(57)【要約】【課題】  配線基板に内蔵でき、配線基板に搭載されるＣＰＵ等の半導体チップの近くに配置することが可能な薄型の固体電解キャパシタとその製造方法を提供すること。【解決手段】  絶縁材料で封止されていない平板状のキャパシタ素子からなり、このキャパシタ素子は、一方の極性の電極３１ａともう一方の極性の電極３１ｂ、及びそれらの間の固体電解質１７を含み、一方の極性の電極３１ａは平板状キャパシタ素子の一方の面に露出し、もう一方の極性の電極３１ｂは他方の面に露出している固体電解キャパシタ３５とする。【選択図】      図２（ｂ）
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料で封止されていない平板状のキャパシタ素子からなり、このキャパシタ素子は、一方の極性の電極ともう一方の極性の電極、及びそれらの間の固体電解質を含み、一方の極性の電極は平板状キャパシタ素子の一方の面に露出し、もう一方の極性の電極は他方の面に露出していることを特徴とする固体電解キャパシタ。
【請求項２】
一方の極性の電極が一方の絶縁性基材上の導電性膜に接続し、もう一方の極性の電極がもう一方の絶縁性基材上の導電性膜に接続している、請求項１記載の固体電解キャパシタ。
【請求項３】
各絶縁性基材上の導電性膜に接続する双方の極性の電極がそれぞれ固体電解質層を貫通している、請求項２記載の固体電解キャパシタ。
【請求項４】
各面に露出している部分及び絶縁性基材上の導電性膜に接続している部分を除き、双方の極性の電極の表面に誘電体層が存在している、請求項１又は２記載の固体電解キャパシタ。
【請求項５】
絶縁材料で封止されていない平板状のキャパシタ素子からなり、このキャパシタ素子は、一方の極性の電極ともう一方の極性の電極、及びそれらの間の固体電解質を含み、一方の極性の電極は平板状キャパシタ素子の一方の面に露出し、もう一方の極性の電極は他方の面に露出している固体電解キャパシタの製造方法であって、
（ａ）孔の開いた絶縁材料の平板状の基材を用意する工程、
（ｂ）基材の片面に金属材料層を形成する工程、
（ｃ）この金属材料層の上に金属のバンプを形成する工程、
（ｄ）金属材料層及び金属バンプの材料を陽極酸化してそれらの表面に誘電体層を形成する工程、
（ｅ）基材の誘電体層を形成した側に、基材の孔を埋め且つ表面に誘電体層を形成した金属バンプが突出するよう、固体電解質層を形成する工程、
（ｆ）工程（ａ）〜（ｅ）を繰り返して、バンプを形成した面どうしを向き合わせたときに基材の孔の位置が上記一方の部品のバンプの位置と一致し、バンプの位置が上記一方の部品の基材の孔の位置と一致する、キャパシタのもう一方の部品を製作する工程、
（ｇ）上記一方の部品ともう一方の部品をそれらのバンプを形成した面どうしを向き合わせて接合し、表面に誘電体層を備えた双方のバンプがそれぞれ他方の部品の固体電解質層を貫通して外部に突出する組立体を作製する工程、
（ｈ）この組立体の両面に絶縁層を形成する工程、
（ｉ）表面に誘電体層を備えた突出するバンプをこの絶縁層の少なくとも一部とともに除去して、組立体の表面にバンプの金属材料を露出させる工程、
を含む、固体電解キャパシタ製造方法。
【請求項６】
工程（ｅ）の固体電解質層の形成を、基材を導電性材料の別の基材上に仮固定し、この別の基材を電極として使用する電解重合により行う、請求項５記載の固体電解キャパシタ製造方法。
【請求項７】
工程（ｅ）の後に、基材の孔内の固体電解質層に貫通孔を開ける工程を更に含む、請求項５又は６記載の固体電解キャパシタ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載する配線基板あるいは半導体パッケージに内蔵できる薄型の固体電解キャパシタとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＰＵ等の半導体チップを搭載する配線基板あるいは半導体パッケージには、半導体チップに供給する電源電圧の変動を抑えるためのキャパシタ（デカップリングキャパシタ）が搭載される。例えば、現在市販されているＣＰＵのパッケージには、セラミックチップキャパシタが外付けされている。
【０００３】
近年は、ＣＰＵの動作周波数の高周波化が進んでいるため、より大容量のキャパシタを、よりＣＰＵの近傍に設けることが求められている。キャパシタをＣＰＵに近づけて配置すると、ＣＰＵとキャパシタとを接続する配線のインダクタンスを減少させることができ、配線の電気的特性が向上する。よって、大容量のキャパシタをＣＰＵに近づけて配置することにより、電源電圧の変動を好適に抑えることができる。そこで、キャパシタをＣＰＵの近くに設けるため、配線基板（半導体パッケージ）内部にキャパシタを設けることが考えられている。
【０００４】
例えば、特許文献１、特許文献２には、高容量化が可能な固体電解キャパシタを配線基板内に作り込み、絶縁層内に内蔵した配線基板が開示されている。しかし、固体電解キャパシタを配線基板内に作り込むのは、そのための工程が複雑であり、実際に製品化することは困難である。
【０００５】
特許文献３には、配線基板とは別に形成した単独の電子部品としてのキャパシタを配線基板内に内蔵させることが開示されている。この場合には、キャパシタは、導電性接着ペースト又は導電性接着シートを用いて形成された導電層を介して、基板内部の配線層に接続される。この技術により、電子部品としての固体電解キャパシタを配線基板内に内蔵すれば、工程が複雑で実際に製品化するのが困難であるという、固体電解キャパシタを配線基板内に作り込む上述の技術の難点を克服できると考えられる。
【０００６】
従来の電子部品としての固体電解キャパシタは容量が大きく、実績もあるが、電子部品としてのこれまでの固体電解キャパシタは、例えば特許文献４〜６に記載されたように、キャパシタ素子にリードを取り付け、そしてキャパシタ素子を樹脂封止して製作されるため外形が大きくなってしまう。そのため、これまでの固体電解キャパシタを薄く形成される配線基板の絶縁層内に内蔵することは難しい。その上、キャパシタの封止に用いる樹脂材料と、配線基板の層間絶縁層の樹脂材料との密着性にも問題がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２４６２７２号公報
【特許文献２】特開２００２−２６０９６０号公報
【特許文献３】特開２００１−２７４０３４号公報
【特許文献４】特開平６−３１０３８７号公報
【特許文献５】特開平７−２２６３３６号公報
【特許文献６】特開平１１−２８８８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の従来技術の問題を解決して、配線基板に内蔵でき、配線基板に搭載されるＣＰＵ等の半導体チップの近くに配置することが可能な薄型の固体電解キャパシタとその製造方法を提供することが、本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の固体電解キャパシタは、絶縁材料で封止されていない平板状のキャパシタ素子からなり、このキャパシタ素子は、一方の極性の電極ともう一方の極性の電極、及びそれらの間の固体電解質を含み、一方の極性の電極は平板状キャパシタ素子の一方の面に露出し、もう一方の極性の電極は他方の面に露出していることを特徴とする。
【００１０】
好ましくは、一方の極性の電極は一方の絶縁性基材上の導電性膜に接続し、もう一方の極性の電極はもう一方の絶縁性基材上の導電性膜に接続する。やはり好ましくは、各電極は固体電解質層を貫通する。
【００１１】
好ましくは、各面に露出している部分及び絶縁性基材上の導電性膜に接続している部分を除き、各電極の表面に誘電体層が存在する。
【００１２】
本発明の固体電解キャパシタは、（ａ）孔の開いた絶縁材料の平板状の基材を用意する工程、（ｂ）基材の片面に金属材料層を形成する工程、（ｃ）この金属材料層の上に金属のバンプを形成する工程、（ｄ）金属材料層及び金属バンプの材料を陽極酸化してそれらの表面に誘電体層を形成する工程、（ｅ）基材の誘電体層を形成した側に、基材の孔を埋め且つ表面に誘電体層を形成した金属バンプが突出するよう、固体電解質層を形成する工程、（ｆ）工程（ａ）〜（ｅ）を繰り返して、バンプを形成した面どうしを向き合わせたときに基材の孔の位置が上記一方の部品のバンプの位置と一致し、バンプの位置が上記一方の部品の基材の孔の位置と一致する、キャパシタのもう一方の部品を製作する工程、（ｇ）上記一方の部品ともう一方の部品をそれらのバンプを形成した面どうしを向き合わせて接合し、表面に誘電体層を備えた双方のバンプがそれぞれ他方の部品の固体電解質層を貫通して外部に突出する組立体を作製する工程、（ｈ）この組立体の両面に絶縁層を形成する工程、（ｉ）表面に誘電体層を備えた突出するバンプをこの絶縁層の少なくとも一部とともに除去して、組立体の表面にバンプの金属材料を露出させる工程、を含む方法により製造することができる。
【００１３】
好ましくは、工程（ｅ）の固体電解質層の形成は、基材を導電性材料の別の基材上に仮固定し、この別の基材を電極として使用する電解重合により行う。
【００１４】
工程（ｇ）のバンプの固体電解質層の貫通を容易にするため、工程（ｅ）の後に、基材の孔内の固体電解質層に貫通孔を開けることもできる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来の単独の電子部品としての固体電解キャパシタに比べて薄型の単独電子部品としての固体電解キャパシタの利用が可能になる。この薄型の固体電解キャパシタは、ＣＰＵ等の半導体チップを搭載する配線基板（半導体パッケージ）に内蔵することができる。従って、本発明の固体電解キャパシタは、動作周波数の高周波化が進むＣＰＵの近くに配置して、ＣＰＵにつながる配線インダクタンスを低下させ、電源電圧の変動を抑制するのに効果的に使用することができる。
【００１６】
また、平板状基材の表面に設けたバンプを利用して形成される電極を利用する本発明のキャパシタは、電極位置の自由度が高い。この自由度は、キャパシタの各面を覆う電極層を設けることにより一層向上する。更に、キャパシタの両方の極性の電極を構成するバンプの表面に誘電体層を設けることができるため、ノンポーラのキャパシタの利用が可能になる。また、本発明による固体電解キャパシタを使用すれば、等価直列インダクタンスの小さい配線回路を構成することも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図面を参照して本発明を説明する。言うまでもなく、以下の説明は一例であって、本発明がそれに限定されることはない。
【００１８】
まず、本発明の第一の態様の固体電解キャパシタを、その製造方法とともに説明する。
シリコン基板（４ｍｍ×４ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）の片面にフォトレジストパターンを形成し、これをマスクに誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）によりシリコン基板に２×２の４つの孔（開口径０．４ｍｍ、ピッチ１ｍｍ）を開ける。このときのエッチング条件は、２５００Ｗ、１５Ｐａで、エッチングガスとしてＳＦ6を使用する。エッチング後、レジストパターンを除去して、図１（ａ）の上面図に示したバンプ孔３の開いたシリコン基板１を得る。以下の説明で参照する図１（ｂ）〜１（ｋ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図に相当する。
【００１９】
次に、キャパシタの基材を構成するシリコン基板１を絶縁性にするため、その表面を１０００℃で８時間程度熱酸化して、図１（ｂ）に示したようにＳｉＯ2絶縁膜５を形成する。更に、０．３〜１Ｐａのアルゴン雰囲気下に１００〜５００Ｗでアルミニウムをスパッタリングして、膜厚１μｍのＡｌ膜７をシリコン基板１の上面に形成する。以下で参照する図１（ｃ）〜１（ｋ）においては、簡素化のためにシリコン基板１の表面の絶縁膜５は割愛することにする。
【００２０】
直径０．２ｍｍのＡｌボールを先の窪んだツールで１個ずつ吸着してＡｌ膜７の上に配置し、ボール１個当たり１０〜５０ｇの荷重を加えながら室温で超音波接続（超音波発振時間２〜２０ｍｓｅｃ）して、２×２の４つのＡｌバンプ９をピッチ１ｍｍでＡｌ膜７に接続する（図１（ｃ））。接続後のＡｌバンプ高さは１５０μｍ程度になる（図１（ｃ）のＡｌバンプ９は、作図の都合上、高さが誇張されている）。
【００２１】
シリコン基板１の１辺を上にして、基板１の４×３．３ｍｍの部分をアジピン酸アンモニウム水溶液中に浸漬し、そしてこれを陽極とし、ステンレス鋼の陰極を用いて１０〜８０ＶでＡｌ膜７とＡｌバンプ９の表面を陽極酸化して、図１（ｄ）に示したように誘電体膜（陽極酸化膜）１１を形成する。
【００２２】
図１（ｅ）に示したように、シリコン基板１をステンレス鋼の板１３に、Ａｌバンプ９を形成した面を露出するように周辺部をポリイミドテープテープ１５で貼り付けて仮固定する。続いて、ステンレス鋼の板１３に支持されたシリコン基板１を、過塩素酸イオン又は四フッ化ホウ素イオンを添加したピロールモノマーのアセトニトリル溶液に浸漬し、そしてこのステンレス鋼の板１３を陽極とし、別のステンレス鋼の陰極を用いて、ピロールの電解重合を行い、図１（ｆ）に示したように、シリコン基板１の露出した側にポリピロール導電性高分子の厚さ２０μｍの固体電解質層１７を形成する。仮固定用のテープ１５を除去し、固体電解質層１７を形成したシリコン基板１をステンレス鋼の板１３から剥がす。ポリピロールとステンレス鋼の板とは接着が弱いので、シリコン基板１のこの剥離は容易である。
【００２３】
本発明のこの態様では、基板を貼り付けたステンレス鋼の板を一方の電極として利用できることから、電解重合だけで固体電解質膜を形成することができる。従来の固体電解キャパシタの製造では、多くの場合、化学重合膜、ＭｎＯ2膜を前もって形成してから電解重合により固体電解質膜を形成しており、本発明のこの態様ではそれに比べてずっと簡単に固体電解質膜を形成可能である。
【００２４】
剥離したシリコン基板１に被着している固体電解質層１７に、レーザー加工により、図１（ｇ）に示したように誘電体膜１１を形成したバンプ９の径と同じかそれより小さい径の貫通孔１９を開けて、キャパシタの一方の部品２１を作製する。孔１９の径は１５０〜２００μｍ程度でよい。この工程は、この後で説明するキャパシタの二つの部品の接合の際に、一方の部品のバンプが他方の部品の固体電解質層を簡単に突き破ることができる場合は、必ずしも必要でない。
【００２５】
同様の手順により、キャパシタのもう一方の部品２３（図１（ｇ））を作製する。
【００２６】
次いで、部品２１、２３の一方又は両方の周辺部の固体電解質層１７が存在しない部分（電解重合による固体電解質層１７の形成時に仮固定用テープで覆われていた部分）にエポキシ系接着剤２５（図１（ｈ））を塗布する（エポキシ系接着剤のほかに、例えばポリイミド、アクリル、シリコーン系接着剤などを使用してもよい）。部品２１、２３のバンプ９の形成面どうしを向き合わせ、一方の部品２１（又は２３）のバンプ９ともう一方の部品２３（又は２１）の固体電解質層１７に開けた貫通孔１９の位置を合わせて積層し、温度１５０℃、荷重１００ｇ〜１ｋｇの条件で３０分プレスして、部品２１、２３を組み合わせた組立体２７（図１（ｈ））を作製する。図１（ｈ）では、一方のシリコン基板１に形成したバンプ９がもう一方のシリコン基板１に形成した固体電解質層１７を突き抜ける様子をはっきり示すため、バンプ９の高さを更に誇張している。
【００２７】
図１（ｉ）に示したように、組立体２７の各面にフェノール樹脂を印刷し、１８０℃で３０分加熱して、誘電体膜１１を形成したバンプ９の上部が露出した絶縁層２９を形成する（絶縁層２９の形成には、例えばポリイミド、シリコーン、エポキシ、又はアクリル樹脂を使用してもよい）。研磨紙を用いて、周囲の誘電体膜１１を備えたバンプ９の上部を絶縁層２９とともに研削して、図１（ｊ）に示したように、周囲を誘電体膜１１に取り囲まれた電極３１ａ、３１ｂ（図１（ｉ）までのバンプ９に由来する）を露出させ、電極３１ａ、３１ｂと層１７の電解質との接触による短絡を防ぐため絶縁層２９の一部を薄く残す。電極３１ａ、３１ｂを露出させた組立体２７は、本発明の固体電解キャパシタとなる。
【００２８】
こうして作製した固体電解キャパシタの少なくとも一方の面に、図１（ｋ）に示したように、金属膜３３ａ、３３ｂを形成してもよい。金属膜３３ａ、３３ｂは、例えばＴｉとＣｕ、あるいはＣｒとＣｕなどを、Ａｒ雰囲気下に０．３〜１Ｐａ、１００〜５００Ｗの条件でスパッタリングして、膜厚０．２μｍ程度の薄膜として形成することができる。
【００２９】
図２（ａ）と２（ｂ）に、金属膜３３ａ、３３ｂを形成していない図１（ｊ）の状態の本発明の固体電解キャパシタ３５を示す。このキャパシタ３５は、絶縁材料で封止されていない平板状のキャパシタ素子からなり、その一方の面に一方の極性の電極３１ａが露出し、他方の面にもう一方の極性の電極３１ｂが露出している。各電極３１ａ、３１ｂの周囲には、電極材料の陽極酸化で作られた陽極酸化膜１１が存在する。
【００３０】
次に、本発明の第二の態様の固体電解キャパシタを、その製造方法とともに説明する。この態様のキャパシタは、電極材料のバンプをアルミニウムでなく金で作ることを除いて、第一の態様と同様である。従って、その製造方法も、バンプの形成を除いて、先に説明した第一の態様の場合と同様である。
【００３１】
より具体的に説明すると、厚さが７０μｍであることを除いて第一の態様におけるのと同様のシリコン基板１（図１（ａ））を用い、図１（ｂ）を参照して説明したＡｌ膜７の形成までの工程を行う。次に、ワイヤーボンディング装置を利用して、直径０．１５ｍｍのＡｕボールを、１ｍｍのピッチでＡｌ膜７の上に２×２の４個形成する。ボール１個当たり１０〜１００ｇの荷重を加えながら１００〜２００℃で超音波接続（超音波発振時間２〜２０ｍｓｅｃ）して、図３（ａ）に示したように、Ａｌ膜７に接続する高さ１００μｍのＡｕバンプ５１を形成する。ここでの説明では、図１（ａ）〜１（ｋ）を参照して説明した第一の態様の部材と共通の部材については、第一の態様における部材の符号と同じ符号を用いることにする。
【００３２】
続いて、図３（ｂ）に示したように、Ａｕバンプ５１を覆うＡｌ膜５３をスパッタリング（Ａｒ雰囲気、０．３〜１Ｐａ、１００〜５００Ｗ）により形成する。この図では、Ａｕバンプ５１の上だけにＡｌ膜５３を形成しているが、Ａｌ膜７の上にもＡｌ膜５３を形成してもよい。
【００３３】
次に、Ａｕバンプ５１の表面のＡｌ膜５３と、シリコン基板１の表面のＡｌ膜７を、先に図１（ｄ）を参照して説明したように陽極酸化して、図３（ｃ）に示したように誘電体膜（陽極酸化膜）５５を形成する。
【００３４】
この後は、先に図１（ｅ）〜１（ｊ）を参照して説明した、化学重合による固体電解質層形成のためのステンレス鋼の板への仮固定から両面の電極（この場合はＡｕ電極）の露出までの工程を実施して、第二の態様の固体電解キャパシタを製造することができる。なお、図１（ｇ）を参照して説明した固体電解質層１７に開ける穴１９の径は、第二の態様のＡｕバンプ５１の径が第二の態様のＡｌバンプ９より小さいことを考慮して、１００〜１５０μｍ程度とする。
【００３５】
次に、本発明の第三の態様の固体電解キャパシタとその製造方法を説明する。この態様のキャパシタは、シリコン基板に替えてガラス基板を用いることを除き、第一の態様と同様である。従って、その製造方法も、基板への穴開けを除き、先に説明した第一の態様の場合と同様である。
【００３６】
より具体的に説明すると、ガラス基板（４ｍｍ×４ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）の片面にフォトレジストパターンを形成し、これをマスクとするサンドブラスト（研摩材粒子径：＃６００〜＃２５００、圧力：０．５〜２ＭＰａ）によりガラス基板に２×２の４つの孔（開口径０．４ｍｍ、ピッチ１ｍｍ）を開ける。次いで、基板表面にＳｉＯ2絶縁膜を形成することなく、先に図１（ｃ）〜１（ｊ）を参照して説明した、基板表面へのＡｌスパッタ膜の形成から両面の電極の露出までの工程を実施して、第二の態様の固体電解キャパシタを製造する。
【００３７】
絶縁材料で封止されていないキャパシタ素子からなる本発明の固体電解キャパシタは、薄く製造でき、配線基板に内蔵するのが容易である。図４に、本発明のキャパシタを内蔵した配線基板の一部分を示す。この図の例では、コア基板６０の上に絶縁層６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄが位置し、コア基板６０上と各絶縁層６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ上に配線６４が形成され、コア基板６０の両面の配線はスルーホール６６で、またコア基板６０の片側の各層の配線はビア６８で相互に接続されている。本発明のキャパシタ７０は、絶縁層６２ｂの上の絶縁層６２ｃ中に埋め込まれている。このキャパシタ７０の一方の極性の電極（図示せず）は上面、もう一方の極性の電極（図示せず）は下面に露出しており、それぞれ上層及び下層の配線に接続されている。
【００３８】
本発明のキャパシタでは、上述の態様のほかにも、様々な態様が可能である。例えば、バンプ材料には、上述のアルミニウム、あるいは表面にアルミニウム層を設けた金などの金属材料のほかに、タンタルなどの、陽極酸化の可能な金属材料を使用することができる。タンタルを使用する場合には、タンタル箔を基材として使用し、これをプレスして、バンプとなる凸部を形成することができ、基材の孔はレーザー、ドリル加工などで開けることができる。
【００３９】
シリコンの基材を使用する場合の、基材を絶縁性にするための基材表面の絶縁膜は、熱酸化に替えてＣＶＤ法などにより形成することも可能である。また、キャパシタの基材には有機樹脂材料を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１（ａ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｂ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｃ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｄ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｅ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｆ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｇ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｈ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｉ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｊ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図１（ｋ）】本発明の第一の態様の固体電解キャパシタの製造工程を説明する図である。
【図２（ａ）】本発明の固体電解キャパシタを説明する図である。
【図２（ｂ）】本発明の固体電解キャパシタを説明する図である。
【図３（ａ）】本発明の第二の態様の固体電解キャパシタの製造工程の一部を説明する図である。
【図３（ｂ）】本発明の第二の態様の固体電解キャパシタの製造工程の一部を説明する図である。
【図３（ｃ）】本発明の第二の態様の固体電解キャパシタの製造工程の一部を説明する図である。
【図４】本発明の固体電解キャパシタを内蔵した配線基板の例を説明する図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…シリコン基板
３…バンプ孔
５…ＳｉＯ2絶縁膜
７…Ａｌ膜
９…Ａｌバンプ
１１…誘電体膜
１７…固体電解質層
２１、２３…キャパシタ部品
２５…接着剤
２９…絶縁層
３１ａ、３１ｂ…電極
３５…固体電解キャパシタ
【図１（ａ）】
2005332871.tif 000003
【図１（ｂ）】
2005332871.tif 000004
【図１（ｃ）】
2005332871.tif 000005
【図１（ｄ）】
2005332871.tif 000006
【図１（ｅ）】
2005332871.tif 000007
【図１（ｆ）】
2005332871.tif 000008
【図１（ｇ）】
2005332871.tif 000009
【図１（ｈ）】
2005332871.tif 000010
【図１（ｉ）】
2005332871.tif 000011
【図１（ｊ）】
2005332871.tif 000012
【図１（ｋ）】
2005332871.tif 000013
【図２（ａ）】
2005332871.tif 000014
【図２（ｂ）】
2005332871.tif 000015
【図３（ａ）】
2005332871.tif 000016
【図３（ｂ）】
2005332871.tif 000017
【図３（ｃ）】
2005332871.tif 000018
【図４】
2005332871.tif 000019