(57)【要約】  【課題】  ２つの基板の間において高周波信号を確実に伝送させるとともに、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波伝送線路の接続構造を提供すること。  【解決手段】  絶縁体から成る第１の基体１の上面に搭載される電子部品４に一端が接続されるとともに他端が第１の基板１の端まで形成され、他端部に線幅が幅広とされた幅広部２ａを有する第１の高周波伝送線路２と、絶縁体から成る第２の基板６上面の端に一端を有する第２の高周波伝送線路７とが板状または線状の接続導体３を介して電気的に接続されている高周波伝送線路の接続構造であって、第１および第２の基板１，６の接続導体３の下方に位置する互いに対向する側面間に隙間８が設けられている。【選択図】  図１
2005217686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体から成る第１の基板の上面に搭載される電子部品に一端が接続されるとともに他端が前記第１の基板の端まで形成され、他端部に線幅が幅広とされた幅広部を有する第１の高周波伝送線路と、絶縁体から成る第２の基板の上面の端に一端を有する第２の高周波伝送線路とが板状または線状の接続導体を介して電気的に接続されている高周波伝送線路の接続構造であって、前記第１および第２の基板の前記接続導体の下方に位置する互いに対向する側面間に隙間が設けられていることを特徴とする高周波伝送線路の接続構造。
【請求項２】
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の側面で前記接続導体の下方の部位に前記接続導体よりも幅広の切欠き部が設けられるとともに、前記側面の前記切欠き部の周囲がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって前記隙間が設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波伝送線路の接続構造。
【請求項３】
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の側面で前記接続導体の両側の部位に突出部がそれぞれ形成されているとともに、前記側面の前記突出部がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって前記隙間が設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波伝送線路の接続構造。
【請求項４】
前記隙間は、０．１乃至０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波伝送線路の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の高周波用電子部品を搭載する基板同士を接続させて高周波信号を伝送させるための高周波伝送線路に関し、高周波伝送線路同士の接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる半導体素子等の電子部品に接続させて高周波信号を伝送させるための高周波伝送線路を外部電気回路基板等の他の高周波伝送線路に接続する際、リード端子やボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して互いに接続していた。このようなリード端子やボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部に接続される高周波伝送線路を有する回路基板を図４に示す。
【０００３】
図４において、第１の基板11は、上面に半導体素子等の電子部品14を載置するための載置部11ａを有し、載置部11ａの周辺から第１の基板11の端にかけて電子部品14と外部とを電気的に導通接続するための第１の高周波伝送線路12が形成されたセラミックス等の絶縁体から成り、載置部11ａに電子部品14が載置固定される。そして、第１の高周波伝送線路12の一端にボンディングワイヤ15等により電子部品14が接続され、他端にリード端子やボンディングワイヤ等の接続導体13が接続される。さらに第１の高周波伝送線路12の他端部の接続導体13が接続される部位に幅広部12ａが形成されることによって、幅広部12ａで接続導体13を強固に接続固定するための十分な面積を確保できる。この構成によって第２の基板16との電気的接続を良好にし、電子部品14と第２の基板16との間で高周波信号を効率よく入出力できる第１の高周波伝送線路12として機能する。
【０００４】
第１の基板11は、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、またはエポキシ樹脂等の樹脂から成る。第１の基板11がセラミックスから成る場合、その上面に第１の高周波伝送線路12がタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）等から成る金属ペーストを高温で焼成して形成される。第１の高周波伝送線路12は伝送する高周波信号の特性インピーダンスが所定の値になるように適宜線路幅が調整されており、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【０００５】
接続導体13は、高周波伝送線路同士を電気的に接続する機能を有する。従って、接続導体13には、電気的な抵抗が少ない金（Ａｕ）等の金属から成るボンディングワイヤや鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るリード端子が用いられ、リード端子を用いる場合、銀（Ａｇ）ロウ等の導電性接着材を介して高周波伝送線路12の一端の幅広部12ａに接続固定される。
【０００６】
そして、第１の高周波伝送線路12は、その一端に載置部11ａの上面に載置固定された半導体素子等の電子部品14がボンディングワイヤ15により接続され、他端に接続導体13を介して第２の基板16の上面に形成された第２の高周波線路17が接続され、電子部品14と第２の基板16の第２の高周波線路17との間で高周波信号を伝送させる線路として機能する。第１の高周波伝送線路12には、他端部に線幅が幅広とされた幅広部12ａが形成されており、接続導体13を強固に接続固定するための十分な面積を確保できることによって、幅広部12ａと接続導体13とを強固に接合することができる。また、接続導体13をリード端子とすることによって第１の基板11と第２の基板16とを強固に接合できる。
【０００７】
しかしながら、第一の高周波伝送線路12は、幅広部12ａで線路の幅が残部12ｃと異なるため、線路のインピーダンス値が幅広部12ａと残部12ｃとで異なった線路となる。即ち、第一の高周波伝送線路12を全長にわたって特性インピーダンス値に整合させるということができない。一般には、第一の高周波伝送線路12は、特性インピーダンス値に整合された線路とされ、残部12ｃを特性インピーダンス値に整合された線路とする場合、幅広部12ａにおいては残部12ｃの線路幅よりも幅広となって、残部12ｃの特性インピーダンス値よりも小さいインピーダンス値となる。
【０００８】
この構成において、第一の高周波伝送線路12を伝送する信号が高周波のものとなると、幅広部12ａにおいて反射損失等の伝送損失が大きくなって、第一の高周波伝送線路12において高周波信号を効率よく伝送できなくなる。
【０００９】
そこで、図４に示すように、幅広部12ａに接する部位に残部12ｃよりも幅狭な幅狭部12ｂを形成する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
この構成により、幅広部12ａにおいて幅広部12ａのインピーダンス値が特性インピーダンス値よりも低い値となるが、幅狭部12ａにおいて線路幅を狭くすることによって容量成分を小さくして幅狭部12ａのインピーダンス値を特性インピーダンス値よりも高くすることができる。そして、これらインピーダンスが合成されることにより、第一の高周波伝送線路12は、全長にわたって特性インピーダンス値とマッチした伝送線路とすることができる。
【００１１】
従って、幅広部12ａと幅狭部12ｂとを接するようにして第1の高周波伝送線路の他端部に設けることによって、幅広部12ａと幅狭部12ｂとの特性インピーダンス値からのインピーダンス値のずれを互いに相殺させ、幅広部12ａと幅狭部12ｂとを伝送する高周波信号のインピーダンス値を特性インピーダンス値に近い値とすることができた。
【特許文献１】特開2001−102820号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、第１の高周波伝送線路12を伝送する高周波信号が20ＧＨｚ程度の高周波になると、残部12ｃの線幅を特性インピーダンス値に整合させるために60μｍ程度に狭くしなければならず、それに伴い上記従来の構成においては、幅狭部12ｂの線幅を40μｍ程度の非常に狭いものとしなければならなかった。その結果、幅狭部12ｂの線幅が狭くなりすぎて、幅狭部12ｂを形成するのが困難となってきた。即ち、幅狭部12ｂにかすれ（非形成部）が生じて断線してしまったり、幅狭部12ｂを全く形成できなくなるという問題が顕著に発生するようになってきた。
【００１３】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、２つの基板の間において高周波信号を確実に伝送させるとともに、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波伝送線路の接続構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の高周波伝送線路の接続構造は、絶縁体から成る第１の基板の上面に搭載される電子部品に一端が接続されるとともに他端が前記第１の基板の端まで形成され、他端部に線幅が幅広とされた幅広部を有する第１の高周波伝送線路と、絶縁体から成る第２の基板の上面の端に一端を有する第２の高周波伝送線路とが板状または線状の接続導体を介して電気的に接続されている高周波伝送線路の接続構造であって、前記第１および第２の基板の前記接続導体の下方に位置する互いに対向する側面間に隙間が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の高周波伝送線路の接続構造は、上記構成において好ましくは、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の側面で前記接続導体の下方の部位に前記接続導体よりも幅広の切欠き部が設けられるとともに、前記側面の前記切欠き部の周囲がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって前記隙間が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
また本発明の高周波伝送線路の接続構造は、上記構成において好ましくは、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の側面で前記接続導体の両側の部位に突出部が形成されているとともに、前記側面の前記突出部がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって前記隙間が設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の高周波伝送線路の接続構造は、上記構成において好ましくは、前記隙間は、０．１乃至０．５ｍｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の高周波伝送線路の接続構造は、絶縁体から成る第１の基板の上面に搭載される電子部品に一端が接続されるとともに他端が第１の基板の端まで形成され、他端部に線幅が幅広とされた幅広部を有する第１の高周波伝送線路と、絶縁体から成る第２の基板の上面の端に一端を有する第２の高周波伝送線路とが板状または線状の接続導体を介して電気的に接続されている高周波伝送線路の接続構造であって、第１および第２の基板の前記接続導体の下方に位置する互いに対向する側面間に隙間が設けられていることから、第１の高周波伝送線路の幅広部において容量成分が大きくなり、幅広部のインピーダンス値が特性インピーダンス値よりも低い値となるが、第１の基板および第２の基板の接続導体の下方に位置する互いに対向する側面に適度な隙間が設けられることによって、接続導体の隙間の下方において絶縁体が無くなるので誘導成分（インダクタンス）が大きくなり、この誘導成分により接続導体の隙間にかかる部分のインピーダンス値は特性インピーダンス値よりも高い値となる。従って、第１の基板および第２の基板の接続導体の下方に位置する互いに対向する側面間に隙間が設けられ、第１の基板の端まで形成された第１の高周波伝送線路の他端側の先端と第２の基板の端の第２の高周波伝送線路の一端側の先端との距離を適度な値とすることによって、幅広部のインピーダンス値の低下分を接続導体の隙間にかかる部分の高いインピーダンス値によって相殺させ、幅広部を伝送される高周波信号が反射損失等の伝送損失により減衰されることなく良好に伝播する。
【００１９】
また、第１の高周波伝送線路に幅狭部を形成する必要がないから、第１の高周波伝送線路の幅狭部にかすれが生じて断線してしまったり、第１の高周波伝送線路の幅狭部が加工最小限界の幅を下回ってしまい高周波伝送線路を形成できなくなるということがなくなる。従って、第１の高周波伝送線路に高周波信号を確実に伝送できるものとなる。
【００２０】
以上により、高周波信号を良好に伝送させ得る第１の高周波伝送線路の接続構造とすることができる。
【００２１】
本発明の高周波伝送線路の接続構造は、上記構成において好ましくは、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の側面で接続導体の下方の部位に接続導体よりも幅広の切欠き部が設けられるとともに、側面の切欠き部の周囲がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって、隙間が設けられていることから、第１の高周波伝送線路の幅広部において容量成分が大きくなり、幅広部のインピーダンス値が特性インピーダンス値よりも低い値となるが、切欠き部が第１の基板および第２の基板との間の適度な隙間となって、接続導体の隙間にかかる部分において誘導成分が大きくなり、この誘導成分により接続導体の隙間にかかる部分のインピーダンス値は特性インピーダンス値よりも高い値となる。従って、切欠き部が第１の基板および第２の基板の間の隙間となって、第１の高周波伝送線路の他端側の先端と第２の高周波伝送線路の一端側の先端との距離を適度な値とすることによって、幅広部のインピーダンス値の低下分を接続導体の隙間にかかる部分の高いインピーダンス値によって相殺させ、幅広部を伝送される高周波信号が反射損失等の伝送損失により減衰されることなく良好に伝播する。
【００２２】
切欠き部の周囲の第１の基板および第２の基板の側面が互いに当接することで、切欠き部が、第１の基板および第２の基板との間の隙間となり、切欠き部を正確な寸法で形成することにより隙間寸法を正確かつ容易に所望の値にすることができるので、接続導体の隙間にかかる部分のインピーダンス値を正確に所望の値に整合させることができるとともに、第１の基板と第２の基板との接続の作業性が非常に効率の良いものとなり、量産に適するものとなる。その結果、高周波伝送特性が優れ、第１の基板と第２の基板との接続部において優れた伝送特性を有する高周波伝送線路の接続構造となる。
【００２３】
本発明の高周波伝送線路は、上記構成において好ましくは、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の側面で前記接続導体の両側の部位に突出部が形成されているとともに、側面の突出部がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって隙間が設けられていることから、第１の高周波伝送線路の幅広部において容量成分が大きくなり、幅広部のインピーダンス値が特性インピーダンス値よりも低い値となるが、突出部によって第１の基板と第２の基板との間に適度な隙間が設けられて、接続導体の隙間にかかる部分において誘導成分が大きくなり、この誘導成分により接続導体の隙間にかかる部分のインピーダンス値は特性インピーダンス値よりも高い値となる。従って、突出部によって第１の基板と第２の基板との間に隙間が設けられ、第１の高周波伝送線路の他端側の先端と第２の高周波伝送線路の一端側の先端との距離を適度な値とすることができ、幅広部のインピーダンス値の低下分を接続導体の隙間にかかる部分の高いインピーダンス値によって相殺させ、幅広部を伝送される高周波信号が反射損失等の伝送損失により減衰されることなく良好に伝播する。
【００２４】
突出部がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することで、第１の基板と第２の基板との間に隙間が設けられるので、突出部を正確な寸法で形成することにより第１の基板と第２の基板との隙間寸法を正確かつ容易に所望の値にすることができ、接続導体の隙間にかかる部分のインピーダンス値を正確に所望の値に整合させることができるとともに、第１の基板と第２の基板とを容易に位置合わせすることができ、接続の作業性が非常に効率の良いものとなり、量産に適するものとなる。その結果、高周波伝送特性が第１の基板と第２の基板との接続部において優れた高周波伝送線路の接続構造となる。
【００２５】
本発明の高周波伝送線路の接続構造は、上記構成において好ましくは、隙間は、0.1乃至0.5ｍｍであることから、適度な隙間によって接続導体の隙間にかかる部分に幅広部に生じるインピーダンス値の低下分を補う適度な高いインピーダンス値を生じさせることができ、幅広部を伝送される高周波信号が反射して生じる反射損失を抑え、高周波信号を良好に伝送させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の高周波伝送線路の接続構造について以下に詳細に説明する。図１は高周波伝送線路の接続構造の実施の形態の一例を示す平面図であり、第１の高周波伝送線路２を有する第１の基体１と第２の高周波伝送線路７を有する第２の基板６とを接続した状態の平面図である。この図において、１は第１の基体、２は第１の高周波伝送線路、３は接続導体、４は電子部品、６は第２の基板、７は第２の高周波伝送線路であり、主としてこれらで第１の高周波伝送線路２を有する第１の基体１と第２の高周波伝送線路７を有する第２の基板６とを接続した高周波伝送線路の接続構造が形成される。
【００２７】
本発明の高周波伝送線路の接続構造は、絶縁体から成る第１の基板１の上面に搭載される電子部品４に一端が接続されるとともに他端が第１の基板１の端まで形成され、他端部に線幅が幅広とされた幅広部２ａを有する第１の高周波伝送線路２と、絶縁体から成る第２の基板６の上面の端に一端を有する第２の高周波伝送線路７とが板状または線状の接続導体３を介して電気的に接続されている高周波伝送線路の接続構造であって、第１の基板１および第２の基板６の接続導体３の下方に位置する対向する側面間に隙間８が設けられていることを特徴とする。
【００２８】
図１においては、接続導体３としてリード端子を用いた形態を示す。また、第１の高周波伝送線路の一端には、載置部１ａの上面に載置固定された高周波用半導体素子等の電子部品４がボンディングワイヤ５等を用いて接続されている。
【００２９】
本発明における第１の基板１は、アルミナ質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、または、エポキシ樹脂等の樹脂から成る。また、第１の基板１は、上側主面に電子部品４を載置する載置部１ａを有している。また、第２の基板２は、アルミナ質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、または、エポキシ樹脂等の樹脂から成り、上側主面の端に一端を有する第２の高周波伝送線路７を有している。
【００３０】
載置部１ａには、電子部品４が接着固定されるための導体層（図示せず）が形成されている。電子部品４は、この導体層に銀（Ａｇ）ロウ、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田やＡｇエポキシ（Ａｇの金属粉末を含有するエポキシ樹脂）等の導電性接着材を介して接着される。
【００３１】
第１の基板１がセラミックスから成る場合、その上面に第１の高周波伝送線路２がタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）等から成る金属ペーストを高温で焼成して形成される。また、第１の高周波伝送線路２は薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、第１の高周波伝送線路２は窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金），チタン（Ｔｉ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）等から形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後にスパッタリング等の薄膜形成法により形成される。
【００３２】
第２の高周波伝送線路７は、第１の高周波伝送線路２と同様、第２の基板６がセラミックスから成る場合、その上面に第２の高周波伝送線路７がＷ，Ｍｏ−Ｍｎ等から成る金属ペーストを高温で焼成して形成される。または、第２の高周波伝送線路７は、Ｔａ２Ｎ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等から形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後にスパッタリング等の薄膜形成法により形成される。
【００３３】
なお、第１の基板１および第２の基板６の下面の第１および第２の高周波伝送線路２，７と対向する部分に、これら線路より充分幅の広い接地導体層が形成されるとストリップライン線路として機能させられるので好ましい。
【００３４】
第１の高周波伝送線路２は、接続導体３が接続される他端部に線幅が残部２ｃより幅広とされた幅広部２ａを有している。ここで幅広部２ａを除いた残部２ｃは、伝送させる高周波信号の所定の特性インピーダンス値になるように適宜線幅が調整される。また、幅広部２ａは接続導体３を第１の高周波伝送線路２に強固に接続させるとともに、幅広部２ａに第１の基板１との十分な密着強度を持たせるために十分な幅が確保される。
【００３５】
第１の高周波伝送線路２は、この幅広部２ａを有しているために、接地導体層等との間に生じる容量成分のために、特性インピーダンス値よりも小さいインピーダンス値となる。
【００３６】
そして、第１および第２の基板１，６の接続導体３の下方に位置する互いに対向する側面に隙間８を設けることによって幅広部２ａのインピーダンス値の低下分を相殺させ、幅広部２ａを伝送される高周波信号が反射損失等の伝送損失で減衰されることなく良好に伝播送する。
【００３７】
これは、隙間８を設けることにより、接続導体３の下方の隙間８において絶縁体が無いので、接続導体３の隙間８にかかる部分で誘導成分が大きくなり、この誘導成分により接続導体３の隙間８にかかる部分のインピーダンス値は特性インピーダンス値よりも高い値となる。これによって、幅広部２ａの小さいインピーダンス値を相殺することができる。
【００３８】
従って、第１の高周波用伝送線路２と第２の高周波用伝送線路７との間に空間を設け隙間８を形成するのが重要であり、この構成により、幅広部２ａのインピーダンス値の低下分を相殺させることができるものとなる。第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の先端との距離は、幅広部２ａのインピーダンス値の低下分を相殺させることができるように決定されるが、0.1〜0.5ｍｍとすることにより、第１の高周波伝送線路２を伝送する高周波信号に発生する反射損失を有効に低減させることが可能となる。
【００３９】
第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離が0.1ｍｍ未満であると、幅広部２ａのインピーダンス値の低下分を相殺させるには不十分なものとなり、第１の高周波伝送線路２を伝送する高周波信号に発生する反射損失を有効に低減させることができない場合があり、第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離が0.5ｍｍを超えて大きくなると、第１の高周波用伝送線路２と第２の高周波伝送線路７との距離が必要以上に大きくなり、接続導体３の隙間８にかかる部分において、インピーダンス値が大きくなり幅広部２ａのインピーダンス値の低下分を相殺させる以上の大きな値となって、第１の高周波伝送線路２を伝送する高周波信号に発生する反射損失を有効に低減させることができない場合がある。その結果、第１の高周波用伝送線路２を伝送する高周波信号を効率よく伝送できなくなる。また、第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離が0.5ｍｍを超えて大きくなると、第１の基体１と第２の基板６とから成る装置全体が大型化してしまうという不具合も生じる。
【００４０】
またこの構成によって、従来のように第１の高周波伝送線路２に幅狭部を形成する必要がなくなることから、第１の高周波伝送線路２の幅狭部にかすれが生じて断線してしまったり、第１の高周波伝送線路２の幅狭部が加工最小限界の幅を下回ってしまい第１の高周波伝送線路２を形成できなくなるということがなくなる。従って、第１の高周波伝送線路２に高周波信号を確実に伝送できるものとなる。
【００４１】
なお、第１の高周波伝送線路２の露出する表面には、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）等の耐食性に優れる金属を１〜20μｍ程度の厚さで被着させておくのが良く、第１の高周波伝送線路２の酸化腐食を有効に防止し得るともに、接続導体３と第１の高周波伝送線路２との接続、および電子部品４と第１の高周波伝送線路２とのボンディングワイヤ５等を介しての接続を強固にし得る。従って、第１の高周波伝送線路２の露出表面には、例えば、厚さ１〜10μｍ程度のＮｉメッキ層と厚さ0.1〜３μｍ程度のＡｕメッキ層とが電解メッキ法や無電解メッキ法により順次被着されているのがより好ましい。
【００４２】
接続導体３は、第１および第２の高周波伝送線路２，７同士を電気的に接続するとともに、第１の基体１を支持固定する機能を有する。従って、電気的接続手段としての接続導体３には、電気的な抵抗が少なく、機械的強度の強いＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る図１に示すような板状のリード端子が用いられ、Ａｇロウ等の導電性接着材を介して第１の高周波伝送線路２の他端に接続固定されるのがよい。もちろん、接続導体３はＡｕ線から成るボンディングワイヤ等の線状のものであってもよい。
【００４３】
そして、載置部１ａの上面に半導体素子等の電子部品４が載置固定され、第１の高周波伝送線路２の一端（載置部１ａ側の端）にボンディングワイヤ５等の第二の電気的接続手段により接続され、さらに接続導体３が第２の基板６に形成された第２の高周波伝送線路７に接続されることによって、第１の高周波伝送線路２は、電子部品４と外部電気回路基板６との間で高周波信号を入出力させるための高周波伝送線路として機能する。
【００４４】
ここで第２の高周波伝送線路７も第１の高周波伝送線路２と同様な幅広部２ａと残部２ｃとから成る構成とされていてもよい。
【００４５】
また、本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施の形態の他の例として、好ましくは、図２に示すように第１の基板１および第２の基板６の少なくとも一方の側面で接続導体３の下方の部位に接続導体よりも幅広の切欠き部１ｂが設けられるとともに、側面の切欠き部１ｂの周囲がそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって、第１の基板１と第２の基板６との間に隙間が設けられていてもよい。
【００４６】
切欠き部１ｂの周囲の第１の基板１および第２の基板６の側面が互いに当接することで、切欠き部１ｂが隙間となり、切欠き部１ｂを正確な寸法で形成することにより第１の基板１と第２の基板６との隙間寸法を正確かつ容易に所望の値にすることができ、接続導体３の隙間にかかる部分のインピーダンス値を正確に所望の値に整合させることができるとともに、第１の基板１と第２の基板６とを容易に位置合わせすることができ、接続の作業性が非常に効率の良いものとなり、量産に適するものとなる。その結果、高周波伝送特性が優れ、第１の基板１と第２の基板６との接続部において優れた伝送特性を有する高周波伝送線路の接続構造となる。
【００４７】
切欠き部１ｂの第１の基板１と第２の基板６との間の隙間となる第１の高周波伝送線路２の線路方向の寸法は、上記実施の形態の一例と同様に0.1〜0.5ｍｍが好ましく、幅方向の寸法は、0.5〜３ｍｍが好ましい。0.5ｍｍ未満では、隙間の幅が狭くなり接続導体３の隙間にかかる部分で充分な誘導成分を発生させることができずに所望のインピーダンス値に整合できなくなる傾向があり、３ｍｍを超えると、第１の基板１の切り欠かれる面積が大きくなり、それに伴って切欠き部１ｂを形成する際に第１の基板１に大きな応力が加わり易く、基板１にクラック等の破損が発生し易くなる傾向がある。
【００４８】
切欠き部１ｂは、第１の基板１がセラミックスから成る場合、セラミックグリーンシートを焼成する前に予め金型等によって打ち抜き加工することによって形成されているのがよい。また、第２の基板６側に切欠き部１ｂを形成する場合は、第２の基板６がセラミックスから成る場合、第１の基板１と同様に、セラミックグリーンシートを焼成する前に予め金型等によって打ち抜き加工することによって形成されているのがよい。
【００４９】
また、本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施の形態の他の例として、好ましくは、図３に示すように第１の基板１および第２の基板６の少なくとも一方の側面で接続導体３の両側の部位に突出部１ｃがそれぞれ形成されているとともに、側面の突出部１ｃがそれに対向する相手側の基板の側面に当接することによって、第１の基板１と第２の基板６との間に隙間が設けられていてもよい。
【００５０】
突出部１ｃによって、第１の基板１と第２の基板６とが突出部１ｃを介して互いに当接するようにして配置されることで、第１の基板１と第２の基板６との間に突出部１ｃの突出量に応じた隙間が設けられ、第１の基板１と第２の基板６との隙間寸法を正確かつ容易に所望の値にすることができ、接続導体３の隙間にかかる部分のインピーダンス値を正確に所望の値に整合させることができるとともに、第１の基板１と第２の基板６とを容易に位置合わせすることができ、接続の作業性が非常に効率の良いものとなり、量産に適するものとなる。その結果、高周波伝送特性が第１の基板１と第２の基板６との接続部において優れた高周波伝送線路の接続構造となる。
【００５１】
突出部１ｂの平面視形状は、四角形や三角形等の多角形や半円形であり、種々の形状とし得る。好ましくは、突出部１ｂの先端と第２の基板６とが点接触する三角形や半円形等の形状であるのがよく、この構成により、第１の基板１と第２の基板６との位置合わせを良好なものとすることができる。特に好ましくは、図３に示すような半円形であるのがよく、突出部１ｂの先端が欠けるのを有効に防止し、第１の基板１と第２の基板６との位置合わせをより正確なものとすることができる。
【００５２】
なお、突出部１ｂの突出量は、上記実施の形態の一例と同様に0.1〜0.5ｍｍであるのが好ましく、接続導体３の両側に接続導体３の両端から0.1ｍｍ以上離して突出部１ｂが設けられるのが接続導体３の幅に対し隙間の幅を十分にとり接続導体３の隙間にかかる部分で誘導成分を発生させ、所望のインピーダンス値に整合できる点で好ましい。
【実施例】
【００５３】
本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施例を以下に説明する。  
図１の高周波伝送線路の接続構造を以下のように構成した。先ず、第１の基体１として焼成後の比誘電率が9.5のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体となるセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施し、Ｗペーストを印刷塗布することにより第１の高周波用伝送線路２となるメタライズ層を形成するためのＷペースト層を形成した。また、第１の基体１の下面全面に接地導体層を設けた。そして、還元雰囲気中で約1600℃の温度で焼成することにより、縦9.6ｍｍ×横12ｍｍ×高さ0.38ｍｍの平板状の第１の基板１を作製した。そして、第１の基板１の中央部に載置部１ａを形成した。
【００５４】
なお、第１の基板１の上面には中央部の載置部１ａから第１の基板１の端にかけて直線状に、長さ3.3ｍｍの第１の高周波用伝送線路２を１本形成した。第１の高周波用伝送線路２は、リード端子となる接続導体３が接合される他端部に幅0.5ｍｍ×長さ0.8ｍｍの幅広部２ａが形成され、幅広部２ａに隣接して幅0.33ｍｍ×長さ2.5ｍｍの残部２ｃを有する形状とした。そして、幅広部２ａに接続導体３として幅0.3ｍｍ×厚さ0.1ｍｍ×長さ1.4ｍｍのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るリード端子の一端側を長さ0.7ｍｍにわたってＡｇロウを介してロウ付け接合した。
【００５５】
そして、縦20ｍｍ×横20ｍｍ×高さ0.35ｍｍで焼成後の比誘電率が9.5のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体から成る平板状の第２の基板６の上面に、その端から対向する他方端にかけて幅0.5ｍｍ×長さ20ｍｍの第２の高周波伝送線路７を形成し、下面の全面に接地導体を形成した第２の基板６を準備した。そして、第１の基板１の第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の先端との距離が表１に示す種々の値となるような隙間８を設けた状態で接続導体３の他端側を第２の高周波伝送線路７にＡｇロウを介してロウ付け接合した。
【００５６】
ここで、第１の高周波用伝送線路２と第２の高周波伝送線路７とは、それぞれ第１の基板１および第２の基板６の上面の端まで形成されていることから、第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離と隙間８の寸法は同一となる。
【００５７】
また、比較例として、上記の構成で隙間８の寸法が０ｍｍのもの、即ち第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離が０ｍｍのものを作製した。
【００５８】
そして、第２の高周波伝送線路７の他方端に５，10，15ＧＨｚの高周波信号を入力してその反射損失を測定した結果を表１に示す。なお、反射損失の測定には、ベクトルネットワークアナライザ（アンリツ（株）会社製、型番：37397Ｃ）を使用した。
【表１】
2005217686.tif 000003
【００５９】
表１より、第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の伝送線路７の一端側の先端との距離が0.1〜0.5ｍｍの範囲であると、比較例（第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離が０，0.05，0.55ｍｍの場合）に比べて１〜10ＧＨｚの周波数帯域で電子部品４が良好に作動し得る値である−28ｄＢ以下となり、有効に反射損失が改善されることがわかった。特に、第１の高周波伝送線路２の他端側の先端と第２の高周波伝送線路７の一端側の先端との距離が0.1ｍｍ，0.5ｍｍであると10ＧＨｚ付近の周波数帯域で反射損失を大幅に低減できることが判った。
【００６０】
なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等支障ない。例えば、第１の基板は、電子部品収納用パッケージの基板部であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施の形態の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図３】本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図４】従来の高周波伝送線路の接続構造の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１：第１の基板
２：第１の高周波伝送線路
２ａ：幅広部
２ｃ：残部
３：接続導体
４：電子部品
６：第２の基板
７：第２の高周波伝送線路
８：隙間
【図１】
2005217686.tif 000004
【図２】
2005217686.tif 000005
【図３】
2005217686.tif 000006
【図４】
2005217686.tif 000007