(57)【要約】【課題】  記録消去可能な相変化型光ディスク、特に４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭに関するもので、従来構成に比べて成膜タクトが短く、かつ、ジッタ、クロス消去特性、サイクル特性の良好な記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】  案内溝を有する基板１の上に、少なくとも反射層３、記録層７、光入射側保護層９、第１の樹脂層１０、光入射側基板１１をこの順に備える。記録層７と第１の樹脂層１０とは、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体であって、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも反射層、記録層、光入射側保護層、第１の樹脂層、光入射側基板をこの順に備え、
前記記録層と前記第１の樹脂層とは、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記記録層と前記第１の樹脂層とは、２０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔に形成されていることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記第１の樹脂層の軟化温度は、前記光入射側基板の軟化温度よりも高いことを特徴とする請求項１または２記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記第１の樹脂層の硬度は、前記光入射側基板の硬度よりも高いことを特徴とする請求項１または２記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記第１の樹脂層の厚みは、１μｍ以上で且つ２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
情報再生のために照射される前記レーザ光の波長における前記光入射側保護層の屈折率をｎ１とし、同波長における前記第１の樹脂層の屈折率をｎ２とし、同波長における前記光入射側基板の屈折率をｎ３としたときに、これらｎ１，ｎ２，ｎ３が以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２＋０．１
ｎ１≦ｎ３＋０．１
を満足していることを特徴とする請求項１から５の何れか１項記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
前記ｎ１，ｎ２，ｎ３は、以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２
ｎ１≦ｎ３
を満足していることを特徴とする請求項６記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
前記反射層と前記記録層の間に、前記反射層側から吸収層、反射層側保護層及び反射層側界面層をこの順に有し、
前記記録層と前記光入射側保護層との間に光入射側界面層を有することを特徴とする請求項１から７の何れか１項記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
前記反射層は、ＡｇまたはＡｌを主成分とし、
前記吸収層は、Ｇｅ、ＣｒまたはＳｉを主成分とし、
前記反射層側保護層は、ＺｎＳ、Ｚｒ酸化物またはＣｒ酸化物を主成分とし、
前記反射層側界面層は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅから選択される少なくとも１つの窒化物、窒酸化物若しくは酸化物、又はＣを主成分とし、
前記記録層は、ＧｅとＴｅを主成分とし、
前記光入射側界面層は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅから選択される少なくとも１つの窒化物、窒酸化物若しくは酸化物、又はＣを主成分とし、
前記光入射側保護層は、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｇ酸化物またはフッ化物を主成分とすることを特徴とする請求項８記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
前記反射層の膜厚は、５０ｎｍ以上で且つ１５０ｎｍ以下であり、
前記吸収層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、
前記反射層側保護層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、
前記反射層側界面層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であり、
前記記録層の膜厚は、７ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下であり、
前記光入射側界面層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であり、
前記光入射側保護層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８または９記載の光情報記録媒体。
【請求項１１】
前記反射層と前記記録層の間に、前記反射層側から吸収層及び反射層側保護層をこの順に有し、
前記記録層と前記光入射側保護層との間に光入射側界面層を有することを特徴とする請求項１から７の何れか１項記載の光情報記録媒体。
【請求項１２】
前記反射層は、ＡｇまたはＡｌを主成分とし、
前記吸収層は、Ｇｅ、ＣｒまたはＳｉを主成分とし、
前記反射層側保護層は、ＺｎＳ、Ｚｒ酸化物またはＣｒ酸化物を主成分とし、
前記記録層は、ＧｅとＴｅを主成分とし、
前記光入射側界面層は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅから選択される少なくとも１つの窒化物、窒酸化物若しくは酸化物、又はＣを主成分とし、
前記光入射側保護層は、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｇ酸化物またはフッ化物を主成分とすることを特徴とする請求項１１記載の光情報記録媒体。
【請求項１３】
前記反射層の膜厚は、５０ｎｍ以上で且つ１５０ｎｍ以下であり、
前記吸収層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、
前記反射層側保護層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、
前記記録層の膜厚は、７ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下であり、
前記光入射側界面層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であり、
前記光入射側保護層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１または１２記載の光情報記録媒体。
【請求項１４】
レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体を製造する方法であって、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも反射層、記録層、光入射側保護層をこの順に成膜した後、前記光入射側保護層に第１の樹脂層を介して光入射側基板を貼り合わせ、
前記記録層と前記第１の樹脂層とが１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されていることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記記録層と前記第１の樹脂層とが２０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔に形成されていることを特徴とする請求項１４記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体を製造する方法であって、
案内溝を有する基板の上に、少なくとも反射層、記録層、光入射側保護層をこの順に成膜した後、前記光入射側保護層の上に第１の樹脂層を形成し、この第１樹脂層に第２の樹脂層を介して光入射側基板を貼り合わせ、
前記記録層と前記第１の樹脂層とが１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されていることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記記録層と前記第１の樹脂層とが２０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔に形成されていることを特徴とする請求項１６記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の樹脂層の厚みは、１μｍ以上で且つ２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１４から１７の何れか１項記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
情報再生のために照射される前記レーザ光の波長における前記光入射側保護層の屈折率をｎ１とし、同波長における前記第１の樹脂層の屈折率をｎ２とし、同波長における前記光入射側基板の屈折率をｎ３としたときに、これらｎ１，ｎ２，ｎ３が以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２＋０．１
ｎ１≦ｎ３＋０．１
を満足していることを特徴とする請求項１４から１８の何れか１項記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記ｎ１，ｎ２，ｎ３は、以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２
ｎ１≦ｎ３
を満足していることを特徴とする請求項１９記載の光情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて大容量の情報を記録及び再生する光情報記録媒体と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を用いて信号を記録及び再生することのできる光情報記録媒体の実用例として、相変化材料を記録層に用いたＤＶＤ−ＲＡＭメディアが知られている。このＤＶＤ−ＲＡＭメディアの基板の直径は１２０ｍｍであり、片面のユーザ記録容量が４．７ＧＢであり、両面のユーザ記録容量が９．４ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭメディア（以下、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭと称する）である。４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭは、波長が６６０ｎｍのレーザ光を用いて信号の記録・再生が行われ、標準のデータ転送レートは２２Ｍｂｐｓとされている。
【０００３】
４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭで用いられている主な技術を以下に記す。
【０００４】
（１）例えば、下記非特許文献１には、大記録容量を実現するためのＬ＆Ｇ（Ｌａｎｄ  ａｎｄ  Ｇｒｏｏｖｅ）記録方式が記載されている。Ｌ＆Ｇ記録方式とは、光ディスク基板表面に形成された溝部及び溝間すなわちランド部の双方に信号を記録する技術である。相変化型光ディスクにおいてＬ＆Ｇ記録を実現するためには、記録層が非晶質状態にあるときに記録媒体から反射される反射光と、記録層が結晶状態にあるときに記録媒体から反射される反射光との位相差を十分に小さくする必要がある。
【０００５】
（２）オーバライト消去率の向上、すなわちオーバライト後の再生ジッタの低減を図るために、非晶質状態における記録層の光吸収率Ａａと結晶状態における記録層の光吸収率Ａｃの関係を、Ａｃ＞Ａａとするいわゆる"熱バランス構成（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ｂａｌａｎｃｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）"の技術が知られている。この”熱バランス構成”の技術は、例えば、下記非特許文献２に開示されている。
【０００６】
（３）例えば、下記非特許文献３には、高速結晶性の記録層材料が開示されている。
【０００７】
（４）例えば、下記非特許文献４には、記録層に接して設ける界面層の技術に関し、良好なサイクル特性を確保するための技術が開示されている。
【０００８】
我々が開発した４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの構成の一例は、案内溝が形成されたポリカーボネート製の光入射側基板の上に、光入射側保護層、光入射側窒化物界面層、記録層、反射層側窒化物界面層、反射層側保護層、吸収層、反射層をこの順に積層成膜したものである。前記光入射側基板の厚さは０．６ｍｍであり、その直径は１２０ｍｍである。またトラックピッチは０．６１５μｍとなっている。前記光入射側保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を主成分とし、厚さが約１５０ｎｍに形成されるものである。前記光入射側窒化物界面層は、厚さ数ｎｍに形成されるものである。前記記録層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを主成分とし、厚さ約９ｎｍに形成されるものである。前記反射層側窒化物界面層は、厚さ数ｎｍに形成されるものである。前記反射層側保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を主成分とし、厚さ約４０ｎｍに形成されるものである。前記吸収層は、ＧｅまたはＳｉを主成分とし、厚さ約４０ｎｍに形成されるものである。前記反射層は、ＡｇまたはＡｌを主成分とし、厚さ約１００ｎｍに形成されるものである。
【０００９】
各層の成膜プロセスでは、量産性を考慮して枚葉スパッタリング装置を用いることが一般的である。
【００１０】
４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの成膜プロセスに関し、例えば下記特許文献１には、成膜タクトタイムを短縮できる新しいディスク構成の提案がなされている。成膜タクトタイムを短縮するには、他の層に比べて膜厚の厚い光入射側保護層を薄膜化することが肝要であり、同公報には、情報再生のために照射されるレーザ光の波長における光入射側保護層の屈折率を、同波長における光入射側基板の屈折率と同等以下にすることによって、光入射側保護層の膜厚を薄くしても従来と同等の光学特性を実現できることが開示されている。そして、同公報によれば、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合で約１５０ｎｍの膜厚である従来の光入射側保護層を大幅に薄膜化（５０ｎｍ以下）しても従来のディスク構成と同等の光学特性が実現でき、しかも、従来のディスク構成と同じく、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの規格を満足する光情報記録媒体が得られると記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３１２９７９号公報
【非特許文献１】Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ３２（１９９３）  ５３２４頁
【非特許文献２】Ｉｎｔ．  Ｃｏｎｆ．  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  （１９９３）  ２／Ｂ，  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｔｏｋｙｏ  （１９９４）  Ｐ．１０３５
【非特許文献３】Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ６９  （１９９１）  ２８４９
【非特許文献４】Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，  ３７，  ２１０４  （１９９８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前記公報に開示されている発明によると、光入射側保護層の膜厚を従来に比べて大幅に薄くできるので、成膜タクトタイムを短縮できる。しかし、このものでは、情報の記録・消去の繰り返し特性が、従来のディスク構成に比べて大幅に劣化するという課題が生じる。そもそも、光入射側保護層は、情報を記録する際にレーザ光が入射されることで記録層が融点以上に加熱されても、案内溝が形成されている光入射側基板が熱ダメージを受けて変形することがないよう、熱障壁層としての役割を担っているものである。それ故、成膜タクトタイムを短縮するために光入射側保護層の膜厚を大幅に薄くする構成を採用すると、本質的に光入射側基板が熱変形を生じやすくなるのは避けられず、それ故に情報の記録・消去の繰り返し特性が従来構成に比べて大幅に劣化するという課題を生ずる。
【００１２】
そこで、本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上記課題を解決した光情報記録媒体を提供することにあり、良好な記録・消去の繰り返し特性を実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の目的を達成するため、本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体を前提として、案内溝を有する基板の上に、少なくとも反射層、記録層、光入射側保護層、第１の樹脂層、光入射側基板をこの順に備え、前記記録層と前記第１の樹脂層とは、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されている。
【００１４】
この構成において、前記記録層と前記第１の樹脂層とは、２０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔に形成されているのがより好ましい。
【００１５】
前記第１の樹脂層の軟化温度は、前記光入射側基板の軟化温度よりも高いのが好ましく、前記第１の樹脂層の硬度は、前記光入射側基板の硬度よりも高いのが好ましい。また、前記第１の樹脂層の厚みは、１μｍ以上で且つ２０μｍ以下であるのが好ましい。
【００１６】
情報再生のために照射される前記レーザ光の波長における前記光入射側保護層の屈折率をｎ１とし、同波長における前記第１の樹脂層の屈折率をｎ２とし、同波長における前記光入射側基板の屈折率をｎ３としたときに、これらｎ１，ｎ２，ｎ３が以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２＋０．１
ｎ１≦ｎ３＋０．１
を満足しているのが好ましく、前記ｎ１，ｎ２，ｎ３は、以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２
ｎ１≦ｎ３
を満足しているのがより好ましい。
【００１７】
前記反射層と前記記録層の間に、前記反射層側から吸収層、反射層側保護層及び反射層側界面層をこの順に有し、前記記録層と前記光入射側保護層との間に光入射側界面層を有する構成としてもよい。
【００１８】
この構成においては、前記反射層は、ＡｇまたはＡｌを主成分とし、前記吸収層は、Ｇｅ、ＣｒまたはＳｉを主成分とし、前記反射層側保護層は、ＺｎＳ、Ｚｒ酸化物またはＣｒ酸化物を主成分とし、前記反射層側界面層は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅから選択される少なくとも１つの窒化物、窒酸化物若しくは酸化物、又はＣを主成分とし、前記記録層は、ＧｅとＴｅを主成分とし、前記光入射側界面層は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅから選択される少なくとも１つの窒化物、窒酸化物若しくは酸化物、又はＣを主成分とし、前記光入射側保護層は、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｇ酸化物またはフッ化物を主成分とするのが好ましい。
【００１９】
そして、前記反射層の膜厚は、５０ｎｍ以上で且つ１５０ｎｍ以下であり、前記吸収層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、前記反射層側保護層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、前記反射層側界面層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であり、前記記録層の膜厚は、７ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下であり、前記光入射側界面層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であり、前記光入射側保護層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００２０】
また、前記反射層と前記記録層の間に、前記反射層側から吸収層及び反射層側保護層をこの順に有し、前記記録層と前記光入射側保護層との間に光入射側界面層を有する構成としてもよい。
【００２１】
この構成において、前記反射層は、ＡｇまたはＡｌを主成分とし、前記吸収層は、Ｇｅ、ＣｒまたはＳｉを主成分とし、前記反射層側保護層は、ＺｎＳ、Ｚｒ酸化物またはＣｒ酸化物を主成分とし、前記記録層は、ＧｅとＴｅを主成分とし、前記光入射側界面層は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅから選択される少なくとも１つの窒化物、窒酸化物若しくは酸化物、又はＣを主成分とし、前記光入射側保護層は、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｇ酸化物またはフッ化物を主成分とするのが好ましい。
【００２２】
そして、前記反射層の膜厚は、５０ｎｍ以上で且つ１５０ｎｍ以下であり、前記吸収層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、前記反射層側保護層の膜厚は、２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下であり、前記記録層の膜厚は、７ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下であり、前記光入射側界面層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であり、前記光入射側保護層の膜厚は、１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下であるのが好ましい。
【００２３】
また、本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体を製造する方法を前提として、案内溝を有する基板の上に、少なくとも反射層、記録層、光入射側保護層をこの順に成膜した後、前記光入射側保護層に第１の樹脂層を介して光入射側基板を貼り合わせ、前記記録層と前記第１の樹脂層とが１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されている方法とすることができる。
【００２４】
この製造方法において、前記記録層と前記第１の樹脂層とが２０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔に形成されているのがより好ましい。
【００２５】
また、本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体を製造する方法を前提として、案内溝を有する基板の上に、少なくとも反射層、記録層、光入射側保護層をこの順に成膜した後、前記光入射側保護層の上に第１の樹脂層を形成し、この第１樹脂層に第２の樹脂層を介して光入射側基板を貼り合わせ、前記記録層と前記第１の樹脂層とが１ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔を有して形成されている方法とすることができる。
【００２６】
この製造方法において、前記記録層と前記第１の樹脂層とが２０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下の間隔に形成されているのがより好ましい。
【００２７】
前記第１の樹脂層の厚みは、１μｍ以上で且つ２０μｍ以下であるのが好ましい。
【００２８】
情報再生のために照射される前記レーザ光の波長における前記光入射側保護層の屈折率をｎ１とし、同波長における前記第１の樹脂層の屈折率をｎ２とし、同波長における前記光入射側基板の屈折率をｎ３としたときに、これらｎ１，ｎ２，ｎ３が以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２＋０．１
ｎ１≦ｎ３＋０．１
を満足しているのが好ましく、また、前記ｎ１，ｎ２，ｎ３は、以下の両関係式
ｎ１≦ｎ２
ｎ１≦ｎ３
を満足しているのがより好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、情報の記録・消去についての繰り返し特性を確保しつつ、光入射側保護層の膜厚が薄く、記録層と第１の樹脂層の間隔が狭い光情報記録媒体を得ることができる。この結果、成膜タクトが短縮され、かつ、ジッタ、クロス消去特性、サイクル特性の良好な記録媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３１】
図１は本発明の実施形態に係る光情報記録媒体（光ディスク）の積層構成の概略を示す半径方向の断面図である。この光情報記録媒体は、基板１と反射層３と吸収層４と反射層側保護層５と反射層側界面層６と記録層７と光入射側界面層８と光入射側保護層９と第１の樹脂層１０と第２の樹脂層１２と光入射側基板１１とが、この順に積層されて構成されている。これら各層は金属薄膜からなる。図１において、情報の記録及び再生を行うためのレーザ光は光入射側基板１１の側から入射される。
【００３２】
前記基板１は、ポリカーボネート等の樹脂板からなる。基板１の表面２はスパイラル状の連続溝（案内溝、トラック）で覆われている。
【００３３】
前記反射層３は、吸収層４で発熱した熱を逃がすために設けられるものである。反射層３は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等の金属を主成分としている。特に好ましい材料は、熱伝導率が高くて化学的に安定で、且つ比較的低コストのＡｇ及びＡｌである。主成分とは、主として含まれる成分を表しており、原子量比で最も含有量の多い成分である。
【００３４】
好ましい反射層の厚さは５０ｎｍ以上であるが、１５０ｎｍより厚くしてもディスク特性は変化しないので、より好ましい厚さは５０ｎｍ以上で且つ１５０ｎｍ以下である。
【００３５】
前記吸収層４は、情報記録のために照射されるレーザ光を吸収するものであり、この吸収層４は、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ等を主成分としている。吸収層４は、記録層７における光吸収補正を容易に実現するために設けられるものであり、吸収層４が設けられることで、記録層７が非晶質状態にあるときと結晶状態にあるときとの両状態における光情報記録媒体からの反射光の位相差を調整することができる。特に、波長が６６０ｎｍ前後のレーザ光に対しては、吸収層４を設けることなく熱バランス構成をとりながら反射光の位相差を十分に小さくすることは困難である。したがって、吸収層４を構成する材料に求められる好ましい光学特性は、屈折率ｎが２以上で且つ５以下、消衰係数ｋが１．５以上で且つ４．５以下である。
【００３６】
さらに、前記吸収層４を設けることにより隣接トラック記録によるクロス消去を実用範囲内に抑制することができる。クロス消去とは、信号記録時に隣接トラックを消去する割合を差している。クロス消去が抑制されるのは、記録動作のため高パワーでレーザ光が照射されているときは、吸収層４においても発熱が生じて記録層７の昇温を助けることで高感度記録が可能になる一方、記録のためのレーザ照射が終了した直後から、吸収層４の熱が高熱伝導率材料からなる反射層３側に逃げることにより、記録層７への熱拡散を最小限に押さえることができるからである。そして、吸収層４の厚さが薄すぎると十分な発熱の効果が得られず、また厚すぎると冷却時に反射層３側に十分熱を逃がすことができない。したがって、好ましい吸収層４の厚さは２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下である。
【００３７】
前記反射層側保護層５を構成する材料は、光入射側基板１１の屈折率よりも大きい屈折率を有するのが望ましい。さらに本材料は、物理的・化学的に安定であること、すなわち記録層７に適用する材料よりも融点及び軟化温度が高いことが望ましく、かつ記録層７の材料と相固溶しないことが望ましい。例えば、ＺｎＳ、Ｚｒ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｔａ酸化物、イットリウム酸化物等の誘電体或はこれらの何れかを主成分とする材料が好ましい。特に好ましい材料は、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合材料である。
【００３８】
前記反射層側保護層５の材料の光学特性は、波長６６０ｎｍ近傍において、屈折率が２．０以上で且つ２．４以下であることが好ましい。また、反射層側保護層５の好ましい膜厚は２０ｎｍ以上で且つ６０ｎｍ以下である。つまり、反射層側保護層５の膜厚が薄くなるほど記録層７における光吸収率が低下し、膜厚が２０ｎｍよりも薄いと記録感度の悪化が顕著となる。一方、反射層側保護層５の膜厚が厚くなるほど記録層７が結晶状態のときの光情報記録媒体の光反射率が低下し、膜厚が６０ｎｍよりも厚いと反射率の不足が顕著となる。
【００３９】
前記反射層側界面層６及び前記光入射側界面層８の主材料は、一般式「Ｘ」−Ｎ若しくは「Ｘ」−Ｏ−Ｎで表される窒化物、窒酸化物、酸化物、Ｃ（炭素）若しくは一般式「Ｙ」−Ｃで表される炭化物、又はこれらの混合物からなる。ここで「Ｘ」はＧｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｅのうち少なくとも１つの元素を含む材料が好ましく、「Ｙ」はＳｉが好ましい。この界面層６を設けることにより、記録層７を構成する元素と、誘電体層である反射層側保護層５及び光入射側保護層９を構成する元素との相互拡散が抑制され、記録消去の繰り返し特性（サイクル特性）を向上することができる。窒化物等からなる界面層６，８の効果に関しては、例えば特開平４−５２１８８号公報等に詳細な記載がなされている。
【００４０】
前記界面層６，８は、情報記録のために照射されるレーザ光に対して吸収係数が十分に小さく（好ましくは０．２以下）、かつその膜厚も十分に薄くすることが好ましい。その膜厚とは、１ｎｍ以上で且つ２０ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下であるのが好ましい。界面層６，８によるサイクル特性向上の効果は、特に記録層７が薄い場合（１０ｎｍ以下）に顕著である。尚、記録・消去の繰り返し特性をある程度犠牲にしてもよい場合には、反射層側界面層６と光入射側界面層８は必ずしも必要ではなく、またこれらの層を同一の材料で形成しなくてもかまわない。
【００４１】
前記記録層７を構成する材料は、結晶状態と非晶質状態との間で構造変化をおこす物質であることが必要であり、好ましい材料は、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｇｅを主成分とするものである。これら主成分の組成比は、ＧｅxＳｂyＴｅzとして原子量比で表すと、０．１０≦ｘ＜０．５０、０≦ｙ≦０．２５、０．４５≦ｚ≦０．６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で表される組成が優れている。さらに、記録層７を構成する材料は、原子量百分率で１０％以下のＳｎまたはＢｉが含まれるＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、またはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｂｉ、またはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉであるのが好ましい。
【００４２】
前記記録層７は、薄いと十分な反射率を得ることができず、また厚すぎると良好な記録消去の繰り返し特性が得られない。したがって、好ましい記録層７の膜厚は、７ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下である。
【００４３】
前記光入射側保護層９を構成する材料は、光入射側基板１１の屈折率よりも小さい屈折率を有するのが望ましい。さらに、本材料は、物理的・化学的に安定であること、すなわち記録層７に適用する材料よりも融点及び軟化温度が高いことが望ましく、かつ記録層７の材料と相固溶しないことが望ましい。例えば、Ａｌ酸化物（例えばＡｌ2Ｏ3），Ｓｉ酸化物（例えばＳｉＯ2）、Ｍｇ酸化物、フッ化物等の誘電体或はこれらの何れかを主成分とする材料が好ましい。
【００４４】
前記光入射側保護層９を構成する材料の光学特性は、光入射側基板１１の屈折率と同等以下であることが好ましい。従って、光入射側基板１１の材料としてポリカーボネートを用いる場合、光入射側保護層９は、照射されるレーザ光の波長（６６０ｎｍ）近傍において、屈折率が１．４以上で且つ１．６以下であることが好ましい。仮に光入射側保護層９の屈折率が光入射側基板１１の屈折率よりも大きい材料を使うとしても、屈折率の差が０．１を越えない範囲の材料を選ぶ必要がある。この理由についての詳細は後述する。
【００４５】
反射層３、吸収層４、反射層側保護層５、反射層側界面層６、記録層７、光入射側界面層８、及び光入射側保護層９の各層の形成方法としては、通常、スパッタリング法で形成するが、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等を適用してもよい。
【００４６】
前記光入射側基板１１は、ポリカーボネート等の透明樹脂からなる。
【００４７】
前記光入射側基板１１は、紫外線硬化樹脂等からなる第１の樹脂層１０を用いて光入射側保護層９の上に貼り合わせてもよい。また、光入射側基板１１は、光入射側保護層９の上に第１の樹脂層１０を設けてから、紫外線硬化樹脂等からなる第２の樹脂層１２を用いて基板１１を貼り合わせてもよい。この後者の場合、第１の樹脂層１０を形成するにはスピンコート法がもっとも好ましい。
【００４８】
次に各層の適正膜厚について説明する。例えば４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭディスク構成を設計する上で考慮すべき光学特性は、基本的に以下の１）〜５）の５つの条件を全て満たすことが必要となる。
１）記録層７が結晶状態にあるときの反射率と、非晶質状態にあるときの反射率との差ができるだけ大きいこと。これは、振幅を高めるために必要な条件である。
２）記録層７が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａと、結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃとの関係が、Ａａ＜Ａｃ、より好ましくは、Ａｃ／Ａａ＞１．２であること。
３）記録層７が非晶質状態にあるときの光情報記録媒体からの反射光と、結晶状態にあるときの反射光との位相差が十分に小さいこと。これは、Ｌ＆Ｇ記録の実現のために必要な条件である。経験的には、絶対値で０．０５π以下であることが好ましい。
４）記録層７が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａと、結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃとの平均値ができるだけ大きいこと。これは、高感度化のために必要な条件である。
５）良好な記録消去の繰り返し特性が得られること。
【００４９】
我々が以前に行った実験によると、光入射側保護層９を２．０以上で且つ２．４以下の屈折率を有する材料で約１５０ｎｍの膜厚に形成し、記録層７上下の界面層６，８の膜厚を１ｎｍ以上で且つ１０ｎｍ以下とし、記録層７の膜厚を約９ｎｍとし、反射層側保護層５を２．０以上で且つ２．４以下の屈折率を有する材料で約４０ｎｍの膜厚に形成し、吸収層４の膜厚を約４０ｎｍとし、反射層３の膜厚を約１００ｎｍとした場合に、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの規格値を、各層の膜厚のトレランスをもって満足することができた。尚、界面層を設けない場合においては、サイクル特性が大幅に劣化するも、他特性を満足することができた。
【００５０】
ところで、前記実験において、光入射側保護層９を光入射側基板１１の屈折と同等以下とした場合にも、従来構成と全く同じ光学特性（反射率，記録層及び吸収層における光吸収率等）が得られ、後述する記録消去の繰り返し特性を除いて、従来と同等の記録・再生特性が得られた。
【００５１】
そして、この場合において、例えば光入射側保護層９をＳｉの酸化物（ＳｉＯ2）や、Ａｌの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）のように、光入射側基板１１よりも小さい屈折率の材料によって成形した場合には、従来構成に比べて光入射側保護層９の膜厚を大幅に薄くする（例えば１０分の１）ことが可能であるため、同じ構成の成膜装置を用いた場合、高速に成膜することが可能となる。
【００５２】
しかしながら、従来のＤＶＤ−ＲＡＭディスクの場合には、光入射側保護層の膜厚が薄くなり、記録層と光入射側保護層の間隔が狭くなると、光入射側基板は、情報記録のためのレーザ照射により記録層の温度上昇の影響を受けて膜面側が熱変形しやすくなる。これは以下の理由によるものと推測される。つまり、従来のＤＶＤ−ＲＡＭディスクの場合、光入射側基板の表面に案内溝が設けられており、この案内溝を有する光入射側基板の上に、光入射側保護層、光入射側界面層、記録層、反射層側界面層、反射層側保護層、吸収層、反射層の順に成膜していき（以下、正順成膜と称する）、最後に保護基板を貼り合わせるようにしている。このため、光入射側保護層を極端に薄くした場合、例えば、実験的に確認したところでは約５０ｎｍ以下の厚さの場合、より顕著には４０ｎｍ以下の厚さの場合には、記録のためのレーザ照射により、光入射側基板上の案内溝が変形し、これによって、記録消去の繰り返し特性が大幅に劣化することが分かった。
【００５３】
これに対して、上述してきた本発明のように、表面２に案内溝のある基板１の上に、従来とは逆の成膜順序、すなわち、反射層３、吸収層４、反射層側保護層５、反射層側界面層６、記録層７、光入射側界面層８、光入射側保護層９の順に成膜し（以下、逆順成膜と称する）、この光入射側保護層９の上に第１の樹脂層１０を介して光入射側基板１１を貼り合わせる逆順成膜では、各層の膜厚が従来と同じであっても、従来の正順成膜の場合と比べて、記録消去の繰り返し特性に関して大幅な向上が見られた。
【００５４】
これは、逆順成膜によって光情報記録媒体を構成する場合、基板１上に案内溝を設けることから、この案内溝と記録層７との距離が長くなることがまずその理由として考えられる。そして、記録層７と基板１上の案内溝との間に熱伝導率の大きい金属を主成分とする反射層３が介在しているので、記録層７からの熱がこの反射層３内を伝わり易く案内溝の方へ熱が伝わり難いことから案内溝が変形し難くなるものと考えられる。それ故、本発明は、光入射側保護層９の膜厚が薄い場合等の記録層７と光入射側基板１１との間隔が５０ｎｍ以下の場合に有効である。尚、光入射側保護層９の膜厚が厚いほど記録消去の繰り返し特性が良好なので、この層を省略することは基本的にできない。一方、光入射側保護層９が厚くなりすぎると、成膜効率を高めることが困難になる。
【００５５】
また、逆順成膜による構成の場合、光入射側保護層９の屈折率をｎ１とし、光入射側基板１１の屈折率をｎ３としたときに、これらｎ１，ｎ３に要求される大小関係は、以下の関係式（１）、
ｎ１≦ｎ３＋０．１      ・・・（１）
を満足していることが好ましく、より好ましくは、以下の関係式（２）、
ｎ１≦ｎ３      ・・・（２）
を満足していることが好ましい。さらに、屈折率の大小関係は、光入射側保護層９の屈折率と第１の樹脂層１０の屈折率との関係にも同様に適応される。即ち、光入射側保護層９の屈折率をｎ１とし、第１の樹脂層１０の屈折率をｎ２としたときに、ｎ１，ｎ２は、以下の関係式（３）、
ｎ１≦ｎ２＋０．１      ・・・（３）
を満足していることが好ましく、より好ましくは、以下の関係式（４）、
ｎ１≦ｎ２      ・・・（４）
を満足していることが好ましい。また、これらの屈折率の大小関係は、光入射側保護層９の屈折率ｎ１と第２の樹脂層１２の屈折率との関係にも同様に適用される。
【００５６】
光入射側保護層９の屈折率ｎ１、第１の樹脂層１０の屈折率ｎ２、光入射側基板１１の屈折率ｎ３が前記関係を有するのが好ましいのは、以下の理由による。すなわち、光入射側保護層９の屈折率ｎ１が光入射側基板１１の屈折率ｎ３よりも大きくなると、前記ＤＶＤ−ＲＡＭ構成を設計する上で考慮すべき５つの光学特性を満足するのが困難となり、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの規格値を満足する構成にすることが困難となる。そして、我々の行った検討結果では、光入射側保護層９の屈折率ｎ１が光入射側基板１１の屈折率ｎ３よりも０．１を超えて大きくなると、規格を満足できる構成を得ることができなかった。逆に、光入射側保護層９の屈折率ｎ１が光入射側基板１１の屈折率ｎ３よりも小さくなると、光入射側保護層９、記録層７、反射層側保護層５等の膜厚許容値を十分に広く取ることができる。この屈折率ｎ１と屈折率ｎ３との関係は、屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との関係にも当てはまる。
【００５７】
さらに、記録消去の繰り返し特性を向上させるためには、逆順成膜の構成に加え、第１の樹脂層１０を光入射側基板１１よりも耐熱性のある材料で構成するのが好ましい。つまり、第１の樹脂層１０を光入射側基板１１よりも軟化温度の高い材料で構成したり、第１の樹脂層１０を光入射側基板１１よりも硬度の高い材料で構成するのが好ましい。そして、この第１の樹脂層１０で屈折率の小さい光入射側保護層９を覆い、その上に光入射側基板１１を設ければよい。こうすることで、記録消去の繰り返し特性を向上できることを我々は実験的に確認した。
【００５８】
本実施形態では、第１の樹脂層１０及び第２の樹脂層１２を介して光入射側基板１１を貼り合せる構成としているが、これに代え、第１の樹脂層１０に光入射側基板１１を貼り合わせる構成としてもよい。ただし、この場合、第１の樹脂層１０に、接着剤としての役割と、記録時の昇温から光入射側基板１１の熱変形を回避する熱バリア層としての役割とを担わせることになるために、第１の樹脂層１０の材料選択の範囲が狭まってしまう。一方、本実施形態の如く、第１の樹脂層１０を記録時の熱バリア層としての役割に特化させ、第１の樹脂層１０の上に第２の樹脂層１２を介して光入射側基板１１を貼り合わせる構成、すなわち第２の樹脂層１２を接着剤としての役割に特化させる構成の方が、それぞれの材料の選択範囲が広がるというメリットが生じる。いずれの貼り合わせ構成であっても、第１の樹脂層１０は少なくとも１μｍ以上の厚みが必要である。第１の樹脂層１０が薄すぎると記録消去の繰り返し特性の改善効果が得られないからである。一方、第１の樹脂層１０が厚すぎると、この層を均一に形成することが困難となる。我々の技術では２０μｍを越えて均一な厚さの第１の樹脂層１０を形成することは困難であった。
【００５９】
なお、第１の樹脂層１０、第２の樹脂層１２及び光入射側基板１１の厚みの総和は、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクの場合、約０．６０ｍｍに設定する必要がある。
【００６０】
以上説明したように、本発明は、特にＤＶＤ−ＲＡＭディスク構成において、成膜タクトを短縮でき、しかも良好な記録消去の繰り返し特性が得られるディスク構成についての発明である。ただし、本発明は、ＤＶＤ−ＲＡＭディスクに適用が限られるものではなく、例えばＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷディスクにも同様に適応できる。
【００６１】
以下、本発明者らが実施した具体例について詳しく説明する。
【実施例１】
【００６２】
実施例１として、表１に示すように逆順成膜法による光ディスクを作成した。つまり、この実施例１では、表面が案内溝で覆われた基板１の上に反射層３、吸収層４、反射層側保護層５、反射層側界面層６、記録層７、光入射側界面層８、光入射側保護層９をこの順に成膜し、この光入射側保護層９に第１の樹脂層１０を介して光入射側基板１１を貼り合せた。この実施例１において、光入射側保護層９の厚みは、１ｎｍ、２０ｎｍ、４７ｎｍの３水準とした。
【００６３】
前記基板は、半径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製の基板であり、前記案内溝は、ピッチ１．２μｍ、溝深さ７０ｎｍの凹凸に形成される４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭフォーマットに形成されるものである。
【００６４】
比較例１として、表１に示すように正順成膜法による光ディスクを作成した。つまり、この比較例１では、表面が案内溝で覆われた光入射側基板１１の上に光入射側保護層９、光入射側界面層８、記録層７、反射層側界面層６、反射層側保護層５、吸収層４、反射層３をこの順に成膜し、この反射層３に樹脂層を介して基板１を貼り合せた。比較例１の各層の厚みは実施例１における層の厚みと同じである。そして、比較例１において、光入射側保護層９の厚みは、実施例１と同様に１ｎｍ、２０ｎｍ、４７ｎｍの３水準とした。
【００６５】
前記光入射側基板１１は、半径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製の基板であり、前記案内溝は、ピッチ１．２μｍ、溝深さ７０ｎｍの凹凸に形成される４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭフォーマットに形成されるものである。
【００６６】
【表１】
2005004950.tif 000003
【００６７】
これら光ディスクの記録層７をレーザ初期化装置を用いて結晶化させた後、図２に示す記録再生機２０を用いて、案内溝上（グルーブ）、及び案内溝間（ランド）に信号を記録し、かつ再生した。この記録再生機２０は、レーザ光源としての半導体レーザ２１と、ハーフミラー２２と、対物レンズ２３と、フォトディテクタ２４とを備える公知のものである。光ディスク２６はスピンドルモータ２７によって回転する。半導体レーザ２１から出射されたレーザ光は、ハーフミラー２２を通過した後、対物レンズ２３を介して光ディスク２６に集光される。そして、その反射光は、対物レンズ２３を通過した後、ハーフミラー２２によって反射されてフォトディテクタ２４で検出される。なお、この記録再生機２０には、図示省略しているがトラッキングサーボ機構とフォーカスサーボ機構とが設けられている。
【００６８】
記録及び再生に用いたレーザ光は波長６６０ｎｍのレーザ光であり、対物レンズのＮＡは、０．６である。記録情報は、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの規格に従い、記録線速度を８．２ｍ／ｓとして、変調方式８／１６、ＲＬＬ（２、１０）、最短マーク長０．４２μｍの信号を記録した。記録パワーは、再生信号のジッタ値が最小となるパワーを選択した実施例１及び比較例１のいずれのサンプルにおいても、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの規格を満足する記録特性を得ることができた。
【００６９】
この記録パワーにおいて、記録・消去の繰り返し特性（サイクル特性）の評価を実施した。このサイクル特性は、グルーブとランドのそれぞれにおいて、１回記録時の再生信号ジッタが３％劣化するサイクル回数により評価した。その実験結果を表２に示す。
【００７０】
【表２】
2005004950.tif 000004
【００７１】
表２からわかるように、逆順成膜した実施例１は、光入射側保護層９のいずれの厚みにおいても、正順成膜した比較例１に対してサイクル特性が改善されている。特に、光入射側保護層９の厚みが２０ｎｍ、４７ｎｍのときには、実施例１と比較例１との差は顕著である。なお、光入射側保護層９の厚みが１ｎｍのときのサイクル特性は、比較例１における厚み２０ｎｍ、４７ｎｍのときのサイクル特性よりも劣るが、成膜タクトタイムを短縮できるという効果がある。
【００７２】
さらに、第１の樹脂層１０を構成する材料についての検討を行ったところ、本材料の軟化温度及び硬度と、記録・消去の繰り返し特性とは強い相関をもつことがわかった。すなわち、本材料の軟化温度が高いほど、また硬度が高いほど、良好なサイクル特性が得られた。
【実施例２】
【００７３】
実施例２は、表３に示すように、反射層側界面層６が設けられていない点で実施例１と異なるものである。具体的に説明すると、この実施例２では、表面が案内溝で覆われた基板１の上に反射層３、吸収層４、反射層側保護層５、記録層７、光入射側界面層８、光入射側保護層９をこの順に成膜し（逆順成膜）、この光入射側保護層９に第１の樹脂層１０によって光入射側基板１１を貼り合せた。前記実施例１では、反射層側保護層５は、ＺｎＳにＳｉＯ2をモル百分率で２０％含有させて４０ｎｍの厚みに形成するとともに、反射層側界面層６は、Ｇｅ70Ｎ30により５ｎｍの厚みに形成したのに対し、この実施例２では、反射層側保護層５は、Ｇｅ70Ｎ30により４５ｎｍの厚みに形成し、反射層側界面層６を設けていない。この実施例２において、光入射側保護層９の厚みは、１ｎｍ、２０ｎｍ、４７ｎｍの３水準とした。
【００７４】
前記基板は、半径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製の基板であり、前記案内溝は、ピッチ１．２μｍ、溝深さ７０ｎｍの凹凸に形成される４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭフォーマットに形成されるものである。
【００７５】
比較例２は、表３に示すように正順成膜によって作成したものである。つまり、表面が案内溝で覆われた光入射側基板１１の上に光入射側保護層９、光入射側界面層８、記録層７、反射層側保護層５、吸収層４、反射層３をこの順に成膜し、この反射層３に樹脂層を介して基板１を貼り合せた。この比較例２は、実施例２と同様に、反射層側保護層５は、Ｇｅ70Ｎ30により４５ｎｍの厚みに形成し、反射層側界面層を設けていない。この比較例２において、光入射側保護層９の厚みは、１ｎｍ、２０ｎｍ、４７ｎｍの３水準とした。
【００７６】
前記光入射側基板１１は、半径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製の基板であり、前記案内溝は、ピッチ１．２μｍ、溝深さ７０ｎｍの凹凸に形成される４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭフォーマットに形成されるものである。
【００７７】
【表３】
2005004950.tif 000005
【００７８】
実施例１と同様に、これら光ディスクの記録層７をレーザ初期化装置を用いて結晶化させた後、図２に示す記録再生機２０を用いて、案内溝上（グルーブ）、及び案内溝間（ランド）に信号を記録し、かつ再生した。実施例２及び比較例２のいずれのサンプルにおいても、４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭの規格を満足する記録特性を得ることができた。
【００７９】
次に、前記実施例１と同様に記録・消去の繰り返し特性（サイクル特性）の評価を実施した。その実験結果を表４に示す。
【００８０】
【表４】
2005004950.tif 000006
【００８１】
表４からわかるように、逆順成膜した実施例２は、光入射側保護層９のいずれの厚みにおいても、正順成膜した比較例２に対してサイクル特性が改善されている。特に、光入射側保護層９の厚みが２０ｎｍ、４７ｎｍのときには、実施例２と比較例２との差は顕著である。なお、光入射側保護層９の厚みが１ｎｍのときのサイクル特性は、比較例２における厚み２０ｎｍ、４７ｎｍのときのサイクル特性よりも劣るが、成膜タクトタイムを短縮できるという効果がある。
【００８２】
さらに、第１の樹脂層を構成する材料についての検討を行ったところ、本材料の軟化温度及び硬度と、記録・消去の繰り返し特性とは強い相関をもつことがわかった。すなわち、本材料の軟化温度が高いほど、また硬度が高いほど、良好なサイクル特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施形態に係る光情報記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】光情報記録媒体の記録・再生を行う記録再生装置を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００８４】
１    基板
２    表面
３    反射層
４    吸収層
５    反射層側保護層
６    反射層側界面層
７    記録層
８    光入射側界面層
９    光入射側保護層
１０    第1の樹脂層
１１    光入射側基板
１２    第２の樹脂層
【図１】
2005004950.tif 000007
【図２】
2005004950.tif 000008