(57)【要約】【課題】 高周波電力増幅器およびこれを備えた携帯無線機において、増幅する信号のすべての周波数帯域で所望の出力特性を得る。【解決手段】 ゲート電圧により決定される動作点で信号を増幅する電界効果トランジスタ、ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、前記電界効果トランジスタの増幅する信号の周波数に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、前記信号の周波数に基いて前記記憶部から当該周波数に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部を備える。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電圧により決定される動作点で信号を増幅する電界効果トランジスタ、
ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、
前記電界効果トランジスタの増幅する信号の周波数に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、
前記信号の周波数に基いて前記記憶部から当該周波数に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部
を備えた高周波電力増幅器。
【請求項２】
前記ゲートバイアス回路の周囲温度を検知する熱センサをさらに備え、
前記記憶部は、前記周囲温度に対応したゲートバイアス制御データを記憶し、
前記制御部は、前記熱センサが検知した周囲温度に基いて前記記憶部から当該周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出すとともに、当該制御データと前記周波数に対応するゲートバイアス制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項３】
ゲート電圧により決定される動作点で信号を増幅する電界効果トランジスタ、
ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、
このゲートバイアス回路の周囲温度を検知する熱センサ、
前記周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、
前記熱センサが検知した周囲温度に基いて前記記憶部から当該周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部
を備えた高周波電力増幅器。
【請求項４】
送信信号を増幅する高周波電力増幅器を含む携帯無線機において、
前記高周波電力増幅器は、
ゲート電圧により決定される動作点で前記送信信号を増幅する電界効果トランジスタ、
ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、
前記送信信号の周波数に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、
前記送信信号の周波数に基いて前記記憶部から当該周波数に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部
を備えることを特徴とする携帯無線機。
【請求項５】
前記高周波電力増幅器は、
前記ゲートバイアス回路の周囲温度を検知する熱センサをさらに備え、
前記記憶部が前記周囲温度に対応したゲートバイアス制御データを記憶し、
前記制御部が前記熱センサが検知した周囲温度に基いて前記記憶部から当該周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出すとともに、当該制御データと前記周波数に対応するゲートバイアス制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御することを特徴とする請求項４に記載の携帯無線機。
【請求項６】
送信信号を増幅する高周波電力増幅器を含む携帯無線機において、
前記高周波電力増幅器は、
ゲート電圧により決定される動作点で前記送信信号を増幅する電界効果トランジスタ、
ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、
このゲートバイアス回路の周囲温度を検知する熱センサ、
前記周囲温度に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、
前記熱センサが検知した周囲温度に基いて前記記憶部から当該周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部
を備えることを特徴とする携帯無線機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成された高周波電力増幅器（ＨＰＡ）およびこれを備える携帯無線機に係り、特に電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波電力増幅器は、ＦＥＴと、ゲート電圧を表したゲート電圧データを記憶したＲＯＭと、出力電力に応じてこのＲＯＭから読み出されたデータをアナログデータに変換するＤ／Ａ変換器と、変換後のアナログデータを反転増幅しその出力がＦＥＴのゲートに印加される反転増幅器から構成され、出力電力を制御するときにこれに同期してゲート電圧を制御するようにしていた。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】特開平５−８３０４１号公報（第４、５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、携帯電話機の送信周波数帯域の広帯域化、省電力化等のニーズに伴い、高周波電力増幅器の広帯域化、高出力化が進んでいる。ＦＥＴの動作点はゲートへ与える電圧で決められているが、ピンチオフ電圧、すなわちドレイン電流が流れることのできない状態になるゲート電圧（Ｖｇｓ）がＦＥＴ毎にばらつくため、一定のゲート電圧を与えたのではＦＥＴ毎のアイドル電流が大きくばらつき、量産する複数の携帯電話機において一定の性能が得られない。そこで、ゲートバイアスの分圧抵抗値をトリミングすることで、ピンチオフ電圧がばらついても一定のアイドル電流が流れるように調整することができ、均一な特性を得ることができる。
【０００５】
このとき周波数特性は、一般的に中心周波数で最も良い特性となるように調整され、帯域の端にいくほど悪くなる。すなわち、高周波で動作している素子は周波数特性を持っており、広い帯域で使用すれば周波数特性が大きくなるため、上記従来の高周波電力増幅器では、帯域の端で所望の出力特性を得ることが難しいという問題点があった。
【０００６】
また、ゲートバイアスの分圧抵抗値は温度の影響を大きく受けるため周囲温度の変化によりゲート電圧がずれ、ＦＥＴの動作点が動いてしまう。そのため、特に高温、低温時に所望の出力特性を得ることが難しいという問題点があった。
【０００７】
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、広帯域で使用する高周波電力増幅器およびこれを備えた携帯無線機において、増幅する信号のすべての周波数帯域で所望の出力特性を得ることを目的とする。
【０００８】
また、この発明は、高周波電力増幅器およびこれを備えた携帯無線機において、周囲温度に係わらず、所望の出力特性を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の高周波電力増幅器は、ゲート電圧により決定される動作点で信号を増幅する電界効果トランジスタ、ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、前記電界効果トランジスタの増幅する信号の周波数に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、前記信号の周波数に基いて前記記憶部から当該周波数に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部を備える。
【００１０】
また、この発明の高周波電力増幅器は、ゲート電圧により決定される動作点で信号を増幅する電界効果トランジスタ、ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、このゲートバイアス回路の周囲温度を検知する熱センサ、前記周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、前記熱センサが検知した周囲温度に基いて前記記憶部から当該周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部を備える。
【００１１】
また、この発明の携帯無線機は、送信信号を増幅する高周波電力増幅器を含む携帯無線機であって、前記高周波電力増幅器が、ゲート電圧により決定される動作点で前記送信信号を増幅する電界効果トランジスタ、ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、前記送信信号の周波数に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、前記送信信号の周波数に基いて前記記憶部から当該周波数に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部を備える。
【００１２】
さらに、この発明の携帯無線機は、送信信号を増幅する高周波電力増幅器を含む携帯無線機であって、前記高周波電力増幅器が、ゲート電圧により決定される動作点で前記送信信号を増幅する電界効果トランジスタ、ゲートバイアス電圧を抵抗分圧して前記ゲート電圧を発生するゲートバイアス回路、このゲートバイアス回路の周囲温度を検知する熱センサ、前記周囲温度に対応したゲートバイアス制御データを記憶した記憶部、前記熱センサが検知した周囲温度に基いて前記記憶部から当該周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出し、当該制御データに基づき前記ゲートバイアス電圧を制御する制御部を備える。
【発明の効果】
【００１３】
この発明の高周波電力増幅器は、その増幅する信号の周波数により電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧を制御可能な構成としたので、増幅する信号のすべての周波数帯域で所望の出力特性を得られる。
【００１４】
また、この発明の高周波電力増幅器は、その周囲温度により電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧を制御可能な構成としたので、周囲温度に係わらず所望の出力特性を得られる。
【００１５】
また、この発明の携帯無線機は、高周波電力増幅器がその周囲温度により電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧を制御可能な構成としたので、周囲温度に係わらず所望の送信信号出力特性を得られることにより送信性能の安定化が図れ、通話品質が向上する。
【００１６】
さらに、この発明の携帯無線機は、高周波電力増幅器がその増幅する信号の周波数により電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧を制御可能な構成としたので、すべての送信周波数帯域で所望の送信信号出力特性を得られることにより送信性能の安定化が図れ、通話品質が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の最適な実施の形態を、図を用いて説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る携帯電話機（携帯無線機）の構成を示すブロック図である。送信部は、Ｉ／Ｑ信号およびローカル信号（Ｌｏ）が入力される直交変調器１１、制御信号により増幅率が可変される可変増幅器１２、高周波電力増幅回路（ＨＰＡ）１３、アイソレータ１４、後述する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３１のゲートバイアス電圧を発生する負電圧発生回路１９、ＨＰＡ１３の出力信号を検波する検波回路２１を含み構成される。ＨＰＡ１３は、負電圧発生回路１９からゲートバイアス電圧を、電源２０からドレインバイアス電圧を得る。ＨＰＡ１３の詳しい構成は後述する。１５は高周波スイッチであり、アイソレータ１４の出力信号をアンテナ１６に供給する、またはアンテナ１６が受信した信号を受信部１８へ供給するように切り換わる。熱センサ２２はＨＰＡ１３の周囲温度を検出する。
【００１８】
制御部は、ＤＳＰ１７とこれを制御するＣＰＵ２４を含み、記憶部は、ＲＯＭ２３を含み構成される。ＤＳＰ１７は、負電圧発生回路１９と可変増幅器１２に信号を出力し、その出力部にそれぞれＤ／Ａ変換器１７１、１７２を備える。また、検波回路２１からの信号と、ＨＰＡ１３の周囲温度を検出した熱センサ２２からの信号を入力し、その入力部にそれぞれＡ／Ｄ変換器１７３、１７４を備える。Ａ／Ｄ変換器１７３とＤ／Ａ変換器１７２の間には比較器１７５が設けられ、比較器１７５は検波回路２１から入力されＡ／Ｄ変換された信号と基準電圧を比較して、その差分電圧を発生する。この差分電圧がＤ／Ａ変換され可変増幅器１２に出力される制御信号となる。
【００１９】
ＲＯＭ２３には、負電圧発生回路１９の制御データが記憶されている。この制御データは周囲温度に対応してゲートバイアス電圧を制御するゲートバイアス制御データ、およびＨＰＡ１３の増幅する信号の周波数である送信周波数に対応してゲートバイアス電圧を制御するゲートバイアス制御データを含む。これらの制御データは、負電圧発生回路１９が発生するゲートバイアス電圧を直接決定する値、または補正値などであり、ゲートバイアス電圧を制御することによりＦＥＴ３１のゲート電圧を制御するものである。制御データが補正値の場合の一例を図７に示す。
【００２０】
図７（ａ）は周囲温度に対応する補正値であり、周囲温度を低温、常温、高温の３つに分け、低温時＋１、常温時０、高温時−１が制御データとして記憶される。これらの補正値は、高温時には分圧抵抗の値が大きくなり常温時よりゲート電圧が高く与えられるので、ゲートバイアス電圧を低く補正するものであり、低温時には高温時と逆の働きが生じて抵抗値が小さくなり常温時よりゲート電圧が低く与えられるので、ゲートバイアス電圧を高く補正するものである。
【００２１】
また、図７（ｂ）は周波数に対応する補正値であり、送信周波数帯域を低（ｆ＿Ｌ帯）、中（ｆ＿Ｃ帯）、高（ｆ＿Ｈ帯）の３つに分け、ｆ＿Ｌ帯時＋１、ｆ＿Ｃ帯時０、ｆ＿Ｈ帯時−１が制御データとして記憶される。ＣＰＵ２４は、ＲＯＭ２３に記憶されたこれらの制御データに基づき負電圧発生回路１９に信号を出力するようＤＳＰ１７を制御する。
【００２２】
図２は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３１を含むＨＰＡ１３の回路構成を表わしたものである。ＦＥＴ３１のドレイン端子にはドレインバイアス電圧を与える電源２０と、出力端子３５に続く出力整合回路３４が接続され、ソース端子は接地されている。また、ＦＥＴ３１のゲート端子には、ゲートバイアス電圧３３を抵抗分圧しゲート電圧を与えるゲートバイアス回路３２と、入力端子３７から続く入力整合回路３６が接続されている。
【００２３】
一般に、ＦＥＴは素子によってそれぞれＩｄｓｓ（ゲート電圧０Ｖ時のドレイン電流）、Ｖｐ（ピンチオフ電圧）が異なる。図５は、ＦＥＴ素子のＶｇｓ−Ｉｄ（ゲート電圧−ドレイン電流）特性を示したものである。図において、曲線５１、５２、５３は、それぞれＦＥＴ素子１、２、３のＶｇｓ−Ｉｄ特性を表わす。ＦＥＴ素子を搭載した複数の携帯電話機それぞれにおいて、ＨＰＡ１３が安定な特性を得るためにはＦＥＴ３１の動作点を一定、すなわちＦＥＴ３１のアイドル電流を一定にする必要がある。図５に示すＦＥＴ素子１、２、３の場合、一定のアイドル電流を得るために、それぞれＶｐ１、Ｖｐ２、Ｖｐ３のゲート電圧を与える必要があり、これは各携帯電話機（またはＨＰＡ）毎にゲートバイアス回路３２の分圧抵抗をトリミングすることにより発生させている。このため、ゲートバイアス回路３２は分圧抵抗として熱による影響を受けやすい抵抗素子を含むことになる。これにより、図１で説明した熱センサ２２は、ゲートバイアス回路３２の周囲温度を検知できるよう設けられている。
【００２４】
次に動作を説明する。図１において、図示しないベースバンド部より出力されたＩ／Ｑ信号は直交変調器１１で変調され可変増幅器１２へ入力される。可変増幅器１２でＤＳＰ１７からの制御信号に基づく利得で増幅された信号はＨＰＡ１３で所望の電力に増幅され、アイソレータ１４、高周波スイッチ１５を通り、アンテナ１６から送出される。一方、アンテナ１６から受信された信号は、高周波スイッチ１５を通り受信部１８へ入力される。
【００２５】
送信時、すなわちＨＰＡ１３が動作する場合、ＤＳＰ１７は送信周波数に対応するゲートバイアス制御データをＲＯＭ２３から読み出し、Ｄ／Ａ変換器１７１でＤ／Ａ変換して負電圧発生回路１９へ信号（ゲートバイアス値）を出力する。ゲートバイアス制御データが図７（ｂ）に示す補正値である場合、負電圧発生回路１９からあらかじめ設定した標準ゲートバイアス電圧を発生させるゲートバイアス値を０（標準値）とすると、送信周波数がｆＬでｆ＿Ｌ帯に含まれる場合は＋１、ｆＣでｆ＿Ｃ帯に含まれる場合は０、ｆＨでｆ＿Ｈ帯に含まれる場合は−１に補正されたゲートバイアス値が出力される。これにより送信周波数に応じてＨＰＡ１３に与えられるゲートバイアス電圧が制御される。
【００２６】
また、ＤＳＰ１７は熱センサ２２からの信号を入力し、これをＡ／Ｄ変換した信号に基づきＲＯＭ２３から周囲温度に対応するゲートバイアス制御データを読み出す。ゲートバイアス制御データが図７（ａ）に示す補正値である場合、熱センサ２２が検知した周囲温度が低温の場合は−１、常温の場合は０、高温の場合は＋１だけゲートバイアス値を補正し、Ｄ／Ａ変換器１７１でＤ／Ａ変換して負電圧発生回路１９へ出力する。これにより周囲温度に応じてＨＰＡ１３に与えられるゲートバイアス電圧が制御される。
【００２７】
上記の送信周波数に対応するゲートバイアス電圧制御は送信周波数、または送信周波数の分割帯域ｆ＿Ｌ帯、ｆ＿Ｃ帯、ｆ＿Ｈ帯が変更になるタイミングで行う。送信周波数毎に制御する場合、それぞれの周波数において最適値に制御できるので、より良好な出力特性を得ることができる。また、送信周波数帯域毎に制御する場合、制御データを記憶するメモリ容量を少なくできるとともに、制御頻度が少なく制御が煩雑にならないという効果がある。
【００２８】
周囲温度に対応するゲートバイアス電圧制御は、送信周波数またはその分割帯域が一定の場合でも、あらかじめ設定したタイミングで適宜行い、周囲温度の変化に対応するようにする。上記の周波数による制御と温度による制御を同時に行うタイミングにおいては、例えば、送信周波数がｆＬでｆ＿Ｌ帯に含まれ、検出された周囲温度が低温である場合、補正値はそれぞれの補正値＋１、＋１を加算した値＋２になり、この補正値で補正されたゲートバイアス値＋２を負電圧発生回路１９に出力する。この場合、制御回数が少なく制御が煩雑にならない。ＤＳＰ１７は以上の動作をＣＰＵ２４の制御により行う。
【００２９】
図２において、入力端子３７から入力された送信信号は入力整合回路３６で整合され、ＦＥＴ３１のゲートに入力される。ＦＥＴ３１はゲートバイアス回路３２の出力するゲート電圧で決定される動作点で動作して、ドレインより増幅した信号を出力する。増幅された送信信号は、出力整合回路３４で整合され出力端子３５より出力される。ゲートバイアス回路３２は、ゲートバイアス値で決定され負電圧発生回路１９から与えられたゲートバイアス電圧３３を分圧し、ＦＥＴ３１にゲート電圧を与える。したがって、送信周波数または周囲温度に応じて制御されたゲート電圧が与えられることになる。
【００３０】
ここで、ＨＰＡの特性は、例えば隣接チャネル漏洩電力（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｐｏｗｅｒ，ＡＣＰ）で表わされ、ＰＤＣでは、搬送波周波数（送信周波数）から±５０ｋＨｚ、±１００ｋＨｚ離れた周波数における漏洩電力”ＡＣＰ±５０ｋＨｚ”、”ＡＣＰ±１００ｋＨｚ”がそれぞれ規格化されている。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれゲート電圧を−２．２Ｖ、−２．３Ｖ、−２．４Ｖとした場合のＡＣＰ±５０ｋＨｚの周波数特性を表わすグラフである。図６（ａ）には、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応して、各周波数ｆＬ、ｆＣ、ｆＨのＡＣＰ±５０ｋＨｚ値を示す。ゲート電圧が−２．２Ｖの場合、各周波数ｆＬ、ｆＣ、ｆＨのＡＣＰ±５０ｋＨｚ値は−５２ｄＢｃ、−５０ｄＢｃ、−４８ｄＢｃ、ゲート電圧が−２．３Ｖの場合は−５０ｄＢｃ、−５２ｄＢｃ、−５０ｄＢｃ、ゲート電圧が−２．４Ｖの場合は−４８ｄＢｃ、−５０ｄＢｃ、−５２ｄＢｃであり、ゲート電圧−２．２Ｖ、−２．３Ｖ、−２．４Ｖにおいて、それぞれ周波数ｆＬ、ｆＣ、ｆＨの信号が最も良い特性を得られることを示している。
【００３１】
したがって、上記実施の形態１においては、常温でゲートバイアス値が＋１、０、−１のとき、それぞれ−２．２Ｖ、−２．３Ｖ、−２．４Ｖのゲート電圧が得られるよう負電圧発生回路１９およびゲートバイアス回路３２の分圧抵抗をトリミングしておく。これにより送信周波数ｆ＿Ｌ帯、ｆ＿Ｃ帯、ｆ＿Ｈ帯に応じてゲートバイアス値を＋１、０、−１と変化させ制御することで、ゲート電圧が−２．２Ｖ、−２．３Ｖ、−２．４Ｖと変化し、すべての送信周波数帯域で良好なＡＣＰ特性を得ることができる。
【００３２】
また、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ周囲温度が−２０度、＋２０度、＋６０度の場合のＡＣＰ±５０ｋＨｚの周波数特性を表わすグラフである。図６（ｂ）には、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応して、各温度−２０度、＋２０度、＋６０度のＡＣＰ±５０ｋＨｚ値を示す。周囲温度が−２０度の場合、各周波数ｆＬ、ｆＣ、ｆＨのＡＣＰ±５０ｋＨｚ値は−４８ｄＢｃ、−５０ｄＢｃ、−５２ｄＢｃ、周囲温度が＋２０度の場合は−５０ｄＢｃ、−５２ｄＢｃ、−５０ｄＢｃ、周囲温度が＋６０度の場合は−５２ｄＢｃ、−５０ｄＢｃ、−４８ｄＢｃであり、周囲温度−２０度、＋６０度のとき、最も良い特性（ＡＣＰ±５０ｋＨｚが−５２ｄＢｃ）を得られる信号の周波数はそれぞれ高い方（ｆＨ）、低い方（ｆＬ）にずれてしまっている。これは、前述のとおり温度によってゲートバイアス回路３２の抵抗値が変化し、周囲温度が−２０度のときはゲート電圧が低く、＋６０度のときは高くずれることによる。
【００３３】
したがって、上記実施の形態１において、周囲温度−２０度、＋２０度、＋６０度に応じてゲートバイアス値を＋１、０、−１だけ補正しゲートバイアス電圧を制御することで、周囲温度によるゲート電圧のずれを補正することができ、周囲温度によらず良好なＡＣＰ特性を得ることができる。
【００３４】
また、上記の周波数によるゲート電圧の制御と周囲温度によるゲート電圧の補正を組み合わせて行うことにより、すべての送信周波数帯域で、周囲温度によらず良好なＡＣＰ特性を得ることができる。
【００３５】
以上のように、この実施の形態１によれば、ＨＰＡ１３の増幅する信号の周波数に応じてＦＥＴ３１のゲート電圧を制御するようにしたので、増幅する信号のすべての周波数帯域で良好な特性を示すＨＰＡを得ることができる。
【００３６】
また、ＨＰＡ１３、特にゲートバイアス回路３２の周囲温度を検出し、この温度に応じてＦＥＴ３１のゲート電圧のずれを補正するようにしたので、周囲温度によらず良好な特性を示すＨＰＡを得ることができる。
【００３７】
また、上記の周波数に基づくゲート電圧の制御と組み合わせることにより、増幅する信号のすべての周波数帯域で周囲温度によらず良好な特性を示すＨＰＡを得ることができる。
【００３８】
さらに、上記のＨＰＡを携帯電話機の送信部に搭載することにより、すべての送信周波数帯域で周囲温度によらず送信性能の安定化が図れ、通話品質の良い携帯電話機を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の実施の形態１に係る携帯電話機のブロック図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るＨＰＡの等価回路図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係るＨＰＡのゲート電圧によるＡＣＰ周波数特性を示すグラフである。
【図４】この発明の実施の形態１に係るＨＰＡの周囲温度によるＡＣＰ周波数特性を示すグラフである。
【図５】ＦＥＴ素子のＶｇｓ−Ｉｄ特性を示すグラフである。
【図６】この発明の実施の形態１に係るＨＰＡのＡＣＰ周波数特性値を示す表である。
【図７】この発明の実施の形態１に係るゲートバイアス制御データを示す表である。
【符号の説明】
【００４０】
１３  高周波電力増幅器（ＨＰＡ）、    １７  ＤＳＰ、
１９  負電圧発生回路、    ２２  熱センサ、    ２３  記憶部（ＲＯＭ）、
２４  ＣＰＵ、    ３１  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、
３２  ゲートバイアス回路
【図１】
2005080081.tif 000003
【図２】
2005080081.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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