(57)【要約】【課題】簡単な構成で電磁石装置とアマチュアとの間の吸引力を高めることができるマイクロリレーを提供する。【解決手段】アマチュア３０は、電磁石装置２との間に作用する磁力によりシーソ動作することで可動接点を固定接点１４に離接させる。アマチュア３０は、ケースＡに固定されたフレーム３１と連続一体に形成される半導体材料からなる可動基板３０ａと、可動基板３０ａの厚み方向の各一面にそれぞれ積層され電磁石装置２との間に磁力を作用させる磁性体材料からなる２枚の接極子板３０ｂ，３０ｃとを備える。【選択図】        図１
2005216554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルを巻装したヨークを備えケースに収納される電磁石装置と、ケースに固定される枠状のフレームを有するとともにフレームと一体であってフレームの内側に配置され電磁石装置との間に作用する磁力により規定の支点の回りでシーソ動作するアマチュアを有したアマチュアブロックと、ケースの定位置に設けた固定接点とアマチュアの端部の移動により固定接点に離接する可動接点とからなりアマチュアのシーソ動作により開閉する接点装置とを有し、アマチュアは、フレームと連続一体に形成される半導体材料からなる可動基板と、可動基板の厚み方向の各面にそれぞれ積層され電磁石装置との間に磁力を作用させる磁性体材料からなる第１および第２の接極子板とを備えることを特徴とするマイクロリレー。
【請求項２】
前記第１の接極子板と前記第２の接極子板との間であって前記電磁石装置により形成される磁束が通る部位に前記可動基板を貫通して第１および第２の接極子板を磁気結合する磁気橋絡部が形成されて成ることを特徴とする請求項１記載のマイクロリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも一部の構成要素が半導体微細加工技術を用いて形成されるマイクロリレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、小型のリレーとして、構成要素のうちの少なくとも一部を半導体微細加工技術により形成するマイクロリレーが提案されている。マイクロリレーでは、接点装置を開閉させる駆動力に、クーロン力を用いる静電駆動型のもののほか、電磁石装置を備え磁力を用いる電磁駆動型のものが知られている。電磁駆動型のマイクロリレーは、静電駆動型に比較すると同体積で大きな駆動力が得られる特長がある（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述したように、電磁駆動型のマイクロリレーは、静電駆動型のマイクロリレーに比較すると、同体積で大きな駆動力が得られるものであるから、大きな接点圧を得ることができ耐衝撃性を比較的高くすることができる。また、アマチュアのストロークを大きくとることができるから、接点装置の開極時において可動接点と固定接点との距離を大きくすることができ、開極時における信号漏洩を低減して高周波特性を比較的高くすることができる。
【特許文献１】特開平５−１１４３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した電磁駆動型のマイクロリレーでは、半導体微細加工技術を用いてアマチュアを製造するために、アマチュアを、半導体材料からなる可動基板と、電磁石装置との間で磁力を作用させる磁性体材料からなる接極子板とにより形成している。接極子板は可動基板において電磁石装置に対向する片面にのみ積層され、しかもマイクロリレーでは電磁石装置と可動基板との対向面間の距離が全磁路長に対して大きく接極子板の厚み寸法は制限されているものであるから、接極子板を通る磁路の断面積が小さく磁気抵抗が大きいものである。すなわち、電磁駆動型では静電駆動型のものに比較するとアマチュアの駆動力を高めることができるものの、可動基板の片面にのみ接極子板を設けている従来構成では電磁石装置と接極子板との間に作用する吸引力をさらに高めるのは困難である。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、簡単な構成で電磁石装置とアマチュアとの間の吸引力を高めることができるマイクロリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、コイルを巻装したヨークを備えケースに収納される電磁石装置と、ケースに固定される枠状のフレームを有するとともにフレームと一体であってフレームの内側に配置され電磁石装置との間に作用する磁力により規定の支点の回りでシーソ動作するアマチュアを有したアマチュアブロックと、ケースの定位置に設けた固定接点とアマチュアの端部の移動により固定接点に離接する可動接点とからなりアマチュアのシーソ動作により開閉する接点装置とを有し、アマチュアは、フレームと連続一体に形成される半導体材料からなる可動基板と、可動基板の厚み方向の各面にそれぞれ積層され電磁石装置との間に磁力を作用させる磁性体材料からなる第１および第２の接極子板とを備えることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、可動基板の両面にそれぞれ磁性体材料からなる接極子板を設けているから、磁路の磁気抵抗を低減することができ、電磁石装置とアマチュアとの間に作用する磁力を高めて吸引力を高めることができる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記第１の接極子板と前記第２の接極子板との間であって前記電磁石装置により形成される磁束が通る部位に前記可動基板を貫通して第１および第２の接極子板を磁気結合する磁気橋絡部が形成されて成ることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、磁気橋絡部により第１および第２の接極子板の間の磁気抵抗を低減することができるから、電磁石装置とアマチュアとの間の吸引力を磁気橋絡部を設けない場合よりもさらに高めることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の構成によれば、可動基板の両面にそれぞれ磁性体材料からなる接極子板を設けているから、可動基板の片面にのみ接極子板を設ける場合に比較すると、磁路の磁気抵抗を低減することができ、簡単な構成ながら電磁石装置とアマチュアとの間に作用する磁力を高めて吸引力を高めることができるという利点がある。すなわち、電磁石装置とアマチュアとの間の吸引力が高まることにより感動電圧を低減することができ、高感度のマイクロリレーを提供することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本実施形態のマイクロリレーは、図２に示すように、直方体状のケースＡを有し、上方に開放されたコ字状のヨーク２０に２個のコイル２２を巻装した電磁石装置２と、電磁石装置２との間で作用する磁力によりシーソ動作する矩形板状のアマチュア３０を備えたアマチュアブロック３と、ケースＡの定位置に設けた固定接点１４とアマチュア３０の端部に設けた可動接点３９とからなりアマチュアのシーソ動作により開閉する接点装置とを備える。
【００１２】
ケースＡは、矩形板状のベース基板１と、アマチュアブロック３の一部であってアマチュア３０の全周を囲む矩形枠状のフレーム３１と、フレーム３１を介してベース基板１に積層されベース基板１との間にアマチュア３０がシーソ動作する空間を形成するカバー４とにより形成される。すなわち、フレーム３１はケースＡに固定される。また、カバー４はアマチュア３０がシーソ動作する空間を確保するために、ベース基板１との対向面の略全面に、図９のような動作用凹所４ａを形成してある。ベース基板１およびカバー４はパイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスを用いて形成され、アマチュアブロック３は単結晶シリコンからなる半導体基板を用いて形成される。したがって、ベース基板１とフレーム３１とカバー４とは互いの対向面にそれぞれ接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂ，４２（図２、図６、図９参照）が形成され、接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂ，４２を接合させることによって互いに固着される。接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂ，４２については後述する。ベース基板１とフレーム３１とカバー４とは外周形状が略同寸法の矩形状に形成されており、互いに接合することによって直方体状になる。
【００１３】
ベース基板１は、図４に示すように、平面視が十字状でありベース基板１の厚み方向に貫通する収納孔１６を中央部に有し、円形に開口しベース基板１の厚み方向に貫通するスルーホール１０を四隅にそれぞれ有している。また、ベース基板１の厚み方向の両面においてスルーホール１０の開口周部にはそれぞれ円形のランド１２（図３、図４参照）が形成される。１個のスルーホール１０についてベース基板１の厚み方向の両面に形成される２個のランド１２は、スルーホール１０の内周面に被着した導電層を介して電気的に接続される。ベース基板１の厚み方向においてカバー４に対向しない面では、各ランド１２にそれぞれバンプ１３が固着され、スルーホール１０の開口面がバンプ１３により閉塞される。ベース基板１の厚み方向においてカバー４に対向する一面の長手方向の両端部では、ベース基板１の幅方向に並ぶ各一対のスルーホール１０の間の部位に、ベース基板１の長手方向に延長された各一対の固定接点１４が形成される。各ランド１２は各固定接点１４の長手方向の一端部と導電パターン１８を介して接続され、各バンプ１３が各固定接点１４にそれぞれ一対一に接続される。また、ベース基板１のこの一面ではスルーホール１０の開口面がそれぞれランド１２を覆うシリコン薄板の蓋板１９により閉塞される。つまり、スルーホール１０の各開口面は、バンプ１３と蓋板１９とにより閉塞される。ここに、スルーホール１０の内周面に被着した導電層と、ランド１２、固定接点１４、導電パターン１８とを形成する導電性材料は、たとえば、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｕ、もしくはこれらの合金から選択される。バンプ１３を形成する導電性材料は、たとえば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田から選択される。
【００１４】
なお、スルーホール１０と収納孔１６とは、たとえば、サンドブラスト法、エッチング法から選択した方法により形成し、上述の導電層は、たとえば、めっき法、蒸着法、スパッタ法から選択した方法により形成する。
【００１５】
ところで、ベース基板１の厚み方向においてカバー４に対向する一面にはシリコン薄板からなり収納孔１６を閉塞する蓋板１７が固着されている。収納孔１６の内周面と蓋板１７とにより囲まれる空間は電磁石装置２を収納する収納室になり、収納室に電磁石装置２を収納した後に収納室にポッティングなどによって樹脂を充填することにより、電磁石装置２の保護と固定とがなされる。収納孔１６に充填する樹脂には、硬化後にも弾性を持つシリコン樹脂などを用いるのが望ましい。収納孔１６の内周面は、蓋板１７により閉塞される一方の開口面から他方の開口面に向かって開口面積を拡げるテーパ状に形成されており、蓋板１７で閉塞される一方の開口面の開口面積を比較的小さくしながらも、他方の開口面からの電磁石装置２の挿入作業が容易になるようにしてある。つまり、前記一方の開口面において収納孔１６の周囲にはランド１２のほか固定接点１４や導電パターン１８を形成する必要があるから、収納孔１６の開口面積が小さいほうが固定接点１４や導電パターン１８の配置に余裕ができ、結果的に小型化につながる。
【００１６】
なお、蓋板１７，１９には、シリコン基板をエッチングまたは研磨により薄厚化することにより形成したシリコン薄板を用い、厚み寸法はたとえば２０μｍに設定される。なお、蓋板１７の厚み寸法は２０μｍに限らず、５μｍ〜５０μｍ程度の範囲内で適宜に設定される。また、蓋板１７，１９として、シリコン薄板に代えてガラス基板をエッチングや研磨などで薄厚化することにより形成したガラス薄板を用いてもよい。
【００１７】
電磁石装置２は、図５に示すように、２個のコイル２２（図１、図２参照）が巻装される矩形板状のコイル巻片２０ａの長手方向の両端部にそれぞれ脚片２０ｂを延設したコ字状のヨーク２０を備える。コイル巻片２０ａおよび脚片２０ｂは断面矩形状に形成される。各コイル２２は、コイル巻片２０ａの長手方向の各端部にコイルボビンを用いずに直に巻装される。また、コイル巻片２０ａの長手方向の中央部であって両コイル２２の間には直方体状の永久磁石２１が配置される。各コイル２２はそれぞれ、永久磁石２１とヨーク２０の脚片２０ｂとによってコイル巻片２０ａの長手方向への移動が規制される。
【００１８】
永久磁石２１は図５の上下方向に着磁されており、永久磁石２１の下側の磁極はコイル巻片２０ａに磁気結合される。永久磁石２１の上端面は脚片２０ｂの上端面と高さ位置が等しく、蓋板１７に脚片２０ｂの先端面（図５の上端面）を当接させるように電磁石装置２を収納室（収納孔１６）に収納すると、永久磁石２１の一端面（図５の上端面）も蓋板１７に当接する。
【００１９】
コイル巻片２０ａを介して永久磁石２１の反対側にはプリント基板からなる接続基板２３が配置され、接続基板２３はコイル巻片２０ａに固着される。接続基板２３は矩形板状であり、接続基板２３の長手方向はコイル巻片２０ａの長手方向に直交する。接続基板２３は、図３に示すように、絶縁基板２３ａの一面における長手方向の両端部にそれぞれ独立した導体パターン２３ｂが形成されたものであり、各導体パターン２３ｂのうちの円形部分に外部回路が接続され、矩形部分にコイル２２の末端が接続される。外部回路を接続する部位には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、半田から選択した材料からなるバンプ２４が固着される。
【００２０】
上述した２個のコイル２２は接続基板２３に設けた導体パターン２３ｂのうちの矩形部分に接続され直列または並列に接続される。言い換えると、両コイル２２の一方に通電すれば他方にも通電されるのであって、両コイル２２はヨーク２０の両脚片２０ｂの先端面が互いに異極に励磁されるように接続されている。したがって、永久磁石２１で生じている磁束に対して、一方のコイル２２で生じる磁束は同向きになり、他方のコイル２２で生じる磁束は逆向きになるから、一方の脚片２０ｂの先端面の周囲では磁束密度が大きくなり、他方の脚片２０ｂの先端面の周囲では磁束密度が小さくなる。どちらの脚片２０ｂにおいて磁束密度を大きくするかは、コイル２２に流す電流の向きにより選択される。
【００２１】
上述の例では接続基板２３の導体パターン２３ｂにバンプ２４を固着しているが、バンプ２４に代えてボンディングワイヤを接続するための電極パッドを設けてもよい。なお、ヨーク２０は、電磁軟鉄のような軟磁性材料の板材を曲げ加工するか、軟磁性材料を鋳造加工するか、プレス加工することにより形成される。
【００２２】
アマチュアブロック３は、単結晶シリコンのシリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工技術で加工することによって形成されるものであり、図６および図７に示すように、矩形枠状のフレーム３１の内側に矩形板状のアマチュア３０を配置してある。アマチュア３０は、図１、図７に示すように、半導体基板から形成された可動基板３０ａと、可動基板３０ａの厚み方向のうちベース基板１に設けた蓋板１７と対向する一面に積層され電磁石装置２との間で磁力が生じる磁性体材料からなる接極子板３０ｂと、可動基板３０ａの厚み方向のうちカバー４の内底面と対向する一面に積層され電磁石装置２との間で磁力が生じる磁性体材料からなる接極子板３０ｃとで形成される。要するに、可動基板３０ａの厚み方向の各面にそれぞれ接極子板３０ｂ，３０ｃが積層される。両接極子板３０ｂ，３０ｃは同寸法を想定しているが、厚み寸法については異なっていてもよい。接極子板３０ｂ，３０ｃの材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、その合金、または、これらの材料に微量のＳｉ、Ｍｏ、Ｖなどを添加した材料であって、たとえば軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ、４２アロイ、パーメンジュールなどから選択される。また、接極子板３０ｂ，３０ｃは機械加工のほか、エッチング加工やメッキにより形成することができる。フレーム３１と可動基板３０ａとは４本の支持ばね３２により一体に連結される。支持ばね３２については後述する。
【００２３】
ところで、接極子板３０ｂは電磁石装置２に対して蓋板１７を介して対向しており、接極子板３０ｂにバリがあるとアマチュア３０がシーソ動作する際にバリが蓋板１７に接触することで動作特性が変化することがあるから、接極子板３０ｂにバリが生じることは望ましくない。したがって、接極子板３０ｂ，３０ｃは、エッチング加工により形成することが望ましく、エッチング加工により接極子板３０ｂ，３０ｃを形成すれば周部にバリが発生するのを防止することができる。なお、接極子板３０ｂ，３０ｃをエッチング加工により形成した後、接極子板３０ｂ，３０ｃの材料を融解する適宜の酸に接極子板３０ｂ，３０ｃを所定時間浸漬するか、あるいは接極子板３０ｂ，３０ｃにバレル研磨のような研磨を施すことによって、バリを除去するとともに、図８に示すように、Ｒ加工ないしＣ加工を施せば、接極子板３０ｂ，３０ｃの周面におけるバリを除去して、エッチング加工のみを行う場合よりもさらにバリを減らすことができる。
【００２４】
可動基板３０ａの長手方向に沿った各側縁の両端部および各側縁の中央部には、それぞれ突片３３，３６が突設される。各突片３３において蓋板１７との対向面には先細りになった四角錐台状のストッパ突起３３ａが突設され、各突片３６において蓋板１７との対向面には先細りになった四角錐台状の支点突起３６ｂが突設される。支点突起３６ｂの先端はつねに蓋板１７に当接し、アマチュア３０がシーソ動作する際の支点を規定する機能を有する。また、ストッパ突起３３ａの先端はアマチュア３０がシーソ動作したときにベース基板１またはベース基板１に固着した部材に先端が当接することによってアマチュア３０の移動範囲を規制する機能を有する。なお、ストッパ突起３３ａおよび支点突起３６ｂは四角錐台状にかぎらず四角柱状でもよい。
【００２５】
各支持ばね３２は可動基板３０ａと略同面内で可動基板３０ａの幅方向に往復する蛇行状に形成してあり、一端部が可動基板３０ａに連続し他端部がフレーム３１に連続する。すなわち、可動基板３０ａの長手方向に沿った各側縁において突片３６の両側にそれぞれ支持ばね３２の一端が連続し、支持ばね３２の前記一端に対して可動基板３０ａの幅方向に離間した部位でフレーム３１に支持ばね３２の他端が連続する。支持ばね３２は、アマチュア３０が上述した支点の回りでシーソ動作すると復帰力を生じさせる。また、復帰ばね３２を蛇行状に形成することにより長さ寸法を確保しているから、アマチュア３０がシーソ動作する際に支持ばね３２に生じる応力を分散させることができ、支持ばね３２の破損を防止することができる。
【００２６】
上述したように、ベース基板１にフレーム３１が接合され、かつ支点突起３６ｂの先端が蓋板１７に当接した状態でアマチュア３０がシーソ動作するのであるから、当然ながら可動基板３０ａはフレーム３１よりも薄肉であり、アマチュア３０の厚み寸法は、アマチュアブロック３とベース基板１とを固着した状態において、アマチュア３０に設けた接極子板３０ｂと蓋板１７との間にアマチュア３０のシーソ動作が可能となる程度のギャップが形成されるように設定されている。
【００２７】
ところで、フレーム３１の内周面であって可動基板３０ａの各側縁に突設された突片３６の先端縁に対向する部位には、フレーム３１から連続一体に突片３７が突設されている。すなわち、可動基板３０ａに突設した突片３６とフレーム３１に突設した突片３７とは互いの先端面同士が対向する。可動基板３０ａ側の各突片３６の先端縁には平面視で先端縁から凹没する移動規制突部３６ａが形成され、フレーム３１側の各突片３７の先端縁には平面視で先端縁から凹没して移動規制突部３６ａが入る移動規制凹部３７ａが形成される。したがって、移動規制突部３６ａが移動規制凹部３７ａにより位置規制され、フレーム３１の厚み方向に直交する面内におけるアマチュア３０の移動が規制される。なお、移動規制凹部３７ａと移動規制突部３６ａとの間にはあそびがあり、アマチュア３０のシーソ動作が移動規制突部３６ａおよび移動規制凹部３７ａによって妨げられることはない。
【００２８】
アマチュアブロック３には、アマチュア３０の長手方向における各端縁とフレーム３１との間にそれぞれ可動接点基台３４が設けられる。各可動接点基台３４におけるベース基板１との対向面（図２における下面）はアマチュア３０の下面よりも下方に突出し、各可動接点基台３４の下面には、それぞれ導電性材料からなる可動接点３９が固着される。可動接点基台３４の厚み寸法（上下寸法）と可動接点３９の厚み寸法との合計寸法は、接点装置の開極時に可動接点３９と固定接点１４との間の距離が所望の絶縁距離を保つように設定される。
【００２９】
各可動接点基台３４はそれぞれ２本の接圧ばね３５を介して可動基板３０ａに連結されている。すなわち、１つの可動接点基台３４の各側縁にそれぞれ接圧ばね３５の一端部が一体に連続し、１つの可動接点基台３４に連続する各接圧ばね３５の他端部は可動基板３０ａの長手方向の端部における各側縁にそれぞれ一体に連続する。上述したように、可動基板３０ａの四隅には突片３３が突設されているから、接圧ばね３５は突片３３を迂回する形状（図示例では平面視でＪ字状）に形成されている。
【００３０】
上述の説明から明らかなように、アマチュアブロック３を構成する要素のうち、フレーム３１、可動基板３０ａ、支持ばね３２、可動接点基台３４、接圧ばね部３５は、半導体基板から半導体微細加工技術によって形成される。半導体基板としては、厚み寸法が５０μｍ〜３００μｍ程度の厚み寸法、望ましくは２００μｍ程度の厚み寸法のシリコン基板を用いる。
【００３１】
アマチュアブロック３のフレーム３１は、ベース基板１およびカバー４と接続する必要があるから、アマチュアブロック３のフレーム３１において、ベース基板１との対向面の周部には全周に亘って接合用金属薄膜３８ｂが形成され、カバー４との対向面の周部には全周に亘って接合用金属薄膜３８ａが形成される。また、ベース基板１におけるアマチュアブロック３との対向面の周部には接合用金属薄膜３８ｂに接合される接合用金属薄膜１５が全周に亘って形成され、カバー４におけるアマチュアブロック３との対向面の周部には接合用金属薄膜３８ａに接合される接合用金属薄膜４２が全周に亘って形成される。したがって、接合用金属薄膜３８ｂと接合用金属薄膜１５とを接合するとともに、接合用金属薄膜３８ａと接合用金属薄膜４２とを接合することによって、ベース基板１とアマチュアブロック３とカバー４とを圧接または陽極接合により気密的に接合することができ、しかも収納孔１６およびスルーホール１０を蓋板１７，１９で閉塞しているから、ベース基板１とカバー４とフレーム３１とにより囲まれアマチュア３０および接点装置（固定接点１４と可動接点３９）が収納される空間を気密的に封止することができる。なお、接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂ，４２の材料は、Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕから選択される。
【００３２】
次に、上述したマイクロリレーの動作を説明する。本実施形態のマイクロリレーは、２個のコイル２２を備えているが、両コイル２２は直列または並列に接続されているから１個のコイルを設けている場合と等価である。図９に示すように、アマチュア３０に設けた接極子板３０ｂは、長手方向の中央部において永久磁石２１の一方の磁極に蓋板１７を介して対向し、長手方向の両端部においてヨーク２０の各脚片２０ｂの先端面に蓋板１７を介して対向している。コイル２２に通電すると、コイル２２により生じた磁束は、ヨーク２０の一方の脚片２０ｂでは永久磁石２１により生じている磁束と同じ向きになり、他方の脚片２０ｂでは永久磁石２１により生じている磁束と逆向きになるから、前記一方の脚片２０ｂの先端面と接極子板３０ｂ，３０ｃとの間に吸引力が作用し、接極子板３０ｂ，３０ｃの長手方向の端部が前記一方の脚片２０ｂの先端面に吸引される。つまり、両支点突起３６ｂの先端間を結ぶ直線付近を支点としてアマチュア３０が傾く。このとき、アマチュア３０の長手方向の各端部に対応する部位に設けた可動接点基台３４のうちヨーク２０の脚片２０ｂからの吸引力を受けた一端部側の可動接点基台３４がベース基板１に近付くから、この可動接点基台３４に設けた可動接点３９が対向する一対の固定接点１４に接触し、両固定接点１４間を可動接点３９で短絡する。
【００３３】
可動接点３９が固定接点１４に接触した時点ではストッパ突起３３ａの先端はベース基板１（またはベース基板１に固着した蓋板１９）には当接せず、アマチュア３０がさらに傾くことによって接圧ばね３５が撓み、可動接点３９と固定接点１４との間にオーバトラベル量（可動接点３９が固定接点１４に接触した後のアマチュア３０の移動量）に応じた接点圧が生じる。その後、ストッパ突起３３ａの先端がベース基板１または蓋板１９に当接してアマチュア３０の移動が規制される。この状態でコイル２２への通電を停止しても、永久磁石２１によって接極子板３０ｂ，３０ｃは脚片２０ｂに吸引された状態に保たれ、可動接点３９が固定接点１４に接触した状態が維持される。ここにおいて、可動基板３０ａの表裏両面に接極子板３０ｂ，３０ｃを設けたことによって、可動基板３０ａの片面にのみで接極子板３０ｂを設けていた従来構成に比較すると、磁路の断面積を大きくして磁気抵抗を低減することができ、結果的に電磁石装置２とアマチュア３０との間に作用する吸引力を高めることができる。換言すれば、アマチュア３０が高感度で動作するから感動電圧を低減することができる。
【００３４】
アマチュア３０の長手方向の一方の可動接点３９を対応する固定接点１４から開極させるには、コイル２２に対して上述した向きとは逆向きの電流を通電する。コイル２２に通電する電流の向きが逆になれば、コイル２２により生じた磁束は、ヨーク２０の他方の脚片２０ｂで永久磁石２１により生じている磁束を同じ向きになるから、他方の脚片２０ｂに接極子板３０ｂ，３０ｃが吸引され、アマチュア３０の長手方向の他端部に対応する可動接点基台３４に設けた可動接点３９が対向する一対の固定接点１４に接触する。この場合も、接圧ばね３５により接点圧が生じ、ストッパ突起３３ａによりアマチュア３０の移動が規制される。また、本実施形態は双安定に動作するものであって、この位置でも永久磁石２１の磁力により接極子板３０ｂ，３０ｃが他方の脚片２０ｂに吸引された状態に保たれ、可動接点３９が固定接点１４に接触した状態が維持される。
【００３５】
上述したマイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には、ケースＡ（ベース基板１）の外側面に露出している四隅の４個のバンプ１３と中央部の２個のバンプ２４とをそれぞれ実装基板に形成した導体パターンに接続すればよい。あるいはまた、実装基板にカバー４の先端面を当接させた形でケースＡを実装基板に固定し、ケースＡから露出しているバンプ１３，２４を実装基板に対してワイヤボンディングにより接続することも可能である。
【００３６】
なお、本実施形態では、ベース基板１およびカバー４をそれぞれガラス基板の加工により形成しているが、ベース基板１とカバー４との一方あるいは両方をシリコン基板の加工により形成してもよい。ただし、ベース基板１およびカバー４をそれぞれガラス基板で形成し、アマチュアブロック３に用いる半導体基板をシリコン基板とする場合には、アマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを陽極接合によって気密的に接合することが可能であるから、接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂ，４２を省略することが可能である。上述したマイクロリレーは、アマチュアブロック３を多数形成したウェハと、ベース基板１を多数形成したウェハと、カバー４を多数形成したウェハとの接合後に、ダイシング工程などによって個々のマイクロリレーに分割して製造することが可能である。
【００３７】
（実施形態２）
実施形態１では、可動基板３０ａの厚み方向の両面にそれぞれ接極子板３０ｂ，３０ｃを積層することによって磁路の断面積を大きくしているが、接極子板３０ｂ，３０ｃの間には非磁性体である可動基板３０ａが介在しているから、接極子板３０ｂ，３０ｃの間には磁気ギャップが存在しており、この部位では磁気抵抗が増加することになる。そこで、本実施形態では、磁気抵抗をさらに低減するために、図１０に示すように、両接極子板３０ｂ，接極子板３０ｃの間であって、電磁石装置２により形成される磁束が通る部位、すなわち、永久磁石２１の一方の磁極に対向する部位と、各脚片２０ｂの先端面に対向する部位とにおいて、両接極子板３０ｂ，３０ｃの間を磁気結合する磁気橋絡部３０ｄを設けている。磁気橋絡部３０ｄは、いずれか一方の接極子板３０ｂ，３０ｃと連続一体に設けるのが望ましく、図示例では接極子板３０ｂに連続一体に突設してある。可動基板３０ａにおいて磁気橋絡部３０ｄが通る部位は貫通しており、この部位において両接極子板３０ｂ，３０ｃは溶接あるいはメッキにより互いに接合される。このように、両接極子板３０ｂ，３０ｃが磁気橋絡部３０ｄにおいて接合され、しかも両接極子板３０ｂ，３０ｃの間に可動基板３０ａが挟装されることによって、接極子板３０ｂ，３０ｃと可動基板３０ａとの結合強度を高めることができる。また、本実施形態の構成では、磁気橋絡部３０ｄを設けたことによって、両接極子板３０ｂ，３０ｃの間に磁気ギャップが形成されず、実施形態１の構成よりも吸引力を高めることができる。他の構成および動作は実施形態１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態１を示す断面図である。
【図２】同上の分解斜視図である。
【図３】同上の斜視図である。
【図４】同上に用いるベース基板および蓋板を示す分解斜視図である。
【図５】同上に用いるヨークと永久磁石と蓋板との関係を示す側面図である。
【図６】同上に用いるアマチュアブロックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は下面図である。
【図７】同上に用いるアマチュアブロックを示す分解斜視図である。
【図８】同上に用いる接極子板を示す側面図である。
【図９】同上に用いるカバーを示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施形態２を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
２  電磁石装置
３  アマチュアブロック
１４  固定接点
２０  ヨーク
２２  コイル
３０  アマチュア
３０ａ  可動基板
３０ｂ  接極子板
３０ｃ  接極子板
３０ｄ  磁気橋絡部
３１  フレーム
３６ｂ  支点突起
３９  可動接点
Ａ  ケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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