(57)【要約】【課題】各記録層を同一材料で構成することにより、製造プロセスを簡略化した光記録媒体を提供する。【解決手段】本発明は、複数の波長のレーザ光に対して多層の情報記録層による記録及び／又は再生を可能とする光記録媒体において、２層以上の、同一の有機材料を主成分とする有機層を有することを特徴とする。上記有機材料としては、化学構造中にポルフィリン環、特にテトラアザポルフィリン環を含むものが好ましく、フタロシアニン系色素が極めて好ましい。実施の形態に係る光記録媒体では、透明基板１上に有機層３とスペーサ層４からなる積層構造を３重に設け、最上層のスペーサ層上に反射層５と、その上に保護層６とを形成した構造とする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の波長のレーザ光に対して多層の情報記録層による記録及び／又は再生を可能とする光記録媒体において、２層以上の、同一の有機材料を主成分とする有機層を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記有機材料が、化学構造中にポルフィリン環を含むものであること特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記ポルフィリン環がテトラアザポルフィリン環であること特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記化学構造中にテトラアザポルフィリン環を含む有機材料がフタロシアニン系色素であることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記有機層は、２０℃における比誘電率が８０未満の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の有機材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記有機材料は、沸騰状態のエタノールに対する溶解度が１ｇ（有機材料）／３０ｍｌ（エタノール）より低い材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
基板上に前記有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
基板上に前記有機層と透明スペーサ層が交互に積層され、最上部に反射層が積層されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記透明スペーサ層は、２０℃における誘電率が８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の材料からなることを特徴とする請求項７または８に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記透明スペーサ層は親水性高分子を主成分とし、該親水性高分子の架橋又は結晶化により耐水性及び耐熱性を向上させたものであることを特徴とする請求項８または９に記載の光記録媒体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記有機層をスピンコート法で成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１いずれかに記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記透明スペーサ層をスピンコート法で成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記有機層を成膜するに際し、あらかじめ目標の膜厚よりも厚く成膜し、前記透明スペーサ層をスピンコート法で成膜するときに前記有機層の表面部を流出させることにより、目標の膜厚を得ることを特徴とする請求項１２に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記親水性高分子からなる少なくとも一層の透明スペーサ層を成膜後、前記親水性高分子の架橋又は結晶化により耐水性及び耐熱性を向上させることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記各有機層および前記透明スペーサ層を成膜したのちベーク処理することにより、前記透明スペーサ層を形成する親水性高分子を架橋又は結晶化させることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記ベーク処理の条件を「時間×温度」で表示した場合、５００（秒・℃）以上とすることを特徴とする請求項１５に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
複数の波長のレーザ光に対して多層の情報記録層による記録及び／又は再生を可能とする光記録媒体において、２層以上の、有機材料を主成分とする有機層を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項１８】
基板上に前記有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１７に記載の光記録媒体。
【請求項１９】
前記透明スペーサ層が紫外線硬化樹脂層と粘着シートから構成されていることを特徴とする請求項８，９，１８のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光により情報の記録及び／又は再生が可能な光記録媒体に関し、更に詳細には、複数層の情報記録面を備えた光記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信システムの進展に伴い、情報記録媒体は、益々、大容量化しつつあって、その一つとして、複数層の情報記録面を備え、レーザ光を用いて情報を記録、再生する情報記録媒体、例えばＤＶＤ−ＲＯＭと通称される２層光ディスクが、最近、市場に提供されている。従来の２層光ディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ）は、信号ピットが形成された２枚の樹脂基材の信号面側に反射層を形成し、信号面を対向させて接着した構造を有し、一方の反射層には半透明膜を使用している。２層光ディスクでは、第１情報記録面を有する半透明膜と、第２情報記録面を有する反射層との２層の情報記録面構造になっている。また、半透明膜には、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属薄膜や、シリコンカーバイドあるいはシリコン系の酸化物（特許文献１）が使用されている。
その他、基板上の多層の記録膜を有する例としては、以下に示す多数の提案（特許文献２〜特許文献５３）がみられる。
【０００３】
【特許文献１】
国際公開第９６／４６５０号パンフレット
【特許文献２】
特許第２５１０１７１号明細書
【特許文献３】
特開平５−２７６８号公報
【特許文献４】
特開平５−１０１３９８号公報
【特許文献５】
特開平６−２８２８６８号公報
【特許文献６】
特開平７−３２０３００号公報
【特許文献７】
特許第２７３７６６４号明細書
【特許文献８】
特開平８−１２４２１０号公報
【特許文献９】
特開平８−１８５６４０号公報
【特許文献１０】
特開平８−２３５６４４号公報
【特許文献１１】
特開平８−２３５６４９号公報
【特許文献１２】
特開平８−２６３８７４号公報
【特許文献１３】
特開平８−２９７８６１号公報
【特許文献１４】
特開平８−３１５３７０号公報
【特許文献１５】
特開平８−３１５４１４号公報
【特許文献１６】
特開平８−３３９５７４号公報
【特許文献１７】
特開平９−２２５４２号公報
【特許文献１８】
特表２００２−５１５１５７号公報
【特許文献１９】
特開平９−６３１１２号公報
【特許文献２０】
特開平９−６３１２２号公報
【特許文献２１】
特開平９−６３１２３号公報
【特許文献２２】
特開平９−７３６６３号公報
【特許文献２３】
特開平９−９１７５２号公報
【特許文献２４】
特開平９−９７４５２号公報
【特許文献２５】
特開平９−１０６５７３号公報
【特許文献２６】
特開平９−１１５１９２号公報
【特許文献２７】
特開平９−１３４５４５号公報
【特許文献２８】
特許第２７７８９３９号明細書
【特許文献２９】
特開平９−１９８７０９号公報
【特許文献３０】
特開平９−２５１６７１号公報
【特許文献３１】
特開平１０−３６９５号公報
【特許文献３２】
特開平１０−９８２９号公報
【特許文献３３】
特開平１０−４０５７４号公報
【特許文献３４】
特開平１０−１７２１８２号公報
【特許文献３５】
特開平１０−１８８３５２号公報
【特許文献３６】
特開平１０−１８８３６７号公報
【特許文献３７】
特開平１０−１８８３６９号公報
【特許文献３８】
特開平１０−１８８３７０号公報
【特許文献３９】
特開平１０−２２２８７０号公報
【特許文献４０】
特開平１０−２５３３２４号公報
【特許文献４１】
特開平１０−２６９５７５号公報
【特許文献４２】
特開平１０−３０２３１４号公報
【特許文献４３】
特開平１１−３５４０号公報
【特許文献４４】
特開平１１−３９６５７号公報
【特許文献４５】
特開平１１−６６６４１号公報
【特許文献４６】
特開平１１−１５４３５２号公報
【特許文献４７】
特開平１１−１８５２９１号公報
【特許文献４８】
特開平１１−１９５２４３号公報
【特許文献４９】
特表２００１−５０５７０１号公報
【特許文献５０】
特表２００１−５２３３７２号公報
【特許文献５１】
特表２００１−５０７０４３号公報
【特許文献５２】
特表２００２−５４１５２２号公報
【特許文献５３】
特表２００２−５４３５４５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記公知文献では、多層の各記録層からの情報を複数の異なる波長で記録再生する場合、用いる波長であるλ＝７８０ｎｍ、６５０ｎｍに吸収、反射特性を有する材料を各層ごとに用意する内容が記されている。つまり、７８０ｎｍのレーザを用いる場合には７８０ｎｍに吸収、反射特性を有する材料、６５０ｎｍではそれに対応した材料である。
この場合、用いる波長分の色素材料が必要であり、それらの色素それぞれに成膜するプロセス、装置も必要になり製品が繁雑になり問題が起こりやすい。
一方、上記の公知文献では、多層の各記録層からの情報を複数の異なる波長で記録再生する場合、その波長は４０５ｎｍ、６５０ｎｍ、７８０ｎｍであり、それぞれの波長における容量はディスク直径が１２ｃｍであった場合、おおよそ、０．５ＧＢ、５ＧＢ、２０ＧＢである。とくに波長７８０ｎｍを用いると容量が低下してしまう問題があった。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の持っていた問題に対して、各記録層の２層以上を同一材料で構成することにより、異なった材料を成膜するプロセスが不要となりプロセスを簡略化することができ、これにより歩留まりの良い良好な光記録媒体、及びその製造方法を提供しようとするものである。
一方、記録層とスペーサ層を交互に積層した場合、スペーサ層を紫外線硬化型樹脂層とし、紫外線樹脂層それぞれに異なった情報を持たせることで、各層独自の情報を再生することができる。
また、各層が４０５ｎｍ付近のいわゆるブルー波長近傍に吸収、反射を有する色素材料を使用することにより、［２０ＧＢ／直径１２ｃｍ媒体］の容量を有する層を積層した大容量記録媒体の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、複数の波長のレーザ光に対して多層の情報記録層による記録及び／又は再生を可能とする光記録媒体において、２層以上の、同一の有機材料を主成分とする有機層を有することを特徴とする光記録媒体である。
【０００７】
請求項２に係る発明は、前記有機材料が化学構造中にポルフィリン環を含むものであること特徴とする請求項１に記載の光記録媒体である。
【０００８】
請求項３に係る発明は、前記ポルフィリン環がテトラアザポルフィリン環であること特徴とする請求項２に記載の光記録媒体である。なお、上記「テトラアザポルフィリン」は、ポルフィリン環の４個のメチン基をアザ基に置き換えた化合物を意味している。
【０００９】
請求項４に係る発明は、前記化学構造中にテトラアザポルフィリン環を含む有機材料がフタロシアニン系色素であることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体である。
【００１０】
請求項５に係る発明は、前記有機層は、２０℃における比誘電率が８０未満の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の有機材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１１】
請求項６に係る発明は、前記有機材料は、沸騰状態のエタノールに対する溶解度が１ｇ（有機材料）／３０ｍｌ（エタノール）より低い材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１２】
請求項７に係る発明は、基板上に前記有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１３】
請求項８に係る発明は、基板上に前記有機層と透明スペーサ層が交互に積層され、最上部に反射層が積層されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１４】
請求項９に係る発明は、前記透明スペーサ層は、２０℃における誘電率が８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の材料からなることを特徴とする請求項７または８に記載の光記録媒体である。
【００１５】
請求項１０に係る発明は、前記透明スペーサ層は親水性高分子を主成分とし、該親水性高分子の架橋又は結晶化により耐水性及び耐熱性を向上させたものであることを特徴とする請求項８または９に記載の光記録媒体である。
【００１６】
請求項１１に係る発明は、請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記有機層をスピンコート法で成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【００１７】
請求項１２に係る発明は、請求項７〜１１のいずれかに記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記透明スペーサ層をスピンコート法で成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【００１８】
請求項１３に係る発明は、前記有機層を成膜するに際し、あらかじめ目標の膜厚よりも厚く成膜し、前記透明スペーサ層をスピンコート法で成膜するときに前記有機層の表面部を流出させることにより、目標の膜厚を得ることを特徴とする請求項１２に記載の光記録媒体の製造方法である。
【００１９】
請求項１４に係る発明は、請求項１０に記載の光記録媒体を製造する方法であって、前記親水性高分子からなる少なくとも一層の透明スペーサ層を成膜後、前記親水性高分子の架橋又は結晶化により耐水性及び耐熱性を向上させることを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【００２０】
請求項１５に係る発明は、前記各有機層および前記透明スペーサ層を成膜したのちベーク処理することにより、前記透明スペーサ層を形成する親水性高分子を架橋又は結晶化させることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の光記録媒体の製造方法である。
【００２１】
請求項１６に係る発明は、前記ベーク処理の条件を「時間×温度」で表示した場合、５００（秒・℃）以上とすることを特徴とする請求項１５に記載の光記録媒体の製造方法である。
【００２２】
請求項１７に係る発明は、複数の波長のレーザ光に対して多層の情報記録層による記録及び／又は再生を可能とする光記録媒体において、２層以上の、有機材料を主成分とする有機層を有することを特徴とする光記録媒体である。
【００２３】
請求項１８に係る発明は、基板上に前記有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１７に記載の光記録媒体である。
【００２４】
請求項１９に係る発明は、前記透明スペーサ層が紫外線硬化樹脂層と粘着シートから構成されていることを特徴とする請求項８，９，１８のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明者は、複数の波長に対応する有機材料を用意することなく、同一の材料が有する複数の吸収を利用する事で、同一材料で複数の波長に対応した記録層を有する多層記録媒体を得ることに成功した。
【００２６】
即ち、本発明の光記録媒体では、図１に示した様に複数の吸収を有する材料を記録再生材料にて情報記録面（有機層）を構成することにより、上記した目的が達成される。また、有機層は基板上に有機層と透明スペーサ層が交互に積層されていることが隣接する層のクロストークが無く好適である。さらに反射光を利用して情報を読みとる場合は基板上に有機層と透明スペーサ層が交互に積層され、最上部に反射層が積層されていることが好適である。さらに、前記有機層が、２０℃における比誘電率が８０未満の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の有機材料からなることでスピンコート法により有機層を成膜することができる。
【００２７】
一方、２０℃における比誘電率８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の材料をスピンコート法で塗布することにより、前記スペーサ層を成膜することができる。この場合、有機層とスペーサ層がそれぞれ極性の異なる溶媒に溶解性を示す材料により構成されているので、有機層を構成する材料はスペーサ層の溶媒に溶解せず、またその逆のこともいえる。よって、各層を連続してスピンコート法にて成膜することができる（有機層の成膜に引き続いてスペーサ層の成膜が可能）。
【００２８】
上記理由により各層をスピンコート法で成膜できるが、連続してスピンコートした場合、下の層が多少溶解する、そこで、前記有機材料として、エタノールの沸騰時に１ｇ（有機材料）／３０ｍｌ（エタノール）より小さい値の溶解度を示す材料を使用することで、下の層の成膜状態を維持することができる。または、各有機層を目的とする膜厚よりも厚く成膜し、スペーサ層を積層する際に、スペーサ層のスピンコーティングコートにより一部が流されて、目的の膜厚を得る方法をとることができる。
【００２９】
また、スペーサ層の材料として、２０℃における比誘電率が８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の親水性高分子が挙げられる。親水性高分子は湿度（水分）に対して不安定であるため、架橋又は結晶化により耐水及び耐熱処理が施すことが望ましい。
【００３０】
また、各層の相溶性を更に低下させるため、各層を成膜した後、ベーク処理を施すことが好適である、それにより、各層に残る溶媒、水を飛ばすことができ、連続してスピンコートした場合に膜を安定に維持できる。「乾燥時間×温度」≧５００（秒・℃）の条件でベーク処理することが好適である。
【００３１】
本発明の光記録媒体の構成の一例を、図２、３に基づいて説明する。図２は本発明の光記録媒体（光ディスク）の層構成の一例を示す要部拡大断面図であり、図３は本発明の光記録媒体の構成の一例を示す斜視図である。
【００３２】
これらの図から明らかなように、この光記録媒体１０は、片面に微細な凹凸状のプリフォーマットパターン２を有する透明基板１、有機層３、スペーサ層４、反射層５、保護層６が積層された構成を有する。また、有機層３とスペーサ層４による積層構造が３重で形成されている。図２，３において符号１ａはセンタ孔、２ａは案内溝、２ｂはプリピット、２ｃはランド部である。
【００３３】
透明基板１としては、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポキシ樹脂、ポリエステル、非晶質ポリオレフィンなどの透明樹脂材料（好ましくはガラス転移温度Ｔｇが１００〜２００℃）を所望の形状に成形し、その片面に所望のプリフォーマットパターンを転写したものや、所望の形状に形成されたガラス等の透明セラミックス板の片面に所望のプリフォーマットパターンが転写された透明樹脂層を密着したものなど、公知の任意の透明基板を用いることができる。ディスク状の光記録媒体（以下、光ディスクという）を構成する透明基板１は、図２に示すように、中心部にセンタ孔１ａを有する円盤状に形成される。なお、透明基板１の作製は、公知の方法で行うことができる。
【００３４】
プリフォーマットパターン２は、少なくとも記録・再生用レーザビームを記録トラックに追従させるためのビーム案内部を含んで構成される。図２、図３の例では、ビーム案内部が、センタ孔１ａと同心の渦巻状又は同心円状に形成された案内溝２ａをもって構成されており、当該案内溝２ａに沿って、アドレスピットやクロックピット等のプリピット２ｂが形成されている。プリピット２ｂが案内溝２ａ上に重ねて形成される場合には、両者を光学的に識別できるようにするため、図２に示すように、案内溝２ａとプリピット２ｂとをそれぞれ異なる深さに形成する。プリピット２ｂが相隣接する案内溝２ａの間に形成される場合には、両者を同じ深さに形成することもできる。なお、ビーム案内部としては、案内溝２ａに代えて、ウォブルピットまたはウォブル溝を記録トラックに沿って形成することもできる。またプリピット２ｂを省略し、案内溝のみで形成しても良い。
【００３５】
有機層３は、記録に用いる波長における吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択することが望ましい。吸光度が０．５より高いと光が吸収されてしまって反射率が低くなり、良好な記録ができ難くなる。
【００３６】
有機層３の材料の例としては、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ダイオキシディン系色素、トリフェノジチアジン系色素、フェナントレン系色素、シアニン系色素、ジカルボシアニン系色素、フタロシアニン系色素（フタロシアニン色素は、上記テトラアザポルフィリンの好ましい一例である。）、ナフタロシアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム系色素、ポルフィリン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染料、アゾ染料、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ポリエン系色素、ベーススチリル系色素、ホルマザンキレート系色素、クロコニウム系色素、インジゴイド系色素、メチン系色素、スルファイド系色素、メタンジチオールレート系色素等を挙げることができ、中でも、シアニン誘導体、ジカルボシアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、アゾ染料誘導体が特に好適に用いられる。また、アミニウム系色素などの各種クエンチャを添加した色素材料を用いることもできる。
【００３７】
ポルフィリン誘導体はその構造の対称性から結晶化し易いため、結晶化することなく良好な溶解性で溶解させるためには、配位能を持つ分子構造を側鎖に有する沸点の低い高分子と共に溶剤に溶解させることが好ましい。この溶液をスピンコートすると、ポルフィリン同士のスタックのない分散性に優れた記録層が形成される。本発明で用いるテトラベンゾポルフィリンとしては、３００〜５００ｎｍの記録波長で記録が行われるものがよく、３３９〜４３５ｎｍで記録が行われるものが更に好ましい。
【００３８】
また、高分子物質としては、ポルフィリン誘導体の中心金属に配位できる側鎖を有するもの、例えばイミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、フェノール誘導体を側鎖に有する高分子物質のうち、ポルフィリン誘導体との相溶性を考慮して選択することが望ましい。中でも、ポリ−４−ビニルピリジンが好適である。ポルフィリン誘導体と高分子物質の組成比は、高分子物質を構成するモノマーが、ポルフィリン誘導体に対して５０倍以上のモル比で存在するように設定することが好ましい。この組成比で、ポルフィリン誘導体と高分子物質を混合することにより、ポルフィリンをスタックさせることなく記録層中に良好に分散できる。なお、更に最適な組成比は、用いる高分子物質とポルフィリン誘導体の種類によって多少変化する。高分子物質としてポリビニルピリジンを用いる場合には、ビニルピリジンモノマーがポルフィリン誘導体に対して６７倍以上のモル比で存在するように組成比を設定することが好ましい。
【００３９】
また、上記配位能を持つモノマーの高分子物質全体に対する比率は、モル比で５０％以上であることが望ましい。配位能を持つモノマーをこの範囲で含有する高分子物質は、配位子としてポルフィリンと良好に相互作用し、ソーレー帯を長波長シフトさせ分子吸光係数を増大させる。なお、このような記録層には、ポルフィリン誘導体、高分子物質の他に、耐光性向上の目的で、ヒンダードアミン類、ニッケル錯体等を３０重量部以内の量、好ましくは０．１〜１０重量部添加しても良い。
【００４０】
有機層３の厚さは、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍより薄い場合は熱の吸収が十分ではなく、変形や変化が不十分となる。また、膜厚が２００ｎｍより厚い場合は体積が大きいため変形が抑えられたり、熱的な影響を受けて光学的に変化できない部分が存在するため問題である。
【００４１】
有機層にフタロシアニンを選択する場合、フタロシアニン色素が、溶液状態において、波長λ＝３００〜４００ｎｍの間にポルフィリン環に起因するＢ帯の吸収を示し、その強度を常用対数：ｌｏｇ１０ε（εは分子吸光係数）で表した場合、３．５以上であることが必要である、３．５より小さい場合、吸収が少なく良好な記録を達成することができない。
【００４２】
また、上記色素材料群より選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。色素材料を分散可能な樹脂としては、アクリル樹脂、特にアクリレート系樹脂、ビニル樹脂、特にビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂などを挙げることができる。樹脂の配合量は全体の５０重量％以下とすることが好ましい。
【００４３】
スペーサ層４は、２０℃における誘電率が８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の有機材料を用いて成膜する。誘電率が８０以上の溶媒としては水、炭酸エチレン、ホルムアミドなどが挙げられる。材料の具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロースなどの親水性樹脂が挙げられる。
【００４４】
成膜は、親水性樹脂の水溶液を、有機層３上にスピンコートすることによって行うことができる。しかし、親水性樹脂よりなるスペーサ層４は、耐水性（耐湿性、透湿性）及び耐熱性が悪いため、架橋処理や結晶化処理を施して、耐水性及び耐熱性を改善することが好ましい。そのための手段は、前述した有機層３の場合と同様である。
【００４５】
また、芳香族化合物、脂肪族化合物、アミド、エステル、アミン、ウレア、硫黄化合物及びヒドロキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１つのもの；アントラキノン系、ダイオキシディン系、トリフェノジチアジン系、フェナントレン系、シアニン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、メロシアニン系、ピリリウム系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、クロコニウム系、アゾ系、インジゴイド系、メチン系、アズレン系、スクアリウム系、スルファイド系及びメタンジチオールレート系の色素からなる群から選択される少なくとも１つの色素；これらの色素に対し、ビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、アクリルレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、セルロース系樹脂及び脂肪酸系樹脂からなる群から選択された少なくとも１つの高分子物質を５０重量％以下の割合で含有するものを使用することもできる。
【００４６】
スペーサ層４についても、記録に用いる波長における吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択することが望ましい。吸光度が０．５より高いと光が吸収されてしまって反射率が低くなり、良好な記録ができ難くなる。
【００４７】
有機層３及びスペーサ層４の形成においては、まず、有機層３を目的とする膜厚よりも厚く成膜し、次の層であるスペーサ層４を積層する際に、スピンコーティングコートにより有機層３の膜の一部が流され、目的の膜厚とする方法を採用する。各層は、エタノールの沸騰時に１ｇ／３０ｍｌより小さい値の溶解度を示す材料により成膜する必要がある。溶解度が１ｇ／３０ｍｌ以上であるとスピンコーティング法により積層する際、膜が流れ出してしまう。更に、各層の成膜後にベーク処理を施すことが好ましく、その条件としては、「時間×温度」が５００（秒・℃）以上とする。これよりも「時間×温度」の値が小さいと、積層の際に水や溶媒が残り、塗布むらが発生したり、材料が流れ出したりしてしまう。
【００４８】
有機層３は光を吸収して働くことにより熱的な影響を受けて溶融、融解、分解、昇華等の熱的状態変化を起すか、膨張、陥没、空洞化、凹凸変形等の形状変化を起すか、変質するか又は光学的に変化する。通常、有機層３はガウス分布を示す光を照射して記録を行った際に、ガウス分布の中央部に対応する部分の色素層材料の量がガウス分布の外周部に対応する部分の色素層材料の量より少なくなる形状変化を起す。また、有機層３の変形に伴いスペーサ層４に変形などの影響を受ける。
【００４９】
反射層５に用いる材料には特に限定はないが、アルミニウム、銀、銅などの金属又はこれらを主成分とする合金を使用することができる。特に、銀又は銀を主成分とする合金を用いることが好適である。ここで、銀を主成分とするとは、銀の含有率が８０〜１００原子％、好ましくは９０〜１００原子％であることを意味する。また、安価であり且つコンパクトディスクにおいて使用された実績があることから、アルミニウムを使用することもできる。このような反射層５は、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜方法によって形成することができる。この場合、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、密度又は結晶化の状態の違う膜を形成して反射層の反射率を高くする技術を適用することもできる。
【００５０】
保護層６は、例えばＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の無機材料や、光硬化性樹脂などの有機材料を用いて形成することができる。無機保護層は、真空成膜法によって形成することができ、有機保護層は、反射層５上に光硬化性樹脂膜（例えば、大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００、ＳＤ３１８、ＳＤ３０１）をスピンコートした後、樹脂硬化光を照射することによって形成できる。また、高密度化を図るために、高ＮＡのレンズを用いる場合、保護層を光透過性とする必要がある。
【００５１】
例えば高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする必要がある。
【００５２】
そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記録層とし、その上に反射層を設け、更にその上に有機層３、スペーサ層４を積層しその上に保護層を設けるようにし、保護層側から再生光を照射して記録層の情報を再生するような光記録媒体が提案できる。このようにすれば、カバー層を薄型化していくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応可能である。つまり、薄いカバー層を設け、このカバー層側から記録再生することで、更なる高記録密度化を図ることができる。
【００５３】
なお、このような保護層は、ポリカーボネートシートや紫外線硬化型樹脂により形成する方法、又は、厚さ７０μｍのシートを厚さ３０μｍの接着剤で固定する方法が一般的である。合計の厚みは０．１ｍｍ程度が好適である。
【００５４】
上記の何れの形態でも、有機層３を色素材料により成膜した場合、スペーサ層４を積層するためには有機層３に影響を与えないように積層する必要がある。具体的には、有機層３用の材料を２０℃における誘電率が８０未満の溶剤に溶解してスピンコートし、スペーサ層４を２０℃における誘電率が８０以上の溶剤に溶解してスピンコートすることにより成膜する。それぞれの溶剤としては、前述したものを使用することができる。これにより各層で誘電率の異なる溶剤を用いて積層するため、相互の影響を少なくして積層することができる。
【００５５】
光記録媒体のアドレス情報等をプリフォーマット信号として基板に予め形成させることができる。そのための形態としては、凹又は凸形状のエンボスピット方式、或いは、情報に応じてグルーブ部やランド部の幅を変調するウォーブル方式が可能である。ウォーブル方式としては、グルーブ部の内周側又は外周側の一方の側面若しくは両方の側面を蛇行させる方式を採用することができる。さらに、透過光にて情報の記録再生を行う場合は反射層５を省くこともできる。
【００５６】
また、上記色素材料群より選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。色素材料を分散可能な樹脂としては、アクリル樹脂、特にアクリレート系樹脂、ビニル樹脂、特にビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂などを挙げることができる。樹脂の配合量は全体の５０重量％以下とすることが好ましい。
【００５７】
上記の樹脂として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロースなどの親水性樹脂を用いてもよく、その場合には、上記親水性樹脂の水溶液を、透明基板１のプリフォーマットパターン２形成面にスピンコートして形成する。
【００５８】
なお、親水性樹脂を用いると、耐水性（耐湿性、透湿性）や耐熱性が悪いので、架橋処理や結晶化処理を施して耐水性や耐熱性を改善することが好ましい。具体的には、親水性樹脂の水溶液に架橋剤を添加し、有機層３を成膜した後に、光照射による架橋反応や加熱による架橋反応を起させたり、或いは架橋剤を添加することなく有機層３を熱処理して結晶化（例えば、親水性樹脂としてＰＶＡを用いる場合には、変性ＰＶＡ化する）させたりする。
【００５９】
架橋処理と結晶化処理とを比較すると、架橋処理の方が好ましい。その理由は、加熱による悪影響を透明基板１に与えることがなく、かつ作業性にも優れているからである。
【００６０】
以下に、架橋反応の具体例を示すが、実施に際しては、これらの架橋反応の中から、必要に応じて任意の手段を選択することができる。
（１）架橋剤として重クロム酸アンモニウムを添加し、色素表面を処理すると同時に、成膜後に反応光を照射して有機層３に架橋反応を起させる方法。
（２）無機系架橋剤として、例えば銅、ホウ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、クロム等を添加する方法。
（３）アルデヒドを用いてアセタール化する方法。
（４）水酸基をアルデヒド化する方法。
（５）活性化ビニル化合物を添加する方法。
（６）エポキシ化合物を添加してエーテル化する方法。
（７）酸触媒の存在下でジカルボン酸反応を起させる方法。
（８）コハク酸及び硫酸を添加する方法。
（９）トリエチレングリコール及びアクリル酸メチルを添加する方法。
（１０）ポリアクリル酸及びメチルビニルエーテルマレイン酸共重合体をブレンドする方法。
【００６１】
また、有機層３の材料としては、芳香族化合物、脂肪族化合物、アミド、エステル、アミン、ウレア、硫黄化合物及びヒドロキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１つを用いることもできる。更に、有機層３は、分解温度が１６０〜４００℃の有機物質を含有することが望ましい。このような有機物質は、上記例示化合物の中から適宜選択すればよい。有機層３の厚さは、１〜２００ｎｍが好適である。膜厚が１ｎｍより薄いと吸収率が低下し光から熱への変換が不十分となる。また膜厚が２００ｎｍより厚い場合、体積が大き過ぎるため、形状変化や熱の伝達が不十分となる。
【００６２】
有機層３は、透明基板１のプリフォーマットパターン形成面に、例えば上記色素材料群より選択された色素材料の溶剤溶液をスピンコートして形成する。即ち、溝状のプリフォーマットパターン２内に色素材料を充填した後、プリフォーマットパターン２の間のランド部２ｃに付着した色素材料を選択的に除去し、透明基板１の表面を露出すると共に、プリフォーマットパターン２内にのみ色素材料を充填することによって形成できる。なお、色素材料の溶剤としては、２０℃における誘電率が８０未満であり、色素材料を０．１重量％以上溶解させることができるものを用いる必要がある。溶解能力が０．１重量％より小さいと膜厚を確保することができない。具体的にはアルコール系溶剤やセルソルブ系溶剤などを用いることができる。
【００６３】
また、有機層３を形成するための誘電率の小さい溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。
【００６４】
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独又は二種以上併用して適宜用いることができる。塗布液中には更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００６５】
更に、二座配位を取り得るキレート剤を含有させて、色素の褪色防止を図ることもできる。このようなキレート剤としては、無機酸類、ジカルボン酸類、オキシカルボン酸類、ジオキシ化合物類、オキシオキシム類、オキシアルデヒド及び誘導体類、ジケトン及び類似化合物類、オキシキノン類、トロボロン類、Ｎ−オキシド化合物類、アミノカルボン酸及び類似化合物類、ヒドロキシルアミン類、オキシン類、アルジミン類、オキシアゾ化合物類、ニトロソナフトール類、トリアゼン類、ピウレット類、ホルマザン類及びジチゾン類、ビクアリド類、グリオキシム類、ジアミン及び類似化合物類、ヒドラジン誘導体類、チオエーテル類などが挙げられる。更に、イミノ基を有する誘導体も使用可能である。
【００６６】
有機層３の成膜に際し結合剤を使用する場合の結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。
【００６７】
結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の濃度は、一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。
【００６８】
特に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有していると優れた効果を発揮する。
【００６９】
【化１】
2005004877.tif 000003
【００７０】
上記一般式（１）中、ＭとしてはＣｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、（ＣｐＦｅＣｐ（フェロセン）−Ｏ）２−Ｓｉ等が挙げられ、Ｒとしては例えばＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−が挙げられる。
【００７１】
そして、波長２００ｎｍ〜３００ｎｍ、３００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜７００ｎｍ、７００ｎｍ〜８００ｎｍ、及び／又は８００ｎｍ〜９００ｎｍから選択される記録レーザ光波長及び再生レーザ光波長に対して記録再生が可能である。中でも、２００ｎｍ〜２５０ｎｍ、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ、６００ｎｍ〜７００ｎｍ、７５０ｎｍ〜８００ｎｍ、及び／又は８００ｎｍ〜８５０ｎｍ、更には波長２２５±２０ｎｍ、３６９±２０ｎｍ、３９０±２０ｎｍ、４０５±２０ｎｍ、４１５±２０ｎｍ、６５０±２０ｎｍ、７８０±２０ｎｍ、及び／又は８３０±２０ｎｍの範囲から選択される記録レーザ光波長及び再生レーザ光波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体である。
【００７２】
特に好ましい色素の具体例としては、次のようなメタルフタロシアニン色素（以下、ＭＰｃという）が挙げられる。なお、多数の式中に使用される同一の符号は同一の置換基を表すので、一度だけ記載することにした。
【００７３】
ＭＰｃ−Ｒｎ（Ｒ＝アルキル基、シクロアルキル基、オキサアルキル基）、ＭＰｃ−（ＸＲ）ｎ（Ｘ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）、ＭＰｃ−（Ａｒ）ｎ（Ａｒ＝アリール基）、ＭＰｃ−（ＹＡｒ）ｎ（Ｙ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ）、ＭＰｃ−（ＳＯ３Ｍ）ｎ（Ｍ＝Ｈ、金属イオン）、ＭＰｃ−（ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２）ｎ（Ｒ１、Ｒ２＝Ｈ、アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＣＯＯＭ）ｎ（Ｍ＝金属イオン）、ＭＰｃ−（ＣＯＺ）ｎ（Ｚ＝Ｒ、ＯＲ、ＮＲ１Ｒ２）、ＭＰｃ−（ＮＲ１Ｒ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＮＲ１−ＣＯＲ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＳｉＮＲ１Ｒ２Ｒ３）ｎ（Ｒ３＝アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＮＯ２）ｎ、ＭＰｃ−Ｆｎなど。
【００７４】
上記色素の中心金属Ｍとしては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、ＶＯ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇなどが挙げられる。
【００７５】
上記フタロシアニンの中では、中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−であるものは変調度が特に大きく、良好な記録を達成できる。さらに、これらの中でも、中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎであるものが特に好適であり、ＶＯが最適である。
【００７６】
更に、下記一般式（２）で示されるポルフィリン系色素を用いた場合も、変調度が大きく、良好な記録が達成できる。この場合、膜厚は１０〜１００ｎｍが好適であり、１０ｎｍより薄いと吸収率が少なくなり問題である。また、膜厚が１００ｎｍより厚い場合は体積が記録を阻害し、良好な記録を達成できない。
【００７７】
【化２】
2005004877.tif 000004
【００７８】
（式中、Ｘ１からＸ３はそれぞれ独立に窒素原子又はＣＨ基を示し、Ｒ１からＲ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の置換または無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリール基、水酸基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、アミノ基またはアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、置換または無置換のカルボン酸エステル基、置換または無置換のカルボン酸アミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン酸基、置換または無置換のスルホン酸エステル基、置換または無置換のスルホンアミド基、置換または無置換のシリル基、およびシロキシ基から選択される。また中心金属Ｍは遷移金属を示し、電荷を有してカチオン塩構造をとっても良い。）
【００７９】
更に、下記一般式（３）で表される化合物を１種以上含有すると、優れた効果を発揮する。
【００８０】
【化３】
2005004877.tif 000005
【００８１】
（式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいピロール環骨格を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つが置換基を有していてもよいメチン基であり、Ｍは２個の水素原子、置換基又は配位子を有していてもよい２〜４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。）
【００８２】
上記化学式（３）で表される化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な有機色素である。
【００８３】
また、上記一般式（３）の、置換基を有していてもよいピロール環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基又はヘテロアリール基等が挙げられる。
【００８４】
また、上記一般式（３）のアザポルフィリン骨格のメソ位に位置する置換基を有していてもよいメチン基Ｘ、Ｙ、Ｚの置換基の具体例としては、それぞれ下記化学式（４）、（５）、（６）で示される、置換していてもよいメチン基等が挙げられる。
【００８５】
【化４】
2005004877.tif 000006
【００８６】
（上記化学式（４）、（５）、（６）中、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを示す。）
【００８７】
また、上記ピロール環の置換基、及びＸ、Ｙ、Ｚで表されるメチン基上の置換基は、連結基を介してピロール環上の各置換基同士で、或いはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上の置換基とで連結していてもよく、具体的には脂肪族縮合又は芳香族縮合による環の形成、或いは連結基としてヘテロ原子又は金属錯体残基等のヘテロ原子を含む複素環の形成等が挙げられる。
【００８８】
更に、上記一般式（３）のＭの具体例としては、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子等が挙げられる。
【００８９】
上記一般式（３）で表される化合物の好ましい例としては、次の一般式（７）〜（１３）で表される化合物が挙げられる。
【００９０】
【化５】
2005004877.tif 000007
【００９１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基」、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、置換又は無置換の「アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基」、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、置換又は無置換の「アシルオキシ基、ヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｌ１は窒素原子又はＣ−Ｒ９（Ｒ９は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される、置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ２は窒素原子又はＣ−Ｒ１０（Ｒ１０は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される、置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ３は、窒素原子又はＣ−Ｒ１１（Ｒ１１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ１〜Ｌ３のうち、少なくとも１つはメチン基を表し、Ｒ１〜Ｒ１１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ１は２個の水素原子、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。）
【００９２】
【化６】
2005004877.tif 000008
【００９３】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１９はそれぞれ独立に、前記一般式（７）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ２０、Ｒ２１はそれぞれ独立に、前記一般式（７）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ１２〜Ｒ２１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ２は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す（中でも、Ｒ２０、Ｒ２１が置換又は無置換のフェニル基のものが好ましい）。）
【００９４】
【化７】
2005004877.tif 000009
【００９５】
（式中、Ｒ２２〜Ｒ２９はそれぞれ独立に、前記一般式（７）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ３０〜Ｒ３２はそれぞれ独立に、前記一般式（７）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ２２〜Ｒ３２の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ３は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す（Ｒ３０〜Ｒ３２が置換又は無置換のフェニル基も好ましく用いられる）。）
【００９６】
【化８】
2005004877.tif 000010
【００９７】
（式中、Ｒ３３〜Ｒ４４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３５とＲ３６は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１はそれぞれ独立にメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１のうち少なくとも２つが窒素原子であり、Ｍ４は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す。）
【００９８】
【化９】
2005004877.tif 000011
【００９９】
（式中、Ｒ４５〜Ｒ５６はそれぞれ独立に、前記一般式（１０）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４７とＲ４８は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ５は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１００】
【化１０】
2005004877.tif 000012
【０１０１】
（式中、Ｒ５７〜Ｒ６８はそれぞれ独立に、前記一般式（１０）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ５７とＲ５８、Ｒ５９とＲ６０は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、また、Ｍ６は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１０２】
【化１１】
2005004877.tif 000013
【０１０３】
（式中、Ｒ６９〜Ｒ８０はそれぞれ独立に、前記一般式（１０）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ６９とＲ７０、Ｒ７１とＲ７２は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、また、Ｍ７は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１０４】
さらに、上記したポルフィリン系色素としては、下記一般式（１４）で表されるマレオニトリルと、下記一般式（１５）で表されるアセトフェノンと、ハロゲン化金属及び／又は金属誘導体とを反応させることにより製造される、下記一般式（１６）で表されるアザポルフィリン化合物の混合物（ここでいう混合物とは、原料のマレオニトリル及びアセトフェノンの結合の仕方により生成する構造異性体の混合物のことである。）が挙げられる。
【０１０５】
【化１２】
2005004877.tif 000014
【０１０６】
【化１３】
2005004877.tif 000015
【０１０７】
（上記一般式（１４）、（１５）中、Ｒ８１〜Ｒ８６はそれぞれ独立に、前記一般式（１０）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ８１とＲ８２は連結基を介して、置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｑはハロゲン原子又はシアノ基を表す。）
【０１０８】
【化１４】
2005004877.tif 000016
【０１０９】
（式中、Ａ１，Ａ２はいずれか一方が前記一般式（１４）におけるＲ８１，他方がＲ８２を表し、Ａ３，Ａ４はいずれか一方が前記一般式（１４）におけるＲ８１，他方がＲ８２を表し、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は順に前記一般式（１５）におけるＲ８３，Ｒ８４，Ｒ８５，Ｒ８６またはＲ８６，Ｒ８５，Ｒ８４，Ｒ８３を表し、Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７，Ｂ８は順に前記一般式（１５）におけるＲ８３，Ｒ８４，Ｒ８５，Ｒ８６またはＲ８６，Ｒ８５，Ｒ８４，Ｒ８３を表し、Ｍ８は前記一般式（７）のＭ１と同一の物質を表す。）
【０１１０】
前記一般式（１５）で表されるアザポルフィリン化合物において、Ｒ１〜Ｒ８がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１１１】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキル基である場合の具体例としては、次の（イ）〜（オ）の基が挙げられる。
（イ）  メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの炭素数１〜１５の無置換の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
【０１１２】
（ロ）  クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；
【０１１３】
（ハ）  ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒドロキシル基で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；
【０１１４】
（ニ）  ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１１５】
（ホ）  ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；
【０１１６】
（ヘ）  シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１１７】
（ト）  メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
【０１１８】
（チ）  メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１１９】
（リ）  メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；
【０１２０】
（ヌ）  ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１２１】
（ル）  ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
【０１２２】
（ヲ）  ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１２３】
（ワ）  アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；
【０１２４】
（カ）  メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１２５】
（ヨ）  フェノキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアルキル基；
【０１２６】
（タ）  ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基などのアラルキルオキシカルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアルキル基；
【０１２７】
（レ）  ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０のアルキル基；
【０１２８】
（ソ）  メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基などのアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【０１２９】
（ツ）  メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；
【０１３０】
（ネ）  ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノブ
チル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換した炭素数３〜２０のアルキル基；
【０１３１】
（ナ）  アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；
【０１３２】
（ラ）  メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１３３】
（ム）  メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【０１３４】
（ウ）  ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数７〜１２のアルキル基；
【０１３５】
（ヰ）  チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアルキル基；
【０１３６】
（ノ−１）  フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基。
【０１３７】
（ノー２）  コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル−ｎ−デシル基、
【０１３８】
（ノ−３）  ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基、
【０１３９】
（ノ−４）  ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルキル基；
【０１４０】
（オ−１）  フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基、
【０１４１】
（オ−２）  コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基、
【０１４２】
（オ−３）  ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基、
【０１４３】
（オ−４）  ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニルアルキルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基；
【０１４４】
（オ−５）  フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基、
【０１４５】
（オ−６）  コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基、
【０１４６】
（オ−７）  ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基、
【０１４７】
（オ−８）  ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基。
【０１４８】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等である。
【０１４９】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシ基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基などの炭素数６〜１８のアリールオキシ基である。
【０１５０】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−ブテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基である。
【０１５１】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキルチオ基である。
【０１５２】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等である。
【０１５３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールチオ基が挙げられ、好ましいのは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などである。
【０１５４】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基などである。
【０１５５】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（ａ−１）〜（ａ−５）の基である。
【０１５６】
（ａ−１）  メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、（２−エチルヘキシル）アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基；
【０１５７】
（ａ−２）  ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、（３−フェニルプロピル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−イソプロピルベンジル）アミノ基、（４−メチルベンジル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−アリルベンジル）アミノ基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノ基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基；
【０１５８】
（ａ−３）  アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、４−メチルアニリノ基、４−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オクタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジルコノセニルアミノ基など、炭素数６〜１０のモノアリールアミノ基；
【０１５９】
（ａ−４）  ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニルアミノ基；
【０１６０】
（ａ−５）  ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオペンチルカルボニルアミノ基、２−メチルブチルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイルアミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルアミノ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニルアミノ基、コバルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニルアミノ基などの炭素数１〜１６のアシルアミノ基等のアミノ基。
【０１６１】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｂ−１）〜（ｂ−６）の基である。
【０１６２】
（ｂ−１）  ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）アミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基；
【０１６３】
（ｂ−２）  ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基；
（ｂ−３）  ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基；
（ｂ−４）  ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス（シクロペンタジエニル）アミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノ基などの炭素数４〜１２のジアルケニルアミノ基；
【０１６４】
（ｂ−５）  ジホルミルアミノ基、ジ（メチルカルボニル）アミノ基、ジ（エチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｓｅｃ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ネオペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（２−メチルブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ベンゾイル）アミノ基、ジ（メチルベンゾイル）アミノ基、ジ（エチルベンゾイル）アミノ基、ジ（トリルカルボニル）アミノ基、ジ（プロピルベンゾイル）アミノ基、ジ（４−ｔ−ブチルベンゾイル）アミノ基、ジ（ニトロベンジルカルボニル）アミノ基、ジ（３−ブトキシ−２−ナフトイル）アミノ基、ジ（シンナモイル）アミノ基、コハク酸イミノ基などの炭素数２〜３０のジアシルアミノ基；
【０１６５】
（ｂ−６）  Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−メチル−フェロセニルアミノ基、Ｎ−エチル−コバルトセニルアミノ基、Ｎ−ブチル−ニッケロセニルアミノ基、Ｎ−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基など等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数３〜２４のジ置換アミノ基。
【０１６６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基などの炭素数１〜１６のアシル基である。
【０１６７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｃ−１）〜（ｃ−７）の基である。
【０１６８】
（ｃ−１）  メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基；
【０１６９】
（ｃ−２）  メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基；
【０１７０】
（ｃ−３）  メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニル基；
【０１７１】
（ｃ−４）  フェロセニルメトキシカルボニル基、フェロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキシカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチルオキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカルボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フェロセニルデシルオキシカルボニル基、
【０１７２】
（ｃ−５）  コバルトセニルメトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペンチルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセニルデシルオキシカルボニル基、
（ｃ−６）  ニッケロセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロセニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルデシルオキシカルボニル基、
【０１７３】
（ｃ−７）  ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカルボニル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシカルボニル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルコキシカルボニル基。
【０１７４】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基などの炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等である。
【０１７５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシカルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オクタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチルニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジルコノセニルオキシカルボニル基などの炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基である。
【０１７６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキシカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル−２−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニルオキシカルボニル基である。
【０１７７】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｄ−１）〜（ｄ−４）の基である。
【０１７８】
（ｄ−１）  メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、（２−エチルヘキシル）アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数２〜１１のモノアルキルアミノカルボニル基；
【０１７９】
（ｄ−２）  ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミノカルボニル基、（３−フェニルプロピルアミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基、（４−メチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−アリルベンジル）アミノカルボニル基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルアミノカルボニル基；
【０１８０】
（ｄ−３）  アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノカルボニル基、４−メチルアニリノカルボニル基、４−エチルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモノアリールアミノカルボニル基；
【０１８１】
（ｄ−４）  ビニルアミノカルボニル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカルボニル基、などの炭素数３〜１１のモノアルケニルアミノカルボニル基。
【０１８２】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｅ−１）〜（ｅ−５）の基である。
【０１８３】
（ｅ−１）  ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス（メトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（エトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（プロポキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（ブトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノカルボニル基などの炭素数３〜１７のジアルキルアミノカルボニル基；
【０１８４】
（ｅ−２）  ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１のジアラルキルアミノカルボニル基；
（ｅ−３）  ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５のジアリールアミノカルボニル基；
【０１８５】
（ｅ−４）  ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアルケニルアミノカルボニル基；
（ｅ−５）  Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数４〜１１のジ置換アミノカルボニル基。
【０１８６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、２−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキシ基、プロピルベンゾイルオキシ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニルオキシ基、コバルトセンカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキシ基などの炭素数２〜１６のアシルオキシ基である。
【０１８７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のヘテロアリール基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するヘテロアリール基が挙げられ、好ましいのは、次の（ｆ−１）に示す無置換ヘテロアリール基、或いは（ｆ−２）に示す置換基により置換したヘテロアリール基である。
【０１８８】
（ｆ−１）  フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−２−イル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基などの無置換ヘテロアリール基；
【０１８９】
（ｆ−２）ヘテロアリール基の置換基
・フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；
・シアノ基；
・メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基；
・ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；
・フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリール基；
・メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアルコキシ基；
【０１９０】
・ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ基；
・フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基；
・ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル基、オクテニル基等のアルケニル基；
・ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；
・メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基；
・ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのアラルキルチオ基；
・フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチオ基；
【０１９１】
・ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；
・アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基等のアシル基；
・メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカルボニル基、１−メチルフェロセン−１’−イルメトキシカルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；
・ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；
・フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；
【０１９２】
・ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；
・メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基
・ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基；
【０１９３】
・フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複素環基；
・フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセニル基などのメタロセニル基。
【０１９４】
上記Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で表される置換されていてもよいメチン基の置換基Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１の例としては、シアノ基；前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。
【０１９５】
Ｒ１〜Ｒ１１が連結基を介して、それぞれ環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子などのヘテロ原子及び炭素原子の中から適宜選択して組み合わせてなる基であり、好ましい連結基の例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、又は置換されていてもよいメチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基により形成する環としては、連結基により連結した鎖状、面状又は立体状の環が挙げられる。
【０１９６】
連結した骨格の好適な例としては、次の（ｇ−１）〜（ｇ−４）および下記表１に示すものが挙げられる。
【０１９７】
（ｇ−１）  −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２（ＮＯ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、等（脂肪族縮合環を形成する）；
【０１９８】
（ｇ−２）  −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＮＯ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−、−Ｃ（ＯＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＣＨ３）−、−Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−（ＯＣＨ３））＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−（ＯＣＨ３））−、−Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝Ｃ（Ｂｒ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−Ｃ（Ｂｒ）＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｂｒ）−等（芳香族縮合環を形成する）；
【０１９９】
（ｇ−３）  −Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−等（複素環を形成する）；
【０２００】
【表１】
2005004877.tif 000017
【０２０１】
〔上記表１に示す化学式において、Ｍ′は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ又はＭ″Ｒ′２（Ｍ″はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖの何れかを表し、Ｒ′は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、前述のＲ１〜Ｒ８と同様の置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基の何れかを表す。）の何れかを表す。〕等（金属錯体残基を含む複素環を形成する）である。
【０２０２】
Ｒ１〜Ｒ１１が各々隣接する置換基と連結基を介して連結する際に好適な連結の組合せは、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、Ｒ２とＲ９、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１１、Ｒ５とＲ１１、Ｒ６とＲ１０、Ｒ７とＲ１０等が挙げられる。
【０２０３】
Ｍ１が２価の無置換金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ等が挙げられる。
Ｍ１が配位子を有する２価の金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２等の含窒素化合物が配位した２価の金属原子が挙げられる。
【０２０４】
Ｍ１が置換基を有する３価の金属原子である場合の具体例としては、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｉ、Ａｌ−Ｃ６Ｈ６、Ａｌ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＣ６Ｈ５）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、Ｒｕ−Ｆ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｂｒ、Ｒｕ−Ｉ等の１置換の３価の金属原子が挙げられる。
【０２０５】
Ｍ１が置換基を有する４価の金属原子である場合の具体例としては、ＣｒＣｌ２、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＴｉＦ２、ＴｉＣｌ２、ＴｉＢｒ２、ＴｉＩ２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ（ＯＨ）２、Ｚｒ（ＯＨ）２、Ｍｎ（ＯＨ）２、ＴｉＡ２、ＣｒＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＧｅＡ２、Ｔｉ（ＯＡ）２、Ｃｒ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｔｉ（ＳＡ）２、Ｃｒ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様の置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基」を表す。〕等の２置換の４価の金属原子が挙げられる。
【０２０６】
Ｍ１が置換基を有する３価又は４価の半金属原子である場合の具体例としては、Ｂ−Ｆ、Ｂ−Ｃｌ、Ｂ−Ｂｒ、Ｂ−Ｉ、Ｂ−Ａ、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（ＯＡ）、Ｂ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の１置換の３価の半金属原子や、ＳｉＦ２、ＳｉＣｌ２、ＳｉＢｒ２、ＳｉＩ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の２置換の４価の半金属原子が挙げられる。
Ｍ１がオキシ金属原子である場合の具体例としては、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。
【０２０７】
上記の中でもＭ１として好ましいのは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、ＶＯ、ＴｉＯ、ＴｉＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＲｕＡ２、ＲｈＡ２、ＧｅＡ２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕である。
【０２０８】
前記一般式（８）で表されるジアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ１２〜Ｒ１９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８で示されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０２０９】
また、Ｒ２０、Ｒ２１で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。特に、溶解性向上並びに光学特性向上のため、置換基Ｒ２０、Ｒ２１は置換又は無置換の炭素数１以上の基が好ましく、置換又は無置換のフェニル基がより好ましい。また、Ｒ１２〜Ｒ１９が連結基を介して、それぞれ形成する環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
また、Ｍ２で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２１０】
前記一般式（９）で表されるモノアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ２２〜Ｒ２９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０２１１】
また、Ｒ３０〜Ｒ３２で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。
Ｒ２２〜Ｒ３２が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ３で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２１２】
前記一般式（１０）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ３３〜Ｒ４４の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ３３〜Ｒ４４が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ４で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２１３】
前記一般式（１１）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ４５〜Ｒ５６の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ４５〜Ｒ５６が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ５で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２１４】
前記一般式（１２）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ５７〜Ｒ６８の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ５７〜Ｒ６８が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ６で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２１５】
前記一般式（１３）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ６９〜Ｒ８０の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ６９〜Ｒ８０が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ７で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０２１６】
前述したようなアザポルフィリン系化合物の製造方法は特に限定されないが、例えば前記一般式（８）で表される化合物の場合、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ｃ），２２−２９（１９９６）、Ｊ．Ｂｉｏｃｈｅｍ．，１２１，６５４−６６０（１９９７）、Ｚ．Ｐｈｙｓｉｏｌ．Ｃｈｅｍ，２１４，１４５（１９３３）、Ｄｉｅ  Ｃｈｅｍｉｅ  ｄｅｓ  Ｐｙｒｒｏｌｓ，Ｂａｎｄ  ＩＩ，Ｈａｌｆｔｅ  ２，ｐｐ．４１１−４１４，Ａｋａｄｅｍｉｓｃｈｅ  Ｖｅｒｌａｇｅｓｅｌｌｓｃｈｕｆｔ，Ｌｅｉｐｚｉｇ（１９４０）等に記載の方法に準じて製造される。
代表的には、以下のような三段階の反応にて製造することができる。
まず、第一段階では、下記一般式（１７）及び一般式（１８）で表されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢酸等のカルボン酸系溶媒あるいは塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒中で、臭素、ヨウ素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イミド等のハロゲン化剤によりハロゲン化し、各々下記一般式（１９）及び一般式（２０）で示されるジピロメテン化合物を得る。
【０２１７】
【化１５】
2005004877.tif 000018
【０２１８】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、一般式（８）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ｒは水素原子又はカルボキシル基を表す。）
【０２１９】
【化１６】
2005004877.tif 000019
【０２２０】
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１は、一般式（８）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。）
【０２２１】
【化１７】
2005004877.tif 000020
【０２２２】
【化１８】
2005004877.tif 000021
【０２２３】
（一般式（１９）、（２０）中、Ｒ１２〜２１は、一般式（８）のＲ１２〜２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。）
【０２２４】
次いで第二段階では、上記一般式（１９）及び一般式（２０）で表されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等の金属又は半金属化合物を用い、空気などの酸化剤の存在下或いは非存在下で反応させることにより、下記一般式（２１）で表されるジピロメテン金属錯体を得る。
【０２２５】
【化１９】
2005004877.tif 000022
【０２２６】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ２１及びａは、一般式（８）のＲ１２〜Ｒ２１及びａとそれぞれ同一の基を表し、Ｍ２は一般式（８）のＭ２と同一の意を表す。）
【０２２７】
次いで、第三段階では、上記ジピロメテン金属錯体をエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（８）で示される本発明のジアザポルフィリン化合物を得ることができる。
【０２２８】
ここで、第一段階で得られた一般式（１９）及び一般式（２０）で示されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等を用い、空気などの酸化剤の存在下又は非存在下で、アジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（８）の化合物を得ることもできる。
【０２２９】
更に、無金属の一般式（８）で表されるジアザポルフィリン化合物〔Ｍ２が２個の水素原子〕は、一般式（１９）及び（２０）で表されるジピロメテン化合物をメタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させるか、或いは、金属錯体化した一般式（７）の化合物をクロロホルム等の溶媒中で、トリフルオロ酢酸等の有機酸と反応させることにより得ることができる。
【０２３０】
一般式（８）で表されるジアザポルフィリン化合物の具体例としては、例えば表２〜表６に記載する置換基を有する化合物（１−１）〜（１−６５）等が挙げられる。
【０２３１】
【表２】
2005004877.tif 000023
【０２３２】
【表３】
2005004877.tif 000024
【０２３３】
【表４】
2005004877.tif 000025
【０２３４】
【表５】
2005004877.tif 000026
【０２３５】
【表６】
2005004877.tif 000027
【０２３６】
また、好ましいポルフィンとしては、下記一般式（２２）で示される化合物が挙げられる。
【０２３７】
【化２０】
2005004877.tif 000028
【０２３８】
（式中、Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ８は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。ＢｎとＢｎ＋１（ｎ＝１，３，５，７）は、Ｃ４Ｈ４残基を介して環状に結合していてもよい。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくは１個の金属原子を表す。）
【０２３９】
中でも、下記一般式（２３）で示される化合物が好ましく、特に好ましいのは下記一般式（２４）で示される化合物である。
【０２４０】
【化２１】
2005004877.tif 000029
【０２４１】
（式中、Ｒ１は水素原子、メチル基、アリル基、又はフェニル基を表し、Ｒ２は水素原子、メチル基、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表し、Ｒ３は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎから選ばれた２価の金属を表す。）
【０２４２】
【化２２】
2005004877.tif 000030
【０２４３】
（式中、Ａ１〜Ａ４は、水素原子又はフェニル基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＺｎを表す。）
【０２４４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０２４５】
実施例１
図２及び図３に示すプリフォーマットパターンを有するポリカーボネート基板上に、上記一般式（１）において、中心金属ＭがＶＯであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である有機材料を含む塗布液を用いて、膜厚６０ｎｍの有機層をスピンコート法で成膜した。塗布液に用いた溶媒はイソブチルアルコール、メチルシクロヘキサン、２−プロパノールの混合溶媒である。また、用いた溶媒の比誘電率は以下のようである。
【０２４６】
溶媒                    比誘電率
イソブチルアルコール      １７．９３（２５℃）
メチルシクロヘキサン      １４．０（２０℃）
２−プロパノール          １９．９２（２５℃）
【０２４７】
成膜後の波長λ＝７２５ｎｍにおける吸光度は０．７８であった。
【０２４８】
この有機層の上にスペーサ層を形成した。この場合、エンボス法で凹凸をつけたドライフォトポリマーシート（デュポン社製、商品名ＳＵＲＰＨＥＸ）を、感圧性粘着シート（日東電工社製、商品名ＤＡ−８３１０）を介して積層した。
【０２４９】
以上のようにして有機層、スペーサ層を成膜した後、さらに、このスペーサ層上に同様に有機層をスピンコート法で積層した。さらに、この有機層上にＡｇを膜厚１００ｎｍでスパッタし反射層とした。さらに、この反射層上に大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００（熱伝導率１．０ｋｃａｌ／ｍ・ｈ・ｄｅｇ以下）を膜厚５μｍで積層し保護層とした。
【０２５０】
このようにして作製した光記録媒体に対し、パルステック工業社製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５、波長７８０ｎｍ、ＮＡ：０．５３）を用いて、２波長でそれぞれの層に記録を行なったところ、短マーク、長マークとも変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られた。また、各層のコントラスの変化した部分（記録部）も、光学顕微鏡（倍率２０００）で明瞭に観察することができた。波長７８０ｎｍによる記録の様子を図４、波長４０５ｎｍによる記録の様子を図５に示す。
【０２５１】
図６は上記光記録媒体の製造工程を示すフローチャートであり、各工程は公知であるが、簡単に説明すると以下の通りである。なお、Ｓ１２のハードコート層形成工程は、必要に応じて行えばよい。
Ｓ１：ガラス円盤を研磨、洗浄する。
Ｓ２：シランコートを行う。
Ｓ３：ガラス円盤上にフォトレジストをスピンコートし、所定の膜厚を有するレジスト層を形成する。
Ｓ４：溶剤をとばすためプリベークを行う。
Ｓ５：集光レンズを介してレジスト層にレーザー光を照射する（カッティング）。
Ｓ６：この露光済みガラス円盤を現像処理する。
Ｓ７：レジストをＴｇ以上に加熱し溝形状を整形する（第１ベーク）。
Ｓ８：パターンの固化のためベークを行う（第２ベーク）。
Ｓ９：蒸着、メッキを行う。
Ｓ１０：ガラス円盤の凹凸面に金属膜を形成し、該金属膜を剥離することによりスタンパを作製する。
Ｓ１１：スタンパを用いて射出成形を行い、所定の膜厚を有するレプリカを形成する。
Ｓ１２：透明基板の片側にスピンコート法によりハードコート層を形成する。
Ｓ１３：透明基板の片面に必要に応じてスピンコート法により有機層を形成する。
Ｓ１４：有機層の上にスピンコート法によりスペーサ層を形成する。
Ｓ１５：スペーサ層の上に有機層を形成する。
Ｓ１６：有機層の上に反射層を形成する。
Ｓ１７：必要に応じて保護層などの他の層を積層し、ディスク単板とする（単板のままで使用する場合）。
Ｓ１８：必要に応じて保護層などの他の層を積層して得られる単板ディスクを２枚貼り合わせて両面ディスクとする。
Ｓ１９：ディスクをカートリッジに収納する。
Ｓ２０：特性の評価を行う。
このフローチャートにおいて、Ｓ７とＳ８の工程は同時に行うこともできる。
また、Ｓ７工程の溝形状の整形は、加熱温度９０〜１８０℃、時間５〜９０分の範囲から任意に選択できる。
【０２５２】
実施例２
実施例１において、有機材料の中心金属Ｍ＝Ｚｎ、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−に変えた以外は同様に光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
【０２５３】
実施例３
実施例１において、有機材料の中心金属Ｍ＝Ｐｄ、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）３Ｃ−Ｏ−に変えた以外は同様に光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
【０２５４】
実施例４
実施例１において、有機材料の中心金属Ｍ＝Ｃｏ、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）３Ｃ−Ｏ−に変えた以外は同様に光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
【０２５５】
実施例５
図３及び図７に示す、実施例１において反射膜がなく、透過光を用いて情報を読みとるシステムの例に関して述べる。図７は透過型光記録媒体１１の構成を示す要部拡大断面図である。
【０２５６】
プリフォーマットパターンを有するポリカーボネート基板上に、実施例１と同一の塗布液を用いて、膜厚６０ｎｍの有機層をスピンコート法で成膜した。
成膜後の波長λ＝７２５ｎｍにおける吸光度は０．７８であった。
【０２５７】
この有機層の上に、ポリビニルアルコール４％水溶液に重クロム酸アンモニウム（架橋剤）を添加したものをスピンコートして膜厚６０ｎｍに成膜し、乾燥したのち紫外線照射による架橋処理を行ってスペーサ層とした。用いた水の誘電率は８０（２０℃）である。有機層の色素は、誘電率が８０の水に僅かに溶解し膜厚が減少する。この場合は吸光度が０．６８まで低下した。
【０２５８】
また、ポリビニルアルコールに代えて、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロースを用いても同様な効果を得ることができた。
【０２５９】
以上の様に有機層、スペーサ層を成膜した後、同時に１００℃で５秒以上ベーク乾燥した。さらに、スペーサ層の上に同様に有機層をスピンコート法で積層した。さらにその上にスペーサ層を積層し、さらに再び有機層を積層し、有機層合計３層の光記録媒体を得た。さらに、最上部のスペーサ層上に大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００（熱伝導率１．０ｋｃａｌ／ｍ・ｈ・ｄｅｇ以下）を膜厚５μｍで積層し保護層とした。
【０２６０】
実施例６
図２及び図３に示すスパイラル状のプレピット（トラックピッチ：０．２０μｍ、０．２５μｍ、０．３２μｍ、０．３７μｍ、０．４０μｍ、０．４３μｍ、０．４６μｍ、ピット幅：０．１０μｍ、０．１３μｍ、０．１６μｍ、０．１８μｍ、０．２０μｍ、０．２１μｍ、０．２３μｍ、ピットの深さ：０．０４μｍ、０．０６μｍ、０．０８μｍ、０．１０μｍ、０．１２μｍ、ゾーン基板）を有するポリカーボネート基板上に、波長λ＝４８８±２０ｎｍレーザに対応する第１の有機反射層（有機層）をスピンコート法で成膜した。この第１の有機反射層には、波長λ＝４８８±２０ｎｍに反射率４％以上を示す有機材料を用いた。
【０２６１】
すなわちこの有機材料は、上記一般式（１）において中心金属Ｍ＝（ＣｐＦｅＣｐ（フェロセン）−Ｏ）２−Ｓｉであり、４個のＲはＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。第１の有機反射層の膜厚を５〜１００ｎｍの範囲とすることで、反射率４％以上が得られた。また、上記塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン（ＥＣＨ）、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の混合溶媒であり、その混合比はＴＨＦ＝１７ｗｔ％、ＥＣＨ＝３９ｗｔ％、ＩＰＡ＝１５ｗｔ％、１Ｍ２Ｐ＝２９ｗｔ％である。また、上記有機材料成膜後の反射極大の位置はλ＝５０６ｎｍである。
【０２６２】
なお、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４８８±２０ｎｍの幅を持つ、これらの範囲の中で使用する場合も同様に、上記有機材料を用いる波長での反射率は４％以上とすることが好適である。４％より小さいとトラッキング等に問題がおきる。
以上のように第１の有機反射層を形成し、その上から感圧性粘着シートを貼り合わせると、粘着シート層が形成される。
【０２６３】
ここで、本発明における光ディスクの、多層構造の基本構造について説明する。
図８に示すように、光ディスク１２は、ディスク基板１の少なくとも一側の面に形成された凹凸形状や案内溝等の上に、第１の有機反射層３（第１の信号層）が設けられ、その上に複合層４０が積層された多層構造２０を有する。この多層構造２０の一層当たりの構造は、第１の信号層３の上に感圧性粘着シート層５Ａがあり、その上に紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）層６Ａ、更にその上に第２の有機反射層７が積層されて成る構造である。
【０２６４】
なお、凹凸形状又は案内溝は、予め、スタンパにＵＶレジンを塗布し硬化させることによって形成することができ、その後に、粘着シートを用いて貼り合わせて中間層３０が形成される。図８において、符号８はカバー層である。
【０２６５】
即ち、図９に示すように、スパイラル形状又は同心円形状から成る凹凸形状が形成されているディスク基板１上に、反射膜を成膜することにより第１の有機反射層３を形成し（工程Ａ）、その上から感圧性粘着シート５ａを貼り合わせると、粘着シート層５Ａが形成される（工程Ｂ）。凹凸形状は、スタンパ９から紫外線硬化樹脂、すなわちＵＶレジン６ａでこれを転写することによって形成される。即ち、ＵＶレジン６ａをスタンパ９に塗布し、紫外線を照射して硬化させることによってＵＶレジン層６Ａが形成される（工程Ｃ）。
【０２６６】
その後、上記ディスク基板１の感圧性粘着シート５ａが貼り合わされている側を、スタンパ９に圧着して貼り合わせ、剥離することによって、上記粘着シート層５Ａ及びＵＶレジン層６Ａによって中間層３０が構成され（工程Ｄ）、該中間層３０の上に、更に反射膜を形成することによって、第２の有機反射層７が構成される（工程Ｅ）。最後に、この有機反射層７上にプラスチックフィルムからなるカバー層８を設ける（工程Ｆ）。
【０２６７】
感圧性粘着シート５ａとしては、厚さ５０μｍの感圧性粘着シート（日東電工社製、商品名ＤＡ−８３１０）を用い、これを有機反射層上に貼り付けた後、支持体を剥離した。凹凸形状又は案内溝は、スタンパから紫外線硬化樹脂を転写する２Ｐ法によって形成した。
【０２６８】
次に、波長λ＝４１５±２０ｎｍレーザに対応する第２の有機反射層を成膜した。この第２の有機反射層は、上記一般式（１）において中心金属Ｍ＝Ｃｕであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である有機材料を用いて形成した。第２の有機反射層の膜厚を５〜１５０ｎｍとすることで反射率４％以上が得られた。塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。混合比は第１の有機反射層の場合と同様である。また、この第２の有機反射層成膜後の反射極大の位置はλ＝４１５ｎｍである。
【０２６９】
なお、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４１５±２０ｎｍの幅を持つ、これらの範囲の中で使用する場合も、上記第２の有機反射層成膜用の有機材料を用いる波長での反射率は４％以上とすることが好適である。４％未満では反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
【０２７０】
次に、前記同様に感圧性粘着シートと紫外線硬化樹脂よりなる中間層を積層した。なお、波長λ＝４１５ｎｍの光は、波長８３０ｎｍの光を波長変換素子によって波長を１／２にした。
【０２７１】
次に、波長λ＝４０５±２０ｎｍレーザに対応する第３の有機反射層をスピンコート法で成膜した。第３の有機反射層は、上記一般式（１）において中心金属Ｍ＝Ｚｎであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である有機材料を用いて形成した。第３の有機反射層の膜厚を５〜１５０ｎｍの範囲とすることで反射率４％以上が得られた。塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。これらの混合比は、第１の有機反射層の場合と同様である。また、上記第３の有機反射層成膜後の反射極大の位置はλ＝４０５ｎｍである。
【０２７２】
なお、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝４０５±２０ｎｍの幅を持つ、これらの範囲の中で使用する場合も、上記第３の有機反射層成膜用の有機材料を用いる波長での反射率は４％以上とすることが好適である。４％未満では反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
【０２７３】
次に、前記同様に中間層を積層した。つぎに、波長λ＝３９０±２０ｎｍレーザに対応する第４の有機反射層をスピンコート法で成膜した。この第４の有機反射層は、上記一般式（１）において中心金属Ｍ＝Ｐｄであり、４個のＲがＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である有機材料を用いて形成した。第４の有機反射層の膜厚を５〜１４０ｎｍの範囲とすることで反射率４％以上が得られた。塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。これらの混合比は、第１の有機反射層の場合と同様である。
【０２７４】
なお、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝３９０±２０ｎｍの幅を持つ、これらの範囲の中で使用する場合も、上記第４の有機反射層成膜用の有機材料を用いる波長での反射率は４％以上とすることが好適である。４％未満では反射率が減少し、良好にトラッキングできない。また、波長λ＝３９０の光は、波長７８０ｎｍの光を波長変換素子によって波長を１／２にした。
【０２７５】
次に、前記同様に中間層を設けた。次に、波長λ＝３６９±３０ｎｍレーザに対応する第５の有機反射層をスピンコート法で成膜した。この第５の有機反射層は、上記一般式（１）において中心金属Ｍ＝Ｃｏであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である有機材料を用いて形成した。第４の有機反射層の膜厚を５〜１４０ｎｍの範囲とすることで反射率４％以上が得られた。塗布に用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。これらの混合比は、第１の有機反射層の場合と同様である。
【０２７６】
なお、レーザは温度などの環境条件、および製造上のばらつきにより、波長はλ＝３６９±３０ｎｍの幅を持つ、これらの範囲の中で使用する場合も、上記第４の有機反射層成膜用の有機材料を用いる波長での反射率は４％以上とすることが好適である。４％未満では反射率が減少し、良好にトラッキングできない。
この時、粘着シート層５Ａ及び紫外線硬化樹脂層６Ａによって構成される中間層３０の厚さは２７μｍで、膜厚ムラは±２μｍ以下であった。
【０２７７】
次に、上記第５の有機反射層上に。粘着剤をつけたプラスチックフィルムを、カバー層として接着した。プラスチックフィルムとしては、ビニロンフィルム（実施例６−１）、ナイロンフィルム（実施例６−２）、セロハンフィルム（実施例６−３）、ポリプロピレンフィルム（実施例６−４）、スチレンフィルム（実施例６−５）、ポリエステルフィルム（実施例６−６）を使用した。
【０２７８】
上記それぞれの光記録媒体に対し、光ディスク評価装置を用い、５波長で再生を行なった。この場合、波長３５９ｎｍの記録では、ＹＡＧレーザ（Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ  ＮＹ６０−１０）の第３高調波を使用した。波長４０５ｎｍの記録では、波長４０５ｎｍの半導体レーザを使用した（ＮＡ＝０．６５）。波長３９０ｎｍの記録には、波長７８０ｎｍの半導体レーザの第２高調波を使用した。波長４１５ｎｍの記録では、波長８３０ｎｍの半導体レーザの第２高調波を使用した。波長４８８ｎｍの記録では半導体レーザの第２高調波を用いた。このようにして、それぞれの層より再生を行ったところ、明瞭な信号が得られた。なお、反射率は、島津製作所社製ＵＶ−２５００（ＰＣ）ＳＧＬＰを用いて測定した絶対値である。
【０２７９】
実施例７
中間層の形成方法を以下のものに変えた以外はすべて実施例６と同様に、読みとり専用、波長多重多層記録媒体を作製した。得られた信号も実施例６と同様であった。
【０２８０】
図１０は、連続形成工程の一例を示すもので、ロール４０１から繰り出される透明フィルム４０２に対して、スタンパ４０３による凹凸パターンの転写及び成膜により連続的に信号記録面４０２ａを形成する点はエンボス法に準ずる。
次いで、離型紙４０５上に形成された接着フィルム４０６（感圧性粘着シートあるいはドライフォトポリマーシート）をロール４０７から繰り出し、上記透明フィルム４０２に貼り合わせる。ここで用いた感圧性粘着シートは、日東電工社製、商品名ＤＡ−８３１０である。また、ドライフォトポリマーシート４０６はデュポン社製、商品名ＳＵＲＰＨＥＸを使用した。
【０２８１】
上記離型紙４０５を巻き取りロール４０８で巻き取りながら接着フィルム４０６から剥離し、露出した接着フィルム４０６上に、信号記録面４０９ａが形成された基板４０９をローラ４１０を用いて貼り合わせる。これを円盤状に打ち抜くことで、信号記録面が積層される。この信号記録面上に実施例６と同様の色素材料をスピンコートする。
【０２８２】
実施例８
ここでは、以下の関係を有する３層の光ディスクを実施した。
（１）波長λ＝４８８ｎｍの光を用いて第１の有機反射層から情報を読み出す。
（２）波長λ＝４１５ｎｍの光を用いて第２の有機反射層から情報を読み出す。
（３）波長λ＝３９０ｎｍの光を用いて第３の有機反射層から情報を読み出す。
なお、読み出し光は第３の有機反射層上のカバー層側から照射する。
【０２８３】
図２及び図３に示すスパイラル状のプレピット（トラックピッチ：０．４０μｍ、ピット幅：０．２０μｍ、ピットの深さ：０．０６μｍ）を有するポリカーボネート基板上に、波長λ＝４８８ｎｍレーザに対応する第１の有機反射層を成膜した。第１の有機層および第１の有機反射層上の中間層は、実施例６と同様に成膜した。
【０２８４】
次に、波長λ＝４１５ｎｍレーザに対応する第２の有機反射層と、波長＝３９０ｎｍに対応する第３の有機反射層の両方を、下記する有機材料を用いてスピンコート法で成膜した。この有機材料は、上記一般式（１）において中心金属Ｍ＝ＶＯであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。上記スピンコートに用いた溶媒はＴＨＦ、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ、１−メトキシ−２−プロパノールの混合溶媒である。これらの混合比は上記第１の有機反射層の場合と同様である。
【０２８５】
上記有機材料の反射特性を図１１に示す。図中の太線でわかるように、この有機材料を膜厚５５ｎｍに成膜すると、波長λ＝４１５ｎｍにおいて反射率１３％を示す。しかし、同じく太線で示すようにこの有機材料は、波長３９０ｎｍから４１５ｎｍの範囲でブロードな反射特性を有する。そのため、第２の有機反射層を４１５ｎｍのみに対応とするためには、この層に３９０ｎｍの光が到達しないようにする必要がある。そのため第３の有機反射層には、波長λ＝３９０ｎｍに吸収を有する材料を選択する必要がある。
【０２８６】
上記有機材料は、波長３８０ｎｍから４２０ｎｍの範囲で図１２に示す吸収特性を有する。この図でわかるように波長λ＝３９０ｎｍにおける吸収率は０．１８であり、第３の有機反射層で３９０ｎｍの光は吸収される。後述するが実際は第３および第３．１の２層となるため、０．１８の２乗の吸光度０．３程度光は減衰する。一方、波長λ＝４１５ｎｍでは吸光度が０．１以下となり、光を透過する。
【０２８７】
ところで、第３の有機反射層が波長λ＝４１５ｎｍの光に反射を有すると、第２の有機反射層との間で層間干渉が発生する。そのため、第３の有機反射層からの波長λ＝４１５ｎｍの反射を低減するため干渉層を設ける。
【０２８８】
その方法は、第３の有機反射層上にポリビニルアルコールをスピンコートし、干渉層とした。ポリビニルアルコールはクラレ社製ポバール、鹸化度８８％、重合度２０００である。これの２．５ｗｔ％水溶液を静止状態の媒体に塗布後、４０００ｒｐｍで回転することにより成膜した。さらに、ポリビニルアルコール上に、同様に第２、第３の有機反射層用の上記有機材料をスピンコートし第３．１有機反射層を成膜した。
【０２８９】
その結果、図１１の細線で示すように、第３と第３．１の有機反射層はファブリイペロー効果により、波長４１５ｎｍにおける反射率は４％以下に低下した。３９０ｎｍの反射は大きく低下していない。このことにより、第３の有機反射層は３９０ｎｍのみに対応した反射層となる。
【０２９０】
第３の有機反射層を透過し、第２の有機層からの波長λ＝４１５ｎｍの光の反射率は１０％であった。
その他、上記以外のカバー層等は実施例６と同様とした。なお、波長λ＝４１５ｎｍの光は、波長８３０ｎｍの光を波長変換素子によって波長を１／２にした。
上記のように作製した光ディスクの各層の信号を検出したところ、信号の強度変化として情報を検出することができた。
【０２９１】
なお、上記実施例においては、ディスク状記録媒体を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばカード状、スティック状、テープ状などの、他の形態の追記型光記録媒体にも応用できることは勿論である。
【０２９２】
また、各層にホトクロミック材料を含有させることもでき、これにより各層独自に書き換え記録を行うことも可能である。このようなホトクロミック材料としては、アゾ系、トリフェニルメタン系、チオインジゴ系、スピロピラン系、フルギド系、ジアリールエテン系、ナフトピラン系各色素、チオニン−トリエタノールアミンをＰＶＡ中に分散したものなどが挙げられる。
【０２９３】
以上、本発明の実施例から、本発明の光記録媒体の層構成と記録原理が、複数のレーザ波長対応の有機材料からなる多層の光記録媒体、更には高変調度が確保できる追記型光記録媒体の実現に非常に有効であることが確認できた。
【０２９４】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明では、各記録層を同一材料で構成することにより、異なった材料を成膜するプロセスが不要となりプロセスを簡略化することができ（従来の光記録媒体とは異なり、多層の各記録層からの情報を複数の異なる波長で記録、再生する場合、各波長に吸収、反射特性を有する材料を各層ごとに用意する必要がなく）、これにより歩留まりの良い良好な光記録媒体を安価に提供することができる。さらには、高変調度が確保できる追記型光記録媒体の実現させることが可能となる。
【０２９５】
また、請求項２〜４に記載の光記録媒体では、前記有機材料が化学構造中にポルフィリン環を含むものであることから、変調度の高い記録が可能となる。
【０２９６】
請求項５に記載の光記録媒体では、有機層を、２０℃における比誘電率が８０未満の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の有機材料で形成されるものであるから、この有機層をスピンコート法で形成することができる利点がある。
【０２９７】
請求項６に記載の発明では、光記録媒体の作製に使用する有機材料が、沸騰状態のエタノールに対する溶解度が１ｇ（有機材料）／３０ｍｌ（エタノール）より低い材料であることから、この有機材料からなる有機層の下層の成膜状態を適正なものに維持することができる。
【０２９８】
請求項７に記載の光記録媒体では、基板上に前記有機層と透明スペーサ層を交互に積層したものであるから、容易に記録層を多層化することができる。請求項８に記載の光記録媒体では、基板上に有機層と透明スペーサ層を交互に積層し、最上部に反射層を積層したものであるから、高い反射率を得ることができる。
また、基板上に有機層と透明スペーサ層を交互に積層することで、互いに隣接する層間のクロストークが抑えることができる。
【０２９９】
請求項９に記載の光記録媒体では、透明スペーサ層を、２０℃における誘電率が８０以上の溶剤に対する溶解度が０．１重量％以上の材料で形成したから、このスペーサ層を容易にスピンコート法で成膜することができる。
【０３００】
請求項１０に記載の光記録媒体では、透明スペーサ層が親水性高分子を主成分とし、該親水性高分子の架橋又は結晶化により耐水性及び耐熱性を向上させたものであることから、それぞれの膜を安定した状態に保ちながら、スピンコートによる多層の成膜工程を連続的に進めることができる。このため、生産効率を高めることが可能となる。
【０３０１】
請求項１１に記載の光記録媒体製造方法では、請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体を製造するに際し、有機層をスピンコート法で成膜するようにしたので、この光記録媒体を簡単な工程で安価に作製することができる。また、請求項１２に記載の光記録媒体製造方法では、請求項７〜１０いずれかに記載の光記録媒体を製造する場合に、透明スペーサ層をスピンコート法で成膜するようにしたので、同様にして、この光記録媒体を安価に提供することできる。
【０３０２】
請求項１３に記載の光記録媒体製造方法では、有機層を所定の手順で成膜するようにしたので、的確に目標膜厚の有機層を成膜することができる。
【０３０３】
請求項１４に記載の光記録媒体製造方法では、請求項１０に記載の光記録媒体を製造する場合に、親水性高分子からなる少なくとも一層の透明スペーサ層を成膜後、前記親水性高分子の架橋又は結晶化により耐水性及び耐熱性を向上させるようにしたので、下層の有機層が流されることなく良好に積層することができる。また、スペーサ層の耐久性が向上し、安定性に優れた追記型光記録媒体を製造することができる。
【０３０４】
請求項１５に記載の光記録媒体製造方法では、各有機層および透明スペーサ層を成膜したのちベーク処理することにより、前記透明スペーサ層を形成する親水性高分子を架橋又は結晶化させるようにしたので、請求項１４に記載の光記録媒体製造方法の場合と同様の効果が得られる。
【０３０５】
請求項１６に記載の光記録媒体製造方法では、ベーク処理条件を「時間×温度」で表示した場合、５００（秒・℃）以上とすることにより（ただし、ベーク処理温度をベークに必要な温度以上に設定する必要があることは当然である）、良好なベーク処理結果が得られる。
【０３０６】
請求項１７〜１９に記載の光情報記録媒体では、複数の波長のレーザ光に対して多層の情報記録層による記録および／または再生を可能とする光記録媒体において、２層以上の、有機材料を主成分とし、有機層と透明スペーサ層が交互に積層され、透明スペーサ層が紫外線硬化樹脂層と粘着シートから構成されているので、各層独自のフォーマットパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いることの出来る有機材料の複数の吸収の一例を示すスペクトル図である。
【図２】本発明の光記録媒体（光ディスク）の層構成の一例を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明の光記録媒体の構成の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の光記録媒体に波長７８０ｎｍのレーザ光を照射したときの記録状態を示す記録部の光学顕微鏡写真である。
【図５】本発明の光記録媒体に波長４０５ｎｍのレーザ光を照射したときの記録状態を示す記録部の光学顕微鏡写真である。
【図６】本発明の追記型光記録媒体（光ディスク）製造工程を示すフローチャートである。
【図７】本発明の透過型光記録媒体の構成を示す要部拡大断面図である。
【図８】本発明の実施例６で作製した光ディスクの多層構造を示す説明図である。
【図９】本発明の光記録媒体の製造工程を示す概略説明図である。
【図１０】本発明の光記録媒体の製造装置および方法を示す概略説明図である。
【図１１】本発明の実施例８で使用した有機材料の反射特性を示す図である。
【図１２】本発明の実施例８で使用した有機材料の吸収特性を示す図である。
【符号の説明】
１  透明基板（ディスク基板）
１ａ  センタ孔
２  プリフォーマットパターン
２ａ  案内溝
２ｂ  プリピット
２ｃ  ランド部
３  有機層（第１の有機反射層）
４  スペーサ層
５  反射層
５Ａ  粘着シート層
５Ｂ  感圧性粘着シート層
５ａ  感圧性粘着シート
６  保護層
６Ａ  紫外線硬化樹脂層
７  第２の有機反射層
８  カバー層
９  スタンパ
１０，１１  光記録媒体
２０  多層構造
３０  中間層
４０  複合層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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