(57)【要約】【課題】  固体撮像素子に対する更なる高画質化の要求に応えることを可能にする受光素子を提供する。【解決手段】  ｐ型およびｎ型の領域を有する第１のシリコン基板１２０と、ｐ型およびｎ型の領域を有する第２のシリコン基板１３２が第１のＳＯＩ絶縁層１３１上に形成されてなる第１のＳＯＩ基板１３０と、ｐ型およびｎ型の領域を有する第３のシリコン基板１４２が第２のＳＯＩ絶縁層１４１上に形成されてなる第２のＳＯＩ基板１４０とを備え、第１のシリコン基板１２０、第２のシリコン基板１３２および第３のシリコン基板１４２におけるｐｎ接合は、光を光電変換するフォトダイオードを形成し、光が入射する第２のＳＯＩ基板１４０の表面からのｐｎ接合の深さは、光電変換する光のシリコン内における吸収長さにより決定される。【選択図】        図１
2005277063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換する受光素子であって、
ｐｎ接合部を有する第１のシリコン基板と、
ｐｎ接合部を有する第２のシリコン基板が第１のＳＯＩ絶縁層上に形成されてなる第１のＳＯＩ基板と、
ｐｎ接合部を有する第３のシリコン基板が第２のＳＯＩ絶縁層上に形成されてなる第２のＳＯＩ基板とを備え、
前記第１のシリコン基板、前記第１のＳＯＩ基板および前記第２のＳＯＩ基板は、順次積層され、
前記第１のシリコン基板、前記第２のシリコン基板および前記第３のシリコン基板におけるｐｎ接合は、光を光電変換するフォトダイオードを形成し、
光が入射する前記第２のＳＯＩ基板の表面からの各前記ｐｎ接合の深さは、光電変換する光のシリコン内における吸収長さにより決定される
ことを特徴とする受光素子。
【請求項２】
前記第１のシリコン基板におけるｐｎ接合は、赤色光を光電変換し、
前記第２のシリコン基板におけるｐｎ接合は、緑色光を光電変換し、
前記第３のシリコン基板におけるｐｎ接合は、青色光を光電変換する
ことを特徴とする請求項１に記載の受光素子。
【請求項３】
前記第１のシリコン基板におけるｐｎ接合は、約１．５〜３．０μｍの深さに位置し、
前記第２のシリコン基板におけるｐｎ接合は、約０．５〜１．５μｍの深さに位置し、
前記第３のシリコン基板におけるｐｎ接合は、約０．２〜０．５μｍの深さに位置する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の受光素子。
【請求項４】
前記第１のＳＯＩ基板および第２のＳＯＩ基板は、特定波長域の光をフィルタリングする機能を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の受光素子。
【請求項５】
前記第１のＳＯＩ基板は、緑色光をカット（遮断又は反射）するフィルタリング機能を有し、
前記第２のＳＯＩ基板は、青色光をカットするフィルタリング機能を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の受光素子。
【請求項６】
前記第１のシリコン基板、前記第２のシリコン基板および前記第３のシリコン基板のｐ型あるいはｎ型の領域は、それぞれ異なる不純物が注入されて形成され、
前記不純物の種類は、前記ｐｎ接合が光電変換する光の波長域により決定される
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の受光素子。
【請求項７】
前記受光素子は、さらに、
前記光が入射する前記第２のＳＯＩ基板の表面上に形成され、フォトニック結晶からなる集光膜を備える
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の受光素子。
【請求項８】
前記フォトニック結晶は、青色光、緑色光および赤色光のうちの少なくも１つを効率良く集光する
ことを特徴とする請求項７に記載の受光素子。
【請求項９】
前記受光素子は、さらに、
光が入射する前記フォトニック結晶の表面上に形成され、酸化チタンからなる光触媒膜を備え、
前記酸化チタンは、可視光に対して光触媒活性を有する
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の受光素子。
【請求項１０】
固体撮像素子であって、
前記受光素子が２次元状に配置された撮像面を有する
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子に関し、特に固体撮像素子の受光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラやビデオカメラ等には、ＣＣＤ型あるいはＭＯＳ型の固体撮像素子が搭載されている。このような固体撮像素子は、受光素子にて受けた光を光電変換し、その光電変換により生じた信号電荷をＣＣＤ型においてはポテンシャルの井戸に蓄積しつつ転送し、ＭＯＳ型においてはＭＯＳトランジスタを通して直接読み出す。ここで、受光素子が２次元状に配設されてなる固体撮像素子の撮像面には、ベイヤ型やストライプ型の色配列をしたＲＧＢ原色フィルタが配設されており、カラー化が図られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図８は、従来のＭＯＳ型固体撮像素子の受光素子周辺の構造を示す断面図である。
従来の固体撮像素子は、ｐ型のシリコン基板８００に形成された複数のｎ型の領域である複数の受光素子８１０と、各受光素子８１０の光入射側に設けられたカラーフィルタ８２０と、ＭＯＳトランジスタ８３１を有し、各受光素子８１０と接続され、信号電荷を電圧に変換、増幅して出力する複数の出力アンプ８３０とから構成される。
【０００４】
ここで、カラーフィルタ８２０においては、図９に示すように、ＲＧＢはベイヤ型の色配列で配置される。
【特許文献１】特開平５−１８３１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年、固体撮像素子には更なる高性能化、つまり高画質化、軽量化等が求められている。
しかしながら、従来の固体撮像素子では、カラーフィルタにより各受光素子に入射する光を選択しているため、カラーフィルタを通過しない光はカラーフィルタで吸収される。よって、受光素子の光の利用効率が低く、撮像画像の色再現性は低減するため、更なる高画質化の要求に応えることができないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、固体撮像素子に対する更なる高画質化の要求に応えることを可能にする受光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の受光素子は、入射光を光電変換する受光素子であって、ｐｎ接合部を有する第１のシリコン基板と、ｐｎ接合部を有する第２のシリコン基板が第１のＳＯＩ絶縁層上に形成されてなる第１のＳＯＩ基板と、ｐｎ接合部を有する第３のシリコン基板が第２のＳＯＩ絶縁層上に形成されてなる第２のＳＯＩ基板とを備え、前記第１のシリコン基板、前記第１のＳＯＩ基板および前記第２のＳＯＩ基板は、順次積層され、前記第１のシリコン基板、前記第２のシリコン基板および前記第３のシリコン基板におけるｐｎ接合は、光を光電変換するフォトダイオードを形成し、光が入射する前記第２のＳＯＩ基板の表面からの各前記ｐｎ接合の深さは、光電変換する光のシリコン内における吸収長さにより決定されることを特徴とする。ここで、前記第１のシリコン基板におけるｐｎ接合は、赤色光を光電変換し、前記第２のシリコン基板におけるｐｎ接合は、緑色光を光電変換し、前記第３のシリコン基板におけるｐｎ接合は、青色光を光電変換してもよいし、前記第１のシリコン基板におけるｐｎ接合は、約１．５〜３．０μｍの深さに位置し、前記第２のシリコン基板におけるｐｎ接合は、約０．５〜１．５μｍの深さに位置し、前記第３のシリコン基板におけるｐｎ接合は、約０．２〜０．５μｍの深さに位置してもよいし、前記第１のシリコン基板、前記第２のシリコン基板および前記第３のシリコン基板のｐ型あるいはｎ型の領域は、それぞれ異なる不純物が注入されて形成され、前記不純物の種類は、前記ｐｎ接合が光電変換する光の波長域により決定されてもよい。
【０００８】
これによって、１つの受光素子への入射光に含まれる赤色光成分、緑色光成分および青色光成分を全て利用することができ、光の利用効率を高めることができるので、固体撮像素子の撮像画像の色再現性を高め、固体撮像素子に対する更なる高画質化の要求に応えることを可能にする受光素子を実現することができる。また、同一位置での光３原色のセンシングが可能となるので、固体撮像素子の高解像度化を可能にする受光素子を実現することができる。また、カラー化を行うために、固体撮像素子にカラーフィルタを用意し、さらに赤色光、緑色光および青色光を光電変換するための受光素子を別々に用意する必要が無くなるので、固体撮像素子に対する更なる小型化の要求に応えることを可能にする受光素子を実現することができる。また、各シリコン基板におけるｐ型およびｎ型の領域の配置を、他のシリコン基板におけるｐ型およびｎ型の領域の配置に影響されること無く自由に設定することができるので、設計自由度の高い受光素子を実現することができる。
【０００９】
また、前記第１のＳＯＩ基板および第２のＳＯＩ基板は、特定の波長域の光をフィルタリングする機能を有してもよいし、前記第１のＳＯＩ基板は、緑色光をカット（遮断又は反射）するフィルタリング機能を有し、前記第２のＳＯＩ基板は、青色光をカットするフィルタリング機能を有してもよい。
【００１０】
これによって、他の基板に染み出る光を完全にカットすることができるので、より鮮明に光の色分離ができ、固体撮像素子の画像の鮮明度の向上を可能にする受光素子を実現することができる。
【００１１】
また、前記受光素子は、さらに、前記光が入射する前記第２のＳＯＩ基板の表面上に形成され、フォトニック結晶からなる集光膜を備えてもよいし、前記フォトニック結晶は、青色光、緑色光および赤色光のうちの少なくも１つを効率良く集光してもよい。
【００１２】
これによって、フォトニック結晶は光を表面で反射することなく効率良く集光して取り入れる作用を果たすレンズのような働き（吸収取り入れ効率は５０％以上向上）をし、受光素子への入射光に含まれる赤色光、緑色光および青色光を効率良く集光することができ、光の利用効率をさらに高めることができるので、固体撮像素子の更なる高画質化を可能にする受光素子を実現することができる。
【００１３】
ここで、前記受光素子は、さらに、光が入射する前記フォトニック結晶の表面上に形成され、酸化チタンからなる光触媒膜を備え、前記酸化チタンは、可視光に対して光触媒活性を有してもよい。
【００１４】
これによって、受光素子の光入射面に防汚、防曇機能を持たせることができ、光の利用効率をさらに高めることができるので、固体撮像素子の更なる高画質化を可能にする受光素子を実現することができる。
【００１５】
また本発明は、固体撮像素子であって、前記受光素子が２次元状に配置された撮像面を有することを特徴とする固体撮像素子とすることもできる。
これによって、高い光の利用効率を有し、かつ1つで赤色光、緑色光および青色光を全て光電変換する受光素子を固体撮像素子に利用することができるので、高画質で小型の固体撮像素子を実現することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る受光素子によれば、固体撮像素子に対する更なる高画質化の要求に応えることを可能にする受光素子を実現することができる。また、固体撮像素子の高解像度化を可能にする受光素子を実現することができる。また、固体撮像素子の小型化を可能にする受光素子を実現することができる。また、設計自由度の高い受光素子を実現することができる。
【００１７】
よって、本発明により、固体撮像素子に対する更なる高画質化、小型化の要求に応えることを可能にする受光素子を提供することが可能となり、高性能な固体撮像素子を実現することができ、実用的価値は極めて高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態におけるＭＯＳ型固体撮像素子について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施の形態のＭＯＳ型固体撮像素子の受光素子周辺の構造を示す断面図である。
【００１９】
本実施の形態の固体撮像素子は、受光素子１００と、ＭＯＳトランジスタを有し、受光素子１００と接続され、信号電荷を電圧に変換、増幅して出力する出力アンプ１１０とから構成される。
【００２０】
受光素子１００は、貼り合わせ型のＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いたものであり、第１のシリコン基板１２０と、第２のシリコン基板１３２が第１のＳＯＩ絶縁層１３１上に形成されてなる第１のＳＯＩ基板１３０と、第３のシリコン基板１４２が第２のＳＯＩ絶縁層１４１上に形成されてなる第２のＳＯＩ基板１４０とが順次積層されて構成される。
【００２１】
ここで、第１のシリコン基板１２０、第２のシリコン基板１３２および第３のシリコン基板１４２は、それぞれｐ型およびｎ型の領域を有する。このとき、第１のシリコン基板１２０におけるｐｎ接合は、第２のＳＯＩ基板１４０表面、つまり受光素子１００の光入射面から約１．５〜３．０μｍの深さ、例えば２．０μｍの深さに位置する。また、第２のシリコン基板１３２におけるｐｎ接合は、受光素子１００の光入射面から約０．５〜１．５μｍの深さ、例えば０．６μｍの深さに位置する。さらに、第３のシリコン基板１４２におけるｐｎ接合は、受光素子１００の光入射面から約０．２〜０．５μｍの深さ、例えば０．２μｍの深さに位置する。
【００２２】
また、第１のＳＯＩ基板１３０には、第１のシリコン基板１２０のｎ型の領域と出力アンプ１１０とを電気的に接続する第１の配線１５０と、第１の配線１５０と第２のシリコン基板１３２とを電気的に絶縁する第１のＳｉＯ２膜１６０と、第２のシリコン基板１３２のｐ型の領域を接地する第３の配線１９０と、第３の配線１９０と第２のシリコン基板１３２のｎ型の領域とを電気的に絶縁する第３のＳｉＯ２膜１９１とが形成されている。
【００２３】
さらに、第２のＳＯＩ基板１４０には、第１の配線１５０と、第１のＳｉＯ２膜１６０と、第２のシリコン基板１３２のｎ型の領域と出力アンプ１１０とを電気的に接続する第２の配線１７０と、第２の配線１７０と第３のシリコン基板１４２とを電気的に絶縁する第２のＳｉＯ２膜１８０と、第３のシリコン基板１４２のｐ型の領域を接地する第４の配線１９２と、第４の配線１９２と第３のシリコン基板１４２のｎ型の領域とを電気的に絶縁する第４のＳｉＯ２膜１９３とが形成されている。
【００２４】
以上のような構造を有する受光素子において、各シリコン基板のｐｎ接合は、それぞれ異なる波長域の光を光電変換するフォトダイオードを形成する。すなわち、第１のシリコン基板１２０のｐｎ接合は、入射光のうちの例えば５７５〜７００ｎｍの波長域の光、つまり赤色光を光電変換するフォトダイオードを形成する。また、第２のシリコン基板１３２のｐｎ接合は、例えば４９０〜５７５ｎｍ波長域の光、つまり緑色光を光電変換するフォトダイオードを形成する。さらに、第３のシリコン基板１４２のｐｎ接合は、例えば４００〜４９０ｎｍの波長域の光、つまり青色光を光電変換するフォトダイオードを形成する。これは、図２に示す可視光に対するシリコン内の光吸収長さによるものである。すなわち、赤色光は約１．５〜３．０μｍの深さでシリコンに吸収され、緑色光は約０．５〜１．５μｍの深さでシリコンに吸収され、青色光は約０．２〜０．５μｍの深さでシリコンに吸収されることによるものである。
【００２５】
次に、以上のような構造を有する受光素子の製造方法について図３〜５に示す断面図に沿って説明する。なお、図１と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【００２６】
まず、図３（ａ）に示すように、ｐ型の第１のシリコン基板１２０表面に熱酸化等の方法を用いて酸化膜３００を形成した後、酸化膜３００側から第１のシリコン基板１２０にｎ型の不純物を注入してｎ型の領域を形成する。
【００２７】
次に、図３（ｂ）に示すように、ｎ型の第２のシリコン基板１３２表面に熱酸化等の方法を用いて酸化膜３１０を形成した後、酸化膜３１０側から第２のシリコン基板１３２にｐ型の不純物を注入してｐ型の領域を形成する。
【００２８】
次に、図３（ｃ）に示すように、ｎ型の第３のシリコン基板１４２表面に熱酸化等の方法を用いて酸化膜３２０を形成した後、酸化膜３２０側から第３のシリコン基板１４２にｐ型の不純物を注入してｐ型の領域を形成する。
【００２９】
なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す工程において、ｐ型の第１のシリコン基板１２０にｎ型の不純物を、ｎ型の第２のシリコン基板１３２および第３のシリコン基板１４２にｐ型の不純物を注入した。しかし、第１のシリコン基板１２０としてｎ型のシリコン基板を用い、ｐ型の不純物を注入してもよいし、第２のシリコン基板１３２および第３のシリコン基板１４２としてｐ型のシリコン基板を用い、ｎ型の不純物を注入してもよい。
【００３０】
また、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す工程において、各シリコン基板に異なる不純物を注入してもよい。このとき、不純物の種類は、シリコン基板のｐｎ接合が光電変換する光の波長により決定される。
【００３１】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１のシリコン基板１２０と第２のシリコン基板１３２とを、酸化膜３００と酸化膜３１０とが正対するように、一般的なＳＯＩ貼り合わせ手法により貼り合わせる。これによって、第１のＳＯＩ絶縁層１３１および第２のシリコン基板１３２からなる第１のＳＯＩ基板１３０が形成される。そして、第１のＳＯＩ基板１３０の第１のシリコン基板１２０と貼り合わされていない面に、熱酸化等の方法を用いて酸化膜３３０を形成する。
【００３２】
次に、図４（ａ）に示すように、第１のＳＯＩ基板１３０と第３のシリコン基板１４２とを、酸化膜３３０と酸化膜３２０とが正対するように、一般的なＳＯＩ貼り合わせ手法により貼り合わせる。これによって、第２のＳＯＩ絶縁層１４１および第３のシリコン基板１４２からなる第２のＳＯＩ基板１４０が形成される。
【００３３】
ここで、第２のＳＯＩ基板１４０の表面に対する第１のシリコン基板１２０、第２のシリコン基板１３２および第３のシリコン基板１４２のｐｎ接合の深さは、ｎ型あるいはｐ型の不純物の注入深さ、酸化膜の厚み、およびシリコン基板の厚みを調節することにより、それぞれ約１．５〜３．０μｍ、約０．５〜１．５μｍ、約０．５〜１．５μｍとされる。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、第２のＳＯＩ基板１４０の表面に、開口部形成のためのレジストパターン４００を形成した後、第２のＳＯＩ絶縁層１４１が露出するまで第２のＳＯＩ基板１４０をエッチングする。そして、エッチングにより形成された開口部にＳｉＯ２膜４１０を埋め込む。
【００３５】
次に、図５（ａ）に示すように、第２のＳＯＩ基板１４０の表面に、第２の配線１７０形成のためのレジストパターン４２０を形成した後、第２のシリコン基板１３２が露出するまでＳｉＯ２膜４１０をエッチングする。そして、エッチングにより形成された開口部に電極材料を埋め込む。これによって、第２の配線１７０および第２のＳｉＯ２膜１８０が形成される。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に示すように、図４（ｂ）および図５（ａ）と同様の方法により、第１のＳＯＩ基板１３０および第２のＳＯＩ基板１４０のエッチング、ＳｉＯ２膜の埋め込み、ＳｉＯ２膜のエッチングおよび電極材料の埋め込みをおこなう。これによって、第１の配線１５０および第１のＳｉＯ２膜１６０が形成される。
【００３７】
次に、図６（ａ）に示すように、第２のＳＯＩ基板１４０の表面に、開口部形成のためのレジストパターンを形成し、第３のシリコン基板１４２のｐ型の領域が露出するまで第２のＳＯＩ基板１４０をエッチングした後、エッチングにより形成された開口部にＳｉＯ２膜を埋め込む。そして、第２のＳＯＩ基板１４０の表面に、第４の配線１９２形成のためのレジストパターンを形成し、第３のシリコン基板１４２のｐ型の領域が露出するまでＳｉＯ２膜をエッチングした後、エッチングにより形成された開口部に電極材料を埋め込む。これによって、第４の配線１９２および第４のＳｉＯ２膜１９３が形成される。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）と同様の方法により、第１のＳＯＩ基板１３０および第２のＳＯＩ基板１４０のエッチング、ＳｉＯ２膜の埋め込み、ＳｉＯ２膜のエッチングおよび電極材料の埋め込みをおこなう。これによって、第３の配線１９０および第３のＳｉＯ２膜１９１が形成され、受光素子が出来上がる。
【００３９】
以上のように本実施の形態の受光素子によれば、第１のシリコン基板１２０のｐｎ接合は赤色光を光電変換し、第２のシリコン基板１３２のｐｎ接合は緑色光を光電変換し、第３のシリコン基板１４２のｐｎ接合は青色光を光電変換する。よって、１つの受光素子への入射光に含まれる赤色光成分、緑色光成分および青色光成分を全て利用することができ、光の利用効率を高めることができるので、本実施の形態の受光素子は、固体撮像素子の撮像画像の色再現性を高め、固体撮像素子に対する更なる高画質化の要求に応えることを可能にする受光素子を実現することができる。また、同一位置での光３原色のセンシングが可能となるので、本実施の形態の受光素子は、固体撮像素子の高解像度化を可能にする受光素子を実現することができる。さらに、カラー化を行うために、固体撮像素子にカラーフィルタを用意し、さらに赤色光、緑色光および青色光を光電変換するための受光素子を別々に用意する必要が無くなるので、本実施の形態の受光素子は、固体撮像素子に対する更なる小型化の要求に応えることを可能にする受光素子を実現することができる。
【００４０】
また、本実施の形態の受光素子によれば、第１のシリコン基板１２０、第２のシリコン基板１３２および第３のシリコン基板１４２の間には、第１のＳＯＩ絶縁層１３１および第２のＳＯＩ絶縁層１４１が形成される。よって、各シリコン基板におけるｐ型およびｎ型の領域の配置を、他のシリコン基板におけるｐ型およびｎ型の領域の配置に影響されること無く自由に設定することができるので、本実施の形態の受光素子は、設計自由度の高い受光素子を実現することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態の受光素子は、図７のＭＯＳ型固体撮像素子の断面図に示すように、平坦な分散面を有し、赤色、青色および緑色等の特定の波長域の光を効率良く集光するフォトニック結晶からなる集光膜７００を、受光素子の光入射面に備えてもよい。これによって、フォトニック結晶は光を表面で反射することなく効率良く集光して取り入れる作用を果たすレンズのような働き（吸収取り入れ効率は５０％以上向上）をし、受光素子への入射光に含まれる赤色光、緑色光および青色光を効率良く集光することができ、光の利用効率をさらに高めることができるので、固体撮像素子の更なる高画質化を可能にする受光素子を実現することができる。
【００４２】
また、本実施の形態の受光素子は、図７のＭＯＳ型固体撮像素子の断面図に示すように、可視光に対して光触媒活性を有する酸化チタンからなる光触媒膜７１０を、受光素子の光入射面に備えてもよい。これによって、受光素子の光入射面に防汚、防曇機能を持たせることができ、光の利用効率をさらに高めることができるので、固体撮像素子の更なる高画質化を可能にする受光素子を実現することができる。
【００４３】
また、第１のＳＯＩ基板１３０は、緑色光をカット（遮断又は反射）するフィルタリング機能を有し、第２のＳＯＩ基板１４０は、青色光をカットするフィルタリング機能を有してもよい。これによって、他の基板に染み出る光を完全にカットすることができるので、より鮮明に光の色分離ができ、固体撮像素子の画像の鮮明度の向上を可能にする受光素子を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、受光素子に利用でき、特に固体撮像素子の受光素子等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施の形態のＭＯＳ型固体撮像素子の受光素子周辺の構造を示す断面図である。
【図２】可視光に対するシリコン内の光吸収長さを示すグラフである。
【図３】同実施の形態の受光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】同実施の形態の受光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】同実施の形態の受光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】同実施の形態の受光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】同実施の形態のＭＯＳ型固体撮像素子の受光素子周辺の構造を示す断面図である。
【図８】従来のＭＯＳ型固体撮像素子の受光素子周辺の構造を示す断面図である。
【図９】カラーフィルタ７２０のＲＧＢ配置を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１００、８１０    受光素子
１１０、８３０    出力アンプ
１２０    第１のシリコン基板
１３０    第１のＳＯＩ基板
１３１    第１のＳＯＩ絶縁層
１３２    第２のシリコン基板
１４０    第２のＳＯＩ基板
１４１    第２のＳＯＩ絶縁層
１４２    第３のシリコン基板
１５０    第１の配線
１６０    第１のＳｉＯ２膜
１７０    第２の配線
１８０    第２のＳｉＯ２膜
１９０    第３の配線
１９１    第３のＳｉＯ２膜
１９２    第４の配線
１９３    第４のＳｉＯ２膜
３００、３１０、３２０、３３０    酸化膜
４００、４２０    レジストパターン
４１０    ＳｉＯ２膜
７００    集光膜
７１０    光触媒膜
８００    シリコン基板
８２０    カラーフィルタ
８３１    ＭＯＳトランジスタ
【図１】
2005277063.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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