(57)【要約】【課題】  小さな加圧圧力にて電気的な導通状態が達成され、長期間にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下に使用した場合でも、良好な電気的接続状態が安定に維持される異方導電性コネクター装置及びこの異方導電性コネクター装置を具えた回路装置の検査装置を提供する。【解決手段】  本発明の異方導電性コネクター装置は、導電路形成部に突起部を有し、突起部高さＨと導電路形成部に含有される導電性粒子の数平均粒子径Ｄｎとの関係がＤｎ／Ｈ＞１．１以上である異方導電膜を備えてなることを特徴とする。【選択図】    図２
2005317214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
数平均粒子径Ｄｎの導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配設されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターであって、各導電路形成部が少なくとも一面において厚み方向に突出した状態の高さＨの突出部を有し、下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特徴とする異方導電性コネクター。
条件（１）  Ｈ＜１００μｍ
条件（２）  Ｄｎ／Ｈ＞１．１
【請求項２】
下記の条件（３）を満足することを特徴とする請求項１の異方導電性コネクター。
条件（３）  Ｄｎ＜５０μｍ
【請求項３】
支持体を有することを特徴とする請求項１または請求項２の異方導電性コネクター。
【請求項４】
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して配置された検査用電極を有する検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体集積回路などの回路装置の検査に用いられる異方導電性コネクターおよび異方導電性コネクターを具えた回路装置の検査装置に関し、更に詳しくは突起状電極を有する半導体集積回路などの回路装置の検査に好適に用いることができる異方導電性コネクターおよび回路装置の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方導電性シートは、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に押圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成することが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収してソフトな接続が可能であるなどの特長を有するため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、回路装置相互間の電気的接続、例えばプリント回路基板と、リードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの電気的接続を達成するための異方導電性コネクターとして広く用いられている。
【０００３】
また、プリント回路基板や半導体集積回路などの回路装置の電気的検査においては、例えば検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するために、回路装置の電極領域と、検査用回路基板の検査用電極領域との間にコネクターとして異方導電性シートを介在させることが行われている。
【０００４】
従来、このような異方導電性シートとしては、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られるもの（例えば特許文献１参照）、導電性磁性金属をエラストマー中に不均一に分散させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなるもの（例えば特許文献２参照）、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成され導電路形成部が突出部したもの（例えば特許文献３参照）など、種々の構造のものが知られている。
【０００５】
これらの異方導電性シートにおいては、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されており、多数の導電性粒子の連鎖によって導電路が形成されている。
このような異方導電性シートは、例えば硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を有する導電性粒子が含有されてなる成形材料を、金型の成形空間内に注入して成形材料層を形成し、これに磁場を作用させて硬化処理することにより製造することができる。
【０００６】
しかしながら、例えば半田合金よりなる突起状電極を有する回路装置の電気的検査において、従来の異方導電性シートをコネクターとして用いる場合には、以下のような問題がある。
すなわち、検査対象である回路装置の被検査電極である突起状電極を異方導電性シートにおける導電路形成部の表面に圧接する動作が繰り返されることにより、当該異方導電性シートにおける導電路形成部の表面には、突起状電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じるため、当該異方導電性シートにおける導電路形成部の電気抵抗値が増加し、各々の導電路形成部の電気抵抗値がばらつくことにより、後続の回路装置の検査が困難となる、という問題がある。
特に、導電路形成部が突出部を形成した異方導電性シートを用いた場合には、比較的に小さな押圧によって異方導電性シートの突出した導電路形成部等が変形して導電路形成部の厚み方向の電気抵抗値が低下するので低い押圧にて回路装置の電気的検査が行えるという利点があるが、当該異方導電性シートにおける導電路形成部の表面の突起状電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が増大し、繰り返し検査使用における導電路形成部の電気抵抗値の増加が加速され、異方導電性シートの繰り返し使用耐久性が更に短くなるという問題点があった。
【０００７】
上記の問題を解決するため、回路装置の検査においては、異方導電性シートと、樹脂材料よりなる柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の金属電極体が配列されてなるシート状コネクターとにより回路装置検査用治具を構成し、この回路装置検査用治具におけるシート状コネクターの金属電極体に被検査電極を接触させて押圧することにより、検査対象である回路装置との電気的接続を達成することが行われている（例えば特許文献４参照）。
【０００８】
しかしながら、上記の回路装置検査用治具においては、検査対象である回路装置の被検査電極のピッチが小さい場合すなわちシート状コネクターにおける金属電極体のピッチが小さい場合には、当該回路装置に対する所要の電気的接続を達成することが困難である。具体的に説明すると、金属電極体のピッチが小さいシート状コネクターにおいては、隣接する金属電極体同士が相互に干渉することにより、隣接する金属電極体間のフレキシブル性が低下する。そのため、検査対象である回路装置が、その基体の面精度が低いもの、基体の厚みの均一性が低いもの、或いは被検査電極の高さのバラツキが大きいものである場合には、当該回路装置における全ての被検査電極に対してシート状コネクターにおける金属電極体を確実に接触させることができず、その結果、当該回路装置に対する良好な電気的接続が得られない。
また、全ての被検査電極に対して良好な電気的接続状態を達成することが可能であっても、相当に大きい押圧力が必要となり、従って、検査装置全体が大型のものとなり、また、検査装置全体の製造コストが高くなる。
【０００９】
また、回路装置の検査を高温環境下において行う場合には、異方導電性シートを形成する弾性高分子物質の熱膨張率とシート状コネクターにおける絶縁性シートを形成する樹脂材料の熱膨張率との差に起因して、異方導電性シートの導電路形成部とシート状コネクターの金属電極体との間に位置ずれが生じる結果、良好な電気的接続状態を安定に維持することが困難である。
また、回路装置検査用治具を構成する場合には、異方導電性シートを製造することの他にシート状コネクターを製造することが必要であり、更に、これらを位置合わせした状態で固定することが必要であるため、検査用治具の製造コストが高くなる。
【００１０】
更に、従来の異方導電性シートにおいては、以下のような問題がある。
すなわち、異方導電性シートを形成する弾性高分子物質例えばシリコーンゴムは高い温度で接着性を帯びるため、当該異方導電性シートは、高温環境下において回路装置によって加圧された状態で長時間放置されると、当該回路装置に接着し、これにより、検査が終了した回路装置を未検査の回路装置に交換する作業を円滑に行なうことができず、その結果、回路装置の検査効率が低下する。特に、異方導電性シートが大きい強度で回路装置に接着した場合には、当該異方導電性シートを損傷させることなしに回路装置から剥離することが困難となるため、当該異方導電性シートをその後の検査に供することができない。
【００１１】
また被検査物である回路装置の電気的検査において、導電路形成部が突出部を形成した異方導電性シートを用いる場合には、比較的に小さな押圧によって異方導電性シートの突出した導電路形成部等が変形して導電路形成部の厚み方向の電気抵抗値が低下するので、低い押圧にて回路装置の電気的検査が行えるという利点があるが、その一方において、繰り返して回路装置の電気的検査を行うと、例えば図１５に示す導電路形成部１１を有する異方導電性コネクターにおいては、加圧により導電路形成部１１が厚み方向に圧縮される際に、図１６に示すように導電路形成部１１の突出部１１Ａおよび突出部１１Ｂが押圧による突出部の横方向への変形や座屈が生じ、このような変形が繰り返されることにより導電路形成部の突出部が押圧により永久変形を生じて変形し、導電路形成部の抵抗値が増大し、検査が困難となるという問題点があった。
【００１２】
そのため、この異方導電性シートの回路装置の電気的検査における繰り返し使用の耐久性を改良するために、例えば特許文献５のように、異方導電性シートの被検査回路装置の接触側面に、導電路形成部の突出部を設けず、異方導電性シートの被検査回路装置の接触側面に硬度の高い弾性高分子層を形成したりして、繰り返し使用における導電路形成部の変形による電気抵抗値の増加を抑制する手段が行われている。
このような方法は、被検査物の回路装置の電極が被検査物が突起状電極である場合に、とくにその繰り返し使用耐久性が向上するとの効果を示すものであるが、一方において、導電路形成部を変形して電気抵抗値を減少して被検査回路装置の被検査電極と電気的接続を達成するためには、比較的大きな押圧を必要とするので、多数の被検査電極を有する被検査回路装置の検査においては大きな加圧圧力のため被検査回路装置の破損が生じるという問題点があった。
【００１３】
【特許文献１】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献２】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献３】特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献４】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献５】特開２００４−５５５１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、接続対象電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制され、繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第２の目的は、回路装置の電気的検査に好適に用いられる異方導電性コネクターであって、小さな加圧圧力にて回路装置の電気的検査を行うことができ、回路装置における被検査電極が突起状のものであっても、当該被検査電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制され、繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる異方導電性コネクターを提供することにある。
【００１５】
本発明の第３の目的は、高温環境下において回路装置に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置に接着することを防止または抑制することができる異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第４の目的は、上記の異方導電性コネクターを具えた回路装置の検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の異方導電性コネクターは、数平均粒子径Ｄｎの導電性粒子Ｐが含有された厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配設されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターであって、
各導電路形成部が少なくとも一面において厚み方向に突出した状態の高さＨの突出部を有し、下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特徴とする。
条件（１）  Ｈ＜２００μｍ
条件（２）  Ｄｎ／Ｈ＞１．１
【００１７】
本発明の異方導電性コネクターは、下記の条件（３）を満足することが好ましい。
条件（３）  Ｄｎ＜１００μｍ
【００１８】
本発明の異方導電性コネクターは支持体を有することが好ましい。
【００１９】
本発明の回路装置の検査装置は、検査対象である回路装置の被検査電極に対応して配置された検査用電極を有する検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された上記の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
上記の構成の異方導電性コネクターによれば、前記の条件（１）および条件（２）を満たしているため、導電路形成部における突出部の高さＨより、導電性粒子Ｐの数平均粒子径が大きくなる。
そのため、図１７に示すように導電路形成部１１の突出部（１１Ａ、１１Ｂ）内に厚み方向に配列した導電性粒子Ｐの連鎖における、導電性粒子同士の接点が存在しない。
そのため、導電路形成部１１を加圧して厚み方向に圧縮した際に、図１８に示すように、導電路形成部１１の突出部（１１Ａ、１１Ｂ）が横方向への変形を生じることが少なく、厚み方向に圧縮されるので、突出部（１１Ａ、１１Ｂ）の永久変形が生じにくくなり、その結果、導電路形成部１１の抵抗値の増大が抑制されるので、異方導電性コネクターの繰り返し使用耐久性が向上する。
【００２１】
上記の構成の異方導電性コネクターによれば、導電路形成部１１の突出部（１１Ａ、１１Ｂ）が存在するため、導電路形成部の突出部が存在しない異方導電性コネクターよりも小さな加圧圧力にて導電路形成部の電気抵抗値を低下させることができるので、回路装置の検査において小さな加圧圧力にて回路装置の電気的検査を行うことができ、検査時の加圧圧力による被検査物回路装置の損傷を抑制できる。
また、小さな加圧圧力にて被検査物回路装置の電気的検査を行うことができるので、高温環境下の検査において異方導電性コネクターと被検査物回路装置の接着が生じることが少なくなる。
【００２２】
そして、上記の異方導電性コネクターを用いた回路装置の検査装置によれば、低い検査圧力にて被検査回路装置の電気的検査を行うことができ、被検査回路装置の検査時の破損を抑制することができ、異方導電性コネクターの繰り返し使用耐久性が良好なので、被検査回路装置の連続検査を行った際に、異方導電性コネクターの交換回数が低減でき、その結果、検査コストの抑制が達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１、図２および図３は、本発明の異方導電性コネクターの一例における構成を示す説明図であり、図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は部分拡大断面図である。  この異方導電性コネクター１０は、矩形の異方導電膜１０Ａと、この異方導電膜１０Ａを支持する矩形の板状の支持体３０とにより構成され、全体としてシート状に形成されている。
図４および図５にも示すように、支持体３０の中央位置には、異方導電膜１０Ａより小さい寸法の矩形の開口部３１が形成され、四隅の位置の各々には、位置決め穴３２が形成されている。そして、異方導電膜１０Ａは、支持体３０の開口部３１に配置され、当該異方導電膜１０Ａの周縁部が支持体３０に固定されることにより、当該支持体３０に支持されている。
【００２４】
この異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａは、それぞれ厚み方向に伸びる複数の円柱状の導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１を相互に絶縁する、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部１４とにより構成されている。
導電路形成部１１を形成する部分には、磁性を示す導電性粒子（図示省略）が含有されている。
【００２５】
図示の例では、複数の導電路形成部１１のうち当該異方導電膜１０Ａにおける周縁部以外の領域に形成されたものが、接続対象電極、例えば検査対象である回路装置１における被検査電極に電気的に接続される有効導電路形成部１２とされ、当該異方導電部１０Ａにおける周縁部に形成されたものが、接続対象電極に電気的に接続されない無効導電路形成部１３とされており、有効導電路形成部１２は、接続対象電極のパターンに対応するパターンに従って配置されている。
一方、絶縁部１４は、個々の導電路形成部１１の周囲を取り囲むよう一体的に形成されており、これにより、全ての導電路形成部１１は、絶縁部１４によって相互に絶縁された状態とされている。
【００２６】
また、異方導電膜１０Ａの被検査回路基板と接触する側の表面（図において上面側）には、その導電路形成部１１を形成する部分の表面が絶縁部１４を形成する部分の表面から突出する突出部１１Ａが形成されており、他面となる検査用回路基板に接触する側の面（図において下面側）には、その導電路形成部１１を形成する部分の表面が絶縁部１４を形成する部分の表面から突出する突出部１１Ｂが形成されている。
【００２７】
そして、異方導電膜１０Ａの表面を形成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが２５以上、好ましくは３０以上とされる。
弾性高分子物質の硬度が過小である場合には、繰り返して使用すると、導電路形成部の電気抵抗値が早期に増加するため、高い繰り返し耐久性が得られない。
【００２８】
また、弾性高分子物質の硬度は７０以下であることが好ましく、より好ましくは６５以下である。弾性高分子物質の硬度が過大である場合には、高い導電性を有する導電路形成部か得られないことがある。
【００２９】
また、異方導電膜１０Ａの厚みは、（図示の例では有効導電路形成部１２における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜２０が確実に得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する有効導電路形成部１２が確実に得られる。
【００３０】
導電路形成部１１の突出部１１Ａおよび突出部１１Ｂの突出高さＨは、２００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍ以上であり、更に好ましくは１０〜８０μｍである。
【００３１】
そして、突出部１１Ａおよび突出部１１Ｂの突出高さＨと、導電性粒子の数平均粒子径Ｄｎとの比（Ｄｎ／Ｈ）が１．１以上であることが好ましく、より好ましくは１．３〜５であり、より好ましくは１．５〜３である。
このような条件を満たす導電路形成部１１の突出部１１Ａ、１１Ｂを形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部２２が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られると共に、当該突出部１１Ａ、１１Ｂが加圧されたときに横方向の変形や座屈すること等が少ないため、所期の導電性が確実に得られる。
【００３２】
異方導電膜１０Ａを形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。このような弾性高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
以上において、得られる異方導電性コネクター１０に耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【００３３】
シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０−１ｓｅｃで１０５ポアズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
また、シリコンゴムは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。以下同じ。）が１０，０００〜４０，０００のものであることが好ましい。また、得られる導電路形成部１１に良好な耐熱性が得られることから、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以下同じ。）が２以下のものが好ましい。
【００３４】
異方導電膜１０Ａにおける導電路形成部１１に含有される導電性粒子としては、後述する方法により当該粒子を容易に配向させることができることから、磁性を示す導電性粒子が用いられる。このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有する金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性金属のメッキを施したものなどが挙げられる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば化学メッキまたは電解メッキ法、スパッタリング法、蒸着法などが用いられている。
【００３５】
導電性粒子として、芯粒子の表面に導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導電性が得られることから、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは３〜２５質量％、特に好ましくは４〜２０質量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜１５質量％である。
【００３６】
また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径Ｄｎは１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５〜５０μｍ、さらに好ましくは８〜３０μｍである。
また、導電性粒子の粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
本発明において、導電性粒子Ｐの数平均粒子径Ｄｎおよび重量平均粒子径Ｄｗはレーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電路形成部１１は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該導電路形成部１１において導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子であることが好ましい。
また、導電性粒子の表面がシランカップリング剤などのカップリング剤、潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子表面を処理することにより、異方導電性コネクターの耐久性が向上する。
【００３７】
このような導電性粒子は、高分子物質形成材料に対して体積分率で５〜６０％、好ましくは７〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割合が５％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部１１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部１１として必要な弾性が得られないことがある。
【００３８】
導電路形成部１１に用いられる導電性粒子としては、金によって被覆された表面を有するものが好ましいが、接続対象電極、例えば検査対象である回路装置の被検査電極が、鉛を含むハンダ合金よりなるものである場合には、導電性粒子は、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、タングステン、モリブデン、白金、イリジウム、銀およびこれらを含む合金から選ばれる耐拡散性金属によって被覆されていることが好ましく、これにより、導電性粒子における被覆層に対して鉛成分が拡散することを防止することができる。
【００３９】
耐拡散性金属が被覆された表面を有する導電性粒子は、例えばニッケル、鉄、コバルト若しくはこれらの合金などよりなる芯粒子の表面に対して、例えば化学メッキまたは電解メッキ法、スパッタリング法、蒸着法などにより耐拡散性金属を被覆させることにより形成することができる。
また、耐拡散性金属の被覆量は、導電性粒子に対して質量分率で５〜４０％、好ましくは１０〜３０％となる割合であることが好ましい。
【００４０】
支持体３０を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０−５／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは２×１０−５〜１×１０−６／Ｋ、特に好ましくは６×１０−６〜１×１０−６／Ｋである。
具体的な材料としては、金属材料や非金属材料が用いられる。
金属材料としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルト若しくはこれらの合金などを用いることができる。
非金属材料としては、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂等の機械的強度の高い樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂等の複合樹脂材料、エポキシ樹脂等にシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド等の無機材料をフィラーとして混入した複合樹脂材料などを用いることができるが、熱膨張係数が小さい点で、ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂等の複合樹脂材料、ボロンナイトライドをフィラーとして混入したエポキシ樹脂等の複合樹脂材料が好ましい。
【００４１】
上記の異方導電性コネクター１０によれば、接続対象電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることを抑制することができる。導電路形成部１１が加圧されることにより、所要の導電性が確実に得られる。従って、接続対象電極によって繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、長期間にわたって一層安定した導電性が得られ、しかも、高温環境下において回路装置に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置に接着することを防止または抑制することができる。
【００４２】
このような異方導電性コネクター１０は、例えば次のようにして製造することができる。
図６は、本発明の異方導電性コネクターを製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５５が、互いに対向するよう配置されて構成され、上型５０の成形面（図６において下面）と下型５５の成形面（図６において上面）との間に成形空間５９が形成されている。
上型５０においては、強磁性体基板５１の表面（図６において下面）に、目的とする異方導電性コネクター１０における導電路形成部１１のパターンに対応する配置パターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の個所には、強磁性体層５２の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５３ａが形成されており、非磁性体層５３ａと強磁性体層５２との間に段差が形成されることにより、当該上型５０の成形面には、突出部分１１Ａを形成するための凹部空間５２ａが形成されている。そして非磁性体層５３ａの周辺部には、非磁性体層５３ａの厚みよりも厚い非磁性体層５３ｂが形成されており、これにより当該上型５０の表面には凹部５４が形成されている。
【００４３】
一方、下型５５においては、強磁性体基板５６の表面（図６において上面）に、目的とする異方導電性コネクター１０における導電路形成部１１のパターンに対応するパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されており、非磁性体層５８と強磁性体層５７との間に段差が形成されることにより、当該下型５５の成形面には、突出部分１１Ｂを形成するための凹部空間５７ａが形成されている。
【００４４】
上型５０および下型５５の各々における強磁性体基板５１、５６を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体基板５１、５６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。
【００４５】
また、上型５０および下型５５の各々における強磁性体層５２，５７を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層５２、５７は、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。この厚みが１０μｍ未満である場合には、金型内に形成される成形材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難となり、この結果、当該成形材料層における導電路形成部１１となるべき部分に導電性粒子を高い密度で集合させることが困難となるため、良好な異方導電性コネクターが得られないことがある。
【００４６】
また、上型５０および下型５５の各々における非磁性体層５３，５８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィーの手法により容易に非磁性体層５３，５８を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いることが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
また、上型５０における非磁性体層５３の厚みおよび下型５５における非磁性体層５８の厚みは、形成すべき突出部分１１Ａ、１１Ｂの突出高さおよび強磁性体層５２、５７の厚みに応じて設定される。
【００４７】
上記の金型を用い、例えば、次のようにして異方導電性コネクター１０が製造される。
先ず、図７に示すように、枠状のスペーサー６０、６１と、図４および図５に示すような開口部３１および位置決め穴３２を有する支持体３０とを用意し、この支持体３０を、枠状のスペーサー６１を介して下型５５の所定の位置に固定して配置し、更に支持体３０上に枠状のスペーサー６０を配置する。
一方、硬化性の高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子を分散させることにより、異方導電膜１０Ａを形成するためのペースト状の成形材料を調製する。ここで、成形材料に用いられる高分子物質形成材料は、硬化して得られる弾性高分子物質が前述の硬度Ｈ１ の条件を満足するものである。
【００４８】
次いで、図８に示すように、成形材料を上型５０の成形面上の凹部５４（図６参照）内に充填することにより、成形材料層６２ａを形成し、一方、成形材料を、下型５５、スペーサー６０，６１および支持体３０によって形成される空間内に充填することにより、成形材料層６２ｂを形成する。
そして、図９に示すように、上型５０をスペーサー６０上に位置合わせて配置することにより、成形材料層６２ｂ上に成形材料層６２ａを積層して成形材料層６２を形成する。
【００４９】
次いで、上型５０における強磁性体基板５１の上面および下型５５における強磁性体基板５６の下面に配置された電磁石（図示せず）を作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間において大きい強度を有する平行磁場を成形材料層６２厚み方向に作用させる。その結果、成形材料層６２においては、各成形材料層中に分散されていた導電性粒子が、上型５０の各々の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間に位置する導電路形成部１１となるべき部分に集合すると共に、各成形材料層の厚み方向に並ぶよう配向する。
【００５０】
そして、この状態において、各成形材料層を硬化処理することにより、図１０に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に充填された導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１の周囲を包囲するよう形成された、導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部１４とを有し、導電路形成部１１には被検査用回路基板の被検査電極と接触する突出部１１Ａと、検査用回路基板の検査電極と接触する突出部１１Ｂを有する異方導電膜１０Ａが形成され、以て、図１乃至図３に示す構成の異方導電性コネクター１０が製造される。
【００５１】
以上において、各成形材料層の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
そして、平行磁場の作用を一旦停止し、再度平行磁場を作用させつつ導電性粒子を配向させることもでき、その際、平行磁場の作用方向を反転させ、交互に異なる方向に平行磁場を作用させて、より高密度に導電性磁性粒子を配向させることもできる。
各成形材料層に作用される平行磁場の強度は、平均で２０，０００〜１，０００，０００μＴとなる大きさが好ましい。
また、各成形材料層に平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
各成形材料層の硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層を構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
【００５２】
このような製造方法によれば、上型５０の成形面に形成された成形材料層６２ａと、下型５５の成形面に形成された成形材料層６２ｂとを積重し、この状態で各成形材料層を硬化処理するため、異方導電膜１０Ａを有する異方導電性コネクター１０を有利にかつ確実に製造することができる。
【００５３】
図１１は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成の概略を示す説明図である。
この回路装置の検査装置は、ガイドピン９を有する検査用回路基板５が設けられている。この検査用回路基板５の表面（図１１において上面）には、検査対象である回路装置１の半球形状のハンダボール電極２のパターンに対応するパターンに従って検査用電極６が形成されている。
検査用回路基板５の表面上には、図１乃至図３に示す構成の異方導電性コネクター１０が配置されている。具体的には、異方導電性コネクター１０における支持体３０に形成された位置決め穴３２（図１乃至図３参照）にガイドピン９が挿入されることにより、異方導電膜１０Ａにおける導電路形成部１１が検査用電極６上に位置するよう位置決めされた状態で、当該異方導電性コネクター１０が検査用回路基板５の表面上に固定されている。
そして、恒温層７にて所定温度に調整し、電源装置９３より所定電流が供給され、電気信号処理装置９４にて電圧の測定が行われて回路装置１内に設けられている回路について電気的検査が行われる。
【００５４】
このような回路装置の検査装置においては、異方導電性コネクター１０上に、ハンダボール電極２が導電路形成部１１上に位置されるよう回路装置１が配置され、この状態で、例えば回路装置１を検査用回路基板５に接近する方向に押圧することにより、異方導電性コネクター１０における導電路形成部１１の各々が、ハンダボール電極２と検査用電極６とにより挟圧された状態となり、その結果、回路装置１の各ハンダボール電極２と検査用回路基板５の各検査用電極６との間の電気的接続が達成され、そして恒温層７にて所定温度に調整し、電源装置９３より所定電流が供給され、電気信号処理装置９４にて電圧の測定が行われて回路装置１内に設けられている回路について電気的検査が行われる。
【００５５】
上記の回路装置の検査装置によれば、上記の異方導電性コネクター１０を具えてなるため、被検査電極が突起状のハンダボール電極２であっても、当該被検査電極の圧接によって、異方導電膜１０Ａに、永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制されるので、多数の回路装置１について連続して検査を行なった場合でも、長期間にわたって安定した導電性が得られる。
しかも、低い加圧圧力にて電気的接続が達成されるので高温環境下において回路装置１に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置１に接着することを防止または抑制することができる。
また、異方導電性コネクター１０は、被検査電極との圧接による永久的な変形や、摩耗による変形が生じることが抑制されるものであるため、当該異方導電性コネクター１０の他に、シート状コネクターを用いることなしに、回路装置の電気的検査を行うことができる。
そして、シート状コネクターを用いなので、異方導電性コネクター１０とシート状コネクターとの位置合わせが不要であり、温度変化によるシート状コネクターと異方導電性コネクター１０との位置ずれの問題を回避することができ、しかも、検査装置の構成が容易である。
【００５６】
本発明においては、上記の実施の形態に限定されずに種々の変更を加えることが可能である。
（１）本発明の異方導電性コネクター１０を回路装置の電気的検査に用いる場合において、検査対象である回路装置の被検査電極は、半球形状のハンダボール電極に限られず、例えばリード電極や平板状の電極であってもよい。
（２）支持体を設けることは必須ではなく、異方導電膜のみよりなるものであってもよい。
【００５７】
（３）本発明の異方導電性コネクター１０を回路装置の電気的検査に用いる場合において、異方導電膜は、検査用回路基板に一体的に接着されていてもよい。このような構成によれば、異方導電膜と検査用回路基板との間の位置ずれを確実に防止することができる。
このような異方導電性コネクターは、異方導電性コネクターを製造するための金型として、成形空間内に検査用回路基板５を配置し得る基板配置用空間領域を有するものを用い、当該金型の成形空間内における基板配置用空間領域に検査用回路基板を配置し、この状態で、例えば成形空間内に成形材料を注入して硬化処理することにより、製造することができる。
（４）本発明の異方導電性コネクターは、導電路形成部を互いに異なる特性を有する層部分の積層体により形成してもよい。
具体的には、導電性粒子の種類が異なる層部分を積層させる構成のほか、例えば導電性粒子の粒子径あるいは導電性粒子の含有割合が異なる層部分を積層させた構成により、導電性の程度が制御された導電路形成部を形成することができ、また、弾性高分子物質の種類が異なる層部分を積層させた構成により、突出部における弾性特性が制御された導電路形成部を形成すること可能である。
【００５８】
（５）本発明の異方導電性コネクターは、導電路形成部が一定のピッチで配置され、一部の導電路形成部が被検査電極に電気的に接続される有効導電路形成部とされ、その他の導電路形成部が被検査電極に電気的に接続されない無効導電路形成部とされていてもよい。
具体的に説明すると、検査対象である回路装置１としては、例えばＣＳＰ（Chip Scale Package）やＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）などのように、一定のピッチの格子点位置のうち一部の位置にのみ被検査電極であるハンダボール電極２が配置された構成のものがあり、このような回路装置１を検査するための異方導電性コネクター１０においては、導電路形成部１１が被検査電極と実質的に同一のピッチの格子点位置に従って配置され、被検査電極に対応する位置にある導電路形成部１１が有効導電路形成部とされ、それら以外の導電路形成部１１が無効導電路形成部とされていてもよい。
このような構成の異方導電性コネクター１０によれば、当該異方導電性コネクター１０の製造において、金型の強磁性体層が一定のピッチで配置されることにより、成形材料層に磁場を作用させたときに、導電性粒子を所定の位置に効率よく集合させて配向させることができ、これにより、得られる導電路形成部の各々において、導電性粒子の密度が均一なものとなるので、各導電路形成部の抵抗値の差が小さい異方導電性コネクターを得ることができる。
【００５９】
（６）本発明の異方導電性コネクターにおいては、異方導電膜１０Ａに補強材８０を含有させることができる。かかる補強材８０としては、メッシュ若しくは不織布よりなるものを好適に用いることができる。
このような補強材８０を異方導電膜１０Ａに含有させることにより、接続対象電極によって繰り返して押圧されても、導電路形成部の変形が一層抑制されるので、長期間にわたって一層安定した導電性が得られる。
ここで、補強材８０を構成するメッシュ若しくは不織布としては、有機繊維によって形成されたものを好適に用いることができる。かかる有機繊維としては、ポリテトラフルオロエチレン繊維などのフッ素樹脂繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維などを挙げることができる。
また、有機繊維として、その線熱膨張係数が接続対象体を形成する材料の線熱膨張係数と同等若しくは近似したもの、具体的には、線熱膨張係数が３０×１０−６〜−５×１０−６／Ｋ、特に１０×１０−６〜−３×１０−６／Ｋであるものを用いることにより、当該異方導電膜の熱膨張が抑制されるため、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、接続対象体に対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
また、有機繊維としては、その径が１０〜２００μｍのものを用いることが好ましい。
【００６０】
このような異方導電性コネクターの具体例を、図１２に示す。
図１２に示す異方導電性コネクターは、当該異方導電膜１０Ａの中間に、メッシュ若しくは不織布よりなる補強材８０が含有されてなるものである。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６２】
〔付加型液状シリコーンゴム〕
以下の実施例および比較例において、付加型液状シリコーンゴムとしては、二液型のものであって硬化物の１５０℃における永久圧縮歪みが５％、硬化物のデュロメータＡ硬度が３２、硬化物の引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものを用いた。
【００６３】
上記の付加型液状シリコーンゴムの特性は、次のようにして測定したものである。
（１）付加型液状シリコーンゴムの粘度：
Ｂ型粘度計により、２３±２℃における粘度を測定した。
（２）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（３）シリコーンゴム硬化物の引裂強度：
上記（２）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（４）シリコーンゴム硬化物のデュロメータ硬さ：
上記（３）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃におけるデュロメータＡ硬さを測定した。
【００６４】
〈実施例１〉
（ａ）支持体および金型の作製：
下記の条件に従って、図４に示す構成の支持体および図６に示す構成の異方導電膜成形用の金型を作製した。
〔支持体〕
支持体（３０）は、材質がＳＵＳ３０４、厚みが０．１ｍｍ、開口部（３１）の寸法が１７ｍｍ×１０ｍｍで、四隅に位置決め穴（３２）を有する。
【００６５】
〔金型〕
強磁性体基板（５１，５６）は、材質が鉄で、厚みが６ｍｍである。
強磁性体層（５２，５７）は、材質がニッケルで、直径が０．３０ｍｍ（円形），厚みが０．１ｍｍ，配置ピッチ（中心間距離）が０．５ｍｍ、強磁性体層の数は７６０個（３８個×２０個）である。
非磁性体層（５３，５８）は、材質がドライフィルムレジストを硬化処理したものであり、上型（５０）の非磁性体層（５３）において、部分（５３ａ）の厚みが０．１３ｍｍ、部分（５３ｂ）の厚みが０．３ｍｍ、下型（５５）の非磁性体層（５８）の厚みが０．１３ｍｍである。
金型によって形成される成形空間（５９）の寸法は縦２０ｍｍ×横１３ｍｍ×深さ０．１７ｍｍである。
【００６６】
（ｂ）成形材料の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、平均粒子径Ｄｎが４０μｍの導電性粒子６０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、成形材料を調製した。以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。
【００６７】
（ｃ）異方導電膜の形成：
上記の金型の上型（５０）の成形面に、調製した成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、厚みが０．２ｍｍの成形材料層（６２ａ）を形成した。
また、上記の金型の下型（５５）の成形面上に、厚みが０．１ｍｍのスペーサー（６１）を位置合わせして配置し、このスペーサー（６１）上に、上記の支持体（３０）を位置合わせして配置し、更にこの支持体（３０）上に厚みが０．１ｍｍのスペーサー（６０）を位置合わせして配置し、調製した成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、下型（５５）、スペーサー（６０，６１）および支持体（３０）によって形成される空間内に、厚みが０．３３ｍｍの成形材料層（６１ｂ）を形成した。
そして、上型（５０）に形成された成形材料層（６２ａ）と下型（５５）に形成された成形材料層（６２ｂ）を位置合わせして重ね合わせた。
そして、上型（５０）と下型（５５）の間に形成された各成形材料層に対し、強磁性体層（５２，５７）の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で硬化処理を施すことにより、異方導電膜（１０Ａ）を形成した。
以上のようにして、本発明に係る異方導電性コネクター（１０）を製造した。  以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ１」という。
【００６８】
得られた異方導電性コネクターＢ１における異方導電（１０Ａ）は、縦横の寸法が２０ｍｍ×１３ｍｍの矩形で、導電路形成部（１１）の厚みが０．５３ｍｍで、７６０個（３８個×２０個）の導電路形成部（１１）を有し、各導電路形成部（１１）の配置ピッチ（中心間距離）が０．５ｍｍで、導電路形成部（１１）の突出部（１１Ａ）と突出部（１１Ｂ）の各々の突出高さＨが３０μｍである。
導電路形成部（１１）に含有されている導電性粒子Ｐの数平均粒子径Ｄｎは４０μｍであり、Ｄｎ／Ｈは１．３３である。
【００６９】
〈比較例１〉
成形材料の調製において、導電性粒子を平均粒子径Ｄｎが２３μｍのものに変更した以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。得られた異方導電性コネクターを異方導電性コネクターＣ１とする。
得られた異方導電性コネクターＣ１における異方導電（１０Ａ）は、縦横の寸法が２０ｍｍ×１３ｍｍの矩形で、導電路形成部（１１）の厚みが０．５３ｍｍで、７６０個（３８個×２０個）の導電路形成部（１１）を有し、各導電路形成部（１１）の配置ピッチ（中心間距離）が０．５ｍｍで、導電路形成部（１１）の突出部（１１Ａ）と突出部（１１Ｂ）の各々の突出高さＨが３０μｍである。
導電路形成部（１１）に含有されている導電性粒子Ｐの数平均粒子径Ｄｎは２３μｍであり、Ｄｎ／Ｈは０．７７である。
【００７０】
〔異方導電性コネクターの評価〕
実施例１および比較例１に係る異方導電性コネクターについて、その性能評価を以下のようにして行った。
実施例１に係る異方導電性コネクターＢ１および比較例１に係る異方導電性コネクターＣ１を評価するために、図１３および図１４に示すようなテスト用の回路装置３を用意した。
【００７１】
このテスト用の回路装置３は、直径が０．３ｍｍで、高さが０．２ｍｍのハンダボール電極２（材質：６４半田）を合計で７２個有するものであり、それぞれ３６個のハンダボール電極２が配置されてなる２つの電極群が形成され、各電極群においては、１８個のハンダボール電極２が０．５ｍｍのピッチで直線状に並ぶ列が合計で２列形成されており、これらのハンダボール電極のうち２個ずつが、回路装置３内の配線８によって互いに電気的接続されている。回路装置３内の配線数は合計で３６である。
【００７２】
そして、テスト用の回路装置の各々を用いて、実施例１に係る異方導電性コネクターＢ１および比較例１に係る異方導電性コネクターの評価を、以下のようにして行った。
【００７３】
《繰り返し耐久性》
図１２に示すように、異方導電性コネクター１０における支持体３０の位置決め穴に、検査用回路基板５のガイドピン９を挿通させることにより、当該異方導電性コネクター１０を検査用回路基板５上に位置決めして配置し、この異方導電性コネクター１０上に、テスト用の回路装置３を配置し、これらを加圧治具（図示せず）によって固定し、この状態で、恒温槽７内に配置した。
【００７４】
次いで、恒温槽７内の温度を１００℃に設定し、加圧治具によって、異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａの導電路形成部１１の歪み率が１４％となるように、５秒／ストロークの加圧サイクルで加圧を繰り返しながら、異方導電性コネクター１０、テスト用の回路装置３並びに検査用回路基板５の検査用電極６およびその配線（図示省略）を介して互いに電気的に接続された、検査用回路基板５の外部端子（図示省略）間に、電源装置９３によって１０ｍＡの直流電流を常時印加し、電気信号処理装置９４によって、加圧時における検査用回路基板５の外部端子間の電圧を測定した。
【００７５】
このようにして測定された電圧の値（Ｖ）をＶ１とし、印加した直流電流をＩ１（＝１０ｍＡ）として、下記の数式により、電気抵抗値Ｒ１を求めた。
ここで、電気抵抗値Ｒ１には、２つの導電路形成部の電気抵抗値の他に、テスト用の回路装置３の電極間の電気抵抗値および検査用回路基板の外部端子間の電気抵抗値が含まれている。
そして、電気抵抗値Ｒ１が２Ωより大きくなると、実際上、回路装置の電気的検査が困難となることから、電気抵抗値Ｒ１が２Ωより大きくなるまで、電圧の測定を継続した。但し、加圧動作は、合計で５万回行なった。その結果を表１に示す。
【００７６】
（数１）
Ｒ１＝Ｖ１／Ｉ１
【００７７】
【表１】
2005317214.tif 000003
【００７８】
本発明の異方導電性コネクターによれば、異方導電膜の導電路形成部の突起部高さと導電性粒子が特定範囲の関係になっていることより、被検査回路装置の被検査電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制され、繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性を維持することができる。
【００７９】
本発明の異方導電性コネクターによれば、異方導電膜の導電路形成部に突起部が形成されているため、小さな加圧圧力にて回路装置の電気的検査を行うことができる。
【００８０】
本発明の異方導電性コネクターを備えた回路装置の検査装置によれば、小さな加圧圧力で被検査回路装置の電気的検査を行うことができるので、被検査回路装置が異方導電性コネクターに固着することが抑制され、被検査回路装置の連続検査における被検査回路装置の固着による検査効率の低減が抑制される。
【００８１】
本発明の異方導電性コネクターを備えた回路装置の検査装置によれば、高温環境下における電気的検査においても、被検査回路装置の異方導電性コネクターへの固着が抑制され、異方導電性コネクターの繰り返し使用耐久性が良好なため、回路装置の電気的検査の検査コストの低減がなされる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す異方導電性コネクターのＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。
【図４】図１に示す異方導電性コネクターにおける支持体の平面図である。
【図５】図４に示す支持体のＸ−Ｘ断面図である。
【図６】異方導電膜成形用の金型の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図７】下型の成形面上に、スペーサーおよび支持体が配置された状態を示す説明用断面図である。
【図８】上型の成形面に成形材料層が形成され、下型の成形面上に成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図９】上型と下型が積層されて積層された成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】異方導電膜が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】本発明の回路装置の検査装置の一例における構成を回路装置と共に示す説明図である。
【図１２】本発明の異方導電性コネクターの変形例を示す説明用断面図である。
【図１３】実施例で使用したテスト用回路装置の平面図である。
【図１４】実施例で使用したテスト用回路装置の側面図である。
【図１５】従来の異方導電性コネクターにおける導電路形成部の状態を模式的に示す説明用の部分断面図である。
【図１６】従来の異方導電性コネクターにおける導電路形成部が厚み方向に圧縮された状態を模式的に示す説明用断面図である。
【図１７】本発明の異方導電性コネクターにおける導電路形成部の状態を模式的に示す説明用の部分断面図である。
【図１８】本発明の異方導電性コネクターにおける導電路形成部が厚み方向に圧縮された状態を模式的に示す説明用断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１    回路装置
２    ハンダボール電極
３    テスト用の回路装置
５    検査用回路基板
６    検査用電極
７    恒温槽
８    配線
９    ガイドピン
１０    異方導電性コネクター
１０Ａ  異方導電膜
１１    導電路形成部
１１Ａ  突出部分
１１Ｂ  突出部分
１２    有効導電路形成部
１３    無効導電路形成部
１４    絶縁部
３０    支持体
３１    開口部
３２    位置決め穴
５０    上型
５１    強磁性体基板
５２    強磁性体層
５２ａ  凹部空間
５３ａ  非磁性体層
５３ｂ  非磁性体層
５４    凹部
５５    下型
５６    強磁性体基板
５７    強磁性体層
５７ａ  凹部空間
５８    非磁性体層
５９    成形空間
６０    スペーサー
６１    スペーサー
８０    補強材
９３    電源装置
９４    電気信号処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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