(57)【要約】【課題】  プラズマ処理装置において，異常放電等のプラズマ異常の際に発生する電磁波を検出するにあたり，処理容器の壁体を薄くしたり，壁体を貫通する孔の大きさや長さを変えることなく，検出感度を改善する。【解決手段】  処理容器の側壁５には，貫通した孔４０が形成されている。孔４０には，誘電体からなる窓部材４１が気密に設けられ，挿入部４１ｂが孔４０内を充填している。孔４０内が誘電体によって充填されているので，孔４０の大きさや長さを変えることなく，処理容器内で発生した異常放電の際の電磁波のピックアップアンテナ５１への伝播率は向上し，検出感度が改善される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
少なくともその一部が処理容器内の空間に面する誘電体と，
前記処理容器内のプラズマの異常時に発生する電磁波を，前記誘電体を介して受信するピックアップアンテナを有する検出装置と，
を有することを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２】
処理容器の壁体を貫通する孔と，
前記孔の外側を気密に覆う窓部材とを有し，
少なくとも前記孔内は前記誘電体で充填されていることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記窓部材は誘電体からなり，
さらに前記窓部材は，前記処理容器の外側で孔に係止される係止部と，前記孔内に挿入されて前記孔内を充填する挿入部とを有していることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ピックアップアンテナは，前記誘電体内に配置されていることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記誘電体内に配置され，前記検出装置のピックアップアンテナと電気的に導通する他のピックアップアンテナをさらに有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記誘電体内に配置され，前記検出装置のピックアップアンテナとは独立した電磁波伝播部材をさらに有する請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
処理容器内の基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
処理容器の壁体を貫通する孔と，前記孔の外方側を気密に覆う窓部材と，プラズマの異常時に発生する電磁波を前記孔を介して受信するピックアップアンテナとを有する検出装置を有し，
前記ピックアップアンテナは，誘電体からなる被覆部材で覆われて前記孔内に配置され，
前記被覆部材の外周面と，前記孔の内周面との間には隙間が存在していることを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項８】
処理容器内の基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
処理容器の壁体を貫通する孔と，前記孔の外方側を気密に覆う窓部材と，プラズマの異常時に発生する電磁波を前記孔を介して受信するピックアップアンテナとを有する検出装置を有し，
前記検出装置のピックアップアンテナとは独立した電磁波伝播部材が，誘電体からなる被覆部材で覆われて前記孔内に配置され，
前記被覆部材の外周面と，前記孔の内周面との間には隙間が存在していることを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項９】
前記被覆部材の先端部は，前記孔内から処理容器内側に突出していることを特徴とする，請求項７又は８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記誘電体は，窓部材と同じ材質からなることを特徴とする，請求項２〜９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記プラズマ処理は，マイクロ波を利用して生成されるプラズマ処理であることを特徴とする，請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記誘電体の比誘電率は３．７以上であることを特徴とする，請求項１〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記検出装置の検出結果に基づいて，プラズマ処理装置を制御する制御装置をさらに有することを特徴とする，請求項１〜１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来からマイクロ波やその他の高周波を利用して処理容器内でプラズマを発生させ，処理容器内の基板に対して，例えばＣＶＤ処理やエッチング処理など各種のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が提案されている。
【０００３】
プラズマ処理においては，処理容器内で発生しているプラズマに異常放電などがあった場合，プラズマ密度の均一性が損なわれたりプラズマ処理自体が適切に行われなくなるおそれがある。そのため従来から，プラズマ状態を処理容器の外で監視するための検出装置を備えた装置が提案されている（特許文献１）。この検出装置は，処理容器内で異常放電があった場合に，プラズマとは別の当該異常放電によって発生する周波数の電磁波を検出し，これによってプラズマ状態の異常の有無を判断するものである。
【０００４】
このような検出装置は，前記異常放電時の電磁波をピックアップするためのアンテナ等を備えているが，検出装置そのものを処理容器内に設置することはできないので，従来は処理容器の壁体，例えば側壁などにポートと呼ばれる貫通孔を形成し，この貫通孔の外方側（例えば大気側）を誘電体などの窓部材で気密に覆い，当該窓部材の外側に検出装置が設置されている（特許文献２）。そして検出装置のピックアップアンテナは，前記貫通孔内を伝播してくる電磁波を受信して，所定の回路等にその電磁波の信号を送るようになっている。
【０００５】
ところで前記貫通孔の断面の大きさは，プロセスに与える影響を考慮してなるべく小さくなるように設計されている。しかしながら高周波にとっては，このような貫通孔は，一種の導波管として機能し，カットオフ周波数（電界伝播率が１となるときの下限の周波数）より低い周波数信号は，ピックアップアンテナに十分に届かない場合もある。例えばこの種の検出用ポートとしてよく用いられている直径１０ｍｍ，長さが３０ｍｍ程度の貫通孔の場合，最低次のＴＥ１１モードでのカットオフ周波数は８．８ＧＨｚにもなってしまう。そうすると信号検出手段が限定され，高価な測定器が必要となってくる。さらにまたアークやスパークなどの異常放電現象の際に発生する高周波の帯域の下限は，例えば数ｋＨｚと比較的低いので，微小な異常放電の検出にあたっては，より低い周波数帯域まで検出できることが望ましい。
【０００６】
他方貫通孔の長さを短くする，換言すれば処理容器の壁を薄くすると，伝播率が向上するが，そうすると処理容器自体の強度に問題が生ずる。この種のプラズマ処理は，減圧されて真空に近い減圧度で行われるので，強度の点からして処理容器を構成する壁の厚さを薄くするにも限界がある。
【０００７】
【特許文献１】日本国特許公開公報の特開平９−２６６０９８号公報
【特許文献２】日本国特許公開公報の特開平１０−１６８５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，そのような貫通孔を介して処理容器内の異常放電等プラズマの異常を検出するにあたり，処理容器の壁を薄くすることなく，検出装置のピックアップアンテナへの伝播率を向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため，本発明のプラズマ処理装置は，少なくともその一部がプラズマ処理装置の処理容器内の空間に面する誘電体と，前記処理容器内の異常プラズマ時に発生する電磁波を前記誘電体を介して受信するピックアップアンテナを有する検出装置と，を有している。
【００１０】
処理容器の壁体を貫通する孔と，前記孔の外方側を気密に覆う窓部材と，異常プラズマ時に発生する電磁波を前記孔を介して受信するピックアップアンテナを有する検出装置とを有し，さらに前記孔内が誘電体で充填されていてもよい。
【００１１】
従来の孔内は，空洞であってそのまま処理容器内の減圧度と同じほぼ真空に近い雰囲気である。したがって，前記誘電体を介して電磁波を受信したり，前記孔内を誘電体で充填することによって，異常放電などのプラズマの異常の際に発生する電磁波のピックアップアンテナへの伝播率を向上させることができる。この場合カットオフ周波数は，誘電率の平方根に逆比例して低くなるので，充填する誘電体の比誘電率（誘電体の誘電率／真空の誘電率）は，高いものほどよく，例えば石英部材など，比誘電率が約３．７程度以上有れば実用性が高い。
【００１２】
検出装置のピックアップアンテナは，孔内を充填した誘電体内に配置されていてもよい。それによってピックアップアンテナは，従来よりも異常放電等が発生する場所により近い位置で受信することになり，ピックアップアンテナへの伝播率が向上し，感度が向上する。
【００１３】
前記誘電体内に，検出装置のピックアップアンテナとは独立した電磁波伝播部材が配置されていてもよい。このようにピックアップアンテナとは独立した，すなわちピックアップアンテナとは接続されていない電磁波伝播部材を配置しても，検出装置への電磁波の伝播率は向上する。電磁波伝播部材としては，例えばアンテナと同様の，金属製の線材，棒材が例として挙げられる。
【００１４】
また本発明の別な観点によれば，本発明は，処理容器内の基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，処理容器の壁体を貫通する孔と，前記孔の外方側を気密に覆う窓部材と，異常プラズマ時に発生する電磁波を前記孔を介して受信するピックアップアンテナを有する検出装置を有し，前記ピックアップアンテナは，誘電体からなる被覆部材で覆われて前記孔内に配置され，前記被覆部材の外周面と，前記孔の内周面との間には隙間が存在している。
【００１５】
ピックアップアンテナを誘電体の被覆部材で被覆して孔内に配置した場合，孔内は誘電体で全て充填する必要はなく，孔内面との間に隙間があってもよい。そしてそのようにピックアップアンテナを被覆部材ごと孔内に挿入して配置することにより，ピックアップアンテナは，従来よりも異常放電等のプラズマの異常が発生する場所により近い位置で受信することができ，ピックアップアンテナへの伝播率が向上して，感度が向上する。
【００１６】
また同様に，前記した電磁波伝播部材も，誘電体からなる被覆部材で覆って，孔内に挿入配置すれば，孔内を全て誘電体で充填する必要はない。そしてこのようにピックアップアンテナや電磁波伝播部材を覆った被覆部材の先端部は，孔内から処理容器内側に突出していてもよい。それによって，さらに感度を上げることができる。
【００１７】
前記した孔内を充填する誘電体や被覆部材を構成する誘電体は，窓部材と同じ材質から構成することが好ましい。これは，異なる誘電体を有するものの界面を電磁波が通過する場合は，その界面で反射が生ずるからである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば，処理容器の壁体の厚さを薄くしたり，孔自体の大きさを大きくすることなく，ピックアップアンテナの感度を向上させて，カットオフ周波数の周波数帯域を従来よりも低くすることができ，処理容器内での異常放電やプラズマ状態の異常を，従来よりも精度良く検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下，本発明の実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の縦断面の様子を示しており，このプラズマ処理装置１は例えばアルミニウムからなる，上部が開口した有底円筒状の処理容器２を備えている。処理容器２は接地されている。この処理容器２の底部には，基板として例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗを載置するためのサセプタ３が設けられている。このサセプタ３は例えばアルミニウム等の金属からなり，処理容器２の外部に設けられた交流電源４から，バイアス用の高周波が供給されるようになっている。サセプタ３は，ＡｌＮ，ＳｉＣ等のセラミックスで構成してもよい。さらに，サセプタ３内に，サセプタ上の基板を加熱可能なヒータが内蔵されていてもよい。
【００２０】
処理容器２の底部には，真空ポンプなどの排気装置１１によって処理容器２内の雰囲気を排気するための排気管１２が設けられている。また処理容器２の側壁には，処理ガス供給源１５からの処理ガスを供給するためのガスノズルなどのガス導入部１３が設けられている。
【００２１】
処理容器２の上部開口には，気密性を確保するためのＯリングなどのシール材１４を介して，たとえば石英部材からなる透過窓２０が設けられている。石英部材に代えて，他の誘電体材料，たとえばＡｌＮ，サファイヤ等のセラミックスを使用してもよい。この透過窓２０によって，処理容器２内に，処理空間Ｓが形成される。透過窓２０は，平面形態が円形である。
【００２２】
透過窓２０の上方には，平面状のアンテナ部材，例えば円板状のスロットアンテナ３０が設けられており，さらにこのスロットアンテナ３０の上面には遅波板３１が配置され，遅波板３１を覆う導電性のカバー３２が設けられている。スロットアンテナ３０は，導電性を有する材質，たとえばＡｇ，Ａｕ等でメッキやコーティングされた銅の薄い円板からなり，多数のスリット３３が，例えば渦巻状や同心円状に整列して形成されている。
【００２３】
カバー３２には同軸導波管３５が接続されており，この同軸導波管３５は，内側導体３５ａと外管３５ｂとによって構成されている。内側導体３５ａは，スロットアンテナ３０と接続されている。内側導体３５ａのスロットアンテナ３０側は円錐形を有し，効率よくスロットアンテナ３０に対してマイクロ波を伝播するようになっている。同軸導波管３５は，マイクロ波供給装置３６で発生させた，たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を，負荷整合器３７，同軸導波管３５，遅波板３１，スロットアンテナ３０を介して，透過窓２０に伝播させる。そしてそのエネルギーによって透過窓２０の下面に電界が形成されて，ガス導入部１３によって処理容器２内に供給された処理ガスをプラズマ化し，サセプタ３上のウエハＷに対して，所定のプラズマ処理，例えば成膜処理やエッチング処理等，基板の改質処理が行われる。
【００２４】
処理容器２の側壁５の上方には，側壁５を貫通する孔４０が形成されている。そして図２にも示したように，この孔４０の外方側には，孔４０の外方側を気密に窓部材４１が，Ｏリングなどのシール部材４２を介して設けられている。窓部材４１は，孔４０の外方側周辺部で係止される係止部４１ａと，孔４０内に気密に挿入される挿入部４１ｂとによって構成されている。窓部材４１の材質は，誘電体，例えば石英ガラスが採用されている。この挿入部４１ｂによって，孔４０内は充填されている。
【００２５】
窓部材４１の外側には，検出装置５０が設けられている。検出装置５０の内部には，電磁波をピックアップするためのピックアップアンテナ５１が内蔵されている。
【００２６】
ピックアップアンテナ５１の材質には，導電性のある金属，例えば銅，プラチナ，金，銀が使用される。またＡｌ，ＳＵＳ，セラミックス，樹脂等の部材にこれらの材質でコーティングされたものを使用してもよい。
【００２７】
そしてピックアップアンテナ５１で受信した周波数信号は，処理容器２の外部に設置されている信号処理装置５２へと出力され，この信号処理装置５２において前記周波数信号が処理されて，異常放電等の有無が検出される。なおこのピックアップアンテナ５１は，図示のように窓部材４１内に設けられていてもよい。
【００２８】
次にプラズマ処理装置１の制御系について説明する。前記した交流電源４，排気装置１１，処理ガス供給源１５，マイクロ波供給装置３６，及び信号処理装置５２は，全て制御装置Ｃによって制御されている。これにより，例えば処理容器２内の圧力を所定の圧力値に設定することが可能になり，また信号処理装置５２によって異常放電が検出された場合には，処理ガス供給源１５からの処理ガスの供給， マイクロ波供給装置３６からのマイクロ波の供給が自動的に停止される。
【００２９】
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１は以上の構成を有しており，プラズマ処理する際には，処理容器２内のサセプタ３上にウエハＷを載置し，ガス導入部１３から所定の処理ガスを処理容器２内に供給しつつ，排気管１２から排気することで，処理空間Ｓ内を所定の圧力にする。
【００３０】
そして交流電源４によってウエハＷにバイアス高周波を印加すると共に，マイクロ波供給装置３６によってマイクロ波を発生させて，透過窓２０を介してマイクロ波を処理容器２内に導入して透過窓２０の下方に電界を発生させることで，処理空間Ｓ内の前記処理ガスがプラズマ化され，処理ガスの種類等を選択することで，ウエハＷに対して所定のプラズマ処理，例えば酸化処理，窒化処理，酸窒化処理，エッチング処理，アッシング処理，成膜処理等の各種のプラズマ処理が実施できる。
【００３１】
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１においては，処理容器２内で発生した異常放電等のプラズマの異常を，検出装置５０によって孔４０を介して検出する際，孔４０内は，誘電体からなる窓部材４１の挿入部４１ｂによって充填されているので，従来のような孔内が空洞のままの場合と比べて，異常放電の際に発生する電磁波のピックアップアンテナ５１に対する伝播率が向上し，ピックアップアンテナ５１の感度が良くなっている。したがって処理容器２内での異常放電やプラズマ状態の異常を，従来より精度良く検出することができる。しかも孔４０の大きさを大きくしたり，あるいは処理容器２の側壁５の厚さを薄くすることなく，これを実現させることができるから，既存のこの種のプラズマ処理装置に対して適用できる。
【００３２】
検出装置５０は，側壁５のみならず，処理容器２の底部，上部，サセプタ部など，電磁波を検出できる位置であれば，処理容器２のどこに設けてもよい。
【００３３】
発明者らが実際に計算して本発明の効果を調べたところ，図３のグラフに示したような結果が得られた。同グラフは，孔４０の直径が１０ｍｍ，側壁５の厚さ（孔４０の長さ）が３０ｍｍの場合に，ピックアップアンテナ５１に対する周波数−電界伝播率を示したものである。なお窓部材４１の材質には，石英部材（比誘電率が３．７５）を使用し，測定はＴＥ１１モードに拠った。
【００３４】
これによれば，従来技術（孔４０内が空洞のまま）ではカットオフ周波数が約８．８ＧＨｚであるのに対し，本実施の形態では約４．２ＧＨｚとなり，カットオフ周波数を約半分以下の低い周波数にすることができることがわかった。また全体的にも，同じ周波数の場合には，本実施の形態の方が，伝播率が向上していることがわかる。したがって，従来よりもより低い周波数を検出することができ，感度も向上していることから，処理容器２内での異常放電やプラズマ状態の異常を，従来よりも精度良く検出することができる。
【００３５】
前記実施の形態では，窓部材４１の材質を石英部材で構成したが，もちろんこれに限らず，他の誘電体，例えばアルミナ（比誘電率が９．９），ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，フッ素系の樹脂やその他の樹脂で窓部材４１構成してもよい。比誘電率が高いものほど伝播率を向上させることができる。またこれらの材質に耐プラズマ性に優れたＹ２Ｏ３をコーティングしたものを使用してもよい。
【００３６】
また前記実施の形態では孔４０内を誘電体からなる窓部材４１の挿入部４１ｂで充填しただけの構成であったが，さらに伝播率を向上させるには，例えば図４に示した例を挙げることができる。この図４の例では，図２に示した構造に対して，さらに窓部材４１の挿入部４１ｂの内部に空洞部４３を形成し，この空洞部４３内にピックアップアンテナ５１に電気的に導通する他のピックアップアンテナ４４を設けたものである。
【００３７】
かかる例によれば，処理容器２内の処理空間Ｓに，より近い場所にて処理容器２内で発生する電磁波を受信することができるので，さらに伝播率が向上する。なお図４の例では，検出装置５０内のピックアップアンテナ５１とは別に，ピックアップアンテナ４４を設けた構成であったが，検出装置５０内部のピックアップアンテナ５１を設けず，挿入部４１ｂ内に配置されるピックアップアンテナ４４のみを設け，これによって受信した周波数信号を信号処理装置５２に出力する構成としてもよい。すなわちピックアップアンテナ５１に代えて，ピックアップアンテナ４４のみを設けてもよい。
【００３８】
さらに図４に示した例は，結果的に受信機能を有するピックアップアンテナを挿入部４１ｂ内に配置したものであったが，図５に示したように，空洞部４３内に，検出装置５０内のピックアップアンテナ５１とは独立して電気的に導通していない電磁波伝播部材４５を設置してもよい。この電磁波伝播部材４５は，例えば導電性を有する線材や棒材を採用することができる。
【００３９】
このように電磁波伝播部材４５を設置した場合，この電磁波伝播部材４５によって電磁波の減衰が抑えられ，結果的に検出装置５０内のピックアップアンテナ５１への伝播率が向上し，感度が向上する。
【００４０】
また図４，図５の例では，窓部材４１の挿入部４１ｂは，孔４０内を充填する大きさ，形態であったが，図６に示したように，挿入部４１ｂの外径を小さくして，結果的に挿入部４１ｂの外周面と，孔４０の内周面との間に隙間ｄが形成されていてもよい。この場合の挿入部４１ｂは，本発明でいうところの被覆部材を構成する。このように，孔４０内を充填する誘電体や被覆部材を構成する誘電体は，窓部材４１と同じ材質から構成することが好ましい。これは，異なる誘電体を有するも部材の界面を電磁波が通過する場合は，その界面で反射が生ずるからである。
【００４１】
図６の例では，ピックアップアンテナ４４を挿入部４１ｂの空洞部４３内に設けた例を示している。なお図６の例において，ピックアップアンテナ５１を設けずピックアップアンテナ４４のみを配置してもよい。図７の例では，電磁波伝播部材４５を挿入部４１ｂの空洞部４３内に設けた例を示している。
【００４２】
図４，図５に示した例は，いずれもピックアップアンテナ４４が受信したり，電磁波伝播部材４５が電磁波の減衰を抑制しているので，孔４０内の全てが伝播経路となるわけではないので，図６，図７のように隙間ｄがあっても，検出上，何ら問題はない。
【００４３】
さらに図６，図７の例では，挿入部４１ｂの先端部が，孔４０から処理容器２の内側に突出した形状を有し，ピックアップアンテナ４４や電磁波伝播部材４５の先端は，さらに処理空間に近い場所に位置している。したがって，図４，図５の場合よりもさらに処理空間に近いところで検出できるから，より一層伝播率が向上し，異常放電等を精度よく検出することが可能である。
【００４４】
なお本発明は，既述したように異常放電の際に発生する電磁波のピックアップアンテナへの伝播を効率よく行うものではあるが，このことを利用して，各種のプラズマ処理，例えばプラズマ酸化処理，プラズマ窒化処理，プラズマエッチング処理やプラズマＣＶＤ処理の際の，処理の終了自体を検出することも可能である。
【００４５】
例えばプラズマエッチング処理の場合，あるエッチャントを基準とした電磁波を検出装置５０で常時検出し，モニタリングすることで，当該エッチャントがエッチングに寄与していないときと，寄与しているときとでは，検出される電磁波に相違が生ずる。すなわちエッチング処理前に検出される電磁波と，エッチング処理中に検出される電磁波とでは，変化が認められる。それゆえ，エッチングが終了した時には，検出される電磁波は，エッチング処理前に検出される電磁波に戻るから，このことを利用すれば，エッチングの終了時点，いわゆるエンドポイントを検出することが可能である。
【００４６】
プラズマＣＶＤ処理については，予め所定の膜厚のときの電磁波を，基準値として検出しておき，ＣＶＤ処理の間検出装置５０によって常時電磁波を検出し，モニタリングすることで，検出値が前記基準検出値になれば，所定の膜厚に達したことが確認できる。すなわち，所期のＣＶＤ処理が終了したことを検出できる。
以下に，前記したプラズマ処理装置１を用いたプラズマエッチング処理とプラズマＣＶＤ処理の例について説明する。
【００４７】
プラズマエッチング処理の例としては，
（１）Ｗ（タングステン）のエッチング
ウエハＷの温度：室温（２３℃）以下
パワー：１０００Ｗ〜５０００Ｗ
処理圧力：０．１３３Ｐａ〜１３３Ｐａ
処理ガス：Ｃｌ２／Ｎ２／Ｏ２＝１５０／１５０／２０ｓｃｃｍ
又はＡｒ／Ｃｌ２／Ｎ２／Ｏ２＝２００／１００／７５／５ｓｃｃｍ
（２）ポリシリコンのエッチング
ウエハＷの温度：室温（２３℃）以下
パワー：１０００Ｗ〜５０００Ｗ
処理圧力：０．１３３Ｐａ〜１３３Ｐａ
処理ガス：ＨＢｒ＝３００ｓｃｃｍ
又はＡｒ／ＨＢｒ／Ｏ２＝１２００／４００／１００ｓｃｃｍ
なおＳＦ６を使用してもよい。
【００４８】
プラズマＣＶＤ処理の例としては，
（１）Ｌｏｗ−Ｋ膜（ＣＦ膜）
ウエハＷの温度：室温（２３℃）以下
パワー：１０００Ｗ〜５０００Ｗ
処理圧力：１．３３Ｐａ〜１３３Ｐａ
処理ガス：Ａｒ／Ｃ５Ｆ８＝３００／３００ｓｃｃｍ
【００４９】
例えば以上のようなエッチング処理，ＣＶＤ処理の各プロセスにおいて，各々の処理のいわゆるエンドポイントを，電磁波の観測によって検出することが可能である。
【００５０】
前記実施の形態は，マイクロ波を利用したプラズマ処理装置として構成されており，特にプラズマソースの周波数が高いプラズマ処理装置に対してその効果が高いものであるが，もちろんこれに限らずいわゆる平行平板型（容量型）プラズマ処理装置，ＥＣＲ，ＩＣＰ平面反射波プラズマ，ＩＣＰをはじめとする各種のプラズマ処理装置に対して本発明は，適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施の形態にかかるプラズマ処理装置の縦断面図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置の側壁の孔付近の縦断面図である。
【図３】周波数と伝播率との関係を示すグラフである。
【図４】孔内にピックアップアンテナが配置された例を示す孔付近の縦断面図である。
【図５】孔内に電磁波伝播部材が配置された例を示す孔付近の縦断面図である。
【図６】挿入部の外径が孔の内径よりも小さく，内部にピックアップアンテナが配置されている例を示す孔付近の縦断面図である。
【図７】挿入部の外径が孔の内径よりも小さく，内部に電磁波伝播部材が配置されている例を示す孔付近の縦断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１    プラズマ処理装置
２    処理容器
３    サセプタ
５    側壁
４１    窓部材
４１ｂ  挿入部
５０    検出部
５１    ピックアップアンテナ
Ｗ    ウエハ
【図１】
2005277397.tif 000003
【図２】
2005277397.tif 000004
【図３】
2005277397.tif 000005
【図４】
2005277397.tif 000006
【図５】
2005277397.tif 000007
【図６】
2005277397.tif 000008
【図７】
2005277397.tif 000009