(57)【要約】【課題】より耐久性のあるイオン感応膜を有するイオン感応性電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】イオン感応膜を固定する導電性基板を電界効果トランジスタと装脱着可能にし、電界効果トランジスタから切り離された状態で、導電性基板に感応膜材料を塗布し、高温焼付処理を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン感応性電界効果トランジスタにおいて、イオン感応膜を固定する導電性基板部分が、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体と装脱着可能であり、電界効果トランジスタから脱離された状態で、予め電界効果トランジスタの耐熱温度より高い温度で焼付処理されているイオン感応性電界効果トランジスタ。
【請求項２】
イオン感応膜の基材がシリコーンラダーポリマーである、請求項１に記載のイオン感応性電界効果トランジスタ。
【請求項３】
焼付処理条件が、１４０〜１６０℃で３〜５時間である、請求項２に記載のイオン感応性電界効果トランジスタ。
【請求項４】
イオン感応膜を導電性基板に塗布し、乾燥した後、電界効果トランジスタの耐熱温度より高い温度で焼付処理し、得られたイオン感応膜固定導電性基板を、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体に装着することを特徴とする、イオン感応性電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
イオン感応膜の基材がシリコーンラダーポリマーである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
焼付処理条件が、１４０〜１６０℃で３〜５時間である、請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン感応部分が装脱着可能なイオン感応性電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者らは、市販の汎用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を利用した、シリコーンラダーポリマー（ＳＬＰ）を感応膜材料とする、イオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）の開発に成功している（例えば、非特許文献１及び２並びに特許文献１参照）。この市販のＦＥＴを用いる利点は、イオンセンサーが安価であることである。
【０００３】
一般にＳＬＰの硬化温度は、９０℃から３５０℃の間であるが（例えば、特許文献２及び３並びに非特許文献３参照）、１００℃程度では完全に硬化されず（例えば非特許文献３参照）、耐久性のある膜を得るには、より高い焼き付け温度が必要である。
【０００４】
しかし、従来のＩＳＦＥＴは、イオン感応膜を固定する導電性基板とＦＥＴのゲート部が一体であるので、いったんＩＳＦＥＴを作製すると、導電性基板の取り外しは不可能であった。この汎用ＦＥＴの耐熱限界は１２５℃であり、イオン感応膜を固定する金属部とＦＥＴが一体型である場合は高温焼付処理ができないという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】
特願２００１−３０８１７３号
【０００６】
【特許文献２】
米国特許３４５１８３８号
【０００７】
【特許文献３】
米国特許３４６０９８０号
【０００８】
【非特許文献１】
Ｙ．  Ｔｓｕｊｉｍｕｒａ，  Ｍ．  Ｙａｍａｎｅ，  Ｓ．  Ｗａｋｉｄａ，  Ａｎａｌ．  Ｓｃｉ．，  ２００１，  １７，  ４８５．
【０００９】
【非特許文献２】
Ｙ．  Ｔｓｕｊｉｍｕｒａ，  Ｍ．  Ｙａｍａｎｅ，  Ｓ．  Ｗａｋｉｄａ，  Ａｎａｌ．  Ｓｃｉ．，  ２００１，  １７，  １１７５．
【００１０】
【非特許文献３】
Ｒ．  Ｈ．  Ｂａｎｅｙ，  Ｍ．  Ｉｔｏｈ，  Ａ．  Ｓａｋａｋｉｂａｒａ，  ａｎｄ  Ｔ．  Ｓｕｚｕｋｉ，  Ｃｈｅｍ．  Ｒｅｖ．  １９９５，  ９５，  １４０９．
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、より耐久性のあるイオン感応膜を有するイオン感応性電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、イオン感応膜を固定する導電性基板を装脱着可能にし、電界効果トランジスタから離した状態で導電性基板部分に感応膜材料を塗布し、高温焼付処理を行うことにより、より耐久性のあるイオン感応膜を有するイオン感応性電界効果トランジスタを提供することができることを見出した。
【００１３】
即ち、本発明は、以下のイオン感応性電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。
項１．  イオン感応性電界効果トランジスタにおいて、イオン感応膜を固定する導電性基板部分が、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体と装脱着可能であり、電界効果トランジスタから脱離された状態で、予め電界効果トランジスタの耐熱温度より高い温度で焼付処理されているイオン感応性電界効果トランジスタ。
項２．  イオン感応膜の基材がシリコーンラダーポリマーである、項１に記載のイオン感応性電界効果トランジスタ。
項３．  焼付処理条件が、１４０〜１６０℃で３〜５時間である、項２に記載のイオン感応性電界効果トランジスタ。
項４．  イオン感応膜を導電性基板に塗布し、乾燥した後、電界効果トランジスタの耐熱温度より高い温度で焼付処理し、得られたイオン感応膜固定導電性基板を、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体に装着することを特徴とする、イオン感応性電界効果トランジスタの製造方法。
項５．  イオン感応膜の基材がシリコーンラダーポリマーである、項４に記載の方法。
項６．  焼付処理条件が、１４０〜１６０℃で３〜５時間である、項５に記載の方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、イオン感応部分が電界効果トランジスタと切り離し可能なイオン感応性電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。
【００１５】
本発明のイオン感応性電界効果トランジスタは、イオン感応膜を固定する導電性基板、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体、電界効果トランジスタから構成される。イオン感応膜固定導電性基板部分と電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体部分は装脱着可能である。このような構造により、電界効果トランジスタから離した状態で、電界効果トランジスタの耐熱限界温度よりも高い温度で、イオン感応膜を焼付処理することが可能になる。
【００１６】
焼付処理条件温度は、イオン感応膜が完全に硬化する温度であり、且つ電界効果トランジスタの耐熱限界温度より高い温度である。具体的には、電界効果トランジスタの耐熱限界温度より２０〜８０℃高い温度、好ましくは３０〜８０℃高い温度である。
【００１７】
焼付処理の時間は、３〜２４時間、好ましくは３〜５時間である。
【００１８】
本発明のイオン感応膜の基材として、シリコーンラダーオリゴマー（ＳＬＯ）を原料とするシリコーンラダーポリマー（ＳＬＰ）、熱硬化性のアミノアルキド樹脂、アクリル樹脂、フタル酸樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂及びフッ素樹脂などが例示され、好ましくはシリコーンラダーポリマーである。
【００１９】
シリコーンラダーポリマーとは、ラダー（梯子状）構造を有するシリコーン樹脂であり、シリコーンラダーオリゴマーの重合反応により製造される。
【００２０】
ＳＬＯは、下記化合物（Ｆ）のようなものである。化合物（Ｆ）において、Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、又はハロゲン、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、アルコキシ基などの置換基で置換されたアリール基などが挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基である。化合物（Ｆ）において、Ｒ２は、メチル基、エチル基、または水素などが挙げられ、好ましくは水素又はエチル基である。化合物（Ｆ）において、ｎは１０〜７５で、好ましくは１０〜４０である。
ＳＬＯの例として、（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）などが挙げられる。
【００２１】
ＳＬＰはＳＬＯが重合したもので、ｎ  ＝  ５０〜１５００、好ましくはｎ  ＝  １００〜１０００である。
【００２２】
【化１】
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【００２３】
ＳＬＰは次の理由で、本発明において用いられるのが好ましい：
（１）原料のＳＬＯはアルコール、エステル、ケトン等の極性溶剤、トルエン等の芳香族系溶剤に可溶で多種多様な溶剤が使用可能なため扱い易い。
（２）ＳＬＰは鉄、アルミニウム、銅、セラミックス等との密着性が優れている。
（３）ＳＬＰ作製のためのコーティング液には、例えば染料、顔料のような有機物の混合が容易である。
【００２４】
イオン感応物質は、イオンを検出できるものであれば制限なく使用できる。
【００２５】
検出されるイオンの種類として、硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、マグネシウムイオン、過塩素酸イオンなどが例示される。イオン感応物質として、硝酸トリオクチルアンモニウム（ＮＯ３−）、ジメチル−オクタデシル−３−トリメトキシ−シリルプロピルアンモニウムクロライド（ＱＡＳ：化合物（Ｂ））（ＮＯ３−、Ｉ−）、テトラフェニルポルフィリン（ＴＰＰ：化合物（Ｄ））（Ｄ．  Ｍ．  Ｋｌｉｚａ  ａｎｄ  Ｍ．  Ｅ．  Ｍｅｙｅｒｈｏｆｆ，  Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｓｉｓ，  １９９２，  ４，  ８４１；  Ｃ．  Ｓｕｎ，  Ｊ．  Ｚｈａｏ，  Ｈ．  Ｘｕ，  Ｙ．  Ｓｕｎ，  Ｘ．  Ｚｈａｎｇ  ａｎｄ  Ｊ．  Ｓｈｅｎ，  Ｔａｌａｎｔａ，  １９９８，  ４６，  １５）（Ｉ−）、化合物（Ｄ）およびＱＡＳの混合物（Ｉ−）、バリノマイシン（Ｋ＋）、ビス１２クラウン４（Ｎａ＋）、塩化トリオクチルアンモニウム（Ｃｌ−）、ノナクチン（ＮＨ４＋）、ジｎ−オクチルフェニルリン酸カルシウム（２価陽イオン）、四フッ化ホウ素酸トリオクチルアンモニウム（ＢＦ４−）、過塩素酸トリオクチルアンモニウム（ＣｌＯ４−）、カリックス［４］アレン型化合物（Ｎａ＋）  などが例示される（かっこ内のイオンが、測定対象イオンである）。
【００２６】
【化２】
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【００２７】
イオン感応膜中のイオン感応物質の含有率は、イオン感応物質＋イオン感応膜の基材の合計量に対し、２０〜５０  ｗｔ  ％、好ましくは３０〜４０  ｗｔ  ％である。
【００２８】
本発明における電界効果型トランジスタは、シリコン酸化膜ゲート型（ＭＯＳＦＥＴ）などの絶縁膜ゲート型（ＭＩＳＦＥＴ）、ｐｎ接合ゲート型（ＪＦＥＴ）、ショットキー接合型（金属−半導体接触型：ＭＥＳＦＥＴ）などの構造のものでも良い。好ましくはＭＯＳＦＥＴである。
【００２９】
本発明のイオン感応性電界効果トランジスタは、イオン感応膜を導電性基板に塗布、乾燥した後、電界効果トランジスタの耐熱温度より高い温度で焼付処理し、得られたイオン感応膜固定導電性基板を、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体に装着することにより製造される。
【００３０】
塗布、乾燥後のイオン感応膜の厚さは、１０〜１００  μｍ、より好ましくは１５〜３０
μｍである。
【００３１】
イオン感応膜を固定する導電性基板は、用いるイオン感応膜との接着性が良いものを用いる。また、イオン感応膜が固定された表面とは反対の導電性基板面は、電界効果トランジスタのゲートに接続した導電体のゲートとは反対の面の構造に結合できる構造となっている。例えば、一方がネジ山であれば、もう一方の構造はネジ穴である。導電性基板及び導電体として、ステンレス、銅、チタン、ニッケル、銀、アルミニウム、金、鉄、スズ、パラジウム、白金、亜鉛、タングステン、モリブデン、マンガン、金属合金、カーボンなどが用いられる。導電性基板と導電体はそれぞれ同じものを用いても、異なるものを用いても良い。導電性基板の厚みは、１〜３  ｍｍで、好ましくは２〜３  ｍｍである。
【００３２】
電界効果型トランジスタのゲート端子を導電体に結合させるには、はんだに限らず、電気を通すものであればよい。
【００３３】
導電体をガラス管に結合させるために、シリコーン系接着剤、ウレタン系接着剤、エポキシ系接着剤などが好ましく用いられる。
【００３４】
イオン感応物質とイオン感応膜基材を、２−プロパノールなどのアルコール、エステル、ケトン等の極性溶媒、および／又はトルエンなどの芳香族系溶媒に溶かしたものを、導電性基板の外表面上に付与する方法は、キャスト、スプレー塗布、スパッタリング法、ディップ法やスピンオンコート法などが挙げられる。
【００３５】
イオン感応物質とイオン感応膜基材を溶媒に溶かしたものを、導電性基板の外表面上に付与した後の乾燥は、室温で１２時間〜１日放置して行なわれる。その後、電界効果トランジスタの耐熱温度より２０〜８０℃高い温度、好ましくは３０〜８０℃高い温度で焼付処理する。例えば、イオン感応膜の基材がＳＬＰである場合は、１４０〜１６０℃で、３〜５時間焼付処理することが好ましい。
【００３６】
上記イオン感応性電界効果型トランジスタを参照電極と共にサンプル液に浸したときに生じる両電極間の電位差（イオン感応性電界効果型トランジスタの応答電位）を測定することにより、サンプル液のイオン濃度を決定することができる。
【００３７】
次に、一般的なイオンの測定方法について説明する。
【００３８】
測定範囲は、通常、上限は１０−１  ｍｏｌ／ｄｍ３程度、下限は１０−４  〜  １０−７  ｍｏｌ／ｄｍ３である。
【００３９】
イオン電極の応答時間は、電極の種類、構造、イオンの種類、濃度、イオン強度等によって異なる。イオン濃度が低濃度の測定から高濃度の測定に移る場合の応答時間は比較的短いが、逆の場合は長くなる傾向がある。また、定量下限近くでは、応答時間は一般に長くなり、数分を要することがある。
【００４０】
測定温度は、例えば室温で測定でき、一定の温度で測定するのが望ましく、試料溶液が撹拌器のモーターなどの外部機器からの温度の影響を受けないようにするのがよい。一定の速さで撹拌しながら測定することが一般的に好ましい。
【００４１】
試料溶液は、必要に応じて、希釈、濃縮、抽出などの前処理を行う。
【００４２】
測定するサンプルの種類は、雨水、飲料水、海水、河川の水、廃水、工業用水、工場で生産過程において使われる浴槽液（塗装用、めっき用など）など、イオンを含むものはどんなものでもよい。
【００４３】
【実施例】
実施例１
市販の汎用ＭＯＳＦＥＴ（２ＳＫ２４１、東芝製）を用い、図１に示す構造のＩＳＦＥＴを次のように用意した。ＭＯＳＦＥＴのゲート部は、ネジ穴付きチタン棒（直径４及び７ｍｍ、長さ６ｍｍ）に接続されている。ネジ穴付きチタン棒のＭＯＳＦＥＴ接合部と反対側にネジ穴（直径２ｍｍ）がある。ネジ付き導電性基板（直径７ｍｍ、厚さ２ｍｍ、ネジ直径２ｍｍ）は、ネジ穴付きチタン棒のネジ穴に適合する。ここで、ネジ付き導電性基板としてネジ付きステンレス板を用いた。
【００４４】
イオン感応膜を下記のように作製した（図２参照）。
【００４５】
ガラス様感応膜材料として、シリコーンラダーオリゴマー（ＳＬＯ）（グラスレジン（登録商標）、ＧＲ−１００、昭和電工）６０ｍｇとジメチル−オクタデシル−３−トリメトキシ−シリルプロピルアンモニウムクロライド（ＱＡＳ）４０ｍｇを、２−プロパノール２ｍＬ中に溶解させ、該溶液をマイクロピペットを用いて、上記のステンレス板のネジの反対側の表面上にキャストして製膜した。キャストされたステンレス板を２４時間室温で放置し乾燥した。その後、１５０℃で３．５時間焼付処理を行い、２０μｍ厚さのイオン感応膜が固定されたステンレス板が得られた。該ステンレス板のネジ部をチタン棒のネジ穴にねじ込んで、ＩＳＦＥＴを組み立てた。
【００４６】
測定溶液調整用として硝酸ナトリウムを蒸留水に溶解した溶液を用いた。
【００４７】
得られたＩＳＦＥＴ及びｐＨメーター（ＢＡＳ製）を用いて、硝酸ナトリウム水溶液の硝酸イオン濃度変化に対する電位応答を室温で測定した。
【００４８】
測定系は、「ステンレス板／ＳＬＰ−イオン感応膜／／サンプル溶液／／ダブルジャンクション構造銀−塩化銀参照電極」である。参照電極の内部筒液には３ＭのＫＣｌ水溶液を、外部筒液には１Ｍの酢酸リチウム水溶液を用いた。測定印加電圧（ドレイン−ソース電圧）は５Ｖ、印加電流（ドレイン−ソース電流）４００μＡであった。
【００４９】
測定溶液は、マグネチックスターラーで一定の速度で撹拌された。測定溶液の濃度は、より濃い溶液を加えていくインジェクト法で、連続的に変化させた。溶液中の活量係数は、Ｄａｖｉｅｓの式（Ｃ．  Ｗ．  Ｄａｖｉｅｓ，  Ｊ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  １９３８，  ２０９３）：
【００５０】
【数１】
2005024380.tif 000005
【００５１】
より導いた。
【００５２】
測定の結果を、図３の検量線（ａ）に示す。硝酸イオン濃度が１．０ｘ１０−６Ｍから１．０ｘ１０−１Ｍの範囲で、検量線（ａ）の傾きは−６１．５ｍＶ／ｄｅｃａｄｅであり、理論的に正しいとされるネルンスト応答（−５９．１６ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ、２９８．１５Ｋ）とほぼ一致した。また、９０％応答時間（濃度変化１．０ｘ１０−３Ｍ→３．０ｘ１０−３Ｍ時）は３秒であった。
【００５３】
実施例２
上記実施例１で用いたＩＳＦＥＴのイオン感応膜部分であるステンレス板を取り外し、有機溶媒であるメタノール中に２４時間浸漬した。その後、ステンレス板を再びＦＥＴ本体へ取りつけ、実施例１と同様に、硝酸イオン濃度変化に対する電位応答を測定した。
【００５４】
測定の結果を、図３の検量線（ｂ）に示す。硝酸イオン濃度が１．０ｘ１０−６Ｍから１．０ｘ１０−１Ｍの範囲で、検量線（ｂ）の傾きは−５９．３ｍＶ／ｄｅｃａｄｅであり、メタノール浸漬前と同様に、ネルンスト応答を示した。さらに、９０％応答時間も（濃度変化１．０ｘ１０−３Ｍ→３．０ｘ１０−３Ｍ時）、メタノール浸漬前と同じ３秒であった。
【００５５】
この結果から、該ＩＳＦＥＴが、メタノールの影響を全く受けておらず、耐久性に優れていることが分かった。
【００５６】
比較例１
イオン感応膜を作製する時、焼付処理を行わない以外は実施例１と同様にしてＩＳＦＥＴを作製し、該ＩＳＦＥＴを用いて、実施例２と同様にしてメタノール浸漬後、硝酸イオン濃度変化に対する電位応答を測定しようとしたが、メタノール浸漬中にイオン感応膜が完全にメタノール中へ溶解して測定不能であった。
【００５７】
比較例２
イオン感応膜を作製する時、１２０℃で３時間焼付処理を行う以外は実施例１と同様にしてＩＳＦＥＴを作製し、該ＩＳＦＥＴを用いて、実施例２と同様にしてメタノール浸漬後、硝酸イオン濃度変化に対する電位応答を測定しようとしたが、メタノール浸漬中にイオン感応膜が完全にメタノール中へ溶解して測定不能であった。
【００５８】
比較例３
イオン感応膜を作製する時、１２０℃で６時間焼付処理を行う以外は実施例１と同様にしてＩＳＦＥＴを作製し、該ＩＳＦＥＴを用いて、実施例２と同様にしてメタノール浸漬後、硝酸イオン濃度変化に対する電位応答を測定した。メタノール浸漬後でも感応膜は破壊されなかったが、硝酸イオン濃度が３．０ｘ１０−５Ｍから１．０ｘ１０−３Ｍの範囲で、検量線の傾きは−９３．５ｍＶ／ｄｅｃａｄｅとなり、ネルンスト応答を示さなかった。
【００５９】
比較例４
イオン感応膜を作製する時、１２０℃で２４時間以上焼付処理を行う以外は実施例１と同様にしてＩＳＦＥＴを作製し、該ＩＳＦＥＴを用いて、実施例２と同様にしてメタノール浸漬後、硝酸イオン濃度変化に対する電位応答を測定した。
【００６０】
測定結果は、硝酸イオン濃度が１．０ｘ１０−６Ｍから１．０ｘ１０−１Ｍの範囲で、ネルンスト応答を示したが、応答時間はメタノール浸漬前と比べて１０秒程度長くなった。
【００６１】
上記比較例１〜４の結果から、１２０℃で焼付処理されたイオン感応膜は、メタノール浸漬により劣化することが分かった。
【００６２】
比較例５
現在、液膜型イオン感応膜材料として最も広く用いられている可塑化ポリ塩化ビニル膜を下記のように製膜した。
【００６３】
ポリ塩化ビニル（重合度約１０２０）２０ｍｇと可塑剤としてｏ−ニトロフェニルオクチルエーテル（ＮＰＯＥ、同仁化学）４０ｍｇを混合し、可塑化ポリ塩化ビニル膜材料を調製した。この可塑化ポリ塩化ビニル膜材料６０ｍｇとＱＡＳ４０ｍｇを、テトラヒドロフラン２ｍＬ中に溶解させ、該溶液をマイクロピペットを用いて、実施例１と同様のステンレス板のネジの反対側の表面上にキャストして製膜した。キャストされたステンレス板を４８時間以上室温で放置し乾燥した。１００μｍ厚さのイオン感応膜が固定されたステンレス板が得られた。該ステンレス板のネジ部をチタン棒のネジ穴にねじ込んで、ＩＳＦＥＴを組み立てた。
【００６４】
該ＩＳＦＥＴをメタノールに浸漬すると、浸漬後１分以内で、ステンレス板からイオン感応膜が完全に剥離してしまった。
【００６５】
【発明の効果】
本発明により、イオン感応膜を固定する導電性基板部分を装脱着可能にし、電界効果トランジスタ部から切り離された状態で、導電性基板部分に感応膜材料を塗布し、高温焼付処理を行うことにより、より耐久性のあるイオン感応膜を有するイオン感応性電界効果トランジスタを提供することができる。
【００６６】
また、本発明によるイオン感応性電界効果トランジスタは、イオン感応膜を固定する導電性基板部分のみが使い捨て可能であるので、実用上好ましい。さらに、電界効果トランジスタ部を再利用することにより、費用節約もできる。
【００６７】
感応膜作製時に高温焼付処理を施すことにより、感応膜の耐久性は大幅に向上し、有機溶媒であるメタノールに対しても全く影響を受けない。このことは、本発明によるイオン感応性電界効果トランジスタが、水溶液中のイオンを定量するだけでなく、有機溶媒中のイオンを定量することも可能であることを示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施例において作成したＩＳＦＥＴを図示したものである。
【図２】図２は、ＳＬＰイオン感応膜の作製手順を示す。
【図３】図３は、実施例１及び２のＩＳＦＥＴの硝酸イオンに対する電位応答を表す。
【符号の説明】
１  ネジ付き導電性基板（直径７ｍｍ、厚さ２ｍｍ、ネジ直径２ｍｍ）
２  ネジ穴付きチタン棒
３  ガラス管（外径７ｍｍ、内径４ｍｍ、長さ１００ｍｍ）
４  ＭＯＳＦＥＴ
５  ゲート端子
６  ソース端子
７  ドレイン端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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