(57)【要約】【課題】  薄型の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】  外周にリング３ｂが貼り付けられたテープ３ａを半導体ウエハ１Ｗの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハ１Ｗの裏面を研削および研磨し、半導体ウエハ１Ｗを薄くする。その後、そのリング３ｂ付きのテープ３ａを剥がすことなく半導体ウエハ１Ｗの主面に貼り付けたままの状態で半導体ウエハ１Ｗをダイシング装置に搬送し、半導体ウエハ１Ｗの裏面側からダイシング処理を施して、半導体ウエハ１Ｗを半導体チップに分割する。これにより、裏面加工により薄型にした半導体ウエハ１Ｗのハンドリングを容易にすることができる。また、裏面加工工程からダイシング工程に移行する時にテープの貼り替えを必要としないので製造工程を簡略化することができる。【選択図】  図１３
2005332982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後の半導体チップを取り出す工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程に先立って、前記テープに貼り付けられた前記半導体ウエハの厚さを測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ｅ１）前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識する工程、
（ｅ２）前記（ｅ１）工程の後、前記半導体ウエハの裏面から前記切断領域に切断刃を当てて前記半導体ウエハを切断する工程。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ１）工程においては、赤外線カメラを用いて前記半導体ウエハの裏面から前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ｅ１）前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識する工程、
（ｅ２）前記（ｅ１）工程によって得られた切断領域のパターンデータを用いて、前記半導体ウエハの裏面から切断領域にレーザを照射し、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程、
（ｅ３）前記テープを引き伸ばすことにより、前記半導体ウエハを切断する工程。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ１）工程においては、赤外線カメラを用いて前記半導体ウエハの裏面から前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ｅ１）前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識する工程、
（ｅ２）前記半導体ウエハの裏面にダイアタッチ層を形成する工程、
（ｅ３）前記（ｅ１）工程の後、前記半導体ウエハの切断領域の前記ダイアタッチ層に第１切断刃を当てて切断する工程、
（ｅ４）前記（ｅ１）工程によって得られた切断領域のパターンデータを用いて、前記半導体ウエハの裏面から切断領域に前記第１切断刃よりもその幅が狭い第２切断刃を当てて前記半導体ウエハを切断する工程。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程においては、前記テープを前記半導体ウエハの主面が貼り付けられた面とは反対の裏面側から吸引し、前記テープの主面と前記半導体チップの主面との接触状態を面接触から点接触に変えた状態で、前記半導体チップを取り出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
（ｇ）前記（ｆ）工程において前記半導体チップを取り出した後、搬送トレイの粘着テープに貼り付ける工程、
（ｈ）前記半導体チップを前記搬送トレイの粘着テープに貼り付けた状態で所望の場所に搬送する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは紫外線を照射すると粘着性が低下する特性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは着脱自在の状態で前記搬送トレイに貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは透明であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、（ｇ）前記（ｆ）工程において前記半導体チップを取り出した後、所望の基板に実装する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後の半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後の半導体ウエハを、その主面に前記テープを貼り付けた状態で外部に出荷する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記外部においては、
（ｆ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後の半導体チップを取り出す工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後の半導体ウエハを、その主面に前記テープを貼り付けた状態で外部に出荷する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記外部においては、（ｇ）前記（ｆ）工程後の半導体チップを取り出した後、所望の基板に実装する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
（ｄ）前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後の半導体チップを取り出し、搬送トレイの粘着テープに貼り付ける工程、
（ｆ）前記半導体チップを前記搬送トレイの粘着テープに貼り付けた状態で所望の場所に搬送する工程。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、前記（ｄ）工程後の半導体チップを真空吸着手段により吸着した状態で前記搬送トレイの所望の位置まで移送した後、前記真空吸着手段の真空吸引状態を解除し、代わりに空気を逆噴射することにより前記半導体チップを前記真空吸着手段から離して前記搬送トレイの粘着テープ側に落下させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは紫外線を照射すると粘着性が低下する特性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは着脱自在の状態で前記搬送トレイに貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは透明であり、前記搬送トレイの前記粘着テープを介して前記半導体チップの裏面を検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイから前記半導体チップを取り出した後、所望の基板に実装する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの主面には、ポリイミド樹脂膜が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程後の半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に半導体装置製造の薄型化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的な半導体装置製造の後工程は、例えば以下の通りである。まず、半導体ウエハの主面にテープを貼り付けた後、半導体ウエハの裏面を研削し、さらに研磨する。続いて、半導体ウエハの主面のテープを剥がした後、半導体ウエハの裏面をダイシングテープに貼り付けた後、半導体ウエハの主面の切断領域にダイシングブレードを当てて半導体ウエハを切断し、個々の半導体チップに分割する。その後、ダイシングテープ上の半導体チップをコレットで真空吸引した状態でピックアップし、搬送トレイのポケットに収容したり、あるいは所望の基板上に搭載したりするようにしている。
【０００３】
上記のような半導体装置製造の後工程については、例えば特開２００３−３０３９２１号公報に記載があり、上記半導体ウエハの主面にテープを貼り付ける工程から上記ピックアップする工程を含む後工程が開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、ダイシング技術については、例えば特開平７−７４１３１号公報に記載があり、ウエハの表面をダイシングテープに貼り付けた状態で、ウエハの裏面を研磨またはエッチングした後、ウエハの表面のスクライブラインをモニタしながらウエハの裏面からダイシングする技術が開示されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−３０３９２１号公報
【特許文献２】特開平７−７４１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年は、半導体装置に対する軽薄短小化の要求に伴い半導体装置を構成する半導体チップの薄型化が進められている。例えばＳＩＰ（System In Package）と称する半導体装置では、複数枚の半導体チップを積み重ねる構成を有することから半導体チップの薄型化が要求されている。しかし、このような半導体チップの薄型化の要求に伴い、半導体装置製造の後工程において、以下の課題が生じることを本発明者は見出した。
【０００６】
まず、上記裏面研削・研磨工程においては、半導体ウエハの厚さが、今まで２２０〜２８０μｍ程度まで薄くした薄型の半導体ウエハを、さらにその半分程度の１００μｍ程度またはそれ以下の厚さにまで薄くした極薄の半導体ウエハとなってきているが、半導体ウエハの主面に貼り付けられたテープはその後のテープの剥離の容易性を考慮する観点などからあまり厚くすることができないので、上記のように半導体ウエハが薄くなってくると、裏面研削・研磨工程後の半導体ウエハをその主面に貼り付けられたテープだけでは充分に支えることができず、その後の工程への半導体ウエハの移送が困難になる。更に詳しく説明すると、テープは剛性が半導体ウエハよりも低いため、裏面研削・研磨工程後の半導体ウエハは、貼り付けたテープに追従して反ってしまい、その移送中に半導体ウエハが割れる問題が生じる。また、ダイシングテープへの貼り替え時に半導体ウエハが割れる問題もある。半導体装置の製造工程では、１枚の半導体ウエハから取得可能な半導体チップの数を増加させることにより半導体装置の歩留まり向上を達成すべく、半導体ウエハの直径が益々増大する傾向にあるが、上記の問題は半導体ウエハの大口径化に伴い益々顕著になる。
【０００７】
また、現状は、上記裏面研削・研磨工程において、研削研磨装置は、研削研磨対象の厚さを、半導体ウエハの裏面の高さと半導体ウエハを固定するテーブルの上面の高さとの差で認識している。すなわち、研削研磨装置が認識している研削研磨対象物の厚さは、半導体ウエハの厚さのみではなく、半導体ウエハの厚さとテープの厚さとの和である。このため、テープの厚さの精度がばらつけば半導体ウエハの厚さ精度もばらつく問題がある。特に半導体ウエハが薄くなるにつれて、半導体ウエハの主面に貼り付けたテープの相対的な厚さが増えるので、そのテープの厚さ精度のばらつきがさらに顕在化されるようになり、半導体ウエハの研削精度や研磨精度が低下する問題がある。
【０００８】
また、上記ダイシング工程後の半導体チップのピックアップ工程においては、半導体チップを取り出し易くするために半導体チップの裏面から針で突き上げるようにしているが、半導体チップが薄いために針の突き上げにより割れてしまう場合がある。
【０００９】
さらに、ダイシング工程後の半導体チップをコレットによりピックアップして搬送トレイのポケットに収容する際、半導体チップが吸盤効果によりコレットから離れ難くなるのを解消するために、コレットから外方に向かって空気を逆噴射させるようにしている場合があるが、その時の空気の影響により搬送トレイの他のポケットに既に収容されている他の半導体チップがポケットの外に出てしまう問題がある。また、搬送中の搬送トレイの中では、半導体チップが上下左右に動き搬送トレイのポケット内壁面に衝突するが、半導体チップが薄いと割れたり欠けたりし易いという問題もある。
【００１０】
本発明の目的は、薄型の半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の目的は、薄型の半導体ウエハの歩留まりを向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明は、枠体部を持つテープを半導体ウエハの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハの裏面を研削および研磨した後、前記テープを貼り付けた状態で半導体ウエハを切断し半導体チップに分割する工程を有するものである。より具体的には、主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意し、前記半導体ウエハの主面に半導体チップを形成し、前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付け、前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨し、前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割した後、前記半導体チップを取り出す工程を有するものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
すなわち、枠体部を持つテープを半導体ウエハの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハの裏面を研削および研磨した後、前記テープを貼り付けた状態で半導体ウエハを切断し半導体チップに分割することにより、後工程時における薄い半導体ウエハおよび半導体チップの品質劣化を抑制または防止できるので、薄型の半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１７】
また、枠体部を持つテープを半導体ウエハの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハを移送することにより、半導体ウエハが割れる問題を抑制または防止できるので、薄型の半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置の製造方法を図１のフロー図に沿って図２〜図２８により説明する。
【００２０】
まず、前工程１００では、例えば直径３００ｍｍ程度の平面略円形状の半導体ウエハ（以下、単にウエハという）を用意し、その主面に複数の半導体チップ（以下、単にチップという）を形成する。前工程１００は、ウエハプロセス、拡散工程またはウエハファブリケーションとも呼ばれ、ウエハの主面にチップ（素子や回路）を形成し、プローブ等により電気的試験を行える状態にするまでの工程である。前工程には、成膜工程、不純物導入（拡散またはイオン注入）工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、メタライズ工程、洗浄工程および各工程間の検査工程等がある。図２は前工程１００後のウエハ１Ｗの主面の全体平面図、図３は図２のＸ１−Ｘ１線の断面図をそれぞれ示している。ウエハ１Ｗの主面には、例えば平面四角形状の複数のチップ１Ｃが、その各々の周囲に切断領域ＣＲを介して配置されている。ウエハ１Ｗの半導体基板（以下、単に基板という）１Ｓは、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面には素子および配線層１Ｌが形成されている。この段階のウエハ１Ｗの厚さ（基板１Ｓの厚さと配線層１Ｌの厚さとの総和）は、例えば７７５μｍ程度である。符号のＮはノッチを示している。
【００２１】
図４は図２のウエハ１Ｗの一例の要部拡大平面図、図５は図４のＸ２−Ｘ２線の断面図をそれぞれ示している。配線層１Ｌには、層間絶縁膜１Ｌｉ、配線１Ｌ１，１Ｌ２、ボンディングパッド（外部端子；以下、単にパッドという）１ＬＢ、テスト用のパッド１ＬＢｔおよび保護膜１ＬＰが形成されている。層間絶縁膜１Ｌｉは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2等）のような無機系の絶縁膜により形成されている。配線１Ｌ１，１Ｌ２およびパッド１ＬＢ，１ＬＢｔは、例えばアルミニウム等のような金属膜で形成されている。最上の配線１Ｌ２およびパッド１ＬＢ，１ＬＢｔを覆う保護膜１ＬＰは、例えば酸化シリコンのような無機系の絶縁膜とポリイミド樹脂のような有機系の絶縁膜との積層膜からなる。この保護膜１ＬＰの有機系の絶縁膜は、ウエハ１Ｗの主面最上面に露出された状態で堆積されている。この保護膜１ＬＰの一部には、開口部２が形成されており、そこからパッド１ＬＢ，１ＬＢｔの一部が露出されている。パッド１ＬＢは、チップ１Ｃの外周に沿って並んで配置されている。テスト用のパッド１ＬＢｔは、チップ１Ｃの切断領域ＣＲに配置されている。
【００２２】
図６は図２のウエハ１Ｗの他の例の要部拡大平面図、図７は図６のＸ３−Ｘ３線の断面図をそれぞれ示している。この例では、パッド１ＬＢ上に下地金属ＵＢＭを介してバンプ電極ＢＭＰが形成されている。バンプ電極ＢＭＰは、例えば鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）または金（Ａｕ）等のような半田材料からなる。また、バンプ電極ＢＭＰは、鉛フリー（Ｓｎ−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅））組成の半田材料からなってもよい。
【００２３】
次に、図１のテスト工程１０１では、ウエハ１Ｗの各チップ１Ｃのパッド１ＬＢおよび切断領域ＣＲのテスト用のパッド１ＬＢｔにプローブを当てて各種の電気的特性検査を行う。このテスト工程は、Ｇ／Ｗ（Good chip/Wafer）チェック工程とも呼ばれ、ウエハ１Ｗに形成された各チップ１Ｃの良否を電気的に判定する試験工程である。
【００２４】
続く図１の後工程１０２は、上記テスト工程１０１後の工程であって、チップ１Ｃを封止体（パッケージ）に収納し完成するまでの工程であり、裏面加工工程１０２Ａ、チップ分割工程１０２Ｂおよび組立工程１０２Ｃを有している。
【００２５】
まず、裏面加工工程１０２Ａでは、ウエハ１Ｗの主面（チップ形成面）にテープを貼り付ける（工程１０２Ａ１）。図８はウエハ１Ｗが貼り付けられた治具３の全体平面図、図９は図８のＸ４−Ｘ４線の断面図、図１０は図８の他の例のＸ４−Ｘ４線の断面図をそれぞれ示している。図８では半導体ウエハ１Ｗの主面のチップ１Ｃの様子を破線で示している。治具３は、テープ３ａとリング（枠体）３ｂとを有している。テープ３ａのテープベース３ａ１は、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層３ａ２が形成されている。テープ３ａは、その接着層３ａ２によりウエハ１Ｗの主面にしっかりと貼り付けられている。テープ３ａの厚さ（テープベース３ａ１の厚さと接着層３ａ２の厚さとの総和）は、あまり厚いとその後の工程でのハンドリングやテープ３ａの剥離が難しくなるので、例えば１３０〜２１０μｍ程度の薄いものが使用されている。このテープ３ａとして、例えばＵＶテープを使用することも好ましい。ＵＶテープは、接着層３ａ２の材料として紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂が使用された粘着テープであり、強力な粘着力を持ちつつ、紫外線を照射すると接着層３ａ２の粘着力が急激に弱くなる性質を有している。
【００２６】
本実施の形態１では、このテープ３ａの外周に剛性を持つリング３ｂが貼り付けられている。リング３ｂは、テープ３ａが撓まないように支える機能を有する補強部材である。この補強の観点からリング３ｂは、例えばステンレス等のような金属により形成することが好ましいが、金属と同程度の硬度を持つように厚さを設定したプラスチック材料により形成しても良い。リング３ｂの外周には、切り欠き部３ｂ１，３ｂ２が形成されている。この切り欠き部３ｂ１，３ｂ２は、治具３のハンドリング時や治具３と治具３を載置する製造装置との位置合わせ時に使用する他、製造装置に治具３を固定する際の引っかかり部として使用される。本実施の形態１においては、後述のようにダイシング時にも治具３を使用するので、治具３の各部（切り欠き部３ｂ１，３ｂ２も含む）の寸法や形状が裏面加工とダイシングとで共用可能なように設定されている。図９ではリング３ｂがテープ３ａの主面（ウエハ貼付面）に貼り付けられている場合を示し、図１０ではリング３ｂがテープ３ａの裏面（ウエハ貼付面とは反対側の面）に貼り付けられてい場合を示している。図９に示したように、リング３ｂがテープ３ａの主面に貼り付けられている場合は、リング３ｂの貼り付け用の接着層を片面（テープ３ａの主面の接着層３ａ２）のみとすることができる。リング３ｂは、テープ３ａにウエハ１Ｗを貼り付ける前に貼り付けても良いし、テープ３ａにウエハ１Ｗを貼り付けた後に貼り付けても良い。
【００２７】
続いて、テープ３ａにリング３ｂを貼り付け、サポート強度を向上させた状態で、ウエハ１Ｗの厚さを測定する（工程１０２Ａ２）。図１１はウエハ１Ｗの厚さ測定の一例の様子を示す断面図、図１２は図１１のウエハ１Ｗの厚さ測定時の要部拡大平面図をそれぞれ示している。ここでは、ウエハ１Ｗを保持した治具３を、裏面加工装置の吸着ステージ４上に載せ真空吸着により固定した状態で、赤外線（Infra red：以下、ＩＲカメラという）カメラ５ａを用いてウエハ１Ｗの裏面の高さＨ１と、テープ３ａの主面の高さＨ２とを測定する。これにより、ウエハ１Ｗの実際の厚さと、テープ３ａの厚さのばらつき（±７〜８μｍ程度）とを測定でき、正確な研削量および研磨量を決めることができる。
【００２８】
その後、図１３に示すように、研削研磨工具６および吸着ステージ４を回転させて、上記研削量および研磨量に基づいてウエハ１Ｗの裏面に対して研削処理および研磨処理を順に施す（工程１０２Ａ３，１０２Ａ４）。これにより、図１４に示すように、ウエハ１Ｗの厚さを、例えば１００μｍ以下（ここでは、例えば９０μｍ程度）の極めて薄い厚さにする。この時の研磨処理は、チップの厚さが薄くなり１００μｍ以下になってくると上記研削処理によりウエハ１Ｗの裏面に生じた損傷やストレスが原因でチップの抗折強度が低下しチップを実装する時の圧力でチップがわれてしまう不具合が生じ易くなってくるので、そのような不具合が生じないようにウエハ１Ｗの裏面の損傷やストレスを無くす上で重要な処理となっている。研磨処理としては、研磨パッドとシリカとを用いて研磨する方法や化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法の他、例えば硝酸とフッ酸とを用いたエッチング法を用いても良い。
【００２９】
以上のような裏面加工工程後、吸着ステージ４の真空吸引状態を解除し、極薄のウエハ１Ｗを保持した治具３を裏面加工装置から取り出す。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極薄とされていてもリング３ｂによりテープ３ａをしっかりと支えることができるので、極薄のウエハ１Ｗのハンドリングや搬送を容易にすることができる。また、そのハンドリングや搬送時にウエハ１Ｗが割れたり反ったりすることを防止することができる。したがって、ウエハ１Ｗの品質を確保することができるようになっている。このため、本実施の形態１では、この裏面加工後の段階で極薄のウエハ１Ｗを治具３に保持させたままの状態で他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、裏面加工後のダイシングおよび組立を依頼しても良い（工程１０３Ａ）。
【００３０】
次に、チップ分割工程１０２Ｂに移行する。ここでは、まず、極薄のウエハ１Ｗを保持した治具３をそのままダイシング装置に搬送し、図１５に示すように、ダイシング装置の吸着ステージ７に載置する。すなわち、通常は、裏面加工後にウエハ１Ｗの主面に貼り付けたテープを剥がして、ウエハ１Ｗの裏面にダイシングテープを貼り付ける（ウエハマウント）工程が必要とされているが、本実施の形態１では、そのウエハマウント工程を削減できるので、半導体装置の製造工程を簡素化することができる。したがって、半導体装置の製造時間を短縮できる。また、ダイシングテープを不要とすることができるので、材料費を低減でき、半導体装置のコストを低減できる。
【００３１】
続いて、本実施の形態１ではウエハ１Ｗの主面にテープ３ａが貼り付いた状態でダイシングするため、治具３を真空吸引した状態でウエハ１Ｗの裏面からＩＲカメラ５ｂによりウエハ１Ｗの主面のパターン（チップ１Ｃや切断領域ＣＲのパターン）を認識する（工程１０２Ｂ１）。この時、本実施の形態１では、ウエハ１Ｗが極めて薄いのでウエハ１Ｗの主面のパターンの様子を充分に観測できる。その後、ＩＲカメラ５ｂで得られたパターン情報に基づいてダイシングライン（切断領域ＣＲ）の位置合わせ（位置補正）を実施しダイシングを行う（工程１０２Ｂ２）。ダイシング方式としては、ブレードダイシング方式またはステルスダイシング方式を採用することができる。
【００３２】
図１６および図１７はブレードダイシング方式の場合を例示している。すなわち、図１６に示すように、高速回転するダイシングブレード（切断刃）８をウエハ１Ｗの裏面から切断領域ＣＲに押し当ててウエハ１Ｗを切断し、図１７に示すように、個々のチップ１Ｃに分割する。
【００３３】
図１８および図１９はステルスダイシング方式の場合を例示している。すなわち、図１８に示すように、レーザー発生部９から放射されたレーザ光をウエハ１Ｗの裏面から切断領域ＣＲに沿って照射することによりウエハ１Ｗの内部に改質層を形成した後、図１９に示すように、治具３を載置台１０に載せた状態で、リング３ｂを矢印Ａに示す方向に押し下げテープ３ａを矢印Ｂに示すように引き伸ばすことにより、上記改質層を基点として比較的小さな力でウエハ１Ｗを切断し、個々のチップ１Ｃに分割する。レーザ光としては、ウエハ１Ｗに対して透明な波長を有するＮＩＲ（近赤外）レーザを例示できる。上記ブレードダイシング方式の場合、ウエハ１Ｗが薄くなってくると切断時にチッピングが生じ易くなりチップの抗折強度が低下するので、チップ１Ｃの品質を確保する観点から低速（例えば毎秒６０ｍｍ程度またはウエハ１Ｗの厚さに応じてそれ以下）で処理せざるを得なくなってくる。これに対して、ステルスダイシング方式の場合、ウエハ１Ｗの表面に損傷を与えず内部のみを割断するため、チップ１Ｃの表面に存在するチッピングを極少に抑えることができる。このため、チップ１Ｃの抗折強度を向上させることができる。また、例えば毎秒３００ｍｍという高速な切断処理ができるので、スループットを向上させることができる。また、上記のようにウエハ１Ｗの主面の切断領域ＣＲには、赤外線が透過することができないテスト用のパッド１ＬＢｔが存在するので、ウエハ１Ｗの主面側からレーザ光を照射するとテスト用のパッド１ＬＢｔが邪魔になりその部分の加工（改質層の形成）が上手くできない場合がある。これに対して、本実施の形態１では、テスト用のパッド１ＬＢｔ等のようなメタルの存在しないウエハ１Ｗの裏面側からレーザ光を照射するので、上記のような不具合を生じることなく良好に改質層を形成でき、ウエハ１Ｗを良好に切断することができる。
【００３４】
ここで、本実施の形態１では、上記のようなダイシング後の段階で極薄の複数のチップ１Ｃを治具３に保持させたままの状態で他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、ダイシング工程後の組立を依頼しても良い（工程１０３Ｂ）。
【００３５】
次に、組立工程１０２Ｃに移行する。ここでは、複数のチップ１Ｃを保持した治具３をピックアップ装置に搬送する。図２０はピックアップ装置に載置された治具３の要部拡大断面図を示している。テープ３ａの裏面側には押上ピン１１が上下動可能な状態で設置されている。また、チップ１Ｃの裏面上方には、コレット１２が上下左右に移動可能な状態で設置されている。コレット１２として平コレットを用いたが角錐コレットを用いても良い。このピックアップ工程では、図２１に示すように、テープ３ａの裏面を真空吸引した状態で、押上ピン１１によりテープ３ａの裏面からチップ１Ｃを押し上げる。この時、テープ３ａとして上記ＵＶテープを使用した場合にはテープ３ａの接着層３ａ２に紫外線を照射することにより接着層３ａ２を硬化させ接着力を弱める。この状態で半導体チップ１Ｃをコレット１２により真空吸引することにより、図２２に示すように、チップ１Ｃをピックアップする（工程１０２Ｃ１）。
【００３６】
しかし、チップ１Ｃが薄くなるとＵＶテープを使用したとしても押上ピン１１の押圧力によりチップ１Ｃが割れやピックアップミスを引き起こす場合がある。そのような場合には、次のようにしても良い。図２３はピックアップ装置に載置された治具３の要部拡大断面図を示している。ここではテープ３ａの裏面側に多突起吸着駒１３が設置されている。この場合、図２４に示すように、多突起吸着駒１３の吸引孔を通じてテープ３ａをその裏面側から真空吸引することにより、チップ１Ｃの主面とテープ３ａの主面との接触状態を面接触から点接触に変える。これにより、チップ１Ｃとテープ３ａとの接触面積を低減できる。この状態で、図２５に示すように、チップ１Ｃをコレット１２によりピックアップする（工程１０２Ｃ１）。これにより、極薄のチップ１Ｃでも割れ等を生じさせることなくピックアップすることができる。この場合は、テープ３ａとしてＵＶテープを使用しないでもチップ１Ｃのピックアップを容易にできるが、ＵＶテープを使用し、ピックアップ時にテープ３ａの接着層３ａ２に紫外線を照射し接着性を低下させることでさらにチップ１Ｃのピックアップを容易にすることができる。
【００３７】
続いて、上記のようにしてピックアップしたチップ１Ｃを既存の反転ユニットによりチップ１Ｃの主面が上を向くように反転させた後、図２６に示すように、コレット１２により、例えばプリント配線基板１５のチップ実装領域まで移送する。プリント配線基板１５のチップ実装領域には、例えば銀（Ａｇ）ペースト等のような接着材１６がマトリクス状に点在した状態で塗布されている。プリント配線基板１５に代えてリードフレームのダイパッド（チップ搭載部）上にチップ１Ｃを実装する場合もある。また、ピックアップしたチップ１Ｃを搬送トレイに収容して他の製造工場（例えばアセンブリファブ）に搬送出荷し、この工程後の組立を依頼しても良い（工程１０３Ｃ）。このような搬送トレイについては後述する。続いて、図２７に示すように、チップ１Ｃの裏面をプリント配線基板１５のチップ実装領域に向けた状態でチップ１Ｃをチップ実装領域に載せ、適切な方向にスクラブし、かつ、チップ１Ｃを適度に押し付けて接着材１６をチップ１Ｃの裏面全体に広げる。その後、接着材１６を硬化させてチップ１Ｃをプリント配線基板１５上に固着する（工程１０２Ｃ２）。その後、図２８に示すように、チップ１Ｃの主面のパッド１ＬＢとプリント配線基板１５の電極とをボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）１７により接続する（工程１０２Ｃ３）。その後、トランスファモールド法を用いてエポキシ樹脂等のようなプラスチック材料からなる封止体によりチップ１Ｃを封止する（工程１０２Ｃ４）。前記図６および図７に示したようにチップ１Ｃがバンプ電極ＢＭＰを持つ場合は、上記ピックアップ工程１０２Ｃ１においてチップ１Ｃをその主面が下を向いた状態でプリント配線基板１５のチップ実装領域に移送し、チップ１Ｃのバンプ電極ＢＭＰとチップ実装領域の電極とをペースト材を用いて仮固定した後、リフロ処理（熱硬化処理）することでチップ１Ｃのバンプ電極ＢＭＰとプリント配線基板１５の電極とを固着する（フリップチップボンディング）。その後、チップ１Ｃとプリント配線基板１５との対向面間にアンダーフィルを充填した後、チップ１Ｃを上記と同様に封止する（工程１０４Ｃ４）。
【００３８】
図２９は、本実施の形態１の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置２０の断面図の一例を示している。この半導体装置２０は、１つのパッケージ内に所望の機能のシステムが構築されたＳＩＰ（System In Package）構成とされている。この半導体装置２０を構成するプリント配線基板１５の裏面には、複数のバンプ電極２１がマトリクス状に配置されている。また、プリント配線基板１５の主面上には、複数の薄型のチップ１Ｃ１〜１Ｃ３（１Ｃ）が積層されている。最下層のチップ１Ｃ１は、その主面のバンプ電極ＢＭＰを介してプリント配線基板１５の主面上に実装されている。このチップ１Ｃ１の主面には、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）やＤＳＰ（Digital Signal Processor）等のような論理回路が形成されている。このチップ１Ｃ１の裏面上には、ダイアタッチフィルム２２を介してチップ１Ｃ２が実装されている。チップ１Ｃ２の主面には、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）やフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されている。このチップ１Ｃ２の主面のパッド１ＬＢは、ワイヤ１７を介してプリント配線基板１５の主面の電極と電気的に接続されている。このチップ１Ｃ２の主面上には、スペーサ２３およびダイアタッチフィルム２２を介してチップ１Ｃ３が実装されている。このチップ１Ｃ３には、例えばＳＲＡＭやフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されており、チップ１Ｃ３の主面のパッド１ＬＢは、ワイヤ１７を介してプリント配線基板１５の主面の電極と電気的に接続されている。このようなチップ１Ｃ１〜１Ｃ３およびワイヤ１７は、例えばエポキシ樹脂からなる封止体２４により封止されている。上記の本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、図２９のようなチップ１Ｃ１〜１Ｃ３のような多段積層ができ、ＳＩＰ構成を有する半導体装置２０の薄型化を実現することができる。また、ＳＩＰ構成を有する半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
本実施の形態１では、テープ３ａへのリング３ｂの貼り付けは厚さ測定の前に行った例について示したが、裏面研削工程の前に、テープ３ａへのリング３ｂの貼り付けが完了していれば良い。
【００４０】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、薄型のチップ用の搬送トレイについて説明する。図３０は一般的な搬送トレイ９０の要部断面図を示している。チップ１Ｃの薄型化に伴い、搬送トレイ９０のポケット９０ａも製品保護性を考慮して浅くなってきているが、ポケット９０ａが浅すぎるとチップ１Ｃをポケット９０ａに出し入れする時にその出し入れ作業が、その周囲のポケット９０ａに既に収容されている他のチップ１Ｃに影響し、他のチップ１Ｃがポケット９０ａの外に出てしまう問題がある。図３１は、その一例を示しており、チップ１Ｃを搬送トレイ９０のポケット９０ａに収容する様子を示している。一般的にチップ１Ｃを搬送トレイ９０のポケット９０ａに収容するには、チップ１Ｃをコレット１２（ここでは角錐コレットを例示している）で真空吸引した状態で搬送トレイ９０の所望のポケット９０ａの位置まで移送した後、コレット１２の真空吸引状態を解除してチップ１Ｃを所望のポケット９０ａに落下させて収容している。しかし、チップ１Ｃの薄型化が進み１００μｍ程度以下の厚さになってくると、チップ１Ｃが軽くなることに加えて、吸盤効果、静電気作用あるいはチップ１Ｃの主面のポリイミド樹脂の粘着性により、コレット１２の真空状態を解除しただけではチップ１Ｃがコレット１２から離れなかったり、離れ難くなり上手くポケット９０ａに入らなかったりする等の問題が生じてきている。そこで、チップ１Ｃをポケット９０ａに収容する際に、図３１の矢印に示すように、空気を逆噴射させることにより、チップ１Ｃをコレット１２から離し、所望のポケット９０ａに収容するようになっている。しかし、搬送トレイ９０のポケット９０ａが浅い上、チップ１Ｃが薄く軽いので、コレット１２からの空気流の影響により、その周囲の他のポケット９０ａに既に収容されている他のチップ１Ｃがポケット９０ａの外に出てしまう問題が生じる。ここで、ポケット９０ａの深さをチップ１Ｃの厚さに対して深くすることが考えられる。この場合、チップ１Ｃの出し入れ時の問題はなくなるが、単純にポケット９０ａを深くすると、図３２に示すように、チップ１Ｃを搬送トレイ９０に収容した状態において、チップ１Ｃの主面からそれに対向する搬送トレイ９０の裏面（天井面）までの距離Ｚ１が長くなる結果、搬送中にチップ１Ｃが上下動したり回転したりし易くなるため、チップ１Ｃに傷やチッピング等が生じたり、チップ１Ｃの動作により搬送トレイ９０の内壁面の一部が削られ異物が発生したりする問題が生じる。
【００４１】
そこで、本実施の形態２においては、薄型のチップ１Ｃの搬送トレイ（以下、単にトレイという）への出し入れ時には周囲のチップ１Ｃに悪影響を及ぼさないようにでき、かつ、チップ１Ｃの搬送中にはチップ１Ｃが上下動したり回転したりしないようにできる搬送トレイについて説明する。なお、搬送は、工程間の搬送と、その他に出荷のための搬送など、種々の目的のための搬送を含む。
【００４２】
図３３は本実施の形態２のトレイ２７の主面の全体平面図、図３４は図３３のトレイ２７の裏面の全体平面図、図３５は図３３および図３４のＸ５−Ｘ５線の断面図、図３６は図３３〜図３５のトレイ２７のテープを取り外した様子の断面図をそれぞれ示している。
【００４３】
本実施の形態２のトレイ２７は、薄型のチップ１Ｃの搬送に使用される容器である。このトレイ２７の外観は、例えば１つの角部にインデックス用の面取り部２７ａが形成された平面略正方形の薄板状とされており、その外形寸法は、例えば縦５０ｍｍ程度、横５０ｍｍ程度、高さ４ｍｍ程度とされている。トレイ２７の構成材料は、例えばＡＡＳ（アクリルニトリル−アクリレート−スチレン）樹脂、ＡＢＳ（アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂またはＰＳ（ポリスチレン）樹脂等のような絶縁材料からなり、静電気の帯電を低減しチップの静電破壊を抑制または防止する観点から、例えば親水性ポリマーが含有されている。この静電破壊対策として、トレイ２７にカーボンを添加したり、トレイ２７に導体パターンを形成したりしても良いが、親水性ポリマーを添加した場合は、カーボンの添加に比べて異物の発生を低減でき、また、導体パターンの形成に比べて形成方法が容易でありトレイ２７のコストを低減できる。このトレイ２７の主面および裏面の中央には、その主面および裏面を貫通する開口部２７ｂが形成されており、その開口部２７ｂを塞ぐようにテープ２７ｃが貼り付けられている。テープ２７ｃは、テープベース２７ｃ１とその主面に形成された接着層２７ｃ２とを有している。
【００４４】
次に、図３７は上記トレイ２７にチップ１Ｃを収容し２段重ねにした時のトレイ２７の主面の全体平面図、図３８は図３７のＸ６−Ｘ６線の断面図をそれぞれ示している。
【００４５】
ここには、２枚のトレイ２７が、各々のトレイ２７のインデックス用の面取り部２７ａの位置を合わせた状態で、下段のトレイ２７の主面の凸部に、上段のトレイ２７の裏面の凹部を嵌め合わされトレイ２７の厚さ方向に安定した状態で積み重ねられている場合が例示されている。
【００４６】
各トレイ２７のテープ２７ｃの主面上には、例えば４×４個のチップ１Ｃが、テープ２７ｃの接着層２７ｃ２により貼り付けられている。すなわち、チップ１Ｃは、その主面（素子や配線が形成された面）を上段のトレイ２７の裏面に対向させ、かつ、チップ１Ｃの裏面（素子や配線が形成されていない面）を下段のトレイ２７のテープ２７ｃの主面に接着された状態で載置されている。このため、チップ１Ｃの出し入れに際してその作業が、トレイ２７に既に収容されている他のチップ１Ｃに悪影響を及ぼすこともない。また、チップ１Ｃの搬送に際してチップ１Ｃはテープ２７ｃに貼り付けられ固定されており、上下左右に動いたり回転したりすることもないので、チッピング等の発生も生じないし、チップ１Ｃの移動によりトレイ２７が削られ異物が発生することもない。したがって、チップ１Ｃの品質を確保することができる。
【００４７】
テープ２７ｃは、例えばＵＶテープからなり、チップ１Ｃをトレイ２７からピックアップする時には、テープ２７ｃの接着層２７ｃ２に紫外線を照射することにより、その接着層２７ｃ２の接着性を低下させる。これにより、トレイ２７からのチップ１Ｃのピックアップを容易にすることができる。上記裏面加工やダイシング時に使用したテープ３ａでは裏面加工やダイシング時の機械的な応力に耐えるべく強力な接着性が必要とされたが、このトレイ２７のテープ２７ｃの場合、上記テープ３ａよりも低い接着力で良いので、チップ１Ｃが薄くても、紫外線照射により接着力を下げることでチップ１Ｃを割ることなく容易にピックアップすることができる。
【００４８】
また、図３９に示すように、テープ２７ｃの裏面から真空吸引手段２８によりテープ２７ｃを吸引すると、チップ１Ｃの裏面とテープ２７ｃの主面との接触状態が面接触から点接触に変わるような構成にすることもできる。これにより、チップ１Ｃとテープ２７ｃとの接触面積を低減できるので、チップ１Ｃを割ることなく、さらに容易にピックアップすることができる。この場合は、テープ２７ｃとしてＵＶテープを用いないでもチップ１Ｃのピックアップを容易にできるが、ＵＶテープを使用し、ピックアップ時にテープ２７ｃの接着層２７ｃ２に紫外線を照射し接着性を低下させることで、チップ１Ｃのピックアップの容易性をさらに向上させることができる。なお、チップ１Ｃのピックアップ後の組立は、前記実施の形態１と同じなので説明を省略する。
【００４９】
また、テープ２７ｃは、着脱自在の状態とされている。テープ２７ｃを搬送毎に貼り替えることによりテープ２７ｃに付着した異物がチップ１Ｃに付着する問題を回避できる。したがって、チップ１Ｃの搬送中の品質を確保できる。
【００５０】
また、テープ２７ｃを透明な材料で形成することにより、テープ２７ｃに貼り付けられたチップ１Ｃの裏面をテープ２７ｃを介して検査することができる。
【００５１】
次に、本実施の形態２のチップ１Ｃのトレイ２７への収容方法の一例を説明する。
【００５２】
図４０および図４１は、薄型のチップ１Ｃをトレイ２７に収容する工程時のトレイ２７の要部断面図を示している。まず、図４０に示すように、チップ１Ｃをコレット１２により真空吸引した状態でトレイ２７のテープ２７ｃの主面上の所望の位置に移送する。ここでは、チップ１Ｃの主面をコレット１２の真空吸着面に向けた状態でチップ１Ｃを吸引する。続いて、コレット１２の真空吸引状態を解除する。上記のようにチップ１Ｃの厚さが１００μｍ程度と薄くなってくるとチップ１Ｃが軽くなることに加え、吸盤効果や静電気作用あるいはチップ１Ｃの主面側のポリイミド樹脂膜の粘着力により真空吸引状態を解除しただけではチップ１Ｃがコレット１２から離れない。そこで、本実施の形態２でも、図４１に示すように、空気をチップ１Ｃ側に軽く逆噴射する。これにより、チップ１Ｃをテープ２７ｃの所望の位置に載置しテープ２７ｃに貼り付ける。この時、本実施の形態２においては、トレイ２７に既に収容されている他のチップ１Ｃがテープ２７ｃに貼り付けられ固定されているので、上記コレット１２から逆噴射された空気流がトレイ２７に既に収容されている他のチップ１Ｃに流れても他のチップ１Ｃが動いてしまわないようにすることができる。
【００５３】
次に、チップ１Ｃの搬送中にチップ１Ｃの裏面を検査する方法の一例を説明する。図４２はチップ１Ｃの裏面検査の様子を示している。チップ１Ｃの裏面にチッピングや異物が有るか否か等を検査する裏面検査に際しては、図３８の状態からトレイ２７を図４２に示すように反転させ、矢印に示す方向からチップ１Ｃの裏面を検査する。チップ１Ｃはテープ２７ｃに貼り付いたままの状態とされる。検査終了後、再びトレイ２７を反転させて元の図３８の状態に戻す。図３０で示したトレイ９０の場合、同様の裏面検査を行った後、トレイ９０を元の状態に戻した時に、チップ１Ｃが薄く軽いことに加え、静電気作用やチップ１Ｃの主面のポリイミド樹脂の粘着性のために、チップ１Ｃが上段のトレイ９０の裏面（天井面）に貼り付いたままになってしまう場合がある。このため、チップ１Ｃをトレイ９０からピックアップする段階で、上記元の状態で上段のトレイ９０を取り外した時に下段のトレイ９０のポケット９０ａにチップ１Ｃが存在せずチップ１Ｃをピックアップできない、という問題がある。これに対して、本実施の形態２においては、チップ１Ｃの裏面検査時においてもチップ１Ｃはトレイ２７の主面のテープ２７ａに貼り付いたまま固定されているので、トレイ２７を元の状態に戻した時に、チップ１Ｃが上段のトレイ２７の裏面（天井面）に貼り付いたままになることはない。したがって、チップ１Ｃをトレイ２７からピックアップする段階で、上記元の状態で上段のトレイ２７を取り外した時に下段のトレイ２７にチップ１Ｃが存在しないという不具合が生じないので、チップ１Ｃを良好にピックアップできる。
【００５４】
（実施の形態３）
本実施の形態３においては、図１のウエハ厚さ測定工程１０２Ａ２の変形例について説明する。図４３は、本実施の形態３のウエハ厚さ測定工程の説明図を示している。
【００５５】
本実施の形態３においては、予めオフラインで厚さ測定器３０を用いてウエハ１Ｗの厚さを測定し、そのデータを裏面加工装置に転送する。裏面加工装置では、吸着ステージ上のウエハ１Ｗの裏面の高さを検出し、上記ウエハ１Ｗの厚さ測定値を考慮して必要量を研削および研磨する。本実施の形態３の場合は、高価なＩＲカメラが不要とすることができる。
【００５６】
（実施の形態４）
本実施の形態４においては、図１のウエハ厚さ測定工程１０２Ａ２の他の変形例について説明する。図４４は、本実施の形態４のウエハ厚さ測定工程の説明図を示している。
【００５７】
本実施の形態４においては、テープ３ａの厚さをＩＲカメラ５ａまたは厚さ測定器３０により直接測定し、そのデータを裏面加工装置に転送する。裏面加工装置では、吸着ステージ４上のウエハ１Ｗの裏面の高さを検出し、その検出値と上記テープ３ａの厚さとからウエハ１Ｗの厚さを算出する。そして、吸着ステージ４の上面をゼロ基準として必要量を研削および研磨する。
【００５８】
（実施の形態５）
本実施の形態５においては、ウエハの裏面にダイアタッチフィルムを貼り付ける場合のダイシング処理について説明する。図４５〜図４７は本実施の形態５の半導体装置の製造工程中のウエハ１Ｗの断面図を示している。
【００５９】
まず、図４５に示すように、ウエハ１Ｗの裏面にダイアタッチフィルム２２を貼り付ける。このダイアタッチフィルム２２は、例えば接着機能を持つエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などのような樹脂材料に導電性フィラーを充填したもので、チップをリードフレームや配線基板に固定するための接着材である。続いて、前記実施の形態１と同様にして得られたウエハ１Ｗの主面のパターンデータに基づいてダイシング処理を行う。このダイシングを行う際には、例えば２軸ダイサーを用い、１軸ブレードにより図４６に示すようにダイアタッチフィルム２２を切断した後、上記１軸ブレードよりも刃幅（切断幅）の狭い２軸ブレードにより図４７に示すようにウエハ１Ｗを切断する。ダイアタッチフィルム２２の切断に際しては、レーザ光を用いても良い。このような本実施の形態５によれば、裏面にダイアタッチフィルム２２が貼り付けられたチップ１Ｃを用意することができる。
【００６０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６１】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えばマイクロマシンの製造方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、半導体装置の製造業に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程のフロー図である。
【図２】図１の前工程後の半導体ウエハの主面の全体平面図である。
【図３】図２のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図４】図２の半導体ウエハの一例の要部拡大平面図である。
【図５】図４のＸ２−Ｘ２線の断面図である。
【図６】図２の半導体ウエハの他の例の要部拡大平面図である。
【図７】図６のＸ３−Ｘ３線の断面図である。
【図８】半導体ウエハが貼り付けられた治具の全体平面図である。
【図９】図８のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図１０】図８の他の例のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図１１】半導体ウエハの厚さ測定の一例の様子を示す断面図である。
【図１２】図１１の半導体ウエハの厚さ測定時の要部拡大平面図である。
【図１３】半導体ウエハの裏面加工工程の説明図である。
【図１４】半導体ウエハの裏面加工工程の説明図である。
【図１５】半導体ウエハの主面のパターン認識工程の説明図である。
【図１６】半導体ウエハのダイシング工程の説明図である。
【図１７】図１６に続く半導体ウエハのダイシング工程の説明図である。
【図１８】半導体ウエハの他のダイシング工程の説明図である。
【図１９】図１８に続く半導体ウエハのダイシング工程の説明図である。
【図２０】半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２１】図２０に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２２】図２１に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２３】半導体チップのピックアップ工程の他の例の説明図である。
【図２４】図２３に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２５】図２４に続く半導体チップのピックアップ工程の説明図である。
【図２６】半導体チップのダイボンディング工程の説明図である。
【図２７】図２６に続く半導体チップのダイボンディング工程の説明図である。
【図２８】図２７のダイボンディング工程に続くワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２９】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法で製造された半導体装置の一例の断面図である。
【図３０】一般的な搬送トレイの要部断面図である。
【図３１】図３０の搬送トレイの不具合の説明図である。
【図３２】図３０の搬送トレイの不具合の説明図である。
【図３３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法で用いる搬送トレイの主面の全体平面図である。
【図３４】図３３の搬送トレイの裏面の全体平面図である。
【図３５】図３３および図３４のＸ５−Ｘ５線の断面図でる。
【図３６】図３３〜図３５の搬送トレイのテープを取り外した様子の断面図である。
【図３７】図３３の搬送トレイに半導体チップを収容し２段重ねにした時の搬送トレイの主面の全体平面図である。
【図３８】図３７のＸ６−Ｘ６線の断面図である。
【図３９】搬送トレイのテープ構成の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図４０】半導体チップを搬送トレイに収容する工程時の搬送トレイの要部断面図である。
【図４１】図４０に続く半導体チップを搬送トレイに収容する工程時の搬送トレイの要部断面図である。
【図４２】搬送トレイに収容された半導体チップの裏面検査を説明するための説明図である。
【図４３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程における半導体ウエハの厚さ測定工程の説明図である。
【図４４】本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程における半導体ウエハの厚さ測定工程の説明図である。
【図４５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程における半導体ウエハの断面図である。
【図４６】図４５に続く半導体装置の製造工程における半導体ウエハの断面図である。
【図４７】図４６に続く半導体装置の製造工程における半導体ウエハの断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１Ｗ  半導体ウエハ
１Ｃ  半導体チップ
１Ｓ  半導体基板
１Ｌ  配線層
１Ｌｉ  層間絶縁膜
１Ｌ１，１Ｌ２  配線
１ＬＢ  ボンディングパッド
１ＬＢｔ  テスト用のボンディングパッド
１ＬＰ  保護膜
２  開口部
３  治具
３ａ  テープ
３ａ１  テープベース
３ａ２  接着層
３ｂ  リング（枠体）
３ｂ１，３ｂ２  切り欠き部
４  吸着ステージ
５ａ，５ｂ  赤外線カメラ
６  研削研磨工具
７  吸着ステージ
８  ダイシングブレード（切断刃）
９  レーザー発生部
１０  載置台
１１  押上ピン
１２  コレット
１３  多突起吸着駒
１５  プリント配線基板
１６  接着材
１７  ボンディングワイヤ
２０  半導体装置
２１  バンプ電極
２２  ダイアタッチフィルム
２３  スペーサ
２４  封止体
２７  搬送トレイ
２７ａ  面取り部
２７ｂ  開口部
２７ｃ  テープ
２７ｃ１  テープベース
２７ｃ２  接着層
２８  真空吸引手段
３０  厚さ測定器
９０  搬送トレイ
９０ａ  ポケット
Ｎ  ノッチ
ＵＢＭ  下地金属
ＢＭＰ  バンプ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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