(57)【要約】【課題】任意の位置において、配線内のボイドの発生を防止することができる半導体装置の配線構造を提供する。【解決手段】配線に、配線本体１１に連続するダミー配線１５を設け、ダミー配線１５に配線本体１１より高い引張り応力が発生している応力集中部２１を設ける。この応力集中部２１には、その近傍に高圧プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１７を設け、この絶縁膜１７により応力集中部２１に引張り応力を発生させる。【選択図】        図１
2005005370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線に、前記配線の他の部分より高い引張り応力が発生している応力集中部を局部的に設けた、半導体装置の配線構造。
【請求項２】
前記配線に、配線本体に連続するダミー配線を設け、前記ダミー配線に前記応力集中部を設けた、請求項１に記載の半導体装置の配線構造。
【請求項３】
ビアにより前記ダミー配線を構成した、請求項２に記載の半導体装置の配線構造。
【請求項４】
前記応力集中部の近傍または前記応力集中部に接して圧縮の内部応力を有する絶縁膜を設けることにより、前記応力集中部に引張り応力を発生させた、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の配線構造。
【請求項５】
前記絶縁膜が、プラズマＣＶＤ法により堆積されたＳｉＮ膜である、請求項４に記載の半導体装置の配線構造。
【請求項６】
前記応力集中部に発生した引張り応力は、２００ＭＰａ以上、４００ＭＰａ以下である、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置の配線構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、配線に応力集中部を設けた半導体装置の配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の配線構造においては、ストレスマイグレーションによりビアやビア底などの配線にボイドが発生することがある。さらにこのボイドにより配線が断線することがあり、半導体装置の信頼性を低下させるという問題がある。
【０００３】
ボイドの発生を防止するため、たとえば特許文献１および２に記載の半導体装置においては、配線の側面に圧縮応力を有する絶縁膜、配線の上面に引張り応力を有する絶縁膜を、配線の長手方向に亙って設けている。これらの配線構造においては、引張り応力と圧縮応力との相互緩衝作用により、配線内における応力を緩和し、ストレスマイグレーションを防止することを目的としている。
【０００４】
また、特許文献３に記載の半導体装置においては、半導体装置に回路の構成要素としては用いられないダミー領域を設けている。このダミー領域は、配線の近傍に、配線とは離隔した状態で設けている。この構造においては、ダミー領域に優先的にボイドを発生させることで、配線構造におけるボイドの発生を防止することを目的としている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−１０６３２３号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平９−２１３８００号公報
【０００７】
【特許文献３】
特開平８−２６４６４７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に記載の半導体装置においては、配線に直接接触するように、圧縮応力を有する絶縁膜と引張り応力を有する絶縁膜とを設けている。そして、この圧縮応力と引張り応力の相互緩衝作用により応力を緩和している。しかしながらこの半導体装置の構造では、たとえばビア底などの局所的なボイドの発生を抑制するためには十分ではない。また、応力緩和のために設けた、配線側面の圧縮応力を有する絶縁膜や、配線上面の引張り応力を有する絶縁膜により、かえってビア底や配線内にボイドの形成を促進する可能性もある。たとえば、この配線がビアであった場合には、配線側面の圧縮応力を有する絶縁膜は、ビアに引張り応力をおよぼし、ビア底にボイドが形成されやすくなる。また、配線層内の配線においては、配線に圧縮応力と引張り応力とが作用しているので、配線内の弱い部分、たとえば結晶粒界などに応力が集中し、結晶粒界などにおける結合力を弱める。その結果、結晶粒界などにボイドが発生しやすくなることも予想される。
【０００９】
特許文献２に記載の半導体装置においては、圧縮応力を持つ絶縁膜を配線直上に形成し、その絶縁膜を埋め込むように引っ張り応力を持つ埋め込み用の絶縁膜を形成している。この構造では、この２つの絶縁膜の作用により応力緩和を促進している。配線直上に形成される絶縁膜は、その垂直方向の圧縮応力は形成過程で既に緩和されている。そのため、この絶縁膜は、配線に水平方向の引っ張り応力をおよぼすこととなる。さらに、埋め込み用の絶縁膜は、この配線に水平方向および垂直方向に引っ張り応力をおよぼす。そのため、結果として、配線内に大きな引っ張り応力が発生し、特許文献１に記載の半導体装置と同様に、配線内の結合の弱い結晶粒界においてボイドが発生しやすくなる可能性がある。
【００１０】
特許文献３に記載の半導体装置においては、配線とは接触しない、構造的に弱い部分をダミー領域として形成している。そして、このダミー領域で、応力を緩和するものである。しかしながら、配線層全体の応力緩和には効果があるが、ダミー領域と、応力を緩和すべき配線との距離が遠いため、局所的な応力に対してはその効果が十分でない。また、ダミー領域は、配線層内に形成されるため、ビア底のような局所的な応力を緩和するには十分とはいえない。さらに、ｌｏｗ−ｋ材料のように、それ自身の機械的強度が弱いと、ダミー領域による応力緩和効果がおよぶ範囲が狭くなり、さらにこの効果が小さくなる。
【００１１】
したがって、この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、任意の位置において、配線内のボイドの発生を抑制することができる半導体装置の配線構造を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいた半導体装置の配線構造に従えば、配線に、配線の他の部分より高い引張り応力が発生している応力集中部を局部的に設けている。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、各実施の形態における半導体装置の配線構造について説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
実施の形態１について、図１から図８を参照して説明する。なお、図１は、本実施の形態における半導体装置の配線構造を示し、図２におけるＩ−Ｉ矢視断面を示す断面図であり、図２は、同配線構造を示す平面図であり、図３から図８は、同配線構造の製造方法を示す断面工程図である。
【００１５】
図１および図２を参照して、半導体装置の配線構造について説明する。本実施の形態の配線構造においては、配線に、配線本体１１に連続するダミー配線１５を設ける。そして、このダミー配線１５の全体を配線本体１１より高い引張り応力が発生する応力集中部２１としている。
【００１６】
配線本体１１は、半導体装置の回路構成上必要となる配線であり、Ｃｕにより構成されている。図１には、配線本体１１として、下層配線１１Ａ、上層配線１１Ｃおよび下層配線１１Ａと上層配線１１Ｃとを接続するビア１１Ｂを例示している。
【００１７】
ダミー配線１５は、半導体装置の回路構成上は不要な配線であり、ボイドが発生しても、半導体装置の動作や性能などに、ほとんど影響をおよぼさない部分である。ダミー配線１５は、配線本体１１に連続するように形成されている。ここでは、下層配線１１Ａから上方に延びる円筒状のビアによりダミー配線１５を形成している。このダミー配線１５も、配線本体１１と同様にＣｕにより構成されている。配線本体１１およびダミー配線１５は、Ｃｕ以外で構成してもよい。たとえば、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕで構成しても良い。また、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕを含む材料により構成してもよい。
【００１８】
ダミー配線１５の外周を囲むように、１００ｎｍ程度の薄い層間膜１３を介して、絶縁膜１７が設けられている。絶縁膜１７は、高密度プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積されたＳｉＮ膜であり、圧縮の内部応力を有している。絶縁膜１７により、絶縁膜１７に接するダミー配線１５の全体に引張り応力が作用する。この引張り応力は、主にダミー配線１５の長手方向（図１において上下方向）に作用する。その結果、ダミー配線１５の全体が、配線本体１１より高い引張り応力が発生する、応力集中部２１となる。
【００１９】
本実施の形態では、ダミー配線１５の全体を囲むように中空円筒状の絶縁膜１７を設けている。ダミー配線１５の一部にのみ対応する位置に圧縮の内部応力を有する絶縁膜１７を設け、ダミー配線１５の一部に応力集中部２１を設けてもよい。具体的には、ダミー配線１５の長手方向（図１において上下方向）の一部にのみ対応する部分を囲むように中空円筒状の絶縁膜１７を設けてもよい。また、ダミー配線１５をたとえば角柱状や板状に構成し、その一側面または複数の側面の近傍に、板状または柱状の絶縁膜１７を設けるようにしてもよい。
【００２０】
ダミー配線１５に高い引張り応力が発生する応力集中部２１を形成することにより、応力集中部２１にボイド５１の形成が促進される。このダミー配線１５は配線本体１１に連続しているので、ストレスマイグレーションが発生し、配線本体１１のベーカンシー（原子空孔）やマイクロボイド（微小空隙）が、応力集中部２１に集中する。その結果、配線本体１１からベーカンシーやマイクロボイドが減少する。これにより応力集中部２１におけるボイド５１の形成が促進される。逆に配線本体１１のダミー配線１５が接続された部分の近傍においては、ボイドの発生が抑制される。これによりボイド５１の発生による品質低下を抑制して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２１】
ここで、中空円筒状の絶縁膜１７からダミー配線１５に作用する応力としては、ダミー配線１５の長手方向（図１において上下方向）には引張り応力が発生する。一方、ダミー配線１５の半径方向には圧縮応力が発生することが考えられる。ストレスマイグレーションによりダミー配線１５の応力集中部２１にボイド５１を集中させるためには、応力集中部２１に引張り応力が発生している必要がある。そのため、絶縁膜１７は、その半径方向の厚みに対して、その軸方向の長さを十分に長くしている。また、中空円筒状の絶縁膜１７の半径方向の厚みを十分薄くすることでも同様の効果が得られる。
【００２２】
応力集中部２１に発生する引張り応力は、２００ＭＰａ以上、４００ＭＰａ以下が好ましい。引張り応力が２００ＭＰａ未満であると、配線本体１１でのボイドの発生を抑制する効果が十分でない。また、引張り応力が４００ＭＰａを超えると、ダミー配線１５が破断する恐れがある。配線材料の主成分として使用されているＡｌやＣｕの引張り強度は、それぞれ、４７ＭＰａおよび２１０ＭＰａ程度である。そのためバルク材料での引張り試験では、この値で破断する。しかしながら、ＬＳＩの配線のように微細でかつ周辺が絶縁膜に覆われた構造での引張り強度は、バルク材料の状態より高くなる。Ｃｕの場合、４００ＭＰａ程度までの引張り応力においては破断はおきにくいが、４００ＭＰａを超えるとダミー配線１５が破断する恐れがある。ダミー配線１５が破断した場合には、ダミー配線内の応力が完全に緩和されてしまい、ベーカンシーやマイクロボイドを応力集中部２１に集中させる効果が無くなってしまう。ベーカンシーやマイクロボイドを効率的に集めるためには、ダミー配線を破断させずに、配線１１Ａからダミー配線１５までの間に応力勾配を形成する必要がある。このような応力勾配を作り出すためには、ダミー配線１５が破断しない、４００ＭＰａ以下の引張り応力とすることが好ましい。
【００２３】
また、ダミー配線１５に４００ＭＰａを超えるような大きな引張り応力を加える場合には、ダミー配線１５の周辺の層間膜１３の応力も同様に大きくなる。このような大きな応力が加わると、周辺の層間膜１３にクラックが発生する恐れがある。この観点からも、応力集中部２１に発生する引張り応力は４００ＭＰａ以下が好ましい。
【００２４】
このダミー配線１５および応力集中部２１は、配線本体１１のボイド５１が発生しやすい箇所に設けることが好ましい。ボイド５１が発生しやすい箇所としては、ベーカンシーやマイクロボイドの絶対量が多い太い配線の近傍や、構造上高い引張り応力が作用する部分などがある。ダミー配線１５や応力集中部２１は、配線本体１１の任意の位置に局部的に設けることができるので、配線本体１１の任意の位置においてボイド５１の発生を防止することができる。また本実施の形態では、ダミー配線１５をビアで構成しているので、半導体装置の面積を増大させることなく、ダミー配線１５および応力集中部２１を形成することができる。
【００２５】
また、Ｃｕにより構成された配線に対しては、次のような理由でボイドが発生しやすいため特に有効である。半導体装置の高速化を達成するためには、配線遅延すなわちＲＣ（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）遅延が問題となる。このＲＣ遅延は、配線の抵抗と配線が持つ容量の積とで決定される。そのため高速化が要求される場合には、従来用いられていたＡｌやＡｌの合金より比抵抗の小さいＣｕからなる配線やＣｕの合金からなる配線が採用される。このＣｕを含む配線は、Ａｌのようなエッチングによる加工が困難である。そこで、ダマシンと呼ばれる配線埋め込みプロセスにより形成される。
【００２６】
このダマシンにおいては、絶縁膜に接続孔または配線溝などの凹部を形成し、この凹部にＣｕを埋め込み、その後ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により平坦化する。この凹部にＣｕを埋め込む工程には、電界メッキ（ＥＣＰ：Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｌａｔｉｎｇ）やＣＶＤなどが用いられるが、コストなどで優れるＥＣＰが主流である。
【００２７】
ＥＣＰにより形成されたＣｕメッキ膜には、ベーカンシーやマイクロボイドを多く含む、引張り応力を持つ、低温（１００℃以下）で結晶粒成長がみられるという特徴がある。これらの特徴のために、低温で保持すると結晶粒成長とともに、ベーカンシーやマイクロボイドが放出される。このベーカンシーやマイクロボイドが、Ｃｕを含む配線内で引張り応力の高い部分に拡散（ストレスマイグレーション）し、そこでボイドが形成されやすい。したがって、このＥＣＰにより形成されたＣｕメッキ膜からなる配線のようにボイドが発生しやすい材料に対しては、適宜間隔でダミー配線１５および応力集中部２１を局部的に設けることが特に有効である。これにより応力集中部２１にボイド５１を集中させ、Ｃｕを含む配線本体１１でのボイド５１の発生を抑制することができる。
【００２８】
図３から図８を参照して、本実施の形態の配線構造の製造方法について説明する。図３を参照して、Ｃｕを含む配線本体１１の上にキャップ膜１２を積層する。キャップ膜１２は、エッチングストッパおよびＣｕの拡散防止のために形成するものであり、ここではプラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮ膜である。キャップ膜１２の上に層間膜１３を積層する。この層間膜１３は、誘電率の低い絶縁膜であるｌｏｗ−ｋ膜で構成する。特に高速化が要求されない半導体装置の場合には、ＳｉＯ２など他の絶縁材料により層間膜１３を構成することができる。
【００２９】
図４を参照して、層間膜１３にエッチングを行いダミー配線１５を埋め込むための開口１４を形成する。このとき層間膜１３と共にキャップ膜１２もエッチングにより除去する。
【００３０】
図５を参照して、図示しないバリア膜およびＣｕシード膜を開口１４の内面に形成する。バリア膜としては、Ｔａ膜、ＴａＮ膜またはＷＮ膜などを用いる。Ｃｕシード膜は、Ｃｕをスパッタリングにより積層して形成する。続いて開口１４にＥＣＰによりダミー配線１５となるＣｕ膜を埋め込む。そして、Ｃｕ膜およびバリア膜の不要な部分をＣＭＰにより除去する。
【００３１】
図６を参照して、ダミー配線１５の周囲に１００ｎｍ程度の厚みの層間膜１３を残して、エッチングによりダミー配線１５の周囲に中空円筒状の開口１６を形成する。この工程では、キャップ膜１２は除去しない。
【００３２】
図７を参照して、高密度プラズマＣＶＤ法により開口１６にＳｉＮ膜からなる、絶縁膜１７を埋め込む。高密度プラズマＣＶＤ法を用いることにより絶縁膜１７には、高い圧縮の内部応力が残留する。このとき次のような方法により、絶縁膜１７に残留する内部応力の大きさを調整することができる。高密度プラズマＣＶＤ装置の場合、ソースパワーやバイアスパワーを増加させることにより、絶縁膜１７の圧縮応力を増加させることができる。平行平板のプラズマＣＶＤ装置の場合には、ＳｉＨ４ガスの流量を少なくしたり、成膜時の圧力を下げることによって、絶縁膜１７の圧縮応力を増加させることができる。また、２周波励起の平行平板プラズマＣＶＤ装置の場合には、ＫＨｚオーダーの低励起周波数のパワーを上げることにより、絶縁膜１７の圧縮応力を増加させることができる。
【００３３】
最後に図８を参照して、層間膜１３の表面の不要なＳｉＮ膜を、ＣＭＰにより除去する。以上の工程により、配線本体１１に接続したダミー配線１５および応力集中部２１を形成することができる。
【００３４】
上記のように本実施の形態では、ダミー配線１５に１００ｎｍ程度の厚みの層間膜１３を介して絶縁膜１７を設けている。言い換えるとダミー配線１５の近傍に絶縁膜１７を設けている。このように絶縁膜１７とダミー配線１５とは直接接する必要はなく、絶縁膜１７の応力がダミー配線１５に十分に作用する程度の近傍に配設すればよい。
【００３５】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２について、図９から図１４を参照して説明する。なお、図９は、本実施の形態における半導体装置の配線構造を示す平面図であり、図１０から図１４は、同配線構造の製造方法を示し、図９のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面に対応する断面における断面工程図である。
【００３６】
図９を参照して、半導体装置の配線構造について説明する。なお、実施の形態１と対応する構成については、同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。本実施の形態の配線構造においては、配線に、配線本体１１に連続するダミー配線１５として、配線本体１１から横方向に延びる配線を設けている。そして、ダミー配線１５の略全体を配線本体１１より高い引張り応力が作用する応力集中部２１としている。
【００３７】
本実施の形態においては、配線本体１１と同一の層内にダミー配線１５を設けている。配線本体１１およびダミー配線１５はＣｕやＣｕの合金などのＣｕを含む金属により構成しているが、Ｃｕ以外の金属のみで構成してもよい。ダミー配線１５の上層には、ダミー配線１５に直接接するように絶縁膜１７が設けられている。絶縁膜１７は、高密度プラズマＣＶＤ法により構成されたＳｉＮ膜であり、圧縮の内部応力を有している。これにより、絶縁膜１７に接するダミー配線１５の上面を介して絶縁膜１７からの引張り応力が作用し、ダミー配線１５の略全体に引張り応力が発生する。
【００３８】
絶縁膜１７は、図９に示すように、ダミー配線１５の基部を除く上面の全体を覆い、さらに、ダミー配線１５の上面から三方がはみ出すよう構成されている。その結果、ダミー配線１５の略全体が、配線本体１１より高い引張り応力が発生する応力集中部２１となる。この実施の形態では、ダミー配線１５の基部を絶縁膜１７が覆わないように構成しているので、配線本体１１と絶縁膜１７とが接することはない。これにより、絶縁膜１７の圧縮応力が、配線本体１１に作用しにくくしている。また、ダミー配線１５の一部にのみ接するように圧縮の内部応力を有する絶縁膜１７を設け、ダミー配線１５の一部に応力集中部２１を構成してもよい。たとえば、配線本体１１への影響をさらに小さくするため、配線本体１１から離れたダミー配線１５の先端部にのみ接するように絶縁膜１７を設けるようにしてもよい。
【００３９】
ダミー配線１５に高い引張り応力が発生する応力集中部２１を形成することにより、応力集中部２１にボイド５１の形成が促進され、ストレスマイグレーションが発生する。これにより配線本体１１の、ダミー配線１５が接続された部分の近傍におけるボイド５１の発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００４０】
このダミー配線１５および応力集中部２１は、配線本体１１のボイド５１が発生しやすい箇所に局部的に設けることが好ましい。たとえば、下層配線とビアとが接続された部分、いわゆるビア底には、構造上高い引張り応力が作用するため、ボイド５１が発生しやすいことが知られている。本実施の形態では、横方向すなわち配線本体１１が設けられた層と同一の層にダミー配線１５を設けるので、このビア底を構成する配線本体１１の側面にダミー配線１５を接続し、ビア底でのボイド５１の発生を抑制することができる。
【００４１】
図１０から図１４を参照して、本実施の形態の配線構造の製造方法について説明する。まず、図１０を参照して、Ｃｕを含む配線本体１１の形成時に、同時にダミー配線１５を形成しておく。
【００４２】
図１１を参照して、配線本体１１およびダミー配線１５の上にキャップ膜１２を積層する。キャップ膜１２は、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮ膜である。キャップ膜１２の上に層間膜１３を積層する。この層間膜１３は、誘電率の低い絶縁膜であるｌｏｗ−ｋ膜で構成する。
【００４３】
図１２を参照して、層間膜１３にエッチングを行い、絶縁膜１７を埋め込むための開口１６を形成する。この開口１６は、ダミー配線１５の基部を除く、ダミー配線１５の上面の全体を覆うように形成する。このとき層間膜１３と共にキャップ膜１２もエッチングにより除去する。
【００４４】
図１３を参照して、高密度プラズマＣＶＤにより開口１６にＳｉＮ膜からなる絶縁膜１７を埋め込む。高密度プラズマＣＶＤを用いることにより絶縁膜１７には、圧縮の内部応力が残留する。
【００４５】
最後に図１４を参照して、層間膜１３の表面の不要なＳｉＮ膜を、ＣＭＰにより除去する。以上の工程により、ダミー配線１５の上面の略全面に直接接触する絶縁膜１７を形成することができる。これにより絶縁膜１７からの引張り応力が作用し、ダミー配線１５の略全体を応力集中部２１とすることができる。
【００４６】
上記二つの実施の形態ではいずれも、高密度プラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜を堆積して絶縁膜１７を形成したが、絶縁膜１７はこれに限定されない。圧縮の内部応力を有し、Ｃｕを含む配線を劣化させないような膜であればどのような膜でも使用することができる。たとえば、スパッタにより構成したＴｉＮ膜などの、圧縮の内部応力を有するスパッタ膜を用いることができる。プラズマＣＶＤ法により堆積したＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、高密度プラズマＣＶＤ法により堆積した酸化膜などの絶縁膜なども用いることができる。
【００４７】
図１５は、ダミー配線１５の延びる方向を示す縦断面図である。この図に示すように、実施の形態２においては配線本体１１と同一の層内に、横方向に延びるようにダミー配線１５を設けている。また実施の形態１においては、縦方向に延びるダミー配線１５Ｂを設けている。このダミー配線の延びる方向はこれらに限定されず、例えば斜め方向に延びるダミー配線１５Ａを設けてもよい。
【００４８】
また、図１６は、ダミー配線１５の延びる方向を示す平面図である。この図に示すように、実施の形態２においては、配線本体１１の延びる方向に対して直角をなす方向に延びるようにダミー配線１５を設けている。ダミー配線１５の方向はこれに限定されず、たとえば、配線本体１１に斜めに交差するようなダミー配線１５Ａまたはダミー配線１５Ｂを設けてもよい。このようにダミー配線１５の延びる方向は、配線本体１１の延びる方向に対して自由に設定することができる。ダミー配線１５と配線本体１１とは、いずれかの位置で接触していればよい。
【００４９】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造を示し、図２におけるＩ−Ｉ矢視断面を示す断面図である。
【図２】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造を示す平面図である。
【図３】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造の第１製造工程を示す断面図である。
【図４】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造の第２製造工程を示す断面図である。
【図５】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造の第３製造工程を示す断面図である。
【図６】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造の第４製造工程を示す断面図である。
【図７】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造の第５製造工程を示す断面図である。
【図８】この発明に基づいた実施の形態１における半導体装置の配線構造の第６製造工程を示す断面図である。
【図９】この発明に基づいた実施の形態２における半導体装置の配線構造を示す平面図である。
【図１０】この発明に基づいた実施の形態２における半導体装置の配線構造の第１製造工程を示し、図９のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面に対応する断面図である。
【図１１】この発明に基づいた実施の形態２における半導体装置の配線構造の第２製造工程を示し、図９のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面に対応する断面図である。
【図１２】この発明に基づいた実施の形態２における半導体装置の配線構造の第３製造工程を示し、図９のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面に対応する断面図である。
【図１３】この発明に基づいた実施の形態２における半導体装置の配線構造の第４製造工程を示し、図９のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面に対応する断面図である。
【図１４】この発明に基づいた実施の形態２における半導体装置の配線構造の第５製造工程を示し、図９のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面に対応する断面図である。
【図１５】ダミー配線の延びる方向を示す縦断面図である。
【図１６】ダミー配線の延びる方向を示す平面図である。
【符号の説明】
１１  配線本体、１５  ダミー配線、１７  絶縁膜、２１  応力集中部、５１ボイド。
【図１】
2005005370.tif 000003
【図２】
2005005370.tif 000004
【図３】
2005005370.tif 000005
【図４】
2005005370.tif 000006
【図５】
2005005370.tif 000007
【図６】
2005005370.tif 000008
【図７】
2005005370.tif 000009
【図８】
2005005370.tif 000010
【図９】
2005005370.tif 000011
【図１０】
2005005370.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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