(57)【要約】【課題】  待機中でもアノード表面の変質を防ぎ、主基板へ形成されるメッキ層の膜厚を均一に保つことができる電気メッキ方法を提供することを目的としている。【解決手段】  主基板へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程との合間の待機中に、ホルダ１３を移動させてメッキ槽１１の底面に設けられている貫通孔１１ｂを塞ぎ、前記メッキ槽１１内にメッキ液１５を供給し、可溶性アノード１２を前記メッキ液中に浸漬させる。この結果、従来のように可溶性アノード１２が大気に曝されることで錆びる等の変質を適切に抑制することが可能になる。このため主基板上へ形成されるメッキ層の膜厚を均一に形成することが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ槽と、カソードである主基板を載置するための移動可能なホルダと、前記メッキ槽内に設けられた可溶性アノードと、を有し、
前記メッキ槽の底面にはメッキ層の形成時に、前記主基板の表面を前記メッキ槽の底面からメッキ槽内に露出させるための貫通孔が設けられており、
前記主基板へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程の合間の待機中に、以下の工程を有することを特徴とする電気メッキ方法。
（ａ）  前記ホルダをメッキ槽の底面方向へ移動させて前記貫通孔を前記ホルダによって塞ぐ工程と、
（ｂ）  前記メッキ槽内にメッキ液を供給し、前記可溶性アノードを前記メッキ液中に浸漬させる工程と、
（ｃ）  次の主基板へのメッキ層の形成工程前に、前記メッキ液を排出し、前記ホルダを、次の主基板を載置可能な位置まで、前記メッキ槽の底面から離れる方向に移動させる工程。
【請求項２】
前記（ｂ）工程で、可溶性アノードがメッキ液中に溶解することで変化する前記メッキ液の濃度を所定の濃度に調整する濃度制御手段を有する請求項１記載の電気メッキ方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程で、前記メッキ液を定期的に間引いて、前記メッキ液とは異なる濃度のメッキ液を前記メッキ槽内に供給し、前記メッキ液を所定の濃度となるように調整する請求項２記載の電気メッキ方法。
【請求項４】
前記メッキ槽との間でメッキ液を循環させるためのメインタンクと、前記メインタンクに繋がるとともに、前記メインタンクとは異なる濃度の補助メッキ液を有するサブタンクとを有し、前記サブタンクから前記メインタンクへ定期的に補助メッキ液を供給することで、前記メッキ槽内のメッキ液の濃度を所定濃度となるように調整する請求項２または３に記載の電気メッキ方法。
【請求項５】
少なくとも前記メインタンクには、前記メインタンク内のメッキ液の濃度を測定するための測定手段が設けられており、前記測定手段を用いて、前記メインタンクの濃度を測定し、前記メインタンクのメッキ液濃度がある変動値以上、変化したら、前記サブタンクから前記メインタンクへ補助メッキ液を供給する請求項４記載の電気メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主基板（カソード）へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程の合間の待機中、メッキ槽内に設けられた可溶性アノードの変質（錆等）を抑制することが可能な電気メッキ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アノードには不溶性アノードを用いる場合と可溶性アノードを用いる場合とがある。下記に記す特許文献１，２は、不溶性アノードを用いたもので、特許文献３は可溶性アノードを用いたものである。
【０００３】
本発明は、このうち可溶性アノードを用いた場合における下記に記す従来の問題点を指摘し、それを解決するためのものである。
【特許文献１】特開平５−１８６８９９号公報
【特許文献２】特開平８−２０８９９号公報
【特許文献３】特開２００１−３２０９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１１は、電気メッキ装置の概略図である。符号１はメッキ槽であり、符号２は可溶性アノードを、符号３はホルダを示している。図１１に示すように前記メッキ槽１の底面１ｂには貫通孔１ａが設けられている。
【０００５】
前記ホルダ３は上下方向に移動可能であり、図１１では、前記ホルダ３は前記メッキ槽１の底面１ｂよりも下方向に移動した状態になっている。前記ホルダ３上には図示しない主基板（カソード）が載置され、前記ホルダ３を上方向に移動させて、前記主基板を前記貫通孔１ａから前記メッキ槽１内に露出させる。前記メッキ槽１内では前記主基板とアノード２とが高さ方向で対向する位置関係になり、前記メッキ槽１内にメッキ液が供給された後、前記主基板とアノード間に電流を流すことで、前記主基板上に所定のメッキ層を堆積させていく。
【０００６】
そして前記メッキ層の形成が終了したら、前記メッキ槽１内に充填されていたメッキ液を排出し、次に前記ホルダ３を下方向に移動させ、前記ホルダ３上に載置されている主基板をロボットアームで挟んで別の工程（別のメッキ工程等）に移す。
【０００７】
図１１の状態は、次の主基板が来るまでの間の待機状態を示している。図１１に示す状態では、前記可溶性アノード２が大気中に曝されているため、前記可溶性アノード２の表面に図１２に示すような錆４が生じやすく、このような錆４が生じた部分のアノードは不溶性となってしまうため、次の主基板５へメッキ層を形成する工程で、図１２の下図に示すように、主基板５上に堆積するメッキ層６は均一な膜厚にはならず、膜厚にばらつきが生じていた。
【０００８】
主基板へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程の間の待機時間が短ければ、上記したような錆等のアノード２の変質は抑制されるが、場合によっては数十分や数時間、待機時間を必要とする場合があり、待機中の前記アノード表面の変質が深刻な問題となっていた。
【０００９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、待機中でも前記メッキ槽内にメッキ液を充填しておくことで前記アノード表面の変質を防ぎ、前記主基板へのメッキ層の膜厚を均一に保つことができる電気メッキ方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明における電気方法は、メッキ槽と、カソードである主基板を載置するための移動可能なホルダと、前記メッキ槽内に設けられた可溶性アノードと、を有し、
前記メッキ槽の底面にはメッキ層の形成時に、前記主基板の表面を前記メッキ槽の底面からメッキ槽内に露出させるための貫通孔が設けられており、
前記主基板へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程の合間の待機中に、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００１１】
（ａ）  前記ホルダをメッキ槽の底面方向へ移動させて前記貫通孔を前記ホルダによって塞ぐ工程と、
（ｂ）  前記メッキ槽内にメッキ液を供給し、前記可溶性アノードを前記メッキ液中に浸漬させる工程と、
（ｃ）  次の主基板へのメッキ層の形成工程前に、前記メッキ液を排出し、前記ホルダを、次の主基板を載置可能な位置まで、前記メッキ槽の底面から離れる方向に移動させる工程。
【００１２】
本発明では、主基板へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程との合間の待機中に、上記（ａ）工程のように、前記ホルダを移動させて前記メッキ槽の底面に設けられている貫通孔を塞ぎ、前記（ｂ）工程で、前記メッキ槽内にメッキ液を供給し、前記アノードを前記メッキ液中に浸漬させる。この結果、従来に比べて可溶性のアノードが大気に曝される時間を少なくでき、従来のように可溶性アノードが大気に曝されることで錆びる等の変質を適切に抑制することが可能になる。
【００１３】
そして次の主基板へのメッキ層の形成工程前に、待機中に前記メッキ槽内に充填されていたメッキ液を排出し、前記ホルダを、次の主基板を載置可能な位置まで、移動させる。
【００１４】
上記のように待機中における前記可溶性アノード表面の変質を抑制出来ることで、主基板上へ形成されるメッキ層の膜厚を均一に形成することが出来る。
【００１５】
本発明では、前記（ｂ）工程で、可溶性アノードがメッキ液中に溶解することで変化する前記メッキ液の濃度を所定の濃度に調整する濃度制御手段を有することが好ましい。
【００１６】
可溶性アノードは待機中、メッキ液中に浸漬されることで溶解し、可溶性アノードを構成する元素の濃度が前記メッキ液中で上昇する。このため前記メッキ液の濃度を所定濃度に調整する濃度制御手段を設けることが、次の主基板へのメッキ層の形成工程で、所定濃度に調整されたメッキ液を前記メッキ槽内に供給できて好ましい。
【００１７】
本発明では、前記（ｂ）工程で、前記メッキ液を定期的に間引いて、前記メッキ液とは異なる濃度のメッキ液を前記メッキ槽内に供給し、前記メッキ液を所定の濃度となるように調整することが、簡単且つ適切な方法で前記メッキ液を所定濃度に調整できて好ましい。
【００１８】
具体的には、前記メッキ槽との間でメッキ液を循環させるためのメインタンクと、前記メインタンクに繋がるとともに、前記メインタンクとは異なる濃度の補助メッキ液を有するサブタンクとを有し、前記サブタンクから前記メインタンクへ定期的に補助メッキ液を供給することで、前記メッキ槽内のメッキ液の濃度を所定濃度となるように調整することが好ましい。
【００１９】
また本発明では、少なくとも前記メインタンクには、前記メインタンク内のメッキ液の濃度を測定するための測定手段が設けられており、前記測定手段を用いて、前記メインタンクの濃度を測定し、前記メインタンクのメッキ液濃度がある変動値以上、変化したら、前記サブタンクから前記メインタンクへ補助メッキ液を供給することが好ましい。
【００２０】
前記測定手段により前記メインタンク内のメッキ液の濃度を管理することで、サブタンクからどの程度、補助メッキ液を供給すればよいのかを簡単且つ適切に把握でき、前記メインタンクのメッキ液濃度を所定の変動値内に早期に収めることが出来る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、主基板へのメッキ層の形成工程と、次の主基板へのメッキ層の形成工程との合間の待機中に、ホルダを移動させてメッキ槽の底面に設けられている貫通孔を塞ぎ、前記メッキ槽内にメッキ液を供給し、アノードを前記メッキ液中に浸漬させる。この結果、従来に比べて可溶性のアノードが大気に曝される時間を少なくでき、従来のように可溶性アノードが大気に曝されることで錆びる等の変質を適切に抑制することが可能になる。
【００２２】
待機中における前記可溶性アノード表面の変質を抑制出来ることで、主基板上へ形成されるメッキ層の膜厚を均一に形成することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は本発明の電気メッキ装置（待機中）の部分断面図、図２〜図９は、主基板へのメッキ層のメッキ形成工程から待機時間を置いて、次の主基板へのメッキ層のメッキ形成工程に移るまでの一連の工程図である。
【００２４】
図１に示す符号１１はメッキ槽であり、前記メッキ槽１内には、可溶性アノード１２と、補助基板１４が設けられている。
【００２５】
図１に示すように、前記メッキ槽１１の底面１１ａには、例えば略円形状の貫通孔１１ｂが設けられており、図１の状態では前記貫通孔１１ｂがホルダ１３によって塞がれた状態になっている。
【００２６】
前記ホルダ１３はカソードである主基板（図示しない）を載置するものであり、例えば上下方向に移動可能になっている。
【００２７】
前記主基板上にメッキ層をメッキ形成する工程では、前記ホルダ１３上に載置された前記主基板は図１に示す貫通孔１１ｂから表面が前記メッキ槽１１内に露出する状態にされる。この状態で、前記可溶性アノード１２と前記主基板間に電流を流すことで、前記主基板上にメッキ層をメッキ形成出来る。
【００２８】
図１に示すように、前記メッキ槽１１の底面１１ａには前記補助基板４が設けられている。前記補助基板４は真上から見ると、例えば前記貫通孔１１ｂよりも大きい径を有した略リング形状である。前記補助基板４は、前記主基板上に形成されるメッキ層の膜厚の均一化を促進させるべく設けられたものである。前記補助基板４が設けられていないと、前記可溶性アノード２から前記主基板５に向けて流れる電流の電流密度が、前記主基板上の各部位でより不均一になる。特に前記主基板の中央と端とで前記電流密度の差は非常に大きくなり、この結果、前記主基板上にメッキ形成されるメッキ層の膜厚がより不均一になりやすい。前記補助基板１４を設けないと前記主基板の中央よりも端にメッキ形成されるメッキ層の膜厚が厚くなることがわかっている。このような電流密度の不均一性を抑制すべく補助基板１４を設け、前記補助基板１４と可溶性アノード１２間も通電させることで、出来る限り前記主基板上の電流密度の均一化が促進されるようにする。
【００２９】
図１に示す状態は、上記の主基板へのメッキ層のメッキ形成工程が終了し、次の主基板へのメッキ層のメッキ形成工程が始まるまでの合間の待機中の状態である。
【００３０】
図１に示すように待機中、前記ホルダ１３によって前記メッキ槽１１の底面１１ａに設けられた貫通孔１１ｂは塞がれ、前記メッキ槽１１内に、供給口１６からメッキ液１５が注入される。図１に示すように可溶性アノード１２は待機中でも前記メッキ液１５中に浸漬した状態になっている。なお前記メッキ液１５は、前記供給口１６の供給と、排出口１７からの排出を繰返し、常に新しいメッキ液１５が前記メッキ槽１１の内部を循環するようになっている。
【００３１】
図２〜図９を用いて、主基板へのメッキ層のメッキ形成工程から待機時間を置いて、次の主基板へのメッキ層のメッキ形成工程に移るまでの一連の工程を説明する。
【００３２】
図２は、主基板１９へのメッキ層のメッキ形成工程を示している。図２に示すように前記ホルダ１３上には主基板（カソード）１９が載置され、前記メッキ槽１１の底面１１ａに設けられた前記貫通孔１１ｂは前記主基板１９によって塞がれた状態になっている。図２に示すように、前記メッキ槽１１内にはメッキ液１５が供給され、前記可溶性アノード１２と主基板１９間に電流が流されることで、電気分解により前記主基板１９上に所定の組成から成るメッキ層（図示しない）が形成される。
【００３３】
次に前記メッキ液１５を全て排出し（図３）、前記ホルダ１３を前記メッキ槽１１の底面１１ａから離れる方向、すなわち図４に示すように下方向へ移動させる。図４の状態では前記ホルダ１３上に載置されている主基板１９をロボットアーム２０等の挟持手段によって前記主基板１９を掴み、前記主基板１９を次の工程（次のメッキ層形成工程や、後処理である洗浄工程・乾燥工程等）に移送する。
【００３４】
従来では図５の状態で、次の主基板が来るまで待機していたが、本発明では図６のように前記ホルダ１３を図５の状態から図示上方向に移動させ、前記メッキ槽１１の底面１１ａに設けられた貫通孔１１ｂを前記ホルダ１３によって塞ぐ。
【００３５】
そして図７に示すように前記メッキ槽１１内にメッキ液１５を供給し、少なくとも前記可溶性アノード１２を前記メッキ液１５中に浸漬させる。図１は図７の工程を示したものである。
【００３６】
本発明では、上記のように主基板１９へのメッキ層の形成工程から、次の主基板へのメッキ層の形成工程の合間の待機中のほとんどの時間、図１及び図７に示すように、可溶性アノード１２をメッキ液１５中に浸漬させている。この結果、従来、待機中に前記可溶性アノード１２の表面が大気に曝されることで錆びつく等の変質を抑制することができる。このため次の主基板へメッキ層を形成する際に、変質が抑制された、光沢性に優れた状態（不溶性アノード部分が皆無、あるいは極めて少ない状態）の可溶性アノードを用いて前記主基板にメッキ層をメッキ形成することが出来るので、前記メッキ層の膜厚を適切に均一な膜厚で形成することが可能である。
【００３７】
次の主基板が前工程を終了し、図１，７に示すメッキ槽１１でのメッキ層の形成工程に移行する直前に、図８に示すように前記メッキ槽１１内に充填されていたメッキ液１５を全て排出し、図９に示すように前記ホルダ１３を、次の主基板２１を載置可能な位置まで、前記メッキ槽１１の底面１１ａから離れる方向（図示下方向）に移動させ、図９に示すように前記ホルダ１３上に次の主基板２１を載置する。そして前記ホルダ１３を図示上方向に移動させ、前記主基板２１によって前記メッキ槽１１の底面１１ａに設けられた貫通孔１１ｂを塞ぎ、前記メッキ槽１１内にメッキ液１５を供給して、図２移行の工程を繰り返す。
【００３８】
ところで、図１及び図７の状態では、可溶性アノード１２がメッキ液１５中に浸漬している結果、溶解し、前記メッキ液１５の濃度が変動する。例えばメッキ層としてＮｉＦｅ合金を形成するとき、可溶性アノード１２にはＮｉアノードを使用する。しかし上記のように可溶性アノード１２がメッキ液１５中に溶け出す結果、メッキ液１５中に占めるＮｉイオン濃度は上昇し、メッキ液濃度の変動が、図１及び図７に示す待機中に大きくなる。
【００３９】
このため前記メッキ液１５の濃度の変動を小さく抑え、前記待機中においても前記メッキ液１５の濃度が所定範囲内（所定の変動値内）に収まるように、調整する濃度制御手段を設けることが好ましい。
【００４０】
具体的には図１０に示すような制御方法で実施できる。なお図１０はあくまでも一例である。
【００４１】
図１０に示すように、メッキ槽１１には、メインタンク３０が接続されている。前記メッキ槽１１とメインタンク３０は、供給側液管３１と排出側液管３２とで接続されており、前記供給側液管３１を介して前記メインタンク３０内のメッキ液１５が図１に示す供給口１６から前記メッキ槽１１内に供給され、一方、排出側液管３２を介して前記メッキ槽１１の排出口１７から前記メインタンク３０へ前記メッキ液１５が排出される。このように前記メッキ槽１１とメインタンク３０間にメッキ液１５が随時、循環するように配管されている。
【００４２】
図１０に示すように前記メインタンク３０にはサブタンク３３が接続されている。前記サブタンク３３内に充填されているメッキ液３４（以下、補助メッキ液３４と称する）は、前記メインタンク３０及びメッキ槽１１内に充填されているメッキ液１５とは異なる濃度を有するものである。
【００４３】
例えば、今、ＮｉＦｅ合金のメッキ形成のために、可溶性アノード１２にＮｉアノードを用い、前記メッキ液１５に所定量のＦｅイオンとＮｉイオンとが混合されたものを使用した場合、上記したように可溶性アノード１２はメッキ液１５中に溶解することから前記メッキ液１５中のＮｉイオン濃度は上昇し、一方、Ｆｅイオン濃度は低下する。
【００４４】
図１０に示すようにメッキ槽１１とメインタンク３０は液管３１，３２を介して接続され、メッキ液１５は随時、前記メッキ槽１１とメインタンク３０間を循環するから、前記メッキ槽１１とメインタンク３０のメッキ液の濃度はほぼ同じになっている。すなわちメッキ槽１１内のＮｉイオン濃度が上昇すると、メッキ液１５の循環によってメッキ槽１１内とメインタンク３０内のメッキ液１５濃度はほぼ同じ値に均されると共に、メインタンク３０内のメッキ液１５のＮｉイオン濃度も上昇する。
【００４５】
このため、例えばＮｉイオン濃度の変動値がある所定値からある変動値以上に変化したら、前記メインタンク３０から前記メッキ槽１１にメッキ液１５を供給するのを停止し、一方、前記排出側液管３２を介して、前記メッキ槽１１内のメッキ液１５を所定量だけ前記メインタンク３０内に間引く。あるいは前記メッキ槽１１に排出側液管３２とは別の排出口（図示しない）を設けておき、この排出口を介して前記メッキ槽１１内のメッキ液１５を所定量だけ間引いても良い。
【００４６】
次に、前記メインタンク３０とサブタンク３３間を繋ぐ液管に設けられた切替手段（バルブ等）３５を開き、前記サブタンク３３内に充填された補助メッキ液３４を所定量だけ前記メインタンク３０内に供給する。前記サブタンク３３内の補助メッキ液３４にはＮｉイオンが入っておらずＦｅイオンを主として構成されているか、あるいはＮｉイオンが入っていてもその濃度は非常に低く抑えられている。
【００４７】
このような補助メッキ液３４を前記メインタンク３０内に所定量供給し、前記メインタンク３０内に入っているメッキ液１５と補助メッキ液３４とを攪拌することで、Ｎｉイオン濃度が低くなったメッキ液を新たに作り出す。
【００４８】
そして前記メインタンク３０から前記メッキ槽１１へのメッキ液の供給を再開すると、Ｎｉイオン濃度が低いメッキ液が前記メッキ槽１１内に入り込むことで、前記メッキ槽１１内のメッキ液のＮｉイオン濃度は低下し、このような濃度の異なるメッキ液の入れ替えを定期的に行うことで前記メッキ液の濃度を所定の濃度に適宜、調整することが出来る。
【００４９】
図１０に示すように前記メインタンク３０には前記メインタンク３０内のメッキ液１５濃度を測定するためのモニタ部（測定手段）３６が接続されており、前記モニタ部３６で、随時、あるいは定期的に前記メインタンク３０内のメッキ液１５の濃度変化を測定する。
【００５０】
なお図１０では前記メインタンク３０にモニタ部３６が接続されているが、前記メッキ槽１１に前記モニタ部３６が接続されていてもよいし、また前記メインタンク３０とメッキ槽１１の双方に前記モニタ部３６が接続されていても良い。前記メインタンク３０内に入っているメッキ液１５の量は、メッキ槽１１内のメッキ液１５の量よりも非常に多いため、前記メインタンク３０でメッキ液１５の濃度を測定することが、簡単に且つ安定した濃度を測定しやすいので好ましい。
【００５１】
前記モニタ部３６での測定により、前記メッキ液１５の濃度がある所定変動量よりも大きく変化すると、上記したように一旦、前記液管３１を介するメインタンク３０からメッキ槽１１へのメッキ液の供給を停止し、サブタンク３３から補助メッキ液３４をメインタンク３０内に供給し、新たに作り出されたメッキ液を前記液管３１を介してメインタンク３０からメッキ槽１１へ供給する。
【００５２】
なお前記モニタ部３６での測定により、前記メッキ液１５の濃度がある所定変動量よりも大きく変化したら、切替信号が前記液管３１に設けられた切替手段（図示しない）と切替手段３５に伝送され、前記液管３１に設けられた切替手段が閉じ、一方、切替手段３５が開くように自動制御することがより好ましい。
【００５３】
なお図１０に示す濃度制御方法を用いれば、ＮｉＦｅ合金などのような二元系メッキ層の形成に必要なメッキ液のみならず、三元系メッキ層の形成に必要なメッキ液の濃度調整も容易に行うことが可能である。
【００５４】
上記のように待機中におけるメッキ液１５の濃度を所定濃度範囲内に適宜調整することで、次の主基板へのメッキ層の形成工程の際に、所定濃度からなるメッキ液をメッキ槽１１内に供給でき、主基板上に形成されるメッキ層の組成比を、どのメッキ層によってもほぼ一定に保つことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の電気メッキ装置の部分断面図、
【図２】主基板へのメッキ層のメッキ形成工程から待機時間を置いて、次の主基板へのメッキ層のメッキ形成工程に移るまでの一連の工程図（断面図）、
【図３】図２の次に行われる工程図（断面図）、
【図４】図３の次に行われる工程図（断面図）、
【図５】図４の次に行われる工程図（断面図）、
【図６】図５の次に行われる工程図（断面図）、
【図７】図６の次に行われる工程図（断面図）、
【図８】図７の次に行われる工程図（断面図）、
【図９】図８の次に行われる工程図（断面図）、
【図１０】本発明における濃度制御方法を説明するための説明図（断面図）、
【図１１】電気メッキ装置の部分断面図、
【図１２】従来の問題点を説明するための説明図（断面図）、
【符号の説明】
【００５６】
１１  メッキ槽
１２  アノード
１３  ホルダ
１４  補助基板
１５  メッキ液
１９、２１  主基板
３０  メインタンク
３１、３２  液管
３３  サブタンク
３４  補助メッキ液
３５  切替手段
３６  モニタ部
【図１】
2005256016.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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