(57)【要約】【課題】  その目的は、画素スイッチング素子として非線形素子を用い、その画素スイッチング素子に寄生する擬似的な容量成分のばらつきを無くすことができる構成とした電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供する。【解決手段】  素子基板上に第１導電体２、絶縁体３、第２導電体４ａ，４ｂの順に積層して形成されたラテラルＭＩＭ素子構造を成す画素スイッチング素子において、絶縁体３をその膜厚が信号線ＬＤから画素電極５の方向に沿って、信号線側では薄く画素電極５側では厚くなるようにエッチングされた場合、第２導電体４ａ，４ｂをともに画素電極５側から絶縁層３ｂを渡ってバリア層３ａ上に同じ距離だけ乗り上げるように積層する。【選択図】    図２
2005250035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電体、絶縁体、第２導電体を順に積層した構造を有する非線形素子と、
前記非線形素子を介して駆動される画素電極と
を有してなる電気光学装置において、
前記第２導電体は少なくとも２つあり、
前記各第２の導電体は、前記絶縁体の一側辺において同絶縁体上に積層されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記絶縁体は、その膜厚が前記一側辺から他方の辺に向かって徐々に変化しており、
前記各第２導電体は、前記膜厚が厚い側の前記絶縁体の上面に積層されるようにしたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記絶縁体は、前記第１導電体の上面及び側面を覆うように設けられており、
前記第１導電体の上面上に積層される前記絶縁体の膜厚は、前記第１導電体の側面に積層される前記絶縁体の膜厚に比べて厚く形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記各非線形素子は素子基板上に形成され、
前記素子基板と相互に対向する対向基板を備え、前記素子基板と前記対向基板とがシール材によって張り合わされるとともに、前記素子基板及び前記対向基板とシール材とによって囲まれた領域に電気光学物質が封入された構成をなしていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
第１導電体、絶縁体、複数の第２導電体を順に積層した構造を有する非線形素子と、前記非線形素子を介して駆動される画素電極とを有してなる電気光学装置において、
前記第１導電体は複数の辺で囲まれた形状を有し、
前記複数の第２の導電体は、前記第１導電体の複数の辺のうちの同一辺上で、前記絶縁体を介して前記第１導電体と対向していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、各画素に画素スイッチング素子として非線形素子を備え、その非線形素子のオン・オフにより画素を駆動するアクティブマトリクス方式の電気光学装置がある。非線形素子として、素子基板上に第１導電体、絶縁体、第２導電体の順に積層して形成された構造を成すＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）素子が知られている。
【０００３】
この種のＭＩＭ素子には、第１導電体の上面上に積層される絶縁体の膜厚を同第１導電体の側面上に積層される絶縁体の膜厚に比べて厚く形成することで、前記第１導電体の上面上に積層される絶縁体を電気抵抗の高いバリア層として機能させるようにして第１導電体の側面にのみ電流が集中して流れるようにしたラテラルＭＩＭ素子がある。ラテラルＭＩＭ素子は、第１導電体の側面のみを非線形素子として利用するので非線形素子の面積を小さくすることができるため、電気光学装置の高密度化、高精細化には極めて有効な画素スイッチング素子である。
【０００４】
ところが、上記のようなラテラルＭＩＭ素子は、第１導電体と、その上面に積層される絶縁体（バリア層）と、その上面に積層される第２導電体とによっても、擬似的なＭＩＭ素子が形成されてしまい、本来のラテラルＭＩＭ素子に要求される諸特性に悪影響を及ぼすおそれがある。その擬似的なＭＩＭ素子の影響を無くすには、擬似的なＭＩＭ素子部分の抵抗成分を極力大きくし、容量成分を小さくすることが必要である。それには、前記バリア層の膜厚を可能な限り厚くすればよいが、あまり厚くすると段差が大きくなり加工が困難となる。例えば、素子の段差が大きくなると、膜形成やエッチングのタクトタイムが増える、段差部での断線などの不良が増える、フォトのアライメントが困難となる、フォトエッチング時にパターンボケが発生しやすくなる、といった問題がある。
【０００５】
この問題に対するものであって、前記バリア層の膜厚をあまり厚くしないで前記擬似的なＭＩＭ素子の抵抗成分を大きくし容量成分を小さくする技術としては、非線形素子を一対直列に設けた構成とするものが考え出されている。この構成によれば、第１の非線形素子に形成されたバリア層と、それに接する第１導電体と第２導電体とで擬似的なＭＩＭ素子が構成される。そして、その２つの擬似的なＭＩＭ素子を通過する信号の経路は、直列に接続されているので、バリア層を２回通過することになり、その両バリア層の膜厚が等しい場合には、膜厚を２倍にした場合と同等になり、抵抗値を２倍に、容量値を略半分にすることが可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１３３３７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ラテラルＭＩＭ素子を形成する工程において、絶縁体及び第１導電体にドライエッチング処理を施してパターニングする際、所謂異方性エッチング処理を行うが、そのドライエッチング処理の異方性により前記絶縁体の上面が一方向へ傾斜を有した形状にエッチングされてしまう場合がある。
【０００７】
図１１は、ラテラルＭＩＭ素子を画素スイッチング素子として使用した公知の液晶装置の一部断面図である。図１１に示すように、液晶装置９０は、素子基板９１上に絶縁膜９１ａが形成され、その絶縁膜９１ａ上に第１導電体９２、絶縁体９３及び第２導電体９４
ａ，９４ｂが、第１導電体９２、絶縁体９３、第２導電体９４ａ，９４ｂの順に積層されたラテラルＭＩＭ素子９５を構成している。
【０００８】
第１導電体９２と絶縁体９３と第２導電体９４ａとの積層部分において、第１導電体９２の側面と絶縁層９３と第２導電体９４ａの積層部分が第１の非線形素子Ｓ１となる。また、同様に、第１導電体９２と絶縁体９３と第２導電体９４ｂとの積層部分において、第１導電体９２の側面と絶縁層９３と第２導電体９４ｂの積層部分が第２の非線形素子Ｓ２となる。第１の非線形素子Ｓ１は図示しない画像信号を供給するための信号線に接続され、第２の非線形素子Ｓ２は画素電極９６に接続されている。そして、各第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２は、第１導電体９２を介して一対直列に設けられた構成となっている。
【０００９】
このように構成されたラテラルＭＩＭ素子９５を構成する絶縁体９３の上面は、図１１中Ｔ方向への膜厚が均一でなく傾斜している。詳しくは、絶縁体９３の膜厚はＴ方向に沿って徐々に増加している。各第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２には、等価的に擬似的な抵抗成分及び容量成分が寄生するが、その容量成分は、第１導電体９２の上面上に積層された絶縁体９３（バリア層）の膜厚に依存する。そして、その容量成分は、第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２の特性に対して影響を与える。
【００１０】
このため、第１導電体９２の上面上に積層された絶縁体９３（バリア層）の膜厚が非線形素子Ｓ１，Ｓ２毎で異なると、第１の非線形素子Ｓ１と第２の非線形素子Ｓ２との容量バランスが崩れ、所望の画像信号が画素電極に印加されなくなる。その結果、所望の画像信号に応じた輝度が表示されなくなるという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素スイッチング素子として非線形素子を用い、その画素スイッチング素子に寄生する擬似的な容量成分のばらつきを無くすことができる構成とした電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の電気光学装置は、第１導電体、絶縁体、第２導電体を順に積層した構造を有する非線形素子と、前記非線形素子を介して駆動される画素電極とを有してなる電気光学装置において、前記第２導電体は少なくとも２つあり、前記各第２の導電体は、前記絶縁体の一側辺において同絶縁体上に積層されている。
【００１３】
これによれば、第１導電体、絶縁体、第２導電体を順に積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）素子構造を有する非線形素子において、その膜厚のバラツキ方向に沿った一側方向から各第２導電体を絶縁体上に積層するようにした。従って、その絶縁体の膜厚が一方向に向かって徐々に変化して形成される場合においても、各第２導電体直下の絶縁体の膜厚はすべて同一となる。また、このとき、たとえば各第２導電体が絶縁体上に形成される面積を同一にすることで、各ＭＩＭ素子に寄生する擬似的な容量成分をすべて同一にすることができる。従って、たとえば、ある所定の第２導電体を画素電極に接続した構成をなす電気光学装置においては、他の第２導電体に印加した信号と同じレベルの信号が前記所定の第２導電体を介して画素電極へ供給される。この結果、所望の信号に応じた輝度を表示することができる。
【００１４】
この電気光学装置において、前記絶縁体は、その膜厚が前記一側方向に沿って徐々に変化しており、前記各第２導電体は、前記膜厚が厚い側の前記絶縁体の上面に積層されるようにした。
【００１５】
これによれば、前記各第２導電体の直下に積層された絶縁体の膜厚は、他の領域の膜厚より厚いので、たとえば、各第２導電体の直下に積層された絶縁体をバリア層として使用した、所謂ラテラルＭＩＭ素子において、そのラテラルＭＩＭ素子としての特性を向上させることができる。
【００１６】
この電気光学装置において、前記絶縁体は、前記第１導電体の上面及び側面を覆うように設けられており、前記第１導電体の上面上に積層される前記絶縁体の膜厚は、前記第１導電体の側面に積層される前記絶縁体の膜厚に比べて厚く形成されている。
【００１７】
これによれば、非線形素子がラテラルＭＩＭ素子構造をなすＭＩＭ素子において、前記絶縁体の上面に積層される前記膜厚が厚いので、非線形素子のラテラルＭＩＭ素子としての特性を向上させることができる。
【００１８】
この電気光学装置において、前記各非線形素子は素子基板上に形成され、前記素子基板と相互に対向する対向基板を備え、前記素子基板と前記対向基板とがシール材によって張り合わされるとともに、前記素子基板及び前記対向基板とシール材とによって囲まれた領域に電気光学物質が封入された構成をなしている。
【００１９】
本発明の電気光学装置は、第１導電体、絶縁体、複数の第２導電体を順に積層した構造を有する非線形素子と、前記非線形素子を介して駆動される画素電極とを有してなる電気光学装置において、前記第１導電体は複数の辺で囲まれた形状を有し、前記複数の第２の導電体は、前記第１導電体の複数の辺のうちの同一辺上で、前記絶縁体を介して前記第１導電体と対向している。
【００２０】
これによれば、複数の辺で囲まれた形状を有する第１導電体、絶縁体、複数の第２導電体を順に積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）素子構造を有する非線形素子において、前記複数の第２の導電体は、前記第１導電体の複数の辺のうちの同一辺上で、前記絶縁体を介して前記第１導電体と対向する。従って、その絶縁体の膜厚が、前記第１導電体の複数の辺のうちの一辺上の領域から他方の辺上の領域に向かって徐々に変化している場合においても、複数の第２導電体直下の絶縁体の膜厚はすべて同一となる。また、このとき、たとえば前記複数の第２導電体が絶縁体上に形成される面積を同一にすることで、各ＭＩＭ素子に寄生する擬似的な容量成分をすべて同一にすることができる。従って、たとえば、ある所定の第２導電体を画素電極に接続した構成をなす電気光学装置においては、他の第２導電体に印加した信号と同じレベルの信号が前記所定の第２導電体を介して画素電極へ供給される。この結果、所望の信号に応じた輝度を表示することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を具備してなる。
本発明の電子機器によれば、上記電気光学装置を具備してなるから、所望の信号に応じた輝度を表示することの可能な、例えば、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の各実施形態を図面に従って説明する。以下、本発明に係る電気光学装置をアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用したものである。
（第１実施形態）
先ず、本発明の第１実施形態に係る液晶装置の主要部について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶装置の画素電極の周辺を示す平面図
である。図２（ａ）は、図１の線ａ１−ａ１の拡大断面図であり、図２（ｂ）は、図１の線ｂ１−ｂ１の拡大断面図である。図１及び図２では、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）素子（二端子型非線形素子）を備えたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を示している。
【００２３】
本実施形態では、図２（ａ），（ｂ）に示すように、光透過性のあるガラス板などよりなる素子基板１の表面全体に、酸化タンタル（ＴａＯｘ）などよりなる絶縁膜１ａが設けてある。絶縁膜１ａ上には、図１に示すように、図中縦方向に延設された導電性材料で構成される信号線ＬＤが設けられている。また、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜１ａ上には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料によって形成された平面視略矩形状の電極である画素電極５と、該画素電極５と信号線ＬＤとの間にその断面が略台形のタンタル（Ｔａ）などよりなる第１導電体２（下電極）とが設けられている。また、第１導電体２は、画素電極５の近くに配置されている。
【００２４】
図１に示すように、第１導電体２は、複数の辺により囲まれた形状を有する。本実施形態においては、信号線ＬＤに沿った方向に長方形状又は長手形状であり、略均一な幅をもつ。第１導電体２は、長方形ばかりではなく、その他の多角形でもかまわない。図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１導電体２の表面上全面にはラテラルＭＩＭ素子としての非線形素子を形成するための絶縁体３が積層されている。絶縁体３は、第１導電体２の上面上には厚く積層されたバリア層３ａと、第１導電体２の側面上には薄く積層された絶縁層３ｂとからなる。ここで、絶縁層３ｂは、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１導電体２の信号線ＬＤ側（図中左側）と画素電極５側（図中右側）との２箇所形成される。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、絶縁体３のバリア層３ａ上には、画素電極５側から絶縁層３ｂを渡って乗り上げるようにして第２導電体４ａ（上電極）が積層されている。また、図２（ｂ）に示すように、絶縁体３のバリア層３ａ上には、画素電極５側から絶縁層３ｂを渡って乗り上げるようにして第２導電体４ｂ（上電極）が積層されている。各第２導電体４ａ，４ｂはともにバリア層３ａ上に同じ距離だけ乗り上げて積層されている。また、各第２導電体４ａ，４ｂはともにその幅が等しい。従って、各第２導電体４ａ，４ｂがバリア層３ａ上に乗り上げた面積は等しくなる。
【００２６】
そして、図１に示すように、第２導電体４ａ，４ｂのうちの第２導電体４ａは、画素電極５に接続されている。一方の第２導電体４ｂは、画像信号が印加される前記信号線ＬＤに接続されている。
【００２７】
このような構造においては、図２（ａ）に示すように、第１導電体２と絶縁体３と第２導電体４ａとの交差部分（積層部分）において、第１導電体２の側面と絶縁層３ｂと第２導電体４ａの交差部分（積層部分）が第１の非線形素子Ｓ１となる。同様に、図２（ｂ）に示すように、第１導電体２と絶縁体３と第２導電体４ｂとの交差部分（積層部分）において、第１導電体２の側面と絶縁層３ｂと第２導電体４ｂの交差部分（積層部分）が第２の非線形素子Ｓ２となる。即ち、これらの第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２は、それぞれ第１導電体２の側面と第２導電体４ａ，４ｂとの間に絶縁層３ｂを挟んだ構造からなり、それぞれラテラルＭＩＭ素子である。
【００２８】
これら第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２相互の接続状態について、図３を参照して説明する。図３は、第１導電体２と絶縁体３と第２導電体４ａ，４ｂとからなる画素電極用スイッチング素子の等価回路を示す回路図である。第１の非線形素子Ｓ１と第２の非線形素子Ｓ２とは、図１に示すように、第１導電体２を介して電気的に接続されているので、直列に接続されている。
【００２９】
そして、信号線ＬＤをプラス電位とし、画素電極５をマイナス電位とした場合、第２の非線形素子Ｓ２に対しては電流が第２導電体４ｂ→絶縁層３ｂ→第１導電体２の順に流れる。また、第１の非線形素子Ｓ１に対しては電流が第１導電体２→絶縁層３ｂ→第２導電体４ａの順に流れる。即ち、第１の非線形素子Ｓ１と第２の非線形素子Ｓ２とでは、第１導電体２、絶縁層３ｂ及び第２導電体４ａ，４ｂに流れる電流の向きが逆になる。ここで、第２導電体４ｂ→絶縁層３ｂ→第１導電体２の順では電流が流れやすく、逆に第１導電体２→絶縁層３ｂ→第２導電体４ｂの順では電流が流れにくい。従って、図３に示すように、第１の非線形素子Ｓ１と第２の非線形素子Ｓ２とは、ダイオードを直列且つ逆方向に接続したものと等価となる。
【００３０】
また、各第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２の近傍には、擬似的な非線形素子が構成される。たとえば、第１の非線形素子Ｓ１の近傍には、そのバリア層３ａと該バリア層３ａに接する第１導電体２及び第２導電体４ａとで擬似的な非線形素子Ｄ１が形成される。同様に、第２の非線形素子Ｓ２の近傍には、そのバリア層３ａと該バリア層３ａに接する第１導電体２及び第２導電体４ｂとで擬似的な非線形素子Ｄ２が形成される。擬似的な非線形素子Ｄ１は、近傍の第１の非線形素子Ｓ１に並列に接続された抵抗成分ｒ１及び容量成分Ｃ１と等価となる。同様に、擬似的な非線形素子Ｄ２は、近傍の第２の非線形素子Ｓ２に並列に接続された抵抗成分ｒ２及び容量成分Ｃ２と等価となる。これらにより、第１導電体２、絶縁体３及び第２導電体４ａ，４ｂからなる画素電極用スイッチング素子は、図３に示すように、互いに並列に接続された第１の非線形素子Ｓ１と擬似的な非線形素子Ｄ１とが、互いに並列に接続された第２の非線形素子Ｓ２と擬似的な非線形素子Ｄ２とに直列に接続された等価回路で表わされる。
【００３１】
ところで、本実施形態の第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２からなる画素電極用スイッチング素子において、図２に示すように、バリア層３ａの上面が信号線ＬＤから画素電極５への方向に沿って傾いて形成される場合がある。たとえば、第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２を形成する工程において、第１導電体２上に形成した絶縁体３を、信号線ＬＤから画素電極５の方向に沿って、所謂異方性エッチング処理によりパターニングしたときにその異方性に起因して第１導電体２上に形成した絶縁体３が素子基板１に対して平行ではなく、信号線ＬＤ側では薄く、画素電極５側では厚くエッチングされてしまう場合がある。即ち、信号線ＬＤ側と画素電極５側とではバリア層３ａの膜厚が異なってしまう。また、このとき、前記した絶縁体３のエッチング処理は広範囲に一様に行われるので、バリア層３ａの膜厚は、前記第１導電体２の長手方向に対して均一となる。
【００３２】
そこで、本実施形態においては、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第２導電体４ａ，４ｂをともに画素電極５側から絶縁層３ｂを渡ってバリア層３ａ上に同じ距離だけ乗り上げるように積層した。このことから、第２導電体４ａ直下のバリア層３ａと第２導電体４ｂ直下のバリア層３ａとの膜厚は同一となる。即ち、第１導電体２の上面と第２導電体４ａとの間に挟まれるバリア層３ａの膜厚と、第１導電体２の上面と第２導電体４ｂとの間に挟まれるバリア層３ａの膜厚とは同一になる。また、各第２導電体４ａ，４ｂがバリア層３ａ上に乗り上げた面積は等しい。従って、擬似的な第１の非線形素子Ｄ１の容量成分Ｃ１と擬似的な第２の非線形素子Ｄ２の容量成分Ｃ２とが等しくなる。
【００３３】
この結果、たとえ、バリア層３ａの上面が信号線ＬＤから画素電極５の方向に沿って傾いて形成されていても、擬似的な第１の非線形素子Ｄ１の容量成分Ｃ１と擬似的な第２の非線形素子Ｄ２の容量成分Ｃ２とを等しくすることができるので、第１の非線形素子Ｓ１と第２の非線形素子Ｓ２との容量バランスが崩れることはない。このように、信号線ＬＤに印加される画像信号と同じ大きさの信号を画素電極５に供給することができるので、所望の画像信号に応じた輝度を表示することができる。
【００３４】
また、本実施形態においては、第２導電体４ａ，４ｂは、それぞれ絶縁体３（バリア層３ａ）の膜厚が厚い画素電極５側から前記絶縁体３上に積層されている。従って、その分、各第１及び第２の非線形素子Ｄ１，Ｄ２の抵抗成分ｒ１，ｒ２を大きくすることができるので、電流がバリア層３ａを介して第２導電体４ａに漏れて流れることはない。この結果、第１及び第２の非線形素子Ｄ１，Ｄ２のラテラルＭＩＭ素子としての特性を向上させることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶装置の主要部について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、本発明の第２実施形態に係る液晶装置の画素電極の周辺を示す平面図である。図５（ａ）は、図４の線ａ２−ａ２の拡大断面図であり、図５（ｂ）は、図１の線ｂ２−ｂ２の拡大断面図である。尚、この第２実施形態においては、上記第１実施形態と同一の構成要素については、第１実施形態と同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３５】
図４に示すように、本実施形態の画素電極用スイッチング素子は、各第２導電体４ａ，４ｂ（上電極）が、ともに信号線ＬＤ側から絶縁層３ｂを渡って絶縁体３のバリア層３ａ上に同じ距離だけ乗り上げるようにして積層されており、その点が上記第１実施形態に記載の画素電極用スイッチング素子の構成と異なっている。
【００３６】
このような構造においては、図５（ａ）に示すように、第１導電体２と絶縁体３と信号線ＬＤ側から延出する第２導電体４ａとの交差部分（積層部分）において、第１導電体２の側面と絶縁層３ｂと第２導電体４ａの交差部分（積層部分）が第１の非線形素子Ｓ１となる。同様に、図５（ｂ）に示すように、第１導電体２と絶縁体３と第２導電体４ｂとの交差部分（積層部分）において、第１導電体２の側面と絶縁層３ｂと信号線ＬＤ側から延出する第２導電体４ｂの交差部分（積層部分）が第２の非線形素子Ｓ２となる。即ち、これらの第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２は、それぞれ第１導電体２の側面と第２導電体４ａ，４ｂとの間に絶縁層３ｂを挟んだ構造からなり、それぞれラテラルＭＩＭ素子である。また、上記第１実施形態と同様にエッチング処理等によってバリア層３ａの上面が信号線ＬＤから画素電極５の方向に沿って傾いて形成されている。
【００３７】
このような構成において、本実施形態では、第２導電体４ａ，４ｂは、ともに信号線ＬＤ側から同じ距離だけ絶縁体３に乗り上げるようにして積層した。従って、たとえ、絶縁体３の上面が信号線ＬＤから画素電極５の方向に沿って傾いて形成されていても、第２導電体４ａ直下のバリア層３ａと第２導電体４ｂ直下のバリア層３ａとの膜厚を等しく、かつ各第２導電体４ａ，４ｂがバリア層３ａを覆う面積を等しくすることができる。
【００３８】
この結果、本実施形態においても上記第１実施形態と同様に、擬似的な第１の非線形素子Ｄ１の容量成分Ｃ１と擬似的な第２の非線形素子Ｄ２の容量成分Ｃ２とを等しくすることができるので、信号線ＬＤに印加される画像信号と同じ大きさの信号を画素電極５に供給することができる。従って、所望の画像信号に応じた輝度を表示することができる。
（製造方法）
次に、上記第１及び第２実施形態に係る液晶装置の主要部である画素電極用スイッチング素子周辺部の製造方法について説明する。この製造方法では、上記第１実施形態の画素電極用スイッチング素子の製造方法についてのみ説明する。図６（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ第１実施形態の画素電極用スイッチング素子の製造工程を示す図である。
【００３９】
まず、図６（ａ）に示すように、ガラスなどの光透過性のある素子基板１上全面に絶縁膜１ａを形成し、続いて、絶縁膜１ａ上に第１導電体２を形成するための導電膜２ａを形成する。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すように、前記導電膜２ａ上全面に絶縁体３を構成するための絶縁膜３ｃを形成する。その後、絶縁膜３ｃ及び導電膜２ａをドライエッチングしてパターニングし、島状の第１導電体２及び絶縁膜３ｃを形成する（図６（ｃ）参照）。このとき、前記ドライエッチングは、信号線ＬＤ側から画素電極５側へ向かって徐々にエッチングがされる、所謂異方性エッチング処理が行われるので、図６（ｃ）に示すような絶縁膜３ｃの上面の断面が図６中左側（信号線ＬＤ側）から図６中右側（画素電極５側）へ向かうに従って徐々に厚くなるような傾斜を有した台形形状になる。
【００４１】
次に、図６（ｄ）に示すように、第１導電体２の両側面２Ａ，２Ｂを陽極酸化して各側面２Ａ，２Ｂ上に絶縁層３ｂを形成する。この絶縁層３ｂは、陽極酸化により形成されるので、その膜厚を前記絶縁膜３ｃに比べて非常に薄くすることができる。前記導電膜２ａ上に形成された絶縁膜３ｃが前記バリア層３ａに対応する。そして、前記バリア層３ａ及び絶縁層３ｂとで絶縁体３が形成される。
【００４２】
続いて、絶縁膜１ａ及び絶縁体３上に渡って導電性薄膜を形成した後、パターニングすることで、図６（ｅ）に示すように、画素電極５側から信号線ＬＤ側に絶縁層３ｂを渡ってバリア層３ａ上に至るまで同じ距離だけ乗り上げるようにして積層される第２導電体４ａ，４ｂを形成する。
【００４３】
また、絶縁膜１ａ上であって、第１導電体２の近くに、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料によって形成された平面視略矩形状の画素電極５を前記第２導電体４ａに接続するように形成する。
【００４４】
このようにして形成された第１導電体２と絶縁体３と第２導電体４ａとの交差部分（積層部分）における第１導電体２の側面２Ａと絶縁層３ｂと第２導電体４ａの交差部分（積層部分）がラテラルＭＩＭ素子構造を有する第１の非線形素子Ｓ１になる。
（液晶装置の構成）
次に、本発明が適用される液晶装置の全体的な構成例について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、本発明が適用される電気光学装置の一例である液晶装置ＬＣＤの電気的構成を示す図である。図７に示す液晶装置は、上記第１及び第２実施形態の非線形素子Ｓ１，Ｓ２で構成された画素電極用スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。この液晶装置は、図７に示すようにＸ方向に延在する複数の走査線２５と、Ｙ方向に延在する複数の信号線ＬＤと、走査線２５及び信号線ＬＤの各交差に設けられた画素５０とを有する。ここで、信号線ＬＤは上記各実施形態の第２導電体４ｂに電気的に接続されている。
【００４５】
複数の走査線２５のうち図７中上から数えて奇数本目の走査線２５（以下、単に「奇数本目の走査線」と表記する）は、第１のＹドライバＩＣ４０１に接続される一方、図７中上から数えて偶数本目の走査線２５（以下、単に「偶数本目の走査線」と表記する）は、第２のＹドライバＩＣ４０２に接続される。そして、各走査線２５には、これらのＹドライバＩＣ４０１，４０２によって生成された走査信号が供給される。尚、以下では、第１のＹドライバＩＣ４０１と第２のＹドライバＩＣ４０２とを特に区別する必要がない場合には、単に「ＹドライバＩＣ」と表記する。そして、各走査線２５に、ＹドライバＩＣによって生成された走査信号が供給されることで、複数の走査線２５が順次選択される。
【００４６】
複数の信号線ＬＤの各々は、ＸドライバＩＣ４１に接続されており、このＸドライバＩＣ４１によって生成された画像信号が供給される。一方、マトリクス状に配列する複数の画素５０の各々は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑）またはＢ（青色）のいずれかの色に対応する。各画素５０は、液晶表示要素５１と画素電極用スイッチング素子１３とが直列接続された構成となっている。ここで、画素電極用スイッチング素子１３は、上記各実施形態の第１
導電体２、絶縁体３、第２導電体４ａ，４ｂからなる第１及び第２の非線形素子Ｓ１，Ｓ２に相当する。また、液晶表示要素５１の電極が上記各実施形態の画素電極５に相当する。
【００４７】
次に、図８は、本液晶装置を背面側（つまり、観察者が位置すべき側と反対側）からみた場合の構成を示す斜視図である。尚、図８に示すように、Ｘ軸の負方向を「Ａ側」、正方向を「Ｂ側」と定める。図８に示すように、本液晶装置は、相互に対向する素子基板１及び対向基板（他の基板）２０がシール材３０によって張り合わされるとともに、両基板１，２０とシール材３０とによって囲まれた領域に電気光学物質である液晶（図８においては、図示が省略されている）が封入された構成となっている。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略矩形枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口された形状となっている。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止されるようになっている。
【００４８】
また、シール材３０には、導電性を有する多数の導通粒子が分散されている。この導通粒子は、たとえば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１及び対向基板２０の各々に形成された配線同士を導通させる機能と、両基板１，２０の間隙（セルギャップ）を一定に保つスペーサとしての機能を兼ね備える。尚、実際には、素子基板１及び対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏向させるための偏向板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜貼着される。
【００４９】
素子基板１及び対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックなどの光透過性を有する板状基材である。このうち観察側に位置する素子基板１の内側（対向基板２０側）表面に上述した複数の信号線ＬＤが形成される一方、背面側に位置する対向基板２０の内側（素子基板１側）の面上には複数の走査線２５が形成されている。また、素子基板１は、シール材３０から外側の領域（即ち、シール材３０及び液晶と対向しない領域である。以下、「縁辺領域」と表記する）１０ａを有する。そして、縁辺領域１０ａのうちＸ方向の中央部近傍にはＸドライバＩＣ４１が、当該ＸドライバＩＣ４１を挟んで両側の位置には第１のＹドライバＩＣ４０１及び第２のＹドライバＩＣ４０２が、それぞれＣＯＧ技術を用いて実装されている。即ち、これら各ドライバＩＣ４１，４０１，４０２は、接着剤中に導電粒子を分散させた異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）を介して素子基板１上に実装されている。また、縁辺領域１０ａのうち素子基板１の縁端部近傍には複数のパッド１７が形成されるとともに、パッド１７が形成された部分の近傍にはフレキシブル基板（図示略）の一端が接合される。このフレキシブル基板の他端には、たとえば回路基板などの外部機器が接続されている。
【００５０】
係る構成のもと、ＸドライバＩＣ４１は、外部機器からフレキシブル基板及びパッド１７を介して入力された信号に応じて画像信号を生成し、これを信号線ＬＤに対して出力する。他方、ＹドライバＩＣ４０１，４０２は、外部機器からフレキシブル基板及びパッド１７を介して入力された信号に応じて走査信号を生成して出力する。この走査信号は、素子基板１上に形成された引廻し配線１６からシール材３０中に導電粒子を介して対向基板２０側へ伝達され、この対向基板２０上の各走査線２５に与えられる。
（電子機器）
図９は、本発明に係る電気光学装置をモバイル型パーソナルコンピュータの表示部に適用した例を示す斜視構成図である。図９に示すように、パーソナルコンピュータ６０は、キーボード６１を備えた本体部６２と、前記液晶装置を具備してなる表示ユニット６３とを備えている。
【００５１】
上記実施形態の液晶装置は、上記パーソナルコンピュータ６０に限らず、例えば、電子ブック、携帯電話、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ
直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、投射型表示装置、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた表示装置、電子放出素子を用いた表示装置（ＦＥＤ）やＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの各種電子機器の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、所望の信号に応じた輝度で表示することができる。
【００５２】
尚、特許請求の範囲に記載の電気光学装置は、本実施形態においては、液晶装置ＬＣＤに対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子機器は、本実施形態においては、パーソナルコンピュータ６０に対応している。
【００５３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術範囲に含まれるものである。
【００５４】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記各実施形態では、絶縁体３をその膜厚が信号線ＬＤから画素電極５の方向に沿って、信号線ＬＤ側では薄く画素電極５側では厚くなるようにエッチングされた場合、各第２導電体４ａ，４ｂをともに画素電極５側または、信号線ＬＤ側からバリア層３ａ上に積層するようにした。そうではなく、絶縁体３の膜厚が、信号線ＬＤの長手方向に沿ってエッチングされた場合、各第２導電体４ａ，４ｂをともに信号線ＬＤの長手方向に沿ってバリア層３ａ上に積層するようにしてもよい。図１０は、絶縁体３の膜厚が、信号線ＬＤの長手方向に沿ってエッチングされた場合の各第２導電体４ａ，４ｂの形成位置を説明するための図である。このような場合においても、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。つまり、図１０に示すように、エッチング等によりバリア層３ａの膜厚が所定の方向に沿ってばらついている場合、その所定の方向に沿って同じ側から各第２導電体４ａ，４ｂをともに同じ距離だけバリア層３ａ上に積層するようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の画素電極の周辺を示す平面図である。
【図２】（ａ）は、図１の線ａ１−ａ１の拡大断面図であり、（ｂ）は、図１の線ｂ１−ｂ１の拡大断面図である。
【図３】第１導電体２と絶縁体３と第２導電体４ａ，４ｂとからなる画素電極用スイッチング素子の等価回路を示す回路図である。
【図４】第２実施形態に係る液晶装置の画素電極の周辺を示す平面図である。
【図５】（ａ）は、図４の線ａ２−ａ２の拡大断面図であり、（ｂ）は、図１の線ｂ２−ｂ２の拡大断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）は、それぞれ第１実施形態の画素電極用スイッチング素子の製造工程を示す図である。
【図７】本発明が適用される電気光学装置の一例である液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図８】液晶装置を背面側からみた場合の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置をモバイル型パーソナルコンピュータの表示部に適用した例を示す斜視構成図である。
【図１０】絶縁体の膜厚が、信号線の長手方向に沿ってエッチングされた場合の各第２導電体の形成位置を説明するための図である。
【図１１】公知の液晶装置の一部断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
ＬＣＤ…電気光学装置としての液晶装置、Ｓ１，Ｓ２…非線形素子、１…素子基板、２…第１導電体、３…絶縁体、４ａ，４ｂ…第２導電体、５…画素電極、２０…対向基板、３０…シール材、６０…電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピュータ。
【図１】
2005250035.tif 000003
【図２】
2005250035.tif 000004
【図３】
2005250035.tif 000005
【図４】
2005250035.tif 000006
【図５】
2005250035.tif 000007
【図６】
2005250035.tif 000008
【図７】
2005250035.tif 000009
【図８】
2005250035.tif 000010
【図９】
2005250035.tif 000011
【図１０】
2005250035.tif 000012
【図１１】
2005250035.tif 000013