(57)【要約】【課題】  ショート不良による歩留低下を抑制すると共に、材料コストの低減を図ることができる半導体パッケージの及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体チップ２を電磁波吸収機能を有する電磁波吸収モールド樹脂層１２で被覆する工程と、電磁波吸収モールド樹脂をエポキシ樹脂層１３で被覆する工程を備える半導体パッケージの製造方法であって、電磁波吸収モールド樹脂層はポッティング法で形成し、エポキシ樹脂層はトランスファーモールド法で形成する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
該半導体素子を封止する封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、
前記封止樹脂は、前記半導体素子を被覆する第１の封止樹脂層と、該第１の封止樹脂層を被覆する第２の封止樹脂層を備え、
前記第１の封止樹脂層はポッティング法によって形成されると共に、電磁波吸収機能を有する
ことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１の封止樹脂層はフェライトを含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
半導体素子を電磁波吸収機能を有する第１の封止樹脂層で被覆する工程と、
前記第１の封止樹脂層を第２の封止樹脂層で被覆する工程を備える半導体パッケージの製造方法であって、
少なくとも前記第１の封止樹脂層はポッティング法により形成する
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記第２の封止樹脂層はトランスファーモールド法により形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージ及びその製造方法に関する。詳しくは、電磁波吸収機能を有し、半導体素子を被覆する第１の封止樹脂層をポッティング法により形成することによって、ボンディングワイヤーと半導体素子とのショートやボンディングワイヤー同士のショートを抑制すると共にコスト低減を図ろうとした半導体パッケージ及びその製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラやデジタルカムコーダー等の様々な商品でデジタル化が進み、それらの商品に使用される半導体部品もデジタルＩＣの割合が多くなってきているが、これらデジタルＩＣは高周波で動作するためにノイズ発生源となり、他の部品に誤動作を生じさせる等の悪影響を及ぼす。
【０００３】
そこでノイズ対策として、従来の半導体パッケージでは防磁シート等をノイズ発生源やノイズの影響を受けやすい部品に貼り付ける等の対策が施されていた（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
ところが、防磁シート等を貼り付けることによるノイズ対策では、防磁シート等の材料費や貼り付け作業工数等のために製品コストが高くなってしまう。
【０００５】
従って、最近では、半導体素子等のノイズ発生源やボンディングワイヤーや配線パターン等のノイズの影響を受けやすい部品を、電磁波吸収モールド樹脂で封止するという技術が提案されている。
【０００６】
ここで、電磁波吸収モールド樹脂としては、例えば、通常のモールド樹脂にフィラー材として含まれているシリカの一部分をフェライト（純鉄）に置換することで電磁波吸収効果を持たせたものが挙げられる。
【０００７】
以下、図面を用いて電磁波吸収モールド樹脂で封止した従来の半導体パッケージについて説明する。
【０００８】
図３は従来の半導体パッケージを説明するための模式図であり、ここで示す半導体パッケージ１０１は、半導体チップ１０２がインターポーザー１０３表面に形成されたソルダーレジスト１０４上にダイアタッチ材１０５を介して接着されている。また、半導体チップ上の電極１０７がＡｕワイヤー１１６でＡｕパッド１０６と接続され、Ａｕパッドは半導体チップ搭載側の配線パターン１０８に接続されている。更に、半導体チップ搭載側の配線パターンはビア１０９によりマザー基板側の配線パターン１１０に接続され、マザー基板側の配線パターンはマザー基板接続用の端子１１１と接続されている。
また、半導体チップ、Ａｕワイヤー及び半導体チップ搭載側の配線パターンを電磁波吸収モールド樹脂１１２によって完全に被覆している。
【０００９】
図４は上記した従来の半導体パッケージの製造方法を説明するための模式図である。なお、図4中の平面図では説明の便宜のために封止金型の図示を省略している。
【００１０】
従来の半導体パッケージの製造方法では、先ず、図４（ａ）で示す様に、インターポーザー１０３表面に形成されたソルダーレジスト上に半導体チップ１０２をダイアタッチ材１０５を用いて接着し、Ａｕワイヤー１１６で半導体チップ上の電極１０７とＡｕパッド１０６を接続した状態で、封止金型１１３内に装填する。なお、説明の便宜のため半導体チップ搭載側の配線パターン、ビア、マザー基板側の配線パターン及び端子は図示を省略している。
【００１１】
次に、図４（ｂ）で示す様に、封止金型内にトランスファーモールド法によって電磁波吸収モールド樹脂を流入して封止を行う。
【００１２】
その後、単体の半導体パッケージへ分離するために、図4（ｃ）で示す様に、ダイヤモンド粒子を貼り付けた切断ブレード１１４、或いは図示しない切断成形金型等で切断加工が行われることによって、図3で示す様な半導体パッケージを得ることができる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−２７３５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、電磁波吸収モールド樹脂に含まれるフェライトは、通常のモールド樹脂にフィラー材として含まれるシリカと比べて比重が約３倍と非常に重いために、トランスファーモールド法による成型の際に、電磁波吸収モールド樹脂がＡｕワイヤーに接触して強い抵抗力が加わりＡｕワイヤーが変形し、図5（ａ）で示す様にＡｕワイヤーと半導体チップの端部が接触したり、図５（ｂ）で示す様に隣接するＡｕワイヤー同士が接触したりしてショート不良が発生して歩留低下の要因となってしまう。
【００１５】
このことは、シリカと置換することができるフェライトの割合が制限（例えば、置換できる割合が４０％程度等に制限）されることにも繋がり、封止樹脂に含有するフェライトの割合を少なくせざるを得ないために半導体パッケージに充分な電磁波吸収効果を付加することができない。
【００１６】
なお、上記した様に、フェライトがフィラー材として含まれるシリカと比べて比重が約３倍と非常に重いために、成型性や樹脂の流動性の点からも置換することができるフェライトの割合が制限されてしまう。
【００１７】
また、フェライトを含有する電磁波吸収モールド樹脂は製造方法が複雑であるために高価であり、従来のトランスファーモールド法での成型では図４中符号Ａで示す製品として使用されない部分にまで電磁波吸収モールド樹脂が流入されるために材料の無駄が生じてしまい材料コストの増加の原因となっている。
【００１８】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、ショート不良による歩留低下を抑制すると共に、材料コストの低減を図ることができる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージは、半導体素子と、該半導体素子を封止する封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、前記封止樹脂は、前記半導体素子を被覆する第１の封止樹脂層と、該第１の封止樹脂層を被覆する第２の封止樹脂層を備え、前記第１の封止樹脂層はポッティング法によって形成されると共に、電磁波吸収機能を有する。
【００２０】
ここで、第１の封止樹脂層が圧力を加えないポッティング法により形成されたことによって、ボンディングワイヤーの変形を抑制することができる。
【００２１】
なお、封止樹脂が第１の封止樹脂層と、第１の封止樹脂層を被覆する第２の封止樹脂層を有し、第１の封止樹脂層のみに電磁波吸収機能を付加することにより、半導体パッケージのコスト低減を図ることができる。
即ち、ボンディングワイヤーの変形を抑制するという観点からは、ポッティング法により半導体素子が電磁波吸収機能を有する封止樹脂で封止されれば良く、必ずしも封止樹脂が第１の封止樹脂層と第２の封止樹脂層を有する必要は無いが、封止樹脂を少なくとも２層構造とし、半導体パッケージに電磁波吸収機能を付加するための最小限度の範囲である半導体素子を被覆する第１の封止樹脂層のみに電磁波吸収機能を付加することによって、電磁波吸収機能を付加した高価な封止樹脂の使用量を低減できる。
【００２２】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体素子を電磁波吸収機能を有する第１の封止樹脂層で被覆する工程と、前記第１の封止樹脂層を第２の封止樹脂層で被覆する工程を備える半導体パッケージの製造方法であって、少なくとも前記第１の封止樹脂層はポッティング法により形成する。
【００２３】
ここで、少なくとも第１の封止樹脂層をポッティング法により形成することによって、ボンディングワイヤーの変形を抑制することができる。
【００２４】
なお、第２の封止樹脂層をトランスファーモールド法により形成することにより、生産性の向上を図ることができる。
即ち、ボンディングワイヤーの変形を抑制するという観点からは、少なくとも第１の封止樹脂層をポッティング法により形成すれば良く、必ずしも第２の封止樹脂層をトランスファーモールド法により形成する必要は無いが、封止樹脂を少なくとも２層構造とし、ボンディングワイヤーの変形を抑制するための最小限度の範囲である半導体素子を被覆する第１の封止樹脂層のみをポッティング法により形成し、第２の封止樹脂層をトランスファーモールド法により形成することで半導体パッケージの生産性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
上記した様に、本発明の半導体パッケージ及びその製造方法では、電磁波吸収機能を付加した封止樹脂をポッティング法により塗布することで、ボンディングワイヤーの変形が起こらずに、ショート不良による歩留の低下を抑制することができる。
【００２６】
また、ボンディングワイヤーの変形が起こらないことから、電磁波吸収機能を付加するために封止樹脂に含有する例えばフェライト等の材料の割合を高くすることができ、充分な電磁波吸収機能を半導体パッケージに付加することができる。
【００２７】
更に、製品として使用しない部分に電磁波吸収機能を付加した高価な封止樹脂を用いていないために、半導体パッケージを製造するにあたって電磁波吸収機能を付加した封止樹脂の使用量を必要最小限に抑えることができ、材料費の無駄を最小限に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した半導体パッケージの一例を説明するための模式図であり、ここで示す半導体パッケージ１は、上記した従来の半導体パッケージと同様に、半導体チップ２がインターポーザー３表面に形成されたソルダーレジスト４上にダイアタッチ材５を介して接着されている。また、半導体チップ上の電極７がＡｕワイヤー１６でＡｕパッド６と接続され、Ａｕパッドは半導体チップ搭載側の配線パターン８に接続されている。更に、半導体チップ搭載側の配線パターンはビア９によりマザー基板側の配線パターン１０に接続され、マザー基板側の配線パターンはマザー基板接続用の端子１１と接続されている。
また、半導体チップ、Ａｕワイヤー及び半導体チップ搭載側の配線パターンをフェライト及びシリカ（いずれも図示せず）を含有する電磁波吸収モールド樹脂１２によって被覆し、電磁波吸収モールド樹脂の外側をシリカ（図示せず）を含有するエポキシ樹脂１３によって被覆している。
【００２９】
なお、電磁波吸収モールド樹脂は、エポキシ樹脂に含有するフィラー材として機能するシリカの一部をフェライトに置換させたものである。
【００３０】
以下、上記した半導体パッケージの製造方法について説明する。即ち、本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例について説明する。なお、図２中の平面図では説明の便宜のために封止金型の図示を省略している。
【００３１】
本発明を適用した半導体パッケージの製造方法では、先ず、図２（ａ）で示す様に、インターポーザー３表面に形成されたソルダーレジスト４上に半導体チップ２をダイアタッチ材５を用いて接着し、Ａｕワイヤー１６で半導体チップ上の電極７とＡｕパッド６を接続する。なお、説明の便宜のため半導体チップ搭載側の配線パターン、ビア、マザー基板側の配線パターン及び端子は図示を省略している。
【００３２】
次に、図２（ｂ）で示す様に、半導体チップ、Ａｕワイヤー及び半導体チップ搭載側の配線パターンを被覆する様にポッティング法により電磁波吸収モールド樹脂１２を塗布し、電磁波モールド樹脂を硬化する。
【００３３】
続いて、図２（ｃ）で示す様に、封止金型１４内に装填し、封止金型内にトランスファーモールド法によってエポキシ樹脂１３を流入して封止を行う。
【００３４】
その後、上記した従来の半導体パッケージの製造方法と同様に、単体の半導体パッケージへ分離するために、図２（ｄ）で示す様に、ダイヤモンド粒子が貼り付けた切断ブレード１５、或いは図示しない切断成形金型等で切断加工を行うことによって、図１で示す様な半導体パッケージを得ることができる。
【００３５】
ここで、上記の実施例では、封止樹脂の内側領域（以下、単に内側領域と言う）を電磁波吸収モールド樹脂でポッティング法により形成し、封止樹脂の外側領域（以下、単に外側領域と言う）をエポキシ樹脂でトランスファーモールド法により形成しているが、内側領域を電磁波吸収モールド樹脂でポッティング法により形成することによって、半導体パッケージに電磁波吸収機能を付加することができると共に、内側領域の形成の際にＡｕワイヤーの変形に起因するショート不良を抑制することができるために、必ずしも外側領域をエポキシ樹脂でトランスファーモールド法により形成する必要は無い。
但し、外側領域を電磁波吸収モールド樹脂で形成した場合には、高価な電磁波吸収モールド樹脂の使用量が増加し、半導体パッケージの製造コストが増加してしまうために、外側領域は通常のエポキシ樹脂で形成する方が好ましい。
また、外側領域をポッティング法で形成した場合には、樹脂封止に時間を要し、半導体パッケージの生産性が低下してしまうために、外側領域はトランスファーモールド法で形成した方が好ましい。
【００３６】
また、上記の実施例では、封止樹脂に電磁波吸収機能を付加するためにエポキシ樹脂にフィラー材として含有するシリカの一部をフェライトと置換しているが、封止樹脂に電磁波吸収機能を付加することができるのであれば、必ずしもフェライトを含有する必要は無く、その他の方法によって電磁波吸収機能を付加しても良いことは勿論である。
【００３７】
上記した本発明を適用した半導体パッケージ及びその製造方法では、内側領域を電磁波吸収モールド樹脂で被覆する際に、ポッティング法を採用しているために、内側領域の被覆時にＡｕワイヤーの変形が生じることがなく、Ａｕワイヤーと半導体チップの端部が接触したり、隣接するＡｕワイヤー同士が接触したりしてショート不良が生じることが無い。
【００３８】
また、Ａｕワイヤーの変形が無いために、エポキシ樹脂中のシリカと置換するフェライトの割合を高くすることができ、即ち、電磁波吸収モールド樹脂に含有するフェライトの量を増加することができるために、充分な電磁波吸収効果を有する半導体パッケージを得ることができる。
【００３９】
更に、外側領域をエポキシ樹脂で被覆する際に、トランスファーモールド法を採用しているために、半導体パッケージの生産性の向上を図ることができる。
【００４０】
また、図２中符号Ｂで示す製品として使用されない部分についてはエポキシ樹脂を使用するために、高価な電磁波吸収モールド樹脂の使用量を抑制し、半導体パッケージのコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明を適用した半導体パッケージの一例を説明するための模式図である。
【図２】本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図３】従来の半導体パッケージを説明するための模式図である。
【図４】従来の半導体パッケージの製造方法を説明するための模式図である。
【図５】ショート不良を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    半導体パッケージ
２    半導体チップ
３    インターポーザー
４    ソルダーレジスト
５    ダイアタッチ材
６    Ａｕパッド
７    電極
８    半導体チップ搭載側の配線パターン
９    ビア
１０    マザー基板側の配線パターン
１１    端子
１２    電磁波吸収モールド樹脂
１３    エポキシ樹脂
１４    封止金型
１５    ブレード
１６    Ａｕワイヤー
【図１】
2005217221.tif 000003
【図２】
2005217221.tif 000004
【図３】
2005217221.tif 000005
【図４】
2005217221.tif 000006
【図５】
2005217221.tif 000007