(57)【要約】【課題】  ボンディングワイヤや微細部品が接続される複数のランドを備える基板において、欠損をより低減したランドを実現する。【解決手段】  ボンディングワイヤや微細部品が接続される複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを備える基板１００において、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの表面には、金などからなる貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜１５４が形成されている。この貴金属膜１５４は、各ランド１５ａ〜１５ｃにおいて接続が行われる前に形成する。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品が接続される複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を備える基板において、
前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の表面には、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜（１５４）が形成されていることを特徴とするランドを備える基板。
【請求項２】
前記貴金属膜（１５４）の厚さは、前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の種類ごとに変えられていることを特徴とする請求項１に記載のランドを備える基板。
【請求項３】
前記複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）は、金からなるボンディングワイヤ（３０）が接続される金ワイヤ接続ランド（１５ａ）とそれ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）からなり、
前記それ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）は、前記金ワイヤ接続ランド（１５ａ）よりも前記貴金属膜（１５４）が薄いか、もしくは前記貴金属膜（１５４）が形成されていないものであることを特徴とする請求項２に記載のランドを備える基板。
【請求項４】
前記基板は、セラミック基板であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のランドを備える基板。
【請求項５】
前記セラミック基板はアルミナからなることを特徴とする請求項４に記載のランドを備える基板。
【請求項６】
前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）において前記貴金属膜（１５４）の下地部分は、タングステンもしくはモリブデンからなる層（１５１）の上に銅メッキもしくはニッケルメッキからなる層（１５２）を施したものであることを特徴とする請求項４または５に記載のランドを備える基板。
【請求項７】
前記貴金属膜（１５４）の下地部分は、前記銅メッキもしくはニッケルメッキからなる層（１５２）の上に、さらに金メッキからなる層（１５３）を施したものであることを特徴とする請求項６に記載のランドを備える基板。
【請求項８】
前記貴金属は、金、銀、白金またはパラジウムであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のランドを備える基板。
【請求項９】
前記ボンディングワイヤ（３０、３１）は、金、銅またはアルミニウムからなるものであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載のランドを備える基板。
【請求項１０】
基板（１００）の表面に複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を形成した後、前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）にボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品を接続してなるランドを備える基板の製造方法において、
前記基板（１００）の表面に前記複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を形成した後、前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）に前記ボンディングワイヤ（３０、３１）や前記微細部品を接続する前に、
前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の表面に、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜（１５４）を形成することを特徴とするランドを備える基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）に前記ボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品を接続する直前に、前記貴金属膜（１５４）の形成を行うことを特徴とする請求項１０に記載のランドを備える基板の製造方法。
【請求項１２】
前記基板（１００）の表面に形成された前記複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）のうちの所望のランドの表面に、選択的に前記貴金属膜（１５４）を形成することを特徴とする請求項１０または１１に記載のランドを備える基板の製造方法。
【請求項１３】
前記複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）は、金からなるボンディングワイヤ（３０）が接続される金ワイヤ接続ランド（１５ａ）とそれ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）からなり、
前記複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）のうちの所望のランドとは、前記金ワイヤ接続ランド（１５ａ）であることを特徴とする請求項１２に記載のランドを備える基板の製造方法。
【請求項１４】
前記基板（１００）の表面に形成された前記複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を検査し、欠損が存在すると判断されたランドの表面に、選択的に前記貴金属膜（１５４）を形成することを特徴とする請求項１２に記載のランドを備える基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ナノペースト中の前記貴金属として、金、銀、白金またはパラジウムを用いることを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか１つに記載のランドを備える基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ボンディングワイヤや微細部品が接続される複数のランドを備える基板およびそのような基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ボンディングワイヤや微細部品が接続される複数のランドを備える基板においては、基板の製造や、基板に対してさまざまな部品を実装するための長い工程が施される。ここで、微細部品とはＣＳＰ（チップサイズパッケージ）やフリップチップなどである。
【０００３】
具体的には、基板製造時においては、ランド印刷、積層基板の場合は各層の積層、メッキなどの工程、実装時には、はんだ印刷、リフロー、乾燥などの工程があり、工程が長く、ランドに対してはんだ付着、汚染、ホコリの付着、酸化が生じたり、ランドかけなどの様々なランド欠陥が発生する。
【０００４】
ここで、従来では、プラズマを基板に照射することで、ランドの表面をエッチングし、結果、酸化や薄い有機付着物などを除去する方法、いわゆるプラズマクリーニングが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
このものでは、グランドをクリーニングする際に、はんだ部などプラズマ照射したくない部位にプラズマが照射されないようにシールドを設けることで、グランドのみプラズマ照射することができる。
【特許文献１】特開平７−２８３１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記したようなプラズマ処理では、ランド表面におけるごく薄い有機物の汚染、酸化のみが除去可能である。実際は、ランドの印刷かけ、めっきかけ、はんだ付着など様々な欠陥があり、プラズマクリーニングでは対応できないものが多い。
【０００７】
また、上記プラズマクリーニングでは、プラズマ照射したくない部位にプラズマが照射されないようにシールドを設けてはいるものの、プラズマがＩＣチップなどの実装部品にダメージを与える可能性がある。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑み、ボンディングワイヤや微細部品が接続される複数のランドを備える基板において、欠損をより低減したランドを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、ボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品が接続される複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を備える基板において、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の表面には、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜（１５４）が形成されていることを特徴としている。
【００１０】
それによれば、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）に欠損が発生していても、さらに貴金属膜（１５４）でそのランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の表面が覆われるため、結果的に、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）は欠損の無いものにすることができる。
【００１１】
よって本発明によれば、ボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品が接続される複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を備える基板において、欠損をより低減したランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を実現することができる。
【００１２】
ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載のランドを備える基板において、貴金属膜（１５４）の厚さは、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の種類ごとに変えられているものにできる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明では、請求項２に記載のランドを備える基板において、複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）は、金からなるボンディングワイヤ（３０）が接続される金ワイヤ接続ランド（１５ａ）とそれ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）からなり、それ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）は、金ワイヤ接続ランド（１５ａ）よりも貴金属膜（１５４）が薄いか、もしくは貴金属膜（１５４）が形成されていないものであることを特徴としている。
【００１４】
それによれば、金ワイヤ接続ランド（１５ａ）における金ボンディングワイヤ（３０）の接続信頼性を適切に確保できるとともに、それ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）における接合信頼性を適切に確保できる。
【００１５】
ここで、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載のランドを備える基板においては、基板は、セラミック基板であるものにできる。
【００１６】
さらに、請求項５に記載の発明のように、請求項４に記載のランドを備える基板においては、セラミック基板はアルミナからなるものにできる。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明のように、請求項４または請求項５に記載のランドを備える基板においては、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）において貴金属膜（１５４）の下地部分は、タングステンもしくはモリブデンからなる層（１５１）の上に銅メッキもしくはニッケルメッキからなる層（１５２）を施したものにできる。
【００１８】
さらに、請求項７に記載の発明のように、請求項６に記載のランドを備える基板においては、貴金属膜（１５４）の下地部分は、銅メッキもしくはニッケルメッキからなる層（１５２）の上に、さらに金メッキからなる層（１５３）を施したものにできる。
【００１９】
また、請求項８に記載の発明のように、請求項１〜請求項７に記載のランドを備える基板においては、貴金属は、金、銀、白金またはパラジウムであるものにできる。
【００２０】
また、請求項９に記載の発明のように、請求項１〜請求項８に記載のランドを備える基板においては、ボンディングワイヤ（３０、３１）は、金、銅またはアルミニウムからなるものにできる。
【００２１】
請求項１０に記載の発明では、基板（１００）の表面に複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を形成した後、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）にボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品を接続してなるランドを備える基板の製造方法において、基板（１００）の表面に複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を形成した後、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）にボンディングワイヤ（３０、３１）や前記微細部品を接続する前に、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）の表面に、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜（１５４）を形成することを特徴としている。
【００２２】
それによれば、上記請求項１に記載の基板を適切に製造することができ、その結果、欠損をより低減したランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を実現することができる。
【００２３】
ここで、請求項１１に記載の発明では、請求項１０に記載のランドを備える基板の製造方法において、ランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）にボンディングワイヤ（３０、３１）や微細部品を接続する直前に、貴金属膜（１５４）の形成を行うことを特徴としている。
【００２４】
それによれば、製造工程中にランド（１５ａ〜１５ｃ）に対して異物が付着したり、汚染が生じたりすることなどを極力防止でき、好ましい。
【００２５】
また、請求項１２に記載の発明では、請求項１０または請求項１１に記載のランドを備える基板の製造方法において、基板（１００）の表面に形成された複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）のうちの所望のランドの表面に、選択的に貴金属膜（１５４）を形成することを特徴としている。
【００２６】
それによれば、貴金属膜（１５４）を形成する必要のないランドには、貴金属膜（１５４）が形成されないため、コストを低減できるなどの利点がある。
【００２７】
ここで、請求項１３に記載の発明のように、請求項１２に記載のランドを備える基板の製造方法においては、複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が、金からなるボンディングワイヤ（３０）が接続される金ワイヤ接続ランド（１５ａ）とそれ以外のランド（１５ｂ、１５ｃ）からなる場合、複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）のうちの所望のランドとは、金ワイヤ接続ランド（１５ａ）であるものにできる。
【００２８】
また、請求項１４に記載の発明のように、請求項１２に記載のランドを備える基板の製造方法においては、基板（１００）の表面に形成された複数のランド（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）を検査し、欠損が存在すると判断されたランドの表面に、選択的に貴金属膜（１５４）を形成するようにできる。
【００２９】
また、請求項１５に記載の発明では、請求項１０〜請求項１４に記載のランドを備える基板の製造方法において、ナノペースト中の前記貴金属として、金、銀、白金またはパラジウムを用いることを特徴としている。
【００３０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３２】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るランドを備える基板１００の単体状態すなわち実装工程に施される前の状態の概略断面構成を示す図、図２は、この基板１００にボンディングワイヤ３０、３１を接続し、各種部品２０、２１、２２、２３を実装した状態を示す概略断面図である。
【００３３】
また、図３（ａ）は図１に示される基板１００における各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図であり、図３（ｂ）は図３に示される基板１００における各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図である。
【００３４】
［基板の構成等］
基板１００は、本例では積層基板１００であり、この積層基板１００は、個々についてその表面および内部に配線層が形成された複数のセラミック層１１、１２、１３、１４、を積層して形成されたものである。
【００３５】
これらセラミック層１１〜１４の積層体である積層基板１００の表面（図１中の上面）、裏面（図１中の下面）には、それぞれ表面ランド１５、裏面ランド１６が形成されており、これら表面および裏面ランド１５、１６は表層ランド１５、１６を構成している。
【００３６】
積層基板１００の内部には、各セラミック層に形成されたビアホール１７や各セラミック層の間に形成された内部導体層１８により、内層配線１７、１８が形成されている。そして、上記表面ランド１５と裏面ランド１６とは、内層配線１７、１８を介して電気的に接続されている。
【００３７】
また、図２に示されるように、積層基板１００の表面、裏面には、各ランド１５、１６に対して各種の部品２０、２１、２２、２３やボンディングワイヤ３０、３１が接続されている。
【００３８】
図２に示される例では、積層基板１００の表面側において、表面ランド１５には、はんだ４０を介してフリップチップ２０およびコンデンサ２１が接続され、また、導電性接着剤４１を介してＩＣチップ２２が接続されている。なお、フリップチップ２０と基板１００との間にはアンダーフィル材４２が充填されている。
【００３９】
さらに、表面ランド１５には、ＩＣチップ２２から延びる金からなる金ボンディングワイヤ３０が接続されるとともに、外部との接続を行うためのアルミニウムからなるＡｌボンディングワイヤ３１が接続されている。
【００４０】
ここで、表面ランド１５のうち、金ボンディングワイヤ３０が接続されるものを金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌボンディングワイヤ３１が接続されるものをＡｌワイヤ接続ランド１５ｂ、はんだ４０を介した接続が行われるものをはんだランド１５ｃ、導電性接着剤４１を介した接続が行われるものを導電性接着剤ランド１５ｄとする。
【００４１】
また、図２に示される例では、積層基板１００の裏面側において、裏面ランド１６には、ＬａＢ6、ＳｎＯ2、ＣｕＮｉなどからなる厚膜抵抗体２３が接続されている。そして、この厚膜抵抗体２３は、保護ガラス４３にて被覆され、さらにその上をエポキシ樹脂などからなる保護樹脂４４にて被覆されている。
【００４２】
ここにおいて、本実施形態では、図３（ａ）に示されるように、実装前の積層基板１００における金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂ、はんだランド１５ｃは、タングステン（Ｗ）もしくはモリブデン（Ｍｏ）からなる層１５１の上に銅メッキもしくはニッケルメッキからなるメッキ層１５２を施し、さらにその上に金メッキ層１５３を施したものである。
【００４３】
本例では、図３（ａ）に示される、これら金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂ、はんだランド１５ｃは、タングステン（Ｗ）層１５１の上に銅メッキ層１５２を施し、さらにその上に金メッキ層１５３を施したものである。ここで、金メッキ層１５３は、酸化防止ができる程度に薄く、たとえば０．０５μｍ形成する。
【００４４】
なお、図１および図２に示される積層基板１００において、裏面ランド１６は、タングステン（Ｗ）層１５１の上に銅メッキ層１５２を施してなるものである。
【００４５】
一方、本実施形態では、図３（ｂ）に示されるように、部品実装後の積層基板１００における金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂ、はんだランド１５ｃの表面には、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜１５４が形成されている。
【００４６】
この貴金属膜１５４は、一般に知られている貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを用いたものであり、貴金属としては、金、銀、白金またはパラジウムを採用できる。本例では、金を用いている。
【００４７】
また、ナノオーダ粒子とは、平均粒径が５００ｎｍ以下のもので、好ましくは１００ｎｍ以下のものである。そして、ナノペーストとは、このような貴金属のナノオーダ粒子が、有機バインダ、分散剤、この分散剤を捕捉する捕捉剤を混合してなるものであり、たとえば１５０℃〜３００℃程度で硬化可能なものである。
【００４８】
この貴金属膜１５４が形成された積層基板１００は、表面にランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃが形成されている積層基板１００を形成した後、当該ランド１５ａ〜１５ｃにボンディングワイヤ３０、３１や部品を接続する前に、上記ナノペーストを塗布して硬化してなるものである。
【００４９】
ナノペーストを塗布する方法としては、インクジェット方式の印刷機で塗布する方法、あるいは、ボンディングランドの形状をしたスタンプで塗布する方法などを採用することができる。この後、１５０℃〜３００℃で１時間程度熱処理を行い、ナノペーストを硬化する。こうして、貴金属膜１５４ができあがる。
【００５０】
ここで、ナノペーストの塗布量は、硬化後の貴金属膜１５４の厚さが、０．０５μｍ以上（つまり、金メッキ層１５３と合わせた膜厚が０．１μｍ以上）になるように塗布する。望ましくは、０．２μｍ以上塗布すると、比較的ボンディング性が安定する。
【００５１】
このように、本実施形態によれば、図２および図３（ｂ）に示されるように、ボンディングワイヤ３０、３１や微細部品が接続される複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを備える基板１００において、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの表面には、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜１５４が形成されていることを特徴とするランドを備える基板１００が提供される。
【００５２】
それによれば、図３（ｂ）に示されるように、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃにメッキかけＫ１などの欠損が発生していても、さらに貴金属膜１５４でそのランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの表面が覆われるため、結果的に、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃは欠損の無いものにすることができる。
【００５３】
よって、本実施形態によれば、ボンディングワイヤ３０、３１や微細部品が接続される複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを備える基板１００において、欠損をより低減したランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを実現することができる。
【００５４】
［基板の製造方法等］
次に、限定するものではないが、上記図１に示される積層基板１００の製造方法および上記図２に示される実装構造の組み付け方法の一具体例について説明する。
【００５５】
図４は、本実施形態の積層基板の製造方法および実装構造の組み付け方法の工程フローを示す図であり、図５は、図４に続く工程フローを示す図である。また、図６、図７、図８は、上記各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【００５６】
まず、セラミック層１１〜１４となるアルミナなどからなる各グリーンシートを用意し、このグリーンシートの所望の位置にパンチングすることにより、最終的に上記ビアホール１７となる孔をあける。
【００５７】
次に、この孔に対して、主にモリブデンからなる導体ペーストを印刷にて充填し乾燥させる。この導体ペーストは、最終的に上記ビアホール１７における内層配線となるものである。
【００５８】
次に、各グリーンシートの表面に、主にタングステンからなる導体ペーストを印刷し、乾燥させる。この導体ペーストは、上記孔に充填された導体ペーストと導通するように印刷され、最終的に、上記内部導体層１８や、表面ランド１５および裏面ランド１６のタングステン層１５１となるものである。
【００５９】
このようにして加工された各グリーンシートを積層し、焼成する。具体的には、各グリーンシートを重ね合わせ、熱圧着を行い積層する。次に、この積層体を約１６００℃、還元雰囲気にて焼成する。このとき、基板は約２０％収縮する。また、各ペーストは各ランドのタングステン層１５１および内層配線１７、１８となる。こうして、図６（ａ）に示されるような積層基板ができあがる。
【００６０】
次に、図６（ｂ）に示されるように、上記表面ランド１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ）および裏面ランド１６となるタングステン層１５１の表面に、無電解メッキまたは電気メッキなどにより、銅メッキ層１５２を形成する。
【００６１】
次に、積層基板の裏面に、厚膜抵抗体２３を構成するペーストを印刷し、乾燥・焼成することにより、厚膜抵抗体２３を形成する。そして、その上に保護ガラス４３を形成し、その上に保護樹脂４４を形成する。また、必要に応じて保護ガラス４３を形成した後、抵抗値の調整のため、レーザトリミングを行ったりする。
【００６２】
続いて、銅メッキ層１５２の表面に、無電解メッキまたは電気メッキなどにより、金メッキ層１５３（図３参照）を形成する。こうして、図６（ｃ）に示されるように、積層基板１００が形成される。
【００６３】
この図６（ｃ）に示される積層基板１００は、すなわち上記図１に示される実装前の積層基板１００である。つまり、上記図３（ａ）に示される金メッキ層１５３まで形成された各表面ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを有する積層基板１００が形成される。
【００６４】
このようにして製造された実装前の積層基板１００を受け入れて、部品やボンディングワイヤの実装工程が行われる。
【００６５】
まず、はんだランド１５ｃの表面に、上記したインクジェット方式の印刷機で塗布する方法、あるいは、スタンプで塗布する方法により、選択的に上記ナノペーストを塗布し、これを硬化させる。それにより、上記図３（ｂ）に示されるように、表面に貴金属膜１５４が形成されたはんだランド１５ｃが形成される。
【００６６】
続いて、図７（ａ）に示されるように、はんだランド１５ｃの表面にはんだペースト４０ａを印刷して塗布する。
【００６７】
次に、図７（ｂ）に示されるように、部品マウントを行う。ここでは、はんだ付けされる部品であるフリップチップ２０およびコンデンサ２１を積層基板１００の表面に搭載する。
【００６８】
続いて、はんだリフローを行い、フリップチップ２０およびコンデンサ２１をはんだ４０を介して積層基板１００に接続する。その後、基板洗浄を行い、フラックスを洗浄し、除去する。
【００６９】
次に、図７（ｃ）に示されるように、導電性接着剤ランド１５ｄの表面に、導電性接着剤４１を塗布する。
【００７０】
続いて、図８（ａ）に示されるように、ＩＣマウント工程では、導電性接着剤ランド１５ｄの上に、導電性接着剤４１を介してＩＣチップ２２を搭載する。そして、導電性接着剤４１を硬化することにより、ＩＣチップ２２を導電性接着剤４１を介して積層基板１００に接続する。
【００７１】
次に、金ワイヤ接続ランド１５ａの表面に、上記したインクジェット方式の印刷機で塗布する方法、あるいは、スタンプで塗布する方法により、選択的に上記ナノペーストを塗布し、これを硬化させる。それにより、上記図３（ｂ）に示されるように、表面に貴金属膜１５４が形成された金ワイヤ接続ランド１５ａが形成される。
【００７２】
続いて、図８（ｂ）に示されるように、金ボンディング工程を行い、金ボンディングワイヤ３０によって、ＩＣチップ２２と金ワイヤ接続ランド１５ａとを結線し、電気的に接続する。
【００７３】
その後、図８（ｃ）に示されるように、フリップチップ２０と基板１００との間にアンダーフィル材４２を注入して硬化する。これにより、アンダーフィル材４２の充填がなされる。なお、このアンダーフィル材４２の充填は必要に応じて行えばよく、行わなくてもよい。
【００７４】
次に、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂの表面に、上記したインクジェット方式の印刷機で塗布する方法、あるいは、スタンプで塗布する方法により、選択的に上記ナノペーストを塗布し、これを硬化させる。それにより、上記図３（ｂ）に示されるように、表面に貴金属膜１５４が形成されたＡｌワイヤ接続ランド１５ｂが形成される。
【００７５】
続いて、Ａｌボンディング工程を行い、Ａｌボンディングワイヤ３１によって、コネクタ部材などの外部とＡｌワイヤ接続ランド１５ｂとを結線する。これにより、積層基板１００と外部とがＡｌボンディングワイヤ３１を介して電気的に接続され、上記図２に示される実装構造ができあがる。
【００７６】
このように、本製造方法によれば、基板１００の表面に複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを形成した後、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃにボンディングワイヤ３０、３１や微細部品を接続してなるランドを備える基板の製造方法において、基板（１００の表面に複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを形成した後、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃにボンディングワイヤ３０、３１や微細部品を接続する前に、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの表面に、貴金属のナノオーダ粒子を含むペースト状のナノペーストを塗布して硬化してなる貴金属膜１５４を形成することを特徴とするランドを備える基板の製造方法が提供される。
【００７７】
それによれば、上記図２および図３（ｂ）に示される本実施形態の基板１００を適切に製造することができ、欠損をより低減したランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを実現することができる。
【００７８】
なお、本実施形態では、図３（ｂ）に示されるように、部品実装後の積層基板１００における金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂ、はんだランド１５ｃの表面に、貴金属膜１５４が形成されている。
【００７９】
ここにおいて、これら金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂ、はんだランド１５ｃの表面に、貴金属膜１５４を形成する場合、上記図４に示されるフロー図において、はんだペースト塗布工程の前に行うナノペースト塗布工程にて、各ランド１５ａ〜１５ｃに一括して貴金属膜１５４を形成してもよい。
【００８０】
あるいは、金ワイヤ接続ランド１５ａ、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂの表面に、貴金属膜１５４を形成するにあたって、上記図５に示されるフロー図において、導電性接着剤硬化工程とＡｕボンディング工程との間に行われるナノペースト塗布工程にて、これら両ランド１５ａ、１５ｂに同時に貴金属膜１５４を形成してもよい。
【００８１】
しかし、上記製造方法に示したように、各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃについてボンディングワイヤ３０、３１や部品２０、２１を接続する直前に、貴金属膜１５４の形成を行うことが好ましい。
【００８２】
それによれば、製造工程中にランド１５ａ〜１５ｃに対して異物が付着したり、汚染が生じたりすることなどを極力防止できるためである。
【００８３】
（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態に係る基板１００の要部を示す概略断面図であり、（ａ）は図１に示されるような実装前の基板１００における本実施形態の各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図、（ｂ）および（ｃ）は図３に示されるような実装後の基板１００における本実施形態の各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図である。
【００８４】
本実施形態は、貴金属膜１５４の厚さが、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの種類ごとに変えられていることを特徴とする基板１００を提供するものである。上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。
【００８５】
具体的には、基板１００表面の複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃが、金ボンディングワイヤ３０が接続される金ワイヤ接続ランド１５ａとそれ以外のランド１５ｂ、１５ｃからなる場合、図３（ｂ）に示されるように、それ以外のＡｌワイヤ接続ランド１５ｂおよびはんだランド１５ｃは、金ワイヤ接続ランド１５ａよりも貴金属膜１５４が薄いものとする。
【００８６】
もしくは、図３（ｃ）に示されるように、それ以外のＡｌワイヤ接続ランド１５ｂおよびはんだランド１５ｃは、貴金属膜１５４が形成されていないものとする。
【００８７】
Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂの表面には、ナノペーストを塗布しても良いが、塗布しない、あるいは、薄く塗布することが、信頼性上望ましい。これは、本例において、貴金属膜１５４を構成するＡｕとＡｌボンディングワイヤ３１を構成するＡｌとの接触部に、電位差による腐食が置きやすいからである。
【００８８】
このことから、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂにおいては、金からなる貴金属膜１５４と金メッキ層１５３との合計の厚さ、すなわち金の層厚さを０．６μｍ以下にする必要がある。望ましくは、この金の層厚さは０．４μｍ以下もしくは０であることが好ましい。
【００８９】
また、フリップチップ２０やコンデンサ２１などのはんだ付けが行われるはんだランド１５ｃにおいては、一般に、はんだ４０中のＳｎが、Ａｕとの拡散を起こしやすく、この拡散により生成する合金層が脆いため、接合寿命が悪くなる恐れがある。
【００９０】
よって、はんだ付けのためのはんだランド１５ｃも、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂと同様に、金の層厚さを薄くするか、０とすることが好ましい。
【００９１】
図９（ｂ）に示されるように、この貴金属膜１５４の厚さを各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃごとに変えることは、ナノペーストの塗布量を変化させることにより容易に行うことができる。
【００９２】
また、図９（ｃ）に示されるように、金ワイヤ接続ランド１５ａ以外のＡｌワイヤ接続ランド１５ｂおよびはんだランド１５ｃに、貴金属膜１５４が形成されていないものとする場合、基板１００の表面に形成された各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃのうちの所望のランドすなわち金ワイヤ接続ランド１５ａの表面に、選択的に貴金属膜１５４を形成する方法を採用すればよい。
【００９３】
このことは、インクジェット方式の印刷機で塗布する方法などにおいて、選択的な塗布が可能であることから、容易に実現できる。
【００９４】
たとえば、はんだランド１５ｃに貴金属膜１５４を付けない場合は、上記図５に示されるフロー図において、基板受け入れ工程とはんだペースト塗布工程との間のナノペースト塗布工程は行わないようにすればよい。
【００９５】
また、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂに貴金属膜１５４を付けない場合は、上記図５に示されるフロー図において、アンダーフィル注入・硬化工程とＡｌボンディング工程との間のナノペースト塗布工程は行わないようにすればよい。
【００９６】
（第３実施形態）
図１０は、本発明の第３実施形態に係る基板１００の要部を示す概略断面図であり、（ａ）は図１に示されるような実装前の基板１００における本実施形態の各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は図３に示されるような実装後の基板１００における本実施形態の各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図である。
【００９７】
本実施形態は、上記実施形態における基板１００の表面ランド１５において、金メッキ層１５３を形成しないものである。
【００９８】
つまり、図１０に示されるように、本実施形態の各ランド１５ａ〜１５ｃは、タングステンもしくはモリブデンからなる層１５１の上に銅メッキもしくはニッケルメッキからなる層１５２の２層からなり、この層１５２の上に貴金属膜１５４が形成されている。
【００９９】
この場合、Ａｕメッキ層１５３を形成しないため、各パッド１５ａ〜１５ｃにおける金の層厚さは、ナノペーストの塗布量のみで制御される。この場合の金の層厚さの好ましい範囲は、上記実施形態と同様である。
【０１００】
図１０（ｂ）では、貴金属膜１５４の厚さが、ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの種類ごとに同一である場合を示しており、たとえば０．２５μｍとすることができる。
【０１０１】
図１０（ｃ）では、金ワイヤ接続ランド１５ａ以外のＡｌワイヤ接続ランド１５ｂおよびはんだランド１５ｃは、金ワイヤ接続ランド１５ａよりも貴金属膜１５４が薄いものとしている。たとえば、貴金属膜１５４の厚さは、金ワイヤ接続ランド１５ａでは０．４μｍ、それ以外のランド１５ｂ、１５ｃでは０．２５μｍとすることができる。
【０１０２】
おり、図１０（ｄ）では、金ワイヤ接続ランド１５ａ以外のＡｌワイヤ接続ランド１５ｂおよびはんだランド１５ｃは、貴金属膜１５４が形成されていないものとしている。たとえば、貴金属膜１５４の厚さは、金ワイヤ接続ランド１５ａでは０．４μｍとすることができる。
【０１０３】
なお、本実施形態の製造工程においては、上記図４に示される金メッキ工程は無くなることは明らかである。
【０１０４】
（第４実施形態）
図１１は、本発明の第４実施形態に係る基板１００の要部を示す概略断面図であり、（ａ）は基板１００における本実施形態の接続直前の各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図、（ｂ）は図３に示されるような実装後の基板１００における本実施形態の各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃの拡大断面図である。
【０１０５】
本実施形態は、上記第２実施形態と同様に、基板１００の表面に形成された各ランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃのうちの所望のランドすなわち金ワイヤ接続ランド１５ａの表面に、選択的に貴金属膜１５４を形成する方法を採用するものである。
【０１０６】
特に、本実施形態では、基板１００の表面に形成された複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを検査し、欠損が存在すると判断されたランドの表面に、選択的に貴金属膜１５４を形成する。この検査は、たとえば、各ランド１５ａ〜１５ｃにおける接続の直前に行うようにする。
【０１０７】
そのため、本実施形態では、金ワイヤ接続ランド１５ａにおいて、貴金属膜１５４が形成されないランドも存在するため、金ボンディングワイヤ３０との接続性を確保すべく、金メッキ層１５３の厚さだけで、０、１μｍ以上を確保するようにする。望ましくは、０．２５μｍ以上とする。
【０１０８】
そして、部品２０〜２２の実装の直前あるいはワイヤ３０、３１のボンディングの直前に、各ランド１５ａ〜１５ｃが汚染、変色、かけなどの欠陥があるかどうかを外観検査を行い、欠陥がある場合に、そのランドのみナノペーストを塗布し、その後硬化、ボンディングを実施する。
【０１０９】
たとえば、図１１に示される例では、接続前の状態において、Ａｌワイヤ接続ランド１５ｂとはんだランド１５ｃに、メッキかけＫ１やメッキしみＫ２が存在する。そのため、これらＡｌワイヤ接続ランド１５ｂとはんだランド１５ｃぼ表面に、貴金属膜１５４を選択的に形成している。
【０１１０】
ここで、ランド表面の外観検査は、自動認識機にて行っても良い。この際、メッキかけ、印刷かけ、変色、異物付着など、欠陥の色が様々であるため、たとえば、色の異なる複数の光源により、各々、２値化し、欠陥を認識することができる。
【０１１１】
そして、自動認識機により欠損があると認識したランドにのみ、インクジェット方式の印刷機でナノペーストを塗布する。あるいは、ランドの形状をしたスタンプでナノペーストを塗布する。
【０１１２】
このように、基板１００の表面に形成された複数のランド１５ａ、１５ｂ、１５ｃのうちの所望のランドの表面に、選択的に貴金属膜１５４を形成することにより、貴金属膜１５４を形成する必要のないランドには、貴金属膜１５４が形成されないため、コストを低減できるなどの利点がある。
【０１１３】
なお、上記実施形態において、貴金属膜１５４は、ナノペーストを焼結して形成されるため、メタライズのパターン欠けなどの下地に金属がない部分でも、貴金属膜１５４は形成することが可能である。ちなみに、無電解メッキであれば、下地に金属が必要なため、メタライズのパターン欠けの補修は不可能である。
【０１１４】
また、上記実施形態では、セラミック積層基板を用いることで、本発明を適切に採用することができているが、本発明に用いる基板としては、プリント基板などの基板であってもよい。
【０１１５】
以上述べてきたように、本発明によれば、接続する前に、貴金属ナノペーストを塗布、硬化することで、ランドを形成する、あるいは、ランドの欠損部分に貴金属ナノペーストを塗布、硬化することで、ランドを補修することができる。以上により、欠陥のないランドに接続が行える。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るランドを備える基板の概略断面構成を示す図である。
【図２】図１に示される基板にボンディングワイヤを接続し各種部品を実装した状態を示す概略断面図である。
【図３】（ａ）は図１に示される基板における各ランドの拡大断面図であり、（ｂ）は図３に示される基板における各ランドの拡大断面図である。
【図４】上記第１実施形態の積層基板の製造方法および実装構造の組み付け方法の工程フローを示す図である。
【図５】図４に続く工程フローを示す図である。
【図６】上記第１実施形態の積層基板の製造方法および実装構造の組み付け方法の各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図７】図６に続く各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図８】図７に続く各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板の要部を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る基板の要部を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る基板の要部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１５ａ…金ワイヤ接続ランド、１５ｂ…Ａｌワイヤ接続ランド、
１５ｃ…はんだランド、３０…金ボンディングワイヤ、
３１…Ａｌボンディングワイヤ、１００…基板としての積層基板、
１５１…タングステンもしくはモリブデンからなる層としてのタングステン層、
１５２…銅メッキもしくはニッケルメッキからなるメッキ層としての銅メッキ層、
１５３…金メッキ層、１５４…貴金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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