(57)【要約】【課題】  ２波長のレーザ光を出射する半導体レーザ装置の発光スポットを１つにする。【解決手段】  半導体レーザ装置は、同一のｎ−GaAs半導体基板１００上に第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０と導波構造１９０を備える。導波ストライプ１３０は、基端が第１のストライプ１１５に対して位置合わせされた第１の部分１３０ａ、基端が第２のストライプ１２５に対して位置合わせされた第２の部分１３０ｂ、及び基端に第１及び第２の部分１３０ａ、１３０ｂの先端が合流し、かつ第１及び第２のストライプ構造１１５、１２５と同方向に延びる第３の部分１３０ｃとを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられ、第１のレーザ光を発振させるための第１の積層構造と第１のストライプ構造とを備える第１のレーザ素子と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第１のレーザ光と波長の異なる第２のレーザ光を発振させるための第２の積層構造と第２のストライプ構造とを備え、かつ前記第２のストライプ構造は前記第１のストライプ構造に並列に配置されている第２のレーザ素子と、
前記第１及び第２のレーザ素子に対して前記第１及び第２のレーザ光の出射方向に配置され、前記第１のレーザ素子から出射される第１のレーザ光と前記第２のレーザ素子から出射される第２のレーザ光とを単一の発光スポットに導く導波構造と
を備える半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記導波構造は前記第１及び第２のレーザ素子が設けられた半導体基板上に設けられている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記導波構造は、
第３の積層構造と
基端が前記第１のストライプ構造に対して位置合わせされた第１の部分と、基端が前記第２のストライプ構造に対して位置合わせされた第２の部分と、基端に前記第１及び第２の部分の先端が合流し、かつ前記第１及び第２のストライプ構造と同方向に延びる第３の部分とを有する導波ストライプ構造と
を備える、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の積層構造は、ｎ型クラッド層、活性層、及びｐ型クラッド層をそれぞれ備え、
前記導波構造の第３の積層構造は、前記第１及び第２の積層構造うち波長が短い方のレーザ光を発光する活性層を備えるものと同一である、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第３の積層構造の活性層は、前記第１及び第２のレーザ素子のうち波長が短い方向のレーザ光を発光するものの活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記導波構造の第３の積層構造が備える活性層は、無秩序化された多重量子井戸で構成されている、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記導波構造は、前記第１及び第２のレーザが設けられた半導体基板とは別体の基板に設けられている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記導波構造は、基端が前記第１のストライプ構造に対して位置合わせされた第１の部分と、基端が前記第２のストライプ構造に対して位置合わせされた第２の部分と、基端に前記第１及び第２の部分の先端が合流し、前記第１及び第２のストライプ構造と同方向に延びる第３の部分とを有する導波ストライプ構造を備える、請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記導波構造は、前記第１及び第２のレーザ光に対して低光吸収率の材料で構成されている請求項８に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に光ピックアップに適した半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、７８０nm帯の発振波長を有するＣＤ用の赤外レーザと６６０nm帯の発振波長を有するＤＶＤ用の赤色レーザとを同一基板上に近接して並列に配置した２波長型の半導体レーザ装置が報告されている（例えば特許文献１参照）。この２波長型の半導体レーザ装置では、２波長のレーザ光を単一の対物レンズに導くための光学系が不要であるので、光ピックアップの簡素化及び小型化を図ることができる
【０００３】
しかし、従来の２波長型の半導体レーザ装置では、２波長のレーザ光の発光スポットが異なる。具体的には、同一基板上に赤外レーザ用の積層構造と赤色レーザ用の積層構造を形成する際の２つの積層構造を分離するプロセスの限界により、２波長の発光スポット間隔は最小でも１００μｍ程度となる。この発光スポット位置の違いのために、対物レンズへの２波長レーザの入射位置が異なる。さらに、この入射位置の違いに起因してレーザ光の集光特性が異なるので、対物レンズを通過した２波長のレーザ光を光ディスクの微小なスポットに集光することは困難である。
【特許文献１】特開平１１−１８６６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、２波長のレーザ光を出射することができる半導体レーザ装置において、発光スポットを１つにすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体基板上に設けられ、第１のレーザ光を発振させるための第１の積層構造と第１のストライプ構造とを備える第１のレーザ素子と、前記半導体基板上に設けられ、前記第１のレーザ光と波長の異なる第２のレーザ光を発振させるための第２の積層構造と第２のストライプ構造とを備え、かつ前記第２のストライプ構造は前記第１のストライプ構造に並列に配置されている第２のレーザ素子と、前記第１及び第２のレーザ素子に対して前記第１及び第２のレーザ光の出射方向に配置され、前記第１のレーザ素子から出射される第１のレーザ光と前記第２のレーザ素子から出射される第２のレーザ光とを単一の発光スポットに導く導波構造とを備える半導体レーザ装置を提供する。
【０００６】
第１のレーザ素子の出射する第１のレーザ光と第２のレーザ光素子の出射する第２のレーザ光とは、導波構造により単一の発光スポットに導かれる。発光スポットを１つにすることにより、第１及び第２のレーザ光の対物レンズへの入射光位置を一致させ、対物レンズを通過したこれらのレーザ光を光ディスク等の対象物上の微小スポットに集光することが可能となる。
【０００７】
前記導波構造を前記第１及び第２のレーザ素子が設けられた半導体基板上に設けることで、導波構造の第１及び第２のレーザ素子に対する位置合わせ精度を向上することができると共に、製造方法の簡便化を図ることができる。
【０００８】
具体的には、前記導波構造は、第３の積層構造と基端が前記第１のストライプ構造に対して位置合わせされた第１の部分と、基端が前記第２のストライプ構造に対して位置合わせされた第２の部分と、基端に前記第１及び第２の部分の先端が合流し、かつ前記第１及び第２のストライプ構造と同方向に延びる第３の部分とを有する導波ストライプ構造とを備える。
【０００９】
前記導波構造の第３の積層構造を、ｎ型クラッド層、活性層、及びｐ型クラッド層をそれぞれ備える前記第１及び第２の積層構造うち波長が短い方のレーザ光を発光する活性層を備えるものと同一とすれば、第１及び第２のレーザ光のうち波長の長い方のレーザ光が導波ストライプ構造を通過する際の光吸収が低減される。
【００１０】
前記第３の積層構造の活性層が、前記第１及び第２のレーザ素子のうち波長が短い方向のレーザ光を発光するものの活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する場合、第１及び第２のレーザ光の両方について導波ストライプ構造を通過する際の光吸収が低減される。例えば、導波構造の第３の積層構造が備える活性層を、無秩序化された多重量子井戸とすればよい。
【００１１】
前記導波構造を、前記第１及び第２のレーザが設けられた半導体基板とは別体の基板に設ければ、ウェハ当たりの使用可能なレーザチップの歩留が向上し、かつ導波構造に最適な材料を使用ができる。例えば、前記導波構造を、前記第１及び第２のレーザ光に対して１ｃｍ−１以下の低光吸収係数を有するＳｉＯ２又はＳｉＮ等の誘電体材料で構成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
導波構造により第１及び第２のレーザから出射されたレーザ光の発光スポットを１つにすることができるので、２波長のレーザ光の対物レンズへの入射光位置を一致させて、対物レンズを通過したレーザ光を光ディスク等の対象物上の微小スポットに集光することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置及びその製造方法を図１にて説明する。
【００１５】
まず、半導体レーザ装置の構造を説明する。半導体レーザ装置は、第１の積層構造１１４と第１のストライプ構造としての第１のリッジストライプ１１５（以下、第１のストライプという）からなる第１のレーザ素子１７０と、第２の積層構造１２４と第２のストライプ構造としての第２のリッジストライプ１２５（以下、第２のストライプという）からなる第２のレーザ素子１８０と、合波ないしは導波構造１９０とを備える。導波構造１９０は、第３の積層構造１２４’と合波ないしは導波ストライプ構造としての導波リッジストライプ１３０（以下、導波ストライプという）とを有する。導波構造１９０は、第１のレーザ素子１７０から出射される第１のレーザ光と第２のレーザ素子１８０から出射される第２のレーザ光とを単一の発光スポットに導く。本実施形態では、第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０と、導波構造１９０は同一のｎ−GaAs半導体基板１００上に設けられている。
【００１６】
第１のレーザ素子１７０の第１の積層構造１１４は、ｎ−GaAs半導体基板１００の一方の面に、ｎ-AlGaAsクラッド層１１０、発振波長７８４nmのAlGaAs多重量子井戸活性層１１１、ｐ-AlGaAsクラッド層１１２、及びｐ-GaAsキャップ層１１３を備える。第１の積層構造１１４には、第１のストライプ１１５が形成されている。さらに、第１のレーザ素子１７０は、ｐ-GaAsキャップ層１１３上に設けられたｐ−電極１１７、第１のストライプ１１５に独立して電流が流れるようにするための電流閉じ込め用の絶縁膜１１６、及びｎ−GaAs半導体基板１００の他方の面に形成されたｎ−電極１５０を備える。
【００１７】
第２のレーザ素子１８０の第２の積層構造１２４は、ｎ−GaAs半導体基板１００の一方の面に、ｎ-AlGaInPクラッド層１２０、発振波長658nmのGaInP多重量子井戸活性層１２１、ｐ-AlGaInPクラッド層１２２、及びｐ-GaAsキャップ層１２３を備える。第２の積層構造１２４には、第２のストライプ１１５が形成されている。さらに、第２のレーザ素子１８０は、ｐ-GaAsキャップ層１２３上に設けられたｐ−電極１２７、第２のストライプ１２５に独立して電流が流れるようにするための電流閉じ込め用の絶縁膜１２６、及びｎ−GaAs半導体基板１００の他方の面に形成された第１のレーザ素子１７０と共通のｎ−電極１５０を備える。
【００１８】
第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０は、ｎ−GaAs半導体基板１００上に互いに近接して配置されている。第１のレーザ素子１７０の第１のストライプ１１５と第２のレーザ素子１８０の第２のストライプ１２５は互いに並列に配置されており、その間隔は１００μｍである。第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０は、第１及び第２のストライプ１１５、１２５と平行に延びる分離溝１４０により分離されている。
【００１９】
導波構造１９０は、第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０に対して、第１及び第２のレーザ光の出射方向（図１において第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０より手前側）に配置されている。導波構造１９０と第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０とは、第１及び第２のストライプ１１５、１２５と直交する方向に延びる垂直溝１４５により互いに分離されている。
【００２０】
導波構造１９０の第３の積層構造１２４’は、第２のレーザ素子１８０の第２の積層構造１２４と同一である。詳細には、第３の積層構造１２４’は、ｎ−GaAs半導体基板１００の一方の面に、ｎ-AlGaInPクラッド層１２０’、発振波長658nmのGaInP多重量子井戸活性層１２１’、ｐ-AlGaInPクラッド層１２２’、及びｐ-GaAsキャップ層１２３’を備える。第３の積層構造１２４’に導波ストライプ１３０が形成されている。導波ストライプ１３０は、基端が第１のストライプ１１５に対して位置合わせされた第１の部分１３０ａ、基端が第２のストライプ１２５に対して位置合わせされた第２の部分１３０ｂ、及び基端に第１及び第２の部分１３０ａ、１３０ｂの先端が合流し、かつ第１及び第２のストライプ構造１１５、１２５と同方向に延びる第３の部分１３０ｃとを有する。第１及び第２の部分１３０ａ、１３０ｂは、基端側に第１及び第２のストライプ１１５、１２５に対して平行に延びる部分１３０ｄ、１３０ｅ、先端側に第３の部分１３０ｃに向けて第１及び第２のストライプ１１５、１２５に対して傾斜する方向に延びる部分１３０ｆ、１３０ｇを備えている。
【００２１】
次に、この半導体レーザ装置の製造方法を説明する。まず、ｎ-GaAs半導体基板１００上に、ｎ-AlGaAsクラッド層１１０、発振波長784nmのAlGaAs多重量子井戸活性層１１１、ｐ-AlGaAsクラッド層１１２、及びｐ-GaAsキャップ層１１３をＭＯＣＶＤ（気相成長）法等により積層し、第１の積層構造１１４を形成する。
【００２２】
次に、ｎ-GaAs半導体基板１００上の第１の積層構造１１４の一部（第２のレーザ素子１８０に対応する部分）をウエットエッチ等により除去する。その後、ｎ-GaAs基板１００及び第１の積層構造１１４上に、ｎ-AlGaInPクラッド層１２０、発振波長658nmのGaInP多重量子井戸活性層１２１、ｐ-AlGaInPクラッド層１２２、ｐ-GaAsキャップ層１２３をＭＯＣＶＤ（気相成長）法等により積層し、第２の積層構造１２４を形成する。
【００２３】
第１の積層構造１１４上の第２の積層構造１２４をウエットエッチ等により除去した後、ウエットエッチ等により第１の積層構造１１４に第１のストライプ１１５、第２の積層構造１２４の一部（第２のレーザ素子１８０に対応する部分）に第２のストライプ１２５を、互いに並行にかつ１００μmの間隔で形成する。同時に、第２積層構造１２４の一部（導波構造１９０に対応する部分）に導波ストライプ１３０を形成する。
【００２４】
続いて、第１のストライプ１１５を有する第１の積層構造１１４（ｎ-GaAs半導体基板１００の第１のレーザ素子１７０と対応する部分）と、第２のストライプ１２５を有する第２の積層構造１２４（ｎ-GaAs半導体基板１００の第２のレーザ素子１８０と対応する部分）との間に、ドライエッチ等により分離溝１４０を形成する。また、第１のストライプ１１５を有する第１の積層構造１１４及び第２のストライプ１２５を有する第２の積層構造１２４（ｎ-GaAs半導体基板１００の第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０と対応する部分）と、導波ストライプ１３０を有する第２積層構造１２４（ｎ-GaAs半導体基板１００の導波構造１９０と対応する部分）との間に、ドライエッチ等により垂直溝１４５を形成する。
【００２５】
次に、第１のストライプ１１５の外部にＣＶＤ法等により絶縁膜１１６を形成し、その後、第１のストライプ１１５の上部にｐ−電極１１７を形成する。また、第２のストライプ１２５の外部に絶縁膜１２６を形成し、第２のストライプ１２５の上部にｐ−電極１２７を形成する。さらに、ｎ-GaAs半導体基板１００の他方の面にｎ−電極１５０を蒸着等により形成する。
【００２６】
次に、劈開法により、導波ストライプ１３０と反対側の端面にレーザ発振用のミラー１５５を形成すると共に、導波ストライプ１３０の出射端面１６０を形成する。劈開後、垂直溝１４５の第１及び第２のストライプ１１５、１２５側の側壁面、すなわち第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０の出射面１７０ａ、１８０ｂには反射率５〜１０％になるようにコート膜で反射率調整を行い、垂直溝１４５の導波ストライプ１３０側の側壁面、すなわち導波構造１９０の入射端面１９０ａには反射率３％以内にコート膜で反射率調整を行う。また、ミラー１５５は反射率７０〜１００％にコート膜で反射率調整を行い、出射端面１６０は反射率３％以内にコート膜で反射率調整を行う。チップ分割後、電極分割したサブマウントに実装した上でレーザパッケージに実装する。
【００２７】
以上の製造工程により、同一基板上に、第１の積層構造１１４と第１のストライプ１１５を備える第１のレーザ素子１７０、第２の積層構造１２４と第２のストライプ１２５を備える第２のレーザ素子１８０、及び第３積層構造１２４’と導波ストライプ１３０を備える導波構造１９０からなる半導体レーザ装置が得られる。
【００２８】
第１のレーザ素子１７０に電流を供給してレーザ発振させると、出射端面１７０ａから出射された波長７８４nmの第１のレーザ光が導波構造１９０の入射端面１９０ａ（導波ストライプ１３０の第１の部分１３０ａの基端に対応する部分）に入射し、導波ストライプ１３０を通って出射端面１６０の発光スポット１６０ａから出射する。詳細には、第１のレーザ光は、導波ストライプ１３０の第１の部分１３０ａから第３の部分１３０ｃを経て出射する。一方、第２のレーザ素子１８０に電流を供給してレーザ発振させると、出射端面１８０ａから出射された波長６５８nmの第２のレーザ光が導波構造１９０の入射端面１９０ａ（導波ストライプ１３０の第２の部分１３０ｂの基端に対応する部分）に入射し、導波ストライプ１３０を通って出射端面１６０の発光スポット１６０ａから出射する。詳細には、第２のレーザ光は、導波ストライプ１３０の第２の部分１３０ｂから第３の部分１３０ｃを経て出射する。このように第１及び第２のレーザ光は、同一の出射スポット１６０ａから出射される。換言すれば２波長のレーザ光の発光スポットを１つにすることができる。従って、第１及び第２のレーザ光の対物レンズ２００への入射光の位置を一致させることができ、対物レンズを通過したレーザ光を対象物の微小スポットに集光することが可能となり、光ディスクのピックアップ光源として適する。
【００２９】
また、本実施形態では、同一のｎ-GaAs半導体基板１００上に第１及び第２のストライプ１１５、１２５（第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０）と、導波ストライプ１３０（導波構造１９０）を形成できるので、第１及び第２のストライプ１１５、１２５と導波ストライプ１３０の位置合せ精度を向上できると共に、製造方法の簡略化を図ることができる。
【００３０】
さらに、導波構造１９０の第３の積層構造１２４’は第２のレーザ素子１８０の第２の積層構造１２４と同一としている。換言すれば、導波構造１９０の第３の積層構造１２４’は、第１及び第２の積層構造１１４、１２４のうち波長の短い方の第２のレーザ光（６５８nm）を発光する活性層（GaInP多重量子井戸活性層１２１）を備えるものと同一であり、第３の積層構造１２４’の活性層（GaInP多重量子井戸活性層１２１’）は波長の長い方の第１のレーザ光（７８４nm）を発光する第１の積層構造１１４の活性層（AlGaAs多重量子井戸活性層１２４）よりもバンドギャップが大きい。従って、導波構造１９０は、波長の長い方の第１のレーザ光（７８４nm）に対して透明となり、この第１のレーザ光が通過する際の光吸収を低減できる。
【００３１】
（第２実施形態）
図２に示す本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置では、その製造工程に導波構造１９０の量子井戸活性層２００を無秩序化する工程を導入する。量子井戸活性層２００を無秩序化すると半導体のバンドギャップが増大し、第２の積層構造１２４（第２のレーザ素子１８０）から発振される波長が短い方の第２のレーザ光に対しても透明となり、第１のレーザ光のみでなく第２のレーザ光が導波構造１９０を通過する際の光吸収を低減できる。第２実施形態のその他の構成及び作用は同一であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３２】
（第３実施形態）
第３実施形態の半導体レーザ装置では、第１の積層構造３１４と第１のストライプ３１５からなる第１のレーザ素子３７０と、第２の積層構造３２４と第２のストライプ３２５からなる第２のレーザ素子３８０は同一のｎ-GaAs半導体基板３００上に形成されているが、導波構造４５０はｎ-GaAs半導体基板３００とは別体の基板に設けられている。
【００３３】
導波構造４５０は、第１及び第２のレーザ素子３７０、３８０に対して、第１及び第２のレーザ光の出射方向に間隔をあけて配置されている。本実施形態の導波構造４５０では、ガラス基板４００上に、ガラス基板４００よりも屈折率が高いSiN膜４１０が形成されている。SiN膜４１０には、導波ストライプ４２０が形成されている。導波ストライプ４２０は、基端が第１のストライプ３１５に対して位置合わせされた第１の部分４２０ａ、基端が第２のストライプ３２５に対して位置合わせされた第２の部分４２０ｂ、及び基端に第１及び第２の部分４２０ａ、４２０ｂの先端が合流し、かつ第１及び第２のストライプ構造３１５、３２５と同方向に延びる第３の部分４２０ｃとを有する。第１及び第２の部分４２０ａ、４２０ｂは、基端側に第１及び第２のストライプ３１５、３２５に対して平行に延びる部分４２０ｄ、４２０ｅ、先端側に第３の部分４２０ｃに向けて第１及び第２のストライプ３１５、３２５に対して傾斜する方向に延びて部分４２０ｆ、４２０ｇを備えている。
【００３４】
第３実施形態の半導体レーザ装置の製造方法を説明すると、まず、ｎ-GaAs半導体基板３００上にｎ-AlGaAsクラッド層３１０、発振波長784nmの多重量子井戸活性層３１１、ｐ-AlGaAsクラッド層３１２、ｐ-GaAsキャップ層３１３からなる第１の積層構造３１４を形成する。
【００３５】
次に、ｎ-GaAs半導体基板３００上の第１の積層構造３１４の一部を除去して、ｎ-GaAs基板３００及び第１の積層構造３１４上にｎ-AlGaInPクラッド層３２０、発振波長658nmの多重量子井戸活性層３２１、ｐ-AlGaInPクラッド層３２２、ｐ-GaAsキャップ層３２３からなる第２の積層構造３２４を形成する。
【００３６】
次に、第１の積層構造３１４上の第２の積層構造３２４を除去し、第１の積層構造３１４に第１のストライプ３１５、第２の積層構造３２４に第２のストライプ３２５を並行に100μmの間隔で形成する。第１のストライプ３１５を有する第１の積層構造３１４と第２のストライプ３２５を有する第２の積層構造３２４の間に分離溝３４０を形成する。また、第１のストライプ３１５に独立して電流が流れるように、第１のストライプ３１５の外部に電流閉じ込め用の絶縁膜３１６を形成し、第１のストライプ３１５の上部にｐ-電極３１７を形成する。第２ストライプ３２５に独立して電流が流れるように、第２のストライプ３２５の外部に電流閉じ込め用の絶縁膜３２６を形成し、第２のストライプ３２５の上部にp−電極３２７を形成する。ｎ-GaAs基板３００にｎ−電極３５０を形成後、劈開法でレーザ発振用のミラー３４５とミラー３５５を形成する。出射側ミラー３４５は反射率５〜１０％にコート膜で反射率調整を行い、後面側ミラー３５５は反射率７０〜１００％にコート膜で反射率調整を行い、その後、チップに分割する。
【００３７】
一方、ガラス基板４００上にSiN膜４１０をＣＶＤ等により形成する。このSiN膜４１０にドライエッチ等により導波ストライプ４２０を形成して、入射端面４３０と出射端面４４０を有する導波構造４５０を構成する。導波構造４５０の入射端面４３０を第１のストライプ３１５と第２のストライプ３２５の出射端面３４５に位置合せして、第１及び第２のレーザ素子３７０、３８０を備えるレーザチップと導波構造４５０とをサブマウント上にマウントする。
【００３８】
第１のレーザ素子３７０に電流を供給してレーザ発振させると、波長７８４nmの第１のレーザ光が導波ストライプ４２０を通って出射端面４４０の発光スポット４４０ａから出射する。第２のレーザ素子３８０に電流を供給してレーザ発振させると、波長６５８nmの第２のレーザ光が導波ストライプ４２０を通って出射端面４４０の同一の発光スポット４４０ａから出射する。このように２波長のレーザの発光スポット４４０ａを１つにすることができるので、対物レンズ２００への入射光の位置を一致させて、対物レンズ２００を通過したレーザ光を微小スポットに集光することが可能となる。
【００３９】
また、第１及び第２のレーザ素子と同一基板上に導波構造を形成すると、全体のチップサイズが大きくなって、ウェハ当たりの使用可能なレーザチップの歩留（取れ数）が低下する。これに対して、本実施形態では、導波構造４５０を第１及び第２のレーザ素子３７０、３８０と別体として別途作製することで、レーザチップの取れ数低減を防止できる。また、別体としたことで、導波構造に最適な材料を使用できる。
【００４０】
本発明は前記実施形態に限定されず種々の変形が可能である。例えば、第１及び第２のレーザ素子として、実施形態のもの以外の種々のIII−Ｖ属化合物半導体レーザ素子等を採用し得る。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】第１実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図。
【図２】第２実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図。
【図３】第２実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図。
【符号の説明】
【００４２】
100            n-GaAs基板
n-AlGaAsクラッド層
AlGaAs多重量子井戸活性層
p-AlGaAsクラッド層
p-GaAsキャップ層
第1積層構造
第1ストライプ
絶縁膜
p-電極
ｎ-AlGaInPクラッド層
GaInP多重量子井戸活性層
p-AlGaInPクラッド層
p-GaAsキャップ層
第2積層構造
第2ストライプ
絶縁膜
p-電極
合波ストライプ
分離溝
145    垂直溝
n-電極
ミラー
出射端面
170    第1レーザ
第2レーザ
合波ストライプ構造
無秩序化量子井戸活性層
300    n-GaAs基板
n-AlGaAsクラッド層
AlGaAs多重量子井戸活性層
p-AlGaAsクラッド層
313    p-GaAsキャップ層
314    第1積層構造
315    第1ストライプ
316    絶縁膜
317    p-電極
320    ｎ-AlGaInPクラッド層
321    GaInP多重量子井戸活性層
322    p-AlGaInPクラッド層
323    p-GaAsキャップ層
324    第2積層構造
325    第2ストライプ
326    絶縁膜
327    p-電極
340    分離溝
n-電極
345    出射側ミラー
355    後面側ミラー
370    第1レーザ
380    第2レーザ
ガラス基板
SiN膜
合波ストライプ
入射端面
出射端面
450    合波ストライプ構造
【図１】
2005191028.tif 000003
【図２】
2005191028.tif 000004
【図３】
2005191028.tif 000005