(57)【要約】【課題】急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法の提供。【解決手段】急速エネルギー伝送のアニール装置は、光源ユニットと、光源の波長エネルギーを急速吸収して急速温度上昇するエネルギーユニットと、アニールユニットを具え、該アニールユニットが基板と、基板の上に堆積されると共にエネルギーユニットに対向し且つ適当な距離で隔てられたアモルファス薄膜層を具え、輸送ユニットにより移動し、アモルファス薄膜層をエネルギーユニットの放出する熱エネルギーにより順に加熱して、多結晶薄膜層に変換させ、基板に適当な距離を以て対向する放熱ユニットと、基板とアモルファス薄膜層の間に設けられた断熱層と、アモルファス薄膜層の別側の基板に設けられた放熱層と、基板及び断熱層の間に設けられた導熱層と、基板の別側のアモルファス薄膜層上に設けられた受熱層と、を具えた。【選択図】        図１
2005005463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急速エネルギー伝送のアニール装置において、該アニール装置が、
光波エネルギーを急速提供する光源ユニットと、
光源の波長エネルギーを急速吸収して急速温度上昇する受熱手段とされるエネルギーユニットと、
基板（３３１）（４３１）（７３１）と、基板（３３１）（４３１）（７３１）の上に堆積されると共にエネルギーユニットに対向し且つ適当な距離で隔てられたアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）を具え、輸送ユニットにより移動し、アモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）をエネルギーユニットの放出する熱エネルギーにより順に加熱して、多結晶薄膜層に変換させる、アニールユニットと、
基板（３３１）（４３１）（７３１）に適当な距離を以て対向する放熱ユニットと、を具え、
該エネルギーユニットとアニールユニットの間、及びアニールユニットと放熱ユニットの間に固体媒体或いは気体媒体が存在し、
該アニール装置がさらに、
基板（３３１）（４３１）（７３１）とアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）の間に設けられた断熱層（７３３）と、
アモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）の別側の基板（３３１）（４３１）（７３１）に設けられた放熱層（７３６）と、
基板（３３１）（４３１）（７３１）及び断熱層（７３３）の間に設けられた導熱層（７３２）と、
基板（３３１）（４３１）（７３１）の別側のアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）上に設けられた受熱層（７３５）と、
を具えたことを特徴とする、急速エネルギー伝送のアニール装置。
【請求項２】
急速エネルギー伝送のアニール方法において、該アニール方法が、
ａ．主要光波エネルギーを急速放出する光源を提供する工程、
ｂ．光源の主要波長エネルギーを急速吸収し並びに急速温度上昇する受熱手段とされるエネルギーユニットを提供する工程、
ｃ．基板（３３１）（４３１）（７３１）と、基板（３３１）（４３１）（７３１）の上に堆積されると共にエネルギーユニットに対向し且つ適当な距離で隔てられたアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）とを具え、輸送ユニットにより移動するアニールユニットを提供し、該アニールユニットのアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）を急速温度上昇するエネルギーユニットの放出する熱エネルギーにより加熱して、多結晶薄膜層に変換させる工程、  ｄ．恒温或いは温度制御可能な放熱手段とされる放熱ユニットを、アニールユニットとある距離離間するようにして提供し、基板（３３１）（４３１）（７３１）の放出するエネルギーを吸収させる工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、急速エネルギー伝送のアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法に係り、光波エネルギーを急速吸収し、急速温度上昇し並びに熱エネルギーを放出するエネルギー板、及び、温度制御可能な放熱板を具えた、急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アモルファスシリコンのポリシリコンへの結晶化は、ポリシリコンフィルムの生産に重要であり、特にＴＦＴのスイッチング速度、ＴＦＴ液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）におけるＳＯＧ（ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）の実現、及びアモルファスシリコン薄膜ソーラーセルの安定化と変換効率を決定する。ＩＲランプ加熱急速熱アニール（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＲＴＡ）技術が光子エネルギーによりアモルファスシリコン薄膜をポリシリコンフィルムとなすのに適用されている。ＩＲランプ加熱ＲＴＡ技術は、低価格タングステンハロゲン光源の発射するＩＲ光子をシリコン或いは混合物半導体ウエハを急速にアニールするのに使用される。これらのウエハは（ｉ）ＩＲ光子の直接吸収、或いは（ｉｉ）近接アニール及びサセプタアニールのような修飾した方法によりアニールされうる。近接或いはサセプタアニールでは、サンプルをホルダ上或いはサセプタの上に配置して別のウエハで、或いはガードリング付き或いはガードリング無しのキャップで被覆するか小チャンバ内に被包するため、これらの追加材料により増加する熱量はサンプルの熱量よりはるかに大きくなる。そして特に、それらは結合されて熱が増加し消失率が減る大熱量システムを形成する。このＲＴＡ技術をガラス基板表面に堆積されたアモルファスシリコンをアニールするのに用いると、以下のような問題が発生する。即ち、（ｉ）アモルファスシリコン薄膜とガラス基板のＩＲ光子に対する低い吸収係数のため光子の直接吸収に無効なエネルギー転移がなされること、（ｉｉ）近接及びサセプタ法の大きな熱量が高音を長時間維持させるためガラス基板を損傷すること、である。パルス急速熱アニール（ＰＲＴＡ）により、結晶化シリコン（Ｃ−Ｓｉ）ウエハ上に堆積されるかガラス上に堆積されて結晶化シリコンウエハホルダ上に配置されたアモルファスシリコン薄膜を有効に結晶化して多結晶となすことができるとの報告もある。実際には、結晶化シリコンウエハ基板が熱を釈放し、或いはホルダがＩＲ光子を吸収するが、アモルファスシリコンは直接ＩＲ光子を吸収せず、このためアモルファスシリコンがポリシリコンへと結晶化されない。結晶化シリコンホルダの大熱量はガラス基板からの熱の消失を減らし、結晶化シリコンホルダにより釈放された熱は、アモルファスシリコン薄膜に到達する前にガラス基板に伝わるため、ガラス基板が高温パルス下で損傷しやすい。結果的に、ＩＲランプ加熱ＲＴＡ及びＰＲＴＡ技術はアモルファスシリコン薄膜の結晶化に有効でない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は一種の急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法を提供することを目的とし、それは、製造が容易で、大面積製造可能な特性を有すると共に、有効にアモルファスシリコン薄膜層を急速にアニールして結晶化し、並びにガラス（或いはプラスチック）基板の高熱による損傷を防止できる急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法であるものとする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、急速エネルギー伝送のアニール装置において、該アニール装置が、
光波エネルギーを急速提供する光源ユニットと、
光源の波長エネルギーを急速吸収して急速温度上昇する受熱手段とされるエネルギーユニットと、
基板（３３１）（４３１）（７３１）と、基板（３３１）（４３１）（７３１）の上に堆積されると共にエネルギーユニットに対向し且つ適当な距離で隔てられたアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）を具え、輸送ユニットにより移動し、アモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）をエネルギーユニットの放出する熱エネルギーにより順に加熱して、多結晶薄膜層に変換させる、アニールユニットと、
基板（３３１）（４３１）（７３１）に適当な距離を以て対向する放熱ユニットと、を具え、
該エネルギーユニットとアニールユニットの間、及びアニールユニットと放熱ユニットの間に固体媒体或いは気体媒体が存在し、
該アニール装置がさらに、
基板（３３１）（４３１）（７３１）とアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）の間に設けられた断熱層（７３３）と、
アモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）の別側の基板（３３１）（４３１）（７３１）に設けられた放熱層（７３６）と、
基板（３３１）（４３１）（７３１）及び断熱層（７３３）の間に設けられた導熱層（７３２）と、
基板（３３１）（４３１）（７３１）の別側のアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）上に設けられた受熱層（７３５）と、
を具えたことを特徴とする、急速エネルギー伝送のアニール装置としている。
請求項２の発明は、急速エネルギー伝送のアニール方法において、該アニール方法が、
ａ．主要光波エネルギーを急速放出する光源を提供する工程、
ｂ．光源の主要波長エネルギーを急速吸収し並びに急速温度上昇する受熱手段とされるエネルギーユニットを提供する工程、
ｃ．基板（３３１）（４３１）（７３１）と、基板（３３１）（４３１）（７３１）の上に堆積されると共にエネルギーユニットに対向し且つ適当な距離で隔てられたアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）とを具え、輸送ユニットにより移動するアニールユニットを提供し、該アニールユニットのアモルファス薄膜層（３３３）（４３３）（７３４）を急速温度上昇するエネルギーユニットの放出する熱エネルギーにより加熱して、多結晶薄膜層に変換させる工程、  ｄ．恒温或いは温度制御可能な放熱手段とされる放熱ユニットを、アニールユニットとある距離離間するようにして提供し、基板（３３１）（４３１）（７３１）の放出するエネルギーを吸収させる工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、急速エネルギー伝送のアニール方法としている。
【０００５】
【発明の実施の形態】
第１実施例：
図１に示されるように、本発明は、載置板３１上に固定された複数の石英柱３２、複数の石英柱３２により支持されて厚さがｄｓ  とされると共に、ガラスの基板３３１、ガラスの基板３３１の上に順に堆積された二酸化けい素層３３２、アモルファスシリコン薄膜層３３３で組成された試験片３３、該試験片３３の上方の第１距離ｄ１  位置に設けられたエネルギー板３４、該試験片３３の下方の第２距離ｄ２  の位置に設けられて複数の石英柱３２が貫通し、ゆえに載置板３１が上下に移動可能とされる放熱板３５、エネルギー板３４の上方に設けられてエネルギー板３４が必要とする熱量を提供するタングステンハロゲンランプ３６を具え、エネルギー板３４は石墨、モリブデン、単結晶シリコン或いはその他のタングステンハロゲンランプ３６のエネルギーを快速吸収して急速温度上昇する材料で組成されている。
第１実施例によると、急速エネルギー伝送のアニール装置３０は、タングステンハロゲンランプ３６が上方よりエネルギー板３４に向けてパルス式或いは非パルス式急速照射を行ない、載置板３１及び放熱板３５の位置がいずれも移動可能とされ、ゆえに第１距離ｄ１  及び第２距離ｄ２  がアニール過程中で固定されて不変とされるか、或いは時間により任意に調整して、アモルファスシリコン薄膜の吸熱とガラス基板の放熱を時間により機動制御する。伝導（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）を例とすると、熱エネルギーフラックス（ｔｈｅ  ｆｌｕｘ  ｏｆ  ｈｅａｔ  ｅｎｅｒｇｙ）公式は、Ｊｈ１＝Ｋｔｈ１  （Ｔｅ  −Ｔｓ１）／ｄ１  とされ、Ｊｈ１（Ｗ／ｃｍ２  ）はエネルギー板３４下表面が第１距離ｄ１  を経由してアモルファスシリコン薄膜層３３３の上表面に伝導する熱エネルギーフラックスであり、Ｋｔｈ１  （Ｗ／ｃｍ℃）はエネルギー板３４の下表面とアモルファスシリコン薄膜層３３３上表面の第１距離ｄ１  にある気体或いは固体媒体の熱伝導率（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）であり、Ｔｅ  はエネルギー板３４下表面の温度であり、Ｔｓ１はアモルファスシリコン薄膜層３３３上表面の温度である。エネルギー板３４の下表面よりアモルファスシリコン薄膜層３３３上表面に伝送されるエネルギーはＫｔｈ１  、Ｔｅ  、Ｔｓ１、及びｄ１  の四つのパラメータにより決定され、第１距離ｄ１  に関しては、第１距離ｄ１  が小さくなるほど伝送されるエネルギーは大きくなり、ｄ１  が零に接近する時、エネルギー伝送は最大値となり、Ｔｓ１がＴｅ  に接近する。ｄ１  が無限大に接近すると、エネルギー伝送は最小値を有し、Ｊｈ１は零に接近し、これにより第１距離ｄ１  の調整によりエネルギー板３４下表面からアモルファスシリコン薄膜層３３３上表面に伝送されるエネルギー量を最大値から最小値まで制御して、アモルファスシリコン薄膜層３３３をポリシリコン薄膜層に変換させることができる。二酸化けい素層３３２は断熱の機能を提供し、ガラスの基板３３１を保護して過熱（６００℃を超過）による軟化で損害を発生するのを防止し、恒温の放熱板とされて、エネルギー板３４の温度よりはるかに低い温度、例えば、２５℃、１００℃、２００℃或いは３００℃に設けられる。伝導（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）に関して、熱エネルギーフラックス公式により、Ｊｈ２＝Ｋｔｈ２  （Ｔｓ２−Ｔｂ  ）／ｄ２  で、Ｊｈ２（Ｗ／ｃｍ２  ）はガラスの基板３３１下表面が第２距離ｄ２  を経由して放熱板３５の上表面に伝導する熱フラックスであり、Ｋｔｈ２  （Ｗ／ｃｍ℃）はガラスの基板３３１の下表面と放熱板３５の上表面の第２距離ｄ２  の間の気体或いは固体媒体の熱伝導率とされ、Ｔｓ２はガラスの基板３３１下表面の温度とされ、Ｔｂ  は放熱板３５の上表面の温度とされる。ガラスの基板３３１の下表面より放熱板３５の上表面に伝送されるエネルギーは、Ｋｔｈ２  、Ｔｓ２、Ｔｂ  、及びｄ２  の四つのパラメータにより決定され、第２距離ｄ２  に関しては、ｄ２  が小さくなるほど伝送されるエネルギーは大きくなり、ｄ２  が零に接近する時、エネルギー伝送は最大値となり、Ｔｓ２がＴｂ  に接近する。ｄ２  が無限大に接近すると、エネルギー伝送は最小値を有���、Ｊｈ２は零に接近し、これにより第２距離ｄ２  の調整によりガラスの基板３３１下表面から放熱板３５上表面に伝送されるエネルギー量を最大値から最小値まで制御して、ガラスの基板３３１の過熱による損壊を防止することができる。
【０００６】
第２実施例：
図２に示されるように、本発明は、タングステンハロゲンランプ４６、厚さがｄｓ  とされると共に、ガラスの基板４３１とガラスの基板４３１の上に順に堆積された二酸化けい素層４３２とアモルファスシリコン薄膜層４３３とで組成された試験片４３、該試験片４３の上方の第１距離ｄ１  位置に設けられたエネルギー板４４、該試験片４３の下方の第２距離ｄ２  の位置に設けられた放熱板４５を具えている。第２実施例の全体の構造は第１実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置３０とほぼ同じであるが、第１実施例との違いはアモルファスシリコン薄膜層４３３の上の第１凸塊４３４ａにあり、この第１凸塊４３４ａの突出がそのエネルギー板４４との間の距離ｄ１’をアモルファスシリコン薄膜層４３３とエネルギー板４４との間の第１距離ｄ１  より小さくし、第１凸塊４３４ａが熱を比較的多く受けるため、その下方の第１アモルファスシリコン薄膜層領域４３６ａの吸収する熱エネルギーが第７アモルファスシリコン薄膜層領域４３９より高くなり、同様に、第２凸塊４３５ａ下方の第２アモルファスシリコン薄膜層領域４３７ａが吸収する熱エネルギーが第７アモルファスシリコン薄膜層領域４３９より高くなり、第１アモルファスシリコン薄膜層領域４３６ａ及び第２アモルファスシリコン薄膜層領域４３７ａが比較的高い熱エネルギーを吸収して二つの領域間の第５アモルファスシリコン薄膜層領域４３８ａに伝送し、これにより、第１アモルファスシリコン薄膜層領域４３６ａ、第２アモルファスシリコン薄膜層領域４３７ａ、及び第５アモルファスシリコン薄膜層領域４３８ａの三者の結晶化速度が第７アモルファスシリコン薄膜層領域４３９及びアモルファスシリコン薄膜層４３３のその他の領域より高くなる。第２の異なるところは、ガラスの基板４３１の上の第３凸塊４３４ｂであり、この第３凸塊４３４ｂと放熱板４５の距離ｄ２’がガラスの基板４３１と放熱板４５間の第２距離ｄ２  より小さく、第３凸塊４３４ｂが比較的多く放熱し、同様に、第４凸塊４３５ｂもまた比較的多く放熱し、第３凸塊４３４ｂの上方の第３アモルファスシリコン薄膜層領域４３６ｂ及び第４凸塊４３５ｂ上方の第４アモルファスシリコン薄膜層領域４３７ｂの放熱速度が第７アモルファスシリコン薄膜層領域４３９より高く、ゆえに第３アモルファスシリコン薄膜層領域４３６ｂ、第４アモルファスシリコン薄膜層領域４３７ｂ及び二つの領域の間の第６アモルファスシリコン薄膜層領域４３８ｂの放熱速度が第７アモルファスシリコン薄膜層領域４３９及びアモルファスシリコン薄膜層４３３のその他の領域より高くなる。総合すると、アモルファスシリコン薄膜層４３３上の凸塊によりその下方及び近隣のアモルファスシリコン薄膜層領域の吸熱が増加され及び温度上昇が加速され、ガラスの基板上の凸塊によりその上方及び近隣のアモルファスシリコン薄膜層領域の放熱と温度降下が加速される。
【０００７】
第３実施例：
図３を参照されたい。本発明の構造及び実施方式と図１の第１実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置３０はほぼ同じであり、タングステンハロゲンランプ５６及びエネルギー板５４はいずれも固定されて不動とされ、異なるところは、図３の実施例では、放熱板５５、載置板５１上に固定された複数の石英柱５２、複数の石英柱５２に支持された試験片５３、及び試験片５３下方の放熱板５５がいずれもコンベヤベルト（図示せず）の上に置かれ、同時に左向きに移動することである。ゆえに試験片５３は続けてエネルギー板５４の下方を通過し、エネルギー板５４の釈放する熱エネルギーを急速吸収し、急速に温度上昇し、また、放熱板５５及び載置板５１がいずれも上下に調整可能とされ、図１の第１実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置３０と類似のアニール結晶化工程を完成する。
【０００８】
第４実施例：
図４に示されるように、本発明はガラス（或いはプラスチック）の基板７３１の上方に、金属とされうる導熱層７３２、二酸化けい素或いは窒化けい素とされうる断熱層７３３、アモルファスシリコンとされうるアモルファス薄膜層７３４、受熱層７３５が順に堆積され、ガラス（或いはプラスチック）の基板７３１の下方に、金属とされうる放熱層７３６が堆積されている。そのうち、導熱層７３２、断熱層７３３及び放熱層７３６は連続する薄膜とされ得るか、或いは線条状、格子状及びその他の幾何パターンの薄膜とされ得る。アモルファス薄膜層７３４もまた連続薄膜、或いは線条状、格子状及びその他の幾何パターンの薄膜とされ得る。受熱層７３５は図４に示される幾何パターンとされうる。そのうち、ａ１  、ａ２  、ａ３  、ａ４  のサイズは任意に改変可能で、受熱層７３５の異なる領域の受熱程度の違いを調整することにより、選択性結晶を達成でき、その他の幾何パターンの薄膜もまた必要により活発に応用される。その原理は厚さにより異なる熱伝導と異なる熱容量により、領域により異なった温度上昇速度或いは温度降下速度を達成することにある。これによりアモルファス薄膜層７３４の結晶を選択的に特定領域に発生させる。また、熱伝導方向を制御することによっても結晶を特定の方向に成長させることができる。
【０００９】
以上の第１実施例から第３実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置３０、４０、５０及び第４実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置の試験片７３により、詳細に本発明の異なる実施方式が説明された。このほか、本発明は第１実施例により以下の第１実験結果を獲得した。第１距離ｄ１  ＝２ｍｍ、第２距離ｄ２  ＝３ｍｍの条件で、タングステンハロゲンランプで上方よりエネルギー板に対してパルス式急速照射を行ない、重複して５回単一パルスを提供し、各単一パルスは４００℃より３秒間で９００℃に温度上昇させ、９００℃で５秒間維持し、続いて９００℃より１０秒間で４００℃まで温度降下させるよう設定し、単一パルス周期は１８秒間とし、その後、次の単一パルス周期を近接開始し、このサイクルを再び開始し、全部で５回のサイクルを重複し、全体僅かに９０秒間（１８×５＝９０秒）を費やし、厚さが５００Åの低温ポリシリコン薄膜に対するｎ型イオンレイアウトドープ（りん（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）；２０ｋｅＶ，１×１０１５／ｃｍ１  ）の衝撃損壊によって形成した約４００Åのアモルファスシリコン薄膜層をアニールして多結晶薄膜とし且つ不純物を活性化する。このｎ型不純物活性化試験片のアニール前とアニール後の断面を透過式電子顕微鏡で確認したところ、アニール後にアモルファスシリコン薄膜層は完全にポリシリコン薄膜層に転換されたことが確認された。且つその不純物活性化効果は良好で、良好な導電性を有し、試験片の電気抵抗値は約２８０Ω／ｓｑｕａｒｅとされ、この結果は一般のレーザーアニールの効果に相当する。また本発明は第１実施例により快速エネルギー伝送のアニール装置の第２実験結果を得られた。その第１実験との違いは、１５個のサイクルで全部で２７０秒（１８×１５＝２７０秒）で、ガラスの基板の上に堆積された厚さ４０００Åの水素添加アモルファスシリコン薄膜（ａ−Ｓｉ；Ｈ）を、未脱水素条件下でアニールしてポリシリコン薄膜となし、水爆現象を発生させない。アニール後に水素添加アモルファスシリコン薄膜は完全に多結晶薄膜層に転換されたことが確認され、且つ界面は十分に平坦であり、並びにポリシリコンの回折パターンを有する。さらに、本発明はフィードバック制御システムにより、エネルギー板の温度、加熱ステップを調整してタングステンハロゲンランプ或いはその他の光源の衰退の影響を受けないようにすることができ、且つ光源、エネルギー板、放熱板、及び載置板はいずれも複数のユニットが組み合わされた大面積の構造とされ、ゆえに迅速有効に大面積の急速エネルギー伝送のアニール工程を実行できる。
【００１０】
【発明の効果】
本発明は一種の急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法を提供し、それは、製造が容易で、大面積製造可能な特性を有すると共に、有効にアモルファスシリコン薄膜層を急速にアニールして結晶化し、並びにガラス（或いはプラスチック）基板の高熱による損傷を防止できる急速エネルギー伝送のアニール装置及び方法である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置の表示図である。
【図２】本発明の第２実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置の表示図である。
【図３】本発明の第３実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置の表示図である。
【図４】本発明の第４実施例の急速エネルギー伝送のアニール装置の表示図である。
【符号の説明】
３０、４０、５０  急速エネルギー伝送のアニール装置
３１  載置板
３２  石英柱
３３  試験片
３３１  基板
３３２  二酸化けい素層
３３３  アモルファスシリコン薄膜層
３４  エネルギー板
３５  放熱板
３６  タングステンハロゲンランプ
ｄ１    第１距離
ｄ２    第２距離
４３  試験片
４３１  基板
４３２  二酸化けい素層
４３３  アモルファスシリコン薄膜層
４４  エネルギー板
４５  放熱板
４６  タングステンハロゲンランプ
４３４ａ  第１凸塊
４３５ａ  第２凸塊
４３４ｂ  第３凸塊
４３５ｂ  第４凸塊
４３６ａ  第１アモルファスシリコン薄膜層領域
４３７ａ  第２アモルファスシリコン薄膜層領域
４３６ｂ  第３アモルファスシリコン薄膜層領域
４３７ｂ  第４アモルファスシリコン薄膜層領域
４３８ａ  第５アモルファスシリコン薄膜層領域
４３８ｂ  第６アモルファスシリコン薄膜層領域
４３９  第７アモルファスシリコン薄膜層領域
５１  載置板
５２  石英柱
５３  試験片
５４  エネルギー板
５５  放熱板
５６  タングステンハロゲンランプ
７３  試験片
７３１  基板
７３２  導熱層
７３３  断熱層
７３４  アモルファス薄膜層
７３５  受熱層
７３６  放熱層
【図１】
2005005463.tif 000003
【図２】
2005005463.tif 000004
【図３】
2005005463.tif 000005
【図４】
2005005463.tif 000006