(57)【要約】      （修正有）【課題】物理的な強度を有し、インナーリードのファイン化対応が可能なリードフレーム及び従来の片面配線の製造技術で展開可能で、外部接続端子を備えたテープキャリア（２メタルＢＧＡ基板相当）及びそれらの製造方法並びに半導体装置を提供する。【解決手段】少なくともフレーム１１、アウターリード１２、サブリード１３、接続領域１４、ダイパッド１５及びつりリード１６からなるサブリードフレームと、絶縁基材２１に接続領域、インナーリード３１ａ及びデバイスホールが形成されてなるモジュールリードとが、接着剤層４１を介して貼り合わされてなる一体構造の複合リードフレーム１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともフレーム（１１）、アウターリード（１２）、サブリード（１３）、接続領域（１４）、アイランド（１５）及びつりリード（１６）からなるサブリードフレーム（１０）と、絶縁基材（２１）に接続領域（３１ｂ）、インナーリード（３１ａ）及びデバイスホール（２４）が形成されてなるモジュールリード（２０）とが、接着剤層を介して貼り合わされてなる一体構造の複合リードフレーム。
【請求項２】
前記モジュールリード（２０）のインナーリード（３１ａ）と、サブリードフレーム（１０）のサブリード（１３）とは、接続部（８１）にて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の一体構造の複合リードフレーム。
【請求項３】
前記接続部（８１）は、モジュールリード（２０）の接続領域（３１ｂ）の開口部（３２）と、サブリードフレーム（１０）の接続領域（１４）との間に埋め込まれた導電性物質にて形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の一体構造の複合リードフレーム。
【請求項４】
前記モジュールリード（２０）の接続領域（３１ｂ）の開口部（３２）は、ソルダーレジスト（５１）の開口部（５２）内に接続領域（３１ｂ）の一部が庇状に突出している形状になっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の一体構造の複合リードフレーム。
【請求項５】
可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材（６１）に、はんだボール用ランド（７１ａ）、リード（７１ｂ）、インナーリード（７１ｃ）及びハンダボール形成用の開口部（６４）が形成されてなるテープキャリア（５０）と、可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材（６２）に接続パッド（７２ａ）、外部接続端子（７２ｂ）、配線層（７２ｃ）及びデバイスホール（６６）が形成されてなるモジュール基板（６０）とが、接着剤層を介して貼り合わされてなる一体構造の複合テープキャリア。
【請求項６】
前記モジュール基板（６０）の接続パッド（７２ａ）と、テープキャリア（５０）のはんだボール用ランド（７１ａ）とは、接続部（８２）にて電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載の一体構造の複合テープキャリア。
【請求項７】
前記接続部（８２）は、モジュール基板（６０）の接続パッド（７２ａ）と、テープキャリア（５０）のはんだボール用ランド（７１ａ）との間に埋め込まれた導電性物質にて形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の一体構造の複合テープキャリア。
【請求項８】
前記モジュール基板（６０）の接続パッド（７２ａ）の開口部（７３）は、ソルダーレジスト（５３）の開口部（５４）内に接続パッド（７２ａ）の一部が庇状に突出している形状になっていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の一体構造の複合テープキャリア。
【請求項９】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の複合リードフレームにＩＣチップを実装してなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項５乃至８のいずれか一項に記載の複合テープキャリアにＩＣチップを実装し、ハンダボールを形成してなる半導体装置。
【請求項１１】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記
載の複合リードフレームの製造方法。
（ａ）金属板を加工して、フレーム（１１）、アウターリード（１２）、サブリード（１３）、接続領域（１４）、アイランド（１５）及び吊りリード（１６）を形成し、サブリードフレーム（１０）を作製する工程。
（ｂ）絶縁基材（２１）の一方の面に銅箔（３１）を積層し、他方の面に接着剤層（４１）を形成する工程。
（ｃ）絶縁基材（２１）の所定位置に開口部（２３）及びデバイスホール（２４）を形成する工程。
（ｄ）銅箔（３１）をパターニング処理し、インナーリード（３１ａ）、接続領域（３１ｂ）及び接続領域（３１ｂ）に開口部（３２）を形成する工程。
（ｅ）接続領域（３１ｂ）上に開口部（５２）を有するソルダーレジスト（５１）を形成し、モジュールリード（２０）を形成する工程。
（ｆ）サブリードフレーム（１０）の接続領域（１４）と、モジュールリード（２０）の開口部（２３）とを位置合わせして、サブリードフレーム（１０）とモジュールリード（２０）とを貼り合わせる工程。
（ｇ）ソルダーレジスト（５１）の開口部（５２）より導電物質を充填し、接続部（８１）を形成する工程。
【請求項１２】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の複合テープキャリアの製造方法。
（ａ）可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材（６１）の片面に銅箔（７１）を積層し、絶縁基材の所定位置にハンダボール形成用の開口部（６４）を形成する工程。
（ｂ）銅箔（７１）をパターニング処理し、はんだボール用ランド（７１ａ）、リード（７１ｂ）、インナーリード（７１ｃ）及びアイランド（７１ｄ）を形成し、テープキャリア（５０）を作製する工程。
（ｃ）絶縁基材（６２）の一方の面に銅箔（７２）を積層し、他方の面に接着剤層（４２）を形成する工程。
（ｄ）絶縁基材（６２）の所定位置に開口部（６５）及びデバイスホール（６６）を形成する工程。
（ｅ）銅箔（７２）をパターニング処理し、接続パッド（７２ａ）、外部接続端子（７２ｂ）、配線層（７２ｃ）及び接続パッド（７２ａ）に開口部（７３）を形成し、モジュール基板（６０）を作製する工程。
（ｆ）テープキャリア（５０）のはんだボール用ランド（７１ａ）とモジュール基板（６０）の開口部（６５）とを位置合わせして、テープキャリア（５０）とモジュール基板とを貼り合わせる工程。
（ｇ）はんだボール用ランド（７１ａ）上に開口部（５４）及び外部接続端子（７２ｂ）上に開口部（５５）を有するソルダーレジスト（５３）を形成する工程。
（ｈ）ソルダーレジスト（５３）の開口部（５４）より導電物質を充填し、接続部（８２）を形成する工程。
（ｉ）特定の接続部（８２）上に保護層（５６）を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器用半導体装置及びそれに使用する半導体装置用基板に関し、特に多ピン、狭ピッチのリードを有するリードフレーム及びテープキャリアと半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置は小型化、薄型化及び高密度化がより一層要求されるのに伴い、これらの半導体装置に用いられるパッケージ形態はＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）型やＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）からバンプ電極をエリアアレイ状に配置したＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）を使ったＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）として大きく市場に展開されている。
【０００３】
これらのパッケージに用いられるリードフレームも多ピン化、狭ピッチ化が進んでおり、リードピン数が３００ピン以上、リード間のピッチが２００μｍ以下のリードフレームも実用化されている。ＢＧＡには、ＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｅ）の小型化、表面実装化パッケージの方向と、狭ピッチＱＦＰの実装困難性を回避するＴＣＰ（Ｔａｐｅ  ｃａｒｅｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）の二つの流れがある。しかし、ＢＧＡといえどもまだ外形が大きく、基板への実装効率が悪いため、携帯機器での超小型、薄型、軽量化要求や超高速実装素子が増加してくると問題が顕在化してくる。
【０００４】
半導体装置の小型化に対しては、多ピンのリードフレームも用いられているが、多ピン化リードフレームに対しては製造技術上の問題を抱えている。多ピン化、狭ピッチのリードを再現するために、薄い金属基材を使用することが行われているが、リードフレームとして物理的な強度を維持できない等の問題を抱えている。
【０００５】
また、ＴＣＰに関しては、多層化の方向で、多ピン化、ファイン化対応を行っているが、製造技術、製造設備上の問題もあり、製造工程を減少させ、生産性及び信頼性を高めた２メタル基板とＢＧＡ構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
これは、絶縁基材の両面に銅箔を積層した両面銅張り積層板の一方の面の銅箔表面よりレーザー加工にて、銅箔及び絶縁基材にブラインドビアホールを形成し、このブラインドビアホールに銅めっきを施して導通化した２メタルＢＧＡ基板を形成している。このように、従来の２メタルＢＧＡ基板では、多層化ビルドアッププロセス等で用いられる銅めっきが必須で有り、従来の片面配線の製造技術で展開でき、実装効率を高めた２メタルＢＧＡ基板が望まれている。
【特許文献１】特開２００１−２７４２０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、物理的な強度を有し、インナーリードのファイン化対応が可能なリードフレーム及び従来の片面配線の製造技術で展開可能で、外部接続端子を備えたテープキャリア（２メタルＢＧＡ基板相当）及びそれらの製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、少なくともフレーム
１１、アウターリード１２、サブリード１３、接続領域１４、ダイパッド１５及びつりリード１６からなるサブリードフレーム１０と、絶縁基材２１に接続領域３１ｂ、インナーリード３１ａ及びデバイスホール２４が形成されてなるモジュールリード２０とが、接着剤層を介して貼り合わされてなる一体構造の複合リードフレーム。
【０００８】
また、請求項２においては、前記モジュールリード２０のインナーリード３１ａと、サブリードフレーム１０のサブリード１３とは、接続部８１にて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の一体構造の複合リードフレームとしたものである。
【０００９】
また、請求項３においては、前記接続部８１は、モジュールリード２０の接続領域３１ｂの開口部３２と、サブリードフレーム１０の接続領域１４との間に埋め込まれた導電性物質にて形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の一体構造の複合リードフレームとしたものである。
【００１０】
また、請求項４においては、前記モジュールリード２０の接続領域３１ｂの開口部３２は、ソルダーレジスト５１の開口部５２内に接続領域３１ｂの一部が庇状に突出している形状になっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の一体構造の複合リードフレームとしたものである。
【００１１】
また、請求項５においては、可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材６１に、はんだボール用ランド７１ａ、リード７１ｂ、インナーリード７１ｃ及びハンダボール形成用の開口部６４が形成されてなるテープキャリア５０と、可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材６２に接続パッド７２ａ、外部接続端子７２ｂ、配線層７２ｃ及びデバイスホール６６が形成されてなるモジュール基板６０とが、接着剤層を介して貼り合わされてなる一体構造の複合テープキャリアとしたものである。
【００１２】
また、請求項６においては、前記モジュール基板６０の接続パッド７２ａと、テープキャリア５０のはんだボール用ランド７１ａとは、接続部８２にて電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載の一体構造の複合テープキャリアとしたものである。
【００１３】
また、請求項７においては、前記接続部８２は、モジュール基板６０の接続パッド７２ａと、テープキャリア５０のはんだボールパッド用７１ａとの間に埋め込まれた導電性物質にて形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の一体構造の複合テープキャリアとしたものである。
【００１４】
また、請求項８においては、前記モジュール基板６０の接続パッド７２ａの開口部７３は、ソルダーレジスト５３の開口部５４内に接続パッド７２ａの一部が庇状に突出している形状になっていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の一体構造の複合テープキャリアとしたものである。
【００１５】
また、請求項９においては、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の複合リードフレームにＩＣチップを実装してなる半導体装置としたものである。
【００１６】
また、請求項１０においては、請求項５乃至８のいずれか一項に記載の複合テープキャリアにＩＣチップを実装し、ハンダボールを形成してなる半導体装置としたものである。
【００１７】
また、請求項１１においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の複合リードフレームの製造方法としたものである。
（ａ）金属板を加工して、フレーム１１、アウターリード１２、サブリード１３、接続領域１４、ダイパッド１５及びつりリード１６を形成し、サブリードフレーム１０を作製す
る工程。
（ｂ）絶縁基材２１の一方の面に銅箔３１を積層し、他方の面に接着剤層４１を形成する工程。
（ｃ）絶縁基材２１の所定位置に開口部２３及びデバイスホール２４を形成する工程。
（ｄ）銅箔３１をパターニング処理し、インナーリード３１ａ、接続領域３１ｂ及び接続領域３１ｂに開口部３２を形成する工程。
（ｅ）接続領域３１ｂ上に開口部５２を有するソルダーレジスト５１を形成し、モジュールリード２０を形成する工程。
（ｆ）サブリードフレーム１０の接続領域１４と、モジュールリード２０の開口部２３とを位置合わせして、前記サブリードフレーム１０とモジュールリード２０とを貼り合わせる工程。
（ｇ）ソルダーレジスト５１の開口部５２より導電物質を充填し、接続部８１を形成する工程。
【００１８】
さらにまた、請求項１２においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の複合テープキャリアの製造方法としたものである。
（ａ）可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材６１の片面に銅箔７１を積層し、絶縁基材の所定位置にハンダボール形成用の開口部６４を形成する工程。
（ｂ）銅箔７１をパターニング処理し、はんだボール用ランド７１ａ、リード７１ｂ、インナーリード７１ｃ及びアイランド７１ｄを形成し、テープキャリア５０を作製する工程。
（ｃ）絶縁基材６２の一方の面に銅箔７２を積層し、他方の面に接着剤層４２を形成する工程。
（ｄ）絶縁基材６２の所定位置に開口部６５及びデバイスホール６６を形成する工程。
（ｅ）銅箔７２をパターニング処理し、接続パッド７２ａ、外部接続端子７２ｂ、配線層７２ｃ及び接続パッド７２ａに開口部７３を形成し、モジュール基板６０を作製する工程。
（ｆ）テープキャリア５０のはんだボール用ランド７１ａとモジュール基板６０の開口部６５とを位置合わせして、テープキャリア５０とモジュール基板とを貼り合わせる工程。（ｇ）はんだボール用ランド７１ａ上に開口部５４及び外部接続端子７２ｂ上に開口部５５を有するソルダーレジスト５３を形成する工程。
（ｈ）ソルダーレジスト５３の開口部５４より導電物質を充填し、接続部８２を形成する工程。
（ｉ）特定の接続部８２上に保護層５６を形成する工程。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の複合リードフレームは、サブリードフレームと高精細インナーリードが形成されたモジュールリードとが接続領域にて電気的に接続された一体構造となっているため、高精細対応のインナーリードが形成された物理的強度に優れたリードフレームを形成できる。
本発明の複合テープキャリアは、片面構造のテープキャリアと片面構造のモジュール基板とが接続部にて電気的に接続された一体構造となっているため、片面のＢＧＡ基板製造技術にて、容易に２メタルＢＧＡ基板相当の複合テープキャリアを得ることができる。
また、モジュール基板に外部接続端子を設けているので、各種部品等を容易に搭載できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の複合リードフレーム及び複合テープキャリア及びそれらの製造方法並びに半導体装置の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）には、本発明の複合リードフレームの一実施例を示す模式平面図を、図１（ｂ）には、図１（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した複合リードフレームの模式構成断面図を、図６（ａ）には、本発明の複合テープキャリアの一実施例を示す模式平面図を、図６（ｂ）には、図６（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した複合テープキャリアの模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００２１】
請求項１に係る複合リードフレームは、フレーム１１、アウターリード１２、サブリード１３、接続領域１４、ダイパッド１５及び吊りリード１６が形成されたサブリードフレーム１０（図２（ａ）〜（ｂ）参照）と、絶縁基材２１に接続領域３１ｂ、インナーリード３１ａ及びデバイスホール２４が形成されたモジュールリード２０（図５（ａ）〜（ｂ）参照）とが接着材層４１を介して固定された一体構造の複合リードフレームである。
【００２２】
これは、比較的粗いパターンのサブリード１３が形成された物理的強度のあるサブリードフレーム１０と、ファインピッチ対応のインナーリード３１ａを有するモジュールリード２０とが接着剤層を介して固定されており、モジュールリード２０のインナーリード３１ａと、サブリードフレーム１０のサブリード１３とは接続部８１にて電気的に接続されている。さらに、接続部８１は、モジュールリード２０の接続領域３１ｂの開口部３２と、サブリードフレーム１０の接続領域１４との間に埋め込まれた導電ペーストもしくははんだ等の導電性物質にて形成されている。
さらに、前記モジュールリード２０の接続領域３１ｂの開口部３２は、ソルダーレジスト５１の開口部５２内に接続領域３１ｂの一部が庇状に突出している形状になっており、ソルダーレジスト５１の開口部５２内に導電ペーストもしくははんだ等の導電性物質を埋め込んだ際、接続領域３１ｂでの導電性物質の接触面積を増加させ、接続領域１４と接続領域３１ｂとの接続信頼性を向上させている。
【００２３】
このように、比較的粗いパターンのサブリード１３が形成された物理的強度のあるサブリードフレーム１０と、ファインピッチ対応のインナーリード３１ａを有するモジュールリード２０とを接着剤層を介して固定して、一体化構造の複合リードフレームとすることにより、物理的強度に優れたファインピッチ対応のリードフレームを容易に得ることができる。
【００２４】
請求項５に係る複合テープキャリアは、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材６１に、はんだボール用ランド７１ａ、リード７１ｂ、インナーリード７１ｃ及びハンダボール形成用の開口部６４が形成されたテープキャリア５０と、可撓性を有するテープ基材からなる絶縁基材６２に接続パッド７２ａ、外部接続端子７２ｂ、配線層７２ｃ及びデバイスホール６６が形成されてなるモジュール基板６０とが、接着剤層にて固定された一体構造の複合テープキャリアである。
【００２５】
これは、片面構造のテープキャリア５０と、接続パッド７２ａ、外部接続端子７２ｂ、配線層７２ｃ及びデバイスホール６６が形成された同じく片面構造のモジュール基板６０とが接着剤層を介して固定されており、テープキャリア５０のはんだボール用ランド７１ａと、モジュール基板６０の外部接続端子７２ｂとは接続部８２にて電気的に接続されている。さらに、接続部８２は、モジュール基板６０の接続パッド７２ａの開口部７３と、テープキャリア５０のはんだボール用ランド７１ａとの間に埋め込まれた導電ペーストもしくははんだ等の導電性物質にて形成されている。
さらに、モジュール基板６０の接続パッド７２ａの開口部７３は、ソルダーレジスト５３の開口部５４内に接続パッド７２ａの一部が庇状に突出している形状になっており、ソルダーレジスト５３の開口部５４内に導電ペーストもしくははんだ等の導電性物質を埋め込んだ際、接続パッド７２ａでの導電性物質の接触面積を増加させ、はんだボール用ランド７１ａと接続パッド７２ａとの接続信頼性を向上させている。
【００２６】
このように、片面構造のテープキャリア５０と、片面構造のモジュール基板６０とが接着剤層を介して固定して一体構造の複合テープキャリアとすることにより、片面のＢＧＡ基板製造技術にて、容易に２メタルＢＧＡ基板相当の複合テープキャリアを得ることができる。また、モジュール基板６０に外部接続端子７２ｂを設けることにより、各種部品等を容易に搭載できる。
【００２７】
以下、本発明の複合リードフレーム及び複合テープキャリアの作製方法及び半導体装置について説明する。
図２（ａ）〜（ｃ）から図５（ｄ）〜（ｆ）は、複合リードフレームの製造方法を工程順に示す説明図である。
まず、Ｎｉ−Ｆｅ系合金等からなる金属基材をフォトエッチング加工して、フレーム１１、アウターリード１２、サブリード１３、接続領域１４、ダイパッド１５及び吊りリード１６を形成し、サブリードフレーム１０を作製する（図２（ａ）〜（ｂ）参照）
次に、ポリイミドフィルム等からなる絶縁基材２１の片面に銅箔３１が積層された複合材の他方の面に接着フィルムをラミネートする等の方法で接着剤層４１を形成する（図３（ａ）参照）。
次に、絶縁基材２１及び接着剤層４１の所定位置にレーザー加工等により穴開け加工して開口部２３及びデバイスホール２４を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００２８】
次に、銅箔３１表面を洗浄後ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する。ここで、開口部２３内の銅箔３１がエッチングされないように裏止め材を形成しておく。
次に、レジストパターンをマスクにして銅箔３１を塩化第２鉄溶液等のエッチング液を用いてエッチングし、専用の剥離液でレジストパターン及び裏止め材を剥離し、絶縁基材２１上にインナーリード３１ａ、接続領域３１ｂ及び開口部３２を有する接続領域３１ｂを形成する（図４（ｃ）参照）。
ここで、開口部３２の形状の一例として、円形状、楕円状、十字形状、多角形状の例を図１３（ａ）〜（ｄ）に示したが、開口部２３に庇状の形状ができるものであればあらゆる形状が使用できる。
【００２９】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートする等の方法で感光性のソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、インナーリード３１ａ先端部を露出し、開口部３２を有する接続領域３１ｂ上に開口部５２を有するソルダーレジスト５１を形成し、ソルダーレジスト５１をマスクにして接続領域３１ｂ及びインナーリード３１ａの先端部に金めっきを施し、絶縁基材２１の一方の面にインナーリード３１ａ、開口部３２を有する接続領域３１ｂ及び開口部５２を有するソルダーレジスト５１、他方の面に接着剤層４１及び絶縁基材２１の所定位置に開口部２３及びデバイスホール２４が形成されたモジュールリード２０を得る（図５（ｄ）参照）。
【００３０】
次に、サブリードフレーム１０の接続領域１４と、モジュールリード２０の開口部２３とを位置合わせし、加圧、加熱して、モジュールリード２０とサブリードフレーム１０とを接着剤層４１にて貼り合わせる（図５（ｅ）参照）。
【００３１】
次に、ソルダーレジスト５１の開口部５２及び接続領域１４上の開口部２３にスクリーン印刷等により導電ペーストもしくははんだペーストを充填し、加熱硬化もしくはリフローさせて接続部８１を形成して、複合リードフレーム１００を得る（図５（ｆ）参照）。
【００３２】
次に、ＩＣチップ１１１をダイパッド１５上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ１１２でＩＣチップ１１１のパッド電極と複合リードフレームのインナーリード３１ａをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ１１１を樹脂封止し、半導体装置３００を得る（図１１参照）。
【００３３】
図７（ａ）〜（ｃ）から図１０（ｆ）〜（ｇ）は、複合テープキャリアの製造方法を工程順に示す説明図である。
まず、ポリイミドフィルム等からなる絶縁基材６１の片面に銅箔７１が積層された複合材（図７（ａ）参照）を金型で打ち抜き加工して、絶縁基材６１の両端にスプロケットホール６３を形成する。さらに、絶縁基材６１の所定位置にレーザー加工等によりはんだボール形成用開口部６４を形成する（図７（ｂ）参照）。
【００３４】
次に、銅箔７１表面を洗浄後ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして銅箔７１を塩化第２鉄溶液等のエッチング液を用いてエッチングし、専用の剥離液でレジストパターンを剥離し、絶縁基材６１上にはんだボール用ランド７１ａ、リード７１ｂ、インナーリード７１ｃ及びアイランド７１ｄを形成し、テープキャリア５０を得る（図７（ｃ）参照）。
ここで、開口部６４内の銅箔７１がエッチングされないように裏止め材を形成しておく。
【００３５】
次に、ポリイミドフィルム等からなる絶縁基材６２の片面に銅箔７２が積層された複合材の他方の面に接着フィルムをラミネートする等の方法で接着剤層４２を形成する（図８（ａ）参照）。
次に、金型による打ち抜き加工により絶縁基材６２の両端にスプロケットホール６３を形成し、さらに、絶縁基材６２及び接着剤層４２の所定位置にレーザー加工等により穴開け加工して導電性物質を充填するための開口部６５及びデバイスホール６６を形成する（図８（ｂ）参照）。
【００３６】
次に、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する。ここで、開口部６５内の銅箔７２がエッチングされないように裏止め材を形成しておく。
【００３７】
次に、レジストパターンをマスクにして銅箔７２をエッチングし、専用の剥離液でレジストパターン及び裏止め材を剥離し、絶縁基材６２上に開口部７３を有する接続パッド７２ａ、外部接続端子７２ｂ及び配線層７２ｃを形成し、絶縁基材６２上に開口部７３を有する接続パッド７２ａ、外部接続端子７２ｂ、配線層７２ｃ、開口部６５及びデバイスホール６６が形成されたモジュール基板６０を得る（図８（ｃ）参照）。
ここで、開口部７３の形状の一例として、円形状、楕円状、十字形状、多角形状の例を図１３（ａ）〜（ｄ）に示したが、開口部６５に庇状の形状ができるものであればあらゆる形状が使用できる。
【００３８】
次に、テープキャリア５０のはんだボール用ランド７１ａとモジュール基板６０の開口部６５とを位置合わせし、加圧、加熱して、モジュール基板６０とテープキャリア５０とを接着剤層４２にて貼り合わせる（図９（ｄ）参照）。
【００３９】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートする等の方法でソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、開口部７３を有する接続パッド７２ａ上に開口部５４及び外部接続端子７２ｂ上に開口部５５を有するソルダーレジスト５３を形成し、ソルダーレジスト５３及び絶縁基材６２をマスクにして外部接続端子７２ｂ、インナーリード７１ｃの先端部及びアイランド７１
ｄに金めっきを施す。
【００４０】
次に、ソルダーレジスト５３の開口部５４及びはんだボール用ランド７１ａ上の開口部７３にスクリーン印刷等により導電ペーストもしくははんだペーストを充填し、加熱硬化もしくはリフローさせて接続部８２を形成して（図１０（ｆ）参照）、特定の接続部８２上に絶縁のための保護層５６を形成して、複合テープキャリア２００を得る（図１０（ｇ）及び図６（ａ）〜（ｂ）参照）。
【００４１】
次に、ＩＣチップ１１１をアイランド７１ｄ上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ１１２でＩＣチップ１１１のパッド電極と複合テープキャリアのインナーリード７１ｃをワイヤボンド接続し、部品等を外部接続端子７２ｂ間に実装し（特に図示せず）、トランスファモールドでＩＣチップ１１１を樹脂封止し、さらに、はんだボールをはんだボール形成用開口部６４に載置し、リフローさせてはんだボール１３１を形成して、半導体装置４００を得る（図１２参照）。
【実施例１】
【００４２】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる０．１５ｍｍ厚の金属基材をフォトエッチング加工して、フレーム１１、アウターリード１２、サブリード１３、接続領域１４、ダイパッド１５及び吊りリード１６を形成し、サブリードフレーム１０を作製した（図２（ａ）〜（ｂ）参照）
次に、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材２１の片面に１８μｍ厚の銅箔３１が積層された複合材（エスパネックスＫＣ（商品名）：新日鐵化学株式会社製）の片面に１２μｍ厚の接着フィルム（タイプＸ（商品名）：株式会社巴川製紙所製）をラミネートして接着剤層４１を形成した（図３（ａ）参照）。さらに、絶縁基材２１と接着剤層４１の所定位置に炭酸ガスレーザー加工装置を用いて穴開け加工して６００μｍφの開口部２３及びデバイスホール２４を形成した（図３（ｂ）参照）。
【００４３】
次に、銅箔３１上に２５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＳＵＮＦＯＲＴ（商品名）：旭化成株式会社製）をロール温度１０５℃、圧力０．４ＭＰａ、ラミネート速度１．２ｍ／分の条件でラミネートして感光層を形成し、パターン露光し、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液を約３０秒間スプレー現像することにより、レジストパターンを形成した。ここで、開口部２３内の銅箔３１がエッチングされないように裏止め材を形成した。
次に、レジストパターンをマスクにして銅箔３１を５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けてエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターンと裏止め剤を同時に剥離し、絶縁基材２１上にピッチ１００μｍ、幅４５μｍのインナーリード３１ａ及び長円形の開口部３２を有する３８０μｍφの接続領域３１ｂを形成した（図４（ｃ）参照）。
【００４４】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートして感光性のソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、インナーリード３１ａ先端部を露出し、開口部３２を有する接続領域３１ｂ上に７６０μｍφの開口部５２を有するソルダーレジスト５１を形成し、ソルダーレジスト５１をマスクにして接続領域３１ｂ及びインナーリード３１ａの先端部に金めっきを施し、絶縁基材２１の一方の面にインナーリード３１ａ、開口部３２を有する接続領域３１ｂ及び開口部５２を有するソルダーレジスト５１、他方の面に接着剤層４１及び絶縁基材２１の所定位置に開口部２３及びデバイスホール２４が形成されたモジュールリード２０を得た（図５（ｄ）参照）。
【００４５】
次に、サブリードフレーム１０の接続領域１４と、モジュールリード２０の開口部２３
とを位置合わせし、加圧、加熱して、モジュールリード２０とサブリードフレーム１０とを接着剤層４１にて貼り合わせた（図５（ｅ）参照）。
【００４６】
次に、約３％の銀を含む錫合金ペーストをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト５１の開口部５２及び接続領域１４上の開口部２３に錫合金ペーストを充填し、リフロー炉でリフローさせてはんだからなる接続部８１を形成して、一体構造の複合リードフレーム１００を得た（図５（ｆ）参照）。
【００４７】
次に、ＩＣチップ１１１をダイパッド１５上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ１２１でＩＣチップ１１１のパッド電極と複合リードフレームのインナーリード３１ａをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ１１１を樹脂封止して、半導体装置３００を得た（図１１参照）。
【実施例２】
【００４８】
まず、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材６１の片面に１８μｍ厚の銅箔７１が積層された複合材（エスパネックスＫＣ（商品名）：新日鐵化学株式会社製）を金型で打ち抜き加工して、絶縁基材６１の両端にスプロケットホール６３を形成した。さらに絶縁基材６１の所定位置に炭酸ガスレーザー加工装置を用いて孔開け加工して、６００μｍφのはんだボール形成用開口部６４を形成した（図７（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００４９】
次に、銅箔７１表面を洗浄後２５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＳＵＮＦＯＲＴ（商品名）：旭化成株式会社製）をロール温度１０５℃、圧力０．４ＭＰａ、ラミネート速度１．２ｍ／分の条件でラミネートして感光層を形成し、パターン露光し、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液を約３０秒間スプレー現像することにより、レジストパターンを形成した。ここで、開口部６４内の銅箔７１がエッチングされないように裏止め材を形成した。さらに、レジストパターンをマスクにして銅箔７１を５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けてエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターンと裏止め剤を同時に剥離し、絶縁基材６１上に７２０μｍφのはんだボール用ランド７１ａ、リード７１ｂ、アイランド７１ｄを形成し、テープキャリア５０を得た（図７（ｃ）参照）。
【００５０】
次に、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材６２の片面に１８μｍ厚の銅箔７２が積層された複合材（エスパネックスＫＣ（商品名）：新日鐵化学株式会社製）の片面に１２μｍ厚の接着フィルム（タイプＸ（商品名）：株式会社巴川製紙所製）をラミネートして接着剤層４２を形成し（図８（ａ）参照）、金型で打ち抜き加工して、絶縁基材６２の両端にスプロケットホール６３を形成した。さらに、絶縁基材６２と接着剤層４２の所定位置に炭酸ガスレーザー加工装置を用いて穴開け加工して５００μｍφのはんだボール形成用開口部６５及びデバイスホール６６を形成した（図８（ｂ）参照）。
【００５１】
次に、銅箔７２表面を洗浄後２５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＳＵＮＦＯＲＴ（商品名）：旭化成株式会社製）をロール温度１０５℃、圧力０．４ＭＰａ、ラミネート速度１．２ｍ／分の条件でラミネートして感光層を形成し、パターン露光し、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液を約３０秒間スプレー現像することにより、レジストパターンを形成した。ここで、はんだボール形成用開口部６５内の銅箔７２がエッチングされないように裏止め材を形成した。
【００５２】
次に、レジストパターンをマスクにして銅箔７２を５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けてエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターンと裏止め剤を同時に剥離し、絶縁基材６２上に長円形の開口部７３を有する３８０μｍφの接続パッド７２ａ、７２０μｍφの外部接続端子７２ｂ及び
配線層７２ｃを形成した（図８（ｃ）参照）。
【００５３】
次に、テープキャリア５０のはんだボール用ランド７１ａとモジュール基板６０の開口部６５とを位置合わせし、加圧、加熱して、モジュール基板６０とテープキャリア５０とを接着剤層４２にて貼り合わせた（図９（ｄ）参照）。
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートする等の方法でソルダーレジスト層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、開口部７３を有する接続パッド７２ａ上に開口部５４及び外部接続端子７２ｂ上に開口部５５を有するソルダーレジスト５３を形成し、ソルダーレジスト５３及び絶縁基材６２をマスクにして外部接続端子７２ｂ、インナーリード７１ｃの先端部及びアイランド７１ｄに金めっきを施した（図９（ｅ）参照）。
【００５４】
次に、クリームはんだをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト５３の開口部５４及びはんだボール用ランド７１ａ上の開口部６５内にクリームはんだを充填し、リフロー炉でリフローさせてはんだからなる接続部８２を形成し（図１０（ｆ）参照）、特定の接続部８２上に絶縁のための保護層５６を形成して、複合テープキャリア２００を得た（図１０（ｇ）及び図６（ａ）〜（ｂ）参照）。
【００５５】
次に、ＩＣチップ１１１をアイランド７１ｄ上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ１１２でＩＣチップ１１１のパッド電極と複合テープキャリアのインナーリード７１ｃをワイヤボンド接続し、部品等を外部接続端子７２ｂ間に実装し（特に図示せず）、トランスファモールドでＩＣチップ１１１を樹脂封止し、さらに、はんだボールをはんだボール形成用開口部６４に載置し、リフローさせてはんだボール１３１を形成して、半導体装置４００を得た（図１２参照）。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）は、本発明に係る複合リードフレームの一実施例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した複合リードフレームの模式構成断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の複合リードフレームの製造方法におけるサブリードフレームの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断したサブリードフレームの模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断したサブリードフレームの模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の複合リードフレームの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ｂ−１）は、模式平面図である。（ｂ−２）は、（ｂ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図４】（ｃ）は、本発明の複合リードフレームの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ｃ−１）は、模式平面図である。（ｃ−２）は、（ｃ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図５】（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の複合リードフレームの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ｄ−１）は、モジュールリードの模式平面図である。（ｄ−２）は、（ｄ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｅ）及び（ｆ）は、模式構成断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明に係る複合テープキャリアの一実施例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した複合テープキャリアの模式構成断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の複合テープキャリアの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ａ）及び（ｂ）は、模式構成断面図である。（ｃ−１）は、テープキャリアの模式平面図である。（ｃ−２）は、（ｃ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の複合テープキャリアの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ａ）及び（ｂ）は、模式構成断面図である。（ｃ−１）は、モジュール基板の模式平面図である。（ｃ−２）は、（ｃ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図９】（ｄ）〜（ｅ）は、本発明の複合テープキャリアの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ｄ）は、模式構成断面図である。（ｅ−１）は、模式平面図である。（ｅ−２）は、（ｅ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図１０】（ｆ）〜（ｇ）は、本発明の複合テープキャリアの製造方法における工程の一部を示す説明図である。（ｆ）は、模式構成断面図である。（ｇ−１）は、模式平面図である。（ｇ−２）は、（ｇ−１）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図１１】本発明に係る複合リードフレームを用いた半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図１２】本発明に係る複合テープキャリアを用いた半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、接続領域及び接続パッドに形成する開口部の具体的形状例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０……サブリードフレーム
１１……フレーム
１２……アウターリード
１３……サブリード
１４……接続領域
１５……ダイパッド
１６……吊りリード
２０……モジュールリード
２１、６１、６２……絶縁基材
２３……開口部
２４……デバイスホール
３１、７１、７２……銅箔
３１ａ……インナーリード
３１ｂ……接続領域
３２……開口部
４１……接着剤層
５０……テープキャリア
５１、５３……ソルダーレジスト
５２、５４、５５……開口部
５６……保護層
６０……モジュール基板
６３……スプロケットホール
６４……はんだボール形成用開口部
６５……開口部
６６……デバイスホール
７１ａ……はんだボール用ランド
７１ｂ……リード
７１ｃ……インナーリード
７１ｄ……アイランド
７２ａ……接続パッド
７２ｂ……外部接続端子
７３……開口部
８１、８２……接続部
１００……複合リードフレーム
２００……複合テープキャリア
１１１……ＩＣチップ
１１２……ボンディングワイヤ
１２１……封止樹脂
１３１……はんだボール
３００……複合リードフレームを用いた半導体装置
４００……複合テープキャリアを用いた半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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