(57)【要約】【課題】  簡単な構成で耐環境性に優れた信頼性の高い光半導体装置を提供すること。【解決手段】  この光半導体装置１ａは、半導体光素子３が電気的に接続されたリードフレーム４と、このリードフレーム４とは離間して上記半導体光素子３の近傍に配置された放熱用フレーム１５と、上記リードフレーム４および上記放熱用フレーム１５を封止するモールド部１１とを備える。上記半導体光素子３から放出される熱を、上記放熱用フレーム１５を通じて、上記モールド部１１の全体に拡散させて、上記モールド部１１から空気へ放熱することができる。【選択図】  図１
2005217017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、
このリードフレームに搭載されると共にこのリードフレームに電気的に接続された半導体光素子と、
上記リードフレームとは離間して、上記半導体光素子の近傍に配置された放熱用フレームと、
上記リードフレームの一部、上記放熱用フレームの少なくとも一部、および、上記半導体光素子を封止するモールド樹脂からなるモールド部と
を備えることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記半導体光素子は、上記半導体光素子の光学部と反対側の上記半導体光素子の面が、上記リードフレームに対向するように配置され、
上記放熱用フレームは、上記半導体光素子に関して、上記リードフレームと反対側に位置し、かつ、上記放熱用フレームに設けられた孔部は、上記半導体光素子の上記光学部を含む領域に対向し、
上記モールド樹脂は、透光性を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光半導体装置において、
上記リードフレームに搭載されると共に上記半導体光素子と電気的に接続された信号処理用集積回路を備え、
この信号処理用集積回路は、上記リードフレームと上記放熱用フレームとの間に位置していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光半導体装置において、
上記半導体光素子と上記信号処理用集積回路が１つのチップに含まれていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記リードフレームは、開口部を有し、
このリードフレームの一方の面に配置され、このリードフレームの開口部を塞ぐ透光性を有するサブマウントを備え、
さらに、
上記半導体光素子は、上記サブマウントの上記リードフレームの開口部と反対の側に、上記開口部に上記半導体光素子の光学部が対向するように配置され、
上記モールド部は、非透光性モールド樹脂からなり、さらに上記サブマウントを封止し、
上記リードフレームは、上記モールド部により、上記リードフレームの他方の面側の上記開口部を露出させた状態で、少なくとも上記リードフレームの一方の面を封止されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記非透光性モールド樹脂がフィラーを７０重量％以上含有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記サブマウントに上記半導体光素子の表面電極と電気的に接続する電極が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項８】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記サブマウントと上記半導体光素子の光学部との界面が透光性樹脂で満たされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の光半導体装置において、
上記サブマウントに設けられた上記電極に切り欠きを設けたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項１０】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記サブマウントにレンズが設けられ、上記レンズが上記リードフレームの開口部内に配置されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１１】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記リードフレームに配置され、上記半導体光素子と電気的に接続された信号処理用集積回路を備えたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光半導体装置において、
上記半導体光素子が受光素子であり、上記信号処理用集積回路が上記受光素子の出力信号を増幅する増幅用集積回路であり、
上記受光素子と上記増幅用集積回路が１つのチップに含まれていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の光半導体装置において、
上記半導体光素子が発光素子と受光素子であり、
上記信号処理用集積回路が上記発光素子を駆動する駆動用集積回路と上記受光素子の出力信号を増幅する増幅用集積回路とからなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の光半導体装置において、
上記駆動用集積回路と上記増幅用集積回路が１つのチップに含まれていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１に記載の光半導体装置において、
上記信号処理用集積回路は、動作状態に係る情報を出力するための出力外部接続端子または制御情報を入力するための入力外部接続端子の少なくとも一方を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項１６】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部は、上記リードフレームの他方の面のほぼ全面が露出するように設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の光半導体装置において、
上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部は、上記リードフレームの他方の面に、上記モールド部の上記リードフレームの一方の面側との間に上記リードフレームを挟むように設けられた係止部を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項１８】
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部は、上記開口部を露出させる穴部を除いて上記リードフレームの他方の面を覆っており、
上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部の上記穴部は、開口から上記リードフレームの開口部側に向かって狭くなる形状であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の光半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体光素子を有する光半導体装置およびそれを用いた電子機器に関し、特に、光ファイバを伝送媒体として光信号を送受信する光通信リンク等に利用される光半導体装置およびそれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)やフォトダイオード(ＰＤ：Photo Diode)等の半導体光素子と光ファイバとを結合させる光半導体装置が知られており、機器間や家庭内、自動車内での光通信に利用されている。
【０００３】
これらの光半導体装置としては、図１３に示すように透光性樹脂のトランスファ成形を利用して作製されたものが広く使用されている。図１３に示した光半導体装置１０１は、リードフレーム１０４上に配置された半導体光素子１０３を透光性樹脂１１０で封止し、その透光性樹脂１１０で形成されたレンズ１０８により半導体光素子１０３と光ファイバ１０２とを光学的に結合させるものである。上記半導体光素子１０３は、リードフレーム１０４とワイヤー１０５により電気的に結合されている。また、上記半導体光素子１０３を駆動・制御するための半導体素子がリードフレーム１０４に搭載されている場合もある。このようなトランスファ成形を利用した光半導体装置は、例えば、ガラスレンズを使用した光半導体装置と比較すると安価で作製が容易であるという特長を有している。
【０００４】
一方、樹脂モールド材料にフィラーを添加することにより、線膨張係数や熱伝導率を調整できることが知られており、光学特性を必要としない半導体素子ではフィラーが添加されたモールド樹脂(通常は黒色)により封止が行われている。上述した透光性樹脂１１０を用いた光半導体装置１０１では、光学特性を重視するためにフィラーの添加が困難(もしくは少量しか添加できない)であることから、耐環境性(耐熱衝撃や放熱性等)に課題があった。
【０００５】
このため、図１４に示すように、光半導体装置の構成を工夫し、フィラーが添加された着色モールド樹脂により封止することができる光半導体装置が提案されている(例えば、特開２０００−１７３９４７号公報(特許文献１)参照)。図１４に示した光半導体装置２０１では、半導体光素子２０３の光学部２０６のみにガラスレンズ２０８を貼付け、リードフレーム２０４に実装し、半導体光素子２０３の光学部２０６の周囲にある電極とリードフレーム２０４とをワイヤー２０５により電気的に結合させている。その後、フィラーが添加された着色モールド樹脂２０９によりトランスファ成形することにより、半導体光素子２０３に光が入出射する光路を着色モールド樹脂２０９により遮蔽することなく、半導体光素子２０３やワイヤー２０５を着色モールド樹脂２０９で封止することを可能としている。
【０００６】
しかしながら、上記光半導体装置は、図１４に示すように、光学部２０６にガラスレンズ２０８を搭載してその一部を含むように樹脂封止する構造としているが、実際にこの構造で樹脂封止する手段が特許文献１には開示されていない。一般的にトランスファ成型に用いる樹脂は、粒子が細かく、数μｍの隙間から樹脂が漏れる現象が生じるため、このような特許文献１に記載された構造を実現することは困難であると考えられる。また、ＣＣＤのように比較的サイズが大きい(数ｍｍ〜数十ｍｍ角)半導体光素子を使用する場合は、光学部にガラスレンズを配置することが可能であるが、ＬＥＤのようにサイズが小さい(数百μｍ角)半導体光素子では光学部が非常に小さいことから、ガラスレンズも非常に小さいものを使用する必要があり、(i)光学的に効果が得られるレンズの設計が困難であるという問題や、(ii)微小なガラスレンズの作製が困難であるという問題、および、(iii)光学部とガラスレンズとの接合・位置合わせが困難であるという問題がある。また、半導体光素子の光学部より大きいガラスレンズを使用した場合、半導体光素子の光学部に近接した電極にもガラスレンズが接合されるため、ワイヤーボンディングが行えなくなる。
【０００７】
上記光半導体装置には、樹脂レンズを使用する方法も開示されているが、ＬＥＤ等のサイズが小さい半導体光素子を利用する場合には光学部が小さく、同様の理由により対応が困難である。更に、樹脂レンズを使用する場合は、レンズの耐熱性の問題から、着色モールド樹脂による成形を行った後に樹脂レンズを取り付ける必要があるが、半導体光素子の光学部に着色樹脂が回り込まないように、半導体光素子の光学部と金型を圧接もしくは微小ギャップで保持する必要があり、半導体光素子の損傷や高精度での金型管理(およびリードフレームの変形防止)が必要となるため、作製が困難である。特にＬＥＤのようにサイズが小さい半導体光素子では、ワイヤーを保護しつつ光学部に着色モールド樹脂が回り込まないように管理することは非常に困難である。
【０００８】
また、一般的に透光性モールド樹脂と半導体光素子、リードフレームおよびボンディングワイヤーの線膨張係数に差異があるため、高動作温度範囲では、ボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等が発生していた。
【０００９】
さらに、透光性モールド樹脂の熱伝導率は、約0.17W/m・Kであって、金属（例えば銅材は365 W/m・K）比較して非常に小さいので、半導体光素子で生じる熱を拡散しにくくしており、高温での動作範囲を制限されるなど信頼性の高い光半導体装置を作製するのが非常に困難である。
【特許文献１】特開２０００−１７３９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、この発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、簡単な構成で耐環境性に優れた信頼性の高い光半導体装置が得られると共に、高い結合効率で小型化と低価格化を両立させることができ、ＬＥＤやＰＤ等のサイズの小さい半導体光素子を利用することが可能な光半導体装置およびそれを用いた電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、この発明の光半導体装置は、
リードフレームと、
このリードフレームに搭載されると共にこのリードフレームに（ワイヤーを介して）電気的に接続された半導体光素子と、
上記リードフレームとは離間して、上記半導体光素子の近傍に配置された放熱用フレームと、
上記リードフレームの一部、上記放熱用フレームの少なくとも一部、および、上記半導体光素子を封止するモールド樹脂からなるモールド部と
を備えることを特徴としている。
【００１２】
この発明の光半導体装置によれば、上記リードフレームとは離間（独立）して、上記半導体光素子の近傍に配置された上記放熱用フレームを備えるので、上記半導体光素子から放出される熱を、上記放熱用フレームを通じて、上記モールド部の全体に拡散させることができる。そして、上記モールド部のほぼ全面に熱が拡散して、上記モールド部から空気（外気）へ熱が拡散されやすくなり、発熱源となる上記半導体光素子の内部に熱が蓄積することなく、動作される。特に、上記半導体光素子が、チップサイズが小さく、局所的に熱が発生する発光素子である場合に、効果が大きくなる。すなわち、ＰＤやＬＥＤのようにサイズの小さい半導体光素子を用いた場合でも、簡易な構成により、この半導体光素子から発熱される熱を、上記モールド部のほぼ全面に拡散させて、上記モールド部のほぼ全面から空気へ放熱させることができる。
【００１３】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記放熱用フレームは、この放熱用フレームの周縁が上記モールド部の周縁に接近するような大きさである。
【００１４】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記放熱用フレームの放熱面積が、大きくなり、上記放熱用フレームが、上記モールド部の広域に配置されるので、上記半導体光素子から放出される熱を、一層確実に外気へ拡散できる。
【００１５】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記放熱用フレームは、上記モールド部の外形に沿った形状であって、上記モールド部の表面からほぼ一定の距離にある。
【００１６】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記放熱用フレームの熱を、上記モールド部の表面から一様に外気へ放出できて、上記半導体光素子から放出される熱を、効率良くかつ迅速に、取り除くことができる。
【００１７】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記半導体光素子は、上記半導体光素子の光学部と反対側の上記半導体光素子の面が、上記リードフレームに対向するように配置され、
上記放熱用フレームは、上記半導体光素子に関して、上記リードフレームと反対側に位置し、かつ、上記放熱用フレームに設けられた孔部は、上記半導体光素子の上記光学部を含む領域に対向し、
上記モールド樹脂は、透光性を有する。
【００１８】
ここで、上記半導体光素子の上記光学部とは、例えば、上記半導体光素子の光が出射する部分、あるいは、上記半導体光素子の光を受光する部分のことをいい、例えば、上記半導体光素子がＬＥＤである場合は、上記光学部とは発光面をいい、上記半導体光素子がＰＤである場合は、上記光学部とは受光面をいう。
【００１９】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記放熱用フレームは、上記半導体光素子の上記光学部側に位置しているので、上記半導体光素子から放出される熱を、確実に取り除くことができる。また、上記透光性のモールド部を用いているので、製造が簡単になる。
【００２０】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記リードフレームに搭載されると共に上記半導体光素子と電気的に接続された信号処理用集積回路を備え、
この信号処理用集積回路は、上記リードフレームと上記放熱用フレームとの間に位置している。
【００２１】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記リードフレームと上記放熱用フレームとの間に上記信号処理用集積回路を備えるので、上記放熱用フレームを介して、上記信号処理用集積回路から発熱される熱を確実に取り除くことができる。
【００２２】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記半導体光素子と上記信号処理用集積回路が１つのチップに含まれている。
【００２３】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記半導体光素子と上記信号処理用集積回路が１チップ化されているので、上記半導体光素子と上記信号処理用集積回路との間のワイヤーが不要になり、浮遊容量が低減されて、高速応答が可能となると共に電磁ノイズの影響を受けにくくなる。また、チップ数が低減されるため、製造が容易となり、低コスト化が可能となる。
【００２４】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記リードフレームは、厚さ方向に貫通した開口部を有し、
このリードフレームの一方の面に配置され、このリードフレームの開口部を塞ぐ透光性を有するサブマウントを備え、
さらに、
上記半導体光素子は、上記サブマウントの上記リードフレームの開口部と反対の側に、上記開口部に上記半導体光素子の光学部が対向するように配置され、
上記モールド部は、非透光性モールド樹脂からなり、さらに上記サブマウントを封止し、
上記リードフレームは、上記モールド部により、上記リードフレームの他方の面側の上記開口部を露出させた状態で、少なくとも上記リードフレームの一方の面を封止されている。
【００２５】
この一実施形態の光半導体装置によれば、少なくとも上記リードフレームの一方の面と半導体光素子およびサブマウントを非透光性モールド樹脂からなるモールド部により封止し、リードフレームの他方の面側の開口部を露出させた状態で、例えば上記半導体光素子が受光素子である場合、上記リードフレームの厚さ方向に貫通した開口部を介して入射した光は、上記透光性を有するサブマウントを通過して、上記サブマウントの上記リードフレームの開口部と反対の側に配置された上記半導体光素子の光学部(受光面)に入射する。一方、上記半導体光素子が発光素子である場合、上記半導体光素子の光学部(出射面)から出射された光は、上記透光性を有するサブマウントを通過して、上記リードフレームの開口部を介して出射される。したがって、簡易な構成により、非透光性のモールド樹脂により半導体光素子やワイヤーの封止が確実にでき、高温度での動作範囲拡大を実現し、かつ、耐環境性に優れた信頼性の高い光半導体装置を実現できる。また、高い結合効率で小型化と低価格化を両立させることができ、ＬＥＤやＰＤ等のサイズの小さい半導体光素子を利用することができる。
【００２６】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記非透光性モールド樹脂がフィラーを７０重量％以上含有する。
【００２７】
この一実施形態の光半導体装置によれば、フィラーを７０重量％以上含有する非透光性モールド樹脂をモールド部に用いることによって、半導体光素子とリードフレームおよびボンディングワイヤーの線膨張係数に差異を小さくすることが可能であり、ボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等が発生しない、信頼性の高い光半導体装置を作製することができる。
【００２８】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記サブマウントに上記半導体光素子の表面電極と電気的に接続する電極が設けられている。
【００２９】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記半導体光素子をサブマウントに実装するときに電極を同時に接合することにより、半導体光素子とサブマウントを簡単に電気的に接続することが可能となり、光半導体装置の小型化、省スペース化が実現できる。
【００３０】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記サブマウントと上記半導体光素子の光学部との界面が透光性樹脂で満たされている。
【００３１】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記半導体光素子と上記サブマウントの間に空気層が存在しないため、光結合効率の高い光半導体装置が実現できる。
【００３２】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記サブマウントに設けられた上記電極に切り欠きを設けている。
【００３３】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記サブマウントと半導体光素子の光学部との界面に透光性樹脂で満たすときに、上記サブマウントの電極に設けた切り欠きを用いて透光性樹脂を導くことによって、容易に透光性樹脂を充填可能である。
【００３４】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記サブマウントにレンズが設けられ、上記レンズが上記リードフレームの開口部内に配置されている。
【００３５】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記サブマウントに設けられたレンズによって、光ファイバと半導体光素子の結合効率を高くすることが可能である。
【００３６】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記リードフレームに配置され、上記半導体光素子と電気的に接続された信号処理用集積回路を備えている。
【００３７】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記半導体光素子と信号処理用集積回路を１パッケージにて作製することが可能であり、小型化、省スペース化が実現できる。
【００３８】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記半導体光素子が受光素子であり、上記信号処理用集積回路が上記受光素子の出力信号を増幅する増幅用集積回路であり、
上記受光素子と上記増幅用集積回路が１つのチップに含まれている。
【００３９】
この一実施形態の光半導体装置によれば、受光素子と増幅用集積回路との間のワイヤーが不要になり、浮遊容量が低減されて高速応答が可能となる。また、チップ数が低減されるため、製造が容易となり、低コスト化が可能となる。
【００４０】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記半導体光素子が発光素子と受光素子であり、
上記信号処理用集積回路が上記発光素子を駆動する駆動用集積回路と上記受光素子の出力信号を増幅する増幅用集積回路とからなる。
【００４１】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子と受光素子を非透光性モールド樹脂で別々に覆うことによって、安易な構成で迷光ノイズの影響を排除でき通信品質の高い通信が可能となると共に、小型化も実現できる。
【００４２】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記駆動用集積回路と上記増幅用集積回路が１つのチップに含まれている。
【００４３】
この一実施形態の光半導体装置によれば、チップ数が低減されるため、製造が容易となり、低コスト化が可能となる。
【００４４】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記信号処理用集積回路は、動作状態に係る情報を出力するための出力外部接続端子または制御情報を入力するための入力外部接続端子の少なくとも一方を有する。
【００４５】
この一実施形態の光半導体装置によれば、出力外部接続端子からの出力信号や入力外部接続端子からの入力信号により、信号処理回路の動作の制御が可能となり、高機能および通信品質の高い通信が可能となる。
【００４６】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部は、上記リードフレームの他方の面のほぼ全面が露出するように設けられている。
【００４７】
この一実施形態の光半導体装置によれば、製造が安易な構成でコストを低減できると共に、小型化が実現できる。
【００４８】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部は、上記リードフレームの他方の面に、上記モールド部の上記リードフレームの一方の面側との間に上記リードフレームを挟むように設けられた係止部を有する。
【００４９】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記モールド部のリードフレームの一方の面側と係止部との間にリードフレームを挟みこむことによって、非透光性モールド樹脂とリードフレームの係止を確実にでき、信頼性が高くまた、小型化が実現できる。
【００５０】
また、一実施形態の光半導体装置では、上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部は、上記開口部を露出させる穴部を除いて上記リードフレームの他方の面を覆っており、
上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部の上記穴部は、開口から上記リードフレームの開口部側に向かって狭くなる形状である。
【００５１】
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記非透光性モールド樹脂からなるモールド部の穴部によって、この光半導体装置と光ファイバの位置決めが容易かつ確実になるため、通信品質の高い通信が可能となる。また、別途位置決め手段を設ける必要がないため、小型化が実現できる。さらに、光ファイバの位置決めがより確実になると共に、開口から上記リードフレーム側に向かって狭くなって光を集光させるような形状の穴部にすることによって、例えば上記半導体光素子が受光素子の場合に入力光に対する誘い込みが容易になり、受光効率が向上する。
【００５２】
また、この発明の電子機器は、光半導体装置を用いたことを特徴とする。
【００５３】
この発明の電子機器によれば、上記光半導体装置を用いることによって、信頼性を向上できると共に、小型化、低コスト化が実現できる。
【発明の効果】
【００５４】
以上より明らかなように、この発明の光半導体装置によれば、ＰＤやＬＥＤのようにサイズの小さい半導体光素子を用いた場合でも、簡易な構成により、
この半導体光素子から発熱される熱を、モールド樹脂のほぼ全面に拡散させて、このモールド樹脂のほぼ全面から空気へ放熱させることができる。また、耐環境性に優れた非透光性モールド樹脂により半導体光素子やワイヤーの封止が可能となり、安価で耐環境性に優れた信頼性の高い小型の光半導体装置を得ることができる。また、リードフレームの開口部やサブマウントに集光機能(レンズなど)を付与することにより光結合効率の改善が可能となる。
【００５５】
さらに、受光素子と増幅用集積回路を１チップ化したことにより、受光素子と増幅用集積回路との間のワイヤーが不要になり、浮遊容量が低減され高速応答が可能となる。また、チップ数が低減となるため、製造が容易となり、低コスト化が可能となる。
【００５６】
さらに、発光素子、受光素子、発光素子の駆動用集積回路、受光素子の増幅用集積回路を１パッケージにし、非透光性モールド樹脂で封止することにより、複雑な機構なしに迷光ノイズの影響を排除でき、通信品質の高い通信が可能となると共に、小型化も実現できる。
【００５７】
さらに、発光素子の駆動用集積回路および受光素子の増幅用集積回路に動作状態に係る情報と制御情報の授受を行うための出力外部接続端子または入力外部接続端子の少なくとも一方を内蔵しているため、高機能および通信品質の高い通信が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００５９】
（第１実施形態）
図１は、本発明の光半導体装置の第１実施形態の概略的な構成を示す断面模式図を示し、図２は、上記光半導体装置を光ファイバ２側から見た正面図を示している。
【００６０】
図１と図２に示すように、上記光半導体装置１ａは、リードフレーム４と、このリードフレーム４に搭載されると共にこのリードフレーム４にワイヤー５を介して電気的に接続された半導体光素子３および信号処理用集積回路の一例としての信号処理回路(半導体素子)１４と、上記リードフレーム４とは離間して、上記リードフレーム４と共に上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４を挟むように上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４の近傍に配置された放熱用フレーム１５と、上記リードフレーム４、上記放熱用フレーム１５、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４を封止する透光性モールド樹脂からなるモールド部１１とを備える。
【００６１】
上記リードフレーム４および上記放熱用フレーム１５は、例えば、導電性金属材料からなる。上記モールド部１１は、例えば、絶縁性および熱硬化性を有するエポキシ樹脂からなる。
【００６２】
上記半導体光素子３は、この半導体光素子３の光学部６が、上記放熱用フレーム１５に対向し、かつ、この半導体光素子３の光学部６の反対側が、上記リードフレーム４に対向するように配置される。
【００６３】
上記放熱用フレーム１５は、少なくとも上記半導体光素子３の光学部６の正面（最短距離）に対向する領域に、厚さ方向に貫通した孔部１５ａを有する。上記透光性のモールド部１１の表面には、上記孔部１５ａに対向する位置に、レンズ９が設けられている。
【００６４】
ここで、光学部６とは、半導体光素子３の光を出射する部分あるいは光を受光する部分のことを表し、例えば、ＬＥＤでは発光面を表し、ＰＤでは受光面のことを表す。
【００６５】
上記放熱用フレーム１５は、この放熱用フレーム１５の周縁が上記モールド部１１の周縁に接近するような大きさである。また、上記放熱用フレーム１５は、上記モールド部１１の外形に沿った形状であって、上記モールド部１１の表面からほぼ一定の距離にある。
【００６６】
そして、上記半導体光素子３は、上記モールド部１１、上記放熱用フレーム１５の孔部１５ａ、および、上記レンズ９を介して、光ファイバ２と光学的に結合される。
【００６７】
次に、上記光半導体装置１ａの製法を説明すると、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４が実装されたリードフレーム４を、透光性のモールド樹脂にて、トランスファーモールドする際に、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４と電気的に接続されていない上記放熱用フレーム１５を、同時に封止する。そして、封止後、成型された樹脂部（モールド部１１）から突出した不要部分を切断する。
【００６８】
この実施形態では、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４と電気的に接続されていない上記放熱用フレーム１５を用いることとしているが、成型後に、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４と電気的に接続されることになっても構わない。
【００６９】
上記構成の光半導体装置によれば、上記放熱用フレーム１５は、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４に近接して配置されるので、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４から放出される熱を、上記放熱用フレーム１５を通じて、上記モールド部１１全体に熱を拡散させる。そして、上記モールド部１１のほぼ全面に熱が拡散し、上記モールド部１１から空気へ熱が拡散されやすくなって、発熱源となる上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４の内部に熱が蓄積することなく、動作される。特に、上記半導体光素子３が、チップサイズが小さく、局所的に熱が発生する発光素子である場合は、効果が大きくなる。
【００７０】
また、上記放熱用フレーム１５の放熱面積は大きくて、上記放熱用フレーム１５は上記モールド部１１の広域に配置されるので、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４から放出される熱を、一層確実に外気へ拡散できる。
【００７１】
また、上記放熱用フレーム１５は、上記モールド部１１の外形に沿って、上記モールド部１１の表面からほぼ一定の深さにあるので、上記放熱用フレーム１５の熱を、上記モールド部１１の表面から一様に外気へ放出できて、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４から放出される熱を、効率良くかつ迅速に、取り除くことができる。
【００７２】
なお、図示しないが、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４が１チップ化されていてもよく、上記半導体光素子３と上記信号処理回路１４との間のワイヤーが不要になり、浮遊容量が低減されて、高速応答が可能となると共に電磁ノイズの影響を受けにくくなる。また、チップ数が低減されるため、製造が容易となり、低コスト化が可能となる。
【００７３】
また、図示しないが、上記放熱用フレーム１５における上記半導体光素子３と反対側の面が、上記モールド部１１から露出するようにしてもよく、製造が安易な構成でコストを低減できると共に、小型化が実現できる。
【００７４】
（第２実施形態）
図３は、本発明の光半導体装置の第２実施形態の概略的な構成を示す断面模式図を示し、図４は、上記光半導体装置を光ファイバ２側から見た正面図を示している。
【００７５】
以下、この第２実施形態の光半導体装置１ｂが上記第１実施形態の光半導体装置１ａと異なる点を、特に、説明する。
【００７６】
この第２実施形態の光半導体装置１ｂでは、図３と図４に示すように、上記リードフレーム４は、厚さ方向に貫通した開口部４ａを有し、このリードフレーム４の一方の面に配置され、このリードフレーム４の開口部４ａを塞ぐ透光性を有するサブマウント８（例えば、ガラスサブマウント）を備える。
【００７７】
さらに、上記半導体光素子３は、上記サブマウント８の上記リードフレーム４の開口部４ａと反対側に、上記開口部４ａに上記半導体光素子３の光学部６が対向するように配置される。
【００７８】
モールド部１０は、非透光性モールド樹脂からなり、さらに上記サブマウント８を封止する。上記リードフレーム４は、上記モールド部１０により、上記リードフレーム４の他方の面側の上記開口部４ａを露出させた状態で、少なくとも上記リードフレーム４の一方の面を封止されている。
【００７９】
上記放熱用フレーム１５は、上記半導体光素子３の光学部６の反対側に対向すると共に、上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４から放出される熱を、上記放熱用フレーム１５を通じて、上記非透光性のモールド部１０全体に拡散させるように、上記モールド部１０内で上記半導体光素子３および上記信号処理回路１４に近接して配置される。
【００８０】
上記半導体光素子３は、上記光学部６が上記リードフレーム４に対向するように通常とは逆向き（フェースダウン配置）に、上記サブマウント８に電気的に導通した状態で接着されている。
【００８１】
上記サブマウント８には、上記半導体光素子３の（図示しない）表面電極と電気的に接合できるように、（図示しない）電極が設けられている。上記サブマウント８の電極と半導体光素子３の電極との電気的接合は、金―すず共晶接合や、Ａｇペースト、Ａｕバンプ等で行われる。
【００８２】
ここで、上記サブマウント８と上記半導体光素子３とを電気的接合を行った場合、上記サブマウント８と上記半導体光素子３との間に空気の層が発生する。このような空気の層が発生した場合、上記半導体光素子３が発光素子の場合、この発光素子からの取り出し効率（送信効率）の低下が起こり、また、上記半導体光素子３が受光素子の場合、この受光素子の結合効率（受信効率）の低下が起こる。
【００８３】
そこで、この光半導体装置１ｂでは、上記サブマウント８と上記半導体光素子３との間の界面に、透光性樹脂部７を満たし、空気の層の発生を防ぎ、送信効率および受信効率の低下を防ぐ構造となっている。この透光性樹脂部７としては、シリコーンやエポキシ樹脂等を使用する。
【００８４】
上記サブマウント８に設けられたレンズ９は、発光素子における送信効率または受光素子における受信効率の向上のために設けられており、上記サブマウント８と一体で作製されても良いし、別途接着にて作製されても良い。上記レンズ９は、上記リードフレーム４の開口部４ａ内に配置されている。
【００８５】
上記半導体光素子３の裏面電極と上記信号処理回路１４をワイヤー５を介して電気的に接続し、上記サブマウント８と上記リードフレーム４をワイヤー５を介して電気的に接続し、上記信号処理回路１４と上記リードフレーム４をワイヤー５を介して電気的に接続し、上記リードフレーム４間をワイヤー５を介して電気的に接続している。
【００８６】
上記半導体光素子３、上記ワイヤー５および上記信号処理回路１４は、フィラーが７０重量％以上添加されてワイヤー５の線膨張係数と大きく変わらず、かつ、高い熱伝導率を有する耐環境性に優れた上記非透光性のモールド部１０により覆われており、ボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等が発生しない、信頼性の高い光半導体装置を作製することができる。
【００８７】
上記モールド部１０は、上記リードフレーム４における上記半導体光素子３が配置されている面とは逆側の面（表面）の開口部４ａを除く部分を封止している。このモールド部１０は、上記開口部４ａを露出させる穴部１０ａを除いて上記リードフレーム４の他方の面を覆っており、このモールド部１０の上記穴部１０ａは、開口から上記リードフレーム４の開口部４ａ側に向かって狭くなる形状である。
【００８８】
このように、上記モールド部１０の穴部１０ａによって、上記光半導体装置１ｂと上記光ファイバ２の位置決めが容易かつ確実になるため、通信品質の高い通信が可能となる。また、別途位置決め手段を設ける必要がないため、小型化が実現できる。さらに、上記光ファイバ２の位置決めがより確実になると共に、開口から上記リードフレーム４側に向かって狭くなって光を集光させるような形状の穴部１０ａにすることによって、例えば、上記半導体光素子３が受光素子の場合に、入力光に対する誘い込みが容易になり、受光効率が向上する。
【００８９】
そして、上記半導体光素子３は、上記透光性樹脂部７、上記サブマウント８、上記レンズ９、上記リードフレーム４の開口部４ａおよび上記モールド部１０の穴部１０ａを介して、上記光ファイバ２と光学的に結合される。
【００９０】
図５Ａは、上記サブマウント８の電極側から見た図であり、図５Ｂは上記サブマウント８の側面図である。図５Ａと図５Ｂに示すように、上記サブマウント８の一方の面に半導体光素子(図示せず)の表面電極と電気的に接続される電極２０が設けられており、この電極２０には、半導体光素子の光学部(すなわち発光部、受光部)を塞がないように、略円形の光路用穴２１と、左方向と右方向に向かって夫々広がる略三角形の切り欠き２２とが設けられている。
【００９１】
そして、半導体光素子の表面電極とサブマウント８の電気的接続の際に、まず、透光性樹脂を光路用穴２１に充填しておき、半導体光素子の表面電極とサブマウント８の電気的接続を行い、半導体光素子とサブマウント８の間に透光性樹脂の充填を行う。このとき、光路用穴２１に充填された透光性樹脂は、余分な量が切り欠き２２側に導かれて広がり、充填が確実に行われる。
【００９２】
また、図６は、電極形状の異なる場合のサブマウント８Ａの電極側から見た図である。図６に示すように、サブマウント８Ａの一方の面に半導体光素子(図示せず)の表面電極と電気的に接続される電極２０Ａが設けられており、電極２０Ａには、半導体光素子の光学部(すなわち発光部、受光部)を塞がないように、光路用穴２１Ａと切り欠き２２Ａが設けられている。
【００９３】
そして、半導体光素子の表面電極とサブマウント８Ａの電気的接続を行うとき、透光性樹脂を光路用穴２１Ａもしくは切り欠き２２Ａより充填を行い、半導体光素子とサブマウント８Ａの間に透光性樹脂の充填を行う。このとき、光路用穴２１Ａに充填された透光性樹脂は、余分な量が切り欠き２２Ａ側に導かれて広がり、充填が確実に行われる。
【００９４】
なお、図示しないが、上記サブマウントの電極に、上記切り欠きを設けず、光路用穴のみを設けるようにしてもよい。
【００９５】
また、図７は他の光半導体装置の断面模式図である。この図７に示す光半導体装置１ｃは、モールド部を除いて図３に示す光半導体装置１ｂと同一の構成をしており、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。
【００９６】
図７に示すように、非透光性のモールド樹脂からなるモールド部１０がリードフレーム４の開口部４ａの面（他方の面）に回り込まない構造でもよい。図７の光半導体装置１ｃは、リードフレーム４の表面側全面をトランスファ成型金型により押さえ、モールド樹脂からなるモールド部１０がリードフレーム４の表面側に回り込むことを防止する。
【００９７】
このように、上記モールド部１０は、上記リードフレーム４の他方の面のほぼ全面が露出するように設けられているので、光半導体装置の小型化、省スペース化が実現できる。
【００９８】
また、図７中の仮想線にて示すように、上記モールド部１０は、上記リードフレーム４の他方の面に、上記モールド部１０の上記リードフレーム４の一方の面側との間に上記リードフレーム４を挟むように設けられた係止部１０ｂを有するようにしてもよい。この構造により、上記モールド部１０と上記リードフレーム４の係止を確実にでき、信頼性が高くまた、小型化が実現できる。
【００９９】
（第３実施形態）
図８は、本発明の光半導体装置の第３実施形態の概略的な構成を示す断面模式図を示している。
【０１００】
この第３実施形態の光半導体装置１ｄが上記第２実施形態（図３）の光半導体装置１ｂと異なる点は、半導体光素子３が受光素子の場合において、受光素子と信号処理回路１４(図４に示す)である増幅用集積回路とを１チップ化したＩＣ１３を実装した点である。
【０１０１】
上記１チップ化したＩＣ１３は、第２実施形態の半導体光素子３の位置に実装している。他の点については、実装方法および構造は第２実施形態と同様であり、第２実施形態の光半導体装置と同一の構成をしており、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１０２】
この第３実施形態においても、簡易な構成により、フィラーが添加された耐環境性に優れた非透光性のモールド樹脂からなるモールド部１０により、ＩＣ１３、ワイヤー５および放熱用フレーム１５等の封止が可能となり、安価で耐環境性に優れた光半導体装置１ｄを得ることができる。
【０１０３】
さらに、上記光半導体装置１ｄは、受光素子と増幅用集積回路を１チップ化ＩＣ１３としたことにより、受光素子と増幅用集積回路との間のワイヤーが不要になり、浮遊容量が低減されて高速応答が可能となると共に電磁ノイズの影響を受けにくくなる。また、チップ数が低減されるため、製造が容易となり、低コスト化が可能となる。
【０１０４】
(第４実施形態)
図９は、本発明の光半導体装置の第４実施形態の概略的な構成を示す断面模式図であり、図１０は、上記光半導体装置１ｅを光ファイバ２側から見た正面図である。
【０１０５】
この第４実施形態の光半導体装置１ｅが上記第２実施形態（図３）の光半導体装置１ｂと異なる点は、１パッケージに、発光素子３bと、受光素子３aと、発光素子３bの駆動用集積回路および受光素子３aの増幅用集積回路のＩＣ１４とが、実装されている点である。その他については、上記第２実施形態と同様である。
【０１０６】
上記第４実施形態の光半導体装置１ｅにおいて、１パッケージに発光素子３bと受光素子３aおよびＩＣ１４が実装されているため、１パッケージにて送受信器の構成が可能となる。
【０１０７】
一般に、１パッケージにて送受信器の構成にすると、パッケージ内での光反射により発光素子３ｂの送信光が受光素子３aに結合され、ノイズ(迷光ノイズ)成分となり、誤動作および通信品質の低下をまねくことがある。迷光ノイズを防ぐために、遮光板等を実装する必要があり製造も困難となり、引いては製造コストも高くなる。
【０１０８】
これに対して、第４実施形態の光半導体装置１ｅでは、非透光性のモールド樹脂からなるモールド部１０を使用するため、パッケージ内での光反射がなく、発光素子３bの送信光が、受光素子３aに結合されることがない。そのため、迷光ノイズが発生せず、複雑な機構無しに迷光ノイズの影響を排除でき、かつ、搭載チップが増えて発熱量が増加しても、放熱用フレーム１５を内蔵することで、モールド部１０のほぼ全面に熱を拡散できて、通信品質の高い通信が可能となると共に小型化も実現できる。
【０１０９】
なお、図９において、信号処理回路である発光素子の駆動用集積回路および受光素子の増幅用集積回路を１チップとしたが、それぞれ別のチップ構成としてもよい。また、上記第３実施形態のように、受光素子と受光素子の増幅用集積回路を１チップとし、発光素子の駆動用集積回路を別途設けた構造でもよい。
【０１１０】
以上のように、上記第４実施形態で示した光半導体装置１ｅは、ＰＤとＬＥＤのようにサイズの小さい半導体光素子３ａ，３ｂを用いた光送受信器の構成とした場合でも、簡易な構成により、フィラーが添加された耐環境性に優れた非透光性のモールド樹脂からなるモールド部１０により半導体光素子３ａ，３ｂやワイヤー５の封止が可能となり、安価で耐環境性に優れた光半導体装置１ｅを得ることができる。
【０１１１】
(第５実施形態)
この発明の第５実施形態は、第４実施形態の発光素子の駆動用集積回路および受光素子の増幅用集積回路に動作状態に係る情報と制御情報の授受を行うための出力外部接続端子および入力外部接続端子を内蔵している点である。その他の点については、第４実施形態と同様である。
【０１１２】
図１１にこの第５実施形態の光半導体装置の発光素子の駆動用集積回路の一例としての発光素子駆動回路５０の構成を示す。上記発光素子駆動回路５０は、発光素子駆動回路部５１と入力信号検出回路部５２および発光素子駆動電流制御回路部５３で構成されており、１チップ化された構造である。入力信号検出回路部５２は、送信信号が入力されたことを検出し、出力する機能を有している。本検出信号出力からの信号により、発光素子駆動回路部５１を入力信号が無い場合に待機状態にし、入力信号を検出した後に発光素子駆動回路部５１を動作状態にすることが可能である。図１１において、符号５４は発光素子駆動電流制限信号入力端子、符号５５は送信信号入力端子、符号５６はＬＥＤ駆動信号出力端子、符号５７は入力信号受信検出出力端子である。上記符号５４，５５は、入力外部接続端子の一例であり、上記符号５６，５７は、出力外部接続端子の一例である。
【０１１３】
このような構成により、待機時における消費電力の低減を行うことが可能となる。また、外部への入力信号受信検出出力端子５７を設けることで、その他の周辺回路においても、同様に待機時における消費電力の低減を行うことが可能である。
【０１１４】
また、発光素子駆動電流制御回路部５３は、発光素子の駆動電流を外部の発光素子駆動電流制御入力信号で制御する構成である。たとえば、発光素子であるＬＥＤは高温時に光出力が低下する特性がある。この第５実施形態の発光素子駆動電流制御回路部５３を用いて、高温時において駆動電流を増大させ、光出力を増加させ、高温時の光出力低下を低減することが可能であり、通信品質の高い通信が可能となる。
【０１１５】
また、発光素子であるＬＥＤは、光出力のばらつきがあり、また、製造時における実装のばらつきのため、送信器からの光出力にばらつきが生じる。この第５実施形態において、外部より発光素子駆動電流制御信号を入力し、ＬＥＤからの光出力を駆動電流にて制御することが可能であるため、送信器からの光出力をモニタリングして、所定の光出力に合わすことが可能となり、通信品質の高い通信が可能となる。
【０１１６】
さらに、ＩＣの集積化が進み、ＩＣにおける発熱量が増加しても、放熱用フレーム１５を内蔵することで、モールド部のほぼ全面に熱を拡散して、空気への放熱性を高めることができて、より品質の高い装置を実現することが可能となる。
【０１１７】
また、図１２に上記第５実施形態の受光素子の増幅用集積回路のＩＣの構成を示す。上記受光素子増幅回路６０には、受信信号検出回路部６１と受光素子増幅回路部６２で構成されており、１チップ化された構造である。受信信号検出回路部６１は、受信信号が入力されたことを検出し、検出信号を出力する機能を有している。図１２において、符号６３は受信信号入力端子、符号６４は出力信号端子は、符号６５は受信信号検出出力端子である。上記符号６３は、入力外部接続端子の一例であり、上記符号６４，６５は、出力外部接続端子の一例である。
【０１１８】
上記受信信号検出回路部６１からの検出信号により、受信信号増幅回路部６２を受信信号が無い場合に待機状態にし、受信信号を検出した後、受信信号増幅回路部６２を動作状態にすることが可能である。このような構成により、待機時における消費電力の低減を行うことが可能となる。また、外部への受信信号検出出力信号端子を設けることで、その他の周辺回路においても、同様に待機時における消費電力の低減を行うことが可能である。
【０１１９】
以上のように、第５実施形態で示した発光素子駆動回路５０および受光素子増幅回路６０を備えた光半導体装置は、発光素子駆動回路および受光素子増幅回路に動作状態に係る情報および制御情報の授受を行うための出力外部接続端子および入力外部接続端子を内蔵しているため、検出信号および外部からの入力信号により、信号処理回路の動作の制御が可能となり、高機能および通信品質の高い通信が可能となる。
【０１２０】
上記第５実施形態の光半導体装置では、発光素子駆動回路５０は、発光素子駆動回路部５１と入力信号検出回路部５２、発光素子駆動電流制御回路部５３で構成され、送信信号入力の有無を検出し、また、外部より発光素子駆動電流制御信号により、発光素子駆動電流を制御する。上記に加え、受光素子増幅回路６０からの制御信号に基づき、発光素子駆動回路５０は、発光素子駆動電流を制御する等、受発光素子を一体化することで、外部からの制御信号等を介さずに内部の通信のみで自器の制御を実現することが可能となる。
【０１２１】
また、発光素子駆動回路５０には、発光素子駆動回路部５１と入力信号検出回路部５２および発光素子駆動電流制御回路部５３で構成されているが、発光素子駆動回路５０の制御用の論理回路を内蔵していても構わない。
【０１２２】
また、受光素子増幅回路６０には、受信信号検出回路部６１と受光素子増幅回路部６２で構成されているが、受光素子増幅回路６０の制御用の論理回路を内蔵していても構わない。
【０１２３】
本発明の光半導体装置は、デジタルＴＶ(televisionテレビジョン)、デジタルＢＳ(Broadcasting Satellite：ブロードキャスティング・サテライト)チューナ、ＣＳ(Communication Satellite：コミュニケーション・サテライト)チューナ、ＤＶＤ(Digital Versatile Disc：デジタル多用途ディスク)プレーヤー、スーパーオーディオＣＤ(Compact Disc：コンパクト・ディスク)プレーヤー、ＡＶ(Audio Visual：オーディオ・ビジュアル)アンプ、オーディオ、パソコン、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ(Personal Digital Assistant：パーソナル・デジタル・アシスタント)等の電子機器に使用される。また、動作温度範囲の広い環境、例えば車載用機器であるカーオーディオ、カーナビ、センサーや、工場内のロボットのセンサー、制御用機器等の電子機器にも使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の第１実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す正面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す断面模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す正面図である。
【図５Ａ】上記第２実施形態による光半導体装置のサブマウントの概略的な構成を示す底面図である。
【図５Ｂ】上記第２実施形態による光半導体装置のサブマウントの概略的な構成を示す側面図である。
【図６】上記第２実施形態による光半導体装置のサブマウントの他の例の構成を示す底面図である。
【図７】上記第２実施形態のモールド部が異なる他の光半導体装置の概略的な構成を示す断面模式図である。
【図８】本発明の第３実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す断面模式図である。
【図９】本発明の第４実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す断面模式図である。
【図１０】本発明の第４実施形態による光半導体装置の概略的な構成を示す正面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態による光半導体装置の発光素子駆動回路の概略的な構成を示す説明図である。
【図１２】上記光半導体装置の受光素子増幅回路の概略的な構成を示す説明図である
【図１３】従来の光半導体装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図１４】従来の他の光半導体装置の概略的な構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ…光半導体装置
２…光ファイバ
３…半導体光素子
３ａ…受光素子
３ｂ…発光素子
４…リードフレーム
４ａ…開口部
５…ワイヤー
６…光学部
７…透光性樹脂部
８，８Ａ…サブマウント
９…レンズ
１０…非透光性のモールド部
１０ａ…穴部
１０ｂ…係止部
１１…透光性のモールド部
１３…ＩＣ
１４…信号処理回路
１５…放熱用フレーム
１５ａ…孔部
１６…ＩＣ
２０，２０Ａ…電極
２１，２１Ａ…光路用穴
２２，２２Ａ…切り欠き
５０…発光素子駆動回路
５１…発光素子駆動回路部
５２…入力信号検出回路部
５３…発光素子駆動電流制御回路部
６０…受光素子増幅回路
６１…受信信号検出回路部
６２…受光素子増幅回路部
１０１，２０１…光半導体装置
１０２…光ファイバ
１０３，２０３…半導体光素子
１０４，２０４…リードフレーム
１０５，２０５…ワイヤー
２０６…光学部
１０８…レンズ
１１０…透光性樹脂
２０８…ガラスレンズ
２０９…着色モールド樹脂
【図１】
2005217017.tif 000003
【図２】
2005217017.tif 000004
【図３】
2005217017.tif 000005
【図４】
2005217017.tif 000006
【図５Ａ】
2005217017.tif 000007
【図５Ｂ】
2005217017.tif 000008
【図６】
2005217017.tif 000009
【図７】
2005217017.tif 000010
【図８】
2005217017.tif 000011
【図９】
2005217017.tif 000012
【図１０】
2005217017.tif 000013
【図１１】
2005217017.tif 000014
【図１２】
2005217017.tif 000015
【図１３】
2005217017.tif 000016
【図１４】
2005217017.tif 000017