(57)【要約】【課題】容器内へのガスの封入を防止して高真空状態で封止可能であり、かつ、製造効率の向上が図られた電子部品封止体の製造方法を提供する。【解決手段】第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａおよび第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂとで構成される一次溶接工程ステップＳ２０３により未溶接部分を形成した後、アニール処理工程ステップＳ２０４において、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａで形成された電子ビームの軌跡上の所定部分に電子ビームを照射してアニール処理を行う。【選択図】        図１０
2005317895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有し当該開口を通じて内部の収容部に電子部品が収納される容器と、前記開口の周縁に接続されて前記容器の前記開口を覆う蓋体とを有し、前記容器と前記蓋体との接合部に配設した封止材を溶融して封止される電子部品封止体の製造方法であって、
前記容器の前記収容部と外部との連通部が少なくとも一部に形成された未封止の前記電子部品封止体に対し、前記容器および前記蓋体の少なくとも一方にビームを照射するアニール処理工程と、
前記電子部品封止体の前記連通部をビーム溶接して封止する連通部ビーム溶接工程と、
を含むことを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
【請求項２】
前記アニール処理工程において、前記容器の底壁の一箇所または複数箇所に、前記ビームを照射することを特徴とする請求項１に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項３】
前記アニール処理工程において、前記容器の一つの側壁の一箇所または複数箇所に、前記ビームを照射することを特徴とする請求項１に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項４】
前記アニール処理工程において、前記容器の複数の側壁の一箇所または複数箇所に、前記ビームを照射することを特徴とする請求項１に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項５】
前記アニール処理工程において、前記ビームを複数回間欠的に照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項６】
前記容器が予め貫通孔を前記連通部として有し、前記貫通孔に貫通孔封止材を装填する貫通孔封止材装填工程を、前記アニール処理工程の前または後にさらに含み、
前記連通部ビーム溶接工程において、前記貫通孔封止材に前記ビームを照射し、溶融した前記貫通孔封止材によって前記貫通孔を充填封止することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔を前記容器の底壁に設けるとともに、外部接続電極を前記容器の前記底壁に配設し、
前記アニール処理工程において、前記貫通孔の形成領域と前記外部接続電極の配設領域とを除く前記底壁の領域に、前記ビームを照射することを特徴とする請求項６に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項８】
前記アニール処理工程において、レーザを前記ビームとして照射して行うことを特徴とする請求項２〜７のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項９】
前記容器と前記蓋体との前記接合部において、所定の一部領域を除いて前記ビームを照射し、該一部領域を除く領域を溶接封止するとともに、該一部領域に前記連通部である未溶接部分を形成する一次溶接工程をさらに含み、
前記アニール処理工程において、前記一次溶接工程により形成された前記未溶接部分を保持した状態の未封止の前記電子部品封止体に対し、前記容器および前記蓋体の少なくとも一方に前記ビームを照射する工程であり、
前記連通部ビーム溶接工程は、前記未溶接部分から前記容器内のガスを排気するための所定時間経過後に、前記未溶接部分に前記ビームを照射して前記未溶接部分を溶接封止する二次溶接工程であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１０】
前記アニール処理工程は、前記一次溶接工程における前記ビームの照射軌跡上の一箇所または複数箇所に、前記一次溶接工程で用いた前記ビームと同一の前記ビームを、前記ビームの照射軌跡をなぞるように照射することを特徴とする請求項９に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも前記一次溶接工程および前記アニール処理工程で用いる前記ビームが、電子ビームであることを特徴とする請求項９または１０に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１２】
前記アニール処理工程において用いる前記ビームの出力値が、前記一次溶接工程において用いる前記ビームの出力値よりも低いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１３】
前記一次溶接工程では、前記ビームの照射を二回以上に分けて行い、第一のビーム照射における始点と第二のビーム照射における始点との間に、該両始点を両端として、前記未溶接部分が形成されることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１４】
前記一次溶接工程は、
前記未溶接部分の一端となる第一の点を始点として前記蓋体の外周に沿って所定方向に順次前記ビームを走査し、前記未溶接部分の他端となる第二の点よりもビーム走査方向上流側に位置する第三の点を終点として前記ビームを照射して前記第一の点から前記第三の点までを溶接封止する第一のビーム照射工程と、
前記未溶接部分の他端となる前記第二の点を始点として前記蓋体の外周に沿って前記所定方向と対向する方向に順次前記ビームを走査し、少なくとも前記第一のビーム照射工程の終点たる前記第三の点まで前記ビームを照射して前記第二の点から前記第三の点までを溶接封止して前記未溶接部分を形成する第二のビーム照射工程と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１５】
前記容器は四角形状を有し、
前記一次溶接工程では、前記容器の四つの角部が前記第一の点と前記第三の点との間に含まれるかまたは前記第二の点と前記第三の点との間に含まれるように、前記第一の点、前記第二の点、および前記第三の点の位置が設定されることを特徴とする請求項１４に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１６】
前記蓋体を前記容器に仮付けする工程を前記一次溶接工程の前にさらに含み、
前記一次溶接工程の前記第一および第二のビーム照射工程では、前記蓋体と前記容器との仮付け部分を除く領域に前記ビームの照射始点たる前記第一の点および前記第二の点を配置することを特徴とする請求項１４または１５に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１７】
前記二次溶接工程において、電子ビームまたはレーザを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行うことを特徴とする請求項９〜１６のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１８】
前記一次溶接工程または前記二次溶接工程の少なくとも一方の工程における前記電子ビームの照射による前記溶接封止は、
前記電子ビームの照射により前記容器と前記蓋体と前記封止材とを所定温度まで加熱する予熱工程たる予熱ビーム照射工程と、
前記電子ビームの照射により前記封止材を溶融させて前記容器と前記蓋体とを前記封止材を介して溶接する溶接ビーム照射工程と、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１９】
前記予熱ビーム照射工程は、溶接領域に対して前記電子ビームを複数回照射することを特徴とする請求項１８に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項２０】
前記封止材を予め前記容器に配設することを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項２１】
前記電子部品が水晶振動子であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法により製造されたことを特徴とする電子部品封止体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、容器内に水晶振動子、圧電振動子、ＩＣチップ等の電子部品を収納した後に容器を蓋体で気密封止して構成される電子部品封止体の製造方法および該方法により製造された電子部品封止体に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子等の電子部品は、例えば、セラミックス等からなる容器と、この容器の開口部を封止する蓋体とから構成されたパッケージの内部に、気密状態で収納されて電子部品封止体が構成される。
【０００３】
電子部品封止体の封止方法としては、従来はシーム溶接が行われていたが、容器の開口部に銀ろう材を介して高価なコバールリングをろう付けしてから蓋体をシーム溶接するために、工数が多くコストが高かった。また、電子部品封止体を十分に小型化することが困難であった。また、真空中で容器を加熱して封止材を溶融することにより、容器に蓋体を溶接する真空炉溶接機もあるが、これはコストおよび生産性が優れている一方、封止材の外周部全周にわたって一度に溶接するため、溶接時に封止材から生じるアウトガスがパッケージ内部に閉じ込められ、真空度が悪化する問題があった。このことから、シーム溶接等に代わって電子ビーム溶接による封止が行われている。
【０００４】
図２８は、電子ビーム溶接の方法を説明するための平面図であり、蓋体５１側から照射された電子ビーム５３の軌跡を示している。図２８に示すように、電子ビーム溶接では、容器５０と容器開口部を封止するよう容器５０の上面に配置された蓋体５１との間に、金属ろう材等の封止材５２を配設する。そして、蓋体５１側から電子ビーム５３を蓋体５１の周縁に沿って所定方向に順次走査して電子ビーム照射を行う。ここでは、ビーム照射の始点と終点とが点Ｐで一致するように電子ビーム５３を照射している。このような電子ビーム５３の照射により、封止材５２が加熱されて溶融し、それにより、容器５０と蓋体５１とが封止材５２により溶接されて電子部品（図示せず）が収納された電子部品封止体５４が封止される。
【０００５】
ところで、上記のような電子ビーム溶接では、金属ろう等の封止材５２の溶融時にガスが生じ、このガスが電子部品封止体５４内に封入されると、電子部品（図示せず）の特性や信頼性等に影響を及ぼす。例えば、水晶振動子を収納して構成された電子部品封止体５４では、溶接時に生じたガスにより、水晶振動子の等価直列抵抗値（ＣＩ値）が大きくなり、その結果、水晶振動子の発振特性が低下する。したがって、電子ビーム溶接では、封止材５２の溶融時に生じるガスを外部に排出し、電子部品封止体５４内部へのガスの封入を防止する必要がある。
【０００６】
電子部品封止体５４内部へのガスの封入を防止する方法として、図２９および図３０に示すように、電子ビーム５３を一度に蓋体５１の周縁全周にわたって照射するのではなく、蓋体５１の周縁を所定領域毎に複数回に分けて照射する方法がある（例えば、特許文献１〜特許文献４参照。）。この方法では、まず、図２９に示すように、所定の領域を非照射領域５５と予め設定し、これ以外の領域において、蓋体５１の周縁に沿って所定方向に順次電子ビーム５３を走査してビーム照射を行う。ここでは、点Ｐと点Ｑとの間に非照射領域５５が形成されるように設定されており、点Ｐを始点とするとともに点Ｑを終点として電子ビーム５３が照射される。
【０００７】
非照射領域５５は、電子ビーム５３が照射されないことから、封止材５２が溶融しないので未溶接のままである。以下、この非照射領域５５に形成される未溶接の領域を、未溶
接部分５５’と呼ぶ。この未溶接部分５５’は、ガスの排出口として利用可能である。未溶接部分５５’を通じてガスの排出を行った後、図３０に示すように、未溶接部分５５’に電子ビーム５３を照射して該部分を溶接する。未溶接部分５５’の溶接では、これ以外の部分を溶接した図２９の場合と同一の方向に電子ビーム５３を走査してビーム照射を行う。ここでは、点Ｑを始点とするとともに点Ｐを終点として電子ビーム５３が照射される。以上のような方法によれば、容器５０内部へのガスの封入を抑制しつつ電子部品封止体５４の封止を行うことが可能となる。
【０００８】
またセラミックス製の容器５０は、その表面などに大気中の不純物や水分等（以下、これらをまとめて揮発成分と呼ぶ）が付着しているため、この揮発成分を除去する必要がある。たとえば特許文献２においては、電子ビーム照射の前に容器５０と封止材５２と蓋体５１を予備加熱し、それぞれの部材から揮発成分を除去している。
【０００９】
また特許文献３では、未溶接部分５５’を形成した状態で電子部品封止体５４を加熱乾燥させることにより、容器５０と蓋体５１に付着したガス粒子を効果的に除去している。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１９６１６２号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３６０４号公報
【特許文献３】特開２００１−２５７２７９号公報
【特許文献４】特開２００２−１４１４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
容器５０や蓋体５１等に付着した揮発成分の除去を行うために電子部品封止体５４を加熱炉などで加熱乾燥させる方法では、電子ビーム装置に加熱炉を隣接して配置する必要があり、装置が大掛かりなものとなって装置コストの増加を招く。また、かかる方法では、電子部品封止体５４を加熱炉で数時間掛けて加熱乾燥させた後に、電子部品封止体５４を冷却する工程や、加熱炉からビーム装置へ移動させる工程が必要となり、各工程において時間を要するので、タクトタイムが増加し製造効率が低下する。
【００１２】
ところで、上記のように未溶接部分５５’を形成してガスの排出を行う電子ビーム溶接では、未溶接部分５５’の一端となる点Ｑにおいて電子ビーム５３を瞬時に停止させることが困難である。このため、照射出力レベルを一定に保持したままでビームの移動速度を速くする等して、未溶接部分５５’の終端処理を点Ｑにおいて行う必要がある。それゆえ、図２９に示す未溶接部分５５’の形成時における電子ビーム５３の点Ｑでの停止動作では、電子ビーム５３の照射が完全に停止されるまでの間に、未溶接部分５５’の点Ｑを越えた点Ｐに近い領域において、電子ビーム５３が若干照射され、それにより、本来は溶融させたくない未溶接部分５５’（すなわち点Ｐと点Ｑとの間の領域）の封止材５２が溶融するおそれがある。また、電子ビーム５３を停止させても、ビームの余熱等の影響により、未溶接部分５５’の封止材５２が溶融するおそれがある。
【００１３】
このように未溶接部分５５’の封止材５２まで溶融させてしまう結果、未溶接部分５５’を設計通りに精度よく形成することが困難となる。ここで、特に、電子部品封止体５４へのガスの封入を極力抑制するためには、未溶接部分５５’の幅Ｗを小さくすることが好ましく、そのためには、未溶接部分５５’の端部となる点Ｐと点Ｑの位置を正確に制御する必要がある。したがって、上記のように点Ｑで正確に電子ビーム５３を停止させることができず、よって、未溶接部分５５’の幅Ｗの制御が困難であると、十分に電子部品封止体５４へのガスの封入を防止することができず、それゆえ、電子部品封止体５４内の電子部品（図示せず）の特性等の劣化を招くおそれがある。
【００１４】
この発明は、上記の従来技術における問題点を解消するために、容器内へのガスの封入を防止して高真空状態で封止可能であり、かつ、製造効率の向上が図られた電子部品封止体の製造方法および該製造方法により製造された電子部品封止体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、開口を有し当該開口を通じて内部の収容部に電子部品が収納される容器と、前記開口の周縁に接続されて前記容器の前記開口を覆う蓋体とを有し、前記容器と前記蓋体との接合部に配設した封止材を溶融して封止される電子部品封止体の製造方法であって、前記容器の前記収容部と外部との連通部が少なくとも一部に形成された未封止の前記電子部品封止体に対し、前記容器および前記蓋体の少なくとも一方にビームを照射するアニール処理工程と、前記電子部品封止体の前記連通部をビーム溶接して封止する連通部ビーム溶接工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
かかる構成によれば、アニール処理工程により、容器や蓋体等に付着した揮発成分に由来して生じるガスを、連通部から効果的に排出することが可能となる。それにより、電子部品封止体内において良好な真空度を実現することが可能となり、その結果、電子部品封止体内部の電子部品の特性や信頼性の向上が図られる。特に、かかる構成によれば、アニール処理工程において、電子部品封止体を構成する容器や蓋体へ直接ビームを照射するため、電子部品封止体を効率よく高温加熱することが可能となり、よって、従来よりも非常に短い時間でアニール処理を行うことが可能となる。
【００１７】
また、かかるアニール処理工程では、ビーム照射の停止後、短時間で電子部品封止体を冷却することが可能となる。したがって、冷却工程を別途設けて時間を要する必要がない。さらに、ここではビーム照射によりアニール処理を行うので、真空状態に保持された同一の加工室内で、アニール処理工程と連通部ビーム溶接工程とを連続して行うことが可能となる。したがって、アニール処理のための構成、例えばアニール処理用の加工室等が不要となるとともに、両工程間における電子部品封止体の搬送等が不要となる。それゆえ、装置コストの低減化が図られるとともに、電子部品封止体の製造効率の向上が図られ、特に、同一のビームを用いてアニール処理工程と連通部ビーム溶接工程とを行うと、これらの効果がより有効に奏される。
【００１８】
また、請求項２の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記アニール処理工程の際、前記容器の底壁の一箇所または複数箇所に、前記ビームを照射することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項３の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記アニール処理工程の際、前記容器の一つの側壁の一箇所または複数箇所に、前記ビームを照射することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記アニール処理工程の際、前記容器の複数の側壁の一箇所または複数箇所に、前記ビームを照射することを特徴とする。
【００２１】
これらの構成によれば、アニール処理工程において、効率よく加熱を行うことが可能となる。特に、容器の底壁および側壁の複数箇所にビーム照射を行う場合、および複数の側壁にビーム照射を行う場合には、より加熱効率の向上が図られる。
【００２２】
また、請求項５の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記アニール処理工程の際、前記ビームを複数回間欠的に照射することを特徴とする。
【００２３】
かかる構成によれば、アニール処理工程におけるビーム照射の際に発生する熱によって電子部品封止体が受けるダメージ（損傷）の低減化を図ることが可能となる。したがって、優れた品質の電子部品封止体を得ることが可能となる。
【００２４】
また、請求項６の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記容器が予め貫通孔を前記連通部として有し、前記貫通孔に貫通孔封止材を装填する貫通孔封止材装填工程を、前記アニール処理工程の前または後にさらに含み、前記連通部ビーム溶接工程において、前記貫通孔封止材に前記ビームを照射し、溶融した前記貫通孔封止材によって前記貫通孔を充填封止することを特徴とする。
【００２５】
また、請求項７の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項６に記載の発明において、前記貫通孔を前記容器の底壁に設けるとともに、外部接続電極を前記容器の前記底壁に配設し、前記アニール処理工程において、前記貫通孔の形成領域と前記外部接続電極の配設領域とを除く前記底壁の領域に、前記ビームを照射することを特徴とする。
【００２６】
かかる構成によれば、容器の貫通孔を通じて、アニール処理工程において生じるガス等を排出することが可能となる。それにより、電子部品封止体内において良好な真空度を実現することが可能となり、その結果、電子部品封止体内部の電子部品の特性や信頼性の向上が図られる。
【００２７】
また、請求項８の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項２〜７のいずれか一つに記載の発明において、前記アニール処理工程において、レーザを前記ビームとして照射して行うことを特徴とする。
【００２８】
かかる構成によれば、アニール処理工程におけるビーム照射の際に発生する熱によって電子部品封止体が受けるダメージ（損傷）の低減化を図ることが可能となる。したがって、優れた品質の電子部品封止体を得ることが可能となる。
【００２９】
また、請求項９の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記容器と前記蓋体との前記接合部において、所定の一部領域を除いて前記ビームを照射し、該一部領域を除く領域を溶接封止するとともに、該一部領域に前記連通部である未溶接部分を形成する一次溶接工程をさらに含み、前記アニール処理工程において、前記一次溶接工程により形成された前記未溶接部分を保持した状態の未封止の前記電子部品封止体に対し、前記容器および前記蓋体の少なくとも一方に前記ビームを照射する工程であり、前記連通部ビーム溶接工程は、前記未溶接部分から前記容器内のガスを排気するための所定時間経過後に、前記未溶接部分に前記ビームを照射して前記未溶接部分を溶接封止する二次溶接工程であることを特徴とする。
【００３０】
かかる構成によれば、アニール処理工程により、容器に付着した揮発成分由来のガスや一次溶接工程において生じたガスを、未溶接部分から効果的に排出することが可能となる。それにより、電子部品封止体内において良好な真空度を実現することが可能となり、その結果、電子部品封止体内部の電子部品の特性や信頼性の向上が図られる。
【００３１】
また、請求項１０の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記アニール処理工程は、前記一次溶接工程における前記ビームの照射軌跡上の一箇所または複数箇所に、前記一次溶接工程で用いた前記ビームと同一の前記ビームを、前記ビームの照射軌跡をなぞるように照射することを特徴とする。
【００３２】
かかる構成によれば、アニール処理工程において形成されたビームの軌跡が、一次溶接工程において形成されたビーム軌跡と一致する。したがって、完成した電子部品封止体において、良好な外観を実現できる。
【００３３】
また、請求項１１の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項９または１０に記載の発明において、少なくとも前記一次溶接工程および前記アニール処理工程で用いる前記ビームが、電子ビームであることを特徴とする。
【００３４】
かかる構成によれば、真空状態の加工室内において電子ビームが照射され、一次溶接工程およびアニール処理工程が連続して行われるので、電子部品封止体の内部から加工室にガスの排出が速やかに行われる。また、同一の電子ビーム加工装置を用いてアニール処理工程および一次溶接工程が行われるので、装置コストの低減化が図られるとともに、電子部品封止体の製造効率の向上が図られる。
【００３５】
また、請求項１２の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法において、前記アニール処理工程において用いる前記ビームの出力値が、前記一次溶接工程において用いる前記ビームの出力値よりも低いことを特徴とする。
【００３６】
かかる構成によれば、アニール処理工程におけるビーム照射の際に発生する熱によって電子部品封止体が受けるダメージ（損傷）の低減化を図ることが可能となる。したがって、優れた品質の電子部品封止体を得ることが可能となる。また、アニール処理工程において封止材が溶融するのを防止することが可能となり、意図しない溶接封止を防止することが可能となる。
【００３７】
また、請求項１３の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項９〜１２のいずれか一つに記載の発明において、前記一次溶接工程では、前記ビームの照射を二回以上に分けて行い、第一のビーム照射における始点と第二のビーム照射における始点との間に、該両始点を両端として、前記未溶接部分が形成されることを特徴とする。
【００３８】
具体例として、請求項１４の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記一次溶接工程は、前記未溶接部分の一端となる第一の点を始点として前記蓋体の外周に沿って所定方向に順次前記ビームを走査し、前記未溶接部分の他端となる第二の点よりもビーム走査方向上流側に位置する第三の点を終点として前記ビームを照射して前記第一の点から前記第三の点までを溶接封止する第一のビーム照射工程と、前記未溶接部分の他端となる前記第二の点を始点として前記蓋体の外周に沿って前記所定方向と対向する方向に順次前記ビームを走査し、少なくとも前記第一のビーム照射工程の終点たる前記第三の点まで前記ビームを照射して前記第二の点から前記第三の点までを溶接封止して前記未溶接部分を形成する第二のビーム照射工程と、を含むことを特徴とする。
【００３９】
かかる構成によれば、ビーム照射始点を両端とする未溶接部分を形成することが可能となるため、電子ビームの照射終点により端部が構成される従来の場合に比べて、未溶接部分を精度よく所望の位置および所望の幅で形成することが可能となる。それゆえ、電子部品封止体内部の真空度をより高めることが可能となり、その結果、電子部品封止体内部の電子部品の特性や信頼性の向上がさらに図られる。
【００４０】
また、請求項１５の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１４に記載の発明において、前記容器が四角形状を有し、前記一次溶接工程では、前記容器の四つの角部が、前記第一の点と前記第三の点との間に含まれるかまたは前記第二の点と前記第三の点との間に含まれるように、前記第一の点、前記第二の点、および前記第三の点の位置が設定されることを特徴とする。
【００４１】
かかる構成によれば、未溶接部分以外の領域における気密封止性が向上するため、良品率の向上が図られる。
【００４２】
また、請求項１６の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１４または１５に記載の発明において、前記蓋体を前記容器に仮付けする工程を前記一次溶接工程の前にさらに含み、前記一次溶接工程の前記第一および第二のビーム照射工程では、前記蓋体と前記容器との仮付け部分を除く領域に前記ビームの照射始点たる前記第一の点および前記第二の点を配置することを特徴とする。
【００４３】
かかる構成によれば、容器の上に配置された蓋体のずれを防止しつつビーム照射を行うことが可能となるため、歩留まりおよび生産効率が向上する。
【００４４】
また、請求項１７の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項９〜１６のいずれか一つに記載の発明において、前記二次溶接工程では、電子ビームまたはレーザを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行うことを特徴とする。
【００４５】
かかる構成においては、溶接封止時に、電子ビームやレーザの照射により容器内にガスが生じるが、このガスを未溶接部分から排出させて高真空状態を保持しつつ溶接封止を行うことが可能となる。ここで、電子ビームやレーザの照射では、ビーム照射の終点を制御することが困難であるが、本発明によれば、上記のように未溶接部分の両端がビーム照射の始点から構成されることから、所望の幅および所望の位置で容易にかつ精度よく未溶接部分を形成することが可能となるため、より良好な高真空状態を保持しつつ溶接封止を行うことが可能となる。
【００４６】
特に、二次溶接工程においてレーザが用いられると、幅の小さい未溶接部分にレーザを局所的に照射することにより、未溶接部分の点封止を行うことが可能となる。
【００４７】
また、請求項１８の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１７に記載の発明において、前記一次溶接工程または前記二次溶接工程の少なくとも一方の工程における前記電子ビームの照射による前記溶接封止が、前記電子ビームの照射により前記容器と前記蓋体と前記封止材とを所定温度まで加熱する予熱工程たる予熱ビーム照射工程と、前記電子ビームの照射により前記封止材を溶融させて前記容器と前記蓋体とを前記封止材を介して溶接する溶接ビーム照射工程と、を含むことを特徴とする。
【００４８】
また、請求項１９の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１８に記載の発明において、前記予熱ビーム照射工程が、溶接領域に対して前記電子ビームを複数回照射することを特徴とする。
【００４９】
これらの構成によれば、蓋体の周縁に沿って所望の部分で確実に溶接封止を行うことが可能となる。
【００５０】
また、請求項２０の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜１９のいずれか一つに記載の発明において、前記封止材を予め前記容器に配設することを特徴とする。
【００５１】
かかる構成によれば、ビームの照射時に、従来のように治具を用いて容器と蓋体とを固定する必要がなくなる。
【００５２】
また、請求項２１の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜２０のいずれか一つに記載の発明において、前記電子部品が水晶振動子であることを特徴とする。
【００５３】
かかる構成によれば、電子部品封止体の内部が高真空状態に保持されているため、水晶振動子の等価直列抵抗値（ＣＩ値）の低減化が図られる。したがって、品質が一定で安定した発振特性を有する水晶振動子を備えた電子部品封止体を実現することが可能となる。
【００５４】
また、請求項２２の発明にかかる電子部品封止体は、請求項１〜２１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００５５】
かかる構成の電子部品封止体では、容器内が高真空状態に保持されており、よって、良好なデバイス特性および安定した高い信頼性を実現することが可能となる。
【発明の効果】
【００５６】
本発明にかかる電子部品封止体の製造方法および電子部品封止体によれば、溶接時に封止材から生じるガスや、電子部品封止体の容器や蓋体に付着していた大気中の不純物や水分等（すなわち揮発成分）が、封止体内に残存するのを防止することが可能となり、よって、電子部品封止体の内部を高い真空状態とすることができる。それゆえ、内部に収納された電子部品が、溶接時に生じたガスや揮発成分由来のガスにより経時的変化を起こすことがなく、電子部品の特性や信頼性等の劣化を防止することが可能となる。
【００５７】
また、溶接工程で使用するビームと同一のビームを用いて容器や蓋体をアニール処理できるので、溶接装置をそのまま従来の加熱炉として兼用できる。つまり、容器や蓋体を長時間にわたって全体加熱させるための加熱ヒータ装置と搬送トレイ、さらにその後、全体加熱させたものを冷却させるための水冷装置と搬送トレイが不要になる。したがって、装置コストの低減化が図られるとともに、製造工程を簡素化できタクトタイムの短縮化が図られる。したがって、良好な特性を有する信頼性の高い電子部品封止体を良好な効率で製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電子部品封止体の製造方法および該製造方法により製造された電子部品封止体の好適な実施の形態を詳細に説明する。ここでは、電子部品封止体として、容器内に電子部品たる水晶振動子デバイスが収納されて封止された水晶振動子封止体について例示し、特に、水晶振動子が表面実装されたものについて説明する。また、以下においては、水晶振動子封止体を、単にパッケージと呼ぶ。
【００５９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。また、図２は、図１の製造方法により製造されたパッケージの模式的な断面図である。また、図３〜図５は、図１の製造方法における各工程を説明するための模式的な平面図である。具体的には、図３および図４は、図１のアニール処理工程におけるレーザの照射方法を示しており、図５は、図１の溶接工程におけるレーザの軌跡を示している。ビームとしては、電子ビーム、イオンビーム、レーザ（固体レーザ、気体レーザ、半導体レーザ）、マイクロ波が使用できるが、特に、電子ビームと半導体レーザが使い易い。この実施の形態では、レーザを使用する場合について説明する。
【００６０】
図１に示すように、本実施の形態のパッケージの製造方法においては、まず、図２の容器２内に、水晶振動子１を収納する（ステップＳ１０１）。図２に示すように、容器２は、底壁と、底壁の外周に沿って配置された側壁とから構成され、上部が開口した矩形の箱形形状を有している。容器２の構成材料としては、セラミックス、金属、樹脂等が挙げられるが、ここでは、容器２がセラミックスから構成されている。また、容器２の寸法は、ここでは、長辺が４．１ｍｍ、短辺が１．５ｍｍ、および、高さが０．７ｍｍである。容器２の底面には支持台５が配設されており、接合材６を介して、支持台５に、水晶振動子１たる水晶片を容器２の底面と平行に配設する。それにより、容器２内に水晶振動子１が収納された構成が実現される。
【００６１】
ここでは、水晶振動子１として、Ｕ字形状を有する音叉型水晶振動子を用いている。この場合、Ｕ字の立ち上がり部が容器２の長辺に沿うように配置されている。
【００６２】
上記のようにして容器２内に水晶振動子１を配置して収納した後、容器２の開口を封止するように、蓋体３を、封止材４を介して容器２の側壁上面に配置する。そして、蓋体３側から蓋体３の二つの短辺中央部に抵抗溶接機のローラ電極（図示せず）を押圧し、それにより、短辺中央部二箇所において、蓋体３を容器２に抵抗溶接して仮付け（仮溶接）する（図１のステップＳ１０２）。ここでは、この抵抗溶接機のローラ電極が、金属の外部接続電極に相当する。なお、ここでは蓋体３の短辺中央部を仮付けしているが、これ以外の部分を押圧して仮付けしてもよい。
【００６３】
図２に示すように、蓋体３は、平面視において外周が容器２の外周とほぼ一致する形状を有する。蓋体３は金属から構成されており、ここでは、鉄系合金（コバール）から構成されている。容器２と蓋体３との間に介在する封止材４は、金属ろうから構成され、ここでは金錫合金や銀合金やアルミニウム合金等から構成される金属ろうが用いられている。そして、封止材４は、予め容器２の側壁上面に配設されている。
【００６４】
また、図２には示していないが、容器２の側壁上面には、タングステンからなるメタライズ層が設けられており、そのメタライズ層上には、さらに、ニッケルメッキ、金メッキが設けられている。そして封止材４はこの金メッキ上に予め設けられている。このように予め容器２の側壁上面に封止材４を配設することにより、後述の溶接工程（図１のステップＳ１０５）におけるレーザ照射の際は、蓋体３と封止材４が溶接されればよく、熱伝導性がよい蓋体３は封止材４と溶接しやすい。なお、封止材４は、予め蓋体３側に配設されていてもよい。
【００６５】
このようにして蓋体３を容器２に仮付けした後、容器２の所定領域にレーザを照射する。それにより、容器２や蓋体３等から構成されたパッケージ２０が加熱乾燥され、蓋体３や容器２や封止材４に付着した大気中の不純物や水分等の揮発成分が除去される。ここでは、このような加熱による不揮発成分の脱ガス処理を、アニール処理と呼ぶ（図１のアニール処理工程ステップＳ１０３）。アニール処理工程ステップＳ１０３におけるレーザの照射領域は、特には限定されないが、金属から構成される蓋体３や容器２に設けられた金属の外部接続電極（図示せず）にレーザを照射すると、ビームの反射が起こって加熱効率が低下する。したがって、パッケージ２０では、蓋体３と容器２の外部接続電極を除く領域、具体的には、セラミック製の容器２の所定領域にレーザ１０を照射することが好ましい。
【００６６】
例えば、図３に示すように、容器２の底壁外面にレーザ１０を照射してアニール処理を行ってもよい。この場合、レーザ１０は、容器２の底壁外面の所定領域にスポット状に照射してもよく、また、底壁外面の所定領域において、レーザ１０を走査してビーム照射を行ってもよい。このようなレーザ１０の照射は、一回でもよく、あるいは、複数回間欠的に行ってもよい。具体的に、容器２の底壁外面の同一領域に複数回間欠的にレーザ１０を照射してもよく、また、位置の異なる複数の領域の各々に、一回または複数回間欠的にレーザ１０を照射してもよい。
【００６７】
また、図４に示すように、容器２の側壁外面にレーザ１０を照射してアニール処理を行ってもよい。この場合、レーザ１０は、容器２の側面外面の所定領域にスポット状に照射してもよく、また、側壁外面の所定領域において、レーザ１０を走査してビーム照射を行ってもよい。例えば、容器２の一つの側壁の外面において、上記の底壁に照射する場合と同様に、同一領域に一回または複数回間欠的にレーザ１０を照射してもよく、また、一つの側壁外面の複数の異なる領域の各々に、一回または複数回間欠的にレーザ１０を照射してもよい。あるいは、容器２の複数の側壁の表面において、各側壁毎にこのようなレーザ１０の照射を行ってもよい。
【００６８】
ここで、間欠的に複数回にわたってレーザ１０の照射を行うと、パッケージ２０（具体的には、レーザ１０が照射される容器２）に与えるダメージ（損傷）の低減化が図られる。また、複数の異なる領域の各々にレーザ１０の照射を行うと、パッケージ２０の加熱効率の向上が図られる。
【００６９】
レーザ１０の出力値は、後述する図１の溶接工程ステップＳ１０５におけるレーザ１０（図５参照）の出力値と同じであってもよく、あるいは、これより低くてもよい。ここでは、レーザ１０の出力値を、溶接工程ステップＳ１０５におけるレーザ１０の出力値よりも低く設定している。具体的に、溶接工程ステップＳ１０５におけるレーザ１０の出力値より低い出力値とは、封止材４がほとんど溶融しないビーム出力値である。
【００７０】
また、アニール処理工程ステップＳ１０３（図１参照）におけるレーザ１０の照射条件、例えば、ビーム照射時間や、ビーム照射箇所数やビーム走査距離等は、アニール処理を効果的に実現可能な条件に適宜設定されており、具体的には、パッケージ２０の大きさ、容器２の材質等に応じて適宜設定される。
【００７１】
このようなアニール処理工程ステップＳ１０３は、従来のレーザ加工装置を用いて行われ、真空状態に保持された加工室内でレーザ１０を容器２に照射して処理が行われる。例えば、レーザ加工装置では、可動式のレーザ１０の照射ヘッドを適宜移動させることにより、容器２の所望の位置にレーザ１０を照射することが可能となる。
【００７２】
アニール処理により生じた揮発成分由来のガスは、図３または図４に示すレーザ１０の照射後、所定時間加工室内にパッケージ２０を放置することにより、パッケージ２０の内部から加工室内に排出される（図１のステップＳ１０４）。ここでは、加工室内が真空状態に保持されていることから、効率よく排気を行うことが可能となる。それにより、パッケージ２０内を高真空状態に保持することが可能となる。
【００７３】
ここで、図２に示すように、封止材４を介して配置された容器２と蓋体３との間には、図１のステップＳ１０２において仮付けされた仮溶接部分を除いて、水晶振動子１が収納された容器２の内部の空間（すなわち収容部）と容器２の外部（具体的には加工室内）とを連通させる連通部が形成されている。したがって、この連通部を介して、アニール処理により除去された揮発成分由来のガスをパッケージ２０の外部（すなわち加工室内）に排気することが可能となる。
【００７４】
図１のステップＳ１０４においてガスの排出を行った後、加工室内において、引き続き、図５に示すように、パッケージ２０の蓋体３側からその周縁に沿って所定方向に順次レーザ１０を走査してビーム照射を行い、パッケージ２０を完全封止する（図１の溶接工程ステップＳ１０５）。ここでは、ビーム照射の始点と終点とが点Ｐで一致するように蓋体３の周縁全周を一回で走査する。このようなレーザ１０の照射により、図２の封止材４が加熱されて溶融し、それによって、容器２と蓋体３との間の前述の連通部が封止材４により溶接されてパッケージ２０が封止される。したがって、ここでは、溶接工程ステップＳ１０５が、連通部ビーム溶接工程に相当する。なお、ここでは、溶接工程ステップＳ１０５において、レーザ１０を時計と順方向に走査しているが、レーザ１０は、時計と逆方向に走査してもよい。また、ビーム照射の始点および終点となる点Ｐの位置は、図５の位置以外であってもよい。
【００７５】
以上のように、本実施の形態のパッケージの製造方法によれば、アニール処理工程Ｓ１０３におけるアニール処理が、溶接工程ステップＳ１０５と同様にレーザ１０を用いて行われるので、同一のレーザ加工装置を用いて同一の加工室内で、アニール処理工程ステップＳ１０３、ガスの排出工程ステップＳ１０４および溶接工程ステップＳ１０５における各処理を実施することが可能となる。したがって、アニール処理のための構成（例えば、従来は必要とされる封止加工室の前室チャンバや後室チャンバ等）を別途設ける必要がなく、よって、装置コストが低減される。また、ステップＳ１０３〜ステップＳ１０５の各工程を同一の加工室内で連続して行うことが可能となるため、工程間におけるパッケージ２０の搬送等が不要となる。よって、パッケージ２０の製造効率の向上が図られるとともに、効果的にガスの排出を行うことが可能となる。
【００７６】
さらに、レーザ１０を用いたアニール処理では、ビーム照射部分およびその近傍領域の温度が局所的に急激に上昇し、その後、ビーム照射を停止すると、これらの部分の温度が急激に下がる。したがって、従来のように加熱板や加熱ランプを用いてパッケージ２０全体を加熱してアニール処理する場合に比べて、パッケージ２０を各々に効率よく高温に加熱することが可能となるとともに、効率よく冷却することが可能になったことから、冷却工程を別途設ける必要がない。したがって、この点からも、パッケージ２０の製造効率の向上が図られる。
【００７７】
ところで、通常、パッケージ２０の製造時には、一連の製造工程が１バッチにおいて行われてパッケージ２０が製造され、かつ、１バッチにおいて複数のパッケージ２０に各処理が施されて、同時に複数のパッケージ２０が製造される。具体的に、ここでは、レーザ加工装置の加工室内に、複数のパッケージ２０が所定の間隔で複数列複数行配置される。そして、アニール処理工程ステップＳ１０３において、図３または図４に示すレーザ１０の照射を各パッケージ２０に対して順次行ってアニール処理を行い、その後、溶接工程ステップＳ１０５において、図５に示すレーザ１０の照射を各パッケージ２０に対して順次行ってパッケージ２０の封止を行う。
【００７８】
複数のパッケージ２０の各々にビーム照射が順次行われるアニール処理工程ステップＳ１０３では、ビーム照射により加熱されてアニール処理されたパッケージ２０が、他のパッケージ２０の処理の間に、ガスを排出するとともに冷却される。したがって、ガスの排出工程ステップＳ１０４を改めて別途設けなくても、自然に効率よくガスを排出することが可能となる。また、冷却工程を改めて別途設けなくても、自然に効率よく冷却を行うことが可能となる。
【００７９】
なお、上記においては、アニール処理工程ステップＳ１０３および溶接工程ステップＳ１０５において、レーザ１０を照射して各処理を行う場合について説明したが、これらの工程ステップＳ１０３，ステップＳ１０５において、レーザ１０の代わりに、電子ビームを照射して各処理を行ってもよい。例えば、電子ビームを用いてアニール処理を行う場合には、レーザ１０のように金属により反射されることがないため、蓋体３および容器２のいずれに照射してもよい。但し、容器２に対して電子ビームを照射する場合は、容器２が発生する熱によってダメージを受けるので、それを考慮して出力値を適宜低下させておけばよい。
【００８０】
ここで、アニール処理工程ステップＳ１０３において電子ビームを用いる場合には、レーザ１０を用いる場合に比べて電子ビームがパッケージ２０に与えるダメージ（損傷）が大きいことから、パッケージ２０への影響を考慮し、適切な出力でビーム照射を行う。また、例えば、電子ビームを容器２の所定領域にスポット状に照射すると、当該領域に与えるダメージ（損傷）が大きくなる。したがって、電子ビームを用いる場合には、ビームを走査してビーム照射を行うことが好ましい。さらに、電子ビームを走査してビーム照射を行うと、電子ビームの照射軌跡がパッケージの外観等に影響を与えることから、溶接工程Ｓ１０５において照射するレーザ１０の軌跡と電子ビームの軌跡とが一致するように走査することが好ましい。
【００８１】
（実施の形態２）
図６〜図９は、本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法を説明するための図である。具体的に、図６は、本実施の形態のパッケージに用いられる容器を底部から見た平面図であり、図７〜図９は、本実施の形態にかかる製造方法の溶接工程を示す模式的な断面図である。
【００８２】
本実施の形態にかかるパッケージの製造方法は、実施の形態１の場合と同様、図１のフローチャートで示す各処理工程ステップＳ１０１〜Ｓ１０５を含み、図２のパッケージ２０を製造するものであるが、以下の点が実施の形態１とは異なっている。
【００８３】
図６に示すように、本実施の形態のパッケージ２０では、容器２の底部に、パッケージ２０の内部（すなわち、容器２の水晶振動子１の収容部）とパッケージ２０の外部とを連通させる貫通孔５００が設けられている。したがって、ここでは、貫通孔５００が連通部に相当する。
【００８４】
図７に示すように、容器２の底部が二枚の底板６０１，６０２を積層して構成され、外側に配置される第一の底板６０１と内側に配置される第二の底板６０２とには、それぞれ円形の貫通孔６０３，６０４が設けられている。
【００８５】
第一の底板６０１の貫通孔６０３と第二の底板６０２の貫通孔６０４とは、第一および第二の底板６０１，６０２を積層して容器２の底面を形成した際に平面視において孔の一部が重なるように配置され、それにより、二つの貫通孔６０３，６０４が組み合わされて貫通孔５００が形成される。かかる貫通孔５００では、孔内において、貫通孔６０３，６０４同士が重ならない部分で第一の底板６０１および第二の底板６０２がそれぞれ突出し、それにより、孔内が段差状となった貫通孔５００が形成される。
【００８６】
次に、本実施の形態のパッケージの製造方法を説明する。まず、本実施の形態では、実施の形態１の場合と同様に、図１のステップＳ１０１およびステップＳ１０２の処理が行われる。その後、レーザ加工装置にパッケージ２０を配置し、真空状態に保持され加工室内において、パッケージ２０の蓋体３側から図５のようにレーザ１０を照射し、始点および終点を点Ｐとして蓋体３の周縁全周にわたってレーザ１０を走査する。それにより、蓋体３の周縁全周において封止材４（図２参照）が溶融し、蓋体３と容器２とが完全に溶接される。なお、ここではレーザ１０により蓋体３と容器２との溶接を行っているが、溶接方法はレーザ照射に限定されるものではなく、例えば、加熱炉あるいはハロゲンランプ等で蓋体３と容器２とを加熱して溶接を行ってもよいし、走査が容易な電子ビーム照射による溶接を行ってもよい。
【００８７】
このような容器２と蓋体３との溶接においては、例えば、封止材４の揮発成分や、パッケージ２０に付着した揮発成分に由来のガス等が生じるが、ここでは、このガスが、容器２の底部に配設された貫通孔５００を介してパッケージ２０の内部から外部（ここでは、真空状態の加工室内）に排出される。
【００８８】
上記のようにして容器２と蓋体３との溶接を行った後、実施の形態１において前述した方法により、図１のアニール処理工程ステップＳ１０３においてアニール処理を行う。それにより、前述のようにパッケージ２０に付着した揮発成分が揮発してガスを生じる。ここでは、パッケージ２０を所定時間加工室内に放置することにより、加工室内において、この揮発成分由来のガスが、貫通孔５００を通じてパッケージ２０の内部から外部（すなわち、加工室内）に排出される（図１のステップＳ１０４）。
【００８９】
ここで、アニール処理工程ステップＳ１０３において、図３に示すように容器２の底壁外面にレーザ１０を照射する場合には、貫通孔５００の形成領域と外部接続電極５０１を除く領域にレーザ１０を照射する。
【００９０】
その後、図７に示すように、容器２の底部の貫通孔５００を塞ぐべく、貫通孔封止材６００を貫通孔５００の内に装填（配設）する。ここでは、ほぼ球状の貫通孔封止材６００を、第一の底板６０１の貫通孔６０３内に第二の底板６０２の表面と当接させて配置する。このような貫通孔封止材６００の配置を行う工程を、貫通孔封止材装填工程と呼ぶ。この貫通孔封止材装填工程は、真空状態に保持されたレーザ加工装置の加工室内で行われる。
【００９１】
なお、上記においては、図１のアニール処理工程ステップＳ１０３の後に貫通孔封止材装填工程が実施される場合を例示したが、貫通孔封止材装填工程は、アニール処理工程ステップＳ１０３の前であってもよい。この場合には、アニール処理工程ステップＳ１０３において生じる上記のガスを、貫通孔封止材６００が装填された貫通孔５００を通じて外部に排出することになるが、貫通孔封止材６００と貫通孔５００との間には隙間が形成されているため、当該隙間を通じてガスの排出を行うことが可能となる。
【００９２】
上記の貫通孔封止材装填工程の後、貫通孔５００のビーム溶接を行って図２のパッケージ２０を完全封止する（図１の溶接工程ステップＳ１０５）。具体的に、図８に示すように、貫通孔５００内に装填された貫通孔封止材６００に選択的にレーザ１０を照射して貫通孔封止材６００を溶融させる。それにより、図９に示すように、溶融した貫通孔封止材６００が貫通孔５００内に充填されて貫通孔５００が塞がれ、パッケージ２０の完全封止が実現される。
【００９３】
このように、本実施の形態では、貫通孔５００の溶接工程ステップＳ１０５が、連通部ビーム溶接工程に相当する。かかる構成の本実施の形態のパッケージの製造方法では、実施の形態１と同様、図３または図４に示すレーザ１０の照射によってアニール処理が行われるとともに、アニール処理で生じた揮発成分由来のガスが、貫通孔５００を介して排出される。したがって、実施の形態１において前述した効果と同様の効果が得られる。
【００９４】
なお、上記においては、図５に示す容器２と蓋体３との溶接と、図８に示す貫通孔５００のビーム溶接とを、レーザ１０を用いて行う場合について説明したが、レーザ１０の代わりに、電子ビームを用いてこれらの溶接を行ってもよい。
【００９５】
（実施の形態３）
図１０は、本発明の実施の形態３にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。また、図１１〜図１４は、図１０の製造方法の各工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図であり、蓋体側からパッケージに照射された電子ビームの軌跡を示している。具体的には、図１１および図１２は、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３における電子ビームの軌跡を示しており、図１３は、図１０のアニール処理工程ステップＳ２０４における電子ビームの軌跡を示しており、図１４は、図１０の二次溶接工程ステップＳ２０６における電子ビームの軌跡を示している。
【００９６】
本実施の形態のパッケージ製造方法においては、図１０に示すように、まず、図２の容器２内に、水晶振動子１を収納する（ステップＳ２０１）。そして、実施の形態１の図１のステップＳ１０２において前述した方法により、蓋体３と容器２との仮付けを行う（ステップＳ２０２）。このようにして蓋体３を容器２に仮付けした後、図１１〜図１４に示すように、蓋体３側から蓋体３の周縁に沿って所定方向に電子ビーム１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを走査してビーム照射を行い、該照射部分の封止材４を溶融させる。それにより、蓋体３を容器２に固着させてパッケージ２０を封止する。
【００９７】
図１０〜図１３に示すように、パッケージ２０の封止工程は、所定領域には電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射せずに未溶接部分１５として残しそれ以外の領域を封止する一次溶接工程ステップＳ２０３と、電子ビーム１０Ａの軌跡上の所定領域に該軌跡をなぞるように電子ビーム１０Ｃを照射してアニール処理するアニール処理工程ステップＳ２０４と、一次溶接工程において生じたガスやアニール処理により生じた揮発成分由来のガスを、形成した未溶接部分１５から排出する工程ステップＳ２０５と、未溶接部分１５に電子ビーム１０Ｄを走査させながら照射して完全にパッケージ２０を封止する二次溶接工程ステップＳ２０６とを含み、さらに、一次溶接工程ステップＳ２０３は、それぞれ照射パターン（照射軌跡）の違う第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａと、第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂとに分かれている。
【００９８】
ところで、本実施の形態における電子ビーム照射は、通常の電子ビーム加工装置を用いて行う。電子ビーム加工装置の詳細については、ここでは説明を省略するが、電子ビーム加工装置は、少なくとも、電子ビームを発生させる電子銃と、加工対象物（ここでは図２のパッケージ２０に相当）が内部に配置されるとともに発生した電子ビームがこの加工対
象物に照射されて溶接が行われる加工室と、電子ビームの進路を制御する偏向器とを備える。
【００９９】
電子銃で発生した電子ビームは、偏向器により偏向されて加工室に導入され、さらに、加工対象物である図１１のパッケージ２０に蓋体３側からその周縁に沿って所望のビーム軌跡を描いて照射されるように、偏向器により進路が制御される。このような電子ビーム加工装置による加工では、装置内が真空状態に保持される。また、偏向器は、磁界により電子ビームを偏向させるものであり、例えば、コイル等から構成されている。
【０１００】
パッケージ２０の封止時には、まず、図１１および図１２に示すように、未溶接部分１５を形成するための一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）が行われる。未溶接部分１５は、溶接時に生じるガスを効率よく排出してパッケージ２０内を高真空に保持可能なように、幅Ｗが予め設計される。ここでは、点Ｐと点Ｒとの間の領域（以下、未溶接部分形成領域１５’と呼ぶ）に、所定幅Ｗの未溶接部分１５を、第一および第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ，ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）により形成する。
【０１０１】
具体的には、図１１に示すように、まず、電子ビーム１０Ａを、未溶接部分形成領域１５’の一端である（すなわち、未溶接部分１５の一端となる）点Ｐを始点として蓋体３側からパッケージ２０に照射し、矩形状の蓋体３の周縁に沿って点Ｑまで時計と順方向に順次走査する。ここでは、このような点Ｐから点Ｑまでの時計と順方向の電子ビーム１０Ａの照射を、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａと呼ぶ（図１０参照）。第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａでは、ビーム照射の始点となる点Ｐを蓋体３の一対の長辺の一方の中央付近に設定し、電子ビーム１０Ａは、点Ｐから蓋体３の周縁に沿って一方の短辺、他方の長辺、および、他方の短辺を順次走査する。また、ビーム照射の終点となる点Ｑを、点Ｐと同一辺上に設定し、この点Ｑまで電子ビーム１０Ａを走査してビーム照射を行う。ここで、点Ｑは、図１２に示すように、未溶接部分形成領域１５’の他端である（すなわち、未溶接部分１５の他端となる）点Ｒよりも、電子ビーム１０Ａの走査方向において上流側に位置している。
【０１０２】
従来技術において前述したように、点Ｑにおいて電子ビーム１０Ａの照射を停止する際には、ビーム照射速度の増加等の終端処理が行われる。このような停止動作では、終端処理における若干のビーム照射や予熱等の影響により、封止材４の溶融を意図しない領域、具体的には、点Ｑよりも点Ｒに近い未溶接部分形成領域１５’の領域において封止材４が溶融して溶接が行われる。しかしながら、電子ビーム１０Ａの終点である点Ｑが未溶接部分形成領域１５’以外の領域に設定されているので、点Ｑにおける電子ビーム１０Ａの照射停止の影響は、未溶接部分形成領域１５’には及ばない。
【０１０３】
次に、図１２に示すように、未溶接部分形成領域１５’の他端である（すなわち、未溶接部分１５の他端となる）点Ｒを始点として、電子ビーム１０Ｂを、蓋体３側からパッケージ２０に照射する。電子ビーム１０Ｂは、前述の第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａの終点である点Ｑに向かって、蓋体３の周縁に沿って、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａのビーム走査方向と対向する方向、すなわち、時計と逆方向、に順次走査する。ここでは、このような点Ｒから点Ｑまでの時計と逆方向の電子ビーム１０Ｂの照射を、第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂと呼ぶ（図１０参照）。
【０１０４】
なお、ここでは第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂの終点を点Ｑとしたが、点Ｑを越えてさらに点Ｑよりビーム走査方向下流側の所定地点（すなわち点Ｐにより近い点）を終点としてもよい。
【０１０５】
また、第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂでは、前述のように第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａにおけるビーム走査方向と対向する方向に電子ビームを走査するが、このような電子ビームの走査方向の制御は、前述の電子ビーム加工装置の偏向器により容易に制御することが可能である。
【０１０６】
点Ｑにおいて電子ビーム１０Ｂの照射を停止する際にも、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａの場合と同様、終端処理が行われる。したがって、電子ビーム１０Ｂの停止動作では、前述のように、終端処理における若干のビーム照射や予熱等の影響により、封止材４の溶融を意図しない領域、具体的には、点Ｑよりも点Ｐに近い領域において、封止材４が溶融して溶接が行われる。しかしながら、電子ビーム１０Ｂの終点である点Ｑが未溶接部分形成領域１５’以外の領域に設定されているので、点Ｑにおける電子ビーム１０Ｂの照射停止の影響は、未溶接部分形成領域１５’には及ばない。
【０１０７】
以上のような第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａおよび第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂにより、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射した領域の封止材４が溶融し、それにより、蓋体３と容器２とが封止材４により溶接されて固着される。一方、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射しない未溶接部分形成領域１５’、すなわち点Ｐと点Ｒとの間の領域に、所定幅Ｗの未溶接部分１５が形成される。ここでは、未溶接部分１５が、水晶振動子１（図２参照）の収納された容器２の内部の空間（すなわち収容部）と容器２の外部（具体的には加工室内）とを連通させる連通部に相当する。
【０１０８】
前述のように、図２９および図３０に示す従来の方法により点Ｐから時計と順方向に点Ｒまで電子ビームを走査して未溶接部分１５を形成した場合には、ビームの終点を未溶接部分１５の一端である点Ｒに一致させることが困難であり、それゆえ、設計通りの幅Ｗで未溶接部分１５を形成することが困難となる。
【０１０９】
これに対して、本実施の形態では、未溶接部分１５の一端に相当する点Ｒが第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂの始点で構成されており、点Ｒが第一および第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ，ステップＳ２０３ｂのいずれにおいてもビームの終点とならないため、未溶接部分１５の一端を点Ｒに精度よくかつ容易に一致させることが可能となる。つまり、未溶接部分１５が、加工パターンの異なる二種類のビーム１０Ａ，１０Ｂ照射における走査開始点との間に、該両始点Ｐ，Ｒを両端として、形成されることを特徴とする。
【０１１０】
また、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａの終点である点Ｑでは、点Ｑを越えた部分の封止材４が余熱等により溶融するが、点Ｑおよびその周辺部分は未溶接部分１５の形成に関与しないため、ここでは終点の位置を精度よく制御する必要はない。
【０１１１】
したがって、本実施の形態の方法によれば、未溶接部分１５を、設計通り点Ｐと点Ｒとの間に、精度よく、かつ容易に形成することが可能となる。その結果、従来は０．５ｍｍ程度であった未溶接部分１５の幅Ｗの形成限界が、０．２ｍｍ程度まで向上する。実際には、パッケージ２０の歩留まりを考慮すると、０．５ｍｍの幅Ｗの未溶接部分１５を安定して形成できる。
【０１１２】
上記のようにして未溶接部分１５を形成した後、図１３に示すように、電子ビーム１０Ｃを、電子ビーム１０Ａの照射部分（言い換えれば電子ビーム１０Ａの軌跡上）の所定領域に電子ビーム１０Ａの軌跡をなぞるように照射する。このような電子ビーム１０Ｃの照射により、パッケージ２０が加熱乾燥されてアニール処理が行われる（図１０のアニール処理工程ステップＳ２０４）。具体的には、電子ビーム１０Ｃを、未溶接部分１５が形成されていない長辺の電子ビーム１０Ａの軌跡上の点Ｓを始点として蓋体３側からパッケージ２０に照射し、終点である電子ビーム１０Ａの軌跡上の点Ｔまで、電子ビーム１０Ａの軌跡上を走査する。したがって、電子ビーム１０Ｃの軌跡は、電子ビーム１０Ａのビーム軌跡と一致する。
【０１１３】
電子ビーム１０Ｃの出力値は、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３における電子ビーム１０Ａ，１０Ｂの出力値と同じであってもよく、あるいは、これより低くてもよい。ここでは、電子ビーム１０Ｃの出力値を、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂの出力値よりも低く設定し、複数回走査している。電子ビーム１０Ａ，１０Ｂより低い出力がとは、封止材４がほとんど溶融しないビーム出力値である。
【０１１４】
なお、上記においては、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３の後にアニール処理工程ステップＳ２０４が実施される場合を例示したが、アニール処理工程ステップＳ２０４は、一次溶接工程ステップＳ２０３の前であってもよい。
【０１１５】
また、電子ビーム１０Ｃの走査距離（具体的には、点Ｓと点Ｔとの距離）は、電子ビーム１０Ｃの照射によるアニール処理を効果的に実現可能な距離に適宜設定され、具体的には、パッケージ２０の大きさ、容器２の材質等に応じて、電子ビーム１０Ｃの走査距離が適宜設定される。
【０１１６】
電子ビーム１０Ｃの照射により、パッケージ２０が、電子ビーム加工装置の真空状態の加工室内において加熱乾燥され、特に、容器２の全体が短時間で加熱される。そして、加熱されたパッケージ２０では、上記一次溶接工程ステップＳ２０３における溶接で生じたガスが、未溶接部分１５に形成された開口（すなわち連通部）を介して、パッケージ２０の内部から外部に排出されるとともに、容器２や蓋体３等に付着した揮発成分がアニール処理により揮発して生じたガスが、未溶接部分１５に形成された開口（すなわち連通部）を介して、パッケージ２０の内部から外部に排出される（図１０のステップＳ２０５）。
【０１１７】
この場合、パッケージ２０の内部は、封止されていない開口たる未溶接部分１５を通じて電子ビーム加工装置の加工室に連通しており、特に、ここでは該加工室が真空状態であるため、パッケージ２０内から加工室内へのガスの排出が促進され、効率よくガスの排出が行われる。したがって、パッケージ２０内を、高真空状態に保持することが可能となる。この場合には、アニール処理工程ステップＳ２０４の後に、所定時間加工室内にパッケージ２０を放置することにより、ガスの排出が自然に促進される。
【０１１８】
上記のようなガスの排出（図１０のステップＳ２０５）を行った後、図１４に示すように、未溶接部分１５に電子ビーム１０Ｄを走査させて照射して未溶接部分１５の封止材４を溶融させ、パッケージ２０を完全に封止する。ここでは、このような未溶接部分１５を封止する工程を二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）と呼び、この二次溶接工程ステップＳ２０６が、連通部ビーム溶接工程に相当する。
【０１１９】
図１０の二次溶接工程ステップＳ２０６では、図１４に示すように、未溶接部分１５の一端である点Ｒから他端である点Ｐに向かって電子ビーム１０Ｄを走査させてビーム照射を行う。それにより、未溶接部分１５が溶接されてパッケージ２０が封止される。実際には点Ｐと点Ｒの距離が０．５ｍｍ程度なので、電子ビーム１０Ｄをレーザに代えて、スポット状に照射して溶接することも可能である。
【０１２０】
このような二次溶接工程ステップＳ２０６では、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３よりも溶接領域が狭いので、溶接に伴うガスの発生量が少ない。したがって、最終的なパッケージ２０内へのガス封入が抑制され、パッケージ２０内を真空度が１３Ｐａ以下の良好な真空状態に保つことが可能となる。
【０１２１】
このような各工程の実施により、本実施の形態のパッケージ製造方法によって、図２に示すように、封止材４を介して蓋体３により密閉された高真空な容器２内に水晶振動子１が収納されてなるパッケージ２０が製造される。
【０１２２】
ところで、実施の形態１で前述したように、通常、パッケージ２０の製造時には、一連の製造工程が１バッチにおいて行われてパッケージ２０が製造され、かつ、１バッチにおいて複数のパッケージ２０に各処理が施されて、同時に複数のパッケージ２０が製造される。そこで、上記のパッケージの製造方法を適用して複数のパッケージ２０を同時に製造する方法を、以下に例示する。
【０１２３】
なお、以下においては、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３から二次溶接工程ステップＳ２０６までについて説明し、それ以外の工程は、従来と同様の方法により処理されるものとする。
【０１２４】
図１５〜図１８は、上記の製造方法を適用して複数のパッケージ２０を同時に製造する方法を例示する模式的な平面図であり、電子ビーム加工装置の加工室２１内部の平面視を示している。ここでは、加工室２１内に、複数のパッケージ２０が所定の間隔で複数列、複数行配置されている。
【０１２５】
図１５に示すように、まず、加工室２１内に配置された各パッケージ２０において、図１１に示す第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）が行われる。この場合、例えば、一つの列について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ａを順次照射し、一列終了した後、さらに隣接する列について同様に電子ビーム１０Ａを照射する。あるいは、一つの行について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ａを順次照射し、一行終了した後、さらに隣接する行について同様に電子ビーム１０Ａを照射する。電子ビーム１０Ａは、適宜、偏向器（図示せず）により進路が容易に制御される。
【０１２６】
続いて、図１６に示すように、図１２に示す第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）が行われる。この場合も、上記第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）と同様、同じ列または同じ行に配置された複数のパッケージ２０について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ｂを順次照射し、一列または一行終了した後、さらに隣接する列または行について同様に電子ビーム１０Ｂを照射する。それにより、複数のパッケージ２０の各々に、未溶接部分１５を形成することが可能となる。
【０１２７】
ここで、上記のような第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂでは、一つのパッケージ２０に電子ビーム１０Ｂを照射して未溶接部分１５を形成した後、順次、他のパッケージ２０に電子ビーム１０Ｂを照射して未溶接部分１５を形成するので、未溶接部分１５が形成されたパッケージ２０では、他のパッケージ２０に電子ビーム１０Ｂが照射される間に、未溶接部分１５からガスを排出することが可能となる。したがって、ガスの排出効率が向上する。
【０１２８】
続いて、図１７に示すように、図１３に示すアニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）が行われる。この場合も、上記第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）と同様、同じ列または同じ行に配置された複数のパッケージ２０について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ｃを順次照射し、一列または一行終了した後、さらに隣接する列または行について同様に電子ビーム１０Ｃを照射する。それにより、複数のパッケージ２０の各々に、アニール処理を行うことが可能となる。
【０１２９】
このようなアニール処理工程ステップＳ２０４では、複数のパッケージ２０に順次電子ビーム１０Ｃを照射するので、他のパッケージ２０に電子ビーム１０Ｃが照射される間に、アニール処理によって生じた容器２や蓋体３等に付着した揮発成分由来のガスを、未溶接部分１５から排出することが可能となる。したがって、ガスの排出工程を改めて設けて時間を要する必要がなく、ガスの排出工程ステップＳ２０５（図１０参照）をアニール処理工程ステップＳ２０４と同時に実施することが可能となる。
【０１３０】
また、他のパッケージ２０に処理を施す間に、処理済みのパッケージ２０を自然冷却することができるため、パッケージ２０の冷却工程を改めて設けて時間を要する必要がない。したがって、パッケージ２０の製造効率の向上が図られる。すなわち、従来のように加熱炉でアニール処理すると、パッケージを搭載したトレイも一緒に加熱されるため、特別な冷却工程を通さないとパッケージの温度をビーム溶接ができる温度まで冷却できないという問題があったが、本発明では、トレイなどの治具を加熱することなく、各々のパッケージ２０単体にビームを照射してパッケージ２０毎に加熱するので、アニール処理したパッケージ２０を短時間で自然冷却することができる。
【０１３１】
上記のようにして各パッケージ２０に未溶接部分１５を形成してアニール処理を行った後、図１８に示すように、各パッケージ２０の未溶接部分１５に電子ビーム１０Ｄを走査させて照射し、図１４に示す二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）を行う。この場合も、上記一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）の場合と同様、同じ列または同じ行に配置された複数のパッケージ２０について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ｄを順次走査させて照射し、一列または一行終了した後、さらに隣接する列または行について同様に電子ビーム１０Ｄを走査させて照射する。それにより、各パッケージ２０の未溶接部分１５が順次溶接されてパッケージ２０が完全に封止される。
【０１３２】
なお、上記においては、二次溶接工程ステップＳ２０６に電子ビーム１０Ｄを用いる場合について説明したが、ビームの種類はこれに限定されるものではなく、レーザにより溶接を行ってもよい。
【０１３３】
また、上記においては、アニール処理工程ステップＳ２０４に、電子ビーム１０Ｃを、電子ビーム１０Ａの軌跡上をなぞるように走査させる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、容器２の底壁外面にレーザを照射してアニール処理を行ってもよい。この場合、レーザは、容器２の底壁外面の所定領域にスポット状に照射してもよく、また、走査してビーム照射を行ってもよい。
【０１３４】
以上のような製造方法によれば、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）におけるアニール処理によって、容器２や蓋体３等に付着した揮発成分由来のガスも含め、パッケージ２０内のガスを効果的に外部に排出することが可能となる。したがって、実施の形態１の場合と同様、パッケージ２０内の真空度の向上が図られる。
【０１３５】
また、ここでは、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）において、二回に分けて電子ビームを照射して両端がビーム照射の始点で構成された未溶接部分１５を形成することができるため、未溶接部分１５を精度よく形成することができる。それゆえ、所望の幅Ｗの未溶接部分１５を所望の位置で正確に形成でき、かつ、従来に比べて未溶接部分１５の幅Ｗを小さくすることができる。
【０１３６】
したがって、未溶接部分１５の幅Ｗを小さくしようとして未溶接部分１５を誤って封止することがなく、また、未溶接部分１５の幅Ｗが従来に比べて小さいことから、二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）における溶接でのガスの発生量を従来よりも低減することが可能となる。それゆえ、パッケージ２０内の真空度の向上がさらに図られる。
【０１３７】
そして、このようにパッケージ２０内の真空度が向上することから、パッケージ２０内を１３Ｐａ以下の真空度に保持することが可能となり、その結果、水晶振動子１が溶接時に生じたガスの影響を受けて特性や信頼性の劣化を生じるのを防止することができる。それゆえ、良好な特性と安定した信頼性とを有する水晶振動子パッケージ２０を実現することができる。具体的には、かかる製造方法によって製造されたパッケージ２０では、水晶振動子１の等価直列抵抗値（ＣＩ値）の低減化を図ることが可能となり、品質が一定で安定した発振特性を有する水晶振動子パッケージ２０が実現可能となる。
【０１３８】
また、図１３に示すように、上記の方法のアニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）では、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）において形成された電子ビーム１０Ａの軌跡上をなぞるように電子ビーム１０Ｃを走査するので、電子ビーム１０Ｃの軌跡が電子ビーム１０Ａの軌跡と一致し、よって、完成したパッケージ２０では、良好な外観が実現可能となる。
【０１３９】
さらに、アニール処理工程ステップＳ２０４におけるアニール処理が、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを用いる一次溶接工程ステップＳ２０３と同様に、電子ビーム１０Ｃを用いて行われるので、同一の電子ビーム加工装置を用いて同一の加工室内で、アニール処理工程ステップＳ２０４と一次溶接工程ステップＳ２０３とを実施することが可能である。したがって、アニール処理のための構成（例えば、従来は必要とされる封止加工室の前室チャンバや後室チャンバ等）を別途必要とせず、よって、装置コストが低減される。また、真空状態の加工室内において、一次溶接工程から連続してアニール処理工程ステップＳ２０４を行えるので、製造効率の向上が図れるとともに、効果的にガスの排出を行うことが可能となる。
【０１４０】
なお、複数のパッケージ２０を同時に製造する方法は、上記に限定されるものではない。例えば、上記においては複数のパッケージ２０の各々に未溶接部分１５を形成した後に各パッケージ２０にアニール処理を行っているが、一つのパッケージ２０について未溶接部分１５の形成とアニール処理とを連続して行い、その後、他のパッケージ２０の未溶接部分１５を形成してもよい。
【０１４１】
この場合、アニール処理されたパッケージ２０では、他のパッケージ２０の処理が行われている間に、容器２に付着した揮発成分由来のガスも含め、効率よくガスの排出を行うことができる。したがって、効果的なガス排出を実現しつつ、ガスの排出に要する時間（すなわち図１０のステップＳ２０５に要する時間）を短縮することが可能となる。
【０１４２】
あるいは、一つのパッケージ２０において、図１１〜図１４に示す一次溶接工程ステップＳ２０３、アニール処理工程ステップＳ２０４、ガスの排出工程ステップＳ２０５、および二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）を連続して実施し、一つのパッケージ２０を完成させた後に次のパッケージ２０に処理を施してもよい。
【０１４３】
（実施の形態４）
図１９は、本発明の実施の形態４にかかるパッケージの製造方法におけるアニール処理工程の電子ビーム照射方法を説明するための模式的な平面図であり、パッケージに照射した電子ビームの軌跡を示している。
【０１４４】
図１９に示すように、本実施の形態では、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）において照射する電子ビーム１０Ｃ’の照射方向が、実施の形態１の電子ビーム１０Ｃ（図１３参照）の照射方向と逆である。
【０１４５】
すなわち、本実施の形態では、電子ビーム１０Ａの軌跡上の点Ｔを始点とするとともに点Ｓを終点として電子ビーム１０Ｃ’を照射する。かかる構成の本実施の形態においても、実施の形態３において前述した効果と同様の効果が得られる。
【０１４６】
（実施の形態５）
図２０は、本発明の実施の形態５にかかるパッケージの製造方法におけるアニール処理工程の電子ビーム照射方法を説明するための模式的な平面図であり、パッケージに照射した電子ビームの軌跡を示している。
【０１４７】
図２０に示すように、本実施の形態では、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）における電子ビーム１０Ｃ’’の照射位置が、実施の形態１の電子ビーム１０Ｃの照射位置とは異なっている。
【０１４８】
具体的には、電子ビーム１０Ｃ’’は、パッケージ２０の一対の短辺のうちの点Ｑに近い短辺に形成された電子ビーム１０Ａの軌跡上の点Ｓ’を始点とし、終点である点Ｔ’まで電子ビーム１０Ａの軌跡上を走査する。この場合、電子ビーム１０Ｃ’’の走査距離は、実施の形態１の電子ビーム１０Ｃの走査距離と同じであってもよく、また、異なってもよい。ここでは走査距離が同じである。かかる構成の本実施の形態においても、実施の形態１に前述した効果と同様の効果が得られる。
【０１４９】
実施の形態３〜５から明らかなように、本発明のパッケージの製造方法におけるアニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）の電子ビームの走査位置は、未溶接部分１５（図１２参照）およびその近傍以外であれば、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）で形成された電子ビーム１０Ａおよび電子ビーム１０Ｂの軌跡上のいずれであってもよく、電子ビーム１０Ａの軌跡と電子ビーム１０Ｂの軌跡の両方にわたっていてもよい。なお、アニール処理工程ステップＳ２０４において未溶接部分１５の近傍を電子ビーム１０Ｃで走査する場合には、未溶接部分１５に影響する可能性がある。
【０１５０】
（実施の形態６）
図２１は、本発明の実施の形態６にかかるパッケージの製造方法におけるアニール処理工程の電子ビーム照射方法を説明するための模式的な平面図であり、パッケージに照射した電子ビームの軌跡を示している。
【０１５１】
図２１に示すように、本実施の形態では、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）において、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）で形成された電子ビーム１０Ａの軌跡上の二箇所の領域をなぞるように、電子ビーム１０Ｃ’および電子ビーム１０Ｃ’’を走査する。例えば、上記の実施の形態３と同様に電子ビーム１０Ｃ’を照射した後、上記の実施の形態５と同様に電子ビーム１０Ｃ’’を照射する。
【０１５２】
かかる構成の本実施の形態においても、実施の形態３において前述した効果と同様の効果が得られる。なお、本実施の形態は、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）において、電子ビーム１０Ａの軌跡上の複数箇所に電子ビーム１０Ｃ’，１０Ｃ’’を照射する構成の一例であり、電子ビーム１０Ｃ’，１０Ｃ’’の照射位置の組み合わせは、これに限定されるものではない。また、各照射位置における電子ビーム１０Ｃ’，１０Ｃ’’の走査方向も、これに限定されるものではない。さらに、二箇所以上の箇所にビーム照射を行ってもよい。
【０１５３】
さらに、上記の実施の形態３〜６において、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）における第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａおよび第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）の終点たる点Ｑの位置は、図１１に示す位置に限定されるものではなく、点Ｒよりも電子ビーム１０Ａの走査方向上流側であれば、点Ｑの位置は特に限定されるものではない。
【０１５４】
以下に、第一および第二のビーム照射工程（図１０のステップＳ２０３ａおよびステップＳ２０３ｂ）の終点たる点Ｑが、上記以外の位置となる実施の形態について説明する。
【０１５５】
なお、ここでは、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）が実施の形態３の構成である場合を例示するが、アニール処理工程ステップＳ２０４の構成は、これに限定されるものではなく、実施の形態４〜６のいずれであってもよい。
【０１５６】
（実施の形態７）
図２２〜図２５は、本発明の実施の形態７にかかるパッケージの製造方法の一次溶接工程、アニール処理工程、および二次溶接工程における電子ビーム照射方法を説明するための模式的な平面図であり、パッケージに照射した電子ビームの軌跡を示している。
【０１５７】
図２２〜図２５に示すように、本実施の形態は、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照）において、実施の形態３と同様、第一および第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ａおよびステップＳ２０３ｂ（図１０参照）の二回に分けて電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射して未溶接部分１５を形成するが、第一のビームの照射工程ステップＳ２０３ａにおける終点たる点Ｑ’の位置が、実施の形態３とは異なっている。
【０１５８】
すなわち、図２２に示すように、本実施の形態では、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）において、未溶接部分形成領域１５’の一端である（すなわち、未溶接部分１５の一端となる）点Ｐ’を始点として電子ビーム１０Ａを照射する。そして、電子ビーム１０Ａを、矩形状の蓋体３の周縁に沿って時計と順方向に順次走査し、点Ｐ’が配置された蓋体３の長辺と対向する他方の長辺に配置された点Ｑ’まで到達させる。本実施の形態では、この点Ｑ’が、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）の終点となる。
【０１５９】
次に、図２３に示すように、実施の形態３の場合と同様、第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）において、未溶接部分形成領域１５’の他端である（すなわち、未溶接部分１５の他端となる）点Ｒ’を始点として電子ビーム１０Ｂを照射し、蓋体３の周縁に沿って前述の点Ｑ’に向かって第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）のビーム走査方向と対向する方向、すなわち時計と逆方向、に順次走査する。
【０１６０】
なお、ここでは第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂの終点を点Ｑ’としたが、点Ｑ’を越えてさらに点Ｑ’より点Ｐ’に近いビーム走査方向下流側の所定地点を終点としてもよい。このような第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂにより、実施の形態３と同様、所望の幅Ｗおよび所望の位置で、未溶接部分１５を精度よく形成することが可能となる。
【０１６１】
上記のようにして未溶接部分１５を形成した後、図２４に示すように、実施の形態３の場合と同様、電子ビーム１０Ｃを、第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）で形成された電子ビーム１０Ａの軌跡をなぞるように走査する。それにより、電子ビーム１０Ｃによってアニール処理が行われる（図１０のアニール処理工程ステップＳ２０４）。
【０１６２】
実施の形態３において前述したように、このアニール処理により、未溶接部分１５から上記一次溶接工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）における溶接で生じたガスと、容器２に付着した揮発成分由来のガスとが、開口たる未溶接部分１５を介してパッケージ２０の内部から外部に排出される（図１０のガスの排出工程ステップＳ２０５）。
【０１６３】
そして、所定時間ガスの排出を行った後、未溶接部分１５に電子ビーム１０Ｄを照射し、未溶接部分１５の封止材４を溶融させてパッケージ２０を完全に封止（すなわち二次溶接）する（図１０の二次溶接工程ステップＳ２０６）。このような二次溶接工程ステップＳ２０６では、図２５に示すように、未溶接部分１５の一端である点Ｒ’から他端である点Ｐ’に向かって、第一の電子ビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）のビーム走査方向と同一の方向に電子ビーム１０Ｄを走査してビーム照射を行う。実際には点Ｐ’と点Ｒ’の距離が０．５ｍｍ程度なので、電子ビーム１０Ｄをレーザに代えてスポット状に照射して溶接することができる。
【０１６４】
なお、上記においては、電子ビーム１０Ｄを用いて二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）を行う場合について説明したが、ビームの種類はこれに限定されるものではなく、レーザにより溶接を行ってもよい。
【０１６５】
かかる構成の本実施の形態においても、実施の形態３に前述した効果と同様の効果が得られる。なお、本実施の形態と実施の形態３とでは、良好な特性と安定した信頼性を有する水晶振動子を実現できる点で同一の効果が奏されるが、未溶接部分１５以外の領域の気密封止性に関しては、実施の形態３の方がより好ましい良品率を実現可能である。未溶接部分１５以外の気密封止性の点から、蓋体３の四つの角部は、連続して一度の溶接工程により封止することが好ましい。
【０１６６】
（実施の形態８）
図２６は、本発明の実施の形態８にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。図２６に示すように、本実施の形態のパッケージ製造方法は、一次溶接工程ステップＳ３０３において、未溶接部分を一回のビーム照射により形成する点、すなわち、一次溶接工程ステップＳ３０３が一工程である点が、図１０に示すように一次溶接工程ステップＳ２０３が二工程（ステップＳ２０３ａとステップＳ２０３ｂ）である実施の形態３の場合と異なる。
【０１６７】
すなわち、本実施の形態のパッケージの製造方法では、図２６に示すように、実施の形態３の場合と同様に、図２の容器２内に水晶振動子１を収納し（ステップＳ３０１）、その後、実施の形態１のステップＳ１０２（図１参照）において前述した方法により、蓋体３と容器２との仮付けを行う（ステップＳ３０２）。このようにして蓋体３を容器２に仮付けした後、続いて、蓋体３側から電子ビーム１０Ａを照射し、図１１の点Ｐを始点とするとともに点Ｒを終点として、蓋体３の周縁に沿って所定方向に電子ビーム１０Ａを一回走査する。それにより、点Ｐと点Ｑとの間に、未溶接部分１５が形成される（一次溶接工程ステップＳ３０３）。
【０１６８】
上記の一次溶接工程ステップＳ３０３の後、実施の形態３のアニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照）と同様、図１３に示すように電子ビーム１０Ｃを照射してアニール処理を行う（アニール処理工程ステップＳ３０４）。その後、実施の形態３のステップＳ２０５（図１０参照）と同様の方法により、未溶接部分１５（図１３参照）から、一次溶接工程ステップＳ３０３において生じたガスおよびアニール処理工程ステップＳ３０４において生じた揮発成分由来のガスを排出する（ステップＳ３０５）。さらに、実施の形態３のステップＳ２０６と同様、図１４に示すように、電子ビーム１０Ｄを未溶接部分１５に照射し、未溶接部分１５を溶接して完全封止を行う（二次溶接工程ステップＳ３０６）。なお電子ビーム１０Ｄの代わりに、レーザを用いてもよい。
【０１６９】
かかる構成の本実施の形態においては、未溶接部分１５の形成精度が、二回のビーム照射により未溶接部分１５を形成する実施の形態３等に比べて低下し、よって、形成される未溶接部分１５の幅Ｗが、実施の形態３等の場合に比べて大きくなる。しかしながら、本実施の形態では、電子ビーム１０Ｃを用いたアニール処理工程Ｓ３０４により、一次溶接工程Ｓ３０３で生じたガスや、アニール処理により生じたガスを、効率よく除去することが可能であり、よって、製造された図２のパッケージ２０内部を、高い真空度とすることが可能となる。したがって、実施の形態１で前述した効果と同様の効果が得られる。
【０１７０】
（実施の形態９）
上記の実施の形態３〜８では、図１３，１９，２０，２１に示すように、アニール処理工程ステップＳ２０４（図１０参照），ステップＳ３０４（図２６参照）における電子ビーム１０Ｃ，１０Ｃ’，１０Ｃ’’の走査位置を、未溶接部分１５（図１２参照）およびその近傍以外とし、一次溶接工程ステップＳ２０３（図１０参照），ステップＳ３０３（図２６参照）で形成された電子ビーム１０Ａおよび電子ビーム１０Ｂの軌跡上のいずれか、または電子ビーム１０Ａの軌跡と電子ビーム１０Ｂの軌跡の両方にわたって走査しているが、これ以外に、例えば、電子ビーム１０Ａおよび電子ビーム１０Ｂの軌跡上（すなわち一次溶接した部分）以外の領域にビーム照射を行ってもよい。
【０１７１】
例えば、本発明の実施の形態９にかかるパッケージの製造方法は、図１０のアニール処理工程ステップＳ２０４や図２６のアニール処理工程ステップＳ３０４において、実施の形態１において前述した方法により、図３または図４に示すように、容器２の底壁または側壁の所定領域に対してビーム照射を行う。この場合のアニール処理では、容器２や蓋体３へのダメージを小さくするため、出力値の低い電子ビームやレーザを用いる。かかる構成の本実施の形態においても、前述の実施の形態３〜７で前述した効果と同様の効果が得られる。
【０１７２】
上記の実施の形態１〜９は、本発明にかかるパッケージ製造方法の例示であり、本発明は、実施の形態１〜９に限定されるものではない。例えば、上記の実施の形態３〜９においては、図１０および図２６に示すように、一次溶接工程ステップＳ２０３，ステップＳ３０３を行った後にアニール処理工程ステップＳ２０４，ステップＳ３０４を行っているが、アニール処理工程ステップＳ２０４，ステップＳ３０４を、一次溶接工程ステップＳ２０３，ステップＳ３０３の前に行ってもよい。また、例えば、実施の形態３〜７において、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３の第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａと第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂとの間で、アニール処理工程Ｓ２０４を行ってもよい。
【０１７３】
ここで、実施の形態３〜９のように、図１０および図２６に示す一次溶接工程ステップＳ２０３，ステップＳ３０３を行って未溶接部分１５を形成した後にアニール処理工程ステップＳ２０４，ステップＳ３０４を行う場合には、一次溶接工程ステップＳ２０３，３０３において封止材４等から生じるガスを、未溶接部分１５を通じて、より効率よくパッケージ２０の外部に排出することが可能となる。したがって、本発明の効果がより有効に奏される。
【０１７４】
また、上記の実施の形態３〜７においては、図１０に示す一次溶接工程ステップＳ２０３の際、図１１に示すように、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａ（図１０参照）において蓋体３の外周に沿って時計と順方向に電子ビーム１０Ａを走査し、その後、図１２に示すように、第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）において時計と逆方向に電子ビーム１０Ｂを走査しているが、第一のビーム照射工程ステップＳ２０３ａと第二のビーム照射工程ステップＳ２０３ｂ（図１０参照）との電子ビーム走査方向が対向するのであれば、電子ビーム走査方向は、これに限定されるものではない。電子ビーム走査方向は、水晶振動子１のマウントとの関係や音叉型の開口端の配置位置等も考慮して、水晶振動子１において良好な特性が実現できるように適宜設定される。また、二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）における電子ビーム１０Ｄの走査方向も、図１４に示す方向に限定されるものではない。
【０１７５】
また、未溶接部分１５の形成位置は、上記の実施の形態３〜７における位置に限定されるものではなく、これ以外の位置であってもよい。未溶接部分１５の形成位置は、ガスの排出効率等を考慮して適宜設定される。
【０１７６】
また、上記の実施の形態３〜９において、二次溶接工程ステップＳ２０６（図１０参照）において照射されるビーム１０Ｄは、前述のように電子ビームおよびレーザのいずれであってもよいが、例えば、実施の形態３〜７，９では、前述のように未溶接部分１５の幅Ｗを小さくすることが可能であることから、ビームスポット径の小さいレーザが、未溶接部分１５の封止（すなわち点封止）に適している。
【０１７７】
また、上記の実施の形態３〜８では、図１０のアニール処理工程ステップＳ２０４および図２６のアニール処理工程ステップＳ３０４において、電子ビーム１０Ｃを一回照射しているが、電子ビーム１０Ｃを間欠的に複数回繰り返して照射してもよい。例えば、電子ビーム１０Ｃを間欠的に複数回照射し、その後、パッケージ２０を２秒から６０秒間放置してガスの排出（図１０のガスの排出工程ステップＳ２０５および図２６のガスの排出工程ステップＳ３０５）を行ってもよい。
【０１７８】
また、上記の実施の形態３〜９において、図１０の一次溶接工程ステップＳ２０３および図２６の一次溶接工程ステップＳ３０３では、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射する際に、出力値の高い電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを前述の軌跡を描くように一度に照射して蓋体３と容器２との溶接を行ってもよく、あるいは、まず出力値の低い電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを前述の軌跡を描くように一回または複数回照射して容器２と蓋体３と封止材４とを所定温度まで加熱し、その後、出力値の高い電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射して封止材４を溶融させ、蓋体３と容器２との溶接を行ってもよい。
【０１７９】
上記の実施の形態１〜９においては、本発明にかかる電子部品封止体（パッケージ２０）が、容器２内に音叉型の水晶振動子１を収納する場合について説明したがこれ以外の水晶振動子が収納されてもよい。さらに、水晶振動子１に限らず、その他の電子部品を収納する構成の電子部品封止体についても、本発明は適用可能である。例えば、圧電振動子、集積回路、ＳＷＡフィルタ等を容器内に収納する電子部品封止体に本発明を適用してもよい。さらに、四角形状以外の形状を有する電子部品封止体にも本発明にかかる製造方法は適用可能である。
【実施例】
【０１８０】
実施例においては、上記の実施の形態３に示す製造方法により図２の水晶振動子パッケージ２０を製造した。また、比較例では、図２９および図３０に示す製造方法により、電子ビーム照射によるアニール処理を行わないで図２の水晶振動子パッケージ２０を製造した。そして、実施例および比較例の水晶振動子パッケージ２０について、ベーキング後の等価直列抵抗ＣＩ値の増加量と平均ＣＩ値を測定した。以下、詳細を説明する。
【０１８１】
（実施例）
実施例においては、実施の形態３で前述した方法にしたがい、図１１および図１２に示す一次溶接工程（図１０のステップＳ２０３）、図１３に示すアニール処理工程（図１０のステップＳ２０４）および図１４に示す二次溶接工程（図１０のステップＳ２０６）を行って図２の水晶振動子パッケージ２０を製造した。
【０１８２】
（比較例）
比較例においては、図２９に示す方法にしたがって未溶接部分５５’を形成する。その後、図３０に示す方法にしたがって未溶接部分５５’を封止して水晶振動子パッケージ５４を製造した。
【０１８３】
上記のようにして製造した各水晶振動子パッケージ２０を、ベーキング炉において、大気雰囲気下、１５０℃で１２時間加熱した。そして、ベーキング後の等価直列抵抗ＣＩ値の増加量と平均ＣＩ値を測定した。
【０１８４】
図２７は、実施例ならびに比較例の方法により製造した水晶振動子パッケージ２０のベーキング後の等価直列抵抗ＣＩ値の測定結果である。
【０１８５】
図２７に示すように、本発明の製造方法にかかる実施例の方法により製造した水晶振動子パッケージ２０では、比較例の方法により製造した水晶振動子パッケージ２０に比べて、ベーキングによるＣＩ値の増加が小さく、また、平均ＣＩ値も小さい。特に、実施例では、ＣＩ値の増加が小さく、平均ＣＩ値も小さかった。
【０１８６】
ベーキング試験は水晶振動子パッケージ２０の耐熱性および信頼性を示すものであることから、実施例の水晶振動子パッケージ２０は、比較例の水晶振動子パッケージ２０に比べて、良好な耐熱性および信頼性を有し、実施例の水晶振動子パッケージ２０ではその効果が顕著であることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【０１８７】
以上のように、本発明にかかる電子部品封止体の製造方法および該方法により製造された電子部品封止体は、内部が高真空に保持され、かつ製造効率の高い電子部品封止体の実現に有用であり、特に、内部の真空状態が収納されたデバイスの特性や信頼性に大きく影響する電子部品封止体、例えば、水晶振動子等を収納した電子部品封止体の製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１８８】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。
【図２】図１の製造方法により製造されたパッケージの模式的な断面図である。
【図３】図１の製造方法のアニール処理工程におけるレーザの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図４】図１の製造方法のアニール処理工程におけるレーザの照射方法の他の例を説明するための模式的な平面図である。
【図５】図１の製造方法の溶接工程におけるレーザの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法に用いられる容器の底部平面図である。
【図７】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法の溶接工程を説明するための模式的な断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法の溶接工程を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法の溶接工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。
【図１１】図１０の製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図１２】図１０の製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図１３】図１０の製造方法のアニール処理工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図１４】図１０の製造方法の二次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図１５】図１０の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図１６】図１０の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図１７】図１０の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図１８】図１０の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態４にかかるパッケージの製造方法における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態５にかかるパッケージの製造方法における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態６にかかるパッケージの製造方法における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態７にかかるパッケージの製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態７にかかるパッケージの製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態７にかかるパッケージの製造方法の第三のビーム照射工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態７にかかるパッケージの製造方法の二次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態８にかかるパッケージ製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図２７】実施例および比較例の結果を示す図である。
【図２８】従来のパッケージの製造方法の一例を示す模式的な平面図である。
【図２９】従来のパッケージの製造方法の他の例を示す模式的な平面図である。
【図３０】従来のパッケージの製造方法の他の例を示す模式的な平面図である。
【符号の説明】
【０１８９】
１  水晶振動子
２  容器
３  蓋体
４  封止材
５  支持台
６  接合材
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ  電子ビーム
１５  未溶接部分
２０  パッケージ
５００  貫通孔
６００  貫通孔封止材
【図１】
2005317895.tif 000003
【図２】
2005317895.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005317895.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2005317895.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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