(57)【要約】【課題】本発明の熱電モジュールの製造方法によれば、熱電素子が倒れたりすることなく半田ペースト上に固定することが可能になり、熱電素子と支持基板を精度良く半田接合でき、低コストで量産性に優れた熱電モジュールの製造が可能になる。【解決手段】支持基板と、該支持基板上に配列された複数のＮ型およびＰ型熱電素子と、複数の該熱電素子間を電気的に直列に接続する配線導体を具備する熱電モジュールの製造方法において、上記支持基板上の配線導体上に半田ペーストを印刷する工程と、耐熱性を有する格子状整列冶具に上記熱電素子を整列して配列する工程と、上記格子状整列冶具に配列された熱電素子を上記半田ペーストが印刷された配線導体上に転写する工程と、上記半田ペーストを乾燥する工程と、転写された熱電素子の端面を半田ペーストに接触させた状態で格子状整列冶具の一部あるいは全体で固定して加熱する工程を含むことを特徴とする【選択図】図１
2005217055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、該支持基板上に配列された複数のＮ型およびＰ型熱電素子と、複数の該熱電素子間を電気的に直列に接続する配線導体を具備する熱電モジュールの製造方法において、上記支持基板上の配線導体上に半田ペーストを印刷する工程と、耐熱性を有する格子状整列冶具に上記熱電素子を整列して配列する工程と、上記格子状整列冶具に配列された熱電素子を上記半田ペーストが印刷された配線導体上に転写する工程と、上記半田ペーストを乾燥する工程と、転写された熱電素子の端面を半田ペーストに接触させた状態で格子状整列冶具の一部あるいは全体で固定して加熱する工程を含むことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項２】
上記乾燥する温度が５０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１記載の熱電モジュールの製造方法。
【請求項３】
上記格子状整列冶具の材質がフェノール樹脂、または金属であることを特徴とする請求項１または２記載の熱電モジュールの製造方法。
【請求項４】
上記半田ペーストが印刷された支持基板を上記熱電素子の両端に配置した状態で加熱して半田接合することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の熱電モジュールの製造方法。
【請求項５】
上記半田ペーストが印刷された支持基板のうち少なくとも一方を５０〜１５０℃の温度で乾燥したのち、上記熱電素子の両端に配置した状態で加熱して半田接合することを特徴とする請求項４記載の熱電モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等の発熱体の温度調整、冷却等に好適に使用される熱電モジュールの量産性に優れる低コストな製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ペルチェ効果を利用した熱電素子は、電流を流すことにより一端が発熱するとともに他端が吸熱するため、冷却用の熱電素子として用いられている。特に、熱電モジュールとしてレーザーダイオードの温度制御、小型で構造が簡単でありフロンレスの冷却装置、冷蔵庫、恒温槽、光検出素子、半導体製造装置等の電子冷却素子、レーザーダイオードの温度調節等への幅広い利用が期待されている。
【０００３】
この室温付近で使用される熱電モジュールに使用される熱電素子用材料は、冷却特性が優れるという観点からＡ２Ｂ３型結晶（ＡはＢｉ及び／又はＳｂ、ＢはＴｅ及び／又はＳｅ）からなる熱電素子が一般的に用いられる。
【０００４】
例えば、Ｐ型の熱電素子にはＢｉ２Ｔｅ３（テルル化ビスマス）とＳｂ２Ｔｅ３（テルル化アンチモン）との固溶体が、Ｎ型の熱電素子にはＢｉ２Ｔｅ３とＢｉ２Ｓｅ３（セレン化ビスマス）との固溶体が特に優れた性能を示すことから、このＡ２Ｂ３型結晶（ＡはＢｉ及び／又はＳｂ、ＢはＴｅ及び／又はＳｅ）が熱電素子として広く用いられている。
【０００５】
ペルチェ効果を利用した熱電モジュールは、図１に示すように、支持基板１ａ、１ｂの表面に、それぞれ配線導体２ａ、２ｂが形成され、熱電素子３が配線導体２ａ、２ｂによって挟持されるとともに、電気的に直列に連結されるように構成されている。
【０００６】
これらのＮ型熱電素子３ａ及びＰ型熱電素子３ｂは、交互に配列し、電気的に直列になるように配線導体２ａ、２ｂで接続され、さらにリード線４に接続しており、外部から熱電素子３に直流電圧を印加することができ、その電流の向きに応じて吸熱あるいは発熱を生じせしめることが出来る。
【０００７】
上記の配線導体２ａ、２ｂは、大電流に耐え得るように、通常は銅電極が用いられ、配線導体２ａ、２ｂに熱電素子３が半田で接合されている。
【０００８】
上記のような熱電モジュールは、構造が簡単で、取扱が容易であるにもかかわらず、安定な特性を維持することが出来るため、広範囲にわたる利用が注目されている。特に、小型で局所冷却ができ、室温付近の精密な温度制御が可能であるため、半導体レーザや光集積回路等に代表される一定温度に精密制御される装置や小型冷蔵庫等に利用されている。
【０００９】
このような構造を有する熱電モジュールを作製するに当っては、特に、形状が小さく微細な熱電素子３を支持基板１上に、等間隔で支持基板１に対して垂直に傾かないように半田で実装する工程が特に難しく、熱電モジュールのコストを引き上げる要因の一つになっている。半田実装される支持基板１あるいは熱電素子３は、半田成分が熱電素子３に拡散することを妨げ、また半田の濡れ性を高めるために、Ｎｉメッキの上にＡｕメッキが施されている。前述した実装を容易にする目的から、熱電素子３あるいは支持基板１のメッキされた面のいずれか一方を半田メッキにし、接合面にあらかじめ高粘性のフラックスを塗布して熱電素子３と支持基板１を熱により仮止めし、その後加熱して半田接合する方法が知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平４−１０６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の熱電モジュールの製造方法は、熱電素子を仮止めできる優れた方法ではあるものの、半田メッキ等により熱電素子と支持基板を平坦にする必要があり、半田組成が限定され、高コストになってしまう問題があった。さらには、高粘着性のフラックスを塗布する工程が余計にかかり、また、フラックスが乾燥するまでの短時間に熱電素子を実装させなくては成らず、量産性に乏しく、高コストな製造方法であった。
【００１１】
一方、低コストな熱電モジュールの製造プロセスとして、支持基板に半田ペーストをスクリーン印刷した後に熱電素子を実装する手法が考えられるが、半田ペーストを用いると、印刷した面が山状になり、熱電素子の座りが悪く熱電素子が倒れる等の問題があり、これまで半田ペーストを用いた印刷法による量産方法に適した製造方法は確立されていなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
低コストで量産性に優れる半田ペーストを印刷した工程による熱電モジュールの製造方法に関して鋭意検討し、熱電素子を整列冶具中に一度配列させ、その後、半田ペーストを印刷した支持基板上に転写し、転写した状態で加熱する事で半田ペーストと熱電素子が接着により仮止めされる方法によって熱電モジュールが作製できることを知見し、本発明に至った。
【００１３】
すなわち、本発明の熱電モジュールの製造方法は、支持基板と、該支持基板上に配列された複数のＮ型およびＰ型熱電素子と、複数の該熱電素子間を電気的に直列に接続する配線導体を具備する熱電モジュールの製造方法において、上記支持基板上の配線導体上に半田ペーストを印刷する工程と、耐熱性を有する格子状整列冶具に上記熱電素子を整列して配列する工程と、上記格子状整列冶具に配列された熱電素子を上記半田ペーストが印刷された配線導体上に転写する工程と、上記半田ペーストを乾燥する工程と、転写された熱電素子の端面を半田ペーストに接触させた状態で格子状整列冶具の一部あるいは全体で固定して加熱する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
上記乾燥する温度が５０〜１５０℃であることを特徴とする。
【００１５】
上記格子状整列冶具の材質がフェノール樹脂、または金属であることを特徴とする。
【００１６】
上記半田ペーストが印刷された支持基板を上記熱電素子の両端に配置した状態で加熱して半田接合することを特徴とする。
【００１７】
上記半田ペーストが印刷された支持基板のうち少なくとも一方を５０〜１５０℃の温度で乾燥したのち、上記熱電素子の両端に配置した状態で加熱して半田接合することを特徴とする。
【００１８】
上記方法によって低コストで量産性に優れる熱電モジュールの製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の熱電モジュールの製造方法によれば、熱電素子が倒れたりすることなく半田ペースト上に固定することが可能になり、熱電素子と支持基板を精度良く半田接合でき、低コストで量産性に優れた熱電モジュールの製造が可能になる。
【００２０】
さらにまた、半田ペーストの変質を抑え、半田接合状態を良好にしながら、精度良く熱電素子と半田ペーストを固定することができ、接合工程の歩留まりを高めることができる。
【００２１】
さらにまた、前記熱電素子と半田ペーストを固定させる加熱時における整列冶具の変形を抑え、加熱時の熱電素子と格子上冶具の接触による不良を低減でき、歩留まりを向上できる。
【００２２】
さらにまた、熱電素子と支持基板との半田接合工程が一度で済み、低コストで量産性に優れる熱電モジュールの製造が可能になる。
【００２３】
さらにまた、熱電素子の傾きをさらに抑え、高精度に熱電素子が配列された熱電モジュールを低コストで量産性に優れる方法で製造が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は本発明の熱電モジュールの製造方法によって作製された熱電モジュールを示す斜視図である。
【００２５】
本発明の熱電モジュールの製造方法によって作製された熱電モジュールは、図１に示すように、支持基板１ａ、１ｂの表面に、それぞれ配線導体２ａ、２ｂが形成され、熱電素子３が配線導体２ａ、２ｂによって挟持されるとともに、電気的に直列に連結されるように構成されている。
【００２６】
これらのＮ型熱電素子３ａ及びＰ型熱電素子３ｂは、交互に配列し、電気的に直列になるように配線導体２ａ、２ｂで接続され、さらにリード線４に接続しており、外部から熱電素子３に直流電圧を印加することができ、その電流の向きに応じて吸熱あるいは発熱を生じせしめることが出来る。
【００２７】
上記の配線導体２ａ，２ｂは、大電流に耐え得るように、通常は銅電極が用いられ、配線導体２ａ，２ｂに熱電素子３が半田ペースト８で接合されている。
【００２８】
本発明に用いられる熱電素子３は、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅのうち少なくとも２種を主成分とすることが好ましい。Ｂｉ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｂｉ２Ｓｅ３等のカルコゲナイト型結晶を使用した熱電素子３は、室温付近の熱電特性に優れ、情報通信関連の冷却用熱電モジュールとして好適に使用できる。
【００２９】
また特に、Ｎ型熱電素子３は、Ｉ及び／又はＢｒを含むことが好ましい。即ち、半導体を形成するため、ハロゲン元素の添加によって電子濃度の調整がなされ、キャリア濃度の制御されたＮ型熱電素子３ａとして優れた特性を示すことができる。
【００３０】
なお、Ｎ型熱電素子及びＰ型熱電素子は、溶製材料であっても焼結体であっても良いが、Ｎ型熱電素子を溶製材料、特に単結晶からなり、Ｐ型熱電素子３ｂが焼結体、特に平均結晶粒径が５μｍ以下の焼結体からなる、もしくはＮ型熱電素子３ａ及びＰ型熱電素子３ｂが溶製材料、特に単結晶からなることが、優れた特性とコスト低減を同時に実現しやすい点で好ましい。
【００３１】
さらに、熱電素子３と配線導体２の接合は半田接合が、電気的、機械的性能及びコストの点で最適である。用いられる半田は、使用される熱電モジュールの用途によって様々であるが、一般的にはＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ａｕ−Ｓｎ系が好適に使用される。特に近年ではＰｂフリーの要求が高まっているため、半田溶融温度の高いＳｎ−Ｓｂ、Ａｕ−Ｓｎが環境及び耐熱性向上の面で好ましい。熱電素子３の電極に接続させる両端面は、ニッケルメッキ層とＡｕメッキ層を施すことによって、半田の濡れ性を向上し、半田層を構成する半田成分が熱電素子３の内部に拡散し、熱電性能を劣化させることを抑制できる。
【００３２】
次に、本発明の熱電モジュールの製造方法について詳述する。
【００３３】
まず、支持基板１を準備する。支持基板１の材質としては、耐振動及び衝撃性に優れ、配線導体２の密着強度が大きく、また、放熱面や冷却面としての熱抵抗が小さいものが好ましい。具体的には、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素の少なくとも１種からなる焼結体を例示できる。特にコストの点からアルミナ焼結体を、熱伝導率が高く、熱抵抗が小さい点で窒化アルミニウム焼結体を、強度及び熱伝導率の点で炭化珪素焼結体を、衝撃性や強度の点で窒化珪素焼結体を好適に使用できる。
【００３４】
支持基板１の曲げ強度は、２００ＭＰａ以上、特に２５０ＭＰａ以上、更には３００ＭＰａ以上にすることが、配線導体２の形成や半田層の形成に伴う応力集中に対しても支持基板１の破損を防止する効果を高め、より高い信頼性を得る点において好ましい。
【００３５】
次いで、支持基板１上に配線導体２を形成する。配線導体２は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ及びＷのうち少なくとも１種の金属を用いることが可能である。これらのうち、特にＣｕが電気伝導性及び支持基板１への密着強度の点で、また、Ａｌがコストの点で望ましい。配線導体２の形成は、例えば支持基板１となるグリーンシート表面に金属ペーストを塗布した後に同時焼成しても良いが、一旦支持基板１を作製した後に金属ペーストを塗布して焼成して作製したメタライズ表面上にメッキで作製することがコスト、電極形状の精度の面で好ましい。
【００３６】
以下、図５（ａ）の本発明のフロー図に沿って説明する。
【００３７】
支持基板１上に設けた配線導体２上に所望の組成の半田ペースト８を塗布する。半田ペースト８は、粒径が１０〜１００μｍ程度の半田にフラックス、有機溶剤等副成分が混合した市販のペーストでよいが、本発明によれば、熱電素子３との接着力を高める上で、溶剤成分が蒸発しないよう、冷暗所で保管しておくことが望ましい。万一、乾燥した場合は、フラックス等を添加して粘度調整すれば使用可能になる。
【００３８】
塗布する方法としては、ディスペンサーで微小のボール状半田を滴下してもよいが、量産性の上であらかじめスクリーンメッシュ上に高精度で開口部１５が作製されている版を用いてペーストを印刷するスクリーン印刷法が最適である。スクリーン印刷法では、スクリーンメッシュの厚みや開口形状を調整することで半田量と印刷される半田の高さを調整することができる。
【００３９】
本発明によれば、支持基板１を支持基板ホルダー１２に精度良く配置することで、複数個の支持基板１を同時に印刷が可能である。
【００４０】
また、半田量は配線導体２の面積で厚みが５〜３０μｍになる範囲となるように、また、半田の高さは熱電素子３の幅の１／２以下になるようにすることが、熱電素子３の傾きを抑制し、さらには熱電モジュールの抵抗ばらつきを抑制する上で好ましい。
【００４１】
次に、熱電素子３を整列させる整列冶具５を用意する。
【００４２】
整列冶具５とは、図３（ａ）に示すような耐熱性を持つ材料の主面に、熱電素子３を支持基板１上にＮ型及びＰ型を交互に千鳥状に配置できるように、熱電素子３が配線基板と接合される面の形状に合わせて開口部１５が施された冶具である。開口部１５の形状は熱電素子３よりも大きい形状であれば良いが、図３（ｂ）に示すような、エッジ部にＲ加工１６を施すことが、熱電素子３を傷つけることなく転写する上で好ましい。この整列冶具５の材質は１５０℃までの耐熱性が有り、微細で高精度な加工が施せる材料であれば材質は限定しないが、フェノール樹脂または、金属が加工性、コストの上で好ましく、具体的には、ベークライト、ステンレス、アルミニウムが望ましく、その中でも特にステンレスがフォトリソグラフィー技術によるエッチング工程によって高精度で微細な加工が容易に行えるため好ましい。
【００４３】
次に、この整列冶具５の開口部１５に熱電素子３の配線導体２に接合させる二つの面のいずれかを上面に向けた方向になるように挿入する。挿入する方法としては、真空ピンセット等により挿入しても良いし、パーツフィーダーとロボットを組み合わせて自動化しても良いが、本発明によれば、低コストで量産性優れる方法としては、振動揺動による振込みによる熱電素子３の挿入が好ましい。Ｎ型熱電素子３ａとＰ型熱電素子３ｂとを交互に配列させるために、一度振込み用の冶具にＮ型熱電素子３ａとＰ型熱電素子３ｂを別々に振り込んだ後、整列冶具５に転写する方法が望ましい。整列冶具５の構成としては、図４（ａ）に示すような、転写のときに引き真空引きして熱電素子３を固定できるような真空引き用の加工穴７をあらかじめ設けておいたほうが転写が容易である。本発明によれば、整列用冶具５は、図４（ａ）に示されるような一体型でも良いが、粗い加工精度で加工した一体型の整列冶具５の開口部１５に、エッチングで高精度に加工された好ましくはステンレス製のメタルマスク１７が配置された合体構造が熱電素子３の位置精度を高める上で、特に望ましい。メタルマスク１７の開口部１５の大きさは、熱電素子３の幅の１０５〜１２０％が望ましい。これらの整列冶具５を高精度で加工することによって、複数個の熱電モジュール用の熱電素子３を同時に配列できる。
【００４４】
次に、整列冶具５に配置された熱電素子３を前述した半田ペースト８が印刷された支持基板１上に転写する。支持基板ホルダー１２にガイドピン９を設けることで、スペーサー１３及び整列冶具５を精度良く配置できる。熱電素子３が挿入されている整列冶具５は真空ポンプを用いて、真空引き用の穴を用いて熱電素子３を吸着させ固定し、そのまま支持基板ホルダー１２上にガイドピンを用いて位置決めする。その後、真空引きを止めることで熱電素子３は自重により落下し、半田ペースト８上に熱電素子３が接触される。このとき、前述したメタルマスク１７が付属した整列冶具５を用いる場合は同様な工程でも良いが、メタルマスク１７のみをあらかじめ、スペーサーの上に配置した状態で熱電素子３を転写しても良い。本発明によれば、メタルマスク１７は２枚以上配置することで、電極位置に対して熱電素子３がずれた場合もメタルマスク１７によって位置を微調整できるため、メタルマスク１７が付属した整列冶具５を用いることが望ましい。この場合、熱電素子３を転写したのちに真空引きの穴が付属される整列冶具５は取り外しても良い。
【００４５】
次に、熱電素子３が半田ペースト８上に接触された状態で整列冶具５を固定したまま加熱する。ここで、整列冶具５が一体型の場合は、そのまま固定するが、メタルマスク１７を用いる場合は、熱電素子３の倒れを防止できるメタルマスク１７のみが固定されていればよい。加熱温度は半田ペースト８の種類によって異なるが、熱電モジュールに好適に使用される半田の場合、５０〜１５０℃の範囲が望ましく、好ましくは７０〜１３０℃、より望ましくは８０〜１２０℃である。５０℃よりも低い場合、熱電素子３と半田ペーストの接着強度が弱く固定できない。また、１５０℃よりも高いと、この工程によって半田自身の変成が起こる場合があり、変成すると半田の濡れ性が低下し、接合後に半田にボイド、あるいは隙間が多発し、好ましくない。加熱時間は、３０分以上あれば十分であるが、本発明によれば１時間以上が再現よく接着させる上で望ましい。
【００４６】
加熱が完了したら整列冶具５を取り外し、その後、再度加熱して半田接合を行うが、本発明によれば、半田接合させる際は、図２に示すように半田印刷した支持基板１を上面に配置してから行うことが、半田接合工程が一度で済み、好ましい。このとき、加圧冶具１１を介して加圧機構１２により均一に加圧させることで上下の支持基板１を同時に接合することが可能になる。ここで加圧冶具１１は均熱性を保つために熱伝導率が低い材質が望ましく、ガラス、ポリイミド樹脂、シリコンゴム等が好適に用いられる。加圧する圧力は、１〜１０ＭＰａが望ましい。さらには、上面に配置される支持基板１は、あらかじめ１５０℃以下で加熱し、半田を硬化させておくことが、加圧した際に半田が熱電素子３側面に回りこむ現象を回避でき、望ましい。半田が熱電素子３の側面に回りこむと、半田接合の際に熱電素子３と半田が反応し、熱電モジュールの性能を低下させることがある。乾燥温度は１５０℃以下であればよいが、好ましくは８０〜１２０℃である。ここで１５０℃以上の温度で加熱すると、前述した半田の変成が起こるため好ましくない。
【００４７】
最後に、半田接合処理を施した後、冶具類を外して上下の支持基板１に熱電素子３が配列された熱電モジュールが得られる。熱電モジュールに必要な電流印加用のリード線を、半田こて、先の細いヒーター、局所加熱用のソフトビームあるいはレーザー等で半田接合させ熱電モジュールが得られる。
【００４８】
以上のように本発明によれば、半田ペースト８を印刷した支持基板１上に熱電素子３を接触させた状態で倒れを防止しながら加熱させる事で熱電素子３と支持基板１の仮止めを可能にし、低コストで量産性に優れた半田ペーストによる熱電モジュールの製造が可能になる。
【実施例】
【００４９】
図１に示した熱電モジュールを、本発明の製造方法を用いて作製した。
【００５０】
まず、支持基板１として長さ８．２ｍｍ、幅６．０ｍｍ、厚み０．３７５ｍｍの熱電素子３が４６個（２３対）配置されるＣｕ配線アルミナ基板を準備した。
【００５１】
また、熱電素子３として、Ｎ型にはＢｉ２Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５組成の熱電素子３を、Ｐ型にはＢｉ０．４Ｓｂ１．６Ｔｅ３組成のホットプレスで作成された焼結型多結晶熱電インゴットを準備した。インゴットは厚み０．９ｍｍにスライス後、Ｎｉ及びＡｕメッキを施し、幅０．６５ｍｍになるようにダイシングソーで切断し、縦０．６５ｍｍ、横０．６５ｍｍ、高さ０．９０ｍｍの寸法のＮ型及びＰ型熱電素子３を得た。
【００５２】
次に、０．７５±０．０１ｍｍの開口部１５を有する整列冶具５にＮ型およびＰ型熱電素子３を振り込み及び転写法により挿入し、表１に示す組成の半田ペーストをスクリーン印刷した支持基板１上にガイドピン９を用いて位置合わせをし、真空ポンプを用いて、熱電素子３を支持基板１上に整列冶具５を用いて転写した。転写した状態で表１に示す温度で１時間加熱したのち、整列冶具５を外した。このとき、熱電素子３が倒れて熱電モジュールが作製不可になったものを加熱時不良数として算出した。次に、半田印刷した上面用基板を表１に示す温度で１時間加熱した後、図２に示す状態で配置し、加圧冶具１１を用いて加圧しながら、Ｓｎ−Ｓｂ半田は２８０℃、Ａｕ−Ｓｎ半田は３４０℃の温度で支持基板ホルダー１２のままホットプレート上で半田接合を行った。接合後、リード線を半田こてで接合し、フラックス洗浄を施し、熱電モジュールを得た。熱電モジュールは表１に示す各条件で１００個ずつ作製し、最初の加熱後に熱電素子３が３度以上倒れて熱電モジュールが作製できなかった場合を倒れ不良とし、熱電モジュールの外観検査で熱電素子３と電極の半田接合不良があるものを接合不良として算出した。
【００５３】
半田接合不良は、はじきや焼けなどにより熱電素子３の端面全てが覆われていないものとした。
【００５４】
結果を表１に併せて示す。
【表１】
2005217055.tif 000003
【００５５】
表１から明らかなように、本発明の範囲外である熱電素子３と半田ペースト８を仮止めしない比較例No．１および２では、歩留まりが５〜１０％であるのに対し、本発明の範囲内である、熱電素子３と半田ペースト８を仮固定する実施例No.３〜１９では、いずれも歩留まりが９１％以上と高い歩留まりを示した。
【００５６】
また、素子密着温度が５０℃以上１５０℃以下が好ましいのは、試料Ｎｏ．３〜９より分かる。
【００５７】
また、上面基板加熱温度が５０℃〜１５０℃が好ましいのは、試料Ｎｏ１０〜１５で確認できる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の製造方法における整列冶具を用いた熱電素子転写状態を示す断面図
【図２】本発明の製造方法における加圧状態を示す断面図である。
【図３】（ａ）は本発明における整列冶具の開口部を示す上面図、（ｂ）は開口部拡大図である。
【図４】（ａ）は本発明における整列冶具の構成を示す実施形態の断面図、（ｂ）は本発明における整列冶具の構成を示す他の実施形態の断面図である。
【図５】（ａ）は本発明、（ｂ）は従来例のフロー図である。
【図６】従来例の熱電モジュールを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  支持基板
２  配線導体
３  熱電素子
３ａ  Ｎ型熱電素子
３ｂ  Ｐ型熱電素子
４  リード線
５  整列冶具  
７  真空引用加工穴
８  半田ペースト
９  ガイドピン
１１  加圧冶具
１２  加圧機構
１３  スペーサー
【図１】
2005217055.tif 000004
【図２】
2005217055.tif 000005
【図３】
2005217055.tif 000006
【図４】
2005217055.tif 000007
【図５】
2005217055.tif 000008
【図６】
2005217055.tif 000009