(57)【要約】【課題】反射防止膜を正確な位置に形成することができる固体撮像素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の固体撮像素子の製造方法は、（１）表面上に形成された少なくとも２つのゲート電極１３と、前記ゲート電極１３及びゲート電極間１４の領域を覆う層間絶縁膜１５とを備える基板２上に、前記ゲート電極１３及びゲート電極間１４の領域を覆う反射防止膜１７を形成し、（２）ゲート電極間１４の空間を埋める保護層２１を形成し、（３）保護層２１及び層間絶縁膜１５をマスクとして、反射防止膜１７をエッチングしてパターニングする工程を備える。  反射防止膜１７は、保護層２１及び層間絶縁膜１５をマスクとしてエッチングされる。そして、保護層２１は、ゲート電極間１４の空間を埋めるように形成される。本発明の方法によれば、保護層２１を形成するのに、フォトリソグラフィ工程は必要でない。従って、アライメントずれによる、パターニングされた反射防止膜１７の位置ずれが発生しない。【選択図】図２
2005277359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）表面上に形成された少なくとも２つのゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う層間絶縁膜とを備える基板上に、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う反射防止膜を形成し、（２）ゲート電極間の空間を埋める保護層を形成し、（３）保護層及び層間絶縁膜をマスクとして、反射防止膜をエッチングしてパターニングする工程を備える固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
（１）表面上に少なくとも２つの凸部を備える基板上に、前記凸部及び凸部間の領域を覆う材料膜を形成し、（２）凸部間の空間を埋める保護層を形成し、（３）保護層及び基板をマスクとして、材料膜をエッチングしてパターニングする工程を備える半導体素子の製造方法。
【請求項３】
層間絶縁膜は、酸化シリコンからなり、反射防止膜は、窒化シリコンからなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
工程（２）は、前記ゲート電極を覆い、かつ、ゲート電極間の空間を埋める保護層用の層を形成し、保護層用の層をエッチバックすることにより、ゲート電極間の空間を埋める保護層を形成する工程である請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
工程（２）は、前記凸部を覆い、かつ、凸部間を埋める保護層用の層を形成し、保護層用の層をエッチバックすることにより、凸部間の空間を埋める保護層を形成する工程である請求項２に記載の製造方法。
【請求項６】
保護層は、フォトレジストからなる請求項１から５の何れか１つに記載の製造方法。
【請求項７】
反射防止膜又は材料膜のエッチングは、等方性エッチングである請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項８】
反射防止膜又は材料膜のエッチングは、フッ素化合物ガスと酸素ガスを含む混合ガスを用いて行われる請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項９】
反射防止膜又は材料膜のエッチングは、ウェットエッチングである請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項１０】
工程（３）において、反射防止膜又は材料膜は、その幅が保護層よりも狭くなるようにエッチングされる請求項１又は２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子の製造方法及び半導体素子の製造方法に関し、固体撮像素子内の反射防止膜の加工に好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
図３は、従来の固体撮像素子５１の構造を示す断面図である。図３において、基板５２の受光表面側には、光電変換部５３、チャネルストッパ５５、電荷転送領域５７及びゲート読み出し部５９が形成されている。また、基板５２上には、ゲート絶縁膜６１、ゲート電極６３、層間絶縁膜６５及びパターニングされた反射防止膜６７が形成されている。パターニングされた反射防止膜６７は、通常、後工程でゲート電極６３を覆う遮光層を形成する際の都合により、光電変換部５３の一部を覆うように形成される。
【０００３】
以下、図３及び図４用いて、このような固体撮像素子５１の製造方法について説明する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
まず、基板５２の受光面側に光電変換部５３、チャネルストッパ５５、電荷転送領域５７を形成する。次に、ゲート絶縁膜６１、ゲート電極６３、層間絶縁膜６５を形成する。次に、基板全面に反射防止膜６７を形成し、図４（ａ）に示す構造を得る。
【０００５】
次に、フォトリソグラフィにより、光電変換部５３の一部を覆うレジストパターン７１を形成し、図４（ｂ）に示す構造を得る。
【０００６】
次に、レジストパターン７１をマスクとして、等方性エッチングにより、反射防止膜６７のパターニングを行い、レジストパターン７１を除去し、図３に示す構造を得る。
【特許文献１】特開平１１−２３３７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、この方法によると、レジストパターン７１を形成する際のフォトリソグラフィ工程でアライメントずれが発生し、その結果、反射防止膜６７が形成される位置がずれる場合がある。そのため、この位置ずれを考慮した設計を行う必要があり、位置ずれによってゲート電極の側壁に反射防止膜が形成された場合、後工程でゲート電極を覆う遮光層を形成する際、反射防止膜の厚さ分、光電変換部５３上方の開口部が小さくなり、光電変換部５３に入射する光の量が少なくなる。
【０００８】
本発明は係る事情に鑑みてなされたものであり、反射防止膜を正確な位置に形成することができる固体撮像素子の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、（１）表面上に形成された少なくとも２つのゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う層間絶縁膜とを備える基板上に、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う反射防止膜を形成し、（２）ゲート電極間の空間を埋める保護層を形成し、（３）保護層及び層間絶縁膜をマスクとして、反射防止膜をエッチングしてパターニングする工程を備える。
【発明の効果】
【００１０】
反射防止膜は、保護層及び層間絶縁膜をマスクとしてエッチングされる。そして、保護層は、ゲート電極間の空間を埋めるように形成される。本発明の方法によれば、保護層を形成するのに、フォトリソグラフィ工程は必要でない。従って、アライメントずれによる反射防止膜の位置ずれが発生しない。また、フォトリソグラフィ工程が必要でないので、固体撮像素子の製造工程を簡略化することができる。
【００１１】
また、ゲート電極間のように、段差のある部分にレジストパターンを作る場合、その段差の影響で、レジストパターンのエッジが不安定になり、その結果、パターニングされた反射防止膜の形状が不安定になっていたが、本発明によれば、そのような問題が発生しない。
【００１２】
また、本発明によれば、ゲート電極のそれぞれの側からエッチングが進行する。従って、このエッチングにより形成される反射防止膜は、隣接する２つのゲート電極の中間に形成される。従って、本発明によれば、パターニングされた反射防止膜を正確な位置に形成することができ、その結果、後工程でゲート電極を覆う遮光層を形成する際、ゲート電極の側壁に反射防止膜は形成されていない分、反射防止膜の厚さを考慮せずに有効に光電変換部上方の開口を大きくすることができ、固体撮像素子の感度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
１．第１の実施形態
本発明の第１の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法は、（１）表面上に形成された少なくとも２つのゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う層間絶縁膜とを備える基板上に、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う反射防止膜を形成し、（２）ゲート電極間の空間を埋める保護層を形成し、（３）保護層及び層間絶縁膜をマスクとして、反射防止膜をエッチングしてパターニングする工程を備える。
【００１４】
１−１．表面上に形成された少なくとも２つのゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う層間絶縁膜とを備える基板上に、前記ゲート電極及びゲート電極間の領域を覆う反射防止膜を形成する工程
基板には、シリコンなどの半導体基板などを用いることができる。基板自体がｎ型又はｐ型であってもよく、光電変換部を形成する領域にｎ型又はｐ型のウェルが形成されていてもよい。また、基板の受光面側であって、隣接する２つのゲート電極間には、通常、光電変換部が形成される。また、光電変換部に隣接して、チャネルストッパを形成することが好ましい。この場合、隣接する固体撮像素子が互いに素子分離されるからである。
【００１５】
基板の表面上に、通常は、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成される。また、ゲート電極の下方であって、基板の受光面側には、通常は、電荷転送領域が形成される。電荷転送領域は、光電変換部に対して、所定の間隔を隔てて形成されている。その所定の間隔は、読み出しゲート部となる。なお、「表面上に」は、「絶縁膜又は保護膜などを介して表面上に」という概念も含む。他の「膜上に」又は「層上に」などについても同様である。
【００１６】
ゲート絶縁膜は、酸化膜若しくは窒化膜又はこれらの積層膜などからなる。酸化膜又は窒化膜は、例えば、それぞれ酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる。ゲート絶縁膜は、好ましくは、その厚さが５０〜１００ｎｍである。また、ゲート絶縁膜は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜をこの順に積層して形成される。また、その厚さは、例えば、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ及び１０ｎｍである。
【００１７】
ゲート電極は、好ましくは、ポリシリコンからなる。ゲート電極は、例えば、第１ゲート電極及び第２ゲート電極からなる。第１ゲート電極と第２ゲート電極とは、後述する層間絶縁膜などで互いに絶縁されている。ゲート電極は、例えば、ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成し、それをパターニングして形成される。このパターニングの際、ポリシリコン膜のみをパターニングしてもよく、併せて、ゲート絶縁膜もパターニングしてもよい。ゲート絶縁膜をパターニングする場合、ゲート絶縁膜のうち、ゲート電極間にある部分が、除去される。
【００１８】
また、ゲート電極及びゲート電極間の領域を層間絶縁膜が覆う。層間絶縁膜は、後工程である反射防止膜のエッチング工程で、マスクとして、又はエッチングストッパ膜として働く。層間絶縁膜は、反射防止膜に対して、エッチング選択比を小さくすることができる材料で形成することが好ましい。層間絶縁膜は、例えば、酸化シリコンからなる。層間絶縁膜は、好ましくは、その厚さが５０〜１００ｎｍである。５０ｎｍ以上の膜厚であれば、後工程でゲート電極を覆う遮光層を形成した後の耐圧が保てショートすることがない。１００ｎｍ以下の膜厚であれば固体撮像素子のレンズの高さを低く形成できるので光の集光において有利になる。層間絶縁膜は、例えば、基板及びゲート電極の熱酸化により形成することができる。また、層間絶縁膜は、ＣＶＤ法などで形成してもよい。また、前工程でゲート絶縁膜のうち、ゲート電極間にある部分が除去されていない場合には、その部分も、ここでいう「層間絶縁膜」に含まれる。従って、この場合、層間絶縁膜は、例えば、ゲート絶縁膜と、ゲート電極の熱酸化などにより新たに形成した熱酸化膜とからなる。
【００１９】
反射防止膜は、層間絶縁膜及び保護層に対して、エッチング選択比を高くすることができる材料で形成することができる。反射防止膜は、例えば、窒化シリコン膜からなる。反射防止膜は、好ましくは、その厚さが２０〜１００ｎｍである。２０ｎｍ以上の膜厚であれば反射防止性が保て、１００ｎｍ以下の膜厚であれば固体撮像素子のレンズの高さを低く形成できるので光の集光において有利になる。反射防止膜は、ＣＶＤ法などで形成することができる。反射防止膜は、ゲート電極においては、ゲート電極全体を覆っていてもよく、ゲート電極の側面のみを覆っていてもよい。
【００２０】
１−２．ゲート電極間の空間を埋める保護層を形成する工程
ゲート電極間の空間を埋める保護層は、例えば、前記ゲート電極を覆い、かつ、ゲート電極間の空間を埋める保護層用の層を形成し、保護層用の層をエッチバックすることにより、形成することができる。この方法によれば、保護層を形成するために、フォトリソグラフィを用いる必要がないので、簡易に、かつ、正確な位置に固体撮像素子を製造することができる。
【００２１】
保護層は、反射防止膜に対して、エッチング選択比を小さくすることができる材料で形成することが好ましい。この場合、反射防止膜のエッチングの際に、保護層のエッチング量が少なくなり、その結果、反射防止膜を効果的に保護し、反射防止膜のエッチングの際にマスクとして効果的に機能するからである。また、保護層は、反射防止膜のエッチングの後に、容易に除去できる材料からなることが好ましい。この点を鑑みると、保護層は、フォトレジストからなることが好ましい。また、例えば、層間絶縁膜が熱酸化膜からなる場合、保護層は、ＬＴＯ酸化膜又はＰ−ＳｉＯ膜などで形成することもできる。ＬＴＯ酸化膜又はＰ−ＳｉＯ膜は、熱酸化膜よりもエッチング速度が大きく、反射防止膜のエッチング後の除去が容易だからである。
【００２２】
エッチバックは、好ましくは、下地の反射防止膜又はその下の層間絶縁膜のエッチング速度が小さくなる条件で行うことが好ましい。また、エッチバックは、ドライエッチング又はウェットエッチングで行うことができる。ドライエッチングは、例えば、塩素ガス及び酸素ガスを含む混合ガスを用いて行うことができる。また、この場合は、塩素ガスと酸素ガスの比は、１：１とすることができる。ウェットエッチングは、例えば、酸化膜であればフッ化水素、窒化シリコン膜であればリン酸液を用いて行うことができる。
【００２３】
また、ゲート電極間の空間を埋める保護層は、（１）前記ゲート電極を覆い、かつ、ゲート電極間の空間を埋める保護層用の層を形成し、（２）ゲート電極上方部分を露光し（ポジ型レジストの場合）、又はゲート電極間の領域を露光し（ネガ型レジストの場合）、（３）保護層用の層を現像することにより、形成してもよい。露光の強度若しくは時間、又は現像の時間などを調節することにより、ゲート電極上方部分のレジストのみを除去することが可能である。
【００２４】
また、ゲート電極間の空間を埋める保護層は、（１）前記ゲート電極を覆い、かつ、ゲート電極間の空間を埋める保護層用の層を形成し、（２）例えば、反射防止膜又は層間絶縁膜をストッパ膜として、保護層用の層をＣＭＰ法などで平坦化することにより、形成してもよい。
【００２５】
１−３．保護層及び層間絶縁膜をマスクとして、反射防止膜をエッチングしてパターニングする工程
反射防止膜は、保護層及び層間絶縁膜をマスクとしてエッチングされる。まず、反射防止膜のうち、ゲート電極の側面にある部分において、エッチングが進行する。この部分は、保護層と層間絶縁膜に挟まれている。すなわち、このエッチングは、保護層及び層間絶縁膜をマスクとして用いて行われる。保護層及び層間絶縁膜をマスクとして機能させるために、エッチングは、保護層及び層間絶縁膜に対する反射防止膜の選択比が大きくなる（すなわち、反射防止膜のエッチングがほぼ選択的に進行する）条件で行われることが好ましい。反射防止膜のうち、ゲート電極の側面にある部分をエッチングする段階では、エッチングは、異方性であっても、等方性であってもよい。
【００２６】
エッチングが進むと、反射防止膜のうち、ゲート電極の側面にある部分が実質的に完全に除去される。本発明によると、保護層及び層間絶縁膜をマスクとして用いてエッチングを行うので、反射防止膜のうち、ゲート電極の側面にある部分を除去するのが容易である。
【００２７】
エッチングがさらに進み、保護層の下面に到達すると、エッチングは、横方向（すなわち、基板水平方向）に進み始める。エッチングが横方向に進むと、反射防止膜は、その幅が保護層よりも狭くなるようにエッチングされる。横方向のエッチングは、隣接する２つのゲート電極のそれぞれの側から進行する。また、反射防止膜のうち、ゲート電極の側面にある部分のエッチングが同時に開始されると、横方向のエッチングも同時に開始される。従って、本発明によると、パターニングされた反射防止膜は、隣接する２つのゲート電極の中間に形成される。そして、エッチングを行う時間などを調節することによって、反射防止膜の幅などを調節することができる。このように本発明によると、反射防止膜を正確な位置に形成することができ、その結果、光電変換部上方の開口を大きくすることができ、固体撮像素子の感度を向上させることができる。
【００２８】
横方向のエッチングを行うためには、エッチングは、等方性である必要がある。なお、ここでいう「等方性」には、エッチングが横方向にも実質的に進行する場合を含み、エッチングの垂直方向成分と水平方向成分が実質的に等しい場合に限定されない。
【００２９】
反射防止膜のエッチングは、等方性エッチングのみでおこなってよく、又は、最初は異方性エッチングを行い、横方向のエッチングを行う段階で等方性エッチングに切り替えてもよい。
【００３０】
等方性エッチングは、ドライエッチング又はウェットエッチングからなる。ドライエッチングは、例えば、フッ素ガス及び酸素ガスを含む混合ガスを用いて行うことができる。  また、この場合は、フッ素ガスと酸素ガスの比は、１：４とすることができる。ウェットエッチングは、例えば、酸化膜であればフッ化水素、窒化シリコン膜であればリン酸液を用いて行うことができる。ウェットエッチングによると、保護層及び層間絶縁膜に対する反射防止膜の選択比を非常に大きくすることが比較的容易であるので、エッチングは、ウェットエッチングで行うことが好ましい。
【００３１】
２．第２の実施形態
本発明の第２の実施形態に係る半導体素子の製造方法は、（１）表面上に少なくとも２つの凸部を備える基板上に、前記凸部及び凸部間の領域を覆う材料膜を形成し、（２）凸部間の空間を埋める保護層を形成し、（３）保護層及び基板をマスクとして、材料膜をエッチングしてパターニングする工程を備える。
【００３２】
第２の実施形態は、基本的に、第１の実施形態と共通する。しかし、第２の実施形態は、固体撮像素子のみならず、一般的な半導体素子を対象としている。ここで、半導体素子は、固体撮像素子、メモリ、又はトランジスタなどからなる。
【００３３】
２−１．表面上に少なくとも２つの凸部を備える基板上に、前記凸部及び凸部間の領域を覆う材料膜を形成する工程
凸部は、基板自体が加工されて形成されたものでもよく、第１の実施形態のように、基板上に別の構成要素を凸状に形成したものであってもよい。
材料膜は、絶縁体、半導体又は導電体などからなる。また、材料膜は、ＣＶＤ法又はスパッタ法などで形成することができる。
【００３４】
２−２．凸部間の空間を埋める保護層を形成する工程
凸部間の空間を埋める保護層は、例えば、前記凸部を覆い、かつ、凸部間を埋める保護層用の層を形成し、保護層用の層をエッチバックすることにより、形成することができる。
【００３５】
２−３．保護層及び基板をマスクとして、材料膜をエッチングしてパターニングする工程
第１の実施形態と同様の方法で、材料膜をパターニングすることができる。第１の実施形態での反射防止膜についての説明は、第２の実施形態での材料膜にも基本的に当てはまる。本発明によると、パターニングされた材料膜は、隣接する２つの凸部の中間に形成される。そして、エッチングを行う時間などを調節することによって、材料膜の幅などを調節することができる。このように本発明によると、パターニングされた材料膜を正確な位置に形成することができる。
【実施例１】
【００３６】
図１は、本発明の実施例１に係る固体撮像素子１の構造を示す断面図である。図１において、基板２の受光表面側には、光電変換部３、チャネルストッパ５、電荷転送領域７及びゲート読み出し部９が形成されている。また、基板２上には、ゲート絶縁膜１１、ゲート電極１３、層間絶縁膜１５及びパターニングされた反射防止膜１７が形成されている。  パターニングされた射防止膜１７は、通常、後工程でゲート電極１３を覆う遮光層を形成する際の都合により、光電変換部３の一部を覆うように形成される。
【００３７】
以下、図１及び図２用いて、このような固体撮像素子１の製造方法について説明する。
まず、シリコン基板２の受光面側に光電変換部３、チャネルストッパ５、電荷転送領域７を形成する。次に、ＯＮＯ膜からなるゲート絶縁膜１１、ポリシリコンからなるゲート電極１３、酸化シリコンからなる層間絶縁膜１５を形成する。層間絶縁膜１５は、基板２及びゲート電極１３を熱酸化することにより、基板２は３０ｎｍ、ゲート電極１３上の厚さは１２０ｎｍで形成される（なお、図１及び図２では、便宜上、層間絶縁膜１５を同じ厚さで表現している。）。これにより、基板２の表面上に形成された少なくとも２つのゲート電極１３と、前記ゲート電極１３及びゲート電極間１４の領域を覆う層間絶縁膜１５とを備える基板が準備される。次に、得られた基板上に、前記ゲート電極１３及びゲート電極間の領域１４を覆う反射防止膜１７を形成し、図２（ａ）に示す構造を得る。  なお、反射防止膜１７は、窒化シリコンからなり、厚さ３５ｎｍで、ＣＶＤ法により形成する。
【００３８】
次に、前記ゲート電極１３を覆い、かつ、ゲート電極間１４の空間を埋める保護層用の層２１ａを形成し、図２（ｂ）に示す構造を得る。なお、保護層用の層２１ａは、フォトレジストからなり、厚さ８００ｎｍで、スピンコート法により塗布する。保護層用の層２１ａは、その表面が基板２の表面に対して均一になるように形成する。
【００３９】
次に、保護層用の層２１ａをエッチバックすることにより、ゲート電極間１４の空間を埋める保護層２１を形成し、図２（ｃ）に示す構造を得る。なお、エッチバックは、保護層用の層２１ａのうち、ゲート電極１３の上方部分が除去され、ゲート電極１３が露出するまで行う。また、エッチバックは、塩素ガスと酸素ガスからなる混合ガス（ガス比は、塩素ガス：酸素ガス＝１：１）を用いてドライエッチングにより行う。このとき、反射防止膜１７がエッチングされないように、バイアスパワーなどのエッチング条件を調節する。
【００４０】
次に、保護層２１及び層間絶縁膜１５をマスクとして、反射防止膜１７をエッチングしてパターニングする。エッチングは、まず、反射防止膜１７のうち、ゲート電極１３の側面にある部分１７ａにおいて進行する。この部分は、保護層２１と層間絶縁膜１５に挟まれている。すなわち、このエッチングは、保護層２１及び層間絶縁膜１５をマスクとして用いて行われる。保護層２１及び層間絶縁膜１５をマスクとして機能させるために、エッチングは、保護層２１及び層間絶縁膜１５に対する反射防止膜１７の選択比が大きくなる（すなわち、反射防止膜１７のエッチングがほぼ選択的に進行する）条件で行われる。ここでは、エッチングは、フッ素化合物ガスと酸素ガスからなる混合ガス（ガス比は、フッ素化合物ガス：酸素ガス＝１：４）を用いてドライエッチングにより行う。また、リン酸液を用いてウェットエッチングにより、行ってもよい。このウェットエッチングによると、護層２１及び層間絶縁膜１５に対する反射防止膜１７の選択比は、極めて大きくなる。
【００４１】
図２（ｄ）は、このようなエッチングが進み、反射防止膜１７のうち、ゲート電極１３の側面にある部分１７ａが完全に除去された状態を示す。本実施例によると、保護層２１及び層間絶縁膜１５をマスクとして用いてエッチングを行うので、反射防止膜１７のうち、ゲート電極１３の側面にある部分１７ａを除去するのが容易である。
【００４２】
さらにエッチングを続けると、横方向のエッチングが進み、図２（ｅ）に示す構造を得る。エッチングが横方向に進むのは、上記のエッチングが等方性であるためである。エッチングがこのように進むので、パターニングされた反射防止膜１７は、隣接する２つのゲート電極１３のちょうど中間に形成される。
【００４３】
次に、酸素プラズマなどを用いて、保護層２１を除去し、図１に示す構造を得る。
この後、遮光膜、パシペーション膜、平坦化膜、カラーフィルタ層及びオンチップレンズなどを形成し、本実施例の固体撮像素子の製造を完了する。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例１に係る固体撮像素子の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３】従来の固体撮像素子の構造を示す断面図である。
【図４】従来の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
２、５２  基板
３、５３  光電変換部
５、５５  チャネルストッパ
７、５７  電荷転送領域
９、５９  読み取りゲート部
１１、６１  ゲート絶縁膜
１３、６３  ゲート電極
１４  隣接する２つのゲート電極の間
１５、６５  層間絶縁膜
１７、６７  反射防止膜
１７ａ、６７ａ  反射防止膜のうち、ゲート電極の側面にある部分
２１  保護層
２１ａ  保護層用の層
５１  従来の固体撮像素子
７１  レジストパターン
【図１】
2005277359.tif 000003
【図２】
2005277359.tif 000004
【図３】
2005277359.tif 000005
【図４】
2005277359.tif 000006