(57)【要約】【課題】  低電気抵抗率、高耐熱性及び高微細加工性を兼備したフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用Ａｇ基合金配線電極膜及びこのＡｇ基合金配線電極膜を形成するために用いられるＡｇ基合金スパッタリングターゲット、並びにこのＡｇ基合金配線電極膜を備えるフラットパネルディスプレイを提供する。【解決手段】  本発明のフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜は、アクティブ型のフラットパネルディスプレイの場合、その表示画素を駆動させるためのＴＦＴ２に接続される配線電極膜３，４，５，６，７を構成する。前記Ａｇ基配線電極膜３，４，５，６，７はＮｄを０．１〜１．５at％含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ基合金で形成される。前記Ａｇ基合金は、Ｎｄのほか、さらにＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．０１〜１．５at％含有させることができる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットパネルディスプレイの配線電極膜であって、
前記配線電極膜はＮｄを０．１〜１．５at％含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ基合金で形成されたフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。
【請求項２】
前記Ａｇ基合金は、さらにＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．０１〜１．５at％含有する請求項１に記載したＡｇ基合金配線電極膜。
【請求項３】
フラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
請求項１または２に記載したＡｇ基合金からなるＡｇ基合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】
配線電極膜を備えるフラットパネルディスプレイであって、前記配線電極膜が請求項１または２に記載したＡｇ基合金配線電極膜からなるフラットパネルディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）の配線膜または電極膜、それをスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲット並びにその配線膜または電極膜を備えるＦＰＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display、具体例としてはアモルファスＳｉ ＴＦＴ ＬＣＤやポリＳｉ ＴＦＴ ＬＣＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ:Electro Luminescence Display、具体例としては有機ＥＬＤや無機ＥＬＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等の平面表示装置はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）と呼ばれている。このＦＰＤの表示画素の駆動形式として、アクティブ型（薄膜トランジスタ駆動型）とパッシブ型との二種類が知られている。
【０００３】
前記アクティブ型のＦＰＤは、図２に示すように、反射電極膜あるいは透明電極膜１を備えた多数の表示画素を有する。図２に示すように、各々の表示画素はこれを駆動させるための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor)２を備えている。このＴＦＴ２はゲート、ソースおよびドレインと呼ばれる電極膜を有している。一方、前記ＴＦＴ２に電流を供給するための２種の配線膜３，５が各表示画素の周りに縦横に配置されており、一方の配線膜（ここではアドレス配線膜と呼ぶ。）３はゲート電極膜４を介してＴＦＴ２に接続され、他方の配線膜（ここではデータ配線膜とよぶ。）５はソース電極膜６を介してＴＦＴ２に接続され、ＴＦＴ２からドレイン電極膜７を介して反射電極膜あるいは透明電極膜１に接続される。前記配線膜（アドレス配線膜及びデータ配線膜）３，５並びに前記電極膜（ゲート電極膜、ソース電極膜、ドレイン電極膜）４，６，７は、前記反射電極膜あるいは透明電極膜１とは要求される特性が異なり、本発明ではこれらをまとめて配線電極膜と呼ぶ。
他方、前記パッシブ型のＦＰＤは、アクティブ型のＦＰＤにあるＴＦＴは存在せず、図３に示すように、上下一対のガラス等の透明基板２１，２２の表面に格子状に対向して配置された多数の透明電極からなる走査電極２３，データ電極２４が形成され、その間に液晶が充填された構造を備え、これらの電極に電圧を印加することによって画素を表示させる。前記走査電極やデータ電極の電極は、電極膜あるいは配線膜とも呼ばれ、アクティブ型のＦＰＤの電極膜や配線膜と同様、本発明ではこれらをまとめて配線電極膜と呼ぶ。以下、アクティブ型あるいはパッシブ型のＦＰＤを特に区別しない場合、両タイプのＦＰＤを含めて単に「ＦＰＤ」という。
【０００４】
従来、前記配線電極膜は、電気伝導性と耐熱性に優れ、しかもウエットエッチングによる微細加工性に優れたＡｌ系合金によって形成されていた。しかし、近年、ＦＰＤの大画面化、高精細化、多様化に応じて、配線電極膜にはさらなる低電気抵抗率、高耐熱性、高微細加工性が要求されている。以下、これらの要求特性について説明する。
【０００５】
まず、低電気抵抗率について説明する。大型テレビを例とするＦＰＤの大画面化に伴って、配線電極膜の線長が長くなる傾向にある。また、高画質型テレビを例とするＦＰＤの高精細化に伴って、配線電極膜の線幅が狭くなる傾向にある。線長が長くなる、あるいは線幅が狭くなると、配線電極部分の電気抵抗が増加し、電気信号遅延の問題が生じる。電気信号遅延を抑制するには、電気抵抗率の低い配線電極膜材料を使用することか好ましい。低電気抵抗率の要求仕様をこれまでのものより低い値、例えば３．０μΩcm以下（３００℃加熱処理後に得られる値）に設定すると、従来から使用されているＡｌ系材料は対応不可能であり、３．０μΩcm以下に対応可能なＡｇ系材料が注目されている。
【０００６】
次に高耐熱性について説明する。従来のアモルファスＳｉ ＴＦＴ ＬＣＤに加え、近年、低温ポリＳｉ ＴＦＴ ＬＣＤやＦＥＤ等の新型ＦＰＤが登場し、ＦＰＤの多様化が進んでいる。これらの新型ＦＰＤではそれぞれ特有の製造工程において、配線電極膜は高温の加熱を受ける。例えば、低温ポリＳｉ ＴＦＴ ＬＣＤでは、ポリＳｉの活性化処理時に真空下で４５０〜５００℃の加熱を一回受け、またＦＥＤでは、ガラス封着時に大気下で４５０〜５００℃の加熱を三回受ける。このような高温加熱に対する高耐熱性は従来のアモルファスＳｉ ＴＦＴ ＬＣＤでは要求されず、新型ＦＰＤの登場によって生じた新たな課題である。４５０〜５００℃加熱に対する高耐熱性の要求仕様に対して、従来から使用されているＡｌ系材料は対応困難であり、対応可能なＡｇ系材料が注目される。
【０００７】
さらに高微細加工性について説明する。ＦＰＤの高精細化に伴って配線電極膜の線幅が狭くなる傾向にある。ＦＰＤの配線電極膜は、通常、ウェットエッチングによって所定の形状に微細加工されたものであるが、線幅が狭くなると形状制御が困難となるため、微細加工性に優れた配線電極膜材料を使用することが好ましい。低電気抵抗率と高耐熱性の観点から注目されるＡｇ系材料は、一般的にウェットエッチング速度が速く、配線電極膜の両側面のエッチング量（サイドエッチング量）が大きいため、形状制御が難しく、配線電極膜の線幅が１０μm 以下となるＦＰＤに適用するには微細加工性の改善が必要である。なお、線幅が狭くなることによる微細加工の困難さは、加工サイズの大きい反射電極膜や反射膜では問題にはならず、専ら加工サイズの小さい配線電極膜で問題となる。
【０００８】
上記低電気抵抗率、高耐熱性に対する要求に対して、配線電極膜用のＡｇ系材料が種々提案されている。例えば、特開２００１−１０２３２５号公報（特許文献１）にはＡｇ−（０〜２５）wt％Ｒｕ−（０〜２５）wt％Ｃｕ合金が、特開２００１−１９２７５２号公報（特許文献２）にはＡｇ−（０．１〜３）wt％Ｐｄ−（０．１〜３）wt％（Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｉ）合金が、特開２００２−１４０９２９号公報（特許文献３）にはＡｇ−（０．１〜１０）wt％Ａｕ−（０．１〜５）wt％（Ｃｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｍｇ）合金が、特開２００３−１１３４３３号公報（特許文献４）にはＡｇ−（０．１〜２）at％（Ｓｃ，Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ）−（０．１〜３）at％（Ｃｕ，Ａｕ）合金が記載されている。なお、配線電極膜に比して加工サイズの大きい反射電極膜や反射膜用として、特開２００２−３２３６１１号公報（特許文献５）にはＡｇ−（０．１〜３．０）at％希土類金属（Ｎｄ，Ｙ）−（０．１〜２．０）at％Ｃｕ−（０．１〜１．５）at％Ａｕ合金が記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１０２３２５号公報
【特許文献２】特開２００１−１９２７５２号公報
【特許文献３】特開２００２−１４０９２９号公報
【特許文献４】特開２００３−１１３４３３号公報
【特許文献５】特開２００２−３２３６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特許文献１〜４にかかるＦＰＤのＡｇ系合金配線電極膜は、大別すると貴金属元素（Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｕ）を添加したＡｇ基合金配線電極膜と、希土類金属元素（Ｓｃ，Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ）を添加したＡｇ基合金配線電極膜の二種類であり、これらの配線電極膜は主成分をＡｇとすることによる低電気抵抗率の実現と、貴金属元素や希土類金属元素の添加による耐熱性の向上を図ったものである。なお、加熱処理時のマイグレーションの抑制と熱処理に対する安定性とは技術的意義が同じであり、耐熱性の向上とは加熱によって引き起こされるＡｇの凝集による表面粗さの増加が抑制されることである。
【００１１】
しかしながら、従来のＡｇ−（Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｕ）合金、Ａｇ−（Ｓｃ，Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ）合金は、低電気抵抗率、高耐熱性はある程度満足するものの、特に高微細加工性については満足するには至っていない。なお、特許文献５には、加熱によるＡｇの結晶粒成長や凝集をＮｄ添加によって抑制することを企図としたＡｇ−Ｎｄ合金が言及されているが、この合金の用途はＦＰＤ用反射電極膜や反射膜であり、配線電極膜とは線幅等のサイズ、要求特性が異なるものであり、本発明とは用途、対象が別異である。
【００１２】
本発明は、かかる問題に鑑みなされたもので、低電気抵抗率、高耐熱性及び高微細加工性を兼備したＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜及びこのＡｇ基合金配線電極膜を形成するために用いられるＦＰＤ用Ａｇ基合金スパッタリングターゲット、並びにこのＡｇ基合金配線電極膜を備えるＦＰＤを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者はＦＰＤの配線電極膜に必要とされる低電気抵抗率、高耐熱性及び高微細加工性を兼備したＡｇ合金について種々の合金元素をＡｇに添加して調べたところ、特定量範囲のＮｄの添加が非常に有効であることを知見し、これを基に本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、本発明のＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜は、Ｎｄを０．１〜１．５at％含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ基合金で形成されたものである。前記Ａｇ基合金は、Ｎｄのほか、さらにＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．０１〜１．５at％含有させることができる。
【００１５】
また、本発明のＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットは、前記Ａｇ基合金により形成されたものであり、本発明のＦＰＤは配線電極膜が前記Ａｇ基合金により形成されたものを備えるものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜によれば、低電気抵抗率、高耐熱性、高微細加工性を有するため、アクティブ型あるいはパッシブ型のＦＰＤいずれについても、ＦＰＤの性能と信頼性を格段に高めることができる。また、本発明のＡｇ基合金スパッタリングターゲットは、前記Ａｇ基合金配線電極膜の形成に好適に使用され、これを用いて形成されたＡｇ基合金配線電極膜は合金組成と合金元素分布と膜厚の膜面内均一性に優れ、配線電極膜としての優れた特性を発現し、高性能かつ高信頼性のあるＦＰＤが生産可能となる。そして、本発明のＦＰＤは、前記Ａｇ基合金配線電極膜を備えているため、優れた性能と信頼性を備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施形態にかかるＡｇ基合金配線電極膜は、Ｎｄを０．１〜１．５at％含有し、残部Ａｇおよび不純物からなるＡｇ基合金で形成されたものであり、さらに前記Ｎｄのほか、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．０１〜１．５at％含有させることができる。以下、これらの成分の作用、限定理由について説明する。
【００１８】
ＮｄをＡｇに添加することによって、ウェットエッチング速度が低下し、サイドエッチング量が低減することから、微細加工性を改善する作用を有する。そして、真空下および大気下の高温加熱を受けてもＡｇの凝集による表面粗さの増加が抑制され、耐熱性を向上させる効果を有する。さらに、微細加工性改善効果と耐熱性向上効果が同時に得られつつも、低電気抵抗率を示す。これらのＮｄ添加効果によってＡｇ−Ｎｄ合金はＦＰＤ用配線電極膜に要求される低電気抵抗率、高耐熱性、高微細加工性を全て満足させることができる。したがって、このＡｇ基合金により配線電極膜を形成することによって、ＦＰＤの性能と信頼性を格段に高めることが可能となる。
【００１９】
もっとも、Ｎｄ含有量が０．１at％未満では、微細加工性改善（ウェットエッチング速度の低下、サイドエッチング量の低減）効果と耐熱性向上（Ａｇの凝集による表面粗さの増加の抑制）効果が過小である。また、１．５at％を超過すると、Ａｌ系合金の限界電気抵抗率である３．０μΩcm（３００℃加熱処理後に得られる値。以下、特に測定条件を指示しない限り、電気抵抗率は前記加熱処理後の値である。）より低い電気抵抗率が得られないようになる。このため、Ｎｄ含有量の下限を０．１at％、好ましくは０．２at％とし、その上限を１．５at％、好ましくは１．０at％とする。より好ましいＮｄ含有量の範囲は、０．３〜０．７at％である。
【００２０】
前記Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉは、前記Ａｇ−Ｎｄ合金に耐食性（化学的安定性）をさらに向上させる作用を有する。また、塩素イオン等のハロゲンイオンを含む環境下において、Ａｇのハロゲン化反応と、反応を起点とするＡｇの凝集をより一層抑制する効果を備える。
【００２１】
もっとも、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉから選ばれる少なくとも１種の元素の総含有量が０．０１at％未満ではこれらの向上効果が過小であり、一方１．５at％を超過すると３．０μΩcm以下という低電気抵抗率が得られないようになる。このため、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂｉから選ばれる少なくとも１種の元素の総含有量を０．０１〜１．５at％、好ましくは０．０５〜１．２at％、より好ましくは０．１〜１．０at％とする。
【００２２】
ここで、Ｎｄなどの添加元素の含有量と電気抵抗率との関係について説明する。後述の実施例と同様にして、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板の上に目標膜厚３００ｎｍの純Ａｇ膜、Ａｇ−２．２at％Ｎｄ合金膜、Ａｇ−２．５at％Ｙ合金膜、Ａｇ−３．１at％Ｒｕ合金膜、Ａｇ−３．０at％Ｐｄ合金膜、Ａｇ−２．９at％Ａｕ合金膜を形成した。
【００２３】
得られた評価用薄膜に対し、成瀬科学器械（株）製の回転磁場中熱処理装置を用い、真空下（真空度：０．２７×１０-3Ｐａ以下）において３００℃−０．５ｈの加熱処理を行い、加熱処理後の電気抵抗率を以下の方法で求めた。日置電機（株）製の３２２６ｍΩ  Ｈｉ  ＴＥＳＴＥＲを用いて直流四探針法によりシート抵抗Ｒｓを、そしてＴＥＮＣＯＲ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製のａｌｐｈａ−sｔｅｐ２５０を用いて膜厚ｔを測定し、電気抵抗率ρを（シート抵抗Ｒｓ×膜厚ｔ）から求めた。
【００２４】
図１は上記電気抵抗率の測定結果を基にして作製した、各種Ａｇ合金における電気抵抗率（３００℃−０．５ｈ真空下加熱処理後）と合金元素量の関係を示すグラフである。電気抵抗率は合金元素量に対して直線的関係を示すことから、各種Ａｇ合金について、電気抵抗率が３．０μΩcm以下を示す合金元素量の上限は下記の通りであり、本発明にかかるＡｇ−Ｎｄ合金は比較的少ない合金添加量（１．５at％以下）で３．０μΩcm以下という低電気抵抗率が達成されることが確認された。
Ａｇ−Ｎｄ合金：１．５at％、Ａｇ−Ｙ合金：１．０at％、Ａｇ−Ｒｕ合金：１．８at％、Ａｇ−Ｐｄ合金：２．０at％、Ａｇ−Ａｕ合金：３．０at％
【００２５】
前記ＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜は、真空蒸着法やイオンプレーティング法やスパッタリング法などによって基板上に形成することができるが、これらの薄膜形成方法の中でもスパッタリング法によって形成されたものが推奨される。スパッタリング法により形成されたＡｇ基合金配線電極膜は、他の薄膜形成方法により形成された薄膜に比較して、合金組成と合金元素分布と膜厚の膜面内均一性に優れており、配線電極膜として優れた特性（低電気抵抗率、高耐熱性、高微細加工性）が良好に引き出され、高性能ならびに高信頼性のＦＰＤの生産が可能となるからである。
【００２６】
また、前記ＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜を形成するために用いられるＡｇ基合金スパッタリングターゲットは、溶解・鋳造法や粉末焼結法やスプレイフォーミン法などのいずれの方法でも製造できるが、これらの製造方法の中でも特に真空溶解・鋳造法による製造が推奨される。この方法によって製造されたスパッタリングターゲットは、他の方法により製造されたものに比較して窒素や酸素などの不純物成分の含有量が少なく、このスパッタリングターゲットを用いて形成された配線電極膜において優れた特性（低電気抵抗率、高耐熱性、高微細加工性）が効果的に引き出され、高性能ならびに高信頼性のＦＰＤの生産が可能となるからである。
【００２７】
上記ＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜を備えるＦＰＤは、前記Ａｇ基合金配線電極膜により格段に優れた性能と信頼性を実現することができる。なお、本発明のＦＰＤは、本発明のＦＰＤ用Ａｇ基合金配線電極膜を備えていればよく、その他の構成は特に限定されず、ＦＰＤ分野において公知の構成を採用することができる。
【００２８】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はかかる実施例により限定的に解釈されるものではない。
【実施例】
【００２９】
以下の要領により評価用薄膜を作製した。純Ａｇスパッタリングターゲット（サイズφ１０１．６mm×ｔ５mm）、または純Ａｇスパッタリングターゲット上に合金元素のチップ（サイズ５mm×５mm×ｔ１mm）所定数を配置した複合スパッタリングターゲットと、スパッタリング装置（（株）島津製作所製ＨＳＲ−５５２）を使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法（背圧：０．２７×１０-3Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．２７Ｐａ、Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ、スパッタパワー：ＤＣ２００Ｗ、極間距離：５２ｍｍ、基板温度：室温）によって、ガラス基板（コーニング社製♯１７３７、直径：５０．８mm、厚さ：０．７mm）上に表１または表２に示す目標膜厚３００ｎｍの純ＡｇあるいはＡｇ基合金の薄膜を形成した。これらの評価用薄膜のうち、純Ａｇ膜（試料No. １）を除き、その組成はＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分析法またはＩＣＰ質量分析法によって調べた値である。上記評価用薄膜を用いて耐熱性、微細加工性を下記の要領にて評価した。
【００３０】
耐熱性は加熱処理による表面粗さ（平均粗さＲａ）の増加量により評価した。表面粗さは、走査型プローブ顕微鏡(Digital Instruments社製Nanoscope IIIa）を用いて、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）観察モードにより測定した。前記評価用薄膜に対し、加熱処理前、加熱処理後の表面粗さ（平均粗さＲａ）を測定し、加熱処理による表面粗さの増加量（＝（加熱処理後の表面粗さ）−（加熱処理前の表面粗さ））を算出した。加熱処理は、加熱雰囲気を２条件（真空下、大気中）とし、加熱時間０．５ｈの下で加熱温度を３条件（３５０、４５０、５００℃）とし、繰り返し回数を３条件（１、２、３回）とする１８通りの加熱条件を設定した。耐熱性は、表面粗さの増加量が１．０ｎｍ以下のものを優（○）とし、１．０ｎｍを超えるものを劣（×）と判定し、評価結果を表１（真空下加熱処理に対する耐熱性評価結果）、表２（大気中加熱処理に対する耐熱性評価結果）に示す。
【００３１】
【表１】
2005187937.tif 000003
【００３２】
【表２】
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【００３３】
表１および表２より、発明例に係る試料No. ３，４，５および比較例の試料No. ６は、Ｎｄ添加による耐熱性向上効果より、全条件の加熱処理に対して優れた耐熱性を示している。もっとも、試料No. ６はＮｄ量が３．０at％であるため低電気抵抗率を示さない問題がある。また、Ｎｄ量が：０．０４at％の試料No. ２はＮｄ量が少ないために、耐熱性向上効果が過小である。また、第３元素を添加した発明例の試料No. １１，１２，１３，１４は、Ｎｄ量が０．５at％であり、全ての条件の加熱処理に対して高耐熱性を示している。
これらに対して、低電気抵抗率の要求仕様を満足する他のＡｇ合金である比較例の試料No. ７，８，９，１０は、いずれの合金元素の添加によっても耐熱性向上効果が小さく、全条件の加熱処理に対して優れた高耐熱性を示していない。
【００３４】
また、微細加工性を以下の方法で評価した。フォトレジストとしてクラリアントジャパン（株）製ＡＺＰ4110と、フォトレジスト現像液としてクラリアントジャパン（株）製ＡＺデベロッパーを用い、フォトリソグラフィー（工程：フォトレジスト塗布→プリべ−キング→露光→フォトレジスト現像→水洗→乾燥）により評価用薄膜上に線幅／線間隔＝１０μm ／１０μm のストライプ形状のレジストパターンを形成した。この後、リン酸：硝酸：水＝８００：３：２０の混酸からなるウェットエッチャントを用いたウェットエッチング（工程：ウェットエッチング→水洗→乾燥→フォトレジスト剥離→乾燥）を行った。
【００３５】
ウエットエッチングの際に、薄膜のウェットエッチングが完了するまでの時間を測定し、ウェットエッチング速度（＝薄膜の膜厚／薄膜のウェットエッチングが完了するまでの時間）を算出した。また、ウェットエッチング後の薄膜のＳＥＭ写真を撮影し、その写真から線幅を測定し、サイドエッチング量（＝（線幅１０μm −ウェットエッチング後の線幅）／線幅１０μm ×ｌ００％）を算出した。これらウェットエッチング速度とサイドエッチング量を基に微細加工性を評価し、ウェットエッチング速度が３ｎｍ／ｓ以下（純Ａｌのウェットエッチング速度１．５ｎｍ／ｓに対して２倍以下）と、サイドエッチング量が１０％以下（線幅１０μm 狙いに対して線幅９〜１０μm の形状に加工できたもの）の両条件を満足するものを微細加工性が優（○）、両条件を満足しないものを劣（×）と判定した。測定結果、判定結果を表３に示す。
【００３６】
【表３】
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【００３７】
表３より、発明例の試料No. ３、４，５および比較例の試料No. ６はＮｄ添加による微細加工性改善効果より、優れた微細加工性を示す。もっとも、試料No. ６はＮｄ量が過多であり、電気抵抗率が高くなる。また、試料No. ２は、Ｎｄ量が０．０４at％と過少であるため、微細加工性の改善効果が少ない。また、第３元素を添加した発明例の試料No. １１，１２，１３，１４は、０．５at％のＮｄを含有しており、高微細加工性を示している。
これらに対して、低電気抵抗率の要求仕様を満足する比較例の試料No. ７，８，９，１０は、微細加工性改善効果が比較的良好なもの（試料No. ７）でさえも優れた微細加工性を示していない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】各種Ａｇ合金における電気抵抗率と合金元素量との関係を示すグラフである。
【図２】アクティブ型のＦＰＤの表示画素の構造を示す平面説明図である。
【図３】パッシブ型のＦＰＤの表示画素の構造を示す斜視説明図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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