(57)【要約】【課題】基体表面を粗面化した感光体でも、より正確に膜厚を形成できる。【解決手段】  導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成した電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、電子写真感光体の各層の膜厚を光干渉法を用いて測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用いる電子写真感光体の製造方法。【選択図】  図１０
2005250510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成した電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
電子写真感光体の各層の膜厚を光干渉法を用いて測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用いることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
測定平均表面粗さが、十点平均粗さＲｚである請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
光干渉法の測定波長が５００ｎｍ以上である請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
電子写真感光体が、静電潜像形成のための露光光源にレーザー光またはＬＥＤ光等の単色光を使用するデジタル複写機またはプリンター用感光体である請求項１または請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
測定反射光を１本のみの光ファイバーで受光する請求項１または請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
測定反射光を受光する光ファイバーが、導電性基体の鉛直位置から傾斜している請求項１または請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
光ファイバーが、導電性基体の鉛直位置から１〜７０度の範囲で傾斜している請求項６に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
光ファイバーが、導電性基体の鉛直位置から１〜４５度の範囲で傾斜している請求項６に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
導電性基体の表面が切削加工されたものである請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成する浸漬塗布装置と、
形成された各層の膜厚を光干渉法を用いて測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用いる測定プローブと
を備えたことを特徴とする電子写真感光体の製造装置。
【請求項１１】
導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成した電子写真感光体において、
電子写真感光体の各層の膜厚を光干渉法を用いて逐次測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用い、得られた測定値に基づいて各層を所望の膜厚に設定してなる電子写真感光体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子写真感光体と、この電子写真感光体に静電潜像を形成するための露光光源を具備したデジタル複写機またはプリンターとからなる画像形成システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体の製造方法およびその装置に関し、更に詳しくは、複写機やプリンタ等の電子写真装置などに用いられる電子写真感光体の膜厚を光干渉法を用いて測定する電子写真感光体の製造方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、複写機やプリンタ等の電子写真装置に使用される電子写真感光体において、アルミニウムやステンレスなどの非磁性金属材料で構成された導電性基体上に有機系の光導電性材料を電子写真プロセス上の機能に応じて順次積層させたものが知られている。このような電子写真感光体は、各機能層を構成するための有機系光導電性材料を結合樹脂（又は結着樹脂）と共に有機溶剤に溶解又は分散させた塗布液を導電性基体の上に順次塗布し、乾燥させることにより製造されている。
【０００３】
この塗布液の塗布方法として多くの方法が知られており、例えば、スプレー塗布法、ロールコート法、浸漬塗布法等が挙げられる。このうち浸漬塗布法は、前述の塗布液を満たした塗布槽に導電性基体を浸漬した後、これを一定速度で引き上げることにより、機能層を形成する方法であり、その生産性の高さから多くの感光体の製造において利用されている。
【０００４】
しかし、浸漬塗布法では、塗布槽内の塗布液から有機溶剤が蒸発しやすいため、粘度や濃度の変動が発生しやすく、塗布液の粘度や濃度の変化に伴い、塗布膜厚が変化するので、均一な塗膜を形成することが難しい。そのため、各機能層の塗布工程ごとに引き上げ速度や塗布液粘度などを調整して塗布膜厚の変動を低減すると共に、塗布膜厚を測定して所望の膜厚が得られたか否かを検査している。
【０００５】
そして、塗布膜厚の測定方法として、従来から、段差計、表面粗さ計、渦電流膜厚計などを用いた接触式膜厚測定方法や、色彩色差計、静電容量式膜厚計、蛍光Ｘ線膜厚計、ベータ線膜厚計、光干渉式膜厚計、光吸収法を用いた膜厚測定方法などの非接触式膜厚測定方法、又は、光学顕微鏡、電子顕微鏡などで試料断面を観察する写真法などが知られている。
【０００６】
これらのうち、接触式膜厚測定方法及び写真法は、感光体自身を傷つけるため、測定に使用された感光体を製品として使用できないという欠点をもっている。また、非接触式膜厚方法においても、色彩色差計では、電荷発生層のような顔料分散層の膜厚を測定することはできるが、下引層、電荷輸送層のように顔料を含有しない透明な層の膜厚を測定できず、静電容量式膜厚計では測定精度、測定分解能などに問題があり、蛍光Ｘ線膜厚計やベータ線膜厚計などでは特別な施設が必要となる。
【０００７】
上述の欠点を解決するために、本発明者らは、特開平４−３３６５４０号公報に開示されているように、有機電子写真感光体において下引層又は電荷輸送層の透明膜の塗布に際し、その膜厚の変動を抑えて均一化を図るために、光干渉法にて逐次膜厚を測定し、測定結果をフィードバックして塗布速度を適正な速度に自動制御することによって、無色透明又は非常に薄い色の下引層及び電荷輸送層の塗布量を調整することが可能で、適正な膜厚の感光体を製造でき、かつ、塗膜ムラ（スジ、ピンホールなど）をなくすことができることを見いだしている。
【０００８】
ここで、光干渉法による膜厚測定の原理は以下の通りである。
膜厚ｄ、屈折率Ｎの透明膜の試料に光が入射１した場合、試料膜内で光が多重反射を起こす（図３（Ａ））。反射光２として測定される光は、試料膜内を２回、３回と往復して反射してきた光が合成されたものである。
さらに、光は波であるため、合成には各光線の位相を考慮した和を取らなければならない。すなわち、隣合う位相差が２πの整数倍であれば強め合い、πの奇数倍であれば打ち消し合い、光の干渉が生じる。
【０００９】
図３（Ｂ）のように透明膜に光が入射した反射率は以下の式（１）で示される。
反射率Ｒ＝［Ｒ１2＋Ｒ２2−２Ｒ１Ｒ２ｃｏｓ（Ｘ）］／［１＋Ｒ１2＋Ｒ２2−２Ｒ１Ｒ２ｃｏｓ（Ｘ）］………（１）
［ここで、Ｘ＝４πＮ１  ｄ／λ
ただし、Ｎ２＞Ｎ１、λ：波長、ｄ：厚さ、Ｒ１：表面での反射率、Ｒ２：基体での反射率、Ｎ１：薄膜の屈折率、Ｎ２：基体の屈折率、Ｒ１＝（１−Ｎ１）／（１＋Ｎ１）、Ｒ２＝（Ｎ１−Ｎ２／（Ｎ１＋Ｎ２）］
【００１０】
光の干渉により強め合う（又は弱め合う）波長で反射率は極大値（又は極小値）を取るため、反射率Ｒを波長λで微分して、（ｄ／ｄλ）Ｒ（λ）＝０となるλを求めると、
（１／λｎ）−（１／λｎ＋１）＝１／２Ｎ１ｄ………（２）
（ｎ：ｎ番目の極大値（極小値）をもつ波長）となる。
この式（２）により、強め合う（又は弱め合う）波長及び薄膜の屈折率がわかれば、透明薄膜の厚みを計算することができる。薄膜の反射率、波長は分光光度計で測定することができる。薄膜の屈折率は未知のものにおいては、膜厚が既知のサンプルを用いて実際に光干渉法により式（２）から求めることができる。
【００１１】
しかし、上記２つの方法は、実際の電子写真感光体の製造工程で使用できない場合がある。
例えば、近年主流となっているデジタルカラー写真機やプリンタなどに用いられるデジタル用電子写真感光体の場合、ホーニング法、エッチング法、剛体球落下／衝突法、凹凸形状円筒耐圧接法、研削／切除法、レーザー照射法、高圧水噴射法などのように機械的に基体表面を粗面化する方法、陽極酸化法、ベーマイト処理法、加熱酸化処理法等のように基体表面に酸化処理を行う方法、干渉縞防止のための中間層を感光層と基体表面間に設ける方法などによって、導電性基体表面や下引層界面の粗面度を高くして膜の干渉縞を防止することが一般に行われている。このように干渉縞防止処理が施された導電性基体上の膜厚に干渉型膜厚計の光を投光した場合、特開平４−３３６５４０号公報に開示された方法では、粗面化した基体表面又は下引層界面の散乱により光の干渉スペクトルが検出できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のように、デジタル複写機およびプリンターに使用される感光体の基体ではレーザー光等を散乱させるために表面を粗面化している。このように表面が粗い基体では基体表面と膜表面での干渉が起こりにくいため、光干渉による膜厚の測定は困難であった。
そこで、本発明は、光干渉法で膜厚を測定する際に照射する光の波長を長波長に設定することにより、基体表面を粗面化したデジタル用感光体でも、より正確に膜厚を測定できる方法を提供するものである。
また、本発明は、膜厚測定時に反射光を受光する受光ファイバーを感光体円周の鉛直位置から傾けることより、基体表面を粗面化したデジタル用感光体でも、更に正確に膜厚を測定できる方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
すなわち、本発明は、導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成した電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
電子写真感光体の各層の膜厚を光干渉法を用いて測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用いることを特徴とする電子写真感光体の製造方法を提供する。
ここで、導電性基体の平均表面粗さとは、導電性基体の凹凸状態を表す高さの変化の平均値を意味し、具体的には、十点平均粗さＲz、中心線平均粗さＲaなどが知られている。精密機械の表面粗さとしてよく採用されている十点平均粗さＲｚが、格別大きな変化を強調することなく表面粗さを的確に表しているので好ましい。そしてその十点平均粗さＲｚ以上に設定された光干渉法の測定波長が５００ｎｍ（０．５μｍ）以上の場合により好ましい。
【００１４】
本発明は、別の観点によれば、導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成する浸漬塗布装置と、形成された各層の膜厚を光干渉法を用いて測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用いる測定プローブとを備えたことを特徴とする電子写真感光体の製造装置を提供できる。
本発明は、さらに別の観点によれば、導電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成した電子写真感光体において、電子写真感光体の各層の膜厚を光干渉法を用いて逐次測定し、かつその測定に際して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長として用い、得られた測定値に基づいて各層を所望の膜厚に設定してなる電子写真感光体を提供できる。
本発明は、さらに別の観点によれば、上記電子写真感光体と、この電子写真感光体に静電潜像を形成するための露光光源を具備したデジタル複写機またはプリンターとからなる画像形成システムを提供できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、導電性基体上の各層の膜厚を光干渉法を用いて測定するに際して、膜厚を測定する波長として、導電性基体の測定平均表面粗さより大きい値を用いることによって、導電性基体の表面粗さの影響を少なくし、それによって光干渉を有効に利用して、より正確な膜厚測定を可能にし、安定した膜厚・性能を持つ電子写真感光体を作製するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図に示す実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
透明膜の表面と裏面の反射による光の干渉により以下の式（３）の波長にピークを持つ。
λｎ＝４ｄＮ１／（２ｎ−１）………（３）
（λｎ：ｎ番目の極大値（極小値）を持つ波長，ｄ：厚さ，Ｎ１：膜の屈折率）
式（３）より、干渉によって生じるピーク波長は光の波長が短くなるほどその間隔が狭まっていくことがわかる。
例えば、鏡面加工されたアルミニウム基体上に形成された屈折率Ｎ１＝２．０の透明膜の場合、干渉により生じるピーク波長λｐは、次のように生じる（図４参照）。
λｐ＝４５５、４８８、５２５、５６８、６２０、６８３、７６２ｎｍ
これらのλｐを式（２）に代入して膜厚ｄを求めると、短波長側から
ｄ＝１．６２０、１．７３１、１．７３４、１．６９３、１．６８０、１．６４７μｍを得る。
このようにして得られたｄは本来同一のものであるから、これらに対し、算術平均などの処理を行い、測定値を得る。算術平均などの処理を行うため、データ数は多い方が信頼性を得られやすいが、データ数をより多くするためには、一定波長範囲内に干渉により生じるピークλｐが多い短波長側が有利であるため、光干渉法では、測定・解析波長を短波長側にするのが一般的である。
【００１７】
アナログ複写機用感光体に用いられる表面が平滑な基体上に透明膜が形成されている場合には、図５（Ａ）に示すように、基体表面と膜表面までの距離Ｌ１とＬ２が等しいため、反射光路長１１〜１３は同一である。
このため、反射光ｈ１〜ｈ３による干渉のパターンは同一となり、式（２）により膜厚を正確に測定することができる。
【００１８】
これに対し、レーザーやＬＥＤなどを使用したデジタル複写機やプリンター用のデジタル用感光体では、レーザー光などが基体から反射した光と膜表面の反射光が干渉して画像に干渉縞が出ることを防止するため、基体の表面を種々の方法にて粗面化しているため、通常の平滑な基体に比べて干渉パターンが得られ難くなり、膜厚測定が困難となっていた。しかし、表面を粗面化している基体表面で光が乱反射しても、膜表面と干渉を引き起こす基体からの反射光の存在は０とはならず、その結果、弱い干渉は起こっている。このように、干渉は起きているが、非常に弱い干渉のため、実際に複写機などで画像を形成する場合には干渉縞は画像に出ず、問題にならない。
【００１９】
このように表面が粗い基体では、図５（Ｂ）のように基体表面と膜表面までの距離Ｌ１'とＬ２'が異なるため、反射光路長ｌ１'、ｌ２'、１３'の平均値となる。
ｌ１'〜ｌ３'での干渉パターンは各々の光路長に対応して図６（Ａ）のように少しずつピーク波長が異なる。光干渉法では、一定面積の光を膜に照射するため、得られる干渉パターンはこれらのパターンの合成波である。図６（Ａ）の各パターンを合成すると、図６（Ｂ）のようにピーク波長の間隔が狭い短波長側では波の合成により互いのピークを打ち消し合ってピークが消失する。これに対し、長波長側ではピーク間隔が広いため、波の合成を行ってもピークの消失は起きにくい。
このように、ピークの消失は短波長側において起こりやすいが、これは特にピーク間隔の狭い５００ｎｍ以下の波長において顕著である。
【００２０】
また、基体表面を粗面化した場合、短波長の光は凹凸により散乱されやすいが、基体の表面粗さより長波長の場合には凹凸の影響を受け難いため、散乱する光は短波長に比べ少なくなる。このような理由においても長波長側の干渉パターンの方が顕著に出やすく、長波長側で膜厚測定を行う方が有利である。
【００２１】
ところで、基体表面の粗さは、通常、凹凸の最大の山と谷の差によって求められるＲmaxで表現される。このＲmaxはＪＩＳ規格  Ｂ  ０６０１ではＲyとさているが、これによると、図１（Ａ）に示したように、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜取り、この抜取り部分の山頂線Ｒpと谷底線Ｒvとの間隔を粗さ曲線の方向に測定した値である。
このＲmaxでは、測定範囲内に部分的な傷や凹みなどがあった場合に、本来の値からかけ離れた値となることがある。特に、感光体基体の表面粗さは、通常、１μｍ程度と小さく、この程度の表面粗さの場合に表面粗さを測定する場合の基準長さは規格により０．８ｍｍと決められた短い長さのため、部分的な傷があった場合、Ｒmaxの値は本来の値とかけ離れた値となってしまう。
【００２２】
この影響を受けずに基体の表面粗さを評価するパラメータとして、表面粗さの十点平均値Ｒzを採用した方が、より実際の凹凸の状態を表現できることが判明した。
表面粗さの十点平均値Ｒzは、図１（Ｂ）に示したように、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜取り、この抜取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した最も高い山頂から５番目までの山頂の標高（Ｙp）の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高（Ｙv）の絶対値の平均値との和を求めた値である。
基体表面の粗さを、このＲzで表現した場合には、先程のＲmaxで問題になった測定長さ内の傷や、並外れた高い山および低い谷の影響を受けない。このため、本発明においては、基体の表面粗さを正確に表現できるＲzを基体表面の粗さの値として採用した。
【００２３】
先にも述べたように、基体表面を粗面化した場合、短波長の光は凹凸により散乱されやすいが、基体の表面粗さの十点平均値Ｒzより長波長の場合には凹凸の影響を受け難いため、散乱する光は短波長に比べ少なくなり、干渉パターンが出やすくなる。
【００２４】
このように、本発明では、基体の表面を粗面化したデジタル用感光体において、わずかに生じている干渉パターンを検出することで膜厚の測定を可能とした。この、非常に弱い干渉パターンを検出するためには、干渉パターンのＳ／Ｎが十分に得られるまで測定時間を長くしたり、測定時の照射光量を大きくすることが有効で、かつ、測定時の波長を長波長側にすることが非常に有効である。
一方、基体から反射光を完全に無くすためには、基体が照射光を完全に吸収する必要があり、このためには、例えば、基体表面に光を吸収する物質を塗布する、または基体そのものに光を吸収する機能を具備させるなどの方法が考えられうが、このような場合には、干渉パターンが得られないため、本発明による方法では膜厚の測定は不可能である。
【００２５】
光干渉法で使用するプローブの説明図である図７（Ａ）は、通常、図７（Ｂ）のように複数の投光ファイバーおよび受光ファイバーを束ねた構造となっている。このように投光ファイバーが複数あるため、膜厚測定時にサンプルに照射する光の面積は大きくなり、表面が粗い基体の場合には、照射した光は種々の方向に散乱される。また、このプローブでは、受光ファイバーも複数あるため、多ポイントの種々の成分の反射光や散乱光を受光し、干渉パターンが重なり合って干渉パターンが出にくくなる。
これに対し、受光ファイバーが図７（Ｃ）のように１本しかない場合には、受光面積が小さくなるため、受光する光の成分は制限されたものとなる。このため、干渉パターンの重なり合いは少なくなり、図７（Ｂ）のように受光ファイバーが複数ある場合に比べ、干渉パターンは出やすくなる。
【００２６】
デジタル用に基体表面を粗面化する方法としては、ホーニング法、エッチング法、剛体球落下／衝突法、凹凸形状円筒体圧接法、研削／切削法、レーザー照射法、高圧水噴射法などのように、機械的に基体表面を粗面化する方法、陽極酸化法、ベーマイト処理法、加熱酸化処理法などのように、基体表面に酸化処理を行う方法などが挙げられるが、例えば、切削法により加工した基体の表面は、図８のように比較的規則正しい山谷の繰り返し構造となっている。
この基体に光を照射すると、基体から反射した光が基体の規則正しい山谷の繰り返し構造により干渉を引き起こし、図９（Ａ）のような干渉パターンを形成する。
【００２７】
受光ファイーバが１本しかなく、また投光ファイバーもごく少数の場合には、受光ファイバーに入射する光には散乱光より基体での干渉光の割合が多くなり、膜厚を求める本来の干渉パターン図９（Ｂ）に基体からの干渉光が重なり合って図８（Ｃ）のような干渉パターンとなり、膜厚の算出は不可能となる。これに対し、図７（Ｂ）のように受光光ファイバーが複数本ある場合には、多ポイントでの反射光や散乱光を受光するため、切削法により加工された基体表面で起こる干渉光を受光してもその割合は少なく、このため図９（Ｃ）のような干渉パターンにはなり難い。
【００２８】
このような干渉光の影響を少なくするためには、基体からの干渉光を受光しなければ良い。通常、導電性基体に形成した感光体の膜厚を測定する場合には、図１０（Ａ）のように鉛直方向から光照射・受光を行っている。この場合には、基体からの反射光を直接受光しやすいため、基体での干渉光を受講する割合は散乱光に比べ多くなる。これに対し、図１０（Ｂ）のように、受光ファイバーを鉛直方向から傾けることにより、基体での干渉光を受光しにくくなり、散乱光を受光する割合の方が多くなる。しかし、受光ファイバーを延長方向から傾ける角度は、大きすぎると散乱光をも受光し難くなるため、１〜７０度の範囲が適当で、特に１〜４５度の範囲が好ましい。この方法は、特に、受光ファイバーが１本の時に有効であるが、受光ファイバーが複数ある時にも基体からの干渉の影響は皆無とは言えないため、受光ファイバーが複数あるプローブにも有効である。
【００２９】
本発明で用いる電子写真感光体の導電性基体としては、アルミニウム、銅、ステンレス、真鍮などの金属の円筒状基体または薄膜シート、またはアルミニウム合金、酸化インジウムなどをポリエステルフィルムあるいは紙、金属フィルムの円筒状基体などに蒸着したものが挙げられる。
【００３０】
デジタル用に基体表面を粗面化する方法としては切削法、ホーニング法、エッチング法、剛体球落下／衝突法、凹凸形状円筒体圧接法、研削法、レーザー照射法、高圧水噴射法などのように機械的に基体表面を粗面化する方法、陽極酸化法、ベーマイト処理法、加熱酸化処理法などのように基体表面に酸化処理を行う方法などが挙げられる。
【００３１】
次いで、感光体層の接着性改良、塗布性改良、基体上の欠陥の被覆及び基体から電荷発生層への電荷注入性改良などのための下引層が設けられる。
下引層の材料としては、ポリアミド、共重合ナイロン、カゼイン、ポリビニルアルコール、セルロース、ゼラチンなどの樹脂が知られている。これらを各種有機溶剤に溶解し、膜厚が０．１〜５μ程度になるように導電性基体上に塗布される。
また、下引層中へは、低温低湿特性改善や、下引層の抵抗率などを調整するために、必要に応じて、アルミナ、酸化スズ、酸化チタンなどの無機顔料を樹脂中に分散含有されることが知られている。
【００３２】
本発明の電荷発生層は、光照射により電荷を発生する電荷発生材料を主成分とし、必要に応じて公知の結合剤（または結着剤）、可塑剤、増感剤を含有する。
電荷発生材料としては、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロシアニン系顔料、スクアリリウム色素、アズレウニム色素、チアピリリウム色素、およびカルバソール骨格、スチリルスチルベン骨格、トリフェニルアミン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、オキサジアゾール骨格、フルオレノン骨格、ビススチルベン骨格、ジスチリルオキサジアゾール骨格またはジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料などが挙げられる。これらの内、デジタル複写機およびプリンター用感光体の電荷発生材料としては無金属フタロシアニン顔料、金属フタロシアニン系顔料、アゾ顔料が特に適する。
【００３３】
本発明の電荷輸送層は、電荷発生材料が発生した電荷を受け入れ、こを輸送する能力を有する電荷輸送材料、シリコーン系レベリング剤および結合剤（または結着剤）を必須成分とし、必要に応じて公知の可塑剤、増感剤などを含有する。
【００３４】
電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルボゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキソジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、ヒドラゾン誘導体などの電子供与性物質、あるいは、フルオレノン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インデノチオフェン誘導体、フェナンスレンキノン誘導体、インデノピリジン誘導体、チオキサントン誘導体、ベンゾ［ｃ］シンノリン誘導体、フェナジンオキサイド誘導体、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、プロマニル、クロラニル、ベンゾイノンなどの電子受容性物質などが挙げられる。
【００３５】
電荷輸送層を構成する結合剤（又は結着剤）としては、電荷輸送材料と相溶性を有するのであれば良く、例えば、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリケトン、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂などが挙げられる。
【００３６】
本発明の電子写真感光体の製造方法は、公知の浸漬塗布方法を適用し得る。
その一例を以下に述べる。
例えば、酸化チタンと共重合ナイロン樹脂が適当な溶剤、例えば、エタノール、メタノール、メタノール／ジクロロエタンの混合溶剤などに分散した下引層用塗布液に導電性基体を公知の方法で浸漬し、引き上げ、乾燥して導電性基体上に下引層を形成する。
【００３７】
次いで、例えば、アゾ系顔料などの電荷発生材料が、必要に応じて、結合剤、可塑剤、増感剤と共に適当な溶剤、例えば、シクロヘキサノン、ベンゼン、クロロホルム、ジクロロエタン、エチルエーテル、アセトン、エタノール、クロロベンゼン、メチルエチルケトンなどに分散した塗工液に導電性基体を公知の方法で浸漬し、引き上げ、乾燥して導電性基体上に電荷発生層を形成する。
次いで、例えば、ヒドラゾン系化合物などの電荷輸送材料、シリコーン系レベリング剤および結合剤（又は結着剤）が、必要に応じて可塑剤、増感剤と共に適当な溶剤、例えば、ジクロロエタン、ベンゼン、クロロホルム、シクロヘキサノン、エチルエーテル、アセトン、エタノール、クロロベンゼン、メチルエチルケトンなどに溶解した塗工液に電荷発生層が塗布された導電性基体を公知の方法で浸漬し、引き上げ、乾燥して電荷輸送層を形成する。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１
共重合ナイロン樹脂（ＣＭ４０００：東レ（株）製）６重量部をメタノール９４重量部に溶解し、下引層用塗液を作製した。
この下引層用塗液を、表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．５０μｍとした外径φ６０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体（導電性基体）表面に、図２に示した浸漬塗布装置にて膜厚が約１．１μｍとなるよう塗布し、下引層を得た。
膜厚測定には、分光光度計（ＭＣＰＤ−１１００、大塚電子（株）製）を使用した。測定に使用したプローブは図７（Ｂ）に示したような投受光ファイバーが複数あるタイプのもので、外径は約１０ｍｍである。このプローブを円筒状基体の鉛直方向に約２ｍｍ離れた場所に設置したが、この時の光の照射径は約３ｍｍであった。膜厚の測定波長は５００〜６５０ｎｍに設定し、下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルには、図１１に示したように干渉パターンが得られた。
【００３９】
膜厚の算出は以下の手順により行った。すなわち、予め膜厚が既知の下引層塗膜サンプルでの干渉パターンを得ておき、この隣合う山と山の波長を算出し、屈折率を式（２）より求めておいた。この屈折率を用いて実際に測定する塗膜の干渉パターンの隣合う山と山の波長を算出して式（２）より膜厚を算出し、膜厚１．１μｍを得た。さらに測定波長範囲を長波長側である５５０〜７５０ｎｍ、６５０〜８５０ｎｍ、７５０〜１０００ｎｍに変更して測定を行ったが、これらすべての測定波長範囲でも反射スペクトルに干渉パターンが現れ、下引層の膜厚が算出できた。
【００４０】
実施例２
実施例１と同様の装置を使用して、表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．６０μｍとした外径φ３０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体上に下引層用塗膜を作成し、膜厚測定波長を６００〜８００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この場合にも実施例１と同様、反射スペクトルに干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を算出することができた。さらに測定波長範囲を長波長側である７００〜１０００ｎｍに変更して測定を行ったが、この測定波長範囲でも反射ペクトルに干渉パターンが現れ、下引層の膜厚が算出できた。
【００４１】
実施例３
実施例１と同様の装置を使用して、表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．７０μｍとした外径φ７０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体上に下引層用塗膜を作成し、膜厚測定波長を７００〜１０００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この場合にも実施例１と同様、反射スペクトルに干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を算出することができた。
【００４２】
比較例１
実施例１で作成した塗膜の膜厚測定波長範囲を基体のＲmax０．５０μｍ（５００ｎｍ）より短波長である４００〜５００ｎｍに設定して下引層塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲では、図１２に示したように、反射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。
【００４３】
比較例２
実施例２で作成した塗膜の膜厚測定波長範囲を基体のＲmax０．６０μｍ（６００ｎｍ）より短波長である４００〜５００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍに設定して下引層塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲では、比較例１と同様に、反射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。
【００４４】
比較例３
実施例３で作成した塗膜の膜厚測定波長範囲を基体のＲmax０．７０μｍ（７００ｎｍ）より短波長である４００〜５００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍ、５００〜７００ｎｍに設定して下引層塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲では、比較例１と同様に、反射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。
【００４５】
比較例４
実施例１と同様の装置を使用して、表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．０８μｍとした外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に下引層塗膜を作成した。この下引層について、測定波長範囲を４００〜５００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍ、５００〜７００ｎｍ、６００〜８００ｎｍ、７００〜１０００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長範囲において、図１３のような干渉パターンが得られ、膜厚約１．１μｍを算出することができた。
以上、実施例１〜３および比較例１〜４の結果を表１にまとめた。
【００４６】
【表１】
2005250510.tif 000003
【００４７】
表中、○は測定波長範囲内に干渉ターンのピークが２個以上有り、膜厚の算出ができたものを示し、×は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが無いために膜厚の算出ができなかったものを示す。
また、表中−の測定条件では、測定波長範囲がＲmaxを挟み込む条件であるため、測定を行わなかった。
表２から明らかなとおり、基体の表面粗さの十点平均粗さＲz以上の波長で測定することで下引層の膜厚が算出できた。
また、表面粗さの十点平均粗さＲzが０．５μｍの基体上に形成された下引層では、測定波長が５００ｎｍ以上で反射スペクトルに干渉パターンが現れ、下引層の膜厚が算出できた。
【００４８】
実施例４
アナログ複写機感光体用の電荷発生層を形成する塗液として、ジブロムアンサンスロン１重量部、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−２、積水化学（株）製）１重量部、シクロヘキサノン１２０重量部と調合し、ボールミルにて１２時間分散したものを作成した。
この塗液を実施例１の表面粗さの十点平均粗さＲz０．５０μｍ、外径φ６０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体の表面に、電荷発生層の膜厚が約０．７μｍとなるよう、図２に示した浸漬塗布装置にて塗布した。
【００４９】
次にヒドラゾン系電荷輸送材（ＡＢＰＨ、日本化薬（株）製）１重量部、ポリカーボネト樹脂（パンライトＬ−１２５０、帝人化成（株）製）１重量部、シリ
コーン系レリング剤（ＫＦ−９６、信越化学工業（株）製）０．０００１３重量部ジクロロエタン８重量部に加えて４５℃で加熱溶解し、完全に溶解した後に自然冷却し、電荷輸送層を形成する塗液として調整した。この塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用いて膜厚が２０μｍ程度となるよう塗布した。
【００５０】
膜厚測定は下引層と同様、分光光度計（ＭＣＰＤ、大塚電子（株）製）を使用し、膜厚測定波長を５００〜５５０ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルは、図１４に示したように、干渉パターンが得られた。屈折率は下引層と同様に膜厚が既知の本実施例の処方の電荷輸送層から予め求めておいた。この屈折率を用いて実際に測定する塗膜の干渉パターンの隣合う山と山の波長を算出して、式（２）より膜厚を算出し、膜厚２０．１μｍを得た。さらに測定波長範囲を長波長側である６００〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍ、７５０〜８００ｎｍに変更して測定を行ったが、これらすべての測定波長範囲で反射スペクトルに干渉パターンが現れ、電荷発生層と電荷輸送層とのトータルの膜厚が算出でき、それに基づいて差し引きで電荷輸送層の膜厚が算出できた。
【００５１】
実施例５
デジタル複写機感光体用の電荷発生層を形成する塗液として、Ｘ型メタルフリーフタロシアニン１重量部、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−２、積水化学（株）製）１重量部、テトラヒドロフラン１２０重量部と調合し、ボールミルにて１２時間分散したものを作成した。
この塗液を表面粗さの十点平均粗さＲz０．６０μｍ、外径φ４０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体上に実施例２で既に下引層を塗布した表面に電荷発生層の膜厚が約０．２μｍとなるよう、図２に示した浸漬塗布装置にて塗布した。次に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用いて膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布した。
膜厚測定は、膜厚測定波長を６００〜６５０ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の反射スペクトルを測定した。この場合にも実施例４と同様、反射スペクトルに干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を算出することができた。さらに測定波長範囲を長波長側である６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍに変更して測定を行ったが、これらすべての測定波長範囲で反射スペクトルに干渉パターンが現れ、電荷発生層と電荷輸送層とのトータルの膜厚が算出でき、それに基づいて差し引きで電荷輸送層の膜厚が算出できた。
【００５２】
実施例６
表面粗さの十点平均粗さＲz０．７０μｍ、外径φ７０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体上に実施例３で既に下引層を塗布した表面に電荷発生層の膜厚が約０．３μｍとなるよう、図２に示した浸漬塗布装置にてデジタル複写機用電荷発生層塗液を塗布した。次に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用いて膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布し、膜厚測定波長を７００〜７５０ｎｍに設定して電荷輸送層塗膜の反射スペクトルを測定した。この場合にも、実施例４と同様、反射スペクトルに干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を算出することができた。
【００５３】
比較例５
実施例４で使用した塗膜の膜厚測定波長を基体のＲmax０．５０μｍ（５００ｎｍ）より短波長である４５０〜５００ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲では、図１５に示したように反射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。
【００５４】
比較例６
実施例２で使用した塗膜の膜厚測定波長を基体のＲmax０．６０μｍ（６００ｎｍ）より短波長である４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、５５０〜６００ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲では、図１５に示したように比較例５と同様に、反射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。
【００５５】
比較例７
実施例３で使用した塗膜の膜厚測定波長を基体のＲmax０．７０μｍ（７００ｎｍ）より短波長である４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、６００〜６５０ｎｍ、６００〜７００ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲では、図１５に示したように比較例５と同様に反射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。
【００５６】
比較例８
表面粗さの十点平均粗さＲz０．０８μｍ、外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に比較例４で既に下引層を塗布した表面に、アナログ用電荷発生層を膜厚が約０．７μｍとなるよう、図２に示した浸漬塗布装置にてアナログ複写機用電荷発生層塗布を塗布した。
次に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用いて膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布し、膜厚測定波長を４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、６００〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍに設定して電荷輸送層塗膜の反射スペクトルを測定した。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長範囲で干渉パターンが得られ、膜厚１９．８μｍを算出することができた。
【００５７】
比較例９
表面粗さの十点平均粗さＲz０．０８μｍ、外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に比較例４で既に下引層を塗布した表面にデジタル用電荷発生層を膜厚が約０．２μｍとなるよう、図２に示した浸漬塗布装置にてデジタル複写機用電荷発生層塗布を塗布した。
次に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用いて膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布し、膜厚測定波長を４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、６００〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍに設定して電荷輸送層塗膜の反射スペクトルを測定した。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長範囲で干渉パターンが得られ、膜厚２０．３μｍを算出することができた。
以上、実施例４〜６および比較例５〜９の結果を表２にまとめた。
【００５８】
【表２】
2005250510.tif 000004
【００５９】
表中、○は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが２個以上有り、膜厚の算出ができたものを示し、×は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが無いために膜厚の算出ができなかったものを示す。
表３から明らかなとおり、基体の表面粗さ十点平均粗さＲz以上の波長で測定することで下引層の膜厚が算出できた。
また、表面粗さの十点平均粗さＲzが０．５μｍの基体上に形成された下引層では、測定波長が５００ｎｍ以上で反射スペクトルに干渉パターンが現れ、下引層の膜厚が算出できた。
【００６０】
比較例１０
ノボラック型フェノール樹脂５０重量部、粒子径約５５ｎｍのカーボンブラックを１５重量部、ガラスファイバー２５重量部、流動性改善のための添加剤１０重量部を加熱混練して、φ５０ｍｍの円筒状に射出形成した。この円筒の表面粗さはＲmax０．７０μｍであった。この円筒を支持体とし、実施例１と同様の装置を使用して、下引層塗膜を作成した。この下引層について、測定波長範囲を４００〜５００ｎｍ、５００〜６５０ｎｍ、５５０〜７５０ｎｍ、６５０〜８５０ｎｍ、７５０〜１０００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長範囲において、図１６のようにまったく干渉パターンが得られず、膜厚を算出することができなかった。どの波長においてもまったく干渉パターンが得られなかったのは、膜厚測定のために照射した光を支持体中のカーボンブラックが吸収して、下引層の裏面（基体表面）で光の反射がまったく起きず、その結果、下引層による光の干渉が起こらなかったためである。
【００６１】
実施例７
アルミニウム基体表面に平均粒子５０μｍのガラスビーズを圧縮空気により吹きつけて表面粗さの十点平均粗さＲz０．７０μｍとした外径φ５０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体上に図２の装置にて下引層用塗膜を形成し、図７（Ｃ）に示したような受光ファイバーが１本、投光ファイバーが２本の測定プローブを使用して膜厚測定を行った。
このプローブは、円筒状基体の鉛直方向に設置し、基体から約２ｍｍ離れた場所に設置した。この時の光の照射径は約１．２ｍｍであった。膜厚の測定波長範囲は７００〜１０００ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルには図１７に示したように、干渉パターンが得られ、膜厚１．１５μｍが算出できた。
【００６２】
比較例１１
実施例７で作成した下引層用塗膜を、図７（Ｂ）に示したような受光ファイバーと光ファイバーが各々多数の測定プローブを使用して膜厚測定を行った。このプローブは円筒状基体の鉛直方向に設置し、基体から約２ｍｍ離れた場所に設置した。この時の光の照射径は約３．０ｍｍであった。膜厚の測定波長範囲は７００〜１０００ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。しかし、この時の反射スペクトルは強度が強かったにもかかわらず、実施例７、図１７で示したようなはっきりした干渉パターンは得られず、図１８のような非常にプローブな干渉パターンとなり、膜厚の算出が困難であった。
【００６３】
実施例８
表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．５０μｍとした外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に下引層用塗膜を作成し、実施例１で測定に使用した下引層の膜厚測定において、図７（Ｃ）に示した受光ファイバーが１本の測定プローブを膜厚測定に使用した。このプローブを円筒状基体の鉛直方向から１度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に設置した。膜厚の測定波長は５００〜６５０ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルには図１９に示したように干渉パターンが得られ、膜厚が算出できた。
【００６４】
実施例９
表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．５０μｍとした外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に下引層用塗膜を作成し、実施例１で測定に使用した下引層の膜厚測定において、図７（Ｃ）に示した受光ファイバーが１本の測定プローブを膜厚測定に使用した。このプローブを円筒状基体の鉛直方向から３０度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に設置した。膜厚の測定波長は５００〜６５０ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルには干渉パターンが得られ、膜厚が算出できた。
【００６５】
実施例１０
受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛直方向から４５度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行った。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルでは基体からの干渉光が混合された図２０に示したような干渉パターンが得られ、膜厚が算出できた。
【００６６】
実施例１１
受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛直方向から７０度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行った。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルでは反射光量は少なかったが、図２１に示したような弱い干渉パターンが得られ、膜厚が算出できた。
【００６７】
比較例１２
受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛直方向から傾けずに、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行った。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルは基体からの干渉光が混合された図２２に示したようなパターンとなり、膜厚の算出ができなかった。
【００６８】
比較例１３
受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛直方向から８０度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行った。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトルでは反射光量は非常に少なかったため図２３に示したように干渉ピークが得られず、膜厚が算出できなかった。
【００６９】
以上、実施例８〜１１及び比較例１２〜１３の結果を表３にまとめた。
【表３】
2005250510.tif 000005
表中、◎は反射スペクトル強度が強く、かつ、干渉ピークがはっきりと検出され、膜厚算出が容易に可能なもの、○は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが２個以上有り、膜厚の算出できたものを示し、×は干渉ピークに基板からの干渉ピークが重なり合ってピーク検出のできなかったもの、あるいは反射強度が小さくて干渉ピークが得られなかったものを示す。
【００７０】
表３から明らかなとおり、受光ファイバーを基体の鉛直方向から傾けることで、粗面化した基体においても膜厚測定が可能であることがわかる。また、受光ファイバーを傾ける角度は１〜７０度、好ましくは１〜４５度の間に調整することで干渉ピークが得られ、膜厚の算出が可能である。
【００７１】
以上のごとく、本発明により、導電性基体上の各層の膜厚を光干渉法を用いて測定するに際して、膜厚を測定する波長として、導電性基体の測定平均表面粗さより大きい値を用いることによって、導電性基体の表面粗さの影響を少なくし、それによって光干渉を有効に利用して、より正確な膜厚測定を可能にし、安定した膜厚・性能を持つ電子写真感光体を作製するものである。
更に、静電潜像形成のための露光光源にレーザー光又はＬＥＤ光等の単色光を使用するデジタル複写機またはプリンター用の感光体用に粗面化された基体上に、各層を塗布形成した電子写真感光体の膜厚を光干渉法を用いて測定する場合において、膜厚を測定する時の測定波長を基体の表面粗さの十点平均粗さＲzより長波長とし、表面粗さの十点平均粗さＲzが０．５μｍ以上の基体上に形成された感光体膜厚を測定する時の測定波長を５００ｎｍ以上とすることで、下引層、電荷輸送層の膜厚を測定することができ、その結果、感光体生産を行う場合に、安定した膜厚・性能を持つ感光体を作製することができる。
また、受光ファイバーを測定基体の鉛直方向から傾けて反射スペクトルを測定することで、下引層、電荷輸送層の膜厚を測定することができ、その結果、感光体生産を行う場合に、安定した膜厚・性能を持つ感光体を作製することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】表面粗さの定義を説明する概略図であり、（Ａ）はＲmaxの場合を、（Ｂ）はＲzの場合を示す。
【図２】感光体塗布装置の概略図である。
【図３】透明薄膜に入射した光の挙動を説明する概略図であり、（Ａ）は多重反射を、（Ｂ）は表面での反射と基体での反射を示す。
【図４】透明薄膜の分光スペクトル図である。
【図５】透明薄膜に入射した光の挙動の基体による差の説明図であり、（Ａ）は平滑な基体の場合を、（Ｂ）は粗い基体の場合を示す。
【図６】粗面基体での分光スペクトル図であり、（Ａ）はピークが消えない場合（長波長側）を、（Ｂ）はピークが消える場合（短波長側）を示す。
【図７】光干渉法で使用する測定プローブの説明図であり、（Ａ）はその一般的な場合を、（Ｂ）は投・受光ファイバーが複数の場合を、（Ｃ）は受光ファイバーが１本の場合を示す。
【図８】切削法により加工された基体表面の概略図である。
【図９】切削法により加工された基体表面からの干渉光の分光スペクトル図であり、（Ａ）は干渉パターンが明確な場合を、（Ｂ）は膜厚を求める本来の干渉パターンを、（Ｃ）は干渉パターンになり難い場合を示す。
【図１０】光干渉法で使用する測定プローブの設置概略図であり、（Ａ）は投・受光が延長方向の場合を、（Ｂ）は受光が傾いている場合を示す。
【図１１】下引層の分光スペクトル図である。
【図１２】干渉パターンの得られなかった下引層の分光スペクトル図である。
【図１３】下引層の分光スペクトル図である。
【図１４】電荷輸送層の分光スペクトル図である。
【図１５】干渉パターンの得られなかった電荷輸送層の分光スペクトル図である。
【図１６】干渉パターンの得られなかった電荷輸送層の分光スペクトル図である。
【図１７】受光ファイバーが１本の測定プローブによる下引層の分光スペクトル図である。
【図１８】受光ファイバーが複数本の測定プローブによる下引層の分光スペクトル図である。
【図１９】測定プローブを傾けて測定した時の下引層の分光スペクトル図である。
【図２０】測定プローブを傾けて測定した時の下引層の分光スペクトル図である。
【図２１】測定プローブを傾けて測定した時の下引層の分光スペクトル図である。
【図２２】測定プローブを大きく傾けて測定した時の下引層の分光スペクトル図である。
【図２３】測定プローブを傾けずに測定した時の下引層の分光スペクトル図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  入射光
２  反射光
３  塗膜
４  基体
１１  塗布槽
１２  塗液
１３  基体
１４  昇降装置
１５  昇降機モーター
２２  投光ファイバー
３０  照射光
３１  反射光
３２  散乱光
４２  測定プローブ
４５  光ファイバーケーブル
５０  基体
【図１】
2005250510.tif 000006
【図２】
2005250510.tif 000007
【図３】
2005250510.tif 000008
【図４】
2005250510.tif 000009
【図５】
2005250510.tif 000010
【図６】
2005250510.tif 000011
【図７】
2005250510.tif 000012
【図８】
2005250510.tif 000013
【図９】
2005250510.tif 000014
【図１０】
2005250510.tif 000015
【図１１】
2005250510.tif 000016
【図１２】
2005250510.tif 000017
【図１３】
2005250510.tif 000018
【図１４】
2005250510.tif 000019
【図１５】
2005250510.tif 000020
【図１６】
2005250510.tif 000021
【図１７】
2005250510.tif 000022
【図１８】
2005250510.tif 000023
【図１９】
2005250510.tif 000024
【図２０】
2005250510.tif 000025
【図２１】
2005250510.tif 000026
【図２２】
2005250510.tif 000027
【図２３】
2005250510.tif 000028