(57)【要約】【課題】  フライホイール電流を減少させるプラズマディスプレイパネルサステイン駆動装置を提供する。【解決手段】  プラズマディスプレイパネルに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、電力回収キャパシタに充電された電圧をプラズマディスプレイパネルに供給し、サステインスイッチング部が活性化される時、サステインスイッチング部の出力電流が流入されることを遮断する第１電力回収部と、プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を電力回収キャパシタに放電させ、サステインスイッチング部が活性化される時、サステインスイッチング部との電流経路を遮断する第２電力回収部と、を備える。【選択図】  図６
2005055916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルを駆動するサステイン駆動装置において、
前記プラズマディスプレイパネルに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、
前記プラズマディスプレイパネルに連結され、前記プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、
前記電力回収キャパシタと前記サステインスイッチング部間に連結され、前記サステインスイッチング部が非活性化状態で前記プラズマディスプレイパネルと共振回路を形成して前記電力回収キャパシタに充電された電圧を前記サステインスイッチング部を通じて前記プラズマディスプレイパネルに供給し、前記サステインスイッチング部の活性化時に前記サステインスイッチング部の出力電流の流入を遮断する第１電力回収部と、
前記電力回収キャパシタと前記サステインスイッチング部間に連結され、前記サステインスイッチング部が非活性化状態で前記プラズマディスプレイパネルと共振回路を形成して前記プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を前記電力回収キャパシタに放電させ、前記サステインスイッチング部の活性化時に前記サステインスイッチング部との電流経路を遮断する第２電力回収部と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項２】
前記サステインスイッチング部は、電源電圧に連結された上部ＭＯＳトランジスタと接地電圧に連結された下部ＭＯＳトランジスタとを備え、前記上部ＭＯＳトランジスタがオンになれば、前記上部ＭＯＳトランジスタから前記プラズマディスプレイパネルに電流経路が形成され、前記下部ＭＯＳトランジスタがオンになれば、前記プラズマディスプレイパネルから前記下部ＭＯＳトランジスタに電流経路が形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項３】
前記第１電力回収部は、
前記電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタと、
前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタと、
前記第１ノードと接地電圧間に連結された第１ダイオードと、
前記第２ノードと前記接地電圧間に連結された第２ダイオードと、
前記第２ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第３ダイオードと、を備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項４】
前記第２電力回収部は、
前記電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタと、
前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタと、
前記第３ノードと電源電圧間に連結された第４ダイオードと、
前記第４ノードと前記電源電圧間に連結された第５ダイオードと、
前記第４ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第６ダイオードと、を備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項５】
プラズマディスプレイパネルを駆動するサステイン駆動装置において、
前記プラズマディスプレイパネルに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、
前記プラズマディスプレイパネルに連結され、前記プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、
前記電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタ、前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタ、前記第１ノードと接地電圧間に連結された第１ダイオード、前記第２ノードと前記接地電圧間に連結された第２ダイオード、及び前記第２ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第３ダイオードを備え、前記第１及び第２ダイオードは、前記接地電圧側面視に順方向に連結され、前記第３ダイオードは、前記サステインスイッチング部側面視に逆方向に連結された第１電力回収部と、
前記電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタ、前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタ、前記第３ノードと電源電圧間に連結された第４ダイオード、前記第４ノードと前記電源電圧間に連結された第５ダイオード、及び前記第４ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第６ダイオードを備え、前記第４及び第５ダイオードは、前記電源電圧側面視に逆方向に連結され、前記第６ダイオードは、前記サステインスイッチング部側面視に順方向に連結された第２電力回収部を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項６】
前記第１及び第２ＭＯＳトランジスタはそれぞれ、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項７】
前記サステインスイッチング部は、
前記電源電圧と前記プラズマディスプレイパネル間に連結されたＮチャンネルＭＯＳトランジスタと、前記接地電圧と前記プラズマディスプレイパネル間に連結された他のＮチャンネルＭＯＳトランジスタとを備えることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルを駆動するサステイン駆動装置において、
前記プラズマディスプレイパネルに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、
前記プラズマディスプレイパネルに連結され、前記プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、
前記電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタ、前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタ、前記第１ノードと接地電圧間に連結された第１ダイオード、前記第２ノードと前記接地電圧間に連結された第２ダイオード、及び前記第２ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第３ダイオードを備え、前記第１及び第２ダイオードは、前記接地電圧側面視に順方向に連結され、前記第３ダイオードは、前記サステインスイッチング部側面視に逆方向に連結された第１電力回収部と、
前記電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタ、前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタ、前記第３ノードと電源電圧間に連結された第４ダイオード、前記第４ノードと前記電源電圧間に連結された第５ダイオード、及び前記第４ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第６ダイオードを備え、前記第４及び第５ダイオードは、前記電源電圧側面視に逆方向に連結され、前記第６ダイオードは、前記サステインスイッチング部側面視に順方向に連結された第２電力回収部と、を備え、
前記サステインスイッチング部は、
前記第３ダイオードと前記電源電圧間に連結された下部ＭＯＳトランジスタ、前記第３ダイオードと前記プラズマディスプレイパネル間に連結された下部ダイオード、前記第６ダイオードと前記接地電圧間に連結された上部ＭＯＳトランジスタ、前記第６ダイオードと前記プラズマディスプレイパネル間に連結された上部ダイオードを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項９】
前記第１及び第２ＭＯＳトランジスタと前記上部及び下部ＭＯＳトランジスタとはそれぞれ、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項１０】
前記下部ダイオードは、前記プラズマディスプレイパネル側面視に逆方向に連結され、前記上部ダイオードは、前記プラズマディスプレイパネル側面視に順方向に連結されたことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項１１】
プラズマディスプレイパネルを駆動するサステイン駆動装置において、
所定電圧を供給する第１及び第２電力回収キャパシタと、
前記プラズマディスプレイパネルと接地部、第１及び第２電力回収キャパシタに連結され、前記プラズマディスプレイパネルに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、
接地電圧を提供する接地部と、
前記第１及び第２電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタ、前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタ、前記第１ノードと前記接地部間に連結された第１ダイオード、前記第２ノードと前記接地部間に連結された第２ダイオード、及び前記第２ノードと前記サステインスイッチング部の第６ノード間に連結された第３ダイオードを備え、前記第１及び第２ダイオードは、前記接地部側面視に順方向に連結され、前記第３ダイオードは、前記サステインスイッチング部の第６ノード側面視に逆方向に連結された第１電力回収部と、
前記第１及び第２電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタ、前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタ、前記第３ノードと前記サステインスイッチング部の第５ノード間に連結された第４ダイオード、前記第４ノードと前記サステインスイッチング部の第５ノード間に連結された第５ダイオード、及び前記第４ノードと前記サステインスイッチング部の第８ノード間に連結された第６ダイオードを備え、前記第４及び第５ダイオードは、前記サステインスイッチング部の第５ノード側面視に逆方向に連結され、前記第６ダイオードは、前記サステインスイッチング部の第８ノード側面視に順方向に連結された第２電力回収部と、を備え、
前記サステインスイッチング部は、
電源電圧と前記第５ノード間に連結された第１上部ＭＯＳトランジスタ、前記第５ノードと前記第６ノード間に連結された第２上部ＭＯＳトランジスタ、前記第６ノードと前記第７ノード間に連結された上部ダイオード、接地電圧と前記第５ノード間に連結された第１下部ＭＯＳトランジスタ、前記接地部と前記第８ノード間に連結された第２下部ＭＯＳトランジスタ、及び前記第７ノードと前記第８ノード間に連結された下部ダイオード、及び前記第８ノードと前記接地部に連結された第２下部ＭＯＳトランジスタを備え、前記第７ノードは、前記プラズマディスプレイパネルに連結されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２電力回収キャパシタは、
前記第５ノードと前記接地部間に連結された第１電力回収キャパシタと、
前記第１及び第２電力回収部と前記接地部間に連結された第２電力回収キャパシタであることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２ＭＯＳトランジスタ、前記第１及び第２上部ＭＯＳトランジスタ、前記第１及び第２下部ＭＯＳトランジスタ、前記第１及び第２接地ＭＯＳトランジスタは何れもＮチャンネルＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【請求項１４】
前記接地部は、接地電圧に直列に連結された第１接地ＭＯＳトランジスタ及び第１接地ダイオード、前記接地電圧に直列に連結された第２接地ＭＯＳトランジスタ及び第２接地ダイオードを備え、前記第１接地ダイオードは、前記接地電圧側面視に順方向であり、前記第２接地ダイオードは前記接地電圧側面視に逆方向であることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置に係り、特に、プラズマディスプレイパネルを駆動する時に発生するフライホイール電流を減少させるプラズマディスプレイパネルのサステイン駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ、以下ＰＤＰという）は、ガス放電によって生成されたプラズマを利用して文字または映像を表示するディスプレイ装置であり、このようなＰＤＰを発光させるためにＰＤＰサステイン駆動装置が使われる。
【０００３】
図１は、特許文献１に開示されたＰＤＰ １１１に連結されたＰＤＰサステイン駆動装置１０１の回路図である。図１を参照すれば、ＰＤＰサステイン駆動装置１０１は、キャパシタＣｃ、ＭＯＳトランジスタＳｒ，Ｓｆ，Ｓｕ，Ｓｄ、ダイオードＤｒ，Ｄｆ，Ｄ１，Ｄ２及びインダクタＬを備える。端子１２１にはＰＤＰサステイン駆動装置１０１と同じ装置が連結される。
【０００４】
ＰＤＰサステイン駆動装置１０１の動作は、４つのモードＭ１〜Ｍ４に区別される。各モード別にＰＤＰ １１１に印加される電圧ＶｐとインダクタＬに流れる電流ｉＬとの波形が図２に示されている。図２に示されたように、第２モードＭ２及び第４モードＭ４で、インダクタＬには多くのフライホイール電流ｉｆ１，ｉｆ２が流れる。
【０００５】
フライホイール電流ｉｆ１は、第２モードでＭＯＳトランジスタＳｕがオンになってＭＯＳトランジスタＳｕからインダクタＬを通じてダイオードＤ１に流れ、フライホイール電流ｉｆ２は、第４モードでＭＯＳトランジスタＳｄがオンになってダイオードＤ２からインダクタＬを通じてＭＯＳトランジスタＳｄに流れる。
【０００６】
フライホイール電流ｉｆ１，ｉｆ２は非常に大きいため、フライホイール電流ｉｆ１，ｉｆ２によってＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄは高い電流ストレスを受ける。したがって、ＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄは、高い電流スペックを備えなければならない。ＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄの電流スペックが上昇すれば、ＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄのサイズが大きくなり、これにより、ＰＤＰサステイン駆動装置１０１のサイズ及びコストが上昇する。
【０００７】
フライホイール電流ｉｆ１，ｉｆ２が大きければ、ＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄで消費される電力量が増加し、それにより、ＰＤＰサステイン駆動装置１０１で消耗される電力量が増加する。
【０００８】
図３は、特許文献２に開示されたＰＤＰ ３１１に連結された従来の他のＰＤＰサステイン駆動装置３０１の回路図である。図３を参照すれば、ＰＤＰサステイン駆動装置３０１は、キャパシタＣｃ、ＭＯＳトランジスタＳｆ，Ｓｒ，Ｓｕ，Ｓｄ、ダイオードＤｆ，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄｒ，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄｕ，Ｄｄ、及びインダクタＬ１，Ｌ２を備える。端子３２１には、ＰＤＰサステイン駆動装置３０１と同じ装置が連結される。
【０００９】
ＰＤＰサステイン駆動装置３０１の動作は、図１に示されたＰＤＰサステイン駆動装置１０１と類似しており、ＰＤＰ ３１１に印加される電圧ＶｐとインダクタＬ１，Ｌ２に流れる電流との波形は、図２に示されたものと類似している。
【００１０】
インダクタＬ１，Ｌ２には、フライホイール電流（図２のｉｆ１、ｉｆ２）が発生し、これにより、ＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄは高い電流ストレスを受ける。したがって、ＰＤＰサステイン駆動装置３０１のサイズ及びコストが上昇し、ＰＤＰサステイン駆動装置３０１の電力消耗が大きくなる。
【００１１】
図４は、特許文献３に開示されたＰＤＰ ４１１に連結された従来のさらに他のＰＤＰサステイン駆動装置４０１の回路図である。図４を参照すれば、ＰＤＰサステイン駆動装置４０１は、ＭＯＳトランジスタＳｒ，Ｓｆ，Ｓｕ１，Ｓｕ２，Ｓｄ１，Ｓｄ２，Ｓａ，Ｓｂ、ダイオードＤｒ，Ｄｆ，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２，Ｄａ，Ｄｂ、キャパシタＣｃ，Ｃｄ及びインダクタＬｒ，Ｌｆを備える。端子４２１には、ＰＤＰサステイン駆動装置４０１と同じ装置が連結される。
【００１２】
ＰＤＰサステイン駆動装置４０１の動作は、６つのモードＭ１〜Ｍ６に区別される。各モード別にＰＤＰ ４１１に印加される電圧ＶｐとインダクタＬｒ，Ｌｆに流れる電流ｉＬｒ，ｉＬｆとの波形が図５に示されている。図５に示されたように、第２モードＭ２及び第５モードＭ５で、インダクタＬｒ，Ｌｆには多くのフライホイール電流ｉｆ１，ｉｆ２が流れる。
【００１３】
フライホイール電流ｉｆ１は、第２モードＭ２でＭＯＳトランジスタＳｕ２がオンになってＭＯＳトランジスタＳｕ２からインダクタＬｒを通じてダイオードＤ２１に流れ、フライホイール電流ｉｆ２は、第５モードＭ５でＭＯＳトランジスタＳｄ２がオンになってダイオードＤ２２からインダクタＬｆを通じてＭＯＳトランジスタＳｄ２に流れる。
このようなフライホイール電流ｉｆ１，ｉｆ２によってＭＯＳトランジスタＳｕ２，Ｓｄ２は高い電流ストレスを受け、それにより、ＰＤＰサステイン駆動装置４０１のサイズ及びコストが上昇し、ＰＤＰサステイン駆動装置４０１で消耗される電力量が増加する。
【特許文献１】米国特許４,８８６,３４９号公報
【特許文献２】米国特許５,８２８,３５３号公報
【特許文献３】特開平２００２−６２８４３Ａ号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が解決しようとする技術的課題は、フライホイール電流を減少させるＰＤＰサステイン駆動装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を達成するために本発明は、ＰＤＰを駆動するサステイン駆動装置において、前記ＰＤＰに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、前記ＰＤＰに連結され、前記ＰＤＰに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、前記電力回収キャパシタと前記サステインスイッチング部間に連結され、前記サステインスイッチング部が非活性化状態で前記ＰＤＰと共振回路を形成して前記電力回収キャパシタに充電された電圧を前記サステインスイッチング部を通じて前記ＰＤＰに供給し、前記サステインスイッチング部の活性化時に前記サステインスイッチング部の出力電流の流入を遮断する第１電力回収部と、前記電力回収キャパシタと前記サステインスイッチング部間に連結され、前記サステインスイッチング部が非活性化状態で前記ＰＤＰと共振回路を形成して前記ＰＤＰに充電された電圧を前記電力回収キャパシタに放電させ、前記サステインスイッチング部の活性化時に前記サステインスイッチング部との電流経路を遮断する第２電力回収部と、を備えるＰＤＰサステイン駆動装置を提供する。
【００１６】
前記課題を達成するために本発明はまた、ＰＤＰを駆動するサステイン駆動装置において、前記ＰＤＰに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、前記ＰＤＰに連結され、前記ＰＤＰに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、前記電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタ、前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタ、前記第１ノードと接地電圧間に連結された第１ダイオード、前記第２ノードと前記接地電圧間に連結された第２ダイオード、前記第２ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第３ダイオードを備え、前記第１及び第２ダイオードは前記接地電圧側面視に順方向に連結され、前記第３ダイオードは前記サステインスイッチング部側面視に逆方向に連結された第１電力回収部と、前記電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタ、前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタ、前記第３ノードと電源電圧間に連結された第４ダイオード、前記第４ノードと前記電源電圧間に連結された第５ダイオード、前記第４ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第６ダイオードを備え、前記第４及び第５ダイオードは前記電源電圧側面視に逆方向に連結され、前記第６ダイオードは前記サステインスイッチング部側面視に順方向に連結された第２電力回収部と、を備えるＰＤＰサステイン駆動装置を提供する。
【００１７】
前記課題を達成するために本発明はまた、ＰＤＰを駆動するサステイン駆動装置において、前記ＰＤＰに所定電圧を供給する電力回収キャパシタと、前記ＰＤＰに連結され、前記ＰＤＰに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、前記電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタ、前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタ、前記第１ノードと接地電圧間に連結された第１ダイオード、前記第２ノードと前記接地電圧間に連結された第２ダイオード、前記第２ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第３ダイオードを備え、前記第１及び第２ダイオードは前記接地電圧側面視に順方向に連結され、前記第３ダイオードは前記サステインスイッチング部側面視に逆方向に連結された第１電力回収部と、前記電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタ、前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタ、前記第３ノードと電源電圧間に連結された第４ダイオード、前記第４ノードと前記電源電圧間に連結された第５ダイオード、前記第４ノードと前記サステインスイッチング部間に連結された第６ダイオードを備え、前記第４及び第５ダイオードは前記電源電圧側面視に逆方向に連結され、前記第６ダイオードは前記サステインスイッチング部側面視に順方向に連結された第２電力回収部と、を備え、前記サステインスイッチング部は、前記第３ダイオードと前記電源電圧間に連結された下部ＭＯＳトランジスタ、前記第３ダイオードと前記ＰＤＰ間に連結された下部ダイオード、前記第６ダイオードと前記接地電圧間に連結された上部ＭＯＳトランジスタ、前記第６ダイオードと前記ＰＤＰ間に連結された上部ダイオードを備えるＰＤＰサステイン駆動装置を提供する。
【００１８】
前記課題を達成するために本発明はまた、ＰＤＰを駆動するサステイン駆動装置において、所定電圧を供給する第１及び第２電力回収キャパシタと、前記ＰＤＰと接地部、第１及び第２電力回収キャパシタに連結され、前記ＰＤＰに充電された電圧を維持または放電させるサステインスイッチング部と、接地電圧を提供する接地部と、前記第１及び第２電力回収キャパシタと第１ノード間に連結された第１ＭＯＳトランジスタ、前記第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタ、前記第１ノードと前記接地部間に連結された第１ダイオード、前記第２ノードと前記接地部間に連結された第２ダイオード、前記第２ノードと前記サステインスイッチング部の第６ノード間に連結された第３ダイオードを備え、前記第１及び第２ダイオードは前記接地部側面視に順方向に連結され、前記第３ダイオードは前記サステインスイッチング部の第６ノード側面視に逆方向に連結された第１電力回収部と、前記第１及び第２電力回収キャパシタと第３ノード間に連結された第２ＭＯＳトランジスタ、前記第３ノードと第４ノード間に連結された第２インダクタ、前記第３ノードと前記サステインスイッチング部の第５ノード間に連結された第４ダイオード、前記第４ノードと前記サステインスイッチング部の第５ノード間に連結された第５ダイオード、前記第４ノードと前記サステインスイッチング部の第８ノード間に連結された第６ダイオードを備え、前記第４及び第５ダイオードは前記サステインスイッチング部の第５ノード側面視に逆方向に連結され、前記第６ダイオードは前記サステインスイッチング部の第８ノード側面視に順方向に連結された第２電力回収部と、を備え、前記サステインスイッチング部は、電源電圧と前記第５ノード間に連結された第１上部ＭＯＳトランジスタ、前記第５ノードと前記第６ノード間に連結された第２上部ＭＯＳトランジスタ、前記第６ノードと前記第７ノード間に連結された上部ダイオード、接地電圧と前記第５ノード間に連結された第１下部ＭＯＳトランジスタ、前記接地部と前記第８ノード間に連結された第２下部ＭＯＳトランジスタ、前記第７ノードと前記第８ノード間に連結された下部ダイオード、前記第８ノードと前記接地部に連結された第２下部ＭＯＳトランジスタを備え、前記第７ノードは、前記ＰＤＰに連結されたことを特徴とするＰＤＰサステイン駆動装置を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、インダクタＬｒ，Ｌｆに流れるフライホイール電流ｉｆｃ１，ｉｆｃ２，ｉｆｃ１１，ｉｆｃ１２が大きく減少してサステインスイッチング部に加えられる電流ストレスも非常に減少する。これにより、サステインスイッチング部に備わるＭＯＳトランジスタのサイズが小さくなり、その結果、ＰＤＰサステイン駆動装置のサイズが小さくなり、コストも節減され、かつＰＤＰサステイン駆動装置で消耗される電力量も減少する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を表す。
図６は、ＰＤＰ ６３１に連結された本発明の第１実施例によるＰＤＰサステイン駆動装置６０１の回路図である。図６は、図１に示された回路に本発明を適用した回路図である。図６を参照すれば、ＰＤＰサステイン駆動装置６０１は、電力回収キャパシタＣｄ、第１電力回収部６１１、第２電力回収部６１２及びサステインスイッチング部６２１を備える。端子６４１にはＰＤＰサステイン駆動装置６０１と同じ装置が連結される。
電力回収キャパシタＣｄには所定電圧Ｖｓ／２が充電される。
【００２１】
サステインスイッチング部６２１はＰＤＰ ６３１に連結され、ＰＤＰ ６３１に充電された電圧を維持するか、または放電させる。サステインスイッチング部６２１は、電源電圧Ｖｓに連結された上部ＭＯＳトランジスタＳｕと接地電圧ＧＮＤに連結された下部ＭＯＳトランジスタＳｄとを備える。上部ＭＯＳトランジスタＳｕがオンになれば、上部ＭＯＳトランジスタＳｕからＰＤＰ ６３１に電流経路が形成される。下部ＭＯＳトランジスタＳｄがオンになれば、ＰＤＰ ６３１から下部ＭＯＳトランジスタＳｄに電流経路が形成される。
【００２２】
上部ＭＯＳトランジスタＳｕと下部ＭＯＳトランジスタＳｄとはＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジスタとよりなるが、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタよりなることが望ましい。
【００２３】
第１電力回収部６１１は、電力回収キャパシタＣｄとサステインスイッチング部６２１間に連結され、サステインスイッチング部６２１が非活性化状態でＰＤＰ ６３１と共振回路とを形成して電力回収キャパシタＣｄに充電された電圧をサステインスイッチング部６２１を通じてＰＤＰ ６３１に供給し、サステインスイッチング部６２１が活性化される時、サステインスイッチング部６２１の出力電流が流入されることを遮断する。
【００２４】
第１電力回収部６１１は、電力回収キャパシタＣｄと第１ノードＮ１間に連結された第１ＭＯＳトランジスタＳｒ、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２間に連結された第１インダクタＬｒ、第１ノードＮ１と接地電圧ＧＮＤ間に連結された第１ダイオードＤｂ１、第２ノードＮ２と接地電圧ＧＮＤ間に連結された第２ダイオードＤｂ２、第２ノードＮ２とサステインスイッチング部６２１間に連結された第３ダイオードＤｒを備える。
【００２５】
第２電力回収部６１２は、電力回収キャパシタＣｄとサステインスイッチング部６２１間に連結され、サステインスイッチング部６２１が非活性化状態でＰＤＰ ６３１と共振回路とを形成してＰＤＰ６３１に充電された電圧を電力回収キャパシタＣｄに放電させ、サステインスイッチング部６２１が活性化される時、サステインスイッチング部６２１との電流経路を遮断する。
【００２６】
第２電力回収部６１２は、電力回収キャパシタＣｄと第３ノードＮ３間に連結された第２ＭＯＳトランジスタＳｆ、第３ノードＮ３と第４ノードＮ４間に連結された第２インダクタＬｆ、第３ノードＮ３と電源電圧Ｖｓ間に連結された第４ダイオードＤａ１、第４ノードＮ４と電源電圧Ｖｓ間に連結された第５ダイオードＤａ２、第４ノードＮ４とサステインスイッチング部６２１間に連結された第６ダイオードＤｆを備える。
【００２７】
図７Ａないし図７Ｄは、図６に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図であり、図８は、図６に示された回路の電圧及び電流の波形図である。図７Ａないし図７Ｄ及び図８を参照して、図６に示されたＰＤＰサステイン駆動装置６０１の動作を説明する。
図７Ａは、第１モードによるＰＤＰサステイン駆動装置６０１の動作を説明するための回路図である。図７Ａに表示された太い線は、第１モードで電流が流れる経路である。初期にＭＯＳトランジスタＳｆ，Ｓｒ，Ｓｕ，Ｓｄは何れもオフになった状態であり、電力回収キャパシタＣｄは所定電圧Ｖｓ／２に充電されており、ＰＤＰ電圧Ｖｐはゼロボルトである。この状態で、第１モードＭ１に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｒがオンになれば、電力回収キャパシタＣｄ−ＭＯＳトランジスタＳｒ−インダクタＬｒ−ダイオードＤｒ−ＰＤＰ ６３１の経路にＬＣ共振回路が形成されてインダクタＬｒには共振電流が流れる。そして、ＰＤＰ電圧Ｖｐは、ゼロから最大電圧Ｖｐｋに上昇する。
【００２８】
図７Ｂは、第２モードによるＰＤＰサステイン駆動装置６０１の動作を説明するための回路図である。図７Ｂに表示された太い線は、第２モードで電流が流れる経路である。第２モードＭ２に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｒがオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｕがオンになれば、ＭＯＳトランジスタＳｕ−ＰＤＰ ６３１の経路に維持放電電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは、電源電圧Ｖｓレベルに上昇し、この状態に維持される。
【００２９】
この時、寄生容量によってフライホイール電流ｉｆｃ１が発生してダイオードＤｂ２−インダクタＬｒ−ＭＯＳトランジスタＳｒ−電力回収キャパシタＣｄの経路に流れる。インダクタＬｒには電力回収キャパシタＣｄの電圧Ｖｓ／２が印加され、インダクタＬｒに流れるフライホイール電流ｉｆｃ１は｛Ｖｓ／（２Ｌｒ）｝の傾斜度に減少する。
このように、フライホイール電流ｉｆｃ１は、ＭＯＳトランジスタＳｕに流れない。したがって、ＭＯＳトランジスタＳｕの電流ストレスは、図１に示された回路に比べて大きく減少する。
【００３０】
図７Ｃは、第３モードによるＰＤＰサステイン駆動装置６０１の動作を説明するための回路図である。図７Ｃに表示された太い線は、第３モードで電流が流れる経路である。第３モードＭ３に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｕがオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｆがオンになれば、ＰＤＰ ６３１−ダイオードＤｆ−インダクタＬｆ−ＭＯＳトランジスタＳｆ−電力回収キャパシタＣｄの経路にＬＣ共振回路が形成されてインダクタＬｆには共振電流が流れる。そして、ＰＤＰ電圧Ｖｐは最大電圧Ｖｐｋだけ減少する。
【００３１】
図７Ｄは、第４モードによるＰＤＰサステイン駆動装置６０１の動作を説明するための回路図である。図７Ｄに表示された太い線は、第４モードで電流が流れる経路である。第４モードＭ４に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｆがオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｄがオンになれば、ＰＤＰ ６３１−ＭＯＳトランジスタＳｄの経路に維持放電電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは、ゼロになって第４モードＭ４でこの状態に維持される。
【００３２】
この時、寄生容量によってフライホイール電流ｉｆｃ２が発生して電力回収キャパシタＣｄ−ＭＯＳトランジスタＳｆ−インダクタＬｆ−ダイオードＤａ２の経路に流れる。インダクタＬｆには電圧｛Ｖｓ−（Ｖｓ／２）｝が印加され、インダクタＬｆに流れるフライホイール電流ｉｆｃ２は｛Ｖｓ／（２Ｌｆ）｝の傾斜度に減少する。
このように、フライホイール電流ｉｆｃ２はＭＯＳトランジスタＳｄに流れない。したがって、ＭＯＳトランジスタＳｄの電流ストレスは、図１に示された回路に比べて大きく減少する。
【００３３】
図９は、ＰＤＰに連結された本発明の第２実施例によるＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。図９は、図３に示された回路３０１に本発明を適用した回路図である。図９を参照すれば、ＰＤＰサステイン駆動装置９０１は、電力回収キャパシタＣｃ、第１及び第２電力回収部６１１，６１２、サステインスイッチング部９１１を備える。端子９２１には、ＰＤＰサステイン駆動装置９０１と同じ装置が連結される。
電力回収キャパシタＣｃは、ＰＤＰ ６３１に所定電圧を供給する。
【００３４】
サステインスイッチング部９１１はＰＤＰ ６３１に連結され、ＰＤＰ ６３１に充電された電圧を維持または放電させる。サステインスイッチング部９１１は、ダイオードＤｕ，ＤｄとＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄとを備える。ＭＯＳトランジスタＳｕは図６のＭＯＳトランジスタＳｕと同じ役割を行い、ＭＯＳトランジスタＳｄは図６のＭＯＳトランジスタＳｄと同じ役割を行う。
【００３５】
サステインスイッチング部９１１は、ダイオードＤｕ，Ｄｄを備えているが、その機能においては、図６のサステインスイッチング部６２１と同じである。
ＭＯＳトランジスタＳｕ，Ｓｄは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタよりなるが、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタよりなることが望ましい。
第１及び第２電力回収部６１１，６１２は、図６に示された第１及び第２電力回収部６１１，６１２と同じである。
【００３６】
ＰＤＰサステイン駆動装置９０１は、図６に示されたＰＤＰサステイン駆動装置６０１とサステインスイッチング部９１１との構成だけが異なり、その動作及び効果は同じであるので、重複説明を避ける。
【００３７】
図１０は、ＰＤＰ ６３１に連結された本発明の第３実施例によるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の回路図であり、図１１Ａないし図１１Ｆは、図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。図１０は、図４に示された回路４０１に本発明を適用した回路図である。図１０及び図１１Ａないし図１１Ｆを参照すれば、ＰＤＰサステイン駆動装置１００１は、第１及び第２電力回収キャパシタＣｄ，Ｃｃ、第１及び第２電力回収部６１１，６１２、接地部１０２１、及びサステインスイッチング部１０１１を備える。
【００３８】
第１電力回収キャパシタＣｄは電圧Ｖｓ／２を供給し、第２電力回収キャパシタＣｃは電圧Ｖｓ／４を供給する。
サステインスイッチング部１０１１は、ＰＤＰ ６３１と接地部１０２１と第１及び第２電力回収キャパシタＣｄ，Ｃｃとに連結される。サステインスイッチング部１０１１は、ＰＤＰ ６３１に充電された電圧を維持または放電させる。
【００３９】
サステインスイッチング部１０１１は、電源電圧Ｖｓと第５ノードＮ５間に連結された第１上部ＭＯＳトランジスタＳｕ１、第５ノードＮ５と第６ノードＮ６間に連結された第２上部ＭＯＳトランジスタＳｕ２、第６ノードＮ６と第７ノードＮ７間に連結された上部ダイオードＤｕ、接地電圧ＧＮＤと第５ノードＮ５間に連結された第１下部ＭＯＳトランジスタＳｄ１、接地部１０２１と第８ノードＮ８間に連結された第２下部ＭＯＳトランジスタＳｄ２、第７ノードＮ７と第８ノードＮ８間に連結された下部ダイオードＤｄ、第８ノードＮ８と接地部１０２１間に連結された第２下部ＭＯＳトランジスタＳｄ２を備える。第７ノードＮ７はＰＤＰ ６３１に連結される。
【００４０】
接地部１０２１は、接地電圧ＧＮＤに直列に連結された第１接地ＭＯＳトランジスタＳａと第１接地ダイオードＤａ、接地電圧ＧＮＤに直列に連結した第２接地ＭＯＳトランジスタＳｂと第２接地ダイオードＤｂを備える。第１接地ダイオードＤａは、接地電圧側面視に順方向であり、第２接地ダイオードＤｂは接地電圧側面視に逆方向である。
図１０及び図１１Ａないし図１１Ｆを参照すれば、第１電力回収部６１１は、第２電力回収キャパシタＣｃと第１ノードＮ１間に連結された第１ＭＯＳトランジスタＳｒ、第１ノードと第２ノード間に連結された第１インダクタＬｒ、第１ノードと接地部１０２１間に連結された第１ダイオードＤ２１、第２ノードと接地部１０２１間に連結された第２ダイオードＤ２２、第２ノードとサステインスイッチング部の第６ノード間に連結された第３ダイオードＤｒを備える。
第１及び第２ダイオードＤ２１，Ｄ２２は、接地部１０２１側面視に順方向に連結され、第３ダイオードＤｒは、第６ノードＮ６側面視に逆方向に連結される。
【００４１】
図１０及び図１１Ａないし図１１Ｆを参照すれば、第２電力回収部６１２は、電力回収キャパシタＣｃと第３ノードＮ３間に連結された第２ＭＯＳトランジスタＳｆ、第３ノードＮ３と第４ノードＮ４間に連結された第２インダクタＬｆ、第３ノードＮ３と電源電圧Ｖｓ間に連結された第４ダイオードＤａ１、第４ノードＮ４と電源電圧Ｖｓ間に連結された第５ダイオードＤａ２、第４ノードＮ４とサステインスイッチング部１０１１間に連結された第６ダイオードＤｆを備える。
【００４２】
第４及び第５ダイオードＤａ１，Ｄａ２は、第５ノードＮ５側面視に逆方向に連結され、第６ダイオードＤｆは、第８ノードＮ８側面視に順方向に連結される。
ＭＯＳトランジスタＳｒ，Ｓｆ，Ｓｕ１，Ｓｕ２，Ｓｄ１，Ｓｄ２，Ｓａ，ＳｂはそれぞれＰチャンネルＭＯＳトランジスタよりなるが、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタよりなることが望ましい。
【００４３】
図１１Ａないし図１１Ｆは、図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図であり、図１２は、図１０に示された回路の電圧及び電流の波形図である。図１１Ａないし図１１Ｆ及び図１２を参照して、図１０に示されたＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明する。
【００４４】
図１１Ａは、第１モードによるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明するための回路図である。図１１Ａに表示された太い線は、第１モードで電流が流れる経路である。初期にＭＯＳトランジスタＳｒ，Ｓｆ，Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｕ１，Ｓｕ２，Ｓｄ１，Ｓｄ２は何れもオフ状態であり、電力回収キャパシタＣｄ，Ｃｃは所定電圧Ｖｓ／２，Ｖｓ／４に充電されており、ＰＤＰ電圧Ｖｐはゼロボルトである。この状態で第１モードＭ１に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳａ，Ｓｒがオンになれば、ＭＯＳトランジスタＳａ−ダイオードＤａ−電力回収キャパシタＣｃ−ＭＯＳトランジスタＳｒ−インダクタＬｒ−ダイオードＤｒ−ダイオードＤｕ−ＰＤＰ ６３１の経路にＬＣ共振回路が形成されてインダクタＬｒには共振電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは最大電圧Ｖｐｋに上昇する。
【００４５】
図１１Ｂは、第２モードによるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明するための回路図である。図１１Ｂに表示された太い線は、第２モードで電流が流れる経路である。第２モードＭ２に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳａ，Ｓｒがオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｕ１，Ｓｕ２がオンになれば、ＭＯＳトランジスタＳｕ１−ＭＯＳトランジスタＳｕ２−ダイオードＤｕ−ＰＤＰ ６３１の経路に維持放電電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは、電源電圧Ｖｓ／２レベルに上昇し、この状態に維持される。
【００４６】
この時、寄生容量によってフライホイール電流ｉｆｃ１１が発生してダイオードＤ２２−インダクタＬｒ−ＭＯＳトランジスタＳｒ−電力回収キャパシタＣｃ−ダイオードＤｂ−ＭＯＳトランジスタＳｂの経路に流れる。インダクタＬｒには電力回収キャパシタＣｃの電圧Ｖｓ／４が印加され、インダクタＬｒに流れるフライホイール電流ｉｆｃ１１は｛Ｖｓ／（４Ｌｒ）｝の傾斜度に減少する。
このように、フライホイール電流ｉｆｃ１１は、維持放電電流と重畳されず、サステインスイッチング部１０１１の電流ストレスは、図４に示された回路４０１に比べて大きく減少する。
第２モードＭ２でＭＯＳトランジスタＳｂがオンになって電力回収キャパシタＣｄが充電される。
【００４７】
図１１Ｃは、第３モードによるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明するための回路図である。図１１Ｃに表示された太い線は、第３モードで電流が流れる経路である。第３モードＭ３に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｕ１，Ｓｕ２がオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｆ，Ｓｂがオンになれば、ＰＤＰ ６３１−ダイオードＤｄ−ダイオードＤｆ−インダクタＬｆ−ＭＯＳトランジスタＳｆ−電力回収キャパシタＣｃ−ダイオードＤｂ−ＭＯＳトランジスタＳｂの経路にＬＣ共振回路が形成されてインダクタＬｆには共振電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは減少してゼロになる。
【００４８】
図１１Ｄは、第４モードによるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明するための回路図である。図１１Ｄに表示された太い線は、第４モードで電流が流れる経路である。第４モードＭ４に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｂがオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｄ１がオンになれば、ＰＤＰ ６３１−ダイオードＤｄ−ダイオードＤｆ−インダクタＬｆ−ＭＯＳトランジスタＳｆ−電力回収キャパシタＣｃ−電力回収キャパシタＣｄ−ＭＯＳトランジスタＳｄ１の経路にＬＣ共振回路が形成されてインダクタＬｆには共振電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは−Ｖｓ／２に減少する。
【００４９】
図１１Ｅは、第５モードによるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明するための回路図である。図１１Ｅに表示された太い線は、第５モードで電流が流れる経路である。第５モードＭ５に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｆがオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｄ２がオンになれば、ＭＯＳトランジスタＳｄ１−電力回収キャパシタＣｄ−ＭＯＳトランジスタＳｄ２−ダイオードＤｄ−ＰＤＰ ６３１の経路に維持放電電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは、電源電圧−Ｖｓ／２レベルに減少し、この状態に維持される。
【００５０】
この時、寄生容量によってフライホイール電流ｉｆｃ１２が発生して電力回収キャパシタＣｃ−ＭＯＳトランジスタＳｆ−インダクタＬｆ−ダイオードＤ１２−電力回収キャパシタＣｄの経路に流れる。インダクタＬｆには電力回収キャパシタＣｄで電力回収キャパシタＣｃの電圧を低めた電圧｛（Ｖｓ／２）−（Ｖｓ／４）｝が印加され、インダクタＬｆに流れるフライホイール電流ｉｆｃ１２は｛−Ｖｓ／（４Ｌｆ）｝の傾斜度に減少する。
このように、フライホイール電流ｉｆｃ１２は維持放電電流と重畳されず、サステインスイッチング部１０１１の電流ストレスは、図４に示された回路に比べて大きく減少する。
【００５１】
図１１Ｆは、第６モードによるＰＤＰサステイン駆動装置１００１の動作を説明するための回路図である。図１１Ｆに表示された太い線は、第６モードで電流が流れる経路である。第６モードＭ６に進入すれば、すなわち、ＭＯＳトランジスタＳｄ２がオフになり、ＭＯＳトランジスタＳｒがオンになれば、ＭＯＳトランジスタＳｄ１−電力回収キャパシタＣｄ−電力回収キャパシタＣｃ−ＭＯＳトランジスタＳｒ−インダクタＬｒ−ダイオードＤｒ−ダイオードＤｕ−ＰＤＰの経路にＬＣ共振回路が形成されてインダクタＬｒには共振電流が流れる。したがって、ＰＤＰ電圧Ｖｐは−Ｖｓ／２からゼロボルトに上昇する。
【００５２】
図面と明細書とで最適の実施例が開示された。ここで、使われた用語は、単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることが分かる。本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明のフライホイール電流を減少させるＰＤＰサステイン駆動装置は、例えば、ＰＤＰ関連製品に利用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】ＰＤＰに連結された従来のＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。
【図２】図１に示された回路の電圧及び電流の波形図である。
【図３】ＰＤＰに連結された従来の他のＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。
【図４】ＰＤＰに連結された従来のさらに他のＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。
【図５】図４に示された回路の電圧及び電流の波形図である。
【図６】ＰＤＰに連結された本発明の第１実施例によるＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。
【図７Ａ】図６に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図７Ｂ】図６に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図７Ｃ】図６に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図７Ｄ】図６に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図８】図６に示された回路の電圧及び電流の波形図である。
【図９】ＰＤＰに連結された本発明の第２実施例によるＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。
【図１０】ＰＤＰに連結された本発明の第３実施例によるＰＤＰサステイン駆動装置の回路図である。
【図１１Ａ】図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図１１Ｂ】図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図１１Ｃ】図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図１１Ｄ】図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図１１Ｅ】図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図１１Ｆ】図１０に示された回路のモード別電流経路を説明するための回路図である。
【図１２】図１０に示された回路の電圧及び電流の波形図である。
【符号の説明】
【００５５】
６０１    ＰＤＰサステイン駆動装置
６１１    第１電力回収部
６１２    第２電力回収部
６２１    サステインスイッチング部
６３１    ＰＤＰ
６４１    端子
ＧＮＤ    接地電圧
Ｖｓ      電源電圧
Ｖｐ      ＰＤＰ電圧
Ｓｕ      上部ＭＯＳトランジスタ
Ｓｄ      下部ＭＯＳトランジスタ
Ｄｆ      第６ダイオード
Ｄｒ      第３ダイオード
Ｄｂ２    第２ダイオード
Ｄｂ１    第１ダイオード
Ｄａ１    第４ダイオード
Ｄａ２    第５ダイオード
Ｌｆ      第２インダクタ
Ｌｒ      第１インダクタ
Ｎ４      第４ノード
Ｎ２      第２ノード
Ｓｆ      第２ＭＯＳトランジスタ
Ｓｒ      第１ＭＯＳトランジスタ
Ｃｄ      電力回収キャパシタ
【図１】
2005055916.tif 000003
【図２】
2005055916.tif 000004
【図３】
2005055916.tif 000005
【図４】
2005055916.tif 000006
【図５】
2005055916.tif 000007
【図６】
2005055916.tif 000008
【図７Ａ】
2005055916.tif 000009
【図７Ｂ】
2005055916.tif 000010
【図７Ｃ】
2005055916.tif 000011
【図７Ｄ】
2005055916.tif 000012
【図８】
2005055916.tif 000013
【図９】
2005055916.tif 000014
【図１０】
2005055916.tif 000015
【図１１Ａ】
2005055916.tif 000016
【図１１Ｂ】
2005055916.tif 000017
【図１１Ｃ】
2005055916.tif 000018
【図１１Ｄ】
2005055916.tif 000019
【図１１Ｅ】
2005055916.tif 000020
【図１１Ｆ】
2005055916.tif 000021
【図１２】
2005055916.tif 000022