(57)【要約】【課題】放熱特性や、電気的特性に優れた熱応力によるセラミックの破壊の発生のない安価な高周波用パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】ヒートシンク板１１、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５からなる接合体１７にキャビティ部１４を有しヒートシンク板１１の他方の主面を基台２０に当接する高周波用パッケージ１０の製造方法において、治具板２６上に熱可塑性樹脂２７を載置し、治具板２６とキャビティ部１４側のヒートシンク板１１の長手方向両端部間にスペーサー２８を介して接合体１７を載置する工程、ヒートシンク板１１の他方の主面から押圧し接合体１７を撓め、加熱して治具板２６との間の隙間に熱可塑性樹脂２７を充填した後、常温で接合体１７を治具板２６上に接合する工程、ヒートシンク板１１の他方の主面を平面状に研削する工程、接合体１７を治具板２６から外して撓みを解放し、熱可塑性樹脂２７を剥離、除去する工程を有する。【選択図】図３
2005217086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略長方形状の金属製のヒートシンク板の一方の主面にセラミック製のリング状枠体の一方の主面を接合し、該リング状枠体の他方の主面に外部接続端子を接合してなる接合体の前記リング状枠体の開口部の前記ヒートシンク板上に半導体素子を実装するためのキャビティ部を有し該ヒートシンク板の他方の主面を放熱用の基台に当接する高周波用パッケージの製造方法において、
前記接合体を載置するための平面状の治具板上に熱可塑性樹脂を載置すると共に、該熱可塑性樹脂が載置された前記治具板と、前記ヒートシンク板の長手方向両端部の前記キャビティ部側表面の間にそれぞれスペーサーを介して前記接合体をブリッジ状に載置する工程と、
前記ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部から押圧し前記スペーサーを支点として前記接合体を撓めると共に、前記熱可塑性樹脂を加熱して前記接合体と前記治具板間の隙間に前記熱可塑性樹脂を充填した後、常温に戻して前記接合体を前記治具板上に接合する工程と、
前記治具板上に接合された前記接合体の前記ヒートシンク板の他方の主面を平面状に研削する工程と、
前記基台に当接させるための前記ヒートシンク板の他方の主面を長手方向両端部から中心線部にかけて突出し該中心線部で最大突出部となる曲面凸形状とするために、前記熱可塑性樹脂を加熱して前記接合体を前記治具板から取り外して前記接合体の撓みを解放すると共に、前記熱可塑性樹脂を剥離、除去する工程を有することを特徴とする高周波用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用半導体素子からの高発熱をヒートシンク板を介して更に基台から放熱させるために、基台にねじ止めされるヒートシンク板、リング状のセラミック枠体、及び外部接続端子の接合体からなる高周波用パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のシリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子は、作動時の発熱が大きいので、発生する熱を大気中に良好に放散させなければ、装置を正常に作動させることができなくなる恐れがある。そこで、高周波用半導体素子を実装するための高周波用パッケージは、半導体素子を搭載する部分のキャビティ部が、半導体素子の高周波の領域での電気特性を悪化させないために、略長方形状をした高放熱特性を有する金属板からなるヒートシンク板上に形成された半導体素子実装領域をセラミック製のリング状枠体で囲繞するように接合して形成されている。そして、高周波用パッケージは、半導体素子が実装された後、蓋体でキャビティ部を気密に封止するようになっている。また、高周波信号は、セラミック製のリング状枠体の一方の主面である上面に接合された外部接続端子を介して入出力されるようになっている。そして、半導体素子が封止された高周波用パッケージは、ヒートシンク板に放熱された熱を更に外部に放熱させるための基台に、ヒートシンク板の略長方形状の長手方向の両端部に形成されている切り欠き部や、貫通孔にねじが取り付けられてねじ止めして固定される。
【０００３】
図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の高周波用パッケージ５０は、セラミックと熱膨張係数が近似し、しかも熱伝導率の高い、例えば、銅タングステン（Ｃｕ−Ｗ）系の複合金属板からなるヒートシンク板５１と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなるセラミック製のリング状枠体５２を用い、ヒートシンク板５１の一方の主面の中央部に、リング状枠体５２をその一方の主面側に形成されたメタライズパターン上にＡｇ−Ｃｕろう５３を介して載置し、加熱炉で加熱するろう付け接合で形成している。また、このろう付け接合に併せて、リング状枠体５２には、外部と接続するための金属部材からなる外部接続端子５４をリング状枠体５２の他方の主面側に形成されたメタライズパターン上にＡｇ−Ｃｕろう５３を介して載置し、加熱炉で加熱するろう付け接合で形成している。更に、ヒートシンク板５１とリング状枠体５２及び外部接続端子５４の金属表面には、Ｎｉめっき及びＡｕめっきを施している。また、ヒートシンク板５１の長手方向の両端部には、ヒートシンク板５１からの熱を更に外部に放熱させるための基台５５に取り付けてねじ５６でねじ止めして固定するための切り欠きや、貫通孔等からなる取付部５７を設けている。
【０００４】
高周波用パッケージには、ヒートシンク板の長手方向の両端部に突起を設け、この突起を支点にし突起部から若干内側の両端部をねじで締め付けて、ヒートシンク板の長手方向の中央部を基台に密接させるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、高周波用パッケージには、ヒートシンク板と基台の間の放熱特性や、電気的特性を向上させることを目的に、ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟んでねじで締め付けているものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。セラミック基板に放熱用のヒートシンク板を接合する回路基板には、本質的に反りのないセラミック基板を一方向に撓ませながら凸面側にヒートシンク板、凹面側に金属回路又は回路用金属板を接合する回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平４−２３３７５２号公報
【特許文献１】特開２００１−２３０３４９号公報
【特許文献１】特開平１０−２４７７６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したような従来の高周波用パッケージの製造方法は、次のような問題がある。
（１）金属製のヒートシンク板や、外部接続端子の熱膨張係数は、セラミック製のリング状枠体の熱膨張係数に近似させてはいるが、完全に一致させることが難しいので、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合を行うときに接合部に応力が発生し、接合して形成した接合体に反りが発生するのを防止することができない。また、半導体素子の高周波化によって、半導体素子の高発熱化が進み、ヒートシンク板には、更なる高熱伝率を有する材料が要求されているが高熱伝率になればなるほど熱膨張係数が上昇するので、接合体の反りが大きくなる問題が発生している。そこで、決められた許容範囲を超える反りが発生した接合体は、反りの選別検査を行い許容範囲内のみを検出して高周波用パッケージとしている。特に、ヒートシンク板の基台との接合面である底面の反りの形態が凹形状となる場合には、基台に取り付けた時に基台との間に空間が発生し、半導体素子の放熱特性や、電気的特性が低下するので、凸形状のもののみを検出せざるを得ない。従って、従来の高周波用パッケージの製造方法では、選別工程が必要となると同時に歩留まりの低下をきたし、高周波用パッケージのコスト高となっている。
（２）ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設け、基台にねじ止めする場合には、ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設ける程のエリアが殆どなく、ヒートシンク板を基台に密接させる効果を引き出すことが難しい。
（３）ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟み込んでねじ止めする場合には、インジウムシートが高価であり、高周波用パッケージのコスト高となっている。また、インジウムシートのような介在物を組み立て段階で使用することは、シートの取り扱いが容易でなく、組み立て工程の時間が長くなり、高周波用パッケージのコスト高となっている。
（４）本質的に反りのないセラミック基板を一方向に撓ませながら凸面側にヒートシンク板を接合する方法は、セラミック基板が平板からなる場合には可能であるが、セラミック製のリング状枠体の場合には作製するのが難しい。また、接合後には、セラミック基板に機械的な応力が残存し、そこにセラミックとヒートシンク板の熱膨張係数の差からくる熱応力が更に加わった時にセラミックの破壊が発生しやすくなる。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、放熱特性や、電気的特性に優れた熱応力によるセラミックの破壊の発生のない安価な高周波用パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの製造方法は、略長方形状の金属製のヒートシンク板の一方の主面にセラミック製のリング状枠体の一方の主面を接合し、リング状枠体の他方の主面に外部接続端子を接合してなる接合体のリング状枠体の開口部のヒートシンク板上に半導体素子を実装するためのキャビティ部を有しヒートシンク板の他方の主面を放熱用の基台に当接する高周波用パッケージの製造方法において、接合体を載置するための平面状の治具板上に熱可塑性樹脂を載置すると共に、熱可塑性樹脂が載置された治具板と、ヒートシンク板の長手方向両端部のキャビティ部側表面の間にそれぞれスペーサーを介して接合体をブリッジ状に載置する工程と、ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部から押圧しスペーサーを支点として接合体を撓めると共に、熱可塑性樹脂を加熱して接合体と治具板間の隙間に熱可塑性樹脂を充填した後、常温に戻して接合体を治具板上に接合する工程と、治具板上に接合された接合体のヒートシンク板の他方の主面を平面状に研削する工程と、基台に当接させるためのヒートシンク板の他方の主面を長手方向両端部から中心線部にかけて突出し中心線部で最大突出部となる曲面凸形状とするために、熱可塑性樹脂を加熱して接合体を治具板から取り外して接合体の撓みを解放すると共に、熱可塑性樹脂を剥離、除去する工程を有する。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１記載の高周波用パッケージの製造方法は、接合体を載置するための平面状の治具板上に熱可塑性樹脂を載置すると共に、熱可塑性樹脂が載置された治具板と、ヒートシンク板の長手方向両端部のキャビティ部側表面の間にそれぞれスペーサーを介して接合体をブリッジ状に載置する工程と、ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部から押圧しスペーサーを支点として接合体を撓めると共に、熱可塑性樹脂を加熱して接合体と治具板間の隙間に熱可塑性樹脂を充填した後、常温に戻して接合体を治具板上に接合する工程と、治具板上に接合された接合体のヒートシンク板の他方の主面を平面状に研削する工程と、熱可塑性樹脂を加熱して接合体を治具板から取り外して接合体の撓みを解放すると共に、熱可塑性樹脂を剥離、除去する工程を有するので、セラミックに機械的な応力を残すことなく基台に当接させるためのヒートシンク板の他方の主面を長手方向両端部から中心線部にかけて突出し中心線部で最大突出部となる曲面凸形状として基台に密着させることができ、容易に安定して半導体素子の放熱特性や、電気的特性を向上させることができる高周波用パッケージの製造方法を提供できる。また、ヒートシンク板の他方の主面が凸形状となるものを得るための選別工程の必要がなく、歩留まりの低下も発生しないので、安価な高周波用パッケージの製造方法を提供できる。更に、ヒートシンク板に突起を設けたり、ヒートシンク板と基台との間にインジウムシートを必要としないので、高周波用パッケージを安価にすることができる高周波用パッケージの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの製造方法で作製される高周波用パッケージの平面図、正面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケージの製造方法で作製される高周波用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図、図３（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同高周波用パッケージの製造方法の一部の説明図である。
【０００９】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの製造方法で作製される高周波用パッケージ１０は、実装される高周波用の半導体素子から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための高放熱特性を有し、セラミックと熱膨張係数が近似する略長方形板状の金属板からなるヒートシンク板１１の一方の主面に、セラミック製のリング状枠体１２の一方の主面を、高温ろう材１３でろう付け接合して有している。また、高周波用パッケージ１０は、リング状枠体１２の他方の主面である上面に、半導体素子１９（図２（Ａ）参照）をリング状枠体１２の開口部の壁面とヒートシンク板１１の一方の主面とで形成されるキャビティ部１４に搭載して電気的に接続し、外部との電気的導通を行うための金属板からなるリードフレーム形状の外部接続端子１５を高温ろう材１３でろう付け接合して有している。更に、ヒートシンク板１１の長手方向の両端部には、基台２０（図２（Ｂ）参照）にねじ２１（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）でねじ止めして取り付けるための切り欠きや、貫通孔等からなる取付部１６を有している。そして、このヒートシンク板１１と、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５とで、接合体１７を形成している。
【００１０】
この接合体１７からなる高周波用パッケージ１０の底面側であるヒートシンク板１１の他方の主面は、長手方向の両端部から中心線部にかけて表面側に突出し、中心線部で最大突出部となる曲面凸形状１８を有している。そして、高周波用パッケージ１０は、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、キャビティ部１４に半導体素子１９がダイボンドされ、半導体素子１９と外部接続端子１５とがボンディングワイヤ２２で接続された後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋体２３を樹脂や、ガラス等の接着材２４で接着してキャビティ部１４内が気密に封止されて、高周波用モジュール基板２５を形成している。この高周波用モジュール基板２５は、半導体素子１９からの発熱をヒートシンク板１１に放熱し、更に、外部に放熱させるための基台２０に、ヒートシンク板１１に設けられている取付部１６にねじ２１を挿通させてねじ止めして固定される。このねじ止めを行った時に、高周波用パッケージ１０のヒートシンク板１１の他方の主面は、少なくとも、キャビティ部１４内に実装された半導体素子１９の実装エリア部に相当する部分が基台２０に密接することができる曲面凸形状１８を有している。
【００１１】
次いで、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０の製造方法を説明する。
先ず、高周波用パッケージ１０を形成する接合体１７に用いられる各部材について、説明する。接合体１７を形成するためのヒートシンク板１１は、熱膨張係数をセラミックの熱膨張係数と近似させ、熱伝導率の高い高放熱特性を有する、例えば、ポーラス状のタングステン（Ｗ）に銅（Ｃｕ）を含浸させたりして作製されるＣｕ−Ｗ系の複合金属板や、Ｃｕとモリブデン（Ｍｏ）からなるＣｕ−Ｍｏ系の合金金属板や、Ｃｕ−Ｍｏ系複合金属板の両面にＣｕ板をクラッドしたＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕの接合板等から形成されている。ヒートシンク板１１の選定には、放熱特性を向上させるために、熱伝導性のよいＣｕの比率を高めたものを用いることが有効であるが、Ｃｕは熱膨張係数が高いので、セラミックとの熱膨張係数の整合性を図るためのＣｕ以外の材料選定や、Ｃｕと他の金属との板材としての構造が重要となる。そして、ヒートシンク板１１は、切削加工や、粉末冶金等の手法を用いて基台２０にねじ止め固定するための取付部１６を設けて、実質的に長方形状に形成されている。なお、因みに、ヒートシンク板１１がＣｕ−Ｗの場合は、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が７．８×１０−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度であり、Ｃｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ（厚さ比率＝２：３：２）の場合は、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が９．２×１０−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度であるので、接合体１７の許容反りと許容放熱特性に合わせて材料の選定がなされている。
【００１２】
次に、接合体１７を形成するためのリング状枠体１２は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、低温焼成セラミック等からなるセラミックから形成されている。リング状枠体１２がセラミックの一例であるＡｌ２Ｏ３からなる場合には、先ず、Ａｌ２Ｏ３粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製している。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製する。
【００１３】
１又は複数枚のセラミックグリーンシートには、窓枠形状のリング状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて、リング状枠体１２の下面側が一方の主面、上面側が他方の主面となるようにスクリーン印刷してそれぞれ金属導体パターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の一方の主面、及び他方の主面が金属導体パターンとなるようにスクリーン印刷して形成する。そして、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両表面に金属導体パターンを有するリング状枠体１２を作製する。なお、一方の表面の金属導体パターンは、ヒートシンク板１１とリング状の全周にわたってろう付け接合するためにリング状枠体１２の下面全周面に形成されている。また、因みに、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数は、６．７×１０−６／Ｋ程度であり、ヒートシンク板１１と近似はしているが一致させることは難しいので、基本的に接合後の反りの発生を防止することが難しい。
【００１４】
次に、接合体１７を形成するための外部接続端子１５は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材からなり、切削加工や、エッチング加工や、打ち抜き加工等で１つの高周波用パッケージ１０に備える複数の外部接続端子１５をタイバー部で支え持つようにしたリードフレーム形状に形成されている。なお、因みに、ＫＶの熱膨張係数は、５．３×１０−６／Ｋ程度であり、セラミックの熱膨張係数に近似させている。
【００１５】
次いで、ヒートシンク板１１と、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５を接合して形成する接合体１７の作製方法を説明する。先ず、ヒートシンク板１１の全表面、リング状枠体１２の両面の金属導体パターンの表面、及び外部接続端子１５の全表面には、それぞれＮｉや、Ｎｉ合金等からなる第１のＮｉめっきを施す。次に、ヒートシンク板１１の平面形状からなる一方の主面の中央部に、例えば、ＢＡｇ−８（Ａｇが７２％と、残部がＣｕからなる共晶合金）等のＡｇ−Ｃｕろうからなるリング状枠体１２の形状に合わせたリング状の高温ろう材１３を介してリング状枠体１２の下面側である一方の主面を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。次に、リング状枠体１２の上面側である他方の主面に、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇ−Ｃｕろうからなる高温ろう材１３を介して外部接続端子１５の先端部の下面側を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。このヒートシンク板１１と、リング状枠体１２の接合、及びリング状枠体１２と外部接続端子１５の接合によって、接合体１７を形成している。なお、接合体１７の形成は、ヒートシンク板１１と、リング状枠体１２の接合、及びリング状枠体１２と外部接続端子１５の接合を同時に行って形成することもできる。次に、接合体１７の外表面に露出する全金属表面上には、第２のＮｉめっきが施され、更に、Ｎｉめっき上にＡｕめっきが施される。上記のようにして形成された接合体１７は、高周波用の半導体素子１９を実装するために、リング状枠体１２の開口部とヒートシンク板１１の一方の主面とで形成されているキャビティ部１４を有し、ヒートシンク板１１の他方の主面が放熱用の基台２０に当接できる高周波用パッケージ１０として形成されている。
【００１６】
次いで、図３（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら、接合体１７のヒートシンク板１１の他方の主面を基台２０に安定して当接させるための作製方法を説明する。
図３（Ａ）に示すように、ヒートシンク板１１、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５からなる接合体１７が載置される平面状の治具板２６上には、先ず、熱可塑性樹脂２７を載置する。この熱可塑性樹脂２７は、加熱することで軟化が進み流動性を向上させることができる。そして、この熱可塑性樹脂２７が載置された治具板２６上には、接合体１７のキャビティ部１４側のヒートシンク板１１の長手方向両端部のそれぞれの表面との間に樹脂製や、金属製からなる枕木状の実質的に同じ高さを有するスペーサー２８を介して、接合体１７をブリッジ状に載置する。なお、治具板２６上にスペーサー２８を介して載置される接合体１７のリング状枠体１２と外部接続端子１５からなる厚さは、スペーサー２８の高さより厚いものであってはならない。
【００１７】
次に、図３（Ｂ）に示すように、治具板２６上にスペーサー２８を介してブリッジ状に載置された接合体１７は、ヒートシンク板１１の他方の主面の長手方向中央部から、加圧機等を用いて押圧し、スペーサー２８を支点として接合体１７を撓めると共に、熱可塑性樹脂２７を治具板２６に予め設けられているヒーターで、あるいは熱可塑性樹脂２７を周囲全体から加熱して接合体１７と治具板２６間の隙間に熱可塑性樹脂２７を充填する。この熱可塑性樹脂２７は、加熱することで軟化し、流動性が向上するので、接合体１７と治具板２６間の隙間を充填すると共に、接合体１７やスペーサー２８の周囲を覆うことができる。この押圧と加熱によって、ヒートシンク板１１の他方の主面は、長手方向両端部から中心線部にかけて凹み、中心線部で最大凹み部となる曲面凹形状となって、接合体１７と治具板２６間の隙間に熱可塑性樹脂２７が充填される。そして、この後、押圧状態のままで熱可塑性樹脂２７を常温に戻すことで、治具板２６上には、ヒートシンク板１１の他方の主面が曲面凹形状として接合される。なお、治具板２６の上面は、定盤（図示せず）上に載置した時に定盤面に対して実質的に平行になるように作製することで、接合体１７をヒートシンク板１１の他方の主面から押圧を開始した時には、スペーサー２８の底面が熱可塑性樹脂２７を周囲に押しやるようにして治具板２６に密接すると共に、ヒートシンク板１１の他方の主面を定盤面に対して実質的に平行にすることができる。
【００１８】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ヒートシンク板１１の他方の主面が長手方向両端部から中心部にかけて凹み、中心部線部で最大凹み部となる曲面凹形状の状態で治具板２６上に熱可塑性樹脂２７で接合された接合体１７は、定盤と、ダイヤモンド砥粒付き等のグラインダーからなる研削機２９等の定盤（図示せず）上に治具板２６の下面を当接させて載置し、固定される。そして、定盤面上に固定されている接合体１７のヒートシンク板１１の他方の主面は、研削機２９のグラインダーを定盤面に対して高速回転させながら水平移動させる、あるいは、高速回転しているグラインダーに対して定盤面を水平移動させることで、平面状に研削される。なお、この研削は、定盤と、グラインダーからなる研削機２９による方法に限定されるものではなく、例えば、切削盤やフライス盤等を用いる機械加工や、砥粒を用いたラッピングや、研磨等による方法であってもよい。
【００１９】
次に、図３（Ｄ）に示すように、治具板２６上に熱可塑性樹脂２７で接合している研削後の接合体１７は、熱可塑性樹脂２７を加熱して取り外している。ヒートシンク板１１の他方の主面からの押圧によって発生した撓みを内在していた接合体１７は、治具板２６から取り外されることで撓みが解放されるので、ヒートシンク板１１の他方の主面が長手方向両端部から中心部にかけて突出し、中心部線部で最大突出部となる曲面凸形状１８の状態となる。接合体１７、治具板２６、及びスペーサー２８に付着している熱可塑性樹脂２７は、溶剤や、剥離液等を用いて剥離、除去している。熱可塑性樹脂２７は、剥離性が優れているので、それぞれから容易には剥離、除去することができる。上記のようにして作製された高周波用パッケージ１０は、ヒートシンク板１１の他方の主面を長手方向両端部から中心部にかけて突出し、中心部線部で最大突出部となる曲面凸形状１８を有しているので、基台２０密接して当接させることができ、容易に安定して半導体素子の放熱特性や、電気的特性を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明の高周波用パッケージは、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を実装し、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のために用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの製造方法で作製される高周波用パッケージの平面図、正面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケージの製造方法で作製される高周波用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同高周波用パッケージの製造方法の一部の説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の高周波用パッケージの説明図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０：高周波用パッケージ、１１：ヒートシンク板、１２：リング状枠体、１３：高温ろう材、１４：キャビティ部、１５：外部接続端子、１６：取付部、１７：接合体、１８：曲面凸形状、１９：半導体素子、２０：基台、２１：ねじ、２２：ボンディングワイヤ、２３：蓋体、２４：接着材、２５：高周波用モジュール基板、２６：治具板、２７：熱可塑性樹脂、２８：スペーサー、２９：研削機
【図１】
2005217086.tif 000003
【図２】
2005217086.tif 000004
【図３】
2005217086.tif 000005
【図４】
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