(57)【要約】【課題】表示素子を構成する薄膜を安定且つ高品質に形成することが可能であるとともに、製造歩留まりの低下を抑制できる表示装置の製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】  基板主面に複数の表示素子を備えた表示装置を製造するための製造装置であって、表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を収容するとともに蒸発した材料源が飛散可能な開孔を有した収容部３０４と、収容部３０４の開孔が基板主面４０１に対向し且つ基板主面４０１に沿って走査するように基板４００もしくは収容部３０４を移動させる移動機構３０８と、収容部３０４の開孔から飛散して基板主面４０１に蒸着される材料源の蒸着レートに応じて開孔の開孔面積を制御する庇部３０６と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図３
2005317477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面に複数の表示素子を備えた表示装置を製造するための製造装置であって、
前記表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を収容するとともに蒸発した材料源が飛散可能な開孔を有した収容部と、
前記収容部の開孔が基板主面に対向し且つ基板主面に沿って走査するように前記基板もしくは前記収容部を移動させる移動機構と、
前記収容部の開孔から飛散して基板主面に蒸着される材料源の蒸着レートに応じて前記開孔の開孔面積を制御する庇部と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項２】
前記庇部は、材料源の蒸着レートの低下に伴って前記開孔の開孔面積を拡大することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項３】
前記収容部は、表示素子の有機活性層を形成するためのホスト材料源を収容するとともに蒸発したホスト材料源が飛散可能な開孔を有した第１セルと、ドーパント材料源を収容するとともに蒸発したドーパント材料源が飛散可能な開孔を有した第２セルと、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項４】
前記第１セル及び前記第２セルは、前記移動機構による移動方向に並んで配置されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記庇部は、前記ドーパント材料源の蒸着レートの低下に伴って前記第１セルの開孔の開孔面積を縮小することを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造装置。
【請求項６】
基板主面に複数の表示素子を備えた表示装置を製造するための製造装置であって、
前記表示素子を構成する薄膜を形成するための第１材料源を収容するとともに蒸発した第１材料源が飛散可能な開孔を有した第１セルと、第２材料源を収容するとともに蒸発した第２材料源が飛散可能な開孔を有した第２セルと、を備えた収容部と、
前記第１セルの開孔及び前記第２セルの開孔が基板主面に対向し且つ基板主面に沿って走査するように前記基板もしくは前記収容部を移動させる移動機構と、
前記基板主面と前記収容部との間に開口部を規定するとともに、前記第１セルから飛散した第１材料源と前記第２セルから飛散した第２材料源との混合物を前記基板主面に蒸着するよう開口部の開口面積を制御する庇部と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記庇部を加熱する加熱機構を備えたことを特徴とする請求項１または６に記載の表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記庇部を冷却する冷却機構を備えたことを特徴とする請求項１または６に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置の製造装置に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子を備えた表示装置であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置して構成されたアレイ基板を備えている。有機ＥＬ素子には、有機活性層に低分子系材料を用いた素子構成と、高分子系材料を用いた素子構成とがある。
【０００４】
特に、低分子系材料を用いて構成された有機ＥＬ素子は、真空蒸着法などのドライプロセスにより形成する例が多く、積層構造を容易に形成しやすいといった利点がある。真空蒸着法では、低分子系材料を収容したセルを加熱し、セルから蒸発した材料源を基板上に蒸着させている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】城戸淳二著、有機ＥＬのすべて、日本実業出版社、２００３年２月２０日発行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような製造装置において蒸発した材料源を基板上に蒸着させる場合、材料源の加熱温度を一定に保持しても、蒸着レートが経時変化することがある。また、複数の材料源を同時に蒸発させて混合物を基板上に蒸着させる場合（例えば有機活性層を構成するホスト材料とドーパント材料との混合物を基板上に蒸着させる場合）、それぞれの蒸着レートの経時変化が必ずしも一致するとは限らない。
【０００６】
つまり、一方の材料源の蒸着レートはほぼ一定に保たれているのに対して他方の材料源の蒸着レートは時間の経過とともに低下するような場合がある。このため、このような蒸着工程を経て形成された薄膜からは所望の特性が得られないおそれがあり、表示品位の劣化を招く。
【０００７】
仮に、蒸着レートを一定に保つよう加熱温度によるフィードバック制御を行ったとしても、加熱温度を変更した後に蒸着レートが安定するまでに時間がかかり、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００８】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示素子を構成する薄膜を安定且つ高品質に形成することが可能であるとともに、製造歩留まりの低下を抑制できる表示装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の第１様態による表示装置の製造装置は、
基板主面に複数の表示素子を備えた表示装置を製造するための製造装置であって、
前記表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を収容するとともに蒸発した材料源が飛散可能な開孔を有した収容部と、
前記収容部の開孔が基板主面に対向し且つ基板主面に沿って走査するように前記基板もしくは前記収容部を移動させる移動機構と、
前記収容部の開孔から飛散して基板主面に蒸着される材料源の蒸着レートに応じて前記開孔の開孔面積を制御する庇部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
この発明の第２様態による表示装置の製造装置は、
基板主面に複数の表示素子を備えた表示装置を製造するための製造装置であって、
前記表示素子を構成する薄膜を形成するための第１材料源を収容するとともに蒸発した第１材料源が飛散可能な開孔を有した第１セルと、第２材料源を収容するとともに蒸発した第２材料源が飛散可能な開孔を有した第２セルと、を備えた収容部と、
前記第１セルの開孔及び前記第２セルの開孔が基板主面に対向し且つ基板主面に沿って走査するように前記基板もしくは前記収容部を移動させる移動機構と、
前記基板主面と前記収容部との間に開口部を規定するとともに、前記第１セルから飛散した第１材料源と前記第２セルから飛散した第２材料源との混合物を前記基板主面に蒸着するよう開口部の開口面積を制御する庇部と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、表示素子を構成する薄膜を安定且つ高品質に形成することが可能であるとともに、製造歩留まりの低下を抑制できる表示装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１３】
図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。アレイ基板１００の表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。
【００１４】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを備えている。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。
【００１５】
また、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、表示素子としての有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、赤色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｒを備え、緑色画素ＰＸＧは、緑色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｇを備え、さらに、青色画素ＰＸＢは、青色に発光する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１６】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一であって、有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成されている。
【００１７】
アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１８】
電源供給線Ｐは、表示エリア１０２の周囲に配置された図示しない第１電極電源線に接続されている。有機ＥＬ素子４０の第２電極６６側は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位（ここでは接地電位）を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。
【００１９】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００２０】
画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ２０のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極は蓄積容量素子３０を構成する他方の電極及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極は有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。
【００２１】
図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０上に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２２】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置される。この第１電極６０は、ここではＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能する。
【００２３】
有機活性層６４は、少なくとも発光機能を有する有機化合物を含み、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層の３層積層で構成されても良く、機能的に複合された２層または単層で構成されても良い。ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置される。有機発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。低分子系材料によって有機活性層６４を形成する場合、例えば、エレクトロンバッファ層は、Ａｌｑ３などの薄膜によって形成され、有機発光層は、Ａｌｑ３をホスト材料としルブレンをドーパント材料とした薄膜により形成される。
【００２４】
第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極６６は、例えばＣａ（カルシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｇ（銀）、Ｙｂ（イッテルビウム）などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第２電極６６は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した２層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。
【００２５】
この第２電極６６の表面は、乾燥剤として吸湿性を有する材料で被覆されることが望ましい。すなわち、有機ＥＬ素子４０は、水分に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、有機ＥＬ素子４０を水分から保護する目的で、その表面に相当する第２電極６６上に乾燥剤６８が配置される。この乾燥剤６８は、吸湿性を有する材料であれば良く、例えばリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などのアルカリ金属単体またはその酸化物、あるいは、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属またはその酸化物などで形成される。
【００２６】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、ここでは、隔壁７０は、各第１電極６０の周縁に沿って格子状に配置され、第１電極６０を露出する隔壁の開口形状が円形または多角形となるよう形成されている。この隔壁７０は、樹脂材料によって形成されるが、例えば、親液性を有する有機材料によって形成された第１絶縁層、及び、第１絶縁層上に配置され疎液性を有する有機材料によって形成された第２絶縁層を積層した構造を有している。
【００２７】
このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の下面側すなわち第１電極６０側から出射され、表示画面を構成する。
【００２８】
次に、上述した配線基板１２０の主面に表示素子すなわち有機ＥＬ素子４０を備えた表示装置を製造するための製造装置について説明する。この製造装置は、有機ＥＬ素子４０を構成する薄膜を形成するための蒸着装置である。ここでは、有機ＥＬ素子４０を構成する薄膜として、有機活性層６４のホールバッファ層や有機発光層など蒸着法で成膜可能な低分子系の薄膜が対象である。
【００２９】
（第１構成例）  
第１構成例における製造装置は、図３に示すように、真空チャンバ３００、排気機構３０２、収容部３０４、庇部３０６、移動機構３０８などを備えて構成されている。また、製造装置は、真空チャンバ３００の内部における所定位置において、処理対象基板４００を保持する保持機構３１０を備えている。処理対象基板４００は、その主面４０１に表示エリア１０２を有した配線基板１２０、つまり配線基板１２０に第１電極６０及び隔壁７０を有した基板であり、その主面４０１が収容部３０４と対向可能に保持される。排気機構３０２は、真空チャンバ３００の内部を真空排気するものであって、真空チャンバ３００に接続された排気ポンプなどで構成されている。
【００３０】
収容部３０４は、例えば耐熱性を有した材料によって形成された坩堝であり、図４に示すように、例えば有機ＥＬ素子４０を構成する薄膜を形成するための材料源ＭＳを収容するとともに蒸発した材料源が飛散可能な開孔３０４Ａを有している。この収容部３０４は、加熱源３２０を備えている。すなわち、加熱源３２０は、収容部３０４に収容された材料源ＭＳを蒸発させるのに必要な温度に加熱する。
【００３１】
移動機構３０８は、収容部３０４を移動させる。すなわち、この移動機構３０８は、図中の矢印Ａ方向に沿って収容部３０４を移動可能とする機構を備えている。このとき、移動機構３０８は、収容部３０４の開孔３０４Ａが処理対象基板４００の主面４０１に対向し且つ基板主面４０１に沿って走査するように収容部３０４を移動させる。
【００３２】
庇部３０６は、収容部３０４と基板主面４０１との間に配置され、図中の矢印Ｂ方向に移動可能である。また、この庇部３０６は、移動機構３０８により収容部３０４と一体に図中の矢印Ａ方向に移動可能である。この庇部３０６は、収容部３０４の開孔３０４Ａから飛散して基板主面４０１に蒸着される材料源ＭＳの蒸着レートに応じて開孔３０４Ａの開孔面積を制御する。
【００３３】
すなわち、庇部３０６がＢ方向に移動することにより、庇部３０６が開孔３０４Ａを開閉することになり、開孔３０４Ａの開孔面積が変更される。開孔面積の変更は、開孔３０４Ａから飛散する材料源ＭＳの蒸着レートに応じてなされる。つまり、開孔面積が拡大すれば材料源ＭＳが飛散しやすくなり、開孔面積が縮小すれば材料源ＭＳの飛散が制限される。例えば、時間の経過とともに材料源ＭＳの蒸着レートが低下した場合、庇部３０６は、蒸着レートの低下分を補償するよう開孔３０４Ａの開孔面積を拡大するように移動する。
【００３４】
これにより、蒸着レートを一定に保つことが可能となる。このため、常に蒸着レートを所定値に保持することができ、安定して高品質な薄膜を形成することが可能となる。また、開孔面積を変更する短時間の調整で所望の蒸着レートを得ることが可能であり、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００３５】
図４に示した例では、１種類の材料源ＭＳを収容可能な構成の収容部３０４について説明したが、２種類以上の材料源を収容可能な構成としても良い。すなわち、図５に示すように、収容部３０４は、有機ＥＬ素子４０を構成する薄膜を形成するための第１材料源ＭＳ１を収容するとともに蒸発した材料源が飛散可能な開孔３１４Ａを有した第１セル３１４と、第２材料源ＭＳ２を収容するとともに蒸発した材料源が飛散可能な開孔３２４Ａを有した第２セル３２４と、を備えて構成されている。例えば、第１材料源ＭＳ１は、有機活性層６４を形成するためのホスト材料源であり、第２材料源ＭＳ２は、ドーパント材料源である。
【００３６】
このような構成の収容部３０４も同様に、加熱源３２１及び３２２を備えている。すなわち、加熱源３２１は、収容部３０４の第１セル３１４に収容された第１材料源ＭＳ１を蒸発させるのに必要な温度に加熱する。また、加熱源３２２は、収容部３０４の第２セル３２４に収容された第２材料源ＭＳ２を蒸発させるのに必要な温度に加熱する。
【００３７】
このような構成であっても庇部３０６がＢ方向に移動することにより、庇部３０６が開孔３１４Ａ及び３２４Ａを開閉することになり、それぞれの開孔３１４Ａ及び３２４Ａの開孔面積が変更される。開孔面積の変更は、開孔３１４Ａ及び３２４Ａからそれぞれ飛散する第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２の蒸着レートに応じてなされる。例えば、時間の経過とともに第２材料源（ドーパント材料源）ＭＳ２の蒸着レートが低下した場合、庇部３０６は、第２材料源ＭＳ２の蒸着レートの低下分に合わせて第１セル３１４の開孔３１４Ａの開孔面積を縮小するように移動する。
【００３８】
このようにして第１セル３１４の開孔３１４Ａからの第１材料源ＭＳ１の飛散を制限することにより、第１材料源ＭＳ１の蒸着レートが低下する。第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２のそれぞれの蒸着レートがともに同様の割合で低下することで、第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２の混合比を一定に保つことが可能となる。このように、複数の材料源を混合して蒸着する場合、常に混合比を所定値に保持することができ、安定して高品質な薄膜を形成することが可能となる。
【００３９】
図６に示すように、第１セル３１４及び第２セル３２４は、移動機構３０８による移動方向Ａに並んで配置されている。第２材料源ＭＳ２がホスト材料（第１材料源）にドープされるドーパント材料である場合、第１材料源ＭＳ１に対して数％程度の割合で混合されることが多い。このため、第２材料源ＭＳ２の飛散量及び第２材料源ＭＳ２が飛散する領域は、第１材料源ＭＳ１に比べて極めて小さい。
【００４０】
したがって、図６に示すように第１セル３１４及び第２セル３２４を並べて配置した場合、第１材料源ＭＳ１のみが飛散する領域ＡＲ１、第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２とが混在した領域ＡＲ２、及び、第１材料源ＭＳ１のみが飛散する領域ＡＲ３が移動方向Ａに沿って形成される。
【００４１】
次に、上述したような構成の製造装置の動作について説明する。ここでは、有機活性層６４のうち、単一材料（Ａｌｑ３）を用いてエレクトロンバッファ層を形成する際の製造装置の動作について説明する。このとき、図４に示したような構造の収容部３０４が適用されるものとする。
【００４２】
まず、表示エリア１０２の各画素に第１電極６０を備えた処理対象基板４００を用意する。続いて、排気機構３０２を作動し、真空チャンバ３００内を所望の真空度まで真空排気する。これにより、真空チャンバ３００内を真空雰囲気とする。
【００４３】
続いて、真空チャンバ３００内に処理対象基板４００を搬入し、保持機構３１０により所定位置に設置する。このとき、処理対象基板４００は、所定位置まで移動した収容部３０４と基板主面４０１とが所定の隙間をおいて対向可能な状態で配置される。なお、保持機構３１０は、処理対象基板４００とともに、所定の開口パターンを有したマスクを基板主面４０１と収容部３０４との間に保持している。
【００４４】
一方で、図４に示すような構造の収容部３０４は、加熱源３２０により所定温度に加熱され、内部に収容した材料源（Ａｌｑ３）ＭＳが開孔３０４Ａから蒸発した状態を保っている。このとき、所定の蒸着レートが得られるように庇部３０６を用いて開孔３０４Ａの開孔面積を調整する。
【００４５】
続いて、移動機構３０８により収容部３０４を移動させる。すなわち、待機していた収容部３０４は、開孔３０４Ａから材料源ＭＳを蒸発させながら、処理対象基板４００と対向する所定位置に移動する。そして、処理対象基板４００と対向する位置において、収容部３０４は、基板主面４０１の一端部４０１Ａと他端部４０１Ｂとの間を走査する。これにより、基板主面４０１に所定膜厚の薄膜、すなわちエレクトロンバッファ層が形成される。
【００４６】
次に、有機活性層６４のうち、複数材料（ホスト材料；Ａｌｑ３、ドーパント材料；ルブレン）を用いて発光層を形成する際の製造装置の動作について説明する。このとき、図５に示したような構造の収容部３０４が適用されるものとする。
【００４７】
上述した動作と同様に、真空雰囲気の真空チャンバ３００内に、表示エリア１０２の各画素に第１電極６０を備えた処理対象基板４００を搬入し、保持機構３１０により所定位置に設置する。
【００４８】
一方で、図５に示すような構造の収容部３０４のうち、第１セル３１４は、加熱源３２１により所定温度に加熱され、内部に収容した第１材料源（Ａｌｑ３）ＭＳ１が開孔３１４Ａから蒸発した状態を保っている。また、第２セル３２４は、加熱源３２２により所定温度に加熱され、内部に収容した第２材料源（ルブレン）ＭＳ２が開孔３２４Ａから蒸発した状態を保っている。このとき、第１材料源ＭＳ１と第２材料源ＭＳ２とが混在した領域ＡＲ２において、所定の混合比が得られるように庇部３０６を用いて開孔３１４Ａ及び３２４Ａの開孔面積を調整する。
【００４９】
続いて、移動機構３０８により収容部３０４を移動させる。すなわち、待機していた収容部３０４は、開孔３１４Ａ及び開孔３１４Ｂからそれぞれ第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２を蒸発させながら、処理対象基板４００と対向する所定位置に移動する。そして、処理対象基板４００と対向する位置において、収容部３０４は、基板主面４０１の一端部４０１Ａと他端部４０１Ｂとの間を走査する。
【００５０】
このとき、図６に示すように、処理対象基板４００の主面４０１は、収容部３０４の矢印Ａ方向への移動に伴って、第１材料源ＭＳ１のみが飛散する領域ＡＲ１、第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２とが混在した領域ＡＲ２、及び、第１材料源ＭＳ１のみが飛散する領域ＡＲ３と順次対向することになる。これにより、図７に示すように、基板主面４０１には、所定膜厚の薄膜からなる３層構造の有機発光層、すなわちホスト材料のみの第１層Ｌ１、ホスト材料及びドーパント材料とを含む第２層Ｌ２、及びホスト材料のみの第３層Ｌ３の積層体が形成される。
【００５１】
上述したような製造装置によれば、表示素子を構成する薄膜を安定且つ高品質に形成することが可能であり、しかも、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００５２】
（第２構成例）  
次に、第２構成例について説明する。以下の第２構成例での説明では、第１構成例と同一の構成要素については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。第２構成例における製造装置も、基本的には図３に示したように、真空チャンバ３００、排気機構３０２、収容部３０４、庇部３０６、移動機構３０８などを備えて構成されている。また、収容部３０４は、図５に示したような構造を有している。
【００５３】
第１構成例との違いは、庇部３０６の役割にある。すなわち、庇部３０６は、図８に示すように、収容部３０４と基板主面４０１との間に配置され、図中の矢印Ｂ方向に移動可能である。この庇部３０６は、移動機構３０８により収容部３０４と一体に図中の矢印Ａ方向に移動可能である。このような構成の庇部３０６は、基板主面４０１と収容部３０４との間に開口部ＡＰを規定するとともに、第１セル３１４から飛散した第１材料源ＭＳ１と第２セル３２４から飛散した第２材料源ＭＳ２との混合物を基板主面４０１に蒸着するよう開口部ＡＰの開口面積を制御する。
【００５４】
すなわち、庇部３０６が図中矢印Ｂ方向に移動することにより、規定した開口部ＡＰの面積が変更され、材料源が飛散する領域を調整可能である。開口面積の変更は、第１セル３１４及び第２セル３２４からそれぞれ飛散する第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２の飛散領域に応じてなされる。
【００５５】
つまり、複数の材料源を混合して基板主面４０１に蒸着する場合、図６に示した例のように、第１材料源ＭＳ１のみが飛散する領域ＡＲ１、第１材料源ＭＳ１及び第２材料源ＭＳ２が混在して飛散する領域ＡＲ２、及び、第１材料源ＭＳ１のみが飛散する領域ＡＲ３が形成される場合がある。このような蒸着によって形成された薄膜の種類によっては、一方の材料のみが蒸着されることによって形成された層を有すると、所望の特性が得られない（例えば、有機活性層を発光させるのに必要な電圧が高くなってしまう）おそれがある。
【００５６】
このため、薄膜形成過程においては、複数の材料源が確実に所望の混合比で混合された状態で基板主面４０１に蒸着されることが望まれる場合がある。このような要求に対応するために、庇部３０６は、図８に示すように、材料源が飛散する領域を制限し、一方の材料源（第１材料源ＭＳ１）のみが飛散する領域ＡＲ１及びＡＲ３を遮蔽するとともに、複数の材料源が混合された領域ＡＲ２に対応した開口部ＡＰを規定する。これにより、所望する混合比で混合された複数の材料源からなる単層の薄膜を形成することが可能となる。
【００５７】
また、材料源が飛散する領域が時間の経過とともに変化した場合、例えば、第２材料源ＭＳ２が飛散する領域が縮小した場合、複数の材料が混合された領域ＡＲ２も縮小する。このため、庇部３０６は、領域ＡＲ２の縮小に合わせて開口部ＡＰの開口面積も縮小する。これにより、常に所定の混合比を保持することができ、安定して高品質な薄膜を形成することが可能となる。
【００５８】
上述した第１構成例及び第２構成例の製造装置においては、図９に示すように、庇部３０６を加熱する加熱機構Ｈをさらに備えてもよい。これにより、庇部３０６の内面（収容部３０４との対向面）に、収容部３０４から飛散した材料源が堆積するのを抑制することができる。
【００５９】
また、上述した第１構成例及び第２構成例の製造装置においては、図１０に示すように、庇部の外表面を冷却する冷却機構Ｃを備えてもよい。この冷却機構Ｃは、特に、マスクとの対向面を冷却するよう構成されることがより望ましい。これにより、マスクの熱による変形を抑制することができる。
【００６０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６１】
上述した実施の形態では、移動機構３０８は、収容部３０４を矢印Ａ方向に移動する構成としたが、基板主面４０１と収容部３０４とが相対的に移動するような構成であれば良く、所定位置に固定された収容部３０４に対して処理対象基板４００を矢印Ａ方向に移動する構成であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置の構成例を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図３に示した製造装置に適用可能な収容部の構造を概略的に示す図である。
【図５】図５は、図３に示した製造装置に適用可能な収容部の他の構造を概略的に示す図である。
【図６】図６は、図５に示した構造の収容部と材料源が飛散する領域との関係を説明するための図である。
【図７】図７は、図６に示した飛散領域を通過した基板に蒸着される薄膜の積層状態を説明するための図である。
【図８】図８は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置の他の構成例を概略的に示す図である。
【図９】図９は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置の他の構成例を概略的に示す図である。
【図１０】図１０は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置の他の構成例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１２０…配線基板、３００…真空チャンバ、３０２…排気機構、３０４…収容部、３０４Ａ…開孔、３０６…庇部、３０８…移動機構、３１０…保持機構、３１４…第１セル、３１４Ａ…開孔、３２０…加熱源、３２４…第２セル、３２４Ａ…開孔、４００…処理対象基板、４０１…基板主面、ＭＳ…材料源、ＡＰ…開口部、Ｈ…加熱機構、Ｃ…冷却機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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