(57)【要約】 【課題】  透明電極の物性を電気光学装置用基板の製造段階で検査可能であって、長期信頼性に優れた電気光学装置用基板等を提供することができる電気光学装置用基板の検査方法、及びそれを用いた電気光学装置用基板の製造方法を提供する。【解決手段】  電気光学装置用基板上に形成された透明電極の物性を評価するための電気光学装置用基板の検査方法、及びその検査方法を含む製造方法であって、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して、エッチング処理液を使用して第１エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する透明電極形成工程と、透明電極に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行うとともに、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程と、を含む。【選択図】  図２
2005134543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置用基板上に形成された透明電極の物性を評価するための電気光学装置用基板の検査方法であって、
ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して、エッチング処理液を使用して第１エッチング処理を行うことにより前記透明電極を形成する透明電極形成工程と、
前記透明電極に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行い、前記保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、前記透明電極の物性を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項２】
前記評価工程を複数回実施することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項３】
前記評価工程において、ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠した碁盤目試験を行うか、あるいは前記透明電極の浸食性を観察することにより、前記透明電極の物性として、密着性を評価することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項４】
前記透明電極形成工程において、前記保護膜の端部に傾斜部を設けることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項５】
前記透明電極形成工程において、下地層を介して前記透明電極を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項６】
前記透明電極形成工程において、前記保護膜を光硬化性アクリル樹脂から構成するとともに、前記透明電極を酸化インジウムスズ膜から構成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項７】
前記評価工程において、前記第１及び第２エッチング処理に使用するエッチング処理液の成分として塩酸及び塩化鉄を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項８】
前記評価工程において、前記透明電極に対して前記エッチング処理液を吹付けるか、あるいは前記透明電極を前記エッチング処理液中に浸漬させることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の検査方法。
【請求項９】
ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成する保護膜形成工程と、当該保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して第１エッチング処理を行うことにより前記透明電極を形成する透明電極形成工程と、を含む電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記透明電極に対して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行い、前記保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、前記透明電極の物性を評価する評価工程をさらに含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記評価工程で得られた透明電極の物性の評価結果を、前記保護膜形成工程及び透明電極形成工程、あるいはいずれか一方の形成工程の製造条件に、フィードバックさせることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記評価工程を、前記透明電極形成工程に対して並列的に設けるとともに、当該透明電極形成工程における透明電極が形成された電気光学装置用基板を任意的に採取し、その透明電極の物性を評価することを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の検査方法、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。特に、電気光学装置用基板の製造段階において、透明電極の物性、例えば、密着性を評価することにより、電気光学装置用基板の製造条件を適正条件に調整することが可能であって、長期信頼性に優れた電気光学装置用基板を提供することができる電気光学装置用基板の検査方法、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置等の電気光学装置に使用される電気光学装置用基板は、ガラス基板上に形成された、反射膜や、カラーフィルタ、保護膜、透明電極、配向膜等により構成されている。すなわち、反射膜や、カラーフィルタ等が形成されたガラス基板上に、反射膜の結晶粒子の成長を抑えたり、あるいは、電気光学装置用基板の表面を平坦化したりする役割を果たす保護膜を形成した後、結晶性あるいは非結晶性の透明電極、及び配向膜が積層されている。
ここで、保護膜は、反射膜やカラーフィルタ等が形成される表示領域に形成すれば十分である。そして、電気光学装置用基板や電気光学装置等を薄型化できることからも、当該表示領域にのみ、選択的に保護膜を形成した電気光学装置用基板が開示されている。より詳細には、図１０に示すように、一対の電気光学装置用基板３２０、３２１がシール材３９０を介して貼り合わせられている電気光学装置３９０において、シール枠及びシール枠外においては保護膜（平坦化膜）３７５を設けず、シール枠内のみにおいて、反射膜３０２や、カラーフィルタ３７４を覆うように保護膜３７５、３０３を形成した電気光学装置用基板３２０、３２１が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−４９０３３号公報  （図１０）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示された電気光学装置用基板では、選択的に形成された保護膜を含むガラス基板上に、透明電極を積層した場合、保護膜の境界部分において、透明電極と、保護膜との間の密着性が低下しやすいという問題が見られた。すなわち、ガラス基板上において、保護膜が形成されている箇所と、形成されていない箇所とが存在しており、その境界付近に非平坦部（傾斜部）が形成されている。そして、形成される透明電極の結晶状態等が異なるために、かかる非平坦部における透明電極へ応力が集中しやすく、かかる透明電極が剥離したり、断線したりするという問題が見られた。
また、透明電極の結晶状態等は、時間の経過に伴って変化（進行）するという特性があり、透明電極の密着不良に関して、初期的には発見できない場合であっても、電気光学装置や電子機器等に組み込まれて使用された後に、かかる密着不良に起因して、断線や欠落が生じるという問題が見られた。
一方、このような透明電極の密着不良を、あらかじめ製造段階において発見できるような適当な検査方法が見出されておらず、さらには何ら実施もされていないために、電気光学装置用基板や電気光学装置等の長期信頼性が乏しいという問題も見られた。
【０００４】
そこで、本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、製造段階において、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における透明電極の密着性等の物性を評価して、透明電極の形成不良の有無を確認可能な検査方法、及びその検査方法を含む電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。また、かかる物性の評価結果に基づき、電気光学装置用基板の製造条件等を適宜調整して、電気光学装置や電子機器を組み立てた場合には、優れた長期信頼性が得られる電気光学装置用基板の検査方法、及びその検査方法を含む電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、電気光学装置用基板上に形成された透明電極の物性を評価するための電気光学装置用基板の検査方法であって、
ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して、エッチング処理液を使用して第１エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する透明電極形成工程と、
透明電極に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行い、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法が提供され、上述した問題点を解決することができる。
なお、非平坦部とは、保護膜を含むガラス基板上において、平面的に段差が生じている部分を意味し、主として、ガラス基板上に選択的に保護膜を形成した場合の、当該保護膜の端部を含む箇所を指す。
【０００６】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程を複数回実施することが好ましい。
【０００７】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程において、ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠した碁盤目試験を行うか、あるいは透明電極の浸食性を観察することにより、透明電極の物性として、密着性を評価することが好ましい。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、透明電極形成工程において、保護膜の端部に傾斜部を設けることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、透明電極形成工程において、下地層を介して透明電極を形成することが好ましい。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、透明電極形成工程において、保護膜を光硬化性アクリル樹脂から構成するとともに、透明電極を酸化インジウムスズ膜から構成することが好ましい。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程において、第１及び第２エッチング処理に使用するエッチング処理液の成分として塩酸及び塩化鉄を含むことが好ましい。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程において、エッチング処理液を透明電極に対して処理するにあたり、エッチング処理液を吹付けるか、あるいはエッチング処理液中に浸漬させることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の別の態様は、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成する保護膜形成工程と、当該保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、透明導電材料に対して第１エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する透明電極形成工程と、を含む電気光学装置用基板の製造方法であって、
透明電極に対して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行い、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程をさらに含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法である。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を実施するにあたり、評価工程で得られた透明電極の物性の評価結果を、保護膜形成工程及び透明電極形成工程、あるいはいずれか一方の形成工程の製造条件に、フィードバックさせることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を実施するにあたり、評価工程を、透明電極形成工程に対して並列的に設けるとともに、当該透明電極形成工程における透明電極が形成された電気光学装置用基板を任意的に採取し、その透明電極の物性を評価することが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置用基板の検査方法、及びその検査方法を含む電気光学装置用基板の製造方法に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１７】
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１〜図３に例示するように、電気光学装置用基板１２上に形成された透明電極１９の物性を評価するための電気光学装置用基板１２の検査方法である。
そして、ガラス基板１３上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜２１５を含むガラス基板１３上に透明導電材料１９Ｘを積層するとともに、当該透明導電材料１９Ｘに対して、エッチング処理液を使用して第１エッチング処理を行うことにより透明電極１９を形成する透明電極形成工程と、
透明電極１９に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行い、保護膜２１５を含むガラス基板１３の非平坦部８０ａ、８０ｂにおける、透明電極１９の物性を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする。
以下、第１実施形態の電気光学装置用基板の検査方法について、電気光学装置用基板としてのカラーフィルタ基板（第１の基板）における、保護膜（平坦化膜）を含むガラス基板（第１のガラス基板）上に対して、透明電極（第１の透明電極）を形成した場合を例にとって説明する。
【００１８】
１．検査対象
検査対象としてのカラーフィルタ基板１２は、図１（ｄ）に示すように、基本的に、ガラス基板１２と、着色層１６と、保護膜（平坦化膜）２１５と、第１の透明電極１９と、配向膜２１７と、から構成してあることが好ましい。また、図示しないが、カラーフィルタ基板１２において、電気絶縁性を向上させるための絶縁層を設けることも好ましい。
また、カラーフィルタ基板１２において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶装置においては、ガラス基板１２と、着色層１６との間に、半透過反射機能を有する反射層２１２を設けることが好ましい。また、かかる反射層は、基材の表面に独立して形成された複数の凸部を有する第１の反射基部と、その上に形成された比較的なだらかな表面状態を有する連続層からなる第２の反射基部と、さらにその上に形成された金属薄膜からなる反射膜と、を含むことが好ましい。
【００１９】
また、着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、図１（ｄ）に示すように、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に、黒色遮光膜（ブラックマトリクス或いはブラックマスク）１８が形成してあることが好ましい。
この黒色遮光膜１８としては、例えば黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものや、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。
なお、着色層の配列パターンとして、ストライプ配列や、斜めモザイク配列、あるいは、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００２０】
また、図１（ｄ）に示すように、保護膜（平坦化膜）２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等からなる第１の透明電極１９を形成することが好ましい。かかる第１の透明電極１９は、ストライプ状であって、それが複数個並列した構成であることが好ましい。
また、第１の透明電極１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、液晶材料の電圧駆動を容易に実施することができるためである。
【００２１】
２．透明電極形成工程
第１実施形態にかかる透明電極形成工程は、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対してエッチング処理液を使用して第１エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する工程である。以下、カラーフィルタ基板（第１の基板）における、保護膜を含む第１のガラス基板上に透明電極を形成する場合を例に採って、図３（ａ）〜（ｇ）を適宜参照しながら説明する。
【００２２】
まず、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラス基板１３上におけるカラーフィルタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂ等が形成された領域、すなわち、表示領域に相当する箇所に形成された保護膜２１５を含むガラス基板１３に対して、全面的に透明導電材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。
このとき、図３及び図７に示すように、保護膜２１５の端部には傾斜部８０を有することが好ましい。この理由は、かかる傾斜部を有することにより、保護膜を含むガラス基板上に透明電極を形成した場合に、保護膜の端部が垂直状となっている場合と比較して、応力の集中を緩和することができるためである。したがって、断線や欠落等を効果的に防止することが可能となる。
なお、図７は、図３（ｂ）のＸＸ断面を矢印方向に見た部分垂直断面図である。
また、透明導電材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）や、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化スズ・酸化アンチモン等を使用することができるが、より低抵抗性を示すことから、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）を使用することが好ましい。この透明導電層は、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。
【００２３】
また、透明導電層を積層するにあたり、図３（ｂ）に示すように、Ｔａ２Ｏ５やＳｉＯ２等からなる下地層８１を形成した後に積層することが好ましい。この理由は、保護膜及びガラス基板上の透明電極の結晶状態等を均一化させて、透明導電層の密着性を高めることができるためである。
そして、図３（ｃ）〜（ｇ）に示すように、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１（ｄ）及び図３（ｇ）に示すように、透明電極（第１の透明電極）１９を形成することが好ましい。具体的には、まず、所定のパターニングを施したレジスト材料８６を透明導電層１９Ｘ上に積層する。次いで、レジスト材料８６が被覆している部分以外の透明導電材料１９Ｘに対して、エッチング処理液を使用してエッチング処理（第１エッチング処理）を行うことにより、所定パターンの透明電極（第１の透明電極）１９を形成することができる。
なお、図１（ｄ）は、図３（ｇ）のＹＹ断面を矢印方向に見た図を示している。
【００２４】
３．評価工程
第１実施形態にかかる評価工程は、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、透明電極１９に対して、透明導電材料を所定形状の透明電極とするための第１エッチング処理とは異なるエッチング処理（第２エッチング処理）を行い、保護膜（平坦化膜）２１５を含む第１のガラス基板１３の非平坦部８０における、第１の透明電極１９の物性、例えば、密着性を検査する工程である。
すなわち、透明電極の密着性に乏しい場合には、当該箇所にエッチング処理液を容易に浸入させて、透明電極を過度に浸食させることができるためである。したがって、電気光学装置用基板の製造段階において、透明電極の形成不良を発見することが容易になる。よって、かかる形成不良が発見された場合には、同様の条件で製造された電気光学装置用基板については、電気光学装置等に組み入れることを中断することが可能になる。また、電気光学装置用基板の製造条件にフィードバックし、かかる製造条件を迅速に適正範囲に調整することができる。
また、保護膜の非平坦部に対応した箇所において特に透明電極の密着不良や断線が生じやすいことから、当該箇所においてエッチング処理試験としての第２エッチング処理を行うことにより、厳しい条件で、透明電極の形成状態を評価することができる。したがって、得られる電気光学装置用基板や電気光学装置等の長期信頼性を著しく高めることができる。
以下、透明電極に対するエッチング処理試験と、透明電極の評価試験とに分けて説明する。
【００２５】
（１）エッチング処理試験（第２エッチング処理）
（１）−１  概要
エッチング処理試験は、保護膜を含むガラス基板上に形成された透明電極に対してエッチング処理（第２エッチング処理）を行い、透明電極の特性、例えば、保護膜を含むガラス基板に対する密着性の評価を、迅速かつ正確に実施するための工程である。すなわち、エッチング処理試験を行うことにより、形成不良等により透明電極の密着性に乏しい箇所にエッチング処理液を浸入させて、当該箇所の透明電極を過度に浸食させることができるためである。
ここで、エッチング処理試験は、上述の透明電極形成工程における透明導電層のエッチング処理（第１エッチング処理）ラインを利用して、すなわち、再度、既存のエッチングラインに投入して、実施することが好ましい。
一方、かかるエッチングラインの一部を分岐させて、エッチング処理試験用の検査ラインを設けて実施することも好ましい。すなわち、エッチング処理試験を行う評価工程を、透明電極形成工程に対して並列的に設けるとともに、当該透明電極形成工程における透明電極が形成された電気光学装置用基板を任意的に採取し、その透明電極の物性を評価することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、電気光学装置用基板の製造装置や、透明導電層のエッチング処理の際に使用するエッチング処理液等を、製造工程及び評価工程において併用することができ、迅速かつ効率的にエッチング処理試験を行うことができるためである。また、製造中の電気光学装置用基板における透明電極の物性を迅速に検査することができ、即時、製造条件を調整して、電気光学層装置用基板の歩留まりを向上させることができるためである。
【００２６】
（１）−２  エッチング処理液の成分
エッチング処理試験に使用するエッチング処理液の成分としては、塩酸及び塩化鉄を含むことが好ましい。すなわち、透明電極形成工程において、透明導電層の第１エッチング処理に使用するのと同じエッチング処理液を使用することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、製造工程におけるエッチング処理ラインの一部をそのまま利用して、エッチング処理試験を実施することが可能となるためである。したがって、製造装置とは別の検査装置等を設けることなく、所定のエッチング処理試験を実施することができる。
【００２７】
（１）−３  ボーメ値
また、使用するエッチング処理液に関して、比重に関するボーメ値を４０〜７０°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、エッチング処理液のボーメ値が４０°未満の値になると、迅速かつ正確に透明電極の形成不良を評価することが困難となる場合があるためである。一方、エッチング処理液のボーメ値が７０°を超えると、形成不良でなく適切な透明電極まで浸食等させてしまい、結局、透明電極の物性を正確に評価することが困難となる場合があるためである。
したがって、使用するエッチング処理液のボーメ値を４５〜６５°の範囲内の値とすることがより好ましく、５０〜６０°の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２８】
（１）−４  ｐＨ値
また、使用するエッチング処理液に関し、ｐＨ値を２〜５の範囲内の値とすることが好ましく、２．５〜４の範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、エッチング処理液のｐＨ値が２未満の値となると、迅速かつ正確に透明電極の形成不良を評価することが困難となる場合があるためである。一方、エッチング処理液の濃度が５を超えると、形成不良でなく適切な透明電極まで浸食等させてしまい、結局、透明電極の物性を正確に評価することが困難となる場合があるためである。
【００２９】
（１）−５  処理方法
また、エッチング処理液を透明電極に対して処理するにあたり、図４（ａ）に示すように、第１の透明電極１９に対してエッチング処理液９０を吹付けたり、噴霧したりすることが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、少量のエッチング処理液を使用して、透明電極の所望の箇所に対して適確にエッチング処理液を浸入させることができるためである。また、エッチング処理試験を実施するスペースを大掛かりなものとする必要がなく、省スペース化を図ることができるためである。したがって、透明電極の密着性等が乏しい場合には、確実に保護膜あるいはガラス基板から浮かせることが可能になる。
また、エッチング処理液を透明電極に対して処理するにあたり、図４（ｂ）に示すように、電気光学装置用基板１２をエッチング処理液９０中に浸漬することも好ましい。
この理由は、このように実施することにより、透明電極の面積やパターンにかかわらず、確実に処理することができるためである。したがって、透明電極の密着性等が乏しい場合に、効率よく透明電極を浸食させることが可能になる。よって、透明電極の形成不良を、容易に発見することが可能になる。
【００３０】
（１）−６  温度
また、エッチング処理試験を実施するにあたり、エッチング処理液の温度を１０〜５０℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、迅速に透明電極を浸食させることができるためである。また、製造装置やエッチング処理液等の一部を利用して、効率的に、透明電極の結晶性等を変化させることができるためである。したがって、透明電極の密着不良を、迅速かつ確実に発見することが可能になる。
よって、エッチング処理液の温度を１２〜４０℃の範囲内の値とすることがより好ましく、１５〜３０℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、透明電極形成工程におけるエッチング処理と同様の温度条件で実施することが好ましい。よって、かかるエッチング処理液の温度を１０〜５０℃の範囲内の値とすることにより、実際の製造条件とも同一化することができ、評価結果のフィードバックも容易になる。
【００３１】
（１）−７  時間
また、エッチング処理試験を実施するにあたり、エッチング処理液による処理時間を４０〜３００秒の範囲内とすることが好ましい。
この理由は、かかる処理時間が４０秒未満となると、透明電極の密着不良等を適確に測定できない場合があるためである。一方、かかる処理時間が３００秒を超えると、評価工程全体として過度に時間を費やしてしまい、効率が低下してしまうためである。
したがって、エッチング処理液による処理時間を５０〜２４０秒の範囲内とすることがより好ましく、６０〜１８０秒の範囲内とすることがさらに好ましい。
【００３２】
（１）−８  回数
また、エッチング処理試験を適当な条件において１回実施するだけで、透明電極の密着不良等につき、十分評価することができるものの、複数回実施することも好ましい。
この理由は、このように実施することにより、透明電極の密着不良等の度合いに応じて、迅速かつ効率的にかかる密着不良等を発見することができるためである。
また、エッチング処理試験を複数回実施する場合において、上述したｐＨ値や、濃度、温度等の条件を変えることなくそのまま繰り返し実施しても良いが、かかるｐＨ値や、濃度、温度等の条件を変えた上で、複数回実施することも好ましい。例えば、濃度が異なるエッチング処理液を数種準備しておき、どの段階の濃度で透明電極が剥離したかにより、透明電極の密着性を客観的に判断することができる。
【００３３】
（２）特性評価
次いで、エッチング処理試験を実施した透明電極についての特性評価、例えば、エッチング処理液によって一部浸食させた透明電極と、保護膜を含むガラス基板との間の密着性評価を行う。すなわち、密着性等が乏しい透明電極は、エッチング処理試験によって、過度に浸食していたり、保護膜あるいはガラス基板から一部浮くか、あるいは剥離しているために、容易に密着不良を発見できる状態となっている。
例えば、かかる密着性等を評価するにあたり、ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠して、碁盤目試験を実施することが好ましい。具体的には、図２（ｂ）に示すように、保護膜２１５を含むガラス基板１３上の非平坦部８０に形成された透明電極１９に、１μｍ角の碁盤目を１００個形成した後、粘着テープ９２を貼付し、次いで、図２（ｃ）に示すように、粘着テープ９２を引き剥がして、基板上に残存した透明電極１９の碁盤目数を測定することにより、評価することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、簡易な方法で透明電極の密着性を評価することができるためである。また、密着不良を生じやすい非平坦部において評価することにより、より厳しい条件での密着性を評価することができるためである。
したがって、かかる碁盤目試験を実施した結果、例えば、基板上に残存した透明電極の碁盤目数が、１００個中、８０個未満となった場合には、透明電極の密着性を不良と評価し、同様の条件で製造された電気光学装置用基板を電気光学装置等に組み込むことを中止することが好ましい。
【００３４】
一方、透明電極の密着性を評価するに当たり、非平坦部における透明電極を、顕微鏡等を使用して観察することにより評価することも好ましい。この理由は、このように実施することにより、透明電極の浸食度合いを直接視認することができ、容易に密着性を評価することができるためである。
したがって、非平坦部における透明電極を観察して、図５（ａ）に示すエッチング処理試験前と、図５（ｂ）に示すエッチング処理試験後の透明電極を比較した結果、例えば、浸食された透明電極の割合が２０％程度を超える場合には、透明電極の密着性を不良と評価し、同様の条件で製造された電気光学装置用基板を電気光学装置に組み込むことを中止することが好ましい。
【００３５】
［第２実施形態］
第２実施形態は、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成する保護膜形成工程と、当該保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して第１エッチング処理を行うことにより、透明電極を形成する透明電極形成工程と、を含む電気光学装置用基板の製造方法である。
そして、透明電極に対して、エッチング処理試験としての第２エッチング処理を行い、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程をさらに含むことを特徴とする。
すなわち、第１実施形態で説明したのと同様の評価工程を含む、電気光学装置用基板の製造方法である。
以下、第２実施形態の電気光学装置用基板の製造方法として、カラーフィルタ基板の製造方法を例に採り、図１〜図７を適宜参照して、第１実施形態で既に説明した内容については適宜省略しながら説明する。
【００３６】
１．全体的構成
（１）前工程
まず、図６に示すように、ガラス基板上にカラーフィルタ等を形成するための前工程（Ｓ１工程）を実施することが好ましい。具体的には、図１（ａ）に示すように、カラーフィルタ基板における第１のガラス基板１３上の画像表示領域に相当する箇所に、反射層２１２、着色層１６、及び黒色遮光層（ブラックマトリクス）１８を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部２１２ａを備えた反射層２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、黒色遮光層（ブラックマトリクス）１８は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成する。
また、着色層１６についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射層２１２等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。
なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
【００３７】
（２）保護膜の形成
次いで、図６に示すように、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成するための、保護膜形成工程（Ｓ２工程）を実施することが好ましい。具体的には、まず、図１（ｂ）に示すように、着色層１６等が形成された第１のガラス基板１３上に、全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。中でも、透明性に優れるとともに、効率よく硬化させることができることから、光硬化性アクリル樹脂を使用することが好ましい。
そして、これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
【００３８】
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１（ｃ）に示すように、画像表示領域Ａに限定された保護膜（平坦化膜）２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域Ａ以外の領域、すなわち、図１（ｃ）に示すシール枠Ｂ及びシール枠の外側に配置される領域Ｃとほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落される。
すなわち、このように画像表示領域にのみ選択的に保護膜（平坦化膜）２１５を形成することにより、電気光学装置において互いに対向する、一対の電気光学装置用基板の間のセルギャップの均一化を図ることができる。
【００３９】
ここで、第１のガラス基板上に、選択的に保護膜を形成するにあたり、図７に示すように、保護膜２１５の端部に傾斜部８０を設けることが好ましい。
この理由は、保護膜の端部に傾斜部を有することにより、かかる保護膜を含むガラス基板上に透明電極を形成した場合に、保護膜の端部が垂直状となっている場合と比較して、応力の集中を緩和することができるためである。したがって、透明電極の密着性等の低下を防止して、断線や欠落等を効果的に防止することが可能となる。
また、かかる保護膜の端部の傾斜部は、例えば、まず、図１（ｂ）に示すように、ガラス基板上に前面に積層された透光保護層２１５Ｘに対して、所定形状にパターニングを施したレジスト材料を積層する。その後、光硬化させることにより、当該光がレジスト材料の下側にも一部回りこみ、かかる部分の透光保護層が硬化することによって形成することができる。
なお、かかる保護膜２１５の傾斜部８０を含む箇所が、保護膜２１５を含む第１のガラス基板１３における非平坦部となる。
【００４０】
（３）透明電極形成工程
次いで、図６に示すように、透明電極形成工程（Ｓ３工程〜Ｓ１０工程）を実施することが好ましい。かかる透明電極形成工程については、第１実施形態で既に述べた内容と同様とすることができるために、具体的な説明は省略するが、おおまかな流れとしては以下のとおりとなる。
すなわち、まず、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、保護膜２１５を含む第１のガラス基板１３上に、全面的に透明導電材料からなる透明導電層１９Ｘを形成する（図６におけるＳ４工程）。ここで、図３（ｂ）に示すように、透明導電層１９Ｘを積層するにあたり、あらかじめ、Ｔａ２Ｏ５やＳｉＯ２等からなる下地層８１を形成することも好ましい（図６におけるＳ３工程）。この理由は、形成される透明導電層１９Ｘの結晶性等を均一化させて、保護膜及びガラス基板に対する透明導電層の密着性を高めることができるためである。
次いで、図３（ｃ）に示すように、透明導電層１９Ｘ上に所定のレジスト材料８６´を塗布した後（図６におけるＳ５工程）、図３（ｄ）に示すように、所定のマスクパターン８７を施した上で露光して（Ｓ６工程）、現像する（Ｓ７）ことにより、図３（ｅ）に示すように、レジスト材料８６を塗布した後、所定形状にパターニングする。そして、図３（ｆ）に示すように、透明導電材料１９Ｘに対してエッチング処理（第１エッチング処理）を行った後（Ｓ８工程）、再びレジスト材料８６に対して露光（Ｓ９工程）、及び現像（Ｓ１０）してレジスト材料を剥離する。
このようにして、図３（ｇ）及び図１（ｄ）に示すように、所定パターン（図示せず）の透明電極（第１の透明電極）１９を形成することが好ましい。
なお、図１（ｄ）は、図３（ｇ）のＹＹ断面を矢印方向に見た断面図であり、ストライプ状にパターニングされた透明電極の例を示している。ただし、透明電極のパターン形状はこれに制限されるものではなく、例えば、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を使用した電気光学装置における第１の基板上の透明電極のように、基板上の全面に積層されている場合であっても、本発明の検査方法及び製造方法を適用できる。
【００４１】
（４）後工程
次いで、透明電極等が形成された第１のガラス基板上に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜等を形成するための後工程（Ｓ１１工程）を実施することが好ましい。
以上のように、各工程を経て、電気光学装置用基板が製造されることとなる。
【００４２】
２．評価工程
第２実施形態に係る評価工程は、既に第１実施形態で述べた評価工程と同様とすることができる。すなわち、エッチング処理試験（第２エッチング処理）を実施するとともに、透明電極の密着性の評価を行う工程である。
そして、かかる評価工程は、図６に示すように、透明電極形成工程における第１エッチング処理（Ｓ８工程）以降の工程中に実施することが好ましい。すなわち、所定形状に形成された各透明電極パターンにおける密着性に乏しい箇所に対して、エッチング処理液を侵入させることができるためである。したがって、透明電極の密着性を適確に評価することが可能になって、透明電極の形成不良に起因した断線や欠落が生じる可能性の少ない電気光学装置用基板を効率的に製造することができる。
【００４３】
ここで、評価工程は、透明電極が所定形状に形成された後であれば、製造工程中の各段階においても実施することが可能であるが、例えば、図６中、評価工程Ａで示すように、レジスト材料が残存した状態で実施することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、密着性に乏しい箇所以外の箇所の透明電極が浸食されることを有効に防止することができるためである。また、この段階で評価工程を実施することにより、透明導電材料の積層段階から、透明電極のパターニングの条件に起因する、当該透明電極の密着不良を発見することができるためである。
したがって、評価工程Ａの評価結果を、主として、保護膜形成（Ｓ２工程）、下地層形成（Ｓ３工程）、透明導電材料積層（Ｓ４工程）、レジスト塗布（Ｓ５工程）、露光（Ｓ６工程）、現像（Ｓ７工程）、第１エッチング処理（Ｓ８工程）における各条件設定にフィードバックして、適宜調整することが好ましい。
【００４４】
また、図６中、評価工程Ｂで示すように、レジスト材料を剥離した後に実施することも好ましい。すなわち、評価工程Ｂにおいても、保護膜あるいはガラス基板との密着性に乏しい箇所の透明電極は、他の部分よりも激しく浸食されるために、密着性評価を好適に行うことができるためである。そして、評価工程Ｂでは、透明導電材料をパターニングする際のレジスト材料を剥離した後（Ｓ１０工程後）に実施することにより、第１エッチング処理（Ｓ８工程）後の、各工程の条件に起因する、当該透明電極の密着不良を発見することができるためである。
したがって、評価工程Ｂの評価結果を、主として、再露光（Ｓ９工程）、現像（Ｓ１０工程）における各条件設定にフィードバックして、適宜調整することが好ましい。
そして、これら評価工程Ａ〜Ｂを、複数段階で実施することも好ましい。この理由は、電気光学装置用基板の製造工程中の各工程において評価工程を実施して、検査結果をフィードバックして、迅速かつ適確に製造条件を調整することにより、透明電極の物性、例えば、透明電極の密着性に優れた電気光学装置用基板を効率よく製造することができるためである。
【００４５】
３．電気光学装置等への組み込み
以上のように、透明電極の密着性の評価基準をクリアして製造された電気光学装置用基板は、例えば、図８及び図９に示すような電気光学装置や電子機器に好適に組み入れることができる。
すなわち、図８及び図９中に示す、カラーフィルタ基板１２や走査基板１４を、上述した電気光学装置用基板の製造方法により製造することにより、透明電極の形成不良に起因する断線や欠落が生じる可能性が少ないために、長期信頼性に優れた電気光学装置等を提供することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
以上説明したように、本発明の電気光学装置用基板の検査方法によれば、所定の評価工程を含むことにより、電気光学装置用基板の製造段階において、透明電極と、保護膜を含むガラス基板との間の密着性等を、迅速かつ適確に評価できるようになった。したがって、透明電極が形成不良と評価された場合には、迅速に電気光学装置用基板の製造条件を調整することができ、その結果、電気光学装置用基板の歩留まりを著しく高めることができるようになった。
また、かかる検査方法によれば、電気光学装置用基板の製造段階において、あらかじめ透明電極の形成不良を発見することができるために、得られる電気光学装置用基板の信頼性を高めることができ、結果として、それが組み込まれる電気光学装置あるいは電子機器の信頼性を高めることができるようになった。
したがって、パーソナルコンピュータや、携帯電話機、その他、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに使用される電気光学装置用基板の検査方法や、これらの製造方法に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の電気光学装置用基板の検査方法にかかる製造工程を説明するために供する図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の電気光学装置用基板の検査方法にかかる評価工程を説明するために供する図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、透明電極の形成方法を説明するために供する図である。
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、エッチング処理方法を示す図である。
【図５】（ａ）は、エッチング処理試験前の非平坦部における透明電極の形状を示す平面図であり、（ｂ）は、エッチング処理試験後の非平坦部における透明電極の形状を示す平面図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法にかかる製造工程を説明するために供する図である。
【図７】保護膜の端部付近の垂直断面図である。
【図８】第３実施形態に係る液晶パネルの斜視図である。
【図９】第３実施形態に係る液晶パネルの概略断面図である。
【図１０】従来の電気光学装置用基板を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１２：第１の基板、１３：第１のガラス基板、１４：第２の基板、１８：ブラックマトリクス、１９：第１の透明電極（走査電極）、２０：第２の透明電極（画素電極）、２２・２５：素子第２電極（第２金属膜）、２３：絶縁膜、２４：素子第１電極（第１金属膜）、２６：電気配線（データ電極）、２７：第２のガラス基板、３１ａ：第１のＴＦＤ素子、３１ｂ：第２のＴＦＤ素子、８０：非平坦部（傾斜部）、８１：下地層（ＳｉＯ2）、９０：エッチング処理液、９２：粘着テープ、２００：液晶パネル、２１５：保護膜
【図１】
2005134543.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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