(57)【要約】【課題】  基板に形成された各種素子の剥離を防止できる基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を提供する。【解決手段】  第１機能素子１３を備える第１基板３と、第２機能素子２５、２１を備える第２基板４とを貼り合わせた基板接合体２の製造方法であって、第１基板３の第１機能素子１３が形成された側、又は第２基板４の第２機能素子２５、２１が形成された側の、少なくとも一方に、第１機能素子１３と第２機能素子２５、２１とを導通させる可塑性の導通部材３０を形成する工程と、第１基板３と第２基板４の間に樹脂膜３１を形成する工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１機能素子を備える第１基板と、第２機能素子を備える第２基板とを貼り合わせた基板接合体の製造方法であって、
前記第１基板の第１機能素子が形成された側、又は前記第２基板の第２機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通させる可塑性の導通部材を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板の間に樹脂膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする基板接合体の製造方法。
【請求項２】
前記導通部材を形成する工程は、前記第１基板上又は前記第２基板上に前記導通部材の材料となる導電性材料を塗布する工程と、前記第１基板と前記第２基板の間で前記導電性材料を硬化する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂膜を形成する工程は、当該樹脂膜の材料となる樹脂材料を前記第１基板と前記第２基板の間に充填する工程と、前記樹脂材料を前記第１基板と前記第２基板の間で硬化する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項４】
前記導電性材料を硬化する工程は、前記樹脂材料を充填する工程の前に行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
【請求項５】
前記導電性材料を硬化する工程は、前記樹脂材料を硬化する工程と共に行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂膜を形成する工程は、前記第１基板における前記第１機能素子の非形成面に配置された第１固定板と、前記第２基板における前記第２機能素子の非形成面に配置された第２固定板とが、前記第１基板と前記第２基板を狭持する方向に、かつ、当該第１基板と当該第２基板の間隔を所定に保持しながら押圧することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
【請求項７】
前記第１固定板及び前記第２固定板は、前記第１基板及び前記第２基板における前記第１機能素子及び第２機能素子のそれぞれの非形成面を吸引する吸引手段を具備し、
前記樹脂膜を形成する工程は、前記吸引手段によって前記第１基板及び前記第２基板を吸引しながら行うことを特徴とする請求項６に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂材料を充填する工程は、前記第１基板及び前記第２基板の端部に前記樹脂材料を配置させた状態で前記第１基板と前記第２基板の間の空間を吸引することによって、前記樹脂材料を充填することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂材料を充填する工程は、真空雰囲気のチャンバ内に前記第１基板及び前記第２基板を設置し、かつ、前記第１基板及び前記第２基板の端部に前記樹脂材料を配置させた後に、前記チャンバ内の圧力を上昇させることによって、前記樹脂材料を充填することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂材料を充填する工程に先立って、前記第１基板の第１機能素子が形成された側、又は前記第２基板の第２機能素子が形成された側の少なくとも一方に、予め樹脂膜を形成することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
【請求項１１】
第１機能素子を備える第１基板と、第２機能素子を備える第２基板とが貼り合わされた基板接合体であって、
前記第１基板の第１機能素子が形成された側、又は前記第２基板の第２機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通させる可塑性の導通部材と、
前記第１基板と前記第２基板の間に形成された樹脂膜と、
を具備することを特徴とする基板接合体。
【請求項１２】
複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された複数の駆動素子を備える駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法であって、
前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させる可塑性の導通部材を形成する工程と、
前記電気光学基板と前記回路基板の間に樹脂膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された駆動素子を備える駆動回路基板とが貼り合わせされた電気光学装置であって、
前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記駆動回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させる可塑性の導通部材と、
前記電気光学基板と前記駆動回路基板の間に形成された樹脂膜と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、異なる２種類の基板を貼り合わせる基板接合体の製造方法においては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）素子等の発光機能素子が形成された電気光学基板と、当該発光機能素子を発光させる駆動素子が形成された駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このような基板接合体の製造方法においては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々に製造しておき、両者を貼り合わせて電気光学装置を製造するため、駆動回路基板に関しては、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）等の駆動素子を形成もしくは転写した後の必要な工程が極僅かで済むため、製造工程によって駆動素子が損傷される可能性を大幅に低減される。また、電気光学基板と駆動回路基板とを別工程で製造するため、歩留まりが向上する。場合によっては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々の工場或いは異なった企業においてそれぞれ製造し、最終的に両者を張り合わせるといった製造方法も可能であるから、製造コストの低減を図る上でも極めて有利な方法となる。また、比較的低額の設備投資によって大画面の電気光学装置を製造することが可能となる。
【特許文献１】特開２００２−０８２６３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記製造方法においては、銀ペースト等の導電性部材を介して発光機能素子と駆動素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板と間に封止樹脂を充填していた。しかしながら、この方法では封止樹脂の硬化収縮によって発光機能素子が剥離してしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、基板に形成された各種素子の剥離を防止できる基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の基板接合体の製造方法は、第１機能素子を備える第１基板と、第２機能素子を備える第２基板とを貼り合わせた基板接合体の製造方法であって、前記第１基板の第１機能素子が形成された側、又は前記第２基板の第２機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通させる可塑性の導通部材を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板の間に樹脂膜を形成する工程と、を具備することを特徴としている。
このようにすれば、第１基板と第２基板とを貼り合わせることによって、導通部材が塑性変形し、樹脂膜内に収縮応力が残留しないので、第１機能素子や第２機能素子の剥離や破壊を防止することができる。従って、第１機能素子及び第２機能素子の間の導通を確実に得ることができる。
【０００７】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記導通部材を形成する工程は、前記第１基板上又は前記第２基板上に前記導通部材の材料となる導電性材料を塗布する工程と、前記第１基板と前記第２基板の間で前記導電性材料を硬化する工程と、を有することを特徴としている。
このようにすれば、第１基板上又は第２基板上に単に導電性部材を塗布するだけでなく、当該両基板間において導電性部材を硬化させる工程を有しているので、確実に導通部材を塑性変形させることができる。従って、上記の効果を促進させることができる。
【０００８】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記樹脂膜を形成する工程は、当該樹脂膜の材料となる樹脂材料を前記第１基板と前記第２基板の間に充填する工程と、前記樹脂材料を前記第１基板と前記第２基板の間で硬化する工程と、を有することを特徴としている。
このようにすれば、第１基板と第２基板の間に単に樹脂材料を充填するだけでなく、当該両基板間において樹脂材料を硬化させる工程を有しているので、確実に樹脂材料を硬化できる。従って、上記の効果を促進させることができる。
【０００９】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記導電性材料を硬化する工程は、前記樹脂材料を充填する工程の前に行うことを特徴としている。
このようにすれば、第１基板と第２基板の間において導電性部材を確実に硬化させた状態で樹脂材料が充填されるので、第１基板と第２基板の間に樹脂材料を充填する際に、樹脂材料の流動によって導電性部材が変形、破壊することがなく、導電性部材を所望の形状に維持させることができる。
【００１０】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記導電性材料を硬化する工程は、前記樹脂材料を硬化する工程と共に行うことを特徴としている。
このようにすれば、導電性材料と樹脂材料とをそれぞれ硬化させるために必要であった２工程を１工程にまとめることができるので、工程の簡略化を達成できる。
【００１１】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記第１基板における前記第１機能素子の非形成面に配置された第１固定板と、前記第２基板における前記第２機能素子の非形成面に配置された第２固定板とが、前記第１基板と前記第２基板を狭持する方向に、かつ、当該第１基板と当該第２基板の間隔を所定に保持しながら押圧することを特徴としている。
ここで、第１固定板における第１基板との接触面と、第２固定板における第２基板との接触面においては、それぞれの平坦度、及び各接触面間の平行度が高精度であることが好ましい。
このようにすれば、第１固定板と第２固定板によって前記第１基板と前記第２基板が互いに押圧されることにより、第１基板における第１機能素子の非形成面、及び第２基板における第２機能素子の非形成面のそれぞれにおける予め残留していた微小な凹凸部が平坦に矯正されるので、高い平坦度が得られる。また、第１基板と第２基板とは高精度な平行度が得られる。従って、第１基板と第２基板の間隔を均一にすることができる。そして、第１基板と第２基板の間に充填された樹脂膜は、一様な膜厚となる。更に、第１基板又は第２基板のいずれかが発光機能素子を有する場合には、当該発光機能素子の発光光が平坦面から出射されるので、良好な画像表示特性が得られる。
【００１２】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記第１固定板及び前記第２固定板は、前記第１基板及び前記第２基板における前記第１機能素子及び第２機能素子のそれぞれの非形成面を吸引する吸引手段を具備し、前記樹脂膜を形成する工程は、前記吸引手段によって前記第１基板及び前記第２基板を吸引しながら行うことを特徴としている。
このようにすれば、第１基板及び第２基板における第１機能素子及び第２機能素子のそれぞれの非形成面と、第１固定板及び第２固定板との間に空隙が生じることがないので、上記の各機能素子の非形成面と、各固定板とを確実に密着することができる。従って、第１基板及び第２基板は、より高精度な平坦度と平行度が得られるので、上記の効果を促進させることができる。
【００１３】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記樹脂材料を充填する工程は、前記第１基板及び前記第２基板の端部に前記樹脂材料を配置させた状態で前記第１基板と前記第２基板の間の空間を吸引することによって、前記樹脂材料を充填することを特徴としている。
ここで、上記の空間を吸引する側を含む、第１基板及び第２基板の周囲には、当該空間内を密閉するための樹脂部材が設けられ、当該空間内が気密に保持されていることが好ましい。この密閉するための樹脂部材とは、自在に変形可能な樹脂材料であることが好ましく、上記の前記第１基板と第２基板との間に充填する樹脂材料と必ずしも同じ材料でなくてもよい。
このようにすれば、第１基板と前記第２基板の間の空間のみを吸引することによって、当該空間内が減圧されるので、樹脂材料が当該減圧された空間に満たされる。従って、第１基板と前記第２基板の間の空間に樹脂材料を良好に充填することができる。
【００１４】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記樹脂材料を充填する工程は、真空雰囲気のチャンバ内に前記第１基板及び前記第２基板を設置し、かつ、前記第１基板及び前記第２基板の端部に前記樹脂材料を配置させた後に、前記チャンバ内の圧力を上昇させることによって、前記樹脂材料を充填することを特徴としている。
このようにすれば、チャンバ内の圧力を上昇させることによって、第１基板と前記第２基板の間の空間のみが減圧雰囲気になるので、樹脂材料が当該減圧された空間に満たされる。従って、第１基板と前記第２基板の間の空間に樹脂材料を良好に充填することができる。
【００１５】
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記樹脂材料を充填する工程に先立って、前記第１基板の第１機能素子が形成された側、又は前記第２基板の第２機能素子が形成された側の少なくとも一方に、予め樹脂膜を形成することを特徴としている。
このようにすれば、樹脂材料を充填する工程の前に予め形成された樹脂膜の表面は、濡れ性が向上された状態となる。この状態において、樹脂材料を充填することにより、樹脂材料は第１基板と第２基板の間で良好に流動し、気泡が混入することなく良好な樹脂膜を形成することができる。
【００１６】
本発明の基板接合体は、第１機能素子を備える第１基板と、第２機能素子を備える第２基板とが貼り合わされた基板接合体であって、前記第１基板の第１機能素子が形成された側、又は前記第２基板の第２機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通させる導通部材と、前記第１基板と前記第２基板の間に形成された樹脂膜と、を具備することを特徴としている。
このようにすれば、第１基板と第２基板とを貼り合わせることによって、導通部材が塑性変形し、樹脂膜内に収縮応力が残留しないので、第１機能素子や第２機能素子の剥離や破壊を防止することができる。従って、第１機能素子及び第２機能素子の間の導通を確実に得ることができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された複数の駆動素子を備える駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法であって、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させる導通部材を形成する工程と、前記電気光学基板と前記回路基板の間に樹脂膜を形成する工程と、を具備することを特徴としている。
このようにすれば、電気光学基板と駆動回路基板とを貼り合わせることによって、導通部材が塑性変形し、樹脂膜内に収縮応力が残留しないので、発光機能素子や駆動素子の剥離や破壊を防止することができる。従って、発光機能素子及び駆動素子の間の導通を確実に得ることができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された駆動素子を備える駆動回路基板とが貼り合わせされた電気光学装置であって、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記駆動回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させる導通部材と、前記電気光学基板と前記駆動回路基板の間に形成された樹脂膜と、を具備することを特徴としている。
このようにすれば、電気光学基板と駆動回路基板とを貼り合わせることによって、導通部材が塑性変形し、樹脂膜内に収縮応力が残留しないので、発光機能素子や駆動素子の剥離や破壊を防止することができる。従って、発光機能素子及び駆動素子の間の導通を確実に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置について、図１から図１３を参照して説明する。
ここで、図１は有機ＥＬ装置の要部構成を示す断面図、図２から図１１は有機ＥＬ装置の製造工程の第１実施形態を説明するための説明図、図１２は有機ＥＬ装置の製造工程の第２実施形態を説明するための説明図、図１３は有機ＥＬ装置の製造工程の第３実施形態を説明するための説明図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
（有機ＥＬ装置）
図１に示すように、有機ＥＬ装置（電気光学装置）１は、少なくとも基板接合体２を具備した構成となっている。当該基板接合体２は、配線基板（第１基板、駆動回路基板）３と、有機ＥＬ基板（第２基板、電気光学基板）４とを、後述の導通部材３０と樹脂膜３１とを介して貼り合わせて接合された構成となっている。
【００２１】
配線基板３は、基板１０と、基板１０上に形成された所定形状の配線パターン１１と、有機ＥＬ素子（第１機能素子、発光機能素子）２１を駆動させるＴＦＴ（第２機能素子、駆動素子）１３と、ＴＦＴ１３と配線パターン１１とを接合するＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ素子２１と配線パターン１１とを接合する有機ＥＬ接続部１５と、層間絶縁膜１６とによって構成されている。
ここで、ＴＦＴ接続部１４は、ＴＦＴの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、当該バンプ上に塗布形成される導電性ペースト１７とからなる。導電性ペースト１７は、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。
なお、本実施形態の配線基板３は、後述するようにＴＦＴ１３を転写することによって形成された基板であるが、公知のガラス基板に形成されたＴＦＴ回路基板であってもよい。
【００２２】
有機ＥＬ基板４は、発光光が透過する透明基板２０と、有機ＥＬ素子２１と、絶縁膜２２と、陰極（発光機能素子）２５とによって構成されている。
ここで、有機ＥＬ素子２１は、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極と、正孔注入／輸送層と、有機ＥＬ素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機ＥＬ素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機ＥＬ素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ素子２１と陰極２５との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。また、図１においては、３個の有機ＥＬ素子２１が記載されているが、各有機ＥＬ素子２１の発光色をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）にすることで、フルカラー表示が可能となっている。
【００２３】
更に、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間には、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５とを導通接続する導通部材３０と、当該両基板３、４の間に充填する樹脂膜３１とが設けられている。
ここで、導通部材３０は、銀ペースト（導電性部材）を塗布した後に、硬化させることによって形成されたものであり、配線基板３と有機ＥＬ基板４の貼り合わせによって塑性変形する部材である。なお、銀材料に限定することなく、他の導電性材料を導通部材３０の材料として採用してもよい。また、可塑性の材料であれば、必ずしもペースト状である必要はなく、好適なものが採用される。また、当該導通部材３０は、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５の剥離を生じない程度の弾性を有してもよく、また、導通部材３０を硬化する際の加熱工程における熱膨張を考慮した弾性を有してもよい。
また、樹脂膜３１は、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間を封止する封止樹脂であり、絶縁性を有する部材である。当該樹脂膜３１は後述の製造工程によって配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に充填されることにより形成されるものである。
【００２４】
なお、本実施形態においては、電気光学基板として有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤやＦＥＤ等の固体発光機能素子、また、発光能を備えるポーラス状のシリコン素子を有する電気光学基板を採用してもよい。
【００２５】
（有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態）
次に、図１に示す有機ＥＬ装置１の製造方法について図２から図１１を参照して説明する。
【００２６】
（基礎基板の製造方法）
まず、図２を参照し、ＴＦＴ１３を配線基板３に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
なお、ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、有機ＥＬ装置１の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
【００２７】
剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００２８】
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２９】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００３０】
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層２の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００３１】
特に剥離層２の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００３２】
（配線基板の製造方法）
次に、図２に示した基礎基板４０の製造工程と並行して、図３に示す配線基板３の製造工程が行われる。
図３に示すように、基板１０上に配線パターン１１と、層間絶縁膜１６と、ＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ接続部１５とを順次形成する。配線パターンの形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて基板１０上に形成してもよい。このような配線パターン１１を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
なお、基板１０の表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等を形成してもよい。また、図３では、配線パターンが１層のみ形成された構造について説明しているが、２層や３層構造であってもよい。また、配線材料は、ＡｌやＡｌ合金のみに限定することなく、Ａｌ等の低抵抗金属をＴｉやＴｉ化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Ａｌ配線に対するバリア性や耐ヒロック性を高めることができる。
【００３３】
次に、配線パターン１１上に樹脂絶縁膜１６を形成する。当該樹脂絶縁膜１６は、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、スピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜を形成することができる。更に、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって層間絶縁膜１６にＴＦＴ接続部１４及び有機ＥＬ接続部１５を形成するための開口部を形成する。
【００３４】
次に、無電解メッキ法を用いてＴＦＴ接続部１４を形成する。当該ＴＦＴ接続部１４は、所謂バンプである。
まず、メッキ成長させるためのバッド表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ＺｎＯを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をＺｎに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Ｚｎを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。メッキ高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン（Ｐ）が共析する。最後に置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
【００３５】
このようにしてパッド上にＮｉ−Ａｕバンプ（ＴＦＴ接続部１４）が形成される。また、Ｎｉ−Ａｕメッキバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
【００３６】
次に、有機ＥＬ接続部１５を形成する。ここでは、公知の成膜方法が用いられる。例えば、気相法を用いる場合には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等、半導体製造工程で用いられる種種の方法が挙げられる。
また、液相法を用いて有機ＥＬ接続部１５を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、配線基板３の製造工程が終了となる。
【００３７】
（ＴＦＴの転写工程）
次に、図４から図６を参照して、上記の配線基板３と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ１３を配線基板３に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation）（登録商標）を用いて行われる。
【００３８】
図４に示すように、基礎基板４０を反転し、また、ＴＦＴ１３とＴＦＴ接続部１４との間に異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する導電性ペースト１７を塗布し、基礎基板４０と配線基板３とを貼り合わせる。
【００３９】
次に、図５に示すように、導電性ペースト１７が塗布された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。すると、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴを容易に取り外すことが可能となる。
【００４０】
次に、図６に示すように、基礎基板４０と配線基板３とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴが除去されると共に、当該ＴＦＴ１３が配線基板３に転写される。なお、ＴＦＴ１３の端子は、上記のＴＦＴ接続部１４及び導電性ペースト１７を介して、配線パターン１１に接続されている。
【００４１】
次に、図４から図６と同様の工程を用いることにより、図７に示すように配線基板３上に複数のＴＦＴ１３を転写する。
【００４２】
（導通部材の形成工程）
次に、図８に示すように導通部材３０を形成する。
導通部材３０は、銀ペースト等の導電性材料からなるものである。導通部材３０は、有機ＥＬ接続部１５上に銀ペーストを印刷法等の公知の塗布方法によって塗布される。
【００４３】
（配線基板と有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図９を参照し、上述の配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせる工程について説明する。
図９に示す有機ＥＬ基板４は、透明基板２０上に、有機ＥＬ素子２１と、絶縁膜２２と、陰極２５とが順に形成された後に、上下反転させたものである。
当該貼り合わせ工程においては、配線基板３と有機ＥＬ基板４を押圧するための押圧装置１４０が用いられる。
【００４４】
ここで、押圧装置１４０について説明する。
当該押圧装置１４０は、配線基板３に接触配置される下部固定板（第１固定板）１４１と、有機ＥＬ基板４に接触配置される上部固定板（第２固定板）１４２と、配線基板３の平面に対して鉛直方向に下部固定板１４１及び上部固定板１４２を移動させる駆動機構とを備えた構成となっている。更に、下部固定板１４１及び上部固定板１４２における配線基板３及び有機ＥＬ基板４に接触する接触面１４１ａ、１４２ａは、高精度な平坦度が得られている。また、駆動機構は接触面１４１ａ、１４２ａを高精度な平行度を維持しながら下部固定板１４１及び上部固定板１４２を駆動するようになっている。また、下部固定板１４１及び上部固定板１４２には、吸引機構（吸引手段）１４３が設けられている。
【００４５】
当該吸引機構１４３は、配線基板３及び有機ＥＬ基板４におけるＴＦＴ１３や陰極２５が形成されていない非形成面３ａ、４ａに下部固定板１４１及び上部固定板１４２を接触配置させた状態において、吸引することにより、非形成面３ａ、４ａと下部固定板１４１及び上部固定板１４２とを完全に密着させるものである。また、下部固定板１４１又は上部固定板１４２のいずれか一方には当該両固定板１４１、１４２の間隔を所定に保つためのスペーサが着脱可能に設けられている。このスペーサを使用した場合には、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間隔を所定に設定することが可能となる。また、当該スペーサを外した際には、両固定板１４１、１４２の自重を配線基板３と有機ＥＬ基板４に加えることができ、その自重で押圧することができる。このスペーサは、樹脂材料３２の充填や硬化の際に適宜用いられる。
【００４６】
次に、押圧装置１４０を用いた配線基板３と有機ＥＬ基板４の貼り合わせ工程について説明する。
まず、上記の押圧装置１４０における下部固定板１４１及び上部固定板１４２に配線基板３と有機ＥＬ基板４を載置する。これにより、接触面１４１ａと非形成面３ａが接触配置され、接触面１４２ａと非形成面４ａが接触配置される。そして、吸引機構１４３が作動することにより、配線基板３と有機ＥＬ基板４が吸引され、接触面１４１ａ、１４２ａに配線基板３と有機ＥＬ基板４が完全に密着する。ここで、接触面１４１ａ、１４２ａは高精度な平坦面であるので、吸引機構１４３による吸引より、配線基板３と有機ＥＬ基板４の反りが矯正される。
【００４７】
次に、図１０に示すように、駆動機構を動作させることにより、下部固定板１４１と上部固定板１４２を近づけて、陰極２５に導通部材３０が接触し、導通部材３０は潰されて塑性変形する。この状態で、配線基板３と有機ＥＬ基板４を所定の隙間で維持するために、下部固定板１４１と上部固定板１４２の間にスペーサを設置する。
そして、この状態で約１００℃程度の熱処理を施すことにより、導通部材３０を硬化させる。これにより、導電性部材３０を塗布するだけでなく、熱処理によって導電性部材３０が硬化されるので、導電性部材３０は有機ＥＬ接続部１５と陰極２５とを確実に導通する。
【００４８】
（樹脂膜の形成工程）
次に、図１１を参照して、樹脂材料３２を配線基板３と有機ＥＬ基板４の間に充填し、樹脂膜３１を形成する工程について説明する。図１１は、下部固定板１４１と上部固定板１４２によって配線基板３と有機ＥＬ基板４が所定間隔で保持された状態を示す外観図である。
図１１に示すように、配線基板３と有機ＥＬ基板４の端部に樹脂材料３２を供給する樹脂供給部５０を設置し、他方の端部には配線基板３と有機ＥＬ基板４の外周を仮封止するシリコンゴム５２を設け、当該シリコンゴム５２を介して両基板間の空間に連通する吸引装置５１を設けている。
次に、この状態で吸引装置５１が吸引すると共に、樹脂供給部５０が樹脂材料３２を供給することにより、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間に樹脂材料３２が充填される。
【００４９】
次に、下部固定板１４１と上部固定板１４２の間に設けられていたスペーサを取り外し、下部固定板１４１と上部固定板１４２のそれぞれの自重によって配線基板３と有機ＥＬ基板４とを押圧する。更に、樹脂材料３２を硬化し、下部固定板１４１と上部固定板１４２を取り外すことにより、図１に示すように有機ＥＬ装置１が形成される。そして、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間には、導通部材３０と樹脂膜３１が形成されている。
【００５０】
上記の製造方法によって製造された図１に示す有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板４における配線基板３側から、順に陰極２５、有機ＥＬ素子、正孔注入／輸送層、陽極が配置された、透明基板２０側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
【００５１】
上述したように、有機ＥＬ装置１の製造方法においては、ＴＦＴ１３と有機ＥＬ素子２１とを導通させる可塑性の導通部材３０を形成する工程と、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間に樹脂膜３１を形成する工程とを有しているので、配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせた際に、導通部材３０が塑性変形し、樹脂膜３１内に収縮応力が残留しないので、ＴＦＴ１３、有機ＥＬ接続部１５、有機ＥＬ素子２１等の剥離や破壊を防止することができる。従って、ＴＦＴ１３と有機ＥＬ素子２１の間の導通を確実に得ることができる。
【００５２】
また、配線基板３上又は有機ＥＬ基板４上に銀ペーストを塗布する工程と、当該銀ペーストを硬化させる工程とによって導通部材３０を形成しているので、単に銀ペーストを塗布するだけでなく、当該両基板３、４間において銀ペーストを硬化させるので、確実に導電性部材を塑性変形させることができる。
【００５３】
また、樹脂材料３２を配線基板３と有機ＥＬ基板４の間に充填する工程と、樹脂材料３２を配線基板３と有機ＥＬ基板４の間で硬化する工程とによって樹脂膜３１を形成しているので、単に樹脂材料３２を充填するだけでなく、当該両基板３、４間において樹脂材料３２を硬化させるので、確実に樹脂材料を硬化できる。
【００５４】
また、樹脂材料３２を充填する前に銀ペーストを硬化しているので、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間において銀ペーストを確実に硬化させた状態で樹脂材料３２が充填される。従って、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間に樹脂材料３２を充填する際に、樹脂材料３２の流動により銀ペーストが変形、破壊することがなく、導通部材３０を所望の形状に維持させることができる。
【００５５】
また、上記の下部固定板１４１と上部固定板１４２とを用いるので、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の凹凸部が矯正され、高精度の平坦度、及び平行度が維持されながら、貼り合わせることができる。更に、吸引手段を有しているので、下部固定板１４１及び上部固定板１４２に配線基板３と有機ＥＬ基板４を密着することができる。上記の効果を更に促進することができる。従って、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間隔を均一にすることができる。そして、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間に充填された樹脂膜３１は、一様な膜厚となる。更に、有機ＥＬ基板４の有機ＥＬ素子２１が発光する際には、当該有機ＥＬ素子２１の発光光が有機ＥＬ基板４（透明基板２０）の平坦面から出射されるので、良好な画像表示特性が得られる。
【００５６】
また、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の端部に樹脂材料３２を配置させた状態で、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間の空間を吸引するので、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の間の空間内が減圧され、樹脂材料３２が当該減圧された空間に満たされる。従って、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間の空間に樹脂材料３２を良好に充填することができる。
【００５７】
なお、本実施形態においては、樹脂材料３２を充填する前に銀ペーストを硬化し、導通部材３０を形成しているが、樹脂材料３２を充填した後に、銀ペーストと樹脂材料３２を共に硬化してもよい。この場合においては、銀ペーストと樹脂材料３２をそれぞれ硬化させるために必要であった２工程を１工程にまとめることができるので、工程の簡略化を達成できる。
【００５８】
（有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態について図１２を参照して説明する。
本実施形態においては、樹脂材料３２を充填する方法のみが異なっており、他の構成及び製造工程は上記実施形態と同様であるので、同一符号を付して説明を簡略化する。
図１２は樹脂充填装置２００の構成を説明するための側断面図であり、図１２（ａ）は樹脂材料３２が充填される前の状態を示す図、図１２（ｂ）は樹脂材料３２が充填された後の状態を示す図である。
【００５９】
樹脂充填装置２００は、チャンバ２０１と、パージ部２０２と、排気部２０３と、樹脂材料３２を備えた容器２０４とから構成されており、チャンバ２０１内には、下部固定板１４１及び上部固定板１４２によって保持された上述の配線基板３と有機ＥＬ基板４とが配置されている。
【００６０】
次に、樹脂充填装置２００の動作について説明する。
まず、図１２（ａ）に示すように、排気部２０３が動作することによりチャンバ２０１内を真空雰囲気にする。この状態で、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の端部を容器２０４内の樹脂材料３２に漬ける。なお、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の他方の端部にはシリコンゴム５２が設けられており、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間の空間が密閉された状態となっている。
次に、図１２（ｂ）に示すように、排気装置２０３の動作を停止し、パージ部２０２がチャンバ２０１内に大気を供給する。すると、チャンバ２０１内の圧力が上昇し、容器２０４内の樹脂材料３２が配線基板３と有機ＥＬ基板４の間の空間に流動し、当該空間内に樹脂材料３２が充填される。
【００６１】
次に、上記の実施形態と同様に下部固定板１４１と上部固定板１４２の間に設けられていたスペーサを取り外し、下部固定板１４１と上部固定板１４２のそれぞれの自重によって配線基板３と有機ＥＬ基板４とを押圧する。更に、樹脂材料３２を硬化し、下部固定板１４１と上部固定板１４２を取り外すことにより、図１に示すように有機ＥＬ装置１が形成される。
【００６２】
このように本実施形態においては、チャンバ内の圧力を上昇させることによって、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間の空間のみが減圧雰囲気になるので、樹脂材料が当該減圧された空間に満たされる。従って、配線基板３と有機ＥＬ基板４の間の空間に樹脂材料を良好に充填することができる。
【００６３】
（有機ＥＬ装置の製造方法の第３実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の製造方法の第３実施形態について図１３を参照して説明する。
本実施形態においては、樹脂材料３２の充填に先立って、配線基板３と有機ＥＬ基板４に樹脂膜３１’（樹脂材料３２’）を形成した構成となっている。
なお、他の構成及び製造工程は上記実施形態と同様であるので、同一符号を付して説明を簡略化する。
【００６４】
まず、導通部材３０が形成された配線基板３上に樹脂材料３２’を塗布し、更に、有機ＥＬ基板４上に樹脂材料３２’を塗布する。ここで、樹脂材料３２’は、公知の液相法によって形成されたものであり、未硬化である。
このように樹脂材料３２’を予め形成した後に、上記実施形態と同様に下部固定板１４１と上部固定板１４２を用いて、配線基板３と有機ＥＬ基板４を対向配置し、図１１又は図１２に示したように樹脂材料３２を充填する。
このように、樹脂材料３２を充填する工程の前に、樹脂膜３１’（樹脂材料３２’）が予め形成されているので、当該樹脂膜３１’の表面は、濡れ性が向上された状態となる。この状態において、樹脂材料３２を充填することにより、樹脂材料３２は配線基板３と有機ＥＬ基板４の間で良好に流動し、気泡が混入することがない。従って、良好に樹脂材料３２を充填することができ、樹脂膜３１を形成することができる。
【００６５】
なお、本実施形態においては、配線基板３と有機ＥＬ基板４の両側に樹脂膜３１’を形成した構成となっているが、２つの基板３、４のうちいずれか一方に形成されているだけでもよい。
また、樹脂材料３２’と樹脂材料３２は、同一の材料でも異なる材料でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の電気光学装置の第１実施形態の要部構成を示す断面図。
【図２】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図３】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図４】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図５】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図６】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図７】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図８】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図９】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図１０】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図１１】本発明の電気光学装置の第１実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図１２】本発明の電気光学装置の第２実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【図１３】本発明の電気光学装置の第３実施形態の製造工程を説明するための説明図。
【符号の説明】
【００６７】
１…有機ＥＬ装置（電気光学装置）
２…基板接合体
３…配線基板（第１基板、駆動回路基板）
４…有機ＥＬ基板（第２基板、電気光学基板）
１３…ＴＦＴ（第１機能素子、駆動素子）
２１…有機ＥＬ素子（発光機能素子）
２５…陰極（第２機能素子、発光機能素子）
３０…導通部材
３１、３１’…樹脂膜
３２、３２’…樹脂材料
１４１…下部固定板（第１固定板）
１４２…上部固定板（第２固定板）
１４３…吸引機構（吸引手段）
２０１…チャンバ
【図１】
2005134453.tif 000003
【図２】
2005134453.tif 000004
【図３】
2005134453.tif 000005
【図４】
2005134453.tif 000006
【図５】
2005134453.tif 000007
【図６】
2005134453.tif 000008
【図７】
2005134453.tif 000009
【図８】
2005134453.tif 000010
【図９】
2005134453.tif 000011
【図１０】
2005134453.tif 000012
【図１１】
2005134453.tif 000013
【図１２】
2005134453.tif 000014
【図１３】
2005134453.tif 000015