(57)【要約】【課題】  フルオロカーボンを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりＳｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜に複数の凹状パターンを形成するに際し、凹状パターンの形状のばらつきを低減する。【解決手段】  フルオロカーボンを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりＳｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜に複数の凹状パターンを形成するに際し、下記式（１）で定義されるエッチングガス中の炭素含有率を５％以下とする。p＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）（ＸはフルオロカーボンＣＸＦＹにおける炭素組成比Ｘを表す。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、ＱｃはフルオロカーボンＣＸＦＹの流量を表す。）【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜を形成する工程と、
フルオロカーボンを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、前記絶縁膜に複数の凹状パターンを形成する工程と、を含み、
下記式（１）で定義される前記エッチングガス中の炭素含有率ｐ（％）が、５％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
p＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）
（Ｘはフルオロカーボンの炭素組成比を表す。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、Ｑｃはフルオロカーボンの流量を表す。）
【請求項２】
Ｓｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に複数の凹状パターンを形成する工程と、を含み、
前記複数の凹状パターンを形成する工程は、フルオロカーボンを含む第１のエッチングガスを用いる第１のドライエッチング工程と、フルオロカーボンを含む第２のエッチングガスを用いる第２のドライエッチング工程とを含み、
前記第１および第２のエッチングガスの一方は、他方よりも、下記式（１）で定義される炭素含有率ｐ（％）が低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
p＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）
（ここで、Ｘはフルオロカーボンの炭素組成比を表す。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、Ｑｃはフルオロカーボンの流量を表す。）
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のエッチングガスにおける炭素含有率ｐ（％）が５％以下であり、前記第１のエッチングガスにおける炭素含有率ｐ（％）が５％より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
複数の凹状パターンを形成する前記工程において使用されるフルオロカーボンは、Ｃ４Ｆ８を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
複数の凹状パターンを形成する前記工程において使用されるエッチングガスは、酸素を実質的に含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜がＳｉＯＣ膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチングにより絶縁膜に複数の凹状パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高速動作および製造コストの抑制といった課題に対するひとつの解として、多層配線の微細化が進んでいる。同時に、配線の電気抵抗および配線間の電気容量の増大に伴う、配線遅延（ＲＣ遅延）の問題が表面化し、半導体装置の動作速度を律速するようになった。そこで、配線の電気抵抗を低減するために配線材料として銅（Ｃｕ）を用いたり、配線間の電気容量を低減するため、絶縁膜に従来のＳｉＯ２よりも比誘電率の低い低誘電率材料を用いたりするといった対策が広く知られるようになってきた。
【０００３】
このような低誘電率材料として、ＳｉＯＣやＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）等が検討されている。これらの材料は、従来のＳｉＯ２の技術を転用することができると期待され、取り扱いやすい材料として開発が進められている。
【０００４】
しかし、ＳｉＯ２膜にスルーホールを形成する際に、エッチングガスとして従来用いていたフルオロカーボン系のガスを用いてＳｉＯＣ膜にスルーホールを形成しようとすると、膜の特性の違いにより、ＳｉＯ２膜では生じていなかった問題が生じることがある。
【０００５】
たとえば、特許文献１には、フルオロカーボン系のガスを用いてＳｉＯＣ膜のエッチングを行うと、エッチングの途中でエッチングの進行が止まってしまうという現象が記載されている。また、このような現象を防ぐために酸素の含有量を高くすると、レジスト膜とＳｉＯＣ膜のエッチング速度の比が低下してしまうという問題があり、これらの問題を解決するために、エッチングガスにＣＯを添加する技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００２−８３７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来技術においては、ＳｉＯＣ膜等のドライエッチングにおいて生じる特有の現象について充分に把握されているとはいえず、プロセス改善の余地を有していた。
【０００７】
本発明者は、こうしたＳｉＯＣ膜等のドライエッチングプロセスについて鋭意検討を進めた結果、以下に示す新規な現象を見出すに至った。すなわち、ＳｉＯＣ膜をドライエッチングして複数のスルーホールからなるパターンを形成する場合、
(i)スルーホールパターン群の中央付近と端部付近とでエッチングレートの差異が生じること、
(ii)このエッチングレートの差異は、エッチングガスの成分比によって変動すること、
が明らかになった。こうしたエッチングレートの差異は、スルーホールの形状にばらつきを生じさせ、歩留まりの低下の要因となる。
【０００８】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、フルオロカーボンを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりＳｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜に複数の凹状パターンを形成するに際し、凹状パターンの形状のばらつきを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記したように、本発明者の検討により、複数のスルーホールからなるパターンを形成する際のエッチングレートが、スルーホールの位置やエッチングガスの成分比により変動することが明らかになった。こうした現象を抑制するためには、エッチングガスの成分比とエッチングレートとの関係を正確に把握することが重要となる。
【００１０】
本発明者はこの点につき検討を進めた結果、下記式（１）で定義される新規な指標を用いることにより、エッチングガスの成分比とエッチングレートとの関係が明確に整理されることを明らかにした。
エッチングガス中の炭素含有率ｐ＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）
（Ｘはフルオロカーボンの炭素組成比を表す。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、Ｑｃはフルオロカーボンの流量を表す。）
ここで、炭素組成比Ｘとは、フルオロカーボン分子中に含まれる炭素の組成比をいい、たとえばフルオロカーボンがＣＸＦＹなる分子式で表される場合のＸをいう。
エッチングガスの成分比とエッチングレートとの関係を支配する因子として、本発明者は、「被エッチング面に到達する炭素原子数／全粒子数」を表す指標が重要であると考えた。炭素含有率ｐは、装置に注入した炭素原子の数／全分子数を表すものであり、上記指標と密接な関係を有している。
【００１１】
実施例にて後述するように、上記のように規定したエッチングガス中の炭素含有率ｐが比較的低い領域では、複数の凹状パターン群中の中央付近と端部付近とでエッチングレートが比較的均一になり、炭素含有率ｐが比較的大きい領域では、パターン中の端部付近のエッチングレートが中央付近に比べて大きくなる。本発明は、かかる新規な知見に基づいてなされたものである。
【００１２】
以下、本発明について説明する。
【００１３】
本発明によれば、Ｓｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜を形成する工程と、フルオロカーボンを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、前記絶縁膜に複数の凹状パターンを形成する工程と、を含み、下記式（１）で定義される前記エッチングガス中の炭素含有率ｐ（％）が、５％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
p＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）
（Ｘはフルオロカーボンの炭素組成比を表す。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、Ｑｃはフルオロカーボンの流量を表す。）
【００１４】
従来技術においては、複数の凹状パターン全体における各凹状パターンの位置によってエッチングレートが異なるという課題があった。これに対し、上記製造方法では炭素含有率を上記のように特定範囲に規定しているため、こうしたエッチングレートの位置依存性を抑制し、凹状パターンの形状のばらつきを低減することができる。
【００１５】
また本発明によれば、Ｓｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に複数の凹状パターンを形成する工程と、を含み、前記複数の凹状パターンを形成する工程は、フルオロカーボンを含む第１のエッチングガスを用いる第１のドライエッチング工程と、フルオロカーボンを含む第２のエッチングガスを用いる第２のドライエッチング工程とを含み、前記第１および第２のエッチングガスの一方は、他方よりも、下記式（１）で定義される炭素含有率ｐ（％）が低いことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
p＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）
（ここで、Ｘはフルオロカーボンの炭素組成比を表す。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、Ｑｃはフルオロカーボンの流量を表す。）
【００１６】
この製造方法によれば、炭素含有率ｐの異なる条件による複数のドライエッチング工程を含むため、第１のドライエッチングおよび第２のドライエッチングを組み合わせることで、凹状パターンの配置状態の差異による凹状パターンの深さ方向における形状のばらつきを低減できる。また、ドライエッチングにおけるエッチング時間を短くすることも可能となる。ここで、第１のドライエッチングと第２のドライエッチングとは、いずれの順序で行ってもよい。また、第１、第２のドライエッチングのエッチング量の配分（エッチング時間の配分）は、用いるエッチングガス中の炭素含有率に応じて適宜設定することができる。また、第１のドライエッチングおよび第２のドライエッチングに含まれるフルオロカーボンは、それぞれ同種であっても異なる種類であってもよい。
【００１７】
上記製造方法において、第１のドライエッチングでは複数の凹状パターンにおける中央付近のエッチングレートが端部付近と比較して大きくなり、第２のドライエッチングでは複数の凹状パターンにおける端部付近のエッチングレートが中央付近と比較して大きくなるように、第１および第２のエッチングガスの炭素含有率ｐを規定することが好ましい。こうすることにより、第１のドライエッチングで生じたエッチングレート差が第２のドライエッチングによって低減されることとなり、凹状パターンの形状のばらつきを低減することができる。
【００１８】
本発明において、複数の凹状パターンを形成するのに用いられるエッチングガスは、フルオロカーボンのほか、Ａｒ等の不活性ガスやＮ２、ＮＨ３等のガスを用いてもよい。これにより、ＳｉＯＣ膜へのダメージを低減しつつホール位置によるエッチングレート差を安定的に低減できる。
【００１９】
以上、本発明の構成について説明したが、これらの構成を任意に組み合わせたものも本発明の態様として有効である。また、本発明の表現を他のカテゴリーに変換したものもまた本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、フルオロカーボンを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりＳｉ、ＯおよびＣを含む絶縁膜に複数の凹状パターンを形成するに際し、エッチングガス中の炭素含有率を適切に設定する構成を採用しているため、凹状パターンの形状のばらつきを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（参照例）
はじめに、本発明の特徴を明らかにするため、いくつかのエッチング条件にて複数のスルーホールパターンを形成した例について説明する。
【００２２】
図４は、本例で作製されたスルーホールパターンを示す図である。層間絶縁膜として、ＳｉＯＣ膜を用いている。なお、ＳｉＯＣ膜は、ＳｉＯＣＨ膜と表記されることもあり、構成元素としては、通常、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＨを含む。
【００２３】
図４（ａ）に示すように、層間絶縁膜１０には行列状に配置された複数のスルーホールを含むスルーホール群１２が形成されている。このようなパターンのスルーホールをフルオロカーボン系のガスを用いたエッチングにより形成すると、図４（ｂ）に示すようなスルーホールが形成される。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図４（ｂ）に示すように、スルーホール群１２の中央部に形成されたスルーホールａにおけるエッチングレートに比べて、その外側に形成されたスルーホールｂ、スルーホール群１２の外周部に形成されたスルーホールｃおよびスルーホールｄのエッチングレートは低下してしまう。また、これとは逆に、図４（ｃ）に示すように、外周部に形成されたスルーホールｄのエッチングレートが中央部に形成されたスルーホールａのエッチングレートより高くなるという現象も生じる。このように、ＳｉＯＣ膜にエッチングによりスルーホールを形成する場合、ブロック状に配置された複数のスルーホールの外周部においては、中央部に形成されたスルーホールのエッチングレートと比べて差異が生じてしまうという現象が生じる。
【００２４】
表１は、ＳｉＯＣ膜のエッチングにおいて、フルオロカーボン系エッチングガスの種類および流量を異ならせた場合の各スルーホールのエッチングレートを示す表である。ここで、エッチングレートは、スルーホールａのエッチングレートを１とした。
【００２５】
エッチングガスの条件は以下の通りである。
条件Ａ：流量Ａｒ／ＣＦ４／Ｎ２＝５００／８／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ；
条件Ｂ：流量Ａｒ／ＣＦ４／Ｎ２＝５００／４０／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ；
条件Ｃ：流量Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝５００／８／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ；
条件Ｄ：流量Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝５００／１０／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ。
【００２６】
ここで、スルーホールのホール径は０．２μｍとした。フルオロカーボン系ガスとしてＣＦ４ガスを用いた条件Ａでは、外周部のスルーホールｄと中央部のスルーホールａとではエッチングレートに差異がないのに対して、ＣＦ４ガス流量を増やした条件Ｂでは、外周部のエッチングレートが早くなっている。フルオロカーボン系ガスとしてＣ４Ｆ８ガスを用いた条件Ｃでは、同じガス流量の場合には、外周部のエッチングレートが遅くなっているが、Ｃ４Ｆ８ガス流量をわずかに増やした条件Ｄでは、外周部のエッチングレートが早くなっている。
【００２７】
以上のように、フルオロカーボン系ガス流量の増加によって外周部のエッチングレートが早くなり、特にＣ４Ｆ８ガスではその傾向が顕著であることが判明した。
【００２８】
このようなガス流量のわずかな変化でエッチングレートの急激な増加が生じると、エッチングレートが高い部分で配線に対してオーバーエッチングが過度に施されてしまったり、エッチングレートが低下した部分のスルーホールの抜け残りが生じたりする等の問題が生じる。これにより、当初の設計値よりもエッチングによる深さ方向の寸法変換差が生じ、歩留まり低下の要因となる。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
次に本発明を適用した例について図面を参照して説明する。
（実施例１）
図１は、複数のスルーホール１０２が形成された層間絶縁膜１１０の上面図である。ここで、層間絶縁膜１１０としては、ＳｉＯＣ膜を用いた。
【００３１】
シリコン基板上にＣＶＤ法によりＳｉＯＣからなる層間絶縁膜１１０を形成した。つづいて、層間絶縁膜１１０を選択的にドライエッチング（反応性イオンエッチング）して、図１に示すように、１５４行１５４列の行列状にスルーホールが配置されたパターンを形成した。スルーホールのホール径（直径）は０．２μｍとし、隣接ホール間の間隔を１μｍとした。このとき、エッチングガスを構成するＣ４Ｆ８ガス流量を、１ｓｃｃｍ、２ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍ、６ｓｃｃｍ、８ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍ、および１２ｓｃｃｍと変化させた。Ｃ４Ｆ８ガス流量以外のエッチング条件は、ガス流量Ａｒ／Ｎ２＝５００／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗである。エッチングガスは、酸素を実質的に含まないものを用いた。
【００３２】
図２は、図１のａのエッチングレートに対するｄのエッチングレートと炭素含有率との関係を示す図である。図２の横軸に示される炭素含有率は、以下のように定義した。
炭素含有率＝Ｘ×（Ｑｃ／Ｑ）×１００  ・・・（１）
【００３３】
ここで、ＸはフルオロカーボンＣＸＦＹにおける炭素組成比Ｘを表す。本例ではＣ４Ｆ８ガスを用いるため、「４」となる。Ｑはエッチングガスの全流量を表し、ＱｃはフルオロカーボンＣＸＦＹの流量を表す。
【００３４】
縦軸のＥＲ比は、ホールアレイパターンのパターン中央のスルーホールａに対するパターン端のスルーホールｄのエッチングレート比である。
【００３５】
図２から以下のことがわかる。
(i)炭素含有率が５％以下の領域では、スルーホールｄのエッチングレートとスルーホールａのエッチングレートとの差はわずかである。スルーホールｄの方がａよりもエッチングレートが小さい。この領域では、炭素含有率の増加にともないスルーホールｄ（端部）のエッチングレート比が減少する。
(ii)炭素含有率が５％を超える領域では、スルーホールｄのエッチングレートが、スルーホールａのエッチングレートよりも大きい。この領域では、炭素含有率の増加にともないスルーホールｄ（端部）のエッチングレートが増大する。
【００３６】
以上のことから、エッチングガス中の炭素含有率を５％以下とすることにより、エッチング時の炭素含有率の変動や複数の凹状パターンの配置状態に関わらず、エッチングによる深さ方向の寸法変換差を低減することができることが判明した。
【００３７】
図２に示される結果からわかるように、炭素含有率を５％以下とすることにより、ブロック状凹状パターンの端部と中央部とでエッチングレート差を２０％以内に抑えることができる。また、炭素含有率５％以下の領域では、エッチングレートの炭素含有率依存性が小さいため、エッチング中に炭素含有率が変動した場合でも安定的にエッチングすることが可能となる。これにより、凹状パターンの形状のばらつきを効果的に低減でき、歩留まりを向上することができる。
【００３８】
なお、一列に配置された複数のスルーホールの最端部に配置されたスルーホール、および周囲に他のスルーホールが形成されていない孤立したスルーホールについても、エッチングガス中の炭素含有率を５％以下とすることにより、同様に、エッチングによる深さ方向の寸法変換差を低減することができることが確認された。
【００３９】
さらに、フルオロカーボン系ガスとして、ＣＦ４ガスやＣ４Ｆ６ガスを用いて炭素含有率を異ならせた場合でも、図３に示すように、Ｃ４Ｆ８ガスを用いた場合と同様の傾向であることが確認された。
（実施例２）
【００４０】
実施例１と同様、シリコン基板上にＣＶＤ法によりＳｉＯＣからなる層間絶縁膜１１０を形成した。つづいて、Ｃ４Ｆ８ガスを含むエッチングガスを用いた第１のドライエッチング、および第１のドライエッチングよりもエッチングガスにおけるＣの含有率が低い第２のドライエッチングを順次用いて図１に示したパターンのスルーホール（ホール径０．２μｍ、間隔１μｍ）を形成した。ドライエッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）とした。第１および第２のドライエッチングにおけるエッチングには、以下の条件１〜４を組み合わせて適用した。炭素含有率の定義は、実施例１と同様である。
条件１：流量Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝５００／１２／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ、炭素含有率７．５％；
条件２：流量Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝５００／１０／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ、炭素含有率６．３％；
条件３：流量Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝５００／８／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ、炭素含有率５．１％；
条件４：流量Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝５００／６／１２５ｓｃｃｍ、圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１３００Ｗ、炭素含有率３．８％。
【００４１】
本実施例においては、条件１＋条件３、条件２＋条件３、条件１＋条件４、および条件２＋条件４の４水準におけるスルーホール形成時のエッチングレートを測定した。
【００４２】
条件１＋条件３でのエッチング処理時間は、エッチング量の比率を第１のドライエッチング：第２のドライエッチング＝０．３９：１として算出した。条件２＋条件３でのエッチング処理時間は、エッチング量の比率を第１のドライエッチング：第２のドライエッチング＝０．３８：１として算出した。条件１＋条件４でのエッチング処理時間は、エッチング量の比率を第１のドライエッチング：第２のドライエッチング＝０．３１：１として算出した。条件２＋条件４でのエッチング処理時間は、エッチング量の比率を第１のドライエッチング：第２のドライエッチング＝０．２６：１として算出した。
表２は、その結果を示す表である。ここでは、スルーホール群１２の中央部に形成されたスルーホールａにおけるエッチングレートを１とした。このように、第１のドライエッチングおよび第２のドライエッチングを順次用いてスルーホールを形成することにより、複数のエッチングホールにおけるエッチングレートの差異を抑えることができた。
【００４３】
【表２】
2005332899.tif 000004
【００４４】
以上、実施例に基づいて説明した。これらはあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００４５】
たとえば、上記実施例においてはスルーホールを例として説明したが、配線溝の形成工程に本発明を適用することもできる。エッチングガスを上記実施例で示したような組成とすることにより、複数の配線溝の配置状態によるエッチングレートの差異を低減することができる。
【００４６】
また、上記実施例においては、層間絶縁膜の材料として、ＳｉＯＣ膜を用いた例を説明したが、層間絶縁膜としては、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＣ膜やＭＳＱ膜を用いることもできる。ＳｉＣやＳｉＣＮは、ＣＶＤ法またはスピンコート法で堆積することができる。また、ＭＳＱは、スピンコート法で堆積することができる。
【００４７】
また、上記実施例においては、フルオロカーボン系ガスとしてＣ４Ｆ８、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ６を、それぞれ単独で用いた例について説明したが、複数種類のフルオロカーボン系化合物を含むエッチングガスを用いてもよい。この場合、前述の式（１）中の炭素組成比Ｘとしては、以下のようにモル分率を考慮した平均値を採用することができる。
Ｘav＝Σ（ｍｉ×Ｘｉ）
（ｍｉはフルオロカーボン成分ｉのモル分率を示し、Ｘｉはフルオロカーボン成分ｉの炭素組成比を示す。）
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例におけるスルーホールが形成された層間絶縁膜の上面図である。
【図２】Ｃ４Ｆ８ガスを用いてエッチングガス中の炭素含有率を異ならせた場合のエッチングレートを示すグラフである。
【図３】ＣＦ４ガス、及びＣ４Ｆ6ガスを用いてエッチングガス中の炭素含有率を異ならせた場合のエッチングレートを示すグラフである。
【図４】ＳｉＯＣ膜を層間絶縁膜として用い、スルーホールを形成する際に生じる現象を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０２  スルーホール、  １１０  層間絶縁膜、  １１２  スルーホール群。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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