(57)【要約】【課題】小型低背化しても高周波帯域において大きなインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を実現することを目的とする。【解決手段】コイル２１と、前記コイル２１内に形成したスルホール部２２と、多層磁性層３０とを有するインダクタンス部品であって、前記スルホール部２２の内壁と前記コイル２１の上面及び下面とに多層磁性層３０を配置し、前記スルホール部２２の内壁に形成した多層磁性層３０の少なくとも縦方向の一部と前記コイル２１の上面及び下面に配置する多層磁性層３０の面内方向の両方にスリットを設けた構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、前記コイル内に形成したスルホール部と、多層磁性層とを有するインダクタンス部品であって、前記スルホール部の内壁と前記コイルの上面及び下面とに多層磁性層を配置し、前記スルホール部の内壁に形成した多層磁性層の少なくとも縦方向の一部と前記コイルの上面及び下面に配置する多層磁性層の面内方向の両方にスリットを構成したインダクタンス部品。
【請求項２】
スルホール部の内壁に形成した多層磁性層の縦方向の一部に構成されたスリットと前記コイルの上面及び下面に配置する多層磁性層の面内方向に構成されたスリットを連結させるように設けた請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項３】
スルホール部の内壁に形成された多層磁性層の内側に絶縁材を充填した請求項１または２に記載のインダクタンス部品。
【請求項４】
多層磁性層を磁性層と絶縁層が交互に積層した構成とする請求項１または２に記載のインダクタンス部品。
【請求項５】
多層磁性層をめっき法により形成した磁性層を少なくとも一つを含んで構成した請求項１または２に記載のインダクタンス部品。
【請求項６】
多層磁性層にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも一つを含んだ請求項１または２に記載のインダクタンス部品。
【請求項７】
スルホール部の内壁に形成した多層磁性層とコイルの上面及び下面に配置した多層磁性層とを連結するように設けた請求項１または２に記載のインダクタンス部品。
【請求項８】
少なくとも絶縁材のいずれか一方の面に凹部を設けた請求項１または２に記載のインダクタンス部品。
【請求項９】
請求項１または請求項２に記載のインダクタンス部品を搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型の電源回路に用いられるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
まず始めに、図７を用いて携帯電話等に用いられる小型の電源回路について説明する。
【０００３】
例えば、図７に示すように入力電圧として４Ｖの電池１０１を用いると、２Ｖの出力電圧を得ることが可能である。ここで、コイル１０２はチョークコイルと呼ばれる。このコイル１０２を回路に入れることで安定した出力電圧を得ることができる。また、より出力電圧を安定化させるためにはコイル１０２のインダクタンスを大きくする必要がある。このようにして、図７に示す電源回路はより安定された直流の出力電圧を供給することができる。
【０００４】
一般に、前記コイル１０２のインダクタンスを大きくするためにはコイル１０２のコア断面積を大きくして、コイルの巻き数を多くする必要がある。そのため、コイル１０２の容積を大きくしなければならないという問題点がある。
【０００５】
一方、近年携帯電話に対する小型低背化要求に伴って、その電源回路に用いられるコイルの小型低背化がますます強く求められている。例えば、面積が５ｍｍ×５ｍｍ以下、厚さ１ｍｍ以下の形状を有するようなコイル１０２が必要とされている。さらに、この電源回路のスイッチング周波数も数百ｋＨｚから数十ＭＨｚへと高くなって来ており、このようなスイッチング周波数の高周波化に伴い、コイルを構成する磁性材料にはコア損失の低減が求められている。
【０００６】
また、電子機器が低電圧、高電流化した状態で使用されるようになってきており、小型低背化したコイルにおいても０．１Ａ以上の最大電流が流れる場合がある。そのための対策としてコイルの直流抵抗（Ｒｄｃ）をより低減することが必要となる。
【０００７】
そこで、上記問題点を解決するための従来の技術として図８に示すように、絶縁体１１５中に埋設されたコイル１１１を多層磁性膜１１２で絶縁しながら挟持させ、磁性体１１３を充填したスルホール１１４を前記コイル１１１の側面及び中央に設けるように構成したインダクタンス部品がある。このコイル１１１は銅などの高導電率材料を板状に巻くように形成していることからコイル１１１を薄くすることができる（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２２３６３６号公報（第３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の構成のコイルではコイル１１１の上面、下面の磁性体１１３の面方向とスルホール１１４の円周方向に渦電流が生じることにより、スルホール１１４を垂直方向に貫く磁束を打ち消してしまい、高周波におけるインダクタンスを十分に大きくすることができないという課題があった。
【０００９】
本発明は上記課題を解決し、小型低背化しても高周波帯域において大きなインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、前記スルホール部の内壁と前記コイルの上面及び下面とに多層磁性層を配置し、前記スルホール部の内壁に形成した多層磁性層の少なくとも縦方向の一部と前記コイルの上面及び下面に配置する多層磁性層の面内方向の両方にスリットを構成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のインダクタンス部品およびそれを用いた電子機器は、小型低背化しても高周波帯域で大きなインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１（Ａ）は本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の透視斜視図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ部における断面図を表している。
【００１４】
図１（Ａ）において、２３、２４は端子部であり、２２はコイル内に設けられたスルホール部であり、表層は絶縁材２７で覆われている。また、９１は面内方向に設けたスリット、９２はスルホール部２２の縦方向に設けたスリットであり、それぞれ絶縁材２７で充填されている。
【００１５】
次に、図１（Ｂ）においてコイル２１とスルホール電極５０は銅や銀などの高導電率材料をめっきして構成される。もちろん銅線等によりコイル２１を形成してもよい。スルホール部２２はコイル２１の中心部に形成される。また、場合によってはコイル２１の外側部分に形成してもよい。コイル２１の厚みは、用いられる機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するために１０μｍ以上の厚みが必要となる。
【００１６】
また、コイル２１の上段のコイルはインダクタンス部品の一方の側面にある端子部２３からスルホール部２２に向かって渦巻き状に巻かれている。そして、中央部で下段に移りスルホール電極５０からインダクタンス部品の他方の側面にある端子部２４に向かって渦巻き状に巻いて形成される。なお、このコイル２１の上段及び下段のコイルの巻く方向は同じ向きである。これによって、端子部２３から電流を入力した場合、電流はインダクタンス部品の側面から中央に向かってコイル２１の上段を渦巻き状に流れる。さらに、上段から下段に流れ、インダクタンス部品の中央から側面に向かってコイル２１の下段を渦巻き状に流れた後端子部２４に出力される。
【００１７】
なお、コイル２１は図１（Ｂ）のように二段ではなく、一段あるいは三段以上であってもよい。またコイル２１はコイル絶縁材２５内に埋設されている。このコイル絶縁材２５はコイル２１がショートするのを防ぐ。
【００１８】
次に、多層磁性層３０をコイル２１の上面に配置するとともにスルホール部２２の内壁も形成している。
【００１９】
また、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ部における断面図を表している。図１（Ｃ）においてコイル２１の上面および下面に配置した多層磁性層３０の一部に面内方向にスリット９１を形成し、その空隙部分には絶縁材２７で充填している。また、スルホール部２２の内壁に配置した多層磁性層３０の縦方向にもスリット９２を形成し、その空隙部分にも絶縁材２７を充填している。
【００２０】
以上のように、本実施の形態１におけるインダクタンス部品の構成は多層磁性層３０の面内方向にスリット９１を形成し、且つスルホール部２２の内壁に形成した多層磁性層３０の縦方向にも上部より下部にわたるスリット９２を構成していることを特徴としている。また必ずしも必要ではないが、スルホール部２２内の空間部にも絶縁材２７が充填される。この絶縁材２７は、多層磁性層３０が露出した状態でインダクタンス部品を配線基板あるいはモジュール部品上に搭載した場合にショートするのを防ぐために設けている。従って、この絶縁材２７は無くてもインダクタンス部品としての機能は発揮することができる。
【００２１】
また、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）はスルホール部２２内の多層磁性層３０を形成した残りの空間部を絶縁材２７にて完全に充填している状態を示している。この絶縁材２７は必ずしも完全に充填する必要なないが、インダクタンス部品を吸引して基板上に実装する場合には絶縁材２７でスルホール部２２内の空間部を完全に充填していることがより好ましい。また、絶縁材２７としてエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が好ましい。
【００２２】
なお、図１（Ｂ）においては、多層磁性層３０どうしは一体になるよう形成されているが、必ずしも多層磁性層３０どうしが一体になるように形成する必要はない。しかしながら、磁束が最も集中しやすいスルホール部２２のコーナー部７１においては磁気ギャップが生じないように連続的に多層磁性層３０を形成することが好ましい。このような構成とすることにより、漏洩磁束も少なく、インダクタンスも大きくすることができる。
【００２３】
なお、スルホール部２２内の多層磁性層３０の上に磁性体を配置させてもよい。その際、できるだけ磁気ギャップが生じないように密着させることがより好ましい。また、前記磁性体はフェライト磁性体、フェライト磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体、あるいは金属磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体からなる群のうちの少なくとも一つから構成されることが好ましい。このようにすることによって、絶縁材２７がない場合において絶縁性が保たれ、且つ回路上でのショート等を低減することができるので優れた信頼性が得られる。
【００２４】
次に、図２は本発明の実施の形態１におけるコイル上面の拡大断面図であり、多層磁性層３０は絶縁層２９が各磁性層２６を隔てることで構成されている。さらに、コイル２１の下面にも多層磁性層３０を配置する。従って、絶縁材２７は多層磁性層３０を覆うように形成している。即ち、コイル２１の上面及び下面の多層磁性層３０を覆い、さらにスルホール部２２内の多層磁性層３０を覆っている。また２８はめっき下地層であり、無電解めっきによってめっき下地層２８を形成した後磁性層２６を電解めっきによって形成することが可能となる。
【００２５】
また、多層磁性層３０は以下のようにして形成される。
【００２６】
まず、めっき下地層２８の上に電気めっきで磁性層２６を形成させ、その上に電気めっきあるいは電着等で絶縁層２９を形成する。さらに、磁性層２６、絶縁層２９、磁性層２６の順で形成させることによって、薄い多層磁性層３０を構成することができる。
【００２７】
なお、図２においては多層磁性層３０を三層としたが、少なくとも二層以上の磁性層２６であれば良い。また、コイル２１の下面に配置する多層磁性層３０の構成についても同様である。さらに、多層磁性層３０の構成において、電気めっきで磁性層２６を形成させ易くするために、絶縁層２９と磁性層２６の間にめっき下地層２８と同様な下地層を設けても良い。なお磁性層２６を無電解めっきで形成してもよい。
【００２８】
さらに、多層磁性層３０を上記以外の方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じことはいうまでもない。
【００２９】
ここで、多層磁性層３０のうち少なくとも一層以上の主成分をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを有するように多層磁性層３０を構成する。このような構成とすることにより、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率の磁気特性を有する磁性層２６が得られ、その結果として高いインダクタンスを実現することができる。また、磁性層２６の一層あたりの厚みはスイッチング周波数によっても異なるが、数百ｋＨｚから数十ＭＨｚを想定した場合には１μｍから５０μｍが好ましい。また絶縁層２９の一層あたりの厚みは比抵抗値にもよるが、０．０１μｍから５μｍが好ましい。また、絶縁層２９の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層２６との比抵抗値の比が１０3以上であれば効果がある。
【００３０】
また、絶縁層２９として有機樹脂材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましく、さらにこれらの混合物でもよい。
【００３１】
次に、図３はスルホール部２２の拡大断面図である。
【００３２】
図３において、めっき下地層２８はコイル絶縁材２５に多層磁性層３０を構成するために設けている。つまり、電気めっきでめっき下地層２８の上に磁性層２６を形成させ易くするために設けられる。さらに、めっき下地層２８は例えば無電解めっきで形成され、導電性の優れたＣｕ、Ｎｉあるいは金属磁性層が好ましい。
【００３３】
また、図４はスルホール部２２の内壁の拡大断面図である。
【００３４】
図４に示すように、絶縁層２９が各磁性層２６を隔てることで、多層磁性層３０を構成する。多層磁性層３０は、以下のようにして形成される。
【００３５】
まず、めっき下地層２８の上に電気めっきで磁性層２６を形成させ、次に電気めっきあるいは電着等で絶縁層２９を形成する。さらに、その上に磁性層２６、絶縁層２９、磁性層２６の順で形成させることによって、多層磁性層３０を構成する。このようにして、めっきプロセスにより多層磁性層３０の一層あたりの磁性層２６の断面積を十分に小さくしている。なお、磁性層を無電解めっきで形成してもよい。
【００３６】
また、図４においては多層磁性層３０を三層構成としているが、二層以上の磁性層２６であれば本発明の作用を発揮することができる。
【００３７】
さらに、多層磁性層３０の構成において、電気めっきで磁性層２６を形成させ易くするために、絶縁層２９と磁性層２６の間にめっき下地層２８と同様な下地層を設けてもよい。
【００３８】
さらに、多層磁性層３０を上記以外の方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じであることはいうまでもない。多層磁性層３０のうち少なくとも一層以上の主成分をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを有するように多層磁性層３０を構成する。
【００３９】
このようにして、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率の磁気特性を有する多層磁性層３０を得ることができる。その結果、小型薄型構造であっても高いインダクタンスを実現するインダクタンス部品を実現することができる。
【００４０】
さらに、磁性層２６の一層あたりの好ましい厚みはスイッチング周波数によっても異なるが、例えば数百ｋＨｚから数十ＭＨｚを想定した場合の最適な厚みは１μｍから５０μｍが好ましい。また、絶縁層２９の一層あたりの厚みは比抵抗値によっても異なるが０．０１μｍ〜５μｍが好ましい。
【００４１】
また、絶縁層２９の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層２６との比抵抗値の比が１０3以上であれば、効果がある。この絶縁層２９としては有機材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましい。さらに、これらの混合物でもよい。上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。
【００４２】
コイル２１は、規則正しく渦巻き状になっており、さらには二段構造を有しそれらの巻き方向も一致している。そのため、電流をコイル２１に流すと、強い磁束を得ることができ、インダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。これによって、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。
【００４３】
また、コイル２１は銅めっき等で形成され、その断面は円形ではなく四角形で構成される。その特徴は、コイル２１の断面が円形である場合に比べ、四角形であるためコイル２１の断面積を大きくできる点にある。その結果、電気抵抗の小さい、小型低背化したコイル２１を得ることができる。このような高占積率のコイル２１を用いることにより、コイル部に発生する損失（銅損）も低減できる。また、コイル２１に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。この磁束はスルホール部２２の内壁に多層磁性層３０に沿ってスルホール部２２の垂直方向に貫く磁束が生じるため、コイル上下面の多層磁性層３０の水平面と、スルホール部２２の内壁に多層磁性層３０の円周方向に渦電流が生じるが、コイル２１の上面及び下面に配置する多層磁性層３０の面内方向にスリット９１および、スルホール部２２の内壁に形成した多層磁性層３０の縦方向にも上部より下部にわたるスリット９２で渦電流経路が部分的に分断されるため、渦電流損失が低減される。
【００４４】
また、コイル２１の上面及び下面に配置する多層磁性層３０の面内方向にも磁束が生じる。この磁束により、多層磁性層３０の厚さ方向に渦電流が生じるが、多層磁性層３０の一層あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さくすることで多層磁性層３０の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができるので多層磁性層３０の面内方向に生じる磁束を打ち消されるのを防ぐことができる。
【００４５】
ここで、高周波でのインダクタンスを高めるためには、（１）スルホール部２２の垂直方向に貫く磁束を大きくしておくことが望ましく、そのために面内のスリット９１、スルホール部のスリット９２を設けることによってで磁束を妨げる渦電流を低減することができる。また、（２）多層磁性層３０の面内を貫く磁束を大きくしておくことが望ましく、そのために厚みの薄い磁性層２６を絶縁層２９を介して積層した多層磁性層３０を設けることにより渦電流を低減できる。この場合、スリット９１、９２にはその効果はない。
【００４６】
そして、この（１）と（２）の両方の条件を満足して始めて高周波におけるインダクタンスを高めたインダクタンス部品を実現することができるものである。
【００４７】
また、このときの磁性層２６の厚みは周波数によっても異なるが、数百ｋＨｚから数十ＭＨｚを想定した場合には１μｍから５０μｍが好ましい。
【００４８】
このようにして、面内のスリット９１、スルホール部２２のスリット９２、および多層磁性層３０を配置することでスルホール部２２を貫く磁束、および多層磁性層３０の面内を流れる磁束を高周波数帯域において妨げられることなくインダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。
【００４９】
また、面内のスリット９１、スルホール部２２のスリット９２はそれぞれ１箇所でも２箇所以上でも効果があることは言うまでもない。また、スルホール部２２のスリット９２は必ずしもスルホール部２２の多層磁性層３０を縦に形成する必要性はなく、例えば斜めに形成しても渦電流の発生を防ぐことができる。
【００５０】
なお、スリット９１、９２の巾は０．０１〜１００μｍが好ましく、より好ましくは１〜１０μｍである。また、スリット９１、９２の形成はエッチング法、レーザーカット法、放電加工などの公知の方法によって行うことができる。
【００５１】
一方、例えば直径が１ｍｍ以下、深さが０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以下であるスルホール部２２の内壁に多層磁性層３０をスパッタ、蒸着法等で形成することは困難であり、このような形状のスルホール部２２の内壁に多層磁性層３０を形成するためにはめっき法で形成することがもっとも好ましい。このようにして、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。
【００５２】
以上述べてきたように、本実施の形態１のインダクタンス部品は小型低背化しても高周波帯域で大きなインダクタンスが得られるので、例えば携帯電話等の電源回路に塔載することによって小型低背型の電子機器を実現することができる。
【００５３】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品およびそれを用いた電子機器について、図面を参照しながら説明する。
【００５４】
図５（Ａ）は、実施の形態１の本発明のインダクタンス部品の透視斜視図である。
【００５５】
図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＣ−Ｃ部の断面図であり、図５（Ｃ）は図１（Ａ）のＤ−Ｄ部の断面図を示している。ここでインダクタンス部品の基本的な構成は実施の形態１のインダクタンス部品と同様である。
【００５６】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）において、２３、２４は端子部であり、２２はコイル２１内に設けられたスルホール部であり、表層は絶縁材２７で覆われている。また９１は面内方向に設けたスリットであり、９２はスルホール部２２の縦方向に設けたスリットであり、それぞれ絶縁材２７で充填されている。また前記スルホール部２２の内壁に形成した多層磁性層２２の少なくとも縦方向の一部に構成されたスリット９２と、前記コイル２１の上面及び下面に配置する多層磁性層２２の面内方向に構成されたスリット９１が連続的に連なっている点と、スルホール部２２の上面と下面のうち少なくともいずれか一方の絶縁材２７に凹部３１を設ける点が実施の形態１との相違である。
【００５７】
次に、図６は本実施の形態２のインダクタンス部品におけるスルホール部２２の上面付近の拡大図である。
【００５８】
図６において、絶縁材２７はスルホール部２２内の多層磁性層３０からなる空間部に充填される。そして、スルホール部２２の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部３１を設ける。また絶縁材２７としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が好ましい。
【００５９】
上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。本実施の形態２のインダクタンス部品を携帯電話等の電子機器の電源回路の基板に設置する時は完成したインダクタンス部品を吸引して基板上などに実装する。この際、インダクタンス部品のスルホール部２２の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部３１を設けていると、より吸引しやすくなる。凹部３１の深さは吸引が容易になる程度で十分であり、浅い方がより好ましい。特に薄型の部品であるため移動時の反り、変形等にかかわらず吸引を容易にするためには、多少平面より凹部３１を設けた方が好ましい。これによってインダクタンス部品が吸引され移動する際の落下等を、防止することができる。
【００６０】
なお、上記実施の形態１および実施の形態２のインダクタンス部品をさらに磁性体層で覆っても良く、これに用いる材料としては磁性体であるフェライト、金属板などで覆ってもよい。これによって、漏れ磁束をさらに減少させることができる。
【００６１】
なお、この場合にもこれらの磁性体に吸引を確実にするための凹部３１を設けてもよい。
【００６２】
また、コイル２１に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。この磁束はスルホール部２２の内壁に多層磁性層３０に沿ってスルホール部２２の垂直方向に貫く磁束が生じることから、コイル２１の上下面の多層磁性層３０とスルホール部２２の内壁に多層磁性層３０の円周方向に渦電流が生じるが、コイル２１の上下面に配置する多層磁性層３０の面内方向にスリット９１およびスルホール部２２の内壁に形成した多層磁性層３０の縦方向のスリット９２が連続的に連なっていることで渦電流経路が完全に分断されることより、スルホール部２２に垂直方向に貫く磁束を妨げる渦電流を大幅に低減することができる。
【００６３】
また、コイル２１の上下面に配置する多層磁性層３０の面内方向にも磁束が生じる。この磁束により、多層磁性層３０の厚さ方向に渦電流が生じるが、多層磁性層３０の一層あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さくすることで多層磁性層３０の厚さ方向に生じる渦電流を抑えることができることから多層磁性層３０の面内方向に生じる磁束が打ち消されるのを防ぐことができる。
【００６４】
ここで、高周波でのインダクタンスを高めるためには、（１）スルホール部２２の垂直方向に貫く磁束を大きくしておくために、本発明ではスリット９１、スリット９２が連続するように設けられていることから磁束を妨げる渦電流を完全に切断することができる。また、（２）多層磁性層３０の面内を貫く磁束を大きくしておくために、厚みの薄い磁性層２６を絶縁層２９を介して積層した多層磁性層３０を設けることにより渦電流を低減できる。この場合、スリット９１、９２にはその効果はない。従って、この（１）と（２）の両方の条件を満足して始めて高周波における高いインダクタンスを有したインダクタンス部品を実現することができるものである。このときの磁性層２６の厚みは周波数によっても異なるが、数百ｋＨｚから数十ＭＨｚを想定した場合には１μｍから５０μｍが好ましい。
【００６５】
以上説明してきたように、多層磁性層３０の上下面の面内に設けたスリット９１、スルホール部２２に設けたスリット９２を連続的に配置し、且つ多層磁性層３０を配置することでスルホール部２２を貫く磁束および多層磁性層３０の面内を流れる磁束を高周波数帯域において妨げられることが無くなることから高周波帯域におけるインダクタンスを大きくすることができる小型低背のインダクタンス部品を実現することができる。
【００６６】
また、多層磁性層３０の面内に設けたスリット９１、スルホール部２２に設けたスリット９２はそれぞれ少なくとも１箇所設けることによりその効果を発揮することができる。従って複数のスリット９１、スリット９２を設けても良いことは言うまでもない。
【００６７】
また、スルホール部２２のスリット９２は必ずしもスルホール部２２の多層磁性層３０を縦に形成する必要性はなく、斜めに設けても同じ効果を得ることができる。なお、スリット９１、９２の巾は０．０１〜１００μｍが好ましく、より好ましくは１〜１０μｍである。また、スリット９１、９２の形成はエッチング法、レーザーカット法、放電加工などの公知の方法によって行うことができる。
【００６８】
このような構成とすることにより、小型低背化しても高周波帯域におけるインダクタンスの大きいインダクタンス部品を実現することができる。
【００６９】
以上述べてきたように、本実施の形態２のインダクタンス部品は例えば携帯電話等電源回路に用いることにより、小型低背化が要求される電子機器に有用である。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上のように、本発明にかかるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器は、小型低背化しても高周波帯域で大きなインダクタンスを実現することが可能になるので携帯電話等の電源回路に用いることにより、小型で高性能な電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（Ａ）本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の透視斜視図、（Ｂ）本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図、（Ｃ）本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるコイル上面の拡大断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるスルホール部の拡大断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるスルホール部の内壁の拡大断面図
【図５】（Ａ）本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の透視斜視図、（Ｂ）本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の（Ａ）のＣ−Ｃ部の断面図、（Ｃ）本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の（Ａ）のＤ−Ｄ部の断面図
【図６】本発明の実施の形態２におけるスルホール部の上面付近の拡大断面図
【図７】従来の電源回路の回路図
【図８】従来のインダクタンス部品の断面図
【符号の説明】
【００７２】
２１  コイル
２２  スルホール部
２３  端子部
２４  端子部
２５  コイル絶縁材
２６  磁性層
２７  絶縁材
２８  めっき下地層
２９  絶縁層
３０  多層磁性層
３１  凹部
５０  スルホール電極
７１  コーナー部
９１  スリット
９２  スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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