(57)【要約】【課題】高精度、高信頼性で小型の誘導型位置検出装置を製造することができる方法を提供する。【解決手段】立体（縦巻）コイルである受信巻線１３をＭＥＭＳプロセスにより作製する。つまり、シリコンからなる配置基板７にリソグラフィとエッチングによりスルーホールを形成し、これに埋込導電部３７を形成する。配置基板７の表面３１にメッキにより表面導電部３９を形成すると共に配置基板７の裏面３３にメッキにより裏面導電部４１を形成する。【選択図】  図５
2005024390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束結合巻線が設けられたスケールと、前記磁束結合巻線と磁束結合が可能な送信巻線及び受信巻線が設けられると共に前記スケールに対して相対移動可能に対向配置されたセンサヘッドと、を備えた誘導型位置検出装置の製造方法であって、
シリコン及びガラスのうち少なくとも一方を含むと共に前記受信巻線が配置される配置基板に、リソグラフィとエッチングを用いてスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールに埋め込まれた埋込導電部、前記配置基板の表面側に設けられた表面導電部及び前記配置基板の裏面側に設けられた裏面導電部を接続することにより、前記埋込導電部、前記表面導電部及び前記裏面導電部で構成されるコイルの複数が前記スケールの延びる方向に間隔を設けて同軸配置された構造を有する前記受信巻線を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項２】
前記受信巻線の形成工程は、前記埋込導電部の形成後に前記表面導電部及び前記裏面導電部を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項３】
前記スルーホールの形成工程は、前記配置基板の前記表面側から前記スルーホールとなる表面孔を形成する工程と、前記配置基板の前記裏面側から前記スルーホールとなる裏面孔を前記表面孔とつながるように形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項４】
前記受信巻線が形成された前記配置基板を、シリコン及びガラスのうち少なくとも一方を含む支持基板に陽極接合により固定する工程を備える、
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記配置基板は磁性ガラスを含む、
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記受信巻線の形成工程は、互いに位相をずらして配置された複数の受信巻線を形成する工程である、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の受信巻線を形成する工程は、第１受信巻線及びこの巻線と位相をずらして配置された第２受信巻線を形成する工程であり、
前記第１及び第２受信巻線の形成工程は、
前記第１受信巻線を構成する前記埋込導電部と前記表面導電部を前記配置基板の前記表面上で接続すると共に前記第２受信巻線を構成する前記埋込導電部と前記裏面導電部を前記配置基板の前記裏面上で接続する工程と、
前記第１受信巻線を構成する前記表面導電部を覆う表面絶縁膜を前記配置基板の前記表面上に形成すると共に前記第２受信巻線を構成する前記裏面導電部を覆う裏面絶縁膜を前記配置基板の前記裏面上に形成する工程と、
前記第１受信巻線を構成する前記埋込導電部と前記裏面導電部を前記裏面絶縁膜上で接続すると共に前記第２受信巻線を構成する前記埋込導電部と前記表面導電部を前記表面絶縁膜上で接続する工程と、
を備えることを特徴とする請求項６項に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記スルーホール及び受信巻線の形成工程は、前記受信巻線の替わりに前記送信巻線又は前記磁束結合巻線が適用される、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の誘導型位置検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ノギスやマイクロメータに代表される小型の測定工具、リニアエンコーダおよびセンサ機器に応用される、電磁結合を利用して位置検出を行う誘導型位置検出装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
誘導型位置検出装置は、直線変位や角度変位などの精密な測定に利用される。従来の誘導型位置検出装置は、磁束結合巻線を所定ピッチで配列したスケールと、このスケールに対して相対移動可能に対向配置されると共に磁束結合巻線と磁束結合が可能な送信巻線及び受信巻線が配置されたセンサヘッドと、により構成される。
【０００３】
センサヘッドの受信巻線としては、ビルドアップ基板の異なる層にそれぞれ形成された第１の検出コイルと第２の検出コイルをコンタクト孔で接続したもの（例えば、特許文献１参照）や、エナメル被覆銅からなるワイヤーをワイヤーボンディングで基板にボンディングしたもの（例えば、特許文献２参照）がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２５５１０８号公報（［００２８］、［００３２］、図２、図３）
【特許文献２】
特表２００２−５０２４９７号公報（第１９頁第１５行〜第２７行、ＦＩＧ．１  、ＦＩＧ．４）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
誘導型位置検出装置の小型化や高精度化を図るには、受信巻線のピッチを狭くする必要がある。受信巻線をビルドアップ基板で作製した場合、受信巻線のピッチは、ビルドアップ基板のルールに制限される。例えば、コンタクト孔はドリルで形成されるため、孔の径は２５０〜３００μｍが限界であると共に孔の形のバラツキも大きい。よって、受信巻線の狭ピッチ化には限界がありかつコストもかかる。また、ビルドアップ基板は樹脂なので、膨張や収縮によりピッチが変動しやすい。これが誘導型位置検出装置の高精度化の妨げとなる。一方、受信巻線をエナメル被覆銅で作製した場合、エナメル被覆にピンホールが発生するとショートや錆などの問題が生じるため、信頼性の点で問題がある。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、高精度、高信頼性で小型の誘導型位置検出装置を製造することが可能な方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る誘導型位置検出装置は、磁束結合巻線が設けられたスケールと、磁束結合巻線と磁束結合が可能な送信巻線及び受信巻線が設けられると共にスケールに対して相対移動可能に対向配置されたセンサヘッドと、を備えた誘導型位置検出装置の製造方法であって、シリコン及びガラスのうち少なくとも一方を含むと共に受信巻線が配置される配置基板に、リソグラフィとエッチングを用いてスルーホールを形成する工程と、スルーホールに埋め込まれた埋込導電部、配置基板の表面側に設けられた表面導電部及び配置基板の裏面側に設けられた裏面導電部を接続することにより、埋込導電部、表面導電部及び裏面導電部で構成されるコイルの複数がスケールの延びる方向に間隔を設けて同軸配置された構造を有する受信巻線を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法によれば、いわゆる立体（縦巻）コイルである受信巻線を、ＭＥＭＳプロセスを用いて作製するので、微細で狭ピッチな高信頼性の受信巻線を得ることができる。なお、本発明において、配置基板の表面とは配置基板の一方の面であり、配置基板の裏面とは配置基板の他方の面を意味する。
【０００９】
本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法において、受信巻線の形成工程は、埋込導電部の形成後に表面導電部及び裏面導電部を形成する、ようにすることができる。これによれば、スルーホールから残渣を取り除く工程が不要となり、上記製造方法の簡略化を図ることができる。
【００１０】
本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法において、スルーホールの形成工程は、配置基板の表面側からスルーホールとなる表面孔を形成する工程と、配置基板の裏面側からスルーホールとなる裏面孔を表面孔とつながるように形成する工程と、を備えるようにしてもよい。これによれば、スルーホールを配置基板の両面から形成するので、配置基板の厚みが大きくても、スルーホールを形成することができる。
【００１１】
本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法において、受信巻線が形成された配置基板を、シリコン及びガラスのうち少なくとも一方を含む支持基板に陽極接合により固定する工程を備えるようにしてもよい。また、配置基板としては磁性ガラスを用いることができる。
【００１２】
本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法において、受信巻線の形成工程は、互いに位相をずらして配置された複数の受信巻線を形成する工程である、ようにしてもよい。具体的には、次の通りである。
【００１３】
複数の受信巻線を形成する工程は、第１受信巻線及びこの巻線と位相をずらして配置された第２受信巻線を形成する工程であり、第１及び第２受信巻線の形成工程は、第１受信巻線を構成する埋込導電部と表面導電部を配置基板の表面上で接続すると共に第２受信巻線を構成する埋込導電部と裏面導電部を配置基板の裏面上で接続する工程と、第１受信巻線を構成する表面導電部を覆う表面絶縁膜を配置基板の表面上に形成すると共に第２受信巻線を構成する裏面導電部を覆う裏面絶縁膜を配置基板の裏面上に形成する工程と、第１受信巻線を構成する埋込導電部と裏面導電部を裏面絶縁膜上で接続すると共に第２受信巻線を構成する埋込導電部と表面導電部を表面絶縁膜上で接続する工程と、を備えることができる。これによれば、ＭＥＭＳプロセスと導電部の多層化プロセスを組み合わせることにより、微細かつ複雑な構造の受信巻線を容易に作製することができる。
【００１４】
本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法において、スルーホール及び受信巻線の形成工程は、受信巻線の替わりに送信巻線又は磁束結合巻線が適用される、ようにしてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図１は、この実施形態に係る誘導型位置検出装置１の概略構成を示す斜視図である。装置１の構成を説明する。誘導型位置検出装置１は誘導型エンコーダとも言い、スケール３とこれに対向して配置されたセンサヘッド５とから構成される。スケール３の長手方向が測定軸ｘである。センサヘッド５は、スケール３に対して所定ギャップをもって測定軸ｘ方向に移動可能に配置される。なお、センサヘッドが固定でスケールが移動する構成でもよい。すなわち、センサヘッドとスケールとは、互いに相対移動可能に配置されていればよい。
【００１６】
センサヘッド５は、ガラスやシリコンからなる絶縁性の配置基板７を備え、基板７のスケール３と対向する面９側の中央には、長手方向がｘ方向である矩形状の送信巻線１１が配置されている。送信巻線１１の内側領域に受信巻線１３が配置されている。受信巻線１３は、いわゆる立体（縦巻）コイルである。つまり、受信巻線１３は、スケール３の延びる方向に間隔を設けて同軸配置された複数のコイル１５により構成される。コイル１５は一巻コイルである。
【００１７】
送信巻線１１や受信巻線１３の端子は、図示しない配線を介して、変位を測定するための演算や制御などをするＩＣ回路１７と接続されている。ＩＣ回路１７はセンサヘッド５に配置されていてもよいし、これとは別の部品に取り付けられていてもよい。
【００１８】
一方、スケール３は、例えばガラスやシリコンからなる絶縁基板１９を備え、この基板１９のセンサヘッド５に対向する面２１側には、スケールピッチλでｘ方向に沿って多数の磁束結合巻線２３が配置されている。磁束結合巻線２３は、送信巻線１１や受信巻線１３と対向するように配置されたループ、つまり一巻コイルである。磁束結合巻線２３は送信巻線１１や受信巻線１３と磁束結合が可能となる。これらの巻線１１，１３，２３は、アルミニウム、銅、金などの電気抵抗が低い材料で構成される。
【００１９】
次に、誘導型位置検出装置１の動作について図１を参照して簡単に説明する。ＩＣ回路１７の発生回路２５で生成された送信用励振信号（単相交流）は送信巻線１１に送られる。これにより、ある時刻に着目すると、送信巻線１１には反時計回りに励振電流ｉ１が流れる。そして、この励振電流ｉ１により送信巻線１１から交番磁束が生成され、磁束結合巻線２３と磁束結合する。このため、磁束結合巻線２３には誘導電流が流れ、これにより磁束結合巻線２３から発生される交番磁束が受信巻線１３に磁束結合する。そして、正弦波状（または矩形状）の信号が受信信号として配線を経由してＩＣ回路１７の処理回路２７に送られる。処理回路２７はこれらの受信信号をサンプリングし、ディジタル値に変換してＩＣ回路１７の演算制御回路２９に送る。演算制御回路２９では、このディジタル値を基にしてスケール３に対するセンサヘッド５の位置を演算する。なお、演算制御回路２９は発生回路２５を制御する機能も有する。
【００２０】
次に、本実施形態に係る誘導型位置検出装置の製造方法について説明する。この製造方法は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）プロセス、つまり、異方性エッチングでシリコン等の基板に孔を形成、陽極接合などのプロセス、を用いる。まず、上記製造方法の第１実施形態を説明する。図２〜図６は、これを説明する工程図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は側面図である。
【００２１】
図２に示すように、厚みが例えば４００〜５００μｍのシリコンからなる配置基板７を用意する。配置基板７の一方の面を表面３１とし、他方の面を裏面３３とする。リソグラフィとエッチングを用いて、表面３１から裏面３３に向けて配置基板７を貫通する複数のスルーホール３５を形成する。各スルーホール３５は、図１に示す一巻のコイル１５の縦部分に対応する位置に形成される。一対のスルーホール３５ａ，３５ｂの距離は、コイル１５の横部分の長さである。スルーホール３５の具体的な形成方法は次の通りである。
【００２２】
配置基板７の全体を覆う熱酸化膜（図示せず）を形成する。表面３１上の熱酸化膜上にスルーホール３５に対応するレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして熱酸化膜をドライ又はウェットエッチングで選択的に除去する。そして、この熱酸化膜をマスクとして、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）のようなアルカリ液で配置基板７をウェットエッチングで選択的に除去することにより、スルーホール３５を形成する。なお、スルーホール３５をドライエッチングで形成することもできる。
【００２３】
以上のようなＭＥＭＳプロセスを用いると、スルーホール３５の径を数十μｍにできる。したがって、ドリルで形成する場合（孔の径２５０〜３００μｍ）に比べてスルーホール３５を微細化できる。スルーホール３５の形成後、配置基板７を熱酸化することにより、スルーホール３５の内壁面に熱酸化膜を形成する。これにより、次に説明するスルーホール３５に埋め込まれる埋込導電部を、配置基板７と絶縁することができる。
【００２４】
次に図３に示すように、メッキにより各スルーホール３５（図２）に、例えばアルミニウム、銅又は金からなる埋込導電部３７を形成する。メッキの替わりに、いわゆる圧入（溶融したメタルを真空中でスルーホール３５に流し込む）を用いてもよい。
【００２５】
そして図４に示すように、例えばアルミニウム、銅又は金を用いた蒸着又はメッキ又はこれらの組み合わせにより、埋込導電部３７に接続する表面導電部３９を表面３１上に形成する。具体的には、各表面導電部３９が一対の埋込導電部３７ａ，３７ｂに接続されている。図５に示すように、表面導電部３９の形成と同様の方法を用いて裏面３３上に、埋込導電部３７に接続する裏面導電部４１を形成する。詳細に説明すれば、一対の埋込導電部３７ａ，３７ｂの導電部３７ｂと、隣に位置する一対の埋込導電部３７ａ，３７ｂの導電部３７ａと、を裏面導電部４１により接続する。表面導電部３９、裏面導電部４１及び一対の埋込導電部３７ａ，３７ｂにより、一巻のコイル１５が構成される。これにより、複数のコイル１５が互いに接続され、スケール３（図１）の延びる方向に間隔を設けて同軸配置された受信巻線１３が構成される。なお、表面導電部３９及び裏面導電部４１の線幅は、十数μｍ〜数十μｍであり、厚みは１０〜４０μｍである。
【００２６】
そして、図６に示すように、表面導電部３９を覆うように表面３１上に保護膜４３を形成し、裏面導電部４１を覆うように裏面３３上に保護膜４５を形成する。保護膜４３，４５は、いずれも例えばポリイミド膜を塗布し固めたものである。
【００２７】
以上のように第１実施形態に係る製造方法によれば、立体（縦巻）コイルである受信巻線１３をＭＥＭＳプロセスで形成する。このため、線幅及びピッチが十数μｍ又はそれ以下の微細で狭ピッチな受信巻線１３を得ることができるため、小型で高精度の誘導型位置検出装置１（図１）を製造することができる。また、ＭＥＭＳプロセスを用いるので、受信巻線をエナメル被覆銅で形成する場合に比べて、高信頼性の受信巻線１３を得ることができる。さらに、ＭＥＭＳプロセスを用いることにより、寸法のばらつきが小さい多数の受信巻線１３を一括作製できる。
【００２８】
また、第１実施形態に係る製造方法によれば、図３に示すように埋込導電部３７を形成した後に、図４及び図５に示すように表面導電部３９及び裏面導電部４１を形成している。これに対して、表面導電部３９及び裏面導電部４１のうちの一方を形成する第１工程、スルーホール３５を形成してそこに埋込導電部３７を形成する第２工程、表面導電部３９及び裏面導電部４１のうちの他方を形成する第３工程を含む変形例も本発明に含めることができる。
【００２９】
上記変形例では、エッチングでスルーホール３５を形成する際、表面導電部３９及び裏面導電部４１のうちの一方がスルーホール３５の底面となるため、エッチングの際の残渣がスルーホール３５内に残るおそれがある。したがって、残渣を取り除く工程が必要となる。一方、第１実施形態に係る製造方法によれば、表面導電部３９及び裏面導電部４１形成前にスルーホール３５を形成するので、スルーホール３５を形成する際の残渣がスルーホール３５内に残ることはない。よって、スルーホール３５から残渣を取り除く工程が不要となり、工程の簡略化を図ることができる。
【００３０】
第１実施形態に係る製造方法では、ＭＥＭＳプロセスを用いるので、配置基板７の厚みが大きくても、配置基板７に受信コイル１３を形成することができる。よってコイル１５の面積を大きくできる。これを、絶縁層にコイルを形成した薄膜コイルと比較すると、薄膜コイルでは絶縁層の厚みが数μｍに制限されるため、コイルの面積を大きくすることができない。これに対して、第１実施形態に係る製造方法では厚さ４００〜５００μｍのシリコンからなる配置基板７を用いるので、薄膜コイルに比べてコイルの面積を大きくできる。したがって、高精度な誘導型位置検出装置１にすることができる。
【００３１】
図２を参照して、配置基板７の厚みが大きい場合、配置基板７の表面３１側からスルーホール３５となる表面孔を形成する工程と、配置基板７の裏面３３側から上記表面孔とつながる裏面孔を形成する工程と、によりスルーホール３５を形成してもよい。つまり、配置基板７の両面からスルーホール３５を形成するのである。配置基板７の片面からスルーホール３５を形成する場合、配置基板７の厚みが大きいと、スルーホール形成時にスルーホールとなる孔に残渣がたまり、これによりエッチングが妨げられることがある。スルーホール３５を配置基板７の両面から形成すれば、配置基板７の厚みが大きくても、配置基板７の表面３１から裏面３３に向けて配置基板７を貫通するスルーホール３５を形成することができる。
【００３２】
なお、受信巻線１３が形成された配置基板７を補強するために、この基板７を図７に示すように、シリコン又はガラスからなる支持基板４７に陽極接合で固定してもよい。具体的には、支持基板４７と、受信巻線１３が形成された配置基板７と、を加熱した状態でこれらの基板に高電圧を印加すると、これらの基板間に大きな静電気が発生する。この静電気力でこれらの基板同士を化学結合させるのである。支持基板４７に図１に示すＩＣ回路１７を形成することもできる。
【００３３】
次に、第２実施形態に係る製造方法を説明する。この方法で作製する受信巻線は、図８に示すように、第１受信巻線４９と、これとλ／４だけ位相をずらして配置された第２受信巻線５１と、で構成される。つまり、２相の受信巻線である。図９〜図１２は、この方法を説明する工程図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は側面図である。これらの図において、第１実施形態で説明した図中の符号で示すものと同一のものについては、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００３４】
図９に示すように、スケール３（図１）の延びる方向と一致する方向に沿って、一対の埋込導電部３７ａＩ，３７ｂＩと一対の埋込導電部３７ａＩＩ，３７ｂＩＩとが交互に配置されている。埋込導電部３７ａＩ，３７ｂＩが第１受信巻線用であり、埋込導電部３７ａＩＩ，３７ｂＩＩが第２受信巻線用である。これらの導電部、つまり埋込導電部３７の形成工程までは第１実施形態と同様である。
【００３５】
第１受信巻線用の表面導電部３９Ｉを配置基板７の表面３１上に形成することにより、埋込導電部３７ａＩ，３７ｂＩと表面導電部３９Ｉとを接続する。次に、第２受信巻線用の裏面導電部４１ＩＩを配置基板７の裏面３３上に形成することにより、埋込導電部３７ａＩＩ，３７ｂＩＩと裏面導電部４１ＩＩとを接続する。表面導電部３９Ｉ、裏面導電部４１ＩＩ、後で説明する表面導電部３９ＩＩ、裏面導電部４１Ｉの形成方法は第１実施形態の導電部３９，４１と同様である。
【００３６】
次に、図１０に示すように、表面導電部３９Ｉを覆う表面絶縁膜５３を配置基板７の表面３１上に形成する。また、裏面導電部４１ＩＩを覆う裏面絶縁膜５５を配置基板７の裏面３３上に形成する。絶縁膜５３，５５は、ＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜やポリイミドを塗布して固めた膜である。絶縁膜５３，５５の厚みは３〜２０μｍである。
【００３７】
図１１に示すように、裏面絶縁膜５５にリソグラフィとエッチングにより、埋込導電部３７ａＩ，３７ｂＩを露出するスルーホールを形成する。このスルーホールが埋まるように、第１受信巻線を構成する裏面導電部４１Ｉを裏面絶縁膜５５上に形成する。これにより、裏面導電部４１Ｉが対応する埋込導電部３７ａＩ，３７ｂＩと裏面絶縁膜５５上で接続されることにより、第１受信巻線４９が形成される。
【００３８】
そして、図１２に示すように、埋込導電部３７ａＩＩ，３７ｂＩＩを露出するスルーホールを、リソグラフィとエッチングにより表面絶縁膜５３に形成する。このスルーホールが埋まるように、第２受信巻線を構成する表面導電部３９ＩＩを表面絶縁膜５３上に形成する。表面導電部３９ＩＩが対応する埋込導電部３７ａＩＩ，３７ｂＩＩと表面絶縁膜５３上で接続される。この結果、第２受信巻線５１が形成される。
【００３９】
以上説明したように第２実施形態に係る製造方法によれば、第１受信巻線４９と第２受信巻線５１とが互いに電気的に絶縁されかつ第１受信巻線４９に対して第２受信巻線５１が十数μｍずらした位置に重なるように形成された構造の受信巻線を容易に作製することができる。すなわち、ＭＥＭＳプロセスと導電部の多層化プロセスを組み合わせることにより、微細かつ複雑な構造の受信巻線を作製することができる。これにより、エナメル被覆銅を利用した受信巻線と同等以上の機能の受信巻線を容易に作製することができる。
【００４０】
２相の受信巻線は、第１実施形態でも作製することができる。図１３は、第１実施形態に係る製造方法を用いて作製される２相の受信巻線４９，５１を立体的に示す模式図である。図１３に示す構造は、図５の工程で、裏面導電部４１の形成位置を変えることにより実現できる。なお、互いに位相をずらして配置された３つ以上の受信巻線、すなわち３相以上の受信巻線も、裏面導電部４１の形成位置を変えることにより作製することができる。
【００４１】
第１及び第２実施形態では、配置基板７の材料をシリコンの場合で説明したが、配置基板７の材料がガラスでも、ＭＥＭＳプロセスを用いて配置基板７に受信巻線１３，４９，５１を形成することができる。特に配置基板７の材料を磁性ガラス（強磁性体）にすると、受信巻線１３，４９，５１で検出する信号の強度を高くすることができる。磁性ガラスは磁性体としての性質を有するガラスであり、ガラスに例えば酸化テルビウム等に代表される希土類元素化合物を含めることにより作製することができる。
【００４２】
また、第１及び第２実施形態では受信巻線１３，４９，５１の形成であったが、本発明は送信巻線１１や磁束結合巻線２３の形成にも適用可能である。すなわち図１の送信巻線１１はコイル一巻であるが、送信巻線１１が受信巻線１３のような構造の場合は、送信巻線１１にも本発明を適用できる。また、磁束結合巻線２３が図１のように平面的ではなく、図１４に示すように立体（縦巻）コイルの場合、磁束結合巻線２３の形成に本発明を適用することができる。この場合、受信巻線や送信巻線のように、一巻コイルが互いに接続された構造ではなく、各磁束結合巻線２３となる一巻コイルは互いに接続されていない構造となる。したがって、いずれかの一巻コイルが断線しても、この影響は残りの一巻コイルには及ばないため、誘導型位置検出装置の使用は可能である。よって、誘導型位置検出装置の歩留まりを向上させることができると共に誘導型位置検出装置の長寿命化を図ることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明に係る誘導型位置検出装置の製造方法によれば、微細で狭ピッチな高信頼性の受信巻線を作製することができるため、高精度、高信頼性で小型の誘導型位置検出装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係る誘導型位置検出装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る製造方法を説明する第１工程図である。
【図３】第１実施形態に係る製造方法を説明する第２工程図である。
【図４】第１実施形態に係る製造方法を説明する第３工程図である。
【図５】第１実施形態に係る製造方法を説明する第４工程図である。
【図６】第１実施形態に係る製造方法を説明する第５工程図である。
【図７】第１実施形態に係る製造方法で作製された配置基板と、これを支持する支持基板を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る製造方法で作製された受信巻線を立体的に示す模式図である。
【図９】第２実施形態に係る製造方法を説明する第１工程図である。
【図１０】第２実施形態に係る製造方法を説明する第２工程図である。
【図１１】第２実施形態に係る製造方法を説明する第３工程図である。
【図１２】第２実施形態に係る製造方法を説明する第４工程図である。
【図１３】第１実施形態に係る製造方法を用いて作製される２相の受信巻線を立体的に示す模式図である。
【図１４】本実施形態により作製されたスケールを示す図である。
【符号の説明】
１・・・誘導型位置検出装置、３・・・スケール、５・・・センサヘッド、７・・・配置基板、９・・・面、１１・・・送信巻線、１３・・・受信巻線、１５・・・コイル、１７・・・ＩＣ回路、１９・・・絶縁基板、２１・・・面、２３・・・磁束結合巻線  ２５・・・発生回路、２７・・・処理回路、２９・・・演算制御回路、３１・・・表面、３３・・・裏面、３５，３５ａ，３５ｂ・・・スルーホール、３７，３７ａ，３７ｂ，３７ａＩ，３７ｂＩ，３７ａＩＩ，３７ｂＩＩ・・・埋込導電部、３９，３９Ｉ，３９ＩＩ・・・表面導電部、４１，４１Ｉ，４１ＩＩ・・・裏面導電部、４３，４５・・・保護膜、４７・・・支持基板、４９・・・第１受信巻線、５１・・・第２受信巻線、５３・・・表面絶縁膜、５５・・・裏面絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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