(57)【要約】【課題】  特に従来に比べて、メッキ層を成形するための電鋳用基板を繰返し使用できるとともに、前記メッキ層を所定形状に歩留り良く微細加工することが可能な電鋳用基板、及びその製造方法、並びにメッキ層の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  本発明における電鋳用基板１の表面１ａにはメッキ層と同形状の凹部状のパターン部３が形成されている。前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂにはＺｎＯ等の剥離膜４が設けられている。前記パターン部３内に電鋳形成されたメッキ層は前記剥離膜４上から容易に剥離でき、一方、前記剥離膜４は前記電鋳用基板１のパターン部３内にそのまま残されるので、前記メッキ層を形成する度に、前記剥離膜４を有する電鋳用基板４を繰返し用いることができ、前記メッキ層の生産性を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ層を所定形状に成形するための電鋳用基板において、
前記電鋳用基板の表面には、前記メッキ層を埋め込み形成するための前記メッキ層と同形状の凹部状のパターン部が設けられ、前記パターン部の側壁面及び底面には前記メッキ層を剥離可能とする剥離膜が設けられていることを特徴とする電鋳用基板。
【請求項２】
前記電鋳用基板には、セラミック材あるいはプラスチック材が用いられる請求項１記載の電鋳用基板。
【請求項３】
前記剥離膜には酸化物からなる剥離膜が用いられる請求項１または２に記載の電鋳用基板。
【請求項４】
前記剥離膜にはＺｎＯが用いられる請求項３記載の電鋳用基板。
【請求項５】
（ａ）  電鋳用基板の表面に、メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程と、
（ｂ）  前記パターン部の側壁面及び底面に剥離膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする電鋳用基板の製造方法。
【請求項６】
前記（ａ）工程は、以下の工程を有してなる請求項５記載の電鋳用基板の製造方法。
（ｃ）  電鋳用基板の表面に、マスク層を形成する工程と、
（ｄ）  前記マスク層にメッキ層と同形状からなる抜きパターンを形成する工程と、
（ｅ）  前記抜きパターン内に現れた前記電鋳用基板の表面を削って前記メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程。
【請求項７】
前記（ｅ）工程をドライエッチング法にて行う請求項６記載の電鋳用基板の製造方法。
【請求項８】
前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなる請求項６または７に記載の電鋳用基板の製造方法。
（ｆ）  前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面、及び前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｇ）  前記マスク層、及び前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。
【請求項９】
前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなる請求項６または７に記載の電鋳用基板の製造方法。
（ｈ）  前記マスク層を除去する工程と、
（ｉ）  前記電鋳用基板の表面からパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｊ）  前記電鋳用基板の表面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。
【請求項１０】
前記電鋳用基板に、セラミック材あるいはプラスチック材を用いる請求項５ないし９のいずれかに記載の電鋳用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記剥離膜に酸化物からなる剥離膜を用いる請求項５ないし１０のいずれかに記載の電鋳用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記剥離膜にＺｎＯを用いる請求項１１記載の電鋳用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項５ないし１２のいずれかに記載された電鋳用基板の製造方法を用い、前記（ｂ）工程、（ｇ）工程あるいは（ｊ）工程の後に以下の工程を有することを特徴とするメッキ層の製造方法。
（ｋ）  前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上から、少なくとも無電解メッキ法を用いて、前記パターン部内を埋めるメッキ層を形成する工程と、
（ｌ）  前記メッキ層上を取付部材に取り付ける工程と、
（ｍ）  前記取付部材を前記電鋳用基板の表面から離すとともに、前記メッキ層を前記剥離膜上から剥離する工程。
【請求項１４】
前記（ｋ）工程を、
（ｍ）  前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上に、無電解メッキ法を用いてメッキ下地層を形成する工程と、
（ｎ）  前記メッキ下地層上から電解メッキ法により前記パターン部内にメッキ層を形成する工程、
を用いて行うとともに、
前記（ｍ）工程で、前記メッキ層をメッキ下地層とともに前記剥離膜上から剥離する請求項１３記載のメッキ層の製造方法。
【請求項１５】
前記（ｍ）工程の次に以下の工程を行う請求項１４記載のメッキ層の製造方法。
（ｏ）  前記メッキ下地層を除去する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ層を所定形状に成形するために用いられる電鋳用基板及びその製造方法、並びに前記電鋳用基板を用いたメッキ層の製造方法に係わり、特に、前記メッキ層から成る電鋳品を形成する度に繰返し使用できる電鋳用基板、及びその製造方法、並びにメッキ層の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで特許文献１では図３７以降に、スパイラル接触子の形成方法について開示されている。
【０００５】
図３７以降では、一般によく使用されるフォトリソグラフィ技術を用い、前記スパイラル接触子を形成している。
【０００６】
このようなフォトリソグラフィー技術を用いたスパイラル接触子の製造方法は、基板の形成−基板表面の処理−レジスト層の塗布−レジスト層に対する露光現像によるパターン形成−スパイラル接触子の電鋳成形−各スパイラル接触子の絶縁シートへの貼り付け−レジスト層の除去−基板の除去、といった多数の工程から成る。
【０００７】
このようにスパイラル接触子を製造するのに長い工程を経なければならず、製造工程の煩雑化と、生産コストの向上が問題視された。
【０００８】
特に、前記基板やレジスト層は、スパイラル接触子を製造する度にわざわざ形成しなくてはならないため、生産コストを向上させる大きな要因となっており、またスパイラル接触子のような超微細加工品を、その都度、フォトリソグラフィー技術を用いて製造したのでは歩留りが低下し、従来の方法は生産性に劣るものとなっていた。
【０００９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に従来に比べて、メッキ層を成形するための電鋳用基板を繰返し使用できるとともに、前記メッキ層を所定形状に歩留り良く微細加工することが可能な電鋳用基板、及びその製造方法、並びにメッキ層の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、メッキ層を所定形状に成形するための電鋳用基板において、
前記電鋳用基板の表面には、前記メッキ層を埋め込み形成するための前記メッキ層と同形状の凹部状のパターン部が設けられ、前記パターン部の側壁面及び底面には前記メッキ層を剥離可能とする剥離膜が設けられていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明では、上記のパターン部は、前記メッキ層と同形状で形成されており、前記パターン部内にメッキ層をメッキ形成すれば、前記メッキ層を所定形状にてメッキ形成できる。そして前記メッキ層は前記剥離膜上から容易に剥がれ、前記剥離膜は前記電鋳用基板側にそのまま残されるので、前記剥離膜を有する電鋳用基板をメッキ層の形成の度に繰返し使用でき、メッキ層の生産性に優れた電鋳用基板を提供できる。
【００１２】
本発明では、前記電鋳用基板には、セラミック材あるいはプラスチック材が用いられることが好ましい。基板にセラミック材やプラスチック材を用いることで基板の面精度をシリコンウエハーレベルまで高精度にでき、よって前記メッキ層の微細化加工を実現できる。
【００１３】
また本発明では、前記剥離膜には酸化物からなる剥離膜が用いられることが好ましく、具体的には、前記剥離膜にはＺｎＯが用いられることが好ましい。
【００１４】
前記ＺｎＯは、その上にＣｕやＮｉ、Ａｕ等のメッキ層が形成されても、前記メッキ層をＺｎＯ膜上から剥離しやすく、取り扱いに優れメッキ層の形成にかかる生産コストの低減をより促進させることが可能である。
【００１５】
また本発明における電鋳用基板の製造方法は、
（ａ）  電鋳用基板の表面に、メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程と、
（ｂ）  前記パターン部の側壁面及び底面に剥離膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明では、前記（ａ）工程は、以下の工程を有してなることが好ましい。
（ｃ）  電鋳用基板の表面に、マスク層を形成する工程と、
（ｄ）  前記マスク層にメッキ層と同形状からなる抜きパターンを形成する工程と、
（ｅ）  前記抜きパターン内に現れた前記電鋳用基板の表面を削って前記メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程。
【００１７】
上記の製造方法によれば、電鋳用基板に、前記メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を適切且つ容易に形成することができる。
【００１８】
また本発明では、前記（ｅ）工程をドライエッチング法にて行うことが好ましい。これにより前記電鋳用基板に所定形状の凹部状から成るパターン部を形成しやすい。
【００１９】
また本発明では、前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなることが好ましい。
（ｆ）  前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面、及び前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｇ）  前記マスク層、及び前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。
【００２０】
上記により、前記電鋳用基板の側壁面及び底面に適切に剥離膜を形成することが可能になる。
【００２１】
あるいは本発明では、前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなるものであってもよい。
【００２２】
（ｈ）  前記マスク層を除去する工程と、
（ｉ）  前記電鋳用基板の表面からパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｊ）  前記電鋳用基板の表面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。
【００２３】
本発明では、前記電鋳用基板に、セラミック材あるいはプラスチック材を用いることが好ましい。基板にセラミック材やプラスチック材を用いることで基板の面精度をシリコンウエハーレベルまで高精度にできる。
【００２４】
また本発明では、前記剥離膜に酸化物からなる剥離膜を用いることが好ましく、具体的には、前記剥離膜にＺｎＯを用いることが好ましい。特に電鋳用基板としてシリコン等のセラミック材を用い、剥離膜にＺｎＯを用いることが好ましく、かかる場合、前記剥離膜は前記電鋳用基板のパターン部内に適切に固着し、一方、前記剥離膜の表面は、その上に形成されるメッキ層に対し剥離面として適切に機能する。
【００２５】
また本発明におけるメッキ層の製造方法は、上記のいずれかに記載された電鋳用基板の製造方法を用い、前記（ｂ）工程、（ｇ）工程あるいは（ｊ）工程の後に以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００２６】
（ｋ）  前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上から、少なくとも無電解メッキ法を用いて、前記パターン部内を埋めるメッキ層を形成する工程と、
（ｌ）  前記メッキ層上を取付部材に取り付ける工程と、
（ｍ）  前記取付部材を前記電鋳用基板の表面から離すとともに、前記メッキ層を前記剥離膜上から剥離する工程。
【００２７】
本発明では、前記（ｂ）工程、（ｇ）工程あるいは（ｊ）工程のように、基板のパターン部の側壁面及び底面上に剥離膜を設け、前記（ｍ）工程のときに、前記（ｋ）工程でメッキ形成されたメッキ層を前記剥離膜上から剥離する。前記剥離膜は前記パターン部内にそのまま残されるから、前記メッキ層を剥離後、パターン部の側壁面及び底面に剥離膜が形成された電鋳用基板を何回もメッキ層の形成のために使用でき、生産コスト低下を図ることができる。
【００２８】
なお前記剥離膜はＺｎＯ膜などの非金属膜であるから、前記剥離膜は電解メッキ法におけるメッキ下地層（電極）として機能しにくく、よって前記剥離膜の上に、少なくとも無電解メッキ法を用いて前記メッキ層をメッキ形成することが好ましい。
【００２９】
また本発明では、
前記（ｋ）工程を、
（ｍ）  前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上に、無電解メッキ法を用いてメッキ下地層を形成する工程と、
（ｎ）  前記メッキ下地層上から電解メッキ法により前記パターン部内にメッキ層を形成する工程、
を用いて行うとともに、
前記（ｍ）工程で、前記メッキ層をメッキ下地層とともに前記剥離膜上から剥離するものであることが好ましい。
【００３０】
上記工程では無電解メッキ法にて薄い膜のメッキ下地層を形成した後、電解メッキ法を用いて所定形状のメッキ層を形成する。前記メッキ層を前記パターン部内に電解メッキ法を用いてメッキ形成することで、前記メッキ層を例えば空隙等の欠陥が形成されること無く適切に形成できる。
【００３１】
なお本発明では、前記（ｍ）工程の次に以下の工程を行ってもよい。
（ｏ）  前記メッキ下地層を除去する工程。
【００３２】
前記メッキ下地層の除去の有無は、前記メッキ層に求められる性能等によって選択される。
【発明の効果】
【００３３】
本発明では、凹部状のパターン部の側壁面及び底面に剥離膜が施された電鋳用基板は、何回も繰返しメッキ層の製造過程で用いることができるから、製造工程を短くでき、しかも材料費等を安価にでき、生産コストを大幅に削減することができる。
【００３４】
また同じ電鋳用基板を用いてメッキ層の製造を繰返し行うことができるので、各メッキ層の形状もばらつかず、歩留りを向上させることができ、特に電鋳用基板としてセラミック材等を用いることで前記メッキ層を超微細に精度良く成形できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１はメッキ層を電鋳形成するために使用される電鋳用基板１の斜視図である。前記電鋳用基板１は所定厚みを有し、図１では、前記電鋳用基板１の表面１ａは四角形状であるが、前記表面１ａは例えば四角形状以外の円形状等であってもかまわない。
【００３６】
前記電鋳用基板１は、セラミック材あるいはプラスチック材で形成される。特に前記電鋳用基板１はガラス基板であることが好ましい。ガラス基板で形成された電鋳用基板１は、非常に平滑な表面で微細化加工も簡単である。
【００３７】
図１に示すように前記電鋳用基板１の表面１ａには多数のパターン部３が設けられている。図１では前記パターン部３はスパイラル形状であるが、前記パターン部３は、この基板１を用いて電鋳されるメッキ層の形状に対応してその都度、必要とされる形状に形成される。
【００３８】
図１では前記パターン部３は、Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔をおいて規則的に多数形成されているが、前記パターン部３の形成位置、個数や大きさ等も、必要とされるメッキ層の形成位置、個数や大きさ等に対応して変更される。
【００３９】
図２は図１に示す符号２の切断線から、前記電鋳用基板１を膜厚方向に切断し、矢印方向から見た電鋳用基板１の部分拡大断面図である。
【００４０】
図２に示すように、前記電鋳用基板１の表面１ａに形成されたパターン部３は、凹部状である。前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂには、剥離膜４が形成されている。なお前記剥離膜４は前記電鋳用基板１の表面１ａには設けられていない。
【００４１】
前記剥離膜４は酸化物からなることが好ましく、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物であることが好ましい。前記剥離膜４の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。
【００４２】
前記剥離膜４は、前記パターン部３の側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に沿って形成された薄い膜であり、前記側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に強固に固着している。一方、前記剥離膜４の表面は、前記剥離膜４上にメッキ層をメッキ形成したときに、前記メッキ層を前記剥離膜４上から剥離できる面として機能している。
【００４３】
ここで前記電鋳用基板１の具体的寸法の一例を示しておく。前記電鋳用基板１の幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｔ１は５ｍｍ程度、長さ方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ１は５ｍｍ程度、前記パターン部３の幅寸法Ｔ２は２０μｍ程度、前記パターン部３の高さ寸法Ｈ１は３０μｍ程度である。
【００４４】
図３は、図１及び図２に示す電鋳用機基板１を用いて形成されたスパイラル接触子シート５である。前記スパイラル接触子シート５には、ポリイミド等からなる絶縁シート６に多数のスパイラル接触子７が形成されて構成される。
【００４５】
各スパイラル接触子７は、図２に示す電鋳用基板１のパターン部３内で電鋳形成されたものである。図３に示す多数のスパイラル接触子７を前記パターン部３内にメッキ形成し、各スパイラル接触子７を絶縁シート６で繋げた後、前記スパイラル接触子７を前記剥離膜４上から剥離することで、図３に示すスパイラル接触子シート５を形成することができる。
【００４６】
前記電鋳用基板１を用いて形成されたスパイラル接触子シート５は、図４及び図５に示す検査装置（ＩＣソケット）に使用される。
【００４７】
図４は、電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図５は図４のＡ−Ａ線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００４８】
図４に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品９が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００４９】
図５に示すように、この検査装置１０は、電子部品９の下面に多数の球状接触子（外部接続部）９ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００５０】
図５に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の貫通孔（スルーホール）１１ａが、前記電子部品９の球状接触子９ａに対応して設けられている。
【００５１】
前記貫通孔１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子７が設けられている。
【００５２】
前記スパイラル接触子７は、図３で説明したように、絶縁シート５に多数形成されており、前記スパイラル接触子７を有するスパイラル接触子シート５が前記基台１１上に貼り付けられている。
【００５３】
前記絶縁シート５は、例えば平板状のシートで、その上に多数のスパイラル接触子７が接着剤等を介して形成されているものである。図５に示す形態のものは、前記絶縁シート５に、前記スパイラル接触子７と対応する位置に貫通孔が設けられ、前記スパイラル接触子７の最外縁部が前記貫通孔の周縁部の絶縁シート５上に接着固定されている。
【００５４】
一方、図５に示すように、前記基台１１にも前記スパイラル接触子７と対向する位置に貫通孔１１ａが設けられ、前記スパイラル接触子７はちょうど前記貫通孔１１ａ上に位置し、電子部品９の各球状接触子９ａが下方向に押されると、各スパイラル接触子７は貫通孔１１ａ内に入り込むように変形する。
【００５５】
前記貫通孔１１ａの内側壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子７の前記最外縁部とが導電性接着材などで接続されている。また貫通孔１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００５６】
図５に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品９とプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００５７】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品９を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００５８】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品９を前記貫通孔１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品９を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００５９】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品９の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品９を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品９側の各球状接触子９ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００６０】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品９が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子９ａが各スパイラル接触子７を貫通孔１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子７の外形は、渦巻きの中心から外方向に押し広げられるように変形し、前記球状接触子９ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子９ａと各スパイラル接触子７とが接続される。
【００６１】
図６ないし図１０は、本発明における電鋳用基板１の製造方法を示す一工程図である。各工程図は、製造工程中の前記電鋳用基板１を膜厚方向から切断したときの断面図である。
【００６２】
図６に示す工程では、電鋳用基板１を図１のように例えば矩形状に形成する。前記電鋳用基板１は、セラミック材あるいはプラスチック材で形成される。特に前記電鋳用基板１はガラス基板であることが好ましい。ガラス基板で形成された電鋳用基板１は、非常に平滑な表面で微細化加工も簡単で安価に図２に示す形状の基板を成形できる。
【００６３】
図７工程では、前記電鋳用基板１の表面１ａにレジスト層３０をスピンコート法などを用いて塗布する。次に前記レジスト層３０に、多数のスパイラル接触子７の形状と同形状からなる抜きパターン３０ａを露光現像により形成する。
【００６４】
次に図８に示す工程では、前記抜きパターン３０ａ内から露出する前記電鋳用基板１の表面１ａをドライエッチング法を用いて所定深さまで削り込み、前記電鋳用基板１に凹部状からなるパターン部３を形成する。前記電鋳用基板１の表面１ａをドライエッチング法を用いて削り込むことで、前記電鋳用基板１の表面１ａには所定形状のパターン部３を適切且つ容易に形成することができる。上記したように、前記電鋳用基板１にはセラミック材あるいはプラスチック材を用いるが、これら材質は微細加工に優れ、前記基板１に対しドライエッチング法を用いて削り込みを行うことで、前記電鋳用基板１に微細幅で且つ所定深さの凹部状のパターン部３を高精度に形成することが可能である。
【００６５】
次に図９に示す工程では、前記レジスト層３０の表面３０ｂ，前記抜きパターン３０ａの側面，前記パターン部３の側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に剥離膜４を成膜する。この剥離膜４をメッキ等で形成する。前記剥離膜４は酸化物からなり、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物である。前記剥離膜４の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。
【００６６】
次に図１０に示す工程では、前記レジスト層３０及び前記レジスト層３０の表面３０ｂ及びレジスト層３０に形成された抜きパターン３０ａの側面に形成された剥離膜４を除去し、一方、前記パターン部３の側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に形成された剥離膜４はそのまま残す。
【００６７】
例えば前記レジスト層３０をアルカリ水溶液で溶解するとともに、前記レジスト層３０の表面３０ｂ及び抜きパターン３０ａの側面に形成された剥離膜４を酸処理によって除去する。
【００６８】
以上のような方法にて図１及び図２に示す形状の電鋳用基板１を製造することができる。
【００６９】
図１１ないし図１３は、上記した図９ないし図１０工程に代えて行われる別の電鋳用基板１の製造方法を示す一工程図である。図１１ないし図１３は製造工程中の電鋳用基板１を膜厚方向から切断した断面図である。
【００７０】
まず図６工程ないし図８工程を経て、前記電鋳用基板１の表面１ａにスパイラル接触子７と同形状の凹部状のパターン部３を形成した後、図１１工程に示すように前記レジスト層３０を除去する。
【００７１】
次に図１２工程では、前記電鋳用基板１の表面１ａ、前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂにかけて剥離膜４を形成する。前記剥離膜４は酸化物からなり、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物である。前記剥離膜４の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。
【００７２】
次に図１３工程では、前記電鋳用基板１の表面１ａに形成された前記剥離膜４を酸処理等によって除去し、一方、前記パターン部３の側壁面３ａおよび底面３ｂに形成された前記剥離膜４はそのまま残す。
【００７３】
また、図１２及び図１３工程のように２工程に跨らず、１工程のみで、前記電鋳用基板１のパターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂに剥離膜４を設けるには、例えば超音波溶着などを用いることで達成できるものと考えられる。
【００７４】
図１４工程ないし図１７工程は、図６工程ないし図１３工程を経て形成された電鋳用基板１を用いて、スパイラル接触子シート５（図３を参照）を製造する方法を示す一工程図である。図１４ないし図１７は、製造工程中の電鋳用基板１及びスパイラル接触子７を膜厚方向から切断した断面図である。
【００７５】
図１４工程では、前記剥離膜４上に無電解メッキ法を用いてメッキ下地層３１を形成する。無電解メッキ法は、メッキ液の還元物質と金属イオンを反応させ、化学反応のみを利用してメッキする方法であり、導電性のない箇所においてもメッキ形成できるが、電解メッキ法に比べて析出速度が遅いため一般的に、薄い膜厚のメッキ膜を形成するのに最適な方法である。
【００７６】
無電解メッキ法では、まず触媒が付与されるが前記基板１と剥離膜４との間で選択性のある触媒を使用し、前記剥離膜４上のみに付与される前記触媒を用いる。そして前記剥離膜４上に上記した化学反応により膜厚の薄いメッキ下地層３１を形成する。
【００７７】
前記メッキ下地層３１は例えばＣｕで形成される。前記メッキ下地層３１は無電解メッキ法のみで形成されてもよいが、メッキ下地層３１の形成スピードを上げ早く所定膜厚（例えば５μｍ程度）のメッキ下地層３１を形成するために、無電解メッキ法で形成されたメッキ下地層３１を１μｍ程度成膜したら、前記無電解メッキ法で形成されたＣｕ層上に電解メッキ法にてＣｕ層をメッキ形成し、無電解メッキ法にて形成されたＣｕ層と、前記電解メッキ法にて形成されたＣｕ層とを合わせたメッキ下地層３１を形成してもよい。
【００７８】
前記メッキ下地層３１は、前記電鋳用基板１のパターン部３の側壁面３ａおよび底面３ｂ上に形成された剥離膜４上に沿って形成された均一膜厚の薄い膜として形成される。
【００７９】
図１５工程では、電解メッキ法を用いて前記メッキ下地層３１上にメッキ層３２をメッキ形成（電鋳）する。前記メッキ層３２は、ＮｉやＡｕ等の単層構造、あるいはこれら金属層の積層構造である。好ましい積層構造の一例は、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕの３層構造である。
【００８０】
図１５では、前記メッキ層３２の表面３２ａは、前記電鋳用基板１の表面１ａと同一平面となっているが、前記メッキ層３２の表面３２ａは前記電鋳用基板１の表面１ａより若干突出していてもかまわない。
【００８１】
図１５工程では、前記メッキ層３２の形成の後、個々のスパイラル接触子７を構成するメッキ層３２のうち、最外縁部を構成するメッキ層３２間上に、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁シート６（取付部材）を熱圧着等により貼り付ける。なお前記絶縁シート６は前記メッキ層３２上及び基板１の表面１ａ上の全体に取り付けられてもよい。どのような絶縁シート６を用いるかは、必要とされるスパイラル接触子シート５の形態によって選択される。
【００８２】
そして図１６工程では、前記スパイラル接触子７を構成するメッキ層３２と絶縁シート６からなるスパイラル接触子シート５を、前記電鋳用基板１から取り外す。このとき、前記電鋳用基板１のパターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂには剥離膜４が設けられている結果、前記剥離膜４上に設けられたメッキ層３２がメッキ下地層３１とともに前記剥離膜４上から容易に剥離される。一方、電鋳用基板１は、前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂに剥離膜４を付着したまま、前記メッキ下地層３１の下面から外れる。前記の剥離工程は、例えば物理的作用により前記電鋳用基板１を前記スパイラル接触子７及び絶縁シート６から離れる方向に引くことで、行われる。
【００８３】
図１６の状態では、前記スパイラル接触子７（メッキ層３２）の下面及び側面にメッキ下地層３１が形成されたままである。前記メッキ下地層３１はそのまま残しておいてもよいが、必要とされる性能等を確保すべく除去することも可能である。例えば本発明では、前記検査装置１０に内臓されるスパイラル接触子７は、電子部品９（ＩＣ等）の球状接触子９ａと電気的に接触するものであるため、前記スパイラル接触子７の表面は、高い導電性を有していることが好ましく、前記メッキ下地層３１をＣｕで形成し、前記メッキ下地層３１上に形成されたメッキ層３２に、まずＡｕなど前記Ｃｕより高い導電性の金属層を析出させている場合には、図１７に示すように、前記金属層をスパイラル接触子７の表面に露出させるため前記メッキ下地層３１を除去する。前記メッキ下地層３１はエッチング法などを用いることで、簡単に除去できる。
【００８４】
以上のようにして図３に示すスパイラル接触子シート５を形成することができる。
あるいは図１８工程ないし図２０工程を用いて前記スパイラル接触子シート５を形成してもよい。
【００８５】
図１８工程では、まず図９に示す電鋳用基板１のパターン部３を形成するために必要なレジスト層３０をそのまま残し、一方、前記レジスト層３０の表面３０ｂにも形成されていた剥離膜４を酸処理などで除去する。
【００８６】
これによって前記電鋳用基板１のパターン部３以外の表面１ａ上にレジスト層３０が設けられ、前記レジスト層３０の側壁面から前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂにかけて剥離膜４が形成された金型が形成される。
【００８７】
この金型を利用し、図１９工程に示すように、前記電鋳用基板１のパターン部３及び前記レジスト層３０の抜きパターン３０ａ内に無電解メッキ法によるメッキ下地層（図示しない）を形成し、さらに前記メッキ下地層上にメッキ層４０をメッキ形成（電鋳）し、絶縁シート６を貼り付けた後、図２０に示すように、スパイラル接触子７を構成する前記メッキ層４０と絶縁シート６からなるスパイラル接触子シート５を前記電鋳用基板１から取り外す。このとき前記メッキ層４０は、前記剥離膜４上から容易に剥離する。
【００８８】
また前記剥離工程では、前記レジスト層３０は電鋳用基板１側に残されたままとなる。前記レジスト層３０の抜きパターン３０ａの側壁面には剥離膜４が設けられているから、前記メッキ層４０は、前記電鋳用基板１のパターン部３内及び前記レジスト層３０の抜きパターン３０ａ内から容易に抜け出て、前記レジスト層３０は前記電鋳用基板１側に残される。
【００８９】
図１８ないし図２０工程では、電鋳用基板１上にレジスト層３０が設けられていることから、前記パターン部３及び抜きパターン３０ａ内に形成されたスパイラル接触子７の膜厚を、図１４ないし図１７工程を経て形成されたスパイラル接触子７の膜厚に比べて厚く形成することができる。
【００９０】
上記した図１４ないし図２０工程に示したスパイラル接触子シート５の製造方法では以下のような利点がある。
【００９１】
まず第一に、図６ないし図１３工程によって形成された電鋳用基板１を前記スパイラル接触子シート５を形成する度に、繰返し使用でき、製造工程の簡略化、生産コストの削減を実現できる。
【００９２】
すなわち図１６あるいは図２０工程で、製造されたスパイラル接触子シート５を電鋳用基板１の剥離膜４上から容易に取り外しでき、前記電鋳用基板１には前記剥離膜４がそのまま残されているので、前記剥離膜４が形成された電鋳用基板１を繰返しスパイラル接触子シート５の形成のために使用できる。
【００９３】
このため従来、スパイラル接触子をメッキ形成するたびに基板やレジスト等が必要であったが、その必要が無くなり、大幅な材料費の削減を実現できる。
【００９４】
第ニに、スパイラル接触子シート５の形成の際の加工費も低減できる。従来では基板の形成、基板のエッチング除去、レジスト層に対する露光現像によるパターン形成、前記レジスト層の除去等が必要であったが、その必要が無いため工程を減らすことができる。よって、スパイラル接触子シート５の加工費の大幅な低減を図ることが可能である。また図１６または図２０工程で、剥離膜４から容易にスパイラル接触子シート５を剥離できるので、剥離も低コストで実現できる。
【００９５】
以上により、スパイラル接触子シート５の形成のために必要な生産コストを従来に比べて大幅に低減できる。
【００９６】
第三に、繰返し同じ電鋳用基板１を用いてスパイラル接触子７を形成できるため、全てのスパイラル接触子７をほぼ同じ形状にて形成でき、前記スパイラル接触子７の生産性の向上（歩留りの向上等）を図ることができる。
【００９７】
特に電鋳用基板１としてガラス基板等のセラミック材やプラスチック材を用いることで前記電鋳用基板１の表面をシリコンウエハーレベルまで高精度にでき、前記電鋳用基板１の表面に前記スパイラル接触子７と同形状の凹部状のパターン部３を高精度に微細加工することができる。よって本発明によれば、スパイラル接触子７の超微細加工が実現できる。
【００９８】
また剥離膜４に必要な性質としては、その上に形成されるメッキ層との剥離性が良好であれば、前記剥離膜４の材質と、その上に形成されるメッキ層の材質との選択を自由に行うことが可能である。例えば剥離膜４としてＺｎＯ膜を用いた場合、ＺｎＯ膜の上にメッキされる材質がＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ等であれば、前記ＺｎＯ膜とその上にメッキされるメッキ層間の剥離性は良好である。
【００９９】
また図１４工程では、前記剥離膜４上に無電解メッキ法によってまずはメッキ下地層３１を形成し、次に図１５工程で電解メッキ法にてメッキ層３２を形成していたが、前記無電解メッキ法により前記メッキ層３２の全てを形成してもよい。無電解メッキ法であるとどうしても厚い膜厚のメッキ層を形成できず、前記電鋳用基板１のパターン部３内を完全に（例えば空隙等の欠陥部なしに）メッキ層で埋めるには、メッキ下地として無電解メッキ法を用い、スパイラル接触子７の主体となるメッキ層３２の形成には電解メッキ法を用いた方が好ましいと考えられる。
【０１００】
図６ないし図１３工程を経て形成された電鋳用基板１は、前記基板１に設けられたパターン部３の形状を変えることで、スパイラル形状以外の接触子を形成できる。また前記電鋳用基板１は、ＩＣソケットである接触子以外の電鋳品の形成に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明における電鋳用基板の斜視図、
【図２】図１に示す切断線２から電鋳用基板を膜厚方向にて切断し、その切断面を矢印方向から見た部分拡大断面図、
【図３】図１及び図２に示す電鋳用基板を用いて形成されたスパイラル接触子シートの斜視図、
【図４】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図５】図１のＡ−Ａの断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図６】本発明における電鋳用基板の製造方法を示す一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】図９ないし図１０に代え、図８の次に行われる一工程図、
【図１２】図１１の次に行われる一工程図、
【図１３】図１２の次に行われる一工程図、
【図１４】図６ないし図１３工程を経て形成された電鋳用基板を用いて行われる、スパイラル接触子シートの形成方法を示す一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図、
【図１７】図１６の次に行われる一工程図、
【図１８】図１４ないし図１７とは異なる方法でのスパイラル接触子シートの形成方法を示す一工程図、
【図１９】図１８の次に行われる一工程図、
【図２０】図１９の次に行われる一工程図、
【符号の説明】
【０１０２】
１  電鋳用基板
３  パターン部
４  剥離膜
５  スパイラル接触子シート
６  絶縁シート
７  スパイラル接触子
９  電子部品
３０  レジスト層
３１  メッキ下地層
３２、４０  メッキ層
【図１】
2005187921.tif 000003
【図２】
2005187921.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2005187921.tif 000017
【図１６】
2005187921.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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