(57)【要約】【課題】  クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない非線形抵抗素子を提供する。【解決手段】  第１金属３６と、その第１金属３６に重ねられた絶縁層３７と、その絶縁層３７に重ねられた第２金属３８とを有する非線形抵抗素子、例えばＴＦＤ素子３３である。第２金属３８は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成される。第２金属３８をクロムを用いないで形成するので、環境汚染の心配がない。【選択図】        図１
2005191361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属と、該第１金属に重ねられた絶縁層と、該絶縁層に重ねられた第２金属とを有する非線形抵抗素子において、
前記第２金属は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成される
ことを特徴とする非線形抵抗素子。
【請求項２】
基材と、
該基材上に設けられた非線形抵抗素子と、
該非線形抵抗素子に接続するように前記基材上に設けられたドット電極とを有し、
前記非線形抵抗素子は第１金属、絶縁層、及び第２金属を有し、
それらは、前記基板側から第１金属、絶縁層、及び第２金属の順に重ねられ、
前記第２金属は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２記載の電気光学装置において、前記非線形抵抗素子はバック・ツー・バック構造を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３記載の電気光学装置において、前記第２金属を構成する合金はモリブデンに対してタングステンを３５原子％以下、望ましくは５〜１０原子％含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２又は請求項３記載の電気光学装置において、前記第２金属を構成する合金はモリブデンに対してニオブを１５原子％以下、望ましくは５〜１０原子％含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項２又は請求項３記載の電気光学装置において、前記第２金属を構成する合金は添加金属としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される２種以上の金属を合計で５〜１０原子％含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項２から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記基材は電気光学物質として液晶を支持することを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基材上に第１金属を形成する工程と、
前記第１金属上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に第２金属を形成する工程とを有し、
前記第２金属は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電気光学装置の製造方法において、
前記添加金属はタングステンであり、
前記第２金属を形成する工程はエッチング液によって第２金属をパターニングする工程を有し、
前記エッチング液は、Ｈ３ＰＯ４（燐酸）、ＨＮＯ３（硝酸）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、水（Ｈ２Ｏ）によって形成され、硝酸の含有率は２〜３％、望ましくは２％である
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１金属を形成する工程は非パッド状の第１金属を形成し、
前記絶縁層を形成する工程は前記非パッド状の前記第１金属上に絶縁層としての陽極酸化膜を形成し、
非パッド状の第１金属をパッド状に分離する工程を前記第２金属を形成する工程の前に行う
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８から請求項１０のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第２金属に接続するようにドット電極を形成する工程を有し、
該ドット電極を形成する工程は、アモルファスＩＴＯを平面的に形成する工程と、該アモルファスＩＴＯをフォトエッチングによってドット電極形状にパターニングする工程と、該アモルファスＩＴＯをアニールしてポリＩＴＯに変化させる工程とを有する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前記基材上に電気光学物質としての液晶を供給する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項２から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等といった非線形抵抗素子に関する。また、本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の表示を行うために電気光学装置が用いられている。なお、液晶表示装置は、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示する電気光学装置である。
【０００３】
液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板によって液晶を挟む構造を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより、表示が行われる。
【０００４】
このような液晶表示装置には、画素に印加する電圧をスイッチング素子を用いて制御することにより液晶の配向を制御する構造のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置と、スイッチング素子を用いることなく互いに対向するストライプ状電極に印加する電圧の制御により液晶の配向を制御する構造のパッシブマトリクス方式、すなわち単純マトリクス方式の液晶表示装置とがある。
【０００５】
また、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型のスイッチング素子を用いたものと、ＴＦＤ（Thin Film Diode）等といった２端子型の非線形抵抗素子を用いたものとがある。２端子型の非線形抵抗素子は３端子型のスイッチング素子に比べて構成が簡単で、製造工程も少なくて済むという利点を持っている。
【０００６】
２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ素子は、一般に、金属（Metal）−絶縁膜（Insulator）−金属（Metal）の積層構造、いわゆるＭＩＭ構造を有し、電圧−電流特性が非線形性を有するものである。このＴＦＤ素子は、従来、第１の金属がＴａＷ（タンタル・タングステン）によって形成され、絶縁膜が陽極酸化膜によって形成され、第２の金属がクロム（クロム）によって形成されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１６４２０２号公報（第１３頁、図３４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年、環境問題の観点からクロム、特に６価クロムの使用が産業界において抑制される傾向にある。この傾向から見てＴＦＤ素子を構成する金属としてクロムを用いることが好ましくないと考えられるおそれがある。このことに関し、本発明者等はクロムの代替金属を求めて種々の実験を行った。このとき、代替金属の条件として下記項目を考えた。
（１）素子特性がクロムと同程度又はそれ以上であること、
（２）シート抵抗値がクロムと同程度又はそれ以下であること、
（３）クロムの場合と同様に、パターニングの際にウェットエッチングを用いることができること、
（４）クロムの場合と同様に、灰色に近い銀系の金属光沢色のような色であって、Ｃｕ（銅）色や黄色でないこと。
上記項目中、（４）の項目を条件としたのは、液晶表示装置の内部にそのような色の金属が存在すると、その色のために表示品質が低下するからである。
【０００９】
以上の各項目について検討を行ったところ、本発明者等はモリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金がクロムの代替金属として好適であることを知見した。また、モリブデンに高融点金属を添加することがクロムの代替金属として、より好適であることを知見した。さらに、高融点金属として、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、及びジルコニウム（Ｚｒ）の単体又は混合物を添加することがクロムの代替金属として、さらに好適であることを知見した。
【００１０】
本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない非線形抵抗素子、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明に係る非線形抵抗素子は、第１金属と、該第１金属に重ねられた絶縁層と、該絶縁層に重ねられた第２金属とを有する非線形抵抗素子において、前記第２金属は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成されることを特徴とする。
【００１２】
ここで、上記検討項目の１つである素子特性について考えると、２端子型の非線形抵抗素子、例えばＴＦＤ素子の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、素子に保持電圧として４ボルト（Ｖ）を印加したときの抵抗値である。また、抵抗値Ｒ１０は、素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。今、第２金属としてクロムを用いたＴＦＤ素子を非線形抵抗素子として考えると、室温で、
Ｒ４＝１×１０１１  Ω
Ｒ１０＝１×１０９    Ω
であり、このことをグラフによって表すと図１１に示すようになる。なお、図１１に示す素子特性線図において、実線で示す特性が第２金属としてクロムを用いたＴＦＤ素子の素子特性である。また、図１１の特性は、後述するバック・ツー・バックの構造を有するＴＦＤ素子に関するものである。
【００１３】
クロムの代替金属を考えるとき、素子特性はクロムと同等又はそれ以上であることが望ましい。ここで、クロムにおいて、Ｒ４＝１×１０１１  Ω、Ｒ１０＝１×１０９  Ωであることを考えれば、代替金属として望ましいのは、保持特性を良好に維持する観点から、
Ｒ４≦１×１０１１  Ω  ……（１）
であり、書込み特性を良好に維持する観点から、
Ｒ１０≧１×１０９  Ω  ……（２）
である。上記の（１）式及び（２）式を図１１のグラフに示せば、斜線で示す領域が素子特性として良好な領域である。従って、鎖線Ａで示す直線のようにクロムから成る素子の特性直線よりも傾きの大きい直線で表される特性を実現できることが望ましい。本発明者等の実験によれば、ＴＦＤ素子の第２金属をモリブデンにタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成したところ、上記（１）式及び（２）式を満足するＴＦＤ素子が得られた。
【００１４】
なお、モリブデン系の合金はクロムに比べて抵抗値が高くなる傾向にある。従って、ＴＦＤ素子の全体の抵抗値を低く抑えるためには、第１金属と第２金属との間に存在する絶縁層の層厚を薄く形成することが望ましい。
【００１５】
次に、他の検討項目であるシート抵抗値について考えると、クロムのシート抵抗値は、０．２μｍの膜厚で約１Ωである。これに対し、モリブデンにタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金も、ほぼ同程度のシート抵抗値であった。例えば、ＭｏＷ（モリブデン・タングステン）のシート抵抗値は約０．７Ωである。
【００１６】
次に、さらに他の検討項目であるエッチング処理について考えると、クロムがウェットエッチングによってパターニングできること、例えば硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液によってエッチングできることは知られている。本発明者等の実験によれば、クロムの場合と同様に、モリブデンを主成分とする合金もウェットエッチングできることが確認された。但し、例えばＭｏＷを用いて第２金属を形成する場合を考えると、タングステンが混合したことによりエッチングしづらくなることが分かった。従って、クロムに代えてモリブデンを用いること、及びモリブデンにタングステン等を添加することにより、エッチング液を適宜に選定する必要があるかもしれない。
【００１７】
次に、さらに他の検討項目である色の問題について考えると、モリブデンを主成分としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金は、いずれも、Ｃｕ色や黄色等といった表示の邪魔になる色ではなく、クロムと同様な、灰色に近い銀系の金属光沢色を持っている。従って、それらの合金はクロムの代替金属として好適である。
【００１８】
以上のように、本発明に係る非線形抵抗素子によれば、クロムを用いないで第２金属を形成したので、環境汚染の防止に寄与できる。また、クロムの代替としてＭｏ系合金を用いたことにより、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がクロムとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がクロムとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウェットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる、等といった効果が得られる。
【００１９】
次に、本発明に係る電気光学装置は、基材と、該基材上に設けられた非線形抵抗素子と、該非線形抵抗素子に接続するように前記基材上に設けられたドット電極とを有し、前記非線形抵抗素子は第１金属、絶縁層、及び第２金属を有し、それらは、前記基板側から第１金属、絶縁層、及び第２金属の順に重ねられ、前記第２金属は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成されることを特徴とする。
【００２０】
ここで、基材とは、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成された板材である。この基材上に、電極、配向膜、その他各種の要素を形成することにより、素子基板、カラーフィルタ基板、その他、電気光学装置の種類に応じて必要とされる各種の基板が製造される。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置によれば、それに含まれる非線形抵抗素子の第２金属がクロムを用いないで形成されるので、環境汚染の防止に寄与できる。また、クロムの代替としてＭｏ系合金を用いたことにより、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がクロムとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がクロムとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウェットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる、等といった効果が得られる。
【００２２】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記非線形抵抗素子はバック・ツー・バック構造を有することが望ましい。ここで、バック・ツー・バック構造とは、図１に示すように、一対のＴＦＤ要素を互いに直列に接続して成るＴＦＤ素子の構造である。１つのＴＦＤ要素を見たとき、そのＴＦＤ要素は極性差を有する。この極性差とは、ＴＦＤ要素の端子間に印加する電圧のプラス、マイナスの極性を変えたときにこのＴＦＤ要素の非線形特性に現れる差のことである。このように１つのＴＦＤ要素が極性差を持っている場合、その１つのＴＦＤ要素だけでは安定したスイッチング特性が得られない可能性が高い。これに対し、上記のバック・ツー・バック構造を採用すれば、極性差が相殺されて安定したスイッチング特性を得ることができる。
【００２３】
本発明者等の実験によれば、モリブデンを主成分としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって非線形抵抗素子の第２電極を形成した場合、得られた非線形抵抗素子の極性差がかなり大きいことが分かった。従って、モリブデンを主成分とする合金を用いて非線形抵抗素子を構成する場合には、安定したスイッチング特性を得るために上記のバック・ツー・バック構造を採用することが望ましい。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学装置において添加金属としてタングステンを適用する場合には、そのタングステンは、主成分であるモリブデンに対して３５原子％以下、望ましくは５〜１０原子％含まれることが望ましい。一般に、モリブデンにタングステンを添加すると、ウェットエッチングがし難くなる。そして、タングステンの添加量が多くなる程、エッチングが完了する時間が長くかかる。この場合、本発明者等の実験によれば、非線形抵抗素子を量産するときの、製造時間から見た量産可能性を考慮すると、タングステンの添加量は３５原子％以下であることが望ましく、特に５〜１０原子％の範囲に入ることが望ましかった。
【００２５】
次に、本発明にかかる電気光学装置において添加金属としてニオブを適用する場合には、そのニオブは、主成分であるモリブデンに対して１５原子％以下、望ましくは５〜１０原子％含まれることが望ましい。一般に、モリブデンにニオブを添加すると、ウェットエッチングがし難くなる。そして、ニオブの添加量が多くなる程、エッチングが完了する時間が長くかかる。この場合、本発明者等の実験によれば、非線形抵抗素子を量産するときの、製造時間から見た量産可能性を考慮すると、ニオブの添加量は、１５原子％以下であることが望ましく、特に５〜１０原子％の範囲に入ることが望ましかった。
【００２６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記第２金属を構成する合金は添加金属としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される２種以上の金属を合計で５〜１０原子％含むことが望ましい。つまり、本発明では、タングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムの単体を添加することに加えて、それらの混合物を添加することもできる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置としては、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、電気光学物質として有機ＥＬを用いる有機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基材上に第１金属を形成する工程と、前記第１金属上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に第２金属を形成する工程とを有し、前記第２金属は、主成分であるモリブデン（Ｍｏ）にタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成されることを特徴とする。
【００２９】
この電気光学装置の製造方法によれば、クロムを用いることなく非線形抵抗素子を形成できるので、環境汚染の防止に寄与できる。また、クロムの代替としてＭｏ系合金を用いたことにより、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がクロムとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がクロムとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウェットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる、等といった効果が得られる。
【００３０】
次に、上記構成の液晶表示装置の製造方法においては、前記添加金属はタングステンであり、前記第２金属を形成する工程はエッチング液によって第２金属をパターニングする工程を有し、前記エッチング液は、Ｈ３ＰＯ４（燐酸）、ＨＮＯ３（硝酸）、ＣＨ３ＣＯＯＨ（酢酸）、Ｈ２Ｏ（水）によって形成され、硝酸の含有率は２〜３％、望ましくは２％であることを特徴とする。
【００３１】
従来、アルミニウムをウェットエッチングによってパターニングする場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水から成るエッチング液であって、硝酸の含有率が約１％であるもの（以下、本発明者等はこのエッチング液を燐硝酢酸水溶液と称する）を用いていた。この燐硝酢酸水溶液を、そのまま、ＭｏＷ合金のパターニングの際に用いると、エッチングレート（すなわち、単位時間のエッチング量）が遅くなることが、本発明者等の実験によって分かった。これに対し、燐硝酢酸水溶液における硝酸の濃度を増やすとエッチングレートを速めることができることが、本発明者等の実験によって分かった。特に、硝酸濃度を２〜３％、望ましくは２％にすることが、ＭｏＷ合金のエッチングにとって良好であった。
【００３２】
次に、上記構成の液晶表示装置の製造方法においては、（ａ）前記第１金属を形成する工程は非パッド状の第１金属を形成し、（ｂ）前記絶縁層を形成する工程は前記非パッド状の前記第１金属上に絶縁層としての陽極酸化膜を形成し、（ｃ）非パッド状の第１金属をパッド状に分離する工程を前記第２金属を形成する工程の前に行うことが望ましい。ここで、「非パッド状」とは連続した線状の形状のことであり、「パッド状」とは同じ形状の第１金属が非連続の島状に並ぶことである。
【００３３】
ＭＩＭ構造の非線形抵抗素子を形成する場合には、一般に、非パッド状の第１金属を形成し、陽極酸化処理によって酸化膜すなわち絶縁層をその第１金属の上に積層し、その後、第１金属及びそれに積層された絶縁膜をパッド状に分離して、個々の非線形抵抗素子を形成する。クロムによって第２金属を形成していた従来の製造方法の場合には、第１金属をパッド状に分離する工程は、図１０に工程Ｐ５８で示すように、第１金属（工程Ｑ２）に絶縁膜（工程Ｑ３）及び第２金属（工程Ｑ４）を形成した後にＨ２ＳＯ４溶液を用いて不要部分を剥離することによって行っていた。
【００３４】
本発明のように第２金属をＭｏ系合金を用いて形成する場合には、そのＭｏ系合金の形成後にＨ２ＳＯ４溶液を用いた剥離を行うことができない。従って、本発明のように、Ｍｏ系合金を用いて第２金属を形成する場合には、第１金属及びそれに積層された絶縁膜のパッド分離を第２金属の形成の前に行ってしまい、パッド分離を行った後にＭｏ系合金によって第２金属を形成することが望ましい。こうすれば、クロムの代替金属であるＭｏ系合金によって支障なく第２金属を希望の形状に形成できる。
【００３５】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法においては、前記第２金属に接続するようにドット電極を形成する工程を有し、該ドット電極を形成する工程は、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を平面的に形成する工程と、該アモルファスＩＴＯをフォトエッチングによってドット電極形状にパターニングする工程と、該アモルファスＩＴＯをアニールしてポリＩＴＯに変化させる工程とを有することが望ましい。
【００３６】
一般に、非線形抵抗素子の第２電極にはドット状の電極が接続される。この電極は、例えばＩＴＯによって形成される。第２金属をクロムによって形成していた従来の方法では、その第２金属の形成後に、王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液を用いてＩＴＯのパターニングを行っていた。クロムはこれらのエッチング液に対して耐性を持っているのでＩＴＯのパターニングは支障なく行われていた。
【００３７】
これに対し、本発明において第２金属として用いられるＭｏ系合金は、上記の王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液等に対して耐性が弱いので、ＩＴＯをパターニングするためにそれらのエッチング液を用いることができない。そこで、本発明では、ＩＴＯをアモルファスのａ−ＩＴＯとして成膜することにより、Ｍｏ系合金の使用を可能にした。ａ−ＩＴＯは王水系エッチング液等よりも弱い酸、例えば蓚酸〔（ＣＯＯＨ）２〕によってエッチングでき、しかも、Ｍｏ系合金はこの蓚酸には耐性を持っているので、非線形抵抗素子の第２金属をＭｏ系合金で形成し、その上にａ−ＩＴＯを成膜し、さらにパターニングした場合でも、Ｍｏ系合金に支障は生じない。なお、ａ−ＩＴＯは、通常のＩＴＯをスパッタによって成膜する場合に比べて低い温度、例えば１００℃以下でスパッタすることによって形成できる。
【００３８】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明の電気光学装置はクロムを使用しない安全な装置であるので、これを用いた電子機器も環境を汚染しない安全な機器である。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、腕時計、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
（非線形抵抗素子及び電気光学装置の実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、非線形抵抗素子としてＴＦＤ素子を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。なお、本発明がそれらの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。
【００４０】
図２は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。図３は、図２におけるＡ−Ａ線に従った断面図である。図２において、液晶表示装置１は、液晶パネル２に駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃを実装し、さらに液晶パネル２に照明装置４を組み付けることによって形成される。観察者は矢印Ｃ方向から表示を視認する。なお、液晶パネル２には必要に応じてその他の部品要素、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）が装着される。
【００４１】
液晶パネル２は、図３に示すように、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとをシール材１０で貼り合わせることによって形成される。シール材１０は、図２に示すように、正方形又は長方形、すなわち方形の環状に形成されていて、その一部に液晶注入用の開口１０ａが形成される。図３において、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとの間には隙間、いわゆるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に電気光学物質としての液晶、例えばネマチック液晶が封入されて液晶層７が形成されている。
【００４２】
素子基板６ａは透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成された、矢印Ｃ方向から見て方形状の基材８ａを有し、その基材８ａの外側表面に偏光板９ａが貼着等によって装着される。また、カラーフィルタ基板６ｂは透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成された方形状の基材８ｂを有し、その基材８ｂの外側表面に偏光板９ｂが貼着等によって装着されている。
【００４３】
図４は、図３において矢印Ｂで示す部分を拡大して示している。図４において、多数の球状のスペーサ３２は素子基板６ａ又はカラーフィルタ基板６ｂのいずれかの表面にばら撒かれ、それらの基板６ａ，６ｂを互いに貼り合わせた状態で両基板６ａ，６ｂ間のセルギャップＧを一定に維持するように機能する。そして、そのセルギャップＧ内に液晶層７が形成される。
【００４４】
図４において、素子基板６ａを構成する基材８ａの液晶側表面には、線状のライン配線３１、アクティブ素子又はスイッチング素子又は非線形抵抗素子としてのＴＦＤ素子３３及び透明なドット電極２４ａが形成される。さらに、それらの要素の上に配向膜２６ａが形成され、その配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２６ａの近傍の液晶分子の配向が決められる。
【００４５】
図５は、図４の矢印Ｃ方向から見た場合のドット電極２４ａ、ＴＦＤ素子３３及びライン配線３１の位置関係を示している。図示の通り、ライン配線３１は複数本が互いに間隔をおいて平行に並べられ、いわゆるストライプ状に形成されている。そして、それらのライン配線３１の間に複数のドット電極２４ａが形成され、それらのドット電極２４ａがＴＦＤ素子３３によってライン配線３１に接続されている。複数のドット電極２４ａはマトリクス状に形成される。
【００４６】
ドット電極２４ａは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を材料としてフォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理、によって形成される。また、配向膜２６ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。この配向膜２６ａは、ラビング処理等といった配向処理を受け、この配向処理により配向膜２６ａの近傍の液晶分子の配向が決められる。
【００４７】
図１は、図５において矢印Ｅで示す部分を裏側から見た状態を示している。図１に示すように、個々のＴＦＤ素子３３は、第１ＴＦＤ要素３３ａと第２ＴＦＤ要素３３ｂとを直列に接続することによって形成されている。このＴＦＤ素子３３は、例えば、次のようにして形成される。すなわち、まず、ＴａＷ（タンタル・タングステン）によってライン配線３１の第１層３１ａ及びＴＦＤ素子３３の第１金属３６を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線３１の第２層３１ｂ及びＴＦＤ素子３３の絶縁膜３７を形成する。次に、ライン配線３１の第３層３１ｃ及びＴＦＤ素子３３の第２金属３８を形成する。
【００４８】
第２金属３８は、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として、それにタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金、すなわちＭｏ系合金によって形成されている。従来、この第２金属３８はクロムによって形成されることが多かった。しかしながら、このクロムは環境汚染の観点から見て必ずしも最良の材料ではなかった。これに対し、Ｍｏ系合金は、環境汚染の心配がなく、しかも、（１）素子特性がクロムを用いる場合とほぼ同じであり、（２）シート抵抗値がクロムを用いる場合とほぼ同じであり、（３）クロムと同様にウェットエッチング処理によってパターニングでき、そして（４）クロムと同様に灰色に近い銀系の金属光沢色を有するといった、ＴＦＤ素子３３の第２金属３８として好ましい機能を発揮する。
【００４９】
添加金属であるタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムは、それぞれを単独に添加しても良いし、いずれかの２種以上を添加しても良い。タングステンを添加する場合には、主成分であるモリブデンに対して３５原子％以下、望ましくは５〜１０原子％含まれる。また、ニオブを添加する場合には、１５原子％以下、望ましくは５〜１０原子％含まれる。また、２種以上の金属を添加する場合は、２種以上の金属の合計で５〜１０原子％含むことが望ましい。
【００５０】
モリブデンにタングステンやニオブを添加すると、モリブデン単体に比べてウェットエッチングがし難くなる。つまり、ウェットエッチングに要する時間が長くなる。ウェットエッチングに要する時間が長くなり過ぎると、ＴＦＤ素子の量産、従って液晶表示装置の量産の支障となる。このことに関し、モリブデンにタングステンを添加する場合には、タングステンの含有率が３５原子％以下であれば量産可能であった。また、５〜１０原子％の範囲であれば速くて確実なエッチングを行うことができた。
【００５１】
また、モリブデンにニオブを添加する場合には、ニオブの含有率が１５原子％以下であれば量産可能であった。また、５〜１０原子％の範囲であれば速くて確実なエッチングを行うことができた。さらに、モリブデンにタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムのいずれか２種以上を添加する場合には、それらの金属をモリブデンに対して合計で５〜１０原子％含ませれば、確実なエッチングを行った上で量産に適合する速さのエッチングを行うことができた。
【００５２】
図１において、第１ＴＦＤ要素３３ａの第２金属３８はライン配線３１の第３層３１ｃから延びている。また、第２ＴＦＤ要素３３ｂの第２金属３８の先端に重なるように、ドット電極２４ａが形成される。ライン配線３１からドット電極２４ａへ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素３３ａでは第２電極３８→絶縁膜３７→第１金属３６の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素３３ｂでは第１金属３６→絶縁膜３７→第２金属３８の順に電気信号が流れる。
【００５３】
つまり、第１ＴＦＤ要素３３ａと第２ＴＦＤ要素３３ｂとの間では電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した特性を得られることが知られている。なお、ＴＦＤ素子の安定化がそれ程に必要でない場合には、１つのＴＦＤ要素のみでＴＦＤ素子を構成しても良い。
【００５４】
図４において、カラーフィルタ基板６ｂを構成する基材８ｂの液晶側表面には樹脂層１６が形成され、その上に反射膜１７が形成される。また、反射膜１７の上には遮光膜１９が形成され、その遮光膜１９の間にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色着色要素２１が矢印Ｃ方向から見て所定の平面的な配列で形成される。そして、これら複数の着色要素２１によってカラーフィルタ２２が構成されている。また、遮光膜１９及び着色要素２１の上にはオーバーコート層２３が形成され、その上に透光性を有する線状電極２４ｂが形成され、その上に配向膜２６ｂが形成される。
【００５５】
オーバーコート層２３は、例えば、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にフォトリソグラフィ処理を施すことによって形成される。また、配向膜２６ｂは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。この配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２６ｂの近傍の液晶分子の配向が決められる。この配向膜２６ｂのラビング方向と素子基板６ａ側の配向膜２６ａのラビング方向は、液晶の特性に応じて適宜の角度で交差するようになっている。
【００５６】
図４において、樹脂層１６は第１層１６ａ及びその上に積層された第２層１６ｂを有する。これらの層は同じ材料によって形成できる。第１層１６ａの表面には複数の凹部２７が矢印Ｃ方向から見て平面的に不規則、すなわちランダムに配置されている。このため、第１層１６ａの上に積層された第２層１６ｂの表面には、これらの凹部２７及びそれに隣接する凸部に対応して凹凸が形成されている。第１層１６ａの表面に形成される凹凸は粗い状態であり、これに第２層１６ｂを積層することにより滑らかな凹凸が得られる。第２層１６ｂの表面、すなわち樹脂層１６の表面に凹凸を設けたことにより、その樹脂層１６に積層された反射膜１７の表面にも凹凸が形成される。この凹凸の存在により、反射膜１７に入射した光は散乱光となって反射する。
【００５７】
線状電極２４ｂは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成される。これらの線状電極２４ｂは、図４の紙面垂直方向に延びている。これらの線状電極２４ｂは、図５に示すように、素子基板６ａ上のライン配線３１に対して直角の方向に延在し、且つそれと直角な方向に互いに間隔をおいて平行に、すなわち全体としてストライプ状に形成されている。また、個々の線状電極２４ｂは、ライン配線３１と直角の方向に列状に並ぶ複数のドット電極２４ａに対向するように形成される。そして、ドット電極２４ａと線状電極２４ｂとが重なる領域は表示のための最小領域である表示用ドット領域Ｄを構成する。
【００５８】
図４において、反射膜１７は、例えば、光反射性の金属材料、例えばＡｌ（アルミニウム）を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成される。このとき、反射膜１７には、個々の表示用ドット領域Ｄに対応して光通過用の貫通穴、すなわち開口３４が設けられる。これらの開口３４は、反射膜１７に光を透過させる機能を持たせるための構成であるが、この開口３４を設ける代わりに反射膜１７の厚さを薄くして、光を反射する機能と光を透過させる機能の両方を持たせるようにすることもできる。表示用ドット領域Ｄのうち、反射膜１７が存在する領域は反射部Ｒを構成し、開口３４に対応する領域は透過部Ｔを構成する。
【００５９】
着色要素２１は、カラー表示の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂの３色によって構成されている。これらの各色の着色要素２１は、矢印Ｃ方向から見たときに所定の平面配列、例えば図６（ａ）に示すストライプ配置や、図６（ｂ）に示すモザイク配置や、図６（ｃ）に示すデルタ配置等に形成されている。
【００６０】
図６（ａ）のストライプ配置は、図の縦方向に同じ色の着色要素２１が並べられる配列である。また、図６（ｂ）のモザイク配置は、図の縦方向及び横方向の両方向で着色要素２１の色が順々に循環的に変化する配列である。そして、図６（ｃ）のデルタ配置は、着色要素２１が三角形の頂点に位置するように配列されると共に横方向の色が順々に循環的に変化する配列である。なお、着色要素２１の配列の仕方に関しては、上記の３種類以外にも種々に提案されているので、必要に応じて、適宜の配列が選択される。
【００６１】
個々の着色要素２１は表示用ドット領域Ｄに対応して設けられている。着色要素２１を用いない白黒表示の場合は１つの表示用ドット領域Ｄによって１つの画素が形成されるが、本実施形態のように３色の着色要素２１を用いてカラー表示を行う構造の場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の着色要素２１の集まりによって１つの画素が形成される。
【００６２】
図２において、素子基板６ａの１辺はカラーフィルタ基板６ｂの外側へ張り出して、張出し部４１を構成している。駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃはこの張出し部４１の表面に実装されている。この実装は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて行うことができる。中央の駆動用ＩＣ３ｂの出力端子は素子基板６ａ上のライン配線３１に直接に接続される。一方、両側の駆動用ＩＣ３ａ及び３ｃは、シール材１０内に分散した導電粒子を介してカラーフィルタ基板６ｂ上の線状電極２４ｂに接続される。
【００６３】
なお、基板と駆動用ＩＣとの接続は、ＣＯＧ技術以外の任意の接続手法を用いることができる。このような接続手法としては、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の上にＩＣチップがボンディングされて成るＴＣＰ（Tape Carrier Package）を液晶表示装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップを硬質の基板にボンディングするＣＯＢ（Chip On Board）技術を用いても良い。
【００６４】
次に、図２において、液晶パネル２を構成するカラーフィルタ基板６ｂの外側表面に対向して配設された照明装置４は、例えば、透明なプラスチックによって形成された方形状で板状の導光体４２と、点状光源としてのＬＥＤ４３とを有する。図３に示すように、導光体４２のうち液晶パネル２と反対側の面には光反射シート４４を装着することができる。また、導光体４２のうち液晶パネル２に対向する面には光拡散シート４６を装着することができる。また、光拡散シート４６の上に、さらに、プリズムシート（図示せず）を装着することもできる。ＬＥＤ４３は本実施形態では３個使用しているが、ＬＥＤ４３は必要に応じて１個とすることもでき、あるいは、３個以外の複数個とすることもできる。また、ＬＥＤ等といった点状光源に代えて、冷陰極管等といった線状光源を用いることもできる。以上のように構成された照明装置４は、液晶パネル２を背面から照明するバックライトとして機能する。
【００６５】
図７は、図２の液晶表示装置１の電気的な等価回路を示している。図７において、複数本の走査線４７が行方向Ｘに延びるように形成され、さらに、複数本のデータ線４８が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線４７は図２の線状電極２４ｂによって実現され、データ線４８は図２のライン配線３１によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線４７とデータ線４８との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、液晶層７と、ＴＦＤ素子３３とが直列に接続されている。本実施形態では、液晶層７が走査線４７の側に接続され、ＴＦＤ素子３３がデータ線４８の側に接続されている。各走査線４７は、走査線駆動回路５１によって駆動される。一方、各データ線４８は、データ線駆動回路５２によって駆動される。走査線駆動回路５１は図２の駆動用ＩＣ３ａ，３ｃによって構成され、データ線駆動回路５２は図２の駆動用ＩＣ３ｂによって構成される。
【００６６】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて、反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６７】
反射型表示を行う場合、図４において、観察側Ｃの方向から素子基板６ａを通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層７を通過してカラーフィルタ基板６ｂ内へ入った後、反射部Ｒにおいて反射膜１７で反射して再び液晶層７へ供給される。他方、透過型表示を行う場合、図２の照明装置４のＬＥＤ４３が点灯し、それらの光が導光体４２の光入射面４２ａから導光体４２へ導かれ、さらに、光出射面４２ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過部Ｔにおいて開口３４を通って液晶層７へ供給される。
【００６８】
以上のようにして液晶層７へ光が供給される間、素子基板６ａ側のドット電極２４ａとカラーフィルタ基板６ｂ側の線状電極２４ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される表示用ドット領域Ｄに所定の電圧が印加され、これにより、液晶層７内の液晶分子の配向が表示用ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層７に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、図２の観察側の偏光板９ａを通過するか、通過しないかによって、観察側に文字、数字、図形等といった像が表示され、矢印Ｃ方向から視認できる。遮光膜１９は、表示ドット領域Ｄの間から光が漏れることを防止するためのブラックマスクとして機能する。
【００６９】
本実施形態の液晶表示装置１では、図１のＴＦＤ素子３３の第１ＴＦＤ要素３３ａ及び第２ＴＦＤ要素３３ｂにおいて、第２金属３８をＭｏ系合金によって形成した。クロムによって第２金属３８を形成した従来の液晶表示装置においては、クロムの存在により環境汚染をもたらすおそれがあったが、Ｍｏ系合金を用いた本実施形態によれば、環境汚染の心配がない。
【００７０】
（変形例）
上記実施形態では、着色要素２１及び反射膜１７の両方を１つの基板であるカラーフィルタ基板６ｂ内に設ける場合を例示したが、これに代えて、反射膜１７を一方の基板に設け、着色要素２１を他方の基板に設ける構成の液晶表示装置にも本発明を適用できる。
【００７１】
また、上記実施形態では、着色要素２１と遮光膜１９とを同じ基板上に形成したが、それらを異なる基板上に形成することもできる。
【００７２】
また、上記実施形態では本発明を液晶表示装置に適用したが、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等において、ＴＦＤ素子、あるいはその他の非線形抵抗素子を使用する場合にも適用できる。
【００７３】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図２に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図８は、液晶表示装置の製造方法の一例を工程図として示している。図８において、工程Ｐ１から工程Ｐ６が図４の素子基板６ａを形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図４のカラーフィルタ基板６ｂを形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。
【００７４】
なお、本実施形態の製造方法では、図２に示す素子基板６ａ及びカラーフィルタ基板６ｂを１つずつ形成するのではなく、素子基板６ａに関しては、複数の素子基板６ａを形成できる大きさの面積を有する素子側マザー基材を用いて複数の素子基板６ａを同時に形成する。また、カラーフィルタ基板６ｂに関しては、複数のカラーフィルタ基板６ｂを形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー基材を用いて複数のカラーフィルタ基板６ｂを同時に形成する。素子側マザー基材及びカラーフィルタ側マザー基材は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００７５】
まず、図８の工程Ｐ１において、素子側マザー基材の表面に図１のＴＦＤ素子３３及びライン配線３１を形成する。次に、工程Ｐ２において、ドット電極２４ａをＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成する。次に、工程Ｐ３において、図４の配向膜２６ａを塗布や印刷等によって形成し、さらに工程Ｐ４において、その配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理を施す。次に、工程Ｐ５において、例えばエポキシ系の樹脂を材料として印刷等によって図２のシール材１０を形成し、さらに、工程Ｐ６において、表面に図４のスペーサ３２を分散する。以上により、素子側マザー基材の上に複数の素子基板６ａが形成されて素子側マザー基板が形成される。
【００７６】
次に、図８の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー基材の表面上に図４の樹脂層１６の第１層１６ａを、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。この処理の際に、ランダムに分散した多数の凹凸によって形成される凹凸パターンが第１層１６ａの表面に形成される。
【００７７】
その後、図４において、第１層１６ａの上に同じ材料の第２層１６ｂを薄く塗布して、樹脂層１６を形成する。第２層１６ｂを積層するのは、凹部又は凸部の表面を滑らかにするためである。次に、図８の工程Ｐ１２において、図４の反射膜１７を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口３４を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層１６の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された反射膜１７にも同様の凹凸パターンが形成される。この凹凸パターンを有する反射層１７に光が当って反射する場合には、その反射光は散乱光となる。
【００７８】
次に、工程Ｐ１３において、図４の遮光膜１９を、例えばクロムを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１４において、図４の着色要素２１を形成する。着色要素２１については、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図４のオーバーコート層２３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００７９】
次に、図８の工程Ｐ１６において、図４の線状電極２４ｂをＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図４の配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１８において配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー基材の上に複数のカラーフィルタ基板６ｂが形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００８０】
その後、図８の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図２のシール材１０を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００８１】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１０を、工程Ｐ２２において硬化させて両マザー基板を接着する。次に、工程Ｐ２３において、パネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図２の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１０には予め適所に開口１０ａ（図２参照）が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１０の開口１０ａが外部に露出する。
【００８２】
次に、図８の工程Ｐ２４において、上記のシール材の開口１０ａを通して各液晶パネル部分の内部へ電気光学物質としての液晶を注入し、その注入の完了後、その開口１０ａを樹脂によって封止する。次に、工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図２に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００８３】
次に、図８の工程Ｐ２６において、図２の駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃを実装する。次に、工程Ｐ２７において、図２の液晶パネル２に偏光板９ａ及び９ｂを貼着によって装着し、さらに工程Ｐ２８において、図２の照明装置４を取り付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００８４】
図９は、図８におけるＴＦＤ素子の形成工程Ｐ１、２の一実施形態を示している。このＴＦＤ素子の形成工程は、図１に示すＴＦＤ素子３３であって、第２金属３８をＭｏＷによって形成したものを製造するための工程である。このＴＦＤ素子の形成工程は、大きく分けて、下地層形成工程Ｑ１、第１金属３６を形成する工程Ｑ２、絶縁層３７を形成する工程Ｑ３、第２金属３８を形成する工程Ｑ４、そして電極２４ａを形成する工程Ｑ５から成っている。なお、図１では、下地層形成工程によって形成される下地層の図示は省略されている。
【００８５】
より具体的に説明すれば、まず、工程Ｐ３１において、Ｔａ２Ｏ５をスパッタ処理によって成膜して下地層を形成する。次に、工程Ｐ３２において、ＴａＷ（タンタル・タングステン）をスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３３において、フォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング・剥離処理により、非パッド状の第１金属３６を形成する。なお、エッチング後のレジスト剥離処理はＨ２ＳＯ４溶液を用いて行われる。
【００８６】
非パッド状の第１金属３６とは、島状でない連続した状態の第１金属３６ということである。図１に示す第１金属３６は個々のドット電極２４ａに対して１つずつ島状に独立している。このように島状に独立する状態を本明細書ではパッド状という。図９の第１金属形成工程Ｑ２では、パッド状の第１金属３６をいきなり形成するのではなく、ライン配線３１の第１層３１ａにつながる第１金属３６又は複数の島状の第１金属３６が互いに連続する状態の第１金属３６が形成される。このとき、ライン配線３１につながる第１金属３６や互いに連続して線状に延びる第１金属３６が非パッド状の第１金属３６ということである。
【００８７】
次に、工程Ｐ３４において、クエン酸水溶液中で１０Ｖの電圧で陽極酸化処理を行って、層厚約２００Åの図１の絶縁層３７を形成する。次に、工程Ｐ３５において、温度３２０℃で第１回目のアニール処理、すなわちアニールＡを実行する。このアニールＡは、絶縁層３７の膜質を整えるために行われる。次に、工程Ｐ３６において、エッチング後は、Ｈ２ＳＯ４溶液を用いてレジスト不要な部分の絶縁層３７及び第１金属３６を剥離して、パッド状の第１金属３６及び絶縁層３７を形成する。
【００８８】
ここで、本実施形態におけるパッド分離工程Ｐ３６を理解するために、ＴＦＤ素子の第２金属をクロムによって形成するようにした従来のＴＦＤ素子の製造方法について考える。図１０は、従来のＴＦＤ素子の一例を示している。図１０の従来方法は、図９の実施形態と同様に、下地層形成工程Ｑ１、非パッド状の第１金属形成工程Ｑ２、絶縁層形成工程Ｑ３、第２金属形成工程Ｑ４、及び電極形成工程Ｑ５によって構成される。従来の方法において、Ｔａ２Ｏ５のスパッタ工程Ｐ５１からアニールＡ工程Ｐ５５までの処理は、図９の実施形態と同様に行うことができる。
【００８９】
図９の本実施形態では、絶縁層形成工程Ｑ３を実行した後、第２金属形成工程Ｑ４を実行する前にパッド分離工程Ｐ３６を実行しているが、図１０の従来の方法では、絶縁層形成工程Ｑ３の後、さらに第２金属形成工程Ｑ４を実行した後に、パッド分離工程Ｐ５８を行っている。この違いについて説明すれば次の通りである。すなわち、本発明に係るＴＦＤ素子では第２金属をクロムからＭｏ系合金に変更した。このＭｏ系合金がＴＦＤ素子の第２金属として存在すると、パッド分離工程Ｐ５８のＨ２ＳＯ４剥離に第２金属のＭｏ系合金が溶けて消失してしまうため、Ｍｏ系合金を積層する前にパッド分離Ｐ３６を行って、第１金属及び絶縁層のパッド状部分を形成するようにした。
【００９０】
次に、図９の工程Ｐ３７において、第２金属３８の材料であるＭｏＷをスパッタ処理によって膜厚約０．２μｍに形成する。次に、工程Ｐ３８において、ＭｏＷに対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ＭｏＷを第２金属３８のための所定の形状にパターニングする。ここで、エッチング処理は、エッチング液として燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度２％のものを用い４０秒のエッチング時間で行うことにより、希望の形状の第２金属を形成した。燐硝酢酸水溶液というのは、Ｈ３ＰＯ４約８０％、ＨＮＯ３１％、ＣＨ３ＣＯＯＨ約５％、Ｈ２０約１４％によって形成されたエッチング液である。そして、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度２％のものとは、燐硝酢酸水溶液の硝酸（ＨＮＯ３）濃度を１％から２％へ上げたものである。
【００９１】
モリブデンにタングステンが添加されるとエッチング処理がし難くなるが、本発明者等の実験によれば、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度を２％に上げれば、ＭｏＷに対して良好なエッチングができることが分かった。また、レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＭｏ系合金を溶かさない有機溶剤を用いる。
【００９２】
次に、図９の電極形成工程Ｑ５において、図１のＴＦＤ素子３３の第２ＴＦＤ要素３３ｂの第２金属３８に接触するように、ドット電極２４ａを形成する。具体的には、工程Ｐ３９において、ａ（アモルファス）−ＩＴＯをスパッタ処理によって一様な膜厚で形成する。例えば、Ａｒ（アルゴン）流量１００ＳＣＣＭ、Ｏ２流量０．４ＳＣＣＭ、トータル圧力０．８パスカルの混入ガスの下、２３℃の室温で５００Åのａ−ＩＴＯを成膜した。なお、図１０の従来方法では、工程Ｐ５９で、アモルファス組成でないＩＴＯを成膜した。ａ−ＩＴＯは、アモルファス組成でないＩＴＯをスパッタ処理するときに比べて、スパッタ温度を低く（本実施形態では２３℃）設定することによって実現できる。
【００９３】
次に、工程Ｐ４０において、ａ−ＩＴＯの層膜に対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ａ−ＩＴＯを希望するドット電極形状にパターニングする。このときのエッチング処理は、エッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）、例えば関東化学社製のＩＴＯ―０６Ｎを用いて、４０℃で４０秒間行った。
【００９４】
図１０に示す従来の方法では工程Ｐ６０において、王水系エッチング液（ＨＮＯ３：ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ＝１：１０：１０）を用いてＩＴＯをエッチング処理した。本実施形態においてＩＴＯのためのエッチング液として王水系エッチング液よりも弱い酸である蓚酸を用いたのは、ＴＦＤ素子の第２金属を形成するＭｏＷが王水系エッチング液に耐えることができないが、蓚酸には耐えることができるからである。ＩＴＯをアモルファス組成のａ−ＩＴＯとして成膜し、これに蓚酸によるエッチングを行うことにより、ＭｏＷのパターンを維持しつつ、ＩＴＯのパターニングを可能にしている。レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＩＴＯを溶かさない有機溶剤を用いる。
【００９５】
次に、図９の工程Ｐ４１において、第２金属３８の化学的構造を安定化させるために、第２回目のアニール処理であるアニールＢを実行する。具体的には、２５０℃で６０分のアニール処理を行う。なお、ＴＦＤ素子３３の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、ＴＦＤ素子に保持電圧として４Ｖを印加したときの抵抗値であり、抵抗値Ｒ１０は、ＴＦＤ素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。工程Ｐ４１のアニール処理を行うにあたって、アニール温度条件及びアニール時間が変化すると、ＴＦＤ素子におけるＲ４及びＲ１０が変化する。本実施形態において、図９の工程Ｐ４１のアニールＢは、ＴＦＤ素子３３の素子特性が
Ｒ４  ＝１×１０１２
Ｒ１０＝１×１０９
となることを目指して行われる。なお、工程Ｐ４１のアニールＢを行うことにより、ａ−ＩＴＯはポリＩＴＯに戻る。これにより、ＩＴＯの透明性が確保される。
【００９６】
（変形例）
以上の実施形態では、液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて本発明に係る電気光学装置の製造方法を説明したが、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等を製造する場合にも適用できる。
【００９７】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００９８】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１０１、表示情報処理回路１０２、電源回路１０３、タイミングジェネレータ１０４及び液晶表示装置１０５によって構成される。そして、液晶表示装置１０５は液晶パネル１０７及び駆動回路１０６を有する。
【００９９】
表示情報出力源１０１は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０４により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０２に供給する。
【０１００】
次に、表示情報処理回路１０２は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０６へ供給する。ここで、駆動回路１０６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０３は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１０１】
液晶表示装置１０５は、例えば、図２に示した液晶表示装置１と同様に構成できる。液晶表示装置１は、ＴＦＤ素子の第２金属としてクロムを用いることなくＭｏ系合金によって形成されるので、環境汚染の心配がない。従って、それを用いた本電子機器も環境汚染の心配がない。
【０１０２】
図１３は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１２０は、ヒンジ１２２を中心として折り畳み可能な第１ボディ１２１ａと第２ボディ１２１ｂとを有する。そして、第１ボディ１２１ａには、液晶表示装置１２３と、受話口１２４と、アンテナ１２６とが設けられる。また、第２ボディ１２１ｂには、複数の操作ボタン１２７と、送話口１２８とが設けられる。液晶表示装置１２３を、図２に示した液晶表示装置１によって構成すれば、環境汚染の心配のない携帯電話機を構成できる。
【０１０３】
図１４は、本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態であるＰＤＡ（Personal Digital Assistant:パーソナル・デジタル・アシスタント：携帯型情報端末装置）を示している。ここに示すＰＤＡ１５０は、接触方式、いわゆるタッチパネル方式の入力装置１５１をその正面パネル上に有する。この入力装置１５１は透明であり、その下には表示部としての液晶表示装置１５２が配置されている。
【０１０４】
使用者は、付属のペン型入力具１５３を入力装置１５１の入力面に接触させることにより、液晶表示装置１５２に表示されたボタン、その他の表示を選択したり、文字、図形等を描いたりして、必要な情報を入力する。この入力情報に対してＰＤＡ１５０内のコンピュータによって所定の演算が行われ、その演算の結果が液晶表示装置１５２に表示される。液晶表示装置１５２として図２に示した液晶表示装置１を用いれば、環境汚染の心配のないＰＤＡを構成できる。
【０１０５】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機や、ＰＤＡの他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【実施例１】
【０１０６】
図９のＴＦＤ素子の製造方法において、次の条件を設定した。
（１）陽極酸化電圧を１０〜１２Ｖに設定した。
（２）アニールＡにおけるアニール温度を３２０℃に設定した。
（３）Ｍｏを主成分としこれに０〜３５原子％のＷを添加した合金によってＴＦＤ素子の第２金属を形成した。
（４）アニールＢにおけるアニール温度を２５０℃、アニール時間を６０〜１００分に設定した。
【０１０７】
以上の条件でＴＦＤ素子を形成したところ、そのＴＦＤ素子はＯＦＦ抵抗が高く保持特性が良いため、液晶パネルの高温時のコントラストが高かった。また、ＴＦＤ素子の特性の変化及び劣化が軽度であり、そのため、液晶パネルの残像及び焼き付きが少なかった。
【実施例２】
【０１０８】
図９のＴＦＤ素子の製造方法において、次の条件を設定した。
（１）陽極酸化電圧を１０〜１２Ｖに設定した。
（２）アニールＡにおけるアニール温度を３２０℃に設定した。
（３）Ｍｏを主成分としこれに０〜１５原子％のＮｂを添加した合金によってＴＦＤ素子の第２金属を形成した。
（４）アニールＢにおけるアニール温度を２５０℃、アニール時間を６０〜１００分に設定した。
【０１０９】
以上の条件でＴＦＤ素子を形成したところ、そのＴＦＤ素子はＯＦＦ抵抗が高く保持特性が良いため、液晶パネルの高温時のコントラストが高かった。また、ＴＦＤ素子の特性の変化及び劣化が軽度であり、そのため、液晶パネルの残像及び焼き付きが少なかった。
【実施例３】
【０１１０】
図９のＴＦＤ素子の製造方法において、次の条件を設定した。
（１）Ｍｏ系合金のエッチング液として硝酸濃度が２％の燐硝酢酸水溶液を用いた。ここで、燐硝酢酸水溶液とは、Ｈ３ＰＯ４＝約８０％、ＨＮＯ３＝１％、ＣＨ３ＣＯＯＨ＝約５％、Ｈ２Ｏ＝約１４％の組成から成るエッチング液であり、硝酸濃度が２％の燐硝酢酸水溶液とは、燐硝酢酸水溶液において硝酸濃度を２％に上げたものである。
（２）そのエッチング液の温度を４０℃とした。
（３）そのエッチング液によるエッチング時間を０．５〜３分とした。
【０１１１】
以上の条件でＴＦＤ素子を形成したところ、希望の特性のＴＦＤ素子が得られた。つまり、本発明によれば、ＴＦＤ素子の第２金属を湿式エッチングによって形成できる。そして、そのため、液晶表示装置の製造工程においてマザー基板の大型化が容易であった。
【実施例４】
【０１１２】
図９に示す工程から成るＴＦＤ素子の製造方法を用いてＴＦＤ素子を形成したところ、希望の特性のＴＦＤ素子が得られた。このとき、Ｍｏ系合金はＩＴＯのエッチング液、例えば、王水系エッチング液及び塩化鉄系エッチング液に耐えられないが、ＩＴＯをアモルファスのａ−ＩＴＯとして成膜し、それを蓚酸でパターニングすることにすれば、Ｍｏ系合金のパターンを維持できた。また、蓚酸によるａ−ＩＴＯのパターニング後、アニールＢを２５０℃で行ってａ−ＩＴＯをポリ化することにより、ＩＴＯの透明性を確保できた。
【実施例５】
【０１１３】
次の条件でエッチング処理を行った。
（１）（ａ）Ｗ濃度が０％のＭｏ単体、（ｂ）Ｗ濃度が５原子％のＭｏＷ合金、（ｃ）Ｗ濃度が１０原子％のＭｏＷ合金、（ｄ）Ｗ濃度が２０原子％のＭｏＷ合金、及び（ｅ）Ｗ濃度が３５原子％のＭｏＷ合金の５種類の金属によってＴＦＤ素子の第２金属を、いずれも膜厚２０００Åで形成した。
（２）Ｍｏ系合金のエッチング液として、（ａ）従来から用いられていた燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度１％）、（ｂ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、（ｃ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度３％）の３種類を液温４０℃及び液温５０℃で用いた。
（３）２ｃｍ×１ｃｍのＭｏ系合金をビーカーに入れ、揺動なしでビーカー内でエッチングを行い、ジャストエッチング、すなわち希望のエッチング量が得られたこと、を目視で確認した。
【０１１４】
その結果、図１５、図１６、図１７、及び図１８に示す結果を得た。図１５は、上記（２）のエッチング液の液温を４０℃にしたときであって、ＭｏＷ合金をサンプルとしたときのジャストエッチング時間を、Ｗの含有率ごとに示した棒グラフである。また、図１６は、上記（２）のエッチング液の液温を５０℃にしたときであって、ＭｏＷ合金をサンプルとしたときのジャストエッチング時間を、Ｗの含有率ごとに示した棒グラフである。
【０１１５】
また、図１７は、エッチング液の液温５０℃のときの、エッチング液における硝酸濃度の変化と、ジャストエッチング時間との関係を表す折れ線グラフである。また、図１８は、エッチング液の液温５０℃のときの、Ｍｏ系合金のＷ濃度の変化と、ジャストエッチング時間との関係を表す折れ線グラフである。
【０１１６】
以上の実験結果から次のことが分かった。
（１）Ｗ濃度が高くなるとエッチングしづらくなるが、エッチング液の硝酸濃度を上げることでエッチング時間を速めることができる。特に、Ｗ濃度の低い領域でその効果が大きい。
（２）Ｗ濃度が高くなるにつれ、硝酸濃度に対するエッチング時間の長さが逆傾向になる。
（３）２０００ÅのＭｏＷにおいて、エッチング時間を考慮した量産適応可能なＷ濃度は３５原子％以下、望ましくは２０％以下であった。
（４）ＭｏＷは、燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度１％）ではエッチングしづらいが、硝酸濃度を２〜３％にすることでエッチングレートを上げる、すなわちエッチング時間を速くする、ことができる。
（５）２０００Å、燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、液温５０℃の条件で、Ｗ濃度２０％までのエッチング時間は５４秒であり、ここまでが量産適応可能範囲として望ましい範囲であると考えられるが、３５％までの範囲も適用可能と考えられる。
【実施例６】
【０１１７】
次の条件でエッチング処理を行った。
（１）（ａ）Ｎｂ濃度が０％のＭｏ単体、（ｂ）Ｎｂ濃度が５原子％のＭｏＮｂ合金、（ｃ）Ｎｂ濃度が１０原子％のＭｏＮｂ合金、（ｄ）Ｎｂ濃度が１５原子％のＭｏＮｂ合金、及び（ｅ）Ｎｂ濃度が２０原子％のＭｏＮｂ合金の５種類の金属によってＴＦＤ素子の第２金属を、いずれも膜厚２０００Åで形成した。
（２）Ｍｏ系合金のエッチング液として、（ａ）従来から用いられていた燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度１％）、（ｂ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、（ｃ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度３％）の３種類を液温４０℃及び液温５０℃で用いた。
（３）２ｃｍ×１ｃｍのＷｏ系合金をビーカーに入れ、揺動なしでビーカー内でエッチングを行い、ジャストエッチング、すなわち希望のエッチング量が得られたこと、を目視で確認した。
【０１１８】
その結果、図１９、図２０、図２１、及び図２２に示す結果を得た。図１９は、上記（２）のエッチング液の液温を４０℃にしたときであって、ＭｏＮｂ合金をサンプルとしたときのジャストエッチング時間を、Ｎｂの含有率ごとに示した棒グラフである。また、図２０は、上記（２）のエッチング液の液温を５０℃にしたときであって、ＭｏＮｂ合金をサンプルとしたときのジャストエッチング時間を、Ｎｂの含有率ごとに示した棒グラフである。また、図２１は、エッチング液の液温５０℃のときの、エッチング液における硝酸濃度の変化と、ジャストエッチング時間との関係を表す折れ線グラフである。また、図２２は、エッチング液の液温５０℃のときの、Ｍｏ系合金のＮｂ濃度の変化と、ジャストエッチング時間との関係を表す折れ線グラフである。
【０１１９】
以上の実験結果から次のことが分かった。
（１）Ｎｂ濃度が高くなるとエッチングしづらくなる。
（２）Ｎｂ濃度が高い領域では、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度が少ない方がエッチングレートが速い。
（３）２０００ÅのＭｏＮｂにおいて、エッチング時間を考慮した量産適応可能なＮｂ濃度は１５原子％以下、望ましくは１０％以下であった。
（４）Ｎｂ濃度が高くなると指数的にエッチング時間が延びるが、２０００Å、燐硝酢酸水溶液、液温５０℃の場合、Ｎｂ濃度が１０原子％で７７秒であり、ここまでが量産適応可能範囲として望ましい範囲であると考えられるが、１５％までの範囲も適用可能と考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明に係る非線形抵抗素子は、例えばＴＦＤ素子であり、これは、液晶表示装置等といった電気光学装置において、例えばスイッチング素子として用いられる。また、本発明に係る電気光学装置は、例えば液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ等であり、これは、携帯電話機、携帯情報端末機、その他の電子機器で各種の表示を行う際に表示用の機器として好適に用いられる。また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、環境に悪影響を与えない電気光学装置を製造する際に好適に用いられる。また、本発明に係る電子機器は携帯電話機、携帯情報端末機等といった民生機器や、計測器その他の工業用機器等として用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明に係る非線形抵抗素子の一実施形態であるＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を分解状態で示す斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に従った断面図である。
【図４】図３において矢印Ｂで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図５】図４に示す構造を矢印Ｃ方向から見た平面図である。
【図６】着色要素の配列例を示す図である。
【図７】図２の液晶表示装置の電気等価回路を示す回路図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図９】図８の主要工程の内容を示す工程図である。
【図１０】図９に対応する従来の工程を示す工程図である。
【図１１】ＴＦＤ素子の素子特性を示すグラフである。
【図１２】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【図１５】ＭｏＷに関して行った実験の結果を示すグラフである。
【図１６】ＭｏＷに関して行った実験の他の結果を示すグラフである。
【図１７】ＭｏＷに関して行った実験のさらに他の結果を示すグラフである。
【図１８】ＭｏＷに関して行った実験のさらに他の結果を示すグラフである。
【図１９】ＭｏＮｂに関して行った実験の結果を示すグラフである。
【図２０】ＭｏＮｂに関して行った実験の他の結果を示すグラフである。
【図２１】ＭｏＮｂに関して行った実験のさらに他の結果を示すグラフである。
【図２２】ＭｏＮｂに関して行った実験のさらに他の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１２２】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル、
３ａ，３ｂ，３ｃ．駆動用ＩＣ、  ４．照明装置、  ６ａ．素子基板、
６ｂ．カラーフィルタ基板、  ７．液晶層、  ８ａ，８ｂ．基材、
９ａ，９ｂ．偏光板、  １０．シール材、  １０ａ．開口、  １６．樹脂層、
１７．反射膜、  １９．遮光膜、  ２１．着色要素、  ２２．カラーフィルタ、
２３．オーバーコート層、  ２４ａ．ドット電極、  ２４ｂ．線状電極、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．凹部、  ３１．ライン配線、  ３２．スペーサ、
３３．ＴＦＤ素子（非線形抵抗素子）、  ３４．開口、  ３６．第１金属、
３７．絶縁層、  ３８．第２金属、  ４１．張出し部、  ４２．導光体、
４３．ＬＥＤ、  ４７．走査線、  ４８．データ線、  ５１．走査線駆動回路、
５２．データ線駆動回路、  １０５．液晶表示装置、
１２０．携帯電話機（電子機器）、  １２３．液晶表示装置、
１５０．ＰＤＡ（電子機器）、  １５２．液晶表示装置、  Ｄ．表示用ドット領域、
Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０．外部光、  Ｌ１．透過光、  Ｒ．反射部、  Ｔ．透過部
【図１】
2005191361.tif 000003
【図２】
2005191361.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005191361.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2005191361.tif 000012
【図１１】
2005191361.tif 000013
【図１２】
2005191361.tif 000014
【図１３】
2005191361.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2005191361.tif 000017
【図１６】
2005191361.tif 000018
【図１７】
2005191361.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2005191361.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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