(57)【要約】【課題】  半導体ウェハ外周端部のナイフエッジによるウェハの破損が抑制可能な半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シートを提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ加工用の粘着シート１２を、外周端部が面取り加工された半導体ウェハ１１のパターン面に貼り付けて、該半導体ウェハ１１を加工する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハ１１と、前記粘着シート１２であって基材１２ａ上に少なくとも発泡層１２ｂを備えた粘着シート１２とを貼り合わせる工程と、前記発泡層１２ｂを発泡させて、前記半導体ウェハ１１に於ける面取り加工された部分と粘着シート１２との間の隙間を埋める工程と、前記半導体ウェハ１１の粘着シート１２が貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】  図１
2005317634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ加工用の粘着シートを、外周端部が面取り加工された半導体ウェハのパターン面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハと、前記粘着シートであって基材上に少なくとも発泡層を備えた粘着シートとを貼り合わせる工程と、
前記発泡層を発泡させて、前記半導体ウェハに於ける面取り加工された部分と粘着シートとの間の隙間を埋める工程と、
前記半導体ウェハの粘着シートが貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記粘着シートとして、前記発泡層が少なくとも前記基材の一方の面に設けられており、かつ、該発泡層上に粘着剤層が設けられたものを使用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記発泡層は、加熱発泡剤を含有する他の粘着剤層であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記発泡層の発泡を、該発泡層に於ける前記半導体ウェハの面取り加工部に相当する領域にのみ行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法により用いられることを特徴とする粘着シート。
【請求項６】
前記発泡層は、前記半導体ウェハの面取り加工部に相当する範囲に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の粘着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードや薄膜トランジスタ等の半導体集積回路を作製する際、その基板となる半導体ウェハの厚みを薄くすることによって、デバイスの小型化が可能となり、使用上の自由度を向上させることが出来る。ＩＣカードなどでは薄型化、大チップ化を図る為に、半導体チップとしては厚さ１００μｍ以下の超薄型チップが望まれている。
【０００３】
しかしながら、半導体ウェハの多くは半導体チップ製造工程における加熱やエッチング処理の繰り返しにおいてウェハ自体の割れや、欠けが発生しないように外周端部を面取りしている。図４は、従来の半導体ウェハに於ける面取り加工された外周端部の形状を示す模式図である。図５は、半導体ウェハが薄型加工された外周端部の断面形状を示す模式図である。図４に示すように、半導体ウェハ３１の外周端部が面取り加工された結果、面取り加工部３２の断面形状は略円弧状となっている。
【０００４】
その為、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、従来の半導体ウェハ固定用の粘着シート３３を半導体ウェハ３１に貼り付け、該半導体ウェハ３１を厚さが１００μｍ以下まで薄型加工等する場合に、半導体ウェハ３１の面取り加工部３２が、非常に鋭利でかつ脆くなる（以下、これをナイフエッジと言い、その部分をナイフエッジ部３４と言う）。このとき、従来の半導体ウェハ３１に於けるナイフエッジ部３４では、粘着シート３３との間に隙間３５が生じている。この為、従来の粘着シート３４では、ナイフエッジ部３４を十分に支持することができず、半導体ウェハ３１の破損の原因になるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェハ外周端部のナイフエッジによるウェハの破損を低減可能な半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく、半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シートについて鋭意検討した。その結果、以下の構成とすることにより、前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ加工用の粘着シートを、外周端部が面取り加工された半導体ウェハのパターン面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハと、前記粘着シートであって基材上に少なくとも発泡層を備えた粘着シートとを貼り合わせる工程と、前記発泡層を発泡させて、前記半導体ウェハに於ける面取り加工された部分と粘着シートとの間の隙間を埋める工程と、前記半導体ウェハの粘着シートが貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
前記の方法によれば、外周端部が面取り加工された半導体ウェハと、粘着シートとを貼り合わせると、面取り加工部では粘着シートとの間に隙間が生じる。しかし、粘着シートに於ける発泡層を発泡させることにより、その隙間を埋めた状態にするので、半導体ウェハの面取り加工部についても確実に粘着シートで接着固定することが可能となる。これにより、その後の半導体ウェハの加工等においてウェハの破損を抑えることができる。すなわち、例えば半導体ウェハの裏面の研削による薄型加工に於いて、半導体ウェハの外周端部がエッジナイフとなっても、該半導体ウェハの破損を防止することができ、取扱い性が向上する。また、ウェハキャリア等による搬送工程に於いても、ウェハの破損の心配がないので搬送が容易となり、作業性が向上する。
【０００９】
前記粘着シートとして、前記発泡層が少なくとも前記基材の一方の面に設けられており、かつ、該発泡層上に粘着剤層が設けられたものを使用するのが好ましい。
【００１０】
これにより、前記発泡層上に設けられた粘着剤層は半導体ウェハを接着固定するので、その後の半導体ウェハの加工工程において半導体ウェハと粘着シートとの間に種々の液体が侵入するのを抑制できる。より具体的には、例えば酸若しくはアルカリ等によるウェットエッチング、半導体ウェハ上へのパターン形成、または該パターン形成で使用するレジストの除去工程において、エッチング液、レジストおよびその剥離液などの侵入を抑制できる。
【００１１】
前記発泡層は、加熱発泡剤を含有する他の粘着剤層であることが好ましい。
【００１２】
発泡層として加熱発泡剤を含有する他の粘着剤層を備えた粘着シートであると、該粘着シートを加熱することにより加熱発泡剤を発泡させることができ、発泡層の体積を膨張させることが可能となる。その結果、半導体ウェハの面取り加工部と粘着シートとの間の隙間を埋めることができる。またこの構成であると、発泡層自体が粘着剤層としの機能を果たす為、該発泡層上に粘着剤層を設けなくても、半導体ウェハを確実に接着固定できる。その結果、半導体ウェハと粘着シートとの間に、エッチング液等の種々の液体が侵入するのを抑制できる。
【００１３】
また、前記発泡層の発泡を、該発泡層に於ける前記半導体ウェハの面取り加工部に相当する領域にのみ行ってもよい。
【００１４】
前記の方法に於いても、発泡層の発泡により半導体ウェハの面取り加工部と粘着シートとの間の隙間を塞ぐことができる。
【００１５】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る粘着シートは、前記に記載の半導体装置の製造方法に用いられるものであることを特徴とする。
【００１６】
前記の構成によれば、半導体ウェハ加工用の粘着シートは発泡層を有しているので、該発泡層を発泡させることにより体積を膨張させることができる。これにより、半導体ウェハの形状に応じて粘着シートを半導体ウェハに密着させることができるので、外周端部が面取り加工された半導体ウェハに対しても、面取り加工部と粘着シートとの間に隙間を埋めることができる。すなわち、半導体ウェハの面取り加工部についても確実に粘着シートで支持することが可能となる。その結果、その後の半導体ウェハの加工においてウェハの破損を抑制できる粘着シートを提供することができる。
【００１７】
前記発泡層は、前記半導体ウェハの面取り加工部に相当する範囲に設けられている構成であってもよい。
【００１８】
前記の構成に於いても、発泡層の発泡により半導体ウェハの面取り加工部と粘着シートとの間の隙間を塞ぐことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。  
【００２０】
即ち、本発明によれば、半導体ウェハの面取り加工部と粘着シートとの間の隙間を、該粘着シートに於ける発泡層の発泡により隙間なく固定することから、半導体ウェハの薄型加工やその後の搬送などに於いて該半導体ウェハに欠けや割れが発生するのを抑制することができる。その結果、歩留まりよく半導体装置を製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。
【００２２】
（半導体装置の製造方法）  
先ず、半導体装置の製造方法について、図１に基づいて説明する。同図は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
【００２３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１１の外周端部を面取り加工する工程と、半導体ウェハ１１と前記粘着シート１２とを貼り合わせる工程と、半導体ウェハ１１に於ける面取り加工部と粘着シート１２との間の隙間を埋める工程と、半導体ウェハ１１の粘着シート１２が貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを有する。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法で使用される半導体ウェハ１１とは、半導体素子が形成された基板を意味する。半導体ウェハ１１の原料としては、例えばシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、またはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等が挙げられる。
【００２５】
前記半導体ウェハ１１の周縁部を面取り加工する工程は、インゴットから切り出された直後のウェハの周縁部に、所定のテーパおよび丸みを持つ凸のＲ形状の面取り加工を施すものである（図１（ａ）参照）。面取り加工部１１ａ、即ちＲ形状の頂点の位置は、例えば半導体ウェハ１１の厚さ方向の断面中心上に位置するように面取り加工が施される。本工程は、半導体素子の製造プロセス中に生じる半導体ウェハ１１の割れ及び欠け等の防止の為、並びにエピタキシャル成長時の周辺の異常成長（クラウン）を避けるために行われる。尚、上述の面取り加工後、面取り加工部１１ａの表面を鏡面研磨してもよい。
【００２６】
前記半導体ウェハ１１と粘着シート１２とを貼り合わせる工程は、該半導体ウェハ１１のパターン面に粘着シート１２を貼り付けて、パターン面を保護する為に行うものである（図１（ｂ）参照）。貼り付けは、テーブル上にパターン面が上になるように半導体ウェハ１１を載置し、粘着シート１２の粘着剤層１２ｃをパターン面に重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブなど）中で、半導体ウェハ１１と粘着シート１２を上記のように重ね、容器内を加圧するにより半導体ウェハ１１に貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。これらの方法で貼り付ける際には、粘着シート１２を３０〜１５０℃程度まで加熱してもよい。
【００２７】
尚、半導体ウェハ１１に貼り合せる粘着シート１２のカットについては貼り合せ後にカットしても良いし、半導体ウェハ１１に貼り合せる前に、貼り合せる半導体ウェハ１１と同形状に打ち抜き加工してもよい。また、半導体ウェハ１１と同形状に打ち抜き加工した粘着シート１２と半導体ウェハ１１の位置合せは、画像認識装置により行い、正確な位置を認識して現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。
【００２８】
前記半導体ウェハ１１に於ける面取り加工部１１ａと粘着シート１２との間の隙間１３を埋める工程は、該粘着シート１２が備える発泡層１２ｂを発泡させることにより行うものである。本実施の形態に係る粘着シート１２は、基材１２ａ上に発泡層１２ｂおよび粘着剤層１２ｃが順次積層された構成である。尚、粘着シート１２の詳細については、後段にて述べる。
【００２９】
本工程は、発泡層１２ｂが粘着シート１２の全面に設けられている場合には、少なくとも発泡層１２ｂに於ける半導体ウェハ１１の面取り加工部１１ａに相当する範囲のみを部分発泡させて行えば、本発明の主目的は達成される。部分発泡の方法としては、例えば発泡層１２ｂが加熱型発泡剤を含有するものである場合、当該範囲のみを加熱する等して温度分布を設け、発泡する領域を制御して行うことにより可能となる。尚、半導体ウェハ１１から粘着シート１２を最終的に剥離する際、発泡層１２ｂに於ける外周端部以外の領域を発泡させると、粘着シート１２に於ける粘着剤層１２ｃの変形により粘着シート１２の粘着力を低下させることが可能となる。この為、粘着シート１２から半導体ウェハ１１の剥離が容易になって、半導体ウェハ１１に破損が生じるのを抑制することができる。
【００３０】
半導体ウェハ１１の裏面の薄型加工をする工程は、例えば研削工程、研磨工程（ＣＭＰ）またはエッチング工程といった機械的または化学的方法等の従来公知の種々の方法を行う工程である。例えば、図１（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１１の位置を上下反転し、支持ウェハ１５をチャッキングして半導体ウェハ１１の裏面の薄型加工を行う。この様な薄型加工に用いる薄型加工機１４としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が例示できる。薄型加工は、半導体ウェハ１１が所望の厚さになるまで行われる。この薄型加工により、面取り加工部１１ａはナイフエッジ部１１ａ’となるが（図１（ｅ）参照）、本実施の形態に於いては面取り加工部１１ａが発泡層１２ｂの発泡により粘着シート１２に接着固定されているので、該半導体ウェハ１１’に割れや欠け等の原因を除去できる。また、パターン面が粘着シート１２により保護されているので、研削時に生じる研削屑等によってパターン面が汚染されるのを防止する。尚、半導体ウェハ１１に対しては、薄型加工の他にダイシング工程等も行われる。
【００３１】
（粘着シート）  
次に、本実施の形態に係る半導体ウェハ加工用の粘着シート１２について説明する。本実施の形態に係る粘着シート１２は、基材１２ａ上に発泡層１２ｂおよび粘着剤層１２ｃが順次積層された構成である（図１（ｂ）参照）。
【００３２】
前記基材１２ａは、粘着剤層１２ｃ等の支持母体となるもので、半導体ウェハ加工用粘着シートに使用される各種の材料を特に制限なく使用することができる。一般には、プラスチックのフィルムやシートが用いられ、より具体的には、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及びこれらの架橋体などのポリマー、熱硬化性樹脂、紙、布、不織布、金属箔、それらのプラスチックラミネート体、プラスチック同士の積層体等の各種材料が挙げられる。これらの材料は必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。基材１２ａの厚み（積層体の場合は総厚み）は特に限定されないが、粘着シート付きウェハの剛性を高める観点から厚い方が良い。但し、粘着シート１２の剥離などの作業性を考慮すると５００μｍ以下が好ましく、５〜２５０μｍがより好ましい。
【００３３】
基材１２ａは、無延伸のものを用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。また、その表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理（化学架橋（シラン））などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。
【００３４】
前記発泡層１２ｂとは、体積変化、即ち体積の膨張を生じさせる発泡剤等を含有した層を意味する。発泡剤としては、化学反応型発泡剤や加熱型発泡剤などが挙げられる。これらの発泡剤を含有する発泡層１２ｂであると、発泡による充填体積や部分発泡なども容易に行うことができ、本発明に最も適した好適な粘着シート１２を得ることが可能となる。
【００３５】
前記化学反応型発泡剤とは、化学反応を伴い気体が発生することを利用して発泡させる発泡剤である。この様な化学反応型発泡剤としては、例えば水、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、またはアジ化ナトリウム等のアジド類などの無機系発泡剤が挙げられる。また、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン；アゾヘキサヒドロベンゾニトリル、アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３′−ジスルホニルヒドラジド、４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）などのヒドラジド化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）などのセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ′−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ′−ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ−ニトロソ系化合物などの有機系発泡剤も挙げられる。これら無機系および有機系発泡剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３６】
前記加熱型発泡剤とは、加熱によりガスが膨張発泡し、或いは加熱により液体や固体が気化して発泡する発泡剤である。この様な加熱型発泡剤としては、例えば熱膨張性微小球が挙げられる。更に、熱膨張性微小球としては、熱膨張性物質を、コアセルベーション法や界面重合法等の適宜な方式により、弾性を有する殻内に内包させた熱膨張性マクロカプセルなどが特に好ましい。熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなるものは、混合操作が容易だからである。
【００３７】
熱膨張性物質としては、例えばイソブタン、プロパン、ペンタンなど、加熱により容易にガス化して膨張する物質が挙げられる。また、熱膨張性物質を内包する殻としては、熱可塑性物質、熱溶融性物質、熱膨張により破裂する物質などが挙げられる。より具体的には、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが例示できる。尚、熱膨張性マイクロカプセルは、前記粘着剤との分散混合性に優れているなどの利点も有する。また、熱膨張性マイクロカプセルの市販品としては、例えばマイクロスフェアー（商品名：松本油脂社製）などが挙げられる。さらに本発明に於いては、必要に応じて熱膨張助剤を添加してもよい。
【００３８】
これら熱膨張性微小球の使用により、加熱による被着体の汚染度の増大を安定して抑制することができる。マイクロカプセル化していない発泡剤等では、表面を形成する粘着剤層１２ｃを凝集破壊するため前記汚染度増大の抑制効果に乏しくなる。加熱による接着力低減の操作性、特にその接着力低減の安定した達成性などの点よりは、破裂するまでの体積膨張が５倍以上、特に７倍以上、特に１０倍以上の熱膨張性微小球が好ましく用いられる。尚、熱膨張性微小球の平均粒径は、適宜に決定することができる。一般には、１００μｍ以下が好ましく、８０μｍ以下がより好ましく、１〜５０μｍが特に好ましい。但し、当該平均粒径はこれらの値に限定されない。
【００３９】
前記熱膨張性微小球を発泡剤として使用する場合、発泡層１２ｂは、該熱膨張性微小球と結合剤の混合層などとして形成される。結合剤としては、熱膨張性微小球の加熱による発泡及び／又は膨張を許容するポリマー類やワックス類などの適宜なものを用いうる。特に、熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張を可及的に拘束しないものが好ましい。特に好ましい結合剤としては、例えば粘着剤等が挙げられる。熱膨張性微小球の加熱膨張性や、被着体（半導体ウェハ１１）に対する粘着剤層１２ｃを介した接着力等の粘着特性の制御性などが良好だからである。
【００４０】
発泡層１２ｂの厚みは、パターン面や裏面の凹凸高さや凹凸追従性、半導体ウェハ１１の保持性や保護性などの観点から適宜調整される。具体的には、例えば５μｍから３００μｍが好ましく、１０μｍから１００μｍ程度がより好ましい。厚さが５μｍ未満の場合には、パターン面や裏面への凹凸追従性が十分に発揮されず、ウェハ裏面研削時には異物の浸入やウェハの割れやディンプルの発生を効果的に防止できず、ダイシング時には切断ミス、チップ飛び、及びチップの破損などが発生しやすくなる傾向にある。その一方、厚さが３００μｍを超える場合には、ウェハ裏面研削後に粘着シートをウェハから剥離する際に、粘着シートの曲げ応力により、薄く研削されたウェハが破損する恐れがある。
【００４１】
また、結合剤として粘着剤を使用した場合の発泡層１２ｂの接着力は特に限定はされないが、例えば半導体ウェハ１１に対する１８０度ピール接着力の値が、０．１から２０Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．５から５．０Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４２】
前記粘着剤としては、特に限定されるものではない。例えば、ゴム系やアクリル系、ビニルアルキルエーテル系やシリコーン系、ポリエステル系やポリアミド系、ウレタン系やフッ素系、スチレン−ジエンブロック共重合体系等のポリマーを用いたものや、融点が約２００℃以下等の熱溶融性樹脂を配合してクリープ特性を改良したもの、放射線硬化型のものやそれらに必要に応じて例えば架橋剤や粘着付与剤、可塑剤や軟化剤、充填剤や顔料、着色剤や老化防止剤、界面活性剤等の各種の添加剤を配合したものなどの適宜なものの１種又は２種以上を用いることができる（特開昭５６−６１４６８号公報、同６１−１７４８５７号公報、同６３−１７９８１号公報、同５６−１３０４０号公報等）。
【００４３】
前記粘着剤としては、より具体的には、例えば天然ゴムやポリイソプレンゴム、スチレン・ブタジエンゴムやスチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴム、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体ゴムや再生ゴムやブチルゴム、ポリイソブチレンやＮＢＲの如きゴム系ポリマーをベースポリマーに用いたゴム系粘着剤、アクリル酸ないしメタクリル酸のアルキルエステルを成分とするアクリル系重合体をベースポリマーに用いたアクリル系粘着剤などが例示できる。
【００４４】
尚、前記のアクリル系重合体としては、例えばメチル基やエチル基、プロピル基やブチル基、アミル基やへキシル基、ヘプチル基や２−エチルヘキシル基、イソオクチル基やイソノニル基、イソデシル基やドデシル基、ラウリル基やトリデシル基、テトラデシル基やペンタデシル基、ヘキサデシル基やへプタデシル基、オクタデシル基やノナデシル基、エイコシル基の如き炭素数が１〜２０、特に４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアクリル酸やメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を用いたものが挙げられる。
【００４５】
また、用いるアクリル系重合体は、凝集力や耐熱性や架橋性等の改質などを目的に適宜なモノマーの１種又は２種以上を共重合したものであってもよい。その共重合モノマーについては特に限定はなく、前記アクリル酸系アルキルエステルと共重合しうるものであればよい。ちなみに前記共重合モノマーの例としては、アクリル酸やメタクリル酸、カルボキシエチルアクリレートやカルボキシベンチルアクリレート、イタコン酸やマレイン酸、フマール酸やクロトン酸の如き力ルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸の如き酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルや（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチルや（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチルや（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリルや（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルメタクリレートの如きヒドロキシル基含有モノマーが挙げられる。またスチレンスルホン酸やアリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸や（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートや（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸の如きスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートの如き燐酸基含有モノマー、（メタ）アクリルアミドやＮ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミドやＮ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドの如き（Ｎ−置換）アミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチルや（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルの如き（メタ）アクリル酸アルキルアミノ系モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチルや（メタ）アクリル酸エトキシエチルの如き（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー、Ｎ−シクロヘキシルマレイミドやＮ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミドやＮ−フェニルマレイミドの如きマレイミド系モノマー、Ｎ−メチルイタコンイミドやＮ‐エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミドやＮ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルへキシルイタコンイミドやＮ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドの如きイタコンイミド系モノマー、Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミドやＮ−（メタ）アクリロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドの如きスクシンイミド系モノマーなども共重合モノマーの例として挙げられる。
【００４６】
さらに、酢酸ビニルやプロピオン酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドンやメチルビニルピロリドン、ビニルピリジンやビニルピベリドン、ビニルピリミジンやビニルピベラジン、ビニルピラジンやビニルピロール、ビニルイミダゾールやビニルオキサゾール．ビニルモルホリンやＮ−ビニルカルボン酸アミド類、スチレンやα−メチルスチレン、Ｎ−ビニルカプロラクタムの如きビニル系モノマー、アクリロニトリルやメタクリロニトリルの如きシアノアクリレート系モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルの如きエポキシ基含有アクリル系モノマー、（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコールや（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコールや（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールの如きグリコール系アクリルエステルモノマー、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルやフッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートや２−メトキシエチルアクリレートの如きアクリル酸エステル系モノマー、へキサンジオールジ（メタ）アクリレートや（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレートやネオベンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレートやトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ベンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレートやジベンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エボキシアクリレートやポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートやジビニルベンゼン、ブチルジアクリレートやへキシルジアクリレートの如き多官能性モノマー、イソプレンやブタジエン、イソブチレンやビニルエーテルなども共重合モノマーの例として挙げられる。
【００４７】
前記充填剤は、発泡層１２ｂの密度、弾性率および粘着力などを調整する目的で配合される。この様な充填剤としては、無機系充填剤や有機系充填剤が挙げられる。前記無機系充填剤としては、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、炭酸バリウム、硫酸バリウム、ベントナイト、炭酸カルシウム、カオリン、珪藻土、ガラス粉末、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、マイカ、ケイ酸アルミニウム、白雲母、シリカ、及びタルク等が挙げられる。有機系充填剤としては、例えば、各種の熱硬化性樹脂粉末や熱可塑性樹脂粉末などが挙げられる。
【００４８】
前記発泡剤の使用量は、発泡層１２ｂの膨張倍率などにより適宜に決定してよい。一般には、上記した結合剤、粘着剤の場合にはそのベースポリマー１００重量部あたり、１〜１５０重量部、特に１０〜１３０重量部、特に２５〜１００重量部の発泡剤が用いられる。
【００４９】
前記粘着剤層１２ｃは、半導体ウェハ１１を接着固定する層である。これにより、半導体ウェハ１１の加工工程において半導体ウェハ１１と粘着シート１２との間に種々の液体が侵入するのを抑制することができる。すなわち、前記の構成によれば、半導体ウェハ１１の破損を防止しつつ接着性に優れたものとすることができる。
【００５０】
粘着剤層１２ｃを構成する粘着剤としては、一般的に使用されている感圧性粘着剤を使用できる。具体的には、例えばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が挙げられる。なかでも、半導体ウェハヘの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性などの点から、（メタ）アクリル系ポリマーをベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。
【００５１】
前記（メタ）アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどの炭素数１〜３０のアルキル基、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いた（メタ）アクリル系ポリマーなどが挙げられる。
【００５２】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは凝集力、接着性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましく、さらに好ましくは１５重量％以下である。
【００５３】
さらに、前記（メタ）アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。ベースポリマーを架橋させることにより、粘着剤層の自己保持性が向上するので粘着シートの大きな変形を防止でき、粘着シートの平板状態を維持しやすくなる。
【００５４】
多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００５５】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合することにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合等の何れの方式で行うこともできる。特に、紫外線や電子線などの放射線を照射して重合する場合には、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーにモノマー成分と光重合開始剤とを配合して得られる液状組成物をキャストして光重合させることにより（メタ）アクリル系ポリマーを合成することが好ましい。
【００５６】
前記ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーは、数平均分子量が５００〜１０万程度、好ましくは１０００〜３万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする２官能化合物である。また、モノマー成分としては、モルホリン（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）アクリレート等が挙げられる。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、オリゴマー：モノマー成分＝９５〜５：５〜９５（重量％）であることが好ましく、さらに好ましくは５０〜７０：５０〜３０（重量％）である。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーの含有量が多いと液状組成物の粘度が高くなって重合が困難となる傾向にある。
【００５７】
粘着剤層１２ｃは半導体ウェハ１１等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は、２０万〜３００万程度が好ましく、さらに好ましくは２５万〜１５０万程度である。
【００５８】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により前記成分の他に従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００５９】
また、前記粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤を使用できる。放射線硬化型粘着剤は炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、放射線（特に紫外線）照射によって粘着力が低下するものが望ましい。かかる粘着剤層１２ｃによれば、バックグラインド（研削）工程後またはダイシング工程後に紫外線照射によって、粘着シート１２の剥離を容易に行うことができる。
【００６０】
放射線硬化型粘着剤としては、例えば一般的な粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。一般的な粘着剤としては、前記（メタ）アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の感圧性粘着剤と同様のものが挙げられる。
【００６１】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えばウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００６２】
また、放射線硬化性の粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、或いは多くを含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することがない。これにより、安定した層構造の粘着剤層１２ｃを形成することができる。
【００６３】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。（メタ）アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示した（メタ）アクリル系ポリマーが挙げられる。
【００６４】
前記（メタ）アクリル系ポリマーに於けるポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を導入すると、分子設計が容易となる。炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できる。例えば、予め、（メタ）アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法が挙げられる。
【００６５】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基は（メタ）アクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、（メタ）アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、（メタ）アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、またはジエチレングルコールモノビニルエーテルなどのエーテル系化合物を共重合したものが挙げられる。
【００６６】
前記内在型の放射線硬化性粘着剤としては、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特に（メタ）アクリル系ポリマー）を単独で使用することができる。また、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下であり、好ましくは１０重量部以下である。
【００６７】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、１〜１０重量部程度であり、好ましくは３〜５重量部である。
【００６８】
粘着剤層１２ｃの厚みは、接着固定性と剥離性を両立する観点から、５μｍ〜３００μｍが好ましく、１０μｍ〜１００μｍ程度がより好ましい。また、粘着剤層１２ｃの接着力は、支持ウェハから最終的に容易に剥離できる範囲内のものであれば良く、特に限定はされない。例えば、半導体ウェハ１１に対する１８０度ピール接着力の値が、０．１から２０Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．５から５．０Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
【００６９】
次に、本実施の形態に係る粘着シート１２の製造方法について説明する。  
【００７０】
先ず、基材１２ａ上に発泡層１２ｂを形成する。即ち、例えば発泡剤と結合剤等の配合成分を必要に応じ溶媒を用いて混合する。次に、その混合物を塗布方式等の適宜な方式で、前記基材１２ａ上に展開してシート状の塗布層を形成する。塗布層の層厚は、その後の発泡による体積変化などを考慮して適宜に決定しうる。一般には、半導体ウェハ１１とのバランスから、３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより好ましい。続いて、塗布層を乾燥させ、発泡層１２ｂを形成する。
【００７１】
次に、発泡層１２ｂ上に粘着剤層１２ｃを形成する。即ち、所定の粘着剤を調製した後、塗布方式等の適宜な方式で前記発泡層１２ｂ上に展開してシート状の塗布層を形成する。更に、この塗布層を乾燥して粘着剤層１２ｃを形成する。これにより、本実施の形態に係る粘着シート１２を得ることができる。
【００７２】
（その他の事項）
以上の説明に於いては、本発明の最も好適な実施態様について説明した。しかし、本発明は当該実施態様に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の範囲で種々の変更が可能である。
【００７３】
例えば、本発明の粘着シートは、粘着剤層を発泡層が設けられている面とは反対側の面に設けた構成としてもよい。この様な構成とすることにより、本実施の形態に係る粘着シートを両面粘着シートとすることができる。尚、両面粘着シートの態様を採用する場合、半導体ウェハに貼り合せる粘着面とは反対側の面に支持板等を貼り合せることにより、半導体ウェハに更なる強度と剛性を付与することができる。
【００７４】
また本発明に於いては、図２に示すように、基材１２ａが発泡層１２ｂ’の内部に埋設した形態の粘着シート１２’を採用することもできる。
【００７５】
また本発明に於いては、図３に示すように、発泡層１２ｂ”を、半導体ウェハ１１’の面取り加工部に相当する範囲にのみ設けた粘着シート１２”を採用することもできる。この様な構成であっても本発明の目的を達成することができ、半導体ウェハ１１’の欠けや割れ等の発生を抑制できる。尚、発泡層１２ｂ”は、その形成領域以外の部分をマスクして形成領域を部分塗工したり、当該形成領域に部分転写する等の方法により形成することができる。
【００７６】
また本発明に於いては、粘着シートとして基材上に発泡層のみが形成された態様を採用することもできる。但しこの場合、発泡層に於ける結合剤は、粘着剤であることが必要である。この様な構成であると、該発泡層上に粘着剤層を設けなくても、半導体ウェハを接着固定することができる。その結果、前記と同様に半導体ウェハの加工工程において半導体ウェハと粘着シートとの間に種々の液体が侵入するのを抑制できる。すなわち、この構成であっても、半導体ウェハの破損を防止しつつ接着性に優れた粘着シートを提供することができる。
【００７７】
また本発明に於いては、半導体ウェハに貼り合わせる粘着シートの発泡層は、半導体ウェハの外周端部の形状に追従することが出来るのであれば、任意の中間層を介して設けることもできる。該中間層としては、例えば基材との投錨性を向上させるバインダーとなる接着層等が挙げられる。
【００７８】
また本発明に於いては、発泡層を、基材の両面に設けることもできる。この様な構成とすることにより、基材との投錨性を向上させるという利点が得られる。
【実施例】
【００７９】
以下、本発明について実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
【００８０】
（実施例１）
温度計、境枠機、窒素導入管および還流冷却管を備えた内容量５００ｍｌの三つ口フラスコ型反応器内に、アクリル酸Ｎ−ブチル５０部、アクリル酸２−エチルヘキシル５０部、アクリル酸５部、２，２′−アゾビスイソブチロニトリル０．１部、酢酸エチル２００部を全体が２００ｇとなるように配合して投入した。次いで、窒素ガスを約１時間導入しながら撹拌し、内部の空気を窒素で置換した。その後、反応器内部の温度を５８℃にし、この状態で約４時間保持して重合を行い、アクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体１００部を含む酢酸エチル溶液にイソシアネート系架橋剤２部を配合してアクリル系粘着剤を得た。このアクリル系粘着剤に熱膨張性微小球（松本マイクロスフェアＦ−５０Ｄ、松本油脂社製）３５部を配合した。この熱膨張性微小球を含有したアクリル系粘着剤を厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム（基材）の片面に塗布し乾燥して、厚さ４０μｍの熱膨張性層（発泡層）を形成した。更に、熱膨張性層上に粘着剤を塗布して、厚さ３μｍ  の汚染防止型粘着層（粘着剤層）を形成した。前記粘着剤としては、アクリル系共重合体１００部を含む酢酸エチル溶液にエポキシ系架橋剤（三菱ガス化学、テトラッド−Ｃ）４部を配合したアクリル粘着剤を用いた。これにより、本実施例１に係る加熱発泡型の粘着シートを得た。
【００８１】
前記粘着シートに、外周端部が面取り加工された半導体ウェハ（厚さ：６２５μｍ、６インチ）を貼り合せた。その後、半導体ウェハの外周端部のみを１３０℃で３分間加熱し、発泡層に於ける外周端部に相当する範囲を発泡させて、外周端部と粘着シートとの隙間を埋めた。これにより、本実施例１に係る粘着シート付きウェハＡを得た。
【００８２】
（比較例１）
熱膨張性微小球を粘着剤中に配合しない他は、前記実施例１と同様にして比較例１に係る粘着シートを得た。この粘着シートにも、実施例１と同様に外周端部が面取り加工された半導体ウェハ（厚さ：６２５μｍ、６インチ）を貼り合せた。これにより、本比較例１に係る粘着シート付きウェハＢを得た。
【００８３】
（評価）
実施例１及び比較例１にて得られた粘着シート付きウェハＡ及びＢについて、下記の方法で搬送時のウェハ割れ等について検討した。
【００８４】
即ち、粘着シート付きウェハＡ及びＢを各々２５枚ずつ作製し、シリコンウェハ研削機（ディスコ（株）製）を用いて、それぞれの半導体ウェハを厚さ５０μｍまで研削した。その後、通常の搬送と同様の作業を行った。その結果、実施例１で作製した２５枚の粘着シート付きウェハＡは何れも割れ等は認められず良好であった。これに対し、比較例１に係る粘着シート付きウェハＢについては、２５枚中１８枚に割れや欠けなどの破損が認められた。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図であって、図１（ａ）は外周端部が面取り加工された半導体ウェハの状態を示し、同図（ｂ）は該半導体ウェハに粘着シートを貼り付けた状態を示し、同図（ｃ）は粘着シートに於ける発泡層を発泡させた状態を示し、同図（ｄ）は半導体ウェハを薄型加工する状態を示し、同図（ｅ）は薄型加工後の粘着シート付き半導体ウェハを示す。
【図２】本発明の他の実施の形態に係る粘着シートを概略的に示す断面模式図である。
【図３】本発明のさらに他の実施の形態に係る粘着シートを概略的に示す断面模式図である。
【図４】従来の半導体ウェハに於ける面取り加工された外周端部の形状を示す模式図である。
【図５】従来の半導体ウェハに於ける薄型加工された外周端部の形状を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８６】
１１、１１’    半導体ウェハ
１１ａ  面取り加工部
１１ａ’  ナイフエッジ部
１２、１２’、１２”    粘着シート
１２ａ  基材
１２ｂ、１２ｂ’、１２ｂ”  発泡層
１２ｃ  粘着剤層
１３    隙間
１４    薄型加工機
１５    支持ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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