(57)【要約】【課題】  液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去することができるフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。【解決手段】  （ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ｂ）アルキルラクテート、及び（ｃ）ケトンを必須成分とし、所望により（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物または（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマーを含むフォトレジスト除去用シンナー組成物に関する。  本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるのみならず、人体に対する安定性と安全性が高く、多様な工程に適用可能で、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化し、経済的に生産収率を向上させることができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、及び
（ｃ）ケトン
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項２】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、及び
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部
を含む請求項１に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項３】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、
（ｃ）ケトン、及び
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項４】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部、及び
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物  0.001〜１質量部
を含む請求項３に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項５】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、
（ｃ）ケトン、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項６】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー  0.001〜0.1質量部
を含む請求項５に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項７】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  ８８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  ２質量部、
（ｃ）ケトン  １０質量部、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー  0.01質量部
を含む請求項５に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項８】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、
（ｃ）ケトン、
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項９】
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部、
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物  0.001〜１質量部、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー  0.001〜0.1質量部
を含む請求項８に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項１０】
前記（ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートが、アルキル基の炭素数が１〜５のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテートからなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜９のいずれかに記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項１１】
前記（ｂ）のアルキルラクテートが、アルキル基の炭素数が１〜４のメチルラクテート、エチルラクテート、及びブチルラクテートからなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜９のいずれかに記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項１２】
前記（ｃ）のケトンが、アセトン、メチルイソプロピルケトン、メチルｎ−プロピルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、及びシクロヘプタノンからなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜９のいずれかに記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項１３】
前記（ｄ）のポリエチレンオキサイド系縮合物が、直鎖状または分岐状の炭素数６〜１２のアルキル基を有するアルキルフェノール、及び前記アルキルフェノール１モル当り５〜２５モルのエチレンオキサイドを縮合させて得られる縮合生成物である請求項３、４、８または９に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【請求項１４】
前記（ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーの質量平均分子量が3,000〜10,000である請求項５〜９のいずれかに記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジスト除去用シンナー組成物に関するものである。さらに詳しく言えば、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるのみならず、人体に対する安全性・安定性が高く、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化し、経済的に生産収率を向上させ得るフォトレジスト除去用シンナー組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程中、フォトリソグラフィー(photo lithography)工程は、ウエハー表面にフォトレジストを塗布し、予め設計された通りのパターンを転写し、転写現像されたウエハーのパターンによって所定部位をエッチングする蝕刻工程を通じて、電子回路を構成して行く作業であり、極めて重要な作業の一つである。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィー工程は、
(1)ウエハー表面にフォトレジストを均一に塗布する工程、
(2)塗布されたフォトレジストより溶剤を蒸発させ、フォトレジストをウエハーの表面に付着させるソフトベーキング工程、
(3)紫外線等の光源を利用して、マスク上の回路パターンを順次、反復、縮小投影しながらウエハーを露光させ、マスクのパターンをウエハー上に転写する露光工程、
(4)光源への露出による感光によって、溶解度差のような物理的性質が異なる部分等を現像液を用いて選択的に除去する現像工程、
(5)現像作業後ウエハー上に残留するフォトレジストのウエハーへの、より緊密な固着のためのハードベーキング工程、
(6)現像されたウエハーのパターンによって電気的な特性を付与するために、所定部位をエッチングする蝕刻工程、及び
(7)前記工程後、不要になったフォトレジストを除去する剥離工程
等に大別できる。
【０００４】
このようなフォトリソグラフィー工程の内、前記(2)のソフトベーキング工程後には、ウエハーのエッジ(edge)部分や裏面に不要なフォトレジストが塗布される場合があるが、これらの存在により、後続工程においてエッチング、イオン注入等のような種々の不良が発生し、半導体装置全体の収率の低下をもたらす問題があるため、これらを除去する作業が必要である。
【０００５】
従来、ウエハーのエッジや裏面に存在する不要なフォトレジストを除去するために、ウエハーエッジ部分の上下に噴射ノズルを設置し、前記ノズルを通じてエッジや裏面に有機溶剤成分でなるシンナーを噴射する方法が主に用いられてきた。
【０００６】
従来、シンナー組成物として、セロソルブ、セロソルブアセテート、プロピレングリコールエーテル、プロピレングリコールエーテルアセテート等のエーテル及びエーテルアセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メチルラクテート、エチルラクテート、メチルアセテート、エチルアセテート、ブチルアセテート等のエーテル類を用いるシンナー組成物が知られており、基板の主導部、縁導部、背面部の不要なフォトレジストに接触させて除去する方法が実施されている。
【０００７】
また、特公平4-49938号公報（特許文献１）は、シンナー組成物に関するものであり、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを用いてフォトレジストを除去する方法について開示している。さらに、特開平4-42523号公報（特許文献２）は、シンナー組成物に関するものであり、アルキルアルコキシプロピオネートを用いて不要なレジストを除去する方法について開示している。
【０００８】
フォトレジストを除去するためのシンナー組成物に用いる有機溶媒としては、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートは溶解速度は優れるものの、揮発性と引火性が高く、特に白血球減少症及び胎児流産等の生殖毒性に問題がある。また、エチルラクテートは粘度が高く溶解速度が低いため、単独では十分な洗浄効果が得られない問題があった。
【０００９】
従って、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板及び、半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるシンナー組成物に関する研究が一層必要である。
【００１０】
【特許文献１】特公平4-49938号公報
【特許文献２】特開平4-42523号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記の従来技術の問題点を解決し、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、人体に対する安定性が高く、作業者に対しより安全で多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程の生産収率を向上させ得るフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、及び
（ｃ）ケトン
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、及び
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部を含む。
さらに本発明は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、
（ｃ）ケトン、及び
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部、及び
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物  0.001〜１質量部を含む。
さらに、本発明は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、
（ｃ）ケトン、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー  0.001〜0.1質量部を含む。
さらに好ましくは、前記シンナー組成物は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  ８８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  ２質量部、
（ｃ）ケトン  １０質量部、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー  0.01質量部を含む。
さらに、本発明は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
（ｂ）アルキルラクテート、
（ｃ）ケトン、
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート  １０〜９８質量部、
（ｂ）アルキルラクテート  １〜７０質量部、
（ｃ）ケトン  １〜７０質量部、
（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物  0.001〜１質量部、及び
（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー  0.001〜0.1質量部を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に伴うフォトレジスト除去用シンナー組成物は、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着した不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるだけでなく、同時に人体に対する安定性が高く、作業者に対してもより安全で、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得る利点がある。
【発明の実施の形態】
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明者等は、人体には無害であり、フォトレジストを短時間で効率的に除去できるシンナー組成物について研究を重ねる内、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルラクテート、及びケトンを用いて製造したシンナー組成物が、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるばかりでなく、人体に対する安定性が高く、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得ることを確認し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、（ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、（ｂ）アルキルラクテート、及び（ｃ）ケトンを含むことを特徴とする。
本発明に用いられる前記（ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、（ｂ）のアルキルラクテート、及び（ｃ）のケトンは、シンナー組成物に溶剤として用いられ、各々半導体等級の極めて純粋なものを用いることができ、ＶＬＳＩ等級では0.1μｍ水準にろ過されたものが用いられる。
【００１６】
本発明に用いられる前記（ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートは、アルキル基の炭素数が１〜５のものを用いるのが好ましく、具体的にはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、またはプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等がさらに好ましく、高分子に対する溶解度が優れているプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いるのが特に好ましい。
【００１７】
前記（ａ）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは、空気中に露出された際、人体に対する安定性及び安全性が高く、物質代謝の面でも人体内で急速にプロピレングリコールとアルコールに分解されるので安全である。さらに、毒性試験では、口腔投与によるマウスの５０％致死量を示すＬＤ50(mouse)＝8.5ｇ／ｋｇを示し、加水分解により速く分解される。
【００１８】
前記（ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートは、シンナー組成物１００質量部に対し１０〜９８質量部含まれるのが好ましく、８５〜９０質量部含まれるのがさらに好ましく、８８質量部含まれるのが最も好ましい。前記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートを１０〜９８質量部含むシンナー組成物は適正な揮発力と溶解力を発揮し、フォトレジストの除去に効果的である。
【００１９】
本発明に用いられる前記（ｂ）のアルキルラクテートは、アルキル基の炭素数が１〜４であるものが好ましい。その具体例としては、メチルラクテート、エチルラクテート、または、ブチルラクテート等が挙げられ、中でもエチルラクテートを用いるのが特に好ましい。
エチルラクテートは、前記エチルラクテートは毒性実験で、口腔投与によるマウスの５０％致死量を示すＬＤ50(mouse)＝5.0ｇ／ｋｇを示し、物理的性質は沸点１５６℃、引火点５２℃（クローズドカップ方式で測定）、粘度2.38ｃｐｓ（２５℃）、表面張力３４ｄｙｎｅ／ｃｍである。
【００２０】
前記ｂ）のアルキルラクテートは、感光性樹脂の感光剤成分に対する溶解度が、異なる溶剤に比べて卓越しており、シンナー組成物１００質量部に対し１〜７０質量部含まれるのが好ましく、１〜５質量部含まれるのが特に好ましく、２質量部含まれるのが最も好ましい。
前記ｂ）のアルキルラクテートが１〜７０質量部含まれるシンナー組成物は、粘度が下がり、適正な揮発力と溶解力に優れた特性を発揮しフォトレジストの除去に効果的である。
【００２１】
本発明に用いられる前記（ｃ）のケトンは、下記（１）式で示される化合物またはシクロケトン(cyclo ketone)を用いることができる。
【化１】
2005128529.tif 000002
【００２２】
前記（１）式中、
Ｒ1及びＲ2は、各々独立して、少なくとも１個の炭素を持つアルキル基を表し、好ましくは、炭素数１〜５個のアルキル基を表す。
【００２３】
前記（１）式で示される化合物の具体例としては、アセトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、またはシクロヘプタノン等が挙げられる。
【００２４】
前記（ｃ）のケトンは、室温では液状で存在し、ビタミンやその他の化合物質等の中間体として用いられ、人体に対する安定性が高い。毒性試験では、口腔投与によるマウスの５０％致死量を示すＬＤ50(mouse)＝5.0ｇ／ｋｇを示し、酵素活性により速やかに分解される。
【００２５】
前記（ｃ）のケトンは、シンナー組成物１００質量部に対して１〜７０質量部含まれるのが好ましく、５〜１５質量部含まれるのがさらに好ましく、１０質量部含まれるのが最も好ましい。前記ケトンが１〜７０質量部含まれるシンナー組成物は、適正な揮発力と溶解力を発揮してフォトレジストの除去に効果的である。
【００２６】
さらに、本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、（ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物を追加して含むことができる。
前記（ｄ）のポリエチレンオキサイド系縮合物は、シンナー組成物中で非イオン系界面活性剤として作用し、水と各種溶剤に優れた溶解性を示し、シンナーがフォトレジストと接触する時、界面でその段差を効果的に減らす作用をする。
【００２７】
前記（ｄ）のポリエチレンオキサイド系縮合物は、直鎖状または分岐状の炭素数６〜１２のアルキル基を有するアルキルフェノールと、前記アルキルフェノール１モル当り５〜２５モルのエチレンオキサイドとを縮合させた縮合生成物を含むのが好ましい。前記のような化合物内のアルキル置換体の具体例としては、重合させたプロピレン、ジイソブチレン、オクテン、またはノネンから誘導されたノニルフェノール１モル当りエチレンオキサイド約9.5モルを縮合させたノニルフェノール１モル当り約１２モルのエチレンオキサイドを縮合させたドデシルフェノール、またはフェノール１モル当り約１５モルのエチレンオキサイドを縮合させたジイソオクチルフェノール等が挙げられる。
【００２８】
前記（ｄ）のポリエチレンオキサイド系縮合物は、シンナー組成物１００質量部に対し0.001〜１質量部含まれるのが好ましく、その場合、水と各種溶剤に優れた溶解性を示し、シンナーがフォトレジストと接触する時、界面でその段差を効果的に減らす効果がある。
【００２９】
さらに、本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、（ｅ）フッ素化アクリリックコポリマーを追加して含むことができる。
前記（ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーは水と各種溶剤に優れた溶解性を示し、。質量平均分子量が3,000〜10,000のものを用いるのが好ましく、中でも引火点２００℃（オープンカップ方式で測定）、比重1.10ｇ／ｍＬ（２５℃）、粘度2100ｃｓｔ（２０℃）、表面張力（エチルラクテート状で）24.0ｍＮ／ｍ(Wilhermy method)の物性を有するものが好ましい。前記フッ素化アクリリックコポリマーはエチルラクテートに希釈混合して用いるのが好ましい。
【００３０】
前記（ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーは、シンナー組成物１００質量部に対し、0.001〜0.1質量部含まれるのが好ましく、0.01質量部含まれるのがさらに好ましい。前記フッ素化アクリリックコポリマーが0.001〜0.1質量部含まれるシンナー組成物は、フォトレジストとの界面の動的表面張力が低くなるので、不要なフォトレジストを綺麗に除去することができる。
【００３１】
前記のような成分から構成される、本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、滴下またはノズルを通じたスプレー方式の噴射により、基板のエッジと後面部位に発生した不要なフォトレジストを除去するために用いられる。
【００３２】
本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物の滴下量あるいは噴射量は、使用する感光性樹脂の種類や膜厚により調節して使用されるが、特に、５〜１００ｃｃ／ｍｉｎの範囲内で選択して用いるのが好ましい。前記のように本発明のシンナー組成物を噴射した後、後続フォトリソグラフィー工程を経て、微細回路パターンを形成することができる。
【００３３】
本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着した不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるばかりでなく、同時に人体に対する安定性が高く、作業者に対しより安全で、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得る利点がある。
【００３４】
以下、実施例を挙げて本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【実施例】
【００３５】
実施例１
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(propyleneglycol monoethylether acetate,PGMEA)８８質量部、エチルラクテート(ethyl lactate,EL)１０質量部、及びケトン２質量部を均一に混合してシンナー組成物を製造した。
【００３６】
実施例２〜７及び比較例１〜５
下記表１に示した成分と組成比としたことを除いては、前記実施例１と同様の方法でシンナー組成物を製造した。表１の単位は質量部である。
【００３７】
【表１】
2005128529.tif 000003
【００３８】
前記実施例１〜７、及び比較例１〜５で製造したシンナー組成物による不要なフォトレジスト除去程度を測定する為に、下記の通りＥＢＲ実験を実施した。その結果を表４に示した。
先ず、直径８インチの酸化シリコン基板を、各々過酸化水素／硫酸混合物を含有する２個の浴で洗浄（各々の浴に５分程度浸潜させる）した後、超純水で濯いだ。この過程は注文製作した洗浄設備で行った。以後これらの基板をスピンドライヤ(SRD 1800-6,VERTEQ 社)で回転乾燥させた。その後、基板の上部面に表２に示した各々のフォトレジストを回転被覆機(EBR TRACK,高麗半導体社)を用いて一定の厚さに被覆した。前記回転被覆操作において、フォトレジスト１０ｃｃを停止した基板の中央に滴下した。以後、回転被覆機を用いて５００ｒｐｍで３秒間フォトレジストを分布させた後、基板を約2000〜4000ｒｐｍ程度の回転速度で加速させ、各フォトレジストを所定の厚さに調整した。この際、回転時間は約２０〜３０秒である。実験結果を表４に示す。
【００３９】
前記のように準備されたフォトレジストが被覆された基板に、実施例１〜７及び比較例１〜５で製造したシンナー組成物を各々噴射し、表３の条件でフォトレジストを除去した。この際、各々のシンナー組成物は圧力計が装置された加圧筒で供給され、この時の加圧圧力は1.0ｋｇｆであり、ＥＢＲノズルから出るシンナー組成物の流量は１０〜２０ｃｃ／ｍｉｎとした。
【００４０】
【表２】
2005128529.tif 000004
【００４１】
【表３】
2005128529.tif 000005
【００４２】
【表４】
2005128529.tif 000006
【００４３】
表４より、実施例１〜７のシンナー組成物等は全てのフォトレジストに対し、優れたＥＢＲ性能(EBR line uniformity)を示し、特にポリエチレンオキサイド系縮合物、フッ素化アクリリックコポリマー、またはこれらを混合使用した実施例５〜７の場合、より優れたＥＢＲ性能を示し、これにより本発明のシンナー組成物はフォトレジスト除去性能に優れていることが分かる。
【００４４】
反面、本発明のようにプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルラクテート、及びケトンを含まない比較例１〜５の場合は、フォトレジストに対する浸透が抑制され、実施例等に比べて性能が著しく低下したことを確認した。