(57)【要約】【課題】  ガラスなどの硬質の電気光学装置用基板を用いた場合でも、表面の平滑性を容易に確保でき、かつ、基板上に形成されている端子を損傷することなく、基板を薄型化可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置１００の製造途中品１００′を、研磨装置２００の定盤２１０に対してワックス２５０に固定し、この状態で、厚さが０．５ｍｍの対向基板２０の表面を研磨し、２５μｍの厚さにまで薄型化する。製造途中品１００′を定盤２１０に固定する際には、ワックス２５０を溶融させた後、冷却、固化させる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を硬質の電気光学装置用基板によって保持した電気光学装置の製造途中品を製造した後、前記電気光学装置用基板を所定厚まで薄型化する電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置の製造途中品を形成した後、当該製造途中品を定盤上にワックスを介して固定する第１の工程と、
前記定盤上に前記ワックスを介して前記製造途中品を固定した状態で前記電気光学装置用基板の表面を研磨して当該電気光学装置用基板の所定厚にまで薄形化する第２の工程と、
前記ワックスを加熱して溶融させて電気光学装置を前記定盤上から外す第３の工程と
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第２の工程では、前記製造途中品を前記定盤上に前記ワックスを介して固定したまま、前記電気光学装置用基板を研磨して薄型化するラッピング工程と、当該電気光学装置用基板の表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記製造途中品では多数の端子が露出した状態にあり、前記第１の工程後、前記第２の工程中、および前記第３の工程を開始する際、前記多数の端子を前記ワックスで覆った状態にしておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、ガラス基板あるいは石英基板であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記第２の工程では、前記電気光学装置用基板を１００μｍ以下にまで薄形化することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記第２の工程では、前記電気光学装置用基板を５０μｍ以下にまで薄形化することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記第１の工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱して溶融させ、溶融した前記ワックスに前記製造途中品を浸漬するとともに、当該製造途中品に流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却、固化させて、前記定盤上に対して前記ワックスを介して前記製造途中品を固定することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第１の工程では、前記製造途中品を流体圧によって前記定盤に向けて押し付けるにあたって、ヘッドから前記製造途中品の上面に向けて圧縮空気を噴出することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、前記第１の工程では、前記電気光学装置を流体圧によって前記定盤に向けて押し付けるにあたって、弾性を備えた隔膜を前記製造途中品に被せ、当該隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、前記製造途中品が配置されている側とは反対側の空間内に流体を供給することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、対向配置された２枚の前記電気光学装置用基板の間に前記電気光学物質としての液晶を保持させて前記製造途中品を構成し、当該電気光学装置用基板のうちの少なくとも１枚の電気光学装置用基板を研磨して薄型化することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、１枚の前記電気光学装置用基板上、あるいは対向配置された２枚の前記電気光学装置用基板の間に前記電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス材料を配置して前記製造途中品を構成し、当該電気光学装置用基板のうちの少なくとも１枚の電気光学装置用基板を研磨して薄型化することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに規定する方法により製造したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に規定する電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１３において、前記電気光学装置は、湾曲した状態で用いられていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に電気光学物質を保持した電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置を構成する基板の薄型化技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの電気光学装置では、電気光学装置用基板によって電気光学物質が保持されており、当該電気光学装置用基板の略中央領域を画像表示領域として各種の画像が表示される。画像表示領域には、縦横に延びた走査線およびデータ線の交点に相当する各位置に、画素スイッチング素子や画素電極を備えた画素が多数、マトリクス状に構成される。
【０００３】
電気光学装置については軽量化が望まれており、かかる要求に対応するために、電気光学装置用基板としてプラスチックフィルム基板を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−４３４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、プラスチックフィルム基板は、耐熱性が低いため、半導体プロセスを利用して基板上に配線や画素電極を形成する際、損傷しやすいという問題点がある。かといって、電気光学装置用基板として、薄いガラス基板を用いた場合には、製造工程中に割れるという問題点がある。
【０００５】
そこで、電気光学物質をガラスなどの硬質の電気光学装置用基板に保持させて電気光学装置の製造途中品を製造した後、電気光学装置用基板に化学エッチングを施して所定厚まで薄型化する方法が考えられる。
【０００６】
しかしながら、化学エッチングによって電気光学装置用基板を薄型化した場合には、電気光学装置用基板表面が大きく荒れて光透過性が著しく低下するという問題点がある。また、電気光学装置用基板には必ず端子が露出した状態に形成されているが、化学エッチングの場合、端子もエッチングされて損傷するという問題点もある。さらに、液晶装置のように、２枚の電気光学装置用基板をシール材で貼り合わせた場合、化学エッチングの際、シール材が劣化するという問題点もある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ガラスなどの硬質の電気光学装置用基板を用いた場合でも、表面の平滑性を容易に確保でき、かつ、基板上に形成されている端子などを損傷することなく、基板を薄型化可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を硬質の電気光学装置用基板によって保持した電気光学装置の製造途中品を製造した後、前記電気光学装置用基板を所定厚まで薄型化する電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置の製造途中品を形成した後、当該製造途中品を定盤上にワックスを介して固定する第１の工程と、前記定盤上に前記ワックスを介して前記製造途中品を固定した状態で前記電気光学装置用基板の表面を研磨して当該電気光学装置用基板の所定厚にまで薄形化する第２の工程と、前記ワックスを加熱して溶融させて電気光学装置を前記定盤上から外す第３の工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明において、前記第２の工程では、前記製造途中品を前記定盤上に前記ワックスを介して固定したまま、前記電気光学装置用基板を研磨して薄型化するラッピング工程と、当該電気光学装置用基板の表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことが好ましい。
【００１０】
本発明において、前記製造途中品では多数の端子が露出した状態にあり、前記第１の工程後、前記第２の工程中、および前記第３の工程を開始する際、前記多数の端子を前記ワックスで覆った状態にしておくことが好ましい。
【００１１】
本発明において、前記電気光学装置用基板は、ガラス基板あるいは石英基板である。
【００１２】
本発明において、前記第２の工程では、前記電気光学装置用基板を、例えば、１００μｍ以下にまで薄形化する。このような厚さにまで薄型化すれば、電気光学装置をかなり軽量化することができる。
【００１３】
本発明において、前記第２の工程では、前記電気光学装置用基板を、例えば、５０μｍ以下にまで薄形化する。このような厚さにまで薄型化すれば、電気光学装置を湾曲した形態とすることができる。
【００１４】
本発明において、前記第１の工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱して溶融させ、溶融した前記ワックスに前記製造途中品を浸漬するとともに、当該製造途中品に流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却、固化させて、前記定盤上に対して前記ワックスを介して前記製造途中品を固定することが好ましい。例えば、前記第１の工程において、前記製造途中品を流体圧によって前記定盤に向けて押し付けるにあたっては、ヘッドから前記製造途中品の上面に向けて圧縮空気を噴出する。また、前記第１の工程において、前記電気光学装置を流体圧によって前記定盤に向けて押し付けるにあたっては、弾性を備えた隔膜を前記製造途中品に被せ、当該隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、前記製造途中品が配置されている側とは反対側の空間内に流体を供給してもよい。このように構成すると、製造途中品の全面に均一な力をかけて定盤に押し付けることができるので、製造途中品を適正な姿勢で定盤上に固定することができる。
【００１５】
本発明において、対向配置された２枚の前記電気光学装置用基板の間に前記電気光学物質としての液晶を保持させて前記製造途中品を構成することがあり、この場合、当該電気光学装置用基板のうちの少なくとも１枚の電気光学装置用基板を研磨して薄型化する。
【００１６】
本発明において、１枚の前記電気光学装置用基板上、あるいは対向配置された２枚の前記電気光学装置用基板の間に前記電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス材料を配置して前記製造途中品を構成する場合があり、この場合も、当該電気光学装置用基板のうちの少なくとも１枚の電気光学装置用基板を研磨して薄型化する。
【００１７】
本発明を適用して製造した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータ、さらには、電気光学装置を湾曲させた形態の表示装置などといった電子機器に用いられる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、電気光学装置を構成する電気光学装置用基板を薄型化するにあたって、電気光学装置の製造途中品を形成した後、電気光学装置用基板の所定厚にまで研磨して薄形化する。このため、電気光学装置用基板としてガラス基板などの硬質基板を用いた場合でも、電気光学装置の軽量化を図ることができる。また、プラスチックフィルム基板と違って、ガラス基板などの硬質基板であれば、半導体プロセスを用いて、画素電極や配線、さらには非線形素子を形成することができる。また、電気光学装置を製造する途中までは電気光学装置用基板が厚いので、製造工程中に割れるおそれがない。さらに、電気光学装置用基板の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板表面が荒れることもない。また、電気光学装置用基板には多数の端子が形成されているが、化学エッチングと違って、研磨の場合、電気光学装置用基板の外側表面を選択的に研磨できるので、端子が損傷することもない。さらに、液晶装置のように、一対の電気光学装置用基板がシール材によって貼り合わされている場合、化学エッチングと違って、研磨の場合には、シール材が劣化することもない。さらにまた、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置の製造途中品を定盤上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックスを溶融させるだけで製造途中品を定盤から取り外すことができる。しかも、ワックスによる固定であれば、固定するための応力が製造途中品の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板が割れることもない。さらに、ワックスであれば、約８０℃の温度で溶融するので、液晶やエレクトロルミネッセンス材料などが劣化しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
（電気光学装置の基本構成）
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を対向基板の側から見た平面図、およびその断面図である。図２は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２１】
図１（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、透過型あるいは半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、矩形枠状に塗布されたシール材５２により貼り合わされたＴＦＴアレイ基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０（電気光学装置用基板）との間には、電気光学物質としての液晶５０が保持されている。また、シール材５２の内側には、シール材５２に沿って、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。本形態において、ＴＦＴアレイ基板１０は、対向基板２０より大きく、対向基板２０からの張り出し領域１２には、多数の端子１４がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成され、これらの端子１４に対して、駆動用ＩＣ１１０がＣＯＦ実装された可撓性基板１２０が接続されている。なお、駆動用ＩＣ１１０がＣＯＦ実装された可撓性基板１２０の代わりに、データ線駆動回路および走査線駆動回路をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成した構成、あるいは駆動用ＩＣ１１０をＴＦＴアレイ基板１０上にＣＯＧ実装することもあるが、いずれの場合にも、ＴＦＴアレイ基板１０の張り出し領域１２に端子が形成される。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。なお、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する。）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその表面保護膜とともに形成する。
【００２３】
電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは、下偏光板１４０および上偏光板１５０のみを表してある。
【００２４】
このような構造を有する電気光学装置１００の画像表示領域においては、図２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されている。これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９を駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０（薄膜半導体素子）が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶５０に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図１（Ｂ）に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００２５】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００２６】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０（薄膜キャパシタ素子）により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図２に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００２７】
（電気光学装置の製造方法）
図３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置の製造途中品を対向基板の側から見た平面図、およびその断面図である。図４（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の電気光学装置の製造工程のうち、対向基板に対する研磨工程の工程断面図である。図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の電気光学装置の製造方法において、製造途中品を流体圧を利用して定盤に押し付ける固定用ヘッドおよび隔膜の説明図である。図６（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の電気光学装置の製造工程のうち、ＴＦＴアレイ基板に対する研磨工程などの工程断面図である。
【００２８】
本形態の電気光学装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０はいずれも、厚さが１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下と極めて薄いガラス基板（硬質の基板）や石英基板から構成されている。このような薄い基板によって電気光学装置１００を構成するにあたって、本形態では、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、厚さら０．５ｍｍ程度の厚いＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０を用いて電気光学装置１００の製造途中品１００′を製造した後、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０をそれぞれ所定厚、例えば、２５μｍまで薄型化する。なお、電気光学装置１００を製造する際、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０については、それらを多数取りできる大型の元基板の状態での半導体プロセスによって、各種配線などが形成されるが、以下の説明では、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０と、元基板とを区別せず、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０と称して説明する。
【００２９】
本形態の電気光学装置１００の製造方法では、より具体的には、まず、厚さが約０．５ｍｍのガラス基板に対して、半導体プロセスを利用して、走査線３ａ、データ線６ａ、端子１４、画素電極９ａなどを形成してＴＦＴアレイ基板１０を製造する一方、同じく、厚さが約０．５ｍｍのガラス基板に対して、半導体プロセスを利用して、対向電極２１などを形成して対向基板２０を製造する。
【００３０】
次に、シール材５２によって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定の隙間を介して貼り合わせた後、シール材５２の途切れ部分からなる注入口５４から液晶５０を内側に注入する。次に、注入口５４を封止材５５で封止して、図３に示す電気光学装置１００の製造途中品１００′を製造する。この製造途中品１００′の状態において、ＴＦＴアレイ基板１０の対向基板２０からの張り出し領域１２では、多数の端子１４が露出した状態にある。
【００３１】
一方、図４（Ａ）に示すように、本形態で用いる研磨装置２００は、電気光学装置１００の製造途中品１００′が配置される部分に凹部２２０が形成されたセラミックス製の定盤２１０を備えており、この凹部２２０内には、ワックス２５０が充填されている。
【００３２】
製造途中品１００′を研磨装置２００で研磨する際には、まず、第１工程において、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、ワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させる。そして、溶融したワックス２５０の表面に製造途中品１００′を重ね、図５（Ａ）に示す固定用ヘッド２６０によって、製造途中品１００′を凹部２２０内に押し付ける。
【００３３】
ここで、固定用ヘッド２６０の底面には、多数のノズル孔２６５が形成されており、これらのノズル孔２６５からは圧縮空気が噴射される。このため、本形態において、製造途中品１００′は、固定用ヘッド２６０から噴射された圧縮空気により、固定用ヘッド２６０に対して非接触のまま、定盤２１０の凹部２２０の底部に押し付けられる。
【００３４】
ここで、図５（Ａ）に示す固定用ヘッド２６０に代えて、図５（Ｂ）に示すように、弾性を備えた隔膜２７０を製造途中品１００′に被せ、この隔膜２７０によって仕切られた２つの空間のうち、製造途中品１００′が配置されている側とは反対側の空間２７５内に空気あるいは液体などの流体を供給し、その流体圧によって膨らんだ隔膜２７０によって、製造途中品１００′を定盤２１０の凹部２２０の底部に押し付けてもよい。
【００３５】
次に、溶融していたワックス２５０を２５℃の温度にまで自然冷却あるいは強制冷却し、ワックス２５０を固化させる。その結果、図４（Ｂ）に示すように、製造途中品１００′は、対向基板２０を上に向けて、定盤２１０の凹部２２０内にワックス２５０を介して固定される。
【００３６】
次に、図４（Ｃ）に示すように、第２工程のラッピング工程として、研磨用ヘッド２８０を製造途中品１００′の上方位置に配置し、そこで研磨用ヘッド２８０を軸線周りに回転させる一方、研磨用ヘッド２８０とは異なる速度で定盤２１０も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド２８０と製造途中品１００′との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約１５０ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけながら、製造途中品１００′の対向基板２０の表面を約７．２μｍ／分の速度で研磨し、０．５ｍｍから２５μｍの厚さにまで薄型化する。その際、封止材５５の一部も研磨される。
【００３７】
次に、第２工程のポリッシング工程として、研磨用ヘッド２８０の下端部に柔らかい研磨布を取り付け、研磨用ヘッド２８０と製造途中品１００′との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約５０ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけながら、研磨した対向基板２０の表面を平滑化する。それにより、対向基板２０は、ガラスと同等の光透過率を有することになる。
【００３８】
次に、第３工程として、固化していたワックス２５０を、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、約８０℃の温度にまで加熱して溶融させ、図４（Ｄ）に示すように、製造途中品１００′を定盤２１０の凹部２２０内から取り外す。そして、製造途中品を有機溶剤で洗浄してワックスを除去した後、水洗浄、およびアルコールによる濯ぎ洗浄を行い、次に乾燥を行う。
【００３９】
このようにして、対向基板２０の薄型化を行った後、図６（Ａ）に示すように、製造途中品１００′を表裏反転させて、再び、製造途中品１００′を定盤２１０の凹部２２０に固定する。その際も、ワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させ、図５（Ａ）に示す固定用ヘッド２６０、あるいは図５（Ｂ）に示す隔膜２８０によって、製造途中品１００′を定盤２１０の凹部２２０の底部に押し付けた状態で、溶融していたワックス２５０を冷却して固化させ、図６（Ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０を上に向けて、製造途中品１００′を定盤２１０の凹部２２０内にワックス２５０で固定する（第１工程）。
【００４０】
次に、図６（Ｃ）に示すように、研磨用ヘッド２８０を回転させる一方、研磨用ヘッド２８０とは異なる速度で定盤２１０も回転させ、砥粒の懸濁液を供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約１５０ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけながら、製造途中品１００′のＴＦＴアレイ基板１０の表面を約７．２μｍ／分の速度で研磨し、０．５ｍｍから２５μｍの厚さにまで薄型化する。その際、封止材５５の一部も研磨される（第２工程のラッピング工程）。
【００４１】
次に、研磨用ヘッド２８０の下端部に柔らかい研磨布を取り付け、砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約５０ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけながら、研磨したＴＦＴアレイ基板１０の表面を平滑化する。それにより、ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスと同等の光透過率を有することになる（第２工程のポリッシング工程）。
【００４２】
次に、固化していたワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させ、図６（Ｄ）に示すように、製造途中品１００′を薄型化した電気光学装置１００を定盤２１０の凹部２２０内から取り外す（第３工程）。そして、製造途中品を有機溶剤で洗浄してワックスを除去した後、水洗浄、およびアルコールによる濯ぎ洗浄を行い、次に乾燥を行う。
【００４３】
しかる後に、電気光学装置１００の張り出し領域１２に対して、駆動用ＩＣ１１０がＣＯＦ実装された可撓性基板１２０を接続する。
【００４４】
（本形態の効果）
図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を湾曲させた状態を示す説明図である。
【００４５】
以上説明したように、本形態では、電気光学装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０を薄型化するにあたって、電気光学装置１００の製造途中品１００′を形成した後、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０をそれぞれ所定厚にまで研磨して、０．５ｍｍから１００μｍ以下にまで薄形化する。このため、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０などの電気光学装置用基板としてガラス基板などの硬質基板を用いた場合でも、電気光学装置１００の軽量化を図ることができる。
【００４６】
しかも、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０を５０μｍ以下、例えば、２５μｍの厚さにまで薄型化したため、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電気光学装置１００を湾曲させて、表示装置を構成することもできる。
【００４７】
また、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０として、ガラス基板などの硬質基板を用いたので、半導体プロセスを用いて、画素電極や配線、さらには非線形素子を形成することができる。
【００４８】
また、電気光学装置１００を製造する途中まではＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０がそれぞれ０．５ｍｍ厚と厚いので、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０が製造工程中に割れてしまうことがない。
【００４９】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の表面が大きく荒れることもない。同様に、シール材５２や封止材５５がエッチング液で劣化することもない。
【００５０】
また、ＴＦＴアレイ基板１０には多数の端子１４が形成されているが、化学エッチングと違って、研磨の場合、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面を選択的に研磨できるので、端子１４が損傷することもない。しかも、研磨中、端子１４は、ワックス２５０で常に覆われているので、端子１４の損傷を確実に防止することができる。
【００５１】
さらにまた、溶融していたワックス２５０を固化させるだけで電気光学装置１００の製造途中品１００を定盤２１０上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックス２５０を溶融させるだけで製造途中品１００あるいは電気光学装置１００を定盤２１０から取り外すことができる。
【００５２】
しかも、ワックス２５０による固定であれば、固定するための応力が製造途中品１００の一部分に集中することがないので、ＴＦＴアレイ基板１０や対向基板２０に割れが発生することもない。
【００５３】
また、製造途中品１００′を定盤２１０に向けて押し付る際には流体圧を利用しているため、製造途中品１００′の全面に均一な力をかけて定盤２１０に押し付ける。従って、製造途中品１００′を適正な姿勢、すなわち、定盤２１０の基準面に対して平行に固定することができる。
【００５４】
さらに、ワックス２５０であれば、約８０℃の温度で溶融するので、液晶５０が劣化することもない。
【００５５】
なお、第１の工程後、第２の工程中、および第３の工程を開始する際、多数の端子１４をワックス２５０で覆った状態にしておけば、端子１４が傷付くことを確実に防止できる。
【００５６】
［その他の実施の形態］
なお、上記の実施形態では、電気光学装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の双方を薄型化したが、いずれが一方の基板を研磨により薄型化した場合も、電気光学装置１００の軽量化を図ることができる。
【００５７】
また、本発明は上記の実施形態に限るものではなく、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型液晶装置（パネル）、あるいはパッシブマトリクス型液晶装置（パネル）を用いてもよい。
【００５８】
さらに、液晶装置に限らず、図８に示す有機エレクトロルミネッセンスタイプの表示装置に本発明を適用してもよい。
【００５９】
図８は、電荷注入型の有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００６０】
図８に示す電気光学装置１ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの電気光学装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００６１】
ここに示す電気光学装置１ｐでは、ＴＦＴアレイ基板１０ｐ上に、複数の走査線１０３ｐと、走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交点に対応する画素領域１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路１０４ｐが構成されている。
【００６２】
また、画素領域１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐ（薄膜半導体素子）と、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。従って、保持容量３３ｐは、第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持するので、第１のＴＦＴ３１ｐがオフになっても、第２のＴＦＴ３２ｐのゲート電極３１ｐは画像信号に相当する電位に保持される。それ故、発光素子４０ｐには共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ続けるので、発光素子４０ｐは発光し続け、画像を表示する。
【００６３】
このような電気光学装置１ｐについても、半導体プロセスを利用して、ＴＦＴアレイ基板１０ｐ上に発光素子４０ｐ、ＴＦＴ３１ｐやデータ線１０６ｐなどが形成されるため、ＴＦＴアレイ基板１０ｐとしてガラス基板などといった硬質基板が用いられるが、この硬質基板をワックス固定を利用した研磨により薄型化すれば、電気光学装置１ｐの軽量化を図ることができる。
【００６４】
また、この種の電気光学装置１ｐにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０ｐの表面をガラス基板などといった硬質の保護基板で覆うこともあるが、このような構成の場合には、ＴＦＴアレイ基板１０ｐあるいは保護基板のいずれかを研磨すれば、電気光学装置１ｐの薄型化を図る。ここで、ワックスでであれば、約８０℃の温度で溶融するので、エレクトロルミネッセンス材料が劣化しない。
【００６５】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０ｐあるいは保護基板の双方を５０μｍ以下にまで薄型化すれば、湾曲した形状の電気光学装置１ｐを製造することもできる。
【００６６】
［電子機器への適用］
図９（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータの説明図、および携帯電話機の説明図である。
【００６７】
本発明を適用した電気光学装置１００、１ｐを搭載した電子機器としては、投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【００６８】
すなわち、図９（Ａ）に示すように、パーソナルコンピュータ１８０は、キーボード１８１を備えた本体部１８２と、表示ユニット１８３とを有する。表示ユニット１８３は、前述した電気光学装置１００、１ｐを含んで構成される。また、図９（Ｂ）に示すように、携帯電話機１９０は、複数の操作ボタン１９１と、前述した電気光学装置１００、１ｐからなる表示部とを有している。このように構成した電子機器では、電気光学装置１００、１ｐが極めて薄いので、機器全体の薄型化、軽量化などを測ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明では、電気光学装置の製造途中品を形成した後、電気光学装置用基板の所定厚にまで研磨して薄形化するため、電気光学装置用基板としてガラス基板などの硬質基板を用いた場合でも、電気光学装置の軽量化を図ることができる。また、ガラス基板などの硬質基板であれば、半導体プロセスを用いて、画素電極や配線、さらには非線形素子を形成することができる。また、電気光学装置を製造する途中までは電気光学装置用基板が厚いので、製造工程中に割れるおそれがない。さらに、電気光学装置用基板の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板表面、端子、封止材などが損傷することもない。さらにまた、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置の製造途中品を定盤上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックスを溶融させるだけで製造途中品を定盤から取り外すことができる。しかも、ワックスによる固定であれば、固定するための応力が製造途中品の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板が割れることもない。さらに、ワックスであれば、約８０℃の温度で溶融するので、液晶やエレクトロルミネッセンス材料などが劣化しない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を対向基板の側から見た平面図、およびその断面図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置の製造途中品を対向基板の側から見た平面図、およびその断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の電気光学装置の製造工程のうち、対向基板に対する研磨工程の工程断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の電気光学装置の製造方法において、製造途中品を流体圧を利用して定盤に押し付ける固定用ヘッドおよび隔膜の説明図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の電気光学装置の製造工程のうち、ＴＦＴアレイ基板に対する研磨工程などの工程断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を湾曲させた状態を示す説明図である。
【図８】電荷注入型の有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータの説明図、および携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  ＴＦＴアレイ基板、１２  張り出し領域、１４  端子、２０  対向基板、５２  シール材、５５  封止材、１００  電気光学装置、１００′  電気光学装置の製造途中品、２００  研磨装置、２１０  定盤、２２０  定盤の凹部、２５０  ワックス、２６０  固定用ヘッド、２７０  隔膜、２８０  研磨用ヘッド
【図１】
2005128085.tif 000003
【図２】
2005128085.tif 000004
【図３】
2005128085.tif 000005
【図４】
2005128085.tif 000006
【図５】
2005128085.tif 000007
【図６】
2005128085.tif 000008
【図７】
2005128085.tif 000009
【図８】
2005128085.tif 000010
【図９】
2005128085.tif 000011