(57)【要約】【課題】  ＭＭＩＣ実装基板において、フランジ付きＭＭＩＣを用意しなくても放熱を効率良く行なえるようにし、手作業による半田付けなしに組み立てられるようにする。【解決手段】  ＭＭＩＣ実装基板は、誘電体基板の両面に金属箔パターンが形成されたものである両面金属箔誘電体基板２と、この両面金属箔誘電体基板２の一方の面に搭載されている表面実装型の高電力増幅器であるＭＭＩＣ１と、両面金属箔誘電体基板２の他方の面に貼られている金属シャーシ３とを備える。この両面金属箔誘電体基板２は複数のスルーホール２ａを有する。金属箔パターンとしての銅箔パターンは、誘電体基板の両面と連続するように上記スルーホール２ａ内面を覆っており、複数のスルーホール２ａの内部には半田が埋め込まれている。【選択図】        図１
2005191536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板とその両面に配置された金属箔とを含む両面金属箔誘電体基板と、
前記両面金属箔誘電体基板の一方の面に搭載されている表面実装型の高電力増幅器であるＭＭＩＣと、
前記両面金属箔誘電体基板の他方の面に貼られている金属シャーシとを備え、
前記両面金属箔誘電体基板は複数のスルーホールを有し、前記金属箔は、前記誘電体基板の両面と連続するように前記スルーホール内面を覆っており、前記複数のスルーホールの内部には半田が埋め込まれている、ＭＭＩＣ実装基板。
【請求項２】
前記金属箔は金メッキされている、請求項１に記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項３】
前記金属箔は半田メッキされている、請求項１に記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項４】
前記半田はクリーム半田である、請求項１に記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項５】
前記金属箔に接して前記両面金属箔誘電体基板を貫通して前記金属シャーシに接続されたビスを備える、請求項１から４のいずれかに記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項６】
前記ＭＭＩＣの上面に接する放熱板を備え、前記ビスは、前記放熱板を貫通し、前記放熱板を前記ＭＭＩＣに押さえ付ける形で取り付けられている、請求項５に記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項７】
前記ビスは、ワッシャを貫通しており、前記ワッシャは、前記ビスの頭と前記両面金属箔誘電体基板との間に挟まれている、請求項５に記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項８】
前記ＭＭＩＣの上面に接する放熱板を備え、前記放熱板は、板部と、前記板部と一体的に形成されたネジ部とを含み、前記ネジ部は、前記両面金属箔誘電体基板および前記金属シャーシを貫通して前記金属シャーシの裏側で拘束されている、請求項１から４のいずれかに記載のＭＭＩＣ実装基板。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のＭＭＩＣ実装基板を備えるマイクロ波帯通信の送信専用のトランスミッタ装置。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれかに記載のＭＭＩＣ実装基板を備えるマイクロ波帯通信の送受信用のトランシーバ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波モノリシック集積回路（Microwave Monolithic Integrated Circuit）（以下、「ＭＭＩＣ」という。）実装基板に関するものである。このＭＭＩＣ実装基板は、主に衛星通信用送信器に用いられるものである。特に、Ｋｕバンドトランシーバ、Ｋｕバンドトランスミッタに用いられる。
【背景技術】
【０００２】
従来、高電力増幅器の高出力トランジスタの放熱を促進するための技術としては、実開平５−３１３０７号公報（特許文献１）に開示されたものがある。また、無線通信モジュールにおいて発熱の大きい半導体素子を多層基板に実装する際の技術としては、特開２００３−６０５２３号公報（特許文献２）に開示されたものがある。特許文献１，２とも、チップを実装する箇所には基板に凹部を設ける必要があった。
【０００３】
基板に凹部を設けることなく必要なチップを実装し、なおかつチップからの効率良い放熱も可能にする方法としては、以下に説明するような技術が知られていた。
【０００４】
図１６、図１７を参照して、従来の高電力増幅器（High Power Amplifier：ＨＰＡ）としてのＭＭＩＣを基板に実装したものであるＭＭＩＣ実装基板について説明する。図１６に示すように、このＭＭＩＣ実装基板は、両面金属箔誘電体基板２とその片面に貼られた金属シャーシ３とを備える。両面金属箔誘電体基板２は、誘電体基板の両面に金属箔を貼ったものにおいてエッチングなどの方法などにより金属箔を部分的に除去してパターン化し、金属箔パターンとしたものある。ここで示す例では、金属箔パターンは銅箔パターンであり、両面金属箔誘電体基板２は、一定のパターン形状の銅箔である銅箔パターン（図示せず）が誘電体基板の両面に形成された状態となっている。高電力増幅器であるＭＭＩＣを取り出して拡大したところを図１７に示す。高電力増幅器であるＭＭＩＣは、発熱が問題となるので、放熱および接地を効率良く行なえるようにＭＭＩＣ本体７ａの側面の下端に金属製のフランジ７ｂがついており、フランジ付きＭＭＩＣ７となっている。また、ＭＭＩＣ本体７ａのフランジ７ｂがついているのとは異なる側の側面の下端からは複数の端子７ｃが突出している。
【０００５】
図１６に示すように、両面金属箔誘電体基板２は、フランジ付きＭＭＩＣ７のサイズに対応した貫通穴である取付け穴８を有する。取付け穴８の内部では、金属シャーシ３の表面が露出している。フランジ付きＭＭＩＣ７は、両面金属箔誘電体基板２の取付け穴８を介して金属シャーシ３の表面に接続されている。すなわち、フランジ７ｂの貫通孔を利用してビス４によって金属シャーシ３の表面に直接固定されている。固定した状態の平面図を図１８に示す。ＭＭＩＣ本体７ａは、取付け穴８の内部に収まって金属シャーシ３の表面に直接接している。ＭＭＩＣ本体７ａから側方に突出する端子７ｃは、取付け穴８の外側にはみだして両面金属箔誘電体基板２の表側の銅箔パターン２ｃの上面に載っており、それぞれ対応する銅箔パターン２ｃに対して手作業で半田付けされている。
【０００６】
なお、端子７ｃには、接地端子７ｃ１と信号端子７ｃ２との２種類があり、銅箔パターン２ｃにも、大きく分けて、接地パターン２ｃ１と、信号パターン２ｃ２との２種類がある。接地端子７ｃ１は接地パターン２ｃ１に接続され、信号端子７ｃ２は信号パターン２ｃ２に接続されている。
【特許文献１】実開平５−３１３０７号公報
【特許文献２】特開２００３−６０５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の従来技術においては、高電力増幅器として単なるＭＭＩＣではなくフランジ付きＭＭＩＣを用意しなければならないという問題があった。
【０００８】
また、フランジ付きＭＭＩＣ７は、両面金属箔誘電体基板２の上面ではなく取付け穴８から露出する金属シャーシ３の表面に設置されるものであり、金属シャーシ３に対してビス４を締める作業を半田付けよりも先に行なうことが必要となる。端子７ｃの半田付けは、熱容量が大きな部材である金属シャーシ３が既に取り付けられた状態で行なうこととなる。この状態では、たとえば、リフロー槽で全体を加熱したとしても金属シャーシ３に熱の多くを奪われてしまうので、良好な半田付けを行なうことはできない。したがって、通常の表面実装型部品のように、予め基板に半田を塗っておいて部品を設置すると同時に半田付けを完了するというわけにはいかない。結局、フランジ付きＭＭＩＣ７は、ビス４によって金属シャーシ３に対して固定された後に手作業で端子７ｃの半田付けを行なうこととなる。よって、手作業であるがゆえの信頼性低下が懸念される。
【０００９】
そこで、本発明は、フランジ付きＭＭＩＣを用意する必要がなく、手作業による半田付けなしに組み立てることができ、放熱を効率良く行なえるようなＭＭＩＣ実装基板などを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に基づくＭＭＩＣ実装基板は、誘電体基板とその両面に配置された金属箔とを含む両面金属箔誘電体基板と、上記両面金属箔誘電体基板の一方の面に搭載されている表面実装型の高電力増幅器であるＭＭＩＣと、上記両面金属箔誘電体基板の他方の面に貼られている金属シャーシとを備え、上記両面金属箔誘電体基板は複数のスルーホールを有し、上記金属箔は、上記誘電体基板の両面と連続するように上記スルーホール内面を覆っており、上記複数のスルーホールの内部には半田が埋め込まれている。この構成を採用することにより、フランジ付きＭＭＩＣを用意する必要がなくなる。スルーホールの内部の半田を用いて半田付けを行なうことが可能となるので、手作業なしにでも半田付けができるようになる。ＭＭＩＣから両面金属箔誘電体基板の表面の金属箔に伝わった熱はスルーホール内部の半田を介して速やかに両面金属箔誘電体基板の裏側の金属シャーシに伝わることができるので、放熱が効率良く行なえる。ＭＭＩＣの端子に接する金属箔にスルーホールを設けておくことによって、金属シャーシへの電気的接続を低い電気抵抗で行なうことができるようになり、高周波における動作を安定させることができるようになる。
【００１１】
上記発明において好ましくは、上記金属箔は金メッキされている。この構成を採用することにより、腐食防止にもなり、厚み精度を高くしやすいので、表面状態を安定させることができる。したがって、マイクロ波使用時に特性が安定する。
【００１２】
上記発明において好ましくは、上記金属箔は半田メッキされている。この構成を採用することにより、半田付けの際に後から塗布する半田がなじみやすくなる。
【００１３】
上記発明において好ましくは、上記半田はクリーム半田である。この構成を採用することにより、ほぼ従来どおり部品実装のための工程、すなわちスクリーン印刷やリフロー槽での熱処理を行なうだけで、スルーホール内部に半田を埋め込んだ構造を容易に作り出すことができる。
【００１４】
上記発明において好ましくは、上記金属箔に接して上記両面金属箔誘電体基板を貫通して上記金属シャーシに接続されたビスを備える。この構成を採用することにより、ＭＭＩＣから発せられて、両面金属箔誘電体基板の表面の金属箔に伝わった熱は、スルーホール内部の半田を経由する以外に、ビスを経由して金属シャーシに伝わることもできるようになるので、放熱がより効率良く行なえるようになる。ＭＭＩＣの端子から金属シャーシへの電気的接続に関してもビスを経由することによって電気抵抗を低く抑えることができるようになる。
【００１５】
上記発明において好ましくは、上記ＭＭＩＣの上面に接する放熱板を備え、上記ビスは、上記放熱板を貫通し、上記放熱板を上記ＭＭＩＣに押さえ付ける形で取り付けられている。この構成を採用することにより、放熱板によってＭＭＩＣの上面からも熱を取り出すことができるので、ＭＭＩＣからの放熱をさらに効率良く行なうことができる。
【００１６】
上記発明において好ましくは、上記ビスは、ワッシャを貫通しており、上記ワッシャは、上記ビスの頭と上記両面金属箔誘電体基板との間に挟まれている。この構成を採用することにより、経年変化によるビスの緩みを防止することができる。
【００１７】
上記発明において好ましくは、上記ＭＭＩＣの上面に接する放熱板を備え、上記放熱板は、板部と、上記板部と一体的に形成されたネジ部とを含み、上記ネジ部は、上記両面金属箔誘電体基板および上記金属シャーシを貫通して上記金属シャーシの裏側で拘束されている。この構成を採用することにより、板部の上面に何も突出させずに平坦にすることができるので、両面金属箔誘電体基板の表面からの高さを低減できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フランジ付きＭＭＩＣを用意する必要がなくなる。スルーホールの内部の半田を用いて半田付けを行なうことが可能となるので、手作業なしにでも半田付けができるようになる。ＭＭＩＣから両面金属箔誘電体基板の表面の金属箔に伝わった熱はスルーホール内部の半田を介して速やかに両面金属箔誘電体基板の裏側の金属シャーシに伝わることができるので、放熱が効率良く行なえる。ＭＭＩＣの端子に接する金属箔にスルーホールを設けておくことによって、金属シャーシへの電気的接続を低い電気抵抗で行なうことができるようになり、高周波における動作を安定させることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施の形態１）
（構成）
図１〜図６を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるＭＭＩＣ実装基板について説明する。このＭＭＩＣ実装基板は、図１に示すように、両面金属箔誘電体基板２と、ＭＭＩＣ１と、金属シャーシ３とを備える。図１では、説明の便宜のため、ＭＭＩＣ１を両面金属箔誘電体基板２から離した状態で表示している。ＭＭＩＣ１は、表面実装型の高電力増幅器であり、両面金属箔誘電体基板２の一方の面に搭載されている。両面金属箔誘電体基板２の他方の面には、金属シャーシ３が貼られている。図１に示すＭＭＩＣ実装基板の部分拡大断面図を図２に示す。両面金属箔誘電体基板２は、図２に示すように、誘電体基板２ｅの両面に金属箔パターンとしての銅箔パターン２ｃが形成されているものである。両面金属箔誘電体基板２には、スルーホール２ａが多数配列されている領域がある。ＭＭＩＣ１は、このような領域に搭載される。
【００２０】
両面金属箔誘電体基板２の表面に搭載されたＭＭＩＣ１の近傍を拡大したところを図３に示す。ただし、図３では、金属シャーシ３を図示省略している。
【００２１】
ＭＭＩＣ１は、ＭＭＩＣ本体１ａと、ＭＭＩＣ本体１ａから両側に延びる端子１ｃとを備える。端子１ｃには、大きく分けて、接地端子１ｃ１と、信号端子１ｃ２との２種類がある。信号端子１ｃ２および信号パターン２ｃ２はそれぞれ数本ずつある。図３の例では４本ずつとなっているが、他の本数であってもよい。接地パターン２ｃ１と信号パターン２ｃ２とは電気的に互いに独立している。接地端子１ｃ１は接地パターン２ｃ１に接続され、信号端子１ｃ２は信号パターン２ｃ２に接続される。図３の構造の断面を図４に示す。図４に示すように、各端子１ｃは、それぞれ対応する銅箔パターン２ｃと半田９によって接続されている。例として、端子１ｃ２と銅箔パターン２ｃ２との接続部分の横断面図を図５に示す。
【００２２】
端子１ｃと銅箔パターン２ｃとスルーホール２ａとの平面的位置関係を説明するために、図３の構造においてＭＭＩＣ本体１ａを取り除いた状態で上から見たところを図６に示す。図６ではＭＭＩＣ本体１ａの占める範囲は二点鎖線で示されている。図６に示すように、接地パターン２ｃ１のうちＭＭＩＣ本体１ａが覆う領域にはスルーホール２ａが配列されている。これは、接地端子１ｃ１が載る領域であっても同様である。一方、信号端子１ｃ２が載る領域や信号パターン２ｃ２の領域にはスルーホール２ａは配置されていない。スルーホール２ａにおいては、図２に示すように、スルーホール２ａの内面を金属箔が覆っており、両面金属箔誘電体基板２の表裏の金属箔は電気的に接続されている。さらに、スルーホール２ａの内部には、それぞれ半田が埋め込まれており、半田埋込み部２ｂとなっている。接地端子１ｃ１は、両面金属箔誘電体基板２の表面に接しているので半田埋込み部２ｂを介して、両面金属箔誘電体基板２の裏面の銅箔パターン２ｃにまで電気的に接続されている。
【００２３】
（作用・効果）
本実施の形態では、ＭＭＩＣ１の接地端子１ｃ１は、両面金属箔誘電体基板２の表側の銅箔パターン２ｃ、スルーホール２ａの半田埋込み部２ｂ、両面金属箔誘電体基板２の裏側の銅箔パターン２ｃを順に介して金属シャーシ３に至るまで金属同士でつながっているので、この経路を通じて金属シャーシ３に向かって放熱および接地が行なえる。半田埋込み部２ｂは金属が満たされているので誘電体基板２ｅよりも熱伝導率がはるかに良い。このような半田埋込み部２ｂの存在によって、両面金属箔誘電体基板２の表側から裏側への熱伝導は、飛躍的に効率良く行なわれるようになる。その結果、高電力増幅器であるＭＭＩＣ１の放熱を効率良く行なうことができる。
【００２４】
接地に関しても、両面金属箔誘電体基板２の表側と裏側との間の電気的接続が、多数のスルーホール２ａ内の半田を介して行なうことができるようになるので、電気抵抗を小さくすることができ、数ＧＨｚ以上という高い周波数で動作させる際にも安定した動作をさせることができるようになる。
【００２５】
信号パターン２ｃ２の領域においては、信号端子１ｃ２と信号パターン２ｃ２とが電気的に接続されて信号のやりとりを行なうことができる。この領域にはスルーホール２ａは配置されていないので、これら信号に関する部分は、接地パターン２ｃ１や裏側の銅箔パターン２ｃなどの接地に関する部分との間で、電気的な独立を保つことができる。
【００２６】
もっとも、接地に関する部分との間での電気的な独立を維持することができるような形であれば、信号パターンの領域内にスルーホールを設けてもよい。その場合もスルーホール内部に半田を埋め込んでおくことによって両面金属箔誘電体基板２の裏側との電気的接続を低抵抗で行なえるようになる。
【００２７】
なお、銅箔パターン２ｃは、金メッキされていることが好ましい。金メッキしておけば、腐食防止にもなり、厚み精度を高くしやすいので、表面状態を安定させることができる。このＭＭＩＣ実装基板をマイクロ波に使用する際に、マイクロ波の表皮効果によってエネルギーは銅箔パターン２ｃの表面に集中することとなるが、表面状態が安定していることによって、特性が安定する。特に、両面金属箔誘電体基板２の両面にわたって金メッキされていることが好ましい。
【００２８】
なお、銅箔パターン２ｃは、両面金属箔誘電体基板２の両面にわたって半田メッキされていることも好ましい。このようにしておけば、半田付けの際に後から塗布する半田がなじみやすくなる。
【００２９】
なお、半田埋込み部２ｂの半田は、クリーム半田であれば好ましい。クリーム半田であれば、ほぼ従来どおりの部品実装のための工程を行なうだけで、半田埋込み部２ｂの形成を自動的に行なうことができる。すなわち、新たな工程を増やすことなくスルーホール２ａ内への半田の充填を行なうことができる。その方法は、以下のとおりである。
【００３０】
表面実装型の部品の半田付け前に両面金属箔誘電体基板２の表面の部品を実装したい領域およびスルーホール２ａが配列されている領域にスクリーン印刷によってクリーム半田を塗布しておく。表面実装型の部品を実装する場合は、部品を実装したい領域にクリーム半田を塗布する工程は従来からあったが、本実施の形態では、この塗布対象とする領域に、スルーホール２ａが配列された領域を加えたことになる。
【００３１】
次に、各部品を機械マウンタで両面金属箔誘電体基板２の表面に載せる。この時点では金属シャーシ３はまだ取り付けられていない。両面金属箔誘電体基板２の表面に各部品が載ったものをリフロー槽を通す。リフロー槽内で高温にさらされることでクリーム半田が溶け、載せられていた部品は両面金属箔誘電体基板２の表面に対して半田付けされる。一方、スルーホール２ａ内には半田が流入し、半田埋込み部２ｂが形成される。すなわち、部品の半田付けと半田埋込み部２ｂの形成とを同時に行なうことができる。この後で、両面金属箔誘電体基板２の裏側に金属シャーシ３を貼り付ける。
【００３２】
（実施の形態２）
（構成）
図７〜図９を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるＭＭＩＣ実装基板について説明する。このＭＭＩＣ実装基板は、図７に示すように、両面金属箔誘電体基板２と、ＭＭＩＣ１と、金属シャーシ３と、ビス４を備える。図７では、説明の便宜のため、ＭＭＩＣ１を両面金属箔誘電体基板２から離した状態で表示している。ビス４は、両面金属箔誘電体基板２を貫通して金属シャーシ３に接続されている。ビス４を取り付ける前の状態の平面図を図８に示す。図８に示すように、両面金属箔誘電体基板２のうちＭＭＩＣ本体１ａが占める領域の外側でＭＭＩＣ本体１ａから近い位置にビス孔２ｄが設けられている。ビス孔２ｄは、接地パターン２ｃ１の中に設けられている。
【００３３】
このビス孔２ｄにビス４を締めることによって図９に示すようになる。ビス４はＭＭＩＣ１からは離れている。
【００３４】
なお、ビス４を締めるときには、ビス４が接地パターン２ｃ１に直接締めてもよいが、図９に示すように金属製のワッシャ１０を用いた方が好ましい。この場合、ビス４がワッシャ１０を貫通し、ワッシャ１０がビス４の頭と両面金属箔誘電体基板２との間に挟まれる。こうすれば、経年変化によるビス４の緩みを防止することができる。ワッシャ１０がスルーホール２ａと重なってもよい。
【００３５】
いずれにせよ、ビス４は、両面金属箔誘電体基板２の表側に貼られた金属箔としての接地パターン２ｃ１に対して直接またはワッシャ１０のみを介して接することになる。
【００３６】
他の構成については、実施の形態１で説明したものと同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。
【００３７】
（作用・効果）
本実施の形態では、ＭＭＩＣ１が実装されている領域のすぐ近くにおいて、ビス４が両面金属箔誘電体基板２を貫通して金属シャーシ３に達するように取り付けられているので、ＭＭＩＣ１から発せられて、両面金属箔誘電体基板２の表面の銅箔パターン２ｃに伝わった熱は、さらに金属シャーシ３に伝わるためには、スルーホール２ａの半田埋込み部２ｂを経由する以外に、このビス４を経由することもできるようになる。こうして熱は、半田埋込み部２ｂよりもさらに熱伝導に好都合なビス４を経由して、迅速に金属シャーシ３に放散することができる。ワッシャ１０を使用している場合であっても同様である。ワッシャ１０は金属製であるので、接地パターン２ｃ１が保持する熱は、ワッシャ１０、ビス４を経由して金属シャーシ３に放散される。
【００３８】
接地に関しても同様である。スルーホール２ａよりもさらに大きな径を有するビス４を経由することによって、両面金属箔誘電体基板２の表裏間の電気抵抗を小さく抑えることができる。したがって、接地も効率良く行なうことができる。
【００３９】
なお、この例ではビス孔２ｄは２ヶ所に設けられているが、２ヶ所には限らず、１ヶ所以上であれば他の数であってもよい。
【００４０】
（実施の形態３）
（構成）
図１０、図１１を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるＭＭＩＣ実装基板について説明する。このＭＭＩＣ実装基板は、図１０に示すように、両面金属箔誘電体基板２と、ＭＭＩＣ１と、金属シャーシ３と、放熱板５と、ビス４とを備える。図１０では、説明の便宜のため、ＭＭＩＣ１を両面金属箔誘電体基板２から離した状態で表示している。放熱板５は、ＭＭＩＣ１の上面に接するものであり、ビス４を通すための貫通孔を有する。放熱板５は金属製であることが好ましい。ビス４は、放熱板５を貫通し、放熱板５をＭＭＩＣ１に押さえ付ける形で取り付けられている。この様子の断面図を図１１に示す。
【００４１】
他の構成については、実施の形態１，２で説明したものと同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。
【００４２】
（作用・効果）
本実施の形態では、実施の形態２で説明したように、金属シャーシ３への放熱および接地がビス４を経由して効率良く行なわれるという効果に加えて、放熱板５によってＭＭＩＣ１の上面からも熱を取り出すことができるので、ＭＭＩＣ１からの放熱をさらに効率良く行なうことができる。ＭＭＩＣ１の上面から発する熱は、放熱板５に伝わり、一部は放熱板５から空中に放散され、残りはビス４を経由して金属シャーシ３にまで伝達される。
【００４３】
なお、この例では２本のビス４によって放熱板５を支持しているが、放熱板５を支持するビスの本数は２本には限らず、１本以上であれば他の数であってもよい。また、放熱板５は、なるべく多くの面積を以ってＭＭＩＣ１に当接していることが好ましい。放熱板５は平板状のものには限らず、凹凸や曲面を有する板であってもよい。
【００４４】
（実施の形態４）
（構成）
図１２、図１３を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるＭＭＩＣ実装基板について説明する。このＭＭＩＣ実装基板は、図１２に示すように、両面金属箔誘電体基板２と、ＭＭＩＣ１と、金属シャーシ３と、放熱板６とを備える。図１２では、説明の便宜のため、ＭＭＩＣ１を両面金属箔誘電体基板２から離した状態で表示している。図１３に示すように、放熱板６は、ＭＭＩＣ１の上面に接するものである。放熱板６は、板部６ａと、ネジ部６ｂとを備える。板部６ａとネジ部６ｂとは一体的に形成されている。放熱板６は金属製であることが好ましい。ネジ部６ｂは、両面金属箔誘電体基板２および金属シャーシ３を貫通している。ネジ部６ｂの先端は、金属シャーシ３の裏側に突出しており、この突出部分においてナット１１によって拘束されている。
【００４５】
他の構成については、実施の形態１で説明したものと同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。
【００４６】
（作用・効果）
本実施の形態では、実施の形態２で説明したように、金属シャーシ３への放熱と接地がビス４を経由して効率良く行なわれるという効果に加えて、放熱板６によってＭＭＩＣ１の上面からも熱を取り出すことができるので、ＭＭＩＣ１からの放熱をさらに効率良く行なうことができる。ＭＭＩＣ１の上面から発する熱は、放熱板６の板部６ａに伝わり、一部は板部６ａから空中に放散され、残りはネジ部６ｂを経由して金属シャーシ３にまで伝達される。
【００４７】
また、本実施の形態では、放熱板６が板部６ａとネジ部６ｂとで一体的に形成されたものとなっているので、板部の上側にビスの頭が突出することがなくなり、両面金属箔誘電体基板２の表面からの高さを低減できる。
【００４８】
なお、この例ではネジ部６ｂは２本となっているが、放熱板６が備えるネジ部６ｂの本数は２本には限らず、１本以上であれば他の数であってもよい。また、このように一体化されたネジ部と実施の形態３で示したような別個のビスとを組み合わせて用いてもよい。放熱板６は、なるべく多くの面積を以ってＭＭＩＣ１に当接していることが好ましい。板部６ａは平板状のものには限らず、凹凸や曲面を有する板であってもよい。
【００４９】
（実施の形態５）
（構成）
図１４を参照して、本発明に基づく実施の形態５におけるトランスミッタ装置について説明する。このトランスミッタ装置は、マイクロ波帯通信に使用される送信専用のものである。このトランスミッタ装置の回路ブロック図を図１４に示す。このトランスミッタ装置においては、送信信号は、中間周波数増幅器（IF Amplifier）、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）を経由し、ミキサー（ＭＩＸ）でマイクロ波帯の高周波信号に変換される。さらに、この高周波信号に変換された送信信号は、ドライバアンプ（Driver Amplifier）を介して、ＭＭＩＣ高電力増幅器（MMIC-High Power Amplifier）において電力増幅される。このＭＭＩＣ高電力増幅器は、上記各実施の形態で説明したＭＭＩＣ実装基板を備える。
【００５０】
（作用・効果）
このトランスミッタ装置は、上記各実施の形態で説明したＭＭＩＣ実装基板を備えるので、放熱が効率良く行なえ、信頼性の高いトランスミッタ装置とすることができる。
【００５１】
（実施の形態６）
（構成）
図１５を参照して、本発明に基づく実施の形態６におけるトランシーバ装置について説明する。このトランシーバ装置は、マイクロ波帯通信に使用される送受信用のものである。すなわち、このトランシーバ装置は、送信機能とともに受信機能も有している。このトランシーバ装置の回路ブロック図を図１５に示す。このトランシーバ装置においても、送信信号は、実施の形態５で説明したのと同様の経緯をたどり、ＭＭＩＣ高電力増幅器（MMIC-High Power Amplifier）において電力増幅される。このＭＭＩＣ高電力増幅器は、上記各実施の形態で説明したＭＭＩＣ実装基板を備える。
【００５２】
（作用・効果）
このトランシーバ装置は、上記各実施の形態で説明したＭＭＩＣ実装基板を備えるので、放熱が効率良く行なえ、信頼性の高いトランシーバ装置とすることができる。
【００５３】
なお、上記各実施の形態では、誘電体基板の両面に貼られた金属箔が銅箔である例を示したが、金属箔は銅以外の材料からなるものであってもよい。
【００５４】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に基づく実施の形態１におけるＭＭＩＣ実装基板の分解斜視図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１におけるＭＭＩＣ実装基板の部分拡大断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１において両面金属箔誘電体基板の表面に搭載されたＭＭＩＣの近傍の部分拡大斜視図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１におけるＭＭＩＣ実装基板のＭＭＩＣの近傍の部分拡大断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１において端子と銅箔パターンとの接続部分の横断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１におけるＭＭＩＣ実装基板からＭＭＩＣ本体を取り除いた状態での部分拡大平面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２におけるＭＭＩＣ実装基板の分解斜視図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２におけるＭＭＩＣ実装基板からビスを取り除いた状態での部分拡大平面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２におけるビスの近傍の斜視図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態３におけるＭＭＩＣ実装基板の分解斜視図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態３におけるＭＭＩＣ実装基板のＭＭＩＣの近傍の部分拡大断面図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態４におけるＭＭＩＣ実装基板の分解斜視図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態４におけるＭＭＩＣ実装基板のＭＭＩＣの近傍の部分拡大断面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態５におけるトランスミッタ装置の回路ブロック図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態６におけるトランシーバ装置の回路ブロック図である。
【図１６】従来技術に基づくＭＭＩＣ実装基板の分解斜視図である。
【図１７】従来技術に基づくＭＭＩＣの斜視図である。
【図１８】従来技術に基づくＭＭＩＣを固定した状態の平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  ＭＭＩＣ、１ａ  ＭＭＩＣ本体、１ｃ  端子、１ｃ１  接地端子、１ｃ２  信号端子、２  両面金属箔誘電体基板、２ａ  スルーホール、２ｂ  半田埋込み部、２ｃ  銅箔パターン、２ｃ１  接地パターン、２ｃ２  信号パターン、２ｄ  ビス孔、２ｅ  誘電体基板、３  金属シャーシ、４  ビス、５  放熱板、６  （ネジ部付きの）放熱板、６ａ  板部、６ｂ  ネジ部、７  フランジ付きＭＭＩＣ、７ａ  ＭＭＩＣ本体、７ｂ  フランジ、７ｃ  端子、７ｃ１  接地端子、７ｃ２  信号端子、８  取付け穴、９  半田、１０  ワッシャ、１１  ナット。
【図１】
2005191536.tif 000003
【図２】
2005191536.tif 000004
【図３】
2005191536.tif 000005
【図４】
2005191536.tif 000006
【図５】
2005191536.tif 000007
【図６】
2005191536.tif 000008
【図７】
2005191536.tif 000009
【図８】
2005191536.tif 000010
【図９】
2005191536.tif 000011
【図１０】
2005191536.tif 000012
【図１１】
2005191536.tif 000013
【図１２】
2005191536.tif 000014
【図１３】
2005191536.tif 000015
【図１４】
2005191536.tif 000016
【図１５】
2005191536.tif 000017
【図１６】
2005191536.tif 000018
【図１７】
2005191536.tif 000019
【図１８】
2005191536.tif 000020