(57)【要約】【課題】セラミック基板のコーナー部における割れが少なく、歩留まりの良好な可変抵抗器、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の可変抵抗器において端子板４には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部４ｅが設けられ、この曲げ軽減部４ｅが設けられた部分がセラミック基板１の第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎで曲げられるようにしたため、曲げ軽減部４ｅが設けられた端子板４の部分は、端子板４の幅方向の肉部が底板４ａや側板４ｂの下部側に比較して少なり、従って、第１のコーナー部１ｋにおける端子板４の曲げ力に比して、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎでの曲げ軽減部４ｅの曲げ力が小さく、且つ、曲げ軽減部４ｅは容易に曲げられて、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎにおける欠けや割れが少なく、歩留まりの良好なものが得られる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に抵抗体と電極が設けられたセラミック基板と、前記電極に導通した状態で、前記セラミック基板を挟持して取り付けられた端子板とを備え、前記セラミック基板は、前記上面に設けられた第１の凹み部と、この第１の凹み部と前記セラミック基板の側面との間に位置した上面残存部と、前記セラミック基板の下面と前記側面との間に位置する第１のコーナー部と、前記側面と前記上面との間に位置する第２のコーナー部と、前記上面残存部と前記第１の凹み部との間に位置する第３のコーナー部を有し、前記端子板は、前記下面に位置する底板と、前記第１のコーナー部の位置で前記底板から曲げられて、前記側面に位置する側板と、前記第２のコーナー部の位置で前記側板から曲げられて、前記上面残存部に位置する上板と、この上板に繋がり、前記第３のコーナー部の位置で前記上板から前記第１の凹み部内に曲げられて、前記第１の凹み部に係止する突片を有すると共に、前記端子板の前記第２，第３のコーナー部での曲がり部分には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部が設けられたことを特徴とする可変抵抗器。
【請求項２】
前記曲げ軽減部は、前記端子板に設けられた貫通孔によって形成されたことを特徴とする請求項１記載の可変抵抗器。
【請求項３】
前記曲げ軽減部は、前記側板、前記上板、及び前記突片に跨って設けられた一つの前記貫通孔によって形成されたことを特徴とする請求項２記載の可変抵抗器。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記突片の端部に至るように設けられて、前記貫通孔の一端が開放状態となったことを特徴とする請求項３記載の可変抵抗器。
【請求項５】
前記曲げ軽減部は、前記端子板の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成されたことを特徴とする請求項１記載の可変抵抗器。
【請求項６】
前記曲げ軽減部は、前記底板の板厚よりも薄い板厚部によって形成されたことを特徴とする請求項１記載の可変抵抗器。
【請求項７】
前記第１の凹み部は、底部を有する凹部によって形成されたことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の可変抵抗器。
【請求項８】
前記第１の凹み部は、前記セラミック基板を貫通する孔によって形成されたことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の可変抵抗器。
【請求項９】
前記電極と前記端子板と接続する半田部を有し、前記半田部が前記貫通孔内に位置したことを特徴とする請求項２から４の何れかに記載の可変抵抗器。
【請求項１０】
前記電極と前記端子板と接続する半田部を有し、前記半田部が前記切り欠き部に位置したことを特徴とする請求項５記載の可変抵抗器。
【請求項１１】
前記セラミック基板は、前記第１の凹み部の近傍で、前記上面に設けられた第２の凹み部と、この第２の凹み部と前記上面との間に位置する第４のコーナー部を有し、前記端子板は、前記上板から突出し、前記第４のコーナー部の位置で前記第２の凹み部内に曲げられて、前記第２の凹み部に係止する突部を有すると共に、前記端子板の前記第４のコーナー部での曲がり部分には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部が設けられたことを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の可変抵抗器。
【請求項１２】
セラミック基板は、抵抗体と電極が設けられた上面と、この上面に設けられた凹み部と、この凹み部と前記セラミック基板の側面との間に位置した上面残存部と、前記セラミック基板の下面と前記側面との間に位置する第１のコーナー部と、前記側面と前記上面との間に位置する第２のコーナー部と、前記上面残存部と前記凹み部との間に位置する第３のコーナー部を有し、金属からなる端子板は、前記下面に位置する底板と、前記第１のコーナー部の位置で前記底板から曲げられて、前記側面に位置する側板と、前記第２のコーナー部の位置で前記側板から曲げられて、前記上面残存部に位置する上板と、この上板と繋がり、前記第３のコーナー部の位置で前記上板から前記凹み部内に曲げられて、前記凹み部に係止する突片と、前記第２，第３のコーナー部の位置で、曲げ力を小さくして曲げを容易にするために設けられた曲げ軽減部を有し、前記端子板は、前記底板と前記側板をそれぞれ前記下面と前記側面に位置させ、前記上板が前記上面残存部に位置するように、前記第２のコーナー部の位置で前記曲げ軽減部を曲げる第１の曲げ工程と、この第１の曲げ工程の後に、前記突片が前記凹み部内に係止するように、前記第３のコーナー部の位置で前記曲げ軽減部を曲げる第２の曲げ工程を有することを特徴とする可変抵抗器の製造方法。
【請求項１３】
前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子板に設けられた貫通孔によって形成されたことを特徴とする請求項１２記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項１４】
前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記底板、前記上板、及び前記突片に跨って設けられた一つの前記貫通孔によって形成されたことを特徴とする請求項１３記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項１５】
前記貫通孔は、前記突片の端部に至るように設けられて、前記貫通孔の一端が開放状態となったことを特徴とする請求項１４記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項１６】
前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成されたことを特徴とする請求項１２記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項１７】
前記電極上にクリーム半田を設けるクリーム半田形成工程の後に、前記第１，第２の曲げ工程を行い、しかる後、前記クリーム半田を溶融して、半田部によって前記電極と前記端子板を接続するようにしたことを特徴とする請求項１２から１６の何れかに記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項１８】
前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子板に設けられた貫通孔によって形成され、前記半田部が前記貫通孔内に位置したことを特徴とする請求項１７記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項１９】
前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成され、前記半田部が前記切り欠き部に位置したことを特徴とする請求項１７記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項２０】
帯状の金属板に繋がって設けられた前記底板と、この底板から直角に曲げられた前記側板を有し、前記セラミック基板の前記下面を前記底板上に載置する基板組み込み工程の後に、前記第１，第２の曲げ工程を行い、その後、前記底板を前記金属板から切り離す切断工程を有することを特徴とする請求項１２から１９の何れかに記載の可変抵抗器の製造方法。
【請求項２１】
前記基板組み込み工程の後に、前記電極上にクリーム半田を設けるクリーム半田形成工程を行い、しかる後、前記第１，第２の曲げ工程を行い、前記底板が前記金属板に繋がった状態で、前記クリーム半田を溶融する溶融工程を行うようにしたことを特徴とする請求項２０記載の可変抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は小型の半固定型可変抵抗器等に使用して好適な可変抵抗器、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の可変抵抗器、及びその製造方法に係る図面を説明すると、図２１は従来の可変抵抗器の要部断面図、図２２は従来の可変抵抗器の下面図、図２３は従来の可変抵抗器に係り、セラミック基板に端子板を取り付けた状態を示す斜視図、図２４は従来の可変抵抗器に係り、セラミック基板と端子板の分解斜視図である。
【０００３】
また、図２５は従来の可変抵抗器の製造方法に係る第１工程を示す説明図、図２６は図２５の２６−２６線における断面図、図２７は従来の可変抵抗器の製造方法に係る第２工程を示す説明図、図２８は図２７の２８−２８線における断面図、図２９は従来の可変抵抗器の製造方法に係る第３工程を示す説明図、図３０は図２９の３０−３０線における断面図である。
【０００４】
次に、従来の可変抵抗器の構成を図２１〜図２４に基づいて説明すると、絶縁基板であるセラミック基板５１は、略四角形状の上面５１ａと、この上面５１ａの周囲に位置する側面５１ｂと、上面５１ａと対向する下面５１ｃと、中心部の位置に貫通して設けられた挿通孔５１ｄと、一側面５１ｂに設けられた切り欠き部５１ｅを有する。
【０００５】
また、セラミック基板５１は、切り欠き部５１ｅを設けた側面５１ｂと対向する側面５１ｂ側の近傍で、上面５１ａに設けられた２個の凹み部５１ｆと、側面５１ｂと凹み部５１ｆとの間に位置する上面残存部５１ｇと、上面残存部５１ｇの下面５１ｃに設けられた第１の凹部５１ｈと、この第１の凹部５１ｈに隣接して下面５１ｃに設けられた第２の凹部５１ｊを有する。
【０００６】
また、セラミック基板５１は、下面５１ｃと側面５１ｂの間に位置する第１のコーナー部５１ｋと、側面５１ｂと上面残存部５１ｇの間に位置する第２のコーナー部５１ｍと、上面残存部５１ｇと凹み部５１ｆの間に位置する第３のコーナー部５１ｎを有する。
【０００７】
セラミック基板５１の上面５１ａには、挿通孔５１ｄ囲むように形成された馬蹄形状の抵抗体５２と、抵抗体５２の両端部に接続された２個の電極５３を有し、２個の電極５３は、凹み部５１ｆと側面５１ｂに跨って形成されている。
【０００８】
金属材からなるコ字状の２個の端子板５４は、第１の凹部５１ｈ内の下面５１ｃに位置する広幅の底板５４ａと、第１のコーナー部５１ｋの位置で底板５４ａから曲げられて、側面５１ｂに位置する広幅の側板５４ｂと、第２のコーナー部５１ｍの位置で側板５４ｂから曲げられて、上面残存部５１ｇに位置する広幅の上板５４ｃと、この上板５４ｃから突出し、第３のコーナー部５１ｎの位置で上板５４ｃから凹み部５１ｆ内に曲げられて、凹み部５１ｆに係止する細幅の突片５４ｄを有する。
【０００９】
この端子板５４は、図２４に示すように、コ字状よりも開いた形状に形成して、底板５４ａがセラミック基板５１の下面５１ｃに載置された状態で、側板５４ｂが側面５１ｂに位置すると共に、上板５４ｃが上面残存部５１ｇ上に位置するように、上板５４ｃが曲げられて、端子板５４は、電極５３に導通した状態で、セラミック基板５１を挟持して取り付けられる。
【００１０】
また、上板５４ｃが曲げられた際、広幅の側板５４ｂが第１のコーナー部５１ｋの位置で曲げられると共に、広幅の上板５４ｃが第２のコーナー部５１ｍの位置で曲げられ、その結果、その曲げ力が大きくなって、曲げ時において、第１，第２のコーナー部５１ｋ、５１ｍに欠けや割れが生じる。
【００１１】
また、上板５４ｃが曲げられた後、突片５４ｄがポンチ（図示せず）によって、第３のコーナー部５１ｎの位置で凹み部５１ｆ内に曲げられて、突片５４ｄが上面残存部５１ｇに係止されるようになっている。
しかし、広幅の上板５４ｃは、第３のコーナー部５１ｎまで延びた状態であるため、この状態で突片５４ｄを曲げると、広幅の上板５４ｃと細幅の突片５４ｄの境界には、大きな曲げ力がかかり、その結果、曲げ時において、第３のコーナー部５１ｎに欠けや割れが生じる。
【００１２】
金属板からなる集電体５５は、平板部５５ａと、この平板部５５ａの一端に設けられた折曲部５５ｂと、他端側の近傍に設けられた筒状部５５ｃを有し、この集電体５５は、平板部５５ａが第２の凹部５１ｊ内の下面５１ｃに載置され、折曲部５５ｂが切り欠き部５１ｅ内に位置すると共に、筒状部５５ｃが挿通孔５１ｄに挿通された状態となっている。
【００１３】
バネ性ある金属板からなる摺動子５６は、孔５６ａを有する基部５６ｂと、基部５６ｂの上部に設けられたドライバー溝５６ｃと、摺動片５６ｄを有し、この摺動子５６は、孔５６ａ内に筒状部５５ｃが挿通され、筒状部５５ｃの先端部がカシメられて、セラミック基板５１に対して回転可能に取り付けられる。
【００１４】
そして、治具（図示せず）をドライバー溝５６ｃに挿入して、摺動子５６が筒状部５５ｃを軸として回転されると、摺動片５６ｄが抵抗体５２上を摺動して、電極５３と集電体５５との間の抵抗値が可変するようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【００１５】
次に、このような構成を有する従来の可変抵抗器の製造方法を図２５〜図３０に基づいて説明すると、先ず、図２５，図２６に示すように第１工程において、半田メッキ（図示せず）された金属板６１は、打ち抜き加工、曲げ加工、及び絞り加工が行われて、金属板６１の基部６１ａには、打ち抜き孔６１ｂが形成される。
【００１６】
その結果、端子板５４は、底板５４ａが金属板６１の基部６１ａに繋がって形成されると共に、側板５４ｂと上板５４ｃが曲げられて、コ字状よりも開いた形状に形成される。
また、集電体５５は、平板部５５ａが基部６１ａと繋がった状態で、折曲部５５ｂと筒状部５５ｃが形成される。
【００１７】
次に、図２７，図２８に示すように第２工程では、抵抗体５２と電極５３を設けたセラミック基板５１が底板５４ａ上と平板部５５ａ上に載置され、折曲部５５ｂが切り欠き部５１ｅに位置すると共に、筒状部５５ｃが挿通孔５１ｄに挿通された状態となる。
【００１８】
次に、図２９，図３０に示すように第３工程では、コ字状よりも開いた形状の端子板５４の上板５４ｃが曲げ加工されて、広幅の側板５４ｂが第１のコーナー部５１ｋの位置で曲げられると共に、広幅の上板５４ｃが第２のコーナー部５１ｍの位置で曲げられる。
その結果、コーナー部での側板５４ｂや上板５４ｃの曲げ力が大きくなって、曲げ時において、第１，第２のコーナー部５１ｋ、５１ｍに欠けや割れが生じる。
【００１９】
また、上板５４ｃが曲げられた後、突片５４ｄがポンチ（図示せず）によって、第３のコーナー部５１ｎの位置で凹み部５１ｆ内に曲げられて、突片５４ｄが上面残存部５１ｇに係止されるようになっている。
しかし、広幅の上板５４ｃは、第３のコーナー部５１ｎまで延びた状態であるため、この状態で突片５４ｄを曲げると、広幅の上板５４ｃと細幅の突片５４ｄの境界部には、大きな曲げ力がかかり、その結果、曲げ時において、第３のコーナー部５１ｎに欠けや割れが生じる。
【００２０】
更に、この第３工程では、ここでは図示しないが、摺動子５６がセラミック基板５１上に載置されると共に、筒状部５５ｃの先端部をカシメて、摺動子５６が取り付けられる。
【００２１】
そして、最後の工程として、端子板５４と集電体５６が金属板６１から切り離されると、単品としての可変抵抗器が製造される。
なお、端子板５４の部分には、レーザや赤外線の光を照射して、半田メッキを溶かし、端子板５４と電極５３を接続するようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【００２２】
【特許文献１】
特許第３２１１１６３号公報
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の可変抵抗器、及びその製造方法において、セラミック基板５１の第２のコーナー部５１ｍでは、広幅の側板５４ｂと広幅の上板５４ｃとの間が曲げられると共に、第３のコーナー部５１ｎでは、広幅の上板５４ｃと細幅の突片５４ｄの境界部が曲げられる構成であるため、第２，第３のコーナー部５１ｍ、５１ｎでの曲げ力が大きくなって、第２，第３のコーナー部５１ｍ、５１ｎに欠けや割れが生じるという問題がある。
【００２４】
そこで、本発明はセラミック基板のコーナー部における割れが少なく、歩留まりの良好な可変抵抗器、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、上面に抵抗体と電極が設けられたセラミック基板と、前記電極に導通した状態で、前記セラミック基板を挟持して取り付けられた端子板とを備え、前記セラミック基板は、前記上面に設けられた第１の凹み部と、この第１の凹み部と前記セラミック基板の側面との間に位置した上面残存部と、前記セラミック基板の下面と前記側面との間に位置する第１のコーナー部と、前記側面と前記上面との間に位置する第２のコーナー部と、前記上面残存部と前記第１の凹み部との間に位置する第３のコーナー部を有し、前記端子板は、前記下面に位置する底板と、前記第１のコーナー部の位置で前記底板から曲げられて、前記側面に位置する側板と、前記第２のコーナー部の位置で前記側板から曲げられて、前記上面残存部に位置する上板と、この上板に繋がり、前記第３のコーナー部の位置で前記上板から前記第１の凹み部内に曲げられて、前記第１の凹み部に係止する突片を有すると共に、前記端子板の前記第２，第３のコーナー部での曲がり部分には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部が設けられた構成とした。
【００２６】
また、第２の解決手段として、前記曲げ軽減部は、前記端子板に設けられた貫通孔によって形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記曲げ軽減部は、前記側板、前記上板、及び前記突片に跨って設けられた一つの前記貫通孔によって形成された構成とした。
また、第４の解決手段として、前記貫通孔は、前記突片の端部に至るように設けられて、前記貫通孔の一端が開放状態となった構成とした。
【００２７】
また、第５の解決手段として、前記曲げ軽減部は、前記端子板の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成された構成とした。
また、第６の解決手段として、前記曲げ軽減部は、前記底板の板厚よりも薄い板厚部によって形成された構成とした。
【００２８】
また、第７の解決手段として、前記第１の凹み部は、底部を有する凹部によって形成された構成とした。
また、第８の解決手段として、前記第１の凹み部は、前記セラミック基板を貫通する孔によって形成された構成とした。
【００２９】
また、第９の解決手段として、前記電極と前記端子板と接続する半田部を有し、前記半田部が前記貫通孔内に位置した構成とした。
また、第１０の解決手段として、前記電極と前記端子板と接続する半田部を有し、前記半田部が前記切り欠き部に位置した構成とした。
【００３０】
また、第１１の解決手段として、前記セラミック基板は、前記第１の凹み部の近傍で、前記上面に設けられた第２の凹み部と、この第２の凹み部と前記上面との間に位置する第４のコーナー部を有し、前記端子板は、前記上板から突出し、前記第４のコーナー部の位置で前記第２の凹み部内に曲げられて、前記第２の凹み部に係止する突部を有すると共に、前記端子板の前記第４のコーナー部での曲がり部分には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部が設けられた構成とした。
【００３１】
また、第１２の解決手段として、セラミック基板は、抵抗体と電極が設けられた上面と、この上面に設けられた凹み部と、この凹み部と前記セラミック基板の側面との間に位置した上面残存部と、前記セラミック基板の下面と前記側面との間に位置する第１のコーナー部と、前記側面と前記上面との間に位置する第２のコーナー部と、前記上面残存部と前記凹み部との間に位置する第３のコーナー部を有し、金属からなる端子板は、前記下面に位置する底板と、前記第１のコーナー部の位置で前記底板から曲げられて、前記側面に位置する側板と、前記第２のコーナー部の位置で前記側板から曲げられて、前記上面残存部に位置する上板と、この上板と繋がり、前記第３のコーナー部の位置で前記上板から前記凹み部内に曲げられて、前記凹み部に係止する突片と、前記第２，第３のコーナー部の位置で、曲げ力を小さくして曲げを容易にするために設けられた曲げ軽減部を有し、前記端子板は、前記底板と前記側板をそれぞれ前記下面と前記側面に位置させ、前記上板が前記上面残存部に位置するように、前記第２のコーナー部の位置で前記曲げ軽減部を曲げる第１の曲げ工程と、この第１の曲げ工程の後に、前記突片が前記凹み部内に係止するように、前記第３のコーナー部の位置で前記曲げ軽減部を曲げる第２の曲げ工程を有する製造方法とした。
【００３２】
また、第１３の解決手段として、前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子板に設けられた貫通孔によって形成された製造方法とした。
また、第１４の解決手段として、前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記底板、前記上板、及び前記突片に跨って設けられた一つの前記貫通孔によって形成された製造方法とした。
また、第１５の解決手段として、前記貫通孔は、前記突片の端部に至るように設けられて、前記貫通孔の一端が開放状態となった製造方法とした。
【００３３】
また、第１６の解決手段として、前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成された製造方法とした。
【００３４】
また、第１７の解決手段として、前記電極上にクリーム半田を設けるクリーム半田形成工程の後に、前記第１，第２の曲げ工程を行い、しかる後、前記クリーム半田を溶融して、半田部によって前記電極と前記端子板を接続するようにした製造方法とした。
【００３５】
また、第１８の解決手段として、前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子板に設けられた貫通孔によって形成され、前記半田部が前記貫通孔内に位置した製造方法とした。
また、第１９の解決手段として、前記曲げ軽減部は、打ち抜き加工により前記端子の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成され、前記半田部が前記切り欠き部に位置した製造方法とした。
【００３６】
また、第２０の解決手段として、帯状の金属板に繋がって設けられた前記底板と、この底板から直角に曲げられた前記側板を有し、前記セラミック基板の前記下面を前記底板上に載置する基板組み込み工程の後に、前記第１，第２の曲げ工程を行い、その後、前記底板を前記金属板から切り離す切断工程を有する製造方法とした。
【００３７】
また、第２１の解決手段として、前記基板組み込み工程の後に、前記電極上にクリーム半田を設けるクリーム半田形成工程を行い、しかる後、前記第１，第２の曲げ工程を行い、前記底板が前記金属板に繋がった状態で、前記クリーム半田を溶融する溶融工程を行うようにした製造方法とした。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明の可変抵抗器、及びその製造方法に係る図面を説明すると、図１は本発明の可変抵抗器の第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明の可変抵抗器の第１実施例に係る下面図、図３は本発明の可変抵抗器の第１実施例に係り、セラミック基板に端子板を取り付けた状態を示す斜視図、図４は本発明の可変抵抗器の第１実施例に係り、セラミック基板と端子板の分解斜視図である。
【００３９】
また、図５は本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第１工程を示す説明図、
図６は本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第２工程を示す説明図、図７は図６の７−７線における断面図、図８は本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第３工程を示す説明図、図９は図８の９−９線における断面図、図１０は本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第４工程を示す説明図、図１１は図１０の１１−１１線における断面図である。
【００４０】
また、図１２は本発明の可変抵抗器の第２実施例に係り、端子板の斜視図、図１３は本発明の可変抵抗器の第３実施例に係り、端子板の斜視図、図１４は本発明の可変抵抗器の第４実施例に係り、端子板の斜視図、図１５は本発明の可変抵抗器の第５実施例に係り、端子板の斜視図である。
【００４１】
また、図１６は本発明の可変抵抗器の第６実施例に係り、端子板の取付状態を示す要部の断面図、図１７は本発明の可変抵抗器の第７実施例に係り、端子板の取付状態を示す要部の断面図、図１８は本発明の可変抵抗器の第８実施例に係り、セラミック基板に端子板を取り付けた状態を示す斜視図、図１９は本発明の可変抵抗器の第８実施例に係り、セラミック基板と端子板の分解斜視図、図２０は本発明の可変抵抗器の第９実施例に係り、セラミック基板と端子板の要部の分解斜視図である。
【００４２】
次に、本発明の可変抵抗器の第１実施例の構成を図１〜図４に基づいて説明すると、絶縁基板であるセラミック基板１は、略四角形状の上面１ａと、この上面１ａの周囲に位置する４つの側面１ｂと、上面１ａと対向する下面１ｃと、中心部の位置に貫通して設けられた挿通孔１ｄと、一側面１ｂに設けられた切り欠き部１ｅを有する。
【００４３】
また、セラミック基板１は、切り欠き部１ｅを設けた側面１ｂと対向する側面１ｂ側の近傍で、上面１ａに設けられた有底（底部のある）の凹部からなる２個の凹み部１ｆと、側面１ｂと凹み部１ｆとの間に位置する上面残存部１ｇと、上面残存部１ｇの下面１ｃに設けられた第１の凹部１ｈと、この第１の凹部１ｈに隣接して下面１ｃに設けられた第２の凹部１ｊを有する。
【００４４】
また、セラミック基板１は、下面１ｃと側面１ｂの間に位置する第１のコーナー部１ｋと、側面１ｂと上面残存部１ｇの間に位置する第２のコーナー部１ｍと、上面残存部１ｇと凹み部１ｆの間に位置する第３のコーナー部１ｎを有する。
【００４５】
セラミック基板１の上面１ａには、挿通孔１ｄを囲むように形成された馬蹄形状の抵抗体２と、抵抗体２の両端部に接続された２個の電極３を有し、２個の電極３は、凹み部１ｆと側面１ｂに跨って形成されている。
【００４６】
金属材からなるコ字状の２個の端子板４は、第１の凹部１ｈ内の下面１ｃに位置する底板４ａと、第１のコーナー部１ｋの位置で底板４ａから曲げられて、側面１ｂに位置する側板４ｂと、第２のコーナー部１ｍの位置で側板４ｂから曲げられて、上面残存部１ｇに位置する上板４ｃと、この上板４ｃから延び、第３のコーナー部１ｎの位置で上板４ｃから凹み部１ｆ内に曲げられて、凹み部１ｆに係止する突片４ｄを有する。
【００４７】
また、端子板４は、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎでの曲がり部分において、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部４ｅが設けられており、この第１実施例における曲げ軽減部４ｅは、側板４ｂ、上板４ｃ、及び突片４ｄに跨って設けられた一つの貫通孔によって形成されている。
【００４８】
即ち、端子板４の長手方向に設けられた曲げ軽減部４ｅである貫通孔は、打ち抜き加工によって形成されると共に、貫通孔が設けられた部分は、端子板４の幅方向の肉部が底板４ａや側板４ｂの下部側に比較して少なり、従って、第１のコーナー部１ｋにおける端子板４の曲げ力に比して、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎでの曲げ軽減部４ｅの曲げ力が小さく、且つ、曲げ軽減部４ｅは容易に曲げられて、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎにおける欠けや割れが少なく、歩留まりの良好なものが得られる。
また、スプリングバックに伴う形状の戻りも少なくなるので、突片４ｄを確実に凹み部１ｆ内に位置させることが出来る。
【００４９】
なお、この実施例では、一つの貫通孔を設けたもので説明したが、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎの曲がり部分のそれぞれに貫通孔（２個の貫通孔）を設けても良い。
【００５０】
次に、この端子板４の取付方法を図４に基づいて説明すると、図４は、端子板４がコ字状をなしたもので示されているが、先ず、端子板４は、図４の点線で示すように、上板４ｃと突片４ｄが底板４ａから曲げられた側板４ｂと一直線状に延びた形状（Ｌ字状）が用意される。
【００５１】
そして、Ｌ字状の端子板４の底板４ａがセラミック基板１の下面１ｃに載置され、且つ、側板４ｂが側面１ｂに位置した状態で、第１の曲げ工程により、上板４ｃが上面残存部１ｇ上に位置するように、上板４ｃが曲げられる。
この時、上板４ｃの曲げは、第２のコーナー部１ｍに位置する曲げ軽減部４ｅの部分で行われて、端子板４は、電極３に導通した状態で、セラミック基板１を挟持して取り付けられる。
【００５２】
また、上板４ｃが曲げられた後、第２の曲げ工程により、突片４ｄがポンチ（図示せず）によって、第３のコーナー部１ｎの位置で凹み部１ｆ内に曲げられて、突片４ｄが上面残存部１ｇに係止されるようになっている。
この時、突片４ｄの曲げは、第３のコーナー部１ｎに位置する曲げ軽減部４ｅの部分で行われて、突片４ｄが電極３に導通した状態となる。
【００５３】
金属板からなる集電体５は、平板部５ａと、この平板部５ａの一端に設けられた折曲部５ｂと、他端側の近傍に設けられた筒状部５ｃを有し、この集電体５は、平板部５ａが第２の凹部１ｊ内の下面１ｃに載置され、折曲部５ｂが切り欠き部１ｅ内に位置すると共に、筒状部５ｃが挿通孔１ｄに挿通された状態となっている。
【００５４】
バネ性ある金属板からなる摺動子６は、孔６ａを有する基部６ｂと、基部６ｂの上部に設けられたドライバー溝６ｃと、摺動片６ｄを有し、この摺動子６は、孔６ａ内に筒状部５ｃが挿通され、筒状部５ｃの先端部がカシメられて、セラミック基板１に対して回転可能に取り付けられる。
【００５５】
そして、治具（図示せず）をドライバー溝６ｃに挿入して、摺動子６が筒状部５ｃを軸として回転されると、摺動片６ｄが抵抗体２上を摺動して、電極３と集電体５との間の抵抗値が可変するようになっている。
【００５６】
次に、このような構成を有する本発明の可変抵抗器の製造方法を図５〜図１１に基づいて説明すると、先ず、図５に示すように第１工程において、リードフレームやフープ材からなる帯状の金属板１１は、ポンチ、及びダイ等の金型によって打ち抜き加工、曲げ加工、及び絞り加工が行われて、金属板１１の基部１１ａには、打ち抜き孔１１ｂが設けられ、端子板４と集電体５の外形が形成される。
【００５７】
その結果、端子板４は、底板４ａと、打ち抜き加工によって形成された貫通孔からなる曲げ軽減部４ｅを有した突片４ｄが金属板１１の基部１１ａに繋がって形成されると共に、集電体５は、折曲部５ｂと筒状部５ｃを有した平板部５ａが基部１１ａと繋がった状態で形成される。
【００５８】
次に、図６，図７に示すように第２工程では、端子板４の突片４ｄが基部１１ａから切り離されると共に、端子板４は、底板４ａから側板４ｂが直角に曲げられて、Ｌ字状の形状にする。
【００５９】
次に、図８，図９に示すように第３工程では、基板組み込み工程によって、抵抗体２と電極３を設けたセラミック基板１が底板４ａ上と平板部５ａ上に載置され、折曲部５ｂが切り欠き部１ｅに位置すると共に、筒状部５ｃが挿通孔１ｄに挿通された状態となる。
【００６０】
この時、セラミック基板１は、Ｌ字状の端子板４と筒状部５ｃでガイドされながら基板組み込み工程が行われるため、その作業が容易で、且つ、セラミック基板１の位置決めが確実であると共に、組み込み後は、側板４ｂが側面１ｂに位置した状態となる。
【００６１】
また、基板組み込み工程が完了した後、ここでは図示しないが、クリーム半田形成工程が行われ、クリーム半田が印刷や塗布等によって、電極３上に設けられる。
【００６２】
次に、図１０，図１１に示すように第４工程では、第１の曲げ工程により、上板４ｃが上面残存部１ｇ上に位置するように、上板４ｃが曲げられる。
この時、上板４ｃの曲げは、第２のコーナー部１ｍに位置する曲げ軽減部４ｅの部分で行われて、端子板４は、電極３に導通した状態で、セラミック基板１を挟持して取り付けられる。
【００６３】
また、第１の曲げ工程の後、第２の曲げ工程により、突片４ｄがポンチ（図示せず）によって、第３のコーナー部１ｎの位置で凹み部１ｇ内に曲げられて、突片４ｄが凹み部１ｇに係止されるようになっている。
この時、突片４ｄの曲げは、第３のコーナー部１ｎに位置する曲げ軽減部４ｅの部分で行われて、突片４ｄが電極３に導通した状態となる。
【００６４】
その結果、第１，第２の曲げ工程では、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎでの曲げ軽減部４ｅの曲げ力が小さく、且つ、曲げ軽減部４ｅは容易に曲げられて、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎにおける欠けや割れが少なく、歩留まりの良好なものが得られる。
また、スプリングバックに伴う形状の戻りも少なくなるので、突片４ｄを確実に凹み部１ｆ内に位置させることが出来、確実に上面残存部１ｇに保持できると共に、側板４ｂ、及び上板４ｃ、及び突片４ｄを電極３に接近して配置できる。
【００６５】
更に、この第４工程では、ここでは図示しないが、摺動子６がセラミック基板１上に載置されると共に、筒状部５ｃの先端部をカシメて、摺動子６が取り付けられる。
【００６６】
次に、このようにして、帯状の金属板１１には、セラミック基板１と摺動子６が順次組み込みされて、連続的に形成されると共に、この金属板１１は、リフロー炉（図示せず）に搬送され、溶融工程により、クリーム半田が溶融されて、電極３と端子板４が半付けされる。
この時、半田部は、曲げ軽減部４ｅである貫通孔内に留まって、電極３と端子板４の接続が確実となる。
【００６７】
そして、最後の工程として、端子板４と集電体６が金属板１１から切り離されると、単品としての可変抵抗器が製造されて、その製造が完了する。
【００６８】
また、図１２は本発明の可変抵抗器の第２実施例を示し、この第２実施例は、第１実施例における曲げ軽減部４ｅである貫通孔が突片４ｄの端部に至るように設けられて、貫通孔の一端が開放状態となったものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００６９】
また、図１３は本発明の可変抵抗器の第３実施例を示し、この第３実施例は、端子板４の側板４ｂ、上板４ｃ、及び突片４ｄの長手方向の両側辺に切り欠き部からなる曲げ軽減部４ｅが設けられたものである。
【００７０】
そして、曲げ軽減部４ｅである切り欠き部が設けられた部分は、端子板４の幅方向の肉部が底板４ａや側板４ｂの下部側に比較して少なり、従って、第１のコーナー部１ｋにおける端子板４の曲げ力に比して、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎでの曲げ軽減部４ｅの曲げ力が小さく、且つ、曲げ軽減部４ｅは容易に曲げられて、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎにおける欠けや割れが少なく、歩留まりの良好なものが得られる。
【００７１】
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００７２】
また、図１４は本発明の可変抵抗器の第４実施例を示し、この第４実施例は、端子板４の側板４ｂ、上板４ｃ、及び突片４ｄの長手方向の片側の側辺に切り欠き部からなる曲げ軽減部４ｅが設けられたものである。
その他の構成は、上記第３実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００７３】
また、図１５は本発明の可変抵抗器の第５実施例を示し、この第５実施例は、端子板４の側板４ｂ、上板４ｃ、及び突片４ｄに跨って、底板４ａの板厚よりも薄い板厚部が設けられ、この薄い板厚部によって曲げ軽減部４ｅが形成されたものである。
【００７４】
そして、曲げ軽減部４ｅである薄い板厚部が設けられた部分は、底板４ａや側板４ｂの下部側の板厚に比較して薄くなり、従って、第１のコーナー部１ｋにおける端子板４の曲げ力に比して、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎでの曲げ軽減部４ｅの曲げ力が小さく、且つ、曲げ軽減部４ｅは容易に曲げられて、第２，第３のコーナー部１ｍ、１ｎにおける欠けや割れが少なく、歩留まりの良好なものが得られる。
【００７５】
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００７６】
また、図１６は本発明の可変抵抗器の第６実施例を示し、この第６実施例は、凹み部１ｆがセラミック基板１を貫通する孔で形成されると共に、この孔の径方向の大きさは、端子板４の突片４ｄの長さより大きく形成され、点線で示す突片４ｄが曲げられると、凹み部１ｆである孔に容易に係止できるようにしたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００７７】
また、図１７は本発明の可変抵抗器の第７実施例を示し、この第７実施例は、端子板４の突片４ｄが凹み部１ｆに係止すると共に、突片４ｅの端部が凹み部１ｆを越えて、上面１ａ上に位置するようにしたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００７８】
また、図１８，図１９は本発明の可変抵抗器の第８実施例を示し、この第８実施例について説明すると、セラミック基板１は、第１の凹み部１ｆの近傍に設けた第２の凹み部１ｐと、第１，第２の凹み部１ｆ、１ｐ間に介在する上面１ａと第２の凹み部１ｐとの間に位置する第４のコーナー部１ｑを有すると共に、端子板４は、上板４ｃから延びる突部４ｆと、この突部４ｆに設けた貫通孔等からなる曲げ軽減部４ｅを有するものである。
【００７９】
そして、突部４ｆは、曲げ軽減部４ｅの位置で、且つ、第４のコーナー部１ｑの位置で第２の凹み部１ｐ内に曲げられて、第２の凹み部１ｐに係止するようにしたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００８０】
また、図２０は本発明の可変抵抗器の第９実施例を示し、この第９実施例は、上面残存部１ｇが第１実施例に示したものに対して直角の位置に設けられ、端子板４が第１実施例のものに対して９０度ずれた状態で取り付けられた、即ち、端子板４が第１実施例の隣の側面１ｂに取り付けられたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様であるので、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００８１】
【発明の効果】
本発明の可変抵抗器は、上面に抵抗体と電極が設けられたセラミック基板と、電極に導通した状態で、セラミック基板を挟持して取り付けられた端子板とを備え、セラミック基板は、上面に設けられた第１の凹み部と、この第１の凹み部とセラミック基板の側面との間に位置した上面残存部と、セラミック基板の下面と側面との間に位置する第１のコーナー部と、側面と上面との間に位置する第２のコーナー部と、上面残存部と前記第１の凹み部との間に位置する第３のコーナー部を有し、端子板は、下面に位置する底板と、第１のコーナー部の位置で底板から曲げられて、側面に位置する側板と、第２のコーナー部の位置で側板から曲げられて、上面残存部に位置する上板と、この上板に繋がり、第３のコーナー部の位置で上板から第１の凹み部内に曲げられて、第１の凹み部に係止する突片を有すると共に、端子板の第２，第３のコーナー部での曲がり部分には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部が設けられた構成とした。
このような構成によって、曲げ軽減部が設けられた端子板の部分は、端子板の幅方向の肉部が底板や側板の下部側に比較して少なり、従って、第１のコーナー部における端子板の曲げ力に比して、第２，第３のコーナー部での曲げ軽減部の曲げ力が小さく、且つ、曲げ軽減部は容易に曲げられて、第２，第３のコーナー部における欠けや割れが少なく、歩留まりの良好なものが得られる。
【００８２】
また、曲げ軽減部は、端子板に設けられた貫通孔によって形成されたため、その構成が簡単で、生産性が良く、また、端子板は、貫通孔を挟んで両側に肉部が存在するため、曲げのバランスが良くなり、また、先端部は繋がっているので、両側の曲げのバラツキが少なくなり、安定した取付ができる。
【００８３】
また、曲げ軽減部は、側板、上板、及び突片に跨って設けられた一つの貫通孔によって形成されたため、その加工が容易となり、生産性の良好なものが得られる。
【００８４】
また、貫通孔は、突片の端部に至るように設けられて、貫通孔の一端が開放状態となったため、突片の端部の曲げ性が良くなって、突片の曲げ加工が容易となる。
【００８５】
また、曲げ軽減部は、端子板の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成されたため、その構成が簡単で、生産性の良好なものが得られる。
【００８６】
また、曲げ軽減部は、底板の板厚よりも薄い板厚部によって形成されたため、端子板の幅を小さくすることが無く、従って、端子板の電極への接触の安定したものが得られる。
【００８７】
また、第１の凹み部は、底部を有する凹部によって形成されたため、底部に電極部を形成できて、端子板の電極への接触の安定したものが得られる。
【００８８】
また、第１の凹み部は、セラミック基板を貫通する孔によって形成されたため、第１の凹み部の加工が容易となり、生産性の良好なものが得られる。
【００８９】
また、電極と子板と接続する半田部を有し、半田部が貫通孔内に位置したため、溶融半田が十分に保持されるので、半田部による電極と端子板の接続の確実なものが得られる。
また、目視によって、半田付き状態を容易に確認できる。
【００９０】
また、電極と端子板と接続する半田部を有し、半田部が切り欠き部に位置したため、半田部による電極と端子板の接続の確実なものが得られる。
【００９１】
また、セラミック基板は、第１の凹み部の近傍で、上面に設けられた第２の凹み部と、この第２の凹み部と上面との間に位置する第４のコーナー部を有し、端子板は、上板から突出し、第４のコーナー部の位置で第２の凹み部内に曲げられて、第２の凹み部に係止する突部を有すると共に、端子板の第４のコーナー部での曲がり部分には、曲げ力を小さくして曲げを容易にするための曲げ軽減部が設けられた構成とした。
このように、突部が第２の凹み部に係止することによって、端子板の取付が一層確実になると共に、突部は、曲げ軽減部の存在によって曲げが容易となって、第４のコーナー部でのセラミック基板の欠けや割れの少ないものが得られる。
【００９２】
また、セラミック基板は、抵抗体と電極が設けられた上面と、この上面に設けられた凹み部と、この凹み部とセラミック基板の側面との間に位置した上面残存部と、セラミック基板の下面と側面との間に位置する第１のコーナー部と、側面と上面との間に位置する第２のコーナー部と、上面残存部と凹み部との間に位置する第３のコーナー部を有し、金属からなる端子板は、下面に位置する底板と、第１のコーナー部の位置で底板から曲げられて、側面に位置する側板と、第２のコーナー部の位置で側板から曲げられて、上面残存部に位置する上板と、この上板と繋がり、第３のコーナー部の位置で上板から凹み部内に曲げられて、凹み部に係止する突片と、第２，第３のコーナー部の位置で、曲げ力を小さくして曲げを容易にするために設けられた曲げ軽減部を有し、端子板は、底板と側板をそれぞれ下面と側面に位置させ、上板が上面残存部に位置するように、第２のコーナー部の位置で曲げ軽減部を曲げる第１の曲げ工程と、この第１の曲げ工程の後に、突片が凹み部内に係止するように、第３のコーナー部の位置で曲げ軽減部を曲げる第２の曲げ工程を有する製造方法とした。
このように、第１，第２の曲げ工程の前には、底板から側板が曲げられているため、この底板から側板の曲げは、セラミック基板が存在しない状態で行うことができて、第１のコーナー部でのセラミック基板の欠けや割れが無く、また、第１，第２の曲げ工程を順次行うことによって、第２，第３のコーナー部でのセラミック基板の欠けや割れの少なく、歩留まりの良好なものが得られる。
【００９３】
また、曲げ軽減部は、打ち抜き加工により端子板に設けられた貫通孔によって形成されたため、その加工性が良く、生産性の良好なものが得られる。
【００９４】
また、曲げ軽減部は、打ち抜き加工により底板、上板、及び突片に跨って設けられた一つの貫通孔によって形成されたため、打ち抜き金型が簡単となって、安価な加工が得られる。
【００９５】
また、貫通孔は、突片の端部に至るように設けられて、貫通孔の一端が開放状態となったため、打ち抜き金型が一層簡単となって、安価な加工が得られる。
【００９６】
また、曲げ軽減部は、打ち抜き加工により端子の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成されたため、その加工性が良く、生産性の良好なものが得られる。
【００９７】
また、電極上にクリーム半田を設けるクリーム半田形成工程の後に、第１，第２の曲げ工程を行い、しかる後、クリーム半田を溶融して、半田部によって電極と端子板を接続するようにしたため、従来の半田メッキが不要となって、製造性が容易で、生産性が良く、安価な可変抵抗器の製造ができる。
【００９８】
また、曲げ軽減部は、打ち抜き加工により端子板に設けられた貫通孔によって形成され、半田部が貫通孔内に位置したため、溶融半田が十分に保持されるので、半田部による電極と端子板の接続の確実なものが得られる。
また、目視によって、半田付き状態を容易に確認できる。
【００９９】
また、曲げ軽減部は、打ち抜き加工により端子の長手方向の側辺に設けられた切り欠き部によって形成され、半田部が切り欠き部に位置したため、半田部による電極と端子板の接続の確実なものが得られる。
【０１００】
また、帯状の金属板に繋がって設けられた底板と、この底板から直角に曲げられた側板を有し、セラミック基板の下面を底板上に載置する基板組み込み工程の後に、第１，第２の曲げ工程を行い、その後、底板を金属板から切り離す切断工程を有するため、セラミック基板への端子板の取付加工が容易であると共に、自動化による可変抵抗器の製造の容易なものが得られる。
【０１０１】
また、基板組み込み工程の後に、電極上にクリーム半田を設けるクリーム半田形成工程を行い、しかる後、第１，第２の曲げ工程を行い、底板が金属板に繋がった状態で、クリーム半田を溶融する溶融工程を行うようにしたため、フープ材である金属板は、溶融工程であるリフロー炉に順次搬送することができて、生産性の良好なものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の可変抵抗器の第１実施例に係る要部断面図。
【図２】本発明の可変抵抗器の第１実施例に係る下面図。
【図３】本発明の可変抵抗器の第１実施例に係り、セラミック基板に端子板を取り付けた状態を示す斜視図。
【図４】本発明の可変抵抗器の第１実施例に係り、セラミック基板と端子板の分解斜視図。
【図５】本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第１工程を示す説明図。
【図６】本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第２工程を示す説明図。
【図７】図６の７−７線における断面図。
【図８】本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第３工程を示す説明図。
【図９】図８の９−９線における断面図。
【図１０】本発明の可変抵抗器の製造方法に係る第４工程を示す説明図。
【図１１】図１０の１１−１１線における断面図。
【図１２】本発明の可変抵抗器の第２実施例に係り、端子板の斜視図。
【図１３】本発明の可変抵抗器の第３実施例に係り、端子板の斜視図。
【図１４】本発明の可変抵抗器の第４実施例に係り、端子板の斜視図。
【図１５】本発明の可変抵抗器の第５実施例に係り、端子板の斜視図。
【図１６】本発明の可変抵抗器の第６実施例に係り、端子板の取付状態を示す要部の断面図。
【図１７】本発明の可変抵抗器の第７実施例に係り、端子板の取付状態を示す要部の断面図。
【図１８】本発明の可変抵抗器の第８実施例に係り、セラミック基板に端子板を取り付けた状態を示す斜視図。
【図１９】本発明の可変抵抗器の第８実施例に係り、セラミック基板と端子板の分解斜視図。
【図２０】本発明の可変抵抗器の第９実施例に係り、セラミック基板と端子板の要部の分解斜視図。
【図２１】従来の可変抵抗器の要部断面図。
【図２２】従来の可変抵抗器の下面図。
【図２３】従来の可変抵抗器に係り、セラミック基板に端子板を取り付けた状態を示す斜視図。
【図２４】従来の可変抵抗器に係り、セラミック基板と端子板の分解斜視図。
【図２５】従来の可変抵抗器の製造方法に係る第１工程を示す説明図。
【図２６】図２５の２６−２６線における断面図。
【図２７】従来の可変抵抗器の製造方法に係る第２工程を示す説明図。
【図２８】図２７の２８−２８線における断面図。
【図２９】従来の可変抵抗器の製造方法に係る第３工程を示す説明図。
【図３０】図２９の３０−３０線における断面図。
【符号の説明】
１  セラミック基板
１ａ  上面
１ｂ  側面
１ｃ  下面
１ｄ  挿通孔
１ｅ  切り欠き部
１ｆ  凹み部（第１の凹み部）
１ｇ  上面残存部
１ｈ  第１の凹部
１ｊ  第２の凹部
１ｋ  第１のコーナー部
１ｍ    第２のコーナー部
１ｎ  第３のコーナー部
１ｐ  第２の凹み部
１ｑ  第４のコーナー部
２  抵抗体
３  電極
４  端子板
４ａ  底板
４ｂ  側板
４ｃ  上板
４ｄ  突片
４ｅ  曲げ軽減部
４ｆ  突部
５  集電体
５ａ  平板部
５ｂ  折曲部
５ｃ  筒状部
６  摺動子
６ａ  孔
６ｂ  基部
６ｃ  ドライバー溝
６ｄ  摺動片
１１  金属板
１１ａ  基部
１１ｂ  打ち抜き孔
【図１】
2005005481.tif 000003
【図２】
2005005481.tif 000004
【図３】
2005005481.tif 000005
【図４】
2005005481.tif 000006
【図５】
2005005481.tif 000007
【図６】
2005005481.tif 000008
【図７】
2005005481.tif 000009
【図８】
2005005481.tif 000010
【図９】
2005005481.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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