(57)【要約】【課題】  小型化および薄型化に適した弾性表面波チップおよび弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】  弾性表面波チップ１０は、すだれ状電極１４を形成する金属と比較して、自然酸化膜が形成されにくい金属からなる導通パターン２４を圧電基板１２の一方の面２０に備えるとともに、前記導通パターン２４上の一部と電気的に接続したすだれ状電極１４を備え、前記導通パターン２４上の一部と電気的に接続するとともに、前記圧電基板１２の側面を介して他方の面２２に延設し、自然酸化膜が形成されにくい金属からなる導通部２６を備えた構成である。弾性表面波デバイス４２は、パッケージベース３０の底面に設けられたマウント電極３６上に、導電性接合材３８を介して前記弾性表面波チップ１０の前記他方の面２２における導通部２６を電気的および機械的に接続し、前記パッケージベース３０の上面にリッド４０を接合した構成である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
すだれ状電極と、前記すだれ状電極に接続した引出し電極とを圧電基板の一方の面に備え、
前記引出し電極に電気的に接続するとともに、前記圧電基板の側面を介して他方の面に延設して、前記すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属により形成した導通部を備えた、
ことを特徴とする弾性表面波チップ。
【請求項２】
前記引出し電極と前記導通部とが電気的に接続する箇所の下側に、前記すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属で形成した導通パターンを備え、前記導通パターンを介して前記引出し電極と前記導通部とを電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波チップ。
【請求項３】
前記導通部は、圧電基板と前記自然酸化膜が形成されにくい金属との間に、前記圧電基板と前記金属との密着性を向上する金属を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波チップ。
【請求項４】
前記導通パターンは、圧電基板と前記自然酸化膜が形成されにくい金属の間に、前記圧電基板と前記金属と密着性を向上する金属を備えたことを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波チップ。
【請求項５】
前記自然酸化膜が形成されにくい金属は金または銀であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波チップ。
【請求項６】
前記密着性を向上する金属はクロムまたはニッケルであることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の弾性表面波チップ。
【請求項７】
すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属からなる導通パターンを圧電基板の一方の面に設けるとともに、前記導通パターン上の一部と電気的に接続したすだれ状電極を設け、前記導通パターン上の一部と電気的に接続するとともに、前記圧電基板の側面を介して他方の面に延設し、すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属からなる導通部を設けた弾性表面波チップと、
底面にマウント電極を備えたパッケージベースと、
前記パッケージベースの上面に接合されるリッドと、を有し、
導電性接合材を介して前記マウント電極と、前記圧電基板の他方の面に設けられた前記導通部とを電気的および機械的に接続した、
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性表面波チップおよび弾性表面波デバイスに係り、特に小型化および薄型化に適した弾性表面波チップおよび弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷという）チップは、圧電効果を有する材料からなる圧電基板上に一対のすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴという）を形成し、引出し電極を介して前記ＩＤＴとワイヤボンディングが施されるパッドが接続したものが主な構成である。前記ＩＤＴと前記パッドは圧電基板の同一面上に形成され、これらＩＤＴ等の電極材料としてアルミニウムやアルミニウム合金が用いられている。そしてＩＤＴが形成された面が弾性表面波の伝搬する能動面となる。
【０００３】
このようなＳＡＷチップをパッケージベースに実装するとともに、パッケージベースの上面をリッドで封止して、ＳＡＷ共振子、ＳＡＷ発振器またはＳＡＷフィルタ等のＳＡＷデバイスを構成している。ＳＡＷチップとパッケージベース側との導通は、ワイヤボンディングによる場合またはフリップチップボンディングによる場合がある。
【０００４】
図４に従来技術に係る圧電デバイスの断面図を示す。図４（ａ）はワイヤボンディングによりＳＡＷチップとパッケージベース側を導通したＳＡＷデバイスを示し、同図（ｂ）はフリップチップボンディングにより導通したＳＡＷデバイスを示す。
【０００５】
ワイヤボンディングにより導通する場合、ＳＡＷチップ１００は、前記能動面１０１を上側に向けるとともに、ＳＡＷチップ１００の裏面に接着剤１０２を塗布して、パッケージベース１０３上に実装され、前記パッドとパッケージベース１０３上に形成されたセカンド電極１０４とを、ワイヤ１０６を介して電気的に接続し、ＳＡＷチップ１００とパッケージベース１０３側を電気的に接続した構成である。
【０００６】
またフリップチップボンディングにより導通する場合、ＳＡＷチップ１００は、前記能動面１０１をパッケージベース１０３の底面側へ向けて、前記パッドとパッケージベース１０３上に形成されたマウント電極１０８とを、バンプ１０７を介して実装し、ＳＡＷチップ１００とパッケージベース１０３側を電気的および機械的に接続した構成である。
【０００７】
また圧電基板の一方の面にＩＤＴを構成する電極指が形成され、前記電極指の一端同士を短絡させるターミナルが、圧電基板の他方の面、または前記一方の面と側面と他方の面に形成されたＳＡＷチップもある。このＳＡＷチップでは、ターミナルがパッドの役割を果たし、電極指とターミナルが同一金属により形成されている（特許文献１を参照）。
【特許文献１】特許第３４３９９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、ＳＡＷデバイスが搭載される電子機器が小型化されているのに伴い、ＳＡＷデバイスも小型化および薄型化されている。ところが、ワイヤボンディングによりＳＡＷチップとパッケージベース側を電気的に接続する場合、ワイヤのループ高さの分だけＳＡＷデバイスが高くなる問題点がある。
【０００９】
またフリップチップボンディングによりＳＡＷチップとパッケージベース側とを電気的および機械的に接続する場合、ＳＡＷチップをフェイスダウン実装しなければならず、能動面がパッケージベースの底面側に向いてしまい、周波数調整が困難になる問題点がある。
【００１０】
またパッドをアルミニウムやアルミニウム合金で形成すると、アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に自然酸化膜が形成されるため、導通抵抗が大きくなる問題点がある。そしてバンプや導電性接着剤等の導電性接合材をパッドに接続している場合は、パッドと導電性接合材との導通がとれにくくなる、またはとれなくなる問題点がある。
【００１１】
またＩＤＴをアルミニウムやアルミニウム合金でなく金により形成すると、ＳＡＷチップの周波数温度特性が±数千ｐｐｍ程度に極めて悪くなる問題点がある。なおＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器として利用する場合は一定周波数で高精度に共振することが要求される。すなわち、ＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器に要求される周波数精度は、周波数温度特性等の様々な要因を合わせて±１００〜±数十ｐｐｍ以下の精度が要求される。
またフォトリソグラフィ技術を利用してＩＤＴを形成しないと、高精度化および高周波化が困難となる問題点がある。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、ＳＡＷチップに設けられたすだれ状電極とパッケージベース側との導通を図るとともに、ＳＡＷデバイスを小型化および薄型化する弾性表面波チップおよび弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波チップは、すだれ状電極と、前記すだれ状電極に接続した引出し電極とを圧電基板の一方の面に備え、前記引出し電極に電気的に接続するとともに、前記圧電基板の側面を介して他方の面に延設して、前記すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属により形成した導通部を備えた、ことを特徴としている。これにより圧電基板の他方の面における導通部と、圧電基板の一方の面に形成されたすだれ状電極（ＩＤＴ）を導通できるので、前記他方の面において、パッケージベースに設けられたマウント電極と電気的および機械的に接続することができる。またＩＤＴと導通部を異なる金属で形成することができる。
【００１４】
また前記引出し電極と前記導通部とが電気的に接続する箇所の下側に、前記すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属で形成した導通パターンを備え、前記導通パターンを介して前記引出し電極と前記導通部とを電気的に接続したことを特徴としている。これにより引出し電極の表面に自然酸化膜が形成され、引出し電極と導通部の導通が困難になったとしても、導通パターンを介して引出し電極と導通部を導通することができる。
【００１５】
また前記導通部は、圧電基板と自然酸化膜が形成されにくい金属との間に、前記圧電基板と前記金属との密着性を向上する金属を備えたことを特徴としている。さらに前記導通パターンは、圧電基板と自然酸化膜が形成されにくい金属との間に、前記圧電基板と前記金属と密着性を向上する金属を備えたことを特徴としている。これにより圧電基板から導通部や導通パターンが剥離することがないので、圧電基板の一方の面に形成されたＩＤＴと、圧電基板の他方の面における導通部を導通することができる。
【００１６】
また前記自然酸化膜が形成されにくい金属は金または銀であることを特徴としている。これにより導通部や導通パターンの導通を確保することができる。
また前記密着性を向上する金属はクロムまたはニッケルであることを特徴としている。これにより自然酸化膜が形成されにくい金属が圧電基板から剥離することがない。
【００１７】
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属からなる導通パターンを圧電基板の一方の面に設けるとともに、前記導通パターン上の一部と電気的に接続したすだれ状電極を設け、前記導通パターン上の一部と電気的に接続するとともに、前記圧電基板の側面を介して他方の面に延設し、すだれ状電極を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属からなる導通部を設けた弾性表面波チップと、底面にマウント電極を備えたパッケージベースと、前記パッケージベースの上面に接合されるリッドと、を有し、導電性接合材を介して前記マウント電極と、前記圧電基板の他方の面に設けられた前記導通部とを電気的および機械的に接続した、ことを特徴としている。
【００１８】
これにより導電性接合材を介してパッケージベース側とＩＤＴを電気的に接続できるので、ワイヤボンディングを施してパッケージ側とＩＤＴを導通するＳＡＷデバイスに比べて、ワイヤのループ高さ分だけ薄型化することができる。またワイヤボンディングが施されるセカンド電極を必要とするＳＡＷデバイスに比べて、セカンド電極分を小型化することができる。さらにＩＤＴが形成され、弾性表面波が伝搬される面を上側、すなわちパッケージベースの底面側と反対に向けることができる。このため前記弾性表面波が伝搬される面をエッチングプラズマに曝して、ＳＡＷチップの周波数調整を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明に係る弾性表面波チップおよび弾性表面波デバイスの好ましい実施の形態について説明する。図１に弾性表面波デバイスの断面図を示す。また図２に弾性表面波チップの平面図を示す。本実施の形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）チップ１０は、圧電効果を有する材料からなる圧電基板１２の一方の面２０に一対のすだれ状電極１４（ＩＤＴ１４）と反射器１６が設けられ、ＩＤＴ１４および反射器１６が設けられた面が弾性表面波を伝搬する能動面となる構成である。前記ＩＤＴ１４は複数の電極指を交互に噛み合わせて配置され、この噛み合わせ方向のＩＤＴ１４の両側に反射器１６が形成されている。また各ＩＤＴ１４には引出し電極１８が接続され、この引出し電極１８は圧電基板１２の側辺近傍へ引出されている。そしてＩＤＴ１４および引出し電極１８を形成する金属は、アルミニウムまたはアルミニウム合金等から形成されている。
【００２０】
引出し電極１８の先端は圧電基板１２の一方の面２０に設けられた導通パターン２４上の一部と接続している。前記導通パターン２４は、ＩＤＴ１４を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属膜と、前記金属膜と圧電基板１２との密着性を向上する金属からなる下地膜から構成され、例えば金属膜として金や銀等が用いられ、下地膜としてクロムやニッケル等が用いられる。なお組み合わせとしてはクロム上に金を積層するもの、クロム上に銀を積層するもの、またはニッケル上に銀を積層するものがあるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
また導通パターン２４上における引出し電極１８が重なっていない部分には、導通部２６が設けられている。この導通部２６は、ＩＤＴ１４が設けられた一方の面２０および側面を介して圧電基板１２の他方の面２２に延設されている。なお図２に示すように、導通部２６を圧電基板１２の一方の短辺側にのみ設けておくと、ＳＡＷチップ１０をパッケージベース３０へ片持ち実装することができる。この導通部２６は、ＩＤＴ１４を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属膜と、前記金属膜と圧電基板１２との密着性を向上する金属からなる下地膜から構成され、前記導通パターン２４と同様の構成である。そして引出し電極１８と導通パターン２４、導通パターン２４と導通部２６、および引出し電極１８と導通部２６のそれぞれが電気的に接続している。なお時間が経過すると、アルミニウムやアルミニウム合金等から形成された引出し電極１８の表面が自然酸化されて導通抵抗が高くなり、引出し電極１８と導通部２６が直接に導通をとれなくなる場合があるが、導通パターン２４を介して引出し電極１８と導通部２６の導通がとれることとなる。
【００２２】
このようなＳＡＷチップ１０を実装するパッケージベース３０はセラミックや金属からなり、底板３２と該底板３２の側辺を立ち上げ形成した側部３４とからなる升形の形状をなしている。なおパッケージベース３０を金属で形成するときは、パッケージベース３０の裏面、すなわち底板３２の下面に絶縁物を設ける必要がある。このパッケージベース３０の底面、すなわち底板３２の上面には、ＳＡＷチップ１０の前記他方の面２２に設けられた導通部２６に対応してマウント電極３６が設けられ、このマウント電極３６はパッケージベース３０の裏面に設けられた外部電極（不図示）と導通している。
【００２３】
前記マウント電極３６上に、導電性接着剤やバンプ等の導電性接合材３８を用いてＳＡＷチップ１０が電気的および機械的に接続している。このときマウント電極３６とＳＡＷチップ１０の他方の面２２に形成された導通部２６とが接続され、ＳＡＷチップ１０の能動面は上向きになる。なおＳＡＷチップ１０を片持ち実装すると、ＳＡＷチップ１０の能動面に生じる応力の影響を緩和することができる。
【００２４】
そしてＳＡＷチップ１０が実装されたパッケージベース３０の上面には、リッド４０が接合されて気密封止されている。このように、ＳＡＷチップ１０をパッケージベース３０に実装し、このパッケージベース３０の上面をリッド４０で封止してＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタが構成される。またＳＡＷチップ１０とともに発振回路を実装するとＳＡＷ発振器が構成される。このようにして、ＳＡＷデバイス４２が形成される。
【００２５】
次に、上述したＳＡＷデバイス４２の製造方法について説明する。図３にＳＡＷデバイス４２の製造工程の説明図を示す。まず圧電ウエハ４４の一方の面上に、ＩＤＴ１４を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属と、前記金属と圧電ウエハ４４の密着性を向上する下地金属が、スパッタまたは蒸着等の成膜法により成膜される。なお前記下地金属として、例えばクロム等が成膜され、前記金属として例えば金等が成膜される。そして各ＳＡＷチップ１０が形成される位置における、導通パターン２４を形成する部分に対応してマスクが設けられる。このマスクはフォトリソグラフィ技術を用いて形成されるレジストパターンであればよい。この後エッチングプロセスにより、マスクが設けられていない部分の前記金属および前記下地金属がエッチングされ、導通パターン２４のみが残る。そして導通パターン２４上のレジストパターンが剥離され、圧電ウエハ４４上に導通パターン２４が形成される（図３（ａ）参照）。
【００２６】
また導通パターン２４は、次のように形成することもできる。すなわち、圧電ウエハ４４の一方の面における各ＳＡＷチップ１０が形成される位置に対応して、導通パターン２４を形成するためのマスクが設けられる。このマスクは、メタルマスクまたはフォトリソグラフィ技術を用いて形成されるレジストパターンであればよい。このマスクにより、圧電ウエハ４４上に導通パターン２４が形成される部分だけ露出され、ＩＤＴ１４を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属と、前記金属と圧電ウエハ４４の密着性を向上する下地金属が、スパッタまたは蒸着等の成膜法により成膜される。そして前記マスクを剥離することにより、圧電ウエハ４４上に導通パターン２４が形成される。
【００２７】
次に、圧電ウエハ４４の一方の面に上に、ＩＤＴ１４、引出し電極１８および反射器１６を形成する金属が成膜される。前記金属はスパッタまたは蒸着等の成膜法により、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金が成膜される。そしてＩＤＴ１４、引出し電極１８および反射器１６が形成される部分上に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストパターンが形成される。この後エッチングプロセスにより、マスクが設けられていない部分の前記金属がエッチングされ、圧電ウエハ４４上に、ＩＤＴ１４、引出し電極１８、反射器１６および導通パターン２４が残る。このとき、ＩＤＴ１４と接続する側と反対の引出し電極１８の先端は、導通パターン２４上の一部と重なり合って形成されている。そして前記金属上に残るレジストパターンを剥離して、圧電ウエハ４４上にＩＤＴ１４、引出し電極１８、反射器１６および導通パターン２４が形成される（図３（ｂ）参照）。
【００２８】
この後、圧電ウエハ４４をダイシングして、各ＳＡＷチップ１０の外形に対応して切断される。圧電ウエハ４４が切断された後の各圧電基板１２は、導通部２６を形成するための治具にそれぞれ納置される。この治具は、圧電基板１２の一方の面２０、側面および他方の面２２において、導通部２６が形成される部分だけ露出したものである。なお圧電基板１２の一方の面２０と、圧電ウエハ４４の前記一方の面は同一面である。そしてＩＤＴ１４を形成する金属に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属と、前記金属と圧電基板１２の密着性を向上する下地金属が、圧電基板１２の一方の面２０、側面および他方の面２２に、スパッタまたは蒸着等の成膜法により成膜される。このとき、前記下地金属として例えばクロム等が成膜され、前記金属として例えば金等が成膜される。この導通部２６の形成時において、圧電基板１２の一方の面２０に形成される導通部２６の先端は導通パターン２４上の一部、すなわち導通パターン２４と引出し電極１８が重なっていない部分において重なりあって形成される（図３（ｃ）参照）。このようにしてＳＡＷチップ１０が形成される。
【００２９】
そしてＳＡＷチップ１０の能動面を上側に向けつつ、圧電基板１２の前記他方の面２２に形成された導通部２６と、パッケージベース３０に形成されたマウント電極３６が、導電性接着剤またはバンプ等の導電性接合材３８を介して電気的および機械的に接続される。この後ＳＡＷチップ１０の周波数調整が行われる。この周波数調整は、ＳＡＷチップ１０が実装されたパッケージベース３０をプラズマ生成装置に納置して装置内を真空にした後に、装置内にエッチングガスを供給してエッチングプラズマを生成し、ＩＤＴ１４または圧電基板１２をドライエッチングすることにより行われる。この周波数調整後に、パッケージベース３０の上面にリッド４０が接合されてＳＡＷデバイス４２が形成される。なお金属製リッドを用いるときはシーム溶接によりパッケージベース３０上に接合し、ガラス製リッドを用いるときは低融点ガラスを介して接合すればよい（図３（ｄ）参照）。
【００３０】
このように本実施の形態に係るＳＡＷデバイス４２は、ＩＤＴ１４とパッケージベース３０側を、引出し電極１８、導通パターン２４、導通部２６および導電性接合材３８を介して導通できるので、従来技術に係るＳＡＷデバイスのように、ワイヤボンディングを施してＩＤＴとパッケージベース側を導通する必要がない。したがってワイヤボンディングのループ高さは０．１〜０．３ｍｍ程度なので、本実施の形態に係るＳＡＷデバイス４２は前記ループ高さ分だけ薄型化することができる。なお従来技術に係るＳＡＷデバイスの高さは、最小域のもので０．９８ｍｍであるのに対し、本実施の形態に係るＳＡＷデバイスの高さは０．６５ｍｍであるので、ＳＡＷデバイスを薄型化できることがわかる。またパッケージベース３０においては、ワイヤボンディングを施すセカンド電極を必要としない。ここで従来技術に係るＳＡＷデバイスでは、パッケージベースに設けられるセカンド電極の一辺の大きさが０．２〜０．４ｍｍ程度ある。したがってＳＡＷデバイス４２の大きさをセカンド電極の分、すなわち０．２〜０．４ｍｍを小型化することができる。なお従来技術に係るＳＡＷデバイスの大きさは、最小域のもので３．２×２．５ｍｍであるので、この大きさよりも本実施の形態に係るＳＡＷデバイスは０．２〜０．４ｍｍを小型化することができる。
【００３１】
またＳＡＷチップ１０は前記能動面を上に向けてパッケージベース３０に実装されているので、これをプラズマ生成装置に納置してプラズマを生成すると、前記能動面をプラズマに曝すことができる。このためプラズマ生成装置にエッチングガスを供給してエッチングプラズマを生成すると、前記能動面がエッチングプラズマに曝され、ＩＤＴ１４または圧電基板１２をエッチングすることができる。このエッチングによりＳＡＷチップ１０の周波数調整を行うことができる。
【００３２】
またＳＡＷ導通部２６には、ＩＤＴ１４に比べて自然酸化膜の形成されにくい金属が用いられているので、この金属に自然酸化膜が形成されることに起因して導通抵抗が高くなることはない。このとき、自然酸化膜の形成されにくい金属として金を用いた場合、３００ＭＨｚで共振するＳＡＷチップ１０のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値は１５〜２５Ωである。これに対し、導通部２６を自然酸化膜が形成される金属で形成し、前記金属としてアルミニウムを用いた場合のＣＩ値は８０Ω以上である。そして実用域のＣＩ値は最大で２５Ωなので、導通部２６を自然酸化膜の形成されにくい金属を用いて形成する必要がある。したがって、導通部２６に、ＩＤＴ１４と比較して自然酸化膜の形成されにくい金属を用いると、導通部２６と導電性接合材３８の導通抵抗を低くすることができ、導通を確保することができる。
【００３３】
また引出し電極１８と導通部２６が接続する下側において、ＩＤＴ１４と比較して自然酸化膜の形成されにくい金属を用いた導通パターン２４が設けられている。したがって、引出し電極１８の表面に自然酸化膜が形成されて導通抵抗が高くなった場合や、引出し電極１８と導通部２６が接続していない場合であっても、導通パターン２４を介して引出し電極１８と導通部２６を導通することができる。
【００３４】
またＩＤＴ１４に用いられる金属と導通部２６に用いられる金属は異なる金属材料なので、ＩＤＴ１４をアルミニウムやアルミニウム合金により形成できる。これによりＳＡＷチップ１０の周波数温度特性を悪化させることがなく、極めて一定の周波数で共振することができる。またフォトリソグラフィ技術を利用することにより、ＩＤＴ１４を高精度に形成できる。したがってＳＡＷチップ１０の高周波化に対応することができる。
なお本実施の形態では、ＳＡＷチップ１０に反射器１６を設けた構成としたが、反射器１６を設けない構成としてもよい。
【００３５】
また本実施の形態に係るＳＡＷチップ１０の変形例として、次のような構成であってもよい。すなわち、圧電基板の一方の面、側面および他方の面に導通部を設ける。そして前記圧電基板の一方の面にＩＤＴ、引出し電極および反射器を設ける。このとき、前記引出し電極は、前記ＩＤＴと接続する側と反対の先端を前記導通部に重ねて設ける。この変形例は、上述した実施形態の導通部と導通パターンを一体として構成したものである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施の形態に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図２】本実施の形態に係る弾性表面波チップの平面図である。
【図３】本実施の形態に係る弾性表面波デバイスの製造工程の説明図である。
【図４】従来技術に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０………弾性表面波（ＳＡＷ）チップ、１２………圧電基板、１４………すだれ状電極（ＩＤＴ）、１６………反射器、１８………引出し電極、２４………導通パターン、２６………導通部、３０………パッケージベース、３６………マウント電極、３８………導電性接合材、４０………リッド、４２………弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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