(57)【要約】【課題】  エッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、金属反射層（金属層）のエッチャントに対して耐性のある透明導電層を備える半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及び、その半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】  透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられるとともに、外光を反射し、且つ前記透明導電層と電気的に接続された金属反射層と、を具備してなる半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置である。この半透過・半反射電極基板は、残渣の発生がほとんどなく、加工性に優れ、歩留りも向上する。【選択図】 図１
2005250191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、
前記透明基板上に設けられるとともに、外光を反射し、且つ前記透明導電層と電気的に接続された金属反射層と、
を具備してなることを特徴とする半透過・半反射電極基板。
【請求項２】
酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含む前記透明導電層中のＩｎの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８５から０．９９であることを特徴とする請求項１に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項３】
前記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを成分として含む層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項４】
透明基板と、
前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、
前記透明基板上に設けられたＴＦＴ素子と、
前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と、前記ＴＦＴ素子と、を電気的に接続させる金属層と、
を具備し、且つ前記金属層の反射率が８０％以上であることを特徴とする半透過・半反射電極基板。
【請求項５】
酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含む前記透明導電層中のＩｎの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８５から０．９９であることを特徴とする請求項４に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項６】
その反射率が８０％以上の前記金属層が、ＡｌまたはＡｇを成分として含む層を有することを特徴とする請求項４または５に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項７】
酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含み、且つ、前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、
燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、前記透明導電層と電気的に接続した金属層をエッチングし、前記金属反射層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法。
【請求項８】
酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含み、且つ前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、
前記透明導電層と、前記ＴＦＴ素子と、を電気的に接続し、且つその反射率が８０％以上である前記金属層を、燐酸・蓚酸・硝酸を含む混酸により、エッチングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板と、
前記半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層と、
を含む液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板に関する。また、本発明は、その半透過・半反射電極基板を製造する方法に関し、製造した半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半透過半反射型液晶表示装置は、反射電極及び透明電極のいずれも備えた液晶表示装置である。このため、この装置は、透過型液晶表示装置の機能と、反射型液晶表示装置の機能と、を同時に備えている。従来から、この半透過半反射型液晶表示装置は、以下に示す理由などから鋭意研究開発されている。
【０００３】
（１）液晶表示装置が半透過半反射型であるため、比較的外光の強い屋外では、外光を利用して液晶表示を行う反射型として使用でき、比較的外光の弱い屋内では、バックライトを利用して液晶表示を行う透過型として使用できる。このため、屋外、屋内を問わず高い明度で表示できる。  
（２）明るい場所（外光の強い場所）で使用する場合、液晶表示装置を反射型として使用できるので消費電力を節約できる。  
（３）屋外では反射型として使用できるため、低消費電力で作動可能である。このため、携帯用ディスプレイに好適である。  
（４）フルカラー化も容易である。
【０００４】
しかしながら、半透過半反射型液晶では、液晶駆動用の電極部において、反射電極と透明電極を同一画素内に設置する必要があり、製造工程が煩雑で、歩留りの低下や高価格化が生じてしまう問題や、反射型と、透過型とでは、液晶表示の見え方が異なるために見えにくいなどの問題があった。
【０００５】
そこで、下記特許文献１及び下記特許文献２には、銀反射膜を形成後、この銀反射膜を保護膜で覆い、その上に液晶駆動用の透明電極を設けた構造を有する半透過半反射液晶駆動用電極が開示されている。これらの銀反射層と液晶駆動用の透明電極が、互い違いに配置されることにより、半透過半反射機能を発揮する半透過半反射液晶駆動電極が形成されている。  
また、下記特許文献３には、金属系半透過反射層の下に、さらに補助的な反射機能を持つＳｉ薄膜などを設置した半透過反射膜が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−４９０３４号公報
【特許文献２】特開２００２−４９０３３号公報
【特許文献３】特開２００１−３０５５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１〜３などによると、透明電極部分と、反射電極部分と、が別々にエッチングされている。このため、透明電極部分となる層と、反射電極部分となる層と、を形成するために、「成膜−フォトリソグラフィーによるエッチング−成膜−フォトリソグラフィーによるエッチング」という繰り返し工程を行う必要がある。この時、透明電極部分となる層と、反射電極部分となる層と、は電気的に接続されており、これら電極層をエッチングする際に使用する現像液や、エッチャント、剥離剤により電池反応が発生し、局所的に反射基板（反射電極部分）が腐食される場合がある。
【０００８】
また、透明電極の上に反射電極を具備する場合、反射電極をエッチングする際に、透明電極にダメージを与える恐れがあった。特に、一般的に、透明電極に使用されている材料として、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）が挙げられ、反射電極に使用される材料として、Ａｌが挙げられるが、ＩＴＯはＡｌと接触している場合、電池反応を起こしやすいという問題があった。
【０００９】
また、結晶質のＩＴＯの場合には、王水や塩酸などの強酸でないとエッチングできず、例えばＴＦＴの配線材料などを腐食してしまう問題が生じることもあった。一方、非晶質のＩＴＯの場合には、下地基板との密着性の低下がしばしば見られたり、ＴＦＴ配線材料との接触抵抗の増大を招く場合もあった。また、エッチング時に残渣を発生し、電極間のショートや液晶駆動のトラブルを発生する恐れもあった。一方、非晶質系の材料としてＩＺＯ（登録商標：出光興産株式会社、インジウム−亜鉛酸化物）が考案されているが、この材料は、透明電極上に、Ａｌを含む反射電極を具備する場合には、Ａｌのエッチャントでも溶解する性質があるため、使用が困難であった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、エッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、反射電極のエッチャントに対して耐性のある透明電極を備える半透過・半反射電極基板を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、上記半透過・半反射電極基板を効率よく得られる製造方法を提供することである。  
また、本発明のさらに他の目的は、上記半透過・半反射電極基板を利用した液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）そこで、上記課題を解決するために、本発明の第１の半透過・半反射電極基板は、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられるとともに、外光を反射し、且つ前記透明導電層と電気的に接続された金属反射層と、を具備してなることを特徴とする半透過・半反射電極基板である。
【００１２】
尚、本特許で「酸化インジウムを主成分として含む」とは、酸化インジウムを主要な成分として含むことを意味し、概ね原子組成比率で５０％以上の場合を意味する。
【００１３】
酸化タングステン、酸化モリブデン、または酸化ニオブを添加することにより、透明導電層を成膜後、成膜した透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは、８０℃〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由としては、基板温度を室温以下に制御するためには、冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度を２００℃以上とすると、透明導電層の結晶化などにより、蓚酸を含むエッチャントでのエッチングができなくなる場合があるからである。また、成膜中の雰囲気ガス中に、水や水素を添加することもできる。これにより、成膜された透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングしやすくなり、より残渣を低減することができる。
【００１４】
また、上記金属酸化物の添加により、成膜した上記透明導電層をエッチングした後、基板の温度を２００℃以上に加熱することにより、基板上の透明導電層を簡単に結晶化することができる。この結晶化温度は、好適には２２０℃以上であり、より好ましくは２３０℃以上である。  
透明導電層を結晶化させることにより、金属反射層のエッチャントである燐酸・酢酸・硝酸の混酸でのエッチャントによる透明導電層のダメージを回避することができる。また、透明導電層中に、酸化タングステン、酸化モリブデン、または酸化ニオブを添加することにより電池反応を抑えることができる。
【００１５】
透明導電層の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電層の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電層の表面抵抗が上昇したりする場合があり、一方、透明導電層の膜厚が５００ｎｍ超では、透過率が低下したり、加工精度に問題が生じる場合がある。
【００１６】
金属反射層の反射率は、８０％以上であることが好ましい。なお、本発明に係る反射率は、縦軸（Ｙ軸）に反射率を表し、横軸（Ｘ軸）に波長を表したグラフを用いて測定している。すなわち、反射率は、このグラフ中の波長４００〜７００ｎｍにおける測定範囲において、各波長での反射率を１００％とした場合の面積を１００とし、この面積に対して、金属反射層（または金属層）についての実測データの面積の割合を％で表示した値と定義する。
【００１７】
ここで、上記面積とは、上記グラフ中の波長４００〜７００ｎｍの測定範囲において、Ｘ軸と、反射率のスペクトルと、に囲まれた面積のことである。この面積は、反射率のスペクトルについて、４００〜７００ｎｍまで、積分した値に等しいことはいうまでもない。
【００１８】
金属反射層の膜厚は、好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍである。金属反射層の膜厚が１０ｎｍ未満では、反射率が８０％以上にならない場合があり、一方、１０００ｎｍ超では、加工精度に問題が生じる場合がある。  
また、透明導電層は、光をほぼ透過する機能を備え、一方、金属反射層は光をほぼ反射する機能を備えている。このような機能を備えた透明導電層と、この透明導電層と電気的に接続された上記金属反射層と、を同時に備えることにより、半透過・半反射電極基板となる。
【００１９】
（２）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含む前記透明導電層中のＩｎの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８５から０．９９であることを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板である。
【００２０】
透明導電層中の組成は、原子比としてＩｎの組成比率（以下、原子比と記載することもある）が、［Ｉｎ］／［全メタル］＝０．８５から０．９９である。Ｉｎの組成比率が０．８５未満では、透明導電層の抵抗値が増大したり、透明導電層が成膜した基板を２００℃以上に加熱しても、透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。また、Ｉｎの組成比率が０．９９超では、透明導電層の成膜時に、透明導電層が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントでエッチングできなかったり、残渣が大量に発生したりしてしまう場合があるからである。ここで、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数を表し、［全メタル］は、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を表す。
【００２１】
また、第３の原子として、上記透明導電層中に、Ｓｎ、Ｚｎを添加することができる。なお、第１の原子とは、酸化インジウム中のインジウム原子であり、第２の原子とは、酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化モリブデンから選ばれた一種または二種以上の酸化物中のタングステン原子、ニオブ原子、及び酸化モリブデン原子である。  
Ｓｎを添加する場合には、原子比としてＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。透明導電層中の［Ｓｎ］／［全メタル］の値が、０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生したりする場合がある。ここで、［Ｓｎ］はスズ原子の単位体積当たりの数を表す。
【００２２】
また、Ｚｎを添加する場合には、原子比としてＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。透明導電層中の［Ｚｎ］／［全メタル］の値が、０．１以上になると、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、金属反射層をエッチングする時に、透明導電層にダメージを与えることがある。ここで、［Ｚｎ］は亜鉛原子の単位体積当たりの数を表す。
【００２３】
（３）また、本発明は、前記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを成分として含む層を有することを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板である。  
金属反射層に含まれる層（ＡｌまたはＡｇを成分とする層）の成分としては、ＡｌまたはＡｇの他に、Ｎｄなどのランタノイド系金属、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕなどの重金属が添加できる。
【００２４】
添加したランタノイド系金属及び重金属の含有量は、好ましくは０．１〜５ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜３ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。ランタノイド系金属及び重金属の含有量が０．１ｗｔ％未満では、添加効果がほとんど現れない場合があり、一方、ランタノイド系金属及び重金属の含有量が５ｗｔ％以上となると、金属反射層の反射率が低下したりする場合がある。
【００２５】
（４）また、本発明の第２の半透過・半反射電極基板は、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられたＴＦＴ素子と、前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と、前記ＴＦＴ素子と、を電気的に接続させる金属層と、を具備し、且つ前記金属層の反射率が８０％以上であることを特徴とする半透過・半反射電極基板である。
【００２６】
なお、上記ＴＦＴ素子とは、Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（薄膜トランジスタ）である。酸化タングステン、酸化モリブデン、または酸化ニオブを添加することにより、透明導電層を成膜後、成膜した透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは８０℃〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由としては、基板温度を室温以下に制御するためには、冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度を２００℃以上とすると、透明導電層の結晶化などにより、蓚酸を含むエッチャントでのエッチングが、できなくなる場合があるからである。また、成膜中の雰囲気ガス中に、水や水素を添加することもできる。これにより、成膜された透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングしやすくなり、より残渣を低減することができる。
【００２７】
また、上記金属酸化物の添加により、成膜した上記透明導電層をエッチングした後、基板の温度を２００℃以上に加熱することにより、基板上の透明導電層を簡単に結晶化することができる。この結晶化温度は、好適には２２０℃以上であり、より好ましくは２３０℃以上である。透明導電層を結晶化させることにより、金属反射層のエッチャントである燐酸・酢酸・硝酸の混酸でのエッチャントによる透明導電層のダメージを回避することができる。
【００２８】
透明導電層の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電層の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電層の表面抵抗が上昇したりする場合があり、一方、透明導電層の膜厚が、５００ｎｍ超では、透過率が低下したり、加工精度に問題が生じる場合がある。  
金属反射層の膜厚は、好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍである。金属反射層の膜厚が１０ｎｍ未満では、反射率が８０％以上にならない場合があり、一方、１０００ｎｍ超では、加工精度に問題が生じる場合がある。
【００２９】
また、透明導電層は、光をほぼ透過する機能を備え、一方、金属層は光をほぼ反射する機能を備えている。当該透明導電層と、ＴＦＴ素子と、を金属層により電気的に接続させることにより、透明導電層及び金属層が、液晶表示装置に用いられる電極として機能するようになり、且つ、当該金属層の反射率が８０％以上であることから、当該金属層は反射電極として機能するようになる。このように、反射電極として機能する金属層と、透明導電層と、を同時に備えることにより、目的とする半透過・半反射電極基板となるのである。
【００３０】
（５）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含む前記透明導電層中のＩｎの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８５から０．９９であることを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板である。
【００３１】
透明導電層中の組成は、原子比としてＩｎの組成比率が、［Ｉｎ］／［全メタル］＝０．８５から０．９９である。Ｉｎの組成比率が０．８５未満では、透明導電層の抵抗値が増大したり、透明導電層が成膜した基板を２００℃以上に加熱しても、透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。また、Ｉｎの組成比率が０．９９超では、透明導電層の成膜時に、透明導電層が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントでエッチングできなかったり、残渣が大量に発生したりしてしまう場合があるからである。
【００３２】
また、第３の原子として、上記透明導電層中に、Ｓｎ、Ｚｎを添加することができる。Ｓｎを添加する場合には、原子比としてＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。透明導電層中の［Ｓｎ］／［全メタル］の値が、０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生したりする場合がある。  
また、Ｚｎを添加する場合には、原子比としてＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。透明導電層中の［Ｚｎ］／［全メタル］の値が、０．１以上になると、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、金属反射層をエッチングする時に、透明導電層にダメージを与えることがある。
【００３３】
（６）また、本発明は、その反射率が８０％以上の前記金属層が、ＡｌまたはＡｇを成分として含む層を有することを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板である。  
金属層の反射率が８０％以上でないと、外光の反射率が低くなることがあり、液晶表示が見えにくくなったりすることがある。金属層に含まれる層（ＡｌまたはＡｇを成分とする層）の成分としては、ＡｌまたはＡｇの他に、Ｎｄなどのランタノイド系金属、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕなどの重金属を添加することも好ましい。
【００３４】
添加したランタノイド系金属及び重金属の含有量は、好ましくは０．１〜５ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜３ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。ランタノイド系金属及び重金属の含有量が０．１ｗｔ％未満では、添加効果がほとんど現れない場合があり、一方、ランタノイド系金属及び重金属の含有量が５ｗｔ％以上となると、金属層の反射率が低下したりする場合がある。
【００３５】
（７）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含み、且つ、前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、前記透明導電層と電気的に接続された金属層エッチングし、前記金属反射層を形成するステップと、を含むことを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板の製造方法である。
【００３６】
蓚酸を含むエッチャントの蓚酸濃度は、１〜１０ｗｔ％であることが好ましく、より好ましくは、１〜５ｗｔ％である。蓚酸濃度が１ｗｔ％未満では、透明導電層のエッチング速度が遅くなる場合があり、１０ｗｔ％超では、蓚酸の結晶が、蓚酸を含むエッチャントの水溶液中に析出する場合があるからである。
【００３７】
金属層のエッチングに用いる上記混酸中の燐酸・酢酸・硝酸の濃度は適宜選択できるが、燐酸濃度としては、４０〜９５ｗｔ％であることが好ましく、酢酸濃度としては、５〜６０ｗｔ％であることが好ましく、硝酸濃度としては、０．５〜５ｗｔ％であることが好ましい。この混酸は、適宜水で希釈することもできる。
【００３８】
金属層を成膜する前もしくは、成膜した後、透明導電層が成膜した基板を２００℃以上、好ましくは、２２０℃以上、より好ましくは、２３０℃以上に加熱して、透明導電層を結晶化させることが望ましい。透明導電層を結晶化させておくことにより、燐酸・酢酸・硝酸の混酸により、金属層をエッチングする時の透明導電層へのダメージを低減できる。
【００３９】
（８）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の前記酸化物を含み、且つ前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、前記透明導電層と、前記ＴＦＴ素子と、を電気的に接続し、且つその反射率が８０％以上である前記金属層を、燐酸・蓚酸・硝酸を含む混酸により、エッチングするステップと、を含むことを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板の製造方法である。
【００４０】
透明導電層と、ＴＦＴ素子と、を金属層により電気的に接続させることにより、透明導電層及び金属層は、ＴＦＴ駆動方式の液晶駆動電極として機能することができる。また、上述したように、透明導電層は、光をほぼ透過する機能を備え、金属層は光をほぼ反射する機能を備えている。当該金属層が反射電極として機能することにより、半透過・半反射電極基板となる。
【００４１】
（９）また、本発明は、上記第１または第２の半透過・半反射電極基板と、前記半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層と、を含む液晶表示装置である。  
液晶表示装置は、第１または第２の半透過・半反射電極基板を備えるため、反射型液晶表示装置としての機能と、透過型液晶表示装置としての機能と、を同時に備えるのである。
【発明の効果】
【００４２】
上記の通り、本発明の半透過・半反射電極基板は、製造時に、弱酸（有機酸など、特に蓚酸）を用いた透明導電層のエッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、その上部の金属反射層（金属層）をエッチングする際に、当該金属反射層（金属層）のエッチャント（混酸）に対して耐性のある透明導電層を備えている。このため、本発明の半透過・半反射電極基板は、加工性に優れる。
【００４３】
また、本発明の半透過・半反射電極基板の製造方法によれば、弱酸（有機酸など、特に蓚酸）を用いた透明導電層のエッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、その上部の金属反射層（金属層）をエッチングする際に、当該金属反射層（金属層）のエッチャント（混酸）に対して耐性のある透明導電層を備える半透過・半反射電極基板を提供することが可能となる。このため、この半透過・半反射電極基板の製造工程における歩留りが向上する。  
また、本発明の液晶表示装置は、上記半透過・半反射電極基板を備えることにより、製造効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、図面を用いて、本実施の形態の好適な例について説明する。
【実施例１】
【００４５】
図１には、本実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の部分断面図が示されている。透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００４６】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。  
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００４７】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。
【００４８】
続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。  
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。
【００４９】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。
【００５０】
このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＷの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｗ］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体である。ここで、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数を表し、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数を表す。
【００５１】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。
【００５２】
前記タングステンがターゲット内に含まれる形態は、ＷＯ３、ＷＯ２などの酸化タングステンの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、Ｉｎ２Ｗ３Ｏ１２などの酸化インジウム−酸化タングステン間の複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、タングステン原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、タングステンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、タングステンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００５３】
上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３膜である透明導電膜９の比抵抗は、３．８×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが分かった。
【００５４】
このＩｎ２Ｏ３−ＷＯ３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。
【００５５】
次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、透明樹脂レジスト１０上に、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。
【００５６】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、上記金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。
【００５７】
なお、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。  
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。
【実施例２】
【００５８】
実施例２におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１と同様である。したがって、実施例２のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。
【００５９】
図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００６０】
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００６１】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。
【００６２】
続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。  
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。
【００６３】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。
【００６４】
このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化モリブデンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＭｏの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｍｏ］）の値が０．９０となるように調製したＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体である。ここで、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数を表し、［Ｍｏ］はモリブデン原子の単位体積当たりの数を表す。
【００６５】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。
【００６６】
前記モリブデン元素がターゲット内に含まれる形態は、ＭｏＯ３、ＭｏＯ２などの酸化モリブデンの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。しかし、ＩｎＭｏ４Ｏ６やＩｎ２Ｍｏ３Ｏ１２或いはＩｎ１１Ｍｏ４Ｏ６２などのインジウムとモリブデンの複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、モリブデン原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、モリブデンが酸化インジウム結晶体中に原子レベルで分散している形態である。このように、モリブデンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００６７】
上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３膜である透明導電膜９の比抵抗は、３．４×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが分かった。  
このＩｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントに相当する。
【００６８】
次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。
【００６９】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンに形成した。この時、反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極パターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。このエッチング時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。
【００７０】
なお、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・蓚酸からなる混酸の一例に相当する。  
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。
【実施例３】
【００７１】
実施例３におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１と同様である。したがって、実施例３のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。
【００７２】
図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。
【００７３】
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００７４】
この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。
【００７５】
続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。  
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。
【００７６】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。
【００７７】
このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化ニオブを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎとＮｂの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｎｂ］）の値が０．９５となるように調製したＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体である。ここで、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数を表し、［Ｎｂ］はニオブ原子の単位体積当たりの数を表す。
【００７８】
スパッタリングは、このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。
【００７９】
前記ニオブ元素がターゲット内に含まれる形態は、Ｎｂ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ３などの酸化ニオブの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。しかし、ＩｎＮｂＯ４などのインジウムとニオブの複合酸化物の形態で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ニオブ原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ニオブが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、ニオブが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００８０】
上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５膜である透明導電膜９の比抵抗は、３．６×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることが分かった。
【００８１】
このＩｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。
【００８２】
次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、ＴＦＴ素子上、及び透明導電膜９からなる透過画素電極付近に、透明樹脂レジスト１０が、層間絶縁膜及び反射電極１１の液晶膜厚調整用平坦化層としての機能を発揮するように、透明樹脂レジスト１０を、図１に示すパターンに形成した。なお、ＴＦＴ素子とは、薄膜トランジスタであり、図１に示すゲート電極２と、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４と、ドレイン電極７と、ソース電極８と、から構成される。
【００８３】
この透明レジスト１０上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が５００オングストロームとなるように、金属Ｍｏを堆積し、この金属Ｍｏ上に、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、金属Ａｌを堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。
【００８４】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。
【００８５】
なお、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。  
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成することにより、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。
【００８６】
『変形実施例１』
上記実施例１〜３においては、反射電極１１が、金属Ｍｏ層及び金属Ａｌ層から構成される例について示したが、本実施例の反射電極１１は、上記金属Ａｌ層の代わりに、金属Ａｇ層から構成されることも好ましい。すなわち、本実例の反射電極１１は、金属Ｍｏ及び金属Ａｇから構成されることも好ましい。このように、金属Ａｌ層の代わりに、金属Ａｇ層を含む場合にも、本変形実施例１の反射電極１１は、上記実施例１〜３の反射電極１１と同様の作用効果を奏する。
【００８７】
また、上記実施例１〜３においては、反射電極１１に含まれる金属Ａｌ層が、純Ａｌ（Ａｌ：１００％）からなる例について示したが、この金属Ａｌ層は、金属Ａｌの他に、Ｎｄなどのランタノイド系金属や、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕなどの重金属を含有することも好ましい。なお、金属Ａｇ層の場合も同様に、上記ランタノイド系金属及び重金属を含有することも好ましい。この場合にも、本変形実施例１の反射電極１１は、上記実施例１〜３の反射電極１１と同様の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本実施例のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板の部分断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１  ガラス基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４  α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
５  チャンネル保護膜
６  α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜
７  ドレイン電極
８  ソース電極
９  透明導電膜
１０  透明樹脂レジスト
１０ａ  スルーホール
１１  反射電極
１２  ゲート電極配線
１００  α−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板
【図１】
2005250191.tif 000003