(57)【要約】【課題】２つの異なる半導体装置に対して１つのウェハレベルバーンイン装置からストレスを印加することが可能なように構成する。【解決手段】同一チップサイズの２種類の半導体装置Ａ１１０および半導体装置Ｂ１１１をマルチレチクルに構成し、半導体装置Ａ１１０および半導体装置Ｂ１１１それぞれに、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッド１２０と、バーンイン用クロック入力パッド１２１と、出力波形モニタパッド１２２とを設け、このマルチレチクルを１つのウェハ１００上に拡散する。ウェハバーンイン装置１５０は、パッド１２０〜１２２と接続させるバンプ１５１を持ち、ストレス印加信号をウェハ上のすべての半導体装置に与える。また、縦方向の長さが同じ２種類の半導体装置をマルチレチクルに構成し、ウェハバーンイン装置はパッド間隔を横方向に変更可能にする。【選択図】  図１
2005005583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、をそれぞれに設けた、同一サイズの２種類以上の半導体装置をマルチレチクルに構成して１つのウェハ上に拡散した半導体ウェハ。
【請求項２】
通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、をそれぞれに設けた、方形の一辺のサイズが同じで他の辺のサイズが異なる２種類以上の半導体装置をマルチレチクルに構成して１つのウェハ上に拡散した半導体ウェハ。
【請求項３】
通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、縦方向および横方向に長いウェハレベルバーンイン専用パッドと、を設けた半導体装置を１つのウェハ上に拡散した半導体ウェハ。
【請求項４】
通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、をそれぞれに設け、かつそれぞれの検査用パッド位置が同一になるように構成した、方形の少なくとも一辺のサイズが同じ２種類以上の半導体装置をマルチレチクルに構成して１つのウェハ上に拡散した半導体ウェハ。
【請求項５】
請求項１記載の半導体ウェハの各パッドと接続させるバンプを有するウェハバーンイン装置。
【請求項６】
請求項２記載の半導体ウェハの各パッドと接続させる、一方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプを有するウェハバーンイン装置。
【請求項７】
請求項１または２記載の半導体ウェハの各パッドと接続させる、横方向および縦方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプを有するウェハバーンイン装置。
【請求項８】
請求項３記載の半導体ウェハの各パッドと接続させるバンプを有するウェハバーンイン装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハとそのウェハバーンイン装置に関し、ウェハレベルバーンイン装置の費用削減を可能にする技術に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の製造における微細化プロセスの進展に伴い、ますます大規模化し複雑化する半導体装置の品質保証が重要な鍵となり、初期不良撲滅のためにバーンインの実施が必須となっている。また、組立て後の不良品を無くすために、ウェハレベルでバーンインを実施するウェハレベルバーンインが普及している。
【０００３】
図８は、従来のウェハレベルバーンインの実施方法を説明する図である。図８において、スライス８００は半導体装置Ａ８０１を拡散したもので、組立てたものがパッケージ品Ａ８０２である。また、スライス８１０は半導体装置Ｂ８１１を拡散したもので、組立てたものがパッケージ品Ｂ８１２である。ウェハバーンイン装置Ａ８２０はスライス８００専用であり、ウェハバーンイン装置Ｂ８３０はスライス８１０専用である。
【０００４】
スライス８００にウェハ状態でストレスを印加できるウェハバーンイン装置Ａ８２０は、スライス８００上の各半導体装置Ａ８０１と接続されており、ウェハバーンインを行うことができる構成になっている。また、スライス８１０にウェハ状態でストレスを印加できるウェハバーンイン装置Ｂ８３０は、スライス８１０上の各半導体装置Ｂ８１１と接続されており、ウェハバーンインを行うことができる構成になっている。
【０００５】
このようにして、従来は半導体装置毎に別々にウェハレベルバーンインを実施しており、２つの異なる半導体装置Ａ８０１と半導体装置Ｂ８１１を開発するときは、それぞれ専用のウェハバーンイン装置Ａ８２０とウェハバーンイン装置Ｂ８３０を作成する必要があり、高額なウェハバーンイン装置を２品種分作成していた。
【０００６】
異なる半導体装置毎にそれぞれ専用のウェハバーンイン装置を作成することを避ける方法として、すべてのチップに給電可能な電源供給用パッドをウェハ周辺部に設け、Ｉ／Ｏセル回路の工夫や発熱回路の内蔵等を行い、ウェハバーンイン装置をすべてのパッドに接触させる代わりに、共通の冶具を用いてウェハレベルバーンインを実施する技術も報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−２９７７７５号公報（第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来、２つの異なる半導体装置を１つのパッケージに入れた半導体装置でバーンインの実施を必要とするものについては、パッケージング後の半導体装置にバーンインを実施して不良品を摘出することによる組立てロスが発生していた。また、それぞれのチップでウェハレベルバーンインを行う場合も、各チップ用にウェハレベルバーンイン装置を作成していたため、ウェハレベルバーンイン装置への投資が大きくなるといった問題がある。
【０００９】
本発明は上記従来の問題を解決するもので、２つの異なる半導体装置に対して１つのウェハレベルバーンイン装置からストレスを印加することが可能なように半導体ウェハを構成することにより、高額なウェハレベルバーンイン装置の投資費用を削減することができる半導体ウェハの構成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体ウェハは、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、をそれぞれに設けた、同一サイズの２種類以上の半導体装置をマルチレチクルに構成して１つのウェハ上に拡散したものである。
【００１１】
上記構成によれば、１つのウェハバーンイン装置から２つの異なる半導体装置にウェハレベルで一度にストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置の費用を１品種分削減することができる。
【００１２】
請求項２の半導体ウェハは、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、をそれぞれに設けた、方形の一辺のサイズが同じで他の辺のサイズが異なる２種類以上の半導体装置をマルチレチクルに構成して１つのウェハ上に拡散したものである。
【００１３】
上記構成によれば、半導体装置のチップサイズが異なっていても同じサイズの辺を隣り合わせて整列させることにより、１つのウェハバーンイン装置から２つの異なる半導体装置にウェハレベルで一度にストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置の費用を１品種分削減することができる。
【００１４】
請求項３の半導体ウェハは、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、縦方向および横方向に長いウェハレベルバーンイン専用パッドと、を設けた半導体装置を１つのウェハ上に拡散したものである。
【００１５】
上記構成によれば、縦方向および横方向に長いウェハレベルバーンイン専用パッドを有することにより、１種類のウェハバーンイン装置を設計するだけで半導体ウェハ数品種が高額なウェハレベルバーンイン装置を共用することが可能となり、検査用のパッドを痛めることなくバーンインストレスを印加でき、通常パッドの数や位置に左右することなく半導体装置設計やウェハバーンイン装置設計にかかる工数や費用を大幅に削減できる。
【００１６】
請求項４の半導体ウェハは、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンイン用電源パッドと、バーンイン用クロック入力パッドと、出力波形モニタパッドと、をそれぞれに設け、かつそれぞれの検査用パッド位置が同一になるように構成した、方形の少なくとも一辺のサイズが同じ２種類以上の半導体装置をマルチレチクルに構成して１つのウェハ上に拡散したものである。
【００１７】
上記構成によれば、マルチレチクルに構成された２種類の半導体装置を検査するのに必要な信号を１つのプローブカードで処理することができ、テストプログラム内部で２種類の半導体装置を個別に認識することにより同時に検査を行うことができるため、プローブカード費用の削減と検査コストの削減が可能となる。
【００１８】
請求項５のウェハバーンイン装置は、請求項１記載の半導体ウェハの各パッドと接続させるバンプを有するものである。
【００１９】
請求項６のウェハバーンイン装置は、請求項２記載の半導体ウェハの各パッドと接続させる、一方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプを有するものである。
【００２０】
請求項７のウェハバーンイン装置は、請求項１または２記載の半導体ウェハの各パッドと接続させる、横方向および縦方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプを有するものである。
【００２１】
請求項８のウェハバーンイン装置は、請求項３記載の半導体ウェハの各パッドと接続させるバンプを有するものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図である。図１において、スライス１００は、チップサイズが同一の２つの異なる半導体装置Ａおよび半導体装置Ｂをマルチレチクルにすることで、１つのウェハ上に２種の異なる半導体装置を構成したものである。
【００２３】
すなわち、スライス１００は半導体装置Ａ１１０と半導体装置Ｂ１１１の２種類を拡散したものであり、半導体装置Ａ１１０の幅ｘａ（１１３）と長さｙａ（１１２）、および半導体装置Ｂ１１１の幅ｘｂ（１１４）と長さｙｂ（１１５）において、ｘａ＝ｘｂ、ｙａ＝ｙｂである。
【００２４】
半導体装置Ａ１１０と半導体装置Ｂ１１１はそれぞれ、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッド１２０と、バーンイン時に入力するクロック用パッド１２１と、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッド１２２を持つ。
【００２５】
ウェハバーンイン装置１５０はスライス１００専用であるが、ストレスを印加するために必要な信号をウェハ上のすべての半導体装置に与えるために、パッド１２０〜１２２と接続させるバンプ１５１を持つ。
【００２６】
チップサイズが同じ２つの異なる半導体装置でこのように半導体ウェハを構成することにより、１つのウェハバーンイン装置からウェハレベルで一度にストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置の費用を１品種分削減することができる。
【００２７】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図である。図２において、スライス２００は、ｙ方向のサイズが同じでｘ方向のサイズの異なる２つの半導体装置Ａおよび半導体装置Ｂをマルチレチクルにすることで、１つのウェハ上に２種の異なる半導体装置を構成したものである。
【００２８】
すなわち、スライス２００は半導体装置Ａ２１０と半導体装置Ｂ２１１の２種類を拡散したものであり、半導体装置Ａ２１０の幅ｘａ（２１３）と長さｙａ（２１２）、および半導体装置Ｂ２１１の幅ｘｂ（２１４）と長さｙｂ（２１５）において、ｘａ≠ｘｂ、ｙａ＝ｙｂである。
【００２９】
半導体装置Ａ２１０と半導体装置Ｂ２１１はそれぞれ、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッド２２０と、バーンイン時に入力するクロック用パッド２２１と、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッド２２２を持つ。
【００３０】
ウェハバーンイン装置２５０はスライス２００専用であるが、ストレスを印加するために必要な信号をウェハ上のすべての半導体装置に与えるために、パッド２２０〜２２２と接続させるｘ方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプ２５１を持つ。
【００３１】
ｙ方向のサイズが同じでｘ方向のサイズの異なる２つの半導体装置でこのように半導体ウェハを構成することにより、１つのウェハバーンイン装置からウェハレベルで一度にストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置の費用を１品種分削減することができる。
【００３２】
図３は本発明の実施の形態２に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の他の構成方法を示す図である。図３において、スライス３００は、ｘ方向のサイズが同じでｙ方向のサイズの異なる２つの半導体装置Ａおよび半導体装置Ｂをマルチレチクルにすることで、１つのウェハ上に２種の異なる半導体装置を構成したものである。
【００３３】
すなわち、スライス３００は半導体装置Ａ３１０と半導体装置Ｂ３１１の２種類を拡散したものであり、半導体装置Ａ３１０の幅ｘａ（３１３）と長さｙａ（３１２）、および半導体装置Ｂ２１１の幅ｘｂ（３１４）と長さｙｂ（３１５）において、ｘａ＝ｘｂ、ｙａ≠ｙｂである。
【００３４】
半導体装置Ａ３１０と半導体装置Ｂ３１１はそれぞれ、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッド３２０と、バーンイン時に入力するクロック用パッド３２１と、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッド３２２を持つ。
【００３５】
ウェハバーンイン装置３５０はスライス３００専用であるが、ストレスを印加するために必要な信号をウェハ上のすべての半導体装置に与えるために、パッド３２０〜３２２と接続させるｙ方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプ３５１を持つ。
【００３６】
図３の半導体ウェハは図２の半導体ウェハを９０度回転させたものと考えることができるので、その効果は図２の場合と同様であり、このように半導体ウェハを構成することにより、１つのウェハバーンイン装置からウェハレベルで一度にストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置の費用を１品種分削減することができる。
【００３７】
（実施の形態３）
図４は本発明の実施の形態３に係るウェハバーンイン装置の構成方法を示す図である。図４において、スライス４００は、ｘ方向とｙ方向のサイズが同じ、あるいはｘ方向とｙ方向のサイズが異なる１つの半導体装置を１つのウェハ上に構成したものである。
【００３８】
すなわち、スライス４００は半導体装置４１０を拡散したものであり、半導体装置４１０の幅ｘａ（４１３）と長さｙａ（４１２）において、ｘａ＝ｙａ、もしくは、ｘａ≠ｙａである。
【００３９】
半導体装置４１０は、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッド４２０と、バーンイン時に入力するクロック用パッド４２１と、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッド４２２を持つ。
【００４０】
ウェハバーンイン装置４５０は、ストレスを印加するために必要な信号をウェハ上のすべての半導体装置に与えるために、パッド４２０〜４２２と接続させるｘ方向およびｙ方向にパッド間隔を自由に変更できるバンプ４５１を持つ。
【００４１】
このようにウェハバーンイン装置を構成することにより、チップサイズの異なるさまざまな半導体装置に対して１つのウェハバーンイン装置からウェハレベルでストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置を数品種分作成する必要が無くなり１台に削減することができる。
【００４２】
（実施の形態４）
図５は本発明の実施の形態４に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図である。図５において、スライス５００は、ｘ方向とｙ方向のサイズが同じ、あるいは、ｘ方向とｙ方向の一方のサイズが同じで他方のサイズが異なる２つの半導体装置を１つのウェハ上に構成したものである。
【００４３】
すなわち、スライス５００は半導体装置Ａ５１０と半導体装置Ｂ５１１を拡散したものであり、半導体装置Ａ５１０の幅ｘａ（５１３）と長さｙａ（５１２）、および半導体装置Ｂ５１１の幅ｘｂ（５１４）と長さｙｂ（５１５）において、ｙａ＝ｙｂであり、また、ｘａ＝ｙａもしくはｘａ≠ｙａであり、ｘｂ＝ｙｂもしくはｘｂ≠ｙｂである。
【００４４】
半導体装置Ａ５１０と半導体装置Ｂ５１１は、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッド５２０と、バーンイン時に入力するクロック用パッド５２１と、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッド５２２と、ウェハレベルバーンイン専用のｘ方向およびｙ方向に長いパッド５４０を持つ。
【００４５】
このように半導体ウェハを構成することにより、１種類のウェハバーンイン装置を設計するだけで半導体ウェハ数品種が高額なウェハレベルバーンイン装置を共用することが可能となり、検査用のパッドを痛めることなくバーンインストレスを印加でき、通常パッドの数や位置に左右することなく半導体装置設計やウェハバーンイン装置設計にかかる工数や費用を大幅に削減できる。
【００４６】
（実施の形態５）
図６は本発明の実施の形態５に係る半導体ウェハの構成方法を示す図である。図６において、スライス６００は、図１のスライス１００と同様に、チップサイズが同一の２つの異なる半導体装置Ａおよび半導体装置Ｂをマルチレチクルにすることで、１つのウェハ上に２種の異なる半導体装置を構成したものである。
【００４７】
すなわち、スライス６００は半導体装置Ａ６１０と半導体装置Ｂ６１１の２種類を拡散したものであり、半導体装置Ａ６１０の幅ｘａ（６１３）と長さｙａ（６１２）、および半導体装置Ｂ６１１の幅ｘｂ（６１４）と長さｙｂ（６１５）において、ｘａ＝ｘｂ、ｙａ＝ｙｂである。
【００４８】
半導体装置Ａ６１０と半導体装置Ｂ６１１は、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッドと、バーンイン時に入力するクロック用パッドと、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッドを持ち、それぞれの半導体装置の検査用パッド位置が同一になるように構成する。
【００４９】
プローブカード６５０はウェハ上を走査し、各半導体装置を順に検査する。半導体装置Ａ６１０と半導体装置Ｂ６１１はチップサイズと検査用パッド位置が同じであるため、１つのプローブカード６５０を半導体装置Ａ６１０と半導体装置Ｂ６１１に対して共通に使用することができる。
【００５０】
このように、マルチレチクルに構成された２種類の半導体装置を検査するのに必要な信号を１つのプローブカードで処理することができ、テストプログラム内部で２種類の半導体装置を個別に認識することにより同時に検査を行うことができるため、プローブカード費用の削減と検査コストの削減が可能となる。
【００５１】
図７は本発明の実施の形態５に係る半導体ウェハの他の構成方法を示す図である。図７において、スライス７００は、図２のスライス２００と同様に、ｙ方向のサイズが同じでｘ方向のサイズの異なる２つの半導体装置Ａおよび半導体装置Ｂをマルチレチクルにすることで、１つのウェハ上に２種の異なる半導体装置を構成したものである。
【００５２】
すなわち、スライス７００は半導体装置Ａ７１０と半導体装置Ｂ７１１の２種類を拡散したものであり、半導体装置Ａ７１０の幅ｘａ（７１３）と長さｙａ（７１２）、および半導体装置Ｂ７１１の幅ｘｂ（７１４）と長さｙｂ（７１５）において、ｘａ≠ｘｂ、ｙａ＝ｙｂである。
【００５３】
半導体装置Ａ７１０と半導体装置Ｂ７１１は、通常パッドと兼用もしくは専用のバーンインに必要な電源パッドと、バーンイン時に入力するクロック用パッドと、バーンイン時に出力される波形をモニターし動作確認を行う出力パッドを持ち、ｙ方向のサイズが同じことを利用して、それぞれの半導体装置の検査用パッド位置７５１が同一になるように構成する。
【００５４】
プローブカード７５０はウェハ上を走査し、各半導体装置を順に検査する。半導体装置Ａ７１０と半導体装置Ｂ７１１はチップサイズは異なるが検査用パッド位置が同じであるため、１つのプローブカード７５０を半導体装置Ａ７１０と半導体装置Ｂ７１１に対して共通に使用することができる。
【００５５】
このように、マルチレチクルに構成された２種類の半導体装置を検査するのに必要な信号を１つのプローブカードで処理することができ、テストプログラム内部で２種類の半導体装置を個別に認識することにより同時に検査を行うことができるため、プローブカード費用の削減と検査コストの削減が可能となる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置のチップサイズが同じであるか、あるいは異なっていても、１つのウェハバーンイン装置から２つの異なる半導体装置にウェハレベルで一度にストレス印加できるため、高額なウェハレベルバーンイン装置の費用を１品種分削減することができる。
【００５７】
さらに、縦方向および横方向に長いウェハレベルバーンイン専用パッドを有することにより、１種類のウェハバーンイン装置を設計するだけで半導体ウェハ数品種が高額なウェハレベルバーンイン装置を共用することが可能となり、通常パッドの数や位置に左右することなく半導体装置設計やウェハバーンイン装置設計にかかる工数や費用を大幅に削減できる。
【００５８】
さらに、マルチレチクルに構成された２種類の半導体装置を検査するのに必要な信号を１つのプローブカードで処理することができ、テストプログラム内部で２種類の半導体装置を個別に認識することにより同時に検査を行うことができるため、プローブカード費用の削減と検査コストの削減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図。
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図。
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図。
【図４】本発明の実施の形態３係るウェハバーンイン装置の構成方法を示す図。
【図５】本発明の実施の形態４に係る半導体ウェハおよびウェハバーンイン装置の構成方法を示す図。
【図６】本発明の実施の形態５に係る半導体ウェハの構成方法を示す図。
【図７】本発明の実施の形態５に係る半導体ウェハの構成方法を示す図。
【図８】従来のウェハレベルバーンインの実施方法を説明する図。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００  スライス
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０  半導体装置Ａ
１１１、２１１、３１１、５１１、６１１、７１１  半導体装置Ｂ
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２  半導体装置Ａのｙ方向の長さ
１１３、２１３、３１３、４１３、５１３、６１３、７１３  半導体装置Ａのｘ方向の長さ
１１４、２１４、３１４、５１４、６１４、７１４  半導体装置Ｂのｘ方向の長さ
１１５、２１５、３１５、５１５、６１５、７１５  半導体装置Ｂのｙ方向の長さ
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０  電源パッド
１２１、２２１、３２１、４２１、５２１  クロック用パッド
１２２、２２２、３２２、４２２、５２２  出力パッド
１５０、２５０、３５０、４５０、５５０  ウェハバーンイン装置
１５１、２５１、３５１、４５１、５５１  バンプ
６５０、７５０  プローブカード
６５２、７５２  テストプログラム
７５１  パッド位置
８００、８１０  スライス
８０１  半導体装置Ａ
８０２  パッケージ品Ａ
８１１  半導体装置Ｂ
８１２  パッケージ品Ｂ
８２０  ウェハバーンイン装置Ａ
８３０  ウェハバーンイン装置Ｂ
【図１】
2005005583.tif 000003
【図２】
2005005583.tif 000004
【図３】
2005005583.tif 000005
【図４】
2005005583.tif 000006
【図５】
2005005583.tif 000007
【図６】
2005005583.tif 000008
【図７】
2005005583.tif 000009
【図８】
2005005583.tif 000010