(57)【要約】【課題】微細凹凸パターン中のピット幅のバラツキを改善する。【解決手段】基板１１上にフォトレジスト層１２を成膜する工程と、対物レンズＯＢＬを介して照射したレーザービームＬでピット長の長短にかかわりなく各ピットのピット幅が略同じ寸法となるようにフォトレジスト層１２上に各ピットの潜像１３を露光記録する工程と、各ピットの潜像１３を現像液で溶解して、フォトレジスト層１２上に凹凸パターン１４を形成する工程と、フォトレジスト層１２上に形成した凹凸パターン１４上に水溶性樹脂層１５を成膜する工程と、水溶性樹脂層１５をベーキング処理した時に生じる収縮力により凹凸パターン１４中で各ピットのピット幅を縮小させる工程と、水溶性樹脂層１５を前記フォトレジスト層１２上から剥離して、前記フォトレジスト層１２上に各ピットのピット幅を縮小させた縮小凹凸パターン１６を形成する工程とからなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報信号に応じてピット長が可変している複数のピットと、前記ピット間のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを有する光記録媒体を作製する際に用いられる光記録媒体用原盤を製造する方法において、
基板上にフォトレジスト層を前記ピットの深さと略同じ寸法の膜厚で成膜する工程と、  対物レンズを介して照射したレーザービームで前記ピット長の長短にかかわりなく各ピットのピット幅が略同じ寸法となるように前記フォトレジスト層上に前記各ピットの潜像を露光記録する工程と、
前記各ピットの潜像を現像液で溶解して、前記フォトレジスト層上に凹凸パターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト層上に形成した前記凹凸パターン上に水溶性樹脂層を成膜する工程と、
前記水溶性樹脂層をベーキング処理した時に生じる収縮力により前記凹凸パターン中で前記各ピットのピット幅を縮小させる工程と、
前記水溶性樹脂層を前記フォトレジスト層上から剥離して、前記フォトレジスト層上に前記各ピットのピット幅を縮小させた縮小凹凸パターンを形成する工程とからなることを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項２】
ピット（又はグルーブ）と、前記ピット間（又は前グルーブ間）のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを有する光記録媒体を作製する際に用いられる光記録媒体用原盤を製造する方法において、
基板上にアルカリ可溶性樹脂下地層とフォトレジスト層とをこの順で成膜すると共に、両層を重ね合わせた膜厚を前記ピット（又は前記グルーブ）の深さと略同じ寸法に成膜する工程と、
対物レンズを介して照射したレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いて前記フォトレジスト層上に前記ピット（又は前記グルーブ）の潜像を幅狭く露光記録する工程と、
前記ピット（又は前記グルーブ）の潜像を現像液で溶解し、引き続き前記アルカリ可溶性樹脂下地層を前記潜像の幅寸法に応じて前記基板に達する深さまで溶解して、前記アルカリ可溶性樹脂下地層と前記フォトレジスト層とを重ね合わせて微細凹凸パターンを形成する工程とからなることを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト層への露光記録時にレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の１／ｅ２に相当するスポット径よりも小さい幅でピット（又はグルーブ）を良好に形成できる光記録媒体用原盤の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、円盤状の光ディスクやカード状の光カードなどの光記録媒体は、映像情報とか音声情報やコンピュータデータなどの情報信号を透明基板上で螺旋状又は同心円状に形成したトラックに高密度に記録し、且つ、記録済みのトラックを再生する際に所望のトラックを高速にアクセスできることから多用されている。
【０００３】
この際、光記録媒体は、再生専用タイプと記録再生タイプとに大別できる。
【０００４】
ここで、再生専用タイプの光記録媒体は、情報信号に応じてピット長が可変している凹状のピットと、ピット間に形成された凸状のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンによるトラックが円盤状又はカード状の透明な樹脂基板上に刻まれており、更に、ピット列上に金属反射膜，保護膜を順に成膜して、金属反射膜を成膜した信号層が再生専用に形成されている。そして、再生専用タイプの光記録媒体は、光記録媒体駆動装置内で光記録媒体の径方向に移動自在に設けた光ピックアップから対物レンズを介して出射された再生用のレーザービームを光記録媒体のビーム入射面から信号層に向けて照射して、信号層から反射された戻り光を光ピックアップ内のフォトディテクタで検出して再生している。
【０００５】
一方、記録再生タイプの光記録媒体は、凹状に連続したグルーブと、グルーブ間に形成された凸状のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンによるトラックが円盤状又はカード状の透明な樹脂基板上に刻まれており、更に、これらのグルーブ上及びランド上に記録膜，金属反射膜，保護膜を順に成膜して、記録膜を成膜した信号層が記録再生可能に形成されている。そして、記録再生タイプの光記録媒体は、光記録媒体駆動装置内で光記録媒体の径方向に移動自在に設けた光ピックアップから対物レンズを介して出射された記録用のレーザービームを光記録媒体のビーム入射面から信号層に向けて照射して、このレーザービームで信号層を記録し、この後、記録済みの信号層を上記と同じように再生用のレーザービームで再生している。
【０００６】
以下、光記録媒体として円盤状の光ディスクの場合について説明し、この光ディスクと略同じ構造形態の光カードについての説明は省略するものの、上記した光ディスクには、既に市販されているＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）とか、ＣＤ，ＤＶＤよりも狭トラック化を図って現在開発が進められている超高密度光ディスク（ＢＲＤ…Ｂｌｕ  Ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）などがあり、これらの光ディスクは図７に示した光ディスク作製工程を経て作製されている。
【０００７】
図７（ａ）〜（ｐ）はＣＤ，ＤＶＤ，ＢＲＤの各光ディスクを作製する工程を説明するための工程図である。
【０００８】
まず、図７（ａ）に示した如く、表面を研磨洗浄した円盤状のガラス基板３１上にスピンコート法等によりフォトレジスト層３２を成膜してブランクマスターを作製する。この際、フォトレジスト層３２の膜厚は後述するニッケルスタンパー及び光ディスクに形成されるピット（又はグルーブ）の深さと略同じ寸法に設定している。
【０００９】
次に、図７（ｂ）に示した如く、Ａｒ，Ｋｒ，Ｈｅ−Ｃｄレーザー等から出射されたレーザービームＬを対物レンズＯＢＬによって絞ってフォトレジスト層３２上に微小スポットとして集光させる。この時、ガラス基板３１を回転させ、且つ、対物レンズＯＢＬをガラス基板３１の径方向に一定速度で移動させながら記録すべき情報信号に応じてレーザービームＬをＯＮ，ＯＦＦ制御して照射することにより、フォトレジスト層３２内に情報信号に応じてピット長が可変したピット（又は連続した長さのグルーブ）の潜像３３が螺旋状に形成される。
【００１０】
次に、図７（ｃ）に示した如く、フォトレジスト層３２に対してアルカリ溶液による現像処理を施すことにより潜像３３が溶解して、フォトレジスト層３２上に凹状のピット（又はグルーブ）３４と、凸状のランド３５とによる凹凸パターンが形成された光ディスク原盤が製造される。
【００１１】
次に、図７（ｄ）に示した如く、以上のようにして製造された光ディスク原盤中のピット（又はグルーブ）３４上及びランド３５上にスパッタ，あるいは無電解メッキ等の方法によりニッケル等の導電性膜３６を成膜して、導電性膜３６に対して剥離処理を行う。
【００１２】
次に、図７（ｅ）に示した如く、上記した導電性膜３６を陰極側に接続すると共に陽極側にニッケル板（図示せず）を接続してスルファミン酸ニッケル溶液中で通電させることによって、光ディスク原盤上にニッケル層３７を析出させる。
【００１３】
次に、図７（ｆ）に示した如く、析出させたニッケル層３７を光ディスク原盤から剥離すると、図７（ｃ）〜（ｅ）に示した凹凸パターンを反転させた凸状のピット（又はグルーブ）３８と、凹状のランド３９とによる凹凸パターンが形成されたニッケルスタンパー４０が製造される。この際、ニッケルスタンパー４０は内外径加工及び裏面研磨等の後処理が施される。
【００１４】
次に、図７（ｇ）に示した如く、上記したニッケルスタンパー４０を不図示の成形機内の成形金型に取り付けて、光透過性を有するアクリル樹脂，ポリカーボネート樹脂等の合成樹脂を材料として、コンプレッション（圧縮成形）法，インジェクション（射出成形）法，フォトポリマー（２Ｐ）法等によって、ニッケルスタンパー４０を雌型とした雄型の光ディスク基板４１が作製され、この後、ニッケルスタンパー４０から図７（ｈ）に示したように光ディスク基板４１を剥離する。この際、光ディスク基板４１上には、ニッケルスタンパー４０の凹凸パターンを反転させた凹凸パターンが転写され、即ち、ニッケルスタンパー４０の凸部を反転したピット（又はグルーブ）４２と、凹部を反転したランド４３とが形成される。
【００１５】
ここで、上記した光ディスク基板４１の基板厚さは光ディスクの種類（ＣＤ，ＤＶＤ，ＢＲＤ）によって異なる。
【００１６】
即ち、ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ等の場合には光ディスク基板４１の基板厚さを約１．２ｍｍとし、図７（ｉ）に示した如く、光ディスク基板４１に形成したピット（又はグルーブ）４２上及びランド４３上に、蒸着やスパッタリング法により再生専用の場合にアルミニウム等の金属反射層を成膜する一方、記録再生用の場合に相変化材料等の記録層，金属反射層を順に成膜して信号層４４が形成される。この後、図７（ｊ）に示した如く、上記した信号層４４を保護するために、アクリル系の紫外線硬化樹脂等をスプレー法，ロールコート法あるいはスピンコート法等により塗布，硬化して保護層４５を形成し、更に、図７（ｋ）に示した如く、上記した保護膜４５上に紫外線硬化型インク等によりレーベル部４６を形成することにより、ＣＤタイプの光ディスクが完成する。このＣＤタイプの光ディスクでは、光ディスク基板４１側からレーザービームを入射させて信号層４４への記録又は再生が行われる。
【００１７】
また、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ等の場合には光ディスク基板４１の基板厚さを約０．６ｍｍとし、図７（ｌ）に示した如く、上述したＣＤの場合と同様な方法にて光ディスク基板４１上に信号層４４を成膜した後、図７（ｍ）に示した如く、２枚の光ディスク基板４１，４１同士を接着剤４７によって貼り合わせたり、又は、１枚の光ディスク基板４１とこれと同じ基板厚さの補強板（図示せず）を接着剤４７によって貼り合わせて、合計の厚さが略１．２ｍｍのＤＶＤタイプの光ディスクが完成する。このＤＶＤタイプの光ディスクでも、光ディスク基板４１側からレーザービームを入射させて信号層４４への記録又は再生が行われる。
【００１８】
更に、現在開発中の超高密度光ディスク（ＢＲＤ…Ｂｌｕ  Ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）として、光ディスク基板４１の基板厚さを約１．１ｍｍとし、図７（ｎ）に示した如く、上述したＣＤ，ＤＶＤの場合と同様な方法にて光ディスク基板４１上に信号層４４を成膜した後、図７（ｏ）に示した如く、信号層４４上に厚さが０．１ｍｍ程度の透明なプラスチックシート４８を接着剤４９によって貼り合わせて、合計の厚さが略１．２ｍｍのＢＲＤタイプの光ディスクが完成する。このＢＲＤタイプの光ディスクでは、厚さが０．１ｍｍ程度の透明なプラスチックシート４８側からレーザービームを入射させて信号層４４への記録又は再生が行われる。
【００１９】
尚、上記した超高密度光ディスク（ＢＲＤ）の信号層４４上に厚さが０．１ｍｍ程度の透明なプラスチックシート４８を貼り合わせることなく、これに代えて、図７（ｐ）に示した如く、信号層４４上に紫外線硬化樹脂等によって厚さ約０．１ｍｍの光透過層５０を形成して合計の厚さが略１．２ｍｍのＢＲＤタイプの光ディスクを完成させても良く、この場合には、光透過層５０側からレーザービームを入射させて信号層４４への記録又は再生が行われる。
【００２０】
これらの光ディスクに記録される情報容量は、如何に高い密度でピット（又はグルーブ）とランドとを形成できるかによって決定される。即ち、光ディスクに記録される情報容量は、フォトレジスト層３２上にレーザービームＬで情報信号に応じて露光記録を行ってピット（又はグルーブ）の潜像３３を形成する時のカッティングにより如何に微細な凹凸パターンを形成できるかによって決定される。
【００２１】
例えば、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭにおいては、ニッケルスタンパー４０上に最小情報が記録されている最短ピット長（最短マーク長）が０．４μｍ，トラックピッチが０．７４μｍで凹凸パターンが螺旋状に形成されており、このニッケルスタンパー４０を金型として作製された直径１２ｃｍのＤＶＤの片面に４．７ＧＢの情報容量を持たせている。この際、ＤＶＤ−ＲＯＭ用の光ディスク原盤を製造する場合には、例えば波長が４１３ｎｍのＫｒレーザーを用いて開口数（ＮＡ）が０．９程度の対物レンズで絞ったレーザービームをガラス基板３１に成膜したフォトレジスト層３２上に照射した時に、波長が４１３ｎｍのレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の１／ｅ２に相当するスポット径は０．３８μｍ程度になり、このスポット径で凹凸パターンを最短ピット長（最短マーク長）が０．４μｍ，トラックピッチが０．７４μｍにカッティングしている。
【００２２】
一方、情報通信および画像処理技術の急速な発展に伴って現在開発中の超高密度光ディスク（ＢＲＤ…Ｂｌｕ  Ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）では、最小情報が記録されている最短ピット長（最短マーク長）が超高密度光ディスクの記録容量に応じて変化するものの０．１４μｍ〜０．１７μｍの間に設定され且つトラックピッチが０．３２μｍ程度に設定されることで、直径１２ｃｍの超高密度光ディスクの片面に略２５ＧＢの情報容量を持たせている。
【００２３】
この際、超高密度化に伴って、レーザー波長の短波長化と対物レンズの開口数の高ＮＡ化が求められる。しかしながら、対物レンズの開口数ＮＡはレンズの設計製作精度の面から現状の０．９程度がほぼ限界であるので、例えば波長２６６ｎｍの遠紫外線レーザービームを用いた場合にはこのビームの光強度分布（ガウス分布）中の１／ｅ２に相当するスポット径が０．２４μｍ程度になるので、最短ピット長（最短マーク長）も０．２４μｍとなる。従って、２５ＧＢ級の情報容量を記録するためには、遠紫外線レーザービームのスポット径以下のサイズで記録しなければならない。
【００２４】
ところで、光ディスクへの高密度化に伴って、光ディスクを作製するための光ディスク原盤に対してピット（又はグルーブ）をより高密度にカッティングする手法が各種開発されているものの、この種の従来例の一例として、ピット長さが短いピットと長いピットとが混在した微細凹凸パターン中でピット幅のバラツキの改善を図って光ディスク原盤を製造する技術的思想がある（例えば、特許文献１参照）。
【００２５】
また、従来例の他例として、露光スポットのビーム径よりも細かい溝（ピット，グルーブ）を均一な幅に形成して光ディスク原盤を製造する技術的思想もある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−３１２５８５号公報（第３−５頁、第４図，第２３図）
【特許文献２】特開平１１−２９６９１８号公報（第４−５頁、第１図）
【００２６】
ここで、まず、従来例１の光ディスク原盤５０を製造する場合について図８及び図９を用いて説明する。  
図８は一般的に光ディスク原盤を製造する時に、フォトレジスト層上に照射する記録露光強度を説明するための図であり、（ａ）はピット長が長く且つレーザービームの露光強度が大きい場合を示し、（ｂ）はピット長が短く且つレーザービームの露光強度が小さい場合を示した図、
図９は従来例１の光ディスク原盤を示した縦断面図である。
【００２７】
図８及び図９及に示した従来例１の光ディスク原盤５０を製造する技術的思想は、上記した特許文献１（特開平１０−３１２５８５号公報）に開示されているものであり、ここでは特許文献１を参照して説明する。
【００２８】
一般的に、高密度化を図って光ディスク原盤を製造する場合に、露光記録波長の短いレーザ光源を用いて、このレーザ光源から出射したレーザー光を開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズで絞ったレーザービームをフォトレジスト層上に照射しているが、フォトレジスト層上に記録される微細凹凸パターンのピット幅は、ピット長に依存しており、とくに、ピット長が長い場合と短い場合とでピット幅が異なる現象が生じる。
【００２９】
即ち、図８（ａ），（ｂ）において、ガラス基板上に成膜したフォトレジスト層へのレーザービームによるピット形成閾値ｐｓを点線で示した如くに設定した際に、図８（ａ）に示したように、ピット長が長く且つレーザービームの露光強度が大きい場合に、レーザービームの露光強度の分布がＬａからＬｂに移動すると、ピット形成閾値ｐｓ上でピット形成幅がＷａからＷｂに変化するが、この時にピット形成幅の変化幅は小さいので、ピット形成幅のバラツキが小さい。
【００３０】
一方、図８（ｂ）に示したように、ピット長が短く且つレーザービームの露光強度が小さい場合に、レーザービームの露光強度の分布がＬｃからＬｄに移動すると、ピット形成閾値ｐｓ上でピット形成幅がＷｃからＷｄに変化するが、この時にピット形成幅の変化幅は図８（ａ）の場合よりも大きいので、ピット形成幅のバラツキが大きい。
【００３１】
そこで、ピット長が長いピットと短いピットとを共にピット幅のバラツキを無くしてカッティングしたい場合に、図８（ａ）に示した技術的思想に基づいてピット長が短いピットに対して長いピットと略同じ程度にレーザービームの露光強度を大きく設定して、短いピットに対してピット形成幅を拡大させてカッティングすることで、長いピット及び短いピットを略同じ幅で形成してピット形成幅のバラツキを小さくし、この後、何等かの方法によりピット形成幅を記録時のスポット径よりも縮小させる方法が下記の従来例１で開示されている。
【００３２】
図９に示した如く、従来例１の光ディスク原盤５０では、ガラス基板５１上にポジ型のフォトレジスト層５２が成膜され、このフォトレジスト層５２上にとくにピット長が短いピットに対してレーザービームの露光強度を大きく設定することで短いピットが拡大されて長いピットと略同じ幅で凹凸パターンがカッティングされている。この凹凸パターン５３は波長が３５０ｎｍ以上の記録光を対物レンズ（図示せず）で絞ってレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の１／ｅ２に相当するスポット径が０．３２μｍ程度で露光記録し、その後現像処理を行って露光部にピットが形成されたものである。
【００３３】
更に、上記した凹凸パターン５３上にＮｉを化学メッキ又はスパッタリングを用いて成膜した薄膜５４が形成され、この薄膜５４上に凹凸パターン５３に対して縮小した縮小凹凸パターン５５が形成されることで、光ディスク原盤５０が製造され、この光ディスク原盤５０を用いて、先に説明した図７（ｄ）〜（ｆ）の工程によりニッケルスタンパーを製造した後に光ディスクを作製している。
【００３４】
上記した従来例１の光ディスク原盤５０によれば、露光記録時後の工程で凹凸パターン５３上に薄膜（Ｎｉメッキ）５４を成膜して、ピット長の長短にかかわりなくピット幅を露光時よりも縮小させた縮小凹凸パターン５５を形成することで、この縮小凹凸パターン５５中のピット幅のバラツキを改善している。
【００３５】
次に、従来例２の光ディスク原盤６０を製造する場合について、図１０を用いて説明する。                                                                              図１０（ａ），（ｂ）は従来例２の光ディスク原盤を製造する場合を示した縦断面図である。
【００３６】
図１０（ａ），（ｂ）に示した従来例２の光ディスク原盤６０を製造する技術的思想は、上記した特許文献２（特開平１１−２９６９１８号公報）に開示されているものであり、ここでは特許文献２を参照して簡略に説明する。
【００３７】
従来例２の光ディスク原盤６０を製造する場合には、図１０（ａ）に示した如く、ガラス基板６１上に水溶性樹脂下地層６２をその膜厚がニッケルスタンパー表面に形成されるグルーブ（又はピット）の深さと略同じ寸法で６０ｎｍ程度に成膜し、更に、水溶性樹脂下地層６２上にフォトレジスト層６３を１００ｎｍ程度に成膜している。そして、レーザービームＬを対物レンズＯＢＬによって絞り込んで上層のフォトレジスト層６３上に微小スポットとして集光させると潜像６４が形成される。この時、フォトレジスト層６３中の潜像６４は、レーザービームＬの光強度分布（ガウス分布）により上方の長い辺Ｗ１と下方の短い辺Ｗ２とで台形状に集光される。この後、露光されたフォトレジスト層６３を現像すると、現像液により潜像６４がエッチィングされる同時に下層の水溶性樹脂下地層６２が台形状の短い辺Ｗ２の幅でエッチィングされる。
【００３８】
その後、図１０（ｂ）に示した如く、上層のフォトレジスト層６３を除去して、下層の水溶性樹脂下地層６２上に幅の狭いグルーブ（又はピット）パターン６５を露出させて形成することで、光ディスク原盤６０が製造され、この光ディスク原盤６０を用いて先に説明した図７（ｄ）〜（ｆ）の工程によりニッケルスタンパーを製造した後に光ディスクを作製している。
【００３９】
上記した従来例２の光ディスク原盤６０によれば、下層の水溶性樹脂下地層６２中に露光ビームのスポット径よりも幅の狭いグルーブ（又はピット）パターン６５を形成できるので、光ディスクへの高密度化が可能になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４０】
まず、先に図８及び図９を用いて説明した従来例１については、フォトレジスト層５２への露光記録時にとくにピット長が短いピットに対してレーザービームの露光強度を大きく設定して、短いピットに対してピット形成幅を拡大させてカッティングすることで、長いピット及び短いピットを略同じ幅で形成してピット形成幅のバラツキを小さくし、後の工程でその凹凸パターン５３上に薄膜（Ｎｉメッキ）５４を成膜して、ピット長の長短にかかわりなくピット幅を露光時よりも縮小させた縮小凹凸パターン５５を形成することで、縮小凹凸パターン５５中のピット幅のバラツキも改善できるものの、しかしながらこの手法には、光ディスク原盤５０上に析出させたニッケルスタンパーの剥離が難しいという問題点がある。つまり、この従来例１による手法では、ピット幅を縮小した縮小凹凸パターン５５の面に剥離処理を行った後にＮｉメッキを施してニッケルスタンパーを製造しているが、ニッケルスタンパーを剥離する際に、剥離処理を施した面ではなく、ガラス基板５１とフォトレジスト層５２との界面で剥離が起こったり、あるいは、フォトレジスト層５２が破壊されることによって剥がれてしまうことが多く、ピット幅を縮小した縮小凹凸パターン５５の面で剥すことが非常に難しいので、良好なニッケルスタンパーが得られない。
【００４１】
次に、先に図１０を用いて説明した従来例２については、下層の水溶性樹脂層６２中に露光ビームのスポット径よりも幅の狭いグルーブ（又はピット）パターン６５を形成できるので、光ディスクへの高密度化が可能になるものの、下層の水溶性樹脂層６２への現像条件の設定が難しいという欠点がある。つまり、下層の水溶性樹脂層６２が現像液にも水にも溶けてしまう材料なので現像時間やリンス時間の設定が難しく、現像不良やディフェクトの増加という問題が多発してしまう。特に、超高密度光ディスクと対応してトラックピッチが０．３２μｍといった微細凹凸パターンを形成する場合には隣接トラックとの距離が短いので、極僅かな時間しか現像とリンスを行うことができず、実質的に微細凹凸パターンの形成が不可能である。更に、後工程のメッキ工程では、下層の水溶性樹脂層６２がメッキ液にも溶けてしまう材料なのでメッキ中に水溶性樹脂層６２がガラス基板６１から剥がれるという問題も多発してしまう。
【００４２】
そこで、凹状のピット（またはグルーブ）と凸状のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを超高密度化できる光記録媒体用原盤の製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、第１の発明は、情報信号に応じてピット長が可変している複数のピットと、前記ピット間のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを有する光記録媒体を作製する際に用いられる光記録媒体用原盤を製造する方法において、
基板上にフォトレジスト層を前記ピットの深さと略同じ寸法の膜厚で成膜する工程と、  対物レンズを介して照射したレーザービームで前記ピット長の長短にかかわりなく各ピットのピット幅が略同じ寸法となるように前記フォトレジスト層上に前記各ピットの潜像を露光記録する工程と、
前記各ピットの潜像を現像液で溶解して、前記フォトレジスト層上に凹凸パターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト層上に形成した前記凹凸パターン上に水溶性樹脂層を成膜する工程と、
前記水溶性樹脂層をベーキング処理した時に生じる収縮力により前記凹凸パターン中で前記各ピットのピット幅を縮小させる工程と、
前記水溶性樹脂層を前記フォトレジスト層上から剥離して、前記フォトレジスト層上に前記各ピットのピット幅を縮小させた縮小凹凸パターンを形成する工程とからなることを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法である。
【００４４】
また、第２の発明は、ピット（又はグルーブ）と、前記ピット間（又は前グルーブ間）のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを有する光記録媒体を作製する際に用いられる光記録媒体用原盤を製造する方法において、
基板上にアルカリ可溶性樹脂下地層とフォトレジスト層とをこの順で成膜すると共に、両層を重ね合わせた膜厚を前記ピット（又は前記グルーブ）の深さと略同じ寸法に成膜する工程と、
対物レンズを介して照射したレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いて前記フォトレジスト層上に前記ピット（又は前記グルーブ）の潜像を幅狭く露光記録する工程と、
前記ピット（又は前記グルーブ）の潜像を現像液で溶解し、引き続き前記アルカリ可溶性樹脂下地層を前記潜像の幅寸法に応じて前記基板に達する深さまで溶解して、前記アルカリ可溶性樹脂下地層と前記フォトレジスト層とを重ね合わせて微細凹凸パターンを形成する工程とからなることを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法である。
【発明の効果】
【００４５】
本発明に係る光記録媒体用原盤の製造方法において、請求項１記載によれば、とくに、対物レンズを介して照射したレーザービームでピット長の長短にかかわりなく各ピットのピット幅が略同じ寸法となるようにフォトレジスト層上に各ピットの潜像を露光記録して凹凸パターンを形成しているので、露光記録時の各ピットのピット幅のバラツキを改善でき、この後、凹凸パターン上に成膜した水溶性樹脂層をベーキング処理した時に生じる収縮力により凹凸パターン中で各ピットのピット幅を縮小させているので、フォトレジスト層上に形成された縮小凹凸パターン中の各ピットのピット幅もバラツキがない状態となり、超高密度化に対応した光記録媒体用原盤を製造できる。そして、光記録媒体用原盤からニッケルスタンパーを製造し、このニッケルスタンパーを用いて、例えば最短ピット長（最短マーク長）が０．１５μｍ，トラックピッチが０．３２μｍの微細凹凸パターンを持つ超高密度光ディスクを作製することができると共に、この超高密度光ディスクを再生した時に、ピット長の長短にかかわらず良好な信号特性を得ることができる。
【００４６】
また、請求項２記載によれば、とくに、基板上にアルカリ可溶性樹脂下地層とフォトレジスト層とをこの順に成膜し、対物レンズを介して照射したレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いてフォトレジスト層上にピット（又はグルーブ）を幅狭く露光記録しているので、光記録媒体への超高密度化が可能となると共に、アルカリ可溶性樹脂下地層は光記録媒体用原盤を製造する時に用いるリンス液（水）とか、ニッケルスタンパーを製造する時に用いるメッキ液などに対して強いので、この光記録媒体用原盤を用いて製造したニッケルスタンパー中の微細凹凸パターン、及び、ニッケルスタンパーを用いて作製した光記録媒体中の微細凹凸パターンの品質向上に寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下に本発明に係る光記録媒体用原盤の製造方法の一実施例を図１乃至図６を参照して詳細に説明する。
【００４８】
本発明に係る光記録媒体用原盤の製造方法は、とくに、既存のＣＤ，ＤＶＤよりも狭トラック化を図って現在開発が進められている円盤状の超高密度光記録媒体（超高密度光ディスク）を作製するために主として適用されるものであるが、これに限られるものではなく、ＣＤよりも高密度化を図ったＤＶＤにも適用でき、更に、超高密度光記録媒体として矩形状の光カードなどにも適用することも可能である。
【実施例１】
【００４９】
図１は本発明に係る実施例１の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第１工程図、
図２は本発明に係る実施例１の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第２工程図である。
【００５０】
本発明に係る実施例１の光記録媒体用原盤の製造方法は、先に図８及び図９を用いて説明した従来例１の光ディスク原盤を製造する際の技術的思想を一部採用すると共に従来例１の問題点に対して改良を図っており、この実施例１ではガラス基板に成膜したフォトレジスト層への露光記録時に、とくに、対物レンズを介して照射したレーザービームでピット長の長短にかかわりなく各ピットのピット幅が略同じ寸法となるようにフォトレジスト層上に各ピットの潜像を露光記録して凹凸パターンを形成した後、この凹凸パターン上に成膜した水溶性樹脂層をベーキング処理した時に生じる収縮力により凹凸パターン中で各ピットのピット幅を縮小させて、水溶性樹脂層をフォトレジスト層上から剥離した時にフォトレジスト層上に露光記録時のスポット径よりもピット幅を縮小させた縮小凹凸パターンを形成することで、超高密度光記録媒体中の微細凹凸パターンに対応した前記縮小凹凸パターン中で各ピットのピット幅のバラッキを改善できると共に、超高密度光記録媒体に対応できる光記録媒体用原盤を製造することを特徴とするものである。
【００５１】
ここで、実施例１で製造した光記録媒体用原盤を用いて作製される超高密度光記録媒体（以下、超高密度光ディスクと記す）は、情報信号に応じてピット長が可変している複数のピットと、ピット間のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを有するものとする。
【００５２】
まず、図１（ａ）に示した如く、上面１１ａを平滑化した基板として例えばガラス基板１１を用意し、このガラス基板１１の上面１１ａを研磨洗浄した後、上面１１ａ上にポジ型のフォトレジスト層１２を、後述するニッケルスタンパー及び超高密度光ディスクに形成される微細凹凸パターン中のピットの深さと略同じ寸法で、例えば５０ｎｍ〜６０ｎｍ程度の膜厚でスピンコート法等によって均一に塗布する。この際、フォトレジスト層１２の材料は、例えば、ＤＶＲ−３００（日本ゼオン株式会社製）を用いた。
【００５３】
次に、図１（ｂ）に示した如く、先に図８（ａ）を用いて従来例１で説明した技術的思想に基づいて、とくに、ピット長が短いピットへのレーザービームＬの露光強度をピット長が長いピットへのレーザービームＬの露光強度と略同じ程度となるように大きく設定した上で、情報信号に応じたレーザービームＬを対物レンズＯＢＬを介してフォトレジスト層１２上に照射して各ピットの潜像１３を露光記録している。これを言い換えると、対物レンズＯＢＬを介して照射したレーザービームＬでピット長の長短にかかわりなく各ピットの各ピット幅が略同じ寸法となるようにフォトレジスト層１２上に各ピットの潜像１３を露光記録していることになる。
【００５４】
この際、ピット長が短いピットのピット幅は、レーザービームＬの露光強度が小さい場合より拡大して露光記録されることになり、これにより各潜像１３のピット幅はピット長の長短にかかわりなく略同じになる。
【００５５】
上記までは、ピット長が短いピットのピット幅を、ピット長が長いピットのピット幅と略同じ程度にカッティングしているものの、この技術を更に発展させて、この実施例１では超高密度光ディスクへの微細凹凸パターンをカッティングする際にレーザービームＬに対して最適波長が得られない場合に、ピット長の長短にかかわらずピット幅を最終的に作製する超高密度光ディスクの微細凹凸パターン中のピットの幅をよりも拡大して露光記録して、フォトレジスト層１２内にピット幅が拡大した潜像１３を形成している。
【００５６】
従って、フォトレジスト層１２内に形成した潜像１３によるピット幅はバラツキなく形成される。
【００５７】
この際、レーザービームＬの波長は、トラックピッチが０．３２μｍまで狭トラック化させた超高密度光ディスクに対応して最短ピット長（最短マーク長）が０．２μｍ以下の微細凹凸パターンの場合に２００〜３００ｎｍの遠紫外線領域である必要がある。
【００５８】
次に、図１（ｃ）に示した如く、フォトレジスト層１２に対して現像処理を行い、アルカリ現像液によりフォトレジスト層１２内にピット幅を拡大して形成した潜像１３を溶解して、フォトレジスト層１２上にピット幅を拡大した拡大凹凸パターン１４を形成する。
【００５９】
次に、図１（ｄ）に示した如く、拡大凹凸パターン１４上に水溶性樹脂層１５を成膜して形成する。この水溶性樹脂層１５は、水溶性樹脂を水あるいはレジストを溶解しない低極性の溶媒に溶解させたものをスピンコート法等によって塗布形成することができる。この際、水溶性樹脂としては、一般的に知られている水溶性の合成高分子材料を用いることができ、例えば、ポリビニルピロリドン，ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコール，ポリエチレンオキシド，ポリ酢酸ビニル，ポリアクリルアミド，ポリ（メタ）アクリル酸やこれらのコポリマー等を用いることができる。
【００６０】
上記した水溶性樹脂層１５の膜厚は拡大凹凸パターン１４を縮小させる際の収縮量によって異なるが、５０〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。そして、所望の厚さの水溶性樹脂層１５を得るために、水溶性樹脂の分子量や濃度等を調整する必要があり、分子量５０００のポリアクリル酸ナトリウムを例にとると、濃度５０％の水溶液の場合に、回転数２０００ｒｐｍで約５００ｎｍの厚さの水溶性樹脂層１５を得ることができる。
【００６１】
次に、図２（ｅ）に示した如く、水溶性樹脂層１５に対してベーキング処理を３０〜１２０秒程度行うことで、水溶性樹脂層１５の収縮力が拡大凹凸パターン１４内で矢印方向に加わることによって拡大凹凸パターン１４中のピット幅を縮小させている。ここでは、例えば波長が２６６ｎｍの遠紫外線レーザービームを用いて、この遠紫外線レーザービームの光強度分布中の１／ｅ２に相当するスポット径０．２４μｍで拡大凹凸パターン１４中のピット幅をカッティングした場合に、水溶性樹脂層１５によりピット幅を０．１５μｍ程度まで縮小することにより、超高密度光ディスクのトラックピッチ０．３２μｍが達成できる。
【００６２】
この際、水溶性樹脂層１５に対するベーキング温度は水溶性樹脂層１５の種類によるが８０°Ｃ〜１８０°Ｃが好ましく、８０°Ｃ以下の温度では水溶性樹脂の収縮が乏しく、一方、１８０°Ｃ以上の温度になるとフォトレジスト層１２が溶融状態になるので拡大凹凸パターン１４の形状が劣化してしまう。また、水溶性樹脂層１５をベーキング処理する手段に制限はなくホットプレートでもオーブンでも良いが、水溶性樹脂層１５に対して均一に熱が加わる手段によって行う必要があると共に、水溶性樹脂層１５の面内の温度分布の均一性は±１°Ｃ以内に抑える必要がある。
【００６３】
尚、拡大凹凸パターン１４中のピット幅を縮小化する工程において、収縮により多少ピットの深さが浅くなることがあるが、その場合は予めフォトレジスト層１２を厚めに塗布して、縮小後に所望の深さになるようにコントロールすれば良い。
【００６４】
次に、図２（ｆ）に示した如く、水溶性樹脂層１５に対してベーキング処理を終了した後、水洗によって水溶性樹脂層１５を除去することにより、フォトレジスト層１２中にピット幅が縮小した縮小凹凸パターン１６が形成されて、実施例１の光ディスク用原盤１０の製造が完了する。そして、縮小凹凸パターン１６中のピット幅はピット長にかかわりなく幅狭く形成されると共にピット幅はバラツキなく形成されて、最終的に作製する超高密度光ディスクの微細凹凸パターン中のピット幅寸法に相当することになる。
【００６５】
次に、図２（ｇ）に示した如く、実施例１の光ディスク用原盤１０を用いて、フォトレジスト層１２上に形成した縮小凹凸パターン１６上にスパッタ，あるいは無電解メッキ等の方法によりニッケル等の導電性膜１７を成膜して、導電性膜１７に対して剥離処理を行う。
【００６６】
次に、図２（ｈ）に示した如く、上記した導電性膜１７を陰極側に接続すると共に陽極側にニッケル板（図示せず）を接続してスルファミン酸ニッケル溶液中で通電させることによって、光ディスク原盤１０上にニッケル層１８を析出させる。
【００６７】
次に、図２（ｉ）に示した如く、析出させたニッケル層１８を光ディスク原盤１０から剥離すると、図２（ｇ）に示した縮小凹凸パターン１６を反転させた微細凹凸パターン１９が形成されたニッケルスタンパー２０が製造される。この際、ニッケルスタンパー２０は内外径加工及び裏面研磨等の後処理が施される。
【００６８】
この後、微細凹凸パターン１９が形成されたニッケルスタンパー２０を用いて、先に図７（ｎ）〜（ｏ）で説明した工程により、例えば最短ピット長（最短マーク長）が０．１５μｍ，トラックピッチが０．３２μｍの微細凹凸パターンを持つ超高密度光ディスクを作製することができると共に、この超高密度光ディスクを再生した時に、ピット長の長短にかかわらず良好な信号特性を得ることができる。
【実施例２】
【００６９】
図３は本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第１工程図、
図４は本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第２工程図、
図５は本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法において、レーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いてフォトレジスト層上に微細凹凸パータンを露光記録する状態を説明するための図、
図６は本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法において、アルカリ可溶性樹脂に架橋剤を加えてベーキング処理したアルカリ可溶性樹脂下地層の現像液に対する溶解速度を示した図である。
【００７０】
本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法は、先に図１０を用いて説明した従来例２の光ディスク原盤を製造する際の技術的思想を一部採用すると共に従来例２の問題点に対して改良を図っており、この実施例２ではガラス基板に成膜したフォトレジスト層上に微細凹凸パターンを形成する際に、とくに、対物レンズを介して照射したレーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いてフォトレジスト層上に微細凹凸パターン中のピット（又はグルーブ）を幅狭く露光記録することで、超高密度光記録媒体に対応できる光記録媒体用原盤を製造することを特徴とするものである。
【００７１】
ここで、実施例２で製造した光記録媒体用原盤を用いて作製される超高密度光記録媒体（以下、超高密度光ディスクと記す）は、ピット（又はグルーブ）と、ピット間（又はグルーブ間）のランドとで螺旋状又は同心円状に形成した微細凹凸パターンを有するものとする。
【００７２】
まず、図３（ａ）に示した如く、上面２１ａを平滑化した基板として例えばガラス基板２１を用意し、このガラス基板２１の上面２１ａを研磨洗浄した後、上面２１ａ上にアルカリ可溶性樹脂下地層２２をスピンコート法等によって均一に塗布する。この際、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に用いるアルカリ可溶性樹脂は、一般的な材料を用いることができ、例えば、フェノールノボラック樹脂，クレゾールノボラック樹脂，ポリヒドロキシスチレン，ＰＭＭＡ等を用いることができるがこれに限られるものではなく、アルカリ現像液に可溶な樹脂であれば下地層として用いることが可能なので、例えば，半導体製造プロセスで用いられるウェットエッチィング可能な反射防止膜｛例えば商品名ＸＬ−２０，Ｗｉｄｅ−１５（Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｉｎｃ．製）等｝をアルカリ可溶性樹脂下地層２２として用いることもできる。
【００７３】
この実施例２では、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に用いるアルカリ可溶性樹脂として、例えば３重量部の架橋剤（ヘキサメチレンテトラミン）を含んだクレゾールノボラック樹脂のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を塗布している。
【００７４】
尚、ここでのアルカリとはｐＨが８以上の溶液であり、ｐＨが６〜８は水を示している。即ち、アルカリ可溶性樹脂とは、ｐＨ＝８以上の溶液に溶解し、且つ、ｐＨ＝６〜８の水には溶解しない樹脂のことである。
【００７５】
そして、ガラス基板２１の上面２１ａ上にアルカリ可溶性樹脂下地層２２を塗布した後に、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に対してベーキング処理を下記する表１中でのベーキング温度１５０°Ｃ〜２００°Ｃ範囲内で行った。
【表１】
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【００７６】
ベーキング後のアルカリ可溶性樹脂下地層２２の膜厚は略３０ｎｍであった。尚、表１中でベーキング温度に対するジッター値は、後述する光ディスク原盤を基にしてニッケルスタンパーを製造した後に作製した超高密度光ディスクを測定した時の結果であり、これについては後で詳述する。
【００７７】
次に、図３（ｂ）に示した如く、アルカリ可溶性樹脂下地層２２上にポジ型のフォトレジスト層２３をスピンコート法等によって略２０ｎｍの膜厚になるように形成した。この際、フォトレジスト層２３の材料は、例えば、ＤＶＲ−３００（日本ゼオン株式会社製）を用いた。そして、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に成膜した略３０ｎｍの膜厚と、フォトレジスト層２３に成膜した略２０ｎｍの膜厚とを重ね合わせた計略５０ｎｍの膜厚が、後述するニッケルスタンパー及び超高密度光ディスクに形成される微細凹凸パターン中のピット（又はグルーブ）の深さと略同じ寸法に設定されている。
【００７８】
次に、図３（ｃ）に示した如く、情報信号に応じたレーザービームＬを対物レンズＯＢＬを介してフォトレジスト層２３上に照射する時に、とくに、レーザービームＬの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いてフォトレジスト層２３上に微細凹凸パターンを露光記録することで、最終的に作製する超高密度光ディスクの微細凹凸パターン中のピット（又はグルーブ）の幅と略同じ寸法となる潜像２４がフォトレジスト層２３内に形成される。
【００７９】
ここで、図５に示した如く、フォトレジスト層２３の膜厚が略２０ｎｍ程度で薄く成膜されているために、レーザービームＬの光強度分布（ガウス分布）中の１／ｅ２に相当するスポット径よりもスポット径が小さくなるレーザービームＬの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いることができ、これによりフォトレジスト層２３に集光したレーザービームＬの微小スポットによって露光記録された潜像２４は、台形状の上方の長い辺Ｗ３が先に図１０を用いて説明した従来例２よりも幅狭く形成され、且つ、下方の短い辺Ｗ２は従来例２と略同様な寸法に形成されている。
【００８０】
従って、実施例２では、アルカリ可溶性樹脂下地層２２上にフォトレジスト層２３を成膜したままの状態でも、像２４による微細凹凸パターン中のピット（又はグルーブ）を幅狭く形成することが可能となる。
【００８１】
この際、レーザービームＬの波長は、トラックピッチが０．３２μｍまで狭トラック化させた超高密度光ディスクに対応して最短ピット長（最短マーク長）が０．２μｍ以下の微細凹凸パターンの場合に２００〜３００ｎｍの遠紫外線領域である必要がある。
【００８２】
次に、図３（ｄ）に示した如く、上層のフォトレジスト層２３と、下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２とに対して現像処理を行って微細凹凸パターン２５を形成した。この現像過程において、まず、上層のフォトレジスト層２３内に形成された潜像２４｛図３（ｃ）｝がアルカリ現像液に溶解し、続いてアルカリ現像液に可溶なアルカリ可溶性樹脂下地層２２が台形状の下方の短い辺Ｗ２の幅寸法でガラス基板２１に達する深さまで溶解することで、下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２と上層のフォトレジスト層２３とを重ね合わせて微細凹凸パターン２５が幅狭く形成されて、実施例２の光ディスク用原盤２０の製造が完了する。
【００８３】
この実施例２においては、現像液として０．３Ｎ−ＯＦＰＲディベロッパーＮｏ．３（東京応化工業株式会社製）を用いて３０秒間の現像処理を行い、その後、水のよるリンス時間を１分とした。
【００８４】
この際、遠紫外線レーザー光を用いてフォトレジスト層２３上に微細凹凸パターンを露光記録する場合、フォトレジスト層２３に用いるノボラック型レジスト材料の感度が乏しく、全面にわたる露光記録の均一性を保つためには現像時間は少なくとも２０秒以上必要になる。この現像時に下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２がエッチィングされるので、設定した現像時間によってアルカリ可溶性樹脂下地層２２の底部までエッチィングされるようにアルカリ可溶性樹脂の溶解性をコントロールする必要がある。
【００８５】
また、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に用いるアルカリ可溶性樹脂の現像液に対する溶解性はベーキング条件と架橋剤濃度によって容易にコントロールすることができる。また、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に対するベーキング温度は前述したように１５０°Ｃ〜２００°Ｃに設定する必要があり、１５０°Ｃ未満では現像液に対する溶解速度が速すぎて２０秒以上の現像に耐えることができない。一方、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に対するベーキング温度が逆に２００°Ｃ以上だとアルカリ可溶性が損なわれ、フォトレジスト層２３上に微細凹凸パターンを露光記録することができない。
【００８６】
更に、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に用いるアルカリ可溶性樹脂に架橋剤を加えると、溶解速度のベーキング温度依存性が小さくなるので、溶解性のコントロールがさらに容易になる。
【００８７】
即ち、図６は、アルカリ可溶性樹脂に架橋剤を加えてベーキング処理したアルカリ可溶性樹脂下地層２２の現像液に対する溶解速度を示しており、具体的には、重量平均分子量５０００のクレゾールノボラック樹脂に架橋剤としてヘキサメチレンテトラミンを３重量部添加し、現像液には０．３Ｎ−ＯＦＰＲディベロッパーＮｏ．３を用いた時の溶解速度である。
【００８８】
図６から明らかなように、アルカリ可溶性樹脂下地層２２に対するベーキング温度が１５０°Ｃと２００°Ｃとで溶解速度の差が０．５ｎｍ／ｓｅｃと少なく、更に、溶解速度そのものは１．５ｎｍ／ｓｅｃ前後であり、これは仮に現像時間が２〜３秒程度ばらついたとしても下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２のエッチィング量のバラツキが３ｎｍ〜５ｎｍ程度と小さいことを示している。この実施例２の場合、上層のフォトレジスト層２３は除去せずにそのまま微細凹凸パターン２５を後述するニッケルスタンパーへの転写用として利用できるので、下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２の現像が進みすぎて、上層のフォトレジスト層２３内の微細凹凸パターン２５中のピット（又はグルーブ）の幅よりも下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２内の微細凹凸パターン２５中のピット（又はグルーブ）の幅の方が広くなった状態、すなわちアンダーカット状態になったとしても、多少のアンダーカット量は許容される。仮に微細凹凸パターン２５中のピット（又はグルーブ）の幅が０．１５μｍとした場合、３ｎｍ〜５ｎｍのアンダーカットは十分許容範囲である。
【００８９】
一方、先に図１０を用いて説明した従来例２で下層に水溶性樹脂下地層６２を成膜した場合は、現像の後のリンスの際にも下層の水溶性樹脂下地層６２がエッチィングされることになる。この際、ディフェクトの低減等を考慮すると、リンス時間は少なくとも３０秒以上必要である。また、従来例２において、トラックピッチが０．３２μｍで５０％幅のピット（又はグルーブ）をカッティングした場合、３０秒以上のリンスを行うと下層の水溶性樹脂下地層６２が極端なアンダーカット状態になってしまい、パターン倒れ等が発生してしまうことになる。そして、３０秒間のリンスで下層の水溶性樹脂下地層６２が４５ｎｍエッチィングされることになる。従って、従来例２において、５０％幅のピット（又はグルーブ）パターン（幅＝０．１６μｍ）の場合、両側からエッチィングが進むので残った下層の水溶性樹脂下地層６２中のピット（又はグルーブ）の幅が０．０７μｍしかなくなってしまうので、下層の水溶性樹脂下地層６２は信頼性にとぼしい。
【００９０】
次に、図３（ｅ）に示した如く、実施例２の光ディスク用原盤２０を用いて、下層のアルカリ可溶性樹脂下地層２２と上層のフォトレジスト層２３とによる微細凹凸パターン２５上にスパッタ，あるいは無電解メッキ等の方法によりニッケル等の導電性膜２６を成膜して、導電性膜２６に対して剥離処理を行う。
【００９１】
次に、図３（ｆ）に示した如く、上記した導電性膜２６を陰極側に接続すると共に陽極側にニッケル板（図示せず）を接続してスルファミン酸ニッケル溶液中で通電させることによって、光ディスク原盤２０上にニッケル層２７を析出させる。
【００９２】
次に、図３（ｇ）に示した如く、析出させたニッケル層２７を光ディスク原盤２０から剥離すると、図３（ｅ）に示した微細凹凸パターン２５を反転させた微細凹凸パターン２８が形成されたニッケルスタンパー２９が製造される。この際、ニッケルスタンパー２９は内外径加工及び裏面研磨等の後処理が施される。
【００９３】
この後、微細凹凸パターン２８が形成されたニッケルスタンパー２９を用いて、先に図７（ｎ）〜（ｏ）で説明した工程により、例えば最短ピット長（最短マーク長）が０．１５μｍ，トラックピッチが０．３２μｍの微細凹凸パターンを持つ超高密度光ディスクを作製することができる。更に、アルカリ可溶性樹脂下地層２２は光記録媒体用原盤２０を製造する時に用いるリンス液とか、ニッケルスタンパー２９を製造する時に用いるメッキ液などに対して強いので、この光記録媒体用原盤２０を用いて製造したニッケルスタンパー２９中の微細凹凸パターン、及び、ニッケルスタンパー２９を用いて作製した超高密度光ディスク中の微細凹凸パターンの品質向上に寄与できる。
【００９４】
この際、光ディスク用原盤２０中のアルカリ可溶性樹脂下地層２２に対するベーキング温度を変えて作製した超高密度光ディスクのジッター値を先に説明した表１に示す。尚、表１に示したジッター値は、レーザー光の波長が４０５ｎｍ，対物レンズの開口数が０．８に設定された光ピックアップ（図示せず）を用い、リミットイコライジング後の値を測定したものである。このジッター値は超高密度光ディスクの信号特性の品質を表す代表的な指標であり、６％以下の数値が必要とされる。そして、表１からベーキング温度が１５０°Ｃ〜２００°Ｃおいて良好なジッター値が得られていることが分かる。ベーキング温度が１４０°Ｃの場合はアルカリ可溶性樹脂下地層２２が極端なアンダーカット状態になってしまい、フォトレジスト層２３上で微細凹凸パターンに対応した潜像２４の露光記録ができず、一方、ベーキング温度が２１０°Ｃの場合はアルカリ可溶性樹脂下地層２２がエッチィングされず、必要なピット（又はグルーブ）の深さが得られなかったためジッター値が悪化してしまった。
【００９５】
（実施例２に対する比較例１）
実施例２と同様に研磨洗浄し平滑化したガラス基板を準備した。
【００９６】
次に，ガラス基板上に水溶性樹脂（ＴＰＦ，東京応化工業（株）製）の水溶液をスピンコートし、ベーキングすることによって水溶性樹脂下地層を形成した。水溶性樹脂下地層のベーキング条件は１５０°Ｃ，３０分で、ベーキング後の水溶性樹脂下地層の膜厚は５０ｎｍであった。
【００９７】
次に、水溶性樹脂下地層上にポジ型のフォトレジスト（ＴＨＭＲ−ｉＰ３１００，東京応化工業株式会社製）層をスピンコートによって３０ｎｍの膜厚になるように形成した。
【００９８】
次に、実施例２と同様な条件で露光記録し、現像条件は０．３Ｎ−ＯＦＰＲディベロッパーＮｏ．３（東京応化工業株式会社製）で３０秒間の現像処理＋リンス時間（水洗時間）３０秒で微細凹凸パターンを形成しようとしたが、水溶性樹脂下地層のエッチィングが進みすぎて微細凹凸パターンのパターンニングそのものができなかった。
【００９９】
（実施例２に対する比較例２）
比較例１において、リンス時間を２０ｓｅｃに短縮し、後は実施例２と同様な条件にて最短ピット長（最短マーク長）が０．１５μｍの微細凹凸パターンを持つ超高密度光ディスクを作製した。この超高密度光ディスクについて信号特性を測定したところ、ディフェクトの数が多くて再生不能であった。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明に係る実施例１の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第１工程図である。
【図２】本発明に係る実施例１の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第２工程図である。
【図３】本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第１工程図である。
【図４】本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法を工程順に説明するための第２工程図である。
【図５】本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法において、レーザービームの光強度分布（ガウス分布）中の先端部位を用いてフォトレジスト層上に微細凹凸パータンを露光記録する状態を説明するための図である。
【図６】本発明に係る実施例２の光記録媒体用原盤の製造方法において、アルカリ可溶性樹脂に架橋剤を加えてベーキング処理したアルカリ可溶性樹脂下地層の現像液に対する溶解速度を示した図である。
【図７】（ａ）〜（ｐ）はＣＤ，ＤＶＤ，ＢＲＤの各光ディスクを作製する工程を説明するための工程図である。
【図８】一般的に光ディスク原盤を製造する時に、フォトレジスト層上に照射する記録露光強度を説明するための図である。
【図９】従来例１の光ディスク原盤を示した縦断面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は従来例２の光ディスク原盤を製造する場合を示した縦断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０…実施例１の光ディスク用原盤、
１１…ガラス基板、１１ａ…上面、１２…フォトレジスト層、１３…潜像、
１４…拡大凹凸パターン、１５…水溶性樹脂層、１６…縮小凹凸パターン、
１７…導電性膜、１８…ニッケル層、
１９…微細凹凸パターン、２０…ニッケルスタンパー、
２０…実施例２の光ディスク用原盤、
２１…ガラス基板、２１ａ…上面、２２…アルカリ可溶性樹脂下地層、
２３…フォトレジスト層、２４…潜像、２５…微細凹凸パターン、
２６…導電性膜、２７…ニッケル層、
２８…微細凹凸パターン、２０…ニッケルスタンパー、
Ｌ…レーザービーム、ＯＢＬ…対物レンズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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