(57)【要約】【課題】  従来の樹脂製中空パッケージと同等以上の耐湿性を有する、薄型の半導体素子収納用中空パッケージを提供する。【解決手段】  本発明の半導体素子収納用中空パッケージは、樹脂組成物と導電性のリードからなる半導体素子収納用中空パッケージであって、パッケージ外部底面とパッケージ内部素子搭載面（ダイアタッチ部）のうちいずれかもしくは両方に、厚さが０．５μｍ以上２０μｍ以下の金属めっき層を有することを特徴とする。金属めっき層は、水分不透過膜として機能する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂組成物と導電性のリードからなる半導体素子収納用中空パッケージであって、パッケージ外部底面とパッケージ内部素子搭載面のうちいずれか、あるいは両方に、厚さが０．５μｍ以上２０μｍ以下の金属めっき層を有することを特徴とする、半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項２】
前記の金属めっき層は、該パッケージ外部底面および／または内部素子搭載面において、表面に露出した端子とは接触せず、それ以外の樹脂表面であって、パッケージ外部底面と内部素子搭載面との間の樹脂厚さが最も薄い部分の少なくとも８０％を覆うように設けられている、請求項１記載の半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項３】
前記パッケージ外部底面と内部素子搭載面との間の最も薄い部分の樹脂厚さが、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項４】
前記金属めっき層が設けられる部分のパッケージ表面が、めっき層の厚さと同じかまたはそれ以上の高さの凹形状に成形されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項５】
金型に導電性のリードをインサートしあと樹脂組成物を注入して中空パッケージを成形する成形工程、成形された後に、該パッケージの樹脂表面部分をエッチング処理により算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上２．０μｍ以下になるように加工するエッチング工程、エッチングされたパッケージ外部底面とパッケージ内部素子搭載面のうちいずれか、あるいは両方に、露出する端子とは接触させず、それ以外の樹脂表面であって、該パッケージ外部底面と内部素子搭載面との間の樹脂厚さが最も薄い部分の面積の少なくとも８０％を覆う範囲で無電解めっきを施し、その後該無電解めっき部に電解めっきまたは続けて無電解めっきを、めっき層の厚さが０．５μｍ以上２０μｍ以下となるまで行うめっき工程を含むことを特徴とする、半導体素子収納用中空パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収納するパッケージとして好適な、耐湿性が改良された樹脂製パッケージに関する。特に薄型の半導体素子収納用中空パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細なごみや埃に大きく影響され、その特性を劣化させてしまい、また機械的振動や衝撃を受けることにより破損しやすいことが知られている。これら外的要因から半導体素子を保護するために、セラミックス製の箱や樹脂で封止し、パッケージとして使用に供されていることは良く知られている。
【０００３】
中でも、ＣＣＤ、ＣＭＯＳを代表とする固体撮像素子や、ＬＤ、ＰＤなどのレーザ素子、フォトダイオード素子などは、パッケージ外部と光の通路が必要であり、一般的なＬＳＩ素子のように、周囲を樹脂やセラミックスで封止することができない。これらの半導体素子は、一般に一方が開放された中空タイプのパッケージに実装され、その後開放部をガラスなど透明材料で封止することにより、パッケージングされている。
【０００４】
この中空タイプのパッケージを製造するにあたり、金属やセラミックスを用いる気密封止方式の場合、本質的に非透湿であるが、製造コストが高い、寸法精度が悪いなどの欠点も有する。これに対して樹脂封止の場合、製造コストは比較的低く、寸法精度も高いが、非特許文献１、非特許文献２に示されるように、樹脂は基本的に水分拡散係数を有しており、時間が経つと徐々に水分を通過させ、半導体素子の特性を劣化させたり、気密性を保持したパッケージ内部に浸透した水分がガラス面を結露させたりし、信頼性に欠けるといった問題点があった。
【０００５】
これまで、樹脂を中空パッケージに使用するにあたり、様々な工夫がなされてきた。その中でも、特許文献１、特許文献２、特許文献３などでは、樹脂組成物に吸湿材料を添加し、樹脂中を浸透する水分を吸着することにより、中空内部への水の浸入を防ごうとする技術が提案されている。
【０００６】
これらの発明により、従来耐水性が不足していた、半導体素子収納用パッケージ、特に中空パッケージにおいても、樹脂製のパッケージが使用に供されることとなった。
【０００７】
しかし、近年の電子機器への小型化・薄型化の要求が強まったことにより、半導体素子収納用パッケージにも、特に薄型化への要求が高まってきた。樹脂製のパッケージは、水をトラップする部分が薄くなるに伴い、耐水性が弱まっていく。そのため、特に携帯電話に搭載されるような、超薄型のパッケージに十分な耐水性を持たせることは、これまで難しいとされていた。
【０００８】
一般的に、中空パッケージにおいては、ダイアタッチ部と言われている半導体チップを実装する部位の底が、樹脂厚さの最も薄い部分となる。そのため、樹脂中を浸入しようとする水分を、吸湿材料の添加によりトラップする手法では、このダイアタッチ部の厚さが重要な問題となる。
【０００９】
例えばダイアタッチ部が１ｍｍ程度である比較的大型のパッケージであれば、添加する吸湿材料が十分に水分をトラップするため、パッケージとしての耐湿性は十分であったが、ダイアタッチ部が０．３ｍｍ以下といった薄型のパッケージとなると、樹脂層が薄いために、十分に水分をトラップすることができず、満足する耐湿性は得られなかった。
【００１０】
このため、吸湿材料の添加量を増やし、より多くの水分をトラップできるようにすることもできるが、一般に樹脂中に吸湿材料の添加量が増えると、樹脂の流動性、強度などに影響を及ぼし、特に薄型のパッケージを成形しようとした場合、薄い部分に十分に樹脂が充填されなかったり、薄い部分の樹脂強度が弱いために、破損・欠けが多発したりするといった問題があった。
【００１１】
一方、特許文献４においては、パッケージ内部に水分不透過性の板状体からなるアイランドを形成したパッケージが開示され、これにより耐湿性を大きく高められることが記載されている。この技術は、リードフレームとアイランドを同一金属板の加工により作るため、アイランド部の厚さが０．１５〜０．３０ｍｍ程度になる。パッケージダイアタッチ部が０．２ｍｍといった薄型パッケージの場合、０．１５ｍｍのアイランドを挿入しようとすると、樹脂の厚さは０．０５ｍｍとなり、成形時の充填不良が多発したり、強度的に弱いものとなったりするため、実用的ではない。そこで、リードフレームの肉厚を薄くしてこれより薄いアイランドを形成しようとすると、成形時の樹脂注入圧や金型クランプ圧に耐えることができず、フレーム曲がりが発生してしまう。
【００１２】
さらに、パッケージ底面部にアイランドを挿入するスペースが無いために、アイランドをパッケージ底面またはダイアタッチ面に露出させる手法もとられる。この手法は、機械的衝撃、または樹脂バリ取り処理などの影響で、アイランド剥離が発生することもある。
【００１３】
加えて、アイランドの大きさに関しては、リードフレームの一体加工によりアイランドを作るという制限があるので、パッケージ底部分からの水分透過防止板としての効果を十分に発揮させるために、インナーリード部分に重なるほどの大きさにまでアイランドを形成することが難しい。
【００１４】
【非特許文献１】信学技法，ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ  ＲＥＰＯＲＴ  ＯＦ  ＩＥＩＣＥ．  ＩＣＤ９５−１９４（１９９５−１２），社団法人電子情報通信学会
【非特許文献２】日東技法，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．２，Ｏｃｔ．１９９０，ｐ．８４−９５
【特許文献１】特許第２７５０２５４号公報
【特許文献２】特開平６−４９３３３号公報
【特許文献３】特開２００１−２２０４９６号公報
【特許文献４】特許第２５３９１１１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、前記の課題を解決しようとするもでのであって、従来の樹脂製中空パッケージと同等以上の耐湿性を有する、薄型の樹脂製中空パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の半導体素子収納用中空パッケージは、樹脂組成物と導電性のリードからなる半導体素子収納用中空パッケージであって、パッケージ外部底面とパッケージ内部素子搭載面（ダイアタッチ部）のうちいずれかもしくは両方に、厚さが０．５μｍ以上２０μｍ以下の金属めっき層を有することを特徴とする。金属めっき層は、水分不透過膜として機能する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体素子搭載用パッケージを製造するにあたり、十分な大きさの、薄い水分不透過性膜を形成させることができ、薄型パッケージにおいても十分な耐水性能を得ることが可能となる。また、これにより、耐水性に優れた樹脂製パッケージ、特に薄型の表面実装型中空パッケージなどの製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の半導体素子収納用中空パッケージは、樹脂組成物と導電性のリードからなる半導体素子収納用中空パッケージであって、パッケージ外部底面とパッケージ内部素子搭載面（ダイアタッチ部）のうちいずれかもしくは両方に、金属めっき層を有する。金属めっき層は、水分不透過膜として機能する。
【００１９】
めっきにより、薄い水分不透過性膜を形成することができ、パッケージ厚さに大きな影響を及ぼさないうえ、従来のリードフレームの一部にアイランドを形成させる手法と比較して、金属膜面積を増大させることが可能となる。すなわち、パッケージの最も薄い部分であるダイアタッチ部の面積と同じ面積、あるいはそれより大きな面積を金属膜で覆うことが可能となる。これにより、パッケージ底面からの水の浸入に対して、耐水性が高まる。
【００２０】
なお、パッケージ底面または側面から出るアウターリード、またはパッケージ内部のインナーリードと、めっき施工範囲が重なると、電流リークが起きてしまうため、好ましくない。めっき施工の好ましい範囲としては、パッケージダイアタッチ部の面積を（Ａ）とし、パッケージ底面の面積を（Ｂ）とすると、面積（Ａ）の８０％以上で面積（Ｂ）以下、より好ましくは面積（Ａ）の１００％以上面積（Ｂ）以下であり、いずれの条件においても、表面に露出した端子、すなわちアウターリードおよびインナーリードに接しない範囲である。
【００２１】
また、めっきと樹脂面との接着強度を高めるため、めっきを行う前に、予め樹脂面にはエッチング処理を行うことが好ましい。この際、成形樹脂にはエッチング処理により溶解する成分、例えば炭酸カルシウム等を含有させておくことにより、効果的にエッチング処理が行われ、樹脂表面が適度に粗される。炭酸カルシウムは平均粒径１μｍ以上２０μｍ以下のものを、樹脂組成物中に１質量％以上１０質量％以下、好ましくは１質量％以上５質量％以下含有させると良い。エッチングの手法に関しては、公知の手法が用いられ、例えば過マンガン酸カリウム水溶液、クロム酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液などに成形体を一定時間浸漬するといった手法が用いられる。
【００２２】
このエッチング処理により、成形体の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上２．０μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以上１．８μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上１．３μｍ以下に加工される。この処理を行うことで、めっきされた金属がアンカー効果によって、効果的に成形体と接着する。
【００２３】
中空パッケージ実装工程において、ガラスリッドにより開放部をシールする場合、シール剤を効果的に接着させるため、一般的に中空パッケージのシール面部分はサンドブラスト、プラズマ処理、ＵＶ処理、ウェットホーニングその他の手法で表面改質加工がなされる。しかし、本発明においては、エッチング処理により、シール面に必要な粗さが確保されるため、これらの工程が不要になるという利点もある。
【００２４】
また、このめっきの施工範囲は、樹脂面がめっき層の厚さと同じかまたはそれ以上の高さの凹形状に成形されていることが好ましい。凹形状の窪みは樹脂面より０．５μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１８μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上１５μｍ以下に加工されていることが好ましい。この凹形状部の範囲にめっきを施工することで、水分不透過膜がパッケージ底面またはダイアタッチ部から不必要にはみ出さないようにすることができる。めっき部分が不必要にはみ出すと、実装時の平面性が失われたり、梱包・輸送時にめっき層が傷ついたりする可能性がある。
【００２５】
すなわち、本発明におけるめっき厚さも、同様に０．５μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１８μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。めっきの種類は、その実装方式で必要となる種類のめっきを選択すればよい。
【００２６】
めっき施工手法は、下地に無電解めっきを施すことが好ましく、公知の無電解めっきの工程で行われる。具体的には例えば、エッチング処理が終わった成形体に、全面無電解銅めっきを施し、レジスト塗布を行い、マスク処理でＵＶ光を当てて必要範囲のみレジストを固着させ、マスク除去後に銅を溶解させたのちレジスト剥離を行う。ポジ型／ネガ型のレジストを用いることで、若干工程は異なるが、状況に応じて適宜手法を選択すればよい。無電解めっきの種類としては、半導体パッケージの種類、使用するリードフレームの種類などにより、適宜選択すればよいが、一般的には無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきなどが好適に使用される。
【００２７】
その後、得られた無電解めっき施工範囲上に、電解めっきを施す。この際に、めっき範囲の一部が、外部のリードフレームと接している場合は、リードフレームから電気導通が取れるため、インナーリード、アウターリードのめっき加工と同時に、無電解めっき部分もめっきすることが可能であるので好ましい。ただし、めっき施工範囲がリードフレームと全く接していない場合、もしくはリードフレームを使わないパッケージの場合には、電解めっきを外部から電気的接点を取って行うことが出来る。
【００２８】
電解めっきの種類も、パッケージ種類、実装方式などにより適宜選択すれば良い。一般的に、半田実装される半導体モジュールの場合は、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきなどが好適に用いられる。
【００２９】
なお、この電解めっきの代わりに、さらに無電解めっきを施すことで、水分不透過性膜を形成することも可能であり、この場合はめっき施工範囲とリードフレームとの電気的接続は必要がなくなるため、よりめっき施工範囲の自由度が高くなる。リードフレームを使わないパッケージにおいても、好適にめっき層の形成が可能である。すなわち、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）などのリードレスパッケージにおいては、この無電解めっき処理を行うことにより、本発明の適用が可能となる。
【００３０】
また、例えばパッケージ底面に薄い水分不透過性の膜を形成しようとした場合、金属箔、金属板、フレキシブル基板（ポリイミドと銅箔のラミネート板）、金属蒸着、スパッタなどの手法も考えられる。しかし、これらの薄い部材（金属箔、金属板、フレキシブル基板など）を貼り付けようとした場合、接着剤が必要となり、平面性を維持することが難しく、高温高湿環境下等において接着剤劣化による剥離などが生じるため、好ましくない。さらに、薄い部材を樹脂と一体成形しようとした場合、金型内に部材をクランプして固定する必要があり、０．１ｍｍ以下の薄い部材では十分な固定が難しいばかりでなく、注入樹脂圧によって歪んだり、しわが寄ったりするため、適当でない。金属蒸着やスパッタも可能な手法ではあるが、製造にコストがかかるため、めっき手法の方が好ましい。
【００３１】
本発明に用いる樹脂組成物は、特に限定するものではないが、寸法安定性、取り扱いの良さ、耐水性などの観点から、フィラーを含有したポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂などが選択される。特にリードフレームとの一体成形でパッケージを作成する場合は、金属と密着性が強いエポキシ樹脂組成物が好適に使用される。
【００３２】
さらに耐水性を高めるため、樹脂組成物中に吸湿材料を添加することも可能である。この場合、本発明のように広い範囲をめっきで覆ったパッケージの場合、吸湿材料は少ない量で従来と同等以上の耐水性を有すことができるため、樹脂強度や流動性を損なうことが無く、薄型パッケージに好適に使用できる。添加する吸湿材料としては、１−ブタノールを媒体として測定した密度が２．１ｇ／ｃｍ３未満であり、６０℃、相対湿度９０％の環境下における２４時間後の吸湿率が３質量％以上であり、平均粒径が０．１μｍ以上、３μｍ未満のシリカなどが挙げられる。このシリカを、エポキシ樹脂組成物全体量の０．５質量％以上、４０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上、３０質量％以下、さらには１質量％以上、２５質量％以下で含有することが好ましい。ここで、１−ブタノールを媒体として測定する密度、吸湿率及び平均粒径の測定方法については、特開平６−４９３３３号公報に記載されている方法と同様に行うことが出来る。
【実施例】
【００３３】
以下に、本発明で得られる、耐湿性に優れた中空パッケージを具体的に述べるが、本発明は、以下に限られるものではない。
【００３４】
なお、中空パッケージに対する水分の浸入は、次の方法によって試験した。パッケージを十分に乾燥させた後、協立化学産業（株）社製シール材  ワールドロックＮｏ．８７２３Ｋ８Ｌを用いて、ガラスリッドで封止した。これを市販のプレッシャークッカー試験機に入れ、１２１℃、相対湿度１００％の環境下で２時間放置した後取り出した。室温で１５分放置した後、ガラス面を１００℃ホットプレートに１０秒間のせ、すぐにガラス面を２３℃ペルチェ素子式冷却板に７秒押し付け、ガラス面を観察した。目視で結露が認められないものは、水分浸入はごくわずかで問題ないものとして、１２１℃、相対湿度１００％環境下での放置を２時間ごとに繰り返した。結露が認められたものは、水分が浸入したとして、そこまでの積算時間マイナス２時間を、限界ＰＣＴ時間とした。従って、実施例において、パッケージの耐湿性の優劣は、ガラス面の結露が認められるまでの限界ＰＣＴ時間の長短で判定される。
【００３５】
［実施例１］
金型にリードフレームを設置し、エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂パッケージを成形した。使用したエポキシ樹脂組成物は、以下の物質を括弧内の質量％となるように計量し、熱ロールで混練後、冷却し、粉砕したものを、タブレット形状に圧縮して得た。
【００３６】
エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製  ＮＣ−７３００Ｌ  （５．９質量％）
フェノール樹脂：三井化学（株）社製  ＭＩＬＥＸ  ＸＬＣ−ＬＬ  （４．６質量％）
臭素化エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製ＢＲＥＮ−Ｓ  （１．６質量％）
難燃剤：日本精鉱（株）社製ＰＡＴＯＸ−Ｍ（三酸化アンチモン）  （０．３質量％）
低密度球状シリカ：（平均粒径１μｍ、密度１．８３ｇ／ｃｍ３、吸湿率１０．７％）  （１２．３質量％）
溶融シリカ：電気化学工業（株）社製ＦＢ−８２０Ｘ（高純度球状溶融シリカ、平均粒径２４μｍ）  （７０質量％）
硬化触媒：四国化成（株）社製キュアゾール（登録商標）２Ｅ４ＭＺ―ＡＺ（２−エチル−４メチルイミダゾールアジン）  （０．３質量％）
着色剤：三菱化学（株）社製カーボンブラック＃４５  （０．１質量％）
カップリング剤：信越化学工業（株）社製ＫＢＭ−４０３  （０．３質量％）
離型剤：カルナバワックス  （０．１質量％）
エッチング助剤：白石工業（株）社製ＷＨＩＴＯＮ  Ｐ１０（微粉炭酸カルシウム、平均粒径２．５μｍ）  （４．５質量％）
【００３７】
得られた樹脂タブレットを、金型温度１６０℃、射出圧力１．５ＭＰａの条件で、図１、図２のＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）を成形した。得られた成形品を１８０℃、６時間のポストキュアを行い、パッケージ裏面にめっき処理を行った。めっき施工範囲は、図３に示す通りであり、ダイアタッチ面積の１８０％とした。めっき処理するにあたり、まず過マンガン酸カリウム水溶液でエッチング処理した。表面粗さ計（東京精密（株）社製サーフコム）を用いて、算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ、０．９６μｍであった。その後、全面無電解銅めっき処理を行った。レジストを塗布した後、ここにマスクで図３のめっき範囲のみＵＶを照射してレジストを固着させ、マスクを除去し、銅を溶解させ、レジスト剥離を順に行った。その後、リードフレームから電極を取り、電解ニッケルめっき、電解金めっきの順で電解めっきを行った。めっき厚さは、無電解銅めっきが１μｍ、電解ニッケルめっきが３．５μｍ、電解金めっきが０．３μｍであった。なお、予め図３のめっき施工範囲は、パッケージ裏面より５μｍだけ凹状になるよう成形した。
【００３８】
得られたパッケージを十分乾燥させた後、前述の限界ＰＣＴ試験を行った。その結果を、表１に示した。
【００３９】
［実施例２］
めっき施工範囲を図４とした以外は、実施例１と同様に試験を行った。図４のめっき施工範囲は、ダイアタッチ面積の９０％とした。結果を表１に示した。
【００４０】
［実施例３］
図５の通り、ダイアタッチ厚さが０．２ｍｍの、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）を成形した。ここに、図６のめっき施工範囲で、実施例１と同様にめっき処理を行い、試験を行った。図６のめっき範囲は、ダイアタッチ面積の１００％であった。結果を表１に示した。
【００４１】
［実施例４］
実施例１と同様、ＳＯＮを成形した。ここに、図７のめっき施工範囲で、実施例１と同様にめっき処理を行い、試験を行った。図８のめっき範囲は、ダイアタッチ面積の６５％であった。結果を表１に示した。
【００４２】
［比較例］
対照実験として、実施例１と同様に、図１のＳＯＮを成形した。しかし、実施例１とは異なり、パッケージ全体をサンドブラスト加工し、表面の粗化を行った。このときの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．４μｍであった。そして、めっき処理を行わず、裏面の水分透過防止膜なしで、金属リード部のみニッケルめっき、金めっきを行ったものを、実施例１と同様に限界ＰＣＴ試験を行った。結果を表１に示した。
【００４３】
【表１】
2005217212.tif 000002
【００４４】
表１の結果より、パッケージ裏面にめっきをした場合、良好な耐湿性を有することが分かる。実施例１では、リードフレーム一体方式のアイランドでは作成困難な大きさの防湿板効果を得ることができ、十分な耐湿性を有した。従って、例えば限界ＰＣＴ時間８時間以上の耐湿性が要求されるデバイスの場合、用いたエポキシ樹脂組成物中の吸湿材の添加量を減らしたり、ダイアタッチ部の厚さをさらに薄くしたりすることも可能となる。
【００４５】
実施例２では、同様にめっき範囲を９０％としたが、良好な耐湿性能を維持されることが分かる。実施例３は、ＱＦＮのため、従来のアイランド構造では十分な耐湿板面積を得ることができなかったが、本発明により、耐湿性能を上げることができた。特に、ダイアタッチ部の厚さが０．２ｍｍにおいても、耐湿効果を得ることができた。
【００４６】
実施例４では、めっき範囲を６５％と小さくしたものだが、耐湿性能はそれに伴い低下している。比較例では、パッケージ底面に耐湿効果を有する工夫をしなかったため、耐湿性能は大きく低下した。
【００４７】
なお、比較例では、シール面の粗さ加工にブラスト法を用いているのに対して、実施例１〜４では粗化液によるエッチング加工としている点で異なる。しかし、同じシール剤でガラスリッドを貼り付けた結果、エッチング加工によるシール面粗さにおいても、問題なく接着効果を得ることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の構造をもつ半導体素子収納用中空パッケージは、従来よりも厚さを大きく低減することができ、小型化・薄型化が要求される電子機器に好適に使用される。特に、耐湿効果を持たせていた、従来の防湿透過板よりも、薄く、大きい耐湿膜を形成することができるため、樹脂中の吸湿剤含有量を減らすことができ、またシール面粗さ加工工程も省くことができるため、製造工程が簡略化され、コスト低減にもつながる。
【００４９】
また、薄型化が要求されている素子搭載パッケージにも応用が可能であり、例えばＶＣＳＥＬパッケージ、ピックアップレンズユニット、パッケージＭＥＭＳなどの分野にも好適に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係るＳＯＮ型の平面図である。（ダイアタッチ部の厚さ０．３ｍｍ）
【図２】本発明に係る図１のＳＯＮ内部の縦方向の断面図である。
【図３】実施例１における、めっき施工範囲を示すパッケージ裏面図である。
【図４】実施例２における、めっき施工範囲を示すパッケージ裏面図である。
【図５】実施例３における、ＱＦＮ型パッケージの平面図である。（ダイアタッチ部の厚さ０．２ｍｍ）
【図６】実施例３における、めっき施工範囲を示すパッケージ裏面図である。
【図７】実施例４における、めっき施工範囲を示すパッケージ裏面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  ダイアタッチ部（パッケージで最も薄い部分）
２  アウターリード
３  インナーリード
４  パッケージシール面
５  めっき施工部
【図１】
2005217212.tif 000003
【図２】
2005217212.tif 000004
【図３】
2005217212.tif 000005
【図４】
2005217212.tif 000006
【図５】
2005217212.tif 000007
【図６】
2005217212.tif 000008
【図７】
2005217212.tif 000009