(57)【要約】【課題】  高速伝送を実現する光送受信モジュールを提供する。【解決手段】  発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリ１８２と、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリ１８３と、光送信サブアッセンブリ１８２及び光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板１とを備えた光送受信モジュールにおいて、回路基板１はリジッド部とフレキシブル部とで構成されるリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体２ａ，２ｂと、光受信サブアッセンブリ固定部４とがリジッド部５Ａ，５Ｂ，５Ｐでそれぞれ構成され、回路基板本体２ａと光受信サブアッセンブリ固定部４間がフレキシブル部６Ｐで構成され、回路基板本体２の一部がフレキシブル部６で構成されるものである。【選択図】      図１
2005217284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、前記回路基板はリジッド部とフレキシブル部とで構成されるリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部あるいは光受信サブアッセンブリ固定部とが、前記リジッド部でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部間、あるいは前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリ固定部間が、前記フレキシブル部で構成され、前記回路基板本体の一部が前記フレキシブル部で構成されることを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項２】
発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、前記回路基板はリジッド部とフレキシブル部とで構成されるリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部と、光受信サブアッセンブリ固定部とが、前記リジッド部でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部間、及び前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリ固定部間が、前記フレキシブル部でそれぞれ構成され、前記回路基板本体の一部が前記フレキシブル部で構成されることを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項３】
前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形及び前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する送受信一体型の波形整形ＩＣとが搭載される請求項１または２記載の光送受信モジュール。
【請求項４】
前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバと、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形を整形する送信用の波形整形ＩＣとが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する受信用の波形整形ＩＣとが搭載される請求項１または２記載の光送受信モジュール。
【請求項５】
発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部あるいは光受信サブアッセンブリ固定部とが、リジッド基板でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部とを、あるいは前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリ固定部とをフレキシブル基板で接続したことを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項６】
発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部と、光受信サブアッセンブリ固定部とが、リジッド基板でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部とを、及び前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリとを、フレキシブル基板でそれぞれ接続したことを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項７】
前記回路基板を２つに分割形成し、一方の回路基板と他方の回路基板とを前記フレキシブル基板で接続した請求項５または６記載の光送受信モジュール。
【請求項８】
前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形及び前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する送受信一体型の波形整形ＩＣとが搭載される請求項５〜７いずれかに記載の光送受信モジュール。
【請求項９】
前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバと、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形を整形する送信用の波形整形ＩＣとが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する受信用の波形整形ＩＣとが搭載される請求項５〜７いずれかに記載の光送受信モジュール。
【請求項１０】
前記光送信サブアッセンブリと、前記光受信サブアッセンブリとは、リードの位置やサブアッセンブリ長さが異なる請求項１〜９いずれかに記載の光送受信モジュール。
【請求項１１】
前記光送信サブアッセンブリと、前記光受信サブアッセンブリとは、前記回路基板が組み込まれる筐体内に嵌め込まれて固定される請求項１〜１０いずれかに記載の光送受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信サブアッセンブリと、光受信サブアッセンブリと、光送信サブアッセンブリ及び光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光送受信モジュール（光トランシーバ）は、例えば、図１８に示すような回路基板１８１を備えている。この回路基板１８１は、すべて同一平面となるリジッド基板（柔軟性がなく、硬くて曲がらない基板）で形成される。回路基板１８１の一端には、ＬＤ（半導体レーザ）サブアッセンブリ１８２と、ＰＤ（フォトダイオード）サブアッセンブリ１８３とが固定される。ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３の他端に設けられた各リード１８２Ｒ，１８３Ｒは、半田付けにより、回路基板１８１の一端に形成された各サブアッセンブリ端子１８４にそれぞれ接続されて固定される。
【０００３】
この回路基板１８１は、図示しない筐体に組み込まれる。回路基板１８１の他端側の両側面には、回路基板１８１を筐体にネジ止めして上下方向（図１８では±ｚ方向）に固定するための位置決め用の凹溝１８５がそれぞれ形成される。回路基板１８１の他端には、図示しない通信機器に着脱（挿抜）するためのカードエッジ部１８６が形成され、そのカードエッジ部１８６に通信機器と回路基板１８１とを電気的に接続するための接続端子１８７が形成される。
【０００４】
回路基板１８１は、組み込まれた筐体と共にカードエッジ部１８６が通信機器に−ｙ方向に挿入されることで、回路基板１８１と通信機器とが電気的に接続され、さらにＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３の一端に、図示しない伝送路となる光ファイバを備えた光コネクタがそれぞれ接続されることで、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３と伝送路とがそれぞれ光結合されて使用される。
【０００５】
このため、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３の高さ（光軸の上下位置、図１８では±ｚ方向）と、ＬＤサブアッセンブリ１８２−ＰＤサブアッセンブリ１８３間隔Ｄ（光軸同士の間隔、図１８では幅（±ｘ）方向）とは、予め所定の寸法に決められている。
【０００６】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２９８２１７号公報
【特許文献２】特開平８−１３６７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、回路基板１８１にＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３を実装する際、予め決められた間隔Ｄになるように実装するのは難しい。間隔Ｄで実装したとしても、回路基板１８１はすべて同一平面となるリジッド基板で形成されているので、図１９（ａ）に示すように、回路基板１８１が組み込まれる筐体１９１内の保持部１９２に、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３を嵌め込んで保持固定（完全リジッドではない）した際、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３の高さ、間隔Ｄが決められた寸法に合っていないと、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３に大きなストレスｓが発生するという問題がある。
【０００９】
特に、回路基板１８１と、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３との接続部に大きなストレスｓが集中するので、半田にクラックが発生しやすい。したがって、ＬＤサブアッセンブリ１８２の送信特性やＰＤサブアッセンブリ１８３の受信特性（例えば、受信感度）が劣化する。また、ストレスｓにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３が光軸ズレを起こしたりする。
【００１０】
また、図１９（ｂ）に示すように、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３とでは、形状が変わることにより、リード１８２Ｒ，１８３Ｒの位置が異なる場合もあり、すべてリジッド基板で形成される回路基板１８１では、これらの問題にそもそも対応できない。
【００１１】
ここで、図２０に示すように、ＬＤサブアッセンブリ１８２は、発光素子としてのＬＤ素子をパッケージ内に収納したＬＤ素子モジュール２０１と、そのＬＤ素子モジュール２０１に調芯固定され、上述した光コネクタが接続されるフェルールブロック（キャピラリブロック）２０２とで構成される。
【００１２】
しかし、各種部品精度の積み上げ等の理由で、例えば、±ｘ，ｚ方向および長さ（±ｙ）方向に調芯固定したときに、ＬＤ素子モジュール２０１とキャピラリブロック２０２との中心軸がずれたり、図２１に示すようにサブアッセンブリ長さＬが異なったりするので、ＬＤサブアッセンブリ１８２には調芯された個体毎にバラツキがある。図１８の回路基板１８１では、ＬＤサブアッセンブリ１８２の調芯された個体毎のバラツキに対応できない。
【００１３】
また、筐体１９１（図１９（ａ）参照）に固定した際、ＬＤサブアッセンブリ１８２は、図２２（ａ）に示される最もよい状態では、筐体１９１の水平（±ｘ，ｙ）方向に対して、回路基板１８１と、回路基板１８１に固定されたリード１８２Ｒとが平行になるように固定される。
【００１４】
しかし、ＬＤサブアッセンブリ１８２は、図２２（ｂ）に示されるように、筐体１９１の水平方向に対して、回路基板１８１と共に角度θずれて固定されたり、リード１８２Ｒの位置バラツキにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２のみが角度θずれて固定されることもある。図１８の回路基板１８１では、ＬＤサブアッセンブリ１８２の固定の違いによるバラツキにも対応できない。
【００１５】
ＰＤサブアッセンブリ１８３についても、図２０〜図２２で説明したＬＤサブアッセンブリ１８２と同様の問題がある。
【００１６】
一方、図１８の回路基板１８１は、図示しない通信機器にカードエッジ部１８６を着脱する際、ネジにガタなどがあると、大きな＋ｙ方向の力Ｆ１、−ｙ方向の力Ｆ２を受けるので、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３との接続部にストレスが加わり、半田にクラックが発生しやすいという問題がある。
【００１７】
ところで、図１８の回路基板１８１を備えた光送受信モジュールにおいて、信号伝送速度が１Ｇｂｉｔ／ｓ未満の低速伝送では、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３の径の違い、部品寸法の公差バラツキなどは、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３のリード１８２Ｒ，１８３Ｒを適宜曲げる（フォーミングする）ことで対応できる。
【００１８】
しかし、５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送を実現するためには、回路基板１８１一端と、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３間の伝送距離を最短にする必要があり、特にＬＤサブアッセンブリ１８２側のリードフォーミングは伝送特性が劣化するため不可である。
【００１９】
フレキシブル基板を用いて回路基板１８１を形成することが考えられるが、フレキシブル基板には「たわみ」があるため、伝送距離が長くなり、伝送特性が劣化する。従って、単にフレキシブル基板を用いただけでは、５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送を実現することは不可能である。
【００２０】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、高速伝送を実現する光送受信モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１のの発明は、発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、前記回路基板はリジッド部とフレキシブル部とで構成されるリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部あるいは光受信サブアッセンブリ固定部とが、前記リジッド部でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部間、あるいは前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリ固定部間が、前記フレキシブル部で構成され、前記回路基板本体の一部が前記フレキシブル部で構成される光送受信モジュールである。
【００２２】
請求項２の発明は、発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、前記回路基板はリジッド部とフレキシブル部とで構成されるリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部と、光受信サブアッセンブリ固定部とが、前記リジッド部でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部間、及び前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリ固定部間が、前記フレキシブル部でそれぞれ構成され、前記回路基板本体の一部が前記フレキシブル部で構成される光送受信モジュールである。
【００２３】
請求項３の発明は、前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形及び前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する送受信一体型の波形整形ＩＣとが搭載される請求項１または２記載の光送受信モジュールである。
【００２４】
請求項４の発明は、前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバと、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形を整形する送信用の波形整形ＩＣとが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する受信用の波形整形ＩＣとが搭載される請求項１または２記載の光送受信モジュールである。
【００２５】
請求項５の発明は、発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部あるいは光受信サブアッセンブリ固定部とが、リジッド基板でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部とを、あるいは前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリ固定部とをフレキシブル基板で接続した光送受信モジュールである。
【００２６】
請求項６の発明は、発光素子と発光素子の光出力をモニタするモニタ受光素子とで構成される光送信サブアッセンブリと、受光素子と受光素子の出力を増幅するプリアンプ素子とで構成される光受信サブアッセンブリと、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御するための回路基板とを備えた光送受信モジュールにおいて、回路基板本体と、光送信サブアッセンブリ固定部と、光受信サブアッセンブリ固定部とが、リジッド基板でそれぞれ構成され、前記回路基板本体と前記光送信サブアッセンブリ固定部とを、及び前記回路基板本体と前記光受信サブアッセンブリとを、フレキシブル基板でそれぞれ接続した光送受信モジュールである。
【００２７】
請求項７の発明は、前記回路基板を２つに分割形成し、一方の回路基板と他方の回路基板とを前記フレキシブル基板で接続した請求項５または６記載の光送受信モジュールである。
【００２８】
請求項８の発明は、前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形及び前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する送受信一体型の波形整形ＩＣとが搭載される請求項５〜７いずれかに記載の光送受信モジュールである。
【００２９】
請求項９の発明は、前記光送信サブアッセンブリ固定部には、前記光送信サブアッセンブリを駆動するドライバと、前記光送信サブアッセンブリに入力される電気信号の波形を整形する送信用の波形整形ＩＣとが搭載され、前記回路基板本体には、前記光送信サブアッセンブリ及び前記光受信サブアッセンブリを制御する制御回路と、前記光受信サブアッセンブリから出力される電気信号の波形を整形する受信用の波形整形ＩＣとが搭載される請求項５〜７いずれかに記載の光送受信モジュールである。
【００３０】
請求項１０の発明は、前記光送信サブアッセンブリと、前記光受信サブアッセンブリとは、リードの位置やサブアッセンブリ長さが異なる請求項１〜９いずれかに記載の光送受信モジュールである。
【００３１】
請求項１１の発明は、前記光送信サブアッセンブリと、前記光受信サブアッセンブリとは、前記回路基板が組み込まれる筐体内に嵌め込まれて固定される請求項１〜１０いずれかに記載の光送受信モジュールである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
【００３３】
（１）温度変化による熱膨張をフレキシブル部で吸収できる。
【００３４】
（２）組立の際の各種ズレ、バラツキ、バラツキによるストレスをフレキシブル部で吸収できる。
【００３５】
（３）光送信サブアッセンブリや光受信サブアッセンブリのリード長を最短にできるため、５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００３７】
図１は本発明の好適実施の形態である光送受信モジュールに備えられる回路基板の斜視図、図２は図１の視点をｙ方向にずらした斜視図である。本実施の形態では、回路基板の幅方向、長さ方向、高さ方向をそれぞれｘ方向、ｙ方向、ｚ方向とする。
【００３８】
図１および図２に示すように、本実施の形態に係る光送受信モジュールに備えられる回路基板１は、全体が略水平となるように、リジッドフレキシブル基板（フレックスリジッドプリント配線板）で一体形成される。リジッドフレキシブル基板とは、リジッド部とフレキシブル部とが長さ方向に交互に一体形成された基板である。
【００３９】
リジッド部は、例えば、一般的なガラスエポキシ材を使用したリジッド基板（リジッド層）と、フレキシブル基板（フレキシブル層）とを交互に積層して構成され、搭載される部品の重さに耐え、金属などからなる筐体に固定できる硬さと強度を有するリジッドなプリント配線板である。フレキシブル部は、フレキシブル基板で構成され、折り曲げができる可とう性を有するフレキシブルなプリント配線板である。
【００４０】
さて、回路基板１は、光信号を送信する光送信サブアッセンブリとしてのＬＤサブアッセンブリ１８２が搭載（固定）される一端側の回路基板本体２ａと、回路基板本体２ａの他端（反対側、あるいは前端）から長さ方向（図１および図２では−ｙ方向）に所定距離隔てて設けられる他端側の回路基板本体２ｂと、回路基板本体２ａの一端（片側、あるいは後端）から長さ方向（図１および図２では＋ｙ方向）に所定距離隔てて設けられ、光信号を受信する光受信サブアッセンブリとしてのＰＤサブアッセンブリ１８３が搭載されるＰＤサブアッセンブリ固定部４とが、リジッド部５Ａ，５Ｂ，５Ｐでそれぞれ構成され、回路基板本体２ａとＰＤサブアッセンブリ固定部４間がＬＤ，ＰＤサブアッセンブリ１８２，１８３の種々のバラツキを調整するフレキシブル部６Ｐで構成され、回路基板本体２ａと回路基板本体２ｂ間が、図示しない通信機器への着脱時及び図示しない光コネクタ着脱時に回路基板１、ＬＤサブアッセンブリ１８２、ＰＤサブアッセンブリ１８３が受ける力（ストレス）Ｆ１，Ｆ２を緩和するフレキシブル部６で構成される。
【００４１】
この回路基板１は、回路基板本体２の一部がフレキシブル部６で構成される。すなわち、回路基板本体２は、回路基板本体（電気インターフェース用基板）２ａと、回路基板本体（カードエッジコネクタ用基板）２ｂと、フレキシブル部６とで構成される。
【００４２】
本実施の形態では、回路基板１として、図２３に示すように、信号線経路に本来必要の無い余計な経路（スタブという）の少ない、また基板を貫通せずにフレキシブル層２２とリジッド層２３を接続するブラインドビア２４を有するブラインドビア構造のリジッドフレキシブル基板２１を使用した。これにより、伝送路のインピーダンスの乱れが少なくなるため、信号波形の劣化が少なくなる。このため、５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送速度を実現するときは、ブラインドビア構造のリジッドフレキシブル基板２１を使用することが好ましい。
【００４３】
なお、１〜５Ｇｂｉｔ／ｓ程度の伝送速度では、図２４に示すように、基板を貫通してフレキシブル層２２とリジッド層２３を接続する貫通ビア３４を有する貫通ビア構造、またはスタブを有するリジッドフレキシブル基板３１を使用しても良い。
【００４４】
図１および図２に戻り、詳細は図示していないが、回路基板本体２ａ，２ｂと、ＰＤサブアッセンブリ固定部４との表面又は／及び裏面には、配線パターン、端子が形成され、様々な電子部品が搭載される。
【００４５】
回路基板本体２ａは、平面視で一端側が突出した逆Ｌ字状に形成される。回路基板本体２ａの突出した部分の一端には、ＬＤサブアッセンブリ１８２が固定される。したがって、回路基板本体２ａは、光送信サブアッセンブリ固定部がリジッド部５Ａで一体構成され、光送信サブアッセンブリ固定部も兼ねている。
【００４６】
ＬＤサブアッセンブリ１８２の他端に設けられた各リード１８２Ｒ（図２では上下にそれ２本ずつの計４本）は、半田付けにより、回路基板本体２ａの一端に形成された各サブアッセンブリ端子１８４にそれぞれ接続されて固定される。より詳細には、下側の２本のリード１８２Ｒを回路基板本体２ａ表面に平行となるように固定し、上側の一方のリード１８２Ｒを適宜曲げて（フォーミングして）固定し、上側の他方のリードを開放する。
【００４７】
ここで、４本のリード１８２Ｒのうち、下側の一方のリード１８２Ｒは高周波の信号ラインであり、フォーミングすることはできない。なぜなら、下側の一方のリード１８２Ｒをフォーミングすると、回路基板１端とＬＤサブアッセンブリ１８２間の伝送距離が長くなり、信号が劣化するからである。フォーミングして良いリードはモニタＰＤ用のリードである上側の一方のリード１８２Ｒだけである。
【００４８】
ＬＤサブアッセンブリ１８２の各リード１８２Ｒと、ＰＤサブアッセンブリ１８３の各リード１８３Ｒとは、例えば、φ０．５ｍｍ以下のコバール、あるいは鉄系材料で形成される。
【００４９】
回路基板本体２ａには、ＬＤサブアッセンブリ１８２に備えられたＬＤ素子を駆動するＬＤドライバ７、ＬＤサブアッセンブリ１８２に入力される電気信号の波形及びＰＤサブアッセンブリ１８３から出力される電気信号の波形を整形する送受信一体型の波形整形ＩＣ（ＣＤＲ：Ｃｌｏｃｋ＆Ｄａｔａ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ）８などの高周波信号で動作する高周波用部品が搭載される。
【００５０】
特に、信号伝送速度が５Ｇｂｉｔ／ｓを超える光送受信モジュールを実現するためには、回路基板本体２ａの突出した部分（ＬＤサブアッセンブリ１８２近傍）にＬＤドライバ７を搭載すると共に、ＬＤドライバ７の他端側にＣＤＲ８を搭載することが望ましい。回路基板本体２ａに高周波用部品を搭載したのは、ＬＤサブアッセンブリ１８２の近傍に高周波用部品を配置しないと、ＬＤ素子を高速動作させることができなくなるからである。
【００５１】
回路基板本体２ｂには、ＬＤサブアッセンブリ１８２及びＰＤサブアッセンブリ１８３を制御する制御回路としての制御＆モニタ用ＩＣ９が搭載される。この制御＆モニタ用ＩＣ９は、回路基板本体２ａに搭載してもよい。制御＆モニタ用ＩＣ９については、後述する図８で説明する。
【００５２】
この回路基板１は、筐体（後述する図３参照）内に組み込まれて収納され、筐体と共にスイッチングハブやメディアコンバータなどの通信機器に着脱可能に設けられる光トランシーバとして使用される。
【００５３】
このため、回路基板本体２ｂの他端側の両側面には、回路基板１を筐体にネジ止めして上下方向（図１では±ｚ方向）に固定するための位置決め用の凹溝１８５がそれぞれ形成される。回路基板本体２ｂの他端には、図示しない通信機器に備えられた電気コネクタ（カードエッジコネクタ）に着脱（挿抜）するためのカードエッジ部１８６が形成され、そのカードエッジ部１８６に通信機器と回路基板１とを電気的に接続するための接続端子１８７が形成される。
【００５４】
ＰＤサブアッセンブリ固定部４の一端にはＰＤサブアッセンブリ１８３が固定される。ＰＤサブアッセンブリ１８３の他端に設けられた各リード１８３Ｒ（図２では並列の４本）は、半田付けにより、ＰＤサブアッセンブリ固定部４の一端に形成された各サブアッセンブリ端子１８４にそれぞれ接続されて固定される。
【００５５】
ＬＤ，ＰＤサブアッセンブリ１８２，１８３の種々のバラツキとは、製品間の各ＬＤサブアッセンブリ１８２あるいは各ＰＤサブアッセンブリ１８３のバラツキや、同じ回路基板１に固定されたＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３間のバラツキである。
【００５６】
具体的には、上述したように、一般にＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３とでは、形状が変わることにより、リード１８２Ｒ，１８３Ｒの位置が異なることによるバラツキ、図２１で説明したように、調芯後のサブアッセンブリ長さＬが異なることによるＬＤサブアッセンブリ１８２又は／及びＰＤサブアッセンブリ１８３の調芯された個体毎のバラツキ、図２２（ｂ）で説明したように、ＬＤサブアッセンブリ１８２又は／及びＰＤサブアッセンブリ１８３の固定の違いによるバラツキである。
【００５７】
また、本実施の形態では、光コネクタ着脱時に回路基板１が受ける力Ｆ２をより効率よく緩和するために、回路基板本体２ａ，２ｂの幅と、フレキシブル部６の幅とを等しくした。さらに、筐体に回路基板１を収納する際、フレキシブル部６に“たわみ”が設けられるようにした。
【００５８】
ここで、回路基板１を備えた光送受信モジュール（光トランシーバ）の回路構成の一例を図８で説明する。図８では、右側が外部（通信機器）側であり、左側が伝送路側である。
【００５９】
図８に示すように、本実施の形態に係る光トランシーバ８１は、ＬＤサブアッセンブリ１８２と、ＬＤサブアッセンブリ１８２の前段に接続されるＬＤドライバ７と、ＰＤサブアッセンブリ１８３と、ＬＤサブアッセンブリ１８２の前段及びＰＤサブアッセンブリ１８３の後段に接続されるＣＤＲ８と、ＬＤサブアッセンブリ１８２、ＰＤサブアッセンブリ１８３、ＣＤＲ８にそれぞれ接続される制御＆モニタ用ＩＣ９とで構成される。
【００６０】
ＬＤサブアッセンブリ１８２は、発光素子としてのＬＤ素子８２と、ＬＤ素子８２の後方光（光出力）をモニタするモニタＰＤ８３とで主に構成される。ＰＤサブアッセンブリ１８３は、受光素子としてのＰＤ素子８４と、ＰＤ素子８４の出力を増幅するプリアンプ８５とで主に構成される。ＣＤＲ８は、内部で送信側回路と受信側回路が別回路で構成される。
【００６１】
制御＆モニタ用ＩＣ９は、通信機器からの命令（ＬＤ素子８２のＯＮ／ＯＦＦ、ＬＤ素子８２のパワーダウン）を受信して光トランシーバ８１に反映させたり、光トランシーバ８１内の各種情報（ＬＤ素子８２のパワーモニタ、ＰＤ素子８４の受光モニタ、温度、ＬＤ素子８２の消費電力、故障時の自己診断情報等）を通信機器に伝える。
【００６２】
図３に示すように、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３が搭載された回路基板１は、下部ケース３１ｄと上部ケース（ふた）３１ｕとで構成される筐体３１に組み込まれて収納される。下部ケース３１ｄと上部ケース３１ｕとは、ＺｎやＡｌなどの放熱性が高い金属でダイカストによって一括形成される。
【００６３】
より詳細には、まず、下部ケース３１ｄの収納部３２に回路基板１の凹溝１８５を位置合わせして組み込み、２本の基板固定用ネジ３３で回路基板１を固定する。下部ケース３１ｄの保持部３４にＬＤサブアッセンブリ１８２を嵌め込めて保持固定（完全リジッドではない）し、フレキシブル部６Ｐを適宜幅方向、長さ方向、上下方向に動かし、下部ケース３１ｄの保持部３４にＰＤサブアッセンブリ１８３を嵌め込めて保持固定する。このとき、回路基板１は図４に示した状態になる。
【００６４】
その後、図３に示すように、下部ケース３１ｕを上部ケース３１ｕで覆い、２本の固定用ネジ３５で下部ケース３１ｕと上部ケース３１ｕを固定し、筐体３１内に回路基板１を収納する。
【００６５】
筐体３１内に収納された回路基板１は、筐体３１と共にカードエッジ部１８６が通信機器に−ｙ方向に挿入されることで、回路基板１と通信機器とが電気的に接続される。さらに、図示しない伝送路となる光ファイバを備えた光コネクタが下部ケース３１ｄのコネクタ差込口３６に差し込まれ、その光コネクタがＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３の一端にそれぞれ接続されることで、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３と伝送路とがそれぞれ光結合される。これにより、回路基板１は、光トランシーバ８１として使用される。
【００６６】
本実施の形態の作用を説明する。
【００６７】
回路基板１は、片側がフレキシブルな構造、すなわち、回路基板本体２ａとＰＤサブアッセンブリ固定部４間がフレキシブル部６Ｐで構成されるので、筐体３１（図３参照）への組み込み時、例えば、ＰＤサブアッセンブリ固定部４を上下方向（図１では±ｚ方向）に動かすことにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３とでは、リード１８２Ｒ，１８３Ｒの位置が異なることによるバラツキをフレキシブル部６Ｐで吸収して調整できる。
【００６８】
図１および図２ではＰＤサブアッセンブリ１８３側にフレキシブル部６Ｐを用いた例で説明したが、ＬＤサブアッセンブリ１８２側にフレキシブル部を用いた場合にも、同様の作用効果が得られる。
【００６９】
また、ＰＤサブアッセンブリ固定部４を長さ方向（図１では±ｙ方向）に動かすことにより、調芯後のサブアッセンブリ長さＬが異なることによるＬＤサブアッセンブリ１８２又は／及びＰＤサブアッセンブリ１８３の調芯された個体毎のバラツキを吸収して調整できる。
【００７０】
さらに、ＰＤサブアッセンブリ固定部４を光軸回りに若干回動させることにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２又は／及びＰＤサブアッセンブリ１８３の固定の違いによるバラツキをフレキシブル部６Ｐで吸収して調整できる。
【００７１】
これにより、図５および図６に示すように、回路基板１が組み込まれる筐体３１内の保持部３４に、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３を保持固定した際、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３の高さ、ＬＤサブアッセンブリ１８２−ＰＤサブアッセンブリ１８３間隔Ｄを予め決められた寸法に確実に合わすことができ、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３にストレスが発生せず、特に、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３との接続部にストレスが集中しないので、半田にクラックも発生しない。
【００７２】
つまり、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３にストレスを発生させずに、しかも各ＬＤサブアッセンブリ１８２や各ＰＤサブアッセンブリ１８３の種々のバラツキに対応して回路基板１を筐体３１に組み込むことができる。
【００７３】
このように、回路基板１を備えた光トランシーバ８１によれば、組立の際の各種ズレ、バラツキ、バラツキによるストレスをフレキシブル部６Ｐ又はフレキシブル部６で吸収できる。また、多種多様のＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３に対応できる。
【００７４】
したがって、ＬＤサブアッセンブリ１８２の送信特性やＰＤサブアッセンブリ１８３の受信特性（例えば、受信感度）が劣化したり、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３が光軸ズレを起こしたりすることもない。
【００７５】
また、回路基板１はリジッドフレキシブル基板で一体形成されているので、フレキシブル部６Ｐの両端部に半田を用いずに、回路基板本体２ａとＰＤサブアッセンブリ固定部４を電気的に接続して回路基板１を作製できる。
【００７６】
さらに、回路基板１は、図示しない通信機器に備えられた電気コネクタにカードエッジ部１８６を着脱する際、ネジにガタなどがあると、大きな＋ｙ方向の力Ｆ１，−ｙ方向のＦ２を受けるが、その力（回路基板１の動き）Ｆ１，Ｆ２がフレキシブル部６，６Ｐで吸収されるので、通信機器への着脱時に回路基板１、ＬＤサブアッセンブリ１８２、ＰＤサブアッセンブリ１８３に加わる力（ストレス）を緩和できる。同様に、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３の動きがフレキシブル部６，６Ｐで吸収されるので、光コネクタ着脱時のストレスも緩和できる。
【００７７】
このように、フレキシブル部６，６Ｐを用いて回路基板１を形成し、その回路基板１を備えた光送受信モジュール８１を構成することにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３の径の違い、部品寸法の公差バラツキによる歪などを防止することができる。
【００７８】
しかし、信号伝送速度が１Ｇｂｉｔ／ｓ以上、特に５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送を行うと、逆にフレキシブル部６，６Ｐの「たわみ」により信号劣化が発生し、高速伝送が不可能となってしまう。
【００７９】
そこで、回路基板本体２ａにＬＤドライバ７とＣＤＲ８を搭載した。以下その理由を説明する。
【００８０】
送信側；
外部（通信機器）からカードエッジ部１８６を介して高速の電気信号が回路基板本体２ｂ内に入力する。電気信号はその後、フレキシブル部６を通りＣＤＲ８に入力する。劣化した電気波形をＣＤＲ８が整形し、綺麗になった電気信号はＬＤドライバ７で増幅されてＬＤ素子を駆動させ、光信号に変換する。
【００８１】
このとき、光トランシーバ８１の送信特性にいちばんシビアな箇所はＣＤＲ８〜ＬＤ素子間の回路構成である。この間は回路長を最短にすることが好ましく、かつこの間でインピーダンスがずれることは好ましくない。例えばＣＤＲ８〜ＬＤ素子間にフレキシブル部が存在すると、フレキシブル部に“たわみ”を設けなくてはいけないので、その分、直線距離よりも回路長が伸びてしまう。また、フレキシブル部は基板層内（リジッド部間）に位置するので、ビアを介して表層から内層のフレキシブル部に信号を伝達しなくてはならない。しかし、ビアは３次元的な構造のためインピーダンスを整合することが困難で、どうしてもビアで信号が劣化してしまう。このような理由からフレキシブル部６はＣＤＲ８から後ろ（カードエッジ部１８６側）にある方が望ましい。
【００８２】
また、ＬＤドライバ７のリード端子用パットの端と、ＬＤサブアッセンブリ１８２のリード端子用パット（図２のサブアッセンブリ端子１８４）との間隔は、５ｍｍ以下が望ましい。本実施の形態では１．６ｍｍである。ＬＤドライバ７のリード端子用パットの端と、ＣＤＲ８のリード端子用パットとの間隔は、１０ｍｍ以下が望ましい。本実施の形態では３ｍｍである。
【００８３】
受信側；
ＰＤ素子から出力される電気信号は微弱なので、ＰＤサブアッセンブリ１８３には例外なくプリアンプが内蔵されている。そのため、多少プリアンプ〜ＣＤＲ８間の回路長が伸び、またインピーダンスが多少ずれてしまっても、それに耐えうるだけの振幅をプリアンプは出力することができる。また、プリアンプ〜ＣＤＲ８間での波形劣化はＣＤＲ８が認識できる範囲内であれば、ある程度の劣化は許容される。さらに、ＣＤＲ８の出力規格は通信機器の入力規格よりも厳しく設計されているので、ＣＤＲ８〜カードエッジ部１８６間で多少波形が劣化しても、十分、外部（通信機器）の規格を満足することができる。このような理由から受信側はフレキシブル部をどの位置に設けても、送信側ほど特性にシビアではない。
【００８４】
このように、回路基板１を備えた光送受信モジュール８１は、回路基板本体２ａにＬＤドライバ７、ＣＤＲ８などの高周波用部品を搭載することで、ＬＤサブアッセンブリ１８２近傍に高周波用部品が配置され、信号の劣化が最小限に抑えられるため、信号伝送速度が１Ｇｂｉｔ／ｓ以上、特に５Ｇｂｉｔ／ｓ以上、さらに言えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送を実現できる。
【００８５】
ところで、上述したように、筐体の材質は主にＡｌ、Ｚｎである。Ａｌ、Ｚｎの線膨張係数はそれぞれ２３×１０-6／℃、３０×１０-6／℃である。それに対してリジッド基板の線膨張係数は、一般的なガラスエポキシ材を使用した場合、１０〜１５×１０-6／℃と筐体の材料に比べて小さい。そのため、周囲温度を上下させて光トランシーバを使用した場合、筐体と回路基板で発生する熱膨張量が異なる。
【００８６】
しかし、回路基板の他端側は筐体にネジ止め、一端側はＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３のリード１８２Ｒ，１８３Ｒに半田固定しているので、図１８の回路基板１８１では、熱膨張によるストレスが全て半田固定部に集中して、半田を破壊してしまう。
【００８７】
これに対し、本実施の形態に係る回路基板１を備えた光トランシーバ８１は、回路基板本体２ａと光受信サブアッセンブリ固定部４間がフレキシブル部６Ｐで構成され、回路基板本体２ａと回路基板本体２ｂ間がフレキシブル部６で構成されるので、温度変化による熱膨張をフレキシブル部６，６Ｐで吸収でき、熱膨張によるストレスが半田固定部に集中することはなく、半田を破壊することはない。
【００８８】
さらに、ＬＤサブアッセンブリ１８２のリード１８２Ｒは、例えばφ０．５ｍｍ以下のコバール、鉄系材料であるため、インピーダンスの整合が不可能、あるいは困難である。そのため、回路基板一端〜ＬＤ素子に隙間が生じると、その隙間において、高周波信号がリード１８２Ｒを伝播するため、信号が劣化してしまう。特に１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の信号を伝送する場合は顕著である。よって、回路基板一端〜ＬＤ素子の隙間は０が理想である。
【００８９】
しかし、回路基板はネジで筐体に固定し、ＬＤサブアッセンブリ１８２は筐体に嵌合して固定しているので、図１８の回路基板１８１では、ネジ固定部〜回路基板１８１一端の長さが回路基板１８１の製造精度によってズレたり、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３の全長がズレたりすると、回路基板１８１一端〜ＬＤ素子に隙間が生じてしまう。仮にズレなかったとしても、予めズレを見込んで隙間を設けておかなければいけないので、いずれにせよ、隙間はできてしまう。
【００９０】
これに対し、回路基板１を備えた光トランシーバ８１は、回路基板本体２ａと光受信サブアッセンブリ固定部４間がフレキシブル部６Ｐで構成されるので、回路基板本体２ａ一端〜ＬＤ素子間に隙間を設ける必要がなく、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＰＤサブアッセンブリ１８３のリード長を最短にできる。言い換えれば、ＬＤサブアッセンブリ１８２を回路基板本体２ａの一端ギリギリまで近づけられる。このため、５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送を実現することができる。
【００９１】
以上説明したように、本実施の形態に係る光トランシーバ８１は、特に信号劣化が気になる箇所（例えば、ＬＤ素子〜ＬＤドライバ７間やＬＤ素子〜ＣＤＲ８間）を１つのリジッド部（例えば、回路基板本体２ａ）上に配置し、フレキシブル部を使用する場所は信号劣化が比較的気にならない場所（例えば、回路基板本体２ａとＰＤサブアッセンブリ固定部４間、回路基板本体２ａと回路基板本体２ｂ間）のみにして、上述した作用効果を実現したことが特徴である。
【００９２】
ＣＤＲは、送受信一体型の１チップタイプのＣＤＲ８だけでなく、送信・受信が別々で２チップタイプのＣＤＲも市販されている。この場合には、図１の回路基板１の変形例として、図７に示す回路基板７１のように、回路基板本体２ａに搭載されたＬＤドライバ７の他端側に、ＬＤサブアッセンブリ１８２に入力される電気信号の波形を整形する送信用のＣＤＲ８ｔを搭載し、回路基板本体２ｂに搭載された制御＆モニタ用ＩＣ９のＰＤサブアッセンブリ１８３側となる側方に、ＰＤサブアッセンブリ１８３から出力される電気信号の波形を整形する受信用のＣＤＲ８ｒを搭載する。
【００９３】
ここで、受信用のＣＤＲ８ｒを回路基板本体２ｂに搭載したのは、フレキシブル部６によって劣化した受信信号を効率良く整形するためである。
【００９４】
次に、第２の実施の形態を説明する。
【００９５】
図９に示すように、回路基板９１は、全体がリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体９２と、回路基板本体９２の一端側から長さ方向（図９では＋ｙ方向）に所定距離隔てて設けられ、ＬＤサブアッセンブリ１８２が搭載されるＬＤサブアッセンブリ固定部９３と、回路基板本体９２の一端側から長さ方向に所定距離隔てて設けられ、ＰＤサブアッセンブリ１８３が搭載されるＰＤサブアッセンブリ固定部９４とが、リジッド部９５Ｍ，９５Ｌ，９５Ｐでそれぞれ構成され、回路基板本体９２とＬＤサブアッセンブリ固定部９３間、及び回路基板本体９２とＰＤサブアッセンブリ固定部９４間が、ＬＤ，ＰＤサブアッセンブリ１８２，１８３の種々のバラツキを調整するフレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐでそれぞれ構成されるものである。
【００９６】
ＬＤサブアッセンブリ固定部９３にはＬＤドライバ７が搭載され、そのＬＤドライバ７の近傍となるＬＤサブアッセンブリ固定部９３の一端にはＬＤサブアッセンブリ１８２が固定される。ＰＤサブアッセンブリ固定部９４の一端にはＰＤサブアッセンブリ１８３が固定される。回路基板本体９２の一端側にはＣＤＲ８が搭載され、そのＣＤＲ８の他端側に制御＆モニタ用ＩＣ９が搭載される。
【００９７】
これは、上述したように、ＣＤＲ８〜ＬＤ素子間の回路構成が重要で、回路長を最短にしたり、ビアを廃止したりする工夫が必要だからである。さらに細かく言うと、ＬＤドライバ７〜ＬＤ素子間の方が、ＣＤＲ８〜ＬＤドライバ７間よりも格段にシビアになる。また、ＣＤＲ８〜制御＆モニタ用ＩＣ９間は配線が複雑なので、この間になるべくフレキシブル部を設けないようにした方がよいからである。このことは、以下に説明する他の実施の形態においても同様である。
【００９８】
第２の実施の形態の作用を説明する。
【００９９】
回路基板９１は、片側がフレキシブルな構造、すなわち、回路基板本体９２とＬＤサブアッセンブリ固定部９３間、及び回路基板本体９２とＰＤサブアッセンブリ固定部９４間がフレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐでそれぞれ構成されるので、筐体３１（図３参照）への組み込み時、例えば、ＬＤサブアッセンブリ固定部９３又は／及びＰＤサブアッセンブリ固定部９４を上下方向（図９では±ｚ方向）に動かすことにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３とでは、リード１８２Ｒ，１８３Ｒの位置が異なることによるバラツキをフレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐで吸収して調整できる。
【０１００】
また、ＬＤサブアッセンブリ固定部９３又は／及びＰＤサブアッセンブリ固定部９４を長さ方向（図９では±ｙ方向）に動かすことにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２又は／及びＰＤサブアッセンブリ１８３の調芯された個体毎のバラツキをフレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐで吸収して調整できる。
【０１０１】
さらに、ＬＤサブアッセンブリ固定部９３又は／及びＰＤサブアッセンブリ固定部９４を光軸回りに若干回動させることにより、ＬＤサブアッセンブリ１８２又は／及びＰＤサブアッセンブリ１８３の固定の違いによるバラツキをフレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐで吸収して調整できる。
【０１０２】
回路基板９１はリジッドフレキシブル基板で一体形成されているので、フレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐの両端部に半田を用いずに、回路基板本体２９とＬＤサブアッセンブリ固定部９３、及び回路基板本体９２とＰＤサブアッセンブリ固定部９４を電気的に接続して回路基板９１を作製できる。
【０１０３】
回路基板９１は、図示しない通信機器に備えられた電気コネクタにカードエッジ部１８６を着脱する際、大きな力を受けるが、その力がフレキシブル部９６Ｌ，９６Ｐで吸収されるので、通信機器への着脱時に回路基板９１、ＬＤサブアッセンブリ１８２、ＰＤサブアッセンブリ１８３に加わる力（ストレス）を緩和できる。同様の理由で、光コネクタ着脱時のストレスも緩和できる。
【０１０４】
また、回路基板９１を備えた光送受信モジュールのように、ＬＤサブアッセンブリ固定部９３にＬＤドライバ７を搭載し、回路基板本体９２にＣＤＲ８を搭載した場合には、信号伝送速度は１Ｇｂｉｔ／ｓ以上から５Ｇｂｉｔ／ｓ程度までの高速伝送を実現できる。その他の作用効果は図１の回路基板１と同じである。
【０１０５】
一方、上記第１および第２の実施の形態とは異なり、回路基板本体９２とＰＤサブアッセンブリ固定部９４をリジッド部で一体構成し、ＬＤサブアッセンブリ固定部９３をリジッド部で構成し、回路基板本体９２とＬＤサブアッセンブリ固定部９３間のみをフレキシブル部で構成してもよい。この場合、組立の際の各種ズレ、バラツキはＰＤサブアッセンブリ１８３のリード１８３Ｒをフォーミングすれば対応できる。このフォーミングにより、図１の回路基板１と同様(ＰＤサブアッセンブリ１８３のリード長を最短にできる以外)の作用効果が得られる。
【０１０６】
第３の実施の形態を説明する。
【０１０７】
図１０に示すように、回路基板１０１は、回路基板本体１０２と、ＬＤサブアッセンブリ固定部１０３と、ＰＤサブアッセンブリ固定部１０４とが、それぞれリジッド基板１０５Ｍ，１０５Ｌ，１０５Ｐでそれぞれ構成され、回路基板本体１０２とＬＤサブアッセンブリ固定部１０３とを、及び回路基板本体１０２とＰＤサブアッセンブリ固定部１０４とを、ＬＤ，ＰＤサブアッセンブリ１８２，１８３の種々のバラツキを調整するフレキシブル基板１０６Ｌ，１０６Ｐでそれぞれ接続したものである。
【０１０８】
回路基板１０１の組み立ては、例えば、回路基板本体１０２（リジッド基板１０５Ｍ）、ＬＤサブアッセンブリ固定部１０３（リジッド基板１０５Ｌ）、ＰＤサブアッセンブリ固定部１０４（リジッド基板１０５Ｐ）、フレキシブル基板１０６Ｌ、フレキシブル基板１０６Ｐをそれぞれ別々に作製し、回路基板本体１０２とＬＤサブアッセンブリ固定部１０３とを離間して配置すると共に、回路基板本体１０２とＰＤサブアッセンブリ固定部１０４とを離間して配置し、半田付けあるいは接着剤により、回路基板本体１０２の表面とＬＤサブアッセンブリ固定部１０３の表面とをフレキシブル基板１０６Ｌで接続すると共に、回路基板本体１０２の表面の一端部とＰＤサブアッセンブリ固定部１０４の表面の一端部とをフレキシブル基板１０６Ｐの両端部で接続して行う。
【０１０９】
回路基板１０１のその他の構成は、図９の回路基板９１と同じである。回路基板１０１によっても、回路基板９１と同じ作用効果が得られる。
【０１１０】
この回路基板１０１は、各基板が一体形成されるのではなく、別々に作製されるので、回路基板１０１の用途や仕様、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＬＤサブアッセンブリ１８３の規格に応じて、一部の基板の入れ替えもできる。また、回路基板９１に比べると、作製しやすいという利点もある。
【０１１１】
一方、上記第３の実施の形態とは異なり、回路基板本体１０２とＰＤサブアッセンブリ固定部１０４をリジッド基板で一体構成し、ＬＤサブアッセンブリ固定部１０３をリジッド基板で構成し、回路基板本体１０２とＬＤサブアッセンブリ固定部１０３とをフレキシブル基板で接続してもよい。この場合、組立の際の各種ズレ、バラツキはＰＤサブアッセンブリ１８３のリード１８３Ｒをフォーミングすれば対応できる。このフォーミングにより、図１の回路基板１と同様(ＰＤサブアッセンブリ１８３のリード長を最短にできる以外)の作用効果が得られる。
【０１１２】
第４の実施の形態を説明する。
【０１１３】
図１１に示すように、回路基板１１１は、全体がリジッドフレキシブル基板で一体形成され、回路基板本体１１２の一部がリジッドフレキシブル基板のフレキシブル部１１６で構成されるものである。
【０１１４】
より詳細には、回路基板１１１は、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３固定側となる一端側の回路基板本体（電気インターフェース用基板）１１２ａと、カードエッジ部１８６側となる他端側の回路基板本体（カードエッジコネクタ用基板）１１２ｂとが、リジッド部１１５Ａ，１１５Ｂでそれぞれ構成され、一端側の回路基板本体１１２ａと他端側の回路基板本体１１２ｂ間が、フレキシブル部１１６で構成される。本実施の形態では、回路基板本体１１２の幅と、フレキシブル部１１６の幅とを等しくした。
【０１１５】
回路基板本体１１２ａにはＬＤドライバ７が搭載され、そのＬＤドライバ７の近傍となる回路基板本体１１２ａの一端にはＬＤサブアッセンブリ１８２が固定され、そのＬＤサブアッセンブリ１８２の他端側となる回路基板本体１１２ａにはＣＤＲ８が固定される。ＬＤサブアッセンブリ１８２の側方となる回路基板本体１１２ａの一端にはＰＤサブアッセンブリ１８３が固定される。回路基板本体１１２ｂには制御＆モニタ用ＩＣ９が搭載される。
【０１１６】
回路基板１１１では、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３の長さバラツキは、図１２（ａ）に示すように、回路基板本体１１２ａにＰＤサブアッセンブリ１８３を固定する際、リード１８３Ｒの長さを調整し、ＰＤサブアッセンブリ１８３の他端面と回路基板本体１１２ａの一端面間にすき間ｄを設け、このすき間ｄで吸収する。
【０１１７】
また、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３の上下方向のズレ（高さバラツキ）は、図１２（ｂ）に示すように、回路基板本体１１２ａにＰＤサブアッセンブリ１８３を固定する際、リード１８３Ｒを適宜曲げる（フォーミングする）ことで吸収する。
【０１１８】
回路基板１１１は、図示しない通信機器に備えられた電気コネクタにカードエッジ部１８６を着脱する際、大きな＋ｙ方向の力Ｆ１、−ｙ方向の力Ｆ２を受けるが、その力Ｆ１，Ｆ２がフレキシブル部１１６で吸収されるので、通信機器への着脱時に回路基板１１１、ＬＤサブアッセンブリ１８２、ＰＤサブアッセンブリ１８３に加わる力（ストレス）Ｆ１，Ｆ２を緩和できる。同様の理由で、光コネクタ着脱時のストレスも緩和できる。
【０１１９】
したがって、ＬＤサブアッセンブリ１８２およびＰＤサブアッセンブリ１８３との接続部にはストレスがほとんど加わらず、半田にクラックが発生しにくい。
【０１２０】
また、回路基板１１１はリジッドフレキシブル基板で一体形成されているので、フレキシブル部１１６の両端部に半田を用いずに、回路基板本体１１２ａと回路基板本体１１２ｂとを電気的に接続して回路基板１１１を作製できる。
【０１２１】
第５の実施の形態を説明する。
【０１２２】
図１３に示すように、回路基板１３１は、回路基板本体１３２を２つに分割形成し、一端側の回路基板本体（電気インターフェース用基板）１３２ａと、他端側の回路基板本体（カードエッジコネクタ用基板）１３２ｂとが、リジッド基板１３５Ａ，１３５Ｂでそれぞれ構成され、一端側の回路基板本体１３２ａと他端側の回路基板本体１３２ｂとをフレキシブル基板１３６で接続したものである。本実施の形態では、各回路基板本体１３２ａ，１３２ｂの幅と、フレキシブル基板１３６の幅とを等しくした。
【０１２３】
回路基板１３１の組み立ては、例えば、一端側の回路基板本体１３２ａ（リジッド基板１３５Ａ）、他端側の回路基板本体１３２ｂ（リジッド基板１３５Ｂ）、フレキシブル基板１３６をそれぞれ別々に作製し、一端側の回路基板本体１３２ａと他端側の回路基板本体１３２ｂとを離間して配置し、半田付けあるいは接着剤により、一端側の回路基板本体１３２ａの表面の一端部と他端側の回路基板本体１３２ｂの表面の一端部とをフレキシブル基板１３６の両端部で接続して行う。
【０１２４】
回路基板１３１においても、図１１の回路基板１１１と同様、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３の長さバラツキは図１２（ａ）のようにして吸収し、ＬＤサブアッセンブリ１８２とＰＤサブアッセンブリ１８３の上下方向のズレは図１２（ｂ）のようにして吸収する。
【０１２５】
回路基板１３１のその他の構成は、図１１の回路基板１１１と同じである。回路基板１３１によっても、回路基板１１１と同じ作用効果が得られる。
【０１２６】
この回路基板１３１は、各基板が一体形成されるのではなく、別々に作製されるので、回路基板１３１の用途や仕様、ＬＤサブアッセンブリ１８２やＬＤサブアッセンブリ１８３の規格に応じて、一部の基板の入れ替えもできる。また、回路基板１１１に比べると、作製しやすいという利点もある。
【０１２７】
次に、２チップタイプのＣＤＲを用いる場合について、第２〜第５の実施の形態の変形例を図１４〜図１７で説明する。
【０１２８】
図９の回路基板９１の変形例として、図１４に示す回路基板１４１では、ＬＤサブアッセンブリ固定部９３に搭載されたＬＤドライバ７の他端側に、送信用のＣＤＲ８ｔを搭載し、回路基板本体９２に搭載された制御＆モニタ用ＩＣ９のＰＤサブアッセンブリ１８３側となる側方に、受信用のＣＤＲ８ｒを搭載する。図１０の回路基板１０１の変形例として、図１５に示す回路基板１５１についても同様である。
【０１２９】
図１１の回路基板１１１の変形例として、図１６に示す回路基板１６１では、回路基板本体１１２ａに搭載されたＬＤドライバ７の他端側に、送信用のＣＤＲ８ｔを搭載し、回路基板本体１１２ｂに搭載された制御＆モニタ用ＩＣ９のＰＤサブアッセンブリ１８３側となる側方に、受信用のＣＤＲ８ｒを搭載する。図１３の回路基板１３１の変形例として、図１７に示す光送受信モジュール用回路基板１７１についても同様である。
【０１３０】
本発明の光送受信モジュールに備えられる回路基板は、上述した各実施の形態の形態に限定されるものではなく、各実施の形態を適宜組み合わせて構成（例えば、図９の回路基板９１と図１１の回路基板１１１の組み合わせ）したものでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の好適実施の形態である光送受信モジュールに備えられる回路基板の斜視図である。
【図２】図１の視点をｙ方向にずらした斜視図である。
【図３】図１の回路基板を備えた光トランシーバの分解斜視図である。
【図４】図１の回路基板を下部ケースに固定した状態を示す斜視図である。
【図５】図４の５Ａ−５Ａ線断面矢視図である。
【図６】図４の部分平面図である。
【図７】図１の回路基板の変形例を示す斜視図である。
【図８】図１の回路基板を備えた光トランシーバの回路図である。
【図９】第２の実施の形態を示す斜視図である。
【図１０】第３の実施の形態を示す斜視図である。
【図１１】第４の実施の形態を示す斜視図である。
【図１２】図１２（ａ）は図１１の回路基板の部分平面図、図１２（ａ）はその部分側面図である。
【図１３】第５の実施の形態を示す斜視図である。
【図１４】図９の回路基板の変形例を示す斜視図である。
【図１５】図１０の回路基板の変形例を示す斜視図である。
【図１６】図１１の回路基板の変形例を示す斜視図である。
【図１７】図１３の回路基板の変形例を示す斜視図である。
【図１８】背景技術の光送受信モジュールに備えられる回路基板の斜視図である。
【図１９】図１９（ａ）は図１８に示した回路基板を筐体に固定した状態を示す平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）の１９Ｂ−１９Ｂ線断面矢視図である。
【図２０】光送信サブアッセンブリの分解図である。
【図２１】光送信サブアッセンブリの平面図である。
【図２２】図２２（ａ）は筐体に最もよい状態で固定された光送信サブアッセンブリの底面図である。図２２（ｂ）は筐体に対して角度θずれた状態で固定された光送信サブアッセンブリの底面図である。
【図２３】図１に示した回路基板に使用されるリジッドフレキシブル基板の一例を示す縦断面図である。
【図２４】図１に示した回路基板に使用されるリジッドフレキシブル基板の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１  回路基板
２  回路基板本体
２ａ  一端側の回路基板本体
２ｂ  他端側の回路基板本体
４  ＰＤサブアッセンブリ固定部（光受信サブアッセンブリ固定部）
５Ａ，５Ｂ，５Ｐ  リジッド部
６，６Ｐ  フレキシブル部
８１  光送受信モジュール
１８２  ＬＤサブアッセンブリ（光送信サブアッセンブリ）
１８３  ＰＤサブアッセンブリ（光受信サブアッセンブリ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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