(57)【要約】【課題】処理液、例えばレジスト液或いは現像液が熱影響にて劣化等の影響を極力抑制すること。【解決手段】収納容器４９９は、インタフェースユニット部ＩＦＵの下方位置に配置されている。この配置位置としては、基板受渡部８，９の基板搬入出口１９の下部より垂直方向の距離Ｖ１００下方に配置された露光装置３と基板を受渡しする渡し部４或いは受取部５より垂直方向の距離Ｖ１０１下方に設定されている。インタフェースユニット部ＩＦＵ内は少なくとも基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５に対して温度調節されたダウンフローＤＦが直接作用するように構成され、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達を緩和するように構成されている。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を支持機構にて保持した状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を支持機構にて保持した状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板を支持機構から保持機構に移動する工程と、前記被処理基板を保持機構にて保持した状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板を下方向に移動する工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給しないで被処理基板を下方向に移動する工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動させる工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板を回転させ被処理基板を乾燥させる工程と、この工程の後、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を下方に移動させる工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、支持機構にて保持する被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動する工程と、支持機構にて保持する被処理基板にリンス液を供給する工程と、支持機構から保持機構に被処理基板を移し変える工程と、保持機構にて被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板を回転させ被処理基板を乾燥させる工程と、この工程の後前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を下方に移動させる工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、支持機構にて保持する被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動する工程と、支持機構にて保持する被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板にリンス液を供給しないで支持機構から保持機構に被処理基板を移し変える工程と、保持機構にて被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板を回転させ被処理基板を乾燥させる工程と、被処理基板にリンス液を供給しないで保持機構から支持機構に被処理基板を移し変える工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を下方に移動させる工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記リンス液は純水であることを特徴とする請求項１,２,３,５,６又は７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記支持部材にて被処理基板を保持している状態で実質的に被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させることを特徴とする請求項１,６,７又は８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記囲い体の内部のみ或いは囲い体の周囲のみ或いは囲い体の内部及び囲い体の周囲から排気することを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記囲い体が上方に移動した際は囲い体の内部及び囲い体の周囲から排気し前記囲い体が下方に移動した際は囲い体の内部のみから排気することを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記囲い体の内部及び囲い体の周囲から処理液を実質的に同時に排液することを特徴とする請求項４から１１のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記排気の排気量は囲い体の内部のみ或いは囲い体の内部及び囲い体の周囲から排気のいずれにおいても実質的に一定の排気量であることを特徴とする請求項１０から１２のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記被処理基板に供給される現像液は被処理基板の周囲を囲む囲い体にも供給されることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記囲い体が上方に移動した際の高さ位置は支持機構により保持される被処理基板の高さ位置と前記囲い体の上部が略同一の高さ位置であることを特徴とする請求項４から１４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記囲い体の周囲に前記囲い体を囲う円状或いは角状の更なる第二の囲い体が配置されていることを特徴とする請求項４から１５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１７】
被処理基板上の処理液を供給して処理する基板処理方法であって、前記被処理基板をカップ内にて静止状態或いは回転させた状態で被処理基板に処理液を供給する工程と、この工程中は実質的に前記カップ内部とカップの周囲から同時に排気することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれかに記載の基板処理方法を使用して基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１から１７のいずれかに記載の基板処理方法を実施する制御機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構と前記被処理基板を受け渡し自在に構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板及び前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構と前記被処理基板を受け渡し自在に構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構或いは前記保持機構にて保持された被処理基板の周囲を囲む囲い体と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構から現像液を被処理基板に対して供給する前に前記囲い体を上昇させる移動機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２２】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構が下降することにより前記被処理基板を受け取るよう構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構或いは前記保持機構にて保持された被処理基板の周囲を囲む囲い体と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構から現像液を被処理基板に対して供給する前に前記囲い体を上昇させる移動機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板及び前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２３】
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構が下降することにより前記被処理基板を受け取るよう構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構或いは前記保持機構にて保持された被処理基板の周囲を囲む囲い体と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板及び前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記現像液供給機構から現像液を被処理基板に対して供給する前に前記囲い体を上昇させるとともに前記リンス液供給機構から前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給した後に前記囲い体を下降させるよう構成された移動機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２４】
前記囲い体が上昇した際は、前記囲い体の内側からのみ排気し前記囲い体が下降した際は、前記囲い体の内側と前記囲い体の周囲から排気することを特徴とする請求項２１,２２又は２３に記載の基板処理装置。
【請求項２５】
前記囲い体が上昇した際、前記囲い体の上部の高さ位置と前記支持機構により保持される被処理基板の高さ位置とは略同高さ位置であることを特徴とする請求項２１から２４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項２６】
前記現像液供給機構から現像液を前記支持機構に保持された被処理基板に対して供給する際に前記現像液供給機構からの現像液は前記囲い体にも供給されることを特徴とする請求項２１から２５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項２７】
前記囲い体の周囲に前記囲い体を囲う更なる第二の囲い体が配置されていることを特徴とする請求項２１から２６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項２８】
請求項２０から２７のいずれかに記載の基板処理装置を使用して基板を順次処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２９】
請求項２８記載の基板処理方法を使用して基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板、例えば半導体ウエハ等の電子材料を形成する際、フォトレジストを使用したフォトリソグラフィー技術を用いることは一般的に知られている。このような技術の一例として例えば、日本の公開公報の特開平２−２９６３１６号公報がある。
【０００３】
【特許文献１】特開平２−２９６３１６号公報
【０００４】
この技術は、現像処理としてパドル現像方式を開示しており、基板の現像処理進行中は上下動自在に構成した回転ステージ上に基板を保持せずに、回転ステージと受渡し自在に構成された基板裏面に接触するゴムリングを備えたリング支持枠にて基板を支持しカバー内にて現像処理を施すものであった。
【０００５】
また、他の技術の一例として例えば、日本特許の特許第３２５７０３８号がある。
【０００６】
【特許文献２】特許第３２５７０３８号
【０００７】
この技術は、基板の現像処理進行中は回転ステージ上に基板を保持せずに、回転ステージと受渡し自在に構成され上下動自在に構成した基板裏面と点接触するピンを備えた隔離手段にて基板を支持しカップ内にて温・湿度コントロールされたダウンフロー下で現像処理を施すものであった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基板に現像液を供給した後に温・湿度コントロールされたダウンフローの噴出し口に基板を近接させるため、基板上の現像液がダウンフローの作用が大きくなるためにこぼれてしまう恐れがある。これにより、現像処理の歩留まりが低下してしまう要因となっていた。また、カップ内にて基板に現像液を供給し現像処理を進行し、カップ内から温・湿度コントロールされたダウンフローを排気し続けていたので、基板上の現像液に対するダウンフローの影響が多大にあり基板上の現像液がダウンフローの作用が大きくなるためにこぼれてしまう恐れがあり、現像処理の歩留まりが低下してしまう要因となっていた。
【０００９】
また、回転ステージ上から基板を隔離手段或いはゴムリングを備えたリング支持枠にて離間させた後、或いは回転ステージ上に基板を載置している際に基板上の現像液或いはリンス液或いは現像液・リンス液のミストが基板裏面に回りこみ隔離手段或いはゴムリングを備えたリング支持枠或いは回転ステージに付着し、それらが乾燥した際に処理室にミストとして発生したり、基板裏面にそれらが付着していたために次の処理室或いは基板搬送途中においてミストとなり処理装置全体を汚染させることとなり、これにより、現像処理の歩留まりのみならず基板処理全体としての歩留まりが低下してしまう要因となっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を支持機構にて保持した状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を支持機構にて保持した状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板を支持機構から保持機構に移動する工程と、前記被処理基板を保持機構にて保持した状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１１】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板を下方向に移動する工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給しないで被処理基板を下方向に移動する工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動させる工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板を回転させ被処理基板を乾燥させる工程と、この工程の後、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を下方に移動させる工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１５】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、支持機構にて保持する被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動する工程と、支持機構にて保持する被処理基板にリンス液を供給する工程と、支持機構から保持機構に被処理基板を移し変える工程と、保持機構にて被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板を回転させ被処理基板を乾燥させる工程と、この工程の後前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を下方に移動させる工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する基板処理方法であって、支持機構にて保持する被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を上方に移動する工程と、支持機構にて保持する被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板にリンス液を供給しないで支持機構から保持機構に被処理基板を移し変える工程と、保持機構にて被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、前記被処理基板を回転させ被処理基板を乾燥させる工程と、被処理基板にリンス液を供給しないで保持機構から支持機構に被処理基板を移し変える工程と、前記被処理基板の周囲を囲む囲い体を下方に移動させる工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の基板処理方法においては、前記リンス液は純水であることが好ましい。
【００１８】
本発明の基板処理方法においては、前記支持部材にて被処理基板を保持している状態で実質的に被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させることが好ましい。
【００１９】
本発明の基板処理方法においては、前記囲い体の内部のみ或いは囲い体の周囲のみ或いは囲い体の内部及び囲い体の周囲から排気することが好ましい。
【００２０】
本発明の基板処理方法においては、前記囲い体が上方に移動した際は囲い体の内部及び囲い体の周囲から排気し前記囲い体が下方に移動した際は囲い体の内部のみから排気することが好ましい。
【００２１】
本発明の基板処理方法においては、前記囲い体の内部及び囲い体の周囲から処理液を実質的に同時に排液することが好ましい。
【００２２】
本発明の基板処理方法においては、前記排気の排気量は囲い体の内部のみ或いは囲い体の内部及び囲い体の周囲から排気のいずれにおいても実質的に一定の排気量であることが好ましい。
【００２３】
本発明の基板処理方法においては、前記被処理基板に供給される現像液は被処理基板の周囲を囲む囲い体にも供給されることが好ましい。
【００２４】
本発明の基板処理方法においては、前記囲い体が上方に移動した際の高さ位置は支持機構により保持される被処理基板の高さ位置と前記囲い体の上部が略同一の高さ位置であることが好ましい。
【００２５】
本発明の基板処理方法においては、前記囲い体の周囲に前記囲い体を囲う円状或いは角状の更なる第二の囲い体が配置されていることが好ましい。
【００２６】
本発明の基板処理方法は、被処理基板上の処理液を供給して処理する基板処理方法であって、前記被処理基板をカップ内にて静止状態或いは回転させた状態で被処理基板に処理液を供給する工程と、この工程中は実質的に前記カップ内部とカップの周囲から同時に排気することを特徴とする。
【００２７】
本発明の基板の製造方法は、上記基板処理方法を使用して基板を製造することを特徴とする。
【００２８】
本発明の基板処理装置は、上記基板処理方法を実施する制御機構を備えたことを特徴とする。
【００２９】
本発明の基板処理装置は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構と前記被処理基板を受け渡し自在に構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板及び前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、を具備したことを特徴とする。
【００３０】
本発明の基板処理装置は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構と前記被処理基板を受け渡し自在に構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構或いは前記保持機構にて保持された被処理基板の周囲を囲む囲い体と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構から現像液を被処理基板に対して供給する前に前記囲い体を上昇させる移動機構と、を具備したことを特徴とする。
【００３１】
本発明の基板処理装置は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構が下降することにより前記被処理基板を受け取るよう構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構或いは前記保持機構にて保持された被処理基板の周囲を囲む囲い体と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構から現像液を被処理基板に対して供給する前に前記囲い体を上昇させる移動機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板及び前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、を具備したことを特徴とする。
【００３２】
本発明の基板処理装置は、被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する処理部を備えた基板処理装置であって、前記被処理基板を処理室外の搬送機構と受け渡し自在に構成された支持機構と、この支持機構が下降することにより前記被処理基板を受け取るよう構成されるとともに前記被処理基板を回転自在に構成された保持機構と、前記支持機構或いは前記保持機構にて保持された被処理基板の周囲を囲む囲い体と、前記支持機構にて保持された被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、前記支持機構にて保持された被処理基板及び前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記現像液供給機構から現像液を被処理基板に対して供給する前に前記囲い体を上昇させるとともに前記リンス液供給機構から前記保持機構にて保持された被処理基板に対してリンス液を供給した後に前記囲い体を下降させるよう構成された移動機構と、を具備したことを特徴とする。
【００３３】
本発明の基板処理装置においては、前記囲い体が上昇した際は、前記囲い体の内側からのみ排気し、前記囲い体が下降した際は、前記囲い体の内側と前記囲い体の周囲から排気することが好ましい。
【００３４】
本発明の基板処理装置においては、前記囲い体が上昇した際、前記囲い体の上部の高さ位置と前記支持機構により保持される被処理基板の高さ位置とは略同高さ位置であることが好ましい。
【００３５】
本発明の基板処理装置においては、前記現像液供給機構から現像液を前記支持機構に保持された被処理基板に対して供給する際に前記現像液供給機構からの現像液は前記囲い体にも供給されることが好ましい。
【００３６】
本発明の基板処理装置においては、前記囲い体の周囲に前記囲い体を囲う更なる第二の囲い体が配置されていることが好ましい。
【００３７】
本発明の基板処理方法は、上記基板処理装置を使用して基板を順次処理することを特徴とする。
【００３８】
本発明の基板の製造方法は、上記基板処理方法を使用して基板を製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明は、主に処理を施される前記基板の周辺の第一の周辺域から排気、さらに、第一の周辺域と基板との間の第二の周辺域から排気自在に構成されているので、基板上の現像液に対する気流の影響を低減することができ、現像処理に施す現像液を適切に基板上の露光済みレジストに作用させることができるので、基板の処理の均一性を向上し、もって基板の処理に係る歩留まりを向上することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明をおこなう。図１は、液処理装置、例えばレジスト処理装置としての塗布・現像装置の実施の形態における全体構造を示す概略平面図である。
【００４１】
このレジスト処理装置１は、基板、例えば半導体ウエハＷを複数枚収納自在のカセットＣを複数載置自在に構成されたカセット載置部Ｕ１とこのカセット載置部Ｕ１のカセットＣに対して半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された基板搬出入機構２を配置する基板搬入出機構部Ｕ２で構成されたカセットユニット部ＣＵと、他の装置、例えば半導体ウエハＷに対して露光処理を施す露光装置３に対して半導体ウエハＷを一枚毎渡す渡し部４と露光装置３から半導体ウエハＷを一枚毎受け取る受取部５と半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された基板搬出入機構６とで構成されたインタフェースユニット部ＩＦＵと、半導体ウエハＷに対して所定の処理を施す処理部、例えば液処理部としてレジスト液を塗布する塗布処理部ＣＯＴと半導体ウエハＷ上の露光済みレジストを現像する現像処理部ＤＥＶと半導体ウエハＷに対して所定のタイミングで半導体ウエハＷ上のレジスト膜の状態を検査する検査処理部７と前記基板搬出入機構２，６との間で半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された基板受渡部８，９とこれら基板受渡部８，９と塗布処理部ＣＯＴ・現像処理部ＤＥＶ・検査処理部７に対して半導体ウエハＷを一枚毎搬送自在に構成された基板搬送機構１０とで構成されたプロセスユニット部ＰＵと、で主要部が構成されている。
【００４２】
なお、前述の基板搬出入機構２，６の半導体ウエハＷを真空吸着にて保持或いは半導体ウエハＷの周縁部を点接触或いは線接触にて支持するアーム１１，１２は、図中の垂直方向Ｚ１，２と進退方向Ｙ１，２方向と回転方向θ１，２に移動自在に構成され、アーム１１，１２の基台１３，１４はアーム１１，１２ごと図中水平方向Ｘ１，２に移動自在に構成されている。また、プロセスユニット部ＰＵの基板搬送機構１０のアーム１７は、半導体ウエハＷの周縁部を点接触或いは線接触にて支持するように構成され、図中の垂直方向Ｚ０と進退方向Ｙ０方向と回転方向θ０に移動自在に構成されている。なお、便宜上、基板搬出入機構２，６及び基板搬送機構１０を上述のように構成したが、多関節ロボットを使用しても良いことは言うまでもなく、基板搬入出機構部Ｕ２及びインタフェースユニット部ＩＦＵには、上記機能が達成できる搬送機構が配置されるよう構成されていれば良い。
【００４３】
また、基板受渡部８，９の各々下方位置には半導体ウエハＷに対して、処理室内と略同温の温度に温調する図示しない温調処理部が複数積層して配置されており、さらに、これら複数の温調処理部の下方位置には半導体ウエハＷに対して、処理ガス、例えばＨＭＤＳガスを用いた処理を施す図示しないガス処理部が複数積層して配置されており、さらに、基板受渡部８，９の各々上方位置には半導体ウエハＷに対して、所定の室温以上の温度にて加熱して処理を施す図示しない加熱処理部が複数積層して配置され、熱処理部が構成されている。
【００４４】
また、プロセスユニット部ＰＵの検査処理部７に対して、プロセスユニット部ＰＵの基板搬送機構１０とカセットユニット部ＣＵの基板搬出入機構２は、半導体ウエハＷを各々搬入出自在に構成されており、処理前の半導体ウエハＷ、上述した各処理部及び／又は露光装置で処理した処理後の半導体ウエハＷに対して検査、例えば半導体ウエハＷ上のレジスト膜の膜厚等を検査自在に構成されている。
【００４５】
また、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２とプロセスユニット部ＰＵとインタフェースユニット部ＩＦＵの上部には各々図示しないフィルタ部が設けられており、それらのフィルタ部からはそれぞれのユニット内に温度・湿度が所定の値に設定された温度・湿度エアーを供給するよう構成され、さらにそれぞれのユニットの下部に設けられた排気口より前記温度・湿度エアーを所定量に各々排気設定機構により設定し回収自在に構成されて各ユニットに温度・湿度エアーのダウンフローが形成されるよう構成されている。
【００４６】
さらに、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２とプロセスユニット部ＰＵとインタフェースユニット部ＩＦＵの各々の排気設定機構によりそれぞれのユニット部の圧力は、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２よりプロセスユニット部ＰＵのほうが圧力が高く設定されており、さらにインタフェースユニット部ＩＦＵよりプロセスユニット部ＰＵのほうが圧力が高く設定されており、さらに、インタフェースユニット部ＩＦＵより露光装置３内の方が圧力が高く設定されるよう構成されており、プロセスユニット部ＰＵ内或いは露光装置３内に不要なミストが入り込み半導体ウエハＷの処理に悪影響が起こる要因となるのを抑制するようにされている。また、カセットユニット部ＣＵの雰囲気中に含まれる酸素及び／又は酸性ガス（ＮＯＸ，ＳＯＸ，Ｈ２Ｓ，ＣＯ２など）及び／又は塩基性ガス（アンモニア、アミンなど）及び／又は湿度の量に比べ、プロセスユニット部ＰＵ及び／又はインタフェースユニット部ＩＦＵの雰囲気中に含有する量は実質的に少なく設定されている。これは、特に露光前或いは露光後の処理において、それらの影響を軽減することにより半導体ウエハＷの処理の歩留まりを向上するためである。
【００４７】
なお、上述のようにカセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２とプロセスユニット部ＰＵ間或いはプロセスユニット部ＰＵとインタフェースユニット部ＩＦＵ間の雰囲気を遮断するようにそれぞれの間には壁２０が設けられ、基板受渡部８，９と検査処理部７の基板搬入出口１９は半導体ウエハＷの搬入出の工程以外はその基板搬入出口１９を図示しない開閉機構、例えば蓋にて開閉自在に構成されて、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２とプロセスユニット部ＰＵとインタフェースユニット部ＩＦＵの各々の雰囲気を遮断するよう構成されている。
【００４８】
また、プロセスユニット部ＰＵの塗布処理部ＣＯＴは複数積層して配置されており、さらに現像処理部ＤＥＶも同様に複数積層して配置されている。これらの処理部に対しても基板搬送機構１０により半導体ウエハＷは搬入出自在に構成されている。なお、塗布処理部ＣＯＴ及び／又は現像処理部ＤＥＶは、後述するように各々、温度・湿度が所定の値に設定されており、それらの処理部内の圧力は、それらの処理部内の排気状態が変化したとしても、プロセスユニット部ＰＵ内より高く設定されている。これは、液処理部である塗布処理部ＣＯＴ内及び現像処理部ＤＥＶ内に不要なミストが入り込み半導体ウエハＷの処理に悪影響が起こる要因となるのを抑制するためである。また、塗布処理部ＣＯＴ及び／又は現像処理部ＤＥＶ内の雰囲気は、プロセスユニット部ＰＵ内の雰囲気に比べ、その雰囲気内に含まれる酸素及び／又は酸性ガス（ＮＯＸ，ＳＯＸ，Ｈ２Ｓ，ＣＯ２など）及び／又は塩基性ガス（アンモニア、アミンなど）及び／又は湿度の量が低くなるよう設定されている。これにより、それらの影響を軽減することにより半導体ウエハＷの処理の歩留まりを向上するためである。
【００４９】
つぎに、現像処理部ＤＥＶの構成について、図２、図３、図４に基づいて説明する。
【００５０】
この現像処理部ＤＥＶは、上部に処理室内に所定の値に設定された温度・湿度がコントロールされたエアーを供給するエアー供給機構３０が設けられており、処理室内に設けられたセンサー３０ａの検出データに基づき制御機構３１により、所定の温度及び湿度に維持されるよう構成されている。
【００５１】
また、処理室の下方位置には、半導体ウエハＷの裏面を真空吸着して保持する保持機構としてのチャック３２が配置され、このチャック３２は回転駆動機構、例えばモーター３３により回転自在に構成されている。なお、このチャック３２は本実施においては上下動に移動しない構成とされている。チャック３２を上下動するにはモーター３３も上下動しなくてはいけなくなるため、モーター３３の熱影響が装置に及ぼす範囲が広くなるため半導体ウエハＷへの熱の影響を及ぼし歩留まりが低下してしまう恐れが出てくる。また、その熱影響を抑制するためには処理室下部の熱抑制機構がシステム的に大きくなる。例えば、このような処理室を複数積層して配置するには処理室の垂直方向の大きさを極力薄くする必要がある。ただし、このような配慮をしないでよいシステムであればモーター３３ごと移動するよう構成しても良いことは言うまでもない。
【００５２】
また、チャック３２の下方位置には半導体ウエハＷの裏面を支持する支持機構３５が設けられている。この支持機構３５は図３（ａ），（ｂ）にも示すように、半導体ウエハＷの裏面を点接触にて支持する複数の支持ピン３６とこの支持ピン３６の外方に設けられ半導体ウエハＷの裏面の中心部に現像液又はリンス液等の処理液が進入するのを防止するための液侵入防止機構としてのリング部材３７とこのリング部材３７と支持ピン３６とを一体として支持する複数の支持柱３８が設けられている。
【００５３】
さらに、図３（ｂ）にも示すように、支持ピン３６とリング部材３７との高さや位置は、支持ピン３６の方が所定の距離、例えば、現像液及び／又はリンス液等の処理液の表面張力により半導体ウエハＷの裏面とリング部材３７との間に処理液を保持する距離、例えば半導体ウエハＷと接触しない０．５ｍｍ以上の距離、例えば１．５ｍｍ〜５ｍｍの間の距離（図中Ｌ）に高くなるよう設定されている。これはリング部材３７が直接半導体ウエハＷの裏面に接触しないようにしているためである。また、支持ピン３６の半導体ウエハＷの裏面と接触する接触部３８ａは、支持ピン３６を形成する部材３９に比べて摩擦係数が大きくてさらに熱伝導率が低い部材であって半導体ウエハＷの裏面を支持した際に横ズレを防止及び半導体ウエハＷの裏面を支持した後半導体ウエハＷに処理液が供給されたときに横ズレ等を防止するためのズレ防止部材として、例えば弾性部材により形成されている。熱伝導率が低いというのは半導体ウエハＷの処理中半導体ウエハＷから支持ピン３６との接触部から熱が逃げたり等の影響により面内均一性が疎外される恐れが生じるためである。上述した接触部３８ａの材質としては、例えばＰＥＥＫ・ＰＢＩ等の硬質樹脂又はアルミナ・ジルコニア等のセラミックス或いはパーフロ等のゴム材が考えられる。
【００５４】
さらに、リング部材３７は、その頭部に半導体ウエハＷに供給された現像液及び／又はリンス液を半導体ウエハＷの裏面との間にて表面張力で保持する液保持部としての凹凸部４０（液侵入防止部）を備えている。さらに、凹凸部４０の内側の壁は液切れをスムーズにするよう傾斜部４１が備えられている。なお、表面張力で保持する液保持部としての凹凸部４０を便宜上本実施例にて紹介したが表面張力で保持できる機構であればこれに限定するものではない。
【００５５】
さらに、支持機構３５は、図２に示すように支持機構の移動機構、例えばエアーシリンダー５０により上下動自在に構成されている。
【００５６】
また、支持機構３５の内側には図２に示すように、半導体ウエハＷの裏面に半導体ウエハＷ周縁部方向に向かって、或いは前記リング部材３７の凹凸部４０に対してリンス液、例えば純水を供給するリンス液裏面供給機構としての裏面ノズル５１が複数設けられている。
【００５７】
また、チャック３２の周囲にはチャック３２に保持された半導体ウエハＷを囲む如く設けられた第一の囲い体としてのカップ６０が設けられ、このカップ６０内の下方位置には前述のエアー供給機構３０からのエアーの少なくとも一部を回収及び現像液或いはリンス液を回収する気液回収口７０が設けられ排気機構としての気液回収機構７１により回収処理される。なお、気液回収機構７１はエアーの回収量を所定の量に設定自在に構成されている。つまり、カップ６０内からの排気する領域（第二の周辺域β）を所定の量に設定自在に構成されている。なお、カップ６０は図示しないカップ移動機構により上下動自在に構成されている。
【００５８】
また、カップ６０の周囲にはこのカップ６０を囲む如く設けられた第二の囲い体としての処理室の壁を形成する壁部７５が配置され、カップ６０と壁部７５との間の下方位置には、気流の流れを整流する複数の回収口７３を備えた整流機構７４を介して、前述のエアー供給機構３０からのエアーの少なくとも一部を回収及び現像液或いはリンス液を回収する気液回収口７６が設けられ排気機構としての気液回収機構７７により回収処理される。なお、気液回収機構７７はエアーの回収量を所定の量に設定自在に構成されている。つまり、カップ６０と壁部７５との間から排気する領域（第一の周辺域α）を所定の量に設定自在に構成されている。
【００５９】
また、壁部７５には、図２に示すように、半導体ウエハＷを搬送する基板搬送機構１０のアーム１７が処理室内に進入・退避する搬入出口８０が設けられており、更にこの搬入出口８０を開閉し処理室内とダウンフローＤＦが形成された基板搬送機構１０の配置空間と雰囲気を遮断するための開閉機構としての蓋８１が設けられている。なお、処理室内の圧力と基板搬送機構１０の配置空間の圧力との関係は、処理室内の圧力の方が高く設定されている。これは基板搬送機構１０の配置空間から処理室内にパーティクル等の進入を防止するためである。したがって、基板搬送機構１０の配置空間内に設けられたセンサー８２の検出データに基づき制御機構３１により、エアー供給機構３０からのエアー供給量又は／及び気液回収機構７７のエアーの回収量又は／及び気液回収機構７１のエアーの回収量を制御するものである。なお、基板搬送機構１０のアーム１７が処理室内に進入する際、蓋８１が開放し、処理室内の圧力が低下する。この圧力の変化はセンサー８２により検出されるが、処理室内の圧力が一時的に低下したとしても、その低下した圧力がプロセスユニット部ＰＵ内の圧力よりも高い場合は、制御機構３１は処理室内の圧力変動要因、例えば、エアー供給機構３０からのエアーの供給量・気液回収機構７７からのエアーの回収量・気液回収機構７１からのエアーの回収量の内の要因の少なくとも一つの要因は実質的に半導体ウエハＷの処理中の設定値と比べ変化させる必要が無い。また、蓋８１が開放し、処理室内の圧力がプロセスユニット部ＰＵ内の圧力と略同等となる場合或いは所定圧だけ差を保持したい場合は、蓋８１の開放前にエアー供給機構３０からのエアーの供給量は変化させずに、気液回収機構７７からのエアーの回収量・気液回収機構７１からのエアーの回収量の内の要因の少なくとも一つの要因を変化させておく、つまり回収量を低下或いは停止させて対応する方が好ましい。この理由としては、前記圧力変動要因を変化させると半導体ウエハＷの処理中に設定される値に達するまでに時間を要し、処理のスループットを低下せしめるためである。
【００６０】
また、処理室内には、図２及び図４（ａ）（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに、処理液として現像液を供給する現像液供給機構としての現像ノズル９０と半導体ウエハＷに、処理液としてリンス液、例えば純水又は／及び純水に界面活性剤が添加された水溶液を供給するリンス液供給機構としてのリンスノズル９１が設けられている。
【００６１】
さらに、現像ノズル９０は、カップ６０と半導体ウエハＷとに現像液を同時に供給できるようにカップ６０内径の大きさ９２より所定の距離大きい９３領域に現像液を吐出する吐出口９４を備えている。さらに、この現像ノズル９０は、図示しない移動機構により図中Ｘ５方向に移動自在に構成され、現像吐出開始は少なくともカップ６０上Ｘ５１から吐出開始し、吐出終点位置は少なくとも半導体ウエハＷの終点サイドＸ５３まで移動（好ましくはカップ６０上Ｘ５４位置）し、半導体ウエハＷ上に現像液を液盛り自在に構成されている。
【００６２】
この液盛りにおけるカップ６０とチャック３２との位置関係については、図４（ｂ），（ｃ）に示すように、カップ６０上から現像ノズル９０により吐出される現像液９５はＸ５方向水平移動にて進行するが、カップ６０の高さとチャック３２に保持又は支持機構３５により支持された半導体ウエハＷの処理面との高さ位置との関係は、半導体ウエハＷの処理面がカップ６０の高さ位置とほぼ同じ高さかそれ以上の高さＶ１０位置に設定され、カップ６０とチャック３２に保持又は支持機構３５により支持された半導体ウエハＷとの間の距離Ｘ１０にカップ６０又は／及びチャック３２或いは支持機構３５の相対的移動により設定自在に構成されている。これらの距離、つまり半導体ウエハＷとカップ６０との距離Ｖ１０，Ｘ１０は、現像ノズル９０から吐出される現像液の表面張力で半導体ウエハＷとカップ６０との間にて現像液が保持され残存しないように設定されることが好ましい。また、半導体ウエハＷとカップ６０との距離Ｖ１０，Ｘ１０が大きすぎると半導体ウエハＷのみに直接現像液を供給したものと同様になるのでこれも好ましくない。つまり、現像ノズル９０がＸ５方向に移動中、半導体ウエハＷとカップ６０との間で一旦現像ノズル９０から吐出される現像液を表面張力で一時的に保持するが現像ノズル９０の移動に伴って半導体ウエハＷとカップ６０との間で現像液を表面張力で保持できない距離（つまり、現像ノズル９０からの現像液が供給されているときは一時的に半導体ウエハＷとカップ６０との間で現像液を表面張力で保持しているが、現像ノズル９０の移動に伴って現像液が供給されなくなる部位においては半導体ウエハＷとカップ６０との各々の表面張力で互いに現像液を引き合い半導体ウエハＷとカップ６０の間で現像液を保持できなくなる程度の距離）に設定することが好ましい。（現像液の種類によってこれらの距離は適宜設定される）これにより、現像処理に不要な量の現像液はカップ６０の傾斜部６０ａを滑り落ち又はカップ６０内に落ちて回収され、半導体ウエハＷ上に現像液が適量盛られることとなる。また、他の実施例として、図４（ｄ）に示すように、半導体ウエハＷの処理面の高さよりカップ６０の高さが、略同一以上の距離Ｖ１００、例えば半導体ウエハＷに盛られた現像液６００の高さ以上に高く設定されている。このように設定し上述する効果を発生させることもできる。なお、チャック３２において使用しても良いことは言うまでもない。また、このように、半導体ウエハＷの処理面の高さよりカップ６０の高さが、略同一以上の距離Ｖ１００に高く設定されているので、カップ６０外からの排気における気流の影響が半導体ウエハＷの処理面に盛られた現像液へ作用するのをより抑制できるため処理の歩留まりを改善することもできる。
【００６３】
また、処理室内には、図２及び図４（ａ）に示すように、アーム移動機構としてのアーム９８が軸部９７を支点として回転方向θ５方向に移動自在に構成され、さらにアーム９８の先端部には半導体ウエハＷに処理液としてリンス液、例えば純水或いは界面活性剤を所定量含んだ純水を供給するリンスノズル９１が備えられ、アーム９８の移動にてリンスノズル９１からリンス液等が半導体ウエハＷの処理面の中心部近傍に供給自在に構成されている。
【００６４】
つぎに、塗布処理部ＣＯＴの構成について、図５に基づいて説明する。
【００６５】
この塗布処理部ＣＯＴは、上部に処理室内に所定の値に設定された温度・湿度がコントロールされたエアーを供給するエアー供給機構１００が設けられており、処理室内に設けられたセンサー１０１の検出データに基づき制御機構３１により、所定の温度及び湿度に維持されるよう構成されている。
【００６６】
また、処理室の下方位置には、半導体ウエハＷの裏面を真空吸着して保持する保持機構としてのチャック１０２が配置され、このチャック１０２は回転駆動機構、例えばモーター１０３により回転自在に構成されている。なお、このチャック１０２は本実施においては上下動に移動しない構成とされている。チャック１０２を上下動するにはモーター１０３も上下動しなくてはいけなくなるため、モーター１０３の熱影響が装置に及ぼす範囲が広くなるため半導体ウエハＷへの熱の影響を及ぼし歩留まりが低下してしまう恐れが出てくる。また、その熱影響を抑制するためには処理室下部の熱抑制機構がシステム的に大きくなる。例えば、このような処理室を複数積層して配置するには処理室の垂直方向の大きさを極力薄くする必要がある。ただし、このような配慮をしないでよいシステムであればモーター１０３ごと移動するよう構成しても良いことは言うまでもない。
【００６７】
また、チャック１０２の下方位置には半導体ウエハＷの裏面を支持する支持機構１０４が設けられている。この支持機構１０４は、半導体ウエハＷの裏面を点接触にて支持する複数の支持ピン１０５を有しこれらを一体として上下方向に移動する移動機構、例えばエアーシリンダー１０６にて移動自在に構成されている。
【００６８】
また、支持機構１０４の内側には、半導体ウエハＷの裏面に半導体ウエハＷ周縁部方向に向かって、溶剤液、例えばシンナーを供給する溶剤液裏面供給機構としての裏面ノズル１０７が複数設けられている。
【００６９】
また、チャック１０２の周囲にはチャック１０２に保持された半導体ウエハＷを囲む如く設けられた第一の囲い体としてのカップ１１０が設けられ、このカップ内の下方位置には前述のエアー供給機構１００からのエアーの少なくとも一部を回収及び塗布液或いはリンス液を回収する気液回収口１１１が設けられ排気機構としての気液回収機構１１２により回収処理される。なお、気液回収機構１１２はエアーの回収量を所定の量に設定自在に構成されている。つまり、カップ１１０内からの排気する領域（第二の周辺域β）を所定の量に設定自在に構成されている。なお、カップ１１０は図示しないカップ移動機構により上下動自在に構成されている。
【００７０】
また、カップ１１０の周囲にはこのカップ１１０を囲む如く設けられた第二の囲い体としての処理室の壁を形成する壁部１１３が配置され、カップ１１０と壁部１１３との間の下方位置には、気流の流れを整流する複数の回収口１１４を備えた整流機構１１５を介して、前述のエアー供給機構１００からのエアーの少なくとも一部を回収する気体回収口１１６が設けられ排気機構としての気体回収機構１１７により回収処理される。なお、気体回収機構１１７はエアーの回収量を所定の量に設定自在に構成されている。つまり、カップ１００と壁部１１３との間から排気する領域（第一の周辺域α）を所定の量に設定自在に構成されている。
【００７１】
また、壁部１１３には、半導体ウエハＷを搬送する基板搬送機構１０のアーム１７が処理室内に進入・退避する搬入出口１２０が設けられており、更にこの搬入出口１２０を開閉し処理室内とダウンフローＤＦが形成された基板搬送機構１０の配置空間と雰囲気を遮断するための開閉機構としての蓋１２１が設けられている。なお、処理室内の圧力と基板搬送機構１０の配置空間の圧力との関係は、処理室内の圧力の方が高く設定されている。これは基板搬送機構１０の配置空間から処理室内にパーティクル等の進入を防止するためである。したがって、基板搬送機構１０の配置空間内に設けられたセンサー８２の検出データに基づき制御機構３１により、エアー供給機構１００からのエアー供給量又は／及び気体回収機構１１７のエアーの回収量又は／及び気液回収機構１１２のエアーの回収量を制御するものである。なお、基板搬送機構１０のアーム１７が処理室内に進入する際、蓋１２１が開放し、処理室内の圧力が低下する。この圧力の変化はセンサー１０１により検出されるが、処理室内の圧力が一時的に低下したとしても、その低下した圧力がプロセスユニット部ＰＵ内の圧力よりも高い場合は、制御機構３１は処理室内の圧力変動要因、例えば、エアー供給機構１００からのエアーの供給量・気体回収機構１１７からのエアーの回収量・気液回収機構１１２からのエアーの回収量の内の要因の少なくとも一つの要因は実質的に半導体ウエハＷの処理中の設定値と比べ変化させる必要が無い。また、蓋１２１が開放し、処理室内の圧力がプロセスユニット部ＰＵ内の圧力と略同等となる場合或いは所定圧だけ差を保持したい場合は、蓋１２１の開放前にエアー供給機構１００からのエアーの供給量は変化させずに、気体回収機構１１７からのエアーの回収量・気液回収機構１１２からのエアーの回収量の内の要因の少なくとも一つの要因を変化させておく、つまり回収量を低下或いは停止させて対応する方が好ましい。この理由としては、前記圧力変動要因を変化させると半導体ウエハＷの処理中に設定される値に達するまでに時間を要し、処理のスループットを低下せしめるためである。
【００７２】
また、処理室内には、図５及び図６に示すように、アーム移動機構としてのアーム１３０が軸部１３１を支点として回転方向θ１０方向に移動自在に構成され、さらにアーム１３０の先端部には半導体ウエハＷに処理液として複数種の塗布液、例えばレジスト液を供給するレジストノズル群１３２が備えられ、アーム１３０の移動にてレジストノズル群１３２の選択された特定のレジストノズル１３４からレジスト液が半導体ウエハＷの処理面の中心部近傍に供給自在に構成されている。また、アーム１３０は、レジストノズル群１３２の内の選択された特定のレジストノズル１３４の半導体ウエハＷの処理面の中心部近傍への供給を一定位置に保つために伸縮（図中１３３方向）自在に構成されている。
【００７３】
また、処理室内には、図５及び図６に示すように、アーム移動機構としてのアーム１４０が軸部１４１を支点として回転方向θ１１方向に移動自在に構成され、さらにアーム１４０の先端部には半導体ウエハＷに処理液として溶剤液、例えばシンナー液を供給する溶剤ノズル１４２が備えられ、アーム１４０の移動にて溶剤ノズル１４２から溶剤液が半導体ウエハＷの処理面の周縁部に供給自在に構成されている。この溶剤液により半導体ウエハＷの処理面に塗布されたレジスト膜の内、半導体ウエハＷの周縁部のレジスト膜を剥離するよう構成されている。
【００７４】
次に、以上の如く構成されたレジスト処理装置１の処理動作について説明する。
まず、未処理の半導体ウエハＷを複数枚収納したカセットＣはカセットユニット部ＣＵのカセット載置部Ｕ１に作業員又はカセット搬送ロボットにより配置される。この後、基板搬入出機構部Ｕ２の基板搬出入機構２によりカセットＣから一枚毎半導体ウエハＷは搬出され、基板搬出入機構２にて一旦半導体ウエハＷは位置合わせされた後、半導体ウエハＷはプロセスユニット部ＰＵの基板受渡部８に引き渡される。
【００７５】
この後、プロセスユニット部ＰＵの基板搬送機構１０のアーム１７にて半導体ウエハＷはガス処理部に搬送され、その処理部にて疎水化処理され、その後、温調処理部にて所定の温度、例えば塗布処理部ＣＯＴにおける処理温度に設定された後、基板搬送機構１０のアーム１７にて塗布処理部ＣＯＴに搬送される。
【００７６】
塗布処理部ＣＯＴにおける基板搬送機構１０のアーム１７の半導体ウエハＷの受渡し工程としては、まず、半導体ウエハＷを支持した基板搬送機構１０のアーム１７が塗布処理部ＣＯＴ内の半導体ウエハＷの受渡し位置に侵入した後、エアーシリンダー１０６により支持ピン１０５がＵＰし、半導体ウエハＷを支持するとともに基板搬送機構１０のアーム１７から半導体ウエハＷを離間させ受渡しされる。この後、基板搬送機構１０のアーム１７は塗布処理部ＣＯＴ外に退避され、蓋１２１により搬入出口１２０が閉じられ、処理室内は気密状態とされる。半導体ウエハＷを支持する支持ピン１０５はエアーシリンダー１０６によりＤＯＷＮし、支持ピン１０５から半導体ウエハＷは、チャック１０２上に引き渡され、チャック１０２上に真空吸着により保持される。この際、図示しない真空吸着のバキュームセンサーにより、所定の圧力を維持しているか否かで塗布処理部ＣＯＴ内に半導体ウエハＷが引き渡されたことを実質的に確認するものである。この確認の後、実質的な塗布処理工程を進行させるものである。
【００７７】
なお、この間の搬送工程中、エアー供給機構１００からのエアーの回収は気体回収機構１１７からのみ回収され気液回収機構１１２からは回収されない又は気体回収機構１１７からの回収量の方が気液回収機構１１２からの回収量より大きく設定されているものとする。これにより、エアー供給機構１００からのエアーはカップ１１０内に引き込まれずにカップ１１０外（第一の周辺域α）から回収されることとなるのでカップ１１０内の半導体ウエハＷに対するパーティクルの付着を低減することが可能となり、半導体ウエハＷに対する処理の歩留まりを向上させることができる。
【００７８】
つぎに、塗布処理工程は、カップ１１０がＵＰした後、カップ１１０内のカップ１１０内のチャック１０２上に保持された半導体ウエハＷは、チャック１０２により回転され、アーム１３０の移動によりレジストノズル群１３２の内の選択された特定のレジストノズル１３４によって半導体ウエハＷの処理面の中心部近傍へレジスト液を供給する。なお、便宜上ここでは、半導体ウエハＷを回転した後、半導体ウエハＷに対してレジスト液を供給したが、半導体ウエハＷに対してレジスト液を供給した後にカップ１１０をＵＰさせ半導体ウエハＷを回転或いはカップ１１０をＵＰさせ半導体ウエハＷに対してレジスト液を供給した後に半導体ウエハＷを回転させても良い。このようにして、レジスト液の膜が半導体ウエハＷ上に形成される。
【００７９】
この塗布処理工程中においては、エアー供給機構１００からのエアーの回収は気体回収機構１１７と気液回収機構１１２から回収される。この時の気液回収機構１１２からの排気量は前述の搬送工程中に比べて大きくなる。つまり、半導体ウエハＷ上のレジスト液を回転によりカップ１１０方向に飛散するのでこの飛散するレジスト液を下方向（カップ１１０内からの排気する領域（第二の周辺域β））に引き込むべき排気する必要があるためである。しかしながら、処理室内は一定の圧力に維持しておく必要があるため（このように、処理室内を一定の圧力に維持しておかないと、圧力の変動はレジスト膜厚の均一性に重大な影響を及ぼすこととなる）にカップ１１０内からの排気する排気量の増量分だけカップ１１０外（第一の周辺域α）から排気する排気量を低減させる必要がある。このように気体回収機構１１７の排気量は制御機構３１によりコントロールされる。
【００８０】
なお、塗布処理工程中カップ１１０をＵＰするのは、エアー供給機構１００のエアー噴出し口により近接させカップ１１０内にエアー供給機構１００のエアーを限定して取り込みカップ１１０外のエアーがカップ１１０内に巻き込んで進入するのを抑制しているのである。つまり、このようにして処理室内の気流の流れを変化せしめて処理前と処理中での必要な気流を設定しているのである。このように設定することで、カップ外から不要なパーティクル等がカップ１１０内からの排気等の変化に伴ってカップ１１０内に侵入するのを防止して、半導体ウエハＷの処理の歩留まりを向上することができることになる。
【００８１】
つぎに、半導体ウエハＷの処理面に塗布されたレジスト膜の内、半導体ウエハＷの周縁部のレジスト膜を剥離する工程（エッジリムーバー工程）は、アーム１４０が回転方向θ１１方向に移動し、回転する半導体ウエハＷの周縁部のレジスト膜に対し溶剤ノズル１４２から溶剤が供給され、不要なレジスト膜が除去される。この工程において、裏面ノズル１０７からもシンナーが吐出され、半導体ウエハＷの裏面に付着する不要なレジストを除去する。なお、カップの状態とエアー供給機構１００からのエアーの供給量・気体回収機構１１７からの排気量・気液回収機構１１２からの排気量の動作は前述の塗布処理工程と同様の値に引き続き設定されているものとする。
【００８２】
この後、カップの状態とエアー供給機構１００からのエアー・気体回収機構１１７・気液回収機構１１２の動作は前述の搬送工程と同様の状態に設定され、搬送工程と逆の順序により支持ピン１０５から基板搬送機構１０のアーム１７に半導体ウエハＷは受け渡されて塗布処理部ＣＯＴでの処理が終了する。
【００８３】
この後、半導体ウエハＷは基板受渡部８，９の上方位置に配置された選択された所定の熱処理部で熱処理された後、基板搬送機構１０のアーム１７により基板受渡部８，９の下方位置に配置された選択された所定の温調処理部で所定の温度に設定された後、基板受渡部９を介してインタフェースユニット部ＩＦＵに受け渡され、さらにインタフェースユニット部ＩＦＵから露光装置３に渡され半導体ウエハＷは露光処理が施される。
【００８４】
露光処理が施された半導体ウエハＷは、インタフェースユニット部ＩＦＵに受け渡され、その後、基板受渡部９を介してプロセスユニット部ＰＵに戻されることとなる。さらに、この後、半導体ウエハＷは基板受渡部８，９の上方位置に配置された選択された所定の熱処理部で熱処理（波長１５７ｎｍの露光を使用するレジスト膜の場合は特に熱処理部の処理室内に湿度が４５％以下、好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下であって０％ではないクリーンエアー若しくは窒素を供給しつつ、それらの湿度に維持するとともに所定の圧力に設定して熱処理を施す。）された後、基板搬送機構１０のアーム１７により基板受渡部８，９の下方位置に配置された選択された所定の温調処理部で所定の温度に設定された後、現像処理部ＤＥＶに搬送される。
【００８５】
現像処理部ＤＥＶにおける基板搬送機構１０のアーム１７による半導体ウエハＷの受渡し工程としては、まず、半導体ウエハＷを支持した基板搬送機構１０のアーム１７が現像処理部ＤＥＶ内の半導体ウエハＷの受渡し位置に侵入した後、エアーシリンダー５０により支持機構３５の支持ピン３６がＵＰし、半導体ウエハＷを支持するとともに基板搬送機構１０のアーム１７から半導体ウエハＷを離間させ受渡しされる。この後、基板搬送機構１０のアーム１７は現像処理部ＤＥＶ外に退避され、蓋８１により搬入出口８０が閉じられ、処理室内は気密状態とされる。半導体ウエハＷを支持する支持ピン３６はエアーシリンダー５０によりＤＯＷＮし、支持ピン３６から半導体ウエハＷは、チャック３２上に引き渡され、チャック３２上に真空吸着により保持される。この際、図示しない真空吸着のバキュームセンサーにより、所定の圧力を維持しているか否かで現像処理部ＤＥＶ内に半導体ウエハＷが引き渡されたことを実質的に確認するものである。この確認の後、実質的な現像処理工程を進行させるものである。このように前述のバキュームセンサーにより、実質的に現像処理部ＤＥＶ内に半導体ウエハＷが引き渡されたことを確認しないと、万が一にも半導体ウエハＷが引き渡されていないで、次工程の動作をした場合、半導体ウエハＷが破損したり、処理が適切におこなわれない恐れが生じることとなる。
【００８６】
なお、この間の搬送工程中、エアー供給機構３０からのエアーの回収は気液回収機構７７からのみ回収され気液回収機構７１からは回収されない又は気液回収機構７７からの回収量の方が気液回収機構７１からの回収量より大きく設定されているものとする。これにより、エアー供給機構３０からのエアーはカップ６０内に引き込まれずにカップ６０外（第一の周辺域α）から回収されることとなるのでカップ６０内の半導体ウエハＷに対するパーティクルの付着を低減することが可能となり、半導体ウエハＷに対する処理の歩留まりを向上させることができる。（以上搬送工程）
【００８７】
この搬送工程の後、半導体ウエハＷを支持ピン３６上に支持して現像液を液盛りする工程の場合は、半導体ウエハＷを保持するチャック３２からエアーシリンダー５０により支持ピン３６はＵＰされ、チャック３２から半導体ウエハＷは、再度、支持ピン３６上に引き渡され、図４（ｃ）のように、カップ６０と支持ピン３６上の半導体ウエハＷとの位置関係を設定するように支持ピン３６とカップ６０とを相対的に移動させ、実質的な現像処理工程に移行する。
【００８８】
つぎに、現像処理工程は、カップ６０上から現像液９５を現像ノズル９０により吐出させながら現像ノズル９０をＸ５方向水平移動させ、カップ６０と半導体ウエハＷとに現像液を同時に供給して、半導体ウエハＷ上に現像液を所定量に液盛りし、現像処理を進行させる。この液盛りをした後、エアー供給機構３０からのエアーの影響を低減させるためにカップ６０をＵＰさせる。（つまり、カップ６０の頭部は半導体ウエハＷの処理面より高く、好ましくは半導体ウエハＷ上に液盛りされた現像液の液面より高く、又は／及び半導体ウエハＷに現像液を盛る位置よりも高く設定される。つまり半導体ウエハＷはカップ６０内に収納される）これにより、処理室内の気流を変化せしめたことによりエアー供給機構３０からのエアーはカップ６０内に引き込まれずに、半導体ウエハＷのより上方域にカップ６０外への気流の流れが生じ、カップ６０外（第一の周辺域α）から回収されることとなるのでカップ６０内の半導体ウエハＷ上に液盛りされた現像液に対する気流の影響、さらに気流中に含まれるパーティクルの付着を低減することが可能となり、半導体ウエハＷに対する処理の歩留まりを向上させることができる。なお、この工程中、エアー供給機構３０からのエアーの回収における気液回収機構７７と気液回収機構７１の動作は搬送工程と同様の動作を維持しておくものとする。（以上現像１工程）
【００８９】
また、前記搬送工程の後、半導体ウエハＷをチャック３２に支持して現像液を液盛りする工程の場合は、図４（ｂ）のように、カップ６０と支持ピン３６上の半導体ウエハＷとの位置関係を設定するように支持ピン３６とカップ６０とを相対的に移動させ、実質的な現像処理工程に移行する。
【００９０】
この現像処理工程は、カップ６０上から現像液９５を現像ノズル９０により吐出させながら現像ノズル９０をＸ５方向水平移動させ、カップ６０と半導体ウエハＷとに現像液を同時に供給して、半導体ウエハＷ上に現像液を所定量に液盛りする。この後、半導体ウエハＷを保持するチャック３２からエアーシリンダー５０により支持ピン３６はＵＰし、チャック３２から半導体ウエハＷは、再度、支持ピン３６上に引き渡され、半導体ウエハＷの現像処理を引き続き進行させる。
【００９１】
なお、上記工程において、エアー供給機構３０からのエアーの影響を低減させるためにカップ６０をＵＰさせる。（つまり、カップ６０の頭部は半導体ウエハＷの処理面より高く、好ましくは半導体ウエハＷ上に液盛りされた現像液の液面より高く、又は／及び半導体ウエハＷに現像液を盛る位置よりも高く設定される。つまり半導体ウエハＷはカップ６０内に収納される）これにより、処理室内の気流を変化せしめたことによりエアー供給機構３０からのエアーはカップ６０内に引き込まれずに、半導体ウエハＷのより上方域にカップ６０外への気流の流れが生じ、カップ６０外（第一の周辺域α）から回収されることとなるのでカップ６０内の半導体ウエハＷ上に液盛りされた現像液に対する気流の影響、さらに気流中に含まれるパーティクルの付着を低減することが可能となり、半導体ウエハＷに対する処理の歩留まりを向上させることができる。なお、この工程中、エアー供給機構３０からのエアーの回収における気液回収機構７７と気液回収機構７１の動作は前記搬送工程と同様の動作を維持しておくものとする。（以上現像２工程）
【００９２】
前記現像１工程の場合も現像２工程の場合も同様に、この後、半導体ウエハＷを支持する支持ピン３をエアーシリンダー５０によりＤＯＷＮさせ、支持ピン３６から半導体ウエハＷは、チャック３２上に引き渡しし、チャック３２上に真空吸着により保持する。
【００９３】
なお、前記現像１工程の場合を選択するのは、特に現像２工程に比べ、半導体ウエハＷを点接触にて支持しているために面的な接触より半導体ウエハＷに対する接触域と非接触域の温度のバラツキをより抑制できるので半導体ウエハＷの歩留まりが向上できる。また、半導体ウエハＷに処理液を供給する際、処理液の半導体ウエハＷの裏面への回り込み半導体ウエハＷの裏面中心部への進入を阻止するので、よりクリーンな状態に処理室内或いは半導体ウエハＷを保つことができる。また、前記現像２工程の場合を選択するのは、特に現像１工程に比べ、処理液の供給時において半導体ウエハＷを面接触しているので半導体ウエハＷへの処理液の流量・処理液ノズルと半導体ウエハＷとの間の現像液による表面張力による引き合い等による半導体ウエハＷの横ズレ防止をより抑制することができる。また、半導体ウエハＷを回転させて処理液を供給したい場合等、例えば処理液ノズルの処理液供給域が半導体ウエハＷの直径の距離以下である場合は有効に半導体ウエハＷに対して液盛りできる。
【００９４】
この後、半導体ウエハＷ上の現像液がこぼれないような回転数でチャック３２を回転させ、半導体ウエハＷ上の現像液がこぼれない量にリンスノズル９１から純水又は／及び純水に界面活性剤が添加された水溶液を供給し、半導体ウエハＷ上の現像液の濃度を所定の値に希釈させる。（現像液希釈工程）このように現像液を希釈する理由としては、現像処理の工程の後期において、現像液中に溶け込んだ溶解生成物の影響で部分的な半導体ウエハ上の現像液中の溶解生成物のムラを低減させ、部分的なCritical dimensionの変動の発生を抑制することが可能となる。
【００９５】
この後、リンスノズル９１から純水を供給し、チャック３２にて半導体ウエハＷを高速回転させ半導体ウエハＷ上から現像液を置換するとともに振り切り乾燥させる。（リンス乾燥工程）この工程中においては、エアー供給機構３０からのエアーの回収は気液回収機構７７と気液回収機構７１から回収される。この時の気液回収機構７１からの排気量は前述の搬送工程中に比べて大きくなる。つまり、半導体ウエハＷ上の現像液は回転によりカップ６０方向に飛散するのでこの飛散する現像液を下方向（カップ６０内からの排気する領域（第二の周辺域β）に引き込むべき排気する必要があるためである。しかしながら、処理室内は−定の圧力に維持しておく必要があるため（このように、処理室内を−定の圧力に維持しておかないと、圧力の変動は現像処理の均一性に重大な影響を及ぼすこととなる）にカップ６０内からの排気する排気量の増量分だけカップ６０外（第一の周辺域α）から排気する排気量を低減させる必要がある。このように気液回収機構７７の排気量は制御機構３１によりコントロールされる。
【００９６】
この後、カップの状態とエアー供給機構３０からのエアーの供給量・気液回収機構７７からの排気量・気液回収機構７１からの排気量の動作は前述の搬送工程と同様の状態に設定され、搬送工程と逆の順序により支持ピン３６から基板搬送機構１０のアーム１７に半導体ウエハＷは受け渡されて現像処理部ＤＥＶでの処理が終了する。
【００９７】
この後、半導体ウエハＷは基板受渡部８，９の上方位置に配置された選択された所定の熱処理部で熱処理された後、基板搬送機構１０のアーム１７により基板受渡部８，９の下方位置に配置された選択された所定の温調処理部で所定の温度に設定された後、基板受渡部８を介してカセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２の基板搬出入機構２によりカセットＣに半導体ウエハＷは搬入されて一連の処理が終了する。
【００９８】
次に、本実施例の現像処理方法の他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【００９９】
前述の現像処理方法においては、現像液を半導体ウエハＷ上に液盛りした後に処理室内の気流を変化させるためにカップを上下動させ、その後、現像処理工程の後段にて現像液の濃度を変化せしめていたが、現像濃度は一般的に２．３８％等の一種類の現像液を半導体工場においては使用している。しかしながら、デバイスによってはレジストパターンの微細化に伴って、その濃度では現像速度が速すぎるという不測の事態が生じている。したがって、現像処理の前段において、半導体ウエハＷ上に液盛りした現像濃度を希釈する方法を下記に説明する。
【０１００】
このような必要性が生じる場合、前述の現像１工程の場合は、半導体ウエハＷ上に現像液を所定量に液盛りした後、その状態を維持し半導体ウエハＷ上の半導体ウエハＷ上の現像液がこぼれない量にリンスノズル９１から純水又は／及び純水に界面活性剤が添加された水溶液を供給し、半導体ウエハＷ上の現像液の濃度を所定の値に希釈させる。
【０１０１】
また、現像２工程においてはカップ６０と半導体ウエハＷとに現像液を同時に供給して、半導体ウエハＷ上に現像液を所定量に液盛りした後に、その状態を維持し半導体ウエハＷ上の現像液がこぼれないような回転数でチャック３２を回転させ、半導体ウエハＷ上の現像液がこぼれない量にリンスノズル９１から純水又は／及び純水に界面活性剤が添加された水溶液を供給し、半導体ウエハＷ上の現像液の濃度を所定の値に希釈させる。
【０１０２】
この後、半導体ウエハＷを保持するチャック３２からエアーシリンダー５０により支持ピン３６はＵＰし、チャック３２から半導体ウエハＷは、再度、支持ピン３６上に引き渡され、半導体ウエハＷの現像処理を引き続き進行させる。したがって、現像液を希釈した後にカップ６０を移動させ処理室内の気流を変化せしめる。
【０１０３】
このような現像１工程・現像２工程にした場合においても、前述の（現像液希釈工程）をさらに追加しても良い。また、上述のような現像液希釈工程を行わない他の処理として、例えば、支持ピン３６から半導体ウエハＷはチャック３２上に引き渡され、チャック３２上に真空吸着により保持された後、チャック３２を第一の回転数で回転させ半導体ウエハＷ上の現像液を一旦振り切り、或いは所定量の現像液が残存する状態つまり、現像液が乾ききらないうちに、リンス液を前記第一の回転数より低い第二の回転数で回転する半導体ウエハＷの処理面に供給し、その後、第一の回転数より高い或いは略同一の第三の回転数にて半導体ウエハＷを回転させ乾燥させるリンス乾燥工程を施しても良く、適宜、半導体ウエハＷに形成されたレジスト膜に応じて処理することができることは言うまでもない。
【０１０４】
次に、図７に基づいて本実施例の支持機構３５の他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１０５】
この支持機構３５は図７（ａ），（ｂ）にも示すように、半導体ウエハＷの裏面を部分的な線接触にて支持する、例えば、半導体ウエハＷの同心円周上に等間隔に配置された複数の支持部材２００とこの支持部材２００の外方に設けられ半導体ウエハＷの裏面の中心部に現像液又はリンス液等の処理液が進入するのを防止するための液侵入防止機構としてのリング部材３７とを一体として支持する複数の支持柱３８が設けられている。また、支持機構３５のリング部材３７と支持部材２００とは、半導体ウエハＷの中心方向に向かって（リング部材３７から支持部材２００方向に向かって）高さ位置が低くなるように傾斜部４１が設けられている。このように構成されることで、凹凸部４０に付着するリンス液又は現像液或いは裏面ノズル５１から吐出しリング部材３７等を洗浄するリンス液が支持機構３５の少なくとも半導体ウエハＷと接触する接触部２０１にリンス液又は現像液が付着するのを抑制するよう構成されている。このように構成したことにより、処理中の半導体ウエハＷ又は次の半導体ウエハＷにリンス液又は現像液が付着するのを抑制することができ、それによる半導体ウエハＷの部分的な温度変化、或いは半導体ウエハＷに付着したリンス液又は現像液が乾燥しシステム内にパーティクルを発生するのを抑制し、もって半導体ウエハＷの歩留まりを向上することができる。
【０１０６】
さらに、図７（ｂ）にも示すように、支持部材２００とリング部材３７との高さや位置は、支持部材２００の方が所定の距離、例えば０．５ｍｍ〜５ｍｍの間の距離（図中Ｌ）に高くなるよう設定されている。これはリング部材３７が直接半導体ウエハＷの裏面に接触しないようにしているためである。また、支持部材２００の半導体ウエハＷの裏面と接触する接触部２０１は、支持部材２００を形成する部材３９に比べて摩擦係数が大きくてさらに熱伝導率が低い部材であって半導体ウエハＷの裏面を支持した際に横ズレを防止及び半導体ウエハＷの裏面を支持した後半導体ウエハＷに処理液が供給されたときに横ズレ等を防止するためのズレ防止部材として、例えば弾性部材により形成されている。熱伝導率が低いというのは半導体ウエハＷの処理中半導体ウエハＷから支持部材２００との接触部から熱が逃げたり等の影響により面内均一性が疎外される恐れが生じるためである。上述した接触部２０１の材質としては、例えばＰＥＥＫ・ＰＢＩ等の硬質樹脂又はアルミナ・ジルコニア等のセラミックス或いはパーフロ等のゴム材が考えられる。
【０１０７】
本実施の形態では、支持部材２００を半導体ウエハＷの裏面を複数の部分的な線接触にて支持するよう構成しているので、点接触に比べより半導体ウエハＷの水平状態を支持できるのでリング部材３７と半導体ウエハＷの裏面との距離をより近接させることができるので半導体ウエハＷの裏面の中心部に処理液が進入するのを抑制することが可能となる。
【０１０８】
また、点接触に比べより半導体ウエハＷの裏面を支持する摩擦が増えることとなるので、半導体ウエハＷの横ズレ防止ができる。ただし、支持部材２００の線接触を大きすぎる、例えばリング状にすると半導体ウエハＷの処理において半導体ウエハＷの処理面にリング状のムラが発生する恐れがある。したがって、半導体ウエハＷの処理面に処理ムラが発生しない程度の線接触に設定しておく必要がある。しかしながら、上記の例として支持部材２００をリング状は好ましくないと記載したがリング状でも良い程度のスペックでも良い場合には、当然リング状を否定するものではない。
【０１０９】
次に、本実施例の支持機構３５と裏面ノズル５１との実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１１０】
裏面ノズル５１から純水を吐出する工程としては、現像処理工程の後、リング部材３７の凹凸部４０に表面張力を利用して保持された現像液或いは現像液希釈工程の後、リング部材３７の凹凸部４０に表面張力を利用して保持された現像液又は／及び純水等を洗浄除去する又は半導体ウエハＷの裏面に付着した現像液等を洗い流すために用いられるが、処理液を半導体ウエハＷに供給する前、つまり現像処理工程の前に裏面ノズル５１からリング部材３７の凹凸部４０に純水を吐出し、リング部材３７と半導体ウエハＷの裏面との間に表面張力を利用して一旦純水膜を形成しておく、このようにすると現像処理工程後にリング部材３７と半導体ウエハＷの裏面との間の現像液の濃度を低下させることになるので洗浄が容易になることとなり、洗浄時間の短縮化・ミスト等の低減化等を向上することができる。
【０１１１】
次に、図８（ａ），（ｂ）に基づいて本実施例の気液回収機構７１，７７，１１２と気体回収機構１１７とカップ６０，１１０の関係について他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。なお、便宜上現像処理部ＤＥＶを参考に説明するものとする。
【０１１２】
図８（ａ）に示すようにカップ６０はこのカップ６０を上下動するカップ移動機構、例えばエアーシリンダー２０９に接続され上下動自在に構成されており、カップ６０とカップ６０外の領域を排気／排液する気液回収機構７７（ＣＯＴにおいては気体回収機構１１７）との間には壁２１０が配置されており、この壁２１０には図８（ｂ）に示すようにエアーシリンダー２０９によりカップ６０を上に移動した際に連動してカップ６０内の雰囲気を気液回収機構７７（ＣＯＴにおいては気体回収機構１１７）に通流させる気体の流れ２１２を形成するための通流口２１１が設けられ、気体変動機構が構成されている。
【０１１３】
このように構成することで、気液回収機構７１の機構を削除することができる。またＣＯＴにおいては気体回収機構１１７に液回収機能を追加し、気液回収機構１１２を削除することが可能となり、システムを小型化できるという利点が生じる。さらに、一つの排気機構で処理室内をコントロールできるので、エアー供給機構３０，１００からのエアーとの関係における処理室内の圧力維持の制御が容易になり、処理室内での半導体ウエハＷの処理への影響を低減でき、処理の歩留まりを向上することができる。
【０１１４】
なお、前記気体変動機構は、カップの移動に連動して気流の変動を起こすものであれば上記実施例にとらわれず、例えばカップの移動に連動或いは基づいてカップ内からの排気がなされるものであれば物理的でも良いし或いは電気的になされるものであれば実施例に制限されないことは言うまでもない。また、このように構成したことにより、第一の周辺域からの排気量と第一の周辺域からの排気と第二の周辺域からの排気との排気量を略同一としたい場合、機械的にカップ６０の上下動したとしても、常に排気の全体量は一定なので制御が容易となり、システムの小型化を図ることができる。さらに、第一の周辺域の排気面積と第二の周辺域の排気面積が異なる、例えば、第一の周辺域の排気面積＞第二の周辺域の排気面積、このような異なる関係にあるとき、排気系が一つとし、機械的にカップ６０の上下動に連動しているので制御がさらに容易となり、処理室内の圧力の安定性を向上することができる。もって基板の処理の歩留まりを向上することができる。また、第一の周辺域からの排気時間と第二の周辺域からの排気時間が異なる、例えば、第一の周辺域からの排気時間＞第二の周辺域からの排気時間、このような異なる関係にあるとき、排気系が一つとし、機械的にカップ６０の上下動に連動しているので制御がさらに容易となり、処理室内の圧力の安定性を向上することができる。もって基板の処理の歩留まりを向上することができる。
【０１１５】
次に、図９に基づいて本実施例の現像処理部ＤＥＶのカップ６０について他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１１６】
このカップ２２０は、角状に形成された角状部２２１と、その角状部２２１の内側に設けられ頭部２２５を突出させた円筒状の筒体部２２３にて構成されている。（カップ６０に角状部２２１を附属させた形状）角状部２２１には、現像ノズル９０から吐出された現像液、或いはリンスノズル９１から吐出された純水等の処理液を回収する回収口２２２を備えており、この回収口２２２から回収された処理液は液回収機構２２６により回収されるよう構成されている。なお、角状部２２１にて囲まれる領域（第１の領域）は筒体部２２３にて囲まれる領域（第２の領域）に比べ、その面積が大きく設定されている。
【０１１７】
このように、カップ２２０を構成したので、角状部２２１にて現像ノズル９０から吐出された現像液、或いはリンスノズル９１から吐出された純水を回収できるので気液回収機構７７を気体のみ回収する機構とし、その分機構が減ることによりシステムを小型化することができる。また、（第一の周辺域α）を形成する壁部７５に対して現像液或いは純水等の付着を抑制できるので処理室内をよりクリーンにできるので、ミスト・パーティクルの発生を抑制できることとなる。また、角状部２２１に付着した現像液はリンスノズル９１から吐出された純水により洗浄すればよい。
【０１１８】
このようなカップ２２０での処理は、前述のような処理手順と同様に処理することができる。つまり、半導体ウエハＷの処理面は頭部２２５と同様の高さかそれ以上に設定され（この時、角状部２２１にて囲まれる領域として第１の領域にて）、現像ノズル９０を水平移動し半導体ウエハＷの処理面とカップ２２０の頭部２２５に同時に現像液を供給し、半導体ウエハＷの処理面に現像液を液盛りする。なお、頭部２２５と半導体ウエハＷの位置関係は、カップ６０の位置関係と同様に設定され、頭部２２５の形状もカップ６０の頭部形状と同様に規定しておけば、前述のような効果と同様の効果が発生する。また、半導体ウエハＷの処理面の高さより頭部２２５の高さが、高く設定しても上述する効果を発生させることもでき、このように、設定すれば、頭部２２５外からの排気における気流の影響が半導体ウエハＷの処理面に盛られた現像液へ作用するのをより抑制できるため処理の歩留まりを改善することもできる。
【０１１９】
この後、前述の説明したように、カップ２２０を上昇させ筒体部２２３にて囲まれる領域（第２の領域）に半導体ウエハＷを配置し現像処理を進行させればよい。このように、カップ２２０には、筒体部２２３に角状部２２１がさらに設けられた構造とされているので、（第一の周辺域α）からの排気が筒体部２２３より遠方方向から排気されることとなるので、筒体部２２３内の半導体ウエハＷは処理室内の気流の影響をより受けないですむこととなる。これにより、半導体ウエハＷの歩留まりが向上することとなる。なお、本実施例においてカップ２２０の第１の領域を角状体としたが円筒状としても良いし、この形状には限定されず、筒体部２２３に囲まれる面積（第２の領域）が角状部２２１にて囲まれる領域の面積（第１の領域）より小さく設定されるよう構成されていれば良いことは言うまでもない。
【０１２０】
次に、図１０、図１１に基づいて本実施例の現像処理部ＤＥＶの他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１２１】
本実施の形態においては、整流機構７４の上部に囲い体としての壁２５０が備えられており、前述のカップ６０と壁部７５との間から排気する領域（第一の周辺域α）を分割するよう構成されている。つまり、カップ６０内からの排気する領域（第二の周辺域β）に対し、カップ６０と壁２５０との間の領域（第一の周辺域α１）、壁２５０と壁部７５との間の領域（第一の周辺域α２）に設定されるよう構成されている。この壁２５０は、カップ６０の頭部より所定の間隔（図中Ｗ２）に高く設定されている。これにより、現像ノズル９０からの現像液或いはリンスノズル９１からの純水等が処理室壁７５に直接付着するのを防止している。したがって、壁２５０は、液飛散防止機構として第二のカップとしての機能を有している。
【０１２２】
このように、現像ノズル９０からの現像液或いはリンスノズル９１からの純水等が処理室壁７５に直接付着するのが防止できるので、処理室内の洗浄等のメンテナンスなどにおいては壁２５０を取外し自在にこうしておけば、この壁２５０のみの洗浄或いは交換できるのでメンテナンス時間が短縮できる。さらに、蓋８１にも現像ノズル９０からの現像液或いはリンスノズル９１からの純水等が付着するのを防止できるので、蓋８１に付着した現像液等が乾燥して蓋８１の開閉において飛散し、処理室内にパーティクルとして半導体ウエハＷに付着するのを未然に防止できる。なお、壁２５０は、カップ６０の頭部より所定の間隔（図中Ｗ２）に高く設定したが、ある程度、カップ６０から離れていれば、つまり、現像ノズル９０からの現像液或いはリンスノズル９１からの純水等が処理室壁７５に直接付着するのを抑制できればこれに限定するものではない。
【０１２３】
なお、上述の支持機構３５は支持部材２００とリング部材３７とを一体として説明したが、これに限定せず、例えば支持部材２００とリング部材３７との位置関係は上述のとおりとし、各々別体として設け、支持部材２００とリング部材３７とを各々独立して上下動させる上下動機構にて、適宜動作して所定の処理を施しても良いことは言うまでもなく、良いし、上述した支持部材２００とリング部材３７の効果が達成できるものであれば他の方法でも良いことは言うまでもない。
【０１２４】
次に、図１２に基づいて本実施例の支持機構３５の他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１２５】
この支持機構３５は図１２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷの裏面を部分的な線接触にて支持する複数の支持部材２００とこの支持部材２００の外方に設けられ半導体ウエハＷの裏面の中心部に現像液又はリンス液等の処理液が進入するのを防止するための液侵入防止機構としてのリング部材３７とこのリング部材３７とを一体として支持する複数の支持柱３８が設けられている。
【０１２６】
リング部材３７の凹凸部４０には、リンス液を供給する液供給口４２０が備えられ、この液供給口４２０には配管４１３を介してリンス液供給源４１５からリンス液が供給自在に構成されている。また、リング部材３７には少なくともリング部材３７と傾斜部４１に対してリンス液供給源４１５からリンス液、例えば洗浄液を供給、例えばスプレィ供給する洗浄ノズル４１１を複数備えている。また、傾斜部４１はその中央部４１０が山状に形成され、その表面には、リング部材３７の側壁と同様、液切りを促進させるための溝４１２が設けられている。
【０１２７】
このように支持機構３５を構成したことで、リンス液を供給する液供給口４２０の効果としては、裏面ノズル５１からの供給による半導体ウエハＷの裏面との間に形成する水膜に比べより確実に行えることとなる。この場合、裏面ノズル５１と併用しても良いし、液供給口４２０からのリンス液のみで液膜を形成するようにしても良い。さらに、現像処理後における凹凸部４０・リング部材３７の洗浄がより確実に行えることとなる。さらに、液供給口４２０・洗浄ノズル４１１からリンス液を噴出し、さらにその液を溝４１２により効率的に水切りすることにより、より確実に、より早くリング部材３７の洗浄が行うことができ、リング部材３７に付着するミストがリング部材３７が乾燥したときにパーティクルとして発生するのを抑制することができ、半導体ウエハＷの歩留まりを向上することができる。なお、洗浄ノズル４１１又は／及び裏面ノズル５１からのリンス液が半導体ウエハＷの裏面と接触する接触部２０１に付着しないようにすることが好ましい。なぜなら、処理中の半導体ウエハＷ又は次の半導体ウエハＷにリンス液又は現像液が付着するのを抑制でき、それによる半導体ウエハＷの部分的な温度変化、或いは半導体ウエハＷに付着したリンス液又は現像液が乾燥しシステム内にパーティクルを発生するのを抑制でき、もって半導体ウエハＷの歩留まりを向上することができるからである。
【０１２８】
次に、図１３に基づいて本実施例の支持機構３５の他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１２９】
この支持機構３５は図１３に示すように、リング部材３７に複数設けられた洗浄ノズル４１１からは、前述するリンス液供給源４１５によりリンス液が供給される。また、支持機構３５には、気体供給機構４１６から気体、例えばクリーンエアー又は窒素等を気体を噴出する気体ノズル４１７が複数（図中便宜上一箇所）設けられている。
【０１３０】
このように支持機構３５を構成したことで、現像処理後における洗浄ノズル４１１からの洗浄後の乾燥工程を、より確実に、より早く行うことができ、処理のスループットを向上することができる。
【０１３１】
次に、図１４に基づいて本実施例の支持機構３５の他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１３２】
この支持機構３５は図１４に示すように、リング部材３７に複数設けられた洗浄ノズル４１１からは、前述するリンス液供給源４１５によりバルブＶＡ１を介してリンス液が供給され、また、洗浄ノズル４１１には、バルブＶＡ２を介して気体供給機構４１６から気体、例えばクリーンエアー又は窒素等の気体を噴出自在に構成されている。
【０１３３】
このように、洗浄ノズル４１１からはバルブＶＡ１，２の切り替えにて適宜、洗浄液と気体とが選択的に吐出自在に構成されていので、洗浄ノズル４１１から洗浄液を吐出した後、気体を吐出すれば、洗浄ノズル４１１自体に付着した洗浄液も吹き飛ばすことができ、洗浄後の乾燥工程を、より確実に、より早く行うことができ、処理のスループットを向上することができる。また、洗浄ノズルと気体ノズルとを別体で設ける必要が無いのでリング部材３７のシステムを簡素化でき小型化を図ることができる。
【０１３４】
次に、図１５に基づいて本実施例のレジスト処理装置１における液処理装置としての塗布処理部ＣＯＴ及び／又は現像処理部ＤＥＶにて使用する処理液、例えばレジスト液或いは現像液を収納する収納容器の配置場所についての実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。
【０１３５】
収納容器４９９は図１５に示すように、インタフェースユニット部ＩＦＵの下方位置に配置されている。この配置位置としては、基板受渡部８，９の基板搬入出口１９の下部より垂直方向の距離Ｖ１００下方に配置された露光装置３と基板を受渡しする渡し部４或いは受取部５より垂直方向の距離Ｖ１０１下方に設定されている。この配置位置に設定されるのは、処理液、例えばレジスト液或いは現像液が熱影響にて劣化等の影響を極力抑制するためである。すなわち、基板搬入出口１９の下方位置に置く理由としてはプロセスユニット部ＰＵ内の熱処理部等からの熱が万が一にも基板搬入出口１９を介して伝達されるのを抑制し、露光装置３と基板を受渡しする渡し部４或いは受取部５より下方に配置するのは露光装置３からの熱が万が一にも渡し部４或いは受取部５を介して伝達されるのを抑制するためであり、また、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達はそれらを設けてある壁の下方よりは上方に影響を与えるため、壁からの熱をも抑制することができるためである。さらに、インタフェースユニット部ＩＦＵ内は少なくとも基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５に対して温度調節されたダウンフローＤＦが直接作用するように構成され、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達を緩和するように構成されている。
【０１３６】
このように、インタフェースユニット部ＩＦＵとプロセスユニット部ＰＵとを仕切る壁からの熱をさらに抑制するために、プロセスユニット部ＰＵ内の処理部、例えば複数の現像処理部ＤＥＶ（複数の塗布処理部ＣＯＴ）の排気は一括してカセットユニット部ＣＵ側にそれぞれのブロックで纏められブロック毎の排気径路５０１，５０２が形成されている。当然の如く、図示していないがプロセスユニット部ＰＵ内の熱処理部においてもカセットユニット部ＣＵ側にそれぞれのブロック或いは処理温度の関係で同種の熱処理部毎に纏められ排気径路が形成されるよう構成されている。
【０１３７】
また、塗布処理部ＣＯＴ及び／又は現像処理部ＤＥＶにて実働的に使用する処理液、例えばレジスト液或いは現像液を収納する収納容器の配置場所としてはプロセスユニット部ＰＵ内の処理部、例えば複数の現像処理部ＤＥＶ（複数の塗布処理部ＣＯＴ）の下方位置５０４，５０５に配置することが考えられる。この場合、ブロック毎の排気径路５０１，５０２の直下領域及びこれらの排気径路５０１，５０２が設けられる壁と接して収納容器を配置するのは好ましくない。ブロック毎の排気径路５０１，５０２の直下から水平方向の距離Ｈ１００，Ｈ１０１分（熱影響が問題とならない距離）だけ距離をおいて配置する方が好ましい。
【０１３８】
さらに、本液処理装置１の熱源としての装置全体を制御する制御装置の配置位置としては、インタフェースユニット部ＩＦＵとプロセスユニット部ＰＵに配置するのは好ましくなく、カセットユニット部ＣＵに配置するのが好ましい。さらに、この配置位置としてはプロセスユニット部ＰＵの各処理部に熱の伝達或いはプロセスユニット部ＰＵを介してインタフェースユニット部ＩＦＵに熱の伝達を抑制するために基板受渡部８，９の基板搬入出口１９の上部より垂直方向の距離Ｖ１０２上方に設定されている。
【０１３９】
上述したように、装置内の熱の影響をも考慮することで、処理液の劣化等を抑制するとともに、基板の熱影響を抑制し基板の歩留まりを向上することができる。
【０１４０】
また、上述の基板として半導体ウエハを用いて説明したが、これに限定せず、例えばＬＣＤ基板等のガラス基板でも良いし、ＣＤ等のディスク等の基板でも良いことは言うまでもなく、また、液処理としては、現像・塗布に限定せず洗浄装置等にも使用しても良く、処理液を使用する方法或いは装置であればこれに限定するものではないことは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、半導体製造装置における現像装置及び液処理装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明に係る塗布・現像装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。
【図２】現像処理部（ＤＥＶ）の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３】（ａ）は図２の現像処理部（ＤＥＶ）の要部の支持機構を説明する概略斜視図である。（ｂ）は図２の現像処理部（ＤＥＶ）の要部の支持機構を説明する概略断面図である。
【図４】（ａ）は図２の現像処理部（ＤＥＶ）の説明を示す概略平面図である。（ｂ）は現像処理部（ＤＥＶ）の要部を説明する概略断面図である。（ｃ）は現像処理部（ＤＥＶ）の要部を説明する概略断面図である。（ｄ）は現像処理部（ＤＥＶ）の要部を説明する概略断面図である。
【図５】塗布処理部（ＣＯＴ）の一実施形態を示す概略断面図である。
【図６】図５の塗布処理部（ＣＯＴ）を説明する概略平面図である。
【図７】（ａ）は現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の支持機構を説明する概略斜視図である。（ｂ）は現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の支持機構を説明する概略断面図である。
【図８】（ａ）は現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の要部を示す概略断面図である。（ｂ）は現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の要部を示す概略断面図である。
【図９】現像処理部（ＤＥＶ）の他のカップの実施形態を示す概略斜視図である。
【図１０】現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図１１】図１０の現像処理部（ＤＥＶ）を説明する概略平面図である。
【図１２】（ａ）現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の支持機構を説明する概略斜視図である。（ｂ）現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の支持機構を説明する概略断面図である。
【図１３】現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の支持機構を説明する概略断面図である。
【図１４】現像処理部（ＤＥＶ）の他の実施形態の支持機構を説明する概略断面図である。
【図１５】液処理装置における処理液を収納する収納容器の配置場所について説明する斜視図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１；レジスト処理装置
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
ＣＵ；カセットユニット部
ＩＦＵ；インタフェースユニット部
ＣＯＴ；塗布処理部
ＤＥＶ；現像処理部
ＰＵ；プロセスユニット部
３０，１００；エアー供給機構
３１；制御機構
３５，１０４；支持機構
３７；リング部材（液侵入防止機構）
３２，１０２；チャック（保持機構）
α；第一の周辺域
β；第二の周辺域
６０，１１０；カップ（第一の囲い体）
７５，１１３；壁部（第二の囲い体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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