(57)【要約】【課題】  製造時間を延長することなく、低コストで高品質のディスプレイパネルを製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】  対向される一対の前面基板１と背面基板４の間の放電空間Ｓを囲むように形成された封着層７を加熱して、この封着層７を所定の温度で軟化させて基板に封着させることにより放電空間Ｓを封止するディスプレイパネルの製造方法において、封着層７を加熱するための温度が封着層７の軟化開始温度に達した後、放電空間Ｓを封着層７によって封止する封着工程が行われる前に、放電空間Ｓから排気を行う一次排気工程とこの一次排気工程の後の放電空間Ｓへの置換ガスの導入工程が行われる。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所要の間隔を開けて対向される一対の基板の間の内部空間を囲むように位置された封着材を加熱して、この封着材を所定の温度で軟化させて基板に溶着させることにより一対の基板間の内部空間を封止するディスプレイパネルの製造方法において、
前記封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度に達した後、一対の基板間の内部空間を封着材によって封止する封着工程が行われる前に、一対の基板間の内部空間から排気を行う一次排気工程とこの一次排気工程の後の内部空間への置換ガスの導入工程が行われることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記一次排気工程と置換ガス導入工程，封着工程が、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度、または、この軟化開始温度の近傍で軟化開始温度よりも高い温度に維持されている状態で行われる請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記一次排気工程と置換ガス導入工程，封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で、封止された一対の基板間の内部空間からの二次排気工程が行われる請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記一次排気工程と置換ガス導入工程，封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が一次排気工程と置換ガス導入工程，封着工程が行われた温度とほぼ同じ温度に維持された状態で、封止された一対の基板間の内部空間からの二次排気工程が行われる請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記一次排気工程と置換ガス導入工程が、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度に到達した後、封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で行われる請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記一次排気工程と置換ガス導入工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも高い所定の温度に維持された状態で封着工程が行われる請求項５に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で二次排気工程が行われる請求項６に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記一次排気工程と置換ガス導入工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で封着工程が行われる請求項５に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度よりも低い所定の温度に維持された状態で二次排気工程が行われる請求項８に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記封着工程が行われた後、封着材の加熱温度が下降され、この加熱温度が下降されている過程で、封着材の軟化開始温度よりも低い温度になった以降に二次排気工程が行われる請求項６に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
置換ガスに水素ガスが含まれている請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記水素ガスの割合が置換ガスの３パーセント以下である請求項１１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
置換ガスに酸素ガスが含まれている請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記酸素ガスの割合が置換ガスの２０パーセント以下である請求項１３に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記一次排気工程における排気圧力が１×１０−２パスカル以下である請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記置換ガス導入工程において、酸素ガス濃度が１００パーセントの置換ガスが導入される請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、ディスプレイパネルの一例である交流駆動方式の反射型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のパネル構造を示す縦断面図である。
【０００３】
このＰＤＰの前面基板１の内面側に、それぞれＩＴＯなどからなる透明電極Ｘａ，Ｙａと銀などの厚膜電極からなるバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成される行電極ＸとＹが対になった行電極対（Ｘ，Ｙ）と、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２と、この誘電体層２を被覆するＭｇＯなどからなる保護層３が形成されている。
【０００４】
また、背面基板４の前面基板１に対向する内面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する方向に延びて行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する位置の放電空間Ｓ内に放電セルＣを構成する列電極Ｄと、この列電極Ｄを被覆する列電極保護層５と、この列電極保護層５上に各放電セルＣ毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層６と、放電空間Ｓを各放電セルＣ毎に区画する隔壁（図示せず）が形成されている。
【０００５】
そして、前面基板１と背面基板４の間に形成され、周縁部を封着層７によって封止された放電空間Ｓ内には、キセノンＸｅを５〜１０％含むネオンＮｅとの混合ガスが放電ガスとして封入されている。
【０００６】
蛍光体層６は、放電によってＸｅガスから放出される真空紫外線（波長１４７ｎｍ）によって励起されることにより発光する。
【０００７】
図２は、上記のような構成のＰＤＰの従来の製造方法を示す工程説明図であり、図３はこの従来の製造方法におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。
【０００８】
次に、この図２および３を参照しながら、従来の製造方法について説明を行う。
【０００９】
先ず、図２の前面基板作製工程ｓ１において、前面基板１上にフォトリソ法などによって行電極Ｘ，Ｙが形成され、次いで、スクリーン印刷法などによって誘電体層２が形成され、この後、ＭｇＯを成膜して保護層３が形成される。
【００１０】
一方、背面基板作製工程ｓ２において、背面基板４上にフォトリソ法などによって列電極Ｄが形成され、次いで、スクリーン印刷法などによる列電極保護層５の形成とサンドブラスト法などによる隔壁の形成が順次行われた後、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより、蛍光体層６が形成される。
【００１１】
次に、上記のようにして作製された背面基板４の前面基板１に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて、約４００℃の温度で仮焼成されることにより封着層７が形成される（工程ｓ３）。
【００１２】
そして、この封着層が形成された背面基板４と前面基板１が、背面基板４の列電極Ｄに対して前面基板１の行電極Ｘ，Ｙが直交する向きになるように対向されて重ね合わされ（工程ｓ４）、この状態で、前面基板１と背面基板４がベーク炉内に投入される（工程ｓ５）。
【００１３】
この後、図３に示されるように、ベーク炉内の温度が上昇され、その温度が封着温度ｔ１（約４５０℃）に達すると、この封着温度ｔ１があらかじめ設定されている封着工程期間ｐ１の間維持され、この封着工程期間ｐ１の間に、背面基板４に形成された封着層７が加熱によって前面基板１に溶着されることにより、背面基板４と前面基板１の間に形成される放電空間Ｓの周囲が封止される（工程ｓ６）。
【００１４】
この封着工程期間ｐ１の経過後、ベーク炉の温度が、封着温度ｔ１よりも低い所定の温度ｔ２（約４００℃）まで降下されて封着層７のガラスフリットが固まってくると、あらかじめ設定されている排気・ベーキング工程期間ｐ２の間、この温度ｔ２が維持される。
【００１５】
そして、この排気・ベーキング工程期間ｐ２において、前面基板１および背面基板４が温度ｔ２で加熱（ベーキング）されながら、放電空間Ｓ内からの排気が行われて放電空間Ｓ内が真空にされる（工程ｓ７）。
【００１６】
この排気・ベーキング工程期間ｐ２が経過すると、ベーク炉内の温度が降下されて、ほぼ常温近くになった状態で、放電空間Ｓ内に放電ガスが所定の圧力（４００〜６００Toor）で導入され（工程ｓ８）、この放電ガスの導入終了後に、排気および放電ガスの導入に使用された排気管がバーナ等によって封止される（工程ｓ９）。
【００１７】
そして、前面基板１の対をなす行電極Ｘ，Ｙ間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層３の活性化と放電の安定化（エージング）が行われる（工程ｓ１０）（例えば、特許文献１参照）。
【００１８】
上記のような従来のディスプレイパネルの製造方法では、封着層７によって放電空間Ｓを封止する封止工程ｓ６において、封着工程期間ｐ１の間、前面基板１と背面基板４の間の空間には大気と加熱によって基板から放出されてくる不純ガスが充満しており、高温条件下において、各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝された状態になっている。
【００１９】
これは、製造過程にあるディスプレイパネルにとっては、非常に好ましくない状態であり、前面基板１においては保護層３を形成するＭｇＯに対する脱ガス処理が阻害されるといった問題が発生し、背面基板４においては蛍光体層６を形成する蛍光材料が劣化するといった問題が発生する。
【００２０】
このような問題の発生を回避するために、排気・ベーキング工程期間ｐ２における放電空間Ｓからの排気時間を十分に長く設定して保護層（ＭｇＯ）３からの十分な脱ガスと劣化した蛍光体層６の回復が行われるようにするといった手法や、真空環境下において放電空間Ｓの封止を行う真空封着といった手法の採用が考えられる。
【００２１】
しかしながら、十分な排気を行うために排気・ベーキング工程期間ｐ２を長く設定すると製造時間が非常に長くなり、また、真空封着を行うには、そのための装置が大掛かりになるために、何れも、製造コストを上昇させる要因になる。
【００２２】
【特許文献１】特開２０００−３０６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
この発明は、上記のようなディスプレイパネルの製造工程における問題点を解決することをその課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
この発明（請求項１に記載の発明）によるディスプレイパネルの製造方法は、上記目的を達成するために、所要の間隔を開けて対向される一対の基板の間の内部空間を囲むように位置された封着材を加熱して、この封着材を所定の温度で軟化させて基板に溶着させることにより一対の基板間の内部空間を封止するディスプレイパネルの製造方法において、前記封着材の加熱温度が封着材の軟化開始温度に達した後、一対の基板間の内部空間を封着材によって封止する封着工程が行われる前に、一対の基板間の内部空間から排気を行う一次排気工程とこの一次排気工程の後の内部空間への置換ガスの導入工程が行われることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
この発明は、ＰＤＰの互いに対向される前面基板と背面基板の間の放電空間を囲むように背面基板上に形成された封着層を加熱し、この封着層を形成する封着材を軟化させて前面基板に溶着させることにより放電空間を封止するＰＤＰの製造方法において、封着層を加熱するための温度が封着材の軟化開始温度、または、この軟化開始温度の近傍で軟化開始温度よりも僅かに高い温度に達した後、放電空間を封着層によって封止する封着工程が行われる前に、放電空間内から所定の圧力で排気を行う一次排気工程と、この一次排気された放電空間内に置換ガスを導入する置換ガス導入工程が行われるＰＤＰの製造方法を、その最良の実施形態としているものである。
【００２６】
この実施形態のＰＤＰの製造方法によれば、所要の間隔を開けて前面基板と対向される背面基板上に放電空間を囲むように封着層が形成され、例えばこの封着層を介して互いに対向された前面基板と背面基板が収容されたベーク炉内の温度が上昇されることによって、封着層が加熱されて、この封着層を形成する封着材が前面基板に溶着されることにより、放電空間が封止される。
【００２７】
このとき、ベーク炉内の加熱温度の上昇が開始されて、この加熱温度が、封着材の軟化開始温度、または、この軟化開始温度よりも僅かに高い温度に達した直後に、背面基板に接続された排気管を介して、放電空間からの一次排気が行われ、さらに、その後に、この一次排気が行われた放電空間内に置換ガスが導入される。
【００２８】
この置換ガスとしては、Ｈ２ＯおよびＣＯ２を含まないガスが使用され、例えば、不活性ガス，不活性ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス，酸素ガス，窒素ガス，弗素ガス，塩素ガス，窒素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス，弗素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス，塩素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス等の各種ガスが使用される。
【００２９】
この実施形態のＰＤＰの製造方法によれば、ＰＤＰの製造を真空封着炉を使用して製造するのと同様の効果を得ることができ、従来の製造方法における不具合を解消することが出来る。
【００３０】
すなわち、ＰＤＰの製造工程において、前面基板と背面基板の間の放電空間を封止するために加熱が行われて、封着層の加熱温度が封着材の軟化開始温度に達した以降に放電空間内からの一次排気と置換ガスの導入が行われるので、放電空間を封着層によって封止する封着工程が行われる前に、放電空間内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されることによって、例えば基板に形成されたＭｇＯ層などからの脱ガスが促進され、さらに、高温条件下において各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝されるのが防止されるので、例えば基板に形成された蛍光体層が劣化するのが防止され、これによって、ＰＤＰのパネル性能（放電特性）の大幅な改善を図ることが出来るようになる。
【００３１】
そして、上記の製造方法によれば、放電空間の封止後に、この放電空間内からの排気を行う工程時間を長時間に設定したり、大がかりな真空封着装置を使用することなく、上記効果を発揮することができ、しかも、従来の製造装置においても簡単な変更や改造で実施することができるので、大幅に製造コストが上昇することはない。
【実施例１】
【００３２】
図４は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第１実施例を示す工程説明図であり、図５は、同例の製造方法におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図であり、図６は、同例の製造方法において使用されるベーク炉の概略構成図である。
【００３３】
この図４の製造工程について、図１を参照しながら説明する。
【００３４】
先ず、前面基板１上にフォトリソ法などによって行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成され、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するようにスクリーン印刷法などによって誘電体層２が形成され、さらに、この誘電体層２にその背面を被覆する保護層（ＭｇＯ層）３が形成される（前面基板作製工程Ｓ１）。
【００３５】
一方、背面基板４上にフォトリソ法などによって列電極Ｄが形成され、スクリーン印刷法などによって列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上にサンドブラスト法などによって放電空間Ｓを区画する隔壁が形成され、さらに、この隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより蛍光体層６が形成される（背面基板作製工程Ｓ２）。
【００３６】
以上のようにして、前面基板作製工程Ｓ１および背面基板作製工程Ｓ２が終了すると、次に、背面基板４の前面基板１に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて約４００℃の温度で焼成されることにより、封着層７が形成される（工程Ｓ３）。
【００３７】
そして、この後、前面基板１と背面基板４とが、それぞれに形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄとが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされ（工程Ｓ４）、この状態で、図６に示されるようにベーク炉Ｈ内に投入され、背面基板４に形成された排気孔に排気管１０が接続されて封着される（工程Ｓ５）。
【００３８】
この排気管１０には、排気ポンプ１１および置換ガス導入系１２，放電ガス導入系１３が接続されている。
【００３９】
この状態でベーク炉Ｈ内の加熱が開始され、図５に示されるように、このベーク炉Ｈ内の温度が背面基板４に形成されている封着層７のガラスフリットが溶解し始める温度ｔ２（約４２０℃）を僅かに超える温度ｔ１１（約４２５℃）に達すると、その時点からあらかじめ設定されている封着工程期間Ｐ１１の間、ベーク炉Ｈ内の温度がこの温度ｔ１１に維持される。
【００４０】
そして、この封着工程期間Ｐ１１の開始直後に、排気ポンプ１１が駆動されて、前面基板１と背面基板４との間に形成される放電空間Ｓ内からの一次排気が開始される（工程Ｓ６）。
【００４１】
このとき、封着層７のガラスフリットはその表面が溶解を始めた状態であり、放電空間Ｓを密閉してはいるが、その流動性は低い状態であるため、工程Ｓ６の一次排気が行われても、放電空間Ｓ内が負圧になることによる封着層７の放電空間Ｓへの引き込みは発生しない。
【００４２】
この一次排気の後、置換ガス導入系１２から排気管１０を介して放電空間Ｓ内に置換ガスの導入が行われる（工程Ｓ７）。
【００４３】
この工程Ｓ７において導入される置換ガスには、Ｈ２ＯおよびＣＯ２を含まないガスが使用され、例えば、不活性ガス，不活性ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス，酸素ガス，窒素ガス，弗素ガス，塩素ガス，窒素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス，弗素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス，塩素ガスと水素ガスまたは酸素ガスとの混合ガス等の各種ガスが使用される。
【００４４】
ここで、不活性ガスに微量の水素ガス（約３％以下）を混合した場合には蛍光体層６の回復効果を得ることが出来、不活性ガスに少量の酸素ガス（約２０％以下）を混合した場合には保護層（ＭｇＯ層）３の膜質の改善効果を得ることが出来る。
【００４５】
この工程Ｓ７における置換ガスの導入圧力は、例えば、大気の１／１００〜大気圧程度に設定される。
【００４６】
そして、この封着工程期間Ｐ１１の間に、封着層７のガラスフリットの表面が加熱によって溶解されていることによって、前面基板１に封着されて、背面基板４と前面基板１の間に形成される放電空間Ｓの周囲が封止される（工程Ｓ８）。
【００４７】
この封着工程期間Ｐ１１の経過後、ベーク炉Ｈの温度が、温度ｔ１１から下降されて、封着層７のガラスフリットの溶解温度ｔ２（約４２０℃）以下の温度ｔ１２（約４００℃）まで下降すると、あらかじめ設定されている排気・ベーキング工程期間Ｐ１２の間、この温度ｔ１２が維持される。
【００４８】
そして、この排気・ベーキング工程期間Ｐ１２において、前面基板１および背面基板４が温度ｔ１２で加熱（ベーキング）されながら、放電空間Ｓ内からガスを排気する二次排気が行われて放電空間Ｓ内が真空にされる（工程Ｓ９）。
【００４９】
次に、この排気・ベーキング工程期間Ｐ１２が経過すると、ベーク炉Ｈ内の温度がさらに再度下降されて、ほぼ常温ｔ３の近くなった状態で、放電空間Ｓ内に放電ガスが所定の圧力（４００〜６００Toor）で導入され（工程Ｓ１０）、この放電ガスの導入終了後に、排気および放電ガスの導入に使用された排気管がバーナ等によって封止される（工程Ｓ１１）。
【００５０】
そして、前面基板１の対をなす行電極Ｘ，Ｙ間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層３の活性化と放電の安定化（エージング）が行われる（工程Ｓ１２）。
【００５１】
以上のようなディスプレイパネルの製造方法により、ディスプレイパネルの製造を真空封着炉を使用して製造するのと同様の効果を得ることができ、従来の製造方法における不具合を解消することが出来る。
【００５２】
すなわち、製造工程において、加熱開始後、ベーク炉Ｈ内の温度が封着層７のガラスフリットが溶解し始める温度ｔ２（約４２０℃）を僅かに超える温度ｔ１１（約４２５℃）に維持されている封着工程期間Ｐ１１おいて、放電空間Ｓを封止する封着工程Ｓ８が完了する前に一次排気工程Ｓ６および置換ガス導入工程Ｓ７が実施されることにより、放電空間Ｓ内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層（ＭｇＯ層）３からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層６が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能（放電特性）の大幅な改善を図ることが出来るようになる。
【００５３】
そして、上記の製造方法は、排気・ベーキング工程期間Ｐ１２を長時間に設定したり、大がかりな真空封着装置を使用することなく、上記効果を発揮することが出来、しかも、従来の製造装置においても簡単な変更や改造で実施することが出来るので、大幅に製造コストが上昇することはない。
【００５４】
さらに、一次排気の後、放電空間Ｓ内に導入される置換ガスの圧力を調整することによって、製造工程における放電空間Ｓ内の圧力を所望の圧力に維持することができ、これによって、前面基板１と背面基板４の間の間隔を任意に調整したりすることが出来るようになる。
【００５５】
なお、上記の一次排気工程Ｓ６の一次排気が行われる際や、二次排気・ベーキング工程Ｓ９の置換ガスの排気の際に、あらかじめ排気ポンプ１１を駆動させて、排気管１０内を真空にしておき、工程Ｓ６や工程Ｓ９の開始時に、排気ポンプ１１と排気管１０を接続するバルブを解放するようにすれば、排気が一気に行われて、それぞれの工程時間を短縮することが出来るようになる。
【００５６】
図７は、上記の一次排気工程Ｓ６における排気圧力とＰＤＰの電圧寿命との関係を示したグラフである。
【００５７】
この図７に示されるように、一次排気工程Ｓ６において、一次排気圧力が低いほどＰＤＰの電圧寿命が延び、特に、この一次排気圧力を１×１０−２Ｐａ以下になるように設定することによって、ＰＤＰの電圧寿命を大幅に延ばすことが出来るようになる。
【００５８】
また、図８は、置換ガス導入工程Ｓ７において酸素ガスを置換ガスとして導入した場合の、導入する酸素ガスの濃度とＰＤＰの加速電圧寿命との関係を示したグラフである。
【００５９】
この図８に示されるように、置換ガス導入工程Ｓ７において、置換ガスとして導入される酸素ガスの濃度が高いほどＰＤＰの電圧寿命が延び、酸素ガス単体（濃度１００パーセント）を置換ガスとして導入することによって、ＰＤＰの電圧寿命を最も延ばすことが出来るようになる。
【００６０】
なお、Ｏ２の混合割合を増やすとパネルの加速電圧寿命は延びるが、この場合には、パネルの初期特性が悪化する虞がある。
【００６１】
したがって、パネルの加速電圧寿命および初期特性を両立させるために、例えば、置換ガスをＮ２とＯ２の混合ガスとしてＯ２の混合割合を３５パーセント以下、好ましくは３０パーセント程度とするのが望ましい。
【実施例２】
【００６２】
図９は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態の第２実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。
【００６３】
上記第１実施例の製造方法において、排気・ベーキング工程期間Ｐ１２におけるベーク炉内の設定温度ｔ１２が封着工程期間Ｐ１１における設定温度ｔ１１よりも低く設定されていたのに対し、この第２実施例におけるディスプレイパネルの製造方法は、封着工程期間Ｐ２１と排気・ベーキング工程期間Ｐ２２におけるそれぞれのベーク炉Ｈ内の設定温度が、何れも、封着層７のガラスフリットが溶解し始める温度ｔ２（約４２０℃）を僅かに超える温度ｔ２１（約４２５℃）に維持される。
【００６４】
すなわち、前面基板１と背面基板４が互いに重ね合わされた状態でベーク炉Ｈ内に投入され、ベーク炉Ｈ内の加熱が開始されて、このベーク炉Ｈ内の温度が背面基板４に形成されている封着層７のガラスフリットが軟化し始める温度ｔ２（約４２０℃）を僅かに超える温度ｔ２１（約４２５℃）に達すると、その時点からあらかじめ設定されている封着工程期間Ｐ２１、および、封着工程期間Ｐ２１に続く排気・ベーキング工程期間Ｐ２２の間、ベーク炉Ｈ内の温度がこの温度ｔ２１に維持される。
【００６５】
そして、この封着工程期間Ｐ２１の開始直後に、排気ポンプ１１の駆動による放電空間Ｓ内からの一次排気工程Ｓ６が行われ、さらに、これに続いて、置換ガス導入系１２からの置換ガス導入工程Ｓ７，封着工程Ｓ８が行われる（図４および５参照）。
【００６６】
この封着工程期間Ｐ２１の終了後、ベーク炉Ｈ内が温度ｔ２１に維持されたまま、次の排気・ベーキング工程期間Ｐ２２に、二次排気・ベーキング工程Ｓ９が行われる。
【００６７】
さらに、この排気・ベーキング工程期間Ｐ２２の終了後に、ベーク炉Ｈ内の温度がほぼ常温ｔ３近くまで下降され、この後、放電ガス導入系１３からの放電空間Ｓ内への放電ガス導入工程Ｓ１０および排気管封止工程Ｓ１１，エージング工程Ｓ１２が行われる。
【００６８】
なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とＰＤＰの加速電圧寿命との関係（図８）は、前記第１実施例の場合と同様である。
【００６９】
さらに、一次排気工程における排気圧力とＰＤＰの電圧寿命との関係（図７）も、前記第１実施例の場合と同様である。
【００７０】
この実施例におけるＰＤＰの製造方法によっても、前記第１実施例の場合と同様に、ディスプレイパネルの製造工程において、ベーク炉Ｈ内の温度が封着層７のガラスフリットが軟化し始める温度ｔ２（約４２０℃）を僅かに超える温度ｔ２１（約４２５℃）に維持されている封着工程期間Ｐ１１おいて、放電空間Ｓを封止する封着工程Ｓ８が完了する前に、一次排気工程Ｓ６および置換ガス導入工程Ｓ７が実施されることにより、放電空間Ｓ内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層（ＭｇＯ層）３からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層６が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能（放電特性）の大幅な改善を図ることが出来るようになる。
【００７１】
なお、上記実施例において、封着工程期間Ｐ２１および排気・ベーキング工程期間Ｐ２２において維持されるベーク炉Ｈ内の温度ｔ２１は、ＰＤＰの封着層７のフリット軟化点温度と同じかこれよりも僅かに高い温度に設定されるが、封着層７が結晶性フリットによって形成される場合には、非結晶性フリットによって形成される場合よりも高い温度に設定することが出来る。
【実施例３】
【００７２】
図１０は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態の第３実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。
【００７３】
前述した第１および第２実施例が、封着工程期間の間、加熱温度が封着材の軟化開始温度に維持されるのに対し、この第３実施例におけるディスプレイパネルの製造方法は、重ね合わされた前面基板１と背面基板４が投入されたベーク炉Ｈ内の温度が、フリット軟化点温度ｔ２に達した後、一旦、フリット軟化点温度ｔ２よりも低い温度ｔ３１（約４００℃）まで下降され、この温度ｔ３１が所定の一次排気・置換ガス導入期間Ｐ３１の間、維持される。
【００７４】
そして、この一次排気・置換ガス導入期間Ｐ３１の間に、排気ポンプ１１の駆動による放電空間Ｓ内からの一次排気工程Ｓ６、および、置換ガス導入系１２からの置換ガス導入工程Ｓ７が行われる（図４および５参照）。
【００７５】
このとき、一次排気工程Ｓ６と置換ガス導入工程Ｓ７が実施される前に、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に一旦達しており、軟化し始めた封着層７の表面が前面基板１に密着されることによって、前面基板１と背面基板４の間の放電空間Ｓが密閉されているので、放電空間Ｓ内に大気が入り込むことなく一次排気と置換ガスの導入が確実に行われる。
【００７６】
この一次排気・置換ガス導入期間Ｐ３１の終了後、ベーク炉Ｈ内がフリット軟化点温度ｔ２よりも高い封着温度ｔ３２（約４５０℃）まで上昇され、この封着温度ｔ３２が所定の封着工程期間Ｐ３２の間維持されて、この封着工程期間Ｐ３２に封着工程Ｓ８が行われて、封着層７が前面基板１に完全に封着される。
【００７７】
そして、この封着工程期間Ｐ３２の終了後、ベーク炉Ｈ内の温度が再び温度ｔ３１まで下降され、この温度ｔ３１が排気・ベーキング工程期間Ｐ３３の間維持されて、この排気・ベーキング工程期間Ｐ３３に、二次排気・ベーキング工程Ｓ９が行われる。
【００７８】
なお、一次排気・置換ガス導入期間Ｐ３１と排気・ベーキング工程期間Ｐ３３の温度は、フリット軟化点と同程度以下であればよく、同一である必要はない。
【００７９】
さらに、この排気・ベーキング工程期間Ｐ３３の終了後に、ベーク炉Ｈ内の温度がほぼ常温ｔ３近くまで下降され、この後、放電ガス導入系１３からの放電空間Ｓ内への放電ガス導入工程Ｓ１０、および、放電空間Ｓの封止工程Ｓ１１，エージング工程Ｓ１２が行われる。
【００８０】
なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とＰＤＰの加速電圧寿命との関係（図８）は、前記第１実施例の場合と同様である。
【００８１】
さらに、一次排気工程における排気圧力とＰＤＰの電圧寿命との関係（図７）も、前記第１実施例の場合と同様である。
【００８２】
この実施例におけるディスプレイパネルの製造方法も、封着工程期間Ｐ３２における封着工程Ｓ８が行われる前に、一次排気工程Ｓ６および置換ガス導入工程Ｓ７が実施されることにより、放電空間Ｓ内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層（ＭｇＯ層）３からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層６が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能（放電特性）の大幅な改善を図ることが出来るようになる。
【００８３】
そして、この実施例においては、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に達した時に前面基板１と背面基板４の間の放電空間Ｓが密閉され、その後にベーク炉Ｈの温度が下降されることによって封着層７のフリットの流動が抑制されるので、一次排気および置換ガス導入を安定して行うことが出来るようになる。
【実施例４】
【００８４】
図１１は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態の第４実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。
【００８５】
前述した第３実施例が、一次排気・置換ガス導入期間Ｐ３１の経過後にベーク炉Ｈ内がフリット軟化点温度ｔ２よりも高い封着温度ｔ３２まで上昇されて、この封着温度ｔ３２に維持された状態で封着工程期間Ｐ３２が設定されていたのに対し、この実施例では、一次排気・置換ガス導入期間Ｐ４１と封着工程期間Ｐ４２においてベーク炉Ｈ内の温度が、ともにフリット軟化点温度ｔ２よりも低い温度ｔ４１（約４００℃）に維持された状態で行われる。
【００８６】
すなわち、この実施例では、重ね合わされた前面基板１と背面基板４が投入されたベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に達した後、フリット軟化点温度ｔ２よりも低い温度ｔ４１まで下降され、この温度ｔ４１が所定の一次排気・置換ガス導入期間Ｐ４１およびこの後に続く封着工程期間Ｐ４２，排気・ベーキング工程期間Ｐ４３の間、維持される。
【００８７】
そして、この一次排気・置換ガス導入期間Ｐ４１の間に、排気ポンプ１１の駆動による放電空間Ｓ内からの一次排気工程Ｓ６、および、置換ガス導入系１２からの置換ガス導入工程Ｓ７が行われる（図４および５参照）。
【００８８】
このとき、一次排気工程Ｓ６と置換ガス導入工程Ｓ７が実施される前に、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に一旦達していて、軟化し始めた封着層７の表面が前面基板１に密着されることによって、放電空間Ｓが密閉されるので、大気が放電空間Ｓ内に入り込むことなく、一次排気と置換ガスの導入が確実に行われる。
【００８９】
この一次排気・置換ガス導入期間Ｐ４１の終了後、封着工程期間Ｐ４２の間の封着工程Ｓ８によって、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に達した際に溶解した封着層７の表面が前面基板１に完全に封着される。
【００９０】
そして、この封着工程期間Ｐ４２の終了後の排気・ベーキング工程期間Ｐ４３に、二次排気・ベーキング工程Ｓ９が行われる。
【００９１】
さらに、この排気・ベーキング工程期間Ｐ４３の終了後に、ベーク炉Ｈ内の温度がほぼ常温ｔ３近くまで下降され、この後、放電ガス導入系１３からの放電空間Ｓ内への放電ガス導入工程Ｓ１０、および、放電空間Ｓの封止工程Ｓ１１，エージング工程Ｓ１２が行われる。
【００９２】
なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とＰＤＰの加速電圧寿命との関係（図８）は、前記第１実施例の場合と同様である。
【００９３】
さらに、一次排気工程における排気圧力とＰＤＰの電圧寿命との関係（図７）も、前記第１実施例の場合と同様である。
【００９４】
この実施例におけるディスプレイパネルの製造方法も、封着工程期間Ｐ４２における封着工程Ｓ８が行われる前に、一次排気工程Ｓ６および置換ガス導入工程Ｓ７が実施されることにより、放電空間Ｓ内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層（ＭｇＯ層）３からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層６が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能（放電特性）の大幅な改善を図ることが出来るようになる。
【００９５】
そして、この実施例においては、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に達した時に前面基板１と背面基板４の間の放電空間Ｓが密閉され、その後にベーク炉Ｈの温度が下降されることによって封着層７のフリットの流動が抑制されるので、一次排気および置換ガス導入を安定して行うことが出来るようになる。
【実施例５】
【００９６】
図１２は、この発明によるＰＤＰの製造方法の実施形態の第５の実施例におけるベーク炉内の温度変化と工程経過時間との関係を示す図である。
【００９７】
前述した第３実施例が、封着工程期間Ｐ３２の経過度、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２よりも低い温度ｔ３１（約４００℃）まで再度下降されて、この温度ｔ３１が維持された状態で、次の排気・ベーキング工程期間Ｐ３３において二次排気・ベーキング工程Ｓ９が行われるのに対し、この実施例では、封着工程期間Ｐ５２の終了後、ベーク炉Ｈ内の温度が下降されて、この温度下降時に、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２まで下降された以降に、この温度下降過程において二次排気が行われる。
【００９８】
すなわち、重ね合わされた前面基板１と背面基板４が投入されたベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に達した後、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２よりも低い温度ｔ５１（約４００℃）まで降下され、この温度ｔ５１が所定の一次排気・置換ガス導入期間Ｐ５１の間、維持される。
【００９９】
そして、この一次排気・置換ガス導入期間Ｐ５１の間に、排気ポンプ１１の駆動による放電空間Ｓ内からの一次排気工程Ｓ６、および、置換ガス導入系１２からの置換ガス導入工程Ｓ７が行われる（図４および５参照）。
【０１００】
この時、一次排気工程Ｓ６と置換ガス導入工程Ｓ７が実施される前に、ベーク炉Ｈ内の温度がフリット軟化点温度ｔ２に一旦達しており、軟化し始めた封着層７の表面が前面基板１に密着されていることによって、前面基板１と背面基板４の間の放電空間Ｓが密閉されるので、大気が放電空間Ｓ内に入り込むことなく一次排気と置換ガスの導入が確実に行われる。
【０１０１】
この一次排気・置換ガス導入期間Ｐ５１の終了後、ベーク炉Ｈ内がフリット軟化点温度ｔ２よりも高い封着温度ｔ５２（約４５０℃）まで上昇され、この封着温度ｔ５２が所定の封着工程期間Ｐ５２の間維持されて、この封着工程期間Ｐ５２に封着工程Ｓ８が行われて、封着層７が前面基板１に完全に封着される。
【０１０２】
この封着工程期間Ｐ５２の終了後、ベーク炉Ｈ内の温度がほぼ常温ｔ３近くまで下降され、この降温過程で、ベーク炉Ｈ内の温度が略フリット軟化点温度ｔ２になった以降に、排気が開始されて、二次排気工程が行われる。
【０１０３】
この実施例においては、ベーキング工程は行われない。
【０１０４】
そして、ベーク炉Ｈ内の温度がほぼ常温ｔ３まで下降した後、放電ガス導入系１３からの放電空間Ｓ内への放電ガス導入工程Ｓ１０、および、放電空間Ｓの封止工程Ｓ１１，エージング工程Ｓ１２が行われる。
【０１０５】
なお、この実施例においても、置換ガス導入工程において導入される置換ガスの種類、および、置換ガスとして酸素ガスを導入した場合のその濃度とＰＤＰの加速電圧寿命との関係（図８）は、前記第１実施例の場合と同様である。
【０１０６】
さらに、一次排気工程における排気圧力とＰＤＰの電圧寿命との関係（図７）も、前記第１実施例の場合と同様である。
【０１０７】
この実施例におけるディスプレイパネルの製造方法も、封着工程期間Ｐ５２における封着工程Ｓ８が行われる前に、一次排気工程Ｓ６および置換ガス導入工程Ｓ７が実施されることにより、放電空間Ｓ内に充満する大気と加熱によって基板側から放出されてくる不純ガスが排出されて、保護層（ＭｇＯ層）３からの脱ガスが促進されるとともに、高温条件下において各基板の内面側がＨ２Ｏ，ＣＯ２などの不純ガスに曝されるのが防止されるので、蛍光体層６が劣化するのが防止され、これによって、ディスプレイパネルのパネル性能（放電特性）の大幅な改善を図ることが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】ディスプレイパネルの一般的構成を示す断面図である。
【図２】従来のディスプレイパネルの製造方法を示す工程説明図である。
【図３】従来の製造方法におけるベーク炉内の温度変化を示す図である。
【図４】この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第１実施例を示す工程説明図である。
【図５】同例におけるベーク炉内の温度変化を示す図である。
【図６】同例の製造方法に使用されるベーク炉の概略構成図である。
【図７】この発明によるディスプレイパネルの製造方法における一次排気圧力とＰＤＰの電圧寿命との関係を示す図である。
【図８】この発明によるディスプレイパネルの製造方法において置換ガスとして導入される酸素ガス濃度とＰＤＰの電圧寿命との関係を示す図である。
【図９】この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第２実施例を示す図である。
【図１０】この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第３実施例を示す図である。
【図１１】この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第４実施例を示す図である。
【図１２】この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第５実施例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１      …前面基板（基板）
３      …保護層
４      …背面基板（基板）
７      …封着層
１０    …排気管
１１    …排気ポンプ
１２    …置換ガス導入系
１３    …放電ガス導入系
ｔ２    …フリット軟化点温度（封着材軟化開始温度）
Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３２，Ｐ４２，Ｐ５２
…封着工程期間
Ｐ３１，Ｐ４１，Ｐ５１          …一次排気・置換ガス導入期間
Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３３，Ｐ４３  …排気・ベーキング工程期間
【図１】
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【図２】
2005332673.tif 000004
【図３】
2005332673.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005332673.tif 000009
【図８】
2005332673.tif 000010
【図９】
2005332673.tif 000011
【図１０】
2005332673.tif 000012
【図１１】
2005332673.tif 000013
【図１２】
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