(57)【要約】【課題】  結晶欠陥がない垂直メサ構造のリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】  リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。【選択図】      図１
2005005696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の第１クラッド層，活性層，第２導電型の第１クラッド層，第２導電型のエッチングストップ層，第２導電型の第２クラッド層及び第２導電型のキャップ層を順次形成する工程と、
該第２導電型のキャップ層上に所定のストライプパターンを有するストライプマスク膜を形成した後、該ストライプマスク膜に覆われていない領域を前記第２導電型のエッチングストップ層まで選択エッチングにより除去してリッジストライプ構造を形成する工程と、を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、
前記リッジストライプ構造を形成する工程は、
ドライエッチングにより、前記第２導電型の第２クラッド層を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、
ウエットエッチングにより、前記所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層を前記第２導電型のエッチングストップ層までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第２のエッチング工程において、前記リッジストライプ構造の側壁をエッチングすることを特徴とする請求項１記載のリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法により製造するリッジ導波路型半導体レーザ素子であって、
第１導電型の半導体基板と、
該半導体基板の一面上に順次積層した第１導電型の第１クラッド層，活性層，第２導電型の第１クラッド層及び第２導電型のエッチングストップ層と、
該第２導電型のエッチングストップ層上にストライプ状に積層した第２導電型の第２クラッド層及び第２導電型のキャップ層から成るリッジストライプ構造と、を有し、
前記半導体基板の一面を（１００）面にすると共に、前記リッジストライプ構造におけるストライプの長手方向を＜１１０＞方向にして成ることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、良好なリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レ−ザ素子の製造方法及びそれにより製造するリッジ導波路型半導体レーザ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リッジ導波路型半導体レ−ザ素子は、その製造工程において活性層を大気中に露出させることがないため、特に酸化によりレ−ザ特性が劣化しやすいＧａＡｓ系レ−ザ素子に対しては信頼性の点で優れた構造である。
【０００３】
図３は、従来例のリッジ導波路型半導体レーザ素子を示す構成図である。
同図に示すように、従来例のリッジ導波路型半導体レーザ素子（以下、単にレーザ素子ともいう）１Ａは、ｎ−ＧａＡｓからなる基板２上に、所定の半導体層が積層されて形成されている。
【０００４】
まず、基板２上にｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型第１クラッド層３が形成される。次に、Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓから活性層４が形成される。続いて、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型第１クラッド層５が形成される。さらに、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるエッチングストップ層６が形成される。
【０００５】
次に、ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層７Ａ、ｐ−ＧａＡｓからなるキャップ層８及びＳｉＯ2からなるマスク層（図示しない）が順次形成される。マスク層は、フォトリソ技術により所定のストライプ形状に加工される。
つぎに、このマスク層の下部領域以外の第２クラッド層７Ａ及びキャップ層８をエッチング除去し、リッジストライプ構造９Ａを得る。エッチングは２段のウエットエッチングを用いる。第１段のエッチング液としては、硝酸過水混合液を用いる。第２段には、酒石酸混合液を用いる。
【０００６】
次に、マスク層下部領域以外のエッチングストップ層６上に、すなわち、リッジストライプ構造９Ａの両側面に、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる電流狭窄層１０ａＡ及びｎ−ＧａＡｓからなる電流狭窄層１０ｂＡが順次形成される。
その後、マスク層を除去して、ｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層１１及びｐ型オーミック電極１２が積層される。
一方、基板２の各半導体層を形成した側と反対側の面にはｎ型オーミック電極１３が形成されている。
【０００７】
このようなリッジ導波路型半導体レーザ素子１Ａにおいては、そのリッジストライプ構造９Ａを、２段のウエットエッチングで、良好に得ることが出来る（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−４６０３７号公報（第４−５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、リッジ導波路型半導体レーザ素子１Ａにおいては、活性層４を中心に発光する光は、その周囲に存在する第１クラッド層３、５にも拡がる。
さらに、光は発光中心部上方に配置される第２クラッド層７中にも拡がるが、その上に形成されたキャップ層８で吸収されてしまう。これは、全体の発光効率を低下させる。
【０００９】
また、この吸収により発熱し、ハイパワー動作時の特性が劣化する。従って、キャップ層８を発光中心（活性層４）から極力遠ざけ、吸収による発熱の影響を少なくすることが、特に高出力レーザ素子に求められている。これに対しては、リッジストライプ高さ（第２クラッド層７とキャップ層８の合計の厚さ：以下、単にリッジ高さともいう）を高くすることが有効である。
【００１０】
しかし、従来のリッジ高さは、約１μｍであるが、これを約２〜２．４μｍ程度にすると、従来のウエットエッチングでは、良好なリッジストライプ構造を形成できない。
例えば、（１００）を主面とするＧａＡｓ基板を使用して、その上に上述のストライプ構造のストライプマスクまでを積層し、キャップ層及びｐ型第２クラッド層をウエットエッチングする。このとき、エッチング液として、例えば濃度が５０ｗｔ％の酒石酸と濃度が３１ｗｔ％の過酸化水素水とを、５：１の割合で混合した、酒石酸水−過酸化水素水混合液を用いる。このとき得られるリッジストライプ構造を図４に示す。
【００１１】
ここで、リッジストライプのストライプ長手方向を＜１１バー０＞にすると、図４の（ａ）に示すような、順メサ構造（台形型）のリッジストライプ構造９２が得られる。ここでは、ｐ型第２クラッド層７２のエッチングストップ層６側のストライプ幅が、キャップ層８２側の幅より広くなっている（キャップ層８２も台形状になる。）。なお、ストライプ長手方向は、図４の紙面に垂直方向である。
この場合、レーザ発光のために印加する電流の流路に狭小部が生じることとなり、素子抵抗が増大し、良好なレーザ発光を得られない。
【００１２】
一方、リッジストライプのストライプ長手方向を＜１１０＞にすると、図４の（ｂ）に示すような、逆メサ構造（逆テーパ形状の台形型）のリッジストライプ構造９３が得られる。ここでは、ｐ型第２クラッド層７３のエッチングストップ層６側のストライプ幅が、キャップ層８３側の幅より狭くなっている（キャップ層８３も逆台形状になる。）。この場合、後にリッジストライプの両側のエッチングストップ層６上に、ＧａＡｓ電流狭窄層１０ａＡ、１０ｂＡを埋め込み成長させる際に、空孔（ボイド）が発生するなどして、レーザ素子の信頼性を低下させる。
【００１３】
これに対して、ドライエッチングにより、上述のリッジストライプ構造を形成することも考えられる。ドライエッチング法としては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法、誘導結合プラズマエッチング（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｃｕｐｐｌｉｎｇ  Ｐｌａｓｍａ）法、電子サイクロトロン共鳴エッチング（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）法などが知られている。これらの方法によれば、異方性エッチングが可能なため、リッジストライプ構造の側壁をエッチングストップ層に対しほぼ垂直に形成できる。すなわち、リッジストライプ構造のストライプ短手方向の断面形状は、略矩形になる（垂直メサ構造）。
【００１４】
しかしながら、これらの方法によれば、非選択的にエッチングが進行するので、従来例で示したようなエッチングストップ層を用いた場合、エッチングストップ層でエッチングが停止しない。
従って、図５に示すように、基板全面では所定のばらつき範囲の厚さを有する第２クラッド層７４のマスク領域以外を確実に除去しようとすると、エッチングストップ層６０を突き抜けて下層の第１クラッド層５０や活性層４までエッチングしてしまうという問題がある。図５には、垂直メサ構造のリッジストライプ構造を示すが、エッチングストップ層６０及びｐ型第１クラッド層５０の一部も不要に除去される状態を示してある。
【００１５】
これを防止して、正確にエッチングストップ層でエッチングを停止するには、膜厚分布やエッチングレート分布などの各工程中における面内分布や、各工程のバッチ間ばらつきなどを均一にする必要がある。しかし、これらを実現するのは非常に困難であるという問題がある。
【００１６】
また、ドライエッチングにおいて、特有に、エッチング面でエッチングガスと反応して生じる反応生成物がリッジストライプの側壁に再付着する。それが、そのまま残留した場合は、得られるレーザ素子の信頼性を低下させるという問題がある。
【００１７】
また、エッチング面は、後の工程でＧａＡｓ電流狭窄層を再成長する面となるが、イオン照射により、結晶の欠陥や非晶質化が生じたり、エッチングガスや反応生成物が残留したりする。これは、良好なエピタキシャル成長を阻害し、成長する電流狭窄層に欠陥を発生させ、レーザ素子の特性を劣化させるという問題がある。なお、図６には、リッジストライプ構造９５は垂直メサ構造を有しているが、ｐ型第２クラッド層７５の側壁及びエッチングストップ層６にダメージ層９１が形成され、付着層９２が形成された様子を示してある。
【００１８】
また、ドライエッチングによると、図７に示すように、リッジストライプ構造７６は垂直メサ構造になるがエッチングストップ層６に裾引き部７７が発生してしまい、これがレーザ素子の発光特性を劣化させるという問題がある。
【００１９】
そこで、本発明は上記問題を解決して、エッチングストップ層や第２クラッド層に結晶欠陥が無い垂直メサ構造のリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法及びリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の課題を解決するために、本願発明は手段として次の手順を有する。
即ち、請求項１に係る発明は、第１導電型の半導体基板２上に、第１導電型の第１クラッド層３，活性層４，第２導電型の第１クラッド層５，第２導電型のエッチングストップ層６，第２導電型の第２クラッド層７及び第２導電型のキャップ層８を順次形成する工程と、該第２導電型のキャップ層８上に所定のストライプパターンを有するストライプマスク膜１４を形成した後、該ストライプマスク膜１４に覆われていない領域を前記第２導電型のエッチングストップ層６まで選択エッチングにより除去してリッジストライプ構造９を形成する工程と、を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、
前記リッジストライプ構造９を形成する工程は、ドライエッチングにより、前記第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、前記所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を前記第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法である。
また、請求項２に係る発明は、前記第２のエッチング工程において、前記リッジストライプ構造９の側壁をエッチングすることを特徴とする請求項１記載のリッジ導波路型半導体レーザ素子１の製造方法である。
【００２１】
また、本願発明は手段として次の構成を有する。
即ち、請求項３に係る発明は、請求項１記載のリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法により製造するリッジ導波路型半導体レーザ素子であって、
第１導電型の半導体基板２と、該半導体基板２の一面上に順次積層した第１導電型の第１クラッド層３，活性層４，第２導電型の第１クラッド層５及び第２導電型のエッチングストップ層６と、該第２導電型のエッチングストップ層６上にストライプ状に積層した第２導電型の第２クラッド層７及び第２導電型のキャップ層８から成るリッジストライプ構造９と、を有し、前記半導体基板２の一面を（１００）面にすると共に、前記リッジストライプ構造９におけるストライプの長手方向を＜１１０＞方向にして成ることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子１である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、エッチングストップ層や第２クラッド層に結晶欠陥がなく垂直メサ構造のリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子が得られるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。なお、上述の従来例の構成要素と同一の構成要素については、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００２４】
＜実施例＞
図１は、本発明のリッジ導波路型半導体レーザ素子の実施例を示す構成図である。図２は、本発明のリッジ導波路型半導体レーザ素子の実施例を製造するための製造工程である。
以下、図１に示す本実施例のリッジ導波路型半導体レーザ素子１を、図２に基き、その製造方法と共に説明する。
【００２５】
（第１工程）
図２の（ａ）に示すが、基板２としてｎ−ＧａＡｓウェハを使用する。基板面は（１００）面である。
まず、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、基板２の一方の面上に、厚さ１．５μ
ｍのｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｎ型第１クラッド層３を形成する。ここでｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓには、濃度１×１０18ｃｍ-3のＳｉをドープしてある。
【００２６】
次に、このｎ型第１クラッド層３上に、厚さ０．０７μｍのノンド−プＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓからなる活性層４を形成する。
続いて、活性層４上に、厚さ０．３μｍのｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型第１クラッド層５を形成する。このｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓには、濃度１×１０18ｃｍ-3のＺｎをドープしてある。
【００２７】
次に、ｐ型第１クラッド層５上に、厚さ０．０３μｍのｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなるエッチングストップ層６を形成する。このｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓには、濃度１×１０18ｃｍ-3であるＺｎをド−プしてある。
次に、エッチングストップ層６上に、厚さ２．０μｍのｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるｐ型第２クラッド層７０を形成する。このｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓには濃度１×１０18ｃｍ-3のＺｎをド−プしてある。
ここで、ｐ型第２クラッド層７０の結晶方向を測定しておく。
次に、ｐ型第２クラッド層７０上に、厚さ０．４μｍのｐ−ＧａＡｓからなる
キャップ層８０を形成する。このｐ−ＧａＡｓには、濃度５×１０19ｃｍ-3のＺｎをドープしてある。
【００２８】
（第２工程）
次に、図２の（ｂ）に示すように、キャップ層８０上に、スパッタ法により、厚さ０．２μｍ乃至０．３μｍのＳｉＯ2膜を形成する。
さらに、このＳｉＯ2膜上に図示しないフォトレジスト膜を塗布・形成する。
次にフォトリソグラフィ法により、フォトレジスト膜を所定形状のストライプ状に加工する。このとき、ストライプの長手方向が、下地のｐ型第２クラッド層の面内で＜１１０＞方向になるように加工する。
【００２９】
次に、このストライプ状のフォトレジスト膜をマスクとして、ＣＦ4ガスを用いるＲＩＥ法により、ＳｉＯ2膜をエッチングして、ストライプ状のＳｉＯ2膜からなるストライプマスク１４を形成する。このストライプマスク１４は、図示横方向が例えば２．５μｍであり、図示奥行き方向（紙面に垂直方向）が例えば数百μｍ乃至１ｍｍ程度である。
【００３０】
（第３工程）
次に、図２の（ｃ）に示すように、ストライプマスク１４下部の領域以外のキャップ層８０及びｐ型第２クラッド層７０を、例えばＩＣＰエッチング法により、途中までエッチング除去する。すなわち、厚さ数十〜数百ｎｍ程度のｐ型第２クラッド層の部分７１Ａが残るようにエッチングする。これにより、ストライプマスク１４の下部に、ストライプ形状のキャップ層８とｐ型第２クラッド層７１が形成される。
ＩＣＰ法において、エッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ2ガスとＳｉＣｌ4ガスとの混合ガスを用い、例えば、０．５Ｐａ乃至１．０Ｐａ程度の圧力でエッチングを行う。
【００３１】
なお、この実施例では、ＳｉＯ2膜をマスクとしてキャップ層８０及びｐ型クラッド層７０をエッチングしているが、フォトレジスト膜をそのままマスクとして用いてエッチングしてもよい。
その場合、キャップ層８０上にＳｉＯ2膜を形成せず、フォトレジスト膜を直接塗布して形成し、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト膜を所定のストライプ形状に加工する。
【００３２】
なお、ここで、残したｐ型第２クラッド層の部分７１Ａの厚さは、ウェハ全面でｐ型第２クラッド層７０（厚さ２．０μｍ）を形成したときの厚さのばらつきを吸収できる程度、例えば、数十〜数百ｎｍとしてある。
これは、ＩＣＰエッチング法によるエッチングにより、エッチングストップ層６が決して露出しないようにするためである。
即ち、エッチングストップ層６が露出してエッチングされると、その後のウエットエッチングにおいてｐ型第１クラッド層５がある分布をもってエッチングされ、その結果、レーザの発光特性のばらつきが極めて大きくなってしまうからである。
【００３３】
（第４工程）
次に、図２の（ｄ）に示すように、上述の第３工程において、エッチングストップ層６に残ったｐ型第２クラッド層の部分７１Ａ、及びｐ型第２クラッド層７１の側面部に形成されているエッチング時の付着物やダメージ層を、ウエットエッチングにより除去する。
エッチング液としては、例えば濃度が５０ｗｔ％の酒石酸と濃度が３１ｗｔ％の過酸化水素水とを、５：１の割合で混合してなる、酒石酸水−過酸化水素水混合液を用いる。これが、この場合の選択性エッチング液として最適である。
エッチング液としては、硫酸−過酸化水素水系混合液や、燐酸−過酸化水素水系混合液も使用できるが、この液の場合、エッチングストップ層もエッチングしてしまうため選択エッチング液として使用することできない。
【００３４】
これにより、垂直メサ構造を有するｐ型第２クラッド層７とキャップ層８からなるリッジストライプ構造９を形成する。リッジストライプ構造９におけるストライプの長手方向は、ｐ型第２クラッド層の＜１１０＞方向になっている。
エッチングストップ層６に対する酒石酸水−過酸化水素水混合液によるエッチングレ−トは、ｐ型第２クラッド層７に対するよりも２桁程度小さいので、選択的にエッチングストップ層６でエッチングを停止することができる。
また、このときリッジストライプ構造９の側壁も同時にエッチングすることにより、第３工程のドライエッチング時に発生する、側壁の再付着層やダメージ層（非晶質層）を同時に除去する。
【００３５】
（第５工程）
次に、図２の（ｅ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により第２回目のエピタキシャル成長を行う。すなわち、リッジストライプ構造９以外の露出しているエッチングストップ層６上及びリッジストライプ構造９の両側面に、厚さ２．０μｍのｎ−ＡｌＧａＡｓからなる電流狭窄層１０ａ及び厚さ０．４μｍのｎ−ＧａＡｓからなる電流狭窄層１０ｂを積層して形成する。なお、このとき、ストライプマスク１４上では、結晶の成長は行われない。
【００３６】
（第６工程）
次に、図２の（ｆ）に示すように、ＣＦ4ガスを用いるＲＩＥ法により、選択的にＳｉＯ2からなるストライプマスク１４を除去する。
次に、ＭＯＣＶＤ法により、第３回目の結晶成長を行い、電流狭窄層１０ｂ及びキャップ層８上に、厚さ３．０μｍのｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層１１を形成する。このｐ−ＧａＡｓには、濃度１．５×１０19ｃｍ-3のＺｎをドープしてある。
【００３７】
このあと、ここでは図示しないが、図１に示す、厚さ０．１５μｍのＡｕＢｅ膜と厚さ１．８５μｍのＡｕ膜とを積層した、ｐ型オーミック電極１２をコンタクト層１１上に形成する。
さらに、同様に、ここでは図示しないが、図１に示す、合計の厚さが０．１５μｍのＡｕＧｅＮｉ膜と厚さが０．６μｍのＡｕ膜とからなるｎ型オーミック電極１３を、上述のｎ型第１クラッド層３などの積層された基板２の面とは反対側の面上に形成し、このｎ型オーミック電極１３に対して、ＧａＡｓとオーミックコンタクトをとるために合金化熱処理を施す。
このようにして、図１に示す本実施例のリッジ導波路型半導体レーザ素子１を得る。
このレーザ素子１のｐ型オーミック電極１２及びｎ型オーミック電極１３間に電圧を印加して、レーザ発振閾値以上の電流を流すことによって、活性層よりレーザ光を放射することが出来る。
【００３８】
このように、リッジストライプ構造９を形成するのに、まず、ドライエッチングにより、ｐ型第２クラッド層７の途中までエッチングすることにより、リッジストライプ構造９の側壁をほぼ垂直に形成出来る。この側壁を垂直に形成することによって、従来例において見られるような、順メサ構造における狭小部の発生や逆メサ構造における電流狭窄層の埋め込み不良を防止できる。
【００３９】
さらに、エッチングストップ層６上に残ったｐ型第２クラッド層７をウエットエッチングにより除去して、最終的なリッジストライプ構造９を形成する。これによって、ドライエッチング時に発生したエッチング面へのダメージ層（欠陥、非晶質層、残留汚染物質などを総称して）を除去することができる。また、リッジストライプ構造９の側壁も同時にある厚みだけエッチングする。これによって、ドライエッチング時にリッジストライプ構造９の側壁に再付着した反応生成物を除去出来る。また反応生成物を除去する工程を別に設ける必要がないため、工程を簡略化することが可能となる。
【００４０】
なお、リッジストライプ構造９におけるストライプの長手方向を＜１１０＞方向としてある。これを＜１１バー０＞方向にすると、リッジストライプ構造９の側壁をウエットエッチング処理する場合、処理する厚みにもよるが、リッジストライプ構造９の側壁が順テーパ形状となり、また、裾引きが残りやすいが、これらを防止するためである。
【００４１】
このようにすると、第２クラッド層７の厚さを厚くしても垂直メサ構造を有するリッジストライプ構造９を均一で安定した形成することが出来るので、発光効率の良好なリッジ導波路型半導体レーザ素子を得ることが出来る。
なお、リッジストライプ構造を形成するのに、ドライエッチングとウエットエッチングとの２段階エッチングを用いて行うのは、ｐ型第２クラッド層の厚さが薄い場合にも適用できるのは言うまでもない。
また、活性層に多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を用いたリッジ導波路型半導体レーザ素子にも適用できるのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明のリッジ導波路型半導体レーザ素子の実施例を示す構成図である。
【図２】本発明のリッジ導波路型半導体レーザ素子の実施例を製造するための製造工程である。
【図３】従来例のリッジ導波路型半導体レーザ素子を示す構成図である。
【図４】ウエットエッチングにより形成したリッジストライプ構造を示す図である。
【図５】ドライエッチングにより形成したリッジストライプ構造を示す図である。
【図６】ドライエッチングより形成したリッジストライプ構造に発生する付着層及びダメージ層を示す図である。
【図７】ドライエッチングにより形成したリッジストライプ構造に発生する裾引き部を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  リッジ導波路型半導体レ−ザ素子
２  基板
３  ｎ型第１クラッド層、
４  活性層
５  ｐ型第１クラッド層
６  エッチングストップ層
７，７Ａ  ｐ型第２クラッド層
８  キャップ層
９，９Ａ  リッジストライプ構造
１０  ａ，１０ｂ，１０ａＡ，１０ｂＡ  電流狭窄層
１１  コンタクト層
１２  ｐ型オーミック電極
１３  ｎ型オーミック電極
１４  ストライプマスク
５０  ｐ型第１クラッド層
６０  エッチングストップ層
７０，７１，７２，７３，７４，７５，７６  ｐ型第２クラッド層
７７  裾引き部
８０，８２，８３，８４  キャップ層
９１  ダメージ層
９２  付着層
９２，９３，９４，９５，９６  リッジストライプ構造
【図１】
2005005696.tif 000003
【図２】
2005005696.tif 000004
【図３】
2005005696.tif 000005
【図４】
2005005696.tif 000006
【図５】
2005005696.tif 000007
【図６】
2005005696.tif 000008
【図７】
2005005696.tif 000009