ素子２が水分や異物，有害なガス等により腐食や短絡等で誤動作するのをきわめて有効に防止し、長期間にわたって機械的および電気的信頼性を維持することができる。
【００６０】
また、セラミック容器６の内部にタンタル電解コンデンサ素子２を収容することにより、リードフレームを用いることなくタンタル電解コンデンサ１を構成することができるので、従来の外装樹脂とリードフレームとを有するタンタル電解コンデンサに比べて小型化が可能となり、外部配線基板への実装面積を小さくすることができる。
【００６１】
さらに、セラミック容器６は周知のセラミックグリーンシート積層法等による多数個取りの手法で製造できることから非常に量産性に優れるものとなる。
【００６２】
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、タンタル電解コンデンサ１のセラミック基体３の材質がアルミナ質焼結体である場合について説明したが、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体やガラスセラミックス等の他のセラミックスから成っていてもよい。ＡｌＮ質焼結体から成る場合にはタンタル電解コンデンサ１の作動時の熱を効率よく外部に放散させることができるので、タンタル電解コンデンサ１の電気特性をより長期間にわたって維持することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明のタンタル電解コンデンサは携帯電話などの通信機器、デジタルカメラなどのＡＶ機器、パソコンなどのコンピュータ機器の他、特に過酷な環境条件下で長期信頼性が要求されるエアバッグ，アンチロックブレーキなどの自動車用機器をはじめとする幅広い分野にも好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図、（ｂ）は図１（ａ）のセラミック容器の断面図である。
【図２】（ａ）は図１のセラミック容器の第一の溝を示す要部拡大断面図、（ｂ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を示し、セラミック容器の第一の溝を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図４】本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図５】従来のタンタル電解コンデンサの例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１：タンタル電解コンデンサ
２：タンタル電解コンデンサ素子
２ａ：焼結体
２ｂ：陽極リード端子
２ｃ：陰極層
３：セラミック基体
３ａ：第一のメタライズ層
３ｂ：第二のメタライズ層
３ｃ：第一の導体層
３ｄ：第二の導体層
３ｅ：第一の接続導体
３ｆ：第二の接続導体
３−Ｂ：凹部
４：蓋体
５：導電性接着材
６：セラミック容器
30：第一の溝
31：第二の溝
30ａ，30ｂ，31ａ，31ｂ：面取り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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