(57)【要約】    【課題】４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲において、マグネトロンから発生する不要輻射波を、周辺機器に悪影響を及ぼさないレベルに抑制することができる高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、マグネトロンを提供する。    【解決手段】誘電体磁器素体は、基体部２１０と、貫通孔２１１、２１２とを含む。基体部２１０は、平面から見て中央部分にくびれ部２１６、２１７を有している。貫通孔２１１、２１２は、それぞれがくびれ部２１６、２１７を挟んだ両側に間隔をおいて備えられている。個別電極２１３は、基体部２１０において、貫通孔２１１の開口する一面に付着されている。個別電極２１４は、基体部２１０において、貫通孔２１２の開口する一面に付着されている。共通電極２１５は、基体部２１０において、貫通孔２１１、２１２の開口する他面に付着されている。【選択図】      図４
2005217296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体磁器素体と、個別電極と、共通電極とを含む高電圧貫通型コンデンサであって、
前記誘電体磁器素体は、基体部と、貫通孔とを含み、
前記基体部は、平面から見て中央部分にくびれ部を有しており、
前記貫通孔は、２つであって、それぞれが前記くびれ部を挟んだ両側に間隔をおいて備えられており、
前記個別電極は、２つであって、それぞれが、前記基体部において、前記貫通孔の開口する一面に付着されており、
前記共通電極は、前記基体部において、前記貫通孔の開口する他面に付着されている
高電圧貫通型コンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載された高電圧貫通型コンデンサであって、
前記基体部は、BaTiO3−BaZrO3−CaTiO3を主成分とし、一種または複数種の添加物を含む組成物で構成されている
高電圧貫通型コンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２の何れかに記載された高電圧貫通型コンデンサであって、
前記くびれ部は、最小幅寸法が２．５〜４．１ｍｍの範囲である
高電圧貫通型コンデンサ。
【請求項４】
少なくとも１つの接地金具と、少なくとも１つの高電圧貫通型コンデンサと、少なくとも１つの電極接続体と、少なくとも１つの貫通導体とを含む高電圧貫通型コンデンサ装置であって、
前記接地金具は、一面側に浮き上がり部分を有し、前記浮き上がり部は一面側から他面側に貫通する貫通孔と、前記貫通孔に連続する内部空間と含み、
前記高電圧貫通型コンデンサは、請求項１乃至３の何れかに記載されたものでなり、前記共通電極が前記浮き上がり部上に固着されて前記接地金具に導通接続しており、
前記電極接続体は、貫通孔を有し、前記個別電極上に固着されて前記高電圧貫通型コンデンサに導通接続しており、
前記貫通導体は、前記接地金具、前記高電圧貫通型コンデンサ、及び、前記電極接続体それぞれの貫通孔を貫通し、且、前記電極接続体に固着されて、前記個別電極と導通接続されている
高電圧貫通型コンデンサ装置。
【請求項５】
高電圧貫通型コンデンサ装置を含むマグネトロンであって、
前記高電圧貫通型コンデンサ装置は、請求項４に記載されたものでなり、フィルタとして組み込まれている
マグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、この高電圧貫通型コンデンサ装置でなるフィルタを有するマグネトロンに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１、特許文献２は、一体型誘電体磁器素体に、２つの貫通孔を間隔をおいて形成し、貫通孔を開口させた誘電体磁器素体の両面に、互いに独立した個別電極、及び、個別電極に対して共通となる共通電極を設けた高電圧貫通型コンデンサを開示している。
【０００３】
また、特許文献３は、一体型誘電体磁器素体に代えて、分離型誘電体磁器素体を用いた高電圧貫通型コンデンサを開示している。
【０００４】
上記高電圧貫通型コンデンサを用いて、高電圧貫通型コンデンサ装置を構成するには、共通電極を、接地金具の浮上り部上に半田付け等の手段によって固着する。高電圧貫通型コンデンサの貫通孔、及び、接地金具の貫通孔には、貫通導体を貫通させる。貫通導体は、個別電極に、電極接続体等を用いて半田付けされる。接地金具の浮上り部の外周には、高電圧貫通型コンデンサを包囲するように、絶縁ケースが挿着される。接地金具の他面側に、貫通導体を包囲するように、絶縁カバーが挿着される。絶縁カバーは接地金具の浮き上がり部の内周面に密着するように装着される。
【０００５】
電子レンジ等においては、マグネトロンを発振させるために、商用周波数もしくは２９ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持つ４ｋＶ0-P程度の電圧が印加される。電圧印加により、マグネトロンが発振動作をすると、不要輻射波が発生する。この不要輻射波は、他の周辺機器に悪影響（ノイズ障害）を与える。高電圧貫通型コンデンサ装置は、この不要輻射波による悪影響（ノイズ障害）を除去するフィルタとして、マグネトロンに組み込まれる。
【０００６】
特許文献１及び２に開示された高電圧貫通型コンデンサ装置は、これをマグネトロンのフィルタとして用いた場合、５００ＭＨｚ近辺、７００ＭＨｚ近辺、及び、９００ＭＨｚ近辺でマグネトロンから発生する不要輻射波を除去することができず、周辺機器に悪影響を与えていた。
【０００７】
また、特許文献３に開示された高電圧貫通型コンデンサ装置は、これをマグネトロンのフィルタとして用いたとしても、９００ＭＨｚ近辺でマグネトロンから発生する不要輻射波を除去することができず、周辺機器に悪影響が及んでいた。
【特許文献１】実開平０４−０４０５２４号公報
【特許文献２】特開平０８−３１６０９９号公報
【特許文献３】実開平０５−０３３５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲において、マグネトロンから発生する不要輻射波を、周辺機器に悪影響を及ぼさないレベルに抑制することができる高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、マグネトロンを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサは、誘電体磁器素体と、個別電極と、共通電極とを含む。前記誘電体磁器素体は、基体部と、貫通孔とを含む。前記基体部は、平面から見て中央部分にくびれ部を有する。前記貫通孔は、２つであって、それぞれが前記くびれ部を挟んだ両側に間隔をおいて形成されている。前記個別電極は、２つであって、それぞれが、前記基体部において、前記貫通孔の開口する一面に付着されている。前記共通電極は、前記基体部において、前記貫通孔の開口する他面に付着されている。
【００１０】
上述した本発明に係る高電圧貫通型コンデンサの好ましい態様として、前記くびれ部は、幅寸法が２．５〜４．１ｍｍの範囲である。
【００１１】
本発明に係る高電圧貫通型コンデンサは、接地金具や電極接続体などと組み合わされ、高電圧貫通型コンデンサ装置を構成する。即ち、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置は、少なくとも１つの接地金具と、少なくとも１つの高電圧貫通型コンデンサと、少なくとも１つの電極接続体と、少なくとも１つの貫通導体とを含む。前記接地金具は、一面側に浮き上がり部分を有し、前記浮き上がり部は一面側から他面側に貫通する貫通孔と、前記貫通孔に連続する内部空間と含む。前記高電圧貫通型コンデンサは、前記共通電極が前記浮き上がり部上に固着されて前記接地金具に導通接続している。前記電極接続体は、貫通孔を有し、前記個別電極上に固着されて前記高電圧貫通型コンデンサに導通接続している。前記貫通導体は、前記接地金具、前記高電圧貫通型コンデンサ、及び、前記電極接続体それぞれの貫通孔を貫通し、且、前記電極接続体に固着されて、前記個別電極と導通接続されている。
【００１２】
本発明に係るマグネトロンは、上述した高電圧貫通型コンデンサ装置がフィルタとして組み込まれている。高電圧貫通型コンデンサ装置は、貫通導体を給電端子とし、この貫通端子と、アース電位となる接地金具との間にコンデンサを接続した回路構成となるから、貫通導体を通る不要輻射波を高電圧貫通型コンデンサ装置のフィルタ作用によって吸収することができる。
【００１３】
しかも、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置は、高電圧貫通型コンデンサに用いられる誘電体磁器素体の基体部が、平面から見て中央部分にくびれ部を有するから、４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲において、不要輻射波のノイズレベルを３０ｄＢ以下に抑制することができる。その理由は、平面から見て中央部分にくびれ部を有する構造の場合、容量特性が上述した周波数範囲に属するノイズ成分を除去するのに適したものになるためと推測される。従って、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置によれば、マグネトロンから発生する不要輻射波を除去し、又は、周辺機器に悪影響を及ぼさないレベルに抑制することができる。
【００１４】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサの斜視図、図２は図１に示した高電圧貫通型コンデンサの平面図である。図示する高電圧貫通型コンデンサは、誘電体磁器素体２１０と、２つの個別電極２１３、２１４と、共通電極２１５とを含む。
【００１６】
誘電体磁器素体２１０は、基体部２１０と、２つの貫通孔２１１、２１２とを含む。説明の都合上、誘電体磁器素体と、基体部とは同一参照符号２１０で示す。基体部２１０は、好ましくはBaTiO3−BaZrO3−CaTiO3を主成分とし、一種または複数種の添加物を含む周知の組成でよい。基体部２１０は、平面から見て中央部分にくびれ部２１６、２１７を含む瓢箪形状を有する。くびれ部２１６、２１７は、最小幅寸法W1が２．５〜４．１ｍｍの範囲である。更に、くびれ部２１６、２１７の中央部分には溝２１８が形成されている。
【００１７】
図２を参照すると、くびれ部２１６には、両側の円弧状部に対して、その外周面に接するように引かれた線分Ｙ１、Ｙ２と、その接点Ｐ１、Ｐ２と、基体２１０の外周面とによって囲まれた領域Ｓ１が生じている。同様に、くびれ部２１７には、両側の円弧状部に対して、その外周面に接するように引かれた線分Ｙ１、Ｙ２と、その接点Ｐ３、Ｐ４と、基体２１０の外周面とによって囲まれた領域Ｓ２が生じている。最小幅寸法Ｗ１は、線分Ｙ１−Ｙ２の間の幅Ｗ２に対して、片側でΔＷ１だけ縮小されている。くびれ部２１６と、くびれ部２１７とは、高電圧貫通型コンデンサの中心線に対し、対称に形成されることが好ましい。
【００１８】
貫通孔２１１、２１２は、基体部２１０の両面において、くびれ部２１６、２１７を挟んだ両側に間隔をおいて形成されている。貫通孔２１１、２１２の開口する両面には、電極２１３〜２１５が備えられている。より具体的には、個別電極２１３は貫通孔２１１の開口する面に付着され、個別電極２１４は貫通孔２１２の開口する一面に付着されている。共通電極２１５は、貫通孔２１１、２１２の開口する他面に付着されている。個別電極２１３、２１４及び共通電極２１５は、好ましくはＡｇを主成分とする。
【００１９】
図３は本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の正面断面図、図４は図３に示した高電圧貫通型コンデンサ装置の分解斜視図である。図３及び図４において、図１及び図２に示した構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００２０】
図示する高電圧貫通型コンデンサ装置は、接地金具１と、高電圧貫通型コンデンサ２と、貫通導体４、５と、絶縁ケース６と、絶縁樹脂７、８と、絶縁カバー９と、絶縁チューブ１０、１１とを含む。接地金具１は、その一面側に浮き上り部１１１を有する。浮き上り部１１１は、一面側から他面側に貫通する貫通孔１１２を有している。
【００２１】
高電圧貫通型コンデンサ２は、図１及び図２を参照して説明したものでなり、接地金具１の浮き上り部１１１上に配置され、且、共通電極２１５が浮き上り部１１１に半田付け等の手段によって固着されている。
【００２２】
貫通導体４、５は、電極接続体１２、１３、高電圧貫通型コンデンサ２の貫通孔２１１、２１２、及び、接地金具１の貫通孔１１２を貫通し、電極接続体１２、１３に半田付け等の手段により固着され、電極接続体１２、１３を介して個別電極２１３、２１４に導通接続されている。具体的には、貫通導体４は、貫通孔２１１及び貫通孔１１２の内部を貫通し、電極接続体１２に半田付け等の手段により固着され、個別電極２１３に導通している。同様に、貫通導体５は、貫通孔２１２及び貫通孔１１２の内部を貫通し、電極接続体１３に半田付け等の手段により固着され、個別電極２１４に導通する。
【００２３】
図示する貫通導体４は、高電圧貫通型コンデンサ２を貫通する貫通部４２と、タブ接続子として用いられるタブ部４１とを有する。貫通部４２とタブ部４１とは、かしめ４３により接続されている。同様に、貫通導体５も貫通部５２とタブ部５１とを有しており、貫通部５２と、タブ部５１とが、かしめ５３により接続されている。
【００２４】
絶縁樹脂７、８は、絶縁ケース６の内部、及び、絶縁カバー９の内部に充填されるとともに、高電圧貫通型コンデンサ２の周りに充填されている。具体的には、絶縁樹脂７は、接地金具１の一面側であって、高電圧貫通型コンデンサ２の周りに充填され、誘電体磁器素体２１０の表面に密着している。絶縁樹脂８は、接地金具１に備えられた浮き上り部１１１の内側及び高電圧貫通型コンデンサ２の貫通孔２１１、２１２内に充填され、誘電体磁器素体２１０の表面に密着している。絶縁樹脂７、８は、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成できる。更に、フェノール樹脂やシリコーン樹脂等も用いることができる。
【００２５】
絶縁カバー９は、接地金具１の他面側に備えられている。この絶縁カバー９は、一端が浮き上り部１１１の内周側に挿着されている。絶縁カバー９はポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレートあるいは変性メラミン等で構成できる。
【００２６】
絶縁チューブ１０、１１は、貫通導体４、５の、貫通孔２１１、２１２内に位置する部分に被せて設けられている。絶縁チューブ１０、１１は、シリコーン等により構成される。
【００２７】
絶縁ケース６は、接地金具１の一面側に備えられている。この絶縁ケース６は、一端が浮き上り部１１１の外周側に挿着されている。絶縁ケース６も、絶縁カバー９と同様に、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレートあるいは変性メラミン等で構成できる。
【００２８】
図５は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置をフィルタとして組込んだ電子レンジ用マグネトロンの部分破断面図である。参照符号１５は陰極ステム、１６はフィルタボックス、１７、１８はインダクタ、１９はインダクタ１７、１８と共にフィルタとして使用された本発明に係る高電圧貫通型コンデンサである。フィルタボックス１６は陰極ステム１５を覆うように配置してあり、また高電圧貫通型コンデンサ１９は、フィルタボックス１６の側面板１６１に設けた貫通孔を通して、絶縁樹脂７が外部に出るように貫通して設けられ、鉄材を使用した１つの接地金具１の部分で、フィルタボックス１６の側面板１６１に取付け固定されている。インダクタ１７、１８はフィルタボックス１６の内部において、陰極ステム１５の陰極端子と、高電圧貫通型コンデンサ１９の貫通導体４、５との間に直列に接続されている。２１は冷却フィン、２２はガスケット、２３はＲＦ出力端、２４は磁石である。
【００２９】
図６は、図５に示したマグネトロンの電気回路図である。先の図面に表れた構成部分に対応する部分には同一の参照符号を付してある。参照符号２５は発振器、ＧＮＤは接地電極である。
【００３０】
図５、図６に示した電子レンジ用マグネトロンを発振させるためには、商用周波数または２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持つ４ｋＶ0-P程度の電圧を、高電圧貫通型コンデンサ１９の貫通導体４、５に供給する。供給された高電圧は、貫通導体４、５からインダクタ１７、１８を通してマグネトロンに供給され、マグネトロンが発振動作をする。このとき、ノイズとなる不要輻射波が発生することは前述したとおりである。貫通導体４、５を通るノイズ（不要輻射波）は高電圧貫通型コンデンサ２及びインダクタ１７、１８のフィルタ作用によって吸収される。
【００３１】
また、接地金具１はアースされ、貫通導体４、５に高電圧が印加される。接地金具１は、少なくとも一つの貫通孔１１２を有しており、高電圧貫通型コンデンサ２は誘電体磁器素体２１０を貫通する少なくとも一つの貫通孔２１１、２１２を有しているから、アースに対して高電位となる貫通導体４、５を、アース電位となる接地金具１及び高電圧貫通型コンデンサ２の共通電極２１５との間に、貫通孔２１１、２１２による充分な電気絶縁を確保することができる。
【００３２】
図示する高電圧貫通型コンデンサ装置は、絶縁樹脂７、８が高電圧貫通型コンデンサ２の回りに充填されているから、高温負荷試験や耐湿負荷試験等の信頼性試験または高温多湿の環境で使用された場合等の信頼性が向上する。
【００３３】
しかも、接地金具１、絶縁カバー９、及び、誘電体磁器素体２１０の内部には絶縁樹脂８が充填されている。従って、接地金具１と絶縁カバー９とを、絶縁樹脂８によって立体的に接合する構造となるので、接地金具１と、絶縁カバー９との間の接着力が格段に向上し、絶縁樹脂８が径方向に収縮しようとしても、それが抑制され、接地金具１と絶縁カバー９との間にすき間が発生しにくくなる。
【００３４】
本発明の特徴は、高電圧貫通型コンデンサ２が、誘電体磁器素体２１０の中央部にくびれ部２１６、２１７を有する点にある。上述したくびれ形状によると、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルを、４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲において、３０ｄＢ以下に抑えることができる。くびれ部２１６、２１７の好ましい最小幅寸法が２．５〜４．１ｍｍの範囲であることは前述したとおりである。。
【００３５】
次に、高電圧貫通型コンデンサ２のくびれ部２１６、２１７の最小幅寸法（Ｗ）と、静電容量（Ｃ）、誘電体損失（tanδ）およびクラックとの関係について、実験データを挙げて説明する。
【００３６】
表１は、上述くびれ形状の最小幅寸法（Ｗ）について、その寸法別に、静電容量（Ｃ）、誘電体損失（tanδ）及びクラックに関する測定データを示している。表１において、比較例１〜６、及び、実施例１〜４の高電圧貫通型コンデンサ装置は、図４に示した構造の高電圧貫通型コンデンサにおいて、くびれ部２１６、２１７の最小幅寸法（Ｗ）を、０．０〜８．０ｍｍの範囲で設定したものである。比較例６は、図７に示された従来技術に係る高電圧貫通型コンデンサを用いた高電圧貫通型コンデンサ装置である。
【００３７】
静電容量Ｃ１、及び、誘電体損失tanδ１は、個別電極２１３と共通電極２１５との間で測定した数値である。静電容量Ｃ２、及び、誘電体損失tanδ２は、個別電極２１４と共通電極２１５との間で測定した数値である。組立時クラックの有無は、当該高電圧貫通型コンデンサを用いて、図３及び図４に示した高電圧貫通型コンデンサ装置を組立てた場合のクラック発生の有無を示す。
【００３８】
【表１】
2005217296.tif 000003
くびれ部の最小幅寸法別の静電容量、誘電体損失、及び、組立時クラック発生の有無
表１の比較例４及び５で示すように、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が１．５ｍｍ、及び、１．２ｍｍの場合、組み立て時にクラックが発生する。従って、くびれ最小幅寸法（Ｗ）の範囲が１．２ｍｍ、及び、１．５ｍｍの範囲となる高電圧貫通型コンデンサはクラック防止という観点から不適当である。これに対して、くびれ部２１６、２１７の最小幅寸法が２．５〜４．１ｍｍの範囲にある実施例１〜４には、組み立て時にクラックが発生しない。
【００３９】
くびれ最小幅寸法（Ｗ）が２．５〜４．１ｍｍの範囲外にある比較例１〜３、６にも、組立時にクラックが発生しない。しかしながら、比較例１〜３、６によると、周辺機器にノイズ障害が発生する。次にこの点について、実験データを挙げて説明する。
【００４０】
表２は、表１において組み立て時にクラックが発生しなかったくびれ最小幅寸法（Ｗ）の範囲（実施例１〜４、及び、比較例１〜３、６）に係る高電圧貫通型コンデンサを用いた高電圧貫通型コンデンサ装置によりマグネトロンを構成したときの妨害ノイズレベル特性を測定した実験結果を示している。測定方法は、次の通りである。
【００４１】
まず、電子レンジの向きを４５度に固定する。次に、アンテナ高さを、１ｍに固定した。次に、負荷として、水１リットルを、シャーレに入れた。次に、１０分間予備稼動させた。この後、測定時間（８分）で４回測定した。さらに、上述した測定方法を、アンテナに対して、水平方向、及び、垂直方向に各２回行った。
【００４２】
【表２】
2005217296.tif 000004
表２を参照すると、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が８．０ｍｍである比較例１では、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルは、４５１〜５５０ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢ未満であるが、６５１〜７５０ＭＨｚの周波数範囲、及び、８５１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲では、いずれも３０ｄＢを超過する。
【００４３】
次に、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が５．７ｍｍである比較例２では、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルは、４５１〜５５０ＭＨｚの周波数範囲、及び、６５１〜７５０ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢ未満であるが、８５１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢを超過する。
【００４４】
次に、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が１．８ｍｍである比較例３では、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルは、４５１〜５５０ＭＨｚの周波数範囲、及び、６５１〜７５０ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢ未満であるが、８５１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢを超過する。
【００４５】
また、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が０．０ｍｍである比較例６では、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルは、４５１〜５５０ＭＨｚの周波数範囲、及び、６５１〜７５０ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢ未満であるが、８５１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で３０ｄＢを超過する。
【００４６】
従って、くびれ部２１６、２１７の最小幅寸法（Ｗ）が０．０ｍｍ、１．８ｍｍ、５．７ｍｍ、８．０ｍｍである比較例１〜３、６の高電圧貫通型コンデンサでは、４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルを３０ｄＢ以下に抑制することができず、周辺機器に悪影響が及んでいた。即ち、比較例１〜３、６に示した構成では、本発明の課題を達成することができないということになる。
【００４７】
これに対し、表２の実施例１〜４で示すように、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が４．１〜２．５ｍｍの場合、４５１〜５５０ＭＨｚの周波数範囲、６５１〜７５０ＭＨｚの周波数範囲、及び、８５１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルは、いずれも３０ｄＢを大きく下回っている。
【００４８】
上述した表１乃び表２の結果から明らかなように、クラック等の発生を防止するとともに、４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルを３０ｄＢ以下に抑制するためには、高電圧貫通型コンデンサのくびれ最小幅寸法（Ｗ）が、２．５〜４．１ｍｍの範囲でなければならないことになる。
【００４９】
図８は、本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の別の実施例を示す正面断面図である。図８において、図１乃至図４に図示した構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００５０】
図８に示す高電圧貫通型コンデンサ装置は、図３及び図４に示す高電圧貫通型コンデンサ装置と異なり、貫通導体４、５において、電極接続体１２、１３が一体型で形成されている構造に相違点がある。勿論、この実施例の場合も、高電圧貫通型コンデンサ２は、中央部がくびれた形状をしているから、これをマグネトロンのフィルタとして用いた場合、高電圧貫通型コンデンサ装置は、マグネトロンから発生する不要輻射波のノイズレベルを、４５０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で、３０ｄＢ以下に抑制することができる。
【００５１】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種種の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサの斜視図である。
【図２】図１に示した高電圧貫通型コンデンサの平面図である。
【図３】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の正面断面図である。
【図４】図３に示した高電圧貫通型コンデンサ装置の分解斜視図である。
【図５】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置をフィルタとして組込んだマグネトロンの部分破断面図である。
【図６】図５に示したマグネトロンの電気回路図である。
【図７】従来技術に係る高電圧貫通型コンデンサの平面図である。
【図８】本発明に係る高電圧貫通型コンデンサ装置の別の実施例を示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１              接地金具
２              高電圧貫通型コンデンサ
２１０          誘電体磁器素体（基体部）
２１１、２１２  貫通孔
２１３、２１４  個別電極
２１５          共通電極
２１６、２１７  くびれ部
２１８          絶縁ギャップ
４、５          貫通導体
１２、１３      電極接続体
【図１】
2005217296.tif 000005
【図２】
2005217296.tif 000006
【図３】
2005217296.tif 000007
【図４】
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【図５】
2005217296.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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