(57)【要約】【課題】  貼合せ基板を面内で個々の単位毎に分離切断する際に、精度良く、高効率で切断することができる貼合せ基板の切断方法を提供する。【解決手段】  本発明の貼合せ基板の切断方法は、第１基板１上に切断単位毎のパターン形状を備えた接着剤層３を形成する工程と、該接着剤層３のパターン毎に、複数の第２基板２を貼り合わせる貼合せ工程と、該貼り合わせた基板のうち前記接着剤層３の非形成領域３ａにおいて、該貼合せ基板を面内で切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】      図１
2005134473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に切断単位毎のパターン形状を備えた接着剤層を形成する工程と、
該接着剤層のパターン毎に、複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ工程と、
該貼り合わせた基板のうち前記接着剤層の非形成領域において、該貼合せ基板を面内で切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする貼合せ基板の切断方法。
【請求項２】
第１基板上の全面に接着剤層を形成する工程と、
該接着剤層上に、切断単位のパターンに応じて複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ工程と、
該貼り合わせた基板のうち、前記第２基板の非形成領域において前記接着剤層を除去する工程と、
該接着剤層を除去した後に、前記第２基板の非形成領域において、該貼合せ基板を面内で切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする貼合せ基板の切断方法。
【請求項３】
前記貼合せ工程後、前記切断工程の前に、前記貼り合わせた第２基板を所望の厚さに研磨する研磨工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の貼合せ基板の切断方法。
【請求項４】
前記第１基板が、マイクロレンズを含むマイクロレンズ基板であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の貼合せ基板の切断方法。
【請求項５】
第１基板及び第２基板を貼り合わせてなる貼合せ基板と、第３基板との間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
第１基板上に切断単位毎のパターン形状を備えた接着剤層を形成する工程と、
該接着剤層のパターン毎に、複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ基板作成工程と、
該貼合せ基板の第２基板と第３基板とを対向させ、各基板をシール材を介して貼り合わせる貼合せパネル作成工程と、
作成された貼合せパネルのうち前記接着剤層の非形成領域において、該貼合せパネルを面内で切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
第１基板及び第２基板を貼り合わせてなる貼合せ基板と、第３基板との間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
第１基板上の全面に接着剤層を形成する工程と、
該接着剤層上に、切断単位のパターンに応じて複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ基板作成工程と、
該貼合せ基板のうち、前記第２基板の非形成領域において前記接着剤層を除去する工程と、
該接着剤層を除去した後に、前記貼合せ基板の第２基板と第３基板とを対向させ、各基板をシール材を介して貼り合わせる貼合せパネル作成工程と、
作成された貼合せパネルのうち前記第２基板の非形成領域において、該貼合せパネルを面内で切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記貼合せ基板作成工程後、前記貼合せパネル作成工程の前に、前記貼り合わせた第２基板を所望の厚さに研磨する研磨工程を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１基板がマイクロレンズを含むマイクロレンズ基板であることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３基板がスイッチング素子を含む素子基板であって、該素子基板は外部接続端子を具備してなり、前記切断工程において前記外部接続端子の非形成領域を切断位置としたことを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項５ないし９のいずれか１項に記載の製造方法により得られたことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼合せ基板の切断方法、液晶装置の製造方法、液晶装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置は直視型の表示装置として用いられる他、投射型のプロジェクタにも光変調装置として用いられている。このような液晶装置においては、開口率を上げることを目的として、各画素に対応するマイクロレンズを具備させ、光を開口部に集光することで光利用効率を上げる技術が提案されている。具体的には、液晶層を挟持する基板に対し、接着剤を介してマイクロレンズを備えたマイクロレンズ基板を貼り合わせ、各画素に対して集光を行っている。
【０００３】
一方、液晶装置の製造工程では、複数の液晶パネルを大型のガラス基板上に配列し、該大型基板で一括して各パネルのＴＦＴ基板と対向基板を重ね合わせた後、個々の液晶パネルの大きさに切断する多面取りが採用されている。このようなガラス基板の切断には、ダイヤモンドカッター等でガラス表面にクラックを入れ、このクラックに衝撃等を与え、クラックを切断方向に成長させることにより切断する方法（スクライブ・ブレイク法）がある。特に、特許文献１には、基板に接着剤を介してマイクロレンズ基板が貼り合わされた液晶装置において、スクライブ・ブレイク法により個々の液晶装置に切断する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１４７４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板に接着剤を介してマイクロレンズ基板が貼り合わされてなる液晶装置において、スクライブ・ブレイク法により大型基板から個々の液晶装置を分離切断するときに、クラックをマイクロレンズ基板に入れても、クラックの成長が接着剤層で止まり、該クラックが基板まで成長しない場合がある。したがって、衝撃を与えても基板を切断できないか、若しくは切断できたとしても切断精度が低下する不具合が生じる場合がある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板同士を接着剤層を介して貼り合わせた構成を含む貼合せ基板において、該基板を面内で所定単位毎に分離切断する際に、精度良く、高効率で切断することができる貼合せ基板の切断方法を提供することを目的としている。また、本発明は、この切断方法を用いた液晶装置の製造方法を提供することを目的としている。さらに、本発明はこの製造方法により得られた液晶装置、さらにはこの液晶装置を含む電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の貼合せ基板の切断方法は、第１基板上に切断単位毎のパターン形状を備えた接着剤層を形成する工程と、該接着剤層のパターン毎に、複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ工程と、該貼り合わせた基板のうち前記接着剤層の非形成領域において、該貼合せ基板を面内で切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
このような貼合せ基板の切断方法によると、接着剤層が切断単位毎のパターン形状を備えて構成され、さらにそのパターンに応じて第２基板を貼り合わせるものとしているため、切断工程時において切断位置に接着剤層及び第２基板が存在しないこととなり、該貼合せ基板を確実に切断でき、しかもその切断精度は非常に高いものとなる。つまり、切断予定位置に自身の非形成領域を備える形にて接着剤層を形成し、さらにその接着剤層のパターン上に第２基板を形成するとともに、この接着剤層及び第２基板の非形成領域において貼合せ基板を面内で切断することで、切断をより確実且つ高精度に行うことができるようになるのである。
【０００８】
また、上記目的を達成するために、本発明の貼合せ基板の切断方法は、その異なる態様として、第１基板上の全面に接着剤層を形成する工程と、該接着剤層上に、切断単位のパターンに応じて複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ工程と、該貼り合わせた基板のうち、前記第２基板の非形成領域において前記接着剤層を除去する工程と、該接着剤層を除去した後に、前記第２基板の非形成領域において、該貼合せ基板を面内で切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
このような貼合せ基板の切断方法によると、第２基板の非形成領域において貼合せ基板を切断するものとしており、その切断前に切断位置の接着剤層を除去するため、切断工程時において切断位置に接着剤層及び第２基板が存在しないこととなり、該貼合せ基板を確実に切断でき、しかもその切断精度は非常に高いものとなる。つまり、切断予定位置に自身の非形成領域を備える形にて第２基板を形成し、さらにその第２基板の非形成領域に位置する接着剤層を除去するとともに、この第２基板及び接着剤層の非形成領域（除去領域）において貼合せ基板を面内で切断することで、切断をより確実且つ高精度に行うことができるようになるのである。なお、接着剤層の除去工程には、例えば硫酸等による酸洗浄を好適に用いることができる。
【００１０】
本発明の切断方法において、前記貼合せ工程の後であって前記切断工程の前に、前記貼り合わせた第２基板を所望の厚さに研磨する研磨工程を含むものとすることができる。この場合、得られる貼合せ基板の厚さ調整を簡便且つ確実に行うことができるようになり、例えば上記第１基板を、マイクロレンズを含むマイクロレンズ基板として構成し、所定の集光を目的とする場合には、その集光の焦点位置を第２基板の厚さに応じて適宜設定可能となる。なお、本発明の切断方法の対象となる貼合せ基板としては、例えば第２基板を第１基板に対する防塵用等のカバーガラスとして用いた貼合せ基板にも適用可能である。
【００１１】
次に、上記目的を達成するために、本発明の液晶装置の製造方法は、第１基板及び第２基板を貼り合わせてなる貼合せ基板と、第３基板との間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、第１基板上に切断単位毎のパターン形状を備えた接着剤層を形成する工程と、該接着剤層のパターン毎に、複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ基板作成工程と、該貼合せ基板の第２基板と第３基板とを対向させ、各基板をシール材を介して貼り合わせる貼合せパネル作成工程と、作成された貼合せパネルのうち前記接着剤層の非形成領域において、該貼合せパネルを面内で切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
このような液晶装置の製造方法によると、パネル切断位置に貼合せ基板の接着剤層及び第２基板が存在しないため、該パネルを確実に切断でき、しかもその切断精度は非常に高いものとなる。つまり、貼合せ基板側において切断予定位置には接着剤層を形成しないものとし、この接着剤層のパターンに応じて第２基板を形成するとともに、該接着剤層及び第２基板の存在しない領域においてパネルを面内で切断することで、該切断をより確実且つ高精度に行うことができるようになるのである。なお、パネルを切断した後は、個々のパネルに対して、例えばシール材に形成した液晶注入口から真空下において液晶を注入する工程等を採用することで液晶装置を得ることができる。一方、第２基板と第３基板とを貼り合わせる前に、予めシール材内に液晶を滴下しておけば、上記液晶注入工程は不要となる。
【００１３】
また、上記目的を達成するために、本発明の液晶装置の製造方法は、その異なる態様として、第１基板及び第２基板を貼り合わせてなる貼合せ基板と、第３基板との間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、第１基板上の全面に接着剤層を形成する工程と、該接着剤層上に、切断単位のパターンに応じて複数の第２基板を貼り合わせる貼合せ基板作成工程と、該貼合せ基板のうち、前記第２基板の非形成領域において前記接着剤層を除去する工程と、該接着剤層を除去した後に、前記貼合せ基板の第２基板と第３基板とを対向させ、各基板をシール材を介して貼り合わせる貼合せパネル作成工程と、作成された貼合せパネルのうち前記第２基板の非形成領域において、該貼合せパネルを面内で切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
このような液晶装置の製造方法によると、第２基板の非形成領域においてパネルを切断するものとしており、その切断前（特に第３基板との貼り合わせ前）に切断位置の接着剤層を除去するため、切断工程時において切断位置に接着剤層及び第２基板が存在しないこととなり、該パネルを確実に切断でき、しかもその切断精度は非常に高いものとなる。つまり、切断予定位置に自身の非形成領域を備える形にて第２基板を形成し、さらにその第２基板の非形成領域に位置する接着剤層を除去するとともに、この第２基板及び接着剤層の非形成領域（除去領域）においてパネルを面内で切断することで、切断をより確実且つ高精度に行うことができるようになるのである。なお、パネルを切断した後は、個々のパネルに対して、例えばシール材に形成した液晶注入口から真空下において液晶を注入する工程等を採用することで液晶装置を得ることができる。一方、第２基板と第３基板とを貼り合わせる前に、予めシール材内に液晶を滴下しておけば、上記液晶注入工程は不要となる。また、接着剤層の除去工程には、例えば硫酸等による酸洗浄を好適に用いることができる。
【００１５】
本発明の液晶装置の製造方法において、前記貼合せ基板作成工程後、前記貼合せパネル作成工程の前に、前記貼り合わせた第２基板を所望の厚さに研磨する研磨工程を含むものとすることができる。この場合、得られる貼合せ基板の厚さ調整を簡便且つ確実に行うことができるようになり、例えば上記第１基板を、マイクロレンズを含むマイクロレンズ基板として構成し、当該液晶装置の画素に対する集光を目的とする場合には、その集光の焦点位置を第２基板の厚さに応じて適宜設定可能となる。
【００１６】
本発明の液晶装置の製造方法において、前記第３基板をスイッチング素子及び外部接続端子を含む素子基板とした場合、前記切断工程において前記外部接続端子の非形成領域を切断位置とすることができる。この場合、外部端子を切断してしまう等の不具合を回避することができる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、上記液晶装置を表示部として備えることを特徴とする。このような電子機器は、その表示部において光利用効率が高く、高画質で大画面化を実現することが可能となる。さらに、上記液晶装置を投射型の表示装置において光変調装置として適用した場合も、高画質、高精細な表示が可能な投射型表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
（貼合せ基板の切断方法）
まず、本発明の貼合せ基板の切断方法について、その一実施の形態を図１を参照しつつ説明する。図１は、貼合せ基板の切断工程を示す断面模式図である。はじめに、図１（ａ）に示すように、貼合せ基板を製造するためのベース基板１を用意する。ベース基板１は、凹レンズ１３を有したマイクロレンズ基板であって、ガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなる。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、ベース基板１の表面（貼合せ面）であって、切断予定位置以外の領域に接着剤３を塗布する。つまり、切断予定位置に自身の非形成領域３ａを備えたパターンの接着剤層３をベース基板１上に形成する。
【００２１】
そして、図１（ｃ）に示すように、ベース基板１の接着剤層３上に、該接着剤層３のパターンに応じてカバー基板２を貼り合わせ、貼合せ基板１０を得る。その結果、貼合せ基板１０においては、接着剤層３の非形成領域３ａ上に、カバー基板２の非形成領域２ａが具備されることとなる。なお、カバー基板２はガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。
【００２２】
このような貼合せ基板１０を切断するに際し、本実施の形態では、接着剤層３及びカバー基板２の非形成領域３ａ，２ａにおいて切断を行うものとしている。つまり、図１（ｃ）に示すように、切断面ｘが各非形成領域３ａ，２ａに位置するように貼合せ基板１０の面内切断を行い、それにより図１（ｄ）に示すように、大型の貼合せ基板１０から複数のマイクロレンズ基板１０ａを多数製造することができるようになる。
【００２３】
以上のような切断方法によると、切断位置に接着剤３及びカバー基板２が存在しないため、該貼合せ基板１０を面内で確実に切断でき、しかもその切断精度が非常に高いものとなる。つまり、接着剤層を介して貼り合わせた基板を単に切断する場合には、貼り合わせた２枚の基板と接着剤層とを切断する必要があり、切断が困難になる若しくは切断精度が低下する等の不具合が生じ易かったが、本実施の形態の方法では第１基板のみの単層を切断する手法を採用しているため、そのような不具合を回避することができるようになったのである。そして、このような切断方法により得られたマイクロレンズ基板１０ａは、大型の貼合せ基板１０を切断して得る、いわゆる多面取りにより製造されるものであるため、非常に生産性の高いものとなる。
【００２４】
なお、例えば切断を行う前に、貼合せ対象であるカバー基板２を研磨し、該カバー基板２の厚さを適宜調整することで、得られるマイクロレンズ基板１０ａについて、該基板１０ａによる集光時の焦点を適宜変更することが可能となる。そして、このようなマイクロレンズ基板１０ａは、例えば光源からの光を光照射体の被照射面に集光するための集光手段として、該光源と光照射体との間に配設して使用することができる。
【００２５】
また、図１（ａ）において、凹レンズ１３を形成する際に、切断予定位置には凹レンズ１３を形成しないものとすることもできる。この場合、図１（ｃ）に示す貼合せ基板１０において、ベース基板１の切断面ｘには凹レンズ１３が形成されない構成となり、一層切断精度を高めることが可能となるとともに、図１（ｄ）に示すマイクロレンズ基板１０ａにおいて、ベース基板１の切断位置付近、つまりベース基板１上のカバー基板２が覆われていない領域に凹レンズ１３が形成されない構成を実現できる。
【００２６】
次に、貼合せ基板の切断方法について、その変形例を図２を参照しつつ説明する。図２は、貼合せ基板の切断工程を示す断面模式図である。はじめに、図２（ａ）に示すように、貼合せ基板を製造するためのベース基板１を用意する。ベース基板１は、凹レンズ１３を有したマイクロレンズ基板であって、ガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。なお、ベース基板１の貼合せ面（凹レンズ１３が形成された面）の全面には接着剤３が塗布されている。
【００２７】
そして、図２（ｂ）に示すように、ベース基板１の接着剤層３上に所定パターンのカバー基板２を貼り合わせる。つまり、ベース基板１の接着剤層３上に、切断予定位置に自身の非形成領域２ａを備えたパターンのカバー基板２を貼り合わせ、貼合せ基板１０を得るものとしている。なお、カバー基板２はガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。
【００２８】
次に、図２（ｃ）に示すように、カバー基板２の非形成領域２ａに位置する接着剤層３を除去して、該接着剤層３の非形成領域３ａを設ける。この除去工程は、例えばカバー基板２をマスクとした接着剤層３に対する酸洗浄（例えば硫酸等による）により選択的に行うことができる。このような除去工程の結果、図２（ｃ）に示す貼合せ基板１０においては、接着剤層３の非形成領域３ａとカバー基板２の非形成領域２ａとが上下（基板貼合せ方向）に連通して具備されることとなる。
【００２９】
このような貼合せ基板１０を切断するに際し、本実施の形態では、接着剤層３及びカバー基板２の非形成領域３ａ，２ａにおいて切断を行うものとしている。つまり、図２（ｃ）に示すように、切断面ｘが各非形成領域３ａ，２ａに位置するように貼合せ基板１０の面内切断を行い、それにより、図２（ｄ）に示すように大型の貼合せ基板１０から複数のマイクロレンズ基板１０ａを多数製造することができるようになる。
【００３０】
以上のような切断方法によると、切断位置に接着剤３及びカバー基板２が存在しないため、該貼合せ基板１０を面内で確実に切断でき、しかもその切断精度が非常に高いものとなる。つまり、接着剤層を介して貼り合わせた基板を単に切断する場合には、貼り合わせた２枚の基板と接着剤層とを切断する必要があり、切断が困難になる若しくは切断精度が低下する等の不具合が生じ易かったが、本実施の形態の方法では第１基板のみの単層を切断するものとしているため、そのような不具合を回避することができるようになったのである。そして、このような切断方法により得られたマイクロレンズ基板１０ａは、大型の貼合せ基板１０を切断して得る、いわゆる多面取りにより製造されるものであるため、非常に生産性の高いものとなる。
【００３１】
なお、例えば切断を行う前に、貼合せ対象であるカバー基板２を研磨し、該カバー基板２の厚さを適宜調整することで、得られるマイクロレンズ基板１０ａについて、該基板１０ａによる集光時の焦点を適宜変更することが可能となる。そして、このようなマイクロレンズ基板１０ａは、例えば光源からの光を光照射体の被照射面に集光するための集光手段として、該光源と光照射体との間に配設して使用することができる。
【００３２】
また、図２（ａ）において、凹レンズ１３を形成する際に、切断予定位置には凹レンズ１３を形成しないものとすることもできる。この場合、図２（ｃ）に示す貼合せ基板１０において、ベース基板１の切断面ｘには凹レンズ１３が形成されない構成となり、一層切断精度を高めることが可能となるとともに、図２（ｄ）に示すマイクロレンズ基板１０ａにおいて、ベース基板１の切断位置付近、つまりベース基板１上のカバー基板２が覆われていない領域に凹レンズ１３が形成されない構成を実現できる。
【００３３】
（液晶装置の製造方法）
次に、本発明の液晶装置の製造方法について、その一実施の形態を図３を参照しつつ説明する。図３は、液晶装置の製造工程を示す断面模式図である。本実施の形態は、複数のパネルを含む大型基板から多数のパネルを得る、いわゆる多面取りを採用した液晶装置の製造方法である。
【００３４】
はじめに、図３（ａ）に示すように、液晶装置の一方の基板（特にバックライト側の基板）を製造するためにマイクロレンズ基板１０１を用意する。マイクロレンズ基板１０１は、凹レンズ１１３を有し、ガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、マイクロレンズ基板１０１の表面（貼合せ面）であって、切断予定位置以外の領域に接着剤１０３を塗布する。つまり、切断予定位置に自身の非形成領域１０３ａを備えたパターンの接着剤層１０３を形成する。
【００３６】
そして、図３（ｃ）に示すように、マイクロレンズ基板１０１の接着剤層１０３上に、該接着剤層１０３のパターンに応じてカバー基板１０２を貼り合わせ、貼合せ基板１００を得る。その結果、貼合せ基板１００においては、接着剤層１０３の非形成領域１０３ａ上に、カバー基板１０２の非形成領域１０２ａが具備されることとなる。なお、カバー基板１０２はガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。また、本実施の形態において、カバー基板１０２の表層（マイクロレンズ基板１０１との貼合せ面とは異なる側）には、図示しない共通電極及び配向膜をマイクロレンズ基板１０１との貼り合わせ前、若しくは貼り合わせ後に形成するものとしている。
【００３７】
次に、図３（ｄ）に示すように、ガラス又はプラスチック等の透光性基板上に図示しないＴＦＴ（薄膜トランジスタ）或いはＴＦＤ等のスイッチング素子、画素電極、配向膜等を備えてなる素子基板１２０を用意し、貼合せ基板１００と素子基板１２０とをシール材４を介して貼り合わせる。ここで、シール材４は、各パネル毎に枠状に構成され、内部に液晶を封止する機能を具備するものである。また、素子基板１２０には、各パネル毎に配設される外部接続端子１１４が具備されている。
【００３８】
このように貼合せ基板１００と素子基板１２０とを貼り合わせてなる貼合せパネル２００は、複数のパネルを有して構成され、個々のパネルに切断することで多数の液晶装置を得ることができるものである。そこで、得られた貼合せパネル２００を切断するに際し、本実施の形態では、接着剤層１０３及びカバー基板１０２の非形成領域１０３ａ，１０２ａにおいて切断を行うものとしている。つまり、図３（ｄ）に示すように、切断面ｘが接着剤層１０３及びカバー基板１０２の非形成領域１０３ａ，１０２ａに位置するように貼合せパネル２００の面内切断を行い、それにより大型の貼合せパネル２００から複数の液晶装置を得るものとしている。また、特に各パネルの外部接続端子１１４が位置しない領域を、詳しくは外部接続端子１１４とそれに接続された配線（図示略）を回避する領域を切断面ｘとして切断を行うものとしている。
【００３９】
以上のような切断方法によると、大型の貼合せパネル２００を切断する際に、切断位置に接着剤１０３及びカバー基板１０２が存在しないため、該貼合せパネル２００を面内で確実に切断でき、しかもその切断精度が非常に高いものとなる。そして、このような切断方法により得られた個々の液晶装置は、大型の貼合せパネル２００を切断して得る、いわゆる多面取りにより製造されるものであるため、非常に生産性の高いものとなる。また、液晶を挟持する一対の基板のうちのバックライト側の基板である貼合せ基板１００には、マイクロレンズ基板１０１が備えられているため、例えばカバー基板１０２の厚さを適宜調整することで、バックライトからの光を液晶装置の各画素に集光することが可能となり、当該液晶装置の光利用効率を高めることが可能となる。
【００４０】
なお、例えば貼合せ基板１００を作成した後に、貼合せ対象であるカバー基板１０２を研磨し、該カバー基板１０２の厚さを適宜調整することで、マイクロレンズ基板１００により集光を行う際の焦点を適宜変更することが可能となる。また、図３（ａ）において、凹レンズ１１３を形成する際に、切断予定位置には凹レンズ１１３を形成しないものとすることもできる。この場合、図３（ｃ）に示す貼合せ基板１００において、ベース基板１０１の切断面ｘには凹レンズ１１３が形成されない構成となり、一層切断精度を高めることが可能となるとともに、図３（ｄ）に示す貼合せパネル２００において、ベース基板１０１の切断位置付近、つまりベース基板１０１上のカバー基板１０２が覆われていない領域に凹レンズ１１３が形成されない構成を実現できる。
【００４１】
次に、液晶装置の製造方法について、その変形例を図４を参照しつつ説明する。図４は、液晶装置の製造工程を示す断面模式図である。本実施の形態も、上記同様、複数のパネルを含む大型基板から多数のパネルを得る、いわゆる多面取りを採用した液晶装置の製造方法である。
【００４２】
はじめに、図４（ａ）に示すように、液晶装置の一方の基板（特にバックライト側の基板）を製造するためにマイクロレンズ基板１０１を用意する。マイクロレンズ基板１０１は、凹レンズ１１３を有し、ガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。なお、マイクロレンズ基板１０１の貼合せ面（凹レンズ１１３が形成された面）の全面には接着剤１０３が塗布されている。
【００４３】
そして、図４（ｂ）に示すように、マイクロレンズ基板１０１の接着剤層１０３上に所定パターンのカバー基板１０２を貼り合わせる。つまり、マイクロレンズ基板１０１の接着剤層１０３上に、切断予定位置に自身の非形成領域１０２ａを備えたパターンのカバー基板１０２を貼り合わせ、貼合せ基板１００を得るものとしている。なお、カバー基板１０２はガラス又はプラスチック等の透光性基板より構成されてなるものである。
【００４４】
次に、図４（ｃ）に示すように、カバー基板１０２の非形成領域１０２ａに位置する接着剤層１０３を除去して、該接着剤層１０３の非形成領域１０３ａを設ける。この除去工程は、例えばカバー基板１０２をマスクとした接着剤層１０３に対する酸洗浄（例えば硫酸等による）により選択的に行うことができる。このような除去工程の結果、図４（ｃ）に示す貼合せ基板１００においては、接着剤層１０３の非形成領域１０３ａとカバー基板１０２の非形成領域１０２ａとが上下に連通して具備されることとなる。なお、本実施の形態においては、接着剤層１０３の上記除去工程後、カバー基板１０２の表層（マイクロレンズ基板１０１との貼合せ面とは異なる側）に図示しない共通電極及び配向膜を形成するものとしている。
【００４５】
次に、図４（ｄ）に示すように、ガラス又はプラスチック等の透光性基板上に図示しないＴＦＴ（薄膜トランジスタ）或いはＴＦＤ等のスイッチング素子、画素電極、配向膜等を備えてなる素子基板１２０を用意し、貼合せ基板１００と素子基板１２０とをシール材４を介して貼り合わせる。ここで、シール材４は、各パネル毎に枠状に構成され、内部に液晶を封止する機能を具備するものである。また、素子基板１２０には、各パネル毎に配設される外部接続端子１１４が具備されている。
【００４６】
このように貼合せ基板１００と素子基板１２０とを貼り合わせてなる貼合せパネル２００は、複数のパネルを有して構成され、個々のパネルに切断することで多数の液晶装置を得ることができるものである。そこで、得られた貼合せパネル２００を切断するに際し、本実施の形態では、接着剤層１０３及びカバー基板１０２の非形成領域１０３ａ，１０２ａにおいて切断を行うものとしている。つまり、図４（ｄ）に示すように、切断面ｘが接着剤層１０３及びカバー基板１０２の非形成領域１０３ａ，１０２ａに位置するように貼合せパネル２００の面内切断を行い、それにより大型の貼合せパネル２００から複数の液晶装置を得るものとしている。また、特に各パネルの外部接続端子１１４が位置しない領域を、詳しくは外部接続端子１１４とそれに接続された配線（図示略）を回避する領域を切断面ｘとして切断を行うものとしている。
【００４７】
以上のような切断方法によると、大型の貼合せパネル２００を切断する際に、切断位置に接着剤１０３及びカバー基板１０２が存在しないため、該貼合せパネル２００を面内で確実に切断でき、しかもその切断精度が非常に高いものとなる。そして、このような切断方法により得られた個々の液晶装置は、大型の貼合せパネル２００を切断して得る、いわゆる多面取りにより製造されるものであるため、非常に生産性の高いものとなる。また、液晶を挟持する一対の基板のうちのバックライト側の基板である貼合せ基板１００には、マイクロレンズ基板１０１が備えられているため、例えばカバー基板１０２の厚さを適宜調整することで、バックライトからの光を液晶装置の各画素に集光することが可能となり、当該液晶装置の光利用効率を高めることが可能となる。
【００４８】
なお、例えば貼合せ基板１００を作成した後に、貼合せ対象であるカバー基板１０２を研磨し、該カバー基板１０２の厚さを適宜調整することで、マイクロレンズ基板１００により集光する際の焦点を適宜変更することが可能となる。また、図４（ａ）において、凹レンズ１１３を形成する際に、切断予定位置には凹レンズ１１３を形成しないものとすることもできる。この場合、図４（ｃ）に示す貼合せ基板１００において、ベース基板１０１の切断面ｘには凹レンズ１１３が形成されない構成となり、一層切断精度を高めることが可能となるとともに、図４（ｄ）に示す貼合せパネル２００において、ベース基板１０１の切断位置付近、つまりベース基板１０１上のカバー基板１０２が覆われていない領域に凹レンズ１１３が形成されない構成を実現できる。
【００４９】
（電子機器）
次に、上記実施形態の製造方法により得られた液晶装置を備える電子機器の具体例について説明する。図５は携帯電話の一例を示した斜視図である。図５において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の製造方法により得られた液晶装置を備えた液晶表示部を示している。このように、図５に示す電子機器は、上記方法により得られた液晶装置を備えたものであるので、非常に安価に製造され、しかも光利用効率が高い明るい表示が可能な電子機器となる。
【００５０】
次に、上記実施形態の製造方法により得られた液晶装置を備えた投射型表示装置の具体例について説明する。図６は、上記方法により得られた液晶装置を液晶ライトバルブ（光変調手段）として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図６において、符号８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶ライトバルブ、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズを示す。
【００５１】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上記方法により得られた液晶装置を備えた赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上記方法により得られた液晶装置を備えた緑色光用液晶ライトバルブ８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上記方法により得られた液晶装置を備えた青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射される。また、各色光用液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４の入射側および出射側には偏光板８３２ａ，８３２ｂ，８３３ａ，８３３ｂ，８３４ａ，８３４ｂがそれぞれ設けられている。
【００５２】
各液晶ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００５３】
上記構成の投射型表示装置は、上記実施の形態の製造方法により得られた液晶装置を光変調装置として備えたものであるので、光利用効率が高く、高精細・高画質の表示が可能な投射型表示装置となっている。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施の形態である貼合せ基板の切断方法を示す断面模式図。
【図２】貼合せ基板の切断方法の変形例を示す断面模式図。
【図３】本発明の一実施の形態である液晶装置の製造方法を示す断面模式図。
【図４】液晶装置の製造方法の変形例を示す断面模式図。
【図５】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【図６】投射型表示装置の一実施形態を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００５５】
１…ベース基板（第１基板）、２…カバー基板（第２基板）、３…接着剤（接着剤層）、４…シール材
【図１】
2005134473.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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