(57)【要約】      （修正有）【課題】地勢形状または空洞を有するウェハ表面上に均一の特性を有する導電性の薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】電着溶液が予め定められた流動レートでウェハ表面上に与えられながら、ワークピースが回転され、横に移動され、ワークピースの表面と電極との間の電位差が与えられる。ワークピースは、それのあるエッジ領域がその回転による第１の予め定められた線速度を有するように、ある軸を中心として予め定められた毎分当りの回転数で回転される。ワークピースは、その横移動による第２の予め定められた線速度を有している。第２の予め定められた速度は第１の予め定められた速度より速くてもよい。さらに、ウェハは回転されなくてもよい。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースの表面上に予め定められた流動レートで処理溶液を与え、
ワークピースのエッジ領域が回転による第１の予め定められた線速度を有するように、そのワークピースを軸を中心として予め定められた毎分当りの回転数で回転させ、
ワークピースが横方向移動による第２の予め定められた線速度を有するように、ワークピースを横方向に移動させ、
ワークピースの表面と電極との間の電位的な差を供給し、
導電性薄膜をワークピースの表面上に形成するステップを含んでいる電極と物理的に接触している処理溶液を使用して均一な特性を有する導電材料を地勢形状を有するワークピースの表面上に電気化学的に付着させる方法。
【請求項２】
回転させるステップ中、予め定められた毎分当りの回転数はゼロである請求項１記載の方法。
【請求項３】
第２の予め定められた線速度は、第１の予め定められた線速度より大きい請求項１記載の方法。
【請求項４】
横方向に移動させるステップにおいて、ワークピースは回転軸に実質的に垂直な平面を移動される請求項１記載の方法。
【請求項５】
導電性の薄膜を表面上に形成するステップは、表面上のどの地点でも実質的に同じサイズを有する導電材料グレーンを成長させるステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項６】
導電性薄膜を焼きなますステップをさらに含んでいる請求項５記載の方法。
【請求項７】
焼きなますステップ中、導電性薄膜は、表面上のあらゆる地点で実質的に同じ再結晶レートを有している請求項６記載の方法。
【請求項８】
形成するステップにおいて、表面上のあらゆる地点で実質的に同じ集合組織を有する導電性薄膜が形成される請求項１記載の方法。
【請求項９】
形成するステップにおいて、表面上のあらゆる地点で均一な応力分布を有する導電性薄膜が形成される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
形成するステップにおいて、地勢形状は表面上のあらゆる地点において導電性材料で均一に充填される請求項１記載の方法。
【請求項１１】
導電性上膜を表面上に形成するステップは、表面上のあらゆる地点で実質的に同じサイズを有する導電材料グレーンを成長させるステップを含んでいる請求項３記載の方法。
【請求項１２】
導電性薄膜を焼きなますステップをさらに含んでいる請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
焼きなますステップ中、導電性薄膜は、表面上のあらゆる地点で実質的に同じ再結晶レートを有している請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
形成するステップにおいて、表面上のあらゆる地点で実質的に同じ集合組織を有する導電性薄膜が形成される請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
形成するステップにおいて、表面上のあらゆる地点で均一な応力分布を有する導電性薄膜が形成される請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
形成するステップにおいて、地勢形状は表面上のどの地点も導電性材料で均一に充填される請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
形成するステップにおいて、再結晶レート、集合組織、応力およびギャップ充填の均一な導電性薄膜が形成される請求項１記載の方法。
【請求項１８】
横方向に移動させるステップは一方向の横移動を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項１９】
横に移動させるステップは二方向の横移動を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項２０】
横に移動させるステップ中、予め定められた線速度は２０−５００ｍｍ／秒の範囲のものである請求項１記載の方法。
【請求項２１】
付着させるステップは電気化学的機械付着を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項２２】
請求項１記載の方法を使用して形成された導電性の薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体集積回路の製造に関し、とくに、空間的に均一な特性を有する導電層をワークピースの表面上に堆積させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は２００３年６月１１日に出願された米国特許出願第10/460,032号（ＮＴ−２００  Ｃ１）の部分継続出願であり、これは、２０００年１１月３日出願の先の米国暫定出願第60/245,211号の優先権を主張している現米国特許第6,610,190号である２００１年７月１７日出願の米国特許出願第09/760,757号（ＮＴ−２００）の継続出願である。本出願はまた２００２年１１月２２日に出願された米国特許出願第10/302,213号（ＮＴ−１０５  Ｃ１）の部分継続出願であり、これは、現米国特許第6,497,800号である２０００年１０月１１日に出願された米国特許出願第09/685,934号（ＮＴ−１０５）の継続出願である。本出願はまた２００２年５月２３日に出願された米国特許出願第10/152,793号（ＮＴ−１０２  ＤＩＶ）の部分継続出願であり、これは、現米国特許第6,413,633号である２０００年２月２３日出願の米国特許出願第09/511,278号（ＮＴ−１０２）の分割出願である。また、本出願は２０００年６月２９日に出願された米国特許出願第09/607,567号（ＮＴ−００１  ＤＩＶ）の部分継続出願であり、これは、ここにおいて全て参考文献とされている現米国特許第6,176,992号である１９９８年１２月１日出願の米国特許出願第09/201,929号（ＮＴ−１０２）の分割出願である。
【０００３】
通常の半導体装置は一般に、シリコン基板のような半導体基板と、複数の連続して形成された誘電体中間層とを含んでおり、導電性材料から形成された導電性貫通路または相互接続がこの誘電体中間層内に形成されている。集積回路においては、多くのレベルの相互接続ネットワークが基板表面に関して横方向に延在する。重なっている層の中に形成された相互接続は、貫通路（バイア）またはコンタクトを使用して電気的に接続されることができる。銅または銅合金はその優れた電気移動および低い抵抗特性のために、最近それらが相互接続材料として非常に注目されてきている。相互接続は通常、付着プロセスによりエッチングされた誘電体層の地勢形状または空洞中に銅を充填することによって形成される。好ましい銅付着方法は、電気化学的付着である。銅は重要な相互接続材料であるため、以下、これを例として使用して本発明を説明する。しかしながら、本発明は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｂ等のその他多くの材料を付着させるために使用されてもよいことを認識すべきである。
【０００４】
典型的なプロセスにおいては、最初に、絶縁層が半導体基板上に形成される。トレンチおよび貫通路のような地勢形状または空洞を絶縁層中に形成するために、パターン化およびエッチングプロセスが行われる。その後、バリア／グルー層および随意にシード層がパターン化された表面上に付着され、全ての地勢形状を充填するために銅のような導体が電気めっきされる。しかしながら、地勢形状を銅で充填することに加えて、めっきプロセスはまた過剰な銅を基板の上面上に付着させる。この過剰な銅は“オーバーバーデン（ｏｖｅｒｂｕｒｄｅｎ）”と呼ばれ、それは、とくに化学機械的研磨（ＣＭＰ）ステップ、電解研磨ステップまたは電気化学的機械研磨ステップであってよい後続する処理ステップ中に除去される。
【０００５】
銅電着プロセス中、とくに調製された酸性めっき溶液または電解質が一般に使用される。これらの電解質は典型的に、水、酸（硫酸のような）、銅のイオン化学種、塩化物イオン、および付着された材料の特性およびめっき動作に影響を与えるある有機添加剤を含んでいる。典型的な電気めっき槽は、促進剤、抑制剤およびレベラ（ｌｅｖｅｌｅｒ）のような多くのタイプの入手可能な添加剤の少なくとも２つを含んでいる。これらの添加剤は時として別の名称で呼ばれることに注意しなければならない。たとえば、文献中では、促進剤は光沢剤と呼ばれることがあり、抑制剤はキャリアまたは防止剤と呼ばれることがある。あるタイプの防止剤であるレベラもまた使用されることができる。電解質の中でのこれらの添加剤の作用および塩化物イオンの役目はその業界において広く知られている。もっとも、関与するメカニズムの詳細は完全な理解または同意がなされていないかもしれない。
【０００６】
図１の（Ａ）は、銅めっきステップの後の例示的な相互接続構造を示している。基板10は、高いアスペクト比の貫通路またはトレンチのような小さい地勢形状12を含んでいる。地勢形状は誘電体層16中に形成される。誘電体層16は上面18を有する。地勢形状および誘電体の表面がバリア／グルーまたは接着層20および銅シード層22で被覆される。バリア層20はＴａ、ＴａＮ、またはために銅電着において一般に使用される任意の他の材料の組合せから形成されることができる。シード層22はバリア層20上に付着される。もっとも、とくに設計されたバリア層に対してはシード層は無くてもよい。シード層22を付着した後、銅の層24を形成するように適切なめっき槽で銅が電着される。このステップ中、電着システムの陽極（示されていない）に関して陰極（負）の電圧が供給されることができるように、銅のシード層22および、またはバリア層20への電気コンタクトが形成される。上述したように、銅はとくに調製されためっき溶液を使用して電着される。塩化物イオン、抑制剤／防止剤、レベラおよび促進剤のような添加剤の量を調節することにより、空所またはシーム（ｓｅａｍ）のような欠陥を生じることなく小さい地勢形状12中において上昇形（ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ）銅薄膜成長を達成することができる。図１の（Ｂ）は、結果的に空所／シーム欠陥26が例示的な貫通路27中に生じている成功しなかったギャップ充填を示している。簡単にするために、この図面にはバリアおよびシード層は示されていない。
【０００７】
高いアスペクト比の地勢形状へのギャップ充填は、添加剤とめっき条件が強く影響している。表面上における添加剤吸収、貫通路の位置へのそれらの質量転移、それらの分布および濃度は全て、ギャップ充填に影響を与えることのできるファクタである。図１の（Ｂ）に示されているもののような欠陥は、相互接続構造の信頼性および生産性の問題を生じさせ、許容されることはできない。したがって、ギャップ充填がウェハ表面全体にわたって均一であることが重要である。処理溶液中の回転しているウェハの表面上の異なった地点での線速度が異なっているため、質量転移、すなわち、添加剤分布もまた地点ごとに異なっている可能性がある。したがって、このために、ウェハの中央部とエッジ領域との間のギャップ充填能力に差が生じる。地勢形状は中央部が十分に充填され、エッジ付近はあまり充填されないことがある。代りに、ギャップ充填はエッジ付近で完全であるが、中央部付近では不良かもしれない。
【０００８】
相互接続の比抵抗またはシート抵抗は別の重要なファクタである。相互接続は集積回路の動作にＲＣ時定数を導入し、動作を遅延させる。それ故、相互接続構造の抵抗およびキャパシタンスは、可能な限り低い必要がある。ＣｕおよびＣｕ合金のような電着された導体は典型的に、それらの付着時の形態で小さいグレーン寸法を有している。たとえば、有機および無機添加剤を含む一般に使用される電解質からめっきされたＣｕ層は、典型的に０．２μｍより小さいグレーン寸法を有している。したがって、このような層のシート抵抗は、バルクの銅の値に比較して高い。たとえば、めっき時の銅の比抵抗は２．５μオームｃｍの大きさである可能性がある。しかしながら、このような薄膜がほぼ室温である時間期間にわたって蓄積されたとき、グレーン寸法は自己焼きなましまたは再結晶現象によって増加し、典型的に約２０％の比抵抗は減少する。再結晶プロセスは、高い熱をウェハに加えることにより促進されることができる。その故、２０℃から５００℃の温度範囲で、好ましくは９０℃乃至４００℃で薄膜を焼きなますことにより電気めっきされた銅層のグレーン寸法が増加し、それらの比抵抗が低下することが可能である。電気めっきされた銅層のシート抵抗はそれらのグレーン寸法が増加するにしたがって低下するため、シート抵抗測定値は典型的にこのような薄膜の再結晶を監視するために使用される。
【０００９】
銅の相互接続構造の長期の信頼性はとくに、マイクロ構造、不完全性、グレーン寸法、結晶方位または集合組織、ラインおよび貫通路のような相互接続地勢形状内の銅材料の比抵抗および不純物含有量の影響を受ける。たとえば、大きいグレーン寸法は相互接続構造の高い電気移動抵抗および良好な応力移動特性に対して重要である。上述したように、ＲＣ時定数を減少させるために低いシート抵抗が望ましい。ウェハ上のシート抵抗またはグレーン寸法の差は生産性を低下させる。高い信頼性および生産性のために、ウェハ表面全体にわたってこれらの重要なパラメータが均一であることが必須である。
【００１０】
典型的なウェハめっき装置において、ウェハはめっき中回転される。回転中の基板上では、その線速度がゼロであるウェハの中心から半径方式で線速度が増加する。したがって、所定の溶液流動レートに対して、めっき溶液とウェハ表面との間の相対速度もまたウェハ表面上において変化する。この速度差は、ウェハの中央部とエッジとにおける質量転移の差を生じさせる。質量転移差の結果、付着された薄膜の品質に差が生じる。これは、めっきされている表面への銅イオンおよび添加剤化学種の移動に質量転移が重要な役割を果たすためである。たとえば、ウェハを回転させる従来技術の方法により従来技術の装置中で付着された銅の薄膜では、薄膜の中央部部分の再結晶レートがエッジ領域の再結晶レートと異なったものになる。典型的に、この半径方向の変化は、ウェハのエッジのほうが再結晶が速く、それは中心に向かって低下するように発生する［たとえば、M.E.Gross氏他による文献（Conference Proceedings ULSI XV,2000 Materials Research Society,Page 85）およびMalhotra氏他による文献（Conference Proceedings ULSI XV,2000 Materials Research Society,Page 77）参照］。これは、めっきされたウェハのエッジおよび中央部におけるシート抵抗を室温における変化を時間の関数として概略的に示している図２に例示されている。図２から認識できるように、めっき時の銅薄膜の開始シート抵抗は時間ゼロで高い。エッジ領域は時間期間ｔ1のあいだに自己焼きなましを行い、シート抵抗はＲの安定化された低い値に減少するが、中央領域がこの低い抵抗値に近付く時間ｔ2に至るまでには長い時間を要する。再結晶に要する典型的な時間は、添加剤の濃度、めっき条件および薄膜の厚さに応じて数時間から数日まで変わる可能性がある。図２に示された例に関して、時間ｔ1は１０乃至３０時間程度である可能性があり、一方時間ｔ2は９０乃至２００時間程度である可能性がある。再結晶時間の変化はまたＣｕ薄膜中の応力および集合組織の変化と相関している。したがって、再結晶において観察された不均一性は、集合組織および応力の不均一性も示唆している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ウェハ表面上のこの不均一性の最終的な結論は出されていないが、様々な説明がなされている。たとえば、上述したMalhotra氏他による文献では、電気めっきされたＣｕ薄膜の再結晶の半径方向における不均一性はめっき不純物の半径方向における分布のためとしている。M.E.Gross氏他による文献においては、ウェハのエッジから減少していく再結晶の半径方向の変化は、添加剤の表面相互作用に影響を与える処理条件におそらく関連していることが記載されている。ウェハ表面上の変化する線速度は、質量転移および添加物表面相互作用に影響を与えて観察される不均一性を生じさせる可能性が高いことが認識されるべきである。
【００１２】
したがって、高い生産性と信頼性のために、電気めっきされた薄膜特性の均一性およびギャップ充填能力の均一性を改善する新しい処理ツールおよび方法を開発することが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ワークピース表面上に均一の特性を有する導電性薄膜を形成する電気化学的プロセスおよびシステムを提供する。本発明のプロセスによって形成された薄膜は、ウェハ表面上のどの位置でも同じ特性を示す。本発明のプロセスは、ワークピースの中央部とワークピースのエッジとの間の質量転移レートの差を最小にし、付加的化学種をワークピースの表面全体に均一に分配する。
【００１４】
本発明の１つの特徴において、均一な特性を有する導電性材料をワークピースの表面上に電気化学的に付着させる方法が提供される。ワークピースの表面は地勢形状を含んでいる。電気化学的プロセス中、電極に物理的に接触するある処理溶液がワークピースの表面上に予め定められた流動レートで与えられる。そのワークピースはある軸を中心として予め定められた毎分当りの回転数で回転され、この回転軸に対して実質的に垂直な平面において横に移動される。その結果、ワークピースのエッジ領域はその回転による第１の予め定められた線速度を有し、また、そのワークピースはこれを横に移動させる横方向の移動のために生じる第２の予め定められた線速度を有している。
【００１５】
ワークピースの表面と電極との間に電位差が与えられ、導電性の薄膜がこのワークピースの表面上に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、ワークピースの表面上に均一の特性を有する導電性の薄膜を形成する電気化学的プロセスおよびシステムを提供する。本発明のプロセスによって形成された導電性薄膜は、ウェハ表面の中央部領域であるかエッジ領域であるかにかかわらず、ウェハ表面上のどの位置でも同様の特性を示す。とくに、本発明の電気化学的プロセス中、ワークピースの中央部とワークピースのエッジとの間の質量転移レートの差が最小にされる。さらに本発明のプロセス中に、添加物化学種がワークピースの表面全体に非常に均一に分配され、この状態は付着層の品質およびそのギャップ充填能力に対して良好に影響する。本発明を使用して形成された導電性薄膜は、優れた高い再結晶、集合組織、応力およびギャップ充填均一性を示す。
【００１７】
本発明の原理によると、電気化学的めっきプロセス中に、回転しているワークピースを、その中心点が予め定められた線速度のような予め定められた速度で移動されるようにすることによって、そのワークピースのエッジと中央部との間の質量転移レートの差が最小にされる。１実施形態において、このプロセス中の所定の処理溶液流動レートに対して、回転しているワークピースの中央部の予め定められた線速度はゼロより大きいか、あるいは少なくともある期間中行われる回転運動のために生じるワークピースのエッジの線速度より高い。
【００１８】
本発明のプロセスは、電気化学的付着（ＥＣＤ）または電気化学的機械付着（ＥＣＭＤ）のいずれかのような電気めっき処理を使用してウェハを銅で電気めっきするプロセスを例として示されることができる。ウェハへの電気接触は、ウェハの周囲またはウェハの前面の実質的に全ての場所で種々の手段によって行われてもよい。ＥＣＭＤプロセスは平坦な銅の層を生成し、たとえば、本出願がそれら全ての権利を所有している米国特許第 6,176,992号明細書（“Method and Apparatus for Electrochemical Mechanical Deposition”）、米国特許第 6,534,116号明細書（“Plating Method and Apparatus that Creates a Differential between Additive Disposed on a Top Surface and a Cavity Surface of a Workpiece Using an External Influence”）、米国特許第 6,482,307号明細書（“Method and Apparatus for Making Electrical Contact To Wafer Surface for Full-Face Electroplating or Electropolishing”）、および米国特許第 6,610,190号明細書（“Method and Apparatus for Electrodeposition of Uniform Film with Minimal Edge Exclusion on Substrate”）等の米国特許明細書および別出願には種々のＥＣＭＤ方法および装置が記載されている。
【００１９】
以下、図面を参照にして説明する。図面において、同じ符号は一貫して同じ部分を示している。図３は、シリコンウェハのような半導体ウェハ102の表面100の一部分を例として示している。その表面は、上面106を有する誘電体層104を含んでいてもよい。この誘電体層は、金属、半導体または誘電体のようなベース材料107上に形成されてもよい。地勢形状108は誘電体層104中に形成されている。地勢形状108および誘電体層104の上面106は典型的に、Ｔａおよび、またはＴａＮの層のようなバリア層114あるいはグルー（ｇｌｕｅ）層で被覆される。次に、後続する銅めっきプロセスのために銅の薄膜であるシード層116がバリア層114上に付着される。簡明にするために、以下の図面においてはシード層116は示さない。銅の層118が本発明のプロセスを使用してシード層116上に電気めっきされる。電気鍍金プロセスは、電気化学的付着（ＥＣＤ）プロセスまたは電気化学的機械付着（ＥＣＭＤ）プロセスのいずれかを使用して行われることができる。ＥＣＤがめっきプロセスである場合、銅の層118は大きい地勢形状上に大きい段を有する不均一な層である。ＥＣＭＤがめっきプロセスである場合、破線120で示されている平坦な上部層が形成される。
【００２０】
本発明のめっきプロセスは、図４に示されているシステム200を使用して行われることができる。システム200において、ウェハ102は、その表面100を電着電解質のような処理溶液204にさらすようにウェハ支持体202によって保持される。上述したように、この予備付着段階においては、ウェハの表面100は、シード層116（図３参照）を一番上の層として含んでいる。電気化学的付着のために、表面は電源205の負の端子に接続される。処理溶液が溶液コンテナ206中に加えられ、このプロセス期間中ウェハ102の表面100に向かって流される。溶液204は、添加剤と共に銅めっき電解質を含んでいる。電気化学的付着のために、電極208が処理溶液204と電気的に接触され、電源205の正の端子に接続される。ウェハ支持体202はウェハを回転軸“Ａ”を中心として回転させると共に、このウェハを、ｘまたはｙあるいはその両方の方向に、もしくは回転軸“Ａ”に対して実質的に垂直な平面において横方向に移動させることができる。
【００２１】
図５は、ウェハ102が第１の回転方向Ｒ1に予め定められた毎分当りの回転数（ｒｐｍ）で回転されると共に横軸Ｌ1に沿って横方向に移動されているときのその表面100の概略図を示している。ウェハ102が第１の回転方向Ｒ1において回転すると、地点Ｅの線速度、すなわち回転による表面100のエッジ上の第１の予め定められた線速度はｖEであることができる。横軸Ｌ1は表面100に平行であり、表面100の中心Ｃを横切る。表面100の横方向の移動は一方向、二方向または軌道等の移動であってよい。プロセス中、横方向移動は予め定められた線速度ｖL、すなわち第２の予め定められた線速度で行われることができる。したがって、電気化学的付着プロセス中の中心地点Ｃの線速度ｖCは、第２の予め定められた線速度ｖLに等しい。横移動が適用されていない回転中のウェハにおけるｖCとｖEとの間の差は大きい。これは、ｖCがゼロであるためである。しかしながら、横方向移動を使用することにより、地点Ｅは、それがｖEおよびｖCの組合せられた線速度で移動しながらめっきされる。地点ＣはｖCの線速度でめっきされる。
【００２２】
電気化学的プロセス中、所定の一定した処理溶液流動レートに対して、中央部の線速度ｖCがゼロより大きい速度値を与えられた場合、表面100のエッジと中央部との間の質量転移差は急激に減少する。ｖCを増加させてｖEを減少させることにより、任意の差をさらに減少させることができる。たとえば、直径が３００ｍｍのウェハにおいては、回転による中心地点の線速度はゼロである。他方、エッジ地点の線速度は、ウェハが６０ｒｐｍで回転された場合に９４ｃｍ／秒である。線速度のこの大きな差のために、従来技術では不均一さが生じる。このウェハを横方向に、たとえば、４０ｃｍ／秒の速度で移動させると共に、そのウェハを５ｒｐｍで回転させることにより、回転のために生じるエッジでの線速度はわずか７．８ｃｍ／秒になる。他方、横移動により生じるエッジでの線速度は４０ｃｍ／秒である。このようにして、ウェハのエッジと中央部との間の速度差が最小化される。その結果、銅の層は高度に均一な特性を有したものとなり、また、ギャップ充填能力もまた均一になる。ウェア表面上のあらゆる地点での線速度を一定にするために、ウェハは横に移動されるだけで回転されなくてもよいことを認識すべきである。本発明の電気化学的付着プロセスの後、上述したように付着された銅の層を焼きなますために焼きなましステップが行われる。
【００２３】
以上、種々の好ましい実施形態を詳細に説明してきたが、当業者は、本発明の新しい教示および利点を実質的に逸脱することなく例示的な実施形態の多数の変更が可能であることを容易に認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】地勢形状を有する基板表面上に電気めっきされた従来技術による銅の薄膜の概略図およびそれに示されている電気めっきの後の空所を有する地勢形状の概略図。
【図２】銅の薄膜のエッジおよび中央部でのシート抵抗の焼きなまし時間による変化を示すグラフ。
【図３】本発明によるプロセスを使用してウェハ表面上に電気めっきされた銅の薄膜の概略図。
【図４】本発明の電気化学的付着システムの概略図。
【図５】本発明のプロセスにより回転されて横に移動されているウェハを下方から見た概略図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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