(57)【要約】【課題】  反応性ガスの消費量を減らすことによって、環境負荷や製造コストの低減化を実現できる半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】  反応性ガスのプラズマを生成することにより、基板上に半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板の温度を調整する基板温調動作を開始した後に、前記反応性ガスを前記基板上に供給するガス供給動作を行うことを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性ガスのプラズマを生成することにより、基板上に半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の温度を調整する基板温調動作を開始した後に、前記反応性ガスを前記基板上に供給するガス供給動作を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板温調動作と、前記ガス供給動作と、を同時に定常化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ガス供給動作を行った後に、真空容器内の圧力を所定値に調整する圧力調整動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板温調動作と、前記圧力調整動作と、を同時に定常化させることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板温調動作は、前記基板と、当該基板が載置される載置部とを密着させる基板密着動作を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ガス供給手段と、高周波電源と、基板温調手段とを具備する半導体装置の製造装置であって、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法を行うための制御手段を更に具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造方法においては、反応性ガスのプラズマにシリコンウエハを曝すことにより、微細加工を施すドライエッチング技術が知られている。当該ドライエッチング技術は、エッチングマスクの開口部がシリコンウエハを部分的に露出させた状態で、当該露出した部分のみを反応性ガスのイオンやラジカルの作用によって除去するものである。このようなドライエッチング技術は、極めて微細なパターンを形成することが可能であることから、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、及びＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等の製造工程において積極的に利用されている。
【０００３】
また、上記のドライエッチング技術を行う装置は、反応性ガスを真空容器内に供給するガスボックスと、プラズマを生成する高周波電源と、真空ポンプと、圧力調整バルブを備えることによって構成されているのが一般的である。更に、基板を所定の温度に調整するためのＨｅガス供給部や、基板と下部電極とを密着させるクランプ機構や静電吸着部を有する場合もある。このような構成要素を備えた製造装置は、所望の条件に応じて各構成要素を制御することにより、シリコンウエハ等の基板にドライエッチングを行っている。
【０００４】
図６は上記のドライエッチングの装置の動作を示すタイムチャート図の一例である。
図６に示すように、まず、ガスボックスとＨｅガス供給部が動作することにより、定常化過程（Stability Step）が始まる。即ち、ガスボックスは、チャンバ内に反応性ガスを供給し、Ｈｅガス供給部は基板と下部電極の間にＨｅガスを供給する。ここで、ガスボックスは、数秒で供給量を一定にすることが可能であるので、Ｈｅガス供給部よりも先に安定状態になる。これに対して、Ｈｅガス供給部が供給するＨｅガスの圧力は安定化するまでに時間を要する。そして、Ｈｅガスの圧力が一定になったところで定常化過程が終了となり、プラズマ生成過程（Plasma Step / Process Step）が始まり基板がエッチングされる。
【０００５】
また、図７は圧力調整バルブや静電吸着部を更に有する装置の動作を示すタイムチャート図の一例である。
図７に示すように、ガスボックスがチャンバ内に反応性ガスを供給すると共に、高周波電源が少量の電力を供給することにより、定常化過程が始まる。当該少量の電力供給によって基板は帯電し、基板と下部電極とが静電気の作用によって密着する。更に、ガスボックスの供給量が一定になったところで、圧力調整バルブとＨｅガス供給部が動作する。ここで、圧力調整バルブはＨｅガス供給部よりも先に安定状態になる。これに対して、Ｈｅガス供給部が供給するＨｅガスの圧力は安定化するまでに時間を要する。そして、Ｈｅガスの圧力が一定になったところで定常化過程が終了となり、プラズマ生成過程が始まり基板がエッチングされる。
【０００６】
また、近年のドライエッチング法においては、高周波電源による電圧印加後のプラズマの安定を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５３１９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記の半導体装置の製造方法において用いられる反応性ガスとしてはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＳＦ６等のハロゲンを含んだエッチングガスが主流である。このようなガスは地球温暖化を促進させてしまうという問題を有しており、その使用量の低減化が課題となっていた。
【０００８】
更に、反応性ガスの中には、人体に対する毒性が高いガスがあり、一般的な製造装置においては使用済みの反応性ガスや反応副生成物等を除去するための除害装置が設けられている。このような除害装置は、反応性ガスの使用量に応じて交換する必要であったため、反応性ガスの使用量が多くなると、除害装置の交換頻度も多くなり、製造工程におけるコストアップを招いてしまうという問題があった。
【０００９】
また、上記の先行技術においては、非エッチングガスであるＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガスを置換させることによりプラズマの安定化を図っているが、シリコン酸化膜のエッチングプロセスにおいては、Ａｒが膜質に影響を与えるという問題を有している。従って、反応性ガスと不活性ガスを置換して定常化過程を行うことができない場合もあった。
【００１０】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、反応性ガスの消費量を減らすことによって、環境負荷や製造コストの低減化を実現できる半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の半導体装置の製造方法は、反応性ガスのプラズマを生成することにより、基板上に半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板の温度を調整する基板温調動作を開始した後に、前記反応性ガスを前記基板上に供給するガス供給動作を行うことを特徴としている。
【００１２】
このように、ガス供給動作が基板温度調整動作よりも後に開始されるので、基板温度調整動作が行われている定常化過程の間に、反応性ガスが無駄に消費されることがない。従って、反応性ガスの消費量を低減できる。また、先行文献の技術では必要となっていた置換ガスが不要になるので、置換ガス自体の消費量を削減できる。従って、反応性ガスの消費量が低減されることによって環境負荷の抑制を実現できる。また、除害装置の交換頻度が低減されることによって製造コストの抑制を実現できる。
【００１３】
また、前記半導体装置の製造方法においては、前記基板温調動作と、前記ガス供給動作と、を同時に定常化させることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した効果を奏すると共に、ガス供給動作が単独で行われることが無いので定常化過程に要する時間を短縮することができる。
【００１４】
また、前記半導体装置の製造方法においては、前記ガス供給動作を行った後に、真空容器内の圧力を所定値に調整する圧力調整動作を行うことを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した効果を奏すると共に、反応性ガスが供給された真空容器内の圧力を定常化してプラズマを生成することができる。
【００１５】
また、前記基板温調動作と、前記圧力調整動作と、を同時に定常化させることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した効果を奏すると共に、圧力調整動作が単独で行われることが無いので定常化過程に要する時間を短縮することができる。
【００１６】
また、前記半導体装置の製造方法においては、前記基板温調動作は、前記基板と、当該基板が載置される載置部とを密着させる基板密着動作を含むことを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した効果を奏すると共に、基板が載置部に密着されるので、基板温調動作を効率的に行うことができ、従って、プラズマの生成に伴う基板の温度上昇を防止することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造装置は、ガス供給手段と、高周波電源と、基板温調手段とを具備する半導体装置の製造装置であって、先に記載の半導体装置の製造方法を行うための制御手段を更に具備することを特徴としている。
このようにすれば、制御手段が、ガス供給手段、高周波電源、及び基板温調手段を所定のシーケンスで自動的に制御するので、先に記載の製造方法を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、反応性ガスの消費量を減らすことが可能となるので、環境負荷や製造コストの低減化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、図１〜図５を参照し、本発明の半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置について説明する。
【００２０】
（半導体装置の製造装置）
まず、図１を参照し、半導体装置の製造装置の概略構成について説明する。
本実施形態に示す製造装置は、ＬＳＩ、ＴＦＴ、及びＭＥＭＳ等の製造工程において微細加工技術に用いられるドライエッチング装置である。
【００２１】
図１に示すように本発明の半導体装置の製造装置１は、チャンバ（真空容器）２と、下部電極（載置部）３と、上部電極４と、チラー装置５と、ガスボックス（ガス供給手段）６と、高周波電源（プラズマ生成手段）７、８と、静電吸着部９と、Ｈｅガス供給部（基板温調手段）１０と、圧力計１１と、圧力調整バルブ１２と、真空ポンプ１３と、コントローラ（制御手段）１４とを備えた構成となっている。そして、当該製造装置１は、下部電極３上に載置された基板１５を反応性ガスのプラズマに曝すことによって、当該基板１５自体、又は基板１５上に成膜された薄膜に対して、微細なパターンを形成するようになっている。
【００２２】
次に、製造装置１の各構成要素について説明する。
チャンバ２は、プラズマ生成に必要な真空雰囲気を気密に維持する容器である。当該チャンバ２は、基板を搬入及び搬出させるための不図示のゲートバルブが設けられている。
下部電極３は、処理対象物である基板１５が載置されるステージであると共に、上部電極４との間にプラズマを生成させる電極として機能するようになっている。更に、下部電極３には、配管を介してＨｅガス供給部１０が接続され、配線を介して静電吸着部９が接続されている。また、下部電極３の表面には、複数のガス供給孔が設けられており、Ｈｅガス供給部１０のＨｅガスを下部電極３と基板１５の隙間に供給するようになっている。
上部電極４は、電極として機能するだけでなく、ガスボックス６のガスをウエハ１５上に供給するためのシャワー孔が複数設けられている。
【００２３】
チラー装置５は、チャンバ２の壁部、下部電極３、及び上部電極４の各々を所定の温度に設定する機能を有している。具体的には、チラー装置５と、チャンバ２の壁部、下部電極３、及び上部電極４の各々には、チラー液等の温度調整液体が流動する配管が設けられている。そして、チラー装置５が所定の温度に調整した温度調整液体を各々に流動させることにより、温度調整を行っている。なお、本実施形態では、チラー装置５を採用したが、これを限定するものではなく、温度調整手段として電気ヒータを採用してもよい。
【００２４】
ガスボックス６は、チャンバ２内にプラズマを生成するための反応性ガスを供給する機能を有しており、複数のガス種の各々に応じた複数のマスフローコントローラを備えている。当該構成を有することにより、所望のガスを所望の流量及び混合比で供給することが可能となっている。また、チャンバ２のメンテナンスの際に用いるパージガスを供給したり、基板１５と下部電極３の静電吸着を確実に行うための吸着用ガスを供給したりすることも可能となっている。
【００２５】
高周波電源７、８は、下部電極３及び上部電極４の各々に接続されており、当該電極３、４間に高周波電力を供給するようになっている。また、高周波電源７、８は、マッチング部及びジェネレータ部を備えており、マッチング部がチューニングすることによって、ジェネレータ部に対する高周波電力の反射波の発生を抑制するようになっている。
【００２６】
静電吸着部９は、下部電極３の表面に基板１５を密着させる機能を有している。
静電吸着部９は、基板１５と下部電極３の間に高圧の静電気を生じさせて、当該静電気の作用によって基板１５を下部電極３に密着させるものである。なお、本実施形態では、静電吸着部９を採用したが、これを限定するものではなく、機械的に下部電極３と基板１５を密着させる手段としてクランプ機構を採用してもよい。当該クランプ機構は、基板１５の周縁部にクランプ部材を接触させて、下部電極３側に基板１５を押圧するものである。
【００２７】
Ｈｅガス供給部１０は、下部電極３側からＨｅガスを供給することにより基板１５の温度を調整する機能を有している。
具体的には、Ｈｅガス供給部１０が基板１５と下部電極３の間の隙間にＨｅガスを供給することにより、当該Ｈｅガスが媒体となり、基板１５における発熱を下部電極３に伝熱させることによって基板１５の温度を調整している。ここで、Ｈｅガスは、比較的熱伝導性が優れたガスであるので、伝熱媒体用のガスとしては好適である。
また、Ｈｅガス供給部１０が供給するＨｅガスは、熱伝導性を確保するために、下部電極３と基板１５の間に気密に保持されることが好ましく、そのため静電吸着部９によって確実に下部電極３と基板１５を密着させることが好ましい。
【００２８】
圧力計１１は、チャンバ２内の圧力を測定する機能を有する。具体的な圧力計としてはキャパシタンスマノメータが採用される。また、圧力計１１は、エッチングが行われる圧力帯域に応じたレンジを備えている。ここで、圧力計１１は圧力調整バルブ１２のバルブコントローラ（Adaptive Pressure Controller）に接続されており、圧力計１１の圧力を出力信号として当該バルブコントローラに送信するようになっている。そして、バルブコントローラは、圧力計１１の圧力に応じて、圧力調整バルブ１２を制御する。
【００２９】
圧力調整バルブ１２は、圧力計１１の測定結果に応じて、チャンバ２内の圧力を所望に調整する機能を有している。具体的には、圧力調整バルブ１２は、排気配管のコンダクタンスを変える機構を備えており、当該コンダクタンスを変化させることによって真空ポンプ１３の排気速度を調整し、チャンバ２内におけるガスの増加量と、真空ポンプ１３によるガスの排気量の平衡化を図るようになっている。これによってチャンバ２内の圧力が所望に設定される。
【００３０】
真空ポンプ１３は、多段の真空ポンプを備えた構成となっている。即ち、圧力調整バルブ１２側に設けられたターボ分子ポンプ１３Ａと、当該ターボ分子ポンプ１３Ａの排気側に設けられたドライポンプ１３Ｂとを備えている。ターボ分子ポンプ１３Ａの排気速度は、製造装置１で用いられるガスの流量や、圧力調整バルブ１２が調整可能な圧力範囲に応じて決定されている。ドライポンプ１３Ｂは、ターボ分子ポンプ１３Ａが所定の排気速度で駆動するように補助的に機能するようになっている。
【００３１】
コントローラ１４は、上記の構成要素の各々に接続されており、製造装置１を統括的に制御するようになっている。また、コントローラ１４は、作業者が設定した処理条件（レシピ）を記憶するようになっており、当該処理条件に応じて基板１５を自動的に処理することが可能となっている。また、コントローラ１４は、時間測定機能を自ら備えているので、所定の時間が経過した後に、複数の処理条件のうち、いずれかの処理条件を選択して処理することが可能となっている。
また、ここでいう処理条件とは、チャンバ２内の圧力（ｍＴｏｒｒ、Ｐａ）、ガス供給量（ｓｃｃｍ）、ガス混合比、チャンバ２の壁部の温度（℃）、下部電極３の温度（℃）、及び上部電極４の温度（℃）、高周波電源７、８の電力量（Ｗ）、静電吸着部９の吸着電圧、Ｈｅガス供給部１０のＨｅガス供給量（ｓｃｃｍ）やＨｅガス圧力（Ｔｏｒｒ、Ｐａ）、等を意味する。
【００３２】
このように構成された製造装置１を用いることにより、基板１５上に半導体装置を形成するための微細加工を行うことが可能となっている。なお、本実施形態における基板１５としては、シリコンウエハが採用されるが、当該シリコンウエハを限定するものではない。例えば、基板１５としてガラス基板を採用してもよい。
【００３３】
（半導体装置の製造方法）
次に、図２〜図５を参照し、半導体装置の製造方法について説明する。
図２〜図５は、上記の製造装置１の動作を示すタイムチャート図である。このようなタイムチャート図に応じて製造装置１の各構成要素を各々動作させることにより、基板１５にドライエッチング処理を行っている。ここで、同図において、横軸は経過時間を示し、縦軸は製造装置１の動作状態を示している。
【００３４】
（半導体装置の製造方法の第１実施形態）
まず、半導体装置の製造方法の第１実施形態について説明する。
ここでは、製造装置１の構成要素のうち、ガスボックス６、Ｈｅガス供給部１０、及び高周波電源７、８を動作させることにより、基板１５自体のドライエッチングを行う。
【００３５】
図２に示すように、まず、Ｈｅガス供給部１０のみを動作させることにより、プラズマ生成前の定常化過程が始まる。Ｈｅガス供給部１０が動作することにより、基板１５と下部電極３との間にＨｅガスが供給され、当該Ｈｅガスが媒体となって下部電極３と基板１５の間で熱伝達が行われ、基板１５と下部電極３は同程度の温度になる（基板温調動作）。ここで、基板１５と下部電極３の間の圧力が５０Ｔｏｒｒで安定するまでに要する時間は、およそ１０〜３０秒程度である。
【００３６】
次に、上記のように圧力が一定になったところで、ガスボックス６が動作して、チャンバ２内に反応性ガスを供給する（ガス供給動作）。反応性ガスとしては混合ガスを採用し、その種類は、ＣＨＦ３、ＣＨ４、及びＡｒであることが好ましく、各ガスの流量は、２０ｓｃｃｍ、８０ｓｃｃｍ、７００ｓｃｃｍであることが好ましい。このような混合ガスの流量が安定するまでに要する時間は１〜２秒程度であり、Ｈｅガス供給部１０の安定に必要な時間と比較して短時間である。
そして、反応性ガスの流量が一定になったところで定常化過程が終了となり、プラズマ生成過程が始まり、基板１５がエッチングされる。
【００３７】
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、Ｈｅガス供給部１０が安定した後に反応性ガスを供給するので、定常化過程の間に反応性ガスが無駄に消費されることがない。従って、反応性ガスの消費量を低減できる。また、置換ガスも不使用であるので、置換ガス自体の消費量を削減できる。従って、反応性ガスの消費量が低減されることによって環境負荷の抑制を実現できる。また、除害装置の交換頻度が低減されることによって製造コストの抑制を実現できる。
【００３８】
（半導体装置の製造方法の第２実施形態）
次に、半導体装置の製造方法の第２実施形態について説明する。
ここでは、第１実施形態と同様にガスボックス６、Ｈｅガス供給部１０、及び高周波電源７、８を動作させることにより、基板１５自体のドライエッチングを行っているが、本実施形態ではガスボックス６を動作させるタイミングを異ならせている。
【００３９】
図３に示すように、まず、Ｈｅガス供給部１０のみを動作させることにより、定常化過程が始まる。次に、Ｈｅガス供給部１０の動作が安定する前に、ガスボックス６を動作させて、チャンバ２内に反応性ガスを供給する。ここでは、コントローラ１４がＨｅガス供給部１０とガスボックス６が安定動作するまでに必要な時間を予め測定し、同じくコントローラ１４がＨｅガス供給部１０とガスボックス６とが同時に安定するように、ガスボックス６を動作するタイミングを遅延させて動作させる。
【００４０】
次に、上記のようにＨｅガス供給部１０とガスボックス６の動作が同時に安定することで、定常化過程が終了となり、プラズマ生成過程が始まり、基板１５がエッチングされる。
【００４１】
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、Ｈｅガス供給部１０とガスボックス６の動作が同時に安定することで定常化過程が終了するので、定常化過程に要する時間を短縮することができる。また、上記の第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００４２】
（半導体装置の製造方法の第３実施形態）
次に、半導体装置の製造方法の第３実施形態について説明する。
ここでは、第１及び第２実施形態で動作させた製造装置１の構成要素に加えて、圧力調整バルブ１２を動作させることにより、基板１５自体のドライエッチングを行う。更に、ガスボックス６は、反応性ガスを供給すると共に、静電吸着部９における基板１５と下部電極３の静電吸着を確実に行うための吸着用ガスも供給するようになっている。また、更に当該静電吸着を確実に行うために、高周波電源７、８はプラズマを生成する電力よりも少ない電力を供給することで、基板１５を帯電させるようになっている。このような基板１５の帯電によって、静電吸着部９の静電吸着力が向上するようになっている。
【００４３】
図４に示すように、まず、ガスボックス６が吸着用ガスを供給し、高周波電源７、８が基板１５を帯電させるための電力を供給することで、プラズマ生成前の定常化過程が始まる。このように基板１５の帯電と吸着用ガスの供給によって、基板１５と下部電極３とが密着した状態となる（基板密着動作）。
【００４４】
次に、第１及び第２実施形態に示したようにＨｅガス供給部１０を動作させる。これによって基板１５と下部電極３との間にＨｅガスが供給され、当該Ｈｅガスが媒体となって下部電極３と基板１５の間で熱伝達が行われ、基板１５と下部電極３は同程度の温度になる。
【００４５】
次に、上記のようにＨｅガス供給圧力が一定になったところで、ガスボックス６が動作して、チャンバ２内に反応性ガスを供給する。更に、反応性ガス供給量が安定したところで、圧力調整バルブ１２が動作し、チャンバ２内の圧力が所定値になるように制御する（圧力調整動作）。そして、チャンバ２内の圧力が一定になったところで定常化過程が終了となり、プラズマ生成過程が始まり、基板１５がエッチングされる。
【００４６】
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、チャンバ２内の圧力が一定になった後にプラズマを生成するので、チャンバ２内の圧力が定常化された状態でプラズマを生成することができる。また、上記の第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００４７】
（半導体装置の製造方法の第４実施形態）
次に、半導体装置の製造方法の第４実施形態について説明する。
ここでは、第３実施形態と同様の構成を動作させることにより、ドライエッチングを行っているが、本実施形態ではガスボックス６を動作させるタイミングを異ならせている。
【００４８】
図５に示すように、まず、ガスボックス６が吸着用ガスを供給し、高周波電源７、８が電力を供給することで、基板１５と下部電極３とが密着した状態となる。次に、Ｈｅガス供給部１０を動作させ、更に当該Ｈｅガス供給部１０の動作が安定する前にガスボックス６を動作させて、チャンバ２内に反応性ガスを供給する。ここでは、コントローラ１４がＨｅガス供給部１０とガスボックス６と圧力調整バルブ１２の各々が安定動作するまでに必要な時間を予め測定し、同じくコントローラ１４がＨｅガス供給部１０とガスボックス６とが同時に安定するように、ガスボックス６を動作するタイミングを遅延させて動作させる。
【００４９】
次に、上記のようにＨｅガス供給部１０の動作とチャンバ２内の圧力が同時に安定することで、定常化過程が終了となり、プラズマ生成過程が始まり、基板１５がエッチングされる。
【００５０】
上述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、Ｈｅガス供給部１０の動作とチャンバ２内の圧力が同時に安定することで定常化過程が終了するので、定常化過程に要する時間を短縮することができる。また、上記の第３実施形態と同様の効果を奏する。
【００５１】
また、上述の第１から第４の実施形態においては、Ｈｅガス供給部１０を動作させることによって、基板１５の発熱を除去するので、基板１５を所定温度に維持した状態でプラズマを生成することができる。従って、プラズマの生成に伴う基板の温度上昇を防止することができる。更に、静電吸着部９の動作によって基板１５と下部電極３を密着させるので、基板１５の冷却効率が向上することができるので、基板の温度上昇の防止を効率的に行うことができる。
【００５２】
なお、本実施形態においては、半導体装置の製造方法、製造装置の中でもドライエッチング法、ドライエッチング装置について説明したが、これを限定するものではなく、他の半導体製造方法、製造装置においても適用可能である。例えば、プラズマＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ装置においても適用可能である。また、ＴＦＴ及びＭＥＭＳの製造方法、製造装置においても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
半導体装置の製造方法において、不必要又は無駄に使用している反応性ガスの使用量の低減を達成できるので、各種ガスの使用量の低減が不可欠な用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の半導体装置の製造装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を説明するためのタイムチャート図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明するためのタイムチャート図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明するためのタイムチャート図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を説明するためのタイムチャート図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を説明するためのタイムチャート図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を説明するためのタイムチャート図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…半導体装置の製造装置
２…チャンバ（真空容器）
３…下部電極（載置部）
６…ガス供給手段
７、８…高周波電源
１０…Ｈｅガス供給部（基板温調手段）
１４…コントローラ（制御手段）
１５…基板
【図１】
2005332998.tif 000003
【図２】
2005332998.tif 000004
【図３】
2005332998.tif 000005
【図４】
2005332998.tif 000006
【図５】
2005332998.tif 000007
【図６】
2005332998.tif 000008
【図７】
2005332998.tif 000009