(57)【要約】【課題】小型でありながら高容量の微細構造キャパシタ及びその製造方法と、小型でありながら高記録容量の高密度記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】  微細構造キャパシタ１は、複数の中空突起部を有する金属等からなる電極である第１電極層２と、この中空突起部側と相似形状となるように第１電極層２を被覆し、かつ、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化させられている傾斜組成セラミックス層３と、傾斜組成セラミックス層３をさらに被覆する金属等からなる電極である第２電極層４とを備えるものである。高密度記録媒体は、層厚が１μｍ以下の金属等からなる電子を反射する第１反射層と、第１反射層上に被覆される層厚が１μｍ以下の磁性層と、磁性層上に被覆され、層厚が１０ｎｍ以下の金属等からなる電子を反射する第２反射層とからなる。【選択図】図１
2005277118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属又は金属化合物からなる電極である第１電極層と、前記第１電極層を被覆し、かつ、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化させられている傾斜組成セラミックス層と、前記傾斜組成セラミックス層をさらに被覆する金属又は金属化合物からなる電極である第２電極層とを備える微細構造キャパシタ。
【請求項２】
前記第１電極層が複数の中空突起部を有し、前記傾斜組成セラミックス層が前記第１電極層の前記中空突起部側と相似形状となるように前記第１電極層を被覆し、前記第２電極層が前記傾斜組成セラミックス層と相似形状となるように前記傾斜組成セラミックス層を被覆する請求項１記載の微細構造キャパシタ。
【請求項３】
薄膜状の傾斜組成セラミックス層と電極層とが交互に複数積層された微細構造キャパシタであって、前記電極層の縁端部の一部が奇数枚目と偶数枚目とで別々の外部接続電極に接続されており、前記傾斜組成セラミックス層の一層あたりの層厚が２μｍ以下であり、電極層の一層あたりの層厚が１μｍ以下である微細構造キャパシタ。
【請求項４】
ナノオ−ダ−サイズの三次元構造体が形成された型を、任意の樹脂を析出することができる樹脂析出反応液に浸漬し、前記型表面に液相析出法によって樹脂を析出及び積層させた後、前記型から前記液相析出法によって析出及び積層した樹脂を取り外すことによって、前記型に形成された三次元構造体と凹凸が逆の樹脂三次元構造体を形成させる工程と、
前記樹脂三次元構造体を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記樹脂三次元構造体の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出させる工程と、
前記金属化合物析出後の前記樹脂三次元構造体を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記樹脂三次元構造体の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出させる工程と、
前記傾斜組成セラミックス析出後の前記樹脂三次元構造体の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、
前記各工程を順次行った後、前記樹脂三次元構造体と前記樹脂三次元構造体に積層された金属化合物とを分離することによって、前記樹脂三次元構造体と凹凸が逆の積層体を形成させる工程とを含む微細構造キャパシタの製造方法。
【請求項５】
ナノオ−ダ−サイズの三次元構造体が形成された型を、任意の樹脂を析出することができる樹脂析出反応液に浸漬し、前記型表面に液相析出法によって樹脂を析出及び積層させた後、前記型から前記液相析出法によって析出及び積層した樹脂を取り外すことによって、前記型に形成された三次元構造体と凹凸が逆の樹脂三次元構造体を形成させる工程と、
前記樹脂三次元構造体の表面にメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程と、
前記メッキ又は蒸着による金属被覆後の前記樹脂三次元構造体を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記メッキ又は蒸着後の前記樹脂三次元構造体の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出させる工程と、
前記傾斜組成セラミックス析出後の前記樹脂三次元構造体の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、
前記各工程を順次行った後、前記樹脂三次元構造体と前記樹脂三次元構造体に積層された金属化合物とを分離することによって、前記樹脂三次元構造体と凹凸が逆の積層体を形成させる工程とを含む微細構造キャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記型が、金属、無機材料及び樹脂のいずれかで形成されている請求項４又は５に記載の微細構造キャパシタの製造方法。
【請求項７】
基板を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、
前記金属化合物析出後の前記基板を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出及び積層することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程と、
前記の液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記の傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程とを所定回数順次繰り返す工程とを含む微細構造キャパシタの製造方法。
【請求項８】
基板の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程と、
前記金属化合物析出後の前記基板を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出及び積層することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程と、
前記のメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程と、前記の傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程とを所定回数順次繰り返す工程とを含む微細構造キャパシタの製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程、又は請求項８記載のメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程において、前記金属化合物又は前記金属の層の縁端部の一部が奇数枚目と偶数枚目とで別々の外部接続電極に接続されるように、形成したい型の穴が開いたマスクを設け、前記の金属化合物を析出及び積層させる工程毎又は前記の金属を被覆させる工程毎に前記マスク又は前記基板を水平にずらして、金属化合物の層をマスキング形成する微細構造キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
層厚が１μｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる電子を反射する第１反射層と、前記第１反射層上に被覆される磁性体の層厚が１μｍ以下の磁性層と、前記磁性層上に被覆され、層厚が１０ｎｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる電子を反射する第２反射層とを含む高密度磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記金属がＣｏ、Ｆｅ又はＴａ、前記合金がＣｏＦｅ又はＰｔＭｎ、前記金属化合物がα−Ｆｅ2Ｏ3、前記磁性体がＣｏ及びＣｕからなる多層薄膜である請求項１０記載の高密度磁気記録媒体。
【請求項１２】
層厚が１μｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる第１磁性層と、前記第１磁性層上に被覆される層厚が５ｎｍ以下の磁気絶縁材層と、前記磁気絶縁材層上に被覆され、層厚が１μｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる第２磁性層とを含む高密度磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記金属がＣｏ、Ｆｅ又はＴａ、前記合金がＣｏＦｅ又はＰｔＭｎ、前記金属化合物がγ−Ｆｅ2Ｏ3又はＦｅ3Ｏ4、前記磁気絶縁材がＡｌ2Ｏ3又はＣｕである請求項１２に記載の高密度磁気記録媒体。
【請求項１４】
基板を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、
前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、任意の磁性体をメッキまたは蒸着によって積層させる工程と、
前記磁性体析出後の前記基板の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程とを含む高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記金属化合物がα−Ｆｅ2Ｏ3、前記磁性体がＣｏ及びＣｕの多層薄膜である請求項１４記載の高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
基板の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属又は合金を被覆させる工程と、
前記金属被覆後の基板を、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程と、
前記磁性体析出後の前記基板の表面に、所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属又は合金を被覆させる工程とを含む高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記金属がＣｏ、Ｆｅ又はＴａ、前記合金がＣｏＦｅ又はＰｔＭｎ、前記磁気絶縁材がＡｌ2Ｏ3又はＣｕである請求項１６記載の高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
基板を、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程と、
前記磁性体析出後の前記基板を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記磁性体析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させる工程と、
前記磁気絶縁材析出後の前記基板の表面に、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程とを含む高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
基板の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属又は合金の磁性体を被覆させる工程と、
前記磁性体析出後の前記基板を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記磁性体析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させる工程と、
前記磁気絶縁材析出後の前記基板の表面に、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程とを含む高密度磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
基板を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、
前記金属化合物析出後の前記基板を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させる工程と、
前記磁気絶縁材析出後の前記基板の表面に、任意の金属化合物を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、
前記金属化合物を水素還元する工程とを含む高密度磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液相析出法によって作製された傾斜材料を用いた、微細構造キャパシタ及びその製造方法と、高密度磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、キャパシタ及び高密度記録媒体は公知となっている。例えば、下記非特許文献１に開示されるコンデンサや、下記特許文献１に開示される高密度磁気記録媒体がある。
非特許文献１のものは、超高圧を用いて強制的に凝集構造を壊すか、又は合成と同時に逆ミセル法などを用い、化学的気相析出法やゾル−ゲル法などの液相合成法によって得られたナノサイズ超微粒子の配列構造を制御し、この配列構造が制御されたナノサイズ超微粒子を用いて形成された誘電体膜を複数積層して作製されたコンデンサが開示されている。
特許文献１のものは、高密度記録媒体中の磁性層がスパッタリングによって形成されているものである。
【非特許文献１】神谷秀博、内藤牧男  「図解  ナノテクノロジ−のすべて」第３４〜３７頁  １３４〜１３７頁  工業調査会  ２００１年
【特許文献１】特開２００２−２８５３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、非特許文献１のものは、超高圧を発生させてナノサイズ超微粒子の凝集構造を壊して配列を制御する際、１ＧＰａ以上もの圧力を加える必要がある。また、逆ミセル法を用いてナノサイズ超微粒子の配列制御を行う場合には、親水基を内側に形成させたミセル中で微粒子を合成させるが、ミセル濃度を上げられなかったり、ミセルを除去する際に再凝集が起こったりする等の問題がある。
特許文献１のものは、磁性層がスパッタリングによって形成されるので、ナノサイズ超微粒子を規則正しく配列する精度が低く、磁性層の密度を一定以上に上げることは困難である。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、超小型でありながら高容量である微細構造キャパシタ及びその製造方法と、超小型でありながら高容量の記録が可能である高密度記録媒体及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段及び効果】
【０００５】
本発明の微細構造キャパシタは、金属又は金属化合物からなる電極である第１電極層と、前記第１電極層を被覆し、かつ、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化させられている傾斜組成セラミックス層と、前記傾斜組成セラミックス層をさらに被覆する金属又は金属化合物からなる電極である第２電極層とを備えるものである。
上記構成により、超小型でも高容量の微細構造キャパシタを提供できる。
【０００６】
本発明の微細構造キャパシタは、前記第１電極層が複数の中空突起部を有し、前記傾斜組成セラミックス層が前記第１電極層の前記中空突起部側と相似形状となるように前記第１電極層を被覆し、前記第２電極層が前記傾斜組成セラミックス層と相似形状となるように前記傾斜組成セラミックス層を被覆するものであることが好ましい。
上記構成により、超小型でもさらに高容量の微細構造キャパシタを提供できる。
【０００７】
本発明の微細構造キャパシタは、薄膜状の傾斜組成セラミックス層と電極層とが交互に複数積層された微細構造キャパシタであって、前記電極層の縁端部の一部が奇数枚目と偶数枚目とで別々の外部接続電極に接続されており、前記傾斜組成セラミックス層の一層あたりの層厚が２μｍ以下であり、電極層の一層あたりの層厚が１μｍ以下である。
上記構成により、超小型の微細構造キャパシタを提供できる。
【０００８】
本発明の微細構造キャパシタの製造方法は、ナノオ−ダ−サイズの三次元構造体が形成された型を、任意の樹脂を析出することができる樹脂析出反応液に浸漬し、前記型表面に液相析出法によって樹脂を析出及び積層させた後、前記型から前記液相析出法によって析出及び積層した樹脂を取り外すことによって、前記型に形成された三次元構造体と凹凸が逆の樹脂三次元構造体を形成させる工程と、前記樹脂三次元構造体を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記樹脂三次元構造体の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出させる工程と、前記金属化合物析出後の前記樹脂三次元構造体を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記樹脂三次元構造体の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出させる工程と、前記傾斜組成セラミックス析出後の前記樹脂三次元構造体の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記各工程を順次行った後、前記樹脂三次元構造体と前記樹脂三次元構造体に積層された金属化合物とを分離することによって、前記樹脂三次元構造体と凹凸が逆の積層体を形成させる工程とを含むものである。
上記構成により、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法によって作製された傾斜材料を用い、微細な三次元構造を有する高誘電体を作製できるので、超高容量の微細構造キャパシタを提供できる。
【０００９】
本発明の微細構造キャパシタの製造方法は、ナノオ−ダ−サイズの三次元構造体が形成された型を、任意の樹脂を析出することができる樹脂析出反応液に浸漬し、前記型表面に液相析出法によって樹脂を析出及び積層させた後、前記型から前記液相析出法によって析出及び積層した樹脂を取り外すことによって、前記型に形成された三次元構造体と凹凸が逆の樹脂三次元構造体を形成させる工程と、前記樹脂三次元構造体の表面にメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程と、前記メッキ又は蒸着による金属被覆後の前記樹脂三次元構造体を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記メッキ又は蒸着による金属被覆後の前記樹脂三次元構造体の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出させる工程と、前記傾斜組成セラミックス析出後の前記樹脂三次元構造体の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記各工程を順次行った後、前記樹脂三次元構造体と前記樹脂三次元構造体に積層された金属化合物とを分離することによって、前記樹脂三次元構造体と凹凸が逆の積層体を形成させる工程とを含むものである。
上記構成により、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法によって作製された傾斜材料を用い、微細な三次元構造を有する高誘電体を作製できるので、小型にもかかわらず、高容量の微細構造キャパシタを提供できる。
【００１０】
本発明の微細構造キャパシタの製造方法は、前記型が、金属、無機材料及び樹脂のいずれかで形成されているものを使用できる。これら型に形成する所定形状の三次元構造体は、フォトリソグラフィ−法、液相析出法、ＦＩＢ法等の公知の方法を採用できる。
【００１１】
本発明の微細構造キャパシタの製造方法は、基板を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記金属化合物析出後の前記基板を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出及び積層することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程と、前記の液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記の傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程とを所定回数順次繰り返す工程とを含むものである。
上記構成により、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法によって作製された傾斜材料を用いるので、膜厚が薄くても電極破壊の起きない高誘電体を有する微細構造キャパシタを提供できる。
【００１２】
本発明の微細構造キャパシタの製造方法は、基板の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程と、前記金属化合物析出後の前記基板を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出及び積層することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程と、前記の液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記の傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程とを所定回数順次繰り返す工程とを含むものである。
上記構成により、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法によって作製された傾斜材料を用いるので、膜厚が薄くても電極破壊の起きない高誘電体を有する微細構造キャパシタを提供できる。
【００１３】
本発明の微細構造キャパシタの製造方法は、前記の液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程、又は前記のメッキ又は蒸着によって金属を被覆させる工程において、前記金属化合物又は前記金属の層の縁端部の一部が奇数枚目と偶数枚目とで別々の外部接続電極に接続されるように、形成したい型の穴が開いたマスクを設け、前記の金属化合物を析出及び積層させる工程毎又は前記の金属を被覆させる工程毎に前記マスク又は前記基板を水平にずらして、金属化合物の層をマスキング形成するものである。
上記構成により、傾斜組成セラミックス層によって、金属又は金属化合物の層の奇数枚目と偶数枚目の絶縁を行うことができ、対向面積を積層枚数に比例させて大きくできるので、高容量の微細構造キャパシタを提供できる。
【００１４】
本発明の高密度記録媒体は、層厚が１μｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる電子を反射する第１反射層と、前記第１反射層上に被覆される磁性体の層厚が１μｍ以下の磁性層と、前記磁性層上に被覆され、層厚が１０ｎｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる電子を反射する第２反射層とを含むものである。前記金属がＣｏ、Ｆｅ又はＴａ、前記合金がＣｏＦｅ又はＰｔＭｎ、前記金属化合物がα−Ｆｅ2Ｏ3、前記磁性体がＣｏ及びＣｕの多層薄膜であることが好ましい。
上記構成により、非常に薄い構造で小型でありながら、記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００１５】
本発明の高密度記録媒体は、層厚が１μｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる第１磁性層と、前記第１磁性層上に被覆される層厚が５ｎｍ以下の磁気絶縁材層と、前記磁気絶縁材層上に被覆され、層厚が１μｍ以下の金属、合金又は金属化合物からなる第２磁性層とを含むものである。前記金属がＣｏ、Ｆｅ又はＴａ、前記合金がＣｏＦｅ又はＰｔＭｎ、前記金属化合物がγ−Ｆｅ2Ｏ3又はＦｅ3Ｏ4、前記磁気絶縁材がＡｌ2Ｏ3又はＣｕであることが好ましい。
上記構成により、非常に薄い構造で小型でありながら、記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００１６】
本発明の高密度記録媒体の製造方法は、基板を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、任意の磁性体をメッキまたは蒸着によって積層させる工程と、前記磁性体析出後の前記基板の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程とを含むものである。なお、前記金属化合物がα−Ｆｅ2Ｏ3、前記磁性体がＣｏ及びＣｕの多層薄膜であることが好ましい。
上記構成により、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００１７】
本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法は、基板の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属又は合金を被覆させる工程と、前記金属被覆後の基板を、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程と、前記磁性体析出後の前記基板の表面に、所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属又は合金を被覆させる工程とを含むものである。なお、前記金属がＣｏ、Ｆｅ又はＴａ、前記合金がＣｏＦｅ又はＰｔＭｎ、前記磁気絶縁材がＡｌ2Ｏ3又はＣｕであることが好ましい。
上記構成により、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００１８】
本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法は、基板を、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程と、前記磁性体析出後の前記基板を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記磁性体析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させる工程と、前記磁気絶縁材析出後の前記基板の表面に、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程とを含むものである。
上記構成により、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００１９】
本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法は、基板の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によって金属又は合金の磁性体を被覆させる工程と、前記磁性体析出後の前記基板を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記磁性体析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させる工程と、前記磁気絶縁材析出後の前記基板の表面に、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させる工程とを含むものである。
上記構成により、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００２０】
本発明の高密度磁気記録媒体の製造方法は、基板を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記金属化合物析出後の前記基板を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記磁性体金属化合物析出後の前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させる工程と、前記磁気絶縁材析出後の前記基板の表面に、任意の金属化合物を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、前記金属化合物を水素還元する工程とを含むものである。
上記構成により、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態に係る微細構造キャパシタを説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る微細構造キャパシタを示す図、図２は図１のII−II矢視断面図である。
図１に示す微細構造キャパシタ１は、複数の中空突起部を有する金属化合物からなる電極である第１電極層２と、第１電極層２の中空突起部側と相似形状となるように第１電極層２を被覆し、かつ、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化させられている傾斜組成セラミックス層３と、傾斜組成セラミックス層３をさらに被覆する金属化合物からなる電極である第２電極層４とを備えるものである。
【００２２】
第１電極層２は、図１に示すように、断面が凹凸を繰り返す形状の電極であり、材料として、Ａｇ、Ｎｉ等の金属、又はＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＳｂＯ2等の金属化合物等が使用できる。
【００２３】
傾斜組成セラミックス層３は、断面が第１電極層２と相似形状であり、図２に示すように、紙面下側から順に、高耐圧層３ａ、傾斜組成層３ｂ、高誘電体層３ｃ、傾斜組成層３ｂ及び高耐圧層３ａとからなる。また、傾斜組成セラミックス層３は、図２に示すように、使用される材料が厚み方向に連続的に変化するものである。なお、説明の便のため、高耐圧層３ａと、傾斜組成層３ｂと、高誘電体層３ｃとの各間に境界線を引いているが、実際には、これら境界線上も材料が傾斜組成されている。また、厚み方向とは、各位置における第１電極層２から第２電極層４への方向のことをいう。
傾斜組成セラミックス層３の材料には、ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3、ＢａＯ2／Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3／３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2、ＺｒＯ2／ＳｉＣ・Ｓｉ3Ｎ4等が使用できる。例えば、ＢａＯ2／Ａｌ2Ｏ3を用いる場合には、高耐圧層３ａにはＡｌ2Ｏ3、高誘電体層３ｃにはＢａＯ2を用いて、傾斜組成層３ｂでは、ＢａＯ2／Ａｌ2Ｏ3の傾斜組成層とするものである。
【００２４】
第２電極層４は、傾斜組成セラミックス層３の周りを取り囲み、かつ、覆うように形成されている。第２電極層４の材料として、第１電極層２と同様、Ａｇ、Ｎｉ、ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＳｂＯ2等が使用できる。
【００２５】
次に、本発明に係る微細構造キャパシタ１の製造方法について説明する。図３（ａ）は三次元構造体が形成された型を示す斜視図、図３（ｂ）は樹脂三次元構造体を示す斜視図である。図４は本発明に係る微細構造キャパシタの製造過程を示す断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ−法、液相析出法又はＦＩＢ法等を用いて、細孔を周期的に形成し、ナノオ−ダ−サイズの三次元構造体が形成された型５とした。この型５を任意の樹脂を析出することができる樹脂析出反応液に浸漬し、型５表面に液相析出法によって樹脂を析出及び積層させた後、型５から液相析出法によって析出及び積層した樹脂を取り外すことによって、型５に形成された三次元構造体と凹凸が逆の樹脂三次元構造体６（図３（ｂ）及び図４（ａ）参照）を形成させた。
なお、型５の材料としては、金属、無機材料又は樹脂等を用いることができる。ここで、型５に金属、例えば、Ｓｉ、Ａｕ等を使用すると、フォトリソグラフィ−法によって、容易にナノオ−ダ−サイズの三次元構造体を形成することができる。また、型５に金属を使用する場合は、樹脂析出反応液に浸漬し、型５表面に樹脂を析出、積層した後、この樹脂を取り外した後であっても、何度も繰り返し使用できる。また、型５に無機材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＣ、ＧａＡｓ等を使用することもできる。また、型５に樹脂、例えば、アセチルロ−ス等を使用することができる。型５に樹脂を使用した場合には、樹脂析出反応液に浸漬し、三次元構造体となる樹脂の析出、積層後に、型５の樹脂のみを化学的又は熱的手法によって溶出し、三次元構造体のみを型５から取り外すことが可能である。
樹脂三次元構造体６の材料としては、エポキシ、ポリエステル、ポリカ−ボネ−ト等が挙げられる。
【００２６】
次に、樹脂三次元構造体６を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、樹脂三次元構造体６の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出させ、第１電極層２を形成する（図４（ｂ）参照）。
金属化合物析出反応液の例としては、（ＮＨ4）2ＳｎＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＳｎＯ2析出系溶液や、（ＮＨ4）2ＩｎＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＩｎ2Ｏ5析出系溶液等が挙げられる。
また、樹脂三次元構造体６の表面をメッキ又は蒸着によってＡｇ、Ｎｉ等の金属又はＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ5等の金属化合物で被覆して、第１電極層２を形成してもよい。
【００２７】
次に、金属化合物析出後の樹脂三次元構造体６を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、金属化合物析出後の樹脂三次元構造体６の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出させ、第１電極層２の中空突起部側と相似形状となるように、傾斜組成セラミックス層３を形成する（図４（ｃ）参照）。なお、反応液中の各組成濃度を時間経過とともに変化させる方法は、先に構造体表面に析出させたい一方のセラミックス析出反応液に、もう一方のセラミックス析出反応液を一定流量で滴下し、同時に同流量で反応容器から溶液を取り出し、処理液総量を一定にするというものである。ここで、傾斜組成セラミックス析出反応液の高耐圧層３ａの析出例としては、（ＮＨ4）2ＡｌＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＡｌ2Ｏ3析出系溶液等が挙げられる。傾斜組成セラミックス析出反応液の高誘電体層３ｃの析出例としては、（ＮＨ4）2ＴｉＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＴｉＯ2析出系溶液や、（ＮＨ4）2ＢａＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＢａＯ2析出系溶液等が挙げられる。
【００２８】
次に、傾斜組成セラミックス析出後の樹脂三次元構造体６の表面に、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させ、傾斜組成セラミックス層３の周りを取り囲み、かつ、覆うように第２電極層４を形成する（図４（ｄ）参照）。
【００２９】
そして、上記の各工程を順次行った後、樹脂三次元構造体６に積層された金属化合物からなる第１電極層２から樹脂三次元構造体６を化学的又は熱的手法によって溶出し、分離することによって、樹脂三次元構造体６と凹凸が逆の積層体である微細構造キャパシタ１を形成する（図１参照）。
【００３０】
上記構成の本実施形態によれば、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法によって作製された傾斜材料を用いるので、膜厚が薄くても電極破壊が起きず、かつ、小型にもかかわらず、高容量の高誘電体を有する微細構造キャパシタを提供できる。
【００３１】
なお、微細構造キャパシタ１は、図５に示すような微小コンデンサ７として用いることができる。具体的には、微小コンデンサ７は、微細構造キャパシタ１と、微細構造キャパシタ１を上下で挟み込む接触電極ケ−ス８と、微細構造キャパシタ１を側面で絶縁する磁気絶縁材９とで構成されるものである。
接触電極ケ−ス８の材料としては、ニッケル、銀、錫等が挙げられ、磁気絶縁材９の材料としては、エポキシ、ポリカ−ボネ−ト等が挙げられる。
【００３２】
また、図示しないが、変形例として、平坦な薄膜の第１電極層と、この第１電極層上に被覆される平坦な薄膜の傾斜組成セラミックス層と、この傾斜組成セラミックス層上に被覆される平坦な薄膜の第１電極層とからなる単なる３層構造が挙げられる。製造方法は上記第１実施形態と同様であり、効果も同様である。
【００３３】
次に、本発明の第２実施形態に係る微細構造キャパシタについて説明する。図６は、本発明の第２実施形態に係る微細構造キャパシタを示す斜視図である。第２実施形態に係る微細構造キャパシタ２０は、図６に示すように、薄膜状の傾斜組成セラミックス層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄと電極層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅとが交互に複数積層されたものであって、傾斜組成セラミックス層の一層あたりの層厚が２μｍ以下であり、電極層の一層あたりの層厚が１μｍ以下のものである。なお、電極層２２ａ、２２ｂ、２２ｅは外部接続電極２３ａと一体化され、電極層２２ｃ、２２ｄは外部接続電極２３ｂと一体化されているものである。また、電極層２２ａ、２２ｂ、２２ｅ及び外部接続電極２３ａと、電極層２２ｃ、２２ｄ及び外部接続電極１３ｂとはそれぞれ直接接しているものではなく、傾斜組成セラミックス層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄを間に挟んでいるものである。また、傾斜組成セラミックス層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄは各一端部において結合しており、一体化されているものである。
【００３４】
傾斜組成セラミックス層には、電気絶縁性のＡｌ2Ｏ3、ＢａＯ2、ＴｉＯ2などが用いられる。電極層及び外部電極には、ＩｎＯ2、ＳｎＯ2及びＮｉなどが用いられる。
【００３５】
次に、第２実施形態に係る微細構造キャパシタの製造方法を説明する。
まず、基板（不図示）を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる。金属化合物析出反応液による金属化合物析出例としては、（ＮＨ4）2ＩｎＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＩｎ2Ｏ5析出系溶液、（ＮＨ4）2ＳｎＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＳｎＯ2析出系溶液等が挙げられる。
なお、上述の液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程において、金属化合物の層の縁端部の一部が奇数枚目（図６における１２ａ、１２ｂ）と偶数枚目（図６における１２ｃ、１２ｄ）とで別々の外部接続電極（図６における１３ａ、１３ｂ）に接続されるように、形成したい型の穴が開いたマスク（不図示）を設け、金属化合物を析出及び積層させる工程毎にマスク又は基板を水平にずらして、金属化合物の層をマスキング形成することが好ましい。
【００３６】
次に、金属化合物析出後の基板を、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化するように各組成濃度を時間経過とともに変化させて、任意の傾斜組成セラミックスを析出及び積層することができる傾斜組成セラミックス析出反応液に浸漬し、金属化合物析出後の基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる。ここで、傾斜組成セラミックス析出反応液による傾斜組成セラミックス析出例としては、（ＮＨ4）2ＡｌＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＡｌ2Ｏ3析出系溶液、（ＮＨ4）2ＢａＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＢａＯ2析出系溶液、（ＮＨ4）2ＴｉＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＴｉＯ2析出系溶液等が挙げられる。
そして、上述した液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させる工程と、上述した傾斜組成セラミックスを析出及び積層させる工程とを所定回数順次繰り返すことにより、微細構造キャパシタ１０が完成する。
【００３７】
なお、微細構造キャパシタ１０をコンデンサとして実際に使用する際には外枠が必要となるが、外部電極との接続は外枠の角部に配置したリ−ドアウト金属線に微細構造キャパシタ１０の電極を導電ペ−スト等で接続してリ−ドアウトするか、或いは導電ペ−スト等でリ−ドアウト線に接続してから全体を樹脂でシ−ル、又はデイップ法等でシ−ルすれば、容易にコンデンサを作製できる。
【００３８】
上記構成の本実施形態によれば、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法によって作製された傾斜材料を用いるので、膜厚が薄くても電極破壊が起きず、かつ、超小型でも高容量の微細構造キャパシタを提供できる。
また、蓄電容量をＣ、実効誘電率をε、電極層面積をＡ、傾斜組成セラミックス層の厚みをｄとすると、Ｃ＝ε・（Ａ×電極層の積層数）／ｄと表されるので、従来と同様の厚さのキャパシタであるならば、積層枚数が飛躍的に延びることになるので、その分容量が大きい微細構造キャパシタを提供できる。
【００３９】
次に、本発明の第３実施形態に係る高密度磁気記録媒体について説明する。図７は、本発明の第３実施形態に係る高密度磁気記録媒体の一部断面図である。
第３実施形態に係る高密度磁気記録媒体１０は、図７に示すように、基板１１と、この基板１１上に被覆される第１反射層１２と、この第１反射層１２上に被覆される磁性層１３と、この磁性層１３上に被覆される第２反射層１４とからなる円板状のものである。
【００４０】
基板１１は、円板上のガラスまたはプラスティックからなる。第１反射層１２及び第２反射層１４は、Ｃｏ、Ｆｅ又はＴａ等の金属、又はα−Ｆｅ2Ｏ3等の金属化合物からなる。磁性層１３は、Ｃｏ／Ｃｕ、ＣｏＦｅ、ＰｔＭｎ、Ｆｅ3Ｏ4、γ−Ｆｅ2Ｏ3等の磁性体からなる。
【００４１】
次に、第３実施形態に係る高密度磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。
まず、基板１１を、任意の金属化合物を析出することができる金属化合物析出反応液に浸漬し、基板１１の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって金属化合物を析出及び積層させ、第１反射層１２を成形する。
次に、金属化合物析出後の基板１１を、メッキ又は蒸着によって、ＣｏとＣｕの薄膜を２〜６層程度重ねた磁性層１３を形成する。
次に、磁性層１３を形成した後の基板１１を、金属化合物析出反応液に浸漬し、第２反射層１４を形成することによって、高密度磁気記録媒体１０が完成する。ここで、金属化合物析出反応液の例としては、（ＮＨ4）2ＦｅＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液等が挙げられる。なお、α−Ｆｅ2Ｏ3は、［ＦｅＯＯＨ−ＮＨ4Ｆ・ＨＦ］水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とからβ−ＦｅＯＯＨ層を作製し、β−ＦｅＯＯＨを５００℃で加熱することによっても得られる。
【００４２】
なお、第３実施形態に係る高密度磁気記録媒体１０は以下の方法によっても製造できる。
まず、基板１１の表面に所定の厚みまでメッキ又は蒸着によってＣｏ、Ｆｅ又はＴａ等の金属、若しくは、ＣｏＦｅ又はＰｔＭｎの合金を被覆させ、第１反射層１２を成形する。
次に、金属又は合金被覆後の基板を、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、前記基板の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させ磁性層１３を形成する。ここで、例えば、磁性層となるＦｅ3Ｏ4を得るための下準備となるα−Ｆｅ2Ｏ3を析出する磁性体析出反応液としては、（ＮＨ4）2ＦｅＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液が挙げられる。なお、Ｆｅ3Ｏ4を得るためには、このα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液に浸漬し、第１反射層１２の表面に所定の厚みまで、液相析出法によってα−Ｆｅ2Ｏ3を析出及び積層させ、α−Ｆｅ2Ｏ3層を形成し、この上に後述する金属や合金をメッキ又は合金を被覆した後、窒素雰囲気中において３５０℃で熱処理することが必要である。
磁性体析出後の基板１１の表面に、所定の厚みまでメッキ又は蒸着によってＣｏ、Ｆｅ又はＴａ等の金属若しくは、ＣｏＦｅ又はＰｔＭｎの合金を被覆させ、第２反射層１４を形成することによって、高密度磁気記録媒体１０が完成する。
なお、ここで、例えば、高密度記録媒体１０の形成したい磁性層の材料がγ−Ｆｅ2Ｏ3である場合には、基板１１を、第１反射層１２の成形後、α−Ｆｅ2Ｏ3を析出することができる（ＮＨ4）2ＦｅＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液に浸漬し、基板１１の表面に所定の厚みまで、液相析出法によってα−Ｆｅ2Ｏ3を析出及び積層させ、α−Ｆｅ2Ｏ3層を形成し、この上に第２反射層１４を形成し、高密度磁気記録媒体１０の基体を作製した後、基体ごと水素雰囲気中で４００℃に加熱して水素還元して、α−Ｆｅ2Ｏ3を磁性材のγ−Ｆｅ2Ｏ3に改質して高密度磁気記録媒体１０を完成させることもできる。
【００４３】
上記構成の本実施形態によれば、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法を用いるので、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００４４】
次に、本発明の第４実施形態に係る高密度磁気記録媒体について説明する。図８は、本発明の第４実施形態に係る高密度磁気記録媒体の一部断面図である。
第４実施形態に係る高密度磁気記録媒体１５は、図８に示すように、基板１６と、この基板１６上に被覆される第１磁性層１７と、この第１磁性層１７上に被覆される絶縁層１８と、この絶縁層１８上に被覆される第２磁性層１９とからなる円板状のものである。
【００４５】
基板１６は、円板上のガラスまたはプラスティックからなる。第１磁性層１７及び第２磁性層１９は、Ｃｏ、Ｆｅ又はＴａ等の金属、もしくはＣｏＦｅ、ＰｔＭｎ等の合金、或いはγ−Ｆｅ2Ｏ3又はＦｅ3Ｏ4等の金属化合物からなる。絶縁層１８は、Ａｌ2Ｏ3又はＣｕ等の磁気絶縁材からなる。
【００４６】
次に、第４実施形態に係る高密度記録媒体１５の製造方法について説明する。
まず、５００℃程度の加熱に耐えられる硬質ガラス等の材質の基板１６を、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、基板１６の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させ、第１磁性層１７を形成する。ここで、例えば、磁性層となるＦｅ3Ｏ4を得るための下準備となるα−Ｆｅ2Ｏ3を析出する磁性体析出反応液としては、（ＮＨ4）2ＦｅＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液が挙げられる。なお、Ｆｅ3Ｏ4を得るためには、このα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液に浸漬し、基板１１の表面に所定の厚みまで、液相析出法によってα−Ｆｅ2Ｏ3を析出及び積層させ、α−Ｆｅ2Ｏ3層を形成し、この上に後述する磁気絶縁材を析出及び積層させ、さらにこの上に後述する磁性体を析出及び積層させた後、窒素雰囲気中において３５０℃で熱処理することが必要である。
なお、Ｃｏ、Ｆｅ又はＴａ等の金属、若しくは、ＣｏＦｅ又はＰｔＭｎの合金をメッキか蒸着によって基板に被覆し、第１磁性層１７を形成してもよい。
【００４７】
次に、磁性体析出後の基板１６を、任意の磁気絶縁材を析出及び積層することができる磁気絶縁材析出反応液に浸漬し、前記磁性体析出後の基板１６の表面に所定の厚みまで、液相析出法によって磁気絶縁材を析出及び積層させ、磁気絶縁層１８を成形する。ここで、磁気絶縁材析出反応液の例としては、（ＮＨ4）2ＡｌＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したＡｌ2Ｏ3析出系溶液等が挙げられる。
そして、磁気絶縁材析出後の基板１６の表面に、任意の磁性体を析出することができる磁性体析出反応液に浸漬し、液相析出法によって磁性体を析出及び積層させ、第２磁性層１９を形成することによって、高密度磁気記録媒体１５が完成する。ここで、例えば、磁性層となるＦｅ3Ｏ4を得るための下準備となるα−Ｆｅ2Ｏ3を析出する磁性体析出反応液としては、（ＮＨ4）2ＦｅＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液が挙げられる。なお、Ｆｅ3Ｏ4を得るためには、基板１１の表面に所定の厚みの第１磁性層１７を形成し、この上に上述の磁気絶縁材を析出及び積層させ、さらにα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液に浸漬し、所定の厚みまで、液相析出法によってα−Ｆｅ2Ｏ3を析出及び積層させ、α−Ｆｅ2Ｏ3層を形成し、その後、窒素雰囲気中において３５０℃で熱処理することが必要である。
なお、Ｃｏ、Ｆｅ又はＴａ等の金属、若しくは、ＣｏＦｅ又はＰｔＭｎの合金をメッキか蒸着によって磁気絶縁層１８上に被覆し、第２磁性層１９を形成してもよい。
【００４８】
上記構成の本実施形態によれば、容易にナノサイズ超微粒子の配列制御を行うことができる液相析出法を用いるので、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００４９】
なお、ここで、例えば、第４実施形態に係る高密度記録媒体１５の形成したい磁性層の材料がγ−Ｆｅ2Ｏ3である場合には、上記の第４実施形態に係る高密度磁気記録媒体の製造方法における磁性層の形成において、基板１６を、α−Ｆｅ2Ｏ3を析出することができる（ＮＨ4）2ＦｅＦ6水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とを混合したα−Ｆｅ2Ｏ3析出系溶液に浸漬し、基板１６の表面に所定の厚みまで、液相析出法によってα−Ｆｅ2Ｏ3を析出及び積層させ、α−Ｆｅ2Ｏ3層を形成し、この上に絶縁膜Ａｌ2Ｏ3層を形成し、さらにこの上にα−Ｆｅ2Ｏ3層を形成し、高密度磁気記録媒体１５の基体を作製した後、基体ごと水素雰囲気中で４００℃に加熱して水素還元して、α−Ｆｅ2Ｏ3を磁性材のγ−Ｆｅ2Ｏ3に改質して高密度磁気記録媒体１５を完成させることもできる。
この場合も、上記第４実施形態と同様、小型でも記録容量が高容量の高密度磁気記録媒体を提供できる。
【００５０】
なお、α−Ｆｅ2Ｏ3は、［ＦｅＯＯＨ−ＮＨ4Ｆ・ＨＦ］水溶液とＨ3ＢＯ3水溶液とからβ−ＦｅＯＯＨ層を作製し、β−ＦｅＯＯＨを５００℃で加熱することによっても得られる。α−Ｆｅ2Ｏ3は水素雰囲気中で４００℃に加熱する事でγ−Ｆｅ2Ｏ3に変化して磁性体層となる。また、Ａｌ2Ｏ3からなる磁気絶縁層１８は加熱による酸化還元に全然影響されない安定な材料であり、α−Ｆｅ2Ｏ3を水素雰囲気中で４００℃に加熱して磁性材のγ−Ｆｅ2Ｏ3に改質して磁性体層を得る工程でも安定した性質を保つものである。
【００５１】
なお、本発明は、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で設計変更できるものであり、上記実施形態に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明に係るキャパシタは、携帯電話用、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）用、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）用等の電子、電気機器のキャパシタとして適用できる。
また、本発明に係る高密度磁気記録媒体は、ハ−ドディスクドライブに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る微細構造キャパシタを示す図である。
【図２】図１のII−II矢視断面図である。
【図３】（ａ）は三次元構造体が形成された型を示す斜視図、（ｂ）は樹脂三次元構造体を示す斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る微細構造キャパシタの製造過程を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る微細構造キャパシタを用いた微小コンデンサを示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る微細構造キャパシタを示す斜視概略図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る高密度磁気記録媒体を示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る高密度磁気記録媒体を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    微細構造キャパシタ
２、４  電極層
３    傾斜組成セラミックス層
３ａ  高耐圧層
３ｂ  傾斜組成層
３ｃ  高誘電体層
５    型
６    樹脂三次元構造体
７    微小コンデンサ
８    接触電極ケ−ス
９    磁気絶縁材
１０、１５  高密度磁気記録媒体
１１、１６  基板
１２、１４  反射層
１３、１７、１９  磁性層
１８  絶縁層
【図１】
2005277118.tif 000003
【図２】
2005277118.tif 000004
【図３】
2005277118.tif 000005
【図４】
2005277118.tif 000006
【図５】
2005277118.tif 000007
【図６】
2005277118.tif 000008
【図７】
2005277118.tif 000009
【図８】
2005277118.tif 000010