(57)【要約】【課題】  浮遊容量の影響を受けにくく、広い周波数可変幅を確保することができる電圧制御型圧電発振器を提供する。【解決手段】  電圧制御型圧電発振器の周波数可変回路３００は、電圧制御端子ＶＣＯＮＴに接続した抵抗Ｒ１０と、抵抗Ｒ１０の他端にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ１０および可変容量ダイオードＶＤ２０と、一端が接地され他端が可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側に接続した抵抗２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側との間に挿入したコンデンサＣ１０とを備えており、更に、コイルＬ１０と抵抗Ｒ３０との並列回路を、可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側と接地との間に挿入すると共に、容量可変型コンデンサＶＣ１０とコンデンサＣ２０との並列回路を、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と水晶振動子Ｘ１との間に挿入して構成する。【選択図】    図１
2005217773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子と発振回路と周波数可変回路とを有する電圧制御型圧電発振器であって、
前記周波数可変回路は、
電圧制御端子に接続した第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にカソード側を接続した第１の可変容量ダイオードおよび第２の可変容量ダイオードと、一端が接地され他端が前記第１の可変容量ダイオードのアノード側に接続した第２の抵抗と、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記第２の可変容量ダイオードのアノード側との間に挿入した第１のコンデンサとを備えており、
更に、コイルと第３の抵抗との並列回路を、前記第２の可変容量ダイオードのアノード側と接地との間に挿入すると共に、
容量可変型コンデンサと第２のコンデンサとの並列回路を、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記圧電振動子との間に挿入して構成したことを特徴とする電圧制御型圧電発振器。
【請求項２】
圧電振動子と発振回路と周波数可変回路とを有する電圧制御型圧電発振器であって、
前記周波数可変回路は、
電圧制御端子に接続した第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にカソード側を接続した第１の可変容量ダイオードおよび第２の可変容量ダイオードと、一端が接地され他端が前記第１の可変容量ダイオードのアノード側に接続した第２の抵抗と、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記第２の可変容量ダイオードのアノード側との間に挿入した第１のコンデンサとを備えており、
更に、コイルと第３の抵抗との並列回路を、前記第２の可変容量ダイオードのアノード側と接地との間に挿入すると共に、
前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と、容量可変型コンデンサと第２のコンデンサとの並列回路との間に前記圧電振動子を挿入して構成したことを特徴とする電圧制御型圧電発振器。
【請求項３】
圧電振動子と発振回路と周波数可変回路とを有する電圧制御型圧電発振器であって、
前記周波数可変回路は、
電圧制御端子に接続した第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にカソード側を接続した第１の可変容量ダイオードおよび第２の可変容量ダイオードと、一端が接地され他端が前記第１の可変容量ダイオードのアノード側に接続した第２の抵抗と、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記第２の可変容量ダイオードのアノード側との間に挿入した第１のコンデンサと、前記第２の可変容量ダイオードのアノード側と接地との間に挿入した第４の抵抗とを備えており、
更に、コイルと第３の抵抗との並列回路を、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記圧電振動子との間に挿入すると共に、
容量可変型コンデンサと第２のコンデンサとの並列回路を、前記圧電振動子の他端に接続して構成したことを特徴とする電圧制御型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振周波数を制御することができる電圧制御型圧電発振器に関し、特に、周波数可変幅を広げるに有効な回路配置の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、安定した周波数信号の発生源として圧電振動子を利用した発振器がある。
このような発振器に用いられる圧電振動子としては、例えば、水晶、セラミック、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四硼酸リチウムなどが用いられている。特に、人工的に成長させた水晶の結晶から一定の法則に従って正確に切り出した薄板を研磨して得られる水晶基板は、種々の圧電材料の中でも特に共振特性に優れることから水晶振動子として多用されている。
【０００３】
また、自己が発生する周波数信号を制御して外部信号との同期を図る位相同期装置や周波数変調装置等に多く用いられる圧電発振器として、電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ：Voltage Controlled Crystal Oscillator）が知られている。一般的な電圧制御型水晶発振器は、その発振ループ中にバラクターダイオードのような電圧制御可変リアクタンス素子を設け、外部から与えられる制御電圧に応じて当該発振器が生成する出力周波数を変化させることが出来るよう構成されている。
近年、電圧制御型圧電発振器の高周波化と小型化が進み、これに応じて厳しい回路設計条件が求められている。
【０００４】
図７は、従来の電圧制御型圧電発振器の構成例を示す回路図である。ここでは、以下、電圧制御型圧電発振器として電圧制御型水晶発振器を例に説明する。
この例に示す電圧制御型水晶発振器は、大別すると水晶振動子Ｘ１と、発振回路１００と、周波数可変回路２００とを有する発振器であり、４つの外部端子を備えている。
外部端子は、電力受給用のＶｃｃ端子およびＧＮＤ端子と、周波数を出力するｆＯＵＴ端子と、制御電圧を入力するＶＣＯＮＴ端子である。
【０００５】
発振回路１００は、所謂、コルピッツ発振回路であり、水晶振動子Ｘ１を介しての閉ループにおいて生ずる共振周波数を帰還増幅する発振用トランジスタＴｒ１と、発振用トランジスタＴｒ１のベースと接地（ＧＮＤ）の間に設けた分割コンデンサＣ１、Ｃ２と、発振用トランジスタＴｒ１のベースにバイアスを与えるためのバイアス抵抗Ｒ１およびＲ２と、発振用トランジスタＴｒ１のエミッタと接地（ＧＮＤ）の間に設けた負荷抵抗Ｒ４と、発振用トランジスタＴｒ１のコレクタと電源電圧（Ｖcc）の間に設けた電流制限抵抗Ｒ３とを備えている。更に、周波数信号出力段にＣ ＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）バッファＩＣ１を有しており、Ｃ ＭＯＳバッファＩＣ１のＶＤ電極はＶｃｃに接続し、Ｖｓｓ電極はＧＮＤに接続される。そして、発振用トランジスタＴｒ１のコレクタと電流制限抵抗Ｒ１との接続点に接続された直流阻止用コンデンサＣ３を介してＣ ＭＯＳバッファＩＣ１のＸＴ電極に周波数信号が入力され、Ｃ ＭＯＳバッファＩＣ１のｆＯＵＴ電極から所定の信号条件に適合した周波数信号が出力抵抗７を介してｆＯＵＴ端子から出力されるようになっている。
また、Ｃ ＭＯＳバッファＩＣ１のＸＴ電極は、ＶｃｃとＧＮＤとの間に直列に挿入した信号値調整抵抗Ｒ５とＲ６の両抵抗の接続点に接続されている。
電源電圧（Ｖcc）と接地（ＧＮＤ）の間には、バイパスコンデンサＣ４が挿入される。
【０００６】
他方、周波数可変回路２００は、ＶＣＯＮＴ端子に接続した抵抗Ｒ１０と、この抵抗Ｒ１０の他端にカソード側を接続した可変容量ダイオード（バラクタダイオード）ＶＤ１０と、この可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と前記水晶振動子Ｘ１との間に接続される抵抗Ｒ３０及びコイルＬ１０からなる並列回路と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側とＧＮＤとの間に接続される抵抗Ｒ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のカソード側にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側との間に接続されるコンデンサＣ１０と、可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側とＧＮＤとの間に並列に接続される抵抗Ｒ４０、容量可変型コンデンサ（バリアブルコンデンサ、或いはトリマコンデンサ）ＶＣ１０、コンデンサＣ２０とにより構成されている。
【０００７】
この図に示す電圧制御型水晶発振器は、以下のように動作する。即ち、電力が供給されると水晶振動子Ｘ１が有する共振点の近傍周波数にて発振して周波数が生成され、ｆＯＵＴ端子からの周波数出力が始まるようになっている。ここで容量可変型コンデンサＶＣ１０は周波数調整用のコンデンサであって、例えば初期段階において、ある一定条件における周波数を所定値に合わせ込むよう手動にて操作するためのものである。これにより回路を構成する各電子部品のバラツキや組み立て精度のバラツキなどによる周波数ずれを調整しておく。
そして、ＶＣＯＮＴ端子に電圧制御信号が与えられ、その電圧の高低に応じて発振周波数が変化する。つまり、周波数可変回路２００の二つの可変容量ダイオードＶＤ１０、ＶＤ２０には逆電圧がかかっており、逆電圧が高いときには容量値が小さくなり、逆電圧が低いときには容量値が大きくなるよう機能するので、それぞれの可変容量ダイオードにおける逆電圧の高低に応じてその容量値が変化するために発振周波数を可変制御することができる。
【０００８】
次の図８は、上述の図７に示した従来の電圧制御型水晶発振器の回路構成例において、５０．０００ＭＨｚを中心周波数ｆ０とし、制御電圧を０〜３．０Ｖの範囲で可変するようにした時（常温一定）の周波数可変特性例を示すグラフ図であり、縦軸は周波数変化量（ｐｐｍ）を、横軸は制御電圧（Ｖ）を示す。同図中の破線は、ある規格の周波数可変幅最小値（Lower Limit）を参考に示したもので、９０ｐｐｍ／Ｖの傾きである。
実線で示す従来特性は、平均で約１０６ｐｐｍ／Ｖの傾きを有しており、上記の規格内にあるものの、温度特性や部品のバラツキ等を考慮すると充分な余裕とは言えないものであった。
【０００９】
中でも、実際の電圧制御型圧電発振器の回路がプリント基板上に形成された際に、配線容量等による浮遊容量が生じており、この浮遊容量による発振周波数への影響が大きくなっている。
特に、両面実装多層プリント基板に信号配線パターンを形成するような場合には顕著となり、浮遊容量によって周波数可変幅が大幅に低減されてしまう問題が生じる。
【００１０】
このような周波数可変幅低減の問題に対する対策として、例えば、特開２００１−１４４５３９号公報に提案されたものがある。これは、多層基板に対し工夫を施す発明であって、電圧可変容量素子に対して並列に付加される信号配線の垂直下が中空化された部分空中層か、または、その配線垂直下が削除された最下層を設けることで、基準電位配線との間に生じる寄生容量（浮遊容量）を低減し、広い周波数可変幅を確保しようというものである。
これによれば、浮遊容量の発生自体を低減するので、浮遊容量による発振周波数への影響を抑えるのに効果を発揮する。
【特許文献１】特開２００１−１４４５３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した従来の電圧制御型水晶発振器にあっては、以下に示すような問題点があった。つまり、その回路構成自体が浮遊容量の影響を受けやすく、プリント基板に対して上記特許文献１の如く工夫するにしても限界があった。
即ち、浮遊容量の発生を低減することは必要であり、極めて効果的な手段であるが、プリント基板の複雑化および厳密な組み立て精度の要求によりコスト高を招く要因になると同時に、中空空間の距離（基準電位配線と信号配線との距離）をとるために小型化への障害となってしまう。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、浮遊容量の影響を受けにくい回路構成（発振閉ループ中の部品配列）を見いだし、広い周波数可変幅を確保しようというものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明に係る電圧制御型圧電発振器の請求項１の発明は、圧電振動子と発振回路と周波数可変回路とを有する電圧制御型圧電発振器であって、前記周波数可変回路は、電圧制御端子に接続した第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にカソード側を接続した第１の可変容量ダイオードおよび第２の可変容量ダイオードと、一端が接地され他端が前記第１の可変容量ダイオードのアノード側に接続した第２の抵抗と、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記第２の可変容量ダイオードのアノード側との間に挿入した第１のコンデンサとを備えており、更に、コイルと第３の抵抗との並列回路を、前記第２の可変容量ダイオードのアノード側と接地との間に挿入すると共に、容量可変型コンデンサと第２のコンデンサとの並列回路を、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記圧電振動子との間に挿入して構成したことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る電圧制御型圧電発振器の請求項２の発明は、圧電振動子と発振回路と周波数可変回路とを有する電圧制御型圧電発振器であって、前記周波数可変回路は、電圧制御端子に接続した第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にカソード側を接続した第１の可変容量ダイオードおよび第２の可変容量ダイオードと、一端が接地され他端が前記第１の可変容量ダイオードのアノード側に接続した第２の抵抗と、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記第２の可変容量ダイオードのアノード側との間に挿入した第１のコンデンサとを備えており、更に、コイルと第３の抵抗との並列回路を、前記第２の可変容量ダイオードのアノード側と接地との間に挿入すると共に、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と、容量可変型コンデンサと第２のコンデンサとの並列回路との間に前記圧電振動子を挿入して構成したことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る電圧制御型圧電発振器の請求項３の発明は、圧電振動子と発振回路と周波数可変回路とを有する電圧制御型圧電発振器であって、前記周波数可変回路は、電圧制御端子に接続した第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にカソード側を接続した第１の可変容量ダイオードおよび第２の可変容量ダイオードと、一端が接地され他端が前記第１の可変容量ダイオードのアノード側に接続した第２の抵抗と、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記第２の可変容量ダイオードのアノード側との間に挿入した第１のコンデンサと、前記第２の可変容量ダイオードのアノード側と接地との間に挿入した第４の抵抗とを備えており、更に、コイルと第３の抵抗との並列回路を、前記第１の可変容量ダイオードのアノード側と前記圧電振動子との間に挿入すると共に、容量可変型コンデンサと第２のコンデンサとの並列回路を、前記圧電振動子の他端に接続して構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電圧制御型圧電発振器は、浮遊容量の影響を受けにくい回路構成であり、且つ、広い周波数可変幅が確保できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明に係る本発明に係る電圧制御型圧電発振器の第１の実施の形態例を示す回路図である。なお、以下、上述の図７に従来例として示したものと同様の機能部品については同一の符号を付してその部品説明を省略すると共に、図中のＡ点に接続する発振回路については全く同一のものであるとして図示を省略する。
【００１７】
即ち、この例に示す電圧制御型水晶発振器は、大別して水晶振動子Ｘ１と、発振回路１００と、周波数可変回路３００とを有する。
本発明において特徴的な点は、周波数可変回路３００にあり、周波数可変回路３００は、制御電圧が入力されるＶＣＯＮＴ端子に接続した抵抗Ｒ１０と、この抵抗Ｒ１０の他端にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ１０と、この可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と前記水晶振動子Ｘ１との間に接続されるコンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＶＣ１０からなる並列回路と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側とＧＮＤとの間に接続される抵抗Ｒ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のカソード側にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側との間に接続されるコンデンサＣ１０と、可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側とＧＮＤとの間に並列に接続される抵抗Ｒ３０及びコイルＬ１０からなる並列回路とにより構成されている。
つまり、従来例として示した周波数可変回路２００と比較すれば、周波数可変回路３００は、コンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＶＣ１０からなる並列回路の位置と、抵抗Ｒ３０及びコイルＬ１０からなる並列回路の位置とを入れ替えた構成となる。
【００１８】
この図に示す電圧制御型水晶発振器の動作は、上述の従来例に示したものと同様であり、ＶＣＯＮＴ端子に電圧制御信号が与えられると、その電圧の高低に応じて発振周波数が変化するよう機能する。
【００１９】
図２は、上述の図１に示した電圧制御型水晶発振器の回路構成例において、５０．０００ＭＨｚを中心周波数ｆ０とし、制御電圧を０〜３．０Ｖの範囲で可変するようにした時（常温一定）の周波数可変特性例を示すグラフ図であり、縦軸は周波数変化量（ｐｐｍ）を、横軸は制御電圧（Ｖ）を示す。同図中の破線は、ある規格の周波数可変幅最小値（Lower Limit）を参考に示したもので、９０ｐｐｍ／Ｖの傾きである。
実線で示す周波数可変回路３００における周波数可変特性は、平均で約１２０ｐｐｍ／Ｖの傾きを有しており、温度特性や部品のバラツキ等を考慮しても充分な余裕を持つ周波数可変範囲を得ることができている。
【００２０】
このように、負荷容量をとして機能する容量素子（コンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＣＶ１０）を基準電位とは異なる位置に設けるようにしたことで、浮遊容量の影響を受けにくくなり、且つ、広い周波数可変幅を確保することができる。
【００２１】
次に、図３は、本発明に係る本発明に係る電圧制御型圧電発振器の第２の実施の形態例を示す回路図である。この例に示す電圧制御型水晶発振器は、大別して水晶振動子Ｘ１と、発振回路１００と、周波数可変回路４００とを有する。
【００２２】
この図に示す周波数可変回路４００は、上述した周波数可変回路３００と比較して、水晶振動子Ｘ１の位置と、コンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＶＣ１０からなる並列回路の位置とをを入れ替えた構成に等しい。
つまり、制御電圧が入力されるＶＣＯＮＴ端子に接続した抵抗Ｒ１０と、この抵抗Ｒ１０の他端にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ１０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側に接続した水晶振動子Ｘ１の他端に接続されたコンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＶＣ１０からなる並列回路と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側とＧＮＤとの間に接続される抵抗Ｒ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のカソード側にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側との間に接続されるコンデンサＣ１０と、可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側とＧＮＤとの間に並列に接続される抵抗Ｒ３０及びコイルＬ１０からなる並列回路とにより構成されている。
【００２３】
この図に示す電圧制御型水晶発振器の動作は、上述の従来例に示したものと同様であり、ＶＣＯＮＴ端子に電圧制御信号が与えられると、その電圧の高低に応じて発振周波数が変化するよう機能する。
【００２４】
図４は、上述の図３に示した電圧制御型水晶発振器の回路構成例において、５０．０００ＭＨｚを中心周波数ｆ０とし、制御電圧を０〜３．０Ｖの範囲で可変するようにした時（常温一定）の周波数可変特性例を示すグラフ図であり、縦軸は周波数変化量（ｐｐｍ）を、横軸は制御電圧（Ｖ）を示す。同図中の破線は、ある規格の周波数可変幅最小値（Lower Limit）を参考に示したもので、９０ｐｐｍ／Ｖの傾きである。
実線で示す周波数可変回路４００における周波数可変特性は、平均で約１５３ｐｐｍ／Ｖの傾きを有しており、温度特性や部品のバラツキ等を考慮しても充分な余裕を持つ周波数可変範囲を得ることができている。
【００２５】
このように、負荷容量をとして機能する容量素子（コンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＣＶ１０）を基準電位とは異なる位置であって、且つ、水晶振動子から見て発振トランジスタ側に設けたことで、浮遊容量の影響を受けにくくなると共に、更に広い周波数可変幅を確保することができる。
【００２６】
次に、図５は、本発明に係る本発明に係る電圧制御型圧電発振器の第３の実施の形態例を示す回路図である。この例に示す電圧制御型水晶発振器は、大別して水晶振動子Ｘ１と、発振回路１００と、周波数可変回路５００とを有する。
【００２７】
この図に示す周波数可変回路５００は、上述した周波数可変回路４００と比較して、更に、抵抗Ｒ３０及びコイルＬ１０からなる並列回路を、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と水晶振動子Ｘ１との間に移動した構成に相当する。
つまり、制御電圧が入力されるＶＣＯＮＴ端子に接続した抵抗Ｒ１０と、この抵抗Ｒ１０の他端にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ１０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と水晶振動子Ｘ１との挿入した抵抗Ｒ３０及びコイルＬ１０からなる並列回路と、水晶振動子Ｘ１の他端に接続されたコンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＶＣ１０からなる並列回路と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側とＧＮＤとの間に接続される抵抗Ｒ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のカソード側にカソード側を接続した可変容量ダイオードＶＤ２０と、可変容量ダイオードＶＤ１０のアノード側と可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側との間に接続されるコンデンサＣ１０と、可変容量ダイオードＶＤ２０のアノード側とＧＮＤとの間に挿入される抵抗Ｒ４０とにより構成されている。
【００２８】
この図に示す電圧制御型水晶発振器の動作は、上述の従来例に示したものと同様であり、ＶＣＯＮＴ端子に電圧制御信号が与えられると、その電圧の高低に応じて発振周波数が変化するよう機能する。
【００２９】
図６は、上述の図５に示した電圧制御型水晶発振器の回路構成例において、５０．０００ＭＨｚを中心周波数ｆ０とし、制御電圧を０〜３．０Ｖの範囲で可変するようにした時（常温一定）の周波数可変特性例を示すグラフ図であり、縦軸は周波数変化量（ｐｐｍ）を、横軸は制御電圧（Ｖ）を示す。同図中の破線は、ある規格の周波数可変幅最小値（Lower Limit）を参考に示したもので、９０ｐｐｍ／Ｖの傾きである。
実線で示す周波数可変回路５００における周波数可変特性は、平均で約１３０ｐｐｍ／Ｖの傾きを有しており、温度特性や部品のバラツキ等を考慮しても充分な余裕を持つ周波数可変範囲を得ることができている。
【００３０】
このように、負荷容量をとして機能する容量性リアクタンス回路（コンデンサＣ２０及び容量可変型コンデンサＣＶ１０）を基準電位とは異なる位置であって、且つ、水晶振動子から見て発振トランジスタ側に設け、また、誘電性リアクタンス回路（抵抗Ｒ３０及びコイル１０）をも基準電位とは異なる位置に設けたことで、より浮遊容量の影響を受けにくくなると共に、広い周波数可変幅を確保することができる。
【００３１】
以上説明した本発明の構成例の如く周波数可変回路を構成した電圧制御型圧電発振器とすれば、各電子部品同士の接点（信号配線パターン）と基準電位（ＧＮＤ）配線との間に浮遊容量が生じたとしても、その影響による周波数可変幅の低減は抑えられる。また、本発明の回路構成のものに加えて、上述した引用文献１の構造を適用すれば、浮遊容量による発振周波数への影響を極めて小さくすることができる。
【００３２】
また、上述の実施の形態例に示した構成と請求項に示す構成との対応を以下に記す。
請求項に記載の第１の可変容量ダイオードは実施例に示す可変容量ダイオードＶＤ１０に対応し、第２の可変容量ダイオードは実施例に示す可変容量ダイオードＶＤ２０に対応し、第１の抵抗は抵抗１０に対応し、第２の抵抗は抵抗２０に対応し、第３の抵抗は抵抗３０に対応し、第４の抵抗は抵抗４０に対応し、第１のコンデンサはコンデンサ１０に対応し、第２のコンデンサはコンデンサ２０に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る電圧制御型圧電発振器の第１の構成例を示す回路図である。
【図２】図１に示す回路の周波数可変特性を示すグラフ図である。
【図３】本発明に係る電圧制御型圧電発振器の第２の構成例を示す回路図である。
【図４】図３に示す回路の周波数可変特性を示すグラフ図である。
【図５】本発明に係る電圧制御型圧電発振器の第３の構成例を示す回路図である。
【図６】図５に示す回路の周波数可変特性を示すグラフ図である。
【図７】従来の電圧制御型圧電発振器の構成例を示す回路図である。
【図８】図７に示す回路の周波数可変特性を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００３４】
Ｔｒ１・・・発振用トランジスタ
ＩＣ１・・・Ｃ ＭＯＳバッファ
Ｒ１、Ｒ２・・・バイアス抵抗
Ｒ３・・・電流制限抵抗
Ｒ４・・・負荷抵抗
Ｒ５、Ｒ６・・・信号値調整抵抗
Ｒ７・・・出力抵抗
Ｒ１０・・・抵抗（第１の抵抗）
Ｒ２０・・・抵抗（第２の抵抗）
Ｒ３０・・・抵抗（第３の抵抗）
Ｒ４０・・・抵抗（第４の抵抗）
Ｃ１、Ｃ２・・・分割コンデンサ
Ｃ３・・・直流素子コンデンサ
Ｃ４・・・バイパスコンデンサ
Ｃ１０・・・コンデンサ（第１のコンデンサ）
Ｃ２０・・・コンデンサ（第２のコンデンサ）
Ｌ１０・・・コイル
ＶＤ１０・・・バラクタダイオード（第１の可変容量ダイオード）
ＶＤ２０・・・バラクタダイオード（第２の可変容量ダイオード）
ＶＣ１０・・・バリアブルコンデンサ（容量可変型コンデンサ）
Ｘ１・・・水晶振動子（圧電振動子）
１００・・・発振回路
２００・・・周波数可変回路
３００・・・周波数可変回路
４００・・・周波数可変回路
５００・・・周波数可変回路
【図１】
2005217773.tif 000003
【図２】
2005217773.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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