(57)【要約】【課題】  本発明は、Ｘ線二次元検出器はそのままで、拡大率も変えず、高解像度例えば従来の４倍の解像度の投影像を取得できるようにすることを目的とする。【解決手段】  Ｘ線を被検査体に照射して透過Ｘ線を二次元検出手段を用い撮像し、各角度変位毎に撮像したこの被検査体の投影像より被検査体の内部構造データを再構成する際、被検査体にＸ線を照射し通常位置の二次元検出手段により第１投影像３１を撮像し、この二次元検出手段を通常位置から上下左右方向に１／２画素分移動後にこの被検査体の第２投影像３２を撮像し、各角度変位毎に撮像されたこの第１及び第２投影像３１，３２をそれぞれ所定の解像度を持つ第１及び第２拡大投影像に変換し、各角度変位毎に前記第１及び第２拡大投影像を合成して合成拡大投影像を作成し、各角度変位毎の合成拡大投影像よりこの被検査体の内部構造データを再構成することを特徴とする。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を被検査体に照射して透過Ｘ線を二次元検出手段を用い撮像し、各角度変位毎に撮像した前記被検査体の投影像より内部構造データを再構成するＸ線断層撮像方法であって、
被検査体にＸ線を照射し通常位置の二次元検出手段により第１投影像を撮像するステップと、
前記二次元検出手段を前記通常位置から上下左右方向に１／２画素分移動後に前記被検査体の第２投影像を撮像するステップと、
各角度変位毎に撮像された前記第１及び第２投影像をそれぞれ所定の解像度を持つ第１及び第２拡大投影像に変換するステップと、
各角度変位毎に前記第１及び第２拡大投影像を合成して合成投影像を作成するステップと、
前記各角度変位毎の合成投影像より前記被検査体の内部構造データを再構成するステップと、
を有することを特徴とするＸ線断層撮像方法。
【請求項２】
請求項１記載のＸ線断層撮像方法において、
前記第１及び第２投影像をそれぞれ前記拡大投影像に変換する方法として、最近隣内挿法、共一次内挿法又は３次畳み込み内挿法のいずれかを用いる
ことを特徴とするＸ線断層撮像方法。
【請求項３】
Ｘ線源からのＸ線を被検査体に照射して透過Ｘ線を二次元検出手段を用い撮像し、各角度変位毎に撮像した前記被検査体の投影像より内部構造データを再構成するＸ線断層撮像装置であって、
通常位置の二次元検出手段により撮像した第１投影像、及び前記通常位置から１／２画素分移動した二次元検出手段により撮像した第２投影像をそれぞれ各角度変位毎に記憶する投影像記憶手段と
前記投影像記憶手段に記憶された各角度変位毎の第１及び第２投影像をそれぞれ所定の解像度を持つ第１及び第２拡大投影像に変換し、各角度変位毎に前記第１及び第２拡大投影像を合成して合成拡大投影像を作成し、内部構造データを再構成する再構成手段と
を有することを特徴とするＸ線断層撮像装置。
【請求項４】
請求項３記載のＸ線断層撮像装置において、
前記Ｘ線源と前記二次元検出手段との間に配置され前記被検査体を載置して所定角度変位で回転する回転基台部
を有することを特徴とするＸ線断層撮像装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載のＸ線断層撮像装置において、
前記二次元検出手段は、該二次元検出手段の１／２画素分の距離を移動させることができる位置決め精度を持つＸＹ軸駆動機構により支持されている
ことを特徴とするＸ線断層撮像装置。
【請求項６】
請求項３又は４記載のＸ線断層撮像装置において、
前記第１及び第２投影像からそれぞれ拡大投影像への変換に際し、最近隣内挿法、共一次内挿法又は３次畳み込み内挿法のいずれかを用い行う
ことを特徴とするＸ線断層撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線を用いて被検査体の内部構造を検査するＸ線断層撮像方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体素子等の研究開発分野などでは、微小被検査体内部に存在するひび割れや断線等を検査するため非破壊三次元分析が要求されている。その手法のひとつとして、Ｘ線によるコンピュータ断層撮像装置（以下、Ｘ線断層撮像装置と称する。）を用いる方法がある。
【０００３】
Ｘ線断層撮像装置は、例えば、Ｘ線源（Ｘ線管等から構成されるＸ線発生装置）と、このＸ線源よりＸ線焦点を経て被検査体にコーンビーム状に照射されて透過したＸ線を検出する二次元検出器（以下、検出器と称する。）と、この検出器との間に被検査体を載置するとともにＸ線焦点からこの検出器の受光面に降ろした垂線に直交する回転軸を備え設定に基づく角度変位ピッチで回転する回転基台部を有し、被検査体の透過Ｘ線を二次元検出器により撮像し、デジタル化された各角度位相毎の複数の画像データ等として処理し、これら各画像データより内部構造データを再構成することによって被検査体内部の検査及び観察等を行い易くする。ただし、このときに撮像される投影像の解像度は、二次元検出器の解像度そのものである。
【０００４】
解像度の向上を目的としたものとして例えば特許文献１に記載のようなものがあるが、Ｘ線を用いて被検査体の内部構造を検査するＸ線断層撮像装置とは異なるものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３３６０４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のＸ線断層撮像装置においては、撮像する投影像の解像度が二次元検出器によって決まってしまうので、より高精細な投影像を取得するためには、投影像を拡大するか、二次元検出器を大きくするか、もしくは二次元検出器の一画素の大きさを小さくするしかなかった。しかしながら、それぞれの方法には以下のような問題がある。
【０００７】
投影像を拡大する方法では、二次元次元検出器の大きさに限りがあるため、拡大してしまうと投影像が検出面からはみ出してしまうなど取得できる投影像の範囲が限定されてしまい、広範囲に検査したい場合などに問題がある。
また、二次元検出器を大きくする方法では、Ｘ線断層撮像装置自体が大きくなってしまうし、大きな検出器を作るには技術的に非常に困難であり、手間や開発費などもかかってしまうという問題がある。
さらに、二次元検出器の一画素の大きさを小さくする方法では、一画素当たりに照射されるＸ線の量が少なくなってしまうため、Ｘ線の変化量の検出が非常に困難になる。
【０００８】
斯かる点に鑑み、本発明は、Ｘ線二次元検出器はそのままで、拡大率も変えず、例えば従来の４倍の解像度の投影像等、高解像度の投影像を取得できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は、Ｘ線を被検査体に照射して透過Ｘ線を二次元検出手段を用い撮像し、各角度変位毎に撮像したこの被検査体の投影像より被検査体の内部構造データを再構成する際、被検査体にＸ線を照射し通常位置の二次元検出手段により第１投影像を撮像し、この二次元検出手段を通常位置から上下左右方向に１／２画素分移動後にこの被検査体の第２投影像を撮像し、各角度変位毎に撮像されたこの第１及び第２投影像をそれぞれ所定の解像度を持つ第１及び第２拡大投影像に変換し、各角度変位毎にこの第１及び第２拡大投影像を合成して合成拡大投影像を作成し、各角度変位毎の合成拡大投影像よりこの被検査体の内部構造データを再構成することを特徴とする。
【００１０】
斯かる本発明によれば、被検査体の投影像を撮像する際、通常位置で撮像した後に、二次元検出手段を上下左右に１／２画素ずらして再度撮像し、この２つの投影像を幾何学変換後に合成させることにより、通常通りに撮像した投影像と比較して高解像度例えば４倍の解像度の投影像を取得することができる。これにより、４倍の解像度の被検査体内部構造データを得ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
斯かる本発明によれば、高解像度の例えば４倍の解像度の投影像を取得することができる。これにより、従来の４倍の解像度の被検査体内部構造データを得ることができる。したがって、Ｘ線感度を落とさず、内部構造データの解像度を上げることができる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図１〜図７を参照して、本発明の一実施の形態の例について説明する。
【００１３】
図１は工業用、例えば半導体素子等微小被検査体の内部構造を検査する非破壊検査等の用途に使用されるＸ線断層撮像装置の例の概略図であり、Ａは上面図、Ｂは側面図である。
【００１４】
図中、１は例えばコーンビームのＸ線を発生して被検査体７全体に照射する公知のＸ線源（Ｘ線発生装置）であり、Ｘ線源のＸ線管１から照射されるＸ線により被検査体７の投影像の撮像を行い、この被検査体７の透過Ｘ線を、二次元検出手段としてのＸ線二次元検出器２で検出し被検査体７の投影像を得る。
【００１５】
Ｘ線管１から照射されるＸ線は、例えば焦点サイズ１μｍ以下の極小のＸ線焦点を形成するよう構成されている。Ｘ線断層撮像装置の分解能はＸ線の焦点サイズで決まるため、この数値は小さいほうがより微少サイズの損傷等を観察でき好ましい。
【００１６】
Ｘ線二次元検出器２は、例えば、フラットパネルディテクタ（Flat Panel Detector：ＦＰＤ）より構成され、Ｘ線の焦点からＸ線二次元検出器２の受光面に下ろした垂線がＸ線二次元検出器２の中心に照射されるよう、後述のＸＹ軸駆動機構（ＸＹテーブルともいう）１４により、Ｘ線二次元検出器２を左右（Ｘ軸方向）及び上下（Ｙ軸方向）への動きを調節することができる。
【００１７】
図２に、本例のＸ線二次元検出器の正面図及び側面図を示す。
Ｘ線二次元検出器２は直交する２軸のＸＹ軸駆動機構１４により支持されている。ＸＹ軸駆動機構１４は直交する２つのボールネジ（図示せず）及びモータ（パルスモータ又はサーボモータ）１４ａ，１４ｂにより構成され、それぞれの軸に同軸上に直結された例えば最小ピッチ１μｍの位置決め精度を持つパルスモータにより、Ｘ線二次元検出器一画素の半分の距離を移動させるなど、Ｘ線二次元検出器２を左右上下方向に移動させることができる。２ａはＸ線受光面である。
【００１８】
このＦＰＤについては、一例として特開平６−３４２０９８号広報に具体的に開示されている。被写体を透過したＸ線を光導電層で吸収してＸ線強度に応じた電荷を発生させ、その電荷量を画素毎に検知する如くするものである。他の方式のＦＰＤの例としては、特開平９−９００４８号広報に開示されているように、Ｘ線を増感紙等の蛍光体層に吸収させて蛍光を発生させ、その蛍光の強度を光電変換素子で検知するものがある。蛍光の検知手段としては他に、ＣＣＤやＣ−ＭＯＳセンサを用いる方法などがある。
【００１９】
特に上述の特開平６−３４２０９８号広報に開示された方式のＦＰＤでは、Ｘ線量を画素毎の電荷量に直接変換するため、ＦＰＤでの鮮鋭性の劣化が少なく、鮮鋭性に優れた画像が得られる。このように、本例のＸ線二次元検出器２は、Ｘ線を検出し何等かの手段で画素毎に処理して画像信号を得られるものであればよい。
【００２０】
３は被検査体７を載置する回転基台と、この回転基台を回転させるためのサーボモータ及び後述する軸受け等より構成される回転基台部全体（以後、回転基台という）である。この回転基台３を回転基台３の回転する回転軸と平行方向、即ち図１Ｂに示すように、Ｙ´軸方向に移動させるためのＹ´軸駆動機構３ａを備えてなる。被検査体７は回転基台上の保持冶具８にて保持、固定されるようになっている。
【００２１】
この回転基台３は、後述する空気軸受けによって支持されており、この空気軸受けに同軸上に直結された図示しない０．２分以下の角度位置決め精度を持つサーボモータ及び回転位相検出手段により、之等サーボモータ及び回転位相検出手段の分解能に応じた各角度変位において、再構成に必要な上記投影データの取り込み期間に同期して静止される。
【００２２】
４は被検査体回転基台の軸受けである。軸受け４の回転軸はＸ線管１の焦点からＸ線二次元検出器２の受光面中心付近へ降ろした垂線と直交している。本例ではこの軸受け４は回転基台３を微少角度変位制御できる空気軸受けよりなるが、これに限るものではなく、回転基台３を支持し滑らかに回転して微少角度変位制御できるものであればよい。
【００２３】
５はＸ線管１を搭載し、軸受け４の回転軸と直交する平面上を移動するＸ´Ｚテーブルである。被検査体７の旋回半径を適宜Ｘ´Ｚテーブル５にフィードバックし、必要に応じ被検査体７とＸ´Ｚテーブル５を極接近させた状態で投影データを取得することができる。拡大率を支配する１番上位の要素はＸ線焦点と回転基台３に保持された被検査体７との相互間距離であり、Ｘ´Ｚテーブルを制御してＸ線管１を移動させ、拡大率を大きくするほどより微細な部位の内部構造を解析することが可能となる。
【００２４】
１０は以上述べたＸ線断層像撮象装置を構成する全ての装置、部材等を載置し、照射位置に誤差が生じないよう振動を除去する除振台である。そして、１１はＸ線断層撮像装置からＸ線が外部に漏れないよう全体を覆う、鉛等よりなるシールドカバーである。
【００２５】
図３は本例のＸ線断層撮像装置のブロック構成図である。
まず、Ｘ線源を構成するＸ線管１より回転基台３に載置された被検査体７に対してＸ線が照射される。このとき照射されるＸ線の強度、焦点サイズ等は、Ｘ線制御手段であるＸ線制御部２０を通じて制御操作手段である制御操作卓２２により制御される。
【００２６】
回転基台３の位置、回転角度ピッチ、初期回転角等は回転基台３並びにＸ線源１を載置したＸ´Ｚステージ５の動きを制御する機構制御手段である機構制御部２１を通じて、制御操作卓２２により制御される。回転基台３に載置された被検査体７は制御操作卓２２からの指示によって指定された角度回転され、Ｘ線二次元検出器２により投影像が撮像される。
【００２７】
同様に、Ｘ線二次元検出器２の位置及び回転角等もＸ線二次元検出器２を支持するＸＹ軸駆動機構１４の動きを制御する機構制御手段の機構制御部２６を通じて、制御操作卓２２により制御される。
【００２８】
制御操作卓２２は、キーボードやマウス等の入力手段、機器動作状態や入力値等表示する表示手段とを有するＧＵＩ（Graphical User Interface）（図示せず）、図示しないＲＯＭ等に格納されたプログラムに従い所定の制御や情報の処理等を行うプロセッサ等の制御手段から構成されるものであればよく、Ｘ線管１よりのＸ線強度等の情報を制御操作卓２２に取り込み表示手段に表示したり、回転基台３や二次元検出器２に対して被検査体７の適切な位置出しの指令を出力したり、上述プログラムに従い撮像時の回転基台３の回転制御などを行うことができる。
【００２９】
被検査体７を透過したＸ線はＸ線二次元検出器２で検出され、検出されたＸ線の情報である投影像を投影像記憶手段としての投影像記憶部２３に供給し、例えばデジタル化された投影データとして大容量の磁気記録装置等からなる投影像記憶部２３に、撮像時の回転角度や初期回転角、Ｘ線強度等の情報と対応して保存される。投影像記憶部２３に記憶された投影データは、これと接続された再構成手段としての再構成計算用計算機２４に供給される。
【００３０】
この投影像記憶手段２３は被検査体７の内部構造データを再構成計算するのに必要となるデータを記録できる記録容量を有するものであればこれに限るものではなく、光ディスクや半導体メモリ等のリムーバブルな記録媒体など、さまざまなものが適用できる。
【００３１】
再構成計算用計算機２４では、被検査体を検査するための所定のプログラムに従い、投影像記憶部２３から入力された各角度位相毎に撮像された投影データをもとに、後述する例えば４倍の解像度を持つ拡大投影像に変換し、各角度位相毎に撮像されている２つの拡大投影像を合成して合成投影像を作成し、３６０°分の合成投影像から内部構造データを再構成計算する。
【００３２】
再構成された内部構造データは、投影像記憶部２３に記憶されるとともに、図示しない表示メモリを介して表示手段である再構成結果表示装置２５に入力され、例えばＣＲＴモニタ等に表示される。この再構成計算用計算機２４は、入力される投影データを収集して上述プログラムに従い所定の演算を行い内部構造データを再構成できる演算処理能力があればよく、制御操作卓２２の制御手段と共用でもよい。また、再構成結果表示装置２５の表示手段は制御操作卓２２の表示手段と共用であってもよい。
【００３３】
以上のような構成により、Ｘ線焦点から二次元検出器２の受光面２ａに下ろした垂線に直交する回転軸（回転基台３の回転軸）を中心として回転させ、得られる被検査体７の各角度位相毎の投影データから内部構造データを再構成して再構成結果表示装置２５に表示され、例えば微小な電子部品素子等の内部のひび割れや断線などの欠陥の有無など、被検査体の内部微細構造を視覚的に確認することができる。
【００３４】
次に、上述のＸ線断層撮像装置を用いたコンピュータ断層撮像方法（以下、Ｘ線断層撮像方法という。）について、図４〜図７を参照して説明する。
【００３５】
図４は、本例のＸ線断層撮像方法の説明に供するフローチャートである。
まず、被検査体７を載置する回転基台３の任意の撮像開始位置を初期角度位相０°位置とする（ステップＳ１）。Ｘ線管１のＸ´Ｚテーブル５やＸ線二次元検出器２を支持するＸＹテーブル１４等を制御して、拡大率や投影像の撮像位置などを調整した後、上述の初期角度位相０°位置にてＸ線管１から被検査体７にＸ線を照射する。本例は以下に述べるように、同一の角度変位において被検査体７の投影像の撮像を２回行い、２つの投影像を取得する。
【００３６】
まず一つ目は通常どおり撮像し、このときの投影像３１を第１投影像とする（ステップＳ２）。二つ目の投影像を撮像の際は、最初に撮像した投影像３１に対して二次元検出器２を支持するＸＹテーブル１４を制御して二次元検出器２の一画素の半分の距離だけ二次元検出器２を左右（Ｘ軸方向）及び上下（Ｙ軸方向）に移動させる（ステップＳ３）。そして、二次元検出器２を投影像３１を撮像した位置から半画素ずらした位置で、初期角度位相０°における二つ目の投影像３２を撮像する（ステップＳ４）。図５に、このときの２つの投影像３１及び３２の位置関係を示す。２回目の撮像が終了後、二次元検出器２を半画素分ずらす前の元の位置に戻しておく（ステップＳ５）。
【００３７】
上述の撮像工程を、回転基台３に載置された被検査体７を回転させながら所定角度変位毎に行って３６０°分撮像し（ステップＳ６）、各角度変位毎に撮像した二枚ずつの投影データを投影像記憶部２３に保存する。例えば、回転基台３の回転角度１°毎に被検査体７の撮像を行った場合は、３６０°分の撮像完了後には、７２０枚（３６０回＊２枚）の投影像が撮像されることになる。
【００３８】
３６０度分撮像した投影像を投影像記憶部２３に投影データとして記憶する。全ての投影像を撮像した後、各角度毎に２つ撮像された投影データをソフトウエア等を用いて合成する。この２つの投影像を合成する方法の一例として、後述の図６に示すように、通常位置及び半画素ずらした位置で撮像されたそれぞれの投影像を例えば共一次内挿法を用いて４倍の画素数の投影像を作り出し、次にこの２つの４倍の画素数の画像を一画素ずらした状態で、重なった部分の平均値を求め一枚の画像にする方法などがある。なお、共一次内挿法に代えて、最近隣内挿法や３次畳み込み内挿法を用いることもできる。
【００３９】
図６を参照して本例の４倍の画素数の画像作成について説明する。図中、元の画面とあるのは、図５に記載した投影像３１の一部２＊２の画素３３，３４，３５，３６を抽出して表現したものである。投影像３１の画素３３〜３６で検出された画素値をそれぞれＡ〜Ｄとする。共一次内挿法により、図６Ｂのように、画素（１）〜（１２）が内挿された４倍の画素数を持つ大きさ４＊４の投影像４１とすることができる。
【００４０】
図６Ｂに示す拡大投影像４１の画素（１）〜（１２）の各々の画素値は、一例として以下のような計算式で求める。再構成計算用計算機２４にて、画素（１）〜（１２）がそれぞれ画素値Ａ〜Ｄであるいずれの画素に近いか、及びその距離を考慮して再構成計算用計算機２４にて算出する。画素（１）は、
（１）＝Ａ＋１／（１＋２）＊（Ｂ−Ａ）＝（１＊Ｂ＋２＊Ａ）／（１＋２）
となる。
同様にして、
（２）＝（２＊Ｂ＋１＊Ａ）／（１＋２）
（３）＝（１＊Ｃ＋２＊Ａ）／（１＋２）
（４）＝（１＊Ｄ＋２＊Ａ）／（１＋２）
（５）＝（１＊Ｃ＋２＊Ｂ）／（１＋２）
（６）＝（１＊Ｄ＋２＊Ｂ）／（１＋２）
（７）＝（２＊Ｃ＋１＊Ａ）／（１＋２）
（８）＝（２＊Ｃ＋１＊Ｂ）／（１＋２）
（９）＝（２＊Ｄ＋１＊Ａ）／（１＋２）
（１０）＝（２＊Ｄ＋１＊Ｂ）／（１＋２）
（１１）＝（１＊Ｄ＋２＊Ｃ）／（１＋２）
（１２）＝（１＊Ｃ＋２＊Ｄ）／（１＋２）
と求められる。
【００４１】
上述と同様に、１／２画素ずらして撮像した投影像３２についても各画素の画素値を求める。そして、上述の幾何学変換及び各画素値の算出を、通常位置で各角度位相毎に撮像した投影像３６０枚全てについて行い拡大投影像を得る。また、１／２画素ずらしにより撮像した投影像についても、各角度変位毎の投影像３６０枚全てについて幾何学変換して各画素値を算出し拡大投影像を得る（ステップＳ７）。
【００４２】
次いで、同じ角度位相毎に上述のようにして求めた４倍画素数の拡大投影像の合成拡大投影像を生成する（ステップＳ８）。図７は合成拡大投影像の生成の説明に供する図であり、Ａは第１の投影像より生成した拡大投影像４１及び第２の投影像より生成した拡大投影像４２、Ｂは各拡大投影像を合成した合成拡大投影像を表す。
【００４３】
本例では、通常位置で撮像した投影像の４倍の画素数の拡大投影像４１及び１／２画素ずらし位置で撮像した投影像の４倍の画素数の拡大投影像４２を一画素ずらした状態で重ね合わせ、重なった部分における画素値の平均値を求め一枚の画像にする。例えば、図７の例でいえば、それぞれ４＊４の大きさの拡大投影像４１及び４２の左右上下一画素ずつずらして重なった３＊３の部分の投影像４７のそれぞれの画素値の平均値を求め、この重なった３＊３の投影像４７を含む４＊４の拡大投影像４１をこの角度位相における合成拡大投影像とするなどである。この合成拡大投影像を後の内部構造データを再構成する際のこの角度位相における画像データとする。
【００４４】
実際の二次元検出器の画素数は、例えば、
例１）縦１９２０画素×横１５３６画素＝２９４９１２０画素（約２９５万画素）
例２）縦２３０４画素×横３２００画素＝７３７２８００画素（約７３７万画素）
などのように大きい値であるので、一画素ずらしにより重なった画素のみを抽出して合成拡大投影像としてもよい。
【００４５】
上述のようにして、被検査体７の１回転３６０°分における各角度位相毎の合成拡大投影像３６０枚を生成し、この合成拡大投影像をもとに再構成計算用計算機２４により被検査体７の内部構造データを再構成計算し、算出された内部構造データを再構成結果表示装置２５に表示する。
【００４６】
以上述べたように、本例は、被検査体７の所定角度変位毎の投影像を撮像し１回転分の投影像を取得するのに、まず、通常の位置で投影像を撮像し、次にＸ線二次元検出器２を検出器の一画素の半分の量左右方向及び上下方向にＸＹテーブル１４により移動させ、再度投影像を撮像する。これら２つの投影像からそれぞれ共一次内挿法等により幾何学変換し４倍の画素数を持つ拡大投影像を算出し、これら２つの拡大投影像を合成してその角度位相における合成拡大投影像を生成する。そして、各角度位相毎に撮像した３６０°分全ての投影像について各角度位相における合成拡大投影像を生成し、これらの合成拡大投影像より内部構造データを再構成する。
【００４７】
このように構成したことにより、投影像の高解像度化を図ることができる。例えば、本例では同じ二次元検出器を使用して同じ拡大率での撮像を行うなどして従来通りの撮像を行ったとしても、単純にほぼ４倍の解像度の投影像が得られる。これにより、従来の４倍の解像度の被検査体の内部構造データの再構成処理を行うことができる。
【００４８】
また、本例によれば、画像の解像度が例えば４倍になることにより、Ｘ線二次元検出器２と被検査体７の距離を近づけることが可能になる。言い換えれば、今までの解像度を維持した状態で、Ｘ線二次元検出器２とＸ線管１の距離を短くすることにより、Ｘ線の受光量を増やす効果がある。これは、Ｘ線管１から放出されるＸ線が、放射状であるために受光面の中心から遠ざかるところでは照射Ｘ線が弱いが、逆にＸ線管１にＸ線二次元検出器２を近づけるほどＸ線量を多く入射し易くなるためである。したがって、例えば比較的Ｘ線の透過しにくい被検査体であってもＸ線二次元検出器２を近づけることで、今までの解像度を維持したまま投影像を撮像することが実現可能となる。
【００４９】
尚、上述実施の形態の例において、Ｘ線管１及びＸ線二次元検出器２を固定し、回転基台３に載置した被検査体７を回転させることにより、被検査体３６０°分の投影像を撮像する場合について述べたが、Ｘ線源とこのＸ線源に対向する位置に設置されるＸ線検出器とを被検査体の周りに回転させてＸ線投影像を撮像し内部構造を検査するようにしたＸ線断層撮像装置にも適用することができる。
【００５０】
また、本発明は上述した実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を取り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のＸ線断層撮像装置の一実施の形態の例であり、Ａは上面図、Ｂは側面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の例のＸ線二次元検出器の例である。
【図３】本発明の一実施の形態の例のＸ線断層撮像装置の構成図である。
【図４】本発明のＸ線断層撮像方法の説明に供するフローチャートである。
【図５】本発明の一実施の形態の例の投影像の画素ずらし前後での位置関係の説明図である。
【図６】本発明の一実施の形態の例の４倍の画素数の画像作成に関する説明図である。
【図７】本発明の一実施の形態の例の２つの画像の合成に関する説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…Ｘ線管、２…Ｘ線二次元検出器、２ａ…受光面、３…回転基台、３ａ…Ｙ´軸駆動機構、４…軸受け、５…Ｘ´Ｚテーブル、７…被検査体、８…保持冶具、１０…除振台、１１…シールドカバー、１４…Ｘ線二次元検出器ＸＹ軸駆動機構（ＸＹテーブル）、１４ａ…Ｘ軸駆動モータ、１４ｂ…Ｙ軸駆動モータ、２０…Ｘ線制御部、２１，２６…機構制御部、２２…制御操作卓、２３…投影像記憶部、２４…再構成計算用計算機、２５…再構成結果表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005134213.tif 000009