(57)【要約】【課題】  粘着剤を含有せず、表面の凹凸形状に対する追従性及び十分な柔らかさを有し、強度に優れ、更に耐熱性に優れるダイシングフィルム、並びに、このダイシングフィルムを用いた半導体ウェハの切断方法を提供する。【解決手段】  本ダイシングフィルムは、ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種の重合体を含むエラストマー組成物からなる。上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物は、共役ジエンのブロック重合体の水素添加物、共役ジエン及び芳香族ビニル化合物からなるブロック共重合体の水素添加物等が好ましい。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種の重合体を含むエラストマー組成物からなることを特徴とするダイシングフィルム。
【請求項２】
上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物は、共役ジエンのブロック重合体の水素添加物並びに共役ジエン及び芳香族ビニル化合物からなるブロック共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載のダイシングフィルム。
【請求項３】
上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物は、ビニル結合含量が２５％未満であるブタジエン重合体ブロック（Ｉ）と、共役ジエン単位（ａ１）及び他の単量体単位（ａ２）の質量比が（ａ１）／（ａ２）＝（１００〜５０）／（０〜５０）であり、ビニル結合含量が２５〜９５％である重合体ブロック（ＩＩ）とを、それぞれ分子中に少なくとも１つ有するジエン系ブロック重合体中の、オレフィン性不飽和結合が水素添加されたものである請求項１又は２に記載のダイシングフィルム。
【請求項４】
上記エラストマー組成物は、液状材料を含み、該液状材料の含有量は、重合体成分の合計１００質量部に対して、５０〜５０００質量部である請求項１乃至３のいずれかに記載のダイシングフィルム。
【請求項５】
上記極性基変性オレフィン系重合体は、極性基変性エチレン・α−オレフィン共重合体及び極性基変性エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体から選ばれる少なくとも１種であり、且つ、上記エラストマー組成物は、金属イオン及び／又は金属化合物を含む請求項１に記載のダイシングフィルム。
【請求項６】
上記極性基は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アルコキシシリル基、スルホン酸基及びニトリル基から選ばれる請求項５に記載のダイシングフィルム。
【請求項７】
上記エラストマー組成物の少なくとも一部が架橋されている請求項１乃至６のいずれかに記載のダイシングフィルム。
【請求項８】
厚さが１０〜３０００μｍである請求項１乃至７のいずれかに記載のダイシングフィルム。
【請求項９】
本ダイシングフィルムの少なくとも１面に保護フィルムを備える請求項１乃至８のいずれかに記載のダイシングフィルム。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のダイシングフィルムを用いた半導体ウェハの切断方法であって、半導体ウェハの回路面を上記ダイシングフィルムに貼り付ける工程（Ｉ）と、上記半導体ウェハを所定形状の素子小片に切断する工程（ＩＩ）と、を順次備えることを特徴とする半導体ウェハの切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法に関する。更に詳しくは、半導体ウェハを素子小片に切断する工程においてウェハの裏面に貼り付けられて半導体ウェハを保持するためのダイシングフィルム、及び、このダイシングフィルムを用いた半導体ウェハの切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製品は、年々小型化あるいは薄型化し、これに伴い、製造における各工程において破損、不良等が発生しないよう工夫、対策が講じられている。例えば、シリコン等からなる大型の半導体ウェハを素子小片にするために、バックグラインド工程において裏面研削され、薄膜化された後、ダイシング工程にて切断分離される。このダイシング工程においては、一時的な接着等の目的に粘着剤、粘着シートが用いられる。このような用途の粘着剤は、特許文献１等に、また、粘着シートは、特許文献２等に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３２８６６３号公報
【特許文献２】特開昭６４−６４７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
粘着剤を含む粘着シートを用いる限りにおいては、半導体ウェハ等の表面における粘着剤の残存を完全に避けられないことがあり、粘着剤が残存すると不良品の発生を招くこととなる。また、粘着シートの表面が半導体ウェハ等の表面の凹凸を十分に吸収せず、界面に空隙が発生すると、切断の際に破損、欠けが発生し、歩留まりの低下を招くこととなる。
本発明は、粘着剤を含有しなくとも半導体ウェハ等を保持することができ、十分な柔軟性を有し、強度に優れ、更に耐熱性に優れるダイシングフィルム、並びに、このダイシングフィルムを用いた半導体ウェハの切断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下に示される。
１．ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種の重合体を含むエラストマー組成物からなることを特徴とするダイシングフィルム。
２．上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物は、共役ジエンのブロック重合体の水素添加物並びに共役ジエン及び芳香族ビニル化合物からなるブロック共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種である上記１に記載のダイシングフィルム。
３．上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物は、ビニル結合含量が２５％未満であるブタジエン重合体ブロック（Ｉ）と、共役ジエン単位（ａ１）及び他の単量体単位（ａ２）の質量比が（ａ１）／（ａ２）＝（１００〜５０）／（０〜５０）であり、ビニル結合含量が２５〜９５％である重合体ブロック（ＩＩ）とを、それぞれ分子中に少なくとも１つ有するジエン系ブロック重合体中の、オレフィン性不飽和結合が水素添加されたものである上記１又は２に記載のダイシングフィルム。
４．上記エラストマー組成物は、液状材料を含み、この液状材料の含有量は、重合体成分の合計１００質量部に対して、５０〜５０００質量部である上記１乃至３のいずれかに記載のダイシングフィルム。
５．上記極性基変性オレフィン系重合体は、極性基変性エチレン・α−オレフィン共重合体及び極性基変性エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体から選ばれる少なくとも１種であり、且つ、上記エラストマー組成物は、金属イオン及び／又は金属化合物を含む上記１に記載のダイシングフィルム。
６．上記極性基は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アルコキシシリル基、スルホン酸基及びニトリル基から選ばれる上記５に記載のダイシングフィルム。
７．上記エラストマー組成物の少なくとも一部が架橋されている上記１乃至６のいずれかに記載のダイシングフィルム。
８．厚さが１０〜３０００μｍである上記１乃至７のいずれかに記載のダイシングフィルム。
９．本ダイシングフィルムの少なくとも１面に保護フィルムを備える上記１乃至８のいずれかに記載のダイシングフィルム。
１０．上記１乃至９のいずれかに記載のダイシングフィルムを用いた半導体ウェハの切断方法であって、半導体ウェハの回路面を上記ダイシングフィルムに貼り付ける工程（Ｉ）と、上記半導体ウェハを所定形状の素子小片に切断する工程（ＩＩ）と、を順次備えることを特徴とする半導体ウェハの切断方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のダイシングフィルムは、粘着剤を含有しなくとも半導体ウェハ等を保持することができ、十分な柔軟性を有し、強度に優れ、更に耐熱性に優れるため、このフィルムを用いた半導体ウェハの切断方法に好適である。
特定の重合体を架橋してなるフィルムである場合には、特に柔軟性、自己粘着性、更には剥離性等に優れる。
また、本ダイシングフィルムの少なくとも１面に保護フィルムを備える場合には、取り扱いがしやすくなる。
本発明の半導体ウェハの切断方法によれば、半導体ウェハに対し、破損、欠け等の不良を発生させることなく、所定形状の素子小片を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明のダイシングフィルムは、ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種の重合体を含むエラストマー組成物からなることを特徴とするものである。
【０００８】
まず、ジエン系ブロック重合体の水素添加物について説明する。
上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物は、ジエン系ブロック重合体の水素添加物であれば特に限定されない。このジエン系ブロック重合体は、共役ジエンのブロック共重合体であってもよいし、共役ジエンと１種以上の他の単量体とからなるブロック共重合体であってもよい。従って、上記ジエン系ブロック重合体のブロック構造としては、（Ａ−Ｂ）ｍＡ、（Ｂ−Ａ）ｍＢ、（Ａ−Ｂ−Ａ）ｍ、（Ｂ−Ａ−Ｂ）ｍ等が挙げられ、更に、（Ａ−Ｂ）ｍＸ、（Ｂ−Ａ）ｍＸ、（Ａ−Ｂ−Ａ）ｍＸ、（Ｂ−Ａ−Ｂ）ｍＸ等のように、カップリング剤残基Ｘを介して重合体分子鎖が延長又は分岐されたものでもよい。各一般式において、「Ａ」は共役ジエン単位を主体とするブロック、「Ｂ」は他の共役ジエン単位又は他の単量体単位を主体とするブロック、ｍは１以上の整数である。
【０００９】
上記共役ジエンとしては、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエン、クロロプレン等が挙げられる。これらのうち、１，３−ブタジエン、イソプレン及び１，３−ペンタジエンが好ましく、特に１，３−ブタジエン及びイソプレンが好ましい。尚、上記例示した化合物は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの共役ジエンを用いたブロック共重合体としては、２種以上のブタジエン重合体ブロックを有するポリブタジエン、２種以上のイソプレン重合体ブロックを有するポリイソプレン等が挙げられる。
【００１０】
また、共重合体とする場合の他の単量体としては、スチレン、ｔ−ブチルスチレン、α−メチルスチレン、α−クロロスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノスチレン等の芳香族ビニル化合物；（メタ）アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物；ビニルピリジン等の窒素原子含有ビニル化合物等が挙げられる。これらのうち、芳香族ビニル化合物が好ましく、中でも、スチレン及びα−メチルスチレンが好ましい。尚、上記例示した化合物は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。上記ジエン系ブロック重合体が共役ジエンと他の単量体とからなるブロック共重合体である場合、共役ジエン単位は、ランダム、テーパー（分子鎖に沿って単量体単位が増加又は減少するもの）及び一部ブロックから選ばれる分布であってよい。
【００１１】
共役ジエンと１種以上の他の単量体とからなるブロック共重合体としては、スチレン・ブタジエンブロック共重合体、スチレン・イソプレンブロック共重合体、イソブチレン・イソプレンブロック共重合体、アクロルニトリル・ブタジエンブロック共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体等が挙げられる。
【００１２】
本発明に関わるジエン系ブロック重合体の水素添加物とするためのジエン系ブロック重合体としては、ビニル結合含量が２５％未満であるブタジエン重合体ブロック（Ｉ）と、共役ジエン単位（ａ１）及び他の単量体単位（ａ２）の質量比が（ａ１）／（ａ２）＝（１００〜５０）／（０〜５０）であり、ビニル結合含量が２５〜９５％である重合体ブロック（ＩＩ）とを、それぞれ分子中に少なくとも１つ有するジエン系ブロック重合体（以下、「重合体（Ｐ）」という。）が好ましい。
【００１３】
上記ブタジエン重合体ブロック（Ｉ）において、ビニル結合（１，２−ビニル結合）の含量は、好ましくは２５％未満、より好ましくは５〜２０％、更に好ましくは７〜１９％である。従って、上記ブタジエン重合体ブロック（Ｉ）は、水素添加によりエチレン・ブテン共重合体に類似した構造を示す結晶性のブロックとなる。ビニル結合含量を上記範囲とすることにより、成形体の力学的性質及び形状保持性を向上させることができる。
【００１４】
また、上記重合体ブロック（ＩＩ）は、共役ジエン単位のみからなるブロックであってもよいし、共役ジエン単位（ａ１）と他の単量体単位（ａ２）とからなるブロックであってもよい。共役ジエン単位（ａ１）及び他の単量体単位（ａ２）の質量比（ａ１）／（ａ２）は、好ましくは（１００〜５０）／（０〜５０）であり、より好ましくは（１００〜７０）／（０〜３０）、更に好ましくは（１００〜９０）／（０〜１０）である。このような範囲とすることにより、粘弾性に優れた成形体を得ることができる。
尚、上記重合体ブロック（ＩＩ）において、ビニル結合（１，２−ビニル結合及び３，４−ビニル結合）の含量は、好ましくは２５〜９５％であり、より好ましくは２５〜９０％、更に好ましくは３０〜８５％である。
【００１５】
従って、上記重合体（Ｐ）としては、ブタジエン重合体ブロック（Ｉ）を「Ａ１」、重合体ブロック（ＩＩ）を「Ｂ１」とした場合、（Ａ１−Ｂ１）ｍ１、（Ａ１−Ｂ１）ｍ２−Ａ１、（Ｂ１−Ａ１）ｍ３−Ｂ１等で表されるものを用いることができる。各一般式において、ｍ１〜ｍ３は１以上の整数を示す。
また、上記重合体（Ｐ）は、トリブロック以上のブロックを有する共重合体であれば、水素添加物とした場合に形状保持性及び力学的性質により優れる成形体を得ることができる。従って、上記一般式において、ｍ１は、２以上の整数であることが好ましい。
【００１６】
尚、上記重合体（Ｐ）は、上記ブタジエン重合体ブロック（Ｉ）及び上記重合体ブロック（ＩＩ）をそれぞれ分子中に少なくとも１つ有していればよく、これら以外に、他のブロック、例えば、共役ジエン単位以外の他の単量体単位からなるブロックを有する重合体であってもよい。
【００１７】
上記重合体（Ｐ）を構成する上記ブタジエン重合体ブロック（Ｉ）及び上記重合体ブロック（ＩＩ）の含有割合（Ｉ）／（ＩＩ）は、好ましくは（７０〜１０）／（３０〜９０）、より好ましくは（５０〜１０）／（５０〜９０）、更に好ましくは（４０〜１５）／（６０〜８５）である。上記各ブロックの含有割合を上記範囲とすることにより、形状保持性及び力学的性質に特に優れた成形体を得ることができる。
【００１８】
尚、上記重合体（Ｐ）においても、（Ａ１−Ｂ１）ｎＸ、（Ｂ１−Ａ１）ｎＸ、（Ａ１−Ｂ１−Ａ１）ｎＸ、（Ｂ１−Ａ１−Ｂ１）ｎＸ等のように、カップリング剤残基Ｘを介して重合体分子鎖が延長又は分岐されたものでもよい。各一般式において、ｎは２以上の整数を示す。また、上記各一般式において、ｎが３以上の場合、形状保持性、ホットメルト粘・接着性に優れた成形体を得ることができる。
上記カップリング剤としては、１，２−ジブロモエタン、メチルジクロロシラン、トリクロロシラン、メチルトリクロロシラン、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、ジビニルベンゼン、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジオクチル、ベンゼン−１，２，４−トリイソシアナート、トリレンジイソシアナート、エポキシ化１，２−ポリブタジエン、エポキシ化アマニ油、テトラクロロゲルマニウム、テトラクロロスズ、ブチルトリクロロスズ、ブチルトリクロロシラン、ジメチルクロロシラン、１，４−クロロメチルベンゼン、ビス（トリクロロシリル）エタン等が挙げられる。
【００１９】
上記重合体（Ｐ）の水素添加物の形成にあたっては、特開平２−１３３４０６号公報、特開平３−１２８９５７号公報、特開平５−１７０８４４号公報等に開示される方法等によって得ることができる。得られる水素添加物の水添率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは９０％以上である。水添率が高いほど、成形体とした場合の形状保持性及び力学的性質を向上させることができる。
【００２０】
上記エラストマー組成物がジエン系ブロック共重合体の水素添加物を主とする場合、成形体の柔軟性に影響を与えないものであれば、他の重合体を含有してもよい。他の重合体は樹脂であってもよいし、エラストマー（ゴムを含む）であってもよい。更には、樹脂及びエラストマーを組み合わせてもよい。他の重合体としては、水添重合体でない、即ち水素添加されていないジエン系重合体、アクリル系重合体、ウレタン系重合体、ポリアミド系重合体、ポリエステル系重合体、塩化ビニル系重合体、フッ素系重合体、シリコーン系重合体等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２１】
上記ジエン系重合体としては、ポリブタジエン、ポリイソプレン、スチレン・ブタジエン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体、イソブチレン・イソプレン共重合体、アクロルニトリル・ブタジエン共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２２】
尚、上記イソブチレン・イソプレン共重合体は、一般に「ブチルゴム」として用いられるものであるが、イソブチレン及びイソプレンと、更に他の単量体、例えば極性基を有する化合物（以下、「極性基含有化合物」ともいう。）との共重合体あるいはこれらの部分架橋共重合体であってもよい。
【００２３】
上記極性基含有化合物としては、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシシリル基、ニトリル基等から選ばれる少なくとも１種を有する有機化合物を用いることができる。
また、上記部分架橋共重合体は、これらの極性基含有化合物に多官能性不飽和結合を有する化合物を共重合することにより得られるが、この化合物としては、多価アリル化合物、多価（メタ）アクリレート化合物、ジビニル化合物、ビスマレイミド化合物、ジオキシム化合物等が挙げられる。
【００２４】
上記ブチルゴムとしては、イソブチレン・イソプレン共重合体等がハロゲン化された塩素化イソブチレン・イソプレン共重合体、臭素化イソブチレン・イソプレン共重合体等であってもよい。
【００２５】
上記アクリル系重合体としては、アクリル酸アルキルエステルを含む単量体から得られる重合体等が挙げられる。
上記アクリル酸アルキルエステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、イソアミルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、２−メチルペンチルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−ドデシルアクリレート、ｎ−オクタデシルアクリレート、シアノメチルアクリレート、１−シアノエチルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、１−シアノプロピルアクリレート、２−シアノプロピルアクリレート、３−シアノプロピルアクリレート、４−シアノブチルアクリレート、６−シアノヘキシルアクリレート、２−エチル−６−シアノヘキシルアクリレート、８−シアノオクチルアクリレート等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
上記アクリル系重合体は、アクリル系アクリルエステルと他の単量体との共重合体、例えば、アクリルゴムであってもよく、その場合には、アクリル酸アルコキシアルキルエステル、エチレン性不飽和化合物、架橋性化合物等を他の単量体として用いることができる。
上記アクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−（ｎ−プロポキシ）エチルアクリレート、２−（ｎ−ブトキシ）エチルアクリレート、３−メトキシプロピルアクリレート、３−エトキシプロピルアクリレート、２−（ｎ−プロポキシ）プロピルアクリレート、２−（ｎ−ブトキシ）プロピルアクリレート等が挙げられる。
【００２７】
上記エチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２−ペンテン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のカルボキシル基を有する化合物；１，１−ジヒドロペルフルオロエチル（メタ）アクリレート、１，１−ジヒドロペルフルオロプロピル（メタ）アクリレート、１，１，５−トリヒドロペルフルオロヘキシル（メタ）アクリレート、１，１，２，２−テトラヒドロペルフルオロプロピル（メタ）アクリレート、１，１，７−トリヒドロペルフルオロヘプチル（メタ）アクリレート、１，１−ジヒドロペルフルオロオクチル（メタ）アクリレート、１，１−ジヒドロペルフルオロデシル（メタ）アクリレート等の含フッ素アクリル酸エステル；１−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基を有する化合物；ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等の第３級アミノ基を有する単量体；メチルメタクリレート、オクチルメタクリレート等のメタクリル酸エステル；メチルビニルケトン等のアルキルビニルケトン；ビニルエチルエーテル、アリルメチルエーテル等のビニル及びアリルエーテル；スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、ビニルトルエン等のビニル芳香族化合物；アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物；エチレン、プロピレン、ブテン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、アルキルフマレート等が挙げられる。
【００２８】
上記架橋性化合物としては、ジエン系化合物、ジヒドロジシクロペンタジエニル基を有する（メタ）アクリル酸エステル、エポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物、活性ハロゲン含有エチレン性不飽和化合物、カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物、活性水素基を有するエチレン性不飽和化合物等が挙げられる。
【００２９】
上記ウレタン系重合体としては、有機ジイソシアネート、高分子ジオール及び鎖伸長剤を反応させて得られるもの等が挙げられる。
上記有機ジイソシアネートとしては、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、１，５−ナフチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート類；ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート等の脂肪族又は脂環式ジイソシアネート類等が挙げられる。これらの有機ジイソシアネートは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３０】
また、上記高分子ジオールとしては、ポリエステルジオール、ポリエーテルジオール、ポリカーボネートジオール、ポリエステルポリカーボネートジオール、ポリエステルポリエーテルジオール等が挙げられる。
これらのうち、ポリエステルジオールとしては、脂肪族ジオールと脂肪族ジカルボン酸又はこれらのエステル形成性誘導体の反応により得られた脂肪族ポリエステルジオール、脂肪族ジオールと芳香族ジカルボン酸又はそれらのエステル形成性誘導体の反応により得られた芳香族ポリエステルジオール等が挙げられる。また、ポリエーテルジオールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール又はそれらのブロック共重合体等が挙げられる。更に、ポリカーボネートジオールとしては、脂肪族ジオールとカーボネート化合物との反応により得られたポリカーボネートジオール、ビスフェノールＡ等の芳香族ジオールとカーボネート化合物との反応により得られたポリカーボネートジオール等が挙げられる。これらの高分子ジオールは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３１】
上記鎖伸長剤としては、従来から公知の鎖伸長剤を用いることができ、イソシアネート基と反応し得る活性水素原子を分子中に２個以上有する分子量３００以下の低分子化合物、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−ビス（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，４−シクロヘキサンジオール、ビス−（β−ヒドロキシエチル）テレフタレート、キシリレングリコール等のジオール類；ヒドラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、キシリレンジアミン、イソホロンジアミン、ピペラジン及びその誘導体、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、キシレンジアミン、アジピン酸ジヒドラジン、イソフタル酸ジヒドラジン等のジアミン類、アミノエチルアルコール、アミノプロピルアルコール等のアミノアルコール類等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
上記ポリアミド系重合体としては、ポリアミドからなるハードセグメントと、ポリエステル、ポリエーテル、ポリエステル・ポリエーテル等からなるソフトセグメントとから構成される共重合体等が挙げられる。
【００３３】
上記ポリアミドセグメントとしては、ω−アミノカプロン酸、ω−アミノエナント酸、ω−アミノカプリル酸、ω−アミノペルゴン酸、ω−アミノカプリン酸、１１−アミノウンデカン酸、１２−アミノドデカン酸等の炭素数が６以上のアミノカルボン酸から誘導されるセグメント；カプロラクタム、ラウリロラクタム等のラクタムから誘導されるセグメント；エチレンジアミン、１，２−プロピレンジアミン、１，３−プロピレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、３−メチル−１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、１，７−ヘプタンジアミン、１，８−オクタンジアミン、２−メチル−１，８−オクタンジアミン、１，９−ノナンジアミン、１，１０−デカンジアミン、１，１１−ウンデカンジアミン、１，１２−ドデカンジアミン、シクロヘキサンジアミン等のジアミン成分と、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、テレフタル酸、イソフタル酸、オルトフタル酸、ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、ジフェニル−４，４’−ジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸等のジカルボン酸成分とから誘導されるセグメント等が挙げられる。
【００３４】
上記ポリエステルセグメントとしては、ω−オキシカプロン酸等のヒドロキシカルボン酸から誘導されるセグメント；ε−カプロラクトン等のラクトンから誘導されるセグメント；グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、テレフタル酸、イソフタル酸、オルトフタル酸、ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、ジフェニル−４，４’−ジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸等のジカルボン酸成分と、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジオール等のジオール成分とから誘導されるセグメント等が挙げられる。
【００３５】
また、上記ポリエーテルセグメントとしては、ポリメチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリヘキサメチレングリコール等のセグメント等が挙げられる。
【００３６】
更に、上記ポリエステルポリエーテルセグメントとしては、上記したポリエステルセグメントのジカルボン酸成分と、ポリメチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリヘキサメチレングリコール等のジオール成分とから誘導されるセグメント等が挙げられる。
【００３７】
上記ポリエステル系重合体としては、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルをハードセグメントとし、ポリテトラメチレングリコールエーテル（ＰＴＭＧ）、ＰＴＭＥＧＴ（ＰＴＭＧとテレフタル酸との縮合物）等のポリエーテルをソフトセグメントとするポリエステル・ポリエーテル型重合体；ポリエステルをハードセグメントとし、ポリカプロラクトン等の脂肪族ポリエステルをソフトセグメントとするポリエステル・ポリエステル型重合体等が挙げられる。
【００３８】
上記フッ素系重合体としては、フッ化ビニリデンを含む単量体から得られる重合体等が挙げられる。他の単量体としては、パーフルオロビニルエーテル、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、エチレン、プロピレン、架橋性化合物等が挙げられる。
上記以外に、エチレン・酢酸ビニル共重合体、スチレン系重合体、ポリカーボネート、ポリアセタール、エポキシ系重合体等の重合体を用いることもできる。
【００３９】
これら他の重合体を用いる場合の含有量は、上記ジエン系ブロック重合体の水素添加物１００質量部に対し、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは１〜９０質量部、更に好ましくは１〜８０質量部である。
【００４０】
また、上記エラストマー組成物がジエン系ブロック共重合体の水素添加物を主とする場合、更に液状材料を含有してもよい。この液状材料としては特に限定されないが、４０℃における動粘度が５００ｍｍ２／ｓ（１ｍｍ２／ｓ＝１０ｃＳｔ）以下であるものが好ましい。より好ましい動粘度は４００ｍｍ２／ｓ以下、更に好ましくは０．１〜１００ｍｍ２／ｓである。このような液状材料としては、軟化剤、可塑剤、滑剤、液状重合体等を好適に用いることができる。
【００４１】
軟化剤としては、パラフィン系油等の石油系軟化剤、エチレン・α−オレフィン系オリゴマー、ギルソナイト等の鉱物油系軟化剤、オレイン酸、リシノール酸等の脂肪酸等が挙げられる。
可塑剤としては、フタル酸誘導体、イソフタル酸誘導体、テトラヒドロフタル酸誘導体、アジピン酸誘導体、セバシン酸誘導体、フマル酸誘導体、クエン酸誘導体、アゼライン酸誘導体、リン酸誘導体、マレイン酸誘導体等の各種脂肪酸の誘導体等が挙げられる。
滑剤としては、パラフィン系滑剤、炭化水素系滑剤、金属セッケン等が挙げられる。
また、液状重合体としては、液状ポリブタジエン、液状スチレン・ブタジエンゴム等の液状ゴム、ポリイソブチレン、シリコーンオイル等が挙げられる。
上記例示した液状材料は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
上記液状材料を用いる場合のその使用量は、上記エラストマー組成物に含有される重合体の全量を１００質量部とした場合、好ましくは５０〜５０００質量部、より好ましくは５０〜４０００質量部、更に好ましくは５０〜３０００質量部、特に好ましくは１００〜２０００質量部である。上記液状材料の配合量が５０質量部未満であると、所望の弾性率を有する成形体が得られない場合がある。一方、上記液状材料の配合量が５０００質量部を超えると、成形体から液状材料がにじみ出ることがある。
【００４３】
本発明のダイシングフィルムが、上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物を主とするエラストマー組成物からなるものである場合、このジエン系ブロック共重合体の水素添加物を含む重合体は架橋されていてもよいし、されていなくてもよい。架橋させる場合の方法としては、公知の架橋剤を用いる方法、紫外線、電子線等の放射線照射による方法等が挙げられる。
【００４４】
架橋剤を用いる場合には、例えば、有機過酸化物、硫黄、硫黄含有化合物等を用いることができる。
上記有機過酸化物としては、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，１−ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オクタン、１，１−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン、１，３−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−イソプロピル）ベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ−（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、ベイゾイルパーオキサイド、ｍ−トルイルパーオキサイド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシ−イソプロピルカーボナート、ｔ−ブチルパーオキシアリルカーボナート等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物を含む重合体が架橋構造を有する場合には、エラストマー組成物の少なくとも一部が三次元骨格を形成しており、耐熱性がより向上し、加熱を必要としたり、発熱を伴ったりする半導体ウェハの切断方法に用いる際においても有用である。
【００４６】
次に、極性基変性オレフィン系重合体について説明する。上記極性基変性オレフィン系重合体としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、エチレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体等に極性基を有するもの等が挙げられ、これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。上記極性基としては、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アルコキシシリル基、スルホン酸基、ニトリル基等が挙げられる。これらの極性基は１分子に１種のみ有してもよいし、２種以上有してもよい。
【００４７】
尚、上記エチレン・α−オレフィン共重合体及びエチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体におけるα−オレフィンは、エチレンを除くα−オレフィンであるものとする。このα−オレフィンとしては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、１−オクテン、１−デセン、１−ウンデセン等が挙げられ、炭素数が３〜１２であるα−オレフィンが好ましく、特に、プロピレン及び１−ブテンが好ましい。尚、上記例示したα−オレフィンは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
上記エチレン・α−オレフィン共重合体としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・１−ペンテン共重合体、エチレン・３−メチル−１−ブテン共重合体、エチレン・１−ヘキセン共重合体、エチレン・３−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン・４−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン・３−エチル−１−ペンテン共重合体、エチレン・１−オクテン共重合体、エチレン・１−デセン共重合体、エチレン・１−ウンデセン共重合体等が挙げられる。これらのうち、エチレン・プロピレン共重合体及びエチレン・１−ブテン共重合体が好ましい。尚、上記例示したエチレン・α−オレフィン共重合体は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
また、エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体とする場合の上記非共役ジエンとしては、１，４−ペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、１，７−オクタジエン、１，９−デカジエン、３，６−ジメチル−１，７−オクタジエン、４，５−ジメチル−１，７−オクタジエン、５−メチル−１，８−ノナジエン、ジシクロペンタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、２，５−ノルボルナジエン等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
上記エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体としては、エチレン・プロピレン・ジシクロペンタジエン共重合体、エチレン・プロピレン・５−エチリデン−２−ノルボルネン共重合体、エチレン・１−ブテン・ジシクロペンタジエン共重合体、エチレン・１−ブテン・５−エチリデン−２−ノルボルネン共重合体等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
尚、上記エチレン・α−オレフィン共重合体及び上記エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体が上記極性基を有するものとするためには、各重合体の形成において、上記極性基を有する不飽和化合物を単量体として用いればよい。このような不飽和化合物は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記不飽和化合物の使用量は、単量体全量に対して、好ましくは０．０１〜１０モル％、より好ましくは０．１〜５モル％である。
【００５０】
カルボキシル基を有する不飽和化合物としては、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸、下記一般式（１）で表される環式化合物等を用いることができる。
【化１】
2005191297.tif 000002
（上記一般式（１）において、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又は−ＣＯＯＨであり、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち少なくとも１つは−ＣＯＯＨであり、また、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち２つ以上が−ＣＯＯＨである場合は、それらは互いに連結して形成された酸無水物（−ＣＯ−（Ｏ）−ＣＯ−）であってもよい。ｐは０〜２の整数であり、ｑは０〜５の整数である。）
【００５１】
上記環式化合物としては、５，６−ジメチル−５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５，６−ジエチル−５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５，６−ジメチル−５，６−ビス（カルボキシメチル）−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５，６−ジエチル−５，６−ビス（カルボキシメチル）−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−エチル−５−カルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−カルボキシ−５−カルボキシメチル−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−メチル−５−カルボキシメチル−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、５−エチル−５−カルボキシメチル−ビシクロ［２．２．１］−２−ヘプテン、８，９−ジメチル−８，９−ジカルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−３−ドデセン、８，９−ジエチル−８，９−ジカルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−３−ドデセン、８−メチル−８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−３−ドデセン、８−エチル−８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−３−ドデセン等が挙げられる。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
上記一般式（１）で表される化合物を用いる場合のその使用量は、単量体全量に対して、好ましくは０．０１〜５モル％、より好ましくは０．０１〜４モル％である。
上記一般式（１）で表される化合物を共重合させることにより得られた極性基変性エチレン・α−オレフィン共重合体又は極性基変性エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体は、ランダム共重合体であることが好ましい。また、これらのランダム共重合体の、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗは、好ましくは１，０００〜３，０００，０００、より好ましくは３，０００〜１，０００，０００、更に好ましくは５，０００〜７００，０００である。
【００５３】
上記エラストマー組成物が極性基変性オレフィン系重合体を主とする場合、成形体の柔軟性に影響を与えないものであれば、他の重合体を含有してもよい。他の重合体は樹脂であってもよいし、エラストマー（ゴムを含む）であってもよい。更には、樹脂及びエラストマーを組み合わせてもよい。他の重合体としては、上記において例示したものを用いることができる。
これら他の重合体を用いる場合の含有量は、上記極性基変性オレフィン系重合体１００質量部に対し、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは１〜９０質量部、更に好ましくは１〜８０質量部である。
【００５４】
本発明のダイシングフィルムが、上記極性基変性オレフィン系重合体を主とするエラストマー組成物からなるものである場合、この極性基変性オレフィン系重合体を含む重合体は架橋されていることが好ましい。これによって、本発明のダイシングフィルムは、耐熱性に優れ、加熱を必要としたり、発熱を伴ったりする半導体ウェハの切断方法に用いる際においても有用である。
【００５５】
上記一般式（１）で表される環式化合物を用いて得られた共重合体に化学的架橋構造又はそれと類似した拘束点を有する構造を形成させる場合には、金属イオン、金属化合物等を用いることができる。この金属イオンは、以下に例示する元素のイオン及びこの元素を含む金属化合物のイオンも意味する。この金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウム、チタン、亜鉛、銅、鉄、錫、鉛、ジルコニウム等周期表第Ｉ〜ＶＩＩＩ族の元素等が挙げられる。これらの元素を含むイオンは、上記で得られたランダム共重合体中の官能基に対するイオン結合あるいは静電的な結合により共重合体どうしの間に架橋構造を形成することもできる。尚、上記金属化合物のイオンとするための物質としては、各金属の酸化物、水酸化物、塩、錯体（金属カルボキシレート、金属アセチルアセトナート等）、金属元素を含む有機化合物（炭素数が１〜８から選ばれ、且つ、金属元素を含むアルコキシド等）等が挙げられる。
【００５６】
上記イオンとするための物質の使用量は、上記一般式（１）で表される環式化合物を用いて得られた共重合体を構成する環式化合物より形成された単位の１当量に対し、好ましくは０．０１〜５０当量、より好ましくは０．１〜１０当量、特に好ましくは０．２〜５当量である。上記イオンとするための物質の使用量が少なすぎると、得られる成形体は、架橋密度又は拘束点密度が低く、機械的強度及び耐熱性に劣る傾向がある。一方、使用量が多すぎると、得られる成形体は、架橋密度又は拘束点密度が高くなり、硬度が高すぎて脆いものとなることがある。
【００５７】
更に、上記一般式（１）で表される環式化合物を用いて得られた共重合体に対する、上記イオンとするための物質の混和性及び得られる成形体の耐熱性を向上させるために、上記イオンとするための物質以外に、活性剤としてカルボン酸等の有機酸の金属塩を添加してもよい。このカルボン酸の金属塩としては、炭素数３〜２３の１価のカルボン酸の金属塩を用いることが好ましい。
また、活性剤として用いられる金属塩における金属元素としては、上記イオンとするための物質を構成する金属元素から選択すればよいが、上記イオンとするための物質を構成する金属元素と同種の元素を含む金属塩を用いることが好ましい。
【００５８】
尚、本発明に関わるエラストマー組成物は、それによって形成されるフィルムの力学的性質及び形状保持性を損なわない範囲で添加剤等を含有するものであってもよい。
この添加剤としては、軟化剤、可塑剤、滑剤、酸化防止剤、老化防止剤、熱安定剤、難燃剤、防菌・防かび剤、耐候剤、紫外線吸収剤、粘着付与剤、造核剤、着色剤、有機フィラー、無機フィラー、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等が挙げられる。
【００５９】
上記着色剤としては、公知の顔料、染料を用いることができる。これらは、それぞれ１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。着色剤を用いることによって、どの工程で用いられる材料であるかを判別しやすくなる。
顔料としては、有機顔料、無機顔料を用いることができる。有機顔料としては、モノアゾ系、クロモフタールレッド等の縮合アゾ系、アンスラキノン系、イソインドリノン系、複素環系、ペリノン系、キナクリドン系、ペリレン系、チオインジゴ系、ジオキサジン系、フタロシアニン系、ニトロソ系、有機蛍光顔料等が挙げられる。また、無機顔料としては、酸化チタン、カーボンブラック、チタンイエロー、酸化鉄、群青、コバルトブルー、焼成顔料、メタリック顔料、マイカ、パール顔料、亜鉛華、沈降性シリカ、カドミウム赤等が挙げられる。
また、染料としては、アンスラキノン系、複素環系、ペリノン系、塩基性染料、酸性染料、媒染染料等が挙げられる。更に、トリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のロイコ染料等の、放射線照射により着色する化合物を用いることもできる。このような着色剤を含むダイシングフィルムを用いると、半導体ウェハの切断時等において、放射線の照射によって着色するため、光センサー等によるウェハチップの検出精度が高まり、ウェハチップのピックアップ時に誤動作が生ずる可能性を低減することができる。また、ダイシングフィルムに放射線が照射されたか否かを目視により直ちに判断できる効果もある。尚、放射線によって着色する化合物を着色剤として使用する場合は、フェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体等を顕色剤として併用することが好ましい。
【００６０】
上記着色剤の使用量は、上記エラストマー組成物に含有される重合体の全量を１００質量部とした場合、好ましくは０．０００１〜５質量部、より好ましくは０．０００５〜１質量部、更に好ましくは０．００１〜１質量部、特に好ましくは０．００１〜０．５質量部である。尚、上記エラストマー組成物がジエン系ブロック共重合体の水素添加物を主とし、液状材料を併用した場合、この液状材料は、上記エラストマー組成物に含有される重合体には含まれないものとする。
【００６１】
上記ジエン系水素添加ブロック共重合体及び上記極性基変性オレフィン系重合体は、それぞれ特定の構造を有するため、これらを含むエラストマー組成物を用いることによって、自己粘着性を有する成形体を形成することができ、粘着剤を必要とせず、半導体ウェハ、ガラス、他の材料からなる基板等に対して粘着性、密着性に優れる。
【００６２】
上記エラストマー組成物を用い、射出成形、押出成形、中空成形、圧縮成型、真空成形、積層成形、カレンダー成形、キャスト成形、コーター成形、ロール成形、Ｔダイコーター、Ｔダイ押出成形、注入成形等の公知の方法によって、フィルム等所望の形状を有する成形体を得ることができる。得られる成形体は、優れた強度及び柔軟性を有し、３０℃、１Ｈｚの条件下、動的粘弾性測定により得られる剪断貯蔵弾性率（Ｇ’）は、好ましくは１〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２、より好ましくは１〜５×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２、更に好ましくは１〜１０９ｄｙｎ／ｃｍ２とすることができる。
また、得られる成形体は、耐熱性にも優れており、好ましくは−８０〜１００℃、より好ましくは−３０〜７０℃において、柔軟性及び形状保持性を併せ持つ。
【００６３】
本発明のダイシングフィルムは、半導体ウェハの汚染防止等のために、そのフィルム内に含有される金属成分（イオンを含む）、陰イオン等の濃度が小さいことが好ましい。金属成分としては、ナトリウムイオン等の陽イオンが挙げられる。また、陰イオンとしては、塩素イオン等が挙げられる。これらの濃度は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以下、更に好ましくは２０ｐｐｍ以下である。但し、架橋されたエラストマー組成物を用いる場合のように、架橋の目的で配合された金属イオン等は上記濃度に含まれないものとする。
【００６４】
本発明のダイシングフィルムは、柔軟性、自己粘着性、更には剥離性等に優れることから、フィルムとして用い、半導体ウェハを素子小片に切断する前に、半導体ウェハに貼り付けて保持、固定するのに有用である。
本発明のダイシングフィルムの厚さは、好ましくは１０〜３０００μｍ、より好ましくは１０〜２０００μｍである。
【００６５】
また、本発明のダイシングフィルムは、その少なくとも１面に保護フィルムを備えることができる。即ち、片面あるいは両面に保護フィルムを備えてもよい。この保護フィルムは、使用の際に剥離する等のために備えるものである。この保護フィルムの構成材料は特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸エチル共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体又は共重合体、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、熱可塑性エラストマー等とすることができる。
この保護フィルムのダイシングフィルムとの接触面は、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等の化学処理がされていてもよい。更に、剥離を容易にするために、シリコーン系、フッ素系の剥離コート層を設けてもよい。また、凹凸を有してもよい。
上記保護フィルムは、単一層でも多層でもよい。また、この保護フィルムの厚さは、通常、１０〜３０００μｍ、好ましくは１０〜２０００μｍである。
【００６６】
本発明の半導体ウェハの切断方法は、半導体ウェハの回路面を上記ダイシングフィルムに貼り付ける工程（Ｉ）と、上記半導体ウェハを所定形状の素子小片に切断する工程（ＩＩ）と、を順次備えることを特徴とする。
【００６７】
上記半導体ウェハは、厚さが１〜１０００μｍであり、パターン化された回路面を有するものである。回路面は、配線材料等により凹凸を有するが、上記工程（Ｉ）において上記ダイシングフィルムを貼り付けることにより、凹凸を十分に吸収し、空隙を残すことなく密着させることができる。上記ダイシングフィルムの貼り付け方法としては、圧着、加圧、減圧、熱等が挙げられる。これらを組み合わせてもよい。
【００６８】
その後、上記工程（ＩＩ）においては、半導体ウェハを、ダイシングフィルムが貼り付けられたまま切断され、所定形状の素子小片を得る。切断方法は特に限定されないが、通常、ブレードを高速回転させて切断する。半導体ウェハの切断後に得られた素子小片は、その片面にダイシングフィルムが残った状態となる。このダイシングフィルムを剥離して素子小片を得る。上記ダイシングフィルムは剥離性が良好であるため、また、粘着剤を含まないため、清浄な素子小片を得ることができる。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明について、実施例を挙げて具体的に説明する。尚、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。また、実施例中の「％」及び「部」は、特に断らない限り質量基準である。
１．エラストマー組成物の調製
以下に示す重合体及び液状材料を用いて表１に記載の割合で混合し、エラストマー組成物（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）を調製した。
１−１．重合体
（１）ジエン系ブロック共重合体の水素添加物（Ａ１）
窒素置換された内容積５０リットルの反応容器に、シクロヘキサン２５ｋｇ、テトラヒドロフラン１ｇ、１，３−ブタジエン１５００ｇ及びｎ−ブチルリチウム３．９ｇを投入し、７０℃で重合を開始した。反応完結後、反応溶液の温度を４０℃とし、テトラヒドロフラン１００ｇを、次いで、１，３−ブタジエン３５００ｇを添加して更に断熱重合した。３０分後、メチルジクロロシラン２．７ｇを添加し、１５分間反応を行い、反応を完結させた。
次に、水素ガスを０．４ＭＰａ−Ｇの圧力で供給し、反応溶液を撹拌しながら、リビングアニオンとして生きているポリマー末端リチウムと２０分間反応させ、水素添加リチウムとした。その後、反応溶液を８０℃とし、水添触媒であるチタノセンジクロリドを加え、水素ガスの圧力を１．０ＭＰａで維持しながら２時間反応させた。反応後、反応溶液を常温、常圧に戻して反応容器より抜き出した。次いで、反応溶液を水中に撹拌投入して溶媒を水蒸気蒸留により除去することによって、目的とするジエン系ブロック共重合体の水素添加物Ａ１を得た。得られたジエン系ブロック共重合体の水素添加物Ａ１の水素添加率は９９％、ＧＰＣによる重量平均分子量は３４万、水素添加前ポリマーの１段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は１４％、水素添加前ポリマーの２段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は４９％であった。
【００７０】
（２）ジエン系ブロック共重合体の水素添加物（Ａ２）
窒素置換された内容積５０リットルの反応容器に、シクロヘキサン２５ｋｇ、テトラヒドロフラン１ｇ、１，３−ブタジエン１５００ｇ及びｎ−ブチルリチウム４．１ｇを投入し、７０℃で重合を開始した。反応完結後、反応溶液の温度を３５℃とし、テトラヒドロフラン２７ｇを、次いで、１，３−ブタジエン３５００ｇを添加して更に断熱重合した。３０分後、メチルジクロロシラン２．９ｇを添加し、１５分間反応を行い、反応を完結させた。
次に、水素ガスを０．４ＭＰａ−Ｇの圧力で供給し、反応溶液を撹拌しながら、リビングアニオンとして生きているポリマー末端リチウムと２０分間反応させ、水素添加リチウムとした。その後、反応溶液を８０℃とし、水添触媒であるチタノセンジクロリドを加え、水素ガスの圧力を１．０ＭＰａで維持しながら２時間反応させた。反応後、反応溶液を常温、常圧に戻して反応容器より抜き出した。次いで、反応溶液を水中に撹拌投入して溶媒を水蒸気蒸留により除去することによって、目的とするジエン系ブロック共重合体の水素添加物Ａ２を得た。得られたジエン系ブロック共重合体の水素添加物Ａ２の水素添加率は９８％、ＧＰＣによる重量平均分子量は２９万、水素添加前ポリマーの１段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は１４％、水素添加前ポリマーの２段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は３５％であった。
【００７１】
（３）ジエン系ブロック共重合体の水素添加物（Ａ３）
窒素置換された内容積５０リットルの反応容器に、シクロヘキサン２５ｋｇ、テトラヒドロフラン１ｇ、１，３−ブタジエン１５００ｇ及びｎ−ブチルリチウム４．１ｇを加え、７０℃で重合を開始した。反応完結後、反応溶液の温度を３５℃とし、テトラヒドロフラン３５０ｇを、次いで、１，３−ブタジエン３５００ｇを添加して更に断熱重合した。３０分後、メチルジクロロシラン２．９ｇを添加し、１５分間反応を行い、反応を完結させた。
次に、水素ガスを０．４ＭＰａ−Ｇの圧力で供給し、反応溶液を撹拌しながら、リビングアニオンとして生きているポリマー末端リチウムと２０分間反応させ、水素添加リチウムとした。その後、反応溶液を８０℃とし、水添触媒であるチタノセンジクロリドを加え、水素ガスの圧力を１．０ＭＰａで維持しながら２時間反応させた。反応後、反応溶液を常温、常圧に戻して反応容器より抜き出した。次いで、反応溶液を水中に撹拌投入して溶媒を水蒸気蒸留により除去することによって、目的とするジエン系ブロック共重合体の水素添加物Ａ３を得た。得られたジエン系ブロック共重合体の水素添加物Ａ３の水素添加率は９９％、ＧＰＣによる重量平均分子量は３０万、水素添加前ポリマーの１段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は１４％、水素添加前ポリマーの２段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は７８％であった。
【００７２】
（４）極性基変性オレフィン系重合体（Ａ４）
エチレンに由来する構造単位を７５．１モル％、プロピレンに由来する構造単位を２２．８モル％、５−エチリデン−２−ノルボルネンに由来する構造単位を１．８モル％、及び８−メチル−８−カルボキシテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−３−ドデセンに由来する構造単位を０．３モル％含み、重量平均分子量（Ｍｗ）が１６．０×１０４である官能基含有オレフィン系共重合体１００部をトルエン１０００部に溶解した後、官能基含有オレフィン系共重合体中の官能基１モル％に対して、０．２５モル％のジルコニウム（ＩＶ）ブトキシド（８５％の１−ブタノール溶液（和光純薬工業社製）を使用）を用いて架橋し、トルエンを乾燥除去して、極性基変性オレフィン系重合体Ａ４を得た。
（５）熱可塑性ポリウレタンエラストマー（Ａ５）
比較用として、熱可塑性ポリウレタンエラストマー（クラレ社製、商品名「クラミロンＵ１１９０」）を用いた。
【００７３】
１−２．液状材料
「Ｂ１」；４０℃における動粘度が３０．８５ｍｍ２／ｓである鉱物油系軟化剤（出光興産社製、商品名「ＰＷ−３２」）である。
「Ｂ２」；４０℃における動粘度が９５．５４ｍｍ２／ｓである鉱物油系軟化剤（出光興産社製、商品名「ＰＷ−９０」）である。
「Ｂ３」；４０℃における動粘度が３８１．６ｍｍ２／ｓである鉱物油系軟化剤（出光興産社製、商品名「ＰＷ−３８０」）である。
【００７４】
１−３．架橋剤
「Ｃ１」；有機過酸化物（日本油脂社製、商品名「パーヘキサ３Ｍ」）。
１−４．着色剤
「Ｄ１」；コバルトブルー（大日精化工業社製、商品名「コバルトブルー」）。
【００７５】
【表１】
2005191297.tif 000003
【００７６】
２．ダイシングフィルムの作製及びその評価
実施例１〜７及び比較例１
上記エラストマー組成物（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）を用い、コーター成形によりフィルムを作製し、これをダイシングフィルムとした。このダイシングフィルムを以下の方法で評価した。その結果を表２に示す。
（１）柔軟性
動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、型式「ＭＲ−５００」）により、温度３０℃及び周波数１Ｈｚの条件でフィルム（厚さ５００μｍ）の剪断貯蔵弾性率（Ｇ’）を測定した。このＧ’値の低いものほど柔軟であり、半導体ウェハの表面の凹凸形状に対して追従しやすい。表２において、「○」は、Ｇ’値が２，０００，０００ｄｙｎ／ｃｍ２以下であったことを、「×」は、Ｇ’値が３，０００，０００ｄｙｎ／ｃｍ２よりも大きかったことを示す。
（２）強度
ＪＩＳ  Ｋ−７１２７に準拠し、引張速度５００ｍｍ／分でフィルム（厚さ５００μｍ）の引張強度及び引張伸びを測定した。引張方向は、コーターの塗布方向をＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）、塗布方向に垂直な方向をＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）とした。
【００７７】
（３）耐熱性
上記動的粘弾性測定装置を用い、温度７０℃及び周波数１Ｈｚの条件でフィルム（厚さ５００μｍ）の剪断貯蔵弾性率（Ｇ７０’）を測定した。そして、測定温度３０℃及び７０℃におけるＧ’の変化量δＧ’〔ｌｏｇ（３０℃におけるＧ’／７０℃におけるＧ７０’）〕を計算した。このδＧ’が小さいほど耐熱性に優れる。表２において、「○」は、δＧ’が３．０以下であったことを、「×」は、δＧ’が３．０より大きかったことを示す。
（４）糊残り
上記ダイシングフィルム（厚さ５００μｍ）をシリコン半導体ウェハに圧着ロールで貼り付けた後、シリコン半導体ウェハから剥離し、シリコン半導体ウェハ表面における糊残りの有無を目視で観察した。表２において、「○」は、ダイシングフィルム剥離後のシリコン半導体ウェハ表面に糊残りが観察されなかったことを、「×」は、ダイシングフィルム剥離後のシリコン半導体ウェハ表面に糊残りが観察されたことを示す。
【００７８】
【表２】
2005191297.tif 000004
【００７９】
３．評価結果について
表２より、比較例１は、ダイシングフィルムの形成にポリウレタンエラストマーを用いた例であり、柔軟性が不十分であるため、半導体ウェハの表面の凹凸形状に追従できない。また、ＭＤ及びＴＤ方向の引張強度及び引張伸びがそれぞれ同等でないことから、フィルムに異方性があり、膨張性に劣る。更に、δＧ’が大きく、耐熱性に劣る。
一方、実施例１〜７は、柔軟性に優れ、引張特性に優れ、ＭＤ及びＴＤ方向の引張強度及び引張伸びが同等であることから、フィルムを引き伸ばしても異方性が極めて少ない。更に、δＧ’が小さいことから耐熱性にも優れ、シリコン半導体ウェハからダイシングフィルムを剥離した後に糊残りがない。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のダイシングフィルムは、シリコン半導体ウェハ、化合物半導体ウェハ、半導体パッケージ、ガラス、プラスチック等の粘着材として有用である。