(57)【要約】    【課題】  上方からイオンビーム等を照射することにより実装状態に近い状態で周波数調整を行なうことができるだけでなく、イオンビーム等の照射による短絡不良やマイグレーション不良を効果的に防止することができる圧電振動部品を提供する。    【解決手段】  複数の電極ランド４ａ〜４ｃが上面に形成された基板２上に導電性接着剤５ａ〜５ｃを用いて容量素子６が実装されており、容量素子６上にエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子８が固定されており、該エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子８の振動部が、その下方に基板２上の電極ランド４ａ〜４ｃ及び導電性接着剤５ａ〜５ｃによる容量素子６の接合部が存在しない位置に設けられている圧電振動部品１。【選択図】      図１
2005191681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数の電極ランドが形成された基板と、
前記基板の上面の複数の電極ランドに導電性接着剤を用いて接合されて該基板上に実装されている容量素子と、
前記容量素子上に固定されたエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子とを備え、
下方に前記基板上の電極ランド及び導電性接着剤による容量素子の接合部が存在しない位置に前記エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子の振動部が設けられていることを特徴とする、圧電振動部品。
【請求項２】
前記容量素子が、誘電体基板と、誘電体基板の上面に設けられた第１の容量電極と、下面に設けられた第２の容量電極とを有し、誘電体基板を介して第１，第２の容量電極が重なり合っている部分が、前記エネルギー閉じ込め型圧電共振素子の振動部の下方に位置しないように設けられている、請求項１に記載の圧電振動部品。
【請求項３】
前記エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子が、圧電体と、圧電体の上面及び下面に部分的に構成されており、かつ圧電体を介して対向するように設けられた第１，第２の振動電極とを有し、第１，第２の振動電極が対向している部分が振動部を構成している、請求項１または２に記載の圧電振動部品。
【請求項４】
前記圧電共振素子の前記振動部が構成されている部分において、圧電共振素子の平面形状よりも、該振動部の下方に位置している容量素子部分の平面形状が大きくされており、平面視したときに、振動部が下方の容量素子部分に含まれている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電振動部品。
【請求項５】
前記圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、前記圧電共振素子の幅方向寸法よりも、前記容量素子の幅方向寸法が大きくされている、請求項４に記載の圧電振動部品。
【請求項６】
前記圧電共振素子及び前記容量素子がストリップ状の形状を有し、前記容量素子の上面に設けられた第１の容量電極の幅方向寸法が、前記圧電共振素子の幅方向寸法よりも小さい、請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電振動部品。
【請求項７】
複数の電極ランドが上面に形成された基板と、
前記基板上に導電性接着剤を用いて前記複数の電極ランドに接合されて実装されている容量素子と、
前記容量素子上に固定されたエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子とを備え、
前記圧電共振素子のエネルギー閉じ込め型の振動部が設けられている部分の平面形状が、前記振動部の下方に位置している容量素子部分の平面形状よりも小さくされており、平面視したときに、振動部が下方の容量素子部分に含まれていることを特徴とする、圧電振動部品。
【請求項８】
前記圧電共振素子の振動部が設けられている部分の下方において、前記容量素子の上面に容量電極が設けられていない、請求項７に記載の圧電振動部品。
【請求項９】
前記容量素子が、誘電体基板と誘電体基板の上面に形成された第１の容量電極と、誘電体基板の下面に形成されており、第１の容量電極と少なくとも部分的に対向するように設けられた第２の容量電極とを有し、第１の容量電極が、前記圧電共振素子の振動部の下方に位置しないように設けられている、請求項８に記載の圧電振動部品。
【請求項１０】
前記圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、前記容量素子が、誘電体基板と誘電体基板の上面に形成された第１の容量電極と、誘電体基板の下面に形成されており、第１の容量電極と少なくとも部分的に対向するように設けられた第２の容量電極とを有し、前記圧電共振素子の振動部の下方において前記容量素子の第１の容量電極の幅方向寸法が、圧電共振素子の幅方向寸法よりも狭くされている、請求項７に記載の圧電振動部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギー閉じ込め型圧電共振素子と容量素子とが積層された構造を有する圧電振動部品に関し、より詳細には、周波数調整を高精度に行ない得る構造が備えられた圧電振動部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子と容量素子とが基板上に積層された構造の圧電振動部品が、発振子として用いられている。例えば、下記の特許文献１には、図６に分解斜視図で示されている圧電振動部品１０１が開示されている。圧電振動部品１０１は、矩形板状の基板１０２と、金属ケース１０３とにより構成されるパッケージ構造を有する。
【０００３】
基板１０２の上面には、複数の電極ランド１０４ａ〜１０４ｃが形成されている。
【０００４】
また、電極ランド１０４ａ〜１０４ｃにそれぞれ、導電性接着剤１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを介して、容量素子１０６が接合されて実装されている。容量素子１０６は、誘電体基板１０６ａを有する。誘電体基板１０６ａの上面には、一対の容量電極１０６ｂ，１０６ｃが形成されている。誘電体基板１０６ａの下面中央には、第２の容量電極１０６ｄが形成されている。容量電極１０６ｄは、誘電体基板１０６ａを介して、第１の容量電極１０６ｂ，１０６ｃに部分的に対向している。すなわち容量素子１０６は、２個の容量取出部を有する３端子型のコンデンサである。
【０００５】
上記導電性接着剤１０５ａ，１０５ｃは、第１の容量電極１０６ｂ，１０６ｃの誘電体基板１０６ａの下面側に連ねられている電極延長部に接合されている。他方、導電性接着剤１０５ｂは、第２の容量電極１０６ｄに接合されている。
【０００６】
容量素子１０６上には、導電性接着剤１０７ａ，１０７ｂを介して、圧電共振素子１０８が固定されている。圧電共振素子１０８は、厚み滑りモードを利用したストリップ状のエネルギー閉じ込め型圧電共振子である。ここでは、圧電体１０９の上面に第１の振動電極１１０が形成されている。第１の振動電極１１０は、圧電体１０９の端面から下面に至る電極延長部１１０ａを有する。
【０００７】
また、圧電体１０９の下面には、第２の振動電極１１１が形成されている。第１，第２の振動電極１１０，１１１が対向している部分がエネルギー閉じ込め型の振動部を構成している。
【０００８】
導電性接着剤１０７ａは、上記第１の振動電極の電極延長部１１０ａと容量素子１０６の上面の第１の容量電極１０６ｂとを接合している。他方、導電性接着剤１０７ｂは、第２の振動電極１１１と、容量素子１０６の上面に設けられた第１の容量電極１０６ｃとを接合している。なお、基板１０２の上面には、矩形枠状に絶縁性接着剤１１２が塗布されている。そして、矩形枠状の接着シート１１３が前記絶縁性接着剤１１２上に接着され、かつその上に金属ケース１０３が接合されている。
【０００９】
上記圧電振動部品１０１は、負荷容量内蔵型の圧電発振子として用いられている。この場合、発振周波数は高精度に設定される必要がある。そこで、従来、使用する圧電共振素子１０８が所望の共振周波数を有するように周波数調整が行なわれていた。
【特許文献１】特開２０００−２６９７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
圧電振動部品１０１において、共振周波数を高精度に制御するには、圧電共振素子１０８の共振周波数を高精度に設定する必要があった。
【００１１】
しかしながら、圧電共振素子１０８の共振周波数を周波数調整により高精度に設定したとしても、基板１０２上に容量素子１０６及び圧電共振素子１０８を実装した構造では、所望とする発振周波数から外れることがあった。すなわち、圧電共振素子１０８の段階で周波数を高精度に制御したとしても、圧電共振素子１０８を容量素子１０６と共に基板１０２上に実装した場合、実装構造のばらつき等により発振周波数がずれがちであった。
【００１２】
そこで、本願発明者は、基板１０２上に容量素子１０６及び圧電共振素子１０８を実装した後に、イオンビームなどを上方から照射し、第１の振動電極１１０を削るようにして周波数調整を行なう方法を検討した。しかしながら、周波数調整に際しては、イオンガンによるイオンビームを振動電極１１０，１１１が対向している部分において振動電極１１０に照射しなければならない。
【００１３】
他方、導電性接着剤１０５ａ〜１０５ｃは、硬化前に容量素子１０６により基板１０２の上面に押しつけられるため、容量素子１０６により展延される。そのため、例えば、導電性接着剤１０５ｂは、容量素子１０６の側面より外側に広がる。従って、上記イオンガンによりイオンビームを照射して周波数調整を行なった場合、イオンビームが電極ランド１０４ｂ及び導電性接着剤１０５ｂの容量素子１０６の側面より外側に広がった部分にも照射されることとなる。その結果、導電性接着剤１０５ｂを構成しているＡｇ粉末などの導電性粉末や樹脂が周囲に飛散しがちであった。
【００１４】
導電性粉末が周囲に飛散し、容量素子１０６や圧電共振素子１０８の側面に付着すると、短絡不良が生じたり、マイグレーション不良を生じたりするおそれがあった。また、樹脂が飛散した場合においても、樹脂の付着により、特性のばらつきが生じたりするおそれがあった。
【００１５】
加えて、導電性接着剤１０５ｂだけでなく、圧電共振素子１０８の下方に位置している容量電極１０６ｂ，１０６ｃの一部がイオンビームの照射によって飛散し、それによって短絡不良が生じることもあった。
【００１６】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、基板上に容量素子及び圧電共振素子が積層された構造を有するエネルギー閉じ込め型の圧電振動部品において、イオンビームなどの照射により高精度に周波数調整などを行なうことができると共に、該周波数調整に際してのイオンビームなどの照射による短絡不良やマイグレーション不良が生じ難い、信頼性に優れた圧電振動部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願の第１の発明に係る圧電振動部品は、上面に複数の電極ランドが形成された基板と、前記基板の上面の複数の電極ランドに導電性接着剤を用いて接合されて該基板上に実装されている容量素子と、前記容量素子上に固定されたエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子とを備え、下方に前記基板上の電極ランド及び導電性接着剤による容量素子の接合部が存在しない位置に前記エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子の振動部が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
第１の発明に係る圧電振動部品のある特定の局面では、前記容量素子が、誘電体基板と、誘電体基板の上面に設けられた第１の容量電極と、下面に設けられた第２の容量電極とを有し、誘電体基板を介して第１，第２の容量電極が重なり合っている部分が、前記エネルギー閉じ込め型圧電共振素子の振動部の下方に位置しないように設けられている。
【００１９】
第１の発明に係る圧電振動部品のさらに他の特定の局面では、前記エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子が、圧電体と、圧電体の上面及び下面に部分的に構成されており、かつ圧電体を介して対向するように設けられた第１，第２の振動電極とを有し、第１，第２の振動電極が対向している部分が振動部を構成している。
【００２０】
第１の発明に係る圧電振動部品の別の特定の局面では、前記圧電共振素子の前記振動部が構成されている部分において、圧電共振素子の平面形状よりも、該振動部の下方に位置している容量素子部分の平面形状が大きくされており、平面視したときに、振動部が下方の容量素子部分に含まれている。
【００２１】
第１の発明に係る圧電振動部品のさらに他の特定の局面では、前記圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、前記圧電共振素子の幅方向寸法よりも、前記容量素子の幅方向寸法が大きくされている。
【００２２】
第１の発明に係る圧電振動部品のさらに別の特定の局面では、前記圧電共振素子及び前記容量素子がストリップ状の形状を有し、前記容量素子の上面に設けられた第１の容量電極の幅方向寸法が、前記圧電共振素子の幅方向寸法よりも小さくされている。
【００２３】
第２の発明に係る圧電振動部品は、複数の電極ランドが上面に形成された基板と、前記基板上に導電性接着剤を用いて前記複数の電極ランドに接合されて実装されている容量素子と、前記容量素子上に固定されたエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子とを備え、前記圧電共振素子のエネルギー閉じ込め型の振動部が設けられている部分の平面形状が、前記振動部の下方に位置している容量素子部分の平面形状よりも小さくされており、平面視したときに、振動部が下方の容量素子部分に含まれていることを特徴とする。
【００２４】
第２の発明に係る圧電振動部品のある特定の局面では、前記圧電共振素子の振動部が設けられている部分の下方において、前記容量素子の上面に容量電極が設けられていない。
【００２５】
第２の発明に係る圧電振動部品のさらに他の特定の局面では、前記容量素子が、誘電体基板と誘電体基板の上面に形成された第１の容量電極と、誘電体基板の下面に形成されており、第１の容量電極と少なくとも部分的に対向するように設けられた第２の容量電極とを有し、第１の容量電極が、前記圧電共振素子の振動部の下方に位置しないように設けられている。
【００２６】
第２の発明に係る圧電振動部品のさらに別の特定の局面では、前記圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、前記容量素子が、誘電体基板と誘電体基板の上面に形成された第１の容量電極と、誘電体基板の下面に形成されており、第１の容量電極と少なくとも部分的に対向するように設けられた第２の容量電極とを有し、前記圧電共振素子の振動部の下方において前記容量素子の第１の容量電極の幅方向寸法が、圧電共振素子の幅方向寸法よりも狭くされている。
【発明の効果】
【００２７】
第１の発明に係る圧電振動部品では、基板上に容量素子及び圧電共振素子が実装されている構造において、圧電共振素子のエネルギー閉じ込め型の振動部の下方に、基板上の電極ランド及び導電性接着剤による容量素子の接合部が存在しない。従って、上方からイオンビームなどを照射して周波数調整を行なったとしても、該イオンビームが基板上の電極ランドや導電性接着剤に到達し難い。従って、下方の電極ランドや導電性接着剤へのイオンビームの照射による短絡不良やマイグレーション不良を確実に防止することができる。
【００２８】
よって、実装構造に近い状態で高精度に周波数を調整し得るだけでなく、短絡不良やマイグレーション不良が生じ難く、信頼性に優れた圧電振動部品を提供することが可能となる。
【００２９】
容量素子が、誘電体基板と、第１，第２の容量電極とを有し、誘電体基板を介して第１，第２の容量電極が重なり合っている部分が、圧電共振素子の振動部の下方に位置しないように設けられている場合には、イオンビームが第１，第２の容量電極の重なり合っている部分へ到達しないので、容量素子の容量の変動を防止することができる。
【００３０】
エネルギー閉じ込め型の圧電共振素子が、圧電体と、第１，第２の振動電極とを有し、第１，第２の振動電極が対向している部分が振動部を構成している場合には、上方からイオンビーム等を照射することにより、上面側の第１の振動電極を削るように加工して、圧電振動部品の周波数調整を容易に行なうことができる。
【００３１】
圧電共振素子の振動部が構成されている部分において、圧電共振素子の平面形状よりも、振動部の下方に位置している容量素子の平面形状が大きくされている場合には、上方からイオンビームを照射して周波数調整を行なった場合、容量素子よりも下方へのイオンビームの到達を効果的に抑制することができる。
【００３２】
圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、圧電共振素子の幅方向寸法よりも容量素子の幅方向寸法が大きくされている場合には、同様に、上方からイオンビーム等を照射して周波数調整を行なった場合、イオンビームの容量素子よりも下方への到達を抑制することができる。
【００３３】
圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、容量素子の上面に設けられた第１の容量電極の幅方向寸法が、圧電共振素子の幅方向寸法よりも小さい場合には、上方からイオンビーム等を照射して周波数調整を行なった場合、イオンビームの第１の容量電極への到達を防止することができる。
【００３４】
第２の発明に係る圧電振動部品では、基板上に容量素子及び圧電共振素子が積層されて実装されている構造において上方からイオンビームを照射して周波数調整を行なったとしても、圧電共振素子の振動部の平面形状が振動部の下方に位置している容量素子部分の平面形状よりも小さくされているため、容量素子よりも下方へのイオンビームの到達を防止することができる。従って、基板上の導電性接着剤を用いた接合部へのイオンビームの到達を抑制することができ、マイグレーション不良や短絡不良を効果的に防止することができる。
【００３５】
よって、第２の発明においても、高精度に周波数を調整し得るだけでなく、短絡不良やマイグレーション不良が生じ難い、信頼性に優れた圧電振動部品を提供することが可能となる。
【００３６】
第２の発明において、圧電共振素子の振動部が設けられている部分の下方において、容量素子の上面に電極が設けられていない場合には、振動部の上方からイオンビーム等を照射して周波数調整を行なった場合、容量素子の上面の容量電極が加工されない。従って、容量ばらつきを防止することができる。
【００３７】
容量素子が、誘電体基板と、第１，第２の容量電極とを有し、第１の容量電極が、圧電共振素子の下方に位置しないように設けられている場合にも、同様に、イオンビーム等の照射により周波数調整を行なったとしても、容量ばらつきが生じ難い。
【００３８】
第２の発明において、圧電共振素子及び容量素子がストリップ状の形状を有し、圧電共振素子の振動部の下方において、容量素子の第１の容量電極の幅方向寸法が、圧電共振素子の幅方向寸法よりも狭くされている場合にも、同様に、上方からイオンビーム等を照射した場合、イオンビームが第１の容量電極に到達しないので、容量ばらつきが生じ難い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る圧電振動部品を説明する。
【００４０】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る圧電振動部品の正面断面図及び上方のケースを取り除いた構造を示す平面図である。
【００４１】
図１（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、圧電振動部品１は、矩形板状の基板２を有する。基板２は、アルミナなどの絶縁性セラミックス、あるいは適宜の合成樹脂により構成されている。
【００４２】
本実施形態では、上記基板２と、ケース３とによりパッケージが構成されている。
【００４３】
ケース３は、本実施形態では金属により構成されており、下方に開いた開口を有する。ケース３は、金属以外の合成樹脂等により構成されていてもよい。もっとも、金属によりケース３を構成することにより、パッケージ内を電磁シールドすることができる。
【００４４】
ケース３は、図示しない絶縁性接着剤を用いて基板２の上面に接合されており、それによって基板２とケース３で構成されるパッケージの内部空間が封止されている。
【００４５】
基板２の上面２ａ上には、複数の電極ランド４ａ〜４ｃが形成されている。電極ランド４ａ〜４ｃは、ＡｇやＣｕなどの導電性材料からなる膜により形成されている。
【００４６】
なお、電極ランド４ａ〜４ｃは、上面２ａ上に形成されているだけでなく、基板２の側面２ｂ，２ｃを経て下面２ｄに至るように形成されている。すなわち、電極ランド４ａ〜４ｃは、基板２を巻回するように構成されている。
【００４７】
なお、図１（ｂ）に示されているように、電極ランド４ｂは、基板２の上面２ａ上において中央部分が電極ランド４ｃ側に寄せられて配置されている。
【００４８】
電極ランド４ａ〜４ｃ上に導電性接着剤５ａ〜５ｃを用いて容量素子６が接合されて固定されている。
【００４９】
容量素子６は、誘電体基板６ａと、誘電体基板６ａの上面に構成された一対の第１の容量電極６ｂ，６ｃと、誘電体基板６ａの下面に形成された第２の容量電極６ｄとを有する。
【００５０】
誘電体基板６ａは、適宜の誘電体セラミックスあるいは合成樹脂等により構成される。本実施形態では、誘電体基板６ａは誘電体セラミックスにより構成されている。第１の容量電極６ｂ，６ｃ及び第２の容量電極６ｄは、Ａｇ、Ａｌなどの適宜の導電性材料からなる膜から形成されている。第１の容量電極６ｂ，６ｃと、第２の容量電極６ｄとは、誘電体基板６ａを介して対向されている。すなわち、容量素子６は、第１の容量電極６ｂと、第２の容量電極６ｄとの対向部分、及び第１の容量電極６ｃと第２の容量電極６ｄとの対向部分でそれぞれ容量取出部分が構成されている、３端子型のコンデンサである。
【００５１】
第１の容量電極６ｂ，６ｃは、それぞれ、誘電体基板６ａの端面を経て下面に連なる電極延長部６ｅ，６ｆを有する。下面に至っている電極延長部６ｅ、６ｆは、導電性接着剤５ａ，５ｃにより、電極ランド４ａ，４ｃに接合されている。また、第２の容量電極６ｄは、導電性接着剤５ｂにより電極ランド４ｂに接合されている。
【００５２】
他方、容量素子６上に、導電性接着剤７ａ，７ｂを用いて、圧電共振素子８が接合されている。圧電共振素子は、略ストリップ状の形状を有する。
【００５３】
図２に拡大して示すように、本実施形態では、圧電共振素子８は、細長いストリップ状の圧電体９を用いて構成されている。もっとも、圧電体９においては、上面に傾斜面９ｃ，９ｄが設けられている。傾斜面９ｃ，９ｄは必ずしも設けられずともよい。すなわち、上面は下面と平行な平面とされていてもよい。
【００５４】
すなわち、略ストリップ状の圧電体９の上面に、第１の振動電極１０が、下面に第２の振動電極１１がそれぞれ形成されている。圧電体９は、長さ方向と平行な方向に分極された圧電セラミックスにより構成されている。
【００５５】
第１，第２の振動電極１０，１１が対向している部分が、厚み滑りモードを利用したエネルギー閉じ込め型の振動部を構成している。
【００５６】
図３（ａ），（ｂ）に平面図及び底面図で示すように、第１，第２の容量電極６ｂ〜６ｄの幅方向寸法は誘電体基板６ａの幅方向寸法よりも小さくされている。そして、第１の容量電極６ｂ，６ｃの幅方向寸法は上方に位置している圧電共振素子８の幅方向寸法よりも小さくされている。
【００５７】
なお、第２の容量電極６ｄの幅方向寸法は、第１の容量電極６ｂ，６ｃと等しくされているが、第２の容量電極６ｄの幅方向寸法は第１の容量電極６ｂ，６ｃよりも幅が広くともよく、狭くともよい。
【００５８】
また、図１（ｂ）に示されているように、圧電共振素子８の幅方向寸法に比べて誘電体基板６ａの幅方向寸法が大きくされている。また、平面視したときに、圧電共振素子８の振動部が、誘電体基板６ａに含まれるように、誘電体基板６の幅方向寸法が相対的に大きくされている。
【００５９】
図１（ａ）から明らかなように、本実施形態では、上記振動部の下方に、導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部分が存在しないように、振動部１０と、導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部の位置が定められている。
【００６０】
言い換えれば、振動部は、ストリップ状の圧電体９において、長さ方向中央ではなく、一方の端面９ａ側に寄せられて設けられている。
【００６１】
他方、前述したように電極ランド４ｂは、基板２の上面２ａ上において電極ランド４ｃ側に寄せられている。従って、導電性接着剤５ｂによる接合部分は、圧電体９の端面９ａとは反対側の端面９ｂ側に寄せられている。そのため、導電性接着剤５ａ，５ｂによる接合部間の距離が隔てられ、該接合部間の領域の上方に振動部が位置している。そのため、振動部の下方に、電極ランド４ａ〜４ｃ及び導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部が存在しない。
【００６２】
本実施形態の圧電振動部品１では、周波数調整は、基板２上に、容量素子６及び圧電共振素子８を図示のように実装した状態で、例えばイオンガンによりイオンビームを上方から照射することにより行なわれる。すなわち、イオンビームを上方から照射し、振動部において第１の振動電極１０を薄く削り取り、質量負荷作用を低減することにより周波数調整を行なう。従って、圧電共振素子８のみを周波数調整し、実装した場合に比べて、より高精度に圧電振動部品の周波数を調整することができる。
【００６３】
ところで、イオンビームなどの活性エネルギー線の照射により第１の振動電極１０を加工する場合、ビームは、振動電極１０の幅方向外側にも照射されることになる。しかしながら、本実施形態では、振動部の下方に電極ランド４ａ〜４ｃ及び導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部分が存在しない。従って、イオンビームが導電性接着剤５ａ〜５ｃに照射され難いため、導電性接着剤５ａ〜５ｃ中の導電粉末や樹脂の飛散が生じ難い。よって、短絡不良やマイグレーション不良を効果的に抑制することができる。
【００６４】
加えて、本実施形態では、圧電共振素子８の幅方向寸法よりも、容量素子６の幅方向寸法が大きくされている。そのため、上記振動部にイオンビームが照射され、振動電極１０の幅方向外側において照射されたイオンビームは、下方の容量素子６の誘電体基板６ａの上面によって受け止められることになる。従って、誘電体基板６ａより下方にイオンビームが到達することを確実に抑制することができ、それによっても、導電性接着剤５ａ〜５ｃ等へのイオンビームの到達を防止することができる。
【００６５】
なお、誘電体基板６ａの上面には、前述した第１の容量電極６ｂが形成されているが、第１の容量電極６ｂの幅は、上述したように、圧電共振素子８の幅方向寸法よりも小さくされている。従って、イオンビームは、容量電極６ｂにも到達しない。
【００６６】
よって、本実施形態では、上記のように、振動部１０の下方に導電性接着剤による接合部が存在しないだけでなく、容量素子８の幅方向寸法が振動部の幅方向寸法よりも大きいことによっても、イオンビームの照射によるマイグレーション不良や短絡不良の発生を確実に抑制することができる。
【００６７】
なお、本実施形態では、圧電共振素子８及び容量素子６がいずれも細長いストリップ状の形状を有していたが、圧電共振素子８及び容量素子６は、ストリップ状の形状を有する必要は必ずしもない。従って、細長いストリップ状の形状の場合、並びにその他の形状の場合を含めて考えると、振動部１０の平面形状に比べて振動部の下方に位置している容量素子部分の平面形状が大きく、平面視したときに、振動部が下方の容量素子部分に含まれていれば、上記実施形態と同様に、イオンビームの容量素子よりも下方部分への到達を効果的に抑制し得ることが分かる。
【００６８】
また、その場合、好ましくは、上記実施形態と同様に、容量素子の上面に形成される第１の容量電極は、上記振動部の下方において圧電共振素子の振動部よりも平面形状が小さく、底面視したときに振動部に該容量電極が含まれるように構成されていればよく、それによって容量電極へのイオンビームの到達を防止することができる。
【００６９】
図１〜図３に示した実施形態では、（Ａ）振動部１０の下方に電極ランド４ａ〜４ｃ及び導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部分が存在しないことによる短絡不良及びマイグレーション不良の抑制と共に、（Ｂ）誘電体基板６ａの幅方向寸法を圧電共振素子８の幅方向寸法よりも大きくすることによりイオンビームの電極ランド４ａ〜４ｃ及び導電性接着剤５ａ〜５ｃへの到達を抑制して、短絡不良を防止する２つの構造が採用されていた。本発明においては、第１，第２の構造（Ａ），（Ｂ）は、いずれもイオンビームの照射による周波数調整による短絡不良に寄与するものであり、従って、本実施形態のように双方の構造が採用されている必要は必ずしもなく、構造（Ａ）または構造（Ｂ）の一方の構造のみが採用されていてもよい。
【００７０】
もっとも、圧電振動部品１のように、上記双方の構造が採用されていることが望ましく、それによって短絡不良やマイグレーション不良をより効果的に抑制することができる。
【００７１】
図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電振動部品の正面断面図及びケースを取り去った構造を示す平面図である。
【００７２】
本実施形態では、容量素子２６を構成する誘電体基板２６ａの幅方向寸法は圧電共振素子８の幅方向寸法と等しくされている。従って、第１の実施形態における第２の構造（Ｂ）は採用されていない。
【００７３】
しかしながら、本実施形態においても圧電共振素子８の第１，第２の振動電極１０，１１が対向している振動部の下方に導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部分が存在しない。従って、上方からイオンビームを照射し、振動電極１０を削るように周波数調整を行なったとしてもイオンビームが導電性接着剤５ａ〜５ｃによる接合部に到達し難いため、マイグレーション不良や短絡不良を効果的に抑制することができる。
【００７４】
すなわち、第２の実施形態に係る圧電振動部品２１は、第１の実施形態の圧電振動部品１における上記第１の構造（Ａ）のみが採用されており、上記第２の構造（Ｂ）を有しないことを除いては、第１の実施形態と同様に構成されている。
【００７５】
図５（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る圧電振動部品の正面断面図及び該圧電振動部品からケースを取り除いた状態を示す平面図である。
【００７６】
第３の実施形態に係る圧電振動部品３１では、容量素子３６の構造が、第２の実施形態の容量素子２６と異なっている。その他の点については、第１の実施形態と同様であるため、同一部分については同一の参照番号を付することによりその説明を省略する。
【００７７】
容量素子３６では、誘電体基板３６ａが用いられている。誘電体基板３６ａは、第２の実施形態の誘電体基板２６ａと同様に構成されている。
【００７８】
ここでは、誘電体基板３６ａの上面において、一対の容量電極３６ｂ，３６ｃが、下面に第２の容量電極３６ｄが形成されている。もっとも、第１の容量電極３６ｂ，３６ｃと、第２の容量電極３６ｄとが対向している部分が圧電共振素子８の振動部の下方に存在しない。すなわち、第１の容量電極３６ｂの先端が、振動部の下方よりも第１の容量電極３６ｃ側に延ばされている。そして、第２の容量電極３６ｄは振動部の下方には存在しない。従って、第１の容量電極３６ｂと、第２の容量電極３６ｄとの対向部分が振動部の下方よりも、第１の容量電極３６ｃ側に位置している。
【００７９】
本実施形態においても、ケース３を取り付ける前に、イオンビームを照射し、周波数調整を行なう場合、導電性接着剤５ａ〜５ｃが振動部の下方に存在しないことによって、短絡不良やマイグレーション不良を効果的に防止することができる。加えて、イオンビームが、振動部の側方において、下方に到達したとしても、下方に容量取出部が設けられていないため、すなわちイオンビームが容量電極３６ｂ，３６ｄによる上記容量取出部に到達しないため、容量ばらつきが生じ難い。従って、周波数調整に際してイオンビームを上方から照射したとしても、容量素子３６で取り出される容量のばらつきが生じ難いため、所望通りの特性を有する圧電振動部品を提供することができる。
【００８０】
なお、上述した第１〜第３の実施形態では、１つの圧電体に１つのエネルギー閉じ込め型の振動部が構成されていたが、複数のエネルギー閉じ込め型の振動部が構成されていてもよい。また、厚み滑りモード以外の厚み縦モードなどの他の振動モードが用いられていてもよい。
【００８１】
さらに、イオンビーム以外にレーザー光などを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧電振動部品の正面断面図及びケースが取り除かれた状態を示す平面図。
【図２】第１の実施形態の圧電振動部品で用いられている圧電共振素子を示す斜視図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態で用いられている容量素子の平面図及び底面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る圧電振動部品の正面断面図及びケースが取り除かれた状態を示す平面図。
【図５】（ａ），（ｂ）は、第３の実施形態に係る圧電振動部品の正面断面図及びケースが取り除かれた状態を示す平面図。
【図６】従来の圧電振動部品の分解斜視図。
【符号の説明】
【００８３】
１…圧電振動部品
２…基板
２ａ…上面
３…ケース
４ａ〜４ｃ…電極ランド
５ａ〜５ｃ…導電性接着剤
６…容量素子
６ａ…誘電体基板
６ｂ，６ｃ…第１の容量電極
６ｄ…第２の容量電極
７ａ，７ｂ…導電性接着剤
８…圧電共振素子
９…圧電体
１０，１１…第１，第２の振動電極
２１…圧電振動部品
２６…容量素子
３１…圧電振動部品
３６…容量素子
３６ａ…誘電体基板
３６ｂ，３６ｃ…第１の容量電極
３６ｄ…第２の容量電極
【図１】
2005191681.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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