(57)【要約】【課題】半田付け時に電子部品の位置ズレの発生を確実に防止して半田付けの信頼性を向上させることができると共に、電子部品の発熱による熱を効率良く放熱させることができる電子部品の実装構造を提供する。【解決手段】基板１０に大小のランド１１，１２を形成すると共に、大形のランド１１の周囲に複数のスルーホール１３を形成し、各ランド１１，１２に半田を介して電子部品２０を半田付けするようにした電子部品の実装構造において、大形のランド１１を絶縁膜１４により分割形成し、この大形のランド１１を分割した絶縁膜１４の部分に複数のスルーホール１５を形成した。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にランドを形成すると共に、該ランドの周囲にスルーホールを形成し、このランドに半田を介して電子部品を半田付けするようにした電子部品の実装構造において、
前記ランドを絶縁膜により分割形成し、このランドを分割した絶縁膜の部分にスルーホールを形成したことを特徴とする電子部品の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱量の大きいパワートランジスタ（ＦＥＴ）等の電子部品を実装する際に用いて好適な電子部品の実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子部品の実装構造として、図５に示すものがある。この電子部品の実装構造は、電子部品としての発熱量の大きいパワートランジスタ（ＦＥＴ）２０をプリント基板１の各ランド２，３上に実装するものである。即ち、図５に示すように、プリント基板１には大小のランド２，３をそれぞれ形成してあると共に、該大形のランド２の周囲には複数のスルーホール４を形成してある。そして、これら大小のランド２，３に図示しない半田を介してパワートランジスタ２０を半田付けしている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３３５７３２号公報
【０００４】
【特許文献２】特開平１０−８４１７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記従来の電子部品の実装構造では、使用される溶融半田の表面張力によりパワートランジスタ２０が大小のランド２，３に対して図５中矢印Ｂに示す方向に移動して位置ズレが発生し、リフロー半田付け時に半田フィレットを確実に形成することができなかった。これにより、パワートランジスタ２０と各ランド２，３の半田付けによる接続強度が弱くなり、半田付けの信頼性が劣った。また、パワートランジスタ２０の発熱による熱を大形のランド２の周囲のスルーホール４だけでは効果的に放熱することができなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、半田付け時に電子部品の位置ズレの発生を確実に防止して半田付けの信頼性を向上させることができると共に、電子部品の発熱による熱を効率良く放熱させることができる電子部品の実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、基板にランドを形成すると共に、該ランドの周囲にスルーホールを形成し、このランドに半田を介して電子部品を半田付けするようにした電子部品の実装構造において、前記ランドを絶縁膜により分割形成し、このランドを分割した絶縁膜の部分にスルーホールを形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、ランドを絶縁膜により分割形成し、このランドを分割した絶縁膜の部分にスルーホールを形成したので、半田付け時にランドに対する電子部品の位置ズレの発生を確実に防止することができて半田付けの信頼性を向上させることができると共に、電子部品の発熱による熱を該電子部品の下に位置するスルーホールを介して効率良く放熱させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１０】
図１は本発明の一実施形態の電子部品の実装構造を示す断面図、図２は同実装構造の要部の部分拡大断面図、図３は図１中Ａ部分の拡大断面図、図４は同実装構造における実装工程を示す概略平面図である。
【００１１】
図１と図４に示すように、この電子部品の実装構造は、電子部品としての発熱量の大きいパワートランジスタ（ＦＥＴ）２０をプリント基板（基板）１０の各ランド１１，１２上に半田付けにより実装するものである。即ち、図４に示すように、プリント基板１０には銅箔製の大小のランド１１，１２をそれぞれ形成してあると共に、該大形のランド１１の周囲には複数のスルーホール１３を形成してある。
【００１２】
また、図２〜図４に示すように、大形のランド１１はレジスト（絶縁膜）１４により２つに分割形成してある。この２つに分割形成された分割ランド１１ａ，１１ｂ間のレジスト１４の部分に複数のスルーホール１５を等間隔毎に形成してある。この各スルーホール１５を介してプリント基板１０の表面の分割ランド１１ａ，１１ｂは裏面のランド１１ｃとそれぞれ導通している。さらに、図３に示すように、プリント基板１０の裏面のランド１１ｃは接着剤１６を介してアルミニウム製のケースの底部（放熱板）１７に固着されている。
【００１３】
そして、図１と図３及び図４に示すように、プリント基板１０の２つの分割ランド１１ａ，１１ｂ及び小形の一対のランド１２，１２に、半田１８，１９を介してパワートランジスタ２０の放熱フィン２１及び一対のリードフレーム（外部出力端子）２２，２２がそれぞれ半田付けされるようになっている。
【００１４】
以上実施形態の電子部品の実装構造によれば、プリント基板１０の大形のランド１１をレジスト１４により分割形成して２つの分割ランド１１ａ，１１ｂにしたので、リフロー半田付け時に、溶融半田がレジスト１４により２つに分断されてその表面張力が図５に示す従来の大形のランド２上に塗布された半田の表面張力よりも弱まる。このため、溶融半田の表面張力による各ランド１１，１２に対するパワートランジスタ２０位置ズレの発生を確実に抑制して防止することができる。これにより、各ランド１１，１２とパワートランジスタ２０の放熱フィン２１及び一対のリードフレーム２２，２２との間に良好な半田フィレット（半田）１８，１９を確実に形成することができ、半田付けの信頼性（接続強度）を向上させることができる。
【００１５】
また、プリント基板１０の大形のランド１１をレジスト１４により分割形成し、この分割形成された分割ランド１１ａ，１１ｂ間のレジスト１４の部分に複数のスルーホール１５を等間隔毎にそれぞれ形成したので、パワートランジスタ２０の発熱による熱を該パワートランジスタ２０の放熱フィン２１の真下に位置する複数のスルーホール１５を介してプリント基板１０及び放熱板としてのアルミニウム製のケースの底部１７へ最短ルートで効率良く放熱させることができる。これにより、パワートランジスタ２０の発熱を確実に抑制することができ、パワートランジスタ２０の故障率を著しく低減させることができる。
【００１６】
尚、前記実施形態によれば、電子部品としてトランジスタをプリント基板に半田付けする場合について説明したが、抵抗やコンデンサ等の他の電子部品をプリント基板に半田付けする場合にも適用できることは勿論である。また、アルミニウム製のケースの底部（放熱板）１７に代えて、絶縁板に、プリント基板１０のランド１１ｃが接着剤１６により固着される場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態の電子部品の実装構造を示す断面図である。
【図２】上記電子部品の実装構造の要部の部分拡大断面図である。
【図３】図１中Ａ部分の拡大断面図である。
【図４】上記電子部品の実装構造における実装工程を示す概略平面図である。
【図５】従来の電子部品の実装構造における実装工程を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０  プリント基板（基板）
１１  ランド
１１ａ，１１ｂ  分割ランド
１２  ランド
１３  スルーホール
１４  レジスト（絶縁膜）
１５  スルーホール
１８，１９  半田フィレット（半田）
２０  パワートランジスタ（電子部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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