(57)【要約】【課題】被処理体に表面処理を施す際において、電極が表面処理されることを防ぐと共に、被処理体表面の汚染を防ぐプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】一対の電極２１、２２を有し、前記電極２１、２２間に位置し、互いに対向する第１の被処理体８１及び第２の被処理体８２にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記第１の被処理体８１と第２の被処理体８２とが対向して形成される対向空間を閉塞する閉塞手段４０と、前記対向空間に処理用ガスを供給するガス供給手段７３とを有することを特徴とするプラズマ処理装置、及びこの装置を用いたプラズマ処理方法。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極を有し、
前記電極間に位置し、互いに対向する第１の被処理体及び第２の被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間を閉塞する閉塞手段と、
前記対向空間に処理用ガスを供給するガス供給手段と、
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記閉塞手段にガス供給手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記閉塞手段が、前記第１の被処理体と第２の被処理体の周囲に取り付けられる枠材であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記対向空間の圧力が、前記対向空間の外部の圧力よりも高い状態でプラズマ処理を行うようになされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
一対の電極の間に位置し、互いに対向する第１の被処理体及び第２の被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、
前記第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間が閉塞され、前記対向空間に処理用ガスが供給された状態でプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置、及びこの装置を用いたプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一対の電極の間に第１の被処理体と第２の被処理体とを配置し、複数の被処理体に対して同時にプラズマ処理を行う装置がある（例えば、特許文献１）。また、シート状の被処理体が一対の電極の間を往路と復路で２度通過するようになされ、これら被処理体の間に処理用ガスを供給しながら被処理体にプラズマ処理を行う装置がある（例えば、特許文献２）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２７９４５３号公報
【特許文献２】
特開平１１−２２１５１９号公報
【０００４】
しかしながら、このような装置では、被処理体同士が対向して形成される対向空間が開放された状態になっているため、対向空間に供給した処理用ガスが対向空間の外部に拡散してしまう。この処理用ガスによって、電極にも被処理体と同様のプラズマ処理が行われ、電極の短命化を引き起こしてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑み、被処理体同士が対向して形成される対向空間から処理用ガスが外部に拡散することを防ぐプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の問題点を解決するために提案されたものであり、そのプラズマ処理装置は、一対の電極を有し、前記電極間に位置し、互いに対向する第１の被処理体及び第２の被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間を閉塞する閉塞手段と、前記対向空間に処理用ガスを供給するガス供給手段とを有することを特徴としている。
【０００７】
本発明のプラズマ処理装置に用いられる一対の電極は、互いに対向して設けられている。
これらの電極間の距離は、被処理体の種類、プラズマを利用する目的等に応じて適宜決定されるが、１〜１０ｍｍであることが好ましい。１ｍｍ未満では電極間に被処理体を設けることが困難となり、１０ｍｍを超えると、均一なプラズマを発生することが困難になる。
【０００８】
電極の比抵抗率は、エネルギー損失を抑えるためには１０３Ωｃｍ以下であることが好ましい。また、電極の比抵抗率が１Ωｃｍ以下であるとエネルギー損失を抑え、より安定したプラズマを発生することができる。
【０００９】
これらの電極の形状としては特に限定されないが、例えば、板状、ローラー状等が挙げられる。ここで、電極の形状は目的に応じて種々の形状をとることができ、板状の電極は成形性及びコストの点で好ましく、また、ローラー状の電極は被処理体を搬送させながらプラズマ処理を行うことができるという点で好ましい。
また、このような電極を構成するものとしては、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、チタン、タングステン、真鍮等の金属や、ゴムに金属粉等の粉末導電体を配合した導電性ゴム等の導電体が挙げられる。これらの導電体は、単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置によってプラズマ処理される第１の被処理体と第２の被処理体は、一対の電極のそれぞれの対向面に隣接して設けられている。
また、第１の被処理体と第２の被処理体とは互いに対向・離間して設けられている。第１の被処理体と第２の被処理体との距離は、その被処理体の種類、プラズマを利用する目的に応じて適宜決定されるが、０．１〜１０ｍｍであることが好ましい。
【００１１】
ここで、説明の便宜上、一対の電極を第１の電極と第２の電極に分けて説明する。
第１の被処理体と第２の被処理体は、共に第１の電極と第２の電極の間に位置しており、第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間（以下、対向空間と記載する）は、第１の被処理体及び第２の被処理体によって電極と仕切られている。この対向空間と電極とが被処理体によって仕切られていることによって、対向空間に存在する気体が電極側に拡散しにくくなっている。
【００１２】
第１の被処理体は、第１の電極の対向面に隣接して設けられており、第１の被処理体と第１の電極とは、通常、互いに対向して設けられている。
第１の被処理体は、第１の電極の対向面と接触していてもよく、間隔を空けて設けられていてもよい。第１の被処理体が第１の電極との間に間隔を空けて設けられている場合、第１の被処理体と第１の電極との間隔は、被処理体の種類等に応じて適宜決定されるが、０．１〜３ｍｍであることが好ましい。
【００１３】
第１の電極の対向面は、第１の被処理体によって覆われていることが好ましい。第１の電極の対向面が第１の被処理体に覆われることによって安定したプラズマ処理を行うことができる。対向電極の対向面が被処理体で覆われずに対向電極同士が直接対向する部位があると、その対向する部位から異常放電が発生する恐れがある。
【００１４】
第２の被処理体は、第２の電極の対向面に隣接して設けられており、第２の被処理体と第２の電極とは、通常、互いに対向して設けられている。
第２の被処理体は、第２の電極の対向面と接触していてもよく、間隔を空けて設けられていてもよい。また、第２の電極の対向面は、第２の被処理体によって覆われていることが好ましい。
【００１５】
本発明のプラズマ処理装置は、第１の電極及び第２の電極に電圧を印加することによって、第１の電極と第２の電極との間の空間（具体的には、第１の被処理体と第２の被処理体との間の空間）にプラズマを発生する。
【００１６】
第１の電極及び第２の電極に印加する電圧としては、例えば、交流電圧やパルス化された電圧等が挙げられる。
【００１７】
本発明のプラズマ処理装置は、第１の電極と第２の電極との間の空間に存在する第１の被処理体及び第２の被処理体の両方に対してプラズマ処理を行う。
第１の被処理体と第２の被処理体の間の空間にプラズマが発生するので、第１の被処理体と第２の被処理体のそれぞれの対向面に同時にプラズマ処理が行われる。
【００１８】
また、対向空間に供給する処理用ガスを適宜選択することによって任意の処理を被処理体に行うことができ、例えば、被処理体表面を撥水性表面とするにはフッ素含有化合物ガス等が好ましく、被処理体表面を親水性表面とするには酸素元素含有化合物ガス、窒素元素含有化合物ガス、硫黄元素含有化合物ガス等が好ましい。また、被処理体表面に電気的特性や光学的特性を付与させるために金属含有化合物ガス等が好ましい。
【００１９】
ここで、被処理体としては、処理用ガスが透過しにくい構造であれば特に限定されない。例えば、ガラス、回路基板、ウエハ等の板材、各種樹脂フィルム、シート等が挙げられる。
【００２０】
第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間は、閉塞手段によって閉塞された状態になっている。対向空間が閉塞された状態になっていることによって、この対向空間が外部の空間と仕切られて独立した空間とされる。この対向空間が独立した空間となることによって、処理用ガスが外部へ拡散することを防ぎ、外部の空間からの気体等による不純物の混入を防ぐことができる。
【００２１】
閉塞手段としては、対向空間を外部の空間から仕切るものであれば特に限定されないが、例えば、第１の被処理体と第２の被処理体の周囲に取り付けられる枠材等が挙げられる。第１の被処理体と第２の被処理体の周囲に枠材が取り付けられることによって、対向空間が外部の空間と仕切られて閉塞した状態となることができる。
【００２２】
なお、閉塞手段の構造としては、その内部にガス供給路等を設け、ガス供給手段として処理用ガスを供給することができる構造であってもよい。
【００２３】
本発明のプラズマ処理装置は、第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間に処理用ガスを供給するガス供給手段を有している。
対向空間は、被処理体及び閉塞手段によって電極側の空間と仕切られているため、この対向空間に供給された処理用ガスは、対向空間の外部の空間に漏れにくくなっている。また、処理用ガスが対向空間から拡散しにくくなっているので、処理用ガスの利用効率を向上させることができる。
【００２４】
ガス供給手段の構造は特に限定されず、例えば、略一定間隔に設けられたスリット又は小孔等のガス供給口から処理用ガスを供給する構造が挙げられる。また、ガス供給手段が閉塞手段に設けられ、閉塞手段が処理用ガスを対向空間に供給する構造であってもよい。
また、ガス供給手段がガスを供給する方法は特に限定されず、例えば、加圧ポンプ等によって加圧された処理用ガスを対向空間に向けて噴出する構造でもよい。
ここで、ガス供給手段は、少なくともプラズマが発生する空間中では均一の濃度を保つように処理用ガスを供給することが好ましい。プラズマが発生する空間中の処理用ガス濃度が不均一になるとプラズマ処理を均一に行うことが困難になってしまう。
【００２５】
ガス供給手段が供給する処理用ガスは、１種でもよく、複数でもよい。
また、ガス供給手段の形状又は構造は供給する処理用ガスの種類によって適宜選択することができ、複数の種類の処理用ガスを供給する際においては処理用ガスごとにそれぞれのガス供給手段を設けてもよい。
【００２６】
ガス供給手段の数は、供給する処理用ガスの種類に応じて適宜選択することができ、１個でもよく、複数個であってもよい。なお、ガス供給手段が供給する処理用ガスは、被処理体同士が対向して形成される空間に供給された後は、その空間の外部に流出してもよい。
【００２７】
本発明のプラズマ処理装置に複数個のガス供給手段が設けられている場合、ガス供給手段の少なくとも１個の構造が、被処理体同士が対向して形成される空間に供給する構造であればよい。
【００２８】
また、閉塞手段によって閉塞された対向空間の圧力は、対向空間の外部の圧力よりも高い状態でプラズマ処理を行うようになされていることが好ましい。
被処理体同士が対向して形成される空間の圧力がその空間の外部の圧力より高いことによって、被処理体を電極の対向面側から押し広げようとするために、被処理体同士の距離を一定に保つことが容易となる。
なお、対向空間の圧力が高い状態とは、例えば、閉塞された対向空間に処理用ガスが供給されて外部の圧力よりも相対的に高圧となっている状態や、閉塞された空間の外部の空間が減圧されて対向空間の圧力が相対的に高圧となっている状態等であることが挙げられる。
【００２９】
本発明のプラズマ処理装置は、被処理体を電極の対向面に設けた状態で搬送する搬送手段を有していることが好ましい。
被処理体が電極の対向面に設けられた状態で搬送されることによって、本発明のプラズマ処理装置は被処理体の対向面にプラズマ処理を行いながら被処理体を搬送することができる。このような搬送手段としては特に限定されないが、ローラー式コンベア、ベルト式コンベア、チェーン式コンベア等が挙げられる。
【００３０】
また、本発明のプラズマ処理方法は、上記本発明のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、互いに対向する第１の電極及び第２の電極のそれぞれの対向面に隣接して配置され、互いに対向する第１の被処理体及び第２の被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される空間に処理用ガスが供給された状態で前記第１の被処理体及び第２の被処理体の対向面にプラズマ処理を行うことを特徴とするものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明のプラズマ処理装置の模式的斜視図を図１に示す。
【００３２】
図１に示すプラズマ処理装置は、筐体１、ホット電極２１、アース電極２２、電源６１、枠材３０等を備えている。
【００３３】
１点鎖線で示す筐体１の内部には、電源６１と接続されたホット電極（アルミニウム製、Ｌ１００ｃｍ×Ｗ１０ｃｍ×ｔ５ｃｍ）２１と、接地されたアース電極（アルミニウム製、Ｌ１００ｃｍ×Ｗ１０ｃｍ×ｔ５ｃｍ）２２とが互いに対向して平行に配置されている。
また、筐体１は気密性を有しており、筐体の内部には窒素ガスが充填されている。筐体１は実際にはもっと大型であるが、図１では説明のため小さく示している。
【００３４】
一対の電極２１、２２のそれぞれの対向面には、互いに対向する平板状のガラス板８１、８２が設けられている。
ホット電極２１のアース電極２２への対向面には、第１の被処理体であるガラス板（Ｌ１００ｃｍ×Ｗ１００ｃｍ×ｔ０．７ｃｍ）８１が隣接して設けられており、ホット電極２１の対向面とガラス板８１との距離は０．３ｍｍになっている。
アース電極２２のホット電極２１への対向面には、第２の被処理体であるガラス板（Ｌ１００ｃｍ×Ｗ１００ｃｍ×ｔ０．７ｃｍ）８２が設けられており、アース電極２２の対向面とガラス板８２との距離は０．３ｍｍになっている。
ここで、ガラス板８１とガラス板８２との間に対向空間が形成される。また、一対の電極２１、２２同士が対向する空間と、ガラス板８１、８２同士が対向する対向空間との共通の空間に放電空間５０が形成される。
【００３５】
ガラス板８１、８２は、ともに電極２１、２２の間に位置している。また、ガラス板８１、８２は、ともに電極２１、２２の対向面の面積よりも大きくなっているので、ガラス板８１、８２によって被覆される。電極２１、２２がガラス板８１、８２によって被覆されることによって、電極２１、２２の間で異常放電が発生することを防ぐことができる。
【００３６】
ガラス板８１、８２四周の周縁部には、平面視四角形の枠材３０（閉塞手段）が設けられている。この枠材３０は、ガラス板８１、８２の上下両端に設けられた上側横枠３１及び下側横枠３２と、ガラス板８１、８２の左右両端に設けられた右側竪枠３３及び左側縦枠３４によって構成されている。枠材３０を構成する枠３１〜３４は、隣り合う枠同士が隙間なく密着され、隣り合う枠同士の繋ぎ目を気体が通過しにくくなっている。
【００３７】
枠材３０は、ガラス板８１、８２が対向する対向空間の周囲に設けられており、対向空間の周囲を取り囲むことによってガラス板とで対向空間を閉塞している。対向空間は、枠材３０によって外部の空間から仕切られた独立した空間を形成し、高い気密性を発揮する。
【００３８】
右側竪枠３３及び左側竪枠３４はそれぞれガラス板８１、８２と直行して設けられており、放電空間５０を挟んで互いに対向している。また、右側竪枠３３及び左側竪枠３４は、ガラス板８１、８２両方の側面と密着され、ガラス板８１、８２の側面部を架橋している。
【００３９】
上側横枠３１及び下側横枠３２は、ガラス板８１、８２のそれぞれの対向面に挟まれているとともに、ガラス板８１、８２に密着されている。上側横枠３１及び下側横枠３２がガラス板８１、８２の間に設けられることによって、ガラス板８１、８２の間隔が一定に保たれている。
【００４０】
枠３１〜３４は、それぞれフッ素樹脂等の絶縁性の樹脂から構成され、ガラス板８１、８２にプラズマ処理する際に異常放電が発生することを防いでいる。
【００４１】
右側竪枠３３には、処理用ガスを対向空間に供給するガス供給口７３が対向空間に向けて複数設けられている。
右側竪枠３３の内部には、処理用ガスが通過するガス供給路７２が設けられている。ガス供給路７２の一端はガス供給口７３に接続し、ガス供給路７２の他端はガス供給管７１の一端に接続されている。また、ガス供給路７２は、ガス供給管７１からガス供給口７３に向けて複数に枝分かれしている。
【００４２】
ガス供給管７１の他端には、処理用ガスが充填されたガスボンベ７０が接続されている。処理用ガスは、ガスボンベ７０からガス供給管７１を経てガス供給路７２を通過した後、複数のガス供給口７３から対向空間に向けて供給される。この際、処理用ガスは、流量が調整された状態で供給される。
ガス供給路７２は、途中で枝分かれして複数のガス供給口７３と接続されているので、対向空間に処理用ガスを均一に供給することができる。また、ガス供給口７３が向く方向はランダムに設けられており、対向空間に処理用ガスをより均一に供給することができる。
【００４３】
左側竪枠３４には、対向空間に供給された処理用ガスを排出するガス排出口７４が設けられている。左側竪枠３４の内部には、処理用ガスが通過するガス排出路７５が設けられている。ガス排出路７５の一端にはガス排出口７４が設けられ、ガス排出路７５のもう一端には筐体１の外部に大気開放されたガス排出管７６が設けられている。
【００４４】
対向空間に供給された処理用ガスは、右側竪枠３３のガス供給口７３から放電空間５０に供給された後、左側竪枠３４に設けられたガス排出口７４から排出される。処理用ガスは、ガス排出口７４からガス排出路７５を経てガス排出管７６から筐体１の外部に排出される。
【００４５】
ここで、枠材３０によって閉塞された対向空間は高い気密性を有するので、対向空間に供給された処理用ガスを外部の空間に漏らすことなく処理用ガスで満たすことができる。また、閉塞手段である枠材３０にガス供給手段であるガス供給口を設けることによって、処理用ガスを対向空間に供給する際、供給された処理用ガスが対向空間の外部に流出することを防ぐことができる。
【００４６】
処理用ガスで満たされた対向空間の圧力は、筐体１内の空間の圧力（１気圧：１．０１３×１０５Ｐａ）よりも高く（１．０５気圧：１．０６５×１０５Ｐａ）なっている。対向空間内の圧力がその外部の空間よりも高い状態でプラズマ処理を行うようになされているので、対向空間の外部の空間に存在する気体が対向空間に流入することを防ぐことができる。また、対向空間内の圧力がその外部の空間よりも高いと、ガラス板８１、８２をその対向面側から押し広げようとするために、枠材３０によってガラス板８１、８２同士の距離を一定に保つことが容易となる。
【００４７】
プラズマ処理装置Ｍは、一対のローラー状のコンベア９１、９１及びコンベア９２、９２を電極２１、２２の左右両側に備えている。ガラス板８１、８２は、コンベア９１、９２によって、左側竪枠３４側から放電空間５０を経て右側竪枠３３側に搬送される。このとき、枠３１〜３４から構成される枠材３０は、ガラス板８１、８２とともに搬送される。
【００４８】
第１の実施形態におけるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法を説明する。
まず、互いに対向するガラス板８１、８２の間の空間に処理用ガスを供給した状態で、ホット電極２１とアース電極２２との間に電源６１からのパルス電圧を印加する。パルス電圧の印加によって放電空間５０にプラズマが発生し、このプラズマによって、放電空間５０に供給された処理用ガスが励起状態となる。なお、筐体１内には窒素ガスが充填されているので、ガラス板と電極との間にはプラズマが発生しない。
このとき、コンベアによって搬送されるガラス板８１、８２は、ホット電極２１とアース電極２２との間を通過する際に、励起状態の処理用ガスによってガラス板８１、８２のそれぞれの対向面が連続的にプラズマ処理される。
【００４９】
ここで、ガラス板８１、８２が搬送される方向と、処理用ガスが供給される方向とは同じ向きになっている。これによって、ガラス板８１、８２にプラズマ未処理の領域が放電空間５０の風上側に位置するので、プラズマ処理によって発生した処理用ガスの副生成物がプラズマ未処理の領域に付着することを防ぐことができる。
【００５０】
次に、第２の実施形態にかかるプラズマ処理装置の模式的断面図を図２に示す。なお、第１の実施形態と同一構成部分には同一の番号を付して重複箇所の説明を省略する。
【００５１】
筐体１の内部には、ローラー状のホット電極２１及びアース電極２２（一対の電極）が互いに対向して配置されている。ローラー状のホット電極２１は電源６１と接続されており、アース電極２２は接地されている。これらの一対の電極２１、２２は、それぞれアルミニウムから構成されている。これらの電極２１、２２の形状は、半径１ｃｍの円柱状をなしており、その長さは９０ｃｍとなっている。
【００５２】
ホット電極２１及びアース電極２２はそれぞれ３ｃｍの間隔を空けて片側に１０個ずつ並んで配置されている。また、これらの電極２１、２２の間に被処理体であるガラス板８１、８２が設けられており、ガラス板８１、８２の間の空間に対向空間が形成される。
ホット電極２１の対向面には第１の被処理体である平板状のガラス板（Ｌ１００ｃｍ×Ｗ１００ｃｍ×ｔ０．７ｃｍ）８１が接した状態で設けられている。また、アース電極２２の対向面には第２の被処理体である平板状ガラス板（Ｌ１００ｃｍ×Ｗ１００ｃｍ×ｔ０．７ｃｍ）８２が接した状態で設けられている。
【００５３】
ローラー状の電極２１、２２は回転可能となっており、電極２１、２２を回転させることによってガラス板８１、８２のみを方向ａへ搬送することができる。
【００５４】
ガラス板８１、８２のそれぞれの左右両端には、板状の右側竪枠３３及び左側竪枠３４が設けられている。右側竪枠３３及び左側竪枠３４は、ガラス板８１、８２のそれぞれの対向面に挟まれているとともに、ガラス板８１、８２に密着されている。右側竪枠３３及び左側竪枠３４がガラス板８１、８２の間に設けられることによって、ガラス板８１、８２の間隔が一定に保たれている。
【００５５】
ガラス板８１、８２の周縁部の上下両端には、放電空間５０を挟むように板状の上側横枠３１及び下側横枠３２が設けられている。上側横枠３１及び下側横枠３２はそれぞれガラス板８１、８２と直行して設けられており、放電空間５０を挟んで互いに対向している。また、上側横枠３１及び下側横枠３２は、ガラス板８１、８２両方の側面と密着され、ガラス板８１、８２の側面部を架橋している。
【００５６】
なお、この上側横枠３１及び下側横枠３２には、ガラス板８１、８２の上下両端をそれぞれ嵌め込む２つの凹部４１、４２が一定間隔を空けて平行に設けられており、凹部に嵌め込まれたガラス板８１、８２の間隔を一定に保っている。
【００５７】
ここで、プラズマが発生した状態で、ガラス板８１、８２を搬送することによって、ガラス板８１、８２の双方の対向面に同時にプラズマ処理を行うことができる。このとき、ガラス板８１、８２の間の空間に供給された処理用ガスに応じて、ガラス板８１、８２の対向面に種々のプラズマ処理が行われる。
【００５８】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。
【００５９】
（実施例１）
上記の第１の実施形態において、ガラス板８１、８２の間の空間に、処理用ガスとしてＳｉＨ４ガス（流量：２００ｓｃｃｍ）及びＨ２ガス（流量：６０００ｓｃｃｍ）を供給した。ガラス板８１、８２を２０ｃｍ／ｍｉｎで搬送させた状態で電極２１、２２間に３０ｋＨｚ、１０ｋＶのパルス電圧の印加を行い、ガラス板８１、８２の双方の対向面にプラズマ処理を行った。
【００６０】
（実施例２）
上記の第２の実施形態において、ガラス板８１、８２の間の空間に、処理用ガスとしてＳｉＨ４ガス（流量：１００ｓｃｃｍ）、Ｈ２ガス（流量：１０００ｓｃｃｍ）、及び窒素ガス（流量：１０ＳＬＭ）を供給した。ガラス板８１、８２を１００ｍ／ｍｉｎで搬送させた状態で電極２１、２２間に３０ｋＨｚ、１０ｋＶのパルス電圧の印加を行い、ガラス板８１、８２の双方の対向面にプラズマ処理を行った。
【００６１】
プラズマ処理の確認
実施例１及び実施例２でプラズマ処理されたガラス板８１、８２の対向面を観察した。
実施例１でプラズマ処理されたガラス板のそれぞれの対向面には、厚さ５０ｎｍの均一なａ‐Ｓｉの薄膜が形成され、実施例２でプラズマ処理されたガラス板のそれぞれの対向面には、厚さ２００ｎｍの均一なＳｉＮｘの薄膜が形成された。
また、それぞれの実施例でプラズマ処理されたガラス板に形成された薄膜には瑕や皺が確認されなかった。また、それぞれの実施例で用いた電極表面には薄膜の形成が確認されなかった。
【００６２】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置は、一対の電極を有し、前記電極間に位置し、互いに対向する第１の被処理体及び第２の被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間を閉塞する閉塞手段と、前記対向空間に処理用ガスを供給するガス供給手段とを有するため、被処理体に表面処理を施す際において、処理用ガスが電極に到達して電極に表面処理を行うことを防ぐことができる。
【００６３】
また、前記閉塞手段にガス供給手段が設けられていると、処理用ガスを対向空間に供給する際、供給された処理用ガスが対向空間の外部に流出することを防ぐことができる。
【００６４】
また、前記第１の被処理体と第２の被処理体との間の空間の圧力が、前記空間の外部の圧力よりも高い状態でプラズマ処理を行うようになされていると、被処理体同士の距離を一定に保つことが容易となる。
【００６５】
本発明のプラズマ処理方法は、一対の電極の間に位置し、互いに対向する第１の被処理体及び第２の被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記第１の被処理体と第２の被処理体とが対向して形成される対向空間が閉塞され、前記対向空間に処理用ガスが供給された状態でプラズマ処理を行うことによって、被処理体に表面処理を施す際に、電極が表面処理されることを防ぐと共に、被処理体表面の汚染を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る本発明のプラズマ処理装置の模式的断面図である。
【図２】第２の実施形態に係る本発明のプラズマ処理装置の模式的断面図である。
【符号の説明】
Ｍ  プラズマ処理装置
１  筐体
２１、２２  電極
３０  枠材
３１  上側横枠
３２  下側横枠
３３  右側竪枠
３４  左側竪枠
４１、４２  凹部
５０  放電空間
６１  電源
７０  ガスボンベ
７１  ガス供給管
７２  ガス供給路
７３  ガス供給口
７４  ガス排出口
７５  ガス排出路
７６  ガス排出管
８１、８２  被処理体
９１、９２  コンベア
【図１】
2005015895.tif 000003
【図２】
2005015895.tif 000004