(57)【要約】【課題】  従来より、信頼性の高いハーメチックシールカバーを、安価に、大量に、製造することが可能なハーメチックシールカバーの製造方法を提供する。【解決手段】  鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなる圧延材料にＮｉを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆してシールカバー材を得て、それらを重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いて打ち抜くか、または所定寸法に切断する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いて打ち抜くか、または所定寸法に切断することを特徴とするハーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項２】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、さらにＡｕを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いて打ち抜くか、または所定寸法に切断することを特徴とするハーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項３】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、さらに所定幅に切断し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、さらに所定幅に切断し、前記切断後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、所定長に切断することを特徴とするハーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項４】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、所定幅に切断し、さらにＡｕを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、さらに所定幅に切断し、前記切断後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合し、その後、所定長に切断することを特徴とするハーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の製造方法により得られることを特徴とするハーメチックシールカバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に好適なハーメチックシールカバーおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの一種に、図１に斜視図として示すセラミックパッケージがある。セラミックパッケージに使用されるセラミック基板（１）は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有する下層板と、表面にリードパターンが形成され、かつ、中央部に開口を有する中間板と、該リードパターンのリードの内側先端部が露出する大きさの開口を有する上層板との３つが、一体化された構造を有する。セラミック基板（１）の長辺側部には、前記リードパターンの外側先端と導通するように接合された金属リード（２）が設けられる。そして、前記上層板の開口の縁部表面には、シールカバー材接着用のメタライズ層（３）が形成される。メタライズ層（３）および前記リードパターンは、通常、Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペーストで形成され、これらとリード（２）には、Ａｕめっきが施される。
【０００３】
セラミック基板（１）を用いるパッケージング工程は、ハーメチックシール工程と言われる。
【０００４】
図５に断面図を示すように、まず、半導体素子（４）をセラミック基板（１）の下層板の半導体素子接合用のメタライズ層に接合し、該半導体素子（４）上の電極と、リードパターンのリードの内側先端部とを、細いコネクター線で結合する。
【０００５】
次に、メタライズ層（３）の上に、ロウ材（５）つきのシールカバー材（６）を載せ、ロウ材（５）の融点以上に加熱し、その後冷却して、シールカバー材（６）を取り付ける。
【０００６】
ロウ材（５）には、一般的にＡｕＳｎ合金ロウ、ＡｕＧｅ合金ロウなどが用いられ、シールカバー材（６）の材質としては、一般的に、鉄ニッケル合金、コバール系合金、銅あるいは銅合金、セラミック等が用いられる。また、ロウ材（５）とシールカバー材（６）との接合には、熱圧着法、溶融法、圧接法、スポット溶接法が用いられる。
【０００７】
図６に、熱圧着法によるハーメチックシールカバーの製造工程のフローの一例を示した。
【０００８】
まず、圧延材料にＡｕを被覆するメッキ工程と、プレス機を用いた打抜きによるプレス工程とで、所定寸法のリング状に成形加工したロウ材（５）を得る。
【０００９】
次に、Ｎｉを被覆した圧延材料に、ロウ材（５）が熱圧着される側へＡｕを被覆するメッキ工程と、プレス機を用いた打抜きによるプレス工程とで、所定の寸法に成形加工したシールカバー材（６）を得る。
【００１０】
また、材質がコバール合金である圧延材料を、プレス機を用いた打抜きによるプレス工程で、所定の寸法に成形加工したダミー材（７）を得る。
【００１１】
これらを、図７に断面図を示すような順番に積載整列し、一定荷重を加えながら、特定雰囲気において、ロウ材（５）の融点以下の温度に加熱し、冷却することにより接合する（たとえば、特公平３−６５８９７号公報参照）。
【００１２】
ところが、このハーメチックシールカバーの製造工程において、ロウ材は、プレス機を用いた打抜きによって、所定寸法のリング状に成形加工するために、収率が極めて低く、打抜き残りから有価金属を回収する必要があるため、非常に高価なものとなっている。
【００１３】
また、このハーメチックシールカバーの製造工程において、ロウ材（５）とシールカバー材（６）との接合は、熱圧着法を用いるので、積載整列に工数を要し、かつ、加熱および冷却に時間を要する。
【００１４】
これらの熱圧着法に関する問題を解決できるロウ材（５）とシールカバー材（６）との接合方法として、リングめっき法が考えられる。この方法では、シールカバー材（６）の上へ所定のリング状にめっきすることによりロウ材（５）を形成する（たとえば、特開２００２−９１８６号公報参照）。このため、シールカバー材（６）上にフォトレジスト膜を塗布した後、リング部分のみフォトレジスト膜を除去し、前処理を実施した上で、合金めっきあるいは単層めっきを交互に繰り返す積層めっきを施し、再びフォトレジスト膜を再塗布してから、シールカバー材を所定の寸法に成形するためのエッチングを施し、プレス機等により、めっき部の電着層を最密充填化した上で、熱処理により合金化させる。したがって、工程が非常に複雑、かつ、多岐にわたってしまう上に、合金としての組成質量比に、精度が得られ難いので、ロウ材としての信頼性に劣っている。
【００１５】
これに対して、フォイル状でのめっき法が考えられる（たとえば、特開２００３−２２９５０４号公報参照）。この方法では、シールカバー材（６）上に、合金めっきあるいは単層めっきを交互に繰り返す積層めっきを施し、熱処理により合金化させた後、所定の寸法に成形するためにプレス機等による打抜き加工をする。したがって、前述のリングめっき法よりも、比較的、簡素な工程になる。しかし、合金めっきでは質量比をめっき浴の管理などで制御するために合金としての組成質量比に精度が得られ難く、単層めっきを交互に繰り返すめっきでは質量比をめっき膜厚で制御するため、めっき厚のばらつきなどで同じく合金としての組成質量比に精度が得られ難いことから、やはり合金としての組成質量比に、精度が得られ難いので、ロウ材としての信頼性に劣っている。
【００１６】
その他、溶融めっき法が考えられる（たとえば、特開平１１−３００４７１号公報、特開２０００−３４９１８０号公報、特開２００１−１０５１３１号公報参照）。しかし、 Ａｕを主成分としたロウ材では費用がかかるために適していない。また、ＳｎＳｂ合金系の溶融めっき法も考えられる（たとえば、特開２００２−１８４８８６号公報参照）。しかし、固相温度が２４０℃程度であり、実質的に２６０℃以上の耐熱性を求められる半導体パッケージには使用することができない。
【００１７】
【特許文献１】特公平３−６５８９７号公報
【００１８】
【特許文献２】特開２００２−９１８６号公報
【００１９】
【特許文献３】特開２００３−２２９５０４号公報
【００２０】
【特許文献４】特開平１１−３００４７１号公報
【００２１】
【特許文献５】特開２０００−３４９１８０号公報
【００２２】
【特許文献６】特開２００１−１０５１３１号公報
【００２３】
【特許文献７】特開２００２−１８４８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は、従来の欠点を解消し、より信頼性の高いハーメチックシールカバーを、安価に、大量に、製造することが可能なハーメチックシールカバーおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いて打ち抜くか、または所定寸法に切断する。
【００２６】
あるいは、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、さらにＡｕを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いて打ち抜くか、または所定寸法に切断する。
【００２７】
あるいは、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、さらに所定幅に切断し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、さらに所定幅に切断し、前記切断後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、所定長に切断する。
【００２８】
あるいは、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材にＮｉを被覆し、所定幅に切断し、さらにＡｕを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材にＡｕを被覆し、さらに所定幅に切断し、前記切断後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合し、その後、所定長に切断する。
【００２９】
本発明のハーメチックシールカバーは、前記のいずれかの製造方法により得られる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法により、製造時の収率向上と工数削減とが可能となり、その結果、コストを大幅に削減でき、量産性、経済性において有利である。また、得られるハーメチックシールカバーの性能、信頼性は従来と同程度に維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図２に、本発明のハーメチックシールカバーの製造工程を３つのフロー図で示す。
【００３２】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法は、図２（Ａ）に示したように、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材（圧延材料）にＮｉを被覆し、次に、融点が２６０℃以上で、Ａｕを主成分とするフォイル状のロウ材（圧延材料）にＡｕを被覆し、被覆されたシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合し、その後、プレス機を用いて打ち抜く。
【００３３】
前記シールカバー材（圧延材料）に、Ｎｉを被覆した上に、さらにＡｕを被覆してシールカバー材を得てもよい。
【００３４】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法は、図２（Ｂ）に示したように、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるシールカバー材（圧延材料）にＮｉを被覆し、次に、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材（圧延材料）にＡｕを被覆し、被覆されたシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合し、その後、所定寸法の幅にスリット機で切断し、その後、所定長にプレス機で切断する。
【００３５】
前記シールカバー材（圧延材料）に、Ｎｉを被覆した上に、さらにＡｕを被覆してシールカバー材を得てもよい。
【００３６】
あるいは、図２（Ｃ）に示したように、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるシールカバー材（圧延材料）にＮｉを被覆し、さらに所定幅にスリット機で切断し、次に、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材（圧延材料）にＡｕを被覆し、さらに所定幅に切断し、切断されたシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合し、その後、所定長にプレス機で切断する。
【００３７】
前記シールカバー材（圧延材料）にＮｉを被覆し、所定幅に切断した上に、さらにＡｕを被覆してもシールカバー材を得てよい。
【００３８】
図３は、本発明のハーメチックシールカバーの断面図である。鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかであるシールカバー材（６）は、加工性と経済性に優れ、Ｎｉを被覆することにより、耐酸化性に優れ、Ｎｉを被覆した上にさらにＡｕを被覆することにより、ロウ材（５）の濡れ性に優れる。
【００３９】
本発明で使用できうるロウ材（５）は、多岐に渡るが、ハーメチックシール工程おいて、特に、ＡｕＳｎ合金、ＡｕＧｅ合金またはＡｕＳｉ合金が、ロウ付けの信頼性に優れている。
【００４０】
ロウ材の溶融は、加温した加圧ロールにより、ロウ材の融点より２０〜１２０℃高い温度に加温する。これにより、シールカバー材（６）へのロウ材（５）の接合力が増加する。また、加温時に脱酸化雰囲気にすることにより、ロウ材（５）の表面酸化による濡れ不良が防止される。
【００４１】
ロウ材の溶融による組成質量比の変動は、被覆されたＡｕなどが拡散することで起こりうるが、あらかじめロウ材の組成質量比を目標とする組成よりもＡｕを少なくしておくことで解決できる。
【００４２】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法においては、ロウ材（５）をリング状にしないため、従来、不要であるシールカバー材（６）の中央部にも、ロウ材（５）を使用することになるが、ロウ材（５）の厚みを、例えば２０μｍ程度に薄く抑えることにより、従来、必要とされていたロウ材（５）単体での成形加工工程が省力でき、経済性に優れる。
【００４３】
また、所定寸法に形成する前にシールカバー材（６）とロウ材（５）とを溶融接合することにより、従来、必要とされていた積載整列工程が省力でき、経済性に優れる。
【００４４】
あるいは、溶融接合後に所定幅へ切断することにより、溶融接合と切断の工数をそれぞれ削減でき、経済性に優れる。また、所定幅に切断した後、溶融接合し、所定長に切断することにより、有価金属の回収が効率的であり、これも経済性に優れる。この場合は、ロウ材（５）とシールカバー材（６）とを、それぞれ所定寸法に形成する従来方法と比較すると、打抜き残りを減少させることができ、収率向上になり、経済性に優れる。
【００４５】
図４に、本発明のハーメチックシールカバーを用いて組み立てられた半導体装置を断面図で示す。
【００４６】
セラミック基板（１）は、従来のままであり、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有する下層板と、表面にリードパターンが形成され、かつ、中央部に開口を有する中間板と、該リードパターンのリードの内側先端部が露出する大きさの開口を有する上層板との３つが、一体化された構造である。セラミック基板（１）の長辺側部には、前記リードパターンの外側先端と導通するように接合された金属リード（２）が設けられる。そして、前記上層板の開口の縁部表面には、シールカバー材接着用のメタライズ層（３）が形成される。メタライズ層（３）および前記リードパターンは、通常、Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペーストで形成され、これらとリード（２）には、Ａｕめっきが施される。
【００４７】
次に、半導体素子（４）をセラミック基板（１）の下層板の半導体素子接合用のメタライズ層に接合し、該半導体素子（４）上の電極と、リードパターンのリードの内側先端部とを、細いコネクター線で結合する。
【００４８】
最後に、メタライズ層（３）の上に、ロウ材（５）つきのシールカバー材（６）を載せ、ロウ材（５）の融点以上に加熱し、後冷却して、シールカバー材（６）を取り付ける。
【実施例】
【００４９】
（実施例１）
厚さ１０μｍのＮｉ材が両面に圧接された厚さ０．２０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施してシールカバー材を得た後、該シールカバー材のＡｕめっきを施した面の側に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により窒素雰囲気中にて３６０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを、３．６３ｍｍ角の板状にコバール合金側よりプレス機で打抜き切断し、ハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００５０】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃でパッケージに封止した。得られた５０個のパッケージを用いて、０．４５ＭＰａ、２時間のヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００５１】
（実施例２）
厚さ１０μｍのＮｉ材が両面に圧接された厚さ０．２０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施してシールカバー材を得た後、スリット機で３．６３ｍｍ幅に切断し、該シールカバー材のＡｕめっきを施した面の側に、３．６３ｍｍ幅にスリット機で切断し両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により窒素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。得られたテープ状のフォイルを、３．６３ｍｍ角の板状にコバール合金側よりプレス機で打抜き切断し、ハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００５２】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００５３】
（実施例３）
厚さ１０μｍのＮｉ材が両面に圧接された厚さ０．２０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施してシールカバー材を得た後、該シールカバー材のＡｕめっきを施した面の側に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により窒素雰囲気中にて３６０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを、３．６３ｍｍ幅にスリット機で切断してから、３．６３ｍｍ角の板状にコバール合金側よりプレス機で打抜き切断し、ハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００５４】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００５５】
（実施例４）
厚さ０．１５ｍｍの４２アロイ合金のフォイル材に、２．０μｍ厚のＮｉめっきを両面に施してシールカバー材を得た後、該シールカバー材の片面に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により水素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを、２．３５×１．８５ｍｍの板状にコバール合金側より打抜き切断し、ハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００５６】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００５７】
（実施例５）
厚さ０．１５ｍｍの４２アロイ合金のフォイル材に、２．０μｍ厚のＮｉめっきを両面に施してシールカバー材を得た後、２．３５ｍｍ幅に切断した。該シールがカバー材の片面に、２．３５ｍｍ幅に切断し両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により水素雰囲気中にて３２０℃に加温し、溶融接合した。得られたテープ状のフォイルを、コバール合金側より打抜き切断し、２．３５×１．８５ｍｍの板状のハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００５８】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００５９】
（実施例６）
厚さ０．１５ｍｍの４２アロイ合金のフォイル材に、２．０μｍ厚のＮｉめっきを両面に施してシールカバー材を得た後、 該シールカバー材の片面に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により水素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを、２．３５ｍｍ幅に切断し、コバール合金側より打抜き切断し、２．３５×１．８５ｍｍの板状のハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００６０】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００６１】
（実施例７）
厚さ０．１０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、２．０μｍ厚のＮｉめっきを両面に施した上に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施してシールカバー材を得た後、該シールカバー材にＡｕめっきを施した面の側に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により水素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを、２．８５×２．３５ｍｍの板状にコバール合金側より打抜き切断し、ハーメチックシールカバーを５０個、作製した。
【００６２】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００６３】
（実施例８）
厚さ０．１０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、２．０μｍ厚のＮｉめっきを両面に施した上に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施してシールカバー材を得た後、該シールカバー材の２．８５ｍｍ幅に切断し、Ａｕめっきを施した面の側に、両面にＡｕめっきを施した２．３５ｍｍ幅に切断したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により水素雰囲気中にて３２０℃に加温し、溶融接合した。得られたテープ状のフォイルを、コバール合金側より打抜き切断し、２．８５×２．３５ｍｍの板状のシールカバーを５０個、作製した。
【００６４】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００６５】
（実施例９）
厚さ０．１０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、２．０μｍ厚のＮｉめっきを両面に施した上に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施してシールカバー材を得た後、該シールカバー材のＡｕめっきを施した面の側に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材を重ね合わせたものを、連続炉により水素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを２．８５ｍｍ幅に切断し、コバール合金側より打ち抜き切断し、２．８５×２．３５ｍｍの板状のシールカバーを５０個、作製した。
【００６６】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００６７】
（実施例１０〜１８）
両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金のロウ材に代えて、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金のロウ材を用いたことと、溶融接合の温度をそれぞれから８０℃、高くしたこと以外は、それぞれ実施例１〜９と同様にして、実施例１０〜１８のハーメチックシールカバーを得た。
【００６８】
次に、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。
【００６９】
【表１】
2005191481.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】セラミック基板を用いた半導体パッケージの要部を示した斜視図である。
【図２】本発明のハーメチックシールカバーの製造工程を示すフロー図である。
【図３】本発明のハーメチックシールカバーを示す断面図である。
【図４】本発明のハーメチックシールカバーを用いて組み立てられた半導体装置を示す断面図である。
【図５】従来のハーメチックシールカバーを用いて組み立てられた半導体装置を示す断面図である。
【図６】従来の熱圧着法によるハーメチックシールカバーの製造工程を示すフロー図である。
【図７】従来の製造工程におけるハーメチックシールカバーを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１  セラミック基板
２  金属リード
３  シールカバー材接着用メタライズ層
４  半導体素子
５  ロウ材
６  シールカバー材
７  ダミー材
【図１】
2005191481.tif 000004
【図２】
2005191481.tif 000005
【図３】
2005191481.tif 000006
【図４】
2005191481.tif 000007
【図５】
2005191481.tif 000008
【図６】
2005191481.tif 000009
【図７】
2005191481.tif 000010