(57)【要約】【課題】  半導体基板に可動電極およびこれに対向する固定電極を形成するとともに、これら電極とその外周部とを電気的に絶縁するための溝部を形成してなる半導体加速度センサにおいて、溝部における異物によるショートを極力防止する。【解決手段】  半導体基板１０に、加速度の印加に応じて変位する可動電極２４と、検出面が可動電極２４の検出面と対向して配置された固定電極３１、４１と、これら可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとを電気的に絶縁するための溝部１４ａとを備え、加速度の印加に伴う可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間の距離変化に応じて印加加速度を検出するようにした半導体加速度センサ１００において、溝部１４ａの幅を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔の９倍以上に広くしている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１０）と、
前記半導体基板（１０）に形成され、力学量の印加に応じて変位する可動電極（２４）と、
前記半導体基板（１０）に形成され、その検出面が前記可動電極（２４）の検出面と対向して配置された固定電極（３１、４１）と、
前記半導体基板（１０）のうち前記可動電極（２４）および前記固定電極（３１、４１）の外周に形成され、前記可動電極（２４）および前記固定電極（３１、４１）とこれら電極（２４、３１、４１）の外周に位置する外周部（１０ａ）とを電気的に絶縁するための溝部（１４ａ）とを備え、
力学量の印加に伴う前記可動電極（２４）の検出面と前記固定電極（３１、４１）の検出面との間の距離変化に応じて印加力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
前記溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）は、前記可動電極（２４）の検出面と前記固定電極（３１、４１）の検出面との間隔（Ｔ１）の９倍以上に広くなっていることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項２】
前記溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）は、３０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体力学量センサ。
【請求項３】
前記可動電極（２４）は、櫛歯状に複数本配列されたものであり、
前記固定電極（３１、４１）は、前記可動電極（２４）における櫛歯の隙間にかみ合うように櫛歯状に複数本配列されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体力学量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、力学量の印加に伴う可動電極と固定電極との間の距離変化に応じて印加力学量を検出するようにした半導体力学量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、この種の半導体力学量センサの一般的な概略平面構成を示す図であり、この図６に示されるような半導体力学量センサとしては、例えば、特許文献１に記載のものが提案されている。ここで、力学量としては加速度や角速度などが挙げられる。
【０００３】
図６に示されるように、半導体基板１０に対して、エッチング等により溝部１４を形成することにより、力学量の印加に応じて変位する可動電極２４と、その検出面が可動電極２４の検出面と対向して配置された固定電極３１、４１とが形成されている。
【０００４】
ここでは、可動電極２４は、図６中の矢印Ｘ方向に変位可能となっている。そして、当該矢印Ｘ方向への力学量の印加に伴って、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間の距離が変化し、この距離変化に伴う可動電極２４と固定電極３１、４１との間の静電容量の変化等を検出することによって、印加力学量を検出することができるようになっている。
【０００５】
ここにおいて、半導体基板１０のうち可動電極２４および固定電極３１、４１の外周に形成されている溝部１４ａは、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとを電気的に絶縁するための溝部（エアアイソレーション）１４ａである。
【特許文献１】特開平１１−２９５３３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来では、通常、上記した可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとを電気的に絶縁するための溝部１４ａの幅は、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔の３倍程度となっている。
【０００７】
このように、溝部１４ａの幅を規定することにより、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとの間に形成される寄生容量の影響を排除するようにしている。もし、この寄生容量が大きいと、出力ノイズが大きいものとなってしまう。
【０００８】
つまり、溝部１４ａの幅を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔の３倍程度にすれば、当該検出面間の検出容量に比べて、当該寄生容量の大きさを１／２７程度に小さくすることができ、実用上、寄生容量の影響が無くなる。
【０００９】
しかしながら、本発明者の検討によれば、製造工程などにおいて、図７に示されるように、上記の溝部１４ａに空気中の塵埃やウェハの粉等の異物２００が入り込んだ場合、この異物２００を介して、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとの間がショートしてしまい、不良品となってしまうことがわかった。
【００１０】
つまり、現状においては、溝部１４ａの幅寸法は、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとの間の寄生容量を無くすという面からのみで規定されており、上述したような異物２００によるショートの問題に対しては考慮されていない。
【００１１】
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、半導体基板に可動電極およびこれに対向する固定電極を形成するとともに、可動電極および固定電極の外周に、これら電極とその外周部とを電気的に絶縁するための溝部を形成してなる半導体力学量センサにおいて、溝部における異物によるショートを極力防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体基板（１０）と、半導体基板（１０）に形成され、力学量の印加に応じて変位する可動電極（２４）と、半導体基板（１０）に形成され、その検出面が可動電極（２４）の検出面と対向して配置された固定電極（３１、４１）と、半導体基板（１０）のうち可動電極（２４）および固定電極（３１、４１）の外周に形成され、可動電極（２４）および固定電極（３１、４１）とこれら電極（２４、３１、４１）の外周に位置する外周部（１０ａ）とを電気的に絶縁するための溝部（１４ａ）とを備え、力学量の印加に伴う可動電極（２４）の検出面と固定電極（３１、４１）の検出面との間の距離変化に応じて印加力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）は、可動電極（２４）の検出面と固定電極（３１、４１）の検出面との間隔（Ｔ１）の９倍以上に広くなっていることを特徴としている。
【００１３】
本発明者の実験検討によれば、溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）を、可動電極（２４）の検出面と固定電極（３１、４１）の検出面との間隔（Ｔ１）の９倍以上に広くすることにより、溝部（１４ａ）における異物（２００）によるショートが、製造工程などにおいてほとんど発生しないことがわかった。
【００１４】
このように、本発明によれば、半導体基板（１０）に可動電極（２４）、固定電極（３１、４１）および溝部（１４ａ）を形成してなる半導体力学量センサにおいて、溝部（１４ａ）における異物（２００）によるショートを極力防止することができる。
【００１５】
また、本発明では、溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）を、可動電極（２４）の検出面と固定電極（３１、４１）の検出面との間隔（Ｔ１）の９倍以上というように、従来の３倍程度よりも大幅に広げているため、可動電極（２４）および固定電極（３１、４１）とその外周部（１０ａ）との間の寄生容量の影響は、より小さいものにできることは明らかである。
【００１６】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体力学量センサにおいて、溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）は、３０μｍ以上であることを特徴としている。
【００１７】
本発明者の検討によれば、溝部（１４ａ）の幅（Ｔ２）を３０μｍ以上とすることにより、製造工程において上記した異物（２００）による不良品の発生は、ほとんど無くすことができるようになった。
【００１８】
また、請求項３に記載の発明のように、請求項１または請求項２に記載の半導体力学量センサにおいては、可動電極（２４）は、櫛歯状に複数本配列されたものであり、固定電極（３１、４１）は、可動電極（２４）における櫛歯の隙間にかみ合うように櫛歯状に複数本配列されたものにすることができる。
【００１９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。本実施形態は、半導体力学量センサとしての差動容量式の半導体加速度センサについて、本発明を適用したものである。
【００２１】
この半導体加速度センサは、たとえば、エアバッグ、ＡＢＳ、ＶＳＣ等の作動制御を行うための自動車用加速度センサやジャイロセンサ等に適用できる。
【００２２】
［センサ構成等］
図１は、本発明の実施形態に係る半導体加速度センサ１００の全体構成を示す概略平面図、図２は図１中のＡ−Ａ線に沿ったセンサ１００の概略断面図、図３は図１中のＢ−Ｂ線に沿ったセンサ１００の概略断面図である。
【００２３】
この半導体加速度センサ１００は、半導体基板１０に周知のマイクロマシン加工を施すことにより形成される。
【００２４】
本例では、半導体加速度センサ１００を構成する半導体基板１０は、図２および図３に示されるように、第１の半導体層としての第１シリコン基板１１と第２の半導体層としての第２シリコン基板１２との間に、絶縁層としての酸化膜１３を有する矩形状のＳＯＩ基板１０である。
【００２５】
第２シリコン基板１２には、溝部１４を形成することにより、可動部２０および固定部３０、４０よりなる櫛歯形状を有する梁構造体が形成されている。また、酸化膜１３のうち上記梁構造体２０〜４０の形成領域に対応した部位は、矩形状に除去されて開口部１５を形成している。
【００２６】
このような半導体加速度センサ１００は、たとえば、次のようにして製造される。ＳＯＩ基板１０の第２シリコン基板１２にフォトリソグラフ技術を用いて梁構造体に対応した形状のマスクを形成する。
【００２７】
その後、ＣＦ4やＳＦ6等のガスを用いてドライエッチング等にてトレンチエッチングを行い、溝１４を形成することによって、梁構造体２０〜４０を一括して形成する。続いて、フッ酸等を用いた犠牲層エッチング等により酸化膜１３の除去を行い、開口部１５を形成する。このようにして半導体加速度センサ１００を製造することができる。
【００２８】
この半導体加速度センサ１００において、開口部１５上を横断するように配置された可動部２０は、細長四角形状の錘部２１の両端が、バネ部２２を介してアンカー部２３ａおよび２３ｂに一体に連結された構成となっている。
【００２９】
これらアンカー部２３ａおよび２３ｂは、図３に示されるように、酸化膜１３における開口部１５の開口縁部に固定されており、支持基板としての第１シリコン基板１１上に支持されている。これによって、錘部２１およびバネ部２２は、開口部１５に臨んだ状態となっている。
【００３０】
ここでは、バネ部２２は、図１に示されるように、平行な２本の梁がその両端で連結された矩形枠状をなしており、２本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有するものである。
【００３１】
具体的に、バネ部２２は、図１中の矢印Ｘ方向の成分を含む加速度を受けたときに錘部２１を基板面水平方向にて矢印Ｘ方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。
【００３２】
よって、このようなバネ部２２を介して半導体基板１０に連結された可動部２０は、加速度の印加に応じて、開口部１５上において基板面水平方向にて上記矢印Ｘ方向へ変位可能となっている。
【００３３】
また、図１に示されるように、可動部２０は櫛歯状の可動電極２４を備えている。この可動電極２４は、上記錘部２１の長手方向（矢印Ｘ方向）と直交した方向にて、錘部２１の両側面から互いに反対方向へ延びる梁形状をなす複数本のものである。
【００３４】
言い換えれば、可動電極２４は、上記錘部２１の長手方向（バネ部２２の変位方向、矢印Ｘ方向）を配列方向とし、この配列方向に沿って櫛歯状に複数本配列されたものとなっている。
【００３５】
図１では、可動電極２４は、錘部２１の左側および右側にそれぞれ４個ずつ突出して形成されており、各可動電極２４は断面矩形の梁状に形成されて、開口部１５に臨んだ状態となっている。
【００３６】
このように、各可動電極２４は、梁部２２および錘部２１と一体的に形成されることにより、梁部２２および錘部２１とともに、基板面水平方向にて矢印Ｘ方向へ変位可能となっている。
【００３７】
また、図１〜図３に示されるように、固定部３０、４０は、酸化膜１３における開口部１５の開口縁部における対向辺部のうち、アンカー部２３ａ、２３ｂが支持されていないもう１組の対向辺部に支持されている。
【００３８】
図１において、錘部２１の左側に位置する固定部３０は、左側固定電極３１および左側固定電極用配線部３２とから構成されている。一方、図１において、錘部２１の右側に位置する固定部４０は、右側固定電極４１および右側固定電極用配線部４２とから構成されている。
【００３９】
本例では、図１に示されるように、各固定電極３１、４１は、可動電極２４における櫛歯の隙間にかみ合うように櫛歯状に複数本配列されたものである。
【００４０】
ここで、図１においては、錘部２１の左側については、個々の可動電極２４に対して矢印Ｘ方向に沿って上側に左側固定電極３１が設けられており、一方、錘部２１の右側については、個々の可動電極２４に対して矢印Ｘ方向に沿って下側に右側固定電極４１が設けられている。
【００４１】
このように、基板面水平方向において個々の可動電極２４に対して、それぞれ固定電極３１、４１が対向して配置されており、各対向間隔において、可動電極２４の側面（つまり検出面）と固定電極３１、４１の側面（つまり検出面）との間に容量を検出するための検出間隔が形成されている。
【００４２】
また、左側固定電極３１と右側固定電極４１とは、それぞれ互いに電気的に独立している。そして、各固定電極３１、４１は、可動電極２４に対して略平行に延びる断面矩形の梁状に形成されている。
【００４３】
ここで、左側固定電極３１および右側固定電極４１は、それぞれ、各固定電極用配線部３２、４２に片持ち状に支持された状態となっている。つまり、左側固定電極３１および右側固定電極４１については、それぞれの複数本の電極が、電気的に共通した配線部３２、４２にまとめられた形となっている。
【００４４】
また、左側固定電極用配線部３２および右側固定電極用配線部４２上の所定位置には、それぞれ、左側固定電極用パッド３０ａおよび右側固定電極用パッド４０ａが形成されている。
【００４５】
また、一方のアンカー部２３ｂと一体に連結された状態で、可動電極用配線部２５が形成されており、この配線部２５上の所定位置には、可動電極用パッド２５ａが形成されている。上記の各電極用パッド２５ａ、３０ａ、４０ａは、例えばアルミニウムをスパッタや蒸着する等により形成されている。
【００４６】
そして、これら各電極用パッド２５ａ、３０ａ、４０ａは、図示しない回路チップとボンディングワイヤを介して電気的に接続されるものである。この回路チップは、半導体加速度センサ１００からの出力信号を処理するための検出回路（後述の図４参照）を形成したものである。
【００４７】
また、図１に示されるように、半導体基板１０における第２シリコン基板１２のうち可動電極２４および固定電極３１、４１の外周に形成されている溝部１４は、これら可動電極２４および固定電極３１、４１と半導体基板１０におけるこれら電極２４、３１、４１の外周に位置する外周部１０ａとを電気的に絶縁するための溝部（エアアイソレーション）１４ａである。
【００４８】
ここで、この電極２４、３１、４１と上記外周部１０ａとを電気的に絶縁する溝部１４ａを、以下、エアアイソレーション１４ａということにする。そして、このエアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２は、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の９倍以上に広くなっている。
【００４９】
詳しくは、図１に示される例では、溝部１４のうち、可動電極２４の外周に位置するバネ部２２およびアンカー部２３ａ、２３ｂの外周側の溝部１４、および、可動電極用配線部２５の外周側の溝部１４、さらには、固定電極３１、４１の外周に位置する固定電極用配線部３２、４２の外周側の溝部１４が、上記エアアイソレーション１４ａとして構成されている。
【００５０】
また、たとえば、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔（検出間隔）Ｔ１、つまり、これら両電極２４、３１、４１の検出面の距離は、３μｍ程度である。それに対して、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２は、その９倍以上、たとえば３０μｍ程度にすることができる。
【００５１】
なお、このように幅を広げた溝部１４としてのエアアイソレーション１４ａを形成することは、半導体基板としてのＳＯＩ基板１０の第２シリコン基板１２にフォトリソグラフ技術を用いて梁構造体２０、３０、４０に対応した形状のマスクを形成する際に、当該マスクの開口部幅を調整し、その後、トレンチエッチングすることによって容易に実現可能である。
【００５２】
［センサの検出動作］
次に、本半導体加速度センサ１００の検出動作について説明する。本実施形態では、加速度の印加に伴う可動電極２４と固定電極３１、４１との間の容量変化に基づいて加速度を検出するようになっている。
【００５３】
上述したように、本半導体加速度センサ１００においては、個々の可動電極２４の側面（つまり検出面）に対してそれぞれ固定電極３１、４１の側面（つまり検出面）が対向して設けられており、これら両電極３１、４２の側面の各対向間隔において、容量を検出するための検出間隔が形成されている。
【００５４】
ここで、左側固定電極３１と可動電極２４との間隔に第１の容量ＣＳ１が形成されており、一方、右側固定電極４１と可動電極２４との間隔に第２の容量ＣＳ２が形成されているとする。
【００５５】
そして、基板面水平方向において上記図１中の矢印Ｘ方向へ加速度が印加されると、バネ部２２のバネ機能により、アンカー部を除く可動部２０全体が一体的に矢印Ｘ方向へ変位し、当該矢印Ｘ方向への可動電極２４の変位に応じて上記各容量ＣＳ１、ＣＳ２が変化する。
【００５６】
たとえば、上記図１において、可動部２０が、矢印Ｘ方向に沿って下方へ変位したときを考える。このとき、左側固定電極３１と可動電極２４との間隔は広がり、一方、右側固定電極４１と可動電極２４との間隔は狭まる。
【００５７】
よって、可動電極２４と固定電極３１、４１による差動容量（ＣＳ１−ＣＳ２）の変化に基づいて、矢印Ｘ方向の加速度を検出することができる。
【００５８】
具体的には、この容量の差（ＣＳ１−ＣＳ２）に基づく信号が半導体加速度センサ１００から出力信号として出力され、この信号は上記回路チップにて処理され、最終的に出力される。
【００５９】
図４は、本半導体加速度センサ１００における加速度を検出するための検出回路４００の一例を示す回路図である。この検出回路４００において、スイッチドキャパシタ回路（ＳＣ回路）４１０は、容量がＣｆであるコンデンサ４１１、スイッチ４１２および差動増幅回路４１３を備え、入力された容量差（ＣＳ１−ＣＳ２）を電圧に変換するものとなっている。
【００６０】
そして、本半導体加速度センサ１００においては、たとえば、左側固定電極用パッド３０ａから振幅Ｖｃｃの搬送波１、右側固定電極用パッド４０ａから搬送波１と位相が１８０°ずれた搬送波２を入力し、ＳＣ回路４１０のスイッチ４１２を所定のタイミングで開閉する。
【００６１】
そして、矢印Ｘ方向の印加加速度は、下記の数式１に示す様に、電圧値Ｖ０として出力される。
【００６２】
（数１）
Ｖ０＝（ＣＳ１−ＣＳ２）・Ｖｃｃ／Ｃｆ
［特徴点等］
ところで、本実施形態によれば、半導体基板１０と、この半導体基板１０に形成され加速度（力学量）の印加に応じて変位する可動電極２４と、半導体基板１０に形成されその検出面が可動電極２４の検出面と対向して配置された固定電極３１、４１と、半導体基板１０のうち可動電極２４および固定電極３１、４１の外周に形成され、これら可動電極２４および固定電極３１、４１とこれら電極２４、３１、４１の外周に位置する外周部１０ａとを電気的に絶縁するためのエアアイソレーション１４ａとを備え、加速度の印加に伴う可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間の距離変化に応じて印加加速度を検出するようにした半導体加速度センサ１００において、
エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の９倍以上に広くしたことを主たる特徴とする半導体加速度センサ１００が提供される。
【００６３】
上述したように、上記図６に示したような従来のセンサでは、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとの間に形成される寄生容量の影響を排除するために、通常、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の３倍程度としていた。それにより、実用上、寄生容量の影響を無くすことができていた。
【００６４】
しかし、本実施形態では、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を従来よりも大幅に広くし、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の９倍以上としている。
【００６５】
それによって、図５に示されるように、エアアイソレーション１４ａ内に、空気中の塵埃やウェハの粉等の異物２００が入り込んだ場合でも、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとの間がショートすることは大幅に低減できる。
【００６６】
実際に、本発明者が実験検討したところ、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の９倍以上に広くすることにより、エアアイソレーション１４ａにおける異物２００によるショートは、製造工程などにおいてほとんど発生しないことが確認されている。
【００６７】
たとえば、本実施形態において、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１を３μｍとしたときには、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２は２７μｍ以上、誤差等を考慮して好ましくは３０μｍ以上とすることができる。ここでは、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を３０μｍとしたものを作製した。
【００６８】
一方、比較例として、従来のように、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の３倍程度としたものとして、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を９μｍとしたものを作製した。
【００６９】
このエアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を３０μｍとした本実施形態のものでは、製造工程において、上記の異物２００によるショートの不良発生率は、１％未満であったのに対し、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を９μｍとした上記比較例のものでは、上記不良発生率は１０％程度であった。
【００７０】
このように、本実施形態によれば、半導体基板１０に可動電極２４、固定電極３１、４１およびエアアイソレーション１４ａを形成してなる半導体力学量センサ１００において、エアアイソレーション１４ａにおける異物２００によるショートを極力防止することができる。その結果、歩留まりの大幅な向上も図ることができる。
【００７１】
また、本実施形態では、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を、可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間隔Ｔ１の９倍以上というように、従来の３倍程度よりも大幅に広げているため、可動電極２４および固定電極３１、４１とその外周部１０ａとの間の寄生容量の影響は、より小さいものにできることは明らかである。
【００７２】
さらに、上述したが、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を３０μｍ以上とすることにより、製造工程において上記した異物２００による不良品の発生は、ほとんど無くすことができる。
【００７３】
また、本実施形態では、通常の半導体加速度センサを用いて、エアアイソレーションの幅を広げるという簡単な方法によって、上記寄生容量の排除と異物によるショートの防止とを両立できるという利点も有する。
【００７４】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態の半導体加速度センサ１００では、可動電極２４は櫛歯状に複数本配列されたものであり、固定電極３１、４１は、可動電極２４における櫛歯の隙間にかみ合うように櫛歯状に複数本配列されたものであるが、これら電極の構成は、これに限定されるものではない。
【００７５】
要するに、半導体基板１０に、少なくとも可動電極２４、固定電極３１、４１およびエアアイソレーション１４ａを形成してなり、力学量の印加に伴う可動電極２４の検出面と固定電極３１、４１の検出面との間の距離変化に応じて印加力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、エアアイソレーション１４ａの幅Ｔ２を上記のように規定したものであればよく、その他の細部については適宜設計変更が可能である。
【００７６】
また、本発明は上記した加速度センサ以外にも、力学量として角速度を検出する角速度センサ等の力学量センサに対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体加速度センサの全体構成を示す概略平面図である。
【図２】上記図１中のＡ−Ａ線に沿ったセンサの概略断面図である。
【図３】上記図１中のＢ−Ｂ線に沿ったセンサの概略断面図である。
【図４】上記図１に示される半導体加速度センサにおける加速度を検出するための検出回路の一例を示す回路図である。
【図５】上記実施形態においてエアアイソレーション内に異物が入り込んだ様子を示す図である。
【図６】従来の半導体力学量センサの一般的な概略平面図である。
【図７】従来の半導体力学量センサにおいて溝部に異物が入り込んだ様子を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０…半導体基板、
１０ａ…半導体基板における可動電極および固定電極の外周に位置する外周部、
１４ａ…可動電極および固定電極とその外周部とを電気的に絶縁するための溝部としてのエアアイソレーション、
２４…可動電極、３１…左側固定電極、４１…右側固定電極。
【００７９】
Ｔ１…可動電極の検出面と固定電極の検出面との間隔、
Ｔ２…エアアイソレーションの幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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