(57)【要約】【課題】  コストを抑制しつつ良好な膜厚分布を実現することのできる薄膜製造装置を提供する。【解決手段】  薄膜製造装置１０では、電圧印加電極２の間に接地電位に保たれたシールド体４が配置されており、このシールド体４には、給電体６を各電圧印加電極２の中央部２ａに導くための貫通孔がそれぞれ設けられている。この貫通孔に各給電体６をそれぞれ貫挿させて電圧印加電極２の中央部２ａに給電することで、中央部２ａまで各給電体６をシールド状態で導き、中央部２ａにそれぞれ給電することが可能となる。【選択図】  図１
2005256100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される可撓性基板の一面上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、
前記可撓性基板に対向して配置された電圧印加電極と、
全周が絶縁体によって覆われた導体からなり、前記電圧印加電極に給電するための給電体と、
前記電圧印加電極の背面側に接地電位を保って配置され、前記給電体を前記電圧印加電極の中央部に導くための貫通孔が設けられたシールド体と、
を備え、
前記給電体を前記貫通孔に貫挿させて前記中央部に給電することを特徴とする薄膜製造装置。
【請求項２】
並行して搬送される２列の可撓性基板の各々の一面上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、
前記可撓性基板の間に対向配置された電圧印加電極と、
全周が絶縁体によって覆われた導体からなり、前記電圧印加電極に給電するための給電体と、
前記電圧印加電極の間に接地電位を保って配置され、前記給電体を前記電圧印加電極の中央部に導くための貫通孔がそれぞれ設けられたシールド体と、
を備え、
前記給電体を各々の前記貫通孔に貫挿させて前記中央部にそれぞれ給電することを特徴とする薄膜製造装置。
【請求項３】
前記導体は棒形状からなることを特徴とする請求項２記載の薄膜製造装置。
【請求項４】
各々の前記電圧印加電極の前記中央部に対して対称となる位置には、前記電圧印加電極及び前記可撓性基板の間に形成される成膜室から排気するための排気口が設けられていることを特徴とする請求項２記載の薄膜製造装置。
【請求項５】
前記排気口は各々の前記電圧印加電極の互いに相対する位置に設けられており、相対する前記排気口同士は中空部を有する排気部材によって連結されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜製造装置に関し、特に、搬送される可撓性基板上に各層を成膜する薄膜製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜光電変換素子を製造する場合、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を主原料とする光電変換層などを、高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からなる長尺状の可撓性基板上に形成することは生産性の点で優れている。
【０００３】
上記のように、可撓性基板上に複数の層を形成して薄膜光電変換素子を製造するための装置として、従来、搬送される可撓性基板上に各層を成膜する薄膜製造装置がある。
このような薄膜製造装置には、主にロールツーロール方式のものとステッピングロール方式のものとがある。ロールツーロール方式は、成膜室を連続的に移動していく可撓性基板上に連続的に成膜していく方式であり、ステッピングロール方式は、成膜室内で可撓性基板を一旦停止させて成膜した後、成膜の終わった可撓性基板部分をその成膜室から次の成膜室へと送り出す方式である。ステッピングロール方式の成膜は、ロールツーロール方式の成膜に比べて、隣接する成膜室とのガス相互拡散がないことや、装置がコンパクトになるといった点で優れている。
【０００４】
従来の一般的な薄膜製造装置としては、可撓性基板を水平にして搬送するものが用いられている。しかしながら、このような装置では、設置スペースを広く確保する必要があるという問題があったため、このような問題の改善を目的とした技術として、従来、可撓性基板を鉛直にして搬送する技術がある。また、１つの装置での成膜効率の向上を目的とした技術として、従来、複数の可撓性基板を並行して搬送し、それぞれの基板面上に成膜する技術もある。
【０００５】
図４は、基板面を鉛直にして搬送される２枚の可撓性基板をそれぞれ並行して搬送し、両者の一面上に薄膜を形成する従来の薄膜製造装置の平面断面図である。
図４に示す薄膜製造装置１００では、まず送り室１１１に収納された２つの搬入ロール１０２から可撓性基板１０１がそれぞれ引き出され、それらは予備真空室１１２を経て成膜用真空室１１３に入る。この成膜用真空室１１３内では、１つの電圧印加電極１２１の外側に２つの接地電極１２２がそれぞれ対向配置されており、両電極の間に搬送された各可撓性基板１０１は成膜室１０５で一旦停止されて成膜が行われる。成膜終了後、アクチュエータ１２４が起動し、各可撓性基板１０１は巻き取り室１１４に収納された２つの搬送ロール１０３にそれぞれ巻き取られる。
【０００６】
図５は、図４に示す薄膜製造装置での成膜の詳細を示す図であり、（ａ）は成膜時、（ｂ）は基板搬送時を示す。
成膜用真空室１１３は壁体１１５によって外界と区切られており、図５（ａ）に示す成膜時には、搬送ローラ１０４に挟まれた各可撓性基板１０１の外側に接地電極１２２がそれぞれ密着し、さらにその内側に成膜室壁１５１のシール材１５２が密着することにより気密状態の成膜室１０５が形成される。そして、電圧印加電極１２１と接地電極１２２との間に電圧が印加されてプラズマ１０６が生じ、接地電極１２２に内蔵されたヒータ１２３により加熱された各可撓性基板１０１の表面上には、反応ガスの分解による薄膜が形成される。成膜終了後、各可撓性基板１０１を搬送する際には、各搬送ローラ１０４及び各接地電極１２２を、図４に示すアクチュエータ１２４により矢印Ａの示す方向に約１ｃｍ移動させる。図５（ｂ）は、この移動が行われた後の状態である。このようにして、各可撓性基板１０１を成膜室壁１５１及び接地電極１２２に接触させないで矢印Ｂに示す方向に搬送することが可能となる。
【０００７】
また、従来の薄膜製造装置を用いて、例えばｐｉｎ構造を有する半導体薄膜を成膜するには、可撓性基板を異なる反応ガスが導入される複数の成膜室に通す必要がある。しかしながら、このような構成とする場合、一般に成膜室間にゲートを設ける必要があり、装置構成が複雑になるという問題があった。このような問題を改善する技術として、従来、隣接して配置された複数の成膜室によって順次成膜を行う技術がある。
【０００８】
図６は、隣接して配置された複数の成膜室を有する、従来の薄膜製造装置の平面断面図である。
図６に示す薄膜製造装置２００は、同一可撓性基板２０１上に対して、長手方向に隣接して配置された複数の成膜室２０５によって順次成膜が行われる。接地電極２２２は各成膜室２０５に対して共通に用意され、各成膜室２０５は接地された導電性側壁２５３を挟んで隣接している。各電圧印加電極２２１と導電性側壁２５３とは、絶縁物２５９によって絶縁されている。各成膜室を囲む成膜用真空室２１３は、真空排気管２７１によって連通しており、導電性側壁２５３に連通孔２５４を設けることで、内部の圧力が均一にされる。また、各成膜室２０５にも真空排気口２７２が開口して排気される。可撓性基板２０１の搬送は、接地電極２２２を可撓性基板２０１から浮かすことによって行う。このような構成とすることで、装置構成を複雑にすることなく、複数の成膜室を配置することが可能となる。
【０００９】
しかしながら、上記の薄膜製造装置２００では、他の成膜室２０５の印加電圧によって発生するノイズが膜質に悪影響を及ぼすという問題があった。
このような問題を改善するため、従来、電圧印加電極の背面及び側面をシールド体で覆う技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
図７は、電圧印加電極の背面及び側面をシールド体で覆った、従来の薄膜製造装置の成膜室部分を示す平面断面図である。また、図８は、図７に示す薄膜製造装置の一般的な給電方式を示す縦断面図である。
【００１１】
図７に示す薄膜製造装置３００は、並行して搬送される２列の可撓性基板３０１の間に排気部材３０７を介して結合された２つの電圧印加電極３０２が配置され、さらにそれぞれの可撓性基板３０１を挟んで対向する側に接地電極３０３がそれぞれ配置される。各々の電圧印加電極３０２の背面及び側面はシールド体３０４で覆われ、これに導電性の枠体３０５が導電的に結合されている。このような構成とすることで、成膜室３０８がシールドされ、複数の成膜室３０８を有する場合、他の成膜室３０８の印加電圧によって発生するノイズの影響が防止される。また、電圧印加電極３０２への給電方式としては、図８に示すように、絶縁体によって覆われた導体からなる給電体３０６の一端を薄膜製造装置３００の上部に設置されたインピーダンス整合器３５１に接続し、その他端をシールド体３０４を貫通させて電圧印加電極３０２の上端部に接続する。このような接続によって、高周波電源３５２から電圧印加電極３０２への給電が行われ、薄膜形成に必要となるプラズマが成膜室３０８に生成される。
【００１２】
ところで近年、高周波電源の周波数として、従来主に用いられてきた１３．５６ＭＨｚの２〜４倍程度の高い周波数が利用され始めてきており、さらにこれ以上の周波数域の研究もなされている。このような高周波数域への移行が進行しつつあることの要因としては、主に以下のような２点が挙げられる。即ち、第１には、薄膜の形成速度の向上に加えて膜質の向上を図ることが可能であると分かり始めたことであり、第２には、高い周波数によりプラズマを発生した場合、電圧印加電極及び接地電極の間に電子がトラップされ、低い印加電圧でプラズマを維持できるので、成膜中に可撓性基板に入射するエネルギー粒子によるダメージが軽減されることである。
【００１３】
しかしながら、図８に示すような従来の給電方式では、高周波電源から供給される印加電圧の周波数が高くなるに従って、その波長が電圧印加電極と同程度となるため、電圧印加電極の各部位の電位が異なることになる。特に、給電側に比べてその反対側の電位が大きくなるという現象が生じ、高い周波数域になるほど顕著にその電位差が発生する。従って、このような電位差に対応してプラズマ密度にも差が生じるため、結果として得られる薄膜は、給電側が薄くその反対側が厚いきわめて不均一な膜厚分布になるという問題があった。
【００１４】
このような問題を改善するために、従来、電圧印加電極の中央部に給電する方式がある。
図９は、電圧印加電極の中央部に給電する方式を用いた、従来の薄膜製造装置の断面図である。なお、図８と同じものには同じ符号を付し、説明を省略する。
【００１５】
図９に示す薄膜製造装置３００ａでは、給電体３０６を構成する導体３０６ａの一端がインピーダンス整合器３５１に接続され、その他端がシールド体３０４を貫通して直下に配され、電圧印加電極３０２の中央部に接続される。これによって、高周波電源３５２から電圧印加電極３０２の中央部への給電が行われ、図８に示す給電方式の問題が改善される。
【特許文献１】特開平８−２９３４９１号公報（段落番号〔００１０〕，第６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記の薄膜製造装置では、給電体を構成する導体が電圧印加電極及びシールド体によって形成される空間内を配される構造となっているため、導体と電圧印加電極との間には、前述の図９に示すような浮遊キャパシタンス３０９が発生する。また、上記のような構造は導体からの電磁波が伝播し易い構造でもある。これらの要因によって、高周波電源から供給される印加電圧の周波数が高くなるに従い、電圧印加電極の上部に高周波電流がより流れ易くなって電圧印加電極に電位差が生じることになる。これに対応して、成膜室に発生するプラズマの密度も不均一になり、結果として得られる薄膜は、電極上部側の膜厚が薄くなるという問題があった。上記の浮遊キャパシタンスを低減すると共に電磁波伝播の影響を抑制するためには、導体と電圧印加電極との距離を大きく取る必要がある。しかしながら、このような手段を取ることは、反応室容積の増大と共に装置の大型化を招き、装置コストの増大のみならず装置を設置する建屋の建設費も増大するという問題を伴った。
【００１７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、コストを抑制しつつ良好な膜厚分布を実現することのできる薄膜製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明では上記問題を解決するために、搬送される可撓性基板の一面上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、前記可撓性基板に対向して配置された電圧印加電極と、全周が絶縁体によって覆われた導体からなり、前記電圧印加電極に給電するための給電体と、前記電圧印加電極の背面側に接地電位を保って配置され、前記給電体を前記電圧印加電極の中央部に導くための貫通孔が設けられたシールド体と、を備え、前記給電体を前記貫通孔に貫挿させて前記中央部に給電することを特徴とする薄膜製造装置が提供される。
【００１９】
上記の構成によれば、電圧印加電極の中央部まで給電体をシールド状態で導き、上記中央部に給電することが可能となる。
また、本発明では上記課題を解決するために、並行して搬送される２列の可撓性基板の各々の一面上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、前記可撓性基板の間に対向配置された電圧印加電極と、全周が絶縁体によって覆われた導体からなり、前記電圧印加電極に給電するための給電体と、前記電圧印加電極の間に接地電位を保って配置され、前記給電体を前記電圧印加電極の中央部に導くための貫通孔がそれぞれ設けられたシールド体と、を備え、前記給電体を各々の前記貫通孔に貫挿させて前記中央部にそれぞれ給電することを特徴とする薄膜製造装置が提供される。
【００２０】
上記の構成によれば、電圧印加電極の中央部まで各給電体をシールド状態で導き、上記中央部にそれぞれ給電することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る薄膜製造装置は、シールド体に設けられた電圧印加電極の中央部に導くための貫通孔に給電体を貫挿させて中央部に給電することで、電圧印加電極の中央部までシールドされた給電体によって中央部に給電することが可能となる。従って、電圧印加電極に発生する電位差を抑制することが可能となり、薄膜の膜厚分布を改善できる。また、装置の大型化を伴う必要がないため、コストを抑制することができる。
【００２２】
本発明に係る別の薄膜製造装置は、シールド体に設けられた各電圧印加電極の中央部に導くための貫通孔に給電体をそれぞれ貫挿させて中央部に給電することで、電圧印加電極の中央部までシールドされた各給電体によって中央部にそれぞれ給電することが可能となる。従って、各電圧印加電極に発生する電位差を抑制することが可能となり、薄膜の膜厚分布を改善できる。また、装置の大型化を伴う必要がないため、コストを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態の薄膜製造装置の成膜室部分を示す平面断面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線での断面図である。
【００２４】
本発明の実施の形態の薄膜製造装置１０は、ステッピングロール方式で成膜を行うものであり、送り室から引き出された２列の可撓性基板１は並行して搬送され、予備真空室を経て成膜用真空室に入り、図１に示す成膜室８で一旦停止されて各々の一面上にそれぞれ成膜された後、巻き取り室に収納される構造をなしている。なお、成膜室８を除く上記各室の図示は省略している。
【００２５】
このように構成される本実施の形態の薄膜製造装置１０は、並行して搬送される２列の可撓性基板１の間にそれぞれ対向配置された電圧印加電極２及び接地電極３、各電圧印加電極２の間に配置されたシールド体４、電圧印加電極２に絶縁してねじ止めされる枠体５、並びにシールド体４に貫挿された給電体６を有している。さらに、電圧印加電極２同士は、排気部材７によって気密に連結されている。
【００２６】
電圧印加電極２は、可撓性基板１の間に対向配置される。本実施の形態では、電圧印加電極２の中央部２ａに凸形状の加工がなされており、シールド体４を貫挿して配された給電体６の一端は、この中央部２ａと接続される。接地電極３は、各電圧印加電極２の可撓性基板１と対向する側にそれぞれ対向配置される。接地電極３には、可撓性基板１を加熱するためのヒータ３ａが内蔵される。これらの電圧印加電極２及び接地電極３によって、成膜時に気密状態となる成膜室８に電圧が印加され、薄膜を形成するためのプラズマが成膜室８に生成される。
【００２７】
シールド体４は、例えばアルミニウムなどの導電性の部材からなり、対向配置された電圧印加電極２の間に配置される。本実施の形態では、本部材は各電圧印加電極２の背面及び側面を覆って配置される。また、成膜用真空室と外界とを区切って配置される壁体９は接地電位にあり、シールド体４はこの壁体９と接続されて接地電位に保たれる。
【００２８】
枠体５は、例えばステンレスなどの導電性の部材からなり、絶縁性及びシール性を兼ね備えた間隔材１５を挟んで各電圧印加電極２の外側にそれぞれ配置される。なお、枠体５及び電圧印加電極２の間隔材１５との接触面には溝が掘られ、気密を保つためのシール材１６が保持される。このように配置された各枠体５は、電圧印加電極２に対して、電気的絶縁を保つための絶縁管１７が被せられたねじ１８によって、それぞれねじ止めされる。また、シールド体４に対しては、ねじ１９によってねじ止めされる。これにより、枠体５は、シールド体４に対して導電的に結合され、シールド体４と同様に接地電位に保たれる。
【００２９】
給電体６は、電圧印加電極２に対して給電するための部材であり、全周を絶縁体６ｂによって覆われた導体６ａからなる。本実施の形態では、棒形状からなる導体６ａを用いた。
【００３０】
排気部材７は、排気のための中空部を有し、成膜時に成膜室８に供給される反応ガスを排気するために用いられる。本実施の形態に用いられる各電圧印加電極２には、図１に示すように、中央部２ａに対して図面左右方向対称となる位置に、成膜室８から排気するための排気口２Ａがそれぞれ設けられている。そして、各電圧印加電極２の互いに相対する排気口２Ａは、それぞれ排気部材７の上記中空部の両側端部と結合されている。これによって、相対する排気口２Ａ同士は、排気部材７に連結される構造をなしている。なお、排気部材７の電圧印加電極２と接触する面には、前述したシール材１６が保持される。このように、各電圧印加電極２の互いに相対する位置に設けられた排気口２Ａ同士を排気部材７によって連結することで、各成膜室８から別々に排気する必要がなくなるので、排気構造が簡易化され、コストの低減を図ることが可能となる。
【００３１】
上記の排気部材７には、図３に示すように、その下面側に開口７ａが設けられている。そして、シールド体４及び壁体９での上記開口７ａと対応する位置には、孔４ａ，９ａがそれぞれ設けられており、これらは排気の際の排気経路として機能する。なお、シールド体４の排気部材７及び壁体９と接触する面には、前述したシール材１６がそれぞれ保持される。
【００３２】
上記のように構成される薄膜製造装置１０では、図２に示すように、電圧印加電極２の中央部２ａの直上に対応する場所に、インピーダンス整合器５１が壁体９の上部に設置されており、これに対して高周波電源５２が接続される。なお、インピーダンス整合器５１は、電圧印加電極２からの反射波を最小にする制御を行う。
【００３３】
また、本実施の形態に用いるシールド体４には、その上面側のインピーダンス整合器５１に対応する位置から鉛直下方向の中央部２ａに向かって、その内部を貫通する貫通孔がそれぞれ設けられている。この貫通孔は、貫挿された給電体６を電圧印加電極２の中央部２ａまで導く機能を有しており、各給電体６をこの貫通孔にそれぞれ貫挿させることで、電圧印加電極２の中央部２ａへ給電を行う。
【００３４】
本実施の形態の給電体６を構成する導体６ａは棒形状をなしており、インピーダンス整合器５１に上記導体６ａの一端が接続された各給電体６は、その他端が上記貫通孔にそれぞれ貫挿される。その後、接地電位に保たれたシールド体４によってシールドされた状態で直下に配され、中央部２ａまでそれぞれ導かれる。そして、上記のようにインピーダンス整合器５１の鉛直下方向に配された各導体６ａは、その状態を保ったままで、その一端が中央部２ａとそれぞれ接続される。このような接続によって、各給電体６を介して各電圧印加電極２の中央部２ａへの給電が行われる。
【００３５】
このように、各電圧印加電極２の中央部２ａまで給電体６をシールド状態で導き、中央部２ａにそれぞれ給電することが可能となるので、電圧印加電極２への印加電圧が最も均等に配される給電状態を実現しつつ、導体６ａからの電磁波の伝播及び導体６ａと電圧印加電極２との間に生じる浮遊キャパシタンスの影響を抑制し、各電圧印加電極２への高周波電流の流入を抑制することができる。
【００３６】
また、給電体６を構成する導体６ａを棒形状とすることで、インピーダンス整合器５１から中央部２ａまでの配線距離を最短とすることが可能となり、電圧印加電極２からの反射波抑制を図ることができる。
【００３７】
以下、上述してきたような本実施の形態の薄膜製造装置１０での成膜時の様子について、その概略を説明する。
成膜時には、図示しないアクチュエータによって、各接地電極３及び停止された各可撓性基板１が枠体５に向かってそれぞれ移動し、枠体５と可撓性基板１とが、枠体５の可撓性基板１と接触する面に保持されたシール材１６を介して密着する。これにより、気密状態の成膜室８が電圧印加電極２及び可撓性基板１の間にそれぞれ形成される。
【００３８】
そして、上記のように接続された各給電体６によって、高周波電源５２の出力電圧が各電圧印加電極２の中央部２ａに給電され、電圧印加電極２及び接地電極３の間に高周波電圧がそれぞれ印加される。これによって各成膜室８内にプラズマが発生し、図示しない導入管から導入された反応ガスが分解され、接地電極３のヒータ３ａによって加熱された可撓性基板１の表面上に薄膜がそれぞれ形成される。
【００３９】
この時、各成膜室８に供給された反応ガスは、図示しない真空ポンプによって、各電圧印加電極２に設けられた排気口２Ａを介して排気部材７に排気されてから、シールド体４及び壁体９に設けられた孔４ａ，９ａを通って外部に排気され、これによって各成膜室８内の圧力が維持される。この際、各電圧印加電極２の中央部２ａに対して対称となる位置に排気口２Ａをそれぞれ設けたことで、成膜室８内の反応ガスを等分に排気できる領域が広がり、膜厚分布に悪影響を及ぼす成膜室８内での反応ガスの流れの偏りを抑制することが可能となる。なお、さらに排気口２Ａを中央部２ａに対して対称となるように複数設けることで、上記のような反応ガスの流れの偏りをより抑制できる。
【００４０】
このように、本実施の形態の薄膜製造装置１０では、成膜室８内での反応ガスの流れの偏りを広範囲で抑制することが可能となるので、より巾広なサイズの可撓性基板１にも対応することができる。
【００４１】
以上説明してきたように、本実施の形態の薄膜製造装置１０では、シールド体４に設けられた各貫通孔に給電体６をそれぞれ貫挿させて各電圧印加電極２の中央部２ａに給電することで、各電圧印加電極２に対して高周波電圧を最もバランス良く印加しながら、シールド効果によって高周波電流の流入を抑制することができる。従って、各電圧印加電極２内での電位差を抑制することが可能となり、成膜室８内のプラズマ密度をより均一なものとすることができる。これにより、薄膜形成速度の向上などを目的として、例えば２０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の高周波電圧を印加した場合でも、良好な膜厚分布の薄膜を得ることが可能となる。
【００４２】
また、各電圧印加電極２の中央部２ａに対して対称となる位置に排気口２Ａをそれぞれ設けたことで、膜厚分布に悪影響を及ぼす反応ガスの流れの偏りを広範囲で抑制することができる。従って、近年より巾広なサイズが採用される傾向にある可撓性基板１に対しても、良好な品質で薄膜を形成することが可能となり、例えば太陽電池に用いられるａ−Ｓｉの薄膜を形成する可撓性基板など、最近では１ｍ以上のサイズが中心となってきているものに対しても、良好な膜厚分布の薄膜を形成することができる。
【００４３】
なお、上記の説明では、可撓性基板１を２列並行に搬送して各々の一面上に薄膜を形成する薄膜製造装置１０を使用したが、単列の可撓性基板を搬送して薄膜を形成する薄膜製造装置、あるいは３列以上の可撓性基板を搬送して薄膜を形成する薄膜製造装置を使用することもできる。単列の場合は、可撓性基板に対向配置された電圧印加電極の背面側、即ち成膜室とは反対側に、上記と同様の機能を有する貫通孔が設けられたシールド体が接地電位を保って配置される。そして、上記と同様に全周が絶縁体によって覆われた導体を上記貫通孔に貫挿させて中央部に給電する。これにより、電圧印加電極の中央部まで給電体をシールド状態で導いて中央部に給電することが可能となり、上記と同様に、高周波電圧を用いた場合でも良好な膜厚分布の薄膜が得られる。
【００４４】
また、上記の説明ではステッピングロール方式としたが、ロールツーロール方式としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の薄膜製造装置は、薄膜光電変換素子の形成に好適に用いることができ、一般に可撓性基板上に複数の層が形成される薄膜素子の製造に広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態の薄膜製造装置の成膜室部分を示す平面断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線での断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図４】基板面を鉛直にして搬送される２枚の可撓性基板をそれぞれ並行して搬送し、両者の一面上に薄膜を形成する従来の薄膜製造装置の平面断面図である。
【図５】図４に示す薄膜製造装置での成膜の詳細を示す図であり、（ａ）は成膜時、（ｂ）は基板搬送時を示す。
【図６】隣接して配置された複数の成膜室を有する、従来の薄膜製造装置の平面断面図である。
【図７】電圧印加電極の背面及び側面をシールド体で覆った、従来の薄膜製造装置の成膜室部分を示す平面断面図である。
【図８】図７に示す薄膜製造装置の一般的な給電方式を示す縦断面図である。
【図９】電圧印加電極の中央部に給電する方式を用いた、従来の薄膜製造装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  可撓性基板
２  電圧印加電極
３  接地電極
４  シールド体
５  枠体
６  給電体
６ａ  導体
６ｂ  絶縁体
７  排気部材
８  成膜室
１０  薄膜製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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