(57)【要約】【課題】  溶媒キャスト法によっても十分な厚みを有するフラーレン誘導体含有塗膜、及び所望の粒径のフラーレン誘導体含有粉体の製造に用いることができる高濃度フラーレン誘導体組成物を提供する。【解決手段】  フラーレン誘導体と、下記一般式（１）、（２）、又は（３）で表される構造を分子内に有する化合物αとを含有するフラーレン誘導体組成物であって、化合物αに対するフラーレン誘導体の濃度が１ｍｇ／ｍＬ以上であることを特徴とするフラーレン誘導体組成物。       −（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ<           （１）       −Ｓ（＝Ｏ）−              （２）       −Ｓ（＝Ｏ）２−              （３）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラーレン誘導体と、下記一般式（１）、（２）、又は（３）で表される構造を分子内に有する化合物αとを含有するフラーレン誘導体組成物であって、化合物αに対するフラーレン誘導体の濃度が１ｍｇ／ｍＬ以上であることを特徴とするフラーレン誘導体組成物。
−（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ<           （１）
−Ｓ（＝Ｏ）−              （２）
−Ｓ（＝Ｏ）２−              （３）
【請求項２】
化合物αが、アミド類化合物、スルホキシド類化合物、及びスルホン類化合物よりなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載のフラーレン誘導体組成物。
【請求項３】
化合物αが、ドナー数１０以上８０以下のものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のフラーレン誘導体組成物。
【請求項４】
化合物αが、比誘電率が２０以上１５０以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフラーレン誘導体組成物。
【請求項５】
化合物αが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン、及びジメチルスルホキシドよりなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の水酸化フラーレン組成物。
【請求項６】
フラーレン誘導体が、水酸化フラーレンであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフラーレン誘導体組成物。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のフラーレン誘導体組成物を含有する塗料を、基材に塗布した後、化合物αを気化させることを特徴とするフラーレン誘導体を含有する塗膜の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載のフラーレン誘導体組成物から、化合物αを除去することを特徴とするフラーレン誘導体を含有する粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラーレン誘導体と特定の化合物とを含有する組成物、及びフラーレン誘導体を含有する塗膜又は粉体の製造方法に関するものである。更に詳しくは、高濃度でフラーレン誘導体を溶解したフラーレン誘導体溶液及びこの溶液を用いた塗膜又は粉体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１９９０年にＣ６０の大量合成法が確立されて以来、フラーレンに関する研究が精力的に展開されている。
フラーレン及びその誘導体(以下、併せて「フラーレン類」ということがある。)は、紫外線吸収性、ラジカル捕捉作用、断熱作用、リチウムイオン透過性などの性質を有するので、これらを利用した紫外線吸収剤、殺菌剤、断熱材、電極など、その用途は広範である。そして、これらの性質を有効に発揮させるためには、フラーレン類を多量に含有する塗膜や粉体を得る必要がある。
【０００３】
フラーレンの各種溶媒に対する溶解度は、種々報告されているが（例えば、非特許文献１、２参照）、ケトン、エステル、エーテル及びアルコール等、工業的に広く利用されている溶媒に対する溶解度は極めて低い。
したがって、例えば、これらの溶媒にフラーレン類を溶解させたフラーレン溶液を基材に塗布し、次いで溶媒を蒸発させて塗膜を形成させる溶媒キャスト法で、基板上にフラーレン類を含有する塗膜を形成させようとしても、十分な膜厚の塗膜を形成させることができない。実際に、フラーレン類のうちフラーレンについては、フラーレンに対する溶解度が比較的高い芳香族系溶媒から溶媒キャスト法によってフラーレン塗膜を形成させる旨の報告がある（非特許文献３）。この報告によれば、溶媒キャスト法では、フラーレンが結晶状に析出してしまうため、特性上再現性の良好な塗膜が得られず、真空蒸着法を用いるのが好ましいとされている。しかしながら、溶媒キャスト法は、簡易な方法で、大面積を有する塗膜を容易に製造することができる有効な方法であり、この方法を用いてフラーレン類を含有する良好な塗膜を形成させることができる高濃度のフラーレン溶液が望まれている。また、フラーレン類を特定の粒径を有する粉体とする際にも、高濃度のフラーレン溶液を用いるのが好ましい。
【非特許文献１】Ｒ．Ｓ．Ｒｕｏｆｆ他、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．９７，３３７９−３３８３（１９９３）
【非特許文献２】Ｗ．Ａ．Ｓｃｒｉｖｅｎｓ他、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１２０７−１２０９（１９９３）
【非特許文献３】Ｐ．Ｊａｎｄａ他、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．１０  １４３４−１４３８（１９９８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明は、溶媒キャスト法によっても十分な厚みを有するフラーレン類含有塗膜の形成やフラーレン類粉体の製造に用いるのに好適なフラーレン類を高濃度に含有するフラーレン類組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討したところ、フラーレン類として溶解性の高いフラーレン誘導体を用い、さらに分子内にアミド基、スルフィニル基又はスルホニル基を有
する化合物を用いることによって、フラーレン誘導体を高濃度で含有する溶液を形成すること、及びこの溶液は溶媒キャスト法によっても十分な膜厚の塗膜を形成できること、
またフラーレン誘導体を容易に粉体として取得できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００６】
すなわち、本発明の要旨は、フラーレン誘導体と、下記一般式（１）、（２）、又は（３）で表される構造を分子内に有する化合物αとを含有するフラーレン誘導体組成物であって、化合物αに対するフラーレン誘導体の濃度が１ｍｇ／ｍＬ以上であることを特徴とするフラーレン誘導体組成物、及びこれを用いた塗膜の形成方法及び粉体の製造方法、に存する。
【０００７】
−（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ<           （１）
−Ｓ（＝Ｏ）−              （２）
−Ｓ（＝Ｏ）２−              （３）
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フラーレン誘導体を高濃度で取り扱うことが可能となり、高濃度溶液からの塗膜形成は、良好な塗膜を与えることができるので、平滑な塗膜を得ることができる。また、気化させる溶媒量も少なくて済み、気化時間、溶媒回収、コストの観点からも有利である。
更に、本発明に係る組成物は、極めて高濃度でフラーレン誘導体を溶解しているため、フラーレン誘導体を含む粉体の製造にあたり、各種の造粒法を適用することが可能であり、また使用する溶媒量も少なくて済み、気化時間、溶媒回収、コストの観点からも有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明について詳細に説明する。
本明細書において、フラーレン誘導体とはフラーレンの炭素原子に有機又は無機の原子団を結合させた化合物をいう。フラーレン誘導体の調製に用いるフラーレンとしては、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ８６、Ｃ８８、Ｃ９０、Ｃ９２、Ｃ９４、Ｃ９６、Ｃ９８、Ｃ１００等又はこれら化合物の２量体、３量体等が挙げられる。これら中で、Ｃ６０、Ｃ７０、又はこれらの２量体、３量体が好ましい。フラーレンは1種類を単独で用いても、複数種を併用してもよい。複数種を併用する場合には、
Ｃ６０及びＣ７０の混合物を用いるのが好ましい。Ｃ６０、Ｃ７０は構造がシンプルであり、一般的に用いられるアーク放電法や燃焼法における生成率が高いため、工業的に必要な量を確保し易い。特にＣ６０は構造が対称であるという利点もある。
【００１０】
フラーレン誘導体としては、例えば、水素化フラーレン、酸化フラーレン、水酸化フラーレン、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）化フラーレン、フレロイド、メタノフラーレン等が挙げられる。これらのうち、水素化フラーレン、水酸化フラーレン、又は酸化フラーレン、特に水酸化フラーレンが好ましい。なお、フラーレン誘導体は、1種類を単独で用
いても、複数種を併用してもよい。
【００１１】
フラーレンは、例えば、抵抗加熱法、レーザー加熱法、アーク放電法、燃焼法などにより得られたフラーレン含有スートから抽出分離することによって得られる。この際、必ずしも完全に分離する必要はなく、性能を損なわない範囲でフラーレンの含有率を調整することができる。
また、フラーレン誘導体は、フラーレンに対して従来公知の方法を用いて合成することができる。例えば、求核剤との反応（求核付加反応）、環化付加反応、光付加（環化）反応、酸化反応、還元反応、ラジカル反応等を利用して、所望のフラーレン誘導体を得ることができる。
【００１２】
このようにして得られたフラーレン類は、常温（２５℃）、常湿（５０％ＲＨ）では、通常粉末状の性状を有し、その二次粒径は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、通常１ｍｍ以下、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。
以下、フラーレン誘導体が水酸化フラーレンの場合を例にして、本発明を詳細に説明をする。
【００１３】
水酸化フラーレンは、フラーレン類に水酸基が導入されたフラーレン誘導体である。フラーレンは炭素の同素体であるため疎水性を示すが、水酸化フラーレンは導入された水酸基により親水性を有するようになる。このため、水酸化フラーレンは、水溶性フラーレン誘導体として着目されている。フラーレン類自体にラジカル失活作用や酵素阻害作用、軟骨分化誘導促進作用、抗変異原性などがあるが、フラーレンを水溶化することにより医薬品への応用が期待されている。したがって、フラーレンのうちでも水酸化フラーレンを用いることによって化合物αとの相溶性を高くでき、結果的に高濃度のフラーレンを含有する組成物を得ることができるようになる。
【００１４】
なお、本発明における「水酸化フラーレン」とは、なんらかの形（直接、間接を問わず）で水酸基をフラーレンに導入した分子をいう。
本発明で用いるのが好ましい水酸化フラーレンの構造は、フラーレン骨格に直接水酸基が結合した構造のものである。この場合は、フラーレンに対し立体構造の小さい水酸基（−ＯＨの置換基全体で式量が１７となる。）が直接結合することになる。このため、フラーレン誘導体の全体の構造におけるフラーレンの骨格部分の割合を高くすることができるようになり、塗膜、粉体中におけるフラーレンの骨格部分の実効密度が高くなり、フラーレンに期待される機能と同等の機能が発揮されやすくなる。
【００１５】
水酸化フラーレンの水酸基数は、通常１個以上３８個以下である。水酸基数が少ないと、溶媒への溶解性や塗膜形成能が低下することがある。したがって、２個以上、更に４個以上、特に６個以上が好ましい。逆に、水酸基数が過度に多いと、フラーレンの特性が失われることがある。したがって、３０個以下、更に２０個以下、特に１６個以下が好ましい。
【００１６】
水酸化フラーレンは、常温、常湿では、通常粉体状の性状を有し、その二次粒径は、通常１０ｎｍ以上１ｍｍ以下である。粒径の下限は５０ｎｍ以上、特に１００ｎｍ以上が好ましく、上限は５００μｍ以下、特に１００μｍ以下が好ましい。
水酸化フラーレンは、例えば、「Ｌ．Ｙ．Ｃｈｉａｎｇ他、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，  １７９１−１７９３（１９９２）」や、「Ｊ．Ｌｉ他、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７８４−１７８５（１９９３）」、「Ｎ．Ｓ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ他、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，４６３−４６４（１９９４）」に記載された方法により製造することができる。また、特開２００２−１９３８６１号公報に記載された方法で製造してもよい。
【００１７】
化合物αは、分子内に一般式（１）〜（３）で表されるいずれかの構造を１個又は複数個有していても、異なる複数の構造を有していてもよい。
ここで、化合物αの有する一般式（１）〜（３）で示される構造はいずれも強い電子供与性基であり、一方、フラーレンは強い電子受容性を示すことから、両者の間には強い相互作用が働くと推定される。しかしながら、このような推定に反し、フラーレンＣ６０のジメチルスルホキシド又はＮ−２−メチルピロリドンに対する溶解性は極めて低い（非特許文献１、２参照）。これは、一般式（１）〜（３）で示される構造を有する化合物αが強い極性を有し高い親水性を示すので、極性が弱く疎水性が高いフラーレンＣ６０とは親
和性が低いためと考えられる。
【００１８】
これに対して、本発明において用いるフラーレン誘導体は、その有する水酸基等の極性基により、適度
の親水性が付与されているので、一般式（１）〜（３）で示される構造を有する化合物αに対して極めて高い溶解度を示す。
化合物αは、常温常湿で固体又は液体のいずれであってもよいが、キャスト法により塗膜を形成させるためには、液体であることが好ましい。
【００１９】
上記一般式（１）の構造を分子内に有する化合物αとしては、アミド類化合物が挙げられる。
（ａ）アミド類化合物
アミド類化合物としては、下記一般式（４）で表される非環式又は環式アミド類化合物が挙げられる。
【００２０】
（Ｒ３）（Ｒ４）Ｎ−（Ｃ＝Ｏ）−Ｒ５       （４）
（但し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基を表す。なお、Ｒ３とＲ5と、又はＲ4とＲ５とが連結して置換基
を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。）
脂鎖式炭化水素基は、化合物αの性状を液体の状態としてフラーレン誘導体を良好に溶解させるため、炭素数の上限値が１０以下であり、７以下、更に５以下、特に４以下のものが好ましい。脂鎖式炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ペプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基等のアルケニル基などが挙げられる。
【００２１】
フラーレン誘導体との親和性及び化合物αの融点を制御する観点から、これらの中でも、メチル基、エチル基、又はプロピル基を用いることが好ましく、メチル基を用いることがより好ましい。
芳香族炭化水素基としては、炭素数が１６以下、特に１０以下のものが好ましい。上記炭素数の芳香族炭化水素基を用いることにより、化合物αの融点を良好に制御してフラーレン誘導体を良好に溶解させることができるようになる。例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、９−フルオレニル基、１−インデニル基、２−インデニル基、３−インデニル基、４−インデニル基、５−インデニル基、６−インデニル基、７−インデニル基等が挙げられる。
【００２２】
フラーレン誘導体との親和性の観点から、これらの中でも、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−インデニル基、２−インデニル基、３−インデニル基、４−インデニル基、５−インデニル基、６−インデニル基、７−インデニル基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。これら芳香族炭化水素基は分子量が小さく化合物αの粘度や融点を低くする傾向があるため、化合物αを溶媒として用いることができるようになる。
【００２３】
これら芳香族炭化水素基の中でも、化合物αの粘度や融点を低く抑える傾向が顕著となる点で最も好ましいのは、芳香族炭化水素基として最も分子量が小さいフェニル基である。
複素環基としては、ヘテロ原子が酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子及び／又はヒ素原子となるものを挙げることができる。これらヘテロ原子のうち好ましいのは、酸素原子、硫黄原子、及び窒素原子であり、より好ましいのは、窒素原子である。窒素が有する非共有電子対とフラーレン誘導体との相互作用により、フラーレン誘導体と化合物αとの親和性がより良好になる。更に、複素環基に用いる複素環は、２種以上のヘテロ原子を含んでもよい。工業的に得やすい点から２種以上のヘテロ原子の組み合わせで好ましいのは、硫黄と窒素である。
【００２４】
また、複素環中のヘテロ原子の数は、通常１以上５以下である。化合物αの融点や粘度の観点から、ヘテロ原子数は、１以上３以下とすることが好ましく、１又は２とするのが特に好ましく、１とするのが最も好ましい。
複素環基の複素環は、３原子環から大環状に至る各種のものを用いることができるが、化合物αの融点や粘度、及び工業的な得易さを考慮すると、３員環から６員環が好ましく、特に５員環又は６員環が特に好ましい。なお、複素環は、ベンゼン環又は他の複素環と縮合したものでもよい。
【００２５】
複素環としては、例えば、オキシラン、ジオキサン、２，５−ジオキソテトラヒドロフラン、フラン、ピラン等の酸素原子を含む複素環が挙げられるが、化合物αの融点や粘度を制御する点からは、フランを用いるのが好ましい。
また、複素環としては、チオフェン、チオピラン等の硫黄原子を含む複素環が挙げられるが、化合物αの融点や粘度を制御する点からは、チオフェンを用いるのが好ましい。
【００２６】
また、複素環としては、ピロール、ピリジン、イミダゾール、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、プリン等の窒素原子を含む複素環が挙げられるが、化合物αの融点や粘度を制御する点からは、ピロール、ピリジン、イミダゾール、ピリミジン、及びトリアジンのいずれかを用いるのが好ましい。
また、複素環としては、チアゾール等の硫黄原子及び窒素原子を含む複素環を挙げることもできる。
【００２７】
上述の通り、フラーレン誘導体との親和性の観点から、これらの複素環のうち、窒素原子を有するもの、特に窒素原子を１〜３個有するものが好ましい。
窒素原子が１個の複素環を有する複素環基としては、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。
【００２８】
窒素原子が２個の複素環を有する複素環基としては、例えば、１−イミダゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基等が挙げられる。
窒素原子が３個の複素環を有する複素環基としては、例えば、トリアジニル基等が挙げられる。
【００２９】
これら窒素原子を有する複素環基のうち、フラーレン誘導体との親和性を高くできる観点から、窒素原子が１個の複素環基が好ましく、２−ピリジル基、３−ピリジル基、又は４−ピリジル基が特に好ましい。
以上をまとめると、フラーレン誘導体との親和性及び化合物αの融点を制御する観点からＲ3、Ｒ4、Ｒ5に用いる基として特に好ましいのは、水素原子、メチル基、フェニル基
、２−ピリジル基、３−ピリジル基、及び４−ピリジル基であり、最も好ましいのは、水素原子又はメチル基のいずれかである。
【００３０】
なお、一般式（４）において、Ｒ３とＲ5と、又はＲ4とＲ５とが連結して置換基を有
していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。
アルキレン基は、炭素数の下限値が、通常２以上、好ましくは３以上、より好ましくは４以上であり、一方、炭素数の上限値が、通常８以下、好ましくは６以下、より好ましくは５以下である。アルキレン基としては、例えば、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基が挙げられる。
【００３１】
脂鎖式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基、又はアルキレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子；炭素数１〜５のアルコキシ基；炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基；炭素数２〜５のアシルオキシ基；エチレングリコールから誘導される１価の基；水酸基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、オキソ基等が挙げられる。これら置換基は、化合物αの融点や極性を制御するために用いられる。更に、芳香族炭化水素基又は複素環基は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数が１〜１０の脂鎖式炭化水素基で置換されていてもよい。
【００３２】
脂鎖式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基、又はアルキレン基が置換基として有するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
脂鎖式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基、又はアルキレン基が置換基として有するアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基等が挙げられ、メトキシ基又はエトキシ基が好ましい。
【００３３】
脂鎖式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基、又はアルキレン基が置換基として有するアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブチロキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基等が挙げられ、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基又はブチロキシカルボニル基が好ましい。
【００３４】
脂鎖式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基、又はアルキレン基が置換基として有するアシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基等が挙げられ、アセトキシル基、置換基として用いるプロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基又はイソブチリルオキシ基が好ましい。
【００３５】
置換基として用いるエチレングリコールから誘導される１価の基としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールから誘導される１価の基が挙げられる。
芳香族炭化水素基又は複素環基に置換基として用いる、ハロゲン原子で置換されていてもよい脂鎖式炭化水素基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ペプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。これら脂鎖式炭化水素基のうち、化合物αの融点を制御する点から、炭素数１以上４以下の脂鎖式炭化水素基を用いるのが好ましい。このような脂鎖式炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
【００３６】
一般式（４）で表されるアミド類化合物としては、例えば、ホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ピロリドンカルボン酸等が挙げられる。
これらの中で、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが好ましく用いられ、特に、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが好ましい。これらの分子においては置換基の種類がカルボニル基の電気陰性度を高める方向に作用するため、フラーレン骨格との間の親和力が高くなる。またＮメチル−２−ピロリドンにおいてはカルボニル基が分子骨格上外部を向いた形で固定されており、フラーレン骨格に対して配位しやすく強い相互作用を示すことが可能となる。これらの相互作用の向上に由来した溶解度向上が期待できる。
【００３７】
一般式（２）で表される構造を分子内に有する化合物αとしては、スルホキシド類化合物、亜硫酸エステル類化合物等が挙げられる。
スルホキシド類化合物としては、下記一般式（６）で表されるものが挙げられる。
Ｒ１２−Ｓ（＝Ｏ）−Ｒ１３        （６）
（但し、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基を表す。なお、Ｒ１２とＲ１３とが連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。）
水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、及びＲ１２とＲ１３とが連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基は、上記一般式（４）のアミド類化合物のＲ３、Ｒ４、Ｒ５と同様のものを用いればよい。
【００３８】
スルホキシド類化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシド等が挙げられ、ジメチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシドが好ましく、特にジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシドが好ましい。
【００３９】
亜硫酸エステル類化合物としては、下記一般式（７）で表されるものが挙げられる。
Ｒ１４−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ１５       （７）
（但し、Ｒ１４、Ｒ１５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基を表す。なお、Ｒ１４とＲ１５とは連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。）
水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、及びＲ１４とＲ１５とが連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基は、上記一般式（４）のアミド類化合物のＲ３、Ｒ４、Ｒ５と同様のものを用いればよい。
【００４０】
亜硫酸エステル類化合物としては、例えば、ジメチルサルファイト、メチルエチルサルファイト、ジエチルサルファイト、ジフェニルサルファイト、エチレンサルファイト、ビニレンサルファイト等が挙げられ、ジメチルサルファイト、メチルエチルサルファイト、ジエチルサルファイトが好ましく、特にジメチルサルファイトが好ましい。
一般式（３）で表される構造を分子内に有する化合物αとしては、スルホン類化合物、スルホン酸エステル化合物、硫酸エステル化合物等が挙げられる。
【００４１】
スルホン類化合物としては、下記一般式（８）で表されるものが挙げられる。
Ｒ１６−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｒ１７              （８）
（但し、Ｒ１６、Ｒ１７は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基を表す。なお、Ｒ１６とＲ１７とは連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。）
水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、及びＲ１６とＲ１７とが連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基は、上記一般式（４）のアミド類化合物のＲ３、Ｒ４、Ｒ５と同様のものを用いればよい。
【００４２】
スルホン類化合物としては、例えば、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジフェニルスルホン、ジベンジルスルホン、テトラメチレンスルホン、メチルスルホラン、スルホレン等が挙げられ、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチルメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、メチルスルホラン、スルホレンが好ましく、特に、テトラメチレンスルホン、メチルスルホランが好ましい。
【００４３】
スルホン酸エステル類化合物としては、下記一般式（９）で表されるものが挙げられる。
Ｒ１８−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｒ１９          （９）
（但し、Ｒ１８、Ｒ１９は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基を表す。なお、Ｒ１８とＲ１９とは連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。）
水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、及びＲ18とＲ19とが連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基は、上記一般式（４）のアミド類化合物のＲ３、Ｒ４、Ｒ５と同様のものを用いればよい。
【００４４】
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル、エタンスルホン酸メチル、エタンスルホン酸エチル、プロパンスルホン酸メチル、ベンゼンスルホン酸メチル、１，３−プロパンスルトン、１，４−ブタンスルトン等が挙げられ、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル、エタンスルホン酸メチル、エタンスルホン酸エチル、プロパンスルホン酸メチル、１，３−プロパンスルトン、１，４−ブタンスルトンが好ましく、特にメタンスルホン酸メチル、１，３−プロパンスルトン、１，４−ブタンスルトンが好ましい。
【００４５】
硫酸エステル類化合物としては、下記一般式（１０）で表されるものが挙げられる。
Ｒ２０−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−Ｒ２１              （１０）
（但し、Ｒ２０、Ｒ２１は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基を表す。なお、Ｒ２０とＲ２１とは連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基を形成してもよい。）
水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０の脂鎖式炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、及びＲ２０とＲ２１とが連結して置換基を有していてもよい炭素数２〜８のアルキレン基は、上記一般式（４）のアミド類化合物のＲ３、Ｒ４、Ｒ５と同様のものを用いればよい。
【００４６】
硫酸エステル類化合物としては、例えば、硫酸ジメチル、硫酸ジエチル、硫酸エチルメチル、硫酸メチルフェニル、エチレングリコール硫酸エステル、１，３−プロパンジオール硫酸エステル、１，４−ブタンジオール硫酸エステル等が挙げられ、硫酸ジメチル、硫酸ジエチル、硫酸エチルメチルが好ましく、特に硫酸ジメチルが好ましい。
上述の化合物αの中でも好ましいのは、アミド類化合物、スルホキシド類化合物、又はスルホン類化合物であり、更に好ましいのは、アミド類化合物又はスルホン類化合物である。
【００４７】
特に好ましいのは、化合物αとして、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン、及びジメチルスルホキシドよりなる群から選ばれたものを用いることである。特にＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシド、又はテトラメチレンスルホンが好ましい。
【００４８】
化合物αは、ドナー数が１０以上８０以下のものが好ましい。ドナー数が低いと化合物αの電子供与性が弱くなるので、フラーレン誘導体との相互作用が弱くなる。つまり、フラーレン誘導体におけるフラーレン骨格部分は強い電子受容性を有するので、化合物αのドナー数が大きい（電子供与性が強くなる）方が、フラーレン誘導体と化合物αとの親和性が高くなる。このような観点から、ドナー数が１５以上、更に２０以上、特に２５以上のものが好ましい。逆に、ドナー数が高すぎると、化合物αが不安定であることが多く、取り扱いが困難なことがある。したがって、ドナー数が６０以下、特に４０以下のものが好ましい。なお、ドナー数とは、反応対象としてジクロロメタン中のモル濃度０．００１の５塩化アンチモンを用いた場合の溶媒分子との反応のモルエンタルピーとして定義される値であり、有機化学反応において求核−求電子相互作用を解釈するために導入された半経験的パラメータで、溶媒の電子供与性を示す指標として用いることができる。詳細は、例えば、「Ｖ．グートマン著、大瀧仁志、岡田勲訳、『ドナーとアクセプター』学会出版センター（１９８３）」に、代表的溶媒に対する値と共に記載されている。
【００４９】
また、化合物αは、比誘電率を、通常２０以上、好ましくは３０以上、一方、通常１５０以下、好ましくは１２０以下とする。化合物αの誘電率が高いということは、化合物αの極性が高いことを意味する。また、フラーレン誘導体においては、フラーレン骨格に結合した置換基（例えば水酸基）によってフラーレン誘導体には極性が付与されているので、化合物αの比誘電率を高くすることにより、化合物αとフラーレン誘導体との親和性を高くすることができるようになる。
【００５０】
フラーレン誘導体を化合物αに溶解させるには、物質を溶媒に溶解させる公知の方法を用いることができる。最も簡単なのは、フラーレン誘導体を化合物αに投入し静置することである。
フラーレン誘導体を化合物αに溶解させる際には、適当な分散方法を用いるのが好ましい。これにより、短時間で均一なフラーレン誘導体含有組成物を得ることができる。分散方法としては、例えば、スターラー、ブレンダー、ホモジナイザー、バルブホモジナイザー、超音波ホモジナイザー、超音波分散器、スタティックミキサー、撹拌ミキサー、プラネタリーミキサー、ボールミル、サンドミル、ロールミル、ディスクミル、二軸混練機等を使用した撹拌、混合、分散、混練などの方法が挙げられる。これらの中で比較的低粘度の組成物を調製する際には、スターラー、ホモジナイザー又は超音波ホモジナイザーを用いて分散させる方法が、取り扱いが容易なので好ましい。また、高濃度溶液や粘性体、ゴム状体の組成物を調製する際には、プラネタリーミキサー又は二軸混練機などの強いせん断力を加えられる方法が、均一性を確保できるので好ましい。
【００５１】
本発明に係る組成物は、化合物αに対するフラーレン誘導体の濃度（フラーレン誘導体／化合物α）を１ｍｇ／ｍＬ以上とする。フラーレン誘導体の濃度は、好ましくは５ｍｇ／ｍＬ以上、更に好ましくは１０ｍｇ／ｍＬ以上である。一般的にはフラーレン誘導体の濃度は高くなるほど好ましいので、その濃度は６０ｍｇ／ｍＬ以上であるのが好ましく、特に１００ｍｇ／ｍＬ以上であるのが好ましい。最も好ましくは１５０ｍｇ／ｍＬ以上である。フラーレン誘導体の濃度の上限は、フラーレン誘導体の含有量が過度に高いことによる溶液の粘度上昇や、フラーレン誘導体の析出を抑制できる点から１０００ｍｇ／ｍＬ以下であり、好ましくは８００ｍｇ／ｍＬ以下、特に５００ｍｇ／ｍＬ以下であり、組成物の用途に応じて上記の濃度範囲内でフラーレン誘導体と化合物αとの量比を決定すればよい。
【００５２】
次に、本発明のフラーレン誘導体組成物から塗膜又は粉体を製造する方法について説明する。
（塗膜を得る製造方法）
上記フラーレン誘導体組成物を含有する塗料を基材に塗布した後、化合物αを除去することにより、フラーレン誘導体を含有する塗膜が形成できる。具体的には、フラーレン誘導体組成物を基材に塗布した後、溶媒である化合物αを気化等の方法により除去することにより、基材上にフラーレン誘導体を含有する塗膜を形成させることができる。
【００５３】
基材の形状としては、板状、フィルム状、球状、塊状、繊維状が挙げられ、材質としてはプラスチック、ゴム、シリコーン等の有機系素材；ガラス、半導体、金属、コンクリート等の無機系素材；木材、皮革等の生体系素材が挙げられる。
塗膜の形成の方法としては、基材にディップコーター、スピンコーター、スライドコーターやエクストルージョン型のダイコーター、リバースロール、グラビアコーター、ナイフコーター、キスコーター、マイクログラビアコーター、ロッドコーター、ブレードコーターを用いた方法により行うことができる。
【００５４】
化合物αの気化方法としては、常圧又は減圧下で加熱する方法が挙げられる。加熱温度、減圧度は使用する化合物α、基材の材質、基材の大きさ等によって適宜定めればよい。通常の加熱温度は、３０℃以上１５００℃以下である。加熱温度が低いと化合物αの気化効率・速度が低下するので、８０℃以上、特に１００℃以上に加熱するのが好ましい。逆に、温度が高いと化合物αや基材等が熱分解する場合があるので、１０００℃以下、好ましくは５００℃以下、特には２００℃以下に加熱するのが好ましい。化合物αの別の除去方法としては減圧気化による方法を用いることもできる。減圧気化は加熱と併用してもよい。
【００５５】
組成物を含有する塗料を基材に塗布する際、塗料には組成物の粘度、表面張力、基材への濡れ性、気化速度を調整するための希釈剤や、塗膜の機能、強度を高めるための結合剤等を添加してもよい。
希釈剤としては、低分子化合物や界面活性剤等が挙げられる。低分子化合物としては、溶媒として用いられる各種化合物を使用することができ、例えば、水、アルコール類、エーテル類、ケトン類、エステル類、ジエチレングリコール誘導体類等が挙げられる。界面活性剤としては、長鎖カルボン酸、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等が挙げられる。
【００５６】
結合剤としては、塗膜の機能、強度を高める目的で、各種の高分子化合物が挙げられる。フラーレン誘導体を電極の活物質層に用いる場合に使用する結合剤としては、例えば、シリケート、ガラスのような無機化合物；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１，１−ジメチルエチレン等のアルカン系ポリマー；ポリブタジエン、ポリイソプレン等の不飽
和系ポリマー；ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリビニルピリジン、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン等のポリマー鎖中に環構造を有するポリマー；メチルセルロース等のセルロース類；ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミドなどのアクリル誘導体系ポリマー；ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系ポリマー；ポリアクリロニトリル、ポリビニリデンシアニドなどのＣＮ基含有ポリマー；ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコールなどのポリビニルアルコール系ポリマー；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのハロゲン含有ポリマー；ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどが挙げられ、フッ素系樹脂又はＣＮ基含有ポリマー、特にフッ素系樹脂、とりわけポリフッ化ビニリデンが好ましい。
【００５７】
上記のポリマーは、単独で用いても複数を併用してもよく、更にその変成体、誘導体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体、ブロック共重合体などを用いてもよい。ポリマーの重量平均分子量は、通常１０,０００以上であり、好ましくは１００,０００以上である。分子量が過度に低いと塗膜の強度が低下することがある。一方、ポリマーの重量平均分子量は、通常３,０００,０００以下であり、好ましくは１,０００,０００以下である。分子量が高すぎると負極製造用の塗料の粘度が高くなり電極の形成が困難になることがある。
（粉体を得る方法）
フラーレン誘導体組成物から、化合物αを除去することによってフラーレン誘導体を含有する粉体を製造することができる。ここで、必要に応じて、組成物から化合物αを除去して得られる残留物に、粉砕・微細化等の処理を施してもよい。
【００５８】
化合物αを除去する方法としては、気化や貧溶媒への投入等の方法が挙げられる。
化合物αの気化方法としては、常圧又は減圧下で加熱する方法が挙げられる。加熱温度、減圧度は使用する化合物α等によって適宜定めればよい。通常の加熱温度は、３０℃以上１５００℃以下である。加熱温度が低いと化合物αの気化効率・速度が低下するので、８０℃以上、特に１００℃以上に加熱するのが好ましい。逆に、温度が高いと水酸化フラーレンや化合物α等の熱分解が生じる場合があるので、１０００℃以下、好ましくは５００℃以下、特には２００℃以下に加熱するのが好ましい。
【００５９】
貧溶媒としては、フラーレン誘導体の溶解度が低く、かつ化合物αの溶解度が高い任意の溶媒を用いることができ、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類；酢酸メチル、酢酸エチル等の有機酸エステル類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート類などが挙げられる。
【００６０】
本発明に係る組成物を貧溶媒中に投入することにより、フラーレン誘導体に対する溶解度が低下し析出する。組成物の濃度、投入速度、貧溶媒の種類、組成物と貧溶媒の比率等を適宜調整することにより、析出する粉体の粒径を制御することができる。フラーレン誘導体が析出した後は気化あるいは濾過等によって化合物αを除去することができる。
化合物αの除去は、本発明に係る組成物に組成物の粘度、表面張力、基材への濡れ性、気化速度を調整するための希釈剤や、粉体の強度を高めるための結合剤等を添加した後に行ってもよい。希釈剤や結合剤としては、塗膜の調製に用いたのと同様のものを用いることができる。
【００６１】
本発明に係るフラーレン誘導体と化合物αとを含有する組成物は、基材上に適度な厚みの塗膜、表面被覆膜を形成させたり、制御された粒径の粉体を形成させることができるの
で、表面改質、表面保護、紫外線吸収、ラジカル捕捉などの機能を有する部材として、電池、太陽電池、燃料電池、構造材等に利用することができる。
【実施例】
【００６２】
本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１〜７、比較例１〜１０）
表−１に記載の化合物α（２５℃／５０％ＲＨにおいて液体）中への水酸化フラーレン（フロンティアカーボン社製のＣ６０ＯＨｎ（ｎの平均値約１０））の常温（２５±１０℃）・常湿（５０±１５％ＲＨ）での溶解性を調べた。
【００６３】
１ｍＬの化合物αに、所定量の水酸化フラーレンを投入し十分混合した後、室温において２４時間放置した後、状態を観察した。水酸化フラーレンが沈殿したものについては、上澄み中の水酸化フラーレンの濃度を紫外吸光分析装置（島津製作所社製  紫外線可視分光光度計  ＵＶ−１６５０−ＰＣ）により測定し、飽和溶解度（以下、単に「溶解度」という。）とした。
【００６４】
なお溶液の濃度が１００ｍｇ／ｍＬを超えるような場合は、試験をした濃度の中で水酸化フラーレンの沈殿が見られない最も高い濃度を溶解度とした。又は、添加する水酸化フラーレンの料によって組成物が非流動体（ゲル状）となる場合は、化合物αを０．１ｍｌ刻みで更に添加して、組成物の流動性が確認された濃度を溶解度とした。水酸化フラーレンの溶解性、水酸化フラーレンの化合物αに対する溶解度を、化合物αのドナー数及び比誘電率と共に表−１に示す。
【００６５】
なお、表−１中のドナー数は、主として「Ｖ．グートマン著、大瀧仁志、岡田勲訳、『ドナーとアクセプター』学会出版センター（１９８３）」に記載されている値を用い、一部「第５版  電気化学便覧  電気化学会  編  丸善  平成１２年６月３０日発行」に記載されている値を用いた(メチルエチルケトン及びジメチルカーボネートは推定値)。
また、表−１中の比誘電率の値は、主として「第５版  電気化学便覧  電気化学会  編
丸善  平成１２年６月３０日発行」に記載されている値を用い、一部「第３版  電池便覧  電池便覧編集委員会  編  丸善  平成１３年２月２０日発行」、及び「Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｏｌｖｅｎｔｓ、ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ，  ＦＬ，  １９９６」に記載されている値を用いた。
【００６６】
【表１】
2005097329.tif 000002
【００６７】
表−１により、（１）〜（３）の構造を有する化合物αから水酸化フラーレン濃度が極めて高い組成物を製造できることがわかる。
なお、上記実施例において、水酸化フラーレンをＣ６０に変えて、化合物αとしてジメチルスルホキシドを用いてＣ６０の溶解性を調べたところ、溶解度は０．００３ｍｇ／ｍＬであった。また、Ｃ６０のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドへの溶解度は０．０３ｍｇ／ｍＬであり（”ＦＵＬＬＥＲＥＮＥＳ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｈｙｓｉｃｓ，ａｎｄ  
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”  Ｅｄｉｔｅｄ  Ｂｙ  ＫＡＲＬ  Ｍ．ＫＡＤＩＳＨ  ＲＯＤＮＥＹ  Ｓ．ＲＵＯＦＦ  ＷＩＬＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ）、Ｃ６０のＮ−メチル−２−ピロリドンへの溶解度は０．８９ｍｇ／ｍＬであった（同文献）。
【００６８】
実施例１〜７に用いた化合物αの分子量及び融点を表−２に示す。なお、表−２のデータのうち、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの沸点及び融点は、「第５版  電気化学便覧  電気化学会  編  丸善  平成１２年６月３０日発行」に記載されている値を用い、」、その他データは、「アルドリッチ総合カタログ  JAPAN  ２００３−２００４」に記載されて
いる値を用いた。
【００６９】
【表２】
2005097329.tif 000003
【００７０】
（実施例８〜２２）
化合物α（２５℃／５０％ＲＨにおいて液体）及び水酸化フラーレンＣ６０（ＯＨ）ｎ（フロンティアカーボン社製、ｎの平均値：約１０）から表−３に示す濃度の水酸化フラーレン溶液を調製した。得られた水酸化フラーレン溶液を＃４０のバーコーターを用いてスライドガラス上に塗布し、１２０℃で３０秒間加熱することにより、水酸化フラーレンからなる塗膜を形成させた。
【００７１】
形成された塗膜について、触針式デジタル膜厚計（ミツトヨ社製）を用いて、塗膜面とスライドグラス面との段差を測定することにより膜厚を求めた。また、目視及び光学顕微鏡を用いて塗膜の性状を観察した。結果を表−３に示す。
（比較例１１）
１，２，４−トリメチルベンゼンとフラーレンＣ６０（フロンティアカーボン社製）からなる組成物を調製し、上記と同様にしてフラーレンを含有する塗膜を形成させた。膜厚及び性状を表−３に示す。
【００７２】
【表３】
2005097329.tif 000004
【００７３】
なお、Ｃ６０の１，２，４−トリメチルベンゼンに対する溶解度は１７．９ｍｇ／ｍＬである（Ｗ．Ａ．Ｓｃｒｉｖｅｎｓ他、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１２０７−１２０９（１９９３）参照）。
表−２から本発明に係る組成物を用いることにより、大きな膜厚の均一な塗膜を得ることができることがわかる。
【００７４】
また、同じ膜厚の塗膜を得る場合においても、高濃度の組成物を用いれば液体膜厚の薄い状態から必要な厚みのサンプルを得ることができる。これは溶媒量を削減できることを
意味するとともに、乾燥にかかる時間が節減されること、粘度が高く乾燥時間が短いことから乾燥中に溶液が流動して不均一性が現れることを抑制できる意味する。
（実施例２３〜２９）
化合物α（２５℃／５０％ＲＨにおいて液体）及び水酸化フラーレンＣ６０（ＯＨ）ｎ（フロンティアカーボン社製、ｎの平均値：約１０）から表−４に示す濃度の水酸化フラーレン溶液を調製した。５ｍＬのサンプルビンにジメチルカーボネート１ｍＬを入れ、マグネチックスターラーで激しく撹拌しながら、水酸化フラーレン溶液１００μLを滴下し
て、水酸化フラーレンを析出させた。このものを濾過し、洗浄した後、１２０℃で３０分乾燥することにより、水酸化フラーレンの粉体を得た。
【００７５】
粉体を光学顕微鏡（ニコン社製  ＯＰＴＩＳＨＯＴ２００）で観察し、凝集塊となっていない粒子の直径を測定することにより粒径を求めた。結果を表−４に示す。
【００７６】
【表４】
2005097329.tif 000005
【００７７】
表−４から、化合物α中の水酸化フラーレンの濃度を自由に制御できるため溶液から製造される粒径の大きさを自由に制御できることがわかる。