(57)【要約】【課題】微細化に対して有効な磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】磁気記憶装置は、第１書き込み用配線ＷＬと第２書き込み用配線ＢＬの交差位置に設けられ、磁化容易軸が前記第１書き込み用配線ＷＬの延設方向に配置された磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、前記磁気抵抗効果素子を他の配線層に接続する第１導電層１５とを具備し、前記導電層１５および前記磁気抵抗効果素子ＭＴＪの側壁は少なくとも一部２０−１、２０−２が連続する。【選択図】      図１
2005317739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１書き込み用配線と第２書き込み用配線の交差位置に設けられ、磁化容易軸が前記第１書き込み用配線の延設方向に配置された磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子を他の配線層に接続する第１導電層とを具備し、
前記導電層および前記磁気抵抗効果素子の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果素子の平面形状は、磁化困難軸方向に突出した凸部を有し、
前記第１導電層および前記磁気抵抗効果素子の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果素子の平面形状は、磁化困難軸方向に前記磁気抵抗効果素子の中央部からそれぞれ別方向に突出した凸部を有し、
前記第１導電層および前記磁気抵抗効果素子の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子の平面形状は磁化困難軸方向に折れ曲がり領域を有し、
前記第１導電層および前記磁気抵抗効果素子の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記第１導電層は、前記第１書き込み用配線と同一の方向に延設され、前記第１書き込み用配線に接続される領域を有し、前記第１書き込み用配線に接続される領域を除く前記第１導電層と前記磁気抵抗効果素子の磁化困難軸方向の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記第１書き込み用配線と前記第１導電層との間に設けられ、前記第１書き込み用配線と前記第２書き込み用配線の交差位置から前記第１書き込み用配線と同一の方向に延設された領域を有する第２導電層とを更に具備し、
前記延設された領域を除く前記第２導電層と前記磁気抵抗効果素子の磁化困難軸方向の端部は少なくとも一部がほぼ一致すること
を特徴とする１乃至５のいずれか１項に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果素子は、第１磁性層および第２磁性層と、前記第１磁性層と第２磁性層の間に設けられたトンネルバリア層とを備え、
前記第１導電層と前記第１磁性層と第２磁性層、およびトンネルバリア層の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
導電材上に磁気抵抗効果素子材を形成する工程と、
磁化容易軸方向の腕部が隣接する磁気抵抗効果素子に延設されたパターンを有する第１マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材をパターニングする工程と、
前記導電材形状を得るための第２マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材および前記導電材をパターニングし、各々の磁気抵抗効果素子と導電材を分離する工程とを具備すること
を特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
【請求項９】
導電材上に磁気抵抗効果素子材を形成する工程と、
磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の腕部がそれぞれ隣接する磁気抵抗効果素子に延設されたパターンを有する第１マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材をパターニングする工程と、
前記導電材形状を得るための第２マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材および前記導電材をパターニングし、各々の磁気抵抗効果素子と導電材を分離する工程とを具備すること
を特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電材上に磁気抵抗効果素子材を形成する工程の前に、前記磁気抵抗効果素子に対応する位置から磁化困難軸方向に延設された電極材をマトリクス状に形成する工程を更に具備すること
を特徴とする請求項８または９に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気記憶装置およびその製造方法に関し、例えば、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ；Magnetic Random Access Memory）およびその製造方法等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、新たな原理により情報を記憶するメモリが数多く提案されているが、そのうちの一つに、Roy Scheuerlein et. Al. によって提案されたトンネル型磁気抵抗（Tunneling Magneto Resistive： 以後、ＴＭＲと表記する）効果を利用した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）がある（例えば、非特許文献１を参照）。以下、従来の磁気記憶装置およびその製造方法について、トンネル型磁気抵抗を利用したＭＲＡＭを例にあげて、図７０乃至図７２を用いて説明する。
【０００３】
図７０は、磁化容易軸方向における従来の磁気記憶装置を示す断面構造図である。半導体基板１１１の主表面上に絶縁層１１２−１、１１２−２を介してワード線ＷＬが設けられている。ワード線ＷＬ上に下地導電層１１５およびＭＴＪ素子が順次設けられ、ＭＴＪ素子上におけるワード線ＷＬと交差する方向にビット線ＢＬが設けられている。ビット線ＢＬ上およびＭＴＪ素子間を埋めるように、絶縁層１１２−３が設けられている。ＭＴＪ素子は、２つの磁性層（強磁性層）１１６，１１８により絶縁層（トンネルバリア層）１１７を挟んだ構造である。上記下地導電層１１５は、ＭＴＪ素子よりも突出した部分１２０を有している。
【０００４】
上記のように、下地導電層１１５はＭＴＪ素子よりも突出した部分１２０を有している。ここで、磁化反転には、磁性層への応力、張力が影響を及ぼすことが知られている（Villari効果）。そのため、上記突出した部分１２０上における絶縁層１１２−３の応力が下地導電層１１５にかかり、下地導電層１１５にＭＴＪ素子の磁化容易軸方向に引っ張り応力が発生する場合を考える。上記引っ張り応力がＭＴＪ素子の磁性層１１６、１１８、トンネルバリア層１１７に作用し、ＭＴＪ素子の歪みに伴いスイッチング磁界が上昇する。
【０００５】
次に、従来の磁気記憶装置の製造方法について、図７０で示した磁気記憶装置を例に挙げ、図７１および図７２を用いて説明する。
【０００６】
まず、基板１１１上に下地導電層１１５およびＭＴＪ素子となる材料を順次形成した後、全面上に保護膜を形成し、保護膜上にフォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０００７】
続いて、図７１に示すようなフォトマスク１３０を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク１３０のパターンをフォトレジストへ転写する。上記フォトマスク１３０は、ガラスマスク１３０−１上にＭＴＪ素子となるパターン１３０−２が形成されている。
【０００８】
続いて、図７２に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等の異方性エッチングを行い、上記パターン１３０−２を上記保護膜に転写する。フォトレジストを除去した後、上記パターンが転写された保護膜をマスクとして、ＲＩＥ等の異方性エッチングを上記下地導電層表面１１５表面上まで行い、マトリクス状に配置されたＭＴＪ素子を形成する。
【０００９】
上記のように、フォトマスク１３０の長方形型のパターン１３０−２をＭＴＪ素子となる磁性材上のフォトレジストに転写する工程の際には、光学的な特性により、磁性材がＭＴＪ素子の長手方向（磁化容易軸方向）に縮小する。よって、ＭＴＪ素子の形状が設計値と異なるため、設計段階での特性予想値と異なったものが形成される。そのため、例えば、面積が異なることにより、抵抗値が変わる、書きこみ時の反転磁界が変わる、長辺方向の長さが変わることにより、ピン層１１６からの漏れ磁界が変わり、‘１’書きこみ時と‘０’書きこみ時の反転磁界が変わってしまう等の問題が発生する。
【００１０】
また、ＭＴＪ素子を加工する工程（図７２）の後に下地導電層１１５を分離する工程を更に必要とし（図示せず）、その工程の際にはマスク合わせを行う必要があり、下地導電層１１５はＭＴＪ素子よりも突出した部分１２０を必要とする。そのため、上記マスク合わせに必要な合わせ余裕部分はいわゆるデッドスペースとなり下地導電層１１５の面積が増大し、セルの微細化に対して不利であるという問題がある。
【００１１】
上記のように、従来の磁気記憶装置は、微細化に対して不利であり、信頼性が低いという事情があった。
【００１２】
上記のように、従来の磁気記憶装置の製造方法は、微細化に対して不利であり、歩留まりが低下するという事情があった。
【非特許文献１】ISSCC2000 Technical Digest p.128 「A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
この発明は、微細化に対して有効であり、信頼性を向上できる磁気記憶装置を提供する。
【００１４】
この発明は、微細化に対して有効であり、歩留まりを向上できる磁気記憶装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明の一態様によれば、第１書き込み用配線と第２書き込み用配線の交差位置に設けられ、磁化容易軸が前記第１書き込み用配線の延設方向に配置された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を他の配線層に接続する第１導電層とを具備し、前記導電層および前記磁気抵抗効果素子の側壁は少なくとも一部が連続する磁気記憶装置を提供できる。
【００１６】
この発明の一態様によれば、導電材上に磁気抵抗効果素子材を形成する工程と、磁化容易軸方向の腕部が隣接する磁気抵抗効果素子に延設されたパターンを有する第１マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材をパターニングする工程と、前記導電材形状を得るための第２マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材および前記導電材をパターニングし、各々の磁気抵抗効果素子と導電材を分離する工程とを具備する磁気記憶装置の製造方法を提供できる。
【００１７】
この発明の一態様によれば、導電材上に磁気抵抗効果素子材を形成する工程と、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の腕部がそれぞれ隣接する磁気抵抗効果素子に延設されたパターンを有する第１マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材をパターニングする工程と、前記導電材形状を得るための第２マスクを用いて、前記磁気抵抗効果素子材および前記導電材をパターニングし、各々の磁気抵抗効果素子と導電材を分離する工程とを具備する磁気記憶装置の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、微細化に対して有効であり、信頼性を向上できる磁気記憶装置が得られる。
【００１９】
また、この発明によれば、微細化に対して有効であり、歩留まりを向上できる磁気記憶装置の製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００２１】
［第１の実施形態（基本形態）］
まず、この発明の第１の実施形態に係る磁気記憶装置およびその製造方法について、図１乃至図１０を用いて説明する。図１は、第１の実施形態に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ´線に沿った方向における断面構造図である。
【００２２】
半導体基板１１の主表面上に層間膜１２−１、１２−２を介してワード線ＷＬ（書き込み用配線）が設けられている。ワード線ＷＬ上に、絶縁層１２−３を介して、下地導電層１５およびＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）が設けられ、ＭＴＪ素子上に、ワード線ＷＬと交差する方向にビット線ＢＬ（書き込み用配線）が設けられている（図１においてビット線ＢＬの図示を省略）。ビット線ＢＬ上、ＭＴＪ素子間を埋めるように、絶縁層１２−４が設けられている。また、図１、図２中の破線で囲った部分が１ビット（bit ）のメモリセルＭＣを示している。
【００２３】
一例として、ＭＴＪ素子は、トンネルバリア層１７を強磁性層１６、１８により挟んだ構造をそれぞれ備えている。強磁性層（ピン層）１６は下地導電層１５上に設けられ、トンネルバリア層１７は強磁性層１６上に設けられ、強磁性層（フリー層）１８はトンネルバリア層１７上に設けられている。ＭＴＪ素子に記憶される情報は、２つの強磁性層１６、１８の磁化の向きが平行かまたは反平行かによって“１”状態、“０”状態の情報を不揮発に記憶し、強磁性トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction）におけるＴＭＲ効果を利用して“１”状態、“０”状態の情報を読み出している。
【００２４】
ここで、磁化困難軸方向において、下地導電層１５およびＭＴＪ素子の側壁の一部２０−１が連続するように設けられている。換言すれば、下地導電層１５の端部は、ＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように設けられており、ＭＴＪ素子よりも磁化容易軸方向に突出するようには設けられていない。
【００２５】
さらに、磁化容易軸方向においても、下地導電層１５およびＭＴＪ素子の側壁の一部２０−２が連続するように設けられている。換言すれば、下地導電層１５の端部は、ＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように設けられており、ＭＴＪ素子よりも磁化困難軸方向において突出するようには設けられていない。
【００２６】
また、各ＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向にそれぞれ対称的に突出した凸部２５が設けられ、その平面形状は十字形状である。
【００２７】
次に、各ＭＴＪ素子の読み出し／書き込み動作について、図３乃至図６を用いて説明する。
【００２８】
先ず、読み出し動作について説明する。ＭＴＪ素子の情報を読み出す場合は、ＭＴＪ素子の抵抗値を検出することによって行われる。図４に示すように、強磁性層１６の磁化の向きＳ１６と強磁性層１８の磁化の向きＳ１８とが平行の場合は、ＭＴＪ素子の抵抗値は最も小さく、例えば“１”状態となる。また、図５に示すように、強磁性層１６の磁化の向きＳ１６と強磁性層１８の磁化の向きＳ１８とが反平行の場合は、ＭＴＪ素子の抵抗値は最も小さく、例えば“０”状態となる。尚、上記平行、反平行の状態を実現するため、一方の強磁性層（ピン層）１６の磁化の向きＳ１６は書きこみによって発生する磁界によって、反転しないように固定され、他方の強磁性層（フリー層）１８の磁化の向きＳ１８は書きこみによって発生する磁界によって、反転するように設計される。以上により、書き込み動作によって、一方の強磁性層（フリー層）１８の磁化の向きＳ１８を反転することにより、平行、反平行の状態をスイッチングさせることができる。
【００２９】
ここで、上記平行とは２つの強磁性層１６、１８の磁化の向きＳ１６、Ｓ１８が同じであることを意味し、上記反平行とは２つの強磁性層１６、１８の磁化の向きＳ１６、Ｓ１８が正反対であることを意味する（矢印の向きが磁化の向きを示している）。
【００３０】
より具体的に、読み出し動作は、下地導電層１５、磁性層１６、トンネルバリア層１７、磁性層１８、ビット線ＢＬ、と順次電流を流すことにより行われる。さらに上記電流がビット線ＢＬに接続された図示しないセンスアンプ等により増幅・検出され、抵抗値を検出することによって完了する。
【００３１】
例えば、図４に示すように、ＭＴＪ素子の強磁性層１６の磁化の向きＳ１６と強磁性層１８の磁化の向きＳ１８とが平行の場合は、ＭＴＪ素子の抵抗値（下地導電層１５〜磁性層１８の間の抵抗値）は、例えば、最も小さくなる。即ち、例えば、“１”状態と読み出される。
【００３２】
次に、書き込み動作について説明する。書き込み動作は、ワード線ＷＬ及びビット線ＢＬにより発生する合成磁界によって、強磁性層１８の磁化の向きＳ１８を反転することにより行われる。先ず、ワード線ＷＬ内に電流を流すと、ワード線ＷＬの周りには、いわゆるアンペールの法則に従い磁界が発生する。ビット線ＢＬ内に電流を流すと、同様にビット線ＢＬの周りには磁界が発生し、上記ワード線ＷＬから発生する磁界の合成磁界により、ＭＴＪ素子の強磁性層１８の磁化の向きＳ１８のみが反転する。上記のようにして、アレイ状に配置されているＭＴＪ素子のうち、選択されたワード線ＷＬおよび選択されたビット線ＢＬの交差位置に存在するＭＴＪ素子のみにデータを書き込むことができる。
【００３３】
例えば、図５に示すように、ＭＴＪ素子の強磁性層１６の磁化の向きＳ１６と強磁性層１８の磁化の向きＳ１８とが反平行となるように書き込まれると、ＭＴＪ素子の抵抗値は、例えば、最も大きくなり、“０”状態が書き込まれている。
【００３４】
尚、通常、下地導電層１５と強磁性層（ピン層）１６との間には、反強磁性層が設けられている。上記反強磁性層は、磁性層１６の磁化の向きＳ１６を固定するために設けられているが、ここではその図示を省略している。
【００３５】
次に、この実施形態に係るＭＴＪ素子のアステロイド曲線について、図６を用いて説明する。図６は、この実施形態に係るＭＴＪ素子のアステロイド曲線および従来のＭＴＪ素子のアステロイド曲線および模式的に示す図である。
【００３６】
図６に示す破線は従来のＭＴＪ素子のアステロイド曲線であり、実線はこの実施形態に係るＭＴＪ素子のアステロイド曲線である。実線で示すアステロイド曲線はアステロイド曲線に比べ、内側（原点Ｏ側）に「くびれた」形状を有している。
【００３７】
アステロイド曲線は、ＭＴＪ素子の磁化容易軸に沿う方向の印加磁界の大きさをｈｘ、磁化困難軸に沿う方向の印加磁界の大きさをｈｙとしたとき、大きさを変えながら磁化容易軸に沿う方向と磁化困難軸に沿う方向に磁界、ｈｘ、ｈｙを印加したとき、磁化反転（スイッチング）したときのｈｘ、ｈｙを平面上にプロットすることにより得られる磁化反転しきい値を表すものである。
【００３８】
実線で示すアステロイド曲線において、ＭＴＪ素子の強磁性層１８に印加される磁界の合成ベクトルがこの曲線で囲まれた内側の領域（原点Ｏを含む領域）にあれば強磁性層１８の磁化の向きＳ１８は反転しない。一方、この曲線の外側の領域（原点Ｏを含まない領域）にあれば強磁性層１８の磁化の向きＳ１８は反転する。従って、このアステロイド曲線で囲む領域の面積が小さくなれば反転に要する臨界磁界の大きさは小さくなり、書き込み電流を低減することができる。
【００３９】
例えば、図６中に示す点２８は、実線のアステロイド曲線の内側の領域にあるため、ＭＴＪ素子の強磁性層１８の磁化の向きＳ１８は反転しない。しかし、点２９および点３０は、実線のアステロイド曲線の外側の領域にあるため、ＭＴＪ素子の強磁性層１８の磁化の向きＳ１８が反転する。
【００４０】
ここで、上記のように、この実施形態に係る各ＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向にそれぞれ対称的に突出した凸部２５が設けられ、十字形状の平面形状である。
【００４１】
そのため、図３に示すように、磁化困難軸方向に配置されているＢＬ線（図示せず）のみに電流を流して矢印の方向に外部磁場を発生させる場合には、強磁性層１８におけるいずれの凸部２５によって“Ｃ”型構造の磁化Ｓ１８−１、Ｓ１８−２が発生する。磁化容易軸端部の磁化方向が反平行向きになった状態での反転磁界は大きくなる。突出がない形状のものにたいして、反転磁界が大きくなる。ＷＬ線のみに電流を流して、困難軸方向のみに磁界を発生した場合も同様である。ところで、磁化困難軸方向と磁化容易軸方向の合成磁場による磁化反転では、突出がない形状のものは、ほぼ単磁区構造で磁化反転が起こるのに対して、多磁区構造で磁化反転が起こる。多磁区構造で、ひとつひとつの磁区の体積は、単磁区であった場合より減少することにより、反転磁界が減少する。以上の効果によって、磁化困難軸方向と磁化容易軸方向の合成磁場の場合は、より小さい磁界でも磁化反転（スイッチング）を起こさせることができ、磁化困難軸方向のみ、あるいは磁化容易軸方向のみの場合は、より大きい磁界でないと磁化反転（スイッチング）を起こさせることができないようになり、アステロイド曲線を内側（原点Ｏ側）に「くびれた」形状にできる。
【００４２】
従って、図６における実線と破線のアステロイド曲線で囲まれる領域（点２９を含む領域）は、この実施形態に係るＭＴＪ素子においては磁化反転を起こすことが可能となる。
【００４３】
以上に説明したように、磁化困難軸方向において、下地導電層１５およびＭＴＪ素子の側壁の一部２０−１が連続するように設けられている。換言すれば、下地導電層１５の端部は、ＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように設けられており、ＭＴＪ素子よりも磁化容易軸方向に突出するようには設けられていない。
【００４４】
そのため、下地導電層１５上には絶縁層１２−４が存在せず、絶縁層１２−４の応力が下地導電層１５にかかるということはない。従って、ＭＴＪ素子の磁化容易軸方向における引っ張り応力、あるいは圧縮応力も発生せず、ＭＴＪ素子のスイッチング磁界のばらつきを抑えることができ、スイッチングの信頼性を向上できる。
【００４５】
さらに、下地導電層１５の端部は、ＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように設けられており、ＭＴＪ素子よりも磁化容易軸方向に突出するようには設けられていない。そのため、磁化容易軸方向のメモリセルＭＣのセル面積を低減することができる。従って、磁化容易軸方向におけるセル面積を低減でき、微細化に対して有効である。
【００４６】
さらに、磁化容易軸方向においても、下地導電層１５およびＭＴＪ素子の側壁の一部２０−２が連続するように設けられている。換言すれば、下地導電層１５の端部は、ＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように設けられており、ＭＴＪ素子よりも磁化困難軸方向において突出するようには設けられていない。
【００４７】
そのため、上記と同様の効果によって、磁化困難軸方向におけるＭＴＪ素子の引っ張り応力も発生せず、あるいは圧縮応力も発生せず、ＭＴＪ素子のスイッチング磁界のばらつきを抑えることができ、スイッチングの信頼性を向上できる。
【００４８】
さらに、上記と同様の効果によって、磁化困難軸方向のセル面積を低減でき、微細化に対して有効である。
【００４９】
さらに、ＭＴＪ素子の平面形状が十字形状を有している。そのため、スイッチング磁界、つまり書き込み電流、および消費電力を低減できアステロイド曲線がくびれることにより、上記書き込み電流を低減することが出来るうえ、誤書き込みに対する書き込み動作マージンを拡大できるため、ＭＴＪ素子の選択性を向上することができる。
【００５０】
次に、この実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法について、図１または図２に示したＭＲＡＭを例に挙げ、図７乃至図１０を用いて説明する。
【００５１】
まず、周知の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上に絶縁層１２−１、１２−２、ワード線ＷＬ、および絶縁層１２−３を形成する。
【００５２】
続いて、絶縁層１２−３上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）等を用いて、下地導電層１５となる導電材３１、強磁性層１６となる磁性材３２、トンネルバリア層１７となる絶縁材３３、および強磁性層１８となる磁性材３４を順次堆積形成する（図示せず）。
【００５３】
続いて、上記磁性材３４上に保護膜を堆積し、フォトレジストを塗布する（図示せず）。
【００５４】
続いて、図７に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）３５を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク３５のパターン３５−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク３５は、ガラスマスク３５−１上に磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の最終的に十字形状となるＭＴＪ素子の腕部と腕部３５−３がそれぞれ隣接するＭＴＪ素子に延設された格子状のパターンを有する。
【００５５】
続いて、図８に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等の異方性エッチングを行い、上記パターン３５−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去し、パターン３５−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、磁性材３４、絶縁材３３、および磁性材３２を格子状に形成する。
【００５６】
続いて、磁性材３４上に再度、保護膜を堆積した後、導電材３１上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【００５７】
続いて、図９に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）３７を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク３７のパターンをフォトレジストへ転写する。ここで、上記フォトマスク３７は、ガラスマスク３７−１上に長方形のパターン３７−２が設けられている。長方形のパターン３７−２は、例えば、格子状にパターニングされた磁性材３４、３２、および絶縁材３３の格子の交点をそれぞれ対角線の交点３８とし、長辺３９が磁化容易軸方向に対応し、短辺４０が磁化困難軸方向に対応する長方形がマトリクス状に配置されたパターンである。
【００５８】
続いて、図１０に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン３７−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去し、パターン３７−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層１２−３の表面上まで行うことにより、磁性層３２、導電層３３、磁性層３４の延在された腕部を磁化容易軸方向および磁化困難軸方向にそれぞれ分離しＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子ごとに分離して形成し、下地導電層１５を形成する。
【００５９】
続いて、周知の工程を用いて、絶縁層１２−４、ビット線ＢＬを形成し、図１または図２に示す磁気記憶装置を形成できる。
【００６０】
上記に示したように、まず、フォトマスク（ＭＴＪマスク）３５を用いて、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の腕部３５−３がそれぞれ隣接するＭＴＪ素子に延設された格子状のパターンを形成する（図８）。
【００６１】
続いて、フォトマスク（ＭＸマスク）３７を用いて、ＭＴＪ素子に延設された腕部３５−３を分離してＭＴＪ素子および導電材３１をマトリクス状に形成する（図１０）。
【００６２】
そのため、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の下地導電層１５とＭＴＪ素子の側壁の一部２０−１、２０−２を、連続して形成できる。従って、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向における下地導電層１５を予め設ける必要ないため、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向におけるセルサイズおよびセル面積を縮小できる。
【００６３】
ここで、ＭＴＪ素子は形状異方性を利用する必要があるため、セルサイズがＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のように８Ｆ２（Ｆは最小加工寸法）とはならず、磁化容易軸方向の延びてしまう。従って、この実施形態のように、磁化容易軸方向／磁化困難軸方向のセルサイズ縮小化を図れることは、微細化に対して重要である。
【００６４】
かつ、従来と比べても２枚のフォトマスク（ＭＴＪマスク３５およびＭＸマスク３７）のみを用いており、フォトマスクが追加されたわけではない。その結果、製造コストが増大することはない。
【００６５】
［変形例１（平面形状）］
次に、上記第１の実施形態の変形例１に係る磁気記憶装置について、図１１乃至図２３を用いて説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００６６】
この変形例１においては、上記“Ｃ”型構造が現れ易いその他の平面形状について説明する。
【００６７】
図１１乃至図２０は、この変形例１に係るＭＴＪ素子の平面形状を模式的に示す平面図である。また、図１１乃至図２０に示すＭＴＪ素子は、少なくとも磁化容易軸方向または磁化困難軸方向の下地導電層１５とＭＴＪ素子の側壁の一部（側壁の一部２０−１または側壁の一部２０−２）が、連続するように設けられている。
【００６８】
図１１に示すＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向に凸部が１つ設けられている（Ｔ型形状）。図１２に示すＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向における一方の方向に突出した凸部が２つ設けられている。図１３に示すＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向に非対称に凸部がそれぞれ１つ設けられている。図１４に示すＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向における一方の方向に突出した凸部が２つ設けられ、他方の方向に１つ凸部が設けられている。
【００６９】
尚、図３、図１１、図１２、図１３、図１４に示すＭＴＪ素子おいては、角部または突出部と磁化容易軸方向のＭＴＪ素子となす角がほぼ９０°をなしているが、実際の平面形状においては、角部は丸くなり、および突出部と磁化困難軸方向のＭＴＪ素子となす角は９０°より大きくなだらかな曲線でつながることになる場合もある。しかし、これらの平面形状を有するＭＴＪ素子もいずれかの凸部の存在によって“Ｃ”型構造の磁化を発生することができる。例えば、図１５乃至図２０に示すＭＴＪ素子の平面形状はその一例である。
【００７０】
次に、図２１乃至図２３を用いて、この変形例に係る磁気記憶装置の動作を説明する。図２１乃至図２３に示すように、ＭＴＪ素子を構成する強磁性層１８におけるいずれかの凸部の存在によって“Ｃ”型構造の磁化Ｓ１８−１、Ｓ１８−２が発生する。
【００７１】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様な効果を有する。さらに、図１１乃至図２０に示した平面形状のＭＴＪ素子においても複数の“Ｃ”型構造の磁化を発生することができる。そのため、誤書き込みに対する書き込み動作マージンを拡大できるため、ＭＴＪ素子の選択性を向上することができる。
【００７２】
［変形例２（断面形状、断面構造）］
次に、上記第１の実施形態の変形例２に係る磁気記憶装置について、図２４乃至図３０を用いて説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態および変形例１と重複する部分の説明は省略する。図２４乃至図２６は、この変形例２に係る磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図である。
【００７３】
図２４乃至図２６に示すように、下地導電層１５とＭＴＪ素子の側壁の一部２０−１は連続して設けられている。換言すれば、ＭＴＪ素子または下地導電層１５にはテーパー角が設けられ、半導体基板１１の主表面側（上側）から見た場合、ＭＴＪ素子と下地導電層１５との端部は一致していないように見える。
【００７４】
図２４に示すＭＴＪ素子にはテーパー角が設けられ、下地導電層１５には設けられていない。図２５に示すＭＴＪ素子および下地導電層１５にテーパー角が設けられているが、それぞれのテーパー角における角度は等しくない。図２６に示すＭＴＪ素子および下地導電層１５に角度が等しく（一直線）なるようにテーパー角が設けられている。
【００７５】
次に、図２７乃至図３０を用いて、ＭＴＪ素子の種々の断面構造について説明する。
【００７６】
図２７に示すＭＴＪ素子は、下地導電層１５とピン層（磁性層）１６との間に、反強磁性層３５が設けられている。
【００７７】
図２８に示すＭＴＪ素子は、ピン層１６が反強磁性層３５、強磁性膜３７−２、常磁性金属３６、および強磁性層３７−２で構成された、いわゆるシンセティックピン構造である。
【００７８】
図２９に示すＭＴＪ素子は、フリー層１８が強磁性層３７−１、３７−２、および常磁性金属３６により構成され、２つの強磁性層３７−１、３７−２が常磁性金属３６を挟んでいる。
【００７９】
図３０に示すＭＴＪ素子は、ＭＴＪ素子を上下に２つ重ねたような、いわゆるダブルジャンクション構造である。さらに、以上の組み合わせでも構わないことは勿論である。
【００８０】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様な効果を有する。さらに、図２４乃至図２６で示したような断面形状でもよいことから、ＭＴＪ素子の選択性を向上することができる。
【００８１】
さらに、図２８に示すＭＴＪ素子は、いわゆるシンセティックピン構造である。そのため、常磁性金属３６を挟んだ２つの強磁性膜３７−１、３７−２で磁力線がループ状に閉じることにより、フリー層１８への漏れ磁場をなくすことができ、アステロイド曲線をゆがまないようにする効果がある。
【００８２】
図２９に示すＭＴＪ素子は、フリー層１８が強磁性層３７−１、３７−２、および常磁性金属３６により構成され、２つの強磁性層３７−１、３７−２が常磁性金属３６を挟んでいる。そのため、常磁性金属３６を挟んだ、２つの強磁性膜３７−１、３７−２で磁力線がループ状に閉じることにより、反磁界を減少させ、ＭＴＪ素子の微細化に対して有効である。
【００８３】
［変形例３（製造方法）］
次に、上記第１の実施形態の変形例３に係る磁気記憶装置について、図３１乃至図３８を用いて説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００８４】
まず、図３１乃至図３４を用いて、磁化困難軸方向において凸部が設けられていない一般的なＭＴＪ素子（長方形形状のＭＴＪ素子）の製造方法について説明する。
【００８５】
まず、同様の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上に絶縁層１２−１、１２−２、ワード線ＷＬ、および絶縁層１２−３を形成する。
【００８６】
続いて、絶縁層１２−３上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて下地導電層１５となる導電材３１、磁性層１６となる磁性材３２、トンネルバリア層１７となる絶縁材３３、および磁性層１８となる磁性材３４を順次堆積形成する（図示せず）。
【００８７】
続いて、上記磁性材３４上に保護膜を堆積した後、フォトレジストを塗布する（図示せず）。
【００８８】
続いて、図３１に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）４０を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４０のパターン４０−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク４０は、ガラスマスク４０−１上に、磁化容易軸方向の腕部４０−３が隣接するＭＴＪ素子に延設されたストライプ状のパターン４０−２が設けられている。ここでＭＴＪ素子は、各磁性層の平坦性を確保するため、結晶軸異方性ではなく、形状異方性で付けることが一般的である。そのため、ＭＴＪ素子の平面形状においては、長手方向が存在する。
【００８９】
続いて、図３２に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４０−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン４０−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、磁性材３４、絶縁材３３、および磁性材３２をストライプ状に形成する。
【００９０】
続いて、磁性材３４上に、再度、保護膜を堆積した後、上記保護膜上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【００９１】
続いて、図３３に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）４２を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４２−２のパターンをフォトレジストへ転写する。ここで、上記フォトマスク４２は、ガラスマスク４２−１上に四角形のパターン４２−２が設けられている。上記四角形のパターン４２−２は、磁化容易軸方向に対応する辺４３が設けられ、磁化困難軸方向に対応する辺４４が設けられている。
【００９２】
続いて、図３４に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４２−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン４２−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層１２−３の表面上まで行い、磁化困難軸方向／磁化容易軸方向にそれぞれ分離しＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子に分離して形成し、下地導電層１５を形成する。
【００９３】
以下、周知の工程により、磁化困難軸方向において凸部が設けられていない一般的なＭＴＪ素子（長方形形状のＭＴＪ素子）を製造できる。
【００９４】
さらに、図３５乃至図３８を用いて、磁化困難軸方向において凸部がなく端部が尖った形状（三角形形状）のＭＴＪ素子の製造方法について説明する。
【００９５】
まず、同様の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上に絶縁層１２−１、１２−２、ワード線ＷＬ、および絶縁層１２−３を形成する。
【００９６】
続いて、絶縁層１２−３上に、例えば、ＣＶＤ等を用いて、下地導電層１５となる導電材３１、磁性層１６となる磁性材３２、トンネルバリア層１７となる絶縁材３３、および磁性層１８となる磁性材３４を順次堆積形成する（図示せず）。
【００９７】
続いて、上記磁性材３４上に保護膜を堆積した後、フォトレジストを塗布する（図示せず）。
【００９８】
続いて、図３５に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）４０を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４０のパターン４０−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク４０は、ガラスマスク４０−１上に、磁化容易軸方向の腕部４０−３が隣接するＭＴＪ素子に延設されたストライプ状のパターン４０−２が設けられている。
【００９９】
続いて、図３６に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４０−２を保護膜に転写する。上記フォトレジストを除去した後、上記パターン４０−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、磁性材３４、絶縁材３３、および磁性材３２をストライプ状に形成する。
【０１００】
続いて、磁性材３４上に再度、保護膜を堆積した後、上記保護膜上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【０１０１】
続いて、図３７に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）４５を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４５のパターン４５−２をフォトレジストへ転写する。
【０１０２】
続いて、図３８に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４５−２を保護膜に転写する。上記フォトレジストを除去した後、上記パターンが転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層１２−３の表面上まで行い、磁性層３２、導電層３３、磁性層３４を磁化困難軸方向にそれぞれ分離しＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子に分離して形成し、下地導電層１５を形成する。
【０１０３】
以下、周知の工程により、磁化困難軸方向において凸部がなく端部が尖った形状（三角形形状）を有するＭＴＪ素子を製造できる。
【０１０４】
尚、このＭＴＪ素子の平面形状は、実際の製造工程上で、多少、磁化容易軸方向における端部の角部が丸くなる場合も含めて、磁化容易軸方向の両端部にそれぞれ角部（丸くなっている場合も含めて）がひとつ設けられている平面形状である。そのため、上記角部に磁化困難軸方向を向いたエッジドメインが発生されず、スイッチングの信頼性を向上することができる。
【０１０５】
さらに、図３９乃至図４２を用いて、磁化困難軸方向において凸部を１つ設けられた（Ｔ型形状）のＭＴＪ素子の製造方法について説明する。
【０１０６】
まず、同様の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上に絶縁層１２−１、１２−２、ワード線ＷＬ、および絶縁層１２−３を形成する。
【０１０７】
続いて、絶縁層１２−３上に、例えば、ＣＶＤ等を用いて、下地導電層１５となる導電材３１、磁性層１６となる磁性材３２、トンネルバリア層１７となる絶縁材３３、および磁性層１８となる磁性材３４を順次堆積形成する（図示せず）。
【０１０８】
続いて、上記磁性材３４上に保護膜を堆積した後、上記保護膜上にフォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１０９】
続いて、図３９に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）４６を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４６のパターン４６−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク４６は、ガラスマスク４６−１上に、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の腕部４６−３が隣接するＭＴＪ素子に延設されたパターン４６−２が設けられている。
【０１１０】
続いて、図４０に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４６−２を保護膜に転写する。さらに、上記フォトレジストを除去した後、パターン４６−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、磁性材３４、絶縁材３３、および磁性材３２をパターニングする。
【０１１１】
続いて、磁性材３４上に再度、保護膜を堆積した後、保護膜上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【０１１２】
続いて、図４１に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）４２を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４２のパターン４２−２をフォトレジストへ転写する。フォトマスク４２は、ガラスマスク４２−１上に磁化容易軸方向に対応する辺４３および磁化困難軸方向に対応する辺４４とを有するパターン４２−２が設けられている。
【０１１３】
続いて、図４２に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、パターン４２−２を保護膜に転写する。フォトレジストを除去した後、上記パターン４２−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層１２−３の表面上まで行うことにより、磁性層３２、導電層３３、磁性層３４を磁化困難軸方向にそれぞれ分離しＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子に分離して形成し、下地導電層１５を形成する。
【０１１４】
以下、周知の工程により、磁化困難軸方向において凸部を１つ設けられた（Ｔ型形状）のＭＴＪ素子を製造できる。
【０１１５】
尚、この磁化困難軸方向において凸部を１つ設けられた（Ｔ型形状）のＭＴＪ素子は、図４２に示すように下地導電層１５において磁化困難軸方向において延設された領域４８が設けられている。そのため、上記領域４８に、例えば、ＭＯＳトランジスタ等の一端を接続し、以下に説明するようないわゆる１Ｔ１ＭＴＪ型に適用することも可能である。
【０１１６】
［第２の実施形態（１Ｔ１ＭＴＪ型）］
以上の説明においては、選択スイッチの有無に関して明確に述べてこなかったが、選択スイッチがＭＴＪ素子に付属している場合（１Ｔ１ＭＴＪ型）の磁気記憶装置およびその製造方法の例について、図４３乃至５２を用いて以下に説明する。
【０１１７】
図４３は、第２の実施形態に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図である。図４４は、図４３中のＢ−Ｂ´線に沿った方向における断面構造図である。
【０１１８】
選択スイッチを例えば、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、あるいはダイオード等を用いる場合、選択スイッチとしてのカットオフ特性を重視すると、それらは半導体（シリコン）基板１１上に設けられる事となる。
【０１１９】
ここでＭＴＪ素子は、上下の書きこみ用配線（ワード線ＷＬ、ビット線ＢＬ）の交差位置に設けられているわけであるが、特に下部の書きこみ用配線（ＷＬ線）を迂回して、下地導電層１５と半導体基板上に設けられた選択スイッチの一端（例えば、拡散層等）とコンタクトする必要がある。そのため、第２下地導電層５７上に設けられたコンタクト５５と、コンタクト５５上に設けられた第１下地導電層１５と、第１下地導電層１５上に設けられたＭＴＪ素子とで構成されている。上記のように第２下地導電層５７は、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの交差位置から、ビット線ＢＬと同一の方向に延設され、トランジスタＴＲとビット線とを電気的に接続する領域５８が設けられている。
【０１２０】
半導体基板（Ｓｉ基板）１１の主表面上における絶縁層６０−１中に、ＭＴＪ素子を選択するトランジスタ（選択トランジスタ）ＴＲが設けられている。ビット線ＢＬ（書き込み用配線）とワード線ＷＬ（書き込み用配線）との交差位置における絶縁層６０−２中にＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）が設けられている（図４９においてビット線ＢＬの図示を省略）。ビット線ＢＬ上に絶縁層６０−３が設けられている。図中の破線で囲った部分が１ビットのメモリセルＭＣである。
【０１２１】
トランジスタＴＲは、基板１１の主表面上にゲート絶縁膜６２を介して設けられたゲート電極６３と、基板１１中にゲート電極６３を挟むように隔離して設けられたソースＳ／ドレインＤにより構成されている。ソースＳ上にソース線コンタクトＳＣが設けられ、ソース線コンタクトＳＣ上にワード線ＷＬ方向に沿ったソースＳに共通の電位を印加するソース線ＳＬが設けられている。ドレインＤ上にドレインコンタクトＤＣ−１〜ＤＣ−４が設けられ、ＭＴＪ素子の他端を電気的に接続している。
【０１２２】
メモリセルＭＣは、第２下地導電層５７上に設けられたコンタクト５５と、コンタクト５５上に設けられた第１下地導電層１５と、第１下地導電層１５上に設けられたＭＴＪ素子とで構成されている。上記のように第２下地導電層５７は、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの交差位置から、ビット線ＢＬと同一の方向に延設され、トランジスタＴＲとビット線とを電気的に接続する領域５８が設けられている。
【０１２３】
ここで、第１下地導電層１５とＭＴＪ素子の磁化困難軸方向の側壁の一部２０−１は連続して設けられている。さらに、第１下地導電層１５とＭＴＪ素子の磁化容易軸方向の側壁の一部２０−２は連続して設けられている。換言すれば、磁化容易軸方向および磁化容易軸方向における第１下地導電層１５の端部は、上記いずれの方向におけるＭＴＪ素子の端部よりも突出して設けられていない。
【０１２４】
そのため、トランジスタＴＲのドレインＤとＭＴＪ素子の他端を電気的に接続しつつ、占めるセル面積を最小限にすることができ、微細化に対して有効である。
【０１２５】
次に、この実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法について、図４３または図４４に示したＭＲＡＭを例に挙げ、図４５乃至図５２を用いて説明する。
【０１２６】
まず、周知の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上における絶縁層６０−１中にトランジスタＴＲ、ソース線コンタクトＳＣ、ソース線ＳＬ、ドレインコンタクトＤＣ−１〜ＤＣ−４を形成する。
【０１２７】
続いて、絶縁層６０−１上に、例えば、ＣＶＤ等を用いて、第２下地導電層５７となる導電材を堆積形成する（図示せず）。
【０１２８】
続いて、上記導電材上にフォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１２９】
続いて、図４５に示すようなフォトマスク（ＭＸ１マスク）３７を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク３７のパターン３７−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク３７は、ガラスマスク３７−１上に長方形のパターン３７−２が設けられている。長方形のパターン３７−２は、長辺３９が磁化困難軸方向に対応し、短辺４０が磁化容易軸方向に対応する長方形がマトリクス状に配置されたパターンである。
【０１３０】
続いて、図４６に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層６０−１の表面上まで行い、第２下地導電層５７をマトリクス状に形成する。
【０１３１】
続いて、第２下地導電層５７上に、絶縁層を堆積形成する（図示せず）。さらに、上記導電材上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【０１３２】
続いて、図４７に示すようなフォトマスク（ＶＸマスク）７０を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク７０のパターン７０−２をフォトレジストへ転写する。ここで、上記フォトマスク７０は、ガラスマスク７０−１上にコンタクト５５を開孔するパターン７０−２が設けられている。
【０１３３】
続いて、図４８に示すように、上記パターン７０−２が転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを第２下地導電層５７表面上まで行うことにより、上記絶縁膜を第２下地導電層上までエッチングし、コンタクト孔５５を形成する。
【０１３４】
続いて、コンタクト５５上、絶縁層上に第１下地導電層１５となる導電材３１を形成し、導電材３１上にＭＴＪ素子となるＭＴＪ材７５を形成する（図示せず）。さらに、上記ＭＴＪ材７５上に保護膜を堆積した後、フォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１３５】
続いて、図４９に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）３５を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク３５のパターン３５−２をフォトレジストに転写する。
【０１３６】
続いて、図５０に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン３５−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン３５−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、ＭＴＪ材７５を格子状に形成する。
【０１３７】
続いて、ＭＴＪ材７５上、導電材３１上に保護膜を堆積した後、上記保護膜上にフォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１３８】
続いて、図５１に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）４２を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４２−２のパターンをフォトレジストへ転写する。
【０１３９】
続いて、図５２に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン４２−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを第２下地導電層５７表面上まで行うことにより、ＭＴＪ材７５をそれぞれ分離しＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子に分離して形成し、第１下地導電層１５を形成する。
【０１４０】
以下、周知の工程により、図４３または図４４に示す磁気記憶装置を製造できる。
【０１４１】
上記のような製造方法によれば、上記第１の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態に係る製造方法は、磁化容易軸方向のＭＴＪ素子上における第２下地導電層の端部２０−１は、磁化容易軸方向のＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように形成でき、ＭＴＪ素子よりも磁化容易軸方向において突出しないように形成できる。さらに、磁化困難軸方向のＭＴＪ素子上における第２下地導電層の一方の端部２０−２は、磁化容易軸方向のＭＴＪ素子の端部とほぼ一致するように形成でき、一方の端部においてＭＴＪ素子よりも磁化困難軸方向において突出するように形成できる。
【０１４２】
そのため、トランジスタＴＲのドレインＤとＭＴＪ素子の他端を電気的に接続しつつ、占めるセル面積を最小限にすることができる第２下地導電層５７を形成でき、微細化に対して有効である。
【０１４３】
［変形例４（１Ｔ１ＭＴＪ型）］
次に、上記第２の実施形態の変形例４に係る磁気記憶装置およびその製造方法について、図５３乃至図５７を用いて説明する。以下の説明において、上記第１、第２の実施形態、変形例１乃至３と重複する部分の説明は省略する。
【０１４４】
図５３は、変形例４に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図である。図５３中のＢ−Ｂ´線に沿った方向における断面構造図は、図４４と同様である。この変形例に係る磁気記憶装置は、いわゆる１Ｔ１ＭＴＪ型の磁気記憶装置であって、よりシャープな十字形状となるＭＴＪ素子の例である。
【０１４５】
図５３に示すように、各ＭＴＪ素子は、磁化困難軸方向にそれぞれ対称的に突出した凸部２５が設けられ、その平面形状は十字形状である。さらに、上記凸部２５は、磁化容易軸方向に延設したＭＴＪ素子とほぼ直角に交差しているため、よりシャープな十字形状が設けられている。
【０１４６】
上記のような構成によれば、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、凸部２５は、磁化容易軸方向に延在したＭＴＪ素子とほぼ直角に交差しているため、よりシャープな十字形状が設けられている。
【０１４７】
そのため、この変形例に係るヒステリシス曲線をより等方的な形状にでき、内側により「くびれた」形状にできる。そのため、誤書き込みマージンを向上でき、書き込み電流を低減できる。
【０１４８】
次に、この変形例に係る磁気記憶装置の製造方法について、図５３に示したＭＲＡＭを例に挙げ、図５４乃至図５７を用いて説明する。
【０１４９】
まず、上記第２の実施形態と同様の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上における絶縁層６０−１中にトランジスタＴＲ、ソース線コンタクトＳＣ、ソース線ＳＬ、ドレインコンタクトＤＣ−１〜ＤＣ−４、第２下地導電層５７、およびコンタクト５５を形成する（図示せず）。
【０１５０】
続いて、コンタクト５５上、第２下地導電層５７上、絶縁層６０−１上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、第１下地導電層１５となる導電材３１、およびＭＴＪ素子となる積層されたＭＴＪ材８５、保護膜を順次堆積形成する（図示せず）。さらに、上記保護膜上にフォトレジストを塗布する。
【０１５１】
続いて、図５４に示すようなフォトマスク（ＭＴＪ１マスク）４０を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４０のパターン４０−２をフォトレジストへ転写する。ここで、上記フォトマスク４０は、ガラスマスク４０−１上に、磁化容易軸方向の腕部４０−３が隣接するＭＴＪ素子に延設されたストライプ状のパターン４０−２が設けられている。
【０１５２】
続いて、図５５に示すように、上記パターン４０−２が転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４０−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン４０−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電層３１の表面上まで行い、磁化容易軸方向のＭＴＪ材８５のみストライプ状に延設する。
【０１５３】
続いて、ＭＴＪ材８５上、導電材３１上に保護膜を堆積形成し、上記保護膜上にフォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１５４】
続いて、図５６に示すようなフォトマスク（ＭＴＪ２マスク）８８を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク８８のパターン８８−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク８８は、ガラスマスク８８−１上に、磁化困難軸方向に沿って隣接するＭＴＪ素子をそれぞれ接続した腕部８８−３を有するストライプ状の平面形状のパターン８８−２が設けられている。
【０１５５】
続いて、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、保護膜に上記パターン８８−２を転写する。さらに、図５７に示すように、フォトレジストを除去した後、上記パターン８８−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、磁化容易軸方向／磁化困難軸方向のＭＴＪ素子がそれぞれ接続された形状にＭＴＪ材８５を形成する。
【０１５６】
以下、同様の工程により、図５３に示す磁気記憶装置を製造できる。
【０１５７】
上記のような製造方法によれば、上記第２の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。さらに、この変形例４に係る製造方法は、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向のＭＴＪ素子を２つフォトマスク（ＭＴＪ１マスク８０、ＭＴＪ２マスク８８）を用いて、それぞれ独立に形成する。そのため、よりシャープな十字形状の平面形状を有するＭＴＪ素子を形成できる。その結果、誤書き込みマージンを向上でき、書き込み電流を低減でき、信頼性を向上できる。
【０１５８】
［変形例５（１Ｔ１ＭＴＪ型）］
次に、上記第２の実施形態の変形例５に係る磁気記憶装置およびその製造方法について、図５８乃至図６４を用いて説明する。以下の説明において、上記第１、第２の実施形態、変形例１乃至４と重複する部分の説明は省略する。
【０１５９】
図５８は、変形例５に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図である。この変形例に係る磁気記憶装置は、下地導電層１５に磁化困難軸方向に延設された領域４８をそれぞれ有している。この領域４８に設けられたドレインコンタクトＤＣ−４を介してＭＯＳトランジスタ等の選択スイッチの一端とＭＴＪ素子とのコンタクトを行う。図５８中のＢ−Ｂ´線に沿った方向における断面構造は、コンタクト５５および第２下地導電層５７は設けられていないこと以外は図４４と同様である。
【０１６０】
次に、図５９乃至６４を用いて、図５８に示したＭＲＡＭを例に挙げ、この変形例に係る磁気記憶装置の製造方法を説明する。
【０１６１】
まず、上記と同様の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上における絶縁層６０−１中にトランジスタＴＲ、ソース線コンタクトＳＣ、ソース線ＳＬ、ドレインコンタクトＤＣ−１〜ＤＣ−４を形成する（図示せず）。
【０１６２】
続いて、絶縁層６０−１上に、例えば、ＣＶＤ等を用いて、下地導電層１５となる導電材３１、強磁性層１６となる磁性材３２、トンネルバリア層１７となる絶縁材３３、および強磁性層１８となる磁性材３４を順次堆積形成する（図示せず）。
【０１６３】
続いて、上記磁性材３４上に保護膜を堆積した後、フォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１６４】
続いて、図５９に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）３５を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク３５のパターン３５−２をフォトレジストに転写する。
【０１６５】
続いて、図６０に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記保護膜にパターン３５−２を転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン３５−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、磁性材３４、絶縁材３３、および磁性材３２を格子状に形成する。
【０１６６】
続いて、磁性材３４上に再度、保護膜を堆積した後、上記保護膜上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【０１６７】
続いて、図６１に示すようなフォトマスク（分離マスク）５０を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク５０のパターン５０−２をフォトレジストへ転写する。フォトマスク５０は、ガラスマスク５０−１上に磁化容易軸方向に沿ってストライプ状のパターン５０−２が設けられている。
【０１６８】
続いて、図６２に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記保護膜にパターン５０−２を転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン５０−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行うことにより、磁性層３２、導電層３３、磁性層３４の一部を磁化容易軸方向に沿って分離する。
【０１６９】
続いて、磁性層３４上に再度、保護膜を堆積した後、保護膜上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【０１７０】
続いて、図６３に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）４２を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４２のパターン４２−２をフォトレジストへ転写する。
【０１７１】
続いて、図６４に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、保護膜に上記パターン４２−２を転写する。さらに、フォトレジストを除去した後、パターン４２−２をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層６０−１表面上まで行うことにより、磁性層３２、導電層３３、磁性層３４を各ＭＴＪ素子として分離し、ＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子に分離して形成し、下地導電層１５を形成する。
【０１７２】
以下、周知の工程により、十字型のＭＴＪ素子の製造方法を製造できる。
【０１７３】
上記のような製造方法によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、図４５に示すフォトマスク（分離マスク）５０を用いて、フォトマスク５０のパターン５０−２をフォトレジストへ転写する。フォトマスク５０は、ガラスマスク５０−１上に磁化容易軸方向に沿ってストライプ状のパターン５０−２が設けられている。
【０１７４】
以上によって、容易軸方向、困難軸方向に非対称ではない十字形状のＭＴＪ素子が、選択スイッチ付のセルに対して形成できる。また、十字形状に限らず、中央部突出が両方向にある平面形状のＭＴＪ素子に対して適応できる。
【０１７５】
［変形例６］
次に、上記第１の実施形態の変形例に係る磁気記憶装置およびその製造方法について、図６５乃至図６９を用いて説明する。以下の説明において、上記第１、第２の実施形態、変形例１乃至５と重複する部分の説明は省略する。
【０１７６】
図６５は、変形例６に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図である。この変形例に係る磁気記憶装置は、磁化容易軸方向に設けられた長方形形状のＭＴＪ素子の両端にそれぞれ磁化困難軸方向に折れ曲がり領域７７を設けられた平面形状を有するＭＴＪ素子を備えている。Ａ−Ａ´線に沿った断面構造は、図２と同様である。
【０１７７】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この変形例６に係る磁気記憶装置は、磁化容易軸方向に設けられた長方形形状のＭＴＪ素子の両端にそれぞれ磁化困難軸方向に折れ曲がり領域７７を設けられた平面形状を有するＭＴＪ素子を備えている。
【０１７８】
上記のような折れ曲がり領域７７によって上記のような”Ｃ”型の磁化を発生させることができる。また、そもそも書き込み後の折れ曲がり領域７７における残留磁化状態として、“Ｃ”型構造の磁化をとる。
【０１７９】
そのため、磁化困難軸方向に配置されているＢＬ線のみに電流を流して外部磁場を発生させる場合には、“Ｃ”型構造の磁化により、反転磁界が大きくなる。ＷＬ線のみに電流を流して、困難軸方向のみに磁界を発生した場合も同様である。ところで、磁化困難軸方向と磁化容易軸方向の合成磁場による磁化反転では、突出がない形状のものは、ほぼ単磁区構造で磁化反転が起こるのに対して、この折れ曲がり領域７７を有する平面形状では、多磁区構造で磁化反転が起こる。多磁区構造で、ひとつひとつの磁区の体積は、単磁区であった場合より減少することにより、反転磁界が減少する。以上の効果によって、磁化困難軸方向と磁化容易軸方向の合成磁場の場合は、より小さい磁界でも磁化反転（スイッチング）を起こさせることができ、磁化困難軸方向のみ、あるいは磁化容易軸方向のみの場合は、より大きい磁界でないと磁化反転（スイッチング）を起こさせることができないようになり、アステロイド曲線を内側（原点Ｏ側）に「くびれた」形状にできる。
【０１８０】
そのため、スイッチング磁界、つまり書き込み電流、および消費電力を低減できアステロイド曲線がくびれることにより、上記書き込み電流を低減することが出来るうえ、誤書き込みに対する書き込み動作マージンを拡大できるため、ＭＴＪ素子の選択性を向上することができる。
【０１８１】
次に、この変形例６に係る磁気記憶装置の製造方法について、図６５で示したＭＲＡＭを例に挙げ、図６６乃至図６９を用いて説明する。
【０１８２】
まず、周知の工程を用いて、半導体基板１１の主表面上に絶縁層１２−１、１２−２、ワード線ＷＬ、および絶縁層１２−３を形成する。
【０１８３】
続いて、絶縁層１２−３上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、下地導電層１５となる導電材３１、強磁性層１６となる磁性材３２、トンネルバリア層１７となる絶縁材３３、および強磁性層１８となる磁性材３４を順次堆積形成する（図示せず）。
【０１８４】
続いて、上記磁性材３４上に保護膜を堆積し、さらに上記保護膜上にフォトレジストを塗布する（図示せず）。
【０１８５】
続いて、図６６に示すようなフォトマスク（ＭＴＪマスク）７８を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク７８のパターン７８−２をフォトレジストに転写する。ここで、上記フォトマスク７８は、ガラスマスク７８−１上に磁化困難軸方向に折れ曲がり領域を設けられたパターン７８−２を有する。
【０１８６】
続いて、図６７に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン７８−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去し、パターン７８−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを導電材３１の表面上まで行い、所望の磁性材３４、絶縁材３３、および磁性材３２を残存させる。
【０１８７】
続いて、磁性材３４上に再度保護膜を堆積した後、保護膜上にフォトレジストを更に塗布する（図示せず）。
【０１８８】
続いて、図６８に示すようなフォトマスク（ＭＸマスク）４２を用いて、上記フォトレジストに露光および現像を行い、フォトマスク４２−２のパターンをフォトレジストへ転写する。ここで、上記フォトマスク４２は、ガラスマスク４２−１上に四角形のパターン４２−２が設けられている。
【０１８９】
続いて、図６９に示すように、上記パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを行い、上記パターン４２−２を保護膜に転写する。さらに、フォトレジストを除去し、パターン４２−２が転写された保護膜をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層１２−３の表面上まで行うことにより、磁性層３２、導電層３３、磁性層３４の延在された腕部を磁化容易軸方向および磁化困難軸方向にそれぞれ分離しＭＴＪ素子を形成する。同時に、導電層３１を各ＭＴＪ素子ごとに分離して形成し、下地導電層１５を形成する。
【０１９０】
続いて、周知の工程を用いて、絶縁層１２−４、ビット線ＢＬを形成し、図６５に示す磁気記憶装置を形成できる。上記に示した製造方法によれば、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１９１】
尚、上記第２の実施形態、変形例４、変形例５において、ＭＴＪ素子はトランジスタＴＲのドレインＤと接続するが、例えば、ダイオードの一端、バイポーラトランジスタの一端、および他の配線層等に接続する場合であってもかまわない。
【０１９２】
さらに、上記第１、第２の実施形態、変形例４、変形例５において、ＭＴＪ素子の平面形状が十字形状である場合について説明したが、図１１から図１４に示す平面形状、その他で示した断面形状であってもかまわない。
【０１９３】
さらに、上記第１、第２の実施形態および変形例１乃至変形例６おいては、磁気抵抗効果素子の一例としてＭＴＪ素子を用いて説明をした。しかし、この発明はＭＴＪ素子に限定されず、例えば、ＧＭＲ（Giant Magneto-resistance）素子、ＣＭＲ（Colossal Magneto-resistance）素子等、その他の磁気抵抗効果素子（magneto-resistance effect element）を備えた磁気記憶装置に適用することが可能である。
【０１９４】
以上、第１、第２の実施形態および変形例１乃至変形例６を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態および変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態および各変形例には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、各実施形態および各変形例に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１９５】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ´線に沿って矢印の方向から見た断面構造図。
【図３】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の“Ｃ”型構造の磁化の様子を模式的に示す平面図。
【図４】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の“１”状態の様子を模式的に示す平面図。
【図５】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の“０”状態の様子を模式的に示す平面図。
【図６】第１の実施形態に係る磁気記憶装置のアステロイド曲線および従来の磁気記憶装置のアステロイド曲線を模式的に示す図。
【図７】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク３５を模式的に示す平面図。
【図８】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図９】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程おけるフォトマスク３７を模式的に示す平面図。
【図１０】第１の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図１１】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１２】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１３】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１４】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１５】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１６】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１７】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１８】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図１９】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図２０】変形例１に係る一磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図２１】変形例１に係る一磁気記憶装置の“Ｃ”型構造の様子を模式的に示す平面図。
【図２２】変形例１に係る一磁気記憶装置の“Ｃ”型構造の様子を模式的に示す平面図。
【図２３】変形例１に係る一磁気記憶装置の“Ｃ”型構造の様子を模式的に示す平面図。
【図２４】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図２５】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図２６】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図２７】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図２８】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図２９】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図３０】変形例２に係る一磁気記憶装置を模式的に示す断面構造図。
【図３１】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４０を模式的に示す平面図。
【図３２】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図３３】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４２を模式的に示す平面図。
【図３４】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図３５】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４０を模式的に示す平面図。
【図３６】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図３７】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４５を模式的に示す平面図。
【図３８】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図３９】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４６を模式的に示す平面図。
【図４０】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図４１】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４２を模式的に示す平面図。
【図４２】変形例３に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図４３】この発明の第２の実施形態に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図４４】図４９中のＢ−Ｂ´線に沿って矢印の方向から見た断面構造図。
【図４５】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク３７を模式的に示す平面図。
【図４６】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図４７】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク７０を模式的に示す平面図。
【図４８】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図４９】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク３５を模式的に示す平面図。
【図５０】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図５１】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４２を模式的に示す平面図。
【図５２】第２の実施形態に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図５３】変形例４に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図５４】変形例４に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４０を模式的に示す平面図。
【図５５】変形例４に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図５６】変形例４に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク８８を模式的に示す平面図。
【図５７】変形例４に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図５８】変形例５に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図５９】変形例５に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク３５を模式的に示す平面図。
【図６０】変形例５に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図６１】変形例５に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク５０を模式的に示す平面図。
【図６２】変形例５に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図６３】変形例５に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４２を模式的に示す平面図。
【図６４】変形例５に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図６５】変形例６に係る磁気記憶装置を模式的に示す平面図。
【図６６】変形例６に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク７８を模式的に示す平面図。
【図６７】変形例６に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図６８】変形例６に係る磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク４２を模式的に示す平面図。
【図６９】変形例６に係る磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【図７０】従来の磁気記憶装置を示す断面構造図。
【図７１】従来の磁気記憶装置の一工程におけるフォトマスク１３０を模式的に示す平面図。
【図７２】従来の磁気記憶装置の一工程を模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１９６】
ＭＴＪ…ＭＴＪ素子、２５…凸部、ＭＣ…メモリセル、１５…下地導電層、１２−３…絶縁層、２０−１、２０−２…ＭＴＪ素子と下地導電層の側壁の一部。
【図１】
2005317739.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005317739.tif 000008
【図７】
2005317739.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005317739.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2005317739.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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