(57)【要約】【課題】  下面電極にバリが発生するおそれを少なくするとともに、抵抗体の断線のおそれを少なくすることができるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】  チップ抵抗器Ａは、絶縁基板１０と、３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体１２と、同じく厚膜に形成された上面電極１４と、０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極２２と、を有する構成とし、下面電極２２は、金属有機物ペースト（例えば、Ａｕレジネート又はＡｇレジネート）を用いて形成されたものとする。なお、下面電極２２の電極間方向の長さの合計を絶縁基板の長さの４０〜６０％とするのが好ましい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
絶縁基板の上面側に形成された抵抗体で、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、
絶縁基板の下面側に形成された下面電極で、該厚膜の厚さよりも薄く形成された下面電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
チップ抵抗器であって、
厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、
厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
絶縁基板の上面側に形成された抵抗体で、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、
絶縁基板の下面側に形成された下面電極で、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
上記絶縁基板が略直方体形状を呈するとともに、下面電極が該絶縁基板の下面の相対する辺部に沿ってそれぞれ設けられ、該２つの下面電極における、該辺部に直角な方向で絶縁基板の下面に沿った方向である電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下であることを特徴とする請求項１又は３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
上記チップ抵抗器が、さらに、
上記抵抗体の両側の端部領域に接続された上面電極で、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極を有することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
チップ抵抗器であって、
略直方体形状を呈する絶縁基板と、
該絶縁基板の上面側に設けられた抵抗体で、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、
該絶縁基板の上面側に設けられた上面電極で、該抵抗体の両側の端部領域に接続してそれぞれ設けられた上面電極で、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極と、
該絶縁基板の下面側に設けられた下面電極で、該一対の上面電極間の方向である電極間方向の両側に設けられた下面電極で、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、
該絶縁基板の側面に形成された側面電極で、少なくとも該上面電極と該下面電極とに接続された側面電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項７】
上記２つの下面電極における、該辺部に直角な方向で絶縁基板の下面に沿った方向である電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下であることを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
上記下面電極が、金属有機物ペーストを用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
チップ部品であって、
厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極と、
厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、
を有することを特徴とするチップ部品。
【請求項１０】
チップ抵抗器の製造方法であって、
絶縁基板の下面側に下面電極を厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成する下面電極形成工程で、金属有機物ペーストを印刷し、印刷した金属有機物ペーストを乾燥した後に焼成する下面電極形成工程で、最終的にチップ抵抗器となった場合の隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で形成する下面電極形成工程と、
該下面電極形成工程の後に行われる抵抗体形成工程で、絶縁基板の上面側に抵抗体を厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成する抵抗体形成工程と、
上記絶縁基板を上記１つの形成領域で形成された下面電極とともに分割する分割工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１１】
上記抵抗体形成工程の後で、かつ、上記分割工程の前に行われる上面電極形成工程で、上記抵抗体の両側の端部領域に接続された上面電極を厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成する上面電極形成工程を有することを特徴とする請求項１０に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１２】
上記絶縁基板が略直方体形状を呈し、上記２つの下面電極における、該辺部に直角な方向で絶縁基板の下面に沿った方向である電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下となるように、下面電極形成工程において下面電極を絶縁基板の下面の相対する辺部に沿ってそれぞれ設けることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品とその製造方法に関するものであり、特に、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、チップ部品においては、下面電極を有するものが存在するが、下面電極は厚さ約１０μｍの厚膜により形成したものがある。
【０００３】
この場合のチップ抵抗器の例を図８に示すと、チップ抵抗器Ｂは、絶縁基板１１０と、抵抗体１１２と、上面電極１１４と、保護膜１２０と、下面電極１２２と、側面電極１２４と、メッキ１２６とを有している。メッキ１２６は、ニッケルメッキ１２８と錫メッキ１３０とを有している。
【０００４】
ここで、上記上面電極１１４と下面電極１２２は、厚膜により形成されている。すなわち、抵抗体１１２は、例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成され、上面電極１１４は、銀系メタルグレーズ厚膜により形成され、下面電極１２２は、銀系メタルグレーズ厚膜により形成されている。
【０００５】
この場合のチップ抵抗器Ｂの製造工程を概説すると以下のようになる。つまり、アルミナ基板の下面に下面電極を形成（この場合、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極を形成する。つまり、隣接する２つのチップ抵抗器について、境界位置を跨ぐように１つの下面電極を形成する）した後、アルミナ基板の上面に上面電極を形成する（この場合、隣接するチップ抵抗器について同時に上面電極を形成する。つまり、隣接する２つのチップ抵抗器について、境界位置を跨ぐように１つの上面電極を形成する）。その後、上面電極間を接続するように、抵抗体を形成する。その後、抵抗体のトリミングを行った後に、保護膜を形成する。保護膜を形成したら、一次分割用スリットに沿って短冊状に分割する（これを一次分割とする）。分割を行ったら、側面電極を形成する。この側面電極の形成に際しては、１つの短冊状基板においては、同時に側面電極を形成する。この側面電極形成後には分割を行い（これを二次分割とする）、分割を行ったらメッキを形成する。
【０００６】
一方、チップ抵抗器の上面電極と下面電極の両方を金属有機物電極ペーストにより薄膜形成するとともに、抵抗体を薄膜に形成するものが存在する（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−４５１１８号
【特許文献２】特開２００３−２０９００６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記の上面電極と下面電極とを厚膜により形成する場合には、その製造工程において一次分割スリットに沿って分割を行う際に下面電極の端部にバリが発生するという問題がある。つまり、アルミナ基板を分割する際には、該アルミナ基板の下面側を基点として折り曲げるようにして分割するので、下面電極を厚膜により形成すると、下面電極の端部にバリが発生しやすく、チップ抵抗器の外形寸法に影響を与えるという問題があった。特に、チップ抵抗器の小型化が進んでいる昨今では、バリの発生は大きな影響を与える。
【０００８】
一方、上記特許文献１や特許文献２のように、抵抗体を薄膜にする場合には、抵抗体自体が薄膜に形成されるので、抵抗体に断線が発生するおそれがあるという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、下面電極にバリが発生するおそれを少なくするとともに、抵抗体の断線のおそれを少なくすることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面側に形成された抵抗体で、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、絶縁基板の下面側に形成された下面電極で、該厚膜の厚さよりも薄く形成された下面電極と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この第１の構成のチップ抵抗器においては、抵抗体が３〜１２μｍの厚膜に形成されているので、抵抗体の断線のおそれを小さくできる。また、下面電極が該厚膜の厚さよりも薄く形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、下面電極を基板に形成した後に分割した場合に、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。つまり、隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で同時に形成する場合には、基板を分割する際に下面電極も分割することになるが、下面電極が薄膜に形成されているので、バリが発生するおそれを小さくすることができる。
【００１２】
なお、上記第１の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、厚さ８〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、該厚膜の厚さよりも薄く形成された下面電極と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【００１３】
また、第２には、チップ抵抗器であって、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、を有することを特徴とする。
【００１４】
この第２の構成のチップ抵抗器においては、抵抗体が厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成されているので、抵抗体の断線のおそれを小さくできる。また、下面電極が厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、下面電極を基板に形成した後に分割した場合に、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。つまり、隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で同時に形成する場合には、基板を分割する際に下面電極も分割することになるが、下面電極が薄膜に形成されているので、バリが発生するおそれを小さくすることができる。
【００１５】
なお、上記第２の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、チップ抵抗器であって、厚さ８〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【００１６】
また、第３には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面側に形成された抵抗体で、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、絶縁基板の下面側に形成された下面電極で、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この第３の構成のチップ抵抗器においては、抵抗体が厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成されているので、抵抗体の断線のおそれを小さくできる。また、下面電極が厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、下面電極を基板に形成した後に分割した場合に、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。つまり、隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で同時に形成する場合には、基板を分割する際に下面電極も分割することになるが、下面電極が薄膜に形成されているので、バリが発生するおそれを小さくすることができる。
【００１８】
なお、上記第３の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面側に形成された抵抗体で、厚さ８〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、絶縁基板の下面側に形成された下面電極で、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【００１９】
また、第４には、上記第１又は第３の構成において、上記絶縁基板が略直方体形状を呈するとともに、下面電極が該絶縁基板の下面の相対する辺部に沿ってそれぞれ設けられ、該２つの下面電極における、該辺部に直角な方向で絶縁基板の下面に沿った方向である電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下であることを特徴とする。
【００２０】
よって、下面電極の長さが長く形成されているので、これに伴い、下面電極を含めた下側の電極部、すなわち、下面側電極部間の距離が短くなり、よって、配線基板に実装した場合でも、抗折力を高くすることができる。また、下面側電極部の下面の面積も大きくでき、よって、配線基板に実装した場合に、ハンダフィレットとの接触面積を大きくすることができ、これにより、チップ抵抗器の配線基板への固着性を高めることができる。また、下面電極の長さが長く形成されていることにより、チップ抵抗器を配線基板に実装してリフロー炉によりはんだ付けする際にチップ立ちを抑制するモーメントを高めることができるので、チップ抵抗器のチップ立ちの現象を防止することができる。
【００２１】
また、第５には、上記第１から第４までのいずれかの構成において、上記チップ抵抗器が、さらに、上記抵抗体の両側の端部領域に接続された上面電極で、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極を有することを特徴とする。よって、抵抗体も上面電極もともに厚膜により形成されているので、抵抗体と上面電極の接合強度を強く保つことが可能となる。
【００２２】
また、第６には、チップ抵抗器であって、略直方体形状を呈する絶縁基板と、該絶縁基板の上面側に設けられた抵抗体で、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、該絶縁基板の上面側に設けられた上面電極で、該抵抗体の両側の端部領域に接続してそれぞれ設けられた上面電極で、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極と、該絶縁基板の下面側に設けられた下面電極で、該一対の上面電極間の方向である電極間方向の両側に設けられた下面電極で、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、該絶縁基板の側面に形成された側面電極で、少なくとも該上面電極と該下面電極とに接続された側面電極と、を有することを特徴とする。
【００２３】
この第６の構成のチップ抵抗器においては、抵抗体が厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成されているので、抵抗体の断線のおそれを小さくできる。また、下面電極が厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、下面電極を基板に形成した後に分割した場合に、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。つまり、隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で同時に形成する場合には、基板を分割する際に下面電極も分割することになるが、下面電極が薄膜に形成されているので、バリが発生するおそれを小さくすることができる。さらに、抵抗体も上面電極もともに厚膜により形成されているので、抵抗体と上面電極の接合強度を強く保つことが可能となる。
【００２４】
なお、上記第６の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、チップ抵抗器であって、略直方体形状を呈する絶縁基板と、該絶縁基板の上面側に設けられた抵抗体で、厚さ８〜１２μｍの厚膜に形成された抵抗体と、該絶縁基板の上面側に設けられた上面電極で、該抵抗体の両側の端部領域に接続してそれぞれ設けられた上面電極で、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極と、該絶縁基板の下面側に設けられた下面電極で、該一対の上面電極間の方向である電極間方向の両側に設けられた下面電極で、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、該絶縁基板の側面に形成された側面電極で、少なくとも該上面電極と該下面電極とに接続された側面電極と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【００２５】
また、第７には、上記第６の構成において、上記２つの下面電極における、該辺部に直角な方向で絶縁基板の下面に沿った方向である電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下であることを特徴とする。
【００２６】
よって、下面電極の長さが長く形成されているので、これに伴い、下面電極を含めた下側の電極部、すなわち、下面側電極部間の距離が短くなり、よって、配線基板に実装した場合でも、抗折力を高くすることができる。また、下面側電極部の下面の面積も大きくでき、よって、配線基板に実装した場合に、ハンダフィレットとの接触面積を大きくすることができ、これにより、チップ抵抗器の配線基板への固着性を高めることができる。また、下面電極の長さが長く形成されていることにより、チップ抵抗器を配線基板に実装してリフロー炉によりはんだ付けする際にチップ立ちを抑制するモーメントを高めることができるので、チップ抵抗器のチップ立ちの現象を防止することができる。
【００２７】
また、第８には、上記第１から第７までのいずれかの構成において、上記下面電極が、金属有機物ペーストを用いて形成されたものであることを特徴とする。
【００２８】
また、第９には、チップ部品であって、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成された上面電極と、厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成された下面電極と、を有することを特徴とする。
【００２９】
この第９の構成のチップ部品においては、上面電極が厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成されているので、これにより、上面電極に抵抗体を接続して形成する場合でも、抵抗体を厚膜に形成しやすく、よって、抵抗体の断線のおそれを小さくできる。また、下面電極が厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、下面電極を基板に形成した後に分割した場合に、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。つまり、隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で同時に形成する場合には、基板を分割する際に下面電極も分割することになるが、下面電極が薄膜に形成されているので、バリが発生するおそれを小さくすることができる。
【００３０】
また、第１０には、チップ抵抗器の製造方法であって、絶縁基板の下面側に下面電極を厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成する下面電極形成工程で、金属有機物ペーストを印刷し、印刷した金属有機物ペーストを乾燥した後に焼成する下面電極形成工程で、最終的にチップ抵抗器となった場合の隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で形成する下面電極形成工程と、該下面電極形成工程の後に行われる抵抗体形成工程で、絶縁基板の上面側に抵抗体を厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成する抵抗体形成工程と、上記絶縁基板を上記１つの形成領域で形成された下面電極とともに分割する分割工程と、を有することを特徴とする。
【００３１】
この第１０の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、下面電極を厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成するので、上記分割工程で分割を行った場合に、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。また、抵抗体が厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成されるので、抵抗体の断線のおそれを小さくできる。
【００３２】
なお、この第１０の構成における下面電極形成工程において、最終的にチップ抵抗器となった場合の一対の下面電極間方向に隣接する下面電極を１つの形成領域で形成するのみならず、該下面電極間方向に直角な方向に隣接する下面電極についても１つの形成領域で形成するべく、該下面電極間方向に直角な方向の帯状の形成領域によりまとめて下面電極を形成するようにしてもよい。
【００３３】
また、上記第１０の構成を以下のようにしてもよい。すなわち、チップ抵抗器の製造方法であって、絶縁基板の下面側に下面電極を厚さ０．２〜０．４μｍの薄膜に形成する下面電極形成工程で、金属有機物ペーストを印刷し、印刷した金属有機物ペーストを乾燥した後に焼成する下面電極形成工程で、最終的にチップ抵抗器となった場合の隣接するチップ抵抗器の下面電極とともに１つの形成領域で形成する下面電極形成工程と、該下面電極形成工程の後に行われる抵抗体形成工程で、絶縁基板の上面側に抵抗体を厚さ８〜１２μｍの厚膜に形成する抵抗体形成工程と、上記絶縁基板を上記１つの形成領域で形成された下面電極とともに分割する分割工程と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【００３４】
また、第１１には、上記第１０の構成において、上記抵抗体形成工程の後で、かつ、上記分割工程の前に行われる上面電極形成工程で、上記抵抗体の両側の端部領域に接続された上面電極を厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成する上面電極形成工程を有することを特徴とする。よって、抵抗体も上面電極もともに厚膜により形成されているので、抵抗体と上面電極の接合強度を強く保つことが可能となる。
【００３５】
また、第１２には、上記第１０又は第１１の構成において、上記絶縁基板が略直方体形状を呈し、上記２つの下面電極における、該辺部に直角な方向で絶縁基板の下面に沿った方向である電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下となるように、下面電極形成工程において下面電極を絶縁基板の下面の相対する辺部に沿ってそれぞれ設けることを特徴とする。
【００３６】
よって、下面電極の長さが長く形成されるので、これに伴い、下面電極を含めた下側の電極部、すなわち、下面側電極部間の距離が短くなり、よって、配線基板に実装した場合でも、抗折力を高くすることができる。また、下面側電極部の下面の面積も大きくでき、よって、配線基板に実装した場合に、ハンダフィレットとの接触面積を大きくすることができ、これにより、チップ抵抗器の配線基板への固着性を高めることができる。また、下面電極の長さが長く形成されていることにより、チップ抵抗器を配線基板に実装してリフロー炉によりはんだ付けする際にチップ立ちを抑制するモーメントを高めることができるので、チップ抵抗器のチップ立ちの現象を防止することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に基づくチップ抵抗器、チップ部品及びチップ抵抗器の製造方法によれば、下面電極にバリが発生するおそれを少なくするとともに、抵抗体の断線のおそれを少なくすることができる。また、特に、下面電極における電極間方向の長さの合計が、絶縁基板の該電極間方向の長さの４０％以上６０％以下とすることにより、チップ抵抗器の抗折力を高くすることができ、また、配線基板に実装した場合に、ハンダフィレットとの接触面積を大きくすることができ、これにより、チップ抵抗器の配線基板への固着性を高めることができ、さらには、チップ抵抗器のチップ立ちの現象を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明においては、下面電極にバリが発生するおそれを少なくするとともに、抵抗体の断線のおそれを少なくするという目的を以下のようにして実現した。
【００３９】
すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器Ａは、図１に示されるように、絶縁基板１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）１２と、上面電極（「上面電極層」としてもよい）１４と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、を有している。
【００４０】
ここで、チップ抵抗器Ａについてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００４１】
また、抵抗体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面に設けられている。つまり、抵抗体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている。この抵抗体１２は、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成されていて、具体的には、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）である。つまり、抵抗体１２の厚みは３〜１２μｍの範囲となっている。この抵抗体１２は、上記チップ抵抗器Ａとして電気的特性を担う機能素子である。
【００４２】
また、上面電極１４は、図１に示すように、上記抵抗体１２の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、上面電極１４は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１４は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。つまり、上面電極１４は抵抗体１２の上面に積層して形成されている。この上面電極１４は、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成されていて、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向（このＹ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向である）の幅は、抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されていて、上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向の端部は抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の端部と上面視において一致している。
【００４３】
また、保護膜２０は、図１に示すように、上記抵抗体１２の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体１２の露出部分と、両端に形成されている上記一対の上面電極１４の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜２０は、図２のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この保護膜２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。
【００４４】
また、下面電極２２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２２のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。すなわち、下面電極２２は、図３のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。さらに、一方の下面電極２２のＸ１−Ｘ２方向の長さα２と他方の下面電極２２のＸ１−Ｘ２方向の長さα３とを合計した長さ、つまり、α２＋α３は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さα１の４０％以上６０％以下に形成されている。また、各下面電極２２のＸ１−Ｘ２方向の長さは互いに略同一（同一としてもよい）に形成されている（つまり、図１において、α２＝α３となっている）。また、この下面電極２２は、厚さ０．２μｍ〜０．４μｍ（好適には０．３μｍ）の薄膜に形成されていて、具体的には、金属有機物ペーストを使用した金属薄膜により形成されている。つまり、下面電極２２は、金属有機物ペーストを印刷・乾燥・焼成することにより形成されたものである。ここで、金属有機物としては、Ａｕレジネート又はＡｇレジネートが挙げられる。
【００４５】
また、側面電極２４は、上面電極１４の一部と、下面電極２２の一部と、絶縁基板１０の側面や下面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２４は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２４は、薄膜により形成されている。この側面電極２４の上面部分は、図２のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられており、また、側面電極２４の下面部分は、図３のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。なお、この側面電極２４は、、厚さ０．２μｍ〜０．４μｍ（好適には０．３μｍ）の薄膜に形成されていて、具体的には、金属薄膜により形成されている。
【００４６】
また、メッキ２６は、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ２８は、保護層２０の一部と、上面電極１４の一部と、側面電極２４と、下面電極２２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極１４と側面電極２４と下面電極２２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極１４等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００４７】
また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００４８】
なお、上記上面電極１４と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とで電極部４０が形成されるが、この電極部４０において絶縁基板１０の下面側に位置する部分が下面側電極部４２となる。
【００４９】
なお、図２は、チップ抵抗器Ａを上面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体１２、上面電極１４、保護膜２０、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。同様に、図３は、チップ抵抗器Ａを下面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、下面電極２２、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。
【００５０】
上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について、図４、図５等を使用して説明する。まず、予め上面（表面としてもよい）と下面（裏面としてもよい）に一次スリットＪ１や二次スリットＪ２が設けられたアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）の下面に下面電極Ｇ２２を形成する（図４のＳ１１、図５のＷ１参照、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の下面電極用のペーストとしては、金属有機物ペーストを用いる。ここで、金属有機物としては、Ａｕレジネート又はＡｇレジネートが挙げられる。また、この下面電極は、厚さ０．２μｍ〜０．４μｍ（好適には０．３μｍ）の薄膜に形成する。つまり、下面電極用のペーストが金属有機物ペーストであるので、薄膜に形成することが可能となる。なお、図５に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極Ｇ２２を形成する。つまり、Ｘ方向に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。なお、図５のＷ１は、アルミナ基板を下面側から見た状態を示す図である。
【００５１】
次に、該アルミナ基板の表側の面に抵抗体を形成する（図４のＳ１２、図５のＷ２参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体Ｇ１２を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）であり、これにより、抵抗体を厚膜に形成する。具体的には、厚さ３〜１２μｍの厚膜に形成する。なお、この抵抗体Ｇ１２は、Ｘ方向の複数の抵抗体１２分の抵抗体であり、抵抗体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（上面電極間方向）に抵抗体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。なお、Ｙ方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。なお、図５においては、抵抗体Ｇ１２については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図５のＷ２、Ｗ３は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。
【００５２】
次に、抵抗体１２の上に上面電極Ｇ１４を形成する（図４のＳ１３、図５のＷ３参照、上面電極形成工程）。すなわち、個々のチップ抵抗器となった場合に抵抗体１２となる領域の端部領域に上面電極を形成する。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）であり、これにより、上面電極を厚膜に形成する。具体的には、厚さ５〜１２μｍの厚膜に形成する。なお、図５において、上面電極Ｇ１４は、チップ抵抗器Ａにおける上面電極１４の２つ分の上面電極である。つまり、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００５３】
その後は、抵抗体１２をトリミングして抵抗値を調整し（図４のＳ１４参照）、保護膜を形成し（つまり、保護膜を印刷・乾燥・焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）させる）（図４のＳ１５参照）。
【００５４】
そして、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図４のＳ１６参照、分割工程）。この分割に際しては、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。その際、下面電極は金属薄膜により形成されているので、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。
【００５５】
その後、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図４のＳ１７参照、側面電極形成工程）。つまり、スパッタ法により金属薄膜を形成する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）し、厚膜に形成してもよい。
【００５６】
その後、二次スリットＪ２に沿って二次分割する（図４のＳ１８参照）。そして、メッキを形成してチップ抵抗器とする（図４のＳ１９参照）。
【００５７】
上記構成のチップ抵抗器Ａの配線基板への実装においては、図７に示すように行われる。つまり、チップ抵抗器Ａは、配線基板５４上に形成されたランド５２にハンダフィレット５０を介して実装される。
【００５８】
以上のように本実施例のチップ抵抗器においては、下面電極を金属有機物を使用して形成するので、下面電極を薄膜に形成でき、よって、チップ抵抗器Ａの製造に際して、下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくすることができる。つまり、一次分割に際して下面電極の端部にバリが発生するおそれを小さくできる。
【００５９】
また、抵抗体１２は厚膜により形成されるので、抵抗体１２自身の断線のおそれを小さくすることが可能となる。ここで、上面電極１４が厚膜により形成されるので、抵抗体１２も厚膜に形成しやすい。つまり、上面電極１４を薄膜とし、抵抗体１２を厚膜とすると、抵抗体１２と上面電極１４との接合強度に問題が生じる場合があるが、本実施例のチップ抵抗器の場合にはそのような問題は生じない。
【００６０】
また、下面電極２２の電極間方向の長さの合計（つまり、α２＋α３）は、絶縁基板１０の電極間方向の長さα１の４０％以上６０％以下に形成されているので、抗折力を高くすることができる。つまり、チップ抵抗器Ａを配線基板等に実装した状態で上面側から力が加わった場合でもチップ抵抗器Ａが折れにくくすることができる。すなわち、下面電極２２の電極間方向の長さの合計を絶縁基板１０の電極間方向の長さの４０％以上６０％以下として、下面電極の長さを通常よりは長くして、これにより、下面側電極部４２間の距離Ｌ（図１参照）の長さを小さくできるので、その分、抗折力を大きくできる。具体的には、チップ抵抗器Ａの中央部に外力Ｆが加わった場合のたわみ量は、Ｌの３乗に比例して大きくなるが、このＬが小さくなることから、たわみ量も小さくでき、これにより、抗折力を大きくすることができる。
【００６１】
また、下面電極２２の電極間方向の長さを通常よりは長くするので、下面側電極部４２の下面の面積も大きくでき、これにより、チップ抵抗器Ａを配線基板に実装した際に、下面側電極部４２とハンダフィレット５０との接触面積を大きくすることができ、これにより、チップ抵抗器Ａの配線基板への固着性を高めることができる。また、チップ抵抗器Ａのチップ立ちの現象を防止することができる。つまり、下面電極２２の電極間方向の長さが短い場合には、チップ立ちを抑制するモーメントが低く、これにより、チップ抵抗器の一方の端部が配線基板側から浮き上がって、チップ抵抗器の他方の端部の角部を支点としてチップ抵抗器が立ち上がってしまうおそれがあるが、本実施例のチップ抵抗器Ａの場合には、下面電極２２の長さ、ひいては下面側電極部４２の長さを長くして、チップ抵抗器を配線基板に実装してリフロー炉によりはんだ付けする際にチップ立ちを抑制するモーメントを高めることができるので、そのようなチップ立ちの現象を防ぐことができる。
【００６２】
また、本実施例のチップ抵抗器Ａにおいて、金属有機物を用いて形成したのは下面電極２２のみであるので、金属有機物をＡｕレジネートとした場合には、下面電極２２と上面電極１４の両方を金属有機物を用いて形成する場合に比べて、安価に製造することが可能となる。つまり、Ａｕレジネートは比較的高価であるので、下面電極と上面電極のうち下面電極のみをＡｕレジネートを用いて形成することにより製造コストを低減させることが可能となる。
【００６３】
なお、下面電極２２の合計の長さを絶縁基板１０の長さの４０〜６０％としたが、下面側電極部４２の電極間方向の長さの合計（つまり、β２＋β３（図１参照））をチップ抵抗器Ａの電極間方向の長さβ１の４０％以上６０％以下としてもよい。
【００６４】
また、上記の説明では、アルミナ基板の上面と下面の両方に予め一次スリットと二次スリットとが設けられた場合を例にとって説明したが、これには限られず、上面及び下面に一次スリットも二次スリットも設けられていない無垢のアルミナ基板を使用してもよい。その場合には、該基板の下面に下面電極を形成した後に、該アルミナ基板の下面に一次スリットと二次スリットを形成し、その後、該アルミナ基板の上面に一次スリットと二次スリットを形成した後に、抵抗体形成工程（Ｓ１２）以降の工程を行うことになる。
【００６５】
また、上記の説明では、絶縁基板１０の上面に抵抗体１２が形成され、抵抗体１２の上面に上面電極１４が形成されている構成を例に取って説明したが、絶縁基板１０の上面に一対の上面電極が形成され、各上面電極間を接続するように抵抗体を形成するようにしてもよい。その場合には、抵抗体の両端部は、上面電極に積層するように構成される。
【００６６】
なお、上記の説明では、チップ抵抗器を例に取って説明したが、抵抗体の構成以外の構成についてはチップ抵抗器以外のチップ部品に適用してもよい。例えば、下面電極と側面電極を薄膜とし、上面電極１４を厚膜とする点をチップ抵抗器以外のチップ部品に適用してもよい。
【００６７】
なお、上記の説明において、抵抗体１２の厚みを３〜１２μｍであるとして説明したが、抵抗体１２の厚みを８〜１２μｍとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程における分割の状態を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の実装状態を示す縦断面図である。
【図８】従来におけるチップ抵抗器の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
Ａ  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
１２  抵抗体
１４  上面電極
２０  保護膜
２２  下面電極
２４  側面電極
２６  メッキ
２８  ニッケルメッキ
３０  錫メッキ
４０  電極部
４２  下面側電極部
【図１】
2005191402.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005191402.tif 000009
【図８】
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