(57)【要約】【課題】ＣＶＤ膜成膜装置の内部電極に付着する異物を効率良く除去し、内部電極の点検・交換の間隔を著しく長くし、装置の稼働率を向上させることである。【解決手段】プラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するための、内部電極を有するプラズマＣＶＤ成膜装置において、外部電極に収容されるプラスチック容器の縦軸方向に内部電極を移動させる内部電極挿脱手段を設け、内部電極の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材を上記動きの際に内部電極の外側面と擦り合う位置に配置する。【選択図】図１
2005076082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する外部電極、前記プラスチック容器の内部に配置される内部電極及び該内部電極と前記外部電極とを絶縁化する絶縁部材とを備えた密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ（化学気相成長）膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、
前記内部電極を前記プラスチック容器の縦軸方向に移動させて前記容器収容空間に該内部電極を挿脱自在に配置させる内部電極挿脱手段を設け、前記内部電極の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材を前記外側面と擦り合う位置に配置したことを特徴とするＣＶＤ成膜装置。
【請求項２】
前記容器収容空間の上方に該容器収容空間と連通した空間を設けて前記異物除去部材を配置したことを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ成膜装置。
【請求項３】
前記異物除去部材は、前記内部電極が貫通可能な金属性リボンを巻き丸めたタワシであることを特徴とする請求項１又は２記載のＣＶＤ成膜装置。
【請求項４】
前記異物除去部材を配置した空間の壁面に異物除去用排気口を設けたことを特徴とする特徴とする請求項１、２又は３記載のＣＶＤ成膜装置。
【請求項５】
前記異物除去用排気口は、前記成膜チャンバーの真空排気口を兼ねることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のＣＶＤ成膜装置。
【請求項６】
プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する外部電極、前記プラスチック容器の内部に配置される内部電極及び該内部電極と前記外部電極とを絶縁化する絶縁部材とを備えた密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置の内部電極清掃方法であって、
前記内部電極の外表面に異物除去部材を接触させた状態で該内部電極を前記容器収容空間から抜き出す方向に移動させることで該内部電極の外表面と前記異物除去部材とを擦り合わせ、前記外表面に付着した異物を除去することを特徴とする内部電極の清掃方法。
【請求項７】
プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する外部電極、前記プラスチック容器の内部に配置される内部電極及び該内部電極と前記外部電極とを絶縁化する絶縁部材とを備えた密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置の内部電極清掃方法であって、
前記内部電極の外表面に異物除去部材を接触させた状態で該内部電極を前記容器収容空間に挿入させる方向に移動させることで該内部電極の外表面と前記異物除去部材とを擦り合わせ、前記外表面に付着した異物を除去することを特徴とする内部電極の清掃方法。
【請求項８】
前記内部電極を前記容器収容空間から抜き出す方向或いは挿入する方向に移動させると同時に或いは移動させた後、前記異物除去部材を配置した空間の壁面に設けた異物除去用排気口から該空間内の空気を吸引排気して前記異物除去部材に付着した前記異物を除去することを特徴とする請求項６又は７記載の内部電極の清掃方法。
【請求項９】
請求項８記載の吸引排気時において、前記異物除去部材を配置した空間に連通する大気開放状態の前記容器収容空間から吸引排気させることを特徴とする請求項８記載の内部電極の清掃方法。
【請求項１０】
請求項８記載の吸引排気時において、前記異物除去部材を配置した空間の壁面に設けた空気吸入口を開口させて吸引排気させることを特徴とする請求項８記載の内部電極の清掃方法。
【請求項１１】
前記内部電極を移動させるときに該内部電極をその軸心にて自転運動させることを特徴とする請求項６、７、８、９又は１０記載の内部電極の清掃方法。
【請求項１２】
前記内部電極を移動させるときに前記異物除去部材を該内部電極の軸心にて自転運動させることを特徴とする請求項６、７、８、９、１０又は１１記載の内部電極の清掃方法。
【請求項１３】
プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部に配置される原料ガス供給管と、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記原料ガスに対してマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、
前記原料ガス供給管を前記プラスチック容器の縦軸方向に移動させて前記容器収容空間に該原料ガス供給管を挿脱自在に配置させる原料ガス供給管挿脱手段を設け、前記原料ガス供給管の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材を前記外側面と擦り合う位置に配置したことを特徴とするＣＶＤ成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学気相成長）法により、プラスチック容器の内表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等のＣＶＤ膜をコーティングするためのＣＶＤ成膜装置、特に内部電極或いは原料供給管の清掃機構を有するＣＶＤ成膜装置に関し、さらに内部電極或いは原料供給管の清掃方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガスバリア性等の向上の目的でプラスチック容器の内表面にＤＬＣ膜を蒸着するために、ＣＶＤ法、特にプラズマＣＶＤ法を用いた蒸着装置が開示されている（特許文献１を参照。）。
【０００３】
特許文献１では、ＤＬＣ膜コーティングプラスチック容器の製造装置の内部電極は導電材料で形成され、原料ガス導入のための配管を兼ねている。この内部電極は原料ガス供給口を末端に有するパイプ形状を採る。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−５３１１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１をはじめ、従来の製造装置では、プラスチック容器の内表面にＤＬＣ膜を成膜すると、内部電極の外表面（パイプ外壁面）に炭素を主成分とする膜状の電極汚れ（以下、「異物」という。）が付着する。このため、プラスチック容器、例えばＰＥＴボトル（ポリエチレンテレフタレート樹脂製容器）の内表面にＤＬＣ膜の成膜を行ない、ＤＬＣ膜コーティングボトルを次々と製造していくと、異物の膜厚が徐々に厚くなる。そしてその膜厚がある厚さ(例えば５μm程度の厚さ)になると内部電極から剥がれ落ちる。この剥がれ落ちた異物はＰＥＴボトル内部に落ち、その結果、ＰＥＴボトルの中に成膜されない部分が生じ、ガスバリア性を低下させ、不良品となる。
【０００６】
一方、異物がＰＥＴボトル内部に剥がれ落ちることを防止するには次の方法が考えられる。つまり、異物が剥がれ落ちる前に製造装置を分解して内部電極を取り外し、異物が付着している内部電極の外表面を作業者がヤスリで削る等して掃除する方法である。このように内部電極の外表面を掃除すれば、ＰＥＴボトル内部に異物が剥がれ落ちることを防止することができる。
【０００７】
しかし、異物をおおよそコーティング２００〜４００回行なう毎に除去しなければＤＬＣ膜コーティングプラスチック容器の品質が低下する為、頻繁に内部電極を清掃しなければならない。するとＤＬＣ膜成膜装置の稼働率は著しく低下する。
【０００８】
また内部電極に異物が付着すると、プラズマ放電の不安定及び放電停止を招く。
【０００９】
本発明の課題は、異物除去機構を有するＣＶＤ膜成膜装置を提供することで、内部電極の点検・交換の間隔を著しく延ばすことである。これにより装置の稼働率を向上させることにある。
【００１０】
本発明の異物除去は、成膜チャンバー内に設けた容器収容空間に内部電極を挿脱自在に配置する際の内部電極挿脱運動を利用することにより行なう。このとき、内部電極の全体若しくは先端を除いた全体が成膜チャンバーから抜き出される。したがって、ＣＶＤ成膜装置の高さは、内部電極の挿脱運動を阻害しない程度のスペース、すなわち内部電極の抜き出しシロを設けることが必要となる。そこで本発明は、この抜き出しシロを小さくすることを目的とする。
【００１１】
さらに本発明では上記抜き出しシロを小さくするために異物除去部材を容器収容空間に連通する空間を設けて配置する形態を提案する。しかし容器収容空間を排気する際に、異物除去部材や容器収容空間に連通する空間等に存在する細部空間から排気しきれずに残った残留ガスが徐々に放出され、ＣＶＤ膜成膜が阻害され、ガスバリア性が低下するなどの品質低下の問題が生ずることがわかった。そこで本発明では、上記形態とした場合に、残留ガスの放出の問題を生じない異物除去部材の形態及び異物除去機構の形態を提供することを目的とする。
【００１２】
また本発明は、成膜チャンバーをサークル状に複数配設した回転支持体（ターンテーブル）を一回転させる間に、製造サイクルを行なう量産ロータリー型プラズマＣＶＤ成膜装置においても適用可能とし、内部電極の清掃回数を大幅に減らすことを目的とする。
【００１３】
ところで、異物除去部材には清掃回数が多くなるほど異物の付着が増加する。そこで本発明では、この異物除去部材を清掃する清掃機構を付与し、内部電極の点検・交換の間隔を著しく延ばすことはもちろんのこと、この異物除去部材の点検若しくは交換の間隔を著しく延ばすことを目的とする。この際、成膜チャンバーの容器収容空間に異物が落ちないようにすることも目的とする。
【００１４】
さらに本発明では、内部電極の移動時に、内部電極若しくは異物除去材或いはその両方を自転させて、異物除去率をさらに高効率とすることを目的とする。
【００１５】
マイクロ波を供給して原料ガスをプラズマ化させるＣＶＤ成膜装置では、原料供給管を容器内部に配置する。原料供給管も同様に異物が付着するので、本発明では異物除去機能を有するＣＶＤ性膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、内部電極に付着した異物を除去するため、容器収容空間から内部電極を挿脱させる機構を装置に設け、且つ異物を擦る落とす異物除去部材を配置することで、連続成膜する際の装置の動作に異物除去の動作を対応させることができることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する外部電極、前記プラスチック容器の内部に配置される内部電極及び該内部電極と前記外部電極とを絶縁化する絶縁部材とを備えた密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、前記内部電極を前記プラスチック容器の縦軸方向に移動させて前記容器収容空間に該内部電極を挿脱自在に配置させる内部電極挿脱手段を設け、前記内部電極の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材を前記外側面と擦り合う位置に配置したことを特徴とする。ＣＶＤ成膜装置では、容器の装着と取り出しが不可欠であるが、成膜した容器の取り出し時から新たな容器を装着する間に内部電極の清掃を効率的に行なうために上記構成を持たせるものである。
【００１７】
本発明に係るＣＶＤ成膜装置では、前記容器収容空間の上方に該容器収容空間と連通した空間を設けて前記異物除去部材を配置することが好ましい。内部電極の抜き出しシロを小さくするためである。
【００１８】
また本発明に係るＣＶＤ成膜装置では、前記異物除去部材は、前記内部電極が貫通可能な金属性リボンを巻き丸めたタワシであることが好ましい。異物の除去機能を持たせるとともに残留ガスの放出の問題を生じない異物除去部材の形態を提案するものである。
【００１９】
本発明に係るＣＶＤ成膜装置では、前記異物除去部材を配置した空間の壁面に異物除去用排気口を設けることが好ましい。容器収容空間に連通する空間を設けてそこに異物除去部材を配置する形態とした場合に、容器収容空間に異物が混入することを防止するためである。
【００２０】
さらに本発明に係るＣＶＤ成膜装置では、前記異物除去用排気口は、前記成膜チャンバーの真空排気口を兼ねることが好ましい。排気系統の簡素化を図るためである。
【００２１】
本発明に係る内部電極の清掃方法は、プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する外部電極、前記プラスチック容器の内部に配置される内部電極及び該内部電極と前記外部電極とを絶縁化する絶縁部材とを備えた密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置の内部電極清掃方法であって、前記内部電極の外表面に異物除去部材を接触させた状態で該内部電極を前記容器収容空間から抜き出す方向に移動させることで該内部電極の外表面と前記異物除去部材とを擦り合わせ、前記外表面に付着した異物を除去することを特徴とする。ＣＶＤ成膜装置では、容器の装着と取り出しが不可欠であるが、成膜した容器の取り出し時から新たな容器を装着する間に、内部電極を抜き出す動作を与えて、そのとき異物除去を行なうものである。
【００２２】
本発明に係る内部電極の清掃方法は、プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する外部電極、前記プラスチック容器の内部に配置される内部電極及び該内部電極と前記外部電極とを絶縁化する絶縁部材とを備えた密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置の内部電極清掃方法であって、前記内部電極の外表面に異物除去部材を接触させた状態で該内部電極を前記容器収容空間に挿入させる方向に移動させることで該内部電極の外表面と前記異物除去部材とを擦り合わせ、前記外表面に付着した異物を除去することを特徴とする。ＣＶＤ成膜装置では、容器の装着と取り出しが不可欠であるが、成膜した容器を取り出して新たな容器を装着する間に、内部電極を成膜チャンバーに挿入させる動作を与えて、そのとき異物除去を行なうものである。
【００２３】
本発明に係る内部電極の清掃方法では、前記内部電極を前記容器収容空間から抜き出す方向或いは挿入する方向に移動させると同時に或いは移動させた後、前記異物除去部材を配置した空間の壁面に設けた異物除去用排気口から該空間内の空気を吸引排気して前記異物除去部材に付着した前記異物を除去することが好ましい。異物除去部材に付着した異物を除去し、装置の長期連続運転を可能とするためである。
【００２４】
また、本発明に係る内部電極の清掃方法では、前記吸引排気時において、前記異物除去部材を配置した空間に連通する大気開放状態の前記容器収容空間から吸引排気させることが好ましい。容器収容空間に連通する空間を設けてそこに異物除去部材を配置する形態とした場合に、容器収容空間に異物が混入することを防止するためである。
【００２５】
或いは本発明に係る内部電極の清掃方法では、前記吸引排気時において、前記異物除去部材を配置した空間の壁面に設けた空気吸入口を開口させて吸引排気させることが好ましい。容器収容空間に異物が混入することを防止するためである。
【００２６】
本発明に係る内部電極の清掃方法では、前記内部電極を移動させるときに該内部電極をその軸心にて自転運動させることがより好ましい。また本発明に係る内部電極の清掃方法では、前記内部電極を移動させるときに前記異物除去部材を該内部電極の軸心にて自転運動させることがより好ましい。内部電極又は異物除去材或いはその両方を自転運動させることで、異物除去率を高めることができる。
【００２７】
また、本発明では特にプラズマ発生源としてマイクロ波を使用するときの原料供給管の清掃機構を具備したＣＶＤ成膜装置を提案する。すなわち、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部に配置される原料ガス供給管と、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記原料ガスに対してマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、前記原料ガス供給管を前記プラスチック容器の縦軸方向に移動させて前記容器収容空間に該原料ガス供給管を挿脱自在に配置させる原料ガス供給管挿脱手段を設け、前記原料ガス供給管の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材を前記外側面と擦り合う位置に配置したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明では、ＣＶＤ成膜装置に装置の動作に対応した異物除去機構を搭載することにより、内部電極の点検・交換の間隔を著しく延ばし、ＣＶＤ膜成膜装置の稼働率を向上させることができ、量産ロータリー型プラズマＣＶＤ成膜装置においても適用可能である。このとき装置の高さ方向の大型化を最小限にとどめ、ガスバリア性容器の品質を低下させることもない。また、容器収容空間への異物の混入を防止できるとともに、装置の排気系統の簡素化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、実施形態を複数挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されない。また、各図面において部材が共通する場合には、同一の符号を附した。以下本発明の実施形態を図１〜７に基づいて説明する。
【００３０】
図１は、本実施形態に係るＣＶＤ成膜装置の第１形態を示す概略図であり、成膜チャンバーについては容器縦断面での断面概略図である。このＣＶＤ成膜装置はプラズマＣＶＤ成膜装置であり、プラスチック容器７を収容する外部電極３、プラスチック容器７の内部に配置される内部電極９及び内部電極９と外部電極３とを絶縁化する絶縁部材４ｂとを備えた密封可能な成膜チャンバー６と、プラスチック容器７の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段２２と、外部電極３に高周波を供給する高周波供給手段１６とを備える。この構成によりプラスチック容器７の内表面にＣＶＤ膜を成膜することができる。本実施形態では内部電極に付着した異物除去機構として、内部電極９をプラスチック容器７の縦軸方向に移動させて成膜チャンバー６内に設けた容器収容空間３４に内部電極９を挿脱自在に配置させる内部電極挿脱手段４０を設け、内部電極９の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材３５を内部電極９の外表面と擦り合う位置に配置している。
【００３１】
さらに図１に示すＣＶＤ成膜装置は、内部電極支持部材１０と内部電極支持部材１０をプラスチック容器７の縦軸方向、図１でいう上下方向に移動させる内部電極移動手段１１とからなる内部電極挿脱手段４０を備えている。内部電極移動手段１１の作動により、内部電極支持部材１０が移動し、内部電極支持部材１０に支持される内部電極９がプラスチック容器７の縦軸方向、図１でいう上下方向に移動する。ＣＶＤ成膜装置では、容器の装着と取り出しが不可欠であるが、内部電極移動手段１１を設けたのは、成膜した容器を取り出して新たな容器を装着する間に内部電極の清掃を効率的に行なうためである。
【００３２】
図１に示したＣＶＤ成膜装置の実施形態は、１個の成膜チャンバーで容器１本ずつ成膜を行なう１本採りバッチ式のＣＶＤ成膜装置である。本実施形態には、複数の成膜チャンバーで容器複数本ずつ同時に成膜を行なう複数本採りバッチ式のＣＶＤ成膜装置も包含する。さらに、複数の成膜チャンバーを回転支持台（ターンテーブル）上にサークル状に配置し、回転支持台が１回転する間に成膜を終了するロータリー型ＣＶＤ成膜装置も包含する。いずれのＣＶＤ成膜装置についても、図１に示したＣＶＤ成膜装置を基本単位として複数化したものである。
【００３３】
図１に示す成膜チャンバー６は、真空室を形成するとともに異物除去機構を搭載するために、外部電極３の上に絶縁部材４ｂを配置し、さらに異物除去部材を収容するための空間３２を設けた収容部材４ａを絶縁部材４ｂの上に配置し、さらに収容部材４ａの上に内部電極９を支持する内部電極支持部材１０を配置する。収容部材４ａと絶縁部材４ｂとは蓋５を構成し、蓋５は容器収容空間３４の蓋となる。収容部材４ａの上壁には内部電極９を貫通させるための貫通孔４２を設けている。貫通孔４２は内部電極支持部材１０とＯ−リング８によって気密的にシールされる。外部電極３、蓋５及び内部電極支持部材１０並びにこれらの間に介装したＯ−リング８によって、容器収容空間３４及び空間３２を含む成膜チャンバー６内の内部空間が密閉される。
【００３４】
蓋５の絶縁部材４ｂによって、内部電極９がプラスチック容器７内に挿入された時、内部電極９と外部電極３とが絶縁状態とされる。
【００３５】
外部電極３は、上部外部電極２と下部外部電極１からなり、上部外部電極２の下部に下部外部電極１の上部がＯリング８を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されている。上部外部電極２と下部外部電極１を脱着することでプラスチック容器７の出し入れが可能となる。
【００３６】
外部電極３の内部には空間が形成されており、この空間はコーティング対象のプラスチック容器７、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂製の容器であるＰＥＴボトルを収容するための容器収容空間３４である。容器収容空間３４は、プラスチック容器７の外形よりも僅かに大きくなるように形成されることが好ましい。すなわち、容器収容空間３４の内壁面はプラスチック容器７の外側近傍を囲む形状とすることが好ましい。ただし、プラスチック容器７の内表面にバイアス電圧がかかる場合には、容器収容空間３４の内壁面をプラスチック容器の外側近傍を囲む形状とする必要はない。なお、容器収容空間３４は、上部外部電極２と下部外部電極１の間に配置されたＯリング８によって外部から密閉されている。
【００３７】
絶縁部材４ｂには、容器収容空間３４につながる開口部４１が設けられている。さらに収容部材４ａには、異物除去部材３５を収容するための空間３２が設けられている。また収容部材４ａには、内部電極９の貫通孔３３が設けられている。貫通孔３３の径は内部電極の抜き挿しをスムーズにするために内部電極９の管外径よりも大きく形成していて、ガスをその隙間から通過させることができる。空間３２は貫通孔３３と開口部４１を介して容器収容空間３４に連通している。図１で示したように、容器収容空間３４の上方に容器収容空間３４と連通した空間３２を設けて異物除去部材３５を配置することで、異物除去部材３５と容器収容空間３４との距離を小さくすることができるので内部電極9の抜き出しシロ（内部電極の移動幅）を小さくすることができる。内部電極挿脱手段４０を設けた分だけ装置外形が高くなるが、この高くなる分は内部電極の移動幅と関係があるため、移動幅を小さくすることは装置の高さ方向の長大化を抑えることができる。
【００３８】
内部電極９は、外部電極３内に配置され、且つプラスチック容器７の内部に配置される。すなわち、内部電極支持部材１０に支持された内部電極９は、貫通孔４２から空間３２、貫通孔３３、さらに開口部４１を通して容器収容空間３４に差し込まれている。内部電極９の先端は、容器収容空間３４内のプラスチック容器７の内部に配置される。内部電極９は、その内部が中空からなる管形状を有している。内部電極９の先端にはガス吹き出し口９ａが設けられている。内部電極９の管状側面にガス吹出し口を設けても良い。さらに内部電極９は接地される。
【００３９】
内部電極９は導電性管状基体で形成し、表面を研磨したＳＵＳ３０４で形成することが好ましい。ＳＵＳ３０４とするのは、耐食性及び高強度の理由による。研磨は機械加工による研磨とし、バフ＃６００の鏡面に仕上ることが好ましい。なお、異物の付着力を弱めるために厚み２〜１０μｍの９９．７Ａｕ−０．３Ｃｏ、９９．８Ａｕ−０．２Ｎｉ等の硬質金合金メッキを施しても良い。内部電極９の内口径は、内部電極の管内部でのプラズマ発生を防止するため１．５ｍｍ以下、より好ましくは１．０ｍｍ以下とすることが好ましい。内口径を１．５ｍｍ以下とすることにより、内部電極の管内部における異物の発生を抑制できる。また、内部電極の肉厚は、機械的強度確保のため１ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００４０】
異物除去部材３５は、内部電極が貫通可能な金属性リボンを巻き丸めたタワシであることが好ましい。金属ワイヤ性であっても良い。このタワシは、図２に示すように内部電極９を貫通させるための貫通通路５０を有するように金属性リボンを巻き丸めたもの（例えば、アイセン工業社製ステンレスタワシ）であることが好ましい。好ましくはステンレス製のリボンであることが好ましい。金属製のタワシの場合、吸湿しないので真空時に吸湿した水分を徐々に放出させることもなく、異物を擦り落とすだけの硬度も有するからである。貫通通路５０の通路径は金属性リボンの弾性変形により可変径であることが好ましく、さらに好ましくは内部電極９を抜いたときは通路径がゼロであり、内部電極９を差し込んだときは内部電極の管外径と貫通通路５０の通路径がほぼ同一とする。内部電極９を貫通通路５０に差し込んだとき、金属性リボンが内部電極９の外壁面を常に押圧する力が生じ、内部電極９を抜き挿しして異物除去部材３５を相対的に移動させることにより、金属リボンが内部電極の外表面に付着した異物を擦り落とすこととなる。金属性リボンは肉薄の帯形状とすると、帯形状の側端部が鋭利な刃となって、効率良く異物を擦り落とすことが可能となる。
【００４１】
収容部材４ａ内の空間３２の壁面には異物除去用排気口３１ａが設けられていて、さらに異物除去用排気口３１ａを起点として収容部材４ａ内に排気通路３１が設けられている。排気通路３１は配管２６の一方側に接続されており、配管２６の他方側は真空バルブ２８を介して真空ポンプ２９に接続されている。この真空ポンプ２９は排気ダクト３０に接続されている。容器収容空間３４を真空とするための真空排気口は単独で設けても良いが、異物除去用排気口３１ａと兼ねることが好ましい。兼用させることで真空系統を簡素化できる。この場合、配管２６に異物除去用のフィルタ（不図示）を配置することが好ましい。成膜チャンバー６内の圧力を測定するために配管２６に圧力ゲージ２７を設けた。
【００４２】
本実施形態の異物除去は、内部電極に付着した異物を異物除去部材で擦り落として除去するものであるが、異物除去部材に付着した異物をさらに成膜チャンバー６の系外に排出することが望まれる。そこで、異物除去部材３５に付着した異物を強力な吸引排気を行なう際に発生するガス流れによって一緒に排出する。この際、排気するガスが空間３２に供給されなければ空気流れは弱いものとなってしまう。そこで、図１のＣＶＤ成膜装置では、収容部材４ａ内に空間３２に通ずるガス供給通路３９を設けた。ガス供給通路３９は空間３２の内壁面に設けた空気吸入口３９ａに通じている。異物除去用排気口３１ａから排気をする際に排気したガス量分だけ空気吸入口３９ａからガスが供給され、空間３２内と異物除去部材３５の内部を空気流れが通過する。図１のＣＶＤ成膜装置では、ガス供給通路３９に片側開放の真空バルブ３７から配管３６を介して空気を供給する構成を有する。空間３２内に陽圧をかけて積極的に空気を送る必要がないのは、異物が容器収容空間３４内に混入することを防止するためである。
【００４３】
また、図１のＣＶＤ成膜装置で示したように、容器収容空間３４内にリークガスを送るガス系統を設けても良い。すなわち、片側開放の真空バルブ２４、配管２３を介して容器収容空間３４に空気を供給する。容器収容空間３４に送られた空気は開口部４１、貫通孔３３を通過して空間３２に送られて、空間３２内と異物除去部材３５の内部に空気流れが通過する。空間３２内の空気は、上記と同様に異物除去用排気口３１ａから排気される。
【００４４】
さらに、内部電極移動手段１１により、内部電極支持部材１０を上方に移動させ貫通孔４２の全部若しくは内部電極との隙間を開放して、この貫通孔４２を空間３２への空気供給口としても良い。
【００４５】
（１）真空バルブ３７、配管３６、ガス供給通路３９及び空気吸入口３９ａの組み合わせと、（２）真空バルブ２４及び配管２３の組み合わせとは、いずれか１つ設けても良いし、或いは図１の装置ように両方とも設けても良い。（１）の組み合わせ、（２）の組み合わせ、開放させた貫通孔４２の少なくともいずれか１つを使って、異物を容器収容空間３４内に混入させないことが望まれる。
【００４６】
図１において、原料ガス供給手段２２は、プラスチック容器７の内部に原料ガス発生源２１から供給される原料ガスを供給する。すなわち、内部電極９の基端には、配管１７の一方側が接続されており、この配管１７の他方側は真空バルブ１８を介してマスフローコントローラー１９の一方側に接続されている。マスフローコントローラー１９の他方側は配管２０を介して原料ガス発生源２１に接続されている。この原料ガス発生源２１はアセチレンなどの炭化水素ガス等を発生させるものである。
【００４７】
図１に示すように原料ガス供給手段２２は、成膜チャンバー６に原料ガスを供給する。成膜チャンバーを複数設けた場合では、成膜チャンバーごとに原料ガス供給手段を設置しても良いが、一つの原料ガス発生源によって、分岐させて各成膜チャンバーに原料ガスを導入しても良い。
【００４８】
原料ガスとしては、例えば、ＤＬＣ膜を成膜する場合、常温で気体又は液体の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類などが使用される。特に炭素数が６以上のベンゼン，トルエン，ｏ−キシレン，ｍ−キシレン，ｐ−キシレン，シクロヘキサン等が望ましい。食品等の容器に使用する場合には、衛生上の観点から脂肪族炭化水素類、特にエチレン、プロピレン又はブチレン等のエチレン系炭化水素、又は、アセチレン、アリレン又は１―ブチン等のアセチレン系炭化水素が好ましい。これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の混合ガスとして使用するようにしても良い。さらにこれらのガスをアルゴンやヘリウムの様な希ガスで希釈して用いる様にしても良い。また、ケイ素含有ＤＬＣ膜を成膜する場合には、Ｓｉ含有炭化水素系ガスを使用する。
【００４９】
本発明でいうＤＬＣ膜とは、ｉカーボン膜又は水素化アモルファスカーボン膜(ａ−Ｃ：Ｈ) と呼ばれる膜のことであり、硬質炭素膜も含まれる。またＤＬＣ膜はアモルファス状の炭素膜であり、ＳＰ３結合も有する。このＤＬＣ膜を成膜する原料ガスとしては炭化水素系ガス、例えばアセチレンガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬＣ膜を成膜する原料ガスとしてはＳｉ含有炭化水素系ガスを用いる。このようなＤＬＣ膜をプラスチック容器の内表面に形成することにより、炭酸飲料や発泡飲料等の容器としてワンウェイ、リターナブルに使用可能な容器を得る。
【００５０】
成膜チャンバーが１つのみのＣＶＤ装置の場合には、高周波供給手段１６は、外部電極３に整合器を介して高周波電源が接続される。また成膜チャンバーが複数で成膜チャンバーよりも少ない個数の高周波電源によって高周波を各外部電極に供給する場合には、高周波供給手段１６は例えば図１に示した構成をとる。すなわち、高周波供給手段１６は各外部電極３に具設した固定整合器１５と、１以上の高周波電源１２と、高周波電源１２ごとに具設した自動整合器１３と、各固定整合器１５まで自動整合器１２から受けた高周波を均等に供給する高周波分配手段１４とを備える。図１では、１つの成膜チャンバーのみを示し、高周波分配手段１４の他の成膜チャンバーへの分配は不図示である。
【００５１】
固定整合器１５は、外部電極それぞれに具設され、高周波と外部電極内で生成するプラズマとのインピーダンス整合を行なう。
【００５２】
高周波電源１２は、プラスチック容器７内で原料ガスをプラズマ化するためのエネルギーである高周波を発生させるものである。高周波電源の周波数は、１００ｋＨｚ〜１０００ＭＨｚであるが、例えば、工業用周波数である１３．５６ＭＨｚのものを使用する。
【００５３】
自動整合器１３は、同軸ケーブル上でのインピーダンス変動を調整するものである。
【００５４】
高周波分配手段１４は、一つの高周波電源から供給される高周波を複数の外部電極に分配するためのものである。コイルと抵抗とコンデンサにより構成するパラレル型回路或いはカスケード型回路が例示できる。
【００５５】
本発明に係る容器とは、蓋若しくは栓若しくはシールして使用する容器、またはそれらを使用せず開口状態で使用する容器を含む。開口部の大きさは内容物に応じて決める。プラスチック容器は、剛性を適度に有する所定の肉厚を有するプラスチック容器と剛性を有さないシート材により形成されたプラスチック容器を含む。本発明に係るプラスチック容器の充填物は、炭酸飲料若しくは果汁飲料若しくは清涼飲料等の飲料、並びに医薬品、農薬品、又は吸湿を嫌う乾燥食品等を挙げることができる。
【００５６】
本発明のプラスチック容器を成形する際に使用する樹脂は、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレフタレート系コポリエステル樹脂（ポリエステルのアルコール成分にエチレングリコールの代わりに、シクロヘキサンディメタノールを使用したコポリマーをＰＥＴＧと呼んでいる、イーストマン製）、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、シクロオレフィンコポリマー樹脂（ＣＯＣ、環状オレフィン共重合）、アイオノマ樹脂、ポリ−４−メチルペンテン−１樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリスチレン樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、又は、４弗化エチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、を例示することができる。この中で、ＰＥＴが特に好ましい。
【００５７】
本実施形態では、内部電極９がその軸心にて自転運動しうるように、内部電極支持部材１０に内部電極自転手段（不図示）を設置しても良い。また、異物除去部材３５が内部電極９の軸心、すなわち貫通通路５０の軸心にて自転運動するように異物除去部材自転手段（不図示）を設置しても良い。これらの自転により、異物除去率を高めることができる。
【００５８】
本実施形態では、プラズマ発生エネルギーとしてマイクロ波を用いても良い。この第２の実施形態のＣＶＤ成膜装置（不図示）は、プラスチック容器を収容する容器収容空間を有する密封可能な成膜チャンバーと、プラスチック容器の内部に配置される原料ガス供給管と、プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、原料ガスに対してマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段とを備えた装置である。すなわち第１形態の装置との相違は、成膜チャンバーが導電性を有する必要はない、原料ガス供給管は導電性を有する必要はない、容器内部の原料ガスにマイクロ波を供給する必要がある、点である。ただし、原料ガス供給管に異物が同様に付着するため、ボトル内に付着物の一部が剥がれ落ちるのを防止するためにも異物の除去が必要である。そこで、異物除去機構として第１形態と同様の機構を持たせることとした。すなわち、原料ガス供給管をプラスチック容器の縦軸方向に移動させて容器収容空間に原料ガス供給管を挿脱自在に配置させる原料ガス供給管挿脱手段を設け、原料ガス供給管の外表面に付着した異物を除去するための異物除去部材を外側面と擦り合う位置に配置する。異物排気系統についても同様である。これによりマイクロ波をプラズマ発生源とするＣＶＤ成膜装置において長期の連続運転が可能となる。
【００５９】
次に、図１のＣＶＤ成膜装置を用いて容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。
【００６０】
成膜チャンバー６内は、真空バルブ３７が閉で真空バルブ２４を開の状態として大気開放されており、外部電極３の下部外部電極１が上部外部電極２から取り外された状態となっている。未コーティングのプラスチック容器を上部外部電極１の下側から上部外部電極２内に差し込み、設置する。この際、内部電極９はプラスチック容器７内に挿入された状態になる。次に、下部外部電極１を上部外部電極２の下部に装着し、外部電極３はＯ−リング８によって密閉される。
【００６１】
次に、プラスチック容器７の内部を原料ガスに置換するとともに所定の成膜圧力に調整する。すなわち、真空バルブ２４を閉じた後、真空バルブ２８を開き、真空ポンプ２９を作動させる。これにより、容器収容空間３４を含む成膜チャンバー６内が配管２６を通して排気され、成膜チャンバー６内が真空となる。このときの成膜チャンバー６内の圧力は２．６〜６６Ｐａである。
【００６２】
次に、真空バルブ１８を開き、原料ガス発生源２１において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水素ガスを配管２０内に導入し、マスフローコントローラー１９によって流量制御された炭化水素ガスを配管１７及びアース電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから吹き出す。これにより、炭化水素ガスがプラスチック容器７内に導入される。そして、成膜チャンバー６内とプラスチック容器７内は、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力(例えば６．６〜６６５Ｐａ程度)に保たれ、安定化させる。
【００６３】
次に外部電極３に高周波供給手段１６から高周波出力（例えば１３.５６ＭＨｚ)を供給する。これにより、外部電極３と内部電極９間に原料ガス系プラズマを着火させる。このとき、自動整合器１４は、出力供給している電極全体からの反射波が最小になるように、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによってインピーダンスを合わせている。固定整合器は、同軸ケーブルのインピーダンスをプラズマのインピーダンスに変換している。これによって、プラスチック容器７内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜がプラスチック容器７の内表面に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。これによりプラスチック容器７の内表面にＤＬＣ膜が成膜される。次に、高周波供給手段１６の出力を停止し、プラズマを消滅させてＤＬＣ膜の成膜を終了させる。ほぼ同時に真空バルブ１８を閉じて原料ガスの供給を停止する。真空バルブ１８を閉じることで、成膜チャンバー６内及びプラスチック容器７内の炭化水素ガスを真空ポンプ２９によって排気する。その後、真空バルブ２８を閉じ、排気を終了させる。このときの成膜チャンバー６内の圧力は６.６〜６６５Ｐａである。この後、真空バルブ２４を開く。これにより、空気が成膜チャンバー６内に入り、成膜チャンバー６が大気開放される。
【００６４】
次に外部電極３の下部外部電極１が上部外部電極２から取り外された状態とする。プラスチック容器７を上部外部電極２の下側から取り出す。
【００６５】
本実施の形態では、内部に薄膜を成膜する容器として飲料用のＰＥＴボトルを用いているが、他の用途に使用される容器を用いることも可能である。
【００６６】
また、本実施の形態では、ＣＶＤ成膜装置で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜を挙げているが、容器内に他の薄膜を成膜する際に上記成膜装置を用いることも可能である。
【００６７】
ＤＬＣ膜の膜厚は０．０１〜５μｍとなるように形成する。
【００６８】
以上の操作を繰り返すことで、ＤＣＬ膜コーティングプラスチック容器が次々と製造される。そして、成膜を繰り返すことにより、内部電極９の外表面に異物が付着する。なお、異物が堆積すると、放電不良が生じる。したがって、成膜サイクルを複数回行なうごとに、より好ましくは一回成膜を行なうたびに内部電極９に付着した異物を清掃する必要が生ずる。
【００６９】
次に、内部電極の清掃方法について説明する。図３は、図１の内部電極挿脱手段による異物除去工程の概念図である。各部材の符号は特に付さないが図１と同様とする。成膜して容器を取り出した後では、図１のＣＶＤ成膜装置の成膜チャンバーは、図３（ａ）に示すように内部電極９が成膜チャンバー６内に挿入された状態となっている。次に図３（ｂ）に示すように内部電極移動手段１１を作動させて、内部電極支持部材１０を上方に移動させる。これに伴って内部電極９が容器収容空間３４から抜き出される方向に移動する。このとき、異物除去部材３５は内部電極９に接触して巻きついている状態であるため、内部電極９の移動とともに異物除去部材３５が相対的に移動する。そして、内部電極９の外表面に付着した異物が異物除去部材３５によって擦り落とされる。ここで、内部電極９をその軸心にて自転させることが好ましい。また異物除去部材３５を同軸心にて自転させることが好ましい。このとき、内部電極９を容器収容空間３４から抜き出す方向に移動させると同時に、図４又は図５に示すように異物除去用排気口３１ａから空間３２内の空気を吸引排気して異物除去部材３５に付着した異物を除去する。内部電極９の先端が異物除去部材３５に到達する（図３（ｃ））か或いは成膜チャンバーから引き抜ける程度まで到達したとき（不図示）、内部電極の外表面の全体が清掃される。図３（ｃ）に示すように内部電極９の先端が少なくとも異物除去部材３５の貫通通路内に到達するまで内部電極移動手段１１を作動させて、内部電極支持部材１０を上方に移動させることが好ましい。内部電極先端まで異物を除去できるからである。
【００７０】
上記実施形態では内部電極の移動中に空間３２の吸引排気を行なうが、内部電極９を容器収容空間３４から抜き出す方向に移動させた後に、異物除去用排気口３１ａから空間３２内の空気を吸引排気して異物除去部材３５に付着した異物を除去しても良い（不図示）。
【００７１】
図４に示すように異物除去用排気口３１ａからの吸引排気時において、空気吸入口３９ａを開口させて吸引排気させることが好ましい。また図５に示すように異物除去用排気口３１ａからの吸引排気時において、空間３２に連通する大気開放状態の容器収容空間３４から貫通孔３３を通して吸引排気させてもよい。図４及び図５の形態では、より好ましくは貫通孔４２からも吸引排気させる。
【００７２】
図３（ａ）〜（ｃ）の工程により、異物が内部電極９より除去され、さらに異物除去部材３５からも除去される。異物が成膜チャンバー６の系外に排出される。
【００７３】
本実施形態では、図３（ａ）〜（ｃ）、図４、図５の工程に代えて、次に示す図６（ａ）〜（ｃ）の工程を行なっても良い。しかし、より好ましくは図３（ａ）〜（ｃ）、図４、図５の工程に追加して図６（ａ）〜（ｃ）の工程を行なう。内部電極の１回の抜き挿しで２回清掃できるからである。
【００７４】
図６（ａ）に示すように内部電極の先端が異物除去部材３５の貫通通路に到達した状態から、図６（ｂ）に示すように内部電極移動手段１１を作動させて、内部電極移動手段１１を作動させて、内部電極支持部材１０を下方に移動させる。これに伴って内部電極９が容器収容空間３４に挿入される方向に移動する。そして内部電極９を抜き挿しする方向に移動させる場合と同様に、内部電極９の外表面に付着した異物が異物除去部材３５に擦り落とされる。ここで、内部電極９をその軸心にて自転させることが好ましい。また異物除去部材３５を同軸心にて自転させることが好ましい。このとき、図４，５で示した場合と同様に内部電極９を容器収容空間３４に挿入する方向に移動させると同時に、異物除去用排気口３１ａから空間３２内の空気を吸引排気して異物除去部材３５に付着した異物を除去する。本実施形態では、内部電極９を容器収容空間３４に挿入する方向に移動させた後に、すなわち内部電極を完全に容器収容空間３４内に配置し終えた後に、異物除去用排気口３１ａから空間３２内の空気を吸引排気して異物除去部材３５に付着した異物を除去しても良い。図６（ｃ）に示すように内部電極９が容器収容空間３４内に完全に配置されることで、内部電極の外表面の異物が除去される。図６（ａ）〜（ｃ）の工程により、異物が内部電極９より除去され、さらに異物除去部材３５からも除去される。異物が成膜チャンバー６の系外に排出される。
【００７５】
図３（ａ）〜（ｃ）、図６（ａ）〜（ｃ）の工程を行うことで、内部電極の清掃が完了するとともに、内部電極が容器収容空間に配置されるので次の成膜工程の準備が整うこととなる。
【００７６】
上記説明では、容器を成膜チャンバーから取り出した後に異物を除去したが、成膜チャンバー内に容器があるときに或いは成膜チャンバーから容器を取り出すと同時に上記工程を行うことで異物を除去しても良い。
【実施例】
【００７７】
まず、異物除去部材を容器収容空間に連通する空間に配置したときに、成膜に悪影響を及ぼすか否かの確認を行なった。
（１）成膜装置
実施形態で説明した図１に示す形態の成膜装置を使用した。成膜方法は上述した方法に従った。高周波電源は、工業用周波数である１３．５６ＭＨｚのものを使用する。
（２）成膜条件
原料ガスであるアセチレンのガス流量を１８０ＳＣＣＭ、高周波出力１５００Ｗを外部電極に供給した。放電時間は２秒とした。また、ＰＥＴボトルの口部開口面から容器底面までの長さを３０６ｍｍ、容器容量は１５００ｍｌ、内表面積は１０５０ｃｍ２、肉厚０.３ｍｍとした。
（３）内部電極
内部電極の寸法は、外径６ｍｍ、内口径４ｍｍ、全長３８６ｍｍとした。ここでいう全長とは、内部電極支持部材と内部電極の接合部分から先端までの長さである。内部電極は、ＰＥＴボトルの口部開口面から２７０ｍｍ挿入されるように設定した。すなわち内部電極の先端部と容器底面までの距離を３６ｍｍとした。材質はＳＵＳ３０４とした。
【００７８】
（実施例１）
図２に示した異物除去部材であるステンレス製リボンを巻き回したタワシ（アイセン工業社製、ＫＺ１０５、ステンレスタワシ３０ｇ）を使用した。このタワシを収容部材の空間に配置して、成膜を行なったときのＤＬＣ膜コーティング容器のガスバリア性を測定した。収容部材の空間は、容器収容空間に連通しているのでこの空間を真空にしたときに早期に均一な真空となることが好ましい。容器収容空間にガスが徐々に放出されると、成膜に悪影響を与えてガスバリア性を低下させてしまう。そこで、実施例１では図２に示したステンレス製リボンのタワシが容器のガスバリア性を低下させる因子とならないことを確認した。成膜条件と評価は表１に示した。酸素透過度は、Ｍｏｄｅｒｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ社製Ｏｘｔｒａｎにて２２℃×６０％ＲＨの条件にて測定開始後所定時間経過後に測定を行なった。本発明では、酸素透過度（酸素バリア性）は、容器１本あたりについて計算している。これを面積（ｍ２）あたりに換算する場合は、容器の内表面積を勘案して換算すればよい。なお、裏蓋からのガス透過はほとんどないため、その面積は考慮に入れない。ただし、この実施例の容器の容量、形状により本発明が限定されるものではない。
【表１】
2005076082.tif 000003
（参考例１）
【００７９】
実施例１において、タワシを収容空間に入れずに空とした以外は同様に成膜を行い、参考例１とした。結果を表１に示す。
（比較例１）
【００８０】
収容空間内に異物除去部材の代わりにエアブローユニットを入れた。エアブローユニットは、図７に示すように内部電極の外表面に向けてスリットから圧縮空気を強力に吹付けるとともにブロー空気と吹き飛ばした異物を同時に強力に吸引するユニットである。内部電極挿脱手段を作動させて内部電極の外表面全体を清掃することができる。比較例１としてスリット幅を０．１ｍｍとして、ＤＬＣ膜コーティング容器を製造した。結果を表１に示す。
（比較例２）
【００８１】
スリット幅を０．５ｍｍとした以外は比較例１と同様の条件でＤＬＣ膜コーティング容器を製造し、比較例２とした。結果を表１に示す。
（比較例３）
【００８２】
スリット幅を１．０ｍｍとした以外は比較例１と同様の条件でＤＬＣ膜コーティング容器を製造し、比較例３とした。結果を表１に示す。
（比較例４）
【００８３】
スリット幅を２．０ｍｍとした以外は比較例１と同様の条件でＤＬＣ膜コーティング容器を製造し、比較例４とした。結果を表１に示す。
【００８４】
参考例１と実施例１を比較すると、酸素バリア性は同等であり、使用したタワシは、残存ガスを容器収容空間内に徐々に放出させないと思われる。次に参考例と比較例１〜４を比較する。スリット幅が細かいほど酸素バリア性が低下している傾向があるが、バラツキがあることがわかる。スリット幅を２．０ｍｍとした比較例４においても、実施例１及び参考例１よりも酸素バリア性が悪い。これはスリットのように開口径が小さく深い空間が存在する場合、真空度が均一になるまで時間がかかると考えられる。したがって、比較例１〜４では、スリット内部から残存ガスが容器収容空間内に徐々に放出されていると思われる。
【００８５】
次にＤＬＣ膜をＰＥＴボトルの内面に成膜した際の本実施形態に係る内部電極の清掃の効果確認を行なった。成膜装置・成膜条件・使用する内部電極は実施例１と同様とした。
【００８６】
成膜方法は実施形態で示した方法に従った。図２で示す実施例１と同じタワシを異物除去部材として使用した。清掃方法は実施形態で説明した図３〜図６に示した方法であって、内部電極を容器収容空間から抜き出す方向及び差し込む方向の両方の移動時に、異物を異物除去部材で擦り落す清掃方法とした。成膜１回ごとに内部電極の挿脱を行い、清掃を行なった。吸引排気は、内部電極の移動を停止した後に行なった。
（実施例２）
【００８７】
実施例１と同等の条件で成膜を行なった。成膜１００回目のボトルをサンプリングし、実施例２とした。内部電極の表面を観察したところ、異物は除去されていた。
（実施例３）
【００８８】
実施例１と同等の条件で成膜を行なった。成膜５００回目のボトルをサンプリングし、実施例３とした。内部電極の表面を観察したところ、異物は除去されていた。
（実施例４）
【００８９】
実施例１と同等の条件で成膜を行なった。成膜５０００回目のボトルをサンプリングし、実施例４とした。内部電極の表面を観察したところ、異物は除去されていた。
（比較例５）
【００９０】
図２のタワシを空間に入れずに空の状態で成膜を行なった。このとき清掃しないこととなる。この状態で成膜１００回目のボトルをサンプリングし、比較例５とした。内部電極の表面を観察したところ、異物が付着して、茶色に着色していた。
（比較例６）
【００９１】
比較例５と同様にして成膜５００回目のボトルをサンプリングし、比較例６とした。放電がやや不安定であった。内部電極の表面を観察したところ、異物が付着して、濃茶色に着色していた。
（比較例７）
【００９２】
比較例５と同様にして成膜６００回目で放電がしなくなり成膜できなくなった。内部電極では全表面がほぼ異物により絶縁化されていた。
【００９３】
実施例２〜実施例４、比較例５〜７について酸素バリア性を表２にまとめた。
【表２】
2005076082.tif 000004
【００９４】
実施例２〜実施例４により、成膜を繰り返しても異物が除去され、放電も安定であり、容器のガスバリア性も良好であることが示された。比較例５〜７より清掃を行なわなければ、５００〜６００回程度でガスバリア性が大きく低下する。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本実施形態に係るＣＶＤ成膜装置の第１形態を示す概略図である。
【図２】内部電極に異物除去部材（ステンレスタワシ）を挿入した様子を示す画像である。
【図３】異物除去工程の第１形態の概念図であり、（ａ）は開始状態、（ｂ）は途中状態、（ｃ）は終了状態を示す。
【図４】異物除去部材に付着した異物を除去するときの空気流れの第１の形態を示す概念図である。
【図５】異物除去部材に付着した異物を除去するときの空気流れの第２の形態を示す概念図である。
【図６】異物除去工程の第２形態の概念図であり、（ａ）は開始状態、（ｂ）は途中状態、（ｃ）は終了状態を示す。
【図７】エアブローユニットの作動概念図を示し、（ａ）は縦断面概念図、（ｂ）は圧縮空気供給断面図、（ｃ）は異物排出断面図、である。
【符号の説明】
【００９６】
１  下部外部電極
２  上部外部電極
３  外部電極
４ａ  収容部材
４ｂ  絶縁部材
５  蓋
６  成膜チャンバー
７  プラスチック容器
８  Ｏ−リング
９  内部電極
９ａ  ガス吹き出し口
１０  内部電極支持部材
１１  内部電極移動手段
１２  高周波電源
１３  自動整合器
１４  高周波分配手段
１５  固定整合器
１６  高周波供給手段
１７  ２０  ２３  ２６  ３６  配管
１８  ２４  ２８  ３７  真空バルブ
１９  マスフローコントローラー
２１  原料ガス発生源
２２  原料ガス供給手段
２７  圧力ゲージ
２９  真空ポンプ
３０  排気ダクト
３１  排気通路
３１ａ  異物除去用排気口
３２  空間
３３  貫通孔
３４  容器収容空間
３５  異物除去部材
３９  ガス供給通路
３９ａ  空気吸入口
４０  内部電極挿脱手段
４１  開口部
４２  貫通孔
５０  貫通通路
【図１】
2005076082.tif 000005
【図２】
2005076082.tif 000006
【図３】
2005076082.tif 000007
【図４】
2005076082.tif 000008
【図５】
2005076082.tif 000009
【図６】
2005076082.tif 000010
【図７】
2005076082.tif 000011