(57)【要約】【課題】画面を斜め方向から見たときに輝度が低い部分が白っぽくなる現象（白茶け）を抑制できて表示性能がより一層向上した液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１の基板に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子３０ａを第１の方向に配向させる第１の構造物（突起４１）と、第２の基板の第１の構造物に対向する位置に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子３０ａを第１の方向と異なる第２の方向に配向させる第２の構造物（突起４２）とを有している。第１の構造物及び第２の構造物は、形状又は大きさが相互に異なる。【選択図】図１１
2005215115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極が設けられた第１の基板と、第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶とにより構成される液晶表示装置において、
前記第１の基板に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子を第１の方向に配向させる第１の構造物と、
前記第２の基板の前記第１の構造物に対向する位置に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子を前記第１の方向と異なる第２の方向に配向させる第２の構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の構造物がいずれも突起であり、前記第１及び第２の構造物の大きさ又は形状が相互に異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
液晶分子が前記第１の方向に配向する領域の層厚方向の長さをａ、液晶分子が前記第２の方向に配向する領域の層厚方向の長さをｂとしたときに、１＜ａ／ｂ≦９の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板間に液晶を封入して構成され、１画素内で電圧印加時の液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域を有する液晶パネルと、
前記液晶パネルの少なくとも一方の面側に配置された偏光板と、
光学軸が基板面に対し傾斜し、且つ基板面に投影したときに光学軸の方位が前記領域毎に設定された光学補償層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記光学補償層が、前記液晶パネルの内側に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶を封入して構成された液晶表示装置に関し、特に１画素内で液晶分子の向きが相互に異なる複数の領域（ドメイン）を形成するドメイン規制用構造物が設けられたＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く利用されている。特に、画素毎にＴＦＴ(Thin Film Transistor ：薄膜トランジスタ）が設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもＣＲＴ(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れているため、テレビやパーソナルコンピュ−タ等のディスプレイに広く使用されている。
【０００３】
しかしながら、一般的な液晶表示装置はＣＲＴに比べて視野角特性が悪く、画面を正面から見たときと斜め方向から見たときとでコントラストや色調が大きく変化してしまう。
【０００４】
視野角特性が優れた液晶表示装置として、ＭＶＡ方式の液晶表示装置が知られている（特許２９４７３５０号公報（特許文献１）及び特開２００２−１０７７３０号公報（特許文献２））。
【０００５】
図１はＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図、図２は同じくそのＭＶＡ方式の液晶表示装置の模式断面図である。なお、液晶表示装置には、バックライトを光源とし液晶パネルを透過する光により表示を行う透過型液晶表示装置と、外光（自然光又は電灯光）の反射により表示を行う反射型液晶表示装置と、暗いところではバックライトを使用し、明るいところでは外光の反射により表示を行う半透過型液晶表示装置とがあるが、ここでは透過型液晶表示装置について説明する。
【０００６】
ＭＶＡ方式の液晶表示装置では、ガラス等の透明薄板からなる第１及び第２の基板１０，２０と、これらの基板１０，２０間に封入された誘電率異方性が負のネマティック液晶からなる液晶層３０とを有している。基板１０には、図１に示すように、水平方向に延びる複数本のゲートバスライン１１ａ及び補助容量バスライン１１ｂと、垂直方向に延びる複数本のデータバスライン１３とが形成されている。ゲートバスライン１１ａと補助容量バスライン１１ｂとは垂直方向に交互に配置されている。
【０００７】
ゲートバスライン１１ａとデータバスライン１３とにより区画される矩形の領域がそれぞれ画素（サブピクセル）領域である。後述するように、水平方向に並んだ赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ）画素の３つの画素により、１つのピクセルＰが構成される。
【０００８】
基板１０には、各画素領域毎に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１４、補助容量電極１５及び画素電極１６が形成されている。この図１に示す液晶表示装置では、ゲートバスライン１１ａの一部をＴＦＴ１４のゲート電極としている。また、ＴＦＴ１４のドレイン電極１４ｄはデータバスライン１３に接続している。画素電極１６は、ＩＴＯ（indium-tin oxide）等の透明導電体により形成されており、コンタクトホールＣ1 ，Ｃ2 を介してＴＦＴ１４のソース電極１４ｓ及び補助容量電極１５に電気的に接続されている。補助容量電極１５は、補助容量バスライン１１ｂと対向する位置に形成されている。
【０００９】
以下、図１，図２を参照して第１の基板１０の上の層構造について説明する。
【００１０】
ゲートバスライン１１ａ及び補助容量バスライン１１ｂは同じ層に形成されており、これらのゲートバスライン１１ａ及び補助容量バスライン１１ｂの上には第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１２ａが形成されている。第１の絶縁膜１２ａの所定の領域上には、ＴＦＴ１４の活性層となる半導体層（図示せず）が形成されている。この半導体層の上には、チャネル保護膜（図示せず）と、ＴＦＴ１４のソース電極１４ｓ及びドレイン電極１４ｄとが形成されている。また、第１の絶縁膜１２ａの上にはデータバスライン１３及び補助容量電極１５が形成されている。
【００１１】
これらのデータバスライン１３、補助容量電極１５、ソース電極１４ｓ及びドレイン電極１４ｄは、第２の絶縁膜１２ｂにより覆われている。この第２の絶縁膜１２ｂの上には、画素電極１６が形成されている。
【００１２】
画素電極１６の上には、データバスライン１３に対し斜め方向に走る複数の突起（土手）１７が形成されている。これらの突起１７は例えばフォトレジストにより形成され、ゲートバスライン１１ａ及び補助容量バスライン１１ｂと交差する部分で屈曲している。また、画素電極１６及び突起１７の表面は、ポリイミド等からなる配向膜１８に覆われている。
【００１３】
以下、図２を参照して第２の基板２０の上の層構造について説明する。
【００１４】
基板２０の液晶層３０側の面上には、例えばＣｒ（クロム）からなるブラックマトリクス（遮光膜：図示せず）とカラーフィルタ２２とが形成されている。ブラックマトリクスは、ゲートバスライン１１ａ、データバスライン１３及びＴＦＴ１４に対向する部分に形成されている。また、各画素領域には、画素電極１６に対向して赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれかの色のカラーフィルタ２２が配置されている。この例では、赤色フィルタが配置された赤色画素、緑色フィルタが配置された緑色画素、及び青色フィルタが配置された青色画素の水平方向に並んだ３つの画素により１つのピクセルＰが構成される。
【００１５】
カラーフィルタ２２上（図２では下側）にはＩＴＯ等の透明導電体からなる対向電極（コモン電極）２３が形成されており、対向電極２３の上には突起２４が形成されている。突起２４は例えばフォトレジストにより形成され、図２に示すように、基板１０側の突起１７の間に配置されている。これらの対向電極２３及び突起２４の表面は、ポリイミド等からなる配向膜２５に覆われている。
【００１６】
基板１０，２０は配向膜１８，２５が形成された面を対向させて配置され、両者の間には液晶（液晶層３０）が封入される。以下、基板１０，２０間に液晶を封入してなる構造物を液晶パネルという。また、ＴＦＴ１４が形成された基板（この例では基板１０）をＴＦＴ基板と呼び、ＴＦＴ基板に対向して配置される基板（この例では基板２０）を対向基板と呼ぶ。
【００１７】
液晶パネルを挟んで、２枚の偏光板（図示せず）が吸収軸を直交させて配置される。また、液晶パネルは駆動回路に接続され、駆動回路から表示信号（Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号）及び走査信号が供給される。
【００１８】
このように構成された液晶表示装置において、電極１６，２３間に電圧を印加していない状態では、液晶分子３０ａは配向膜１８，２４の表面に対し垂直に配向する。従って、図２に示すように、突起１７，２４の近傍の液晶分子３０ａは基板面に対し斜めに配向するが、殆どの液晶分子３０ａは基板面に対し垂直に配向する。この場合、基板１０の下側から一方の偏光板を通って液晶層３０に進入した光は、振動方向が変化することなく液晶層３０を通過し、基板２０の上の偏光板により遮断される。すなわち、この場合は暗表示となる。
【００１９】
一方、データバスライン１３に表示信号としてある電圧（しきい値電圧）よりも高い電圧を印加し、ゲートバスライン１１ａに走査信号を供給すると、ＴＦＴ１４がオンになって表示信号が画素電極１６に書き込まれる。これにより、図３に示すように、画素電極１６と対向電極２３との間の液晶分子３０ａが電界に対し斜め方向に配向する。この状態では、基板１０の下側から偏光板を通って液晶層３０に進入した光は液晶層３０で振動方向が変化し、基板２０の上の偏光板を通過するようになる。すなわち、この場合は明表示となる。
【００２０】
画素電極１６に印加する電圧を調整することにより、中間階調の表示も可能である。また、各画素毎に画素電圧に印加する電圧を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像が表示される。
【００２１】
上述したＭＶＡ方式液晶表示装置では突起１７，２４が設けられているので、突起１７，２４を境界としてその両側で液晶分子３０ａの傾斜方向が相違する。図１に示すようなパターンで突起１７，２４を形成すると、図４に示すように領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 ，Ａ4 で液晶分子３０ａの傾斜方向が相互に異なる。このようにしてマルチドメインが達成されると、基板面に対し斜め方向への光の漏れが抑制されるので、視野角特性が著しく向上する。
【００２２】
なお、上記の例ではドメイン規制用構造物として突起１７，２４を用いた場合について説明したが、画素電極１６及び対向電極２３のうちの少なくとも一方の電極に設けたスリットや、基板表面（電極又はその上の絶縁膜）に設けた窪み（溝）をドメイン規制用構造物として使用することもある。
【００２３】
また、特開平１０−６２６２３号公報には、液晶パネルの内側に光学補償層を形成して視野角特性を改善することが提案されている。
【特許文献１】特許２９４７３５０号公報
【特許文献２】特開２００２−１０７７３０号公報
【特許文献３】特開平１０−６２６２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
しかしながら、上述した従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置では、画面を斜め方向から見たときに輝度が低い部分が白っぽくなる現象（以下、白茶け（discolor）という）が発生する。
【００２５】
以上から、本発明の目的は、画面を斜め方向から見たときに輝度が低い部分が白っぽくなる現象（白茶け）を抑制できて表示性能がより一層向上した液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本願第１発明の液晶表示装置は、第１の基板に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子を第１の方向に配向させる第１の構造物と、第２の基板の第１の構造物に対向する位置に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子を第１の方向と異なる第２の方向に配向させる第２の構造物とを有している。
【００２７】
これらの第１及び第２の構造物により、液晶層の厚さ方向に液晶分子の配向方向が相互に異なる２つの領域（第１及び第２の領域）が形成される。このように、液晶層の厚さ方向に配向方向が相互に異なる２つ領域を形成することにより、斜め方向への光の漏れを抑制することができる。その結果、画面を斜め方向から見たとき白っぽくなる現象（白茶け）が抑制される。
【００２８】
第１及び第２の構造物としては、例えば誘電体により形成した突起を用いることができる。誘電率異方性が負の液晶を使用した場合、突起の近傍の液晶分子は突起の表面に垂直な方向に配向する。第１及び第２の基板にそれぞれ突起を対向させて配置することにより、液晶層の厚さ方向に液晶分子の配向方向が相互に異なる２つの領域（第１及び第２の領域）を形成することができる。
【００２９】
但し、第１の基板側の突起と第２の基板側の突起とが同じ形状で同じ大きさとすると、第１の領域と第２の領域との境界位置が不安定になり、表示特性の劣化を招くことが考えられる。従って、第１の基板側の突起（第１の構造物）と第２の基板側の突起（第２の構造物）の大きさ又は形状が相互に異なることが好ましい。
【００３０】
本願第２の発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶を封入して構成され、１画素内で電圧印加時の液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域を有する液晶パネルと、前記液晶パネルの少なくとも一方の面側に配置された偏光板と、光学軸が基板面に対し傾斜し、且つ基板面に投影したときに光学軸の方位が前記領域毎に設定された光学補償層とを有している。
【００３１】
液晶表示装置の白茶けを防止するためには、視野角特性を改善することが有効である。従来から、光学補償フィルムを使用して液晶表示装置の視野角特性を改善することが行われている。しかし、通常使用されている光学補償フィルムは、光学軸がフィルムの面内方向又は法線方向にあるため、偏光板の吸収軸の方位から画面を見たときの特性を改善することが原理的に不可能である。
【００３２】
本発明においては、光学軸が基板面に対し傾斜している光学補償層を使用しているので、偏光板の吸収軸方向の視野角特性が改善され、画面を斜め方向から見たときに白っぽくなる現象（白茶け）が抑制される。
【００３３】
光学軸が基板面に対し傾斜した光学補償層は、例えば液晶性ポリマーを含有する溶剤を配向膜の上に塗布し、液晶性ポリマーが所定の方向に配向した後に熱処理により液晶性ポリマーの配向を固定することにより製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明について更に詳細に説明する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図５は、図１，図２に示した従来の液晶表示装置の電圧印加時における基板間の液晶分子の配向状態を示す模式図である。この図５に示すように、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置では、配向膜の近傍の液晶分子は基板面に対し略垂直であり、それ以外の液晶分子は電界Ｅに対し傾斜した方向に配向する。この場合、液晶分子の傾斜方向は突起（ドメイン規制用構造物）１７，２４により決まる。
【００３６】
図６は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率をとって、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画面を正面（液晶パネルの法線方向）から見たときのＴ−Ｖ（透過率ー印加電圧）特性と、斜め方向（吸収軸方向、極角６０°）から見たときのＴ−Ｖ特性とをシミュレーション計算した結果を示す図である。この図６からわかるように、しきい値近傍の電圧（この例では、約１．８Ｖ〜２．５Ｖ）を印加したときには、斜め方向から見たときの透過率が正面から見たときの透過率よりも高くなり、それよりも高い電圧を印加したときは斜め方向から見たときの透過率が正面から見たときの透過率よりも低くなる。
【００３７】
図７は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率比をとって、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置における印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。但し、透過率比とは、画面を正面から見たときの透過率と斜め方向（吸収軸方向、極角６０°）から見たときの透過率との比に関係した値である。白茶けを防止するためには、透過率比が１に近いことが好ましい。
【００３８】
従来の液晶表示装置では、図７に示すように、しきい値電圧よりも若干高い電圧（約１．８Ｖ〜２．５Ｖ）を画素電極に印加したときに透過率比が著しく増大し、その最大値は約１８となっている。画素電極にしきい値電圧近傍の電圧を印加したときは、正面方向での透過率が低いために、斜め方向から見たときの透過率との差が大きい。これが白茶けの原因となる。なお、印加電圧がある程度高い場合は正面方向での透過率に比べて斜め方向の透過率が低くなるが、この場合は画面が単に暗くなるだけであり、正面から見たときと比べて色調が悪いと感じることはない。
【００３９】
図８は、ＴＦＴ基板の突起３１に対向させて対向基板の突起３２を配置した液晶表示装置を示す模式図である。この図８のように、同じ形状及び高さの突起３１，３２を対向させて配置した場合、電極間に電圧を印加するとセル厚方向の中央を分岐点として上側と下側で液晶分子３０ａの傾斜方向が逆になると考えられる。
【００４０】
図９は横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率をとって、図８に示すように液晶分子３０ａが配向する液晶表示装置の画面を正面から見たときのＴ−Ｖ特性と斜め方向（吸収軸方向、極角６０°）から見たときのＴ−Ｖ特性とをシミュレーション計算した結果を示す図である。また、図１０は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率比をとって、図８に示すように液晶分子３０ａが配向する液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【００４１】
液晶分子３０ａが図８のように配向する液晶表示装置では、図９に示すように、画面を斜め方向から見たときの透過率が正面から見たときの透過率よりも高くなることはない。また、図１０に示すように、透過率比の最大値が約３となり、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置に比べて白茶けが大幅に改善されることがわかる。
【００４２】
但し、実際には図８に示すような配向状態は極めて不安定である。すなわち、液晶分子３０ａが一方向に傾斜する領域と逆方向に傾斜する領域との境界の位置（図８に破線で示す）が温度等の条件のわずかな変動により大きく変化して、その結果Ｔ−Ｖ特性が変わってしまうために表示品質の劣化を招く。
【００４３】
これを防止するためには突起３１，３２の高さを高くして液晶分子３０ａに対する傾斜方向の規制力を強くすることが考えられる。しかし、突起３１，３２の高さを高くすると、液晶分子３０ａの挙動を著しく拘束するため、白茶けを防止できても透過率特性や応答性などが低下して、実際の使用に耐えられないものとなる。
【００４４】
そこで、本実施形態においては、図１１の模式図に示すように、一方の基板側の突起４１を、他方の基板側の突起４２と異なる形状（断面形状）又は高さで形成する。この図１１に示すように一方の基板側の突起４２を他方の基板側の突起４１よりも高く形成し、突起４２の側面の傾斜を突起４１の側面の傾斜よりも急角度にした場合、突起４２により液晶分子３０ａの傾斜方向が決まる領域のセル厚方向の長さａは、突起４１により液晶分子３０ａの傾斜方向が決まる領域のセル厚方向の長さｂよりも大きくなる。
【００４５】
このように、液晶分子に対する傾斜方向の規制力が相互に異なる構造物を対向させて配置することにより、液晶分子の傾斜方向が異なる２つの領域の境界位置の変動が抑制される。また、突起を極端に高く形成する必要がないので、透過率特性や応答性などの低下が回避される。これにより、画面を斜め方向から見たときに白っぽくなる現象（白茶け）が抑制されるとともに、良好な透過率特性及び応答性が得られる。
【００４６】
図１２は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率をとって、ａ：ｂ＝９：１（ａ／ｂ＝９）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図、図１３は横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率比をとって、ａ：ｂ＝９：１の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【００４７】
図１２に示すように、ａ：ｂ＝９：１の液晶表示装置では、しきい値電圧近傍の電圧を印加したときに画面を斜め方向から見たときの透過率が、画面を正面から見たときの透過率に近づく。また、図１３に示すように、透過率比の最大値が約９となる。
【００４８】
図１４は、ａ：ｂ＝８：２（ａ／ｂ＝４）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図、図１５は横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率比をとって、ａ：ｂ＝８：２の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【００４９】
図１４に示すように、ａ：ｂ＝８：２の液晶表示装置では、しきい値電圧近傍の電圧を印加したときに画面を斜め方向から見たときの透過率が、画面を正面から見たときの透過率に更に近づく。そして、図１５に示すように透過率比の最大値が約８となる。
【００５０】
図１６は、ａ：ｂ＝７：３（ａ／ｂ＝２．３）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図、図１７は横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率比をとって、ａ：ｂ＝７：３の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【００５１】
図１６に示すように、ａ：ｂ＝７：３の液晶表示装置では、しきい値電圧近傍の電圧を印加したときに画面を斜め方向から見たときの透過率が、画面を正面から見たときの透過率に更に近づく。そして、図１７に示すように透過率比の最大値が約６となる。
【００５２】
図１８は、ａ：ｂ＝６：４（ａ／ｂ＝１．５）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図、図１９は横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率比をとって、ａ：ｂ＝６：４の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【００５３】
図１８に示すように、ａ：ｂ＝６：４の液晶表示装置では、しきい値電圧近傍の電圧を印加したときに画面を斜め方向から見たときの透過率が、画面を正面から見たときの透過率よりも高くなることがなくなる。そして、図１９に示すように透過率比の最大値が約４となる。
【００５４】
本願発明者等は、突起４１，４２の高さ及び形状が異なる種々の液晶表示装置を作成して白茶けの状態を調べた。その結果、１＜ａ／ｂ≦９の関係式が成り立つ液晶表示装置では、従来の液晶表示装置に比べて白茶けが低減されることが判明した。また、１＜ａ／ｂ≦２．５の関係式が成り立つ液晶表示装置では、実用上白茶けが無視できることが判明した。本発明は、このような実験・研究結果に基づいてなされたものである。
【００５５】
なお、実際の液晶表示装置のａ／ｂの値は、正面から見たときのＴ−Ｖ特性と斜め方向から見たときのＴ−Ｖ特性とを測定して透過率比を計算し、その結果をシミュレーション結果と比較することにより求めた。
【００５６】
以下、本発明の第１の実施形態の具体的な例について、図面を参照して説明する。
【００５７】
図２０は本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の画素部を示す平面図、図２１は同じくその液晶表示装置の模式断面図である。
【００５８】
本実施形態の液晶表示装置は、ガラス等の透明薄板からなる第１及び第２の基板１１０，１２０と、これらの基板１１０，１２０間に封入された誘電率異方性が負のネマティック液晶からなる液晶層１３０とを有している。基板１１０には、図２０に示すように、水平方向に延びる複数本のゲートバスライン１１１ａ及び補助容量バスライン１１１ｂと、垂直方向に延びる複数本のデータバスライン１１３とが形成されている。ゲートバスライン１１１ａと補助容量バスライン１１１ｂとは垂直方向に交互に配置されている。ゲートバスライン１１１ａのピッチは例えば３００μｍ、データバスライン１１３のピッチは例えば１００μｍである。
【００５９】
ゲートバスライン１１１ａとデータバスライン１１３とにより区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域であり、水平方向に並んだ赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ）画素により、１つのピクセルＰが構成される。
【００６０】
基板１１０には、各画素領域毎に、ＴＦＴ１１４、補助容量電極１１５及び画素電極１１６が形成されている。本実施形態の液晶表示装置では、ゲートバスライン１１１ａの一部をＴＦＴ１１４のゲート電極としている。また、ＴＦＴ１１４のドレイン電極１１４ｄはデータバスライン１１３に接続している。画素電極１１６はＩＴＯ等の透明導電体により形成されており、コンタクトホールＣ1 ，Ｃ2 を介してＴＦＴ１１４のソース電極１１４ｓ及び補助容量電極１１５に電気的に接続されている。また、補助容量電極１１５は、補助容量バスライン１１１ｂと対向する位置に形成されている。
【００６１】
以下、図２０，図２１を参照して第１の基板１１０の層構造について説明する。
【００６２】
基板１１０の上には、ゲートバスライン１１１ａ及び補助容量バスライン１１１ｂが形成されている。これらのゲートバスライン１１１ａ及び補助容量バスラインは、基板上に例えばＣｒ（クロム）膜、又はＡｌ（アルミニウム）とＴｉ（チタン）との積層膜を形成し、フォトリソグラフィによりパターニングして形成される。
【００６３】
これらのゲートバスライン１１１ａ及び補助容量バスライン１１１ｂは、基板１１０上に形成された第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１２ａにより覆われている。第１の絶縁膜１１２ａは、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により酸化シリコン又は窒化シリコンを基板１１０の上に堆積させて形成される。
【００６４】
第１の絶縁膜１１２ａの上の所定の領域には、ＴＦＴ１１４の活性層となる半導体層（図示せず）が形成されている。この半導体層は例えば厚さ２０〜１００ｎｍのアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる。この半導体層の上には、チャネル保護膜（図示せず）と、ソース電極１１４ｓ及びドレイン電極１１４ｄとが形成されている。また、第１の絶縁膜１１２ａの上には、データバスライン１１３及び補助容量電極１１５が形成されている。これらのソース電極１１４ｓ、ドレイン電極１１４ｄ、データバスライン１１３及び補助容量電極１１５は、例えば不純物が高濃度に導入されたアモルファスシリコン層と、金属層（Ｔｉ−Ａｌ−Ｔｉ）との２層構造を有している。
【００６５】
これらのソース電極１１４ｓ、ドレイン電極１１４ｄ、データバスライン１１３及び補助容量電極１１５の上には第２の絶縁膜１１２ｂが形成されている。この第２の絶縁膜１１２ｂは、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。第２の絶縁膜１１２ｂの上には、ＩＴＯ等の透明導電体により画素電極１１６が形成されている。
【００６６】
画素電極１１６の上には、データバスライン１１３に対し斜め方向に走る第１及び第２の突起１１７ａ，１１７ｂが形成されている。これらの第１及び第２の突起１１７ａ，１１７ｂは、いずれもゲートバスライン１１１ａ及び補助容量バスライン１１１ｂと交差する部分で屈曲している。第１の突起１１７ａの高さは例えば１．４μｍ、幅は５μｍである。また、第２の突起１１７ｂの高さは０．５μｍ、幅は１５μｍである。図２０に示すように、第１の突起１１７ａ及び第２の突起１１７ｂは水平方向に沿って交互に配置されている。また、第１及び第２の突起１１７ａ，１１７ｂは、いずれもフォトレジストにより形成される。画素電極１１６及び突起１１７ａ，１１７ｂの表面はポリイミド等からなる配向膜１１８により覆われている。
【００６７】
以下、図２１を参照して第２の基板１２０の層構造について説明する。
【００６８】
基板１２０の液晶層１３０側の面上には、Ｃｒ等の金属からなるブラックマトリクス（図示せず）とカラーフィルタ１２２とが形成されている。ブラックマトリクスは、ゲートバスライン１１１ａ、データバスライン１１３及びＴＦＴ１１４に対向する部分に形成されている。また，各画素領域の画素電極１１６に対向して、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれかの色のカラーフィルタ１２２が形成されている。この例では、赤色フィルタが配置された赤色画素、緑色フィルタが配置された緑色画素及び青色フィルタが配置された青色画素の水平方向に並んだ３つの画素により１つのピクセルＰが構成される。
【００６９】
カラーフィルタ１２２の上にはＩＴＯ等の透明導電体からなる対向電極（コモン電極）１２３が形成されている。また、対向電極１２３の上には第３及び第４の突起１２４ａ，１２４ｂが形成されている。第３の突起１２４ａは、高さが０．５μｍ、幅が１５μｍであり、第１の突起１１７ａと対向する位置に形成されている。また、第４の突起１２４ｂは、高さが１．４μｍ、幅が５μｍであり、第２の突起１１７ｂと対向する位置に形成されている。対向基板１２３及び突起１２４ａ，１２４ｂの表面は、ポリイミド等からなる配向膜１２５に覆われている。
【００７０】
基板１１０，１２０は、配向膜１１８，１２５が形成された面を対向させて配置され、両者の間には誘電率異方性が負のネマティック液晶が封入される。本実施形態の液晶表示装置においては液晶パネルのセル厚は例えば４〜６μｍとする。
【００７１】
なお、突起１１７ａ，１１７ｂ，１２４ａ，１２４ｂは、前述したように、一方の基板側の突起により液晶分子の傾斜方向が決まる領域のセル厚方向の長さａと、他方の基板側に設けられた突起により液晶分子の傾斜方向が決まる領域のセル厚方向の長さｂが、１＜ａ／ｂ≦９（より好ましくは、１＜ａ／ｂ≦２．５）の関係式を満足するように形成すればよい。ａ／ｂの値は、前述したように、実際の液晶表示装置の正面から見たときのＴ−Ｖ特性と斜め方向から見たときのＴ−Ｖ特性とを測定し、シミュレーション結果と比較することにより求めることができる。
【００７２】
このようにして液晶パネルが構成される。この液晶パネルを挟んで、２枚の偏光板が吸収軸を直交させて配置され、液晶パネルは駆動回路に接続される。
【００７３】
図２２は、本実施形態の液晶表示装置の駆動回路を示すブロック図である。駆動回路は、制御回路１５１、データドライバ１５２及びゲートドライバ１５３により構成され、データドライバ１５２及びゲートドライバ１５３が液晶パネル１５０に接続される。制御回路１５１は、コンピュータ等の装置から表示信号（Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号）、水平同期信号（Ｈsync）及び垂直同期信号（Ｖsync）等を入力し、データドライバ１５２にデータクロック信号、Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号を出力し、ゲートドライバ１５３にゲートクロック信号を出力する。データドライバ１５２は、データクロック信号に基づくタイミングで、液晶パネル１５０の所定のデータバスライン１１３にＲ信号、Ｇ信号及びＢ信号を出力する。また、ゲートドライバ１５３は、ゲートクロック信号に基づくタイミングで液晶パネル１５０の所定のゲートバスライン１１１ａに走査信号を出力する。
【００７４】
ゲートバスライン１１１ａに走査信号が供給されると、そのゲートバスライン１１１ａに接続されているＴＦＴ１１４がオンになって、画素電極１１６に表示信号が書き込まれる。これにより、画素電極１１６と対向電極１２３との間の液晶分子が電界に対し垂直方向又は斜め方向に配向し、液晶パネル１５０に画像が表示される。
【００７５】
本実施形態においては、一対の基板１１０，１２０に液晶分子に対する傾斜方向の規制力が相互に異なる構造物（すなわち、高さ及び断面形状が異なる突起１１７ａ，１１７ｂ，１２４ａ，１２４ｂ）を対向させて配置しているので、液晶分子の傾斜方向が異なる２つの領域がセル厚方向に形成される。これにより、画面を斜め方向から見たときに輝度が低い部分が白っぽくなる現象（白茶け）が抑制される。また、これらの突起１１７ａ，１１７ｂ，１２４ａ，１２４ｂの高さを極端に高くする必要がないので、透過率特性や応答性などの劣化が回避される。
【００７６】
なお、上記の実施形態では本発明を透過型液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明を反射型液晶表示装置又は半透過型液晶表示装置に適用してもよい。
【００７７】
また、上記の実施形態ではＴＦＴ基板及び対向基板に形成されるドメイン規制用構造物がいずれも突起の場合について説明したが、ドメイン規制用構造物として画素電極及び対向電極のうちの少なくとも一方の電極に設けたスリットや、基板表面（電極又はその上の絶縁膜）に設けた窪み（溝）を使用してもよい。
【００７８】
更に、上記の実施形態ではドメイン規制用構造物（突起１１７ａ，１１７ｂ，１２４ａ，１２４ｂ）がデータバスライン１１３に沿ってジグザグに形成されている場合について説明したが、ドメイン規制用構造物を単純なストライプ状に形成してもよく、また図２３に示すように一方の基板側の突起１７１ａ，１７１ｂ及び他方の基板側の突起１８１ａ，１８１ｂを、放射状配向が得られるパターン（点状パターンの突起１７１ａ，１７１ｂとそれを囲む枠状パターンの突起１７１ｂ，１８１ｂ）で形成してもよい。
【００７９】
（第２の実施形態）
前述したように、視野角特性を改善するために、従来から光学補償フィルムが使用されている（特許文献３）。光学補償フィルムの面内方向（ｘ方向及びｙ方向）の屈折率をｎx ，ｎy 、厚さ方向の屈折率をｎz とすると、通常は、ｎx ＞ｎy ＝ｎz 、ｎx ＝ｎy ＞ｎz 、又はｎx ＞ｎy ＞ｎz のいずれかの関係式を満足する光学補償フィルムが使用されている。しかし、これらの光学補償フィルムを用いた場合、光学軸がフィルム面内方向又はフィルムの法線方向にあるため、偏光板の吸収軸の方位から画面を見たときの特性を改善することは原理的に不可能である。
【００８０】
そこで、本実施形態においては、光学軸が基板面に対し傾斜している光学補償層を使用する。但し、ＭＶＡ方式の液晶表示装置では、電圧印加時に液晶分子が傾斜する方向がドメイン規制用構造物により分割される複数の領域でそれぞれ異なるため、各領域毎に光学軸の方向が異なる光学補償層が必要となる。
【００８１】
図２４は本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す模式図である。本実施形態においては、ドメイン規制用構造物により、液晶層２３０が液晶分子の傾斜方向の異なる４つの領域に区画されている。このため、光学補償層２０１，２２１も、光学軸が基板面に対し傾斜し、各領域毎に光学軸の方位（基板面に投影したときの方向）が、例えば図２４に矢印で示すように隣接する偏光板の吸収軸と直交（又は平行）するように設定されているものを使用する。また、本実施形態では、光学補償層２０１，２２１は液晶層２３０と偏光板２３１，２３２との間に配置される。
【００８２】
この図２４に示すように、液晶層２３０の両側に、光学軸が基板面に対し傾斜した光学補償層２０１，２２１を配置した液晶表示装置について、液晶層２３０の屈折率異方性ΔｎLC及び厚さｄLC、並びに光学補償層２０１，２２１の光学軸の基板面に対する傾斜角度θ、屈折率異方性Δｎ及び光学補償層２０１，２２１の厚さ（合計の厚さ）ｄを種々変化させて、視野角特性をシミュレーション計算により調べた。
【００８３】
光学補償層２０１，２２１の光学軸の傾斜方位は、正面コントラストの低下を防ぐために、偏光板２３１，２３２の吸収軸の方向と平行又は直交する方向（すなわち、０°、９０°、１８０°、２７０°の４つの方向）に限られるため、隣接する液晶層２３０の液晶分子の傾斜方向に応じて、上記の０°、９０°、１８０°及び２７０°の４通りに変化させた。
【００８４】
図２５（ａ）に示すように、光学的異方性が正の光学補償層（すなわち、屈折率異方性Δｎが正（Δｎ＞０）の光学補償層）の場合と、図２５（ｂ）に示すように光学的異方性が負の光学補償層（すなわち、屈折率異方性Δｎが負（Δｎ＜０）の光学補償層）場合とについて、視野角特性をシミュレーション計算して調べた。
【００８５】
その結果、光学的異方性が正の光学補償層については、０°＜θ≦３０°、かつΔｎ・ｄ≦ΔｎLC・ｄLC×１．２の関係式を満たしたときに視野角特性改善の効果があることが判明した。また、光学的異方性が負の光学補償層については、６０°≦θ＜９０°、かつ｜Δｎ｜・ｄ≦ΔｎLC・ｄLC×１．２の関係式を満たしたときに視野角特性改善の効果があることが判明した。
【００８６】
図２４は、光学補償層２０１，２２１が液晶層２３０の両側に一層ずつ配置された場合であるが、光学補償層が三層以上配置された場合についても同様に調べた結果、上記の関係式を満たしたときに、同様に視野角特性改善の効果があることが判明した。
【００８７】
以下、本実施形態の具体的な例について説明する。
【００８８】
（例１）
図２６は本実施形態の液晶表示装置の画素部の平面図である。
【００８９】
一方のガラス基板（ＴＦＴ基板）には、水平方向に延びる複数のゲートバスライン２１１と、垂直方向に延びる複数のデータバスライン２１５とが形成されている。これらのゲートバスライン２１１及びデータバスライン２１５により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。
【００９０】
各画素領域毎に、ＴＦＴ２１４及び画素電極２１６が形成されている。ＴＦＴ２１４は、ゲートバスライン２１１の一部をゲート電極としており、ドレイン電極２１４ｄはデータバスライン２１５に接続している。また、ＴＦＴ２１４のソース電極２１４ｓは画素電極２１６に電気的に接続している。
【００９１】
本実施形態においては、１画素内で液晶分子２３０ａの配向方向が４方向のマルチドメインを達成するために、例えば図２６に示すようにスリット２１６ａの向きが相互に異なる４つの領域に分割された画素電極２１６を使用する。
【００９２】
すなわち、第１の領域（右上の領域）ではスリット２１６ａがＸ軸方向（水平方向）に対し４５°の角度で設けられており、第２の領域（左上の領域）ではスリット２１６ａがＸ軸方向に対し１３５°の角度で設けられており、第３の領域（左下の領域）ではスリット２１６ａがＸ軸方向に対し２２５°の角度で設けられており、第４の領域（右下の領域）ではスリット２１６ａがＸ軸方向に対し３１５°の角度で設けられている。
【００９３】
このような形状の画素電極２１６を使用した場合は、画素電極２１６とコモン電極との間に電圧を印加すると、液晶分子２３０ａはスリット２１６ｓと平行な方向に傾斜する。このとき、４つの領域の境界部分の電極のエッジの影響により、第１の領域と第３の領域とでは液晶分子２３０ａの倒れる方向が逆になり、第２の領域と第４の領域とでは液晶分子２３０ａの倒れる方向が逆になる。従って、液晶分子２３０ａの傾斜方向は４つの領域でそれぞれ異なる。
【００９４】
図２７は本実施形態の液晶表示装置の模式断面図である。この図２７を参照してＴＦＴ基板（第１のガラス基板２１０）の上の層構造について説明する。
【００９５】
第１のガラス基板２１０の上には、第１〜第４の領域に応じて光学軸の方向が設定された光学補償層２０１が配置されている。この光学補償層２０１は、以下に示す方法により形成される。
【００９６】
すなわち、図２８に示すように、ガラス基板２１０の上に例えばポリイミドからなる配向膜２０１ａを形成する。そして、この配向膜２０１ａの上に第１及び第４の領域に対応する部分が開口された第１の露光マスク２４０を配置し、基板２１０の法線に対し斜めの第１の方向から紫外線偏光光を照射する。これにより、第１及び第４の領域の配向膜２０１ａに、液晶分子を紫外線照射方向に配向させる配向規制力が発生する。
【００９７】
これと同様に、配向膜２０１ａの上に第２及び第３の領域に対応する部分が開口された第２の露光マスクを配置し、基板法線に対し斜めの第２の方向から紫外線偏光光を照射する。これにより、第２及び第３の領域の配向膜２０１ａに液晶分子を紫外線照射方向に配向させる配向規制力が発生する。
【００９８】
次に、配向膜２０１ａの上に、誘電率異方性が正（Δε＞０）の液晶性ポリマーを含有する溶剤を塗布する。液晶性ポリマーとしては、メチル骨格を有する側鎖型のものや、ポリエステル系の主鎖型のものが好適である。
【００９９】
液晶性ポリマーが配向膜２０１ａにより所定の方向に配向した後、熱処理により液晶性ポリマーの配向を固定する。
【０１００】
このようにして、第１〜第４の領域に応じて光学軸が傾斜した光学補償層２０１が形成される。光学補償層の光学軸の傾き角は、配向膜の種類や配向膜に照射する紫外線偏光光の傾き角などにより調整可能である。光学軸の傾き角及び液晶性ポリマーを塗布する厚みを調節することにより、例えば、θ＝１５°、Δｎ・ｄ＝ΔLC・ｄLC×０．７５の関係式を満たす光学補償層を形成する。
【０１０１】
このようにして形成された光学補償層２０１の上には、図２７に示すように、酸化シリコン又は窒化シリコンによりなる絶縁膜２０２が形成されている。絶縁膜２０２の上にはゲートバスライン２１１が形成されており、絶縁膜２０２及びゲートバスライン２１１の上にはゲート絶縁膜２０３が形成されている。
【０１０２】
ゲート絶縁膜２０３の上には、第１の実施形態と同様にＴＦＴ２１４の活性層となる半導体層（図示せず）、ソース電極２１４ｓ、ドレイン電極２１４ｄ及びデータバスライン２１５が形成されている。これらの半導体層、ソース電極２１４ｓ、ドレイン電極２１４ｄ及びデータバスライン２１５の上には絶縁膜２０４が形成されている。絶縁膜２０４の上には、ＩＴＯ等によりなる画素電極２１６が形成されている。また、画素電極２１６の表面はポリイミドからなる配向膜２１７により覆われている。
【０１０３】
以下、対向基板（第２のガラス基板２２０）の上の層構造について説明する。
【０１０４】
第２のガラス基板２２０の液晶層側の面上には光学補償層２２１が形成されている。この光学補償層２２１は、第１のガラス２１０側の光学補償層２０１と同様の方法により形成される。但し、図２４に示すように、光学補償層２２１の第１〜第４の領域の光学軸の方位は、光学補償層２０１と異なっている。
【０１０５】
光学補償層２２１の上には絶縁膜２２２が形成されている。絶縁膜２２２の上にはブラックマトリクス（図示せず）とカラーフィルタ２２３とが形成されている。ブラックマトリクスはゲートバスライン２１１、データバスライン２１５及びＴＦＴ２１４に対向する部分に形成されている。また、各画素毎に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれかの色のカラーフィルタ２２３が配置されている。
【０１０６】
カラーフィルタ２２３の上にはＩＴＯからなる対向電極２２４が形成されている。また、対向電極２２４の表面はポリイミドからなる配向膜２２５に覆われている。
【０１０７】
この例では、対向基板側にドメイン規制用構造物が形成されていないが、ドメイン規制用構造物として突起やスリットを形成してもよい。
【０１０８】
２枚のガラス基板２１０，２２０は、配向膜２１７，２２５が形成された面を対向させた状態で、誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層２３０を挟んで配置される。また、ガラス基板２１０の下及びガラス基板２２０の上にはそれぞれ偏光板２３１，２３２が配置される。これらの偏光板２３１，２３２は、図２４に示すように吸収軸を直交させて配置される。
【０１０９】
図２９は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率をとって、上記のように製造した液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーションした結果を示す図である。この図２９と図６との比較から明らかなように、印加電圧が低い領域における正面から見たときのＴ−Ｖ特性と斜め方向から見たときのＴ−Ｖ特性との差が小さくなる。これにより、斜め方向から見たときに画面が白っぽくなる現象（白茶け）が抑制されることがわかる。
【０１１０】
（例２）
図３０は、第２の実施形態の第２の例に係る液晶表示装置の構成を示す模式図である。この具体例２が具体例１と異なる点は、光学補償層２０１，２２１の光学補償層の光学軸の方位が異なることにあり、その他の構成は基本的に具体例１と同様であるので、本例においても図２６，２７を参照して説明する。
【０１１１】
本例では、光学異方性が負の液晶性ディスコティック化合物を使用し、光学軸の方位が第１〜第４の領域に応じて設定された光学補償層２０１，２２１を、液晶層２３０とガラス基板２１０，２２０との間に配置する。光学補償層２０１は、以下に示す方法により形成される。
【０１１２】
すなわち、ガラス基板２１０の上に、例えばポリイミドからなる配向膜を形成する。そして、この配向膜の上に第１及び第２の領域に対応する部分が開口された露光マスクを配置し、基板２１０の法線に対し斜めの第１の方向から紫外線偏光光を照射する。これにより第１及び第２の領域の配向膜に、液晶分子を紫外線照射方向に配向させる配向規制力が発生する。
【０１１３】
これと同様に、配向膜の上に第３及び第４の領域に対応する部分が開口された露光マスクを配置し、基板２１０の法線に対し斜めの第２の方向から紫外線偏光光を照射する。これにより第３及び第４の領域の配向膜に、液晶分子を紫外線照射方向に配向させる配向規制力が発生する。
【０１１４】
次に、配向膜の上に、光重合性を有する光学異方性が負（Δε＜０）の液晶性ディスコティック化合物と重合化合剤とを含む溶剤を塗布する。液晶性ディスコティック化合物としては、ベンゼン誘導体、トルキセン誘導体又はシクロヘキサン誘導体等からなるものが好適である。
【０１１５】
液晶性ディスコティック化合物が配向膜により所定の方向に配向した後、全面に紫外線を照射して液晶性ディスコティック化合物を重合させ、配向を固定化する。このようにして、第１〜第４の領域に応じて光学軸が傾斜した光学補償層２０１が形成される。
【０１１６】
光学軸の傾き角は、配向膜の種類や配向膜に照射する紫外線の照射角度により調整可能である。また、光学軸の傾き角及び液晶性ディスコティック化合物を塗布する厚みを調整することにより、本発明における最適な光学補償層の条件を実現できる。
【０１１７】
ガラス基板２２０側の光学補償層も、同様の方法により形成される。但し、図３０に示すように、ガラス基板２２０側の光学補償層２２１の第１〜第４の領域の光学軸の方位は、光学補償層２０１と異なっている。
【０１１８】
図３１は、横軸に印加電圧をとり、縦軸に透過率をとって、上記のように製造した液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーションした結果を示す図である。この図３１と図６との比較から明らかなように、印加電圧が低い領域における正面から見たときのＴ−Ｖ特性と斜め方向から見たときのＴ−Ｖ特性との差が小さくなる。これにより、斜め方向から見たときの画面が白っぽくなる現象（白茶け）が抑制されることがわかる。
【０１１９】
なお、近年、本願出願人により白茶けを抑制するために、例えば画素電極の上に誘電体膜を部分的に形成して１画素内でＴ−Ｖ特性のしきい値電圧が相互に異なる複数の領域を設けた液晶表示装置が提案されている。本発明をこのような液晶表示装置に適用することにより、白茶けをより一層低減することができる。
【０１２０】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【０１２１】
（付記１）第１の電極が設けられた第１の基板と、第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶とにより構成される液晶表示装置において、
前記第１の基板に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子を第１の方向に配向させる第１の構造物と、
前記第２の基板の前記第１の構造物に対向する位置に設けられて電圧印加時にその近傍の液晶分子を前記第１の方向と異なる第２の方向に配向させる第２の構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【０１２２】
（付記２）前記第１及び第２の構造物がいずれも突起であり、前記第１及び第２の構造物の大きさ又は形状が相互に異なることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１２３】
（付記３）液晶分子が前記第１の方向に配向する領域の層厚方向の長さをａ、液晶分子が前記第２の方向に配向する領域の層厚方向の長さをｂとしたときに、ａ≠ｂであることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１２４】
（付記４）液晶分子が前記第１の方向に配向する領域の層厚方向の長さをａ、液晶分子が前記第２の方向に配向する領域の層厚方向の長さをｂとしたときに、１＜ａ／ｂ≦９の関係を満たすことを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１２５】
（付記５）液晶分子が前記第１の方向に配向する領域の層厚方向の長さをａ、液晶分子が前記第２の方向に配向する領域の層厚方向の長さをｂとしたときに、１＜ａ／ｂ≦２．５の関係を満たすことを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１２６】
（付記６）電圧印加時に、液晶分子の傾斜する方位が基板面内で複数となることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１２７】
（付記７）前記液晶が負の誘電率異方性を有することを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１２８】
（付記８）一対の基板間に液晶を封入して構成され、１画素内で電圧印加時の液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域を有する液晶パネルと、
前記液晶パネルの少なくとも一方の面側に配置された偏光板と、
光学軸が基板面に対し傾斜し、且つ基板面に投影したときに光学軸の方位が前記領域毎に設定された光学補償層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【０１２９】
（付記９）前記光学補償層が、前記液晶パネルの内側に配置されていることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【０１３０】
（付記１０）前記光学補償層を構成する物質の光学的異方性が正であることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【０１３１】
（付記１１）前記光学補償層の光学軸の基板面に投影したときの方位が、隣接する前記偏光板の吸収軸と平行又は直交し、下記の関係式を満たすことを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１３２】
０°＜θ≦３０°  かつ  Δｎ・ｄ≦ΔｎLC・ｄLC×１．２
但し、
ΔｎLC：液晶層の屈折率異方性、
ｄLC：液晶層の厚さ、
Δｎ：光学補償層の屈折率異方性、
ｄ：光学補償層の厚さ（複数ある場合は合計の厚さ）、
θ：光学補償層を構成する物質の光学軸が基板面に対してなす角度の厚さ方向の平均値
（付記１２）前記光学補償層を構成する物質の光学的異方性が負であることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【０１３３】
（付記１３）前記光学補償層の光学軸の基板面に投射したときの方位が、隣接する前記偏光板の吸収軸と平行又は直交し、下記関係式を満たすことを特徴とする付記１２に記載の液晶表示装置。
【０１３４】
６０°≦θ＜９０°  かつ  ｜Δｎ｜・ｄ≦ΔｎLC・ｄLC×１．２
但し、
ΔｎLC：液晶層の屈折率異方性、
ｄLC：液晶層の厚さ、
Δｎ：光学補償層の屈折率異方性、
ｄ：光学補償層の厚さ（複数ある場合は合計の厚さ）、
θ：光学補償層を構成する物質の光学軸が基板面に対してなす角度の厚さ方向の平均値
（付記１４）前記一対の基板の少なくとも一方に、ドメイン規制用構造物が設けられていることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【０１３５】
（付記１５）１画素内でＴ−Ｖ（透過率−印加電圧）特性のしきい値電圧が相互に異なる複数の領域を有することを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】図１は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図である。
【図２】図２は、同じく従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の模式断面図である。
【図３】図３は、同じく従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の電圧印加時における液晶分子の配向状態を示す模式図である。
【図４】図４は、ＭＶＡ方式液晶表示装置における配向分割の状態を示す模式図である。
【図５】図５は、図１，図２に示した従来の液晶表示装置の電圧印加時における基板間の液晶分子の配向状態を示す模式図である。
【図６】図６は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の画面を正面（液晶パネルの法線方向）から見たときのＴ−Ｖ特性と、斜め方向（吸収軸方向、極角６０°）から見たときのＴ−Ｖ特性とをシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図７】図７は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置における印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図８】図８は、ＴＦＴ基板の突起に対向させて対向基板の突起を配置した液晶表示装置を示す模式図である。
【図９】図９は、図８に示すように液晶分子が配向する液晶表示装置の画面を正面から見たときのＴ−Ｖ特性と斜め方向（吸収軸方向、極角６０°）から見たときのＴ−Ｖ特性とをシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１０】図１０は、図８に示すように液晶分子が配向する液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１１】図１１は、形状が異なる突起を２枚の基板にそれぞれ対向させて配置した液晶表示装置の液晶分子の配向状態を示す模式図である。
【図１２】図１２は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝９：１（ａ／ｂ＝９）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１３】図１３は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝９：１の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１４】図１４は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝８：２（ａ／ｂ＝４）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１５】図１５は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝８：２の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１６】図１６は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝７：３（ａ／ｂ＝２．３）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１７】図１７は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝７：３の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１８】図１８は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝６：４（ａ／ｂ＝１．５）の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図１９】図１９は、一方の領域の層厚方向の長さａと他方の領域の層厚方向の長さｂとの比がａ：ｂ＝６：４の液晶表示装置の印加電圧と透過率比との関係をシミュレーション計算した結果を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の画素部を示す平面図である。
【図２１】図２１は、第１の実施形態の液晶表示装置の模式断面図である。
【図２２】図２２は、第１の実施形態の液晶表示装置の駆動回路を示すブロック図である。
【図２３】図２３は、放射状配向が得られるように突起を形成した第１の実施形態の変形例の液晶表示装置を示す模式図である。
【図２４】図２４は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す模式図である。
【図２５】図２５（ａ）は光学的異方性が正の光学補償層を示す模式図、図２５（ｂ）は光学的異方性が負の光学補償層を示す模式図である。
【図２６】図２６は第２の実施形態の液晶表示装置の画素部の平面図である。
【図２７】図２７は、第２の実施形態の液晶表示装置の模式断面図である。
【図２８】図２８は、光学補償層の形成方法を示す模式図である。
【図２９】図２９は、第２の実施形態の液晶表示装置（例１）のＴ−Ｖ特性をシミュレーションした結果を示す図である。
【図３０】図３０は、第２の実施形態の液晶表示装置（例２）の構成を示す模式図である。
【図３１】図３１は、第２の実施形態の液晶表示装置（例２）のＴ−Ｖ特性をシミュレーションした結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０，２０，１１０，１２０，２１０，２２０…基板、
１１ａ，１１１ａ，２１１…ゲートバスライン、
１３，１１３，２１５…データバスライン、
１４，１１４，２１４…ＴＦＴ、
１６，１１６，２１６…画素電極、
１７，２４，１１７ａ，１１７ｂ，１２４ａ，１２４ｂ…突起、
１８，２５，１１８，１２５，２１７，２２５…配向膜、
２２，１２２，２２３…カラーフィルタ、
２３，１２３，２２４…対向電極、
３０，１３０，２３０…液晶層、
１５０…液晶パネル、
１５１…制御回路、
１５２…データドライバ、
１５３…ゲートドライバ、
１１２ａ，１１２ｂ，２０２，２２２…絶縁膜、
２１１，２２１…光学補償層、
２３１，２３２…偏光板。
【図１】
2005215115.tif 000003
【図２】
2005215115.tif 000004
【図３】
2005215115.tif 000005
【図４】
2005215115.tif 000006
【図５】
2005215115.tif 000007
【図６】
2005215115.tif 000008
【図７】
2005215115.tif 000009
【図８】
2005215115.tif 000010
【図９】
2005215115.tif 000011
【図１０】
2005215115.tif 000012
【図１１】
2005215115.tif 000013
【図１２】
2005215115.tif 000014
【図１３】
2005215115.tif 000015
【図１４】
2005215115.tif 000016
【図１５】
2005215115.tif 000017
【図１６】
2005215115.tif 000018
【図１７】
2005215115.tif 000019
【図１８】
2005215115.tif 000020
【図１９】
2005215115.tif 000021
【図２０】
2005215115.tif 000022
【図２１】
2005215115.tif 000023
【図２２】
2005215115.tif 000024
【図２３】
2005215115.tif 000025
【図２４】
2005215115.tif 000026
【図２５】
2005215115.tif 000027
【図２６】
2005215115.tif 000028
【図２７】
2005215115.tif 000029
【図２８】
2005215115.tif 000030
【図２９】
2005215115.tif 000031
【図３０】
2005215115.tif 000032
【図３１】
2005215115.tif 000033