(57)【要約】【課題】コストをかけることなく主に設計上の工夫により、めっきスタブからのノイズやめっきスタブ自身から発生する放射ノイズによる信号波形のひずみを防御することができるとともに、外部からめっきスタブを通して流入するノイズを防御することができ、結果として信号伝送性に優れたものとなる半導体装置を提供する。【解決手段】複数の電極２を有する半導体素子１と、この半導体素子１の電極２に接続する複数の導体配線５、１０、１１、…と、導体配線５、１０、１１、…に付随するめっきスタブ７と、基材上において複数層に形成された配線層５１、５２とを備える。第１の導体配線５に付随するめっきスタブ７と、この第１の導体配線５に隣り合う単数または複数の第２の導体配線１０、１１に付随するめっきスタブ１２、１３とが、異なる導体配線層５１、５２に存在している。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する複数の導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、第１の導体配線に付随するめっきスタブと、前記第１の導体配線と隣り合う単数または複数の第２の導体配線に付随するめっきスタブとが、異なる導体配線層に存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導体配線は接地もしくは電源に接続されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の導体配線を伝送する信号がデジタル信号であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
デジタル信号の周波数帯が１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の導体配線に付随するめっきスタブと第２の導体配線に付随するめっきスタブとの距離が、第１の導体配線に付随するめっきスタブと、この第１の導体配線に付随するめっきスタブと同一配線層に存在する他のめっきスタブとの最小配線間隔よりも大きいことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、前記導体配線は複数の配線層にわたって形成され、前記めっきスタブは、導体配線から基材の周辺部に向けて形成されるとともに、導体配線の配置にもとづきこのめっきスタブの長さを最小にすることができる配線層に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基材上に設けられて電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、前記導体配線は、前記電極から、基材における半導体素子が設けられた面とは反対側の面に向けて複数の配線層にわたって、かつ前記電極から基材の周辺部に向けて形成され、前記めっきスタブは、前記反対側の面の配線層において導体配線から基材の周辺部に向けて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基材上に設けられて電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、前記導体配線は、前記電極から、基材における半導体素子が設けられた面とは反対側の面に向けて複数の配線層にわたって、かつ基材の周辺部から基材の中央部に向けて形成され、前記めっきスタブは、前記半導体素子側の面の配線層において導体配線から基材の周辺部に向けて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する複数の導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブとを備え、前記めっきスタブの線幅が前記導体配線の線幅よりも小さく形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の導体配線に付随するとともに第２の導体配線に隣り合って配置されためっきスタブの線幅が、前記第１および、または第２の導体配線の線幅よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する複数の導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブとを備え、隣り合う導体配線どうしの線間隔よりもこれら導体配線に付随して隣り合うめっきスタブどうしの線間隔の方が大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１の導体配線に付随するとともに第２の導体配線に隣り合って配置されためっきスタブと、前記第２の導体配線との線間隔が、前記第１の導体配線と第２の導体配線との線間隔よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に、信号伝送の際の耐ノイズ性に優れ、また高速信号の伝送の際にすぐれた効果を発揮する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高速化に伴い、半導体装置も高密度化、高機能化、高速化を要求され始めてきている。その中で半導体装置の実装形態としては、周辺端子ではなく面全体にわたり格子状に端子を配置できるグリッドアレイ型が、高密度実装の主流として注目され開発されている。クリッドアレイ型の半導体装置では、通常は配線基板を用いて上記要望に対応することが多い。配線基板を用いれば、３次元的に配線層を積層でき、多くの配線を高密度に配線できる他、配線の自由度も大きくまた、電気的な強化もし易いことが、その理由である。
【０００３】
従来のＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）型の半導体装置については、特許文献１に開示されたものが一例として挙げられる。図１７はこの種の例に代表される従来の半導体装置の配線基板、図１８は従来の半導体装置の配線パターンで図１７の配線部分を拡大している。これらを参照して説明する。図１７のような配線基板を用いた半導体装置では、まず配線連結基板５０に半導体素子１を搭載し、半導体素子１上の電極２と基板５０の導体配線５上のパッド９とをワイヤーボンドやバンプの金属突起により電気的に接続する。配線基板５０は複数の配線層からなっているが、ビア６は、異なる配線層にある導体配線どうしを垂直方向に連結し、電気的に繋げるものである。その後、図示はしないが、樹脂封止し、半田ボールと言われる電極端子を装着した上で、図の点線部３で個々の個別基板に切断する。
【０００４】
それが、図１８に示す個片化された部分である。図１８において、５１、５２は配線層である。導体配線５のパッド９には、接続性を確保するためにめっき処理を行っている。このときのめっきには、一般にコスト、処理速度の点から電解めっきが用いられていることが多い。そのため図１７に示すように電解めっき用のめっきリード８がめっきスタブ７を介して導体配線５に付随し、電極端のパッド９をめっきするものである。さらに、パターニング形成の容易さから、それらは最上層もしくは最下層の配線に付随している。めっきリード８は図１７に示す連結基板の状態では導体配線５の全てに繋がり、電気的に全てショートしているが、該当パッド９へのめっきが完了し、個々の基板に切断される時には、信号伝送には不要となる上、個々の導体配線５をショートしていては信号伝送ができない。そのため、点線部３に沿った切断時には個々の導体配線５が電気的に独立したものになるようにするが、切断後には図１８中の各導体配線５にめっきスタブ７として残存させることになる。２４は半田ボール、４はパッド９と電極２とを接続するワイヤーである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−１１２３５４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では下記の課題があった。
まず、導体配線５に信号を伝送する際、残存するめっきスタブ７は、電気的にも全く不要なものである。また、それを完全に除去するには無電解めっきを用いなければならず、コストや製造能力を考慮すれば、現実的ではない。
【０００７】
次に、めっきスタブ７が残存することに基づくさらなる課題を述べる。
１点目として、図１７および図１８に示すようにめっきスタブ７が基板の最上層や最下層にまとめて存在していると、両隣の導体配線１０および１１からめっきスタブ７を経由して、このめっきスタブ７が付随している導体配線５へノイズが流入したり、導体配線１０および１１に付随しためっきスタブ１２および１３とめっきスタブ７との干渉によってもノイズが入る恐れがある。特にＢＧＡ等の配線基板を用いた半導体装置では高密度に配線されることが多く、今後の高機能化に伴い、入出力端子数は益々増大する方向にあるため、配線密度は上昇する一方であり、将来はこの懸念に加えめっきスタブ同士の電気的ショートやマイグレーションによる電気的破壊にまで問題は発展しかねない。また信号の高速化に際しては、周波数が高くなったり、信号振幅が小さくなったりするので、ノイズについてはそれだけ敏感になり、このような課題はより顕著になると推測される。
【０００８】
２点目は、めっきスタブ７の長さ自体である。一般にめっきスタブから電磁放射が生じることが知られており、その放射ノイズが他の信号に波形のひずみ、遅れなどの不具合を生ずる。さらに伝送される信号が高速になると、周波数や信号の種類によってはめっきスタブ７が容量性を持ったりして導体配線を伝送する信号に悪影響を及ぼす可能性があるし、配線基板でインピーダンス整合を行う際には、そのスタブのために不要な反射を生じ本来目的としたインピーダンスが得られなくなってしまう。また不要な放射のノイズはエネルギー損失にもなる。
【０００９】
このように従来の半導体装置は、めっきスタブについての以上の懸念に対して全く対策がなされていないものである。
本発明は上述した従来の半導体装置に見られる課題を解決するものであり、コストをかけることなく主に設計上の工夫により、めっきスタブからのノイズやめっきスタブ自身から発生する放射ノイズによる信号波形のひずみを防御することができるとともに、外部からめっきスタブを通して流入するノイズを防御することができ、結果として信号伝送性に優れたものとなる半導体装置を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明の半導体装置は以下の構成を有する。
まず、複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する複数の導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、第１の導体配線に付随するめっきスタブと、前記第１の導体配線と隣り合う単数または複数の第２の導体配線に付随するめっきスタブとが、異なる導体配線層に存在している。
【００１１】
これにより、信号を伝送する導体配線およびめっきスタブと、隣り合う導体配線のめっきスタブとが離れているので、めっきスタブから流入するノイズを防ぐことができる。
【００１２】
次に、第１の導体配線は接地もしくは電源に接続されたものである。
これにより、接地もしくは電源に接続された第１の導体配線にめっきスタブから悪影響が及ぶことを防止できる。
【００１３】
次に、第１の導体配線を伝送する信号がデジタル信号である。
これにより、上記ノイズを効果的に防ぐことができる。
また、上記デジタル信号の周波数帯が１００ＭＨｚ以上である。
【００１４】
これにより、上記ノイズを効果的に防ぐことができる。
さらに第１の導体配線に付随するめっきスタブと第２の導体配線に付随するめっきスタブとの距離が、第１の導体配線に付随するめっきスタブと、この第１の導体配線に付随するめっきスタブと同一配線層に存在する他のめっきスタブとの最小配線間隔よりも大きい。
【００１５】
これにより、上記ノイズの対策に加え、めっきスタブ同士の干渉をより効率的に防ぐことができる。
次に、電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、前記導体配線は複数の配線層にわたって形成され、前記めっきスタブは、導体配線から基材の周辺部に向けて形成されるとともに、導体配線の配置にもとづきこのめっきスタブの長さを最小にすることができる配線層に形成されている。または、基材上に設けられて電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、前記導体配線は、前記電極から、基材における半導体素子が設けられた面とは反対側の面に向けて複数の配線層にわたって、かつ前記電極から基材の周辺部に向けて形成され、前記めっきスタブは、前記反対側の面の配線層において導体配線から基材の周辺部に向けて形成されている。さらにもしくは、基材上に設けられて電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブと、基材上において複数層に形成された配線層とを備え、前記導体配線は、前記電極から、基材における半導体素子が設けられた面とは反対側の面に向けて複数の配線層にわたって、かつ基材の周辺部から基材の中央部に向けて形成され、前記めっきスタブは、前記半導体素子側の面の配線層において導体配線から基材の周辺部に向けて形成されている。
【００１６】
これらにより、めっきスタブの長さを最も短くできるので、めっきスタブからの電気的放射やノイズ、めっきスタブどうしの電気的干渉を、効果的に防ぐことができる。また、配線基板でのインピーダンス整合も容易となり信号の歪みも低減できる。
【００１７】
さらに、複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する複数の導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブとを備え、前記めっきスタブの線幅が前記導体配線の線幅よりも小さく形成されている。この場合に、第１の導体配線に付随するとともに第２の導体配線に隣り合って配置されためっきスタブの線幅が、前記第１および、または第２の導体配線の線幅よりも小さく形成されていることが好適である。
【００１８】
もしくは、複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に接続する複数の導体配線と、前記導体配線に付随するめっきスタブとを備え、隣り合う導体配線どうしの線間隔よりもこれら導体配線に付随して隣り合うめっきスタブどうしの線間隔の方が大きく形成されている。この場合に、第１の導体配線に付随するとともに第２の導体配線に隣り合って配置されためっきスタブと、前記第２の導体配線との線間隔が、前記第１の導体配線と第２の導体配線との線間隔よりも大きく形成されていることが好適である。
【００１９】
これらにより、めっきスタブからの電気的放射やノイズの影響、めっきスタブどうしの電気的干渉を、効果的に防ぐことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置における配線基板の平面図である。図２（ａ）は、図１の半導体装置の一部の拡大図であって、図１の配線基板が個片化された部分の表層のパターンで、しかも主に４方向の内、代表として１方向のみのパターンを示している。また図２（ｂ）は、下層のパターン例を示す。
【００２１】
図１において、半導体素子１は電極端子２を有し、ここでは、配線基板上に搭載されてはいるが、まだ樹脂封止されていない状態を示す。しかし、上述の従来例と同様に、封止後、半田ボールを実装後には、結果的に点線で示される個辺切断位置３で切断される。図１と図２の関係は、図１７および図１８の従来例の通りであるので、以降は図２を用いて説明する。
【００２２】
図２（ａ）（ｂ）において、５１は表層を形成する配線層、５２は下層を形成する配線層である。配線基板はワイヤー４等によって半導体素子１と電気的に接続され、配線基板上には、導体配線５と、異なる配線層の導体配線どうしを垂直方向に接続するビア６と、導体配線に付随しためっきスタブ７とがある。めっきスタブ７は基板の切断前には図１のめっきリード線８とつながっているため、これを用いて電解めっきが可能で、図２における導体配線５の接続端に設けられたパッド９以外をソルダーレジスト等でマスクした後に電解めっきすれば、パッド９だけにめっきがなされて、ワイヤー４と導体配線５との接続のための界面を保護できる。導体配線５が銅材質の場合には、めっきとしては一般に電解ニッケルめっき後に電解金メッキ処理がなされる。またここでは半導体素子１と配線基板との接続構造としては一例としてワイヤー４による接続を示しているが、接続方法や材質等特に限定はなく、両者を電気的に接続するために可能なものであればいずれでも良い。以上のような各部の構成およびその関係は以降の全ての実施の形態において同様のため、以降ではその詳細な説明を省略する。
【００２３】
この実施の形態１では、半導体素子１のアナログ端子と接続されている導体配線５のめっきスタブ７に隣接している導体配線１０および１１のめっきスタブ１２および１３が、めっきスタブ７と同一の配線層５１でなく、別の配線層５２に設けられている。この場合に、直下の層に設けられていても、２層下の層であっても、異なる配線層であれば構わない。さらに配線基板の全体の層数も、複数であれば、本実施の形態１の範疇に入る。なお、１４は下層の導体配線、２４は半田ボールである。
【００２４】
本実施の形態１によれば、少なくとも隣接する導体配線１０、５、１１のめっきスタブ１２、７、１３が別層に存在すればよく、極端には図３のように、導体配線５以外の残り全ての導体配線のめっきスタブが異なる配線層にあっても良い。但し、いずれにせよめっきスタブの形成は通常の各層における導体配線のパターニングと同様に一括で行われるため、工程数としては、本実施の形態１を採用しない場合と同一になる。つまり、本実施の形態１の場合のように下層にアナログの導体配線５の両隣の導体配線１０および１１のめっきスタブ１２および１３を設ける場合には、図２（ｂ）に示すように下層５２のパターンの一部としてめっきスタブ１２および１３を予め準備しておき、導体配線１４のパターニングと同時に行うだけである。そしてこのようにめっきスタブ１２、１３を表層以外の配線層５２に設けた場合には、図１の連結基板の状態ではビア６を介してめっきリード線８と繋がれる。
【００２５】
本実施の形態１の半導体装置を実現するための製造方法については、全く従来技術の範囲であり、めっきスタブをいずれの層に設けるかという点のみが異なっている。図４は、本実施の形態１の配線基板の製造方法例を示す。すなわち、まず同図（ａ）に示す銅箔付絶縁層１５に、同図（ｂ）に示すようにフォトレジスト１６でパターニングし、同図（ｃ）に示すように内層銅箔１７の不要な部分を除去する。同図（ｃ）に示すように両面のパターニングが終了すれば、同図（ｄ）に示すようにその上面に外層用銅箔付絶縁層１８をプレスし、同図（ｅ）に示すようにドリルで貫通孔１９を空け、同図（ｆ）に示すようにその部分に銅めっき２０を行い、最上層の外層銅箔２１と電気的に導通させる。さらに同図（ｇ）に示すように最上層および最下層を先ほどの内層と同様にパターニングすればよい。２２は最下層の外層銅箔である。
【００２６】
以上は代表的な４層基板の製造方法であるが、この製造方法はあくまで一例で、本実施の形態１では、各層のパターニングの際にめっきスタブ１２および１３を目的の層に設けるものであればよい。例えば図４の最下層の外層銅箔２２が図２（ｂ）に示すようにパターニングされているだけで、それ以外の層は上記と同様のパターニングしかなされていなくても、本実施の形態１に該当する。
【００２７】
以上の構成によれば、アナログ信号を伝送する導体配線５のめっきスタブ７と、少なくとも両隣の導体配線１０および１１のめっきスタブ１２および１３とは、それぞれ配線層が異なっているために、これらめっきスタブどうしが隣接せず、これらめっきスタブどうしの間隔が広く、まためっきスタブ１２および１３と導体配線５と距離も大きくなる。そのためにめっきスタブ１２および１３から電磁放射やノイズが起こっても、アナログ信号の伝送する導体配線５へのその悪影響が及ぶことを防止できる。
【００２８】
従って、ノイズが少なくアナログ信号伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２における配線基板の配線パターン例である。図中の番号は、導体配線２５を除き、図１と図２で使用したものと同一である。本実施の形態２は、実施の形態１とは、該当する導体配線、すなわち隣接する導体配線とは配線層が異なるように形成された特定の導体配線の伝送信号が、接地もしくは電源であることが異なっている。つまり図５で、特定の導体配線２５は、接地もしくは電源に接続されるものである。
【００２９】
以上の構成によれば、接地もしくは電源の導体配線２５のめっきスタブ７が少なくとも両隣の導体配線１０、１１のめっきスタブ１２、１３とは配線層５１、５２が異なっているために、めっきスタブどうしが隣接せず、めっきスタブどうしの間隔は広く、まためっきスタブ１２および１３と導体配線２５との距離も大きくなる。そのために、めっきスタブ１２および１３から電磁放射やノイズが起こっても、接地および電源の導体配線２５へのその悪影響が及ぶことを防止できる。
【００３０】
従って、接地および電源にノイズが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態３）
図６は本発明の実施の形態３における半導体装置の配線パターン例で、図中の番号は、導体配線２６を除き、図１と図２で使用したものと同一である。本実施の形態３は、実施の形態１とは、該当する導体配線２６の伝送信号がデジタル信号であることが異なっている。
【００３１】
以上の構成によれば、デジタル信号の導体配線２６のめっきスタブ７が、少なくとも両隣の導体配線１０、１１のめっきスタブ１２および１３（図示省略）とは配線層が異なっているために、両者が隣接せず、両者の間隔は広く、また導体配線１０、１１のめっきスタブから導体配線２６までの距離も大きくなる。
【００３２】
デジタル信号は高調波成分を含み、実際には名目の周波数の数倍から１０倍もの高周波成分を有している。ノイズが生じたときに、その高周波成分はノイズに敏感なため、結果的に信号に与える影響が大きい。しかし、上記の構成のために、導体配線１０、１１のめっきスタブから電磁放射やノイズが起こっても、デジタル信号を伝送する導体配線２６へその悪影響がおよぶことを防止することができる。
【００３３】
従って、ノイズが少なくデジタル信号伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
以上、実施の形態１、２、３では信号の種類を別々に説明したが、これら実施の形態１、２、３の本質は、少なくとも１本の導体配線のめっきスタブとその両隣のめっきスタブとで実現されていれば良く、本発明は、１つの半導体装置の各々の導体配線において上記実施の形態１、２、３を同時に実現するものも含む。
（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４における半導体装置の配線パターン例を示す。本実施の形態４は、実施の形態３とは、伝送する周波数帯が１００ＭＨｚ以上である点が異なっている。１００ＭＨｚ以上のデジタル信号では、特にノイズの影響が大きくなる。そのため、デジタル信号の中で１００ＭＨｚ以上のものを伝送する導体配線２７に付随するめっきスタブ７と、その両隣の導体配線１０、１１に付随するめっきスタブ１２、１３だけを選択して、異なる導体配線層５１、５２に設ける構成にしている。
【００３４】
以上の構成によれば、デジタル信号の中で１００ＭＨｚ以上のものを伝送する導体配線２７のめっきスタブ７が、その両隣の導体配線１０、１１のめっきスタブ１２、１３とは配線層が異なっているために、これらめっきスタブどうしが隣接せず、これらめっきスタブどうしの間隔が広く、また導体配線２７とその両隣の導体配線１０、１１のめっきスタブ１２、１３との距離も大きくなる。
【００３５】
１００ＭＨｚ以上もの高速信号になれば、その高調波成分として約１ＧＨｚの信号が伝送される場合を考えて、優先的にノイズの対策が必要である。その場合に、デジタル信号の中で上記の１００ＭＨｚ以上の信号を限定して導体配線間隔を取るため、上述の実施の形態３よりも効果的に対策を講じることが可能になる。
【００３６】
すなわち、図６に比べて図７では、１００ＭＨｚ以上の信号の導体配線２７のめっきリード７だけを、異なる配線層に設けている。そのために、別のめっきスタブ１２、１３からの電磁放射やノイズが起こっても、１００ＭＨｚ以上のデジタル信号を伝送する導体配線２７へその悪影響が及ぶことを防止できる。
【００３７】
従って、ノイズが少なくデジタル信号伝送波形に歪みが少ない半導体装置用の配線基板を提供することができる。
（実施の形態５）
図８は、本発明の実施の形態５における半導体装置の配線パターン例を示す。本実施の形態５において、実施の形態１から４までとの相違点は、次の通りである。すなわち、導体配線５のめっきスタブ７と、導体配線５の両隣の導体配線１０および１１に付随しかつ異なる配線層に存在するめっきスタブ２９Ａおよび２９Ｂとの距離が、この導体配線５のめっきスタブ７から、導体配線５が形成された同一配線層内の他の導体配線に付随するめっきスタブ２８Ａや２８Ｂとの最小間隔よりも大きくなるように構成されている。
【００３８】
つまり、導体配線５と同一配線層５１内におけるめっきスタブ７からめっきスタブ２８Ａや２８Ｂまでのめっきスタブどうしの最小間隔３０よりも、めっきスタブ７と、異なる配線層５２のめっきスタブ２９Ａ、２９Ｂとの間隔３１の方が大きくなるように構成されている。尚、ここでは導体配線５としているが、アナログ、デジタル、電源および接地等、伝送する信号の種類は問わない。
【００３９】
以上の構成によれば、ある導体配線５のめっきスタブ７がその両隣の導体配線１０、１１のめっきスタブ２９Ａおよび２９Ｂとは配線層が異なっていて、加えてそれに至る距離は同一配線層内でもっとも近接しためっきスタブ２８Ａおよび２８Ｂに至る距離よりも大きいために、当該両隣の導体配線１０、１１のめっきスタブ２９Ａおよび２９Ｂは、導体配線５のめっきスタブ７から十分に距離の離れているところに位置することになる。そのためにめっきスタブ２９Ａおよび２９Ｂから電磁放射やノイズが起こっても、導体配線５へその悪影響が及ぶことを防止することができる。
【００４０】
従って、ノイズが少なく伝送波形に歪みが少ない半導体装置用の配線基板を提供することができる。
（実施の形態６）
本実施の形態６も、先述した実施の形態１〜４とは配線パターンが異なるのみであるので、その部分に限定して述べる。図９は本発明の実施の形態６における半導体装置の断面図で、１は半導体素子、５は導体配線、４はワイヤー、６はビアである。
【００４１】
矢印４８は一連の信号経路を示し、この信号経路４８は、半導体素子１からワイヤー４へ、さらに導体配線５、ビア６を数回介して、半田ボール２４へ至るものである。半導体素子１は、樹脂４９で封止されている。２３はソルダーレジストである。尚、本実施の形態６では、４層基板によって回路を構成している。
【００４２】
そして本実施の形態６では、めっきスタブ７の長さＬが最も短くなるように、このめっきスタブ７の存在する配線層として第４層を選択している。つまり、第２層目で点線にて示す仮に想定しためっきスタブ３５を設けた場合には、その長さは配線基板外周からビア６までの距離となるが、第４層目に設けた場合のめっきスタブ７の長さＬは配線基板外周からビア６までの距離となるため、明らかに短くなる。
【００４３】
本実施の形態６では、全ての導体配線に付随するめっきスタブについて、個々にこのような選択方法を採用する。図１０は、本実施の形態６における半導体装置の断面図であって、個々に最短なめっきスタブを設けた例を示す。導体配線５Ａでは第２層にめっきスタブ７Ａを設け、導体配線５Ｂでは第３層にめっきスタブ７Ｂを設けることになる。尚、これよりも層数や配線数が多くなれば、その選択肢が増えるが、処理方法は上記と同様である。
【００４４】
以上の構成によれば、めっきスタブ７、７Ａ、７Ｂは、各導体配線５に最短の長さで付随していることになり、めっきスタブ７、７Ａ、７Ｂからの電磁放射、ノイズ等の電気的影響は最小限になる。また、インピーダンス制御を行う際にも、めっきスタブ７、７Ａ、７Ｂの電気的影響を無視できるため、容易に実現できる。
【００４５】
従って、ノイズや電磁放射が少なく、エネルギー損失の少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態７）
図１１は、本発明の実施の形態７における半導体装置の断面図である。
【００４６】
本実施の形態７では、導体配線５は、配線基板をその外部に向かって信号経路の矢印４８に従って一方向に配線されている。６はビアである。すなわち、半導体素子１上の電極２の端子と接続されているパッド９から反対側の半田ボール２４までは、最短の距離で配線されていることになる。さらにここでは、めっきスタブ７Ｃを、最下層の導体配線端に最短距離で接続する。そのために、例えば他の配線層の配線端に接続されている場合に比べて、めっきスタブ７Ｃは最も短くなる。Ｌはその長さである。これらを少なくとも１つの導体配線５において実現する。
【００４７】
以上の構成によれば、めっきスタブ７Ｃは、各導体配線に最短の長さで付随していることになり、導体配線ではめっきスタブの影響は最小限になり、その効果で両隣のめっきスタブどうしの影響も少なくなる。特にめっきスタブは、伝送する周波数つまり波長に対して配線長が長いと容量性を持ったり誘電性を持ったりして付随する導体配線に電気的影響を与えるので、信号が高速になると、波長は短くなり、相対的にめっきスタブの配線長の影響が大きくなってその影響を助長してしまう恐れがある。つまり本来あるべき伝送波形を歪ませてしまう。本実施の形態７はこれらの悪影響を防御できる作用を有する。また、インピーダンス制御を行う際にも、めっきスタブの電気的影響を無視できるため、容易に実現できる。
【００４８】
従って、信号を伝送する場合に伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態８）
図１２は本発明の実施の形態８における半導体装置の断面図である。図中の番号は全て図１１で使用したものと同一である。本実施の形態８では、導体配線５は、ビア６を介して配線基板の中心に向かって矢印４８に示す一方向に配線されている。すなわち、ビア６から半田ボール２４までは最短の距離で配線されていることになる。ここではめっきスタブ７Ｃを最上層の導体配線に最短距離で接続する。そのためにここでも、例えば他の配線層の配線端に接続されている場合に比べてめっきスタブは最も短くなる。これらを少なくとも１つの導体配線において実現する。
【００４９】
これによる作用も、先の実施の形態７と同様に、めっきスタブ７Ｃからそれが付随する導体配線５自身への影響や両隣のめっきスタブへの影響を低減することができる点にある。また、インピーダンス制御を行う際にも、めっきスタブ７Ｃの電気的影響が無視できるため、容易に実現できる。
【００５０】
従って、信号を伝送する際、伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態９）
図１３は、本発明の実施の形態９における半導体装置の配線パターンである。
【００５１】
本実施の形態９では、めっきスタブ７の配線幅が、それが付随する導体配線の配線幅よりも小さくなっている。９は、導体配線５の接続端に設けられたパッドである。上述のように配線幅を変えずに配線間隔を単純に広げたものであると、広げた側と反対側との配線間隔が狭くなる場合が生じるが、このようにめっきスタブ７の配線幅を小さくした場合はそのような懸念がなく、該当する配線幅を小さくするだけなので、その両側の配線間隔を広くできる利点がある。その上、線幅を狭くでき、めっきスタブ７部分の抵抗値を上げることができる。スタブ自体は信号の経路にないため、この抵抗値は導体配線を信号が伝送する時には直接関係しない。
【００５２】
この構成により、隣り合うめっきスタブ７同士の配線間隔が広く、隣り合うめっきスタブ７と導体配線５との距離も広い。まためっきスタブ７の配線幅が小さいため、その部分の抵抗が大きく、ノイズ電圧が外部から流入しても付随する導体配線に及ぼす電流の絶対量は小さくなる。故に、両隣の導体配線からのめっきスタブ７を経由したノイズと、逆にこのめっきスタブ７から隣接のめっきスタブを経由して導体配線へ流入する放射やノイズとを低減できる。
【００５３】
従って、信号を伝送する際、伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態１０）
図１４は、本発明の実施の形態１０における半導体装置の配線パターンである。本実施の形態１０では、実施の形態９と比べて、めっきスタブの配線幅が、導体配線５に並走するめっきスタブ３９に限って、このめっきスタブ３９が付随する導体配線の配線幅よりも小さくなっている点が異なっている。めっきスタブ３９が隣の導体配線５とほぼ並走している場合には、この導体配線５からのノイズがめっきスタブ３９に入り、このめっきスタブ３９に付随する導体配線に信号波形の乱れの悪影響を与える可能性が大きくなるが、めっきスタブ３９がそれと並走している導体配線５より線幅が狭いと、その悪影響が効果的に低減される。また半導体素子の端子数が多くなると配線がより高密度になるために上記課題はより顕著になり、信号の誤動作へとつながるが、それを防止することができる。
【００５４】
この構成により、両隣の導体配線５、５からのめっきスタブ３９を経由したノイズと、逆にこのめっきスタブ３９から隣りの導体配線５、５への放射やノイズとを低減できる。
【００５５】
従って、信号を伝送する際、伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態１１）
図１５は、本発明の実施の形態１１における半導体装置の配線パターンである。本実施の形態１１では、隣り合うめっきスタブ７、７どうしの配線間隔４１が、それが付随する導体配線５、５どうしの配線間隔４０よりも大きくなっている。通常配線ではパッド９のピッチが導体配線中最小で、基板外周へ行くほど配線スペースは大きくなるため、めっきスタブ７、７どうしの間隔４１は導体配線の間隔４０より広くできる。そのために、めっきスタブ７からのノイズを受ける可能性は低くなる。例えば、めっきスタブ７には両隣の導体配線や両隣のめっきスタブからのノイズが流入し、それに付随する導体配線５に信号波形の乱れの悪影響を与える可能性があるが、めっきスタブの配線間隔が広いと、それが低減される。また半導体素子の端子数が多くなると配線はより高密度になるために、信号波形の乱れなどはより顕著になり、信号の誤動作へとつながるが、それを防止できる。
【００５６】
この構成により、両隣の導体配線５、５からのめっきスタブ７を経由したノイズと、逆にこのめっきスタブ７から隣接のめっきスタブ７を経由して導体配線５へ流入する放射やノイズとを低減できる。
【００５７】
従って、信号を伝送する際、伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
（実施の形態１２）
図１６は、本発明の実施の形態１２における半導体装置の配線パターンである。本実施の形態１２では、実施の形態１１と比べて、めっきスタブと導体配線５との配線間隔が、隣りの導体配線５と並走するめっきスタブ３９に限って、このめっきスタブ３９が付随する導体配線５と他の導体配線５との配線間隔よりも大きくなっている点が異なっている。
【００５８】
めっきスタブ３９が隣の導体配線５とほぼ並走している場合には、それらからのノイズがめっきスタブ３９に入り、このめっきスタブ３９に付随する導体配線５に信号波形の乱れの悪影響を与える可能性が大きくなるが、めっきスタブ３９どうしの配線間隔４１が、それに付随する導体配線５と他の導体配線５との間隔４０よりも大きいと、その悪影響が効果的に低減される。また半導体素子１の端子数が多くなると配線はより高密度になるために、上記課題はより顕著になり、信号の誤動作へとつながるが、それを防止できる。
【００５９】
この構成により両隣の導体配線５、５からのめっきスタブ３９を経由したノイズと、逆にこのめっきスタブ３９から導体配線５への放射やノイズとを低減できる。
【００６０】
従って、信号を伝送する際、伝送波形に歪みが少ない半導体装置を提供することができる。
【００６１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、
・導体配線のめっきスタブとそれと隣り合う導体配線のめっきスタブとの配線層を別にするか、もしくは間隔を持たせ、また、
・導体配線のめっきスタブが最短になるように配線層を選択するか、導体配線を配線し、また、
・導体配線のめっきスタブの配線幅を導体配線部よりも狭くまたは間隔を広げたため、
めっきスタブに起因する電磁放射やノイズを防止することが可能で、まためっきスタブどうしの電気的干渉を低減することが可能な、電気的に優れた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の配線基板の平面図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の配線基板の配線パターンを示す図
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置の配線基板の他の配線パターンを示す図
【図４】本発明の実施の形態１における配線基板の製造方法例を示す図
【図５】本発明の実施の形態２における半導体装置の配線パターン例を示す図
【図６】本発明の実施の形態３における半導体装置の配線パターン例を示す図
【図７】本発明の実施の形態４における半導体装置の配線パターン例を示す図
【図８】本発明の実施の形態５における半導体装置の配線パターン例を示す図
【図９】本発明の実施の形態６における半導体装置の配線パターン例を示す図
【図１０】本発明の実施の形態６における半導体装置の配線パターンの他の例を示す図
【図１１】本発明の実施の形態７における半導体装置の配線パターンの例を示す図
【図１２】本発明の実施の形態８における半導体装置の配線パターンの例を示す図
【図１３】本発明の実施の形態９における半導体装置の配線パターンの例を示す図
【図１４】本発明の実施の形態１０における半導体装置の配線パターンの例を示す図
【図１５】本発明の実施の形態１１における半導体装置の配線パターンの例を示す図
【図１６】本発明の実施の形態１２における半導体装置の配線パターンの例を示す図
【図１７】従来の半導体装置の配線基板の一例を示す図
【図１８】従来の半導体装置の配線パターンの一例を示す図
【符号の説明】
１    半導体素子
２    電極
５    導体配線
７    めっきスタブ
１０    導体配線
１１    導体配線
１２    めっきスタブ
１３    めっきスタブ
１４    下層の導体配線
５１    配線層
５２    配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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