(57)【要約】【課題】  陽極端子における弁金属部の破断を抑制できる電解コンデンサ素子、電解コンデンサ及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の電解コンデンサ１００は、陽極ランド電極２３を有する基板２０と、基板２０上に積層された電解コンデンサ素子１とを備える。電解コンデンサ素子１は、陽極端子５を有すると共にアルミニウム部３の表面に酸化皮膜１３が形成されてなるアルミニウム基体４と、陽極端子５を除くようにアルミニウム基体４の周囲に形成された電解質層８、及び、電解質層８の周囲に形成された導電体層１０を有する陰極部７と、を備える。電解コンデンサ素子１の陽極端子５には、粗面化されたアルミニウム基体４の表面を圧縮してなる層１５が形成されている。【選択図】  図３
2005217073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極端子を有すると共に弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体と、
前記陽極端子を除くように前記弁金属基体の周囲に形成された陰極部と、を備え、
前記陽極端子には、粗面化された前記弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されている電解コンデンサ素子。
【請求項２】
陽極端子を有すると共に弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体と、前記陽極端子を除くように前記弁金属基体の周囲に形成された陰極部と、を有し、前記陽極端子には、粗面化された前記弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されている電解コンデンサ素子と、
前記陽極端子が湾曲した状態で接続される端子を有する被接続体と、
を備える電解コンデンサ。
【請求項３】
陽極端子を有すると共に弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体と、前記陽極端子を除くように前記弁金属基体の周囲に形成された陰極部と、を有する複数の電解コンデンサ素子が積層されてなる積層体と、
前記積層体における前記陽極端子が接続される端子を有する被接続体と、を備え、
前記複数の電解コンデンサ素子のうち少なくとも一つの電解コンデンサ素子では、前記陽極端子には、粗面化された前記弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されており、該陽極端子が湾曲した状態で前記被接続体の前記端子に接続される電解コンデンサ。
【請求項４】
前記複数の電解コンデンサ素子のうち、前記粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成された電解コンデンサ素子は、前記被接続体から最も遠くに位置する請求項３に記載の電解コンデンサ。
【請求項５】
粗面化された弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体を準備する工程と、
前記弁金属基体の表面の一部を圧縮する工程と、
前記弁金属基体の圧縮された領域を除くように、前記弁金属基体の周囲に陰極部を形成する工程と、
を含む電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項６】
粗面化された弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体を準備する工程と、
前記弁金属基体の表面の一部を圧縮する工程と、
前記弁金属基体の圧縮された領域を除くように、前記弁金属基体の周囲に陰極部を形成する工程と、
前記弁金属基体の圧縮された領域を湾曲させ、該弁金属基体の圧縮された領域を被接続体の端子に接続する工程と、
を含む電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解コンデンサ素子、電解コンデンサ及びこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電解コンデンサ素子を作製するにあたっては、まず、酸化皮膜を形成する能力を有するアルミニウム、チタン、タンタルなどの金属、いわゆる弁金属からなる弁金属部を用意する。この弁金属部は陽極として機能するものである。次に、この弁金属部を陽極酸化することにより、弁金属部の表面に酸化皮膜を形成する。その後、実質的に陰極として機能する有機化合物等からなる電解質層を酸化皮膜上に形成し、グラファイトや銀等からなる導電体層を電解質層上に形成する。このようにして、電解コンデンサ素子が得られる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この電解コンデンサ素子を例えば陽極ランド電極及び陰極ランド電極を有する基板上に搭載すると、基板型の電解コンデンサが得られる。電解コンデンサ素子を基板上に搭載する際には、電解コンデンサ素子の陽極端子及び陰極端子を、それぞれ基板の陽極ランド電極及び陰極ランド電極に接続する。また、複数の電解コンデンサ素子を基板上に重ねて搭載すると、多段積層型の電解コンデンサが得られる。
【特許文献１】特許第３４２４２６９号公報（特開平７−５７９７６号公報）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、電解コンデンサ素子の陽極端子を基板の陽極ランド電極と電気的に接続するためには、その陽極端子を湾曲させる必要がある。特に、多段積層型の電解コンデンサの場合、基板から遠くに位置する電解コンデンサ素子では陽極端子を基板側に大きく湾曲させる必要がある。
【０００５】
しかしながら、電解コンデンサ素子の陽極端子を過度に湾曲させると、湾曲させた部分の酸化皮膜に亀裂が入ることによって、その部分の弁金属部が破断してしまうおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明は、陽極端子における弁金属部の破断を抑制できる電解コンデンサ素子、電解コンデンサ及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するため、本発明の電解コンデンサ素子は、陽極端子を有すると共に弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体と、陽極端子を除くように弁金属基体の周囲に形成された陰極部と、を備え、陽極端子には、粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されている。
【０００８】
この電解コンデンサ素子では、陽極端子における粗面化された弁金属基体の表面の凹凸が圧縮により潰された状態となっている。つまり、この電解コンデンサ素子では、陽極端子を湾曲させる際に誘電体層の亀裂の起点となり得る凹凸が、殆ど消失している。これに加えて、圧縮により陽極端子における誘電体層が破壊されるので、誘電体層が細分化された状態となっている。したがって、このような電解コンデンサ素子では、陽極端子を湾曲させても誘電体層に亀裂が生じ難く、このため弁金属部の破断を抑制できる。但し、作用はこれらに限定されない。
【０００９】
また、本発明の電解コンデンサは、陽極端子を有すると共に弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体と、陽極端子を除くように弁金属基体の周囲に形成された陰極部と、を有し、陽極端子には、粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されている電解コンデンサ素子と、陽極端子が湾曲した状態で接続される端子を有する被接続体と、を備える。
【００１０】
この電解コンデンサは、上述のような電解コンデンサ素子を備えるので、陽極端子が湾曲した状態であっても、陽極端子における誘電体層に亀裂が生じ難い。このため、このような電解コンデンサでは、弁金属部の破断が抑制されている。
【００１１】
また、上記電解コンデンサは、陽極端子を有すると共に弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体と、陽極端子を除くように弁金属基体の周囲に形成された陰極部と、を有する複数の電解コンデンサ素子が積層されてなる積層体と、積層体における陽極端子が接続される端子を有する被接続体と、を備え、複数の電解コンデンサ素子のうち少なくとも一つの電解コンデンサ素子では、陽極端子には、粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されており、陽極端子が湾曲した状態で被接続体の端子に接続されると好ましい。
【００１２】
この電解コンデンサは複数の電解コンデンサ素子を備え、そのうちの一つが上述の電解コンデンサ素子である。このため、上述の電解コンデンサ素子の陽極端子が湾曲した状態であっても、陽極端子における誘電体層に亀裂が生じ難い。このため、このような電解コンデンサでは、弁金属部の破断が抑制されている。
【００１３】
また、複数の電解コンデンサ素子のうち、粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成された電解コンデンサ素子は、被接続体から最も遠くに位置すると好ましい。
【００１４】
この電解コンデンサでは、被接続体から最も遠くに位置する電解コンデンサ素子の陽極端子が、最も大きく湾曲された状態で被接続体の端子に接続される。ここで、被接続体から最も遠くに位置する電解コンデンサ素子の陽極端子には、粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されているので、当該電解コンデンサ素子の陽極端子における誘電体層には亀裂が生じ難い。このため、このような電解コンデンサでは、弁金属部の破断が抑制されている。
【００１５】
また、本発明の電解コンデンサ素子の製造方法は、粗面化された弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体を準備する工程と、弁金属基体の表面の一部を圧縮する工程と、弁金属基体の圧縮された領域を除くように、弁金属基体の周囲に陰極部を形成する工程と、を含む。
【００１６】
この製造方法によれば、弁金属基体の粗面化された表面に形成された凹凸を圧縮により潰すことができる。つまり、弁金属基体を湾曲させる際に誘電体層の亀裂の起点となり得る凹凸を、圧縮により殆ど消失させることができる。これに加えて、圧縮により陽極端子における誘電体層が破壊されるので、誘電体層を細分化させることができる。したがって、この製造方法により得られる電解コンデンサ素子の陽極端子となる弁金属基体の圧縮された領域を湾曲させても誘電体層に亀裂が生じ難く、このため弁金属部の破断を抑制できる。但し、作用はこれらに限定されない。
【００１７】
また、本発明の電解コンデンサの製造方法は、粗面化された弁金属部の表面に誘電体層が形成されてなる弁金属基体を準備する工程と、弁金属基体の表面の一部を圧縮する工程と、弁金属基体の圧縮された領域を除くように、弁金属基体の周囲に陰極部を形成する工程と、弁金属基体の圧縮された領域を湾曲させ、弁金属基体の圧縮された領域を被接続体の端子に接続する工程と、を含む。
【００１８】
この製造方法によれば、弁金属基体の圧縮された領域を湾曲させる際に誘電体層の亀裂が生じ難く、このため弁金属部の破断を抑制できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、陽極端子における弁金属部の破断を抑制できる電解コンデンサ素子、電解コンデンサ及びこれらの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面とともに本発明の実施形態に係る電解コンデンサ素子、電解コンデンサ及びこれらの製造方法について説明する。なお、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。
【００２１】
（第１実施形態）
まず、図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る電解コンデンサ素子について説明する。
【００２２】
＜電解コンデンサ素子＞
図１は、第１実施形態に係る電解コンデンサ素子１を模式的に示す平面図である。図２は、図１に示されるII−II線方向の電解コンデンサ素子１の概略断面図である。
【００２３】
電解コンデンサ素子１は、陽極端子５を有するアルミニウム基体４（弁金属基体）と、陰極部７とを備える。すなわち、電解コンデンサ素子１は二端子型の固体電解コンデンサ素子である。
【００２４】
アルミニウム基体４は、両面が粗面化（拡面化）された箔状のアルミニウム部３（弁金属部）と、アルミニウム部３の表面に形成された酸化皮膜１３（誘電体層）とを有しており、陽極として機能する。陽極端子５は、アルミニウム基体４のうち陰極部７から突出した部分である。粗面化により形成される凹凸の高さは３０μｍ程度であり、その凹凸の凸部におけるアルミニウム基体４の厚さは９０〜１００μｍ程度である。また、その凹凸の凹部におけるアルミニウム基体４の厚さは３０ｎｍ程度である。酸化皮膜１３は絶縁性酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等から成り、酸化皮膜１３の厚さは、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度である。
【００２５】
陰極部７は、陽極端子５を除くようにアルミニウム基体４の周囲に形成された電解質層８と、電解質層８の周囲に形成された導電体層１０とを備える。電解質層８は、例えば導電性高分子化合物（例えば、ポリピロール等）を含む固体電解質から成り、実質的に陰極として機能する。導電体層１０は、グラファイトペースト層９と、グラファイトペースト層９の周囲に形成された銀ペースト層１１とを有している。
【００２６】
また、酸化皮膜１３上の陰極部７に隣接する位置には、エポキシ樹脂又ははっすい性の感光性樹脂等から成る絶縁部材１７が形成されていると好ましい。これにより、陽極端子５と陰極部７との間の電気的な絶縁を維持し易くなる。
【００２７】
ここで、陽極端子５には、粗面化されたアルミニウム基体４の表面を圧縮してなる層１５が形成されている。層１５は陽極端子５の基板搭載時に湾曲する部分に形成され、アルミニウム部３の両面に形成されている。層１５が形成された部分におけるアルミニウム部３の厚さは３０μｍ程度であり、アルミニウム部３及び層１５からなるアルミニウム基体４の厚さは４０〜８０μｍ程度である。
【００２８】
層１５では、アルミニウム基体４の表面に形成されていた凹凸が圧縮により潰された状態となっており、当該凹凸が殆ど消失していると考えられる。ここで、凹凸は陽極端子５を湾曲させる際に酸化皮膜の亀裂の起点となり得るものであるから、圧縮により凹凸を殆ど消失させることで、陽極端子５における酸化皮膜に亀裂が生じ難くなると考えられる。
【００２９】
さらに、層１５中では、圧縮により酸化皮膜が破壊されているので、酸化皮膜は細分化されているものと考えられる。具体的には、層１５はアルミニウム中に酸化アルミニウムが分散したものからなると考えられる。ここで、酸化皮膜はアルミニウムよりも脆いので、従来の電解コンデンサ素子では陽極端子を湾曲させる際に酸化皮膜に亀裂が生じ得る。さらに、この酸化皮膜の亀裂を起点としてアルミニウムが破断してしまう。これに対して本実施形態の電解コンデンサ素子１の陽極端子５に形成された層１５では、予め酸化皮膜が圧縮により粉砕されて細分化されている。このため、陽極端子５における酸化皮膜の亀裂を未然に防止できると考えられる。
【００３０】
したがって、電解コンデンサ素子１では、陽極端子５を湾曲させてもアルミニウム部３の破断、亀裂、破損等を抑制できる。但し、作用は上述の内容に限定されない。
【００３１】
次に、図３及び図４を参照して、第１実施形態に係る電解コンデンサについて説明する。
【００３２】
＜電解コンデンサ＞
図３は、第１実施形態に係る電解コンデンサ１００の概略断面図である。図４は、図３の領域Ａで示される電解コンデンサ１００の要部の概略断面図である。
【００３３】
電解コンデンサ１００は、基板２０（被接続体）と、基板２０上に複数の電解コンデンサ素子１が積層された積層体１Ｌとを備える。すなわち、電解コンデンサ１００は多段積層型の固体電解コンデンサである。複数の電解コンデンサ素子１は、導電性接着剤層４０を介して基板２０上に積層されている。基板２０及び電解コンデンサ素子１は、樹脂モールド（図示せず）で固定されている。
【００３４】
基板２０は、例えばエポキシ樹脂製のプリント基板である。基板２０は、その上面に銅製の陽極ランド電極２３（端子）及び陰極ランド電極２５を有する。また、基板２０の下面には、銅製の陽極ランド電極２７及び陰極ランド電極２９が設けられている。これらの陽極ランド電極２３，２７及び陰極ランド電極２５，２９は、例えば印刷によって形成される。陽極ランド電極２３と陽極ランド電極２７とは、スルーホール（又はビアホール）２３ａによって電気的に接続されている。同様に、陰極ランド電極２５と陰極ランド電極２９とは、スルーホール（又はビアホール）２５ａによって電気的に接続されている。
【００３５】
電解コンデンサ素子１は、例えば図１及び図２で説明したものと同一である。この電解コンデンサ素子１では、陽極端子５に図２に示された層１５が形成され、この陽極端子５は湾曲した状態で陽極ランド電極２３に接続される。
【００３６】
この電解コンデンサ１００は、上述のような電解コンデンサ素子１を備えるので、陽極端子５が湾曲した状態であっても、陽極端子５における酸化皮膜に亀裂が生じ難い。このため、このような電解コンデンサ１００では、アルミニウム部３の破断、亀裂、破損等が抑制されている。したがって、電解コンデンサ１００のコンデンサ特性の悪化を抑制できる。また、電解コンデンサ１００では、陽極端子５を陽極ランド電極２３に向けて大きく湾曲させることができる。よって、電解コンデンサ１００では省スペース化（図３の左右方向）を図ることができる。
【００３７】
また、本実施形態の電解コンデンサ１００では、基板２０から最も遠くに位置する最上層の電解コンデンサ素子として、本実施形態の電解コンデンサ素子１が用いられている。この最上層の電解コンデンサ素子１の陽極端子５は、基板２０上に載置された全ての電解コンデンサ素子１の中で最も大きく湾曲された状態で基板２０の陽極ランド電極２３に接続される。ここで、電解コンデンサ素子１の陽極端子５には図２に示された層１５が形成されているので、この陽極端子５におけるアルミニウム部３の破断は抑制されている。
【００３８】
続いて、図２〜図８を参照して、第１実施形態に係る電解コンデンサ素子及び電解コンデンサの製造方法について説明する。図５〜図８は、電解コンデンサ素子１及び電解コンデンサ１００の製造方法を示す工程断面図である。
【００３９】
＜電解コンデンサ素子及び電解コンデンサの製造方法＞
（アルミニウム基体の準備工程）
まず、図５に示されるように、アルミニウム部３の母体となる箔状のアルミニウム板３ａを準備する。続いて、図６に示されるように、アルミニウム板３ａの表面をエッチングすることにより、表面が粗面化されたアルミニウム部３を得る。その後、図７に示されるように、アルミニウム部３の表面に酸化皮膜１３を形成することにより、アルミニウム基体４を得る。酸化皮膜１３は、化成処理（陽極酸化）によって形成される。具体的には、アルミニウム部３をステンレスビーカに収容された化成溶液中に浸漬し、電圧を印加する。化成溶液としては、例えば濃度３％のアジピン酸アンモニウム水溶液等が好ましい。化成処理時の電圧は、所望する酸化皮膜１３の膜厚に応じて適宜決定することができ、１０ｎｍ〜１μｍの膜厚を有する酸化皮膜１３を形成する場合には、通常数ボルト〜２０ボルト程度である。なお、酸化皮膜１３は自然酸化皮膜を含むとしてもよい。
【００４０】
このようにして、アルミニウム部３の表面に酸化皮膜１３が形成されてなるアルミニウム基体４を準備する。
【００４１】
（圧縮工程）
次に、図８に示されるように、アルミニウム基体４の表面の一部を圧縮する。具体的には、ハンドプレス等の圧縮装置ＰＲを用いてアルミニウム基体４の表面の一部を挟むことにより、これを圧縮する。圧縮の際の圧力は、例えば１．４MＰａ程度が好ましい。これにより、アルミニウム基体４の粗面化された表面に形成された凹凸を圧縮により潰すことができる。つまり、アルミニウム基体４を湾曲させる際に酸化皮膜１３の亀裂の起点となり得る凹凸を、圧縮により殆ど消失させることができる。これに加えて、圧縮により陽極端子５における酸化皮膜１３が破壊されるので、酸化皮膜１３を細分化させることができる。これにより、アルミニウム基体４の表面の一部に層１５が形成される。
【００４２】
（絶縁部材形成工程）
次に、図２に示されるように、陽極端子５となるアルミニウム基体４の圧縮された領域５ａと、陰極部７が形成されるアルミニウム基体４の一部７ａとの間に絶縁部材１７を必要に応じて形成する。絶縁部材１７は、スクリーン印刷法等によって形成される。この絶縁部材１７は、後述する陰極部形成工程で電解質層８を形成する際に、重合液が毛細管現象によってアルミニウム基体４の圧縮された領域５ａに浸透してしまうことを抑制する。また、絶縁部材１７に代えて、アルミニウム基体４の粗面化構造を破壊して絶縁溝部を形成するとしてもよい。さらに、この絶縁溝部にシリコーン製等の絶縁性樹脂を充填してもよい。
【００４３】
（陰極部形成工程）
次に、図２に示されるように、アルミニウム基体４の圧縮された領域５ａを除くように、アルミニウム基体４の周囲に電解質層８を形成する。具体的には、アルミニウム基体４の圧縮された領域５ａを除くように、ビーカに収容された重合液にアルミニウム基体４を浸漬させ、化学酸化重合又は電解酸化重合を行う。なお、電解質層８を形成した後に、上述の化成処理と同様の方法で皮膜修復処理（エージング）を行ってもよい。
【００４４】
その後、電解質層８の周囲にグラファイトペースト層９を形成し、グラファイトペースト層９の周囲に銀ペースト層１１を形成する。これらの層を形成する方法として、スクリーン印刷法、浸漬法（ディップ法）、スプレー塗布法等を例示できる。このようにして、グラファイトペースト層９及び銀ペースト層１１を含む導電体層１０を形成する。
【００４５】
以上より、電解質層８及び導電体層１０を含む陰極部７を形成する。
【００４６】
以上の工程を経ることで電解コンデンサ素子１が得られる。なお、上述の各工程の順序は上記のものに限定されない。例えば、圧縮工程は、陰極部形成工程の後に実施されるとしてもよく、絶縁部材形成工程の後に実施されるとしてもよい。
【００４７】
（接続工程）
次に、図３及び図４に示されるように、上記工程を経て得られた電解コンデンサ素子１を基板２０上に導電性接着剤層４０を介して複数載置する。このとき、電解コンデンサ素子１の陰極部７は、基板２０の陰極ランド電極２５に接続される。
【００４８】
次に、陽極端子５（アルミニウム基体４の圧縮された領域５ａ）を湾曲させ、ＹＡＧレーザ溶接等により陽極端子５を基板２０の陽極ランド電極２３に電気的に接続する。このとき、陽極端子５は湾曲した状態となるが、陽極端子５における酸化皮膜１３に亀裂は生じ難く、このためアルミニウム部３の破断を抑制できる。但し、作用はこれらに限定されない。
【００４９】
（第２実施形態）
次に、図９を参照して、第２実施形態に係る電解コンデンサについて説明する。
【００５０】
図９は、第２実施形態に係る電解コンデンサ２００の概略断面図である。電解コンデンサ２００は、図３に示される電解コンデンサ１００の基板２０をリードフレーム５０（被処理体）に置換したものである。すなわち、電解コンデンサ２００はいわゆるリードフレーム型電解コンデンサである。リードフレーム５０は、陽極リード５１（端子）及び陰極リード５３を備える。このように、リードフレーム５０に電解コンデンサ素子１を搭載した場合にも、第１実施形態のように陽極端子５におけるアルミニウム部３の破断を抑制することができる。
【００５１】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００５２】
例えば、上記実施形態では二端子型の電解コンデンサ素子及び電解コンデンサについて説明したが、複数の陽極端子を有する多端子型の電解コンデンサ素子及び電解コンデンサとしてもよい。なお、図１０は、複数の陽極端子５を有する多端子型の電解コンデンサ素子１ａを模式的に示す平面図である。各々の陽極端子５には、図２に示された層１５が形成されている。多端子型の電解コンデンサ素子１ａを用いる場合は、全ての陽極端子５においてアルミニウム基体の表面を圧縮してなる層１５が形成されていることが好ましい。もっとも、被接続体の構成等の各種事情に応じて、複数の陽極端子５のうち特定のものにおいてのみ、アルミニウム基体の表面を圧縮してなる層１５を形成してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では弁金属基体の材料である弁金属としてアルミニウムを例示したが、これに限定されずチタン、タンタル等でもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では電解コンデンサに含まれる全ての電解コンデンサ素子の陽極端子に、粗面化された弁金属基体の表面を圧縮してなる層が形成されているとしたが、少なくとも一つの電解コンデンサ素子の陽極端子に当該層が設けられているとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１実施形態に係る電解コンデンサ素子を模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示されるII−II線方向の電解コンデンサ素子の概略断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電解コンデンサの概略断面図である。
【図４】図３の領域Ａで示される電解コンデンサの要部の概略断面図である。
【図５】電解コンデンサ素子及び電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図である。
【図６】電解コンデンサ素子及び電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図である。
【図７】電解コンデンサ素子及び電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図である。
【図８】電解コンデンサ素子及び電解コンデンサの製造方法を示す工程断面図である。
【図９】第２実施形態に係る電解コンデンサの概略断面図である。
【図１０】複数の陽極端子を有する多端子型の電解コンデンサ素子を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１ａ…電解コンデンサ素子、１Ｌ…積層体、３…アルミニウム部（弁金属部）、４…アルミニウム基体（弁金属基体）、５…陽極端子、５ａ…アルミニウム基体（弁金属基体）の圧縮された領域、７…陰極部、８…電解質層、１０…導電体層、１３…酸化皮膜（誘電体層）、１５…粗面化されたアルミニウム基体（弁金属基体）の表面を圧縮してなる層、１７…絶縁部材、２０…基板（被接続体）、２３…陽極ランド電極（端子）、５０…リードフレーム（被接続体）、５１…陽極リード（端子）、１００，２００…電解コンデンサ。
【図１】
2005217073.tif 000003
【図２】
2005217073.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005217073.tif 000008
【図７】
2005217073.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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