(57)【要約】【課題】  セラミック配線板の表層部にデラミネーションが発生しにくく、信頼性に優れたビルドアップ多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ビルドアップ多層配線基板７は、低温焼成セラミック基板１と、導体層４及び樹脂絶縁層２１を交互に積層した構造を有し、低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８及びボールグリッド接合面１９のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層２とを備える。低温焼成セラミック基板１の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以下である。樹脂絶縁層２１の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、
導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層と
を備え、
前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以下であり、前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
【請求項２】
第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、
導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層と
を備え、
前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数と、前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数との差が、３５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
【請求項３】
前記樹脂絶縁層全体の厚さは７０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のビルドアップ多層配線基板。
【請求項４】
前記樹脂絶縁層は液晶ポリマーからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板。
【請求項５】
前記樹脂絶縁層の層数は３層以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板。
【請求項６】
前記低温焼成セラミック基板は一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法において、
前記低温焼成セラミック基板に対して圧力を殆ど加えない手法を用いてワニスを塗布し、かつそのワニスを硬化させることにより、前記ビルドアップ層において最も内層に位置する樹脂絶縁層を形成する第１樹脂絶縁層形成工程を含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１樹脂絶縁層形成工程においてスピンコート法またはカーテンコート法により前記ワニスを塗布することを特徴とする請求項７に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はビルドアップ多層配線基板及びその製造方法に係り、特には低温焼成セラミック基板上にビルドアップ層を備えたビルドアップ多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック絶縁基板に導体層を形成してなるセラミック配線基板がある。近年、このセラミック配線基板及びこれに実装される半導体等の高性能化が著しく、導体部の低抵抗化による信号伝達速度の高速化が要請されている。このため、セラミック配線基板の導体層に、低抵抗の銀や銅を用いることが提唱されている。これらの導体材料は融点が低いため、同時焼結法などのメタライズ手法を採用することができない。それゆえ、前記セラミック絶縁基板として、比較的低温で焼成が可能な低温焼成セラミック基板を使用する必要性が生じる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、配線基板の多層化のため、図４に示すごとく、前記セラミック配線基板９１のＩＣチップ８１実装面側に、樹脂材料を用いてビルドアップ層９２を形成することが考えられている。ビルドアップ層９２は、樹脂絶縁層９４と導体層９７とを交互に積層したものである。
【０００４】
各導体層９７は、樹脂絶縁層９４に形成したビアホール９８により電気的に接続されている。また、セラミック配線基板９１は、多数の低温焼成セラミック基板９３を積層して形成したものであり、そこには導体パターン９６及びスルーホール９５が形成されている。セラミック配線基板９１のＩＣチップ８１実装面側と反対側は、マザーボード８２に接合される。
【特許文献１】特開２００３−１４２６２８号公報（図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、前記従来の低温焼成セラミック基板９３は、低温で焼成されたものであるので、１０００℃以上の高温で焼成して得られるアルミナ基板等に比べて機械的強度が弱い。また、低温焼成セラミック基板９３の熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以下であるのに対して、ビルドアップ層９２の樹脂絶縁層９４の熱膨張係数は５０〜７０ｐｐｍ／℃とかなり大きい。
【０００６】
このため、ヒートサイクルに遭遇すると、両材料間の熱膨張係数差に起因して、低温焼成セラミック基板９３とビルドアップ層９２との界面に熱応力が集中し、低温焼成セラミック基板９３における外周部の表層部にてデラミネーション（剥離）９９が発生するという問題があった（図５参照）。従って、このような構造のビルドアップ多層配線基板では高い信頼性を付与することができなかった。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、低温焼成セラミック基板の表層部にデラミネーションが発生しにくく、信頼性に優れたビルドアップ多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段としては、第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層とを備え、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以下であり、前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするビルドアップ多層配線基板がある。
【０００９】
従って、この発明においては前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下（ただし、０ｐｐｍ／℃は除く。）であるため、樹脂絶縁層の熱膨張係数と、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数との差異が従来の値よりも小さくなる。それゆえ、ヒートサイクル時に両者の界面に発生する熱応力を緩和することができる。従って、低温焼成セラミック基板の表層部にデラミネーションが発生することを抑制することができ、接続信頼性を確保することができる。ここで、前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は、５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下であることがよく、さらには５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下であることがよりよい。樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が小さければ、ヒートサイクル時に発生する熱応力も小さくなるからである。
【００１０】
また、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は、７ｐｐｍ／℃以下（ただし、０ｐｐｍ／℃は除く。）である。このため、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数が、ＩＣチップの熱膨張係数と近似して、ヒートサイクル時の両者の熱膨張係数差による影響を抑制することができる。従って、例えば熱膨張係数が２．６ｐｐｍ／℃程度のＩＣチップを用いるような場合には、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数を、２ｐｐｍ／℃以上６ｐｐｍ／℃以下に設定することがよい。
【００１１】
また、上記課題を解決するための別の手段としては、第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層とを備え、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数と、前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数との差が、３５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするビルドアップ多層配線基板がある。
【００１２】
従って、この発明によると、低温焼成セラミック基板と樹脂絶縁層との熱膨張係数の差が従来の値よりも小さくなり、両材料の熱膨張係数差に起因するデラミネーション発生を抑制することができる。ここで、前記熱膨張係数の差は、０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下であることがよく、さらには０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることがよりよい。熱膨張係数差が小さければ、ヒートサイクル時に発生する熱応力も小さくなるからである。
【００１３】
これらの発明において、「熱膨張係数」とは、基板厚さ方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（ＸＹ方向）の熱膨張係数のことを意味し、０℃〜１００℃の間のＴＭＡ（熱機械分析装置）にて測定した値のことをいう。「ＴＭＡ」とは、熱機械的分析をいい、例えばＪＰＣＡ−ＢＵ０１に規定されるものをいう。上記低温焼成セラミック基板とは、セラミック未焼結体を比較的低温で焼成して得たガラスセラミック基板などのことを指す。その焼成温度は、１２００℃以下であることが好ましく、更には７００〜１１００℃であることが好ましい。上記ガラスセラミック基板に使用される好適な材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等がある。なお、低温焼成セラミック基板の寸法は特に限定されるべきではないが、一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上であることがよい。その理由は、一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。
【００１４】
上記低温焼成セラミック基板には、導体層（導体パターン）、スルーホール導体、ビアホール導体などの導体部を形成することができる。かかる導体部の材料としては、例えば低温焼成セラミック基板の焼成温度に応じて、低融点金属であるＡｇ、Ｃｕ等を主成分として含むものを採用できる。この種の金属を主成分として含むものを用いて導体部を形成した場合、導体部の低抵抗化を図ることが可能である。
【００１５】
また、上記低温焼成セラミック基板の厚み方向の最表面は第１主面及び第２主面を構成している。そして、上記第１主面の表面上または／及び上記第２主面の表面上には、ビルドアップ層が形成されている。ここで、上記ビルドアップ層とは、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層したものを意味する。上記ビルドアップ層は、上記樹脂絶縁層と上記導体層とをそれぞれ少なくとも１層有している。ただし、樹脂絶縁層の層数は３層以上であることがよい。その理由は、層数が３層以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。また、樹脂絶縁層全体の厚さも特に限定されるべきではないが、７０μｍ以上であることがよい。その理由は、全体の厚さが７０μｍ以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。
【００１６】
ここで、上記樹脂絶縁層の構成材料である樹脂としては熱硬化性樹脂が好適である。その理由は、熱硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂とは異なり加熱によってゴム状にならないからである。熱硬化性樹脂の好適例を挙げると、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマーなどがある。なお、これらの樹脂には感光性が付与されていてもよい。
【００１７】
この中、上記樹脂絶縁層は液晶ポリマーからなることが好ましい。液晶ポリマーの熱膨張係数は５〜１０ｐｐｍ／℃であり、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数に比較的近いからである。なお「液晶ポリマー」とは、溶液あるいは溶融状態で液晶性を示す高分子のことをいう。液晶ポリマーフィルムは剛直な分子の集合体であり、通常のポリマーのような分子からみがなく、伸びが少ない。これを硬化すると、高強度、高耐熱性を有する樹脂絶縁層となる。
【００１８】
上記樹脂絶縁層には、フィラーが含まれていてもよい。このようなフィラーの具体例としては、樹脂などからなる有機フィラーや、セラミック、金属、ガラスなどからなる無機フィラーを挙げることができる。上記樹脂絶縁層は、樹脂材料からなるフィルムを積層圧着する方法、または後述する樹脂材料からなるワニスを塗布する方法などにより形成することができる。上記ビルドアップ層の構成要素である上記導体層としては、銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケルなどの金属材料から選ばれる１種または２種以上の導電性金属を用いることができる。上記導体層は、例えば、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされる。
【００１９】
フォトリソグラフィ技術を利用したサブトラクティブ法の一例を挙げると、まず、樹脂絶縁層の表面全体に導体層を形成し、その上にエッチングレジスト用の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行った後に現像処理を行い、エッチングレジストを形成する。次いで、レジスト非形成部分に存在する上記導体層をエッチングにて除去して、導体層を所定パターンにする。
【００２０】
フォトリソグラフィ技術を利用したアディティブ法の一例を挙げると、まず、樹脂絶縁層上にめっきレジスト用の感光性樹脂層を形成し、その上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行った後に現像処理を行い、めっきレジストを形成する。次いで、レジスト非形成部分に無電解めっきを析出させ、所定パターンの導体層を形成する。なお、無電解めっきの代わりにスパッタやＣＶＤ等を行って所定パターンの導体層を形成してもよい。
【００２１】
上記ビルドアップ多層配線基板を製造する方法としては、前記低温焼成セラミック基板に対して圧力を殆ど加えない手法を用いてワニスを塗布し、かつそのワニスを硬化させることにより、前記ビルドアップ層において最も内層に位置する樹脂絶縁層を形成する第１樹脂絶縁層形成工程を含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法がある。
【００２２】
上記製造方法において、上記「ビルドアップ層において最も内層に位置する樹脂絶縁層」とは、ビルドアップ層において、低温焼成セラミック基板に接している樹脂絶縁層を意味する。このような最内層に位置する樹脂絶縁層を形成するためのワニスを、低温焼成セラミック基板に対してその厚さ方向（Ｚ方向）に圧力を殆ど加えない手法により塗布している。低温焼成セラミック基板は焼結が完全には進行していないため、比較的脆い組織を有している。よって、例えばドライフィルム等のラミネート時に高いプレス圧を設定すると、焼結体組織中にクラックが生じやすくなり、デラミネーション発生率を高める結果となる。これに対して上記方法によれば、ヒートサイクル時に、低温焼成セラミック基板とビルドアップ層との界面への熱応力集中を緩和することができる。従って、低温焼成セラミック基板の表層部にデラミネーションが発生することを、より一層確実に抑制することができる。
【００２３】
上記低温焼成セラミック基板に対して圧力が殆ど加わらない手法としては、例えば、カーテンコート法、スピンコート法、ロールコート法などがあり、なかでもカーテンコート法、スピンコート法が好適である。また、これらの手法を実施する場合、０．５ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の範囲内で押圧を行うことが好ましい。これが０．５ＭＰａ未満であると、低温焼成セラミック基板と樹脂絶縁層との間に十分な密着力を確保できなくなるおそれがある。一方、０．８ＭＰａを越えると、低温焼成セラミック基板に対して加わる圧力の影響が出てしまい、デラミネーションの原因となる焼結体組織中のクラックが起こりやすくなる。
【００２４】
上記最内層の樹脂絶縁層を形成するにあたり、あらかじめ、低温焼成セラミック基板との接合性向上のためのカップリング処理を施すことが好ましい。上記カップリング処理とは、具体的にはシランカップリング剤またはチタネート系カップリング剤を用いて表面処理を施すことを指す。
【００２５】
また、「ビルドアップ層において最も内層に位置する樹脂絶縁層」以外の樹脂絶縁層を形成する場合についても、同様に低温焼成セラミック基板に対して圧力を殆ど加えない手法を用いてワニスを塗布しかつそのワニスを硬化させることにより、形成することが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（実施例１）
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施例１を図１に基づき詳細に説明する。図１は、本実施例のビルドアップ多層配線基板を示す断面図である。
図１に示されるように、ビルドアップ多層配線基板７は、チップ実装面１８（第１主面）及びボールグリッド接合面１９（第２主面）を有する低温焼成セラミック基板１と、チップ実装面１８に形成されたビルドアップ層２とを有する。
【００２８】
低温焼成セラミック基板１の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は、７ｐｐｍ／℃以下である。樹脂絶縁層２１の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃である。
【００２９】
低温焼成セラミック基板１は４層構造からなる。低温焼成セラミック基板１を構成するセラミック層１１は、低温で焼成可能なガラスセラミック材料からなる。具体的には、ＳｉＯ２が２４．８質量部、Ｂ２Ｏ３が２．５質量部、Ａｌ２Ｏ３が２．５質量部、Ｎａ２Ｏが１．２質量部、ＰｂＯが１６．０質量部、Ｋ２Ｏが０．８質量部、ＣａＯが２．３質量部の組成を有するガラス粉末と、アルミナフィラー５０．０質量部とを混合させて、平均粒径３μｍ〜５μｍのアルミナとガラスの混合粉末を作製した。これに、バインダ（アクリル樹脂）、可塑剤（ジブチルフタレート（ＤＢＰ））及び溶剤（トルエン）を添加し、混練してスラリーを調合した。各スラリーをドクターブレード法により、焼成後の厚さが１００μｍとなるようにセラミックグリーンシートを作製した。各セラミック層１１の表面には、導体パターン１２が形成されている。低温焼成セラミック基板１には、これを貫通するスルーホール導体１３が形成されている。スルーホール導体１３は、異層間の導体パターン１２同士を導通している。
【００３０】
低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８には、ビルドアップ層２が形成されている。ビルドアップ層２は、樹脂絶縁層２１と、銅からなる導体層４とを１層ずつ交互に積層したものである。樹脂絶縁層２１は、フィラー入りエポキシ樹脂からなる。ビルドアップ層２には、ビアホール導体３１が形成されている。ビルドアップ層２の表層部に形成した導体層４には、ＩＣチップ８１と接続するための半田バンプ５１が接続されている。ビルドアップ層２の表層部は、半田バンプ５１の接続部分を除いて、ソルダーレジスト２５により被覆されている。
【００３１】
低温焼成セラミック基板１のボールグリッド接合面１９には、銅からなる導体層１２が形成されており、そこにはマザーボード８２と接続するためのボールグリッド５２が接続されている。低温焼成セラミック基板１のボールグリッド接合面１９は、ボールグリッド接続部を除いて、ソルダーレジスト２７により被覆されている。
【００３２】
ビルドアップ多層配線基板７の大きさは、３５ｍｍ×３５ｍｍである。低温焼成セラミック基板１の厚さは０．８ｍｍであり、ビルドアップ層２の厚さは４０μｍである。
【００３３】
次に、上記ビルドアップ多層配線基板７の製造方法について説明する。
【００３４】
まず、従来公知の手法に従って低温焼成セラミック基板１を製造する。即ち、セラミック基材１１形成用のセラミックグリーンシートを４枚準備し、各セラミックグリーンシートに、スルーホール用孔をパンチングにより穿設する。次いで、各セラミックグリーンシートの表面にＣｕペーストを印刷して、スルーホール用孔内にＣｕペーストを充填するとともに、表面に導体パターン１２を形成する。次いで、積層すべきセラミックグリーンシートを互いに位置合わせし、積層圧着して、一体となす。次いで、この一体化したセラミックグリーンシートを低温焼成（８００℃）して、低温焼成セラミック基板１を得る。
【００３５】
次いで、この低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８にビルドアップ層２を形成する。その形成にあたっては、まず、低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８に、樹脂絶縁層２１との接合性を向上させるためのカップリング処理をする。カップリング処理の具体的手法として、シランカップリング剤またはチタネート系カップリング剤を用いて表面処理を施す。
【００３６】
次いで、フィラー入りエポキシ樹脂からなるフィルムにより、チップ実装面１８を被覆する。このとき、フィルムを低温焼成セラミック基板１側に弱いプレス圧にて押圧する。押圧条件は、０．７ＭＰａ、１．０分である。その後フィルムを１８０℃〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これによりエポキシ樹脂を硬化させ、第１層めの樹脂絶縁層２１とする。次に、炭酸ガスレーザを用いたレーザ孔あけ加工を実施することにより、第２層めの樹脂絶縁層５１における所定箇所に盲孔のビアホール導体用孔を穿孔する。そして、ビアホール用孔内壁に無電解銅めっきを施してビアホール導体３１を形成した後、ビアホール導体３１の内部に導電性または非導電性の充填用樹脂３２を充填する。
【００３７】
次いで、セミアディティブ法によって、第１層めの樹脂絶縁層２１の表面上に第１層めの導体層４をパターン形成する。具体的には、第１層めの樹脂絶縁層２１の表面全体に所定厚みの無電解銅めっきを施す。次に、上記無電解銅めっき層に感光性樹脂からなるドライフィルムを貼着するとともに、そのドライフィルム上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行う。続いて現像処理を行って不要部分を溶解除去し、所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、前記めっきレジストを溶解除去し、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、所定パターンの第１層めの導体層４１を得ることができる。
【００３８】
以上により、１層の樹脂絶縁層２１と１層の導体層４とからなるビルドアップ層２を得る。
【００３９】
次いで、ビルドアップ層２の表面を、樹脂絶縁材料からなるソルダーレジスト２５により被覆する。具体的には、樹脂絶縁層２１の表面にエポキシ樹脂を塗布した後、１８０℃〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これによりエポキシ樹脂を硬化させ、ソルダーレジスト２５とする。次に、炭酸ガスレーザを用いたレーザ孔あけ加工を実施することにより、ソルダーレジスト２５における所定箇所、即ちＩＣ実装用のパッド部に対応した箇所に開口部を形成する。そして、開口部から露出するパッド部の表面上に無電解ニッケルめっき及び無電解金めっきを順次施した後、さらにはんだ印刷等によってはんだバンプ５１を形成する。
【００４０】
また、低温焼成セラミック基板１のボールグリッド接合面１９にも、ソルダーレジスト２７を被覆し、導体層１２のボールグリッド接合部にボールグリッド５２を接合する。
【００４１】
以上により、本例のビルドアップ多層配線基板７が得られる。
【００４２】
本実施例のビルドアップ多層配線基板７に対してヒートサイクル試験を行った。試験は、−５５℃から１２５℃の間で温度変化を繰返して行った。試験に供した基板は２個である。
【００４３】
その結果、１０００回のヒートサイクル試験を行っても、低温焼成セラミック基板１にデラミネーションは発生しなかった（図３の表を参照）。その理由は、以下のように考えられる。
【００４４】
即ち、低温焼成セラミック基板１の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は７ｐｐｍ／℃以下であり、その上に形成されている樹脂絶縁層２１のそれは４０ｐｐｍ／℃である。両材料の熱膨張係数の差は３５ｐｐｍ／℃以下であり、従来の値よりも小さい。このため、ヒートサイクル時に、低温焼成セラミック基板１の表面付近への、熱膨張差に起因する応力集中を緩和でき、デラミネーションを抑制することができる。
【００４５】
（実施例２）
【００４６】
本実施例に係るビルドアップ多層配線基板の断面図を図２に示す。
【００４７】
本実施例において、ビルドアップ層２は、２層の樹脂絶縁層２２，２３と、銅からなる２層の導体層４１，４２とを交互に積層して形成されている。ビルドアップ層２の厚さは、８０μｍである。樹脂絶縁層２２，２３は、実施例１と同様に、エポキシ樹脂からなり、熱膨張係数は４０．０ｐｐｍ／℃である。
【００４８】
低温焼成セラミック基板１の構成は実施例１と同様である。
【００４９】
本実施例のビルドアップ多層配線基板７を製造するにあたっては、実施例１と同様に低温焼成セラミック基板１を形成し、次いで、そのチップ実装面１８にカップリング処理を行い、その上に、フィラー入りエポキシ樹脂からなるフィルムを被覆して樹脂絶縁層２２を形成する。このとき、フィルムを低温焼成セラミック基板１側に弱いプレス圧で押圧する。押圧条件は、０．７ＭＰａ、１．０分である。次いで、レーザにてビアホール用孔をあけ、Ｃｕめっきにてめっき膜３５を形成してビアホール導体３４とする。次いで、樹脂絶縁層２２の表面に所定パターンの導体層４１を形成する。
【００５０】
次いで、導体層４１を形成した樹脂絶縁層２２の上に、樹脂絶縁層２３、ビアホール導体３６及び導体層４２を順に形成する。なお、樹脂絶縁層２３形成用の樹脂フィルムの押圧条件は、０．７ＭＰａ、１．０分である。ビアホール導体３６を形成するにあたっては、レーザにて樹脂絶縁層２３に孔あけし、その孔の側壁にＣｕめっきにてめっき膜３７を形成し、その中に導電性樹脂３８を充填する。ビアホール導体３６の上には蓋状の導体層４２を形成する。その他は実施例１と同様である。
【００５１】
本実施例のビルドアップ多層配線基板７について、ヒートサイクル試験を実施例１と同様の条件で行った。その結果、１０００サイクルのヒートサイクル試験を行ってもデラミネーションは発生しなかった（図３の表を参照）。
【００５２】
（実施例３）
【００５３】
本実施例に係るビルドアップ多層配線基板７においては、ビルドアップ層２の樹脂絶縁層２２，２３を、ポリイミド樹脂（フィラーなし）からなるワニスをスピンコート法にて塗布することにより形成した。これら樹脂絶縁層２２，２３の基板方向に直交する方向の熱膨張係数は１１ｐｐｍ／℃と、極めて小さい。その他の点は、実施例２と同様である。
【００５４】
本実施例のビルドアップ多層配線基板２について実施例１と同様の条件でヒートサイクル試験を行った。その結果、１０００回のヒートサイクル試験を行っても、デラミネーションは発生しなかった（図３の表を参照）。
【００５５】
本実施例においては、樹脂絶縁層２２，２３を形成するにあたっては、スピンコート法を採用しているため、低温焼成セラミック基板１には殆ど圧力がかからない。このため、より一層、低温焼成セラミック基板１への応力集中を緩和でき、デラミネーションをより一層効果的に抑制することができる。
【００５６】
（比較例）
【００５７】
一方、比較例として、樹脂絶縁層２２，２３の熱膨張係数が５５．３ｐｐｍ／℃である場合についても上記ヒートサイクル試験を行った。樹脂絶縁層２２，２３の材質は実施例１と同様とした。その結果、６５サイクルで、低温焼成セラミック基板１におけるビルドアップ層２との界面付近にデラミネーションが発生した（図３の表を参照）。
【００５８】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００５９】
・上記実施形態においては、ビルドアップ層２を構成する樹脂絶縁層２２，２３の積層数は１層または２層であったが、３層以上であってもよい。なお、ビルドアップ層２が３層以上になると、熱膨張係数差に起因する熱応力の集中という問題が顕著になり、デラミネーションの発生という本願発明の解決課題が生じやすくなる。
【００６０】
・上記実施形態においては低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８にのみビルドアップ層２を形成しているが、ボールグリッド接合面１９にのみビルドアップ層２を形成してもよいし、また両方の面に形成してもよい。
【００６１】
・上記実施形態においては、ボールグリッド５２とはんだバンプ５１とにより、外部品と接続しているが、リード、ピン等の他の接続部材であってもよい。
【００６２】
・上記実施形態における低温焼成セラミック基板１は４層構造であったが、１層構造、２層構造、３層構造であってもよく、または５層構造以上であってもよい。
【００６３】
・上記実施形態における低温焼成セラミック基板１は、表裏両方に開口するスルーホール導体１３を有しているが、一方側のみに開口するブラインドビアホール導体や、内部に埋め込まれている埋め込みビアホール導体を有していてもよい。
【００６４】
・上記実施形態におけるビルドアップ多層配線基板７の最表面にはソルダーレジスト２５，２７、はんだバンプ５１及びボールグリッド５２を形成しているが、これらを形成しなくてもよい。
【００６５】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６６】
（１）第１主面及び第２主面を有し、一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上の低温焼成セラミック基板と、複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記樹脂絶縁層全体の厚さが７０μｍ以上であり、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層とを備え、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が２ｐｐｍ／℃以上６ｐｐｍ／℃以下であり、前記樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下であり、それらの熱膨張係数差が０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施例１におけるビルドアップ多層配線基板の断面図。
【図２】実施例２におけるビルドアップ多層配線基板の断面図。
【図３】実施例１〜実施例３及び比較例の試験結果を示す表。
【図４】従来技術におけるビルドアップ多層配線基板の断面図。
【図５】従来技術の問題点を示す説明図。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・低温焼成セラミック基板
２・・・ビルドアップ層
４，４１,４２・・・導体層
７・・・ビルドアップ多層配線基板
１１・・・セラミック層
１２・・・導体パターン
１３・・・スルーホール導体
１８・・・チップ実装面
１９・・・ボールグリッド接合面
２１，２２，２３・・・樹脂絶縁層
２５，２７・・・ソルダーレジスト
３１，３４，３６・・・ビアホール導体
５１・・・はんだバンプ
５２・・・ボールグリッド
８１・・・ＩＣチップ
８２・・・マザーボード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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