(57)【要約】【課題】  安定にトラッキングができ、各情報層に対して良好に記録・再生を行なうことのできる片面２層型の光記録媒体の提供。【解決手段】  第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、各情報層は有機色素からなる追記型記録層を有し、かつ、記録トラックに沿ってグルーブが形成されており、第１基板から波長λのレーザー光を入射して光強度の２値以上の変調により情報の記録・再生を行なう片面２層光記録媒体であって、第１基板の屈折率をｎ１、中間層の屈折率をｎ２、第１情報層のグルーブの深さｄ１、グルーブの幅ｗ１、トラックピッチｐ１、第２情報層のグルーブの深さｄ２、グルーブの幅ｗ２、トラックピッチｐ２として、次の要件を満たすことを特徴とする光記録媒体。    ４λ／１６ｎ１≦ｄ１≦７λ／１６ｎ１    λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２、又は４λ／１６ｎ２≦ｄ２≦７λ／１６ｎ２    ０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．５５    ０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．５５【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、各情報層は有機色素からなる追記型記録層を有し、かつ、記録トラックに沿ってグルーブが形成されており、第１基板から波長λのレーザー光を入射して光強度の２値以上の変調により情報の記録・再生を行なう片面２層光記録媒体であって、第１基板の屈折率をｎ１、中間層の屈折率をｎ２、第１情報層のグルーブの深さｄ１、グルーブの幅ｗ１、トラックピッチｐ１、第２情報層のグルーブの深さｄ２、グルーブの幅ｗ２、トラックピッチｐ２として、次の要件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
４λ／１６ｎ１≦ｄ１≦７λ／１６ｎ１
λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２、又は４λ／１６ｎ２≦ｄ２≦７λ／１６ｎ２
０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．５５
０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．５５
【請求項２】
第１情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ１、第２情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ２として、次の要件を満たすことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
０．３０≦ＰＰ１≦０．７０
０．２５≦ＰＰ２≦０．６０
０．６≦ＰＰ１／ＰＰ２≦１．４
【請求項３】
波長λの波長域の光に対する記録層単層での屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０で、消衰係数ｋが、０．０２≦ｋ≦０．２であることを特徴とする請求項１又２記載の光記録媒体。
【請求項４】
未記録部での反射率が、１８〜３０％であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、各情報層は相変化記録材料からなる記録層を有し、かつ、記録トラックに沿ってグルーブが形成されており、第１基板から波長λのレーザー光を入射して光強度の２値以上の変調により情報の記録・再生を行なう片面２層光記録媒体であって、第１基板の屈折率をｎ１、中間層の屈折率をｎ２、第１情報層のグルーブの深さｄ１、グルーブの幅ｗ１、トラックピッチｐ１、第２情報層のグルーブの深さｄ２、グルーブの幅ｗ２、トラックピッチｐ２として、次の要件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
λ／１６ｎ１≦ｄ１≦３λ／１６ｎ１
λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２
０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．６
０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．６
【請求項６】
第１情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ１、第２情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ２として、次の要件を満たすことを特徴とする請求項５記載の光記録媒体。
０．３０≦ＰＰ１≦０．７０
０．２５≦ＰＰ２≦０．６０
０．６≦ＰＰ１／ＰＰ２≦１．４
【請求項７】
相変化記録層は、Ｍ１ｗ（ＳｂｚＴｅ１００−ｚ）１００−ｗ（ｗ、ｚは原子％、０≦ｗ＜１５、５０＜ｚ＜９０、Ｍ１はＩｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｎからなる群より選ばれる少なくとも１種）で示される合金からなることを特徴とする請求項５又は６記載の光記録媒体。
【請求項８】
相変化記録層は（Ｇｅ−Ｍ２）ｘＳｂｙＴｅ3+ｘ（ｘ、ｙは原子％、２≦ｘ＜２２、２≦ｙ≦４、Ｍ２はＳｎ，Ｂｉ，Ｐｂからなる群より選ばれる少なくとも１種）で示される合金であることを特徴とする請求項５又は６記載の光記録媒体。
【請求項９】
ＤＰＤ信号が０．３以上であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかに記載の２層光記録媒体の各情報層に対し、波長３５０〜７００ｎｍの前記レーザー光を入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする光記録媒体の記録再生方法。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れかに記載の２層光記録媒体の記録再生を行なう装置であって、波長３５０〜７００ｎｍのレーザー光を発生させる光源と、各情報層に基板側から入射した前記レーザー光によってマークを形成及び検出するための層認識手段及び層切り替え手段とを備えたことを特徴とする光記録媒体の記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームの照射により情報の記録、再生が行われる光記録媒体であって、特に大容量、高密度記録可能な片面２層型の光記録媒体及びその記録再生方法と装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）やＤＶＤでは、凹ピットの底部及び鏡面部からの光の干渉により生じる反射率変化を利用して、２値信号の記録及びトラッキング信号の検出を行っている。近年、ＣＤと再生互換性（互換性）のある媒体として、有機色素膜を記録層とした追記型のコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）や相変化型の書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ：ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）が広く使用されつつあり、ＤＶＤについても追記可能なＤＶＤや相変化型の書換え可能なＤＶＤが各種提案されている。
従来の有機色素薄膜を記録層とする光記録媒体においては、有機色素薄膜にフタロシアニン化合物を使用したもの、シアニン系色素を使用したもの、或いはフェナレン系色素、ナフトキノン系色素などを使用したものが知られている。
基板上に有機色素、金属反射層、ＵＶ樹脂保護層を順次積層した追記コンパクトディスク型（ＣＤ−Ｒ）光記録媒体は、ＣＤ規格を満足するため高い反射率を必要とし、そのため再生波長域（７７０〜８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し且つ安定性の高い有機色素の開発が必要であった（ＤＶＤの追記型であるＤＶＤ±Ｒは再生波長が６３０〜６８０ｎｍ）。
これまで、ＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ±Ｒは、シアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ金属キレート色素などを記録材料として用い金属反射層を組み合わせた数多くの提案がなされている。
【０００３】
光ディスクには信号記録用のグルーブ・ランドと呼ばれる凹凸形状からなる案内溝が形成されており、記録再生を行うためのレーザー光を照射する側（基板側）から見て、遠くなる方向に凹形状にくぼんでいる側をランドと呼び、近くなる方向に凸形状に出っ張っている側をグルーブと呼ぶ。記録再生可能な案内溝のピッチ（トラックピッチ）によって、記録できる容量が決定される。例えばＤＶＤ＋Ｒでは、グルーブにのみ情報を記録するグルーブ記録方式をとり、記録容量が４．７ＧＢではトラックピッチが０．７４μｍである。
最近では、１枚の光ディスクの記憶容量を増加させるため、複数データ層システムが提案されている。２枚又はそれ以上のデータ層を有する光ディスクでは、レンズの焦点を変更することによって様々な層にアクセスすることができる。
特許文献１〜２には、有機色素層を用いた片面２層型の追記型ディスクについて記載されているが、情報層は有機色素層１層のみの繰り返しであり、反射率やＤＶＤ等との互換性を考慮した層構成ではない。
特許文献３〜４には片面２層型の追記型ディスクが記載されているが、これは記録層に無機材料を用いており、コストの面で問題がある。
また、これらの公知文献では、溝形状、プッシュプル値について全く触れていない。
【０００４】
一方、相変化型の書換え可能なＣＤ、ＤＶＤは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差及び位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化型光記録媒体は、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し（これらを纏めて情報層と呼ぶ）、これら情報層の多重干渉を利用して反射率差及び位相差を制御し、ＣＤやＤＶＤとの互換性を持たせることができる。ＣＤ−ＲＷにおいては、反射率を１５〜２５％程度に落とした範囲内ではＣＤと記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低さをカバーする増幅系を付加したＣＤドライブでは再生が可能である。
なお、相変化型光記録媒体は消去と再記録過程を１つの集束光ビームの強度変調のみによって行うことができるため、ＣＤ−ＲＷや書換え可能ＤＶＤ（ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷなど）等の相変化型光記録媒体において、記録とは記録と消去を同時に行うオーバーライト記録を含む。相変化を利用した情報の記録には、結晶、非晶質又はそれらの混合状態を用いることができ、複数の結晶相を用いることもできるが、現在実用化されている書き換え可能な相変化型光記録媒体は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマークを形成して記録するのが一般的である。
【０００５】
相変化型記録層の材料としてはカルコゲン元素、即ちＳ、Ｓｅ、Ｔｅを含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＩｎＳｂＴｅ系、Ｓｂ０．７Ｔｅ０．３共晶合金を主成分とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系などである。特に、ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光記録媒体に広く用いられている材料の１つであるＳｂ−Ｔｅ共晶合金系記録材料は、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元化合物系記録材料と比べて消去比が優れ且つ高感度であるために、記録マークのアモルファス部の輪郭が明確であるという点で優れたものとして知られている。
光ディスクには信号記録用のグルーブ・ランドと呼ばれる凹凸形状からなる案内溝が形成されており、記録再生を行うためのレーザー光を照射する側（基板側）から見て、遠くなる方向に凹形状に窪んでいる側をランドと呼び、近くなる方向に凸形状に出っ張っている側をグルーブと呼ぶ。記録容量は、記録再生可能な案内溝のピッチによって決定される。例えばＤＶＤ＋ＲＷでは、グルーブのみに情報を記録するグルーブ記録方式をとり、記録容量が４．７ＧＢではトラックピッチが０．７４μｍである。また、グルーブとランドの両方に記録するランド・グルーブ記録方式も知られており、ＤＶＤ−ＲＡＭはこの方式をとっている。
【０００６】
光ディスクの記録密度を上げるためには、記録面内の密度を上げる他に、情報記録層の数を増やすことも考えられる。例えば、近年規格化及び商品化されたＤＶＤは２層の情報記録層を有しており、ディスクの一方の側から、２層の情報記録層が読み出し可能な再生専用の光ディスクである。最近では、記録再生型のＤＶＤとして、２層の情報記録層を持つ光ディスクが開発され、報告されている（例えば、特許文献７、８）。しかしながら未だ商品として実用化に至っていない。
片面２層型光ディスクの手前側に位置する情報層（第１情報層と呼ぶ）は、奥側の情報層（第２情報層と呼ぶ）の記録・再生のために、レーザー光の５０％前後を透過させなければならない。また、感度よく記録するためには、第１情報層は４０％前後レーザー光を吸収する必要がある。以上のことから、規格によると、追記型ＤＶＤの反射率は、例えばＤＶＤ＋Ｒで４５〜８５％であり、書き換え型ＤＶＤの反射率は、例えばＤＶＤ＋ＲＷで３０％以下であるが、片面２層型光ディスクの第１情報層では更に反射率が小さくなってしまうので、トラッキングが不安定になる恐れがある。一方、第２情報層も、第２情報層で反射された信号が、第１情報層で吸収されてしまうので、受光素子に届く割合は５０％前後になってしまい、反射率が低下してしまうことは容易に想像がつく。
【０００７】
以上のことから、片面２層型光ディスクでは、反射率、透過率及び吸収率をバランスよく設計する必要があるが、これには溝形状が大きく関係することが分った。また、後述するように、溝形状に大きく影響される片面２層型光ディスクのプッシュプル値の最適な範囲を本発明者等は見出した。プッシュプル信号は、光検出器の受光素子を半径方向に２分割した場合において、各々の出力をＩ１、Ｉ２としたとき、次の式で表される。式中、ｐｐはピーク対ピーク、ｍａｘは最大値、ｍｉｎは最小値である。
（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐ／［｛（Ｉ１＋Ｉ２）ｍａｘ＋（Ｉ１＋Ｉ２）ｍｉｎ｝／２］
追記型の片面２層型光ディスクが、例えば特許文献５〜６などに提案されているが、各層の光学特性を最適にし、かつ安定にトラッキングしながら良好に記録・再生するといった課題は考慮されておらず、プッシュプルについての記載はない。また、書き換え型の片面２層型光ディスクが特許文献７〜８に提案されているが、特許文献７には、溝形状に関する記載は一切なく、特許文献８には、案内溝の幅については規定されているものの、溝深さ、プッシュプル値については触れられていない。
【０００８】
【特許文献１】国際公開第００／０１６３２０号パンフレット
【特許文献２】国際公開第００／０２３９９０号パンフレット
【特許文献３】特開２００１−０８４６４３号公報
【特許文献４】特開２００１−１０１７０９号公報
【特許文献５】特開２０００−０８２２３８号公報
【特許文献６】特開２０００−３１１３８４号公報
【特許文献７】特許第２７０２９０５号公報
【特許文献８】特開２００２−１８４０３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、安定にトラッキングでき、各情報層に対して良好に記録・再生を行なうことのできる片面２層型の追記型光記録媒体及び相変化型光記録媒体、並びにそれらの記録再生方法と装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、前記従来技術の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、次のような解決手段を見出した。即ち、上記課題は、次の１）〜１１）の発明（以下、本発明１〜１１という）によって解決される。
１）  第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、各情報層は有機色素からなる追記型記録層を有し、かつ、記録トラックに沿ってグルーブが形成されており、第１基板から波長λのレーザー光を入射して光強度の２値以上の変調により情報の記録・再生を行なう片面２層光記録媒体であって、第１基板の屈折率をｎ１、中間層の屈折率をｎ２、第１情報層のグルーブの深さｄ１、グルーブの幅ｗ１、トラックピッチｐ１、第２情報層のグルーブの深さｄ２、グルーブの幅ｗ２、トラックピッチｐ２として、次の要件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
４λ／１６ｎ１≦ｄ１≦７λ／１６ｎ１
λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２、又は４λ／１６ｎ２≦ｄ２≦７λ／１６ｎ２
０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．５５
０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．５５
２）  第１情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ１、第２情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ２として、次の要件を満たすことを特徴とする１）記載の光記録媒体。
０．３０≦ＰＰ１≦０．７０
０．２５≦ＰＰ２≦０．６０
０．６≦ＰＰ１／ＰＰ２≦１．４
３）  波長λの波長域の光に対する記録層単層での屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０で、消衰係数ｋが、０．０２≦ｋ≦０．２であることを特徴とする１）又２）記載の光記録媒体。
４）  未記録部での反射率が、１８〜３０％であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、各情報層は相変化記録材料からなる記録層を有し、かつ、記録トラックに沿ってグルーブが形成されており、第１基板から波長λのレーザー光を入射して光強度の２値以上の変調により情報の記録・再生を行なう片面２層光記録媒体であって、第１基板の屈折率をｎ１、中間層の屈折率をｎ２、第１情報層のグルーブの深さｄ１、グルーブの幅ｗ１、トラックピッチｐ１、第２情報層のグルーブの深さｄ２、グルーブの幅ｗ２、トラックピッチｐ２として、次の要件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
λ／１６ｎ１≦ｄ１≦３λ／１６ｎ１
λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２
０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．６
０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．６
６）  第１情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ１、第２情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ２として、次の要件を満たすことを特徴とする５）記載の光記録媒体。
０．３０≦ＰＰ１≦０．７０
０．２５≦ＰＰ２≦０．６０
０．６≦ＰＰ１／ＰＰ２≦１．４
７）  相変化記録層は、Ｍ１ｗ（ＳｂｚＴｅ１００−ｚ）１００−ｗ（ｗ、ｚは原子％、０≦ｗ＜１５、５０＜ｚ＜９０、Ｍ１はＩｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｏ，Ｓ，Ｎからなる群より選ばれる少なくとも１種）で示される合金からなることを特徴とする５）又は６）記載の光記録媒体。
８）  相変化記録層は（Ｇｅ−Ｍ２）ｘＳｂｙＴｅ3+ｘ（ｘ、ｙは原子％、２≦ｘ＜２２、２≦ｙ≦４、Ｍ２はＳｎ，Ｂｉ，Ｐｂからなる群より選ばれる少なくとも１種）で示される合金であることを特徴とする５）又は６）記載の光記録媒体。
９）  ＤＰＤ信号が０．３以上であることを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の光記録媒体。
１０）  １）〜９）の何れかに記載の２層光記録媒体の各情報層に対し、波長３５０〜７００ｎｍの前記レーザー光を入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする光記録媒体の記録再生方法。
１１）  １）〜９）の何れかに記載の２層光記録媒体の記録再生を行なう装置であって、波長３５０〜７００ｎｍのレーザー光を発生させる光源と、各情報層に基板側から入射した前記レーザー光によってマークを形成及び検出するための層認識手段及び層切り替え手段とを備えたことを特徴とする光記録媒体の記録再生装置。
【００１１】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
光学溝の読み取りはヘッド又はピックアップと一体的に移動する光スポットの反射光を受光する光ディスクの半径方向に２分割されたサーボ用光検出器により行われ、その第一の光検出部の出力Ｉ１と第２の光検出部の出力Ｉ２とが信号処理回路において演算処理される。
ビームの焦点位置がトラッキング中心からずれるとプッシュプル信号出力はそれに対応した曲線を示す。ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷの規格では記録前のプッシュプル信号強度はそれぞれ０．３０〜０．６０、０．２８〜０．５６の範囲となっている。
しかし、第１情報層、第２情報層のプッシュプル信号強度が共に上記範囲になるようなディスクではモジュレーションの低下、繰り返し記録によるジッタの悪化、第２情報層の感度不足などが生じる。その理由は必ずしも明らかでないが、プッシュプル信号強度は溝形状により大きく影響を受けるので、恐らく溝形状と関係があると考えられる。溝深さが比較的浅い場合は、溝が浅くなるとプッシュプル信号強度は小さくなる。
【００１２】
溝が浅すぎるとモジュレーションが取れなくなり、また隣接するトラックからの影響によりジッタが増加してしまい、溝が深すぎると反射率が低下したり、繰り返し記録によるジッタの増加が激しくなる。溝幅については、幅が広すぎるとやはりモジュレーションが取れなくなるし、繰り返し記録によるジッタの増加が激しい。幅が狭すぎるとトラッキングが不安定になってしまい、特に第１情報層で溝幅を狭くしすぎると、反射率と透過率のバランスが崩れてしまい、透過率が減少してしまうといった不具合が生じる。
そこで検討した結果、記録再生特性の優れた片面２層光ディスクとするには、レーザー光の波長をλｎｍ、第１基板の屈折率をｎ１、中間層の屈折率をｎ２、第１情報層のグルーブの深さｄ１、グルーブの幅ｗ１、トラックピッチｐ１、第２情報層のグルーブの深さｄ２、グルーブの幅ｗ２、トラックピッチｐ２として、
追記型光記録媒体の場合には、次の要件を満たす必要があり、
４λ／１６ｎ１≦ｄ１≦７λ／１６ｎ１
λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２、又は４λ／１６ｎ１≦ｄ１≦７λ／１６ｎ１
０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．５５
０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．５５
相変化型光記録媒体の場合には、次の要件を満たす必要があることが分った。
λ／１６ｎ１≦ｄ１≦３λ／１６ｎ１
λ／１６ｎ２≦ｄ２≦３λ／１６ｎ２
０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．６
０．２≦ｗ２／ｐ２≦０．６
【００１３】
また、プッシュプル信号強度は、第１情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ１、第２情報層の記録前のプッシュプル値をＰＰ２として、次の要件を満たすとき総合的に優れた記録特性が得られた。
０．３０≦ＰＰ１≦０．７０
０．２５≦ＰＰ２≦０．６０
０．６≦ＰＰ１／ＰＰ２≦１．４
プッシュプルが上記範囲より大きいと、反射率が低くなるなどの原因で、各層を安定にフォーカシングするのが困難となる。また、プッシュプルが上記範囲より小さいと、トラッキングが不安定になったり、第１情報層の透過率が減少したりする。
また、ＰＰ１／ＰＰ２が０．６〜１．４の範囲であれば、例えばデータ読み出し中にピックアップが第１情報層から第２情報層へジャンプした際に、トラッキングが外れることなくスムーズに読み出しを行なうことができる。
【００１４】
プッシュプル値には、グルーブ面からの反射光とランド部からの反射光の位相差が深く関わっているため、グルーブの溝深さの最適値がレーザー波長λとの関係式で表せることは従来から知られているが、本発明者等は、鋭意検討の結果、本発明に係る２層光記録媒体の場合、レーザー波長λ＝３５０〜７５０ｎｍの範囲において、本発明１又は５で規定する範囲が好ましいことを見出した。この知見は、前述したように公知文献には全く記載されていない新規な事項である。
また、本発明１又は５はレーザー波長λを含む式で規定されているが、一般に光記録媒体は、使用する記録再生用レーザー波長の範囲を特定して設計されるものであり、３５０〜７５０ｎｍの範囲内であれば、光記録媒体の種類によって特定される記録再生用レーザー波長によりグルーブの深さが決まるのであるから、レーザー波長λを構成要件に含むことにより光記録媒体としての構成が不明瞭になることはない。
とりわけ、本発明は、ＤＶＤ+Ｒに用いられるような赤色レーザーの波長６３０〜６８０ｎｍ、あるいは青色レーザーの波長３９０〜４２０ｎｍの範囲において、本発明１又は５で規定する範囲にあることが好ましい。
【００１５】
反射率については、追記型光記録媒体の場合、片面２層型ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換性から、未記録部の反射率を１８〜３０％であることが好ましく、１８〜２５％が特に好ましい。また相変化型光記録媒体の場合、ディスクの溝のない部分（鏡面部）の反射率が２０％を越えると記録信号のコントラストの大きなディスクを得ることが困難となる。一方、反射率が小さいと全ての信号強度が小さくなることになるので、反射率は小さすぎてもいけない。従って鏡面部の反射率は４〜２０％が好ましく、６〜１２％が特に好ましい。
ＤＰＤ信号は、追記型の場合も相変化型の場合も、０．３以上であることが好ましい。再生専用の光ディスク装置におけるトラッキング方式は、ＤＰＤ法（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｐｈａｓｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ：位相差検出法）が採用されている。従って、ＤＰＤ信号が０．３より小さいと、再生専用の光ディスク装置でのトラッキングが不安定になり、トラッキング外れを起こし易くなる傾向にある。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係わる片面２層型の追記型光記録媒体の概略断面図である。
図１に示す記録再生型の光記録媒体は、２つの情報層を有する。各情報層は、有機色素材料を用いて形成される。各情報層への情報の記録は、第１基板側からレーザー光を入射させ、マークと呼ばれるパターンの記録により行われる。
より具体的には、案内溝を有する第１基板１０１上に、第１情報層１００を形成する。第１情報層１００は、第１記録層１０３単層でもよいし、第１記録層の上に第１反射層１０５が積層された構成でもよい。更に第１反射層の上に透明な第１熱拡散層１０６を設けてもよい。また、第１記録層１０３と第１基板１０１の間に下引き層又は保護層（図示せず）を設けてもよく、機能向上のためにそれらを積層化した構成としてもよい。
一方、第２情報層２００は、案内溝を有する第２基板２０１上に形成される。第２情報層２００は、第２記録層２０３単層でもよいし、第２反射層２０５と第２記録層２０３とが積層された構成でもよい。また、第２記録層２０３と中間層３００の間に下引き層又は保護層（図示せず）を設けてもよく、機能向上のためにそれらを積層化した構成としてもよい。
第１情報層１００と第２情報層２００とは、略透明な中間層３００（接着層）により所定の距離で隔てられ、対向した状態で貼り合わされている。
また、製造方法によっては、中間層３００に案内溝を形成し、その上に第２情報層２００を形成しても構わない。
【００１７】
その材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィンなどの透明樹脂、或いは透明ガラスを用いることができる。中でも、ポリカーボネート樹脂はＣＤにおいて最も広く用いられているなどの実績もあり、また安価でもあるため最も好ましい材料である。第１基板には、必要に応じて記録再生光を案内するピッチの溝を設けてもよい。また第１基板の厚さは、０．６ｍｍ±０．１ｍｍ程度が好ましい。
第２基板の材料としては、第１基板と同じ材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第１基板とは材質、溝形状が異なっても良い。第２基板の厚さは特に限定されないが、第１基板との合計の厚さが１．２ｍｍになるように第２基板の厚さを選択することが好ましい。また、第２情報層を形成する側に案内溝を設けてもよい。
【００１８】
中間層は、記録再生のために照射する光の波長における光吸収が小さい方が好ましく、材料としては、成形性、コストの点で樹脂が好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、光ディスク貼り合わせ用の両面テープ（例えば日東電工社製の粘着シートＤＡ−８３２０）なども用いることができる。また、中間層には、第１基板と同様に、記録再生光を案内する溝を設けてもよい。
中間層は、記録再生を行う際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別して光学的に分離できるようにするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと、層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２情報層を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。より好ましい範囲は４０〜７０μｍである。
【００１９】
次に、第１記録層１０３及び第２記録層２０３について説明する。
光記録媒体の記録層を構成するのに必要な項目として光学特性が挙げられる。光学特性として必要な条件は、記録再生波長において短波長側に大きな吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波長端近傍にあることである。これは、記録再生波長で大きな屈折率と消衰係数を有することを意味する。具体的には、記録再生波長における記録層単層の屈折率ｎが、１．５≦ｎ≦３．０で、消衰係数ｋが、０．０２≦ｋ≦０．２の範囲にあることが好ましい。この条件を満足すると、高感度、高モジュレーションで安定した記録・再生が可能となる。しかし、ｎが１．５未満では、十分な光学的変化を得難いため、記録変調度が低くなり好ましくなく、ｎが３．０を超えると、波長依存性が高くなり過ぎるため、記録再生波長領域であってもエラーとなってしまうため好ましくない。また、ｋが０．０２未満では、記録感度が悪くなるため好ましくなく、ｋが０．２を超えると、１８％以上の反射率を得ることが困難となり、特に第１情報層では、透過率が低くなりすぎて第２情報層の記録感度が悪くなるため好ましくない。
【００２０】
次に、記録層に使用可能な有機色素材料の具体例としては、アゾ金属キレート色素、ホルマザン金属キレート色素、ジピロメテン金属キレート色素、ポリメチン色素、スクアリリウム色素、アザアヌレン色素等が挙げられ、好ましいのは、金属キレート色素、トリメチンシアニン色素、スクアリリウム色素、テトラアザポルフィリン色素である。
アゾ金属キレート色素としては、アゾ結合を挟む両側のアゾ化合物形成ユニットが、置換・未置換の芳香環、ピリジン残基、ピリミジン残基、ピラジン残基、ピリダジン残基、トリアジン残基、イミダゾール残基、トリアゾール残基、ピラゾール残基、チアゾール残基、イソチアゾール残基、ベンズチアゾール残基等の組み合わせからなるアゾ化合物の金属キレート化合物が特に好ましい。
【００２１】
また、ホルマザン金属キレート色素としては、下記〔化１〕の一般式で示されるホルマザン化合物と２価の金属原子とのキレート化合物が好ましい。
【化１】
2005004944.tif 000003
（式中、Ｚは、それが結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基であり、具体的にはピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、又はトリアジン環である。また、これらの複素環はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、置換アミノ基、アリル基、アリルオキシ基、アニリノ基、ケト基等の置換基を有していてもよい。Ａは、アルキル基、アラルキル基、アリル基、又はシクロヘキシル基を表し、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ケト基、カルボキシル基又はそのエステル、ニトリル基、ニトロ基等の置換基を有していてもよい。Ｂは、アリル基を表し、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシル基又はそのエステル、ニトリル基、ニトロ基等の置換基を有していてもよい。）
【００２２】
ジピロメテン金属キレート色素としては、下記〔化２〕の一般式で示されるジピロメテン化合物と２価の金属原子とのキレート化合物が好ましい。
【化２】
2005004944.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ９は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
上記アゾ化合物、ホルマザン化合物、ジピロメテン化合物とキレート化合物を形成する金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｌ等が挙げられ、製造上及びディスク特性上から、特にＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖが好ましい。
【００２３】
ポリメチン色素としては、５３０〜６００ｎｍに吸収帯を有するものならば使用可能であるが、中でもトリメチンシアニン色素が好ましく、トリメチン鎖の両端が置換・未置換のインドレニン、ベンズインドレニンのものが特に好ましく、カウンターアニオンとしては、ハロゲンアニオン、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−等の他にニッケルジチオレート錯体に代表される各種金属キレートアニオンでもよい。
スクアリリウム色素としては、スクアレン環の両端が置換・未置換のインドレニン、ベンズインドレニン、ピラゾール、カルバゾール、キノキサリン、イソインドール、芳香環、置換アミノ基残基のうちの組み合わせからなるものが好ましい。
アザアヌレン色素としては、各々特定の置換基を有するフタロシアニン、ナフタロシアニン、テトラピラジノポルフィラジン、テトラピリジノポルフィラジン、テトラアザポルフィリン等が挙げられるが、このうち特に好ましいのはテトラアザポルフィリンであり、次いでテトラピリジノポルフィラジン、テトラピラジノポルフィラジン、フタロシアニンの順で好ましい。
上記した色素の熱分解特性としては、色素単独で用いる場合も混合して用いる場合もその記録材料の分解開始温度が３６０℃以下であることが好ましく、特に１００〜３５０℃が好ましい。分解温度が３６０℃を超えると記録時のピット形成がうまく行われず、ジッタ特性が悪くなる。また１００℃未満であると今度はディスクの保存安定性が悪化する。
【００２４】
また、上記色素は、光学特性、記録感度、信号特性などの向上の目的で他の有機色素及び金属、金属化合物と混合又は積層化して用いてもよい。
このような有機色素の例としては、（ポリ）メチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン系（インダンスレン系）、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系各染料及び、金属錯体化合物などが挙げられる。
金属、金属化合物の例としては、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどが挙げられ、それぞれを分散混合又は積層の形態で用いることができる。
更に、上記染料中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料、或いはシランカップリング剤などを分散混合してもよいし、特性改良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などを一緒に用いてもよい。
【００２５】
有機色素記録層の形成方法としては、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（化学的気相成長法）、溶剤塗布などの通常の手段を用いることができる。
塗布法を用いる場合には、上記染料などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティグ、ディピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法によって行うことができる。用いられる有機溶媒としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
記録層の膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは２０〜２００ｎｍとする。
【００２６】
下引き層は、（１）接着性の向上、（２）水又はガスなどのバリアー、（３）記録層の保存安定性の向上、（４）反射率の向上、（５）溶剤からの基板の保護、（６）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成などを目的として使用される。
（１）の目的に対しては、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物、及びシランカップリング剤などを用いることができ、（２）及び（３）の目的に対しては、上記高分子材料以外に、ＳｉＯ、ＭｇＦ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどの無機化合物を用いることができ、更に、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどの金属又は半金属を用いることができる。（４）の目的に対しては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属や、メチン染料、キサンテン系染料などの金属光沢を有する有機薄膜を用いることができる。（５）及び（６）の目的に対しては紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
下引き層の膜厚としては０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
【００２７】
反射層の材料としては、単体で高反射率の得られる腐食され難い金属、半金属等が挙げられ、具体例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎなどが挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましい。また、これらの金属、半金属は単独で用いても２種の合金として用いてもよい。
特に第１情報層は高い透過率が必要とされるため、第１反射層には、屈折率が低く熱伝導率の高いＡｇ又はその合金を用いることが好ましい。
反射層の膜形成法としては蒸着、スッパタリングなどが挙げらる。
第２反射層の膜厚は３〜５００ｎｍ、好ましくは３〜３００ｎｍとする。第１反射層に関しては３〜２０ｎｍが好ましい。３ｎｍ未満にすると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。第２反射層の膜厚が５００ｎｍを超えると、第２反射層と第２記録層との界面の形状が、基板の溝形状と大きく異なってしまう。また、第１反射層の膜厚が２０ｎｍを超えると、透過率が減少して第２情報層の感度が低下する傾向にある。
【００２８】
保護層は、記録層（反射吸収層）の熱的ダメージからの保護、記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、反射率の向上、クロストーク軽減等を目的として使用される。これらの目的に対しては、前記下引き層において示した材料を用いることができる。また、無機材料として、ＳｉＯ、ＳｉＯ２なども用いることができ、有機材料としてポリメチルアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース樹脂、脂肪族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のうち最も好ましいのはＺｎＳ、ＳｉＯ２などの無機材料である。
保護層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍとする。
なお、下引き層や保護層には、記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
【００２９】
本発明の片面２層型の追記型光記録媒体では、第１反射層の上に第１熱拡散層を設けてもよい。第１反射層は、透過率の観点から非常に薄くなければならないが、第１反射層が薄いと熱容量が不足して、熱が有機色素記録層に篭り、微小マークの形成が難しくなる。そこで、第１反射層の熱容量不足を補うために第１熱拡散層を設ける。第１熱拡散層としては、レーザー照射された有機色素記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層を記録再生できるように、レーザー波長での吸収率が小さいことも望まれる。
情報の記録再生に用いるレーザー波長において、消衰係数が０．５以下であることが好ましく、更に好ましくは０．３以下である。０．５より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。
また、情報の記録再生に用いるレーザー波長において、屈折率は１．６以上であることが好ましい。これより小さいと、第１情報層の透過率を大きくすることが困難になる。
【００３０】
以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含むことが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＡＴＯ（酸化スズ−アンチモン）、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。
第１熱拡散層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１熱拡散層の膜厚は、１０〜２００ｎｍが好ましい。１０ｎｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
【００３１】
図２は、本発明の他の実施形態に係わる片面２層型の相変化型光記録媒体の概略断面図である。図２に示す記録再生型の光記録媒体は２つの情報層を有する。各情報層は非晶質と結晶の間で光学的特性が変化する材料（いわゆる相変化記録材料）を用いて形成される。各情報層への情報の記録は、図１の場合と同様に、第１基板からレーザー光を入射させ、マークと呼ばれるパターンの記録により行われる。より具体的には、案内溝を有する第１基板１０１に、第１情報層１００を形成する。第１情報層は、少なくとも、透明な第１下部保護層１０２と透明な第１上部保護層１０４とで挟むように形成された相変化記録材料からなる第１記録層１０３、及び半透明な第１反射層１０５が積層されて構成されている。反射層１０５の上に更に透明な第１熱拡散層１０６を設けてもよい。
一方、第２情報層２００は、案内溝を有する第２基板２０１に形成される。第２情報層２００は、第２反射層２０５、透明な第２下部保護層２０２と透明な第２上部保護層２０４で挟むように形成された相変化記録材料からなる第２記録層２０３が積層されて構成されている。
第１情報層１００と第２情報層２００とは、略透明な中間層３００（接着層）により所定の距離で隔てられ、貼り合わされて対向している。これらの情報層は、基板表面上の案内溝形状に沿って形成され、情報層内の記録層も案内溝形状に沿った形で形成されるため、記録層も案内溝を持つ。
【００３２】
以下、各層について順に説明するが、第１基板１０１、第２基板１０２、中間層３００については図１の場合と同様であるから説明を省略する。
次に、第１記録層及び第２記録層について説明する。
図２の第１記録層１０３及び第２記録層２０３は相変化型の記録層であり、その膜厚は第１記録層と第２記録層とで好ましい範囲が異なり、第１記録層では３〜２０ｎｍの範囲が好ましい。３ｎｍより薄いと均一な厚さの膜とするのが困難となり、また結晶化速度が遅くなる傾向があるので、短時間での消去が困難となり易い。一方、２０ｎｍを越すと透過率が減少し、第２情報層の感度が低下する。透過率の観点からは１５ｎｍ以下とすることがより好ましい。第２記録層の膜厚は、３〜１００ｎｍの範囲が好ましい。３ｎｍより薄いと第１記録層と同様な不具合が生じてしまう。１００ｎｍを越すと光学的なコントラストが得にくくなり、またクラックが生じ易くなる。
また、最短マーク長が０．５μｍ以下となるような高密度記録では、第２記録層の膜厚は３〜２５ｎｍが好ましい。３ｎｍ未満では反射率が低くなり過ぎるし、また膜成長初期の不均一な組成、疎な膜の影響が現れ易いので好ましくない。一方、２５ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなる他、結晶成長が３次元的になるため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾向にある。更に、第２記録層の相変化による体積変化が顕著になり、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）耐久性が悪くなるので好ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）耐久性の観点からは２０ｎｍ以下とすることがより望ましい。
【００３３】
第１及び第２記録層の密度はバルク密度の８０％以上、好ましくは９０％以上であることが望ましい。密度を高くするには、スパッタ成膜法の場合、成膜時のスパッタガス（Ａｒ等の希ガス）の圧力を低くするか、或いはターゲット正面に近接して基板を配置するなどして記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることが必要である。高エネルギーＡｒは、スパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが、一部跳ね返されて基板側に到達するもの、或いはプラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものの何れかである。このような高エネルギーの希ガスの照射効果を「アトミックピーニング（ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ）効果」という。一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタでは、アトミックピーニング効果によってＡｒがスパッタ膜に混入される。この混入された膜中のＡｒ量により、アトミックピーニング効果を見積もることができる。即ち、Ａｒ量が少なければ高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成され易い。一方、Ａｒ量が多ければ高エネルギーＡｒの照射が激しく、密度は高くなるが、膜中に取り込まれたＡｒが繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）時にボイド（ｖｏｉｄ）となって析出し、繰返しの耐久性を劣化させる。記録層膜中の適当なＡｒ量は、０．１〜１．５原子％である。更に、直流スパッタリングよりも高周波スパッタリングを用いた方が、膜中のＡｒ量を少なくして高密度膜が得られるので好ましい。
【００３４】
第１及び第２記録層に用いられる相変化材料としては、前記本発明７で規定する組成式で示されるＳｂ及びＴｅを主たる構成元素として含有する合金が好ましい。添加元素としては、Ｇｅが、保存安定性、強コントラスト比という点で適している。また、各記録層に更にＯ、Ｓ、Ｎから選ばれる少なくとも一つの元素を０．１〜５原子％添加することにより、記録層の光学定数を微調整することができる。しかし、５原子％を超えて添加することは結晶化速度を低下させ、消去性能を悪化させるので好ましくない。
また、オーバーライト時の結晶化速度を低下させずに経時安定性を増すため、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｚｒから選ばれる少なくとも一つの元素を８原子％以下添加することが好ましく、より好ましい添加量は０．１〜５原子％である。ＳｂＴｅに対する、上記添加元素とＧｅの合計添加量は１５原子％以下であることが望ましい。１５原子％より過剰に含まれるとＳｂ以外の相分離を誘起してしまう。特に、Ｇｅ含有量が３〜５原子％の場合には添加効果が大きい。
また、経時安定性の向上と屈折率の微調整のため、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも一つの元素を５原子％以下添加するのが好ましい。これら添加元素とＧｅの合計の添加量は１５原子％以下が好ましい。なお、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂの各元素は、Ｇｅと同じく４配位ネットワークを持った元素である。
【００３５】
また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを８原子％以下添加することにより、結晶化温度を上昇させると同時にジッタを低減させたり記録感度を改善する効果もあるが、偏析も生じ易いため、６原子％以下とするのが好ましい。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの各添加量は、Ｇｅと合わせた合計添加量として１５原子％以下、好ましくは１３％以下とすることが望ましい。
また、Ａｇを８原子％以下の量で添加することは記録感度を改善する上で効果があり、特にＧｅ原子量が５原子％を超える場合に用いれば効果が顕著である。しかし、Ａｇの添加量が８原子％を超えるとジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損ねるので好ましくない。また、Ｇｅと併せた合計添加量が１５原子％を超えると偏析を生じ易いので好ましくない。Ａｇの含有量として最も好ましいのは５原子％以下である。
また、第１及び第２記録層に用いられる他の相変化材料としては、前記本発明８で規定する組成式で示されるＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主たる構成元素として含有する合金が好ましい。この組成式は、記録層中に、Ｇｅ及びＭ２が、合計で１００×ｘ／（２ｘ＋ｙ＋３）原子％含まれることを示す。繰り返し記録性能に優れた光記録媒体を得るために、Ａは、２≦Ａ≦１０を満たすことがより好ましい。ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系組成にＳｎＴｅ又はＰｂＴｅ又はＢｉ２Ｔｅ３を固溶させることによって結晶化速度を更に速くすることができる。
【００３６】
第１及び第２記録層の成膜後の状態は通常、非晶質である。従って、成膜後に各記録層全面を結晶化して初期化された状態（未記録状態）とする必要がある。初期化方法としては、固相でのアニールによる初期化も可能であるが、一旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化させる、いわゆる溶融再結晶化による初期化が望ましい。第１及び第２記録層は成膜直後には結晶成長の核が殆どなく固相での結晶化は困難であるが、溶融再結晶化によれば少数の結晶核が形成された後、溶融して結晶成長が主体となって高速で再結晶化が進む。溶融再結晶化による結晶と固相でのアニールによる結晶とは反射率が異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、実際のオーバーライト（Ｏ／Ｗ）記録の際には、消去部は溶融再結晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化により行うのが好ましい。
溶融再結晶化による初期化の際、記録層の溶融は局所的かつ１ミリ秒程度以下の短時間で行うのがよい。その理由は、溶融領域が広かったり、溶融時間或いは冷却時間が長過ぎると熱によって各層が破壊されたり、プラスチック基板表面が変形したりするためである。初期化に適した熱履歴を与えるには、波長６００〜１０００ｎｍ程度の高出力半導体レーザー光を長軸１００〜３００μｍ、短軸１〜３μｍに集束して照射し、短軸方向を走査軸として１〜１０ｍ／ｓの線速度で走査することが望ましい。同じ集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎ、再非晶質化が起き易く、また多層構成や基板へのダメージが大きく好ましくない。
【００３７】
初期化が溶融再結晶化によって行われたことは以下のようにして確認できる。
即ち、初期化後の媒体に直径約１．５μｍより小さいスポット径に集束された記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光を、直流的に一定線速度で照射する。案内溝がある場合は、その溝又は溝間からなるトラックにトラッキングサーボ及びフォーカスサーボをかけた状態で行う。その後、同じトラック上に消去パワーＰｅ（≦Ｐｗ）の消去光を直流的に照射して得られる消去状態の反射率が全く未記録の初期状態の反射率と殆ど同じであれば、該初期化状態は溶融再結晶状態と確認できる。何故なら、記録光照射により記録層は一旦溶融されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからである。なお、初期化状態の反射率Ｒｉｎｉと溶融再結晶化状態Ｒｃｒｙの反射率がほぼ同じであるとは、（Ｒｉｎｉ−Ｒｃｒｙ）／｛（Ｒｉｎｉ＋Ｒｃｒｙ）／２｝で定義される両者の反射率差が２０％以下であることを言う。通常、アニール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は２０％より大きい。
【００３８】
図２に示すように、第１記録層は、第１上部保護層と第１下部保護層の間に、第２記録層は、第２上部保護層と第２下部保護層２の間に挟み込まれた構成となって、第１基板の溝形成面上及び第２基板の溝形成面上にそれぞれ設けられている。
第１及び第２下部保護層は、主として記録時の高温による第１及び第２記録層の変形を防止するのに有効である。また、記録層と反射層の間の相互拡散を防止し、第１及び第２記録層の変形を抑制しつつ、第１及び第２反射層へ効率的に熱を逃すという機能を併せ持つ。
これらの保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができるが、本発明者等が種々の材料を検討した結果では、上記観点及び本発明の第１及び第２記録層を構成する材料との整合性を考慮すると、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が最も好ましいと思われる。なお、この材料も含めて、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は、必ずしも化学量論的組成を取る必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり混合したりして用いることも有効である．
【００３９】
保護層の機能等について、更に説明する。
本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属する。急冷構造は、放熱を促進し、記録層再凝固時の冷却速度を高める層構成を採用することで、非晶質マーク形成のときの再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現する。このため、第１及び第２上部保護層の膜厚は、５〜３０ｎｍとする。５ｎｍより薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊され易く、また、放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不必要に大きくなってしまう。
更に上部保護層の膜厚は、繰返しオーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚が３０ｎｍより厚い場合には、記録時に、上部保護層の記録層側と反射層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側における熱膨張差から、保護層自体が非対称に変形し易くなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。
【００４０】
前述のような相変化記録材料を用いると、最短マーク長が０．５μｍ以下の高密度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者等の検討によれば、高密度記録を実現するために短波長のレーザーダイオード（例えば、波長７００ｎｍ以下）を用いる場合には、上記急冷構造の層構成についても一層の留意が必要になる。特に、波長が５００ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．５５以上の小さな集束光ビームを用いた１ビームオーバーライト特性の検討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化することが、高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために重要であることが分っている．
この傾向は、波長６３０〜６８０ｎｍ、ＮＡ＝０．６前後の光学系を用いた、ＤＶＤ対応の光学系においても同様である。このような光学系を用いた高密度マーク長変調記録においては、特に熱伝導特性の低いものを上部保護層として用いる。好ましくはその膜厚を１０〜２５ｎｍとする。何れの場合にも、その上に設ける反射層をとりわけ高熱伝導率の材料とすることにより、消去比及び消去パワーマージンを改善できる。検討によれば、広い消去パワー範囲において、相変化記録層が持つ良好な消去特性を発揮させるには、単に膜厚方向の温度分布や時間変化のみならず、膜面方向（記録ビーム走査方向の垂直方向）の温度分布をできるだけ平坦化できるような層構成を用いるのが好ましい。
【００４１】
本発明者等は、光記録媒体の層構成を適切に設計して、媒体中のトラック横断方向の温度分布を平坦にすることにより、溶融して再非晶質化されることなく再結晶化することのできる幅を広げ、消去率及び消去パワーマージンを広げることを試みた。一方、熱伝導率が低くごく薄い上部保護層を介して、記録層から、極めて高熱伝導率の反射層への放熱を促進することで、記録層における温度分布が平坦になることが分った。上部保護層の熱伝導率を高くしても放熱効果は促進されるが、あまり放熱が促進されると、記録に要する照射パワーが高くなり、記録感度が著しく低下してしまう。
本発明においては低熱伝導率の、薄い上部保護層を用いるのが好ましい。これにより、記録パワー照射開始時点の数ｎｓｅｃ〜数１０ｎｓｅｃにおいて、記録層から反射層への熱伝導に時間的な遅延を与え、その後に反射層への放熱を促進することができるため、放熱により必要以上に記録感度を低下させることがない。従来知られている、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＮ等を主成分とする保護層材料は、それ自身の熱伝導率が高すぎて、単体では第１及び第２上部保護層に相応しくない。
【００４２】
一方、反射層における放熱は、例えば第２情報層の場合、第２反射層の膜厚を厚くしても達成できるが、第２反射層の膜厚が３００ｎｍを超えると、第２記録層の膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導が顕著になり、膜面方向の温度分布改善効果が得られない。また、第２反射層自体の熱容量が大きくなり、第２反射層、ひいては第２記録層の冷却に時間がかかるようになって、非晶質マークの形成が阻害される。最も好ましいのは、高熱伝導率の第２反射層を薄く設けて横方向への放熱を選択的に促進することである。従来用いられていた急冷構造は、膜厚方向の１次元的な熱の逃げにのみ注目し、第２記録層から第２反射層に早く熱を逃すことのみを意図しており、この平面方向の温度分布の平坦化に十分な留意が払われていなかった。
なお、上記の、いわば「上部保護層での熱伝導遅延効果を考慮した超急冷構造」は、上記第１及び第２記録層に適用すると、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３記録層に比べて一層効果がある。何故なら、第１及び第２記録層はＴｍ近傍での再凝固時の結晶成長が再結晶化の律速になっているからである。Ｔｍ近傍での冷却速度を極限まで大きくして、非晶質マーク及びそのエッジの形成を確実かつ明確なものとするには、超急冷構造が有効であり、かつ、膜面方向の温度分布の平坦化で、元々Ｔｍ近傍で高速消去可能であったものが、より高消去パワーまで確実に再結晶化による消去を確保できるからである。
【００４３】
第１及び第２上部保護層の材料としては熱伝導特性が低い方が望ましいが、その目安は１×１０−３ｐＪ／（μｍ・Ｋ・ｎｓｅｃ）である。しかしながら、このような低熱伝導率材料の薄膜状態の熱伝導率を直接測定するのは困難であり、代りに、熱シミュレーションと実際の記録感度の測定結果から目安を得ることができる。好ましい結果をもたらす低熱伝導率の上部保護層材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ２、希土類硫化物のうちの少なくとも一種を５０〜９０モル％含み、かつ、融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱性化合物を含む複合誘電体である。更に好ましくはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ等の希土類の硫化物を６０〜９０モル％含むか、或いは、ＺｎＳ、ＺｎＯを７０〜９０モル％含む複合誘電体である。
融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱化合物材料としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物が挙げられる。
特にＺｎＳと混合されるべき材料としてはＳｉＯ２が望ましく、本発明ではこの組み合わせが最適であると考えている。
【００４４】
第１及び第２上部保護層の膜厚は前述したように５〜３０ｎｍとする。好ましくは２５ｎｍ以下である。３０ｎｍより厚いとマーク幅方向の温度分布の十分な平坦化効果が得られない。また５ｎｍ未満では、上部保護層部での熱伝導の遅延効果が不十分で、記録感度低下が著しくなり好ましくない。第１及び第２上部保護層の膜厚は、記録レーザー光の波長が６００〜７００ｎｍでは１５〜２５ｎｍが好ましく、３５０〜６００ｎｍでは５〜２０ｎｍが好ましく、５〜１５ｎｍがより好ましい。
第１及び第２下部保護層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍ未満であると、記録時の熱によって記録層が変形してしまう恐れがある。２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じてくる傾向がある。これらの範囲で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を行なう。
なお、上部保護層と下部保護層を同じ材料にすると、製造上のコスト低減の面からも有利である。
【００４５】
次に、第１反射層１０５及び第２反射層２０５について説明する。
第１及び第２反射層は、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化し易くするなどの機能を有するものであり、とりわけ本発明の特徴である超急冷構造には、非常に熱伝導率の高い金属が用いられる。具体的にはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａなど、又はそれらの合金が挙げられ、添加元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどが使用される。
中でもＡｇ系材料は、屈折率が小さく光吸収を小さく抑えることができるので、特に第１情報層の反射層に用いる材料として好ましい。
【００４６】
このような反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１情報層は高い透過率が必要とされるため、第１反射層には、屈折率が低く熱伝導率が高いＡｇ又はＡｇ合金を用いることが好ましい。また膜厚は、３〜２０ｎｍ程度が好ましい。３ｎｍ未満では、膜厚が均一で緻密な膜を作ることが困難になる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報層２００の記録再生が困難になる。
また、第２情報層を構成する第２反射層の膜厚は、５０〜３００ｎｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎｍ未満では純Ａｇを用いても更にこの上に熱拡散層を設けなければ、放熱効果が不足し超急冷構造には不十分である。一方、３００ｎｍを超えると、熱が水平方向より垂直方向に逃げて、水平方向の熱分布改善に寄与しないし、第２反射層そのものの熱容量が大きく、却って第２記録層の冷却速度が遅くなってしまう。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
【００４７】
また、第１上部保護層と第１反射層との間及び／又は第２上部保護層と第２反射層の間にバリア層を設けても構わない。前述のように、反射層としては、Ａｇ合金、保護層としては、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物が最も好ましいが、この２層が隣接した場合、保護層中の硫黄が反射層のＡｇを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下する恐れがある。この不具合をなくすために、反射層にＡｇ系を用いた場合にはバリア層を設けるのが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点が記録層よりも高い必要があり、具体的にはＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；或いは、それらの混合物が挙げられる。これらのバリア層は、レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。
バリア層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
バリア層の膜厚は、２〜１０ｎｍであることが好ましい。２ｎｍ未満になると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなり保存信頼性が低下する。１０ｎｍより厚くなると、急冷構造が得られなくなったり透過率が低下する傾向がある。
【００４８】
また、第１反射層の上に第１熱拡散層を設けても構わない。前述のように、第１反射層は、透過率の観点から非常に薄くなければならないが、第１反射層が薄いと熱容量が不足し、第１記録層の急冷が難しくなる。第１反射層の熱容量を補うために第１熱拡散層を設けるとよい。
第１熱拡散層は、レーザー光照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層が記録再生できるよう、レーザー波長での吸収率が小さいことも望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が０．５以下であることが好ましい。更には、０．３以下であるのが好ましい。０．５より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は１．６以上であることが好ましい。これより小さいと、第１情報層の透過率を大きくするのが困難になる。
【００４９】
以上のことから、第１熱拡散層の材料としては、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含むことが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＡＴＯ（酸化スズ−アンチモン）、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。
第１熱拡散層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１熱拡散層の膜厚は、１０〜２００ｎｍが好ましい。１０ｎｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
なお、熱拡散層を、更に第１下部保護層と第１基板の間に設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。
【００５０】
以下、本発明の片面２層型の相変化型光記録媒体の製造方法について説明する。
製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。
成膜工程としては、第１基板の案内溝が設けられた面に第１情報層を形成したものと、第２基板の案内溝が設けられた面に第２情報層を形成したものを別途作成する。
第１情報層、第２情報層のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
【００５１】
初期化工程では、第１及び第２情報層に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、即ち記録層を結晶化させる。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第１及び第２情報層の上に、ＵＶ樹脂などをスピンコートし紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。
また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板側から、第１及び第２情報層を初期化させても構わない。
次に、以上のようにして初期化された、第１基板の案内溝が設けられた面に第１情報層を形成したものと、第２基板の案内溝が設けられた面に第２情報層を形成したものとを、第１情報層と第２情報層とを向かい合わせながら、中間層を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
【００５２】
次に、本発明に係る２層相変化型光記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程及び初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。この方法により製造した２層相変化型光記録媒体は、第１基板と中間層にグルーブが形成されることになる。
第一成膜工程では、第１基板上の案内溝の設けられた面に第１情報層を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層形成工程では、第１情報層上に案内溝を有する中間層を形成する。例えば、第１情報層上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
第二成膜工程では、中間層上に第２情報層を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
基板貼り合わせ工程では、第２情報層と第２基板を接着材で貼り合わせる。例えば、第２情報層上又は第２基板上に、接着層の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第２情報層と第２基板とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。
初期化工程では、第１基板側から、第１情報層、第２情報層に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。
図３は、本発明に係る片面２層型光記録媒体の記録・再生を行なうための装置の概略図である。レーザーダイオード１１を出たレーザー光は、ハーフミラー１２および対物レンズ１３を通じて、スピンドルモーター１４によって回転している光記録媒体１５上にフォーカシングされ、情報信号の記録・再生が行なわれる。
【発明の効果】
【００５３】
本発明１〜８によれば、安定にトラッキングができ、各情報層に対して良好に記録・再生を行なうことのできる片面２層型の追記型光記録媒体及び相変化型光記録媒体を提供できる。
また、本発明９によれば、更に既存のＤＶＤ−ＲＯＭドライブでも安定した再生が可能な片面２層型の追記型光記録媒体及び相変化型光記録媒体を提供できる。
また、本発明１０によれば、本発明１〜９の片面２層型の追記型光記録媒体及び相変化型光記録媒体を用いて良好に記録・再生を行なうことができる。
また、本発明１１によれば、安定にトラッキングができ、各情報層に対して良好に記録・再生を行なうことのできる片面２層型の追記型光記録媒体及び相変化型光記録媒体の記録・再生装置を提供することができる。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、各実施例及び比較例の第１及び第２基板の溝幅と溝深さは、ＨｅＮｅレーザーの干渉光強度を用いて求めた値である。また、溝幅は、溝の半値の幅である。
【００５５】
実施例１
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．３０μｍ、溝深さ１４５ｎｍの案内溝を持つポリカーボネート樹脂（屈折率ｎ１＝１．５８）からなる第１基板上に、下記化合物〔化３〕を２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させた溶液をスピンナー塗布し、膜厚６０ｎｍの第１有機色素記録層を形成した。
次いで、記録層の上に、マグネトロンスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＡｇからなる第１反射層を製膜し、その上に膜厚３０ｎｍのＩＺＯ〔Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（１０重量％）〕からなる第１熱拡散層を製膜して、第１情報層を作成した。
このようにして形成した第１情報層上に、樹脂（屈折率ｎ２＝１．５８）を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって、トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．２５μｍ、溝深さ１５０ｎｍの案内溝を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは５０μｍである。
更にその上に、膜厚２０ｎｍのＳｉＯ２からなる保護層を成膜し、その上に第１情報層と同様の溶液をスピンナー塗布して、膜厚９０ｎｍの第２有機色素記録層を形成し、次いで膜厚６０ｎｍのＡｕからなる第２反射層を成膜して第２情報層を作成した。
次に、第２情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、案内溝を有しない第２基板と貼り合わせてスピンコートし、第２基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて貼り合せ、片面２層型の追記型光ディスクを作成した。
【化３】
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上記光ディスクについて、光ディスク評価装置（レーザー波長６５８ｎｍ、ＮＡ０．６５）を用い、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．４０、ＰＰ２＝０．４２、ＰＰ１／ＰＰ２＝０．９５であった。また反射率は、１情報層が１９．１％、第２情報層が１８．４％であった。
また、この光ディスクのグルーブ部に対して線速３．４９ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号を記録した後の３Ｔ信号のマークジッタは、第１情報層、第２情報層共に記録パワー２５ｍＷ以下で、９％以下であり、モジュレーションも５０％以上であった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００５６】
実施例２
第１基板の溝幅を０．２０μｍ、溝深さを１１０ｎｍに変え、第２基板の溝幅を０．２９μｍ、溝深さを１０５ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．３５、ＰＰ２＝０．３０、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．１７であった。また反射率は、第１情報層が１９．８％、第２情報層が１８．５％であった。
また、この光ディスクに対して線速３．４９ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号を記録した後の３Ｔ信号のマークジッタは、第１情報層、第２情報層共に記録パワー２５ｍＷ以下で、９％以下であり、モジュレーションも５０％以上であった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００５７】
実施例３
第１基板の溝幅を０．３６μｍ、溝深さを１６０ｎｍに変え、第２基板の溝幅を０．３０μｍ、溝深さを１５８ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．６１、ＰＰ２＝０．５８、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．０５であった。また反射率は、第１情報層が１８．４％、第２情報層が１８．１％であった。
また、この光ディスクに対して線速３．４９ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号を記録した後の３Ｔ信号のマークジッタは、第１情報層、第２情報層共に記録パワー２５ｍＷ以下で、９％以下であり、モジュレーションも５０％以上であった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００５８】
実施例４
第１基板の溝幅を０．３２μｍ、溝深さを１８０ｎｍに変え、第２基板の溝幅を０．３７μｍ、溝深さを１７０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．７０、ＰＰ２＝０．６０、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．１７であった。また反射率は、第１情報層が１８．６％、第２情報層が１８．３％であった。
また、この光ディスクに対して線速３．４９ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号を記録した後の３Ｔ信号のマークジッタは、第１情報層、第２情報層共に記録パワー２５ｍＷ以下で、９％以下であり、モジュレーションも５０％以上であった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００５９】
比較例１
第１基板の溝幅を０．４０μｍ、溝深さを８７ｎｍに変え、第２基板の溝幅を０．３８μｍ、溝深さを９８ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．２５、ＰＰ２＝０．２４、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．０６であった。また反射率は、第１情報層が２０．４％、第２情報層が１８．９％であった。
また、この光ディスクに対して線速３．４９ｍ／ｓでＥＦＭランダム信号を記録した後の３Ｔ信号のマークジッタは、記録パワー２５ｍＷ以下では９％以上であり、また、モジュレーションも５０％未満で、実施例１〜４より劣っていることが分った。
【００６０】
比較例２
第１基板の溝幅を０．２５μｍ、溝深さを２００ｎｍに変え、第２基板の溝幅を０．２８μｍ、溝深さを１５５ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．７２、ＰＰ２＝０．４０、ＰＰ１／ＰＰ２＝０．８であった。また反射率は、第１情報層が１８．１％、第２情報層が１７．１％であった。
また、この光ディスクの反射率を測定したところ、第１情報層、第２情報層ともに１８％以下であり、線速３．４９ｍ／ｓでＥＦＭ信号を記録し、ＤＶＤ−ＲＯＭドライブに挿入したが、ディスクを認識することはできなかった。
【００６１】
実施例１〜４以外に、以下の２層追記型光ディスクの試作実験を行なった。
第１基板の溝深さを１５０ｎｍとし、溝幅を０．１〜０．５μｍの間で変え、それぞれの第１情報層の未記録部での反射率が１９％になるように第１記録層と第１熱拡散層の厚さを変えた以外は、実施例１と同様にして、２層追記型光ディスクを作成した。それぞれの光ディスクの溝幅と、第１情報層の透過率、３Ｔ信号のマークジッターの関係をグラフにしたものが図４である。図４から、透過率が４０％以上でジッターを９％以下にするためには、溝幅が、０．１５〜０．４μｍの範囲が好ましいことが分った。これはトラックピッチとの比で表すと０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．５５の範囲である。
また、第１基板の溝幅を０．２６μｍとし、溝深さを８５〜３００ｎｍの間で変え、それぞれの第１情報層の未記録部での反射率が１９％になるように第１記録層と第１熱拡散層の厚さを変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成した。それぞれの光ディスクの溝深さと、第１情報層の透過率、３Ｔ信号のマークジッターの関係をグラフにしたものが図５である。図５から、透過率が４０％以上でジッターを９％以下にするためには、溝深さが４λ／１６ｎ１≦ｄ１≦７λ／１６ｎ１の範囲が好ましいことが分った。
【００６２】
また、上記実施例以外にも、溝幅、溝深さを変えた２層追記型光ディスクを作成し、それぞれの光ディスクのＰＰ１、ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１が０．３０〜０．７０の範囲内、ＰＰ２が０．２５〜０．６０の範囲内であれば、両層に対して安定にトラッキングができ、層間ジャンプの際にもトラッキングが外れることなくスムーズに読み出しを行なうことができ、第１情報層、第２情報層のジッターも９％以下であることが確認された。また、各ディスクのＰＰ１／ＰＰ２と第１情報層、第２情報層のジッターの関係をグラフ化したのが図６である。ＰＰ１／ＰＰ２が０．６〜１．４の範囲であれば、両層共にジッターが９％以下となり、良好に記録再生することができた。
また記録層に関しても、波長６５５±２５ｎｍの波長域に対する屈折率ｎが、１．５≦ｎ≦３．０で、消衰係数ｋが、０．０２≦ｋ≦０．２であれば、ライトパワーＰｗが２４ｍＷ以下でも良好に記録することができた。
【００６３】
更に、第１記録層と第１熱拡散層の膜厚を変えた点以外は、実施例１と同様にして２層追記型光ディスクを作成した。それぞれの光ディスクに対して線速３．４９ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を記録し、ＤＰＤ信号を測定した。それぞれの光ディスクを再生専用のＤＶＤ装置で読み出しを行なったところ、表１のように、ＤＰＤ信号が０．３以上であれば、安定して読み出しを行なうことができた。
【表１】
2005004944.tif 000006
【００６４】
実施例５
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．３０μｍ、溝深さ３１ｎｍの案内溝を持つポリカーボネート樹脂（屈折率ｎ１＝１．５８）からなる第１基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる第１下部保護層（膜厚１２０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（膜厚６ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる第１上部保護層（膜厚１５ｎｍ）、Ａｇ９８Ｚｎ１Ａｌ１からなる第１反射層（膜厚１０ｎｍ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０重量％Ｚｎ）からなる第１熱拡散層（膜厚１２０ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタ法で製膜し、第１情報層を得た。
次に、第１基板の溝幅を０．２５μｍ、溝深さを３１ｎｍに変えた第２基板上に、Ａｌ９９Ｔｉ１からなる第２反射層（膜厚１２０ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる第２上部保護層（膜厚２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層（膜厚１５ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる第２下部保護層（膜厚１３０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を得た。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行なった。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂（屈折率ｎ２＝１．５８）を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する片面２層型の相変化型光記録媒体を作成した。中間層の厚さは５０μｍとした。
この光ディスクについて、光ディスク評価装置（レーザー波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５）を用い、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．３８、ＰＰ２＝０．４３、ＰＰ１／ＰＰ２＝０．８６であった。
また、この光ディスクのグルーブ部に対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッターの増加は、第１情報層で０．９％、第２情報層で０．６％であった。また、１トラックのみにランダム信号を１回記録した時のマークジッターと左右隣接したトラックにもランダム信号を１回記録した時の真中のトラックのマークジッターを比較したところ、後者が０．２％大きいだけだった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００６５】
実施例６
第１基板の溝幅を０．２０μｍ、溝深さを２５ｎｍに変え、第１熱拡散層をＡｌＮからなる膜厚８０ｎｍの層に変え、第２基板の溝幅を０．２９μｍ、溝深さを２５ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１、及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．３０、ＰＰ２＝０．２８、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．０７であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッタの増加は、第１情報層で０．８％、第２情報層で０．８％であった。また、１トラックのみにランダム信号を１回記録した時のマークジッターと左右隣接したトラックにもランダム信号を１回記録した時の真中のトラックのマークジッターを比較したところ、後者が０．６％大きいだけだった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００６６】
実施例７
第１基板の溝幅を０．３５μｍ、溝深さを３７ｎｍに変え、第１熱拡散層をＡｌＮからなる膜厚８０ｎｍの層に変え、第２基板の溝幅を０．２７μｍ、溝深さを３７ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１、及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．４５、ＰＰ２＝０．４６、ＰＰ１／ＰＰ２＝０．９８であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッタの増加は、第１情報層で０．７％、第２情報層で０．５％であった。また、１トラックのみにランダム信号を１回記録した時のマークジッターと左右隣接したトラックにもランダム信号を１回記録した時の真中のトラックのマークジッターを比較したところ、後者が０．２％大きいだけだった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００６７】
実施例８
第１基板の溝幅を０．３６μｍ、溝深さを５３ｎｍに変え、第１熱拡散層をＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０重量％ＳｎＯ２）からなる膜厚１２０ｎｍの層に変え、第２基板の溝幅を０．３０μｍ、溝深さを５０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．６０、ＰＰ２＝０．５８、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．０３であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッタの増加は、第１情報層で１．２％、第２情報層で０．９％であった。また、１トラックのみにランダム信号を１回記録した時のマークジッターと左右隣接したトラックにもランダム信号を１回記録した時の真中のトラックのマークジッターを比較したところ、後者が０．２％大きいだけだった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【００６８】
比較例３
第１基板の溝幅を０．４０μｍ、溝深さを１３ｎｍに変え、第１熱拡散層をＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０重量％ＳｎＯ２）からなる膜厚１２０ｎｍの層に変え、第２基板の溝幅を０．３８μｍ、溝深さを１３ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．２３、ＰＰ２＝０．２０、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．１５であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッタの増加は、第１情報層で３．５％、第２情報層で２．７％であった。また、１トラックのみにランダム信号を１回記録した時のマークジッターと左右隣接したトラックにもランダム信号を１回記録した時の真中のトラックのマークジッターを比較したところ、後者が４．５％も大きくなり、実施例１〜４より劣っていることが分った。
【００６９】
比較例４
第１基板の溝幅を０．２５μｍ、溝深さを８８ｎｍに変え、第１熱拡散層をＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０重量％ＳｎＯ２）からなる膜厚１２０ｎｍの層に変え、第２基板の溝深さのみを８５ｎｍに変えた（溝幅は０．２５μｍのまま）点以外は、実施例１と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成し、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．６７、ＰＰ２＝０．６３、ＰＰ１／ＰＰ２＝１．０６であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッタの増加は、第１情報層で４．５％、第２情報層で４．３％と大きく、実施例１〜４に比べて劣っていることが分った。
【００７０】
実施例９
実施例５と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成した。初期化処理を行なった後で第１情報層に対して、第１基板側から、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計（ＭＰＣ−２２００）を用いて６６０ｎｍでの透過率を測定したところ、４７％であった。
また、光ディスク評価装置（レーザー波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５）を用い、この光ディスクの記録前の反射率を測定したところ第１情報層で９．６％、第２情報層で９．２％であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を記録したところ、ジッターは、第１情報層で８．３％、第２情報層で８．７％であった。
【００７１】
比較例５
第１基板の溝幅を０．１３μｍ、溝深さを２７ｎｍに変え、第２基板の溝幅を０．２５μｍ、溝深さを３１ｎｍに変えた点以外は、実施例５と同様にして片面２層型の相変化型光ディスクを作成した。初期化処理を行った後で、第１情報層に対して、第１基板側から、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計（ＭＰＣ−２２００）を用いて６６０ｎｍでの透過率を測定したところ、３９％であった。
また、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１、及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．２９、ＰＰ２＝０．４３、ＰＰ１／ＰＰ２＝０．６７であった。また、反射率は、第１情報層で９．４％、第２情報層で６．３％であった。
また、この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を記録したところ、第１情報層で８．３％であったが、第２情報層では１３．７％と大きく、光ディスクとして劣っていることが分った。
実施例９と比較例５を対比すると、実施例９の光ディスクは第１基板の溝幅が０．３０μｍであるが、比較例５のように第１基板の溝幅が０．１５μｍ（ｗ１／ｐ１＝０．２）より狭いと、安定にフォーカシングさせるために膜厚を調整して反射率を９％前後にしようとした場合に、透過率が減少してしまうことが分った。このため、比較例５では、第２情報層の感度が悪くなり、ジッター値が９％以上となってしまうことが分った。
【００７２】
上記実施例以外に、以下の２層相変化型光ディスクの試作実験を行なった。
第１基板の溝深さを３１ｎｍとし、溝幅を０．１〜０．５μｍの間で変え、それぞれの第１情報層の未記録部での反射率が９％になるように第１下部保護層と第１熱拡散層の厚さを変えた以外は、実施例５と同様にして、２層相変化型光ディスクを作成した。それぞれの光ディスクの溝幅と、第１情報層の透過率、１０００回記録後の３Ｔ信号のマークジッターの増加量の関係をグラフにしたものが、図７である。図７から透過率が４０％以上で、１０００回記録後のジッターの増加量を３％以下にするためには、溝幅とトラックピッチとの関係が、０．２≦ｗ１／ｐ１≦０．６の範囲が好ましいことが分った。
また、第１基板の溝幅を３０μｍとし、溝深さを５〜９０ｎｍの間で変え、それぞれの第１情報層の未記録部での反射率が９％になるように第１下部保護層と第１熱拡散層の厚さを変えた以外は、実施例５と同様にして、２層相変化型光ディスクを作成した。それぞれの光ディスクの溝深さと、第１情報層の透過率、３Ｔ信号のマークジッターの関係をグラフにしたものが、図８である。透過率が４０％以上で、ジッターを９％以下にするためには、溝深さが、λ／１６ｎ１≦ｄ１≦３λ／１６ｎ１の範囲が好ましいことが分った。
【００７３】
また、上記実施例以外にも、溝幅、溝深さを変えた２層相変化型光ディスクを作成し、それぞれの光ディスクのＰＰ１、ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１が０．３０〜０．７０の範囲内、ＰＰ２が０．２５〜０．６０の範囲内であれば、両層に対して安定にトラッキングができ、層間ジャンプの際にもトラッキングが外れることなくスムーズに読み出しを行なうことができ、第１情報層、第２情報層のジッターも９％以下であることが確認された。また、各ディスクのＰＰ１／ＰＰ２と第１情報層、第２情報層のジッターの関係をグラフ化したのが、図９である。ＰＰ１／ＰＰ２が０．６〜１．４の範囲であれば、両層共にジッターが９％以下となり、良好に記録再生することができた。
【００７４】
実施例１０〜２４
第１記録層の材料として、表２に示す組成の材料を用いた点以外は、実施例５と同様にして、２層相変化型光ディスクを作成した。
この光ディスクに対して、線速３．４９ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー２８ｍＷ、消去レーザーパワー１０ｍＷでＥＦＭランダム信号を記録したときの、１回記録後と１００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッターを表２に示す。何れの光ディスクもジッターが９％以下で良好であった。
【表２】
2005004944.tif 000007
【００７５】
実施例２５
直径１２ｃｍ、厚さ０．５７ｍｍで表面にトラックピッチ０．４５μｍ、溝幅０．２１μｍ、溝深さ３０ｎｍの案内溝を持つポリカーボネート樹脂（屈折率ｎ１＝１．５８）からなる第１基板上に、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１下部保護層（厚さ１２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１上部保護層（厚さ１０ｎｍ）、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１からなる第１反射層（厚さ８ｎｍ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０重量％Ｚｎ）からなる第１熱拡散層（厚さ３５ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。
この第１情報層上に樹脂（日本化薬社製ＤＶＤ００３、屈折率ｎ２＝１．５８）を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ、光重合）法によって、トラックピッチ０．４５μｍ、溝幅０．２１μｍ、溝深さ３３ｎｍのトラッキングガイド用の凹凸を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは３０μｍである。
更にその上に、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２下部保護層（厚さ５５ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１からなる第２反射層（厚さ１６０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を形成した。
更に第２情報層膜面上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートフィルムからなる第１基板を貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作成した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、第１基板側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行なった。
この光ディスクについて、光ディスク評価装置（レーザー波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５）を用い、記録前の第１情報層のプッシュプル値ＰＰ１及び第２情報層のプッシュプル値ＰＰ２を測定したところ、ＰＰ１＝０．４２、ＰＰ２＝０．４５、ＰＰ１／ＰＰ２＝０．９３であった。また、これとは違う評価装置を用い、レーザー波長を３９５ｎｍ、４１０ｎｍ、４１５ｎｍと変えたときのプッシュプルを測定したところ、０．３０≦ＰＰ１≦０．７０、０．２５ＰＰ２≦０．７０の範囲内であった。
また、この光ディスクのグルーブ部に対して、線速５．３ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー１４．５ｍＷ、消去レーザーパワー５ｍＷで１−７ＲＬＬランダム信号を１０００回オーバーライトした後の３Ｔ信号のマークジッターは、第１情報層、第２情報層ともに９％以下と良好であった。また、１トラックのみにランダム信号を１回記録した時のマークジッターと左右隣接したトラックにもランダム信号を１回記録した時の真中のトラックのマークジッターを比較したところ、後者が０．３％大きいだけだった。また、ＤＰＤ信号は０．３以上であった。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施形態に係わる片面２層型の追記型光記録媒体の概略断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係わる片面２層型の相変化型光記録媒体の概略断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係わる光記録媒体の記録再生装置。
【図４】片面２層型の追記型光記録媒体の溝幅と第１情報層の透過率の関係を示す図。
【図５】片面２層型の追記型光記録媒体の溝深さと第１情報層の透過率の関係を示す図。
【図６】片面２層型の追記型光記録媒体のＰＰ１／ＰＰ２とジッターの関係を示す図。
【図７】片面２層型の相変化型光記録媒体の溝幅と第１情報層の透過率の関係を示す図。
【図８】片面２層型の相変化型光記録媒体の溝深さと第１情報層の透過率の関係を示す図。
【図９】片面２層型の相変化型光記録媒体のＰＰ１／ＰＰ２とジッターの関係を示す図。
【符号の説明】
【００７７】
１００  第１情報層
１０１  第１基板
１０２  第１下部保護層
１０３  第１記録層
１０４  第１上部保護層
１０５  第１反射層
１０６  第１熱拡散層
２００  第２情報層
２０１  第２基板
２０２  第２下部保護層
２０３  第２記録層
２０４  第２上部保護層
２０５  第２反射層
３００  中間層
【図１】
2005004944.tif 000008
【図２】
2005004944.tif 000009
【図３】
2005004944.tif 000010
【図４】
2005004944.tif 000011
【図５】
2005004944.tif 000012
【図６】
2005004944.tif 000013
【図７】
2005004944.tif 000014
【図８】
2005004944.tif 000015
【図９】
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