(57)【要約】【課題】描画データのデータ量を考慮してレイアウトパターンデータを作成する。【解決手段】判別式に基づいて、ＧＤＳデータをＥＢデータに変換した際のデータ量が規定値以下かどうかを判断し、テンプレートサイズやディセクションルールなどのパラメータを変更しながら、判別式を満たすまでＧＤＳデータの生成を繰り返す。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画データのデータ量を表す関数に基づいて光近接効果補正が施されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
レイアウトパターンデータの描画データへの変換結果に基づいて、レイアウトパターンデータに制限値を設定する制限値設定手段と、
前記制限値を満たしたレイアウトパターンデータを生成するレイアウトパターンデータ生成手段と、
前記レイアウトパターンデータ生成手段により生成されたレイアウトパターンデータに基づいて光近接効果補正を行う光近接効果補正手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項３】
前記レイアウトパターンデータ生成手段は、
前記レイアウトパターンデータのテンプレートサイズを変更するテンプレートサイズ変更手段と、
前記レイアウトパターンデータのディセクションルールを変更するディセクションルール変更手段とを備えることを特徴とする請求項２記載の光近接効果補正装置。
【請求項４】
前記レイアウトパターンデータに制限値は、前記レイアウトパターンデータを描画データへ変換した時のデータ量が規定値を超えないように設定されることを特徴とする請求項３記載の光近接効果補正装置。
【請求項５】
レイアウトパターンデータを描画データへ変換した時のデータ量を判別する判別式を与えるステップと、
前記判別式に基づいて、レイアウトパターンデータを描画データへ変換した時のデータ量を判別するステップと、
前記判別結果に基づいて、前記レイアウトパターンデータを更新するステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項６】
前記レイアウトパターンデータを更新するステップは、
前記レイアウトパターンデータのテンプレートサイズを変更するステップと、
前記レイアウトパターンデータのディセクションルールを変更するステップとを備えることを特徴とする請求項５記載の光近接効果補正方法。
【請求項７】
半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、
描画データのデータ量を表す関数に基づいて光近接効果補正が施された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、
前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
レイアウトパターンデータの描画データへの変換結果に基づいて、レイアウトパターンデータに制限値を設定するステップと、
前記制限値を満たしたレイアウトパターンデータを生成するステップと、
前記生成されたレイアウトパターンデータに基づいて光近接効果補正を行うステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、ＧＤＳデータをＥＢデータに変換する方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
フォトリソグラフィー工程で用いられる露光用マスクでは、露光用マスク作成時のレイアウトパターンデータとして、レイアウトパターンが多角形で表現されたＧＤＳＩＩデータフォーマットを用いたものがある。そして、露光用マスクを作成する場合、ＧＤＳＩＩデータフォーマットで表現されたレイアウトパターンデータ（以下、ＧＤＳデータと呼ぶ）を電子ビーム描画用の描画データ（以下、ＥＢデータと呼ぶ）に変換して、電子ビームによるマスクパターンの形成が行われる。
【０００３】
また、例えば、特許文献１には、設計データのフォーマット変換処理およびデータ実行処理の高速化を図り、フォーマット変換後のメモリ容量を縮小して製品コストの縮小を図るために、フォーマット変換が終了した１検査フィールド単位の検査データの検査処理を行う間に、次に処理する少なくとも１以上の検査データを生成して、データ変換と検査処理を並行させる方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−２８２３４９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＧＤＳデータがテンプレートと呼ばれる２層のデータ構造を有し、繰り返しデータなどに対して実体のないデータを保持することが可能なのに対し、ＥＢデータは、繰り返しデータに対しても全て実体を有するデータとして扱われる。
【０００６】
このため、従来の光近接効果補正方法では、モデルベースでＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）処理されたＧＤＳデータをＥＢデータに変換すると、データ量が飛躍的に増大し、フォーマット変換処理に時間がかかったり、フォーマット変換後のメモリ容量が飛躍的に増加したりするという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、描画データのデータ量を考慮してレイアウトパターンデータを作成することが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、描画データのデータ量を表す関数に基づいて光近接効果補正が施されていることを特徴とする。
これにより、描画データのデータ量を低減させることを可能としつつ、光近接効果補正を施すことが可能となる。このため、データ量の増大を抑制しつつ、レイアウトパターンデータを描画データに変換することが可能となり、レイアウトパターンデータを描画データに変換する際の時間を短縮することが可能となるとともに、メモリ容量を削減することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、レイアウトパターンデータの描画データへの変換結果に基づいて、レイアウトパターンデータに制限値を設定する制限値設定手段と、前記制限値を満たしたレイアウトパターンデータを生成するレイアウトパターンデータ生成手段と、前記レイアウトパターンデータ生成手段により生成されたレイアウトパターンデータに基づいて光近接効果補正を行う光近接効果補正手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、レイアウトパターンデータの描画データへの変換結果を考慮してレイアウトパターンデータを作成することが可能となり、レイアウトパターンデータを描画データに変換した際のトラブルの発生を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記レイアウトパターンデータ生成手段は、前記レイアウトパターンデータのテンプレートサイズを変更するテンプレートサイズ変更手段と、前記レイアウトパターンデータのディセクションルールを変更するディセクションルール変更手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、光近接効果補正されたレイアウトパターン自体を変更することなく、描画データへの変換後のデータ量が削減されるように、レイアウトパターンデータを変更することができ、光近接効果補正された露光マスクを効率よく作成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記レイアウトパターンデータに制限値は、前記レイアウトパターンデータを描画データへ変換した時のデータ量が規定値を超えないように設定されることを特徴とする。
【００１２】
これにより、描画データに変換した際のデータ量の増大が抑制されるように、レイアウトパターンデータを生成することが可能となり、光近接効果補正された露光マスクを効率よく作成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、レイアウトパターンデータを描画データへ変換した時のデータ量を判別する判別式を与えるステップと、前記判別式に基づいて、レイアウトパターンデータを描画データへ変換した時のデータ量を判別するステップと、前記判別結果に基づいて、前記レイアウトパターンデータを更新するステップとを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、レイアウトパターンデータを扱うことで光近接効果補正を可能としつつ、レイアウトパターンデータを描画データに変換した際のデータ量の増大を抑制することができ、光近接効果補正された露光マスクを効率よく作成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、前記レイアウトパターンデータを更新するステップは、前記レイアウトパターンデータのテンプレートサイズを変更するステップと、前記レイアウトパターンデータのディセクションルールを変更するステップとを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、描画データへの変換後のデータ量が削減されるようにレイアウトパターンデータを変更した場合においても、光近接効果補正されたレイアウトパターン自体に及ぼす影響を抑制することが可能となり、光近接効果補正された露光マスクを効率よく作成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、描画データのデータ量を表す関数に基づいて光近接効果補正が施された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、描画データのデータ量が削減された露光マスクを用いてフォトリソグラフィーを行うことが可能となり、露光用マスクの作成時間の短縮化を図りつつ、露光マスクで規定されたパターンに忠実にイオン注入処理またはエッチング処理を行うことが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、レイアウトパターンデータの描画データへの変換結果に基づいて、レイアウトパターンデータに制限値を設定するステップと、前記制限値を満たしたレイアウトパターンデータを生成するステップと、前記生成されたレイアウトパターンデータに基づいて光近接効果補正を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、レイアウトパターンデータの描画データへの変換結果を考慮してレイアウトパターンデータを作成することが可能となり、レイアウトパターンデータを描画データに変換した際のトラブルの発生を防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャートである。
【００１８】
図１において、半導体製造プロセスなどのフォトリソグラフィー工程で用いられる露光マスクを作成する場合、設計パターンデータに対してＯＰＣ処理を施すことにより、ＯＰＣ処理されたＧＤＳデータを生成する（ステップＳ１）。なお、ＯＰＣ処理されたレイアウトパターンは、例えば、ＧＤＳＩＩデータフォーマットで表現することができる。また、ＧＤＳＩＩデータフォーマットで表現されたＧＤＳデータを生成する場合、Ｐｒｏｔｅｕｓというソフトウェアを用いることができる。なお、Ｐｒｏｔｅｕｓでは、テンプレートと呼ばれる２層構造のデータを扱うことができる。
【００１９】
次に、判別式に基づいて、ＧＤＳデータをＥＢデータに変換した際のデータ量が規定値以下かどうかを判断する（ステップＳ２）。
ここで、判別式としては、ＧＤＳデータとＥＢデータとの間の相関を導き出し、ＧＤＳデータとＥＢデータとの関係を関数として捉えることができる。
例えば、ＥＢ容量（ＥＢデータのデータ量）は、以下の式で与えることができる。
【００２０】
ＥＢ容量＝｛ｆ（Ｔｅｍｐｌａｔｅ  Ｓｉｚｅ）＊ｇ（Ｄｉｓｅｃｓｓｉｏｎ  ｒｕｌｅ）｝ｈ（ＧＤＳ容量）
ただし、＊は演算子、ｆ（Ｔｅｍｐｌａｔｅ  Ｓｉｚｅ）はテンプレートサイズの関数、ｇ（Ｄｉｓｅｃｓｓｉｏｎ  ｒｕｌｅ）はディセクションルールの関数、ｈ（ＧＤＳ容量）はＧＤＳ容量（ＧＤＳデータのデータ量）の関数を示す。なお、テンプレートサイズは、レイアウトパターンにＯＰＣを施すための処理単位、ディセクションルールは、レイアウトパターンのエッジを動かす時のエッジの細分化方法を示す。
【００２１】
そして、ＧＤＳデータとＥＢデータとの関係が関数として与えられると、その関数を踏まえながら、ＧＤＳデータに制限値を設けることができる。そして、その制限値をクリアしたかどうかを判断することにより、ＧＤＳデータをＥＢデータに変換した際のデータ量が規定値以下かどうかを判断することができる。
そして、ステップＳ２で設定された判別式を満たさない場合、テンプレートサイズやディセクションルールなどのパラメータを変更しながら、ステップＳ２で設定された判別式を満たすまで、ＧＤＳデータの生成を繰り返す（ステップＳ３、Ｓ４）。
【００２２】
そして、ステップＳ２で設定された判別式を満たしたＧＤＳデータが生成されると、元のデータ、決定条件、処理数などの出力結果をデータベース化する（ステップＳ５）。なお、ステップＳ２〜Ｓ４までの処理をシェルスクリプト化し、完全自動化を図るようにしてもよい。
一方、ＧＤＳデータの生成を規定回数だけ繰り返しても、ステップＳ２で設定された判別式を満たしたＧＤＳデータが得られない場合、処理を強制終了させる。
【００２３】
これにより、光近接効果補正されたレイアウトパターン自体を変更することなく、ＥＢデータへの変換後のデータ量が削減されるように、ＧＤＳデータを変更することができ、光近接効果補正された露光マスクを効率よく作成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【図１】
2005055465.tif 000003