(57)【要約】【課題】  磁壁移動層の誤差による媒体特性及ぼす影響を補正することで媒体の製造歩留まりを大幅に改善し、低コストで媒体の量産を可能にすることを目的とする。【解決手段】  本発明は、基板と、情報再生光を干渉させる干渉層と、情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、磁壁移動層とメモリ層の間に配置される遮断層を少なくとも備え、情報再生光の照射による媒体の温度勾配により、メモリ層から移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて記録磁区を拡大させることにより情報の再生を行う光磁気記録媒体において、干渉層は窒化物からなる誘電体材料から成り、磁壁移動層が複数の磁性層で構成され、複数の磁壁移動層のうち、干渉層に最も近い層の膜厚が２０ｎｍ以下であり、干渉層の前記磁壁移動層側の少なくとも一部分の窒素含有量が異なることを特徴とする光磁気記録媒体を用いることにより達せられる。【選択図】    図１
2005346784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、情報再生光を干渉させる干渉層と、情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層とメモリ層の間に配置される遮断層を少なくとも備え、情報再生光の照射による媒体の温度勾配により、前記メモリ層から移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録媒体において、
前記干渉層は窒化金属から成り、
前記磁壁移動層が複数の磁性層で構成され、
前記複数の磁壁移動層のうち、前記干渉層に最も近い層の膜厚が２０ｎｍ以下であり、
前記干渉層の前記磁壁移動層側の少なくとも一部分の窒素含有量が異なることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
基板と、情報再生光を干渉させる干渉層と、情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層とメモリ層の間に配置される遮断層を少なくとも備え、情報再生光の照射による媒体の温度勾配により、前記メモリ層から移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録媒体の製造方法において、
前記干渉層は窒化金属から成り、
前記磁壁移動層が複数の磁性層で構成され、
前記複数の磁壁移動層のうち、前記干渉層に最も近い層の膜厚が２０ｎｍ以下であり、
前記干渉層の前記磁壁移動層側の少なくとも一部分の窒素含有量を変えることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気光学効果を利用してレーザ光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザの熱エネルギーを利用して磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を使って記録情報を読み出す光磁気記録媒体及び記録再生装置が注目されている。また最近では、扱うデータが音声、画像、動画といったさまざまな情報に多様化し、それらの要求するデータサイズが増え続けていることから、この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
光磁気記録媒体上に高出力レーザを照射しながら外部磁界を変調させる磁界変調方式を用いると、磁界変調のスイッチング速度を十分に速くすることで光スポットよりも小さな微小磁区を記録することが出来る。
【０００４】
これに対し、再生は、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数ＮＡにより決定されるビームウェストの径に依存するので信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。
【０００５】
したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザ波長を短くするか対物レンズの開口数を大きくする必要がある。
【０００６】
ところが、レーザ光として波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う場合、従来の赤色レーザ光に比べスポット径が１／２以下に縮小化され、この結果、再生に要する一定のレーザパワーを用いる場合、再生レーザ光のスポット中心のビーム強度が極めて高くなり、光磁気記録媒体上においても再生レーザ光スポットの中心部分の強度が極めて高くなり、これによって温度上昇が著しくなる場合がある。結果として、光磁気記録再生を行う時における温度上昇が著しい場合、再生信号の信号量（キャリアレベル）が小さくなってしまい、再生系のシステムノイズや媒体ノイズの影響を受けやすくなり、再生特性が悪化してしまう。
【０００７】
一方、対物レンズの開口数を大きくすると、記録媒体となるディスクと対物レンズとの間隔が狭くなるために衝突の危険が増大してしまう。またディスクの面振れによるチルトの影響が大きくなるために、ピックアップのチルトサーボ等が必要となったり、機械的精度に対する要求が厳しくなるという問題が生じる。
【０００８】
これに対し、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善する、いわゆる磁気超解像技術が開発されている。例えば、特開平７−３３４８７７号公報には、記録情報を保持しておくメモリ層と、再生スポット内の一部をマスクし光スポットによる再生に寄与する再生層、それらの交換結合力を制御する遮断層２とが積層されている。再生光スポットが照射される再生層には再生光スポットを照射されることにより生じる温度分布により、再生スポット内のある閾値温度以上の部分にのみ記録層の記録情報が転写され、再生スポット内のある閾値温度以下の部分は情報再生に寄与しない面内磁化層になる。この結果、再生スポット内のある閾値温度以上の部分にのみ記録層に記録されたスポット径以下の記録情報が転写され、この転写された情報を読み取ることで再生スポット径よりも小さい記録情報を読み取るものである。
【０００９】
しかしながら超解像方式は、再生光スポット径よりも微小な情報を再生することができるが、再生光スポットの温度分布を利用し、再生光スポットの反射光の一部分のみから記録情報を読み取るため、再生信号のレベルが小さくなってしまう。また、記録密度を向上させるため記録情報のサイズをさらに小さくするには、スポット内のアパーチャをさらに絞る必要があり、再生信号のＳ／Ｎ比がが小さくなってしまうという問題があった。
【００１０】
また、特開平６−２９０４９６号公報に、再生光の入射側に磁壁抗磁力の小さい磁壁移動層を設け、再生スポット内の温度勾配を利用して磁壁移動層の磁壁を高温側に移動させ、スポット内で磁区を拡大再生する方法が開示されている。これによれば、記録マークサイズが小さくなったとしても、磁区を拡大しながら信号再生するので再生光を有効に使うことができ、信号振幅を落とさずに解像力をあげることができた。
【特許文献１】特開平７―３３４８７７号公報
【特許文献２】特開平６−２９０４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特開平６−２９０４９６号公報に示された磁壁移動を利用した再生方法は、超解像方式の中でも特に線記録密度に優れた方法である。すなわち、磁壁の移動量が常に一定であれば、記録磁区の大きさにかかわらず一定の再生信号振幅が得られるという特徴があった。しかしながら、再生スポット内で滑らかに磁壁を移動させるには、温度勾配の他に静磁的な力も制御しなければならず、その媒体製造に当たっては静磁的な力を抑えるために磁壁移動層の正確な組成調整が不可欠であった。
【００１２】
一方、光磁気記録媒体を量産する場合、製造装置の簡略化、タクトタイム（機械類の動作の所要時間、特に自動機械が1単位の作業を終えるまでの所要時間のこと）の短縮と言ったコスト低減のために合金ターゲットを使って製造できることが重要となる。
【００１３】
ところが、一般に合金ターゲットの組成精度には限界があり、例えばＧｄＦｅＣｏ合金の場合Ｇｄ含有量として±０．５原子％程度の誤差が生じることで媒体特性に影響を及ぼし、結果として媒体の歩留まりを下げてしまう場合があった。
【００１４】
本発明は、上述の課題を解決すべくなされたものであり、簡便な方法で合金ターゲットの組成ばらつきを補正することで媒体の製造歩留まりを大幅に改善し、低コストで媒体の量産を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、基板と、情報再生光を干渉させる干渉層と、情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層とメモリ層の間に配置される遮断層を少なくとも備え、情報再生光の照射による媒体の温度勾配により、前記メモリ層から移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録媒体において、前記干渉層は窒化物からなる誘電体材料から成り、前記磁壁移動層が複数の磁性層で構成され、前記複数の磁壁移動層のうち、前記干渉層に最も近い層の膜厚が２０ｎｍ以下であり、前記干渉層の前記磁壁移動層側の少なくとも一部分の窒素含有量が異なることを特徴とする光磁気記録媒体を用いることにより達せられる。
【発明の効果】
【００１６】
以上詳細に説明したように、本発明による光磁気記録媒体の製造方法を用いる事により、高密度な光磁気記録媒体を、低コストで製造することが可能になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
磁壁移動層として磁性層を２層ないし３層積層して互いに飽和磁化がキャンセルし合う構成をとることで遮断層のキュリー温度Ｔｓから磁壁移動層のキュリー温度Ｔｃまで正味の飽和磁化をほぼ０とし、特性を向上することが出来る。
【００１８】
簡易な製造装置、高いスループットで磁壁移動媒体を製造するためには、この時の各層の膜処方に応じた合金ターゲットを用意して成膜することが望ましいが、一般的に合金ターゲットで成膜した場合は堆積する膜もターゲットの組成を反映するので、ターゲットの組成精度の影響を受けてしまう。
【００１９】
本発明者は、窒化物からなる誘電体材料膜と磁性膜が接すると磁性膜の特性が変化することに着目し、この性質を利用することで製造安定性を向上させる方法を見出した。すなわち、希土類−遷移金属合金は窒化物からなる誘電体材料と接した部分で希土類金属が窒化され、見かけ上遷移金属リッチになって補償温度が下がるという現象がある。そこで、磁壁移動層を積層構造とし、最も組成ずれの影響が特性に及ぼす影響が大きい第１の磁壁移動層の合金ターゲットの組成ずれに応じ、設計組成よりも希土類リッチの場合は干渉層との界面の窒素含有量を増やし、遷移金属リッチの場合は逆に界面の窒素含有量を減らすことにより、メモリ層からの浮遊磁界あるいは外部磁界の影響を受けずに安定した信号再生が行える媒体を、高い歩留まりで製造することが出来た。
【００２０】
干渉層に最も近い第１の磁壁移動層の膜厚が厚くなると補償温度の調整が難しくなるので、第１の磁壁移動層の膜厚は２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
尚、磁壁移動層が積層構造の場合で説明してあるが、磁壁移動層が単層の場合でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
【実施例】
【００２２】
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００２３】
図５（ａ）は本実施例における光ディスクの断面図を示す。図５に示す、光ディスクは、基板１０１上に干渉層１０２、磁壁移動層１、遮断層２、メモリ層３、保護層１０３がこの順に積層されている。磁壁移動層１は信号再生の安定化のため複数の磁性層を積層して構成されている。
【００２４】
図５（ａ）の各磁性体中の矢印１１は、膜中に保持された記録磁区の遷移金属副格子磁化の向きを表し、隣同士の磁化が平行でない部分には、ブロッホ磁壁１２が存在する。基板１０１は通常ガラスあるいはポリカーボネートの様な透明な材料が使われる。これらの各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸着などによって被着形成できる。
【００２５】
干渉層１０２は磁気光学効果を高めるために設けられ、例えばＳｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどの透明な窒化物からなる誘電体材料を用いることが好ましい。保護層１０３は磁性層の保護のために用いられるもので、干渉層１０２と同様の材料が用いられる。また、媒体全体の熱構造を最適化するために、保護層１０３の上にさらにＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＳｉ、Ｃｕなどからなる金属層を設ける場合もある。保護層１０３および必要に応じて設ける金属層に関しては、本発明の本質とは無関係であるのでここでは詳細な説明は省略する。
【００２６】
メモリ層３は希土類−鉄族元素非晶質合金、例えばＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの、微小な記録ピットが安定に保存できるような垂直磁気異方性の大きい材料が用いられ、記録情報はこの層の磁区が上向きか下向きかで保持される。また、ガーネット類、Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏなどの垂直磁化膜を用いて、他の層に磁気的に情報転写出来る構成としてもよい。
【００２７】
遮断層２は、例えばＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ、ＤｙＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＡｌなどの希土類ー鉄族非晶質合金で、他の層よりもキュリー温度を低く設定しておく。
【００２８】
磁壁移動層１は例えばＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金が望ましい。
【００２９】
これら各層のキュリー温度の関係は、磁壁移動層１のキュリー温度をＴｃ１、遮断層２のキュリー温度をＴｃ２およびメモリ層３のキュリー温度をＴｃ３としたときに、Ｔｃ１，Ｔｃ３＞Ｔｃ２なる関係を満たし、室温では交換結合によりメモリ層３に記録された磁区が、遮断層２および磁壁移動層１に転写されている。
【００３０】
各層の膜厚は、干渉層１０２が２０〜１００ｎｍ、磁壁移動層１が２０〜４０ｎｍ、遮断層２が７〜２０ｎｍ、メモリ層３が４０〜１００ｎｍ、保護層１０３が４０〜８０ｎｍである。
【００３１】
また、この構成に更に高分子樹脂からなる保護コートを付与してもよい。あるいは、成膜後の基板１０１を貼り合わせてもよい。また、積層の順番を逆にして記録再生時の光入射方向を基板と反対側としても良い。
【００３２】
本発明の光ディスクへのデータ信号の記録は、媒体を移動させながら、メモリ層３の温度がキュリー温度Ｔｃ３付近の温度になるようなパワーのレーザ光を照射しながら外部磁界を変調して行う。この場合、外部磁界の変調周波数を高くすれば、光スポット径より小さい記録磁区が形成でき、その結果光の回折限界以下の周期で信号を記録する事が出来る。
【００３３】
図５（ｂ）は光ディスクにレーザ光を照射しながら、向かって右にディスクが移動したときのトラック中心における温度分布を示している。この温度プロファイルに示されるように、膜温度が最大となる位置は、ディスクの線速にもよるがレーザスポットの中心よりも若干後ろ側になる。
【００３４】
図５（ｃ）は磁壁移動層１における磁壁エネルギー密度σ1の分布を示す図である。このように、磁壁エネルギー密度σ1は温度の上昇と共に減少するので、光ディスクの移動方向に温度勾配があると、磁壁エネルギー密度σ1は最高温度位置に向かって減少していく。すると位置ｘに存在する磁壁移動層の磁壁に対し、Ｆ1＝ｄσ1／ｄｘで表せる力Ｆ1が作用する。
【００３５】
力Ｆ1は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用し、磁壁移動層１は磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きいので、単独ではこの力Ｆ1によって容易に磁壁が移動する。
【００３６】
図５（ａ）において、ディスクにまだ再生レーザ光が照射される前、すなわち室温の部分で各磁性層は垂直磁化膜であり、メモリ層３に記録された磁区は遮断層２を介して磁壁移動層１と交換結合し、磁区が転写されている。この時、各層の中に矢印で示した互いに逆向きの磁区１１の間には磁壁１２が存在する。
【００３７】
膜温度が上昇して遮断層２がキュリー温度Ｔｃ２以上になると、メモリ層３と遮断層２との交換結合は失われ、磁壁抗磁力が小さい磁壁移動層１は磁区を保持できず、温度勾配によって加わる力Ｆ1にしたがって磁壁が高温側に移動する。この時磁壁が移動する速度は、ディスクの移動速度に比べて充分に速いので、メモリ層３に記録された磁区よりも大きな磁区がレーザスポット内に得られる事になる。
【００３８】
記録時は、照射レーザ光を再生時よりも高いパワーにし、メモリ層３のキュリー温度Ｔｃ３よりも高い温度に媒体を昇温させ、かつ記録データに応じて変調した記録磁界（図示せず）を少なくともメモリ層３に印加する。これにより、記録データに応じた記録磁区を媒体のメモリ層３に記録することが出来る。
【００３９】
一般的に、遮断層２、メモリ層３の膜特性は次のように考えることが出来る。
【００４０】
遮断層２のキュリー温度が低すぎると、室温でのメモリ層から磁壁移動層への記録磁区の転写が不完全になりやすい。また温度勾配が緩いために磁壁移動が開始する位置が不安定になるので、１００℃から２００℃の間に設定し、ある程度室温とは温度差を設けることが好ましい。更に、遮断層２からの浮遊磁界を減らすために補償温度がほぼキュリー温度に近くなる組成を選ぶことが好ましい。
【００４１】
メモリ層は、再生中の温度上昇でも記録磁区が劣化しないために遮断層２とはキュリー温度の差を大きく取ることが好ましい。具体的には３００℃前後のキュリー温度とすることが好ましい。また、安定した記録を行うためにはある程度キュリー温度付近の飽和磁化を大きくし、かつ再生温度での浮遊磁界をなるべく減らすために、メモリ層の補償温度は室温から遮断層２のキュリー温度の間に設定することが好ましい。例えば補償温度が室温に近い場合、再生温度でのメモリ層の飽和磁化は約１００ｅｍｕ／ｃｃにも達し、メモリ層からの浮遊磁界により磁壁移動層１での磁壁１２の動きが妨げられてしまう場合がある。
【００４２】
磁壁移動層１は、遮断層２がキュリー温度に達すると温度勾配に従って磁壁が高温側に移動する力を生じる一方、磁壁移動層自身の飽和磁化と周囲（メモリ層など）から発生する磁界の大きさに応じた静磁力が働く。この静磁力は、磁化の向きによって磁壁の移動を助ける方向にも妨げる方向にもなるので、安定した情報再生のためにはなるべく小さいことが好ましい。すなわち磁壁移動層の飽和磁化は、遮断層２のキュリー温度以上の広い温度範囲で小さいことが望ましい。
【００４３】
尚、本実施例では、干渉層１０２の成膜に引き続いて窒素分圧を変化させ、組成調整層４を成膜したが、干渉層１０２の表面をプラズマ処理することによって窒素含有量を変化させて干渉層１０２の窒素含有量を所望の窒素含有量にする、あるいは、干渉層１０２の成膜中に窒素分圧を変化させることによっても同様の効果を得ることが出来ることはいうまでもない。
＜実験例１＞
直流マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳｉ、及び各磁性層の組成に応じたＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの各ターゲットを取り付け、トラッキング用の案内溝の形成されたポリカーボネート基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気したまま、Ａｒガスを０．５Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、各ターゲットをスパッタリングして各層を成膜した。
【００４４】
最初に、干渉層１０２としてＳｉＮ層を３５ｎｍ成膜した。この時、Ａｒガスに加えて窒素ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。干渉層１０２を成膜した後、干渉層１０２とほぼ同様の成膜方法で窒素分圧のみを調整し厚さ５ｎｍの組成調整層４とした。引き続き、第１の磁壁移動層１１としてＧｄＦｅＣｏ層を膜厚２０ｎｍ、第２の磁壁移動層１２としてＧｄＦｅＣｒ層を膜厚２０ｎｍ、遮断層２としてＴｂＦｅ層を膜厚１０ｎｍ、メモリ層としてＴｂＦｅＣｏ層を膜厚６０ｎｍに順次成膜した。最後に、保護層としてＳｉＮ層を５０ｎｍ成膜した。
【００４５】
各磁性層は、あらかじめ設計した膜処方に従って用意された合金ターゲットを用いて成膜した。磁壁移動層１は、第１の磁壁移動層１１および第２の磁壁移動層１２からなる２層構成で、干渉層１０２に近い側が第１の磁壁移動層１１である。第１の磁壁移動層１１および第２の磁壁移動層１２の膜厚は２０ｎｍで、第１の磁壁移動層１１のキュリー温度Ｔｃ１１および第２の磁壁移動層１２のキュリー温度Ｔｃ１２の設計値はそれぞれキュリー温度が２９０℃、２１０℃で補償温度が２８０℃、５０℃とした。この時の設計組成は、それぞれＧｄ0.27Ｆｅ0.63Ｃｏ0.1、Ｇｄ0.18Ｆｅ0.73Ｃｒ0.09であった。
【００４６】
遮断層２は、キュリー温度Ｔｃ２が１５０℃、メモリ層は、キュリー温度Ｔｃ３が３２０℃、補償温度が約１４０℃となるようにターゲットを選択した。
【００４７】
図２は、干渉層１０２に近い第１の磁壁移動層１１が、合金ターゲットの組成ずれとして最大０．５原子％の誤差が生じた場合の例を示している。図２（１）は設計中心通りのターゲットが得られた場合で、この場合は特に何もしなくても設計値通りのキュリー温度、補償温度が得られている。次に図２（２）の場合は、ターゲット組成が設計値よりも希土類リッチになっている。この場合は、組成調整層４を成膜する際、窒素分圧を２倍に増やすことによって干渉層１０２と磁壁移動層の界面を窒素リッチとし、磁壁移動層のＧｄを一部窒化させることで、補償なしの時に比べて磁壁移動層のキュリー温度、補償温度を設計値に近づけることが出来た。逆に、図２（３）のようにターゲットが設計値よりも遷移金属リッチの場合は、組成調整層４成膜時の窒素分圧を１／２にすることで、磁壁移動層のキュリー温度、補償温度を設計値に近づけることが出来た。
【００４８】
窒素分圧は、スパッタリング装置のターゲットの変更時、あるいは使用中のターゲットの消耗による磁壁移動層の組成の変化により随時変更することができる。使用中のターゲットの消耗による磁壁移動層の組成変化は、通常の製造ラインでの工程管理、例えば、定期的な磁壁移動層の組成のモニター等により行うことができることは言うまでもない。
【００４９】
これらのディスクを線速２．４ｍ／ｓで回転させながら、波長６５０ｎｍのレーザ光、ＮＡ０．６０の対物レンズおよび２５０ｏＥの外部磁界を用い、（１-７）変調で情報を記録し、その後再生を行ったところ、三枚のディスクとも記録密度０．０７５μｍ／ｂｉｔで１×１０-4のビットエラーレートであった。
【００５０】
また、本実験例では磁壁移動をなめらかに行うため、情報記録再生に先立って情報トラック間を高出力レーザでアニール処理し、トラック側部で磁壁が生じないような処理を施した。
【００５１】
尚、アニール処理のためのレーザーは、基板の表面側（成膜面側）あるいは基板の裏面側（成膜面と反対側）のいずれの側から照射してもよいが、基板の表面側から照射する方がアニール用のレーザスポットを小さく絞ることが出来るので、好ましく行われている。
＜実験例２＞
次に、磁壁移動層を３層構成とした場合の実験を行った。磁壁移動層以外の条件は実験例１と同じである。
【００５２】
本実験例では、磁壁移動層を１４ｎｍずつの３層構成とし、干渉層１０２に近い方から第１の磁壁移動層１１、第２の磁壁移動層１２および第３の磁壁移動層１３とし、それぞれキュリー温度Ｔｃ１１、Ｔｃ１２およびＴｃ１３が３１０℃、２７０℃、２３０℃、補償温度が２９０℃、２６０℃、６０℃となるように膜設計を行った。この時の設計組成は、それぞれＧｄ0.3Ｆｅ0.58Ｃｏ0.12、Ｇｄ0.26Ｆｅ0.69Ｃｏ0.05、Ｇｄ0.21Ｆｅ0.74Ｃｒ0.05であった。
【００５３】
図３は、第１の磁壁移動層のターゲット組成に誤差が生じた場合を示している。この場合も、実施例１と同様、組成調整層４で窒素分圧を調整することによって磁壁移動層の組成ずれを補償し、実施例１と同じ条件で情報の記録と再生を行ったところ３枚のディスクとも安定した情報記録再生を行うことが出来た。本実験例の場合は、実験例１よりも第１磁壁移動層の膜厚が薄いために、組成調整層４による補償効果が高く、キュリー温度、補償温度は設計値とほぼ同じ値となっている。
＜実験例３＞
実験例１と同様の積層膜を、ランド／グルーブが形成された段差のある基板上に形成した。段差により、成膜と同時にトラック側部で磁気的に分断されるので実験例１で行った高出力レーザによるアニール処理を省略した。
【００５４】
図４は本実験例の光ディスクの断面図を示しており、基板１０１上に深さ１６０ｎｍの矩形の案内溝を形成してある。この基板上に実験例１と同様の膜処方で成膜を行った。正確にはテーパ部分にも多少膜が堆積してしまうが、ランド／グルーブ部と比較して膜厚が非常に薄くなるので段差部における磁気的な結合は無視できる。
【００５５】
このディスクに、実験例１と同じ条件で成膜し、情報の記録と再生を行ったところ、実験例１と同等の再生信号が得られ、またランド／グルーブ記録を行うことによってトラックピッチ方向の記録密度を向上させることもできた。
＜実験例４＞
次に、第２の磁壁移動層１２の膜厚を１５ｎｍ、補償温度を０℃、キュリー温度を２２０℃とした以外は実験例１と同様の基板、膜構成の実験を行った。本実験の場合は、第２の磁壁移動層１２が実験例１よりも薄いためにキュリー温度と補償温度を調整して第１の磁壁移動層との磁化のキャンセルを行った。この時、第１の磁壁移動層１１は実験例１と変えていないので、第１の磁壁移動層の組成ずれに対して実験例１と同様に組成調整層４の窒素含有量を変化させることで、実験例１と同じ効果を得ることができた。
【００５６】
＜比較例１＞
実験例１と同様の記録媒体に対し、組成調整層４での窒素含有量調整を行わずに媒体を作成し、記録再生実験を行った。図２の各ターゲットに対し「補償なし」で示したようなキュリー温度、補償温度で媒体を作成した場合、実験例１と同じ記録再生条件で、図２（２）では６×１０-4、図２（３）では８×１０-4にエラーレートが悪化した。
＜比較例２＞
次に、実験例２と同様の記録媒体に対し、組成調整層４での窒素含有量調整を行わずに媒体を作成し、記録再生実験を行った。図３の各ターゲットに対し「補償なし」で示したようなキュリー温度、補償温度で媒体を作成した場合、実験例１と同じ記録再生条件で、図３（２）では６×１０-4、図３（３）では７×１０-4にエラーレートが悪化した。
＜比較例３＞
次に、磁壁移動層が２層構成で膜厚バランスを変えた場合の実験を行った。磁壁移動層以外の条件は実験例１と同じである。
【００５７】
本実験例では、第１磁壁移動層が２５ｎｍ、第２磁壁移動層が１５ｎｍの２層構成とし、それぞれキュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２が２９０℃、２３０℃、補償温度が２８０℃、３０℃とした。この時の設計組成は、それぞれＧｄ0.27Ｆｅ0.63Ｃｏ0.1、Ｇｄ0.18Ｆｅ0.73Ｃｒ0.12で設計どおりのターゲットを用いた場合は１×１０-4のエラーレートが得られた。ところがターゲットに組成ずれが生じた場合は、図６に示すように組成調整層４の窒素含有量を変えても第１磁壁移動層の特性を補償しきれず、図６（２）では５×１０-4、図３（３）では６×１０-4にエラーレートが悪化した。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施例の媒体構成を表す図
【図２】本発明の第１の実験例の結果を説明する図
【図３】本発明の第２の実験例の結果を説明する図
【図４】本発明の第４の実験例で用いた基板を説明する図
【図５】本発明の原理説明図
【図６】本発明の比較例の結果を説明する図
【符号の説明】
【００５９】
１  磁壁移動層
２  遮断層
３  メモリ層
４  組成調整層
１０１  基板
１０２  干渉層
１０３  保護層
【図１】
2005346784.tif 000003
【図２】
2005346784.tif 000004
【図３】
2005346784.tif 000005
【図４】
2005346784.tif 000006
【図５】
2005346784.tif 000007
【図６】
2005346784.tif 000008