(57)【要約】【課題】ボンディング時におけるリードと端子とのズレを極力低減すること。また、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを極力低減すること。【解決手段】本発明によれば、硬質物質からなる先端押圧面１２を備えた押圧部６３を備えた半導体素子２０実装用のボンディングツール１０において、先端押圧面１２のうち、半導体素子２０の少なくとも出力端子２４側にある隅部に面取り部１４を備えている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬質物質からなる先端押圧面を備えた押圧部を備えた半導体素子実装用のボンディングツールにおいて、
前記先端押圧面のうち、前記半導体素子の少なくとも出力端子側にある隅部を面取りするようにしたボンディングツール。
【請求項２】
請求項１に記載のボンディングツールにおいて、
前記先端押圧面は加熱された状態で、前記半導体素子に設けられた端子に配線を押圧することによって前記端子と前記配線とをボンディングするようにしたボンディングツール。
【請求項３】
半導体素子実装用のボンディングツールにおいて、
加熱された状態で、前記半導体素子の平面上に設けられた端子に、配線を押圧することによって前記端子と前記配線とをボンディングする複数の先端押圧面が配置された押圧部を備え、
前記各先端押圧面のうち、前記半導体素子の少なくとも出力端子側にある隅部を面取りするようにしたボンディングツール。
【請求項４】
請求項３に記載のボンディングツールにおいて、
前記複数の先端押圧面を、互いに平行する方向に、または直交する方向に配置するようにしたボンディングツール。
【請求項５】
請求項４に記載のボンディングツールにおいて、
前記複数の先端押圧面を配置することによって複数の同心矩形形状を形成するように、前記各先端押圧面を前記押圧部に配置するようにしたボンディングツール。
【請求項６】
請求項３に記載のボンディングツールにおいて、
前記複数の先端押圧面は２つであり、互いに平行になるように前記押圧部に配置するようにしたボンディングツール。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１項に記載のボンディングツールにおいて、
前記押圧部における前記面取りされた面を、前記先端押圧面と直交するようにしたボンディングツール。
【請求項８】
請求項１乃至６のうち何れか１項に記載のボンディングツールにおいて、
前記押圧部における前記先端押圧面に平行な断面の面積を、前記先端押圧面において最も小さくなるようにしたボンディングツール。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のボンディングツールにおいて、
前記先端押圧面における前記面取りされた部位を曲面形状としたボンディングツール。
【請求項１０】
請求項７または請求項８に記載のボンディングツールにおいて、
前記先端押圧面における前記面取りされた部位を多角形状としたボンディングツール。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうち何れか１項に記載のボンディングツールにおいて、
前記先端押圧面のうち、前記半導体素子の最外周側の端子に対応する稜線部を面取りするようにしたボンディングツール。
【請求項１２】
折り曲げ可能な有機層上に形成された導電性物質からなる配線が配置されてなるプリント配線板と、前記配線とボンディングされる端子を備えた半導体素子とを備えた半導体装置において、
請求項１乃至１１のうち何れか１項に記載のボンディングツールを用いて前記配線と前記端子とをボンディングした場合に、前記プリント配線板の前記先端押圧面と接触する面に、前記ボンディングツールの圧接痕がつくことなくボンディングされるようにした半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を基板等に実装する際に、圧着工具として使用されるボンディングツール、およびこれによってボンディングされてなる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を実装した半導体装置において、その電気的特性を引き出すためには、図３７に示すように、半導体素子５２に形成された電極である端子５３とパッケージの配線５１とを電気的に接続する必要がある。
【０００３】
このような接続には、従来から金あるいは銅等からなる金属細線を導線（ボンディングワイヤー）とし、キャピラリーと呼ばれる工具を用いて１本ずつ接続するボンディング法によって行われてきた。
【０００４】
また、最近では、図３２の平面図、および図３２中に示すＡ−Ａ線に沿って見た図である図３３に示すように、パターン形成された銅箔に錫もしくは金めっきしたフィルム５０からなるキャリアテープを用い、このフィルム５０上にパターン化された配線５１と、ＬＳＩ等の半導体素子５２の端子５３とを、所定温度（例えば、３００〜４００℃程度）に加熱されたボンディングツールを用いて押圧し、一括して接続するワイヤレスボンディングが主流になって来ている（例えば、下記特許文献１乃至４）。フィルム５０の材質としてはポリイミドが、また端子５３の材質としては金が良く用いられている。
【０００５】
このようなボンディングツール６０は、その斜視図を図３４に示すように、略円柱形状の取付部６１と、取付部６１の先端に接続された接合部６２と、接合部６２の先端に設けられた押圧部６３とを備えている。そして、押圧部６３は、その先端に先端押圧面６４を備えている。
【０００６】
ワイヤレスボンディングを行う場合には、図３５に示すように、フィルム５０上の各配線５１を、対応する端子５３にそれぞれ合わせた状態で、加熱された先端押圧面６４によってフィルム５０を半導体素子５２に押圧することによって、フィルム５０上にパターン化された複数の配線５１が、対応する各端子５３の中心にそれぞれ配置されるように接続される。
【０００７】
また、ボンディング時、フィルム５０上の各配線５１が半導体素子５２と接触しＧＮＤ電位と短絡しないようにする為、フィルム５０をフォーミングする。
【０００８】
しかしながら、このようなボンディングツール６０を用いて配線５１と端子５３とをボンディングする場合、フィルム５０と半導体素子５２との熱膨張係数の違いによって、先端押圧面６４からの熱による膨張量の差が生じる。つまり、通常はポリイミドが用いられるフィルム５０の熱膨張係数は、半導体素子５２の熱膨張係数よりも大きいので、ボンディング時には、図３６に示すようにボンディング前に端子５３の中心に配線５１を合わせた状態からズレてしまう。このズレ量は、先端押圧面６４から受ける熱量が大きいほど大きくなる。また、膨張時には、フィルム５０、半導体素子５２ともに全体的に膨張するので、このズレ量は、中心側においてはさほど大きくなくても、隅部に行くにしたがって大きくなる。
【０００９】
従来、このようなズレに対応するために、各端子５３に対する配線５１のボンディング時に生じるズレ量を過去の実績や、経験式等から予め予測しておき、この予測結果から、ボンディング時において各配線５１が、対応する端子５３の中心にそれぞれ配置されるように、隣接する各配線５１の間隔を予めズラして製造されている。
【特許文献１】特開平９−６９５４４号公報
【特許文献２】特開平１１−１６９５３号公報
【特許文献３】特開平１１−３０７５８０号公報
【特許文献４】特開２０００−６８３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、ボンディング時における膨張量は、図３６に示すように、フィルム５０および半導体素子５２の隅部に行くにしたがって大きくなる。したがって、ボンディング時において各配線５１が、対応する端子５３の中心にそれぞれ配置されるようにするためには、隣接する配線５１間の距離を、隅部に行くにしたがって小さくなるように配線５１を配置しなければならず、製造が複雑になってしまうという問題がある。
【００１１】
更に、パターン形成された銅箔に錫もしくは金めっきしたポリイミド樹脂を用いたフィルム５０からなるキャリアテープを用い、このフィルム５０上にパターン化された配線５１と、ＬＳＩ等の半導体素子５２の端子５３とを、所定温度（例えば、３００〜４００℃程度）に加熱されたボンディングツール６０を用いて所定圧力（例えば、５〜５０ｇ／ｍｍ２；総接触面積）押圧し、さらにフィルム５０にフォーミングを加えて接続するので、フィルム５０は、ボンディングツール６０の四隅およびその周辺に相当する場所が直接接触し、加熱加圧される。この為、ボンディングツール６０の四隅およびその周辺部がポリイミドで汚され、連続してボンディングを行なった場合、ボンディングツール６０の先端押圧面６４の四隅及び周辺部がポリイミドの炭化かすで覆われ、熱伝導率を悪化させ熱均一性を悪化させ、ボンディングが出来ない、所定の接合強度が得られない、あるいはボンディング品質を維持する為にボンディングツール６０のメンテナンス頻度を上げる必要が生じ、生産効率が低下するといった問題がある。
【００１２】
一方、このように四隅およびその周辺部がポリイミドで汚れたボンディングツール６０によってボンディングされたフィルム５０には圧痕が形成され、外観不良となり製造歩留まりが低下するという問題がある。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、ボンディング時における配線と端子とのズレを極力低減することが可能なボンディングツールを提供することにある。
【００１４】
また、その第２の目的は、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを極力低減することが可能なボンディングツールを提供することにある。
【００１５】
更に、その第３の目的は、このようなボンディングツールによってボンディングされることによって、ボンディングされた面側に圧接痕がつくことのない半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明では、以下のような手段を講じる。
【００１７】
すなわち、請求項１の発明は、硬質物質からなる先端押圧面を備えた押圧部を備えた半導体素子実装用のボンディングツールにおいて、先端押圧面のうち、半導体素子の少なくとも出力端子側にある隅部を面取りしている。
【００１８】
従って、請求項１の発明のボンディングツールにおいては、以上のような手段を講じることにより、ボンディング時において、半導体素子およびフィルムに伝達される熱量を、特に隅部において低減することができる。その結果、半導体素子およびフィルムの隅部における熱膨張を緩和することができ、もって、ボンディング時における配線と端子とのズレを極力低減することが可能となる。
【００１９】
また、ボンディングツールの四隅およびその周辺部に汚れが付着すると、熱伝導率が低下し、ボンディングが出来ない、所定の接合強度が得られない、あるいはボンディング品質を維持する為にボンディングツールのメンテナンス頻度を上げる必要が生じ、生産効率が低下するといった性能低下が生じる一方、このように四隅およびその周辺部が汚れたボンディングツールによってボンディングされたフィルムには圧痕が形成され、外観不良となり製造歩留まりが低下する。しかしながら、本発明のボンディングツールは、以上のような手段を講じることにより、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを低減することができるので、上述したような性能低下および製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００２０】
請求項２の発明は、請求項１の発明のボンディングツールにおいて、先端押圧面は加熱された状態で、半導体素子に設けられた端子に配線を押圧することによって端子と配線とをボンディングする。
【００２１】
従って、請求項２の発明のボンディングツールにおいては、以上のような手段を講じることにより、ボンディング時において、半導体素子およびフィルムに伝達される熱量を、特に隅部において低減することができる。その結果、半導体素子およびフィルムの隅部における熱膨張を緩和することができ、もって、ボンディング時における配線と端子とのズレを極力低減しながら、配線と端子とをボンディングすることが可能となる。
【００２２】
また、請求項１の発明と同様に、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを低減することができるので、上述したような性能低下および製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００２３】
請求項３の発明は、半導体素子実装用のボンディングツールにおいて、複数の部分先端押圧面と、押圧力伝達面とを備えている。押圧部は、加熱された状態で、半導体素子の平面上に設けられた端子に、配線を押圧することによって端子と配線とをボンディングする複数の先端押圧面が配置されている。そして、各先端押圧面のうち、半導体素子の少なくとも出力端子側にある隅部を面取りする。
【００２４】
従って、請求項３の発明のボンディングツールにおいては、以上のような手段を講じることによっても、請求項１および請求項２の発明と同様に、ボンディング時における配線と端子とのズレを極力低減しながら、配線と端子とをボンディングすることが可能となる。このとき、端子面積に該当する配線のみを加圧することができるため、端子が無い部分に配線が接触し、ショートすることを阻止したり、ポッティング時における気泡の発生を阻止することも可能となる。
【００２５】
また、請求項１の発明と同様に、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを低減することができるので、上述したような性能低下および製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００２６】
請求項４の発明は、請求項３の発明のボンディングツールにおいて、複数の先端押圧面を、互いに平行する方向に、または直交する方向に配置する。
【００２７】
請求項５の発明は、請求項４の発明のボンディングツールにおいて、複数の先端押圧面を配置することによって複数の同心矩形形状を形成するように、各先端押圧面を押圧部に配置する。
【００２８】
請求項６の発明は、請求項３の発明のボンディングツールにおいて、複数の先端押圧面は２つであり、互いに平行になるように押圧部に配置する。
【００２９】
請求項７の発明は、請求項１乃至６のうち何れか１項の発明のボンディングツールにおいて、押圧部における面取りされた面を、先端押圧面と直交するようにする。
【００３０】
請求項８の発明は、請求項１乃至６のうち何れか１項の発明のボンディングツールにおいて、押圧部における先端押圧面に平行な断面の面積を、先端押圧面において最も小さくなるようにする。
【００３１】
請求項９の発明は、請求項７または請求項８の発明のボンディングツールにおいて、先端押圧面における面取りされた部位を曲面形状とする。
【００３２】
請求項１０の発明は、請求項７または請求項８に記載のボンディングツールにおいて、先端押圧面における面取りされた部位を多角形状とする。
【００３３】
このような請求項４乃至１０の発明のボンディングツールにおいても、請求項３の発明のボンディングツールと同様の作用効果を奏することができる。
【００３４】
請求項１１の発明は、請求項１乃至１０のうち何れか１項の発明のボンディングツールにおいて、先端押圧面のうち、半導体素子の最外周側の端子に対応する稜線部を面取りする。
【００３５】
従って、請求項１１の発明のボンディングツールにおいては、以上のような手段を講じることによって、ボンディング時における配線と端子とのズレを極力低減するとともに、ボンディング時において半導体素子に与える衝撃を和らげることが可能となる。
【００３６】
また、請求項１の発明と同様に、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを低減することができるので、上述したような性能低下および製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００３７】
請求項１２の発明は、折り曲げ可能な有機層上に形成された導電性物質からなる配線が配置されてなるプリント配線板と、配線とボンディングされる端子を備えた半導体素子とを備えた半導体装置において、請求項１乃至１１のうち何れか１項に記載のボンディングツールを用いて配線と端子とをボンディングした場合に、プリント配線板の先端押圧面と接触する面に、ボンディングツールの圧接痕がつくことなくボンディングされるようにした半導体装置である。
【００３８】
従って、請求項１２の発明のボンディングツールにおいては、請求項１乃至１１のうち何れか１項に記載のボンディングツールを用いることによって、プリント配線板の先端押圧面と接触する面に圧接痕がつくことのない半導体装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、ボンディング時における配線と端子とのズレを極力低減することが可能なボンディングツールを実現することができる。
【００４０】
また、ボンディング時に、ボンディングツールの四隅およびその周辺部の汚れを極力低減することが可能なボンディングツールを実現することができる。
【００４１】
更には、このようなボンディングツールを用いることによって、ボンディングされた面側に圧接痕がつくことのない半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
なお、以下の各実施の形態の説明に用いる図中の符号は、図３２乃至図３７と同一部分については同一符号を付して示すことにする。
【００４４】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態を図１から図１４を用いて説明する。
【００４５】
図１は、第１の実施の形態に係るボンディングツールの一例を示す斜視図である。
【００４６】
すなわち、本実施の形態に係るボンディングツール１０は、図３４に示すボンディングツール６０と比較して押圧部６３の先端押圧面１２の形状が異なっている。本実施の形態に係るボンディングツール１０の先端押圧面１２は、隅部が面取りされた面取り部１４を備えている。面取り部１４は、図２の平面図に示すように、端子２２の位置までには至らないようにしている。これによって、配線５１と端子２２とのボンディングに支障をきたすことなく、ボンディング時に先端押圧面１２からフィルム５０および半導体素子２０への入熱量を減らすこと、特に隅部に対しては入熱量を大幅に減らすことができるようにしている。
【００４７】
半導体素子２０は端子２２として入力端子２２（＃ｂ）と出力端子２２（＃ａ）とを備えているが、一般的に出力端子２２（＃ａ）は、入力端子２２（＃ｂ）よりも数が多い。このため、入力端子２２（＃ｂ）においては、さほど困難を伴うこともなく、従来技術で行ってきたような隣接する配線５１の間隔を予めズラして製造することができる場合もある。面取り部１４は、先端押圧面１２の４隅全てに設けることが好ましいが、このような事情を加味して、図３の平面図に示すように、少なくとも出力端子２２（＃ａ）側に設ければ良い。
【００４８】
このような先端押圧面１２を備えた押圧部６３の一例を示す斜視図を図４に示す。図４は、面取り部１４を、先端押圧面１２と直交するように、かつ押圧部６３の深さＨ全長に亘って設けた例を示しているが、本実施の形態に係るボンディングツール１０はこのような構成に限定されるものではない。例えば、図５の斜視図に示すように、面取り部１４を、先端押圧面１２と接する部分において十分に設け、先端押圧面１２から離れるにしたがって面取りの程度を少なくするようにしても良い。また、図６の斜視図に示すように、面取り部１４を、複数の面によって構成するようにしても良い。更にまた、面取り部１４は、少なくとも先端押圧面１２と接する部分において設けていれば良く、図７に示す押圧部６３の斜視図、および図８（ｃ）に示す押圧部６３の立面図のように、押圧部６３の深さＨ方向に対して部分的であっても良い。なお、図８（ｂ）は、押圧部６３の深さＨ方向全長に亘って面取り部１４を設けた押圧部６３の立面図を、図８（ａ）は、比較のため、面取り部１４を設けていない従来技術による押圧部６３の立面図をそれぞれ示している。
【００４９】
また、先端押圧面１２と面取り部１４との境界Ｂは、図４乃至図６に示すような稜線であっても良いが、図９乃至図１１に示すようなＣ面取りとしても良い。すなわち、境界Ｂ付近を拡大した図１２に示すように、境界Ｂには、角部が存在せず、曲率半径Ｒを有している。
【００５０】
更に、先端押圧面１２の外周であって、境界Ｂ以外の部位ｂもまた、図１３（ａ）に示すように、角部からなっていても良いが、同様にＣ面取りすることによって、図１３（ｂ）に示すように、曲率半径ｒを有するようにしても良い。
【００５１】
このような先端押圧面１２を加熱した状態で用いることによって、図１に示すように、フィルム５０に設けられた各配線５１を、半導体素子２０のそれぞれ対応する端子２２に押圧し、ボンディングする。
【００５２】
次に、以上のように構成した本実施の形態に係るボンディングツールの作用について説明する。
【００５３】
本実施の形態に係るボンディングツール１０によって、フィルム５０に設けられた配線５１を、半導体素子２０の端子２２にボンディングする場合、図２に示すように、各配線５１が、半導体素子２０の各対応する端子２２の位置に正しく配置されるように位置合わせされた後に、加熱された先端押圧面１２によって押圧される。
【００５４】
本実施の形態に係るボンディングツール１０では、先端押圧面１２に面取り部１４が設けられているので、押圧時における先端押圧面１２からのフィルム５０および半導体素子２０への全入熱量が低減されるとともに、特に面取り部１４に対面するフィルム５０および半導体素子２０の部位である隅部の入熱量が抑えられる。
【００５５】
これによって、ボンディング時におけるフィルム５０および半導体素子２０の熱膨張が抑制され、その結果、配線５１と端子２２とのズレが極力低減される。また、特に従来、ボンディング時におけるこのズレは、中心側よりもむしろ隅部に行くにしたがって大きくなっていたが、本実施の形態に係るボンディングツール１０では、先端押圧面１２の隅部に対面する部位に面取り部１４を設けたことにより、隅部に対する入熱量が特に大幅に低減されるため、ボンディング時における配線５１と端子２２とのズレが、極めて効果的に低減される。
【００５６】
また、本実施の形態に係るボンディングツール１０では、先端押圧面１２に面取り部１４が設けられているので、ボンディングツール１０の四隅およびその周辺部のポリイミドの炭素かす等による汚れの付着が低減される。これによって、熱伝導率が低下しボンディングが出来ない、所定の接合強度が得られない、あるいはボンディング品質を維持する為にボンディングツール１０のメンテナンス頻度を上げる必要が生じ、生産効率が低下するといった性能低下が抑制される。
【００５７】
一方、四隅およびその周辺部が汚れたボンディングツールによってボンディングされたフィルム５０には圧痕が形成され、外観不良となり製造歩留まりが低下するが、本実施の形態に係るボンディングツール１０は、四隅およびその周辺部の汚れが低減されるので、このような製造歩留まりの低下もまた軽減される。
【００５８】
上述したように、本実施の形態に係るボンディングツールにおいては、上記のような作用により、フィルム５０と半導体素子２０とをボンディングする場合、フィルム５０および半導体素子２０に加える熱量を、特に隅部において低減することができる。その結果、ボンディング時におけるフィルム５０および半導体素子２０の熱膨張を抑制し、ボンディング時における配線５１と端子２２とのズレを効果的に低減することが可能となる。
【００５９】
更に、フィルム５０と半導体素子２０とを従来のボンディングツールを用いてボンディングした場合、先端押圧面１２による押圧時のインパクトあるいは、ボンディング後のフォーミングによって、図１４（ａ）の平面図に示すように、先端押圧面１２の部位ｂとの稜線に沿って半導体素子２０の上に位置するフィルム５０に微小な傷Ｋ（圧接痕）と線状の傷Ｌ（圧接痕）が付く場合がある。なお、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に対応する立面図である。この図１４（ａ）は、従来技術によってボンディングされた状態を撮影した写真に基づいて作成した図であり、図１４（ｂ）中に示す矢印は、図１４（ａ）の元となった写真を撮影した撮影方向を示している。しかしながら、図１３（ｂ）に示すように、先端押圧面１２における部位ｂをＣ面取りすることによって、この傷Ｋ（圧接痕）および線状の傷Ｌ（圧接痕）の発生を阻止することができる。
【００６０】
また、本実施の形態に係るボンディングツール１０では、先端押圧面１２に面取り部１４が設けられているので、ボンディングツール１０の四隅およびその周辺部のポリイミドの炭素かす等による汚れの付着を低減することができる。これによって、熱伝導率が低下しボンディングが出来ない、所定の接合強度が得られない、あるいはボンディング品質を維持する為にボンディングツール１０のメンテナンス頻度を上げる必要が生じ生産効率が低下するといった性能低下を抑制することが可能となる。更にまた、外観不良を減らすことができ、製造歩留まり低下を軽減することも可能となる。
【００６１】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態を図１５から図３１を用いて説明する。
【００６２】
図１５は、本実施の形態に係るボンディングツールの一例を示す斜視図であり、図１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００６３】
すなわち、本実施の形態に係るボンディングツール１１は、図１に示すボンディングツール１０の押圧部６３を井戸型形状とした点のみが異なっている。すなわち、先端押圧面１２は、口字形状の平面をしており、図１６に示すように、端子２２に配線５１をボンディングするために必要最低限な幅Ｗを有している。また、先端押圧面１２は、第１の実施の形態と同様に、面取り部１４を備えている。そして、ボンディング時には、加熱された先端押圧面１２が、フィルム５０上の各配線５１が対応する端子２２にそれぞれ合わされた状態でフィルム５０を半導体素子２０に押圧することによって、各配線５１を、対応する各端子２２の中心にそれぞれ配置されるようにボンディングする。
【００６４】
このようなあたかも複数の先端押圧面を配置したような部分的な先端押圧面１２を備えた構成とすることによって、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができることに加え、更に以下のような作用効果を奏することができる。
【００６５】
すなわち、ボンディング時には、先端押圧面１２の幅Ｗに相当する配線５１のみが部分的に加圧される。このため、ボンディング時における端子２２が無い領域におけるフィルム５０の延びや歪み、および配線５１の先端部の沈み込みが阻止される。
【００６６】
前述したフィルム５０の延びや歪みが生じると、ポッティング時に封止樹脂１７を注入した場合、樹脂の流動性が悪くなり、その結果、図１７に示すように、気泡を巻き込み、樹脂内気泡１８を発生させ、フィルム５０が半導体素子２０にボンディングされてなる半導体装置の耐久性を低下させる恐れがある。しかしながら、本実施の形態では、このようなフィルム５０の延びや歪みを阻止することができるので、図１８に示すように、樹脂内気泡１８のない半導体装置を製造することができる。
【００６７】
また、配線５１の先端部の沈み込みが大きい場合には、図１９に示すように、配線５１の沈み込み部Ｐが半導体素子２０の表面に接触し、ショートの発生をもたらす恐れもある。しかしながら、本実施の形態では、図２０に示すように、このような配線５１の沈み込み部Ｐに対応する箇所の沈み込みを阻止することができるので、ショートの発生の可能性の低い半導体装置を製造することができる。以上により、不良な半導体装置の発生を低減し、ボンディング品質の向上を図ることが可能となる。
【００６８】
なお、上述したような作用効果を奏する本実施の形態に係るボンディングツール１１における先端押圧面１２の形状および配置は、図１５に示すものに限定されるものではなく、ボンディング対象とする半導体素子２０の形状や、端子２２の配置条件に応じて種々のパターンを取りうる。また、面取り部１４の形状や、大きさも第１の実施の形態に記載したように種々のパターンを取りうる。
【００６９】
図２１は、断面が口字形状の先端押圧面１２の例を示すものであり、図２１（ａ）は平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）中に示すＥ−Ｅ線に沿った断面図である。
【００７０】
図２２は、図２１に示すパターンに加えて、一対の部分的な先端押圧面１２’を、対面するように更に配置した例を示すものであり、図２２（ａ）は平面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）中に示すＦ−Ｆ線に沿った断面図である。このようなボンディングツールは、端子が２列に配置されたような半導体素子に対し有効である。
【００７１】
その他考えられるパターンの例を図２３乃至図３１に示す。図２３乃至図３１ではそれぞれ正方形状の断面のものと、それに対応する長方形状の断面のものとの両方を示している。図２３（ａ）は、図２１に示すものと同一である。なお、図２１乃至図３１に示す例は、何れも先端押圧面１２の面取り部１４の形状を同一としているが、面取り部１４の形状は、第１の実施の形態で述べたようにこれに限定されないことは言うまでもない。
【００７２】
以上、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲の発明された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るボンディングツールの一例を示す斜視図。
【図２】ボンディング時の状態を説明するための平面図。
【図３】先端押圧面の一例を示す平面図。
【図４】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図５】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図６】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図７】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図８】押圧部の変形例を示す立面図。
【図９】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図１０】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図１１】押圧部の変形例を示す斜視図。
【図１２】先端押圧面と面取り部との境界付近における拡大図。
【図１３】先端押圧面の外周であって、先端押圧面と面取り部との境界以外における部位の形状を示す拡大図。
【図１４】ボンディング時に傷（圧接痕）が付いた半導体素子の状態を示す平面図及び立面図。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係るボンディングツールの一例を示す斜視図。
【図１６】先端押圧面と端子との位置関係を示す立面図。
【図１７】封止樹脂内に気泡が発生した製品の一例を示す立面図。
【図１８】封止樹脂が注入された製品の一例を示す立面図。
【図１９】配線の先端部が半導体素子の表面に接触した状態の一例を示す立面図。
【図２０】配線の先端部が半導体素子の表面に接触していない状態の一例を示す立面図。
【図２１】先端押圧面の配置例を示す平面図および断面図。
【図２２】先端押圧面の配置例を示す平面図および断面図。
【図２３】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図２４】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図２５】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図２６】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図２７】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図２８】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図２９】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図３０】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図３１】先端押圧面の配置例を示す平面図。
【図３２】従来技術におけるボンディング時の状態を説明するための平面図。
【図３３】図３２中に示すＡ−Ａ線に沿って見た図。
【図３４】従来技術におけるボンディングツールの斜視図。
【図３５】従来技術におけるボンディング時の状態を説明するための立面図。
【図３６】従来技術におけるボンディング時のズレを説明するための平面図。
【図３７】端子と配線とがボンディングされてなる半導体装置の一般的構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７４】
１０，１１，６０…ボンディングツール、１２，６４…先端押圧面、１４…面取り部、１７…封止樹脂、１８…樹脂内気泡、２０，５２…半導体素子、２２…端子、２２（＃ａ）…出力端子、２２（＃ｂ）…入力端子、５０…フィルム、５１…配線、５３…端子、６１…取付部、６２…接合部、６３…押圧部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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