(57)【要約】【課題】  簡略化された有機デバイスの電極の製造方法を提供する。【解決手段】  陽極と陰極と、陽極と陰極に挟持される発光層を含んで構成される有機ＥＬ素子の電極の製造方法であって、融点が１００℃以上２５０℃以下で仕事関数が４ｅＶ以下の電極材料を溶融し、溶融した電極材料を発光層と接触させて、陰極を形成する有機ＥＬ素子の電極の製造方法。陰極材料として、例えば、仕事関数４ｅＶ以下のアルカリ金属に、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｃｕからなる群から選択される金属又は合金を混合したものを使用する。【選択図】  無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機層と２以上の電極を含んで構成される有機デバイスの電極の製造方法であって、
電極材料を溶融し、前記溶融した電極材料を有機層に接触させて、少なくとも１つの電極を形成する有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項２】
前記有機デバイスが、ダイオード素子、トランジスタ素子、容量素子、圧電素子、焦電素子、電歪素子、光発電素子、液晶電気光学素子、ホール素子、又は有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項３】
前記電極材料が、溶融温度１００℃以上４００℃以下の金属又は合金を含む請求項１又は請求項２に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項４】
前記金属又は合金が、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｃｕからなる群から選択される１種又は２種以上の金属、又は２種以上の金属からなる合金である請求項３に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項５】
前記電極材料が、熱可塑性樹脂と導電性粒子を含む請求項１又は請求項２に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項６】
前記導電性粒子が、平均粒径２００μｍ以下の金属又は合金である請求項５に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂に対する前記導電性粒子の割合が５０〜９０体積％である請求項５又は請求項６に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項８】
前記電極材料が、有機導電物質を含む請求項１又は請求項２に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項９】
予め、前記電極材料を溶融する温度よりも高い温度まで前記有機層を加熱しておく請求項１〜８のいずれか１項に有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項１０】
前記電極材料が溶融する温度以上に、前記有機層を加熱しながら、溶融した電極材料を前記有機層に接触させる請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項１１】
前記電極材料が溶融する温度よりも２０℃以上高い温度を越えない温度で加熱しながら、溶融した電極材料を前記有機層に接触させる請求項１０に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項１２】
不活性ガス雰囲気中又は真空中で、溶融した電極材料を前記有機層に接触させる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも1つの電極を、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造方法で製造する有機デバイスの製造方法。
【請求項１４】
陽極と陰極と、前記陽極と陰極に挟持される発光層を含んで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法であって、
融点が１００℃以上２５０℃以下で仕事関数が４ｅＶ以下の電極材料を溶融し、
前記溶融した電極材料を発光層と接触させて、陰極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
【請求項１５】
陽極と陰極と、前記陽極と陰極に挟持される発光層を含んで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法であって、
融点が１００℃以上２５０℃以下で仕事関数が４ｅＶ以上の電極材料を溶融し、
前記溶融した電極材料を発光層と接触させて、陽極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
【請求項１６】
予め、前記電極材料を溶融する温度よりも高い温度まで、前記発光層を加熱しておく請求項１４又は１５に有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
【請求項１７】
前記電極材料が溶融している温度より高い温度まで、前記発光層を加熱しながら、溶融した電極材料を前記発光層に接触させる請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
【請求項１８】
少なくとも１つの電極を、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の製造方法で製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の有機デバイスの製造方法、特にその電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機デバイスは、無機物を利用したデバイスと比べ、その分子設計のバリエーションが豊富であるため、従来困難とされた機能発現が期待されている。例えば、有機ＥＬ素子では、従来高い輝度と長寿命を両立する青色発光が難しいとされていたが、発光材料開発の進展によって一部実用化に至っている。この他、有機デバイスの具体的な例としてダイオード素子、トランジスタ素子、コンデンサやバリキャップといった容量素子、圧電素子、焦電素子、電歪素子、光発電素子、液晶電気光学素子、ホール素子等が挙げられる。
【０００３】
このような有機デバイスは有機材料に複数の電極部位を有している。通常これらのデバイスの電極形成は、蒸着法、スパッタ法等の真空薄膜形成技術が用いられる。この電極形成技術は確立されたものであり、信頼性が高いものであるが、近年、前記デバイス自体を塗布等の簡略化したプロセスで製造しようとする試みが活発である。例えば、有機ＥＬ素子では、陽極付きの基板上に、インクジェット法等を用いて正孔輸送層、有機発光媒体層、電子輸送層等の有機物層を塗布製膜しようとする。しかし、その際に電極形成のみが依然として高真空プロセスであるという不整合が、生産性の劇的な向上を妨げている。
【０００４】
一方、特許文献１には、有機ＥＬ素子において、陰極として仕事関数の小さい金属膜を発光層上に溶融接着することで生産性、コストを改善することが提案されている。しかし、この方法では、予め陰極金属を目的に応じた形状の膜に加工するプロセスと、このパターン化した膜を発光層上に溶融接着するプロセスの、２段階のプロセスが必要であった。しかし、高精細の表示素子の場合、予め陰極金属で必要な形状の膜を成型すること自体が難しかった。さらに、成型した電極部材と素子との位置合せが必要となった。また、電極が固体状態で有機物に接触するので、有機物の表面に傷を付ける恐れがあった。
【特許文献１】特開平０７−２８８１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、簡略化された有機デバイスの電極の製造方法を提供することである。本発明の他の目的は、簡略化された有機デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、電極の少なくとも一つを被形成面に溶融状態で直接接触させて製膜することで有機デバイスの製造を著しく容易にし、安価で信頼性が高いデバイスを提供できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
本発明によれば、以下の有機デバイスの電極の製造方法等が提供される。
１．有機層と２以上の電極を含んで構成される有機デバイスの電極の製造方法であって、
電極材料を溶融し、前記溶融した電極材料を有機層に接触させて、少なくとも１つの電極を形成する有機デバイスの電極の製造方法。
２．前記有機デバイスが、ダイオード素子、トランジスタ素子、容量素子、圧電素子、焦電素子、電歪素子、光発電素子、液晶電気光学素子、ホール素子、又は有機エレクトロルミネッセンス素子である１に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
３．前記電極材料が、溶融温度１００℃以上４００℃以下の金属又は合金を含む１又は２に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
４．前記金属又は合金が、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｃｕからなる群から選択される１種又は２種以上の金属、又は２種以上の金属からなる合金である３に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
５．前記電極材料が、熱可塑性樹脂と導電性粒子を含む１又は２に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
６．前記導電性粒子が、平均粒径２００μｍ以下の金属又は合金である５に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
７．前記熱可塑性樹脂に対する前記導電性粒子の割合が５０〜９０体積％である５又は６に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
８．前記電極材料が、有機導電物質を含む１又は２に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
９．予め、前記電極材料を溶融する温度よりも高い温度まで前記有機層を加熱しておく１〜８のいずれかに有機デバイスの電極の製造方法。
１０．前記電極材料が溶融する温度以上に、前記有機層を加熱しながら、溶融した電極材料を前記有機層に接触させる１〜９のいずれかに記載の有機デバイスの電極の製造方法。
１１．前記電極材料が溶融する温度よりも２０℃以上高い温度を越えない温度で加熱しながら、溶融した電極材料を前記有機層に接触させる１０に記載の有機デバイスの電極の製造方法。
１２．不活性ガス雰囲気中又は真空中で、溶融した電極材料を前記有機層に接触させる１〜１１のいずれかに記載の有機デバイスの電極の製造方法。
１３．少なくとも1つの電極を、１〜１２のいずれかに記載の製造方法で製造する有機デバイスの製造方法。
１４．陽極と陰極と、前記陽極と陰極に挟持される発光層を含んで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法であって、
融点が１００℃以上２５０℃以下で仕事関数が４ｅＶ以下の電極材料を溶融し、
前記溶融した電極材料を発光層と接触させて、陰極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
１５．陽極と陰極と、前記陽極と陰極に挟持される発光層を含んで構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法であって、
融点が１００℃以上２５０℃以下で仕事関数が４ｅＶ以上の電極材料を溶融し、
前記溶融した電極材料を発光層と接触させて、陽極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
１６．予め、前記電極材料を溶融する温度よりも高い温度まで、前記発光層を加熱しておく１４又は１５に有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
１７．前記電極材料が溶融している温度より高い温度まで、前記発光層を加熱しながら、溶融した電極材料を前記発光層に接触させる１４〜１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の製造方法。
１８．少なくとも１つの電極を、１４〜１７のいずれかに記載の製造方法で製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、簡略化され、生産性が高い、有機デバイスの電極の製造方法及び有機デバイスの製造方法を提供できる。また、本発明によれば、以下の効果を奏する、有機デバイスの電極の製造方法及び有機デバイスの製造方法を提供できる。
（１）電極蒸着という高真空プロセスを省略できるので、製造コストが低減する。
（２）タクトタイムが低減するので生産性が向上し、製造コストが低減する。
（３）電極を直接印刷等で形成するので、高精細素子や意匠表示等、多彩なパターンに対応できる。
（４）溶融状態で電極を形成するので、擦れ等で下地を損傷する恐れが小さい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明によれば、少なくとも有機層と２以上の電極からなる有機デバイスにおいて、電極の少なくとも１つを、溶融した電極材料を有機層に接触させて形成する。本発明では、電極材料を予めパターン化し、固めた状態で、有機層に付着させるのではなく、溶融した状態で、パターンを形成しながら、有機層に付着させる。塗布方法として、溶液を使用した一般的な各種インクを塗布する方法の殆どが利用可能だが、膜厚の制御が容易な方法として、インクジェット法、スピンコート法、ディップ法、スプレー法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、ディスペンサ等による滴下法、ビードコート法、刷毛塗り法等が好ましい。
尚、有機層は、有機材料又は有機化合物層を含むが、無機材料又は無機化合物層を含んでいてもよい。従って、電極を形成する面が無機化合物を含む面であり得る。
【００１０】
溶融塗布に際しては、予め、電極材料を溶融する温度以上で、有機層を熱処理し、その後電極の溶融製膜を行うことが好ましい。これは、下地となる有機物を予め熱処理しておくことで、電極塗布時の熱歪みの発生を防いで電極との密着性を良くしたり、或いは有機物中の残留溶媒や水分等を加熱により低減しておき、より長寿命で信頼性が高い素子を得るためである。
【００１１】
電極材料を塗布する際は、電極材料が溶融している温度以上、好ましくは、電極が溶融している温度よりも２０℃高い温度を超えない範囲で、被塗布物を加熱しながら行うのが好ましい。この加熱を行うことで、塗布した瞬間に電極材料が急冷されて固化し、塗面の平滑性が損なわれるということを防止できる。但し、溶融させている温度を大きく超えてしまうと、塗布時にはじきが生じて、電極にピンホールが残ってしまうことがある。
【００１２】
また、好ましくは、電極の溶融製膜塗布を不活性ガス雰囲気中又は真空中で行う。これによって塗布する電極材料の酸化や汚染を防止するとともに、有機層への酸素、水の浸入を防ぐ効果がある。不活性ガスとしてはアルゴンや窒素等が知られており、これにガス置換した雰囲気で塗布すれば良い。真空の場合は、さらに塗布製膜時に有機物と電極との界面に気泡の混入がしにくくなるという利点がある。この場合の真空度としては蒸着のような高真空度は必要なく、１０−２Ｔｏｒｒ程度以下でもよい。この真空度は一般的なロータリーポンプで容易に達成されるレベルである。
【００１３】
溶融塗布する電極材料は、好ましくは、融点が１００℃以上４００℃以下である。１００℃未満であると、デバイス自体の耐熱上限温度がその温度になってしまい、実用上不十分なことがある。一方４００℃を超えると、下地として有機物を用いるので、有機物自体を分解、変質させることがある。特に好ましくは、融点１００℃以上２５０℃以下である。２５０℃以下とすることで、広い範囲の有機物に対して分解、変質をさせることなく形成可能となる。
【００１４】
電極材料として金属又は合金が使用できる。融点が１００℃以上４００℃以下の範囲にある金属又は合金の具体例としては、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）からなる群、好ましくは、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＩｎからなる群、より選択される単体金属、又はこれらより選択された金属同士の２元以上の合金が挙げられる。合金の例としては、Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｐｂ−Ｃｄ−Ｓｂ合金、Ｐｂ−Ｓｂ合金、Ｐｂ−Ｃｄ合金、Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｂｉ−Ｐｂ合金、Ｂｉ−Ｓｂ−Ｐｂ合金、Ｐｂ−スズ（Ｓｎ）合金等が挙げられる。
【００１５】
金属又は合金以外の電極材料としては、熱可塑性樹脂に導電性粒子を分散させたものも利用できる。この場合、樹脂の軟化温度が金属の場合の融点に相当するので、目的に応じて、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、塩化ビニール、ナイロン、酢酸ビニル、塩化ビニリデン等の種々の樹脂から選定できる。分散させる導電性粒子は、好ましくは平均粒径２００μｍ以下の、Ｐｄ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｉｎ等の金属又は合金である。粒径がこれより大きいと、均一な分散が難しくなることがある。粒子の混合量は、安定した導電性を得るために５０〜９０体積％が好ましい。少ないと導電性が不良になることがあり、また多すぎると加熱成型が難しくなる場合がある。
【００１６】
さらに、電極材料としては、ポリピロール、ポリチオフェンン、置換又は未置換の炭素数５〜３０の芳香族アミン、置換又は未置換の炭素数５〜３０の芳香族化合物、置換又は未置換の炭素数４〜２５のフラン化合物及びＴＣＮＱ錯塩からなる群から選択される１種又は２種以上の有機導電物質を少なくとも１種含むものであってもよい。通常「導電ポリマー」と呼ばれるものが好ましく使用できる。
【００１７】
次に、有機デバイスの一例として有機ＥＬ素子について説明する。
有機ＥＬ素子は、一般に、発光層を陰極と陽極で挟持する構造であり、発光層には、有機発光媒体を含む他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等、必要に応じて様々な有機化合物層や無機化合物層を含む。
【００１８】
陰極又は陽極（電極）形成の方法としては、電極材料を融点以上に加熱し、溶融状態で直接発光層の上に塗布製膜し、その後冷却して固体状態にする。膜厚は導電性が確保される範囲なら特に限定されず、目的に応じて適宜決めることができる。塗布の具体的な方法としては、上述したように、一般的な塗布方法の殆どが利用可能だが、インクジェット法、スピンコート法、ディップ法、スプレー法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、ディスペンサ等による滴下法、ビードコート法、刷毛塗り法等が好ましい。このうち、塗布パターン制御の容易さの点から、インクジェット法、スプレー法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法が特に好ましい。これらの方法により、電極を任意のパターンで形成可能となるので、製造できる素子のバリエーションが増大する。
【００１９】
陽極材料としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、これらの混合物、さらに、これら電極物質とこれらと異なる金属との混合物を用いることが好ましい。このような仕事関数の大きい電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明性金属化合物が挙げられる。本発明で用いるには、例えば、これらの物質と、上述した融点１００℃以上４００℃以下の金属又は合金との混合物あるいは合金とし、低融点と高仕事関数を両立させることができる。このような融点降下はＳｎとＰｂのアロイであるハンダで知られている。合金にならない場合でも、高仕事関数物質と混合する物質が金属又は合金であるので、導電性を妨げることがなく、混合比の選択範囲が広くなる。この場合、表示の均一性を高めるため、高仕事関数物質は微粒子状にして混合することが好ましい。本発明では、有機物バインダー等の、吸湿性、通気性を持つ材料を電極材料に含まないことが、生産性や信頼性向上の点で有利となる。尚、有機ＥＬ素子では加熱しすぎると発光能等が低下する場合がある。このため溶融温度が１００〜２５０℃の電極材料が好ましい。
【００２０】
陰極材料としては、好ましくは、仕事関数４ｅＶより小さいものを用いる。
具体的にはＣｓ（１．９５）、Ｒｂ（２．１６）、Ｋ（２．２８）、Ｎａ（２．３６）、Ｌｉ（２．９３）等のアルカリ金属、Ｂａ（２．５２）、Ｓｒ、Ｃａ（２．９）、Ｍｇ（３．６６）等のアルカリ土類金属、Ｅｕ（２．５）、Ｙｂ（２．６）、Ｓｍ（２．７）、Ｃｅ（２．９）、Ｅｒ（２．９７）、Ｇｄ（３．１）、Ｙ（３．１）、Ｎｄ（３．２）、Ｌａ（３．５）、Ｓｃ（３．５）等の希土類元素からなる金属、又はこれらの金属を含有する無機又は有機化合物がある。好ましい無機化合物は、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、希土類金属ハロゲン化物等がある。有機化合物としては、アルカリ金属有機錯体、アルカリ土類金属有機錯体、アルカリ金属有機酸塩等がある。ここで、括弧中の値は化学便覧に記載されている仕事関数の値（単位：ｅＶ）である。
【００２１】
これらも陽極形成の場合と同様、上述した融点１００℃以上４００℃以下の金属又は合金との混合物あるいは合金とし、低融点と低仕事関数を両立させることができる。また、混合物あるいは合金とすることで、酸化しやすい低仕事関数物質を安定に保つことが可能となる。大部分の低仕事関数物質は、電極塗布時のみしか環境雰囲気に曝されることはない。即ち、連続生産においても安定な品質を保つことができるという利点がある。尚、有機ＥＬ素子では加熱しすぎると発光能等が低下する場合がある。このため溶融温度が１００〜２５０℃の電極材料が好ましい。
【００２２】
本発明によれば、通常蒸着法で行われる陰極の形成を、金属の溶融塗布で行うことができるので、素子製造プロセスを簡略化できる。特に、発光層の膜を塗布で製膜し、電極も塗布で製膜する場合は、さらに素子製造プロセスを簡略化できる。有機ＥＬ素子の製造では、基板となるガラス板の上に陽極を形成したものが市販されているので、これを利用することが多い。これを利用する場合、素子製造プロセスの主なものは、発光層製膜と陰極の形成であるが、これらを塗布で行うと製造プロセスが大きく簡略化される。
【実施例】
【００２３】
実施例１
［有機ＥＬ素子の製造方法］
正孔注入材料として、ポリチオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）とＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）の混合物を用いた。この混合物は「バイトロンＰ」としてバイエル社から購入することができる。この混合物を、市販のＩＴＯ電極付のガラス基板のＩＴＯ面に滴下し、スピンコート法で２０００ｒｐｍ、６０秒の条件で薄膜形成を行った。その後１５０℃に加熱したオーブンに入れて１０分間の乾燥を行った。乾燥後の膜厚は６０ｎｍであった。次いで、有機発光媒体層として、アルミニウムトリスキノリノール錯体（Ａｌｑ３）をトルエンの０．５ｗｔ％溶液としてＰＥＤＯＴの上にスピンコート法で塗布した。７００ｒｐｍ、６０秒の条件で、膜厚は４０ｎｍであった。
【００２４】
陰極材料としては、低融点金属として市販されているビスマス−錫合金（（株）タイヘイテクノサービス製：ＳＫ−アロイ）に、フッ化リチウム（（株）高純度化学研究所製）の微粒子を重量比で１０％、窒素雰囲気下で１５０℃で混練したもの（融点：１２３℃、仕事関数：３．５ｅＶ）を用いた。この温度ではフッ化リチウムは溶融しないので、合金にはなっていなく、ビスマス−錫合金に分散した状態になっている。
【００２５】
電極塗布は、ステンレス製のメッシュ（網目）を持ったスクリーン版を用いて、テフロン（登録商標）製のスキージでスクリーン印刷した。このとき、スクリーン印刷機自体を窒素で満たした大型のグローブボックスに入れ、ホットプレートになっているベース板に基板を載せて、基板、スクリーンともにほぼ１６０℃に加熱しながら行った。
塗布後、基板を室温まで冷却したところ、厚み３０μｍの陰極になっていた。
本素子に直流電圧を印加したところ、１５Ｖで２００ｎｉｔの緑色発光を確認できた。
【００２６】
比較例１
実施例１で使用した陰極材料で、フッ化リチウムを混合せずに、ビスマス−錫合金のみを用いて同様に素子を作製した。本素子に１５Ｖの直流電圧を印加したが発光しなかった。ビスマス−錫合金の仕事関数は４．５ｅＶ程度と大きく、有機ＥＬ素子の陰極材料として適当でないことが明らかになった。
【００２７】
実施例２
［高分子圧電素子の製造方法］
圧電体としては、ダイキン工業（株）製のポリフッ化ビニリデン樹脂（商品名：ネオフロンＶＤＦ）を用いた。この樹脂を２５０℃で熱プレスし、厚み８０μｍのフィルムとした。次に分極処理として、銅板の上に当該フィルムを載せ、その上方１ｃｍのところに放電用の針状電極を配置し、銅板と針状電極の間に約１万Ｖの高電圧を印加して室温でコロナ放電処理を３０分行った。
【００２８】
その後、フィルムの上下に電極を形成するが、本発明の塗布によって形成した。この電極の塗布は、窒素雰囲気下で、日立ブリンティングソリューションズ株式会社製のインクジェットヘッドＧＥＮ３Ｓを用いて行った。このインクジェットヘッドは構成材料がステンレスなので、塗布物を加熱しながら行うことが可能である。電極材料としてはインジウム（溶融温度：１５６℃）を用い、１７０℃で加熱溶融させ、フィルムの両面に厚みが２０μｍになるように塗付を行った。
【００２９】
このように作製した素子に、周波数１ＫＨｚ、振幅４０Ｖの交流矩形波電圧を印加したところ、１ＫＨｚの音波が確認され、真空プロセスを全く使わずとも圧電素子の作製が可能であることを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、太陽電池、有機トランジスタ、有機ＥＬ表示装置等に用いられる、ダイオード素子、トランジスタ素子、容量素子、圧電素子、焦電素子、電歪素子、光発電素子、液晶電気光学素子、ホール素子、又は有機ＥＬ素子等の有機デバイスの製造に用いられる。