(57)【要約】【課題】高密度記録媒体に適用されるインドールスチリル化合物、それを含む高密度記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】一般式（Ｉ）または（II）で表わされるインドールスチリル化合物、ならびに、第１の基板、該第１の基板上に形成される前記インドールスチリル化合物からなる記録層、該記録層上に形成される反射層および該反射層上に配置される第２の基板からなる高密度記録媒体である。また、該高密度記録媒体は、第１の基板を製造する工程、該第１の基板上に前記インドールスチリル化合物からなる記録層を形成する工程、該記録層上に反射層を形成する工程、および該反射層上に第２の基板を配置する工程により製造する。    【化１】2005097242.tif 000022【選択図】図４
2005097242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）または（II）
【化１】
2005097242.tif 000018
（一般式（Ｉ）および（II）中、Ｒ1は、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2Ｒ6、−ＣＨ2ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ6、−（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ6、α−ナフチルメチル基またはβ−ナフチルメチル基を表わし、これらの基は置換されていてもよい。ｎは１〜８の整数を表わす。Ｒ6は、アルキル基、フルオロアルキル基、多環式アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、ナフチル基または−Ｃ6Ｈ4ＳＣＨ3を表わし、これらの基は置換されていてもよい。Ｒ2およびＲ3は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わすか、結合する窒素原子またはアニリンとともにヘテロシクロアルキル基、へテロポリシクロアルキル基またはヘテロアリール基を形成する。アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基は置換されていてもよい。Ｒ4およびＲ5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、スルホン酸基、スルホン基またはスルファニルアミド基を表わす。Ｙ-は、テトラシアノキノジメタンの陰イオン、テトラシアノエチレンの陰イオン、過塩素酸イオン、六フッ化アンチモンイオン、六フッ化リンイオン、四フッ化ホウ素イオン、ハロゲン化物イオン、ＳＯ2（ＯＨ）-または陰イオン性の有機金属を表わす。炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上は、フッ素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フルオロアルキル基、スルホン基、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7で置換されていてもよい。Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）で表わされるインドールスチリル化合物。
【請求項２】
炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上が、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7（Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）で置換されている請求項１記載のインドールスチリル化合物。
【請求項３】
第１の基板、該第１の基板上に形成される記録層、該記録層上に形成される反射層および
該反射層上に配置される第２の基板からなる高密度記録媒体であって、該記録層が、一般式（Ｉ）または（II）
【化２】
2005097242.tif 000019
（一般式（Ｉ）および（II）中、Ｒ1は、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2Ｒ6、−ＣＨ2ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ6、−（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ6、α−ナフチルメチル基またはβ−ナフチルメチル基を表わし、これらの基は置換されていてもよい。ｎは１〜８の整数を表わす。Ｒ6は、アルキル基、フルオロアルキル基、多環式アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、ナフチル基または−Ｃ6Ｈ4ＳＣＨ3を表わし、これらの基は置換されていてもよい。Ｒ2およびＲ3は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わすか、結合する窒素原子またはアニリンとともにヘテロシクロアルキル基、へテロポリシクロアルキル基またはヘテロアリール基を形成する。アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基は置換されていてもよい。Ｒ4およびＲ5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、スルホン酸基、スルホン基またはスルファニルアミド基を表わす。Ｙ-は、テトラシアノキノジメタンの陰イオン、テトラシアノエチレンの陰イオン、過塩素酸イオン、六フッ化アンチモンイオン、六フッ化リンイオン、四フッ化ホウ素イオン、ハロゲン化物イオン、ＳＯ2（ＯＨ）-または陰イオン性の有機金属を表わす。炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上は、フッ素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フルオロアルキル基、スルホン基、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7で置換されていてもよい。Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）
で表わされるインドールスチリル化合物からなる高密度記録媒体。
【請求項４】
反射率が４５％以上、可視光域の吸収係数が８×１０4ｃｍ-1以上、書き込みパワーが９ｍＷ以上のときの搬送波対雑音電力比の値が５０ｄＢ以上である請求項３記載の高密度記録媒体。
【請求項５】
第１の基板が複数のランドおよびグルーブを有し、ランド間の距離が０．３〜０．８μｍ、グルーブの深さが７０〜２００ｎｍである請求項３または４記載の高密度記録媒体。
【請求項６】
反射層と第２の基板との間に接着層を有する請求項３、４または５記載の高密度記録媒体。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板とが同じ材料からなり、該材料が、ポリエステル、ポリカーボネートまたはポリメチルメタクリレートである請求項３、４、５または６記載の高密度記録媒体。
【請求項８】
記録層の膜厚が５０〜３００ｎｍである請求項３、４、５、６または７記載の高密度記録媒体。
【請求項９】
反射層が、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、クロムまたはこれらの合金からなる請求項３、４、５、６、７または８記載の高密度記録媒体。
【請求項１０】
請求項３、４、５、６、７、８または９記載の高密度記録媒体からなる高密度光ディスク。
【請求項１１】
第１の基板を製造する工程、該第１の基板上に、一般式（Ｉ）または（II）
【化３】
2005097242.tif 000020
（一般式（Ｉ）および（II）中、Ｒ1は、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2Ｒ6、−ＣＨ2ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ6、−（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ6、α−ナフチルメチル基またはβ−ナフチルメチル基を表わし、これらの基は置換されていてもよい。ｎは１〜８の整数を表わす。Ｒ6は、アルキル基、フルオロアルキル基、多環式アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、ナフチル基または−Ｃ6Ｈ4ＳＣＨ3を表わし、これらの基は置換されていてもよい。Ｒ2およびＲ3は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わすか、結合する窒素原子またはアニリンとともにヘテロシクロアルキル基、へテロポリシクロアルキル基またはヘテロアリール基を形成する。アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基は置換されていてもよい。Ｒ4およびＲ5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、スルホン酸基、スルホン基またはスルファニルアミド基を表わす。Ｙ-は、テトラシアノキノジメタンの陰イオン、テトラシアノエチレンの陰イオン、過塩素酸イオン、六フッ化アンチモンイオン、六フッ化リンイオン、四フッ化ホウ素イオン、ハロゲン化物イオン、ＳＯ2（ＯＨ）-または陰イオン性の有機金属を表わす。炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上は、フッ素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フルオロアルキル基、スルホン基、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7で置換されていてもよい。Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）
で表わされるインドールスチリル化合物からなる記録層を形成する工程、該記録層上に反射層を形成する工程、および該反射層上に第２の基板を配置する工程からなる高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
記録層を形成する工程が、一般式（Ｉ）または（II）で表わされるインドールスチリル化合物を有機溶媒に溶解してインドールスチリル化合物溶液を調製する工程および該インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板上に形成する工程からなる請求項１１記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
記録層を形成する工程が、インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板上に形成する工程ののちに、さらに乾燥工程を含む請求項１２記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
有機溶媒が、アルコール、ケトン、シクロアルカン、ハロゲン化合物、アミドまたはこれらの混合物である請求項１２または１３記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
アルコールが、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセトンアルコール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノールまたはヘキサフルオロブタノールである請求項１４記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
ケトンが、アセトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンまたは３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンである請求項１４記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
シクロアルカンが、メチルシクロヘキサンである請求項１４記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
ハロゲン化合物が、クロロホルム、ジクロロメタンまたは１−クロロブタンである請求項１４記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
アミドが、ジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミドである請求項１４記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板上に形成する方法が、スピンコーティング、ディップコーティング、エンボス、スタンピング、真空蒸着またはスプレーコーティングである請求項１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８または１９記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
第２の基板を反射層上に配置する工程の前に、反射層上に接着層を形成する工程をさらに含む請求項１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０記載の高密度記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
第１の基板を製造する工程、該第１の基板上に、一般式（Ｉ）または（II）
【化４】
2005097242.tif 000021
（一般式（Ｉ）および（II）中、Ｒ1は、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2Ｒ6、−ＣＨ2ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ6、−（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ6、α−ナフチルメチル基またはβ−ナフチルメチル基を表わし、これらの基は置換されていてもよい。ｎは１〜８の整数を表わす。Ｒ6は、アルキル基、フルオロアルキル基、多環式アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、ナフチル基または−Ｃ6Ｈ4ＳＣＨ3を表わし、これらの基は置換されていてもよい。Ｒ2およびＲ3は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わすか、結合する窒素原子またはアニリンとともにヘテロシクロアルキル基、へテロポリシクロアルキル基またはヘテロアリール基を形成する。アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基は置換されていてもよい。Ｒ4およびＲ5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、スルホン酸基、スルホン基またはスルファニルアミド基を表わす。Ｙ-は、テトラシアノキノジメタンの陰イオン、テトラシアノエチレンの陰イオン、過塩素酸イオン、六フッ化アンチモンイオン、六フッ化リンイオン、四フッ化ホウ素イオン、ハロゲン化物イオン、ＳＯ2（ＯＨ）-または陰イオン性の有機金属を表わす。炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上は、フッ素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フルオロアルキル基、スルホン基、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7で置換されていてもよい。Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）
で表わされるインドールスチリル化合物からなる記録層を形成する工程、該記録層上に反射層を形成する工程、および該反射層上に第２の基板を配置する工程からなる高密度光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なインドールスチリル化合物に関する。とくに、本発明は、高密度光学記録媒体の記録層に用いられるインドールスチリル化合物、それを含む高密度記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ、通信機器、コンシューマエレクトロニクスなどの製品に用いられる記録媒体の記録密度と容量に対する要求は、時代が進歩するにつれて高まるばかりである。これらの製品の開発により、大量の情報が流通することとなったが、それを実現させるためには、より記録密度が高く、かつ小型化されていながら、コストは低い記録媒体が求められる。従来の磁気記録媒体では、すでにこうした要求に応えることはできなくなっているため、その解決策となりうる光ストレージ材料の研究開発が現在盛んに行われている。
【０００３】
さて、光記録媒体の記録密度を高める原理および方法として、すでに報告されているのは、主に、読み出しに用いられるレーザー光源を短波長化するというものであり、レーザー光源を従来の赤色レーザーから、より短波長の青色レーザーに変える方法や、レンズの開口数を高めることにより実現されている。また、光記録媒体に関するもう一つの研究として、光記録層に使用される有機色素の化学構造を変えて、溶剤への溶解度が高く、可視光域の波長を強く吸収し、光と熱に対して高い安定性を示すとともに、光学特性が良好で、かつ合成も容易であるという諸光学的性質を備える色素材料を開発する研究が進められている。
【０００４】
書き込みが１度だけできるコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）は、低価格で、書き込み速度が高速であるほかに、携帯に便利、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）との互換性に優れるなど、多くのメリットを有しているため、最もよく用いられる記録媒体の１つとなっている。ＣＤ−Ｒの記録層に使用される有機色素としては、シアニン系やアゾ系の色素などが用いられており（たとえば、特許文献１参照）、これまで、その記録層に使用される有機色素の開発が競うように行なわれてきた。その結果、ＣＤ−Ｒの記録層に使用される有機色素の発展は飽和状態になりつつあり、研究開発の焦点は、記憶容量が４．７ＧＢに達するＤＶＤ−Ｒ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ−Ｒ）などの高密度記録媒体用色素へとシフトするに至った。
【０００５】
ＤＶＤ−Ｒのような高密度記録媒体に使用されるレーザー波長は６５０ｎｍであり、ＣＤ−Ｒに使用されるレーザー波長（７８０ｎｍ）とは異なるため、両者に同じ色素を用いることはできない。また、現段階の技術による高密度記録媒体の記録層用有機色素は、高密度記録媒体に要される光学特性は備えているものの、光および熱に対する安定性にやや劣り、合成も容易ではないので、製品の記録寿命が短くなるとともに、コスト高にもなる。したがって、高密度記録媒体の光学特性と品質を高めるためには、高密度記録媒体の記録層として用いることのできる新たな有機化合物の設計、開発が急務かつ重要な課題である。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３３９６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、高密度記録媒体の記録層材料として用いられる新規なインドールスチリル化合物を提供することを目的とする。また、本発明は、インドールスチリル化合物を記録層に用いた高密度記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、一般式（Ｉ）または（II）で表わされる構造を有するインドールスチリル化合物に関する。
【０００９】
【化１】
2005097242.tif 000003
【００１０】
（一般式（Ｉ）および（II）中、Ｒ1は、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2Ｒ6、−ＣＨ2ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ6、−（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ6、α−ナフチルメチル基またはβ−ナフチルメチル基を表わし、これらの基は置換されていてもよい。ｎは１〜８の整数を表わす。Ｒ6は、アルキル基、フルオロアルキル基、多環式アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、ナフチル基または−Ｃ6Ｈ4ＳＣＨ3を表わし、これらの基は置換されていてもよい。Ｒ2およびＲ3は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わすか、結合する窒素原子またはアニリンとともにヘテロシクロアルキル基、へテロポリシクロアルキル基またはヘテロアリール基を形成する。アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基は置換されていてもよい。Ｒ4およびＲ5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、スルホン酸基、スルホン基またはスルファニルアミド基を表わす。Ｙ-は、テトラシアノキノジメタンの陰イオン、テトラシアノエチレンの陰イオン、過塩素酸イオン、六フッ化アンチモンイオン、六フッ化リンイオン、四フッ化ホウ素イオン、ハロゲン化物イオン、ＳＯ2（ＯＨ）-または陰イオン性の有機金属を表わす。炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上は、フッ素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フルオロアルキル基、スルホン基、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7で置換されていてもよい。Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）
【００１１】
本発明は、第１の基板、該第１の基板上に形成される記録層、該記録層上に形成される反射層および該反射層上に配置される第２の基板からなる高密度記録媒体であって、該記録層が、前記インドールスチリル化合物からなる高密度記録媒体に関する。
【００１２】
前記高密度記録媒体は、反射率が４５％以上、可視光域の吸収係数が８×１０4ｃｍ-1以上、書き込みパワーが９ｍＷ以上のときの搬送波対雑音電力比の値が５０ｄＢ以上であることが好ましい。
【００１３】
前記高密度記録媒体は、第１の基板が複数のランドおよびグルーブを有し、ランド間の距離が０．３〜０．８μｍ、グルーブの深さが７０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００１４】
前記高密度記録媒体は、反射層と第２の基板との間に接着層を有することが好ましい。
【００１５】
前記高密度記録媒体は、第１の基板と第２の基板とが同じ材料からなり、該材料が、ポリエステル、ポリカーボネートまたはポリメチルメタクリレートであることが好ましい。
【００１６】
前記高密度記録媒体は、記録層の膜厚が５０〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００１７】
前記高密度記録媒体は、反射層が、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、クロムまたはこれらの合金からなることが好ましい。
【００１８】
本発明は、前記高密度記録媒体からなる高密度光ディスクに関する。
【００１９】
また、本発明は、第１の基板を製造する工程、該第１の基板上に、前記インドールスチリル化合物からなる記録層を形成する工程、該記録層上に反射層を形成する工程、および該反射層上に第２の基板を配置する工程からなる高密度記録媒体の製造方法に関する。
【００２０】
前記製造方法において、記録層を形成する工程が、一般式（Ｉ）または（II）で表わされるインドールスチリル化合物を有機溶媒に溶解してインドールスチリル化合物溶液を調製する工程および該インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板上に形成する工程を含むことが好ましい。
【００２１】
前記製造方法において、記録層を形成する工程が、インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板上に形成する工程ののちに、さらに乾燥工程を含むことが好ましい。
【００２２】
前記製造方法において、有機溶媒が、アルコール、ケトン、シクロアルカン、ハロゲン化合物、アミドまたはこれらの混合物であることが好ましい。アルコールがメタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセトンアルコール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノールまたはヘキサフルオロブタノール、ケトンがアセトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンまたは３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、シクロアルカンがメチルシクロヘキサン、ハロゲン化合物がクロロホルム、ジクロロメタンまたは１−クロロブタン、アミドがジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミドであることが好ましい。
【００２３】
前記製造方法において、インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板上に形成する方法が、スピンコーティング、ディップコーティング、エンボス、スタンピング、真空蒸着またはスプレーコーティングであることが好ましい。
【００２４】
前記製造方法において、第２の基板を反射層上に配置する工程の前に、反射層上に接着層を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
【００２５】
さらに、本発明は、第１の基板を製造する工程、該第１の基板上に、前記インドールスチリル化合物からなる記録層を形成する工程、該記録層上に反射層を形成する工程、および該反射層上に第２の基板を配置する工程からなる高密度光ディスクの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のインドールスチリル化合物は、合成、精製が容易であるという特長を有しており、さらに、ＤＶＤなどの高密度記録媒体に用いられる一般的な色素に比べて低価である点、光と熱に対する化学安定性に一層優れる点など多数のメリットがある。とくに、一般式（Ｉ）または（II）中の側鎖Ｒ1に芳香環が存在する場合には、感光性がより向上するというメリットもある。また、本発明のインドールスチリル化合物は、波長（λ）が４００〜７００ｎｍの可視光域において高い吸収係数および高感度を示すため、光学ストレージ材料として最適であり、記録媒体に用いれば、高倍速数記録、高感度記録を実現することができる。赤色レーザーによる読み書きが可能であるため、高密度記録媒体の記録層材料として、非常に好ましく用いられる。さらに、本発明のインドールスチリル化合物は、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、ハロゲン化合物またはアミドなどの有機溶剤に溶解可能であり、簡便な塗布方式（たとえば、スピン、ディップまたはスプレーコーティングなど）により、容易に基板に塗布して膜を作製し、記録層を形成することができる。なお、本発明のインドールスチリル化合物は、光学ストレージ材料として用いられるほかに、集積回路に用いられるフォトレジスト、紡織繊維の色素、複写および印刷等の用途にも応用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（インドールスチリル化合物）
本発明のインドールスチリル化合物は、一般式（Ｉ）または（II）で表わされる構造を有する。
【００２８】
【化２】
2005097242.tif 000004
【００２９】
一般式（Ｉ）および（II）中、Ｒ1は、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2Ｒ6、−ＣＨ2ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ6、−（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ6、α−ナフチルメチル基またはβ−ナフチルメチル基を表わし、これらの基は置換されていてもよい。ここで、ｎは１〜８の整数を表わす。また、Ｒ6は、アルキル基、フルオロアルキル基、多環式アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、ナフチル基または−Ｃ6Ｈ4ＳＣＨ3を表わし、これらの基は置換されていてもよい。感光性が向上するため、Ｒ1には芳香環が存在することが好ましい。
【００３０】
Ｒ2およびＲ3は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わし、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基は、置換されていてもよい。また、Ｒ2およびＲ3は、結合する窒素原子またはアニリンとともにヘテロシクロアルキル基、へテロポリシクロアルキル基またはヘテロアリール基を形成してもよい。
【００３１】
Ｒ4およびＲ5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、スルホン酸基、スルホン基またはスルファニルアミド基を表わす。
【００３２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3またはＲ6が置換されていてもよい、とは、これらの基の炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１個以上が、フッ素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フルオロアルキル基、スルホン基、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7、とくに、−ＣＯＮ（Ｒ7）2または−ＳＯ3Ｒ7で置換されていてもよいことを意味する。ここで、Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表わす。
【００３３】
Ｙ-は、テトラシアノキノジメタンの陰イオン（ＴＣＮＱ-）、テトラシアノエチレンの陰イオン（ＴＣＮＥ-）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ4-）、六フッ化アンチモンイオン（ＰＦ6-）、六フッ化リンイオン（ＰＦ6-）、四フッ化ホウ素イオン（ＢＦ4-）、ハロゲン化物イオン、ＳＯ2（ＯＨ）-または陰イオン性の有機金属を表わす。
【００３４】
本発明のインドールスチリル化合物の例として、表１に、インドールスチリル化合物の化学構造、物性（最大吸収波長λmax（ｎｍ）および吸収係数（ε））を示す。
【００３５】
【表１−１】
2005097242.tif 000005
【００３６】
【表１−２】
2005097242.tif 000006
【００３７】
【表１−３】
2005097242.tif 000007
【００３８】
【表１−４】
2005097242.tif 000008
【００３９】
【表１−５】
2005097242.tif 000009
【００４０】
本発明のインドールスチリル化合物は、たとえば、反応スキーム１または２のように合成される。なお、反応スキーム１および２は、一般式（Ｉ）および（II）において、Ｒ4およびＲ5が水素原子であるときの反応を示すものである。
【００４１】
【化３】
2005097242.tif 000010
【００４２】
反応スキームに示すように、まず、常温の窒素雰囲気下で、出発物質（i）または出発物質（ii）とメタノールなどの好適な溶剤を反応容器に入れて混合し、充分混合させたのち、出発物質（iii）を加え、反応容器中で１２〜４８時間加熱還流する。続いて、その反応容器にアルカリ塩（Ｍ+Ｙ-）を加え、引き続き、１０〜２０時間加熱還流する。反応停止後、ろ過して溶剤を除き、回収した反応生成物を乾燥させることにより、本発明のインドールスチリル化合物を得ることができる。
【００４３】
また、常温の窒素雰囲気下で、出発物質（i）または出発物質（ii）とメタノールなどの好適な溶剤を反応容器に入れて混合し、充分混合させたのち、アルカリ塩（Ｍ+Ｙ-）を加え、反応容器中で１２〜４８時間加熱還流し、続いて、その反応容器に出発物質（iii）を加え、引き続き、１０〜２０時間加熱還流することによっても、本発明のインドールスチリル化合物を得ることができる。
【００４４】
反応スキーム１および２中のＲ1〜Ｒ3およびＹ-は、一般式（Ｉ）および（II）中のＲ1〜Ｒ3およびＹ-と同一である。
【００４５】
アルカリ塩（Ｍ+Ｙ-）のＭ+は、Ｌｉ+、Ｎａ+またはＫ+を表わす。アルカリ塩としては、たとえば、ＮａＳｂＦ6やＮａＣｌＯ4などを用いることができる。
【００４６】
スキーム１または２にしたがって得られる本発明のインドールスチリル化合物は、アルカリ塩に由来する陰イオン（Ｙ-）を有するが、この陰イオンは、インドールスチリル化合物合成後に、そのほかの陰イオンで置換することもできるので、さらに組成の異なる各種インドールスチリル化合物を調製することも可能である。たとえば、表１に示した本発明の各インドールスチリル化合物は、インドールスチレンの陽イオンおよび陰イオン（ＳｂＦ6-、Ｃｌ-、Ｉ-またはＰＦ6-）を含むものであるが、これらのインドールスチリル化合物を、有機溶剤の存在下でそのほかのイオン化合物を添加して共に加熱還流し、その陰イオンの部分をそのほかの陰イオン（たとえば、ＴＣＮＱ-、ＴＣＮＥ-、ＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ハロゲン化物イオンまたは陰イオン性の有機金属錯体）で置換することができる。なお、置換の方法は公知技術であるので、ここでは説明しない。
【００４７】
本発明のインドールスチリル化合物を高密度記録媒体（たとえば、高密度光ディスク）の記録層用色素として用いる際には、インドールスチリル化合物を適当に希釈したり、処理を施すことにより、記録層用色素として使用することが可能となる。また、必要な性質が備わっていれば、二種以上の本発明のインドールスチリル化合物からなる混合物や、本発明のインドールスチリルとほかの色素からなる混合物も、高密度光ディスクの記録層用色素に使用することができる。
【００４８】
（高密度記録媒体）
本発明の高密度記録媒体は、第１の基板、該第１の基板上に形成される本発明のインドールスチリル化合物からなる記録層、該記録層上に形成される反射層および該反射層上に配置される第２の基板からなる。
【００４９】
本発明の高密度記録媒体の製造方法を、図４を参照しながら説明する。
【００５０】
まず、複数のグルーブ１２が設けられた第１の基板１０を準備する。第１の基板１０は透明な絶縁材料からなり、その材料には、ポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）またはポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）などが用いられる。
【００５１】
第１の基板１０上には、記録層２０が形成される。記録層２０は、本発明のインドールスチリル化合物を有機溶剤に溶解して調製したインドールスチリル化合物溶液を第１の基板１０上に塗布し、加熱乾燥させて膜を形成することにより得られる。
【００５２】
インドールスチリル化合物を溶解させる有機溶剤としては、アルコール、ケトン、シクロアルカン、ハロゲン化合物、アミドなどがあげられる。アルコールとしては、炭素数が１〜６のアルコールが好ましく、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノールまたはヘキサフルオロブタノールなどが、ケトンとしては、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどが、シクロアルカンとしては、メチルシクロヘキサン（ＭＣＨ）などが、ハロゲン化合物としては、クロロホルム、ジクロロメタン、１−クロロブタンなどが、アミドとしては、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などが用いられる。これらの有機溶剤は、２種以上を混合して用いることもできる。
【００５３】
インドールスチリル化合物溶液からなる膜を第１の基板１０上に形成し、記録層２０を設ける方法としては、スピンコーティング、ディップコーティング、エンボス（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）、スタンピング（ｓｔａｍｐｉｎｇ）、真空蒸着またはスプレーコーティングなどがあげられる。最も好ましいのはスピンコーティングであり、回転数は５００〜５０００ｒｐｍとすることが好ましい。形成される記録層の膜厚は、５０〜３００ｎｍであることが好ましく、７０〜２５０ｎｍであることがより好ましい。
【００５４】
次に、記録層２０上に反射層３０を形成する。反射層３０は、高密度記録媒体としての光ディスクの要求を満たすべく、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、クロムまたはこれらの合金から形成されることが好ましい。反射層の厚さは、好ましくは５０〜２５０ｎｍである。
【００５５】
最後に、反射層３０上に、高分子膜である第２の基板４０を貼り合わせることにより、本発明の高密度記録媒体が完成する。第２の基板４０は、第１の基板１０と同様の透明な絶縁材料から形成される。第１の基板１０と第２の基板２０は、同一の材料から形成されることが好ましい。
【００５６】
また、反射層３０と第２の基板４０との貼り合わせが精度よく行なえるよう、第２の基板４０を形成する前に、反射層３０上に接着層を形成することが好ましい。接着層を形成する接着剤としては、多官能ポリメタクリルモノマーまたはオリゴマーを主成分とするものなどを用いることができる。
【００５７】
記録層に用いる本発明のインドールスチリル化合物の特殊な化学構造、立体構造より、本発明の高密度記録媒体の反射率は、一般の商用規格である４５％以上を満たすものである。
【００５８】
本発明の高密度記録媒体の可視光域（４００〜７００ｎｍ）の吸収係数（ε）は、好ましくは８×１０4ｃｍ-1以上である。
【００５９】
また、本発明の高密度記録媒体の搬送波対雑音電力比（ＣＮＲ）は、書き込みパワーが９ｍＷ以上のとき、５０ｄＢ以上であり、一般の商用規格である４５ｄＢ以上を満たすものである。
【００６０】
本発明の高密度記録媒体は、高密度光ディスクに使用される比較的短いレーザ光（６５０ｎｍ）に対応可能であるのみならず、きわめて優れた化学安定性と高いＣＮＲのため、高密度記録媒体の品質を向上をしうるものである。また、本発明の高密度記録媒体は、反射率が６０％以上に達するとともに、可視光域の波長も強く吸収することができ、かつ、ＣＮＲ値も規格値（書き込みのパワーが９ｍＷのときに５０ｄＢ以上）をこえており、公知の高密度記録媒体（反射率４５％、書き込みのパワーが９ｍＷのときのＣＮＲ値が約４５ｄＢ）に比べて格段に値が高くなる。
【００６１】
また、本発明の高密度記録媒体の製造方法によれば、記録層材料に用いるインドールスチリル化合物の有機溶媒への溶解性が公知の材料よりも優れているため、スピンコーティング、スプレーコーティングやディップコーティングなどの方式で塗布することによって、容易に記録層を形成することができる。
【実施例】
【００６２】
以下に、いくつかの実施例をあげ、図面と対応させながら本発明の方法、特徴および長所をより詳細に説明するが、これによって本発明の範囲が限定されることはなく、本発明の範囲は特許請求の範囲の記載を基準に決定されるものである。
【００６３】
（インドールスチリル化合物の調製）
以下、実施例１、２および３により、表１中のインドールスチリル化合物（３）、（５）および（１２）の調製方法を説明する。
【００６４】
実施例１
化合物（３）の合成
窒素雰囲気下、一般式Ａ１
【００６５】
【化４】
2005097242.tif 000011
【００６６】
で表わされる物質３．０ｇ、一般式Ａ２
【００６７】
【化５】
2005097242.tif 000012
【００６８】
で表わされる物質２．８ｇおよびメタノール４５ｍｌを丸底フラスコに入れ、攪拌しながら４８時間加熱還流したのち、さらにＮａＳｂＦ6１．０６ｇを加えて１６時間加熱還流を行ない、冷却した。続いて、得られた混合物をろ過し、乾燥させて、青紫色のインドールスチリル化合物（３）を固体として得た。物性分析を行なった結果、化合物（３）の最大吸収波長は５６８ｎｍ（ＵＶmax＝５６８ｎｍ）、吸収係数（ε）は１．１２×１０5ｃｍ-1であった。ＵＶ吸収スペクトルは、図１に示すとおりである。
【００６９】
実施例２
化合物（５）の合成
窒素雰囲気下、一般式Ａ３
【００７０】
【化６】
2005097242.tif 000013
【００７１】
で表わされる物質１．３ｇ、前記一般式Ａ２で表わされる物質０.４６ｇおよびエチルアルコール３０ｍｌを丸底フラスコに入れ、攪拌しながら１６時間加熱還流したのち、さらにＮａＳｂＦ6２．３ｇを加えて１６時間加熱還流を行ない、冷却した。続いて、得られた混合物をろ過し、乾燥させて緑色のインドールスチリル化合物（５）を固体として得た。物性分析を行なった結果、化合物（５）の最大吸収波長は５６７ｎｍ（ＵＶmax＝５６７ｎｍ）、吸収係数（ε）は１.１１×１０5ｃｍ-1であった。ＵＶ吸収スペクトルは、図２に示すとおりである。
【００７２】
実施例３
化合物（１２）の合成
窒素雰囲気下、一般式Ａ４
【００７３】
【化７】
2005097242.tif 000014
【００７４】
で表わされる物質１０ｇ、一般式Ａ２で表わされる物質４.８８ｇおよびエチルアルコール１００ｍｌを丸底フラスコに入れ、攪拌しながら１６時間加熱還流したのち、さらにＮａＳｂＦ6３．０ｇを加えて１８時間加熱還流を行ない、冷却した。続いて、得られた混合物をろ過し、乾燥させて青色のインドールスチリル化合物（１２）を固体として得た。物性分析を行った結果、化合物（１２）の最大吸収波長は５６４.５ｎｍ（ＵＶmax＝５６４.５ｎｍ）、吸収係数（ε）は１.１８×１０5ｃｍ-1であった。ＵＶ吸収スペクトルは、図３に示すとおりである。
【００７５】
（高密度光ディスクの製造）
次に、実施例４、５および６により、表１中のインドールスチリル化合物（１）、（２）および（９）を用いた高密度光ディスクの製造方法を説明する。
【００７６】
実施例４
化合物（１）を用いた高密度光ディスクの作製
インドールスチリル化合物（１）１．８ｇを、２,２,３,３−テトラフルオロプロパノールに溶解して、１００ｇの溶液に調製した。
【００７７】
続いて、調製した溶液をスピンコーターにより、複数のランドとグルーブを有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）基板上に塗布した。塗布のプロセスは次のとおりとした。
滴下プロセス：３０〜５００ｒｐｍ                  ２〜１０秒
拡散プロセス：１０００〜３０００ｒｐｍ          １０〜２０秒
乾燥プロセス：３０００〜５０００ｒｐｍ          １０〜２０秒
【００７８】
このような塗布により、基板上に厚さ６０〜１５０ｎｍの記録層を形成したのち、真空蒸着によってこの記録層上に厚さ５０〜２００ｎｍの金または銀からなる反射層を形成し、最後に、反射層および記録層に覆われた基板と、厚さ０．６ｍｍのもう一方のＰＣ基板とを貼り合わせて、厚さ１２０ｍｍの高密度光ディスクを完成させた。
【００７９】
得られた高密度光ディスクの書き込み、読み出しテストを、パルステック工業（株）製評価装置ＤＤＵ−１０００を用いて行なった。書き込みの条件は、線速度（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ＝ＣＬＶ）３．５ｍ／ｓ、波長６５８ｎｍ、開口率（ＮＡ）０．６とし、書き込みのパワーは６〜１４ｍＷに設定した。また、読み出しの条件は、線速度３．５ｍ／ｓ、波長６５８ｎｍ、開口率０．６とし、読み出しのパワーは０．５〜１．５ｍＷに設定した。高密度光ディスクの異なる書き込みパワーにおけるＣＮＲ値を、表２に示す。
【００８０】
【表２】
2005097242.tif 000015
【００８１】
表２からわかるように、得られた高密度光ディスクは、書き込みのパワーが８ｍＷ以上のときに、ＣＮＲ値が４５ｄＢ以上であった。
【００８２】
実施例５
化合物（２）を用いた高密度光ディスクの作製
インドールスチリル化合物（１）に代えて、インドールスチリル化合物（２）を用いた以外は、実施例４と同じ手順で高密度光ディスクを作製した。
【００８３】
続いて、得られた高密度光ディスクの書き込み、読み出しテストを、実施例４と同様にして行なった。高密度光ディスクの異なる書き込みパワーにおけるＣＮＲ値を、表３に示す。
【００８４】
【表３】
2005097242.tif 000016
【００８５】
表３からわかるように、得られた高密度光ディスクは、書き込みパワーが７ｍＷ以上となるとＣＮＲ値は４５ｄＢ以上となり、１１ｍＷ以上のときには、ＣＮＲ値は５８ｄＢ以上となった。
【００８６】
実施例６
化合物（９）を用いた高密度光ディスクの作製
インドールスチリル化合物（１）に代えて、インドールスチリル化合物（９）を用いた以外は、実施例４と同じ手順で高密度光ディスクを作製した。
【００８７】
続いて、得られた高密度光ディスクの書き込み、読み出しテストを、実施例４と同様にして行なった。高密度光ディスクの異なる書き込みパワーにおけるＣＮＲ値を、表４に示す。
【００８８】
【表４】
2005097242.tif 000017
【００８９】
表４からわかるように、得られた高密度光ディスクは、書き込みのパワーが８ｍＷ以上のときに、ＣＮＲ値が４５ｄＢ以上であった。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明のインドールスチリル化合物（３）の紫外線吸収スペクトルである。
【図２】本発明のインドールスチリル化合物（５）の紫外線吸収スペクトルである。
【図３】本発明のインドールスチリル化合物（１２）の紫外線吸収スペクトルである。
【図４】本発明の高密度記録媒体の断面概略図である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  第１の基板
１２  グルーブ
２０  記録層
３０  反射層
４０  第２の基板
【図１】
2005097242.tif 000023
【図２】
2005097242.tif 000024
【図３】
2005097242.tif 000025
【図４】
2005097242.tif 000026