(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ素子において有機層の下地などに形成される有機ＥＬ用絶縁膜において、加熱脱水処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理等の前処理に対する耐性を向上させた絶縁膜を提供する。【解決手段】  基板１０に設けられた下部電極２０、発光層を含む有機多層部３０及び上部電極４０からなる素子を発光素子部分として含む有機ＥＬ素子において、下部電極２０と上部電極４０との間に、パターン加工された絶縁膜５０を存在させた非発光素子部分を保有し、且つ該絶縁膜５０の開口部には有機多層部３０と互いに対向する上部電極４０および下部電極２０とが設けられている。ここで、絶縁膜５０は、ノボラック樹脂および１，２−キノンジアジド化合物などを含有するもので、分子量１０００以下の成分を含まないものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子量１０００以下の成分を含まないことを特徴とする有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項２】
ポリスチレン換算重量平均分子量が、６０００以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項３】
ポリスチレン換算重量平均分子量が、８０００以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項４】
分子量分布のピークが１つとなるように分子量を揃えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項５】
ノボラック樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を含有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項６】
窒素含有塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項７】
メラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項８】
窒素含有塩基性化合物ならびにメラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の有機ＥＬ用絶縁膜。
【請求項９】
基板に設けられた下部電極、発光層を含む有機多層部及び上部電極からなる素子を発光素子部分として含む有機ＥＬ素子において、
下部電極と上部電極との間に、パターン加工された請求項１ないし８のいずれか１つに記載の絶縁膜を存在させた非発光素子部分を保有し、且つ該絶縁膜の開口部には発光層を含む有機多層部と互いに対向する前記上部電極および前記下部電極とが設けられているとともに、実質的に正孔または電子の注入ができるように前記有機多層部と前記上部電極および前記下部電極とが接合され配置されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
下部電極上の所望の位置に絶縁膜をパターニングした後、有機ＥＬ層の成膜工程前に行われる基板の前処理工程において加熱処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理を単独または組み合わせて行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記前処理における加熱処理の温度が２００℃以上であることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記前処理におけるＵＶオゾン処理を１００℃以上の温度で行うことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記前処理におけるプラズマ処理のプラズマパワー密度が２００ｍＷ／ｃｍ2以上であることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁膜として、請求項１ないし８のいずれか１つに記載の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）用絶縁膜および有機ＥＬ素子ならびに有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機ＥＬ素子は、基板に設けられた下部電極、発光層を含む有機多層部及び上部電極が順次積層されてなる素子を発光素子部分として含むものである。そして、このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ用の絶縁膜が設けられている。
【０００３】
具体的には、下部電極と上部電極との間に、パターン加工された絶縁膜を存在させた非発光素子部分を保有し、且つ該絶縁膜の開口部には発光層を含む有機多層部と互いに対向する上部電極および下部電極とが設けられている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第２７３４４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような有機ＥＬ素子は、ガラス基板上にＩＴＯ等の透明電極、絶縁膜、陰極隔壁をパターニングし、加熱脱水処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理等の前処理を行った後、有機材料、陰極材料を蒸着法にて積層し、ドライ雰囲気中で封止することにより製造される。
【０００５】
ここで、絶縁膜材料には、作製のしやすさ、およびコストの面からレジスト材料が用いられるようになってきている。
【０００６】
しかし、これまでの絶縁膜は基板の前処理に対する耐性が低いため、基板を十分に加熱して脱水処理を行うことができなかったり、ＵＶオゾン処理やプラズマ処理において絶縁膜が削られ、膜厚の減少や絶縁膜表面のあれおよび削られた膜の再付着が起きていた。
【０００７】
有機ＥＬに用いられる有機材料は、水分や溶剤に対して分解や変質しやすいため、有機ＥＬ素子に用いられる絶縁膜の前処理に対する耐性が低いと、基板表面からのアウトガスや、絶縁膜表面のあれ、および膜の再付着によりダークスポットや画素エッジ付近の輝度低下、高温保存時の輝度低下といった問題が生じていた。
【０００８】
本発明は上記問題に鑑み、前処理に対する耐性を向上させた絶縁膜を提供すること、そのような絶縁膜を用いた有機ＥＬ素子および有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、分子量１０００以下の成分を含まないことを特徴とする有機ＥＬ用絶縁膜が提供される。
【００１０】
本発明は実験検討した結果、見出されたものであり、それによれば、加熱脱水処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理等の前処理に対する耐性を向上させた絶縁膜を提供することができる。
【００１１】
ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の有機ＥＬ用絶縁膜においては、ポリスチレン換算重量平均分子量が６０００以上であることが好ましい。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明のように、請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ用絶縁膜において、ポリスチレン換算重量平均分子量が８０００以上であることが好ましい。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明のように、請求項１ないし請求項３に記載の有機ＥＬ用絶縁膜において、分子量分布のピークが１つとなるように分子量を揃えたものにすることが好ましい。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明のように、請求項１ないし請求項４に記載の有機ＥＬ用絶縁膜において、ノボラック樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を含有することが好ましい。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明のように、請求項１ないし請求項５に記載の有機ＥＬ用絶縁膜において、窒素含有塩基性化合物を含有することが好ましい。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明のように、請求項１ないし請求項６に記載の有機ＥＬ用絶縁膜において、メラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有することが好ましい。
【００１７】
また、請求項８に記載の発明のように、請求項１ないし請求項７に記載の有機ＥＬ用絶縁膜において、窒素含有塩基性化合物ならびにメラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有することが好ましい。
【００１８】
また、請求項９に記載の発明では、基板に設けられた下部電極、発光層を含む有機多層部及び上部電極からなる素子を発光素子部分として含む有機ＥＬ素子において、下部電極と上部電極との間に、パターン加工された請求項１ないし８のいずれか１つに記載の絶縁膜を存在させた非発光素子部分を保有し、且つ該絶縁膜の開口部には発光層を含む有機多層部と互いに対向する前記上部電極および前記下部電極とが設けられているとともに、実質的に正孔または電子の注入ができるように前記有機多層部と前記上部電極および前記下部電極とが接合され配置されていることを特徴としている。
【００１９】
それによれば、前処理に対する耐性を向上させた絶縁膜を用いた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００２０】
請求項１０に記載の発明では、下部電極上の所望の位置に絶縁膜をパターニングした後、有機ＥＬ層の成膜工程前に行われる基板の前処理工程において加熱処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理を単独または組み合わせて行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法が提供される。
【００２１】
ここで、請求項１１に記載の発明のように、請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記前処理における加熱処理の温度が２００℃以上であるものにすることができる。
【００２２】
また、請求項１２に記載の発明のように、請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記前処理におけるＵＶオゾン処理を１００℃以上の温度で行うようにできる。
【００２３】
また、請求項１３に記載の発明のように、請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記前処理におけるプラズマ処理のプラズマパワー密度が２００ｍＷ／ｃｍ2以上であるようにできる。
【００２４】
また、請求項１４に記載の発明では、請求項１０ないし請求項１３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記絶縁膜として、請求項１ないし請求項８のいずれか１つに記載の絶縁膜を形成することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
有機ＥＬ素子作製工程における基板加熱、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理に対して絶縁膜に十分な耐性を持たせることが上記した本発明の問題を解決できると考え、前処理に対する耐性を向上させるための検討を行った。
【００２６】
その結果、（ａ）ノボラック樹脂、および（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物を含有することを特徴とするレジスト材料において低分子量成分が熱に対して分解しやすく、かつＵＶオゾン処理、プラズマ処理で除去されやすいこと分かった。
【００２７】
そこで、分子量が１０００以下の成分を含まないこと、ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）を６０００以上、好ましくは８０００以上にすることが有効であると判断した。
【００２８】
さらに、使用する材料の分子量分布のピークが多数あると、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理に対して均一に反応せず、表面のあれにつながると考え、分子量分布を単一のピークに揃えたところ良好な結果が得られた。
【００２９】
以下、本発明の有機ＥＬ表示素子用絶縁膜の各成分について説明する。
【００３０】
（ａ）ノボラック樹脂：
本実施形態に用いられる（ａ）ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒存在下で重縮合して得られる。
【００３１】
この際使用されるフェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトール、ビスフェノールＡ、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステル、ｏ−ニトロフェノール、ｍ−ニトロフェノール、ｐ−ニトロフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール等を挙げることができる。
【００３２】
これらの化合物のうちｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール等が好ましい。これらのフェノール類は、単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。
【００３３】
また、上記フェノール類と重縮合するアルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−エチルベンズアルデヒド、ｍ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルアルデヒド、フルフラール、１−ナフトアルデヒド、２−ナフトアルデヒド、２−ヒドロキシ−１−ナフトアルデヒド等を挙げることができる。
【００３４】
また、反応中にアルデヒドを生成する化合物として、トリオキサン等も前記アルデヒド類と同様に使用できる。これらのうち、特にホルムアルデヒドを好適に用いることができる。これらのアルデヒド類およびアルデヒドを生成する化合物は、単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。アルデヒド類はフェノール類１モルに対して、通常、０．７〜３モル、好ましくは０．７〜２モルの割合で使用される。
【００３５】
酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、蟻酸、酢酸、シュウ酸等を使用することができる。その使用量は、フェノール類１モル当たり１×１０-4〜５×１０-1モルが好ましい。
【００３６】
重縮合の反応には、通常、反応媒質として水が用いられるが、重縮合の反応において使用するフェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、反応媒質として親水性有機溶媒を使用することもできる。
【００３７】
この際使用される溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類を挙げることができる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量部当たり、２０〜１００重量部が好ましい。
【００３８】
縮合の反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調節することができるが、通常、１０〜２００℃である。重縮合の反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒および反応媒質を除去するため、一般的には温度を１３０〜２３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、ノボラック樹脂を回収することができる。
【００３９】
このとき、必要に応じて重縮合反応後の反応混合物を適当な溶剤で洗浄したのちノボラック樹脂の回収工程を行っても良い。こうして得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量（以下、単に平均分子量という）は、通常、２，０００〜２０，０００の範囲である。
【００４０】
本実施形態で用いられる、ノボラック樹脂の平均分子量は６０００以上、より好ましくは８０００以上で、しかも分子量１０００以下の成分を含まないものが好ましい。さらに、分子量分布のピークが１つとなるように分子量を揃えたものが望ましい。
【００４１】
これは分子量が１０００以下の低い成分は、露光部の架橋反応が起こっても分子量が上がらないため現像時間中に溶解しやすく、かつ耐ＵＶオゾン特性、耐プラズマ特性が不十分であるためである。
【００４２】
さらに、平均分子量が６０００未満のものは低分子量成分が相対的に多くなるため、耐ＵＶオゾン特性、耐プラズマ特性が不十分であるためである。また、使用する材料の分子量分布のピークが多数あると、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理に対して均一に反応せず、表面のあれにつながるためである。
【００４３】
そこで、分子量や分子量分布を制御することが必要である。この方法としては、樹脂を破砕し、適当な溶解度を持つ有機溶剤で固−液抽出するか、樹脂を良溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下するか、または貧溶剤を滴下して固−液または液−液抽出するなどの方法が挙げられる。
【００４４】
（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物：
本実施形態で用いられる（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物としては、放射線を吸収してカルボン酸を発生する構造を有する１，２−キノンジアジド化合物が好適に使用でき、例えば１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド等を挙げることができる。
【００４５】
これらの具体例としては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドキシフラバン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリヒドロキシフェニル）アルカンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが挙げられる。
【００４６】
これらの化合物のほかに、「Ｊ．Ｋｏｓａｒ著”Ｌｉｇｈｔ−Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｓｙｓｔｅｍｓ”３３９〜３５２（１９６５）、Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ社（Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ）」や「Ｗ．Ｓ．Ｄｅ  Ｆｏｒｅｓ著”Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ”５０（１９７５）ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｉｎｃ．（Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ）」に記載されている１，２−キノンジアジド化合物を用いることができる。
【００４７】
これらは、その一部または全量を上記（ａ）ノボラック樹脂と反応させて縮合体を形成した形態で用いてもよい。
【００４８】
これらの１，２−キノンジアジド化合物のうち、好ましくは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等のトリヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類；２，３，４，３’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシ−３’−メトキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等のテトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル；ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルが挙げられる。
【００４９】
さらに好ましくは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシ−３’−メトキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等のテトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル；１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルが挙げられる。
【００５０】
上記の１，２−キノンジアジド化合物は単独で、または２種以上を混合して用いることができる。
【００５１】
（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物の添加量は（ａ）ノボラック樹脂１００重量部に対して、好ましくは５〜１００重量部、より好ましくは１０〜５０重量部である。この添加量が５重量部未満のときは、パターンニングが困難になる場合があり、一方、１００重量部を越える場合は、アルカリ性水溶液からなる現像液による現像が困難となる場合がある。
【００５２】
上記（ａ）ノボラック樹脂、および（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物を含有する有機ＥＬ用絶縁膜は、現像残滓がなく、かつ有機ＥＬ素子用として透水性が十分に低く、微量の水分が原因のダークエリアの発生を押さえることができる。
【００５３】
（ｃ）塩基性含窒素化合物：
本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜において、（ｃ）塩基性含窒素化合物を使用することによって該組成物から形成された絶縁膜は、塩基性材料で構成されるホール輸送層、有機ＥＬ層、および電子輸送層ならびに低仕事関数の金属を主体として構成される陰極との反応性が十分に抑制されており、これらが浸食されることによるダークスポットの発生を押さえることができる。
【００５４】
本実施形態に用いられる（ｃ）塩基性含窒素化合物としては、露光やベークにより塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましく、たとえば、次の［１］〜［６］のうちから選ばれる１種以上を使用することができる。
【００５５】
［１］次の一般式（１）、
（化１）
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ          ……（１）
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基を示す。ただし、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が同時に水素原子となることはない。）で表される化合物（以下、「含窒素化合物（Ｉ）」という。）。
【００５６】
［２］同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（ＩＩ）」という。）。
【００５７】
［３］窒素原子を３個以上有する重合体（以下、「含窒素化合物（ＩＩＩ）」という。）。
【００５８】
［４］アミド基含有化合物、［５］ウレア化合物、および［６］含窒素複素環化合物。
【００５９】
上記［１］含窒素化合物（Ｉ）の具体例としては、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノアルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン等のトリアルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げることができる。これらのうち、トリアルキルアミン類が好ましい。
【００６０】
上記［２］含窒素化合物（ＩＩ）の具体例としては、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン等を挙げることができる。
【００６１】
上記［３］含窒素化合物（ＩＩＩ）の具体例としては、ポリ（４−ピリジン）、ポリ（２−ピリジン）、ポリ（Ｎ−２−ピロリドン）、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリ（ジメチルアミノエチルアクリルアミド）等を挙げることができる。
【００６２】
上記［４］アミド基含有化合物の具体例としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
【００６３】
上記［５］ウレア化合物の具体例としては、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。
【００６４】
上記［６］含窒素複素環化合物の具体例としては、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］  オクタン等を挙げることができる。これらのうち、ピリジン類が特に好ましく使用できる。
【００６５】
これらの塩基性含窒素化合物のうち、［１］含窒素化合物（Ｉ）、および［６］含窒素複素環化合物等が好ましく用いられる。
【００６６】
本実施形態において、（ｃ）塩基性含窒素化合物は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６７】
本実施形態における塩基性含窒素化合物の使用量は、（ａ）ノボラック樹脂１００重量部当たり、通常、０．０１〜２０重量部、好ましくは０．０５〜１０重量部である。
【００６８】
この場合、塩基性含窒素化合物の使用量が０．０１重量部未満では、有機ＥＬ素子の寿命の向上効果が十分に得られない場合があり、また２０重量部を超えると、有機ＥＬ用絶縁膜としての感度や露光部の現像性が低下する場合がある。
【００６９】
（ｄ）メラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物：
本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜において、（ｄ）メラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を使用することによって、該組成物から形成された絶縁膜は、特にパッシブ型液晶表示素子の陰極形成時に使用されるレジスト剥離液に対する耐性が十分に高く、レジスト剥離液に晒されても絶縁膜が剥離することがない。
【００７０】
本実施形態で使用されるメラミン類は、下記一般式（２）で表される。
【００７１】
【化２】
2005216714.tif 000003
上記式（２）中、Ｒ４〜Ｒ９は同一でも異なっていてもよく、水素原子または−ＣＨ2ＯＲ基を示し、Ｒは水素原子またはＣ１〜Ｃ６のアルキル基を示す。ただし、Ｒ４〜Ｒ９のうち、少なくとも１つは必ず−ＣＨ2ＯＲ基である。
【００７２】
上記一般式（２）で表わされるメラミン類としては、例えばヘキサメチロールメラミン、ヘキサブチロールメラミン、部分メチロール化メラミン及びそのアルキル化体、テトラメチロールベンゾグアナミン、部分メチロール化ベンゾグアナミン及びそのアルキル化体等を挙げることができる。
【００７３】
これらメラミン類のうち実用上市販されているサイメル３００、３０１、３０３、３７０、３２５、３２７、７０１、２６６、２６７、２３８、１１４１、２７２、２０２、１１５６、１１５８、１１２３、１１７０、１１７４、ＵＦＲ６５、３００（以上、三井サイアナミッド（株）製）、ニカラックＭｘ−７５０、−０３２、−７０６、−７０８、−４０、−３１、ニカラックＭｓ−１１、ニカラックＭｗ−３０（以上、三和ケミカル社製）などを好ましく使用することができる。
【００７４】
これらメラミン類の添加量は、（ａ）ノボラック樹脂１００重量部に対して、好ましくは１〜１００重量部、より好ましくは５〜５０重量部である。
【００７５】
添加量が１重量部より少ないと架橋密度が低下し、絶縁膜形成後の耐アルカリ性に劣る場合があり、また１００重量部を越えると組成全体のアルカリ溶解性が高くなりすぎるため、現像後の残膜率が低化するという問題が起こり易くなる。
【００７６】
本実施形態で用いられるエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族ポリグリシジルエーテルなどが挙げられるが、具体的にはたとえば下記のような市販品を用いることができる。
【００７７】
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、エピコート１５２、１５４（以上、油化シェルエポキシ（株）製）、ＥＰＰＮ  ２０１、２０２（以上、日本化薬（株）製）等が挙げられる。
【００７８】
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＥＯＣＮ−１０２、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０２０、１０２５、１０２７（以上、日本化薬（株）製）、エピコート１８０Ｓ７５（油化シェルエポキシ（株）製）等が挙げられる。
【００７９】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エピコート１００１、１００２、１００３、１００４、１００７、１００９、１０１０、８２８（以上、油化シェルエポキシ（株）製）等が挙げられる。
【００８０】
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、エピコート８０７（油化シェルエポキシ（株）製）等が挙げられる。
【００８１】
環式脂肪族エポキシ樹脂としては、ＣＹ−１７５、１７７、１７９（以上、チバガイギー（社）製）、ＥＲＬ−４２３４、４２９９、４２２１、４２０６（以上、Ｕ．Ｕ．Ｃ（社）製）、ショーダイン５０９（昭和電工（株）製）、アルダライトＣＹ−１８２、１９２、１８４（以上、チバガイギー（社）製）、エピクロン２００、４００（以上、大日本インキ（株）製）、エピコート８７１、８７２（以上、油化シェルエポキシ（株）製）、ＥＤ−５６６１、５６６２（以上、セラニーズコーティング（株）製）等が挙げられる。
【００８２】
脂肪族ポリグリシジルエーテルとしては、エポライト１００ＭＦ、２００Ｅ、４００Ｅ（以上、共栄社油脂化学工業（株）製）、エピオールＴＭＰ（日本油脂（株）製）等が挙げられる。
【００８３】
これらは、２種以上組み合わせて用いることもできる。エポキシ樹脂の添加量は、（ａ）ノボラック樹脂１００重量部に対して好ましくは１〜１００重量部であり、さらに好ましくは５〜５０重量部である。
【００８４】
その他の添加剤について：
本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜には、本発明の目的を損なわない限りにおいて、その他の添加剤を使用することができる。
【００８５】
このようなその他の添加剤としては、例えば、増感剤、界面活性剤、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等が挙げられる。
【００８６】
上記増感剤は、本実施形態の感放射線組成物の放射線に対する感度を向上させる目的で配合することができる。
【００８７】
増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−１，４−オキサジン−３（４Ｈ）−オン類、１０Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−（１，４）−  ベンゾチアジン類、ウラゾ−ル類、ヒダントイン類、バルビツ−ル酸類、グリシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。
【００８８】
これらの増感剤の配合量は、（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物１００重量部に対して、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１〜５０重量部である。
【００８９】
上記界面活性剤は、塗布性、例えばストリエーションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良するために配合することができる。
【００９０】
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等の、ポリエチレングリコールジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、３０３、３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、１７２、１７３（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．５７、９５（共栄社化学（株）製）等が挙げられる。
【００９１】
このような界面活性剤の配合量は、組成物の固形分あたり、通常２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。
【００９２】
上記接着助剤は、本実施形態の感放射線性組成物から形成された絶縁膜と基板との密着性を改良するために使用することができる。
【００９３】
このような接着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用され、例えばカルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性置換基を有するシランカップリング剤が挙げられる。
【００９４】
具体的には、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００９５】
このような界面活性剤の配合量は、組成物の固形分１００重量部あたり、通常１５重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【００９６】
本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜は、通常溶媒に溶解させた状態に調整され、使用される。本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜の調製に用いられる溶媒としては、上記の（ａ）ノボラック樹脂、（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物、（ｃ）塩基性含窒素化合物、（ｄ）メラミン類、エポキシ樹脂類、および任意に添加されるその他の添加剤を均一に溶解し、各成分と反応しないものが用いられる。
【００９７】
本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜の調製に用いられる溶媒の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールアルキルエーテル類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類を挙げることができる。
【００９８】
これらの溶剤の中で、溶解性、各成分との反応性および塗膜の形成のしやすさから、グリコールエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、エステル類およびジエチレングリコール類が好ましく用いられる。これらの溶剤は、単独でまたは混合して用いることができる。
【００９９】
さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−  ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶剤を添加することもできる。
【０１００】
本実施形態の感放射線性組成物は、上記の溶媒を用いて調製される。その使用目的により、適宜の固形分濃度を採用できるが、例えば、固形分濃度２０〜４０重量％とすることができる。また上記のように調製された組成物溶液は、孔径０．２μｍ程度のミリポアフィルタなどを用いて濾過した後、使用に供することもできる。
【０１０１】
［有機ＥＬ表示素子の絶縁膜の形成方法］：
本実施形態の有機ＥＬ用絶縁膜は、下地基板表面に塗布し、プレベークにより溶媒を除去することによって塗膜とすることができる。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法、バー塗布法などの適宜の方法を採用することができる。
【０１０２】
また、プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合などによっても異なるが、通常６０〜１１０℃で０．５〜１５分間程度の条件が最適である。プリベーク後の膜厚は感放射線組成物の固形分濃度や塗布条件により所望の値とすることができるが、０．２５〜４μｍ程度とすることができる。
【０１０３】
次に、形成された塗膜に所定のパターンのマスクを介して放射線を照射する。
【０１０４】
ここで用いられる放射線としては、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線が挙げられる。これらのうち、ｇ線およびｉ線が好ましい。
【０１０５】
放射線を照射した後、現像液を用いて現像処理して放射線の照射部分を除去することにより所望のパターンを得ることができる。
【０１０６】
ここで用いられる現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類；エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一級アミン類；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二級アミン類；トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン類；ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン等のアルコ−ルアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩またはピロ−ル、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−（５．４．０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−（４．３．０）−５−ノナン等の環状アミン類を水に溶解したアルカリ水溶液が好ましく使用される。
【０１０７】
また該現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル類や界面活性剤を適量添加して使用することもできる。さらに本実施形態の組成物を溶解する各種有機溶媒も現像液として使用することができる。現像方法としては、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等を利用することができる。
【０１０８】
現像処理後に、パターニングされた膜に対し、例えば流水洗浄によるリンス処理を行ってもよい。さらに、高圧水銀灯などによる放射線を全面に照射することにより、当該膜中に残存する１，２−キノンジアジド化合物の分解処理を行うこともできる。
【０１０９】
その後、この膜をホットプレート・オーブン等の加熱装置を用いて加熱することにより硬化処理を行う。
【０１１０】
この硬化処理における加熱温度は、例えば１５０〜２５０℃とすることができ、加熱時間は、ホットプレート上で焼成を行う場合には５〜３０分間、オーブン中で焼成を行う場合には３０〜９０分間とすることができる。
【０１１１】
［有機ＥＬ素子およびその製造方法］：
本実施形態の有機ＥＬ素子は、前記の如くして形成された絶縁膜を備えている。その具体的な断面構成を図１に示す。
【０１１２】
図１に示されるように、有機ＥＬ素子は、ガラス基板などの基板１０の上には、下部電極２０、発光層を含む有機多層部３０及び上部電極４０からなる素子を発光素子部分として含むものである。
【０１１３】
ここで、下部電極２０は、たとえば図１中の紙面垂直方向に延びるストライプ形状にパターニングされ、上部電極４０は、たとえば図１中の左右方向に延びるストライプ形状にパターニングされたものである・
ここにおいて、下部電極２０と上部電極との間に、パターン加工された本実施形態の絶縁膜５０を存在させた非発光素子部分が存在する。この絶縁膜５０は、下部電極２０の間を埋めるとともに下部電極２０上では開口するように、パターニング形成されている。
【０１１４】
そして、該絶縁膜５０の開口部には発光層を含む有機多層部３０と互いに対向する上部電極４０および下部電極２０とが設けられている。
【０１１５】
そして、実質的に正孔または電子の注入ができるように有機多層部３０と上部電極４０および下部電極２０とが接合され配置されている。つまり、上部電極４０と下部電極２０との間に電圧を印加することにより、有機多層部３０における発光層が発光するようになっている。
【０１１６】
本実施形態の有機ＥＬ素子は例えば下記の如くして製造される。
【０１１７】
ガラス基板１０上にＩＴＯ等の透明電極をスパッタリングで形成し、その上にポジ型フォトレジストのパターンを形成する。次いで、例えば塩酸系エッチャントでＩＴＯ膜をエッチングし、レジスト膜を剥離して透明電極をパターン化例えばストライプ状にパターン化する。こうして下部電極２０が形成される。
【０１１８】
このパターン化された透明電極としての下部電極２０を持つ基板１０上に、上記の如くして本実施形態の絶縁膜５０のパターンを形成する。次いで、上部電極４０間を区画するための隔壁（図示せず）を形成した後、有機多層膜３０の成膜前処理を行う。例えば前処理として、ＵＶオゾン処理を２００℃で５分間、プラズマ処理をＡｒ／Ｏ2混合ガス中にて２５０ｍＷ／ｃｍ2のパワー密度で３分間行えば良い。
【０１１９】
続いて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などからなる有機多層部３０、陰極層としての上部電極４０を順次形成する。
【０１２０】
正孔注入層としては、例えばＣｕＰｃ、Ｈ2Ｐｃの如きフタロシアニン系材料が用いられる。正孔輸送層としては、例えば芳香族３級アミンが用いられる。
【０１２１】
また、発光材料としては、例えばＡｌｑ３のようなホストにキナクリドンやクマリンをドープしたもの、いわゆる低分子有機ＥＬ材料や、ポリフェニレンビニレン系、フルオレン系の如き高分子有機ＥＬ材料が用いられる。また、電子輸送層としては、例えばＡｌｑ３が用いられる。
【０１２２】
さらに、陰極材料としては、例えばＭｇ−Ａｌ、Ａｌ−Ｌｉ、Ａｌ−Ｌｉ2Ｏ、Ａｌ−ＬｉＦなどが用いられる。
【０１２３】
次に、中空構造のＳＵＳ缶と上記基板１０をエポキシ樹脂等の封止材で封止したのち、モジュールに組立て、有機ＥＬ素子とすることができる。
【０１２４】
なお、本実施形態の絶縁膜５０は、以下の［１］〜［４］に示される各種の組成物の態様を採りうるものである。
【０１２５】
［１］（ａ）ノボラック樹脂、および（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物を含有する組成物。
【０１２６】
［２］（ａ）ノボラック樹脂、（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物、および（ｃ）窒素含有塩基性化合物を含有する組成物。
【０１２７】
［３］（ａ）ノボラック樹脂、（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物、ならびに（ｄ）メラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有する組成物。
【０１２８】
［４］（ａ）ノボラック樹脂、（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物、（ｃ）窒素含有塩基性化合物、ならびに（ｄ）メラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有する組成物。
【０１２９】
上記有機ＥＬ発光材料として低分子有機ＥＬ材料が使用される場合、有機ＥＬ発光層の形成には一般に蒸着法が採用され、このような有機ＥＬ表示素子に用いる絶縁膜としては上記［１］〜［４］の組成物すべての態様が好ましく使用できる。
【０１３０】
また、上記有機ＥＬ発光材料として高分子有機ＥＬ材料が使用される場合、有機ＥＬ発光層の形成には一般に有機ＥＬ発光材料を溶媒に溶解して塗布する方法が採用され、このような有機ＥＬ表示素子に用いる絶縁膜としては上記［３］および［４］の組成物の態様が好ましく使用できる。
【０１３１】
以下、本発明を下記実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら制約されるものではない。
【０１３２】
なお、以下の各実施例において用いられるノボラック樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパミエーションクロマトグラフィ）によって次の条件で測定される。
【０１３３】
装置：ＳＣ８０２０（ＴＯＳＯ社製）、
カラム：ＴＯＳＯ社製のＴＳＫＧＥＬ  Ｇ３０００ＨＸＬおよび同社製のＧ２０００ＨＸＬ１０００を１本づつ組み合わせて使用、
温度：３８℃、
溶媒：ＴＨＦ、
流速：１．０ｍｌ／ｍｉｎ．
試料：濃度０．０５〜０．６重量％の試料を０．１ｍｌ注入。
【０１３４】
以上の条件で測定し、試料の分子量算出にあたっては単分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量構成曲線を使用する。更に、ワックスの分子量は、Ｍａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ粘度式から導き出される換算式で換算することによって算出される。
【０１３５】
検量線作成用の標準ポリスチレン試料としては、例えば、ＰｒｅｓｓｕｒｅＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製或いは東ソー製の分子量が６×１０2、２．１×１０3、４×１０3、１．７５×１０4、５．１×１０4、１．１×１０5、３．９×１０5、８．６×１０5、２×１０6、４．４８×１０6のものを用い、少なくとも１０点程度の標準ポリスチレン試料を用いた。
【０１３６】
［ノボラック樹脂の合成例１］：
冷却管、撹拌機および温度計を装着した１Ｌのステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）製の釜に、メタクレゾール：５７ｇ（０．６ｍｏｌ）、パラクレゾール：３８ｇ（０．４ｍｏｌ）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７７．１ｇ（ホルムアルデヒド：０．９５ｍｏｌ相当）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物：０．９５ｇ（０．００５ｍｏｌ）、およびメチルイソブチルケトン：２６４ｇを仕込んだ後、フラスコを油浴中に浸し、反応液を還流させながら、１３０℃で撹拌下４時間重縮合を行った。
【０１３７】
次いで油浴の温度を３時間かけて１８０℃まで昇温し、その後に、釜内の圧力を３０ｍｍＨｇまで減圧して揮発分を除去し、溶融している樹脂を室温まで冷却して回収した。この樹脂を酢酸エチルに樹脂成分が３０％になるように溶解した後、この溶液重量の２．６倍量のメタノールと、０．９倍量の水を加えて、撹拌放置した。２層に分離した下層を取り出し、濃縮、乾燥して樹脂を回収した。この操作を２回繰り返した。
【０１３８】
得られた樹脂は分子量１，０００以下の成分を含まず、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００であった。そのＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフ）曲線を図２に示す。
【０１３９】
［ノボラック樹脂の合成例２］：
冷却管、撹拌機および温度計を装着した１Ｌのステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）製の釜に、メタクレゾール：５４．０７ｇ（０．５ｍｏｌ）、パラクレゾール：５４．０７ｇ（０．５ｍｏｌ）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７６．６ｇ（ホルムアルデヒド：０．９５ｍｏｌ相当）、シュウ酸二水和物：６．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）、およびメチルイソブチルケトン：２６４ｇを仕込んだ後、フラスコを油浴中に浸し、反応液を還流させながら、１３０℃で撹拌下４時間重縮合を行った。
【０１４０】
次いで油浴の温度を３時間かけて１８０℃まで昇温し、その後に、釜内の圧力を３０ｍｍＨｇまで減圧して揮発分を除去し、溶融している樹脂を室温まで冷却して回収した。この樹脂を酢酸エチルに樹脂成分が３０％になるように溶解した後、この溶液重量の２．６倍量のメタノールと、０．９倍量の水を加えて、撹拌放置した。２層に分離した下層を取り出し、濃縮、乾燥して樹脂を回収した。この操作を２回繰り返した。
【０１４１】
得られた樹脂は分子量１，０００以下の成分を含まず、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１２，０００であった。そのＧＰＣ曲線を図３に示す。
【０１４２】
［ノボラック樹脂の合成例３］：
冷却管、撹拌機および温度計を装着した１Ｌのステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）製の釜に、メタクレゾール：５４．０７ｇ（０．５ｍｏｌ）、２，３−キシレノール：２９．０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、３，４−キシレノール：２９．０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７６．６ｇ（ホルムアルデヒド：０．９５ｍｏｌ相当）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物：０．９５ｇ（０．００５ｍｏｌ）、およびメチルイソブチルケトン：２６４ｇを仕込んだ後、フラスコを油浴中に浸し、反応液を還流させながら、１３０℃で撹拌下４時間重縮合を行った。
【０１４３】
次いで油浴の温度を３時間かけて１８０℃まで昇温し、その後に、釜内の圧力を３０ｍｍＨｇまで減圧して揮発分を除去し、溶融している樹脂を室温まで冷却して回収した。この樹脂を酢酸エチルに樹脂成分が３０％になるように溶解した後、この溶液重量の２．６倍量のメタノールと、０．９倍量の水を加えて、撹拌放置した。２層に分離した下層を取り出し、濃縮、乾燥して樹脂を回収した。この操作を２回繰り返した。
【０１４４】
得られた樹脂は分子量１，０００以下の成分を含まず、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１１，０００であった。そのＧＰＣ曲線を図４に示す。
【０１４５】
［ノボラック樹脂の比較例１］
冷却管、撹拌機および温度計を装着した１Ｌのステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）製の釜に、メタクレゾール：５７ｇ（０．６ｍｏｌ）、パラクレゾール：３８ｇ（０．４ｍｏｌ）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７５．５ｇ（ホルムアルデヒド：０．９３ｍｏｌ相当）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物：０．９５ｇ（０．００５ｍｏｌ）、およびメチルイソブチルケトン：２６４ｇを仕込んだ後、フラスコを油浴中に浸し、反応液を還流させながら、１３０℃で撹拌下４時間重縮合を行った。
【０１４６】
次いで油浴の温度を３時間かけて１８０℃まで昇温し、その後に、釜内の圧力を３０ｍｍＨｇまで減圧して揮発分を除去し、溶融している樹脂を室温まで冷却して回収した。この樹脂を酢酸エチルに樹脂成分が３０％になるように溶解した後、この溶液重量の１．３倍量のメタノールと、０．９倍量の水を加えて、撹拌放置した。２層に分離した下層を取り出し、濃縮、乾燥して樹脂を回収した。
【０１４７】
この樹脂は分子量１，０００以下の成分を５％含み、重量平均分子量（Ｍｗ）は、８，０００であった。そのＧＰＣ曲線を図５に示す。
【０１４８】
ここで、上記合成例１、合成例２、合成例３、比較例１により得られた樹脂を、それぞれ樹脂１、樹脂２、樹脂３、樹脂４と言うことにする。
【０１４９】
次の表１は、以下に述べる実施例１〜３の詳細を示すものである。
【０１５０】
【表１】
2005216714.tif 000004
なお、この表１において、添加量の単位は重量部であり、化合物ア、イおよびウは、下記の化合物を表す。
【０１５１】
「化合物ア」：１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（１．９モル）との縮合物（１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）。
【０１５２】
「化合物イ」：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）との縮合物（４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）。
【０１５３】
「化合物ウ」：２，３，４−ヒドロキシベンゾフェノン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）との縮合物（２，３，４−ヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）。
【実施例１】
【０１５４】
（ａ）成分としてのノボラック樹脂および（ｂ）成分としての１，２−キノンジアジド化合物を含有する絶縁膜の調製。
【０１５５】
（ａ）成分として合成例１で得られた樹脂１を１００重量部、および（ｂ）成分として「化合物ア」すなわち１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（１．９モル）との縮合物（１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）を３０重量部混合し、固形分濃度が３０重量％となるよう３−メトキシプロピオン酸メチルで希釈、溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、組成物溶液を調製した。
【０１５６】
（１）感放射線性の評価：
ガラス基板上に上記で調製した組成物溶液を、１．０μｍの膜厚になるようにスピンコートし、９０℃のクリーンオーブン中で１５分間プレベークした。
【０１５７】
その後、３０μｍのライン・アンド・スペースのパターンマスクを介して大日本科研製露光機（ＭＡ−１３００型）で露光を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、１分間現像した。
【０１５８】
その後、水で流水洗浄し、乾燥してウェハー上にパターンを形成し、３０μｍのパターンが形成できた最小露光量を調べた。この値を表１に示す。この値が２００ｍＪ／ｃｍ2以下のとき、感放射線性は良好といえる。実施例１では１００ｍＪ／ｃｍ2と良好であった。
【０１５９】
（２）パターン状薄膜の形成：
ガラス基板上に上記で調製した組成物溶液を、１．０μｍの膜厚になるようにスピンコートし、９０℃のクリーンオーブン中で１５分間プレベークした。
【０１６０】
その後、所定のパターンマスクを介して、大日本科研製露光機（ＭＡ−１３００型）で露光を行った。このときの露光量は、上記（１）で測定した、３０μｍのパターンが形成できた最小露光量とした。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、１分間現像した。
【０１６１】
その後、水で流水洗浄し、乾燥してウェハー上にパターンを形成した。次いで、上記露光機を用いてｇｈｉ混合線で３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、さらにクリーンオーブンにて２２０℃、６０分間加熱して、パターン状薄膜を形成した。
【０１６２】
（３）断面形状の評価：
上記で形成したパターン状薄膜の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製  Ｓ−４７００）で調べ、断面形状のテーパー角（パターンの断面形状の底辺と、エッジ部の接線とがなす角。以下同じ。）を測定した。結果を表１に示す。この値が５０゜以下のとき、パターンの断面形状は良好といえる。実施例１では、テーパー角は２０°と良好であった。
【０１６３】
（４）現像残りの有無：
ＩＴＯを蒸着したガラス基板上に（２）と同様にしてパターン状薄膜を形成後、以下の２つの方法により現像残りの有無を調べた。（ｉ）グリーンランプ（（株）フナテック社製）を用い、目視で観察。（ｉｉ）走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製  Ｓ−４７００）を使用し、倍率４０，０００倍にて観察。観察結果を表１に示す。実施例１では、現像残りは無かった。
【０１６４】
（５）透水性：
厚さ２５μｍのポリイミドシート上に、上記組成物溶液を膜厚１０μｍになるようスピン法にて塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で１５分間プレベ−クし、次いで２２０℃にて６０分間加熱し、ポリイミドシート上に硬化膜を形成した。
【０１６５】
この膜で、蒸留水１５ｇを入れたアルミカップを密封するよう覆った。これを５０℃の恒温槽に入れ、１５０時間後のカップの重量減少を測定し、単位面積当たりの透水性を計算にて求めた。結果は表１に示した。この値が５００ｇ／ｃｍ2以下のとき、透水性は十分低いと言える。実施例１では、４５０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。
【０１６６】
（６）耐ＵＶオゾン特性：
ＩＴＯ付きガラス基板に、上記の（２）に従いパターン状薄膜の形成した。これをＵＶオゾン発生装置（サムコインターナショナル社製  ＵＶ−１）にて、１５０℃で５分間ＵＶオゾン処理したパターン状薄膜の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製  Ｓ−４７００）を使用し、倍率１００，０００倍にて表面状態を観察した。
【０１６７】
しかしながら、パターン状薄膜表面に荒れは全く見られなかった。また、処理後の膜厚を段差計（ケーエルエー・テンコール（株）製  ＦＰ−２０Ａ）を用いて測定した。この膜厚の変化量が５０ｎｍ以下、かつ表面に荒れが無いときに耐性は十分と言える。実施例１では、耐ＵＶオゾン性は充分であり、問題なかった。
【０１６８】
（７）耐プラズマ特性：
上記（６）の基板をさらに、Ａｒ量：５０ｓｃｃｍ、Ｏ2量：４０ｓｃｃｍ、１Ｐａ、１００Ｗ（２５０ｍＷ／ｃｍ2）にて３分間プラズマ処理を行い、（６）と同様の評価を行った結果、実施例１では、耐性は十分であった。
【０１６９】
（８）未発光部の有無：
上記（７）の基板上にＣｕＰｃ１５ｎｍ、α―ＮＰＤ４０ｎｍ、Ａｌｑ４０ｎｍ、ＬｉＦ０．５ｎｍ、Ａｌ１００ｎｍを真空蒸着し、評価用の有機ＥＬパネルを作製し、点灯試験を行い、目視にて未発光部の有無を調べたが、実施例１では、まったくダークスポットは観測されなかった。
【実施例２】
【０１７０】
上記実施例１において、（ａ）成分および（ｂ）成分の種類と添加量を表１の通りとした他は実施例１と同様に実施し、評価した。結果は表１に示す。
【０１７１】
（ａ）成分として合成例２で得られた樹脂２を１００重量部、および（ｂ）成分として「化合物イ」を３０重量部混合し、組成物溶液を調製した。
【０１７２】
感放射線性については、１２０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は１６°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、５００ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例３】
【０１７３】
上記実施例１において、（ａ）成分および（ｂ）成分の種類と添加量を表１の通りとした他は実施例１と同様に実施し、評価した。結果は表１に示す。
【０１７４】
（ａ）成分として合成例３で得られた樹脂３を１００重量部、および（ｂ）成分として「化合物ウ」を２０重量部混合し、組成物溶液を調製した。
【０１７５】
感放射線性については、１００ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は２３°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、４７０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【０１７６】
（比較例１）
（ａ）成分として比較例１で得られた樹脂４を１００重量部を用いる他は、上記実施例１と同様に行った。
【０１７７】
上記のように耐ＵＶオゾン及びプラズマ処理を行ったところ、絶縁膜表面全面に３０ｎｍの深さの凹凸ができ、膜厚は１００ｎｍ減少した。発光画素内部には、絶縁膜の分解物が付着しているのが、観測された。さらに、有機ＥＬ素子を作成し、発光を確認したところ、無数のダークスポットが観測された。
【０１７８】
次の表２は、以下に述べる実施例４〜６の詳細を示すものである。
【０１７９】
【表２】
2005216714.tif 000005
ただし、この表２において、添加量の単位は重量部であり、化合物ア、イおよびウは上記表１と同じであり、化合物Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤは下記の化合物を表す。
【０１８０】
化合物Ａ：Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジン、
化合物Ｂ：トリフェニルアミン、
化合物Ｃ：トリアクチルアミン、
化合物Ｄ：ニコチン酸アミド。
【実施例４】
【０１８１】
（ａ）成分としてのノボラック樹脂、（ｂ）成分としての１，２−キノンジアジド化合物および（ｃ）成分としての窒素含有塩基性化合物を含有する有機ＥＬ用絶縁膜の調製。
【０１８２】
（ａ）成分として合成例３で得られた樹脂３を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物ア」すなわち１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（１．９モル）との縮合物（１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）を４０重量部、（ｃ）成分として「化合物Ａ」すなわちＮ，Ｎ−ジメチルピリジンを１重量部混合し、固形分濃度が３０重量％となるよう３−メトキシプロピオン酸メチルで希釈、溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、組成物溶液を調製した。
【０１８３】
上記の組成物溶液を使用して実施例１と同様に実施し、感放射線性、断面形状、現像残りの有無、透水性、耐ＵＶオゾン特性、耐プラズマ特性、および未発光部の有無を評価した。その結果を表２に示す。
【０１８４】
感放射線性については、１２０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は１２°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、４５０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例５】
【０１８５】
上記実施例４において、（ａ）成分、（ｂ）成分、および（ｃ）成分の種類と添加量を表２の通りとした他は実施例４と同様に実施し、評価した。結果は表２に示す。
【０１８６】
（ａ）成分として合成例１で得られた樹脂１を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物イ」を２５重量部、（ｃ）成分として「化合物Ｂ」３重量部と「化合物Ｄ」１重量部とを混合し、組成物溶液を調製した。
【０１８７】
感放射線性については、１２０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は１５°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、３８０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例６】
【０１８８】
上記実施例４において、（ａ）成分、（ｂ）成分、および（ｃ）成分の種類と添加量を表２の通りとした他は実施例４と同様に実施し、評価した。結果は表２に示す。
【０１８９】
（ａ）成分として合成例２で得られた樹脂２を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物ウ」を１９重量部、（ｃ）成分として「化合物Ｃ」を５重量部混合し、組成物溶液を調製した。
【０１９０】
感放射線性については、１００ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は１０°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、４４０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【０１９１】
次の表３は、以下に述べる実施例７〜９の詳細を示すものである。
【０１９２】
【表３】
2005216714.tif 000006
ただし、この表３において、添加量の単位は重量部であり、化合物ア、イおよびウは上記表１と同じであり、メラミンα、メラミンβおよびエポキシαは以下のものである。
【０１９３】
メラミンα：三井サイアナミッド（株）製、「サイメル３００」、
メラミンβ：三井サイアナミッド（株）製、「サイメル３７０」、
エポキシα：油化シェルエポキシ（株）製、「エピコート１５２」。
【実施例７】
【０１９４】
（ａ）成分としてのノボラック樹脂、（ｂ）成分としての１，２−キノンジアジド化合物および（ｄ）成分としてのメラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有する有機ＥＬ用絶縁膜の調製。
【０１９５】
（ａ）成分として合成例２で得られた樹脂２を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物ア」すなわち１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（１．９モル）との縮合物（１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）を３０重量部、および（ｄ）成分として「メラミンα」すなわちサイメル３００（三井サイアナミッド（株）製、メラミン化合物）を２５重量部混合し、固形分濃度が３０重量％となるよう３−メトキシプロピオン酸メチルで希釈、溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、組成物溶液を調製した。
【０１９６】
上記の組成物溶液を使用して実施例１と同様に実施し、感放射線性、断面形状、現像残りの有無、透水性、耐ＵＶオゾン特性、耐プラズマ特性、および未発光部の有無を評価した。結果を表３に示す。
【０１９７】
感放射線性については、１２０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は９°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、４３０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例８】
【０１９８】
上記実施例７において、（ａ）成分、（ｂ）成分、および（ｄ）成分の種類と添加量を表３の通りとした他は実施例７と同様に実施し、評価した。結果は表３に示す。
【０１９９】
（ａ）成分として合成例３で得られた樹脂３を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物イ」を２５重量部、（ｄ）成分として「エポキシα」を１５重量部混合し、組成物溶液を調製した。
【０２００】
感放射線性については、１２０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は７°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、３８０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例９】
【０２０１】
上記実施例７において、（ａ）成分、（ｂ）成分、および（ｄ）成分の種類と添加量を表３の通りとした他は実施例７と同様に実施し、評価した。結果は表３に示す。
【０２０２】
（ａ）成分として合成例１で得られた樹脂１を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物ウ」を１６重量部、（ｄ）成分として「メラミンβ」を４０重量部混合し、組成物溶液を調製した。
【０２０３】
感放射線性については、１００ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は１０°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、３４０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【０２０４】
次の表４は、以下に述べる実施例１０〜１２の詳細を示すものである。
【０２０５】
【表４】
2005216714.tif 000007
ただし、この表４において、添加量の単位は重量部であり、化合物ア、イおよびウは上記表１と同じであり、化合物Ａ、化合物Ｂ、および化合物Ｄは上記表２と同じであり、メラミンα、メラミンβおよびエポキシαは上記表３と同じであり、メラミンγおよびエポキシβは下記のものである。
【０２０６】
メラミンγ：三井サイアナミッド（株）製「サイメル３０３」、
エポキシβ：油化シェルエポキシ（株）製「エピコート１５４」。
【実施例１０】
【０２０７】
（ａ）成分としてのノボラック樹脂、（ｂ）成分としての１，２−キノンジアジド化合物、（ｃ）成分としての窒素含有塩基性化合物、および（ｄ）成分としてのメラミン化合物およびエポキシ化合物のうちから選ばれる少なくとも一つの化合物を含有する有機ＥＬ用絶縁膜の調製。
【０２０８】
（ａ）成分として合成例１で得られた樹脂１を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物ア」すなわち１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（１．９モル）との縮合物（１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル）を４５重量部、（ｃ）成分として「化合物Ｄ」すなわちニコチン酸アミドを５重量部、および（ｄ）成分として「メラミンα」すなわちサイメル３００（三井サイアナミッド（株）製、メラミン化合物）３０重量部を混合し、固形分濃度が３０重量％となるよう３−メトキシプロピオン酸メチルで希釈、溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、組成物溶液を調製した。
【０２０９】
上記の組成物溶液を使用して実施例７と同様に実施し、感放射線性、断面形状、現像残りの有無、透水性、耐ＵＶオゾン特性、耐プラズマ特性、および未発光部の有無を評価した。結果を表４に示す。
【０２１０】
感放射線性については、１５０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は７°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、４２０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例１１】
【０２１１】
上記実施例１０において、（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、および（ｄ）成分の種類と添加量を表４の通りとした他は実施例１０と同様に実施し、評価した。結果は表４に示す。
【０２１２】
（ａ）成分として合成例３で得られた樹脂３を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物イ」を２５重量部、（ｃ）成分として「化合物Ａ」を８重量部、（ｄ）成分として「エポキシβ」５重量部と「メラミンγ」１５重量部とを混合し、組成物溶液を調製した。
【０２１３】
感放射線性については、１２０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は１０°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、３８０ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【実施例１２】
【０２１４】
上記実施例１０において、（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、および（ｄ）成分の種類と添加量を表４の通りとした他は実施例１０と同様に実施し、評価した。結果は表４に示す。
【０２１５】
（ａ）成分として合成例１で得られた樹脂１を１００重量部、（ｂ）成分として「化合物ウ」を１６重量部、（ｃ）成分として「化合物Ｂ」を２重量部、（ｄ）成分として「メラミンα」を５０重量部混合し、組成物溶液を調製した。
【０２１６】
感放射線性については、９０ｍＪ／ｃｍ2と良好であり、断面形状については、テーパー角は７°と良好であった。また、現像残りは無く、透水性は、３００ｇ／ｃｍ2と十分低かった。また、耐ＵＶオゾン性、耐プラズマ特性とも十分であり問題なく、ダークスポットもまったく観測されなかった。
【０２１７】
以上述べてきたように、本発明によれば、有機ＥＬ素子作製工程における基板加熱、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理に対して絶縁膜に十分な耐性を持たせる方法が提供される。
【０２１８】
それゆえ、ＵＶオゾン処理やプラズマ処理において絶縁膜の膜厚の減少や絶縁膜表面のあれが抑制され、有機ＥＬ素子にした場合にダークスポットや画素エッジ付近の輝度低下及び８５℃以上の高温保存時の輝度低下が発生しなくなる。
【図面の簡単な説明】
【０２１９】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図２】合成例１にて得られたノボラック樹脂のＧＰＣ曲線を示す図である。
【図３】合成例２にて得られたノボラック樹脂のＧＰＣ曲線を示す図である。
【図４】合成例３にて得られたノボラック樹脂のＧＰＣ曲線を示す図である。
【図５】比較例１にて得られたノボラック樹脂のＧＰＣ曲線を示す図である。
【符号の説明】
【０２２０】
１０…基板、２０…下部電極、３０…有機多層部、４０…上部電極、５０…絶縁膜。
【図１】
2005216714.tif 000008
【図２】
2005216714.tif 000009
【図３】
2005216714.tif 000010
【図４】
2005216714.tif 000011
【図５】
2005216714.tif 000012