(57)【要約】    【課題】  本発明は、ホログラムマスクの数に関わらず、基板上のアライメントマークの数を低減し得る露光方法等を提供することを目的としている。    【解決手段】  アライメントマークが形成された複数の露光マスクを用いてパターン露光を行う露光方法であって、前記露光マスクに形成された第１アライメントマークと、露光対象となる対象体に形成された第２アライメントマークとを用いて前記露光マスクと前記対象体との位置合わせを行う第１工程と、前記対象体上に前記第１アライメントマークが露光されるのを禁止してから前記露光マスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する第２工程と、を含む露光方法により上記課題を解決する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アライメントマークが形成された複数の露光マスクを用いてパターン露光を行う露光方法であって、
前記露光マスクに形成された第１アライメントマークと、露光対象となる対象体に形成された第２アライメントマークとを用いて前記露光マスクと前記対象体との位置合わせを行う第１工程と、
前記対象体上に前記第１アライメントマークが露光されるのを禁止してから前記露光マスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する第２工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いてパターン露光を行うホログラム露光方法であって、
前記ホログラムマスクに第１アライメントマークを含む所望のパターンを記録する第１工程と、
前記ホログラムマスクに形成された第１アライメントマークと、露光対象となる対象体に形成された第２アライメントマークとを用いて前記ホログラムマスクと前記対象体との位置合わせを行う第２工程と、
前記対象体上に前記第１アライメントマークが露光されるのを禁止してから前記ホログラムマスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する第３工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項３】
前記第１アライメントマークが前記ホログラムマスク上に複数設けられており、前記第３工程が、前記第１アライメントマークの数に対応する数の遮光帯を用いて、前記第１アライメントマークの各々が露光されるのを個別に遮光してから、前記露光マスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する工程である、請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第２アライメントマークが、前記対象体上に最初のパターンを露光する際に形成される、請求項２又は請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の露光方法を利用してパターニングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
各々にアライメントマークが形成された複数の露光マスクを用いて任意の露光領域を露光するための露光装置であって、
前記露光領域を露光するための露光ビームを照射する照射手段と、
前記露光ビームのうち前記露光マスクの前記アライメントマークが形成されたアライメント形成領域を透過するビーム又は前記アライメントマーク形成領域を透過して前記露光領域に到達するビームの光経路を途中で遮断する遮光手段と、
前記露光ビームを遮断するよう前記遮光手段を駆動するための駆動手段と、を備え、
前記駆動手段は、前記露光マスクのアライメント時には前記光経路の外に前記遮光手段を移動し、露光時には前記光経路を遮断する位置に前記遮光手段を移動することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光技術に関し、詳しくは、アライメントマークを利用してマスクの位置合わせを行い、パターン露光を行う露光方法及び露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置のパターニングプロセスにおいて、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ：全内部反射）型ホログラフィック露光技術が注目されている。この露光技術は、ホログラムマスクに対し所望のパターンを記録する記録工程と、このホログラムマスクに再生光を照射して半導体パターン用のフォトレジストを感光する露光工程とからなる。
【０００３】
記録工程では、まず半導体装置のパターンに対応したマスクパターン(元レチクル)にレーザー光の記録ビームを照射して回折光を生じさせ、ホログラムマスクの記録面に射出する。一方、ホログラムマスクの記録面に対し一定の角度でホログラムマスクの裏側から参照光を照射し、元レチクルからの回折光と干渉させる。これによってホログラムマスクの記録面に干渉パターンを生じさせこれをホログラム記録面に記録させる。
【０００４】
露光工程では、元レチクルと同じ位置にホログラムマスクを置いて、記録時と反対方向から再生光である露光ビームを照射し、フォトレジストに元のパターンを再現した回折光を結像させてフォトレジストを露光する。
【０００５】
例えば非特許文献１に記載されているように、通常、この露光工程において、ホログラムマスクは、基板側に形成されたアライメントマークとホログラムマスク側に形成されたアライメントマークとを合わせることで、基板とホログラムマスクとの位置合わせを行う。
【非特許文献１】クルーベら（F. Clube et al.）,「低温ポリシリコンディスプレイのための０．５μｍが可能なリソグラフィー（“0.5mm Enabling Lithography for Low-temperature Polysilicon Displays"）」、インフォメーションディスプレイ学会  ２００３  国際シンポジウム  技術論文ダイジェスト、３４巻、ブックＩ、ｐ．３５０−３５３（SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY, 2003 INTERNATIONAL SYMPOSIUM, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, VOLUME XXXIV, BOOK I, pp.350-353）、２００３年５月２０日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、複数のホログラムマスクを用いてパターニングを行う場合には、この複数のホログラムマスクの各々に形成された各アライメントマークに対応する位置に、各々アライメントマークが形成された基板を用いてホログラムマスクと基板との位置合わせを行っていた。
【０００７】
したがって、基板側には、ホログラムマスクの数に対応するアライメントマークが複数必要となり、使用するホログラムマスクの数が多くなるほど、基板側のアライメントマークの数も多くなり、アライメントマークを形成するために基板上に広い面積が必要となるといった問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、ホログラムマスクの数に関わらず、基板上のアライメントマークの数を低減し得る露光方法、半導体装置の製造方法及び露光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、アライメントマークが形成された複数の露光マスクを用いてパターン露光を行う露光方法であって、前記露光マスクに形成された第１アライメントマークと、露光対象となる対象体に形成された第２アライメントマークとを用いて前記露光マスクと前記対象体との位置合わせを行う第１工程と、前記対象体上に前記第１アライメントマークが露光されるのを禁止してから前記露光マスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する第２工程と、を含む露光方法を提供するものである。
【００１０】
これによれば、対象体に形成された第２のアライメントマーク上に第１アライメントマークが露光されないので、他の露光マスクを用いた場合にも露光マスクと対象体との位置合わせの際に、第２のアライメントマークを繰り返し使用することが可能となる。これにより、第２アライメントマークの数を増やさずに済むため、露光パターンの形成に利用し得る露光領域を広げることが可能となる。
【００１１】
本発明の他の態様は、アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いてパターン露光を行うホログラム露光方法であって、前記ホログラムマスクに第１アライメントマークを含む所望のパターンを記録する第１工程と、前記ホログラムマスクに形成された第１アライメントマークと、露光対象となる対象体に形成された第２アライメントマークとを用いて前記ホログラムマスクと前記対象体との位置合わせを行う第２工程と、前記対象体上に前記第１アライメントマークが露光されるのを禁止してから前記ホログラムマスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する第３工程と、を含む露光方法を提供するものである。
【００１２】
これによれば、対象体に形成された第２のアライメントマーク上に第１アライメントマークが露光されないので、他のホログラムマスクを用いた場合にもホログラムマスクと対象体との位置合わせの際に、第２のアライメントマークを繰り返し使用することが可能となる。これにより、第２アライメントマークの数を増やさずに済むため、露光パターンの形成に利用し得る露光領域を広げることが可能となる。
【００１３】
前記第１アライメントマークが前記ホログラムマスク上に複数設けられており、前記第３工程が、前記第１アライメントマークの数に対応する数の遮光帯を用いて、前記第１アライメントマークの各々が露光されるのを個別に遮光してから、前記露光マスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光する工程であることが好ましい。これによれば、第１アライメントマークが複数ある場合において、各第１アライメントマークを個別に遮光することで、第１アライメントマークを遮光するために必要な領域を最小限度にすることが可能となる。よって、パターン形成に利用し得る露光領域をより広げることが可能となる。
【００１４】
前記第２アライメントマークが、前記対象体上に最初のパターン露光する際に形成されることが好ましい。これにより、第２アライメントマークを別途形成する必要がなくなるので、作業工程を減らすことが可能となり、生産効率を向上させることが可能となる。
【００１５】
本発明の他の態様は、上記露光方法を利用してパターニングを行う半導体装置の製造方法を提供するものである。これによれば、上記方法を利用するので、半導体装置の回路パターン形成に利用し得る領域を広げることが可能となるので、より高密度に集積化された半導体装置を提供することが可能となる。
【００１６】
本発明の他の態様は、各々にアライメントマークが形成された複数の露光マスクを用いて任意の露光領域を露光するための露光装置であって、前記露光領域を露光するための露光ビームを照射する照射手段と、前記露光ビームのうち前記露光マスクの前記アライメントマークが形成されたアライメント形成領域を透過するビーム又は前記アライメントマーク形成領域を透過して前記露光領域に到達するビームの光経路を途中で遮断する遮光手段と、前記露光ビームを遮断するよう前記遮光手段を駆動するための駆動手段と、を備え、前記駆動手段は、前記露光マスクのアライメント時には前記光経路の外に前記遮光手段を移動し、露光時には前記光経路を遮断する位置に前記遮光手段を移動する露光装置を提供するものである。
【００１７】
本発明の露光装置によれば、露光ビームにより露光領域内にアライメントマークが露光されないよう遮光することが可能となるので、パターン形成に利用し得る露光領域を広げることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は下記実施の形態に限定されるものではない。
図１は、本実施形態の露光装置の全体構成を示す図である。
図１に示すように、本実施形態のホログラフィック露光装置では、ホログラムマスクのアライメントマークが形成された位置に対応する遮光平面内の領域を遮光帯としての例えば遮光板（シャッター）により遮光して、露光することが可能に構成されている。
【００１９】
この露光装置は、主にプリズム２０１、ステージ２２０を備えるステージ装置２２２、第１情報処理装置２３０、距離測定光学系２４０、膜厚測定光学系２５０、光源２６０、第２情報処理装置２７０、露光光源２８０、露光光源駆動装置２８２、アライメント系２９０、および遮光装置１１０により構成される。
【００２０】
ステージ装置２２２は、感光性材料膜２１２が形成された露光対象体としての被露光基板２１０を真空チャック等でステージ２２０上に保持して、上下方向（Ｚ方向）及び水平方向（ＸＹ平面）へのステージ２２０の位置調整が可能に構成されている。
【００２１】
光源２６０は、距離測定光学系２４０および膜厚測定光学系２５０の測定用光ビームを射出可能に構成されている。距離測定光学系２４０は、ビームスプリッタ、シリンドリカルレンズ、光センサ、誤差信号検出器等を備え、ホログラム記録面２０２と被露光基板上に塗布された感光性材料膜表面２１４との距離を調整して露光時のフォーカスを制御することが可能に構成されている。第１情報処理装置２３０は、距離測定光学系２４０により計測されたホログラム記録面と被露光基板上に形成された感光性材料膜表面との距離に基づいてフォーカスが適正となるようにステージ２２０の位置を設定するように構成されている。膜厚測定光学系２５０は、ビームスプリッタ、フォトデテクタ、増幅器、Ａ／Ｄ変換器等を備え、被露光基板２１０上に形成された感光性材料膜２１２の膜厚を測定するための構成を備えている。第２情報処理装置２７０は、本発明の駆動装置に係り、露光光源２８０から照射される露光ビームが遮光装置１１０で規定される適正な露光領域内を走査するように露光光源２８０を移動させるとともに、膜厚測定光学系２５０により出力された感光性材料膜２１２の膜厚の相対値に基づいて露光の光量を制御するように構成されている。露光光源２８０は、本発明の照明装置に係り、ホログラムマスク２００のホログラム記録面２０２に露光ビームを照射可能に構成されている。露光光源駆動装置２８２は、本発明の駆動装置に係り、この露光光源２８０を移動して被露光基板２１０上の所望の露光領域を走査して露光するように構成されている。また当該露光装置は、被露光基板２１０に対向する面に、所定のレチクルパターンに対応した干渉パターンが記録されているホログラムマスク２００を装着したプリズム２０１を備えている。
【００２２】
また、アライメント系２９０は、アライメントマークを観察するための観察手段と、観察手段から得られた情報に基づきホログラムマスク２００のアライメントマークと被露光基板２１０のアライメントマークとの位置ずれを検出する位置ずれ検出手段とを備えている。本実施形態では、観察手段としての顕微鏡２９２は、ホログラムマスク２００を介して、被露光基板２１０上に形成されたアライメントマークを観察するためのものである。顕微鏡２９２は、観察されたアライメントマークの画像を取り込むための例えばＣＣＤカメラ等の画像取込み装置を備えている。顕微鏡２９２により観察され、画像取り込み装置により取り込まれたホログラムマスク２００のアライメントマークと被露光基板２１０のアライメントマークの画像は、画像信号に変換され、位置ずれ検出手段としての位置ずれ検出装置２９４に送られる。位置ずれ検出装置２９４は、画像信号からホログラムマスク２００側のアライメントマークと被露光基板２１０側のアライメントマークの特徴点を抽出し、特徴点間の距離を算出するものである。例えば、被露光基板２１０上に十字状のアライメントマークが形成され、ホログラムマスク２００側にＸ字状のアライメントマークが形成されている場合において、特徴点として、例えば十字の交点及びＸ字の交点を各々抽出し、当該交点間の距離を算出する。この算出された距離情報を第１情報処理装置２３０に送信する。第１情報処理装置２３０は、また、このアライメント間の距離（アライメントずれ量）が減少するように、ステージ装置２２２をＸＹ方向に移動させ被露光基板２１０の位置を設定するようにも構成されている。これにより、ホログラムマスク２００と被露光基板２１０との位置合わせが可能となる。
【００２３】
遮光装置１１０は、本発明の遮光手段に係り、シャッターＳ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４；Ｓ３、Ｓ４は図１に図示せず）、第３情報処理装置１００、およびシャッター駆動装置１０２を備える。
【００２４】
シャッターＳは、光遮断材（ブラックカーボンやクロム）が塗布された金属等の光を遮断し得る短冊状部材であり、それぞれが独立してあるいは連動して移動可能になっている。したがって、シャッターＳ１〜４は、すべて個別の部材でなくてもよく、例えば、Ｓ１とＳ２、Ｓ３とＳ４が一部で連結された部材であってもよい。シャッターＳの大きさや遮光パターンは、特に限定するものではないが、被露光基板２１０上の感光性材料膜２１２に形成されたホログラムマスク２００との位置合わせに使用されるアライメントマーク（図示せず）を覆える最小限の大きさであることが好ましい。これによれば、被露光基板２１０上にパターンを形成し得る有効領域をより広げることが可能となる。
【００２５】
第３情報処理装置１００は、使用する被露光基板２１０上に形成されたアライメントマークの位置情報が記憶されており、遮光平面ＳＰ内におけるシャッターの位置を当該位置情報に基づいて計算したり、または、予め遮光平面ＳＰ内におけるシャッターの位置情報を格納している。シャッター駆動装置１０２は、モータと機構部品の組み合わせによって構成されており、公知の機構技術によって第３情報処理装置１００からの制御信号に基づいて、各シャッターＳの開閉が可能になっている。
【００２６】
図２は、本実施形態の露光装置の遮光機構を説明するための図である。図２は、シャッターＳを含む遮光平面ＳＰとプリズム２０１およびホログラムマスクＨＭの位置関係を示した三面図である。図２に示すように、本実施形態においては、被露光基板２１０上には、基板の略四隅に４つのアライメントマークＡ１〜Ａ４が形成されており、これに対応する４つのアライメントマークＰ１〜Ｐ４（Ｐ２，Ｐ３については図示せず）がホログラムマスクＨＭ側に形成されている。このホログラムマスクＨＭ側に形成されたアライメントマークＰ１〜Ｐ４が被露光基板２１０に形成された感光性材料膜２１２に露光されないよう、遮光平面ＳＰ内の対応する領域を４枚の遮光板としてのシャッターＳ１〜Ｓ４で覆う。これにより、露光光源Ｌから発せられた露光ビームの光経路が遮光平面ＳＰ内で一部遮断され、シャッターＳ１〜Ｓ４で覆った領域に対応する被露光基板２１０上の領域Ｂ１〜Ｂ４は遮光されることになる。したがって、ホログラムマスクＨＭ側に形成されたアライメントマークＰ１〜Ｐ４は、被露光基板２１０側に露光されることがない。
【００２７】
次に、図３乃至図６を参照しながら本実施形態の露光方法について説明する。図３乃至図６は、本実施形態の露光方法を説明するための図である。本実施形態では、半導体装置の製造方法を例に採り説明する。
【００２８】
まず、第１のパターニング（最初のパターニング）を行う。
図３（Ａ）に示すように、プリズム２０１に貼り合わせられたホログラムマスク２００ａのホログラム記録面２０２に、例えばＣｒ製の第１の原版マスク３００（元レチクルともいう）を用いて第１のレチクルパターンに対応する干渉縞を記録する。第１のレチクルパターンには、少なくとも薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含む薄膜回路に対応するパターンが含まれる。
【００２９】
具体的には、記録ビームＬ１（物体光）を第１の原版マスク３００に照射して第１の原版マスク３００を経た回折光をホログラムマスク２００ａのホログラム記録面２０２に射出する。この第１の原版マスク３００を介した記録ビームＬ１と、ホログラム記録面２０２の他方面側からプリズム２０１を透過させて照射した参照光Ｌ２とを干渉させる。これにより、ホログラム記録面２０２に所望のパターンの干渉縞が記録される。
【００３０】
図３（Ｂ）は、第１の干渉縞パターン３１０が形成されたホログラムマスク２００ａの一例を示す図である。図３（Ｂ）に示すように、第１の干渉縞パターン３１０には、薄膜回路を構成する第１の回路パターンに対応する干渉縞パターン３１２及びアライメントマークとなる干渉縞パターンＰ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、Ｐ４１が含まれる。
【００３１】
次に、図４（Ａ）に示すように、原版マスク３００が配置されていた位置に、原版マスク３００の代わりに第１の感光性材料膜２１２ａが形成された被露光基板２１０を配置する。その後、再生光である露光ビームＬ３を、図３（Ａ）における参照光Ｌ２の入射側と反対の方向（参照光Ｌ２の出射側）から、プリズム２０１を介してホログラム記録面２０２に照射し、被露光基板２１０上に形成された第１の感光性材料膜２１２ａを露光する。なお、この際、露光ビームＬ３の入射側にプリズム２０１の斜面が向くようにプリズム２０１の方向を変えてホログラムマスク２００ａをプリズム２０１に付け替える。これにより、ホログラム記録面２０２に記録された第１の干渉縞パターン３１０に対応するパターン３１４が被露光基板２１０上に形成される。図４（Ｂ）に、第１の干渉縞パターン３１０により形成されるパターン３１４の一例を示す。図４（Ｂ）に示すように、ホログラムマスク２００ａの干渉縞パターンＰ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、Ｐ４１に対応するアライメントマークＡ１〜Ａ４及び干渉縞パターン３１２に対応する第１の回路パターン３１６が形成される。その後、必要な現像やエッチング処理がなされて第１のパターニングが終了する。
【００３２】
次に、第２のパターニングを行う。
図５（Ａ）に示すように、プリズム２０１に貼り合わせられたホログラムマスク２００ｂのホログラム記録面２０２に、例えばＣｒ製の第２の原版マスク３０２を用いて第２のレチクルパターンに対応する干渉縞を記録する。第２のレチクルパターンには、少なくとも薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含む薄膜回路に対応するパターンが含まれる。干渉縞を記録する工程は、図３（Ａ）の工程と同様の方法により行われる。また、この干渉縞を記録する工程とは別に、物体光Ｌ１のみを照射することにより、ホログラムマスク２００ｂのホログラム記録面２０２に、アライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２を形成する。
【００３３】
図５（Ｂ）は、第２の干渉縞パターン及び第２のアライメントマークが形成されたホログラムマスク２００ｂの一例を示す図である。図５（Ｂ）に示すように、第２の干渉縞パターンには、薄膜回路を構成する第２の回路パターンに対応する干渉縞パターン３２０が含まれる。また、ホログラムマスク２００ｂの四隅には、このホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０との位置合わせを行うためのアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２が形成される。
【００３４】
次に、図６（Ａ）に示すように、原版マスク３０２が配置されていた位置に、原版マスク３０２の代わりに第１の回路パターン上に第２の感光性材料膜２１２ｂを形成した被露光基板２１０を配置する。その後、露光ビームＬ３を、図５（Ａ）における参照光Ｌ２と反対の方向（参照光Ｌ３の出射側）から、プリズム２０１を介してホログラム記録面２０２に照射し、第２の感光性材料膜２１２ｂを露光する。なお、この際も同様に、露光ビームＬ３の入射側にプリズム２０１の斜面が向くようにプリズム２０１の方向を変えてホログラムマスク２００ｂをプリズム２０１に付け替える。
【００３５】
本工程についてより具体的に説明する。
まず、第２の感光性材料膜２１２ｂが形成された被露光基板２１０とホログラムマスク２００ｂとの位置合わせを、被露光基板２１０上に形成されたアライメントマークＡ１〜Ａ４とホログラムマスク２００ｂに形成されたアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２とを重ね合わせることにより行う。具体的には、図１に示したように、ホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０を所定位置に設置した後、各アライメントマークが観察される位置に設置された顕微鏡２９２によりプリズム２０１の垂直面を介してホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０のアライメントマークの重なり画像を取り込む。顕微鏡２９２において取り込んだ画像を画像信号として、位置ずれ検出装置２９４に送信し、アライメントマークの重なり画像から特徴点を抽出する。例えば、アライメントマークＡ１の十字の交点とアライメントマークＰ１２のＸ字の交点の位置を抽出し、この交点間の距離を算出する。この距離情報を第１情報処理装置２３０に送り、この距離が減少するように、ステージ装置２２２を駆動してホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０との位置合わせを行う。
【００３６】
次に、シャッターＳ１〜Ｓ４（Ｓ３及びＳ４は図示せず）を用いて、アライメントマークが形成された領域（図６（Ｂ）における点線で囲まれた四隅の領域）に対応する遮光平面ＳＰ内の領域を遮断する。これにより、後に露光ビームを照射した際、ホログラムマスク２００ｂに形成されたアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２は、第２の感光性材料膜２１２ｂ上に露光されないことになる。
【００３７】
その後、露光ビームＬ３をシャッターＳ１〜Ｓ４を介して、ホログラム記録面２０２に照射する。シャッターＳ１〜Ｓ４で遮断されているため、感光性材料膜２１２ｂには、ホログラムマスク２００ｂのアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２に対応するアライメントマークは形成されずに、ホログラム記録面２０２上に記録された干渉縞パターン３２０に対応する第２の回路パターン３２４のみが形成されることになる。その後、必要な現像やエッチング処理がなされて第２のパターニングが終了する。
【００３８】
なお、図５及び図６に記載の工程を繰り返すことにより、第３のパターニング、第４のパターニング、・・・、を行ってもよい。
【００３９】
本実施形態によれば、第２のパターニング以降の露光工程において、シャッターＳ１〜Ｓ４を用いて露光ビームの光路を遮断することにより、被露光基板２１０上に第２のパターニング以降に用いるホログラムマスクのアライメントマーク（例：ホログラムマスク２００ｂのアライメントマーク）が露光されないようにし得る。これにより、被露光基板２１０上に、使用するホログラムマスクの数分のアライメントマークを形成せずに済むので、アライメントマークに使用する領域を狭めることが可能となる。したがって、半導体装置の回路パターン形成に利用し得る領域を広げることが可能となる。例えば、図７に示すように、アライメントマークを形成した以外の領域を半導体装置の回路パターン形成に用いることも可能となる。
【００４０】
なお、上記例では、シャッターＳ１〜Ｓ４の開閉機構については、図２に示したように、平行に移動させることにより開閉可能に構成したものを例示したが、これに限定されない。したがって、例えば、図８に示すように、シャッターＳ１〜Ｓ４は、回転式に開閉可能としたものであってもよい。具体的には、シャッターＳ１〜Ｓ４は、例えばステッピングモータ等を用いて、遮光平面内で開閉自在に稼動し得るよう構成されたものであってもよい。
また、シャッターＳ１〜Ｓ４の位置は、図１に示す位置に限定されない。シャッターＳ１〜Ｓ４は、露光光源２８０から露光ビームがホログラムマスク２００を介して感光性材料膜表面２１４に至るまでの光経路において、ホログラムマスク２００に形成されたアライメントマーク（図２中図示せず）が被露光基板２１０上に露光されないようにし得る位置であれば特に限定されない。すなわち、ホログラムマスク２００上のアライメントマークが形成された領域（アライメントマーク形成領域）を通過する露光ビーム又はアライメントマーク形成領域を通過した露光ビームを遮断し得る位置に配置されていればよい。
【００４１】
本発明の半導体装置の製造方法は、例えば、ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの電気光学装置における各画素を構成する画素回路や、当該画素回路を制御するドライバ（集積回路）の形成等に適用することができる。また、このような電気光学装置の製造以外にも、種々のデバイス製造に適用することが可能である。例えば、ＦｅＲＡＭ（ferroelectric RAM）、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＮＯＲ型ＲＡＭ、ＮＡＮＤ型ＲＡＭ、浮遊ゲート型不揮発メモリ、マグネティックＲＡＭ（ＭＲＡＭ）など各種のメモリ製造が可能である。また、この他、薄膜トランジスタを使用して集積化したセンサ、ＣＰＵを搭載したバンクカード等にも利用可能である。さらに、マイクロ波を用いた非接触型の通信システムにおいて、微小な回路チップ（ＩＣチップ）を搭載した安価なタグを製造する場合にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、本実施形態の露光装置の全体構成を示す図である。
【図２】図２は、本実施形態の露光装置の遮光機構を説明するための図である。
【図３】図３は、本実施形態の露光方法を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態の露光方法を説明するための図である。
【図５】図５は、本実施形態の露光方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本実施形態の露光方法を説明するための図である。
【図７】図７は、本実施形態の効果を説明するための図である。
【図８】図８は、シャッターＳ１〜Ｓ４の開閉機構の他の例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４３】
１００・・・第３情報処理装置、１０２・・・シャッター駆動装置、１１０・・・遮光装置、２００，２００ａ，２００ｂ・・・ホログラムマスク、２０１・・・プリズム、２０２・・・ホログラム記録面、２１０・・・被露光基板、２１２・・・感光性材料膜、２１２ａ・・・第１の感光性材料膜、２１２ｂ・・・第２の感光性材料膜、２１４・・・感光性材料膜表面、２２０・・・ステージ、２２２・・・ステージ装置、２３０・・・第１情報処理装置、２４０・・・距離測定光学系、２５０・・・膜厚測定光学系、２６０・・・光源、２７０・・・第２情報処理装置、２８０・・・露光光源、２８２・・・露光光源駆動装置、３００・・・第１の原版マスク、３０２・・・第２の原版マスク、３１０・・・第１の干渉縞パターン、３１２・・・干渉縞パターン、３１４・・・パターン、３１６・・・第１の回路パターン、３２０・・・第２の干渉縞パターン、３２２・・・干渉縞パターン、３２４・・・第２の回路パターン、Ａ１〜Ａ４・・・アライメントマーク、Ｂ１〜Ｂ４・・・領域、ＨＭ・・・ホログラムマスク、Ｌ・・・露光光源、Ｌ１・・・記録ビーム、Ｌ２・・・参照光、Ｌ３・・・露光ビーム、Ｐ・・・プリズム、Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ４１・・・干渉縞パターン、Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２，Ｐ４２・・・アライメントマーク、Ｐ１〜Ｐ４・・・アライメントマーク、Ｓ・・・シャッター、Ｓ１〜Ｓ４・・・シャッター、ＳＰ・・・遮光平面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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