(57)【要約】【課題】光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減可能な電界発光素子等を提供すること。【解決手段】透明電極層１０２と、反射電極層１０８と、透明電極層１０２と反射電極層１０８との間に設けられ、少なくとも発光層１０６Ｇを有する機能層１０５と、発光層１０６Ｇを挟んで反射電極層１０８に対向して設けられ、入射する光のうち一部の光を反射し、入射する光のうち他の一部の光を透過するハーフミラー層１２０と、を有し、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０とは、発光層１０６Ｇからの光とは異なる他の光であって、観察者側からハーフミラー層１２０へ入射する光Ｌ１について、ハーフミラー層１２０で反射して観察者側へ進行する光Ｌ２と、ハーフミラー層１２０を透過した後反射電極層１０８で反射して観察者側へ進行する光Ｌ３とが干渉することで弱め合うような所定の間隔Ｄａで設けられる。【選択図】      図４
2005339957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明な透明電極層と、
前記透明電極層に対向して設けられる反射電極層と、
前記透明電極層と前記反射電極層との間に設けられ、少なくとも発光層を有する機能層と、
前記発光層を挟んで前記反射電極層に対向して設けられ、入射する光のうち一部の光を反射し、入射する光のうち他の一部の光を透過するハーフミラー層と、を有し、
前記反射電極層と前記ハーフミラー層とは、前記発光層からの光とは異なる他の光であって、観察者側から前記ハーフミラー層へ入射する光について、前記ハーフミラー層で反射して前記観察者側へ進行する光と、前記ハーフミラー層を透過した後前記反射電極層で反射して前記観察者側へ進行する光とが干渉することで弱め合うような所定の間隔で設けられることを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
前記反射電極層と前記ハーフミラー層との間の光学的距離をＤａ、前記反射電極層での反射による光の位相シフト量をφａラジアン（−π＜φａ＜π）、前記ハーフミラー層での反射による光の位相シフト量をφｂラジアン（−π＜φｂ＜π）、特定のピーク波長をλ、とすると、
０＜（φａ＋φｂ）のとき、（φａ＋φｂ）λ＝２Ｄａ
（φａ＋φｂ）＜０のとき、（φａ＋φｂ＋２π）λ＝２Ｄａ
であることを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項３】
基板の上に、前記ハーフミラー層、前記透明電極層、前記機能層及び前記反射電極層が順次積層され、前記発光層からの光を前記基板の方向へ射出することを特徴とする請求項１又は２に記載の電界発光素子。
【請求項４】
前記機能層は、前記発光層に電子を輸送する電子輸送層を有し、
前記ハーフミラー層は、前記電子輸送層であって、
前記反射電極層、前記機能層及び前記透明電極層が順次積層され、前記発光層からの光を前記透明電極層の方向へ射出することを特徴とする請求項１又は２に記載の電界発光素子。
【請求項５】
前記反射電極層、前記機能層、前記透明電極層及び前記ハーフミラー層が順次積層され、前記発光層からの光を前記透明電極層の方向へ射出することを特徴とする請求項１又は２に記載の電界発光素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電界発光素子と、
前記電界発光素子を駆動するトランジスタ部と、を有することを特徴とする表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子及び表示素子、特に、電界発光素子である有機ＥＬ素子の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光素子である有機ＥＬ素子は、一般に、透明電極と金属電極とが用いられる。有機ＥＬ素子に用いられる金属電極は、発光層に効率良くキャリアを注入するほか、発光層からの光を射出側へ反射することで光利用効率を向上する役割を有する。室内の照明光や日射等の外光が照射する環境において、有機ＥＬ素子の金属電極で反射した外光は、表示光とともに観察者側へ進行する場合がある。有機ＥＬディスプレイは、外光が表示光とともに観察者側へ進行することによって、画像のコントラスト低下を引き起こす。このような画像のコントラストの低下を低減するためには、有機ＥＬ素子の金属電極における外光の反射を低減することが考えられる。有機ＥＬディスプレイにおいて画像のコントラスト低下を低減するための技術としては、例えば、特許文献１〜３に提案されているものがある。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３２１３８１号公報
【特許文献２】特開平９−１２７８８５号公報
【特許文献３】米国特許第５９８６４０１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１及び２に開示されている技術は、円偏光板を用いるものである。円偏光板を透過することで、外光のうち特定の向きに回転する円偏光成分のみが有機ＥＬ素子に入射する。有機ＥＬに入射した偏光光は、金属電極で反射することにより逆向きの円偏光となって、再び円偏光板に入射するときに遮蔽される。このようにして、円偏光板を用いる有機ＥＬ素子は、外光が観察者側へ進行することを低減する。しかしながら、円偏光板を用いる有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子の発光層からの光についても特定の偏光光のみを透過し、特定の偏光光以外の光を遮蔽する。このため、有機ＥＬ素子は、円偏光板を用いることによって発光層からの光の利用効率が低下してしまう。特許文献３に開示されている技術は、金属電極に代えて、低反射性の部材からなる低反射電極を用いるものである。低反射電極は、黒色の部材による光吸収や、多層膜による多光束干渉効果によって、入射する光の反射を低減する。低反射電極は、観察者側から有機ＥＬ素子へ入射する外光の反射を低減するばかりでなく、発光層から低反射電極へ入射する光の反射をも低減する。このため、有機ＥＬ素子は、低反射電極を用いることによって発光層からの光の利用効率が低下してしまう。
【０００５】
このように、従来の有機ＥＬ素子は、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することが困難であるという問題を有する。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減可能な電界発光素子、及びその電界発光素子を用いる表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、光学的に透明な透明電極層と、透明電極層に対向して設けられる反射電極層と、透明電極層と反射電極層との間に設けられ、少なくとも発光層を有する機能層と、発光層を挟んで反射電極層に対向して設けられ、入射する光のうち一部の光を反射し、入射する光のうち他の一部の光を透過するハーフミラー層と、を有し、反射電極層とハーフミラー層とは、発光層からの光とは異なる他の光であって、観察者側からハーフミラー層へ入射する光について、ハーフミラー層で反射して観察者側へ進行する光と、ハーフミラー層を透過した後反射電極層で反射して観察者側へ進行する光とが干渉することで弱め合うような所定の間隔で設けられることを特徴とする電界発光素子を提供することができる。
【０００７】
観察者側からハーフミラー層へ入射する外光のうち一部の光は、ハーフミラー層で反射して観察者側へ進行する。また、観察者側からハーフミラー層へ入射する外光のうち他の一部の光は、ハーフミラー層を透過した後反射電極層で反射して観察者側へ進行する。電界発光素子は、ハーフミラー層で反射した外光と、ハーフミラー層を透過した後反射電極層で反射した外光とを干渉することで弱め合う。さらに、本発明の電界発光素子は、干渉効果によって観察者側へ進行する外光のみを弱め合い、発光層からの光を低減させない構成とすることができる。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減可能な電界発光素子を得られる。
【０００８】
また、本発明の好ましい態様によれば、反射電極層とハーフミラー層との間の光学的距離をＤａ、反射電極層での反射による光の位相シフト量をφａラジアン（−π＜φａ＜π）、ハーフミラー層での反射による光の位相シフト量をφｂラジアン（−π＜φｂ＜π）、特定のピーク波長をλ、とすると、０＜（φａ＋φｂ）のとき以下の式（１）、（φａ＋φｂ）＜０のとき以下の式（２）を満たすことが望ましい。
（φａ＋φｂ）λ＝２Ｄａ    （１）
（φａ＋φｂ＋２π）λ＝２Ｄａ    （２）
【０００９】
電界発光素子は、式（１）又は式（２）を満たすことにより、外光のうちλをピークとする波長領域の光を弱め合う構成にできる。波長λを適宜設定することで、電界発光素子は、広い波長領域の外光が観察者側へ進行することを低減できる。また、電界発光素子は、発光層からの光のうち波長λをピークとする波長領域の光を増幅して射出することができる。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減可能な電界発光素子を得られる。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様によれば、基板の上に、ハーフミラー層、透明電極層、機能層及び反射電極層が順次積層され、発光層からの光を基板の方向へ射出することが望ましい。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することが可能なボトムエミッション方式の電界発光素子を得られる。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様としては、機能層は、発光層に積層され、発光層に電子を輸送する電子輸送層を有し、ハーフミラー層は、電子輸送層であって、反射電極層、機能層及び前記透明電極層が順次積層され、発光層からの光を透明電極層の方向へ射出することが望ましい。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することが可能なトップエミッション方式の電界発光素子を得られる。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様としては、反射電極層、機能層、透明電極層及びハーフミラー層が順次積層され、発光層からの光を透明電極層の方向へ射出することが望ましい。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することが可能なトップエミッション方式の電界発光素子を得られる。
【００１３】
さらに、本発明によれば、上記の電界発光素子と、電界発光素子を駆動するトランジスタ部と、を有することを特徴とする表示素子を提供することができる。上記の電界発光素子を用いることにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減可能な表示素子を得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の実施例１に係る電界発光素子を用いる表示パネル１００の構成の要部斜視図である。表示パネル１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された有機ＥＬ素子部１０と、有機ＥＬ素子部１０を封止する基板１１１とにより構成されている。電界発光素子である有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子部１０のうちトランジスタ部２１及び配線２２が設けられていない領域ＡＲに対応する部分である。有機ＥＬ素子は、画素に対応して、表示パネル１００の基板１０１平面上において略直交する２方向にマトリクス状に配置されている。トランジスタ部２１は、各有機ＥＬ素子に対応して設けられている。表示素子３０は、有機ＥＬ素子とトランジスタ部２１とから構成される部分である。
【００１６】
トランジスタ部２１は、有機ＥＬ素子を駆動する。トランジスタ部２１は、画素ごとに形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路である。配線２２は、不図示の外部電源と各トランジスタ部２１とを電気的に接続している。表示パネル１００は、配線２２を用いて各トランジスタ部２１に電気的にアクセスすることで各有機ＥＬ素子を駆動する、いわゆるアクティブマトリクス方式により画像を表示する。
【００１７】
図２は、表示パネル１００の構成を示す要部断面図である。表示パネル１００は、Ｒ光ＬＲを供給する電界発光素子である有機ＥＬ素子１１０Ｒと、Ｇ光ＬＧを供給する電界発光素子である有機ＥＬ素子１１０Ｇと、Ｂ光ＬＢを供給する電界発光素子である有機ＥＬ素子１１０Ｂとを有する。
【００１８】
有機ＥＬ素子１１０Ｒは、Ｒ光用発光層１０６Ｒを有する。Ｒ光用発光層１０６Ｒは、Ｒ光ＬＲを供給するＲ光用画素に対応して設けられている。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、Ｇ光用発光層１０６Ｇを有する。Ｇ光用発光層１０６Ｇは、Ｇ光ＬＧを供給するＧ光用画素に対応して設けられている。有機ＥＬ素子１１０Ｂは、Ｂ光用発光層１０６Ｂを有する。Ｂ光用発光層１０６Ｂは、Ｂ光ＬＢを供給するＢ光用画素に対応して設けられている。各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂは、透明電極層１０２と反射電極層１０８との間に電圧を印加することにより光を供給する。有機ＥＬ素子部１０は、ＴＦＴ層１１２と封止層１１６との間の部分である。
【００１９】
有機ＥＬ素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂは、それぞれ各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂからの光を基板１０１の方向へ射出するボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である。なお、図２は、表示パネル１００の要部として、各有機ＥＬ素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂが並列する部分の断面構成を示している。有機ＥＬ素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂは、それぞれＲ光用画素、Ｇ光用画素、Ｂ光用画素に対応している。
【００２０】
基板１０１は、光学的に透明な部材、例えば硝子や透明樹脂から構成される。基板１０１は、表示パネル１００の射出面を構成する平行平板である。基板１０１の上には、ＴＦＴ層１１２が設けられている。ＴＦＴ層１１２には、トランジスタ部２１及び配線２２が設けられている。図２に示す断面構成では、トランジスタ部２１がＴＦＴ層１１２中に配置された状態を示している。トランジスタ部２１及び配線２２をＴＦＴ層１１２に収めることで、有機ＥＬ素子部１０の土台を平坦にし、有機ＥＬ素子部１０の各層を均一な層厚で形成し易くすることもできる。
【００２１】
ＴＦＴ層１１２の上部は、パッシベーション膜１１３で構成されている。パッシベーション膜１１３は、トランジスタ部２１を外部からの湿気等から保護するために設けられている。パッシベーション膜１１３は、例えばＳｉＮ等の窒化膜で構成できる。ＴＦＴ層１１２は、例えば、色光が透過する位置において２００ｎｍの層厚となるように設けられている。ＴＦＴ層１１２の上には、バンク１１４が設けられている。バンク１１４は、画素に対応して有機ＥＬ素子部１０を有機ＥＬ素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂに分割している。
【００２２】
図３は、有機ＥＬ素子１１０Ｇの概略構成を示す。本発明において、各有機ＥＬ素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂは、特徴的部分について同様の構成を有する。従って、本実施例及び以下の実施例では、主にＧ光用の有機ＥＬ素子の構成を例として説明を行うものとする。基板１０１の上には、ＴＦＴ層１１２、ハーフミラー層１２０、透明電極層１０２、機能層１０５及び反射電極層１０８が順次積層されている。機能層１０５は、正孔輸送層１０４及びＧ光用発光層１０６Ｇを有する。機能層１０５は、透明電極層１０２と反射電極層１０８との間に設けられている。
【００２３】
ハーフミラー層１２０からＧ光用発光層１０６Ｇまでの各層は、画素に対応してバンク１１４どうしの間に設けられている。ハーフミラー層１２０は、Ｇ光用発光層１０６Ｇを挟んで反射電極層１０８に対向して設けられている。ハーフミラー層１２０は、入射する光のうち一部の光を反射し、入射する光のうちの他の一部の光を透過する。ハーフミラー層１２０としては、例えばアルミニウムや、アルミニウム−銅（ＡｌＣｕ）合金、アルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）合金等で構成することができる。ハーフミラー層１２０は、例えば１０ｎｍの層厚で設けることができる。
【００２４】
透明電極層１０２は、光学的に透明な部材から構成される陽極電極である。透明電極層１０２は、例えば金属酸化物であるＩＴＯやＩＺＯにより構成することができる。透明電極層１０２は、例えば４０ｎｍの層厚で設けられる。透明電極層１０２は、トランジスタ部２１と電気的に接続されている。透明電極層１０２の上の正孔輸送層１０４は、透明電極層１０２からの正孔を輸送してＧ光用発光層１０６Ｇに注入する。正孔輸送層１０４としては、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用いることができる。
【００２５】
正孔輸送層１０４の上のＧ光用発光層１０６Ｇは、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）で構成できる。Ｇ光用発光層１０６Ｇは、ＰＰＶのほか、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン色素、その他ベンゼン誘導体に可溶な低分子有機ＥＬ材料、高分子有機ＥＬ材料で構成しても良い。
【００２６】
反射電極層１０８は、金属層２２３を有する陰極電極である。反射電極層１０８は、画素ごとに分割されず表示パネル１００の一面に設けられている。反射電極層１０８は、機能層１０５を介して透明電極層１０２に対向して設けられている。反射電極層１０８の金属層２２３は、例えばアルミニウムで構成できる。また、反射電極層１０８は、Ｇ光用発光層１０６の側に、電子注入層であるフッ化リチウム層２２１及びカルシウム層２２２を有する。例えば、フッ化リチウム層２２１は２ｎｍ、カルシウム層２２２は２０ｎｍの層厚で形成されている。また、金属層２２３は、入射する光の透過を防ぐために他の層より厚めに、例えば２００ｎｍの層厚で形成されている。
【００２７】
Ｇ光用発光層１０６Ｇから反射電極層１０８の方向へ進行するＧ光は、主にフッ化リチウム層２２１及びカルシウム層２２２を透過して金属層２２３で反射する。厳密には、反射電極層１０８の方向へ進行するＧ光のうち一部の僅かな光は、Ｇ光用発光層１０６Ｇとフッ化リチウム層２２１との界面、及びフッ化リチウム層２２１とカルシウム層２２２との界面でも反射している。反射電極層１０８は、Ｇ光用発光層１０６Ｇから反射電極層１０８の方向へ進行するＧ光を反射する。なお、反射電極層１０８は、フッ化リチウム層２２１、カルシウム層２２２及び金属層２２３のいずれも画素に分割されず表示パネル１００の一面に形成されている。反射電極層１０８の上には、封止層１１６及び基板１１１が設けられている。封止層１１６は、基板１０１及び基板１１１の間の各層が酸化等により劣化することを防ぐ。封止層１１６は、例えば窒化酸化シリコンで形成することができる。
【００２８】
反射電極層１０８は、不図示の外部電源と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、透明電極層１０２及び反射電極層１０８を介して外部電源と接続されている。外部電源からの電圧は、トランジスタ部２１の駆動に応じて透明電極層１０２と反射電極層１０８との間に印加される。透明電極層１０２と反射電極層１０８との間に電圧を印加すると、正孔輸送層１０４は、透明電極層１０２からの正孔をＧ光用発光層１０６Ｇに注入する。また、反射電極層１０８は、電子注入層であるフッ化リチウム層２２１及びカルシウム層２２２の作用によって電子をＧ光用発光層１０６Ｇに注入する。このとき、電子のほうが正孔より容易に移動可能であることから、電子と正孔とは、Ｇ光用発光層１０６Ｇのうち正孔輸送層１０４側の位置で結合する。
【００２９】
Ｇ光用発光層１０６Ｇで電子と正孔とが結合すると、Ｇ光用発光層１０６Ｇの蛍光物質は、正孔と電子とが結合するときに生じるエネルギーによって励起される。そして、Ｇ光用発光層１０６Ｇの蛍光物質は、励起状態から基底状態に戻るときに発光現象を起こす。このとき蛍光物質は、Ｇ光の領域にピーク波長を有するスペクトルの光を発生する。このようにして、Ｇ光用発光層１０６ＧはＧ光を発生する。なお、有機ＥＬ素子１１０Ｒ及び有機ＥＬ素子１１０Ｂについても、構成及び発光メカニズムは有機ＥＬ素子１１０Ｇの場合と同様である。有機ＥＬ素子１１０ＲのＲ光用発光層１０６Ｒは、Ｒ光の領域にピーク波長を有する発光スペクトルの蛍光物質を有する。また、有機ＥＬ素子１１０ＢのＢ光用発光層１０６Ｂは、Ｂ光の領域にピーク波長を有する発光スペクトルの蛍光物質を有する。
【００３０】
図４は、観察者側から有機ＥＬ素子１１０Ｇに入射する外光の振舞いを説明するものである。外光は、各発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂからの光とは異なる他の光、例えば、室内の照明光や日射等である。観察者側から基板１０１へ入射した外光Ｌ１は、基板１０１及びＴＦＴ層１１２を透過してハーフミラー層１２０へ入射する。ハーフミラー層１２０へ入射した外光Ｌ１のうちの一部の光Ｌ２は、ハーフミラー層１２０で反射して観察者側へ進行する。
【００３１】
ハーフミラー層１２０へ入射した外光Ｌ１のうちの他の一部の光は、ハーフミラー層１２０を透過して、有機ＥＬ素子１１０Ｇの内部へ進行する。ハーフミラー層１２０を透過した光は、その後反射電極層１０８で反射して再びハーフミラー層１２０に入射する。反射電極層１０８からハーフミラー層１２０に入射した光のうちの一部の光Ｌ３は、ハーフミラー層１２０を透過して観察者側へ進行する。このときハーフミラー層１２０で反射した光は、上述と同様の振舞いを繰り返す。
【００３２】
有機ＥＬ素子１１０Ｇは、光Ｌ２と光Ｌ３、あるいはさらにハーフミラー層１２０と反射電極層１０８との間で反射した後観察者側へ進行する光が干渉することによって弱め合う。反射電極層１０８とハーフミラー層１２０とは、観察者側からハーフミラー層１２０へ入射する外光が干渉により弱め合うような所定の間隔で設けられている。有機ＥＬ素子１０６Ｇは、０＜（φａ＋φｂ）のとき式（１）、（φａ＋φｂ）＜０のとき式（２）を満足するように構成される。
（φａ＋φｂ）λ＝２Ｄａ    （１）
（φａ＋φｂ＋２π）λ＝２Ｄａ    （２）
【００３３】
式（１）、（２）において、Ｄａは、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離である。φａは、反射電極層１０８での反射による光の位相シフト量（ラジアン、−π＜φａ＜π）、φｂは、ハーフミラー層１２０での反射による光の位相シフト量（ラジアン、−π＜φｂ＜π）である。λは、特定のピーク波長であって、可視光の波長領域のうちの特定の波長である。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、式（１）又は式（２）を満たすことにより、外光のうちλをピークとする波長領域の光を弱め合う構成にできる。ここで、光は、もとの位相から２πシフトすることで、もとの位相に戻るものとして説明を行う。
【００３４】
図５は、有機ＥＬ素子１１０ＧにおけるＧ光用発光層１０６Ｇからの光の振舞いを説明するものである。透明電極層１０２と反射電極層１０８との間に電圧を印加すると、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、Ｇ光用発光層１０６Ｇのうち正孔輸送層１０４側の位置で光を発生する。Ｇ光用発光層１０６Ｇは、光の発生位置から全方向へ光を放射する。Ｇ光用発光層１０６Ｇで発生した光は、透明電極層１０２側の方向、及び反射電極層１０８の方向へ進行する。
【００３５】
図５には、Ｇ光用発光層１０６Ｇから透明電極層１０２の方向へ進行する光の振舞いを示している。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間で光を共振させる、光共振器を構成する。Ｇ光用発光層１０６Ｇから透明電極層１０２の方向へ進行する光のうち一部の光Ｌ４は、ハーフミラー層１２０で反射し、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間を１往復した後ハーフミラー層１２０を透過する。また、他の一部の光Ｌ５は、ハーフミラー層１２０で反射し、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間を２往復した後ハーフミラー層１２０を透過する。
【００３６】
ハーフミラー層１２０を透過した光Ｌ４、Ｌ５は、いずれも観察者側へ進行する。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、光Ｌ４とＬ５、あるいはそれ以上ハーフミラー層１２０及び反射電極層１０８の間を往復した後射出する光が干渉することによって共振する。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、光共振器構造において光を往復させることにより、共振波長の光のみを増幅して取り出すことができる。
【００３７】
図４に示す光Ｌ２は、ハーフミラー層１２０での反射により、位相がπシフトしている。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、位相がπずれた光Ｌ２と、位相がシフトしていない光Ｌ３との干渉により波長λをピークとする特定の波長領域の光を弱め合う。これに対して、図５に示す光Ｌ４、光Ｌ５は、いずれも位相がシフトしていない。従って、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、外光のうち波長λをピークとする光を弱め合うと同時に、発光層１０６Ｇからの光のうち波長λをピークとする波長領域の光を強め合う構成になる。
【００３８】
なお、各層が所定の層厚で設けられる多層構造物に光を入射する場合、例えば有効フレネル係数法や特性行列法を用いることで、多重反射と干渉とを加味した位相シフト量を算出することが可能である。このため、式（１）及び式（２）の適用については、位相シフト量φａ、φｂとして、各層における多重反射と干渉とを加味した数値を用いることで、１つの界面を構成するものと擬制することができる。
【００３９】
図６は、有機ＥＬ素子１１０Ｇにおける外光の反射率の分布の例を示す。図６は、パーセント単位の反射率を縦軸に、ｎｍ単位の波長を横軸にとって示している。図６に示す反射率分布の有機ＥＬ素子１１０Ｇは、外光のうち４８５ｎｍ付近をピークとする波長領域の光を弱め合う構成である。外光の反射率は、４８５ｎｍ付近を最小として、低波長側及び高波長側へシフトするに従い増加していく。ここで、外光の反射率は、４８５ｎｍ付近から高波長側へシフトするより低波長側へシフトするほうが増加の割合が大きい。このため、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、弱め合う光のピーク波長λを、可視光域の略中心より低波長側と設定することが望ましい。このようにしてピーク波長λを決定することにより、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、可視光である外光のうち幅広い波長領域の光の反射を低減することができる。
【００４０】
反射電極層１０８での反射による位相シフト量φａ、ハーフミラー層１２０での反射による位相シフト量φｂは、いずれも構成する材料に応じて決定することができる。従って、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、反射電極層１０８、ハーフミラー層１２０の材料を決定することにより、上記の式（１）又は（２）により反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離Ｄａを決定することができる。なお、図６に示す外光の反射率の分布は、反射電極層１０８の金属層２２３（図３参照）としてアルミニウム、ハーフミラー層１２０としてＡｌＣｕ合金を用いる場合の例である。
【００４１】
反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離Ｄａについて、以下の式（３）が成立する。
Ｄａ＝Σｎｄ    （３）
式（３）において、ｎは屈折率、ｄは層厚である。光学的距離Ｄａは、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の各層についてのｎ×ｄを合計したものである。
【００４２】
図４に示す有機ＥＬ素子１１０Ｇは、式（１）又は（２）により算出された光学的距離Ｄａに応じて、透明電極層１０２、正孔輸送層１０４、Ｇ光用発光層１０６Ｇの各層厚を決定することができる。例えば、約５４０ｎｍの波長の光について、透明電極層１０２を構成するＩＴＯの屈折率を１．９、正孔輸送層１０４及びＧ光用発光層１０６Ｇの屈折率をそれぞれ１．５７とする。この場合、透明電極層１０２、正孔輸送層１０４、Ｇ光用発光層１０６Ｇの各層厚は、それぞれ４０ｎｍ、２０ｎｍ、２０ｎｍと決定することができる。透明電極層１０２は、外部電極からの電流を供給する必要上、ある程度の厚みをもって設けられる。従って、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、正孔輸送層１０４及びＧ光用発光層１０６Ｇの層厚によって反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離Ｄａを調節することができる。
【００４３】
有機ＥＬ素子１１０Ｇは、外光のうち４８５ｎｍ付近をピークとする波長領域の光を弱め合う構成であるから、Ｇ光用発光層１０６Ｇからの光のうち４８５ｎｍ付近をピークとする波長領域の光を強め合うことになる。光共振器により所定の波長の光を強め合う観点によれば、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、Ｇ光、例えば５４０ｎｍ付近の光を強め合うことが望ましいとも考えられる。さらに、Ｇ光用発光層１０６Ｇからの光を光共振器によって効果的に増幅するためには、上述の構成よりも反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離Ｄａを大きくすることも考えられる。
【００４４】
これに対して、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、ピーク波長λを４８５ｎｍから５４０ｎｍへシフトすることにより低波長領域の光の反射率が増加してしまう。また、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、特定の波長領域の光を強く増幅する構成とすると、反射を低減可能な光の波長領域を狭めることとなる。有機ＥＬ素子１１０Ｇは、Ｇ光用発光層１０６Ｇからの光を増幅する効果よりも、幅広い波長領域の外光の反射を防ぐ効果により高コントラストな画像を得ることが可能となる。従って、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、Ｇ光用発光層１０６Ｇからの光のピーク波長に関わらず、外光のうち弱め合うことが可能な光のピーク波長λを設定することができる。また、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、観察者側から入射する外光が干渉を起こす最小の光学的距離Ｄａで反射電極層１０８とハーフミラー層１２０とが設けられている。このようにして光学的距離Ｄａを決定することにより、有機ＥＬ素子１１０Ｇは、広い波長領域の外光が観察者側へ進行することを低減できる。
【００４５】
外光の反射を低減するために、従来、観察者側とは反対側に低反射電極を用いる有機ＥＬ素子が提案されている。低反射電極を用いると、観察者側から入射する外光を低減するのみならず発光層からの光を減少してしまう場合が考えられる。これに対して、本発明の有機ＥＬ素子１１０Ｇは、干渉効果によって観察者側へ進行する外光のみを弱め合い、Ｇ光用発光層１０６Ｇからの光を低減させない構成とすることができる。このため、低反射電極を用いる従来の有機ＥＬ素子と比較して、本発明の有機ＥＬ素子は、光利用効率の低下を大幅に低減することができる。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することができるという効果を奏する。
【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子は、素子自体の構成によりコントラストの低下を低減可能である。このため、コントラストを向上するための他の構成を不要とし、簡易な構成の有機ＥＬ素子を用いて、容易にコントラストの低下を低減することができる。さらに、光利用効率の低下を低減可能であることから、表示素子は、消費電力を低減することができる。表示素子の消費電力を低減することにより、表示素子の寿命の長期化、及び表示パネル１００の信頼性の向上を図ることもできる。
【００４７】
なお、有機ＥＬ素子は、弱め合う光のピーク波長λを、図６に示す４８５ｎｍ付近とする場合に限られない。ピーク波長λは、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離Ｄａに応じて適宜変更することができる。また、図６を用いて説明したように、有機ＥＬ素子による外光の反射率は、光の波長によって異なる。有機ＥＬ素子は、広い波長領域において低反射率であることが望ましい。例えば、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間の光学的距離Ｄａをできるだけ短くすると、広い波長領域において低反射を実現することができると考えられる。また、有機ＥＬ素子は、反射電極層１０８及びハーフミラー層１２０を位相シフト量が少ない材料で構成することで、広い波長領域において低反射とすることができると考えられる。
【００４８】
有機ＥＬ素子の各層は、入射光の波長に応じて異なる屈折率を有する。有機ＥＬ素子は、反射電極層１０８、ハーフミラー層１２０の材料と、他の層の材料とを適宜組み合わせることによって、外光反射の波長依存性を低減することができると考えられる。有機ＥＬ素子は、広い波長領域にわたり外光の反射を低減することで、さらにコントラストの低減を軽減できる。また、有機ＥＬ素子は、外光反射の波長依存性を利用する構成としても良い。例えば単独色のみにより表示を行う表示装置の場合、外光のうち特定の波長領域の光を観察者側へ反射する構成とすることで、表示光を増強する構成とすることができる。これにより、表示装置をさらに低消費電力にすることができる。
【００４９】
次に、図７−１、図７−２を用いて、表示パネル１００の製造方法を説明する。上述のように、有機ＥＬ素子は、反射電極層１０８とハーフミラー層１２０との間が所定の光学的距離Ｄａとなるように設けられている。光学的距離Ｄａは、発光層及び正孔輸送層１０４の少なくとも一方の層厚を調節することにより容易に調節することができる。
【００５０】
まず、図７−１の工程ａに示す基板１０１に、トランジスタ部２１及び配線２２と、ＴＦＴ層１１２とを形成する。ＴＦＴ層１１２は、例えば蒸着法により成膜することができる。次に、ＴＦＴ層１１２の上に、画素に対応する所定のパターンで、ハーフミラー層１２０及び透明電極層１０２を形成する。ハーフミラー層１２０は、蒸着法等によりアルミニウムやＡｌＣｕ合金、ＡｌＮｄ合金等を一面に成膜した後、パターニングして形成する。
【００５１】
透明電極層１０２は、蒸着法等によりＩＴＯ等を一面に成膜した後、パターニングして形成する。そして、透明電極層１０２どうしの間にバンク１１４を形成する。バンク１１４は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を溶媒に溶解した後、スピンコート、ディップコート等によりＴＦＴ層１１２及び透明電極層１０２の上の全面に溶液を塗布して形成する。その後、形成された樹脂層をフォトリソグラフィ等でエッチングすることにより、所定の位置にバンク１１４が形成される。バンク１１４は、透明電極層１０２の上に凹部７０１を構成する。
【００５２】
次に、図７−１の工程ａに示す構成に、Ｏ2プラズマ処理及びＣＦ4プラズマ処理を連続して施す。Ｏ2プラズマ処理により、透明電極層１０２及びバンク１１４の露出面は、全面に水酸基が付与されることで親インク性となる。また、ＣＦ4プラズマ処理により、バンク１１４は、水酸基がフッ素基で置換されて撥インク性となる。その後、プラズマ処理により加熱された基板１０１を室温にまで冷却する。ここで正孔輸送層１０４の形成を行う管理温度にまで基板１０１を冷却することにより、後述する正孔輸送層１０４の層厚を正確に制御することができる。
【００５３】
次に、インクジェット法等の液滴吐出法により、凹部７０１に正孔輸送層１０４を形成する。正孔輸送層１０４の形成材料７１１は、図７−１の工程ｂに示すように液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）７１０を用いて凹部７０１内に選択的に吐出できる。正孔輸送層１０４の形成材料７１１は、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）７１０により、正孔輸送層１０４が所望の層厚となるように吐出量が制御されている。凹部７０１内に正孔輸送層１０４の形成材料７１１を吐出した後、正孔輸送層１０４の形成材料７１１を乾燥及びベイクして、図７−１の工程ｃに示す正孔輸送層１０４を形成する。
【００５４】
続いて、インクジェット法等の液滴吐出法により、凹部７０１内の正孔輸送層１０４の上に各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂを形成する。例えば、Ｒ光用発光層１０６Ｒの形成材料７１２Ｒは、図７−２の工程ｄに示すように、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）７１０を用いて有機ＥＬ素子１１０Ｒの形成箇所の凹部７０１内に選択的に吐出できる。Ｇ光用発光層１０６Ｇの形成材料及びＢ光用発光層１０６Ｂの形成材料についても、Ｒ光用発光層１０６Ｒの形成材料７１２Ｒと同様に吐出する。さらに、各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂの形成材料は、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）７１０によりそれぞれ所望の層厚となるように吐出量が制御されている。凹部７０１内に各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂの形成材料を吐出した後、乾燥及びベイクにより各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂを形成する。
【００５５】
このように、各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ及び正孔輸送層１０４は、形成材料を吐出成膜することで形成され、かつ、形成材料の吐出量を変化させることで層厚を調節する。液滴吐出法によれば、正孔輸送層１０４の形成材料及び各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂの形成材料を、それぞれ所望の位置に打ち分けることができる。さらに、液滴吐出法を用いることで、所望の層厚の正孔輸送層１０４及び各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂを容易に形成することができる。
【００５６】
次に、図７−２の工程ｅに示すように、バンク１１４及び各色光用発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂの上の全面に反射電極層１０８を形成する。反射電極層１０８を構成するフッ化リチウム層２２１、カルシウム層２２２、及び金属層２２３は、例えば蒸着法によって形成できる。最後に、反射電極層１０８の上に封止材を塗布して封止層１１６を形成する。さらに、封止層１１６の上に基板１１１を重ねて封止層１１６を硬化させる。これにより、表示パネル１００を得ることができる。
【実施例２】
【００５７】
図８は、本発明の実施例２に係る電界発光素子を用いる表示パネル８００の要部断面構成を示す。本実施例の表示パネル８００は、透明電極層８０２側に光を供給するトップエミッション方式の電界発光素子を有する。上記実施例１の表示パネル１００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。表示パネル８００は、Ｒ光ＬＲを供給する電界発光素子である有機ＥＬ素子８１０Ｒと、Ｇ光ＬＧを供給する電界発光素子である有機ＥＬ素子８１０Ｇと、Ｂ光ＬＢを供給する電界発光素子である有機ＥＬ素子８１０Ｂとを有する。
【００５８】
有機ＥＬ素子８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂは、それぞれＲ光用発光層８０６Ｒ、Ｇ光用発光層８０６Ｇ、Ｂ光用発光層８０６Ｂを有する。各色光用発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂの構成は、上記実施例１の発光層と同様である。本実施例の表示パネル８００も、上記実施例と同様に、バンク１１４は、有機ＥＬ素子部１１を画素に対応して有機ＥＬ素子８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂに分割している。バンク１１４の下には、不図示のトランジスタ部及び配線を有する基板８１６が設けられている。
【００５９】
図９は、有機ＥＬ素子８１０Ｇの概略構成を示す。各有機ＥＬ素子８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂは、バンク１１４により仕切られた領域に、下から反射電極層８０８、ＩＴＯ層８０７、機能層８０５、及び透明電極層８０２が順に積層されている。反射電極層８０８は、反射性の金属部材、例えばアルミニウムにより構成された陽極電極である。反射電極層８０８は、トランジスタ部と電気的に接続されている。機能層８０５は、正孔輸送層１０４、Ｇ光用発光層１０６Ｇ及び電子輸送層８０３を有する。ＩＴＯ層８０７は、正孔輸送層１０４による正孔の注入を効率良く行うために設けられる。
【００６０】
図８に戻って、反射電極層１０８から発光層までの各層は、画素に対応してバンク１１４どうしの間に設けられている。電子輸送層８０３は、バンク１１４及び各色光用発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂの上の一面に設けられている。電子輸送層８０３は、陰極電極である透明電極層８０２からの電子を輸送して発光層に注入する。
【００６１】
また、電子輸送層８０３は、入射する光のうちの一部の光を反射電極層８０８の方向へ反射し、入射する光のうちの他の一部の光を透過するハーフミラー層である。電子輸送層８０３は、例えば、マグネシウム及び銀を共蒸着して構成することができる。また、電子輸送層８０３は、カルシウムにより構成しても良い。電子輸送層８０３と反射電極層８０８とは、Ｇ光用発光層８０６Ｇを挟んで互いに対向して設けられている。
【００６２】
電子輸送層８０３の上には、陰極電極である透明電極層８０２、封止層８１５及び基板８０１が設けられている。透明電極層８０２は、上記実施例１の透明電極層１０２と同様に、ＩＴＯやＩＺＯにより構成することができる。封止層８１５は、基板８０１及び基板８１６の間の各層が酸化等により劣化することを防ぐ。基板８０１は、光学的に透明な硝子や樹脂から構成される。有機ＥＬ素子８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂは、それぞれ各色光用発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂからの光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを、透明電極層８０２の方向にある基板８０１から射出する。透明電極層８０２は、不図示の外部電極と電気的に接続されている。なお、有機ＥＬ素子部１１は、透明電極層８０２と反射電極層８０８との間の部分である。
【００６３】
次に、図９を用いて、有機ＥＬ素子８１０ＧにおけるＧ光用発光層８０６Ｇからの光の振舞いについて説明する。観察者側から基板８０１へ入射した外光Ｌ６は、基板８０１、封止層８１５及び透明電極層８０２を透過して電子輸送層８０３へ入射する。電子輸送層８０３へ入射した外光Ｌ６のうちの一部の光Ｌ７は、電子輸送層８０３で反射して観察者側へ進行する。
【００６４】
電子輸送層８０３へ入射した外光Ｌ６のうち他の一部の光は、電子輸送層８０３を透過する。電子輸送層８０３を透過した光は、その後反射電極層８０８で反射して再び電子輸送層８０３へ入射する。反射電極層８０８から電子輸送層８０３へ入射した光のうちの一部の光Ｌ８は、電子輸送層８０３を透過して観察者側へ進行する。このとき電子輸送層８０３で反射した光は、上述と同様の振舞いを繰り返す。
【００６５】
有機ＥＬ素子８１０Ｇは、光Ｌ７と光Ｌ８、あるいはさらに電子輸送層８０３と反射電極層８０８との間で反射した後観察者側へ進行する光が干渉することによって弱め合う。反射電極層１０８と電子輸送層８０３とは、観察者側から電子輸送層８０３へ入射する外光が干渉により弱め合うような所定の間隔で設けられている。反射電極層１０８と電子輸送層８０３との間の光学的距離Ｄｂは、上記の実施例１の有機ＥＬ素子における光学的距離Ｄａと同様に、上記の式（１）又は（２）を用いて求めることができる。本実施例の有機ＥＬ素子は、上記実施例１の有機ＥＬ素子と同様の構成により、外光の反射を低減することができる。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することができる。
【００６６】
（変形例）
図１０は、実施例２の変形例に係る有機ＥＬ素子１０１０Ｇの断面構成を示す。本変形例の有機ＥＬ素子１０１０Ｇも、上記の有機ＥＬ素子８１０Ｇと同じトップエミッション方式の電界発光素子である。本変形例の有機ＥＬ素子１０１０Ｇは、反射電極層８０８、ＩＴＯ層８０７、機能層１００５、透明電極層８０２及びハーフミラー層１０２０を順次積層して構成されている。
【００６７】
電子輸送層１００３は、不図示のバンク及び各色光用発光層の上に設けられている。電子輸送層１００３は、透明電極層８０２からの電子を輸送して発光層に注入する。電子輸送層１００３は、光学的に透明な部材から構成されている。電子輸送層１００３としては、例えばバソキュプロイン（ＢＣＰ）及びセシウム（Ｃｓ）を共蒸着して形成することができる。また、上記の電子輸送層１００３がハーフミラー層として機能するのに対して、本変形例の有機ＥＬ素子１０１０Ｇは、電子輸送層１００３とは別にハーフミラー層１０２０を有する。
【００６８】
電子輸送層１００３の上には、透明電極層８０２、ハーフミラー層１０２０が順次積層されている。ハーフミラー層１０２０は、入射する光のうちの一部の光を反射電極層８０８の方向へ反射し、光のうちの他の一部の光を透過して射出する。ハーフミラー層１０２０は、例えば、アルミニウムにより構成することができる。また、ハーフミラー層１０２０と反射電極層８０８とは、Ｇ光用発光層１０６Ｇを挟んで互いに対向して設けられている。ハーフミラー層１０２０の上には、封止層８１５及び基板８０１が設けられている。
【００６９】
観察者側から基板８０１へ入射した外光Ｌ９は、基板８０１及び封止層８１５を透過してハーフミラー層１０２０へ入射する。ハーフミラー層１０２０へ入射した外光Ｌ９のうちの一部の光Ｌ１０は、ハーフミラー層１０２０で反射して観察者側へ進行する。ハーフミラー層１０２０へ入射した外光Ｌ９のうち他の一部の光は、ハーフミラー層１０２０を透過する。ハーフミラー層１０２０を透過した光は、その後反射電極層８０８で反射して再びハーフミラー層１０２０へ入射する。反射電極層８０８からハーフミラー層１０２０へ入射した光のうちの一部の光Ｌ１１は、ハーフミラー層１０２０を透過して観察者側へ進行する。このときハーフミラー層１０２０で反射した光は、上述と同様の振舞いを繰り返す。
【００７０】
有機ＥＬ素子１０１０Ｇは、光Ｌ１０と光Ｌ１１、あるいはさらにハーフミラー層１０２０と反射電極層８０８との間で反射した後観察者側へ進行する光が干渉することによって弱め合う。反射電極層１０８とハーフミラー層１０２０とは、観察者側からハーフミラー層１０２０へ入射する外光が干渉により弱め合うような所定の間隔で設けられている。反射電極層８０８とハーフミラー層１０２０との間の光学的距離Ｄｃは、上記の実施例１の有機ＥＬ素子における光学的距離Ｄａと同様に、上記の式（１）又は（２）を用いて求めることができる。本変形例の有機ＥＬ素子１０１０Ｇは、上記の有機ＥＬ素子８１０Ｇと同様に、外光の反射を低減することができる。これにより、光利用効率の低下を低減し、かつ画像のコントラストの低下を低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
上記各実施例は、電界発光素子として有機ＥＬ素子の構成を示しているが、これに限られない。例えば、本発明に係る電界発光素子は、無機ＥＬ素子であっても良い。本発明に係る電界発光素子は、電子機器の表示パネルに適用することができる。本発明の電界発光素子を備える表示パネルは、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、携帯型情報機器であるＰＤＡ、テレビ等の電子機器に広く適用することができる。さらに、本発明に係る電界発光素子は、表示パネル以外に照明装置、電子ペーパー等に適用することもできる。
【００７２】
以上のように、本発明に係る電界発光素子は、プレゼンテーションや動画を表示する表示パネルに用いる場合に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施例１の表示パネルの要部斜視図。
【図２】表示パネルの要部断面図。
【図３】有機ＥＬ素子の概略構成図。
【図４】有機ＥＬ素子に入射する外光の振舞いの説明図。
【図５】有機ＥＬ素子における発光層からの光の振舞いの説明図。
【図６】有機ＥＬ素子における外光の反射率の分布の例を示す図。
【図７−１】表示パネルの製造方法の説明図。
【図７−２】表示パネルの製造方法の説明図。
【図８】本発明の実施例２の表示パネルの要部断面図。
【図９】有機ＥＬ素子の概略構成図。
【図１０】実施例２の変形例に係る有機ＥＬ素子の概略構成図。
【符号の説明】
【００７４】
１０  有機ＥＬ素子部、２１  トランジスタ部、２２  配線、３０  表示素子、１００  表示パネル、１０１  基板、１０２  透明電極層、１０４  正孔輸送層、１０５  機能層、１０６Ｒ  Ｒ光用発光層、１０６Ｇ  Ｇ光用発光層、１０６Ｂ  Ｂ光用発光層、１０８  反射電極層、１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ  有機ＥＬ素子、１１１  基板、１１２  ＴＦＴ層、１１３  パッシベーション膜、１１４  バンク、１１６  封止層、１２０  ハーフミラー層、２２１  フッ化リチウム層、２２２  カルシウム層、２２３  金属層、７０１  凹部、７１１、７１２Ｒ  形成材料、１１  有機ＥＬ素子部、８００  表示パネル、８０１  基板、８０２  透明電極層、８０３  電子輸送層、８０５  機能層、８０６Ｒ  Ｒ光用発光層、８０６Ｇ  Ｇ光用発光層、８０６Ｂ  Ｂ光用発光層、８０７  ＩＴＯ層、８０８  反射電極層、８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂ  有機ＥＬ素子、８１５  封止層、８１６  基板、１００３  電子輸送層、１００５  機能層、１０１０Ｇ  有機ＥＬ素子、１０２０  ハーフミラー層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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