(57)【要約】【課題】  発光輝度が向上した有機ＥＬ素子の提供。【解決手段】例えば、式ｂ−３【化１】2005317297.tif 000017で表されるピリジン誘導体を発光素子とすることにより発光輝度が向上した。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるピリジン誘導体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2005317297.tif 000015
式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、シアノ基、ピリジンを除くヘテロ環残基、ハロゲン原子の何れかを表わし、Ｒ３は下記の構造式（II）又は（III）を表わす。
【化２】
2005317297.tif 000016
式中、Ｒ４、Ｒ５は各々独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、シアノ基、ピリジンを除くヘテロ環残基、ハロゲン原子の何れかを表わす。
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５は各々独立して、水素原子、アルキル基、アリール基の何れかである請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項２に記載のピリジン誘導体をその部分構造として少なくとも１つ有するポリマーを含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５の少なくとも１つがアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ピリジンを除くヘテロ環残基の何れかである請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項４に記載のピリジン誘導体をその部分構造として少なくとも１つ有するポリマーを含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットディスプレイ等の需要拡大に伴い、各種表示素子の開発および実用化が盛んに進められているが、その中でも特に高解像度、高輝度および高視認性を有するエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略記する）に注目が集まっている。
ＥＬ素子とは物質に電気を印加して発光する性質を利用したものであり、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに分類される。無機ＥＬ素子は長寿命および安定性に優れ、既に各種機器のバックライトとして実用化が進んでいるが、発光時に要する駆動電圧が２００Ｖ程度と高いこと、フルカラー化が困難であること等の問題を有し、特定需要に用途が限定されている。それに対して有機ＥＬ素子は低寿命である短所はあるが、低電圧での駆動が可能であること、広範囲な波長領域に適応できること、大面積化が可能なこと、高輝度であること等の利点を有している。今後のディスプレイの開発では大画面化、フルカラー化、低消費電力化等に重点が置かれていることを考慮すると様々な可能性を有する有機ＥＬ素子に期待が集まっている。
【０００３】
一方、ピリジン誘導体は幅広い分野での用途が開発されており、非常に魅力的な化合物として注目されている。有機ＥＬ素子の分野でもビピリジル誘導体を用いた例は多数報告されており、例えば２，２’−ビピリジルのイリジウム錯体（特許文献１参照）、２，２’−ビピリジルの白金錯体（特許文献２参照）２，２’−ビピリジル誘導体およびその多量体（特許文献３参照）、ジピリジルチオフェン誘導体（特許文献４参照）、５，５’−ジフェニル−２，２’−ビピリジル誘導体（特許文献５参照）、２，２’−ビピリジルの共重合ポリマー（特許文献５参照）等が挙げられる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１４７３４５号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３６７８号公報
【特許文献３】特開２００３−１２３９８３号公報
【特許文献４】特開２００２−１５８０９３号公報
【特許文献５】特開平７−８２５５２号公報
【特許文献６】特開２００１−３０２７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、発光輝度が向上した有機ＥＬ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、前記一般式（Ｉ）で表されるビピリジン誘導体を有機ＥＬ素子に含有することにより達成されることを見出した。即ち、本発明は以下の構成を有するものである。
（ｉ）下記一般式（Ｉ）で表されるピリジン誘導体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００７】
【化１】
2005317297.tif 000002
【０００８】
式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、シアノ基、ピリジンを除くヘテロ環残基、ハロゲン原子の何れかを表わす。Ｒ３は下記の構造式（II）又は（III）を表わす。
【０００９】
【化２】
2005317297.tif 000003
【００１０】
式中、Ｒ４、Ｒ５は各々独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、シアノ基、ピリジンを除くヘテロ環残基、ハロゲン原子の何れかを表わす。
(ii)前記一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５は各々独立して、水素原子、アルキル基、アリール基の何れかである請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(iii)（ii）に記載のピリジン誘導体をその部分構造として少なくとも１つ有するポリマーを含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(iv)前記一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５の少なくとも１つがアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ピリジンを除くヘテロ環残基の何れかである請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（ｖ）(iv)に記載のピリジン誘導体をその部分構造として少なくとも１つ有するポリマーを含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、発光輝度が向上した有機ＥＬ素子を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明について更に詳しく説明する。
本発明で用いる一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアルキル基とは具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル等の直鎖、分岐または環状の１〜２０個のアルキル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアルケニル基とは、ビニル、アリル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、イコセニル、ヘキサジエニル、ドデカトリエニル等の直鎖、分岐または環状の炭素数２〜２０個のアルケニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアルキニル基とは、エチニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、シクロオクチニル、シクロノニニル、シクロデシニルなどの直鎖、分岐または環状の炭素数２〜２０個のアルキニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアリール基とは、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントリル等の６〜１０員の単環式または多環式アリール基を表わす。
【００１３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、オクタデシルオキシ等の炭素数１〜２０個のアルコキシ基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアリールオキシ基とは、フェノキシ、ナフチルオキシ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすカルボニル基とはアセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル、バレリル、オクタノイル等のアルキルカルボニル基；ベンゾイル、ナフトイル等のアリールカルボニル基；メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル等のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル等のアリールオキシカルボニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすスルホニル基とは、メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘキシルスルホニル、オクチルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル等のアルキルスルホニル基；フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル等のアリールスルホニル基；メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、ｔｅｒｔ−ブトキシスルホニル、ｎ−デシルオキシスルホニル、ｎ−ヘキサデシルオキシスルホニル等のアルコキシスルホニル基；フェノキシスルホニル、ナフチルオキシスルホニル等のアリールオキシスルホニル基を表わす。
【００１４】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすカルバモイル基とは、カルバモイル；Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブチル）カルバモイル、Ｎ−ドデシルカルバモイル、Ｎ−オクタデシルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル等のモノ置換カルバモイル基；Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジドデシルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルカルバモイル等のジ置換カルバモイル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすスルファモイル基とは、スルファモイル；Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（ｉｓｏ−ヘキシル）スルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−デシルスルファモイル、Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイル等のモノ置換スルファモイル基；Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジブトキシスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジオクチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−テトラデシルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルスルファモイル等のジ置換スルファモイル基を表わす。
【００１５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアルキルチオ基とは、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、ノニルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ、ヘキサデシルチオ、オクタデシルチオ等の炭素数１〜２０個のアルキルチオ基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアリールチオ基とは、フェニルチオ、ナフチルチオ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすチオカルボニル基とは、メチルチオカルボニル、エチルチオカルボニル、ブチルチオカルボニル、ヘキシルチオカルボニル、オクチルチオカルボニル、ドデシルチオカルボニル、オクタデシルチオカルボニル等のアルキルチオカルボニル基；フェニルチオカルボニル、ナフチルチオカルボニル等のアリールチオカルボニル基を表わす。
【００１６】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすアミノ基とは、アミノ；Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブチルアミノ、Ｎ−ヘキシルアミノ、Ｎ−デシルアミノ、Ｎ−テトラデシルアミノ、Ｎ−オクタデシルアミノ、Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ナフチルアミノ等のモノ置換アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジヘプチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジオクチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ドデシルアミノ、Ｎ，Ｎ−オクタデシルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ等のジ置換アミノ基を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすカルボニルアミノ基とは、アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ、ｎ−オクチルカルボニルアミノ、ｎ−ヘキサデシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、ナフトイルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクチルオキシカルボニルアミノ、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすスルホニルアミノ基とは、メチルスルホニルアミノ、エチルスルホニルアミノ、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ、ｉｓｏ−ドデシルスルホニルアミノ、ｎ−オクタデシルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、ナフチルスルホニルアミノ等を表わす。
【００１７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすヘテロ環残基とは、ピリジンを除く窒素、酸素、硫黄、セレン、リン等のヘテロ原子群から選択される１〜４個の原子を含有するヘテロ環基を表わし、例えばチオフェン、フラン、ピラン、ピロール、ピラジン、アゼピン、アゾシン、アゾニン、アゼシン、オキサゾール、チアゾール、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾール、ピラゾール、モルホリン、チオモルホリン、ピペリジン、ピペラジン、キノリン、イソキノリン、インドール、イソインドール、キノキサリン、フタラジン、キノリジン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、キサンテン、ベンゾチオフェン、セレノフェン、２H-セレノピラン、ホスホラン、ホスホリン、オキサチオール、フェノキサチアン、１，２−オキサセレノラン、１，３−オキサセレノラン、１，２−チアセレノラン、１，３−オキサホスホラン等を表わす。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が表わすハロゲン原子とは、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素を表わす。
【００１８】
これらの基が更に有する置換基は、特に限定されない。更に有する置換基として例えばアルキル、アルケニル、フェニル、アルコキシ、フェノキシ、アミノ、アルキルチオ、フェニルチオ、ハロゲン原子等が挙げられるが、必ずしもこれに限定されない。
【００１９】
また、本件に係る化合物はモノマーとしてこれを重合して用いることが可能である。重合体は、ホモポリマーでも、他のモノマーとの共重合体でも良い。また、予め重合されたポリマーに本発明に係る化合物を反応させて、部分構造として導入させてもよい。
重合体の平均分子量は置換基により異なるが、好ましくは４００〜１２００００、より好ましくは６００〜１０００００である。
【００２０】
以下に一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。なお、重合体については、ホモポリマーの場合、Ｘは１０〜１５０の整数、共重合体の場合、ｍとｎの和が１０〜１５０の整数を表わす。
【００２１】
【化３】
2005317297.tif 000004
【００２２】
【化４】
2005317297.tif 000005
【００２３】
【化５】
2005317297.tif 000006
【００２４】
【化６】
2005317297.tif 000007
【００２５】
【化７】
2005317297.tif 000008
【００２６】
【化８】
2005317297.tif 000009
【００２７】
【化９】
2005317297.tif 000010
【００２８】
【化１０】
2005317297.tif 000011
【００２９】
【化１１】
2005317297.tif 000012
【００３０】
【化１２】
2005317297.tif 000013
【００３１】
本発明に係る前記一般式（Ｉ）で表されるピリジン誘導体は、公知の方法で合成することができる。一例を挙げると、アセチルピリジンと３−アミノ−２−プロペニリデンアンモニウム塩類とによるピリジン環形成反応（特開２００１−２６１６５３号）、アセチルピリジンと３−アミノアクロレインとによるピリジン環形成反応（特開２０００−３５５５８０号）、ピリジルトリアジン化合物とノルボルナジエンとによるピリジン環形成反応（特開２０００−３５５５８１号）、ピリジルトリアジン化合物とビニルエステルによるピリジン環形成反応（特開２００１−１５８７７３号）、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応を利用したクロスカップリング反応（特開昭６４−３１６９号）、アルキルスズ誘導体とクロスカップリングさせる反応（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，３３，２１９９（１９９２））、Ｎｉ触媒存在下ハロゲン化ピリジン化合物のクロスカップリング法（ＷＯ９８５２９２２号）等、様々な方法で合成することが可能である。
また、本発明のポリマーの重合方法については、公知の方法、例えば“実験化学講座  第４版  ２８巻「高分子合成」、丸善刊  １９９２年”等に記載の方法で行うことができる。
【００３２】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層等を有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
本発明に係る化合物は有機ＥＬ素子において発光層を形成する発光材料として有用であり、更に電子注入性および電子輸送性にも優れているため、他の発光材料を用いた素子においては正孔輸送材料または電子輸送材料としての使用も可能である。本発明に係る化合物は、発光層の他に有機ＥＬ素子を構成する有機層、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等にも含有されていてよい。好ましくは電子輸送層または発光層に含有されていることであり、より好ましくは発光層に含有されていることである。
【００３３】
陽極を構成する素材としては、４ｅＶより小さな仕事関数の金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物等、従来有機ＥＬ素子に用いられているものを用いることができる。具体的には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化亜鉛等の金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性材料；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機伝導性材料等が挙げられ、これらに限定されるものではない。これらの中で好ましくはＩＴＯである。陽極は電極から発光が取り出されるため、光透過率が１０％以上であることが好ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は素材によっても異なるが、通常１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１０〜５００ｎｍである。
陰極を構成する素材としては、４ｅＶより大きな仕事関数の金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物等、従来有機ＥＬ素子に用いられているものを用いることができる。具体的にはリチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属またはそのフッ化物；マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属またはそのフッ化物；金、銀、鉛、アルミニウム等の金属；ナトリウム−カリウム、リチウム−アルミニウム、マグネシウム−銀等の合金またはそれらの混合金属；インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金等である。陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。陰極の膜厚は素材によっても異なるが、通常１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１０〜５００ｎｍである。
【００３４】
正孔注入層および正孔輸送層は、陽極より正孔を注入する機能、注入された正孔を伝達する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有していればよく、従来有機ＥＬ素子に用いられているものを用いることができる。正孔注入層および正孔輸送層の素材としては、アリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、トリアゾール誘導体、ジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。正孔注入層および正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、通常は１ｎｍ〜３μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
電子注入層および電子輸送層は、陰極より電子を注入する機能、注入された電子を伝達する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有していればよく、従来有機ＥＬ素子に用いられているものを用いることができる。具体的には、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。電子注入層および電子輸送層の膜厚は特に限定されないが、通常は１ｎｍ〜３μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、正孔輸送材料に電子受容物質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
支持基板を構成する素材としては、ガラス、透明プラスチック、石英等を挙げることができる。
【００３５】
本発明の有機ＥＬ素子を製造する場合、薄膜化の方法としては、スピンコート法やキャスト法等のコーティング法、真空蒸着法、ＬＢ法、印刷法、インクジェット法等が用いられるが、この中でも真空蒸着法またはスピンコート法が好ましい。真空蒸着法では、例えば一般的な真空蒸着装置を使用して、予め陽極としてのＩＴＯが形成されている支持基板上に、順次各材料を蒸着すればよい。蒸着の条件は、使用する化合物の種類によって異なるが、通常支持基板温度は−５０〜３００℃、真空度は１×１０−6〜１×１０−２Ｐａ、蒸着速度は０．０１〜５０ｎｍ／分の範囲で適宜選択することが望ましい。スピンコート法の場合、塗布溶媒はポリマーによって自由に選択することができ、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、酢酸等の酸類、エチレングリコール等のグリコール系溶媒、水、その他高極性溶媒、または芳香族炭化水素類、ハロゲン系炭化水素類、その他低極性溶媒等が挙げられる。
【実施例】
【００３６】
次に本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３７】
[実施例１]
５−フェノキシ−２，４‘−ビピリジン（例示化合物ｂ−３）の合成
３−（ジメチルアミノ）−２−フェノキシ−２−プロペナール（８０．３ｇ）をテトラヒドロフラン（５００ｍｌ）に溶解し、この溶液に４−アセチルピリジン（４８．５ｇ）とカリウム  ｔ−ブトキシド（１２１．２ｇ）を加え、３０℃で３０分間攪拌した。酢酸アンモニウム（１８５．０ｇ）と酢酸（１４０ｍｌ）を加えた後、テトラヒドロフランを留去しながら内温９５℃で４時間反応した。この反応液に２５％ＮａＯＨ水溶液（４００ｍｌ）を加え晶析し、乾燥して、目的物（７８．７ｇ、収率７９．２％）を得た。
【００３８】
[実施例２]
膜厚１００ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が成膜されたガラス基板を、純水続いてイソプロピルアルコールで各々１５分超音波洗浄し、窒素ガスで乾燥し、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。モリブデン製蒸着用ボートに４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、ＮＰＤと略記する）２００ｍｇを入れ、別のモリブデン製蒸着用ボートに実施例１で合成した例示化合物（ｂ−３）２００ｍｇを入れ、更に別のモリブデン製蒸着用ボートに（２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、ＰＢＤと略記する）２００ｍｇを入れ、その他にふっ化リチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボートおよびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを作成し、各々のボートを装着した。装置内の真空度を５×１０−５Ｐａ以下になるまで減圧し、ＮＰＤの入った前記ボートを通電し加熱して支持基板上に蒸着し、膜厚５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に例示化合物（ｂ−３）が入った前記ボートを通電し加熱して、先に形成した正孔輸送層の上に蒸着し、膜厚５０ｎｍの発光層を設けた。次にＰＢＤが入った前記ボートを通電し加熱して、先に形成した発光層の上に蒸着し、膜厚５０ｎｍの電子輸送層を設けた。更にふっ化リチウムが入った前記ボートを通電し加熱して膜厚０．５ｎｍになるよう蒸着し、最後にアルミニウムが入った前記ボートを通電し加熱して膜厚１００ｎｍになるよう蒸着し、発光素子を得た。ＩＴＯ電極を正極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を負極として電圧を印加したところ、駆動電圧１０Ｖにおいて、発光波長４８０ｎｍ、輝度約７２００ｃｄ／ｍ２の発色を得た。
【００３９】
[実施例３〜７]
原料を変えた以外は実施例１と同様の条件で合成を行い、実施例２と同様の操作でＥＬ素子を作成した。その結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
2005317297.tif 000014
[実施例８]
【００４１】
実施例２において、発光材料をトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と略記する）、正孔輸送材料を実施例１と同様の方法で合成した例示化合物（ａ−１９）に変更した他は実施例２と同様の条件および方法で発光素子を作成した。ＩＴＯ電極を正極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を負極として電圧を印加したところ、駆動電圧１０Ｖにおいて、発光波長５３０ｎｍ、輝度約６８００ｃｄ／ｍ２の緑色発色を得た。なお、この発光素子の耐久性は４００時間で輝度７０％以上を保持した。
[実施例９]
【００４２】
実施例２において、発光材料をＡｌｑ３に、電子輸送材料を実施例１と同様の方法で合成した例示化合物（ｂ−７）に変更した他は実施例２と同様の条件および方法で発光素子を作成した。ＩＴＯ電極を正極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を負極として電圧を印加したところ、駆動電圧１０Ｖにおいて、発光波長５２３ｎｍ、輝度約７３００ｃｄ／ｍ２の緑色発色を得た。なお、この発光素子の耐久性は４００時間で輝度７０％以上を保持した。
[実施例１０]
【００４３】
例示化合物（ｃ−１）の合成
実施例１と同様の方法で５−ビニル−２−（４’−ピリジル）ピリジンを合成した。２００ｍｌの三つ口フラスコに、窒素気流下でジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）６０ｍｌ、５−ビニル−２−（４’−ピリジル）ピリジン２５．７ｇ（０．１４１ｍｏｌ）を仕込み、６５℃に昇温した。２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．３５ｇ（１．４１ｍｍｏｌ）のＤＭＡｃ５ｍｌ溶液を加え、６５℃に内温を保ちつつ６時間攪拌した。反応液を常温まで下げ、大量の水で再沈殿した後濾過して、目的物を２３．１ｇ（収率９０％）得た。得られたポリマーの数平均分子量は１５，０００であった。
【００４４】
[実施例１１]
膜厚１００ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が成膜されたガラス基板を、純水続いてイソプロピルアルコールで各々１５分超音波洗浄し、窒素ガスで乾燥した。実施例１０で得られた例示化合物（ｃ−１）２０ｍｇのクロロホルム３ｍｌ溶液を３０００ｒｐｍ、２０秒でスピンコートし、減圧下１５０℃で２．５時間乾燥し、膜厚１００ｎｍの正孔輸送層を形成した。その上に、発光層としてＡｌｑ３を真空度５×１０−５Ｐａ以下で膜厚５０ｎｍに蒸着した。更にその上に、電子輸送層としてＰＢＤを膜厚５０ｎｍに蒸着した。続いてマグネシウム：銀＝１０：１を膜厚２５０ｎｍに共蒸着し、次いで銀を膜厚３００ｎｍに蒸着した。ＩＴＯ電極を正極、マグネシウム／銀電極を負極として電圧を印加したところ、駆動電圧１０Ｖにおいて、発光波長５２６ｎｍ、輝度約６７００ｃｄ／ｍ２の緑色発色を得た。なお、この発光素子の耐久性は５００時間で輝度７０％以上を保持した。