(57)【要約】  【課題】  熱応力あるいは外部からの機械的衝撃による接合破壊を有効に防止でき、かつ気密信頼性の高い蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。  【解決手段】  光を透過させるための開口部を有する平板状の金属枠体１と、開口部の周囲に低融点ガラス３から成る封止材を介して接合されたガラス材から成る窓体２とを具備しており、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部が形成された基体４の上面にシーム溶接される蓋体Ｂであって、金属枠体１は、シーム溶接される部位の厚みが0.1乃至0.2ｍｍであり、それ以外の部位の厚みが0.3乃至0.5ｍｍである。【選択図】  図１
2005191313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過させるための開口部を有する平板状の金属枠体と、前記開口部を覆うように下側主面の外周部が前記開口部の周囲に低融点ガラスから成る封止材を介して接合されたガラス材から成る窓体とを具備しており、前記金属枠体の下側主面の外周部が、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部が形成された基体の上面にシーム溶接される蓋体であって、前記金属枠体は、シーム溶接される部位の厚みが0.1乃至0.2ｍｍであり、それ以外の部位の厚みが0.3乃至0.5ｍｍであることを特徴とする蓋体。
【請求項２】
上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する前記基体と、前記基体の上面に前記凹部を塞ぐようにシーム溶接される請求項１記載の蓋体とを具備することを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部からの機械的衝撃や振動あるいは水分の浸入から光半導体素子を保護するための蓋体および光半導体素子収納用パッケージに関し、特にＣＣＤ，ＣＭＯＳ等の撮像素子、光スイッチ，ミラーデバイス等のＭＥＭＳ、ＣＤ，ＤＶＤ用のＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子等を保護するための蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の急激な移動体通信機器の軽薄短小化に伴い、機器に搭載される光半導体素子を気密に封止する光半導体素子収納用パッケージも軽薄短小化が進んでいる。
【０００３】
従来の蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージを図２に示す。図２において、Ａは蓋体、11は金属枠体、12は窓体、13は低融点ガラス、14は基体である。
【０００４】
このような光半導体素子収納用パッケージは、光を透過させるための開口部を有する金属枠体11および金属枠体11の開口部を覆うように低融点ガラス13を介して接合された透光性の窓体12から成る蓋体Ａと、切削やプレス等の機械加工が可能な鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属材料から成るとともに上面の中央部に光半導体素子（図示せず）を収容し搭載するための凹部を有する基体14とから構成され、蓋体Ａと基体14とはシーム溶接等で接合される。
【特許文献１】特開2002−33407号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の光半導体素子収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）において、軽薄短小化を図ると金属枠体11の厚みが薄くなることから、蓋体Ａと基体14とをシーム溶接する際に発生する熱によって金属枠体11と窓体12との熱膨張係数の違いから蓋体Ａに大きな応力が発生し、これにより蓋体Ａが変形することで接合材である低融点ガラス13に応力が作用して低融点ガラス13と金属枠体11との間で剥離の発生や窓体12の破壊が起こりやすいという問題点もあった。つまり、パッケージの気密性が低下し基体14の凹部に収容し搭載する光半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができないという問題点を有していた。
【０００６】
また、金属枠体11は厚みが薄いことから撓みやすいものとなり、外部からの振動や機械的衝撃が加わった際に容易に撓むことで、金属枠体11と窓体12との接合部および金属枠体11と基体14との接合部に応力が集中し、これらの接合部に剥離やクラック等が発生しやすくなるとともに窓体12が金属枠体11の撓みにより破壊されやすくなる。すなわち、パッケージの機械的信頼性および気密性が低下しやすいという問題点も有していた。
【０００７】
したがって、本発明はかかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、熱応力あるいは外部からの機械的衝撃による接合破壊を有効に防止でき、かつ気密信頼性の高い蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の蓋体は、光を透過させるための開口部を有する平板状の金属枠体と、前記開口部を覆うように下側主面の外周部が前記開口部の周囲に低融点ガラスから成る封止材を介して接合されたガラス材から成る窓体とを具備しており、前記金属枠体の下側主面の外周部が、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部が形成された基体の上面にシーム溶接される蓋体であって、前記金属枠体は、シーム溶接される部位の厚みが0.1乃至0.2ｍｍであり、それ以外の部位の厚みが0.3乃至0.5ｍｍであることを特徴とする。
【０００９】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する前記基体と、前記基体の上面に前記凹部を塞ぐようにシーム溶接される本発明の蓋体とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の蓋体によれば、光を透過させるための開口部を有する平板状の金属枠体と、開口部を覆うように下側主面の外周部が開口部の周囲に低融点ガラスから成る封止材を介して接合されたガラス材から成る窓体とを具備しており、金属枠体の下側主面の外周部が、凹部が形成された基体の上面にシーム溶接される蓋体であって、金属枠体は、シーム溶接される部位の厚みが0.1乃至0.2ｍｍであり、それ以外の部位の厚みが0.3乃至0.5ｍｍであることから、金属枠体と基体とをシーム溶接する際に発生する熱を金属枠体に効率的に拡散させることができ、熱による金属枠体の寸法変化を小さくすることができるので、蓋体と基体とをシーム溶接する際に発生する熱による蓋体の変形を防止することができる。その結果、窓体の破壊や金属枠体と窓体との間で生じる剥離を有効に防止することができる。
【００１１】
また、金属枠体の基体にシーム溶接される部位以外の部位の厚みを厚くすることから、金属枠体の機械的強度が高まり、外部から振動や機械的衝撃が加わった際に金属枠体が撓み難くなるので、金属枠体と窓体との接合部および金属枠体と基体との接合部に応力が集中してこれらの接合部に剥離やクラック等が発生することや金属枠体の撓みにより窓体が破壊されることを有効に防止することができる。
【００１２】
さらに、蓋体を構成する金属枠体が撓み難くなり、外部から振動や衝撃等が加わった際の窓体の変形や動きも小さくすることができることから、窓体を透過する光が窓体の変形や動きにより生じる光学特性を劣化させる屈折や反射等を有効に抑制することができ、光学特性の優れた蓋体とすることができる。
【００１３】
本発明の光半導体素子収納用パッケージによれば、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する基体と、この基体の上面に凹部を塞ぐようにシーム溶接される本発明の蓋体とを具備することから、基体と蓋体とがシーム溶接されることによって基体の凹部に光半導体素子が気密に収容されるとともにシーム溶接の際に加えられる熱によって低融点ガラスを介して接合された金属枠体と窓体とが熱応力あるいは外部からの機械的衝撃によって剥離することを有効に抑制できる。その結果、良好な光学特性の光半導体素子収納用パッケージを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明の蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。  
図１は、本発明の蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図１において、Ｂは本発明の蓋体、１は金属枠体、２は窓体、３は低融点ガラス、４は基体、５はシーム溶接部、６はガラス封止部を示し、主に金属枠体１、窓体２および低融点ガラス３によって本発明の蓋体Ｂが構成され、蓋体Ｂおよび基体４によって本発明の光半導体素子収納用パッケージが構成される。
【００１５】
蓋体Ｂを構成する金属枠体１は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や42アロイ（Ｆｅ(48％)−Ｎｉ(42％)合金），50アロイ（Ｆｅ(50％)−Ｎｉ(50％)合金）等の金属材料から成る板材であり、主面の中央部に光を透過させるための開口部と成る貫通孔が切削加工や金型成形により形成される。
【００１６】
なお、本実施の形態例における金属枠体１は、縦32.8乃至33.2ｍｍ×横24.8乃至25.2ｍｍの四角平板状のものであり、基体４は、外形が縦31.8乃至32.2ｍｍ×横23.8乃至24.2ｍｍ×高さ4.8乃至5.2ｍｍで、上面中央部に縦27.8乃至28.2ｍｍ×横19.8乃至20.2ｍｍ×高さ3.8乃至4.2ｍｍの凹部が形成された四角枡形のものである。しかし、これらの形状に限らず、例えば、金属枠体１が円板状や多角形の平板状のものであり、基体４がこれに応じた形状のものであってもよい。
【００１７】
金属枠体１の基体４にシーム溶接される部位以外の部位（以下、金属枠体１の主要部ともいう）の厚みが0.3ｍｍ未満であると、蓋体Ｂと基体４とをシーム溶接する際の外部からの機械的応力により金属枠体１に変形が生じるとともに、この変形が接合材である低融点ガラス３に作用して金属枠体１と低融点ガラス３との間で剥離が生じるやすくなる。また、金属枠体１の主要部の厚みが0.5ｍｍを超えると、金属枠体１と低融点ガラス３の熱膨張率の違いによる蓋体Ｂと基体４とのシーム溶接時の寸法変化が顕著となり、金属枠体１と低融点ガラス３との間に大きな熱応力が生じて金属枠体１と低融点ガラス３との間で剥離が生じるやすくなる。したがって、金属枠体１の主要部の厚みは0.3乃至0.5ｍｍの範囲とするのが好ましい。
【００１８】
また、金属枠体１のシーム溶接される部位の厚みが0.1ｍｍ未満であると、低融点ガラス３や窓体２を金属枠体１に接合する工程における熱履歴等の影響により金属枠体１のシーム溶接される部位が変形しやすくなる。また、金属枠体１のシーム溶接される部位の厚みが0.2ｍｍを超えると、シーム溶接時のシーム溶接部５への電流印加が不足となりシーム溶接部５の表面に被着されているＮｉめっき層が十分に溶融せず基体４と蓋体Ｂとの気密封止が困難と成りやすくなる。したがって、金属枠体１のシーム溶接される部位の厚みは0.1乃至0.2ｍｍの範囲とするのが好ましい。
【００１９】
また、金属枠体１の主要部の側面と基体４の光半導体素子を収容する凹部の内側面との間に適度なクリアランスを確保することが好ましい。これにより、蓋体Ｂと基体４とをシーム溶接する際、基体４に対して蓋体Ｂを容易に精度良く位置決めできるので作業性が向上する。また、シーム溶接の熱により発生する蓋体Ｂの寸法変化を吸収することができるので、蓋体Ｂと基体４とが干渉して基体４にクラックや破壊の原因となる応力が発生することを有効に防止することができる。
【００２０】
さらに、金属枠体１の主要部の側面は金属枠体１のシーム溶接される部位から基体４側の主面に向かうに伴って狭くなるような傾斜面としてもよい。これにより、パッケージに外部から振動や機械的衝撃が加わった際、金属枠体１の主要部の側面と金属枠体１のシーム溶接される部位との間の角に発生する応力を効果的に分散することができるので、機械的信頼の高い蓋体およびパッケージとすることができる。
【００２１】
また、金属枠体１の表面のガラス封止部６以外の領域には、例えばＮｉ等の各種めっき層を0.1乃至9μｍの厚みで被着させておくとよい。これにより、金属枠体１の腐食を有効に防止することができるとともに、金属枠体１と基体４とをシーム溶接により溶着する際の接合材とすることができる。
【００２２】
また、金属枠体１の表面に約600℃の温度で酸化膜を被着させてもよい。これにより、金属枠体１と低融点ガラス３との接合強度を高くしやすくなり、機械的信頼性を高めることができる。
【００２３】
蓋体Ｂを構成する窓体２は、両主面に反射防止膜が被着された厚み0.5乃至１ｍｍのガラス材から成ることが好ましい。窓体２の厚みが0.5ｍｍ未満であると、金属枠体１に接合する工程における熱履歴等の影響で金属枠体１が変形することにより窓体２が割れやすくなる。また、窓体２の厚みが１ｍｍを超えると、パッケージの軽薄短小化がしにくくなりやすい。したがって、窓体２の厚みは0.5乃至１ｍｍの範囲とするのが好ましい。
【００２４】
窓体２の材質は、例えばホウケイ酸ガラスやソーダガラス，サファイヤガラス等の硬質ガラス材料から成り、一般にこれら材料を板状のウエハに成形し、ウエハ表面を研磨した後、個片に切り出すことによって製作される。なお、窓体２となるウエハには通常は光透過性を良くするために反射防止膜が塗布あるいは蒸着により被着される。この反射防止膜は、チタニア（ＴｉＯ２）やシリカ（ＳｉＯ２），ジルコニア（ＺｒＯ２），アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等を真空蒸着法や高周波イオンプレーティング法，スパッタリング法等により多層積層して形成される。また、反射防止膜の総厚みは0.1乃至5.0μｍとするのが反射防止膜の耐熱性および低融点ガラス３との密着性を確保する上で好ましい。
【００２５】
窓体２をウエハから切り出して個片にするには、例えば直径が６インチ、厚みが0.5乃至１ｍｍのウエハをＳＵＳ（ステンレススチール）製の枠板に貼り付けられた厚さ90μｍの塩化ビニル製のフィルムの中央部に粘着させ、しかる後、直径80ｍｍ、厚み0.15ｍｍの円形刃をセットしたダイシング装置により、円形刃の回転数20,000ｒｐｍ以上、円形刃の送り速度20ｍｍ／ｓｅｃの条件で個片に切断し窓体２と成す。
【００２６】
低融点ガラス３は、例えば鉛ケイ酸塩ガラス（ＰｂＯ−ＳｉＯ２系，ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系等）やホウ酸塩ガラス（Ｂ２Ｏ３系,Ｌｉ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系,Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系等）,リン酸塩ガラス（Ｎａ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５系,Ｂ２Ｏ３−Ｐ２Ｏ５系等），リン酸スズ亜鉛ガラス（Ｐ２Ｏ５−ＳｎＯ−ＺｎＯ系）等から成り、地球環境を汚染する虞のない鉛フリーガラスであるホウ酸塩ガラスやリン酸塩ガラス，リン酸スズ亜鉛ガラス等がより好ましい。
【００２７】
このような低融点ガラス３は、低融点ガラス３の粉末に有機溶剤および溶媒を添加混合して得た混合ペーストを、厚みが100乃至300μｍとなるようにスクリーン印刷やディスペンサにより金属枠体１のガラス封止部６に塗布し、大気中で温度約350乃至470℃で溶融させて金属枠体１に被着される。しかる後、窓体２を低融点ガラス３が塗布された上記の金属枠体１上に載置し、大気中において430℃で約５分間加熱し低融点ガラス３を溶融させることにより金属枠体１の開口部を覆うように窓体２の下側主面の外周部が金属枠体１の開口部の周囲に低融点ガラス３を介して接合される。これにより本発明の蓋体Ｂを得ることができる。
【００２８】
また、低融点ガラス３が被着されるガラス封止部６の幅は、0.5乃至２ｍｍとするのが好ましい。幅が0.5ｍｍ未満であると、低融点ガラス３の量が不足することとなり窓体２と金属枠体１とを低融点ガラス３を介して接合させた際、接合面積が小さくなることから気密不良や接合強度の低下が発生しやすくなる。また、ガラス封止部６の幅が２ｍｍを超えると、低融点ガラス３の量が過多となり窓体２と金属枠体１とを低融点ガラス３を介して接合させた際、低融点ガラス３が金属枠体１の開口部の内側に流れ込み平面視で金属枠体１の開口部の面積が小さくなり、窓体２の光の透過率が悪くなる傾向がある。
【００２９】
次に、本発明の光半導体素子収納用パッケージについて、図１に基づいて詳細に説明する。基体４は、その上面中央部に光半導体素子（図示せず）を収容し搭載するための凹部が設けられており、この凹部の底面には、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device），ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の撮像素子や光スイッチ，ミラーデバイス等のＭＥＭＳ（Micro Electronic Mechanical System）、ＣＤ（Compact Disc），ＤＶＤ用（Digital Video Disc）のＬＤ（Laser Diode），ＰＤ（Photo Diode）等の光半導体素子がガラスや樹脂，ろう材等の接着剤を介して接着固定される。
【００３０】
また、基体４の凹部の内側面や底面より基体４の外部にかけて、ガラス材により気密封止されるとともに基体４と絶縁された複数のリード端子（図示せず）や複数のメタライズ配線層(図示せず)が設けられており、これらリード端子やメタライズ配線層の基体４の凹部の底面や側面に位置する部位と光半導体素子の各電極とがボンディングワイヤ等（図示せず）を介して電気的に接続される。また、これらリード端子やメタライズ配線層の外部に導出される部位は外部電気回路基板の配線導体（図示せず）に導電性接続部材を介して電気的に接続される。そして、基体４の上面に凹部を塞ぐように蓋体Ｂがシーム溶接等の抵抗溶接にて接合される。
【００３１】
基体４と蓋体Ｂとのシーム溶接は、基体４の上面の凹部の外周部であるシーム溶接部５に蓋体Ｂを載置し、窒素雰囲気中で蓋体Ｂを基体４側に溶接用の電極で１乃至５ＭＰａ程度の一定圧力に加圧するとともに2.5乃至４Ｖで110乃至140Ａの通電を行ないつつ電極を移動させながらシーム溶接部５に被着されているＮｉめっき層と蓋体Ｂの下面外周部に被着されているＮｉめっき層とを溶着させることにより気密に接合が行なわれる。
【００３２】
基体４は、材質が例えば42アロイやＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成ることが好ましく、これら金属の母材を基体４に対応した形状を有する打抜き金型で打抜いたり、切削加工等を行なったりすることによって製作される。なお、基体４には、その表面に耐食性に優れ金−錫半田等のろう材との濡れ性の良好な金等の貴金属を、例えば厚み0.1乃至９μｍのＮｉ層などを下地に被着した上に電解めっき法等により0.1乃至１μｍの厚さに被着させておくのが好ましい。
【００３３】
一方、基体４が絶縁材料から成る場合は、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，ガラスセラミックス等の無機材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、先ずアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤や溶媒を添加混合して泥漿状と成し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用してシート状に成形してセラミックグリーンシートを得、しかる後、セラミックグリーンシートを所定形状に打抜き加工等を行ない、これら複数枚を積層し、約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【００３４】
また、メタライズ配線層およびシーム溶接部５に被着されるメタライズ金属層（図示せず）は、タングステンやモリブデン，マンガン等の高融点金属から成り、これらの粉末に有機溶剤や溶媒を添加混合して得た金属ペーストをそれぞれセラミックグリーンシートの所定位置に従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに被着形成させておき、セラミックグリーンシートと同時に焼成することにより形成される。なお、基体４の上面の凹部の外周部であるシーム溶接部５のメタライズ金属層の表面には本発明の蓋体Ｂとシーム溶接するためにＮｉめっき層が0.1乃至９μｍの厚みに電解めっき法等で被着される。そして、基体４の上面のシーム溶接部５に形成されたメタライズ金属層の表面のＮｉめっき層と蓋体Ｂの下面外周部に被着されたＮｉめっき層とがシーム溶接により溶融して接合される。
【００３５】
かくして本発明の蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージによれば、基体４の凹部の底面に光半導体素子を接着剤等を介して搭載するとともに光半導体素子の各電極をボンディングワイヤ等を介してリード端子やメタライズ配線層に接続し、しかる後、基体４の上面に凹部を塞ぐように蓋体Ｂをシーム溶接して接合、封止することによって製品としての光半導体装置となる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージの実施例について説明する。
【００３７】
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る厚み0.2ｍｍ，0.3ｍｍ，0.5ｍｍ，0.6ｍｍの金属板材を切削加工により切断して外形寸法33ｍｍ×25ｍｍ、開口部の形状が寸法20ｍｍ×15ｍｍの四角平板状とし、シーム溶接される部位の厚みが0.07ｍｍ，0.1ｍｍ，0.2ｍｍ，0.25ｍｍから成る金属枠体１をそれぞれの寸法ごとに10個ずつ製作した。次にその表面に600℃の温度で酸化膜付けを行なった。
【００３８】
続いて、外形寸法が23ｍｍ×18ｍｍ×１ｍｍのホウケイ酸ガラスから成る窓体２を用意し、そして、軟化点280℃の鉛ケイ酸塩ガラス（ＰｂＯ−ＳｉＯ２）から成る低融点ガラス３をディスペンサで金属枠体１のガラス封止部６に幅1.6ｍｍで厚み1.0ｍｍに塗布し、次に金属枠体１と窓体２とを430℃のヒーターブロック上で２分間加熱することによって低融点ガラス３を溶融させて接合し蓋体Ｂを製作した後に、2.5Ｖ，120Ａを通電することにより基体４とシーム溶接を行なった。
【００３９】
評価は金属枠体１と基体４の封止性の確認と、低融点ガラス３および窓体２にクラックが入っていないことについて目視検査により行なった。尚、封止性の評価はヘリウムリーク試験機（（株）ＵＬＶＡＣ社製、HELIUM LEAK DETECTOR HELIOT、MODEL-305）を使用し、目視検査には10乃至40倍の双眼顕微鏡を用いた。
【００４０】
なお、ヘリウムリーク試験の合否の判断は、MIL-STD-883 METHOD 1014.10 SEALの規格によりリークオーダーが1×10-9Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ以下を合格とすることから、リークオーダーが1×10-9Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ以下を○（合格）とし、1×10-9Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃを超えるものを×（不合格）とした。クラックについてはクラックの発生がなかった場合に○（合格）、発生があった場合に×（不合格）とした。その結果を表１に示す。
【表１】
2005191313.tif 000003
【００４１】
（試料No．１，２，３，４）では、金属枠体１の変形が原因と思われる低融点ガラス３のクラックの発生が見られ、ヘリウムリークも確認された。
【００４２】
（試料No．５，８，９，12）では、低融点ガラス３のクラックは発見されないものの、ヘリウムリークが確認された。
【００４３】
（試料 No．13，14，15, 16）においては、金属枠体１と低融点ガラス３の熱膨張率の違いによる熱応力の原因と思われる低融点ガラス３のクラックが発見され、ヘリウムリークも確認された。
【００４４】
これに対して、本発明の範囲内（試料No．６，７，10，11）の試料では、低融点ガラス３から成る封止材や窓体２の割れ等は見られず、またヘリウムリーク試験においても1×10−９Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ以下と良好な結果が得られた。
【００４５】
したがって、金属枠体１の主要部の厚みは0.3乃至0.5ｍｍ、シーム溶接される部位の厚みは0.1乃至0.2ｍｍの範囲とすることが有効であることがわかった。
【００４６】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の例では光半導体素子としてＣＣＤ，ＣＭＯＳ等の撮像素子や光スイッチ，ミラーデバイス等のＭＥＭＳ、ＣＤ，ＤＶＤ用のＬＤ，ＰＤ等を例に挙げ、これを収容したパッケージについて詳述したが、圧電振動子や弾性表面波素子等の電子部品を一緒に収容した電子機器にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の蓋体および光半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来の蓋体および光半導体素子収納用パッケージの例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
Ｂ・・・蓋体
１・・・金属枠体
２・・・窓体
３・・・低融点ガラス
４・・・基体
５・・・シーム溶接部
６・・・ガラス封止部
【図１】
2005191313.tif 000004
【図２】
2005191313.tif 000005