(57)【要約】【課題】  タンタル電解コンデンサを半田付けするときに高温に曝しても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができるとともに、量産性に優れ、長期にわたり正確かつ安定してタンタル電解コンデンサ素子を作動させることができるタンタル電解コンデンサを提供すること。【解決手段】  セラミック容器６は、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、凹部の底面に第一のメタライズ層３ａおよび第二のメタライズ層３ｂが互いに独立して形成され、第一のメタライズ層３ａは、凹部の底面の第一のメタライズ層３ａの形成領域内に溝部３−Ｄが形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2005217129.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の底面に第一のメタライズ層および第二のメタライズ層が互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して形成されたセラミック基体と、前記第一のメタライズ層と前記第一の導体層とを電気的に接続する第一の接続導体および前記第二のメタライズ層と前記第二の導体層とを電気的に接続する第二の接続導体とを具備しており、前記第一のメタライズ層は、前記底面の前記第一のメタライズ層の形成領域内に溝部が形成されていることを特徴とするセラミック容器。
【請求項２】
前記第一のメタライズ層は、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれた断面が円形状の陽極リード端子の他端部が溶接接合されるとともに、前記溝部の幅が前記陽極リード端子の幅よりも幅狭であることを特徴とする請求項１記載のセラミック容器。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のセラミック容器と、前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層および前記陽極リード端子を有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするタンタル電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路などに使用されるタンタル電解コンデンサに関し、特にセラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止された固体電解質コンデンサとして面実装型のタンタル電解コンデンサが知られている。このタンタル電解コンデンサは携帯電話などの通信機器、デジタルカメラなどのＡＶ機器、パソコンなどのコンピュータ機器、エアバッグ，アンチロックブレーキなどの自動車用機器を始めとする幅広い分野で大量に用いられ、また、用途としては電源の平滑回路、コンピュータのバックアップ、タンタル電解コンデンサの充放電時間を利用したタイマー回路、高周波フィルタなどがあり、上記機器類に欠くことのできない電子部品である。
【０００３】
このようなタンタル電解コンデンサは、タンタル電解コンデンサ素子部とリードフレームとこれらを気密に封止する外装樹脂とから成り、リードフレームは一般的に例えば鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金などの強度が大きなものが使用され、また外装樹脂としてはエポキシ樹脂などがその耐熱性、耐湿性が良好なために用いられている。
【０００４】
以下に、この種の従来のタンタル電解コンデンサについて図４を用いて説明する。図４は従来のタンタル電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図において11はタンタル電解コンデンサ、12はタンタル電解コンデンサ素子、12ｂは陽極リードを示し、タンタル電解コンデンサ素子12はタンタルなどから成る陽極リード12ｂの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体12ａに誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層12ｃを形成することにより得られる。
【０００５】
陽極リード12ｂは他端部がリードフレーム13に溶接され、このリードフレーム13が外装樹脂14から突出して外装樹脂14の外形に沿って下面に至るまで折り曲げられることにより外部接続用の陽極端子13ａとされる。また、リードフレーム13が導電性接合材15を介して陰極層12ｃ上に接合され、外装樹脂14から突出して外装樹脂14の外形に沿って外装樹脂14の下面に至るように折り曲げられることにより外部接続用の陰極端子13ｂとされる。リードフレーム13は陽極端子13ａおよび陰極端子13ｂを同時に同じ方向に曲げて加工ができるように外装樹脂14の対向する側面の同じ高さから両側方向に導出された構造となっている。また、外装樹脂14にはエポキシ系樹脂がその耐熱性、耐湿性などが優れているという理由から使用されている。
【０００６】
次に、このタンタル電解コンデンサ11の製造方法について説明する。まず、リードフレーム13のタンタル電解コンデンサ素子12の固定部16にタンタル電解コンデンサ素子12を載置し、タンタル電解コンデンサ素子12の陰極層12ｃと陰極端子13ｂとを熱硬化性の導電性接合材15を介して接合する。さらにタンタル電解コンデンサ素子12の陽極リード12ｂと陽極端子13ａとを溶接により互いに接合する。また、導電性接合材15は例えば銀（Ａｇ）を含有するエポキシ系樹脂接合材が用いられ、300℃程度の温度で約10分加熱することにより硬化される。
【０００７】
さらに、リードフレーム13に接合したタンタル電解コンデンサ素子12を所定の位置に載置し、次いで外部電気回路基板との接合部となる陽極端子13ａおよび陰極端子13ｂの端部を外部に露出するようにしてタンタル電解コンデンサ素子12をリードフレーム13の一部とともにエポキシ系から成る外装樹脂14で被覆し、150〜180℃で約１時間加熱することにより外装樹脂14を硬化させる。これにより、外装樹脂14の高分子架橋の割合が増加して耐熱性および耐湿性が向上し、信頼性の高いタンタル電解コンデンサ11が得られる。次いで、陽極端子13ａおよび陰極端子13ｂがタンタル電解コンデンサ11の下面に位置するようにリードフレーム13が外装樹脂14の外形に沿うように下方に曲げられてタンタル電解コンデンサ11の下面の一部を構成する。これにより外部電気回路基板への実装を容易なものとし、量産に適したものとすることができる。
【特許文献１】特開２００２−１３４３６０号公報（３−４頁，図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、地球環境問題の意識が高まるとともに鉛（Ｐｂ）を用いないＰｂフリー半田が使用されるようになってきた。しかしながら、Ｐｂフリー半田は、半田付けする際の温度が従来の錫（Ｓｎ）60％−Ｐｂ40％の半田の処理温度（220〜230℃）に比して40〜50℃高くなり、この温度で半田付けが行なわれると外装樹脂14が熱で変質してリードフレーム13との間に隙間が発生し、この隙間から水分が侵入して漏れ電流を発生させたり、短絡不良を発生させたりするという問題点を有していた。
【０００９】
そこで、外装樹脂14にシリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのフィラーを添加して高耐熱性を付与することが検討されたが、この場合には外装樹脂14の熱膨張率が小さくなりリードフレーム13の熱膨張係数との差が増大する。これにより半田付け処理の温度でリードフレーム13と外装樹脂14との間に隙間が発生し、水分が侵入して上記不良を発生させるため、この方法は実用的ではなかった。
【００１０】
さらに、外装樹脂14としてポリイミドなどの高耐熱性の樹脂を用いることも検討されたが、材料が高価であることに加えてポリイミドは熱膨張率がリードフレーム13の熱膨張係数（７×10−６／℃）の８倍を超える値（約60×10−６／℃）であることから、やはりリードフレーム13と外装樹脂14との間に隙間が発生し、上記不良を発生するという問題点を有していた。
【００１１】
したがって、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、タンタル電解コンデンサを半田付けするときに高温に曝しても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができるとともに、量産性に優れ、長期にわたり正確かつ安定してタンタル電解コンデンサ素子を作動させることができる電気的特性に優れたタンタル電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のセラミック容器は、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の底面に第一のメタライズ層および第二のメタライズ層が互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して形成されたセラミック基体と、前記第一のメタライズ層と前記第一の導体層とを電気的に接続する第一の接続導体および前記第二のメタライズ層と前記第二の導体層とを電気的に接続する第二の接続導体とを具備しており、前記第一のメタライズ層は、前記底面の前記第一のメタライズ層の形成領域内に溝部が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のセラミック容器によれば、好ましくは、前記第一のメタライズ層は、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれた断面が円形状の陽極リード端子の他端部が溶接接合されるとともに、前記溝部の幅が前記陽極リード端子の幅よりも幅狭であることを特徴とする。
【００１４】
本発明のタンタル電解コンデンサは、上記本発明のセラミック容器と、前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層および前記陽極リード端子を有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のセラミック容器によれば、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、凹部の底面に第一のメタライズ層および第二のメタライズ層が互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して形成されたセラミック基体と、第一のメタライズ層と第一の導体層とを電気的に接続する第一の接続導体および第二のメタライズ層と第二の導体層とを電気的に接続する第二の接続導体とを具備していることから、半田付けする際の温度が高いＰｂフリー半田を用いて第一の導体層および第二の導体層を外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続しても、セラミック基体は耐熱性を有するため、セラミック基体が熱で変形してセラミック容器に隙間が発生することがないので、気密性を良好に維持できる。
【００１６】
また、セラミック容器の内部にタンタル電解コンデンサ素子を収容し、セラミック容器の上面に蓋体を取着することにより、従来のリードフレームや外装樹脂を用いた構成から成るタンタル電解コンデンサのように、熱膨張係数の差や、振動や衝撃などによる外的要因により、リードフレームと外装樹脂との間に剥離や隙間が発生することをなくすことができる。
【００１７】
したがって、きわめて効果的に水分や有害なガスなどの進入を防止することができ、気密信頼性を高くすることができることから、タンタル電解コンデンサ素子などに腐食や濡れ電流，短絡などが発生することを効果的に防止できるので、長期にわたり正確かつ安定してタンタル電解コンデンサ素子を作動させることができるセラミック容器とすることができる。
【００１８】
さらに、第一のメタライズ層は、セラミック容器の凹部の底面の第一のメタライズ層の形成領域内に溝部が形成されていることから、第一のメタライズ層にタンタル電解コンデンサ素子の陽極リード端子を溶接法によって溶接する際、陽極リード端子を第一のメタライズ層の形成領域内に形成された溝部で容易に位置決めすることができ、さらに、第一のメタライズ層が狭い場合においても、陽極リード端子の断面が円形状であることから、陽極リード端子を溝部に確実に載置できるとともに保持することができる。したがって、第一のメタライズ層と陽極リード端子とを容易かつ確実に溶接接合させることができることから、電気的信頼性が高いとともに歩留りや生産性の高いセラミック容器とすることができる。
【００１９】
また、本発明のセラミック容器によれば、第一のメタライズ層は、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれた断面が円形状の陽極リード端子の他端部が溶接接合されるとともに、溝部の幅が陽極リード端子の幅よりも幅狭であることから、陽極リード端子と第一のメタライズ層とを、第一のメタライズ層の上面と第一のメタライズ層に形成された溝部の側面との間の角部により点接触または線接触させることができる。その結果、陽極リード端子を第一のメタライズ層に抵抗溶接させる際に接触部において高温とすることができ、陽極リード端子の第一のメタライズ層に接触する部位のみを優先的に溶かすことができる。したがって、陽極リード端子を第一のメタライズ層に効率的かつ確実に溶接接合することができるとともに、溶接部以外の部位への溶接による熱等の影響をきわめて少なくすることができる。
【００２０】
また、陽極リード端子を第一のメタライズ層に抵抗溶接させる際、溶融した陽極リード端子が溝部の内部に入り込み、固化、接合（メニスカスを形成）することで、陽極リード端子と第一のメタライズ層との接合面積が増し、接合強度がより強固になるとともに接合後の電気抵抗を低下させることができるので、機械的および電気的信頼性の高い接合部とすることができる。
【００２１】
本発明のタンタル電解コンデンサによれば、本発明のセラミック容器と、焼結体の下面に被着されるとともに第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層および陽極リード端子を有するタンタル電解コンデンサ素子と、セラミック基体の上面に凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることから、剥離や隙間が発生することをなくすことができ気密性を良好に維持できることから、長期にわたり正確かつ安定してタンタル電解コンデンサ素子を作動させることができるとともに、歩留りや生産性の高い電気的特性に優れたタンタル電解コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明のセラミック容器およびタンタル電解コンデンサについて以下に詳細に説明する。図１（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のセラミック容器の断面図である。また、図２は本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の一例を示す断面図である。これらの図において、１はタンタル電解コンデンサ、２はタンタル電解コンデンサ素子、３はセラミック基体、３ａは第一のメタライズ層、３−Ｄは溝部、３ｂは第二のメタライズ層、３ｃは第一の導体層、３ｄは第二の導体層、３ｅは第一の接続導体、３ｆは第二の接続導体、４は蓋体、６はセラミック容器である。
【００２３】
本発明のセラミック容器６は、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、この凹部の内面に第一のメタライズ層３ａおよび第二のメタライズ層３ｂが互いに独立して形成されるとともに、下面に第一の導体層３ｃおよび第二の導体層３ｄが互いに独立して形成されたセラミック基体３と、第一のメタライズ層３ａから第一の導体層３ｃにかけて形成された第一の接続導体３ｅと、第二のメタライズ層３ｂから第二の導体層３ｄにかけて形成された第二の接続導体３ｆとを具備している。さらに、第一のメタライズ層３ａの形成領域内に溝部３−Ｄが形成されている。
【００２４】
そして、セラミック容器６は、第一のメタライズ層３ａにタンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂが溶接接合されるとともに、第二のメタライズ層３ｂにタンタル電解コンデンサ素子２の陰極層２ｃが電気的に接合され、セラミック基体３の上面に凹部３−Ｂを塞ぐように蓋体４が取着されることによりタンタル電解コンデンサ１と成る。
【００２５】
セラミック基体３は、アルミナ質焼結体等のセラミックスから成り、上面の中央部に凹部３−Ｂが形成されている。好ましくは、図１（ｂ）に示すように第一のメタライズ層３ａが凹部３−Ｂの一側面と底面との間に形成された段差３−Ｃの上面に形成されているのがよい。段差３−Ｃが形成されるとともにその上面に第一のメタライズ層３ａが形成されることによって、タンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂの第一のメタライズ層３ａへの電気的な接続が容易なものとなり、タンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａに接続する作業効率が大幅に改善される。
【００２６】
しかし、第一のメタライズ層３ａの形成位置はこれに限られることはなく、凹部３−Ｂの内面に形成されておればよい。例えば第一のメタライズ層３ａが、凹部３−Ｂの底面に第二のメタライズ層３ｂとは電気的に接続されないように互いに独立して形成され、タンタル電解コンデンサ素子２の陽極リード２ｂが下方へ折り曲げられて第一のメタライズ層３ａに溶接接合される構成としてもよい。
【００２７】
セラミック容器６は、例えば、以下のようにして作製される。セラミック基体３がアルミナ質焼結体から成る場合、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２，酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤等を添加混合してスラリーと成す。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってグリーンシートと成し、所要の大きさに切断する。次に、その中から選ばれた複数のグリーンシートにおいて凹部３−Ｂを形成するために適当な打抜き加工を施す。
【００２８】
そして、これらのグリーンシートにタングステン（Ｗ）等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを印刷塗布して第一および第二のメタライズ層３ａ，３ｂ、第一および第二の導体層３ｃ，３ｄとなる導体層を形成し、次いでこれらの導体層を形成したグリーンシートを積層し、外側面に第一および第二の接続導体３ｅ，３ｆと成る金属ペーストを塗布し、最後に約1600℃の温度で焼成することによってセラミック容器６が作製される。
【００２９】
なお、第一および第二の接続導体３ｅ，３ｆは、セラミック基体３に形成した貫通導体であってもよい。貫通導体とする場合は、上記グリーンシートに凹部３−Ｂを打抜き加工により形成する際に同時に貫通孔となる孔を所要位置に打抜き加工を施し、この貫通孔に金属ペーストを充填して焼成すればよい。
【００３０】
また、このようにして作製されたセラミック容器６に形成された導体層の露出した表面には、耐食性に優れかつ半田との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ１〜12μｍのＮｉ層をめっき法等により被着しておくのがよい。これにより、導体層が大気中の酸素や水分等により酸化腐食されるのを防止するとともに、第一および第二の導体層３ｃ，３ｄにおいては半田との濡れ性が良くなり、外部電気回路基板上の配線導体（図示せず）との接合強度がより強固なものとなる。
【００３１】
Ｎｉ層の厚みが１μｍ未満であれば、導体層の酸化腐蝕を防止するのが困難になるとともに外部電気回路基板の配線導体への接合強度が劣化し易くなる。また、Ｎｉ層の厚みが12μｍを超えると、めっき形成に多大の時間がかかることになり量産性が低下し易くなるとともに各導体層との熱膨張差による応力によってめっき層が剥がれ易くなる。
【００３２】
セラミック容器６の内部にタンタル電解コンデンサ素子２を収容し、タンタル電解コンデンサ素子２の形成された陽極リード端子２ｂと陰極層２ｃとをそれぞれ第一のメタライズ層３ａおよび第二のメタライズ層３ｂに電気的に接続した後、セラミック容器６の下面に形成された第一および第二の導体層３ｃ，３ｄを外部電気回路基板の配線導体にＡｕ−Ｓｎ半田やＡｇ−Ｓｎ半田等の半田を介して接合することにより、タンタル電解コンデンサ素子２と外部電気回路基板の配線導体とを電気的に接続させることができる。
【００３３】
本発明のセラミック容器６は、第一のメタライズ層３ａのセラミック基体３の凹部３−Ｂの底面の第一のメタライズ層３ａの形成領域内に溝部３−Ｄが形成されている。これにより、第一のメタライズ層３ａにタンタル電解コンデンサ素子２に形成されている陽極リード端子２ｂを抵抗溶接法によって溶接する際、陽極リード端子２ｂを溝部３−Ｄで位置決めするとともに保持することができるので、第一のメタライズ層３ａの所定の位置に陽極リード端子２ｂを容易かつ確実に溶接接合させることができる。その結果、電気的信頼性が高いとともに歩留りや生産性の高いセラミック容器６とすることができる。
【００３４】
また、本発明のセラミック容器６によれば、好ましくは、第一のメタライズ層３ａは、タンタル粉末の焼結体２ａの側面に一端部が埋め込まれた断面が円形状の陽極リード端子２ｂの他端部が溶接接合されるとともに、溝部３−Ｄの幅が陽極リード端子２ｂの幅よりも幅狭であることから、陽極リード端子２ｂと第一のメタライズ層３ａとを、第一のメタライズ層３ａの上面と溝部３−Ｄの側面との間の角部（以下、角部ともいう）により点接触または線接触させることができるので、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａに抵抗溶接させる際に接触部において高温とすることができ、陽極リード端子２ｂの他端部が溝部３−Dを塞ぐようにして溝部３−Dの上に載置された状態で、すなわち陽極リード端子２ｂの外周面が溝部３−Dの角部に接した状態で溶接され、陽極リード端子２ｂの第一のメタライズ層３ａに接触する部位のみを優先的に溶かすことができる。したがって、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａに効率的かつ確実に溶接接合することができるとともに、溶接部以外の部位への溶接による熱等の影響をきわめて少なくすることができる。
【００３５】
また、溝部３−Ｄの縦断面の形状は四角形状に限らず、Ｖ字状やＵ字状，半円状でも構わなく、上記理由により溝部３−Ｄの角部が形成されることが重要である。
【００３６】
また、第一のメタライズ層３ａがセラミック基体３の凹部３−Ｂの一側面と底面との間に形成された段差３−Ｃの上面に形成されているのがよい。これにより、タンタル電解コンデンサ素子２の側面から陽極リード端子２ｂをタンタル電解コンデンサ素子２に対して略水平な状態で第一のメタライズ層３ａに溶接接合することができる。さらに、この第一のメタライズ層３ａの上面と陽極リード端子２ｂの下側が同じ高さとなるようにすると、この構成によって、第一のメタライズ層３ａと陽極リード端子２ｂとの溶接接合の作業効率を向上できるとともに、溶接接合の際に陽極リード端子２ｂを曲げたりすることがないため、陽極リード端子２ｂが折れやクラック等によって断線するのを防止することができる。
【００３７】
本発明のタンタル電解コンデンサ１は、上記構成のセラミック容器６と、タンタル粉末の焼結体２ａの側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が第一のメタライズ層３ａに溶接接合されている陽極リード端子２ｂ、および焼結体２ａの下面に被着されるとともに第二のメタライズ層３ｂに導電性接着材５を介して電気的に接合されている陰極層２ｃとを有するタンタル電解コンデンサ素子２と、セラミック基体３の上面に凹部３−Ｂを塞ぐように取着された蓋体４とを具備している。
【００３８】
タンタル電解コンデンサ素子２は、陽極リード２ｂの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体２ａに誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層２ｃを形成することにより得られる。
【００３９】
陽極リード２ｂは他端部が抵抗溶接法やレーザ溶接法等の溶接法によって、第一のメタライズ層３ａに電気的に接続される。この第一のメタライズ層３ａは第一の接続導体３ｅを経由して第一の導体層３ｃに電気的に接続されている。すなわち、第一の導体層３ｃが外部電気回路基板の配線導体に接続されるタンタル電解コンデンサ１の陽極端子となる。
【００４０】
陽極リード端子２ｂは、例えばタンタルやニオブ等から成るが、好ましくは、陽極リード端子２ｂがタンタルから成ることにより、タンタル電解コンデンサ素子２となるタンタルの焼結体２ａに強固に接合させることができるとともに、タンタルは電気抵抗率（13.5×10-8Ωｍ）が高いことから第一のメタライズ層３ａとの接続部において、電気抵抗を大きくし電気信号を熱に変換し易くすることにより、陽極リード端子２ｂを溶かし易くすることができ、陽極リード端子２ｂを第一のメタライズ層３ａに確実に接続し易くすることができる。
【００４１】
また、陰極層２ｃはＡｇを含有するエポキシ樹脂系接合材等の導電性接合材５を介して第二のメタライズ層３ｂ上に電気的に接続される。そして、第二のメタライズ層３ｂは第二の接続導体３ｆを経由して第二の導体層３ｄに電気的に接続されている。すなわち、第二の導体層３ｄが外部電気回路基板の配線導体に接続されるタンタル電解コンデンサ１の陰極端子となる。
【００４２】
このように構成された本発明のタンタル電解コンデンサ１によれば、Ｐｂフリー半田を用いて第一および第二の導体層３ｃ，３ｄを外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続しても、セラミック基体３は高い耐熱性を有するため、セラミック基体３が熱で変形してセラミック容器６に隙間が発生することがないので気密性を良好に維持できる。したがって、セラミック容器６の内部に水分が侵入するのを有効に防止し、腐食や漏れ電流，短絡等による不良を効果的に防止できので、長期にわたり正確かつ安定してタンタル電解コンデンサ素子２を作動させることができる電気的信頼性の高いセラミック容器６およびタンタル電解コンデンサ１とすることができる。
【００４３】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、タンタル電解コンデンサ１のセラミック基体３の材質がアルミナ質焼結体である場合について説明したが、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体やガラスセラミックス等の他のセラミックスから成っていてもよい。ＡｌＮ質焼結体から成る場合にはタンタル電解コンデンサ素子２が作動する際に発生する熱を効率よく外部に放散させることができるので、タンタル電解コンデンサ１の電気的特性をより長期間にわたって保持することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のタンタル電解コンデンサは携帯電話などの通信機器、デジタルカメラなどのＡＶ機器、パソコンなどのコンピュータ機器の他、特に過酷な環境条件下で長期信頼性が要求されるエアバッグ，アンチロックブレーキなどの自動車用機器を始めとする幅広い分野にも好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図、（ｂ）は図１（ａ）のセラミック容器の断面図である。
【図２】本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図３】本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の一例を示す要部拡大断面図である。
【図４】従来のタンタル電解コンデンサを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１：タンタル電解コンデンサ
２：タンタル電解コンデンサ素子
２ａ：焼結体
２ｂ：陽極リード端子
２ｃ：陰極層
３：セラミック基体
３ａ：第一のメタライズ層
３ｂ：第二のメタライズ層
３ｃ：第一の導体層
３ｄ：第二の導体層
３ｅ：第一の接続導体
３ｆ：第二の接続導体
３−Ｄ：溝部
４：蓋体
５：導電性接着材
６：セラミック容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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