(57)【要約】【課題】  主基板へのメッキ層形成後、従来に比べて素早く前記メッキ液を排液して、前記メッキ液によるメッキ層へのエッチングを抑制し、また前記主基板上に不要なメッキ層が形成されるのを抑制することが可能な電気メッキ装置及びメッキ液の排液方法を提供することを目的としている。【解決手段】  第１貫通孔１１ｂの外周に第２貫通孔１３ａを有する底上げ部材１３が設けられている。また前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄは、メッキ槽１１の内側側面１１ｃよりも前記メッキ槽の内方に位置している。これにより前記前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄと前記メッキ槽１１の内側側面１１ｃ間の空間１６内に集約したメッキ液１８を排液する必要は無くなり、前記メッキ液１８の排液時間を従来に比べて大幅に短縮することが可能になる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ槽と、カソードである主基板と、前記メッキ槽内に設けられたアノードと、を有し、
前記メッキ槽の底面には、第１貫通孔が設けられ、
前記第１貫通孔の外周には底上げ部材が設けられ、前記主基板は移動可能なホルダ上に載置され、前記ホルダの移動により前記主基板は、前記底上げ部材の前記第１貫通孔上に形成された第２貫通孔と、前記第１貫通孔とを介してメッキ槽内に露出したり、あるいは前記第１貫通孔から離れる方向に移動可能にされており、
前記底上げ部材の外側側面は、前記メッキ槽の内側側面よりも前記メッキ槽の内方に位置していることを特徴とする電気メッキ装置。
【請求項２】
前記底上げ部材の内側側面は、前記第２貫通孔の幅が底面側から表面側に向けて徐々に広がる傾斜面で形成されている請求項１記載の電気メッキ装置。
【請求項３】
前記底上げ部材の底面の内周縁は、前記第１貫通孔の周縁に一致している請求項１または２に記載の電気メッキ装置。
【請求項４】
前記メッキ槽の側面には、メッキ液を排液するための排液口が設けられており、少なくとも前記排液口の最下端は、前記底上げ部材の表面よりも下側に位置している請求項１ないし３のいずれかに記載の電気メッキ装置。
【請求項５】
前記メッキ槽には補助基板が設けられ、前記メッキ槽内に充填されたメッキ液を排液するときに、前記主基板と補助基板間を通電させる請求項１ないし４のいずれかに記載の電気メッキ装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載された電気メッキ装置を用いてメッキ液を排液する方法において、前記主基板上に所定のメッキ層をメッキ形成した後、以下の工程を用いて前記メッキ槽内に充填されたメッキ液を排液することを特徴とするメッキ液の排液方法。
（ａ）  前記第１貫通孔の下側を前記主基板によって塞いだまま、前記メッキ液の液面が、少なくとも前記底上げ部材の表面と同一面上となるまで前記メッキ液を所定の排液口から排液する工程と、
（ｂ）  前記（ａ）工程後、前記メッキ液は、前記第１貫通孔及び第２貫通孔内と、前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に分離して集約され、このうち、前記第１貫通孔と第２貫通孔内に溜まった前記メッキ液を、前記主基板を第１貫通孔から離れる方向に移動させることで、前記第１貫通孔及び第２貫通孔を通して前記メッキ槽の底面から下方向に排液する工程と、
（ｃ）  前記主基板の表面を洗浄する工程。
【請求項７】
前記メッキ槽に形成された補助基板と、前記主基板間の通電を、少なくとも前記（ａ）の工程が終了するまで行う請求項６記載のメッキ液の排液方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主基板へのメッキ層形成後、メッキ液を排液する際に、素早く前記メッキ液を排液して、前記メッキ液によるメッキ層へのエッチングを抑制し、また前記メッキ層に不要なメッキ層が形成されるのを抑制することが可能な電気メッキ装置及びメッキ液の排液方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、メッキ槽内に供給されたメッキ液の乱流や滞留を抑制するメッキ処理装置が開示されているが、このような乱流等の抑制は、メッキ層の厚さや膜質のばらつきを防止するためのもので、前記メッキ層を形成した後、前記メッキ液を如何にして排液するかについては触れられていない。
【０００３】
下記特許文献２に示すメッキ装置は、この文献の図３に示すように、メッキ槽５２の底面に開口部９０が設けられ、基板１３８が基板ホルダ１３６上に載置されて前記メッキ槽５２の下方で上下動できようになっている。前記基板１３８上へのメッキ形成工程では、前記基板１３８は上方に移動して前記開口部９０を塞ぎ、前記メッキ槽５２内にメッキ液６２が供給される。前記基板１３８上へのメッキ層の形成後、前記メッキ液６２は、バルブ８６を開くことでメッキ液タンク６４に排液されるようになっている（特許文献２の［００６２］欄）。
【特許文献１】特開平１１−１１７０７６号公報
【特許文献２】特開２００１−３１６８６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図６は、基板（ｗａｆ）を、メッキ液中に浸漬させ、前記基板上に所定のメッキ層を形成した後、前記基板を上方に引き上げてリンス槽まで搬送し、前記基板を前記リンス槽内の洗浄液内に浸漬させるまでの工程を示した概略図である。
【０００５】
一方、図７及び図８は、上記した特許文献２と同様に、メッキ槽１の底面に貫通孔１ａが設けられ、前記メッキ槽１内にはアノード２が設けられ、前記貫通孔１ａが主基板（カソード）により塞がれた状態で、前記メッキ槽１内にメッキ液３が充填され、前記主基板４上へメッキ層を形成した後、前記メッキ液３を排液し、図８のように前記主基板４を下方に移動させ、前記主基板４表面を洗浄するまでの一連の工程を示した概略図である。
【０００６】
図６の基板の搬送工程や、図７，図８に示すメッキ液の排液工程には次の問題点がある。
【０００７】
図６のように基板をメッキ槽から洗浄槽まで搬送する最中、前記基板表面にはメッキ液が付着している。薄膜磁気ヘッド等の磁性層の形成プロセスで使用されるメッキ液は強酸であるから、図６の搬送中、前記基板に形成されたメッキ層が強酸であるメッキ液に侵されエッチングされてしまうという不具合があった。
【０００８】
図７，図８では、例えばメッキ槽１内には補助基板（図示しない）が設けられ、メッキ液を排液している最中、この補助基板と主基板４間を通電させることで前記メッキ液３によるエッチング防止を図ることが可能となる。
【０００９】
しかし、図７のメッキ槽１では前記メッキ液３の排液に時間がかかっていた。すなわち前記メッキ液３が前記メッキ槽１内で少量になってくると、前記メッキ液３の流速が落ちるためなかなか排液されず、排液に時間がかり、その結果、補助基板と主基板４間の通電時間が長くなる。
【００１０】
ここで前記通電時間が長くなることへの問題点を詳しく説明すると、図７に示す主基板４へのメッキ層の形成工程では、前記アノード２と前記主基板４間のほかに、前記補助基板と前記アノード２間も通電させている。これは、前記主基板４上に形成されるメッキ層の膜厚をなるべく均一にさせるためである。前記補助基板と前記アノード２間の通電により前記補助基板上にもメッキ層が堆積する。しかし前記補助基板上に堆積したメッキ層は、前記補助基板と前記アノード２間での電流密度が前記アノード２と主基板４間での電流密度と異なる等から、前記主基板上に堆積したメッキ層と異なる組成のものとして形成されてしまう。
【００１１】
そして前記メッキ液３を排液するときには、電源を切り替えるなどして、前記主基板（カソード）４と補助基板（アノード）間を通電させる。ここで前記主基板４と補助基板間を通電させると、前記主基板４上に新たなメッキ層が形成されるように思われるが、前記通電は微弱電流で行われており、前記主基板４上に薄い新たなメッキ層が形成されても、メッキ液３によるエッチング効果が作用して、前記主基板４上に新たなメッキ層は形成されにくい状態になっている。
【００１２】
ところが排液時間が長くなると、前記主基板と補助基板間を通電させることによる電気分解効果が長い時間作用するため前記主基板上には徐々に新たなメッキ層が形成されるか、あるいは前記電気分解効果がエッチング効果よりも低い場合には徐々に前記主基板上に形成されたメッキ層がエッチングされていく。前記の新たなメッキ層は、前記補助基板上に形成されたメッキ層が可溶性アノードとして作用するので、前記主基板上に実際に必要な組成のメッキ層とは異なるメッキ層として堆積し、不要なものである。
【００１３】
このように排液時間が長いと、主基板４上に不要なメッキ層の形成が促進されるか、あるいは前記主基板上に形成されたメッキ層への侵食が促進されるから、なるべく早くメッキ液を排液することが望まれる。
【００１４】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、主基板へのメッキ層形成後、従来に比べて素早く前記メッキ液を排液して、前記メッキ液によるメッキ層へのエッチングを抑制し、また前記主基板上に不要なメッキ層が形成されるのを抑制することが可能な電気メッキ装置及びメッキ液の排液方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明における電気メッキ装置は、
メッキ槽と、カソードである主基板と、前記メッキ槽内に設けられたアノードと、を有し、
前記メッキ槽の底面には、第１貫通孔が設けられ、
前記第１貫通孔の外周には底上げ部材が設けられ、前記主基板は移動可能なホルダ上に載置され、前記ホルダの移動により前記主基板は、前記底上げ部材の前記第１貫通孔上に形成された第２貫通孔と、前記第１貫通孔とを介してメッキ槽内に露出したり、あるいは前記第１貫通孔から離れる方向に移動可能にされており、
前記底上げ部材の外側側面は、前記メッキ槽の内側側面よりも前記メッキ槽の内方に位置していることを特徴とするものである。
【００１６】
上記のように本発明では、前記第１貫通孔の外周に底上げ部材が設けられている。また前記底上げ部材の外側側面は、前記メッキ槽の内側側面よりも前記メッキ槽の内方に位置している。
【００１７】
このように前記第１貫通孔の外周は前記底上げ部材によって底上げされており、また前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間には空間があるので、メッキ液の排液工程において、前記メッキ液の液面が前記底上げ部材の表面にまで到達した時点で、前記メッキ液は、前記第１貫通孔及び第２貫通孔内と、前記前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内とに分離して集約される。
【００１８】
このうち、前記前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に集約したメッキ液は、前記底上げ部材の表面を越えて前記第１貫通孔及び第２貫通孔内にまで流れてくることはないので、この分離集約時点で前記空間内のメッキ液は、主基板上に形成されたメッキ層に悪影響を及ぼすことは無くなる。よって前記前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に集約したメッキ液を排液する必要は無くなるので、後は、前記第１貫通孔と第２貫通孔内に溜まった前記メッキ液を排液するだけでよいだけになり、前記メッキ液の排液時間を従来に比べて大幅に短縮することが可能になる。
【００１９】
本発明では、前記底上げ部材の内側側面は、前記第２貫通孔の幅が底面側から表面側に向けて徐々に広がる傾斜面で形成されていることが好ましい。これにより、前記第１貫通孔を通してメッキ槽の下方に流れるメッキ液の流速を早めることができ、またメッキ液の排液中に前記メッキ液内に渦が生じにくく、素早く前記第１貫通孔及び第２貫通孔に溜まったメッキ液を前記メッキ槽の下方向に流すことが出来る。また傾斜面なので、前記第１貫通孔及び第２貫通孔内に溜まったメッキ液をメッキ槽の下方に流した後、前記傾斜面上に付着して残ったメッキ液の雫も素早く前記メッキ槽の下方に落下し、例えば前記主基板の洗浄後など後になって、前記メッキ液の雫が前記主基板上に形成されたメッキ層上に落ちてくることを適切に抑制でき、前記メッキ液によるエッチング作用を適切に抑制することが出来る。
【００２０】
また本発明では、前記底上げ部材の底面の内周縁は、前記第１貫通孔の周縁に一致していることが好ましい。これにより前記第１貫通孔及び第２貫通孔に溜まったメッキ液を素早く前記メッキ槽の下方向に流すことが出来る。
【００２１】
また本発明では、前記メッキ槽の側面には、メッキ液を排液するための排液口が設けられており、少なくとも前記排液口の最下端は、前記底上げ部材の表面よりも下側に位置していることが好ましい。これにより、前記メッキ液を、液面が前記底上げ部材の表面と一致する位置まで早急に到達させることができ、また前記前記前記底上げ部材の外周面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に集約したメッキ液を、前記排液口から適切に前記メッキ槽の外方に排液することが出来る。
【００２２】
また本発明では、前記メッキ槽には補助基板が設けられ、前記メッキ槽内に充填されたメッキ液を排液するときに、前記主基板と補助基板間を通電させることが好ましい。これにより、前記メッキ液の排液中に、前記主基板上に形成されたメッキ層が、前記メッキ液によりエッチングされることを適切に抑制できる。
【００２３】
本発明は、上記のいずれかに記載された電気メッキ装置を用いてメッキ液を排液する方法において、前記主基板上に所定のメッキ層をメッキ形成した後、以下の工程を用いて前記メッキ槽内に充填されたメッキ液を排液することを特徴とするものである。
（ａ）  前記第１貫通孔の下側を前記主基板によって塞いだまま、前記メッキ液の液面が、少なくとも前記底上げ部材の表面と同一面上となるまで前記メッキ液を所定の排液口から排液する工程と、
（ｂ）  前記（ａ）工程後、前記メッキ液は、前記第１貫通孔及び第２貫通孔内と、前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に分離して集約され、このうち、前記第１貫通孔と第２貫通孔内に溜まった前記メッキ液を、前記主基板を第１貫通孔から離れる方向に移動させることで、前記第１貫通孔及び第２貫通孔を通して前記メッキ槽の底面から下方向に排液する工程と、
（ｃ）  前記主基板の表面を洗浄する工程。
【００２４】
本発明では、上記の工程により、前記メッキ液を従来に比べて素早く排液でき、排液時間を短く出来る。本発明では前記（ａ）工程により、前記（ｂ）工程で説明するように、前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内にメッキ液を集約できる。このメッキ液は、前記底上げ部材を越えて主基板上まで流れてくることはないので、前記空間内に溜まったメッキ液を排液する必要はなく、メッキ液が分離集約された後は、前記（ｂ）工程に示すように、前記主基板を第１貫通孔から離れる方向に移動させて、前記第１貫通孔及び第２貫通孔に溜まったメッキ液を前記メッキ槽の底面から下方向に排液すれば、前記メッキ液の排液工程を終了できる。このように本発明では、前記メッキ槽内の全てのメッキ液を排液することが必要が無くなるので、従来に比べてメッキ液の排液時間を短縮することが出来る。
【００２５】
また本発明では、前記メッキ槽に形成された補助基板と、前記主基板間の通電を、少なくとも前記（ａ）の工程が終了するまで行うことが好ましい。これにより、前記（ａ）工程のメッキ液の排液中に、前記主基板上に形成されたメッキ層が、前記メッキ液によりエッチングされることを適切に抑制できる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明では、第１貫通孔の外周に第２貫通孔を有する底上げ部材が設けられている。また前記底上げ部材の外側側面は、メッキ槽の内側側面よりも前記メッキ槽の内方に位置している。
【００２７】
このように前記第１貫通孔の外周は前記底上げ部材によって底上げされており、また前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間には空間があるので、メッキ液の排液工程において、前記メッキ液の液面が前記底上げ部材の表面にまで到達した時点で、前記メッキ液は、前記第１貫通孔及び第２貫通孔内と、前記前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内とに分離して集約される。
【００２８】
このうち、前記前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に集約したメッキ液は、前記底上げ部材の表面を越えて前記第１貫通孔及び第２貫通孔内にまで流れてくることはないので、この分離集約時点で前記メッキ液は、主基板上に形成されたメッキ層に悪影響を及ぼすことは無くなる。よって前記前記底上げ部材の外側側面と前記メッキ槽の内側側面間の空間内に集約したメッキ液を排液する必要は無くなるので、後は、前記第１貫通孔と第２貫通孔内に溜まった前記メッキ液を排液するだけでよいだけになる。
【００２９】
このように本発明では、前記メッキ槽内に充填されたメッキ液を全て排液する必要が無くなるので、前記メッキ液の排液時間を従来に比べて大幅に短縮することが可能になる。
【００３０】
従って本発明の電気メッキ装置、及びメッキ液の排液方法によれば、従来に比べてメッキ液によるメッキ層へのエッチングを抑制でき、また主基板上に不要なメッキ層が形成されるのを抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図１ないし図４は本発明の電気メッキ装置の部分断面図であり、主基板上に所定のメッキ層を形成した後、メッキ液の排液工程及び主基板への洗浄工程までを示した一連の工程図である。図５は本発明における電気メッキ装置の部分斜視図である。
【００３２】
図１に示す符号１１はメッキ槽であり、前記メッキ槽１内には、アノード１２が設けられている。
【００３３】
図１に示すように、前記メッキ槽１１の底面１１ａには、例えば略円形状の第１貫通孔１１ｂが設けられている。
【００３４】
図１及び図５に示すように、前記第１貫通孔１１ｂの外周には底上げ部材１３が設けられており、前記底上げ部材１３には、前記第１貫通孔１１ｂと高さ方向で一致する位置に第２貫通孔１３ａが設けられている。
【００３５】
図１及び図５に示すように、前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄは、前記メッキ槽１１の内側側面１１ｃよりも前記メッキ槽１１の内方に位置している。
【００３６】
図５に示すように、前記底上げ部材１３は真上から見ると略リング状であるが、例えば前記底上げ部材１３の外周縁１３ｃが略四角形状で形成されているなど、他の形態であってもかまわない。前記底上げ部材１３の形態に求められる条件は、前記第１貫通孔１１ｂと高さ方向で一致する位置に第２貫通孔１３ａが設けられていることと、前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄが前記メッキ槽１１の内側側面１１ｃよりも前記メッキ槽１１の内方に位置し、前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄと前記メッキ槽１１の内側側面１１ｃ間に空間１６が形成されるようにすることである。
【００３７】
図１に示すように、前記底上げ部材１３の表面１３ｂには補助基板１７が形成されている。前記補助基板１７も真上から見ると略リング状で形成されている。図１に示す実施形態では、前記補助基板１７が前記底上げ部材１３の表面１３ｂに形成された凹部１３ｅ内に嵌め込まれ、前記底上げ部材１３の表面１３ｂと前記補助基板１７の表面１７ａとが同一平面を成している。なお前記補助基板１７は図１のように前記底上げ部材１３上に形成されていなくてもよいが、少なくとも前記補助基板１７の表面１７ａは、図１のように前記底上げ部材１３の表面１３ｂと同一平面を成しているか、あるいは前記底上げ部材１３の表面１３ｂよりも下側に設けられていることが好ましい。
【００３８】
符号１４は主基板であり、前記主基板１４は、ホルダ１５上に載置されている。前記ホルダ１５は、例えば上下方向に移動可能になっている。
【００３９】
前記主基板１４上にメッキ層をメッキ形成する工程では、前記ホルダ１５上に載置された前記主基板１４は図１，図５に示す第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａから表面１４ａが前記メッキ槽１１内に露出する状態にされる。
【００４０】
図１に示す状態で、前記アノード１２と前記主基板１４間に電流を流すことで、前記主基板１４上にメッキ層をメッキ形成出来る。
【００４１】
前記補助基板１７は、前記主基板１４上に形成されるメッキ層（図示しない）の膜厚の均一化を促進させるべく設けられたものである。前記補助基板１７が設けられていないと、前記アノード１２から前記主基板１４に向けて流れる電流の電流密度が、前記主基板１４上の各部位でより不均一になる。特に前記主基板１４の中央と端とで前記電流密度の差は非常に大きくなり、この結果、前記主基板１４上にメッキ形成されるメッキ層の膜厚がより不均一になりやすい。前記補助基板１７を設けないと前記主基板１４の中央よりも端にメッキ形成されるメッキ層の膜厚が厚くなることがわかっている。このような電流密度の不均一性を抑制すべく補助基板１７を設け、前記主基板１４上へのメッキ層の形成中、前記補助基板１７とアノード１２間も通電させることで、出来る限り前記主基板１４上の電流密度の均一化が促進されるようにする。
【００４２】
図１に示すように前記メッキ槽１１内にはメッキ液１８が満たされている。前記メッキ液１８は、前記供給口１９からの供給と、排液口２０，２１からの排液を繰返し、常に新しいメッキ液１８が前記メッキ槽１１の内部を循環するようになっている。
【００４３】
前記主基板１４上へのメッキ層のメッキ形成が終了したら、前記メッキ液１８を前記メッキ槽１１内から排液する。
【００４４】
前記メッキ液１８の前記供給口１９からの供給を停止し、一方，前記排液口２０，２１からは前記メッキ液１８が排液されるようにする。特に前記メッキ液１８の流速を早めるために例えばポンプ等で前記メッキ液１８を吸引し、早く前記メッキ液１８が前記排液口２０，２１から前記メッキ槽１１の外方に排液されるようにする。
【００４５】
また図５に示すように、前記メッキ槽１１の底面１１ａに単数あるいは複数の補助排液口２２，２３を設けておき、前記メッキ液１８の排液時に、前記補助排液口２２，２３を開き、前記メッキ槽１１の底面１１ａから下方へ前記メッキ液１８が排液されるようにしてもよい。これによって、より早く前記メッキ液１８の排液を行うことが出来る。
【００４６】
前記補助排液口２２，２３から前記メッキ槽１１の下方に排液されたメッキ液１８は、図５に示すバケット２４内に溜まるようになっている。
【００４７】
上記した前記メッキ液１８の排液時に、図１に示すように前記主基板１４と補助基板１７間を通電させ、前記主基板１４上に形成されたメッキ層が前記メッキ液１８に溶解されないようにする。
【００４８】
図１では前記主基板１４と補助基板１７間に予備電源２５が設けられ、スイッチング制御によって、前記メッキ液１８の排液時に、前記主基板１４とアノード１２間に接続されている電源、及び補助基板１７とアノード１２間に接続されている電源を前記予備電源２５に切り替えるなどして、前記主基板１４と補助基板１７間を通電させる。前記予備電源２５からは微弱電流が流れる。
【００４９】
図１に示すメッキ液１８の排液によって前記メッキ液１８の液面１８ａは徐々に低下していき、前記メッキ液１８の液面１８ａが排液口２０の上面より低下すると、前記メッキ液１８は排液口２１及び補助排液口２２，２３からのみ排液されることになる。
【００５０】
図２はメッキ液１８の液面１８ａが前記底上げ部材１３の表面１３ｂと同一平面まで低下した状態を示している。
【００５１】
図２に示すように前記メッキ液１８の液面１８ａが前記底上げ部材１３の表面１３ｂまで低下すると、前記メッキ液１８は、第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内と、前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄと前記メッキ槽１１の内側側面１１ｃ間の空間１６内に分離して集約される。
【００５２】
前記底上げ部材１３の外側側面１３ｄと前記メッキ槽１１の内側側面１１ｃ間の空間１６内に集約したメッキ液１８は、その後、前記底上げ部材１３を越えて、前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内にまで流れ出すことは無いので、図２のように前記メッキ液１８が底上げ部材１３の内側と外側に分離集約された時点で、前記空間１６内に集約したメッキ液１８は、もはや前記主基板１４上に形成されたメッキ層に悪影響を及ぼすものではなくなる。
【００５３】
一方、図２の形態では、図２のメッキ液１８の分離集約時点で、主基板１４と補助基板１７間は通電しなくなるため、前記主基板１４上に形成されたメッキ層は前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内に溜まったメッキ液１８によりエッチングされてしまう。よって図２に示すようにメッキ液１８が分離集約された時点で、図３に示すようにホルダ１５を下方向に移動させ、前記主基板１４によって塞がれていた前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａを下方に開放させる。
【００５４】
これによって前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内に溜まっていたメッキ液１８は、図３に示すように、前記メッキ槽１１の底面１１ａから下方に排液される。本発明では図３の工程が終了するとメッキ液１８の排液工程が終了する。
【００５５】
本発明における特徴点は、第１貫通孔１１ｂの外周に図５に示すような底上げ部材１３を設け、前記第１貫通孔１１ｂの周囲を底上げしたことにある。
【００５６】
本発明では前記底上げ部材１３を設けることで、図１の状態から図２の状態になったら、前記空間１６にメッキ液１８が残っていても、図３に示すように主基板１４を下方向に移動させて第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａに溜まっていたメッキ液１８を排出させ、これにより、前記メッキ液１８の排液工程を終了させることが出来るので、従来に比べてメッキ液１８の排液時間を短縮させることが出来る。
【００５７】
図１の状態から図２のように、底上げ部材１３の外側と内側とにメッキ液１８が分離集約されると、前記底上げ部材１３の外側の空間１６に溜まったメッキ液１８は、この後、前記底上げ部材１３を超えて前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内に流れ出すことはない。よって前記空間１６内に溜まったメッキ液１８は、前記主基板１４上に形成されたメッキ層に触れることは無く、前記空間１６に溜まったメッキ液１８を排液する必要は無くなる。
【００５８】
一方、第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａに溜まったメッキ液１８は図２の状態では主基板１４によって蓋がされているため排液できないので、図３のように、ホルダ１５を下方に移動させて、前記第１貫通孔１１ｂの下面を開放し、前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａに溜まったメッキ液１８を前記メッキ槽１１の底面１１ａから下方に放出する。
【００５９】
前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内に溜まったメッキ液１８は、前記空間１６内に溜まったメッキ液１８に比べて少量であるので、前記貫通孔１１ｂ，１３ａ内のメッキ液１８の排液に時間はさほどかからない。
【００６０】
しかも図３に示すように、前記底上げ部材１３の内側側面１３ｆは、第２貫通孔１３ａの幅が底面側から表面側に向けて徐々に広がる傾斜面（以下、傾斜面１３ｆと称する場合がある）で形成されているので、前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａに溜まったメッキ液１８は前記メッキ槽１１の底面１１ａから素早く下方に放出される。
【００６１】
また本発明では、前記底上げ部材１３の底面１３ｇの内周縁１３ｈは、前記第１貫通孔１１ｂの周縁１１ｄに一致していることが好ましい。
【００６２】
前記底上げ部材１３の内側側面１３ｆを第２貫通孔１３ａの幅が底面側から表面側に向けて徐々に広がる傾斜面で形成することで、前記第２貫通孔１３ａの径は前記第１貫通孔１１ｂの径よりも拡がり、前記第１貫通孔１１ｂを通過するメッキ液１８の流速は早くなり、また、前記内側側面１３ｆを傾斜面にし、前記底上げ部材１３の底面１３ｇの内周縁１３ｈを、前記第１貫通孔１１ｂの周縁１１ｄに一致させることで、排液中に前記メッキ液１８内に渦等が発生しないので、急速に前記貫通孔１１ｂ，１３ａ内のメッキ液１８はメッキ槽１１の外方に排液されることになる。
【００６３】
また前記メッキ液１８を排液した後、前記傾斜面１３ｆ上に残った前記メッキ液１８の雫も、前記傾斜面１３ｆを滑り落ちて、素早く前記メッキ槽１１の底面１１ａから下方に落ちるので、例えば後で説明する図４の洗浄工程終了後に、前記メッキ液１８の雫が前記主基板１４上に落ちて、前記主基板１４上に形成されたメッキ層をエッチングしてしまうといった不具合も生じない。
【００６４】
本発明では図２のようにメッキ液１８を底上げ部材１３の内側と外側に分離集約させると、前記底上げ部材１３の外側に集約した前記メッキ液１８を排液する必要がないので、メッキ液１８の排液時間を大変短く出来る。
【００６５】
従来のように、前記底上げ部材１３が設けられていない形態では、メッキ液１８の水位が図２に示す状態よりもより十分に低い状態になるまで前記メッキ液１８を排液しないといけなかった。前記メッキ槽１１内に残されたメッキ液１８が少なくなるほど、メッキ液１８の排液時の流速は遅くなるため、なかなか前記メッキ液１８を排液できず、排液に時間がかかってしまう。またメッキ槽１１内にメッキ液１８が残った状態で図３のようにホルダ１５を下方に移動させてしまうと、前記第１貫通孔１１ｂから離れた位置に残されたメッキ液１８は、前記第１貫通孔１１ｂを通してなかなか排液されず、また洗浄工程終了後などに、前記主基板１４上に形成されたメッキ層に前記メッキ液１８の雫が落ちてくる可能性が高く、従って底上げ部材１３を設けない従来では、いずれにしても排液に時間がかかる構造となっていた。
【００６６】
一方、本発明では、前記第１貫通孔１１ｂの外周に底上げ部材１３を設けることで、前記メッキ液１８を前記底上げ部材１３の内側と外側に分離集約させることができ、かかる場合、前記底上げ部材１３の外側に集約した前記メッキ液１８を排液する必要がないので、メッキ液１８の排液時間を大変短く出来る。
【００６７】
また前記主基板１４上に設けられた第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内の非常に狭い空間内にメッキ液１８を集約させることができるので、図３のように主基板１４を下方向に移動させることで、前記メッキ液１８を急速に下方に放出することができ、図１ないし図３の工程を経る本発明は従来に比べてメッキ液１８を急速に排液することが可能になる。
【００６８】
このため本発明の手法によれば、前記主基板１４と補助基板１７間の通電時間も短くでき、前記主基板１４上に形成されたメッキ層とは異なる組成のメッキ層が形成されにくく、またメッキ液１８によるエッチング作用を適切に抑制することが可能になる。
【００６９】
なお図２のメッキ液１８の分離集約状態を早急に進めるには、特に前記メッキ槽１１の側面に形成された排液口２１の形成位置を適性化することが好ましい。
【００７０】
本発明では、図１，図２，図５に示すように前記メッキ槽１１の側面に設けられている排液口２１の最下端２１ａは前記底上げ部材１３の表面１３ｂよりも下側に形成されていることが好ましい。これにより図２に示すメッキ液１８の分離集約状態を急速に進めることができ、メッキ液１８の排液時間を短縮することが出来る。
【００７１】
なお本発明では、前記排液口２１とは別個に、前記メッキ槽１１の側面に排液口を設けておいても良い。
【００７２】
本発明では図３の工程で、前記第１貫通孔１１ｂ及び第２貫通孔１３ａ内に溜まったメッキ液１８が前記メッキ槽１１の底面１１ａから下方に放出されると、そのメッキ液１８は図５に示すバケット２４内に溜められる。
【００７３】
また前記底上げ部材１３の外側にある空間１６内に溜まったメッキ液１８は、図２工程以降も徐々に前記排液口２１や補助排液口２２，２３から前記メッキ槽１１の外方へ排液されていくが、前記空間１６内のメッキ液１８は全て排液されなくても良く、残ったメッキ液１８は、次の主基板に対するメッキ層のメッキ形成時に、前記メッキ槽１１内に供給されるメッキ液と混ざって使用されることになる。
【００７４】
図３のメッキ液１８の排液終了後、図４に示すように、例えば二本の噴射口３０，３１から洗浄液３２が前記主基板１４表面に噴射され、前記主基板１４の表面１４ａが洗浄される。その後、前記主基板１４は図示しないロボットアームで次工程に搬送される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】主基板へのメッキ層のメッキ形成工程からメッキ槽内のメッキ液の排液工程・洗浄工程までの一連の工程図（断面図）、
【図２】図１の次に行われる工程図（断面図）、
【図３】図２の次に行われる工程図（断面図）、
【図４】図３の次に行われる工程図（断面図）、
【図５】本発明における電気メッキ装置の部分斜視図、
【図６】従来の電気メッキ装置の問題点を説明するための説明図、
【図７】図６とは異なる構造の従来の電気メッキ装置の問題点を説明するための説明図、
【図８】図７の次の行われる工程を示すとともに従来の電気メッキ装置の問題点を説明するための説明図、
【符号の説明】
【００７６】
１１  メッキ槽
１２  アノード
１３  底上げ部材
１４  主基板
１５  ホルダ
１６  空間
１７  補助基板
１８  メッキ液
２０，２１  排液口
２２，２３  補助排液口
２４  バケット
３０，３１  噴射口
３２  洗浄液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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