(57)【要約】【課題】  上面に光電変換デバイス領域を有する光センサの実装を容易に行なうことができるようにする。【解決手段】  上面に光電変換デバイス領域１３を有する光センサ１１は、その下面に設けられた外部接続用電極２３下に設けられた半田ボール２４を介して、当該光センサ１１の周辺駆動回路としての機能を有する半導体構成体３１上に実装されている。この場合、光センサ１１の上面に光電変換デバイス領域１３および該光電変換デバイス領域１３に接続された接続パッド１４が設けられていても、ボンディングワイヤあるいはフレキシブル配線板を用いることなく実装することができ、したがって、光センサ１１の実装を容易に行なうことができる。【選択図】  図１
2005216938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光電変換デバイス領域を有し、且つ、下面に外部接続用電極を有するた光センサと、上面に上面側外部接続用電極を有する半導体構成体とを具備し、前記光センサは、その外部接続用電極が前記半導体構成体の上面側外部接続用電極に電気的に接続された状態で、前記半導体構成体上に実装されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記光センサは、上面に前記光電変換デバイス領域および該光電変換デバイス領域に接続された接続パッドが設けられた半導体基板と、前記半導体基板の光電変換デバイス領域を除く上面および周側面を覆うように設けられ、且つ、前記半導体基板の周側面より外側に貫通孔を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に前記半導体基板の接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記絶縁膜の貫通孔内に前記配線に接続されて設けられた前記外部接続用電極とを備えていることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記光センサの周辺駆動回路としての機能を有し、且つ、上面に接続パッドが設けられた半導体基板と、前記半導体基板の接続パッドを除く上面および周側面を覆うように設けられ、且つ、前記半導体基板の周側面より外側に貫通孔を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に前記半導体基板の接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記絶縁膜の貫通孔内に前記配線に接続されて設けられた前記下面側外部接続用電極とを備えていることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記上面側外部接続用電極として、前記配線の接続パッド部上に設けられた柱状電極を有するものであることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項３に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記上面側外部接続用電極として、前記配線の接続パッド部を有するものであることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記光センサの外部接続用電極と前記半導体構成体の上面側外部接続用電極とは半田ボールを介して接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、下面に下面側外部接続用電極を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記半導体構成体の下面側外部接続用電極下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記光センサの上方にレンズが配置されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
上面に光電変換デバイス領域および該光電変換デバイス領域に接続された接続パッドが設けられた複数の第１の半導体基板を第１のベース板上に相互に離間させて配置する工程と、
前記複数の第１の半導体基板を含む前記第１のベース板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記各第１の半導体基板の周側面より外側における前記第１の絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上面に配線を前記第１の半導体基板の接続パッドに接続されて形成し、且つ、前記第１の絶縁膜の貫通孔内に外部接続用電極を前記配線に接続されて形成する工程と、
前記第１のベース板を取り除いた後に、前記第１の半導体基板間における前記第１の絶縁膜を切断して、前記第１の半導体基板の周側面の外側に前記外部接続用電極を有する光センサを複数個得る工程と、
上面に接続パッドが設けられた複数の第２の半導体基板を第２のベース板上に相互に離間させて配置する工程と、
前記複数の第２の半導体基板を含む前記第２のベース板上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記各第２の半導体基板の周側面より外側における前記第２の絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の上面に上面側外部接続用電極を含む配線を前記第２の半導体基板の接続パッドに接続されて形成し、且つ、前記第２の絶縁膜の貫通孔内に下面側外部接続用電極を前記配線に接続されて形成する工程と、
前記第２のベース板を取り除いた後に、前記第２の半導体基板間における前記第２の絶縁膜を切断して、前記第２の絶縁膜上に前記上面側外部接続用電極を有し、且つ、前記第２の半導体基板の周側面の外側に前記下面側外部接続用電極を有する半導体構成体を複数個得る工程と、
前記光センサの外部接続用電極を前記半導体構成体の上面側外部接続用電極に電気的に接続することにより、前記光センサを前記半導体構成体上に実装する工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記第１の半導体基板の光電変換デバイス領域に対応する部分における前記第１の絶縁膜に開口部を形成する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発明において、前記光センサの外部接続用電極を前記半導体構成体の上面側外部接続用電極に半田ボールを介して接続することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記上面側外部接続用電極として、前記配線の接続パッド部上に設けられた柱状電極を有するものであることを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記上面側外部接続用電極として、前記配線の接続パッド部を有するものであることを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
上面に光電変換デバイス領域を有し、且つ、下面に外部接続用電極を有するた光センサと、前記光センサの周辺駆動回路としての機能を有し、且つ、上面に上面側外部接続用電極を有するとともに、下面に下面側外部接続用電極を有する半導体構成体とを具備する撮像装置を、上面に接続パッドを有する回路基板上に実装する撮像装置の実装構造であって、前記光センサは、その外部接続用電極が前記半導体構成体の上面側外部接続用電極に電気的に接続された状態で、前記半導体構成体上に実装され、前記半導体構成体は、その下面側外部接続用電極が前記回路基板の接続パッドに電気的に接続された状態で、前記回路基板上に実装されていることを特徴とする撮像装置の実装構造。
【請求項１６】
請求項１５に記載の発明において、前記光センサの外部接続用電極と前記半導体構成体の上面側外部接続用電極とは半田ボールを介して接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の発明において、前記半導体構成体の下面側外部接続用電極と前記回路基板の接続パッドとは半田ボールを介して接続されていることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は撮像装置およびその製造方法並びにその実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の撮像装置の実装構造には、回路基板の上面に光センサを実装し、回路基板の下面に光センサの周辺駆動回路としての機能を有する半導体装置および抵抗やコンデンサ等からなるチップ部品を実装し、半導体装置および抵抗やコンデンサ等からなるチップ部品を封止膜で覆ったものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２６４２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１に記載の撮像装置の実装構造では、回路基板の上面に実装された光センサの上面が撮像面（光電変換デバイス領域）となるため、フェースアップとなり、図示されていないが、光センサと回路基板との接続をボンディングワイヤあるいはフレキシブル配線板により行なうこととなり、光センサの実装が面倒であるという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、光センサの実装を容易に行なうことができる撮像装置およびその製造方法並びにその実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記目的を達成するため、上面に光電変換デバイス領域を有する光センサを、その下面に設けられた外部接続用電極を介して、半導体構成体上に実装したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、上面に光電変換デバイス領域を有する光センサを、その下面に設けられた外部接続用電極を介して、半導体構成体上に実装しているので、光センサの上面に光電変換デバイス領域が設けられていても、ボンディングワイヤあるいはフレキシブル配線板を用いることなく実装することができ、したがって、光センサの実装を容易に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１はこの発明の一実施形態としての撮像装置の実装構造の断面図を示す。この撮像装置の実装構造では、回路基板１上に撮像装置１０が実装されている。回路基板１は、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる絶縁基板２の上面にアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３が設けられ、接続パッド３の中央部を除く絶縁基板２の上面にソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜４が設けられ、接続パッド３の中央部がオーバーコート膜４に設けられた開口部５を介して露出されたものからなっている。
【０００９】
撮像装置１０は、光センサ１１および該光センサ１１の周辺駆動回路としての機能を有する半導体構成体３１を備えている。まず、光センサ１１の構成について説明する。光センセンサ１１はシリコン基板（半導体基板）１２を備えている。シリコン基板１２の上面中央部にはＣＣＤ（電荷結合素子）やフォトダイオード、フォトトランジスタ等の素子を含む光電変換デバイス領域１３が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド１４が光電変換デバイス領域１３に接続されて設けられている。
【００１０】
接続パッド１４の中央部を除くシリコン基板１２の上面には酸化シリコン等からなる第１の絶縁膜１５が設けられ、接続パッド１４の中央部は第１の絶縁膜１５に形成された開口部１６を介して露出されている。第１の絶縁膜１５の上面およびシリコン基板１２の周囲にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第２の絶縁膜１７が設けられている。この場合、シリコン基板１２の周側面より外側に設けられた第２の絶縁膜１７の下面はシリコン基板１２の下面と面一となっている。
【００１１】
光電変換デバイス領域１３に対応する部分における第２の絶縁膜１７には開口部１８が設けられている。第１の絶縁膜１５の開口部１６に対応する部分における第２の絶縁膜１７には開口部１９が設けられている。シリコン基板１２の周側面より外側に設けられた第２の絶縁膜１７の所定の箇所には貫通孔２０が設けられている。
【００１２】
第２の絶縁膜１７の上面には銅等からなる下地金属層２１が設けられている。下地金属層２１の上面全体には銅からなる配線２２が設けられている。下地金属層２１を含む配線２２の一端部は、第１の絶縁膜１５の開口部１９を介して接続パッド１４に接続されている。下地金属層２１を含む配線２２の他端部は、第１の絶縁膜１５の貫通孔２０内に設けられた下地金属層２３ａと銅層２３ｂとからなる外部接続用電極２３に一体的に接続されている。この場合、外部説ぞ用電極２３の下面は第２の絶縁膜１７の下面と面一となっている。外部説ぞ用電極２３の下面には半田ボール２４が設けられている。
【００１３】
次に、半導体構成体３１の構成について説明する。半導体構成体３１はシリコン基板（半導体基板）３２を備えている。シリコン基板３２の上面中央部には所定の機能の集積回路３３が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３４が集積回路３３に接続されて設けられている。接続パッド３４の中央部を除くシリコン基板３２の上面には酸化シリコン等からなる第１の絶縁膜３５が設けられ、接続パッド３４の中央部は第１の絶縁膜３５に設けられた開口部３６を介して露出されている。
【００１４】
第１の絶縁膜３５の上面およびシリコン基板３２の周囲にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第２の絶縁膜３７が設けられている。この場合、シリコン基板３２の周側面より外側に設けられた第２の絶縁膜３７の下面はシリコン基板３２の下面と面一となっている。第１の絶縁膜３５の開口部３６に対応する部分における第２の絶縁膜３７には開口部３８が設けられている。シリコン基板３２の周側面より外側に設けられた第２の絶縁膜３７の所定の箇所には貫通孔３９が設けられている。
【００１５】
第２の絶縁膜３７の上面には銅等からなる下地金属層４０が設けられている。下地金属層４０の上面全体には銅からなる配線４１が設けられている。下地金属層４０を含む配線４１の一端部は、第１、第２の絶縁膜３５、３７の開口部３６、３８を介して接続パッド３４に接続されている。下地金属層４０を含む配線４１の一部の他端部は、第２の絶縁膜３７の貫通孔３９内に設けられた下地金属層４２ａと銅層４２ｂとからなる下面側外部接続用電極４２に一体的に接続されている。この場合、下面側外部接続用電極４２の下面は第２の絶縁膜３７の下面と面一となっている。下面側外部接続用電極４２の下面には半田ボール４３が設けられている。
【００１６】
配線４１の一部の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極（上面側外部接続用電極）４４が設けられている。柱状電極４４および配線４１を含む第２の絶縁膜３７の上面およびその周囲にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜４５がその上面が柱状電極４４の上面と面一となるように設けられている。この場合、第２の絶縁膜３７の私有側面の外側に設けられた封止膜４５の下面は第２の絶縁膜３７の下面と面一となっている。
【００１７】
そして、光センサ１１は、その半田ボール２４が半導体構成体３１の柱状電極４４の上面に接合されていることにより、半導体構成体３１上に実装されている。また、光センサ１１と半導体構成体３１とからなる撮像装置１０は、半導体構成体３１の半田ボール４３が回路基板１の接続パッド３に接合されていることにより、回路基板１上に実装されている。
【００１８】
光センサ１１の周囲における半導体構成体３１の封止膜４５の上面にはレンズホルダ５１が配置されている。レンズホルダ５１には、光センサ１１の光電変換デバイス領域１３の上方に配置されたレンズ５２を支持する支持筒５３が回動可能に取り付けられている。レンズホルダ５１内において光センサ１１とレンズ５２との間には赤外線吸収フィルタ５４が設けられている。
【００１９】
次に、光センサ１１と半導体構成体３１とからなる撮像装置１０の製造方法の一例について説明するに、まず、光センサ１１の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、紫外線透過性のガラス板、透明金属板、透明樹脂板等からなるベース板６１の上面に紫外線の照射により接着力が低下する接着層６２が設けられたものを用意する。
【００２０】
次に、接着層６２の上面の所定の複数箇所にそれぞれシリコン基板１２の下面を接着する。この場合、シリコン基板１２上には光電変換デバイス領域１３、アルミニウム系金属等からなる接続パッド１４および酸化シリコン等からなる第１の絶縁膜１５が設けられ、接続パッド１４の中央部は第１の絶縁膜１５に形成された開口部１６を介して露出されている。
【００２１】
次に、図３に示すように、第１の絶縁膜１５を含む接着層６２の上面に、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第２の絶縁膜１７を形成する。この場合、第１の絶縁膜１５の開口部１６に対応する部分における第２の絶縁膜１７には開口部１９が形成されている。また、シリコン基板１２の周側面の外側に設けられた第２の絶縁膜１７の所定の箇所には貫通孔２０が形成されている。
【００２２】
次に、図４に示すように、両開口部１６、１９を介して露出された接続パッド１４の上面および貫通孔２０を介して露出された接着層６２の上面を含む第２の絶縁膜１７の上面全体に下地金属層２１を形成する。この場合、下地金属層２１は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、また、スパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらに、スパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２３】
次に、下地金属層２１の上面にメッキレジスト膜６３をパターン形成する。この場合、配線２２形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜６３には開口部６４が形成されている。次に、下地金属層２１をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜６３の開口部６４内の下地金属層２１の上面に配線２２を形成する。
【００２４】
次に、メッキレジスト膜６３を剥離し、次いで、配線２２をマスクとして下地金属層２１の不要な部分をエッチングして除去すると、図５に示すように、配線２２下にのみ下地金属層２１が残存される。また、この状態では、貫通孔２０内に下地金属層２３ａと銅層２３ｂとからなる外部接続用電極２３が形成されている。
【００２５】
次に、図６に示すように、光電変換デバイス領域１３に対応する部分における第２の絶縁膜１７に、フォトリソグラフィ法により、開口部１８を形成する。なお、開口部１８は、図３に示す工程において形成してもよい。次に、ベース板６１の下面側から紫外線を照射し、接着層６２の接着力を低下させ、ベース板６１および接着層６２を剥がすと、図７に示すようになる。
【００２６】
この状態では、シリコン基板１２の周側面の外側に形成された第２の絶縁膜１７の下面および貫通孔２０内に形成された外部接続用電極２３の下面はシリコン基板１２の下面と面一となっている。次に、貫通孔２０内に形成された外部接続用電極２３の下面に接着剤が付着している場合には、プラズマエッチング等により除去する。
【００２７】
次に、図８に示すように、貫通孔２０内に形成された外部接続用電極２３の下面に半田ボール２４を形成する。次に、図９に示すように、互いに隣接するシリコン基板１２間において第２の絶縁膜１７を切断すると、図１に示すように、シリコン基板１２の周側面の外側に外部接続用電極２３を有する光センサ１１が複数個得られる。
【００２８】
次に、半導体構成体３１の製造方法の一例について説明する。まず、図１０に示すように、紫外線透過性のガラス板、透明金属板、透明樹脂板等からなるベース板７１の上面に紫外線の照射により接着力が低下する接着層７２が設けられたものを用意する。なお、図１０において、符号７３で示す領域は、ダイシングラインに対応する領域である。
【００２９】
次に、接着層７２の上面の所定の複数箇所にそれぞれシリコン基板３２の下面を接着する。この場合、シリコン基板３２上には集積回路、アルミニウム系金属等からなる接続パッド３４および酸化シリコン等からなる第１の絶縁膜３５が設けられ、接続パッド３４の中央部は第１の絶縁膜３５に形成された開口部３６を介して露出されている。
【００３０】
次に、図１１に示すように、第１の絶縁膜３５を含む接着層７２の上面に、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第２の絶縁膜３７を形成する。この場合、第１の絶縁膜３５の開口部３６に対応する部分における第２の絶縁膜３７には開口部３８が形成されている。また、シリコン基板３２の周側面の外側に設けられた第２の絶縁膜３７の所定の箇所には貫通孔３９が形成されている。さらに、ダイシングライン７３およびその両側の領域における第２の絶縁膜３７には貫通孔７４が形成されている。
【００３１】
次に、図１２に示すように、両開口部３６、３８を介して露出された接続パッド３４の上面および貫通孔３９、７４を介して露出された接着層７２の上面を含む第２の絶縁膜３７の上面全体に、銅の無電解メッキ等により、下地金属層４０を形成する。次に、下地金属層４０の上面にメッキレジスト膜７５をパターン形成する。この場合、配線４１形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜７５には開口部７６が形成されている。次に、下地金属層４０をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜７５の開口部７６内の下地金属層４０の上面に配線４１を形成する。次に、メッキレジスト膜７５を剥離する。
【００３２】
次に、図１３に示すように、配線４１を含む下地金属層４０の上面にメッキレジスト膜７７をパターン形成する。この場合、柱状電極４４形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜７７には開口部７８が形成されている。次に、下地金属層４０をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜７７の開口部７９内の配線４１の接続パッド部上面に柱状電極４４を形成する。
【００３３】
次に、メッキレジスト膜７７を剥離し、次いで、配線４１をマスクとして下地金属層４０の不要な部分をエッチングして除去すると、図１４に示すように、配線４１下にのみ下地金属層４０が残存される。また、この状態では、貫通孔３９内に下地金属層４２ａと銅層４２ｂとからなる下面側外部接続用電極４２が形成されている。
【００３４】
次に、図１５に示すように、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、ダイコート法等により、柱状電極４４および配線４１を含む保護膜１２の上面全体および貫通孔７４を介して露出された接着層７２の上面にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜４５をその厚さが柱状電極４４の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極４４の上面は封止膜４５によって覆われている。
【００３５】
次に、封止膜４５および柱状電極４４の上面側を適宜に研磨し、図１６に示すように、柱状電極４４の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極４４の上面を含む封止膜４５の上面を平坦化する。ここで、柱状電極４４の上面側を適宜に研磨するのは、電解メッキにより形成される柱状電極４４の高さにばらつきがあるため、このばらつきを解消して、柱状電極４４の高さを均一にするためである。
【００３６】
次に、ベース板７１の下面側から紫外線を照射し、接着層７２の接着力を低下させ、ベース板７１および接着層７２を剥がすと、図１７に示すようになる。この状態では、シリコン基板３２の周側面の外側に形成された第２の絶縁膜３７の下面、貫通孔３９内に形成された下面側外部接続用電極４２の下面および貫通孔７４内に形成された封止膜４５の下面はシリコン基板３２の下面と面一となっている。次に、貫通孔３９内に形成された下面側外部接続用電極４２の下面に接着剤が付着している場合には、プラズマエッチング等により除去する。
【００３７】
次に、図１８に示すように、貫通孔３９内に形成された下面側外部接続用電極４２の下面に半田ボール４３を形成する。次に、図１９に示すように、互いに隣接するシリコン基板３２間における封止膜４５をダイシングライン７３に沿って切断すると、図１に示すように、シリコン基板３２の周側面の外側に下面側外部接続用電極４２を有する半導体構成体３１が複数個得られる。
【００３８】
そして、図１を参照して説明すると、半導体構成体３１の半田ボール４３を回路基板１の接続パッド３上に配置し、また、光センサ１１の半田ボール２４を半導体構成体３１の柱状電極４４上に配置し、次いで、リフローにより、半導体構成体３１の半田ボール４３を回路基板１の接続パッド３に接合するとともに、光センサ１１の半田ボール２４を半導体構成体３１の柱状電極４４の上面に接合すると、光センサ１１と半導体構成体３１とからなる撮像装置１０が回路基板１上に実装される。
【００３９】
このように、上面に光電変換デバイス領域１３を有する光センサ１１を、その下面に設けられた外部接続用電極２３下に設けられた半田ボール２４を介して、当該光センサ１１の周辺駆動回路としての機能を有する半導体構成体３１上に実装しているので、光センサ１１の上面に光電変換デバイス領域１３および該光電変換デバイス領域１３に接続された接続パッド１４が設けられていても、ボンディングワイヤあるいはフレキシブル配線板を用いることなく実装することができ、したがって、光センサ１１の実装を容易に行なうことができる。
【００４０】
また、半導体構成体３１を、その下面に設けられた下面側外部接続用電極４２下に設けられた半田ボール４３を介して、回路基板１上に実装しているので、ボンディングワイヤあるいはフレキシブル配線板を用いることなく実装することができ、したがって、半導体構成体３１の実装も容易に行なうことができる。
【００４１】
なお、回路基板１上に半導体構成体３１を実装し、次いで、半導体構成体３１上に光センサ１１を実装するようにしてもよい。また、半導体構成体３１上に光センサ１１を実装し、次いで、これらをつまり光センサ１１と半導体構成体３１とからなる撮像装置１０を回路基板１上に実装するようにしてもよい。
【００４２】
また、上記実施形態では、図１９に示すように、封止膜４５をダイシングライン７３に沿って切断して、個々の半導体構成体３１に分離しているが、これに限定されるものではない。例えば、図１８に示す工程後に、図２０に示すように、個片化された光センサ１１の半田ボール２４を対応する柱状電極４４上に接合し、次いで、図２１に示すように、封止膜４５をダイシングライン７３に沿って切断して、個々の半導体構成体３１に分離するようにしてもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では、例えば、図９に示すように、光センサ１１の下面に半田ボール２４を形成しているが、光センサ１１の下面に半田ボール２４を形成せずに、例えば、図１８に示す工程において、図２２に示すように、柱状電極４４上に半田ボール２４を形成するようにしてもよい。また、半導体構成体３１の下面に半田ボール４３を形成せずに、例えば、回路基板１の接続パッド３上に半田層を形成してもよい。、また、光センサ１１と半導体構成体３１との接合、および半導体構成体３１と回路基板１との接合の一方あるいは両者を、半田ボールによるのではなく、熱硬化性絶縁樹脂中に導電性粒子を混入した異方性導電接着剤あるいは、導電性接着剤により行うようにしてもよい。
【００４４】
また、半導体構成体３１は、集積回路３３が形成された主面を上側に向けた状態で光センサ１１を搭載する場合で説明したが、集積回路３３が形成された面を下側に向けた状態で光センサ１１を搭載するようにしてもよい。この場合、光センサ１１の外部接続用電極２３に接続される半導体構成体３１の上面側外部接続用電極はシリコン基板の周縁部の外方に延出された配線上に形成されるが、回路基板１の接続パッド３上に接続される半導体構成体３１の下面側外部接続用電極は、シリコン基板の内方に引き回された配線上に形成するようにしてもよい。
【００４５】
また、半導体構成体の外部接続用電極は、上面側のみに形成し、下面側には形成しないようにしてもよい。この場合、半導体構成体の外部接続用電極と回路基板の接続パッドとの接続はフレキシブル配線基板により行うようにしてもよいが、回路基板を半導体構成体の上面側に、その接続パッド形成面を半導体構成体の上面に対向して配置すれば、半田ボールあるいは異方性導電接着剤により両者の外部接続用電極を直接接合することができる。
【００４６】
また、上記実施形態では、図２および図１０に示すように、紫外線透過性のガラス板、透明金属板、透明樹脂板等からなるベース板６１、７１の上面に紫外線の照射により接着力が低下する接着層６２、７２が設けられたものを用いているが、これに限定されるものではない。例えば、ベース板６１、７１として銅箔を用い、接着層６２、７２としてダイボンド材からなるものを用い、これらをエッチングや研磨等により取り除くようにしてもよい。
【００４７】
さらに、上記実施形態では、半導体構成体３１として、上面側外部接続用電極としての柱状電極４４を有するものとしたが、これに限らず、柱状電極４４および封止膜４５を有せず、上面側外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線４１を有し、且つ、配線４１の接続パッド部を除く部分を覆うオーバーコート膜を有するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の一実施形態としての撮像装置の実装構造の断面図。
【図２】図１に示す光センサの製造方法において、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図１に示す半導体構成体の製造方法において、当初の工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】光センサおよび半導体構成体の製造方法の他の例を説明するために示す所定の工程の断面図。
【図２１】図２０に続く工程の断面図。
【図２２】光センサおよび半導体構成体の製造方法のさらに他の例を説明するために示す所定の工程の断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１  回路基板
３  接続パッド
１０  撮像装置
１１  光センサ
１２  シリコン基板
１３  光電変換デバイス領域
１４  接続パッド
１７  第２の絶縁膜
２２  配線
２３  外部接続用電極
２４  半田ボール
３１  半導体構成体
３２  シリコン基板
３３  集積回路
３７  第２の絶縁膜
４１  配線
４２  下面側外部接続用電極
４３  半田ボール
４４  柱状電極
４５  封止膜
５２  レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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