(57)【要約】【課題】屈曲変形による断線を抑制し、耐久性を向上させたフレキシブル−リジッド配線基板を提供すること。【解決手段】ポリイミド製のベースフィルム１の両面には、予め銅結晶の配向性の高い銅層２上に配向性が低い銅層３がそれぞれ形成され、かつ導体回路４が形成された積層体が接合されている。この積層体がフレキシブル基板５となっている。前記積層体のうち、屈曲変形部６を除く部分における配向性の低い銅層３の両外面上には、プリプレグ７の表面に銅層８が形成されたリジッド基板９が接合されている。そのリジッド基板９に形成された銅層８には導体回路１０が形成されている。そして、フレキシブル基板５とリジッド基板９の電気的な接続のためにスルーホール１１が両基板５，９を貫通して形成されている。【選択図】      図１
2005005413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅による導体回路が形成されたフレキシブル基板には屈曲変形部を有し、該屈曲変形部以外の部分には、銅による導体回路が形成されたリジッド基板が積層されるとともに、フレキシブル基板の導体回路とリジッド基板の導体回路が電気的に接続されてなるフレキシブル−リジッド基板において、前記フレキシブル基板に形成された導体回路は、銅結晶の配向性が相対的に高い銅層と配向性が相対的に低い銅層とを備えることを特徴とするフレキシブル−リジッド配線基板。
【請求項２】
相対的に配向性の高い銅層は、Ｘ線回折図において、（１１０）結晶面に起因するピークの高さが、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークの高さより高く、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークのいずれか低い方のピークの高さと、（１１０）結晶面に起因するピークの高さの差は、（１１０）結晶面に起因するピークの高さの８０％以上であり、相対的に配向性の低い銅層は、（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち、最も高いピークと最も低いピークの差が、最も高いピークの高さの７０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル−リジッド配線基板。
【請求項３】
フレキシブル基板の導体回路は、相対的に配向性の低い銅層の少なくとも一方の面に、電気めっきによって相対的に配向性の高い銅層を積層形成した銅層にて形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフレキシブル−リジッド配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フレキシブル−リジッド配線基板に関し、特には屈曲変形による断線を抑制し、耐久性に優れるフレキシブル−リジッド配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、折りたたみ式の携帯電話の普及に伴い、携帯電話用のプリント基板としてリジッド基板にフレキシブル基板を積層しかつ電気的に接続させたフレキシブル−リジッド配線基板の需要が高まっている。フレキシブル−リジッド配線基板としては、フレキシブル基板とリジッド基板をスルーホールで接続する技術が提案されている。このようなフレキシブル基板の導体には、展性に優れ電気抵抗値の低い圧延銅箔が最適であるとして使用されている。
【０００３】
しかし、携帯電話用のプリント基板として使用されるフレキシブル基板は、激しく且つ頻繁に屈曲変形されるため、フレキシブル基板の導体が断線するおそれがあり、屈曲変形に対する耐久性に問題があった。この問題を解決するために、フレキシブル基板のベースフィルムの一方の面に銅層を形成し、他方の面に断線防止用銅層を形成したフレキシブル基板が考案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２０４８９８号公報（第２頁）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような技術をもってしてもなお圧延銅箔による導体では屈曲変形に対する耐久性は不十分であった。その理由を研究した結果、以下のようなメカニズムによるものと推定される。
【０００６】
即ち、金属結晶には、刃状転位や螺旋転位などのような転位といわれる結晶欠陥が存在しており、この転位が移動して金属特有の塑性変形を起こす。その塑性変形が繰り返されることにより転位が集合して亀裂となり、更に進行すると導体の断線に至ると考えられる。このような転位の移動は、銅結晶における主な結晶面（１１１）、（１００）及び（１１０）に起因するＸ線回折図におけるピークの高さの差が小さい場合、即ち配向性が低い場合に著しく発生する。これは、結晶配向がランダムであるため、転位が自由な方向に移動しやすく集合しやすいためと推定される。
【０００７】
本発明は以上のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、屈曲変形による断線を抑制し、耐久性を向上させたフレキシブル−リジッド配線基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明のフレキシブル−リジッド配線基板は、銅による導体回路が形成されたフレキシブル基板には屈曲変形部を有し、該屈曲変形部以外の部分には、銅による導体回路が形成されたリジッド基板が積層されるとともに、フレキシブル基板の導体回路とリジッド基板の導体回路が電気的に接続されてなるフレキシブル−リジッド基板において、前記フレキシブル基板に形成された導体回路は、銅結晶の配向性が相対的に高い銅層と配向性が相対的に低い銅層とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明では、銅結晶の配向性が相対的に高い銅層と配向性が相対的に低い銅層とを備えることにより、銅結晶の配向性が相対的に高い銅層は、転位と呼ばれる欠陥が移動する自由度が低く、亀裂に発展しにくいと推定され、屈曲変形による断線を抑制でき、耐久性に優れている。しかしながら、このような銅層は電気抵抗に異方性を持つため、銅結晶の配向性が相対的に低い銅層と併用することで、異方性の問題を解消していると考えられるのである。つまり、本発明は、銅結晶の配向性が相対的に高い銅層の抱える問題を配向性が相対的に低い銅層を用いることで解決し、両者が有機的に結合することで、電気抵抗の異方性を生じることを抑制しつつ、屈曲変形に対する耐久性を改善できるという効果を実現している。
【００１０】
請求項２に記載の発明のフレキシブル−リジッド配線基板は、請求項１に記載の発明において、相対的に配向性の高い銅層は、Ｘ線回折図において、（１１０）結晶面に起因するピークの高さが、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークの高さより高く、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークのいずれか低い方のピークの高さと、（１１０）結晶面に起因するピークの高さの差は、（１１０）結晶面に起因するピークの高さの８０％以上であり、相対的に配向性の低い銅層は、（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち、最も高いピークと最も低いピークの差が、最も高いピークの高さの７０％以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２に記載の発明では、例えば図５、６から明らかであるように、配向性の高い銅層として（１１０）結晶面に起因するピークの高さが、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークの高さより高い。しかも、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークのいずれか低い方のピークの高さと（１１０）結晶面に起因するピークの高さの差が、（１１０）結晶面に起因するピークの高さの８０％以上である。このため、銅結晶は方向がほぼ同じ方向に揃うことで転位の移動が規制されると考えられ、屈曲変形に耐え得ることができ、断線発生率をほぼ０にすることが可能である。
【００１２】
また、最も高いピークと最も低いピークの高さの差が最も高いピークの高さの７０％以下の場合、銅結晶の方向がランダムに近い状態となり、電気抵抗の異方性が低くなるものと推定される。従って、配向性の低い銅層を併用することで、配向性の高い銅層の電気抵抗の異方性を改善できる。
【００１３】
請求項３に記載の発明のフレキシブル−リジッド配線基板は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、フレキシブル基板の導体回路は、相対的に配向性の低い銅層の少なくとも一方の面に、電気めっきによって相対的に配向性の高い銅層を積層形成した銅層にて形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項３に記載の発明では、電気めっきによって相対的に配向性の高い銅層を積層形成した銅層を形成することで、銅結晶の配向性を簡単に制御することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１に示すように、ポリイミド製のベースフィルム１の両面には、予め銅結晶の配向性の高い銅層２上に配向性が低い銅層３がそれぞれ形成され、かつ導体回路４が形成された積層体が接合されている。この積層体がフレキシブル基板５となっている。ここで、ベースフィルム１は、屈曲性、リジッド基板との積層性など本実施形態の効果を発揮することができれば、ポリイミド製に限定されるものではない。そのような材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などの耐熱性熱硬化性樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリカーボネート樹脂などの高強度熱可塑性樹脂が使用可能である。
【００１６】
また、厚みに関しては、ベースフィルム１は１０〜５００μｍが好ましく、１００μｍ程度がより好ましい。１０μｍ未満ではフレキシブル基板５の強度、耐水性を十分に確保できず、５００μｍを超えると可撓性が低下する。配向性が低い銅層３は１〜５０μｍが好ましく、１８μｍ程度がより好ましい。１μｍ未満では屈曲変形の際に断線するおそれがあり、５０μｍを超えると可撓性が低下する。
【００１７】
配向性の高い銅層２は、配向性が高い銅層２の厚みをＴ、配向性の低い銅層３の厚みをｔとした場合、ｔ／Ｔが０．５〜１００となるのが好ましい。このｔ／Ｔが１００を超える場合、表面に凹凸が形成されたアンカーとして作用する配向性の高い銅層２の厚みが相対的に薄くなり、熱膨張係数の大きな樹脂よりなるベースフィルム１から剥れるおそれがある。一方、ｔ／Ｔが０．５未満の場合、熱膨張係数が大きく配向性が高い銅層２の厚みが相対的に厚くなり、配向性が高い銅層２の熱膨張係数がベースフィルムの熱膨張係数より大きくなるため、熱膨張でベースフィルム１から剥離するおそれがある。
【００１８】
前記積層体のうち、屈曲変形部６を除く部分における配向性の低い銅層３の両外面上には、プリプレグ７の表面に銅層８が形成されたリジッド基板９が接合されている。そのリジッド基板９に形成された銅層８には導体回路１０が形成されている。そして、フレキシブル基板５とリジッド基板９の電気的な接続のためにスルーホール１１が両基板５，９を貫通して形成されている。
【００１９】
配向性の高い銅層２のＸ線回折図を図３に、配向性の低い銅層３のＸ線回折図を図４に示す。Ｘ線回折の測定条件は以下の通りである。
測定条件
測定装置          リガク製  ＲＡＤ−ｒＸ
光源              ＣｕＫα
出力              ５０ｋＶ、１５０ｍＡ
走査範囲          回折角度２θ＝３から１００°
走査速度          ４°／分
モノクロメータ    グラファイト
発散スリット      １°
散乱スリット      １°
受光スリット      ０．３ｍｍ
試料ホルダに銅層を貼付して、Ｘ線を照射した。
【００２０】
図３、図４のＸ線回折図において、（２００）ピークは銅結晶の（１００）結晶面に起因するピーク、（２２０）ピークは銅結晶の（１１０）結晶面に起因するピークである。
【００２１】
配向性の高い銅層２は、Ｘ線回折図において、（１１０）結晶面に起因するピークの高さＨ１が、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークの高さＨ２、Ｈ３より高いことが好ましい。しかも、（１１１）及び（１００）結晶面に起因するピークのいずれか低い方のピークの高さと、（１１０）結晶面に起因するピークの高さの差（Ｈ１−Ｈ３）は、（１１０）結晶面に起因するピークの高さＨ１の８０％以上であることが好ましい。この場合、銅結晶の転位の移動に方向性が生じるため転位が自由に移動できず、集合しにくくなって亀裂まで進展しないと推定されることから、屈曲変形に対して耐久性を確保できる。しかし配向性が高いため、電気抵抗に異方性が生じてしまい、複雑な導体回路を構成すると導体回路の方向によって電気抵抗が変わり、高周波数帯域では反射などにより信号波形が歪む傾向がある。
【００２２】
一方、配向性の低い銅層３は、Ｘ線回折図において、（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークの内、最も高いピークの高さＨ２と最も低いピークの高さＨ３の高さの（Ｈ２−Ｈ３）差が、最も高いピークの高さＨ２の７０％以下であることが好ましい。この場合、転位の移動が自由にできるため屈曲変形に対する耐久性が劣るが、配向性が低いため電気抵抗の異方性は小さく、複雑な導体回路であっても高周波数帯域での信号波形の歪みが少ない。
【００２３】
即ち、本実施形態では、配向性の高い銅層２と配向性の低い銅層３を一体として使用することで、屈曲変形に対する耐久性を確保することができる上に、電気抵抗の異方性についても相互補完によって抑制することができる。
【００２４】
次に、本実施形態に係るフレキシブル−リジッド配線基板を図２に基づき、製造工程順に説明する。
まず、配向性の高い銅層２及び配向性の低い銅層３の一体化物の形成方法を説明する。配向性の低い銅層３として銅箔を使用し、配向性の高い銅層２はハロゲンを添加した銅めっき液による電気めっきにより形成する。具体的には、配向性の低い銅層３としての銅箔の片面をドライフィルムでマスクする。マスクされていない面に硫酸銅水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、ハロゲンとして塩酸（６０ｐｐｍ）の混合水溶液等を用いて電気めっきを施して配向性の高い銅層２を形成する。その後、マスクしていたドライフィルムを剥離する。
【００２５】
次に、図２（ａ）に示すように、配向性の高い銅層２及び配向性の低い銅層３の一体化物をポリイミド等のベースフィルム１の両面に積層し熱圧着する。これにより、図２（ｂ）に示すようなフレキシブル基板５が得られる。
【００２６】
次いで、フレキシブル基板５の両面に図示しないドライフィルムを貼りつけ、露光・現像処理して、エッチングレジストを形成した後、エッチングして導体回路４を形成する。その結果、図２（ｃ）に示すような導体回路４を有するフレキシブル基板５が得られる。
【００２７】
次に、フレキシブル基板５の屈曲変形部６以外の部分における両面には、プリプレグ７を介して銅層８を積層し熱圧着する。これにより、図２（ｄ）に示すようなフレキシブル基板５にリジッド基板９が積層された基板が得られる。
【００２８】
最後に、ドリル加工によりフレキシブル基板５とリジッド基板９を貫通する貫通孔を開けた後、化学銅めっき、或いは化学銅めっき及び電気銅めっきを施してスルーホール１１を形成する。以上のようにして、図１に示すフレキシブル−リジッド配線基板を製造する。
【００２９】
さて、本実施形態のフレキシブル−リジッド配線基板は、折り畳み式の携帯電話等に基板として搭載される。この形式の携帯電話は、折り畳みが頻繁に繰り返して行われるが、その屈曲部はフレキシブル基板で構成されている。フレキシブル基板の導体回路４を構成する銅層には、配向性の高い銅層２が含まれている。この配向性の高い銅層２は、銅結晶の配向に基づいて転位の移動が抑制されることから、繰り返しの折り畳みに対して長期間にわたり耐え得ることができる。
【００３０】
本実施形態によれば、次のような効果を奏することができる。
・本実施形態のフレキシブル−リジッド基板におけるフレキシブル基板５の導体回路４は、銅結晶の配向性の低い銅層３が配向性の高い銅層２上に一体化されている。この銅層２は、銅結晶の転位の移動に方向性を示し、転位の移動が規制されると考えられることから、フレキシブル−リジッド配線基板は屈曲変形による断線が抑制され、耐久性が向上する。
【００３１】
・銅結晶の配向性の低い銅層３は、転位の移動が自由であり、電気抵抗の異方性が低いと推定されることから、配向性の高い銅層２を配向性の低い銅層３と組合せることで、電気抵抗の異方性を抑制することができる。
【００３２】
・配向性の高い銅層２を配向性の低い銅層３上に電気めっきによって形成することにより、銅結晶の配向性を簡単に制御することができる。
【００３３】
【実施例】
以下、前記実施形態を具体化した実施例について説明する。
（実施例１）
まず、配向性の高い銅層２及び配向性の低い銅層３の一体化物の形成方法を説明する。厚さ１８μｍの銅箔よりなる配向性の低い銅層３の片面をマスクするためのドライフィルム（デュポン製  リストン）を貼りつけた。次いで、電流密度１０００Å／ｍ２の条件で、硫酸銅水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）２７０ｇ／ｌ、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）１００ｇ／ｌ、塩酸（０〜６０ｐｐｍ）の混合水溶液を用いてめっき層の厚さが１０μｍとなるように電気めっきを行って配向性の低い銅層３上に配向性の高い銅層２を得た。次に、ドライフィルムを１Ｎの水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液で剥離した。ここで、塩酸０ｐｐｍの場合の試験体をα、１０ｐｐｍをβ、４０ｐｐｍをγ、６０ｐｐｍをδとする。なお、電気抵抗の異方性を測定するために、厚さ１８μｍの銅箔に上記条件で電気めっきし、電気めっき層にドライフィルムを貼りつけ、これを１Ｍの塩化第二銅水溶液に浸漬して銅箔を深さ１８μｍエッチングした。これをα’、β’、γ’、δ’、とする。
【００３４】
次いで、配向性の高い銅層２及び配向性の低い銅層３の一体化物を図２（ａ）に示すように、ポリイミド製のベースフィルム１（宇部興産製  ユーピレックス−Ｓ）の両面に積層し、１５０℃、８１．６×１０−５Ｐａで熱圧着した。これにより、図２（ｂ）に示すようなフレキシブル基板５が得られた。
【００３５】
次に、フレキシブル基板５の両面にドライフィルムを貼りつけ、露光・現像処理して、エッチングレジストを形成した後、１Ｍの塩化第二銅水溶液でエッチングして導体回路４を形成した。その結果、図２（ｃ）に示すような導体回路４を有するフレキシブル基板５が得られた。
【００３６】
続いて、フレキシブル基板５の屈曲変形部６以外の部分における両面には、プリプレグ７を介して銅層８を積層し、１２０℃、８１．６×１０−５Ｐａで熱圧着した。これにより、図２（ｄ）に示すようなフレキシブル基板５にリジッド基板９が積層された基板が得られた。
【００３７】
最後に、ドリル加工によりフレキシブル基板５とリジッド基板９を貫通する貫通孔を開けた後、化学銅めっき及び電気銅めっきを施してスルーホール１１を形成した。以上のようにして、図１に示すフレキシブル−リジッド配線基板を製造した。
【００３８】
図５に示すグラフは、横軸に銅結晶の（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち、最も高いピークの高さと最も低いピークの高さの差が、最も高いピークの高さに占める割合を表しており、縦軸に１００００回の屈曲変形試験での断線の発生率（％）を表している。このグラフに示すように、γ、δは銅結晶の（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち、最も高いピークの高さと最も低いピークの高さの差が、最も高いピークの高さの８０％以上である。一方、α、βは銅結晶の（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち、最も高いピークの高さと最も低いピークの高さの差が、最も高いピークの高さの８０％未満である。γ、δといった配向性の高い銅層２を導体回路４とすることにより、α、βに比べ、屈曲変形に対する耐久性を改善できることがわかった。
【００３９】
また、図６に示すグラフは、横軸に銅結晶の（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち、最も高いピークと最も低いピークの高さの差が、最も高いピークの高さに占める割合を表しており、縦軸に銅層の電気抵抗の異方性を表している。電気抵抗の異方性は、Ｘ方向及びＹ方向の１０ｃｍ間の電気抵抗を測定し、その差をＸ方向又はＹ方向のうち電気抵抗のより高い方向の値で除し％表記した。銅層２の電気抵抗の異方性に関しては図６に示すように、γ’、δ’といった（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち最も高いピークと最も低いピークの高さの差が、最も高いピークの高さの８０％以上の場合、電気抵抗の異方性が高くなる。一方、α’、β’は（１１１）、（１００）及び（１１０）結晶面に起因するピークのうち最も高いピークと最も低いピークの高さの差が、最も高いピークの高さの８０％未満であり、電気抵抗の異方性は低い。本実施例においては、配向性の高い銅層２を配向性の低い銅層３と併用して導体回路４が構成されているため、全体として電気抵抗の異方性を低くすることができる。
【００４０】
図７（ａ）に示すグラフは、本実施例のフレキシブル−リジッド配線基板に高周波数の信号を伝搬させた場合の波形である。一方、図７（ｂ）に示すグラフは、配向性の高い銅層２のみ（δに相当）で導体回路４を形成した基板に高周波数の信号を伝搬させた場合の波形である。（ａ）では０．３ＧＨｚ、（ｂ）では０．４ＧＨｚを用いた。図７（ａ）及び図７（ｂ）において、縦軸は電流（ｍＡ）、横軸は時間（秒）を表すとともに、破線は入力波形を示し、実線は出力波形を示す。尚、横軸のｎはナノを表す。これらの波形の比較から、本実施例のフレキシブル−リジッド配線基板では、入力波形、出力波形のズレ、歪みが殆どなく、電気特性に優れていることが分かる。ここで示した図７（ａ）及び（ｂ）のグラフは、任意波形ジェネレータ（テクトロニクス社製ＡＷＧ７１０）と、デジタルサンプリングオシロスコープ（テクトロニクス社製１１８０１Ｂ）を組み合わせて用いることで、入力波形と出力波形を計測した結果である。
（実施例２）
実施例１において、配向性の高い銅層２の厚みＴと配向性の低い銅層３の厚みｔを、表１に示すように変えてフレキシブル−リジッド配線基板を製造した。得られた各フレキシブル−リジッド配線基板を２００℃のオイルバスに３０秒間投入し、配向性の高い銅層２とベースフィルム１との間の剥離を目視により観察した。その結果を表１に示した。
【００４１】
【表１】
2005005413.tif 000003
表１に示したように、ｔ／Ｔが０．５〜１００では剥離しなかったが、０．４５と１８０では剥離した。従って、配向性の高い銅層２の厚みＴと配向性の低い銅層３の厚みｔの割合は０．５≦ｔ／Ｔ≦１００となるのが好ましいことがわかった。
【００４２】
尚、前記実施形態及び実施例を次のように変更して構成することも可能である。
・前記実施例では、フレキシブル基板５の屈曲変形部６以外の部分における両面には、プリプレグ７を介して銅層８を積層したが、プリプレグ７及び銅層８よりなるリジッド基板９を複数積層してもよい。
【００４３】
・前記実施例では、ドリル加工によりフレキシブル基板５とリジッド基板９を貫通する貫通孔により、フレキシブル基板５とリジッド基板９の導体回路を接続しているが、レーザー加工などによる非貫通孔でもよい。
【００４４】
更に、前記実施形態及び実施例から把握できる請求項以外の技術的思想について、その効果と共に記載する。
・配向性の高い銅層の厚さ（Ｔ）と、配向性の低い銅層の厚さ（ｔ）の比率が、０．５≦ｔ／Ｔ≦１００である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のフレキシブル−リジッド配線基板。この構成によれば、導体回路の屈曲変形に対する耐久性に優れ、電気抵抗の異方性が小さく電気特性に優れ、かつ、熱衝撃で導体がフレキシブル基板から剥離することを抑制できる。
【００４５】
・電気めっきは、ハロゲンを添加しためっき液によって行われることを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル−リジッド配線基板。この構成によれば、ハロゲンは、銅の（１１１）面に選択的に吸着又は配位すると考えられ、銅めっきは（１１１）面では成長せず、（１１０）面での成長が主となる。このため、銅層の配向性を高くすることができる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明のフレキシブル−リジッド配線基板によれば、屈曲変形による断線を抑制し、耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態におけるフレキシブル−リジッド配線基板を示す断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）はフレキシブル−リジッド配線基板の製造工程を示す断面図。
【図３】配向性の高い銅層を示すＸ線回折図。
【図４】配向性の低い銅層を示すＸ線回折図。
【図５】屈曲変形時における断線発生率を示すグラフ。
【図６】電気抵抗異方性を示すグラフ。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は高周波数信号を伝搬させた場合の波形を示すグラフ。
【符号の説明】
２…配向性の高い銅層、３…配向性の低い銅層、４…フレキシブル基板の導体回路、５…フレキシブル基板、６…屈曲変形部、９…リジッド基板、１０…リジッド基板の導体回路、Ｈ１…（１１０）結晶面に起因するピークの高さ、Ｈ２…（１１１）結晶面に起因するピークの高さ、Ｈ３…（１００）結晶面に起因するピークの高さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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