(57)【要約】【課題】  レーザ・ビームの偏光の変更を容易且つ正確に行う。【解決手段】  解析器ツール４６は、偏光変更装置２４により変更されたレーザ・ビームを受け取り、レーザ・ビームの偏光の変更を測定する。複数の入力が偏光変更装置に印加され、レーザ・ビームの偏光の変更を制御し、そして偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームは、偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するため解析器ツールを用いて解析される。偏光制御装置への入力とレーザ・ビームの偏光の変更との間の関係が記憶される。レーザ・ビームを用いて構造体を処理するとき、偏光変更装置は、レーザ・ビームの偏光をこの記憶された関係に基づいて変更し得る。【選択図】  図７
2005014088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ・ビームを受け取り且つレーザ・ビームの偏光を変更するよう構成された偏光変更装置と、
前記偏光変更装置に接続された制御器であって、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体のアライメントに基づいてレーザ・ビームの偏光の変更を制御するため、前記偏光変更装置への入力を調整するよう構成された制御器とを備え、
前記偏光変更装置は、その偏光変更装置により受け取られるレーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを、当該レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上へ集束させるレーザ処理システムの中に組み込むよう構成されており、
前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを受け取るよう構成された解析器ツールを更に備え、
前記解析器ツールは、前記偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するよう構成されている
レーザ偏光制御装置。
【請求項２】
前記解析器ツールは、前記レーザ処理システムの中へ取り外し可能に挿入可能である請求項１記載のレーザ偏光制御装置。
【請求項３】
レーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上にレーザ・ビームを集束させるレーザ処理システムを得るステップと、
レーザ・ビームにより処理されるべき複数の構造体の各々のアライメントを決定するステップと、
前記複数の構造体のうちのそれぞれに関して、前記構造物と偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きによって大きさが変わる処理エネルギ窓が最大又はその近くとなるよう前記構造物と偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きを決定することにより、当該偏光されたレーザ・ビームによる前記構造体の処理がほぼ前記の最大の処理エネルギ窓内で生じるステップと、
レーザ・ビームにより処理されるべき各構造体のアライメントに基づいてレーザ・ビームの偏光を変更するステップと、
前記レーザ処理システムを用いて、前記構造体と変更された非円形偏光を有するレーザ・ビームとが前記の決定された相対的向きにある状態で前記構造体上に前記変更された非円形偏光を有するレーザ・ビームを集束させることにより、前記構造体を処理するステップと、
変更された偏光のレーザ・ビームを受け取るよう構成された解析器ツールであってレーザ・ビームの偏光を解析するよう構成されている前記解析器ツールを前記レーザ処理システムに設けるステップと
を備えるレーザ偏光を制御する方法。
【請求項４】
レーザ・ビームの偏光を変更する前記ステップは、直線偏光されたレーザ・ビームを生成する請求項３記載の方法。
【請求項５】
レーザ・ビームの偏光を変更する前記ステップは、楕円偏光されたレーザ・ビームを生成する請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記レーザ処理システムが半導体デバイスの中のリンクを切断するよう構成され、
レーザ・ビームにより処理されるべき前記構造体がリンクである
請求項３記載の方法。
【請求項７】
レーザ・ビームの偏光を解析する前記ステップは、前記偏光変更装置を前記レーザ処理システムに組み付ける地点で実行される請求項３記載の方法。
【請求項８】
レーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上にレーザ・ビームを集束させるレーザ処理システムを設けるステップと、
レーザ・ビームを受け取り且つレーザ・ビームの偏光を変更するよう構成された偏光変更装置を前記レーザ処理システムに設けるステップと、
前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを受け取るよう構成された解析器ツールであって、前記偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するよう構成された解析器ツールを前記レーザ処理システムに設けるステップと、
レーザ・ビームの偏光の変更を制御するため複数の入力を前記偏光変更装置へ印加するステップと、
前記偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するため前記解析器ツールを用いて前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを解析するステップと、
前記偏光変更装置への入力とレーザ・ビームの偏光の変更との間の関係を記憶するステップと
備えるレーザ偏光を制御する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、半導体デバイスのような加工物のレーザ処理に関し、特に、ヒューズあるいはリンクを切断することにより、ＤＲＡＭ、メモリ及びプログラマブル・デバイスの処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ・システムは、ＤＲＡＭ及びプログラマブル・デバイスの製造において長年用いられて来た。ＤＲＡＭの生産において、例えば、冗長メモリは、欠陥メモリ・セルを置換するため、集束されたレーザ・ビームを用いて、メモリの中のヒューズ又はリンクを切断することによりプログラムされる。プログラミングは、ダイオード・ポンピングされたＱスイッチ（ｄｉｏｄｅ  ｐｕｍｐｅｄ  Ｑ−ｓｗｉｔｃｈ）ＹＡＧ（又はＹＬＦ）レーザにより発生されたレーザ・パルスを用いて、ヒューズ又はリンクの接続を切ることにより達成される。
【０００３】
最近の半導体デバイスは、典型的に約１μｍ幅×５μｍ長さのリンク・ジオメトリを有する。これらのリンクは、水平に整列されたリンク及び垂直に整列されたリンクのグループに配置され得る。３−５μｍレーザ・スポット寸法を有するレーザが、単一のレーザ・パルスを用いてそのようなリンクの接続を切るのに用いられ得る。レーザ・エネルギ、スポット寸法、レーザ・パルス幅、及びレーザ・ビームの波長を適切に選択することにより、最もきれいで且つ最も信頼性良いリンク接続の切断を達成するため、レーザ・パラメータを最適化することが可能である。
【０００４】
リンク接続の切断の質は、ブラストされたリンクを視覚的に検査することにより評価され得る。ヒューズ又はリンクの切断における実用性の１つの尺度は、エネルギ切断範囲又は「エネルギ窓」であり、それは、きれいで信頼性良いリンク切断を達成することができる１パルス当たりのエネルギの範囲である。半導体デバイスを処理するため用いられるレーザ・エネルギは、予測されるエネルギ窓の中心で設定されることができ、それは、リンク材料の厚さ、リンクの頂部に配設された酸化物材料の厚さ、レーザの不安定性、レーザ・ビームの位置決めにおけるエラー、及び集束エラーのような処理変動に起因して実際のエネルギ窓からある程度異なり得る。
【０００５】
レーザ処理システムに用いられる多くのダイオード・ポンピングされた固体レーザは、直線偏光される。ある一定のレーザ処理システムは、直線偏光されたレーザ・ビームよりむしろ円偏光されたレーザ・ビームを用いる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一局面は、液晶可変リターダ（ｒｅｔａｒｄｅｒ）のような偏光変更装置、及び制御器を含むレーザ変更制御装置を特徴とする。偏光変更装置は、レーザ・ビームを受け取り、そのレーザ・ビームの偏光を変更する。偏光変更装置に接続されている制御器は、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体のアライメントに基づいてレーザ・ビームの偏光の変更を制御するため、偏光変更装置への入力を調整する。例えば、レーザ・ビームの偏光は、レーザ・ビームにより切断されるべき半導体デバイスの中のリンクのアライメントと一致するよう回転させられ得る。偏光変更装置は、その偏光変更装置により受け取られるレーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを、そのレーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上に集束させる前記レーザ処理システムに組み込むよう構成されている。
【０００７】
このように、本発明に従って、直線偏光又は楕円偏光されたレーザ・ビームは、切断されるべきリンクと整列され得る。例えば、レーザ・ビームの偏光は、リンクが垂直に整列されているとき垂直に整列され得て、そしてリンクが水平に整列されているとき水平に整列される。この技術を利用することにより、ある一定のタイプのリンクを切断するに実効的である許容可能な切断エネルギの範囲を増大させるのが可能である。この許容可能な切断エネルギの範囲がエネルギ窓である。従って、レーザ・ビームの偏光をリンクの向きに応じて切り替えることにより、エネルギ窓の幅を最大化することに関して最良の結果が得られる。直線偏光されたレーザ・ビームがリンクに対して平行よりむしろリンクに対して垂直に又はある他の角度で整列されるとき、エネルギ窓が最大にされるある一定のタイプのリンクもまたあり得る。
【０００８】
本発明の別の局面は、偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを受け取る解析器ツールを特徴とする。解析器ツールは、偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定する。複数の入力が偏光変更装置に印加され、レーザ・ビームの偏光の変更を制御し、そして偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームは、偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するため解析器ツールを用いて解析される。偏光制御装置への入力とレーザ・ビームの偏光の変更との間の関係が記憶される。レーザ・ビームを用いて構造体を処理するとき、偏光変更装置は、レーザ・ビームの偏光をこの記憶された関係に基づいて変更し得る。
【０００９】
種々の入力を偏光変更装置に印加することにより、且つ偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを解析することにより、例えば、垂直の直線偏光及び水平の直線偏光を得るのに必要とされる適切な入力を識別することができる。次いで、これらの入力は、レーザ処理システムが半導体デバイス上のリンクを処理するときの後の使用のため記憶されることができ、それにより適切な入力が偏光変更装置に印加されることができ、そのためレーザ・ビームの偏光はリンクが垂直に整列されたとき垂直に整列され、そしてレーザ・ビームの偏光はリンクが水平に整列されたとき水平に整列されることを保証する。
本発明の多くの他の特徴、目的及び利点は、添付図面と関係して読むとき以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に説明する偏光制御概念に従って、直線偏光された又は楕円偏光されたレーザ・ビームは、レーザ処理システムのエネルギ窓を増大するため、切断されるべきリンクと整列される。本発明は、所与のリンクが良好に切断されることができるエネルギの広い範囲を与えるので、本発明は、リンクの処理に影響を及ぼし従って最適な切断エネルギに影響を及ぼしがちである既知又は未知のプロセス・パラメータにも拘わらずリンクの首尾良い切断の可能性を増大させる。これらのプロセス・パラメータは、例えば、リンク材料を覆う酸化物層の厚さの不確実性、位置決めエラーに起因したリンクのレーザ・ビームとの僅かな不整合、レーザ・パルス又はレーザ・パルス・エネルギの不安定性、集束エラー、及びリンクの厚さに関する不確実性を含み得る。
【００１１】
例えば、特定のリンクを覆う非常に薄い酸化物層である場合、その酸化物層を切断するのに非常に少量のエネルギを要するだけでよい。他方、リンクを覆う非常に厚い酸化物層がある場合、その酸化物層を切断するため大量のエネルギを必要とするであろう。
【００１２】
特定の半導体デバイス上の特定のタイプのリンクに対して、リンクを切断するために用いられるレーザ・エネルギは、その特定のタイプのリンクに対する予測されるエネルギ窓の中心の実験的決定に基づいて設定される。例えば、ある一定の半導体ウェーハは厚い酸化物層を有し得るが、一方別のものは薄い酸化物層を有し又は酸化物がない場合がある。顧客は、薄いウェーハに対する予測されたエネルギ窓及びそれより厚いウェーハに対する予測されたエネルギ窓を決定するため、異なるタイプのウェーハについて実験的エネルギ研究を実行し得る。なお、そのより厚いウェーハに対する予測されたエネルギ窓は、通常、より高いエネルギ範囲をカバーするであろう。また、処理されるべき半導体デバイスを含む所与の半導体ウェーハにおいて、光学的に切断されるため異なるエネルギを要求する種々の異なるタイプのリンクがあり得る。例えば、ウェーハの端部に、その処理から予測されたエネルギ窓の中心がウェーハの他の領域と比較して異なることが実験的に決定される当該処理の考慮があり得る。
【００１３】
しかしながら、あり得る位置決めエラー、集束問題、リンク厚さに関する不確実性、酸化物の厚さに関する不確実性、レーザの不安定性等のため、（事前選択されたレーザ・エネルギを含む予測されたエネルギ窓とは対照的に）個々の所与の各リンクに対して実際のエネルギ窓を確実に知ることは可能でない。それにも拘わらず、本発明は所与のリンクを切断するため効果的であるエネルギの広い範囲を与えるので、事前選択されたレーザ・エネルギは、その所与のリンクに対するこの広い範囲内に入りやすい。それは、実際のエネルギ窓が事前選択されたレーザ・エネルギと部分的に非常に重なりやすいからである。この理由のため、本発明により与えられる大きなエネルギ切断範囲は、信頼性良いリンク切断を維持するのに非常に有効である。
【００１４】
本発明は、円偏光されたレーザ・ビームよりむしろ直線偏光又は楕円偏光されたレーザ・ビームを利用するので、レーザ・ビームの偏光をリンクと整列させることにより実際のエネルギ窓を最適化することが可能である。他方、特定のリンクを切断するため用いられるレーザ・ビームが円偏光される場合、実際のエネルギ窓は、少なくともある一定の環境では、同じレーザ・ビームが直線偏光又は楕円偏光され且つリンクに対して垂直に整列された場合におけるエネルギ窓より大きいであろう。従って、本発明に従ったある一定のレーザ・システムは、直線偏光又は楕円偏光されたレーザ・ビームがリンクと確実に整列されるプロセスをユーザが行うことを望まない場合ユーザが妥協の選択として円偏光されたレーザ・ビームを選択するのを可能にする。最大エネルギ窓は、直線偏光されたビームを切断されるべきリンクと整列させることにより達成されることができると考えられる。
【００１５】
図１及び図２は、切断されるべきリンクのアライメントに基づいて直線偏光を調整するため用いられる液晶可変リターダ及び偏光ビームスプリッタの設置前の、本発明に従ったレーザ・システム１０の主要構成要素を示す。ダイオード−ポンピングされ且つＱスイッチングされたレーザ・ヘッド２０は、２分の１波長板２２（図４に示す詳細を参照）を通る、破線で示されるレーザ・ビーム１２を生成する。なお、２分の１波長板２２は、レーザ・ビームを直線偏光するようにさせる。レーザ・ビーム１２は、小さい前置拡大器テレスコープ組立体１４を通って進行し、前置拡大器テレスコープ組立体１４は、例えば、レーザ・ビームを約３倍に拡大する。次いで、レーザ・ビーム１２は、後部反射鏡１６から反射して、９０度回転をする。レーザ・ビーム１２は、前部反射鏡２６から反射して、ビームスプリッタ２８及びテレスコープ組立体３２を通って走査レンズ３０に向かって進行する。なお、走査レンズ３０は、レーザ・ビーム１２を加工物表面に向けて指向させる検流計３４及び３６を含む。
【００１６】
液晶可変リターダ２４及び偏光ビームスプリッタ１８の設置後における図１及び図２のレーザ・システム１０を示す図３を参照すると、レーザ・ビーム１２が後部反射鏡１６から反射した後に、レーザ・ビーム１２は偏光ビームスプリッタ組立体１８を通って進行し、その偏光ビームスプリッタ組立体１８はレーザ・ビームのエネルギの一部をダンプする（安定した短いパルスを得るため、レーザが最大パワーで動作され得て、レーザ・ロッドはできるだけ硬く（ｈａｒｄ）ポンピングされる。）。偏光ビームスプリッタ組立体１８は、レーザ・ビーム１２の水平偏光された部分をダンプし、そしてレーザ・ビーム１２の垂直偏光された部分が偏光ビームスプリッタ組立体１８を透過するようにさせる。レーザ・ビーム１２それ自身は、偏光ビームスプリッタ組立体１８に入る前に直線偏光され、そうして２分の１波長板２２を回転させることにより、偏光ビームスプリッタ組立体１８によりダンプされるレーザ・ビーム１２の百分率を制御することが可能であり、それにより偏光ビームスプリッタ組立体１８は、実際に可変ビームスプリッタとして機能する。偏光ビームスプリッタ組立体１８から到来するレーザ・ビーム１２は、常に垂直偏光されている。
【００１７】
本発明に従って設けられた電圧制御された液晶可変リターダ（ＬＣＶＲ）及び取付け部２４は、２つのプレートにサンドイッチ状に挟まれた複屈折液晶を含む。当該技術において知られているように、複屈折液晶は、光が異なる速度で異なる軸に沿って複屈折液晶を通って運動し、その結果偏光の位相シフトが生じるので、レーザ・ビームの偏光を回転させることができる。更に、複屈折液晶はまた、直線偏光されたレーザ入力を楕円偏光又は円偏光されたレーザ出力に変換することができる。レーザ・ビーム１２がＬＣＶＲ  ２４から加工物の表面へ進行するとき、レーザ・ビーム１２はその偏光を維持する。レーザ・システム１０に対して外部の他の光学機器は、レーザ・ビーム１２の偏光を変えるため必要とされない。
【００１８】
図５を参照すると、液晶可変リターダ２４に印加される電圧はディジタル制御器４４及び／又は手動制御器４０により制御され、これらディジタル制御器４４及び／又は手動制御器４０は、図１に示されるレーザ・システムのケーブル・ポートを通るケーブルを介して液晶可変リターダ２４とインタフェースする。手動制御器４０は、破壊されるべきリンクが例えば垂直か又は水平かのユーザの知識に基づいて、ＬＣＶＲ  ２４への電圧を変えるため、ユーザにより調整されることができる。ディジタル制御器４４は、切断されるべきリンクのアライメントに関する、コンピュータ４２に記憶された情報に基づいてＬＣＶＲ  ２４への電圧を自動的に変えるため、コンピュータ４２からの入力を受け取る。コンピュータ４２からのこの入力は、適切な電圧をＬＣＶＲ  ２４に印加させるようにディジタル制御器４４を制御する。水平偏光、垂直偏光、円偏光等を達成するための正しい電圧は、実験的に決定することができる。一実施形態において、ディジタル制御器４４は、垂直直線偏光、水平直線偏光及び円偏光に対応する３つの異なる電圧の間で選択するようプログラムされている。他の実施形態において、ディジタル制御器４４は、種々の楕円偏光に対応する電圧を含む、６４個又は９６個の異なる電圧を記憶する。液晶可変リターダは、垂直又は水平以外の多数の角度での偏光がある一定のタイプの構造体を切断するのに有効であることを実証した場合、そのような角度へ直線偏光を回転させることができる他の実施形態も可能である。
【００１９】
図６を参照すると、円偏光されたレーザ・ビーム出力を与えるためＬＣＶＲ  ２４に印加される適切な電圧を実験的に決定するため、前部反射鏡２６（図３）は、レーザ・システムから取り外され、それによりレーザ・ビーム１２は、レーザ・システムの中に挿入されている偏光ビームスプリッタ解析器ツール４６に向けて延びて行く。偏光ビームスプリッタ解析器ツール４６は、レーザ・ビーム１２がＬＣＶＲ  ２４を通った後にレーザ・ビーム１２の偏光を解析するため用いられるが、その偏光ビームスプリッタ解析器ツール４６は偏光ビームスプリッタ４８を含み、その偏光ビームスプリッタ４８はその前に位置する４分の１波長板５０を有する。４分の１波長板５０は、ＬＣＶＲ  ２４から受け取られたいずれの円偏光された光を線形化し、それによりこの円偏光された光が偏光ビームスプリッタへ行くとき、その光は、その左右像に応じて１００％透過されるか、又は１００％反射されるであろう。検出板５２及び５４は、偏光ビームスプリッタ４８を透過した光量、及び偏光ビームスプリッタ４８により反射された光量のそれぞれを検出する。しかしながら、ＬＣＶＲ  ２４から受け取られた光が円偏光されていないが、代わりに楕円偏光されている場合、ＬＣＶＲ  ２４から受け取られた１００％より少ない光が、透過されるか又は反射される。このようにして、ＬＣＶＲ  ２４に印加される電圧が円偏光を生成するに適しているかを決定することができる。
【００２０】
図７を参照すると、垂直偏光又は水平偏光されたレーザ・ビーム出力を与えるため、ＬＣＶＲ  ２４に印加される適切な電圧を実験的に決定するため、ビームスプリッタ解析器ツール４６の向きが動かされ（ｆｌｉｐｐｅｄ）、それにより偏光ビームスプリッタ４８は、４分の１波長板５０の背後よりむしろその前に位置決めされる。この向きでは、４分の１波長板５０はそれを通る光のエネルギを変化させることなく単純に直線偏光された光を円偏光された光に変換するので、４分の１波長板５０は何ら有効な機能を実行するわけではない。レーザ・ビーム１２が直線偏光される場合、そのレーザ・ビーム１２が垂直偏光されるか又は水平偏光にされるかに応じて、レーザ・ビーム１２は、偏光ビームスプリッタ４８を１００％透過するか、又は偏光ビームスプリッタ４８により１００％反射されるかのいずれかであるはずである。
【００２１】
図６及び図７と関係して前述した手順は、図３の装置の製造の地点で、又はグレードアップの場合ＬＣＶＲ及び取付け部２４を既存のレーザ・システムの中に設置する地点で実行され得る。これらの手順が実行された後で、ビームスプリッタ解析器ツール４６は、レーザ・システムから取り外され、そして前部反射鏡は、レーザ・システムの中に再び設置される。種々の電圧をＬＣＶＲ  ２４に印加し且つ検出板５２及び５４により検出される相対的光量を観測することにより、垂直直線偏光、水平直線偏光及び円偏光を得るのに必要とされる適切な電圧を識別することが可能である。次いで、これらの電圧は、コンピュータ４２により又はディジタル制御器４４により記憶されることができ、又は手動制御器４０のユーザにより使用のため記録されることができる。顧客は、ディジタル制御器４４をプログラムして、いずれの任意の電圧をＬＣＶＲ  ２４に印加するようにさせる。例えば、特定の顧客が垂直楕円偏光又は水平楕円偏光を生成する電圧を識別するのを望む場合、顧客は、図６及び図７と関係して前述した技術を用いてこの電圧を実験的に見つけることができる。図６及び図７と関係して前述した技術は、装置毎のベースで実行されるべきである。それは、装置毎のベースでＬＣＶＲ  ２４の動作に幾らかの変動があるからであり、そして異なるレーザは、異なる波長、異なる電圧、及び異なる偏光で動作し得るからである。従って、例えば、特定のレーザ・システムが動作する波長を変えることが望まれる場合、再び前述の実験手順を実行することが重要であろう。
【００２２】
レーザ・ビームの直線偏光又は楕円偏光をリンクと整列させることにより達成されることができるエネルギ窓を実験的に識別することが可能である。レーザ・システムを用いて、（数千のリンクを含み得る）リンクのバンクの中の他の全てのリンクを切断することができ、レーザ・ビームの偏光は、各リンクと整列され、そして各リンクは、僅かに異なるエネルギで切断される。次いで、リンクは、それらリンクがきれいに切断されたかどうかを、又はその切断がぼろぼろであるか又は材料は、レーザ・エネルギがリンクによりきれいに吸収されてないことに起因して切断範囲から外に吹き飛ばされているかを決定するため検査される。レーザ・エネルギが低すぎる場合、リンクは、きれいにその接続が切られないであろうし、又それが余りに低すぎると、リンクは、全くその接続を切られないであろう。レーザ・エネルギが高すぎる場合、リンクを取り巻く基板、及び他のリンクのような周囲の構成要素に対して損傷が生じ得る。きれいに切断されるリンクは、エネルギ窓を定義する。
【００２３】
レーザ・ビームの直線偏光及び楕円偏光が各リンクに対して垂直に整列された状態で、又はレーザ・ビームの円偏光又はいずれの有り得る偏光がそのように整列された状態で、同じ手順を実行することにより、同様にこれらの偏光に対応するエネルギ窓を識別することが可能である。これらの技術を用いて、エネルギ窓が、直線偏光されたビームを切断されるべきリンクと整列させることにより増大されることができることが分かった。
【００２４】
半導体デバイスのレーザ処理のための新規且つ改良された装置及び技術が記載された。本発明は、本明細書で開示された装置及び技術に存在し又はそれにより有する各々の及び全ての新規な特徴及び特徴の新規な組合わせを含むと解釈されるべきである。また、当業者は、ここで、本発明の概念から逸脱することなく本明細書に記載された特定の実施形態の多数の使用及び変更を行い、及びその実施形態から出発し得ることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、液晶可変リターダ及び偏光ビームスプリッタの設置前の本発明に従ったレーザ・システムの水平断面図である。
【図２】図２は、図１においてライン２−２に沿って見た図１のレーザ・システムの垂直断面図である。
【図３】図３は、液晶可変リターダ及び偏光ビームスプリッタの設置後の図１のレーザ・システムの一部分の水平断面図である。
【図４】図４は、図１のレーザ・システムのレーザ・ヘッド及び回転可能な２分の１波長板の詳細図である。
【図５】図５は、図１のレーザ・システムの液晶可変リターダに印加される電圧を制御するシステムの構成要素のブロック図である。
【図６】図６は、円偏光されたレーザ・ビーム出力を与えるため液晶可変リターダに印加すべき適切な電圧を実験的に決定するため、液晶可変リターダ及び偏光ビームスプリッタ解析器の設置後の図１のレーザ・システムの一部分の水平断面図である。
【図７】図７は、垂直に又は水平に偏光されたビーム出力を与えるため液晶可変リターダに印加される適切な電圧を実験的に決定するため、液晶可変リターダ及び偏光ビームスプリッタ解析器ツールの設置後の図１のレーザ・システムの一部分の水平断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０  レーザ・システム
１２  レーザ・ビーム
１４  前置拡大器テレスコープ組立体
１６  後部反射鏡
２０  レーザ・ヘッド
２２  ２分の１波長板
２４  液晶可変リターダ（ＬＣＶＲ）及び取付け部
２６  前部反射鏡
２８  ビームスプリッタ
３０  走査レンズ
３２  テレスコープ組立体
４６  偏光ビームスプリッタ解析器ツール
５０  ４分の１波長板
５２，５４  検出板
【図１】
2005014088.tif 000003
【図２】
2005014088.tif 000004
【図３】
2005014088.tif 000005
【図４】
2005014088.tif 000006
【図５】
2005014088.tif 000007
【図６】
2005014088.tif 000008
【図７】
2005014088.tif 000009