(57)【要約】【課題】  対向配置された２つの切削ブレードを備えた切削装置において，双方の切削ブレードの消耗量が略均等になるように切削することの可能な切削方法を提供すること。【解決手段】  対向配置された第１及び第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂを具備する切削装置において，被加工物１２の略平行な複数本の切削ラインＬを切削する切削方法が提供される。この切削方法は，第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を測定する工程と；複数本の切削ラインＬのうち，第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの双方を使用して同時に切削不可能な切削ラインＬ４〜６を，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂのうち，消耗量が少ない方の切削ブレードを使用して切削するシングル切削工程と；を含むことを特徴とする。【選択図】  図３
2005217334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと，前記被加工物を切削する第１の切削ブレードおよび第２の切削ブレードと，前記第１の切削ブレードが装着される第１のスピンドルと，前記第２の切削ブレードが装着される第２のスピンドルとを備え，前記第１のブレードと前記第２のブレードとが対向するように，前記第１のスピンドルと前記第２のスピンドルとが軸方向を同一にして配設された切削装置において，前記被加工物の略平行な複数本の切削ラインを切削する切削方法であって：
前記第１および第２の切削ブレードの消耗量を測定する，消耗量測定工程と；
前記複数本の切削ラインのうち，前記第１および第２の切削ブレードの双方を使用して同時に切削不可能な切削ラインを，前記第１の切削ブレードと前記第２の切削ブレードのうち，前記測定された消耗量が少ない方の切削ブレードを使用して切削する，シングル切削工程と；
を含むことを特徴とする，切削方法。
【請求項２】
前記切削不可能な切削ラインとは，前記第１の切削ブレードと前記第２の切削ブレードとが前記第１および第２のスピンドルの軸方向に物理的に最接近できる間隔より狭い領域内に含まれる切削ラインであることを特徴とする，請求項１に記載の切削方法。
【請求項３】
前記消耗量測定工程は，前記被加工物の１つのチャンネルの切削毎に行われることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載の切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，対向配置された２つの切削ブレードによって被加工物を切削する切削装置における切削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，従来のシリコンウェハだけでなく，ガリウムヒ素（ＧａＡｓ），ガリウムリン（ＧａＰ），インジウムリン（ＩｎＰ）などの化合物半導体ウェハの需要が増加している。これらの化合物半導体ウェハを用いて製造されたＩＣは，シリコンＩＣと比較して，例えば５〜６倍もの高速で動作できる。例えば，シリコンＩＣでの電子移動度は例えば６０ｋｍ／時（電界１Ｖ／ｃｍ）であるのに対して，ガリウムヒ素ＩＣの電子移動度は例えば３００ｋｍ／時であり，約５倍もの速度で動作可能である。このため，上記化合物半導体デバイスは，シリコンデバイスでは特性的にカバーしきれないような，携帯電話等の移動体通信向け高周波デバイス用途や，光ディスク，光通信向け半導体レーザ用途などにおいて開発が進んでいる。また，最近では，窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体を使用した青紫色レーザなども注目されている。
【０００３】
これらの化合物半導体ウェハは，材質が脆いため大径のウェハを製造することが難しい。このため，かかる化合物半導体ウェハは，化合物半導体の種類によっても異なるが，通常では例えば２インチ程度の大きさであり，大きくても例えば４インチ程度の大きさである。
【０００４】
ところで，これらの化合物半導体ウェハ等をチップ状に分割するためには，高速回転する切削ブレードによって被加工物を切断する切削装置が使用される。この切削装置としては，１つの切削ブレードを具備しているものだけではなく，例えば，特許文献１に記載のように，対向配置された２つの切削手段を備えたタイプの切削装置（いわゆるデュアルダイサー等）も知られている。かかる切削装置においては，軸心が略同一の直線上に位置する２つのスピンドルに，第１および第２の切削ブレードがそれぞれ装着されており，双方の切削ブレードを被加工物に対して同時に作用させることができる。これにより，被加工物の２本の切削ライン（ストリート）を同時に切削加工できるため，切削効率を向上させることができる。
【０００５】
かかるタイプの切削装置では，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとを，半導体ウェハの中央部から両端部に向けて（或いは半導体ウェハの両端部から中央部に向けて）切削ライン間隔ずつ送り出して，半導体ウェハの同一方向にある複数の切削ラインを２本ずつ同時に切削している。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の２つの切削ブレードが対向配置されたタイプの切削装置では，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとがスピンドル軸方向に最も接近できる間隔が，切削ライン間隔より大きくなってしまう場合がある。特に，上記２インチの化合物半導体ウェハ等のように被加工物の大きさが非常に小さい場合には，複数本の切削ライン，あるいは切断ラインの大部分が，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとが最も接近できる間隔よりも狭い領域内に含まれてしまうことがある。このように最も接近させた２つの切削ブレード間に含まれてしまう切削ラインについては，いずれか一方の切削ブレードのみを使用して切削せざるを得ない。
【０００８】
また，１つの被加工物上に切削ラインが奇数本ある場合には，双方の切削ブレードで２本ずつ同時に切削ラインを切削していっても，最後の１本の切削ラインについては，いずれか一方の切削ブレードで切削せざるを得ない。
【０００９】
しかしながら，上記従来の切削装置では，上記のようにいずれか一方の切削ブレードで切削せざるを得ない場合において，かかる切削に使用する切削ブレードを，片方の切削ブレードに一義的に決めていた。このため，片方の切削ブレードだけが消耗するため，双方の切削ブレードの消耗量に偏りが生じてしまうという問題があった。
【００１０】
消耗した切削ブレードは新しい切削ブレードに交換する必要があるが，このブレード交換では，双方の切削ブレードを同時に交換するようにしないと，ブレード交換回数が増加して生産効率が低下してしまう。反面，さほど消耗していない一方の切削ブレードを，他方の消耗した切削ブレードの交換時に合わせて交換すると，切削ブレードが無駄になり，生産コストが増加してしまう。よって，生産効率と生産コストの両面からの要求を満たすためには，略均等に消耗した２つの切削ブレードを同時に交換することが求められる。
【００１１】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，対向配置された２つの切削ブレードを備えた切削装置において，双方の切削ブレードの消耗量が略均等になるように切削することの可能な，新規かつ改良された切削方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，対向配置された２つの切削ブレードを具備する切削装置によって，被加工物の略平行な複数本の切削ラインを切削する切削方法が提供される。この切削装置は，被加工物を保持するチャックテーブルと，被加工物を切削する第１の切削ブレードおよび第２の切削ブレードと，第１の切削ブレードが装着される第１のスピンドルと，第２の切削ブレードが装着される第２のスピンドルとを備え，第１のブレードと第２のブレードとが対向するように第１のスピンドルと第２のスピンドルとが軸方向を同一にして配設されている。このような切削装置における切削方法は，第１の切削ブレードおよび第２の切削ブレードの消耗量を測定する，消耗量測定工程と；複数の切削ラインのうち，第１および第２の切削ブレードの双方を使用して同時に切削不可能な切削ラインを，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードのうち，測定された消耗量が少ない方の切削ブレードを使用して切削する，シングル切削工程と；を含むことを特徴とする。
【００１３】
かかる構成により，第１および第２の切削ブレードの双方を使用して同時に切削不可能な切削ライン（デュアル切削不可能な切削ライン）が存在する被加工物を切削する際に，消耗量の少ない方の切削ブレードを選択して，デュアル切削不可能な切削ラインを切削するので，双方の切削ブレードの消耗量を略均等にすることができる。従って，略均等に消耗した第１及び第２の切削ブレードを同時に交換することが可能となる。
【００１４】
また，上記切削不可能な切削ラインとは，第１の切削ブレードと前記第２の切削ブレードとが第１および第２のスピンドルの軸方向に物理的に最接近できる間隔より狭い領域内に含まれる切削ラインであってもよい。
【００１５】
ここで，上記領域は，例えば，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとを，被加工物の両端部から中央部に向けて，スピンドルの軸方向に物理的に最も接近可能な位置まで接近させたときに，上記最接近させた第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとの間に挟まれる被加工物上の領域である。かかる領域に含まれる切削ラインは，第１および第２の切削ブレードの双方を使用して同時に切削不可能である。かかる領域に含まれる切削ラインの具体例としては，例えば，被加工物の切削ライン間隔が，上記第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとが最接近できる間隔より狭い場合において，被加工物の中央部付近で最接近させた第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとの間に位置する少なくとも１本の切削ライン等が挙げられる
【００１６】
また，上記切削不可能な切削ラインとは，奇数本（１本は除く。）の切削ラインを２本ずつ同時に切削した場合に余る１本の切削ラインであってもよい。
【００１７】
また，上記消耗量測定工程は，被加工物の１つのチャンネルの切削毎に行われるようにしてもよい。これにより，消耗量測定に要する時間的なロスと，消耗量の偏りを的確に是正するために必要な測定頻度との双方を考慮した好適なタイミングで，消耗量を測定して，シングル切削工程で使用する切削ブレードを変更することができる。なお，チャンネルとは，被加工物において同一方向にある全ての切削ラインをいう。
【００１８】
また，上記切削方法において，上記消耗量測定工程と；上記シングル切削工程と；デュアル切削工程と；を任意の工程順で含むようにしてもよい。ここで，デュアル切削工程は，上記シングル切削工程で切削される切削ライン以外の切削ラインを（デュアル切削可能な切削ライン）を，第１および第２の切削ブレードの双方を使用して２本ずつ同時に切削する工程である。かかる構成により，２つの切削ブレードを使用したデュアル切削と，１つの切削ブレードのみを使用したシングル切削とを好適に使い分けて，被加工物を効率的に切削することができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように本発明によれば，第１及び第２の切削ブレードの消耗量を略均等にすることができるので，第１及び第２の切削ブレードを同時に交換することができる。このため，ブレード交換作業回数を低減して生産効率を向上できる。さらに，双方の切削ブレードを十分に使い切ることができるので，切削ブレードの浪費を防止して，生産コストを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２１】
（第１の実施形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかる切削装置およびこの切削装置における切削方法について説明する。
【００２２】
まず，図１に基づいて，本実施形態にかかる切削装置として構成されたダイシング装置１０について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるダイシング装置１０の外観構成を示す斜視図であり，図２は，本実施形態にかかるダイシング装置１０の主要な内部構成を示す斜視図である。
【００２３】
図１および図２に示すように，ダイシング装置１０は，例えば，半導体ウェハ１２などの被加工物を保持するチャックテーブル３０と，チャックテーブル３０に保持された被加工物を切削する第１の切削手段２０ａおよび第２の切削手段２０ｂと，チャックテーブル３０を例えばＸ軸方向に移動させるチャックテーブル移動機構３００と，第１の切削手段２０ａおよび第２の切削手段２０ｂを例えばＹ軸およびＺ軸方向に移動させる切削手段移動機構４００と，第１の切削手段２０ａおよび第２の切削手段２０ｂにそれぞれ設けられた第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量等を測定する例えば２つのブレード検出手段６０と，表示装置７０と，制御装置８０とを備える。このように，ダイシング装置１０は，例えば，２つの切削手段２０ａ，２０ｂが対向配置されたいわゆる対面型のデュアルダイサーとして構成されている。
【００２４】
本実施形態では，このダイシング装置１０が切削加工する被加工物として，例えば，ガリウムヒ素（ＧａＡｓ），ガリウムリン（ＧａＰ），インジウムリン（ＩｎＰ），窒化ガリウム（ＧａＮ）等の化合物半導体で形成された化合物半導体ウェハ１２（以下では「半導体ウェハ１２」という）の例を挙げて説明する。この半導体ウェハ１２は，例えば，半導体デバイス（半導体素子）が縦横に等間隔に配された比較的小径（例えば２インチ，４インチ）の略円板状の半導体ウェハである。かかる半導体ウェハ１２は，上記各半導体デバイスの間に位置する切削ライン（ストリート）に沿って切削加工されることで，複数の半導体チップに分割される。なお，半導体ウェハ１２の加工面上で同一方向に延びる全ての切削ラインを第１チャンネルといい，一方，半導体ウェハ１２の加工面上で上記第１チャンネルと交差する方向（例えば略直交する方向）に延びる全ての切削ラインを第２チャンネルという。従って，この第１チャンネルおよび第２チャンネルの双方を切断することにより，半導体ウェハ１２が略格子状にダイシングされる。
【００２５】
チャックテーブル３０は，半導体ウェハ１２を保持・固定するチャック手段として構成されている。このチャックテーブル３０は，例えば，その上面に真空チャック機構を具備しており，ウェハテープ１３を介してフレーム１４に支持された状態の半導体ウェハ１２を真空吸着して保持することができる。また，チャックテーブル３０は，例えば，半導体ウェハ１２を保持した状態で，電動モータ（図示せず。）によって水平方向に例えば９０°回転して，切削されるチャンネルを例えば第１チャンネルから第２チャンネルに変更することもできる。
【００２６】
このチャックテーブル３０の下方には，チャックテーブル移動機構３００が設けられている。このチャックテーブル移動機構３００は，図２に示すように，例えば，チャックテーブル３０を略水平に支持するチャックテーブル支持部材３２と，略水平な基台３９上にＸ軸方向に延長するように配設され，チャックテーブル支持部材３２のＸ軸方向の移動をガイドする一対の第１のガイドレール３４と，第１のガイドレール３４の間にＸ軸方向に延長するように配設され，チャックテーブル支持部材３２の下部と螺合し，第１の電動モータ３８によって回転駆動される第１のボールスクリュー３６と，からなる。かかるチャックテーブル移動機構３００は，第１のボールスクリュー３６を回転させてチャックテーブル支持部材３２を第１のガイドレール３４に沿ってＸ軸方向に移動させることにより，チャックテーブル３０および半導体ウェハ１２をＸ軸方向に移動させることができる。
【００２７】
第１の切削手段２０ａは，例えば，略リング形状を有する極薄の第１の切削ブレード２２ａと，Ｙ軸方向に延長するよう配設された回転軸であって，先端部に第１の切削ブレード２２ａが装着され，他端部に連結された電動モータ２３ａによって高速回転する第１のスピンドル２４ａと，第１の切削ブレード２２ａを両側より挟持した状態で第１のスピンドル２４ａに軸着されるフランジ２１ａと，第１のスピンドル２４ａを回転自在に支持するスピンドルハウジング２６ａと，第１の切削ブレード２２ａの外周を覆って切削水や切り屑などの飛散を防止するホイルカバー２８ａと，加工点に切削水を供給して冷却する切削水供給ノズル（図示せず。）とを備える。
【００２８】
かかる構成の第１の切削手段２０ａは，第１のスピンドル２４ａの回転駆動力により第１の切削ブレード２２ａを高速回転させながら半導体ウェハ１２に切り込ませることにより，半導体ウェハ１２をＸ軸方向に切削して極薄のカーフを形成することができる。なお，この切削加工は，半導体ウェハ１２を完全に切断するフルカットであってもよいし，或いは所定の切り込み深さまで切削するハーフカットであってもよい。
【００２９】
また，第２の切削手段２０ｂは，例えば，第２の切削ブレード２２ｂ，第２のスピンドル２４ｂ，スピンドルハウジング２６ｂおよびホイルカバー２８ｂ等を具備しており，第２の切削ブレード２２ｂの配設向きが逆向きであることを除いては，上記第１の切削手段２０ａと略同一の機能構成を有するので，その詳細説明は省略する。
【００３０】
かかる第１の切削手段２０ａおよび第２の切削手段２０ｂは，第１のスピンドル２４ａと第２の切削手段２０ｂの第２のスピンドルと２４ｂの軸芯が，例えば，Ｙ軸方向に延びる略同一直線上にあり，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとが相互に対向するように配設されている。このため，第１の切削ブレード２２ａと，第２の切削ブレード２２ｂとは，切削方向であるＸ軸方向に略平行となるように配置されており，平行な２つの切削ラインを同時に切削可能である。
【００３１】
また，上記のような第１および第２の切削手段２０ａ，２０ｂの一側には，例えば，第１および第２の切削手段２０ａ，２０ｂをＹ軸およびＺ軸方向にそれぞれ移動させる切削手段移動機構４００が設けられている。この切削手段移動機構４００は，概略的には，例えば，第１および第２の切削手段２０ａ，２０ｂをそれぞれ吊持する第１および第２の吊持部４０ａ，４０ｂと，支持部材５０および第２のガイドレール５４からなる吊持部支持手段と，第２のボールスクリュー５６及び第２の電動モータ（図示せず。）とからなる駆動機構と，から構成されている。
【００３２】
より詳細には，支持部材５０は，例えば，略垂直に起立した略門型の板状部材であり，チャックテーブル３０の移動経路を跨ぐように配設されている。この支持部材５０には，例えば，Ｙ軸方向に延長して配置され，切削手段２０ａ，２０ｂおよび吊持部４０ａ，４０ｂのＹ軸方向の移動をガイドする一対の第２のガイドレール５４と，第２のガイドレール５４の間にＹ軸方向に延長して配置され，切削手段２０ａ，２０ｂおよび吊持部４０ａ，４０ｂをＹ軸方向に移動させる第２のボールスクリュー５６と，が配設されている。この第２のボールスクリュー５６は，吊持部４０ａ，４０ｂの被支持部材４２ａ，４２ｂに装着された駆動ナット（図示せず。）とそれぞれ螺合しており，この各駆動ナットを各被支持部材４２ａ，４２ｂが備えた第２の電動モータ（図示せず。）によってそれぞれ回転させることによって，各被支持部材４２ａ，４２ｂをＹ軸方向に個別に移動させることができる。また，支持部材５０および第２のガイドレール５４は，各吊持部４０ａ，４０ｂをＹ軸方向に移動可能に支持することができる。
【００３３】
かかる構成の支持部材５０，第２のガイドレール５４および駆動機構は，吊持部４０ａ，４０ｂを第２のガイドレール５４に沿ってＹ軸方向に移動させることにより，吊持部４０ａ，４０ｂによって吊持された切削手段２０ａ，２０ｂをＹ軸方向に移動させ，切削ブレード２２ａ，２２ｂの刃先を半導体ウェハ１２の各切削ラインに位置合わせすることができる。
【００３４】
また，吊持部４０ａ，４０ｂは，例えば，切削手段２０ａ，２０ｂを上方から吊持する機能と，切削手段２０ａ，２０ｂをＺ軸方向に移動させる機能とを有する。より詳細には，この吊持部４０ａ，４０ｂは，例えば，各切削手段２０ａ，２０ｂのスピンドルハウジング２６ａ，２６ｂと連結され，各切削手段２０ａ，２０ｂを吊持する吊持部材４１ａ，４１ｂと，上記第２のガイドレール５４によって支持される被支持部材４２ａ，４２ｂと，被支持部材４２ａ，４２ｂ上にＺ軸方向に配設され，吊持部材４１ａ，４１ｂおよび切削手段２０ａ，２０ｂのＺ軸方向の移動をガイドする一対の第３のガイドレール４４ａ，４４ｂと，被支持部材４２ａ，４２ｂに配設され，吊持部材４１ａ，４１ｂおよび切削手段２０ａ，２０ｂをＺ軸方向に移動させる駆動機構である第３の電動モータ４８ａ，４８ｂ及び第３のボールスクリュー４６ａ，４６ｂと，から構成される。この第３のボールスクリュー４６ａ，４６ｂは，吊持部材４１ａ，４１ｂと螺合しており，吊持部材４１ａ，４１ｂを支持するとともに，第３の電動モータ４８ａ，４８ｂによって回転駆動されて吊持部材４１ａ，４１ｂをＺ軸方向に昇降させることができる。
【００３５】
かかる構成の吊持部４０ａ，４０ｂは，第３のボールスクリュー４６ａ，４６ｂを回転させて吊持部材４１ａ，４１ｂを第３のガイドレール４４ａ，４４ｂに沿ってＺ軸方向に移動させることにより，切削手段２０ａ，２０ｂをＺ軸方向に移動させ，半導体ウェハ１２に対する切削ブレード２２ａ，２２ｂの切り込み深さを調整することができる。また，吊持部４０ａ，４０ｂは，切削手段２０ａ，２０ｂの消耗量を測定するときには，切削手段２０ａ，２０ｂをＺ軸方向に下降させて，ブレード検出手段６０のセンサ間に挿入することもできる。
【００３６】
また，図２に示すブレード検出手段６０は，例えば，第１の切削手段２０ａと第２の切削手段２０ｂにそれぞれ対応して，２つ配設されている。このブレード検出手段６０は，例えば，光学センサなどを備え，第１の切削ブレード２２ａまたは第２の切削ブレード２２ｂの刃先位置を検出して，各切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を測定したり，各切削ブレード２２ａ，２２ｂのＺ軸方向のセットアップ位置を決定したりすることができる。なお，このブレード検出手段６０の詳細については後述する。
【００３７】
また，図１に示す表示装置７０は，ＣＲＴやＬＣＤ等で構成されたモニタである。この表示装置７０は，例えば，カーフチェック時の画像や，アライメント処理情報，ダイシング装置１０の各種制御情報，ブレード交換が必要である旨の通知などを表示する。
【００３８】
また，制御装置８０は，例えばダイシング装置１０の内部に配設され，例えば，ＣＰＵ等で構成された制御部と，ＲＯＭ，ＲＡＭ，ハードディスク等で構成され各種のデータやコンピュータプログラムを記憶する記憶部と，を備える。この制御装置８０は，オペレータ入力や，予め設定された条件等に基づいて，上記各部の動作を制御する機能を有する。また，この制御装置８０は，上記ブレード検出手段６０の検出結果に基づいて，ブレード交換が必要であるか否かを判断したり，或いは，消耗量が少ない方の切削ブレードを選択したりすることができるが，詳細は後述する。
【００３９】
以上のような構成のダイシング装置１０は，高速回転させた切削ブレード２２ａ，２２ｂを半導体ウェハ１２に所定の切り込み深さで切り込ませながら，第１および第２の切削手段２０ａ，２０ｂとチャックテーブル３０とを例えばＸ軸方向に相対移動させる。これにより，第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの双方を使用して，半導体ウェハ１２上の略平行な２本の切削ラインを同一ストロークで同時に切削（以下，「デュアル切削」という。）することができる。かかるデュアル切削加工を，同一方向にある略平行な複数の切削ライン（第１チャンネル）について繰り返した後に，半導体ウェハ１２を例えば９０°回転させ，新たにＸ軸方向に配された略平行な複数の切削ライン（第２チャンネル）について同様のデュアル切削加工を繰り返すことにより，半導体ウェハ１２をダイシング加工して，複数の半導体チップに分割することができる。
【００４０】
ただし，次の図３で説明するように，上記ダイシング装置１０は，必ずしも同一チャンネル内の全ての切削ラインについて上記デュアル切削を実行できるわけではなく，いずれか一方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂののみを使用して切削ラインＬを１本ずつ切削（以下，「シングル切削」という。）しなければならない場合がある。
【００４１】
ここで，図３に基づいて，本実施形態にかかるダイシング装置１０における第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂと，半導体ウェハ１２の切削ラインＬとの位置関係について説明する。なお，図３は，本実施形態にかかるダイシング装置１０における第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂと，半導体ウェハ１２の切削ラインＬとの位置関係を示す平面図である。
【００４２】
図３に示すように，第１の切削手段２０ａでは，例えば，フランジ２１ａによって第１の切削ブレード２２ａを両側より挟持し，かかるフランジ２１ａをナット２５ａで締結することによって，第１の切削ブレード２２ａが第１のスピンドル２４ａに装着されている。同様に，第２の切削手段２０ｂでは，例えば，フランジ２１ｂによって第２の切削ブレード２２ｂを両側より挟持し，かかるフランジ２１ｂをナット２５ｂで締結することによって，第２の切削ブレード２２ｂが第２のスピンドル２４ｂに装着されている。
【００４３】
このようなブレード装着機構では，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとの間には，例えば，フランジ２１ａ，２１ｂの一側やナット２５ａ，２５ｂなどが配設されている。このため，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとを，スピンドル２４ａ，２４ｂの軸方向（Ｙ軸方向）に極力接近させようとしても，双方が接近できる間隔は，装置構成上物理的に制限される。この第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとがＹ軸方向に物理的に最も接近できる間隔（以下，「ブレード間最小間隔」という。）は，装置構成によって異なるが，例えば３０ｍｍ程度である。
【００４４】
一方，図３に示す半導体ウェハ１２は，例えば２インチの化合物半導体ウェハであり，その表面上には，第１チャンネルとして例えば９本の平行な切削ラインＬ１〜９が等間隔で配されている。なお，この切削ラインＬは，必ずしも半導体ウェハ１２の表面上で視認可能なラインであるわけではなく，例えば，ダイシング装置１０のアライメント手段（図示せず。）等によるパターンマッチング処理などによって，半導体ウェハ１２内の各半導体デバイスの間に定められる仮想のラインである場合をも含む。
【００４５】
かかる半導体ウェハ１２では，図３に示すように，相隣接する切削ラインＬの間隔が，上記ブレード間最小間隔より小さい。このため，上記のように第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとを半導体ウェハ１２の両端側から中心部に向けてＹ軸方向に最接近させた場合において，この最接近させた第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとの間に挟まれる半導体ウェハ１２表面上の領域Ａ（図３でハッチングを付した領域）には，切削ラインＬ４〜６が含まれることになる。なお，この領域Ａは，本実施形態にかかる「第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとがスピンドルの軸方向に物理的に最接近できる間隔より狭い領域」に該当する。
【００４６】
このように，最接近させた第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとの間に挟まれた領域Ａに配置される切削ラインＬ４〜６については，デュアル切削不可能であり，第１の切削ブレード２２ａまたは第２の切削ブレード２２ｂのいずれかを使用してシングル切削せざるを得ない。
【００４７】
具体的には，図３の例では，実線で示す切削ラインＬ１〜３およびＬ７〜９は，Ｙ軸方向に物理的に最接近させた第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとの外側の領域に位置している。このため，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂの双方を使用して，例えばＬ１とＬ９，Ｌ２とＬ８，Ｌ３とＬ７を２本ずつ同時に切削（デュアル切削）可能である。
【００４８】
これに対し，破線で示す切削ラインＬ４〜６は，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとがＹ軸方向に物理的に最接近できる間隔より狭い領域Ａ内に位置している。このため，かかる領域Ａ内に含まれる２つの切削ラインＬをデュアル切削することは不可能であり，第１の切削ブレード２２ａまたは第２の切削ブレード２２ｂのいずれか一方のみを使用して，切削ラインＬ４〜６を１本ずつ切削（シングル切削）しなければならない。
【００４９】
このように，図３に示す第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂと，２インチの半導体ウェハ１２の切削ラインＬとの位置関係の例では，「切削ライン間隔＜ブレード間最小間隔＜ウェハ径」となっている。このため，一部の切削ラインＬ１〜３，Ｌ７〜９についてはデュアル切削可能であるが，その他の切削ラインＬ４〜６についてはシングル切削せざるを得ない。
【００５０】
また，図示はしないが，例えば，切削ブレード２２ａ，２２ｂと切削ラインＬとの位置関係が，「ウェハ径＜ブレード間最小間隔」となる場合には，半導体ウェハ１２の全ての切削ラインＬについて，シングル切削せざるを得ない。
【００５１】
また，図示はしないが，半導体ウェハ１２が，例えば，比較的大径である例えば１２インチのシリコンウェハ等であり，「ブレード間最小間隔＜切削ライン間隔」となる場合であっても，１つのチャンネルに含まれる切断ラインＬ数が奇数本である場合には，切削ラインＬを２本ずつ同時にデュアル切削したときに，最後に余る１本の切削ラインＬについては，いずれか一方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂでシングル切削せざるを得ない。
【００５２】
以上のように，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂを備えたダイシング装置１０であっても，半導体ウェハ１２の一部あるいは全部の切削ラインＬをシングル切削しなければならない場合がある。このようなシングル切削を行う場合に，従来のようにいずれか一方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂを一義的に使用していたのでは，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量（摩耗量，破損量等を含む。）に差が生じてしまうので，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂを同時に交換することができない。
【００５３】
かかる問題を解決すべく，本実施形態にかかる切削方法は，第１または第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂのうち消耗量が少ない方の切削ブレードを選択して，シングル切削を行うことを特徴としている。かかる消耗量に応じた切削ブレード２２ａ，２２ｂの使い分けを行うためには，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を例えば定期的に測定し，測定した消耗量に応じて，消耗量が少ない方の切削ブレード２２ａ，２２ｂを選択する処理を行う必要がある。
【００５４】
ここで，図４に基づいて，本実施形態にかかるブレード検出手段６０および制御装置８０の各部の構成について説明する。なお，図４は，本実施形態にかかるブレード検出手段６０および制御装置８０の各部の構成を示すブロック図である。
【００５５】
図４に示すように，ブレード検出手段６０は，例えば，切削ブレード２２ａ，２２ｂのＺ軸方向のセットアップ位置をそれぞれ検出する非接触セットアップ手段として構成されている。このブレード検出手段６０は，図１に示したように，例えば，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂにそれぞれ対応して２つ設けられており，各切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置を個別に検出する。かかる２つのブレード検出手段６０は実質的に略同一の構成を有するので，図４では一方のブレード検出手段６０のみを図示してある。
【００５６】
図４に示すように，ブレード検出手段６０は，例えば，発光部６１と受光部６２とが対向して配設されたセンサ本体部６３と，光源６４と，光電変換部６５と，電圧比較部６６と，基準電圧設定部６７と，基準位置検出部６８と，を備える。
【００５７】
センサ本体部６３は，例えば，中央部に，上方より切削ブレード２２ａ，２２ｂを挿入するための挿入スペース６３１が形成されており，この挿入スペース６３１の一側には発光部６１が，他側には受光部６２が装着されている。発光部６１は，発光素子等からなり，光ファイバを介して光源６４に接続されており，この光源６４からの光を受光部６２に向けて発光する。一方，受光部６２は，受光素子等からなり，発光部６２が発光した光を受光して，光ファイバを介して光電変換部６５に送る。光電変換部６５は，受光部６２から送られてきた光を光電変換して，受光部６２の受光量に応じた電圧を電圧比較部６６に出力する。
【００５８】
また，基準電圧設定部６７は，例えばユーザ入力等に応じて，基準電圧（セットアップ電圧；例えば３Ｖ）を設定して，この基準電圧を電圧比較部６６に出力する。この基準電圧は，オペレータが所望する切り込み深さが得られるような切削ブレード２２ａ，２２ｂのＺ軸方向の位置に対応した電圧値に設定される。従って，光電変換部６５の出力電圧がこの基準電圧となる位置に切削ブレード２２ａ，２２ｂをセットアップすれば，所望の切り込み深さが得られることになる。
【００５９】
電圧比較部６６は，上記光電変換部６５からの出力電圧と，上記基準電圧設定部６７によって設定された基準電圧とを比較し，光電変換部６５からの出力電圧が基準電圧に達した時点で，その旨の信号を基準位置検出部６８に出力する。また，基準位置検出部６８には，例えば，リニアスケール２４２による検出値が入力される。このリニアスケール２４２は，切削ブレード２２ａ，２２ｂが装着されているスピンドル２４ａ，２４ｂのＺ方向の位置を検出する。
【００６０】
かかる構成のブレード検出手段６０を用いて，例えば第１の切削ブレード２２ａのＺ軸方向（切り込み方向）のセットアップ位置を検出する場合には，まず，第１の切削ブレード２２ａをＺ軸方向に下降させ，上記発光部６１と受光部６２との間隙に挿入していく。このとき，第１の切削ブレード２２ａが発光部６１と受光部６２との間を全く遮っていない場合は，受光部６２の受光量は最大となり，光電変換部６５の出力電圧も最大（例えば５Ｖ）となる。次いで，第１の切削ブレード２２ａがより深く挿入されて，発光部６１と受光部６２との間を遮る量が増加するにつれ，光電変換部６５の出力電圧が例えば５Ｖから徐々に減少する。そして，光電変換部６５の出力電圧が上記基準電圧（例えば３Ｖ）まで降下したとき，電圧比較部６６は，光電変換部６５の出力電圧が基準電圧に達した旨の信号を基準位置検出部６８に出力する。このとき，基準位置検出部６８は，第１のスピンドル２４ａのＺ軸方向の位置を検出するリニアスケール２４２の値を，第１の切削ブレード２２ａのセットアップ位置として検出して，記憶する。なお，第２の切削ブレード２２ｂのセットアップ位置も，上記第１の切削ブレード２２ａの場合と同様にして検出される。
【００６１】
以上のように，ブレード検出手段６０は，例えば，切削ブレード２２ａ，２２ｂが発光部６１と受光部６２との間隙を降下する際，受光部６２の受光量応じて減少する出力電圧が基準電圧に達した瞬間を捉えて，切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置を検出する。このように検出されたセットアップ位置まで，切削ブレード２２ａ，２２ｂを降下させてセットアップすることによって，切削ブレード２２ａ，２２ｂの下端の刃先位置を好適な高さに調整して，所望の切り込み深さを得ることができる。なお，かかる切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ処理は，例えば，半導体ウェハ１２の１つのチャンネルの切削毎になされるが，かかる例に限定されず，例えば，１本または任意の複数本の切削ラインＬの切削毎や，１枚の半導体ウェハ１２の切削毎（即ち，第１チャンネルおよび第２チャンネルの切削毎），或いは任意の複数枚の半導体ウェハ１２の切削毎，などに行ってもよい。
【００６２】
ところで，上記セットアップ位置は，切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量と相関がある。即ち，消耗が激しい切削ブレード２２ａ，２２ｂは，外径が小さくなるため，セットアップ位置が比較的低い位置となる。一方，さほど消耗していない切削ブレード２２ａ，２２ｂは，外径が大きいため，セットアップ位置が比較的高い位置になる。従って，上記ブレード検出手段６０によって検出されたセットアップ位置に基づいて，切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を判断することができる。このように，本実施形態にかかるブレード検出手段６０は，切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を測定する消耗量測定手段としても構成されている。
【００６３】
そこで，本実施形態にかかるダイシング装置１０では，図４に示すように，例えば制御装置８０に，切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量に応じて所定の処理を行う各部が設けられている。具体的には，制御装置８０は，例えば，消耗量判断部８２と，ブレード交換通知部８４と，選択ブレード指示部８６とを備える。
【００６４】
消耗量判断部８２は，上記ブレード検出手段６０によって検出された第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置に基づいて，各切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を判断し，ブレード交換の要否を判断したり，消耗量の少ない方の切削ブレード２２ａ，２２ｂを選択したりする処理を行う。
【００６５】
より詳細には，消耗量判断部８２は，例えば，検出された第１および第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置が，正常な切削加工が可能な所定の許容範囲内にあるか否かに基づいて，ブレード交換が必要であるか否かを判断する。上述したように，過度に消耗した切削ブレードは，外径が過度に小さくなるためセットアップ位置が低くなる。このため，消耗量判断部８２は，例えば，検出された切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置が上記許容範囲の下限値未満となる場合には，切削ブレード２２ａ，２２ｂが過度に消耗し交換が必要な状態にあると判断し，ブレード交換通知部８４にその旨の信号を出力する。
【００６６】
ブレード交換通知部８４は，上記消耗量判断部８２からの信号に応じて，第１及び／又は第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの交換が必要である旨をオペレータに対して通知する。この通知処理は，例えば，表示装置７０に，交換が必要である旨のテキストデータを表示させたり，所定のランプを点灯させたり，或いは警告音を発音したりすることによってなされる。かかるブレード交換通知部８４の通知処理により，切削ブレード２２ａ，２２ｂが交換を要するほど消耗した場合には，オペレータに対して自動的に通知できるので，オペレータは消耗した切削ブレード２２ａ，２２ｂを的確なタイミングで交換できる。
【００６７】
また，消耗量判断部８２は，上記検出された切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置に基づいて，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂのうち消耗量の少ない方を選択する。上述したように，同一のタイプの切削ブレードであれば，検出されたセットアップ位置が高いほど，消耗量が少ないといえる。従って，消耗量判断部８２は，第１の切削ブレード２２ａのセットアップ位置と，第２の切削ブレード２２ｂのセットアップ位置とを比較することによって，セットアップ位置が高い方の切削ブレードを，消耗量が少ない切削ブレードとして選択する。なお，ブレード交換直後など，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量が同一である場合には，消耗量判断部８２は，いずれの切削ブレード２２ａ，２２ｂを選択してもよい。消耗量判断部８２は，上記のように選択した消耗量が少ない方の切削ブレードを表すブレード選択情報を，選択ブレード指示部８６に出力する。
【００６８】
選択ブレード指示部８６は，上記シングル切削時において，上記消耗量判断部８２によって選択された消耗量の少ない方の切削ブレード（第１の切削ブレード２２ａまたは第２の切削ブレード２２ｂ）を使用して切削を行うように，切削手段駆動機構４００を制御する。
【００６９】
このような構成により，例えば半導体ウェハ１２の１つのチャンネルの切削毎に，第１の切削ブレード２２ａまたは第２の切削ブレード２２ｂのうち消耗量が少ない方を自動的に選択してシングル切削することができる。このため，複数回のシングル切削が繰り返されることで，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂがシングル切削に同程度使用されるようになるので，双方の消耗量を略均等にすることができる。
【００７０】
以上，図４に基づいて，本実施形態にかかるブレード検出手段６０および制御装置８０の各部の構成について説明した。なお，上記制御装置８０の消耗量判断部８２，ブレード交換通知部８４，選択ブレード指示部８６などは，例えば，コンピュータに上記各処理を行わせるコンピュータプログラムを制御装置８０等に組み込むことによってソフトウエア的に構成されてもよいし，或いは，上記各処理を行う専用回路等を設置することによってハードウェア的に構成されてもよい。
【００７１】
次に，図５及び図６に基づいて，以上のような構成のダイシング装置１０を用いた切削方法について説明する。なお，図５は，本実施形態にかかるダイシング装置１０を用いた切削方法を示すフローチャートである。また，図６は，本実施形態にかかるダイシング装置１０を用いた切削方法によって切削される半導体ウェハ１２を示す平面図であり，図６中の番号（丸数字，ギリシャ数字）は各切削ラインＬの切削順序を表している。
【００７２】
図５に示すように，まず，ステップＳ１０２では，例えば上記ブレード検出手段６０によって，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂの消耗量が測定される（ステップＳ１０２；消耗量測定工程）。より詳細には，例えば，上記ブレード検出手段６０によって，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂの上記セットアップ位置がそれぞれ検出される。上述したように，この検出されたセットアップ位置は，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂの消耗量に対応しているので，かかるセットアップ位置を検出することによって，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量が測定されたことになる。このように，本実施形態にかかるダイシング装置１０では，既存の非接触セットアップ手段であるブレード検出手段６０を用いて，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量が自動的に測定される。
【００７３】
次いで，ステップＳ１０４では，例えば上記消耗量判断部８２によって，ブレード交換が必要か否かが判断される（ステップＳ１０４）。より詳細には，例えば，上記ステップＳ１０２で検出された切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置のうち少なくともいずれか一方が，上記セットアップ位置の許容範囲外にある場合には，消耗量判断部８２は，少なくともいずれかの切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗が激しいため交換が必要であると判断する。この場合には，ステップＳ１０６に進み，例えば，上記ブレード交換通知部８４によってブレード交換が必要である旨が通知され，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂの双方が例えば手動で同時に交換される。このように双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂを同時に交換することにより，個別に交換する場合と比してブレード交換作業回数を低減できるので，生産効率を向上できる。
【００７４】
一方，検出されたセットアップ値の双方が，上記セットアップ位置の許容範囲内にある場合には，消耗量判断部８２は，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂがさほど消耗しておらず，ブレード交換が不要であると判断する。この場合には，切削ブレード２２ａ，２２ｂを交換することなく，ステップＳ１０８に進む。
【００７５】
さらに，ステップＳ１０８では，例えば上記消耗量判断部８２によって，次のシングル切削工程で使用される切削ブレードが選択される（ステップＳ１０８；ブレード選択工程）。より詳細には，消耗量判断部８２は，上記ステップＳ１０２で検出された切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置に基づいて，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂのうち消耗量の少ない方の切削ブレードを，次のシングル切削工程で使用する切削ブレードに選択する。この選択処理では，例えば，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂのうち，上記検出されたセットアップ位置が高い方（即ちＺ軸方向上方に位置する方）の切削ブレードが，外径が大きく消耗量が少ないと判断され，シングル切削工程で使用する切削ブレードに選択される。
【００７６】
その後，ステップＳ１１０では，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂの双方を使用して，半導体ウェハ１２の切削ラインＬが２本ずつ同時に切削される（ステップＳ１１０；デュアル切削工程）。具体的には，例えば，図６に示すように，第１の切削ブレード２２ａおよび第２の切削ブレード２２ｂを，半導体ウェハ１２のＹ軸方向の両端部から中央部に向けて，切削ラインＬ間隔ずつ順次送り出して，切削ラインＬ１〜３およびＬ９〜７が２本ずつ同時に切削される。
【００７７】
即ち，まず，１回目のストローク（図６では「丸１」で示す。）では，第１の切削ブレード２２ａによって切削ラインＬ９が切削されると同時に，第２の切削ブレード２２ｂによって切削ラインＬ１が切削される。次いで，２回目のストローク（「丸２」で示す。）では，第１の切削ブレード２２ａによって切削ラインＬ８が切削されると同時に，第２の切削ブレード２２ｂによって切削ラインＬ２が切削される。さらに，３回目のストローク（「丸３」で示す。）では，第１の切削ブレード２２ａによって切削ラインＬ７が切削されると同時に，第２の切削ブレード２２ｂによって切削ラインＬ３が切削される。
【００７８】
このように，デュアル切削では，例えば３回のストロークで６本の切削ラインＬ１〜３およびＬ７〜９を切削できるので，切削効率が高い。しかし，上記図３で説明したように，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとが物理的に最接近できる間隔が，切削ラインＬ間隔よりも大きいため，半導体ウェハ１２のＹ軸方向の中心部にある例えば３本の切削ラインＬ４〜６については，本ステップでデュアル切削することができない。
【００７９】
なお，上記デュアル切削工程では，半導体ウェハ１２の両端部から中央部にかけて切削ラインＬを２本ずつ順次切削したが，かかる例に限定されず，半導体ウェハ１２の中央部から両端部にかけて切削ラインＬを２本ずつ順次切削する（図６の例では，Ｌ３，Ｌ７→Ｌ２，Ｌ８→Ｌ１，Ｌ９の順に切削する）ようにしてもよい。
【００８０】
次いで，ステップＳ１１２では，第１の切削ブレード２２ａまたは第２の切削ブレード２２ｂのいずれか一方のみを使用して，半導体ウェハ１２の切削ラインＬが１本ずつ切削される（ステップＳ１１２；シングル切削工程）。具体的には，上記選択ブレード指示部８６によって，上記ステップＳ１０８で選択された消耗量の少ない方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂを使用してシングル切削を行うように，切削手段移動機構４００が制御される。これにより，例えば，図６に示すように，消耗量の少ない方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂを，Ｙ軸方向に切削ラインＬ間隔ずつ送り出して，半導体ウェハ１２の中央部にある切削ラインＬ４〜６が一側から順次切削される。
【００８１】
即ち，消耗量の少ない方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂによって，まず，１回目のストローク（図６では「I」で示す。）で切削ラインＬ４が切削され，次いで，２回目のストローク（「II」で示す。）で切削ラインＬ５が切削され，さらに，３回目のストローク（「III」で示す。）で切削ラインＬ６が切削される。なお，切削ラインＬ４〜６の切削順は，かかる例に限定されず，Ｌ６→Ｌ５→Ｌ４など任意の順であってよい。
【００８２】
このように，消耗量の少ない方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂを使用してシングル切削することにより，当該切削ブレードの消耗量が増加して，他方の消耗量の多かった方の切削ブレードの消耗量に近づく／超える。
【００８３】
以上のような，デュアル切削工程（ステップＳ１１０）とシングル切削工程（ステップＳ１１２）によって，半導体ウェハ１２の第１チャンネルを構成する全ての切削ラインＬ１〜９の切削が完了する。
【００８４】
さらに，ステップＳ１１４では，半導体ウェハ１２の第１チャンネルおよび第２チャンネルの双方が切削されたか否かが判断される（ステップＳ１１４）。この判断の結果，第１チャンネルだけしか切削されていない場合には，ステップＳ１１６に進み，半導体ウェハ１２を例えば９０°回転させて第２チャンネルを切削可能な方向に位置づけた後（ステップＳ１１６），上記ステップＳ１０２に戻る。その後は，上述したようなステップＳ１０２〜Ｓ１１２と同様にして，第２チャンネルが切削される。ただし，ステップＳ１０８で再度，消耗量の少ない方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂが選択されるので，第２チャンネルのシングル切削工程（ステップＳ１１０）では，上記第１チャンネルのシングル切削工程（ステップＳ１１０）と同一の切削ブレードが使用されるとは限らない。
【００８５】
一方，第１および第２チャンネルの双方が切削されている場合には，半導体ウェハ１２が格子状にダイシングされ，個々の半導体チップに分割されていることになる。従って，当該半導体ウェハ１２の切削加工を終了し，ステップＳ１１８に進む。
【００８６】
その後，ステップＳ１１８では，半導体ウェハ１２の切削加工を終了するか否かが判断される（ステップＳ１１８）。この判断の結果，切削加工を終了しない場合には，ステップＳ１２０に進み，チャックテーブル３０上の半導体ウェハ１２を新たな半導体ウェハ１２に交換した後（ステップＳ１２０），上記ステップＳ１０２に戻る。その後は，上述したようなステップＳ１０２〜Ｓ１１６と同様にして，新たな半導体ウェハ１２が第１チャンネル，第２チャンネルの順に切削される。この際，１つのチャンネル毎に，消耗量が少ない方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂが選択され，シングル切削が行われる。以降は，上記と同様にして，全ての半導体ウェハ１２の切削加工が終了するまで，ステップＳ１０２〜ステップＳ１２０が繰り返される。この結果，全ての半導体ウェハ１２の切削加工が終了した場合には，本実施形態にかかる切削方法の全動作フローが終了する。
【００８７】
以上のように，本実施形態にかかるダイシング装置１０における切削方法では，第１及び第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの双方を使用して同時に切削不可能な切削ラインＬを含む半導体ウェハ１２を切削する場合において，例えば１チャンネル毎に消耗量の少ない切削ブレード２２ａまたは２２ｂを選択して，当該切削ラインＬをシングル切削する。このため，第１及び第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を略均等にすることができるので，略均等に消耗した第１及び第２の切削ブレード２２ａ，２２ｂを同時に交換することができる。
【００８８】
従って，ブレード交換作業回数の増大により生産効率を低下させることがない。さらに，双方の切削ブレード２２ａ，２２ｂを十分に使い切ることができるので，切削ブレードの浪費を防止して，生産コストを低減できる。
【００８９】
かかる切削方法は，特に，被加工物が上記のような小径の化合物半導体ウェハ１２等のように，デュアル切削される切削ライン数に対するシングル切削される切削ライン数の割合が大きい場合などに，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量の均等化を図る上で非常に有効である。
【００９０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９１】
例えば，上記実施形態では，ダイシング装置１０の被加工物として，ガリウムヒ素等からなる化合物半導体ウェハ１２の例を挙げて説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。被加工物は，複数の切削ラインＬ（ストリート）を有する基板であれば，例えば，シリコンウェハ等の各種半導体ウェハ，ＣＳＰ基板，ＧＰＳ基板，ＢＧＡ基板，ガラス基板，石英板，サファイア基板，セラミックス材，金属材などであってもよい。また，被加工物の形状は，略円板状に限定されず，略矩形の平板状など任意の形状であってよい。
【００９２】
また，上記実施形態では，切削装置としてダイシング装置１０の例を挙げて説明したが，本発明はかかる例に限定されず，上記各種の被加工物を２つの切削ブレードで切削する装置であれば如何なる切削装置であってもよい。
【００９３】
また，上記実施形態では，ブレード検出手段６０によって検出した各切削ブレード２２ａ，２２ｂのセットアップ位置に基づいて，各切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を測定したが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，セットアップ用のブレード検出手段６０とは別途に，各切削ブレード２２ａ，２２ｂの消耗量を測定する専用のセンサ等からなる消耗量測定装置を設けても良い。
【００９４】
また，上記実施形態では，デュアル切削工程後に，シングル切削工程を行ったが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，シングル切削工程後に，デュアル切削工程を行ってもよい。また，消耗量測定工程は，シングル切削工程の前後，或いはデュアル切削工程の前後など，いずれの段階で行っても良い。
【００９５】
また，上記実施形態では，半導体ウェハ１２の１チャンネルを切削する毎に消耗量測定工程を行ったが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，消耗量測定工程は，１本または任意の複数本の切削ラインＬの切削毎や，１つの被加工物の切削毎（即ち，２つのチャンネルの切削毎），或いは複数の被加工物の切削毎などに行ってもよい。
【００９６】
また，上記実施形態にかかる切削方法は，第１の切削ブレード２２ａと第２の切削ブレード２２ｂとが物理的に最接近できる間隔が，半導体ウェハ１２の切削ラインＬの間隔より大きいために，デュアル切削が不可能な切削ラインが存在するケース（図３および図６）に適用されたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，本発明にかかる切削方法は，被加工物の切削ラインが奇数本であるために，デュアル切削によって余る１本の切削ラインをシングル切削する場合などにも適用できる。
【００９７】
また，上記実施形態では，シングル切削とデュアル切削の双方を行って，半導体ウェハ１２を切削したが，本発明はかかる例に限定されず，例えば，シングル切削のみによって，被加工物の全ての切削ラインを切削する場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明は，対向配置された２つの切削ブレードによって被加工物を切削する切削装置における切削方法に適用可能であり，特に，比較的小径の化合物半導体ウェハ等を切削する切削装置における切削方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置の外観構成を示す斜視図である。
【図２】同実施形態にかかるダイシング装置の主要な内部構成を示す斜視図である。
【図３】同実施形態にかかるダイシング装置における第１および第２の切削ブレードと，切削ラインとの位置関係を示す平面図である。
【図４】同実施形態にかかるブレード検出手段および制御装置の各部の構成を示すブロック図である。
【図５】同実施形態にかかるダイシング装置を用いた切削方法を示すフローチャートである。
【図６】同実施形態にかかるダイシング装置を用いた切削方法によって切削される半導体ウェハを示す平面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０  ：  ダイシング装置
１２  ：  半導体ウェハ
２０ａ  ：  第１の切削ユニット
２０ｂ  ：  第２の切削ユニット
２２ａ  ：  第１の切削ブレード
２２ｂ  ：  第２の切削ブレード
２４ａ  ：  第１のスピンドル
２４ｂ  ：  第２のスピンドル
３０  ：  チャックテーブル
６０  ：  ブレード検出手段
８０  ：  制御装置
８２  ：  消耗量判断部
８４  ：  ブレード交換通知部
８６  ：  選択ブレード指示部
Ｌ１〜９  ：  切削ライン
Ａ  ：  最接近させた第１及び第２の切削ブレードの間に挟まれた半導体ウェハ上の領域
【図１】
2005217334.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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