(57)【要約】【課題】  優れた特性を有する保護層を表面に備えており、これにより高い耐食性を発揮し得る希土類磁石及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の希土類磁石１は、希土類元素を含有する磁石素体２と、その表面上に形成された保護層４とを備えるものである。この保護層４は、有機高分子化合物及び無機高分子化合物を含有している。また、この保護層においては、少なくとも一部に、有機高分子化合物と無機高分子化合物との水素結合が形成されている。【選択図】  図２
2005217315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素を含有する磁石素体と、該磁石素体の表面上に形成された保護層と、を備え、
前記保護層は、有機高分子化合物及び無機高分子化合物を含有しており、且つ、
前記保護層においては、少なくとも一部に、前記有機高分子化合物と前記無機高分子化合物との水素結合が形成されていること、
を特徴とする希土類磁石。
【請求項２】
前記有機高分子化合物及び前記無機高分子化合物のうちのいずれか一方がプロトン供与性の官能基を有しており、他方がプロトン受容性の官能基を有していることを特徴とする請求項１記載の希土類磁石。
【請求項３】
前記有機高分子化合物は、プロトン受容性の官能基を有しており、且つ、前記無機高分子化合物は、プロトン供与性の官能基を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の希土類磁石。
【請求項４】
前記有機高分子化合物は、アミド基を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の希土類磁石。
【請求項５】
前記有機高分子化合物は、ポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン及びポリアクリルアミド誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の希土類磁石。
【請求項６】
前記無機高分子化合物は、金属原子と酸素原子とが交互に結合してなる主鎖を有する化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の希土類磁石。
【請求項７】
前記金属原子として、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＢからなる群より選ばれる少なくとも一種の原子を含有していることを特徴とする請求項６記載の希土類磁石。
【請求項８】
前記金属原子として、Ｓｉを含有していることを特徴とする請求項６又は７記載の希土類磁石。
【請求項９】
前記無機高分子化合物は、下記式（１）； 
［化１］
Ｒ１ｍＳｉ（ＯＲ２）４−ｍ  …（１）
（式中、Ｒ１は炭素数１〜８の有機基、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基を示し、ｍは１又は２である。なお、複数存在するＲ１又はＲ２は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。）
で表される化合物及び／又はその加水分解生成物を、縮合又は共縮合して得られたものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載希土類磁石。
【請求項１０】
プロトン受容性の官能基を有する有機高分子化合物と、プロトン供与性の官能基に変換されるべき基若しくはプロトン供与性の官能基を有する無機モノマー及び／又は該無機モノマーの重合生成物を含む無機高分子前駆体と、の混合を経て、塗布液を調製する塗布液調製工程と、
前記塗布液を、希土類元素を含有する磁石素体の表面上に塗布する塗布工程と、
前記塗布液から前記保護層を形成する保護層形成工程と、
を有することを特徴とする希土類磁石の製造方法。
【請求項１１】
前記塗布液調製工程、前記塗布工程、及び、前記保護層形成工程のうちの少なくとも一つの工程において、前記無機高分子前駆体の重合を行うことを特徴とする請求項１０記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項１２】
前記有機高分子化合物として、前記プロトン受容性の官能基がアミド基であるものを用いることを特徴とする請求項１０又は１１記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項１３】
前記有機高分子化合物として、ポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン及びポリアクリルアミド誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を用いることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項１４】
前記無機高分子前駆体として、重合可能な官能基が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＢからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子に結合してなる前記無機モノマー及び／又はその重合生成物を用いることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項１５】
前記無機高分子前駆体として、重合可能な官能基が、Ｓｉに結合してなる前記無機モノマー及び／又はその重合生成物を用いることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の希土類磁石の製造方法。
【請求項１６】
前記無機高分子前駆体として、下記式（１）；
［化２］
Ｒ１ｍＳｉ（ＯＲ２）４−ｍ  …（１）
（式中、Ｒ１は炭素数１〜８の有機基、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基を示し、ｍは１又は２である。なお、複数存在するＲ１又はＲ２は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。）
で表される無機モノマー及び／又はその加水分解生成物を含有していることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の希土類磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類磁石及びその製造方法、特に、表面に保護層を有する希土類磁石及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高性能を有する永久磁石として希土類磁石が知られている。これらは、従来の空調機、冷蔵庫のような家庭用電化製品のみならず、産業機械、ロボット、燃料電池車、ハイブリッドカー等の駆動用モータへの応用が検討されており、これらの小型化、省エネルギー化を実現し得るものとして期待されている。このような希土類磁石のなかでも、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ（Ｒは希土類元素）系の磁石は、特に高い磁気特性を有することから注目を集めている。かかるＲ−Ｆｅ−Ｂ系の希土類磁石としては、例えば、下記特許文献１や下記特許文献２に記載されたものが公知である。
【０００３】
これらのＲ−Ｆｅ−Ｂ系の希土類磁石は、２５ＭＧＯｅを超えるような高いエネルギー積を示す高性能磁石である。しかしながら、磁石の主成分として希土類元素及び鉄を含有していることから極めて酸化されやすく、また、温度に対する耐性が低いという性質を有していた。このため、これらの磁石は耐食性が低い傾向にあり、長期使用による経時的な磁気特性の低下を避けることが困難であった。
【０００４】
近年では、このようなＲ−Ｆｅ−Ｂ系の希土類磁石の耐食性を向上させることを目的として、磁石素体の表面に保護層を形成することが試みられている。例えば、下記特許文献３には、磁石素体の表面にめっきにより耐酸化性金属被膜を形成し、これにより磁石の耐酸化性を向上させた希土類磁石が記載されている。
【０００５】
また、下記特許文献４には、磁石素体の表面に樹脂被膜を形成させ、これにより磁石の耐酸化性を向上させた希土類磁石が記載されている。さらに、下記特許文献５には、磁石素体の表面にゾル−ゲル法により金属酸化物からなる緻密な被膜を形成させ、これにより磁石の耐食性や耐アルカリ性を向上させた希土類磁石が記載されている。
【特許文献１】特開昭５９−４６００８号公報
【特許文献２】特開昭６０−９８５２号公報
【特許文献３】特開昭６０−５４４０６号公報
【特許文献４】特開昭６０−６３９０１号公報
【特許文献５】特開２００１−７６９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来技術による希土類磁石は、磁石素体の表面に各種の保護層を有しているため、磁石素体を単独で用いた場合に比べて高い耐食性を有するものとなる。しかし、これらの希土類磁石は、保護層そのものの特性が不十分であることに起因して耐食性が十分でなく、例えば高温条件等の厳しい条件が課される用途に対しては、未だ実用性に乏しいものであった。
【０００７】
例えば、上記特許文献３に記載された、めっきにより形成された金属被膜は、ピンホールを有した状態となりやすい傾向にあった。このように保護層にわずかでもピンホール等が存在すると、例えば塩水噴霧試験により磁石素体に腐食が生じる等、磁石全体の耐食性が顕著に低下する。
【０００８】
また、上記特許文献４に記載の希土類磁石における保護層は、樹脂によって構成されたものであることから耐透湿性が完全でなく、このため外部の水分が僅かに保護層を透過する場合があった。このように外部の水分が保護層を透過すると、かかる水分が磁石素体と接触してこの接触部位を腐食させたり、また保護層と磁石素体の間に水分が侵入して保護層の剥離を促進したりする等の不都合を誘起するおそれがある。さらに、このように樹脂により構成される保護層は耐熱性が不十分である場合が多く、このため、かかる保護層を備える磁石を高温条件で使用することが困難であった。
【０００９】
またさらに、上記特許文献５に記載の希土類磁石においては、保護層の形成時において膜形成用のゾル液を加熱し、これにより溶媒蒸発、重合又は熱分解反応を生じさせているが、これらの工程では、塗布されたゾル液が大きな体積収縮を生じる傾向にある。こうなると、この体積収縮によって保護層は応力を有するようになり、これにより保護層にクラックが生じやすくなる。この傾向は、特に、厚い保護層を形成させようとした場合や、磁石表面に凹凸がある場合等に大きいものとなる。このように保護層にクラックが生じると、上述したピンホールの場合と同様、希土類磁石の耐食性が極端に低いものとなる。
【００１０】
本発明はこれらの従来技術が有する事情にかんがみてなされたものであり、優れた特性を有する保護層を表面に備えており、これにより高い耐食性を発揮し得る希土類磁石及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、有機材料と無機材料とを組み合わせて用いた、いわゆる有機無機ハイブリッド材料を磁石用の保護層に適用した場合に、両者の特性を同時に具備する保護層を形成可能であり、このような保護層は、上記従来技術のように有機材料又は無機材料を単独で用いて形成させた保護層に比して優れた特性を有していることを見出した。
【００１２】
また、このような保護層について更に詳細な検討を行ったところ、通常知られている有機無機ハイブリッド材料のように、単に有機材料と無機材料とを混合させるだけでは、形成された保護層において有機成分と無機成分との相分離を生じる場合があることを確認した。また、このために、かかる混合物からなる保護層においては、保護層全体にわたって均一な特性が発揮され得ないことが判明した。
【００１３】
本発明者らはこれらの知見に基づき、有機成分と無機成分とを組み合わせた有機無機ハイブリッド材料として、両成分の間に所定の相互作用を有する化合物を含む材料を保護層に適用することにより、極めて優れた耐食性を有する希土類磁石が得られることを見出し、本発明を完成させた。
【００１４】
すなわち、本発明の希土類磁石は、希土類元素を含有する磁石素体とこの磁石素体の表面上に形成された保護層とを備えるものであり、保護層は、有機高分子化合物及び無機高分子化合物を含有しており、且つ、この保護層においては、少なくとも一部に有機高分子化合物と無機高分子化合物との水素結合が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
上記希土類磁石の保護層においては、有機高分子化合物と無機高分子化合物との間に水素結合が形成されている。このため、保護層中において、これらの化合物が相分離を生じることは極めて少なく、有機高分子化合物及び無機高分子化合物が均一に分散された状態となる。その結果、保護層は、緻密な構造を有し、且つ膜全体にわたって均一な特性を有するものとなる。
【００１６】
また、保護層は、上述の如く、有機高分子化合物及び無機高分子化合物を併せて含有していることから、以下に示すような特性を有している。例えば、保護層の形成時に、溶媒蒸発や重合等を実施することにより層の体積を収縮させるような応力が発生したとしても、柔軟な有機高分子化合物が含有されているため、このような応力を緩和することができる。こうして形成された保護層は、ピンホールやクラックの発生が極めて少ないものとなる。
【００１７】
さらに、保護層中には無機高分子化合物が含まれているため、この保護層は、有機高分子化合物のみで形成された保護層に比して耐熱性及び耐湿性が格段に優れるものとなる。このような保護層を有する希土類磁石は、高温条件での使用にも耐え得る特性を有するようになるとともに、水分による磁石素体の腐食も生じ難いものとなる。
【００１８】
このように、上述の構成を有する保護層は、有機材料及び無機材料のいずれかを単独で用いて形成された従来の保護層に比して優れた耐食性を有している。また、このような効果に加え、上記保護層は希土類磁石に対して密着性が高いという特性を有している。この原因については、必ずしも明らかではないものの、次のような理由に基づくと考えられる。すなわち、磁石素体に含まれる希土類元素は、酸素との反応性が高いという特性を有している。また、上記保護層の構成成分である無機高分子化合物は、その分子中に酸素原子を有していることが多い。したがって、このような無機高分子化合物を含む保護層を、希土類磁石を含む磁石素体の保護層として適用した場合、酸素を介して希土類元素と保護層とが化学的に結合され、これにより両者の密着性が向上する。但し、作用はこれらに限定されない。
【００１９】
希土類磁石における保護層中の有機高分子化合物及び無機高分子化合物は、これら両者の間に水素結合を形成するために、いずれか一方がプロトン供与性の官能基を有しており、他方がプロトン受容性の官能基を有していると好ましい。
【００２０】
特に、有機高分子化合物が、その分子中にプロトン受容性の官能基を有しており、また、無機高分子化合物が、その分子中にプロトン供与性の官能基を有していることが好ましい。このような組み合わせにより、両高分子化合物間に強い水素結合が形成され、優れた特性を有する保護層が得られる。
【００２１】
有機高分子化合物が有するプロトン受容性の官能基としては、アミド基が好ましい。アミド基は、水素結合におけるプロトン受容性に優れるものである。このため、かかる構成とした場合、有機高分子化合物と無機高分子化合物との間の水素結合が更に生じやすくなる。特に、アミド基が、窒素原子における水素原子が有機基により置換された構造を有していると好ましい。なお、本発明において、アミド基には、−ＣＯＮＨ２で表される基のほか、当該構造で表される基の水素原子が他の官能基（例えば炭化水素基の炭素原子）に置換されてなる基も含まれるものとする。
【００２２】
より具体的には、上記有機高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン及びポリアクリルアミド誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物が好ましい。これらを単量体単位として含む有機高分子化合物は、プロトン受容性に優れたアミド基を有するものとなる。なお、上述したアミド基の定義と同様、ポリアクリルアミド誘導体には、ポリアクリルアミド、及び、主鎖に結合したアミド基の水素原子が他の官能基により置換されたポリアクリルアミドが含まれるものとする。ここで、有機高分子化合物として含有させるポリアクリルアミド誘導体としては後者が好ましい。
【００２３】
また、保護層に含有させる無機高分子化合物としては、金属原子と酸素原子とが交互に結合してなる主鎖を有する化合物が好ましい。このような構成を有する無機高分子化合物は安定であるという特性を有している。このため、この無機高分子化合物を含有する保護層の耐食性も向上する。
【００２４】
より具体的には、無機高分子化合物の主鎖を構成する金属原子としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＢからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含有していると好ましい。特に、Ｓｉを含有していると好ましい。これらの元素を含む無機高分子化合物はより安定であり、保護層の耐食性を更に向上させ得る。
【００２５】
このようなＳｉを有する無機高分子化合物としては、下記式（１）； 
［化１］
Ｒ１ｍＳｉ（ＯＲ２）４−ｍ  …（１）
（式中、Ｒ１は炭素数１〜８の有機基、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基を示し、ｍは１又は２である。なお、複数存在するＲ１又はＲ２は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。）
で表される化合物及び／又はその加水分解生成物が、縮合又は共縮合して得られたものが好ましい。
【００２６】
本発明による希土類磁石の製造方法は、上記本発明の希土類磁石を簡易に製造するための方法であって、プロトン受容性の官能基を有する有機高分子化合物と、プロトン供与性の官能基に変換されるべき基若しくはプロトン供与性の官能基を有する無機モノマー及び／又はこの無機モノマーの重合生成物（オリゴマー又はポリマー）を含む無機高分子前駆体との混合を経て、塗布液を調製する塗布液調製工程、この塗布液を、希土類元素を含有する磁石素体の表面上に塗布する塗布工程、及び、この塗布液から前記保護層を形成する保護層形成工程を有することを特徴とする。ここで、保護層形成工程には、磁石素体への塗布と同時に保護層が形成される場合も含まれるものとする。
【００２７】
上記希土類磁石の製造方法においては、保護層となる塗布液を磁石素体に塗布する、いわゆる湿式法により保護層が形成される。このような方法によれば、複雑な装置等を用いることなく、温和な条件で均一な厚さを有する保護層を形成することが可能となる。
【００２８】
また、上記無機高分子前駆体が、更なる重合反応が可能な化合物である場合、すなわち、当該前駆体が、上記無機モノマー、又はこのモノマーを重合したオリゴマー若しくはポリマーであって更に重合可能である状態のもののいずれかを含む場合には、塗布液調製工程、塗布工程、及び、保護層形成工程のうちの少なくとも一つの工程において、当該無機高分子前駆体の重合を行うことが好ましい。
【００２９】
有機高分子化合物としては、前記プロトン受容性の官能基がアミド結合であるものを用いることが好ましい。上述の如く、アミド基は、水素結合を生じる際のプロトン受容性に優れるものである。このため、かかる構成とした場合、有機高分子化合物と無機高分子化合物との間の水素結合が更に生じやすくなる。その結果、得られる保護層の耐食性がさらに向上する。
【００３０】
より具体的には、有機高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン及びポリアクリルアミド誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を用いることが好ましい。これらを単量体単位として含む有機高分子化合物は、プロトン受容性に優れたアミド基を有するものとなる。
【００３１】
また、無機高分子前駆体としては、重合可能な官能基がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＢからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子に結合してなる無機モノマー及び／又はこのモノマーの重合生成物（オリゴマー、ポリマー等）を含有していることが好ましい。特に、金属原子がＳｉであるものを用いることが好ましい。これらの無機高分子前駆体は、加熱等により容易に無機高分子化合物を生じるため、保護層の形成が容易となる。また、これらの金属原子を主鎖に有する無機高分子化合物は安定であるため、得られる保護層の耐食性が更に良好となる。
【００３２】
より具体的には、無機高分子前駆体として、下記式（１）で表される化合物及び／又はその加水分解生成物を含有していることが好ましい。こうすることで、無機高分子化合物中に、優れた応力緩和性を有するポリシロキサンが導入される。そして、このような無機高分子化合物を含む保護層は、クラック等を生じ難いものとなる。
［化２］
Ｒ１ｍＳｉ（ＯＲ２）４−ｍ  …（１）
（式中、Ｒ１は炭素数１〜８の有機基、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基を示し、ｍは１又は２である。なお、複数存在するＲ１又はＲ２は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。）
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、有機高分子化合物及び無機高分子化合物の両方の特性を併せて具備しており、また、これらの相分離を生じることが少ない保護層を表面に備える希土類磁石を提供することが可能となる。このような希土類磁石は極めて優れた耐食性を有しており、例えば燃料電池車やハイブリッドカーの駆動モータのような、高い温度条件において使用される用途に用いる永久磁石として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
まず、図１及び図２を参照して本発明の希土類磁石の一実施形態について説明する。図１は、好適な実施形態の希土類磁石を示す斜視図である。また、図２は、図１に示される希土類磁石のII−II線に沿った断面図である。図１及び図２に示される希土類磁石１は、磁石素体２の表面上に保護層４が形成された構成を有している。以下、かかる保護層４及び磁石素体２を構成する成分についてそれぞれ説明する。
【００３６】
まず、保護層４の構成成分について説明する。保護層４は、有機高分子化合物及び無機高分子化合物を含有してなるものであり、また、これらは、一部が水素結合により結合されている。なお、「水素結合」とは、２原子間に水素が介在して形成される結合のことをいい、一般的にはＸ−Ｈ…Ｙで表される。ここで、Ｘ及びＹは、水素結合により結合される２つの原子を示し、Ｘ−ＨはＸ原子と水素の共有結合を示す。このように、Ｘ−Ｈで表される基とＹ原子との間で水素結合が形成されている。
【００３７】
保護層４中に含まれる有機高分子化合物及び無機高分子化合物は、水素結合を形成するため、互いに水素結合を形成可能な官能基を分子中に有している。ここで、水素結合を形成可能な官能基とは、水素結合において水素を供与するプロトン供与性の官能基（上記Ｘ−Ｈで表される基）、及び、水素結合において水素を受容するプロトン受容性の官能基（上述のＹを含有する基）の組み合わせである。
【００３８】
有機高分子化合物及び無機高分子化合物は、それぞれプロトン供与性及びプロトン受容性のうちどちらの官能基を有していても構わないが、好適な場合、有機高分子化合物がプロトン受容性の官能基を有しており、無機高分子化合物がプロトン供与性の官能基を有している。
【００３９】
以下、各高分子化合物について説明する。有機高分子化合物としては、プロトン受容性の官能基を分子内に有しているものであれば特に制限なく用いることができる。プロトン受容性の官能基としては、電気陰性の大きい酸素原子、窒素原子、フッ素原子、塩素原子等を有する官能基が挙げられる。具体的には、アミド基、イミド基、カーボネート基、ウレタン基が好ましい。
【００４０】
なかでも、アミド基は、水素結合を形成する際に高いプロトン受容性を発揮し得ることから特に好ましい。さらに、有機高分子化合物においては、アミド基のうちでも、−ＣＯＮＨ２で表される基の水素原子が他の官能基（より好適には有機基）に置換された構成を有するものが一層好ましい。こうすると、アミド基の窒素原子が水素原子を有している場合に生じる懸念のあった、有機高分子化合物におけるアミド基同士の水素結合が殆ど形成されなくなる。その結果、保護層における有機高分子化合物と無機高分子化合物との相分離が一層低減される。
【００４１】
アミド基を有する有機高分子化合物としては、少なくとも分子中にアミド基を有するものであればよいが、より強い水素結合を生じさせる観点からは、高分子中の各単量体単位がそれぞれアミド基を有していることが好ましい。
【００４２】
このような有機高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン、ポリアクリルアミド誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカプロラクトン）、ポリビニルアセトアミド、ナイロン誘導体等が挙げられる。また、有機高分子化合物は、これらの重合体を構成するモノマーが、任意の組み合わせで共重合された共重合体であってもよい。
【００４３】
より具体的には、ポリビニルピロリドンとしては、ポリ（１−ビニル−２−ピロリドン）が挙げられる。また、ポリオキサゾリンとしては、ポリ（２−メチル−２−オキサゾリン）が挙げられ、ポリアクリルアミド誘導体としては、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド）が挙げられる。
【００４４】
一方、無機高分子化合物は、炭素原子以外の元素により構成される主鎖（骨格）を有しており、また、分子内にプロトン供与性の官能基を有する化合物である。このような無機高分子化合物の主鎖は、金属原子を含有しており、好適な場合には、金属原子と酸素原子とが交互に結合してなる構造を有している。
【００４５】
プロトン供与性の官能基は、例えば−ＯＨ、−ＮＨで表される構造を有する官能基であり、このような構造を含む官能基として、具体的には水酸基やアミノ基が例示できる。特に水酸基は、上述したプロトン受容性の官能基と水素結合を良好に形成し得ることから好ましい。
【００４６】
無機高分子化合物の主鎖が有している金属原子としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＢからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好ましく、なかでもＳｉが好ましい。より具体的には、無機高分子化合物としては、−Ｓｉ−Ｏ−で表される結合により主鎖が形成されたポリシロキサンが好ましい。このようなポリシロキサンは、その前駆体が比較的安定であり、しかも比較的容易に合成することが可能であるため、種々の構造を有する重合体を形成できるという利点を有している。なお、本明細書中において、金属原子にはＳｉ及びＢも含まれるものとする。
【００４７】
上記ポリシロキサンとしては、下記式（１）で表される化合物及び／又はその加水分解生成物を縮合又は共縮合させてなるものが挙げられる。なお、下記式中、Ｒ１は炭素数１〜８の有機基、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基を示し、ｍは１又は２である。なお、複数存在するＲ１又はＲ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
［化３］
Ｒ１ｍＳｉ（ＯＲ２）４−ｍ  …（１）
【００４８】
このような化合物を縮合させると、−Ｓｉ−O−で表される結合を主鎖に有するポリシロキサンが生成する。また、縮合時には上記ＯＲ２で表される官能基が加水分解されて水酸基を生じる。その結果、主鎖が−Ｓｉ−Ｏ−結合により構成され、且つ、プロトン供与性の官能基である水酸基を有しているポリシロキサンが得られる。こうして得られたポリシロキサンは、優れた応力緩和性を有している。このため、このポリシロキサンを含有する保護層４は、クラック等をさらに生じ難いものとなる。
【００４９】
保護層４においては、有機高分子化合物及び無機高分子化合物は以下に示す配合比で含有されていることが好ましい。すなわち、有機高分子化合物の含有量は、無機高分子化合物１００質量部に対して２０〜１００質量部であることが好ましい。有機高分子化合物の含有量が２０質量部未満であると、得られる保護層の応力緩和性が小さくなり、保護層にクラックが生じやすくなる傾向にある。一方、有機高分子化合物の含有量が１００質量部を超えると、保護層の耐熱性、耐湿性が低下する傾向にある。
【００５０】
なお、保護層４は、上述した有機高分子化合物及び無機高分子化合物以外に、微量成分として、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ等の金属微粉末、エポキシ樹脂等の樹脂成分、モンモリロナイト等の粘土鉱物、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物酸化物等を含有していてもよい。
【００５１】
上述した構成を有する保護層４において、有機高分子化合物と無機高分子化合物との間に水素結合が形成されているかどうかは、例えば、フーリエ変換赤外分光測定装置（ＦＴ−ＩＲ）によって確認することができる。具体的には、磁石素体２から保護層４を剥離して、この剥離片をＦＴ−ＩＲにより分析すると、保護層４に水素結合が形成されている場合、水素結合に寄与している官能基が、通常、水素結合に関与していない状態で得られる吸収波数からシフトした位置に吸収を示すようになる。
【００５２】
例えば、上記した好適な例のように、有機高分子化合物がアミド基を有しており、当該アミド基が水素結合に寄与している場合には、通常、１６５０ｃｍ−１付近に見られるアミドカルボニル基の伸縮振動が、２０ｃｍ−１程度低波数側にシフトした状態で観測される。
【００５３】
次に、希土類磁石１における磁石素体２の構成材料について説明する。磁石素体２は、希土類元素を含有する永久磁石である。この場合、希土類元素とは、長周期型周期表第３周期の元素及びランタノイドに属する元素のことをいい、このような希土類元素には、例えば、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビニウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等が含まれる。
【００５４】
磁石素体２の構成材料としては、上記希土類元素と遷移元素とを組み合わせて含有させたものが例示できる。この場合、希土類元素としては、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｐｒ及びＴｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好ましく、これらの元素にＬａ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を更に含有したものであるとより好適である。
【００５５】
より具体的には、磁石素体２の構成材料としては、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ（Ｒは希土類元素）系やＲ−Ｃｏ系の構造を有するものが例示できる。前者の構造を有する材料においては、ＲとしてはＮｄが好ましく、また後者の構造を有する材料においては、ＲとしてはＳｍが好ましい。
【００５６】
なかでも、希土類磁石１における磁石素体２の構成材料としては、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系の構造を有する材料が好ましい。このような材料は実質的に正方晶系の結晶構造の主相を有しており、また、この主相の粒界部分に希土類元素の配合割合が高い希土類リッチ相、及びホウ素原子の配合割合が高いホウ素リッチ相を有している。これらの希土類リッチ相及びホウ素リッチ相は磁性を有していない非磁性相であり、このような非磁性相は通常、磁石構成材料中に０．５〜５０体積％含有されている。また、主相の粒径は、通常１〜１００μｍ程度である。
【００５７】
このような構成を有する磁石素体２の構成材料においては、希土類元素の含有量が８〜４０原子％であると好ましい。希土類元素の含有量が８原子％未満である場合、主相の結晶構造がα鉄とほぼ同じ結晶構造となり、保持力（ｉＨｃ）が小さくなる傾向にある。一方、４０原子％を超えると希土類リッチ相が過度に形成されてしまい、残留磁束密度（Ｂｒ）が小さくなる傾向にある。
【００５８】
また、Ｆｅの含有量は４２〜９０原子％であると好ましい。Ｆｅの含有量が４２原子％未満であるとＢｒが小さくなり、また、９０原子％を超えるとｉＨｃが小さくなる傾向にある。さらに、Ｂの含有量は２〜２８原子％であると好ましい。Ｂの含有量が２原子％未満であると菱面体構造が形成されやすく、これによりｉＨｃが小さくなる傾向にあり、また２８原子％を超えると、ホウ素リッチ相が過度に形成されて、これによりＢｒが小さくなる傾向にある。
【００５９】
上述した構成材料においては、Ｒ−Ｆｅ−ＢにおけるＦｅの一部が、Ｃｏで置換されていてもよい。このようにＦｅの一部をＣｏで置換すると、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。この場合、Ｃｏの置換量は、Ｆｅの含有量よりも大きくならない程度とすることが望ましい。Ｃｏ含有量がＦｅ含有量を超えると、磁石素体２の磁気特性が小さくなる傾向にある。
【００６０】
また上記構成材料におけるＢの一部は、Ｃ、Ｐ、Ｓ又はＣｕ等の元素により置換されていてもよい。このようにＢの一部を置換することによって、磁石素体の製造が容易となるほか、製造コストの低減も図れるようになる。このとき、これらの元素の置換量は、磁気特性に実質的に影響しない量とすることが望ましく、構成原子総量に対して４原子％以下とすることが好ましい。
【００６１】
さらに、ｉＨｃの向上や製造コストの低減等を図る観点から、上記構成に加え、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｈｆ等の元素を添加してもよい。これらの添加量も磁気特性に影響を及ぼさない範囲とすることが好ましく、構成原子総量に対して１０原子％以下とすることが好ましい。また、その他、不可避的に混入する成分としては、Ｏ、Ｎ、Ｃ、Ｃａ等が考えられ、これらは構成原子総量に対して３原子％程度以下の量で含有されていても構わない。
【００６２】
このような構成を有する磁石素体２は、粉末冶金法によって製造することができる。この方法においては、まず鋳造法やストリップキャスト法等の公知の合金製造プロセスにより所望の組成を有する合金を作製する。次に、この合金をジョークラッシャー、ブラウンミル、スタンプミル等の粗粉砕機を用いて１０〜１００μｍの粒径となるように粉砕した後、更にジェットミル、アトライター等の微粉砕機により０．５〜５μｍの粒径となるようにする。こうして得られた粉末を、好ましくは６００ｋＡ／ｍ以上の磁場強度を有する磁場のなかで、０．５〜５ｔ／ｃｍ２の圧力で成形する。
【００６３】
その後、得られた成形体を、好ましくは不活性ガス雰囲気又は真空下中、１０００〜１２００℃で０．５〜１０時間焼結させた後に急冷する。さらに、この焼結体に、不活性ガス雰囲気又は真空中、５００〜９００℃で１〜５時間の熱処理を施した後、焼結体を所望の形状に加工して、磁石素体２を得る。
【００６４】
本発明の好適な実施形態の希土類磁石１は上述した磁石素体２の表面上に、上述した保護層４を備えた構造を有している。この希土類磁石１においては、保護層４の厚さは、０．１〜１００μｍであると好ましく、５〜５０μｍであるとより好ましい。この厚さが０．１μｍ未満であると、磁石表面を十分に被覆することが極めて困難となる傾向にある。一方、厚さが１００μｍを超えると、保護層にクラックや剥離が生じやすくなり、保護層としての信頼性が低下する傾向にある。なお、この場合の保護層４の厚さとは、磁石素体２表面に形成されている保護層４の厚さの平均をいうものとする。
【００６５】
また、希土類磁石１は、磁石素体２の表面上に、保護層４以外の層を１層以上備えるものであってもよい。例えば、保護層４の下地層として無機酸化物層や金属層を備えていてもよく、また、保護層４の表面上に、更に樹脂コート層等を備えていてもよい。
【００６６】
次いで、このように構成された希土類磁石１を製造する方法の一実施形態について説明する。希土類磁石１の製造方法は、保護層４形成用の塗布液を調製する工程（塗布液調製工程）、磁石素体２の表面上に塗布液を塗布する工程（塗布工程）、及び、この塗布液から保護層４を形成する工程（保護層形成工程）を有している。
【００６７】
希土類磁石１の製造方法においては、まず、塗布液調製工程において、原料として、プロトン受容性の官能基を有する有機高分子化合物、及び、プロトン供与性の官能基に変換されるべき基若しくはプロトン供与性の官能基を有する無機モノマー及び／又はこのモノマーの重合生成物を含む無機高分子前駆体を準備し、これらを所定の溶媒に溶解又は分散させた状態で混合する。
【００６８】
塗布液調製工程において用いる有機高分子化合物は、例えば、プロトン受容性の官能基を有する有機化合物のモノマーを重合させることにより得ることができる。このような有機化合物としては、分子内に重合可能な二重結合（例えば、炭素−炭素二重結合や炭素−窒素二重結合）及びプロトン受容性の官能基を有する化合物が好ましい。例えば、上述したポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン及びポリアクリルアミド誘導体等を合成する場合、その原料である有機化合物は、ビニルピロリドン、オキサゾリン及びアクリルアミド誘導体等である。
【００６９】
上記有機高分子化合物としては、その重量平均分子量が２０００以上であるものが好ましく、２０００〜１００００００であるものがより好ましく、１００００〜５００００００であるものが更に好ましい。
【００７０】
一方、無機高分子前駆体としては、プロトン供与性の官能基又はプロトン供与性の官能基となるべき基を有しており、且つ重合可能な官能基が金属原子に結合してなる無機モノマーや、このモノマーのオリゴマー体又はポリマー体である重合生成物が挙げられる。後者の重合生成物は、その分子中にプロトン供与性の官能基を有するものとなる。また、上記無機モノマーの金属元素としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｂ等が挙げられる。
【００７１】
無機高分子前駆体におけるプロトン供与性の官能基としては、水酸基やアミノ基が例示できる。また、プロトン供与性の官能基となるべき基としては、アルコキシ基が例示できる。アルコキシ基は、これが加水分解されてプロトン供与性の官能基である水酸基を与える官能基であり、このような加水分解反応は、例えば、アルコキシ基を有する無機モノマーの重合反応とともに進行するものである。
【００７２】
なお、プロトン供与性の官能基又はプロトン供与性の官能基となるべき基は、無機モノマー又はその重合生成物において、上記金属元素に直接結合していてもよく、また、他の元素を介して金属元素に結合していてもよい。
【００７３】
また、上述した無機モノマーが有している重合可能な官能基とは、無機モノマーに重合反応を生じさせ得る官能基である。このような官能基としては、例えば、水酸基やアルコキシ基が挙げられる。重合可能な官能基がアルコキシ基である場合、アルコキシ基の加水分解−縮合反応によって無機モノマーの重合反応が生じる。
【００７４】
無機高分子前駆体を構成するための無機モノマーとしては、水酸基やアルコキシ基が結合されたＳｉからなる化合物が好適である。具体的には、下記一般式（１）で表される化合物が好適である。なお、下記式中、Ｒ１は炭素数１〜８の有機基、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基を示し、ｍは１又は２である。なお、複数存在するＲ１又はＲ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
［化４］
Ｒ１ｍＳｉ（ＯＲ２）４−ｍ  …（１）
【００７５】
無機高分子重合体として、上記式（１）で表される無機モノマー及び／又はこのモノマーの重合生成物を用いた場合、得られる無機高分子化合物は、分子中に複数の上記ＯＲ２で表される基を有するようになる。このＯＲ２で表される基は、上述の如く、加水分解性を有する基である。また、磁石素体２は通常、その表面に磁石の構成材料に由来する水酸基を有している。このため、無機高分子前駆体として上記化合物を用いた場合、得られた無機高分子化合物が有している加水分解性基と磁石表面の水酸基との間で縮合反応が生じ、これにより、保護層４の磁石素体２に対する密着性が顕著に良好となる傾向にある。
【００７６】
希土類磁石１の製造においては、上述した塗布液調製工程に続いて、磁石素体２の表面上に塗布液を塗布する塗布工程を実施する。塗布の方法は特に限定されず、公知の方法を適宜選択して用いることができ、例えば、ディップコーティング法、スプレーコート法、スピンコート法等が挙げられる。
【００７７】
このとき、塗布液の塗布は、得られる保護層４の厚さが所望の値（好適な場合、０．１〜１００μｍである）となるように、塗布後の溶媒揮発又は体積収縮等を考慮して調整することが好ましい。例えばディップコーティング法により塗布を実施する場合には、磁石素体２を塗布液に浸漬し、その後磁石素体２を引き上げる速度及び時間を適宜設定することによって、塗布される塗布液の厚さを調整することができる。
【００７８】
なお、このような塗布を簡便に行い、また形成される保護層４の密着性を良好にする観点からは、塗布工程を実施する前に磁石素体２の表面に所定の処理を施しておくことが望ましい。所定の処理としては、例えば、磁石素体２の表面をバレル研磨等により平滑にした後、素体表面の脱脂処理を行い、さらに酸溶液による洗浄や水洗を実施する処理が挙げられる。これにより清浄な表面を有する磁石素体２が得られ、磁石素体２と保護層４との密着性が向上する。
【００７９】
そして、上記塗布工程を実施した後、保護層形成工程において、塗布された塗布液から保護層４を形成し、磁石素体２表面上に保護層４を形成させる。当該保護層形成工程においては、例えば、塗布液を塗布された磁石素体２を加熱するか、又は大気中に放置することにより塗布液から溶媒を揮発させ、これにより保護層４を形成する。この場合、温度条件は室温〜３００℃とし、１分〜２４時間程度の処理を行うことが好ましい。
【００８０】
また、本発明による希土類磁石１の製造方法においては、無機高分子前駆体として、上述した無機モノマー、及び／又は、当該無機モノマーの重合生成物であって更なる重合反応を生じ得るオリゴマー若しくはポリマーを用いた場合には、塗布液調製工程、塗布工程、及び保護層形成工程のうちの少なくとも一つの工程において、これらの無機高分子前駆体の重合を生じさせる。
【００８１】
塗布液調製工程において無機高分子前駆体の重合を生じさせる場合には、上記有機高分子化合物と無機高分子前駆体とを混合した後、無機高分子前駆体同士の重合を生じさせる。ここで、無機高分子前駆体の重合反応の一例を示すと、例えば、無機高分子前駆体として上記一般式（１）で表される無機モノマーを適用すると、その重合反応として、加水分解で生じた水酸基同士か又は水酸基とＯＲ２との縮合による重縮合反応が生じることになる。
【００８２】
塗布液調製工程における無機高分子前駆体の重合反応は、例えば有機高分子化合物及び無機高分子前駆体を含有する混合液を加熱することによって生じさせることができる。この重合反応が、例えば上述したような無機モノマーの重縮合反応である場合、反応温度は、２０〜１５０℃とすることが好ましい。また反応時間は、１０分〜４８時間とすることが好ましい。
【００８３】
また、塗布液調製工程において上記重合反応を生じさせる場合、反応液中には更に水を添加することが好ましい。さらに、無機高分子前駆体がＳｉを含む場合には、重合反応の進行が遅い傾向にあるため、触媒を添加することがより好ましい。この場合の触媒としては、酸、塩基、有機金属化合物等が挙げられ、塩基又は有機金属塩が好適である。
【００８４】
一方、保護層形成工程において無機高分子前駆体を重合させる場合、その重合反応は、当該工程において塗布液が塗布された状態の磁石素体２を加熱するか、又は、これを大気中に所定時間放置することにより生じさせることができる。例えば、無機モノマーとしてテトラブトキシジルコニウム等を用いた場合、大気中に放置することで、空気中の水分によってこれらの化合物同士の縮合反応が促進される。
【００８５】
保護層形成工程における上記重合を効率良く生じさせるためには、塗布液が塗布された磁石素体２を、好ましくは室温〜３００℃で、１分〜２４時間処理する。これらの温度が低いか、または処理時間が短い場合、無機高分子前駆体の十分な重合反応が生じ難くなって無機構造単位が十分に生成せず、これにより保護層の耐熱性が低くなる傾向にある。また、処理温度が３００℃を超えると有機構造単位が分解してしまい、保護層の柔軟性が低下する傾向にある。
【００８６】
さらに、本発明の希土類磁石の１製造方法においては、塗布液調製工程及び保護層形成工程以外に、塗布工程において無機高分子前駆体の重合が生じてもよい。この場合、例えば、磁石素体２を加熱しながら塗布を行うことで更に重合反応が促進され、塗布液を磁石素体２に塗布すると同時に重合が生じるようになる。
【００８７】
このように、上述した無機高分子前駆体の重合反応は、塗布液調製工程、塗布工程及び保護層形成工程のいずれの工程において生じさせてもよいが、本発明の希土類磁石１の製造方法においては、少なくとも保護層形成工程においてかかる重合を生じさせることがより好ましい。これにより、重合反応に伴って生じる水酸基等が、磁石素体２表面に存在する活性な官能基と反応して、保護層４の磁石素体２への密着性が更に向上する。
【００８８】
そして、特に好適な場合、塗布液調製工程において上記重合反応の一部を生じさせた後（すなわち、完全には重合を進行させずに）、保護層形成工程において、塗布液調製工程で残存した、さらに重合可能な状態の無機高分子前駆体に重合を生じさせる。こうすることで、塗布液調製段階において無機高分子化合物が生成するようになり、これにより保護層を形成する際に発生する応力が小さくなる。加えて、保護層形成工程においても上記重合が生じるため、保護層４の磁石素体２への密着性が向上する効果も得られるようになる。
【００８９】
このように構成された希土類磁石１によれば、以下に示す効果が得られるようになる。すなわち、希土類磁石１は、磁石素体２の表面上に、水素結合により結合した状態の有機高分子化合物及び無機高分子化合物を含有する保護層４を有している。この保護層４においては、両高分子化合物が水素結合により結合されているため、有機高分子化合物及び無機高分子化合物が均一に分散された状態となっている。
【００９０】
その結果、保護層４は、有機高分子化合物又は無機高分子化合物をそれぞれ単独で用いた場合に得られる特性を併せて具備するものとなる。例えば、有機高分子化合物のみから形成された保護層と比較して耐湿性、耐熱性に優れており、また、無機高分子化合物のみから形成された保護層と比較して、応力緩和性に優れているという特性を有している。つまり、有機又は無機高分子化合物のみから形成された保護層に比して、極めて優れた耐食性を有している。また、保護層４においては、有機高分子化合物と無機高分子化合物とが水素結合により結合しているため、この両者の相分離が極めて生じ難くなっている。このため、保護層４は、全層にわたって均一な特性を有するものとなる。
【００９１】
このように、保護層４は極めて優れた耐食性を有していることから、かかる保護層４を備えた希土類磁石１は、高温、高湿に晒される条件で使用した場合であっても磁気特性の劣化を生じることが少ないものとなる。このため、このような希土類磁石１は、燃料電池車やハイブリッドカーの駆動モータ等に用いる永久磁石として極めて好適である。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９３】
（実施例１）
粉末冶金法により作成した１４Ｎｄ−１Ｄｙ−７Ｂ−７８Ｆｅ（数字は原子比）で表される組成を有する焼結体に、アルゴン雰囲気下、６００℃、２時間の条件で熱処理を施した後、この焼結体を５６ｍｍ×４０ｍｍ×厚さ８ｍｍのサイズに切り出して、磁石素体を得た。この磁石素体をアルカリ性脱脂液により洗浄し、さらに硝酸溶液による処理を実施して磁石素体表面の活性化させた後、表面を繰り返し水洗した。
【００９４】
また、これとは別に、重量平均分子量４００００のポリビニルピロリドン２０ｇを２−プロパノールに溶解させ、さらにこの溶液にメチルトリメトキシシラン８０ｇ、０．１％アンモニア水１７．５ｇを添加した後、５０℃で５時間の熱処理を行いメチルトリメトキシシランの重縮合反応を生じさせて、塗布液を調製した。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーで測定した後、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算することにより求めた値である。
【００９５】
この塗布液を、ディップコーティング法により上述した磁石素体の表面に塗布した後、１５０℃、２０分の条件で加熱を行うことにより、磁石素体の表面に保護層を形成させ、希土類磁石を得た。
【００９６】
＜特性評価＞
得られた希土類磁石を用い、保護層の厚さの測定、表面の観察、及び加速試験による耐食性の評価を実施した。すなわち、まず、希土類磁石を幅方向（図１中、奥行き方向）の中央部分で切断し、その切断面を電子顕微鏡で観察することにより保護層の平均厚さを測定した。その結果、保護層の平均厚さは１５μｍであることが確認された。次に、電子顕微鏡により希土類磁石の表面を観察したところ、磁石における保護層表面にはクラック等の欠陥が形成されていないことが判明した。
【００９７】
次いで、この希土類磁石を８０℃、９０％ＲＨの条件で処理する耐食性の加速試験を実施した。その結果、試験開始から３００時間経過した後であっても、磁石素体における錆の発生は見られず、磁石素体には腐食が生じていないことが判明した。
【００９８】
（比較例１）
以下に示す方法で塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして希土類磁石を作製した。すなわち、メチルトリメトキシシラン６８ｇを５０ｇの２−プロパノールに加えて混合した後、この溶液に０．１％アンモニア水１５ｇを加え、８０℃で６時間反応させることにより塗布液を調製した。
【００９９】
得られた希土類磁石を用い、実施例１と同様にして保護層の厚さの測定、表面の観察、及び加速試験による耐食性の評価を実施した。その結果、保護層の厚さは１０μｍであり、また、希土類磁石における保護層の表面にはクラックが生じていることが確認された。さらに、加速試験においては、試験開始から３００時間経過後に磁石素体に錆の発生が見られた。
【０１００】
（比較例２）
以下に示す方法で塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして希土類磁石を作製した。すなわち、まず、メタクリル酸メチル２８ｇ及びメタクリル酸−２−エチルヘキシル１２ｇを４０ｇの２−プロパノールに加えて混合した後、この溶液に２，２’−アゾイソブチロニトリル１．６ｇを更に加えて８０℃で６時間反応させて、アクリル樹脂を含む溶液を調製した。また、これとは別に、メチルトリメトキシシラン１６０ｇを３０ｇの２−プロパノールに加え攪拌して溶解させた後、この溶液に０．１％アンモニア水３５ｇを加えて５０℃で５時間反応させ、メチルトリメトキシシランの重合体を含む溶液を生成した。こうして得られたアクリル樹脂を含む溶液及び重合体を含む溶液を混合することにより塗布液を調製した。
【０１０１】
得られた希土類磁石を用い、実施例１と同様にして保護層の厚さの測定、表面の観察、及び加速試験による耐食性の評価を実施した。その結果、保護層の厚さは３０μｍであり、また、保護層表面には、相分離による１μｍ程度の大きさの海島構造が確認された。さらに、加速試験においては、試験開始から３００時間経過後に磁石素体に錆の発生が見られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】好適な実施形態の希土類磁石を示す斜視図である。
【図２】図１に示される希土類磁石のII−II線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１…希土類磁石、２…磁石素体、４…保護層。
【図１】
2005217315.tif 000003
【図２】
2005217315.tif 000004