(57)【要約】【課題】  欠陥領域特定装置において、より正確に、視認される欠陥のみを欠陥領域として特定する。【解決手段】  データ読取部５０Ａが、放射線撮影されたベタ画像を示す画素の値を上記読取部２０から読み取る。欠陥領域特定部５５Ａは、上記読み取ったベタ画像中における所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定する。この際、欠陥領域特定部５５Ａは、判別条件記憶部６０Ａが予め記憶している、閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件のうちのいずれかを満足するように上記欠陥領域の特定を行う。【選択図】          図１
2005284873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像中において所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定方法であって、
前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件を使用し、該複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定することを特徴とする欠陥領域特定方法。
【請求項２】
画像中において、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定方法であって、
前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件を使用し、該複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定することを特徴とする欠陥領域特定方法。
【請求項３】
所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、
前記画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、
前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、前記欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した前記複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とする欠陥領域特定装置。
【請求項４】
所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、
前記画像中における、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、
前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、前記欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した前記複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とする欠陥領域特定装置。
【請求項５】
所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、
前記画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥部分領域として特定するとともに、前記画像中における、前記所定閾値以上の値を持つ画素が前記１方向と直交する方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥部分領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、
前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件で構成した第１の判別条件と第２の判別条件とを記憶する記憶部を備え、前記欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した前記第１の判別条件における複数の判別条件のうちのいずれかを満足する前記１方向に並ぶ領域を前記欠陥部分領域として特定するとともに、前記記憶部が記憶した前記第２の判別条件における複数の判別条件のうちのいずれかを満足する前記１方向と直交する方向に並ぶ領域を前記欠陥部分領域として特定し、前記２つの欠陥部分領域を合成した領域を欠陥領域として特定するものであることを特徴とする欠陥領域特定装置。
【請求項６】
前記欠陥領域の特定に直接使用した判別条件における閾値のうちの最小値を欠陥画素判別用の閾値として取得する欠陥画素閾値取得手段をさらに有し、前記欠陥領域特定手段が、前記欠陥領域および該欠陥領域の近傍において前記欠陥画素判別用の閾値以上の値を持つ画素を欠陥画素として特定し、該欠陥画素で略満たされる領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項記載の欠陥領域特定装置。
【請求項７】
所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、
前記画像中における、前記閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、
前記欠陥領域を判別するための、前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件と、欠陥画素を判別するための欠陥画素判別用の閾値を記憶する記憶部とを備え、前記欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定した後、前記特定された欠陥領域および該欠陥領域の近傍における前記記憶部が記憶した欠陥画素判別用の閾値以上の値を持つ画素を欠陥画素として特定し、該欠陥画素で略満たされる領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とする欠陥領域特定装置。
【請求項８】
所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、
前記画像中の、該画像を構成する画素の値の正常値範囲より値が大きい所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域、および前記画像中の、前記正常値範囲より値が小さい所定閾値以下の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置において、
前記正常値範囲より値が大きい閾値であって、該閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の正値判別条件、および前記正常値範囲より値が小さい閾値であって、該閾値が小さくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の負値判別条件を記憶する記憶部を備え、前記欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した複数の正値判別条件を使用し、該複数の正値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するとともに、前記記憶部が記憶した複数の負値判別条件を使用し、該複数の負値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とする欠陥領域特定装置。
【請求項９】
所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、
前記画像中の、前記画像を構成する画素の値の正常値範囲からの値の差の絶対値が所定閾値以上となる画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、
前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、前記閾値と前記個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、前記欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した前記複数の判別条件を使用し、該複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とする欠陥領域特定装置。
【請求項１０】
濃度が互いに異なる複数の画像を読み取り、該複数の画像の濃度を取得する画像濃度取得手段と、
前記欠陥領域特定手段により前記複数の画像それぞれについて特定した各欠陥領域の濃度を取得する欠陥濃度取得手段と、
前記画像濃度取得手段で取得した前記複数の画像それぞれの前記濃度の違いと、前記欠陥濃度取得手段で取得した前記複数の画像において対応する各前記欠陥領域それぞれの濃度の違いとの比較によって各欠陥領域の種類を判別する欠陥種類判別手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項３から９のいずれか１項記載の欠陥領域特定装置。
【請求項１１】
前記画像の濃度に応じた閾値を定める閾値設定手段と、
前記欠陥種類判別手段により欠陥種類がオフセット欠陥であると判別した欠陥領域の近傍において、前記閾値設定手段により定めた閾値を使用して、欠陥領域を特定し直す第２の欠陥領域特定手段とをさらに備えたものであることを特徴とする請求項１０記載の欠陥領域特定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は欠陥領域特定方法および装置に関し、より詳しくは、複数の画素で構成される画像中の欠陥領域を特定する欠陥領域特定方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
放射線を照射するとこの放射線エネルギの一部が蓄積され、その後可視光等の励起光を照射すると蓄積されたエネルギに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、被写体の放射線像を一旦蓄積性蛍光体シートに記録し、この蓄積性蛍光体シートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得る放射線撮影システムがすでによく知られている。
【０００３】
上記放射線撮影システムにおいては、蓄積性蛍光体シートから放射線像を読み取った後、可視波長領域の光である消去光を照射して上記蓄積性蛍光体シートに残存する放射線エネルギを放出させ、この蓄積性蛍光体シートを再び上記放射線像の記録に使用している。
【０００４】
また、上記放射線撮影システムによって得られた被写体の放射線像を示す画像中には、蓄積性蛍光体シートに付着したゴミあるいは蓄積性蛍光体シートの傷等の影響により上記放射線像が正常に表示されない欠陥部位が存在することがあり、このような欠陥を特定し補正する欠陥補正手法も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８４０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記画像中の欠陥の特定は、消去処理が施された蓄積性蛍光体シートに放射線を一様に曝射した後、この蓄積性蛍光体シートを読み取って得られた画像を構成する各画素の値が予め定められた１つの閾値を超えるか否かで行っている。すなわち、上記一様曝射により一定濃度で表示されるはずのベタ画像中の各画素の濃度が所定濃度以上であるか否かで欠陥を特定しており、このようにして特定された各欠陥に対し上記のような欠陥補正処理を施している。
【０００６】
しかしながら、画像中の欠陥の視認しやすさは欠陥の濃度と大きさに依存するので、欠陥が正確に特定されたとしても、その中には画像中で視認されない欠陥をも含むことがあり、そのような場合には、上記欠陥補正を施す必要がない、視認されない欠陥に対してまでも欠陥補正を施すことになり欠陥補正の処理効率が低下するという問題がある。そのため、視認される欠陥のみを欠陥領域として特定したいという要請がある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、より正確に、視認される欠陥のみを欠陥領域として特定することができる欠陥領域特定方法および装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の欠陥領域特定方法は、画像中において所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定方法であって、前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を使用し、複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定することを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の第２の欠陥領域特定方法は、画像中において、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定方法であって、前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を使用し、複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第１の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、前記画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、前記記憶部が記憶した複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の第２の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、前記画像中における、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記閾値が大きくなるほど前記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、前記憶部が記憶した複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第３の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥部分領域として特定するとともに、前記画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が前記１方向と直交する方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥部分領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件で構成した第１の判別条件と第２の判別条件とを記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した前記第１の判別条件における複数の判別条件のうちのいずれかを満足する前記１方向に並ぶ領域を前記欠陥部分領域として特定するとともに、記憶部が記憶した前記第２の判別条件における複数の判別条件のうちのいずれかを満足する前記１方向と直交する方向に並ぶ領域を前記欠陥部分領域として特定し、前記２つの欠陥部分領域を合成した領域を欠陥領域として特定するものであることを特徴とするものである。
【００１３】
前記欠陥領域の特定に直接使用した判別条件における閾値のうちの最小値を欠陥画素判別用の閾値として取得する欠陥画素閾値取得手段をさらに有し、前記欠陥領域特定手段が、前記欠陥領域およびこの欠陥領域の近傍において前記欠陥画素判別用の閾値以上の値を持つ画素を欠陥画素として特定し、該欠陥画素で略満たされる領域を前記欠陥領域として特定すること特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第４の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、画像中における、前記閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記欠陥領域を判別するための、閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件と、欠陥画素を判別するための欠陥画素判別用の閾値を記憶する記憶部とを備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定した後、前記特定された欠陥領域および該欠陥領域の近傍における前記記憶部が記憶した欠陥画素判別用の閾値以上の値を持つ画素を欠陥画素として特定し、該欠陥画素で略満たされる領域を前記欠陥領域として特定するものであることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第５の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、前記画像中の、この画像を構成する画素の値の正常値範囲より値が大きい所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域、および前記画像中の、前記正常値範囲より値が小さい所定閾値以下の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置において、前記正常値範囲より値が大きい閾値であって、該閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の正値判別条件、および前記正常値範囲より値が小さい閾値であって、該閾値が小さくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の負値判別条件を記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した複数の正値判別条件を使用し、複数の正値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するとともに、記憶部が記憶した複数の負値判別条件を使用し、複数の負値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の第６の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、前記画像中の、この画像を構成する画素の値の正常値範囲からの値の差の絶対値が所定閾値以上となる画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した複数の判別条件を使用し、複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定することを特徴とするものである。
【００１７】
なお、前記欠陥領域特定手段は、前記欠陥領域の特定において、前記記憶部が記憶した複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定するものである。
【００１８】
前記「所定閾値以上の値を持つ画素が略連続して並ぶ領域」とは、所定閾値以上の値を持つ画素が連続して並ぶ領域に限らず、所定閾値未満の値を持つ画素を間に挟んで所定閾値以上の値を持つ画素が並ぶが、その視認レベルが所定閾値以上の値を持つ画素が連続して並ぶ場合の視認レベルと同等である領域をも意味するものである。
【００１９】
前記「所定閾値以上の値を持つ画素で略満たされる領域」とは、所定閾値以上の値を持つ画素で満たされる領域に限らず、所定閾値未満の値を持つ画素を含むが、その視認レベルが所定閾値以上の値を持つ画素で満たされる場合の視認レベルと同等である領域をも意味するものである。
【００２０】
前記欠陥領域特定装置は、濃度が互いに異なる複数の画像を読み取り、前記複数の画像それぞれの濃度を取得する画像濃度取得手段と、前記欠陥領域特定手段によって前記複数の画像それぞれについて特定した各欠陥領域の濃度を取得する欠陥濃度取得手段と、画像濃度取得手段により取得した前記複数の画像それぞれの前記濃度の違いと、前記欠陥濃度取得手段で取得した前記複数の画像において対応する各前記欠陥領域それぞれの濃度の違いとの比較によって各欠陥領域の種類を判別する欠陥種類判別手段とをさらに備えたものとすることができる。欠陥を補正する処理において、画像の濃度に応じて閾値を定める閾値設定手段と、欠陥種類判別手段により欠陥の種類がオフセット欠陥であると判別した欠陥領域の近傍において、閾値設定手段により定めた閾値を使用して、欠陥領域を特定し直す第２の欠陥領域特定手段を備えるようにし、補正するようにしてもよい。
【００２１】
前記画像の濃度は、欠陥を除去した画像の欠陥領域の濃度を示すものであり、例えば、欠陥除去後の各欠陥領域の平均濃度とすることができる。
【００２２】
前記欠陥領域の濃度は、欠陥領域の全体的な濃度を示すものであり、例えば、欠陥領域全体の平均濃度とすることができる。
【００２３】
オフセット欠陥とは、画像の濃度に拘らず、上記画像の濃度を示す画素値に対して常に一定の値が加算あるいは減算された画素値が読み取られる欠陥領域の種類である。
【００２４】
本発明対象とする画像は、上述の放射線撮影システムにより撮影された画像に限定されるものではなく、広く、欠陥画素が視認されるあらゆる画像を対象とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の第１の欠陥領域特定方法および装置によれば、所定の画像中において所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する際に、上記閾値が大きくなるほど上記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を使用し、これらの判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定するようにしたので、視認される欠陥と視認されない欠陥とを判別するように上記複数の判別条件を設定することができ、より正確に、欠陥が視認される領域のみを欠陥領域として特定することができる。これにより、欠陥が存在するが視認されない領域を欠陥補正処理の対象から外すことができ、上記欠陥補正処理を効率よく行うことができる。
【００２６】
本発明の第２の欠陥領域特定方法および装置によれば、所定の画像中において、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を、欠陥領域として特定する際に、上記閾値が大きくなるほど上記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を使用し、これらの判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定するようにしたので、上記と同様に、視認される欠陥と視認されない欠陥とを判別するように上記複数の判別条件を設定することができ、より正確に、欠陥が視認される領域のみを欠陥領域として特定することができる。これにより、欠陥が存在するが視認されない領域を欠陥補正処理の対象から外すことができ、上記欠陥補正処理を効率よく行うことができる。
【００２７】
すなわち、例えば、欠陥画素が１方向に略連続して並ぶ個数、あるいは欠陥画素で略満たされる領域を構成する画素の個数Ｑを横軸に、欠陥画素の濃度を示す画素の値Ｐを縦軸に取った図７に示すように、画素数Ｑが増加するほど画素値Ｐが小さくなる視認境界線Ｗｏを境に原点Ｏの側の非視認領域Ｗ１に属する欠陥（例えば、画素数Ｑ＝３、画素値Ｐ＝２０の欠陥Ｋｗ１）は画像中で視認されないが、原点Ｏの側とは反対側の視認領域Ｗ２に属する欠陥（例えば、画素数Ｑ＝１０、画素値Ｐ＝２０の欠陥Ｋｗ２）は画像中で視認される。より具体的には、サイズが大きい欠陥または濃度が高い欠陥は視認されやすいが、サイズが小さい欠陥または濃度が低い欠陥は視認されにくい。
【００２８】
ここで、従来のように、画素の濃度を示す１つの閾値、例えば画素値Ｐ＝５を閾値として欠陥領域を特定した場合には、上記欠陥Ｋｗ１および欠陥Ｋｗ２がともに欠陥領域として特定され、画像中で視認されない欠陥Ｋｗ１も欠陥領域として特定されてしまう。
【００２９】
一方、上記本発明の欠陥領域特定の手法によれば、上記画素の濃度を示す閾値と画素の大きさを示す個数との組み合わせからなる複数の判別条件として、例えば、個数２、閾値６０の判別条件１、個数４、閾値３０の判別条件２、個数７、閾値５の判別条件３のようになる。これにより、例えば、上記欠陥Ｋｗ１を欠陥領域として特定することなく欠陥Ｋｗ２を欠陥領域として特定することができ、従来に比してより正確に、視認される欠陥のみを欠陥領域として特定することができる。
【００３０】
本発明の第３の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥部分領域として特定するとともに、前記画像中における、所定閾値以上の値を持つ画素が前記１方向と直交する方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥部分領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件で構成した第１の判別条件と第２の判別条件とを記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した前記第１の判別条件における複数の判別条件のうちのいずれかを満足する前記１方向に並ぶ領域を前記欠陥部分領域として特定するとともに、記憶部が記憶した前記第２の判別条件における複数の判別条件のうちのいずれかを満足する前記１方向と直交する方向に並ぶ領域を前記欠陥部分領域として特定し、前記２つの欠陥部分領域を合成した領域を欠陥領域として特定するようにしたので、より正確に、欠陥が視認される領域のみを欠陥領域として特定することができる。これにより、欠陥が存在するが視認されない領域を欠陥補正処理の対象から外すことができ、上記欠陥補正処理を効率よく行うことができる。
【００３１】
本発明の第４の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、画像中における、前記閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記欠陥領域を判別するための、閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件と、欠陥画素を判別するための欠陥画素判別用の閾値を記憶する記憶部とを備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定した後、前記特定された欠陥領域および該欠陥領域の近傍における前記記憶部が記憶した欠陥画素判別用の閾値以上の値を持つ画素を欠陥画素として特定し、該欠陥画素で略満たされる領域を前記欠陥領域として特定するようにしたので、より正確に、欠陥が視認される領域のみを欠陥領域として特定することができる。これにより、欠陥が存在するが視認されない領域を欠陥補正処理の対象から外すことができ、上記欠陥補正処理を効率よく行うことができる。
【００３２】
本発明の第５の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、前記画像中の、この画像を構成する画素の値の正常値範囲より値が大きい所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域、および前記画像中の、前記正常値範囲より値が小さい所定閾値以下の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置において、前記正常値範囲より値が大きい閾値であって、該閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の正値判別条件、および前記正常値範囲より値が小さい閾値であって、該閾値が小さくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の負値判別条件を記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した複数の正値判別条件を使用し、複数の正値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するとともに、記憶部が記憶した複数の負値判別条件を使用し、複数の負値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するようにしたので、より正確に、欠陥が視認される領域のみを欠陥領域として特定することができる。これにより、欠陥が存在するが視認されない領域を欠陥補正処理の対象から外すことができ、上記欠陥補正処理を効率よく行うことができる。
【００３３】
本発明の第６の欠陥領域特定装置は、所定の画像を構成する画素の値を読み取る読取手段と、前記画像中の、この画像を構成する画素の値の正常値範囲からの値の差の絶対値が所定閾値以上となる画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する欠陥領域特定手段とを備えた欠陥領域特定装置であって、前記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部を備え、欠陥領域特定手段が、記憶部が記憶した複数の判別条件を使用し、複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定するようにしたので、より正確に、欠陥が視認される領域のみを欠陥領域として特定することができる。これにより、欠陥が存在するが視認されない領域を欠陥補正処理の対象から外すことができ、上記欠陥補正処理を効率よく行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図１は、放射線撮影システム、および本発明の第１の実施の形態の欠陥領域特定装置の概略構成を示す図、図２はベタ画像中の１方向に並ぶ画素からなる欠陥領域を特定する様子を示す図、図３−１、図３−２、および図３−３（以後、まとめて図３という）はベタ画像中の１方向およびこの方向の直交方向に並ぶ画素からなる欠陥領域を特定する様子を示す図、図４は２次元領域を欠陥領域として特定する場合を示す図である。
【００３５】
図１に示す第１の実施の形態の欠陥領域特定装置１００Ａは、放射線撮影システム２００により消去された蓄積性蛍光体シート１に放射線を一様曝射（ベタ撮影）した後、この蓄積性蛍光体シート１を読み取って、放射線が一様照射された上記蓄積性蛍光体シート１に蓄積された放射線エネルギを示す画像（ベタ画像ともいう）を構成する各画素の値を得、このベタ画像中の欠陥領域を特定するものである。なお、上記ベタ画像中において特定された欠陥領域は蓄積性蛍光体シート１中の欠陥領域に対応するものとなる。また、放射線を蓄積性蛍光体シート１に一様曝射する場合には、放射線は被写体を通ることなく蓄積性蛍光体シート１に曝射される。
【００３６】
上記放射線撮影システム２００は、同一の蓄積性蛍光体シートに対して、撮影と読取りと消去とをこの順に繰り返して複数回行うものであり、被写体Ｍ１の放射線像を蓄積性蛍光体シート１に撮影し記録する撮影部１０と、蓄積性蛍光体シート１を読み取って被写体Ｍ１の放射線像を示す画像データを取得する読取部２０と、読取部２０で読み取った蓄積性蛍光体シート１に消去を施す消去部１５とを備えている。
【００３７】
撮影部１０は、放射線の照射量を制御する制御部と、この制御部の制御のもとで放射線を照射する放射線源とで構成されている。
【００３８】
読取部２０は、励起光Ｌｅを蓄積性蛍光体シート１に照射する励起光照射部２１と、励起光Ｌｅの照射を受けて蓄積性蛍光体シート１から発生した輝尽発光光Ｋｅを検出し被写体の放射線像を示す画像データを出力する読取受光部２５とを備えている。
【００３９】
励起光照射部２１は、レーザ光源２２から射出された線状の励起光Ｌｅを蓄積性蛍光体シート１上の主走査方向（図中Ｘ方向）に延びる線状領域に集光させる光学系２３とを有している。
【００４０】
読取受光部２５は、励起光Ｌｅの照射を受けた蓄積性蛍光体シート１の上記線状領域から発生した輝尽発光光Ｋｅを後述する受光部２７上の線状領域に集光する光学系２６と、光学系２６により集光させた上記輝尽発光光Ｋｅを受光し光電変換する上記主走査方向に延びるラインセンサである受光部２７と、受光部２７で光電変換したアナログ画像信号をディジタル信号からなるイメージデータに変換し画像データとして出力するＡ／Ｄ変換器２８とを有している。
【００４１】
上記読取部２０と消去部１５とは、放射線撮影システム２００が備える昇降駆動部３１により、蓄積性蛍光体シート１の表面に沿って、上記主走査方向と直交する副走査方向（図中矢印Ｙ方向）に往復運動（図１では上昇／下降）せしめられて、蓄積性蛍光体シート１の読取りや消去を行う。
【００４２】
さらに、上記放射線撮影システム２００は、装置全体の情報および動作を制御するコントローラ３５を備えている。
【００４３】
一方、欠陥領域特定装置１００Ａは、上記読取部２０から出力された所定の画像を示す画像データ、すなわち上記ベタ画像を示す画素の値を読み取るデータ読取部５０Ａと、上記ベタ画像中の所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定部５５Ａとを備えている。
【００４４】
この欠陥領域特定装置１００Ａは、さらに、上記所定閾値が大きくなるほど上記所定個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する判別条件記憶部６０Ａを有し、上記欠陥領域特定部５５Ａは、判別条件記憶部６０Ａが記憶した上記判別条件のうちのいずれかを満足するように上記欠陥領域の特定を行うものである。
【００４５】
以下、上記のように構成された欠陥領域特定装置１００Ａの作用について説明する。
【００４６】
データ読取部５０Ａは、読取部２０から出力された画像データである上記ベタ画像を示す各画素の値を読み取る。データ読取部５０Ａが読み取ったベタ画像は、図２（ａ）に示すように、他の領域より画素の値が大きい６画素からなる領域Ａ１、他の領域より画素の値が大きい１５画素からなる領域Ａ２、他の領域より画素の値が大きい２画素からなる領域Ａ３、他の領域より画素の値が大きい７画素からなる領域Ａ４を含むものである。
【００４７】
上記ベタ画像が示す画素の値は、図２（ｂ）に示すように、上記領域Ａ１では、原点（０，０）から図中Ｘ方向に６画素目、Ｙ方向に１３画素目に位置する画素の値が１０であり（以後、画素（６、１３）の値が１０であるという）、その他残りの５つの画素の値は３５である。領域Ａ２の各画素の値は１０である。領域Ａ３の各画素の値は３５である。領域Ａ４の各画素の値は１０である。上記領域Ａ１、領域Ａ２、領域Ａ３、および領域Ａ４は欠陥を示すものであるがそれ以外の領域は画素の値が２の欠陥がない正常値領域である。
【００４８】
また、領域Ａ１、領域Ａ２は目視される領域であるが、領域Ａ３、領域Ａ４は目視されない領域である。
【００４９】
判別条件記憶部６０Ａは予め入力され記憶された、上記閾値が大きくなるほど上記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶している。ここで、判別条件記憶部６０Ａは、閾値３０と個数４の組み合わせからなる判別条件１Ａ、および閾値５と個数１０の組み合わせからなる判別条件２Ａを記憶している。
【００５０】
欠陥領域特定部５５Ａは、データ読取部５０Ａが読み取ったベタ画像を示す画素値を入力し、このベタ画像中における、上記所定閾値以上の値を持つ画素がＸ方向に上記所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定する。
【００５１】
はじめに、閾値３０と個数４からなる判別条件１Ａを使用して欠陥領域を特定する。３０以上の値を持つ画素が４つ以上略連続してＸ方向に並ぶ領域は画素（５、１３）から画素（９、１３）までの領域でありこの領域を欠陥領域Ｋａ１として特定する。なお、画素（６、１３）の値は１０であり閾値３０以下であるが、この画素（６、１３）は値３５を持つ画素の間に１つだけ存在するものであり、この領域は実質的に３０以上の値を持つ画素が４つ以上略連続して並んでいる場合と同等の視認レベルとみなせるので欠陥領域として特定する。また、この欠陥領域Ｋａ１は領域Ａ１の一部分となる。
【００５２】
次に、閾値５と個数１０の判別条件２Ａを使用して欠陥領域を特定する。５以上の値を持つ画素が１０以上略連続してＸ方向に並ぶ領域は画素（３、９）から画素（１４、９）まで延びる領域であるこの領域を欠陥領域Ｋａ２として特定する。なお、この場合、欠陥領域Ｋａ２は領域Ａ２の一部分となる。
【００５３】
上記のように欠陥領域を特定することにより、欠陥が視認される領域（領域Ａ１、領域Ａ２）と欠陥が存在するが視認されない領域（領域Ａ３、領域Ａ４）とを判別することができ、これにより、欠陥であるが視認されない領域（領域Ａ３、領域Ａ４）に対する欠陥領域の補正処理を省くことができる。
【００５４】
すなわち、例えば、閾値５のみの判別条件で、欠陥領域を特定すると、領域Ａ１、領域Ａ２、領域Ａ３、および領域Ａ４の全てが欠陥領域として特定されて、視認されない領域Ａ３、領域Ａ４に対しても欠陥補正処理を施すことになるが、上記のように、視認されない領域Ａ３、領域Ａ４を外して領域Ａ１、Ａ２にのみ欠陥補正処理を施すことにより不要な欠陥補正処理を省くことができる。
【００５５】
このようにして特定された欠陥領域を示す情報は、欠陥補正処理部４５に入力され記憶され、欠陥補正処理部４５が、上記欠陥領域を示す情報を用いて、放射線撮影システム２００で撮影された被写体の放射線像を示す画像中における欠陥領域を補正する。この補正については後述する。
【００５６】
また、欠陥領域特定部を次のような機能を有するものとしてもよい。
【００５７】
すなわち、欠陥領域特定部５５Ｂは、ベタ画像中の所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定するとともに、さらに、このベタ画像中における所定閾値以上の値を持つ画素が前記１方向と直交する方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を、欠陥領域として特定するものである。
【００５８】
以下、上記のような機能を持つ欠陥領域特定部５５Ｂの作用について説明する。
【００５９】
データ読取部５０Ａが読み取ったベタ画像は、図３（ａ―１）から図３（ａ―３）に示すようにＸ方向１２画素×Ｙ方向１１画素で構成されるものであり、他の領域より画素の値が大きい２３画素からなる領域Ｂ１を含んでいるものとする。
【００６０】
上記領域Ｂ１の値は、図３（ｂ―１）から図３（ｂ―３）に示すように、画素（５、８）から画素（８、８）までの４つの画素、画素（５、７）から画素（８、７）までの４つの画素、画素（５、６）から画素（７、６）までの３つの画素、画素（６、５）および画素（７、５）までの３つの画素の値がそれぞれ３５であり、その他残りの１０個の画素の値が１０である。また、領域Ｂ１以外の領域は、画素の値が２である正常値領域である。
【００６１】
判別条件記憶部６０Ａは、上記のように、閾値３０と個数４からなる判別条件１Ａ、および閾値５と個数１０からなる判別条件２Ａを記憶している。
【００６２】
欠陥領域特定部５５Ｂは、閾値３０と個数４からなる判別条件１Ａを使用して上記１方向（Ｘ方向）に延びる欠陥領域を特定する（図３（ａ−１）、図３（ｂ−１）参照）。３０以上の値を持つ画素が４つ以上略連続してＸ方向に並ぶ領域は、画素（５、８）から画素（８、８）まで延びる４画素からなる領域、および画素（５、７）から画素（８、７）まで延びる４画素からなる領域でありこの領域を欠陥領域Ｋｘ１として特定する。
【００６３】
つづいて、閾値５と個数１０の判別条件２Ａを使用してＸ方向に延びる欠陥領域を特定する。５以上の値を持つ画素が１０以上略連続してＸ方向（上記１方向）に並ぶ領域は、画素（２、７）から画素（１１、７）まで延びる１０画素からなる領域でありこの領域を欠陥領域Ｋｘ２として特定する。
【００６４】
次に、閾値３０と個数４からなる判別条件１Ａを使用して上記１方向と直交する方向（Ｙ方向）に延びる欠陥領域を特定する（図３（ａ−２）、図３（ｂ−２）参照）。３０以上の値を持つ画素が４つ以上略連続してＹ方向に並ぶ領域は、画素（６、５）から画素（６、８）まで延びる４画素からなる領域、および画素（７、５）から画素（７、８）まで延びる４画素からなる領域でありこの領域を欠陥領域Ｋｙ１として特定する。
【００６５】
つづいて、閾値５と個数１０の判別条件２Ａを使用してＹ方向に延びる欠陥領域を特定する。５以上の値を持つ画素が１０以上略連続してＹ方向に並ぶ領域は存在しないことがわかる。
【００６６】
最後に、上記Ｘ方向に画素が並ぶ欠陥領域Ｋｘ１、Ｋｘ２と、Ｙ方向に画素が並ぶ欠陥領域Ｋｙ１の和〔（欠陥領域Ｋｘ１）ＯＲ（欠陥領域Ｋｘ２）ＯＲ（欠陥領域Ｋｙ１）〕をとって欠陥領域Ｋｘｙを得る。
【００６７】
欠陥領域は上記のように特定するようにしてもよい。なお、上記１方向（Ｘ方向）に画素が並ぶ欠陥領域を特定するための所定閾値と、この１方向と直交する方向(Ｙ方向) に画素が並ぶ欠陥領域を特定するための所定閾値とは互いに異なる値であってもよい。また、上記１方向（Ｘ方向）に画素が並ぶ欠陥領域を特定するための所定個数と、この１方向と直交する方向(Ｙ方向)に画素が並ぶ欠陥領域を特定するための所定個数とは互いに異なる数であってもよい。
【００６８】
すなわち、欠陥領域特定部５５Ｂは、上記判別条件１Ａおよび判別条件２Ａからなる第１の判別条件を使用し、上記１方向（Ｘ方向）に延びる欠陥部分領域である欠陥領域Ｋｘ１および欠陥領域Ｋｘ２を特定するとともに、上記と同様の判別条件１Ａおよび判別条件２Ａからなる第２の判別条件を使用し、上記１方向と直交する方向（Ｙ方向）に延びる欠陥部分領域である欠陥領域Ｋｙ１を特定し、上記２つの欠陥部分領域を合成した領域を欠陥領域である欠陥領域Ｋｘｙとして特定する。
【００６９】
前記欠陥領域の特定に直接使用した判別条件における閾値のうちの最小値を欠陥画素判別用の閾値として取得する欠陥画素閾値取得手段をさらに有し、前記欠陥領域特定手段が、前記欠陥領域およびこの欠陥領域の近傍において前記欠陥画素判別用の閾値以上の値を持つ画素を欠陥画素として特定し、該欠陥画素で略満たされる領域を前記欠陥領域として特定すること特徴とするものである。
【００７０】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００７１】
上記図１に示す第２の実施の形態の欠陥領域特定装置１００Ｃは、上記放射線撮影装置２００の読取部２０から出力された所定の画像を示す画像データと、すなわち上記ベタ画像を構成する画素の値を読み取るデータ読取部５０Ｃと、上記ベタ画像を構成する画素の値を入力し、このベタ画像中の、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を、欠陥領域として特定する欠陥領域特定部５５Ｃとを備えている。
【００７２】
この欠陥領域特定装置１００Ｃは、さらに、閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた、上記閾値と上記個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶する記憶部６０Ｃを備え、上記欠陥領域特定部５５Ｃは、記憶部６０Ｃが記憶した上記複数の判別条件を使用し、これら複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を前記欠陥領域として特定する。
【００７３】
以下、上記のように構成された欠陥領域特定装置１００Ｃの作用について説明する。
【００７４】
データ読取部５０Ｃは、読取部２０から出力された上記ベタ画像を示す各画素の値を読み取る。データ読取部５０Ｃが読み取ったベタ画像は、図４（ａ）に示すように、他の領域より画素の値が大きい５画素からなる領域Ｃ１、他の領域より画素の値が大きい３０画素からなる領域Ｃ２、他の領域より画素の値が大きい２画素からなる領域Ｃ３、他の領域より画素の値が大きい９画素からなる領域Ｃ４を含むものである。
【００７５】
上記ベタ画像が示す画素の値は、図４（ｂ）に示すように、上記領域Ｃ１における各画素の値は３５である。領域Ｃ２では、画素（５、８）および画素（９，８）の値が３であり、その他残りの２８の各画素の値は１０である。領域Ｃ３の各画素の値は３５である。領域Ｃ４の各画素の値は１０である。また、上記領域Ｃ１、領域Ｃ２、領域Ｃ３、領域Ｃ４以外の領域は画素の値が２である正常値領域である。
【００７６】
また、領域Ｃ１、領域Ｃ２は目視される領域であるが、領域Ｃ３、領域Ｃ４は目視されない領域である。
【００７７】
判別条件記憶部６０Ｃは予め入力され記憶された、上記閾値が大きくなるほど上記個数が少なくなるように定めた、閾値と個数との組み合わせからなる複数の判別条件を記憶している。ここで、判別条件記憶部６０Ｃは、閾値３０と個数４からなる判別条件１Ｃ、および閾値５と個数１８からなる判別条件２Ｃを記憶している。
【００７８】
欠陥領域特定部５５Ｃは、上記欠陥領域の特定において、上記ベタ画像を示す領域中の、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域を欠陥領域として特定する。より具体的には、それぞれが閾値３０以上の値を持つ４個以上の画素で略満たされるＸ方向の画素数とＹ方向の画素数とが等しい正方形状の領域を欠陥領域として特定するとともに、それぞれが閾値５以上の値を持つ１８個以上の画素で略満たされるＸ方向の画素数がＹ方向の画素数より多い長方形状の領域を欠陥領域として特定する。
【００７９】
はじめに、閾値３０と個数４の組み合わせからなる判別条件１Ｃを使用して欠陥領域を特定する。閾値３０以上の値を持つ４個以上の画素で略満たされる正方形状の領域は画素（４、１３）、画素（４、１４）、画素（５、１３）画素（５、１４）で構成される領域のみであり、この領域を欠陥領域Ｋｃ１として特定する。なお、この場合、欠陥領域Ｋｃ１は領域Ｃ１の一部分となる。
【００８０】
次に、閾値５と個数１８の組み合わせからなる判別条件２Ｃを使用して欠陥領域を特定する。それぞれが閾値５以上の値を持つ１８個以上の画素で略満たされるＸ方向の画素数がＹ方向の画素数より多い長方形状の領域は画素（４、７）、画素（４、９）、画素（１０、７）画素（１０、９）で囲まれる画素数２１で構成される領域でありこの領域を欠陥領域Ｋｃ２として特定する。なお、画素（５、８）、および画素（９，８）の値は３であり上記閾値５未満であるが、上記各画素は、隣接する周辺の８画素が全て値１０を持つ画素で囲まれており、この領域（欠陥領域Ｋｃ２）は５以上の値を持つ画素で満たされた領域と同等に視認され、実質的に５以上の値を持つ画素で満たされているとみなせるので欠陥領域として特定する。また、この欠陥領域Ｋｃ２は領域Ｃ２の一部分となる。
【００８１】
上記のように欠陥領域を特定することにより、欠陥が視認される領域（領域Ｃ１、領域Ｃ２）と欠陥が存在するが視認されない領域（領域Ｃ３、領域Ｃ４）とを判別することができる。これにより、欠陥であるが視認されない領域（領域Ａ３、領域Ａ４）に対する欠陥領域の補正処理を省くことができる。
【００８２】
すなわち、例えば、閾値５のみの判別条件で、欠陥領域を特定すると、領域Ａ１、領域Ａ２、領域Ａ３、および領域Ａ４（ただし、画素（５，８）、および画素（９，８）を除く）全てが欠陥領域として特定され、視認されない領域Ｃ３、領域Ｃ４に対しても欠陥補正処理を施すことになるが、上記のように、視認されない領域Ｃ３、領域Ｃ４を外して領域Ｃ１、領域Ｃ２のみを欠陥領域として特定し、この欠陥領域にのみ欠陥補正処理を施すことにより不要な補正処理を省くことができる。
【００８３】
このようにして特定された欠陥領域を示す情報は、欠陥補正処理部４５へ出力され、上記と同様に、放射線撮影システム２００により撮影された被写体の放射線像を示す画像中の欠陥領域が補正される。
【００８４】
上記所定閾値以上の値を持つ画素が略連続して並ぶ領域は、例えば、所定閾値未満の値を持つ１つの画素を間に挟んで所定閾値以上の値を持つ画素が並ぶ領域とすることができる。また、上記所定閾値以上の値を持つ画素で略満たされる領域は、例えば、所定閾値未満の値を持つ１つの画素に隣接する画素の値が全て所定閾値以上である領域とすることができる。また、欠陥領域に隣接した画素を、その領域を判定した閾値で欠陥であるか否かを判定することで、Ｋｃ１は５個、Ｋｃ２は２６個の欠陥領域として判定することができる。
【００８５】
また、それぞれが所定閾値以上の値を持つ所定個数以上の画素で略満たされる領域は長方形の形状を成す領域や正方形の形状を成す領域に限定されるものではなく、どのような形状の領域であってもよい。
【００８６】
さらに、上記欠陥領域を特定する手法は、放射線撮影により取得されたベタ画像に適用する場合に限らず、あらゆる画像における欠陥領域の特定に適用可能である。
【００８７】
また、上記において、濃度値が正常値範囲より大きくなる場合の欠陥判定の手法について説明したが、この手法は濃度値が正常値範囲より小さくなる場合の欠陥判定にも適用可能である。すなわち、欠陥領域特定部を、画像を構成する画素の値の正常値範囲より値が大きい所定閾値以上の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域、および上記画像中の正常値範囲より値が小さい所定閾値以下の値を持つ画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定するものとし、記憶部に、上記正常値範囲より値が大きい閾値であって、上記閾値が大きくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の正値判別条件、および正常値範囲より値が小さい閾値であって、上記閾値が小さくなるほど個数が少なくなるように定めた閾値と個数との組み合わせからなる複数の負値判別条件を記憶させ、上記欠陥領域特定部により、記憶部が記憶した複数の正値判別条件を使用し、複数の正値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を上記欠陥領域として特定するとともに、記憶部が記憶した複数の負値判別条件を使用し、複数の負値判別条件のうちのいずれかを満足する領域を上記欠陥領域として特定するようにしてもよい。
【００８８】
また、上記欠陥の判定においては、領域の大小で異なる閾値を適用すべき場合と同じでよい場合がある。特に、領域の大小にかかわらす同じ閾値でよい場合に正常値範囲からの差を絶対値で表すようにすることで、欠陥として視認される領域を上記欠陥判定の手法で正確に抽出することができる。すなわち、欠陥領域特定部を、画像中の画素の値の正常値範囲からの値の差の絶対値が所定閾値以上となる画素が１方向に所定個数以上略連続して並ぶ領域を欠陥領域として特定するものとし、上記欠陥領域特定部により、記憶部が記憶した複数の判別条件を使用し、複数の判別条件のうちのいずれかを満足する領域を欠陥領域として特定するようにしてもよい。
【００８９】
以下、上記欠陥領域の特定、および欠陥領域の補正処理について図５および図６を参照して詳しく説明する。図５は欠陥連続数と閾値との関係を示す図、図６は隣接した２ライン欠陥における欠陥データの作成方法を示す図である。
【００９０】
◆欠陥領域の特定（欠陥検出）
・放射線撮影システムの立ち上げ時・一定時間間隔(例えば1時間)ごとに欠陥特定補正命令の入力などによりＸ線照射無しで蓄積性蛍光体シートから欠陥検出用の画像を読み取る。
【００９１】
●検出方法1：
２次元に拡がった欠陥に対する欠陥判定において、欠陥の画素数に応じて閾値を変えるのは処理量が大きくなり大変なので主走査方向と副走査方向に分けて行うようにすることで容易になる。  
欠陥の長さに対応した閾値を設定する。はじめに、主走査方向へ連続した欠陥を求め主走査方向に延びる主欠陥領域の画像を作製する。次に副走査方向へ連続した欠陥を求め副走査方向に延びる副欠陥領域の画像を作製する。主欠陥領域の画像と副欠陥領域の画像のＯＲを取る。  
各欠陥について、主走査方向と副走査方向の２方向のうちの長さの長い方に対応した閾値で欠陥領域周辺の画素を再度欠陥判定する。
【００９２】
▼長さ依存欠陥検出手順(主走査方向の場合で説明；図５参照)
(1) 主走査方向および副走査方向ヘメディアンフィルタ処理することで欠陥除去した低周波画像作成。  
(2) 上記メディアンフィルタ処理を施す前の元画像から上記メディアンフィルタ処理を施した画像を引いて欠陥特定用画像を主走査方向用と副走査方向用と主副走査方向合成用に３つ作成。白欠陥と黒欠陥に対する閾値が同じ場合には絶対値をとることで処理が簡単になる。  
(3) 主走査方向へ欠陥連続数を調べる。但しノイズの影響を排除するため、主走査方向において両隣の画素が欠陥の場合には、たとえ上記欠陥画素の間に挟まれる注目画素が上記設定された閾値以下でも欠陥と見なす。欠陥連続数に対応する閾値を超える場合に欠陥とする（図５参照)。  
(4) 主走査方向と同じように副走査方向の欠陥画像を作成する。  
(5) 主欠陥画像と副欠陥画像を加算し加算欠陥画像を得る。  
(6) 加算欠陥画像において、各欠陥について、主走査方向と副走査方向それぞれの長さを調べ長い方に対応した閾値を設定する。主副走査方向合成用の欠陥特定用画像で欠陥周辺の画素を再度欠陥判定する。
【００９３】
●検出方法２:
主走査方向と副走査方向のどちらかに長くなることが分かっている場合(主走査方向の場合で説明)
欠陥の長さに対応した閾値を設定する。◎  
主走査方向へ連続した欠陥を求め主欠陥画像を作製する。
【００９４】
●検出方法３:
欠陥の大きさがほぼ一定で閾値を変える必要が無い場合、第１の欠陥閾値で欠陥領域を検出した後、第２の閾値でこの欠陥領域の周辺画素の欠陥判定をおこなう。こうすることで、第２の閾値で欠陥と判定された画素が単独で存在するときには欠陥として視認されないが、この画素に隣接した、第１の欠陥閾値で欠陥と判定された他の画素の存在により、この画素が欠陥として視認されるような場合に、視認される欠陥のみを検出することができる。
【００９５】
◆欠陥補正方法
●方法１：
隣接した周囲８画素のうちの正常な画素の平均値で置き換える。正常画素が無い時には補正しない。  
上記処理を繰り返すことにより大きな欠陥も周辺から徐々に補正されていき完全に補正できる。  
●方法２：
正常な周辺画素から補間関数(多項式など)を求めて補正する。  
◆欠陥位置検出方法(蓄積性蛍光体シート上のゴミ等の移動により欠陥検出時と補正時で位置がずれる可能性がある場合)
●方法1：
補正したい欠陥の位置とデータ値を読み込む。  
主走査方向あるいは副走査方向へ延びる欠陥のうちの最大長さからメディアンフィルタの長さを（最大長さ×２＋１）にする。例:主走査方向に４画素×副走査方向に３画素の欠陥の場合、主走査方向に９画素×副走査方向に７画素のフィルタとする。  
位置ずれする可能性がある範囲において、主走査方向および副走査方向へメディアンフィルタ処理することにより欠陥を除去した画像を作成する。  
メディアンフィルタ処理する前の元画像から欠陥を除去した画像を引くことで欠陥抽出画像を作成する。  
位置ずれの範囲内で欠陥領域の位置を動かしながら(欠陥データ×欠陥抽出画像)を計算し、この値が最大になる位置を欠陥位置とする。
【００９６】
●方法２（図６参照）:
主走査方向と副走査方向のどちらかに長くなることが分かっており、１画素の幅で１方向に延びる領域、または２画素の幅で１方向に延びる領域のみ補正する場合(主走査方向の場合で説明)
○欠陥データ作成方法
副走査方向に欠陥が連続した場合は主走査方向への合計値が最大となる副走査位置を欠陥位置とし、主走査方向に並ぶ各画素を副走査方向へ合計した値を欠陥値とする（図６参照）。  
○補正(本出願人によりすでに提案されている特願２００３-０１９１４４号公報参照)
・欠陥データを読み込む。  
・欠陥位置の検出。  
・読み取った画像に対してメディアンフィルタ処理または移動平均処理を施して欠陥を除いた欠陥除去画像を作成。  
・メディアンフィルタ処理または移動平均処理を施す前の元の画像から上記欠陥除去画像を引くことにより欠陥画像を作成。  
・読取位置ずれが予測される範囲で欠陥データと欠陥画像データのパターンマッチングを行い、欠陥位置を検出する。パターンマッチングとして欠陥データを欠陥画像に乗算する相関関数最大値を探すようにする。  
・読取ずれは画素単位で起きるわけではないので隣接画素にも影響が及んでいることがある。そのため最大値画素から１画素ずらした場合の相関関数も求める。  
・欠陥画像の画素値の大きさが所定の判定値以上のとき欠陥とする。  
・欠陥画素の周囲の画素による置き換え・補間などにより欠陥画素を補正する。  
なお、上記欠陥判定の時に視認性を孝慮する場合に限らず、補正の時にも視認性を考慮するようにしてもよい。図８は欠陥領域の欠陥の種類を判別し欠陥領域を特定し直す機能を付加した欠陥領域特定装置を示す図である。
【００９７】
上記欠陥の種類には以下のような３種類のものがある。  
１．いつも一定の値（例０や最大値）が出力される欠陥（定値欠陥）
２．信号に比例して欠陥値が大きくなる欠陥（ゲイン欠陥）
３．信号の大きさに関わらずほぼ一定値が加算された値となる欠陥（オフセット欠陥）
上記欠陥領域特定装置１００Ｄは、上記欠陥領域特定装置１００Ａにさらに上記機能を付加したものである。はじめに、欠陥種類の判別方法について説明する。
【００９８】
この欠陥領域特定装置１００Ｄは、撮影された濃度が異なる複数のベタ画像をデータ読取部５０Ａで読み取る。次に、画像濃度取得部７１が前記複数の画像の濃度を取得し、つづいて、欠陥濃度取得部７２が、上記欠陥領域特定部５５Ａにより前記複数の画像それぞれについて特定した各欠陥領域の濃度を取得し、さらに、欠陥種類判別部７３が、画像濃度取得分７１で取得した前記複数の画像それぞれの前記濃度の違いと、欠陥濃度取得部７２で取得した前記複数の画像において対応する各前記欠陥領域それぞれの濃度の違いとの比較によって各欠陥領域の種類を判別することができる。
【００９９】
次に、欠陥補正の方法について説明する。  
上記１.項、および２.項の欠陥は画像によらず常に補正する。上記３.項の欠陥は画像を示す画素の値（画像値）が大きくなると相対的に見えにくくなるため画像値に合わせて補正するか否か決める。  
上記３項の欠陥の補正の仕方は、検出された欠陥領域の画像値を記憶しておき、以下の手順で補正する。  
・メディアンフィルタ処理によって欠陥を除去した画像を作成する。欠陥除去画像の各欠陥部分に対応する部分の各平均画像値を求める。  
・上記平均画像値から欠陥閾値を変更する。（通常、平均画像値が大きくなるほど、欠陥閾値が大きくなる。平均画像値と欠陥閾値との関係はルックアップテーブルまたは関数の形で持っておく）
・欠陥テータを欠陥閾値で欠陥判定を行う。（これは上記欠陥検出と全く同じ方法であるが、既に検出されている領域のみを再判定する為、処理速度は問題とはならない）
・欠陥をこの欠陥の周辺の正常画素の値を用いて補正する。  
補正はこのような手順となる。従って欠陥検出の時の閾値は最も視認されやすい画像値での閾値としておく。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】放射線撮影システム、および本発明の第１の実施の形態の欠陥領域特定装置の概略構成を示す図
【図２】ベタ画像中の１方向に並ぶ画素からなる欠陥領域を特定する様子を示す図
【図３−１】１方向およびこの方向の直交方向に並ぶ画素からなる欠陥領域を特定する様子を示す図
【図３−２】１方向およびこの方向の直交方向に並ぶ画素からなる欠陥領域を特定する様子を示す図
【図３−３】１方向およびこの方向の直交方向に並ぶ画素からなる欠陥領域を特定する様子を示す図
【図４】２次元領域を欠陥領域として特定する様子を示す図
【図５】欠陥連続数と閾値との関係を示す図
【図６】隣接した２ライン欠陥における欠陥データの作成方法を示す図
【図７】画素の個数および画素の値と、視認領域および非視認領域との関係を示す図
【図８】欠陥領域の欠陥の種類を判別する機能を付加した欠陥領域特定装置を示す図
【符号の説明】
【０１０１】
１    蓄積性蛍光体シート
１０    撮影部
１５    消去部
２０    読取部
５０Ａ    データ読取部
５５Ａ    欠陥領域特定部
６０Ａ    判別条件記憶部
１００Ａ      欠陥領域特定装置
２００      放射線撮影システム
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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