(57)【要約】【課題】スルーホール導体やビアホール導体を有する配線基板において、埋め込み樹脂と、スルーホール導体、ビアホール導体、蓋導体、絶縁層との接続信頼性を向上させる。【解決手段】少なくとも、樹脂を含有する絶縁基体１と、該絶縁基体１を貫通するスルーホール３と、該スルーホール３の内壁に形成されたスルーホール導体５と、前記絶縁基体１の表面に前記スルーホール導体５から延設されて形成された配線導体１２と、前記スルーホール導体５が形成する空間に充填された埋め込み樹脂７と、絶縁基体１の主面に形成された絶縁層１５と、を具備する配線基板２１において、前記埋め込み樹脂７が前記配線導体１２の主面に対して前記絶縁層１５側に凸状に形成されてなることを特徴とする。【選択図】図１
2005217056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、樹脂を含有する絶縁基体と、該絶縁基体を貫通するスルーホールと、該スルーホールの内壁に形成されたスルーホール導体と、前記絶縁基体の表面に前記スルーホール導体から延設されて形成された配線導体と、前記スルーホール導体が形成する空間に充填された埋め込み樹脂と、絶縁基体の主面に形成された絶縁層と、を具備する配線基板において、前記埋め込み樹脂が前記配線導体の主面に対して前記絶縁層側に凸状に形成されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
凸状に形成された埋め込み樹脂の凸面が、配線導体の主面に対してスルーホールの直径の０．０２〜０．１５倍の厚さで突出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
埋め込み樹脂の凸面が略半球状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
埋め込み樹脂を塞ぐ蓋導体を具備してなることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
埋め込み樹脂又は蓋導体の直上にビアホール導体が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
金属層が主面に形成された絶縁基体に貫通孔を形成する工程と、該貫通孔の内壁及び前記金属層の表面にめっき層を形成し、スルーホール導体を形成する工程と、該スルーホール導体が形成する空間に埋め込み樹脂を充填する工程と、前記絶縁基体の主面に形成されためっき層、金属層のうち、少なくともいずれかの一部を除去して前記埋め込み樹脂の端部を絶縁基体の主面に形成されためっき層あるいは金属層の主面から突出させる工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
埋め込み樹脂の端部を略半球状に形成する工程を具備することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料系の配線基板であって、特に絶縁基体にスルーホール構造を有し、スルーホール導体が形成する空間に充填された埋め込み樹脂を具備するものに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高周波特性が要求されてきている。これに対して電子機器の一部を構成する配線基板にも小型・薄型・多端子化が求められてきており、それを実現するために信号導体等の配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、配線導体の高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような高密度配線が可能な配線基板として、ビルドアップ工法を採用して製作された配線基板が知られている。ビルドアップ配線基板は、例えば、ガラスクロスやアラミド不布織等の補強材に耐熱性や耐薬品性を有するエポキシ樹脂に代表される熱硬化性樹脂を含浸させて硬化した絶縁基体上に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなるワニスを塗布する、あるいはフィルム状の熱硬化性樹脂をラミネートするとともに加熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層にレーザ光で径が５０〜２００μｍの貫通孔を穿設し、次に、貫通孔内壁および絶縁層表面を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で化学粗化し、しかる後、無電解銅めっき法および電解銅めっき法を用いて貫通孔に銅めっきを充填するとともに絶縁層表面に銅導体膜を被着してビアホール導体および配線導体を形成し、さらに、この絶縁層上に上記と同様の工程を繰り返して複数の絶縁層や配線導体・ビアホール導体の形成を行なうことによって製作される。
【０００４】
なお、通常は、絶縁基体の上下に位置する配線導体間を電気的に接続するために、絶縁基体にはあらかじめドリル等によりスルーホールが形成され、スルーホールの内壁には無電解めっき法および電解めっき法によりスルーホール導体が形成されている。さらに、絶縁基体の表面を平坦にし、絶縁基体に積層する絶縁基体の平坦度を確保するために、スルーホールにはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が充填されている。
【０００５】
近年、配線基板にもより小型化の要求が強まってきており、このような小型化の要求に対して、スルーホール導体やビアホール導体を垂直方向に配置して配線基板を小型化することが提案されている。なお、スルーホール導体とビアホール導体との電気的な接続は、スルーホールに充填した埋め込み樹脂の表面にスルーホール導体と電気的に接続した、配線導体の一部からなるビアホール導体を形成し、このビアホール導体とビアホール導体とを電気的に接続することにより行なわれている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００２−３０５３７７号公報
【特許文献２】特開２００３−０２３２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このようなスルーホール導体や蓋導体及びビアホール導体を垂直方向に配置してなる配線基板は、絶縁基体のスルーホール導体の直上に絶縁基体の貫通導体を設けるためにスルーホールの埋め込み樹脂表面に蓋導体や絶縁樹脂を形成しているが、この蓋導体や絶縁樹脂と埋め込み樹脂との密着強度が低いため、電子部品を外部電気回路基板に実装する際の熱履歴により蓋導体や絶縁樹脂が埋め込み樹脂から剥がれてしまい、スルーホール導体と蓋導体及びビアホール導体との間で断線してしまうという問題点を有していた。また、蓋導体の膨れを抑えるためにその厚みを厚くすると、絶縁基体上に形成した配線導体の厚みも厚くなってしまい、高密度な配線導体が形成できないという問題点を有していた。
【０００７】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、スルーホール導体やビアホール導体を有する配線基板において、スルーホール導体及びビアホール導体との接続信頼性が良好で、電子部品を外部電気回路基板に実装する際、あるいは使用中の熱履歴によりスルーホール導体とビアホール導体とが断線することのない、接続信頼性に優れた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、少なくとも、樹脂を含有する絶縁基体と、該絶縁基体を貫通するスルーホールと、該スルーホールの内壁に形成されたスルーホール導体と、前記絶縁基体の表面に前記スルーホール導体から延設されて形成された配線導体と、前記スルーホール導体が形成する空間に充填された埋め込み樹脂と、絶縁基体の主面に形成された絶縁層と、を具備する配線基板において、前記埋め込み樹脂が前記配線導体の主面に対して前記絶縁層側に凸状に形成されてなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の配線基板は、凸状に形成された埋め込み樹脂の凸面が、配線導体の主面に対してスルーホールの直径の０．０２〜０．１５倍の厚さで突出していることが望ましい。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、埋め込み樹脂の凸面が略半球状であることが望ましい。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、埋め込み樹脂を塞ぐ蓋導体を具備してなることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、蓋導体の直上にビアホール導体が形成されてなることが望ましい。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法は、金属層が主面に形成された絶縁基体に貫通孔を形成する工程と、該貫通孔の内壁及び前記金属層の表面にめっき層を形成し、スルーホール導体を形成する工程と、該スルーホール導体が形成する空間に埋め込み樹脂を充填する工程と、前記絶縁基体の主面に形成されためっき層、金属層のうち、少なくともいずれかの一部を除去して前記埋め込み樹脂の端部を絶縁基体の主面に形成されためっき層あるいは金属層の主面から突出させる工程とを具備することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の配線基板の製造方法は、埋め込み樹脂の端部を略半球状に形成する工程を具備してなることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線基板は、埋め込み樹脂を配線導体の主面から、凸状に突出させて形成することで、埋め込み樹脂と、蓋導体、ビアホール導体あるいは絶縁層との接触面積を増大させることができ、両者の接続強度を強くできるとともに、接着面積を増大させたことにより単位面積あたりの熱応力を小さくすることができ、スルーホール導体と、蓋導体、ビアホール導体あるいは絶縁層との接続信頼性を格段に向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の配線基板は、凸面を、配線導体の主面に対してスルーホールの直径の０．０２以上の厚さで突出させることで、埋め込み樹脂と、蓋導体、ビアホール導体あるいは絶縁層との物理的なアンカー効果により、埋め込み樹脂と絶縁基体表面の配線導体との接続強度を十分強くでき、蓋導体及び貫通導体の断線を防ぐことができ、接続信頼性を確保することができる。また、凸面を配線導体の主面に対してスルーホールの直径の０．１５以下の厚さで埋め込み樹脂を突出させていることで、配線基板の表面が凸凹になることがなく、表面の平坦性を有する配線基板を容易に形成することができる。
【００１７】
また、凸面を略半球状とすることで、応力の集中を抑制することができ、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の配線基板は、埋め込み樹脂を塞ぐ蓋導体を設けることで温度サイクルでの熱収縮時においても埋め込み樹脂とスルーホール導体との界面でのデラミネーションを防止し、品質信頼性の向上を図ることができる。
【００１９】
また、本発明の配線基板は、絶縁基体上に絶縁層を形成し、埋め込み樹脂あるいは蓋導体の直上にビアホール導体を設けた構造とすることで、配線形成の自由度が増し、高密度化された配線を有する配線基板となる。
【００２０】
また、本発明の配線基板の製造方法では、埋め込み樹脂を充填した後に配線導体の一部を除去し、埋め込み樹脂の端部を配線導体の主面に対して凸状に形成することで、本発明の配線基板を容易に形成することができる。
【００２１】
また、本発明の配線基板の製造方法では、埋め込み樹脂の端部を略半球凸状に形成することで、埋め込み樹脂と、蓋導体、ビアホール導体あるいは絶縁層との接触面積を増大させて、応力の集中を緩和し、両者の接続強度を強くすることによって埋め込み樹脂と、蓋導体、ビアホール導体あるいは絶縁層との接続信頼性を格段に向上させることができ、信頼性に優れた配線基板を歩留まりよく作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の配線基板は、例えば、図１に示すように、絶縁基体１を貫通してスルーホール３が形成され、スルーホール３の内壁には、スルーホール導体５が形成され、さらに、スルーホール導体５が形成する空間には埋め込み樹脂７が形成されている。そして、埋め込み樹脂７を塞ぐようにして、ビアホール導体１９が形成されている。また、絶縁基体１の主面には、銅箔２とめっき層５とからなる配線導体１２が形成され、さらに絶縁層１５が形成されている。この絶縁層１５には、絶縁層１５を貫通してビアホール１７が形成され、ビアホール１７にはビアホール導体１９が形成されている。このビアホール導体１９のうち、埋め込み樹脂７の直上に形成されたビアホール導体１９の埋め込み樹脂７と接する面には、凹部が形成され、埋め込み樹脂７の突出した部分と接している。
【００２３】
そして、スルーホール導体５と、蓋導体９と、配線導体１２と、ビアホール導体１９とで配線回路が形成されている。
【００２４】
絶縁基体１は、配線導体１２や絶縁層１５を支持する支持板としての機能を有し、厚みが０．１〜１．５ｍｍで、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたものが主に用いられる。
【００２５】
この絶縁基体１には、その上面から下面にかけて、径が５０〜３００μｍのスルーホール３がレーザ光やドリルを用いて形成されている。このスルーホール３の内壁に、形成されたスルーホール導体５は、絶縁基体１の主面に形成された蓋導体９や、配線導体１２間を電気的に接続している。
【００２６】
また、スルーホール３に形成された埋め込み樹脂７は、スルーホール導体５がスルーホール３から剥離しないように保護している。
【００２７】
そして本発明の配線基板２１においては、埋め込み樹脂７が絶縁層１５側、ビアホール導体１９側、あるいは蓋導体９側に凸状になっていることが重要である。
【００２８】
このように、埋め込み樹脂７を凸状に形成することで、埋め込み樹脂７と、絶縁層１５、ビアホール導体１９、あるいは蓋導体９との接続面積が増加し、接続信頼性を格段に向上させることができる。
【００２９】
例えば、図２（ａ）に示すように、ビアホール導体１９が埋め込み樹脂７直上にある場合、ビアホール導体１９の埋め込み樹脂７と接する面１９ａの逆側の面１９ｂは平坦であってもよく、図２（ｂ）に示すように凹状になっていてもよい。
【００３０】
また、例えば、図３（ｃ）に示すように、埋め込み樹脂７の直上に、蓋導体９がある場合でも、埋め込み樹脂７と蓋導体９との接続面積が増加して、配線基板２１の信頼性が向上する。
【００３１】
また、例えば、図３（ｄ）に示すように、埋め込み樹脂７の直上に、ビアホール導体１９も蓋導体９もない場合であっても、埋め込み樹脂７と絶縁層１５との接続面積が増加して、配線基板２１の信頼性が向上する。
【００３２】
また、図４（ｅ）に示すように、埋め込み樹脂７の周辺において、ビアホール導体１９をスルーホール導体５に一部食い込ませるように形成することで、さらに、埋め込み樹脂７とビアホール導体１９との接続面積を増加させることができ、格段に信頼性に優れた配線基板２１となる。
【００３３】
また、図４（ｆ）に示すように、埋め込み樹脂７の端面７ａは、特に、略半球状に形成することが望ましく、絶縁層１５と埋め込み樹脂７との接着面積を効果的に増加させることができるとともに、スルーホール導体５や、絶縁基体１、絶縁層１５、埋め込み樹脂７との間で熱膨張差により埋め込み樹脂７に応力が印加されたとしても、埋め込み樹脂７の端面７ａ全体で応力を均一に受け止めることができ、埋め込み樹脂７の端面７ａ及びその周辺にクラックが発生することを抑制することができる。
【００３４】
なお、埋め込み樹脂７の端面７ａを略半球状とすることによる効果は、埋め込み樹脂７の端面７ａと接する部材が、蓋導体９や、ビアホール導体１９であったとしても、同様に発揮されるのは言うまでもない。
【００３５】
このクラックを防止する効果は、凸状に形成された埋め込み樹脂７の端面７ａを、配線導体１２の主面に対して、スルーホール３の直径の０．０２倍以上の厚さ突出させることで、特に、顕著な効果があり、さらに０．０５倍以上とすることが望ましい。一方、あまり突出量が多くなりすぎると埋め込み樹脂７の凸部の厚みによって、配線基板２１の表面が平坦でなくなるなどの弊害や、蓋導体９の厚みが薄くなることで絶縁基体１の水平方向に発生する応力によってクラックを起こしやすくなることや、蓋導体９が形成しにくくなるなどの弊害があるため、スルーホール３の直径の０．１５倍以下にすることが望ましい。さらに０．１倍以下にすることで容易に凸面１９ａを有するビアホール導体１９を形成することができる。
【００３６】
そして、配線導体１２、スルーホール導体５、蓋導体９およびビアホール導体１９は、低抵抗化ができるとともに、高速信号における信号伝達ロスが小さく、柔軟性に優れた銅を主成分として形成することが望ましく、銅を用いた場合には、低抵抗化、信号ロスの低減と、クラック防止とをともに達成することができる。
【００３７】
以下に、本発明の配線基板２１の製造方法を詳細に説明する。
【００３８】
まず、例えば、図５（ａ）に示すように、厚さが０．１〜１．５ｍｍのガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁基板１の両面に厚みが６〜１８μｍ程度の銅箔２を被着し、次に絶縁基板１表面に被着した銅箔２を硫酸−過酸化水素水溶液を用いてエッチング処理して銅箔の厚みを３〜１５μｍとし、さらに、これらを酸化雰囲気下のオーブンで１２５〜２００℃、１〜２時間熱処理することによって、両面に銅箔２が被着された絶縁基体１を得る。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁基体１と銅箔２に炭酸ガスレーザなどのレーザ光またはドリルを用いて直径が５０〜３００μｍのスルーホール３を穿孔する。
【００４０】
次に、スルーホール３を穿孔した銅箔２が被着された絶縁基体１を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬して、スルーホール３の内壁を粗化する。
【００４１】
次に、図５（ｃ）に示すように、スルーホール３の内壁を粗化した銅箔２が被着された絶縁基体１をパラジウムまたはパラジウム−スズコロイドの無電解銅めっき触媒を含んだ水溶液に浸漬し、パラジウム−スズコロイド（図示せず）をスルーホール３の内壁に付着させる。
【００４２】
次に、スルーホール３の内壁および銅箔２の表面にパラジウム−スズコロイドが付着した絶縁基体１を、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等からなる無電解めっき液に約３０分間浸漬して、スルーホール３内壁に無電解銅めっき層を析出させ、しかる後、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等からなる電解銅めっき液に数時間浸漬して、スルーホール３内壁の無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を被着させ、厚みが１０〜５０μｍのめっき層５からなるスルーホール導体５を形成する。なお、スルーホール３の内壁にスルーホール導体５を形成する際に、絶縁基体１の表面に被着した銅箔２の表面にも、厚みがスルーホール導体５と同程度の銅めっき層５が形成される。
【００４３】
次に、図５（ｄ）に示すように、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を、従来周知のスクリーン印刷法を用いてスルーホール導体５が形成する空間に充填し、１００〜２００℃の温度で２時間熱硬化することにより埋め込み樹脂７を形成する。なお、埋め込み樹脂７となる樹脂に、シリカ等の無機絶縁物粉末を添加し、絶縁基体１の熱膨張係数と埋め込み樹脂７の熱膨張係数とを整合させることが好ましい。
【００４４】
次に、埋め込み樹脂７の端部をバフロール等を用いたいわゆるバフ研磨にて研磨することによって除去する。
【００４５】
次に、図６（ｅ）に示すように、銅めっき層５を硫酸−過酸化水素水溶液を用いてエッチング処理して、その一部を除去し、銅めっき層５の厚みを２〜４８μｍ程度にして、埋め込み樹脂７を銅めっき層５の主面から凸状に突出させる。
【００４６】
なお、この際、＃３００〜＃８００のバフロール等を用いたいわゆるバフ研磨を使用して、埋め込み樹脂７の端面７ａを研磨することで、埋め込み樹脂７の端面７ａを略半球状に加工することが望ましい。
【００４７】
次に少なくとも、銅めっき層５の主面から凸状に突出した埋め込み樹脂７を覆うように銅めっき層５の表面に耐エッチング樹脂層２２を形成した後、図６（ｆ）に示すように、露光・現像処理により耐エッチング樹脂層２２を所定のパターンに加工し、しかる後、図６（ｇ）に示すように、硫酸−過酸化水素水溶液で耐エッチング樹脂層２２から露出した銅めっき層５と銅箔２とをエッチングして、除去し、銅めっき層５と銅箔２とからなる配線導体１２を形成し、その後に耐エッチング樹脂層２２を除去する。
【００４８】
次に、図７（ｊ）に示すように、絶縁基体１の主面に、エポキシ樹脂および絶縁無機フィラーからなる厚みが１０〜５０μｍのフィルムを積層するとともに真空下・温度１００〜１４５℃で圧着し、しかる後、１５０〜２００℃の温度で１〜２時間熱硬化することにより、絶縁基体１の主面に絶縁層１５を形成する。
【００４９】
次に、図７（ｋ）に示すように、この絶縁層１５の任意の位置に、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等従来周知のレーザ加工法を用いてビアホール１７を形成する。
【００５０】
次に、図８（ｌ）に示すように、ビアホール１７に、メッキ法や、導電性ペーストを充填するなどして、ビアホール導体１９を形成する。なお、図８（ｌ）の例では、めっき法によりビアホール導体１９を形成している。
【００５１】
なお、配線導体１２は、メッキ法により、ビアホール導体１９と同時に絶縁層１５の主面に形成してもよく、銅箔を転写、埋め込みするなどして、ビアホール導体１９とは別途形成してもよい。
【００５２】
また、上述した絶縁層１５、ビアホール１７、ビアホール導体１９、絶縁層１５への配線導体形成の工程を適宜繰り返すことで、絶縁基体１の主面に複数の絶縁層１５を有する配線基板２１を作製することができる。
【実施例】
【００５３】
主面に厚み１２μｍの銅箔２を具備する全体の厚みが０．４ｍｍの絶縁基体１に炭酸ガスレーザによりスルーホール３を複数形成した。
【００５４】
なお、作製したスルーホール３の直径は、８０、１００、２００μｍとした。そして、銅箔２とスルーホール３にＣｕ無電解めっき、電解銅めっきを順次、施して、スルーホール導体５を形成した。
【００５５】
次に、これらの試料のスルーホール３に、埋め込み樹脂７（平均粒径５μｍの球状シリカを６０ｗｔ％含有したエポキシ樹脂）をスクリーン印刷により充填し、１５０℃の温度で６０分間熱硬化させた。
【００５６】
次に、埋め込み樹脂７の端部を＃３００のバフロール後に＃５００のバフロールを用いたいわゆるバフ研磨にて研磨することによって除去した。
【００５７】
次に、電解銅めっきをエッチングにより除去して、表１に示すように、埋め込み樹脂７の端面が凸状形状になるように加工した。なお、埋め込み樹脂７の突出する厚さは、銅めっき層５のエッチング量とほぼ一致している。
【００５８】
なお、埋め込み樹脂７の端面を略半球状に形成する試料については、さらに＃８００のバフロールを用いたいわゆるバフ研磨を行って加工した。
【００５９】
次に、絶縁基体１の主面に、銅めっき層５の主面から凸状に突出した埋め込み樹脂７を覆うように銅めっき層５の表面に耐エッチング樹脂層２２を形成した後、露光・現像処理により耐エッチング樹脂層２２を所定のパターンに加工し、しかる後、硫酸−過酸化水素水溶液で耐エッチング樹脂層２２から露出した銅めっき層５と銅箔２とをエッチングして、除去し、銅めっき層５と銅箔２とからなる配線導体１２を形成し、その後に耐エッチング樹脂層２２を除去した。
【００６０】
次に、絶縁基体１の主面に、エポキシ樹脂および絶縁無機フィラーからなる、厚みが５０μｍのフィルムを積層するとともに真空下・温度１３５℃で圧着し、しかる後、１７５℃の温度で２時間熱硬化することにより、絶縁基体１の主面に絶縁層１５を形成した。
【００６１】
次に、スルーホール導体５の直上の絶縁層１５の位置に、炭酸ガスレーザを用いてビアホール１７を形成した。なお、ビアホール１７の直径は、スルーホール３の直径が８０、１００μｍの場合にはビアホール１７の直径は１２０μｍに、スルーホール３の直径が２００μｍの場合にはビアホール１７の直径は２５０μｍとした。
【００６２】
次に、ビアホール１７に、無電解銅めっき、電解銅めっきを施し、ビアホール導体１９を形成した。
【００６３】
次に、ネガ形の感光性ドライフィルムレジスト２２を貼り付けして、配線として残す部分にガラスマスクを通して感光させた。その後、炭酸ナトリウム水溶液により、非感光部分を現像して、電解めっきを露出させ、塩化第二鉄により、エッチングして、パターン化された配線導体１２とビアホール導体１９を形成した。次に、残存している感光性ドライフィルムレジスト２２を除去した。
【００６４】
さらに、接続信頼性の評価を行うために、絶縁基体１の両面にそれぞれ２層のビアホール導体１９を有する絶縁層１５を形成し、スルーホール３の直上にビアホール導体１９を形成して、テスト基板を作製し、スルーホール導体５及びビアホール導体１９で結合される垂直方向の電気的接続を確認した。
【００６５】
なお、信頼性の評価は、−５５℃〜１２５℃の温度範囲での温度サイクル試験を行い、導通確認を行った。また、蓋導体９のクラックの有無の確認をクロスセクションにより行った。表１に断線率とクラック発生率を示す。
【表１】
2005217056.tif 000003
【００６６】
本発明の範囲外である埋込み樹脂の突出した厚さが０で、スルーホール導体の周辺で埋め込み樹脂が配線導体の主面に対して凸状に形成されていない試料Ｎｏ．１、８、１４では、温度サイクル試験（−５５℃〜１２５℃）後の導通チェックで３／１００以上の断線が確認された。また、ビアホール導体部においてもクラックの発生が確認され、信頼性に劣ることが判る。
【００６７】
一方、本発明のスルーホール導体の周辺で埋め込み樹脂が配線導体の主面に対して凸状に形成されてなる試料Ｎｏ．２〜７、Ｎｏ．９〜１３、Ｎｏ．１５〜２３では、いずれも、温度サイクル試験後の導通チェックで断線が全く確認されず、スルーホール導体と蓋導体、ビアホール導体との接続信頼性が格段に向上した。そして、スルーホール導体の周辺で埋め込み樹脂が配線導体の主面に対して凸状に形成した効果は、スルーホール直径によらず、顕著なものであった。今後、スルーホール径が小さくなるものと考えられるが、スルーホールと蓋導体、ビアホール導体との接触面積が小さくなる場合には、特に有効に機能すると考えられる。
【００６８】
また、ビアホール導体部においても、ごく一部の試料をのぞき、クラックの発生が確認されず、信頼性に優れた配線基板であることが判る。
【００６９】
以下に、本発明の試料について詳細に説明する。
【００７０】
本発明の試料のうち、蓋導体、ビアホール導体の埋め込み深さのスルーホール直径に対する比率が０．０２〜０．０５倍の試料Ｎｏ．２、３、９、１０、１５、１６、２２は蓋導体の形成も容易であり、また、断線、クラックともに発生せず、特に優れた信頼性を示した。
【００７１】
なお、配線導体の主面に対してスルーホール導体の周辺で埋め込み樹脂厚みが、スルーホール径の０．１５倍以下の試料では、いずれも蓋導体、ビアホール導体が良好に形成できたが、スルーホール導体の周辺で埋め込み樹脂の厚みが、スルーホール直径の０．１５倍を越える試料Ｎｏ．６、７、１３、１９では、実用上問題はないものの、絶縁層形成の際に若干の凹凸が確認された。
【００７２】
また、凸部の形状を略半球凸状とした試料Ｎｏ．２１〜２３は、特に、断線の発生、クラックの発生がなく、優れた信頼性を示した。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の配線基板の一形態を説明する断面図である。
【図２】本発明の配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】本発明の配線基板の他の形態の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の配線基板のさらに他の形態の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図６】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図７】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図８】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００７４】
１・・・絶縁基体
２・・・銅箔、金属層
３・・・スルーホール
５・・・スルーホール導体、めっき層
７・・・埋め込み樹脂
９・・・蓋導体、銅めっき層
１２・・・配線導体
１５・・・絶縁層
１７・・・ビアホール
１９・・・ビアホール導体
２１・・・配線基板
【図１】
2005217056.tif 000004
【図２】
2005217056.tif 000005
【図３】
2005217056.tif 000006
【図４】
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【図５】
2005217056.tif 000008
【図６】
2005217056.tif 000009
【図７】
2005217056.tif 000010
【図８】
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