(57)【要約】      （修正有）【課題】  ヒューズ溶断用開口部形成ストッパ−用導電膜を、工程を増やすことなく除去する。【解決手段】  ヒューズ２上に層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３上のヒューズ２と重なる位置にストッパー用導電膜５を形成する。層間絶縁膜３上及びストッパー用導電膜５上に層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６にストッパー用導電膜５上に位置するヒューズ溶断用開口部６ｂを形成する。層間絶縁膜６上及びヒューズ溶断用開口部６ｂ内に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングによりパターニングしてパッド７ａを形成するとともに、ヒューズ溶断用開口部６ｂにおいてストッパー用導電膜５をオーバーエッチングにより薄くする。パッシベーション膜９を形成した後、パッシベーション膜９にパッド開口部９ａを形成するとともにヒューズ溶断用開口部６ｂからパッシベーション膜９を除去した後、ストッパー用導電膜５をエッチングによりヒューズ溶断用開口部６ｂから除去する。【選択図】      図３
2005217122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上及び前記ストッパー用導電膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜に前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜上及び前記ヒューズ溶断用開口部内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をエッチングして前記第２の層間絶縁膜上にパッドを形成するとともに、オーバーエッチングを行って前記ヒューズ溶断用開口部において前記ストッパー用導電膜を薄くする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部内及び前記第２の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングにより前記ヒューズ溶断用開口部から除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ストッパー用導電膜及び前記導電膜は、同一の材料により形成されている請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ストッパー用導電膜及び前記導電膜は、Ａｌ合金により形成されている請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ヒューズはポリシリコンヒューズ又はＡｌ合金ヒューズである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に複数の層間絶縁膜及び該複数の層間絶縁膜それぞれの上に位置する配線層を形成する工程と、
前記複数の層間絶縁膜に、前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
最上層の前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングしてパッドを形成するとともに、オーバーエッチングを行って前記ヒューズ溶断用開口部において前記ストッパー用導電膜を薄くする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部上及び前記最上層の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングにより前記ヒューズ溶断用開口部から除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に複数の層間絶縁膜及び該複数の層間絶縁膜それぞれの上に位置する配線層を形成する工程と、
前記複数の層間絶縁膜に、前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
最上層の前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングしてパッドを形成するする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部上及び前記最上層の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングにより前記ヒューズ溶断用開口部から除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備し、
前記複数の層間絶縁膜及び前記配線層を形成する工程において、前記層間絶縁膜を形成するたびに、該層間絶縁膜に前記ヒューズ溶断用開口部を形成し、かつ前記ヒューズ溶断用開口部を形成するたびに、前記層間絶縁膜上及び前記ヒューズ溶断用開口部内に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングすることにより前記配線層を形成し、
少なくとも一の前記配線層を形成する工程において、前記導電膜をエッチングするときにオーバーエッチングを行って前記ストッパー用導電膜を薄くする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に一つ又は複数の中間層を形成する工程と、
前記中間層の上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとしたエッチングにより、前記第２の層間絶縁膜及び前記中間層に前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜上及び前記ヒューズ溶断用開口部内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をエッチングしてパッドを形成するとともに、オーバーエッチングを行って前記ヒューズ溶断用開口部において前記ストッパー用導電膜を薄くする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部上及び前記第２の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記パッドを形成する工程において、前記パッドを、前記薄くしたストッパー用導電膜より厚く形成する請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記第２の層間絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記ストッパー用導電膜及び第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズの上方に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ヒューズ溶断用開口部は、前記パッシベーション膜を形成する前に前記第２の層間絶縁膜において部分的に形成されており、
前記パッドは、前記第２の層間絶縁膜上及び前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の中に形成された導電膜をエッチングによりパターニングすることにより形成され、
前記ストッパー用導電膜は、前記パッドを形成する前に前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の底部で露出しており、前記パッドを形成するときにオーバーエッチングにより薄くなっている、半導体装置。
【請求項１０】
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜の上に形成された一つ又は複数の中間層と、
最上層の前記中間層の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第２の層間絶縁膜及び前記パッド上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記一つ又は複数の中間層、前記ストッパー用導電膜ならびに第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズの上方に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ヒューズ溶断用開口部は、前記パッシベーション膜を形成する前に前記第２の層間絶縁膜及び前記一つ又は複数の中間層において部分的に形成されており、
前記パッドは、前記第２の層間絶縁膜上及び前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の中に形成された導電膜をエッチングによりパターニングすることにより形成され、
前記ストッパー用導電膜は、前記パッドを形成する前に前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の底部で露出しており、前記パッドを形成するときにオーバーエッチングにより薄くなっている、半導体装置。
【請求項１１】
前記パッシベーション膜は、前記第２の層間絶縁膜上及び前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部内に形成された後、前記ストッパー用導電膜及び前記パッドをエッチングストッパーとしてエッチングされることにより、前記パッド開口部が形成されるとともに前記ヒューズ溶断用開口部内から除去され、
前記ヒューズ溶断用開口部は、前記パッシベーション膜が除去された後に、前記ストッパー用導電膜を除去するとともに前記第1の層間絶縁膜をエッチングすることにより形成されている、請求項９又は１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド用開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記ストッパー用導電膜及び前記第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズ上に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ストッパー用導電膜は、中心部が前記ヒューズ溶断用開口部によって貫かれることによりリング形状になっており、かつ前記リング形状の断面が略Ｌ字形状である半導体装置。
【請求項１３】
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜の上に形成された一つ又は複数の中間層と、
最上層の前記中間層の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド用開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記一つ又は複数の中間層、前記ストッパー用導電膜及び前記第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズ上に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ストッパー用導電膜は、中心部が前記ヒューズ溶断用開口部によって貫かれることによりリング形状になっており、かつ前記リング形状の断面が略Ｌ字形状である半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、ヒューズ溶断用開口部を形成する際に、工程の数を増やすことなく、パッドに悪影響を与えずにストッパー用導電膜を除去することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０の各図は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず図１０（a）に示すように、シリコン基板１０１上にポリシリコンヒューズ１０２を形成し、その上に層間絶縁膜１０３を形成する。次いで層間絶縁膜１０３上にストッパー用Ａｌ合金膜１０４を、ポリシリコンヒューズ１０２と重なる位置に形成する。次いでストッパー用Ａｌ合金膜１０４及び層間絶縁膜１０３の上に層間絶縁膜１０５を形成する。次いで層間絶縁膜１０５の上にＡｌ膜からなるパッド１０６を形成する。次いで層間絶縁膜１０５及びパッド１０６上に、窒化シリコン等からなるパッシベーション膜１０７を形成する。
【０００３】
次いで図１０（ｂ）に示すように、パッシベーション膜１０７の上にレジストパターン１０８を形成し、レジストパターン１０８をマスクとしてパッシベーション膜１０７及び層間絶縁膜１０５をエッチングすることにより、パッド１０６上に位置するパッド開口部１０７a、及びストッパー用Ａｌ合金膜１０４の上に位置するヒューズ溶断用開口部１０７ｂを形成する。このときパッド１０６及びストッパー用Ａｌ合金膜１０４はエッチングストッパーとして機能する。
【０００４】
次いで図１０（ｃ）に示すように、レジストパターン１０８をマスクとしてエッチングを行うことによりストッパー用Ａｌ合金膜１０４を除去する。次いでレジストパターン１０８をマスクとして層間絶縁膜１０３をエッチンすることにより、ヒューズ溶断用開口部１０７ｂを深くする。このときポリシリコンヒューズ１０２の上に層間絶縁膜１０３が適当な厚さほど残るようにする。
これに類似する技術が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１８９７３７号公報（図１）
【０００５】
上記した技術では、ストッパー用Ａｌ合金膜をエッチングする前に既にパッド開口部が形成されている。このため、ストッパー用Ａｌ合金膜をエッチングするときにパッドが同時にエッチングされることを防ぐために、パッド開口部を形成した後に、パッド開口部を覆うレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてエッチングを行う必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した技術では、ストッパー用Ａｌ合金膜をエッチングするときにパッドがエッチングされることを防ぐために、パッド開口部を覆うレジスト膜を形成する必要がある。このため工程数が増えてしまう。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ヒューズ溶断用開口部を工程の数を増やすことなく、パッドに悪影響を与えずにストッパー用Ａｌ合金膜を除去することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上及び前記ストッパー用導電膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜に前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜上及び前記ヒューズ溶断用開口部内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をエッチングして前記第２の層間絶縁膜上にパッドを形成するとともに、オーバーエッチングを行って前記ヒューズ溶断用開口部において前記ストッパー用導電膜を薄くする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部内及び前記第２の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングにより前記ヒューズ溶断用開口部から除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備する。
【０００８】
この半導体装置の製造方法によれば、ストッパー用導電膜をストッパーとしてエッチングを行うことによりヒューズ溶断用開口部からパッシベーション膜を除去しているが、これより前の工程であるパッドを形成する工程において、オーバーエッチングを行うことによりストッパー用導電膜を薄くしている。このため、ストッパー用導電膜をヒューズ溶断用開口部から除去する際にパッドがエッチングされても、パッドにはパッドとして機能するために必要な厚さが残る。従ってパッド開口部をレジスト等で覆う必要はないため、工程数は増えない。
【０００９】
ストッパー用導電膜及び導電膜は、同一の材料、例えばＡｌ合金により形成されているのが好ましい。ヒューズは例えばポリシリコンヒューズ又はＡｌ合金ヒューズである。
【００１０】
本発明にかかる他の半導体装置の製造方法は、
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に複数の層間絶縁膜及び該複数の層間絶縁膜それぞれの上に位置する配線層を形成する工程と、
前記複数の層間絶縁膜に、前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
最上層の前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングしてパッドを形成するとともに、オーバーエッチングを行って前記ヒューズ溶断用開口部において前記ストッパー用導電膜を薄くする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部上及び前記最上層の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングにより前記ヒューズ溶断用開口部から除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備する。
【００１１】
本発明にかかる他の半導体装置の製造方法は、
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に複数の層間絶縁膜及び該複数の層間絶縁膜それぞれの上に位置する配線層を形成する工程と、
前記複数の層間絶縁膜に、前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
最上層の前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングしてパッドを形成するする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部上及び前記最上層の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングにより前記ヒューズ溶断用開口部から除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備し、
前記複数の層間絶縁膜及び前記配線層を形成する工程において、前記層間絶縁膜を形成するたびに、該層間絶縁膜に前記ヒューズ溶断用開口部を形成し、かつ前記ヒューズ溶断用開口部を形成するたびに、前記層間絶縁膜上及び前記ヒューズ溶断用開口部内に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングすることにより前記配線層を形成し、
少なくとも一の前記配線層を形成する工程において、前記導電膜をエッチングするときにオーバーエッチングを行って前記ストッパー用導電膜を薄くする
【００１２】
これらの半導体装置の製造方法によれば、ストッパー用導電膜をストッパーとしてエッチングを行うことによりヒューズ溶断用開口部からパッシベーション膜を除去しているが、これより前の工程である一の配線を形成する工程又はパッドを形成する工程において、オーバーエッチングを行うことによりストッパー用導電膜を薄くしている。このため、ストッパー用導電膜をヒューズ溶断用開口部から除去する際にパッドがエッチングされても、パッドにはパッドとして機能するために必要な厚さが残る。従ってパッド開口部をレジスト等で覆う必要はないため、工程数は増えない。
【００１３】
本発明にかかる他の半導体装置の製造方法は、
ヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方にストッパー用導電膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に一つ又は複数の中間層を形成する工程と、
前記中間層の上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとしたエッチングにより、前記第２の層間絶縁膜及び前記中間層に前記ストッパー用導電膜の上に位置するヒューズ溶断用開口部を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜上及び前記ヒューズ溶断用開口部内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をエッチングしてパッドを形成するとともに、オーバーエッチングを行って前記ヒューズ溶断用開口部において前記ストッパー用導電膜を薄くする工程と、
前記パッド上、前記ヒューズ溶断用開口部上及び前記第２の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッド及び前記ストッパー用導電膜をエッチングストッパーとして前記パッシベーション膜をエッチングすることにより、前記パッド上に位置するパッド開口部を形成するとともに前記ヒューズ溶断用開口部から前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ヒューズ溶断用開口部内において前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることにより、該ヒューズ溶断用開口部を深くする工程と
を具備する。
【００１４】
なお上記した各半導体装置の製造方法では、パッドを形成する工程において、パッドを、薄くしたストッパー用導電膜より厚く形成するのが好ましい。
【００１５】
本発明にかかる半導体装置は、  
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記第２の層間絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記ストッパー用導電膜及び第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズの上方に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ヒューズ溶断用開口部は、前記パッシベーション膜を形成する前に前記第２の層間絶縁膜において部分的に形成されており、
前記パッドは、前記第２の層間絶縁膜上及び前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の中に形成された導電膜をエッチングによりパターニングすることにより形成され、
前記ストッパー用導電膜は、前記パッドを形成する前に前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の底部で露出しており、前記パッドを形成するときにオーバーエッチングにより薄くなっている。
【００１６】
本発明にかかる他の半導体装置は、
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜の上に形成された一つ又は複数の中間層と、
最上層の前記中間層の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第２の層間絶縁膜及び前記パッド上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記一つ又は複数の中間層、前記ストッパー用導電膜ならびに第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズの上方に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ヒューズ溶断用開口部は、前記パッシベーション膜を形成する前に前記第２の層間絶縁膜及び前記一つ又は複数の中間層において部分的に形成されており、
前記パッドは、前記第２の層間絶縁膜上及び前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の中に形成された導電膜をエッチングによりパターニングすることにより形成され、
前記ストッパー用導電膜は、前記パッドを形成する前に前記部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部の底部で露出しており、前記パッドを形成するときにオーバーエッチングにより薄くなっている。
【００１７】
上記した２つの半導体装置において、パッシベーション膜は、第２の層間絶縁膜上及び部分的に形成されたヒューズ溶断用開口部内に形成された後、ストッパー用導電膜及びパッドをエッチングストッパーとしてエッチングされることにより、パッド開口部が形成されるとともにヒューズ溶断用開口部内から除去され、ヒューズ溶断用開口部は、パッシベーション膜が除去された後に、ストッパー用導電膜を除去するとともに第1の層間絶縁膜をエッチングすることにより形成されていてもよい。
【００１８】
本発明にかかる他の半導体装置は、
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド用開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記ストッパー用導電膜及び前記第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズ上に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ストッパー用導電膜は、中心部が前記ヒューズ溶断用開口部によって貫かれることによりリング形状になっており、かつ前記リング形状の断面が略Ｌ字形状である半導体装置。
【００１９】
本発明にかかる他の半導体装置の製造方法は、
ヒューズと、
前記ヒューズの上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上かつ前記ヒューズの上方に形成されたストッパー用導電膜と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記ストッパー用導電膜の上に形成された一つ又は複数の中間層と、
最上層の前記中間層の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第２の層間絶縁膜上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置するパッド用開口部と、
前記パッシベーション膜、前記第２の層間絶縁膜、前記一つ又は複数の中間層、前記ストッパー用導電膜及び前記第１の層間絶縁膜に形成され、前記ヒューズ上に位置するヒューズ溶断用開口部と
を具備し、
前記ストッパー用導電膜は、中心部が前記ヒューズ溶断用開口部によって貫かれることによりリング形状になっており、かつ前記リング形状の断面が略Ｌ字形状である。
【００２０】
前記した半導体装置の製造方法で半導体装置を製造すると、ストッパー用導電膜は、中心部がヒューズ溶断用開口部によって貫かれることによりリング形状になっており、かつリング形状の断面が略Ｌ字形状になる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。まず図１〜図３の各断面図を用いて第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。
まず図１（ａ）に示すように、下地膜１の上に導電膜を形成する。次いでこの導電膜の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとして導電膜をエッチングすることにより、ヒューズ２を形成する。なお下地膜１は、例えば半導体基板の一例であるシリコン基板上に形成された素子分離膜であるが、層間絶縁膜であってもよい。下地膜１が素子分離膜である場合、エッチングされる導電膜はポリシリコン膜であり、ヒューズ２はポリシリコンヒューズである。この場合、例えばヒューズ２とともにトランジスタのゲート電極（図示せず）が形成される。下地膜１が層間絶縁膜である場合、エッチングされる導電膜はＡｌ合金膜であり、ヒューズ２はＡｌ合金ヒューズである。この場合例えばヒューズ２とともにＡｌ合金配線（図示せず）が下地膜１上に形成される。
【００２２】
次いで下地膜１及びヒューズ２の上に層間絶縁膜３を形成する。層間絶縁膜３の厚さは例えばヒューズ２上において５００ｎｍである。
次いで図示しないが、層間絶縁膜３上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチングすることにより下地膜１上のヒューズ２上に位置する接続孔（図示せず）を形成する。
【００２３】
次いで図１（ｂ）に示すように、上記した接続孔の中及び層間絶縁膜３の上にＡｌ合金膜を例えばスパッタリング法により形成する。Ａｌ合金膜の厚さは例えば層間絶縁膜３上において８００ｎｍである。次いでこのＡｌ合金膜の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングすることにより、上記した接続孔を介してヒューズ２に接続するＡｌ合金配線４を形成する。このときヒューズ２の上方においてＡｌ合金膜を残すことによりストッパー用Ａｌ合金膜５を形成する。
【００２４】
次いで図１（ｃ）に示すように、レジストパターンを除去した後、層間絶縁膜３、Ａｌ合金配線４及びストッパー用Ａｌ合金膜５の上に層間絶縁膜６を形成する。層間絶縁膜６の厚さは、Ａｌ合金配線４上及びストッパー用Ａｌ合金膜５上において例えば５００ｎｍである。
次いで層間絶縁膜６の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜６をエッチングすることにより、Ａｌ合金配線４上に位置する接続孔６ａを形成するとともに、ストッパー用Ａｌ合金膜５上に位置するヒューズ溶断用開口部６ｂを形成する。このときＡｌ合金配線４及びストッパー用Ａｌ合金膜５はエッチングストッパーとして機能する。
【００２５】
次いで図２（ａ）に示すように、レジストパターンを除去した後、層間絶縁膜６上、接続孔６ａの中及びヒューズ溶断用開口部６ｂの中にＡｌ合金膜７を例えばスパッタリング法により形成する。Ａｌ合金膜７の厚さは後述する薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａより厚く、例えば層間絶縁膜６上において８００ｎｍである。
【００２６】
次いで図２（ｂ）に示すように、Ａｌ合金膜７の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜７をエッチングすることにより、一部が接続孔６ａに埋め込まれてＡｌ合金配線４に接続するパッド７ａを形成する。このときヒューズ溶断用開口部６ｂの中に形成されたＡｌ合金膜７がエッチングにより除去され、さらにオーバーエッチングが行われて、ストッパー用Ａｌ合金膜５のうちヒューズ溶断用開口部６ｂの底部で露出している部分が薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａとなる。薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａの厚さはエッチングストッパーとして機能するために必要な厚さ、例えば１００ｎｍである。
【００２７】
次いで図２（ｃ）に示すように、層間絶縁膜６上、ヒューズ溶断用開口部６ｂの中及びパッド７ａ上にパッシベーション膜９を形成する。パッシベーション膜９は、例えば酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜をこの順に積層した膜である。
【００２８】
次いで図３（ａ）に示すように、パッシベーション膜９の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターン１０を形成する。レジストパターン１０はパッド７ａの上方に開口部１０ａを有するとともに、ヒューズ溶断用開口部６ｂの上方に開口部１０ｂを有する。開口部１０ｂは、ヒューズ溶断用開口部６ｂと重ならない部分が生じないように、ヒューズ溶断用開口部６ｂよりも径が小さく形成される。
【００２９】
次いでレジストパターン１０をマスクとし、かつパッド７ａ及び薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをエッチングストッパーとしてパッシベーション膜９をエッチングする。これによりパッド７ａ上にパッド開口部９ａが形成されるとともに、パッシベーション膜９で覆われたヒューズ溶断用開口部６ｂが再び開口する。このとき開口部１０ｂの径がヒューズ溶断用開口部６ｂの径より小さいため、ヒューズ溶断用開口部６ｂの周縁部においてパッシベーション膜９はエッチングされずに残る。
【００３０】
次いで図３（ｂ）に示すように、レジストパターン１０をマスクとしたエッチングを行うことにより、薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａのうちヒューズ溶断用開口部６ｂ底部に露出した部分を除去する。このときパッド７ａも露出している部分がエッチングされるが、パッド７ａは薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａより厚いため、エッチング後もパッドとして機能するために必要な厚さを有する。つまりエッチング後もパッド７ａがパッドとして機能させるために必要な厚さが残るように、予めＡｌ合金膜７の厚さを、パッドとして機能するために必要な厚さと薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａの和以上に設定しておく。
【００３１】
次いで図３（ｃ）に示すように、レジストパターン１０をマスクとして層間絶縁膜３をエッチングすることにより、ヒューズ溶断用開口部６ｂを深くする。このときヒューズ２の上に層間絶縁膜３が必要な厚さほど残るようにする。そしてレジストパターン１０を除去する。
【００３２】
このようにして形成された半導体装置は、図３（ｃ）に示すように以下の構造を有する。下地膜１、層間絶縁膜３，６及びパッシベーション膜９がこの順に積層されている。下地膜１上にはヒューズ２が形成されており、層間絶縁膜３上にはＡｌ合金配線４及びストッパー用Ａｌ合金膜５が形成されており、層間絶縁膜６上にはパッド７ａが形成されている。パッド７ａは一部が接続孔６ａに埋め込まれることによりＡｌ合金配線４に接続している。またヒューズ２上にはヒューズを溶断させるためにヒューズ溶断用開口部６ｂが形成されており、パッド７ａ上にはパッド７ａを露出させるためのパッド開口部９ａが形成されている。ストッパー用Ａｌ合金膜５は、周縁部を残してヒューズ溶断用開口部６ｂに貫かれて略リング状になっており、その断面は略Ｌ字型である。またパッド７ａはパッド開口部９ａと重なる部分がパッシベーション膜９に覆われている部分と比べて薄くなっている。
【００３３】
上記の通り第１の実施形態によれば、Ａｌ合金配線４と同時に形成されたストッパー用Ａｌ合金膜５を、Ａｌ合金膜７をエッチングしてパッド７ａを形成するときにオーバーエッチングにより薄くして薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａを形成している。このため、パッシベーション膜９にヒューズ溶断用開口部６ｂを形成する際に薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをストッパーとして作用させ、その後にパッド７ａを覆うことなく薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをエッチングにより除去しても、薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａはパッド７ａより薄いため、パッド７ａにはパッドとして機能するために必要な厚さが残る。従ってパッド開口部９ａを形成した後にパッド７ａを覆うためのレジスト膜を形成する必要はなく、半導体装置の製造工程数は増えない。このため半導体装置の製造コストは高くならず、また製造に必要な時間も長くならない。
【００３４】
次に、図４及び図５の各断面図を用いて第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態において第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図４（ａ）に示すように下地膜１の上に、ヒューズ２、層間絶縁膜３、Ａｌ合金配線４、ストッパー用Ａｌ合金膜５、層間絶縁膜６、接続孔６ａ及びヒューズ溶断用開口部６ｂを形成する。これらの形成方法は第１の実施形態と同一である。
【００３５】
次いで層間絶縁膜６上、接続孔６ａの中及びヒューズ溶断用開口部６ｂの中にＡｌ合金膜を形成する。次いでＡｌ合金膜の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングすることにより、Ａｌ合金配線７ｂを形成する。Ａｌ合金配線７ｂは、一部が接続孔６ａの中に埋め込まれることにより下層のＡｌ合金配線４に接続する。
次いでレジストパターンを除去した後、層間絶縁膜６の上、ヒューズ溶断用開口部６ｂの中及びＡｌ合金配線７ｂの上に層間絶縁膜１２を形成する。
【００３６】
次いで図４（ｂ）に示すように層間絶縁膜１２の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜１２をエッチングすることにより、Ａｌ合金配線７ｂ上に位置する接続孔１２ａを形成するとともに、ストッパー用Ａｌ合金膜５の上方に位置するヒューズ溶断用開口部１２ｂを形成する。このとき図４（ａ）で示したヒューズ溶断用開口部６ｂは、ヒューズ溶断用開口部１２ｂの一部として再び開口する。なおＡｌ合金配線７ｂ及びストッパー用Ａｌ合金膜５はエッチングストッパーとして機能する。
次いで図４（ｃ）に示すように層間絶縁膜１２の上、接続孔１２ａの中及びヒューズ溶断用開口部１２ｂの中にＡｌ合金膜１４を形成する。Ａｌ合金膜１４の厚さは例えば層間絶縁膜１２上において８００ｎｍである。
【００３７】
次いで図５（ａ）に示すようにＡｌ合金膜１４の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜１４をエッチングすることにより、一部が接続孔１２ａに埋め込まれてＡｌ合金配線７ｂに接続するパッド１４ａを形成する。このときヒューズ溶断用開口部１２ｂの中に形成されたＡｌ合金膜１４がエッチングにより除去され、さらにオーバーエッチングが行われて、ストッパー用Ａｌ合金膜５のうちヒューズ溶断用開口部１２ｂの底部で露出している部分に薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａが形成される。
【００３８】
次いで図５（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１２上、ヒューズ溶断用開口部１２ｂの中及びパッド１４ａ上にパッシベーション膜９を形成する。次いでパッシベーション膜９の上に、フォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成する。このレジストパターンはパッド１４ａの上方に開口部を有するとともに、ヒューズ溶断用開口部１２ｂの上方に開口部を有する。後者の開口部は、ヒューズ溶断用開口部１２ｂと重ならない部分が生じないように、ヒューズ溶断用開口部１２ｂよりも径が小さく形成される。
【００３９】
次いでレジストパターンをマスクとし、かつパッド１４ａ及び薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをエッチングストッパーとしてパッシベーション膜９をエッチングする。これによりパッド１４ａ上にパッド開口部９ａが形成されるとともに、パッシベーション膜９で埋められたヒューズ溶断用開口部１２ｂが再び開口する。このときヒューズ溶断用開口部１２ｂの周縁部においてパッシベーション膜９はエッチングされない。
【００４０】
次いでレジストパターンをマスクとしたエッチングを行うことにより、薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａのうちヒューズ溶断用開口部１２ｂ底部に露出した部分を除去する。このときパッド１４ａもエッチングされるが、第１の実施形態と同様にパッド１４ａは薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａより厚いため、パッド１４ａにはエッチング後もパッドとして機能するために必要な厚さが残る。
【００４１】
次いでレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチングすることにより、ヒューズ溶断用開口部１２ｂを深くする。このときヒューズ２の上に層間絶縁膜３が必要な厚さほど残るようにする。そしてレジストパターンを除去する。
上記した第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
次に、図６の各断面図を用いて第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態は薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａを形成するタイミングを除いて第２の実施形態と同一であるため、第２の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図６（ａ）に示すように下地膜１の上に、ヒューズ２、層間絶縁膜３、Ａｌ合金配線４、ストッパー用Ａｌ合金膜５、層間絶縁膜６、接続孔６ａ、ヒューズ溶断用開口部６ｂを形成する。これらの形成方法は第２の実施形態と同一である。
【００４３】
次いで層間絶縁膜６の上、接続孔６ａの中及びヒューズ溶断用開口部６ｂの中にＡｌ合金膜を形成し、さらにこのＡｌ合金膜の上にレジストパターン（図示せず）を形成する。これらの形成方法も第２の実施形態と同一である。次いでこのレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングすることにより、Ａｌ合金配線７ｂを形成する。このときヒューズ溶断用開口部６ｂの中に形成されたＡｌ合金膜がエッチングにより除去され、さらにオーバーエッチングが行われて、ストッパー用Ａｌ合金膜５のうちヒューズ溶断用開口部６ｂの底部で露出している部分が薄肉のストッパー用Ａｌ合金部５aとなる。
【００４４】
次いで図６（ｂ）に示すように層間絶縁膜１２、接続孔１２ａ、ヒューズ溶断用開口部１２ｂ及びＡｌ合金膜１４を形成する。これらの形成方法は第２の実施形態と同一である。
次いで図６（ｃ）に示すようにＡｌ合金膜１４をパターニングすることによりパッド１４ａを形成する。
【００４５】
次いで図示しないが、パッシベーション膜９を形成した後、パッシベーション膜９の上にレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとし、かつパッド１４ａ及び薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをエッチングストッパーとしてパッシベーション膜９をエッチングする。これによりパッド開口部９ａが形成されるとともにヒューズ溶断用開口部１２ｂを再び開口する。次いでヒューズ溶断用開口部１２ｂの底部から薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａを除去した後、層間絶縁膜３をエッチングすることによりヒューズ溶断用開口部１２ｂを深くする。これにより第２の実施形態において図５（ｂ）に示した構造が形成されるが、これらの工程は第２の実施形態と同一である。
本実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４６】
次に、図７の各断面図を用いて第４の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態はヒューズ溶断用開口部の形成方法を除いては第２の実施形態と概略同じであるため、第２の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図７（ａ）に示すように下地膜１の上に、ヒューズ２、層間絶縁膜３、Ａｌ合金配線４、ストッパー用Ａｌ合金膜５、層間絶縁膜６、接続孔６ａ、Ａｌ合金配線７ｂ及び層間絶縁膜１２を形成する。これらの形成方法は、接続孔６ａを形成するときにヒューズ溶断用開口部６ｂを形成しない点を除いて第２の実施形態と同一である。
【００４７】
次いで層間絶縁膜１２の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜１２をエッチングすることにより接続孔１２ａ及びヒューズ溶断用開口部１２ｂを形成する。このときヒューズ溶断用開口部１２ｂにおいては層間絶縁膜６もエッチングされ、ストッパー用Ａｌ合金膜５が露出する。
【００４８】
次いで、図７（ｂ）に示すように、第２の実施形態と同一の方法によりパッド１４ａを形成する。このときストッパー用Ａｌ合金膜５がオーバーエッチングされて薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａが形成される。
次いで図７（ｃ）に示すようにパッシベーション膜９を層間絶縁膜１２上及びヒューズ溶断用開口部１２ｂの中に形成する。次いでパッシベーション膜９の上にレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとし、かつパッド１４ａ及び薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをエッチングストッパーとしてパッシベーション膜９をエッチングする。これによりパッド開口部９ａが形成されるとともにヒューズ溶断用開口部１２ｂを再び開口する。次いでヒューズ溶断用開口部１２ｂの底部から薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａを除去した後、層間絶縁膜３をエッチングしてヒューズ溶断用開口部１２ｂを深くする。これらの方法も第２の実施形態と同一である。なおストッパー用Ａｌ合金膜５は中央部がヒューズ溶断用開口部１２ｂに貫かれることによりリング状になっているが、その断面形状は略長方形である。
この第４の実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４９】
次に図８及び図９の各断面図を用いて第５の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態は接続孔６ａにタングステンからなるコンタクト部材１５が形成されている点を除いて第４の実施形態と同一であるため、第４の実施形態の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図８（ａ）に示すように下地膜１の上に、ヒューズ２、層間絶縁膜３、Ａｌ合金配線４、ストッパー用Ａｌ合金膜５、層間絶縁膜６及び接続孔６ａを形成する。これらの形成方法は第４の実施形態と同一である。
【００５０】
次いで層間絶縁膜６の上及び接続孔６ａの中にバリア膜及びタングステン膜を形成した後、層間絶縁膜６上に位置するバリア膜及びタングステン膜をＣＭＰにより研磨除去する。これにより接続孔６ａの中にはタングステンからなるコンタクト部材１５が形成される。
【００５１】
次いで図８（ｂ）に示すようにコンタクト部材１５及び層間絶縁膜６の上にＡｌ合金膜を形成し、このＡｌ合金膜をパターニングすることによりＡｌ合金配線７ｂを形成する。このパターニングの方法は第４の実施形態と同一である。
次いで層間絶縁膜１２、接続孔１２ａ及びヒューズ溶断用開口部１２ｂを形成する。これらの形成方法は第４の実施形態と同一である。
【００５２】
次いで図９（ａ）に示すようにパッド１４ａを形成する。このときストッパー用Ａｌ合金膜５には薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａが形成される。
次いで図９（ｂ）に示すようにパッシベーション膜９を層間絶縁膜１２上及びヒューズ溶断用開口部１２ｂの中に形成する。次いでパッシベーション膜９の上にレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとし、かつパッド１４ａ及び薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａをエッチングストッパーとしてパッシベーション膜９をエッチングする。これによりパッド開口部９ａが形成されるとともにヒューズ溶断用開口部１２ｂの中からパッシベーション膜９が除去される。次いでヒューズ溶断用開口部１２ｂの底部から薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜５ａを除去した後、層間絶縁膜３をエッチングしてヒューズ溶断用開口部１２ｂを深くする。これらの工程は第４の実施形態と同一である。
この第５の実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００５３】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図２】（ａ）は図１（ｃ）の次の工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図３】（ａ）は図２（ｃ）の次の工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図４】（ａ）は第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図５】（ａ）は図４（ｃ）の次の工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図。
【図６】（ａ）は第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図７】（ａ）は第４の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図８】（ａ）は第５の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図。
【図９】（ａ）は図８の（ｂ）の次の工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図。
【図１０】（ａ）は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の次の工程を示す断面図、（ｃ）は（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１…下地膜、２…ヒューズ、３，６，１２，１０３，１０５…層間絶縁膜、４，７ｂ…Ａｌ合金配線、５，１０４…ストッパー用Ａｌ合金膜、５ａ…薄肉のストッパー用Ａｌ合金膜、６ａ，１２ａ…接続孔、６ｂ，１２ｂ，１０７ｂ…ヒューズ溶断用開口部、７，１４…Ａｌ合金膜、７ａ，１４ａ，１０６…パッド、９，１０７…パッシベーション膜、９ａ，１０７ａ…パッド開口部、１０，１０８…レジストパターン、１０ａ，１０ｂ…開口部、１５…コンタクト部材、１０１…シリコン基板、１０２…ポリシリコンヒューズ
【図１】
2005217122.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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