(57)【要約】【課題】  所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られる弾性表面波素子及びその製造方法、並びに弾性表面波デュプレクサを提供する。【解決手段】  弾性表面波素子１は、基板１０、及びその主面１０ａ上に形成されたインタディジタル電極（ＩＤＴ）１２を備えている。基板１０は、水晶、ＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３等の圧電性材料を用いて形成されている。インタディジタル電極１２の電極面積Ｓは、弾性表面波素子１のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との相関に基づいて、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られるように設定される。【選択図】  図１
2005191693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられたインタディジタル電極とを備える弾性表面波素子を製造する方法であって、
前記インタディジタル電極のピッチ、交叉幅及び対数をそれぞれλ、Ａ及びＮとしたときにＳ＝λＡＮで定義される電極面積Ｓと、前記弾性表面波素子のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との相関に基づいて、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られるように前記電極面積Ｓを算出する電極面積算出ステップと、
前記電極面積算出ステップにおいて算出した前記電極面積Ｓとなるように、前記基板上に前記インタディジタル電極を形成する電極形成ステップと、
を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項２】
圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられ、単結晶アルミニウムによって形成されているインタディジタル電極とを備える弾性表面波素子であって、
前記インタディジタル電極のピッチ、交叉幅及び対数をそれぞれλ、Ａ及びＮとしたとき、Ｓ＝λＡＮで定義される電極面積Ｓが１３３１λ２以上であることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】
前記電極面積Ｓは、１４６７λ２以上であることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の記載の弾性表面波素子を備えることを特徴とする弾性表面波デュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子及びその製造方法、並びに弾性表面波デュプレクサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）方式は、一つの基地局に複数の移動局が接続する多元接続方式の一つで、各移動局の識別は固有の符号を使って行われる。この方式は、スペクトル拡散方式とも呼ばれ、送信しようとする信号を、使用できる周波数帯全体の広い範囲のスペクトルに分散させて送信するものである。このため、全ての移動局の信号は、同一の周波数帯で重畳して送られるが、局毎に固有の符号を用いているので、混信することなく識別することができる。ＣＤＭＡ方式は、多元接続方式として他に知られているＦＤＭＡ方式やＴＤＭＡ方式よりも一層干渉や妨害に強く、秘話性が高く、しかもチャンネル数を多くとれるため、我が国や北米を含む多くの国で実用化されている。
【０００３】
一方で、同一セル内の使用周波数が同じであり、異なる周波数を持つセルにおける多局間信号等による干渉・妨害に対して、インタモジュレーション（相互変調）妨害比が規格にて規定されている。特に８００ＭＨｚのセルラーバンドでは希望信号の三段階の入力に対して規定されている。この規定を満たすように主としてミキサ回路が原因となる妨害・干渉に対処する方法として、高周波受信回路の初段に設けられるＬＮＡ（ローノイズアンプ）のゲインをコントロールする回路が良く知られている。
【０００４】
また、近年、携帯電話機の小型化に伴い、その内部において送信回路と受信回路との距離が近接し、送信信号の受信信号に対するアイソレーションが不充分となり、シングルトーン妨害比の規格が満たされなくなるというという問題が起こっている。アイソレーションが低下するメカニズムの一例は、シングルトーン測定時の妨害信号に送信信号の変調成分が発生し、この変調成分の一部が受信のＩＦ帯域内に落ち込むことにより、目的信号の歪みにつながるというものである。ここで、上記の変調成分が発生することをクロスモジュレーション（混変調）と言い、ミキサ回路や増幅回路等の非線形性に起因するものである。
【０００５】
これに対して、ＬＮＡのソース端子に供給するバイアス電流の大きさをコントロールすることにより、アイソレーションの劣化を補う方法が提案されている。この方法は、ＩＩＰ３（input 3'rd order intercept point）特性とバイアス電流値との相関関係に着目したものである（例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開２００２−２１７７７４号公報
【特許文献２】特開２００３−６９４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１，２の方法は、携帯電話機の使用時にバイアス電流値を段階的に制御することにより良好な耐妨害特性を確保するものであって、弾性表面波素子そのものが所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値を得られるように構成されているものではない。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られる弾性表面波素子及びその製造方法、並びに弾性表面波デュプレクサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意研究の結果、圧電性を有する基板とその上に設けられたインタディジタル電極とを備える弾性表面波素子において、インタモジュレーション値及びクロスモジュレーション値がそれぞれインタディジタル電極の電極面積に依存するという知見を得た。そして、かかる知見に基づいて、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明による弾性表面波素子の製造方法は、圧電性を有する基板と、基板上に設けられたインタディジタル電極とを備える弾性表面波素子を製造する方法であって、インタディジタル電極のピッチ、交叉幅及び対数をそれぞれλ、Ａ及びＮとしたときにＳ＝λＡＮで定義される電極面積Ｓと、弾性表面波素子のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との相関に基づいて、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られるように電極面積Ｓを算出する電極面積算出ステップと、電極面積算出ステップにおいて算出した電極面積Ｓとなるように、基板上にインタディジタル電極を形成する電極形成ステップと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
この製造方法においては、インタディジタル電極の電極面積Ｓとインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との予め求められた相関に基づいて、これらの値が所望の値となるように電極面積Ｓを設定している。したがって、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値を有する弾性表面波素子を得ることができる。
【００１１】
なお、「圧電性を有する基板」とは、全体が圧電性材料からなる基板のみならず、非圧電性材料からなる基板上に圧電性薄膜を設けたものも含む概念である。また、「所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られる」とは、これらの値のうち何れか一方のみが所望の値である場合、両方の値が所望の値である場合を共に含む概念である。
【００１２】
また、本発明による弾性表面波素子は、圧電性を有する基板と、基板上に設けられ、単結晶アルミニウムによって形成されているインタディジタル電極とを備える弾性表面波素子であって、インタディジタル電極のピッチ、交叉幅及び対数をそれぞれλ、Ａ及びＮとしたとき、Ｓ＝λＡＮで定義される電極面積Ｓが１３３１λ２以上であることを特徴とする。
【００１３】
この弾性表面波素子においては、インタディジタル電極の電極面積Ｓが１３３１λ２以上であるため、約７５．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値、及び約６８．４ｄＢｃ以上のインタモジュレーション値が得られる。例えば、弾性表面波素子を移動通信端末に適用した場合、クロスモジュレーション値が低いと高圧電線下等、ノイズの発生する場所ではノイズが原因で通話が不能になってしまうことがある。そして、かかる問題を防ぐには、７５．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値があれば充分であるとされている。したがって、本発明による弾性表面波素子を用いれば、ノイズが発生し易い条件下でも安定した通話が可能な移動通信端末が実現される。
【００１４】
また、インタディジタル電極の材料として結晶欠陥の殆どない単結晶を用いているため、ウィスカー等が発生しにくく、それゆえ耐電力性に優れた弾性表面波素子が実現される。中でも、アルミニウムは、比較的軽く、電気抵抗が小さく、製造プロセスが確立しているため、インタディジタル電極の製造、ひいては弾性表面波素子の製造が容易になる。
【００１５】
電極面積Ｓは、さらに１４６７λ２以上であることが好ましい。この場合、約８０．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値、及び約７０．０ｄＢｃ以上のインタモジュレーション値を得ることができる。
【００１６】
また、本発明による弾性表面波デュプレクサは、上述の弾性表面波素子を備えることを特徴とする。この弾性表面波デュプレクサにおいては、弾性表面波素子のインタディジタル電極の電極面積Ｓが１３３１λ２以上であるため、上述のように、約７５．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値、及び約６８．４ｄＢｃ以上のインタモジュレーション値が得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られる弾性表面波素子及びその製造方法、並びに弾性表面波デュプレクサが実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明による弾性表面波素子及びその製造方法、並びに弾性表面波デュプレクサの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明による弾性表面波素子の一実施形態を示す斜視図である。弾性表面波素子１は、基板１０、並びにその主面１０ａ上に形成されたインタディジタル電極（ＩＤＴ）１２及び反射器１４を備えている。基板１０は、水晶、ＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３等の圧電性材料を用いて形成されている。ただし、基板１０は、少なくとも主面１０ａすなわちインタディジタル電極１２の形成面側の表層が圧電性を示すものであればよく、例えば、非圧電性材料からなる基板の主面を圧電性薄膜で覆ったものとしてもよい。
【００２０】
インタディジタル電極１２は、所謂すだれ状電極であり、基板１０に弾性表面波を励振するために設けられている。すなわち、交流電源の一方の端子側に接続される電極１２ａと他方に接続される電極１２ｂとが所定の間隔を置いて交互に配列されている。インタディジタル電極１２の材料としては、例えば単結晶アルミニウムを用いることが好適である。また、インタディジタル電極１２の電極面積Ｓは、弾性表面波素子１のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との相関に基づいて、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られるように設定されている。
【００２１】
ここで、図１（ｂ）を参照しつつ、インタディジタル電極１２の電極面積Ｓの定義を説明する。この図において、λ及びＡは、それぞれインタディジタル電極１２のピッチ及び交叉幅を表している。ピッチλとは、電極１２ａ（或いは電極１２ｂ）の配列周期である。また、交叉幅Ａとは、電極１２ａと電極１２ｂとの重なり合っている部分の長さである。また、隣り合う電極１２ａ及び電極１２ｂの組を「対」と呼び、その対の数をＮで表すことにする。この図ではＮ＝４である。このとき、電極面積Ｓは、Ｓ＝λＡＮで定義される。
【００２２】
このように定義される電極面積Ｓは、好ましくは１３３１λ２以上、より好ましくは１４６７λ２以上に設定される。
【００２３】
主面１０ａ上において、インタディジタル電極１２の両側にはそれぞれ反射器１４が形成されている。反射器１４は、反射エレメントとしての電極１４ａが、所定間隔（＝λ／２）で複数配列されることにより構成されている。
【００２４】
以上説明した弾性表面波素子１は、次のように製造される。すなわち、先ず、電極面積Ｓと、弾性表面波素子のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との予め求められた相関に基づいて、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られるように電極面積Ｓを算出する（電極面積算出ステップ）。詳しくは後述するが、例えば、後掲の（第２式）に所望のインタモジュレーション値を代入することで、必要な電極面積Ｓを求めることができる。次に、算出した電極面積Ｓとなるように、基板１０上にインタディジタル電極１２を形成する（電極形成ステップ）。インタディジタル電極１２は、例えば、スパッタリング等で例えばアルミニウム成膜した後、これをフォトリソグラフィ等でパターニングすることにより形成することができる。
【００２５】
上述のように、本実施形態においては、インタディジタル電極１２の電極面積Ｓとインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値との相関に基づいて、これらの値が所望の値となるように電極面積Ｓを設定している。したがって、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値を有する弾性表面波素子１が実現されている。
【００２６】
しかも、弾性表面波素子１は、所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値が得られるように予め構成されているため、バイアス電流値を増大させるという、上述の特許文献１，２に記載されているような制御を行う必要がない。したがって、動作時の消費電力を低く抑えることができる。
【００２７】
また、電極面積Ｓが１３３１λ２以上に設定されれば、約７５．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値、及び約６８．４ｄＢｃ以上のインタモジュレーション値を得ることができる。例えば、後で説明する図２及び図３に示すように、弾性表面波素子１を携帯電話機におけるＳＡＷデュプレクサのフィルタに用いた場合、クロスモジュレーション値が低いと高圧電線下等、ノイズの発生する場所ではノイズが原因で通話が不能になってしまうことがある。そして、かかる問題を防ぐには、７５．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値があれば充分であるとされている。なお、現実の商取引において、本発明者らは、弾性表面波素子を提供する側の立場にあるが、その提供先からも取引に係る弾性表面波素子のクロスモジュレーション値として７５．０ｄＢｃ以上であることを要求されている。すなわち、本実施形態において、７５．０ｄＢｃというクロスモジュレーション値が得られるように電極面積Ｓを１３３１λ２以上とするのは、かかる事情に鑑みたものである。したがって、弾性表面波素子１を用いれば、ノイズ条件下でも通話が不能になることはなく、安定した通話が可能な携帯電話機を実現することができる。さらに、電極面積Ｓが１４６７λ２以上に設定されれば、約８０．０ｄＢｃ以上のクロスモジュレーション値、及び約７０．０ｄＢｃ以上のインタモジュレーション値を得ることができる。この場合、充分なマージンをもって、クロスモジュレーション値が７５．０ｄＢｃ以上という上記の要求に応えることができる。
【００２８】
また、インタディジタル電極１２を単結晶アルミニウムによって形成した場合、他の材料を用いた場合に比して高調波歪みが大きくなるため、電極面積Ｓを設定することにより所望のインタモジュレーション値又はクロスモジュレーション値を得ることができる本発明が特に有用となる。
【００２９】
図２は、弾性表面波素子１が用いられた弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デュプレクサの構成例を示している。ＳＡＷデュプレクサ２は、アンテナＡＮＴに接続される第１のポートＰ１、送信回路側に接続される第２のポートＰ２、及び受信回路側に接続される第３のポートＰ３を有する。ポートＰ１とポートＰ２とを結ぶ経路上には送信側（Ｔｘ）フィルタ２２が設けられている。また、ポートＰ１とポートＰ３とを結ぶ経路上には、受信側（Ｒｘ）フィルタ２４と共に、このフィルタ２４とポートＰ１との間に位置する位相回路２６が設けられている。送信側フィルタ２２及び受信側フィルタ２４は、それぞれ所定の送信周波数及び受信周波数を選択的に透過させる。
【００３０】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、それぞれ送信側フィルタ２２及び受信側フィルタ２４の構成例を示している。これらの図に示すように、送信側フィルタ２２及び受信側フィルタ２４は、それぞれ複数の弾性表面波素子１を用いて構成されている。また、送信側フィルタ２２には、一端が接地されたインダクタＬが設けられている。
【００３１】
位相回路２６は、送信信号に対して高インピーダンスを呈するように設定されており、送信信号が受信側（ポートＰ３側）の経路に周り込むのを防ぐものである。
【００３２】
次に、図４を参照しつつ、クロスモジュレーション値の測定方法の一例を説明する。図４は、クロスモジュレーション値の測定するための測定系の構成例を示す図である。弾性表面波素子が用いられたＳＡＷデュプレクサ９１のアンテナ側のポート（ＡＮＴ）には、抵抗値５０Ωの終端器９２が接続されている。また、送信側のポート（Ｔｘ）には、８２４〜８４９ＭＨｚの振幅変調された送信信号を生成する送信信号生成器９３が接続されている。この送信信号生成器９３と送信側のポートとの間には、送信信号を増幅するパワーアンプ９４が接続されている。ＳＡＷデュプレクサ９１の受信側のポート（Ｒｘ）には、スペクトルアナライザ９５が接続されている。さらに、この測定系には、送信信号よりも４５ＭＨｚだけ高い周波数をもつ受信信号を生成する受信信号生成器９６、受信信号を減衰させる減衰器９７、及び送信信号の強度を計測するパワーメータ９８が設けられている。
【００３３】
この測定系において、受信信号生成器９６により受信信号を生成させ、減衰器９７を介してアンテナ側のポートからＳＡＷデュプレクサ９１に受信信号を入力する。減衰器９７の減衰率は、−１０ｄＢに設定されている。これにより、ＳＡＷデュプレクサ９１に−３０ｄＢｍの受信信号を入力する。また、送信信号生成器９３により送信信号を生成させ、送信側のポートからＳＡＷデュプレクサ９１に送信信号を入力する。このとき、送信信号の一部がパワーメータ９８に入力されることにより、送信信号は減衰されることになる。その減衰率は、−１０ｄＢになるように設定されている。これにより、ＳＡＷデュプレクサ９１に２３ｄＢｍの送信信号を入力する。そして、スペクトルアナライザ９５により入力される信号を検出し、この検出信号のキャリア信号に対する強度差（ｄＢｃ）で定義されるクロスモジュレーション値を計算機９９により算出する。
【００３４】
図５〜図１１に、弾性表面波素子におけるインタモジュレーション値の種々のパラメータに対する依存性を測定した結果を示す。
【００３５】
この測定は、ＮＣＤＭＡ・ＳＡＷデュプレクサのクロスモジュレーションを調査することを目的として行った。具体的には、クロスモジュレーションと相関があると思われる非線形特性であるインタモジュレーションの、インタディジタル電極の対数Ｎｉｎ、交叉幅Ａ（表１〜７ではＡｐｔと表記されている）、電極面積Ｓ及び電極指線幅Ｄ．Ｆ．（Duty Factor）のそれぞれに対する依存性を測定した。
【００３６】
この測定のサンプルとしては、８００ＭＨｚ帯設計パラメータ用のＳＡＷ共振子を用い、ＩＤＴの膜厚を単結晶アルミニウム膜３８５．７ｎｍとした。また、このＳＡＷ共振子１個をＬＣＣ（Leadless Chip Carrier）に搭載し、シリーズにＡｌワイヤボンディングにより接続した。このサンプルに対して、ｆ１＝８１５．０ＭＨｚ、ｆ２＝８１５．１ＭＨｚの２周波数の信号（大きさは２１ｄＢｍ）をコンバイナで入力し、サンプルを通過した信号をスペクトルアナライザにより検出した。そして、この検出信号をキャリア信号との強度差（ｄＢｃ）で表したものをインタモジュレーション値（ＩＭ）とした。
【００３７】
図５は、ＩＭの対数Ｎｉｎに対する依存性を測定した結果を示すグラフである。また、対応するデータを表１に示す。グラフにおいて、縦軸がＩＭ（ｄＢｃ）、横軸が対数Ｎｉｎ（pair）を表している。このグラフから、ＩＭは、対数Ｎｉｎに依存することがわかる。なお、表１において、Ｎｒｅｆは反射器における電極の本数、λｒｅｆは上記反射器の電極配置周期（ピッチ）、ＧｒｅｆはＩＤＴの最外電極指と反射器との間隔を表す。
【表１】
2005191693.tif 000003
【００３８】
図６は、ＩＭの交叉幅Ａに対する依存性を測定した結果を示すグラフである。また、対応するデータを表２に示す。グラフにおいて、縦軸がＩＭ（ｄＢｃ）、横軸が交叉幅Ａ（λｉｄｔ）を表している。ここで、λｉｄｔはインタディジタル電極のピッチであり、交叉幅をこのλｉｄｔで規格化して示していることを意味する。このグラフから、ＩＭは、交叉幅Ａにも依存することがわかる。
【表２】
2005191693.tif 000004
【００３９】
図７は、複数のサンプル間で、対数Ｎｉｎ及び交叉幅Ａは相異なるが電極面積Ｓは一定という条件で、各サンプルのＩＭを測定した結果を示すグラフである。また、対応するデータを表３示す。グラフにおいて、縦軸がＩＭ（ｄＢｃ）、横軸がサンプルＮｏを表している。このグラフから、ＩＭは、電極面積Ｓが一定であれば、対数Ｎｉｎ及び交叉幅Ａの組み合わせに関わらず一定となることがわかる。
【表３】
2005191693.tif 000005
【００４０】
図８は、ＩＤＴのピッチに対する電極指の割合をデューティーファクター（Ｄ．Ｆ．）とし、ＩＭのＤ．Ｆ．に対する依存性を測定した結果を示すグラフである。また、対応するデータを表４に示す。グラフにおいて、縦軸がＩＭ（ｄＢｃ）、横軸が電極指線幅Ｄ．Ｆ．を表している。ここで、電極指線幅Ｄ．Ｆ．は、各ピッチλｉｄｔにおいて電極（図１の電極１２ａ，１２ｂ）が占める割合として定義される。このグラフから、ＩＭは、電極指線幅Ｄ．Ｆ．には依存しないと言える。
【表４】
2005191693.tif 000006
【００４１】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、ＩＭの電極面積Ｓに対する依存性を測定した結果を示すグラフである。また、これらに対応するデータを表５に示す。図９（ｂ）では特に、対数Ｎｉｎを変化させることにより電極面積Ｓを変化させたサンプルと、交叉幅Ａを変化させることにより電極面積Ｓを変化させたサンプルとを区別して示している。すなわち、前者を四角いシンボル（◇）で、後者を丸いシンボル（○）で示している。両グラフにおいて、縦軸がＩＭ（ｄＢｃ）、横軸が電極面積Ｓ（ｍｍ２）を表している。これらのグラフから、ＩＭは、対数Ｎｉｎ及び交叉幅Ａの組み合わせに関わらず、電極面積Ｓに依存することがわかる。
【表５】
2005191693.tif 000007
【００４２】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）も、ＩＭの電極面積Ｓに対する依存性を測定した結果を示すグラフである。また、これらに対応するデータを表６に示す。ただし、ここでは、電極面積Ｓをピッチλｉｄｔで規格化し、λ２ｉｄｔ  を単位として表している。すなわち、図１０（ａ）のグラフにおいて、縦軸がＩＭ（ｄＢｃ）、横軸が電極面積Ｓ（λ２ｉｄｔ）を表している。また、このグラフ中には、フィッティング曲線を示しており、この曲線の式は、
［数１］
ＩＭ＝１５．９０１×ｌｎ（Ｓ）−４５．９７９…（第１式）
で与えられる。
【００４３】
一方、図１０（ｂ）のグラフは、図１０（ａ）の縦軸と横軸とを逆にして表したものである。すなわち、このグラフにおいては、縦軸が電極面積Ｓ（λ２ｉｄｔ）、横軸がＩＭ（ｄＢｃ）を表し、フィッティング曲線の式は、
［数２］
Ｓ＝１８．９９８５×ｅｘｐ（０．０６２１×ＩＭ）…（第２式）
で与えられる。この式は、電極面積ＳとＩＭとの相関を表すものであり、所望のＩＭを代入することにより、設定すべき電極面積Ｓの値を求めることができる。
【表６】
2005191693.tif 000008
【００４４】
図１１は、ＩＭとクロスモジュレーション値（ＣＭ）との関係を示すグラフである。また、対応するデータを表７に示す。グラフの縦軸はＩＭ（ｄＢｃ）、横軸はＣＭ（ｄＢｃ）を表している。また、グラフ中には、フィッティング直線を示しており、その式は、
［数３］
ＩＭ＝０．３１４８×ＣＭ＋４４．８１５…（第３式）
で与えられる。この第３式を第１式或いは第２式に代入することにより、ＣＭと電極面積Ｓとの相関を表す式が得られる。そして、その式に所望のＣＭを代入すれば、設定すべき電極面積Ｓの値を求めることができる。
【表７】
2005191693.tif 000009
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は、本発明による弾性表面波素子の一実施形態を示す斜視図である。（ｂ）は、インタディジタル電極１２の電極面積Ｓの定義を説明するための図である。
【図２】図２は、弾性表面波素子１が用いられたＳＡＷデュプレクサの構成例を説明するための図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、ＳＡＷデュプレクサ２の送信側フィルタ２２及び受信側フィルタ２４の構成例を説明するための図である。
【図４】クロスモジュレーション値の測定するための測定系の構成例を示す図である。
【図５】ＩＭの対数Ｎｉｎに対する依存性を測定した結果を示すグラフである。
【図６】ＩＭの交叉幅Ａに対する依存性を測定した結果を示すグラフである。
【図７】複数のサンプル間で、対数Ｎｉｎ及び交叉幅Ａは相異なるが電極面積Ｓは一定という条件で、各サンプルのＩＭを測定した結果を示すグラフである。
【図８】ＩＭの電極指線幅Ｄ．Ｆ．に対する依存性を測定した結果を示すグラフである。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、ＩＭの電極面積Ｓ（ｍｍ２）に対する依存性を測定した結果を示すグラフである。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、ＩＭの電極面積Ｓ（λ２ｉｄｔ）に対する依存性を測定した結果を示すグラフである。
【図１１】ＩＭとクロスモジュレーション値（ＣＭ）との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１…弾性表面波素子、１０…基板、１０ａ…基板１０の主面、１２…インタディジタル電極、１４…反射器、２…ＳＡＷデュプレクサ、２２…送信側フィルタ、２４…受信側フィルタ、２６…位相回路。
【図１】
2005191693.tif 000010
【図２】
2005191693.tif 000011
【図３】
2005191693.tif 000012
【図４】
2005191693.tif 000013
【図５】
2005191693.tif 000014
【図６】
2005191693.tif 000015
【図７】
2005191693.tif 000016
【図８】
2005191693.tif 000017
【図９】
2005191693.tif 000018
【図１０】
2005191693.tif 000019
【図１１】
2005191693.tif 000020