(57)【要約】【課題】  導体膜やレジストの残滓、導体パターンのバリの発生、レジスト剥離不良等を解消し、しかも、リフトオフ工程における剥離作業の短縮化を図り、かつ微細な導体パターンを精度良く形成することができる導体パターン形成方法を提供する。【解決手段】  この導体パターン形成方法における最も主要な工程であるリフトオフ工程では、基板１全体をチャック１０で保持し、チャック１０と共に１０００〜１５００ｒｐｍの回転速度ωで回転させる。その状態で、チャック１０上でノズル１１を約１０ｍｍ／ｓの速度ｖで反復運動させつつ、ノズル１１の噴射口１１ａからレジスト剥離液１２を約１０ＭＰａの圧力に加圧して噴射し、基板１上に吹き付ける。このようにして、基板１上の全面に亘って、またその隅々にまで、レジスト剥離液１２を行き渡らせると共に、導体膜９のバリや残滓などを強力に除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた下地層の表面上にまたは基板の表面直上に、レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
上記レジストに所望のパターンの開口部を設けるレジストパターニング工程と、
上記レジストの表面上、および上記レジストの開口部から露出している基板または下地層の表面上に、単層または複数層の薄膜を成膜する薄膜成膜工程と、
上記基板を回転させると共に、その噴射口を当該基板に対面させたノズルを、当該基板の径方向に移動または反復運動させながら、上記レジスト剥離液を当該噴射口から所定の圧力で噴射して上記基板に吹き付けることにより、上記レジストと共に当該レジスト上の薄膜を上記基板の表面上または下地層の表面上から剥離するリフトオフ工程と
を備えて、上記薄膜を所望の薄膜パターンに加工することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜パターン形成方法において、
上記基板の回転速度を、１０００〜１５００ｒｐｍの範囲内の値に設定した、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の薄膜パターン形成方法において、
上記レジスト剥離液を、常温常圧の作業雰囲気中で少なくとも略１０ＭＰａの圧力に加圧して噴射する、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記ノズルの移動または反復運動の速度を、略１０ｍｍ／ｓに設定した、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記基板と上記ノズルの噴射口との間の距離を、１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内の値に設定した、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記リフトオフ工程の継続時間を、６０〜９０秒の範囲内の値に設定した、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記レジスト剥離液の噴射流量を、略８０ｃｍ３／分に設定した、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記薄膜の各層は、チタン、金、アルミニウム、銅のいずれか、または少なくともそれらのいずれか１つを含んだ合金からなるものである、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記基板は、３−５族化合物半導体基板、シリコン基板、サファイア基板、ガラス基板のいずれかである、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記下地層は、シリコン、ガリウム・ヒ素、アルミニウム・ガリウム・ヒ素のうちのいずれかの物質を含む膜からなるもの、または当該膜を積層してなるもの、もしくは上記物質のうちの異なった２種類以上の膜を積層してなるものである、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記レジスト剥離液は、Ｎメチル２ピロリドンを主成分とする溶剤を含む溶液である、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
上記レジストは、ポジ型のフォトレジストである、
ことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リフトオフ工程を含んだ薄膜パターン形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の薄膜パターン形成方法では、リフトオフ工程において、レジストを溶解させて剥離する際に、ディップ法が用いられていた（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
導体のような薄膜パターン形成方法では、図１０（ａ）に示すように、まず、基板１０１の表面上に、レジスト１０２を塗布する。そして、図１０（ｂ）に示すように、レジスト１０２を、フォトマスク等（図示省略）を用いて露光し、現像して、所望パターンの開口部１０３を形成する。ここで、レジスト１０２がポジ型の場合、この開口部１０３の断面形状は、側壁面１０４が逆テーパ（アンダーカット）状になる。続いて、図１０（ｃ）に示すように、例えばＴｉ（チタン）膜１０５ａとＡｕ（金）膜１０５ｂとを積層した導体膜１０５を成膜する。そして、リフトオフ加工を実行し、基板１０１全体を、ＮＭＰ（Ｎメチル２ピロドリン）溶液のようなレジスト剥離液に浸けて、レジスト１０２をその側壁面１０４付近から溶解し、基板１０１上から剥離する。この結果、図１０（ｄ）に示すように、レジスト１０２とレジスト１０２上の導体膜１０５とが除去され、開口部１０３内にあった導体膜１０５のみが、導体パターンとしてそのまま基板１０１上に残される。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１９６３９９号公報
【特許文献２】特開平１０−３３５３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来の薄膜パターン形成方法では、次のような問題がある。すなわち、導体膜１０５の残滓が、出来上がった導体パターン上や基板１０１の表面上などに残留しやすい。これは、リフトオフ工程において、レジスト１０２と共に基板１０１上から一旦剥がれた導体膜１０５の破片などが、レジスト剥離液中を浮遊し、界面親和性の高い導体パターン１０５の表面上や基板１０１の表面上に再付着するためである。このように、金属製の導体膜１０５が、ＧａＡｓ等の基板１０１の表面に一旦再付着してしまうと、後から引き剥がすことは極めて困難であり、基板１０１を純水などで洗浄しても、この残滓を除去することは難しい。なお、レジスト１０２においても同様であり、剥離したレジスト１０２の破片等が基板１０１や導体パターン１０５の表面に再付着することがある。
【０００６】
また、図１０（ｄ）に示すように、リフトオフ工程時に、バリ１０９が導体パターン１０５のエッジ部分に発生する場合があるが、このバリ１０９は、レジスト剥離液では溶解し難く、基板１０１全体をレジスト剥離液中に浸漬させただけでは十分に除去することができない。
【０００７】
また、ディップ法では、基板１０１全体を殆ど動いていないレジスト剥離液に浸すだけであるので、レジスト１０２に対するレジスト剥離液による溶解速度が遅く、剥離作業に長時間を要してしまう。
【０００８】
また、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）に示したように、レジスト１０２のパターン側壁面１０４をアンダーカット状にした場合には、開口部１０３の上側が狭くなっているので、レジスト剥離液を開口部１０３の内部に十分に回り込ませることができず、レジスト１０２の剥離不良を発生させやすい。
【０００９】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、導体膜やレジストの残滓の導体パターンのバリの発生、レジスト剥離不良等を解消し、しかも、リフトオフ工程における剥離作業の短縮化を図り、かつ微細な薄膜パターンを精度良く形成することができる薄膜パターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１の発明に係る薄膜パターン形成方法は、基板上に設けられた下地層の表面上にまたは基板の表面直上に、レジストを塗布するレジスト塗布工程と、レジストに所望のパターンの開口部を設けるレジストパターニング工程と、レジストの表面上、およびレジストの開口部から露出している基板または下地層の表面上に、単層または複数層の薄膜を成膜する薄膜成膜工程と、基板を回転させると共に、その噴射口を当該基板に対面させたノズルを、当該基板の径方向に移動または反復運動させながら、レジスト剥離液を当該噴射口から所定の圧力で噴射して基板に吹き付けることにより、レジストと共に当該レジスト上の薄膜を基板の表面上または下地層の表面上から剥離するリフトオフ工程とを備えて、薄膜を所望の薄膜パターンに加工する構成とした。
かかる構成により、レジスト剥離液は所定の圧力でノズルから噴射され、基板上に吹き付けられる。このとき、レジスト剥離液を噴射するノズルが基板上をその径方向に移動または反復運動し、かつ基板が回転するので、ノズルから噴射されるレジスト剥離液は、基板上のレジストや薄膜に対して、その全方位から、しかも基板上の全面に亘って、角度的に及び位置的にムラなく吹き付けられる。
【００１１】
また、ノズルから加圧されて噴射されたレジスト剥離液による流体力学的な圧力や摩擦力、あるいは基板の回転に伴う遠心力などの物理的な力によって、レジストの溶解・剥離が促進される。また、同様の物理的な力によって、薄膜及びレジストの残滓や薄膜パターンのバリなどが除去される。
【００１２】
さらに、ノズルから所定圧力で噴射されたレジスト剥離液は、基板上に吹き付けられると、その基板上のレジストの開口部の奥深く隅々にまで行き渡るので、基板上の全面に亘って隅々までレジストの化学的な溶解・剥離が行われる。
【００１３】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の薄膜パターン形成方法において、基板の回転速度を、１０００〜１５００ｒｐｍの範囲内の値に設定した構成とし、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の薄膜パターン形成方法において、レジスト剥離液を、常温常圧の作業雰囲気中で少なくとも略１０ＭＰａの圧力に加圧して噴射する構成とし、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、ノズルの移動または反復運動の速度を、略１０ｍｍ／ｓに設定した構成とし、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、基板とノズルの噴射口との間の距離を、１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内の値に設定した構成とし、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、リフトオフ工程を継続する時間を、６０〜９０秒の範囲内の値に設定した構成とし、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、レジスト剥離液の噴射流量を、略８０ｃｍ３／分に設定した構成とする。
【００１４】
ところで、薄膜の材質は任意であるが、その好例として、請求項８の発明は、導体膜を規定し、導体膜の各層は、チタン、金、アルミニウム、銅のいずれか、または少なくともそれらのいずれか１つを含んだ合金からなるものである構成とした。
【００１５】
また、基板や下地層の種類や構造なども任意であるが、その好例として、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、基板は、ガリウム−ヒ素基板、アルミニウム−ガリウム−ヒ素基板などの３−５族化合物半導体基板、シリコン基板、サファイア基板、ガラス基板のいずれかである構成とし、請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、下地層は、シリコン、ガリウム−ヒ素、アルミニウム−ガリウム−ヒ素のうちのいずれかの物質を含む膜からなるもの、またはその膜を積層してなるもの、もしくは物質のうちの異なった２種類以上の膜を積層してなるものである構成とした。
【００１６】
また、レジスト剥離液は、レジストの種類と対応づけられるものであるが、請求項１１の発明は、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、レジスト剥離液は、Ｎメチル２ピロリドンを主成分とする溶剤を含む溶液である構成としている。
【００１７】
また、請求項１２の発明は、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、レジストは、ポジ型のフォトレジストである構成とした。勿論、レジストはネガタイプであってもよい。さらに、形成すべき薄膜は、金属等の導体が好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない、薄膜は、金属以外にも、半導体層や、窒化膜等の絶縁層であってもよい。さらに、薄膜の厚さは、特に限定的に解釈されるべきもではないが、例えば、１μｍ程度までの膜厚を含むものである。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、請求項１〜請求項１２の発明によれば、レジスト剥離液の溶解作用よってレジストを化学的に溶解することに加えて、レジスト剥離液をノズルから噴射して基板に吹き付けるので、その流体力学的な圧力や摩擦力や遠心力などによって、レジストの溶解・剥離を促進させることができると共に、薄膜の残滓や薄膜パターンのバリを物理的に確実に除去することができるという優れた効果がある。
【００１９】
また、レジスト剥離液を基板に対して強制的に吹き付けることにより、レジスト剥離液を開口部のレジスト側壁面に行き渡らせて、リフトオフ工程におけるレジストの溶解・剥離を確実に行うことができるという優れた効果もある。
【００２０】
また、基板の回転およびノズルの移動または反復運動により、角度的および位置的にムラなくレジスト剥離液を基板上全面に吹き付けることができるので、レジストの溶解・剥離を基板全面に亘って確実に行うことができるという優れた効果がある。
【００２１】
それらの結果、歩留まりを向上させ、ひいては製造コストを低廉化することが可能となる。また、リフトオフ法によって加工される薄膜パターンを有する製品における高い信頼性を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。以下の実施例は、薄膜パターンとして導体パターンを形成する例を説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は、この発明の実施例に係る導体パターン形成方法を構成する主要な工程を示す断面図であり、図２は、この発明の実施例に係る導体パターン形成方法に用いられるリフトオフ装置の概略図である。
【００２４】
この導体パターン形成方法は、図１（ａ）に示すレジスト塗布工程（ａ）と、図１（ｂ）に示すレジストパターニング工程と、図１（ｃ）に示す導体膜成膜工程と、図１（ｄ）〜（ｆ）に示すリフトオフ工程（ｄ）〜（ｆ）とを、その主要な工程として備えている。
【００２５】
レジスト塗布工程は、図１（ａ）に示すように、ＧａＡｓ（ガリウム−ヒ素）ウェハのような基板１の表面直上に、例えばポジ型のフォトレジストのようなレジスト２を塗布する工程である。
基板１としては、ＧａＡｓウェハの他にも、Ｓｉ（シリコン）ウェハ、ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム−ガリウム−ヒ素）等と化合物半導体ウェハ、あるいはサファイア基板などを用いることができる。
【００２６】
レジストパターニング工程は、図１（ｂ）に示すように、レジスト２に所望パターンの開口部３を設ける工程である。すなわち、レジスト２がポジ型のフォトレジストの場合、透明基板４上に所望のパターン５を形成してなるフォトマスク６を用いて露光を行った後、現像を行う。すると、露光された部分のレジスト２だけが現像後に残り、露光されなかった部分は溶解して、所望パターンの開口部３がレジスト２に形成される。このとき、開口部３の断面形状は、図１（ｂ），図１（ｃ）に示すようなアンダーカット状になる。
【００２７】
導体膜成膜工程は、図１（ｃ）に示すように、Ｔｉ（チタン）膜７とＡｕ（金）膜８とを、レジストパターニング工程を経た基板１上ほぼ全面に積層して、導体膜９を形成する工程である。すなわち、この導体膜成膜工程では、レジスト２の表面上、およびレジスト２の開口部３から露出している基板１自体の表面上に、導体膜９としてＴｉ膜７とＡｕ膜８とが成膜される。なお、導体膜９の各層を構成する材料の導体としては、上記のＴｉ、Ａｕの他にも、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）などの金属を用いることが可能である。あるいは、これらの金属のいずれかを含んだ合金または化合物からなる膜を用いることなども可能である。導体膜９の形成は、例えばＣＶＤやスバッタリングによって行われる。
【００２８】
ここで、導体膜９をさらにパターニングしやすくするための工夫として、上述したように、ポジ型のレジスト２をパターニングしてなる開口部３の断面形状を逆テーパ状にすると共に、レジスト２を厚めに成膜して、レジスト２の表面と基板１の表面との段差を大きくすることが好ましい。すなわち、段差を大きくすることで、開口部３の側壁面１３における導体膜９の成膜ステップカバレージを故意に低下させる。さらに、開口部３の側壁面１３をアンダーカット状にすることで、導体膜９の成膜ステップカバレージをさらに低下させる。このように、導体膜９の成膜ステップカバレージを低下させることにより、レジスト２上の導体膜９と開口部３内の導体膜９との連続性が断たれ、リフトオフ工程において、レジスト２上の導体膜１０５が開口部３内の導体膜９から分離（除去）しやすくなる。
【００２９】
リフトオフ工程は、図１（ｄ）〜図１（ｆ）に示すように、上記導体膜成膜工程を経た基板１全体を、チャック１０（図２参照）で保持して回転させつつ、この基板１の上方で、ノズル１１を反復運動させながら、レジスト剥離液１２を加圧して吹き付けることで、レジスト２上の導体膜９を、そのレジスト２と共に、基板１上から剥離する工程である。
【００３０】
具体的には、図２に示すような装置で実行する。すなわち、基板１全体を、真空チャック１０で保持して、基板１をチャック１０と共に所定の回転速度ωで一方向に回転させる。ここで、この回転速度（つまり基板１全体の回転速度）ωは、１０００〜１５００ｒｐｍの範囲内の値に設定した。
【００３１】
これと並行して、ノズル１１を、その噴射口１１ａが基板１に対向するような姿勢に保ちつつ、基板１の半径方向に沿って反復運動させる。このノズル１１の反復運動の速度ｖは、ほぼ１０ｍｍ／ｓに設定し、ノズル１１の噴射口１１ａと基板１との間の距離は、１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内の値に設定する。また、ノズル１１の噴射口１１ａの口径φは、０．１ｍｍである。このとき、ノズル１１は、噴射口１１ａを基板１表面に向けた状態で、基板１表面に対して垂直であることが好ましいが、基板１に対する傾きθは、９０゜±１５゜の範囲で許容される。そして、このようなノズル１１は、サーボモータ等の駆動機構２３によって動かされ、駆動機構２３は、コントローラ２４によって制御される。
【００３２】
上記のように基板１全体をチャック１０と共に回転させつつ、ノズル１１をその基板１上に反復運動させた状態で、レジスト剥離液１２を加圧してノズル１１の噴射口１１ａから所定の圧力で噴射する。このようにして、図１（ｄ）に示すように、レジスト剥離液１２を基板１上に万遍なく強く吹き付ける。このノズル１１から噴射されるレジスト剥離液１２の圧力は、常温常圧の作業雰囲気中で、ほぼ１０ＭＰａに設定し、レジスト剥離液１２の噴射流量は、ほぼ８０ｃｍ３／ｍｉｎ（分）に設定する。レジスト剥離液１２としては、例えばＮメチル２ピロリドンを主成分とする溶剤を含んだ溶液が好適に用いられる。かかるレジスト剥離液１２は、剥離液供給器２１から加圧装置２２へと供給され、加圧装置２２によって所定の圧力に加圧されてノズル１１へと送出され、上記のように、ほぼ１０ＭＰａの圧力で噴射口１１ａから噴射される。
【００３３】
このような圧力でレジスト剥離液１２が、基板１上に吹き付けられると、図１（ｅ）に示すように、レジスト剥離液１２がレジスト２の開口部３の側壁面１３からそのレジスト２を溶解して行くと共に、レジスト２と基板１の表面との間に浸透して行き、レジスト２を基板１の表面から剥離させる。なお、このリフトオフ工程の継続時間は、６０〜９０秒の範囲に設定する。
【００３４】
このようにして、リフトオフ工程で、レジスト剥離液１２が基板１上へと吹き付けられると、図１（ｆ）に示すように、レジスト２上の導体膜９が、レジスト２と共に基板１上から剥離されて、基板１上に導体パターン１５が形成される。
【００３５】
次に、この実施例の導体パターン形成方法が示す作用および効果について説明する。図３〜図６は、この発明の実施例に係る導体パターン形成方法がリフトオフ工程で発揮する作用および効果を示す模式図である。
【００３６】
この導体パターン形成方法における最も主要な工程であるリフトオフ工程では、図２に示すように、基板１全体をチャック１０で保持し、１０００〜１５００ｒｐｍの回転速度ωで回転させる。その状態で、ノズル１１を約１０ｍｍ／ｓの速度ｖで反復運動させつつ、レジスト剥離液１２をこのノズル１１の噴射口１１ａから約１０ＭＰａの圧力に加圧して噴射し、基板１上に吹き付けている。
【００３７】
したがって、図３に示すように、基板１全体が角速度ωで回転し、かつノズル１１がその回転半径方向に沿って速度ｖの反復運動しながら、レジスト剥離液１２を基板１上に吹き付けているので、基板１全体を固定して見ると、ノズル１１の噴射口１１ａが、基板１全体の上を周回する軌跡を描くこととなる。これにより、ノズル１１から噴射されるレジスト剥離液１２が、基板１全体の全面に亘って位置的に万遍なく吹き付けることとなる。
【００３８】
また、図４に示すように、基板１上に複数個配列形成された素子のうちの１つの素子１４について着目すると、この素子１４は、基板１全体が１周するうちに、ノズル１１の反復運動の軌跡ｖに対して全方位を向くことになる。これにより、レジスト剥離液１２が１つの素子１４に対してその全方位から万遍なく吹き付けられることになる。
【００３９】
また、基板１全体は１０００〜１５００ｒｐｍという速い回転速度ωで回転しているので、その遠心力によって、レジスト剥離液１２を基板１上に停滞させることなく行き渡らせることができる。またそれと共に、回転によって生じる遠心力によって、一旦剥がれた導体膜９やレジスト２が基板１全体の外側へと掃出するので、それら破片などが基板１の表面に再付着することはない。
【００４０】
また、図５に示すように、１０ＭＰａの圧力でノズル１１から噴射されたレジスト剥離液１２の流れＱは、物理的な（流体力学的な）エネルギを有しているので、このレジスト剥離液１２の流れＱが有する物理的なエネルギによって発揮される動圧や摩擦力などの力Ｆにより、レジスト２の溶解・剥離をさらに促進して、レジスト２の確実な剥離を行う。
【００４１】
また、図６（ａ）に示すように、リフトオフの際に、導体パターン１５のエッジ部分に生じていたバリ１６を、図６（ｂ）に示すように、レジスト剥離液１２の流れＱが有している動圧や摩擦力などの物理的な力Ｆによって、強力に除去することができる。
【００４２】
また、図７（ａ）に示すように、万一、導体膜９の残滓１７が基板１に再付着した場合においても、図７（ｂ）に示すように、バリ１６の場合と同様に、導体膜９の残滓１７をレジスト剥離液１２の流れＱの有する物理的な力Ｆによって除去することができる。
【００４３】
また、図８に示すように、ノズル１１から加圧されて噴射されたレジスト剥離液１２は、流体的エネルギの高い流れＱとなって、基板１上に吹き付けられるので、レジスト剥離液１２がレジスト２の狭い開口部３からその奥深く且つ基板１の隅々にまで行き渡ることとなり、レジスト２の溶解・剥離をさらに確実に行うことができる。また、そのように噴射によって強制的にレジスト剥離液１２を基板１全体に行き渡らせているので、従来の浸漬のみの方法と比較して、リフトオフ工程に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００４４】
なお、この発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。例えば、上記の実施例では、ＧａＡｓからなる基板１の表面直上にレジスト２を成膜したが、図９に一例を示すように、基板１の表面上に、ｎ型ＧａＡｓ膜１８およびｐ型ＧａＡｓ膜１９を積層してなる下地層２０の表面上にレジスト２を成膜した後、上記実施例と同様のリフトオフ工程等を経て、その下地層２０の表面上に導体パターン１５を形成するようにしてもよい。ここで、下地層２０を構成する膜の材料としては、上記のようなＧａＡＳ膜の他にも、Ｓｉ（シリコン）、ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム−ガリウム−ヒ素）の膜や、それらのうちのいずれかの化合物を材料とする膜としてもよい。あるいは、上記のＳｉのような物質やその化合物の膜を積層すること、もしくは、例えばＳｉ多結晶膜とＳｉ酸化膜とを積層して下地層を構成する、というように、上記の物質からなる膜または化合物からなる膜のうちの異なった２種類以上の膜を積層することなども可能である。
【００４５】
また、上記の実施例では、Ｔｉ膜７とＡｕ膜８とを積層してなる導体膜９を加工して導体配線のような導体パターン１５を形成する場合について説明したが、パターニングの対象となる膜の材質は、これ以外にも、例えばＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）膜や、有機膜に導電性材料等を混入してなる導電膜を、リフトオフ法でパターニングする場合などにも適用可能である。
【００４６】
上記実施例では、基板１を回転速度ωを１０００〜１５００ｒｐｍの範囲内の値に、レジスト剥離液１２の噴射圧力を常温常圧の作業雰囲気中でほぼ１０ＭＰａに、ノズル１１の反復運動の速度ｖをほぼ１０ｍｍ／ｓに、ノズル１１の噴射口１１ａと基板１との間の距離を１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内の値に、リフトオフ工程の継続時間を６０〜９０秒の範囲に、レジスト剥離液１２の噴射流量をほぼ８０ｃｍ３／ｍｉｎ（分）にそれぞれ設定して、リフトオフ工程時の加工条件を制限したが、かかる加工条件に限定されるものではなく、加工条件を適宜変更してリフトオフ工程を実行することができることは勿論である。
【００４７】
また、上記実施例では、口径φが０．１ｍｍのノズル１１からほぼ１０ＭＰａという高圧噴射を行うので、ノズル１１の摩耗が早い。したがって、ノズル１１をダイヤモンドなどで作成しておくことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の実施例に係る導体パターン形成方法を構成する主要な工程を示す断面図である。
【図２】この発明の実施例に係る導体パターン形成方法に用いられるリフトオフ装置の概略図である。
【図３】リフトオフ工程における基板の全面に亘ってレジスト剥離液を吹き付ける作用を示す模式図である。
【図４】リフトオフ工程における基板上の１素子が全方位からレジスト剥離液を受ける作用を示す模式図である。
【図５】リフトオフ工程における噴射されたレジスト剥離液の流れがレジストの確実な剥離を促進する作用を示す模式図である。
【図６】リフトオフ工程における噴射されたレジスト剥離液の流れが導体パターンのエッジ部分のバリを除去する作用を示す模式図である。
【図７】リフトオフ工程における噴射されたレジスト剥離液の流れが導体膜の残滓を除去する作用を示す模式図である。
【図８】リフトオフ工程における噴射されたレジスト剥離液の流れがレジストの開口部から隅々にまで行き渡る作用を示す模式図である。
【図９】基板の表面上に下地層を設けた場合の積層構成の一例を示す断面図である。
【図１０】従来の導体パターン形成方法の工法の流れを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１：基板、  ２：レジスト、  ３：開口部、  ９：導体膜、１０：チャック、
１１：ノズル、１１ａ：噴射口、１２：レジスト剥離液、１３：側壁面、
１５：導体パターン、１６：バリ、１７…残滓。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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