(57)【要約】【課題】  画像表示領域とその周囲領域の境界における乱反射を防止し、良好な表示品質を有する反射型液晶表示素子を提供する。【解決手段】  半導体基板上にトランジスタと前記トランジスタに対応する反射電極１０５、１０４とが複数個、縦横マトリクス状に形成されている反射基板１００と、対向電極が形成された透明基板とを、反射電極１０５と対向電極とを対向させて、所定の間隙を有して配置し、その間隙に液晶を封止して構成した反射型液晶表示素子において、複数の反射電極１０５で構成される画像表示領域１０３の外周の一周に配置した反射電極１０４を、反射電極１０４に所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域１０１と同電位となるように構成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にトランジスタと前記トランジスタに対応する反射電極とが複数個、縦横マトリクス状に形成されている反射基板と、対向電極が形成された透明基板とを、前記反射電極と前記対向電極とを対向させて、所定の間隙を有して配置し、前記間隙に液晶を封止して構成した反射型液晶表示素子において、
前記複数の反射電極で構成される画像表示領域の外周の一周に配置した反射電極を、前記反射電極に所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域と同電位となるように構成したことを特徴とする反射型液晶表示素子。
【請求項２】
半導体基板上にトランジスタと前記トランジスタに対応する反射電極とが複数個、所定の間隙部を有して縦横マトリクス状に形成されている反射基板と、対向電極が形成された透明基板とを、前記反射電極と前記対向電極とを対向させて、所定の間隙を有して配置し、前記間隙に液晶を封止して構成した反射型液晶表示素子において、
前記複数の反射電極で構成される画像表示領域を所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域に、前記周囲領域の辺から前記周囲領域内に入り込む複数のスリットを設けたことを特徴とする反射型液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型液晶表示素子に係り、特に、画像表示領域の最外周に配置された反射電極部に生じる表示品質の劣化を抑制したアクティブマトリクス型の反射型液晶表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、映像投射表示装置の一つとして、反射型液晶表示素子を用いた投射表示装置（プロジェクタ）が使用されている。そして、アクティブマトリクス型液晶表示素子について、種々の点で特性向上が図られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図５は、一般的な反射型液晶表示素子の一画素を示す断面図である。
【０００４】
同図に示すように、一般的なアクティブマトリクス型の反射型液晶表示素子５０は、反射基板５１と、対向電極４１の形成された図示しない透明基板とを、反射電極３０と対向電極４１とを対向させて所定間隔で配置し、その間に液晶４０を封止して構成される。
【０００５】
反射基板５１は、まず、半導体基板１１上に形成した、マトリクス状に複数形成される画素に対応した画素トランジスタ１４及び保持容量Ｃを構成する容量電極２３を有する。なお、ここでは、一画素分のみ、図示してある。
【０００６】
この画素トランジスタ１４及び容量電極２３の上には、所定形状のドレイン領域１７に接続するドレイン電極１８、ゲート酸化膜１５に接続するゲート電極１６及びソース領域１９に接続するソース電極２０とがそれぞれ分離されて形成されている。これらの間には、第１層間絶縁膜２５が埋め込まれており、互いに物理的・電気的に分離されている。
【０００７】
第１層間絶縁膜２５上には、第１メタル層２６が形成されており、第１メタル層２６は所定形状に加工されて、ドレイン電極１８に接続する信号線７３、ソース電極２０及び容量電極２３に接続するソース配線７７を構成する。容量電極２３は容量電極用コンタクト２４を介してソース電極７７に接続している。信号線７３及びソース配線７７は、互いに分離している。
【０００８】
信号線７３とソース配線７７との間隙及びこれらを覆う第２層間絶縁膜２７が形成されている。この第２絶縁層間膜２７の上には、第２メタル層（遮光膜）２８が形成されている。第２メタル層２８は、所定形状に加工されて、ソース配線７７に第２ビアホールＶｉａ２に充填されたコンタクトを介して接続する接続部３１と、これと電気的に分離した遮光膜２８となる。
【０００９】
接続部３１と遮光膜２８との間隙（開口部２８’）及びこれらを覆って第３層間絶縁膜２９が形成されている。半導体基板１１から第３層間絶縁膜までが、反射基板下地５２を構成する。
【００１０】
第３層間絶縁膜２９の上には第３メタル膜が形成されており、これは所定形状に加工されて互いに分離した反射電極３０を構成する。反射電極３０間には、間隙（開口部３０’）が形成される。反射電極３０は、各画素に対応しており、これは、第３層間絶縁膜２９に形成された第３ビアホールＶｉａ３に充填されたコンタクトを介して接続部３１ひいてはソース電極２０に接続している。
【特許文献１】特開平９−１４６０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、反射型液晶表示素子における反射基板の全体を示すと図６のようになる。
【００１２】
図６は、従来例の反射型液晶表示素子における反射基板を示す平面図である。
【００１３】
同図は上面図であり、反射基板２００を反射電極２０５側から見ている。
【００１４】
所定形状の反射基板２００は、画素表示領域２０３とその外周部にある画素表示領域の周囲領域２０１より構成される。画素表示領域２０５には、縦横マトリクス状にそれぞれ複数の反射電極２０５が形成されている。なお、説明の便宜上、画素表示領域の周囲領域２０１に隣接する最外周の各反射電極は、反射電極２０４として区別しておく。各反射電極２０５、２０４は互いに所定間隔で分離され、縦横マトリクス状に配置されている。画素表示領域の周囲領域２０１及び各反射電極２０５、２０４は、導電性及び可視光の反射率が良好な金属物質例えばアルミニウムやその合金から形成した膜である。なお、画素表示領域の周囲領域２０１を額縁電極ともいう。
【００１５】
この反射電極２０５、２０４及び周囲領域２０１は次のように形成する。
【００１６】
所定の大きさの半導体基板（ウエハ）上に所定のサイズの反射型液晶表示装置に対応する、上述した反射基板下地５２と同様の複数の反射基板下地を形成する。次に、反射基板下地全面に、所定厚さの金属膜（例えばアルミニウム膜）を形成する。その上にフォトレジスト膜を形成する。
【００１７】
次に、図７に示すフォトマスク２００Ａを用いて、フォトレジストの所定個所を露光し、露光部を現像除去した後、残されたフォトレジストをマスクとして、露出しているアルミニウム膜を塩素系のガスでドライエッチング除去し、その後、ポリマー除去剤でフォトレジストを除去して、反射電極２０５、２０４及び額縁電極２０１の形成された反射基板２００を得る。
【００１８】
ここで、図７は、従来例の反射型液晶表示素子における反射基板を作製するためのフォトマスクの一部を示す平面図である。
【００１９】
同図に示すように、フォトマスク２００Ａにおいては、形成されるべき額縁電極２０１に対応する外縁部２０１Ａ、形成されるべき反射電極２０５、２０４に対応する矩形の反射電極用マスク部２０５Ａ、２０４Ａでは光を遮光し、外縁部２０１Ａと反射電極用マスク部２０４Ａとの間隙部（光透過部）２０８Ａ及び反射電極用マスク部２０５Ａ、２０４Ａ間の間隙部（光透過部）２０７Ａでは光を透過する。
【００２０】
間隙部２０８Ａの幅及び間隙部２０７Ａは幅は等しくｄＡであり、反射電極用マスク部２０５Ａ、２０４Ａのサイズは、縦がＤＡで、横がＤＡである。
【００２１】
画像表示領域において、画素数を縦方向に９００個程度、横方向に１２００個程度配列し、フォトマスク２００Ａにおいて、ＤＡを略１３μｍとし、ｄＡを略０．５５μｍとした場合には、良好な反射電極及び額縁電極の形成された反射基板を得ることができた。
【００２２】
然るに、反射型液晶表示素子のサイズを小型化するとともに、反射電極の開口率を向上させるために、ＤＡをそのままとし、ｄＡを０．４μｍ程度にすると、得られる反射基板は、図８に示されるようなものとなった。
【００２３】
図８は、従来例における反射基板の一部を示す平面図である。
【００２４】
同図に示すように、反射基板２００において、各反射電極２０５、２０４のサイズＤはは略ＤＡに等しく１３μｍとなり、その間隙部２０７の幅ｄは略ｄＡに等しく０．４μｍとなる。一方、額縁電極２０１と反射電極２０４との間隙部２０８の幅ｄ’はｄに比較し１割程度狭くなり、例えば０．３６４μｍとなる。この結果、ｉ線（波長３６５ｎｍ）ステッパの解像限界に近づいてしまい、間隙部２０８の部分で、反射電極２０４と額縁電極２０１が部分的に短絡してしまう。このような反射基板２００より反射型液晶表示素子を形成すると、投射画面の周辺部が均一の直線にならず、がたついて見え、表示品質の劣化をもたらしていた。
【００２５】
これを改善すべく、図９に示すフォトマスク３００Ａを用いて、反射基板を作製する。
【００２６】
図９は、改善した従来例の反射型液晶表示素子における反射基板を作製するためのフォトマスクの一部を示す平面図である。
【００２７】
同図に示すように、改善されたフォトマスク３００Ａにおいては、反射電極用マスク部３０４Ａ、３０５Ａのサイズ（Ｄ３Ａ×Ｄ３Ａ）において、Ｄ３Ａは、略Ｄ（１３μｍ）と等しくしてある。反射電極用マスク部３０４Ａ、３０５Ａ間の光透過部（間隙部）２０７Ａの幅ｄ３Ａは、略ｄ（０．４μｍ）と等しくしてある。
【００２８】
しかし、外縁部（マスク部である）３０１Ａとこれに隣接する反射電極用マスク部３０４Ａの光透過部（間隙部）３０８Ａの幅ｄ’３Ａは、ｄ（０．４μｍ）より一割程度大きい０．４４μｍとしてある。
【００２９】
この従来の改善したマスク３００Ａを用いて、作製したのが、図１０に示す反射基板３００である。
【００３０】
図１０は、改善した従来例における反射基板の一部を示す平面図である。
【００３１】
同図に示すように、反射電極３０５、３０４のサイズ（ｄ３×ｄ３）において、ｄ３は略１３μｍとなり、反射電極３０５、３０４間の間隙部３０７の幅ｄ３は略０．４μｍとなり、画素表示領域の周囲領域３０１とこれに隣接する画素電極３０４との間隙部３０８の幅もｄ３となり、間隙部３０８、３０７を均一にすることが出来る。これにより、従来の反射基板２００において発生していた、額縁電極２０１とこれに隣接する反射電極２０４間の間隙部が狭くなることによる、表示品質の劣化を防止できることが分かる。
【００３２】
然るに、反射基板を作製する場合には、大口径（直径６インチ）の同一ウエハに、複数の反射基板を作製するのであるが、反射電極及び額縁電極を形成するフォトエッチング工程の最後のリンス工程で、ポリマー除去剤を用いて洗浄する。このとき、ウエハを立てた状態でリンス槽に送るので、最も下側となる額縁電極と画素電極との間隙部にはポリマー除去剤が溜まる。ポリマー除去剤は、アルミニウムに対して腐食作用があるので、ポリマー除去剤の溜まる額縁電極の部分が腐食し、その表面はがたがたになる。このような反射基板を用いて液晶表示素子を構成すると、画像表示領域とその周囲領域との境界部の一部で入射光が乱反射し、投射画像の表示品質を劣化させるという問題があった。
【００３３】
そこで、本発明は、上記問題を解決し、画像表示領域とその周囲領域の境界における乱反射を防止し、良好な表示品質を有する反射型液晶表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
上記目的を達成するための手段として、第１の発明は、半導体基板上にトランジスタと前記トランジスタに対応する反射電極１０５、１０４とが複数個、縦横マトリクス状に形成されている反射基板１００と、対向電極が形成された透明基板とを、前記反射電極１０５と前記対向電極とを対向させて、所定の間隙を有して配置し、前記間隙に液晶を封止して構成した反射型液晶表示素子において、
前記複数の反射電極１０５で構成される画像表示領域１０３の外周の一周に配置した反射電極１０４を、前記反射電極１０４に所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域１０１と同電位となるように構成したことを特徴とする反射型液晶表示素子である。
【００３５】
また、第２の発明は、半導体基板上にトランジスタと前記トランジスタに対応する反射電極１１５、１１４とが複数個、所定の間隙部を有して縦横マトリクス状に形成されている反射基板１１０と、対向電極が形成された透明基板とを、前記反射電極と前記対向電極とを対向させて、所定の間隙を有して配置し、前記間隙に液晶を封止して構成した反射型液晶表示素子において、
前記複数の反射電極１１５、１１４で構成される画像表示領域を所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域（額縁電極１１１）に、前記周囲領域の辺から前記周囲領域内に入り込む複数のスリット１１９、１２０を設けたことを特徴とする反射型液晶表示素子である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の反射型液晶表示素子は、請求項１記載によれば、複数の反射電極で構成される画像表示領域の外周の一周に配置した反射電極を、前記反射電極に所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域と同電位となるように構成したことにより、画像表示領域とその周囲領域の境界における乱反射を防止し、良好な表示品質を有する反射型液晶表示素子を提供できるという効果がある。
【００３７】
また、請求項２記載によれば、複数の反射電極で構成される画像表示領域を所定間隔で隣接して取り囲む周囲領域に、前記周囲領域の辺から前記周囲領域内に入り込む複数のスリットを設けたことにより、周囲領域を形成する際に発生する辺の乱れを防止して、画像表示領域とその周囲領域の境界における乱反射を防止し、良好な表示品質を有する反射型液晶表示素子を提供できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００３９】
図１は、本発明の反射型液晶表示素子の実施例１における反射基板を示す平面図である。
【００４０】
図２は、図１の部分拡大図である。
【００４１】
図１及び図２に示すように、反射基板１００は、図示しない半導体基板上に、図５に示した反射基板下地５２と同様の反射基板下地上に形成された、画素表示領域の周囲領域（額縁電極）１０１と、ダミー領域１０２を構成する複数のダミー反射電極１０４と、画素表示領域を構成する複数の反射電極１０５とから構成される。
【００４２】
この反射基板１００の反射電極１０５の形成された面と、図示しないガラス基板上に形成された対向電極とを対向して、所定間隔で保持した反射基板１００と対向電極との間に液晶を封止して図示しない反射型液晶表示素子がえられる。
【００４３】
額縁電極１０１、ダミー電極１０４、反射電極１０５は、図示しない反射基板下地上に形成したアルミニウム膜に、上述したように、図７に示したフォトマスク２００Ａを使用し、フォトリソグラフを用いて加工して形成したものである。
【００４４】
複数の反射電極１０５は、画像表示領域１０３中、縦横マトリクス状に配置されている。縦に例えば９００個、横に例えば１２００個配列されている。反射電極１０５のサイズは、例えば、縦Ｄが１３μｍ、横Ｄが１３μｍの正方形である。反射電極１０５間の間隙部１０７の幅ｄは０．４μｍである。
【００４５】
画素表示領域１０３（一点鎖線で囲われた領域）と、額縁電極１０１との間には、反射電極１０５と同一形状のダミー電極１０４が一列形成されている。ダミー電極１０４と反射電極１０５との間隙部１０７の幅ｄは０．４μｍである。一方、ダミー電極１０４と額縁電極１０１との間隙部１０８は、フォトマスク２００Ａを使用しているので、上述の反射基板２００Ａにおける間隙部２０８Ａと同様の幅ｄ’（０．３６４μｍ）となり、間隙部１０８はその辺ががたがたになったりしている。ダミー電極と１０４と額縁電極１０１との間にショートも発生している。
【００４６】
本実施例の反射型液晶表示装置における反射基板１００においては、ダミー電極１０４を全て反射基板下地内でそれぞれ額縁電極１０１に電気的機械的に接続してあり、額縁電極１０１と同電位となるように構成してある。
【００４７】
従って、反射基板１００より反射型液晶表示装置を構成すると、額縁電極１０１とダミー電極１０４との間の間隙部１０８の影響を受けることなく、しかも、画像表示領域１０３の反射電極１０５とダミー電極１０４との間の間隙部１０７は、一定であるので、がたつきなどは発生しないので、この部分での乱反射を防止し、表示される画像は良好な品質のものである。
【００４８】
また、ダミー画素１０４を一周以上設けても良い。
【００４９】
さらに、反射電極１０５、ダミー電極１０５、額縁電極１０１を形成する際のフォトエッチング後に、残渣を除去するためポリマー除去剤を用い、複数の反射基板１００の形成されたウエハを立てた状態で洗浄を行うが、リンス槽に移す際に、ポリマー除去剤がパターンの最下部（額縁電極１０１とダミー電極１０４との間隙部１０８）に溜まり易く、アルミニウム膜に腐食が発生し、光がその部分に当たり乱反射する現象があるが、本実施例においては、その部分はダミー電極１０４のあるダミー領域１０２となるので液晶シャッターは常時ＯＦＦとなり、この部分で光が乱反射することがない。
【実施例２】
【００５０】
図３は、本発明の反射型液晶表示素子の実施例２における反射基板を作製するためのフォトマスクの一部を示す平面図である。
【００５１】
図４は、実施例２における反射基板の一部を示す平面図である。
【００５２】
本実施例においては、上述した実施例１における反射基板１００に用いた反射基板下地５２と同様の反射基板下地上に形成したアルミニウム膜を、図３に示すフォトマスク１１０Ａを使用して加工して、図４に示す反射基板１１０を得たものである。
【００５３】
図３に示すように、図４を参照すると、フォトマスク１１０Ａにおいては、反射電極１１０の画素表示領域の周囲領域（額縁電極）１１１を形成すべき外縁部１１１Ａと、額縁電極１１１に隣接する画素領域の画素電極１１４を形成すべき外縁部に隣接する反射電極用マスク部１１４Ａとの間隙部（光透過部）１１８Ａの幅ｄ’１Ａは略０．５５μｍとしてある。
【００５４】
外縁部に隣接する反射電極用マスク部１１４Ａとそれ以外の反射電極用マスク１１５Ａとの間隙部（光透過部）１１７Ａの幅ｄ１Ａは、略０．４μｍとしてある。反射電極用マスクの形状は正方形であり、その辺の長さＤ１Ａは略１３μｍとしてある。
【００５５】
さらに、外縁部１１１Ａには、間隙部１１８Ａの延長として幅ｄ’１Ａが略０．５５μｍであリ長さが略５μｍ以上のスリット（間隙部：光透過性である）１２０Ａを設けてある。同様に、外縁部１１１Ａには、間隙部１１７の延長として幅ｄ１Ａが略０．４μｍであるスリット（間隙部：光透過性である）１１９Ａを設けてある。
【００５６】
このようなフォトマスク１１０Ａを用いて、実施例１におけると同様に反射基板下地に形成したアルミニウム膜をフォトリソグラフにより加工すると、反射基板１１０が得られる。
【００５７】
反射基板１１０においては、額縁電極１１１と額縁電極に隣接する反射電極１１４との間はアルミニウム膜が除去され、間隙部１１８が形成される。間隙部１１８の幅ｄ１は、略０．４μｍである。反射電極１５と反射電極１４との間、および反射電極１１５間では、アルミニウム膜が除去され、間隙部１１７が形成される。間隙部１１７の幅ｄ１は間隙部１１８と同様で、略０．４μｍである。
【００５８】
額縁電極１１１には間隙部１１７及び間隙部１１８の延長として、アルミニウム膜の除去されているスリット１１９及びスリット１２０が形成されている。スリット１１９、１２０の幅は、間隙部１１７と同様で、その長さは略５μｍである。
【００５９】
このような反射基板１１０が複数形成されるウエハは、上述したように、アルミニウム膜のフォトリソグラフの工程で、立てられた状態でポリマー除去剤で洗浄される。この際には、このポリマー除去剤は、下側に位置する額縁電極１１１において、そこに設けられたスリット１１９，１２０を伝って下側に流れ落ち、間隙部１１８に溜まることがない。したがって、間隙部１１８の溝が腐食によりがたがたになることはない。従って、この反射基板１１０を用いる反射型液晶表示装置においては、額縁電極１１１に隣接する部分の反射電極１１４が正確に形成されているので、周囲領域との境界における乱反射の発生がなく、表示品質を損なうことがない。
【００６０】
また、フォトマスク１１０Ａにおいては、外縁部１１１とそれに隣接する反射電極用マスク部１１４Ａとの間隙部１１８Ａの幅を、反射電極用マスク部１１４Ａ、１１５Ａとの間隙部１１７Ａの幅より所定の大きさだけ、大きくしてあるので、額縁電極１１１と反射電極１１４との間隙部１１８は、反射電極１１４、１１５間の間隙部１１７と同様の幅となるので、ショートが発生することがなく、これより得られる反射型液晶表示素子においては、額縁電極周辺にがたつきが現れることなく、表示される画像の品質は良好である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の反射型液晶表示素子の実施例１における反射基板を示す平面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】本発明の反射型液晶表示素子の実施例２における反射基板を作製するためのフォトマスクの一部を示す平面図である。
【図４】実施例２における反射基板の一部を示す平面図である。
【図５】一般的な反射型液晶表示素子の一画素を示す断面図である。
【図６】従来例の反射型液晶表示素子における反射基板を示す平面図である。
【図７】従来例の反射型液晶表示素子における反射基板を作製するためのフォトマスクの一部を示す平面図である。
【図８】従来例における反射基板の一部を示す平面図である。
【図９】改善した従来例の反射型液晶表示素子における反射基板を作製するためのフォトマスクの一部を示す平面図である。
【図１０】改善した従来例における反射基板の一部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１…半導体基板、１２…ｐ−ウエル領域、１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ…フィールド酸化膜、１４…画素トランジスタ（スイッチング素子：ＭＯＳＦＥＴ）、１５…ゲート酸化膜、１６…ゲート電極、１７…ドレイン領域、１８…ドレイン電極、１９…ソース領域、２０…ソース電極、２１，２１ａ…拡散容量電極、２２…絶縁膜、２３…容量電極、２４…容量電極用コンタクト、２５…第１層間絶縁膜、２６…第１メタル膜、２６’…開口部、２７…第２層間絶縁膜、２８…遮光膜（第２メタル膜）、２８’…開口部、２９…第３層間絶縁膜、３０…反射（画素）電極（第３メタル膜）、３０’…開口部、３１…接続部、４０…液晶、４１…対向電極、５０…反射型液晶表示素子、５１…反射基板、５２…反射基板下地、１００…反射基板、１０１…画素表示領域の周囲領域（額縁電極）、１０２…ダミー領域、１０３…画像表示領域、１０４…ダミー反射電極、１０５…反射電極、１０７…間隙部、１０８…間隙部、１１０…反射基板、１１０Ａ…フォトマスク、１１１…画素表示領域の周囲領域（額縁電極）、１１１Ａ…外縁部、１１４…反射電極、１１４Ａ…外縁部に隣接する反射電極用マスク部、１１５…反射電極、１１５Ａ…反射電極用マスク部、１１７…間隙部、１１７Ａ…光透過部（間隙部）、１１８…間隙部、１１８Ａ…光透過部（間隙部）、１１９…間隙部（スリット）、１１９Ａ…光透過部（間隙部）、１２０…間隙部（スリット）、１２０Ａ…光透過部（間隙部）、２００…反射基板、２００Ａ…フォトマスク、２０１…画素表示領域の周囲領域（額縁電極）、２０１Ａ…外縁部、２０３…画素表示領域、２０４…反射電極、２０４Ａ…反射電極用マスク部、２０５…反射電極、２０５Ａ…反射電極用マスク部、２０７…間隙部、２０７Ａ…光透過部（間隙部）、２０８…間隙部、２０８Ａ…光透過部（間隙部）、３００…反射基板、３００Ａ…フォトマスク、３０１…画素表示領域の周囲領域（額縁電極）、３０１Ａ…外縁部、３０４…反射電極、３０４Ａ…反射電極用マスク部、３０５…反射電極、３０５Ａ…反射電極用マスク部、３０７…間隙部、３０７Ａ…光透過部（間隙部）、３０８…間隙部、３０８Ａ…光透過部（間隙部）、Ｃ…保持容量部、Ｄ…ドレイン、Ｇ…ゲート、Ｓ…ソース、Ｖｉａ１…第１ビアホール、Ｖｉａ２…第２ビアホール、Ｖｉａ３…第３ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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