(57)【要約】【課題】従来の内包フラーレン製造装置では、フラーレン導入部と内包フラーレン堆積基板との間に配置したプラズマプローブによりプラズマ中の電子密度を測定し、内包フラーレンの原料となるアルカリ金属イオンとフラーレンイオンの密度を測定していた。しかし、この方法では、アルカリ金属イオン密度とフラーレンイオン密度を独立して測定することができないので、内包フラーレンの成膜が可能であるか、あるいは原料の補充を補ったり、装置の点検を行うべきか判断することができないという問題があった。【解決手段】アルカリ金属プラズマ発生部とフラーレン導入部との間に第一のプラズマプローブを配置し、フラーレン導入部と内包フラーレン堆積基板との間に第二のプラズマプローブを配置することにした。各プローブでプラズマ中の電子密度を測定することで、アルカリ金属イオン密度とフラーレンイオン密度を独立に測定することが可能になった。【選択図】              図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内において、内包対象原子のプラズマ発生部において発生したプラズマ流に、フラーレン導入部からフラーレンを導入し、該プラズマ流の下流に配置した堆積基板に内包フラーレンを堆積させる内包フラーレンの製造装置において、前記内包対象原子のプラズマ発生部と前記フラーレン導入部との間に第一のプラズマプローブを配置し、前記フラーレン導入部と前記堆積基板との間に第二のプラズマプローブを配置することを特徴とする内包フラーレン製造装置。
【請求項２】
前記第一のプラズマプローブと前記プラズマ発生部における内包対象原子導入部とが0.4cm以上、3.6cm以下の距離で離間し、前記第一のプラズマプローブと前記フラーレン導入部における再昇華円筒が0.4cm以上、3.6cm以下の距離で離間していることを特徴とする請求項１記載の内包フラーレン製造装置。
【請求項３】
前記第一のプラズマプローブと前記プラズマ発生部における内包対象原子導入部とが0.8cm以上、3.2cm以下の距離で離間し、前記第一のプラズマプローブと前記フラーレン導入部における再昇華円筒が0.8cm以上、3.2cm以下の距離で離間していることを特徴とする請求項１記載の内包フラーレン製造装置。
【請求項４】
前記プラズマ発生部における内包対象原子導入部と再昇華円筒との間の距離に対し、前記第一のプラズマプローブと前記内包対象原子導入部とが前記距離の１０％以上、９０％以下の距離で離間し、前記第一のプラズマプローブと前記再昇華円筒が前記距離の１０％以上、９０％以下の距離で離間していることを特徴とする請求項１記載の内包フラーレン製造装置。
【請求項５】
前記プラズマ発生部における内包対象原子導入部と再昇華円筒との間の距離に対し、前記第一のプラズマプローブと前記内包対象原子導入部とが前記距離の２０％以上、８０％以下の距離で離間し、前記第一のプラズマプローブと前記再昇華円筒が前記距離の２０％以上、８０％以下の距離で離間していることを特徴とする請求項１記載の内包フラーレン製造装置。
【請求項６】
前記第一のプラズマプローブがプラズマを構成する電子の密度を測定するプラズマプローブであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか1項記載の内包フラーレン製造装置。
【請求項７】
前記内包対象原子がアルカリ金属であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか1項記載の内包フラーレン製造装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか1項記載の内包フラーレン製造装置を使用して内包フラーレンを製造する内包フラーレンの製造方法において、
前記第一のプラズマプローブのプラズマ電流値を第一の電流設定値と比較する工程と、
前記第一のプラズマプローブのプラズマ電流値が前記第一の電流設定値以下であれば、内包フラーレンの堆積を停止し、内包原子材料の補充あるいは内包原子導入系の点検を行う工程と、
前記第一のプラズマプローブのプラズマ電流値が前記第一の電流設定値よりも大きければ、前記第二のプラズマプローブのプラズマ電流値を第二の電流設定値と比較する工程と、
前記第二のプラズマプローブのプラズマ電流値が前記第二の電流設定値以上であれば、内包フラーレンの堆積を停止し、フラーレン材料の補充あるいはフラーレン導入系の点検を行う工程と、
前記第二のプラズマプローブのプラズマ電流値が前記第二の電流設定値よりも小さければ、内包フラーレンの堆積が可能であると判断し、堆積の継続あるいは開始を行う工程
からなることを特徴とする内包フラーレンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空容器内において、内包対象原子のプラズマ流に、フラーレンを導入し、プラズマ流の下流に配置したプレートに内包フラーレンを堆積させる内包フラーレン製造装置に係り、特に、プラズマ状態を監視するためのプラズマプローブを備えた内包フラーレン製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
【非特許文献１】プラズマ・核融合学会誌  第７５巻第８号  1999年8月                p.９２７〜９３３「フラーレンプラズマの性質と応用」
【０００３】
内包フラーレンは、フラーレンとして知られるC60などの球状炭素分子に、例えば、アルカリ金属などの内包対象原子を内包した、エレクトロニクス、医療などへの応用が期待される材料である。内包フラーレンの製造方法としては、真空室中で加熱したホットプレートに対し金属蒸気を噴射してプラズマを発生させ、発生した金属プラズマ流にフラーレン蒸気を噴射し、プラズマ流の下流に配置した堆積基板に内包フラーレンを堆積させる方法が知られている。プラズマを利用した内包フラーレンの製造装置は、図２に示すように、真空容器１０１と、内包対象原子のプラズマ流を形成するための手段と、プラズマ流にフラーレンを導入するための手段と、プラズマ流の下流に配置した堆積基板１０７とを有している。アルカリ金属のプラズマ流の形成手段は、ホットプレート１０３とアルカリ金属の蒸発用オーブン１０４とから構成されている。蒸発用オーブン１０４から内包対象原子であるアルカリ金属を噴射すると、接触電離によってプラズマが生成する。生成したプラズマは電磁コイル１０２により形成された均一磁場（Ｂ＝２〜７ｋＧ）に沿って真空容器１０１内の軸方向に閉じ込められ、ホットプレート１０３から堆積基板１０７に向かって流れるプラズマ流となる。フラーレンを導入するための手段は、フラーレン昇華用オーブン１０５、再昇華円筒１０６とから構成されている。再昇華円筒１０６において、フラーレン昇華用オーブン１０５から昇華したC60などのフラーレン蒸気をプラズマ流に噴射すると、電子親和力が大きいC60にプラズマ流を構成する電子が付着してC60の負イオンが発生する。その結果、アルカリ金属として、例えば、ナトリウムを用いた場合に、
【化１】
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の反応により、プラズマ流は、アルカリ金属正イオン、フラーレン負イオン、及び残留電子が混在するプラズマ流となる。このようなプラズマ流の下流に堆積基板１０７を配置し、堆積基板１０７に正のバイアス電圧を印加すると、質量の小さいアルカリ金属正イオンが減速され、質量の大きいフラーレン負イオンが加速されることでアルカリ金属正イオンとフラーレン負イオンの相互作用が大きくなり、内包化が起こりやすくなる。また、バイアス電圧を最適化して内包率を向上させることが可能である。（非特許文献１)
【０００４】
係る製造装置を使用して内包フラーレンを製造する場合には、プラズマの状態を調べて内包フラーレンの原料となるアルカリ金属イオンとフラーレンイオンがプラズマに十分供給されているか監視する必要がある。プラズマ状態を調べる方法としては、図４に示すラングミュアプローブを用いる方法と、図５に示すイオンセンシティブプローブを用いる方法がある。プローブに正のバイアス電圧を印加すると、ラングミュアプローブではフラーレンよりも質量が軽く速度の大きい電子がプローブ先端のタンタルワイヤー２３に捕集されるので、プラズマ中の電子密度（自由電子の密度）を測定することができる。一方、イオンセンシティブプローブでは、シールド電極２５にコレクタ２６よりも高い電圧を印加する。フラーレンよりも磁化プラズマ中でラーモア半径の小さい電子はシールド電極２５に捕集されてコレクタ２６に到達できないため、コレクタ２６に流れる電流からフラーレンイオンの密度を測定することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図２に示す従来の内包フラーレン製造装置では、フラーレン導入部と内包フラーレン堆積基板１０７との間にラングミュアプローブ１０９とイオンセンシティブプローブ１０８を配置し、電子密度とフラーレンイオン密度とを測定していた。測定される電子密度はアルカリ金属イオンの生成時に発生する電子密度から、フラーレンに付着して消滅する電子密度を減じたものであるため、電子密度とフラーレンイオン密度とを測定することで、アルカリ金属イオンの密度を間接的に測定することができる。そのため、内包フラーレンの製造中に、内包フラーレンの生成に必要なアルカリ金属イオンとフラーレンイオンとが十分プラズマ中に存在するか監視することができる。しかし、フラーレンイオンを捕集してイオン密度を測定するイオンセンシティブプローブでは、フラーレン分子がプローブに付着する。原子を内包しない空のフラーレンは絶縁性であり、プローブに付着するフラーレン分子が厚くなると、測定精度が劣化する、あるいは測定不能になる。そのため、プローブの交換あるいはクリーニングを頻繁に行う必要があり、保守作業が容易ではないという問題があった。
【０００６】
従って、図３に示す従来の内包フラーレン製造装置を使用して、ラングミュアプローブ２０９により電子密度だけを測定し、プラズマ中のアルカリ金属イオンとフラーレンイオンの密度を推定する方法も使用されていた。
【０００７】
図８は、従来の内包フラーレン製造装置において、ラングミュアプローブを使用したプローブ電流の時間変化の測定例である。
(a)は、アルカリ金属が十分供給されている間に、フラーレン供給を開始（時刻３４）して、一定時間経過後にフラーレン供給を停止（時刻３５）した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
(b)は、アルカリ金属が十分供給されているが、フラーレン供給を停止（時刻３５）した後にも、反応室内に残留したフラーレンからフラーレン分子がプラズマ中に供給されている場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
(c)は、フラーレンを供給中にアルカリ金属の供給が減少した状態で、フラーレンの供給を停止（時刻３５）した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
【０００８】
(c)の場合には、フラーレンイオンの発生は停止しているので、本来、グラフ中、点線で示す電流まで電子密度が増えるべきところを、アルカリ金属の供給が減少しているために、グラフ中、実線で示す電流まで電子密度が減少してしまう。
【０００９】
従って、Ip2の時間変化を観測するだけでは、(b)の場合と(c)の場合を区別することはできない。内包フラーレンの製造装置はステンレスなどの金属でできており、外部から、内包フラーレンの原料となるアルカリ金属やフラーレンが、それぞれアルカリ金属蒸発用オーブンやフラーレン昇華用オーブンに十分残っているか目視で確認することができない。また、プラズマ発生部に故障があって、原料があっても蒸発あるいは、昇華が十分行われないとか、加熱が十分されていないとか、イオン化がうまくいかないなどの装置の不具合があることもある。しかし、従来の図３による内包フラーレン製造装置では、上記した(b)と(c)の場合を区別して、成膜作業を継続できるか、保守作業をすべきか判断することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
内包対象原子のプラズマ発生部とフラーレン導入部との間に第一のプラズマプローブを配置し、前記フラーレン導入部と前記堆積基板との間に第二のプラズマプローブを配置することにした。また、第一のプラズマプローブ、第二のプラズマプローブにより測定した各プラズマ電流値と予め設定した電流の限界値とを比較して、成膜あるいは保守を行う手順を決めたフローチャートを作成した。
【発明の効果】
【００１１】
（１）アルカリ金属イオンとフラーレンイオンの密度を独立して監視することができるので、各イオンが十分供給されているかどうか容易に知ることができる。従って、成膜を継続できるか、保守作業を行うべきか適切に判断することができる。
（２）プラズマ電流を測定して設定電流値と比較することにより、次に行うべき作業の判断が可能になるので、コンピュータによる内包フラーレンの自動制御が可能になる。
（３）電子密度を測定する条件でプラズマプローブを使用するので、プローブへのイオン付着による測定精度の劣化が防止できる。また、プローブの交換やクリーニング作業頻度を減らすことができるので、装置の保守費用低減や停止時間短縮に効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は本発明の内包フラーレン製造装置の断面図である。ホットプレート３、アルカリ金属蒸発用オーブン４からなるプラズマ発生部と、フラーレン昇華用オーブン５、再昇華円筒６からなるフラーレン導入部との間に第一のラングミュアプローブ８を配置して、フラーレン導入部と堆積基板７との間に第二のラングミュアプローブ９を配置している。
【実施例】
【００１３】
（ラングミュアプローブ）
図４(a)は、ワイヤー形ラングミュアプローブの円筒方向断面図、及び、 (b)は、 (a)のA-A’平面におけるワイヤー形ラングミュアプローブの断面図である。図４(a)に示すように、ラングミュアプローブは先端にフラーレンによる汚染防止のためのシールドチューブ２２を取り付けたセラミックチューブ２１、及び、セラミックチューブ内に配置したタンタルワイヤー２３から構成される。図６にラングミュアプローブの測定回路を示す。ヒータ電圧Vhを印加してワイヤーを加熱したプローブ３１にプローブ電圧Vpを印加すると、プラズマを構成する荷電粒子がプローブに流れ込み、プラズマの密度、温度、電位などに依存したプローブ電流Ipが流れる。
【００１４】
図６に示すように、プローブに対して正のプローブ電圧Vpを印加している場合には、負の荷電粒子であり、フラーレンイオンよりも質量の軽い電子がプローブに捕集される。プラズマ中の電子の流れ込みによるプローブ電流Ieは、Iｐを正のVpを印加した時のプローブ電流、Iiを負のVpを印加した時のプローブ電流として補正を行い、
【数１】
2005097006.tif 000004
で計算することができる。Ieの値から電子密度nは、
【数２】
2005097006.tif 000005
で求めることができる。ただし、meは電子の質量（me＝9.11×10-31kg）、kはボルツマン定数（k=1.38×10-23J/K）、eは電子の電荷(e=1.602×10-19C)、Sはプローブの表面積、Teは電子温度でlogIe vs. Vp直線の未飽和部の勾配から
【数３】
2005097006.tif 000006
を用いて計算できる。従って、電子によるプローブ電流は、プラズマ中の電子密度にほぼ比例する。
【００１５】
（プラズマ密度測定の実施例）
図１に示す本発明のフラーレン製造装置は、第一のプラズマプローブによりフラーレン導入前のアルカリ金属イオンと電子のみにより構成されたプラズマにおける電子密度を測定する。また、第二のプラズマプローブによりフラーレン導入後のアルカリ金属イオン、電子、フラーレンイオンから構成されたプラズマにおける電子密度を測定する。電子、アルカリ金属イオン、フラーレンイオンの各荷電粒子の密度をそれぞれ、ne、nA、nFとすると、
第一のプラズマプローブの位置においては、
ne＝nA
第二のプラズマプローブの位置においては、
ne＝nA- nF
が成り立つので、第一のプラズマプローブのプローブ電流Ip1からアルカリ金属イオンの密度を求め、第二のプラズマプローブのプローブ電流Ip2とIp1からフラーレンイオンの密度を求めることができる。
【００１６】
（第一のプラズマプローブの位置）
図１において、アルカリ金属蒸発用オーブン４において蒸発した金属原子をプラズマ発生部に導入する導入管とフラーレン導入部における再昇華円筒６との距離をLとし、
前記導入管と第一のプラズマプローブとの距離をL1とし、
第一のプラズマプローブと再昇華円筒６との距離をL2とする。
【００１７】
前記導入管近傍の電子密度は流入する金属原子から放出される電子のために電子密度の空間内均一性が悪い。そのため、内包フラーレンの生成に関わるアルカリ金属イオン密度を正確に測定するには、L1がLの１０％以上であることが好ましい。図１に示す実施例ではL＝4cmの内包フラーレン製造装置を使用した。従って、L1は0.4cm以上が好ましい。また、アルカリ金属イオン密度測定の精度をさらに向上させるためには、L1がLの２０％以上、またはL1は0.8cm以上であることが好ましい。L1が0.4cm以上で0.8cm未満の場合は、測定精度はL1が0.8cm以上の場合に比べ悪くなるが、装置の小型化の点では有利である。
【００１８】
また、再昇華円筒６近傍の空間は、昇華した一部のフラーレンがホットプレート３の方向にも流れ、一部の電子を付着させるため電子密度が減少している。従って再昇華円筒近傍の電子密度は、金属イオン密度に正確に対応していない。そのため、内包フラーレンの生成に関わるアルカリ金属イオン密度を正確に測定するには、L２がLの１０％以上であることが好ましい。または、L２は0.4cm以上が好ましい。また、アルカリ金属イオン密度測定の精度をさらに向上させるためには、L２がLの２０％以上であること、またはL２は0.8cm以上であることが好ましい。L２が0.4cm以上で0.8cm未満の場合は、測定精度はL２が0.8cm以上の場合に比べ悪くなるが、装置の小型化の点では有利である。
【００１９】
以上の内容を整理すると、プラズマ電流の測定精度に関し、L1、L2の最適条件は、
L1が0.8cm以上、3.2cm以下であり、L2が0.8cm以上、3.2cm以下であること、または、Lに対し、L1が20%以上、80%以下であり、L2が20%以上、80%以下であることが好ましい。
【００２０】
また、装置の小型化を考慮した場合は、L1、L2の最適条件は、
L1が0.4cm以上、3.6cm以下であり、L2が0.4cm以上、3.6cm以下であること、または、Lに対し、L1が10%以上、90%以下であり、L2が10%以上、90%以下であることが好ましい。
【００２１】
（プラズマ電流の測定例）
図７は、本発明の内包フラーレン製造装置において、ラングミュアプローブを使用したプローブ電流の時間変化の測定例である。
(a)は、アルカリ金属が十分供給されている間に、フラーレン供給を開始（時刻３２）して、一定時間経過後にフラーレン供給を停止（時刻３３）した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
(b)は、アルカリ金属が十分供給されているが、フラーレン供給を停止（時刻３３）した後にも、反応室内に残留したフラーレンからフラーレン分子がプラズマ中に供給されている場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
(c)は、フラーレンを供給中にアルカリ金属の供給が減少した状態で、フラーレンの供給を停止（時刻３３）した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
【００２２】
Ip2の時間変化を観測するだけでは、(b)の場合と(c)の場合を区別することはできないが、Ip1の時間変化を同時に観測すれば、(b)の場合は、Ip1に変化がないので、アルカリ金属イオンは十分供給されていることがわかるし、(c)の場合は、Ip1が減少しているので、アルカリ金属イオンの供給に問題があり、このまま、次の内包フラーレン膜の成膜を行うことができないこと、及び、アルカリ金属材料の補充、又は、アルカリ金属プラズマ発生部の点検を行うべきであると判断することができる。
【００２３】
図９は、本発明の内包フラーレン製造装置を使用した内包フラーレンの堆積手順を示すフローチャートである。図７に示すように、アルカリ金属イオンとフラーレンイオンが真空室内に十分供給されていて内包フラーレンの堆積が可能かどうか判断するための目安として、Ip1の最小値Ip1minとIp2の最大値Ip2maxを設定する。真空室の真空度を約10-6Torrとした後、アルカリ金属蒸発用オーブンを加熱して金属蒸気を発生させ、加熱したホットプレートに金属蒸気を噴射することにより、金属プラズマを磁場の中に閉じ込めたプラズマ流を発生させる。次に、フラーレン昇華用オーブン、及び再昇華円筒を加熱して昇華したフラーレンをプラズマ流に噴射して、フラーレンイオンを発生させる。この状態で、第一のプラズマプローブと第二のプラズマプローブを真空室に挿入しIp1、Ip2を測定する。
【００２４】
最初に、Ip1とIp1minを比較する。Ip1がIp1min以下である場合には、金属イオンの供給が十分でないと判断できる。従って、内包フラーレンの堆積は開始しない。あるいは、堆積を行っていた場合は、堆積を中止する。次に、金属原料が金属蒸発用オーブン内にあるか確認する、あるいは、金属導入系の点検を行う。
【００２５】
Ip1がIp1minよりも大きい場合には、Ip2とIp2maxを比較する。Ip2がIp2max以上である場合は、内包フラーレンの堆積は開始しない。あるいは、堆積を行っていた場合は、堆積を中止する。次に、フラーレンがフラーレン蒸発昇華用オーブン内にあるか確認する、あるいは、フラーレン導入系の点検を行う。
【００２６】
Ip2がIp2maxよりも小さい場合は、内包フラーレンの堆積が可能と判断し、堆積を開始する、あるいは、堆積中であった場合には必要に応じ堆積を継続する。
【００２７】
内包フラーレンの堆積中に本発明により配置したプラズマプローブによるプラズマ電流の測定を定期的あるいは連続的に行い、堆積を制御するデータとする。堆積制御データの利用は、オペレータが判断するための情報としてもよいし、製造装置を制御するコンピュータに入力し装置の自動制御を行ってもよい。また、金属イオン供給不足、フラーレンイオン供給不足の場合に、情報の表示を行ったり、警報が自動的に鳴るようにすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の内包フラーレン製造装置の断面図である。
【図２】従来の内包フラーレン製造装置の断面図である。
【図３】従来の内包フラーレン製造装置の断面図である。
【図４】(a)は、ワイヤー形ラングミュアプローブの円筒方向断面図、及び、 (b)は、 (a)のA-A’平面におけるワイヤー形ラングミュアプローブの断面図である。
【図５】(a)は、イオンセンシティブプローブの円筒方向断面図、及び、(b)は、 (a)のB-B’平面におけるイオンセンシティブプローブの断面図である。
【図６】ラングミュアプローブの測定回路図、及び測定原理を示す概念図である。
【図７】本発明の内包フラーレン製造装置において、ラングミュアプローブを使用したプローブ電流の時間変化の測定例である。(a)は、アルカリ金属が十分供給されている間に、フラーレン供給を開始して、一定時間経過後にフラーレン供給を停止した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。(b)は、アルカリ金属が十分供給されているが、フラーレン供給を停止した後にも、反応室内に残留したフラーレンからフラーレン分子がプラズマ中に供給されている場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。(c)は、フラーレンを供給中にアルカリ金属の供給が減少した状態で、フラーレンの供給を停止した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
【図８】従来の内包フラーレン製造装置において、ラングミュアプローブを使用したプローブ電流の時間変化の測定例である。(a)は、アルカリ金属が十分供給されている間に、フラーレン供給を開始して、一定時間経過後にフラーレン供給を停止した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。(b)は、アルカリ金属が十分供給されているが、フラーレン供給を停止した後にも、反応室内に残留したフラーレンからフラーレン分子がプラズマ中に供給されている場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。(a)は、フラーレンを供給中にアルカリ金属の供給が減少した状態で、フラーレンの供給を停止した場合のプローブ電流の時間変化を示すグラフである。
【図９】本発明の内包フラーレン製造装置を使用した内包フラーレンの堆積手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００２９】
１、１０１、２０１  内包フラーレン製造装置
２、１０２、２０２  電磁コイル
３、１０３、２０３  ホットプレート
４、１０４、２０４  アルカリ金属蒸発用オーブン
５、１０５、２０５  フラーレン昇華用オーブン
６、１０６、２０６  再昇華円筒
７、１０７、２０７  堆積基板
８  第一のラングミュアプローブ
９  第二のラングミュアプローブ
１０８  イオンセンシティブプローブ
１０９、２０９  ラングミュアプローブ
１０、１２、１１０，１１２、２１０、２１２  ターボ分子ポンプ  
１１、１１１、２１１  プローブ測定回路
２１、２４  セラミックチューブ
２２  シールドチューブ
２３  タンタルワイヤー
２５  シールド電極
２６  コレクター
３１  ラングミュアプローブ
３２、３４  フラーレン導入開始時刻
３３、３５  フラーレン導入停止時刻
【図１】
2005097006.tif 000007
【図２】
2005097006.tif 000008
【図３】
2005097006.tif 000009
【図４】
2005097006.tif 000010
【図５】
2005097006.tif 000011
【図６】
2005097006.tif 000012
【図７】
2005097006.tif 000013
【図８】
2005097006.tif 000014
【図９】
2005097006.tif 000015