(57)【要約】【課題】  圧電材料層を基板面の一部領域に簡易に形成する。【解決手段】  基板２６面上に基板２６と異なる硬度の異硬度材料層２８をパターン状に形成することにより、キャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域Ａと膜状となることが阻害される成膜阻害域Ｂとを設ける。そして、ＡＤ法により圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを基板２６面に噴き付けると、成膜許容域Ａに前記微粒子が付着して膜状の圧電材料層２７が形成される。これにより、圧電材料層２７を基板２６面の一部領域に簡易に形成することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記微粒子を付着させることで圧電材料層を形成する圧電アクチュエータの製造方法であって、
前記基板表面に予め前記キャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設け、その後に前記微粒子を含んだキャリアガスを前記基板表面に噴き付けることで、前記成膜許容域に圧電材料層を形成することを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項２】
基板の一面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記微粒子を付着させることにより圧電材料層を形成する圧電アクチュエータの製造方法であって、
前記基板の一面に前記キャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設ける成膜領域形成工程と、
前記成膜領域形成工程を経た基板の一面に前記微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記成膜許容域に圧電材料層を形成する圧電層形成工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項３】
前記成膜領域形成工程において、前記成膜許容域と前記成膜阻害域とは、互いの表面硬度を異ならせることにより作り分けられていることを特徴とする請求項２に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項４】
前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．３９≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦３．０８の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値であることを特徴とする請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項５】
前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値であることを特徴とする請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項６】
前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．４３未満または１．４３を越えた値であることを特徴とする請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項７】
前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１０≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦３．０８の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８であることを特徴とする請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項８】
前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８であることを特徴とする請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項９】
前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１１または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞１．４３であることを特徴とする請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１０】
前記成膜領域形成工程においては、前記基板の一面に基板とは表面硬度の異なる異硬度材料層をパターニングして形成することにより、前記成膜許容域となる前記基板の一面が露出した領域と、前記成膜阻害域となる前記異硬度材料層が形成された領域とを設けることを特徴とする請求項３から９のいずれかに記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１１】
前記異硬度材料層は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１０に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１２】
前記圧電層形成工程の後に、前記圧電材料層の上に圧電材料層に電界を印加するための個別電極を形成する電極形成工程を備えたことを特徴とする請求項２から１１のいずれかに記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１３】
前記圧電層形成工程の後に、前記圧電材料層の上に圧電材料層に電界を印加するための個別電極を形成する電極形成工程を備えるとともに、この電極形成工程において、前記個別電極と電気的に接続されたリード部を前記異硬度材料層の上に形成することを特徴とする請求項１１に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１４】
前記成膜領域形成工程においては、前記基板の一面の表面粗度を調整する表面処理を行うことにより、前記成膜許容域となる表面粗度の小さい領域と前記成膜阻害域となる表面粗度の大きい領域とを設けることを特徴とする請求項２に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１５】
前記成膜領域形成工程においては、前記基板の一面における前記成膜阻害域となる領域に前記キャリアガス中の圧電材料の微粒子の衝突速度を低減させることで前記微粒子が膜状に付着することを阻害する緩衝液体層を設けることを特徴とする請求項２に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１６】
前記緩衝液体層は、不揮発性を備えた液体からなることを特徴とする請求項１５に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１７】
前記基板は、導電性を有する材料よりなり、前記圧電材料層に電界を印加するための一方の電極として利用されることを特徴とする請求項２に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項１８】
共通インク室と共通インク室から圧力室を経てノズルに至る複数のインク流路とが形成されたインク流路形成体と、前記圧力室の容積を変化させるアクチュエータユニットとを有するインクジェットヘッドの製造方法であって、
前記圧力室の一部が開放されたインク流路形成体を作成する流路形成体作成工程と、
前記インク流路形成体に対してアクチュエータユニットの共通電極となる導電性基板を固着して、前記圧力室を閉鎖する基板固着工程と、
前記導電性基板における前記インク流路形成体の固着面と反対側の面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設ける成膜領域形成工程と、
前記微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて、前記成膜許容域に前記アクチュエータユニットの活性層となる圧電材料層を形成する圧電層形成工程と、
前記圧電材料層の上に前記アクチュエータユニットの個別電極を形成する電極形成工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１９】
基板の一面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記微粒子を付着させることで圧電材料層を形成した圧電アクチュエータであって、
前記基板の一面には、前記キャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とが設けられ、前記成膜許容域に前記圧電材料層が形成されていることを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項２０】
前記成膜許容域と前記成膜阻害域とは、前記基板の一面に前記基板とは異なる表面硬度を有する異硬度材料層を形成することにより作り分けられていることを特徴とする請求項１９に記載の圧電アクチュエータ。
【請求項２１】
前記成膜許容域は、前記基板の一面の一部が露出してなるとともに、前記成膜阻害域は、前記基板よりも硬度の高い前記異硬度材料層からなることを特徴とする請求項２０に記載の圧電アクチュエータ。
【請求項２２】
前記圧電材料層に重ねて圧電材料層に電界を印加するための個別電極が形成されたことを特徴とする請求項１９から２１のいずれかに記載の圧電アクチュエータ。
【請求項２３】
前記異硬度材料層は、前記成膜阻害域に形成されると共に絶縁性を備えており、前記異硬度材料層に重ねて前記個別電極に電気的に接続したリード部が形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項２４】
前記成膜阻害域は、前記成膜許容域と比べて前記基板の表面粗度を大きくすることで作り分けられていることを特徴とする請求項１９に記載の圧電アクチュエータ。
【請求項２５】
前記基板は、導電性を有する材料よりなり、前記圧電材料層に電界を印加するための共通電極として利用されることを特徴とする請求項１９から請求項２４のいずれかに記載の圧電アクチュエータ。
【請求項２６】
共通インク室と共通インク室から圧力室を経てノズルに至る複数のインク流路とが形成されたインク流路形成体と、前記圧力室の容積を変化させるアクチュエータユニットとを有するインクジェットヘッドにおいて、
前記インク流路形成体は、前記圧力室の一部を開放する圧力室開放面を有し、
前記アクチュエータユニットは、
前記圧力室開放面に固着され前記圧力室を閉鎖するアクチュエータユニットの共通電極となる導電性基板と、
導電性基板の前記インク流路形成体に対する固着面と反対の面に形成され、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域と、
前記成膜許容域に形成されたアクチュエータユニットの活性層となる圧電材料層と、
前記成膜許容域に形成され、前記導電性基板との間に前記圧電材料層を挟む個別電極とを有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料材料を気体と混合してノズルから噴出し基板に衝突させることにより成膜する所謂エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）を用いて製造される圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットヘッド等に用いられる圧電アクチュエータの一例として、複数の圧力室が形成されたインク流路形成体を備え、各圧力室の壁面の一部を構成する基板をその基板上に設けた圧電材料層によって撓ませて、圧力室内のインクを圧力室に連通したノズルから噴射させる構成としたものがある（例えば特許文献１参照）。このような圧電アクチュエータにおいて、圧電材料層を基板面上の全域にわたって設けた場合には、圧電材料層の上面において各圧力室に対応した位置に一方の電極（個別電極）を個々に配置するとともに、この電極と共通電極として用いられる導電性の基板との間に電界を印加させることで、圧電材料層を局所的に撓ませるといった構成をとることになる。しかしながら、この場合、圧電材料層において撓んだ部分の周囲にも振動が伝わり、その結果隣接した圧力室からインクを噴射する際にその噴射速度や体積がばらつくことがある。このようないわゆるクロストークを防止する等の事情から圧電材料層は、基板面の全域にわたって設けるのではなく、圧力室に対応した一部の領域にだけ設けることが望ましい。
【特許文献１】特開平１１−７０６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
圧電材料層を一部領域だけに形成する手段としては、例えば基板面に所定のパターンのレジストを形成しておき、その上面全域にエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により圧電材料層を形成した後、レジストを除去して、基板上に圧電材料層をパターン状に残すという方法が考えられる。しかしながら、この方法では、レジストを除去する際に、圧電材料層を分断することになり、基板上の圧電材料層に欠けやクラックを生じたりするおそれがあるという問題があった。
【０００４】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、その目的は、圧電材料層を基板面の一部領域に簡易に形成することの可能な圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びそれらの製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、基板表面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記微粒子を付着させることで圧電材料層を形成する圧電アクチュエータの製造方法であって、前記基板表面に予め前記キャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設け、その後に前記微粒子を含んだキャリアガスを前記基板表面に噴き付けることで、前記成膜許容域に圧電材料層を形成するところに特徴を有する。
【０００６】
なお、本発明において「微粒子が付着して膜状となることが阻害される」とは、成膜阻害域が成膜許容域に比べて前記微粒子が付着して膜状となりにくい条件となっていれば良く、キャリアガスを噴き付けた際に、成膜阻害域に成膜許容域のものに比べてごく薄い膜（後に行う熱処理や剥離などの工程により容易に除去できる程度の薄膜）が形成される場合を含む。
【０００７】
請求項２の発明は、基板の一面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記微粒子を付着させることにより圧電材料層を形成する圧電アクチュエータの製造方法であって、前記基板の一面に前記キャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設ける成膜領域形成工程と、前記成膜領域形成工程を経た基板の一面に前記微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記成膜許容域に圧電材料層を形成する圧電層形成工程と、を含むところに特徴を有する。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２に記載のものにおいて、前記成膜領域形成工程において、前記成膜許容域と前記成膜阻害域とは、互いの表面硬度を異ならせることにより作り分けられているところに特徴を有する。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．３９≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦３．０８の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値であるところに特徴を有する。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値であるところに特徴を有する。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．４３未満または１．４３を越えた値であるところに特徴を有する。
【００１２】
なお、本発明においては、成膜阻害域にも成膜許容域の膜よりも薄い膜が成膜されることがあるため、圧電層形成工程の後に成膜阻害域に形成された薄膜を除去する工程を備えることが望ましい。
【００１３】
請求項７の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１０≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦３．０８の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８であることを特徴とする。
【００１４】
請求項８の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８であることを特徴とする。
【００１５】
請求項９の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１１または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞１．４３であることを特徴とする。
【００１６】
請求項１０の発明は、請求項３から９のいずれかに記載のものにおいて、前記成膜領域形成工程においては、前記基板の一面に基板とは表面硬度の異なる異硬度材料層をパターニングして形成することにより、前記成膜許容域となる前記基板の一面が露出した領域と、前記成膜阻害域となる前記異硬度材料層が形成された領域とを設けるところに特徴を有する。
【００１７】
請求項１１の発明は、請求項１０に記載のものにおいて、前記異硬度材料層は、絶縁性を有するところに特徴を有する。
【００１８】
請求項１２の発明は、請求項２から請求項１１のいずれかに記載のものにおいて、前記圧電層形成工程の後に、前記圧電材料層の上に圧電材料層に電界を印加するための個別電極を形成する電極形成工程を備えたところに特徴を有する。
【００１９】
請求項１３の発明は、請求項１１に記載のものにおいて、前記圧電層形成工程の後に、前記圧電材料層の上に圧電材料層に電界を印加するための個別電極を形成する電極形成工程を備えるとともに、この電極形成工程において、前記個別電極と電気的に接続されたリード部を前記異硬度材料層の上に形成するところに特徴を有する。
【００２０】
請求項１４の発明は、請求項２に記載のものにおいて、前記成膜領域形成工程においては、前記基板の一面の表面粗度を調整する表面処理を行うことにより、前記成膜許容域となる表面粗度の小さい領域と前記成膜阻害域となる表面粗度の大きい領域とを設けるところに特徴を有する。
【００２１】
請求項１５の発明は、請求項２に記載のものにおいて、前記成膜領域形成工程においては、前記基板の一面における前記成膜阻害域となる領域に前記キャリアガス中の圧電材料の微粒子の衝突速度を低減させることで前記微粒子が膜状に付着することを阻害する緩衝液体層を設けるところに特徴を有する。
【００２２】
請求項１６の発明は、請求項１５に記載のものにおいて、前記緩衝液体層は、不揮発性を備えた液体からなるところに特徴を有する。
【００２３】
請求項１７の発明は、請求項２に記載のものにおいて、前記基板は、導電性を有する材料よりなり、前記圧電材料層に電界を印加するための一方の電極として利用されるところに特徴を有する。
【００２４】
請求項１８の発明は、共通インク室と共通インク室から圧力室を経てノズルに至る複数のインク流路とが形成されたインク流路形成体と、前記圧力室の容積を変化させるアクチュエータユニットとを有するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧力室の一部が開放されたインク流路形成体を作成する流路形成体作成工程と、前記インク流路形成体に対してアクチュエータユニットの共通電極となる導電性基板を固着して、前記圧力室を閉鎖する基板固着工程と、前記導電性基板における前記インク流路形成体の固着面と反対側の面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設ける成膜領域形成工程と、前記微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて、前記成膜許容域に前記アクチュエータユニットの活性層となる圧電材料層を形成する圧電層形成工程と、前記圧電材料層の上に前記アクチュエータユニットの個別電極を形成する電極形成工程と、を有するところに特徴を有する。
【００２５】
請求項１９の発明は、基板の一面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けて前記微粒子を付着させることで圧電材料層を形成した圧電アクチュエータであって、前記基板の一面には、前記キャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域とが設けられ、前記成膜許容域に前記圧電材料層が形成されているところに特徴を有する。
【００２６】
請求項２０の発明は、請求項１９に記載のものにおいて、前記成膜許容域と前記成膜阻害域とは、前記基板の一面に前記基板とは異なる表面硬度を有する異硬度材料層を形成することにより作り分けられているところに特徴を有する。
【００２７】
請求項２１の発明は、請求項２０に記載のものにおいて、前記成膜許容域は、前記基板の一面の一部が露出してなるとともに、前記成膜阻害域は、前記基板よりも硬度の高い前記異硬度材料層からなるところに特徴を有する。
【００２８】
請求項２２の発明は、請求項１９から請求項２１のいずれかに記載のものにおいて、前記圧電材料層に重ねて圧電材料層に電界を印加するための個別電極が形成されたところに特徴を有する。
【００２９】
請求項２３の発明は、請求項２２に記載のものにおいて、前記異硬度材料層は、前記成膜阻害域に形成されると共に絶縁性を備えており、前記異硬度材料層に重ねて前記個別電極に電気的に接続したリード部が形成されたところに特徴を有する。
【００３０】
請求項２４の発明は、請求項１９に記載のものにおいて、前記成膜阻害域は、前記成膜許容域と比べて前記基板の表面粗度を大きくすることで作り分けられているところに特徴を有する。
【００３１】
請求項２５の発明は、請求項１９から請求項２４のいずれかに記載のものにおいて、前記基板は、導電性を有する材料よりなり、前記圧電材料層に電界を印加するための共通電極として利用されるところに特徴を有する。
【００３２】
請求項２６の発明は、共通インク室と共通インク室から圧力室を経てノズルに至る複数のインク流路とが形成されたインク流路形成体と、前記圧力室の容積を変化させるアクチュエータユニットとを有するインクジェットヘッドにおいて、前記インク流路形成体は、前記圧力室の一部を開放する圧力室開放面を有し、前記アクチュエータユニットは、前記圧力室開放面に固着され前記圧力室を閉鎖するアクチュエータユニットの共通電極となる導電性基板と、導電性基板の前記インク流路形成体に対する固着面と反対の面に形成され、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する成膜許容域と前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される成膜阻害域と、前記成膜許容域に形成されたアクチュエータユニットの活性層となる圧電材料層と、前記成膜許容域に形成され、前記導電性基板との間に前記圧電材料層を挟む個別電極とを有するところに特徴を有する。
【発明の効果】
【００３３】
＜請求項１、請求項２、請求項１８、請求項１９及び請求項２６の発明＞
基板面にキャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域と膜状となることが阻害される成膜阻害域とを設けることにより、キャリアガスを噴き付けた際に、前記微粒子が成膜許容域に付着して膜状の圧電材料層が形成される。これにより、圧電材料層を基板面の一部領域に簡易に形成することができる。
【００３４】
＜請求項３及び請求項２０の発明＞
成膜許容域と成膜阻害域とは、互いの表面硬度を異ならせることにより作り分けされる。即ち、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けた際に、成膜許容域は前記微粒子が付着して膜状となりやすい硬度とされ、成膜阻害域は前記微粒子が付着して膜状となりにくい硬度とされるため、成膜許容域に選択的に圧電材料層を形成することができる。
【００３５】
＜請求項４の発明＞
成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．３９≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦３．０８の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値とすることで、成膜阻害域における圧電材料層の成膜を確実に阻害し、成膜許容域における圧電材料層の密着性（成膜性）を確保することができる。
【００３６】
＜請求項５の発明＞
成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値とすることで、成膜阻害域における圧電材料層の成膜を確実に阻害し、成膜許容域においては圧電材料層を効率良く形成することができる。
【００３７】
＜請求項６の発明＞
成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．４３未満または１．４３を越えた値とすることで、成膜許容域において、成膜阻害域に形成される圧電材料層よりも厚い層を効率良く形成することができる。
【００３８】
＜請求項７の発明＞
成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１０≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦３．０８の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８とすることで、成膜阻害域における圧電材料層の成膜を確実に阻害し、成膜許容域における圧電材料層の密着性（成膜性）を確保することができる。
【００３９】
＜請求項８の発明＞
成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８とすることで、成膜阻害域における圧電材料層の成膜を確実に阻害し、成膜許容域においては圧電材料層を効率良く形成することができる。
【００４０】
＜請求項９の発明＞
成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、前記成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１１または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞１．４３とすることで、成膜許容域において、成膜阻害域に形成される圧電材料層よりも厚い層を効率良く形成することができる。
【００４１】
＜請求項１０及び請求項２１の発明＞
成膜許容域に露出する基板を、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けた際に、前記微粒子が付着して膜状となりやすい硬度とし、成膜阻害域に形成される異硬度材料層を前記微粒子が付着して膜状となりにくい硬度とすることで成膜許容域と成膜阻害域とが作り分けられる。
【００４２】
＜請求項１１の発明＞
異硬度材料層が絶縁性を有するため絶縁層としても機能し、電気配線が容易である。
【００４３】
＜請求項１２及び請求項２２の発明＞
圧電材料層の上に電界を印加するための個別電極が形成されるため、各圧電材料層を個別に駆動させることができる。
【００４４】
＜請求項１３及び請求項２３の発明＞
また、個別電極に接続したリード部を絶縁性を有する異硬度材料層の上面に形成することにより、異硬度材料層が電気配線の絶縁層を兼ねるため、絶縁層を別個に形成する場合に比べて、構造や製造工程が簡単になり、コストを低減することができる。
【００４５】
＜請求項１４及び請求項２４の発明＞
基板の表面粗度を調整することにより、成膜許容域をキャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状になりやすい表面粗度とし、成膜阻害域を前記微粒子が付着して膜状となりにくい表面粗度とすることで、圧電材料層を成膜許容域に選択的に形成することができる。
【００４６】
＜請求項１５の発明＞
キャリアガス中の微粒子が成膜阻害域に設けられた緩衝液体層に衝突すると、その微粒子の速度が低減されて、膜状に付着するのに必要な速度エネルギーを失うため成膜されない。
【００４７】
＜請求項１６の発明＞
緩衝液体層は、不揮発性を備えた液体からなるため、圧電層形成工程において成膜チャンバー内で減圧されたような場合でも揮発しにくい。
【００４８】
＜請求項１７及び請求項２５の発明＞
基板が導電性材料にて形成され、圧電材料層に電界を印加させるための一方の電極として利用されることにより、一方の電極を特別に設ける必要がなく、製造コストの面で有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態について図１から図５を参照して説明する。図１は、本実施形態のインクジェットヘッド１０（本発明の「インクジェットヘッド」に相当）を圧力室１２の長手方向に沿って切断した断面図、図２は、インクジェットヘッド１０を圧力室１２の短手方向に沿って切断した断面図、図３は、インクジェットヘッド１０の平面図であり、各図ともインクジェットヘッド１０の一部分を示している。
【００５０】
インクジェットヘッド１０は、インク１１が収容され上面が開放された形態の複数の圧力室１２を備えたインク流路形成体１３と、このインク流路形成体１３の上面に固着されたアクチュエータユニット１４とを備えている。
インク流路形成体１３は、全体として平板状をなしており、ノズルプレート１６、マニホールドプレート１７、流路プレート１８及び圧力室プレート１９を順に積層するとともに、各プレート１６，１７，１８，１９を互いにエポキシ系の熱硬化性の接着剤にて接合した構成となっている。
【００５１】
圧力室プレート１９はステンレス等の金属材料にて形成され、その内部には複数の圧力室１２が整列して設けられている。各圧力室１２は、一方向に細長く、上方から視て略小判形状をなしている。流路プレート１８は、同じくステンレス等の金属材料にて形成されており、それぞれ内部に圧力室１２の両端に連通したマニホールド流路２０とプレッシャ流路２１とが設けられている。マニホールドプレート１７は、やはりステンレス等の金属材料にて形成され、その内部には圧力室１２の短手方向に延びて各マニホールド流路２０に連通しインクタンク（図示せず）に接続された共通インク室２２と、プレッシャ流路２１に接続するノズル流路２３とが形成されている。更に、ノズルプレート１６は、ポリイミド系の合成樹脂材料にて形成され、インク１１を噴射するためのノズル２４がノズル流路２３に接続して形成されている。このようにして、インクタンクに接続された共通インク室２２から、マニホールド流路２０、圧力室１２、プレッシャ流路２１およびノズル流路２３を経てノズル２４へと至る流路が形成されている。
【００５２】
アクチュエータユニット１４は、圧力室１２を閉鎖する基板２６を備えている。この基板２６は、後述するようにステンレス鋼等の導電性金属材料にて形成されており、圧力室プレート１９の上面にエポキシ系の熱硬化性の接着剤によって接合されることで基板２６がインク流路形成体１３の上面全体を覆う形態で固着されている。なお、この基板２６は、図示しない駆動回路のグランドに接続され、共通電極としても使用されるようになっている。
【００５３】
アクチュエータユニット１４における基板２６の上面には、各圧力室１２に対応した位置ごとにアクチュエータユニット１４の活性層となる圧電材料層２７が形成されている。各圧電材料層２７は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体の圧電セラミックス材料から形成されており、全体に均一な厚みを有するとともに、上方から視て圧力室１２よりも一回り小さい略小判形状をなしている。また、基板２６の上面において、圧電材料層２７を設けた領域を除いた領域には、全体に基板２６とは硬度の異なる絶縁材料からなる異硬度材料層２８が形成されている。この異硬度材料層２８は、全体に均一な厚みを有し、かつ圧電材料層２７よりも薄くなっている。基板２６の上面において、圧電材料層２７に対応した領域が成膜許容域Ａ、異硬度材料層２８に対応した領域が成膜阻害域Ｂとされており、後に詳述するように、圧電層形成工程において、成膜許容域Ａではキャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となり、成膜阻害域Ｂでは前記微粒子が付着して膜状となることが阻害されるようになっている。
【００５４】
また、アクチュエータユニット１４の上面においては、各圧電材料層２７の上面全体に薄膜状の導体からなる個別電極３０が形成されている。さらに、異硬度材料層２８の上面には、同じく薄膜状の導体からなり各個別電極３０に接続した複数のリード部３１が形成されている。各リード部３１は、図示しない駆動回路に電気的に接続されている。圧電材料層２７にはその厚み方向に分極するように分極処理が施されており、駆動回路によって個別電極３０の電位が共通電極である基板２６より高い電位とされると、圧電材料層２７にその分極方向（個別電極３０から基板２６に向かう方向）に電界が印加される。そして、圧電材料層２７が厚み方向に膨らむとともに、基板２６面に沿った方向に収縮する。これにより、図２の左部に示すように、圧電材料層２７及び基板２６（即ちアクチュエータユニット１４）が、圧力室１２側に凸となるように局所的に変形する（ユニモルフ変形）。このため、圧力室１２の容積が低下して、インク１１の圧力が上昇し、ノズル２４からインク１１が噴射される。その後、個別電極３０が共通電極である基板２６と同じ電位に戻されると、圧電材料層２７と基板２６とが元の形状になって圧力室１２の容積が元の容積に戻るので、インク１１を共通インク室２２より吸い込む。
【００５５】
次に、本実施形態のインクジェットヘッド１０の製造方法について説明する。
［流路形成体作成工程］
まずノズルプレート１６を除く、マニホールドプレート１７、流路プレート１８及び圧力室プレート１９を互いに位置合わせした状態で積層し接合する。このとき、各プレート１６，１７，１８，１９には、ノズル２４、圧力室１２、共通インク室２２等に相当する孔を予め設けておく。これにより各圧力室１２の上面が開放された状態のインク流路形成体１３が作成される。なお、ノズルプレート１６は熱に弱い合成樹脂材料で形成されているため、後述する圧電層形成工程のアニール処理によって変形するおそれがあることから、圧電層形成工程の後にマニホールドプレート１７に対して接合される。
【００５６】
［基板固着工程］
次に、アクチュエータユニット１４の基板２６をインク流路形成体１３の圧力室プレート１９の上面に位置合わせした状態で重ねて接合し、基板２６によって各圧力室１２を閉鎖する。
【００５７】
［成膜領域形成工程］
次に、図４及び図５（Ａ）に示すように、基板２６上に、基板２６とは表面硬度の異なる異硬度材料層２８をパターニングして形成することにより、成膜許容域Ａとなる基板２６面が露出した領域と、成膜阻害域Ｂとなる異硬度材料層２８が形成された領域とを設ける。次の圧電層形成工程においては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを基板２６面に噴き付けて微粒子を膜状に付着させることで圧電材料層２７を形成するが、成膜許容域Ａは、キャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が膜状になるまで付着する領域、即ち圧電材料層２７が形成される領域であり、成膜阻害域Ｂは、キャリアガスを噴き付けたときに前記微粒子が付着して膜状となることが阻害される領域である。
【００５８】
本実施形態においては、成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂとはその表面硬さの違いにより区別される。本発明者らは、基板の硬さと圧電材料の微粒子の硬さとの関係が、圧電層が成膜されるか否かの結果について影響することを知見し、後述するように、基板の表面のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と圧電材料の微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．３９≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦３．０８にあるときに圧電材料が成膜されることを見いだした。さらに、０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲にあるときには、圧電材料層の形成が短時間で効率良く行えることを見いだした。加えて、本発明者らは、微粒子の硬さと基板の表面の硬さとの関係に代えて微粒子の圧縮破壊強度と基板の表面の硬さとの関係を指標としても良いことを知見し、成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１０≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦３．０８の範囲にあるときに圧電材料が成膜されることを見いだした。さらに、０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲にあるときには、圧電材料層の形成が短時間で効率良く行えることを見いだした。本実施形態はこの条件に基づいて、成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂのそれぞれの表面硬さを決定するものである。
【００５９】
基板２６は、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに、微粒子が付着して膜状になりやすい硬さの導電性金属材料からなる。圧電材料がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）である場合は、その微粒子のビッカーズ硬さがＨｖ３００〜４００、圧縮破壊強度が０．８〜４．０ＧＰａであることから、基板２６は上述した条件を満たすように表面のビッカーズ硬さがＨｖ２８０〜７００であるものが選択される。具体的には、例えば、Ｈｖ４５０〜６００のステンレス鋼、ニッケル合金、ニッケル等が用いられる。
一方、異硬度材料層２８は、基板２６とは異なる硬度を持った材料からなり、後述する圧電層形成工程において、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに微粒子が基板２６に比べて付着して膜状となりにくい硬度をもった低誘電率の絶縁材料よりなる。圧電材料がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）である場合は、異硬度材料層は表面のビッカーズ硬さがＨｖ２８０未満かＨｖ７００を越えたものが選択される。
【００６０】
基板２６よりも硬度が低く低誘電率の絶縁材料としては、例えばＨｖ１００以下のポリイミド樹脂が用いられ、他には、エポキシ樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、フッ素樹脂、フッ素化ポリマー、非晶性ポリオレフィン樹脂、シンジオタクチックポリスチレン樹脂、有機シリカ、フッ素化カーボン、ＣＯＰＮＡ樹脂、オキサゾール樹脂、パラキシリレン樹脂などを用いても良い。
ポリイミド樹脂等を異硬度材料層２８として基板２６にパターン状に形成するには、種種の方法が用いられるが、例えば、電解堆積法（メッキ法、例えばポリイミド溶液中に導電性の基板を配置し、電極間に電圧をかけることにより基板上にポリイミドを成膜する。）あるいはスピンコートによって、基板２６面上の全域にポリイミド樹脂層を重ねて形成した後、そのポリイミド樹脂層のうち成膜許容域Ａに対応する部分をレーザ照射により除去することで異硬度材料層２８をパターン状に形成する。
【００６１】
また、異硬度材料層２８として、基板２６よりも硬度が高くかつ低誘電率の絶縁材料も用いることができ、例えばＨｖ１４００〜２０００のアルミナが用いられ、他には、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、Ｈｖ１０００〜２０００のダイアモンドライクカーボン、Ｈｖ１５００〜２２００のＴｉＮなどが用いられる。
アルミナ等を基板２６の上面に異硬度材料層２８としてパターン状に形成するには、例えば次の（Ａ）や（Ｂ）のようにすれば良い。
（Ａ）まずＣＶＤ（気相成長法）、あるいはＡＤ法により基板２６面上の全域にアルミナ層を形成する。次にそのアルミナ層にレーザを照射して成膜許容域Ａに対応する部分を除去する。
（Ｂ）まず基板２６面における成膜阻害域に対応した領域にレジストをパターニングして形成する。次にＣＶＤ法、あるいはＡＤ法によって、その基板２６面の全域にアルミナ層を形成する。最後にレジストを除去する。この場合、アルミナ層は、圧電材料層２７に比べてごく薄く形成されるので、欠けやクラックの発生は問題とならない。
【００６２】
［圧電層形成工程］
次にアクチュエータユニット１４の圧電材料層２７をエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）によって形成する。図６は、圧電材料層２７を形成するための成膜装置の概略図である。符号３５は、ヘリウム、アルゴン、窒素等の不活性ガスや空気等をキャリアガスとして供給するためのガスボンベであり、キャリアガスはガスボンベ３５から導入管３６を介してエアロゾル発生器３７へ送られる。エアロゾル発生器３７は、内部に圧電材料の微粒子粉体を充填可能なエアロゾル室３８と、このエアロゾル室３８を振動させる加振装置３９とを備えており、エアロゾル室３８内に充填された圧電材料の微粒子粉体４０を撹拌しつつ、このエアロゾル室３８内にキャリアガスを送り込むことで、微粒子粉体４０をガス中に浮遊させてエアロゾル化する。なお、キャリアガスとしては、例えばヘリウム、アルゴン、窒素等の不活性ガスや空気、酸素等を使用することができる。また、圧電材料としては、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、水晶、ニオブ酸リチウム、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、メタニオブ酸鉛、酸化亜鉛等を使用することができる。
【００６３】
圧電材料の微粒子を含んでエアロゾル化されたキャリアガスは、エアロゾル室３８からエアロゾル導入管４１を通って成膜チャンバー４２内に設けられたノズル４３に送られる。成膜チャンバー４２内にはノズル４３の先方に基板２６を取り付けるためのステージ４４が設けられ、ノズル２４から基板２６に向けてキャリアガスが噴射される。また、成膜チャンバー４２には、粉体回収装置４５を介して真空ポンプ４６が接続されており、成膜チャンバー４２内が減圧される。
【００６４】
上記の成膜装置により、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを成膜領域形成工程を経た基板２６面上の全域にわたって均等に噴き付ける。すると、図５（Ｂ）に示すように、成膜許容域Ａにおいては、キャリアガス中の圧電材料の微粒子が露出した基板２６面に衝突して付着し、堆積して膜状の圧電材料層２７が形成される。一方、成膜阻害域Ｂにおいては、キャリアガス中の圧電材料の微粒子が異硬度材料層２８に衝突する。このとき、異硬度材料層２８が圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに微粒子が付着して膜状になりにくい硬度とされているために、前記微粒子は異硬度材料層２８に付着して膜状とならないか、あるいは付着して膜状になったとしてもごく薄い膜であり成膜許容域Ａにおけるのと同様な厚みで膜状になることはない。このようにして、基板２６面上の成膜許容域Ａに選択的に圧電材料層２７が形成される。その後、必要に応じて圧電材料層２７のアニール処理が行われる。なお、前述のように異硬度材料層２８に圧電材料の薄い膜が形成されていた場合、そのような薄膜は基板２６に対する密着性が低いことから、アニール処理の過程で剥がれ落ちることが多い。また、異硬度材料層２８に形成された圧電材料の薄い膜を除去するための処理を行っても良い。この処理としては、成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂとに跨って粘着テープを貼付してからその粘着テープを剥がすようにしても良く、あるいは基板を裏面から叩くようにしても良い。
【００６５】
［個別電極形成工程］
続いて、図５（Ｃ）に示すように、各圧電材料層２７の上面に個別電極３０を形成するとともに、異硬度材料層２８の上面に各個別電極３０に接続した複数のリード部３１を形成する。個別電極３０及びリード部３１を形成するには、例えば、圧電材料層２７及び異硬度材料層２８上の全域に導体膜を形成した後、フォトリソグラフィ・エッチング法を利用して所定のパターンを形成してもよく、あるいは圧電材料層２７及び異硬度材料層２８の上面に直接印刷しても良い。
【００６６】
個別電極形成工程の後、個別電極３０及び共通電極である基板２６間に通常のインク噴射動作時よりも強い電界を印加して、両電極間の圧電材料層２７を厚み方向に分極させる（分極処理）。以上によりインクジェットヘッド１０が完成する。
【００６７】
次に、本発明者が自らの知見に基づいて行い、成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂとを作り分けるための条件を見出すに至った試験について説明する。
【００６８】
［試験１  基板の硬さと成膜速度］
＜データ１ー１＞
基板としてはエアロゾルが噴き付けられる基板表面のビッカース硬さがＨｖ２９０のステンレス（ＳＵＳ４３０）板を使用した。基板表面には、粗さがＲｚ≦０．７となるように研磨処理を施した。また、材料粒子としては平均粒子径０．３〜１μｍ、ビッカース硬さＨｖ３００〜４００、圧縮破壊強度０．８〜４．０ＧＰａのＰＺＴを用いた。
なお、ステンレス基板の表面の硬さの調整は、空気中または真空中で基板を４００〜８００℃で加熱しその表面性状を変化させることにより行った。また、ビッカース硬さの測定は、ナノインデンション法により行った。測定装置として＋ｃｓｍ社製Ｎａｎｏ−Ｈａｒｄｎｅｓｓ  Ｔｅｓｔｅｒを用い、圧子としてバーコビッチ圧子を使用して、試験力Ｆ＝０．０１５Ｎで試験を行った。また、圧縮破壊強度の測定は、同じく測定装置として＋ｃｓｍ社製Ｎａｎｏ−Ｈａｒｄｎｅｓｓ  Ｔｅｓｔｅｒを用いて行い、粒子破壊時の圧縮力Ｆｄから式（１）により算出した。
Ｇｖ（ｐ）＝０．９×Ｆｄ／ｄ２  …（１）
但し、Ｇｖ（ｐ）：圧縮破壊強度（単位  ＧＰａ）
Ｆｄ      ：粒子破壊時の圧縮力（単位  ｋＮ）
ｄ        ：粒子の直径（単位  ｍｍ）
【００６９】
上記実施形態と同様の成膜装置によって基板上に厚さ１０μｍの圧電材料層を形成した。成膜条件は、成膜チャンバー内圧力１５０Ｐａ、エアロゾル室内圧力３００００Ｐａ、ノズル開口サイズ１０ｍｍ×０．４ｍｍ、キャリアガス種類Ｈｅ、ノズル基板相対速度１．２ｍｍ／ｓｅｃ、ノズル−基板間距離１０〜２０ｍｍ、粒子速度２５０ｍ／ｓｅｃとした。圧電材料層の成膜速度を測定した。
【００７０】
＜データ１−２＞
基板としてエアロゾルが噴き付けられる基板表面のビッカース硬さがＨｖ４４０のステンレス（ＳＵＳ４３０）板を使用した他は、データ１−１と同様にして成膜を行い、成膜速度を調べた。
【００７１】
＜データ１−３＞
基板としてステンレス（ＳＵＳ４３０）板のエアロゾルが噴き付けられる表面に予めスパッタによりＰｔを成膜した表面のビッカーズ硬さがＨｖ７００の基板を使用した他は、データ１−１と同様にして成膜を行い、成膜速度を調べた。
【００７２】
＜データ１−４＞
基板としてビッカース硬さＨｖ１３０の金メッキ板を使用した他は、データ１−１と同様にして成膜を行い、成膜速度を調べた。
【００７３】
＜データ１−５＞
基板としてビッカース硬さＨｖ２１０のステンレス（ＳＵＳ４３０）板を使用した他は、データ１−１と同様にして成膜を行い、成膜速度を調べた。
【００７４】
＜データ１−６＞
基板としてビッカース硬さＨｖ２８０のステンレス（ＳＵＳ４３０）板を使用した他は、データ１−１と同様にして成膜を行い、成膜速度を調べた。
【００７５】
＜データ１−７＞
基板としてセラミック板のエアロゾルが噴き付けられる表面に予めペースト状のＰｔを塗布して８５０℃〜１２００℃で焼結した表面のビッカース硬さＨｖ７７０のプラチナ板を使用した他は、データ１−１と同様にして成膜を行い、成膜速度を調べた。
【００７６】
＜結果と考察＞
基板の材質、ビッカース硬さおよび成膜速度のデータを表１および表２に示した。
【００７７】
【表１】
2005317952.tif 000003
【００７８】
【表２】
2005317952.tif 000004
【００７９】
表１および表２に示すように、基板の硬さＨｖ１３０の場合には、成膜速度は０．１３μｍ／ｓｅｃと遅かった。基板の硬さを大きくすると成膜速度は徐々に大きくなり、特に硬さＨｖ２８０付近では急激に大きくなり、Ｈｖ２９０のときに０．２９μｍ／ｓｅｃで最大となった。これは、基板面に衝突した微粒子が粉砕される割合が大きくなることにより、微粒子が基板または先に付着した粒子上に強く付着するようになったためであると考えられる。
【００８０】
基板の硬さをさらに大きくすると、成膜速度は徐々に低下し、Ｈｖ７００付近では成膜速度は大幅に低下した。これは、微粒子が基板面で弾かれ基板面にめり込み難くなったためと考えられる。基板の硬さＨｖ７００までの範囲では、成膜速度は実用上良好な程度であり、目視によって圧電材料層が隙間なく形成されて密着性が良好であることが確認された。さらに硬さを大きくすると、成膜速度はさらに低下した。
【００８１】
以上より、成膜許容域における基板のビッカース硬さＨｖ（ｂ）を１３０〜７７０の範囲とすること、すなわち、基板において微粒子が付着する側の面のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さをＨｖ（ｐ）との比を０．３９≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦３．０８の範囲とすること、あるいは基板において微粒子が付着する側の面のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比を０．１０≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦３．０８の範囲とすることにより、膜の成長が確実に見込めることが確認された。そのなかでも特に、成膜許容域における基板のビッカース硬さＨｖ（ｂ）を２８０〜７００の範囲とすること、すなわち、基板において微粒子が付着する側の面のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さがＨｖ（ｐ）との比を０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲とすること、あるいは基板において微粒子が付着する側の面のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比を０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲とすることにより、密着性を十分に満たした圧電材料層が短時間で確実に形成され好ましいことが分かった。さらに、そのなかでも特に、成膜許容域における基板のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）を２９０〜４４０の範囲、すなわち、０．６８≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．３８あるいは０．１８≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．３８の範囲とすることにより、圧電材料層を形成する成膜速度は高速で安定し、生産性や製造コスト（微粒子の材料コスト）の面においても優れた圧電材料層の製造方法を実現できることが分かった。
【００８２】
［試験２  エアロゾルの噴射速度が成膜の成否に及ぼす影響］
次に、エアロゾルの噴射速度を変化させたときの成膜の成否について検討した。基板と材料粒子はデータ１−１と同様のものを選択し、材料粒子の粒子速度を１５０ｍ／ｓから４００ｍ／ｓの範囲で選択した。それ以外の成膜条件はデータ１−１と同様とした。
【００８３】
＜結果と考察＞
粒子速度を変化させたときの成膜の成否に関するデータを表３に示した。成膜速度が０．１μｍ／ｓ以上のときを「○」、０．１μｍ／ｓ未満のときを「Ｘ」で表示した。また、測定を行わなかった粒子速度と硬度比との組み合わせについては「−」と表示した。
【００８４】
【表３】
2005317952.tif 000005
【００８５】
表３に示すように、基板のエアロゾルが噴き付けられる表面のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０から０．２５の範囲にあるときは、エアロゾルの粒子速度を２００ｍ／ｓ〜４００ｍ／ｓの範囲内で変化させたとしても成膜は全くなされなかった。しかし、Ｈｖ（ｂ）とＨｖ（ｐ）との比が０．２５から３．０の範囲にあるときは、エアロゾルの粒子速度を１５０ｍ／ｓ〜４００ｍ／ｓの範囲内のいずれに設定した場合であっても成膜が確認された（成膜速度が測定されていない硬度比と粒子速度の組み合わせを除く）。以上の結果より、エアロゾルの粒子速度が成膜の成否に及ぼす影響は小さいと考えられる。
【００８６】
以上のように、本実施形態によれば、基板２６面にキャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状となる成膜許容域Ａと膜状となることが阻害される成膜阻害域Ｂとを設けることにより、キャリアガスを噴き付けた際に、前記微粒子が成膜許容域Ａに付着して圧電材料層２７が形成される。これにより、圧電材料層２７を基板２６面の一部領域に簡易に形成することができる。従って、従来のように圧電材料層を分断せずに済むため、圧電材料層に欠けやクラックを生じることが防止される。
【００８７】
また、成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂとは、互いの表面硬度を異ならせることにより作り分けされる。即ち、基板２６面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けた際に、成膜許容域Ａは前記微粒子が付着して膜状となりやすい硬度とされ、成膜阻害域Ｂは前記微粒子が付着して膜状となりにくい硬度とされるため、成膜許容域Ａに選択的に圧電材料層２７を形成することができる。
【００８８】
また、成膜許容域Ａのビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．３９≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦３．０８の範囲であり、成膜阻害域Ｂのビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値とすること、あるいは、成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１０≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦３．０８の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．３９または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８となるようにすることで、成膜許容域Ａにおける圧電材料層２７の成膜性を確保するとともに、成膜阻害域Ｂにおいて圧電材料層２７が成膜しないように確実に阻害することができる。
【００８９】
また、成膜許容域Ａのビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、成膜阻害域Ｂのビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．３９未満または３．０８を越えた値とすること、あるいは、成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１０または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞３．０８となるようにすることで、成膜許容域Ａにおいて圧電材料層２７を効率良く形成することができ、成膜阻害域Ｂにおいて圧電材料層２７が成膜しないように確実に阻害することができる。
【００９０】
また、成膜許容域Ａのビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比の値が０．４３≦Ｈｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）≦１．４３の範囲であり、成膜阻害域Ｂのビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子のビッカーズ硬さＨｖ（ｐ）との比が０．４３未満または１．４３を越えた値とすること、あるいは、成膜許容域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が０．１１≦{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００≦１．４３の範囲であり、成膜阻害域のビッカーズ硬さＨｖ（ｂ）と前記微粒子の圧縮破壊強度Ｇｖ（ｐ）との比が{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＜０．１１または{Ｇｖ（ｐ）／Ｈｖ（ｂ）}×１００＞１．４３となるようにすることで、成膜許容域Ａにおいて、成膜阻害域Ｂに形成される圧電材料層２７よりも厚い層を効率良く形成することができる。なお、この場合においては、成膜阻害域Ｂにも薄い膜が形成されるため、これを除去する処理を行うことが望ましい。
【００９１】
さらに、成膜許容域Ａに露出する基板２６を、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けた際に、前記微粒子が付着して膜状となりやすい硬度とし、成膜阻害域Ｂに形成される異硬度材料層２８を前記微粒子が付着して膜状となりにくい硬度とすることで成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂとが作り分けられる。
また、異硬度材料層２８が絶縁性を有するため、絶縁層としても機能し、電気配線が容易である。
また、圧電材料層２７の上に電界を印加するための個別電極３０が形成されるため、各圧電材料層２７を個別に駆動させることができる。
【００９２】
また、個別電極３０に接続したリード部３１を絶縁性を有する異硬度材料層２８の上面に形成することにより、異硬度材料層２８が電気配線の絶縁層を兼ねるため、絶縁層を別個に形成する場合に比べて、構造や製造工程が簡単になり、コストを低減することができる。
また、基板２６が導電性材料にて形成され、圧電材料層２７に電界を印加させるための一方の電極として利用されることにより、一方の電極を特別に設ける必要がなく、製造コストの面で有利となる。
【００９３】
＜第２実施形態＞
次に本発明の第２実施形態を図７及び図８を参照して説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態のインクジェットヘッド５０では、アクチュエータユニット５１における基板２６面上の成膜阻害域Ｂに対応した領域に設けられた異硬度材料層５２が導電性を有している。そのため、各圧電材料層２７の上面に形成された個別電極３０に対しては、第１実施形態のリード部３１に替えて、図示しない駆動回路に接続された平型ケーブル５３の導電路５４の一端が接続されている。その他の構造は、第１実施形態のものとほぼ同様である。
【００９４】
基板２６は、第１実施形態に挙げたものと同様の材料で形成され、圧電層形成工程において、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに、微粒子が付着して膜状となりやすい硬度の金属材料であり、例えば、Ｈｖ４５０〜６００のステンレス鋼等が用いられる。
また、異硬度材料層５２は、導電性を有するとともに、基板２６とは異なる硬度を持った材料からなり、圧電層形成工程において、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに基板２６に比べて微粒子が付着して膜状となりにくい硬度となっている。
基板２６よりも硬度が低い導電性材料としては、例えば約Ｈｖ８０のアルミニウム等が用いられる。また、基板２６よりも硬度の高い導電性材料として、例えば約Ｈｖ１０００の硬質クロムメッキ等が用いられる。
本実施形態のインクジェットヘッド５０の製造も、第１実施形態のインクジェットヘッド１０と概ね同様の手順で行うことができる。
【００９５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を図９及び図１０を参照して説明する。なお、以下の説明において、上記各実施形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態のインクジェットヘッド６０では、アクチュエータユニット６１の基板６２面上において、圧電材料層２７の形成されていない成膜阻害域Ｂの表面粗度が、圧電材料層２７の形成された成膜許容域Ａの表面粗度よりも大きくされている。即ち、本実施形態では、成膜許容域Ａと成膜阻害域Ｂとが互いの表面粗度を異ならせることにより作り分けられており、成膜許容域Ａは、圧電層形成工程において、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときに、微粒子が付着して膜状となりやすい表面粗度とされ、成膜阻害域Ｂは、成膜許容域Ａよりも表面粗度が大きく、前記キャリアガスを噴き付けたときに、前記微粒子が付着して膜状となりにくい表面粗度とされている。
【００９６】
成膜領域形成工程においては、まず基板固着工程においてインク流路形成体１３の上面に固着された基板６２が用意される。基板６２としては、第１実施形態に挙げたものと同様の材料が使用でき、例えばＨｖ４５０〜６００のステンレス鋼等が用いられる。また、基板６２の上面は、全域にわたって表面粗度が十分に小さく（例えばＲａ：１μｍ以下）されている。そして、基板６２の上面に、成膜許容域Ａに対応した領域にレジスト６３がパターニングして形成される（図１０（Ａ）参照）。次に、その基板６２面に表面を粗化するためのエッチング処理を行い（図１０（Ｂ）参照）、基板６２面におけるレジスト６３のない領域の表面粗度を大きく（例えばＲａ：２μｍ以上）する。続いて、レジスト６３を除去する（図１０（Ｃ）参照）。これにより、基板６２面上に表面粗度の小さい成膜許容域Ａと表面粗度の大きい成膜阻害域Ｂとがパターン状に形成される。
また、この工程は、例えば次のように行っても良い。予め成膜阻害域Ｂに対応する領域の表面粗度が大きく、成膜許容域に対応する領域の表面粗度が小さくなるようにパターニングされた金型を作成しておき、この金型を表面粗度が全域にわたって小さい状態の基板６２面に押し付けることで、成膜阻害域Ｂに対応した領域の表面粗度が大きくなるように加工する。
【００９７】
次に、圧電層形成工程において、基板６２面に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けると、表面粗度の小さい成膜許容域Ａにおいては前記微粒子が良く付着して膜状に堆積する（図１０（Ｄ）参照）。一方で、表面粗度の大きい成膜阻害域Ｂにおいては、前記微粒子が僅かにしか付着せず膜状とならないか、あるいは膜状となっても成膜許容域Ａに比べてごく薄い膜となるため、後で容易に剥離することができる。
【００９８】
本実施形態によれば、基板６２の表面粗度を調整することにより、成膜許容域Ａをキャリアガス中の圧電材料の微粒子が付着して膜状になりやすい表面粗度とし、成膜阻害域Ｂを前記微粒子が付着して膜状となりにくい表面粗度とすることで、圧電材料層２７を成膜許容域Ａに選択的に形成することができる。
【００９９】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態を図１１を参照して説明する。なお、以下の説明において、上記各実施形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態のインクジェットヘッド（図示せず）では、基板２６の上面の成膜阻害域Ｂに対応した領域に緩衝液体層７０が設けられている。緩衝液体層７０は、圧電層形成工程において、キャリアガス中の圧電材料の微粒子の衝突速度を低減させることで前記微粒子が膜状に付着することを阻害するための層である。緩衝液体層７０としては、不揮発性を備え、粘度の高い液体が用いられ、例えばシリコンオイル、大豆油などの油系の液体が使用される。緩衝液体層７０は不揮発性を備えた液体からなるため、、圧電層形成工程において成膜チャンバー４２内で減圧された状態でも揮発しにくい。また、緩衝液体層７０が粘度が高い液体からなるため、基板２６上で流動し難く、パターンの安定性が良い。
【０１００】
緩衝液体層７０は、成膜領域形成工程において、前述の液体を基板２６面上に転写法、あるいはインクジェット法などによりパターン状にコーティングすることで（図１１（Ａ）参照）、成膜阻害域Ｂに対応した領域に形成される。なお、基板２６としては、第１実施形態に挙げたものと同様の材料が使用でき、例えばＨｖ４５０〜６００のステンレス鋼等が用いられる。
次に圧電層形成工程において、基板２６面上に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けると、成膜許容域Ａにおいては、前記微粒子が露出した基板２６面に直接衝突する。このとき、前記微粒子は十分な速度をもって衝突するため、基板２６面に付着し、堆積して膜状の圧電材料層２７が形成される（図１１（Ｂ）参照）。一方、成膜阻害域Ｂにおいては、キャリアガス中の微粒子が緩衝液体層７０に衝突すると減速し、その微粒子が基板２６面に達したときには、膜状に付着するのに必要な速度エネルギーを失っているため、膜状とならない。
その後、個別電極形成工程において、図１１（Ｃ）に示すように、圧電材料層２７の上面に個別電極３０が形成され、この個別電極３０には平型ケーブル５３の導電路５４が接続される。
【０１０１】
本実施形態によれば、キャリアガス中の微粒子が成膜阻害域Ｂに設けられた緩衝液体層７０に衝突すると、その微粒子の速度が低減されて、膜状に付着するのに必要な速度エネルギーを失うため成膜されない。
また、緩衝液体層７０は、不揮発性を備えた液体からなるため、圧電層形成工程において成膜チャンバー４２内で減圧されたような場合でも揮発しにくい。
【０１０２】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）本発明によれば、第１，２実施形態において、基板と異硬度材料層との表面硬度の対応関係を反対にしても良い。即ち、基板としては、圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けた際に、前記微粒子が付着して膜状となりにくい表面硬度の材料、例えば表面硬度の高いアルミナ、ジルコニア等を用い、異硬度材料層としては、前記微粒子が付着して膜状となりやすい表面硬度の材料、例えば基板よりも表面硬度の低いステンレス鋼、金、ニッケル等を用いる。そして、成膜領域形成工程において、異硬度材料層を基板面上の成膜許容域に対応した領域に設けるとともに成膜阻害域には基板面を露出させる。このような構成でも成膜許容域に選択的に圧電材料層を形成することが可能である。
【０１０３】
（２）上記各実施形態では、インクジェットヘッドとして用いられる圧電アクチュエータを示したが、本発明は、例えば圧電材料層を利用して液体を移送するマイクロポンプ等のインクジェットヘッド以外の圧電アクチュエータ及びその製造方法にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の第１実施形態のインクジェットヘッドを圧力室の長手方向に沿って切断した断面図
【図２】インクジェットヘッドを圧力室の短手方向に沿って切断した断面図
【図３】インクジェットヘッドの平面図
【図４】基板上に異硬度材料層を形成したときの平面図
【図５】（Ａ）基板上に異硬度材料層を形成したときの断面図（Ｂ）基板上に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときの断面図（Ｃ）圧電材料層の上面に個別電極を形成したときの断面図
【図６】成膜装置の概略図
【図７】第２実施形態のインクジェットヘッドを圧力室の長手方向に沿って切断した断面図
【図８】インクジェットヘッドの平面図
【図９】第３実施形態のインクジェットヘッドを圧力室の長手方向に沿って切断した断面図
【図１０】（Ａ）基板上にレジストをパターニングしたときの断面図（Ｂ）エッチングを行ったときの断面図（Ｃ）基板からレジストを除去したときの断面図（Ｄ）基板上に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときの断面図
【図１１】（Ａ）第４実施形態において基板上に緩衝液体層をコーティングしたときの断面図（Ｂ）基板上に圧電材料の微粒子を含んだキャリアガスを噴き付けたときの断面図（Ｃ）圧電材料層の上面に個別電極を形成したときの断面図
【符号の説明】
【０１０５】
１０，５０，６０…インクジェットヘッド（圧電アクチュエータ）
１２…圧力室
１３…インク流路形成体
１４，５１，６１…アクチュエータユニット
２２…共通インク室
２４…ノズル
２６，６２…基板
２７…圧電材料層
２８，５２…異硬度材料層
３０…個別電極
３１…リード部
７０…緩衝液体層
Ａ…成膜許容域
Ｂ…成膜阻害域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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