(57)【要約】【課題】アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーを提供する。【解決手段】電磁石装置２を収納する収納部を有し表面に固定接点１４が固着されたベース基板１と、ベース基板１の表面に固着されるフレーム部３１、支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持され電磁石装置２により駆動されるアーマチュア３０、アーマチュア３０に接圧ばね部３５を介して取着される可動接点基台部３４に固着された可動接点を有するアーマチュアブロック３と、フレーム部３１におけるベース基板１と反対側の面に周部が固着されたカバー４とを備え、電磁石装置２は、コイル巻回部２０ａの両端部から一方向に脚片２０ｂが延設されたヨーク２０と、両脚片２０ｂの先端部間に介装される永久磁石２５と、コイル巻回部２０ａに巻回されたコイル２２とを備える。【選択図】図１
2005216545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヨークに巻回されたコイルおよび前記ヨークの両磁極間に介装される永久磁石を有し前記コイルへの励磁電流に応じて前記ヨークの両磁極が異極に励磁される電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が形成され且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠状のフレーム部および該フレーム部の枠内に配置され支持ばね部を介してフレーム部に揺動自在に支持されるとともに前記ヨークの磁極に吸着されて揺動するアーマチュアおよび当該アーマチュアに前記固定接点に対向して設けられアーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を具備するアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーとを備え、
前記ヨークは、前記コイルが巻回される細長のコイル巻回部と、当該コイル巻回部の両端部それぞれから前記アーマチュアに近づく向きに延設され前記コイルへの励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片とを備え、前記永久磁石は、前記一対の脚片の先端部の間に介装され、各脚片の先端部に対向する両端部と前記アーマチュアの揺動中心に対応する中間部とが互いに異極に着磁されたことを特徴とするマイクロリレー。
【請求項２】
ヨークに巻回されたコイルおよび前記ヨークと共に磁気回路を構成する永久磁石を有し前記コイルへの励磁電流に応じて前記ヨークの両磁極が異極に励磁される電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が形成され且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠状のフレーム部および該フレーム部の枠内に配置され支持ばね部を介してフレーム部に揺動自在に支持されるとともに前記ヨークの磁極に吸着されて揺動するアーマチュアおよび当該アーマチュアに前記固定接点に対向して設けられアーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を具備するアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーとを備え、
前記ヨークは、細長の連結部と該連結部の長手方向における両端部からそれぞれ一方向に突出する前記連結部よりも短いコイル巻回部とを具備し、短手側の各コイル巻回部にコイルがそれぞれ巻回されて、各コイル巻回部の先端部の磁極を前記アーマチュア側に向けて配置され、前記コイルへの励磁電流に応じて両コイル巻回部の磁極が互いに異極に励磁されており、前記永久磁石は、前記連結片における前記アーマチュアの揺動中心に対応する部位に前記アーマチュア側に重ねて配置され重ね方向の両面が異極に着磁されてなることを特徴とするマイクロリレー。
【請求項３】
上記コイルの巻線が、絶縁被覆の上に自己融着性の融着層が設けられた自己融着線からなることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリレー。
【請求項４】
前記アーマチュアは、前記フレーム部の枠内に配置され前記支持ばね部を介して前記フレーム部に支持された薄板状の可動基台部と、可動基台部において前記電磁石装置側に固着された磁性体材料からなる薄板状の磁性体部とで構成され、前記アーマチュアブロックは、前記フレーム部、前記支持ばね部、前記可動基台部が１枚の半導体基板を加工することにより形成されてなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載のマイクロリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、静電駆動型のマイクロリレーに比べて駆動力を大きくできるマイクロリレーとして、電磁石装置の電磁力を利用してアーマチュアを駆動し接点を開閉するようにしたマイクロリレーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここにおいて、上記特許文献１に開示されたマイクロリレーは、厚み方向の一表面側において長手方向の両端部に各一対の固定接点が設けられ且つ２つの電磁石装置が挿入される２つの挿入孔が長手方向に離間して形成された矩形板状のセラミック基板からなるベース基板と、矩形枠状のフレーム部およびフレーム部の内側に配置されて一対の枢支部を介してフレーム部に揺動自在に支持され各電磁石装置に対向する部位それぞれに永久磁石が設けられたアーマチュアおよびアーマチュアの両端部に固着された可動接点を有するアーマチュアブロックと、ベース基板の周部とアーマチュアブロックのフレーム部との間に介在する矩形枠状のスペーサとを備えている。なお上記特許文献１に開示されたマイクロリレーでは、静電駆動型のマイクロリレーに比べて駆動力を大きくできるので、接点圧を大きくできて耐衝撃性および信頼性を高めることができるという利点や、アーマチュアの駆動ストロークを大きくできて接点開成時の可動接点と固定接点との間の距離を大きくすることができて高周波特性（アイソレーション特性）の向上を図れるという利点や、低電圧駆動が可能となるという利点などがある。
【特許文献１】特開平５−１１４３４７号公報（段落番号〔００３３〕−〔００３６〕、図１１−図１３参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１に開示されたマイクロリレーでは、アーマチュアにおいて各電磁石装置との対向面に２つの永久磁石を設けてあり、ベース基板の周部とアーマチュアブロックのフレーム部との間に厚み寸法の比較的大きなスペーサを介在させる必要があるので、リレー全体としての厚み寸法が大きくなってしまう。また、上記特許文献１に開示されたマイクロリレーでは、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が外気に曝されて酸化したり固定接点と可動接点との間に異物などが侵入する恐れがあるので、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側にカバーを設けて、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置されるようにすることが望ましいと考えられる。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的とするところはは、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、ヨークに巻回されたコイルおよび前記ヨークの両磁極間に介装される永久磁石を有し前記コイルへの励磁電流に応じて前記ヨークの両磁極が異極に励磁される電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が形成され且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠状のフレーム部および該フレーム部の枠内に配置され支持ばね部を介してフレーム部に揺動自在に支持されるとともに前記ヨークの磁極に吸着されて揺動するアーマチュアおよび当該アーマチュアに前記固定接点に対向して設けられアーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を具備するアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーとを備え、前記ヨークは、前記コイルが巻回される細長のコイル巻回部と、当該コイル巻回部の両端部それぞれから前記アーマチュアに近づく向きに延設され前記コイルへの励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片とを備え、前記永久磁石は、前記一対の脚片の先端部の間に介装され、各脚片の先端部に対向する両端部と前記アーマチュアの揺動中心に対応する中間部とが互いに異極に着磁されたことを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、ヨークに巻回されたコイルおよび前記ヨークと共に磁気回路を構成する永久磁石を有し前記コイルへの励磁電流に応じて前記ヨークの両磁極が異極に励磁される電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が形成され且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠状のフレーム部および該フレーム部の枠内に配置され支持ばね部を介してフレーム部に揺動自在に支持されるとともに前記ヨークの磁極に吸着されて揺動するアーマチュアおよび当該アーマチュアに前記固定接点に対向して設けられアーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を具備するアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーとを備え、前記ヨークは、細長の連結部と該連結部の長手方向における両端部からそれぞれ一方向に突出する前記連結部よりも短いコイル巻回部とを具備し、短手側の各コイル巻回部にコイルがそれぞれ巻回されて、各コイル巻回部の先端部の磁極を前記アーマチュア側に向けて配置され、前記コイルへの励磁電流に応じて両コイル巻回部の磁極が互いに異極に励磁されており、前記永久磁石は、前記連結片における前記アーマチュアの揺動中心に対応する部位に前記アーマチュア側に重ねて配置され重ね方向の両面が異極に着磁されてなることを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、上記コイルの巻線が、絶縁被覆の上に自己融着性の融着層が設けられた自己融着線からなることを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の何れか１つの発明において、前記アーマチュアは、前記フレーム部の枠内に配置され前記支持ばね部を介して前記フレーム部に支持された薄板状の可動基台部と、可動基台部において前記電磁石装置側に固着された磁性体材料からなる薄板状の磁性体部とで構成され、前記アーマチュアブロックは、前記フレーム部、前記支持ばね部、前記可動基台部が１枚の半導体基板を加工することにより形成されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明によれば、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーを備えていることにより、アーマチュアおよび固定接点および可動接点を密閉空間内に配置することができる。しかも、電磁石装置の永久磁石はヨークの両脚片の先端部間に介装されているので、電磁石装置を収納するベース基板の厚みを厚くすることなく永久磁石を配置することができ、アーマチュアに永久磁石を配置した従来例のようにアーマチュアブロックとベース基板との間にスペーサを介在させる必要がないので、リレー全体を薄型化できるという効果もある。
【００１１】
請求項２の発明によれば、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーを備えていることにより、アーマチュアおよび固定接点および可動接点を密閉空間内に配置することができる。しかも、電磁石装置のヨークは、連結部と、連結部の長手方向における両端部からそれぞれ一方向に突出するコイル巻回部とを有し、このヨークの短手側の両コイル巻回部にコイルがそれぞれ巻回されており、永久磁石は連結部におけるアーマチュアの揺動中心に対応する部位にアーマチュア側に重ねて配置されているので、電磁石装置の高さ寸法を小さくでき、したがって電磁石装置を収納するベース基板の厚みを厚くすることなく永久磁石を配置することができるから、アーマチュアに永久磁石を配置した従来例のようにアーマチュアブロックとベース基板との間にスペーサを介在させる必要がないので、リレー全体を薄型化できるという効果もある。
【００１２】
また請求項３の発明によれば、コイルの巻線に、絶縁被覆の上に自己融着性の融着層が設けられた自己融着線を用いているので、融着層を溶融させることでコイルを固着できるから、ボビンを不要にでき、コイルを一層小型化できるという効果がある。
【００１３】
また請求項４の発明によれば、半導体基板に対して半導体微細加工プロセスを行うことによって前記アーマチュアブロックの大部分を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
先ず本発明に係るマイクロリレーの基本構成を図７〜図１０に基づいて説明する。このマイクロリレーは、ヨーク２０に巻回されたコイル２２，２２への励磁電流に応じてヨーク２０の両磁極（両脚片２０ｂの先端面）が異極に励磁される電磁石装置２と、矩形板状のガラス基板からなり電磁石装置２を収納する収納部を有し厚み方向の一表面側において長手方向の両端部それぞれに各一対の固定接点１４が設けられたベース基板１と、ベース基板１の上記一表面側において収納部の周部に固着される枠状（矩形枠状）のフレーム部３１およびフレーム部３１の枠内に配置されて４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持されるとともにヨーク２０の磁極に吸着されて揺動するアーマチュア３０およびアーマチュア３０にそれぞれ２本の接圧ばね部３５を介して支持されそれぞれ可動接点３９が設けられた２つの可動接点基台部３４を有するアーマチュアブロック３と、アーマチュアブロック３におけるベース基板１とは反対側で周部がフレーム部３１に固着された矩形板状のガラス基板からなるカバー４とを備えている。
【００１６】
電磁石装置２のヨーク２０は、２つのコイル２２，２２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部２０ａと、コイル巻回部２０ａの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きに延設されコイル２２，２２への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片２０ｂ，２０ｂとで構成され、このヨーク２０と、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの間でコイル巻回部２０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石２１と、細長の矩形板状であってヨーク２０のコイル巻回部２０ａにおける永久磁石２１との対向面とは反対側でコイル巻回部２０ａと直交するようにコイル巻回部２０ａに固着されるプリント基板２３とを電磁石装置２は備えている。なおヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が矩形状に形成されている。
【００１７】
永久磁石２１は、コイル巻回部２０ａとの重ね方向（厚み方向）の両面それぞれの磁極面２１ａ，２１ｂが異極に着磁されており、一方の磁極面２１ｂがヨーク２０のコイル巻回部２０ａに当接し、他方の磁極面２１ａがヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。
【００１８】
各コイル２２，２２はそれぞれ、永久磁石２１とヨーク２０の脚片２０ｂ，２０ｂとによって口軸方向（つまり、コイル巻回部２０ａの長手方向）への移動が規制される。プリント基板２３は、絶縁基板２３ａの一表面における長手方向の両端部に導体パターン２３ｂが形成されており、各導体パターン２３ｂにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極を構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部を構成している（図８参照）。ここにおいて、各コイル接続部にはコイル２２，２２の端末が電気的に接続されるが、コイル２２，２２は、外部接続用電極間に電源を接続してコイル２２，２２へ励磁電流を流したときにヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。なお各導体パターン２３ｂにおける外部接続用電極には、導電性材料（例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田など）からなるバンプ２４が適宜固着されるが、バンプ２４を固着する代わりに、ボンディングワイヤをボンディングしてもよい。
【００１９】
ベース基板１は、パイレックス（Ｒ）のような耐熱ガラスにより形成されており、外周形状が矩形状であって、中央部には厚み方向に貫通し電磁石装置２を収納する収納孔１６が貫設され、収納孔１６を挟んで長手方向両端部には厚み方向に貫通する各３個のスルーホール１０が短手方向に並べて貫設されている。またベース基板１の厚み方向の両面であって各スルーホール１０それぞれの周縁にはランド１２が形成されている。ここに、ベース基板１の厚み方向において重なるランド１２同士はスルーホール１０の内周面に被着された導電性材料（例えばＣｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金など）からなる導体層（図示せず）により電気的に接続されている。また、ベース基板１の厚み方向の他表面側の各ランド１２にはバンプ１３が適宜固着されており、バンプ１３をランド１２に固着することによって、ベース基板１の上記他表面側ではスルーホール１０の開口面がバンプ１３により覆われる。スルーホール１０の開口面は円形状であって、ベース基板１の上記一表面には、それぞれスルーホール１０の開口面およびランド１２を覆う６枚のシリコン薄膜からなる蓋体１９が固着されている。
【００２０】
また、上述した各一対の固定接点１４は、ベース基板１の長手方向両端部においてベース基板１の角部に配置される２つのスルーホール１０の間でベース基板１の短手方向に並設されており、これら２つのスルーホール１０の周縁に形成されたランド１２に導電パターン１８ａを介して電気的に接続されている。またベース基板１の長手方向両端部には、固定接点１４よりも外側にベース基板１の短手方向に沿って延びる導電パターン１８ｂが形成されており、この導電パターン１８ｂは上記短手方向中央部のスルーホール１０の周縁に形成されたランド１２に電気的に接続されている。マイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には導電パターン１８ｂがスルーホール１０およびランド１２を介して実装基板に形成されたグランドパターンに電気的に接続されるので、静電ノイズを遮断してマイクロリレーの高周波特性を向上させることができる。ここに、固定接点１４および導電パターン１８ａ，１８ｂおよびランド１２の材料としては、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金などの導電性材料を採用すればよく、バンプ１３の材料としては、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田などの導電性材料を採用すればよい。なお上述の導体層は、例えばめっき法、蒸着法、スパッタ法などによって形成すればよい。なお、このマイクロリレーでは、蓋体１９がスルーホール１０の開口面を閉塞する閉塞手段を構成し、ベース基板１の上記他表面側におけるランド１２が接続用電極を構成している。
【００２１】
また収納孔１６の開口面は十字状であって、上記一表面側には、収納孔１６を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体１７が固着されている。また収納孔１６は、ベース基板１の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて徐々に開口面積が大きくなるテーパ形状となっているので、ベース基板１の上記他表面側から電磁石装置２を挿入しやすく、且つ、ベース基板１の上記一表面における収納孔１６の開口面積を比較的小さくすることができる。
【００２２】
ここで電磁石装置２は、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの各先端面（磁極面）が蓋体１７と対向する形で収納孔１６に挿入される。なお、このマイクロリレーでは収納孔１６の内周面と蓋体１７とで囲まれる空間が電磁石装置２を収納する収納部を構成しており、電磁石装置２は、永久磁石２１がベース基板１の厚み寸法内でアーマチュア３０とヨーク２０とにより形成される磁路中に設けられ、プリント基板２３における絶縁基板２３ａの表面がベース基板１の上記他表面と略面一となっている。なお蓋体１７，１９は、シリコン基板をエッチングや研磨などで薄膜化することにより形成したシリコン薄膜で構成されており、厚み寸法を２０μｍに設定してある。ここに蓋体１７，１９の厚み寸法は２０μｍに限定するものではなく、例えば５μｍ〜５０μｍ程度の範囲内で適宜設定すればよい。また蓋体１７，１９は、シリコン薄膜に限らず、ガラス基板をエッチングや研磨などで薄膜化することにより形成したガラス薄膜により構成してもよい。
【００２３】
アーマチュアブロック３は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセス（ＭＥＭＳプロセス）により加工することによって、上述の矩形枠状のフレーム部３１と、上述の４本の支持ばね３２と、フレーム部３１の枠内に配置されアーマチュア３０の一部を構成する矩形板状の可動基台部３０ａと、上述の４本の接圧ばね３５と、上述の２つの可動接点基台部３４とを形成してあり、可動基台部３０ａと、可動基台部３０ａにおけるベース基板１との対向面に固着された磁性体（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなど）からなる矩形板状の磁性体部３０ｂとでアーマチュア３０を構成している。したがって、アーマチュア３０が４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持されている。なお、可動基台部３０ａはフレーム部３１よりも薄肉であり、アーマチュア３０の厚み寸法は、アーマチュアブロック３とベース基板１とを固着した状態においてアーマチュア３０の磁性体部３０ｂと蓋体１７との間に所定のギャップが形成されるように設定されている。
【００２４】
上述の支持ばね部３２は、可動基台部３０ａの短手方向の両側面側で可動基台部３０ａの長手方向に離間して２箇所に形成されている。各支持ばね部３２は、一端部がフレーム部３１に連続一体に連結され他端部が可動基台部３０ａに連続一体に連結されている。なお各支持ばね部３２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてあり、アーマチュア３０が揺動する際に各支持ばね部３２にかかる応力を分散させることで、各支持ばね部３２の破損を防止している。
【００２５】
また可動基台部３０ａは、短手方向の両側縁の中央部から矩形状の突片３６が連続一体に延設され、フレーム部３１の内周面において突片３６に対応する部位からも矩形状の突片３７が連続一体に延設されている。すなわち、可動基台部３０ａから延設された突片３６とフレーム部３１から延設された突片３７とは互いの先端面同士が対向している。ここに、可動基台部３０ａから延設された各突片３６の先端面には凸部３６ａが形成されており、フレーム部３１から延設された各突片３７の先端面には、凸部３６ａが入り込む凹部３７ａが形成されている。したがって、凸部３６ａが凹部３７ａの内周面に当接することでフレーム部３１の厚み方向に直交する面内におけるアーマチュア３０の移動が規制される。また各突片３６におけるベース基板１との対向面には支点突起３６ｂを突設してあり、このような一対の支点突起３６ｂを設けることでアーマチュア３０の揺動動作をより安定させることができる。なおアーマチュア３０の同一の側縁側に配設される２つの支持ばね部３２は、突片３６の両側に位置している。
【００２６】
またアーマチュアブロック３は、アーマチュア３０の長手方向においてアーマチュア３０の両端部とフレーム部３１との間にそれぞれ可動接点基台部３４が配置されている。各可動接点基台部３４は上述の２本の接圧ばね部３５を介して可動基台部３０ａに支持されており、各可動接点基台部３４におけるベース基板１との対向面に導電性材料からなる可動接点３９が固着されている。なお可動基台部３０ａは上述のように矩形板状に形成されており、磁性体部３０ｂの変位量を制限するストッパ部３３が四隅それぞれから連続一体に延設されており、接圧ばね部３５の平面形状は、ストッパ部３３の外周縁の３辺に沿ったコ字状に形成されている。このストッパ部３３は、ベース基板１の上記一表面と接触することにより磁性体部３０ｂの変位量を制限する。
【００２７】
なおアーマチュアブロック３は、上述の説明から分かるように、フレーム部３１、可動基台部３０ａ、支持ばね部３２、可動接点基台部３４、接圧ばね部３５が上述の半導体基板の一部により構成されている。半導体基板としては例えば厚み寸法が２００μｍ程度のシリコン基板を用いればよいが、当該厚み寸法は特に限定するものではなく、例えば５０μｍ〜３００μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。また可動接点基台部３４の厚み寸法と可動接点３９の厚み寸法との合計寸法についても、接点開成状態において可動接点３９と固定接点１４との間の距離が所定距離となるように設定されている。
【００２８】
一方、カバー４は、パイレックス（Ｒ）のような耐熱ガラスにより構成されており、アーマチュアブロック３との対向面にアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所４ａが形成されている。
【００２９】
ところで、上述のアーマチュアブロック３のフレーム部３１におけるカバー４との対向面の周部には全周に亙って接合用金属薄膜３８が形成され、ベース基板１との対向面の周部には全周に亙って接合用金属薄膜（図示せず）が形成されている。また、ベース基板１におけるアーマチュアブロック３との対向面の周部にも全周に亙って接合用金属薄膜１５が形成され、カバー４におけるアーマチュアブロック３との対向面の周部にも全周に亙って接合用金属薄膜（図示せず）が形成されている。而してアーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを圧接または陽極接合により気密的に接合することができ、ベース基板１とカバー４とフレーム部３１とで囲まれる空間の気密性が向上する。すなわちアーマチュア３０、可動接点３９、固定接点１４などを収納する空間（この空間を接点チャンバと言う）の気密性を高めることができる。なお接合用金属薄膜１５，３８の材料としては、例えばＡｕ，Ａｌ−Ｓｉなどを採用すればよい。
【００３０】
以上説明したマイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には、例えばベース基板１の上記他表面側において露出した２個のバンプ２４および６個のバンプ１３をそれぞれ上記実装基板の一表面側に形成された導体パターンに接続すればよい。
【００３１】
次に、このマイクロリレーの製造方法について簡単に説明する。このマイクロリレーの製造にあたっては、半導体基板たるシリコン基板をリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工プロセス（マイクロマシンニング技術）により加工してフレーム部３１、支持ばね部３２、接圧ばね部３５、可動接点基台部３４、アーマチュア３０の一部を構成する可動基台部３０ａを形成した後で可動基台部３０ａにおいてベース基板１側となる一面に磁性体からなる磁性体部３０ｂを固着し且つ可動接点基台部３４に可動接点３９を固着することでアーマチュアブロック３を形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４を圧接または陽極接合により固着することでベース基板１とカバー４とアーマチュアブロック３のフレーム部３１とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でベース基板１の収納部に電磁石装置２を収納してベース基板１に固定する電磁石装置配設工程とを備えている。
【００３２】
ここにおいて、ベース基板１の形成にあたっては、ベース基板１の基礎となるガラス基板において収納部に対応する部位に厚み方向に貫通する収納孔１６を形成するとともにガラス基板の長手方向両端部に厚み方向に貫通する各３個のスルーホール１０を短手方向に並べて形成した後、ランド１２、固定接点１４、導電パターン１８ａ，１８ｂ、導体層などを形成してから、上記ガラス基板において固定接点１４を設けた側の表面に収納孔１６およびスルーホール１０の両方を覆う薄膜（例えば、シリコン薄膜、ガラス薄膜など）を固着し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔１６およびスルーホール１０それぞれの開口面を個別に閉塞する蓋体１７，１９を形成すればよい。なお収納孔１６およびスルーホール１０はエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。
【００３３】
またカバー４の形成にあたっては、カバー４の基礎となるガラス基板において凹所４ａを形成した後、接合用金属薄膜を形成すればよい。ここに凹所４ａはエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。
【００３４】
なお、このマイクロリレーはベース基板１およびカバー４それぞれがガラス基板を加工することで形成されているが、ベース基板１とカバー４との一方あるいは両方を、シリコン基板を加工することにより形成してもよい。またベース基板１およびカバー４をそれぞれガラス基板に限定し、アーマチュアブロック３の元となる半導体基板をシリコン基板に限定すれば、上記接合用金属薄膜１５，３８を設けなくてもアーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを陽極接合により気密的に接合することができる。なお上述のアーマチュアブロック３を多数形成したウェハと、上述のベース基板１を多数形成したウェハおよび上述のカバー４を多数形成したウェハとを圧接または陽極接合により固着してからダイシング工程などによって個々のマイクロリレーに分割してもよいことは勿論である。
【００３５】
次にマイクロリレーの動作について簡単に説明する。このマイクロリレーでは、コイル２２，２２への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体部３０ｂの長手方向の一端部がヨーク２０の一方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸着されてアーマチュア３０が揺動し、ヨーク２０→磁性体部３０ｂ→永久磁石２１→ヨーク２０の閉磁路が形成されて、長手方向一端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触し、一対の固定接点１４，１４の間が可動接点３９を介して導通するとともに、アーマチュア３０の長手方向他端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４から開離し、一対の固定接点１４，１４の間が開放される。この状態でコイル２２，２２への通電が停止されると、永久磁石２１の発生する磁束によって上記閉磁路がそのまま維持され、磁性体部３０ｂの長手方向一端側がヨーク２０の一方の脚片２０ｂに吸着された状態が保たれる。
【００３６】
またコイル２２，２２への通電方向を逆向きにすると、磁性体部３０ｂの長手方向の他端部がヨーク２０の他方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸着されてアーマチュア３０が反対側に揺動し、一対の固定接点１４，１４に接触していた可動接点３９が開離すると共に、アーマチュア３０の長手方向他端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触し、一対の固定接点１４，１４の間が可動接点３９を介して導通する。この状態においてもコイル２２，２２への通電を停止すると、永久磁石２１の発生する磁束によって吸着力が維持されて、そのままの状態が保持され、いわゆる双安定動作が行われる。
【００３７】
ところで、上述したマイクロリレーは、常開接点と常閉接点とを１極ずつ備えた双極単投型の接点構成を備えており、アーマチュア３０の揺動方向における両端部に可動接点基台部３４を設けているため、リレー全体の長手方向寸法が長くなっていた。ここで、常開接点又は常閉接点を１極のみ備えた単極単投型のマイクロリレーが必要な場合に、双極単投型と単極単投型のリレーでアーマチュアブロック３を共通化するために、ベース基板１の片側部に設けた一対の固定接点１４をグランドに短絡させて常閉接点（又は常開接点）の機能を失わせることで、常開接点（又は常閉接点）を１極だけ備えた単極単投型の接点構成を有するマイクロリレーを実現した場合にはリレー全体の長手方向寸法が長くなるという問題があった。そこで、常開接点（又は常閉接点）を１極だけ備えた単極単投型の接点構成を有するマイクロリレーが必要な場合には図１１〜図１４に示すように、上述したマイクロリレーにおいて長手方向の一端側に設けた一対の固定接点１４と他端側のコイル２２を省略してベース基板１の全長を短くするのが望ましい。
【００３８】
以下に常開接点又は常閉接点を１極のみ備えたマイクロリレーについて図１１〜図１４を参照して簡単に説明する。尚、上述したマイクロリレーと共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３９】
このマイクロリレーが備える電磁石装置２のヨーク２０は、コイル２２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部２０ａと、コイル巻回部２０ａの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きに延設された一対の脚片２０ｂ，２０ｂとで構成され、このヨーク２０と、コイル巻回部２０ａにおける両脚片２０ｂ，２０ｂの間でアーマチュア３０の揺動中心に対応する部位に重ねて配置された矩形板状の永久磁石２１と、細長の矩形板状であってヨーク２０のコイル巻回部２０ａにおける永久磁石２１との対向面とは反対側でコイル巻回部２０ａと直交するようにコイル巻回部２０ａに固着されるプリント基板２３とを電磁石装置２は備えている。なおヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が矩形状に形成されている。
【００４０】
コイル２２は、コイル巻回部２０ａにおける永久磁石２１と一方の脚片２０ｂとの間の部位に巻回されており、永久磁石２１と脚片２０ｂとによって口軸方向への移動が規制される。またプリント基板２３は、絶縁基板２３ａの一表面における長手方向の両端部に導体パターン２３ｂが形成されており、各導体パターン２３ｂにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極を構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部を構成している（図１２参照）。ここにおいて、各コイル接続部にはコイル２２の端末が接続され、外部接続用電極間に電源を接続してコイル２２に励磁電流を流したときに、コイル２２が巻回された側の脚片２０ｂ先端面に磁束が発生して、この脚片２０ｂの先端面にアーマチュア３０が吸着されることで、アーマチュア３０が揺動する。なお各導体パターン２３ｂにおける外部接続用電極には、導電性材料（例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田など）からなるバンプ２４が適宜固着されるが、バンプ２４を固着する代わりに、ボンディングワイヤをボンディングしてもよい。
【００４１】
ベース基板１は、パイレックス（Ｒ）のような耐熱ガラスにより形成されており、外周形状が矩形状であって、中央部には厚み方向に貫通し電磁石装置２を収納する収納孔１６が貫設され、長手方向におけるコイル２２側の一端部には厚み方向に貫通する３個のスルーホール１０が短手方向に並べて貫設されている。またベース基板１の厚み方向の両面であって各スルーホール１０それぞれの周縁にはランド１２が形成されている。ここに、ベース基板１の厚み方向において重なるランド１２同士はスルーホール１０の内周面に被着された導電性材料（例えばＣｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金など）からなる導体層（図示せず）により電気的に接続されている。また、ベース基板１の厚み方向の他表面側の各ランド１２にはバンプ１３が適宜固着されており、バンプ１３をランド１２に固着することによって、ベース基板１の上記他表面側ではスルーホール１０の開口面がバンプ１３により覆われる。スルーホール１０の開口面は円形状であって、ベース基板１の上記一表面には、それぞれスルーホール１０の開口面およびランド１２を覆う３枚のシリコン薄膜からなる蓋体１９が固着されている。
【００４２】
また、上述した一対の固定接点１４は、ベース基板１の長手方向におけるコイル２２側の一端部において、ベース基板１の角部に形成された２つのスルーホール１０の間でベース基板１の短手方向に並設されており、これら２つのスルーホール１０の周縁に形成されたランド１２と導電パターン１８ａを介して電気的に接続されている。またベース基板１の長手方向におけるコイル２２側の一端部には、固定接点１４よりも外側にベース基板１の短手方向に沿って延びる導電パターン１８ｂが形成されており、この導電パターン１８ｂは、ベース基板１の短手方向中央部のスルーホール１０の周縁に形成されたランド１２に電気的に接続されている。マイクロリレーを実装基板に実装する際には導電パターン１８ｂがスルーホール１０およびランド１２を介して実装基板に形成されたグランドパターンに電気的に接続されるので、導電パターン１２ｂにより静電ノイズを遮断してマイクロリレーの高周波特性を向上させることができる。
【００４３】
ここで電磁石装置２は、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの各先端面が蓋体１７と対向する形で（つまりアーマチュア３０側に向けて）収納孔１６に挿入される。なお、このマイクロリレーでは収納孔１６の内周面と蓋体１７とで囲まれる空間が電磁石装置２を収納する収納部を構成しており、電磁石装置２は、永久磁石２１がベース基板１の厚み寸法内でアーマチュア３０とヨーク２０とにより形成される磁路中に設けられ、プリント基板２３における絶縁基板２３ａの表面がベース基板１の上記他表面と略面一となっている。
【００４４】
一方、アーマチュアブロック３は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセス（ＭＥＭＳプロセス）により加工することによって、上述の矩形枠状のフレーム部３１と、上述の４本の支持ばね３２と、フレーム部３１の内側に配置されアーマチュア３０の一部を構成する矩形板状の可動基台部３０ａと、上述の２本の接圧ばね３５と、上述の１つの可動接点基台部３４とを形成してあり、可動基台部３０ａと、可動基台部３０ａにおけるベース基板１との対向面に固着された磁性体（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなど）からなる矩形板状の磁性体部３０ｂとでアーマチュア３０を構成している。すなわちアーマチュア３０は４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持されている。
【００４５】
またアーマチュアブロック３は、アーマチュア３０の長手方向においてコイル２２側のアーマチュア３０の一端部とフレーム部３１との間に可動接点基台部３４が配置されている。可動接点基台部３４は２本の接圧ばね部３５を介して可動基台部３０ａに支持されており、可動接点基台部３４におけるベース基板１との対向面に導電性材料からなる可動接点３９が固着されている。なお可動基台部３０ａは上述のように矩形板状に形成されており、磁性体部３０ｂの変位量を制限するストッパ部３３が長手方向の一端側の左右の角部から連続一体に延設されており、接圧ばね部３５の平面形状は、ストッパ部３３の外周縁の３辺に沿ったコ字状に形成されている。なおストッパ部３３は、ベース基板１の上記一表面と接触することにより磁性体部３０ｂの変位量を制限するものである。
【００４６】
アーマチュアブロック３は、上述の説明から分かるように、フレーム部３１、可動基台部３０ａ、支持ばね部３２、可動接点基台部３４、接圧ばね部３５が上述の半導体基板の一部により構成されている。半導体基板としては例えば厚み寸法が２００μｍ程度のシリコン基板を用いればよいが、当該厚み寸法は特に限定するものではなく、例えば５０μｍ〜３００μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。また可動接点基台部３４の厚み寸法と可動接点３９の厚み寸法との合計寸法についても、接点開成状態において可動接点３９と固定接点１４との間の距離が所定距離となるように設定されている。
【００４７】
一方、カバー４は、パイレックス（Ｒ）のような耐熱ガラスにより構成されており、アーマチュアブロック３との対向面にアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所４ａが形成されている。
【００４８】
ここで、上述のアーマチュアブロック３のフレーム部３１におけるカバー４との対向面の周部には全周に亙って接合用金属薄膜３８が形成され、ベース基板１との対向面の周部には全周に亙って接合用金属薄膜（図示せず）が形成されている。また、ベース基板１におけるアーマチュアブロック３との対向面の周部にも全周に亙って接合用金属薄膜１５が形成され、カバー４におけるアーマチュアブロック３との対向面の周部にも全周に亙って接合用金属薄膜（図示せず）が形成されている。而してアーマチュアブロック３とベース基板１およびカバー４とを圧接または陽極接合により気密的に接合することができ、ベース基板１とカバー４とフレーム部３１とで囲まれる空間の気密性が向上する。すなわちアーマチュア３０、可動接点３９、固定接点１４などを収納する空間（この空間を接点チャンバと言う）の気密性を高めることができる。なお接合用金属薄膜１５，３８の材料としては、例えばＡｕ，Ａｌ−Ｓｉなどを採用すればよい。
【００４９】
以上説明したマイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には、例えばベース基板１の上記他表面側において露出した２個のバンプ２４および３個のバンプ１３をそれぞれ上記実装基板の一表面側に形成された導体パターンに接続すればよい。
【００５０】
以下に、このマイクロリレーの動作について簡単に説明する。このマイクロリレーでは、コイル２２への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体部３０ｂのコイル２２側の一端部がヨーク２０の一方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸引されてアーマチュア３０が揺動し、ヨーク２０→磁性体部３０ｂ→永久磁石２１→ヨーク２０の閉磁路が形成されて、可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触し、一対の固定接点１４，１４の間が可動接点３９を介して導通する。この状態でコイル２２への通電が停止されると、永久磁石２１の発生する磁束によって上記閉磁路がそのまま維持され、磁性体部３０ｂの長手方向一端側がヨーク２０の一方の脚片２０ｂに吸引された状態が保たれる。
【００５１】
またコイル２２への通電方向を逆向きにすると、コイル２２側の脚片２０ｂの先端面が異極に励磁されて、磁性体部３０ｂのコイル２２側の一端部が脚片２０ｂの先端面から離れ、支持ばね部３２のばね復帰力によって復帰位置まで揺動し、一対の固定接点１４，１４に接触していた可動接点３９が開離する。すなわち、このマイクロリレーは常開接点又は常閉接点として機能する接点を１極備えた単極単投型の接点構成を有している。
【００５２】
なお、上述した基本構成のマイクロリレーでは、アーマチュアブロック３におけるベース基板１とは反対側で周部がフレーム部３１に固着されたカバー４を備えていることにより、アーマチュア３０および固定接点１４および可動接点３９が密閉空間内に配置され、電磁石装置２は、ベース基板１の厚み寸法内でアーマチュア３０とヨーク２０とにより形成される磁路中に永久磁石２１を設けてあるので、従来のようにアーマチュアブロックとベース基板との間にスペーサを介在させる必要がなく、リレー全体の薄型化が可能となる。すなわち、リレー全体の厚み寸法をベース基板１の厚み寸法とアーマチュアブロック３のフレーム部３１の厚み寸法とカバー４の厚み寸法との合計寸法によって規定することができ、ベース基板１とカバー４とフレーム部３１とで構成される器体の薄型化が可能となる。
【００５３】
（実施形態１）
以下では、上述した図７〜図１０に示す基本構成のマイクロリレーにおいて電磁石装置２の構成を変更した実施形態について図１〜図３を参照して説明する。尚、電磁石装置２以外は上述した基本構成のマイクロリレーと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００５４】
本実施形態に用いる電磁石装置２は、ヨーク２０と、永久磁石２５と、コイル２２とを主要な構成として備える。ヨーク２０は、コイル２２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部２０ａと、コイル巻回部２０ａの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きに延設されコイル２２への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片２０ｂ，２０ｂとで構成され、両脚片２０ｂ，２０ｂの先端部の間に矩形板状の永久磁石２５が介装されている。なおヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が矩形状に形成されている。
【００５５】
永久磁石２１は扁平な矩形板状であって、両脚片２０ｂ，２０ｂの先端部に対向する両端部と、アーマチュア３０の揺動中心に対応する中間部とが互いに異極に着磁されており、永久磁石２１の表面が両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面からアーマチュア３０側に突出しないように厚み寸法が設定されている。
【００５６】
コイル２２は、両脚片２０ｂ，２０ｂの間のコイル巻回部２０ａの略全体に巻回されており、脚片２０ｂ，２０ｂによって口軸方向（つまり、コイル巻回部２０ａの長手方向）への移動が規制されている。そして、図示しない外部接続用電極間に電源を接続してコイル２２へ励磁電流を流すと、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面が互いに異なる磁極に励磁されるようになっている。
【００５７】
本実施形態の電磁石装置２は以上のような構成を有しており、電磁石装置２の永久磁石２５はヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端部間に介装されているので、電磁石装置２を収納するベース基板１の厚み寸法を厚くすることなく永久磁石２５を配置することができ、アーマチュアに永久磁石を配置した従来例のようにアーマチュアブロック３とベース基板１との間にスペーサを介在させる必要がないため、リレー全体を薄型化できる。また本実施形態においても、アーマチュアブロック３におけるベース基板１とは反対側で周部がフレーム部３１に固着されたカバー４を備えていることにより、アーマチュア３０および固定接点１４および可動接点３９を密閉空間内に配置することができる。
【００５８】
（実施形態２）
以下では、上述した図７〜図１０に示す基本構成のマイクロリレーにおいて電磁石装置２の構成を変更した他の形態について図４〜図６を参照して説明する。尚、電磁石装置２以外は上述した基本構成のマイクロリレーと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００５９】
本実施形態に用いる電磁石装置２は、ヨーク２０と、永久磁石２１と、コイル２２，２２とを主要な構成として備える。ヨーク２０は、細長の矩形板状の連結部２０ｃと、連結部２０ｃの長手方向における両端部からそれぞれ一方向（アーマチュア３０側）に突出するコイル巻回部２０ｄ，２０ｄとで構成され、コイル巻回部２０ｄ，２０ｄは連結部２０ｃに比べて短い寸法に設定されている。なおヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が矩形状に形成されている。
【００６０】
コイル２２，２２はそれぞれヨーク２０における短手側の各コイル巻回部２０ｄ，２０ｄに巻回され、各コイル巻回部２０ｄ，２０ｄの先端部の磁極をアーマチュア３０側に向けて配置されており、各コイル２２，２２への励磁電流に応じて両コイル巻回部２０ｄ，２０ｄの磁極が互いに異極に励磁されるようになっている。
【００６１】
また永久磁石２１は矩形板状であって、ヨーク２０の連結部２０ｃにおける両コイル巻回部２０ｄ，２０ｄの間の部位で、アーマチュア３０の揺動中心に対応する部位（長手方向の中央部）に重ねて配置されており、連結部２０ｃとの重ね方向（厚み方向）の両面それぞれの磁極面２１ａ，２１ｂが異極に着磁されており、一方の磁極面２１ｂがヨーク２０の連結部２０ｃに当接し、他方の磁極面２１ａがヨーク２０の両コイル巻回部２０ｄ，２０ｄの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。
【００６２】
本実施形態の電磁石装置２は以上のような構成を有しており、電磁石装置２のヨーク２０は、連結部２０ｃと、連結部２０ｃの長手方向における両端部からそれぞれ一方向に突出するコイル巻回部２０ｄ，２０ｄとを有し、このヨーク２０の短手側の両コイル巻回部２０ｄ，２０ｄにコイル２２，２２がそれぞれ巻回されており、永久磁石２１は連結部２０ｃにおけるアーマチュア３０の揺動中心に対応する部位にアーマチュア３０側に重ねて配置されている。ここで永久磁石２１の厚み寸法はコイル巻回部２０ｄの長さ寸法と略同じ寸法に形成され、永久磁石２１の磁極面２１ａがコイル巻回部２０ｄ，２０ｄの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定しているので、電磁石装置２を収納するベース基板１の厚みを厚くすることなく永久磁石２１を配置することができるから、アーマチュア３０に永久磁石を配置した従来例のようにアーマチュアブロック３とベース基板１との間にスペーサを介在させる必要がないので、リレー全体を薄型化できる。また本実施形態においても、アーマチュアブロック３におけるベース基板１とは反対側で周部がフレーム部３１に固着されたカバー４を備えていることにより、アーマチュア３０および固定接点１４および可動接点３９を密閉空間内に配置することができる。
【００６３】
なお上述した基本構成および実施形態１，２のマイクロリレーにおいて、コイル２２の巻線として、絶縁被覆の上に自己融着性の融着層が設けられた自己融着線を用いても良く、融着層を溶融させることでコイル２２を固着できるから、ボビンを不要にでき、コイル２２を一層小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】実施形態１のマイクロリレーの分解斜視図である。
【図２】同上の側断面図である。
【図３】同上に用いる電磁石装置を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は側断面図である。
【図４】実施形態２のマイクロリレーを示す側断面図である。
【図５】同上に用いる電磁石装置を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は側断面図である。
【図６】同上に用いる電磁石装置の外観斜視図である。
【図７】同上の基本構成を示す分解斜視図である。
【図８】同上の基本構成を下側から見た外観斜視図である。
【図９】同上の基本構成の側断面図である。
【図１０】同上の基本構成を示し、ベース基板上にアーマチュアブロックを載置した状態を上側から見た図である。
【図１１】同上の他の構成例を示す分解斜視図である。
【図１２】同上の他の構成例を下側から見た外観斜視図である。
【図１３】同上の他の構成例を示し、（ａ）はベース基板上にアーマチュアブロックを載置した状態を上側から見た図、（ｂ）は側断面図である。
【図１４】同上の他の構成例の一部省略せる裏面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  ベース基板
２  電磁石装置
３  アーマチュアブロック
４  カバー
１４  固定接点
２０  ヨーク
２０ａ  コイル巻回部
２０ｂ  脚片
２５  永久磁石
３０  アーマチュア
３１  フレーム部
３２  支持ばね部
３４  可動接点基台部
３５  接圧ばね部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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