(57)【要約】【課題】  アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、配線の接触不良や信頼性の問題を解決する。【解決手段】  薄膜トランジスタのドレイン１１０と画素電極であるＩＴＯ電極１１４との接続を１１９で示されるチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜で構成する。この場合、半導体とチタン膜、ＩＴＯとチタン膜とが接触することになるので、接触不良や信頼性の低下を抑制することができる。またアルミニウム配線の特徴である低抵抗性を得ることができる。【選択図】  図２
2005317983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された酸化珪素膜と、
前記酸化珪素膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
前記ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域と電気的に接続するソース配線と、
前記ソース配線上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン領域と電気的に接続する配線と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と重なるブラックマトリクスと、
前記配線と電気的に接続する画素電極とを有し、
前記ブラックマトリクスは前記画素電極の縁と前記ソース配線を覆い、
前記配線と前記ブラックマトリクスは同一の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された酸化珪素膜と、
前記酸化珪素膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
前記ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域と電気的に接続するソース配線と、
前記ソース配線上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン領域と電気的に接続する配線と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と重なるブラックマトリクスと、
前記配線と電気的に接続する画素電極とを有し、
前記ブラックマトリクスは前記画素電極の縁と前記ソース配線を覆うとともに、隣接する画素のブラックマトリクスと一体化し、
前記配線と前記ブラックマトリクスは同一の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に形成された下地膜と、
前記下地膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
前記ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域と電気的に接続するソース配線と、
前記ソース配線上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン領域と電気的に接続する配線と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と重なるブラックマトリクスと、
前記配線と電気的に接続する画素電極とを有し、
前記ブラックマトリクスは前記画素電極の縁と前記ソース配線を覆い、
前記配線と前記ブラックマトリクスは同一の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成された下地膜と、
前記下地膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
前記ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域と電気的に接続するソース配線と、
前記ソース配線上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン領域と電気的に接続する配線と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と重なるブラックマトリクスと、
前記配線と電気的に接続する画素電極とを有し、
前記ブラックマトリクスは前記画素電極の縁と前記ソース配線を覆うとともに、隣接する画素のブラックマトリクスと一体化し、
前記配線と前記ブラックマトリクスは同一の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の層間絶縁膜は酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第２の層間絶縁膜は酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記配線と前記ブラックマトリクスは多層膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記多層膜はアルミニウムとチタンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、前記多層膜はアルミニウム膜をチタン膜で挟んだ３層構造からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７において、前記多層膜はアルミニウム膜をクロム膜で挟んだ３層構造からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記配線と前記ブラックマトリクスは電気的に分断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記基板はガラス基板または石英基板であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する発明は、アクティブマトリクス型の表示装置、例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、薄膜トランジスタが石英基板またはガラス基板上に集積化された構成を有している。この集積度は近年ますます高めることが要求されている。一方で液晶表示装置は、大画面を表示することが要求されるので、ますます大面積化することが要求されている。このことは、集積化を増し、同時に小型化が計られるＬＳＩ回路と大きく異なる部分である。
【０００３】
このように大面積化が計られる一方で、開口率を高くする目的から配線の幅を極力細くすることが求められている。しかし、大面積を有する画素領域に幅の細い配線を配置した場合、その抵抗分の影響が問題となってしまう。
【０００４】
また、アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、各画素に配置される薄膜トランジスタを遮蔽する手段や、各画素電極の縁を覆うブラックマトリクスと称される遮蔽手段が必要とされている。一般にこの薄膜トランジスタの遮蔽手段やブラックマトリクスは、配線とは別に配置されている。このような構成は、作製工程の煩雑化を招くことで好ましいことではない。
【０００５】
また配線の抵抗を低減させる手段として配線材料にアルミニウムを利用することが考えられている。しかし、アルミニウムは半導体や透明導電膜（一般にＩＴＯ等の酸化物導電膜が利用される）との電気的な接触が不安定になりやすく、信頼性が低いという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本明細書で開示する発明は、開口率を高くする構成を作製工程の少ない方法で得ることを課題とする。また、配線材料によって生じる接触の不安定性を除去した構成を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書で開示する発明の一つは、
半導体と酸化物導電膜とを接続する配線を有し、
前記配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層構造を有し、
前記チタン膜の一方と半導体とが接触しており、
前記チタン膜の他方と酸化物導電膜とが接触していることを特徴とする。
【０００８】
上記の構成の一例を図２（Ｃ）に示す。図２（Ｃ）には、薄膜トランジスタのドレイン領域１１０とＩＴＯでなる画素電極１１４とをチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜でなる配線１１９で接続した構成が示されている。
【０００９】
こうような構成にすると、半導体であるドレイン領域１１０とチタン膜とが接触し、また酸化物であるＩＴＯ電極１１４とチタン膜とが接触することになる。半導体とチタン膜とは電気的に良好な接触を行わすことができる。アルミニウムと半導体との接触は不安定になりやすいという問題がある。しかし上記のような構成とすることによって、その問題を解決することができる。
【００１０】
また、ＩＴＯとチタン膜との接触も良好なものとすることができる。一般にアルミニウムとＩＴＯ（一般に酸化物導電膜）との接触も不安定になってしまうが、このような構成とすることによって、この問題も解決することができる。また上記ような効果に加えて、低抵抗のアルミニウムを用いることによる効果も同時に得ることができる。
【００１１】
他の発明の構成は、
画素電極を構成する酸化物導電膜と、
前記酸化物導電膜と薄膜トランジスタのドレイン領域とを接続する配線と、
前記配線と同一の材料で構成される前記薄膜トランジスタを遮蔽するための遮光膜と、
前記配線と同一の材料で構成される前記画素電極の縁を覆って形成された遮光膜と、
を有し、
前記配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層構造を有していることを特徴とする。
【００１２】
上記構成の具体的な例を図２（Ｃ）に示す。図２（Ｃ）には、ＩＴＯでなる画素電極１１４と、画素電極１１４と薄膜トランジスタのドレイン領域１１０とを接続するチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜でなる配線１１９と、この配線１１９を構成する材料でもって構成された薄膜トランジスタを遮蔽する遮蔽膜１１８が示されている。
【００１３】
また図２（Ｃ）を上方から図３に示すように、配線１１９を構成する材料でもってＩＴＯ電極１１４の縁を覆って形成された遮蔽膜（ブラックマトリクス）３０１が形成されている。
【００１４】
上記構成で重要なのは、配線１１９と遮蔽膜１１８とブラックマトリクス３０１とは同一の多層膜をパターニングすることによって得られたものであることである。即ち、このような構成とすることによって作製工程を簡略化することができ、作製歩留りの向上や作製コストの削減することができる。
【００１５】
本明細書で開示する発明において、電気的な特性を考えた場合には、チタン膜を用いることが最も好ましい。しかし、遮蔽膜やブラックマトリクスといった光学的な役割を考えた場合は、チタン膜の代わりにクロム膜を用いることが有用となる。
【００１６】
また、上記チタン膜やクロム膜仲に数重量％以下の適当な不純物を含有させ、その光学特性や電気特性を制御してもよい。
【００１７】
他の発明の構成は、
画素電極を構成する酸化物導電膜と、
前記酸化物導電膜と薄膜トランジスタのドレイン領域とを接続する第１の配線と、
前記第１の配線と同一の材料で構成される前記薄膜トランジスタを遮蔽するための遮光膜と、
前記第１の配線と同一の材料で構成される前記画素電極の縁を覆って形成された遮光膜と、
前記薄膜トランジスタのソース領域に接続された第２の配線と、
前記第２の配線に接続された前記第１の配線と同一の材料で構成される引き出し配線と、
を有し、
前記第１の配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層構造を有していることを特徴とする。
【００１８】
上記構成の具体的な例を図２（Ｃ）に示す。図２（Ｃ）に示す構成においては、第１の配線として１１９で示されるチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層配線が示されている。また第２の配線として１１２で示されるチタン膜とアルミニウム膜との積層配線が示されている。
【００１９】
図２（Ｃ）に示すように配線１１９をチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜で構成することにより、低抵抗であるというアルミニウム膜を用いる有用性を得られると同時に、半導体とチタン膜の電気的な接触性の良好さ、さらには酸化物透明導電膜とチタン膜との電気的な接触性の良好さを利用することができ、信頼性の高い構成とすることができる。
【００２０】
またこの配線１１９を構成する３層膜を用いて、薄膜トランジスタの遮光膜１１８と画素電極の縁を覆うブラックマトリクスとソース配線１１２からの引き出し配線を形成することができる。このような構成は作製歩留りの向上や作製コストの低減を計る上有用なこととなる。
【発明の効果】
【００２１】
本明細書で開示する発明を利用することで、配線材料によって生じる接触の不安定性を除去した構成を得ることができる。
【００２２】
例えば図２（Ｃ）や図３に示すような構成とすることで以下に示すような効果を得ることができる。
（１）ソース線１１２をアルミニウム膜とチタン膜の積層膜とすることで、ソース配線における電圧降下を抑制することができる。この効果は特に大面積の液晶表示装置において顕著に有用なものとなる。
（２）ソース線１１２をアルミ膜とチタン膜の積層膜とすることで、ソース配線１１２とソース領域１０７との電気的な接続を確実なものとすることができる。
（３）１１９で示されるドレイン領域１１０と画素電極１１４とを接続するための配線を構成するための多層膜を用いて遮光膜１１８を形成することができる。特にこの遮光膜は新たな工程を付加せずに得ることができる。
（４）周辺回路との接続に利用される配線１１７を配線１１９と同時に形成することができる。またこの配線１１７のソース配線１１２とのコンタクト及び周辺回路のコンタクトを確実なものとすることができる。
（５）配線１１９において、ドレイン領域１１０とＩＴＯ電極１１４とのコンタクトを確実なものとすることができる。
（６）配線１１９の形成と同時にブラックマトリクスを形成することができる。
【００２３】
このように、作製工程を特に増やすことなしに、多数の役割を有する構成を同時に形成することができる。そして、高い特性を有したアクティブマトリクス型の液晶表示装置を低コストで得ることができる。
【実施例１】
【００２４】
図１及び図２に本実施例に示すアクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製工程の概要を示す。まず基板１０１であるガラス基板または石英基板上に下地膜１０２として酸化珪素膜１０１を３０００Åの厚さに成膜する。この下地膜の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法を用いればよい。
【００２５】
この酸化珪素膜は、基板中からの不純物の拡散を抑えたり、基板と半導体膜との間に働く応力を緩和する機能を有している。基板として石英基板を用いる場合には、この下地膜となる陽極酸化膜の厚さを厚くした方が好ましい。これは、加熱に際して石英基板は珪素薄膜に比較してほとんど縮まず、半導体膜との間で応力が生じやすいからである。
【００２６】
下地膜の成膜を行ったら、後に薄膜トランジスタの活性層を構成するための出発膜となる非晶質珪素膜を成膜する。この非晶質珪素膜の厚さは例えば５００Åとする。この非晶質珪素膜の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法や減圧熱ＣＶＤ法を用いればよい。
【００２７】
得られる薄膜トランジスタの特性が低くてもよいのなら、このまま非晶質珪素膜を用いて薄膜トランジスタを構成する。また高画質な表示を得るのであれば、この非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜に変成する。以下において結晶性珪素膜に変成する工程の一例を示す。
【００２８】
ここでは、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて高い結晶性を有する結晶性珪素膜を得る方法を示す。まず得られた非晶質珪素膜の表面に所定の濃度に調整されたニッケル酢酸塩溶液を塗布する。そしてスピナーを用いて余分の溶液を吹き飛ばして除去する。こうして非晶質珪素膜の表面にニッケル元素が接して保持された状態とする。そして６２０℃、４時間の加熱処理を行うことにより、結晶性珪素膜を得る。
【００２９】
上記の結晶化方法以外に、レーザー光の照射による方法、単なる加熱による方法、赤外光等の強光の照射による方法、それらの方法を組み合わせた方法を利用することができる。
【００３０】
そして得られた結晶性珪素膜をパターニングすることにより、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に下地膜１０２が形成され、さらに薄膜トランジスタの活性層１０３（島状の半導体層）が形成された状態を得る。ここでは、活性層１０３が結晶性珪素膜で構成されたものとして以下の説明を行う。
【００３１】
図１（Ａ）に示す状態を得たら、ゲイト絶縁膜１０４として機能する酸化珪素膜１０２をプラスマＣＶＤ法またはスパッタ法で１０００Åの厚さに成膜する。さらにスカンジウムが0.2wt ％含まれたアルミニウム膜を６０００Åの厚さに成膜する。さらにこれをパターニングしてゲイト電極１０５を形成する。このゲイト電極１０５が１層目の配線となる。
【００３２】
このゲイト電極をアルミニウムで構成することは重要である。図３に示すようにゲイト電極１０５はマトリクス状に配置されたゲイト線から延在して構成されている。従って、その配線抵抗が無視できない場合は、信号の遅延や動作不良が生じてしまう。特に大面積化された液晶表示装置においてはこの問題が顕在化する。よって、本実施例に示すようにゲイト電極およびそれと同時に形成されるゲイト線を低抵抗材料であるアルミニウムで構成することは有用なこととなる。
【００３３】
ゲイト電極１０５を形成したら、酒石酸が３〜１０％含まれたＰＨ≒７のエチレングルコール溶液を電解溶液とした陽極酸化を行う。この陽極酸化を行うことで緻密な膜質を有する陽極酸化膜１０６を２５００Åの厚さに形成する。この陽極酸化膜は、アルミニウムの異常成長やクラックの発生を防ぐといった機能を有している。またこの陽極酸化膜は、後の不純物イオンの注入工程において、オフセットゲイト領域を形成するためのマスクとして機能する。
【００３４】
図１（Ｂ）に示す状態を得たら、ソース及びドレイン領域を形成するための不純物イオンの注入を行う。ここではＮチャネル型の薄膜トランジスタを形成するためにＰ（リン）イオンの注入をプラズマドーピング法でもって行う。
【００３５】
Ｐイオンの注入を行うことで、ソース領域１０７とドレイン領域１１０とが自己整合的に形成される。また同時にチャネル形成領域１０９とオフセットゲイト領域１０８とがやはり自己整合的に形成される。（図１（Ｃ））
【００３６】
図１（Ｃ）に示す不純物イオンの注入が終了したら、レーザー光の照射を行い、ソース／ドレイン領域のアニールを行う。即ち、注入されたＰイオンの活性化とＰイオンの注入により損傷した領域の結晶性の回復を行う。
【００３７】
そして、第１の層間絶縁膜１１１として酸化珪素膜を５０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって成膜する。そしてソース領域１０７に達するコンタクトホールの形成を行う。なお層間絶縁膜として酸化珪素膜を用いると、後に形成される配線のチタン膜と酸化珪素膜とが反応し、酸化チタンが形成されてしまうことがある。このような場合は、酸化珪素膜の代わりに窒化珪素膜を用いることが好ましい。また酸化珪素膜と窒化珪素膜を用いることが好ましい。（図１（Ｄ））    
【００３８】
次に図２（Ａ）に示すようにソース領域にコンタクトするソース配線の形成を行う。この配線ソース１１２は、チタン膜とアルミニウム膜との積層で構成されている。ここではチタン膜の厚さを５００Å、アルミニウム膜の厚さを４０００Åとする。成膜方法はスパッタ法を用いる。なおこのソース配線１１２が２層目の配線となる。
【００３９】
チタン膜を設けるのは、アルミニウムと珪素との接触を行わすと両者が反応してしまい接触不良が生じたり、接触抵抗の経時変化が生じてしまうからである。図３に示すようこの配線ソース１１２から延在して各画素に配置された薄膜トランジスタのソース領域にコンタクトが行われる。
【００４０】
次に図２（Ｂ）に示すように、第２の層間絶縁膜１１３を４０００Åの厚さに成膜する。この第２の層間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法で成膜される酸化珪素膜でもって構成される。また後にチタン膜が酸化チタン膜に変成しないようにするために、酸化珪素膜の代わりに窒化珪素膜を用いるのでもよい。また酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜を用いるのでもよい。また窒化珪素膜と酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜を用いるのでもよい。
【００４１】
次に画素電極となるＩＴＯ電極１１４を形成する。ＩＴＯ電極以外には、Ｓn Ｏ2 を利用することができる。ここで重要なのは、画素電極として透明導電膜を用いる必要があるということである。
【００４２】
そしてコンタクトホール１１５と１１６の形成を行う。１１５は、ソース線の取り出し電極であり、周辺回路との接続が行われる配線を形成するための開口である。また１１６はドレイン領域と画素電極とのコンタクトをとるための開口である。（図２（Ｂ））
【００４３】
そして第３層目の配線となる３層膜を成膜する。この３層膜は、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とで構成される。成膜方法はスパッタ法、または蒸着法を用いる。そしてこの３層目をパターニングして、
（１）周辺回路とのコンタクトや外部回路とのコンタクトを取るための配線１１７
（２）薄膜トランジスタを遮光するための遮光膜１１８
（３）薄膜トランジスタの出力（ドレイン領域１１０）を画素電極１１４に連結するための配線１１９
（４）図２には図示されないブラックマトリクス（図３の３０１で図示）
を形成する。
【００４４】
アルミニウム膜をチタン膜で挟んだ３積構造とすることで、
・ドレイン領域１１０とのコンタクトを良好なものとする。
・２層目の配線１１２とのコンタクトを良好なものとする。
・ＩＴＯ電極１１４とのコンタクトを良好なものとする。
といった効果を得ることができる。
【００４５】
図３に図２に示す構成を上面からみた状態を示す。図３には、一つの画素を中心として示されている。図３のＡ−Ａ’で切った断面が図２（Ｃ）に示す構成に相当する。図３には、画素電極１１４の縁を覆うように配置されているブラックマトリクス３０１が示されている。また図３を見れば明らかなように、本実施例においては、ブラックマトリクス３０１と薄膜トランジスタの遮光膜１１８とはつながった膜でもって構成されている。しかしこのブラックマトリクス３０１と遮光膜１１８とを別々に分離する構成としてもよい。なお、遮光膜１１８と配線１１９とをつなげることは、不要な容量を形成してしまうことになるので好ましくない。
【００４６】
なお、図３には図２（Ｃ）の１１７で示される配線は示されていない。この１１７で示される配線は、実際には画素領域の端においてソース線１１２の端部にコンタクトする構成となる。  
【実施例２】
【００４７】
本実施例は、実施例１に示す構成においてゲイト電極の構造を工夫した例に関する。本実施例においては、ゲイト電極をチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層で構成したことを特徴とする。
【００４８】
図４にゲイト電極の作製工程を中心として示す。図４（Ａ）に示されているのは、酸化珪素膜でなるゲイト電極４０１上にチタン膜を１００Å程度の厚さに成膜し、さらにスカンジウムを微量に含有するアルミニウム膜を５０００Åの厚さに成膜し、さらにチタン膜を１００Å程度の厚さに成膜し、このチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜をゲイト電極の形状にパターニングした状態が示されている。
【００４９】
図４（Ａ）においては、チタン膜４０２とアルミニウム膜４０３とチタン膜４０４とで構成されるゲイト電極が示されている。
【００５０】
図４（Ａ）に示す状態を得た後、陽極酸化を行い、ゲイト電極の周囲に緻密な陽極酸化膜４０５を形成する。陽極酸化膜の厚さは２００Åとする。ここでは、チタンとアルミニウムの陽極酸化膜を形成することになるので、数百Å以上の厚さに陽極酸化膜を形成することは困難である。（図４（Ｂ））
【００５１】
次に第１の層間絶縁膜として窒化珪素膜４０６をプラズマＣＶＤ法で４０００Åの厚さに成膜する。（図４（Ｃ））
【００５２】
さらにゲイト電極にコンタクトするためのアルミニウム配線４０７を形成するためのコンタクトホールの形成を行い、ゲイト電極を構成するチタン膜４０４にアルミニウム配線４０７を形成する。なお、このアルミニウム配線は、薄膜トランジスタが形成された部分から離れた周辺回路部分に形成される。
【００５３】
このような構成とすると、ゲイト絶縁膜とアルミニウム膜が直接触れることがないので、アルミニウムの以上成長部分がゲイト絶縁膜内に侵入したりすることがないものとすることができる。そして、ゲイト電極とゲイト絶縁膜との間における界面特性を良好なものとすることができる。この結果、薄膜トランジスタの動作を良好なものとすることができる。
【００５４】
また、配線４０７を形成するためのコンタクトホールの形成において、ゲイト電極上面の陽極酸化膜へのエッチング工程が容易となる。即ち、アルミニウム上に陽極酸化膜が形成されている状態においては、陽極酸化膜のみを選択的に除去することが困難であるが、本実施例に示すような構成とすることにより、この問題を解決することができる。
【００５５】
本実施例に示す構成を実施例１に示す構成に組み合わせることにより、得られる装置の作製歩留りや作製コストの削減を実現することができる。また装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】アクティブマトリクス回路の作製工程を示す。
【図２】アクティブマトリクス回路の作製工程を示す。
【図３】画素領域の概要を示す。
【図４】実施例のゲイト電極の概要を示す。
【符号の説明】
【００５７】
１０１          ガラス基板
１０２          下地膜（酸化珪素膜）
１０３          活性層（島状半導体領域）
１０４          ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜）
１０５          ゲイト電極（アルミニウム電極）
１０６          陽極酸化膜
１０７          ソース領域
１０８          オフセットゲイト領域
１０９          チャネル形成領域
１１０          ドレイン領域
１１１          層間絶縁膜（１層目の層間絶縁膜）
１１２          ソース配線（チタン膜とアルミニウム膜との積層膜）
１１３          層間絶縁膜（２層目の層間絶縁膜）
１１４          画素電極（ＩＴＯ電極）
１１５          ソース配線へのコンタクト開口  
１１６          ドレイン領域へのコンタウト開口
１１７          周辺回路への配線
１１８          遮蔽膜
１１９          ドレイン領域と画素電極とを接続する配線
３０１          ブラックマトリクス
【図１】
2005317983.tif 000003
【図２】
2005317983.tif 000004
【図３】
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【図４】
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