(57)【要約】  【課題】  高周波信号を確実に伝送させるとともに、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波用伝送線路を提供すること。  【解決手段】  高周波用伝送線路７Ａは、絶縁基体１の上面に形成され、一端が絶縁基体１の上面の端にある線路導体２と、線路導体２の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地導体６とから成り、線路導体２は、一端に幅広部２ａが形成されており、同一面接地導体６は、線路導体２に対向する辺部で幅広部２ａとその残部２ｃとの境界部に位置する部位に切欠き部６ａが設けられている。切欠き部６ａにより、幅広部２ａのインピーダンス値が低くなるのを相殺させることができる。【選択図】  図１
2005278090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体の上面に形成され、一端が前記絶縁基体の上面の端にある線路導体と、該線路導体の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地導体とから成る高周波用伝送線路において、前記線路導体は、前記一端に幅広部が形成されており、前記同一面接地導体は、前記線路導体に対向する辺部で前記幅広部とその残部との境界部に位置する部位に切欠き部が形成されていることを特徴とする高周波用伝送線路。
【請求項２】
前記線路導体は、前記幅広部とその残部との間に幅狭部が形成されており、前記切欠き部は、前記幅狭部と前記残部との境界部に位置する部位に形成されていることを特徴とする高周波用伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用電子部品を搭載する基板の高周波信号を伝送させるための高周波用伝送線路の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波用途に用いられる半導体素子等の電子部品に接続される、高周波信号を伝送させるための高周波用伝送線路を外部電気回路基板等の他の高周波用伝送線路に接続する際、リード端子やボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して互いに接続していた。このようなリード端子やボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して外部に接続される高周波用伝送線路を有する回路基板の平面図を図５に示す。
【０００３】
図５において、回路基板は、セラミックス等の絶縁体から成る絶縁基体11の上面に半導体素子等の電子部品14を載置するための載置部11ａと、載置部11ａの周辺から絶縁基体11の上面の端にかけて電子部品14と外部電気回路基板の外部伝送線路とを電気的に導通接続するための線路導体12および線路導体12の両側に所定間隔をもって形成され、線路導体12との間で高周波信号を伝送させるための同一面接地導体16から成る高周波用伝送線路17とから主に構成されている。
【０００４】
そして、線路導体12は、絶縁基体11の上面の端にある一端にリード端子やボンディングワイヤ等の第一の電気的接続手段13が接続され、他端にボンディングワイヤ等の第二の電気的接続手段15を介して電子部品14が接続される。さらに、線路導体12は、一端側の第一の電気的接続手段13が接続される部位に幅広部12ａが形成されており、リード端子やボンディングワイヤ等の第一の電気的接続手段13を接合するために十分な面積を確保するための幅広部12ａで外部電気回路基板等（図示せず）との電気的接続を良好にし、電子部品14と外部電気回路基板等との間で高周波信号を効率よく入出力できる高周波用伝送線路17として機能する。
【０００５】
絶縁基体11は、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、またはエポキシ樹脂等の樹脂から成る。絶縁基体11がセラミックスから成る場合、その上面に線路導体12と同一面接地導体16とがタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）等から成る金属ペーストを高温で焼成したメタライズ層として形成される。
【０００６】
線路導体12は、伝送する高周波信号の特性インピーダンス値になるように適宜線路幅が調整され、線路導体12と同一面接地導体16との距離も線路導体12を伝送する高周波信号が所定の特性インピーダンス値になるように調整されている。このようにして、高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。
【０００７】
第一の電気的接続手段13は、高周波用伝送線路同士を電気的に接続する機能を有する。従って、第一の電気的接続手段13には、電気的な抵抗が少ない金（Ａｕ）等の金属から成るボンディングワイヤや鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るリード端子が用いられ、リード端子が用いられる場合、銀（Ａｇ）ロウ等の導電性接着材を介して線路導体12の一端の幅広部12ａに接続固定される。
【０００８】
そして、載置部11ａの上面に高周波用半導体素子等の電子部品14が載置固定され、線路導体12の他端（載置部11ａ側の端）にボンディングワイヤ等の第二の電気的接続手段15を介して接続され、さらに線路導体12の一端が第一の電気的接続手段13を介して外部電気回路基板に形成された外部伝送線路に接続されることによって、線路導体12は電子部品14と外部電気回路基板との間で高周波信号を入出力させるための線路導体12として機能する。また、線路導体12に幅広部12ａが形成されていることによって、第一の電気的接続手段13を接合するのに十分な面積を確保できるので線路導体12に第一の電気的接続手段13を強固に接合することができる。
【０００９】
しかしながら、このような線路導体12は幅広部12ａが設けられていることから、幅広部12ａの部分における線路導体12と同一面接地導体16との間の距離が短くなり、短くなった分の線路導体12と同一面接地導体16との間に生じる容量成分（キャパシタンス）が線路導体12に付加され、幅広部12ａにおいて高周波用伝送線路17の特性インピーダンス値が残部12ｃにおける特性インピーダンス値よりも小さくなり、インピーダンス値の不整合が生じてしまう。その結果、近時の信号の高周波化により、幅広部12ａと残部との境界部で発生する反射損失等の伝送損失が大きくなるという問題が発生するようになってきた。
【００１０】
そこで、図５に示すように、幅広部12ａと残部12ｃとの間に幅狭部12ｂを形成するとともに、幅広部12ａと幅狭部12ｂとを除く残部12ｃの幅を幅広部12ａよりも狭くかつ幅狭部12ｂよりも広くなるようにする構成が提案されている（特許文献１参照）。
【００１１】
この構成により、幅広部12ａにおいて容量成分が大きくなり、高周波用伝送線路17の幅広部12ａにおける特性インピーダンス値が残部12ｃにおける特性インピーダンス値よりも低い値となるが、幅狭部12ｂにおいて容量成分を小さくしてインピーダンス値を残部12ｃにおける特性インピーダンス値よりも高くすることができるので、幅広部12ａと幅狭部12ｂとで所定の特性インピーダンス値からのずれを互いに相殺させ、幅広部12ａと幅狭部12ｂとを有する高周波用伝送線路17を伝送する高周波信号のインピーダンス値を所定の特性インピーダンス値に近い値とすることができた。
【特許文献１】特開2001-102820号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、線路導体12を伝送する高周波信号がより高周波になると、線路導体12を所定の特性インピーダンス値に合わせるためには、その幅を狭くしなければならず、それに伴い上記従来の構成においては、幅狭部12ｂを非常に狭いものとしなければならなかった。その結果、幅狭部12ｂの幅が狭くなりすぎて、幅狭部12ｂを形成するのが困難となってきた。即ち、幅狭部12ｂにおけるメタライズ層のかすれ（非形成部）が生じて断線してしまったり、線路導体12の加工最小限界の幅を下回ってしまい幅狭部12ｂを全く形成できなくなったりするという問題が顕著に発生するようになってきた。
【００１３】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、高周波信号を確実に伝送させるとともに、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波用伝送線路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の高周波用伝送線路は、絶縁基体の上面に形成され、一端が前記絶縁基体の上面の端にある線路導体と、この線路導体の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地導体とから成る高周波用伝送線路において、前記線路導体は、前記一端に幅広部が形成されており、前記同一面接地導体は、前記線路導体に対向する辺部で前記幅広部とその残部との境界部に位置する部位に切欠き部が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の高周波用伝送線路において、好ましくは、前記線路導体は、前記幅広部とその残部との間に幅狭部が形成されており、前記切欠き部は、前記幅狭部と前記残部との境界部に位置する部位に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の高周波用伝送線路によれば、絶縁基体の上面に形成され、一端が前記絶縁基体の上面の端にある線路導体と、この線路導体の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地導体とから成り、線路導体は、一端に幅広部が形成されており、同一面接地導体は、線路導体に対向する辺部で幅広部とその残部との境界部に位置する部位に切欠き部が形成されていることから、線路導体の幅広部とこれに対向する同一面接地導体との間において容量成分が大きくなり、高周波用伝送線路の幅広部が形成されている部位の特性インピーダンス値が高周波用伝送線路の残部の部位の特性インピーダンス値よりも低い値となるが、幅広部とその残部との境界部に位置する同一面接地導体の部位に形成されている切欠き部により誘導成分（インダクタンス）が発生し、この誘導成分により幅広部とその残部との境界部のインピーダンス値は特性インピーダンス値よりも高い値となるので、高周波用伝送線路の幅広部が形成されている部位の特性インピーダンス値の低下分を相殺させて、高周波用伝送線路の特性インピーダンスをある一定範囲内の値とすることができる。これによって、線路導体の一端に幅広部が形成されても、高周波用伝送線路の幅広部と残部との境界部で発生する高周波信号の反射を抑制することができ、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波用伝送線路を提供することができる。
【００１７】
また、線路導体に幅狭部を形成する必要がないことから、線路導体にかすれが生じて断線してしまったり、線路導体の加工最小限界の幅を下回ってしまい線路導体を形成できなくなったりするということがなくなる。従って、高周波信号を確実に伝送できる高周波用伝送線路とできる。
【００１８】
また、本発明の高周波用伝送線路によれば、上記構成において好ましくは、線路導体は、幅広部とその残部との間に幅狭部が形成されており、切欠き部は、幅狭部と残部との境界部に位置する部位に形成されていることから、線路導体の幅広部とこれに対向する同一面接地導体との間において容量成分が大きくなり、高周波用伝送線路の幅広部が形成されている部位の特性インピーダンス値が高周波用伝送線路の残部の特性インピーダンス値よりも低い値となるが、線路導体の幅広部とその残部との間に形成されている幅狭部で容量成分が小さくなり、幅狭部と残部との境界部に位置する切欠き部において誘導成分が発生することから、幅狭部および幅狭部と残部との境界部における高周波用伝送線路の特性インピーダンス値が高周波用伝送線路の残部の特性インピーダンス値よりも高い値となり、幅狭部および幅狭部と残部との境界部の２箇所において、幅広部で低下した特性インピーダンス値を段階的に高くして相殺することができる。これによって、線路導体の一端に幅広部が形成されても、幅広部の特性インピーダンス値の低下分を段階的に滑らかに相殺させ、高周波用伝送線路の幅広部と残部との境界部で発生する高周波信号の反射を抑制することができ、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波用伝送線路を提供することができる。
【００１９】
また、このように幅広部で低下した特性インピーダンス値を段階的に高くさせるため、幅狭部は線路導体の最小加工限界の幅まで幅狭にする必要がなくなり、幅狭部にかすれが生じて断線してしまったり、線路導体の加工最小限界の幅を下回ってしまい線路導体を形成できなくなったりするということがなくなる。従って、高周波信号を確実に伝送できる高周波用伝送線路とできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の高周波用伝送線路について以下に詳細に説明する。図１は本発明の高周波用伝送線路の実施の形態の一例を示す平面図であり、１は絶縁基体、２は線路導体、２ａは線路導体２の一端に形成された幅広部、２ｃは線路導体２の残部、６は同一面接地導体、６ａは同一面接地導体６の線路導体２に対向する辺部で幅広部２ａとその残部２ｃとの境界部に位置する部位に形成された切欠き部、７Ａは線路導体２と同一面接地導体６とから成る高周波用伝送線路を示す。回路基板は主としてこれらで構成される。なお、同図において、３は第一の電気的接続手段、５は第二の電気的接続手段、４は電子部品を示す。
【００２１】
本発明の高周波用伝送線路７Ａは、セラミックス等の絶縁体から成る絶縁基体１の上面に形成され、一端が絶縁基体１の上面の端にある線路導体２と、線路導体２の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地導体６とから成り、線路導体２は、一端に幅広部２ａが形成されており、同一面接地導体６は、線路導体２に対向する辺部で幅広部２ａとその残部２ｃとの境界部に位置する部位に切欠き部６ａが形成されている。
【００２２】
なお、図１においては、第一の電気的接続手段３にリード端子（板状の導体）を用い、第二の電気的接続手段５にボンディングワイヤを用いた形態を例示しているが、第一の電気的接続手段３をボンディングワイヤとし、第二の電気的接続手段５をリード端子としたり、両方をボンディングワイヤまたはリード端子としてもよい。
【００２３】
本発明における絶縁基体１は、アルミナセラミックスや窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、または、エポキシ樹脂等の樹脂から成る。また、絶縁基体１は、その上側主面に、電子部品４を載置する載置部１ａを有している。
【００２４】
載置部１ａには、電子部品４が機械的に接着固定されるための導体層（図示せず）が形成されている。電子部品４は、この導体層にＡｇロウ、Ａｕ−錫（Ｓｎ）半田やＡｇエポキシ等の導電性接着材を介して接着される。
【００２５】
絶縁基体１がセラミックスから成る場合、その上面に線路導体２と同一面接地導体６とから成る高周波用伝送線路７ＡがＷ，Ｍｏ−Ｍｎ等から成る金属ペーストを高温で焼成したメタライズ層として形成される。また、高周波用伝送線路７Ａは金属薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、線路導体２および同一面接地導体６は窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，チタン（Ｔｉ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）等から成る金属薄膜層によって形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後にスパッタリング等の周知の金属薄膜形成法により形成される。
【００２６】
線路導体２は、第一の電気的接続手段３が接続される部位に幅広部２ａが形成されるとともに、同一面接地導体６には、線路導体２に対向する辺部で幅広部２ａとその残部２ｃとの境界部に位置する部位に切欠き部６ａが形成されている。
【００２７】
線路導体２の一端に幅広部２ａが形成されていることにより、幅広部２ａにおいて線路導体２の絶縁基体１に対する密着力が補強され、一端にリード端子による第一の電気的接続手段３が接続されても線路導体２が絶縁基体１から剥離しにくくなる。また、幅広部２ａは第一の電気的接続手段３を線路導体２に機械的に強固に接続させるために十分な幅が確保される。
【００２８】
ここで残部２ｃは、伝送する高周波信号の所定の特性インピーダンス値になるように適宜線路幅が調整される。そして、幅広部２ａと残部２ｃとの境界部における切欠き部６ａの切欠き寸法は、高周波用伝送線路７Ａの幅広部２ａが形成されている部位の特性インピーダンス値の低下分を相殺させ、高周波用伝送線路７Ａの残部２ｃの部位の特性インピーダンス値に近い値とすることができるように決められる。これにより、線路導体２に高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。
【００２９】
また、切欠き部６ａにおける線路導体２と切欠き部６の奥側の同一面接地導体６との距離は、幅広部２ａにおける特性インピーダンス値の低下分を相殺させることができるように、線路導体２を伝送する高周波信号の周波数，波長等に応じて適宜決定される。
【００３０】
同一面接地導体６に切欠き部６ａが形成されることにより、切欠き部６ａにおいて、部分的に同一面接地導体６から線路導体２までの距離が大きくなり、線路導体２と同一面接地導体６との間の容量成分が少なくなり、切欠き部６が形成された部位の高周波用伝送線路７Ａの特性インピーダンスの誘導成分の実効性が大きくなる。具体的に、高周波信号の周波数が3〜30ＧＨｚ程度の範囲であれば、切欠き部６ａの幅は、0.05〜0.5ｍｍ程度、奥行きは幅広部２ａの幅の0.3〜２倍程度であればよく、幅広部２ａにおけるインピーダンス値の低下分を切欠き部６による容量成分の低下によって有効に相殺させることができる。
【００３１】
特に、同一面接地導体６の辺部に形成される切欠き部６ａは、幅広部２ａと残部２ｃとの境界部に設けるのが重要であり、この構成により、幅広部２ａと切欠き部６ａが連続的に設けられ、これにより幅広部２ａにおける線路導体２のインピーダンス値の低下分を補うことができることから、確実に幅広部２ａにおける特性インピーダンス値の低下分を相殺させることができるものとなる。これにより、高周波用伝送線路７Ａを伝送する高周波信号が幅広部２ａと残部２ｃとの境界部において反射されて発生する反射損失を有効に低減させることが可能となる。
【００３２】
切欠き部６ａの平面視形状は、図１に示すような四角形状である他に、図２（ａ）に示すような三角形状や図２（ｂ）に示すような円弧状等種々の形状とし得る。特に、図２（ａ）に示すような三角形状または図２（ｂ）に示すような円弧状であるのが切欠き部６ａにおける線路導体２から同一面接地導体６までの距離を滑らかに変化させ、それに伴い、線路導体２のインピーダンス値を滑らかに変化させることができることから好ましい。ただし、幅広部２ａと残部２ｃとの境界部において切欠き部６ａの奥行き、すなわち線路導体２と接地導体６との距離が最も大きくなるようにし、境界部から離れるにつれ漸次奥行きが浅くなるようにするとよい。
【００３３】
この構成とすることによって、切欠き部６ａにおける線路導体２から同一面接地導体６までの距離を滑らかに変化させることができることから、高周波用伝送線路７Ａの特性インピーダンス値の変化を滑らかなものとし、高周波用伝送線路７Ａを伝送する高周波信号に反射損失が発生するのを確実に防止することができる。線路導体２のインピーダンス値が急激に変化すると、インピーダンス値が急激に変化する部位において反射損失が発生し易くなる。
【００３４】
なお、図２（ｂ）の形態においても、切欠き部６ａの奥側の端には直線部を設けるのがよく、円弧状の切欠き部６ａの端が滲んで正確に形成できなくなるのを防止できる。これにより、切欠き部６ａを所望の形状に形成し、高周波用伝送線路７Ａに高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００３５】
またこの構成によって、従来のように線路導体２に幅狭部を形成する必要がなくなることから、線路導体２にかすれが生じて断線してしまったり、線路導体２の加工最小限界の幅を下回ってしまい線路導体２を形成できなくなったりするということがなくなる。従って、高周波信号を確実に伝送できる高周波用伝送線路７Ａとできる。
【００３６】
なお、線路導体２と同一面接地導体６の露出する表面には、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）等の耐食性に優れる金属を１〜20μｍ程度の厚さで被着させておくのが良く、線路導体２と同一面接地導体６の酸化腐食を有効に防止し得るともに、第一の電気的接続手段３と線路導体２との接続、および線路導体２と第二の電気的接続手段５との接続を強固にし得る。従って、線路導体２の露出表面には、例えば、厚さ１〜10μｍ程度のＮｉメッキ層と厚さ0.1〜３μｍ程度のＡｕメッキ層とが電解メッキ法や無電解メッキ法により順次被着されているのがより好ましい。
【００３７】
第一の電気的接続手段３は、高周波用伝送線路７Ａと外部電気回路基板（図示せず）の外部伝送線路とを電気的に接続するとともに、絶縁基体１を機械的に支持固定する機能を有する。従って、第一の電気的接続手段３には、電気的な抵抗が少なく、機械的強度の強いＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る図１に示すようなリード端子が用いられ、Ａｇロウ等の導電性接着材を介して線路導体２の一端に接続固定されるのがよい。もちろん、電気的な接続を行なう目的を達成するだけなら、第一の電気的接続手段３はＡｕ線から成るボンディングワイヤ等であってもよい。
【００３８】
そして、載置部１ａの上面に高周波用半導体素子等の電子部品４が載置固定され、ボンディングワイヤ等の第二の電気的接続手段５を介して線路導体２の他端（載置部１ａ側の端）に接続され、さらに、第一の電気的接続手段３が外部電気回路基板に形成された外部伝送線路に接続されることによって、電子部品４と外部電気回路基板との間で高周波信号を入出力させるための高周波用伝送線路７Ａとなる。なお、外部伝送線路も高周波用伝送線路７Ａと同様な幅広部および切欠き部を有する構成とするのがよい。
【００３９】
また、本発明の高周波用伝送線路の実施の形態の他の例として、好ましくは、図３に平面図を示すような高周波用伝送線路７Ｂであってもよい。なお、図３において、図１に示す部位と同等の部位には図１と同じ符号を付した。また、２ｂは線路導体２の幅広部２ａと残部２ｃとの間に形成された幅狭部である。
【００４０】
この高周波用伝送線路７Ｂは、高周波用伝送線路７Ａにおいて、線路導体２は幅広部２ａとその残部２ｃとの間に幅狭部２ｂが形成されており、切欠き部６ａは、幅狭部２ｂと残部２ｃとの境界部に位置する部位に形成されている。
【００４１】
高周波用伝送線路７Ｂは、第一の電気的接続手段３が接続される一端に幅広部２ａが形成されるとともに、幅広部２ａとその残部２ｃとの間に幅狭部２ｂが形成されており、切欠き部６ａは、幅狭部２ｂと残部２ｃとの境界部に位置する部位に形成されていることから、線路導体２の幅広部２ａとこれに対向する同一面接地導体６との間において容量成分が大きくなり、高周波用伝送線路７Ｂの幅広部２ａが形成されている部位の特性インピーダンス値が高周波用伝送線路７Ｂの残部の特性インピーダンス値よりも低い値となるが、線路導体２の幅広部２ａとその残部２ｃとの間に形成されている幅狭部２ｂで容量成分が小さくなり、幅狭部２ｂと残部２ｃとの境界部に位置する切欠き部６ａにおいて誘導成分が発生することから、幅狭部２ｂおよび幅狭部２ｂと残部２ｃとの境界部における高周波用伝送線路７Ｂの特性インピーダンス値が高周波用伝送線路７Ｂの残部の特性インピーダンス値よりも高い値となり、幅狭部２ｂおよび幅狭部２ｂと残部２ｃとの境界部の２箇所において、幅広部２ａで低下した特性インピーダンス値を段階的に高くして相殺することができる。これによって、線路導体２の一端に幅広部２ａが形成されても、幅広部２ａの特性インピーダンス値の低下分を段階的に滑らかに相殺させ、高周波用伝送線路の幅広部と残部との境界部で発生する高周波信号の反射を抑制することができ、高周波信号の伝送損失の発生を抑制することのできる高周波用伝送線路を提供することができる。
【００４２】
また、このように幅広部２ａで低下した特性インピーダンス値を段階的に高くさせるため、幅狭部２ｂは線路導体２の最小加工限界の幅まで幅狭にする必要がなくなり、幅狭部２ｂにかすれが生じて断線してしまったり、線路導体２の加工最小限界の幅を下回ってしまい線路導体２を形成できなくなったりするということがなくなる。従って、高周波信号を確実に伝送できる高周波用伝送線路７Ｂとできる。
【００４３】
ここで、切欠き部６ａの平面視形状は、図３に示すような四角形状である他に、上記高周波用伝送線路７Ａと同様に、図２（ａ）に示すような三角形状や図２（ｂ）に示すような円弧状等種々の形状とし得る。ここでも、図２（ａ）または図２（ｂ）に示す形状であるのが好ましく、幅広部２ａと残部２ｃとの境界部において切欠き部６ａの奥行き、すなわち線路導体２と接地導体６との距離が最も大きくなるようにし、境界部から離れるにつれ漸次奥行きが浅くなるようにするとよい。
【００４４】
また、図４（ａ）に平面図を、図４（ｂ）に断面図を示すように高周波用伝送線路７Ｂが半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）に形成されていてもよい。同図において、パッケージには高周波用伝送線路７Ｂが形成された例を示すが、高周波用伝送線路７Ａが形成されてもよいことは言うまでもない。これらの図において、１は絶縁基体、２は高周波用伝送線路、３はリード端子を用いた第一の電気的接続手段、４は電子部品であり、主としてこれらで高周波用伝送線路７Ｂを有するパッケージが構成される。
【００４５】
このパッケージは、載置部１ａを取り囲むようにして立設された枠部１ｂを有するセラミックス等の絶縁体から成る絶縁基体１の上面に、電子部品４への高周波信号入出力用の線路導体２と、線路導体２の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地導体６とから成る高周波用伝送線路７Ｂが形成されたものである。この線路導体２は、図１と同様、第一の電気的接続手段３が接続される部位に幅広部２ａが形成されるとともに、幅広部２ａとその残部との間に幅狭部２ｂが形成されており、さらに幅狭部２ｂと残部２ｃとの境界部に位置する同一面接地導体６の辺部に切欠き部６ａが形成されている。なお、このようなパッケージにおいて、高周波用伝送線路７Ｂの一部は、枠部１ｂと絶縁基体１とに挟まれて挿通する構成となる。
【００４６】
ここで、絶縁基体１は、図１の場合と同様にアルミナセラミックスや窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、または、エポキシ樹脂等の樹脂から成る。
【００４７】
線路導体２において、残部２ｃは伝送する高周波信号の所定の特性インピーダンス値になるように適宜線路幅が調整されているが、残部２ｃの絶縁基体１と枠部１ｂとに挟まれて導通する内部導通部２ｃ−ｂでは、絶縁基体１の表面に形成されている残部２ｃに比べ幅の狭いものとして、高周波用伝送線路７Ｂの内部導通部２ｃ−ｂを伝送する高周波信号の特性インピーダンス値に整合させるのがよい。
【００４８】
なお、図４（ｂ）に示すように、幅狭部２ｂは枠部１ｂの直下に配置されるとよく、枠部１ｂとなるセラミックグリーンシートを積層する際に、絶縁基体１と枠部１ｂとなるセラミックグリーンシート同士の接着面を広くすることができるので、絶縁基体１と枠部１ｂとの密着強度を高め、内部の気密信頼性を向上できるという作用効果も有する。
【００４９】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等支障ない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の高周波用伝送線路の実施の形態の一例を示す平面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は本発明の高周波用伝送線路の実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図３】本発明の高周波用伝送線路の実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の高周波用伝送線路をパッケージに適用したときの実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図５】従来の高周波用伝送線路の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１：絶縁基体
２：線路導体
２ａ：幅広部
２ｂ：幅狭部
２ｃ：残部
３：第一の電気的接続手段
４：電子部品
６：同一面接地導体
６ａ：切欠き部
７Ａ，７Ｂ：高周波用伝送線路
【図１】
2005278090.tif 000003
【図２】
2005278090.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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