(57)【要約】【課題】  フィラー添加量を抑制し、樹脂材料本来の加工性、成形性を保持した高誘電率樹脂複合材料を提供する。【解決手段】  高誘電率フィラーとして、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末を絶縁被覆した絶縁化超微粉末を樹脂に添加する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末に絶縁皮膜を設けてなる絶縁化超微粉末。
【請求項２】
前記絶縁皮膜の比誘電率が２０以上である請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
【請求項３】
絶縁皮膜が絶縁性酸化物及び絶縁性窒化物から選ばれる少なくとも１種からなる請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
【請求項４】
導電性超微粉末が金属酸化物からなる請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
【請求項５】
絶縁皮膜の厚さが０．３ｎｍ以上で、かつ導電性超微粉末の短径以下である請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
【請求項６】
短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末に、比誘電率２０以上の金属酸化物からなる絶縁皮膜を設けてなる絶縁化超微粉末の製造方法であって、下記のａ）、ｂ）又はｃ）のいずれかの工程を有し、かつ、該工程に次いで、金属酸化物の融点より９００℃低い温度以上で、かつ、該金属酸化物の融点未満の温度で焼成する工程を有する絶縁化超微粉末の製造方法。
ａ）有機溶媒中に導電性超微粉末を分散し、金属アルコキシドを添加し、ゾルゲル反応により、導電性超微粉末の表面に金属酸化物を析出させる工程、
ｂ）金属塩水溶液中に導電性超微粉末を分散し、アルカリを添加し、該導電性超微粉末の表面に金属水酸化物を析出させ、さらに乾燥による脱水縮合を経て金属酸化物を該導電性超微粉末の表面に付着させる工程、
ｃ）導電性超微粉末の水分散液に、金属塩水溶液とアルカリ水溶液を同時または逐次添加し、該導電性超微粉末の表面に金属水酸化物を析出させ、さらに乾燥による脱水縮合を経て金属酸化物を該導電性超微粉末の表面に付着させる工程。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁化超微粉末と樹脂を、絶縁化超微粉末／樹脂の体積比で５／９５〜５０／５０の範囲で配合する樹脂複合材料。
【請求項８】
さらに、充填剤を含有する請求項７に記載の樹脂複合材料。
【請求項９】
比誘電率が２０以上である請求項７又は８に記載の樹脂複合材料。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかに記載の樹脂複合材料を用いて形成される、高誘電率フィルム又はシート。
【請求項１１】
請求項１１に記載の高誘電率フィルム又はシートを用いることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率を特長とする、樹脂複合材料に関する。この材料は、ＩＣ(集積回路)パッケージ、モジュール基板、電子部品に一体化した高誘電率層を形成するのに好適である。特に、多層型配線基板の内層キャパシタ層を形成するのに好適である。また、高誘電率による波長短縮効果を利用することで、無線ＬＡＮや非接触ＩＣカードなどの内蔵アンテナの小型化や、高周波電子機器内部の電波干渉を防止する電波吸収体の薄型化にも有用である。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（集積回路）のデータエラーの原因の一つとして、高周波雑音の影響がある。これを抑制するために、配線基板に容量の大きなキャパシタを設けて、高周波雑音を取り除く方法が知られている。このような容量の大きなキャパシタは、配線基板に高誘電率層を形成することで実現される。また、無線ＬＡＮや非接触ＩＣカードなどの内蔵アンテナの大きさや電波吸収体の厚さは、構成材質の誘電率の平方根にほぼ反比例するため、高誘電率材料はこれら部材の小型化、薄型化に有用である。特に加工性や成形性に優れた樹脂材料にこのような特性を付与することが求められている。
【０００３】
従来の技術としては、チタン酸バリウムなどに代表される強誘電体を高誘電率フィラーとして６５vol％以上添加した樹脂複合材料が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このような強誘電性フィラーの大量添加が必要となる理由は以下のとおりである。添加量が少ない場合、高誘電率フィラーが比誘電率３程度の樹脂に絶縁された状態となっている。この状態を等価回路で考察すると、低誘電率の樹脂に対応する容量の小さいキャパシタンスと高誘電率フィラーに対応する容量の大きなキャパシタンスとの直列回路で表される。この場合、誘電率の逆数に加成性があるため、例えば高誘電率フィラーの添加率が５０vol％でも複合材料の誘電率は６程度にしかならない。この点を回避するためには複合材料の等価回路が並列回路になるようにする必要がある。実態としては高誘電率フィラーの連続層を複合材料内に形成することが必要となる。
【０００４】
この連続層を形成し、複合材料の高誘電率化を図るために、高誘電体などの高誘電率フィラーを６５vol％以上添加することが必要とされていた。このため比誘電率２０以上を実現するには８０wt％以上の強誘電体を高誘電率フィラーとして添加することが必要となり、高誘電率化と引き換えに樹脂材料本来の特長である加工性、成形性が損なわれることになる。従来の技術は上述のようなフィラーの大量添加という本質的な原因については何ら対策がとられていなかった。
【特許文献１】特開２００１−２３７５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決し、樹脂材料本来の特長である加工性や成形性を維持できるようにフィラーの添加率を抑制したうえで、樹脂複合材料の高誘電率化を図る手段を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者らは、樹脂材料中でのフィラーの連続層形成およびナノサイズ粒子自身の高誘電率化について鋭意検討し、上記課題について以下の解決手段を発明するに到った。すなわち、導電性超微粉末の表面を絶縁体で被覆した絶縁化超微粉末は、５〜５０vol％といった少ない添加量でも、樹脂複合材料の誘電率を高くできることを見出した。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は導電性超微粉末を絶縁被膜した絶縁化超微粉末を少量添加することによって、樹脂材料本来の優れた成形性や加工性を維持したまま樹脂複合材料の高誘電率化を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明で用いる導電性超微粉末は、単独で樹脂材料に添加した場合、樹脂複合材料の体積抵抗を低下する、すなわち、導電性を付与する効果を有するものである。このような導電性超微粉末を構成する材質としては、ファーネスカーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、カーボンナノチューブなどの導電性炭素材料、アルミニウム、銅、金、銀、白金、スズ、パラジウム、ニッケル等の単体金属、これらのうち少なくとも一つを組成に含む合金が挙げられる。
【０００９】
本発明に用いる導電性超微粉末に望ましい材質は、導電性金属酸化物である。一部の貴金属を除いて金属の超微粉末は酸化され易く、導電性が低下しやすいのみでなく、粉塵爆発の可能性もある。また、金属原子が超微粉末から絶縁体媒質中に拡散し、複合材料の絶縁性を低下させる。このため、本発明に用いる導電性超微粉末には、アンチモンドープ二酸化スズ、スズドープ三酸化二インジウム、アルミニウムまたはガリウムドープ酸化亜鉛、あるいは鉛酸バリウムなどの導電性ペロブスカイト系複合酸化物などの導電性酸化物が望ましい。特に望ましくは製造コスト面からアンチモンドープ二酸化スズである。
【００１０】
本発明で用いる導電性超微粉末は、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末である。導電性超微粉末の形状が球状である場合、短径（粒径に同じである）は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、望ましくは５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。導電性超微粉末の形状が長球状である場合、短径は１ｎｍ以上１００ｎｍ、望ましくは５ｎｍ以上７０ｎｍ以下で、アスペクト比は３〜３０が望ましい。導電性超微粉末の形状が針状である場合は、短径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、望ましくは５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。短径が上記範囲より小さいと量子サイズ効果により導電性が低下する。一方、短径が上記範囲より大きいと、連続層の形成が４０vol％以下、すなわち樹脂特性を悪化させない添加率の範囲では連続層が形成されなくなってしまう。
本発明で用いる導電性超微粉末は、この中でも針状体が球状体よりも望ましい。これは針状体のほうが、比誘電率が２０以上である樹脂複合材料として連続層を形成するために必要な添加量が少なくてすむためである。針状体の導電性超微粉末のアスペクト比は、２以上１００以下が望ましく、１０以上４０以下がより望ましい。
【００１１】
次いで本発明に用いる絶縁皮膜は、樹脂複合材料の全体的な絶縁性の確保を目的の一つとしており、先に記述した導電性超微粉末の単なる酸化防止膜などの表面保護膜は含まれない。本発明における絶縁皮膜の厚さは、電子顕微鏡で観察した場合に０．３ｎｍ以上、かつ導電性超微粉末の短径以下であることが好ましい。なお、以下式で定義されるｄの値は、絶縁皮膜の厚さの概算値を示し、この値が０．３ｎｍ以上であることは、電子顕微鏡で観察した絶縁皮膜の厚さが０．３ｎｍ以上となる可能性が高く、本発明における絶縁効果の有用な目安となる。
ｄ＝ｗ／(Ｓ・ρ)                                      
但し、ｗ：導電性超微粉末に対する絶縁皮膜の重量比
Ｓ：導電性超微粉末の比表面積
ρ：絶縁性皮膜を構成する材質の真密度
ｄは、ｗ、Ｓ、ρから計算した絶縁皮膜の厚さの概算値である。導電性超微粉末１(ｇ)を、ｗ(ｇ)の絶縁性材質で被覆する場合を考える。皮膜厚さｄと比表面積Ｓとの積が、導電性超微粉末１(ｇ)の絶縁性皮膜体積の概算値となる。したがって絶縁性皮膜材質の真密度ρを用いて、導電性超微粉末１(ｇ)あたりについて、Ｓｄρ≒ｗとなる。但し、あくまでも概算値であり、被覆処理時の導電性超微粉末の凝集状態によっては、実際に観察される二次粒子表面にｄの５倍から１０倍程度の厚い皮膜が形成されることもあるが、上述のように本発明における絶縁効果の有用な目安となる。
望ましくは、皮膜の厚みが０．３ｎｍ以上、導電性超微粉末の短径以下の範囲であり、かつ、被覆する導電性粒子の粒径と導電性超微粉末の短径との比率が、０．０１以上０．９以下、さらに望ましくはこの比率が、０．０１以上０．５以下となる厚さである。この比率が０．０１以上であると、十分な絶縁効果があり、導通を防げ、誘電体として十分に機能する。一方、この比率が０．９以下であると、樹脂複合材料の比誘電率が低下することがない。
【００１２】
絶縁皮膜の材質としては、二酸化シリコン、四窒化三シリコンなどの絶縁性酸化物、および窒化物が挙げられる。あるいは三酸化二アルミニウム、酸化ジルコンなどの絶縁性金属酸化物が挙げられる。望ましくは比誘電率２０以上の五酸化二タンタル、アナタース型およびブルカイト型二酸化チタン等の絶縁性金属酸化物、さらに望ましくは比誘電率１００以上の金属酸化物が挙げられる。この比誘電率１００以上の金属酸化物の例としては、ルチル型二酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸鉛、チタン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛などのチタン含有金属酸化物、およびこれらのうち少なくとも一種類を組成に含む絶縁性固溶体が挙げられる。これらの絶縁性酸化物及び絶縁性窒化物は、誘電率が大きく、そのため、厚く絶縁被覆しても複合材料の誘電率が低下しないために好適である。
【００１３】
絶縁化超微粉末の製造法の例は以下のとおりである。例えばアルコールなどの有機溶媒に導電性超微粉末を分散し、金属アルコキシドを添加してゾルゲル反応により導電性超微粉末を核とした金属水酸化物の析出、さらに有機溶媒中で脱水縮合反応、もしくは導電性超微粒子が分散した水溶液中で金属塩とアルカリを反応させ、導電性超微粉末を核として金属水酸化物を析出させ、濾別・乾燥することにより脱水縮合させ、導電性超微粉末表面に絶縁性金属酸化物が付着した状態を形成できる。この場合、予め金属塩水溶液に導電性超微粉末を分散させてアルカリを滴下しても、導電性超微粒子の水分散液に金属塩水溶液とアルカリ水溶液を同時もしくは逐次滴下してもよい。
【００１４】
上記のような液相沈殿反応を用いた被覆方法では、酸化物超微粒子が単に導電性超微粒子に付着した多孔質膜が形成され、金属酸化物が絶縁皮膜として導電性超微粒子の全面を覆わない状態であるのが普通である。絶縁皮膜層に空孔が生じると誘電率の低下等の問題を誘発する。そのため、本発明では導電性超微粒子表面に付着した金属酸化物の表面原子拡散が起こる温度以上で、かつ融点の温度以下で加熱して焼成もしくは焼結する必要がある。すなわち、本発明の絶縁化超微粉末の表面は、厚さが０．３ｎｍ以上１００ｎｍ以下の絶縁皮膜によって隙間無く被覆される。絶縁皮膜の絶縁性酸化物は、比誘電率２０以上の絶縁性酸化物であることが好ましい。表面に金属酸化物を析出させた導電性超微粉末の焼成温度は、通常、該金属酸化物の融点よりも１００〜９００℃低い温度である。たとえば、絶縁皮膜に融点１２７０℃のルチル型二酸化チタンを用いる場合には６７０℃以上、融点１６２０℃のチタン酸バリウムを用いる場合には８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。その焼成時間は、通常０．５〜１２時間である。かかる工程により比誘電率２０以上である絶縁皮膜が隙間無く形成される。
【００１５】
本発明の絶縁化超微粉末は、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状、もしくは針状の絶縁化された超微粉末である。本発明の絶縁化超微粉末は、樹脂に５０vol％以下の量を配合することにより比誘電率が２０以上である高誘電率樹脂複合材料が得られる。比誘電率２０以上の高誘電率樹脂複合材料を実現するには、従来の高誘電率フィラーを使用した場合は該フィラーを６５vol％程度以上配合する必要があるが、本発明の絶縁化超微粉末を使用した場合は該絶縁化超微粉末を５０vol％以下配合すればよい。したがって、本発明の絶縁化超微粉末を配合した樹脂複合材料は、樹脂材料本来の特長である加工性または成形性が損なわれることなく、高い誘電率を発揮する。
【００１６】
また本発明において、上記絶縁化超微粉末を添加する樹脂成分としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂のモノマーやオリゴマーなどの重合性化合物や、フェノキシ樹脂、フッ化炭素系樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいはこれらの混合系樹脂を挙げることができる。特に望ましくはエポキシ樹脂を含む樹脂組成物である。これは配線基板などに用いる場合、銅等の金属層と密着強度が大きいためである。
【００１７】
前記高誘電率樹脂複合材料は、誘電率以外の理由で、必要に応じてガラス繊維などの充填剤をさらに添加して用いることができる。
【００１８】
本発明において、絶縁化超微粉末と樹脂の配合割合（絶縁化超微粉末の体積／樹脂の体積）は、５／９５〜５０／５０の範囲であることが好ましく、さらに望ましくは５／９５〜２０／８０の範囲である。５／９５の割合以上に絶縁化超微粉末が配合されると、樹脂組成物中で連続層が形成され、充分な比誘電率が得られる。一方、５０／５０の割合以下に絶縁化超微粉末が配合されると、樹脂組成物本来の加工性などが損なわれることがない。なお、絶縁化超微粉末と配合する際の樹脂は、重合体の形態としてのみならず、重合性化合物の形態として配合しておいて後で重合させても良い。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、当然これに限定されるものではない。
【実施例】
【００１９】
実施例１
イソプロパノール２００ｇ中に針状アンチモンドープ酸化スズ（石原産業（株）製、ＦＳ-１０Ｐ短径１０〜２０ｎｍ、長径２００〜２０００ｎｍ、比表面積２５〜３５ｍ2/ｇ）５０ｇとテトラプロピルオキシチタネート２７ｇを添加し、室温（２０〜３０℃）にて３０分アジターで攪拌混合した。この分散溶液に蒸留水：イソプロパノールの比が１：６の混合液１３４ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後更に３０分攪拌を継続し、濾過し、１２時間自然乾燥した後、１００℃にて真空乾燥した。図１に示したとおり、このゾルゲル反応により生成したチタン水酸化物粒子が針状アンチモンドープ酸化スズの表面に付着しているのを走査型電子顕微鏡にて確認した。この粉末をマッフル炉にて１０００℃で３時間、焼成した。図２に示したとおり、走査型電子顕微鏡にて多層構造を確認した。得られた絶縁化超微粉末は、短径１５〜４０ｎｍ、長径２００〜２０００ｎｍであり、その表面は、厚さが５〜１０ｎｍのルチル型二酸化チタンからなる絶縁皮膜によって隙間無く被覆されていた。なお、二酸化チタンと針状アンチモンドープ酸化スズとの重量比は０．２：１、針状アンチモンドープ酸化スズの比表面積は２５〜３５ｍ2／ｇであり、絶縁皮膜に関するｄ値は１．６７ｎｍであった。このｄ値と電子顕微鏡観察値との差異は、既に述べたように絶縁被覆処理時の針状アンチモンドープ酸化スズの凝集によると考えられる。
【００２０】
焼成して得られた絶縁化超微粉末５ｇとビスフェノールＡ型エポシキモノマー(旭電化工業（株）製ＥＰ−４１００Ｇ)１０ｇ、イミダゾール系硬化触媒(四国化成工業（株）製キュアゾール２Ｅ４ＭＺ)０．２ｇ、および溶媒としてメチルエチルケトン１５ｇをホモジナイザーで３０分間粉砕混合した。これは焼成粉末を７vol％添加したことになる。得られた溶液をテフロン（登録商標）シャーレに入れ１２時間自然乾燥した後に１２０℃で６時間加熱し硬化物の板を得た。これを用いてSolartorn社製１２６０型インピーダンス／ゲイン・フェーズ・アナライザで１ＭＨｚの誘電率を測定したところ、比誘電率は４５．７であった。
【００２１】
実施例２
硬化物を得るに当たり、焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を７．５g、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を７．５ｇとした以外は実施例１と同様にして硬化物の板を得た。これは焼成粉末を１３vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は９６．２であった。
【００２２】
実施例３
硬化物を得るに当たり、導電性超微粉末に球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ−１００Ｐ、粒径１０〜３０ｎｍ、比表面積６５〜８０ｍ2/ｇ)を用い、絶縁化超微粉末を得た。電子顕微鏡観察による絶縁皮膜の厚さは２〜１０ｎｍであった。なお、この場合の絶縁皮膜に関するｄ値は０．６４ｎｍであった。該絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は８８．７であった。
【００２３】
実施例４
球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ―１００Ｐ粒径１０〜３０ｎｍ)を１０００℃にて６時間焼成した。この結果、粒径が４０ｎｍ〜６０ｎｍとなった。硬化物を得るに当り、この球状アンチモンドープ酸化スズを用い、焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は５７．６であった。
【００２４】
比較例１
実施例１において、焼成して得られた絶縁化超微粉末の代わりに針状アンチモンドープ酸化スズ（ＦＳ−１０Ｐ）を５ｇとしたこと以外は同様にして硬化物の板を得た。これは体積組成では７vol％添加したことになる。誘電率測定を試みたが、この板は体積抵抗率１１．２Ωｍの導電体であり誘電率は測定できなかった。すなわち、この硬化物の板は誘電体ではなかった。
【００２５】
比較例２
硬化物を得るに当たり、粒径２μｍのチタン酸バリウムを９．３ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を２．７ｇとした以外は実施例１と同様にして、硬化物の板を得た。これはチタン酸バリウム粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は６．８であった。
【００２６】
比較例３
球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ―１００Ｐ、粒径１０〜３０ｎｍ)を１０００℃にて４８０時間焼成した。この結果、粒径が１００ｎｍを超える球状のアンチモンドープ酸化スズとなった。硬化物を得るに当り、該アンチモンドープ酸化スズを用い焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は１７．８であった。
【００２７】
比較例４
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を２．７ｇとした以外は実施例１と同様にした。電子顕微鏡観察による二酸化チタン皮膜の厚さは０．２ｎｍであった。また、この場合ｄ値は０．１７ｎｍであった。この場合、導通した。
【００２８】
比較例５
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を６．８ｇとした以外は実施例３と同様にした。この場合、電子顕微鏡観察による二酸化チタン皮膜の厚さは０．２ｎｍであった。また、ｄ値は０．１７ｎｍであった。この場合、導通した。
【００２９】
比較例６
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を５４ｇとした以外は実施例１と同様にした。この場合、電子顕微鏡観察により絶縁化処理後の短径が６０ｎｍ以上となっていたことから、絶縁皮膜の厚は３０ｎｍ以上と考えられる。この場合の誘電率は７．８であった。
【００３０】
これらの結果を表１にまとめた。
【表１】
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【００３１】
実施例１および比較例１より導電性超微粉末に絶縁被覆していない場合は導通により誘電体として機能せず、絶縁皮膜により誘電体として性質が備わったことがわかる。また、実施例１〜３、特に球状導電性超微粉末を絶縁被覆した絶縁化超微粉末を用いた実施例３と、従来技術の代表的なフィラーであるチタン酸バリウム微粉末を用いた比較例２からわかるように、本発明の絶縁化超微粉末を用いると、従来技術で必要とされていたよりもはるかに少ない添加率で高誘電率が実現していることがわかる。また、比較例４と比較例５からわかるように、絶縁皮膜の厚みが０．３ｎｍより小さくなると、導通し誘電体として利用できないことがわかる。また、比較例６からわかるように、絶縁皮膜の厚みが芯となる導電性超微粉末の短径を超えると誘電率が低下することがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施例１においてゾルゲル反応により生成した粒子が表面に付着した針状アンチモンドープ酸化スズの電子顕微鏡写真
【図２】実施例１における焼成後の絶縁化超微粉末の電子顕微鏡写真
【図１】
2005097074.tif 000004
【図２】
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