(57)【要約】【課題】電子写真装置における繰り返し使用において、加熱手段を設けずとも、高温高湿環境下での画像ボケや画像流れといった画像欠陥の発生を抑えることができ、更には、小粒径で定着性の優れたトナーを用いた場合でもクリーニング性が良く、トナーの融着を抑える事ができ、更に、クリーニング性を向上させるため摩擦力の上昇する電子写真プロセスにおいても、繰り返し使用においてクリーニング性の低下がなく、トナーの融着を抑える事ができる電子写真感光体の製造方法を提供する。【解決手段】  導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層は硬度の大きい領域、硬度の小さい領域をこの順に積層して形成し、その後、表面を研磨することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層を硬度の大きい材料で形成されている第１の層領域と硬度の小さい材料で形成されている第２の層領域をこの順に積層して形成した後に、電子写真感光体の最表面を、前記硬度の大きい第１の層領域が部分的に前記最表面に露出した状態となるよう研磨加工することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の層領域が非晶質炭化シリコンであって、前記第２の層領域が非晶質炭化シリコンまたは非晶質炭素であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記表面層が非晶質炭化シリコンであって、該表面層における炭素原子の含有量が炭素原子の含有量とシリコン原子の含有量の和に対して９５原子％未満であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記研磨加工後の１０μｍ×１０μｍ視野における中心線平均粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以上４０．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記研磨加工前の１０×１０μｍ視野における中心線平均粗さ（Ｒａ）を２０．０ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記研磨加工前の、前記第２の層領域の厚さは５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記研磨加工後の、前記第１の層領域の凹部の厚さは２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層を有する電子写真感光体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、電子写真装置に搭載され、帯電工程−露光工程−現像工程−転写工程−転写残トナーのクリーニング工程という一連のプロセスを受ける。この一連のプロセス中のクリーニング工程で、感光体の表面状態は、電子写真感光体のクリーニング性を決定する重要なパラメータで、電子写真感光体の設計に際しては様々な技術開発がなされてきた。
【０００３】
感光体の材料として、シリコン原子を母体とし、水素で欠陥補償された非単結晶材料である水素化アモルファスシリコン（以下、「アモルファスＳｉ」とも表記する）がある。アモルファスＳｉを用いた感光体のクリーニング工程における課題に、帯電生成物の除去が不十分な状況で引き起こされる高温高湿環境下での画像流れがある。
【０００４】
他の課題として、クリーニング工程で、トナー粒子或いはトナーに含まれる添加剤等が十分にクリーニングされずに感光体表面に残留、固着するといった現象がある。
【０００５】
近年電子写真装置のデジタル化が進んだことにより、プリントレングス（１回にプリントされるページ数）及びプリントボリューム（所定期間中にプリントされるページ総数）が大きく増加する傾向があり、クリーニング工程への負荷が増している。また、出力画像のカラー化は、印字比率を引き上げる傾向にあり、この点でもクリーニング工程の負荷が増大する傾向にある。
【０００６】
一方、画質向上、高精細化のため画素密度は年々高くなる傾向にある。デジタル画像は微細なドットの集合体で形成されるため、画質向上、高精細化によりドットが微細化され、従来は顕在化しなかった軽微な潜像上の不均一性や乱れが中間調の再現性や均一性、小文字の再現性の低下といった画像品位の劣化として現われる場合がある。
【０００７】
これらの課題を解決するものとして、アモルファスＳｉを含む電子写真感光体のクリーニング性に関しては、微視的な表面粗さに着目してトナー付着やクリーニング不良を防止した感光体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、感光体表面を研磨する研磨手段を備えた画像形成装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−３３０９７８
【特許文献２】特開平０８−０７６６３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような技術を踏まえ、本発明者が感光体表面に着目してクリーニング性のさらなる改善を図るべく検討を進めた結果、次のような課題が生じてきた。
【０００９】
電子写真感光体表面の微視的な表面粗さＲａが大きくなると、相対的には以下のようなクリーニング工程における課題が生じやすくなる。
【００１０】
すなわち、凹凸の谷の部分に帯電生成物が溜まりやすくなるため、高温高湿環境下でそれが低抵抗化し、画像流れが引き起こされる。
【００１１】
また、現像性、クリーニング性、転写性等の機能を向上させるためにトナーに添加される微粒子（いわゆる外添剤）は、トナー粒子に対して必ずしも強固に固着していない場合があるため、画像形成工程で脱離してクリーニングされ切れず、感光体表面の凹凸の谷部分に残留する傾向にある。
【００１２】
さらにこのプロセスが繰り返されると、残留した外添剤が蓄積し、感光体に到達する露光のムラを引き起こすに至る場合があることも分かった。
【００１３】
アモルファスＳｉ感光体の微視的な表面粗さは、膜を堆積させる成膜条件に大きく依存する。しかし十分な電子写真特性を得る為の制約から、成膜条件のみで所望の表面粗さにコントロールすることが難しく、その場合成膜後の表面を研磨することが考えられる。
【００１４】
しかし、研磨処理に長時間を要するため、生産性の向上が課題となる。さらに、感光体全面に渡って均一に研磨を行う為、砥粒がコーティングされた研磨シートを用いることが好適であるが、その際に砥粒が分散された結着材や分散助剤などが感光体に固着する可能性があり、処理の長時間化に伴う課題となる。
【００１５】
一方、画像流れの要因となる付着物などを強制的に除去する手段を設けることによりクリーニング性を補完しようとする画像形成装置として、感光体表面に研磨テープを用いた摺擦手段を接触させる、現像剤に研磨剤を添加する、といった手段が提案されている。しかしながらこれらの場合、プロセス設計や機構設計が複雑になり、装置コストの増加、メンテナンス性、画像品質への影響などの課題が残されている。
【００１６】
また、画像流れを抑制する他の方法として、感光体にその感光体自体を加温するためのヒーターを内蔵したり、温風送風装置により温風を感光体に送風したりして感光体表面を加温（３０〜５０℃）することにより相対湿度を低下させる方法がある。この方法は感光体表面に付着しているコロナ放電生成物や水分を揮発させ、感光体表面の実質的な低抵抗化を抑える処置である。
【００１７】
しかし、この方法は複写機本体の消費電力を増加させることになり、高速複写機においては一般のオフィスの電源事情である１００Ｖ／１５Ａの電力内で稼働させることが難しくなる可能性がある。
【００１８】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、画像流れ等のクリーニング性に関わる画像欠陥が発生しにくく、画像形成装置側への負荷を軽減することができる生産性の高い電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者は、これらの課題を解決する簡便な製造方法を検討し、電子写真感光体の最表面に低硬度の膜を形成した後に研磨加工する方法が効果的であることを見出し、本発明に至った。
【００２０】
本発明は、導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層を硬度の大きい材料で形成されている第１の層領域と硬度の小さい材料で形成されている第２の層領域をこの順に積層して形成した後に、電子写真感光体の最表面を、硬度の大きい第１の層領域が部分的に最表面に露出した状態となるよう研磨加工することを特徴としている。
【００２１】
このような方法により、硬度の大きい表面層を直接研磨する場合に比べて適切な表面粗さを得るに至る時間を著しく短縮できる。また、適切な表面粗さを得た研磨加工後においても硬度の大きい表面層が残存しているので、硬度の小さい表面層のみを用いた場合と比べて感光体を電子写真装置に搭載した際の感光体表面の削れ量を抑制することができ、感光体の更なる長寿命化が可能となる。  即ち、本発明においては、光導電層を成膜する過程で形成されたある程度の粗さを有する表面に対し、その表面形状に沿った上記構成の表面層が形成される。この感光体の研磨を行うと短時間で硬度の小さい層領域は削り取られて、硬度の大きい層領域の凸部が露出する。この段階で硬度の大きい層領域の凹部には硬度の小さい層領域が残留しており、感光体表面全体の表面粗さは小さくなる。
さらに本発明においては、研磨加工後において、電子写真感光体の最表面を前記硬度の大きい層領域が部分的に最表面に露出した状態となるよう研磨加工することが好ましい。
【００２２】
このように部分的にではあっても、感光体表面に硬度の大きい層領域が露出した状態とすることによって、トナーの融着抑制効果が高まる。この融着抑制効果が高まるメカニズムについては詳細はわかっていないものの、感光体表面に表面自由エネルギーの異なる領域が混在することで融着の核が成長し難い為ではないかと推察している。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明によれば、導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層を硬度の大きい材料で形成されている第１の層領域と硬度の小さい材料で形成されている第２の層領域をこの順に積層して形成した後に、電子写真感光体の最表面を硬度の大きい材料で形成されている第１の層領域が部分的に最表面に露出した状態となるよう研磨加工することにより以下の効果を得ることができた。
【００２４】
まず、電子写真感光体を加熱する手段を設けずとも、高温高湿環境下での画像ボケや画像流れといった画像欠陥の発生を実用上無視できるまで抑制可能な電子写真感光体の製造が大幅な製造時間延長を伴うことなく可能となる。
【００２５】
更には、小粒径で定着性の優れたトナーを用いた場合でもクリーニング性が良く、トナーの融着を実用上無視できるまで抑制可能な電子写真感光体の製造が大幅な製造時間延長を伴うことなく可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、さらに本発明の詳細を説明する。
【００２７】
本発明の電子写真感光体の製造方法は、まず、導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層を堆積して感光層を形成する工程を有する。
【００２８】
更に、本発明は、硬度の小さい材料で形成された第２の層領域（「硬度の小さい第２の層領域」とも表記）は硬度の大きい材料で形成された第１の層領域（「硬度の大きい第１の層領域」とも表記）よりダイナミック硬度で５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上小さい、もしくは２／３倍以下であることが好ましい。これにより、感光体最表面に露出した硬度の大きい第１の層領域が磨耗により後退する過程において、硬度の小さい第２の層領域が剥落しにくくなり、感光体最表面が常に全体が均一に磨耗していくため、感光体表面の削れ量を抑制することができ、感光体の更なる長寿命化が可能となる。
【００２９】
なお、ここで規定する、本発明におけるダイナミック硬度とは、島津製作所社製のダイナミック硬度計（型番ＤＵＨ−２０１）を用いて測定されるものである。なお、本発明においてダイナミック硬度は円筒状アルミ基体上にセットした７０５９ガラス（コーニング社製）上に厚さ１μｍのサンプル膜を形成し、そのサンプル膜のダイナミック硬度を測定する事により評価した。ダイナミック硬度の測定は先端の半径が０．１μｍである稜間角度１１５°の三角錐ダイヤモンドスタイラスを用い、押し込み深さをサンプル膜厚の１／１０（０．１μｍ）として行った。
【００３０】
また、硬度の大きい第１の層領域の硬度としてはダイナミック硬度が３００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2、好ましくは５００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2、さらに好ましくは７００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2、であることが好ましい。硬度の大きい第１の層領域のダイナミック硬度を３００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、好ましくは５００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、さらに好ましくは７００ｋｇｆ／ｍｍ2以上とすることで、使用していくうちに筋状のムラ削れが発生することを効果的に防ぐことが可能となる。また、１０００ｋｇｆ／ｍｍ2以下にすることで、環境条件が変化してもトナーの融着がより生じにくくすることが可能となる。
【００３１】
また、本発明においては、研磨加工後において、該電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍ視野における中心線平均粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ〜４０．０ｎｍとなるよう研磨加工することが本発明の効果をより顕著に得る上で好ましい。
【００３２】
なお、本発明における中心線平均粗さとは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭとも表記する）［Ｑｕｅｓａｎｔ社製  Ｑ−Ｓｃｏｐｅ２５０］を用いて測定した表面粗さＲａの値を指し、微視的な表面粗さを高い精度で再現性良く測定するためには、１０μｍ×１０μｍの測定範囲での結果であることが望ましい。
【００３３】
Ｒａを４０．０ｎｍ以下とすることで、表面の微細な凹凸を抑えられるため、凹凸の谷の部分に帯電生成物が溜まりにくくなるため、高温高湿環境下での画像流れが発生しにくくなる。更に、トナーに添加される微粒子（いわゆる外添剤）が感光体表面の凹凸の谷の部分に残留することが抑制され、クリーニング性が向上する。
【００３４】
また、Ｒａを１．０ｎｍ以上として表面が過度に平滑な状態となることを抑えることで、トナー粒子や外添剤粒子等と感光体表面との接触面積の過度の増加が抑制されるので、トナー粒子や外添剤粒子等の感光体表面への付着力を適度な範囲に維持することが容易となり、クリーニング性を良好に保つことが容易となる。
【００３５】
また、本発明においては、研磨加工前における該電子写真感光体の硬度の小さい第２の層領域の厚さを５ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが本発明の効果を顕著に得る上で好ましい。３００ｎｍを超えると、硬度の大きい第１の層領域を部分的に露出させるまでに要する研磨時間がより長くなるため、本発明の効果が小さくなる場合がある。５ｎｍ未満の場合は凹部に残留する硬度の小さい第２の層領域が少なくなるため、適切な表面粗さが得られにくくなる場合がある。
【００３６】
さらに、研磨加工後において、該電子写真感光体の硬度の大きい第１の層領域の凹部の厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となるよう研磨加工することで、より大きな効果を得る事ができる。ここで凹部とは硬度の大きい第１の層領域形成後、かつ、研磨加工前における硬度の大きい第１の層領域の凹部であり、研磨加工を施した後においては光導電層と硬度の大きい第１の層領域の界面部分の凹部により位置を特定可能である。
【００３７】
また、該電子写真感光体の表面層を非晶質炭化シリコンまたは非晶質炭素で形成することが表面層の硬度を本発明の範囲に調整することが容易であるという点から好ましく、更には表面層を非晶質炭化シリコンとし、炭素原子の含有量が炭素原子の含有量とシリコン原子の含有量の和に対して９５原子％未満とすることが更に好ましい。
（導電性基体）
導電性基体の基材としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性基体としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性基体の少なくとも感光層を形成する側の表面を導電処理したものも導電性基体として用いることができる。
（光導電層、表面層）
光導電層はシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成され、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、または直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
【００３８】
この中ではＲＦ帯、特に、ＶＨＦ帯からマイクロ波帯の周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
【００３９】
光導電層の下層には、導電性基体側からの電荷の注入を阻止する働きのある非単結晶シリコン材料で構成された下部電荷注入阻止層を必要に応じて設けても良い。下部電荷注入阻止層は、表面層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、導電性基体側より光導電層側に電荷が注入されるのを効果的に阻止する機能を有する。
【００４０】
下部電荷注入阻止層は、周期表第１３族に属する原子（第１３族原子とも略記する）や周期表第１５族に属する原子（第１５族原子とも略記する）などの伝導性を制御する原子や、窒素や酸素や炭素等の原子を必要に応じて含有させる。これらの原子を含有した非単結晶シリコン膜から構成することで、導電性基体側からの電荷の注入を効果的に阻止し、更には光導電層および導電性基体の間の密着性を向上でき、優れた電子写真特性を実現できる。
【００４１】
下部電荷注入阻止層の層厚は、所望の電子写真特性および経済的効果等の観点から、０．１μｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。層厚が０．１μｍ以上であれば基体からの電荷の注入を十分阻止でき、１０μｍ以下であれば電子写真特性を低下させることなく電子写真感光体の作製時間を短縮でき製造コストを低減できる。
【００４２】
光導電層には、水素および／またはハロゲン原子が含有されることが好ましいが、これらの原子はシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性及び電荷保持特性を向上させる。これらの原子のうち添加されるものの総量は、シリコン原子と添加される原子との総量に対して１０〜４０原子％が好ましい。
【００４３】
なお、光導電層に伝導性を制御する原子を導入することもできる。伝導性を制御する原子としては、第１３族原子や第１５族原子を用いることができる。これらの原子を含有することで、キャリアの走行性や生成度合い等を制御して、電子写真特性の最適化がなされる。これらの原子のうち添加されるものの総量は、シリコン原子と添加される原子との総量に対して１×１０-6〜１×１０-3原子％が望ましい。
【００４４】
更に、光導電層に炭素、酸素および窒素の１種以上の原子を含有させることも有効である。これらの原子を含有することで、キャリアの走行性や生成度合い等を制御して、電子写真特性の最適化がなされる。これらの原子のうち添加されるものの総量は、シリコン原子と添加される原子との総量に対して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましくは１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原子％が望ましい。
【００４５】
光導電層の層厚は、所望の電子写真特性および経済的効果等の観点から決定され、好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が１０μｍ以上であれば十分な帯電能や感度等を確保でき、５０μｍ以下であれば電子写真特性を低下させることなく電子写真感光体の作製時間を短縮でき製造コストを低減できる。
【００４６】
光導電層および表面層の間には、上部電荷注入阻止層を必要に応じて設けても良い。上部電荷注入阻止層は、上部からの電荷の注入を阻止し、帯電能を向上させると共に、光キャリアが速やかに動いて電荷が不要な領域に蓄積されるのを防いで画質を向上させる役割も果たしている。
【００４７】
上部電荷注入阻止層の母体としては、非単結晶シリコン材料であればいずれの材質でも使用できるが、例えば、水素（Ｈ）及び／又はハロゲン（Ｘ）を含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘとも略記する）が好ましい。
【００４８】
上部電荷注入阻止層に炭素を含有させる場合は、表面層における炭素の含有量よりも少ないことが好ましく、光導電層および表面層の間での電荷の滞在が抑制され、残留電位の原因を低減できる。この結果、溜まった電荷の横流れが抑制され、画像流れ等の弊害が抑制される。
【００４９】
更に、上部電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子、例えば第１３族原子や第１５族原子などを含有させるのが好ましく、これらの原子を含有させることにより、表面層からの電荷注入阻止や、光キャリアの蓄積防止をより効果的に行うことが出来る。
【００５０】
なお、上部電荷注入阻止層の層厚は、光導電層および表面層の層厚や、求められる電子写真特性などによって総合的に判断して決定される。表面からの電荷注入の阻止能力を十分発揮し、かつ画像品質に影響を与えない観点から、通常は０．０１μｍ〜０．５μｍで設計する。
【００５１】
本発明においては、上記で得られた光導電層の上に、硬度の大きい第１の層領域と硬度の小さい第２の層領域をこの順に積層した表面層を形成する必要がある。
表面層は非晶質炭化シリコンまたは非晶質炭素で形成することが表面層の硬度を本発明の範囲に調整することが容易であるという点から好ましく、更には表面層を非晶質炭化シリコンとし、炭素原子の含有量が炭素原子の含有量とシリコン原子の含有量の和に対して９５原子％未満とすることが更に好ましい。
【００５２】
表面層は、水素原子を含有していることが好ましく、更に必要に応じてハロゲン（Ｘ）を含有してもよい。
【００５３】
また、表面層中の水素およびハロゲンは、シリコンなどの構成原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光キャリアの走行性および電荷保持特性を向上させる。この様な観点から、水素の含有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７０原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、更に好ましくは４０〜６０原子％である。また、ハロゲンとして例えば弗素の好ましい含有量は、通常は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％である。
【００５４】
また、表面層の層厚は、好ましくは０．０１０〜３．００μｍ、より好ましくは０．０５０〜２．００μｍ、特に好ましくは０．１００〜１．００μｍである。層厚が０．０１０μｍ以上であれば、表面層の十分な耐久性を確保でき、３．００μｍ以下であれば、残留電位の増加が抑制され十分な電子写真特性を実現できる。
【００５５】
例えば、グロー放電法によって光導電層や表面層を形成するには、それぞれの層形成に必要な原子を供給し得る原料ガス、例えば、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス等を、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、導電性基体上に順次ａ−Ｓｉ：Ｈやａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−Ｃ：Ｈ等からなる層を形成すればよい。
【００５６】
例えばシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを、必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００５７】
炭素供給用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6等のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを、必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００５８】
水素供給用ガスとなり得る物質としては、水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスや水素原子を含む炭素化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。各ガスは単独種のみでなく、所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００５９】
ハロゲン供給用の原料ガスとして有効なものとして、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が、好ましいものとして挙げられる。光導電層や表面層の形成には、シリコン原子とハロゲン原子とを混要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げられる。好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には、弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００６０】
伝導性を制御する原子、たとえば、第１３族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。
【００６１】
第１３族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層や表面層等を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第１３族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、ＴｌＣｌ3等も挙げることができる。
【００６２】
伝導性を制御する原子、たとえば、第１５族原子としては、具体的には、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特に、Ｐが好適である。
【００６３】
第１５族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１５族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層や表面層等を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような第１５族原子導入用の原料物質として具体的には、リン原子導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化リン、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＩ3等のハロゲン化リン、さらにＰＨ4Ｉ等が挙げられる。その他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3等も挙げることができる。
【００６４】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2及び／又はＨｅにより希釈して使用してもよい。
【００６５】
Ｈ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の希釈ガスを用いる場合の流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対し希釈ガスを、通常の場合０．３〜２０倍、好ましくは０．５〜１５倍、最適には１〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。
【００６６】
また、反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１．０×１０-2〜１．０×１０3Ｐａ、好ましくは５．０×１０-2〜５．０×１０2Ｐａ、最適には１．０×１０-1〜１．０×１０2Ｐａとするのが好ましい。
【００６７】
更に、放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、例えば光導電層の場合は、Ｓｉ供給用のガスの流量（ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））に対する放電電力（Ｗ）の比を、通常の場合０．３〜３０、好ましくは０．５〜１５、最適には１〜１０の範囲に設定することが望ましく、例えば表面層として非晶質炭化シリコンを用いる場合は、Ｓｉ供給用のガスと炭素供給用のガスの総流量（ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））に対する放電電力（Ｗ）の比を、通常の場合１〜１００、好ましくは３〜３０、最適には７〜２０の範囲に設定することが望ましい。
【００６８】
加えて、基体の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは１００〜３５０℃、より好ましくは１５０〜３３０℃、最適には２００〜３１０℃とするのが望ましい。
【００６９】
光導電層や表面層等を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、基体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する各層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
【００７０】
そして、表面層の硬度を変える手法としては、例えば、シリコン及び炭素を主成分とする表面層を用いる場合は、炭素含有量を変化させる、表面層形成時の電力を変化させる、表面層形成時のガス流量を変化させてデポレートを変化させるといった手法が好適に用いることができる。これらの適性値は用いる装置の構成によって異なり一義的に決まるものではないが、一般的には炭素含有量を増加させる方向、電力を低下させる方向、デポレートを増加させる方向が硬度を低下させる方向となる。硬度の調整はこれら条件のうち、単独の条件を調整することによって行っても良いし、あるいはいくつかの条件を組み合わせて行っても良い。更には、表面層形成時の成膜温度、圧力の調整をこれらに組み合わせても良い。
【００７１】
また、例えば炭素を主成分とする表面層を用いる場合は、表面層形成時の電力を変化させる、表面層形成時にバイアスを印加しそのバイアス値を変化させるといった手法が好適に用いることができる。これらの適性値は用いる装置の構成によって異なり一義的に決まるものではないが、一般的には電力を低下させる方向、バイアスを低下させる方向が硬度を低下させる方向となる。硬度の調整はこれら条件のうち、単独の条件を調整することによって行っても良いし、あるいはいくつかの条件を組み合わせて行っても良い。更には、表面層形成時の成膜温度、圧力の調整をこれらに組み合わせても良い。
【００７２】
図２は本発明に用いることができるプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤとも表記）装置の概略断面図である。
【００７３】
反応容器２０１の下部には排気配管２０９が接続され、排気配管２０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続されている。反応容器２０１の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される６本の円筒状基体２０５が同一円周上に等間隔で互いに平行になるように配置されている。６本の円筒状基体２０５は基体加熱用ヒーター２０７を内蔵した基体支持体２０６によって各々保持されている。そして、反応容器２０１内には不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段２１０があり、反応容器２０１の外には高周波電源２０３が接続されたマッチングボックス２０４を通して高周波電力分岐手段２１１に接続されている高周波電極２０２が設置されている。円筒状基体２０５は各々の回転機構２０８によって、回転可能なようになっている。
【００７４】
図２の装置における堆積膜の形成は次の手順のように行われる。
【００７５】
まず、反応容器２０１内に円筒状基体２０５を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器２０１内を排気する。その後、ガス供給手段２１０からＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスをそれぞれ反応容器２０１内に導入し、所定の圧力になるように流量及び排気速度を調整する。続いて、基体加熱用ヒーター２０７を加熱し、円筒状基体２０５の温度が所定の温度になるように制御する。
【００７６】
その後、ＳｉＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、等のガスをガス供給手段２１０から反応容器２０１内に導入して所望のガス成分、圧力になるように流量及び排気速度を調整する。
【００７７】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００７８】
例えば１０５ＭＨｚの高周波電源２０３を所望の電力に設定して、マッチングボックス２０４、高周波電力分岐手段２１１、高周波電極２０２を通じて反応容器２０１内に高周波電力を導入し、円筒状基体２０５をアノードとして作用させてグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器２０１内に導入されたガスが分解され、円筒状基体２０５上に所定の堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、反応容器２０１内へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００７９】
同様の操作を繰返すことにより、基体上に光導電層と表面層を積層するが、導電層や表面層以外にも必要に応じて同様の操作を複数回繰り返すことによって、基体と光導電層の間や、光導電層と表面層の間に電荷注入阻止層等を積層して所望の特性の電子写真感光体を形成する。
【００８０】
堆積膜形成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、円筒状基体２０５を回転機構２０８によって所定の速度で回転させることが望ましい。
【００８１】
さらに、上述のガス種は各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまでもない。
（研磨加工）
上記表面層を形成した後に研磨加工を行う。研磨方法としては均一性や効率の面から、回転する感光体に研磨テープを圧接させる方法が好ましい。研磨テープとしては、通常ラッピングシートと呼ばれるものが好ましく、砥粒としてはＳｉＣ、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等が用いられる。
【００８２】
このような研磨装置の概要を図３に示す。
【００８３】
感光体３００が保持台３０８上に固定された感光体支持機構３０７に支持され、図示しない回転機構により回転駆動される。
【００８４】
感光体３００には、研磨テープ３０１を巻回して感光体３００に押圧させる加圧弾性ローラ３０６が隣接して配置されている。研磨テープ３０１は送り出しロール３０２より、定量送り出しロール３０４とキャプスタンローラ３０５で定量に送り出され、感光体３００と加圧弾性ローラ３０６の間を通って、巻き取りロール３０３に巻き取られる。研磨テープ３０１の送り速度は定量送り出しロール３０４の回転速度を制御することで制御される。
【００８５】
上記研磨加工における感光体表面の状態を感光体断面の概略図として図１に示す。図１（ａ）は研磨前、図１（ｂ）は研磨後を示し、それぞれ１０１が導電性基体、１０２がアモルファスＳｉで形成された光導電層を含む感光層、１０３が表面層の第１の層領域（高硬度領域）、１０４が該表面層の第２の層領域（低硬度領域）を示す。
【００８６】
図１（ｂ）のように、研磨加工により表面層の第１の層領域（高硬度領域）が表面に露出し、且つ表面層の第２の層領域（低硬度領域）が一部残留するように研磨することが好ましい。
【実施例】
【００８７】
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
図２に示すアモルファスシリコン感光体成膜装置を用い、前記のような方法により外径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製導電性基体に鏡面加工を施した６本のシリンダー上に、表１に示す条件で下部電荷注入阻止層（下部阻止層とも略記する）、光導電層、表面層をこの順に形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数１０５ＭＨｚと５０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【００８８】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度をオージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により測定した結果、第１の層領域（高硬度領域）の炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は６５原子％、第２の層領域（低硬度領域）の炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は７８原子％であった。尚、第１の層領域（高硬度領域）の炭素濃度は第２の層領域（低硬度領域）を堆積しない電子写真感光体を作製して測定した。
【００８９】
また、ダイナミック硬度は第１の層領域（高硬度領域）が８００ｋｇｆ／ｍｍ2、第２の層領域（低硬度領域）が２５０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。以下、ダイナミック硬度は、円筒状アルミ基体上にセットした７０５９ガラス（コーニング社製）上に厚さ１μｍのサンプル膜を形成し、島津製作所社製のダイナミック硬度計（型番ＤＵＨ−２０１）で先端の半径が０．１μｍである稜間角度１１５°の三角錐ダイヤモンドスタイラスを用い、押し込み深さをサンプル膜厚の１／１０（０．１μｍ）の測定条件で測定を行った値としている。
【００９０】
【表１】
2005352374.tif 000003
【００９１】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００：砥粒材質シリコンカーバイド、砥粒粒径６μｍ）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを５０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて１５分間研磨加工した。
【００９２】
このようにして得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定したところ、平均で３５．３ｎｍであった。また、電子写真感光体表面状態をＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏ−Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｘ線マイクロアナリシス法）によるマッピング分析をおこなったところ炭素濃度が局所的に低い部分が局在して分布しているのが観察され、図１（ｂ）のように硬度の大きい第１の層領域が露出している部分と硬度の小さい第２の層領域が混在していることが観察された。
（比較例１）
実施例１と同様にして、表２に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数１０５ＭＨｚと５０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【００９３】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度をオージェ電子分光法により測定した結果、炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は６５原子％であった。
【００９４】
また、表面層のダイナミック硬度は８００ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【００９５】
【表２】
2005352374.tif 000004
【００９６】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを５０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて研磨加工し、電子写真感光体の軸方向端部から他方の端部までのＲａの１０箇所平均を３５．０ｎｍとした。所要時間は５０分であった。
（比較例２）
比較例１と同様にして、表２に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成し、次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを５０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて１５分間研磨加工した。
【００９７】
このようにして得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定したところ、平均で４５．１ｎｍであった。
（比較例３）
実施例１と同様にして、表３に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数１０５ＭＨｚと５０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【００９８】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度をオージェ電子分光法により測定した結果、炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は７８原子％であった。
【００９９】
また、表面層のダイナミック硬度は２５０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【０１００】
【表３】
2005352374.tif 000005
【０１０１】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを５０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて研磨加工し、電子写真感光体の軸方向端部から他方の端部までのＲａの１０箇所平均を３５．０ｎｍとした。所要時間は９分であった。
（比較例４）
比較例３と同様にして、表３に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成し、次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを５０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて１５分間研磨加工した。
【０１０２】
このようにして得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定したところ、平均で２６．２ｎｍであった。
このようにして作成した実施例１、比較例１、２、３、４の電子写真感光体は、次のように評価した。
【０１０３】
・画像流れ
キヤノン製の電子写真装置ｉＲ−６０００を実験用に改造した加速試験機に電子写真感光体を設置し、電子写真感光体の加熱なし、気温３２℃、湿度８０％の高温／高湿環境下において全面にいろは文字が印刷されたキヤノン製テストチャートをＡ４用紙で２万枚複写した。その後一旦複写機を止め、この状態で環境を気温３５℃、湿度９０％に変更し、５時間放置した。
【０１０４】
この後再び先ほどのチャートをＡ４用紙で２万枚複写し５時間複写機を止めるという操作を繰り返し、合計１０万枚まで耐久試験を施した。
【０１０５】
このようにして得られた画像の文字輪郭の判別により画像流れを判断し、５時間休止後からコピー画像が何枚目で画像流れが回復するかを判定した。
【０１０６】
評価結果を表４に示す。評価結果はＡ４用紙で５０枚以内で回復した場合をＡ、５１〜１００枚で回復した場合をＢ、１０１〜３００枚で回復した場合をＣ、３００枚で回復しない場合をＤとした。
【０１０７】
・トナー融着の評価
キヤノン製の電子写真装置ｉＲ−６０００のクリーニングブレードの押し当て圧を１／３倍にし、かつ、ドラムの表面温度を５０℃に設定することにより、融着が発生しやすい環境を作りだした。このように改造した加速試験機に上記１０万枚耐久試験後のドラムを設置し、１％原稿（Ａ４対角線方向に幅約０．２ｍｍの直線を引いただけの原稿）を用いてＡ４用紙で１０万枚耐久試験を施した。
【０１０８】
耐久試験後、ハーフトーン画像をコピーして融着の有無を調べた。具体的には、Ａ４のハーフトーン画像においてトナー融着による黒点の数を数えた。
【０１０９】
評価結果を表５に示す。得られた結果は比較例１で作成した電子写真感光体の値を１００として相対評価を行い、９０以下をＡ、９１〜１１０をＢ、１１１〜１３０をＣ、１３１以上をＤとした。
【０１１０】
・磨耗量の評価
電子写真感光体の表面層の膜厚を測定した後、キヤノン製の電子写真装置ｉＲ−６０００に電子写真感光体を設置し、気温２３℃、湿度６０％の常温／常湿環境下においてキヤノン製テストチャートを２５万枚複写した。その後、電子写真感光体を電子写真装置から取り出し、電子写真感光体の表面層の膜厚を測定し、１００万枚複写前の表面層膜厚との差から表面層の磨耗量を測定した。
【０１１１】
評価結果を表６に示す。得られた結果は比較例１で作成した電子写真感光体の値を１００として相対評価を行い、５０以下をＡ、５１〜７０をＢ、７１〜１００をＣ、１０１以上をＤとした。
【０１１２】
【表４】
2005352374.tif 000006
【０１１３】
【表５】
2005352374.tif 000007
【０１１４】
【表６】
2005352374.tif 000008
【０１１５】
表４、５、６に示したように、実施例１で作製した電子写真感光体は比較例１で作製した感光体に比べて作製時間が短く、また、画像流れが生じ難く、電子写真感光体表面の磨耗量も少ない良好なものであった。また、比較例２で作製した感光体に比べて画像流れが生じ難くい良好なものであった。更に比較例３で作製した感光体に比べて磨耗量が少ない良好なものであった。比較例４で作製した感光体に比べて融着が生じ難く、磨耗量が少ない良好なものであった。
【０１１６】
以上示したように、実施例１で作製した電子写真感光体は画像流れ、トナー融着、電子写真感光体表面の磨耗量の全ての点で良好であることが明らかとなった。また、実施例１で作製した電子写真感光体により得られた電子写真画像は何ら問題のない良好なものであった。
（実施例２）
図２に示すアモルファスシリコン感光体成膜装置を用い、前記のような方法により外径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製導電性基体に鏡面加工を施した６本のシリンダー上に、表７に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層をこの順に形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数１２０ＭＨｚと７０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【０１１７】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度を実施例１と同様にオージェ電子分光法により測定した結果、第１の層領域（高硬度領域）の炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は７０原子％であった。第２の層領域（低硬度領域）は非晶質炭素である。
【０１１８】
また、ダイナミック硬度は第１の層領域（高硬度領域）が８５０ｋｇｆ／ｍｍ2、第２の層領域（低硬度領域）が２８０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【０１１９】
【表７】
2005352374.tif 000009
【０１２０】
（比較例５）
実施例２と同様にして、表８に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数１２０ＭＨｚと７０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【０１２１】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度をオージェ電子分光法により測定した結果、炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は７０原子％であった。
【０１２２】
また、表面層のダイナミック硬度は８５０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【０１２３】
【表８】
2005352374.tif 000010
【０１２４】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製ＡＸ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて研磨加工し、電子写真感光体の軸方向端部から他方の端部までのＲａの１０箇所平均を３０．０ｎｍとした。所要時間は６０分であった。
（比較例６）
比較例５と同様にして、表８に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成し、次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製ＡＸ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて２０分間研磨加工した。
【０１２５】
このようにして得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定したところ、平均で４４．３ｎｍであった。
（比較例７）
実施例２と同様にして、表９に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数１２０ＭＨｚと７０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【０１２６】
表面層のダイナミック硬度は２８０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【０１２７】
【表９】
2005352374.tif 000011
【０１２８】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製ＡＸ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて研磨加工し、電子写真感光体の軸方向端部から他方の端部までのＲａの１０箇所平均を３０．０ｎｍとした。所要時間は９分であった。
（比較例８）
比較例７と同様にして、表９に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成し、次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製ＡＸ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度４０ｒｐｍにて２０分間研磨加工した。
【０１２９】
このようにして得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定したところ、平均で１１．２ｎｍであった。
【０１３０】
このようにして作成した実施例２、比較例５、６、７、８の電子写真感光体は、実施例１と同様にして、画像流れ、トナー融着、磨耗量を評価した。
評価結果を表１０、１１、１２に示す。なお、トナー融着、磨耗量の評価結果は比較例５の評価値を１００として相対評価した。
【０１３１】
【表１０】
2005352374.tif 000012
【０１３２】
【表１１】
2005352374.tif 000013
【０１３３】
【表１２】
2005352374.tif 000014
【０１３４】
表１０、１１、１２に示したように、実施例２で作製した電子写真感光体は比較例５で作製した感光体に比べて作製時間が短く、また、画像流れが生じ難く、電子写真感光体表面の磨耗量も少ない良好なものであった。また、比較例６で作製した感光体に比べて画像流れが生じ難く、磨耗量も少ない良好なものであった。更に比較例７で作製した感光体に比べて磨耗量が少ない良好なものであった。比較例８で作製した感光体に比べて融着が生じ難く、磨耗量が少ない良好なものであった。
以上示したように、実施例２で作製した電子写真感光体は画像流れ、トナー融着、電子写真感光体表面の磨耗量の全ての点で良好であることが明らかとなった。また、実施例２で作製した電子写真感光体により得られた電子写真画像は何ら問題のない良好なものであった。
（実施例３）
図２に示すアモルファスシリコン感光体成膜装置を用い、前記のような方法により外径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製導電性基体に鏡面加工を施した６本のシリンダー上に、表１３に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層をこの順に形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数９０ＭＨｚと５０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【０１３５】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度を実施例１と同様にオージェ電子分光法により測定した結果、第１の層領域（高硬度領域）の炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は６８原子％、第２の層領域（低硬度領域）の炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は７４原子％であった。
【０１３６】
また、ダイナミック硬度は第１の層領域（高硬度領域）が７９０ｋｇｆ／ｍｍ2、第２の層領域（低硬度領域）が２７０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【０１３７】
【表１３】
2005352374.tif 000015
【０１３８】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度６０ｒｐｍにて研磨加工した。
【０１３９】
研磨加工時間は、電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定した際の平均で２５．０ｎｍ〜３５．０ｎｍとなり、かつ、電子写真感光体表面状態をＥＰＭＡによりマッピング分析した際に、炭素濃度が局所的に低い部分が局在して分布している状態となるまでとした。
【０１４０】
このようにして６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果、６本の電子写真感光体のＲａは３２．３ｎｍ〜３４．５ｎｍの範囲にあった。また、研磨時間は１８分であった。
（実施例４）
表面層の高硬度領域の膜厚を０．７９５μｍ、低硬度領域の膜厚を０．００５μｍとする以外は実施例３と同様にして、下部阻止層、光導電層、表面層をこの順に形成した。
【０１４１】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度６０ｒｐｍにて研磨加工した。
【０１４２】
研磨加工時間は、電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定した際の平均で２５．０ｎｍ〜３５．０ｎｍとなり、かつ、電子写真感光体表面状態をＥＰＭＡによりマッピング分析した際に、炭素濃度が局所的に低い部分が局在して分布している状態となるまでとした。
【０１４３】
このようにして６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果、６本の電子写真感光体のＲａは３１．２ｎｍ〜３２．９ｎｍの範囲にあった。また、研磨時間は１３分であった。
（実施例５）
表面層の第１の層領域（高硬度領域）の膜厚を０．５００μｍ、第２の層領域（低硬度領域）の膜厚を０．３００μｍとする以外は実施例３と同様にして、下部阻止層、光導電層、表面層をこの順に形成した。
【０１４４】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度６０ｒｐｍにて研磨加工した。
【０１４５】
研磨加工時間は、電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定した際の平均で２５．０ｎｍ〜３５．０ｎｍとなり、かつ、電子写真感光体表面状態をＥＰＭＡによりマッピング分析した際に、炭素濃度が局所的に低い部分が局在して分布している状態となるまでとした。
【０１４６】
このようにして６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果、６本の電子写真感光体のＲａは３０．３ｎｍ〜３１．５ｎｍの範囲にあった。また、研磨時間は２０分であった。
（実施例６）
表面層の第１の層領域（高硬度領域）の膜厚を０．７９７μｍ、第２の層領域（低硬度領域）の膜厚を０．００３μｍとする以外は実施例３と同様にして、下部阻止層、光導電層、表面層をこの順に形成した。
【０１４７】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度６０ｒｐｍにて研磨加工した。
【０１４８】
研磨加工時間は、電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定した際の平均で２５．０ｎｍ〜３５．０ｎｍとなり、かつ、電子写真感光体表面状態をＥＰＭＡによりマッピング分析した際に、炭素濃度が局所的に低い部分が局在して分布している状態となるまでとした。
【０１４９】
このようにして６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果、６本の電子写真感光体のＲａは３０．５ｎｍ〜３４．７ｎｍの範囲にあった。また、研磨時間は２６分であった。
（実施例７）
表面層の第１の層領域（高硬度領域）の膜厚を０．４００μｍ、第２の層領域（低硬度領域）の膜厚を０．４００μｍとする以外は実施例３と同様にして、下部阻止層、光導電層、表面層をこの順に形成した。
【０１５０】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度６０ｒｐｍにて研磨加工した。但し、弾性ローラによる加圧を実施例３、４、５、６と同じとすると、電子写真感光体の表面にむら削れが生じる場合があるため、弾性ローラによる加圧は実施例３、４、５、６に対して８０％とした。
【０１５１】
研磨加工時間は、電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定した際の平均で２５．０ｎｍ〜３５．０ｎｍとなり、かつ、電子写真感光体表面状態をＥＰＭＡによりマッピング分析した際に、炭素濃度が局所的に低い部分が局在して分布している状態となるまでとした。
【０１５２】
このようにして６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果、６本の電子写真感光体のＲａは２４．５ｎｍ〜２５．８ｎｍの範囲にあった。また、研磨時間は２７分であった。
（比較例９）
実施例３と同様にして、表１４に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真感光体を形成した。なお、ＶＨＦ電力は電源周波数９０ＭＨｚと５０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い、各々の電源周波数のＶＨＦ電力を１：１の割合で重畳して導入した。
【０１５３】
このようにして作製した電子写真感光体の表面層の炭素濃度をオージェ電子分光法により測定した結果、炭素濃度（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は６８原子％であった。
【０１５４】
また、表面層のダイナミック硬度は７９０ｋｇｆ／ｍｍ2であった。
【０１５５】
【表１４】
2005352374.tif 000016
【０１５６】
次に図３に示す研磨装置を用い、この電子写真感光体の表面を幅３８０ｍｍの研磨テープであるラッピングテープ（富士フイルム製Ｃ２０００）を介して弾性ローラで加圧した後、テープスピードを６０ｍｍ／ｍｉｎ、感光体回転速度６０ｒｐｍにて研磨加工した。
【０１５７】
研磨加工時間は、電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定した際の平均で２５．０ｎｍ〜３５．０ｎｍとなるまでとした。
【０１５８】
このようにして６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果、６本の電子写真感光体のＲａは２６．５ｎｍ〜３４．７ｎｍの範囲にあった。また、研磨時間は４８分であった。
【０１５９】
このようにして作成した実施例３、４、５、６、７、比較例９の電子写真感光体は、実施例１と同様にして、画像流れ、トナー融着、磨耗量を評価した。
評価結果を表１５、１６、１７、１８に示す。なお、トナー融着、磨耗量の評価結果は比較例９の評価値を１００として相対評価した。
【０１６０】
また、研磨加工後のＲａのばらつきを以下のように評価した。６本の電子写真感光体を研磨加工し、得られた電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲で微視的な表面粗さＲａをＡＦＭにより軸方向で端部から一方の端部まで１０箇所測定し平均のＲａを求めた。その結果から、Ｒａのばらつき幅（（Ｒａの最大値）−（Ｒａの最小値））を調べた。評価結果を表１７に示す。得られた結果は比較例９で作成した電子写真感光体の値を１００として相対評価を行い、２０以下をＡ、２１〜５０をＢ、５０〜１００をＣ、１０１以上をＤとした。
【０１６１】
また、実施例３、４、５、６、７、比較例９での研磨時間を表１７に示す。表中においては比較例９における研磨時間を１００として相対評価を行い、５０以下をＡ、５１〜７５をＢ、７６〜１００をＣ、１０１以上をＤとした。
【０１６２】
【表１５】
2005352374.tif 000017
【０１６３】
【表１６】
2005352374.tif 000018
【０１６４】
【表１７】
2005352374.tif 000019
【０１６５】
【表１８】
2005352374.tif 000020
【０１６６】
以上示したように、実施例３、４、５、６、７で作製した電子写真感光体は比較例９で作製した電子写真感光体に比べて作製時間が短く、画像流れ抑制効果が高く、電子写真感光体表面の磨耗量も少ない良好なものであることが明らかとなった。特に、表面層の第２の層領域（低硬度領域）の膜厚を５ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることで研磨時間をより短くでき、また作製された電子写真感光体表面のＲａのばらつきがより小さく、本発明の効果がより顕著に現れることが明らかとなった。
【０１６７】
また、実施例３、４、５、６、７で作製した電子写真感光体により得られた電子写真画像は何ら問題のない良好なものであった。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】本発明の電子写真感光体の断面を模式的に示したものであり、図１（ａ）は研磨前、図１（ｂ）は研磨後を示し、それぞれ１０１が導電性基体、１０２がアモルファスＳｉからなる光導電層を含む感光層、１０３が表面層の第１の層領域（高硬度領域）、１０４が該表面層の第２の層領域（低硬度領域）である。
【図２】本発明の電子写真感光体を形成するための堆積装置の一例を模式的に示した図である。
【図３】本発明の電子写真感光体を形成するための研磨装置の一例を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１６９】
１０１・・・導電性基体
１０２・・・感光層
１０３・・・表面層の第１の層領域（高硬度領域）
１０４・・・表面層の第２の層領域（低硬度領域）
２０１・・・反応容器
２０２・・・高周波電極
２０３・・・高周波電源
２０４・・・マッチングボックス
２０５・・・円筒状基体
２０６・・・基体支持体
２０７・・・基体加熱用ヒーター
２０８・・・回転機構
２０９・・・排気配管
２１０・・・ガス供給手段
２１１・・・高周波電力分岐手段
３００・・・感光体
３０１・・・研磨テープ
３０２・・・送り出しロール
３０３・・・巻き取りロール
３０４・・・定量送り出しロール
３０５・・・キャプスタンローラー
３０６・・・加圧弾性ローラー
【図１】
2005352374.tif 000021
【図２】
2005352374.tif 000022
【図３】
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