(57)【要約】【課題】  ディスプレイなどに用いる青色波長としては、短波長の450ｎｍ〜470ｎｍの光が必要になる。本発明は、短波長の450ｎｍ〜470ｎｍの光を発生するに適したファイバレーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】  ネオジムイオン（Nd3+）が添加された光ファイバを有する第１の光共振器と、プラセオジウムイオン（Pr3+）とイッテルビウムイオン（Yb3+）が共添加された第２の光ファイバを有する第２の光共振器を直列に結合し、第１の光共振器の励起光として830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長の励起光を用い、第２の光共振器から635ｎｍ又は695ｎｍの波長と1060ｎｍ〜1100ｎｍの波長のレーザ光を同時に出力するようにし、これら２つの波長の光で第３の光共振器を励起することにより、450ｎｍ〜470ｎｍの青色光を発生する。【選択図】  図１
2005277018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ媒質としてネオジムイオン（Nd3+）が添加された光ファイバと、前記光ファイバの端面に配置したミラーとを有する第１の光共振器と、
前記第１の光共振器を励起する励起光源とを備え、
前記励起光源から、前記レーザ媒質の最適吸収波長からずれた830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長の励起光を出射して前記第１の光共振器を励起し、前記第１の光共振器から1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の波長のレーザ光を出力することを特徴とするファイバレーザ装置。
【請求項２】
前記第１の光共振器において、前記光ファイバの入射側及び出射側にミラーを配置し、前記入射側ミラーは、830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長を全透過し、1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の波長を高反射とし、出力側ミラーは830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長を全透過し、1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の波長を部分反射することを特徴とする請求項１記載のファイバレーザ装置。
【請求項３】
レーザ媒質としてネオジムイオン（Nd3+）が添加された第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、励起光源によって励起される第１の光共振器と、
プラセオジウムイオン（Pr3+）とイッテルビウムイオン（Yb3+）が共添加された第２の光ファイバと、前記第２光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、前記第１の光共振器の出力側に直列に配置した第２の光共振器とを備え、
前記第１の光共振器により発生した第１の波長のレーザ光と、前記第２の光共振器により発生した第２の波長のレーザ光を、前記第２の光共振器より同時に出力するようにしたことを特徴とするファイバレーザ装置。
【請求項４】
前記励起光源から、830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長の励起光を出射して前記第１の光共振器を励起し、前記第１の光共振器から前記励起光と同じ波長の830ｎｍ〜860ｎｍの光と、1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の第１の波長の光を出力し、前記第２の光共振器から1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の第１の波長の光と、635ｎｍ又は695ｎｍの第２の波長のレーザ光を出力するようにしたことを特徴とする請求項３記載のファイバレーザ装置。
【請求項５】
前記第２の光共振器において、前記第２の光ファイバの入射側及び出射側にミラーを配置し、その入射側のミラ−は、830ｎｍ〜1100ｎｍの波長を全透過し、635ｎｍ又は695ｎｍの波長は高反射にし、出力側のミラ−は、830ｎｍ〜860ｎｍ付近を全反射にし、1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の波長を全透過にし、635ｎｍ又は695ｎｍの波長は部分反射することを特徴とする請求項４記載のファイバレーザ装置。
【請求項６】
レーザ媒質としてネオジムイオン（Nd3+）が添加された第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、励起光源によって励起される第１の光共振器と、
プラセオジウムイオン（Pr3+）とイッテルビウムイオン（Yb3+）が共添加された第２の光ファイバと、前記第２光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、前記第１の光共振器の出力側に直列に結合し、前記第１の波長のレーザ光と第２の波長のレーザ光を同時に出力する第２の光共振器と、
レーザ媒質が添加された第３の光ファイバと、前記第３の光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、前記第２の光共振器より出力された第１の波長と第２の波長のレーザ光が入射され、青色光を出力する第３の光共振器とを具備したことを特徴とする青色レーザ装置。
【請求項７】
前記第３の光ファイバは、ツリウムイオン（Tm3+）を添加したことを特徴とする請求項６記載の青色レーザ装置。
【請求項８】
前記励起光源から、830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長の励起光を出射して前記第１の光共振器を励起し、前記第１の光共振器から前記励起光と同じ波長の830ｎｍ〜860ｎｍの光と、1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の第１の波長の光を出力し、前記第２の光共振器から1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の第１の波長の光と、635ｎｍ又は695ｎｍの第２の波長のレーザ光を出力し、さらに前記第３の光ファイバから青色光を出力するようにしたことを特徴とする請求項７記載の青色レーザ装置。
【請求項９】
前記第３の光ファイバは、エルビウムイオン（Er3+）を添加したことを特徴とする請求項６記載の青色レーザ装置。
【請求項１０】
前記励起光源から、830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長の励起光を出射して前記第１の光共振器を励起し、前記第１の光共振器から前記励起光と同じ波長の830ｎｍ〜860ｎｍの光と、1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の第１の波長の光を出力し、前記第２の光共振器から1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の第１の波長の光と、635ｎｍの第２の波長のレーザ光を出力し、さらに前記第３の光ファイバから青色光を出力するようにしたことを特徴とする請求項９記載の青色レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置や記録装置などの光源として利用可能なファイバレーザ装置に関し、特に青色レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ファイバのコア部に希土類イオンを添加し、この光ファイバを励起光で励起して所定波長のレーザ光を得る装置が提案されている。例えば特許文献１には、一つの励起光源（λ1：８００ｎｍ帯）によりＮｄイオン添加ファイバを励起して、λ2：1100ｎｍ帯を発生させ、未吸収のλ1と、発生したλ2の2波長を用いてＴｍイオン添加ファイバに入射し、光共振器により480ｎｍの青色レーザ光を発生させる光源装置が記載されている。又、非特許文献１には、1064ｎｍと、645ｎｍの2波長をＴｍイオン添加ファイバに入射することにより、青色光４５５ｎｍのレーザ光を発生させる例が記載されている。
【特許文献１】特開平７−１４２８０６号公報（第４頁、右１５行目〜第５頁左３２行目  図1、2）
【非特許文献１】OPTICS LETTERS／Vol.19,No.23／December1,1994
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の特許文献１のファイバレーザ装置では、一つの励起光（800ｎｍ）からNd添加ファイバを用いて長波長（1100ｎｍ）を発生し、吸収されなかった波長800ｎｍと、発生した波長1100ｎｍの２波長を用いて短波長480ｎｍの青色レーザ光を発生させている。しかしながら、ディスプレイなどに用いる青色波長としては、より短波長の450ｎｍ〜470ｎｍの光が必要になる。
【０００４】
このため、非特許文献１では、1060ｎｍ付近のレーザ光と、可視領域の645ｎｍを用いて455ｎｍのレーザ光を発生させているが、一つの励起光源から効率よく近赤外と可視領域の２波長を同時に発生できる励起光源はなく、また、提案もなされていない。さらには、Ｎｄ添加ファイバを用いた場合、波長800〜810ｎｍ付近で最大の吸収ピークがあり、励起波長をこの付近にしてしまうと出力される残光がほとんどなくなってしまうという不具合がある。
【０００５】
本発明は、青色波長として、より短波長の450ｎｍ〜470ｎｍの光を発生するに適したファイバレーザ装置及び青色レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、レーザ媒質としてネオジムイオン（Nd3+）が添加された光ファイバと、前記光ファイバの端面に配置したミラーを有する第１の光共振器と；前記第１の光共振器を励起する励起光源とを備え；前記励起光源から、前記レーザ媒質の最適吸収波長からずれた830ｎｍ〜860ｎｍ付近の波長の励起光を出射して前記第１の光共振器を励起し、前記第１の光共振器から1060ｎｍ〜1100ｎｍ付近の波長のレーザ光を出力することを特徴とするファイバレーザ装置である。
【０００７】
又、本発明は、レーザ媒質としてネオジムイオン（Nd3+）が添加された第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、励起光源によって励起される第１の光共振器と；プラセオジウムイオン（Pr3+）とイッテルビウムイオン（Yb3+）が共添加された第２の光ファイバと、前記第２光ファイバの端面に配置したミラーとを有
し、前記第１の光共振器の出力側に直列に配置した第２の光共振器とを備え；前記第１の光共振器により発生した第１の波長のレーザ光と、前記第２の光共振器により発生した第２の波長のレーザ光を、前記第２の光共振器より同時に出力するようにしたことを特徴とするファイバレーザ装置である。
【０００８】
さらに本発明は、レーザ媒質としてネオジムイオン（Nd3+）が添加された第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、励起光源によって励起される第１の光共振器と；プラセオジウムイオン（Pr3+）とイッテルビウムイオン（Yb3+）が共添加された第２の光ファイバと、前記第２光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、前記第１の光共振器の出力側に直列に結合し、前記第１の波長のレーザ光と、第２の波長のレーザ光を同時に出力する第２の光共振器と；レーザ媒質が添加された第３の光ファイバと、前記第３の光ファイバの端面に配置したミラーとを有し、前記第２の光共振器より出力された第１の波長と第２の波長のレーザ光が入射され、青色光を出力する第３の光共振器と；を具備したことを特徴とする青色レーザ装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１の光共振器及び第２の光共振器を用いることにより、近赤外と可視領域のレーザ光を発生することができ、これらの波長光をもとにティスプレイ用に適した青色波長の光を出力することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明に係るファイバレーザ装置及び青色レーザ装置について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１は、本発明のファイバレーザ装置の第一の実施形態について説明するもので、基本構成を示す構成図である。なお以下全ての図面において、同一の構成要素は同一の符号を付す。
【００１２】
図１において、１０はファイバレーザ装置を示し、例えば、半導体レーザなどの励起光源１１を有し、この励起光源１１から励起光１００を出力するようにしている。励起光１００は、入射光学系１２ａ、１２ｂ（例えばレンズ）により、Nd3+（ネオジウムイオン）が添加された光ファイバ１３に入射される。光ファイバ１３は、例えばフォノンエネルギーの小さなフッ化物ファイバから成り、Nd3+がコア部に添加されている。Nd3+の添加濃度は1000〜15000ppm であり、光ファイバの形状はダブルクラッド構造、例えばコア径：５μm、第一クラッド径：４０μmである。この構造はシングルコアの形状でも良く、この場合、ファイバ長を短く出来ることにより光ファイバの伝送損失の影響を少なくすることができる。又、光ファイバ１３の入射側端面と出射側端面には共振器用ミラー１４ａ，１４ｂが配置されている。
【００１３】
光ファイバ１３に入射された励起光１００は、Nd3+に一部が吸収され、第１の波長の光を放出する。その際、光共振器用ミラー１４ａと１４ｂにより第１の波長は共振され、レーザ光として共振用ミラー１４ｂ側から第１の波長のレーザ光１０１として出力される。この際、吸収されなかった励起光１００も同時に出力される。
【００１４】
励起光１００と、第１の波長のレーザ光１０１は光学系１５ａ、１５ｂにより、Pr3+（プラセオジウムイオン）とYb3+（イッテルビウムイオン）が共添加された光ファイバ１６に入射される。光ファイバ１６は、例えばフォノンエネルギーの小さなフッ化物ファイバからなり、Pr3+／Yb3+がコア部に共添加され、添加濃度は3000／20000ppm by w.tからなる。又、光ファイバ１６の入射側端面と出射側端面には共振器用ミラー１７ａ，１７ｂが
配置されている。
【００１５】
光ファイバ１６に入射された励起光１００は、Pr3+／Yb3+に吸収され、第２の波長を放出する。その際、光共振器用ミラー１７ａと１７ｂにより第２の波長は共振され、共振用ミラー１７ｂ側から第２の波長のレーザ光１０２として出力される。この際、第１の波長のレーザ光１０１は吸収されずに透過する。これにより、第１の波長のレーザ光１０１と第２の波長のレーザ光１０２が、共振用ミラー１７ｂ側から光学系１８を介して同時に出力される。
【００１６】
次に、図１のファイバレーザ装置の動作を説明する。図２はNd3+の入射波長による吸収強度、図３は、Nd3+のエネルギー準位図、図４、図５は共振器用ミラー１４ａ、１４ｂの透過特性の例であり、横軸を波長、縦軸を透過率としている。
【００１７】
Nd3+は、図２に示すように、波長800〜810ｎｍに強い吸収ピークを有している、したがって、励起光１００にこの波長域を用いると、吸収が強すぎて励起光１００がほとんど残らないため、次段のPr3+／Yb3+添加ファイバ１６を励起するための励起光がなくなってしまう。そこで、吸収強度は落ちるが830〜860ｎｍの波長域の励起光１００を励起光源１１から出力するようにしている。図３に示すようにNd3+は、この領域の波長でも十分に、830〜860ｎｍの光を1060〜1100ｎｍの光へと波長変換を行なってくれる。また、この励起光830〜860ｎｍの波長域はPr3+／Yb3+にとっても最適な波長域であることが知られている。
【００１８】
この励起光の波長選択により、励起光１００を次段のPr3+／Yb3+共添加ファイバ１６を励起するために残す事ができる。Nd3+添加ファイバ１３内で変換された波長1060〜1100ｎｍの光は、光共振器用ミラー１４ａと１４ｂにより共振され、第１の波長のレーザ光１０１として取り出される。この際、共振器用ミラー１４ａと１４ｂは、ガラス基板に誘電体ミラーが蒸着されたものを配置しても、直接光ファイバの端面に蒸着したものでも良い。
【００１９】
図４に共振器用ミラー１４ａの透過特性を示し、図５に共振器用ミラー１４ｂの透過特性を示す。入射側のミラー１４ａは、830ｎｍ〜860ｎｍの波長領域は低反射にし、1060〜1100ｎｍの波長領域は高反射にしている。出射側のミラー１４ｂは、830ｎｍ〜860ｎｍの波長領域は低反射にし、1060〜1100ｎｍの波長領域は部分反射にしている。ここで、Nd3+は変換効率が良いため、出射側ミラーは必ずしも配置しなくても良い。すなわちガラスのフレネル反射で十分共振してくれる。これにより、励起光１００を充分に残した上、第１の波長のレーザ光１０１を取り出せる。
【００２０】
図６は、Pr3+／Yb3+のエネルギー準位図、図７はPr3+、Yb3+の夫々の入射波長に対する吸収強度を示している。光ファイバ１３から出力された励起光１００と、第１の波長のレーザ光１０１が入射光学系１５ａ、１５ｂにて次段のPr3+／Yb3+が共添加された光ファイバ１６に入射される。図６に示すように、光ファイバ１６に入射した830〜860ｎｍの励起光１００は、光ファイバ１６に添加されたYb3+により吸収され、その後、Pr3+にエネルギー伝達され、励起されたPr3+から発生した635ｎｍあるいは、695ｎｍの光を共振器ミラー１５ａ、１５ｂでくり返し反射増幅することにより、635ｎｍあるいは695ｎｍの第２の波長のレーザ光１０２を得ることができる。
【００２１】
また、Pr3+／Yb3+共添加では、上述した波長の他に490ｎｍ付近、520ｎｍ付近、605ｎｍ付近、715ｎｍ付近なども発振させることもできる。この際、共振器用ミラー１７ａ、１７ｂは、ガラス基板に誘電体ミラーが蒸着されたものを配置しても、直接光ファイバの端面に蒸着したものでも良い。入射側のミラー１７ａは、830ｎｍ〜860ｎｍの波長領域は低反射、1060〜1100ｎｍの波長領域は低反射、635ｎｍあるいは695ｎｍの波長領域は高反射にしている。又、出射側のミラー１７ｂは、830ｎｍ〜860ｎｍの波長領域は高反射にし
、1060〜1100ｎｍの波長領域は低反射、635ｎｍあるいは695ｎｍの波長領域は部分反射にしている。
【００２２】
また、図７に示すように1060〜1100ｎｍの波長域は、Pr3+、Yb3+共に吸収がほとんどなく、光ファイバ１でほとんど吸収される事無く透過する。これにより、第１の波長のレーザ光１０１と、第２の波長のレーザ光１０２が共振用ミラー１７ｂ側から光学系１８を介して同時に出力される。また、上述したように光ファイバ１３から、励起光１００と第１の波長の光１０１を光ファイバ１６に入射させる際に、光学系１５ａ、１５ｂにて入射させているが、例えば、共振用ミラーを光ファイバ端面に蒸着させた場合などは、光ファイバ１３と光ファイバ１６を直接接続させることができる。
【００２３】
こうして、本発明のファイバレーザ装置によれば、第１の波長のレーザ光と第２の波長のレーザ光を同時に出力することができる。
【実施例２】
【００２４】
図８は、本発明の第２の実施例を示すもので、図１のファイバレーザ装置を利用した青色レーザ装置を示す構成図である。
【００２５】
図８に示すように、ファイバレーザ装置１０は図１で示すものと同じ構成であり、第１の波長のレーザ光１０１と、第２の波長のレーザ光１０２を出力するものである。レーザ光１０１と１０２は、光学系２１を介して希土類が添加された光ファイバ２２に入射される。希土類としては、例えばTm3+（ツリウムイオン）、Er3+（エルビウムイオン）などが用いられる。もちろん他の希土類でも良い。
【００２６】
光ファイバ２２には、入射側端面と出射側端面に共振器用ミラー２３ａ，２３ｂが配置されており、光共振器構造になっている。この際、共振器用ミラーは、ガラス基板に誘電体ミラーが蒸着されたものを配置しても、直接光ファイバの端面に蒸着したものでも良い。光ファイバ２２に入射された第１の波長のレーザ光１０１と第２の波長のレーザ光１０２は、光ファイバ２２に添加された希土類により吸収され第３の波長を放出し、光共振器により第３の波長のレーザ光１０４を共振用ミラー２３ｂ側から出力する。また、共振用ミラーを光ファイバ端面に蒸着させた場合などは、光ファイバ１６と光ファイバ２２を直接接続させることができる。
【００２７】
次に、光ファイバ２２に添加する希土類にTm3+を用いて青色光を取り出す場合について説明する。
【００２８】
図９は、Tm3+のエネルギー準位図である。第１の波長のレーザ光１０１を1060〜1100ｎｍ、第２の波長のレーザ光１０２を635ｎｍにした場合について説明する。Tm3+の基底状態3H6にある電子は、635ｎｍの波長を吸収し、3F2へと励起される。この準位に励起された電子は、非発光遷移により3H4の準位に遷移する。その後、再び635ｎｍを吸収し、3H4の準位から1D2の準位に励起される。ここから、3F4へ遷移する際、455ｎｍの青色光が発生する。しかしながら、3F4の滞在寿命が長いため効率が悪く455ｎｍの発光効率が悪い。そこで、第１の波長のレーザ光である1060〜1100ｎｍを同時に入射する。これにより、基底状態3H6にある電子を励起すると共に、3F4にたまっている電子を3F2に励起する。その後、非発光遷移により3F2から3H4へと遷移する。3H4に遷移した電子は、再び635ｎｍを吸収し、1D2へと励起され、青色光455ｎｍの発生に寄与する。つまり、1060〜1100ｎｍの光を同時に入射することにより、寿命の長い3F4の電子を減らせ、1D2と3F4の間に反転分布を生じさせ、455ｎｍの青色光レーザ発振を可能にすることができる。
【００２９】
次に、光ファイバ２２に添加する希土類にEr3+を用いて青色光を取り出す場合について
説明する。
【００３０】
図10は、Er3+のエネルギー準位図である。第１の波長のレーザ光１０１を1060〜1100ｎｍ、第２の波長のレーザ光１０２を635ｎｍにした場合について説明する。Er3+の基底状態4I15/2にある電子は、635ｎｍを吸収し、4F9/2へと励起される。この準位に励起された電子は、非発光遷移により4I13/2の準位に遷移する。その後、再び635ｎｍを吸収し、4I13/2の準位から4F5/2の準位に励起される。この準位に励起された電子は、非発光遷移により4S3/2の準位に遷移する。さらに、635ｎｍを吸収し、4S3/2の準位から4G7/2の準位に励起される。この準位に励起された電子は、非発光遷移により2P3/2の準位に遷移する。ここから、4I11/2へ遷移する際、470ｎｍの青色光が発生する。
【００３１】
しかしながら、4I11/2の滞在寿命が長いため効率が悪く470ｎｍの発光効率が悪い。そこで、第１の波長のレーザ光である1060〜1100ｎｍを同時に入射する。これにより、4I11/2にたまっている電子を誘導放出させ電子の滞在寿命を減らす。つまり、1060〜1100ｎｍの光を同時に入射することにより、寿命の長い4I11/2の電子を減らし、2P3/2と4I11/2の間に反転分布を生じさせ、470ｎｍの青色光レーザ発振を可能にすることができる。
【実施例３】
【００３２】
図１１は、本発明の第３の実施例を示すもので、青色レーザ装置の他の実施例の構成図を示す。図１１に示すように、ファイバレーザ装置１０からは、第１の波長のレーザ光１０１と、第２の波長のレーザ光１０２を出力する。このレーザ光１０２は、光学系２１により希土類が添加された光ファイバ２２の片側から入射される。一方、別のファイバレーザ装置２０から、第１の波長のレーザ光１０１と第２の波長１０３が、反射ミラー２４と光学系２５を介して、希土類が添加された光ファイバ２２のもう一方の側から入射される。希土類には、例えばTm3+、Er3+などが用いられる。もちろん他の希土類でも良い。
【００３３】
光ファイバ２２は共振器用ミラー２３ａ、２３ｂにより光共振器構造になっている。この際、共振器用ミラーは、ガラス基板に誘電体ミラーが蒸着されたものを配置しても、直接光ファイバの端面に蒸着したものでも良い。光ファイバ２２に入射された第１の波長のレーザ光１０１と第２の波長のレーザ光１０２及び１０３は、光ファイバ２２に添加された希土類により、吸収され第３の波長を放出し、光共振器により第３の波長のレーザ光１０４として共振用ミラー２３ｂ側から出力され、反射ミラー２４を透過して出力される。この際、第２の波長のレーザ光１０２と１０３は同じ波長でも良いし、異なる波長でも良い。つまり、同じ波長の場合、励起光強度が増し、より強度の高い第３の波長のレーザ光を取り出せる。また、異なる場合は、多波長励起となり、添加する希土類によって波長を選択し、より効率の良い第３の波長のレーザ光を取り出すことができる。
【００３４】
次に、光ファイバ２２に添加する希土類にTm3+を用いて青色光を取り出す場合の動作を再度、図９を用いて説明する。第１の波長のレーザ光１０１を1060〜1100ｎｍ、第２の波長のレーザ光１０２を635ｎｍ、レーザ光１０３を695ｎｍにした場合について説明する。Tm3+の基底状態3H6にある電子は、635ｎｍを吸収し、3F2へと励起されるが、基底状態の電子を励起するには多少弱い。そこで、より基底状態の電子を励起するのに適した695ｎｍを用いる。695ｎｍを吸収した基底状態３H6にある電子は、3H4に効率良く励起する。この準位に励起された電子は、次に635ｎｍを吸収し、3H4の準位から1D2の準位に励起される。ここから、3F4へ遷移する際、455ｎｍの青色光が発生する。さらに、前述したように1060〜1100ｎｍの光を同時に入射することにより、寿命の長い3F4の電子を減らし、1D2と3F4の間に反転分布を生じさせ、455ｎｍの青色光レーザ発振を効率よく発生することができる。
【００３５】
以上のように、本発明によれば効率良く青色光を出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の第一の実施形態のファイバレーザ装置を示す構成図。
【図２】Nd3+の入射波長に対する吸収強度特性を示す特性図。
【図３】Nd3+のエネルギー遷移を説明するエネルギー準位図。
【図４】この発明のファイバレーザ装置に用いる第１の光共振器用入力側ミラーの透過特性を示す特性図。
【図５】この発明のファイバレーザ装置に用いる第１の光共振器用出力側ミラーの透過特性を示す特性図。
【図６】Ｐｒ3+／Ｙｂ3+のエネルギー遷移を説明するエネルギー準位図。
【図７】Ｐｒ3+、Ｙｂ3+の入射波長に対する吸収強度特性を示す特性図。
【図８】この発明の第２の実施形態である青色レーザ装置を示す構成図。
【図９】Tm3+のエネルギー遷移を説明するエネルギー準位図。
【図１０】Ｅr3+のエネルギー遷移を説明するエネルギー準位図。
【図１１】この発明の第３の実施形態である青色レーザ装置を示す構成図。
【符号の説明】
【００３７】
１０  ファイバレーザ装置
１１  励起光源
１２ａ，１２ｂ  光学系
１３  第１の希土類添加光ファイバ
１４ａ，１４ｂ  第１の光共振器ミラー
１５ａ，１５ｂ  光学系
１６  第２の希土類添加光ファイバ
１７ａ，１７ｂ  第２の光共振器ミラー
１８  光学系
２０  ファイバレーザ装置
２１  光学系
２２  第３の希土類添加光ファイバ
２３ａ，２３ｂ  第３の光共振器ミラー
２４  反射ミラー
２５  光学系
１００  励起光
１０１  第１の波長のレーザ光
１０２，１０３  第２の波長のレーザ光
１０４  第３の波長のレーザ光
【図１】
2005277018.tif 000003
【図２】
2005277018.tif 000004
【図３】
2005277018.tif 000005
【図４】
2005277018.tif 000006
【図５】
2005277018.tif 000007
【図６】
2005277018.tif 000008
【図７】
2005277018.tif 000009
【図８】
2005277018.tif 000010
【図９】
2005277018.tif 000011
【図１０】
2005277018.tif 000012
【図１１】
2005277018.tif 000013