(57)【要約】 【課題】  導体周囲のはんだめっき膜表面からウィスカが発生するおそれのないフラットケーブル用導体及びその製造方法並びにフラットケーブルを提供するものである。【解決手段】  本発明に係るフラットケーブル用導体１０は、フラットケーブル内部に配設される導体であって、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される導体１１の周囲にSn-Cu合金めっきで構成される第１めっき膜１２を設け、その第１めっき膜１２の周囲に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素とＳｎとの合金で構成され、最表面での第３元素の濃度が0.01〜80ｗｔ％である第２めっき膜１３を設けたものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットケーブル内部に配設される導体において、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される導体の周囲にSn及び／又はSn-Cu合金めっきで構成される第１めっき膜を設け、その第１めっき膜の周囲に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素とＳｎとの合金で構成され、最表面での第３元素の濃度が0.01〜80ｗｔ％である第２めっき膜を設けたことを特徴とするフラットケーブル用導体。
【請求項２】
上記第２めっき膜が、内周側から外周側に向かって上記第３元素の濃度が高くなる傾斜めっき膜である請求項１記載のフラットケーブル用導体。
【請求項３】
上記第２めっき膜の膜厚が、上記第１めっき膜の膜厚の1/100〜1/2である請求項１又は２記載のフラットケーブル用導体。
【請求項４】
上記導体が平角導体である請求項１から３いずれかに記載のフラットケーブル用導体。
【請求項５】
フラットケーブル内部に配設される導体の製造方法において、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される導体の周囲にＳｎめっき膜を形成し、そのＳｎめっき膜の周囲にＡｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素で構成される第３元素めっき膜を形成し、その後、拡散処理を施し、導体とＳｎめっき膜との間およびＳｎめっき膜と第３元素めっき膜との間で元素を相互拡散させ、上記導体の周囲に、Sn及び／又はSn-Cu合金めっきで構成される第１めっき膜を形成し、その第１めっき膜の周囲に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素とＳｎとの合金で構成される第２めっき膜を形成することを特徴とするフラットケーブル用導体の製造方法。
【請求項６】
上記第２めっき膜の最表面での上記第３元素の濃度が0.01〜80ｗｔ％となるように、上記拡散処理の処理条件を制御する請求項５記載のフラットケーブル用導体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４いずれかに記載のフラットケーブル用導体を複数本並行に配列してなる導体群の両面に、絶縁層を設けたことを特徴とするフラットケーブル。
【請求項８】
上記絶縁層を、片面に接着層を有するプラスチックフィルム材で構成した請求項７記載のフラットケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にはんだめっき膜を有するフラットケーブル用導体及びその製造方法並びにフラットケーブルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、小型プリンター、パソコン等の各種外部記憶装置（CD-ROMドライブ、DVD-ROMドライブ等）、ゲーム機器などの各種電子機器製品の内部配線材として、フレキシブルフラットケーブル（以下、ＦＦＣと示す）が用いられている。
【０００３】
図３にＦＦＣの基本構造を示す。ＦＦＣ３０は、その内部に、厚さ数十μｍのフラットケーブル用導体３２を複数本並行に配列してなる導体群を有する厚さ100〜300μｍの薄く柔軟性に富んだテープ状のケーブル、電線である。このＦＦＣ３０は、並行に配列したフラットケーブル用導体３２の導体群を、片面に接着剤層３４を有する絶縁性のプラスチックフィルム３３ａ，３３ｂで挟み、熱ロールで連続圧着することにより製造される。導体３２の平角導体としてはんだめっき平角軟銅線が、接着剤として難燃性のポリエステルが、絶縁性のプラスチックフィルム３３ａ，３３ｂとしてポリエチレンテレフタレートが主に使用される（非特許文献１参照）。
【０００４】
フラットケーブル用導体３２は、前述したように、はんだめっき平角軟銅線が使用されており、その製造方法の一例は以下の通りである。まず、母材となる純銅線（φ0.6ｍｍ）の外周に、はんだ（Sn-5wt％Pb）めっき膜を６μｍ程度の厚さで電気めっきする。その後、はんだめっき純銅線をφ0.1ｍｍまで冷間伸線し、その後、圧延して所定サイズ（例えば、厚さ0.05ｍｍ、幅0.32ｍｍ）の精密平角線に形成する。最後に、精密平角線に焼鈍処理を施すことで、はんだめっき平角軟銅線が得られる（特許文献１参照）。
【０００５】
また、近年は環境対応の観点から、Ｐｂフリー材（非鉛材）、ノンハロゲン材の使用が求められており、ＦＦＣに使用される各種材料に対してもその対応が求められている。
【０００６】
以上の理由からフラットケーブル用導体３２の表面のはんだめっき膜についても、Ｐｂフリー化が求められている。現状のはんだめっき膜においては、一般的に、錫（Ｓｎ）に1〜10ｗｔ％の鉛（Ｐｂ）を添加した組成のはんだが使用されている。ＳｎにＰｂを添加する理由は、Ｓｎめっきの融点の低減のため、及び純Ｓｎめっき膜表面からのウィスカ（髭状単結晶）発生防止のためとされている。したがって、Ｐｂフリー化に対応するために、従来のめっき組成からＰｂを排除して純Ｓｎめっきを採用しようとすると、融点の上昇およびウィスカの発生が懸念される。ウィスカ発生は、ＦＦＣの導体間の短絡を招く一因となるため、好ましくない。
【０００７】
そこで、Ｐｂフリーはんだめっきに用いるはんだ用Ｓｎ合金として、例えば、Sn-Bi系，Sn-Ag系，Sn-Cu系合金などが開発され、それに対応するための電気めっき液の開発が行われ、一部実用化されている。これらのはんだめっきでは、融点、はんだ濡れ性、耐ウィスカ性などの各種信頼性について、従来品と同等であることが求められている。これらのＰｂフリーはんだめっき平角導体を使用したＦＦＣが、いくつか提案されている（特許文献２〜４参照）。
【０００８】
また、純Ｓｎからなるはんだめっき膜を調質してはんだ濡れ性を維持し、ウィスカの発生を抑制させたＦＦＣが、いくつか提案されている（特許文献５〜７参照）。
【０００９】
【特許文献１】特許第２９４２４５８号公報
【特許文献２】特開２００１−４３７４３号公報
【特許文献３】特開２００１−４３７４４号公報
【特許文献４】特開２００１−４３７４５号公報
【特許文献５】特開２００１−７３１８６号公報
【特許文献６】特開２０００−１７３３６４号公報
【特許文献７】特開２００２−４２５５６号公報
【非特許文献１】山野辺 寛、外３名,「フレキシブル・フラット・ケーブル（ＦＦＣ）の耐屈曲信頼性」,日立電線技報,日立電線株式会社,2000,No.19,2000-1,p.53-56
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、これらのＰｂフリーはんだめっきは、電気めっきの容易性、製造コストの点において、従来のSn-Pbめっきよりも劣ることから、これらの点について更なる改善が求められている。
【００１１】
また、これらのＰｂフリーはんだめっき平角導体を使用したＦＦＣは、それ自体における耐ウィスカ性の信頼性は高い。しかし、近年、ＦＦＣと嵌合されるコネクタの金属端子のめっきがＰｂフリー化されるのに伴って、ＦＦＣとコネクタとの嵌合、接続時の圧縮応力が増大する傾向にある。この圧縮応力の増大に伴って、ＦＦＣにおけるフラットケーブル用導体のＰｂフリーはんだめっき膜表面から、ウィスカが発生することがあり、Ｐｂフリーはんだめっきの信頼性の更なる向上が求められている。
【００１２】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、導体周囲のはんだめっき膜表面からウィスカが発生するおそれのないフラットケーブル用導体及びその製造方法並びにフラットケーブルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成すべく本発明に係るフラットケーブル用導体は、フラットケーブル内部に配設される導体において、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される導体の周囲にSn及び／又はSn-Cu合金めっきで構成される第１めっき膜を設け、その第１めっき膜の周囲に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素とＳｎとの合金で構成され、最表面での第３元素の濃度が0.01〜80ｗｔ％である第２めっき膜を設けたものである。
【００１４】
ここで、第２めっき膜が、内周側から外周側に向かって上記第３元素の濃度が高くなる傾斜めっき膜であることが好ましい。
【００１５】
また、第２めっき膜の膜厚が、第１めっき膜の膜厚の1/100〜1/2であることが好ましい。
【００１６】
さらに、導体が平角導体であることが好ましい。
【００１７】
一方、本発明に係るフラットケーブル用導体の製造方法は、フラットケーブル内部に配設される導体の製造方法において、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される導体の周囲にＳｎめっき膜を形成し、そのＳｎめっき膜の周囲にＡｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素で構成される第３元素めっき膜を形成し、その後、拡散処理を施し、導体とＳｎめっき膜との間およびＳｎめっき膜と第３元素めっき膜との間で元素を相互拡散させ、上記導体の周囲に、Sn及び／又はSn-Cu合金めっきで構成される第１めっき膜を形成し、その第１めっき膜の周囲に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素とＳｎとの合金で構成される第２めっき膜を形成するものである。
【００１８】
ここで、第２めっき膜の最表面での第３元素の濃度が0.01〜80ｗｔ％となるように、拡散処理の処理条件を制御することが好ましい。
【００１９】
他方、本発明に係るフラットケーブルは、上述したフラットケーブル用導体を複数本並行に配列してなる導体群の両面に、絶縁層を設けたものである。
【００２０】
ここで、絶縁層を、片面に接着層を有するプラスチックフィルム材で構成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、Ｐｂフリーで、耐ウィスカ性の信頼性の高いフラットケーブル用導体を得ることができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２３】
フラットケーブル用導体のＰｂフリー化対応には、経済性、つまり低製造コストであることを考慮すると、純Ｓｎめっきが最も効果的である。しかし、導体のはんだめっき膜として純Ｓｎを適用すると、はんだめっき膜表面でのウィスカ発生が懸念される。実際、これまでに、純Ｓｎめっき膜のウィスカ感受性の高さは、各電子機器製品分野における懸念問題となっている。そこで、純Ｓｎめっき膜のウィスカ感受性を抑える必要がある。これには、前述したように、Ｓｎ合金めっき膜を適用することで解決できるが、製造コストの上昇を招くため、経済性が劣ってしまう。
【００２４】
発明者らが鋭意研究した結果、Ｓｎめっき導体の周囲に、Ｓｎと第３元素との合金で構成される第２めっき膜を設け、その第２めっき膜の最表面での第３元素の濃度を制御することで、フラットケーブル用導体のＰｂフリー化と低ウィスカ感受性の両方を達成できるということを見出した。
【００２５】
本発明の好適一実施の形態に係るフラットケーブル用導体の横断面図を図１に、図１の要部Ａの拡大図を図２に示す。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０は、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される平角導体１１の周囲に第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２を設け、その第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２の周囲に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素とＳｎとの合金で構成される第２めっき膜１３を設けてなり、その第２めっき膜１３の最表面での第３元素の濃度を0.01〜80ｗｔ％、好ましくは1.0〜50ｗｔ％に制御したものである。第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２及び第２めっき膜１３が、フラットケーブル用導体１０のはんだめっき膜１４を構成する。
【００２７】
第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２は、内周側から外周側に向かってＳｎ濃度が連続的に高くなり、Ｃｕ濃度が連続的に低くなる傾斜めっき膜である。また、第２めっき膜１３は、内周側から外周側に向かって第３元素（Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉ）の濃度が連続的に高くなり、Ｓｎ濃度が連続的に低くなる傾斜めっき膜である。
【００２８】
また、第２めっき膜１３の膜厚は、第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２の膜厚の1/100〜1/2、好ましくは1/10〜1/3とされる。例えば、平角導体１１の厚さが0.05ｍｍの時、第２めっき膜１３の膜厚は0.1〜0.5μｍ、好ましくは0.1〜0.3μｍ、第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２の膜厚は0.5〜5.0μｍ、好ましくは1.0〜2.0μｍである。
【００２９】
ここで、第２めっき膜１３の最表面における第３元素の濃度を0.01ｗｔ％以上としたのは、それ未満だと第３元素によるウィスカ感受性の抑制効果が得られず、コネクタと嵌合した際に、ＦＦＣ３０（図３参照）のフラットケーブル用導体１０における第２めっき膜１３の表面からウィスカが発生し易くなるためである。また、同じく第３元素の濃度を80ｗｔ％以下としたのは、それを超えると第２めっき膜１３を構成するはんだ（Ｓｎと第３元素との合金）の濡れ性低下、及びフラットケーブル用導体１０の耐屈曲性低下が生じるためである。
【００３０】
平角導体１１を構成するＣｕ又はＣｕ合金としては、フラットケーブル用導体の導体材料として慣用的に用いられているものが全て適用可能であり、特に限定するものではない。
【００３１】
第１めっき膜１２は、Sn-Cu合金めっき膜の他に、Sn-Cu合金めっき膜と第２めっき膜１３との間に、実質的にＣｕ及び第３元素を含有していないＳｎめっき膜（純Ｓｎめっき層）を介在する構造であってもよい。つまり、第２めっき膜１３の表面から純Ｓｎめっき層に向かって第３元素の拡散濃度が次第に低下するＳｎ及び第３元素含有領域が、純Ｓｎめっき層と連続するように形成されてもよい。また、導体１１の表面から純Ｓｎめっき層に向かってＣｕの拡散濃度が次第に低下するＳｎ及びＣｕ含有領域が、純Ｓｎめっき層と連続するように形成されてもよい。
【００３２】
次に、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０の製造方法を添付図面に基づいて説明する。
【００３３】
先ず、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成される導体（例えば、純銅線）の周囲にＳｎめっき膜を形成し、そのＳｎめっき膜の周囲にＡｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉから選択される第３元素で構成される第３元素めっき膜を形成する。
【００３４】
次に、第３元素めっき膜を被覆した純銅線に、伸線加工（例えば、冷間引抜き加工）、圧延加工（例えば、ロール圧延加工）を施し、フラットケーブル用導体１０の最終形状・寸法と同形状・寸法の精密平角線を作製する。
【００３５】
次に、その精密平角線に拡散処理を施す。これによって、導体とＳｎめっき膜との間およびＳｎめっき膜と第３元素めっき膜との間で元素が相互拡散される。この時、第２めっき膜１３の最表面での第３元素の濃度が0.01〜80ｗｔ％となるように、拡散処理の処理条件（印加電圧と印加時間、又は熱処理温度と熱処理時間）を制御する。
【００３６】
この相互拡散によって、導体の外周側の部分及びＳｎめっき膜の内周側の部分、すなわち導体とＳｎめっき膜の界面及びその近傍に、第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２が形成される。第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２は、Ｓｎ濃度が、内周側から外周側に向かって連続的に推移して高くなる傾斜めっき膜である。また、Ｓｎめっき膜の外周側の部分及び第３元素めっき膜の内周側の部分、すなわちＳｎめっき膜と第３元素めっき膜の界面及びその近傍に、第２めっき膜１３が形成される。第２めっき膜１３は、第３元素濃度が、内周側から外周側に向かって連続的に推移して高くなる傾斜めっき膜である。
【００３７】
その結果、平角導体１１の周囲に、順に第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２、第２めっき膜１３を有する図１に示したフラットケーブル用導体１０が得られる。
【００３８】
拡散処理は、例えば、通電アニーラを用い、精密平角線をラインスピード100m/minで走行させながら、電圧8.5〜12.0Ｖ、電流5.0〜6.5Ａを印加して行う。この場合、この通電条件において、印加電圧が低い時は印加電流を高めに、印加電圧が高い時は印加電流を低めにする。また、拡散処理は、焼鈍炉を用い、精密平角線を走行させながら、還元雰囲気下、800〜1000℃×5〜10m/minの温度条件で熱処理により行ってもよい。この場合、この熱処理条件において、熱処理温度が低い時は処理時間を長めに、熱処理温度が高い時は処理時間を短めにする。拡散処理の各種処理条件は、精密平角線のサイズ、第３元素めっき膜を構成する元素の種類、第３元素めっき膜の膜厚、及び精密平角線の走行速度などに応じて、適宜変更される。
【００３９】
一方、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０を複数本並行に配列してなる導体群の両面に、片面に接着層を有するプラスチックフィルム材を貼り合わせて絶縁層を形成することで、本発明の好適一実施の形態に係るＦＦＣ（図示せず）が得られる。つまり、本実施の形態に係るＦＦＣは、図３に示したＦＦＣ３０における各フラットケーブル用導体３２を、フラットケーブル用導体１０で置き換えたものである。ＦＦＣは、フラットケーブル用導体１０の長手方向両端部におけるプラスチックフィルム材を片面だけ剥離し、フラットケーブル用導体１０の両端部を片面だけ露出させたものであってもよい。また、接着層を構成する接着剤としては難燃性のポリエステルが、プラスチックフィルムとしてはポリエステルやポリエチレンテレフタレートが適用可能である。
【００４０】
次に、本実施の形態の作用について説明する。
【００４１】
本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０の製造方法は、純銅線等で構成される導体の周囲に形成するはんだめっき膜として、合金からなるめっき膜ではなく、純Ｓｎめっき膜及び第３元素めっき膜（Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉのめっき膜）を用いている。このため、特殊な電気メッキ液などを用いることなく、容易にはんだめっき膜を形成することができ、その結果、製造コストが安価となり、経済性に優れる。
【００４２】
これらの純Ｓｎめっき膜及び第３元素めっき膜が被覆された導体を、最終形状・寸法に形成して精密平角線を作製した後、拡散処理を施すことで、導体とＳｎめっき膜との間及びＳｎめっき膜と第３元素めっき膜との間で元素が相互拡散する。その結果、平角導体１１の周囲に、順に、Ｓｎ濃度が内周側から外周側に向かって連続的に推移して高くなる第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２、及び第３元素濃度が内周側から外周側に向かって連続的に推移して高くなる第２めっき膜１３が形成される。第２めっき膜１３の最表面での第３元素の濃度を0.01〜80ｗｔ％に制御することで、フラットケーブル用導体１０におけるはんだめっき膜１４のウィスカ感受性を抑えることができ、ウィスカ発生を防止することができる。
【００４３】
以上より、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０によれば、Ｐｂフリー化の要求に応じつつ、耐ウィスカ性に実績のあるSn-Pbはんだめっきと同等の耐ウィスカ性が得られる。よって、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０をＰｂフリー化が要求される電子機器製品等のＦＦＣに適用することで、これらのＦＦＣをコネクタに嵌合、接続する際に、ＦＦＣに大きな圧縮応力が負荷されたとしても、フラットケーブル用導体１０におけるはんだめっき膜１４の表面にウィスカが発生しにくくなる。よって、このＦＦＣは、ウィスカ発生に伴う導体短絡などのトラブルを回避できる。
【００４４】
また、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０は、ＦＦＣの他に、ＦＦＣと嵌合、接続されるコネクタの端子や半導体部品のリードフレームなどのように、耐ウィスカ性について高い信頼性が要求される導体部材にも適用することができる。
【００４５】
さらに、フラットケーブル用導体１０は、相組織の観点から捉えると、平角導体１１、第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２、及び第２めっき膜１３が略一体に形成されていることから、平角導体１１、第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２、及び第２めっき膜１３の密着性が良好である。よって、このフラットケーブル用導体１０を用いたＦＦＣを屈曲させた時に、導体１０において、平角導体１１からはんだめっき膜１４が剥離するおそれは殆どない。
【００４６】
また、フラットケーブル用導体１０の最外層である第２めっき膜１３に、平角導体１１のＣｕが拡散するように拡散処理の処理条件を制御し、第２めっき膜１３をSn-Cu-Au系、Sn-Cu-Ag系、Sn-Cu-Ni系、Sn-Cu-Zn系、又はSn-Cu-Bi系合金の傾斜めっき膜で構成するようにしても良い。これによって、平角導体１１、Sn-Cu合金めっき膜１２、及び第２めっき膜１３の一体化を更に高めることができる。
【００４７】
さらに、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０の製造方法においては、導体の周囲に純Ｓｎめっき膜及び第３元素めっき膜を形成した後、拡散処理をまとめて１回だけ行う場合について説明を行ったが、特にこれに限定するものではない。例えば、導体の周囲に純Ｓｎめっき膜を形成した後に第１拡散処理を行って第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２を形成し、その後、第１めっき膜（Sn-Cu合金めっき膜）１２の周囲に第３元素めっき膜を形成した後に第２拡散処理を行い、第２めっき膜１３を形成するようにしてもよい。また、拡散処理は導体に対する圧延加工前に１度行い、圧延加工後に再度行うようにしてもよい。このようにして得られたフラットケーブル用導体においても、本実施の形態に係るフラットケーブル用導体１０と同様の作用効果が得られる。
【００４８】
また、第３元素は、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ，又はＢｉに限定されるものではなく、内周側から外周側に向かって第３元素の濃度が高くなる傾斜めっき膜で構成される第２めっき膜１３を形成することができるものであればよい。
【００４９】
以上、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【００５０】
次に、本発明について、実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００５１】
（実施例１）
φ0.6ｍｍのＣｕ線の周囲に、電気メッキにより厚さ６μｍのＳｎめっき膜を成膜形成してなるＳｎめっきＣｕ線に、フラッシュめっきにより厚さ１μｍの純Ａｇめっき膜を成膜形成した。その後、ＡｇめっきＣｕ線をφ0.1ｍｍまで冷間伸線した後、圧延ロールで厚さ0.05ｍｍ、幅0.32ｍｍの精密平角線に形成した。
【００５２】
この精密平角線に通電アニーラを使用して拡散処理を施し、フラットケーブル用導体を作製した。この時、通電条件を電圧10Ｖ、電流5.8Ａ、ラインスピード100m/minに制御して、拡散処理後のはんだめっき膜表面のＡｇ濃度を28ｗｔ％に制御した。はんだめっき膜表面のＡｇ濃度の定量分析には、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）を使用した。
【００５３】
これらアニーラ焼鈍を実施した２０本のフラットケーブル用導体を、0.5ｍｍピッチで並行に配列して導体群を形成した。その後、導体群の両面を、片面にポリエステル系接着剤層を有するポリエステルフィルムでラミネートし、ＦＦＣを作製した。その後、ＦＦＣを所定長さに切断した後、導体長手方向端部におけるポリエステルフィルムを片面だけ剥離してフラットケーブル用導体を片面だけ露出させ、図３に示した構造のＦＦＣを製造した。ＦＦＣのフラットケーブル用導体を構成するはんだめっき膜は、内周側のSn-Cu合金傾斜めっき膜と、外周側のSn-Ag合金傾斜めっき膜とで構成される。
（実施例２）
ＳｎめっきＣｕ線に、フラッシュめっきにより厚さ１μｍの純Ｚｎめっき膜を成膜形成する以外は実施例１と同様にして、図３に示した構造のＦＦＣを製造した。ＦＦＣのフラットケーブル用導体を構成するはんだめっき膜は、内周側のSn-Cu合金傾斜めっき膜と、外周側のSn-Zn合金傾斜めっき膜とで構成される。
（従来例１）
φ0.6ｍｍのＣｕ線の周囲に、電気メッキにより厚さ６μｍの純Ｓｎめっき膜を成膜形成してなるＳｎめっきＣｕ線をφ0.1ｍｍまで冷間伸線した後、圧延ロールで厚さ0.05ｍｍ、幅0.32ｍｍの精密平角線に形成した。その後は、実施例１と同様にして、図３に示した構造のＦＦＣを製造した。ＦＦＣのフラットケーブル用導体を構成するはんだめっき膜は、純Ｓｎめっき膜である。
（従来例２）
φ0.6ｍｍのＣｕ線の周囲に、電気メッキにより厚さ10μｍのSn-5wt％Pbめっき膜を成膜形成してなるSn-PbめっきＣｕ線をφ0.1ｍｍまで冷間伸線した後、圧延ロールで厚さ0.05ｍｍ、幅0.32ｍｍの精密平角線に形成した。その後は、実施例１と同様にして、図３に示した構造のＦＦＣを製造した。ＦＦＣのフラットケーブル用導体を構成するはんだめっき膜は、Sn-Pb合金めっき膜である。
【００５４】
実施例１，２及び従来例１，２の各ＦＦＣを、コネクタ（Ｐｂフリーはんだめっき仕様）と嵌合させて室温放置試験（25℃）、熱衝撃試験（−55℃〜125℃）、および耐湿放置試験（55℃，95％ＲＨ）を、それぞれ1000ｈｒ実施した。その後、各ＦＦＣをコネクタから外し、はんだめっき膜表面のコネクタ嵌合部（接続部）におけるウィスカの発生状況を、それぞれ電子顕微鏡で観察した。各試験後のＦＦＣの耐ウィスカ性及び各ＦＦＣの環境性の評価結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１に示すように、実施例１，２の各ＦＦＣは、いずれの試験条件においてもフラットケーブル用導体のはんだめっき膜表面にウィスカは確認されなかった。また、実施例１，２の各ＦＦＣは、Ｐｂフリーであることから、環境性については全く問題がなかった。
【００５７】
これに対して、従来例１のＦＦＣは、環境性については全く問題がなかった。しかし、いずれの試験条件においても、従来例１のＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体（純Ｓｎめっき平角導体）のはんだめっき膜表面には、ウィスカの発生が認められ、耐ウィスカ性があまり良好ではなかった。
【００５８】
また、従来例２のＦＦＣは、いずれの試験条件においてもフラットケーブル用導体（Sn-Pb合金めっき平角導体）のはんだめっき膜表面にウィスカは確認されなかった。しかし、従来例２のＦＦＣはＰｂを含んでいることから、環境性に問題があった。
【００５９】
以上より、実施例１，２の各ＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体は、Ｐｂフリーでありながら、これまでの実績で耐ウィスカ性の信頼性が高い従来例２のＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体と同等の耐ウィスカ性を有することが確認できた。
【実施例２】
【００６０】
［実施例１］における実施例１のＦＦＣについて、フラットケーブル用導体のはんだめっき膜表面のＡｇ濃度測定を行った。
【００６１】
実施例１のＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体の、Sn-Ag合金傾斜めっき膜におけるＡｇとＳｎの定量分析結果を図４に示す。図４中の実線４１はＡｇ濃度（ｗｔ％）を、破線４２はＳｎ濃度（ｗｔ）を示している。
【００６２】
図４に実線４１で示すように、Sn-Ag合金傾斜めっき膜の最表面におけるＡｇ濃度は、約3ｗｔ％であった。めっき膜表面からの距離が０〜約50ｎｍの範囲においては、距離が大きくなるにつれてＡｇ濃度が徐々に上昇し、距離約50ｎｍの時にＡｇ濃度が最高（約28ｗｔ％）となった。距離が約50〜約250ｎｍの範囲においては、距離が大きくなるにつれてＡｇ濃度は徐々に減少し、距離約250ｎｍの時にＡｇ濃度はほぼゼロとなった。これに対して、図４に破線４２で示すように、Sn-Ag合金傾斜めっき膜の最表面におけるＳｎ濃度は、約2ｗｔ％であった。めっき膜表面からの距離が０〜約200ｎｍの範囲においては、距離が大きくなるにつれてＳｎ濃度が増加し、距離約200ｎｍの時にＳｎ濃度が最高（約98ｗｔ％）となった。このことから、はんだめっき膜表面の、距離が０〜約200ｎｍの範囲においては、Sn-Ag合金傾斜めっき膜が形成されていることが確認できた。
【００６３】
表面において、合計が100ｗｔ％にならないのは、図示していないが、表面に酸化膜が形成されているためである。また、距離が約200ｎｍ以上の範囲においては、距離が大きくなるにつれてＳｎ濃度は減少した。これは、図示していないが、平角導体に含まれるＣｕ成分がはんだめっき膜に拡散しているため、距離が約200ｎｍ以上の範囲においては、Ｃｕ濃度が徐々に増加していることに起因している。このことから、はんだめっき膜表面の距離が約200ｎｍ以上の範囲においては、Sn-Cu合金傾斜めっき膜が形成されていることが確認できた。
【実施例３】
【００６４】
［実施例１］における実施例２のＦＦＣについて、フラットケーブル用導体のはんだめっき膜表面のＺｎ濃度測定を行った。
【００６５】
実施例２のＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体の、Sn-Zn合金傾斜めっき膜におけるＺｎとＳｎの定量分析結果を図５に示す。図５中の実線５１はＺｎ濃度（ｗｔ％）を、破線５２はＳｎ濃度（ｗｔ）を示している。
【００６６】
図５に実線５１で示すように、Sn-Zn合金傾斜めっき膜の最表面におけるＺｎ濃度は、約3ｗｔ％であった。めっき膜表面からの距離が０〜約70ｎｍの範囲においては、距離が大きくなるにつれてＺｎ濃度が徐々に上昇し、距離約70ｎｍの時にＺｎ濃度が最高（約36ｗｔ％）となった。距離が約70〜約300ｎｍの範囲においては、距離が大きくなるにつれてＺｎ濃度は徐々に減少し、距離が約300ｎｍの時にＺｎ濃度はほぼゼロとなった。これに対して、図５に破線５２で示すように、Sn-Zn合金傾斜めっき膜の最表面におけるＳｎ濃度は、約2ｗｔ％であった。めっき膜表面からの距離が０〜約230ｎｍの範囲においては、距離が大きくなるにつれてＳｎ濃度が増加し、距離約230ｎｍの時にＳｎ濃度が最高（約98ｗｔ％）となった。このことから、はんだめっき膜表面の、距離が０〜約230ｎｍの範囲においては、Sn-Zn合金傾斜めっき膜が形成されていることが確認できた。
【００６７】
表面において、合計が100ｗｔ％にならないのは、図示していないが、表面に酸化膜が形成されているためである。また、距離が約230ｎｍ以上の範囲においては、距離が大きくなるにつれてＳｎ濃度は減少した。これは、図示していないが、平角導体に含まれるＣｕ成分がはんだめっき膜に拡散しているため、距離が約230ｎｍ以上の範囲においては、Ｃｕ濃度が徐々に増加していることに起因している。このことから、はんだめっき膜表面の距離が約230ｎｍ以上の範囲においては、Sn-Cu合金傾斜めっき膜が形成されていることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の好適一実施の形態に係るフラットケーブル用導体の横断面図である。
【図２】図１の要部Ａの拡大図である。
【図３】フレキシブルフラットケーブルの基本構造を示す斜視図である。
【図４】［実施例１］における実施例１のＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体の、Sn-Ag合金傾斜めっき膜のＡｇとＳｎの定量分析結果を示す図である。
【図５】［実施例１］における実施例２のＦＦＣを構成するフラットケーブル用導体の、Sn-Zn合金傾斜めっき膜のＺｎとＳｎの定量分析結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０  フラットケーブル用導体
１１  平角導体（導体）
１２  第１めっき膜
１３  第２めっき膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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