(57)【要約】【課題】  ブロックあるいはセルの上にある配線を低コストで再配線することができ、設計時間を短縮できる半導体集積回路装置の自動配線方法を提供する。【解決手段】  半導体集積回路装置を構成するブロックを自動配置する工程（Ｓ１１）と、ブロック上または間に配線を有するように自動配線を行う工程（Ｓ１２）と、配線の配線容量を計算する工程（Ｓ１３）と、隣接する配線間の結合による配線間容量を計算する工程（Ｓ１４）と、クロストークノイズの許容値から、許容される配線間容量の基準値を見積もり、配線間容量と基準値とを比較する工程（Ｓ１５）と、基準値を越える配線間容量がある場合には、これらの基準値大の配線が定義された大規模ブロック上の配線であるか否かを判定する工程（Ｓ１７）と、基準値大の配線が大規模ブロック上の配線である場合、同一配線層内で水平方向に配線間隔を拡大して配線し直す工程（Ｓ１８、１９）とを有する。【選択図】  図３
2005284838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路装置を構成するブロックあるいはセルを自動配置する工程と、
前記ブロックあるいはセルの上または間に配線を有するように自動配線を行う工程と、
前記隣接する配線間の結合による配線間容量を計算する工程と、
前記配線間容量に起因して発生するクロストークノイズの許容値から、許容される配線間容量の基準値を見積もり、前記配線間容量と前記基準値とを比較する工程と、
前記基準値を越える前記配線間容量がある場合には、これらの基準値大の配線が定義された大規模ブロック上の配線であるか否かを判定する工程と、
前記基準値大の配線が前記大規模ブロック上の配線である場合、同一配線層内で水平方向に配線間隔を拡大して配線し直す工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の自動配線方法。
【請求項２】
半導体集積回路装置を構成するブロックあるいはセルの上に配線する場合、半導体集積回路装置の配線間隔設計基準に基づいて配線された配線の配線間容量が前記配線間容量に起因して発生するクロストークノイズの許容値から算出される基準値を越える大規模ブロックが存在し、この定義された大規模ブロックの大きさがデータとして蓄積された半導体集積回路装置の自動配線方法であって、
前記ブロックあるいはセルを自動配置する工程と、
前記ブロックあるいはセルの上または間に配線を有するように自動配線を行う工程と、
前記大規模ブロック上の配線であるか否かを判定する工程と、
前記大規模ブロック上の配線を、同一配線層内で水平方向に配線間隔を拡大して配線する自動配線工程と、
前記隣接する配線間の結合による配線間容量を計算する工程と、
前記配線間容量と前記基準値とを比較する工程と、
前記基準値を越える前記配線間容量がある場合には、これらの基準値大の配線が前記大規模ブロック上の配線であるか否かを判定する工程と、
前記基準値大の配線が前記大規模ブロック上の配線である場合、同一配線層内で水平方向に配線間隔を更に拡大して配線し直す工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の自動配線方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置の自動配線方法に関し、特に、平行配線間のクロストークノイズを低減する半導体集積回路装置の自動配線方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（ＬＳＩ）の高集積化に伴って、ＬＳＩにおける信号配線の幅及び間隔の縮小が進んでいる。配線間隔の縮小は隣接配線間の容量を増大させることになる。この隣接配線間の容量は、隣接する配線にクロストークノイズを発生させ、ＬＳＩの誤動作を引き起こす可能性が高くなる。
【０００３】
図５（ａ）は、２本の配線が平行に配置された平面図、同図（ｂ）は電圧の時間変化を示す図である。図５（ａ）に示すように、２本の配線１０１ａ、１０１ｂが平行に配置されている場合、破線で示した配線間容量Ｃ１が存在する。この２本の配線１０１ａ、１０１ｂは、平行平板のコンデンサと見ることができ、配線間容量Ｃ１は、Ｃ１∝εＷＬ／ｄ（ここで、εは誘電率、Ｗは配線幅、Ｌは配線長、ｄは配線間隔）と表すことができ、配線メタルの配線幅あるいは配線長に比例し、配線間隔に反比例している。
【０００４】
バッファ１０６の入力が高レベルから低レベルに変化する時、駆動される配線１０１ａには同様な電位の変化が発生する。この時、隣接する配線１０１ｂとの間に配線間容量Ｃ１に応じて、配線１０１ｂに電位の変化、すなわちクロストークノイズが発生する。例えば、図５（ｂ）に示すように、配線１０１ｂの電位が上昇している時に、配線１０１ａの電位が下降すると、この変化に結合して配線１０１ｂの電位が一時下降して、その後上昇に転ずる。この結果、配線１０１ｂの電位が一定の電位に到達するまでの時間に遅れが発生し、ＬＳＩの誤動作につながる深刻な影響が出る。
【０００５】
このクロストークノイズの発生を抑制するために、論理機能を有する複数のスタンダードセル、ゲートアレイセル、もしくは機能ブロックセルを自動配置し、複数のセル間を接続し所望の論理機能を満たすネットリストを入力として自動配線を行う、多層配線構造を有する半導体集積回路のレイアウト工程において、自動配線後に各配線容量を計算し、隣接配線によるクロストーク基準値を設定し、この基準値を超える配線の一部を別層に変換して再配線を行うことを特徴とする自動配線方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この開示された自動配線方法は、図６の断面図に示すように、第１の配線層１２２に最小ピッチで配線１３１〜１３４を配置すると、配線間容量が大きくなりクロストークノイズが発生するために、配線１３２及び１３４を別の第２の配線層１２３に変換して再配置を行っている。半導体基板１２１の主面に素子等が形成されてない配線層においては、半導体基板１２１に対して垂直方向に配線間隔を延ばすことができるために、配線間容量を低減することが可能である。
【０００７】
しかしながら、配線の密集度の高い半導体集積回路装置、特に、配線の下にブロックあるいはセルが配置されて、配線に使用できる配線層が最外側１層しか割り当てられていない場合、最外層上に新たに配線層を１層追加して再配置を行うことができなくはないが、製造工程が長くなり、その分コストの上昇が避けられない。従って、配線の一部を別層に変換して再配線する方法を採用することは困難であるという問題があった。
【０００８】
また、上述の特許文献１の例では、自動配線方法に従って配線後に、各配線容量を計算して、再配線をするべきか否かを判定している。しかしながら、半導体集積回路のレイアウトの度に、自動配線方法に従って配線して、配線容量の計算を行い、個々の配線の単位で、クロストーク基準値を超える配線を見出して、別層に変換する自動配線方法は、設計時間がかかり設計効率が悪いという問題があった。
【特許文献１】特開平１０−３０８４５１号公報  （第４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、クロストークノイズの発生を抑制するために、半導体集積回路装置に配置された配線の一部を別層に変換して再配線しようとすると、複数のブロックあるいはセルの上の配線層を最外側に１層増やす必要があり、その分の製造工程が長くなり、コスト高になるという問題があった。また、半導体集積回路のレイアウトの度に、個々の配線の単位で配線し、配線容量の計算、クロストーク基準値を超える配線の抽出、別層に変換する方法では、設計効率を上げることができないという問題があった。
【００１０】
従って、本発明は、ブロックあるいはセルの上にある配線を低コストで再配線することができ、設計時間を短縮できる半導体集積回路装置の自動配線方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体集積回路装置の自動配線方法は、半導体集積回路装置を構成するブロックあるいはセルを自動配置する工程と、前記ブロックあるいはセルの上または間に配線を有するように自動配線を行う工程と、前記隣接する配線間の結合による配線間容量を計算する工程と、クロストークノイズの許容値から、許容される配線間容量の基準値を見積もり、前記配線間容量と前記基準値とを比較する工程と、前記基準値を越える前記配線間容量がある場合には、これらの基準値大の配線が定義された大規模ブロック上の配線であるか否かを判定する工程と、前記基準値大の配線が前記大規模ブロック上の配線である場合、同一配線層内で水平方向に配線間隔を拡大して配線し直す工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の別態様の半導体集積回路装置の自動配線方法は、半導体集積回路装置を構成するブロックあるいはセルの上に配線する場合、半導体集積回路装置の配線間隔設計基準に基づいて配線された配線の配線間容量がクロストークノイズの許容値から算出される基準値を越える大規模ブロックが存在し、この定義された大規模ブロックの大きさがデータとして蓄積された半導体集積回路装置の自動配線方法であって、前記ブロックあるいはセルを自動配置する工程と、前記ブロックあるいはセルの上または間に配線を有するように自動配線を行う工程と、前記大規模ブロック上の配線であるか否かを判定する工程と、前記大規模ブロック上の配線を、同一配線層内で水平方向に配線間隔を拡大して配線する自動配線工程と、前記隣接する配線間の結合による配線間容量を計算する工程と、前記配線間容量と前記基準値とを比較する工程と、前記基準値を越える前記配線間容量がある場合には、これらの基準値大の配線が前記大規模ブロック上の配線であるかどうか判定する工程と、前記基準値大の配線が前記大規模ブロック上の配線である場合、同一配線層内で水平方向に配線間隔を更に拡大して配線し直す工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ブロックあるいはセルの上にある配線を低コストで再配線することができ、設計時間を短縮できる半導体集積回路装置の自動配線方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１５】
本発明の実施例１に係る半導体集積回路装置の自動配線方法について、図１乃至図３を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は半導体集積回路装置の全体を模式的に示すレイアウト図、図２は図１の一点鎖線で囲んだ部分Ａを拡大して示す拡大平面図及び断面図、図３は自動配置配線方法に従ってクロストークノイズを低減する手順を示すフローチャートである。
【００１７】
図１に示すように、例えばシステムＬＳＩである半導体集積回路装置１は、大規模なブロックであるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、Ｄ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ）あるいはＡ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ）コンバータ等、あるいは、小規模なブロックである基本ゲート、フリップフロップ、算術演算回路等のセルからなる複数の機能ブロックあるいはセルが半導体チップ５上に配置、構成されている。これらの機能ブロックあるいはセルは、半導体チップ５上に模式的に四角形で示されている。半導体チップ５上の周縁部には、半導体集積回路装置１を外部と接続するために、ボンディング用のパッド１３が配置されている。
【００１８】
これらの機能ブロックあるいはセルの中で、面積の大きなブロックを大規模ブロック１１と呼び、斜線を施してある。一方、面積の小さいブロックは小規模ブロック１２と呼ぶ。大規模ブロック１１は、その上に平行な配線を形成した場合、大きなクロストークノイズが発生し、ＬＳＩ特性に悪影響を与える可能性が高い。従って、大規模ブロック１１は、より正確には、その上に平行な配線を形成した場合、その配線の長さが長くなって、大きなクロストークノイズが発生する可能性があるブロックのことである。
【００１９】
これらの大規模ブロック１１あるいは小規模ブロック１２からなるブロック同士の間、または、大規模ブロック１１あるいは小規模ブロック１２とパッド１５との間には、多層の配線（図示略）が配置され、電源やクロックの供給あるいは信号伝送のために、電気的な接続がなされている。これらの配線は、大規模ブロック１１あるいは小規模ブロック１２の配置されてない空間的な隙間、すなわち下層に素子領域等が存在してない領域にある配線層に配置されることが多いが、一方で、大規模ブロック１１あるいは小規模ブロック１２の上に配線を形成せざるを得ない場合も少なくない。
【００２０】
図１の一点鎖線で囲んだ領域Ａには、大規模ブロック１１と小規模ブロック１２の上に配線３１、例えば、配線３１ａ、３１ｂを形成してある。領域Ａを拡大して図２に示す。図２（ａ）に示すように、配線３１ａ、３１ｂが小規模ブロック１２上に配置される場合、配線間隔ｄ１は最小寸法で配線されている。一方、大規模ブロック１１上に配置される場合、配線３１ａ、３１ｂは、当初、点線３２で示す位置に配線され、配線間隔ｄ１を有するが、配線３１ｂを移動方向（水平方向）３３に沿って移動させることにより、最小寸法よりも拡大された寸法、すなわち配線間隔ｄ２に配線されている。配線３１ａ、３１ｂの途中には、それぞれ、一定の間隔でバッファ３６が配置され、配線の遅延時間調整の役割を担っている。  しかしながら、大規模ブロック１１上にはバッファ３６を配置することができないために、配線間隔ｄ２は配線間隔ｄ１より広く保たれて、配線間容量がＬＳＩ特性に影響を与える基準値を越えないように、すなわちクロストークノイズが基準より大きくならないように調整されている。
【００２１】
次に、配線間容量が基準値を越えないように、配線３１が配線層２４内に配置される理由を説明する。図２（ｂ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った大規模ブロック１１部の断面を模式的に示す図である。図２（ｂ）に示すように、大規模ブロック１１は、半導体基板１６の主面に形成された素子領域１７、及び素子領域１７の中の素子等を接続する複数の配線層２１〜２３にまたがって形成されたブロック内の配線２６及びコンタクトプラグ２７から構成されている。なお、配線２６は、ブロック内に限定されずに、他のブロックへと延長されている場合もある。
【００２２】
大規模ブロック１１上のブロック配線２６は、密度が高く、大規模ブロック１１上を通過する配線３１を、配線層２１〜２３内に形成することは困難である。従って、大規模ブロック１１上を通過する配線３１は、例えば、半導体基板１６からは最も離れた最外側の配線層２４に形成されることになり、配線間容量が基準値を越える場合、配線層２４内で、配線３１の間隔を広げて再配置されることになる。
【００２３】
ここで、配線３１の間隔を広げて再配置する理由を説明する。配線間容量Ｃ１と、クロストークノイズを発生する対象配線の電圧ＶＯの関係は、次の式（１）で示される。  
ＶＯ（ｔ）∝Ｃ１／ＣＴ×Ｖ１（ｔ）・・・（１）
ここで、Ｃ１は、上述した式のように表される対象配線と隣接配線との間の配線間容量、ＣＴはクロストークノイズを受ける配線の全体の容量、Ｖ１（ｔ）はノイズ源となる配線の時間ｔ後の駆動電圧を示す。
【００２４】
すなわち、クロストークノイズを抑制するための一つの方法として、配線間容量Ｃ１を小さくすることが有効であり、利用できる配線層が１層で、配線幅Ｗ及び配線長Ｌが合理的と考えられる半導体プロセス上で最小になっている場合、配線間隔ｄを大きくする以外に方法はなく、上記の方法が採られることになる。
【００２５】
次に、このクロストークノイズを抑制する自動配線方法について、フローチャートを参照して説明する。図３に示すように、まず、半導体集積回路装置を構成する大規模ブロック１１及び小規模ブロック１２あるいはパッド１３を自動配置する（ステップＳ１１）。次に、これらのブロック１１、１２あるいはパッド１３間を自動配線する（ステップＳ１２）。ここで、配線間隔は、通常、最小配線間隔である配線設計基準Ｒ１に基づいて行われる。
【００２６】
続いて、クロストークノイズを発生する対象配線を抽出するための基本パラメータである、各配線の容量を算出する（ステップＳ１３）。次に、配線及びこの配線に隣接する配線との間の結合による配線間容量を算出する（ステップＳ１４）。
【００２７】
次に、ＬＳＩの特性仕様に基づいて要求されるクロストークノイズの許容値から、式（１）を基に、許容される配線間容量を見積もり、この配線間容量を基準として、ステップＳ１４で求めた配線間容量と比較する（ステップＳ１５）。
【００２８】
配線間容量の基準値を越える（ＮＧ）場合、定義された大規模ブロック１１上の配線であるか否かを判定する（ステップＳ１７）。ここで、配線の始点、終点あるいは曲折点等の座標、及び、ブロックが配置された座標から、配線がブロック上にあるかどうかが分かる。
【００２９】
なお、大規模ブロック１１と定義するかどうかの判断は、ステップＳ１５の配線間容量の基準値を越えるデータを蓄積して、例えば、同種配線の中の基準値を越える配線の比率等に基づいて行う。大規模ブロック１１の上に配置された配線３１では、基準値を越える配線間容量の頻度が増加する傾向にある。そして、大規模ブロックの位置や大きさ等を定義できる座標を記憶させて、ステップＳ１７で使用する。
【００３０】
ステップＳ１７で、大規模ブロック１１上の配線３１である（ＹＥＳ）場合、例えば配線間隔ｄ１を広げる新たな設計基準Ｒ２に基づいて、例えば配線間隔ｄ２となるように配線３１ｂを水平方向に移動させて再配線する（ステップＳ１８）。ここで、広げるべき配線間隔ｄ２は、上述のＣ１を求める関係式から見積もることができる。また、配線間隔ｄ２の拡大は、図２に示すように、同一配線層２４の中で、すなわち、半導体基板１６の主面に対して平行な移動方向３３に間隔を延ばした位置に新たな配線３１ｂを配置し直す。以下、ステップＳ１３からの工程に従う。
【００３１】
一方、ステップＳ１７で、大規模ブロック１１上の配線３１でない（ＮＯ）場合、配線間容量の基準値を越えている配線については、通常の自動配線修正方法で対処する（ステップＳ１９）。
【００３２】
自動配線修正が終了した配線については、上述のように、ステップＳ１３からステップＳ１５まで進めて、配線間容量の基準値を越えないことが確認できた（ＯＫ）場合、次の、タイミング検証を行う（ステップＳ１６）。
【００３３】
タイミングエラーとなる配線が存在している（ＮＧ）場合、自動配線工程のステップＳ１７工程に進み、大規模ブロック１１上の配線３１については、ステップＳ１８工程に進み、配線間隔を広げる次の新たな設計基準Ｒ２ａに従って、配線間隔を広げて再配線する。一方、大規模ブロック１１上の配線３１以外の配線で、配線間容量の基準値を越えている配線については、ステップＳ１９に進み、通常の自動配線修正方法で対処する。
【００３４】
なお、ステップＳ１６のタイミングエラーのデータを蓄積して、例えば、同種配線の中でタイミングエラーとなる配線が特定のブロック上に頻発する場合、そのブロックを大規模ブロックと定義することができる。そして、上記のデータに加えて記憶させて、ステップＳ１７で使用する。
【００３５】
一方、ステップＳ１６でタイミングエラーとなる配線が存在しない（ＯＫ）場合、自動配線工程を終了する。
【００３６】
上述したように、ステップＳ１７で定義された大規模ブロック１１上の配線３１であるか否かという判定基準を持つことにより、タイミング検証（ステップＳ１６）をスムーズに通過させることが可能である。この理由は、従来、配線間容量をお互いに関連のない個々の数字として基準値と比較したために、基準値を越えてはいないが、基準値に近い配線間容量が見落とされてしまい、これらのタイミング検証の段階で許容範囲を越えるという事態が起こり、再度の自動配線修正を行わざるを得なかったためと考えられる。
【００３７】
これに対して、本発明の自動配線方法では、大規模ブロック１１上の配線３１を系統的に扱うことによって、基準値を越えてないが、基準値に近い配線間容量を持つ大規模ブロック１１上の配線３１を選別することができる。この選別により、自動配線の修正サイクルを従来の修正サイクルより少なくすることが可能となり、半導体集積回路装置の自動配線工程の短縮、すなわち設計時間を短縮することができる。また、この系統的な選別により、配線の選別もれが減少して、設計品質の向上を図ることができる。
【００３８】
また、最外側の同一配線層２４の中で、半導体基板１６の主面に平行な方向（水平方向）３３に配線間隔を拡大するために、大規模ブロック１１上の配線３１ｂを再配線することができる。すなわち、再配線のために最外側に１層追加して２層の配線層を用意する必要がないので、半導体集積回路装置の製造工程が延びることはなく、コストの上昇を心配することはない。
【００３９】
また、ブロック上に配線することによって、これらを迂回して配線する場合に比較して、始点と終点の配線距離をより短くすることが可能となる。この再配線の考え方は、ブロックあるいはセルの間、すなわち、下に素子等の存在しない領域に配置された配線を再配置することにも適用できることはいうまでもない。従って、半導体チップのパッド部以外のほとんどの領域において、配線及び再配線を行うことを可能とする自由度の高い自動配線方法である。
【実施例２】
【００４０】
本発明の実施例２について図４を参照しながら説明する。図４は、別途算出したデータを有する半導体集積回路装置について、自動配線方法に従ってクロストークノイズを低減する手順を示すフローチャートである。本実施例は、全く新しい半導体集積回路装置の自動配線方法ではなく、それらの派生品等の自動配置配線方法である。
【００４１】
すなわち、半導体集積回路装置の自動配線工程を行う前に、ブロック上の配線の配線間容量等を算出したデータを取得して、大規模ブロックを定義してあり、これを使用して半導体集積回路装置の自動配置配線を行う方法である点が上記実施例１とは異なる。
【００４２】
図４に示すように、まず、例えば派生品である半導体集積回路装置を構成する大規模ブロック１１及び小規模ブロック１２あるいはパッド１３を自動配置する（ステップＳ２１）。次に、これらのブロック１１、１２あるいはパッド１３間を自動配線する（ステップＳ２２）。ここで、配線間隔は、通常、最小配線間隔である配線設計基準Ｒ１に基づいて行われる。
【００４３】
次に、これらの配線は、定義された大規模ブロック１１上の配線３１であるか否かを判定する（ステップＳ２３）。判定は、上述の実施例と同様に行うことができる。
【００４４】
大規模ブロック１１上の配線３１である（ＹＥＳ）場合、配線間隔を広げる新たな設計基準Ｒ３に応じて、水平方向に移動させることにより配線間隔を広げて再配置する（ステップＳ２４）。一方、大規模ブロック１１上の配線３１ではない（ＮＯ）場合、修正する必要がないので、最初のサイクルのみ素通りさせる（ステップＳ２９）。ここで、広げるべき配線間隔、再配線の位置は上述の実施例と同様に行う。
【００４５】
次に、クロストークノイズを発生する対象配線を抽出するための基本パラメータである、各配線の容量を算出する（ステップＳ２５）。続いて、隣接配線間容量を算出する（ステップＳ２６）。
【００４６】
次に、ＬＳＩの特性仕様に基づいて要求されるクロストークノイズの許容値から、式（１）を基に、許容される配線間容量を見積もり、この配線間容量を基準値として、ステップＳ２６で求めた配線間容量と比較する（ステップＳ２７）。
【００４７】
比較の結果、配線間容量の基準値を越える（ＮＧ）場合、ステップＳ２３に戻る。定義された大規模ブロック１１上の配線３１である（ＹＥＳ）場合、配線間隔を広げる次の新たな設計基準Ｒ３ａに基づいて、同一配線層２４の中で、半導体基板１６の主面に対して平行な移動方向（水平方向）３３に間隔を延ばした位置に配線３１ｂを移動すことにより、配線間隔を広げて再配線する。一方、ステップＳ２３で大規模ブロック１１上の配線３１ではない（ＮＯ）場合、配線間容量の基準値を越えている配線については、通常の自動配線修正方法で新設計基準に基づいて対処する（ステップＳ２９）。続くステップＳ２４以降は、上記と同様に行う。
【００４８】
一方、ステップＳ２７での比較の結果、配線間容量の基準値を越えない（ＯＫ）場合、次の、タイミング検証を行う（ステップＳ２８）。
【００４９】
タイミングエラーとなる配線が存在している（ＮＧ）場合、ステップ２３に戻り、大規模ブロック１１上の配線３１については、配線間隔を広げる次の新たな設計基準Ｒ３ｂに応じて、配線３１ｂを水平方向に移動させることにより配線間隔を広げて再配置する。一方、大規模ブロック上配線以外の配線では、配線間容量の基準値を越えている配線については、通常の自動配線修正方法で対処する。ステップＳ２４以降は、上記と同様に行う。
【００５０】
なお、大規模ブロック１１の中に、ステップＳ２７で得られた配線間容量の基準値を越えるデータ、あるいはステップＳ２８で得られたタイミングエラーのデータに基づいた大規模ブロックを追加して、定義された大規模ブロックとすることができることは上記実施例と同様である。そして、これらをステップＳ２３で使用する。
【００５１】
一方、ステップＳ２８で、タイミングエラーとなる配線が存在しない（ＯＫ）場合、自動配線工程を終了する。
【００５２】
本実施例２では、先に設計を行った類似の半導体集積回路装置の自動配線工程で得たデータを利用した。しかしながら、自動配線工程から切り離して、ブロックの大きさ毎に、その上に配置される配線の配線間容量を予め算出し、配線間容量の基準値と比較し、そのデータに基づいて大規模ブロックを定義して、ステップＳ２３を実行する場合は、最初の半導体集積回路装置の設計であっても、本実施例２と同じと考えることができる。
【００５３】
上述したように、本実施例２は、上述の実施例１で得られた効果の他に、最初の自動配線工程の中に、ステップＳ２３の定義された大規模ブロック上の配線であるかどうかという判定基準を採用することにより、自動配線修正のサイクルは上記実施例１より少なくなり、半導体集積回路装置の自動配線工程の短縮、すなわち設計時間をより一層短縮することができる。
【００５４】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体集積回路装置の全体を模式的に示すレイアウト図。
【図２】本発明の実施例１に係る図１の一点鎖線で囲んだ部分Ａを拡大して示す拡大平面図及び断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る自動配置配線方法に従ってクロストークノイズを低減する手順を示すフローチャート。
【図４】本発明の実施例２に係る自動配置配線方法に従ってクロストークノイズを低減する手順を示すフローチャート。
【図５】一般的な２本の配線が平行に配置された平面図及び２本の配線間に発生する電位の時間変化を示す図。
【図６】従来の再配線後の配線を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体集積回路装置
５  半導体チップ
１１  大規模ブロック
１２  小規模ブロック
１３  パッド
１６、１２１  半導体基板
１７  素子領域
２１、２２、２３、２４  配線層
２６、３１、３１ａ、３１ｂ、１０１ａ、１０１ｂ、１３１、１３２、１３３、１３４  配線
２７  コンタクトプラグ
３２  点線
３３  移動方向
３６、１０６  バッファ
１２２  第１配線層
１２３  第２配線層
【図１】
2005284838.tif 000003
【図２】
2005284838.tif 000004
【図３】
2005284838.tif 000005
【図４】
2005284838.tif 000006
【図５】
2005284838.tif 000007
【図６】
2005284838.tif 000008