(57)【要約】【課題】  本発明は、異種セラミック材料の多層構造を有する基板において層間剥離や反り、クラック発生の問題を根本的に解決できる技術の提供を目的とする。【解決手段】  本発明は、比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層２と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層１とを積層してなるセラミック多層複合基板Ａであって、高誘電率層１の厚さ方向両側に低誘電率層２が設けられてなる構成であり、前記高誘電率層１の厚みが、前記各低誘電率層２の厚みの０.５倍以下に設定されてなることを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層とを積層してなる積層体を備えたセラミック多層複合基板であって、
高誘電率層の厚さ方向両側に低誘電率層が設けられてなる構成であり、前記高誘電率層の厚みが、前記各低誘電率層の厚みの０.５倍以下に設定されてなることを特徴とするセラミック多層複合基板。
【請求項２】
比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層とを積層してなる積層体を備えたセラミック多層複合基板であって、
最外層に低誘電率層が設けられ、内部側に高誘電率層が２層以上設けられてなる構成であり、前記高誘電率層の厚みが、前記各低誘電率層の厚みの０.５倍以下に設定されてなることを特徴とするセラミック多層複合基板。
【請求項３】
比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層とを積層してなる積層体を備えたセラミック多層複合基板であって、
前記高誘電率層と低誘電率層の収縮率の差が５％以内とされてなることを特徴とするセラミック多層複合基板。
【請求項４】
前記高誘電率層がＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系のセラミック材料にガラスが添加されて８２０〜９５０℃で焼結自在とされたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミック多層複合基板。
【請求項５】
前記高誘電率層に含まれるガラスがＺｎ−Ｓｉ系ガラスであり、前記低誘電率層がアルミナとガラスを主体としてなる絶縁性セラミック材料からなることを特徴とする請求項４に記載のセラミック多層複合基板。
【請求項６】
前記積層体の内部あるいは表面に電極が形成されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のセラミック多層複合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高い誘電率を有する誘電体セラミック材料と低誘電率の絶縁性セラミック材料とを積層し焼結してなるセラミック多層複合基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から二種類以上の異種材料からなる多層複合基板を得るためには、基板の反りおよび層間剥離等の構造欠陥を防止するために、異種材料間に第３の層を設けるか、積層面方向の収縮を抑制する必要があった。例えば異種材料層間に両層の中間の熱膨張率を有する中間層を設けて熱膨張と熱収縮に起因して発生する層間剥離や反りを解消するなどの構造が採用されている。
前記構造のセラミック材料からなる多層複合基板を製造するには、例えば特定組成の原料粉末を混合し、仮焼きした後、有機バインダと混合してグリーンシートとする。また、これとは別に他の特定組成の原料粉末を混合し、仮焼きした後、有機バインダと混練してグリーンシートを作成する。次に前記各グリーンシートを必要枚数重ねて全体を圧着し、グリーンシート積層体とした後、焼成する。この焼成によって異種セラミック材料からなる多層複合基板を得ることができる。
【０００３】
この種の構造を有する多層基板の一例として、以下の特許文献１あるいは特許文献２に開示されている構造が知られている。
特許文献１には、多層配線基板において配線基板全体の熱膨張係数をほぼ均一に調整すること、ＬＳＩ（大規模集積回路）を基板に取り付ける際にＬＳＩの稼働時に発生する熱量を考慮して搭載配置すること、フレームを基板周辺部に設けて基板を剛体化する技術などが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、無機系多層配線基板において同時焼成で高誘電率、高容量のコンデンサを内蔵可能とするために、コンデンサ用の電極層と基板層との間に基板層及び容量層よりも焼結温度が高く、基板層材料と反応する第一中間層を介在させること、第１中間層の電極層側に隣接して主成分が容量層と同一か、類似の成分よりなる第２中間層を配置することが開示されている。また、この特許文献２には、コンデンサ内蔵基板の焼成の前に、そのグリーン成形体の両面もしくは片面に、その焼成温度では熱収縮をほとんどあるいは全く生じない無機組成物よりなるシートを最外層として積層し、焼成後、これの全部又は一部を除去することが開示されている。
【特許文献１】特開平０５−１７５６５９号公報
【特許文献２】特開平１１−３３０７０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述した特許文献１に記載の従来技術では、基板外部のフレーム構造を工夫して基板剥離や反りを抑制するか、基板積層面方向の収縮を抑制する一方、搭載するＬＳＩの配置を考慮して基板両面側の熱的バランスを考慮してはいるが、基板そのものの熱的挙動や特性を解決した技術ではないので、基板剥離や反りの問題を根本的に解消し得てはいない問題がある。
また、前記特許文献２に記載の従来技術では、セラミック基板間に中間層を配置するなどの工夫を行ってはいるが、積層時に不用な中間層を介在させる必要を生じ、積層数が増大するとともに、中間層を介在させるための製造工程が増加し、中間層として使用する材料も別途必要となる問題がある。
【０００６】
また、従来、この種の目的に適用されるセラミックは、各種誘電体材料が適用されていた。即ち、これらの原料粉末をシート状に成形し、必要数積層して圧密するという工程を施すことで積層体を製造していたが、これらのセラミック材料において必要な特性を満足させるためには、焼成温度を１２００〜１４００℃といった高温度に設定する必要があった。このため、基板に形成する電極材料としてＣｕやＡｌなどの融点の低い材料は使用することが難しく、ＰｔやＰｄなどの非常に高価な高融点金属材料を使用しなくてはならないという問題があった。
また、電子デバイスの小型化を実現するために、内部に導体電極を内蔵した表面実装型のデバイスが主流となりつつあるが、その場合、デバイスの特性損失を抑制するために、導体電極としてはＡｇもしくはＣｕなどの高導電性金属材料を用いることが好ましい。
しかし、ＡｇやＣｕは融点が低く、セラミック多層複合基板を製造する際の１２００〜１４００℃の高温焼結に耐えられない難点がある。従って１０００℃以下の、より低温で焼結可能となるセラミック多層複合基板を提供することが、電極構成の点からも、あるいは、エネルギーコストの観点からも望まれている。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、異種セラミック材料の多層構造を有する基板において層間剥離や反り、クラック発生の問題を根本的に解決できる技術の提供を目的とする。更に本発明は、特殊な構成と組成のセラミック材料の多層構造とすることにより焼成温度を低くして層間剥離や反り、クラック発生を抑制するとともに、積層体に電極を設ける場合の電極材料の選択範囲を拡張できる技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層とを積層してなる積層体を備えたセラミック多層複合基板であって、高誘電率層の厚さ方向両側に低誘電率層が設けられてなる構成であり、前記高誘電率層の厚みが、前記各低誘電率層の厚みの０.５倍以下に設定されてなることを特徴とする。
本発明は、比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層とを積層してなる積層体を備えたセラミック多層複合基板であって、最外層に低誘電率層が設けられ、内部側に高誘電率層が２層以上設けられてなる構成であり、前記高誘電率層の厚みが、前記各低誘電率層の厚みの０.５倍以下に設定されてなることを特徴とする。
本発明は、比誘電率１０以下の低誘電率の絶縁性セラミック材料からなる低誘電率層と、比誘電率１５以上の高誘電率のセラミック材料からなる高誘電率層とを積層してなる積層体を備えたセラミック多層複合基板であって、前記高誘電率層と低誘電率層の収縮率の差が５％以内とされてなることを特徴とする。
【０００９】
本発明において、前記高誘電率層がＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系のセラミック材料にガラスが添加されて８２０〜９５０℃で焼結自在とされたものであることが好ましい。
本発明において、前記高誘電率層に含まれるガラスがＺｎ−Ｓｉ系ガラスであり、前記低誘電率層がアルミナとガラスを主体としてなる絶縁性セラミック材料からなることが好ましい。
本発明において、前記積層体の内部あるいは表面に電極が形成されてなることを特徴とするものでも良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明において、低誘電率層と高誘電率層を積層したセラミック多層複合基板において高誘電率層の厚みを低誘電率層の厚みの０.５倍以下とすることで、両層間の熱挙動の差異を緩和して層間剥離や反りを抑制し、クラック発生の問題を解決できる。
高誘電率層と低誘電率層の収縮開始温度の差異を５０℃以内とするならば、より効率的に両層間の熱挙動の差異を緩和して層間剥離や反りを抑制することができ、クラック発生を防止できる。
高誘電率層としてＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系のセラミック材料を採用し、ガラスを添加して８２０〜９５０℃で焼結自在としたものであるならば、従来のこの種のセラミック材料よりも焼成温度を低くできるので、熱膨張と熱収縮に伴う応力負荷を緩和することができ、層間剥離、反りを抑制できると共に、クラック発生を抑制できる。また、従来材料よりも低温焼成が可能となるので、従来のような高融点導電性金属を採用しなくとも良くなり、積層体に電極を形成する場合に使用する材料の選択性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明に係る第１の実施の形態の構成について図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る第１の実施の形態のセラミック多層複合基板を示すもので、この形態のセラミック多層複合基板Ａは中心部に１つの高誘電率層１が設けられ、この高誘電率層１の厚さ方向両側に高誘電率層１を挟むように低誘電率層２、２が積層され、高誘電率層１と各低誘電率層２との界面部分に内部導体パターン３、４が形成され、更に低誘電率層２、２の外面側に外部導体パターン５、６が形成されて全体が積層体とされた構造を有している。
前記高誘電率層１は、誘電率が高く、例えば比誘電率１５以上、５０以下のセラミック材料からなる。この高誘電率層１の比誘電率はこの範囲内でも２８以上、４８以下がより好ましい。高誘電率層１の構成材料としてより具体的には、Ｂａ−Ｔｉ−Ｎｄ系のセラミック材料にガラス材料としてＺｎ−Ｓｉ系ガラスが８〜２３ｗｔ％添加されてなるものが適用される。このＺｎ−Ｓｉ系ガラスの一具体例として、ＺｎＯ；５０ｗｔ％、ＳｉＯ２；２３ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３；１５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３；１０ｗｔ％、ＭｇＯ；１ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ；１ｗｔ％の配合比のものを例示できる。
前記低誘電率層２は、誘電率が低い絶縁性のセラミック材料からなり、例えば比誘電率１０以下のセラミック材料からなる。この低誘電率層２の比誘電率は先の範囲の内でも、５〜８の範囲がより好ましい。
より具体的には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とＺｎ−Ｓｉ系などのガラスを主体とする低誘電率のセラミック材料からなり、その具体的な組成の一例は、Ａｌ２Ｏ３が５５ｗｔ％、Ｚｎ−Ｓｉ系ガラス４５ｗｔ％である。
【００１２】
これらの高誘電率層１と低誘電率層２の厚みの比は、本発明では高誘電率層１の厚みを低誘電率層２の厚みの０.５倍以下、例えば０.５倍とされている。換言すると、低誘電率層２の厚みは高誘電率層１の厚みの２倍以上とされてなる。また、高誘電率層１と低誘電率層２の厚みの比は０.１２５〜０.５の範囲であることがより好ましい。
【００１３】
前記導体パターン３、４、５、６は、導電体からなる配線回路パターンなどであり、導体パターン３〜６を構成する導電体は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属若しくはこれらの合金、または、炭素系材料からなるものである。ここで用いる炭素系材料とは、カーボン、グラファイト、カーボンとグラファイトの混合物等の導電材料の粉末に、有機バインダー、分散剤、有機溶剤、必要に応じて還元剤等を所定量加えた後に混練し、所定の粘度とした導電ペーストを、所定のパターンに印刷して窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中あるいは窒素−水素還元性ガス雰囲気中で、焼成して形成されたものなどである。これらの材料を用いることができるのは、後述する如く８２０〜９５０℃の低温焼結を行ってセラミック多層複合基板を製造してもセラミック多層複合基板として優れた特性を得られることに起因している。
勿論、これらの導体材料の他に、導体としての特性を有し、しかも信頼性の高い材料、例えば、ＡｇもしくはＡｇ−１０Ｐｄ合金、Ｐｔ等で導体パターン３〜６が形成されていても良い。
【００１４】
以上構成のセラミック多層複合基板Ａを製造するには、前記高誘電率層１の構成元素材料を含む混合粉末原料をトルエン・エタノール混合溶剤等の溶剤にポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法により必要形状、必要厚さのシート状に加工し、高誘電率層用グリーンシートを得る。
次に、前記低誘電率層２の構成元素材料を含む混合粉末原料をトルエン・エタノール混合溶剤等の溶剤にポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法により必要形状、必要厚さのシート状に加工し、低誘電率層用グリーンシートを得る。また、高誘電率層用グリーンシートの両面には、先の導体パターンを形成するための金属ペーストあるいは導電ペーストを塗布して必要な導体パターンの基となるパターンを形成しておく。
次いで高誘電率層用グリーンシートの両側に低誘電率層用グリーンシートを挟むように配置して積層し、全体を圧着した後、焼成する。焼成条件は大気中において５００℃程度の加熱して樹脂成分を焼却し、その後に８２０〜９５０℃に加熱して焼成する。
以上の処理により図１に示す構造のセラミック多層複合基板Ａを得ることができる。
【００１５】
以上の構成のセラミック多層複合基板Ａであるならば、高誘電率層１の厚みを低誘電率層２の厚みの０.５倍以下としているので、高誘電率層１と低誘電率層２の収縮開始温度の差が５０℃以内にされると共に、高誘電率層１と低誘電率層２の収縮率の差が５％以内となるので、セラミックス材料を焼成して積層体とする場合の収縮率差が小さくなり、収縮率差を少なくしたことによって層間剥離の防止と反りの抑制、並びにクラック発生を防止することができる。
また、８２０〜９５０℃に加熱して焼成することができ、従来の１２００〜１４００℃の焼成温度よりも遙かに低い温度で焼成できるので、従来はこの種のセラミックで使用できなかった材料、例えば先に列挙したＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属若しくはこれらの合金、または、炭素系材料からなるものを用いることができるようになるとともに、導電体として信頼性の高い材料、例えば、ＡｇもしくはＡｇ−１０Ｐｄ合金、Ｐｔ等を用いることもできる。従ってセラミック多層複合基板Ａに適用する回路形成のために材料選択幅が向上する。
【００１６】
図２は本発明に係る第２の実施の形態のセラミック多層複合基板を示すもので、この形態のセラミック多層複合基板Ｂは中心部に高誘電率層１０、１１が設けられ、これらの高誘電率層１０、１１の厚さ方向両側に高誘電率層１０、１１を挟むように低誘電率層１２、１３、１４が積層され、高誘電率層１０と各低誘電率層１３、１４との界面部分に内部導体パターン１５、１６が形成され、高誘電率層１１と低誘電率層１２、１３との界面部分に内部導体パターン１７、１８が形成され、更に最外層の低誘電率層１２、１４の外面側に外部導体パターン２０、２１が形成されて全体が積層体構造とされている。
この形態の構造は先の第１の実施の形態の構造の高誘電率層１を２層として全体を５層構造としたものである。
【００１７】
図２に示す構造において高誘電率層を２層構造とした場合においても、高誘電率層１０、１１の個々の厚みを個々の低誘電率層１２、１３、１４の厚みの０.５倍以下、例えば０.５倍とされている。その他、高誘電率層１０、１１の構成材料は先の実施の形態の高誘電率層１と同等であり、低誘電率層１２、１３、１４の構成材料は先の実施の形態の低誘電率層２と同等であり、導体パターン１５、１６、１７、１８の構成材料も先の実施の形態の導体パターン３，４の構成材料と同等である。
また、図２に示す構造のセラミック多層複合基板Ｂの製造方法についても先に説明したセラミック多層複合基板Ａと同様の手順で積層数を増やしたもので良い。
図２に示すセラミック多層複合基板Ｂにおいても先に説明したセラミック多層複合基板Ａと同等の効果を得ることができる。
【００１８】
図３は本発明に係る第３の実施の形態のセラミック多層複合基板を示すもので、この形態のセラミック多層複合基板Ｃは中心部に高誘電率層２９、３０、３１が設けられ、これらの高誘電率層２９、３０、３１の厚さ方向両側に高誘電率層２９、３０、３１を挟むように低誘電率層３２、３３、３４、３５が積層され、高誘電率層２９、３０、３１とそれらに隣接する低誘電率層３２、３３、３４、３５との界面部分に内部導体パターン３６、３７、３８、３９、４０、４１が形成され、更に最外層の低誘電率層３２、３５の外面側に外部導体パターン４２、４３が形成されて全体が積層体構造とされている。
この形態の構造は先の第１の実施の形態の構造の高誘電率層１を３層として全体を７層構造としたものである。
【００１９】
図３に示す構造において高誘電率層を３層構造とした場合においても、高誘電率層２９、３０、３１の個々の厚みを個々の低誘電率層３２、３３、３４、３５の厚みの０.５倍以下、例えば０.５倍とされている。その他、高誘電率層２９、３０、３１の構成材料は先の実施の形態の高誘電率層１と同等であり、低誘電率層３２、３３、３４、３５の構成材料は先の実施の形態の低誘電率層２と同等であり、導体パターン３６、３７、３８、３９、４０の構成材料も先の実施の形態の導体パターン３、４の構成材料と同等である。
また、図３に示す構造のセラミック多層複合基板Ｃの製造方法についても先に説明したセラミック多層複合基板Ａ、Ｂと同様の手順で積層数を増やしたもので良い。
図３に示すセラミック多層複合基板Ｃにおいても先に説明したセラミック多層複合基板Ａ、Ｂと同等の効果を得ることができる。
【実施例】
【００２０】
「実施例１」
高誘電率層形成用の材料としてＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系のセラミック材料にガラス粉体を混合したものを用い、これらを種々の割合で混合した。このガラス入りのセラミック材料は低温焼結性に優れ、８２０〜９５０℃において容易に焼結し、比誘電率は２８〜４５の範囲を示した。
表１に示す試料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇは、ガラス混合量１５ｗｔ％の試料、試料Ｈはガラス混合量１３ｗｔ％の試料、試料Ｉはガラス混合量１０ｗｔ％の試料、試料Ｊはガラス混合量１８ｗｔ％の試料、試料Ｋはガラス混合量２１ｗｔ％の試料である。これらの高誘電率層の収縮率は添加するガラス量を調整することで調製した。
低誘電率層はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とガラス組成物（Ｚｎ：５０ｗｔ％、ＳｉＯ２：２３ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：１５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：１０ｗｔ％、ＭｇＯ：１ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ：１ｗｔ％）を主体とする比誘電率７のものを用いた。
【００２１】
これらのガラス混合セラミック材料をトルエン・エタノール混合溶剤、ポリビニルブチラール系バインダ及び可塑剤（ここでは可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。）とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法により先の組成の高誘電率層用セラミックグリーンシートと先の組成の低誘電率層用セラミックグリーンシートを複数作製した。なお、これらのグリーンシートにおいて高誘電率層用のグリーンシートは後述する焼成後に５０〜４００μｍの範囲の厚さになるように厚さを調製し、低誘電率層用グリーンシートは後述する焼成後に１５０〜４００μｍの範囲の厚さになるように厚さを調製した。
高誘電率層用セラミックグリーンシートの上下に低誘電率用セラミックグリーンシートを配置してこれらを３層構造の積層体としてから圧着し、焼成処理を施した。この焼成処理は大気中で５００℃で３時間加熱して樹脂分を除去する第１段階の焼成処理と、その後に９００℃まで昇温し約３時間保持する第２段階の焼成処理を順次施すものとした。
以上のようにして得られたセラミック多層複合基板の断面をＳＥＭにより観察し、クラック発生及び層間剥離の有無を調査した。以上の結果を以下の表１に実施例１の評価結果として示す。
ここで表１の収縮率差は高誘電体層と低誘電体層のそれぞれ単体での収縮率の差とし、収縮率は圧着後の寸法を基準とした時の焼成処理後の縮み量と定義した。高誘電率層と低誘電率層についてそれぞれの収縮率を求めた。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
表１に示す結果から、厚み比０.５倍以下であって、かつ、収縮率差が５％以下の試料であれば、基板の割れ、及び層間剥離の構造欠陥を生じていないことが明らかである。
しかし、高誘電率層の厚みが低誘電率層の厚みの０.５倍より大きくなると、基板の割れや層間剥離を生じた。更に、収縮率差が５％を超える場合においては、高誘電率層と低誘電率層の厚み比によらずに基板の割れや層間剥離を生じた。これは、高誘電率層と低誘電率層の収縮挙動の差異により焼成中に内部応力が発生し、その応力に耐えられずにクラックや剥離を発生したものと考えられる。
【００２４】
「実施例２」
実施例１で用いた材料と同じものを用い、焼成後に５０〜１００μｍの厚みになるような高誘電率層用のグリーンシート２枚の上下に焼成後に７５〜４００μｍの厚みになるような低誘電率層用のグリーンシートを重ねて５層構造の積層体としてから圧着した後、焼成処理を行った。この焼成処理は大気中で５００℃で３時間加熱して樹脂分を除去する第１段階の焼成処理と、その後に９００℃まで昇温し約３時間保持する第２段階の焼成処理を順次施すものとした。
以上のようにして得られたセラミック多層複合基板の断面をＳＥＭにより観察し、クラック発生及び層間剥離の有無を調査した。以上の結果を以下の表２に実施例２としての評価結果として示す。
【００２５】
【表２】
2005191129.tif 000004
【００２６】
表２に示す結果から、高誘電率層の厚みが隣り合う低誘電率層の厚みの０.５倍以下であれば、基板の割れ、及び層間剥離の構造欠陥を生じていない セラミック多層複合基板を得られることを確認することができた。
しかし、高誘電率層の厚みが隣り合う低誘電率層の厚みの０.５倍より大きくなると、基板の割れや層間剥離等の構造欠陥を生じた。これは、高誘電率層と低誘電率層の収縮挙動の差異により焼成中に内部応力が発生し、その応力が強く、多層構造を保持することが困難となり、クラックや剥離を発生したものと考えられる。
この実施例では高誘電率層を内部に２層有する試料において試験したが、図３に示すような高誘電率層を３層有する構造において試験した場合でも同様な試験結果が得られた。
従って本発明における積層構造は高誘電率層が２層あるいは３層に限らず、４層以上の場合においても普遍的に適用できることが判明したものと考えられる。
なお、これまでの各実施の形態と実施例では基板面方向に一様な層が存在する積層構造に対して本発明を適用した例について説明したが、基板の平面方向の一部分に高誘電率層を含む場合においても本発明構造を適用できるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態のセラミック多層複合基板の断面図。
【図２】図２は本発明の第２の実施の形態のセラミック多層複合基板の断面図。
【図３】図３は本発明の第３の実施の形態のセラミック多層複合基板の断面図。
【符号の説明】
【００２８】
Ａ、Ｂ、Ｃ…セラミック多層複合基板、１、１０、１１、２９、３０、３１…高誘電率層、２、１２、１３、１４、３２、３３、３４、３５…低誘電率層、３、４、５、６、１５、１６、１７、１８、３６、３７、３８、３９、４０、４１…導体パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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