(57)【要約】【課題】処理チャンバー以外で発生させたリモートプラズマによって処理チャンバー内を清掃する際に、プラズマガスを均一に拡散することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】処理チャンバー５０と、プラズマガスを発生するプラズマ発生源２０と、プラズマ発生源２０から処理チャンバー５０にプラズマガスを供給するためのプラズマガス供給管２０ａと、を備えたプラズマＣＶＤ装置であって、処理チャンバー５０には、処理チャンバー５０内にＣＶＤ用ガスを拡散させるガス拡散板４０が設けられていると共に、プラズマ供給管２０ａは、処理チャンバー５０側で分岐した複数の分岐管を有しており、ガス拡散板４０には、プラズマガス供給管２０ａの複数の分岐管が相互に離間して接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバーと、
上記処理チャンバーを清掃するためのプラズマガスを発生するプラズマ発生源と、
上記プラズマ発生源から上記処理チャンバーにプラズマガスを供給するためのプラズマガス供給管と、
を備えたプラズマＣＶＤ装置であって、
上記プラズマ発生源から上記プラズマガス供給管を介して上記処理チャンバーに供給されるプラズマガスを該処理チャンバー内に均一に分散させるプラズマガス分散手段が設けられていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
上記処理チャンバーには、該処理チャンバー内にＣＶＤ用ガスを拡散させるガス拡散板が設けられていると共に、上記プラズマ供給管は、該処理チャンバー側で分岐した複数の分岐管を有しており、
上記プラズマガス分散手段は、上記プラズマガス供給管の複数の分岐管が相互に離間して接続された上記ガス拡散板により構成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項２に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
ＣＶＤ用ガスを発生するＣＶＤ用ガス発生源と、
上記ＣＶＤ用ガス発生源から上記処理チャンバーにＣＶＤ用ガスを供給するためのＣＶＤ用ガス供給管と、
をさらに備え、
上記ＣＶＤ用ガス供給管は、上記プラズマガス供給管に接続されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項１に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
上記プラズマガス供給管に接続された第２プラズマ発生源をさらに備えていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置に関し、特に、処理チャンバー以外で発生させたリモートプラズマによって処理チャンバー内を清掃するプラズマＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
減圧下で反応性ガスのプラズマ放電分解によって半導体膜等の薄膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置は、プラズマＣＶＤ装置と呼ばれ、近年、広く利用されている。
【０００３】
一般に、ＣＶＤ装置では、薄膜を形成する基板等のＣＶＤ対象物だけでなく、ＣＶＤ反応が行われる処理チャンバーの内壁にも、反応生成物が堆積して薄膜が形成される。この薄膜のうち処理チャンバーの内壁に形成されたものは、その内壁から剥離した後、処理チャンバー内を飛散する恐れがある。例えば、その飛散物が半導体デバイスを構成する基板にパーティクルとして付着すると、その基板は不良となってしまう。そのため、半導体デバイスの製造において、処理チャンバー内を定期的に清掃することは不可欠である。
【０００４】
この処理チャンバー内の清掃方法として、プラズマＣＶＤ装置では、例えば、次順に処理される基板が処理チャンバー内に搬入されるまでの間に、処理チャンバー内にクリーニングガスを導入して、反応生成物を気化させて排出する方法がある。例えば、２枚の平行平板型の電極の間でプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ装置において、反応生成物がシリコン酸化物の場合には、クリーニングガスとしてＮＦ3を導入することにより、プラズマによって発生するフッ素ラジカルがシリコン酸化物を気化させ、処理チャンバー内が清掃される。
【０００５】
このプラズマによる清掃方法は、高出力のプラズマを必要とするため、処理チャンバー及びその内部の電極等の部品にダメージを与えてしまうという問題がある。この問題を解決するために、処理チャンバー以外で発生させたプラズマ（以下、リモートプラズマと称する）による清掃方法が特許文献１等で開示されている。
【０００６】
図５は、リモートプラズマによる清掃方法に対応したプラズマＣＶＤ装置６０ａの構成概略図である。
【０００７】
このプラズマＣＶＤ装置６０ａは、ＣＶＤ用ガス発生源１０と、プラズマ発生源２０と、処理チャンバー５０とから構成されている。
【０００８】
処理チャンバー５０の内部には、ＣＶＤ対象物の基板を設置するサセプタ３０と、サセプタ３０に対向するように設けられたガス拡散板４０とが配設されている。
【０００９】
ＣＶＤ用ガス発生源１０は、ＣＶＤ用ガス供給管部１０ａ’、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５及びＣＶＤ用ガス／プラズマガス導入口４０ｃを介してガス拡散板４０に接続されている。
【００１０】
プラズマ発生源２０は、プラズマガス供給管部２０ａ’、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５及びＣＶＤ用ガス／プラズマガス導入口４０ｃを介してガス拡散板４０に接続されている。
【００１１】
ガス拡散板４０は、複数の細孔を有しており、ＣＶＤ用ガスをＣＶＤ対象物の基板にシャワー状に噴出させるものである。
【００１２】
このプラズマＣＶＤ装置６０ａにおいて、処理チャンバー５０内を清掃する際には、まず、クリーニングガスをプラズマ発生源１０に導入してクリーニングガスをプラズマ化させ、次いで、プラズマ化されたクリーニングガス（プラズマガス）を、処理チャンバー５０内に導入して、反応生成物を気化させることにより、反応生成物が排気口から排出される。これにより、処理チャンバー５０内を清掃することができると共に、プラズマを処理チャンバー５０から離れた位置で発生させているので、処理チャンバー５０及びその内部の電極等の部品へ与えるダメージを抑止することができる。
【特許文献１】特開２００１−８５４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述のようなプラズマＣＶＤ装置６０ａにおいて、ガス拡散板４０は、ＣＶＤ用ガスが処理チャンバー５０内に均一に拡散するように構成されているので、プラズマガスを均一に拡散することが困難である。具体的には、ガス拡散板４０は、所定の圧力下でＣＶＤ用ガスが均一に拡散するように、その細孔のコンダクタンスが調整されているので、処理チャンバー５０内を清掃する際に、プラズマガスをその細孔から排出しても、処理チャンバー５０内にプラズマガスが均一に拡散されない恐れがある。
【００１４】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、処理チャンバー以外で発生させたリモートプラズマによって処理チャンバー内を清掃する際に、プラズマガスを均一に拡散することができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、処理チャンバーと、上記処理チャンバーを清掃するためのプラズマガスを発生するプラズマ発生源と、上記プラズマ発生源から上記処理チャンバーにプラズマガスを供給するためのプラズマガス供給管と、を備えたプラズマＣＶＤ装置であって、上記プラズマ発生源から上記プラズマガス供給管を介して上記処理チャンバーに供給されるプラズマガスを該処理チャンバー内に均一に分散させるプラズマガス分散手段が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、プラズマガス分散手段が設けられているので、プラズマ発生源からプラズマガス供給管を介して処理チャンバーに供給されるプラズマガスを処理チャンバー内に均一に拡散させることができる。また、これにより、処理チャンバー内を均一に清掃することができる。
【００１７】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、上記処理チャンバーには、該処理チャンバー内にＣＶＤ用ガスを拡散させるガス拡散板が設けられていると共に、上記プラズマ供給管が、該処理チャンバー側で分岐した複数の分岐管を有しており、上記プラズマガス分散手段が、上記プラズマガス供給管の複数の分岐管が相互に離間して接続された上記ガス拡散板により構成されていてもよい。
【００１８】
上記の構成によれば、プラズマガス分散手段が、プラズマガス供給管の複数の分岐管が相互に離間して接続されたガス拡散板により構成されているので、プラズマ発生源からのプラズマガスがプラズマ供給管の複数の分岐管で分割され、その複数に分割されたプラズマガスの各々が互いに離間してガス拡散板に導入される。これにより、プラズマガスを処理チャンバー内に均一に拡散させることができる。さらに、ＣＶＤ用ガスも、ガス拡散板によって処理チャンバー内に拡散されるので、処理チャンバー内を均一に清掃することができると共に、均一に成膜することもできる。
【００１９】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、ＣＶＤ用ガスを発生するＣＶＤ用ガス発生源と、上記ＣＶＤ用ガス発生源から上記処理チャンバーにＣＶＤ用ガスを供給するためのＣＶＤ用ガス供給管と、をさらに備え、上記ＣＶＤ用ガス供給管が、上記プラズマガス供給管に接続されていてもよい。
【００２０】
上記の構成によれば、ＣＶＤ用ガス供給管がプラズマガス供給管に接続されているので、ＣＶＤ用ガスが、ＣＶＤ用ガス供給管を介してだけでなく、ＣＶＤ用ガス供給管に接続され複数の分岐管を有するプラズマガス供給管を介してガス拡散板に導入されることになる。また、プラズマガスが、プラズマガス供給管を介してだけでなく、ＣＶＤ用ガス供給管を介してガス拡散板に導入されるともいえる。そのため、ＣＶＤ用ガス及びプラズマガスの処理チャンバー内における拡散状態を、ガス拡散板の構成とプラズマガス供給管の複数の分岐管の構成とによって調整することができる。
【００２１】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、上記プラズマガス供給管に接続された第２プラズマ発生源をさらに備えていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、（第１の）プラズマ発生源に加えて、プラズマガス供給管に接続された第２プラズマ発生源をさらに備えているので、プラズマによって発生するラジカルが増えることになり、処理チャンバー内の清掃に必要な時間を短くすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、プラズマガス分散手段が設けられているので、より具体的には、そのプラズマガス分散手段が、プラズマガス供給管の複数の分岐管が相互に離間して接続されたガス拡散板により構成されているので、プラズマ発生源からのプラズマガスがプラズマ供給管の複数の分岐管で分割され、その複数に分割されたプラズマガスの各々が互いに離間してガス拡散板に導入される。これにより、プラズマガスを処理チャンバー内に均一に拡散させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置について、図面に基づいて詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。
【００２５】
《発明の実施形態１》
図１（ａ）は、本発明の実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１００ａの構成概略図であり、図１（ｂ）は、プラズマＣＶＤ装置１００ａを構成するガス拡散板４０の上面模式図である。
【００２６】
このプラズマＣＶＤ装置１００ａは、ＣＶＤ用ガス発生源１０と、プラズマ発生源２０と、処理チャンバー５０とから構成されている。
【００２７】
ＣＶＤ用ガス発生源１０は、ＣＶＤ反応に用いられるＣＶＤ用ガスを発生するものであり、ＣＶＤ用ガス供給管１０ａを介して処理チャンバー５０に接続されている。
【００２８】
プラズマ発生源２０は、処理チャンバー５０内を掃除するために用いられるプラズマガスを発生するものであり、プラズマガス供給管２０ａを介して処理チャンバー５０に接続されている。
【００２９】
プラズマガス供給管２０ａは、その処理チャンバー５０側に、例えば、５本の分岐管を有している。
【００３０】
処理チャンバー５０は、その内部には、サセプタ３０と、サセプタ３０に対向するように設けられたガス拡散板４０とを備えている。
【００３１】
サセプタ３０は、その内部に抵抗加熱型ヒータを含んでおり、その上面に設置されるＣＶＤ対象物の基板を加熱するものであり、また、ＣＶＤ反応時にプラズマを発生させるための下部電極として機能するものでもある。
【００３２】
プラズマ分散手段を構成するガス拡散板４０は、そのサセプタ３０側の面（下面）に複数の細孔を有しており、ＣＶＤ対象物の基板にＣＶＤ用ガスをシャワー状に拡散・噴出させるためのものであり、また、ＣＶＤ反応時にプラズマを発生させるための上部電極として機能するものでもある。
【００３３】
なお、ガス拡散板４０の下面の複数の細孔は、ＣＶＤ反応時の圧力下でＣＶＤ用ガスが均一に拡散するように、そのコンダクタンスが調整されている。
【００３４】
また、図１（ｂ）に示すように、ガス拡散板４０の上面の中央の１箇所には、ＣＶＤ用ガス供給管１０ａに接続されたＣＶＤ用ガス導入口４０ａが、同じく中央の１箇所及び角の４箇所には、プラズマガス供給管２０ａに接続されたプラズマガス導入口４０ｂが、それぞれ配設されている。なお、プラズマガス導入口４０ｂの個数及び位置は、この実施形態に限定されるものではなく、処理チャンバー５０内に均一にプラズマガスが分散されれば他の形態であってもよい。
【００３５】
このプラズマ分散手段により、プラズマガスは、プラズマガス供給管２０ａの複数の分岐管で分割され、その複数に分割されたプラズマガスの各々が互いに離間して設けられたプラズマガス導入口４０ｂを介して、ガス拡散板４０に導入されることになる。
【００３６】
一方、ＣＶＤ用ガスは、ＣＶＤ用ガス供給管１０ａ及びＣＶＤ用ガス導入口４０ａを介して、ガス拡散板４０に導入されることになる。
【００３７】
次に、このプラズマＣＶＤ装置１００ａにおいて、処理チャンバー５０内の清掃方法について説明する。
【００３８】
まず、プラズマ発生源２０にクリーニングガスを導入する。クリーニングガスとしては、例えば、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣｌＦ3、ＣＯＦ2、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等が用いられ、また、上記クリーニングガスとＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスとを混合して用いてもよい。
【００３９】
次いで、プラズマ発生源２０において、マイクロトロンや平行平板電極等によってマイクロ波や高周波を発生させ、クリーニングガスをプラズマ化する。
【００４０】
次いで、プラズマ化されたクリーニングガス（プラズマガス）をプラズマガス供給管２０ａを介して処理チャンバー５０内に導入する。このとき、プラズマガスは、プラズマガス供給管２０ａの５本の分岐管によってほぼ均等に５分割され、各プラズマガス導入口４０ｂを介して、ガス拡散板４０内に導入される。そして、プラズマガス中のフッ素ラジカルによって、反応生成物（例えば、シリコン酸化物）が気化されて除去されることになる。これにより、処理チャンバー５０内が清掃される。
【００４１】
次いで、クリーニングガスが完全になくなるように、処理チャンバー５０内の真空引きを行う。
【００４２】
次いで、処理チャンバー５０内にＳｉＨ4等のガスを導入してシーズニングを行う。
【００４３】
次いで、処理チャンバー５０内の真空引きを行う。
【００４４】
以上のような清掃方法によれば、プラズマガスが、図５のプラズマＣＶＤ装置６０ａの従来例のようにガス拡散板４０に直接導入されるのではなく、プラズマガス供給管２０ａの５本の分岐管によってほぼ均等に５分割された状態でガス拡散板４０に導入されるので、プラズマガスを処理チャンバー５０内に均一に拡散させることができる。そのため、処理チャンバー５０内を均一に清掃することができる。また、これにより、処理チャンバー５０内の清掃に必要な時間を短縮することができ、さらには、清掃に必要なクリーニングガスの使用量を抑制することもでき、半導体デバイスやフラットパネルディスプレイの製造において、処理チャンバー５０内の清掃に関わるコストを低減することができる。
【００４５】
なお、実施形態１では、プラズマガス導入口４０ｂが処理チャンバー５０の壁を介してガス拡散板４０の上面に設けられた構成について説明しているが、プラズマガス導入口４０ｂをプラズマガスが処理チャンバー５０に均一に分散するように相互に離間して処理チャンバー５０の内壁に設けてもよい。
【００４６】
《発明の実施形態２》
図２は、本発明の実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置１００ｂの構成概略図である。
【００４７】
このプラズマＣＶＤ装置１００ｂは、ＣＶＤ用ガス発生源１０と、プラズマ発生源２０と、処理チャンバー５０とから構成されている。
【００４８】
ＣＶＤ用ガス発生源１０は、ＣＶＤ反応に用いられるＣＶＤ用ガスを発生するものであり、ＣＶＤ用ガス供給管部１０ａ’及びＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５を介して処理チャンバー５０に接続されている。
【００４９】
プラズマ発生源２０は、処理チャンバー５０内を掃除するために用いられるプラズマガスを発生するためのものであり、プラズマガス供給管部２０ａ’及びＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５を介して処理チャンバー５０に接続されている。
【００５０】
つまり、ＣＶＤ用ガス及びプラズマガスの供給管の処理チャンバー５０側は、両者に共通のＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５に構成されており、その処理チャンバー５０側に、例えば５本の分岐管を有している。これにより、ＣＶＤ用ガス及びプラズマガスの供給管を部分的に共通化しているので、その供給管の構成を簡略化することができ、また、後述するガス拡散板の構成も簡略化することができる。
【００５１】
なお、図３に示すプラズマＣＶＤ装置１００ｃのように、ＣＶＤ用ガス及びプラズマガスの供給管を、図２中のプラズマＣＶＤ装置１００ｂのプラズマガス供給管部２０ａ’の途中に分岐管を設けてＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５の分岐管に接続するような構成としてもよい。
【００５２】
処理チャンバー５０は、その内部に、サセプタ３０と、サセプタ３０に対向するように設けられたガス拡散板４０とを備えている。
【００５３】
サセプタ３０については、実施形態１のものと実質的に同じであり、その説明は省略する。
【００５４】
プラズマ分散手段を構成するガス拡散板４０については、実施形態１のものと類似しているので、その相違点のみを説明する。
【００５５】
ガス拡散板４０の上面の中央の１箇所及び角の４箇所には、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５に接続されたＣＶＤ用ガス／プラズマガス導入口４０ｃが、配設されている。なお、プラズマガス導入口４０ｃの個数及び位置は、この実施形態に限定されるものではなく、処理チャンバー５０内に均一にプラズマガスが分散されれば、他の形態であってもよい。
【００５６】
このプラズマ分散手段により、ＣＶＤ用ガス及びプラズマガスは、それぞれＣＶＤ用ガス供給管部１０ａ’及びプラズマガス供給管部２０ａ’から、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５、プラズマガス導入口４０ｃを介して、ガス拡散板４０に導入されることになる。また、ＣＶＤ用ガス及びプラズマガスの処理チャンバー５０内における拡散状態を、ガス拡散板４０の構成とプラズマガス供給管（この場合、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５）の複数の分岐管の構成とによって調整することもできる。
【００５７】
本発明の実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置１００ｂの清掃方法については、実施形態１と同様であり、その詳細な説明は省略する。
【００５８】
《発明の実施形態３》
図４は、本発明の実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置１００ｄの構成概略図である。
【００５９】
このプラズマＣＶＤ装置１００ｄは、ＣＶＤ用ガス発生源１０と、第１プラズマ発生源２０ｂと、第２プラズマ発生源２０ｃと、処理チャンバー５０とから構成されている。
【００６０】
第１プラズマ発生源２０ｂ及び第２プラズマ発生源２０ｃは、実施形態１のプラズマ発生源２０と実質的に同じであり、例えば、５本の分岐管を有するプラズマガス供給管２０ａ及びプラズマガス導入口４０ｂを介して、処理チャンバー５０に接続されている。
【００６１】
その他の構成要素についても、実施形態１のものと実質的に同じであり、同一の符号で示し、その詳細な説明は省略する。
【００６２】
このプラズマＣＶＤ装置１００ｄでは、プラズマ発生源が２つになっており、プラズマによって発生するラジカルが増える（倍増する）ことになり、清掃に必要な時間を短くすることができる。なお、プラズマＣＶＤ装置１００ｄは、プラズマ発生源が２つの例であるが、２つ以上であってもよい。
【００６３】
次に、比較例について説明する。
【００６４】
図６は、従来の技術を用いて考えられるプラズマ発生源を２つ備えたプラズマＣＶＤ装置６０ｂの概略構成図である。
【００６５】
このプラズマＣＶＤ装置６０ｂは、ＣＶＤ用ガス発生源１０と、第１プラズマ発生源２０ｂと、第２プラズマ発生源２０ｃと、処理チャンバー５０とから構成されている。
【００６６】
ＣＶＤ用ガス発生源１０は、ＣＶＤ用ガス供給管部１０ａ’、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５及びＣＶＤ用ガス／プラズマガス導入口４０ｃを介して処理チャンバー５０（ガス拡散板４０）に接続されている。
【００６７】
第１プラズマ発生源２０ｂ及び第２プラズマ発生源２０ｃは、プラズマガス供給管２０ａ’、ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部１５及びＣＶＤ用ガス／プラズマガス導入口４０ｃを介して処理チャンバー５０（ガス拡散板４０）に接続されている。
【００６８】
このプラズマＣＶＤ装置６０ｂでは、プラズマ発生源が２つになっているものの、プラズマガスの供給管がガス拡散板４０に達するまでに分岐していないため、プラズマガスがガス拡散板４０に直接導入される。そのため、プラズマガスを処理チャンバー５０内に均一に拡散することが困難である。
【００６９】
これに対して、本発明のプラズマＣＶＤ装置１００ｄでは、プラズマガス供給管２０ａが５つの分岐管を有しており、それら５つ分岐管がガス拡散板４０に接続されているので、プラズマガスが５つに分割されてガス拡散板４０に導入される。そのため、プラズマガスを処理チャンバー５０内に均一に拡散することができる。これにより、処理チャンバー５０内を均一に清掃することができると共に、清掃に必要な時間を短縮することができる。従って、半導体デバイスやフラットパネルディスプレイの製造において、処理チャンバー５０内の清掃に関わるコストを低減することができる。
【００７０】
なお、実施形態３は、実施形態１の構成に複数のプラズマ発生源を設けたものであるが、実施形態２の構成に適応することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上説明したように、本発明は、半導体デバイスやフラットパネルディスプレイの製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置等について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１００ａを示し、（ａ）は、その構成概略図であり、（ｂ）は、プラズマＣＶＤ装置１００ａを構成するガス拡散板４０の上面模式図である。
【図２】本発明の実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置１００ｂの構成概略図である。
【図３】本発明の実施形態２の変形例に係るプラズマＣＶＤ装置１００ｃの構成概略図である。
【図４】本発明の実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置１００ｄの構成概略図である。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置６０ａの構成概略図である。
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置６０ｂの構成概略図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０        ＣＶＤ用ガス発生源
１０ａ      ＣＶＤ用ガス供給管
１０ａ’    ＣＶＤ用ガス供給管部
１５        ＣＶＤ用ガス／プラズマガス供給管共通管部
２０        プラズマ発生源
２０ａ      プラズマガス供給管
２０ａ’    プラズマガス供給管部
２０ｂ      第１プラズマ発生源
２０ｃ      第２プラズマ発生源
３０        サセプタ
４０        ガス拡散板
４０ａ      ＣＶＤ用ガス導入口
４０ｂ      プラズマガス導入口
４０ｃ      ＣＶＤ用ガス／プラズマガス導入口
５０        処理チャンバー
６０ａ，６０ｂ，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ  プラズマＣＶＤ装置
【図１】
2005187928.tif 000003
【図２】
2005187928.tif 000004
【図３】
2005187928.tif 000005
【図４】
2005187928.tif 000006
【図５】
2005187928.tif 000007
【図６】
2005187928.tif 000008