(57)【要約】【課題】基板本体の表面などに実装する電子部品などのＡｕ系外部電極との接続が強固且つ確実に行えるパッドを含む配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性の基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に形成され且つ内部配線に導通可能なパッド６と、を備え、かかるパッド６は、Ｎｉメッキ層８と、その表面に被覆されたＡｕメッキ層９とを含み、かかるＡｕメッキ層９の表面粗さがＲａで０．４〜０．９μｍの範囲にある、配線基板１。【選択図】  図５
2005332971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板本体と、かかる基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され且つ内部配線に導通可能なパッドと、を備え、
上記パッドは、Ｎｉメッキ層と、その表面に被覆されたＡｕメッキ層とを含み、かかるＡｕメッキ層の表面粗さがＲａで０．４〜０．９μｍの範囲にある、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁性の基板本体と、かかる基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され且つ内部配線に導通可能なパッドと、を備え、
上記パッドは、Ｎｉメッキ層と、その表面に被覆されたＡｕメッキ層とを含み、かかるＡｕメッキ層を４００℃に加熱した時における当該Ａｕメッキ層の表面付近のＮｉ分子量が３０ａｔｍ％以下である、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
絶縁性の基板本体における表面および裏面の少なくとも一方に内部の配線層に導通可能な少なくともＮｉメッキ層を形成する工程と、
上記Ｎｉメッキ層を６００℃以上の温度域で熱処理する工程と、
上記熱処理されたＮｉメッキ層の表面にＡｕメッキ層を形成する工程と、
を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の表面などに実装する電子部品などの外部電極との接続が強固に行えるパッドを含む配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ用の絶縁基体（基板本体）において、かかる絶縁基体の表面に半導体素子などの電子部品を実装するため、上記絶縁基体の表面に露出する配線導体の上に無電解Ｎｉメッキ層とＡｕメッキ層との２層からなる接続パッドを形成し、前記Ｎｉメッキ層の表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）を０．５〜１．５μｍとした配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記配線基板では、絶縁基体の表面に位置する接続パッドの上方に半導体素子の外部電極を対向させ、これら両者の間に半田ボールを介在して接続することにより、接続パッドを構成する上記Ｎｉメッキ層とＡｕメッキ層との剥離を防いで高い密着強度が得られるものである。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３１７５４号公報（第１〜５頁、図１，２）
【０００４】
しかしながら、前記配線基板において、接続パッドのＡｕメッキ層と電子部品のＡｕからなるバンプ（外部電極）とを接続するＡｕ−Ａｕ接合を行った場合、外力を受けると上記Ａｕメッキ層と上記バンプとのＡｕ−Ａｕ接合の界面において、容易に離間するか、あるいは破壊してしまう、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術における問題点を解決し、基板本体の表面などに実装する電子部品などのＡｕ系外部電極との接続が強固且つ確実に行えるパッドを含む配線基板およびその製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、パッドの表面を覆うメッキ層のうち、上層Ａｕのメッキ層における表面粗さまたは当該Ａｕメッキ層の表面付近の加熱時におけるＮｉ分子量を最適化する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の第１の配線基板（請求項１）は、絶縁性の基板本体と、かかる基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され且つ内部配線に導通可能なパッドと、を備え、かかるパッドは、Ｎｉメッキ層と、その表面に被覆されたＡｕメッキ層とを含み、かかるＡｕメッキ層の表面粗さがＲａ（中心線平均粗さ）で０．４〜０．９μｍの範囲にある、ことを特徴とする。
付言すれば、前記配線基板は、前記Ａｕメッキ層の表面粗さがＲｚ（十点平均粗さ）で４〜９μｍの範囲にある、ものとすることも可能である。
【０００７】
これによれば、パッドの表層を覆うＡｕメッキ層の表面粗さ（Ｒａ）が０．４〜０．９μｍ（Ｒｚで４〜９μｍ）になるように、かかるＡｕメッキ層の直下に位置するＮｉメッキ層の表面粗さが予め設定され且つその組織が結晶化されている。このため、当該パッド上にＩＣチップなどの電子部品の外部電極であるＡｕバンプを載置し且つ加熱した場合、Ａｕメッキ層とＡｕバンプとのＡｕ−Ａｕ接合による接続が強固且つ確実に行える。従って、基板本体の表面などに実装をする電子部品の動作を容易に保障することが可能となる。
上記Ａｕメッキ層の表面粗さがＲａ（中心線平均粗さ）で０．４μｍ未満になると、前記基板の表面に実装する電子部品側のＡｕバンプとのＡｕ−Ａｕ接合を強固に行えず、外力によりＡｕメッキ層と上記Ａｕバンプとの界面で破断し易くなるので、かかる範囲を除いた。一方、Ａｕメッキ層の表面粗さがＲａで０．９μｍを越えると、Ａｕ−Ａｕ接合の接合強度が飽和し且つ原料および製造コストの少なくとも一方が高くなるため、かかる範囲を除いた。
尚、前記絶縁性の基板本体には、内部に配線層（内部配線）を有し且つかかる配線層同士の間または配線層とパッドとの間を接続するビア導体などを有するセラミックまたは合成樹脂製のものが含まれる。また、基板本体の前記表面には、当該表面に開口したキャビティの底面も含まれる。
【０００８】
また、本発明の第２の配線基板（請求項２）は、絶縁性の基板本体と、かかる基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され且つ内部配線に導通可能なパッドと、を備え、前記パッドは、Ｎｉメッキ層と、その表面に被覆されたＡｕメッキ層とを含み、かかるＡｕメッキ層を４００℃に加熱した時における当該Ａｕメッキ層の表面付近のＮｉ分子量が３０ａｔｍ％以下である、ことを特徴とする。
これによれば、上記パッド上にＩＣチップなどの電子部品の外部電極であるＡｕバンプを載置し且つ上記温度で加熱した場合、当該パッドの表層を覆うＡｕメッキ層の表面付近における直下のＮｉメッキ層からのＮｉ分子の拡散量が３０ａｔｍ％以下に抑制される。従って、Ａｕメッキ層とＡｕバンプとのＡｕ分子の相互拡散を伴うＡｕ−Ａｕ接合による接続が強固且つ確実に行えるため、基板本体の表面などに実装をする電子部品の動作を容易に保障することが可能となる。
【０００９】
上記Ａｕメッキ層の表面付近における４００℃に加熱した時におけるＮｉ分子量が３０ａｔｍ％を越えると、当該Ａｕメッキ層の表面付近におけるＡｕ濃度が低下し、前記ＡｕバンプとのＡｕ−Ａｕ接合を強固に行えなくなるため、かかる範囲を除いた。
尚、Ａｕメッキ層の表面付近にＮｉ分子が存在するのは、後述する基板基板の表面に電子部品を実装する際におけるＡｕバンプの加熱時に、直下のＮｉメッキ層からＮｉ分子が拡散して浸透するためである。また、上記Ａｕメッキ層の表面付近とは、当該のＡｕメッキ層の表面から深さ約５ｎｍ付近までを指す。更に、上記Ｎｉ分子量の測定には、例えばＡｕｇｅｒを使用した表面分析法が用いられる。
付言すれば、前記Ａｕメッキ層を３００℃に加熱した時における当該Ａｕメッキ層の表面付近のＮｉ分子量が１５ａｔｍ％以下である、配線基板も含まれる。
【００１０】
一方、本発明の配線基板の製造方法（請求項３）は、絶縁性の基板本体における表面および裏面の少なくとも一方に内部の配線層に導通可能な少なくともＮｉメッキ層を形成する工程と、かかるＮｉメッキ層を６００℃以上の温度域で熱処理する工程と、かかる熱処理されたＮｉメッキ層の表面にＡｕメッキ層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、上記熱処理によりＮｉメッキ層の組織が結晶化されるため、その表面に形成されるＡｕメッキ層の表面粗さを前記範囲とした前記第１の配線基板、および電子部品の実装に際しての加熱時にＡｕメッキ層の表面付近におけるＮｉ分子量を前記値以下とした前記第２の配線基板を確実に製造することができる。
【００１１】
付言すれば、前記Ｎｉメッキ層の熱処理は、６００〜１２００℃、望ましくは９００〜１０００℃の温度域で約１０〜３０分間にわたり加熱し且つ保持するものである、配線基板の製造方法とすることも可能である。
尚、上記熱処理の温度が６００℃未満になると、電解Ｎｉメッキにより析出したＮｉメッキ層の金属組織の結晶化が進行せず、前述したＡｕメッキ層の表面粗さが得られないと共に、Ａｕメッキ層の表面付近における前記Ｎｉ分子量よりも高くなり得るため、かかる範囲を除外した。一方、上記熱処理の温度が１２００℃を越えると、Ｎｉの融点（１４４５℃）に近付き、Ｎｉメッキ粒子が凝集し始め、ポーラスな組織になる得るため、かかる範囲を除外したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における第１および第２の配線基板１を示す斜視図であり、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１，２に示すように、絶縁性の基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口したキャビティ５の底面（表面）に格子状の配置で形成された複数のパッド６と、を備えている。基板本体２は、アルミナを主成分とするセラミックからなり、図１に示すように、厚み方向に沿った視覚でほぼ正方形を呈する直方体であると共に、その表面３に開口するキャビティ５は、上記視覚でほぼ正方形を呈している。また、各パッド６は、基板本体２の厚み方向に沿った視覚で円形を呈する。
【００１３】
前記基板本体２は、アルミナを主成分とする複数のグリーンシートを積層し且つ焼成したものであって、内部に図示しない所定パターンを呈する複数の配線層（内部配線）と、これらの間および最上層の配線層と上記各パッド６との間を接続するビア導体ｖを有している。かかるビア導体ｖおよび上記配線層は、ＷまたはＭｏを主成分とする金属焼結体である。
図２の断面図で示すように、複数のパッド６の底面には、ビア導体ｖが個別に接続され、かかるビア導体ｖを介して内部の配線層と導通可能とされている。尚、基板本体２の底面４にも、ビア導体ｖを介して内部の配線層と導通する所要数のパッド６を形成しても良い。
【００１４】
図２中の一点鎖線部分Ｙを拡大した断面である図３〜図５により、パッド６を含む配線基板１の製造方法を説明する。
予め、前述した工程により、図３に示すように、キャビティ５およびその底面に位置する複数の導体層７を有する基板本体２を形成する。導体層７は、ＷまたはＭｏを主成分とする金属焼結体であり、直径：約０．１ｍｍ×厚み：約５０μｍの円盤形状を呈する。かかる導体層７は、基板本体２の表面３に所定パターンでスクリーン印刷したＷなどを主成分とする導電性ペーストを、基板本体２を形成する複数のグリーンシートの焼成と同時に焼結したものである。
【００１５】
次に、ビア導体ｖおよび導体層７を一方のメッキ電極として、かかる導体層７の表面に、電解Ｎｉメッキを施す。その結果、図４に示すように、複数の導体層７の表面には、厚みが約１〜１０μｍのＮｉメッキ層８が個別に被覆される。
かかる状態で、Ｎｉメッキ層８がそれぞれ被覆された複数の導体層７を有する基板本体２を、６００℃〜１２００℃、望ましくは９００℃〜１０００℃の温度域に１０分〜数１０分間にわたり加熱する熱処理を行う。この結果、Ｎｉメッキ層８は、内部の金属組織が結晶化すると共に、Ｎｉ粒子が粒成長し大きくなる。
【００１６】
次いで、ビア導体ｖ、導体層７、およびＮｉメッキ層８を一方のメッキ電極として、かかるＮｉメッキ層８の表面に、電解Ａｕメッキを施す。
その結果、図５に示すように、複数の導体層７におけるＮｉメッキ層８の表面には、厚みが約０．１〜０．５μｍのＡｕメッキ層９が個別に被覆される。かかるＡｕメッキ層９の表面粗さは、直下に位置するＮｉメッキ層８の前記表面粗さに影響され、Ｒａで０．４〜０．９μｍ（Ｒｚで４〜９μｍ）の範囲となる。
これにより、図５に示すように、導体層７と、その表面に被覆されたＮｉメッキ層８およびＡｕメッキ層９と、からなる複数のパッド６がキャビティ５の底面に形成されると共に、前記図１，２で示した配線基板１が得られる。
【００１７】
更に、図６に示すように、配線基板１における複数のパッド６の上に、例えばＩＣチップ（電子部品）１０の底面１１に位置する図示しない複数の外部電極に予め個別に取り付けたＡｕバンプ１２を載置した後、かかる状態で配線基板１およびＩＣチップ１０を、例えば１５０℃乃至３００℃に加熱しながら、これらに対して超音波振動と圧力とを加える。
この結果、図７で拡大して示すように、配線基板１のパッド６の表面におけるＡｕメッキ層９と、ＩＣチップ１０側のＡｕバンプ１２とにそれぞれ含まれるＡｕ分子が相互に拡散するため、両者は高い強度を伴ったＡｕ−Ａｕ接合により接合される。
これにより、ＩＣチップ１０は、Ａｕバンプ１２およびＡｕメッキ層９を含むパッド６を介して、基板本体２内のビア導体ｖや配線層と確実に導通され、所要の動作を確実に発揮できると共に、不用意な外力によってパッド６から脱落する事態を確実に回避することが可能となる。
【実施例】
【００１８】
以下において、本発明の具体的な実施例を比較例と併せて説明する。
アルミナを主成分とし、縦×横：５０ｍｍ×５０ｍｍ・厚み：２ｍｍの外形で且つ表面３に一辺が４０ｍｍで且つ深さ１ｍｍのキャビティ５を有する基板本体２を同じ製造条件で複数個用意した。これらの基板本体２におけるキャビティ５の底面には、直径：約０．１ｍｍ×厚み：約５０μｍでＷを主成分と導電体７が縦×横：４個ずつ合計１６個が格子状の配置で形成されている。
各基板本体２における各導電体７の表面に対し、同じ条件で電解Ｎｉメッキを施して、厚みが３．５μｍのＮｉメッキ層８をそれぞれ個別に被覆した。
【００１９】
Ｎｉメッキ層８が被覆された導電体７を有する複数の基板本体２を、７００℃、８５０℃、１０００℃、１２００℃に個別に加熱し且つ１０分間にわたり保持する熱処理を行った。尚、一部の基板本体２に対しては、かかる熱処理をしなかった。上記７００℃、８５０℃、１０００℃、１２００℃で熱処理した基板本体２を、熱処理の温度別に実施例１〜４とし、且つ未熱処理の基板本体２を比較例１として、それぞれ２０個ずつ用意した。
次に、熱処理後の基板本体２または未熱処理の基板本体２における各Ｎｉメッキ層８の表面に対し、同じ条件で電解Ａｕメッキを施して、厚みが０．４μｍのＡｕメッキ層９をそれぞれ個別に被覆して１６個のパッド６を形成した。上記Ａｕメッキ後の実施例１〜４および比較例１の配線基板（１）におけるＡｕメッキ層９の表面粗さ（Ｒａ）を測定し、各例ごとの平均値を算出した。その結果を図８のグラフに示した。
【００２０】
図８のグラフによれば、実施例１〜４の配線基板１におけるＡｕメッキ層９の表面粗さ（Ｒａ）は、０．５〜０．６μｍであり、比較例１の配線基板におけるＡｕメッキ層９の表面粗さ（Ｒａ）は、０．３μｍであった。
２０個ずつの実施例１〜４および比較例１の配線基板（１）におけるパッド６のＡｕメッキ層９上に、上記パッド６と同数のＡｕバンプ１２を個別に載置し、１５０℃×１秒間加熱し、両者の界面でＡｕ−Ａｕ接合を行った。
更に、上記接合後のＡｕバンプ１２の上面にＡｕワイヤの一端を当接した状態で、１５０℃に加熱しながら、超音波振動と圧力（荷重：８８２ｍＮ、時間：６０ｍ秒）とを加えて接合を行った。
【００２１】
そして、各例の配線基板（１）におけるＡｕバンプ１２の側面に対し、基板本体２の表面３に沿った外力を加えるショア試験（ショア速度：１００μｍ／秒、ショア高さ：１０μｍ）をそれぞれ行って、破断する位置を観察した。
その結果、実施例１〜４の配線基板１では、２０個ずつの全てが前記Ａｕバンプ１２とＡｕワイヤとの間で破断した。これに対し、比較例１の配線基板では、２０個の全てが前記パッド６とＡｕバンプ１２との間で破断した。
かかる結果から、実施例１〜４の配線基板１では、そのパッド６のＮｉメッキ層８を予め熱処理し、その金属組織の結晶化を促進することで、表層のＡｕメッキ層９の表面粗さ（Ｒａ）が前記値になり且つ当該Ａｕメッキ層９へのＮｉ分子の拡散が抑制されたため、パッド６とＡｕバンプ１２との間において、Ａｕ分子同士の相互拡散を伴う前記Ａｕ−Ａｕ接合が強固に行われたものと思われる。
【００２２】
次いで、前記と同数の導電体７を有し且つ前記と同じサイズの基板本体２を複数個用意し、各導電体７に電解Ｎｉメッキを同じ条件で施し且つ同じ厚みで形成した後、複数の上記基板本体２の一部を７００℃に加熱し且つ１０分間にわたり保持する熱処理を行うと共に、残りの基板本体２は熱処理しなかった。
上記熱処理した基板本体２と未熱処理の基板本体２とにおける各Ｎｉメッキ層８の表面に対し、同じ条件で電解Ａｕメッキを施して、厚みが０．４μｍのＡｕメッキ層９をそれぞれ個別に被覆し、前記と同じパッド６を形成した。
熱処理した２０個ずつの基板本体２を、未加熱、２５０℃×１０分間、３００℃×１０分間の加熱、または４００℃×１０分間に加熱することで４区分し、実施例５〜８とした。一方、未熱処理の２０個ずつの基板本体２を、未加熱、２５０℃×１０分間、３００℃×１０分間の加熱、または４００℃×１０分間に加熱することで４区分し、比較例２〜５とした。
尚、上記加熱条件は、パッド６と前記Ａｕバンプ１２とをＡｕ−Ａｕ接合する際の条件とみなしたものである。
【００２３】
各例のパッド６におけるＡｕメッキ層９の表面をＡｕｇｅｒを用いて表面分析し、かかるＡｕメッキ層９の表面におけるＮｉ分子量を測定し、各例ごとにその平均値を算出した。その結果を、図９のグラフに示した。
図９のグラフによれば、未加熱の実施例５および比較例２では、Ａｕメッキ層９の表面におけるＮｉ分子量はそれぞれほぼ皆無であった。
一方、２５０℃、３００℃、または４００℃に加熱した実施例６〜８では、Ａｕメッキ層９の表面におけるＮｉ分子量は約７．５ａｔｍ％、約１０ａｔｍ％、または約２０ａｔｍ％に留まったのに対し、同様に加熱した比較例３〜５では、上記Ｎｉ分子量は約１６ａｔｍ％、約２２ａｔｍ％、または約６４ａｔｍ％と著しく高くなった。
かかる結果から、Ｎｉメッキ層８に前記熱処理してからＡｕメッキ層９を被覆した実施例６〜８のように、ＩＣチップなどの電子部品側のＡｕバンプとＡｕ−Ａｕ接合する際の加熱時に、Ｎｉメッキ層８からのＮｉ分子がＡｕメッキ層９中に拡散するのを抑制することで、強固なＡｕ−Ａｕ接合が可能となることが判明した。同時に、この結果は、前記実施例１〜４の効果を裏付けるものでもあった。
【００２４】
本発明は、以上において説明した実施の形態および実施例に限定されない。
図１０は、本発明の異なる形態である第１および第２の配線基板１ａを示し、前記同様のアルミナなどからなる基板本体２ａは、その表面３が平坦で且つ前記キャビティ５を有していない。かかる平坦な表面３に前記同様のパッド６を複数個形成している。尚、上記基板本体２ａの裏面４に複数のパッド６を形成しても良い。
【００２５】
図１１は、異なる形態のパッド６ａ付近の断面を示す。かかるパッド６ａは、図１１に示すように、前記同様の基板本体２（２ａ）の表面３に内部の配線層（内部配線：図示せず）に接続する比較的太径のビア導体ｖの上端面が露出しており、かかるビア導体ｖの上端面に、電解ＮｉメッキによるＮｉメッキ層８を形成し、当該Ｎｉメッキ層８に前記同様の熱処理を施した後、その表面に前記同様のＡｕメッキ層９を形成したものである。即ち、基板本体２の表面３上に、熱処理したＮｉメッキ層８およびＡｕメッキ層９のみからなるパッド６ａを複数個形成したものである。
図１１に示すように、パッド６ａの上に、ＩＣチップ１０の外部電極に予め個別に固着したＡｕバンプ１２を載置した後、かかる状態で配線基板１およびＩＣチップ１０を、１５０℃乃至３００℃に加熱しながら、これらに対して超音波振動と圧力とを加える。
【００２６】
すると、図１１に示すように、パッド６ａの表面におけるＡｕメッキ層９と、ＩＣチップ１０側のＡｕバンプ１２とにそれぞれ含まれるＡｕ分子が相互に拡散するため、両者は高い強度を伴ったＡｕ−Ａｕ接合により接合される。
この結果、ＩＣチップ１０は、Ａｕバンプ１２およびＡｕメッキ層９を含むパッド６ａを介して、基板本体２（２ａ）内のビア導体ｖや配線層と確実に導通され、所要の動作を確実に発揮できると共に、不用意な外力によりパッド６ａから脱落する事態を確実に回避することが可能となる。
【００２７】
また、前記パッド６，６ａは、基板本体２の裏面４に設けても良い。これにより、前記配線基板１，１ａを実装するマザーボードなどのプリント基板との導通を、Ａｕバンプなどを介して確実に取ることが可能となる。
あるいは、前記配線基板１，１ａの基板本体２，２ａの表面３および裏面４の双方に、前記パッド６，６ａを形成することも可能である。
更に、前記パッド６，６ａは、基板本体２，２ａの厚み方向に沿った視角で、前記円形のほか、ほぼ正方形や長方形のような矩形を呈する形態としても良い。
加えて、前記基板本体２，２ａは、例えばエポキシ系の合成樹脂を主成分とする絶縁性のものとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の配線基板の１形態を示す斜視図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線に沿った矢視における断面図。
【図３】図２中の一点鎖線部分Ｙの拡大図で且つ上記配線基板の製造方法における１製造工程を示す概略図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略図。
【図６】前記配線基板の表面に電子部品を実装した状態を示す概略図。
【図７】図６中のパッドとＡｕバンプとの接続部を示す拡大図。
【図８】実施例と比較例の配線基板におけるパッドの表面粗さを示すグラフ。
【図９】実施例と比較例の配線基板におけるパッドのＡｕメッキ層の表面付近におけるＮｉ分子量を示すグラフ。
【図１０】異なる形態の配線基板を示す斜視図。
【図１１】異なる形態のパッドおよびその付近を示す概略図。
【符号の説明】
【００２９】
１，１ａ…配線基板
２，２ａ…基板本体
３…………表面
４…………裏面
５…………キャビティ（表面）
６，６ａ…パッド
８…………Ｎｉメッキ層
９…………Ａｕメッキ層
【図１】
2005332971.tif 000003
【図２】
2005332971.tif 000004
【図３】
2005332971.tif 000005
【図４】
2005332971.tif 000006
【図５】
2005332971.tif 000007
【図６】
2005332971.tif 000008
【図７】
2005332971.tif 000009
【図８】
2005332971.tif 000010
【図９】
2005332971.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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