(57)【要約】      （修正有）【課題】  転送路の転送不良を低減した固体撮像素子を提供する。【解決手段】  固体撮像素子は、２次元表面を画定する半導体基板と、前記半導体基板の受光領域に、複数行複数列に渡って配置された多数個の光電変換素子１２と、各光電変換素子の列間に垂直方向に配列された複数の垂直電荷転送チャネルと、前記垂直転送チャネル上方に水平方向に延在して形成され、前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を転送するための多層転送電極であって、上層電極１６ｂと下層電極１６ａとのオーバーラップ部分で、前記上層電極１６ｂと下層電極１６ａの少なくとも一方が、他の部分よりも広くレイアウトされている多層転送電極とを有する。【選択図】  図２
2005191400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元表面を画定する半導体基板と、
前記半導体基板の受光領域に、複数行複数列に渡って配置された多数個の光電変換素子と、
各光電変換素子の列間に垂直方向に配列された複数の垂直電荷転送チャネルと、
前記複数個の光電変換素子のそれぞれに対応し、該対応する光電変換素子に蓄積される信号電荷を、行方向に隣接する前記垂直電荷転チャネルに読み出す読み出しゲート領域と、
前記複数個の光電変換素子の前記読み出しゲート領域に隣接する側面とは異なる側面に隣接するとともに、前記垂直転送チャネルに隣接して、各光電変換素子列と他の光電変換素子列に対応する前記垂直転送チャネルを電気的に分離するチャネルストップ領域と、
前記垂直転送チャネル上方に水平方向に延在して形成され、前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を転送するための多層転送電極であって、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、前記上層電極と下層電極の少なくとも一方が、他の部分よりも広くレイアウトされている多層転送電極と
を有する固体撮像素子。
【請求項２】
前記多層電極は、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、上層電極が他の部分よりも広くレイアウトされている請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記多層電極は、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、前記チャネルストップ領域側に張り出すようにレイアウトされている請求項１又は２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記光電変換素子は、正方行列の第１正方格子と前記第１正方格子の格子間位置に格子点を有する第２正方格子とのそれぞれの格子点に配置される請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
２次元表面を画定する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の受光領域に、複数行複数列に渡って配置される多数個の光電変換素子を形成する工程と、
各光電変換素子の列間に垂直方向に配列するように複数の垂直電荷転送チャネルを形成する工程と、
前記複数個の光電変換素子のそれぞれに対応し、該対応する光電変換素子に蓄積される信号電荷を、行方向に隣接する前記垂直電荷転チャネルに読み出す読み出しゲート領域を形成する工程と、
前記複数個の光電変換素子の前記読み出しゲート領域に隣接する側面とは異なる側面に隣接するとともに、前記垂直転送チャネルに隣接して、各光電変換素子列と他の光電変換素子列に対応する前記垂直転送チャネルを電気的に分離するチャネルストップ領域を形成する工程と、
前記垂直転送チャネル上方に水平方向に延在して形成され、前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を転送するための多層転送電極を形成する工程であって、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、前記上層電極と下層電極を形成するためのマスクパターンの少なくとも一方が、他の部分よりも広くレイアウトされている多層転送電極形成工程と
を有する固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記多層電極形成工程は、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、上層電極のマスクパターンが他の部分よりも広くレイアウトされている請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記多層電極は、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、前記チャネルストップ領域側に張り出すようにレイアウトされている請求項５又は６記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記光電変換素子は、正方行列の第１正方格子と前記第１正方格子の格子間位置に格子点を有する第２正方格子とのそれぞれの格子点に配置される請求項５〜７のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関し、より詳しくは、固体撮像素子の転送電極のレイアウトに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＣＤ型の固体撮像素子においては、垂直転送回路の転送電極として多層ポリシリコン電極が多く利用されている。（例えば特許文献１参照）。従来の固体撮像素子の転送電極はストレージ部とオーバーラップ部で同じ直線レイアウトで形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−００５５９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５は、従来の固体撮像素子における転送電極のレイアウトの一例を示す拡大平面図である。
【０００５】
固体撮像素子５０の受光部には多数の光電変換素子５２が複数列複数行にわたって配置されている。光電変換素子５２の各列に対応して垂直転送チャネル５４が形成され、各光電変換素子５２に隣接して形成される読出しゲート用チャネル領域５１ｃを介して読み出される信号電荷を垂直方向に転送する。読出しゲート用チャネル領域５１ｃの反対側には垂直転送チャネル５４に隣接してチャネルストップ領域５３が設けられる。また、垂直転送チャネル５４の上方には、図示しない絶縁膜をはさんで多層ポリシリコン電極５６が形成される。
【０００６】
転送電極５６（第１層ポリシリコン電極５６ａ及び第２層ポリシリコン電極５６ｂ）のオーバーラップ部５６ｏｖのマスクパターンを点線で示すように直線レイアウトにすると、フォトリソグラフィ工程において各転送電極のコーナー部が丸まり、転送電極５６のオーバーラップ部５６ｏｖ直下の転送チャネル５４が露出してしまうことがある。
【０００７】
また、オーバーラップ部５６ｏｖでは、２層の電極が重なっているため、エッチング工程において上層の第２層ポリシリコン電極にアンダーカットが入ることがあり、該アンダーカット部分の転送チャネル５４が露出してしまうことがある。
【０００８】
垂直転送チャネル５４が露出してしまうと、転送電極５６に覆われていない部分が局所的にできてしまい、信号電荷の転送不良を起こすことがあり、転送効率を劣化させてしまう。
【０００９】
本発明の目的は、転送路の転送不良を低減した固体撮像素子を提供することである。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、転送路の転送不良を低減した固体撮像素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、固体撮像素子は、２次元表面を画定する半導体基板と、前記半導体基板の受光領域に、複数行複数列に渡って配置された多数個の光電変換素子と、各光電変換素子の列間に垂直方向に配列された複数の垂直電荷転送チャネルと、前記複数個の光電変換素子のそれぞれに対応し、該対応する光電変換素子に蓄積される信号電荷を、行方向に隣接する前記垂直電荷転チャネルに読み出す読み出しゲート領域と、前記複数個の光電変換素子の前記読み出しゲート領域に隣接する側面とは異なる側面に隣接するとともに、前記垂直転送チャネルに隣接して、各光電変換素子列と他の光電変換素子列に対応する前記垂直転送チャネルを電気的に分離するチャネルストップ領域と、前記垂直転送チャネル上方に水平方向に延在して形成され、前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を転送するための多層転送電極であって、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、前記上層電極と下層電極の少なくとも一方が、他の部分よりも広くレイアウトされている多層転送電極とを有する。
【００１２】
また、本発明の他の観点によれば、固体撮像素子の製造方法は、２次元表面を画定する半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板の受光領域に、複数行複数列に渡って配置される多数個の光電変換素子を形成する工程と、各光電変換素子の列間に垂直方向に配列するように複数の垂直電荷転送チャネルを形成する工程と、前記複数個の光電変換素子のそれぞれに対応し、該対応する光電変換素子に蓄積される信号電荷を、行方向に隣接する前記垂直電荷転チャネルに読み出す読み出しゲート領域を形成する工程と、前記複数個の光電変換素子の前記読み出しゲート領域に隣接する側面とは異なる側面に隣接するとともに、前記垂直転送チャネルに隣接して、各光電変換素子列と他の光電変換素子列に対応する前記垂直転送チャネルを電気的に分離するチャネルストップ領域を形成する工程と、前記垂直転送チャネル上方に水平方向に延在して形成され、前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を転送するための多層転送電極を形成する工程であって、上層電極と下層電極とのオーバーラップ部分で、前記上層電極と下層電極を形成するためのマスクパターンの少なくとも一方が、他の部分よりも広くレイアウトされている多層転送電極形成工程とを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、転送路の転送不良を低減した固体撮像素子を提供することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、転送路の転送不良を低減した固体撮像素子の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明の実施例によるＣＣＤ型固体撮像素子１の構成を表すブロック図である。
【００１７】
固体撮像素子１は、多数の光電変換素子１２が配置された受光領域２を含む。受光領域２には、多数の光電変換素子１２が正方格子状に配列されている。それぞれの光電変換素子１２の列間には、光電変換素子１２で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）２４が、図２の転送電極１６及び垂直転送チャネル１４を含んで形成され、光電変換素子１２で生じた信号電荷を４相駆動パルス（Φ１〜Φ４）で垂直方向に転送する。
【００１８】
図中、受光領域２の下側にはＶＣＣＤにより転送される電荷を1行ごとに周辺回路４に転送する水平電荷転送路（ＨＣＣＤ）３が形成される。
【００１９】
さらに、受光領域２の外側には、例えば、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ回路等で構成される周辺回路５が形成される。周辺回路５としては、例えば、フローティングディフュージョンアンプ（ＦＤＡ）等が含まれる。
【００２０】
図２は、固体撮像素子１の受光領域２の一部の拡大平面図である。半導体基板上の絶縁膜を剥がし、光電変換素子１２、転送電極１６を露出した状態を示す。
【００２１】
図３は、固体撮像装置１の拡大断面図である。なお、この断面図は、図２に示す一点鎖線ｘ−ｙで固体撮像装置１を切断したものである。
【００２２】
以下の説明においては、同じ導電型を有する不純物添加領域間での不純物濃度の大小を区別するために、不純物濃度が相対的に低いものから順番に、ｐ−型不純物添加領域、ｐ型不純物添加領域、ｐ＋ 型不純物添加領域、あるいはｎ− 型不純物添加領域、ｎ型不純物添加領域、ｎ＋型不純物添加領域と表記する。ｐ− 型不純物添加領域１１ｂをエピタキシャル成長法によって形成する場合以外、全ての不純物添加領域は、イオン注入とその後の熱処理とによって形成することが好ましい。
【００２３】
半導体基板１１は、例えばｎ−型シリコン基板１１ａと、その一表面に形成されたｐ−型不純物添加領域１１ｂとを有する。ｐ− 型不純物添加領域１１ｂは、ｎ−型シリコン基板１１ａの一表面にｐ型不純物をイオン注入した後に熱処理を施すことによって、あるいは、ｐ型不純物を含有したシリコンをｎ型シリコン基板１１ａの一表面上にエピタキシャル成長させることによって形成される。
【００２４】
次いで、後に形成される１列の光電変換素子列に１本ずつ対応して、ｐ−型不純物添加領域１１ｂにｎ型不純物添加領域（垂直転送チャネル）１４が例えば、０．５μｍの幅で形成される。個々の垂直転送チャネル１４は、その全長に亘ってほぼ均一な不純物濃度を有し、対応する光電変換素子列に沿って延在する。
【００２５】
次に、チャネルストップ領域１３が、垂直転送チャネル１４の隣（読出しゲート用チャネル領域１１ｃとなる箇所の反対側）に形成される。チャネルストップ領域１３は、例えばｐ＋型不純物添加領域、或いは、トレンチアイソレーション又は局所酸化（ＬＯＣＯＳ）によって構成される。
【００２６】
後に形成される各光電変換素子１２（ｎ型不純物添加領域１２ａ）の右側縁部に沿って、ｐ型不純物添加領域１１ｃが一部残される。各ｐ型不純物添加領域１１ｃは、読出しゲート用チャネル領域１１ｃとして利用される。
【００２７】
次に、酸化膜（ＯＮＯ膜）１５を、半導体基板１１の表面に形成する。ＯＮＯ膜は、例えば、膜厚が２０〜７０ｎｍ程度のシリコン酸化膜（熱酸化膜）と、膜厚が３０〜８０ｎｍ程度のシリコン窒化膜と、膜厚が１０〜５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜とを、半導体基板１１上にこの順番で堆積させた積層膜によって構成される。図２においては、便宜上、１つの層で酸化膜１５を表している。なお、上記の酸化膜１５は、ＯＮＯ膜の代わりに単層の酸化膜（ＳｉＯ２）で形成することもできる。
【００２８】
次に、電極形成工程を行う。この工程では、酸化膜１５上に、転送電極（多層ポリシリコン電極）１６を形成する。半導体基板１の表面上に形成された酸化膜１５の上に第１の多結晶Ｓｉ層１６ａを０．２μｍ〜３μｍ（例えば、１μｍ）の厚さで堆積し、第１の多結晶Ｓｉ層１６ａ表面に、ホトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ（露光、現像）によって所定のパターンにホトレジスト膜をパターニング後、これをマスクとして異方性の強い（マスク面に垂直方向のエッチング速度の大きな）ドライエッチング（塩素系ガス等使用）によりマスクレス領域（マスクの存在しない領域）の第１の多結晶層１６ａをエッチオフし、ホトレジスト膜を除去する。これにより、第１層ポリシリコン電極１６ａが形成される。第１層ポリシリコン電極１６ａは、図２に示すように、直線レイアウトで形成される。
【００２９】
次に、Ｓｉ表面を酸化しＳｉＯ2 膜（第２の酸化膜）を第１層ポリシリコン電極１６ａの上に３００Å〜１０００Åの膜厚で形成する。さらに、第２の酸化膜上に減圧ＣＶＤ法等を用いて第２の多結晶Ｓｉ層１６ｂを０．２μｍ〜３μｍ（例えば、１μｍ）の厚さで堆積する。引続き、フォトリソグラフィを用いて第２の多結晶Ｓｉ層１６ｂのパターニングを行い、第２層ポリシリコン電極１６ｂが形成される。
【００３０】
第２層ポリシリコン電極１６ｂは、図２に示すように、多層ポリシリコン電極１６のオーバーラップ部１６ｏｖにおいて、第１層ポリシリコン電極１６ａと第２層ポリシリコン電極１６ｂとが重なっている部分及び第１層ポリシリコン電極１６ａの端部から例えば、０．０５μｍ〜０．１μｍ程度の部分が、チャネルストップ領域１３側（読み出しゲート１１ｃの反対側）に、例えば、０．０５μｍ以上張り出すように形成される。
【００３１】
なお、必ずしも、最終的な状態としてオーバーラップ部１６ｏｖを上述したようにして形成する必要はない。例えば、第２の多結晶Ｓｉ層１６ｂのパターニングを行う際のマスクパターンを上述のようにチャネルストップ領域１３側に張り出して形成し、その後のエッチング等の処理により結果的にオーバーラップ部１６ｏｖの張り出しがなくなっても良い。その場合にも、オーバーラップ部１６ｏｖ直下の垂直転送チャネル１４が露出しないようにマスクパターンをチャネルストップ領域１３側（読み出しゲート１１ｃの反対側）に張り出して形成する。
【００３２】
また、本実施例では、オーバーラップ部１６ｏｖ又は第２の多結晶Ｓｉ層１６ｂのパターニングを行う際のマスクパターンのオーバーラップ部１６ｏｖに対応する部分をチャネルストップ領域１３側（読み出しゲート１１ｃの反対側）の１方向のみに張り出して形成しているが、チャネルストップ領域１３側及び読み出しゲート１１ｃ側の両方向に張り出して形成してもよい。
【００３３】
また、本明細書において、「オーバーラップ部」とは、実際に第１層ポリシリコン電極１６ａと第２層ポリシリコン電極１６ｂとが重なっている領域とその周囲の領域とを含む領域である。
【００３４】
次に、ｐ−型不純物添加領域１１ｂの所定箇所を、イオン注入によりｎ型不純物添加領域１２ａに転換する。なお、ｎ型不純物添加領域１２ａは、電荷蓄積領域として機能する。転換したｎ型不純物添加領域１２ａの表層部をイオン注入によりｐ＋型不純物添加領域１２ｂに転換することによって、埋込み型のフォトダイオードである光電変換素子１２を形成する。
【００３５】
次に、多層ポリシリコン電極１６及びシリコン基板１１前面を覆うように絶縁膜１５を形成し、タングステン、アルミニウム、クロム、チタン、モリブデン等の金属や、これらの金属の２種以上からなる合金等をＰＶＤまたはＣＶＤによって絶縁膜１５上に堆積させることで遮光膜１８を形成する。この遮光膜１８は、各転送電極１６等を平面視上覆って、光電変換素子１２以外の領域で無用の光電変換が行われるのを防止する。
【００３６】
各光電変換素子１２へ光が入射することができるように、遮光膜１８は、個々の光電変換素子１２の上方に開口部１８ｏｐを１つずつ有する。光電変換素子１２表面において上記の開口部１８ｏｐ内に平面視上位置する領域が、この光電変換素子１２における光入射面となる。
【００３７】
その後、遮光膜１８の上に、パッシベーション層、平坦化絶縁層を含む第１の平坦化層１９を形成する。次ぎに、カラーフィルタ層２０を、例えば、互いに異なる色に着色された３種または４種類の樹脂（カラーレジン）の層を、フォトリソグラフィ法等の方法によって所定箇所に順次形成することによって作製する。カラー撮影用の単板式撮像装置に使用する固体撮像素子では、原色系または補色系のカラーフィルタ層２０が配置される。カラーフィルタ層２０は、主に、カラー撮影用の単板式撮像装置に使用する固体撮像素子に配置される。白黒撮影用の固体撮像素子や、３板式の撮像機器に使用する固体撮像素子では、カラーフィルタ層２０を省略することができる。
【００３８】
次ぎに、第２の平坦化膜２１が、第１の平坦化膜１９と同様に、例えばフォトレジスト等の有機材料によって形成される。第２の平坦化膜２１上面に、それぞれの光電変換素子１２に対応してマイクロレンズ２２が形成される。マイクロレンズ２２は、例えば、透明樹脂層を第２の平坦化膜２１上に形成した後、この透明樹脂層をフォトリソグラフィ法等によって所定形状にパターニングした後に、リフローさせることによって形成される。第２の平坦化膜２１は、カラーフィルタ層２０上に形成されて、マイクロレンズ２２を形成するための平坦面を提供する。
【００３９】
図４は、本発明の実施例による固体撮像素子１をいわゆる画素ずらし配置で構成する場合の受光部の一部の拡大平面図である。なお、なお、図１〜図３の参照番号と同じ番号のものは同様の部材を示す。また、図中下方の転送電極１６をはがし、その下の転送チャネル１４、チャネルストップ領域１３及び読み出しゲート領域１１ｃを露出している。
【００４０】
受光部２は、多数の光電変換素子１２（ｎ型不純物添加領域１２ａ及び埋め込み用ｐ＋型不純物添加領域１２ｂを含む）をいわゆる画素ずらし配置に配置して構成されている。ここで、本明細書でいう「画素ずらし配置」とは、２次元テトラゴナル行列の第１格子と、その格子間位置に格子点を有する２次元テトラゴナル行列の第２格子とを合わせた配置を指す。例えば、奇数列（行）中の各光電変換素子１２に対し、偶数列（行）中の光電変換素子１２の各々が、光電変換素子１２の列（行）方向ピッチの約１／２、列（行）方向にずれ、光電変換素子列（行）の各々が奇数行（列）または偶数行（列）の光電変換素子２のみを含む。「画素ずらし配置」は、多数個の光電変換素子１２を複数行、複数列に亘って行列状に配置する際の一形態である。
【００４１】
なお、ピッチの「約１／２」とは、１／２を含む他に、製造誤差、設計上もしくはマスク製作上起こる画素位置の丸め誤差等の要因によって１／２から外れてはいるものの、得られる固体撮像素子１２の性能およびその画像の画質からみて実質的に１／２と同等とみなすことができる値をも含むものとする。上記の「光電変換素子行内での光電変換素子１２のピッチの約１／２」についても同様である。
【００４２】
それぞれの光電変換素子１２の列間には、光電変換素子１２で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型の転送チャネル領域（垂直転送チャネル）１４が、光電変換素子１２の間隙を垂直方向に蛇行するように設けられている。画素ずらし配置により形成された空隙部に蛇行する転送チャネルが配置され、隣接する転送チャネルは光電変換素子を介して離れたり、チャネルストップ領域１３を挟んで近接したりする。光電変換素子、転送チャネルによって、受光部の半導体基板のほとんどの面積が有効利用されている。
【００４３】
垂直転送チャネル１４上方には、絶縁膜（図示せず）を挟んで、転送電極１６（第１層ポリシリコン電極１６ａ及び第２層ポリシリコン電極１６ｂ）が光電変換素子１２の間隙を蛇行するように水平方向に形成されており、１画素当たり４電極が配置されている。転送電極のほとんど全部の面積が転送チャネル上に配置されている。
【００４４】
転送電極１６は、垂直転送チャネル１４とともに垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）を形成し、光電変換素子１２で生じた信号電荷を４相駆動パルス（Φ１〜Φ４）で垂直方向に転送する。
【００４５】
固体撮像素子１をいわゆる画素ずらし配置で構成した場合でも、図２に示す正方格子状に配置した場合と同様に、第２層ポリシリコン電極１６ｂは、多層ポリシリコン電極１６のオーバーラップ部１６ｏｖにおいて、第１層ポリシリコン電極１６ａと第２層ポリシリコン電極１６ｂとが重なっている部分と、第１層ポリシリコン電極１６ａの端部から例えば、０．０５μｍ〜０．１μｍ程度の部分とが、チャネルストップ領域１３側（読み出しゲート１１ｃの反対側）に、例えば、０．０５μｍ以上張り出すように形成される。
【００４６】
また、必ずしも、最終的な状態としてオーバーラップ部１６ｏｖを上述したようにして形成する必要はない。例えば、第２の多結晶Ｓｉ層１６ｂのパターニングを行う際のマスクパターンを上述のようにチャネルストップ領域１３側に張り出して形成し、その後のエッチング等の処理により結果的にオーバーラップ部１６ｏｖの張り出しがなくなっても良い。その場合にも、オーバーラップ部１６ｏｖ直下の垂直転送チャネル１４が露出しないようにマスクパターンをチャネルストップ領域１３側（読み出しゲート１１ｃの反対側）に張り出して形成する。
【００４７】
以上、本発明の実施例によれば、多層転送電極のオーバーラップ部又はそのマスクパターンをその他の部分よりも広くレイアウトするので、転送チャネルが露出して転送電極に覆われない問題を防止することができる。よって、転送不良の発生を低減することができる。
【００４８】
また、上層電極（例えば、第２層ポリシリコン電極）の下層電極（例えば、第１層ポリシリコン電極）とのオーバーラップ部又はそのマスクパターンをその他の部分よりも広くレイアウトするので、上層電極に起こりやすいエッチングによるアンダーカットによる転送チャネルの露出を防ぐことができる。よって、転送チャネルの転送電極に覆われていない領域の発生を防止することができ、転送不良の発生を低減することができる。
【００４９】
なお、上述の実施例では、多層電極の上層電極のオーバーラップ部又はそのマスクパターンのみをその他の部分よりも広くレイアウトしたが、上層電極に加えて下層電極（例えば、第１層ポリシリコン電極）も、上層電極と同様にオーバーラップ部又はそのマスクパターンを広くレイアウトしても良い。
【００５０】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例によるＣＣＤ型固体撮像素子１の構成を表すブロック図である。
【図２】本発明の実施例による固体撮像素子１の受光領域２の一部の拡大平面図である。
【図３】本発明の実施例による固体撮像装置１の拡大断面図である。
【図４】本発明の実施例による固体撮像素子１をいわゆる画素ずらし配置で構成する場合の受光部の一部の拡大平面図である。
【図５】従来の固体撮像素子における転送電極のレイアウトの一例を示す拡大平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…固体撮像素子、２…受光領域、３…ＨＣＣＤ、４…周辺回路、１１…半導体基板、１２…光電変換素子、１３…チャネルストップ領域、１４…転送チャンネル、１５…絶縁膜、１６ａ…第１層転送電極、１６ｂ…第２層転送電極、１８…遮光膜、１９、２１…平坦化層、２０…カラーフィルタ、２２…マイクロレンズ、２４…垂直電荷転送装置
【図１】
2005191400.tif 000003
【図２】
2005191400.tif 000004
【図３】
2005191400.tif 000005
【図４】
2005191400.tif 000006
【図５】
2005191400.tif 000007