(57)【要約】【課題】解像性、焦点深度に優れ、スカムや現像欠陥の発生を抑制したポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】ヒドロキシスチレンから誘導される第１の構成単位（ａ１）、及びアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される第２の構成単位（ａ２）を含み、質量平均分子量が２０００以上８５００以下であり、かつ前記構成単位（ａ１）の水酸基と前記構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基との合計の１０モル％以上２５モル％以下が酸解離性溶解抑制基により保護されている共重合体を含む、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）と、ポリプロピレングリコール（Ｃ）とを含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドロキシスチレンから誘導される第１の構成単位（ａ１）、及びアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される第２の構成単位（ａ２）を含み、質量平均分子量が２０００以上８５００以下であり、かつ前記構成単位（ａ１）の水酸基と前記構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基との合計の１０モル％以上２５モル％以下が酸解離性溶解抑制基により保護されている共重合体を含む、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）と、ポリプロピレングリコール（Ｃ）とを含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
前記ポリプロピレングリコール（Ｃ）の含有量が、（Ａ）成分に対して０．１〜１０質量％である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ａ）において、前記酸解離性溶解抑制基で保護する前の前記共重合体における前記構成単位（ａ１）と前記構成単位（ａ２）とのモル比が８５：１５〜７０：３０である請求項１又は２記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記構成単位（ａ２）がアルコール性水酸基を有する脂肪族多環式基含有（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位である請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記の構成単位（ａ２）がアルコール性水酸基を有するアダマンチル基含有（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位である請求項４記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記酸解離性溶解抑制基が１−低級アルコキシアルキル基である請求項１〜５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
前記樹脂（Ａ）において、前記共重合体がさらにスチレンから誘導される第３の構成単位（ａ３）を含むものである請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
前記樹脂（Ａ）において、前記酸解離性溶解抑制基で保護する前の前記共重合体の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ比）が２．０以下である請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】
前記酸発生剤（Ｂ）がジアゾメタン系酸発生剤又はオニウム塩から選ばれる少なくとも一つを含む請求項１〜８のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】
さらに含窒素有機化合物（Ｄ）を含む請求項１〜９のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該ポジ型レジスト膜に対して選択的に露光処理を行った後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１２】
前記アルカリ現像してレジストパターンを形成した後、さらに前記レジストパターンにサーマルフロー処理を施して該レジストパターンを狭小化させる請求項１１記載のレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速に微細化が進んでいる。微細化の手法としては一般に露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を用いた量産が開始され、さらに、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）が導入され始めている。また、それより短波長のＦ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）や、ＥＵＶ（極紫外線）、電子線、Ｘ線、軟Ｘ線などについても検討が行われている。
【０００３】
また、微細化の速度がますます加速するなかで、最近では、１００ｎｍ以下のラインアンドスペース、１４０ｎｍ以下のホールパターン、さらには７０ｎｍ以下のアイソレートパターンを形成可能な解像度が求められるようになっている。そのため、パターン形成方法の面からも、レジスト材料のもつ解像度の限界を超える技術の研究・開発が行われている。
そのような微細化技術の１つとして、最近、通常のリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成した後、該レジストパターンに熱処理を行い、パターンサイズを微細化するサーマルフロープロセスが提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。サーマルフローは、ホトリソグラフィー技術により一旦レジストパターンを形成した後、レジストを加熱し、軟化させ、パターンの隙間方向にフローさせることにより、レジストが形成されていない部分のサイズ（ホールパターンの孔径やラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）パターンのスペース幅など）を小さくする方法である。
【０００４】
一方、微細な寸法のパターンを再現可能な高解像性の条件を満たすレジスト材料の１つとして、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化するベース樹脂と、露光により酸を発生する酸発生剤を有機溶剤に溶解した化学増幅型レジスト組成物が知られている。
化学増幅型レジスト組成物としては、例えばＫｒＦエキシマレーザーリソグラフィーにおいては、ベース樹脂として、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）に対する透明性が高いポリヒドロキシスチレンやその水酸基の一部を酸解離性の溶解抑制基で保護したポリヒドロキシスチレン系樹脂を含むポジ型レジスト組成物等が一般的に用いられている（例えば、特許文献３，４参照）。酸解離性溶解抑制基としては、１−エトキシエチル基に代表される鎖状エーテル基又はテトラヒドロピラニル基に代表される環状エーテル基等のいわゆるアセタール基、ｔｅｒｔ−ブチル基に代表される第３級アルキル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基に代表される第３級アルコキシカルボニル基等が主に用いられている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３５６８５０号公報
【特許文献２】
特開２０００−１８８２５０号公報
【特許文献３】
特開平４−２１１２５８号公報
【特許文献４】
特開２００２−２８７３６３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなポリヒドロキシスチレン系樹脂をベース樹脂としたポジ型レジスト組成物においては、高解像性のレジストパターンを得るためには、該樹脂中の水酸基の酸解離性溶解抑制基による保護割合が高い方が好ましい。
しかし、酸解離性溶解抑制基による保護割合を高くすると、溶解抑制効果が高くなるため、露光部が現像液に十分に溶けずに残ってしまい、露光部にスカムが生じるという問題があった。また、現像欠陥が生じやすいという問題があった。また、このスカムは、窒化チタン等の含窒素基板を用いた場合に特に顕著に発生する基板依存性もある。さらに、酸解離性溶解抑制基によって、未露光部の疎水性が高まるため、現像後のリンス工程においてリンス液とのなじみが悪くなり、未露光部に残さが付着したまま残るという問題も生じていた。
したがって、酸解離性溶解抑制基による保護割合を高くするには限界があり、スカム、現像欠陥を低減しつつ高解像性のレジストパターンを得ることは困難であった。
また、特許文献４には、ベース樹脂として、ヒドロキシスチレンと２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートとの重合体にポリプロピレングリコールを添加することでスカムが改善された化学増幅型ポジ型レジスト組成物が開示されているが、該重合体を用いたポジ型レジストでは、スカムは改善されるものの、解像性、焦点深度は不十分いう問題があった。
【０００７】
よって本発明の課題は、解像性、焦点深度に優れ、スカムや現像欠陥の発生を抑制したポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意検討を行った結果、樹脂成分として特定のポリヒドロキシスチレン系共重合体を含み、該ポリヒドロキシスチレン系共重合体にポリプロピレングリコールを組み合わせたポジ型レジスト組成物が、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明の第一の発明は、ヒドロキシスチレンから誘導される第１の構成単位（ａ１）、及びアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される第２の構成単位（ａ２）を含み、質量平均分子量が２０００以上８５００以下であり、かつ前記構成単位（ａ１）の水酸基と前記構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基との合計の１０モル％以上２５モル％以下が酸解離性溶解抑制基により保護されている共重合体を含む、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）と、ポリプロピレングリコール（Ｃ）とを含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
また、本発明の第二の発明は、前記ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該ポジ型レジスト膜に対して選択的に露光処理を行った後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法である。
【０００９】
本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、メタクリル酸とアクリル酸の一方あるいは両方を意味する。「構成単位」とは、重合体を構成するモノマー単位を意味する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂（Ａ）（以下、（Ａ）成分という）と、露光により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という）と、ポリプロピレングリコール（Ｃ）（以下、（Ｃ）成分という）とを含む。
（Ａ）成分においては、露光により前記（Ｂ）成分から発生した酸が作用すると、（Ａ）成分中の酸解離性溶解抑制基が解離し、これによって（Ａ）成分全体がアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化する。そのため、レジストパターンの形成においてマスクパターンを介して露光すると又は露光に加えて露光後加熱すると、露光部はアルカリ可溶性へ転じる一方で未露光部はアルカリ不溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりポジ型のレジストパターンが形成できる。
【００１１】
本発明のポジ型レジスト組成物は、特定の共重合体と（Ｃ）成分とが組み合わされていることを特徴とするものである。特定の共重合体と（Ｃ）成分とを併用することにより、高解像性で、焦点深度に優れ、スカムや現像欠陥の発生が改善されたレジストパターンを形成することができる。また、スカムの基板依存性も低く、どのような基板に対しても適用可能である。スカムの改善は、露光部における（Ｂ）成分からの酸の発生と、酸解離性溶解抑制基の解離を（Ｃ）成分が促進し、現像液に対する溶け残り（スカム）の発生を抑制しているためと推測される。
また、（Ｃ）成分を含有することにより、焦点深度が広がり、露光時におけるフォーカスマージンが大きくなる。
さらに、（Ｃ）成分を含有することにより、該ポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジストがフローする温度が低くなるので、レジストパターン形成後にさらにサーマルフロー処理を行う際、より低温で処理を行うことができる。
また、本発明のポジ型レジスト組成物は、サーマルフロー処理を有するパターン形成方法によって、例えばＫｒＦエキシマレーザーで約９０ｎｍというような微細なレジストパターンを形成することができる。これは、加熱により、（Ａ）成分の構成単位（ａ１）と（ａ２）との間に架橋反応が生じ、レジスト組成物の保存安定性に悪影響を与えるおそれのある架橋剤（後述する（Ｅ）成分）を含まない組成であっても、良好なフローレートが得られるためと推測される。
【００１２】
≪（Ａ）成分≫
本発明において、（Ａ）成分は、ヒドロキシスチレンから誘導される第１の構成単位（ａ１）、及びアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される第２の構成単位（ａ２）を含み、質量平均分子量が２０００以上８５００以下であり、かつ前記構成単位（ａ１）の水酸基と前記構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基との合計の１０モル％以上２５モル％以下が酸解離性溶解抑制基により保護されている共重合体（以下、共重合体（Ａ１）という）を含む。
この共重合体（Ａ１）は、前記第１の構成単位（ａ１）および第２の構成単位（ａ２）のほかに、さらにスチレンから誘導される第３の構成単位（ａ３）を有していてもよい。
【００１３】
＜第１の構成単位（ａ１）＞
共重合体（Ａ１）の第１の構成単位（ａ１）は、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位であり、下記一般式（Ｉ）で表される。即ち、ここでのヒドロキシスチレンとは、文字どおりのヒドロキシスチレン又はα−メチルヒドロキシスチレンの両方を意味する。
下記一般式（Ｉ）で表される、第１の構成単位（ａ１）において、水酸基の位置は、ｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよいが、容易に入手可能で低価格であることからｐ−位が好ましい。
【００１４】
【化１】
2005004092.tif 000002
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である。）
【００１５】
＜第２の構成単位（ａ２）＞
共重合体（Ａ１）の第２の構成単位（ａ２）は、アルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
本発明において、（Ａ）成分は、この第２の構成単位（ａ２）を含有することにより、従来のポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂よりも、アルカリ現像液に対する溶解性が低下している。そして、それによって従来よりも低い特定の保護率であっても、アルカリ現像液に対する十分な不溶性が得られ、解像性が改善されている。また、保護率が従来よりも低いので、スカムの発生も低減されている。
すなわち、従来のポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂は、該保護した単位以外は全てヒドロキシスチレン単位であった。このためアルカリ現像液に対する溶解性は本発明の（Ａ）成分に比べて大きい。これに対し、本発明においては、このヒドロキシスチレン単位に変えて、よりアルカリ溶解性に劣るアルコール性水酸基をベース樹脂側鎖中の一部に導入しうる構成単位を用いることにより、アルカリ現像液に対する溶解性を低下させている。
【００１６】
第２の構成単位（ａ２）は、そのような作用を有する限り、アルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位であれば、限定されるものではないが、高解像性、対ドライエッチング性に優れることから、アルコール性水酸基を有する脂肪族多環式基含有（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましいものとして挙げられる。
上記アルコール性水酸基を有する脂肪族多環式基含有（メタ）アクリル酸エステルを構成する脂肪族多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テロラシクロアルカンなどから１個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。この様な脂肪族多環式基は、ＡｒＦレジスト等において多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。これらの中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上好ましい。
【００１７】
特に、第２の構成単位（ａ２）として好適に用いることができるのは、下記一般式（ＩＩ）で表される、少なくとも一つのアルコール性水酸基を有するアダマンチル基含有（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
下記一般式（ＩＩ）で表される第２の構成単位（ａ２）の中で最も好ましいのは下記一般式（ＩＩａ）で表される構成単位である。
【００１８】
【化２】
2005004092.tif 000003
（式中Ｒは水素原子又はメチル基、ｘは１〜３の整数である。）
【００１９】
＜酸解離性溶解抑制基＞
共重合体（Ａ１）において、第１の構成単位（ａ１）の水酸基と第２の構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基のうち一部の水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されている必要がある。
前記酸解離性溶解抑制基としては、従来の化学増幅型のＫｒＦ用ポジ型レジスト組成物およびＡｒＦ用ポジ型レジスト組成物における、酸解離性溶解抑制基として提案されているものを適宜用いることができる。そのような酸解離性溶解抑制基としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１−メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロヘキシル基等の鎖状又は環状の第３級アルキル基；テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等の環状エーテル基；又は下記一般式（ＩＩＩ）で表される１−低級アルコキシアルキル基等を用いることができる。この中でも、特に一般式（ＩＩＩ）で表される１−低級アルコキシアルキル基が好ましい。
一般式（ＩＩＩ）で表される１−低級アルコキシアルキル基は、好ましくは炭素数２〜９、より好ましくは炭素数２〜５の鎖状、分岐状、又は環状アルキル基の１位が、好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数２〜６の鎖状、分岐状、又は環状のアルコキシ基で置換された基であることが好ましい。
該１−低級アルコキシアルキル基の具体例としては、１−エトキシエチル基、１−イソプロポキシエチル基のような鎖状又は分岐状アルコキシアルキル基、１−シクロヘキシルオキシエチル基のような環状アルコキシアルキル基が挙げられ、それらの中でも特に解像性能に優れることから、１−エトキシエチル基が好ましい。
【００２０】
【化３】
2005004092.tif 000004
（式中、Ｒ１は炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ２は炭素数１〜８の鎖状又は分岐状のアルキル基、または炭素数５〜７のシクロアルキル基を表す。）
【００２１】
本発明において、共重合体（Ａ１）における水酸基の保護割合は、第１の構成単位（ａ１）の水酸基と第２の構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基との合計の１０モル％以上２５モル％以下の範囲であり、好ましくは１５モル％以上２０モル％以下である。
水酸基の保護割合を、上記範囲の上限以下とすることにより、スカムや現像欠陥を効果的に防止することができ、上記範囲の下限以上とすることにより、良好な解像性が得られる。
第１の構成単位（ａ１）の水酸基と第２の構成単位（ａ２）のアルコール性水酸基がそれぞれどの程度保護されているかは、限定されないが、第１の構成単位（ａ１）の水酸基（ヒドロキシスチレンのフェノール性水酸基）のみ、又は（ａ１）の水酸基および（ａ２）のアルコール性水酸基の両方が酸解離性溶解抑制基で保護されている方が好ましい。
また、酸解離性溶解抑制基にも依存するが、（ａ１）の水酸基および（ａ２）のアルコール性水酸基の両方が酸解離性溶解抑制基で保護される場合がより好ましい。
【００２２】
＜第３の構成単位（ａ３）＞
共重合体（Ａ１）の第３の構成単位（ａ３）は、スチレンから誘導される構成単位であり、下記一般式（ＩＶ）で表される。即ち、ここでのスチレンとは、文字どおりのスチレン又はα−メチルスチレンの両方を意味する。
【００２３】
【化４】
2005004092.tif 000005
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である。）
【００２４】
共重合体（Ａ１）において、前記酸解離性溶解抑制基で保護する前の共重合体の前記構成単位（ａ１）と前記構成単位（ａ２）とのモル比、すなわち第１の構成単位：第２の構成単位は、８５：１５〜７０：３０の範囲内であることが好ましく、より好ましい範囲は８２：１８〜７８：２２である。構成単位（ａ２）が、上記の範囲より多いと現像液に対する溶解性が不足し、他方少ないと構成単位（ａ２）を用いたことによる効果が十分に得られない。
また、（Ａ）成分においては、前記酸解離性溶解抑制基で保護する前の共重合体（Ａ１）における構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）の合計が、共重合体（Ａ１）全体において、９０モル％以上であることが好ましく、これより少ないと解像性が劣化する傾向がある。構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）の合計は、より好ましくは９５モル％以上であり、１００モル％でもよい。
【００２５】
本発明において、構成単位（ａ３）は必須ではないが、これを含有させると焦点深度が向上したり、耐ドライエッチング性が向上するなどの利点が得られる。構成単位（ａ３）を用いる場合は、共重合体（Ａ１）を構成する構成単位の合計の０．５〜１０モル％とすることが好ましく、より好ましくは２〜５モル％である。第３の構成単位（ａ３）が上記範囲より多いと現像液に対する溶解性が劣化する傾向にある。
【００２６】
第１の構成単位（ａ１）と第２の構成単位（ａ２）を必須の構成単位とする共重合体（Ａ１）の、水酸基の一部が酸解離性溶解抑制基で保護される前における質量平均分子量（Ｍｗ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算、以下同様。）は２０００以上８５００以下とする必要があり、好ましくは４５００以上８５００以下である。Ｍｗを２０００以上とすることによって対エッチング性や耐熱性に優れたものとなる。また、Ｍｗを８５００以下とすることによってスカムの発生を低減することができる。また、マイクロブリッジの発生を防止することができる。ここで、マイクロブリッジとは、現像欠陥の一種で、例えばラインアンドスペースパターンにおいて、隣接するレジストパターンの表面に近い部分どうしがレジストでつながれて橋かけ状態になった欠陥をいう。マイクロブリッジは、Ｍｗが高いほど、またレジストパターン形成時の露光後加熱（ＰＥＢ）の温度が高いほど、発生し易い。
【００２７】
また、前記共重合体（Ａ１）は、水酸基の一部が酸解離性溶解抑制基で保護される前における分散度（Ｍｗ／Ｍｎ比）が小さい単分散であると解像性に優れ好ましい。具体的には、２．０以下が好ましく、１．８以下がより好ましい。
【００２８】
共重合体（Ａ１）は、例えば、水酸基が保護されていない構成単位（ａ１）に相当するモノマーと、水酸基が保護されていない構成単位（ａ２）に相当するモノマーとを共重合させた後、構成単位（ａ１）および／または（ａ２）の水酸基を、周知の手法により酸解離性溶解抑制基で保護する方法により製造することができる。
また、予め水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護された構成単位（ａ１）に相当するモノマーを調製し、これと構成単位（ａ２）に相当するモノマーを常法により共重合させた後、加水分解により、酸解離性溶解抑制基で保護された水酸基の一部を水酸基に変え、さらに必要であれば構成単位（ａ２）の水酸基を、周知の手法により酸解離性溶解抑制基で保護する方法によっても製造することができる。
【００２９】
（Ａ）成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記共重合体（Ａ１）の他に、レジストパターン形成時に用いる露光光源の種類に応じて、例えば従来の化学増幅型のＫｒＦ用ポジ型レジスト組成物およびＡｒＦ用ポジ型レジスト組成物のベース樹脂として提案されているものを適宜含んでいても良い。
（Ａ）成分中に占める共重合体（Ａ１）の割合は、好ましくは８０〜１００質量％であり、最も好ましくは１００質量％である。
【００３０】
本発明のポジ型レジスト組成物における（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚に応じて調整すればよい。一般的には、固形分濃度にして、８〜２５質量％、より好ましくは１０〜２０質量％である。
【００３１】
≪（Ｂ）成分≫
本発明において、酸発生剤成分（Ｂ）としては、従来、化学増幅型レジストにおける酸発生剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
中でもジアゾメタン系酸発生剤やオニウム塩類が好ましい。
ジアゾメタン系酸発生剤の具体例としては、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
オニウム塩類の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートが挙げられる。オニウム塩類のなかでもフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましい。
ジアゾメタン系酸発生剤は中性の反射防止膜上で本発明のレジスト組成物を用いる場合、良好な形状が得られ好ましく、オニウム塩類は酸性の反射防止膜上で本発明のレジスト組成物を用いる場合、良好な形状が得られ好ましい。
【００３２】
（Ｂ）成分として、１種の酸発生剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｂ）成分の使用量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、１〜２０質量部、好ましくは２〜１０質量部とされる。上記範囲より少ないとパターン形成が十分に行われないし、上記範囲を超えると均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となるおそれがある。
【００３３】
≪（Ｃ）成分≫
本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる（Ｃ）成分の含有量は、特に制限はないが、（Ａ）成分に対し、好ましくは０．１〜１０質量％、より好ましくは０．５〜３質量％である。０．１質量％以上含有することにより、十分な高解像性と、スカム低減効果とが得られる。また、該ポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジストのフロー温度を、サーマルフロー処理し易い温度に低下させることができる。一方、１０質量％を越えると、焦点深度特性が悪化する恐れがある。
また、（Ｃ）成分は、Ｍｗが２００以上４０００以下であることが好ましく、１０００以上３０００以下であることがより好ましい。Ｍｗが２００以上であると耐エッチング性や耐熱性に優れたものとなる。一方、Ｍｗが４０００以下であると、スカムの発生を効果的に抑制でき、優れたものとなる。
【００３４】
≪その他の成分≫
＜含窒素有機化合物（Ｄ）＞
本発明のポジ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物を配合させることができる。この含窒素有機化合物は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよいが、第２級低級脂肪族アミンや第３級低級脂肪族アミンが好ましい。
ここで低級脂肪族アミンとは炭素数５以下のアルキルまたはアルキルアルコールのアミンを言い、この第２級や第３級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられるが、特にトリエタノールアミンのようなアルカノールアミンが好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのアミンは、（Ａ）成分に対して、通常０．０１〜１．０質量％の範囲で用いられる。
【００３５】
また、前記（Ｄ）成分との配合による感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の（Ｅ）成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。なお、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分は併用することもできるし、いずれか１種を用いることもできる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ‐ｎ‐ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸‐ジ‐ｎ‐ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
（Ｅ）成分は、（Ａ）成分１００質量部当り０．０１〜５．０質量部の割合で用いられる。
【００３６】
＜架橋剤（Ｆ）＞
本発明のポジ型レジスト組成物を、後述のサーマルフロー処理を含む工程に使用する場合、架橋剤（Ｆ）（以下、（Ｆ）成分という）を含有させてもよい。
このような（Ｆ）成分は、加熱により（Ａ）成分と反応して架橋を形成する成分であり、サーマルフロー処理に好適な化学増幅型レジスト組成物における架橋剤成分として知られているものを適宜使用することができる。
具体的には、（Ｆ）成分として、架橋性の少なくとも２個のビニルエーテル基を有する化合物を用いることができ、アルキレングリコールやジアルキレングリコール、トリアルキレングリコールなどのポリオキシアルキレングリコールや、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリット、ペンタグリコールなどの多価アルコールの少なくとも２個の水酸基をビニルエーテル基で置換した化合物を用いることができる。好ましい（Ｆ）成分の具体例としては、シクロヘキシルジメタノールジビニルエーテルが挙げられる。
これらの（Ｆ）成分を用いる場合、（Ａ）成分に対して、通常０．１〜２５質量％、好ましくは１〜１５質量％の範囲で用いられる。（Ｆ）成分は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
＜その他の任意成分＞
本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。
【００３８】
＜有機溶剤＞
本発明のポジ型レジスト組成物は、必須成分である（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分、および必要に応じて（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分等の任意の成分を、有機溶剤に溶解させて製造することができる。
有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種又は２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルピン酸メチル、ピルピン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
【００３９】
特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）、γ−ブチロラクトン等のヒドロキシ基やラクトンを有する極性溶剤との混合溶剤は、ポジ型レジスト組成物の保存安定性が向上するため、好ましい。ＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比が６：４〜４：６であると好ましい。
【００４０】
本発明のポジ型レジスト組成物は、特にＫｒＦエキシマレーザーに有用であるが、それより短波長のＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、電子線、Ｘ線、軟Ｘ線などの放射線に対しても有効である。
【００４１】
この様な構成により得られる本発明のポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジストパターンは、高解像性であり、スカムや現像欠陥の発生が低減されている。また、露光時の焦点深度のフォーカスマージンも大きい。さらに、レジストパターンの現像後にサーマルフロー処理を行う場合に、処理温度を低くすることができる。
【００４２】
《レジストパターン形成方法》
本発明のレジストパターン形成方法は、上述した本発明のポジ型レジスト組成物を用いて、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まずシリコンウェーハのような支持体上に、本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、９０〜１２０℃の温度条件下、プレベークを４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施し、レジスト膜を形成する。これに例えばＫｒＦ露光装置などにより、ＫｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、９０〜１２０℃の温度条件下、ＰＥＢ（露光後加熱）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施す。
次いでこれをアルカリ現像液、例えば０．０５〜１０質量％、好ましくは０．０５〜３質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理した後、リンス処理を行って、支持体上の現像液および該現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させる。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。なお、ポストベークを行っても良い。
【００４３】
本発明のポジ型レジスト組成物は基板依存性が低く、スカムが発生しにくいので、支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、窒化チタン等の、従来はスカムの発生しやすかった含窒素基板にも適用可能である。
従来公知の支持体としては、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたものなどを例示することができる。
基板としては、例えばシリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウムなどの金属製の基板や、ガラス基板などが挙げられる。
配線パターンの材料としては、例えば銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、金などが使用可能である。
なお、支持体とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けることもできる。
【００４４】
本発明のレジストパターン形成方法においては、このようにして形成されたレジストパターンにサーマルフロー処理を施してレジストパターンを狭小化する工程を設けることが好ましい。
サーマルフロー処理は、レジストパターンを１回以上加熱することによって行われる。加熱の回数を多くした方が、単位温度当たりのレジストパターンサイズの変化量（以下、フローレートということもある）が小さくなるので好ましいが、工程数が増え、処理に要する時間が長くなって、スループットが悪化する面もある。
ここで、サーマルフロー処理におけるフローレートが小さい方が、狭小化されたレジストパターンにおける、ウエーハ上のパターン寸法の面内均一性が高く、レジストパターンの断面形状も優れたものとなる。レジスト膜厚が１０００ｎｍ以下であれば、膜厚によるフローレートへの影響はほとんど無い。
【００４５】
サーマルフロー処理における加熱温度は１００〜２００℃、好ましくは１１０〜１８０℃の範囲から、レジストパターンの組成に応じて選択される。加熱を２回以上行う場合、第２回目以降の加熱は、第１回目の加熱と同じ温度またはそれ以上の温度で行う。
加熱時間は、スループットに支障がなく、所望のレジストパターンサイズが得られる範囲であればよく、特に制限されないが、通常は、各回の加熱を３０〜２７０秒間の範囲内とするのが好ましく、より好ましくは６０〜１２０秒間の範囲内とする。
【００４６】
本発明のレジストパターン形成方法によって得られるレジストパターンは、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて行うので、解像性が高く、スカムや現像欠陥の発生も少ない。また、露光時の焦点深度のフォーカスマージンも大きい。
また、サーマルフロー処理を有するレジストパターン形成方法は、通常の方法では形成が困難な微細なレジストパターン、例えばＫｒＦエキシマレーザを用いた１２０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンや、１４０ｎｍ以下のホールパターン等の形成に好適に用いられ、最も微小なレジストパターンサイズで９０ｎｍレベルのパターンも形成可能である。
【００４７】
【実施例】
以下、本発明を実施例を示して詳しく説明する。
実施例１
まず（Ａ）成分を用意した。すなわち、ｐ−ヒドロキシスチレンと前記一般式（ＩＩａ）において、Ｒがメチル基であるアダマンタノールメタクリレートの共重合体（モル比８：２、Ｍｗ８５００、Ｍｗ／Ｍｎ１．７８）とエチルビニルエーテルとを、酸触媒下で公知の手法により反応させて、前記共重合体の水酸基を１−エトキシエチル基で保護した樹脂を（Ａ）成分として使用した。
この樹脂を１Ｈ−ＮＭＲで分析した結果、ｐ−ヒドロキシスチレンとアダマンタノールの合計水酸基の数に対する１−エトキシエトキシ基の数は２０％であった。これより、水酸基の保護割合が２０モル％であると認められた。
この（Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｂ）成分としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン１０質量部およびトリフェニルスルホニムトリフルオロメタンスルホネート２質量部と、（Ｃ）成分としてポリプロピレングリコール（Ｍｗ１０００）１．５質量部、（Ｄ）成分としてトリエタノールアミン０．２４質量部およびトリイソプロパノールアミン０．０３質量部を、ＰＧＭＥＡとＥＬの混合溶剤（ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比が６：４）に５００質量部に溶解させてポジ型レジスト組成物を得た。
【００４８】
一方、８インチのシリコンウェーハ上に有機反射防止膜（ブリューワーサイエンス社製、商品名ＤＵＶ−４４）を２０５℃で加熱して膜厚６５ｎｍに形成した基板を用意した。
上記で得られたポジ型レジスト組成物を、基板上にスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で１００℃、９０秒間プレベークして、乾燥させることにより、膜厚４１０ｎｍのレジスト層を形成した。
ついで、ＫｒＦスキャナーＳ２０３Ｂ（Ｎｉｋｏｎ社製、ＮＡ（開口数）＝０．６８，２／３輪帯照明）により、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を、６％ハーフトーン（Ｈ．Ｔ．）レクチルを介して露光した後、１００℃、６０秒間の条件でＰＥＢ処理し、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間パドル現像し、その後１５秒間、純水を用いて水リンスした。振り切り乾燥を行った後、１００℃で６０秒間加熱して乾燥させてレジストパターンを形成した。
【００４９】
このようにして１００ｎｍのラインアンドスペースパターンが良好な形状で形成された。また、そのレジストパターンを形成した基板の表面の状態（スカム、残さ等）を側長ＳＥＭにて観察したところ、スカムや残さは見られなかった。また、ＫＬＡテンコール社製の表面欠陥観察装置（ＫＬＡ２１３２）を用いて観察したところ、現像欠陥の一種であるマイクロブリッジは見られなかった。焦点深度幅は０．４μｍであった。
【００５０】
比較例１
実施例１において、ポリプロピレングリコールを加えなかった以外は実施例１と同様にして、レジスト組成物を調製し、次いで同様にしてレジストパターンを形成した。
このようにして口径１５０ｎｍのレジストホールパターンが形成された。また、そのレジストパターンを形成した基板の表面の状態（スカム、残さ等）を側長ＳＥＭにて観察したところ、スカムや残さが見られた。また、ＫＬＡテンコール社製の表面欠陥観察装置（ＫＬＡ２１３２）を用いて観察したところ、がマイクロブリッジは発生していなかった。焦点深度幅は０．６μｍであった。
【００５１】
比較例２
実施例１において、ｐ−ヒドロキシスチレンと前記一般式（ＩＩａ）において、Ｒがメチル基であるアダマンタノールメタクリレートの共重合体（モル比９：１、Ｍｗ１００００、Ｍｗ／Ｍｎ２．２）とエチルビニルエーテルとを、酸触媒下で公知の手法により反応させて、前記共重合体の水酸基を１−エトキシエチル基で保護した樹脂を（Ａ）成分として使用した。
この樹脂を１Ｈ−ＮＭＲで分析した結果、ｐ−ヒドロキシスチレンとアダマンタノールの合計水酸基の数に対する１−エトキシエトキシ基の数は４０％であった。これより、水酸基の保護割合が４０モル％であると認められた。
この（Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｂ）成分としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン１０質量部およびトリフェニルスルホニムトリフルオロメタンスルホネート２質量部と、（Ｃ）成分としてポリプロピレングリコール（Ｍｗ１０００）１．５質量部、（Ｄ）成分としてトリエタノールアミン０．２４質量部およびトリイソプロパノールアミン０．０３質量部を、ＰＧＭＥＡとＥＬの混合溶剤（ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比が６：４）に５００質量部に溶解させてポジ型レジスト組成物を得た。
【００５２】
上記レジスト組成物を用い、実施例１と同様な方法でレジストパターンを形成したところ、口径１５０ｎｍのホールパターンが形成されたが、未露光部の膜減りした不良なパターンであった。その焦点深度幅は０．７μｍであった。また、そのレジストパターンを形成した基板の表面の状態（スカム、残さ等）を側長ＳＥＭにて観察したところ、スカムや残さは見られなかった。しかし、ＫＬＡテンコール社製の表面欠陥観察装置（ＫＬＡ２１３２）を用いて観察したところ、マイクロブリッジが発生していた。
【００５３】
実施例２
実施例１において同様のポジ型レジスト組成物を用意した。一方、８インチのシリコンウェーハ上に有機反射防止膜（ブリューワーサイエンス社製、商品名ＤＵＶ−４４）を２０５℃で加熱して膜厚６５ｎｍに形成した基板を用意した。
上記で得られたポジ型レジスト組成物を、基板上にスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で１００℃、９０秒間プレベークして、乾燥させることにより、膜厚５６０ｎｍのレジスト層を形成した。
ついで、ＫｒＦスキャナーＳ２０３Ｂ（Ｎｉｋｏｎ社製、ＮＡ（開口数）＝０．６３，２／３輪帯照明）により、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を、８％ハーフトーン（Ｈ．Ｔ．）レクチルを介して位相シフト法により露光した後、１１０℃、６０秒間の条件でＰＥＢ処理し、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間パドル現像し、その後１５秒間、純水を用いて水リンスした。振り切り乾燥を行った後、１００℃で６０秒間加熱して乾燥させて、口径１５０ｎｍのレジストホールパターンを形成した。続いて、上記レジストホールパターンが形成された基板に対して、ホットプレートを用いて所定条件で加熱するサーマルフロー処理行って、狭小化されたレジストホールパターンを得た。
サーマルフロー処理における加熱条件を変化させながら、得られたレジストホールパターンの寸法を測定し、これによりフローレートを求めた。すなわち、上記のようにして口径１５０ｎｍのレジストホールパターンが形成された基板を５枚用意し、それぞれに対して、１５０℃、１５５℃、１６０℃、１６５℃の各温度で９０秒間加熱した。いずれの温度においても、加熱によりレジストホールパターンの口径が狭小化して良好な形状の狭小化レジストホールパターンが得られるが、温度によって狭小化後の口径が異なる。そこで、温度を横軸とし、各温度におけるレジストパターの寸法変化量（口径の変化量）を縦軸としたグラフを作成し、このグラフから狭小化後のレジストパターンの寸法（口径）が９０ｎｍとなるときの、単位温度変化量（℃）当たりのレジストパターン寸法変化量、すなわちフローレートを求めた。
狭小化後のレジストパターンの寸法（口径）は、１５０℃で１２２ｎｍ、１５５℃で８８ｎｍ、１６０℃以降ではホールパターンが埋まってしまった。口径１００ｎｍとなるときのフローレートは４ｎｍ／℃であった。
【００５４】
比較例３
比較例１で用いたレジスト組成物を用いて、実施例２と同様にサーマルフロー処理を行った。
狭小化後のレジストパターンの寸法（口径）は、１５０℃で１４３ｎｍ、１５５℃で１４３ｎｍ、１６０℃で１３１ｎｍ、１６５℃で１１９ｎｍであり、実施例２の場合と比べると、単位温度変化量（℃）あたりのレジストパターン寸法変化量が小さいことがわかる。
【００５５】
実施例３
実施例１で用いた（Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｂ）成分としてトリフェニルスルホニムトリフルオロメタンスルホネート２質量部とトリフェニルスルホニムトリノナフルオロブタンスルホネート３質量部、（Ｃ）成分としてポリプロピレングリコール（Ｍｗ１０００）０．５質量部、（Ｄ）成分としてトリエタノールアミン０．２７質量部およびトリイソプロパノールアミン０．０９質量部を、ＰＧＭＥＡとＥＬの混合溶剤（ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比が６：４）に５００質量部に溶解させてポジ型レジスト組成物を得た。
【００５６】
一方、８インチのシリコンウェーハ上に有機反射防止膜（ブリューワーサイエンス社製、商品名ＤＵＶ−４２）を加熱して膜厚６５ｎｍに形成した基板を用意した。
上記で得られたポジ型レジスト組成物を、基板上にスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒間プレベークして、乾燥させることにより、膜厚２７０ｎｍのレジスト層を形成した。
ついで、ＫｒＦスキャナーＳ２０５（Ｎｉｋｏｎ社製、ＮＡ（開口数）＝０．７５，２／３輪帯照明）により、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を、６％ハーフトーン（Ｈ．Ｔ．）レクチルを介して露光した後、１１０℃、６０秒間の条件でＰＥＢ処理し、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間パドル現像し、その後１５秒間、純水を用いて水リンスした。振り切り乾燥を行った後、１００℃で６０秒間加熱して乾燥させてレジストパターンを形成した。
【００５７】
このようにして口径１１０ｎｍのラインアンドスペースパターンが形成された。また、そのレジストパターンを形成した基板の表面の状態（スカム、残さ等）を側長ＳＥＭにて観察したところ、スカムや残さは見られなかった。また、ＫＬＡテンコール社製の表面欠陥観察装置（ＫＬＡ２１３２）を用いて観察したところ、現像欠陥の一種であるマイクロブリッジは見られなかった。焦点深度幅は０．４μｍであった。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のポジ型レジスト組成物によれば、良好な解像性が得られるとともに、スカムを低減させることができる。
本発明のレジストパターン形成方法によれば、解像性が高く、焦点深度幅が広く、かつスカムや現像欠陥の発生が防止される。そのため、レジストパターン形成後にサーマルフロー処理を行う場合であっても、処理後の狭小化レジストパターンは高解像性でスカムの発生のない良好なものである。