(57)【要約】  【課題】  上面導体層間および側面導体層間の各導体に伝送される信号間に生じる信号干渉を削減できる光半導体素子用のサブマウントを提供すること  【解決手段】  光半導体素子用のサブマウントは、第１の側面導体層４は、セラミック基体１の内部に第１の上面導体層２に電気的に接続された貫通導体８および内層導体層６を介して第１の上面導体層２に電気的に接続され、第２の側面導体層５は、セラミック基体１の側面の上端まで形成され、セラミック基体１の上面の側面との間の稜まで形成された第２の上面導体層３と電気的に接続されている。第１および第２の二つのチャンネルの経路が離れているので二つのチャンネル間の信号干渉を少なくできる。【選択図】  図２
2005217095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体状のセラミック基体の上面に、光半導体素子を搭載するための第１の上面導体層およびそれに隣接する第２の上面導体層が形成されるとともに、前記セラミック基体の側面に、前記第１の上面導体層に電気的に接続された第１の側面導体層および前記第２の上面導体層に電気的に接続された第２の側面導体層が形成された光半導体素子用のサブマウントであって、前記第１の側面導体層は、前記セラミック基体の内部に前記第１の上面導体層に電気的に接続された貫通導体および該貫通導体に電気的に接続された内層導体層を介して前記第１の上面導体層に電気的に接続され、前記第２の側面導体層は、前記セラミック基体の前記側面の上端まで形成され、前記セラミック基体の前記上面の前記側面との間の稜まで形成された前記第２の上面導体層と電気的に接続されていることを特徴とする光半導体素子用のサブマウント。
【請求項２】
前記第１の側面導体層は、長さが前記第２の側面導体層よりも短いとともに上端が前記セラミック基体の前記側面の上端に達していないことを特徴とする請求項１記載の光半導体素子用のサブマウント。
【請求項３】
前記セラミック基体に、前記第１および第２の上面導体層と前記第１および第２の側面導体層とから成る導体層群の組が、前記セラミック基体の長手方向に並ぶように複数組配列形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光半導体素子用のサブマウント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数チャンネルの光通信分野等で用いられる半導体レーザ（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子をマウントするセラミック基体を用いた光半導体素子用のサブマウントに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光通信分野では、伝送される電気信号または光信号を電気信号−光信号変換するために半導体レーザ（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子が用いられている。このような半導体レーザ（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等をマウントする従来の光半導体素子用のサブマウント（以下、サブマウントともいう）を図４に示す。図４において（ａ）は従来のサブマウントの平面図、（ｂ）は正面図を示し、21はセラミック基体、22は第１の上面導体層、23は第２の上面導体層、24は第１の側面導体層、25は第２の側面導体層、29はセラミック基体21の上面と側面との間の稜に設けられた第１の上面導体層22および第１の側面導体層24ならびに第２の上面導体層23および第２の側面導体層25の接続部を示す。
【０００３】
そして、セラミック基体21の上面には受光素子（図示せず）が装着され、第１および第２の上面導体層22，23に受光素子のそれぞれの電極が接続され、さらに、サブマウントを実装する実装基板（図示せず）上の配線導体パタ−ン（図示せず）にセラミック基体21の第１および第２の側面導体層24，25がそれぞれ金（Ａｕ）線（図示せず）によりワイヤーボンディングされてサブマウント上の受光素子と実装基板とが電気的に接続される。
【０００４】
このようなサブマウントは、受光素子に対向するように敷設された光ファイバの端面から出射される光信号を受光素子が受けて電気信号に変換し、この電気信号を第１および第２の上面導体層22，23から第１および第２の側面導体層24，25や第１および第２の側面導体層24，25にワイヤーボンディングされたＡｕ線を介して実装基板上の配線導体パタ−ンに伝達する。
【０００５】
セラミック基体21の第１および第２の上面導体層22，23と第１および第２の側面導体層24，25とは、それぞれセラミック基体21の一辺の稜に設けられた接続部29にて電気的に接続されている。このように上面に受光素子を実装する第１および第２の上面導体層22，23と側面にワイヤーボンディング用の第１および第２の側面導体層24，25とが形成され、セラミック基体の一辺の稜にて第１および第２の上面導体層22，23と第１および第２の側面導体層24，25とがそれぞれ電気的に導通されているサブマウントは、例えば特許文献１、および特許文献３に、また複数チャンネル用サブマウントは特許文献２に提案されている。
【特許文献１】特開2003−232967号公報
【特許文献２】特開平10−41529号公報
【特許文献３】特開2001−102722号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来のサブマウントによると、より小型化になるに伴い、第１の上面導体層22と第２の上面導体層23および第１の側面導体層24と第２の側面導体層25とのそれぞれの間隔が狭くなり、各導体に伝送される信号間に信号干渉が発生するという問題点があった。
【０００７】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、上面導体層間および側面導体層間の各導体に伝送される信号間に生じる信号干渉を削減できる光半導体素子用のサブマウントを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光半導体素子用のサブマウントは、直方体状のセラミック基体の上面に、光半導体素子を搭載するための第１の上面導体層およびそれに隣接する第２の上面導体層が形成されるとともに、前記セラミック基体の側面に、前記第１の上面導体層に電気的に接続された第１の側面導体層および前記第２の上面導体層に電気的に接続された第２の側面導体層が形成された光半導体素子用のサブマウントであって、前記第１の側面導体層は、前記セラミック基体の内部に前記第１の上面導体層に電気的に接続された貫通導体および該貫通導体に電気的に接続された内層導体層を介して前記第１の上面導体層に電気的に接続され、前記第２の側面導体層は、前記セラミック基体の前記側面の上端まで形成され、前記セラミック基体の前記上面の前記側面との間の稜まで形成された前記第２の上面導体層と電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の光半導体素子用のサブマウントは、上記構成において好ましくは、前記第１の側面導体層は、長さが前記第２の側面導体層よりも短いとともに上端が前記セラミック基体の前記側面の上端に達していないことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の光半導体素子用のサブマウントは、上記構成において好ましくは、前記セラミック基体に、前記第１および第２の上面導体層と前記第１および第２の側面導体層とから成る導体層群の組が、前記セラミック基体の長手方向に並ぶように複数組配列形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光半導体素子用のサブマウントによれば、第１の側面導体層は、セラミック基体の内部に第１の上面導体層に電気的に接続された貫通導体およびこの貫通導体に電気的に接続された内層導体層を介して第１の上面導体層に電気的に接続され、第２の側面導体層は、セラミック基体の側面の上端まで形成され、セラミック基体の上面の側面との間の稜まで形成された第２の上面導体層と電気的に接続されていることから、第１の上面導体層から第１の側面導体層間はセラミック基体表面を信号が伝送するのに対し、第２の上面導体層から第２の側面導体層間はセラミック基体の内部を信号が伝送することとなり、第１の上面導体層および第１の側面導体層の間で構成される第１のチャンネルと第２の上面導体層および第２の側面導体層の間で構成される第２のチャンネルとの距離が離れるので、第１のチャンネルおよび第２のチャンネルの各導体に伝送される信号間に生じる信号干渉を削減できる。また、第１の上面導体層に電気的に接続された貫通導体や内層導体層が複数設けられることにより、第１の上面導体層と第１の側面導体層との間の電気抵抗を低減できるとともに、内層導体層と第１の側面導体層との接続箇所を増やすことができ、第１の上面導体層と第１の側面導体層とを確実に電気的導通させることが可能である。
【００１２】
また、本発明の光半導体素子用のサブマウントによれば、上記構成において好ましくは、第１の側面導体層は、長さが第２の側面導体層よりも短いとともに上端がセラミック基体の側面の上端に達していないことから、第１の側面導体層が第２の側面導体層と平行に配される部分が短くなり、第２の側面導体層との容量性の結合が少なくなって、第１の側面導体層および第２の側面導体層を流れる信号間の信号干渉を削減できる。また、第１の側面導体層の上端がセラミック基体の側面の上端に達し、第１の側面導体層の上端の端面が他の導体層に接合されていないことから、セラミック基体の側面の上端において剥離しやすくなるのを防止することができる。
【００１３】
また、本発明の光半導体素子用のサブマウントによれば、上記構成において好ましくは、セラミック基体に、第１および第２の上面導体層と第１および第２の側面導体層とから成る導体層群の組が、セラミック基体の長手方向に並ぶように複数組配列形成されていることから、複数チャンネル用の光通信装置に複数の光半導体素子を実装する際に、必要なチャンネル数の複数の光半導体素子を搭載したサブマウントを実装することにより複数の光半導体素子を一度に実装することができ、光通信装置の工程数を少なくできるとともにチャンネル間の信号干渉の少ない光通信装置とできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の光半導体素子用のサブマウントについて、以下図面を用いながら説明する。  
図１は本発明の光半導体素子用のサブマウント（以下、サブマウントともいう）の実施の形態の一例を示し、（ａ）はサブマウントの平面図、（ｂ）はサブマウントの正面図を示す。また、図２はサブマウントの斜視図を示し、図３はサブマウントの製造方法を説明する工程ごとの平面図および斜視図である。
【００１５】
これらの図において、１は直方体状のセラミック基体、２は光半導体素子（図示せず）を搭載するための第１の上面導体層、３は第１の上面導体層２に隣接する第２の上面導体層、４は第１の上面導体層２に電気的に接続された第１の側面導体層、５は第２の上面導体層に電気的に接続された第２の側面導体層、６は第１の上面導体層２に貫通導体８を介して電気的に接続された内層導体層、７は第２の上面導体層３と第２の側面導体層５とを接続する接続部、８は第１の上面導体層２と内層導体層６とを接続する貫通導体、９は第１の側面導体層４と第１の内層導体層６とを接続するそれぞれの接続部、10はセラミック母基板、11ａ〜11ｄはセラミック母基板10を分割線12に沿って縦方向または横方向に分割した分割基板、12はセラミック母基板10に形成された縦方向および横方向の分割線、13ａは分割基板11ａの第１および第２の側面導体が形成される側面、14は側面13ａに形成された側面導体層を示す。
【００１６】
なお、図１および図２には、第１および第２の上面導体層２，３と第１および第２の側面導体層４，５とから成る導体層群の組が、セラミック基体１の長手方向に並ぶように複数組配列形成されている形態の例が示されている。
【００１７】
セラミック基体１は、放熱性に優れる絶縁材料である酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミック焼結体から成る。特に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体は熱伝導率が40Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高いため、放熱性が特に良好であり、セラミック基体１に搭載されるＰＤやＬＤ等の光半導体素子の動作時の発熱を本発明のサブマウントが取り付けられる実装基板（図示せず）に伝熱して放熱し、光半導体素子を冷却する効果が大きい。
【００１８】
このようなセラミック基体１は、以下の方法により製作される。  
すなわち、例えば酸化アルミニウム質焼結体で形成される場合には、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウムの原材料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法等によってセラミックグリーンシートに成形し、セラミック母基板10となる複数のセラミックグリーンシートに裁断する。しかる後、セラミックグリーンシートの貫通導体８が形成される所定位置に適当な打ち抜き加工により孔を形成する。
【００１９】
次に、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）合金等の融点の高い金属粉末や適当な樹脂バインダー等から成る金属ペーストを準備し、スクリーン印刷法等によって所定のセラミックグリーンシートの所定位置に内層導体層６となる金属ペースト層を10〜15μｍの厚みに形成するとともに貫通導体８が形成される孔に金属ペーストを充填する。最後に、これらセラミックグリーンシートを重ね合わせ、高温で焼成し、所定の形状に分割することによって製作される。
【００２０】
内層導体層６となる金属ペースト層は、10〜15μｍの厚みに形成するのが好ましい10μｍ未満の場合は、内層導体層６の厚みが薄くなり導通抵抗が大きくなる傾向があり、15μｍを超える場合は、内層導体層６の厚みが厚くなるために重ね合わせたセラミックグリーンシートの層間の密着が悪くなる傾向がある。特に、分割線12に接する端部における厚みをこの範囲とすることが、第１の側面導体４との電気的に良好な接続を得るうえで好ましい。
【００２１】
かくして、第１および第２の上面導体層２，３にそれぞれ貫通導体８を介して電気的に接続される内層導体層６が形成される。また、内層導体層６はセラミック基体１の側面に達するように形成されているので、セラミック基体１の側面に第１の側面導体層４を形成することにより、内層導体層６と第１の側面導体層４とが電気的に接続され、第１の上面導体層２が貫通導体８と内層導体層６とを介して第１の側面導体層４に電気的に接続されることとなる。
【００２２】
内層導体層６は、セラミック基体１の内部にそれぞれ１層ずつ形成し、セラミック基体１の側面においてそれぞれ一箇所ずつの接続部９によって第１の側面導体層４と電気的に接続しても十分機能を果たすことができるが、それぞれ３〜５層の内層導体層６を形成し、複数の接続部９によって第１の側面導体層４と電気的に接続する方が、接続部９を多く得ることができるとともにこれら複数の接続部９における電気抵抗を低くすることとなり、内層導体層６と第１の側面導体層４とを確実に電気的に接続できることとなるので好ましい。なお、内層導体層６が５層を超えるとセラミックグリーンシートの積層数が多くなり、製造工程が増えるとともに高価になる傾向がある一方、５層形成すれば接続部９における導通の確実性を十分得ることができる。
【００２３】
第１の上面導体層２および第２の上面導体層３は、例えば酸化アルミニウム質焼結体の表面にクロム（Ｃｒ）-銅（Ｃｕ）合金層、Ｃｒ-Ｃｕ合金層上にニッケル（Ｎｉ）めっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）層上にＮｉ-Ｃｒ合金層およびＡｕめっき層を被着させたもの、チタン（Ｔｉ）層上に白金（Ｐｔ）層およびＡｕ層を被着させたもの、またはＴｉ層上にパラジウム（Ｐｄ）層およびＡｕめっき層を被着させたものから成り、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、めっき法等の薄膜形成法によって成膜され、またフォトリソグラフィ法，エッチング法，リフトオフ法により、所定の形状をもつ配線導体に加工される。そして、この第１の上面導体層２および第２の上面導体層３には、その表面に低融点合金材である金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金を介して光半導体素子（図示せず）が装着される。
【００２４】
第１および第２の側面導体層４，５用の導体層は、例えば、チタン層と白金層と金層とが順次積層された３層構造の金属薄膜層から形成されるのが好ましい。チタンは絶縁基板であるセラミック基体１に対して密着性が高く、白金はチタンが金層に拡散しないようにバリアするバリア性が高く400度の高温にさらしても下地のチタンが上面の金層に拡散することを防ぐ機能を有し、金はその表面にＬＤ等の光半導体素子を接合する際の金−錫合金等のロウ材との濡れ性がよく、ロウ材による接合を強固にできる機能を有している。
【００２５】
チタン層の厚さは100〜2,000Å程度が良い。100Å未満では、下地となるセラミック基体１に強固に密着させることが困難となる傾向にあり、2,000Åを超えると、チタン層成膜時のチタン層内部の応力によって剥離が生じ易くなる。また、白金層の厚さは500〜10,000Å程度が良い。500Å未満ではピンホール等の欠陥が生じやすくバリア膜としての機能を果たし難くなり、10,000Åを超えると、白金層の成膜時の白金層内部の応力により剥離が生じ易くなる。さらに、金層の厚さは1,000〜50,000Å程度が良い。1,000Å未満では、ロウ材による十分な濡れ性が得られなくなり、50,000Åを超えると、金層の成膜時の金層内部の応力により剥離を生じ易くなる。
【００２６】
セラミック基体１との密着性のよい金属としては、チタンの他にもＣｒ，タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔａ2 Ｎ等が挙げられ、バリア層を形成する金属としては、白金の他にもＰｄ，ロジウム（Ｒｈ），ルテニウム（Ｒｕ），Ｎｉ，Ｔｉ−Ｗ合金等が挙げられ、これら金属を用いても良い。
【００２７】
第１および第２の側面導体層４，５用の側面導体層14は上記金属層を順次蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によって、側面13ａ全面に薄膜導体層が成膜され、その後、不要部を研削除去することにより形成される。
【００２８】
第１および第２の側面導体層４，５が形成される側面13ａにおいて、研削加工時の研削代（研削深さ）は、基板表面の深さ方向に0.01〜0.1ｍｍとすることが良い。0.01ｍｍ未満では第１および第２の側面導体層４，５が完全に研削されない部分が生じ易く、その結果、研削されなかった導体層により第１および第２の側面導体層４，５間で電気的短絡を発生し易くなる。また、0.1ｍｍを超えると、加工時間が増大し生産性が低下し易い。
【００２９】
本発明に用いる研削加工装置は、一般にスライサーと呼ばれるものであり、金属製の円盤状の刃部にダイヤモンド，セラミックス等の高硬度の粒を埋め込んだダイシングソー、または金属製の円盤状の刃部にダイヤモンド，セラミックス等の高硬度の微粒子を接着させたダイシングソー等を用い、そのダイシングソーを回転させて研削する装置である。そして、このような研削加工装置は、配線パターンのライン間隔を0.05ｍｍ程度の精度で形成可能である。
【００３０】
かくして、サブマウントの側面においてきわめて高精度の第１および第２の側面導体層４，５が形成可能であり、また第１および第２の側面導体層４，５間の電気的短絡等の問題も解消される。また、側面上の薄膜導体層の不要部を削り取れば十分であることから、側面の導体層用の側面導体層14を深く長時間にわたって切削する必要がないので、深く長時間切削することによる、熱や振動等での第１および第２の側面導体層４，５の劣化が小さく、その密着性および電気抵抗の増大等の電気的特性の低下が抑制されるという作用効果を有する。
【００３１】
さらに、第１および第２の側面導体層４，５は、ワイヤーボンディングされるＡｕ線やＡｌ線を取り付ける幅があれば十分であるので、内層導体層６よりも十分細い幅で上下方向に帯状に形成されておればよい。従って、第１および第２の側面導体層４，５の面積が小さくなり第１および第２の側面導体層４，５と内層導体層６との間に生じる浮遊容量を少なくすることが可能である。
【００３２】
また、第１の側面導体層４は、長さが第２の側面導体層５よりも短いとともに上端がセラミック基体１の側面の上端に達していないのが好ましい。これにより、第１の側面導体層４が第２の側面導体層５と平行に配される部分が短くなり、第２の側面導体層５との容量性の結合が少なくなって、第１の側面導体層４および第２の側面導体層５を流れる信号間の信号干渉を削減できる。また、第１の側面導体層４の上端がセラミック基体１の側面の上端に達し、第１の側面導体層４の上端面が第１の上面導体層２に接合されていないことから、セラミック基体１の側面の上端において第１の側面導体層４が剥離しやすくなるのを防止することができる。
【００３３】
本発明のサブマウントの製造方法を以下に説明する。図３は本発明のサブマウントの製造方法を示す工程図であり、同図（ａ）は各サブマウント領域の内部に第１の上面導体層４に電気的に接続される内層導体層６および貫通導体８がそれぞれ縦横に複数配列するように形成されたセラミック母基板10の平面図、（ｂ）は上面に光半導体素子を搭載するための各サブマウント領域を複数配列形成するとともに、各サブマウント領域に第１および第２の上面導体層２，３が形成されたセラミック母基板10の平面図を示し、（ｃ）はセラミック母基板10を縦方向または横方向に分割して複数のサブマウント領域が１列状に並んだ分割基板11ａ〜11ｄを示す平面図、（ｄ）は（ｃ）の分割基板11ａの斜視図であり、13ａは分割基板の側面を示し、（e）は（ｄ）の分割基板11ａの側面13ａに第１の内層導体層６に電気的に接続された側面導体層14を形成した斜視図、（f）は第１および第２の側面導体層４，５が形成された分割基板11ａを示す斜視図である。（ｇ）は分割基板11ａから個々に分割された本発明のサブマウント、または、複数チャンネル用に採用可能な本発明のサブマウントを示す斜視図である。
【００３４】
このようなセラミック基体１は以下の工程〔１〕〜〔６〕により作製される。
【００３５】
〔１〕上記セラミックグリーンシートの上面に、複数のサブマウント領域を縦横に配列するように、端部が分割線12に接する内層導体層６となる金属ペースト層を形成するとともに貫通導体８となる孔に金属ペーストを充填し、これらを所定の順番に重ね合わせて焼成する（図３（ａ））。
【００３６】
〔２〕その後、焼成されたセラミック母基板10の上面に、光半導体素子の入出力電極となる第１および第２の上面導体層２，３を薄膜形成法およびフォトリソグラフィ法により多数組（図３（ｂ）では４行×４列の16組）を行列状に形成する。
【００３７】
〔３〕セラミック母基板10を内層導体層６の端部が接する分割線12に沿って縦方向または横方向に分割して、複数のサブマウント領域が１列状に並んだ分割基板11ａ〜11ｄを作製する（図３（ｃ）（ｄ））。
【００３８】
〔４〕分割基板11ａ〜11ｄの側面13ａ〜13ｄのほぼ全面に、内層導体層６の端部に電気的に接続する側面導体層14を蒸着法やスパッタリング法，イオンプレーティング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する（図３（ｅ））。
【００３９】
〔５〕側面導体層14の不要部を上記研削加工装置によって研削除去することにより、第１の側面導体層４が、第１の上面導体層２に貫通導体８を介し電気的に接続している内層導体層６よりも細い幅に上下方向に帯状に、かつ第１の側面導体層４の上端がセラミック基体１の側面の上端に達しないように、また、第２の側面導体層５が、セラミック基体１の上面の側面との間の稜まで形成された第２の上面導体層３と電気的に接続されるように第２の側面導体５の上端を残し、かつ第１の側面導体４と同程度の幅に上下方向に帯状になるように形成する（図３（ｆ））。
【００４０】
〔６〕分割基板11ａ〜11ｄを分割線12に沿って、個々のサブマウントまたは第１および第２の上面導体層２，３と第１および第２の側面導体層４，５とから成る導体層群の組がセラミック基体１の長手方向に所定の複数組に配列されているように分割する。
【００４１】
セラミック基体１に、第１および第２の上面導体層２，３と第１および第２の側面導体層４，５とから成る導体層群の組が、セラミック基体１の長手方向に並ぶように複数組配列形成されるように分割した場合は、複数チャンネル用のサブマウントに採用可能なサブマウントとなる。
【００４２】
複数チャンネル用に採用可能な本発明のサブマウントは、複数チャンネル用の光通信装置に複数の光半導体素子を実装する際に、必要なチャンネル数の複数の光半導体素子を搭載したサブマウントを実装することにより複数の光半導体素子を一度に実装することができ、光通信装置の工程数を少なくできるとともにチャンネル間の信号干渉の少ない光通信装置とできる。
【００４３】
なお、セラミック基体１の内層導体層６を３〜５層設け、第１の側面導体層４との接続部９を多く得ることが、第１の上面導体層２と第１の側面導体層４の電気的導通を確実にするという点で有利である。この場合は、〔１〕のセラミックグリーンシートを４〜６枚重ね合わせて形成すればよい。
【００４４】
また、第１の側面導体層４は、内層導体層６よりも細い幅で上下方向に帯状に形成し、パターン面積を小さくすることで、第１の側面導体層４と内層導体層６との間に生じる不要な浮遊容量を削減することが可能である。
【００４５】
また、第１の側面導体層４は、その上端がセラミック基体１の側面の上端に達していないことからも同様にパターン面積を小さくし、さらに余計な浮遊容量を削減することが可能である。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のサブマウントの実施の形態の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図２】本発明のサブマウントの実施の形態の一例を示した斜視図である。
【図３】本発明のサブマウントの製造方法を示した工程図である。
【図４】従来のサブマウントを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１：セラミック基体
２：第１の上面導体層
３：第２の上面導体層
４：第１の側面導体層
５：第２の側面導体層
６：内層導体層
７、９：接続部
８：貫通導体
10：セラミック母基板
11ａ〜11ｄ：分割基板
12：分割線
13ａ：側面
14：側面導体層
【図１】
2005217095.tif 000003
【図２】
2005217095.tif 000004
【図３】
2005217095.tif 000005
【図４】
2005217095.tif 000006