(57)【要約】【課題】微細パターンからなる配線層領域で、配線層の高さや断面形状が不均一にならず、接続信頼性に優れたビアオンビア構造の配線基板を容易に得ることができる多層配線基板の製造方法及び多層配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材の両面に導体層が形成された積層基材の一方の面から導体層及び絶縁基材を貫通し他方の面の導体層に達するビア用孔を形成し、レジストパターンを形成し、レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成し、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成し、物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨し、レジストパターンを剥離し、レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層及び導体層をエッチングにより除去し、多層配線基板を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材の両面に導体層が形成された積層基材の一方の面から導体層及び絶縁基材を貫通し他方の面の導体層に達するビア用孔を形成する工程。
（ｂ）両面に所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｄ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｅ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｆ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｇ）レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層及び導体層をエッチングにより除去する工程。
（ｈ）絶縁層を形成する工程。
（ｉ）絶縁層の所定位置にビア用孔を形成する工程。
（ｊ）両面に所定厚のレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｋ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｌ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｍ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｎ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｏ）レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層をエッチングにより除去する工程。
（ｐ）上記（ｈ）〜（ｏ）の工程を所望の回数繰り返す工程。
【請求項２】
多層配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材の片面に導体層が形成された積層基材の一方の面から絶縁基材を貫通し他方の面の導体層に達するビア用孔を形成する工程。
（ｂ）両面に所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｄ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｅ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンが露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｆ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｇ）レジストパターン下部にあっためっき下地導体層とめっき下地導体層及び導体層をエッチングにより除去する工程。
（ｈ）絶縁層を形成する工程。
（ｉ）絶縁層の所定位置にビア用孔を形成する工程。
（ｊ）両面に所定厚のレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処
理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｋ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｌ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｍ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｎ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｏ）レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層をエッチングにより除去する工程。
（ｐ）上記（ｈ）〜（ｏ）の工程を所望の回数繰り返す工程。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法によって作製されたことを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材に配線層、ビアが形成された多層配線基板の製造方法に関し、特に、めっきで形成された導体層を物理研磨、もしくは化学研磨して配線層及びビアを形成する多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子をプリント配線基板に実装するためのインターポーザとして、多層回路基板が広く採用されている。この多層回路基板は表面に所定パターンの導体回路が形成された単位回路基板を複数枚積層してなっており、各単位回路基板の間はスルーホールやビアホールで導通が取られている。
【０００３】
その一方で、半導体大規模集積回路（ＬＳＩ）等の半導体素子ではトランジスターの集積度が高まり、その動作速度はクロック周波数で１ＧＨｚに達するものが、また入出力端子数では１０００を越えるものが出現するに至っている。
【０００４】
このため、多層回路基板にも高密度、高精細の配線形成技術が求められている。
高密度、高精細配線形成の有効な手段として、めっきを用いたセミアディティブ法がある（例えば参考文献１参照）。セミアディティブ法では、主に次の工程を経て配線層及びビアを得る。
【０００５】
セミアディティブ法にて、配線層及びビアを形成するプロセスについて説明する。
図８（ａ）〜（ｅ）及び図９（ｆ）〜（ｇ）に、配線層及びビアをセミアディティブ法にて形成するプロセスの一例を示す。
【０００６】
まず、両面に配線層５１及び５２が形成されたコア基板３０の両面に樹脂フィルム等をラミネートする等の方法で所定厚の絶縁層６１を形成する。（図８（ａ）及び（ｂ）参照）。
次に、絶縁層６１の所定位置に、レーザー加工等によりビア用孔６２を形成する（図８（ｃ）参照）。
【０００７】
次に、ビア用孔６２のデスミア処理を行って、絶縁層上及びビア用孔側壁に無電解銅めっき等によりめっき下地導電層７１を形成する（図８（ｄ）参照）。
次に、めっき下地導電層７１上の所定位置にパターめっき用のレジストパターン８１を形成する（図８（ｅ）参照）。
【０００８】
次に、めっき下地導電層７１を給電層にして電解銅めっきを行い、フィルドビア５３及び所定厚の導体層５４を形成する（図９（ｆ）参照）。
最後に、レジストパターン８１を専用の剥離液で除去し、レジストパターン８１下部にあっためっき下地導電層７１をエッチングして、配線層５４ａを得る（図９（ｇ）参照）。
【特許文献１】特開平７−１５１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来のセミアディティブ工法では、配線層のパターンによっては、配線の高さ、断面形状にばらつきが生じることがある。また、フィルドビアと配線層形成を同時に行う場合、配線の断面形状が矩形とならずに不均一になることがある。配線層の高さや断面
形状が不均一になると、配線層の電気的特性にばらつきを生じ、配線基板としての使用に耐え得ないものとなってしまう。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、微細パターンからなる配線層領域で、配線層の高さや断面形状が不均一にならず、接続信頼性に優れたビアオンビア構造の配線基板を容易に得ることができる多層配線基板の製造方法及び多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、多層配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材の両面に導体層が形成された積層基材の一方の面から導体層及び絶縁基材を貫通し他方の面の導体層に達するビア用孔を形成する工程。
（ｂ）両面に所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｄ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｅ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｆ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｇ）レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層及び導体層をエッチングにより除去する工程。
（ｈ）絶縁層を形成する工程。
（ｉ）絶縁層の所定位置にビア用孔を形成する工程。
（ｊ）両面に所定厚のレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｋ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｌ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｍ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｎ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｏ）レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層をエッチングにより除去する工程。
（ｐ）上記（ｈ）〜（ｏ）の工程を所望の回数繰り返す工程。
【００１２】
また、請求項２においては、多層配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材の片面に導体層が形成された積層基材の一方の面から絶縁基材を貫通し他方の面の導体層に達するビア用孔を形成する工程。
（ｂ）両面に所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｄ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｅ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンが露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｆ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｇ）レジストパターン下部にあっためっき下地導体層とめっき下地導体層及び導体層をエッチングにより除去する工程。
（ｈ）絶縁層を形成する工程。
（ｉ）絶縁層の所定位置にビア用孔を形成する工程。
（ｊ）両面に所定厚のレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理によりレジストパターンを形成する工程。
（ｋ）レジストパターン上、ビア用孔側壁及びビア用孔底面を含む全面にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｌ）めっき下地導電層を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターンの高さ以上にめっき金属を析出させて導体層を形成する工程。
（ｍ）物理研磨、または化学研磨により、レジストパターンの上部が露出するまで導体層を研磨する工程。
（ｎ）レジストパターンを剥離液で剥離する工程。
（ｏ）レジストパターン下部にあった一方の面のめっき下地導電層をエッチングにより除去する工程。
（ｐ）上記（ｈ）〜（ｏ）の工程を所望の回数繰り返す工程。
【００１３】
さらにまた、請求項３においては、請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法によって作製されたことを特徴とする多層配線基板。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の多層配線基板の製造方法よれば、配線層の幅、高さ及び形状が均一でパターン再現性に優れ、且つ接続信頼性に優れたビアオンビア構造の多層配線基板を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）は、本発明の請求項１に係る多層配線基板の製造方法で作製された多層配線基板の一実施例を示す模式構成断面図を、図１（ｂ）は、本発明の請求項２に係る多層配線基板の製造方法で作製された多層配線基板の一実施例を示す模式構成断面をそれぞれ示す。図１（ａ）の多層配線基板１００は、絶縁基材１１の両面に導体層２１を有する積層基材１０を用いて多層配線基板を、図１（ｂ）の多層配線基板２００は、絶縁基材１１の片面に導体層２１を有する積層基材２０を用いて多層配線基板をそれぞれ作製したものである。
本発明の多層配線基板の製造方法では、めっきで形成された導体層を物理研磨、もしくは化学研磨して配線層及びビアを形成するので、表面が平滑な形状再現性に優れた配線層及び接続信頼性に優れたビアオンビア構造の多層配線基板を容易に得ることができる。
【００１６】
以下、本発明の多層配線基板の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｅ）、図３（ｆ）〜（ｉ）及び図４（ｊ）〜（ｎ）は、本発明の請求項１に係る多層配線基板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に極薄銅箔を積層して導体層２１を形成した積層基材１０を準備する（図２（ａ）参照）。
次に、ＣＯ2レーザー、ＵＶレーザー等を用いたレーザー加工により、積層基材１０の一方の面から導体層２１及び絶縁基材１１を貫通し他方の面の導体層２１に達するビア用孔１２を形成し、ビア用孔１２底及び内壁に付着した樹脂残渣を、ドライデスミア又は、ウェットデスミア処理にて除去する（図２（ｂ）参照）。
【００１７】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３１を形成する（図２（ｃ）参照）。
【００１８】
次に、スパッタ又は、ＤＰＳ、無電解銅めっき等によりレジストパターン３１上、導体層２１上及びビア用孔１２内に所定厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４１を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００１９】
次に、めっき下地導電層４１を給電層にしてフィルドビア用銅めっき液を用いて、電解銅めっきを行い、レジストパターン３１を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２２を形成する（図２（ｅ）参照）。
【００２０】
次に、基板両面をバフ研磨等の物理研磨、またはエッチング等の化学研磨により、レジストパターン３１の上部が露出するまで導体層２１及びレジストパターン３１上部のめっき下地導電層４１を研磨処理し、研磨処理された配線層２２ａ、ランド２２ｂ及びフィルドビア２２ｃを形成する（図３（ｆ）参照）。
【００２１】
次に、レジストパターン３１を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３１の下部にあっためっき下地導電層４１及び導体層２１をエッチングで除去して配線層及びランド間の絶縁性を確保し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２２ａ及びランド２２ｂが形成され、配線層２２ａとランド２２ｂがフィルドビア２２ｃにて電気的に接続された２層の配線基板を得る（図３（ｇ）参照）。
【００２２】
次に、両面に樹脂フィルムをラミネートする等の方法で、絶縁層１３を形成する（図３（ｈ）参照）。
次に、ＣＯ2レーザー、ＵＶレーザー等を用いたレーザー加工により、絶縁層１３の所定位置にビア用孔１４を形成し、、ビア用孔１４底及び内壁に付着した樹脂残渣を、ドライデスミア又は、ウェットデスミア処理にて除去する（図３（ｉ）参照）。
【００２３】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３２を形成する（図４（ｊ）参照）。
【００２４】
次に、スパッタ又は、ＤＰＳ、無電解銅めっき等によりレジストパターン３２上、絶縁層１３上及びビア用孔１４内に所定厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４２を形成する（図４（ｋ）参照）。
【００２５】
次に、めっき下地導電層４２を給電層にしてフィルドビア用銅めっき液を用いて、電解銅めっきを行い、レジストパターン３２を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２３を形成する（図４（ｌ）参照）。
【００２６】
次に、基板両面をバフ研磨等の物理研磨、またはエッチング等の化学研磨により、レジストパターン３２の上部が露出するまで導体層２３及びレジストパターン３２上部のめっき下地導電層４２を研磨処理し、研磨処理された配線層２３ａ、ランド２３ｂ及びフィルドビア２３ｃを形成する（図４（ｍ）参照）。
【００２７】
次に、レジストパターン３２を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３２の下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去して配線層及びランド間の絶縁性を確保し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２３ａ及びランド２３
ｂが形成され、配線層２２ａとランド２２ｂがフィルドビア２２ｃにて、ランド２２ｂとランド２３ｂとがフィルドビア２３ｃにて電気的に接続された接続信頼性に優れたビアオンビア構造の４層の配線基板１００を得る（図４（ｎ）参照）。
さらに、必用であれば上記絶縁層、レジストパターン、めっき下地導電層、めっきよる導体層形成及び研磨処理、レジストパターン剥離工程を繰り返すことにより、所望の多層配線基板を得ることができる。
【００２８】
図５（ａ）〜（ｅ）、図６（ｆ）〜（ｉ）及び図７（ｊ）〜（ｎ）には、本発明の請求項２に係る多層配線基板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の片面に極薄銅箔を積層して導体層２１を形成した積層基材２０を準備する（図５（ａ）参照）。
次に、ＣＯ2レーザー、ＵＶレーザー等を用いたレーザー加工により、積層基材２０の一方の面から絶縁基材１１を貫通し導体層２１に達するビア用孔１５を形成し、ビア用孔１５底及び内壁に付着した樹脂残渣を、ドライデスミア又は、ウェットデスミア処理にて除去する（図５（ｂ）参照）。
【００２９】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３３を形成する（図５（ｃ）参照）。
【００３０】
次に、スパッタ又は、ＤＰＳ、無電解銅めっき等により、一方の面のレジストパターン３３上、絶縁基材１１上及びビア用孔１２内に、他方の面のレジストパターン３３上及び導体層２１上に所定厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４３を形成する（図５（ｄ）参照）。
【００３１】
次に、めっき下地導電層４３を給電層にしてフィルドビア用銅めっき液を用いて、電解銅めっきを行い、レジストパターン３３を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２４を形成する（図５（ｅ）参照）。
【００３２】
次に、基板両面をバフ研磨等の物理研磨、またはエッチング等の化学研磨により、レジストパターン３３の上部が露出するまで導体層２４及びレジストパターン３３上部のめっき下地導電層４３を研磨処理し、研磨処理された配線層２４ａ、ランド２４ｂ及びフィルドビア２４ｃを形成する（図６（ｆ）参照）。
【００３３】
次に、レジストパターン３３を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３３の下部にあった一方の面のめっき下地導電層４３と、他方の面の及びめっき下地導電層４３導体層２１をエッチングで除去して配線層及びランド間の絶縁性を確保し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２４ａ及びランド２４ｂが形成され、配線層２４ａとランド２４ｂがフィルドビア２４ｃにて電気的に接続された２層の配線基板を得る（図６（ｇ）参照）。
【００３４】
次に、両面に樹脂フィルムをラミネートする等の方法で、絶縁層１６を形成する（図６（ｈ）参照）。
次に、ＣＯ2レーザー、ＵＶレーザー等を用いたレーザー加工により、絶縁層１６の所定位置にビア用孔１７を形成し、、ビア用孔１７底及び内壁に付着した樹脂残渣を、ドライデスミア、又はウェットデスミア処理にて除去する（図６（ｉ）参照）。
【００３５】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３４を形成する（図７（ｊ）参照）。
【００３６】
次に、スパッタ、ＤＰＳ、無電解銅めっき等によりレジストパターン３４上、絶縁層１６上及びビア用孔１７内に所定厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４４を形成する（図７（ｋ）参照）。
【００３７】
次に、めっき下地導電層４４を給電層にしてフィルドビア用銅めっき液を用いて、電解銅めっきを行い、レジストパターン３４を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２５を形成する（図７（ｌ）参照）。
【００３８】
次に、基板両面をバフ研磨等の物理研磨、またはエッチング等の化学研磨により、レジストパターン３４の上部が露出するまで導体層２５及びレジストパターン３４上部のめっき下地導電層４４を研磨処理し、研磨処理された配線層２５ａ、ランド２５ｂ及びフィルドビア２５ｃを形成する（図７（ｍ）参照）。
【００３９】
次に、レジストパターン３４を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３４の下部にあっためっき下地導電層４４をエッチングで除去して配線層及びランド間の絶縁性を確保し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２５ａ及びランド２５ｂが形成され、配線層２４ａとランド２４ｂがフィルドビア２４ｃにて、ランド２４ｂとランド２５ｂとがフィルドビア２５ｃにて電気的に接続された接続信頼性に優れたビアオンビア構造の４層の配線基板２００を得る（図７（ｎ）参照）。
さらに、必用であれば上記絶縁層、レジストパターン、めっき下地導電層、めっきよる導体層形成及び研磨処理、レジストパターン剥離工程を繰り返すことにより、所望の多層配線基板を得ることができる。
【実施例１】
【００４０】
まず、２５μｍ厚のポリイミドテープからなる絶縁基材１１の両面に銅箔が積層された両面銅箔付きポリイミドテープの銅箔をエッチングして３μｍ厚の銅箔からなる導体層２１を形成した積層基材１０を準備した（図２（ａ）参照）。
次に、ＵＶレーザーを用いたレーザー加工により、積層基材１０の一方の面から導体層２１及び絶縁基材１１を貫通し他方の面の導体層２１に達する１００μｍ径のビア用孔１２を形成し、ビア用孔１２底及び内壁に付着した樹脂残渣を５０℃に加熱された過マンガン酸カリウム水溶液によるデスミア処理にて除去した（図２（ｂ）参照）。
【００４１】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３１を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００４２】
次に、無電解銅めっきによりレジストパターン３１上、導体層２１上及びビア用孔１２内に０．５〜１．０μｍ厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４１を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００４３】
次に、めっき下地導電層４１を給電層にして、硫酸銅５水和物濃度が２３０ｇ／Ｌ、硫酸濃度が７０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度が６０ｍｇ／Ｌの硫酸銅水溶液にエバラユージライト製キューブライトＶＦ−ＭＵを２０ｍｌ／Ｌを加えた銅めっき液を用いて電解銅めっきを行い、レジストパターン３１を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２２を形成した（図２（ｅ）参照）。
ここで、電流密度は、はじめの１５分間で１．５ＡＳＤ、続く２５分間で２．０ＡＳＤとした。
【００４４】
次に、過酸化水素水と硫酸の混合液からなるエッチング液を用いた化学研磨により、レ
ジストパターン３１の上部が露出するまで導体層２１及びレジストパターン３１上部のめっき下地導電層４１をエッチングし、５〜１０μｍの配線層２２ａ、ランド２２ｂ及びフィルドビア２２ｃを形成した（図３（ｆ）参照）。
【００４５】
次に、レジストパターン３１を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３１の下部にあっためっき下地導電層４１及び導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２２ａ及びランド２２ｂが形成され、配線層２２ａとランド２２ｂがフィルドビア２２ｃにて電気的に接続された２層の配線基板を得た（図３（ｇ）参照）。
【００４６】
次に、両面に樹脂フィルムをラミネートし絶縁層１３を形成した（図３（ｈ）参照）。次に、ＵＶレーザーを用いたレーザー加工により、絶縁層１３の所定位置に５０μｍ径のビア用孔１４を形成し、ビア用孔１４底及び内壁に付着した樹脂残渣を５０℃に加熱された過マンガン酸カリウム水溶液によるデスミア処理にて除去した（図３（ｉ）参照）。
【００４７】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３２を形成した（図４（ｊ）参照）。
【００４８】
次に、無電解銅めっきによりレジストパターン３２上、絶縁層１３上及びビア用孔１４内に０．５〜１．０μｍ厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４２を形成した図４（ｋ）参照）。
【００４９】
次に、めっき下地導電層４１を給電層にして、硫酸銅５水和物濃度が２３０ｇ／Ｌ、硫酸濃度が７０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度が６０ｍｇ／Ｌの硫酸銅水溶液にエバラユージライト製キューブライトＶＦ−ＭＵを２０ｍｌ／Ｌを加えた銅めっき液を用いて電解銅めっきを行い、レジストパターン３１を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２３を形成した（図４（ｌ）参照）。
ここで、電流密度は、はじめの１５分間で１．５ＡＳＤ、続く２５分間で２．０ＡＳＤとした。
【００５０】
次に、過酸化水素水と硫酸の混合液からなるエッチング液を用いた化学研磨により、レジストパターン３２の上部が露出するまで導体層２１及びレジストパターン３１上部のめっき下地導電層４１をエッチングし、５〜１０μｍの配線層２２ａ、ランド２２ｂ及びフィルドビア２２ｃを形成した（図４（ｍ）参照）。
【００５１】
次に、レジストパターン３２を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３２の下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２３ａ及びランド２３ｂが形成され、配線層２２ａとランド２２ｂがフィルドビア２２ｃにて、ランド２２ｂとランド２３ｂとがフィルドビア２３ｃにて電気的に接続された接続信頼性に優れたビアオンビア構造の４層の配線基板１００を得た（図４（ｎ）参照）。
【実施例２】
【００５２】
まず、２５μｍ厚のポリイミドテープからなる絶縁基材１１の片面に銅箔が積層された片面銅箔付きポリイミドテープの銅箔をエッチングして３μｍ厚の銅箔からなる導体層２１を形成した積層基材２０を準備した（図５（ａ）参照）。
次に、ＵＶレーザーを用いたレーザー加工により、積層基材２０の一方の面から絶縁基材１１を貫通し他方の面の導体層２１に達する１００μｍ径のビア用孔１５を形成し、ビア用孔１５底及び内壁に付着した樹脂残渣を５０℃に加熱された過マンガン酸カリウム水溶
液によるデスミア処理にて除去した（図５（ｂ）参照）。
【００５３】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３３を形成した（図５（ｃ）参照）。
【００５４】
次に、無電解銅めっきにより一方の面のレジストパターン３３上及びビア用孔１２内に、他方の面のレジストパターン３３上及び導体層２１上に０．５〜１．０μｍ厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４３を形成した（図５（ｄ）参照）。
【００５５】
次に、めっき下地導電層４３を給電層にして、硫酸銅５水和物濃度が２３０ｇ／Ｌ、硫酸濃度が７０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度が６０ｍｇ／Ｌの硫酸銅水溶液にエバラユージライト製キューブライトＶＦ−ＭＵを２０ｍｌ／Ｌを加えた銅めっき液を用いて電解銅めっきを行い、レジストパターン３３を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２４を形成した（図５（ｅ）参照）。
ここで、電流密度は、はじめの１５分間で１．５ＡＳＤ、続く２５分間で２．０ＡＳＤとした。
【００５６】
次に、過酸化水素水と硫酸の混合液からなるエッチング液を用いた化学研磨により、レジストパターン３１の上部が露出するまで導体層２４及びレジストパターン３３上部のめっき下地導電層４３をエッチングし、５〜１０μｍの配線層２４ａ、ランド２４ｂ及びフィルドビア２４ｃを形成した（図６（ｆ）参照）。
【００５７】
次に、レジストパターン３１を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３１の下部にあった一方の面のめっき下地導電層４３及び他方の面のめっき下地導電層４３及び導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２４ａ及びランド２４ｂが形成され、配線層２４ａとランド２４ｂがフィルドビア２４ｃにて電気的に接続された２層の配線基板を得た（図６（ｇ）参照）。
【００５８】
次に、両面に樹脂フィルムをラミネートし絶縁層１３を形成した（図６（ｈ）参照）。次に、ＵＶレーザーを用いたレーザー加工により、絶縁層１６の所定位置に５０μｍ径のビア用孔１７を形成し、ビア用孔１７底及び内壁に付着した樹脂残渣を５０℃に加熱された過マンガン酸カリウム水溶液によるデスミア処理にて除去した（図６（ｉ）参照）。
【００５９】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３４を形成した（図７（ｊ）参照）。
【００６０】
次に、無電解銅めっきによりレジストパターン３４上、絶縁層１３上及びビア用孔１７内に０．５〜１．０μｍ厚の銅薄膜層からなるめっき下地導電層４４を形成した図７（ｋ）参照）。
【００６１】
次に、めっき下地導電層４４を給電層にして、硫酸銅５水和物濃度が２３０ｇ／Ｌ、硫酸濃度が７０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度が６０ｍｇ／Ｌの硫酸銅水溶液にエバラユージライト製キューブライトＶＦ−ＭＵを２０ｍｌ／Ｌを加えた銅めっき液を用いて電解銅めっきを行い、レジストパターン３４を覆いつくすような厚みまでめっき銅を析出させ、導体層２５を形成した（図７（ｌ）参照）。
ここで、電流密度は、はじめの１５分間で１．５ＡＳＤ、続く２５分間で２．０ＡＳＤとした。
【００６２】
次に、過酸化水素水と硫酸の混合液からなるエッチング液を用いた化学研磨により、レジストパターン３４の上部が露出するまで導体層２５及びレジストパターン３４上部のめっき下地導電層４４をエッチングし、５〜１０μｍ厚の配線層２５ａ、ランド２５ｂ及びフィルドビア２５ｃを形成した（図７（ｍ）参照）。
【００６３】
次に、レジストパターン３４を専用の剥離液で除去し、レジストパターン３４の下部にあっためっき下地導電層４４をエッチングで除去し、絶縁基材１１の両面に表面が平滑な形状再現性に優れた配線層２５ａ及びランド２５ｂが形成され、配線層２２ａとランド２２ｂがフィルドビア２２ｃにて、ランド２４ｂとランド２５ｂとがフィルドビア２５３ｃにて電気的に接続された接続信頼性に優れたビアオンビア構造の４層の配線基板２００を得た（図７（ｏ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（ａ）は、本発明の請求項１に係る多層配線基板の製造方法で作製された多層配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００６５】
（ｂ）は、本発明の請求項２に係る多層配線基板の製造方法で作製された多層配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の請求項１に係る多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図３】（ｆ）〜（ｉ）は、本発明の請求項１に係る多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図４】（ｊ）〜（ｎ）は、本発明の請求項１に係る多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の請求項２に係る多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図６】（ｆ）〜（ｉ）は、本発明の請求項２に係る多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図７】（ｊ）〜（ｎ）は、本発明の請求項２に係る多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、セミアディティブプロセスによる配線層、ビア形成における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【図９】（ｆ）〜（ｇ）は、セミアディティブプロセスによる配線層、ビア形成における工程の一部を模式的に示す構成断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０、２０……積層基材
１１……絶縁基材
１２、１４、１５、１７、６２……ビア用孔
１３、１６、６１……絶縁層
１５……デバイスホール
２１……導体層
３０……コア基板
３１、３２、３３、３４、８１……レジストパターン
４１、４２、４３、４４、７１……めっき下地導電層
２２、２３、２４、２５……導体層
２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａ、５１、５２、５４ａ……配線層
２２ｂ、２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ……ランド
２２ｃ、２３ｃ、２４ｃ、２５ｃ、５３……フィルドビア
５４……導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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