(57)【要約】【課題】  比較的少ない数の光学部材で構成され、広い波長範囲に対して色収差が良好に補正され、例えばほぼ等倍の正立正像を形成する反射屈折型の投影光学系。【解決手段】  第１物体（Ｍ）からの光束に基づいて第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系（Ｋ１）と、中間像からの光束に基づいて第１物体の最終像を第２物体（Ｐ）上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系（Ｋ２）とを備えている。第１結像光学系の物像間距離と第２結像光学系の物像間距離とがほぼ等しく、第１結像光学系中の光学部材の構成と第２結像光学系中の光学部材の構成とが実質的に異なる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１物体の像を第２物体上に形成する投影光学系において、
前記第１物体からの光束に基づいて前記第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系と、前記中間像からの光束に基づいて前記第１物体の最終像を前記第２物体上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系とを備え、
前記第１結像光学系の物像間距離と前記第２結像光学系の物像間距離とがほぼ等しく、前記第１結像光学系の光学構成と前記第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なることを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
第１物体の像を第２物体上に形成する投影光学系において、
前記第１物体からの光束に基づいて前記第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系と、前記中間像からの光束に基づいて前記第１物体の最終像を前記第２物体上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系とを備え、
前記第１結像光学系の光軸と前記第２結像光学系の光軸とがほぼ平行で、前記第１結像光学系の光学構成と前記第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なることを特徴とする投影光学系。
【請求項３】
第１物体の像を第２物体上に形成する投影光学系において、
前記第１物体からの光束に基づいて前記第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系と、前記中間像からの光束に基づいて前記第１物体の最終像を前記第２物体上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系とを備え、
前記第１結像光学系と前記第２結像光学系との合成倍率がほぼ等倍で、前記第１結像光学系の光学構成と前記第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なることを特徴とする投影光学系。
【請求項４】
前記第１結像光学系および前記第２結像光学系のうちの少なくとも一方は、非球面形状の光学面を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項５】
前記第１結像光学系と前記第２結像光学系とは、互いに異なる枚数の光学部材で構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項６】
前記第１結像光学系と前記第２結像光学系とは、互いに異なる形状の複数の光学部材で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項７】
前記第１結像光学系と前記第２結像光学系とは、各反射面に対して互いに異なる位置に配置された複数の光学部材で構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項８】
前記第１結像光学系は、第１凹面反射鏡と、該第１凹面反射鏡が形成する往復光路中に配置された第１屈折光学系とを有し、
前記第２結像光学系は、第２凹面反射鏡と、該第２凹面反射鏡が形成する往復光路中に配置された第２屈折光学系とを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項９】
前記第１結像光学系は、前記第１物体からの光束を前記第１凹面反射鏡に向かって反射するための第１反射面と、前記第１凹面反射鏡で反射された光束を前記第２結像光学系に向かって反射するための第２反射面とを有し、
前記第２結像光学系は、前記第１結像光学系からの光束を前記第２凹面反射鏡に向かって反射するための第３反射面と、前記第２凹面反射鏡で反射された光束を前記第２物体に向かって反射するための第４反射面とを有することを特徴とする請求項８に記載の投影光学系。
【請求項１０】
前記第１結像光学系は、前記第１反射面および前記第２反射面の双方が形成された第１反射部材を有し、
前記第２結像光学系は、前記第３反射面および前記第４反射面の双方が形成された第２反射部材を有することを特徴とする請求項９に記載の投影光学系。
【請求項１１】
前記第１物体としてのマスクを照明するための照明系と、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の１つまたは複数の投影光学系とを備え、前記１つまたは複数の投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記第２物体としての感光性基板へ露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って相対移動させて、前記１つまたは複数の投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記感光性基板へ露光することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の露光装置を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板へ露光する露光工程と、
前記露光工程を介して露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記第１物体としてのマスクを照明する照明工程と、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の投影光学系を用いて、前記マスクのパターンを前記第２物体としての感光性基板へ露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影光学系、露光装置、および露光方法に関し、特に複数の反射屈折型の投影光学ユニットからなる投影系に対してマスクと感光性基板とを移動させつつマスクのパターンを感光性基板上に投影露光するマルチ走査型投影露光装置に好適な投影光学ユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ワープロやパソコンやテレビ等の表示素子として、液晶表示パネルが多用されるようになっている。液晶表示パネルは、プレート上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターニングすることによって製造される。このフォトリソグラフィ工程のための装置として、マスク上に形成された原画パターンを、投影光学系を介してプレート上のフォトレジスト層に投影露光する投影露光装置が用いられている。
【０００３】
なお、最近では、液晶表示パネルの大面積化の要求が高まっており、その要求に伴ってこの種の投影露光装置においても露光領域の拡大が望まれている。そこで、露光領域を拡大するために、いわゆるマルチ走査型投影露光装置が提案されている。マルチ走査型投影露光装置では、複数の投影光学ユニットに対してマスクとプレートとを移動させつつ、マスクのパターンをプレート上に投影露光する。
【０００４】
たとえば特開２０００−３９５５７号公報には、この種の投影光学ユニットとして、ｇ線とｈ線とｉ線とに対して良好に色消しされた反射屈折型の投影光学ユニットが開示されている。この投影光学ユニットでは、２つの全く同じ等倍系を直列に配置することにより、等倍の正立正像を形成している。
【特許文献１】特開２０００−３９５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の公報に開示された従来の投影光学ユニットの場合、２つの全く同じ等倍系を直列配置で用いているため、各等倍系において収差補正を充分に行う必要がある。その結果、従来の投影光学ユニットを構成する光学部材（直角プリズムのような偏向部材を除き、２枚の凹面反射鏡を含む光学部材、すなわちパワーを有する光学部材）の数が、１２点〜１６点と比較的多くなっている。この場合、例えば５つの投影光学ユニットからなる投影系を有するマルチ走査型投影露光装置に従来技術を適用すると、投影系を構成する光学部材の数が６０点〜８０点になる。
【０００６】
近年、マスクパターンの微細化に伴って露光装置の投影系には光学性能の向上が求められており、投影系を構成する各光学部材（特に曲面状の光学面を有するパワー光学部材）に要求される加工精度も高くなっている。したがって、投影光学ユニット（一般には投影光学系）を構成する光学部材の数が比較的多い従来技術では、特にマルチ走査型投影露光装置に適用した場合に、装置のコスト高を招き易いという不都合があった。
【０００７】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、比較的少ない数の光学部材（パワーを有する光学部材）で構成され、広い波長範囲に対して色収差が良好に補正され、例えばほぼ等倍の正立正像を形成する反射屈折型の投影光学系を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、上述の良好な光学性能を有する１つまたは複数の投影光学系を備え、例えばｇ線とｈ線とｉ線とを含む広い波長範囲の露光光を用いて、スループットの高い良好な露光を行うことのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
【０００９】
さらに、本発明は、上述の露光装置または露光方法を用いた良好な露光により、例えば大面積で良好なマイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することのできるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、第１物体の像を第２物体上に形成する投影光学系において、
前記第１物体からの光束に基づいて前記第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系と、前記中間像からの光束に基づいて前記第１物体の最終像を前記第２物体上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系とを備え、
前記第１結像光学系の物像間距離と前記第２結像光学系の物像間距離とがほぼ等しく、前記第１結像光学系の光学構成と前記第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なることことを特徴とする投影光学系を提供する。
【００１１】
本発明の第２形態では、第１物体の像を第２物体上に形成する投影光学系において、
前記第１物体からの光束に基づいて前記第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系と、前記中間像からの光束に基づいて前記第１物体の最終像を前記第２物体上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系とを備え、
前記第１結像光学系の光軸と前記第２結像光学系の光軸とがほぼ平行で、前記第１結像光学系の光学構成と前記第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なることを特徴とする投影光学系を提供する。
【００１２】
本発明の第３形態では、第１物体の像を第２物体上に形成する投影光学系において、
前記第１物体からの光束に基づいて前記第１物体の中間像を形成するための反射屈折型の第１結像光学系と、前記中間像からの光束に基づいて前記第１物体の最終像を前記第２物体上に形成するための反射屈折型の第２結像光学系とを備え、
前記第１結像光学系と前記第２結像光学系との合成倍率がほぼ等倍で、前記第１結像光学系の光学構成と前記第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なることを特徴とする投影光学系を提供する。
ここで、本発明における第１結像光学系の光学構成と第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なるとは、例えば、第１結像光学系の全体的構成と第２結像光学系の全体的構成とが異なることを含むと共に、第１結像光学系を構成する複数の光学部材（レンズ、反射部材等）のうちの少なくとも１つの光学部材と、第２結像光学系を構成する複数の光学部材（レンズ、反射部材等）のうちの少なくとも１つの光学部材との構成が異なることを含むことを意味する。
具体的には、第１結像光学系の全体的構成と第２結像光学系の全体的構成とが異なる事とは、例えば、第１結像光学系を構成する複数の光学部材（レンズ、反射部材等）の数と第２結像光学系を構成する複数の光学部材（レンズ、反射部材等）の数とを異ならせしめることを含む。
また、第１結像光学系を構成する複数の光学部材のうちの少なくとも１つの光学部材と、第２結像光学系を構成する複数の光学部材のうちの少なくとも１つの光学部材との構成が異なるとは、例えば、曲率、光学面形状、屈折率、軸上厚、配置等が異なることを意味する。
【００１３】
第１形態〜第３形態の好ましい態様によれば、前記第１結像光学系および前記第２結像光学系のうちの少なくとも一方は、非球面形状の光学面を有する。また、前記第１結像光学系と前記第２結像光学系とは、互いに異なる枚数の光学部材で構成されていることが好ましい。また、前記第１結像光学系と前記第２結像光学系とは、互いに異なる形状の複数の光学部材で構成されていることが好ましい。
【００１４】
また、第１形態〜第３形態の好ましい態様によれば、前記第１結像光学系と前記第２結像光学系とは、各反射面に対して互いに異なる位置に配置された複数の光学部材で構成されている。また、前記第１結像光学系は、第１凹面反射鏡と、該第１凹面反射鏡が形成する往復光路中に配置された第１屈折光学系とを有し、前記第２結像光学系は、第２凹面反射鏡と、該第２凹面反射鏡が形成する往復光路中に配置された第２屈折光学系とを有することが好ましい。
【００１５】
また、第１形態〜第３形態の好ましい態様によれば、前記第１結像光学系は、前記第１物体からの光束を前記第１凹面反射鏡に向かって反射するための第１反射面と、前記第１凹面反射鏡で反射された光束を前記第２結像光学系に向かって反射するための第２反射面とを有し、前記第２結像光学系は、前記第１結像光学系からの光束を前記第２凹面反射鏡に向かって反射するための第３反射面と、前記第２凹面反射鏡で反射された光束を前記第２物体に向かって反射するための第４反射面とを有する。この場合、前記第１結像光学系は、前記第１反射面および前記第２反射面の双方が形成された第１反射部材を有し、前記第２結像光学系は、前記第３反射面および前記第４反射面の双方が形成された第２反射部材を有することが好ましい。
【００１６】
本発明の第４形態では、前記第１物体としてのマスクを照明するための照明系と、第１形態〜第３形態の１つまたは複数の投影光学系とを備え、前記１つまたは複数の投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記第２物体としての感光性基板へ露光することを特徴とする露光装置を提供する。この場合、前記１つまたは複数の投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って相対移動させて、前記１つまたは複数の投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記感光性基板へ露光することが好ましい。
【００１７】
本発明の第５形態では、第４形態の露光装置を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板へ露光する露光工程と、
前記露光工程を介して露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法を提供する。
【００１８】
本発明の第６形態では、前記第１物体としてのマスクを照明する照明工程と、
第１形態〜第３形態の投影光学系を用いて、前記マスクのパターンを前記第２物体としての感光性基板へ露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、第１結像光学系の光学構成と第２結像光学系の光学構成とが実質的に異なる配置や構造を採用し、第１結像光学系と第２結像光学系とで相補的に収差補正を行うことにより、投影光学系の収差を良好に補正する。その結果、本発明では、比較的少ない数の光学部材（パワーを有する光学部材）で構成され、広い波長範囲に対して色収差が良好に補正され、例えばほぼ等倍の正立正像を形成する反射屈折型の投影光学系を実現することができる。
【００２０】
したがって、良好な光学性能を有する１つまたは複数の投影光学系を用いる本発明の露光装置および露光方法では、例えばｇ線とｈ線とｉ線とを含む広い波長範囲の露光光を使用してスループットの高い良好な露光を行うことができ、ひいては例えば大面積で良好なマイクロデバイスとして、高精度な液晶表示素子などを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。本実施形態では、複数の反射屈折型の投影光学ユニットからなる投影系に対してマスクとプレートとを移動させつつマスクのパターンをプレート上に投影露光するマルチ走査型投影露光装置に本発明を適用している。
【００２２】
換言すると、本実施形態では、マルチ走査型投影露光装置の各投影光学ユニットに本発明の投影光学系を適用している。なお、図１では、所定の回路パターンが形成されたマスクおよびレジストが塗布されたプレートを移動させる方向（走査方向）に沿ってＸ軸を設定している。また、マスクの平面内でＸ軸と直交する方向に沿ってＹ軸を、プレートの法線方向に沿ってＺ軸を設定している。
【００２３】
本実施形態の露光装置は、マスクステージ（図１では不図示）ＭＳ上においてマスクホルダ（不図示）を介してＸＹ平面に平行に支持されたマスクＭを均一に照明するための照明系ＩＬを備えている。図１を参照すると、照明系ＩＬは、たとえば超高圧水銀ランプからなる光源１を備えている。光源１は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡２の第１焦点位置に位置決めされている。したがって、光源１から射出された照明光束は、反射鏡（平面鏡）３を介して、楕円鏡２の第２焦点位置に光源像を形成する。この第２焦点位置には、シャッター（不図示）が配置されている。
【００２４】
楕円鏡２の第２焦点位置に形成された光源像からの発散光束は、リレーレンズ系４を介して再び結像する。リレーレンズ系４の瞳面の近傍には、所望の波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルター（不図示）が配置されている。波長選択フィルターでは、ｇ線（４３６ｎｍ）の光とｈ線（４０５ｎｍ）とｉ線（３６５ｎｍ）の光とが露光光として同時に選択される。なお、波長選択フィルターでは、たとえばｇ線の光とｈ線の光とを同時に選択することもできるし、ｈ線の光とｉ線の光とを同時に選択することもできるし、さらにｉ線の光だけを選択することもできる。
【００２５】
リレーレンズ系４による光源像の形成位置の近傍に、ライトガイド５の入射端５ａが配置されている。ライトガイド５は、多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、光源１の数（図１では１つ）と同じ数の入射端５ａと、投影系ＰＬを構成する投影光学ユニットの数（図１では５つ）と同じ数の射出端５ｂ〜５ｆとを備えている。こうして、ライトガイド５の入射端５ａへ入射した光は、その内部を伝播した後、５つの射出端５ｂ〜５ｆから射出される。
【００２６】
ライトガイド５の射出端５ｂから射出された発散光束は、コリメートレンズ（不図示）によりほぼ平行な光束に変換された後、フライアイ・インテグレーター（オプティカルインテグレータ）６ｂに入射する。フライアイ・インテグレーター６ｂは、多数の正レンズエレメントをその中心軸線が光軸ＡＸに沿って延びるように縦横に且つ稠密に配列することによって構成されている。したがって、フライアイ・インテグレーター６ｂに入射した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割され、その後側焦点面（すなわち射出面の近傍）にレンズエレメントの数と同数の光源像からなる二次光源を形成する。
【００２７】
すなわち、フライアイ・インテグレーター６ｂの後側焦点面には、多数の光源像からなる実質的な面光源が形成される。なお、オプティカルインテグレータ（６ｂ〜６ｆ）は、フライアイ・インテグレーターに限定されることなく、回折光学素子、微小レンズ要素の集合体で構成されるマイクロフライアイレンズ、あるいは内面反射型のロッド状インテグレーター（中空パイプまたは光パイプ、棒状ガラスロッドなど）を含む構成を採用してもよい。
【００２８】
二次光源からの光束は、フライアイ・インテグレーター６ｂの後側焦点面の近傍に配置された開口絞り（不図示）により制限された後、コンデンサーレンズ系７ｂに入射する。なお、開口絞りは、対応する投影光学ユニットＰＬ１の瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を有する。開口絞りは、この可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件を決定するσ値（投影系ＰＬを構成する各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の口径の比）を所望の値に設定する。
【００２９】
コンデンサーレンズ系７ｂを介した光束は、所定の転写パターンが形成されたマスクＭを重畳的に照明する。同様に、ライトガイド５の他の射出端５ｃ〜５ｆから射出された発散光束も、各コリメートレンズ、フライアイ・インテグレーター６ｃ〜６ｆ、各開口絞り、およびコンデンサーレンズ系７ｃ〜７ｆ（不図示）を介して、マスクＭをそれぞれ重畳的に照明する。すなわち、照明系ＩＬは、マスクＭ上においてＹ方向に並んだ複数（図１では合計で５つ）の台形状の領域を照明する。
【００３０】
なお、上述の例では、照明系ＩＬにおいて、１つの光源１からの照明光をライトガイド５を介して５つの照明光に等分割しているが、光源の数および投影光学ユニットの数に限定されることなく、様々な変形例が可能である。すなわち、必要に応じて２つ以上の光源を設け、これら２つ以上の光源からの照明光をランダム性の良好なライトガイドを介して所要数（投影光学ユニットの数）の照明光に等分割することもできる。この場合、ライトガイドは、光源の数と同数の入射端を有し、投影光学ユニットの数と同数の射出端を有することになる。
【００３１】
マスクＭ上の各照明領域からの光は、各照明領域に対応するようにＹ方向に沿って配列された複数（図１では合計で５つ）の投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５からなる投影系ＰＬに入射する。ここで、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の構成は、互いに同じである。以下、本実施形態の各実施例にかかる投影光学ユニットの構成について具体的に説明する。
【００３２】
［第１実施例］
図２は、本実施形態の第１実施例にかかる投影光学ユニットの構成を概略的に示す図である。第１実施例の投影光学ユニット（典型的には投影光学ユニットＰＬ１など）は、図２に示すように、マスクＭからの光に基づいてマスクパターンの一次像を形成する第１結像光学系Ｋ１と、この一次像からの光に基づいてマスクパターンの等倍の正立正像（二次像）をプレートＰ上に形成する第２結像光学系Ｋ２とを有する。なお、マスクパターンの一次像の形成位置（中間像面）の近傍には、マスクＭ上における投影光学ユニットの視野領域（照明領域）およびプレートＰ上における投影光学ユニットの投影領域（露光領域）を規定する視野絞りＦＳが設けられている。
【００３３】
第１結像光学系Ｋ１は、マスクＭから−Ｚ方向に沿って入射する光を−Ｘ方向に反射するようにマスク面（ＸＹ平面）に対して４５°の角度で斜設された第１反射面Ｐ１ａを有する第１直角プリズムＰ１を備えている。また、第１結像光学系Ｋ１は、第１直角プリズムＰ１側から順に、第１屈折光学系Ｓ１と、第１直角プリズムＰ１側に凹面を向けた第１凹面反射鏡Ｍ１とを備えている。ここで、第１屈折光学系Ｓ１は、第１凹面反射鏡Ｍ１が形成する往復光路中に配置された４つのレンズＬ１〜Ｌ４を備えている。
【００３４】
具体的には、第１屈折光学系Ｓ１は、第１直角プリズムＰ１側から順に、両凸レンズＬ１と、第１直角プリズムＰ１側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ２と、両凸レンズＬ３と、第１凹面反射鏡Ｍ１側に非球面形状の凹面ＡＳＰを向けた両凹レンズＬ４とにより構成されている。第１屈折光学系Ｓ１と第１凹面反射鏡Ｍ１とはＸ方向に延びる光軸に沿って配置され、全体として第１反射屈折光学系を構成している。この第１反射屈折光学系から＋Ｘ方向に沿って第１直角プリズムＰ１に入射した光は、マスク面（ＸＹ平面）に対して４５°の角度で斜設された第２反射面Ｐ１ｂによって−Ｚ方向に反射される。
【００３５】
一方、第２結像光学系Ｋ２は、第１直角プリズムＰ１の第２反射面Ｐ１ｂから−Ｚ方向に沿って入射する光を−Ｘ方向に反射するようにプレート面（ＸＹ平面）に対して４５°の角度で斜設された第１反射面Ｐ２ａを有する第２直角プリズムＰ２を備えている。また、第２結像光学系Ｋ２は、第２直角プリズムＰ２側から順に、第２屈折光学系Ｓ２と、第２直角プリズムＰ２側に凹面を向けた第２凹面反射鏡Ｍ２とを備えている。ここで、第２屈折光学系Ｓ２は、第２凹面反射鏡Ｍ２が形成する往復光路中に配置された３つのレンズＬ５〜Ｌ７を備えている。
【００３６】
具体的には、第２屈折光学系Ｓ２は、第２直角プリズムＰ２側から順に、両凸レンズＬ５と、第２直角プリズムＰ２側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ６と、両凹レンズＬ７とにより構成されている。第２屈折光学系Ｓ２と第２凹面反射鏡Ｍ２とはＸ方向に延びる光軸に沿って配置され、全体として第２反射屈折光学系を構成している。この第２反射屈折光学系から＋Ｘ方向に沿って第２直角プリズムＰ２に入射した光は、プレート面（ＸＹ平面面）に対して４５°の角度で斜設された第２反射面Ｐ２ｂによって−Ｚ方向に反射され、最終像面に設定されたプレートＰに達する。
【００３７】
以下、第１実施例にかかる投影光学ユニットの基本的な動作について説明する。前述したように、マスクＭ上に形成されたパターンは、照明系ＩＬからの照明光（露光光）により、ほぼ均一な照度で照明される。マスクＭ上の各照明領域に形成されたマスクパターンから−Ｚ方向に沿って進行した光は、各投影光学ユニットの第１結像光学系Ｋ１に入射し、第１直角プリズムＰ１の第１反射面Ｐ１ａにより９０°だけ偏向される。
【００３８】
第１直角プリズムＰ１の第１反射面Ｐ１ａにより−Ｘ方向に反射された光は、第１屈折光学系Ｓ１を介して、第１凹面反射鏡Ｍ１に達する。第１凹面反射鏡Ｍ１で反射された光は、再び第１屈折光学系Ｓ１を介して、＋Ｘ方向に沿って第１直角プリズムＰ１の第２反射面Ｐ１ｂに入射する。第１直角プリズムＰ１の第２反射面Ｐ１ｂで９０°だけ偏向されて−Ｚ方向に沿って進行した光は、視野絞りＦＳの近傍にマスクパターンの一次像を形成する。なお、一次像のＸ方向における横倍率はほぼ＋１倍であり、Ｙ方向おける横倍率はほぼ−１倍である。
【００３９】
マスクパターンの一次像から−Ｚ方向に沿って進行した光は、第２結像光学系Ｋ２に入射し、第２直角プリズムＰ２の第１反射面Ｐ２ａにより９０°だけ偏向される。第２直角プリズムＰ２により−Ｘ方向に反射された光は、第２屈折光学系Ｓ２を介して、第２凹面反射鏡Ｍ２に達する。第２凹面反射鏡Ｍ２で反射された光は、再び第２屈折光学系Ｓ２を介して、＋Ｘ方向に沿って第２直角プリズムＰ２の第２反射面Ｐ２ｂに入射する。
【００４０】
第２直角プリズムＰ２の第２反射面Ｐ２ｂで９０°だけ偏向されて−Ｚ方向に沿って進行した光は、プレートＰ上において対応する露光領域にマスクパターンの二次像を形成する。ここで、二次像のＸ方向における横倍率およびＹ方向における横倍率はともに＋１倍である。すなわち、各投影光学ユニットを介してプレートＰ上に形成されるマスクパターン像は等倍の正立正像であり、各投影光学ユニットは等倍正立系を構成している。また、各投影光学ユニットは、マスクＭ側およびプレートＰ側の双方にほぼテレセントリックな光学系である。
【００４１】
こうして、複数の投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５から構成された投影系ＰＬを介した光は、プレートステージ（図１では不図示）ＰＳ上においてプレートホルダを介してＸＹ平面に平行に支持されたプレートＰ上にマスクパターン像を形成する。すなわち、上述したように、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５は等倍正立系として構成されているので、感光性基板であるプレートＰ上において各照明領域に対応するようにＹ方向に並んだ複数の台形状の露光領域には、マスクパターンの等倍の正立正像が形成される。
【００４２】
ところで、マスクステージＭＳには、このステージを走査方向であるＸ方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系（不図示）が設けられている。また、マスクステージＭＳを走査直交方向であるＹ方向に沿って微小量だけ移動させるとともにＺ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系（不図示）が設けられている。そして、マスクステージＭＳの位置座標が移動鏡を用いたレーザー干渉計ＭＩＦによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。
【００４３】
同様の駆動系が、プレートステージＰＳにも設けられている。すなわち、プレートステージＰＳを走査方向であるＸ方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系（不図示）、プレートステージＰＳを走査直交方向であるＹ方向に沿って微小量だけ移動させるとともにＺ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系（不図示）が設けられている。そして、プレートステージＰＳの位置座標が移動鏡を用いたレーザー干渉計ＰＩＦによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。
【００４４】
さらに、マスクＭとプレートＰとをＸＹ平面に沿って相対的に位置合わせするための手段として、一対のアライメント系ＡＬがマスクＭの上方に配置されている。アライメント系ＡＬとして、たとえばマスクＭ上に形成されたマスクアライメントマークとプレートＰ上に形成されたプレートアライメントマークとの相対位置を画像処理により求める方式のアライメント系を用いることができる。
【００４５】
こうして、マスクステージＭＳ側の走査駆動系およびプレートステージＰＳ側の走査駆動系の作用により、複数の投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５からなる投影系ＰＬに対してマスクＭとプレートＰとを一体的に同一方向（Ｘ方向）に沿って移動させることによって、マスクＰ上のパターン領域の全体がプレートＰ上の露光領域の全体に転写（走査露光）される。なお、複数の台形状の露光領域の形状および配置、ひいては複数の台形状の照明領域の形状および配置については、たとえば特開平７−１８３２１２号公報などに詳細な説明が記載されており重複する説明は省略する。
【００４６】
なお、各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面から高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係数をκとし、ｎ次の非球面係数をＣnとしたとき、以下の数式（ａ）で表される。各実施例において、非球面形状に形成されたレンズ面には面番号の右側に＊印を付している。
【００４７】
ｚ＝（ｙ2／ｒ）／［１＋｛１−（１＋κ）・ｙ2／ｒ2｝1/2］
＋Ｃ4・ｙ4＋Ｃ6・ｙ6＋Ｃ8・ｙ8＋Ｃ10・ｙ10
＋Ｃ12・ｙ12＋Ｃ14・ｙ14          （ａ）
【００４８】
次の表（１）に、第１実施例にかかる投影光学ユニットの諸元の値を掲げる。表（１）の主要諸元において、ＮＡは物体側での開口数（像側での開口数も同じ）を、Ｙ０は最大像高をそれぞれ示している。また、表（１）の光学部材諸元において、第１カラムの面番号は物体面（マスク面）からの光線進行方向に沿った面の順序を、第２カラムのｒは各面の曲率半径（非球面の場合には頂点曲率半径：ｍｍ）を、第３カラムのｄは各面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）を、第４カラムのｎｉはｉ線（λ＝３６５ｎｍ）の光に対する媒質（光学材料）の屈折率を、第５カラムのｎｈはｈ線（λ＝４０６ｎｍ）の光に対する媒質（光学材料）の屈折率を、第６カラムのｎｇはｇ線（λ＝４３６ｎｍ）の光に対する媒質（光学材料）の屈折率をそれぞれ示している。
【００４９】
なお、面間隔ｄは、反射される度にその符号を変えるものとする。したがって、面間隔ｄの符号は、第１凹面反射鏡Ｍ１から第２凹面反射鏡Ｍ２までの光路中では負とし、その他の光路中では正としている。そして、第１結像光学系Ｋ１では、第１直角プリズムＰ１に向かって凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。第２結像光学系Ｋ２では、第２直角プリズムＰ２に向かって凹面の曲率半径を正とし、凸面の曲率半径を負としている。なお、表（１）における表記は、第２実施例の表（３）においても同様である。
【００５０】
表（１）
（主要諸元）
ＮＡ＝０．０８５
Ｙ０＝６３．５ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号    ｒ      ｄ     ｎｉ    ｎｈ     ｎｇ     光学部材
（マスク面）173.8
1    1057.81    20.0  1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ１
2    -412.84   575.6
3     262.06    22.3  1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ２
4     164.62     3.9
5     173.24    28.7  1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ３
6    -656.66    44.9
7    -838.38    15    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ４
8*    281.97    35.8
9   -1232.11   -35.8                                 Ｍ１
10*    281.97   -15    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ４
11    -838.38   -44.9
12    -656.66   -28.7  1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ３
13     173.24    -3.9
14     164.62   -22.3  1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ２
15     262.06  -575.6
16    -412.84   -20    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ１
17    1057.81  -173.8
18       ∞    -173.8                                 ＦＳ
19   -7760.95   -20    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ５
20     320.55    -8.8
21     206.47   -40    1.61245  1.60054  1.59384      Ｌ６
22     251.51  -647.4
23    8389.13   -15    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ７
24  -18599.36   -15
25     908.95    15                                   Ｍ２
26  -18599.36    15    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ７
27    8389.13   647.4
28     251.51    40    1.61245  1.60054  1.59384      Ｌ６
29     206.47     8.8
30     320.55    20    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ５
31   -7760.95   173.8
（プレート面）
（非球面データ）
第８面（第１０面と同一面）
ｒ＝２８１．９７
κ＝０
Ｃ4＝−０．５０３４×１０-8
Ｃ6＝０．７５１１×１０-13
Ｃ8＝−０．１９５３×１０-16
Ｃ10＝０．１０１５×１０-19
Ｃ12＝−０．１９１２×１０-23
Ｃ14＝０．１５５４×１０-27
【００５１】
また、次の表（２）に、第１実施例にかかる投影光学ユニットの像高毎の波面収差のｒｍｓ(root mean square)値を掲げる。なお、表（２）において、Ｗrms(i) はｉ線に対する波面収差のｒｍｓ値を、Ｗrms(h) はｈ線に対する波面収差のｒｍｓ値を、Ｗrms(g) はｇ線に対する波面収差のｒｍｓ値をそれぞれ示している。なお、表（２）における表記は、第２実施例の表（４）においても同様である。
【００５２】
表（２）
像高Ｙ            Ｗrms(i)        Ｗrms(h)        Ｗrms(g)
０             ０．００３８    ０．００１１    ０．００２８
１５．８７５   ０．００２４    ０．００１３    ０．００２７
３１．７５     ０．００５４    ０．００２３    ０．００５６
４７．６２５   ０．０１５６    ０．００４３    ０．０１２９
６３．５       ０．０２７      ０．０１２２    ０．０２８
【００５３】
表（２）を参照すると、第１実施例の投影光学ユニットでは、ｇ線の光とｈ線の光とｉ線の光とに対して良好に色収差補正され且つ像面湾曲も良好に補正されていること、すなわち良好な光学性能が確保されていることがわかる。
【００５４】
［第２実施例］
図３は、本実施形態の第２実施例にかかる投影光学ユニットの構成を概略的に示す図である。第２実施例の投影光学ユニットは、図３に示すように、第１実施例と類似の構成を有する。したがって、第２実施例にかかる投影光学ユニットの基本的な作用は、第１実施例と同様である。しかしながら、第２実施例では、第１屈折光学系Ｓ１および第２屈折光学系Ｓ２の内部構成が、特に非球面形状の光学面を有するレンズの配置が、第１実施例と相違している。
【００５５】
具体的には、第１屈折光学系Ｓ１は、第１直角プリズムＰ１側から順に、両凸レンズＬ１と、第１直角プリズムＰ１側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ２と、両凸レンズＬ３と、第１直角プリズムＰ１側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ４とにより構成されている。第２屈折光学系Ｓ２は、第２直角プリズムＰ２側から順に、両凸レンズＬ５と、第２直角プリズムＰ２側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ６と、第２直角プリズムＰ２側に非球面形状の凹面ＡＳＰを向けた負メニスカスレンズＬ７とにより構成されている。次の表（３）に、第３実施例にかかる投影光学ユニットの諸元の値を掲げる。
【００５６】
表（３）
（主要諸元）
ＮＡ＝０．０８５
Ｙ０＝６３．５ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号    ｒ      ｄ     ｎｉ    ｎｈ     ｎｇ     光学部材
（マスク面）200
1    1056.98    40    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ１
2    -369.69   497.5
3     472.61    40    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ２
4     204.90     4.8
5     211.28    22.9  1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ３
6   -1074.68    88.8
7    5661.79    15    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ４
8     368.79    11.1
9   -1153.97   -11.1                                 Ｍ１
10     368.79   -15    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ４
11    5661.79   -88.8
12   -1074.68   -22.9  1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ３
13     211.28    -4.8
14     204.90   -40    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ２
15     472.61  -497.5
16    -369.69   -40    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ１
17    1056.98  -199.9
18       ∞    -174                                   ＦＳ
19   -1935.80   -20    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ５
20     343.06   -10.5
21     194.28   -40    1.61245  1.60054  1.59384      Ｌ６
22     238.42  -235.3
23*   1437.07   -15    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ７
24    4412.35  -425.4
25     925.73   425.4                                 Ｍ２
26    4412.35    15    1.47459  1.46966  1.46674      Ｌ７
27*   1437.07   235.3
28     238.42    40    1.61245  1.60054  1.59384      Ｌ６
29     194.28    10.5
30     343.06    20    1.48677  1.48272  1.48032      Ｌ５
31   -1935.80   173.8
（プレート面）
（非球面データ）
第２３面（第２７面と同一面）
ｒ＝１４３７．０７
κ＝０
Ｃ4＝−０．７７８５×１０-9
Ｃ6＝０．２１１２×１０-13
Ｃ8＝０．６０９８×１０-19
Ｃ10＝−０．１７６２×１０-21
Ｃ12＝０．３４７５×１０-25
Ｃ14＝−０．２２４０×１０-29
【００５７】
また、次の表（４）に、第２実施例にかかる投影光学ユニットの像高毎の波面収差のｒｍｓ(root mean square)値を掲げる。
【００５８】
表（４）
像高Ｙ            Ｗrms(i)        Ｗrms(h)        Ｗrms(g)
０             ０．００８３    ０．００１１    ０．００６３
１５．８７５   ０．００８１    ０．００２５    ０．００６７
３１．７５     ０．０１０９    ０．００３１    ０．００７５
４７．６２５   ０．０１７１    ０．００２６    ０．０１１７
６３．５       ０．０２２７    ０．０１２２    ０．０２８２
【００５９】
表（４）を参照すると、第２実施例の投影光学ユニットにおいても第１実施例の場合と同様に、ｇ線の光とｈ線の光とｉ線の光とに対して良好に色収差補正され且つ像面湾曲も良好に補正されていること、すなわち良好な光学性能が確保されていることがわかる。
【００６０】
以上のように、上述の各実施例では、従来技術と同様に、第１結像光学系Ｋ１の物像間距離（マスクＭと視野絞りＦＳとの間の距離）と、第２結像光学系Ｋ２の物像間距離（視野絞りＦＳとプレートＰとの間の距離）とがほぼ等しい。また、第１結像光学系Ｋ１の光軸（第１屈折光学系Ｓ１および第１凹面反射鏡Ｍ１が配置されている光軸）と、第２結像光学系Ｋ２の光軸（第２屈折光学系Ｓ２および第２凹面反射鏡Ｍ２が配置されている光軸）とが平行である。また、第１結像光学系Ｋ１と第２結像光学系Ｋ２との合成倍率が等倍である。
【００６１】
しかしながら、上述の各実施例では、従来技術とは異なり、第１結像光学系Ｋ１中の光学部材（第１屈折光学系Ｓ１を構成するレンズＬ１〜Ｌ４、および第１凹面反射鏡Ｍ１）の構成と、第２結像光学系Ｋ２中の光学部材（第２屈折光学系Ｓ２を構成するレンズＬ５〜Ｌ７、および第２凹面反射鏡Ｍ２）の構成とが実質的に異なる。第１に、第１実施例では第１結像光学系Ｋ１だけに非球面形状の光学面が導入され、第２実施例では第２結像光学系Ｋ２だけに非球面形状の光学面が導入されている。
【００６２】
第２に、第１結像光学系Ｋ１と第２結像光学系Ｋ２とは、互いに異なる枚数の光学部材で構成されている。具体的には、第１結像光学系Ｋ１は、６つの光学部材（１つの直角プリズムＰ１、４つのレンズＬ１〜Ｌ４および１つの凹面反射鏡Ｍ１）で構成されているが、第２結像光学系Ｋ２は、５つの光学部材（１つの直角プリズムＰ２、３つのレンズＬ５〜Ｌ７および１つの凹面反射鏡Ｍ２）で構成されている。
【００６３】
第３に、第１結像光学系Ｋ１と第２結像光学系Ｋ２とは、互いに異なる形状の複数の光学部材で構成されている。具体的には、第１屈折光学系Ｓ１と第２屈折光学系Ｓ２とはレンズ構成が異なり、第１凹面反射鏡Ｍ１と第２凹面反射鏡Ｍ２とは反射面の曲率（ひいてはパワー）が異なる。
【００６４】
前述したように、従来技術では、２つの全く同じ等倍系を直列に配置することにより、等倍の正立正像を形成する投影光学ユニットを構成している。したがって、従来の投影光学ユニットの収差を良好に補正するには、各等倍系の収差をそれぞれ充分に補正する必要があった。その結果、従来の投影光学ユニットを構成するパワー光学部材（パワーを有する光学部材）の数が比較的多くなっていた。
【００６５】
これに対し、本実施形態では、第１結像光学系Ｋ１中の光学部材の構成と第２結像光学系Ｋ２中の光学部材の構成とが実質的に異なる構造を採用し、第１結像光学系Ｋ１と第２結像光学系Ｋ２とで相補的に収差補正を行うことにより、最終的に投影光学ユニットの収差を良好に補正している。すなわち、一方の結像光学系で補正し切れない収差成分を、他方の結像光学系で補正している。
【００６６】
具体的には、各実施例において、第１結像光学系Ｋ１中のレンズＬ１と、第２結像光学系Ｋ２中のレンズＬ５およびＬ６とにより、非点収差を相補的に補正している。また、各実施例では、第１結像光学系Ｋ１中のレンズＬ２〜Ｌ４および第１凹面反射鏡Ｍ１と、第２結像光学系Ｋ２中のレンズＬ７および第２凹面反射鏡Ｍ２とにより、球面収差を相補的に補正している。また、特に第１実施例では、第１結像光学系Ｋ１中のレンズＬ２〜Ｌ４と、第２結像光学系Ｋ２中のレンズＬ７とにより、軸上色収差を相補的に補正している。
【００６７】
こうして、本実施形態では、第１結像光学系Ｋ１と第２結像光学系Ｋ２とで相補的に収差補正を行うので、第１結像光学系Ｋ１および第２結像光学系Ｋ２において各収差成分をそれぞれ独立に且つ充分に補正する従来技術よりも、第１結像光学系Ｋ１および第２結像光学系Ｋ２を構成するパワー光学部材の数を少なくすることができる。実際に、上述の各実施例において、各投影光学ユニットを構成するパワー光学部材の数は９（第１結像光学系Ｋ１は５点、第２結像光学系Ｋ２は４点）であり、従来技術におけるパワー光学部材の数（１２〜１６）よりもかなり少なく、特にマルチ走査型投影露光装置に適用した場合に装置のコスト低減を図ることができる。
【００６８】
以上のように、本実施形態では、比較的少ない数の光学部材（パワーを有する光学部材）で構成され、ｇ線とｈ線とｉ線とを含む広い波長範囲に対して色収差が良好に補正され、等倍の正立正像を形成する投影光学ユニットを実現することができる。したがって、良好な光学性能を有する複数の投影光学ユニットを用いる本実施形態のマルチ走査型投影露光装置では、ｇ線とｈ線とｉ線とを含む広い波長範囲の露光光を使用してスループットの高い良好な露光を行うことができる。
【００６９】
なお、上述の各実施例では、第１結像光学系Ｋ１と第２結像光学系Ｋ２とで、レンズ枚数が異なっている。しかしながら、これに限定されることなく、同じ枚数のレンズで各結像光学系を構成し、各反射面（偏向面）に対して互いに異なる位置に複数の光学部材（レンズおよび凹面反射鏡）を配置することもできる。
【００７０】
図１に示す本実施形態における各光学部材および各ステージ等を前述したような機能を達成するように、電気的、機械的または光学的に連結することで、本実施形態にかかる露光装置を組み上げることができる。そして、照明系ＩＬによってマスク（レチクル）を照明し（照明工程）、投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５からなる投影系ＰＬを用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に走査露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、図１に示す本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。
【００７１】
先ず、図４のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、上述の実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系（投影光学ユニット）を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【００７２】
また、上述の実施形態の露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図５のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図５において、パターン形成工程４０１では、上述の実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程４０２へ移行する。
【００７３】
次に、カラーフィルター形成工程４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程４０２の後に、セル組み立て工程４０３が実行される。セル組み立て工程４０３では、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。
【００７４】
セル組み立て工程４０３では、例えば、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。その後、モジュール組み立て工程４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
【００７５】
なお、上述の実施形態では、光源として超高圧水銀ランプを用いているが、これに限定されることなく、他の適当な光源を用いることができる。すなわち、本発明において、露光波長は、ｇ線、ｈ線、ｉ線などに特に限定されるものではない。
【００７６】
また、上述の実施形態では、複数の投影光学ユニットから構成された投影系に対してマスクおよび感光性基板を移動させながら走査露光を行うマルチ走査型投影露光装置を例にとって本発明を説明している。しかしながら、複数の投影光学ユニットから構成された投影系に対してマスクおよび感光性基板を移動させることなく一括的な露光を行う投影露光装置についても本発明を適用することができる。さらに、単一の投影光学ユニットから構成された投影系に対してマスクおよび感光性基板を移動させながら走査露光を行う走査型投影露光装置や、単一の投影光学ユニットから構成された投影系に対してマスクおよび感光性基板を移動させることなく一括的な露光を行う投影露光装置について本発明を適用することもできる。
【００７７】
また、以上の実施形態では、マスクとして透過性基板に遮光性の所定のパターンを形成したものを用いる例を示したが、本発明はこれに限ることなく、ＤＭＤ（デジタルミラーマイクロデバイス）や液晶素子等を用いたパターン表示素子をマスクとして用いることも可能である。さらに、本発明は、ＤＭＤや液晶素子以外のパターン表示装置もマスクとして用いることが可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本実施形態の第１実施例にかかる投影光学ユニットの構成を概略的に示す図である。
【図３】本実施形態の第２実施例にかかる投影光学ユニットの構成を概略的に示す図である。
【図４】本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートである。
【図５】本実施形態の露光装置を用いてプレート上に所定のパターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである。
【符号の説明】
【００７９】
１  光源
２  楕円鏡
３  反射鏡
４  リレーレンズ系
５  ライトガイド
６  フライアイ・インテグレーター
７  コンデンサーレンズ系
Ｍ  マスク
ＰＬ  投影系
ＰＬ１〜ＰＬ５  投影光学ユニット
Ｐ  プレート
ＦＳ  視野絞り
Ｓ１  第１屈折光学系
Ｓ２  第２屈折光学系
Ｍ１  第１凹面反射鏡
Ｍ２  第２凹面反射鏡
Ｋ１  第１結像光学系
Ｋ２  第２結像光学系
【図１】
2005215579.tif 000003
【図２】
2005215579.tif 000004
【図３】
2005215579.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005215579.tif 000007