(57)【要約】【課題】  クリーンルーム内で走行する搬送台車の走行時における塵埃の巻き上げを防ぐ。【解決手段】  パーティション８の配置された領域を含むパーティション８で囲まれた領域の下部に、床材４Ａの代わりに床材４Ａより開口率の大きい床材４Ｃを配置することによって、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が流れを遮られた時でも、床材４Ａ、４Ｃから形成されたグレーチング床の下方へその気流が流れるのを妨げる抵抗を減少することができるので、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。【選択図】  図４
2005083599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームであって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記第１領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくすることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項２】
請求項１記載のクリーンルームにおいて、
前記第１領域における前記第１開口部の開口率は、前記第２領域における前記第１開口部の開口率より大きいことを特徴とするクリーンルーム。
【請求項３】
請求項１記載のクリーンルームにおいて、
前記第１領域においては、前記床の下部に複数の排気機構を設け、前記排気機構の駆動によって前記第１領域における前記気流の流量または速度を前記第２領域より大きくすることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項４】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームであって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくすることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項５】
請求項４記載のクリーンルームにおいて、
前記第１送風機構の単位面積当たりの設置数は、前記第２送風機構の単位面積当たりの設置数より多いことを特徴とするクリーンルーム。
【請求項６】
請求項４記載のクリーンルームにおいて、
前記第１送風機構の１台当たりの出力は、前記第２送風機構の１台当たりの出力より大きいことを特徴とするクリーンルーム。
【請求項７】
請求項６記載のクリーンルームにおいて、
前記搬送台車の走行時のみ、前記第１送風機構の１台当たりの出力は、前記第２送風機構の１台当たりの出力より大きいことを特徴とするクリーンルーム。
【請求項８】
請求項７記載のクリーンルームにおいて、
前記搬送台車の走行を制御する制御機構から前記搬送台車の走行指示が出されるのに合わせて、前記第１送風機構はオンとなることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項９】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームであって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
（ａ）前記第１領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくする処理と、
（ｂ）前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくする処理とのうちの、少なくとも一方を実施することを特徴とするクリーンルーム。
【請求項１０】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームであって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域との間には、作業者の前記第１領域への侵入を防ぐ仕切り壁が設けられ、
前記仕切り壁には、前記第１領域における前記気流を前記第１領域の外部へ排出する気流排出部が設けられていることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項１１】
請求項１０記載のクリーンルームにおいて、
前記気流排出部は、前記仕切り壁のうち、前記床から前記作業者の前記第１領域への侵入を防ぐのに差し支えない高さまでの部分を取り除いて形成されていることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項１２】
請求項１０記載のクリーンルームにおいて、
前記仕切り壁は、前記気流排出部と前記気流排出部以外の第１壁部とから形成され、
前記仕切り壁における前記気流排出部の開口率は、前記第１壁部の開口率より大きいことを特徴とするクリーンルーム。
【請求項１３】
請求項１０記載のクリーンルームにおいて、
前記気流排出部は、
（ａ）前記仕切り壁における、前記搬送台車が減速を開始し停止するまでに走行する前記走行領域と対向する部分と、
（ｂ）前記仕切り壁における、前記走行領域の端部と対向する部分とのうちの、少なくとも一方に設けることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項１４】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームの制御方法であって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記第１領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくし、
前記第１領域においては、前記床の下部に複数の排気機構を設け、前記排気機構の駆動によって前記第１領域における前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記気流の流量または速度より大きくし、
前記排気機構は、前記搬送台車の走行時のみ稼動させることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項１５】
請求項１４記載のクリーンルームの制御方法において、
前記搬送台車の走行を制御する制御機構から前記搬送台車の走行指示が出されるのに合わせて、前記排気機構を稼動させることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項１６】
請求項１４記載のクリーンルームの制御方法において、
前記搬送台車の走行をセンサで検知し、前記搬送台車の走行を検知した時に、前記搬送台車の進行方向の前記走行領域に位置し前記センサに対応する第３領域下の前記排気機構を稼動させることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項１７】
請求項１４記載のクリーンルームの制御方法において、
前記搬送台車の走行を撮影手段にて撮影し、前記撮影手段が撮影した画像の解析によって前記搬送台車の走行を検知し、前記搬送台車の走行を検知した時に、前記搬送台車の進行方向の前記走行領域に位置し前記撮影手段に対応する第３領域下の前記排気機構を稼動させることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項１８】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームの制御方法であって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記第１領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくし、
前記第１領域のうち、前記搬送台車が減速を開始し停止するまでに走行する前記走行領域において、前記気流の流量または速度を前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくすることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項１９】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームの制御方法であって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくし、
前記搬送台車の走行をセンサで検知し、前記搬送台車の走行を検知した時に、前記搬送台車の進行方向の前記走行領域に位置し前記センサに対応する第３領域上の前記第１送風機構の１台当たりの出力を、前記第２送風機構の１台当たりの出力より大きくすることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項２０】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームの制御方法であって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくし、
前記搬送台車の走行を撮影手段にて撮影し、前記撮影手段が撮影した画像の解析によって前記搬送台車の走行を検知し、前記搬送台車の走行を検知した時に、前記搬送台車の進行方向の前記走行領域に位置し前記撮影手段に対応する第３領域上の前記第１送風機構の１台当たりの出力を、前記第２送風機構の１台当たりの出力より大きくすることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項２１】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームの制御方法であって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくし、
前記第１領域のうち、前記搬送台車が減速を開始し停止するまでに走行する前記走行領域における前記第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくすることを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【請求項２２】
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームの制御方法であって、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域との間には、作業者の前記第１領域への侵入を防ぐ仕切り壁が設けられ、
前記仕切り壁には、前記第１領域における前記気流を前記第１領域の外部へ排出する気流排出部が設けられ、
（ａ）前記第１領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくする処理と、
（ｂ）前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくする処理とのうちの、少なくとも一方を実施することを特徴とするクリーンルームの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クリーンルームおよびその制御技術に関し、特に、クリーンルーム内を高速で走行する搬送台車を有する搬送システムに適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、天井に複数のファンフィルタユニットが設置され、各ファンフィルタユニットからそれぞれ清浄空気を鉛直下方に送風し、グレーチング床から排気しつつ、グレーチング床に敷設された軌道に沿って走行する自動搬送台車を備えたクリーンルームにおいて、自動搬送台車の走行域に沿って自動搬送台車の感知を行う光電センサを複数個設置し、その光電センサによる自動搬送台車の位置確認信号に基づいて自動搬送台車の前後のファンフィルタユニットの送風量を増加させることによって、クリーンルームを常に清浄に維持する空調制御方法がある（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、ワーク搬送ラインと製造環境とを仕切り手段によって仕切り、天井から搬送ラインに向かって送風し、かつその風量を変えることによって、ワーク搬送ラインをクリーンルーム以上にクリーン化する技術がある（たとえば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、天井にフィルタが設けられた作業部を有するクリーンルームにおいて、天井に空気清浄化ユニットが設けられた搬送台車用のトンネルをその作業部内に設け、作業部およびトンネルの床には孔を設け、送風機構によりダウンフロー方式でクリーンルーム内の空気を循環させることによって、ウエハ周囲の雰囲気のみ高清浄度を維持する技術がある（たとえば、特許文献３参照）。
【０００５】
また、クリーン環境を必要とする製造ラインにて、搬送台車の走行する搬送通路と製造装置の設置された部屋とを分離し、搬送通路の天井に加圧用ＨＥＰＡ（High Efficiency Particle Air）フィルタを設け、部屋の天井にＨＥＰＡフィルタを設けて、ダウンフロー方式のクリーン環境を形成し、搬送台車と製造装置との間でのワークの受け渡し時を含むワークの搬送時において、ワークのダスト汚染を防ぐ技術がある（たとえば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２０００−４６３９０号公報
【特許文献２】特開平７−１９０４３７号公報
【特許文献３】特開平９−２６０２２６号公報
【特許文献４】特開２０００−１６１７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体製造ラインにおいて、生産のサイクルタイムの向上に伴って、クリーンルーム内で走行する搬送台車は、搬送時間の短縮を目的として高速化が図られている。特に、直径３００ｍｍの半導体ウエハ（以降、単にウエハと記す）に対応した半導体製造ラインでは、ウエハの保管および搬送に、たとえばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる密閉式ウエハ収納容器などが採用されている。そのため、ウエハ保持性が向上し、搬送台車の走行速度の高速化、加速度の向上および減速度の向上を実現できるようになってきている。
【０００７】
本発明者らは、上記搬送台車の走行速度の高速化、加速度の向上および減速度の向上を実現できる技術について検討している。その中で、本発明者らは、以下のような課題を見出した。
【０００８】
すなわち、クリーンルーム内では、クリーンルームの床にある塵埃の巻き上げを防ぐために、天井から床に向かってダウンフロー方式で送風が行われている。しかしながら、本発明者らは、搬送台車の走行速度の高速化、加速度の向上および減速度の向上に伴ってクリーンルーム内のダウンフロー気流が乱されるようになり、塵埃の巻き上げ現象が顕著になってくることを見出した。特に、地上走行型の搬送台車であるＡＧＶ（Automated Guided Vehicle）およびＲＧＶ（Rail Guided Vehicle）などを用いた場合には、ある速度以上での走行になると、塵埃は床から搬送中のＦＯＵＰの高さあるいはそれ以上の高さにまで巻き上げられ、ＦＯＵＰの周囲の清浄度が損なわれてしまう課題が存在する。
【０００９】
また、本発明者らは、上記特許文献１〜４に記載されている技術について検討した。
【００１０】
上記特許文献１に記載されたファンフィルタユニットには、送風量を変化させるための機構が設けられている。このような機構を設けると、その送風量の変更を指示し、送風量を制御できるようなシステム構成が必要となるため、クリーンルームのシステム構成が複雑になってしまう。また、グレーチング床の下部に設けられた吸い込みファンについても、吸い込み量を変化させるための機構が設けられると、その吸い込み量の変更を指示し、吸い込み量を制御できるようなシステム構成が必要となるため、クリーンルームのシステム構成が複雑になってしまう。このようにシステム構成が複雑化すると、システムの構築が困難になる課題が存在する。
【００１１】
上記特許文献２に記載されたワーク搬送ラインと製造環境とを仕切る仕切り手段は、搬送台車が走行する領域においてトンネル状に設けられるため、クリーンルーム内の設備レイアウトおよび搬送経路設定の自由度が低下してしまう課題が存在する。また、上記特許文献３に記載された技術においても、搬送台車用のトンネルが設けられるため、クリーンルーム内の設備レイアウトおよび搬送経路設定の自由度が低下してしまう課題が存在する。
【００１２】
上記特許文献４に記載された技術においては、搬送台車の走行する搬送通路と製造装置の設置された部屋とを完全に分離しなければならないことから、クリーンルーム内の設備レイアウトおよび搬送経路設定の自由度が低下してしまう課題が存在する。
【００１３】
本発明の目的は、クリーンルーム内で走行する搬送台車の走行時における塵埃の巻き上げを防ぐことのできる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
本発明によるクリーンルームは、
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームにおいて、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記第１領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度を、前記第２領域における前記床の下部へ排出する前記気流の流量または速度より大きくするものである。
【００１７】
また、本発明によるクリーンルームは、
天井に複数の送風機構を有し、
床に複数の第１開口部を有し、
前記送風機構からの気流を前記第１開口部から前記床の下部へ排出するクリーンルームにおいて、
前記床は、搬送台車の走行する走行領域および走行周辺領域を含む第１領域と、平面で前記第１領域を取り囲む第２領域とを有し、
前記送風機構のうち平面で前記第１領域に対応する領域に配置された第１送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量を、前記送風機構のうち平面で前記第２領域に対応する領域に配置された第２送風機構からの前記気流の単位面積当たりの流量より大きくするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
すなわち、クリーンルーム内で走行する搬送台車の走行時における塵埃の巻き上げを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、本発明の実施の形態の説明に用いる図面においては、構成をわかりやすくするために断面図以外の図であってもハッチングを付す（梨地模様を施す）場合がある。
【００２１】
（実施の形態１）
本実施の形態１のクリーンルームは、たとえば半導体製造ラインに設けられたクリーンルームである。
【００２２】
図１は、本実施の形態１のクリーンルームの構成の概略を示す断面図であり、図２は、そのクリーンルームの内部構成の概略を示す要部平面図である。
【００２３】
本実施の形態１のクリーンルームＣＲは、外壁１によって外部と内部とが遮断されている。外壁１の内部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit（送風機構））２が取り付けられた天井部と、内壁３と、グレーチング床４とによって囲まれたミニエンバイロンメント（Mini Environment）ＭＥが設けられている。その領域内には、熱処理装置、イオン注入装置、エッチング装置、成膜装置、洗浄装置、フォトレジスト塗布装置および露光装置などの半導体製造装置５と、ＩＣ（Integrated Circuit）が作り込まれる所定枚数の半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）が収納されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）が保管されるストッカ６とが設置されている。ストッカ６と半導体製造装置５との間および半導体製造装置５間のＦＯＵＰの搬送は、たとえばＲＧＶ（搬送台車）７によって行われる。ＲＧＶ７はクリーンルーム床上を高速で走行するので、ＲＧＶ７の走行領域に作業者が侵入してしまうことを防ぎ、作業者の安全を確保するために、ＲＧＶ７の走行領域およびその走行領域の周辺の領域（走行周辺領域）を取り囲むようにパーティション８が設けられ、平面的にはパーティション８の内部の領域（第１領域）とパーティション８の外部の領域（第２領域）とに区切られている。また、ＲＧＶ７は、パーティション８の横に設けられたレール（図示は省略）に沿って走行する。ＦＯＵＰに収納されているウエハの直径が、たとえば３００ｍｍのような大口径である場合、ウエハを収納したＦＯＵＰは８ｋｇ以上の重量となるため、人手による搬送は安全上困難になる。そのため、ＦＯＵＰの搬送は、上記ＲＧＶ７によって行われる。
【００２４】
ＦＦＵ２は、空気中の微小な塵埃の除去を行うＨＥＰＡフィルタ２Ａと送風機２Ｂとを一体化した空気清浄送風装置である。
【００２５】
グレーチング床４は、たとえば図３に示すような床材４Ａを複数枚敷き詰めることによって形成されている。この床材４Ａには、床材４Ａの表裏を貫通する複数の貫通孔（第１開口部）４Ｂが形成されている。床材４Ａの面内におけるこの貫通孔４Ｂの占める割合（以降、開口率と記す）は、たとえば約２５％である。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態１のクリーンルームＣＲにおいては、ＦＦＵ２によって浄化された空気（気流）がミニエンバイロンメントＭＥ内にダウンフローとして送り込まれ、その空気が上記貫通孔４Ｂからグレーチング床４の下部（ミニエンバイロンメントＭＥの外部）へ流出する。グレーチング床４の下部へ流出した空気は、外壁１と内壁３との間の空間を経由してＦＦＵ２が設けられた天井部の上部へ循環し、再びＦＦＵ２によって浄化された後にミニエンバイロンメントＭＥ内に送り込まれる。すなわち、本実施の形態１のクリーンルームＣＲは、このような空気を循環させる構造を形成することにより、ミニエンバイロンメントＭＥ内において高い清浄度クラスを得ることを可能としている。本実施の形態１において、そのミニエンバイロンメントＭＥ内の清浄度クラスは、たとえばクラス１０００とする。ここで、本実施の形態１におけるその清浄度クラスとは、１ｆｔ3（１ｆｔ＝３０．４８ｃｍ）の空気中に含まれる粒径０．１μｍ程度以上の塵埃の個数を指標として空間の清浄度を示したものであり、クラス１０００は、１ｆｔ3の空気中に含まれる粒径０．１μｍ程度以上の塵埃が１０００個未満である清浄度を示している。
【００２７】
ＲＧＶ７の停止時においては、ＦＦＵ２からミニエンバイロンメントＭＥ内に送り込まれた清浄な空気は、ダウンフローとなってグレーチング床４下へ流出しているので、グレーチング床４上に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことができる。一方、ＲＧＶ７が走行している時には、ＲＧＶ７が走行している方向に向かって気流が発生するため、ＲＧＶ７の走行領域およびその走行領域の周辺の領域では、ＦＦＵ２から発せられた清浄な空気のダウンフローが乱されてしまい、たとえばグレーチング床４上に積もっていた塵埃が舞い上がり、ミニエンバイロンメントＭＥ内の清浄度クラスが低下してしまうおそれがある。ＲＧＶ７の走行によって発生した気流は、ＲＧＶ７の走行速度が早くなるに従って風量および風速が大きくなり、それに伴ってグレーチング床４上に積もっていた塵埃の舞い上がる量も大きくなる。また、ＲＧＶ７の走行領域の端部と対向するパーティション８、半導体製造装置５およびストッカ６など、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流の流れを遮るものが存在する領域では、塵埃はより高く舞い上がってしまうことになる。すなわち、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流は、その流れが遮られると、抵抗の最も少ない上方へと流れを変え、それに伴って塵埃が高く巻き上げられるからである。舞い上がった塵埃は、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流によってＲＧＶ７を追随するように流れ、ＲＧＶ７が走行速度を減速した箇所および停止した箇所でＲＧＶ７およびウエハを収納したＦＯＵＰ上に撒き散らされてしまうことが懸念される。また、その舞い上がった塵埃は、ＲＧＶ７およびＦＯＵＰ上のみばかりでなく、半導体製造装置５およびストッカ６などＲＧＶ７の走行領域の周辺の設備にまで撒き散らされてしまうことが懸念される。このように塵埃が撒き散らされると、ＦＯＵＰの開閉時にウエハを塵埃で汚染してしまったり、半導体製造装置５の内部を塵埃で汚染してしまったりすることが懸念される。
【００２８】
そこで、本実施の形態１では、図４に示すように、パーティション８で囲まれた領域（パーティション８の配置された領域を含む）の下部には、上記床材４Ａ（図３参照）の代わりに、たとえば貫通孔４Ｂ（図３参照）の開口率が床材４Ａにおける貫通孔４Ｂの開口率より大きな床材４Ｃを配置する。図４中では、その床材４Ｃが配置された領域は梨地模様を施して示してある。本実施の形態１では、その床材４Ｃにおける貫通孔４Ｂの開口率を約５０％とすることを例示できる。それにより、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が流れを遮られた時でも、グレーチング床４の下方へ気流が流れるのを妨げる抵抗を減少することができるので、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。その結果、塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことが可能となる。
【００２９】
また、上記床材４Ｃを用いる代わりに、図５に示すように、パーティション８で囲まれた領域（パーティション８の配置された領域を含む）の下部に、ミニエンバイロンメントＭＥ内の空気をグレーチング床４下へ排出する排気ファン（排気機構）９を取り付けてもよい。このような排気ファン９を取り付けることによっても、上記床材４Ｃを用いた場合と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
また、グレーチング床４上に積もっていた塵埃の舞い上がりが懸念されるのは、ＲＧＶ７の走行によって気流が発生した時であることから、排気ファン９は、常時稼動させずにＲＧＶ７の走行時のみ稼動させるようにしてもよい。それにより、ＲＧＶ７が走行していない時には、ミニエンバイロンメントＭＥ内全体でＦＦＵ２から発せられた清浄な空気を均一なダウンフローとすることができる。また、排気ファン９をＲＧＶ７の走行時のみ稼動させることにより、排気ファン９の消費電力量を低減できるので、本実施の形態１の半導体生産ラインのランニングコストを低減することが可能となる。
【００３１】
次に、本発明の実施の形態１の半導体装置であるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）デバイスの製造方法の一例を図６〜図８に示す半導体基板の要部断面図を用いて説明する。
【００３２】
まず、図６に示すように、たとえばｐ型のシリコン単結晶からなる半導体基板（以下、単に基板と記す）１１を用意する。基板１１は、たとえば３００ｍｍ径の円形の薄い板状に加工されたウエハである。次に、素子分離領域の基板１１に素子分離溝を形成した後、基板１１上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で堆積した酸化シリコン膜をエッチバックまたはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法で研磨して、素子分離溝の内部に酸化シリコン膜を残すことにより素子分離部１２を形成する。
【００３３】
次に、レジストパターンをマスクとして基板１１に不純物をイオン注入し、ｐ型ウェル１３およびｎ型ウェル１４を形成する。ｐ型ウェル１３にはｐ型の導電型を示す不純物、たとえばボロンをイオン注入し、ｎ型ウェル１４にはｎ型の導電型を示す不純物、たとえばリンをイオン注入する。この後、各ウェル領域にＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）のしきい値を制御するための不純物をイオン注入してもよい。
【００３４】
続いて、基板１１をフッ酸系の水溶液で洗浄した後、基板１１に熱処理を施すことによって、ゲート絶縁膜１５となる厚さ２ｎｍ程度の酸化シリコン膜を基板１１の表面に形成する。
【００３５】
次に、図７に示すように、ゲート電極となるシリコン多結晶膜およびキャップ絶縁膜となる酸化シリコン膜を順次堆積して積層膜を形成した後、レジストパターンをマスクとして上記積層膜をエッチングし、ゲート電極１６およびキャップ絶縁膜１７を形成する。
【００３６】
次に、ｐ型ウェル１３にｎ型の導電性を示す不純物、たとえばヒ素をイオン注入し、ｐ型ウェル１３上のゲート電極１６の両側にｎ型拡張領域１８Ａを形成する。ｎ型拡張領域１８Ａは、ゲート電極１６に対して自己整合的に形成される。同様に、ｎ型ウェル１４にｐ型の導電性を示す不純物、たとえばフッ化ボロンをイオン注入し、ｎ型ウェル１４上のゲート電極１６の両側にｐ型拡張領域１９Ａを形成する。ｐ型拡張領域１９Ａは、ゲート電極１６に対して自己整合的に形成される。
【００３７】
その後、基板１１上にＣＶＤ法で酸化シリコン膜を堆積した後、この酸化シリコン膜を異方性エッチングすることにより、ゲート電極１６の側壁にサイドウォールスペーサ２０を形成する。
【００３８】
次に、ｐ型ウェル１３にｎ型の導電性を示す不純物、たとえばヒ素をイオン注入し、ｐ型ウェル１３上のゲート電極１６の両側にｎ型拡散領域１８Ｂを形成する。ｎ型拡散領域１８Ｂは、ゲート電極１６およびサイドイウォールスペーサ２０に対して自己整合的に形成され、ｎ型拡張領域１８Ａおよびｎ型拡散領域１８Ｂからなるｎ型半導体領域１８は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレインとして機能する。
【００３９】
同様に、ｎ型ウェル１４にｐ型の導電性を示す不純物、たとえばフッ化ボロンをイオン注入し、ｎ型ウェル１４上のゲート電極１６の両側にｐ型拡散領域１９Ｂを形成する。ｐ型拡散領域１９Ｂは、ゲート電極１６およびサイドイウォールスペーサ２０に対して自己整合的に形成され、ｐ型拡張領域１９Ａおよびｐ型拡散領域１９Ｂからなるｐ型半導体領域１９は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレインとして機能する。その後、基板１１にイオン打ち込みされた不純物の活性化のための熱処理を基板１１に施す。
【００４０】
次に、基板１１上に１０〜２０ｎｍ程度の膜厚のコバルト膜を、たとえばスパッタリング法により堆積する。続いて、基板１１に熱処理を施してｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース、ドレインを形成するｎ型半導体領域１８およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース、ドレインを形成するｐ型半導体領域１９の表面に、選択的に３０ｎｍ程度の厚さのシリサイド層２１を形成する。次いで、未反応のコバルト膜を除去し、次いでシリサイド層２１の低抵抗化のための熱処理を基板１１に施す。
【００４１】
次に、図８に示すように、基板１１上に酸化シリコン膜２２を堆積した後、この酸化シリコン膜２２を、たとえばＣＭＰ法で研磨することにより、その表面を平坦化する。続いてレジストパターンをマスクとしたエッチングによって酸化シリコン膜２２に接続孔２３を形成する。この接続孔２３はｎ型半導体領域１８またはｐ型半導体領域１９上などの必要部分に形成する。
【００４２】
続いて、接続孔２３の内部を含む基板１１の全面に窒化チタン膜を、たとえばＣＶＤ法で堆積し、さらに接続孔２３を埋め込むタングステン膜を、たとえばＣＶＤ法で堆積した後、接続孔２３以外の領域の窒化チタン膜およびタングステン膜をＣＭＰ法により除去して、接続孔２３の内部にタングステン膜を主導体層とするプラグ２４を形成する。
【００４３】
次に、基板１１上に、たとえばタングステン膜を堆積した後、レジストパターンをマスクとしたエッチングによってタングステン膜を加工し、第１配線層の配線２５を形成する。タングステン膜は、たとえばＣＶＤ法またはスパッタリング法により堆積することができる。
【００４４】
次に、配線２５を覆う絶縁膜、たとえば酸化シリコン膜を堆積した後、その絶縁膜を、たとえばＣＭＰ法で研磨することにより、表面が平坦化された層間絶縁膜２６を形成する。次いで、レジストパターンをマスクとしたエッチングによって層間絶縁膜２６の所定の領域に接続孔２７を形成する。
【００４５】
続いて、接続孔２７の内部を含む基板１１の全面にバリアメタル層を形成し、さらに接続孔２７を埋め込む銅膜を堆積する。バリアメタル層は、たとえば窒化チタン膜、タンタル膜またはタンタル窒化膜などであり、たとえばＣＶＤ法またはスパッタリング法で堆積する。銅膜は主導体層として機能し、たとえばめっき法で成膜できる。めっき法による銅膜の成膜前に、たとえばＣＶＤ法またはスパッタリング法によりシード層として薄い銅膜を堆積し、その後、接続孔２７以外の領域の銅膜およびバリアメタル層をＣＭＰ法により除去して、接続孔２７の内部にプラグ２８を形成する。
【００４６】
次に、基板１１上にストッパ絶縁膜２９を形成し、さらに配線形成用の絶縁膜３０を形成する。ストッパ絶縁膜２９は、たとえば窒化シリコン膜とし、絶縁膜３０は、たとえば酸化シリコン膜とする。レジストパターンをマスクとしたエッチングによってストッパ絶縁膜２９および絶縁膜３０の所定の領域に配線溝３１を形成する。
【００４７】
続いて、配線溝３１の内部を含む基板１１の全面にバリアメタル層を形成し、さらに配線溝３１を埋め込む銅膜を形成する。その後、配線溝３１以外の領域の銅膜およびバリアメタル層をＣＭＰ法により除去して、配線溝３１の内部に銅膜を主導体層とする第２配線層の配線３２を形成し、本実施の形態１の半導体装置を製造する。この後、プラグ２８および配線３２を形成した工程を繰り返すことによって、さらに多層に配線を形成してもよい。
【００４８】
（実施の形態２）
図９は、本実施の形態２におけるＦＦＵ２の配置方法を示す要部平面図であり、ＦＦＵ２が配置された領域は梨地模様を施して示してある。
【００４９】
本実施の形態２におけるＦＦＵ２は、前記実施の形態１で説明したＦＦＵ２（図１参照）と同様である。図９に示すように、本実施の形態２では、パーティション８で囲まれた領域（パーティション８の配置された領域を含む）に対応する位置の天井部に配置するＦＦＵ（第１送風機構）２の数を、他の領域のＦＦＵ（第２送風機構）２より多くするものである。それにより、ＲＧＶ７の走行によってＲＧＶ７を追随する方向へ流れる気流が発生するパーティション８で囲まれた領域では、ＦＦＵ２から発せられた清浄な空気のダウンフローの単位面積当たりの流量をミニエンバイロンメントＭＥ（図１参照）内の他の領域より大きくできる。その結果、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が流れを遮られた時でも、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。すなわち、グレーチング床４（図１参照）に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことが可能となる。
【００５０】
パーティション８で囲まれた領域に対応する位置の天井部に配置するＦＦＵ２の数を他の領域より多くする代わりに、図１０に示すように、パーティション８で囲まれた領域に対応する位置の天井部には、他の領域に配置されたＦＦＵ２より送風量の大きいＦＦＵ（第１送風機構）２Ｈを配置してもよい。このようなＦＦＵ２Ｈを用いることによっても、ＦＦＵ２Ｈから発せられた清浄な空気のダウンフローの単位面積当たりの流量をミニエンバイロンメントＭＥ（図１参照）内の他の領域より大きくできるので、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。すなわち、グレーチング床４に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことができる。
【００５１】
上記のような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
（実施の形態３）
図１１は、本実施の形態３のクリーンルームの構成の概略を示す断面図である。
【００５３】
図１１に示すように、本実施の形態３では、パーティション（仕切り壁）８として、前記実施の形態１におけるパーティション８（図１参照）のグレーチング床４から所定の高さの部分を取り除くことで形成した隙間（気流排出部）８Ａを有するものを用いる。本実施の形態３において、この隙間８Ａの高さは、ＲＧＶ７の走行領域に作業者が侵入してしまうことを防ぎ、作業者の安全を確保できる程度の高さ（たとえば約２０ｃｍ）とする。このような隙間８Ａを設けることにより、ＲＧＶ７の走行によってＲＧＶ７を追随する方向へ流れる気流が発生しても、その気流をパーティション８で囲まれた領域の外部へ逃がすことができる。それにより、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。すなわち、パーティション８で囲まれた領域では、グレーチング床４に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことができる。
【００５４】
上記の隙間８Ａを設ける代わりに、パーティション８を、たとえば図１２に示すような六角形のメッシュ状に加工され空洞部（気流排出部）８Ｄを有する金属（第１壁部）８Ｃから形成してもよい。このようなメッシュ状のパーティション８を用いることによっても、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流をパーティション８で囲まれた領域の外部へ逃がすことができる。それにより、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。すなわち、パーティション８で囲まれた領域では、グレーチング床４に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことができる。なお、メッシュの形状は、六角形以外の形状であってもよい。
【００５５】
上記のような本実施の形態３によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
（実施の形態４）
本実施の形態４は、前記実施の形態１で説明した排気ファン９（図５参照）の動作方法を変更したものである。
【００５７】
図１３に示すように、ＲＧＶ７（たとえば、図１参照）は、走行開始から常に一定の速度で走行しているのではなく、走行開始から所定の速度Ｖまでは連続的に加速し、速度Ｖに達すると加速を止めて定速走行となり、その後、停止位置が近づくと連続的に減速を行い、所定位置で停止する。ＲＧＶ７の走行によって、ＲＧＶ７を追随する方向へ流れる気流が発生するが、ＲＧＶ７が減速を開始すると、その気流の速度の方が大きくなり、ＲＧＶ７を追い越そうとする。しかしながら、ＲＧＶ７自体が障害物となり、その気流を遮ることになるため、その気流は、抵抗の最も少ない上方へと流れを変え、それに伴ってグレーチング床４に積もっていた塵埃が高く巻き上げられてしまうことになる。
【００５８】
そこで、本実施の形態４では、図１４に示すように、前記実施の形態１で説明した排気ファン９と同様の排気ファン９をパーティション８で囲まれた領域（パーティション８の配置された領域を含む）の下部に取り付ける。そして、たとえばＲＧＶ７が半導体製造装置５Ａの前で停止するような走行を行う場合に、排気ファン９のうち、ＲＧＶ７が減速および停止をする領域（第３領域）の下部に配置された排気ファン９Ａを稼動させるものである。グレーチング床４上に積もっていた塵埃の舞い上がりが懸念されるのは、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が上昇気流に転じた時であるから、排気ファン９Ａは、常時稼動させずにＲＧＶ７の走行時のみ稼動させる。それにより、ＲＧＶ７が走行していない時には、ミニエンバイロンメントＭＥ内全体でＦＦＵ２から発せられた清浄な空気を均一なダウンフローとすることができる。また、排気ファン９ＡをＲＧＶ７の走行時のみ稼動させることにより、排気ファン９Ａを含む排気ファン９の消費電力量を低減できるので、本実施の形態４の半導体生産ラインのランニングコストを低減することが可能となる。
【００５９】
その排気ファン９Ａを稼動させるタイミングであるが、本実施の形態４では、以下の第１から第３の手段を例示することができる。
【００６０】
第１の手段は、ＲＧＶ７の走行をはじめとするクリーンルームＣＲ内の各機器の動作を制御する制御機構（図示は省略）がＲＧＶ７に対して走行指示を出すタイミングで、その制御機構が排気ファン９Ａをオンにする指示を出すものである。
【００６１】
第２の手段は、ＲＧＶ７の走行領域に複数のセンサ（図示は省略）を設置し、そのセンサによってＲＶＧ７の走行を検知するものである。すなわち、各排気ファン９に対応したセンサを設置し、排気ファン９のうち上記排気ファン９Ａに対応するセンサがＲＶＧ７の走行を検知することによって、その排気ファン９ＡにＲＧＶ７が近づいてきていることを検知し、その排気ファン９Ａの稼動を開始するものである。本実施の形態４において、そのセンサとしては、ＲＧＶ７の走行を光学的に検出する光センサ、またはＲＧＶ７が接触することによってＲＧＶ７の走行を検知する接触型センサなどを例示することができる。
【００６２】
第３の手段は、ＲＧＶ７の走行領域に複数のカメラ（撮影手段（図示は省略））を設置し、そのカメラが撮影した画像を解析することによってＲＶＧ７の走行を検知するものである。すなわち、各排気ファン９に対応したカメラを設置し、そのカメラが撮影した画像に対してコンピュータ（図示は省略）によって処理を施し、排気ファン９のうち上記排気ファン９Ａに対応するカメラが撮影した画像からＲＶＧ７の走行を検知した時に、その排気ファン９Ａの稼動を開始するものである。本実施の形態４において、その画像に処理を施す手段としては、予めＲＧＶ７が走行していない時の画像をコンピュータ内に取り込んでおき、コンピュータがその予め取り込まれている画像とカメラが撮影した映像とを比較し、異なる映像と判断した時にＲＧＶ７の走行を検知する手段を例示することができる。
【００６３】
また、上記のように排気ファン９Ａを稼動させる手段を用いる代わりに、天井部に設けられたＦＦＵ２のうち、ＲＧＶ７が減速および停止をする領域の上部に他の領域より多く配置されたＦＦＵ２を稼動させてもよい。そのＦＦＵ２を稼動させるタイミングとしては、排気ファン９Ａを稼動させる場合と同様の手段を適用することができる。
【００６４】
上記のような本実施の形態４によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
（実施の形態５）
本実施の形態５は、前記実施の形態１における床材４Ｃの配置方法（図４参照）、前記実施の形態１における排気ファン９の設置方法（図５参照）、前記実施の形態２におけるＦＦＵ２またはＦＦＵ２Ｈの配置方法（図９または図１０参照）、および前記実施の形態３におけるパーティション８の配置方法をそれぞれ変形したものである。
【００６６】
前記実施の形態１で前述したように、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流は、その流れが遮られる領域で、抵抗の最も少ない上方へと流れを変え、グレーチング床４（図１参照）に積もっていた塵埃を巻き上げてしまうことが懸念される。特に、ＲＧＶ７の走行領域の最端部は、パーティション８および半導体製造装置５（あるいはストッカ６）などで平面的に囲まれてしまうことから、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流は平面的に逃げ場を失われ、上昇気流に転じやすくなる。
【００６７】
そこで、本実施の形態５では、図１５に示すように、パーティション８で囲まれた領域（パーティション８の配置された領域を含む）のうち、ＲＧＶ７の走行領域の最端部およびその周辺の領域の下部に、前記実施の形態１で説明した床材４Ｃ（図４参照）と同様の床材４Ｃを集中的に配置するものである。図１５中では、その床材４Ｃが配置された領域は梨地模様を施して示してある。床材４Ｃの開口率は、グレーチング床４を形成する他の床材４Ａの開口率より相対的に大きいので、その床材４Ｃが配置された領域では、グレーチング床４の下方へ気流が流れるのを妨げる抵抗を減少することができるので、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。その結果、塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことが可能となる。また、前記実施の形態１と同様に、床材４Ｃを用いる代わりに、その床材４Ｃが配置される領域の下部に、前記実施の形態１で説明した排気ファン９（図５参照）を取り付けてもよい。排気ファン９を取り付けることによっても、床材４Ｃを用いた場合と同様の効果を得ることができる。
【００６８】
また、上記床材４Ｃを用いる代わりに、図１６に示すように、パーティション８で囲まれた領域（パーティション８の配置された領域を含む）のうち、ＲＧＶ７の走行領域の最端部およびその周辺の領域に対応する天井部に、前記実施の形態１で説明したＦＦＵ２（図１参照）と同様のＦＦＵ２を集中的に配置する手段を用いてもよい。図１６中では、そのＦＦＵ２が配置された領域は梨地模様を施して示してある。ＦＦＵ２が集中的に配置されたことにより、ＲＧＶ７の走行領域の最端部およびその周辺の領域では、ＦＦＵ２から発せられた清浄な空気のダウンフローの単位面積当たりの流量をミニエンバイロンメントＭＥ（図１参照）内の他の領域より大きくできる。その結果、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が流れを遮られた時でも、その気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。すなわち、グレーチング床４に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことが可能となる。
【００６９】
また、上記のようにＦＦＵ２を集中的に配置する手段を用いる代わりに、図１７に示すように、上記ＲＧＶ７の走行領域の最端部およびその周辺の領域に対応する天井部に、前記実施の形態２で説明したＦＦＵ２より送風量の大きいＦＦＵ２Ｈ（図１０参照）と同様のＦＦＵ２Ｈを配置してもよい。このようなＦＦＵ２Ｈを用いることによっても、ＦＦＵ２Ｈから発せられた清浄な空気のダウンフローの単位面積当たりの流量をミニエンバイロンメントＭＥ内の他の領域より大きくできるので、ＲＧＶ７の走行領域の最端部およびその周辺の領域では、ＲＧＶ７の走行によって発生した気流が上昇気流となってしまうことを抑止することができる。すなわち、グレーチング床４に積もっていた塵埃が舞い上がってしまうことを防ぐことができる。また、上記ＦＦＵ２Ｈを用いずに、ＦＦＵ２Ｈが配置された位置にＦＦＵ２を配置し、ＲＧＶ７の走行の走行時のみそのＦＦＵ２の出力（送風量）を上昇することによって、ＲＧＶ７の走行領域の最端部およびその周辺の領域におけるＦＦＵ２から発せられた清浄な空気のダウンフローの流量を、ミニエンバイロンメントＭＥ（図１参照）内の他の領域より大きくしてもよい。
【００７０】
上記のような本実施の形態５によっても、前記実施の形態１〜３と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７２】
たとえば、前記実施の形態においては、ウエハをＦＯＵＰに収納して搬送する例について説明したが、ＦＯＵＰの代わりに他のカセットを用いてもよい。
【００７３】
また、前記実施の形態においては、ウエハが収納されたＦＯＵＰをＲＧＶによって搬送する例について説明したが、ＲＧＶの代わりにＡＧＶ、ＯＨＳ（Over Head Shuttle）またはＯＨＴ（Over-head Hoist Transportation）などを用いてもよい。
【００７４】
また、前記実施の形態では、半導体製造ラインにおけるクリーンルームの例について説明したが、半導体製造ライン以外でも、たとえば液晶ディプレイ製造ラインのクリーンルームにおいても本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明のクリーンルームの制御方法は、たとえば半導体製造ラインおよび液晶ディプレイ製造ラインなどにおけるクリーンルームで適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態１であるクリーンルームの構成の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１であるクリーンルームの内部構成の概略を示す要部平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１であるクリーンルーム内に設置されたグレーチング床を形成する床材の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１であるクリーンルーム内に設置されたグレーチング床の構成を示す要部平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１であるクリーンルームの構成の概略を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２であるクリーンルーム内に設置されたＦＦＵの配置方法を示す要部平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２であるクリーンルーム内に設置されたＦＦＵの配置方法を示す要部平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３であるクリーンルームの構成の概略を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３であるクリーンルーム内に設けられたパーティションの構造を示す説明図である。
【図１３】ＲＧＶの走行開始から停止までの速度を示す説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態４であるクリーンルームの構成の概略を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態５であるクリーンルーム内に設置されたグレーチング床の構成を示す要部平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態５であるクリーンルーム内に設置されたＦＦＵの配置方法を示す要部平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態５であるクリーンルーム内に設置されたＦＦＵの配置方法を示す要部平面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  外壁
２  ＦＦＵ（送風機構、第１送風機構、第２送風機構）
２Ａ  ＨＥＰＡフィルタ
２Ｂ  送風機
２Ｈ  ＦＦＵ（第１送風機構）
３  内壁
４  グレーチング床
４Ａ  床材
４Ｂ  貫通孔（第１開口部）
４Ｃ  床材
５  半導体製造装置
６  ストッカ
７  ＲＧＶ（搬送台車）
８  パーティション（仕切り壁）
８Ａ  隙間（気流排出部）
８Ｃ  金属（第１壁部）
８Ｄ  空洞部（気流排出部）
９  排気ファン（排気機構）
９Ａ  排気ファン（排気機構）
１１  基板
１２  素子分離部
１３  ｐ型ウェル
１４  ｎ型ウェル
１５  ゲート絶縁膜
１６  ゲート電極
１７  キャップ絶縁膜
１８  ｎ型半導体領域
１８Ａ  ｎ型拡張領域
１８Ｂ  ｎ型拡散領域
１９  ｐ型半導体領域
１９Ａ  ｐ型拡張領域
１９Ｂ  ｐ型拡散領域
２０  サイドウォールスペーサ
２１  シリサイド層
２２  酸化シリコン膜
２３  接続孔
２４  プラグ
２５  配線
２６  層間絶縁膜
２７  接続孔
２８  プラグ
２９  ストッパ絶縁膜
３０  絶縁膜
３１  配線溝
３２  配線
ＣＲ  クリーンルーム
ＭＥ  ミニエンバイロンメント
Ｑｎ  ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
Ｑｐ  ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
【図１】
2005083599.tif 000003
【図２】
2005083599.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005083599.tif 000009
【図８】
2005083599.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2005083599.tif 000013
【図１２】
2005083599.tif 000014
【図１３】
2005083599.tif 000015
【図１４】
2005083599.tif 000016
【図１５】
2005083599.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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