(57)【要約】【課題】  高品質でかつ大型の単結晶を成長させることができる炭化ケイ素単結晶製造装置を提供する。【解決手段】  昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。【選択図】    図１
2005112637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、
前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。
【請求項２】
前記テーパ状に形成された側壁部は、傾斜角度が少なくとも２段階に変化していることを特徴とする請求項１記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【請求項３】
前記テーパ状に形成された側壁部は、容器内部側に凸に断面放物線状に形成されている部分を有することを特徴とする請求項１記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【請求項４】
昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、
前記容器は、昇華用原料を収容可能とする第１の中空円筒部と、単結晶成長可能領域近傍に種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大するように断面テーパ状に形成され、かつ前記第１の中空円筒部に着脱自在に形成された第１の中空円錐台部と、を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置。
【請求項５】
前記容器は前記第１の中空円錐台部の種結晶側開口部に前記第１の中空円錐台部に着脱自在に形成された第２の中空円錐台部を有することを特徴とする請求項４記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【請求項６】
前記第１の中空円錐台部の種結晶側開口部に前記第１の中空円錐台部に着脱自在に形成された第２の中空円筒部を有することを特徴とする請求項４記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【請求項７】
前記第１の中空円錐台部は容器内部側に凸に断面放物線状に形成されていることを特徴とする請求項４又は５記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は炭化ケイ素単結晶製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素単結晶は、パワーデバイス等の半導体装置製造用基板材料として注目されており、現在の技術動向からさらなる高品質化と大型化が求められている。
【０００３】
この炭化ケイ素単結晶の製造方法の１つとして、昇華法により炭化ケイ素単結晶を成長させる方法（改良レイリー法）がある。この昇華法を用いる炭化ケイ素単結晶の製造においては、結晶成長時に単結晶部の周囲に多結晶部が形成される傾向がある。この多結晶部が大きく成長しすぎると単結晶部の成長が阻害されたり単結晶部の割れが生じたりする。
【０００４】
そのため、高品質かつ大型の単結晶を成長させるためには、多結晶の成長を抑制し、単結晶のみを大きく成長させる方法が求められていた。
【０００５】
前述の課題を解決する手段としては、第１誘導加熱コイルと第２誘導加熱コイルの間に加熱干渉手段を配置させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】国際公開番号  ＷＯ０２／０５３８１３Ａ１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、干渉コイルを配置する方法では、前述の課題を解決するために、改善の余地が残されていた。
【０００７】
そのため、多結晶の成長を抑制し単結晶のみを大きく成長させる方法及び炭化ケイ素単結晶の製造装が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の記載事項に関する。
【０００９】
（１）  昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、
前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。
【００１０】
（２）  前記テーパ状に形成された側壁部は、傾斜角度が少なくとも２段階に変化していることを特徴とする前記（１）記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【００１１】
（３）  前記テーパ状に形成された側壁部は、容器内部側に凸に断面放物線状に形成されている部分を有することを特徴とする前記（１）記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【００１２】
（４）  昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、
前記容器は、昇華用原料を収容可能とする第１の中空円筒部と、単結晶成長可能領域近傍に種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大するように断面テーパ状に形成され、かつ前記第１の中空円筒部に着脱自在に形成された第１の中空円錐台部と、を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置。
【００１３】
（５）  前記容器は前記第１の中空円錐台部の種結晶側開口部に前記第１の中空円錐台部に着脱自在に形成された第２の中空円錐台部を有することを特徴とする前記（４）記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【００１４】
（６）  前記第１の中空円錐台部の種結晶側開口部に前記第１の中空円錐台部に着脱自在に形成された第２の中空円筒部を有することを特徴とする前記（４）記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【００１５】
（７）  前記第１の中空円錐台部は容器内部側に凸に断面放物線状に形成されていることを特徴とする前記（４）又は（５）記載の炭化ケイ素単結晶製造装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の炭化ケイ素単結晶製造装置によれば、多結晶の成長を抑制し、単結晶のみを大きく成長させることができる。そのため高品質かつ大型の単結晶を成長させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明者らは鋭意研究した結果、昇華用原料を収容する容器内部の種結晶配置部近傍の側壁部を所定の形状に構成することにより、熱輻射により多結晶の成長が抑制されて前述の課題が解決されることを見出した。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、本発明は以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）には本発明の第１の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置１０の概略断面図が記載されている。  
炭化ケイ素単結晶製造装置１０は、昇華用原料４を収容可能とする第１の中空円筒部１１ａ、単結晶成長可能領域近傍に種結晶５側から昇華用原料４側に向けて内径が拡大するように断面テーパ状に形成されかつ前述の中空円筒部１１ａに着脱自在に形成された第１の中空円錐台部１１ｂを有する容器１１と；前述の容器１１に着脱自在に取り付けられると共に種結晶５を配置可能とする蓋１２と；を有する。
【００１９】
ここで、前述の容器１１としては、容器１１内部に炭化ケイ素の昇華雰囲気を形成でき、かつ種結晶表面に昇華ガスを供給しつつ輻射熱により多結晶の成長を抑制できる断面テーパ状の側壁部を備えるものであれば特に制限はない。容器１１としては例えば坩堝を用いることができるが、その材質は黒鉛であることが好ましく、熱膨張係数が種結晶と略同一であるものがさらに好ましい。昇華用原料４を収納しやすくなる観点から、容器１１の第１の中空円錐台部１１ｂは第１の中空円筒部１１ａに着脱自在に一体に形成されていることが好ましい。接合手段としては、容器１１内部の密閉性が保たれるのであればいずれの接合手段を用いても構わない。接合手段としては、例えば図１（ａ）に示されるような螺合手段が挙げられる。
【００２０】
また前述の蓋１２としては、炭化ケイ素単結晶の種結晶を設置可能とするものであって、その材質が黒鉛であるものが好ましく、熱膨張係数が種結晶と略同一であるものがさらに好ましい。また蓋１２の断面形状は、図１（ａ）に示されるように種結晶配置部を昇華用原料４側に凸状とすることが好ましいが、図１（ｂ）に示されるように凸部を設けない構成としても構わない。
【００２１】
前述の炭化ケイ素単結晶製造装置１０の外部に設けられた加熱手段（図示せず）を用いて昇華用原料４を加熱すると、昇華用原料４が昇華して昇華ガスが形成される。前述の炭化ケイ素単結晶製造装置１０は容器１１の第１の中空円錐台部１１ｂを有することから、昇華ガスは効率よく種結晶５表面に誘導される。すると種結晶配置部を昇華用原料加熱部よりも低く温度設定しておくことにより、種結晶５表面上に炭化ケイ素が再結晶して炭化ケイ素単結晶６が成長する。また前述の炭化ケイ素単結晶製造装置１０は容器１１の側壁部に第１の中空円錐台部１１ｂを有することから図中矢印で示される輻射熱により炭化ケイ素多結晶８の成長が抑制される。そのため炭化ケイ素単結晶６が効率良く成長し、最終的に大型で高純度の炭化ケイ素単結晶が得られる。
【００２２】
炭化ケイ素単結晶製造装置１０の容器１１の側壁部としての第１の中空円錐台部１１ｂの傾斜角度θ１１ｂは、昇華ガスが効率良く種結晶５表面に誘導され、多結晶の成長が抑制されるのであれば特に制限はない。昇華ガスを効率よく種結晶５表面に誘導する観点からは傾斜角度θ１１ｂは５〜５０度であることが好ましい。具体的には、第１の中空円筒部１１ａの底部の内径をＤ１とし、蓋の内径をＤ２とし、種結晶５の直径をＤ３とし、容器全体の内法高さをＬ１とし、第１の中空円錐台部の内法高さをＬ２としたときに、
０．１≦Ｄ２／Ｄ１≦０．９、０．１≦L２／L１≦０．６、０．１≦Ｄ３／Ｄ２≦０．９という関係式が成り立つことが好ましい。
【００２３】
尚、前述の容器の第１の中空円筒部１１ａの内部は筒形状となるが、前述の筒形状の軸としては、直線状や、曲線状とすることができる。前述の筒形状の軸方向に垂直な断面形状としては、円形や多角形であってもよい。円形状の好ましい例としては、その軸が直線状であり、かつ前記軸方向に垂直な断面形状が円形であるものが好適に挙げられる。
【００２４】
次に他の実施形態について説明するが、第１の実施形態と同様の機能を有するものについては同様の符号を付すことで説明を省略する。
【００２５】
（第２の実施形態）
図２には本発明の第２の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置２０の概略断面図が記載されている。  
炭化ケイ素単結晶製造装置２０は、前述の断面テーパ状に形成された側壁部の傾斜角度が２段階に変化していることを除いて、第１の実施形態と同様の構成を有する。
【００２６】
即ち炭化ケイ素単結晶製造装置２０は、昇華用原料４を収容可能とする第１の中空円筒部２１ａ、単結晶成長可能領域近傍に種結晶５側から昇華用原料４側に向けて内径が拡大するように断面テーパ状に形成されかつ前述の第１の中空円筒部２１ａに着脱自在に形成された第１の中空円錐台部２１ｂ、前述の第１の中空円錐台部２１ｂの種結晶５側開口部に形成されかつ前述の第１の中空円錐台部２１ｂと一体に形成された第２の中空円錐台部２１ｃを有する容器２１と；前述の容器２１に着脱自在に取り付けられると共に種結晶５を配置可能とする蓋２２と；を有する。
【００２７】
このように容器２１は、第１の中空円錐台部２１ｂと第２の中空円錐台部２１ｃにより傾斜角度が２段階に構成された側壁部を単結晶成長可能領域近傍に有する。そのため、前述の第１の実施形態よりも輻射熱による多結晶の成長が抑制され、より効率的に単結晶が成長しやすくなる。即ち第２の中空円錐台部２１ｃにより多結晶の成長抑制効果がより向上する一方で、第１の中空円錐台部２１ｂにより種結晶への昇華ガスの誘導効果が第１の実施形態と同様に得られる。
【００２８】
この場合、多結晶の成長を効率的に抑制する観点からは、側壁部の屈曲点は単結晶の成長可能領域の下端よりもやや昇華用原料側とし、傾斜角度は蓋側が昇華用原料側よりも鋭角になるように構成することが好ましい。具体的には種結晶側に配置された第１の中空円錐台部２１ｃの傾斜角度θ２１ｃを０〜１０度とし、昇華用原料側に配置された第２の中空円錐台部２１ｂの傾斜角度θ２１ｂを１０〜５０度とすることが好ましい。
【００２９】
（第３の実施形態）
図３には本発明の第３の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置３０の概略断面図が記載されている。  
炭化ケイ素単結晶製造装置３０は、昇華用原料４を収容可能とする第１の中空円筒部３１ａ、単結晶成長可能領域近傍に種結晶５側から昇華用原料４側に向けて内径が拡大するように断面テーパ状に形成されかつ前述の中空円筒部３１ａに着脱自在に形成された第１の中空円錐台部３１ｂ、前述の第１の中空円錐台部３１ｂの種結晶５側開口部に形成されかつ前述の第１の中空円錐台部３１ｂと一体に形成された第２の中空円筒部３１ｃを有する容器３１と；前述の容器３１に着脱自在に取り付けられると共に種結晶５を配置可能とする蓋３２と；を有する。
【００３０】
このように容器３１の種結晶５の表面近傍に傾斜角度０度（昇華用原料４に対して垂直）の側壁部としての第２の中空円筒部３１ｃを設けたことにより、前述の第１、第２の実施形態よりも輻射熱による多結晶の成長が抑制され、より効率的に単結晶が成長しやすくなる。即ち第２の中空円筒部３１ｃにより多結晶の成長抑制効果がより向上する一方で、中空円錐台部３１ｂにより種結晶への昇華ガスの誘導効果が第１、第２の実施形態と同様に得られる。
【００３１】
この場合、第１の中空円錐台部３１ｂの傾斜角度θ３１ｂを５〜５０度とすることが好ましい。
【００３２】
（第４の実施形態）
図４には本発明の第４の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置４０の概略断面図が記載されている。  
炭化ケイ素単結晶製造装置４０は、前述の第３の実施形態における第１の中空円錐台部が容器内部側に凸に断面放物線状に形成されていることを除いて、前述の第３の実施形態と同様の構成を有する。
【００３３】
このように側壁部としての第１の中空円錐台部４１ｂを容器内部側に凸に断面放物線状に形成することにより、種結晶５の表面温度を側壁部温度よりも幾分低く保つことができる。そのため前述の第１、２、３の実施形態と同様（もしくはそれ以上）に輻射熱による多結晶の成長を抑制することができる。  
この場合、昇華用原料側に配置された第１の中空円錐台部４１ｂの傾斜角度θ４１ｂを
５度以上とすることが好ましい。
【００３４】
（炭化ケイ素単結晶の製造方法）
以上本発明の炭化ケイ素単結晶製造装置の実施形態について説明してきたが、本発明の別形態として炭化ケイ素単結晶の製造方法が提供される。  
即ち、本発明の別の形態として、昇華用原料を収容する容器に昇華用原料を収容し、昇華用原料に略対向して種結晶を配置し、昇華させた昇華用原料を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、昇華用原料を昇華させるに際し、前述の昇華用原料を収容する容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を設けて、
種結晶表面に昇華した昇華用原料を供給すると共に、前述の側壁部により熱輻射により多結晶の成長を抑制させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法が提供される。
【００３５】
この製造方法を実施する場合、第１から第４の実施形態を挙げて説明した前述の炭化ケイ素単結晶製造装置を用いることが好ましい。なかでも第３及び第４の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置を用いることが好ましい。
【００３６】
昇華用原料としては従来公知の材料を用いることができる。昇華用原料としては、例えば高純度のテトラエトキシシラン重合体をケイ素源とし、レゾール型フェノール樹脂を炭素源とし、これらを均一に混合して得た混合物をアルゴン雰囲気下で加熱焼成して得られた炭化ケイ素粉末を用いることができる。また炭化ケイ素単結晶の種結晶としては、従来公知の単結晶を用いることができる。  
昇華用原料の加熱温度等の加熱条件は、特に制限されることなく周知の技術に基づいて当業者により適宜設定されうる。
【００３７】
(炭化ケイ素単結晶)
本発明の炭化ケイ素単結晶は、前述の炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造される。
【００３８】
本発明の炭化ケイ素単結晶は、溶融アルカリによりエッチングして評価した結晶欠陥（パイプ欠陥）が１００個／ｃｍ2以下であるのが好ましく、５０個／ｃｍ2以下であるのがより好ましく、１０個／ｃｍ2以下であるのが特に好ましい。  
炭化ケイ素単結晶における金属不純物元素の総含有量としては、１０ｐｐｍ以下が好ましい。
【００３９】
本発明により得られる炭化ケイ素単結晶は、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の結晶欠陥がなく、極めて高品質であるので、絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、半導体ウエハ等の電子デバイス、発光ダイオード等の光学デバイスなどに特に好適に用いられる。
【００４０】
以上、本発明の炭化ケイ素単結晶製造装置によると、高品質な本発明の炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に製造することができる。
【００４１】
（参考例１）
炭化ケイ素単結晶の製造方法の説明を通じて、本発明の炭化ケイ素単結晶製造装置についてより詳細に説明する。
【００４２】
炭化ケイ素単結晶製造装置としては、以下のように設計されていることを除いて第３の実施形態において図３を用いて説明したと同様の炭化ケイ素単結晶製造装置３０を用いる。
【００４３】
この場合、炭化ケイ素単結晶製造装置３０は黒鉛を含む材料により製造されている。また炭化ケイ素単結晶製造装置３０の中空円筒部３１ａの外周には昇華用原料４を加熱可能とする加熱手段としての高周波磁界を発生させる第１の加熱誘導コイルを配置する。また炭化ケイ素単結晶製造装置３０の蓋３２の外周には、前述の第１加熱誘導コイルよりも低温に設定された第２加熱誘導コイルを配置する。また炭化ケイ素単結晶製造装置の寸法は、図３中、Ｄ１＝９６ｍｍ、Ｄ２＝６０ｍｍ、Ｄ３＝５０ｍｍ、L１＝１３５ｍｍ、L２＝５９ｍｍ、θ３１ｂ＝２４度とする。
【００４４】
まず、図３に示される炭化ケイ素単結晶製造装置３０の昇華用原料収容部としての中空円筒部３１ａに昇華用原料４を収容し、そして単結晶５を備える蓋部３２を装着する。  
昇華用原料４としては、高純度のテトラエトキシシラン重合体をケイ素源とし、レゾール型フェノール樹脂を炭素源とし、これらを均一に混合して得た混合物をアルゴン雰囲気下で加熱焼成して得られた炭化ケイ素粉末、平均粒径が２００μｍ）を用いる。炭化ケイ素単結晶の種結晶５の種結晶厚は０．１ｍｍ、直径は５０ｍｍを用いる。
【００４５】
次に、炭化ケイ素単結晶製造装置３０において、第１誘導加熱コイルに電流を通電させこれを加熱しその熱で昇華用原料４を加熱する。  
その際容器の底部を表１中の容器底部温度（ＴＥ：２５４０℃）にまで加熱した後、アルゴンガス雰囲気で圧力を５０Ｔｏｒｒ（６６４５Ｐａ）に維持する。昇華用原料４は、所定の温度（２５４０℃）にまで加熱することで昇華する。一方、蓋部３２側は、第２誘導加熱コイルにより加熱する。第２誘導加熱コイルによる蓋部３２の設定温度を表１中の種結晶配置部温度（ＴＡ：２２７９℃）とする。これらの条件に達した後、その条件に６０時間保持する。
このとき、炭化ケイ素単結晶製造装置内の温度分布を測定する目的で、種結晶配置部温度（ＴＡ）、種結晶表面温度（ＴＢ）、単結晶成長可能領域温度（ＴＣ）、昇華用原料温度（ＴＤ）、容器底部温度（ＴＥ）を測定する。得られ装置内の温度を表１にまとめる。
【００４６】
尚、表１中の種結晶配置部温度（ＴＡ）は、第１誘導加熱コイルの設定温度と同一温度であり、また容器底部温度（ＴＥ）は第２誘導加熱コイルの設定温度と同一である。
【００４７】
また単ケイ素単結晶の成長直径、成長高さ及び外部観察を行う。実験条件および得られた単ケイ素単結晶の成長直径、成長高さ及び外部観察結果を表２にまとめる。
【表１】
2005112637.tif 000003
【表２】
2005112637.tif 000004
（参考例２）
第４の実施形態において図４を用いて説明したと同様の炭化ケイ素単結晶製造装置４０を用いたことを除いて、参考例１と同様に炭化ケイ素単結晶を製造する。
【００４８】
この場合、炭化ケイ素単結晶製造装置４０は黒鉛を含む材料により製造されている。また炭化ケイ素単結晶製造装置４０の中空円筒部４１ａの外周には昇華用原料４を加熱可能とする加熱手段としての高周波磁界を発生させる第１の加熱誘導コイルを配置する。また炭化ケイ素単結晶製造装置４０の蓋４２の外周には、前述の第１加熱誘導コイルよりも低温に設定された第２加熱誘導コイルを配置する。  
図４中、Ｄ１＝９６ｍｍ、Ｄ２＝６０ｍｍ、Ｄ３＝５０ｍｍ、L１＝１３５ｍｍ、L２＝５９ｍｍ、θ４１ｂ＝５度である。得られた結果を表１及び表２にまとめる。
【００４９】
以上の参考例１及び２の実験結果より以下のことが分るであろう。  
表１より、参考例１及び２によれば、昇華用原料温度よりも種結晶表面の温度を低く抑えることができる。また単結晶成長可能領域の温度を種結晶表面の温度よりも高く維持することができる。  
表２及び炭化ケイ素多結晶の外部観察によれば、参考例１，２において、炭化ケイ素単結晶の種結晶５上には炭化ケイ素単結晶が再結晶して成長し、炭化ケイ素単結晶の種結晶５の外周縁部には炭化ケイ素多結晶が再結晶し成長する。炭化ケイ素単結晶の成長は、その全成長過程において昇華用原料４側に向かって凸形状が維持され、蓋部側に陥没した凹部が輪状に形成されることがなく、また、炭化ケイ素多結晶が、容器内の周側面部に接触した状態で成長することはない。  
その結果、成長した炭化ケイ素単結晶を室温まで冷却した際に、炭化ケイ素多結晶側から炭化ケイ素単結晶側に熱膨張差に基づく応力が集中して印加されることがなく、得られる炭化ケイ素単結晶に割れ等の破損が生じてしまうこともない。  
得られる炭化ケイ素単結晶について評価すると、多結晶や多型の結晶の混入がなく、マイクロパイプの結晶欠陥も４個／ｃｍ2とほとんど存在せず極めて高品質である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置１０の概略断面図である。
【図２】図２は本発明の第２の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置２０の概略断面図である。
【図３】図３は本発明の第３の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置３０の概略断面図である。
【図４】図４は本発明の第４の実施形態の炭化ケイ素単結晶製造装置４０の概略断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
４…昇華用原料
５…種結晶
６…炭化ケイ素単結晶
８…炭化ケイ素多結晶
１０、２０、３０、４０…炭化ケイ素単結晶製造装置
１１、２１、３１、４１…容器
１１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ…第１の中空円筒部（側壁部）
１１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ…第１の中空円錐台部（側壁部）
３１ｃ、４１ｃ…第２の中空円筒部（側壁部）
２１ｃ…第２の円錐台部（側壁部）
１２、１２’、２２、３２、４２…蓋（種結晶配置部）
【図１】
2005112637.tif 000005
【図２】
2005112637.tif 000006
【図３】
2005112637.tif 000007
【図４】
2005112637.tif 000008