(57)【要約】【課題】  セラミック配線板の表層部にデラミネーションが発生しにくく、信頼性に優れたビルドアップ多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ビルドアップ多層配線基板７は、低温焼成セラミック基板１と、複数の導体層４１，４２及び複数の樹脂絶縁層２２，２３を交互に積層した構造を有し、低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８及びボールグリッド接合面１９のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層２とを備える。複数の樹脂絶縁層２２，２３のうちビルドアップ層２において内層に位置する樹脂絶縁層２２の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が、外層に位置する他の樹脂絶縁層２３の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さい。【選択図】  図１
2005191244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、
複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層と
を備え、
前記複数の樹脂絶縁層のうち前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が、外層に位置する他の樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さくなっていることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
【請求項２】
前記複数の樹脂絶縁層における前記熱膨張係数は、外層の樹脂絶縁層になるに従って次第に大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載のビルドアップ多層配線基板。
【請求項３】
前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層の前記熱膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のビルドアップ多層配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法において、
前記低温焼成セラミック基板に対して圧力を殆ど加えない手法を用いてワニスを塗布し、かつそのワニスを硬化させることにより、前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層を形成する第１樹脂絶縁層形成工程と、
前記ビルドアップ層において前記内層に位置する樹脂絶縁層の表面上に、それよりも基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が大きい樹脂絶縁層を形成する第２樹脂層形成工程と
を含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１樹脂絶縁層形成工程においてスピンコート法またはカーテンコート法により前記ワニスを塗布することを特徴とする請求項４に記載のビルドアップ多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はビルドアップ多層配線基板及びその製造方法に係り、特には低温焼成セラミック基板上にビルドアップ層を備えたビルドアップ多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック絶縁基板に導体層を形成してなるセラミック配線基板がある。近年、このセラミック配線基板及びこれに実装される半導体等の高性能化が著しく、導体部の低抵抗化による信号伝達速度の高速化が要請されている。このため、セラミック配線基板の導体層に、低抵抗の銀や銅を用いることが提唱されている。これらの導体材料は融点が低いため、同時焼結法などのメタライズ手法を採用することができない。それゆえ、前記セラミック絶縁基板として、比較的低温で焼成が可能な低温焼成セラミック基板を使用する必要性が生じる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、配線基板の多層化のため、図２に示すごとく、前記セラミック配線基板９１のＩＣチップ８１実装面側に、樹脂材料を用いてビルドアップ層９２を形成することが考えられている。ビルドアップ層９２は、樹脂絶縁層９４と導体層９７とを交互に積層したものである。
【０００４】
各導体層９７は、樹脂絶縁層９４に形成したビアホール９８により電気的に接続されている。また、セラミック配線基板９１は、多数の低温焼成セラミック基板９３を積層して形成したものであり、そこには導体パターン９６及びスルーホール９５が形成されている。セラミック配線基板９１のＩＣチップ８１実装面側と反対側は、マザーボード８２に接合される。
【特許文献１】特開２００３−１４２６２８号公報（図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、前記従来の低温焼成セラミック基板９３は、低温で焼成されたものであるので、１０００℃以上の高温で焼成して得られるアルミナ基板等に比べて機械的強度が弱い。また、低温焼成セラミック基板９３の熱膨張係数が７ｐｐｍ／℃以下であるのに対して、ビルドアップ層９２の樹脂絶縁層９４の熱膨張係数は５０〜７０ｐｐｍ／℃とかなり大きい。
【０００６】
このため、ヒートサイクルに遭遇すると、両材料間の熱膨張係数差に起因して、低温焼成セラミック基板９３とビルドアップ層９２との界面に熱応力が集中し、低温焼成セラミック基板９３における外周部の表層部にてデラミネーション（剥離）９９が発生するという問題があった（図３参照）。従って、このような構造のビルドアップ多層配線基板では高い信頼性を付与することができなかった。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、低温焼成セラミック基板の表層部にデラミネーションが発生しにくく、信頼性に優れたビルドアップ多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段としては、第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層とを備え、前記複数の樹脂絶縁層のうち前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が、外層に位置する他の樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さくなっていることを特徴とするビルドアップ多層配線基板がある。
【０００９】
本発明は、ヒートサイクル時において低温焼成セラミック基板とビルドアップ層との界面に集中する熱応力を、ビルドアップ層における樹脂絶縁層間に分散させて、熱応力を緩和させることに着目したものである。
【００１０】
即ち、ビルドアップ層における複数の樹脂絶縁層のうち内層に位置する樹脂絶縁層の熱膨張係数は、それよりも外層に位置する他の樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも小さく設定されるため、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数に近い。このため、ヒートサイクル時にビルドアップ層と低温焼成セラミック基板との界面に生じる熱応力を、ビルドアップ層における内層に位置する樹脂絶縁層と、外層に位置する他の樹脂絶縁層との間に分散させることができる。これにより、ビルドアップ層と低温焼成セラミック基板との界面での熱応力が緩和され、低温焼成セラミック基板の表層部にデラミネーションが発生することを抑制することができる。ゆえに、低温焼成セラミック基板とビルドアップ層との接続信頼性を確保することができる。
【００１１】
また、内層の樹脂絶縁層を構成する材料は、外層に位置する他の樹脂絶縁層に比べて熱膨張係数の低い樹脂材料に限定されるが、外層に位置する他の樹脂絶縁層の材料についてはそのような熱膨張係数の制約がなく、材料の選択の幅が広くなる。
【００１２】
ここで例えばビルドアップ層が２層の樹脂絶縁層からなる場合、「内層の樹脂絶縁層」とは、低温焼成セラミック基板に接する最内層の樹脂絶縁層（第１層めの樹脂絶縁層）のことを指し、「外層に位置する他の樹脂絶縁層」とはその表面に位置する第２層めの樹脂絶縁層のことを指す。従って、この場合には第１層めの樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が、第２層めに位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さくなるように設定される。
【００１３】
また、例えばビルドアップ層が３層の樹脂絶縁層からなる場合、「内層の樹脂絶縁層」を、低温焼成セラミック基板に接する最内層の樹脂絶縁層（第１層めの樹脂絶縁層）と解釈し、「外層に位置する他の樹脂絶縁層」を第２層め及び第３層めの樹脂絶縁層と解釈してもよい。従って、この場合には、第１層めの樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が、第２層め、第３層めに位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さくなるように設定される。
【００１４】
同じく、ビルドアップ層が３層の樹脂絶縁層からなる場合において、「内層の樹脂絶縁層」を、低温焼成セラミック基板に接する最内層の樹脂絶縁層（第１層めの樹脂絶縁層）及びそれに隣接する第２層目の樹脂絶縁層と解釈し、「外層に位置する他の樹脂絶縁層」を第３層めの樹脂絶縁層と解釈してもよい。従って、この場合には、第１層め、第２層めの樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が等しく設定されるとともに、第３層めに位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さくなるように設定される。
【００１５】
本発明において、「熱膨張係数」とは、厚み方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（ＸＹ方向）の熱膨張係数のことを意味し、０℃〜１００℃の間のＴＭＡ（熱機械分析装置）にて測定した値のことをいう。「ＴＭＡ」とは、熱機械的分析をいい、例えばＪＰＣＡ−ＢＵ０１に規定されるものをいう。
【００１６】
複数の樹脂絶縁層における前記熱膨張係数は、外層の樹脂絶縁層になるに従って次第に大きくなっている、言い換えると内層の樹脂絶縁層になるに従って次第に小さくなっていることが好ましい。これにより、ヒートサイクル時の熱応力を各樹脂絶縁層間に効果的に分散させることができる。ゆえに、低温焼成セラミック基板にデラミネーションが発生することを一層効果的に抑制することができる。
【００１７】
ここで、前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層の前記熱膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以下（ただし、０ｐｐｍ／℃は除く。）であることが好ましい。これにより、樹脂絶縁層の熱膨張係数と、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数との差異が小さくなる。したがって、ヒートサイクル時に発生する熱応力を緩和でき、デラミネーションの発生を抑制することができる。
【００１８】
前記内層の樹脂絶縁層の前記熱膨張係数は、５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下であることがよく、さらには５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下であることがよりよい。内層の樹脂絶縁層と低温焼成セラミック基板の前記熱膨張係数が一層近似し、ヒートサイクル時に発生する熱応力も小さくなるからである。
【００１９】
また、ビルドアップ層が内層と外層の２層の樹脂絶縁層からなる場合、内層の樹脂絶縁層の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下であり、外層の樹脂絶縁層の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超えることが好ましい。これにより、ヒートサイクル時に発生する熱応力を効率よく分散させることができる。
【００２０】
さらには、ビルドアップ層が内層と外層の２層の樹脂絶縁層からなる場合、内層の樹脂絶縁層の熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下であり、外層の樹脂絶縁層の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超えることが望ましい。特には、内層の樹脂絶縁層の熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下であり、外層の樹脂絶縁層の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超えることが望ましい。最内層の樹脂絶縁層と低温焼成セラミック基板の熱膨張係数が一層近似し、ヒートサイクル時に発生する熱応力も小さくなるからである。
【００２１】
上記低温焼成セラミック基板の熱膨張係数は、ビルドアップ層における樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも小さい。上記低温焼成セラミック基板の熱膨張係数は、７ｐｐｍ／℃以下（ただし、０ｐｐｍ／℃は除く。）であることが好ましい。これにより、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数が、ＩＣチップの熱膨張係数と近似して、ヒートサイクル時の両者の熱膨張係数差による影響を抑制することができる。従って、例えば熱膨張係数が２．６ｐｐｍ／℃程度のＩＣチップを用いるような場合には、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数を、２ｐｐｍ／℃以上６ｐｐｍ／℃以下に設定することがよい。
【００２２】
前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数と、前記最内層の樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数との差は、３５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、低温焼成セラミック基板と樹脂絶縁層との熱膨張係数の差が従来の値よりも小さくなり、両材料の熱膨張係数差に起因するデラミネーション発生を抑制することができる。ここで、前記熱膨張係数の差は、０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下であることがよく、さらには０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることがよりよい。熱膨張係数差が小さければ、ヒートサイクル時に発生する熱応力も小さくなるからである。上記低温焼成セラミック基板とは、セラミック未焼結体を比較的低温で焼成して得たガラスセラミック基板などのことを指す。その焼成温度は、１２００℃以下であることが好ましく、更には７００〜１１００℃であることが好ましい。上記ガラスセラミック基板に使用される好適な材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等がある。なお、低温焼成セラミック基板の寸法は特に限定されるべきではないが、一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上であることがよい。その理由は、一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。
【００２３】
上記低温焼成セラミック基板には、導体層（導体パターン）、スルーホール、ビアホールなどの導体部を形成することができる。かかる導体部の材料としては、例えば低温焼成されるガラスセラミックに応じて、低融点金属であるＡｇ、Ｃｕ等を主成分として含むものを採用できる。この種の金属を主成分として含むものを用いて導体部を形成した場合、導体部の低抵抗化を図ることが可能である。
【００２４】
また、上記低温焼成セラミック基板の厚み方向の最表面は第１主面及び第２主面を構成している。そして、上記第１主面の表面上または／及び上記第２主面の表面上には、ビルドアップ層が形成されている。ここで、上記ビルドアップ層とは、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層したものを意味する。上記ビルドアップ層は、上記樹脂絶縁層と上記導体層とをそれぞれ２層以上有している。ただし、樹脂絶縁層の層数は３層以上であることがよい。その理由は、層数が３層以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。また、樹脂絶縁層全体の厚さも特に限定されるべきではないが、７０μｍ以上であることがよい。その理由は、全体の厚さが７０μｍ以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。
【００２５】
ここで、上記樹脂絶縁層の構成材料である樹脂としては熱硬化性樹脂が好適である。その理由は、熱硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂とは異なり加熱によってゴム状にならないからである。熱硬化性樹脂の具体例を挙げると、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマーなどを好適に用いることができる。なお、これらの樹脂には感光性が付与されていてもよい。
【００２６】
この中、上記樹脂絶縁層は液晶ポリマーからなることが好ましい。液晶ポリマーの熱膨張係数は５〜１０ｐｐｍ／℃であり、低温焼成セラミック基板の熱膨張係数に比較的近いからである。なお「液晶ポリマー」とは、溶液あるいは溶融状態で液晶性を示す高分子のことをいう。液晶ポリマーフィルムは剛直な分子の集合体であり、通常のポリマーのような分子からみがなく、伸びが少ない。これを硬化すると、高強度、高耐熱性を有する樹脂絶縁層となる。
【００２７】
上記樹脂絶縁層には、フィラーが含まれていてもよい。このようなフィラーの具体例としては、樹脂などからなる有機フィラーや、セラミック、金属、ガラスなどからなる無機フィラーを挙げることができる。
【００２８】
上記樹脂絶縁層は、フィルムを積層圧着する方法、または後述するワニスを塗布する方法などにより形成することができる。
【００２９】
上記ビルドアップ層の構成要素である上記導体層としては、銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケルなどから選ばれる１種または２種以上の導電性金属を用いることができる。上記導体層は、例えば、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされる。
【００３０】
フォトリソグラフィ技術を利用したサブトラクティブ法の一例を挙げると、まず、樹脂絶縁層上に導体層を形成し、その上にエッチングレジスト用の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行った後に現像処理を行い、エッチングレジストを形成する。次いで、レジスト非形成部分に存在する導体層をエッチングにて除去し、所定パターンの導体層とする。
フォトリソグラフィ技術を利用したアディティブ法の一例を挙げると、まず、樹脂絶縁層上にめっきレジスト用の感光性樹脂層を形成し、その上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行った後に現像処理を行い、めっきレジストを形成する。次いで、レジスト非形成部分に無電解めっきを析出させ、所定パターンの導体層を形成する。なお、無電解めっきの代わりにスパッタやＣＶＤ等を行って導体層を形成してもよい。
【００３１】
上記ビルドアップ多層配線基板を製造する方法としては、前記低温焼成セラミック基板に対して圧力を殆ど加えない手法を用いてワニスを塗布し、かつそのワニスを硬化させることにより、前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層を形成する第１樹脂絶縁層形成工程と、前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層の表面上に、それよりも基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が大きい樹脂絶縁層を形成する第２樹脂層形成工程とを含むことを特徴とするビルドアップ多層配線基板の製造方法がある。
【００３２】
上記製造方法においては、内層の樹脂絶縁層を形成するにあたり、樹脂絶縁層形成用のワニスを、低温焼成セラミック基板に対してその厚さ方向（Ｚ方向）に圧力を殆ど加えない手法により塗布している。低温焼成セラミック基板は焼結が完全には進行していないため、比較的脆い組織を有している。よって、例えばドライフィルム等のラミネート時に高いプレス圧を設定すると、焼結体組織中にクラックが生じやすくなり、デラミネーション発生率を高める結果となる。
【００３３】
これに対して上記方法によれば、クラックの発生による焼結体組織の脆弱化を未然に防止することができるため、低温焼成セラミック配線基板の表層部にデラミネーションが発生することを、より一層抑制することができる。
【００３４】
上記低温焼成セラミック基板に対して圧力が殆ど加わらない手法としては、例えば、カーテンコート法、スピンコート法、ロールコート法などがある。なかでも、カーテンコート法、スピンコート法が好適である。また、これらの手法を実施する場合、０．５ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の範囲内で押圧を行うことが好ましい。これが０．５ＭＰａ未満であると、低温焼成セラミック基板と樹脂絶縁層との間に十分な密着力を確保できなくなるおそれがある。一方、０．８ＭＰａを越えると、低温焼成セラミック基板に対して加わる圧力の影響が出てしまい、デラミネーションの原因となる焼結体組織中のクラックが起こりやすくなる。
【００３５】
上記最内層の樹脂絶縁層を形成するにあたり、あらかじめ、低温焼成セラミック基板との接合性向上のためのカップリング処理を施すことが好ましい。上記カップリング処理とは、具体的にはシランカップリング剤またはチタネート系カップリング剤を用いて表面処理を施すことを指す。
【００３６】
また、上記内層の樹脂絶縁層以外の樹脂絶縁層を形成する場合についても、同様に低温焼成セラミック基板に対して圧力を殆ど加えない手法を用いてワニスを塗布しかつそのワニスを硬化させることにより、形成することが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（実施例）
【００３８】
以下、本発明を具体化した実施例を図１に基づき詳細に説明する。図１は、本実施例のビルドアップ多層配線基板を示す断面図である。
【００３９】
図１に示されるように、ビルドアップ多層配線基板７は、チップ実装面１８（第１主面）及びボールグリッド接合面１９（第２主面）を有する低温焼成セラミック基板１と、チップ実装面１８に形成されたビルドアップ層２とを有する。
【００４０】
低温焼成セラミック基板１は４層構造からなる。低温焼成セラミック基板１の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は７ｐｐｍ／℃以下である。低温焼成セラミック基板１を構成するセラミック層１１は、低温で焼成可能なガラスセラミック材料からなり、具体的には、ＳｉＯ２が２４．８質量部、Ｂ２Ｏ３が２．５質量部、Ａｌ２Ｏ３が２．５質量部、Ｎａ２Ｏが１．２質量部、ＰｂＯが１６．０質量部、Ｋ２Ｏが０．８質量部、ＣａＯが２．３質量部の組成を有するガラス粉末と、アルミナフィラー５０．０質量部とを混合させて、平均粒径３μｍ〜５μｍのアルミナとガラスの混合粉末を作製した。これに、バインダ（アクリル樹脂）、可塑剤（ジブチルフタレート（ＤＢＰ））及び溶剤（トルエン）を添加し、混練してスラリーを調合した。各スラリーをドクターブレード法により、焼成後の厚さが１００μｍとなるようにセラミックグリーンシートを作製した。各セラミック層１１の間には、導体パターン１２が形成されている。低温焼成セラミック基板１には、これを貫通するスルーホール導体１３が形成されている。スルーホール導体１３は、異層間の導体パターン１２同士を導通している。
【００４１】
低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８には、２層構造のビルドアップ層２が形成されている。ビルドアップ層２は、２層の樹脂絶縁層２２，２３と、２層の銅からなる導体層４１，４２とを積層したものである。
【００４２】
ビルドアップ層２を構成している２層の樹脂絶縁層２２，２３のうち、外層の樹脂絶縁層２３の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は５０ｐｐｍ／℃であり、内層の樹脂絶縁層２２の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は３０ｐｐｍ／℃である。外層の樹脂絶縁層２３の材料は、エポキシである。内層の樹脂絶縁層２２の材料は、ポリイミドである。
【００４３】
ビルドアップ層２を構成している導体層４１，４２は、ビアホール導体３４，３６を通じて互いに導通している。最外層の導体層４２には、ＩＣチップ８１と接続するためのはんだバンプ５１が接続されている。ビルドアップ層２の表層部は、はんだバンプ５１の接続部分を除いて、ソルダーレジスト２５により被覆されている。
【００４４】
低温焼成セラミック基板１のボールグリッド接合面１９には、導体層１２が形成されており、そこにはマザーボード８２と接続するためのボールグリッド５２が接続されている。低温焼成セラミック基板１のボールグリッド接合面１９は、ボールグリッド接続部を除いて、ソルダーレジスト２７により被覆されている。
【００４５】
ビルドアップ多層配線基板７の大きさは、３５ｍｍ×３５ｍｍである。ソルダーレジスト２５，２７の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数は７０ｐｐｍ／℃である。低温焼成セラミック基板１の厚みは０．８ｍｍである。ビルドアップ層２における樹脂絶縁層２２，２３の厚みはいずれも４０μｍであり、ビルドアップ層２全体の厚みは約８０μｍである。
【００４６】
次に、上記ビルドアップ多層配線基板７の製造方法について説明する。
【００４７】
まず、従来公知の手法に従って低温焼成セラミック基板１を製造する。すなわち、セラミック層１１形成用のセラミックグリーンシートを準備し、各セラミックグリーンシートに、スルーホール用孔をパンチングにより穿設する。次いで、各セラミックグリーンシートの表面にＣｕペーストを印刷して、スルーホール用孔内にＣｕペーストを充填するとともに、導体パターン１２を形成する。次いで、積層すべきセラミックグリーンシートを互いに位置合わせし、積層圧着して、一体となす。次いで、この一体化したセラミックグリーンシートを低温焼成（８００℃）して、低温焼成セラミック基板１を得る。
【００４８】
次いで、この低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８にビルドアップ層２を形成する。その形成にあたっては、まず、低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８に、最内層の樹脂絶縁層２２との接合性を向上させるためのカップリング処理をする。カップリング処理の具体的手法として、シランカップリング剤またはチタネート系カップリング剤を用いて表面処理を施す。
【００４９】
次いで、チップ実装面１８の表面に、ポリイミド樹脂材料（日本ゼオン社製）からなる液状のワニスを塗布する。ワニスの塗布は、カーテンコート法にて行う。その後フィルムを１８０〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これにより樹脂材料を硬化させ、最内層である第１層めの樹脂絶縁層２２とする（第１樹脂絶縁層形成工程）。次に、炭酸ガスレーザを用いたレーザ孔あけ加工を実施することにより、第１層めの樹脂絶縁層２２における所定箇所に盲孔のビアホール用孔を穿孔する。そして、ビアホール用孔内壁に無電解銅めっきを施してビアホール導体３４を形成した後、ビアホール導体３４の中央部にできる空洞に導電性または非導電性の充填用樹脂３２を充填する。
【００５０】
次いで、セミアディティブ法によって、第１層めの樹脂絶縁層２２の表面上に第１層めの導体層４１をパターン形成する。具体的には、第１層めの樹脂絶縁層２２の表面全体に所定厚みの無電解銅めっきを施す。次に、上記無電解銅めっき層を覆う感光性樹脂からなるドライフィルムを貼着するとともに、そのドライフィルム上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行う。続いて現像処理を行ってドライフィルムの不要部分を溶解除去し、所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、前記めっきレジストを溶解除去し、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、所定パターンの第１層めの導体層４１を得ることができる。
【００５１】
次いで、チップ実装面１８の表面に、エポキシ樹脂材料（味の素製）からなる液状のワニスを塗布する。ワニスの塗布は、カーテンコート法にて行う。その後フィルムを１８０〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これにより樹脂材料を硬化させ、第２層めの樹脂絶縁層２３とする（第２樹脂絶縁層形成工程）。次に、炭酸ガスレーザを用いたレーザ孔あけ加工を実施することにより、第２層めの樹脂絶縁層２３における所定箇所に盲孔のビアホール用孔を穿孔する。そして、ビアホール用孔内壁に無電解銅めっき膜を施してビアホール導体３４を形成する。
【００５２】
次いで、樹脂絶縁層２３の上に、上述したセミアディティブ法により、Ｃｕからなるパターン状の導体層４２を形成する。
【００５３】
以上により、ビルドアップ層２が得られる。
【００５４】
次いで、ビルドアップ層２の表面を、樹脂絶縁材料からなるソルダーレジスト２５により被覆する。具体的には、樹脂絶縁層２３の表面上にエポキシ樹脂を塗布した後、１８０℃〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これによりエポキシ樹脂を硬化させ、ソルダーレジスト２５とする。次に、炭酸ガスレーザを用いたレーザ孔あけ加工を実施することにより、ソルダーレジスト２５における所定箇所、即ちＩＣ実装用のパッド部に対応した箇所に開口部を形成する。そして、開口部から露出するパッド部の表面上に無電解ニッケルめっき及び無電解金めっきを順次施した後、さらにはんだ印刷等によってはんだバンプ５１を形成する。
【００５５】
また、低温焼成セラミック基板１のボールグリッド接合面１９にも、上記ソルダーレジスト２５と同様の手法により、ソルダーレジスト２７を被覆し、導体層１２のボールグリッド接合部にボールグリッド５２を接合する。
【００５６】
以上により、本実施例のビルドアップ多層配線基板７が得られる。
【００５７】
さて、本実施例のビルドアップ多層配線基板７は、ビルドアップ層２における複数の樹脂絶縁層２２，２３のうち、最も内層に位置する樹脂絶縁層２２の熱膨張係数は、他の樹脂絶縁層２３の熱膨張係数よりも小さく、低温焼成セラミック基板１の熱膨張係数に近い。このため、ヒートサイクル時に樹脂絶縁層２２と低温焼成セラミック基板１との界面に生じる熱応力を、ビルドアップ層２の樹脂絶縁層２２，２３間に分散させることができる。従って、低温焼成セラミック基板１の表層部におけるデラミネーションの発生を抑制することができる。
【００５８】
なお、本実施例は以下のように変更してもよい。
【００５９】
・上記実施例においては、ビルドアップ層２を構成する樹脂絶縁層２２，２３の積層数は２層であったが、３層以上であってもよい。なお、ビルドアップ層２が３層以上になると、熱膨張係数差に起因する熱応力の集中という問題が顕著になり、デラミネーションの発生という本願発明特有の課題が生じやすくなる。よって、本願発明の構造を採用する意義が大きくなる。
【００６０】
・上記実施例においては低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８にのみビルドアップ層２を形成しているが、ボールグリッド接合面１９にのみビルドアップ層２を形成してもよいし、また両方の面に形成してもよい。
【００６１】
・上記実施例においては、ボールグリッド５２とはんだバンプ５１により、外部品と接続しているが、リード、ピン等の他の接続部材であってもよい。
【００６２】
・上記実施例における低温焼成セラミック基板１は４層構造であったが、１層構造、２層構造、３層構造であってもよく、または５層構造以上であってもよい。
【００６３】
・上記実施例における低温焼成セラミック基板１は、表裏両方に開口するスルーホール導体１３を有しているが、一方側のみに開口するブラインドビアホール導体、内部に埋め込まれている埋め込みビアホール導体を有していても良い。
【００６４】
・上記実施形態におけるビルドアップ多層配線基板７の最表面にはソルダーレジスト２５，２７、はんだバンプ５１及びボールグリッド５２が形成されているが、これらを形成しないでもよい。
【００６５】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６６】
（１）第１主面及び第２主面を有し、一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上の低温焼成セラミック基板と、複数の導体層及び複数の樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層とを備え、該ビルドアップ層全体の厚さが７０μｍ以上であって、前記低温焼成セラミック基板の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が２ｐｐｍ／℃以上６ｐｐｍ／℃以下であり、前記複数の樹脂絶縁層のうち前記ビルドアップ層において最も内層に位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下であり、他の樹脂絶縁層の熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超え、前記最も内層に位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数と前記低温焼成セラミック基板の熱膨張係数との差が０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
【００６７】
（２）第１主面及び第２主面を有する低温焼成セラミック基板と、複数の導体層及び３層以上の樹脂絶縁層を交互に積層した構造を有し、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層とを備え、前記複数の樹脂絶縁層のうち前記ビルドアップ層において内層に位置する樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数が、外層に位置する他の樹脂絶縁層の基板厚さ方向に直交する方向の熱膨張係数に比べて小さくなっていることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。このように、樹脂絶縁層の層数が３層以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなる。
【００６８】
（３）前記樹脂絶縁層全体の厚さは７０μｍ以上であることを特徴とする技術的思想（２）に記載のビルドアップ多層配線基板。即ち、樹脂絶縁層全体の厚さが７０μｍ以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。
【００６９】
（４）前記低温焼成セラミック基板は一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上であることを特徴とする技術的思想（２）または（３）に記載のビルドアップ多層配線基板。即ち、低温焼成セラミック基板は一辺の大きさが２５．０ｍｍ以上になると、デラミネーションの発生が顕著になるため、本願発明の構造を採用する意義が大きくなるからである。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】実施例におけるビルドアップ多層配線基板の断面図。
【図２】従来技術におけるビルドアップ多層配線基板の断面図。
【図３】従来技術の問題点を示す説明図。
【符号の説明】
【００７１】
１・・・低温焼成セラミック基板
２・・・ビルドアップ層
７・・・ビルドアップ多層配線基板
１１・・・セラミック層
１２・・・導体パターン
１３・・・スルーホール導体
１８・・・チップ実装面
１９・・・ボールグリッド接合面
２２，２３・・・樹脂絶縁層
２５，２７・・・ソルダーレジスト
３４，３６・・・ビアホール導体
４１，４２・・・導体層
５１・・・はんだバンプ
５２・・・ボールグリッド
８１・・・ＩＣチップ
８２・・・マザーボード
【図１】
2005191244.tif 000003
【図２】
2005191244.tif 000004
【図３】
2005191244.tif 000005