(57)【要約】【課題】問題点が起きて、中身を分解検討する場合、樹脂ケースを外して基板アセンブリ単体になった場合であっても製造日や製造ラインを特定することができる個体メモリカードの印字方法を得ること。【解決手段】本発明の個体メモリカードの印字方法は、樹脂製ケース２の内部に樹脂で封止された半導体装置３ａなどの部品が収納されている個体メモリカード１の前記樹脂製ケース２の表面にレーザ光Ｌで文字、記号、或いは番号を印字することにより前記部品３の樹脂表面にも同様の文字、記号、或いは番号の全て或いはその一部を同時に印字することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製ケースの表面と該樹脂製ケースの内部に樹脂で封止された半導体装置などの部品の表面の同一位置に同一の文字、記号、或いは番号が溶融により印字されていることを特徴とする個体メモリカード。
【請求項２】
樹脂製ケースの内部に樹脂で封止された半導体装置などの部品が収納されている個体メモリカードの前記樹脂製ケースの表面にレーザ光で文字、記号、或いは番号を印字することにより前記部品の樹脂表面にも同様の文字、記号、或いは番号の全て或いはその一部を印字することを特徴とする個体メモリカードの印字方法。
【請求項３】
前記部品が前記半導体装置であることを特徴とする請求項１に記載の個体メモリカードの印字方法。
【請求項４】
前記樹脂製ケースの樹脂がポリカーボネート樹脂であり、前記封止樹脂が主としてエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の個体メモリカードの印字方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個体メモリカードに文字、記号、或いは番号の管理情報を印字する個体メモリカードの印字方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
メモリスティック（ソニー株式会社の商標）やＰＣカードに代表されるような個体メモリカードは二分された樹脂製ケースの一方のシェルに、樹脂封止された半導体装置（ＩＣ）や受動素子が搭載された電子回路基板（以下、単に「基板アセンブリ」と略記する）が納められ、その上から他方のシェルを被せて超音波で溶着されている。
【０００３】
前記樹脂製ケースの表面には文字、記号、或いは番号などの管理情報（以下、単に「管理情報」と記す）が印字されており、一方の半導体装置の封止樹脂の表面には、通常、前記樹脂製ケースに印字された管理情報とは異なる独自の管理情報が印字されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
個体メモリカードに問題点が生じて、中身を分解し、検討する必要がある場合がある。そのような場合、樹脂製ケースを分解して前記基板アセンブリを取り出さなければならない。通常、樹脂製ケースは前記のように溶着されていることから、分解は殆ど破壊作業になる。このため印字されたシェルが行方不明になったり、或いは基板アセンブリと一対一の対応が付けられなくなることがしはしばある。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決しようとするものであって、問題点が起きて、中身を分解検討する場合、樹脂ケースを外して基板アセンブリ単体になった場合であっても製造日や製造ラインを特定することができる個体メモリカードの印字方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
それ故、本発明の個体メモリカードは、樹脂製ケースの表面と該樹脂製ケースの内部に樹脂で封止された半導体装置などの部品の表面の同一位置に同一の文字、記号、或いは番号が溶融により印字されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の個体メモリカードの印字方法は、樹脂製ケースの内部に樹脂で封止された半導体装置などの部品が収納されている個体メモリカードの前記樹脂製ケースの表面にレーザ光で文字、記号、或いは番号を印字することにより前記部品の樹脂表面にも同様の文字、記号、或いは番号の全て或いはその一部を同時に印字することを特徴とする。
【０００８】
従って、本発明の個体メモリカードの印字方法によれば、樹脂製ケースと、その樹脂製ケース内に収納された半導体装置などの部品の封止樹脂の表面に同一の管理情報を同時に印字することができる。
【発明の効果】
【０００９】
従って、本発明によれば、
１．樹脂製ケースを外して基板アセンブリ単体になった場合にも製造日や製造ラインを特  定することができる
２．樹脂製ケースと基板アセンブリとを１工程で印字することができる
などの効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、樹脂製ケースの内部に樹脂で封止された半導体装置などの部品が収納されている個体メモリカードの前記樹脂製ケースの表面にレーザ光を照射し、その熱エネルギーにより管理情報を印字する。その時に前記レーザ光は樹脂製ケースを透過し前記部品の樹脂表面にも同様の管理情報の全て或いはその一部を同時に印字することができる。
【実施例１】
【００１１】
以下、図を用いて、本発明の個体メモリカード及びその印字方法を説明する。
【００１２】
図１は本発明の個体メモリカードの印字方法によりメモリスティックの表面にレーザ光を用いて管理情報を印字している状態を示す裏面から見た斜視図、そして図２は同一の管理情報が印字された樹脂製ケースと基板アセを示す分解図である。
【００１３】
図には個体メモリカードとして、メモリスティックを採り上げて示した。このメモリスティック１は、図２に示したように、樹脂製ケース２と、半導体装置３ａ、３ｂ、図示していないが受動素子などの部品が半田付けされた電子回路基板４とこの電子回路基板４の先端部に形成された複数の電極端子５などからなる基板アセンブリ６とから構成されている。
【００１４】
樹脂製ケース２は本体シェル２ａと蓋体シェル２ｂとから構成されていて、本体シェル２の内部に基板アセンブリ６が収納され、この上から蓋体シェル２ｂを嵌め込み、超音波で溶着されている。なお、蓋体シェル２ｂの前記電極端子５に対応して複数のスリット３ｃが形成されている。
【００１５】
樹脂製ケース２の樹脂はポリカーボネート樹脂であり、半導体装置３ａ、３ｂの記封止樹脂は主原料がエポキシ樹脂でカーボンやフィラーが混入されたものである。
【００１６】
このようなメモリスティック１の蓋体シェル２ｂ側からその表面にレーザ光Ｌを照射して所要の文字、記号、或いは番号からなる管理情報Ａ、Ｂ、Ｃを印字する。そうすると、その熱エネルギーが蓋体シェル２ｂを通過して、その蓋体シェル２ｂの下側に存在する半導体装置３ａの封止樹脂上に到達して、その封止樹脂の表面にも前記と同様の管理情報Ａ、Ｂ、Ｃが印字される。
【００１７】
従って、蓋体シェル２ｂと基板アセンブリ６との管理情報が一致した印字ができ、管理しやすくなる。これの例の場合は、半導体装置３ａの位置が蓋体シェル２ｂの印字部分と一致しているために同一の管理情報Ａ、Ｂ、Ｃが印字された状態で示されているが、半導体装置３ａの位置がずれておれば、管理情報Ａ、Ｂ、Ｃの一部分のみが印字された状態となる。このような位置ずれがあった場合でも、主要な情報部分が印字されておれば管理は容易である。
【００１８】
レーザ光による印字は、日本電気株式会社製のＳＬ４７５Ｋを使用し、電流値を１６．５Ａ、文字の書込速度を１３０ｍｍ／ｓｅｃ、レーザの周波数１．５ｋＨｚに設定して行った。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
前記の実施例では、個体メモリカードとしてメモリスティックを採り上げて説明したが、本発明はＳＤカード、コンパクトフラッシュ(登録商標)などにも適用できることを付言しておく。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の個体メモリカードの印字方法によりメモリスティックの表面にレーザ光を用いて管理情報を印字している状態を示す裏面側から見た斜視図である。
【図２】図２は同一の管理情報が印字された樹脂製ケースと基板アセを示す分解図である。
【符号の説明】
【００２１】
１…メモリスティック、２…樹脂製ケース、２ａ…本体シェル、２ｂ…蓋体シェル、３ａ，３ｂ…半導体装置、４…電子回路基板、５…電極端子、６…基板アセンブリ、Ｌ…レーザ光
【図１】
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【図２】
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