(57)【要約】【課題】  半導体発光素子とサブマウントとの相対的な位置または角度のずれによる短絡等の発生を抑制して特性および信頼性を向上させた半導体発光装置を提供する。【解決手段】  ｎ側電極１４は、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有しており、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ１は、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近以外の領域におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２よりも大きくなっている。実装時においてレーザチップ１０とサブマウント２０との相対的な角度のずれにより劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近において短絡が発生する虞がなくなり、また、エージング中のリークの発生確率が大幅に低減される。劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近における電極間抵抗値が上昇し、電流注入量が抑制されるため、光密度が抑制され、ＣＯＤレベルが向上する。【選択図】        図２
2005217261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を含む半導体層の同一面側にｐ側電極およびｎ側電極を備えると共に一対の劈開端面を有し、前記劈開端面付近における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔が、前記劈開端面付近以外の領域における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔よりも大きい
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ側電極および前記ｎ側電極のうちの少なくとも一方は、他方に隣り合う側の角に切欠き部を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記劈開端面付近における前記劈開端面と前記ｐ側電極または前記ｎ側電極との共振器方向の距離は、共振器長の３０％以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記劈開端面付近における前記劈開端面と前記ｐ側電極または前記ｎ側電極との共振器方向の距離は、共振器長の２０％以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記劈開端面付近における前記劈開端面と前記ｐ側電極または前記ｎ側電極との共振器方向の距離は、共振器長の１０％以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間の境界領域および前記ｐ側電極の一部は絶縁膜により覆われ、かつ、前記劈開端面付近以外の領域における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔は２０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間の境界領域および前記ｐ側電極の一部は絶縁膜により覆われ、かつ、前記劈開端面付近以外の領域における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔は４０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間の境界領域および前記ｐ側電極の一部は絶縁膜により覆われ、かつ、前記劈開端面付近以外の領域における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔は６０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間の境界領域並びに前記ｐ側電極および前記ｎ側電極の一部は絶縁膜により覆われ、かつ、前記絶縁膜は、前記劈開端面付近に幅広の拡張部を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
活性層を含む半導体層の同一面側にｐ側電極およびｎ側電極を備えると共に一対の劈開端面を有する半導体発光素子と、
基体上に一対の溶着層を有し、前記溶着層が前記半導体発光素子におけるｐ側電極およびｎ側電極の各々に対して個別に接着されてなるサブマウントとを備え、
前記半導体発光素子の前記劈開端面付近における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔が、前記劈開端面付近以外の領域における前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間隔よりも大きい
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
活性層を含む半導体層の同一面側に一対の電極を有する半導体発光素子と、
基体上に一対の溶着層を有し、前記溶着層が前記半導体発光素子における一対の電極の各々に対して別個に接着されてなるサブマウントとを備え、
前記サブマウントの溶着層のうちの少なくとも一方は、他方に隣り合う側の角に切欠き部を有する
ことを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブマウントに実装される半導体発光素子、およびこの半導体発光素子をサブマウントに実装してなる半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体発光装置として、例えば、図９に示した半導体レーザがある。この半導体レーザでは、レーザチップ１１０がサブマウント１２０に実装されている。レーザチップ１１０は、基板１１１上に活性層（発光層）を含む半導体層１１２を形成したものであり、この半導体層１１２の同一面側にｐ側電極１１３およびｎ側電極１１４が設けられている。一方、サブマウント１２０は、基体１２１上にはんだ等よりなるｐ側溶着層１２３およびｎ側溶着層１２４が形成されたものであり、レーザチップ１１０は、これらｐ側溶着層１２３およびｎ側溶着層１２４に対してｐ側電極１１３およびｎ側電極１１４側が接着されるように、反転してサブマウント１２０に実装されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１０は、図９に示したレーザチップ１１０を、ｐ側電極１１３およびｎ側電極１１４の側から見た構成を表したものである。ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４との間の境界領域１１５およびｐ側電極１１３の一部は、絶縁膜１１６で覆われている。この絶縁膜１１６は、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４との間隔Ｄを実質的に広げることにより、実装時の位置ずれ等に対する余裕を確保するために設けられたものである。
【特許文献１】特開平１１−２２０２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のように、従来の半導体レーザでは、絶縁膜１６によって実装時の位置ずれ等に対する余裕を確保しているものの、十分ではなかった。すなわち、従来では、ｐ側電極１１３，ｎ側電極１１４および絶縁膜１１６が一定幅のストライプ状に形成されており、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４との間隔Ｄが一定になっているため、実装時にレーザチップ１１０とサブマウント１２０との相対的な位置または角度がずれると、例えば図１１に示したようにｎ側電極１１４とｐ側溶着層１２３との間で短絡（ショート）する虞があった。そのため、エージング（高温加速試験）中にリークしやすくなってしまうという問題も生じていた。このようなレーザチップ１１０とサブマウント１２０との相対的な角度のずれによる短絡の可能性は、レーザチップ１１０の共振器長が長いほど大きくなる。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体発光素子とサブマウントとの相対的な位置または角度のずれによる短絡の発生を抑制して、特性および信頼性を向上させることができる半導体発光素子および半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による半導体発光素子は、活性層を含む半導体層の同一面側にｐ側電極およびｎ側電極を備えたものにおいて、劈開端面付近におけるｐ側電極とｎ側電極との間隔が、劈開端面付近以外の領域におけるｐ側電極とｎ側電極との間隔よりも大きくなるように設定したものである。
ここで、「ｐ側電極とｎ側電極との間隔」とは、ｐ側電極とｎ側電極との実効間隔をいい、例えば、ｐ側電極とｎ側電極との間の境界領域並びにｐ側電極およびｎ側電極の一部に絶縁膜を設けた場合には、ｐ側電極およびｎ側電極の絶縁膜に覆われていない露出部分どうしの間隔をいう。そのためには、例えば、ｐ側電極およびｎ側電極のうちの少なくとも一方は、他方に隣り合う側の角に切欠き部を有することが好ましい。また、例えば、ｐ側電極とｎ側電極との間の境界領域並びにｐ側電極およびｎ側電極の一部を覆う絶縁膜を備え、この絶縁膜が、劈開端面付近に幅広の拡張部を有するようにしてもよい。
【０００７】
本発明による第１の半導体発光装置は、活性層を含む半導体層の同一面側にｐ側電極およびｎ側電極を備えると共に一対の劈開端面を有する半導体発光素子と、基体上に一対の溶着層を有し、前記溶着層が前記半導体発光素子におけるｐ側電極およびｎ側電極の各々に対して個別に接着されてなるサブマウントとを備えたものであり、半導体発光素子として上記本発明の半導体発光素子を適用したものである。
【０００８】
本発明による第２の半導体発光装置は、活性層を含む半導体層の同一面側に一対の電極を有する半導体発光素子と、基体上に一対の溶着層を有し、前記溶着層が前記半導体発光素子における一対の電極の各々に対して別個に接着されてなるサブマウントとを備え、サブマウントの溶着層のうちの少なくとも一方が、他方に隣り合う側の角に切欠き部を有する構成としたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体発光素子または第１の半導体発光装置によれば、劈開端面付近におけるｐ側電極とｎ側電極との間隔を、劈開端面以外の領域におけるｐ側電極とｎ側電極との間隔よりも大きくするようにしたので、半導体発光素子とサブマウントとの間で相対的な角度のずれが生じたとしても、劈開端面付近において電極間が短絡する虞がなくなり、エージング試験中のリークの発生確率を大幅に低減することができる。
【００１０】
更に、劈開端面付近においてｐ側電極とｎ側電極との間隔を広げることにより、電極間抵抗値を上昇させ、劈開端面近傍への電流注入量を抑制することができる。よって、劈開端面近傍における光密度を抑制することができ、劈開端面のＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage ；カタストロフィック光学損傷）レベルが向上する。
【００１１】
また、本発明の第２の半導体発光装置によれば、サブマウントの一対の溶着層のうちの少なくとも一方に、他方に隣り合う側の角に切欠き部を設けるようにしたので、半導体発光素子とサブマウントとの間で角度のずれが生じたとしても、劈開端面付近において短絡が発生する虞がなくなり、エージング試験中のリークの発生確率を大幅に低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの断面構造を表すものである。この半導体レーザは、例えば、青紫色半導体レーザとして用いられるものであり、レーザチップ１０がサブマウント２０に実装され、更に図示しないヒートシンクに取り付けられた構成を有している。
【００１４】
レーザチップ１０は、例えば、サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる基板１１上に活性層を含む半導体層１２が形成されたものである。半導体層１２は例えば窒化物半導体により構成されている。ここでいう窒化物半導体とは、ガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを含んだ窒化ガリウム系化合物のことであり、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ），窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＧａＮ）混晶，あるいは窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）混晶などが挙げられる。これらは、必要に応じてシリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），酸素（Ｏ），セレン（Ｓｅ）などのＩＶ族およびＶＩ族元素からなるｎ型不純物、または、マグネシウム（Ｍｇ），亜鉛（Ｚｎ），炭素（Ｃ）などのＩＩ族およびＩＶ族元素からなるｐ型不純物を含有している。
【００１５】
半導体層１２は、平面的に見て活性層を含む領域と活性層を含まない領域とに分かれており、活性層を含む側にｐ側電極１３、活性層を含まない側にｎ側電極１４がそれぞれ形成されている。ｐ側電極１３およびｎ側電極１４は、例えば、金（Ａｕ）層を含む複数の金属層を積層した構成を有している。半導体層１２はストライプ構造となっており、ｐ側電極１３およびｎ側電極１４を通じて供給された電流は、活性層のｎ側電極１４寄りの一部に部分的に注入され、その部分が発光点１２Ａとなる。
【００１６】
レーザチップ１０の両端面は、図２に示したように、一対の劈開端面１０Ａ，１０Ｂとなっている。一方の劈開端面１０Ａには半透明反射鏡、他方の劈開端面１０Ｂには完全反射鏡がそれぞれ設けられており、これらの劈開端面１０Ａ，１０Ｂにより共振器長Ｌの共振器構造が形成され、発光点１２Ａからの光出力が劈開端面１０Ａの半透明反射鏡を介して取り出されるようになっている。
【００１７】
このような構成を有するレーザチップ１０は、ｐ側電極１３およびｎ側電極１４が形成されている側がサブマウント２０の基体２１に対向するように、反転してサブマウント２０の基体２１上に設置される。
【００１８】
サブマウント２０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等よりなる基体２１上に、ｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４が形成されたものである。ｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４は、例えば、スズ（Ｓｎ）層を含む複数の金属層を積層した高融点はんだにより構成されている。具体的には、例えば、ｐ側溶着層２３は、チタン（Ｔｉ）層，白金（Ｐｔ）層，チタン（Ｔｉ）層，銀（Ａｇ）層およびスズ（Ｓｎ）層を基体２１の側から順に積層し、ｎ側溶着層２４は、チタン（Ｔｉ）層，白金（Ｐｔ）層，チタン（Ｔｉ）層，銀（Ａｇ）層，チタン（Ｔｉ）層，銀（Ａｇ）層およびスズ（Ｓｎ）層を基体２１の側から順に積層したものである。ｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４は、レーザチップ１０のｐ側電極１３側とｎ側電極１４側との段差を調整するため、異なる厚さで形成されている。
【００１９】
図２は、図１に示したレーザチップ１０を、ｐ側電極１３およびｎ側電極１４の側から見た構成を表したものである。ｐ側電極１３およびｎ側電極１４は、劈開時の剥離などを防ぐため劈開端面１０Ａ，１０Ｂよりも内側にストライプ状に形成されているが、ｐ側電極１３の発光点１２Ａ（図１）付近は、劈開端面１０Ａ，１０Ｂまで延長されて設けられている。本実施の形態では、ｎ側電極１４は、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有しており、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ１が、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近以外の領域におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２よりも大きくなっている。これにより、この半導体レーザでは、実装時においてレーザチップ１０とサブマウント２０との間に相対的な角度のずれが生じたとしても、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近において短絡が発生することを防止できるようになっている。
【００２０】
ここで、間隔Ｄ１，Ｄ２は、ｐ側電極１３とｎ側電極１４との間の実効間隔をいう。すなわち、本実施の形態では、ｐ側電極１３とｎ側電極１４との間の境界領域１５並びにｐ側電極１３およびｎ側電極１４の一部が絶縁膜１６で覆われているので、間隔Ｄ１，Ｄ２は、ｐ側電極１３およびｎ側電極１４の絶縁膜１６で覆われていない露出部分どうしの間隔である。なお、絶縁膜１６は、ｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２を実質的に広げることにより、実装時の位置ずれ等に対する余裕を確保するために設けられたものである。また、絶縁膜１６は、ｐ側電極１３およびｎ側電極１４の両側にも設けられている。
【００２１】
劈開端面１０Ａ付近における劈開端面１０Ａとｎ側電極１４との距離ＬＡ、および劈開端面１０Ｂ付近における劈開端面１０Ｂとｎ側電極１４との距離ＬＢは、短くて済むほうが好ましく、例えば共振器長Ｌの３０％以下であることが好ましい。距離ＬＡ，ＬＢがあまりに長いとＰＮ間の抵抗値が増大し、電圧上昇を引き起こすおそれがあるからである。更に、距離ＬＡ，ＬＢは、共振器長Ｌの２０％以下であればより好ましく、１０％以下であれば更に好ましい。
【００２２】
更に、距離ＬＡは距離ＬＢよりも長いことが好ましい。共振器構造内における光密度分布は、一般に、反射率の低い劈開端面１０Ａ側のほうが高くなるため、距離ＬＡを距離ＬＢよりも長くすれば、劈開端面１０Ａ側に流れる電流量を劈開端面１０Ｂ側よりも小さくし、劈開端面１０Ａ側の光密度を小さくすることができるからである。
【００２３】
ｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２は２０μｍ以上であることが好ましい。間隔Ｄ２が広いほど、位置ずれまたは角度ずれによる短絡に対するマージンを増やすことができるからである。更に、ｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２は４０μｍ以上であればより好ましく、６０μｍ以上であれば更に好ましい。
【００２４】
この半導体レーザは、例えば次のようにして製造することができる。
【００２５】
まず、サブマウント２０の基体２１上に、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなるｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４を形成する。次いで、サブマウント２０の裏側の面を図示しないヒートシンクに載せて位置合わせする。
【００２６】
続いて、図１に示したように、基板１１の一面側に、活性層を含む半導体層１２とｐ側電極１３およびｎ側電極１４が形成されたレーザチップ１０を用意する。このレーザチップ１０のｐ側電極１３およびｎ側電極１４側と、サブマウント２０のｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４側とを対応させ、位置合わせを精度よく行い、サブマウント２０の上にレーザチップ１０を載せる。このとき、本実施の形態では、ｎ側電極１４が、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有し、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ１が、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近以外の領域におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２よりも大きくなっているので、実装時においてレーザチップ１０とサブマウント２０との相対的な角度がずれても、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近において電極間が短絡する虞はない。
【００２７】
なお、ｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４の厚さは、レーザチップ１０のｐ側電極１３側とｎ側電極１４側との段差に応じて調整されており、ｐ側電極１３をｐ側溶着層２３、ｎ側電極１４をｎ側溶着層２４に対向させることにより、レーザチップ１０をサブマウント２０に対して水平に載置することができる。
【００２８】
そののち、このレーザチップ１０の基板１１側から荷重を加えると共にサブマウント２０の基体２１側から例えば加熱装置で加熱処理を施すことにより、レーザチップ１０，サブマウント２０およびヒートシンク（図示せず）を接着させる。続いて、例えばワイヤボンディング法により電極間の電気的接続を行う。これにより、図１に示した半導体レーザが完成する。
【００２９】
この半導体レーザにおいては、ｐ側電極１３とｎ側電極１４との間に所定の電圧が印加されると、ｐ側電極１３から供給される駆動電流は活性層の発光点１２Ａに注入され、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、劈開端面１０Ａ，１０Ｂにより反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、ｎ側電極１４が、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有しているので、図３に示したように、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との電極間抵抗値Ｒ１，Ｒ２が、それ以外の領域における電極間抵抗値Ｒ３よりも高くなっており、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ近傍への電流注入量がそれ以外の領域に比べて抑制される。よって、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ近傍における光密度が低下し、劈開端面１０Ａ，１０ＢでのＣＯＤレベルが向上する。
【００３０】
更に、この半導体レーザでは、ｎ側電極１４が、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有しており、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ１が、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近以外の領域におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２よりも大きくなっているので、エージング中にｐ側溶着層２３またはｎ側溶着層２４に含まれるスズ（Ｓｎ）のウィスカが成長したり、またはエレクトロマイグレーションが生じた場合でも、リークに至るまでの時間が長くなる。よって、半導体レーザの寿命が長くなる。
【００３１】
これに対して、図９に示したような従来の構造では、実装時の角度のずれにより劈開端面付近においてｐ側電極１１３とｎ側溶着層１２４との間隔、またはｎ側電極１１４とｐ側溶着層１２３との間隔が狭くなりやすかったので、エージング中にウィスカが成長したりエレクトロマイグレーションが生じることにより、特に劈開端面付近においてリークが生じやすくなってしまっていた。
【００３２】
このように本実施の形態では、ｎ側電極１４が、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有し、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ１が、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近以外の領域におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２よりも大きくなっているので、実装時においてレーザチップ１０とサブマウント２０との相対的な角度のずれにより劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近において短絡が発生するようなことがなく、また、エージング中のリークの発生確率を大幅に低減させることができる。
【００３３】
更に、ｎ側電極１４が、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有しているので、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との電極間抵抗値Ｒ１，Ｒ２が相対的に高くなり、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ近傍への電流注入量を抑制することができる。よって、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ近傍における光密度が低下し、劈開端面１０Ａ，１０ＢでのＣＯＤレベルが向上する。
【００３４】
なお、本実施の形態では、ｎ側電極１４の切欠き部１４Ａ，１４Ｂを矩形状とした場合について説明したが、切欠き部１４Ａ，１４Ｂの形状は特に限定されず、例えば図４に示したような三角形、または弓形（湾曲型）などとしてもよい。
【００３５】
また、本実施の形態では、ｎ側電極１４に切欠き部１４Ａ，１４Ｂが設けられている場合について説明したが、図５に示したように、ｎ側電極１４は一定幅のストライプ状とし、ｐ側電極１３に切欠き部１３Ａ，１３Ｂを設けるようにしてもよい。更に、図６に示したように、ｎ側電極１４に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを設けると共に、ｐ側電極１３に切欠き部１３Ａ，１３Ｂを設けるようにしてもよい。ただし、ｐ側電極１３に切欠き部１３Ａ，１３Ｂを設けた場合には、ｐ型半導体の抵抗は高いため、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ近傍に流れる電流が極端に小さくなることが予想される。よって、ｎ側電極１４に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを設けるようにしたほうが、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ近傍に流れる電流量を制御しやすくなる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザのレーザチップ１０をｐ側電極１３およびｎ側電極１４の側から見た構成を表すものである。
【００３７】
本実施の形態の半導体レーザは、レーザチップ１０のｐ側電極１３およびｎ側電極１４は従来と同様に一定幅のストライプ状とされているが、絶縁膜１６が、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近に幅広の拡張部１６Ａ，１６Ｂを有している点において、第１の実施の形態と異なっている。この半導体レーザも、間隔Ｄ１を間隔Ｄ２よりも実質的に大きくすることができるので、第１の実施の形態と同様に、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近における短絡の発生を防止でき、また、エージング中のリークの発生確率を大幅に低減させることができる。
【００３８】
なお、絶縁膜１６の拡張部１６Ａ，１６Ｂの形状は特に限定されず、三角形などとしてもよい。また、拡張部１６Ａ，１６Ｂは、必ずしもｐ側電極１３およびｎ側電極１４の両方に向かって張り出すように設ける必要はなく、ｐ側電極１３側のみ、またはｎ側電極１４側のみに張り出すように設けてもよい。
【００３９】
更に、レーザチップ１０のｐ側電極１３およびｎ側電極１４についても、第１の実施の形態と同様に切欠き部を設けてもよい。
【００４０】
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザのサブマウント２０をｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４の側から見た構成を表すものである。
【００４１】
本実施の形態の半導体レーザは、レーザチップ１０がサブマウント２０に配設されていることは第１の実施の形態（図１）と同様であるが、サブマウント２０のｎ側溶着層２４が、ｐ側溶着層２３に隣り合う側の角に切欠き部２４Ａ，２４Ｂを有する点において、第１の実施の形態と異なる。これにより、この半導体レーザにおいても、第１の実施の形態と同様に、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近における短絡の発生を防止でき、また、エージング中のリークの発生確率を大幅に低減させることができるものである。
【００４２】
なお、レーザチップ１０のｐ側電極１３およびｎ側電極１４については、第１の実施の形態と同様に切欠き部を設けてもよいし、従来と同様に一定幅のストライプ状としてもよい。
【００４３】
なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態の変形例と同様に、切欠き部２４Ａ，２４Ｂの形状は特に限定されず、三角形などとしてもよい。また、ｐ側溶着層２３に、ｎ側溶着層２４に隣り合う側の角に切欠き部を設けるようにしてもよい。更に、ｐ側溶着層２３およびｎ側溶着層２４の両方に、互いに隣り合う側の角に切欠き部を設けるようにしてもよい。
【実施例】
【００４４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４５】
上記第１の実施の形態と同様にして、半導体レーザを作製した。得られた１００個の半導体レーザをエージングに付してリーク発生率を調べたところ、０％であった。また、得られた半導体レーザについて、ＣＯＤレベルを調べたところ３５０ｍＷであった。
【００４６】
本実施例に対する比較例として、図９ないし図１１に示したような半導体レーザを作製した。この比較例についても、得られた半導体レーザをエージングに付してリーク発生率を調べたところ、１０％であった。また、ＣＯＤレベルを調べたところ、２３０ｍＷであった。
【００４７】
このように、本実施例によれば、比較例に比べてリーク発生率を０％と著しく改善すると共にＣＯＤレベルを約１．５倍高くすることができた。すなわち、ｎ側電極１４が、ｐ側電極１３に隣り合う側の角に切欠き部１４Ａ，１４Ｂを有し、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ１が、劈開端面１０Ａ，１０Ｂ付近以外の領域におけるｐ側電極１３とｎ側電極１４との間隔Ｄ２よりも大きくなるようにすれば、エージング中のリークの発生確率を大幅に低減させることができ、また、ＣＯＤレベルを向上させることができ、特性および信頼性を向上させることができることが分かった。
【００４８】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態では、半導体レーザの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、半導体レーザのみならず、ＬＥＤ（Light Emitting Diode；発光ダイオード）またはバイポーラトランジスタ等の他の半導体素子に応用することができる。
【００５１】
本発明による半導体発光素子は、例えば、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）またはブルーレイディスク等の再生または記録用途に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す斜視図である。
【図２】図１に示したレーザチップをｐ側電極およびｎ側電極の側から見た構成を表す平面図である。
【図３】図１に示したレーザチップの電極間抵抗値を説明するための平面図である。
【図４】第１の実施の形態の一変形例に係る半導体レーザのレーザチップをｐ側電極およびｎ側電極の側から見た構成を表す平面図である。
【図５】第１の実施の形態の他の変形例に係る半導体レーザのレーザチップをｐ側電極およびｎ側電極の側から見た構成を表す平面図である。
【図６】第１の実施の形態の更に他の変形例に係る半導体レーザのレーザチップをｐ側電極およびｎ側電極の側から見た構成を表す平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザのレーザチップをｐ側電極およびｎ側電極の側から見た構成を表す平面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザのサブマウントをｐ側溶着層およびｎ側溶着層の側から見た構成を表す平面図である。
【図９】従来の半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図１０】図９に示したレーザチップをｐ側電極およびｎ側電極の側から見た構成を表す平面図である。
【図１１】図９および図１０に示した従来の半導体レーザの問題点を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…レーザチップ、１１…基板、１２…半導体層、１３…ｐ側電極、１３Ａ，１３Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ，２４Ａ，２４Ｂ…切欠き部、１４…ｎ側電極、１５…境界領域、１６…絶縁膜、１６Ａ，１６Ｂ…拡張部、２０…サブマウント、２１…基体、２３…ｐ側溶着層、２４…ｎ側溶着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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