(57)【要約】【課題】  荷電粒子線のパターン照射に用いられるメンブレンマスクの変形を十分に抑え、パターン照射の精度の向上を図る。【解決手段】支持枠３と、荷電粒子線ｐが透過する開口パターンｐを有して支持枠３に張設支持された薄膜状のメンブレン５とを備えたメンブレンマスク1ａにおいて、メンブレン５との間に間隔を有して対向配置されると共に、開口パターンｐが配置された領域に対応して開口窓7ａを有する遮蔽板７が、支持枠３に支持された状態で設けられていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持枠と、荷電粒子線が透過するパターンを有して前記支持枠に張設支持された薄膜状のメンブレンとを備え、
前記メンブレンとの間に間隔を有して対向配置されると共に、前記パターンが配置された領域に対応して開口窓を有する遮蔽板が、前記支持枠に支持された状態で設けられている
ことを特徴とするメンブレンマスク。
【請求項２】
請求項１記載のメンブレンマスクにおいて、
前記支持枠には、その枠内を仕切ると共に前記メンブレンを当該枠内において支持するための梁が設けられ、
前記遮蔽板と前記梁との間には空間が設けられている
ことを特徴とするメンブレンマスク。
【請求項３】
請求項１記載のメンブレンマスクにおいて、
前記遮蔽板と前記支持枠との間に、断熱層が狭持されている
ことを特徴とするメンブレンマスク。
【請求項４】
請求項１記載のメンブレンマスクにおいて、
前記荷電粒子線が透過するパターンは、前記メンブレンに設けられた開口パターンからなる
ことを特徴とするメンブレンマスク。
【請求項５】
荷電粒子線を処理基板の表面にパターン照射するパターン処理方法であって、
支持枠と、荷電粒子線が透過するパターンを有して前記支持枠に張設支持された薄膜状のメンブレンとを備え、当該メンブレンとの間に間隔を有して対向配置されると共に、前記パターンが配置された領域に対応して開口窓を有する遮蔽板が、前記支持枠に支持された状態で設けられているメンブレンマスクを用い、
前記メンブレンを処理基板側に向けた状態で、前記メンブレンマスクを当該処理基板に対向配置し、
前記遮蔽板側から前記メンブレンマスクに対して荷電粒子線を照射することにより、前記遮蔽板の開口窓を通過し、さらに前記メンブレンのパターンを透過して成形された荷電粒子線パターンを前記処理基板に照射する
ことを特徴とするパターン処理方法。
【請求項６】
請求項５記載のパターン処理方法において、
前記荷電粒子線の照射装置における固定チャックに対して前記遮蔽板を密着固定させることにより、前記メンブレンマスクを当該照射装置に設置させる
ことを特徴とするパターン処理方法。
【請求項７】
基板の一主面側に成膜された薄膜状のメンブレンに荷電粒子線を透過させるパターンを形成する第１工程と、
前記基板の中央部をエッチング除去することにより当該基板からなる支持枠の一主面側に前記メンブレンを張設支持させた状態とする第２工程と、
複数の開口窓が形成された遮蔽板を、当該開口窓と前記メンブレンのパターンとが平面視的に重なる状態で前記支持枠の他主面側に貼り合わせる第３工程とを行う
ことを特徴とするメンブレンマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のメンブレンマスクの製造方法において、
前記第２工程の前に、前記基板の中央部をエッチングして凹部を形成する工程を行い、
前記第２工程では、前記凹部内に複数の開口領域が形成されるように前記基板をエッチング除去することにより、複数の開口領域が枠によって仕切られると共に当該梁によって枠内のメンブレンが支持された支持枠を形成する
ことを特徴とするメンブレンマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に荷電粒子線を利用した半導体製造技術に用いられるメンブレンマスク、これを用いたパターン処理方法、およびメンブレンマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化、高集積化は進む一方であり、サブクォータミクロンの加工を高精度かつ再現性よく行う半導体製造技術が必要となってきている。このような半導体製造技術として、露光光に電子線を用いた電子線露光が行われている。電子線露光においては、薄膜（いわゆるメンブレン）に露光パターンを設けてなるメンブレンマスクを用いることにより、所定の領域に対して一括露光を行うことが可能であり、露光時間を短縮化することができる。尚、露光パターンとしては、開口パターンの他に散乱パターンを用いる場合もあり、開口パターンが形成さているマスクを特にステンシルマスクとしている。
【０００３】
そして、メンブレンに開口パターンを設けてなるメンブレンマスク（ステンシルマスク）は、上述したような露光（電子線露光）だけではなく、イオン注入、パターンエッチング、およびパターン成膜などの様々なパターン処理用途におけるマスクとして用いることが可能である。例えば、イオン注入における注入マスクとしてメンブレンマスクを用いる場合には、イオン注入が施される処理基板に対して、メンブレンマスクを対向配置する。そして、このメンブレンマスクを介して、処理基板にイオンビームを照射することで、処理基板の表面層における所定パターン部分のみにイオンを選択的に注入することができる（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００４】
以上のように、イオン注入における注入マスクとしてメンブレンマスクを用いた場合には、処理基板上にレジストパターンを注入マスクとして形成する必要がなくなる。このため、レジストパターンを形成するためのリソグラフィー工程や、イオン注入後のレジストパターンの剥離工程やその後のウェット洗浄処理を削減でき、イオン注入工程を簡略化することが可能となる。しかも、上述したようなウェット処理を行う必要がないことから、ウェット処理による残渣の発生を防止でき、処理基板の汚染を防止することもできる。
【０００５】
しかしながら、メンブレンマスクを用いたパターン処理においては、処理基板上に配置されたメンブレンマスクのメンブレン部分に対しても、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線が直接照射される。これにより、メンブレンの温度が大きく上昇して膨張し、メンブレンマスクに反りやゆがみ等が発生するため、メンブレンに形成されたパターンの位置ずれが生じ易い。
【０００６】
そこで、メンブレンの表面にダイヤモンド層のような熱膨張係数の小さい材料層を設けることによりメンブレンの熱変形を抑えたり、さらに熱膨張係数の小さい材料層を導電層で覆うことにより電荷を逃がす構成が提案されている（例えば、下記特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２８８６８０号公報
【特許文献２】特開平９−３４１０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した構成のメンブレンマスクは、真空雰囲気下で用いられることが多いが、一般的に、真空雰囲気下においては、メンブレンの表面に生じた熱が真空中へ放熱され難い傾向がある。このため、メンブレンの表面に熱膨張係数の小さい材料層や導電層を設けた構成のメンブレンマスクであっても、これらの層に対する蓄熱が大きい場合には、メンブレンマスクの熱変形を十分に抑えることが困難であった。
【０００９】
特に、荷電粒子線としてイオンビームを用いた場合には、メンブレンに対して大きなエネルギーが加わるためメンブレンにおける蓄熱量が大きくなる。したがって、メンブレンの表面に熱伝導率の高い導電層を設けた場合であっても、メンブレンの表面に生じた熱が導電層から真空中に放熱され難く、メンブレンマスクの変形を十分に抑えることは困難であった。
【００１０】
そこで本発明は、メンブレンの膨張による変形、およびメンブレンを透過した荷電粒子線の照射パターンの位置ずれを確実に防止することが可能なメンブレンマスク、これを用いたパターン処理方法を提供すること、さらにはこのようなメンブレンマスクの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するための本発明のメンブレンマスクは、支持枠と、荷電粒子線が透過するパターンを有して支持枠に張設支持された薄膜状のメンブレンとを備えている。そしてさらに、メンブレンとの間に間隔を有して対向配置されると共に、前記パターンが配置された領域に対応して開口窓を有する遮蔽板が、支持枠に支持された状態で設けられていることを特徴としている。
【００１２】
このような構成のメンブレンマスクでは、荷電粒子線が透過するパターンが配置された領域に対応して開口窓を有する遮蔽板が設けられているため、この遮蔽板側からメンブレンマスクに対して照射された荷電粒子線は、開口窓で絞られた状態でメンブレンに照射されることになる。このため、メンブレンマスクに照射される荷電粒子線のうち、不必要な部分を遮蔽板で遮断して必要部分のみが、パターンが配置されたメンブレン部分に対して照射されることになる。したがって、荷電粒子線の照射によるメンブレンの温度上昇が抑えられる。また、遮蔽板は、メンブレンとの間に間隔を有して対向配置されるため、荷電粒子線の照射によって遮蔽板が温度上昇した場合、遮蔽板の熱がメンブレンに伝わることが抑えられ、これによってもメンブレンの温度上昇が抑えられる。
【００１３】
また、本発明は、上述した構成のメンブレンマスクを用いたパターン処理方法でもあり、メンブレンを処理基板側に向けた状態でメンブレンマスクを処理基板に対向配置した状態で、遮蔽板側からメンブレンマスクに対して荷電粒子線を照射する。これにより、遮蔽板の開口窓を通過し、さらにメンブレンに設けられたパターンを透過して成形された荷電粒子線を処理基板にパターン照射する。
【００１４】
これにより、上述したようにメンブレンの温度上昇を抑えた状態で、処理基板に対して荷電粒子線のパターン照射が行われる。
【００１５】
さらに本発明は、上述した構成のメンブレンマスクの製造方法でもあり、次のように行われる。先ず、基板の一主面側に成膜された薄膜状のメンブレンに荷電粒子線を透過させるパターンを形成する。次に、基板の中央部をエッチング除去することにより当該基板からなる支持枠の一主面側にメンブレンを張設支持させた状態とする。その後、複数の開口窓が形成された遮蔽板を支持枠の他主面側に貼り合わせる。この場合、開口窓とメンブレンのパターンとが平面視的に重なる状態とする。
【００１６】
このような製造方法では、一主面側にメンブレンが支持された支持枠の他主面側に、遮蔽板が貼り合わされる。これにより、メンブレンに対して間隔を設けた状態で遮蔽板が対向配置された、上述のメンブレンマスクが得られる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように本発明のメンブレンマスクおよびこれを用いたパターン処理方法によれば、メンブレンマスクに照射される荷電粒子線のうち、不必要な部分を遮蔽板で遮断して必要部分のみをメンブレンに対して照射することができるため、メンブレンの温度上昇を抑えることが可能になる。これにより、メンブレンの膨張による変形、およびメンブレンを透過した荷電粒子線の照射パターンの位置ずれを確実に防止することが可能になる。またこの結果、荷電粒子線によるパターン処理の精度の向上を図ることが可能になる。
【００１８】
そして、本発明のメンブレンマスクの製造方法によれば、上述したように不必要な部分を遮蔽板で遮断して必要部分のみがメンブレンに対して照射されるメンブレンマスクを得ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて順次詳細に説明する。
【００２０】
＜メンブレンマスク−１＞
図１（１）は第１実施形態のメンブレンマスクを示す概略断面図であり、図1（２）は第１実施形態のメンブレンマスクの分解平面図を示す。尚、図１（１）は図１（２）における分解平面図のＡ−Ａ’断面に相当し、図１（１）は図１（２）のメンブレンマスクを荷電粒子線ｂの照射方向から見た平面図に相当する。
【００２１】
これらの図に示すメンブレンマスク１ａは、支持枠３と、この支持枠３の一主面側に張設支持された薄膜状のメンブレン５と、支持枠３の他主面側に支持された遮蔽板７とを備えている。尚、図１（２）は、支持枠３と遮蔽板７とをずらした状態の分解平面図である。
【００２２】
このうち支持枠３は、例えば、単結晶シリコンからなる基板１１の一主面側に酸化シリコンからなる絶縁膜１３を設けてなり、円盤形状の中央を矩形形状に切り出してなる枠形状に成形されている。また、この支持枠３の枠内には、支持枠３と一体形成された梁３ａが設けられており、この梁３ａによって枠内が複数の開口領域３ｂに仕切られた状態となっている。
【００２３】
このような支持枠３は、例えば、円盤形状の外径寸法が直径１００ｍｍφである場合、中央の矩形形状、すなわち梁３ａが設けられている部分の枠内は２０ｍｍ×２０ｍｍ□〜３０ｍｍ×３０ｍｍ□程度の大きさであることとする。そして、メンブレン５が張設支持されている一主面側は、梁３ａも含めて同一平面上に配置されている。一方、遮蔽板７が配置されている他主面側は、梁３ａの高さが周縁部分の高さよりも低く凹んだ構成となっている。
【００２４】
次に、メンブレン５は、例えば単結晶シリコン薄膜からなり、支持枠３の周縁部分と共に枠内に設けられた梁３ａによって支持された状態で、支持枠３の絶縁膜１３側（一主面側）に張設されている。このメンブレン５の中央部において、梁３ａを含む支持枠３に張設されている薄膜状部分、すなわちメンブレン部５ａには、荷電粒子線ｂが透過するパターンとして開口パターンｐが設けられている。したがって、このメンブレンマスク１ａは、いわゆるステンシルマスクとして構成されたものとなっている。
【００２５】
また、遮蔽板７は、例えば単結晶シリコン基板からなり、支持枠３の他主面側において、支持枠３の梁３ａとの間に間隔ｄを設けた状態で、支持枠３の周縁部に貼り合わせられることにより、メンブレン５に対して対向配置されている。この遮蔽板７は、支持枠３と同等の円盤形状の中央部において、メンブレン部５ａ（すなわち支持枠３の開口領域３ｂ）に対応する各位置に開口窓７ａを設けてなる。この開口窓７ａは、遮蔽板７側からメンブレンマスクに対して照射された荷電粒子線ｂが、メンブレン部５ａに形成されている開口パターンｐに照射されることを妨げない形状で、できるだけ小さい面積で開口していることが好ましい。
【００２６】
そして、この遮蔽板７の外側に向かう面１５は、このメンブレンマスク１ａを、荷電粒子線ｂの照射装置に対して固定するための固定面１５として平坦に形成されていることとする。
【００２７】
以上説明した構成のメンブレンマスク１ａでは、開口パターンｐが配置されたメンブレン部５ａに対応して開口窓７ａが配置された遮蔽板７が設けられているため、この遮蔽板７側からメンブレンマスク１ａに対して照射された荷電粒子線ｂは、開口窓７で絞られた状態でメンブレン５に照射されることになる。このため、メンブレンマスク１ａに照射される荷電粒子線ｂのうち、不必要な部分を遮蔽板７で遮断し、必要部分のみをメンブレン部５ａに対して照射することができる。したがって、荷電粒子線ｂの照射によるメンブレン５の温度上昇を抑えることができる。また、遮蔽板７は、メンブレン５やメンブレン５を支持する支持枠３の梁３ａとの間に間隔ｄを有して対向配置される。このため、この間隔ｄ部分の断熱効果により、荷電粒子線ｂの照射によって遮蔽板７が温度上昇した場合、遮蔽板７の熱がメンブレン５に伝わることが抑えられ、これによってもメンブレンの温度上昇が抑えられる。
【００２８】
したがって、荷電粒子線ｂの照射によるメンブレン５の熱膨張によるメンブレンマスク１ａの変形を確実防止することができ、メンブレン５に形成した開口パターンｐの変形や位置ずれ、およびこれによる荷電粒子線ｂの照射パターンの位置ずれを確実に防止することが可能になる。そしてこの結果、イオンのようなエネルギーの高い荷電粒子線ｂを用いた場合であっても、このような荷電粒子線ｂによるパターン処理の精度の向上を図ることが可能になる。
【００２９】
＜メンブレンマスク−２＞
図２は、第２実施形態のメンブレンマスクの構成を示す概略断面図である。この図に示すメンブレンマスク１ｂと、図１を用いて説明した第１実施形態のメンブレンマスク（１ａ）との異なるところは、支持枠３と遮蔽板７との間に断熱層１７が狭持されているところにあり、他の構成は同様であることとする。断熱層１７は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコン、さらには金属酸化膜などの絶縁膜からなる。
【００３０】
このような構成のメンブレンマスク１ｂでは、荷電粒子線ｂの照射による遮蔽板７の温度上昇が大きい場合に、遮蔽板７の熱が支持枠３の周縁部分を介してメンブレン５に伝わることを防止できる。
【００３１】
尚、荷電粒子線ｂの照射によって加熱された遮蔽板７の熱が速やかに冷却される場合においては、断熱層１７に換えて金属材料等からなる熱伝導層を設けることにより、支持枠３および熱伝導層を介してメンブレン５の熱を遮蔽板７側に逃がす構成としても良い。
【００３２】
尚、以上説明した実施形態においては、露光パターンとして開口パターンを用いたメンブレンマスク（いわゆるステンシルマスク）に本発明を適用した場合についてを説明した。しかしながら、本発明は、支持枠にメンブレンを張設支持させたメンブレンマスクに対して広く適用可能である。例えば、露光パターンとしてメンブレンにおけるメンブレン部の一主面上に散乱パターンを設けた構成のメンブレンマスクに対しても、本発明は適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【００３３】
＜パターン処理方法＞
図３は、上記構成のメンブレンマスク１ａ（１ｂ）を用いたパターン処理方法、すなわちメンブレンマスク１ａ（１ｂ）を用いて処理基板Ｗの表面に荷電粒子線ｂをパターン照射する方法を説明する。
【００３４】
この図に示すように、先ず、荷電粒子線ｂの照射装置における固定チャック２１に、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）を固定保持させる。この場合、例えば冷却機能を備えた静電吸着式の固定チャック２１の支持面２１ａに、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）の遮蔽板７側の固定面１５を密着させ、静電吸着によってメンブレンマスク１を密着固定する。一方、荷電粒子線ｂの照射装置におけるステージ２３上に処理基板Ｗを載置固定する。このステージ２３は、ｘｙｚ方向への移動および固定された処理基板Ｗの法線をｚ軸とした場合、ｚ軸を回転軸としたθ回転が可能なステージ２３であることとする。
【００３５】
次に、処理基板Ｗを載置固定したステージ２３の駆動により、固定チャック２１に密着固定させたメンブレンマスク１ａ（１ｂ）のメンブレン５側に、処理基板Ｗを所定のギャップｇを保って対向配置させると共に、処理基板Ｗの表面に対してメンブレンマスク１ａ（１ｂ）の位置合わせを行う。
【００３６】
この状態で、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）の遮蔽板７側から、処理基板Ｗに対して垂直に荷電粒子線ｂ（例えばイオンビームや電子ビーム）を照射する。これにより、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）における遮蔽板７の開口窓７ａを通過し、さらにメンブレン５の開口パターンｐを通過して成形された荷電粒子線ｂを、処理基板Ｗの表面にパターン照射する。この際、荷電粒子線ｂの走査により、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）における必要部分にわたって荷電粒子線ｂを照射する。また、ステージ２３の移動により、処理基板Ｗの全処理領域面にわたって、荷電粒子線ｂを照射する。
【００３７】
このようなパターン処理方法によれば、上述した構成のメンブレンマスク１ａ（１ｂ）の遮蔽板７側から照射された荷電粒子線ｂが、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）を透過して処理基板Ｗにパターン照射される。したがって、遮蔽板７によって余分な荷電粒子線ｂがメンブレン５に照射されることを防止することにより、メンブレン５の加熱による膨張を防止しつつ、荷電粒子線ｂによるパターン処理を行うことが可能になる。
【００３８】
また、遮蔽板７の表面を固定面１５として照射装置の固定チャック２１に密着固定させることで、荷電粒子線ｂの照射によって上昇した遮蔽板７の熱を、直接、固定チャック２１に放熱することが可能になるため、メンブレンマスク１ａ（１ｂ）全体の温度上昇による変形を確実に抑えたパターン処理を行うことが可能になる。
【００３９】
＜製造方法−１＞
図４は、図１を用いて説明した第１実施形態のメンブレンマスク（１ａ）の製造手順の一例を示す断面工程図である。以下、この図に基づいて、第１実施形態のメンブレンマスク（１ａ）の製造手順の一例を説明する。尚、上記図１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
【００４０】
先ず、図４（ａ）-1に示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板１１の一主面（図面においては下面）側に酸化シリコンからなる絶縁膜１３を成膜し、さらにこの上部に単結晶シリコンの薄膜からなるメンブレン５を成膜する。つまり、単結晶シリコンの薄膜からなるメンブレン５が、絶縁膜１３上に形成されたＳＯＩ（Silicon on Insulating）構造となっている。尚、このようなＳＯＩ構造の基板は、貼り合わせによって得られたＳＯＩ基板であっても良し、ＳＩＭＯＸ技術を適用してこのような積層構成とした基板であっても良い。
【００４１】
次に、図４（ａ）-2に示すように、リソグラフィー法によって、メンブレン５上にレジストパターン１０１を形成する。そして、レジストパターン１０１をマスクに用いたドライエッチングにより、メンブレン５の中央の領域部分に開口パターンｐを形成する。尚、開口パターンｐは、後の工程で基板１１および絶縁膜１３をエッチングして形成する薄膜状のメンブレン部に対応する位置に設けることとする。また、このドライエッチングの終了後にはレジストパターン１０１を剥離除去する。
【００４２】
次に、図４（ａ）-3に示すように、リソグラフィー法によって、基板１１の他主面、すなわちメンブレン５の形成面と反対側の面であり図面においては上面側に、レジストパターン１０２を形成する。そして、レジストパターン１０２をマスクに用いたドライエッチングにより、基板１１の中央部に凹部１１ａを形成する。この凹部１１ａの深さｄは、図１を用いて説明した梁（３ａ）と遮蔽板（７）との間に設けられた間隔ｄに対応している。また、凹部１１ａは、後の工程で基板１１および絶縁膜１３をエッチングして形成する薄膜状のメンブレン部を平面視的に包含する形状で形成されることとする。尚、このドライエッチングの終了後にはレジストパターン１０２を剥離除去する。
【００４３】
尚、以上の図４（ａ）-2を用いて説明した工程と、図４（ａ）-3を用いて説明した工程とは、逆の手順で行っても良い。
【００４４】
次いで、図４（ａ）-4に示すように、リソグラフィー法によって、基板１１の他主面（図面においては上面）側にレジストパターン１０３を形成する。そして、このレジストパターン１０３をマスクに用いたエッチングにより、基板１１と絶縁膜１３とをこの順にパターンエッチングし、凹部１１ａの底部をくり抜いて底部にメンブレン５のみを残した複数の開口領域３ｂを形成する。これにより、開口領域３ｂの底部にメンブレン５のみを残した薄膜状のメンブレン部５ａを複数形成すると共に、各メンブレン部５ａを仕切る梁３ａを枠内に有する支持枠３を形成する。そして、この支持枠３の枠内には、支持枠３と一体形成された梁３ａが設けられ、この梁３ａによって枠内が複数の開口領域３ｂに仕切られた状態となる。また、支持枠３の一主面側に、メンブレン５が張設された状態となる。尚、このドライエッチングの終了後には、レジストパターン１０３を剥離除去する。
【００４５】
一方、図４（ｂ）-1に示すように、例えば、単結晶シリコンからなり、基板（１１）と略同一の外形寸法を有する円盤状の遮蔽板７を用意する。
【００４６】
そして、図４（ｂ）-2に示すように、リソグラフィー法によって、遮蔽板７の一主面にレジストパターン１０４を形成する。そして、レジストパターン１０４をマスクに用いたドライエッチングにより、遮蔽板７に複数の開口窓７ａを貫通形成する。この開口窓７ａは、図４（ａ）-4で形成したメンブレン部５ａに対応する位置に形成する。
【００４７】
以上の後、図４（ｃ）に示すように、支持枠３のメンブレン５が張設されている側と反対側の面、すなわち基板１１の露出面に対して、開口窓７ａが形成された遮蔽板７を貼り合わせる。この際、メンブレン部５ａと開口窓７ａとが１：１で平面視的に重なる状態で、基板１１に対して遮蔽板７を位置合わせする。
【００４８】
以上により、図１を用いて説明した第１実施形態のメンブレンマスク１ａを作製することができる。
【００４９】
尚、図２を用いて説明したメンブレンマスク１ｂを作製する場合には、図４（ａ）-1を用いて説明した工程で、基板１１の一主面側（メンブレン５と反対側の面）に断熱層を形成しておくか、または図４（ｂ）-1において、遮蔽板７の貼り合わせ面側に断熱層を形成しておくこととする。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１実施形態のメンブレンマスクの構成を示す概略断面図および平面図である。
【図２】第２実施形態のメンブレンマスクの構成を示す概略断面図である。
【図３】本発明のメンブレンマスクを用いたパターン処理方法を示す図である。
【図４】第１実施形態のメンブレンマスクの製造方法の一例を示す断面工程図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ａ，１ｂ…メンブレンマスク、３…支持枠、３ａ…梁、５…メンブレン、７…遮蔽板、７ａ…開口窓、１１ａ…凹部、１５…固定面、１７…断熱層、２１…固定チャック、２３…ステージ、ｂ…荷電粒子線、ｐ…開口パターン、Ｗ…処理基板
【図１】
2005332844.tif 000003
【図２】
2005332844.tif 000004
【図３】
2005332844.tif 000005
【図４】
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