(57)【要約】【課題】光もれや、素子温度の変化による特性変化のない安定した、半導体素子の暗特性を測定する測定装置、測定装置および半導体の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子の受光面側を上面とした状態にて、素子の下面を温度調整機構付きのステージに固定し、受光面上部に配置された温度調整機構付の遮光部材とそのステージとの間で素子を狭持し、素子の電極にプローブを接触させる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度調整機構を有する上部遮光部材、温度調整機構を有するステージを有して構成される半導体素子の暗特性測定装置であって、前記上部遮光部材とステージの間に半導体素子全面を少なくとも遮光部材と面接触するように挟む手段、挟持状態で半導体素子の電極とプローブを接触させる手段、半導体素子の暗特性を測定する手段を有する事を特徴とする半導体素子の測定装置。
【請求項２】
前記上部遮光部材にあって、前記半導体素子の前記上部遮光部材と対向する面を上面として、前記上部遮光部材の前記半導体素子の上面と対向する下面に熱伝導が良好で弾性を有する反射のない材質のシートを貼り付けたことを特徴とする特許請求項１記載の半導体素子の測定装置。
【請求項３】
前記上部遮光部材の下面に貼り付けられたシートは、シリコンゴムから構成されていることを特徴とする特許請求項２記載の半導体素子の測定装置。
【請求項４】
前記半導体素子が両面に電極を有し光電変換層を有する薄板状の半導体素子であり、該半導体素子基板の一方の面の少なくとも一部分に第一の電極部を有し該基板の他方の面に少なくとも光電変換層、上部電極の順に積層し該上部電極と電気的に接続する電極の一部が、基板から突出した第二の電極部を有した半導体素子であって、光電変換層のある受光面側を上面として、受光面と反対側の面に設けたプローブで第一の電極部および突出した第二の電極部に接触するプローブ駆動手段を有することを特徴とする特許請求項１から特許請求項３いずれか１項記載の半導体素子の測定装置。
【請求項５】
請求項１記載の測定装置を半導体素子の製造ラインに組み込んで暗特性を測定する工程を有する半導体素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の測定装置を半導体素子が加熱される製造工程の後に設け、前記上部遮光部材と前記ステージの間に半導体素子の全面を少なくとも上部遮光部材と面接触するように挟みこむ工程と、前記挟持状態で前記半導体素子の電極とプローブを接触させる工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の特性を測定するための測定装置および半導体素子の製造方法に関し、例えば、光電変換層を有する太陽電池素子の暗特性を安定して測定するための測定装置および太陽電池素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子の遮光された暗状態下で電気特性を測定する装置として、特公平６−００３８２２号公報（特許文献１）には、測定装置が半導体ウェハーを固定するステージと、探針接触するプローブ針を固定したプロービング基板とを有し、半導体ウェハーを遮光するためのシャッター機構をステージ上部に設けた中空のテストヘッドをステージ上部に設けてあり、そのテストヘッド内の中空部に計測ユニットとファンが設けて有り、この冷却ファンによりテストヘッド内に設けられた計測ユニットからの熱を放散するという構成の測定装置が開示されている。
【０００３】
半導体素子の１つである太陽電池素子など光電変換層を有する素子等の暗特性を測定する装置では、遮光手段として装置全体をいわゆる暗箱で囲うという構成をとるのが通例であり、この構成の場合、遮光手段により光もれの影響はないが、光源や計測器等の発熱源による囲い内部の温度上昇を抑制するために、ファンの設置や、通気口を設ける冷却手段を講じる。しかし、放熱が不十分で、周囲温度が不安定で一定でないため、素子の温度変動による暗特性への影響がある場合がある。
【０００４】
また、前記の特公平６−００３８２２号公報のように測定対象の素子およびステージ周辺の空間を囲い遮光する構成では、素子を覆うように素子上部に設けられた遮光シャッターを有するテストヘッドにより遮光はされているが、素子表面の上には空間が存在し、テストヘッドとウェハーステージとの間が完全に覆われていないために、光もれの影響が無視できない。また、ファンによる冷却手段はあるが、素子表面はプローブとのみの接触であり、冷却が不十分で、設置される環境によっては、周囲温度の変動により素子温度は安定せず、素子の温度特性の影響がでるという欠点がある。
【０００５】
【特許文献１】
特公平６−００３８２２号公報（特許文献１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成の装置の遮光構成では、遮光が不十分であり光もれの影響で暗特性の測定値が安定しないという問題がある。
【０００７】
また、冷却が不十分で素子の置かれている環境の温度の管理が十分でないと、周囲温度の変動により素子温度が安定せず、素子の温度特性により、測定結果が安定しないという問題がある。さらには、素子内に温度分布が発生して正しい測定結果を得られないという問題がある。
【０００８】
本発明は、上述した点を鑑みなされたものであり、半導体素子の暗特性の測定において、光もれのない、周囲温度に左右されない、素子内の温度分布のない一定の素子温度にて、安定した暗特性測定を実現する測定装置及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために請求項１記載の発明は、温度調整機構を有する上部遮光部材、温度調整機構を有するステージを有して構成される半導体素子の暗特性測定装置であって、前記上部遮光部材とステージの間に半導体素子全面を少なくとも遮光部材と面接触するように挟みこみ、前記挟持状態で半導体素子の電極とプローブを接触させ、半導体素子の暗特性を測定する事を特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、半導体素子を上部遮光部材とステージで挟持することで、光の影響を受ける半導体素子の上面が上部遮光部材の下面にて面接触状態で覆われ遮光されるために光漏れの影響のない安定した暗特性の測定が可能となる。
【００１１】
また、半導体素子の両面全面が、温度調整機構を有する上部遮光部材および温度調整機構を有するステージと面接触しているため、接触面を介して半導体素子全体が一定の温度に保たれるので、半導体素子の温度変化による特性変動を抑えることができ安定した暗特性の測定が可能となる。
【００１２】
前記課題を解決するために請求項２記載の記載の発明は、前記上部遮光部材にあって、前記半導体素子の前記上部遮光部材と対向する面を上面として、前記上部遮光部材の前記半導体素子の上面と対向する下面に熱伝導が良好で弾性を有する反射のない材質のシートを貼り付け半導体素子上面と面接触するように挟みこむことを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、上部遮光部材と半導体素子の上面の隙間に設けられ、上部遮光部材の下面に貼り付けられた熱伝導の良い弾性を有する反射のないシートを介して上部遮光部材と半導体素子の上面が面接触しているので、挟持の際の半導体素子上面への接触圧力を緩和することができ、表面に多少凹凸があっても、太陽電池素子の受光面側に過度の応力がかからないので半導体素子上面を傷つけない。またシート材の弾性によりこの凹凸を吸収できるので隙間のない良好な密着状態が実現でき、遮光性が向上する。
【００１４】
前記課題を解決するために請求項３記載の発明は、前記弾性シートがシリコンゴムで構成する事を特徴としており、シリコンゴムで構成する事で、耐熱性が向上し、繰り返しの使用においても、磨耗が少ない。
【００１５】
前記課題を解決するために請求項４記載の発明は、前記半導体素子が両面に電極を有し光電変換層を有する薄板状の半導体素子であり、該半導体素子基板の一方の面の少なくとも一部分に第一の電極部を有し該基板の他方の面に少なくとも光電変換層、上部電極の順に積層し該上部電極と電気的に接続する電極の一部が、基板から突出した第二の電極部を有した半導体素子にあって、光電変換層のある受光面側を上面として、受光面と反対側の面に設けたプローブで第一の電極部および突出した第二の電極部に接触するプローブ駆動部を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、半導体素子の両面側に設けられた電極へのプローブの接触について、半導体素子の受光面と反対側の基板面側に配置したプローブのみで接触することが可能となるので、プローブの駆動系を１つにでき、装置構成を簡易化できる。
【００１７】
前記課題を解決するために請求項５記載の発明は、前記測定装置を半導体素子の製造工程に組み込んで暗特性を測定することを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、半導体素子の製造工程のなかで、半導体素子を両面から挟持し、全面で面接触することにより遮光されるので光もれによる影響のない安定した暗特性の測定ができる。それと同時に、半導体素子の温度は、上部遮光部材の下面あるいは上部遮光部材下面に貼られたシートと半導体素子上面との接触面およびステージと半導体素子の裏面との接触面の両面を通じて、温度調整された上部遮光部材および温度調整されたステージにより一定温度に設定されるので半導体素子の温度変化による特性変動を抑えた安定した暗特性の測定ができ、信頼度の高い検査ができるので安定した半導体素子の生産が可能となる。
【００１９】
前記課題を解決するために請求項６記載の発明は、前記測定装置を半導体素子の製造工程に組み込み、前記の温度調整機構を有する上部遮光部材および前記温度調整機構を有するステージを半導体素子が加熱される製造工程の後に設け、前記上部遮光部材と前記ステージの間に半導体素子の全面を少なくとも上部遮光部材と面接触するように挟みこむ工程と、前記挟持状態で前記半導体素子の電極とプローブを接触させる工程を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、暗特性を測定前の製造工程で加熱され高い温度の半導体素子に対して、両面から挟持され全面で面接触することにより遮光されるので光もれによる影響のない安定した暗特性の測定ができる。それと同時に、半導体素子の熱は、上部遮光部材の下面あるいは上部遮光部材下面に貼られたシートと半導体素子上面との接触面およびステージと半導体素子の裏面との接触面の両面を通じて、あらかじめ所定の低い温度に設定された上部遮光部材およびステージにより急速に放熱されるので、高い温度の半導体素子を短時間で所定の一定温度に冷却でき、半導体素子の生産において、タクトアップができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下に図を用いて半導体素子として太陽電池素子を例とする第１の実施の形態を図を使って説明する。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施形態をあらわす太陽電池素子の暗特性測定装置の要部断面を横からみた側面図であり、測定装置が、太陽電池素子の製造工程に組み込まれた場合の図である。
【００２３】
図１において図１の破線で囲った断面Ａ部は、図２の図中ＹＹ部の断面を矢印の向きからみた断面図である。
【００２４】
図１において、１は太陽電池素子、２は太陽電池素子１の受光面（半導体層）、３は受光面２が形成される基板（導電性基体）、４は受光面２側に設けられた第二の電極（正電極）、４０１は第二の電極４の一部で基板３より突出した電極部、５は基板３の下面に設けられた第一の電極部（負電極）、６は太陽電池素子１を搭載する測定ステージ、６０１は第二の電極４の突出した電極部４０１に対応したプローブ接触部の切り欠き部、６０２は第一の電極部５に対応したプローブ接触部の切り欠き部、６０３は第一の電極部５に対応してステージ６の上面にはりつけられた弾性シートである。７は、ステージ６の昇降駆動部、８０１は、突出した電極部４０１と接触するプローブ、８０２は、第一の電極部５と接触するプローブ、９はプローブ８０１、８０２の取り付けブロック、１１は太陽電池素子の受光面２の上部に設けられた遮光部材、１２は遮光部材１１の下面と太陽電池素子１の受光面２との隙間、１３は、太陽電池素子１の受光面２と対向する遮光部材１１の下面に貼り付けられた弾性シート、１５０１はステージ６に設けられた温度調整装置、１５０２は、太陽電池素子１の受光面２側に設けられた遮光部材１１に設けられた温度調整装置、１６０１は、ステージ６の内部に設けられ温度調整装置１５０１に配管された冷却用配管、１６０２は、遮光部材１１の内部に設けられ温度調整装置１５０２に接続された冷却用配管、１７は、暗状態で暗特性（Ｉ−Ｖ特性）を測定する計測器および制御装置で、良否の判定をする機構を有する検査装置、１８０１、１８０２は、各々、プローブ８０１、８０２と計測装置１７とを結線する配線ケーブル、１９は、太陽電池素子１を搬送するためのベルトコンベアの搬送ベルト、２６は、測定装置が組み込まれる直前の工程、２７は測定装置が組み込まれた工程、２８は、測定装置が組み込まれた直後の工程である。
【００２５】
図２、図３、図４は、各々、本発明の第１の実施形態をあらわす測定の過程を補足説明するため測定装置の要部断面を横からみた側面図である。
【００２６】
図２、図３、図４において、破線で囲った各々の断面Ｂ部、断面Ｃ部、断面Ｄ部は、図１の図中のＸＸ部断面を矢印の向きからみた断面図である。
【００２７】
図２は、測定される太陽電池素子が、測定ステージの真上の位置に搬送された状態をあらわす図であり、図３は、ステージが上昇して太陽電池素子がステージに搭載され太陽電池素子の基板面がステージの上面に接触固定された状態を表す図であり、図４は、更にステージが上昇し、太陽電池素子の受光面が上部遮光部材の太陽電池素子の受光面と対向する面とステージで挟持された状態で電極にプローブが接触した状態をあらわす図である。
【００２８】
図２、図３、図４において、１０は、プローブ８０１、８０２の取り付けブロック９の昇降駆動装置、１４は、太陽電池素子１の温度を測定するためステージ上面の窪みに設置された温度センサー（温度検出部）である。その他の各部の記号については、図１と重複するので説明は省略する。
【００２９】
なお図２、図３、図４について、引き出し線等で図が煩雑になるため、図１記載の計測装置１７およびプローブ８０１、８０２との配線ケーブル１８０１、１８０２、昇降ステージ６の温度調整装置１５０１及び配管１６０１は省略している。
【００３０】
また、図１、図２、図３、図４、において、実際の太陽電池素子では、光電変換層（半導体層）は、多層で構成されているが、図が煩雑となるので省略してある。
【００３１】
図５は、本発明の第１の実施形態をあらわす測定装置の測定ステージを上面側からみた模式図である。
【００３２】
図５において、図１と同様に矢印Ｍ、矢印Ｎにて搬送方向を示し直前の工程との位置関係を示している。図中の２６は、本発明の第１の実施形態をあらわす測定装置のある工程の前工程であり樹脂保護膜塗布後の乾燥硬化工程をあらわしている。
【００３３】
その他各部の説明は、図１と同じなので説明を省略する。
【００３４】
図６は、本発明の第一の実施形態をあらわす測定装置で測定される太陽電池素子の側面図である。
【００３５】
図６において、１は太陽電池素子、２は太陽電池素子１の受光面、２０１は太陽電池素子１の光電変換層、３は光電変換層２０１が形成される基板、３０１は光電変換層２０１の上部電極、３０２は光電変換層２０１の基板３側に設けられた下部電極、４は上部電極３０１と電気的に接続され受光面２側に設けられた第二の電極（正極）、４０１は第二の電極４の一部で基板３より突出した電極部、５は下部電極３０２と電気的に接続する基板３の下面に設けられた第一の電極部（負極）、２０は太陽電池素子１の上部電極２０１と電極４の間に設けられた金属ワイヤーよりなる集電電極である。
【００３６】
図７は、本発明の第一の実施形態をあらわす測定装置で測定される太陽電池素子の受光面側からの上面図および一部透視図である。
【００３７】
図７において、２０は太陽電池素子１の受光面２上部に設けられた電極４の間に配線された金属ワイヤーよりなる集電電極、２１は、金属ワイヤー２０を配線後太陽電池素子１の受光面２を覆うように塗布された樹脂保護膜である。その他の各部は、図６と同じなので省略する。
【００３８】
図８は、図７に図示された中央部Ｅ部の断面を拡大した図であり、太陽電池素子の受光面の凹凸をあらわす図である。
【００３９】
図９は、図６に示す矢印Ｐの方向からみた場合の太陽電池素子の側面図である。
【００４０】
図８、図９の各部の説明は、図６と同じなので説明を省略する。
【００４１】
また、太陽電池素子の光電変換層（半導体層）は、多層で構成されているが、図６、図７、図８、図９では、図１、図２、図３、図４と同様に省略している。
【００４２】
図１０は、太陽電池素子の製造工程に組み込まれた本発明の第１の実施形態をあらわす測定装置の前の製造工程を説明する図である。
【００４３】
図１０は、太陽電池素子の製造工程において、成膜後の集電電極および取り出し電極の形成工程に測定装置を組みこんだ前後の工程のフローを示した図であり、図１０において、２２は、金属ワイヤー２０を貼る工程、２３は、第二電極（正電極）４を貼る工程、２４は、ワイヤー２０と第二電極（正電極）４の接触点を加熱接着する工程、２５は、樹脂保護膜（ハードコート）の塗布工程、２６は、樹脂保護膜（ハードコート）の乾燥硬化工程、２７は、本発明の第１の実施形態をあらわす測定装置による暗特性の測定工程、２８は光照射によるＩＶ特性の測定工程である。
【００４４】
以下に、図１、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０で本実施の形態を説明する。
【００４５】
まず、本実施の形態をあらわす測定装置を説明する前に、本実施形態をあらわす測定装置の前の工程２２から２６を説明する。図１０に示すように、工程２２では、金属ワイヤーからなる集電電極が図７に示すように受光面２上に配線される。その次の工程２３では、図６に示すように箔状の正電極４が貼られ、工程２４では、金属ワイヤーより成る集電電極２０と正電極４の接触点が加熱圧着され接続される。次に工程２５にて樹脂保護膜２１が図８に示すように金属ワイヤー２０の貼られた受光面上に塗布され、工程２６にて、塗布された樹脂保護膜２１が不図示の乾燥硬化炉により加熱硬化される。
【００４６】
次に、本実施の形態では、図１に示すように、測定装置は太陽電池素子１の製造工程の中で樹脂保護膜２１を塗布後に乾燥する工程２６の直後に組み込まれており、太陽電池素子１は、図１に示す矢印Ｍの方向から、矢印Ｎの方向に受光面２を上面とし基板３を下面として搬送ベルト１９で搬送され、不図示のストッパーに突き当たり位置決めされ、ステージ６の上部に配置固定される。
【００４７】
次に、図３に示す様に、昇降駆動装置７でステージ６が図２の矢印Ｑに示したように上昇することで、太陽電池素子１の受光面２を上面としてステージ６に搭載され、太陽電池素子１の基板３は真空吸着によりステージ６の上面に密着固定される。
【００４８】
その次に、図４に示すようにステージ６を昇降駆動装置７で矢印Ｒに示すように上昇されることで、ステージ６の上面に密着固定された太陽電池素子１は、上部遮光部材１１の受光面２と対向する下面の受光面２の全領域を覆う位置に配設され貼り付けられた弾性シート１３に押し当てられ上部遮光部材１１とステージ６にて挟持されることで、受光面２の全面は弾性シート１３に密着され遮光される。この太陽電池素子１の受光面２が上部遮光部材１１の下面に配設された弾性シート１３により覆われた状態で、太陽電池素子１の受光面２と反対の面に設けたプローブ８０１、８０２は、図４記載の昇降駆動装置１０にて矢印Ｓの方向に駆動され、プローブ８０１、８０２は、各々、第二の電極４の突出した電極部４０１および第一の電極部５に下から接触し、太陽電池素子１は、計測装置１７にてＩ−Ｖ特性を測定され良否判定された後、図１０に示す次工程２８の光照射状態下でのＩ―Ｖ特性の測定工程に搬送される。
【００４９】
上記構成において、太陽電池素子１の両面が、温度調整機構１５０２を有する上部遮光部材１１および温度調整機構１５０１を有するステージ６と面接触しているため、両接触面を介して太陽電池素子１全体が一定の温度に保たれるので、太陽電池素子１の温度変化による特性変化を抑えることができ安定した暗特性の測定が可能となり、誤判定の少ない信頼性の高い検査が可能となる。
【００５０】
また、上記構成では、上部遮光部材１１と太陽電池素子１の受光面２の隙間１２に設けられ上部遮光部材１１の下面に貼り付けられた弾性シート１３として、シリコンゴムを使用することで、シリコンゴムシートを介して上部遮光部材１１と太陽電池素子１の受光面２が面接触しているので、挟持の際、太陽電池素子１の受光面２への接触圧力を緩和することができ、図８に示すように太陽電池素子１の樹脂保護膜２１の表面に多少凹凸があっても、太陽電池素子１の受光面側に過度の応力がかからないので、太陽電池素子１の受光面２、集電電極（金属ワイヤー）２０および受光面２の樹脂保護膜２１をはじめ構成部材への機械的衝撃を和らげることができる。またシート材の弾性により、集電電極（金属ワイヤー）２０と受光面２の保護膜２１の凹凸を吸収できるので隙間のない良好な密着状態が実現でき、遮光性が向上する。
【００５１】
また、シリコンゴムから成る弾性シート１３を太陽電池素子１の電極４、４０１に対応した領域まで広げてあるのでプローブ８０１、８０２の電極４、４０１への接触時の機械的衝撃を緩和することができる。
【００５２】
なお、本実施の形態では、シート１３としては、放熱性を重視し、シート状の黒色シリコンゴムを用いたが、上記要件である弾性、熱伝導性、遮光性を満たせば、シリコンゴムに限定されるものでない。
【００５３】
また、上記構成において、太陽電池素子１の両面側に設けられた電極へのプローブの接触について、太陽電池素子１の受光面２と反対側の基板面側に配置したプローブ８０１、８０２のみで接触することが可能となるので、プローブの駆動系を一つにでき装置構成を簡略化できる。
【００５４】
また、本実施の形態では、図１０に示すようにステージ６が太陽電池素子１の製造工程の中に組み込まれ樹脂保護膜塗布後の乾燥硬化工程の後に暗特性を測定するよう工程設定されているため、乾燥硬化炉で高温に加熱された太陽電池素子１は乾燥硬化炉から測定ステージ６まで搬送されてくる過程で、温度は低下するが、ファン等の冷却手段では、測定する温度（２５℃程度）まで下がるまで時間がかかる。
【００５５】
したがって、本実施の形態による構成では、図１に示すように太陽電池素子１の熱を、上部遮光部材１１あるいは上部遮光部材１１の下面に貼られた弾性シート１３と太陽電池素子１の受光面２との接触面およびステージ６と太陽電池素子１の裏面との接触面の両接触面を通じて、予め、低い温度に設定された上部遮光部材１１およびステージ６へ放熱させることができるので、太陽電池素子１の温度は、短時間で所定の一定温度（２５℃程度）に低下でき太陽電池素子の製造工程のタクトがアップできる。
【００５６】
なお、上記構成では、図１に示すように、太陽電池素子１の第一の電極部５と突出した第二の電極部４０１と接触するプローブとしては、プローブ自体の内部抵抗が低く外周部に圧縮コイルバネを配設した構造のプローブを取り付けているが、測定精度に問題なければ、プローブの内部に圧縮コイルバネを配設した従来構造のプローブでも構わない。
【００５７】
さらに、上記構成では、突出した第二の電極部４０１に対しては図１に示すような先端が平坦な形状のプローブ８０１を設け、一方、第一の電極部に対しては図２に示すような先端に複数の突起部を有するプローブを設けてあるが、突出した第二の電極部及び第一の電極部の表面状態に応じて適宜プローブの先端形状を変えることで、より安定した接触が実現できる。
【００５８】
（第２の実施の形態）
図１１は、本発明の第２の実施形態をあらわす図である。
【００５９】
本発明の第１の実施形態同様に、太陽電池素子の暗特性測定装置の要部断面を横からみた側面図であり、測定装置が、太陽電池素子の製造工程に組み込まれた場合の図である。
【００６０】
図１１において図１１の破線で囲った断面Ｆ部は、図２の図中ＹＹ部の断面を矢印の向きからみた断面図である。
【００６１】
各部の名称は、図１と同様なので省略する。
【００６２】
図１１において、上部遮光部材１１の厚さが第１の実施の形態で示した図１の場合と異なり薄いことである。
【００６３】
図１２は本発明の第２の実施形態をあらわす測定装置が組み込まれている工程２７を説明する図である。
【００６４】
図１２において、２９は太陽電池素子の分割工程を表わし、その他の工程は、図１０同様であり、２２は、金属ワイヤー２０を貼る工程、２３は、第二電極（正電極）４を貼る工程、２４は、ワイヤー２０と第二電極（正電極）４の接触点を加熱接着する工程、２５は、樹脂保護膜（ハードコート）の塗布工程、２６は、樹脂保護膜（ハードコート）の乾燥硬化工程、２７は、本発明の第２の実施形態をあらわす測定装置による暗特性の測定工程、２８は光照射によるＩ−Ｖ特性の測定工程である。
【００６５】
図１３は、本発明の第２の実施形態をあらわすステージを上面側からみた模式図である。
【００６６】
図１３において、破線で示した領域は、分割された太陽電池素子１０１、１０２の外形をあらわし、ステージ６への搭載位置をあらわしている。
【００６７】
また、図１３において、分割された太陽電池素子１０１、１０２に対応して、プローブ８０１、８０２が設けられている点が異なる。
【００６８】
本実施の形態では、図１１に示すように第１の実施の形態同様に測定装置が太陽電池素子１の製造工程に組み込まれている。
【００６９】
ただし、図１２に示すように暗特性を測定する測定装置が太陽電池素子１の分割工程２９の後に組み込まれている点が本発明の第１の実施形態と異なり、暗特性を測定する工程２７に搬送された太陽電池素子１は、太陽電池素子１の分割工程２９に設置された不図示の太陽電池素子１の先鋭な刃（カッター）とプレス装置により構成された素子分割装置によって、分割され工程２７のステージ６に搬送される。
【００７０】
太陽電池素子１は、加熱硬化工程２６にて高温に加熱され分割工程２９に搬送されるが、分割時に不図示の金属製プレス型が分割個所付近に面接触するので冷却される。したがって暗特性を測定する工程２７に搬送された太陽電池素子１の温度は第１の実施形態の時と比較して低いので、上部遮光部材１１の熱容量は低く設定することができ、上部遮光部材１１の厚さは樹脂保護膜の加熱硬化工程２６の直後に暗特性の測定装置が組み込まれた第１の実施形態の構成に比較して薄くしても第１の実施形態と同等のタクトで温度調整できる。
【００７１】
また、本発明の第１の実施形態同様、測定ステージ６では、分割された太陽電池素子１０１、１０２に対応して弾性シート１３が受光面２と面接触して、太陽電池素子１０１、１０２が遮光されるよう上部遮光部材１１の下面形状が形成されており、分割された各々の太陽電池素子１０１、１０２を完全に遮光できる。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体素子の測定装置によれば、光もれや、素子温度変化による影響のない安定した暗特性の測定が可能となり、安定した暗特性が可能な測定装置を提供できる。
【００７３】
また、本発明の半導体素子の製造方法によれば、光もれや、素子温度変化の影響のない安定した太陽電池素子の暗特性の測定により、信頼性の高い検査が可能となり、安定した半導体素子の生産が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態をあらわす太陽電池素子の暗特性の測定装置をあらわす要部断面を横からみた側面図
【図２】本発明の第１の実施形態についての説明を補足する太陽電池素子の測定装置の要部断面を横からみた側面図（ステージ上昇前）
【図３】本発明の第１の実施形態についての説明を補足する太陽電池素子の測定装置の要部断面を横からみた側面図（ステージ上昇、プローブ未接触時）
【図４】本発明の第１の実施形態についての説明を補足する太陽電池素子の測定装置の要部断面を横からみた側面（プローブ接触時）
【図５】本発明の第１の実施形態をあらわすステージを上面側からみた模式図
【図６】本発明の第１の実施形態で測定される太陽電池素子の側面図
【図７】本発明の第１の実施形態で測定される太陽電池素子の上面から見た模式図
【図８】本発明の第１の実施形態で測定される太陽電池素子の要部断面の拡大図
【図９】本発明の第１の実施形態で測定される太陽電池素子の側面図
【図１０】本発明の第１の実施形態をあらわす測定装置の直前の工程を説明する図
【図１１】本発明の第２の実施形態を表わす要部断面を横からみた側面図
【図１２】本発明の第２の実施形態をあらわす測定装置の直前の工程を説明する図
【図１３】本発明の第２の実施形態をあらわすステージを上面側からみた模式図
【符号の説明】
１，１０１，１０２  半導体素子（太陽電池素子）
２  受光面
２０１  光電変換層
３  基板
３０１  上部電極
３０２  下部電極
４  第二の電極（正電極）
４０１  突出した第二の電極部
５  第一の電極部（負電極）
６  ステージ
６０１  ステージの切り欠き部
６０２  ステージの切り欠き部
６０３  弾性シート
７  ステージ昇降駆動装置
８０１  プローブ
８０２  プローブ
９  プローブの取り付けブロック
１０  プローブの昇降駆動装置
１１  上部遮光部材
１２  上部遮光部材とステージの間の隙間
１３  弾性シート
１４  温度センサー
１５０１、１５０２  温度調整装置
１６０１、１６０２  配管
１７  計測装置
１８０１、１８０２  プローブ配線ケーブル
１９  搬送ベルト
２０  金属ワイヤー（集電電極）
２１  樹脂保護膜（ハードコート）
２２  金属ワイヤー貼り工程
２３  第二電極（正電極）貼り工程
２４  金属ワイヤーと正電極の接触点の加熱接着工程
２５  ハードコート塗布工程
２６  ハードコート乾燥硬化工程
２７  暗特性の測定工程
２８  光照射ＩＶ特性測定工程
２９  素子分割工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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