(57)【要約】【課題】  水晶振動子が基板に完全に埋め込まれてなる素子内蔵基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  水晶振動体３１ａおよび一対の電極３１ｂからなる水晶振動素子３１が、少なくとも表面が絶縁性の基板６の一面６ａ上に設けられた凹部の内部に収納されてなることを特徴とする素子内蔵基板１００を採用する。【選択図】        図３
2005317908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶振動体および該水晶振動体を挟む一対の電極からなる水晶振動素子が、少なくとも表面が絶縁性の基板の一面上に設けられた凹部の内部に収納されてなることを特徴とする素子内蔵基板。
【請求項２】
前記凹部の内面全面に金属層が形成され、該金属層と前記水晶振動素子との間に空隙部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板。
【請求項３】
基板の前記一面側に配線パターンが設けられ、該配線パターンに対して前記一対の電極が前記凹部の内側から接続されるとともに前記配線パターンと前記水晶振動素子との間に封止材が充填され、前記水晶振動素子が前記凹部に収納されたときに前記凹部が前記封止材によって封口されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の素子内蔵基板。
【請求項４】
版基板上にシード層を積層するとともに該シード層上に配線パターンを形成し、更に該配線パターンに水晶振動体および該水晶振動体を挟む一対の電極からなる水晶振動素子を取付ける版基板形成工程と、
一面上に凹部が設けられた少なくとも表面が絶縁性である基板を用意し、前記凹部内に前記水晶振動素子を収納させながら前記版基板を前記基板の一面側に積層する積層工程と、
前記基板から前記版基板および前記シード層を取り除く除去工程とを備えてなることを特徴とする素子内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の前記一面上に誘電体層を形成してから前記版基板を前記基板に積層することにより、前記誘電体層に前記配線パターンを転写し、埋込むことを特徴とする請求項４に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記凹部の内部全面に金属層を形成してから前記版基板を前記基板に積層することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記版基板形成工程において前記配線パターンと前記水晶振動素子との間に封止材を充填し、前記積層工程において前記版基板を前記基板に積層する際に前記封止材で前記凹部を封口することを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の素子内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子内蔵基板および素子内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話やＰＤＡなどの携帯電子機器では、小型軽量化およびローコスト化のために、回路基板と各種部品とを一体化した薄板状の素子内蔵基板が採用されつつある。こうした素子内蔵基板は、例えば、特許文献１や特許文献２に示すように、樹脂などの基板内に各種部品が埋め込まれ、表面に導電性の回路パターンが形成されたものであり、凹凸の少ない平板状に形成され、薄型軽量でかつ量産性に優れているので、小型軽量化が要求される携帯電子機器の部品基板として好適である。
【特許文献１】特開２００１−３５８４６５号公報
【特許文献２】特開平１１−２２０２６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の回路部品モジュールに内蔵される電子部品としては、チップ型の抵抗素子やコンデンサ素子等、比較的小型の部品が採用されている。ところが最近になって、電子部品として水晶振動子を基板に埋め込んでモジュール化を図りたいとする要望がある。水晶振動子は一般に、水晶振動体と、この振動体を覆うカバー部材とから構成され、振動子自体が比較的大型になる。このような水晶振動子を基板に埋め込むことが可能となれば、大幅な省スペース化が図られ、携帯電子機器の小型軽量化により一層貢献するものとなる。
しかし現実には、水晶振動子の最小寸法よりも薄い厚みの回路基板に対しては、水晶振動子を完全に内蔵させるのが物理的に不可能であった。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、水晶振動子が基板に完全に埋め込まれてなる素子内蔵基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の素子内蔵基板は、水晶振動体および該水晶振動体を挟む一対の電極からなる水晶振動素子が、少なくとも表面が絶縁性の基板の一面上に設けられた凹部の内部に収納されてなることを特徴とする。
また本発明の素子内蔵基板においては、前記凹部の内面全面に金属層が形成され、該金属層と前記水晶振動素子との間に空隙部が設けられていることが望ましい。
更に本発明の素子内蔵基板においては、基板の前記一面側に配線パターンが設けられ、該配線パターンに対して前記一対の電極が前記凹部の内側から接続されるとともに前記配線パターンと前記水晶振動素子との間に封止材が充填され、前記水晶振動素子が前記凹部に収納されたときに前記凹部が前記封止材によって封口されることが望ましい。
【０００６】
上記の構成によれば、水晶振動子の本体を構成する水晶振動素子が基板の凹部に収納されているので、素子内蔵基板の省スペース化を図ることができる。また、凹部内面全面に形成された金属層が、一般的な水晶振動子のカバー部材に相当するものとなり、水晶振動素子を保護することができる。また、金属層と水晶振動素子との間に空隙部が設けられることによって、水晶振動素子の振動が金属層により妨害されるおそれがなく、水晶振動素子を正常に駆動させることができる。更に、水晶振動素子の電極が凹部の内側から配線パターンに接続されるので、電極と配線パターンとの接続部分が素子内蔵基板の外側に露出することがなく、接続部分が保護されて接続の信頼性を高めることができる。また、配線パターンと電極との間に封止材が充填されることで、これらの接続部分をより一層保護することができる。更に、この封止材によって凹部の開口部が封止されるので、凹部の空隙部が完全に密閉された状態となり、水晶振動素子を安定して駆動させることができる。
【０００７】
次に本発明の素子内蔵基板の製造方法は、版基板上にシード層を積層するとともに該シード層上に配線パターンを形成し、更に該配線パターンに水晶振動体および該水晶振動体を挟む一対の電極からなる水晶振動素子を取付ける版基板形成工程と、一面上に凹部が設けられた少なくとも表面が絶縁性である基板を用意し、前記凹部内に前記水晶振動素子を収納させながら前記版基板を前記基板の一面側に積層する積層工程と、前記基板から前記版基板および前記シード層を取り除く除去工程とを備えてなることを特徴とする。
また本発明の素子内蔵基板の製造方法においては、前記基板の前記一面上に誘電体層を形成してから前記版基板を前記基板に積層することにより、前記誘電体層に前記配線パターンを転写し、埋込むことが望ましい。
更に本発明の素子内蔵基板の製造方法においては、前記凹部の内部全面に金属層を形成してから前記版基板を前記基板に積層することが望ましい。
更にまた本発明の素子内蔵基板の製造方法においては、前記版基板形成工程において前記配線パターンと前記水晶振動素子との間に封止材を充填し、前記積層工程において前記版基板を前記基板に積層する際に前記封止材で前記凹部を封口することが望ましい。
【０００８】
上記の構成によれば、凹部内部に水晶振動素子を収納させることによって薄型の素子内蔵基板を製造できる。また、誘電体層に配線パターンを埋め込むので、配線パターンの露出面積が小さくなり、誘電体層によって配線パターンを保護することができる。特に、後工程のシード層のエッチング工程において配線パターンがエッチングされることがなく、配線パターンの線幅の減少を防止することができる。
更に、凹部の内部全面に形成した金属層が、一般的な水晶振動子のカバー部材に相当するものとなり、水晶振動素子を保護することができる。更にまた、配線パターンと電極との間に封止材を充填することで、これらの接続部分をより一層保護することができる。更に、この封止材によって凹部の開口部を封止するので、凹部の空隙部が完全に密閉された状態となり、水晶振動素子を安定して駆動させることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の素子内蔵基板およびその製造方法によれば、水晶振動子が基板に完全に埋め込まれてなる素子内蔵基板およびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態である素子内蔵基板およびその製造方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の素子内蔵基板の製造方法は、版基板形成工程と、積層工程と、除去工程とから概略構成されている。
各工程の概略について説明すると、まず版基板工程は、版基板上にシード層を積層するとともに該シード層上に配線パターンを形成し、更に該配線パターンに水晶振動体および該水晶振動体を挟む一対の電極からなる水晶振動素子を取付ける工程である。また積層工程は、一面上に凹部が設けられた少なくとも表面が絶縁性である基板を用意し、前記凹部内に前記水晶振動素子を収納させながら前記版基板を前記基板の一面側に積層する工程である。そして除去工程は、前記基板から前記版基板および前記シード層を取り除く工程である。
【００１１】
以下、図面を参照して各工程の詳細について説明する。図１は版基板工程を示す工程図であり、図２は積層工程に用いる基板を形成する工程の工程図であり、図３は積層工程および除去工程を示す工程図である。尚、図１ないし図３は本実施形態の素子内蔵基板の製造方法を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の素子内蔵基板の寸法関係とは必ずしも一致するものではない。
【００１２】
「版基板形成工程」
まず版基板形成工程では、図１Ａに示す版基板１を用意し、次に図１Ａおよび図Ｂに示すように版基板１の一面１ａを含む全面にシード層２を形成する。シード層２は例えば、膜厚５０ｎｍないし５００ｎｍの酸化亜鉛層と、酸化亜鉛層上に積層した膜厚２μｍ程度の金属銅層とからなる積層膜を用いることができる。版基板１の表面全部にシード層２を形成することで、版基板１と後述する配線パターンとの剥離性を向上できる。酸化亜鉛層は例えば、版基板１を酸化亜鉛を含むメッキ浴に投入してから無電解メッキ法で形成できる。更に金属銅層についても無電解メッキ法で形成できる。なお、シード層２は版基板１の一面１ａのみに形成してもよい。
【００１３】
また、版基板１は、全面が酸化シリコンで形成されているものが、シード層を構成する酸化亜鉛層との密着性を向上でき、かつ版基板１を再利用できる点で好ましい。版基板１の具体例としては、例えば、酸化ケイ素を主成分として含むガラス板、全面を熱酸化法もしくは熱ＣＶＤ法により酸化ケイ素層を形成させたシリコン基板、スパッタリング法等で酸化ケイ素層を全面に被覆させた樹脂基板または誘電体基板、などを用いることができる。また、前記のシリコン基板としてＢ，Ｐ，Ａｓ等のドーパントを添加したものを用いることもできる。更に前記の樹脂基板として柔軟性を有するものでもよく、この場合は長尺の樹脂基板をロール状に巻き取ることができるので、連続的な製造に適しており、生産性を向上できる。版基板１の厚みは特に制限はないが、例えば３０μｍないし３ｍｍのものを使用できる。
【００１４】
次に図１Ｃに示すように、シード層２上に、複数のレジスト除去部４ａを有するパターン化レジスト層４（レジストパターン）を形成する。具体的には、シード層２に例えば１０μｍ程度の感光性樹脂膜またはドライフィルム（以下レジスト層と表記）を積層してから、マスクを重ねて露光、現像を行うことにより、マスクのパターンに対応するレジスト除去部４ａを形成する。このようにしてレジスト除去部４ａを有するパターン化レジスト層４が形成される。
【００１５】
なお、パターン化レジスト層４を形成した後のレジスト除去部４ａには、感光性樹脂膜またはドライフィルムの残渣が残存する場合がある。この残渣が残存すると、この後に形成する配線パターンが断線したり、配線パターンとシード層２との密着性が低下して後工程である除去工程において不具合が生じる可能性ある。そこで残渣の完全除去を目的として、パターンレジスト層４を形成した後に、レジスト除去部４ａにアルゴンプラズマを照射するか、あるいはレジスト除去部４ａに露出するシード層２の表面を軽くエッチングすることにより、残渣を除去することが望ましい。アルゴンプラズマを照射する場合には、たとえば、プラズマパワー５００Ｗ程度，雰囲気圧力１０Ｐａ以下、アルゴン流量５０ｓｃｃｍ、照射時間３０秒とする条件で行うと良い。また、シード層の表面を軽くエッチングするには、１０％酢酸水溶液からなるエッチャントで３０秒間処理する条件で行うと良い。このような処理を行うことで、シード層２と配線パターンとの密着強度を３Ｎ／ｃｍ以上にすることができる。
【００１６】
次に図１Ｄに示すように、レジスト除去部４ａにＣｕ膜５ａおよびＡｕ膜５ｂからなる配線パターン５をメッキ法で形成する。具体的には例えば、硫酸銅等を含むメッキ液をレジスト除去部４ａ内のシード層２に接触させてから、シード層２に直流電流を印加してＣｕメッキを成長させ、更に同様にしてＡｕメッキを成長させることにより形成する。配線パターン５の厚みはパターン化レジスト層４の厚みよりも薄くすることが好ましく、例えば５μｍ程度がよい。またＣｕ膜５ａの厚みは例えば３μｍ程度が好ましく、Ａｕ膜５ｂの厚みは例えば０．１μｍ程度が好ましい。
次に図１Ｅに示すように、ウエットエッチングによりパターン化レジスト層４を除去する。このようにして、版基板１に、シード層２と配線パターン５とが形成される。
【００１７】
次に図１Ｆに示すように、配線パターン５上に水晶振動素子３１を実装する。水晶振動素子３１は図１Ｇに示すように、水晶片（水晶振動体）３１ａと、この水晶片３１ａの厚み方向から挟む一対の電極３１ｂ，３１ｂとから構成されている。水晶振動素子の電極３１ｂには例えば半田ボール３１ｃを装着し、この半田ボール３１ｃを介して水晶振動素子３１を配線パターン５に接続する。水晶振動子３１を装着したら、配線パターン５と水晶片３１ａとの間に封止材３４を充填する。封止材３４の材質としては例えば、エポキシ樹脂等を例示できる。また、水晶振動素子３１を実装する際には、水晶片３１aの厚み方向が版基板１の厚み方向とほぼ一致するように、すなわち水晶片を版基板１に対して寝かせた状態で実装することが望ましい。
【００１８】
次に、図２Ａに示すように、厚み５００μｍ程度の絶縁基板６（基板）を用意する。基板６の一面６ａおよび他面６ｂにはそれぞれ、厚み１８μｍ程度のＣｕ層７、７を例えばメッキにより形成する。なお、絶縁基板６の具体例としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を材質とした板材を用いることができる。またガラスエポキシ樹脂板も絶縁基板６として使用できる。
次に図２Ｂに示すように、絶縁基板６に水晶振動素子埋め込み用の貫通孔８と、スルーホール用の貫通孔９、９を形成する。このとき、埋め込み用の貫通孔８は、基板６の他面６ｂ側に形成したＣｕ層７を破らないように設ける。スルーホール用の貫通孔９は各Ｃｕ層７、７を含めて基板６を貫通させるように設ける。
また、基板６の上面６ａ側および下面６ｂ側の各Ｃｕ層７、７上に別のＣｕ層１０、１０を例えばメッキ法でそれぞれ形成する。更に、貫通孔８、９の内面に、Ｃｕ層１１、４１をメッキ法で形成する。
なお、貫通孔８を平面視したときの形状は、円形、楕円形、三角形および矩形を含む多角形のいずれの形状でもよい。貫通孔８の大きさについては、水晶振動素子３１が収まる程度の大きさで良い。更に貫通孔８の形成には、例えば金型を用いたパンチングやレーザー加工法といった手段を用いることができる。
【００１９】
次に図２Ｃに示すように、基板６上に形成したＣｕ層７、１０をそれぞれパターニングする。一面６ａ側のＣｕ層をパターニングする際には、各貫通孔８、９の周囲にＣｕ層１２を残すとともに、貫通孔９、９の図中外側に配線部１３を残すようにパターニングする。また、他面６ｂ側のＣｕ層をパターニングする際には、貫通孔８を塞ぐＣｕ層１４を残すとともに、貫通孔９の周囲にＣｕ層１５を残すようにパターニングする。貫通孔８は、パターニングにより残されたＣｕ層１４に塞がれて凹部１６となる。この凹部１６の内面全面には、Ｃｕ層１４および１１からなる金属層が形成された状態になる。
次に、各貫通孔９に導電性ペースト１７を充填し、更に導電性ペースト１７上に厚み１０μｍ程度のＣｕポスト層１８を例えばメッキ法で形成する。このＣｕポスト層１８によって貫通孔９が塞がれる。このようにして、導電性ペースト１７およびＣｕポスト層１８からなるスルーホール１９が形成される。
【００２０】
次に図２Ｄに示すように、絶縁基板６の両面に、厚み１０μｍ−２０μｍ程度の誘電体層２０、２０を例えば印刷法により形成する。誘電体層２０の厚みは、Ｃｕポスト層１８の上面と誘電体層２０の表面とが同一面になるように調整する。誘電体層２０の材質としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を例示できる。
次に図２Ｅに示すように、Ｃｕポスト層１８の上に導電性ペースト２１を塗布する。このようにして、凹部１６およびスルーホール１９が設けられてなる絶縁基板６が形成される。
【００２１】
「積層工程および除去工程」
次に積層工程および除去工程について図３を参照して説明する。
まず、図３Ａに示すように、凹部１６およびスルーホール１９を設けた絶縁基板６と、水晶振動素子３１を取付けた版基板１とを用意する。そして、絶縁基板６の一面６ａ側に版基板１を配置して、凹部１６と水晶振動素子３１とが相互に対向して重なるように各基板１、６を位置合わせする。
また、別の版基板３２を用意する。この版基板３２には、全面にシード層２が形成されるとともに、一面３１ａ側にＣｕ膜３５ａとＡｕ膜３５ｂからなる配線パターン３５が形成されている。そして、絶縁基板６の他面６ｂ側に別の版基板３２を配置し、この版基板３２の配線パターン３５が絶縁基板６の導電性ペースト２１に重なるように絶縁基板６に対して版基板３１を位置合わせする。
【００２２】
次に図３Ｂに示すように、版基板１、３２と絶縁基板６とを積層して熱プレスする。この熱プレスによって絶縁基板の誘電体層２０、２０にそれぞれ、配線パターン５、３５が転写される。誘電体層２０、２０は、その厚み方向からプレスされることにより薄板状に変形し、これにより誘電体層の一部が各配線パターン５、３５の非形成部分Ａに押出される。このようにして、配線パターン５、３５が誘電体層２０に転写されて埋め込まれる。
同時に、水晶振動素子３１が凹部１６の内部に挿入される。水晶振動素子３１と凹部１６との間には空隙部２７が形成される。また、水晶振動素子３１の挿入によって、封止材３４が誘電体層２０を押し退けて、凹部１６の周囲に残されたＣｕ層１２に突き当てられる。封止材３４は水晶片３１ａと配線パターン５との間に充填されているが、一部が水晶片３１ａからからはみ出されて充填されており、封止材３４の外縁部が水晶片３１ａを取り囲んだ状態になっている。このため、水晶振動素子３１を凹部１６に挿入することに伴って、封止材３４の外縁部全部が凹部１６の周囲にあるＣｕ層１２に突き当てられる。これにより、凹部１６の開口部が封止材３４によって完全に封口される。
更に、スルーホール１９のＣｕポスト層１８が、導電性ペースト２１を介して配線パターン５、３５に接続される。
【００２３】
熱プレス時の温度は、絶縁基板６の材質にもよるが、１４０〜１８０℃の範囲が好ましい。また熱プレスの圧力は１５〜２５Ｐａ程度が好ましい。さらにプレス時間は３０〜５０分程度が好ましい。このようにして、配線パターン５、３５および水晶振動素子３１が絶縁基板６に転写される。
【００２４】
「除去工程」
次に図３Ｃに示すように、各版基板１、３２と絶縁基板６との間に応力を与えて絶縁基板６から版基板１、３２を剥離させる。このとき、版基板１とシード層２との間で剥離が起こり、シード層２が配線パターン５とともに絶縁基板６側に転写される。絶縁基板６に転写されたシード層２はウエットエッチングにより除去される。エッチング液には例えば過硫酸水溶液を用いることができる。なお、剥離後の版基板１については、転写されずに残存したシード層２を酸またはアルカリで除去することで、再利用することができる。
【００２５】
版基板１とシード層２との間で剥離が起こるのは次のようなメカニズムによると考えられる。
すなわち、版基板１を絶縁基板６から剥離させると、シード層２にはその膜厚方向に引張応力が加えられる。このとき、シード層２を構成する金属銅層には配線パターン５が接合され、この配線パターン５は絶縁基板６に埋込まれてこの絶縁基板６と強固に接合されていることから、絶縁基板６側への引張応力が勝ることになり、これにより、シード層２が配線パターン５とともに絶縁基板６側に転写されるものと考えられる。また、シード層２を構成する金属銅層には、剥離の際に配線パターン５に引張られてせん断応力が加えられるが、金属銅層には酸化亜鉛層が下地層として裏打ちされているので、金属銅層自体が破れるおそれがなく、酸化亜鉛層とともに版基板１からきれいに剥離される。また、酸化亜鉛層自体も５０ｎｍないし５００ｎｍの膜厚で形成されているため、酸化亜鉛層の膜強度が高くなっており、酸化亜鉛層自体も破れる虞がなく、版基板１からきれいに剥離される。
【００２６】
なお、上記のシード層２のエッチングの際には配線パターン５、３５も若干エッチングされるが、配線パターン５、３５の線幅が減少するおそれはない。この理由は、配線パターン５、３５の大部分が誘電体層２０に埋込まれているため、配線パターン５、３５の露出部分が少なくなっており、誘電体層２０により配線パターン５が保護されるためである。配線パターン５、３５が絶縁基板６で保護されているので、エッチング液による配線パターン５、３５の腐食が防止されて、配線パターン５、３５の線幅の減少を防止することができる。これにより、従来の転写法では不可能であった１０μｍ／１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）を実現することができる。
このようにして、素子内蔵基板１００が製造される。
【００２７】
本実施形態の素子内蔵基板の製造方法によれば、凹部１６に水晶振動素子３１を収納させることによって薄型の素子内蔵基板１００を製造できる。特に、水晶振動素子３１の水晶片３１ａの厚み方向が、絶縁基板６の厚み方向とほぼ一致するように収納することで、素子内蔵基板１００をより薄型にすることができる。また、誘電体層２０に配線パターン５、３５を埋め込むので、配線パターン５、３５の露出面積が小さくなり、配線パターン５、３５を保護することができる。特に、後工程のシード層２のエッチング工程において配線パターンがエッチングされることがなく、１０μｍ／１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）を実現することができる。
【００２８】
「素子内蔵基板」
図３Ｃに示すように、本実施形態の素子内蔵基板１００は、絶縁基板６に設けられた凹部１６の内部に、水晶振動素子３１が収納されて概略構成されている。水晶振動素子３１は、水晶片３１ａと、この水晶片３１ａを挟む一対の電極３１ｂとから構成されている。水晶振動素子３１は、水晶片３１の厚み方向が絶縁基板６の厚み方向に一致するように凹部１６に収納されている。
絶縁基板６の両面６ａ、６ｂには誘電体層２０、２０が積層されている。誘電体層２０の表面にはＣｕ膜５ａ、３５ａとＡｕ膜５ｂ、３５ｂからなる配線パターン５、３５が埋め込まれている。また、絶縁基板６の一面６ａと誘電体層２０の間には、Ｃｕ層からなる配線部１３が挟み込まれている。また、凹部１６の周囲にはＣｕ層１２が設けられている。更に、絶縁基板６の他面６ｂには、凹部１６の底部となるＣｕ層１４が設けられている。
【００２９】
また、一対の電極３１ｂには半田ボール３１ｃが取付けられている。そして電極３１ｂが、半田ボール３１ｃを介して凹部１６の内側から配線パターン５に接続されている。また、水晶振動素子３１と配線パターン５との間には、封止材３４が充填されている。この封止材３４は、凹部１６の周囲に設けたＣｕ層１２に接合されており、封止材３４によって凹部１６が塞がれている。
また凹部１６の内面にはＣｕ層１１，１４（金属層）が形成されている。そして、水晶振動素子３１とＣｕ層１１，１４の間には空隙部２７が形成されている。
【００３０】
また、各配線パターン５、３５は、絶縁基板６を貫通するスルーホール１９を介して相互に接続されている。スルーホール１９は、絶縁基板６内部に収納された導電性ペースト１７と、絶縁基板６の両面に設けられて誘電体層２０を貫通するＣｕポスト層１８とから概略構成され、Ｃｕポスト層１８に配線パターン５、３５が接続されている。また、Ｃｕポスト層１８と配線パターン５、３５の間には導電性ペースト２１が塗布されており、配線パターン５、３５とスルーホール１９との接続を確実にしている。
【００３１】
上記の素子内蔵基板１００によれば、水晶振動素子３１が基板の凹部１６に収納されているので、素子内蔵基板１００を薄型にできる。特に、水晶片３１ａの厚み方向が、絶縁基板６の厚み方向とほぼ一致するように収納することで、素子内蔵基板１００をより薄型できる。また、凹部１６の内面全面に形成されたＣｕ層１１，１４が、一般的な水晶振動子のカバー部材に相当するものとなり、水晶振動素子３１を保護することができる。またこの金属層１１，１４を接地端子とすることにより、水晶振動素子３１をグラウンドで覆うことができる。また、凹部１６内に空隙部２７が設けられることによって、水晶振動素子３１の振動が金属層１１，１４により妨害されるおそれがなく、水晶振動素子３１を正常に駆動させることができる。更に、封止材３４によって凹部１６が封口されるので、空隙部２７が完全に密閉された状態となり、水晶振動素子３１を安定して駆動させることができる。
また、配線パターン５、３５を構成するＡｕ膜５ｂ、３５ｂが水晶振動素子３１またはスルーホール１９に接合されるので、配線パターン５、３５とこれらの部材との導通の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は本発明の実施形態である素子内蔵基板の製造方法を説明する断面模式図。
【図２】図２は本発明の実施形態である素子内蔵基板の製造方法を説明する断面模式図。
【図３】図３は本発明の実施形態である素子内蔵基板の製造方法を説明する断面模式図。
【符号の説明】
【００３３】
１…版基板、２…シード層、５…配線パターン、６…絶縁基板（基板）、６ａ…一面、１１，１４…Ｃｕ層（金属層）、１６…凹部、２０…誘電体層、２７…空隙部、３１…水晶振動素子、３１ａ…水晶片（水晶振動体）、３１ｂ…電極、３４…封止材、１００…素子内蔵基板
【図１】
2005317908.tif 000003
【図２】
2005317908.tif 000004
【図３】
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