(57)【要約】【課題】  型を常にクリーンな状態に保ち、かつ高い再現性を確保することのできるパターン転写装置、型の洗浄方法、パターン転写方法を提供することを目的とする。【解決手段】  パターン形成装置１０に、型１００を洗浄する洗浄装置８０を備えた。この洗浄装置８０の洗浄槽８１は、基板移動機構３０、型駆動機構５０によって、保持ブロック４１に吸着保持された型１００を基台３１に対しＸ、Ｙ方向に移動させたときの可動範囲内となるような位置に設けた。  このような洗浄装置８０により、適宜タイミングで、型１００を基板移動機構３０、型駆動機構５０によって移動させて洗浄槽８１に浸漬し、型１００の下面を洗浄液Ｌで超音波洗浄するようにした。  さらに、型１００の洗浄が必要か否かを判定する判定機構９０を備え、この判定機構９０の判定結果に基づき、型１００の洗浄を自動的に行うこともできる。【選択図】図１
2005191444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型に形成されたパターンを加工対象物に転写するパターン転写装置であって、
前記加工対象物を保持する対象物保持部と、
前記型を保持する型保持部と、
前記型保持部と前記対象物保持部を少なくとも二方向に相対移動させる移動機構と、
前記移動機構による前記型保持部の移動範囲内に設けられ、前記型保持部に保持された前記型の少なくともパターン面を洗浄する洗浄部と、
を備えることを特徴とするパターン転写装置。
【請求項２】
前記洗浄部は、洗浄液が収容される洗浄槽と、
前記洗浄槽内の前記洗浄液に超音波振動を加える超音波振動源と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のパターン転写装置。
【請求項３】
前記型保持部に保持された前記型に超音波振動を加える型振動部をさらに備え、
前記洗浄部は、前記型保持部に保持された前記型の少なくともパターン面を洗浄液に浸漬した状態で、前記型振動部で前記型に超音波振動を加えることで、前記型の少なくともパターン面を洗浄することを特徴とする請求項１に記載のパターン転写装置。
【請求項４】
前記型保持部に保持された前記型のパターン面を観察する観察部をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のパターン転写装置。
【請求項５】
前記観察部による前記型のパターン面の観察像に基づき、前記型の洗浄が必要であるか否かを判定し、洗浄が必要であると判定された場合、前記移動機構で前記洗浄部に対して前記型保持部を相対移動させ、前記型保持部に保持された前記型を前記洗浄部で洗浄させるよう制御する洗浄制御部をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のパターン転写装置。
【請求項６】
前記型保持部に保持された前記型を加熱する加熱部をさらに備え、
前記加熱部で加熱された前記型を、前記移動機構で前記対象物保持部に保持された前記加工対象物に押し付けることで、前記加工対象物をガラス転移温度近傍またはそれ以上に加熱して、当該加工対象物に対し前記型に形成されたパターンを転写することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のパターン転写装置。
【請求項７】
前記型保持部に保持された前記型または前記対象物保持部に振動を加える加振機構と、
前記型保持部に保持された前記型を前記対象物保持部に保持された前記加工対象物に押し付けた後に当該型と前記加工対象物とを離間するとき、前記型または前記対象物保持部に振動を加えさせるように前記加振機構を制御する制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のパターン転写装置。
【請求項８】
加工対象物に所定のパターンを形成するための型と、
前記加工対象物を保持する対象物保持部と、
前記型または前記対象物保持部に振動を加える加振機構と、
前記型を加熱する加熱部と、
前記型と前記対象物保持部を少なくとも二方向に相対移動させる移動機構と、
前記移動機構による前記型の移動範囲内に設けられ、前記型の少なくともパターン面を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記加熱部で加熱された前記型を前記移動機構で前記加工対象物に対して相対移動させて当該加工対象物に押し付けることで、当該加工対象物をガラス転移温度近傍またはそれ以上に加熱して、当該加工対象物に前記型で所定のパターンを形成することを特徴とするパターン転写装置。
【請求項９】
型に形成されたパターンを加工対象物に転写するパターン転写装置において、前記型のパターン面を洗浄する方法であって、
前記型が前記加工対象物に対して相対移動可能な範囲内で、前記型を前記範囲内に設けられた洗浄槽に対向した位置に移動させる工程と、
前記型の少なくとも前記パターン面を前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬する工程と、
前記洗浄液または前記型に超音波振動を加えて、前記型の前記パターン面を前記洗浄液で超音波洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする型の洗浄方法。
【請求項１０】
前記型のパターン面を所定のタイミングで観察し、その観察結果に基づき、前記型の洗浄が必要であるか否かを判定する工程をさらに備え、
前記判定する工程で洗浄が必要であると判定された場合、前記型と前記洗浄槽を相対移動させて、前記型を前記洗浄槽で洗浄することを特徴とする請求項９に記載の型の洗浄方法。
【請求項１１】
型で基板上に所定のパターンを転写するパターン転写方法であって、
前記型を、前記基板のガラス転移温度を基準とした所定の温度に加熱する加熱工程と、
前記型を前記基板に押し付けて前記パターンを転写するパターン転写工程と、
所定のタイミングで前記型のパターン面を観察し、その観察結果に基づき、前記型の洗浄が必要であるか否かを判定する工程と、
前記判定する工程で洗浄が必要であると判定された場合、前記型が加工対象物に対して相対移動可能な範囲に設けられた洗浄槽にて、前記型を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン転写装置、型の洗浄方法、パターン転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＳＩ（大規模集積回路）に代表される微細回路パターンを半導体基板（以下、単に基板と称する）上に形成するには、縮小投影露光方式が一般に用いられている。この方法は、ステッパと称される露光装置を用い、レチクル（マスク）上に描かれた回路パターンを、縮小光学系を通して基板上のレジスト表面に投影露光し、その露光を基板全域にわたって繰り返すことで、基板上に所定の微細回路パターンを形成している。
【０００３】
このようにして形成される基板の集積度を高めるには、回路パターンの線幅を狭めていく必要があり、現在主流の線幅１３０ｎｍから、今後１００ｎｍ以下の線幅に移行することが予想されている。
これに対応するには、投影露光に使用する光源の波長を短くする必要があり、現状でも、各露光装置メーカでは紫外（UV）光、遠紫外（DUV）光、極紫外（EUV）光等、短波長の光を光源とした露光装置の開発を進めている。
【０００４】
しかし、紫外レーザ光源等の短波長の光を光源として用いると、露光装置の投影光学系を構成するレンズやミラー、光源等に、わずかな温度変化や外部振動によって歪みや光源ノイズが生じる。このため、露光装置には、精度の高い温度管理や除振構造が要求され、その結果、こうした一連の機器によって構成される縮小投影式の露光装置は、装置価格が非常に高くなる（例えば数十億円）傾向にある。また、露光装置自体も大掛かりなものとなるため、設置スペースや消費電力が増大する傾向にある。
その結果、縮小投影式の露光装置を用いて製造される基板の生産コストが上昇することとなっている。
【０００５】
このような装置大型化やプロセスコストの高騰を防ぐことを目的として、超微細なパターンを基板上に形成する手法として、ナノインプリンティングプロセス技術が紹介された（例えば、非特許文献１参照。）。
このプロセスは、形成したいパターンが表面に作り込まれた型を用いて、基板上に設けられたレジスト材のガラス転移温度を超える温度に基板を熱し、その状態で型を基板面に押し付けて型を転写する方法である。この方法では、高価なレーザ光源や光学系を必要とせず、加熱用ヒータとプレス装置を基本とした簡易な構成であるにもかかわらず、型に作り込まれた形状をそのまま精度よく転写することが可能となっており、すでにこの方法によって約２０ｎｍの線幅を持つ細線が形成された報告がある（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００６】
【非特許文献１】G. M. Whitesides, J. C. Love、「ナノ構造を作る新技術」、“日経サイエンス”、日本経済新聞社、平成１３年（２００１年）１２月１日、３１巻、１２号、ｐ．３０−４１
【非特許文献２】C. M. Sotomayor, et. al.、“Nanoimprint lithography: an alternative nanofabrication approach”、「Materials Science & Engineering C」、Elsevier Science、平成１４年（２００２年）、９８９巻、ｐ．１−９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記したようなナノインプリンティングプロセス技術を用い、実際に量産を行おうとした場合、多数回の転写を繰り返すと、基板を形成する材料のカスや残渣が型に付着し、パターンの再現性を低下させたり、異物不良の元になるという問題がある。
このため、適宜タイミングで型を清掃する必要が生じるが、ナノインプリンティングプロセスで用いられる型は当然のことながら小型であり、パターンも微細であることから、手作業で清掃するのは困難である。確実に清掃を行うには、型を装置から取り外すのが好ましいが、その場合、清掃後、型を装置に取り付ける際、その取り付け位置の調整に手間が掛かる。パターンの高い再現性を得るには、型の装置に対する取り付けを高い精度で行う必要があるからである。また、型の清掃を行うことで、スループットが大幅に低下するのは好ましくないのは言うまでも無いことである。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、型を常にクリーンな状態に保ち、かつ高い再現性を確保することのできるパターン転写装置、型の洗浄方法、パターン転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
かかる目的のもと、本発明のパターン転写装置は、型に形成されたパターンを加工対象物に転写するパターン転写装置であって、加工対象物を保持する対象物保持部と、型を保持する型保持部と、型保持部と対象物保持部を少なくとも二方向に相対移動させる移動機構と、移動機構による型保持部の移動範囲内設けられ、型保持部に保持された型の少なくともパターン面を洗浄する洗浄部と、を備えることを特徴とする。
このようなパターン転写装置では、対象物保持部で保持した加工対象物に対し、型保持部に保持された型を、移動機構によって少なくとも二方向に相対移動させることで、型に形成されたパターンを加工対象物に転写する。
そして、適宜タイミングにて、型保持部に保持された型を洗浄部に対して相対移動させ、洗浄部にて少なくともパターン面を洗浄することによって、型に付着したカスや残渣を除去することができる。このとき、洗浄部が移動機構による型保持部の移動範囲内に設けられているので、型を型保持部から取り外すことなく洗浄を行うことができる。
洗浄部は、洗浄液が収容される洗浄槽と、洗浄槽内の洗浄液に超音波振動を加える超音波振動源と、を備えることができ、これによって型を超音波洗浄することができる。
また、型保持部に保持された型に超音波振動を加える型振動部をさらに備えるようにし、洗浄部にて、型の少なくともパターン面を洗浄液に浸漬した状態で、型振動部で型に超音波振動を加えることで、型の少なくともパターン面を洗浄するようにしても良い。
【０００９】
型を洗浄するタイミングは、いかなるタイミングであってもよく、例えば予め設定した所定間隔で型洗浄を自動的に行うようにすることができる。
また、型保持部に保持された型のパターン面を観察する観察部を備えれば、例えば作業者がこの観察部でパターン面を観察し、洗浄の必要があると判断したときに、洗浄部における洗浄を行うこともできる。
さらに、観察部による型のパターン面の観察像に基づき、洗浄制御部にて型の洗浄が必要であるか否かを判定し、洗浄が必要であると判定された場合、移動機構で洗浄部に対して型保持部を相対移動させ、型保持部に保持された型を洗浄部で洗浄させてもよい。このようにすれば、型の洗浄の必要の有無の判定から、洗浄が必要な場合の洗浄の実行までを、自動的に行うこともできる。
【００１０】
ところで、型のパターンを加工対象物に転写するには、従来は、上記したように、加工対象物をガラス転移点以上に加熱し、その状態で型を加工対象物に押し付けてパターンを転写し、その後、加工対象物をガラス転移点以下に冷却した後に、型を加工対象物から引き離して脱型する、といった一連の工程を行っている。
このような工程では、加工対象物を加熱・冷却するわけであるが、このために加工対象物全体をヒータで加熱・冷却する方式を用いている。このヒータは、加工対象物を支持するテーブルに設けられるのが通常である。そして、加工対象物が大型化すると、ヒータで加熱・冷却する対象の、加工対象物およびテーブルの熱容量が大きくなり、その結果、加工対象物を加熱・冷却し、加工対象物全体を均一な温度にするには数１０秒〜数分の時間が必要となる。
これにより、パターン転写の高スループット化を妨げる大きな要因となっている。
【００１１】
このような問題に対し、本発明のパターン転写装置は、型保持部に保持された型を加熱する加熱部をさらに備えることができる。その場合、加熱部で加熱された型を、移動機構で対象物保持部に保持された加工対象物に押し付けることで、加工対象物をガラス転移温度近傍またはそれ以上に加熱して、型に形成されたパターンを加工対象物に転写するのである。
【００１２】
型のパターンを加工対象物面に押し付けて転写した後、型を加工対象物面から引き離す、いわゆる離型工程で、型と加工対象物の離型がスムーズで無い場合、加工対象物に形成されたパターンが崩れたり、加工対象物側の材料が型に密着して剥がれる等の現象が生じる。その結果、パターンの再現精度（繰り返し精度）が低下するという問題が生じる。
また、上記のようなプロセスで各種デバイスに対するパターン転写を行うにあたり、実際に工業化を図る際には、当然のことながら高スループット化が要求されている。上記のような現象が生じると、これに対する処置等が必要となり、高スループット化の妨げにもなる。
様々なパターンを形成するには、例えば直径１００ｎｍで深さ５μｍといった、孔や溝、柱や壁の幅に対し、深さ、高さの寸法が大きい、いわゆる高アスペクト比のパターンを形成しなければならないことがある。上記の問題はこのような場合により顕著なものとなる。
【００１３】
このような問題の対策としては、通常の型を用いたパターン成形プロセスのように、型に潤滑剤（離型剤）を塗布したり、酸化膜を形成する等して、型と加工対象物の間の摩擦を低減させたり、あるいは離型時の型の移動速度を極端に遅くし、型と加工対象物の間に急激な剥離力が生じ無いようにすること等が考えられる。
しかしながら、これらの対策では、パターン成形を多数回繰り返すうちに型表面の潤滑剤が加工対象物側に付着して潤滑剤が少なくなったり、加工対象物側との摩擦により酸化膜が摩耗したりする。このため、潤滑剤を定期的に補給したり、酸化膜の摩耗状況を適宜点検し、必要に応じて酸化膜を再形成する必要が生じるが、これでは高スループット化を妨げることになる。特に、集積回路を製作するような場合、加工対象物に対し型が小さく、一つの加工対象物に型を多数回プレスするため、この問題はより顕著になる。
また、加工対象物が、薬液を流す流路や、形成した孔や溝で化学反応を生じさせるようなものである場合、離型剤の付着等は薬液や化学反応に影響を及ぼすために好ましくないのは言うまでもないことである。
さらに、離型時の型の移動速度を遅くする方法では、スループットの低下に直結するため、好ましくない。
【００１４】
そこで、本発明のパターン転写装置では、型を加工対象物に押し付けた後に型と加工対象物とを離間するとき、制御部により型または対象物保持部に加振機構で振動を加えさせるように制御することもできる。
これにより、型を加工対象物から離すときに、双方の間の密着力を低減させることが可能となる。
加振機構で加える振動としては、型と加工対象物との間の密着力を低減させることができるのであればいかなる周波数、振幅であってもよいが、パターンの径や幅等が微小な場合、超音波振動を加えるのが好ましい。ここで超音波振動としては、例えば１９．２ｋＨｚ等、おおよそ２０ｋＨｚ前後からそれ以上の周波数の振動を用いることができる。
【００１５】
本発明は、以下のようなパターン転写装置として捉えることもできる。すなわち、加工対象物に所定のパターンを形成するための型と、加工対象物を保持する対象物保持部と、型または対象物保持部に振動を加える加振機構と、型を加熱する加熱部と、型と対象物保持部を少なくとも二方向に相対移動させる移動機構と、移動機構による型の移動範囲内に設けられ、型の少なくともパターン面を洗浄する洗浄部と、を備え、加熱部で加熱された型を移動機構で加工対象物に対して相対移動させて加工対象物に押し付けることで、加工対象物をガラス転移温度近傍またはそれ以上に加熱して、加工対象物に型で所定のパターンを形成することを特徴とするのである。
【００１６】
本発明を、型に形成されたパターンを加工対象物に転写するパターン転写装置において、型のパターン面を洗浄する方法として捉えることもできる。この方法は、型が加工対象物に対して相対移動可能な範囲内で、型を範囲内に設けられた洗浄槽に対向した位置に移動させる工程と、型の少なくともパターン面を洗浄槽内の洗浄液に浸漬する工程と、洗浄液または型に超音波振動を加えて、型のパターン面を洗浄液で超音波洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。
このとき、型のパターン面を所定のタイミングで観察し、その観察結果に基づき、型の洗浄が必要であるか否かを判定する工程をさらに備え、判定する工程で洗浄が必要であると判定された場合、型と洗浄槽を相対移動させて型を洗浄槽で洗浄するのが有効である。
【００１７】
本発明を、型で基板上に所定のパターンを転写するパターン転写方法として捉えれば、この方法は、型を、基板のガラス転移温度を基準とした所定の温度に加熱する加熱工程と、型を基板に押し付けてパターンを転写するパターン転写工程と、所定のタイミングで型のパターン面を観察し、その観察結果に基づき、型の洗浄が必要であるか否かを判定する工程と、判定する工程で洗浄が必要であると判定された場合、型が加工対象物に対して相対移動可能な範囲に設けられた洗浄槽にて、型を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、型を常にクリーンな状態に保つことができる。しかも、型の移動範囲内に洗浄部、洗浄槽を備えることで、型を型保持部から取り外すことなく洗浄することができ、スループットの低下を最小限に抑え、しかも高い再現性を確保することができる。さらに、型のパターン面の観察像に基づき、型の洗浄の必要があると判定されたときに型の洗浄を自動的に行うことによって、最適なタイミングで型洗浄を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
図１および図２は、本実施の形態におけるパターン転写装置の全体構成を説明するための図である。
これら図１、図２に示すように、パターン転写装置１０は、所定のパターンが凹凸により形成された型１００を基板（加工対象物）２００に転写することで、基板２００にパターンを形成するものである。
このパターン転写装置１０は、加工対象となる基板２００を保持する基板保持部（対象物保持部）２０と、基板保持部２０を一方向に移動させる基板移動機構（移動機構）３０と、基板２００に所定のパターンを形成するための型１００を保持する型保持部４０と、型保持部４０に保持された型１００を二方向に駆動する型駆動機構（プレス機構、移動機構）５０と、を備えている。
【００２０】
図１および図２に示すように、基板保持部２０は、基板２００を略水平状態で保持するものであり、上面に支持面２１ａを有したテーブル２１を備えている。
このテーブル２１には、支持面２１ａに多数のバキューム孔（図示無し）が形成されており、このバキューム孔に図示しない負圧源から負圧を作用させることで、支持面２１ａ上に、基板２００を吸着保持できる構成となっている。
図３に示すように、テーブル２１は、保持した基板２００を加熱するためのヒータ２２を内蔵している。このヒータ２２は、図示しないコントローラ（制御部）により、テーブル２１上の基板２００を所定の一定温度に維持するよう、その作動が制御される。このヒータ２２としては、例えば、伝熱ヒータや、後に詳述するセラミックヒータを好適に用いることができる。
【００２１】
図１に示したように、基板移動機構３０は、上記の基板２００を保持するテーブル２１を、テーブル２１の支持面２１ａ、つまり保持される基板２００の面に平行な面内で一方向（以下、これをＹ方向と称する）に移動させるものである。この基板移動機構３０は、基台３１上に設けられた下部ベース３２を有している。
下部ベース３２は、その両端部を、一方向に延在する二本一対のリニアガイド３３によってスライド自在に支持され、二本のリニアガイド３３、３３間に平行に設けられたリニアモータ３４によって、リニアガイド３３、３３に沿ってＹ方向に進退駆動されるようになっている。
さらに、この下部ベース３２上には、上部ベース３５が設けられ、この上部ベース３５は、Ｘ−Ｙ平面内での角度を調節する機構（図示無し）を備えている。
【００２２】
図４に示すように、型保持部４０は、下面に支持面４１ａを有し、この支持面４１ａで型１００を保持する保持ブロック４１を備えている。
この保持ブロック４１には、型１００を加熱するヒータ（加熱部）４２が内蔵されている。このヒータ４２としては、例えば窒化アルミニウム等のセラミック素材で形成され、その内部にヒータ電極としての配線が埋め込まれた、いわゆるセラミックヒータが好適である。このような保持ブロック４１では、ヒータ電極に図示しない電源から電流を流すと温度が上昇し、電流を切ると温度が下降する。セラミックヒータは、例えば１０秒で１０００度近く温度が上昇する、非常に応答の速いヒータである。このようなヒータ電極に対する電源からの電流供給は、図示しないコントローラによって制御されるようになっている。
【００２３】
そして、保持ブロック４１は、その上面側に、冷却ブロック（冷却部）４３を一体に備えることもできる。この冷却ブロック４３は、アルミニウムや銅等の熱伝導性の高い金属で形成され、その内部に流路４４が形成され、この流路４４には、冷却水等の冷媒を流すことができるようになっている。
このような冷却ブロック４３では、流路４４に冷媒を流すことで、保持ブロック４１および型１００を冷却する機能を有する。
【００２４】
図１および図２に示したように、型駆動機構５０は、上記のように型１００を吸着保持する保持ブロック４１を、基板移動機構３０によるテーブル２１の移動方向（Ｙ方向）に直交する二方向（以下、これをＸ、Ｚ方向と称する）に移動させるものである。
型駆動機構５０は、基台３１の両側に設けられた側壁５１、５１上に支持された前後２つの固定ブロック５２、５２と、これら固定ブロック５２、５２に対し、Ｘ方向に移動する移動フレーム５３と、この移動フレーム５３に設けられ、保持ブロック４１を上下動させる昇降機構５４とを備える。
固定ブロック５２、５２は、Ｘ方向に長い矩形ブロック状で、側壁５１、５１上に、Ｙ方向に間隔を隔てて固定されている。各固定ブロック５２には、テーブル２１の移動方向に直交する水平方向、すなわちＸ方向に延在するリニアガイド５５が設けられている。
【００２５】
図２に示したように、移動フレーム５３は、前後の固定ブロック５２、５２を囲むような略角筒状とされ、前後の固定ブロック５２、５２のリニアガイド５５、５５によって、Ｘ方向に移動自在に支持されている。また、この移動フレーム５３は、固定ブロック５２、５２との間に設けられたリニアモータ５６により、リニアガイド５５、５５に沿ってＸ方向に移動するようになっている。
【００２６】
昇降機構５４は、移動フレーム５３の天板５３ａに固定されたモータ５７と、テーブル２１の支持面２１ａに直交する方向、すなわち鉛直方向に延在するボールネジ５８と、このボールネジ５８に噛み合うベアリング部５９を備えた支持ベース６０と、移動フレーム５３の天板５３ａ、底板５３ｂ間に設けられたガイド６１とから構成されている。
支持ベース６０は、ガイド６１に沿って鉛直方向、つまりＺ方向に昇降自在に支持されており、モータ５７でボールネジ５８を回転駆動させると、支持ベース６０がＺ方向に昇降するようになっている。
そして、この支持ベース６０の下面に超音波振動部材（加振機構、型振動部）７０を介し、保持ブロック４１が固定状態で取り付けられているのである。
【００２７】
図３に示したように、この超音波振動部材７０は、支持ベース６０の下面に取り付けられた圧電素子７１と、圧電素子７１の下面に取り付けられた超音波ホーン７２とから構成されている。ここで、圧電素子７１は図示しない駆動回路により交流電圧が加えられたときに、その交流電圧の周波数で、縦方向、つまり、支持ベース６０と保持ブロック４１を結ぶ方向（型１００が基板２００から離間する方向）の振動を発生する。また、超音波ホーン７２は、圧電素子７１に接している上端部７２ａが固定端、下端部７２ｂが自由端となっている。これにより、圧電素子７１が振動すると、自由端となっている超音波ホーン７２の下端部７２ｂ側において、振動が増幅され、超音波ホーン７２の下端部７２ｂに取り付けられた型１００において、その振幅が最大となるようになっている。
【００２８】
さて、図４に示したように、型１００は、その下面１００ａに、所定のパターンを形成するための凹凸１０１が形成されている。
一方、加工対象となる基板２００は、図５（ａ）に示すように、例えばポリカーボネート、ポリイミド等の樹脂材料、ガラス材料、シリコン、ガリウム砒素、サファイア、酸化マグネシウム等、成形素材がそのまま基板形状をなしているものを用いることができる。また、図５（ｂ）に示すように、基板２００として、シリコンウエハやガラスウエハ等からなる基板本体２０１の表面に、樹脂膜、フォトレジスト、配線パターンを形成するためアルミ、金、銀等の金属膜等を薄膜状の被覆層２０２が形成されたものを用いることができる。
図５（ａ）の場合、図４に示した型１００の凹凸１０１により、基板２００の表層部にパターンが転写され、図５（ｂ）の基板２００の場合、型１００の凹凸１０１のパターンは、被覆層２０２に転写されるが、いずれの場合も、基板２００の表層部にパターンを転写することに変わりは無いため、以下の説明においては、パターンが転写される部分を「基板２００の表層部」と単に称し、この表現は図５（ａ）、（ｂ）の双方の場合を含むものとする。
【００２９】
パターン転写装置１０では、型１００の下面１００ａに形成された所定のパターンの凹凸１０１を上記の基板２００に所定圧力で押し付けることで、基板２００の表層部のみにパターンを転写して形成する。
【００３０】
以下に、上記のようなパターン転写装置１０におけるパターン転写工程について説明する。なお、以下に示すパターン転写装置１０の動作は、基本的に、図示しないコントローラによって自動的に制御されるものである。
パターン転写装置１０では、概略としては、図６（ａ）に示すように、型１００を、基板２００のガラス転移温度以上に加熱しておき、その状態で図６（ｂ）に示すように型１００を基板２００に押し付け、基板２００を加熱する。そして、図６（ｃ）に示すように、型１００を一定時間押し付けて荷重を保持した後、型１００を冷却し、図６（ｄ）に示すように、基板２００から引き離す。この一連の工程で、基板２００の表層部が、型１００の凹凸１０１に対応した形状に成形加工されるようになっている。
【００３１】
より詳しくは、まず、保持ブロック４１に対し、所定の型１００を保持させておく。この状態で、型駆動機構５０は、保持ブロック４１を所定のストローク領域の上昇端に位置させておき、保持ブロック４１に保持された型１００とテーブル２１は、互いに離れて位置するようにしておく。
そして、テーブル２１上に、加工対象となる基板２００がセットされると、これをバキューム吸着する。
【００３２】
この後に、基板２００に対し、型１００を押し付けて所定のパターンを転写するわけであるが、これに先立ち、図７に示すように、コントローラにより、テーブル２１に内蔵されたヒータ２２と、保持ブロック４１に備えられたヒータ４２は、所定のタイミングＳ１で、予めそれぞれオンにしておく。また、冷却ブロック４３の流路４４には、冷却水等の冷媒を流しておく。
この状態、つまり型１００を基板２００に押し付ける前の状態で、保持ブロック４１のヒータ４２およびテーブル２１のヒータ２２からの熱伝導により、型１００を、基板２００の表層部を形成する素材のガラス転移温度Ｔｇ以上の所定温度Ｔ１に維持し、基板２００を、基板２００の加工対象部分となる表層部を形成する素材のガラス転移温度Ｔｇよりも低い所定の温度Ｔ２に維持している。
【００３３】
この後、基板移動機構３０、型駆動機構５０で、テーブル２１と保持ブロック４１をＸ、Ｙ方向に移動させることで、テーブル２１に吸着固定された基板２００の所定の領域を、保持ブロック４１に保持された型１００に対向させて位置決めする。
【００３４】
続いて、型駆動機構５０で保持ブロック４１に保持された型１００をＺ方向に移動させ、テーブル２１に保持された基板２００に接近させる。型１００の凹凸１０１が所定温度Ｔ１に温度上昇した後の所定のタイミングＳ３で、図６（ｂ）に示すように、型１００が基板２００の表面に接触すると、型駆動機構５０で保持ブロック４１に保持された型１００の移動を停止させる。すると、ガラス転移温度Ｔｇ以上の温度Ｔ１に温度上昇した状態の型１００から基板２００の表層部に対し、熱が伝導され、これによって基板２００の表層部の温度が、型１００の温度Ｔ１近くまで上昇する。このとき、型１００の凹凸１０１が直接接触する基板２００の表層部以外の他の部分は、さほど温度上昇しない。
基板２００の表層部が、ガラス転移温度Ｔｇ以上の温度Ｔ１近く、あるいは少なくともガラス転移温度Ｔｇ近傍の温度まで上昇したタイミングＳ４で、図６（ｃ）に示したように、型駆動機構５０で保持ブロック４１に保持された型１００を基板２００側にさらに移動させる。これにより、型１００は、基板２００の表面に対し、さらに大きく食い込むことになり、基板２００の表層部に、型１００の凹凸１０１のパターンが転写される。
【００３５】
ところで、上記のような動作において、タイミングＳ３とＳ４の間では、型１００が基板２００の表面に接触した状態で、型駆動機構５０による型１００の移動が停止している。つまり、タイミングＳ３とＳ４の間では、荷重コントローラとして機能するコントローラの制御により、基板２００に対し、基板２００の表層部の温度がガラス転移温度Ｔｇよりも低い状態で永久歪みを与えない所定の荷重Ｆ１が型１００から付与された状態となっている。
そして、タイミングＳ４以降で、型駆動機構５０によって型１００が基板２００側に移動され、これによって基板２００に対し、型１００から、基板２００の表層部の温度がガラス転移温度Ｔｇよりも高い状態で永久歪みを与えて成形を行うための、荷重Ｆ１とは異なる所定の荷重Ｆ２が付与されるようになっている。
このようにして、型１００から基板２００に対して付与する荷重を、荷重Ｆ１とＦ２とで２段階に変動させて、型１００と基板２００が接触した状態の荷重Ｆ１のときに、型１００の熱を基板２００側に伝導させて基板２００の表層部を軟化させ、その後、荷重を荷重Ｆ２に移行させて型１００による成形を行うのである。
【００３６】
さて、タイミングＳ４以降、予め設定した所定時間ｔが経過したタイミングＳ５で、保持ブロック４１のヒータ４２に対する電流供給量を下げる。これにより、保持ブロック４１および型１００、基板２００の温度は低下するわけであるが、このとき、保持ブロック４１の上面側には、ガラス転移温度Ｔｇ以下の冷却ブロック４３が設けられているので、型１００および基板２００の温度は、例えばテーブル２１の温度Ｔ２近傍まで速やかに下降する。
【００３７】
続いて、保持ブロック４１のヒータ４２に対する電流供給量を下げたタイミングＳ５以降、後述する離型を開始するタイミングＳ７よりも所定時間前に設定されたタイミングＳ６にて、超音波振動部材７０の圧電素子７１に電圧を印加し、振動を発生させる。これにより超音波ホーン７２が保持ブロック４１を介し、型１００に振動を加えることになる。
このとき、圧電素子７１では、例えば縦方向、つまり型１００と基板２００が互いに離間・接近する方向に、例えば２０ｋＨｚの周波数で、型１００の表面において、成型する深さ（高さ）の数分の１以下の振幅の超音波振動を生じるように駆動される。
【００３８】
そして、型１００で超音波振動を加え始めたタイミングＳ６以降、所定時間が経過したタイミングＳ７で、図６（ｄ）に示すように、型駆動機構５０を作動させ、型１００をテーブル２１に保持された基板２００から離し、離型させる。
【００３９】
これにより、基板２００の表層部には、型１００の凹凸１０１によって構成される所定のパターンが転写形成されるようになっている。
ところで、圧電素子７１を振動させることで型１００に加えている振動は、型１００が基板２００から離れ始めた後の所定のタイミングで、圧電素子７１に対する電圧供給を遮断させることで停止させる。なお、このタイミングは、型１００が基板２００から離れる方向に移動し始めた以降であれば、どのようなタイミングに設定してもよく、例えば型駆動機構５０で型１００を基板２００から離れる方向に移動させるとほぼ同時としてもよいし、型１００が完全に基板２００から離れる前、あるいは型１００が完全に基板２００から離れた後としても良い。
【００４０】
上記のようにして、型１００で基板２００に対し、１回のパターン転写を行った後は、所定のタイミングＳ２で保持ブロック４１のヒータ４２に流す電流を増やし、これによって保持ブロック４１に保持された型１００を、再びガラス転移温度Ｔｇ以上の温度Ｔ１に設定しながら、基板移動機構３０で、基板２００を、次のパターン転写位置まで移動させる。
この、保持ブロック４１のヒータ４２に流す電流を増やすタイミングＳ２は、次のパターン転写位置において型１００の凹凸１０１が基板２００の表面に接触する（押し付けられる）よりも前に、型１００がガラス転移温度Ｔｇ以上の所定温度Ｔ１に上昇するのであれば、いかなるタイミングでも良い。
この後は、前記した型１００の押し付け、冷却、離型といった工程を同様に行うことで、他の位置にパターンを形成することができる。
そして、上記一連の工程を順次繰り返すことで、基板２００の複数箇所に対し、型１００のパターンを順次転写していくことができる。
【００４１】
ところで、上記のようにして型１００を基板２００に押し付ける際、基板２００の温度を、その加工対象となる表層部の素材のガラス転移温度Ｔｇよりも低く一定に設定しておき、一方、型１００の温度をガラス転移温度Ｔｇよりも高く設定した。例えば、基板２００をポリカーボネイト樹脂（ＰＣ）とする場合、ポリカーボネイト樹脂においてガラス転移温度Ｔｇは約１５０℃であるので、基板２００（テーブル２１）の温度Ｔ２をガラス転移温度Ｔｇ以下の約１４０℃に、型１００の温度Ｔ１をガラス転移温度Ｔｇ以上の約１６０〜１７０℃に設定しておく。この状態で型１００を基板２００に押し付けると、型１００の温度が基板２００の表層部に伝わり、基板２００の表層部から温度上昇し、徐々にその全体に伝わる。
例えば、基板２００の表層部を形成する素材のガラス転移温度Ｔｇに対し、温度Ｔ１は約２０℃高く、温度Ｔ２は約３０〜５０℃低く設定するのが好ましい。もちろん、素材の種類によってその設定温度は変化するものであり、一義的にその値に決まっているものではない。
基板２００を構成する樹脂やガラス材料において、ガラス転移温度Ｔｇを超えた状態は、外部応力によって非常に変形しやすい、つまり成形加工しやすい状態になっているので、このガラス転移温度Ｔｇを超えた状態を保持したまま、型１００に荷重を増大させ、基板２００に押し付ける。そうすると、基板２００は型１００の形状に沿って変形していき、凹凸１０１の形状を反転転写した状態で安定する。
その後、型１００の温度をガラス転移温度Ｔｇ以下に低下させ、型１００と接触している基板２００の温度を低下させる。ガラス転移温度Ｔｇ以下の状態では、基板２００は初期状態と同様、変形しにくい状態であり、つまり型１００の凹凸１０１形状に沿って硬化し、パターンが定着した状況である。この基板２００がガラス転移温度Ｔｇ以下になった状態で、型１００を基板２００から引き離すと、基板２００の表層部は型１００の凹凸１０１の形状を反転転写した状態となり、すなわち型１００の凹凸１０１の反転形状のパターンが成形されるのである。
【００４２】
また、型１００によって基板２００にパターンを形成した後、型１００を基板２００から離型させるに際し、型１００に超音波振動を加えるようにした。これにより、型１００と基板２００との間に相対変位が生じ、その直前、つまり離型させる直前の段階で、型１００と基板２００の間に作用している静摩擦力を動摩擦力に変移させることができる。周知の通り、静摩擦力よりも動摩擦力の方が小さいため、型１００と基板２００の密着力を低減させることができ、これにより型１００と基板２００の食い付きの発生を抑制して離型をスムーズに行うことが可能となる。その結果、アスペクト比が高いパターンを形成するような場合であっても、基板２００に形成されたパターンの崩れ、型１００に対する基板２００の材料の付着等を防止することができ、パターン再現精度の向上、および型１００等のメンテナンス頻度を抑えることによる高スループット化、メンテナンス費用の抑制を図ることができる。
加えて、潤滑剤を塗布したり酸化被膜を形成する必要もなく、型１００と基板２００の食い付きを防止できるので、形成する基板２００が、特に、薬液を流したり化学反応を生じさせるためのパターンを有するものである場合であっても、薬液や化学反応への影響が生じることもなく、この技術を非常に好適に用いることができる。
【００４３】
また、上記パターン転写装置１０では、離型時のみに型１００に超音波振動を加えるようにし、型１００を押し付ける工程では、超音波振動を加えない構成とした。型１００を押し付ける工程では、基板２００の表層部がガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱されて軟化しているので、この状態で型１００に超音波振動を加えると、特にパターンのサイズが微小である場合、型１００の凹凸１０１の寸法に振動の振幅が加わったものがパターンとして形成され、パターンの再現精度が低下してしまうことがある。これに対し、上記したように、離型時のみに型１００に超音波振動を加えるようにすることで、パターンの再現精度が低下するのを回避することができる。
【００４４】
また、基板２００の表層部のガラス転移温度Ｔｇ以上の温度Ｔ１に設定した型１００を基板２００に押し付け、型１００のパターンを転写した後、型１００をガラス転移温度Ｔｇ以下の温度Ｔ２まで冷却し、型１００を基板２００から引き離す構成とした。
このようにして、パターンが形成される基板２００の表層部に接する型１００から、基板２００の全体ではなく、加工対象部分となる表層部に対してのみ熱を直接与えるので、これによって基板２００側の加熱・冷却時間も短縮することができる。さらには、基板２００よりも型１００が小さい場合、基板２００の面積全体ではなく、型１００が当たる局所的な部分のみを加熱するので、この点においても加熱を短時間で行うことに寄与することができる。
これにより、型１００による基板２００に対するパターン転写に際し、加える熱サイクルの効率を高めることが可能となり、スループットを高めるとともに、使用するエネルギーを省力化することができる。また、基板２００に対し一つの型１００で複数回パターンを順次転写する型１００は、小型で済み、精度確保や温度管理等も、大型のものに比較すれば容易であり、型１００のコストを大幅に削減できる。
【００４５】
しかも、このようなパターン転写装置１０は、光学系や光源を用いることのない、メカニカルな構造で実現できるので、従来のステッパ等に比較し、遥かに低コストで製作することができ、また装置の小型化を図ることもできる。
このようにして、基板２００に対するパターン転写を、高効率、しかも低コストで行うことが可能となるのである。
【００４６】
このようなパターン転写装置１０では、加工対象となる基板２００として、例えば、図８に示すようなウエハ（加工対象物）２００Ａを適用することができる。このようなウエハ２００Ａ上に複数のパターンＰを転写することができるのである。これにより、ウエハ２００Ａの大面積化が可能となり、ウエハ２００Ａのテーブル２１に対する乗せ代え等のハンドリング時間を節約することができるので、１個の成形品の生産コストを低減することができる。
また、基板２００としては、他に、図９に示す微小なドット形状が一定の周期で配列しているフォトニック結晶（加工対象物）２００Ｂや、所定の配線パターンを有した半導体電子回路基板、さらに図１０に示すような微小な流路２０３を有した基板（加工対象物）２００Ｃ等が適用できる。
【００４７】
さて、図１に示したように、本実施の形態において、上記したようなパターン転写装置１０には、型１００を洗浄する洗浄装置（洗浄部）８０が備えられている。洗浄装置８０は、例えば基台３１上に設けられており、洗浄液Ｌが収容された洗浄槽８１と、この洗浄槽８１に超音波振動を加える超音波振動源（図示無し）とを備えている。なおこの洗浄槽８１は、基台３１以外に設けることも可能であるが、洗浄液Ｌがこぼれないよう、可動しない固定部分に設けるのが好ましい。
【００４８】
この洗浄槽８１は、基板移動機構３０、型駆動機構５０によって、保持ブロック４１に吸着保持された型１００を基台３１に対しＸ、Ｙ方向に移動させたときの可動範囲内となるような位置に設けられている。また、洗浄槽８１に収容された洗浄液Ｌは、その液面が、型駆動機構５０によって、保持ブロック４１に吸着保持された型１００を基台３１に対しＺ方向に移動させたときの可動範囲内となるようにされており、つまり型１００の少なくとも下面１００ａに形成されたパターンである凹凸１０１が、洗浄液Ｌに浸かるように設定されている。
【００４９】
このような洗浄装置８０により、適宜タイミングで、型１００を基板移動機構３０、型駆動機構５０によって移動させて洗浄槽８１に浸漬し、超音波振動源（図示無し）を作動させることによって、型１００の下面１００ａの凹凸１０１を洗浄液Ｌで超音波洗浄することができるようになっている。
【００５０】
この洗浄装置８０には、洗浄槽８１に洗浄液Ｌを供給する供給管８３と、洗浄槽８１から洗浄液Ｌを排出するドレイン管８４とが設けられており、パターン転写装置１０外から適宜操作を行うことで、洗浄槽８１の洗浄液Ｌを交換したり、随時循環させること等ができるようになっている。
【００５１】
洗浄液Ｌとしては、純水、アセトン、イソプロピルアルコール等のアルコール等を用いることができる。また、基板２００の表層部を樹脂で形成する場合、樹脂材料を溶剤で溶かしてペースト状とし、これをスピンコート法によって基板本体２０１の表面に広げるわけであるが、このときに用いる溶剤と同種のものを、洗浄液Ｌとして用いることもできる。このようにすれば、型１００に付着したカスは、基板２００の表層部のカスであるため、これを容易に溶解して除去することが可能となる。
【００５２】
上記したような洗浄装置８０による型１００の洗浄は、例えば、作業者が適宜タイミングで型１００を観察し、これに基づいて作業者が下した判断結果に応じ、作業者が所定の操作を行って型１００の洗浄をパターン転写装置１０に実行させることができる。このときには、作業者が型１００を直接目視することで観察を行ってもよいが、パターン転写装置１０内の適宜位置に型１００を観察するための観察部としてカメラ等を設け、このカメラ等から送られる画像をパターン転写装置１０外から見て、実際の観察・判断を行うのが好ましい。
また、予め試験運転等の際に条件出しを行い、それに基づいて設定した型１００のショット数毎に行うようにすることができる。その場合、所定ショット数に到達した時点で、アラーム信号を報知し、これに基づき、作業者が所定の操作を行って型１００の洗浄を実行させるようにしてもよいし、パターン転写装置１０のコントローラに予めプログラミングしておくことで、所定ショット数毎に、洗浄装置８０による型１００の洗浄を自動的に行うよう制御するようにしてもよい。
【００５３】
さらに、パターン転写装置１０に、型１００の洗浄が必要か否かを判定し、その判定結果に基づいて型１００の洗浄を自動的に実行させる判定機構（洗浄制御部）９０を備えることもできる。
これには、図１に示すように、基台３１側の所定の位置、例えばテーブル２１の上面に、ＣＣＤ（Charge Coupled Device:電荷結合素子）カメラ（観察部）９１等の撮像手段を設ける。ＣＣＤカメラ９１は、鉛直上方の像を撮像するようにセットされており、ＣＣＤカメラ９１に対向するよう型１００が位置したときに、型１００の下面１００ａの凹凸１０１を撮像するようになっている。このＣＣＤカメラ９１は、洗浄槽８１に近い側に設けるのが好ましい。後述するように、ＣＣＤカメラ９１での撮像結果に基づき型１００を洗浄するか否かを判定するのであるが、型１００を洗浄する場合には、ＣＣＤカメラ９１で撮像してからの移動距離を少なくすることができ、洗浄に要する時間の短縮化を図れるからである。
【００５４】
また、判定機構９０は、ＣＣＤカメラ９１で撮像した型１００の画像を解析し、洗浄が必要か否かを判定する判定回路（図示無し）を備えている。この判定回路（図示無し）では、予め記憶した、正常状態の型１００の画像と、ＣＣＤカメラ９１で撮像した型１００の画像を、適宜画像処理手法によって比較し、型１００の洗浄が必要であるか否かを判定する。具体的には、ＣＣＤカメラ９１で撮像した型１００の画像において、型１００に付着したカス等によって、正常状態の型１００の画像との差が所定のしきい値を超えたときに、型１００の洗浄が必要であると判定するのである。
【００５５】
判定回路（図示無し）において型１００の洗浄が必要であると判定された場合、判定機構９０では、基板移動機構３０、型駆動機構５０を作動させ、型１００を、洗浄装置８０の洗浄槽８１に移動させ、洗浄液Ｌによる超音波洗浄を自動的に行う。
このような判定機構９０を備えることで、型１００の状況に応じ、適切なタイミングで型１００を自動的に洗浄することが可能となっている。
【００５６】
前記判定機構９０による、型１００の洗浄が必要であるか否かの判定は、予め設定した所定のショット数毎に自動的に行うことができる。また、基板２００に対するパターン転写が完了し、次の基板２００に交換する間、型１００が待機している位置に対向した位置にＣＣＤカメラ９１を設置すれば、ＣＣＤカメラ９１に対向する位置に型１００を移動させる必要がないため、基板２００を交換している間に判定を行うこともできる。このようにすれば、基板２００を１枚加工するごとに、洗浄の必要の有無を判定することも可能である。
【００５７】
なお、上記実施の形態では、超音波振動部材７０で型１００を振動させるようにしたが、基板２００を保持するテーブル２１側に同様の機構を備えるようにしてもよい。
また、洗浄装置８０の洗浄槽８１に超音波振動源を備えるようにしたが、型１００側の超音波振動部材７０によって型１００を洗浄液Ｌ内で超音波振動させる構成とすることも可能である。この場合、洗浄装置８０側の超音波振動源を省略することもできる。
さらに、加熱した型１００を基板２００に押し付けることでパターン転写を行うようにしたが、これに代えて、従来通り、基板２００側を加熱するようにしてもよい。
【００５８】
これ以外に、型１００をパターン転写装置１０内の洗浄装置８０で洗浄する、という本願発明の主旨を逸脱しないのであれば、それ以外の部分についてはいかなる構成に変更しても差し支えが無い。
例えばヒータ４２で型１００に加える温度プロファイルを変更しても良いし、従来と同様に型１００側ではなく基板２００側にヒータを備えることで、基板２００をガラス転移点近傍まで加熱するような構成としてもよい。
また、保持ブロック４１のヒータ４２をセラミックヒータとし、冷却ブロック４３を冷媒を用いた冷却構造としたが、高速に加熱冷却できるものであれば、特にそれらに限定されることはなく、レーザや超音波による加熱、またペルチェ素子による冷却等を用いてもよい。
さらに、このような冷却ブロック４３を備えない構成とすることも可能である。
【００５９】
また、パターン転写装置１０では、基板移動機構３０で基板２００をＹ方向に移動させ、型駆動機構５０で型１００をＸ、Ｚ方向に移動させるようにしたが、これに限るものではなく、またその駆動機構も、油圧機構や空圧機構等を用いたものとすることもできる。
加えて、基板２００に対し、型１００を相対移動させながら複数回のパターン転写を繰り返す構成としたが、一つの基板２００に対し、型１００で一回のパターン転写のみを行うような構成であっても良い。
【００６０】
この他、型１００は、微細パターンが形成できるものであれば材質やその製造法は特に限定されるものではない。一方、基板２００は、その表層部の成形素材と基板が一体のもの、例えば樹脂基板やガラス基板、あるいは成形素材が基板上に薄く形成されたもの、例えばシリコン基板やガラス基板上に形成された樹脂膜、等、その組み合わせは特に限定されるのもではない。
さらに加え、基板２００の少なくとも表層部に紫外線硬化型樹脂（光硬化型樹脂）を用い、紫外線光源から紫外線を照射するような構成においても本発明を適用することが可能である。このような紫外線光源は、パターン転写装置１０とは別に設けても良いが、基板２００を紫外線光を透過する材料で形成し、基板２００の下側、つまりテーブル２１に紫外線光源を備え、この紫外線光源からの光を、基板２００の裏側から透過させることで、表層部の紫外線硬化型樹脂を硬化させ、パターンを定着させる構成とすることもできる。
さらに、加工対象物は、基板２００に限らず、他の加工対象物であっても本発明を適用することが可能である。例えば、加工対象物側、あるいは型側を加熱することなく、パターン転写を行うような場合であっても、本発明を適用することで、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本実施の形態におけるパターン転写装置を示す正面図である。
【図２】図１の側断面図である。
【図３】基板保持部と型保持部、および超音波振動部材の構成を示す図である。
【図４】型保持部の構成を示す断面図である。
【図５】加工対象物となる基板の例を示す図である。
【図６】型による基板に対するパターン工程の流れを示す図である。
【図７】パターン転写時の、ヒータ、基板、基板表層部の温度変化、超音波振動加振、離型のタイミングを示す図である。
【図８】パターンを形成する基板の一例を示す図である。
【図９】パターンを形成する基板の他の一例を示す図である。
【図１０】パターンを形成する基板のさらに他の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０…パターン転写装置、２０…基板保持部（対象物保持部）、２１…テーブル、３０…基板移動機構（移動機構）、３１…基台、４０…型保持部、４１…保持ブロック、４２…ヒータ（加熱部）、５０…型駆動機構（プレス機構、移動機構）、５４…昇降機構、７０…超音波振動部材（加振機構、型振動部）、８０…洗浄装置（洗浄部）、８１…洗浄槽、９０…判定機構（洗浄制御部）、９１…カメラ（観察部）、１００…型、１０１…凹凸、２００…基板（加工対象物）、Ｌ…洗浄液、Ｐ…パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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