(57)【要約】【課題】  フォトソルダーレジスト現像工程おいて付着するＮａ残さを除去し、信頼性を高めた半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】  第１の導体パターン４Ａ上にソルダーレジスト１３を塗布し、露光、現像した後に、現像剤を洗浄して除去する。現像剤を洗浄する際に、Ｃａイオンを添加したＲＯ水を使用する。ソルダーレジスト中のカルボキシル基と現像剤中のＮａイオンとが結合した形で残存するＮａをＣａイオンにより置換し、Ｎａが残存することによるテープキャリアの性能低下を防止する。【選択図】    図２−２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルム上に形成した導体層にソルダーレジストを塗布し、前記ソルダーレジストを所定のパターンで露光し、ナトリウムを含む現像液によって現像した後に前記所定のパターンに基づいて前記ソルダーレジストを除去して前記導体層を露出させ、その導体層をエッチングして所定の配線パターンを得る半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記ナトリウムを含む現像液による現像の後に前記ソルダーレジストを構成する反応基と結合する金属を含んだ現像剤回収液により前記ソルダーレジストを洗浄することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記現像剤回収液は、ＲＯ水にカルシウムイオンを添加したものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記ソルダーレジストは、カルボキシル基を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記導体層の形成は、前記絶縁性フィルムの上にシード層を形成した後に行なわれることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法に関し、特に、信頼性を高めた半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化、薄型化に伴い、従来のガラス・エポキシ基板に代わり、フレキシブルテープを用いたフレキシブル配線基板が用いられるようになっている。特に携帯電話やＩＣカードを始めとする情報関連機器等では、上記小型化、薄型化に加え、高周波数領域での低ノイズ化、高配線密度化が必要であり、そのためポリイミド樹脂などにより形成された絶縁性フィルムの両面に配線を施した両面フレキシブルテープが用いられている（例えば、特許文献１、２参照。）。このような両面フレキシブルテープを２メタル（２層配線）ＴＡＢテープと称している。
【０００３】
このような２メタルＴＡＢテープは、例えば、以下のような工程を経て製作される。
【０００４】
図３は、従来の２メタルＴＡＢテープの製造工程の要部を示すフローチャートである。
【０００５】
まず、ポリイミドなどからなる絶縁性フィルムの両面に配線を施した両面フレキシブルテープを準備し（Ｓ１）、その両面フレキシブルテープの両面にフォトソルダーレジストを塗布し（Ｓ２）、露光マスクをして露光、現像する（Ｓ３）。次に、回収槽内に両面フレキシブルテープを浸し、例えば１％炭酸ナトリウム溶液により、残存する現像剤を回収し（Ｓ４）、次いで、ＲＯ（逆浸透）水により洗浄し（Ｓ５）、乾燥した後にポストベーク、後露光による熱処理を経て（Ｓ６）、フォトソルダーレジストを完全に硬化させ、シグナル面の絶縁保護を完成させる。さらにＣｕ露出部にＮｉ／Ａｕめっきを施し（Ｓ７）、２メタルＴＡＢテープが完成する。
【０００６】
【特許文献１】特開平４−２３９７３９（［００１８］）
【特許文献２】特開２００２−２９９３８６（図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の半導体装置用テープキャリアによると、現像液として使用されたＮａ２ＣＯ３のナトリウムイオン（Ｎａイオン）がフォトソルダーレジストを構成するカルボキシル基（ＣＯＯ−）と結合するため、このＮａイオンがＴＡＢ用テープキャリア上にＮａ残さとして残存するとその信頼性を損なうという問題がある。
【０００８】
従って、本発明の目的は、フォトソルダーレジスト現像工程おいて付着するＮａ残さを除去し、信頼性を高めた半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため、絶縁性フィルム上に形成した導体層にソルダーレジストを塗布し、前記ソルダーレジストを所定のパターンで露光し、ナトリウムを含む現像液によって現像した後に前記所定のパターンに基づいて前記ソルダーレジストを除去して前記導体層を露出させ、その導体層をエッチングして所定の配線パターンを得る半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記ナトリウムを含む現像液による現像の後に前記ソルダーレジストを構成する反応基と結合する金属を含んだ現像剤回収液により前記ソルダーレジストを洗浄することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【００１０】
前記現像剤回収液は、ＲＯ水にカルシウムイオンを添加したものであることが好ましい。
【００１１】
前記ソルダーレジストは、カルボキシル基を有することが好ましい。
【００１２】
前記導体層の形成は、前記絶縁性フィルムの上にシード層を形成した後に行なわれることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、現像の後にソルダーレジストを構成する反応基と結合する金属を含んだ現像剤回収液により洗浄することとしたため、テープキャリア上に不要な現像剤が残存しないので、テープキャリア製造においての歩留りがよくなり、信頼性が向上する。
【００１４】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、現像剤回収液にＣａイオンを添加したため、フォトソルダーレジストのカルボキシル基と現像剤に含まれるＮａイオンとの結合を、カルボキシル基とＣａイオンと結合させることにより、テープキャリアの性能に影響を与えるＮａイオンを減少させることができるので、テープキャリア製造においての歩留りがよくなり、信頼性が向上する。
【００１５】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、ソルダーレジストは、カルボキシル基を有するため、カルボキシル基と現像剤回収液中のＣａイオンと結合させることにより、テープキャリアの性能に影響を与えるＮａイオンを減少させることができるので、テープキャリア製造においての歩留りがよくなり、信頼性が向上する。
【００１６】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、シード層が形成されているため、導体パターンが剥がれる等の損傷を受けにくくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法により得られたＴＡＢ用テープキャリアを示す。図１において、各部は、誇張して描いてあるため、実際の寸法とは異なる（以下各図の説明において同様である。）。
【００１８】
このＴＡＢ用テープキャリア１は、ポリイミド樹脂からなる絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２の上に形成された導電性材料からなるシード層３と、シード層３の上に形成された第１および第２の導体パターン４Ａ、４Ｂと、第１の導体パターン４Ａを保護するフォトソルダーレジスト１３および第２の導体パターン４Ｂを保護するカバーフィルム６と、カバーフィルム６から露出する第１の導体パターン４Ａ上に形成され、端子の役目を果たすＮｉ／Ａｕめっき層７と、図示しない送り機構によりＴＡＢ用テープキャリアを走行移動させるためのパーフォレーション８および第１および第２の導体パターンを電気的に導通させるために銅めっき層１０により導通されたスルーホール９とを備える。
【００１９】
図２−１および図２−２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を示す。まず、べース材となるポリイミド樹脂性絶縁フィルムからなる絶縁性フィルム２の両面にシード層３を施し、その上に導体層４を形成した両面銅張りフレキシブルテープを用意する（図２−１（ａ））。次に絶縁性フィルム２をプレスにすることにより所定の位置にスルーホールビア９Ａ及びパーフォレーション８を打ち抜き形成する（同図（ｂ））。次に、スルーホールビア９Ａおよび導体層４に銅めっきを行い、銅めっき層１０を形成し、フレキシブルテープの両面間の電気的な導通を可能とする（同図（ｃ））。
【００２０】
次に、絶縁性フィルム２の両面に、フォトレジスト１１を塗布し、露光マスク１２によりマスキングを行なう（同図（ｄ））。次に、絶縁性フィルム２の両面から露光を行ない、露光マスク１２を除去し、フォトレジスト１１の現像を行なう（同図（ｅ））。次に、銅めっき層１０および導体層４をエッチングし、フォトレジスト１１を剥離し、シグナル面Ｓに第１の導体パターン４Ａおよびグランド面Ｇに第２の導体パターン４Ｂを形成し、スルーホール９もシグナル面Ｓおよびグランド面Ｇとを銅めっき層１０により導通させる（同図（ｆ））。
【００２１】
次に、グランド面Ｇの絶縁保護としてカバーフィルム６を貼り付け、真空にて圧着、キュアにより接着剤を熱硬化させ、グランド面Ｇの絶縁保護を行なう（図２−２（ａ））。次に、シグナル面Ｓの絶縁保護として、感光性のフォトソルダーレジスト１３を塗布する（同図（ｂ））。次に、フォトソルダーレジスト１３を露光マスク１４によりマスキングする。次に、露光、露光マスク１４を除去し、例えば１％炭酸ナトリウム溶液により、現像を行い（同図（ｃ））、第１の導体パターン４Ａの一部を露出させる（同図（ｄ））。
【００２２】
次に、逆浸透法により得られたＲＯ水にカルシウムイオンを添加した水が充填された、図示しない回収槽にＴＡＢ用テープキャリア１を漬け込み、現像液の回収を行なう（同図（ｅ））。その後、ＲＯ水によりＴＡＢ用テープキャリア１を水洗し、乾燥させる。次に、ＴＡＢ用テープキャリア１のポストベークおよび後露光による熱処理を行いフォトソルダーレジスト１３を完全に硬化させ、シグナル面Ｓの絶縁保護を完成させる（同図（ｆ）〜（ｈ））。次に、露出している第１の導体パターン４Ａ上にＮｉ／Ａｕめっきを施し、めっき層１５を形成し、２メタルＴＡＢテープが完成する（同図（ｉ））。
【００２３】
ここで、現像液の回収にＣａイオンをＲＯ（逆浸透）水に添加するのは、ＴＡＢ用テープキャリアに塗布したフォトソルダーレジスト１３に現像液として使用されたＮａ２ＣＯ３のナトリウムイオン（Ｎａイオン）がフォトソルダーレジスト１３を構成するカルボキシル基（ＣＯＯ−）と結合するが、このＮａイオンがＴＡＢ用テープキャリア上に残存するとその信頼性が低下するため、Ｎａイオンの代りにＣａイオンとカルボキシル基とを結合させて、Ｎａイオンの影響を受けなくすることとしたものである。
【００２４】
Ｃａイオンを添加しての洗浄は、一度乾燥させてしまったテープキャリアには効果がないため（表１）、テープキャリアを乾燥する前にテープキャリアを現像回収槽に漬け込む。このときＣａイオンを添加することで、テープキャリア表面に付着したＮａイオンをＣａイオンと入れ替えるものである。
【実施例１】
【００２５】
Ｃａ添加ＲＯ水による洗浄効果を確認するために、以下の実験を行った。サンプルとしてフォトソルダーレジスト現像前のＴＡＢ用テープキャリアを用い、ＲＯ水による洗浄およびＣａイオンを添加したＲＯ水による洗浄をサンプルに施した。そのイオンクロマト分析結果を（表１）に示す。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
Ｃａイオンを添加したＲＯ水による洗浄とＲＯ水による洗浄を比較すると、Ｃａイオンを添加したＲＯ水を用いたものでは、Ｎａイオンの減少及びＣａイオンの増加が確認できる。これより、確かにＮａイオンとＣａイオンの間で置換が起こり表面のＮａイオンが除去されていることが確認できる。
【００２８】
Ｃａイオンを添加したＲＯ水による洗浄のタイミング検証として、フォトソルダーレジスト現像後及びポストベーク後のサンプルを用意し、それぞれにＣａイオンを添加したＲＯ水による洗浄を施した。そのイオンクロマト分析の結果を（表２）に示す。
【００２９】
【表２】
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【００３０】
表２の結果から、フォトソルダーレジスト現像後にＣａイオンを添加したＲＯ水による洗浄をする場合と、ポストベーク後にＣａイオンを添加したＲＯ水による洗浄をする場合とを比較すると、後者の方がよりテープ表面に付着したＮａイオンが残存していることがわかる。表１の結果と合わせて一度現像処理が終わったもの、つまり完全にテープキャリアが乾燥してからでは、Ｃａイオンを添加したＲＯ水によるＮａイオン除去の効果は望めないことがわかる。
【００３１】
再現実験として、フォトソルダーレジスト現像剤回収において、Ｃａイオンを添加したＲＯ水による洗浄及びＲＯ水を用いた洗浄を行った。そのイオンクロマト分析結果を（表３）に示す。
【００３２】
【表３】
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【００３３】
上記の結果より、現像剤回収にＣａイオンを添加したＲＯ水を用いることで、（表１）の結果の再現、つまりテープ乾燥前にＣａイオンを添加したＲＯ水による洗浄を行うと、表面に付着したＮａイオンの除去が可能であることがわかる。
【００３４】
また、Ｃａイオンの供給源であるＣａＣｌ２の添加により、テープ表面へのＣｌイオン付着が懸念されたが、表３の結果よりＣｌイオンの増加は確認できなかった。
【００３５】
また、Ｃａイオンの添加による洗浄の効果の確認として、Ｃａイオンを添加したＲＯ水による洗浄及びＲＯ水による洗浄をフォトソルダーレジストの現像前のサンプルに処理時間１，２および３分間にて行い、そのサンプルについてＰＣＴ試験（飽和蒸気加圧試験）及びＨＡＳＴ試験（高加速水蒸気試験）を行った。ＰＣＴ試験（１２５℃×１００％×２４ｈ）においては、ＲＯ水による洗浄では３分間洗浄したにもかかわらず、フォトソルダーレジストの膨れ、はがれ等が発生した。一方Ｃａイオンを添加したＲＯ水による洗浄では、１分間の洗浄でも上記のような不具合の発生は確認できなかった。ＨＡＳＴ試験（１２１℃×８５％×ＤＣ６０Ｖ×５０ｈ）においては、ＲＯ水による洗浄では銅パターンに変色が発生した。これはマイグレーション初期現象であると考えられる。一方Ｃａイオンを添加したＲＯ水による洗浄では、この現象は全く観察されなかった。
【００３６】
今回の実験で行った評価法を以下に列記する。イオンクロマト分析については、一定サイズのサンプルを１００℃で３０分間抽出した水の元素含有量を調査した。ＰＣＴ試験については、１２５℃×１００％×２４ｈにて表面状態を観察した。ＨＡＳＴ試験については、１２１℃×８５％×ＤＣ６０Ｖ×５０ｈにて表面状態と絶縁抵抗値を調査した。
【００３７】
なお、上記実施の形態では、２メタルＴＡＢテープについて説明してきたが、１メタルＴＡＢテープにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法により得られたＴＡＢ用テープキャリアの断面図である。
【図２−１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を示す断面図である。
【図２−２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を示す断面図である。
【図３】従来の２メタルＴＡＢテープの製造工程の要部を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３９】
１  ＴＡＢ用テープキャリア
２  絶縁性フィルム
３  シード層
４Ａ  導体パターン
４  導体層
６  カバーフィルム
７，１５  Ｎｉ／Ａｕめっき層
８  パーフォレーション
９  スルーホール
９Ａ  スルーホールビア
１０  銅めっき層
１１  フォトレジスト
１２，１４  露光マスク
１３  フォトソルダーレジスト
Ｇ  グランド面
Ｓ  シグナル面
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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