(57)【要約】【課題】  ＱＦＮ集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を改善する技術を提供する。【解決手段】  集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を改善するシステム及び方法を提供する。クワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージの各端子は、その端子の底部表面に半田スロットを画定する部分を具備するように形成される。集積回路パッケージのダイパッドの外部表面も、ダイパッドの周辺部上に複数個の半田スロットを画定する部分を具備するように形成される。半田が該ダイパッド及び該端子へ付与されると、半田は該半田スロットを充填し、集積回路パッケージの半田接合信頼性を増加させる。【選択図】      図６
2005191574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージにおいて、
その底部表面における半田スロットを形成する部分を具備する少なくとも１個の端子、
を有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項２】
請求項１において、更に、
その底部表面において少なくとも１個の半田スロットを形成する部分を具備するダイパッド、
を有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項３】
請求項２において、前記少なくとも１個の端子における前記少なくとも１個の半田スロットが前記ダイパッドの前記底部表面における前記少なくとも１個の半田スロットと整合していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項４】
請求項１において、前記少なくとも１個の端子における前記半田スロットが、正方形形状、矩形形状、Ｌ形状、円形形状、楕円形状、不規則形状のうちの１つを有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項５】
請求項１において、前記少なくとも１個の端子における前記半田スロットが約０．５５ｍｍの長さであり、且つ約０．４ｍｍの幅であり、且つ約０．０５ｍｍの深さであることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項６】
請求項２において、前記ダイパッドの前記底部表面における前記少なくとも１個の半田スロットが、正方形形状、矩形形状、Ｌ形状、円形形状、楕円形状、不規則形状のうちの１つを有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項７】
請求項２において、前記ダイパッドの前記底部表面における前記半田スロットが、約０．５５ｍｍの長さであり、約０．４ｍｍの幅であり、且つ約０．０５ｍｍの深さであることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項８】
クワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージにおいて、複数個の端子を有しており、各端子がその底部表面において半田スロットを形成している部分を具備していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項９】
請求項８において、更に、その底部表面において少なくとも１個の半田スロットを形成する部分を具備しているダイパッドを有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項１０】
請求項９において、前記複数個の端子における前記複数個の半田スロットの一部が前記ダイパッドの前記底部表面における前記複数個の半田スロットのうちの一部と整合していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項１１】
請求項８において、前記複数個の端子における前記複数個の半田スロットの各々が、正方形形状、矩形形状、Ｌ形状、円形形状、楕円形状、不規則形状のうちの１つを有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項１２】
請求項８において、前記複数個の端子の各端子における各半田スロットが、約０．５５ｍｍの長さであり、約０．４ｍｍの幅であり、且つ約０．０５ｍｍの深さであることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項１３】
請求項９において、前記ダイパッドの前記底部表面における前記複数個の半田スロットの各々が、正方形形状、矩形形状、Ｌ形状、円形形状、楕円形状、不規則形状のうちの１つを有していることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項１４】
請求項９において、前記ダイパッドの前記底部表面における前記複数個の半田スロットのうちの各半田スロットが、約０．５５ｍｍの長さであり、約０．４ｍｍの幅であり、且つ約０．０５ｍｍの深さであることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項１５】
クワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージの製造方法において、
前記集積回路パッケージの複数個の端子の各々の底部表面に半田スロットを形成する、
上記ステップを有していることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５において、更に、
前記集積回路パッケージのダイパッドの底部表面に複数個の半田スロットを形成する、
上記ステップを有していることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６において、更に、
前記端子における複数個の前記半田スロットの一部を前記ダイパッドの前記底部表面における複数個の半田スロットの一部と整合させる、
上記ステップを有していることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１５において、前記複数個の端子の各々の前記底部表面における各半田スロットが、正方形形状、矩形形状、Ｌ形状、円形形状、楕円形状、不規則形状のうちの１つを有していることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１５において、前記複数個の端子の各々の底部表面における各半田スロットが、約０．５５ｍｍの長さであり、約０．４ｍｍの幅であり、且つ約０．０５ｍｍの深さであることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１６において、前記ダイパッドの前記底部表面における前記複数個の半田スロットの各半田スロットが、正方形形状、矩形形状、Ｌ形状、円形形状、楕円形状、不規則形状のうちの１つを有していることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１６において、前記ダイパッドの前記底部表面における前記複数個の半田スロットの各半田スロットが、約０．５５ｍｍの長さで、約０．４ｍｍの幅で、約０．０５ｍｍの深さであることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１において、前記クワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージがプリント回路基板へ半田付けされていることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【請求項２３】
請求項２において、前記クワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージがプリント回路基板へ半田付けされていることを特徴とするクワッド・フラット・リード無し集積回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大略、集積回路パッケージに関するものであって、更に詳細には、集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を改善するシステム及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
新たなタイプの集積回路が断続的に開発されている。新たな集積回路装置の幾つかは、古いタイプの集積回路よりも増加した数の機能を有しており且つより速い速度で動作する。これらの新しいタイプの集積回路は、しばしば、より多くの熱を発生し且つ古いタイプの集積回路よりもより高い装置温度において動作する。
【０００３】
半導体業界は、このような集積回路に対して効率的で且つ費用効果的な熱の除去を与えるための新しいタイプの集積回路パッケージを開発している。その設計目標は、プラスチック集積回路パッケージをより小型で、より薄く、より低温で、より安く、且つ製造が容易で且つ迅速なものとさせることである。
【０００４】
これらの新しいタイプの集積回路パッケージのうちの１つはリードレスパッケージファミリィであり、それはＱＦＮと呼ばれる。ＱＦＮの文字はクワッド・フラット・リード無し（Ｑｕａｄ，  Ｆｌａｔ，  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）を表わしている。ＱＦＮ集積回路パッケージはプラスチック半導体パッケージであって、パッケージ本体の周辺部に沿ってパッケージ本体の底部上に位置されている金属端子を具備している。これらの端子は、基本的に、プラスチックパッケージ本体の表面の底部と同一面状である。そのために、ＱＦＮパッケージは「フラット」且つ「リード無し」として分類される。
【０００５】
ＱＦＮパッケージは、そのパッケージの底部の４つの側面全ての上に端子を具備している。そのために、ＱＦＮパッケージは「クワッド」パッケージとして分類される。ＱＦＮパッケージは、正方形の本体又は矩形状の本体のいずれかを有することが可能である。ＱＦＮパッケージは対称的であるか又は非対称的のいずれかの端子パターンを有することが可能である。
【０００６】
ＱＦＮパッケージが下側に位置されるプリント回路基板へ取り付けられる場合に、半田がＱＦＮパッケージの底部を形成するリードフレームへ付与される。半田は、又、ＱＦＮパッケージの周辺部上の金属端子の各々へも付与される。ＱＦＮパッケージとプリント回路基板との間に半田接合が形成されて該リードフレームとＱＦＮパッケージの端子とプリント回路基板とを取り付ける。
【０００７】
プリント回路基板とＱＦＮ集積回路パッケージとの間の半田接合は物理的又は熱的ストレスに露呈される場合がある。半田接合上のストレスが充分に高いレベルに到達すると、半田接合は亀裂を発生する場合があり且つ半田物質が剥離する場合がある。このことは、ＱＦＮ集積回路パッケージを下側に位置するプリント回路基板から電気的（及び物理的にも）切断させる場合がある。
【０００８】
従って、ＱＦＮ集積回路パッケージとプリント回路基板との間に強い半田接合を与えるための改良したシステム及び方法に対する必要性が存在している。通常、ＱＦＮ集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を増加させるための改良したシステム及び方法に対する必要性が存在している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠点を解消し、ＱＦＮ集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を改善するためのシステム及び方法を提供することを主要な目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ＱＦＮ集積回路パッケージと下側に位置するプリント回路基板との間の半田接合の強度を増加させるための改良したシステム及び方法を提供している。ＱＦＮ集積回路パッケージの各端子は、その端子の底部表面に半田スロットを画定する部分を具備するように形成されている。集積回路パッケージのリードフレームのダイパッドの外部底部表面も、該ダイパッドの周辺部上に複数個の半田スロットを画定する部分を具備するように形成されている。
【００１１】
ＱＦＮ集積回路パッケージが下側に位置するプリント回路基板へ半田付けされる場合に、半田がダイパッドの外部底部表面へ及び該端子へ付与される。付与された半田は、ダイパッドの外部底部表面における半田スロットを充填し且つ端子における半田スロットも充填する。残りの区域（即ち、半田スロットを具備していない区域）も、半田リフロープロセスの後に半田により被覆される。半田スロットを充填する半田は、半田ボンド即ち結合部が経験する可能性のある横方向の力に対して半田ボンドを強化させる。このように、半田スロット内の半田はＱＦＮ集積回路パッケージの半田接合信頼性を増加させる。
【００１２】
本発明の１つの目的とするところは、ＱＦＮ集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を改善するための改良したシステム及び方法を提供することである。
【００１３】
又、ＱＦＮ集積回路パッケージと下側に位置するプリント回路基板との間の半田ボンド即ち接合部の強度を増加させるための改良したシステム及び方法を提供することも本発明の目的である。
【００１４】
本発明の別の目的とするところは、ＱＦＮ集積回路パッケージの端子の少なくとも一部内に半田スロットを与えることである。
【００１５】
本発明の更に別の目的とするところは、ＱＦＮ集積回路パッケージのリードフレームのダイパッドの外部底部表面内に半田スロットを与えることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に説明する図１乃至１１及び本明細書において本発明の原理を説明するために使用する種々の実施例は単に例示的なものであって本発明の技術的範囲を制限するような態様で理解されるべきではない。当業者が理解するように、本発明の原理は、任意の適宜に構成したＱＦＮ集積回路パッケージにおいて実現することが可能である。
【００１７】
特に、本発明の装置及び方法を４つの側部上に端子を具備する集積回路パッケージについて説明する。理解すべきことであるが、４つの側部を具備する集積回路パッケージは単に例示的なものであり、且つ本発明の方法及び装置は、集積回路パッケージの任意の数の側部（即ち、１つ、２つ、３つ又は４つ）に対して適用することが可能である。
【００１８】
図１は例示的な従来技術のＱＦＮ（クワッド・フラット・リード無し）集積回路パッケージ１００の平面図を示している。ＱＦＮ集積回路パッケージ１００は、プラスチック本体１１０及び集積回路パッケージ１００のプラスチック本体１１０の周辺部上の複数個の金属端子１２０を有している。該複数個の金属端子１２０はＱＦＮ集積回路パッケージ１００の底部上に位置されているので、該複数個の金属端子１２０は図１に例示した平面図においては点線で示してある。
【００１９】
図１に示した例示的な従来技術のＱＦＮ集積回路パッケージ１００は正方形の形状である。別の従来技術の実施例においては、ＱＦＮ集積回路パッケージ１００は矩形の形状の場合がある。例示的な正方形の従来技術のＱＦＮ集積回路パッケージ１００の４つの側部の各々は８個の金属端子１２０を有している。
【００２０】
集積回路ダイ１３０がＱＦＮ集積回路パッケージ１００のプラスチック本体１１０のダイパッド部分１４０上に装着される。即ち、プラスチック本体１１０のダイパッド１４０はリードフレームの平坦な部分であり、その上に集積回路ダイ１３０が装着される。集積回路ダイ１３０は、次いで、プラスチック本体１１０の付加的なプラスチック物質で被覆され且つプラスチック本体１１０内に埋設される。集積回路ダイ１３０はＱＦＮ集積回路パッケージ１００の内部内にプラスチック本体１１０内に埋設されるので、集積回路ダイ１３０は図１においては点線で示してある。説明の便宜上、以下の説明においては、ＱＦＮの用語を省略する。
【００２１】
従来の集積回路パッケージ１００の構造は、図１に示した点線の矩形１５０の下側に位置している集積回路パッケージ１００の断面部分を考慮することによりより良く理解することが可能である。
【００２２】
図２は点線の矩形１５０の下側に位置している図１の例示的な従来の集積回路パッケージ１００の一部２００の断面図を例示している。従来の集積回路パッケージ１００の種々のコンポーネントの厚さは説明の便宜上幾つかの場合において拡張してある。集積回路ダイ１３０はダイ取付物質２２０でダイパッド１４０へ取り付けられている。モールド化合物物質２１０が集積回路ダイ１３０、ダイ取付物質２２０、ダイパッド１４０、端子１２０を被覆している。モールド化合物物質２１０は、又、ダイパッド１４０と端子１２０との間の空間を充填している。
【００２３】
従来の集積回路パッケージ１００の底部をプリント回路基板（不図示）ヘ固着するために半田が使用される。半田２４０の層がダイパッド１４０の底部へ付与され且つ半田２６０の層が端子１２０の底部へ付与される。半田層２４０と半田層２６０との間にはギャップ２５０が存在しており、そこには半田は存在しない。
【００２４】
このことは、図３を参照してよりよく理解することが可能である。図３は、図２に示した例示的な従来の回路１００の断面部分の背面図３００を示している。半田層２４０がダイパッド１４０へ付与されており且つダイパッド１４０を下側に存在するプリント回路基板（不図示）ヘ取り付ける。半田層２６０が端子１２０へ付与されており且つ端子１２０を下側に存在するプリント回路基板（不図示）ヘ取り付ける。ダイパッド１４０と端子１２０との間のモールド化合物物質２１０は半田層２４０と半田層２６０との間のギャップ２５０を介して見ることが可能である。
【００２５】
図４は図１に示した例示的な従来の集積回路パッケージ１００の背面図を示している。図４に示した３２個の端子１２０の各々の平坦な底部はプリント回路基板（不図示）に対して半田付けするためにアクセス可能である。ダイパッド１４０の平坦な底部もプリント回路基板（不図示）へ半田付けするためにアクセス可能である。
【００２６】
図５は本発明の例示的な集積回路パッケージ５００の背面図を示している。集積回路パッケージ５００は、プラスチック本体５１０、集積回路パッケージ５００のプラスチック本体５１０の周辺部上の複数個の金属端子５２０を有している。該複数個の金属端子５２０は集積回路パッケージ５００の底部上に位置されているので、該複数個の金属端子５２０は図５に示した背面図においては実線で示してある。
【００２７】
図５に示した例示的な集積回路パッケージ５００は正方形の形状である。本発明の別の実施例においては、集積回路パッケージ５００は、矩形の形状、又はその他の任意の形状とすることが可能である。例示的な正方形の集積回路パッケージ５００の４つの側部の各々は８個の金属端子５２０を有している。該集積回路パッケージの平坦な底部はダイパッド５４０を有している。
【００２８】
図５に示したように、半田スロット５３０が集積回路パッケージ５００の３２個の周辺部の端子５２０の各々の底部に形成されている。半田スロット５３０の形状は、好適には、正方形又は矩形であるが、半田スロット５３０に対して任意の形状を使用することが可能である。特に、半田スロット５３０は、文字「Ｌ」のような形状、円形の形状、楕円形の形状、又は不規則形状を有することが可能である。本発明の１つの有益的な実施例においては、各半田スロット５３０は矩形状であり且つ０．５０ミリメーター（０．５０ｍｍ）幅である端子に対して、０．５５ミリメーター（０．５５ｍｍ）の長さ、０．４０ミリメーター（０．４０ｍｍ）の幅、０．０５ミリメーター（０．０５ｍｍ）の深さの寸法を有している。３２個の周辺部の端子５２０における３２個の半田スロット５３０の位置を図５において陰線を付けた輪郭で示してある。周辺端子５２０（半田スロット５３０を具備している）はプリント回路基板（不図示）へ半田付けするためにアクセス可能である。
【００２９】
本発明は、又、集積回路パッケージ５００のダイパッド５４０の底部表面内に形成されている複数個の半田スロット５５０を有している。半田スロット５５０は半田スロット５３０に類似している。半田スロット５５０の形状は、好適には、正方形又は矩形であるが、半田スロット５５０に対して任意の形状を使用することが可能である。特に、半田スロット５５０は文字「Ｌ」のような形状、円形形状、楕円形状、又は不規則形状を有することが可能である。本発明の１つの有益的な実施例においては、各半田スロット５５０は０．５５ｍｍの長さ、０．４０ｍｍの幅、０．０５ｍｍの深さの寸法を有している。この半田スロット５５０の幅はダイパッド５４０の厚さの約５０％である。ダイパッド５４０の周辺部周りの３０個の半田スロット５５０の位置を図５において陰線を付した輪郭で示している。ダイパッド５４０（半田スロット５５０を具備している）はプリント回路基板（不図示）へ半田付けするためにアクセス可能である。
【００３０】
集積回路パッケージ５００をプリント回路基板（不図示）ヘ半田付けする場合に、半田スロット５３０内における及び半田スロット５５０内における半田の存在は、集積回路パッケージ５００の表面とプリント回路基板（不図示）との間の増加させた半田強度を提供する。半田スロット（５３０及び５５０）を充填する半田は、半田ボンド即ち接合部が経験する場合のある横方向の力に対して半田ボンドを強化させる。このように、半田スロット（５３０及び５５０）内の半田は、集積回路パッケージ５００の半田接合信頼性を増加させる。
【００３１】
図５に示した好適実施例においては、端子５２０における半田スロット５３０はダイパッド５４０における半田スロット５５０と整合している。この整合は、半田スロット５３０を対応する半田スロット５５０に隣接して位置させることにより半田ボンドの強度を増加させる。本発明のその他の好適実施例においては、これら２つのタイプの半田スロットがそのように整合されるものでない場合がある。
【００３２】
図６は本発明の集積回路パッケージ５００の平面図を示しており、プラスチック本体５１０の周辺部上の複数個の金属端子５２０の位置を示している。該複数個の金属端子５２０は集積回路パッケージ５００の底部上に位置されているので、該複数個の金属端子５２０は図６に示した平面図において点線の輪郭で示してある。
【００３３】
集積回路ダイ６１０は集積回路パッケージ５００のプラスチック本体５１０のダイパッド部分５４０の上に装着されている。即ち、プラスチック本体５１０のダイパッド５４０は、リードフレームの平坦な部分であり、その上に集積回路ダイ６１０が装着される。集積回路ダイ６１０は、次いで、プラスチック本体５１０の付加的なプラスチック物質で被覆され、且つプラスチック本体５１０内に埋設される。集積回路ダイ６１０は集積回路パッケージ５００の内部内にプラスチック本体５１０内に埋設されるので、集積回路ダイ６００は図６においては点線の輪郭で示してある。
【００３４】
複数個の金属端子５２０における複数個の半田スロット５３０の位置も図６に示してある。半田スロット５３０を具備している該複数個の金属端子５２０は集積回路パッケージ５００の底部上に位置されているので、該複数個の金属端子５２０及び該複数個の半田スロット５３０は図６に例示した平面図において点線の輪郭で示してある。
【００３５】
ダイパッド５４０の周辺部における半田スロット５５０の位置も図６に示してある。ダイパッド５４０は集積回路パッケージ５００の底部上に位置されているので、半田スロット５５０は図６に示した平面図において点線の輪郭で示してある。
【００３６】
集積回路パッケージ５００の構造は、図６に示した点線の矩形６３０の下側に位置されている集積回路パッケージ５００の断面部分を検討することによりより良く理解することが可能である。
【００３７】
図７は点線の矩形６３０下側に位置されている図６の集積回路パッケージ５００の一部の断面側面図を示している。集積回路パッケージ５００の種々のコンポーネントの厚さは説明の便宜上幾つかの場合において拡大されている。集積回路ダイ６１０はダイ取付物質７２０でダイパッド５４０へ取り付けられている。モールド化合物７１０が、集積回路ダイ６１０、ダイ取付物質７２０、ダイパッド５４０、端子５２０を被覆している。モールド化合物物質７１０は、又、ダイパッド５４０と端子５２０との間の空間を充填している。
【００３８】
図７は、又、端子５２０内の半田スロット５３０の位置を例示している（断面側面図において）。図７は、又、ダイパッド５４０内の半田スロット５５０の位置を示している（断面側面図において）。
【００３９】
図８は図７に示した集積回路パッケージ５００の部分の底面図を示している。端子５２０内の半田スロット５３０の位置が示されており且つダイパッド５４０内の半田スロット５５０の位置が示されている。図８は、更に、モールド化合物７１０の一部がダイパッド５４０と端子５２０との間に位置されていることを示している。モールド化合物７１０のこの部分の幅は図８において参照番号８１０で示してある。
【００４０】
集積回路パッケージ５００の底部をプリント回路基板（不図示）ヘ固定するために半田が使用される。図９に示したように、半田９１０の層がダイパッド５４０の底部に付与される。半田９１０は半田スロット５５０の内部を充填する。半田９２０の層が端子５２０の底部へ付与される。半田９２０は半田スロット５３０の内部を充填する。幅８１０のギャップが半田層９１０と半田層９２０との間に存在しており、そこには半田は設けられない。
【００４１】
半田は、半田ペーストの電着により又はステンシル印刷により付与することが可能である。電着させた半田又は錫は、非常に薄く、従って、該スロットを充填することはない。然しながら、この薄いメッキは一様であり且つ該スロット及び残りのリードフレーム区域を半田付け可能なものとさせる。ステンシル印刷型半田ペーストをこの電着した半田に対して、半田スロット区域のみにおいて付与し、該スロットを充填する。該ペーストを加熱し、それによりペーストがリフローし且つ該スロットを充填する。
【００４２】
更に、球及び棒の形状をした固体の半田を半田スロット内に落下させることが可能である。予め付与した半田フラックスの助けにより、該固体の半田は、集積回路パッケージを半田溶融温度に露呈させた場合に溶融する。溶融した半田は該スロットを充填し、且つリードフレームの表面を超えて突出する。この付加的な半田の突起はリードフレームとプリント回路基板との間の距離を増加し、従って半田接合部におけるストレスを減少させる。
【００４３】
図１０は図９に示した集積回路パッケージ５００の断面部分の底面図を示している。半田層９１０をダイパッド５４０へ付与し且つダイパッド５４０を下側に存在するプリント回路基板（不図示）へ取り付ける。半田層９２０を端子５２０へ付与し且つ端子５２０を下側に存在するプリント回路基板（不図示）へ取り付ける。ダイパッド５４０と端子５２０との間のモールド化合物物質７１０は、半田層９１０と半田層９２０との間の幅８１０のギャップを介して見ることが可能である。
【００４４】
半田スロット５５０を充填する半田９１０の部分は、ダイパッド５４０と下側に存在するプリント回路基板（不図示）との間の半田ボンド即ち接合部の強度を増加させる。半田スロット５３０を充填する半田９２０の部分は、端子５２０と下側に存在するプリント回路基板（不図示）との間の半田ボンドの強度を増加する。この増加された半田ボンド強度は、集積回路パッケージ５００における半田接合信頼性を改善する。
【００４５】
図１１は集積回路パッケージにおける半田接合信頼性を改善するための本発明の方法の好適実施例のフローチャートを示している。本方法のステップは、大略、参照番号１１００で示してある。
【００４６】
最初に、集積回路パッケージ５００用のダイパッド５４０を形成する（ステップ１１１０）。次いで、マスク及びエッチ手順を適用して、（１）集積回路パッケージ５００の複数個の端子５２０の各端子５２０の底部表面に半田スロット５３０を形成し、且つ（２）ダイパッド５４０の底部表面に複数個の半田スロット５５０を形成する（ステップ１１２０）。
【００４７】
集積回路ダイ６１０をダイパッド５４０へ取付け、ダイ５１０をワイヤボンドさせ、且つダイ６１０をモールド物質７１０で被覆する（ステップ１１３０）。次いで、化学的洗浄を適用し、且つ半田の薄い層をダイパッド５４０へ適用し、それは半田スロット５３０及び半田スロット５５０を被覆する（ステップ１１４０）。
【００４８】
次のステップは、オプションのステップであるが、付加的な半田を半田スロット５３０へ及び端子５２０へ及び半田スロット５５０へ及びダイパッド５４０へ付与する（ステップ１１５０）。充分な半田がダイパッド５４０上及び半田スロット５３０にわたり及び半田スロット５５０にわたってステップ１１４０において配置されると、ステップ１１５０におけるオプションとしての付加的な半田を付加することは必要ではない。ステップ１１５０はオプションのステップであるので、ステップ１１５０のボックスの輪郭は図１１において点線で示してある。
【００４９】
次いで、集積回路パッケージ５００を下側に存在するプリント回路基板（不図示）ヘ半田で取り付ける（ステップ１１６０）。半田スロット５３０内及び半田スロット５５０内の半田は、集積回路パッケージ５００と下側に存在するプリント回路基板（不図示）との間の半田結合に対して付加的な強度を与える。
【００５０】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】ＱＦＮ集積回路パッケージ内の集積回路ダイの配置を例示した例示的な従来のＱＦＮ集積回路パッケージの平面図。
【図２】従来のＱＦＮ集積回路パッケージの上表面上に示した点線矩形下側に位置されている図１の例示的な従来のＱＦＮ集積回路パッケージの一部の概略断面側面図。
【図３】図２に示した例示的な従来のＱＦＮ集積回路パッケージの部分を示した概略底面図。
【図４】図１に示した例示的な従来のＱＦＮ集積回路パッケージの概略底面図。
【図５】ＱＦＮ集積回路パッケージの底部内に複数個の半田スロットを形成した位置を示した本発明の例示的なＱＦＮ集積回路パッケージの概略底面図。
【図６】本発明の例示的なＱＦＮ集積回路パッケージの概略平面図。
【図７】ＱＦＮ集積回路パッケージのダイパッド内に形成した半田スロット及びＱＦＮ集積回路パッケージの端子内に形成した半田スロットを示しておりＱＦＮ集積回路パッケージの上表面上に示した点線の矩形下側に位置されている図６に示した本発明の例示的なＱＦＮ集積回路パッケージの一部の概略断面側面図。
【図８】図７に示した例示的なＱＦＮ集積回路パッケージの部分の概略底面図。
【図９】ＱＦＮ集積回路パッケージの底部へ半田を付与し且つＱＦＮ集積回路パッケージの底部における半田スロットを半田で充填した図７に示した例示的なＱＦＮ集積回路パッケージの部分の概略断面側面図。
【図１０】図９に示した例示的なＱＦＮ集積回路パッケージの部分の概略底面図。
【図１１】ＱＦＮ集積回路パッケージにおいて半田接合信頼性を改善するための本発明の方法の好適実施例を示したフローチャート。
【符号の説明】
【００５２】
１００  ＱＦＮ集積回路パッケージ
１１０  プラスチック本体
１２０  金属端子
１３０  集積回路ダイ
１４０  ダイパッド
２１０  モールド化合物物質
２２０  ダイ取付物質
２４０，２６０  半田層
２５０  ギャップ
５００  集積回路パッケージ
５１０  プラスチック本体
５２０  金属端子
５３０  半田スロット
５４０  ダイパッド
５５０  半田スロット
６１０  集積回路ダイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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