(57)【要約】【課題】端子パターンの増加においても小型化及び良好な特性を実現可能な、高周波モジュールなどに好適に用いられる配線基板を提供する。【解決手段】複数の誘電体層を積層してなる積層基板１の下面に、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１および接地用端子パターン１２を形成してなる配線基板において、接地用端子パターン１２ａを積層基板１下面中央部に配置し、接地用端子パターン１２ａの全周囲または周囲の一部に、信号用端子パターン１０とバイアス用端子パターン１１とを、または信号用端子パターン１０とバイアス用端子パターン１１と他の接地用端子パターン１２ｂとを、中央部接地用端子パターン１２ａの稜線と平行に、複数列配置するか、または中央部接地用端子パターンの内側に信号用端子パターン１０あるいはバイアス用端子パターン１１を配置する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層を積層してなる積層基板の下面に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンおよび接地用端子パターンを形成してなる配線基板において、
前記接地用端子パターンを前記積層基板下面中央部に配置し、該接地用端子パターンの全周囲または周囲の一部に、信号用端子パターンとバイアス用端子パターンとを、または信号用端子パターンとバイアス用端子パターンと他の接地用端子パターンとを、前記中央部の接地用端子パターンの稜線と平行に、複数列配置したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記積層基板下面中央部に配置された接地用端子パターンの周囲に複数配列された端子パターンの最外周列に、他の接地用端子パターンを割り当てたことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
複数の誘電体層を積層してなる積層基板の下面に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンおよび接地用端子パターンを形成してなる配線基板において、
前記接地用端子パターンを前記積層基板下面中央部に配置するとともに、該接地用端子パターンの内側に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンの少なくとも１つを配置したことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記積層基板下面に配置された端子パターンのうち、基板下面の中央部に形成した接地用端子パターンの面積が、基板下面に形成した端子パターンの中で最も大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記積層基板下面に配置された端子パターンのうち、中央部の接地用端子パターンにサーマルビアが接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記信号用端子パターン、前記バイアス用端子パターン、前記接地用端子パターンのいずれかまたはすべてに、オーバーコート層を各パターンの一部が露出するように被覆することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチバンド対応移動無線端末機等に搭載される高周波モジュールに好適な配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話端末機の普及が進みつつあり、携帯電話端末機の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話端末機として、マルチバンド対応携帯電話端末機の提案がなされている。マルチバンド対応携帯電話端末機は、通常の携帯電話端末機が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、２つ以上の送受信系を取り扱うことができるものである。これにより、地域や使用目的等応じて、利用者が都合の良い送受信系を選択して利用することができる。
【０００３】
マルチバンドの例として、欧州では９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobile Communication)システムと、１８００ＭＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Digital Cellular System)システムがある。さらに、北米では、ＧＳＭの他、１９００ＭＨｚ帯を使用したＰＣＳ(Personal Communication Services)システムがある。
【０００４】
例えば、一般的なＧＳＭ／ＤＣＳ方式デュアルバンド携帯電話機の高周波回路においては、通過帯域の異なる２つの送受信系を各送受信系ＧＳＭ／ＤＣＳに分波し、各送受信系ＤＣＳ、ＧＳＭにおいてそれぞれ送信系ＴＸと受信系ＲＸとの切替を行うアンテナスイッチモジュールＡＳＭを備えるとともに、送受信系ＤＣＳの送信系ＴＸ、受信系ＲＸと、送受信系ＧＳＭの送信系ＴＸ、受信系ＲＸとを備える。
【０００５】
送信系ＴＸは、各送受信系ともに方向性結合回路（カップラ）、電力増幅回路ＡＭＰを備える。電力増幅回路ＡＭＰは、電力増幅回路ＭＭＩＣと整合回路とからそれぞれ構成されている。送信時には、ＴＸ側電力増幅回路ＡＭＰで増幅された送信信号は、方向性結合回路（カップラ）、さらに低域通過フィルタ、スイッチ回路、分波回路からなるアンテナスイッチモジュールＡＳＭを経由してアンテナＡＮＴから高周波信号として送信される。
【０００６】
一方、受信系ＲＸは帯域通過フィルタおよび低ノイズ増幅回路を備える。受信時には、アンテナＡＮＴで受信された高周波信号はアンテナスイッチモジュールＡＳＭ１を介して取り出され、帯域通過フィルタにて受信帯域近傍の不要信号が除去された後、ＲＸ側低ノイズ増幅器ＡＭＰにて増幅される。
【０００７】
前記デュアルバンド方式の携帯電話機では、各通信システムの構成に必要な送受信回路を搭載する必要があるが、それぞれの通信システムに見合った個別の専用部品を用いて回路を構成すれば、機器の大型化、高コスト化を招来することとなる。そこで、共通可能な回路部分は、可及的に共通化するようにして機器の小型化、低コスト化を有利に展開することが要請される。またさらに、携帯電話の大部分の電力を消費する送信用電力増幅器の電力付加効率を向上させることが要求されている。
【０００８】
このような要求に対して、例えば、特開２００２−２９０２５７号公報には複合小型化を図る無線通信用フロントエンドモジュールＲＦＭ１が開示されている。この無線通信用フロントエンドモジュールＲＦＭ１においては、送信用電力増幅回路、方向性結合回路、整合回路、アンテナスイッチモジュールを１つのフロントエンドモジュールとして１つの積層基板内にモジュール化したものが提案されている。
【０００９】
また、従来の高周波モジュールにおいては、図８の平面図に示すように、モジュール基板３０の端面に、信号用端子パターン３１、バイアス用端子パターン３２、接地用端子パターン３３が設けられており、接地用端子パターン３３は、中央部に形成されている。また、図９の平面図に示すように、モジュール基板４０の下面に、信号用端子パターン４１、バイアス用端子パターン４２、接地用端子パターン４３が設けられており、信号用端子パターン４０、バイアス用端子パターン４２、接地用端子パターン４３が形成され、中央部に接地用パターン４３が形成されている。
【特許文献１】特開２００２−２９０２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、今後の市場動向をふまえると、携帯電話端末機を用いた高品質の音声や画像等のデータ伝送が行なわれることが予想され、これらに対応するために、符号分割多重接続方式であるＣＤＭＡ(Code Division Multiple Access)や、高速データ伝送レートや通信チャネルの多重化を特徴とした次世代通信システムＵＭＴＳといった大容量データ伝送可能な通信システムの構築が進みつつある。また近年では、衛星からの信号を受信することにより、地球上の現在地を精度良く測位することのできるＧＰＳ(Global Positioning System)が搭載された携帯電話端末機も普及しつつある。
【００１１】
このように複数の通信システムへ対応するため、１つのモジュールでさらに多くのバンドに対応する必要が生じている。
【００１２】
このようにマルチバンド化が進み、１つのモジュールでさらに多くのバンドに対応する必要が生じた場合、バンド数に比例した表層スペースが必要となり、モジュールには、ますます小型化が要求される。
【００１３】
このような小型化、高機能化の要求に対し、従来の高周波モジュールの端子配置は、基板下面中央部に接地用パターンを配し、基板下面外周部に信号用端子パターン、バイアス用端子パターン、接地用端子パターンが配されていることから、無駄な配線の引き回しによる挿入損失の増加、パターン間の干渉による特性の悪化、パターン配置の制約を招き、小型化及び高機能化に限界がある。
【００１４】
本発明は、かかる問題点を解消するためになされたもので、端子パターンの増加においても小型化及び良好な特性を実現可能な、高周波モジュールなどに好適に用いられる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層基板の下面に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンおよび接地用端子パターンを形成してなる配線基板において、前記接地用端子パターンを前記積層基板下面中央部に配置し、該接地用端子パターンの全周囲または周囲の一部に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターン、及び他の接地用端子パターンを前記中央部の接地用端子パターンの稜線と平行に、複数列配置したことを特徴とするものである。
【００１６】
これにより、第１に、多層基板の積層方向への透視図において、多層基板内に素子を構成可能な面積に対する多層基板を外部基板に実装するために必要な面積の割合を最小限に留めることが可能となり、回路素子の密度を最大限に向上させることができる。第２に、各回路を構成するパターンの配置の制約が無くなり、小型化、高機能化の実現、無駄な配線の引き回しをなくし、挿入損失の増加やパターン間の干渉による特性劣化を防ぐことができる。
【００１７】
また、かかる配線基板においては、積層基板下面中央部に配置された接地用端子パターンの周囲に複数配列された端子パターンの最外周列に、他の接地用端子パターンを割り当てていることが望ましい。
【００１８】
これにより、積層基板下面の中央部、外周部に接地用端子パターンが配置され、モジュール内部のグランド電位の安定化及び強化が可能である。また、モジュールの四方を接地用端子パターンで囲うことから、高周波モジュールから外部への高周波信号の放射、並びに外部から高周波モジュールへの高周波信号の入射を防止し、誤動作を防ぐことが可能となる。
【００１９】
また、本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層基板の下面に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンおよび接地用端子パターンを形成してなる配線基板において、前記接地用端子パターンを前記積層基板下面中央部に配置するとともに、該接地用端子パターンの内側に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンの少なくとも１つを配置することが望ましい。
【００２０】
これにより、積層基板上方からみて、積層基板表層に搭載される部品および、または積層基板内層回路パターンの下部にあたる場所に積層基板下面で、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンが形成でき、内層回路パターンの無駄な引き回しを行う必要がなくなり、挿入損失の悪化や、他のパターンとの干渉を防止できる。また、端子パターンの配置に制約が無くなることから、モジュールの小型化が可能である。
【００２１】
また、本発明の配線基板においては、前記積層基板下面に配置された端子パターンのうち、基板下面の中央部に形成した接地用端子パターンの面積が、基板下面に形成した端子パターンの中で最も大きいことが望ましい。これにより、モジュール基板内部のグランド電位の安定化及び強化が可能である。
【００２２】
本発明では、積層基板下面に配置された端子パターンのうち、中央部の接地用端子パターンにサーマルビアが接続されていることが望ましい。これにより、配線基板の熱による特性劣化、配線基板の表面に実装された素子の熱による損傷を防ぐことができる。特に、面積の大きい接地用端子パターンに接続することで、放熱効果を高めることが可能である。
【００２３】
本発明では、前記信号用端子パターン、前記バイアス用端子パターン、前記接地用端子パターンのいずれかまたはすべてに、オーバーコート層を各パターンの一部が露出するように被覆することが望ましい。
【００２４】
これにより、積層基板を外部基板に実装する際に前記各端子パターンが半田を介して接続して高周波モジュールがショートモードの故障を起こす確率を減少することができる。また、半田を介して接続される端子パターンの面積を均一化でき、実装の安定性、強度を高めることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の配線基板は、積層基板下面に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターン、接地用端子パターンが形成され、積層基板下面の中央部に接地用端子パターンが形成され、接地用端子パターンの全周囲または周囲の一部に、信号用端子パターン、バイアス用端子パターン、及び／又は接地用端子パターンを複数列配列することで、無駄な配線の引き回しをする必要がなくなり、パターン間の干渉やインピーダンス変化に伴う特性の劣化を防ぐことができる。また、本発明の高周波モジュールでは、積層基板内部のパターン配置や端子の配置の制約がなくなり、小型化、高機能化を実現できる。
【００２６】
さらに、携帯電話などの高周波モジュールにおいて、デュアルバンド方式から、トリプルバンド方式、４つ以上のバンドに適合可能なマルチバンド方式バンド数が増加することに伴い端子パターン数が増加する場合においても配線基板のサイズを小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は、本発明に係る配線基板の一例として高周波モジュールにおける回路のブロック図である。高周波モジュールＲＦＭ１０は、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系ＤＣＳ/ＰＣＳ、ＧＳＭに分ける分波回路ＤＩＰ１０と、各送受信系ＤＣＳ/ＰＣＳ、ＧＳＭを送信系ＴＸと受信系ＲＸとにそれぞれ切りかえるスイッチ回路ＳＷ１０、ＳＷ２０と、スイッチ回路ＳＷ１０、ＳＷ２０の各送信系ＴＸ側に設けられた、増幅器ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０の出力をモニタするカップラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０と、増幅器ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０を構成する整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０、増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０で構成されている。
【００２８】
増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０は、入力信号を増幅させる機能を持ち、小型化、高効率化を図るためにＧａＡｓ  ＨＢＴ（ガリウム砒素ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）構造を有した半導体素子で形成されている。なお、本実施例ではＧａＡｓ  ＨＢＴ  半導体素子を増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０に用いているが、Ｐ−ＨＥＭＴ構造のＧａＡｓ半導体素子やシリコントランジスタで形成された半導体素子を用いてもよい。
【００２９】
また、カップラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０からの出力モニタ信号を受け、増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０の出力電力を制御する自動出力制御用ＩＣ（ＡＰＣ用ＩＣ）が含まれてもよい。
【００３０】
整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０は、それぞれ増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０の出力インピーダンスである０．５〜２Ωを３０〜５０Ωまでのインピーダンスに変換させる機能のほか、増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０の増幅性能を最大限まで引き出すための機能、及びカップラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０と電力増幅器ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０間のインピーダンスを調整するためのものである。この電力増幅器ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０は前述の増幅回路ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０と整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０とから構成されている。
【００３１】
本発明における送信用高周波モジュールＲＦＭ１０では、図２の概略断面図に示すように、誘電体層を複数積層してなる積層基板１上に、分波回路ＤＩＰ１０、スイッチ回路ＳＷ１０、ＳＷ２０、カップラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０、整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０を構成する、コンデンサ、インダクタ、ダイオード等のチップ部品２（集中定数素子）を設け、また、分波回路ＤＩＰ１０、スイッチ回路ＳＷ１０、ＳＷ２０、カップラＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０、整合回路ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０の少なくとも１つが、積層基板内に分布定数線路３やコンデンサ用電極４によって形成されている。
【００３２】
例えば、分波回路ＤＩＰ１０が、誘電体層間に形成されたコンデンサ用電極４と分布定数線路３、チップ部品２を有し、スイッチ回路ＳＷ１０、２０が、積層基板１表面に搭載されたダイオード、抵抗、コンデンサ、インダクタのチップ部品２と、誘電体層間に形成されたコンデンサ用導体４とを有し、カップラＣＯＰ１０、２０が、誘電体層間に形成された分布定数線路３と、積層基板表面に搭載されたコンデンサ、抵抗のチップ部品２とを有し、電力増幅器ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０が、積層基板表面のキャビティ５内に設けられた高周波増幅用半導体素子６と、誘電体層間に形成された分布定数線路３と、積層基板表面に搭載されたコンデンサ、抵抗のチップ部品２、分布定数線路３とにより構成される。
【００３３】
また、積層基板１の下面には、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１および接地用端子パターン１２が設けられている。図３に、本発明の一実施例における積層基板１の下面における端子パターンの配置例を示す。図３の配置によれば、基板下面のほぼ中央部に接地用端子パターン１２ａが形成されており、その接地用端子パターン１２ａの全周囲において、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１、及び他の接地用端子パターン１２ｂが中央部の接地用端子パターン１２ａの縁部と平行に、２列にわたって配置されている。これにより、端子パターンの増加に対しても柔軟に対応でき、端子パターンの高密度化を図ることができる。なお、この図３においては、中央部の接地用端子パターン１２ａの周囲に他の接地用端子パターン１２ｂを形成しているが、他の接地用端子パターン１２ｂは、中央部の接地用端子パターン１２ａと統合し、他の接地用端子パターン１２ｂを信号用端子パターン１０やバイアス用端子パターン１１にて置換してもよい。また、上記の例では２列に配置しているが、これを３列以上に形成してもよく、また中央部の接地用端子パターン１２ａの全周ではなく、周囲の一部分で２列以上に設置してもよい。
【００３４】
図４、図５に他の端子パターンの配置例を示す。図４、５によれば、中央部に形成された接地用端子パターン１２ａの周囲における最外列に他の接地用端子パターン１２ｂを、内周列に信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１を設置し、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１を接地用端子パターン１２ａと他の接地用端子パターン１２ｂによってはさまれたように配置したもので、図４では個別の小さい他の接地用端子パターン１２ｂを個別パターンに、また図５では帯状の接地用端子パターン１２ｃによって形成したものである。
【００３５】
このような端子配置とすることにより、モジュール外部への接続端子の増加に対応できると同時に、モジュール内層回路パターンの無駄な引き回しを行う必要がなくなり、挿入損失の悪化や、配線基板の周囲の回路からの信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１への干渉を防止することができる。
【００３６】
このような端子配置にすることにより、積層基板下面の中央部、外周部に接地用端子パターンが配置され、モジュール内部のグランド電位の安定化及び強化が可能である。また、モジュールの四方を接地用端子パターンで囲うことから、高周波モジュールから外部への高周波信号の放射、並びに外部から高周波モジュールへの高周波信号の入射を防止し、誤動作を防ぐことが可能となる。図４の場合、干渉防止の観点から、他の接地用端子パターン１２ｂ間の間隔ｘを伝送される信号波長の１／４波長未満に設定されることが望ましい。
【００３７】
図６に、さらに他の例の端子パターンの配置例を示した。図６に示すように、積層基板下面の外周部に、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１、他の接地用端子パターン１２ｂが形成され、中央部に接地用端子パターン１２ａが形成されており、接地用端子パターン１２ａの内側に、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１が形成されている。
【００３８】
このような端子配置にすることにより、積層基板上方からみて、積層基板表層に搭載される部品および、または積層基板内層回路パターンの下部にあたる場所に積層基板下面で、信号用端子パターン、バイアス用端子パターンが形成でき、内層回路パターンの無駄な引き回しを行う必要がなくなり、挿入損失の悪化や、他のパターンとの干渉を防止できる。また、端子の配置に制約が無くなることから、モジュールの小型化が可能である。
【００３９】
さらに、本発明によれば、積層基板１の下面の中央部に形成された接地用端子パターン１２ａには、積層基板１の表面に実装された増幅回路素子６の実装部から積層基板１を貫いて伸びるサーマルビア導体１３と接続されていることが望ましい。
【００４０】
このように積層基板１下面の中央部に形成された接地用端子パターン１２とサーマルビア導体１３とを接続することにより、増幅回路ＭＭＩＣ１０またはＭＭＩＣ２０に発生した熱はサーマルビア導体１３、積層基板１下面の中央部に形成された接地用端子パターン１２を介しプリント配線基板などのマザーボード側に放熱されるため、増幅器ＡＭＰ１０、２０の熱による出力レベル、電力付加効率などの特性劣化を防ぐことができる。特に、中央部の接地用端子パターン１２ａの面積を端子パターンのうちで最も大きくすることによってその放熱性を高めることができる。
【００４１】
また、本発明によれば、図７に示すように、信号用端子パターン１０、バイアス用端子パターン１１、接地用端子パターン１２ａ，１２ｂのいずれかまたはすべてに対して、オーバーコートガラス１４を各パターンの一部が露出するように被覆することが望ましい。
【００４２】
これにより、積層基板１を外部基板に実装する際に各端子パターンが半田を介して接続して高周波モジュールがショートモードの故障を起こす確率を減少することができる。また、半田を介して接続される端子パターンの面積を均一化でき、実装の安定性、強度を高めることができる。
【００４３】
このとき、接地用端子パターン１２ａ、１２ｂは、それぞれ独立した接地導体パターンで形成してもよいが、図７に示すように、同一の接地導体パターンに対してオーバーコート層１４によって接地導体パターンの一部を露出させて接地用導体パターン１２ａ，１２ｂをそれぞれ形成することもできる。
【００４４】
本発明においては、各端子パターンは、小さいほど高密度化することは可能であるが、外部基板への半田実装性および端子間の干渉などを考慮すると、端子パターンの大きさは最大径が０．２〜１．０ｍｍ、端子パターン間距離が０．２〜１．０ｍｍであることが望ましい。これにより、端子間の干渉を防止するとともに、半田もれなどによるショートの発生などを防止し、信頼性の高い配線基板を作製することができる。
【００４５】
本発明の配線基板は、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体からなる積層基板に対して、銅箔などの導体によって配線導体層が形成されたもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体の積層基板に種々の配線導体層を誘電体基板と同時に焼成して形成されたものが用いられる。
【００４６】
上記セラミック材料としては、（１）Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）金属酸化物による混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。
【００４７】
用いられる（２）の混合物としては、ＢａＯ−ＴｉＯ２系、Ｃａ−ＴｉＯ２系、ＭｇＯ−ＴｉＯ２系等のセラミック材料が用いられ、これらのセラミック材料に、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３等の助剤を適宜添加したものが用いられる。（３）のガラス組成物としては、少なくともＳｉＯ２を含み、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、具体的には、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ系、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系、さらにはこれらの系にＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を配合した組成物が挙げられる。また、ガラスとしては、焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出する結晶化ガラスなどが用いられる。
【００４８】
また、（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２（クォーツ、クリストバライト）、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＺｒＯ２、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３などのチタン酸塩の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラス２０〜８０質量％、フィラー２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。
【００４９】
一方、配線導体層は、誘電体基板と同時焼成して形成するために、誘電体基板を形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられ、例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガン、銅の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）（３）の低温焼成セラミック材料を用いる場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする低抵抗導体材料が用いられる。
【００５０】
誘電体基板は、誘電率を高くすることで、小さな面積でも充分な静電容量を得ることができるため、ストリップライン長を短縮して、全体構造の小型化に供することができる。また、配線や線路などを低損失の低抵抗導体によって形成できることから、上記（１）（２）の低温焼成セラミック材料によって形成することが望ましい。
【００５１】
また、オーバーコート層としては、誘電体材料を構成するセラミック材料と同じセラミック材料を主成分とするもの、またはそのセラミック材料にＣｏなどの着色剤を添加したセラミック材料を焼成前に配線基板の表面に塗布し、配線基板の焼成と同時焼成して形成したり、またはエポキシ系の感光性樹脂などによって露光、現像して形成することができる。
【００５２】
以上、説明した実施の態様は、本発明における１つの好適なものであるが、本発明はこれに限られることはなく、本発明を逸脱しない範囲で種々の端子の配置の変更を行うことはできる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の配線基板の一例としての高周波モジュールを構成する回路のブロック図である。
【図２】図１の高周波モジュールの概略断面図である。
【図３】高周波モジュールにおける積層基板下面の端子パターンの配置図である。
【図４】積層基板下面の端子パターンの他の例の配置図である。
【図５】積層基板下面の端子パターンのさらに他の例の配置図である。
【図６】積層基板下面の端子パターンのさらに他の例の配置図である。
【図７】積層基板下面のオーバーコート層と端子パターンとの状態を説明するための概略断面図である。
【図８】従来の積層基板下面の端子パターンの例の配置図である。
【図９】従来の積層基板下面の端子パターンの他の例の配置図である。
【符号の説明】
【００５４】
ＡＮＴ・・・アンテナ端子
ＤＩＰ１０・・・分波回路
ＳＷ１０、ＳＷ２０・・・スイッチ回路
ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０、ＡＭＰ１００、ＡＭＰ２００・・・電力増幅器
ＡＭＰ３００、ＡＭＰ４００・・・低雑音電力増幅器
ＣＯＰ１０、ＣＯＰ２０、ＣＯＰ１００、ＣＯＰ２００・・・カップラ
ＭＡＴ１０、ＭＡＴ２０・・・整合回路
ＭＭＩＣ１０、ＭＭＩＣ２０・・・電力増幅回路
ＲＦＭ１、ＲＦＭ１０・・・高周波モジュール
ＡＳＭ１・・・アンテナスイッチモジュール
ＢＰＦ３００、ＢＰＦ４００・・・帯域通過フィルタ
１  ・・・高周波モジュール
１０・・・信号用端子パターン
１１・・・バイアス用端子パターン
１２・・・接地用端子パターン
１３・・・サーマルビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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