(57)【要約】【課題】縦型熱処理装置により半導体ウエーハを熱処理する際、ウエーハの裏面に、その後の露光工程に影響するようなキズが発生するのを効果的に防止することができる半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボートを提供する。【解決手段】少なくとも、複数の支柱４と、各支柱の両端部に連結した一対の板材とを有し、前記各支柱に半導体ウエーハを水平に支持するための支持部が設けられている半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートであって、前記各支持部のウエーハを支持する面３が、下方に傾斜していることを特徴とする半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート１。半導体ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行う。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハを熱処理用縦型ボートにより水平に支持して熱処理する方法において、前記半導体ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法。
【請求項２】
少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板材とを有し、前記各支柱に半導体ウエーハを水平に支持するための支持部が設けられている半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートであって、前記各支持部のウエーハを支持する面が、下方に傾斜していることを特徴とする半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート。
【請求項３】
前記各支持部のウエーハを支持する面の傾斜角度が、１〜１５°の範囲内にあることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート。
【請求項４】
少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板材とを有し、前記各支柱に半導体ウエーハを水平に支持するための支持部が設けられている半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートであって、前記各支持部の長さが３ｍｍ以下であることを特徴とする半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート。
【請求項５】
前記支持部が、前記各支柱に溝を形成して設けたものであることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート。
【請求項６】
前記各支柱が、円柱状のものであることを特徴とする請求項５に記載の半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート。
【請求項７】
前記支持部が、円弧状に設けられていることを特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
【請求項８】
前記支持部としてリング状のサセプタを設けたものであることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエーハ、例えばシリコンウエーハを用いてデバイスを作製する場合、ウエーハの加工プロセスから素子の形成プロセスまで多数の工程が介在し、その一つに熱処理工程がある。熱処理工程は、ウエーハの表層における無欠陥層の形成、ゲッタリング、結晶化、酸化膜形成、不純物拡散等を目的として行われる重要なプロセスである。
【０００３】
このようなウエーハの熱処理工程、例えば、酸化や不純物拡散に用いられる拡散炉（酸化・拡散装置）としては、ウエーハの大口径化に伴い、図９に示すような多数のウエーハＷを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉２０が主に用いられている。熱処理炉２０内のウエーハＷは、反応室２２の周囲に設けられたヒータ２４によって加熱することができる。熱処理中は、反応室２２にはガス導入管２６を介してガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管２８から外部に排出される。なお、使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。
【０００４】
このような縦型熱処理炉２０を用いてウエーハＷを熱処理する際には、多数のウエーハＷを水平にセットするための熱処理用縦型ボート１０（以下、「熱処理用ボート」、「縦型ボート」、或いは単に「ボート」という場合がある。）が用いられる。
図７（Ａ）は一般的な熱処理用ボート１０の概略を示している。４本の支柱（ロッド）１４の両端部に一対の板材（端板、あるいは天板、底板とも言う）１６ａ，１６ｂが連結されている。各支柱１４には多数のスリット（溝）１１が形成され、各スリット１１間の凸部がウエーハＷの支持部１２として作用する。そして、図７（Ｂ）に示されるように、ウエーハＷは各支柱１４の支持部１２によって支持されることになる。
【０００５】
このような縦型ボート１０におけるウエーハ支持部１２は種々の形状が採用されており、例えば図８（Ａ）に示されるように円柱形状の支柱１４に凹み状のスリット（溝）１１を設けて半円状の支持部１２を形成したもの（このように支持領域が比較的狭いものは「ショートフィンガータイプ」と呼ばれる。）、あるいは図８（Ｂ）に示されるようにウエーハの中心に近い箇所まで支持するために幅の広い角柱形状の支柱１５に凹み状のスリット１１を設けて長方形の支持部１３を形成したものがある。他にも、スリット形状を円弧状にしたものや鉤型状にしたもの、さらに、各支持部の上面に段差を設けて直径の異なるウエーハを支持することができるボートも提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
縦型ボートを用いてウエーハを熱処理する際には、各支柱１４の同じ高さに形成されている支持部１２にウエーハＷの外周部を載置することでウエーハＷが水平に支持されることになる。しかし、ウエーハＷの外周部を支持した場合、ボートが揺れたときにウエーハＷが落下するおそれがある。また、ウエーハＷの自重により撓みが生じるとともに支持部と接する部分に応力が集中してスリップと呼ばれる結晶欠陥が発生するおそれがある。
【０００７】
従って、ウエーハを支持する面（ウエーハ支持面）をできるだけ広くし、例えば、ウエーハ支持部がウエーハのなるべく内側まで支持して、ウエーハの落下や応力の集中を抑えてスリップの発生を抑制することが望ましいとされている。
例えば、前出の支持部に段差を設けたボートでは、ウエーハ支持面を大きめにとり、ボートが衝撃により揺れた場合でもウエーハの落下を防止できることが教示されている（特許文献１、第（００１６）段落、図３参照）。
【０００８】
一方、熱処理時のスリップの発生を防止する手段として、リング状又は皿状の治具を用いることが提案されている（例えば特許文献２参照）。特に大直径（例えば３００ｍｍ）のウエーハを熱処理する場合、ウエーハ重量も重くなるので支持される箇所に応力が集中してスリップが生じ易くなるが、例えば図１０に示すように、支柱１４の支持部１２にリング状のサセプタ１９を載せ、これを介してウエーハＷを支持すれば、サセプタ１９とウエーハＷとの接触面積が大きく、荷重等が分散されるため、スリップの発生が抑制されることになる。
【０００９】
なお、上記のようなシリコンウエーハの熱処理用ボートやサセプタなどの熱処理用治具は、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化珪素などの材質で構成することによりウエーハの金属汚染を防いでいる。
【００１０】
【特許文献１】
特開平５−２９１１６６号公報
【特許文献２】
特開平６−２６０４３８号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、本発明者らが調査したところ、ウエーハの支持領域を大きくするため、支柱に形成した支持部やサセプタ等によりウエーハの内側まで支持して熱処理を行うと、ウエーハの裏面（保持した面）にキズが発生し、通常、このキズは凹み状であるが、熱処理によりその一部が突起状になり、近年のデバイスの微細化が進むにつれ、露光工程（露光装置等）でデフォーカス不良を引き起こす原因となることが分かった。
【００１２】
そこで、本発明は、縦型熱処理装置により半導体ウエーハを熱処理する際、ウエーハの裏面に、その後の露光工程に影響するようなキズが発生するのを効果的に防止することができる半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボートを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明によれば、半導体ウエーハを熱処理用縦型ボートにより水平に支持して熱処理する方法において、前記半導体ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法が提供される（請求項１）。
上記のようにウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行えば、ほとんどキズやスリップが発生せず、少なくとも外周端部から３ｍｍよりもウエーハ中心側の領域におけるキズやスリップの発生を防ぐことができ、その後の露光工程でのデフォーカス不良等が生じることを防ぐことができる。
【００１４】
また、本発明によれば、少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板材とを有し、前記各支柱に半導体ウエーハを水平に支持するための支持部が設けられている半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートであって、前記各支持部のウエーハを支持する面が、下方に傾斜していることを特徴とする半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートが提供される（請求項２）。
このように各支持部のウエーハ支持面が下方に傾斜している熱処理用ボートを使用すれば、ウエーハは面取り部付近で支持されることになり、前記のように少なくともウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持することができる。従って、ウエーハ内側領域にキズを発生させるようなことはない。また、多少の振動がボートに加わったとしても、ウエーハを落下させてしまうようなことがない上に、ウエーハの支持位置もほとんど変動させることなく安定して支持することができる。
【００１５】
この場合、前記各支持部のウエーハを支持する面の傾斜角度が、１〜１５°の範囲内にあることが好ましい（請求項３）。
この範囲内の傾斜角度であれば、ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域でより安定して支持することができる。
【００１６】
さらに本発明によれば、少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板材とを有し、前記各支柱に半導体ウエーハを水平に支持するための支持部が設けられている半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートであって、前記各支持部の長さが３ｍｍ以下であることを特徴とする半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートが提供される（請求項４）。
このように各支持部の長さが３ｍｍ以下であれば、確実に、ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持することになり、前記のような本発明に係る熱処理を行うことができる。
【００１７】
前記支持部は、前記各支柱に溝を形成して設けたものとすることができる（請求項５）。
このように各支柱に溝を形成して支持部を設けたものであれば、製造が容易であり、コストが低いものとなる。
【００１８】
この場合、前記各支柱が、円柱状のものとすることができる（請求項６）。
円柱状の支柱であれば、いわゆるショートフィンガータイプのもとすることができ、製造が一層容易であり、また、支持面に角部が無いため、応力が集中しにくく、キズの発生をより効果的に防ぐことができる。
【００１９】
前記支持部が、円弧状に設けられていることが好ましい（請求項７）。
円弧状に設けた支持部とすれば、ウエーハを外周に沿って支持することができ、応力が分散されてキズの発生をより効果的に防ぐことができる。
【００２０】
前記支持部としてリング状のサセプタを設けたものとすることができる（請求項８）。
ウエーハを支持する面が、下方に傾斜しているか、長さ（リングの幅）が３ｍｍ以下となるサセプタを設けたボートであれば、ウエーハの外周全体にわたって外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持することができるので、応力が全体的に分散され、キズの発生をさらに効果的に防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、好適な態様として、本発明に係る熱処理用縦型ボートと、これを用いたシリコンウエーハの熱処理について図面を参照しながら具体的に説明する。
本発明者らが鋭意調査したところ、ウエーハの支持領域の狭いボート（ショートフィンガータイプ）を用い、ウエーハ支持面に適切な傾斜（テーパ加工）を施すことによりウエーハ裏面のキズの発生を抑えることができることが分かった。さらに詳細に調査したところ、ウエーハ支持面に傾斜を施す場合に限らず、ウエーハを所定の範囲内で支持することが重要であり、具体的には、ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行えば、その後の露光工程でのデフォーカス不良を防ぐことができることが分かった。
【００２２】
図１は本発明に係る半導体ウエーハ熱処理用縦型ボートにおける支持部の一例の概略を示している。（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は縦方向断面図であり、（Ｃ）は横方向断面図である。
この熱処理用ボート１は、前出の図７に示したような一般的な熱処理ボート１０と同様、複数（例えば４本）の支柱４と、各支柱４の両端部に連結した一対の板材（不図示）とから構成されている。そして、各支柱４には所定の間隔で溝５が形成され、ウエーハを支持するための支持部２が形成されているが、従来のものと異なり、各支持部２のウエーハを支持する面（ウエーハ支持面）３が下方に傾斜していることを特徴としている。
【００２３】
図２は、この熱処理用ボート１の支持部２にウエーハＷを支持した状態を拡大して示した図である。シリコンウエーハＷを支持部２に載置した場合、ウエーハＷは自重によってわずかに撓むが、支持部２はテーパ加工が施されたようにウエーハ支持面３が下方に傾斜しているため、ウエーハＷは裏面の面取り部９付近でのみ支持部２と接して支持されることになる。
【００２４】
なお、ウエーハＷの面取り部９の幅、すなわちウエーハＷの外周端部から面取り部９が施されている長さは、面取り形状、仕様等により多少異なるが、ウエーハＷの直径に係わらず一般的に３５０〜４００μｍ程度である。従って、このような熱処理用ボート１を用いることにより、ウエーハＷを実質的に外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行うことができ、少なくとも外周端部から３ｍｍ以内の領域よりもウエーハ内側におけるキズの発生を防ぐことができる。また、ウエーハＷと支持部２との接触面積が小さいため、不純物の付着による汚染を少なくすることができるという利点もある。
【００２５】
さらに、各支柱４に設けた下方に傾斜した支持面３でウエーハＷの面取り部９付近を支持すれば、熱処理用ボート１が多少振動しても、ウエーハＷを支持する位置が変化し難く、ウエーハＷを安定して支持することができるため、ウエーハＷの落下を防止するという効果もある。
なお、ウエーハを支持する領域は、ウエーハの外周端部の１ｍｍより外周側、特に面取り部分で支持することが好ましいが、実用的にはウエーハ外周２ｍｍ〜３ｍｍで支持されるようにしても良い。
【００２６】
従って、ウエーハ支持面３の傾斜角度θは、支持するウエーハの直径、厚さ、面取り形状等に応じて適宜設定すれば良いが、例えば１〜１５°の範囲内、好ましくは２〜５°の範囲内とすることができる。傾斜角度θが１°より小さいと、ウエーハＷが撓んで外周端部から３ｍｍを超えるウエーハの内側で支持されるおそれがあり、一方、１５°より大きくなると、支持部２の間隔を大きくする必要が生じ、ボートに載置できるウエーハの枚数が減るおそれがある。
【００２７】
支柱４の形状、あるいは支持部２の長さ（支持部２の支柱４から突出した長さ）や形状等は図１に示したものに限定されない。図１に示したボート１ではウエーハの支持面３は、ボート１の内側方向に下方にのみ傾斜しており、支持面３自体はフラットであるため、ウエーハを点接触により支持することになる。一方、例えば、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ウエーハ支持面３ａが下方に傾斜するとともに支持するウエーハＷの外周形状（円弧）に沿った形状とすれば、支持部２ａとウエーハＷとが線接触して接触面積が大きくなる。従って、このようなボート１（支持部２ａ）によりウエーハＷを支持して熱処理を行った場合、ウエーハＷに掛かる負荷が分散され、熱処理中にキズやスリップが発生するのをより一層効果的に防ぐことができる。
【００２８】
なお、ボート１を構成する各部材の材質については、金属不純物をほとんど含有していない硬質の高純度炭化珪素であることが好ましい。高純度炭化珪素からなる熱処理用ボートであれば、シリコンウエーハの汚染を防ぎ、１０００℃以上、特に１２００℃以上の高温で熱処理を行う際にもほとんど変形せず、また、長期間使用できるという利点がある。特に、ＣＶＤ−ＳｉＣコートしたものであれば熱処理中に発生する金属汚染をより低減させることができ、好ましい。
【００２９】
図４は、本発明に係る熱処理用ボートにおける支持部の他の一例を示している。この熱処理用ボート１ｂは、円柱状の支柱４ｂに深さ３ｍｍ以下の溝５ｂを形成して各支持部２ｂの長さ（Ｌ）を３ｍｍ以下としたものである。ウエーハ支持面３ｂは水平となっているが、各支持部２ｂの長さＬが３ｍｍ以下であるため、確実に、ウエーハは外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持されることになる。従って、このような熱処理用ボート１ｂを用いてウエーハを熱処理することにより、ウエーハの少なくとも外周３ｍｍよりウエーハの内側に支持部２ｂに起因するキズやスリップの発生を防ぐことができる。
【００３０】
なお、支持部２ｂの長さＬが短くなるほど支持されるウエーハの安定性が低くなるため、支持部２ｂの長さは１ｍｍ以上とすることが好ましい。また、各支持部２ｂを短く形成する場合は、支柱４ｂの数を増やしてウエーハの安定性を高めることができる。
【００３１】
さらに、図５に示すように、断面が円弧状の支柱４ｃを用い、熱処理するウエーハの外周に沿った円弧状の溝（ウエーハ支持部２ｃ）を設けても良い。このように、ウエーハＷの外周に合わせて支柱の一部を削って支柱の断面形状が円弧状となるような支柱４ｃとし、ウエーハＷの外周に沿って円弧状に設けた支持部２ｃとすれば、支持部２ｃ（溝）の角がウエーハ面内まで当たることがなく、ウエーハＷを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持することができ、さらにウエーハＷと支持部２ｃとの接触面積も大きくなり、ウエーハＷをより安定して支持することができる。
【００３２】
さらに、本発明では、リング状のサセプタを設けてウエーハの外周３ｍｍ以内を支持するようにしても良い。図６に示したサセプタ６は、ウエーハＷを支持する面７が内側に向かって下方に傾斜しており、ウエーハＷの外周部全体を面取り部付近で支持することができる。これにより、外周３ｍｍ以内の領域が全体的に支持され、ウエーハＷを一層安定した状態で保持して熱処理することができる。また、応力が外周部全体に分散されるので、ウエーハＷの中心側でのキズやスリップの発生を一層効果的に防ぐことができる。
【００３３】
なお、このような支持面７が傾斜したサセプタ６を用いる場合、ウエーハＷはサセプタ６を介して保持されるため、ボート本体（支柱１４及び支持部１２）は従来のものを使用することができる。
また、サセプタ６の形状は、図６に示したような完全なリング状のものに限定されず、ウエーハＷをサセプタ上に移載する時に移載機が通過するための開口部（切り欠き部）が形成されているものとしても良い。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍの鏡面研磨されたのシリコンウエーハを用意した。
一方、熱処理用ボートとして、直径３０ｍｍの円柱状の各支柱に長さ１５ｍｍの溝を形成し（Ｌ＝１５ｍｍ）、図１に示したものと同様にウエーハを支持する面がボートの内側に向けて約４°の角度で下方に傾斜しているものを用意した。このように形成された支持部により、ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持することができる。
【００３５】
このような熱処理ボートに７５枚のシリコンウエーハを水平に支持し、図９に示すような熱処理炉にボートを搬入し、Ｏ２−３％／Ｎ２雰囲気中、９５０℃で８時間の熱処理を行なった。
熱処理後、炉から搬出し、熱処理後のウエーハに対し、蛍光灯下において目視にてウエーハ裏面のキズを確認したところ、外周３ｍｍよりウエーハの内側にキズは全く確認されなかった。また、スリップの発生もなかった。
【００３６】
（実施例２）
熱処理ボートとして、図４に示す形態（ショートフィンガータイプ）のものを用いた。このボートの支柱には長さＬ＝３ｍｍの溝が形成されており、各溝間に設けられたウエーハ支持部によりウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持することができる。
【００３７】
このような熱処理ボートに７５枚のシリコンウエーハを載置し、実施例１と同様に熱処理を行なった。
熱処理後、炉からボートを搬出し、熱処理後のウエーハに対し、蛍光灯下において目視にてウエーハ裏面のキズを確認したところ、外周３ｍｍよりウエーハの内側にキズは全く確認されなかった。
【００３８】
（実施例３）
熱処理ボートとして、図６に示すような形態のものを用いた。この熱処理ボート本体は従来と同じ形態のものであるが、ウエーハの支持部として傾斜の付いたリング状のサセプタが設けられている。このサセプタは直径（外径）が３０６ｍｍ、厚さが１ｍｍ、幅２０ｍｍのリング状のものであり、その材質はＳｉＣをベースとし、ＣＶＤ−ＳｉＣコートしたものである。ウエーハが載置されるサセプタ６の上面（ウエーハ支持面）には、外周端部から１ｍｍより内側に２°の傾斜が付与されており、ウエーハの外周３ｍｍより外周側が支持されることとなる。
【００３９】
なお、ボートにウエーハをセットする際には、サセプタ上にシリコンウエーハを載せ、これを図８（Ａ）に示すような水平の支持部を有する熱処理用縦型ボートに移載した。このようにして１つのボートにウエーハ（ウエーハを載せたサセプタ）を５０枚セットした。
ウエーハをセットしたボートを図９に示すような熱処理炉にボートを搬入し、アルゴン雰囲気中１２００℃１時間の熱処理を行なった。熱処理後、炉からボートを搬出し、熱処理後のウエーハに対し、蛍光灯下において目視にてウエーハ裏面のキズを確認したところ、外周３ｍｍよりウエーハの内側に全くキズは確認されず、またスリップの発生もなかった。
【００４０】
（比較例）
図１０に示されるようなウエーハ支持面がフラットであるリング状のサセプタを用い、実施例１と同様に熱処理を行った。なお、この場合、ウエーハ外周端部より約１７ｍｍ内側までウエーハと接触していた。
熱処理後同様にキズを観察したところ、ウエーハの外周端部から３ｍｍよりウエーハの内側において、目視によってもはっきりと認識できる突起が発生しているウエーハが存在した。このキズ（突起）の高さを測定したところ、１．３〜２．１μｍであった。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４２】
例えば、ウエーハ支持部の長さを３ｍｍ以下とするとともに、支持面を下方に傾斜させた熱処理用ボートとしても良い。この場合、支持部の長さが短い上に傾斜角度を大きくするとウエーハの支持が不安定になるおそれがあるが、支柱の数を増やす等して安定性が十分確保できるように配慮すれば良い。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、半導体ウエーハを支持する面が下方に傾斜しているボートや支持部の長さが３ｍｍ以下となるボート等を用い、ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行うことで、ウエーハ裏面にキズやスリップを形成することなく、デバイス工程で用いられる露光工程でのデフォーカス不良を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る熱処理用ボートにおける支持部の一例の概略を示す図である。
（Ａ）斜視図
（Ｂ）縦方向断面図
（Ｃ）横方向断面図
【図２】ウエーハを支持した状態を示す拡大図である。
【図３】ウエーハ支持面がウエーハの外周形状に沿った例の概略を示す図である
（Ａ）斜視図（ウエーハを支持した状態）
（Ｂ）横方向断面図
【図４】本発明に係る熱処理用ボートの支持部の他の例を示す図である。
（Ａ）概略斜視図
（Ｂ）縦方向断面図
（Ｃ）横方向断面図
【図５】本発明に係る熱処理用ボートの支持部のさらに他の例を示す概略図である。
【図６】支持部として本発明に係るリング状のサセプタを設けた熱処理用ボートの一部の概略を示す図である。
（Ａ）横方向断面図
（Ｂ）縦方向断面図（ウエーハを支持した状態）
【図７】熱処理用縦型ボートの一例を示す概略図である。
（Ａ）正面図
（Ｂ）横方向断面図（ウエーハを支持した状態）
【図８】従来の熱処理用ボートにおけるウエーハ支持部を示す概略斜視図である。
（Ａ）半円形の支持部
（Ｂ）長方形の支持部
【図９】縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。
【図１０】従来のリング状のサセプタを示す概略図である。
（Ａ）平面図
（Ｂ）縦方向断面図（ウエーハを支持した状態）
【符号の説明】
１，１ｂ…熱処理用ボート、  ２，２ａ，２ｂ…支持部、
３，３ａ，３ｂ…ウエーハ支持面、  ４，４ａ，４ｂ…支柱、  ５，５ａ…溝、
６…サセプタ、  ９…面取り部、  １０…熱処理用ボート、
１１…スリット（溝）、  １２，１３…支持部、  １４，１５…支柱、
１６ａ，１６ｂ…板材（天板、底板）、  １９…サセプタ、  ２０…熱処理炉、
２２…反応室、  ２４…ヒータ、  ２６…ガス導入管、  ２８…ガス排気管、
Ｗ…ウエーハ。
【図１】
2005005379.tif 000003
【図２】
2005005379.tif 000004
【図３】
2005005379.tif 000005
【図４】
2005005379.tif 000006
【図５】
2005005379.tif 000007
【図６】
2005005379.tif 000008
【図７】
2005005379.tif 000009
【図８】
2005005379.tif 000010
【図９】
2005005379.tif 000011
【図１０】
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