(57)【要約】【課題】挿入損失が少ない高周波モジュールを提供する。【解決手段】導波管型導波路用凹部８、および導波管型導波路用凹部８に連通する遮断導波路用凹部９，１０がそれぞれ形成され、導波管型導波路用凹部８および遮断導波路用凹部９，１０の境界部分に短絡柱５，６が立設されている高周波モジュール用部品２と、高周波モジュール用部品２の一方の面４ａに接して配設され、高周波モジュール用部品２との接触面において導波管型導波路用凹部８を閉塞するグランド電極１１、および短絡柱５，６の先端に接触するＴＥＭモード線路１２，１３が形成された基板３とを備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に形成された導波管型導波路用凹部の内面における周縁部位に短絡柱が立設されている高周波モジュール用部品。
【請求項２】
導波管型導波路用凹部と、当該導波管型導波路用凹部に連通する遮断導波路用凹部とが一方の面にそれぞれ形成され、
前記導波管型導波路用凹部と前記遮断導波路用凹部との境界部分に短絡柱が立設されている高周波モジュール用部品。
【請求項３】
前記短絡柱は、前記導波管型導波路用凹部における幅方向の中央部分に立設されている請求項１または２記載の高周波モジュール用部品。
【請求項４】
樹脂成形によって形成されると共に少なくとも前記一方の面側の表面全域が導電材料でコーティングされている請求項１から３のいずれかに記載の高周波モジュール用部品。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の高周波モジュール用部品と、
前記高周波モジュール用部品の前記一方の面に接して配設され、当該高周波モジュール用部品との接触面において前記導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および前記短絡柱の先端に接触するＴＥＭモード線路が形成された基板とを備えている高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に実装されることにより、例えばマイクロ波やミリ波などの電磁波（高周波信号）を対象とする高周波モジュールを構成する高周波モジュール用部品、およびこの高周波モジュール用部品を用いた高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の高周波モジュール用部品を用いた高周波モジュールとして、特開２００３−２７３６０５号公報に開示された高周波モジュール（導波管型フィルタ）が知られている。この導波管型フィルタは、高周波モジュール用部品としての筐体２０および基板９を備えて構成されている。筐体２０は、同公報中の図３に示すように、下面が開口すると共に、内部に複数の仕切２３が配設された金属製の箱体に構成されている。基板９は、同公報中の図４に示すように、筐体２０の下面における開口部分を覆う広さに形成されたグランド電極８と、グランド電極８の一辺に接続された信号伝送路６０とが表面に形成されている。また、導波管型フィルタは、同図に示すように、筐体２０が基板９におけるグランド電極８の形成部位に実装されて構成されている。この導波管型フィルタでは、筐体２０の内面とグランド電極８との間に空洞共振器が構成されて、信号伝送路６０を伝搬した信号（ＴＥＭモードの電磁波）は、信号伝送路６０とグランド電極８との接合部分において、空洞共振器内のＴＥモードの電磁波と磁界結合される。
【特許文献１】特開２００３−２７３６０５号公報（第４−５頁、第３−４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、上述した従来の高周波モジュールには、以下の問題点がある。すなわち、この高周波モジュールでは、信号伝送路６０とグランド電極８とを基板９の表面において接合する構成のため、両者の接合部分において信号伝送路６０の周囲に発生するＴＥＭモードの電磁波に基づく磁界は、信号伝送路６０上方の空間と信号伝送路６０下方の基板９内とを通過することになる。このため、比誘電率の大きい基板９の内部を通過する電磁波の磁界密度は強く、比誘電率の小さい空間中を通過する電磁波の磁界密度は弱くというように、基板９の内部と空間中とにおける磁界密度の偏りが大きくなる。この場合、磁界密度の小さい空間中を通過する電磁波と空洞共振器内の電磁波とが結合することにより、ＴＥＭモードの電磁波からＴＥモードの電磁波に変換される。したがって、この高周波モジュールには、ＴＥＭモードの電磁波からＴＥモードの電磁波に変換する際の効率が低いことに起因して、挿入損失が大きいという問題点がある。なお、この入力部が高周波モジュールの出力部として用いられる場合、ＴＥモードの電磁波からＴＥＭモードの電磁波に変換する際の変換効率が低いため、同様にして、挿入損失が大きいという問題点がある。
【０００４】
本発明は、かかる問題点を解決すべくなされたものであり、高周波モジュールに用いたときに挿入損失を低減し得る高周波モジュール用部品、および挿入損失が少ない高周波モジュールを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る高周波モジュール用部品は、一方の面に形成された導波管型導波路用凹部の内面における周縁部位に短絡柱が立設されている。
【０００６】
また、本発明に係る高周波モジュール用部品は、導波管型導波路用凹部と、当該導波管型導波路用凹部に連通する遮断導波路用凹部とが一方の面にそれぞれ形成され、前記導波管型導波路用凹部と前記遮断導波路用凹部との境界部分に短絡柱が立設されている。
【０００７】
この場合、前記導波管型導波路用凹部における幅方向の中央部分に前記短絡柱を立設するのが好ましい。
【０００８】
また、樹脂成形によって形成し、少なくとも前記一方の面側の表面全域を導電材料でコーティングするのが好ましい。
【０００９】
また、本発明に係る高周波モジュールは、上記の高周波モジュール用部品と、前記高周波モジュール用部品の前記一方の面に接して配設され、当該高周波モジュール用部品との接触面において前記導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および前記短絡柱の先端に接触するＴＥＭモード線路が形成された基板とを備えている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、一方の面に形成された導波管型導波路用凹部の内面における周縁部位に短絡柱を立設したことにより、例えば、グランド電極およびＴＥＭモード線路を表面に形成した基板に対して、導波管型導波路用凹部がグランド電極によって閉塞され、かつ短絡柱の先端がＴＥＭモード線路と短絡するように高周波モジュール用部品を装着することで、短絡柱の周囲に誘電体の存在しない高周波モジュールを作製することができる。したがって、この短絡柱にＴＥＭモード（またはＴＥモード）の電磁波を通過させることで、ＴＥモード（またはＴＥＭモード）の電磁波に変換することができ、その際に、短絡柱の周囲に発生する電磁波の磁界は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、強い磁界密度のＴＥＭモードの電磁波と導波管型導波路内の電磁波とが磁界結合する。したがって、ＴＥモードの電磁波とＴＥＭモードの電磁波との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュールの挿入損失を低減することができる。
【００１１】
また、本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、導波管型導波路用凹部と遮断導波路用凹部との境界部分に短絡柱を立設したことにより、例えば、グランド電極およびＴＥＭモード線路を表面に形成した基板に対して、導波管型導波路用凹部がグランド電極によって閉塞され、かつ短絡柱の先端がＴＥＭモード線路と短絡するように高周波モジュール用部品を装着することで、上記した高周波モジュール用部品と同様の作用効果を奏することができる。加えて、遮断導波路用凹部が遮断導波路として機能するため、導波管型導波路用凹部とグランド電極とで囲まれた導波管型導波路内に発生する電磁波の外部への漏洩を低減させることができる。したがって、高周波モジュールに用いたときに、遮断導波路用凹部が設けられていない高周波モジュールと比較して、その高周波モジュールの挿入損失をさらに低減することができる。
【００１２】
また、本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、導波管型導波路用凹部における幅方向の中央部分に短絡柱を立設したことにより、導波管型導波路用凹部とグランド電極とで囲まれた導波管型導波路内に発生するＴＥモードの電磁波の磁界強度が最大となる部位でＴＥＭモードの電磁波と磁気的に結合させることができる。したがって、ＴＥＭモードの電磁波とＴＥモードの電磁波とを一層良好に磁界結合させることができる結果、高周波モジュールの挿入損失を一層低減することができる。
【００１３】
また、本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、樹脂成形によって形成し、少なくとも一方の面側の表面全域を導電材料でコーティングしたことにより、金属板から削り出しで作製する構成と比較して、簡易かつ安価に製造することができ、しかも大幅に軽量化することができる。
【００１４】
また、本発明に係る高周波モジュールによれば、上記の高周波モジュール用部品と、高周波モジュール用部品の一方の面に接して配設され、高周波モジュール用部品との接触面において導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および短絡柱の先端に接触するＴＥＭモード線路が形成された基板とを備えたことにより、導波管型導波路用凹部がグランド電極によって閉塞され、かつ短絡柱の先端がＴＥＭモード線路と短絡するように高周波モジュール用部品を装着することで、短絡柱の周囲に誘電体の存在しない高周波モジュールを作製することができる。したがって、この短絡柱にＴＥＭモード（またはＴＥモード）の電磁波を通過させることで、ＴＥモード（またはＴＥＭモード）の電磁波に変換することができ、その際に、短絡柱の周囲に発生する電磁波の磁界は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、強い磁界密度のＴＥＭモードの電磁波と導波管型導波路内の電磁波とが磁界結合する。したがって、ＴＥモードの電磁波とＴＥＭモードの電磁波との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュールの挿入損失を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る高周波モジュール用部品およびこの高周波モジュール用部品を用いた高周波モジュールの最良な形態について説明する。
【００１６】
最初に、本発明に係る高周波モジュール用部品および高周波モジュールの構成について、図面を参照して説明する。
【００１７】
高周波モジュール１は、図１に示すように、高周波モジュール用部品２および基板３を備えて構成され、バンドパスフィルタとして機能する。高周波モジュール用部品２は、図２に示すように、モジュール用部品本体４、２つの短絡柱５，６および一対の仕切壁７，７を備えている。モジュール用部品本体４は、同図に示すように、外形が直方体状に形成されると共に、平面視形状がそれぞれ長方形に規定された導波管型導波路用凹部（以下、「導波路用凹部」ともいう）８および２つの遮断導波路用凹部９，１０が同一深さで一方の面（同図中の上面、図３中の下面）４ａ側にそれぞれ形成されている。この場合、導波路用凹部８は、遮断導波路用凹部９，１０の間において、各遮断導波路用凹部９，１０にそれぞれ連通するように形成されている。また、一例として、各遮断導波路用凹部９，１０は、モジュール用部品本体４の長手方向に位置する各面４ｂ，４ｃに接して形成されている。また、各遮断導波路用凹部９，１０は、面４ｂ，４ｃに沿った方向の横幅が導波路用凹部８よりも幅狭に形成されている。さらに、各面４ｂ，４ｃ側には、ＴＥＭモード線路１２を通過するＴＥＭモードの電磁波に対する影響を回避するために、その一部（ＴＥＭモード線路１２の上方部位）を切り欠いた切欠部２５が形成されている。この場合、切欠部２５の切欠幅Ｌ１は、コプレーナ線路としてのＴＥＭモード線路１２の両側に形成されているグランド電極１１，１１間の幅Ｌ２よりも狭く形成されている。また、切欠部２５の部位には、非導電材料製（例えば樹脂製）の防塵蓋（図示せず）が嵌め込まれている。
【００１８】
短絡柱５は、導波路用凹部８の内面８ａおよび遮断導波路用凹部９の内面９ａの少なくとも一方における導波路用凹部８と遮断導波路用凹部９との境界線近傍（境界部分）に立設されている。一方、短絡柱６は、導波路用凹部８の内面８ａおよび遮断導波路用凹部１０の内面１０ａの少なくとも一方における導波路用凹部８と遮断導波路用凹部１０との境界線近傍（境界部分）に立設されている。この高周波モジュール１では、一例として、図２に示すように、各短絡柱５，６は、各遮断導波路用凹部９，１０の内面９ａ，１０ａ側にそれぞれ立設されているが、上述した境界線を跨ぐようにしてその一部が導波路用凹部８の内面８ａ側に位置するようにそれぞれ立設されていてもよいし、各境界線を越えて導波路用凹部８の内面８ａ側に位置するようにそれぞれ立設されていてもよい。また、各短絡柱５，６は、導波路用凹部８における各遮断導波路用凹部９，１０と接する幅方向の各辺の中央部分に立設されている。一対の仕切壁７，７は、導波路用凹部８におけるモジュール用部品本体４の長手方向と平行な一対の内壁面にそれぞれ接した状態で、導波路用凹部８の内面８ａにおけるこの長手方向の中間位置にそれぞれ立設されている。以上のような構成を有する高周波モジュール用部品２は、モジュール用部品本体４、各短絡柱５，６および各仕切壁７，７が樹脂成形によって一体的に形成されて構成されている。また、高周波モジュール用部品２は、一方の面側の表面全域が導電材料でコーティングされている。すなわち、内面８ａを含む導波路用凹部８の表面全域、内面９ａを含む遮断導波路用凹部９の表面全域、内面１０ａを含む遮断導波路用凹部１０の表面全域、各短絡柱５，６の表面全域、各仕切壁７，７の表面全域および一方の面４ａが導電材料でコーティングされている。なお、高周波モジュール用部品２の表面全域を導電材料でコーティングする構成を採用することもできるが、導電材料の使用量増加を避けるためには、高周波モジュール用部品２の一方の面側の表面全域のみを導電材料でコーティングするのが好ましい。また、高周波モジュール用部品２は、アルミニウムなどの金属板から削り出して作製することもできるが、簡易かつ安価に製造でき、しかも大幅な軽量化も図れるという点で、上述したように、樹脂成形で製造するのが好ましい。
【００１９】
基板３は、例えば、ガラスエポキシ系樹脂材料で形成されると共に、図３に示すように、グランド電極１１および一対のＴＥＭモード線路１２，１３がそれぞれ表面（同図中の上面）に形成されている。グランド電極１１は、その外形がモジュール用部品本体４の一方の面４ａ全域を包含する広さに規定されると共に、各遮断導波路用凹部９，１０に対応する各部位（長手方向の各端部１１ｂ，１１ｃにおける中央部分）が各遮断導波路用凹部９，１０よりも若干広めに切り欠かれている。各ＴＥＭモード線路１２，１３は、この切り欠かれた各部位内において、各端部１１ｂ，１１ｃの両端部に残存するグランド電極１１に挟まれ、かつ各々の先端がグランド電極１１の中央部分１１ａに向けて延出して形成されてコプレーナ線路に形成されている。また、ＴＥＭモード線路１２は、高周波モジュール用部品２を基板３に実装した状態において、短絡柱５の先端面が位置する部位にその先端が達するように、その全長が規定されている。同様にして、ＴＥＭモード線路１３も、短絡柱６の先端面が位置する部位にその先端が達するように、その全長が規定されている。
【００２０】
また、高周波モジュール１は、図１に示すように、基板３におけるグランド電極１１および各ＴＥＭモード線路１２，１３の形成面に高周波モジュール用部品２を実装して構成されている。この実装状態では、高周波モジュール用部品２の導波路用凹部８がグランド電極１１の中央部分１１ａによって閉塞されると共に、各短絡柱５，６の先端面（本発明における先端）と各ＴＥＭモード線路１２，１３の先端部分とが互いに短絡する。この構成により、導電材料でコーティングされた導波路用凹部８の表面およびグランド電極１１で囲まれた領域は、空洞に形成されて、ＴＥモードの電磁波を伝搬する導波管型導波路Ａとして機能する。また、この導波管型導波路Ａは、一対の仕切壁７，７で区画された２つの領域を内部に備え、この２つの領域のうちのＴＥＭモード線路１２側の領域が空洞型の共振器２１を構成し、ＴＥＭモード線路１３側の領域が空洞型の共振器２２を構成する。また、各遮断導波路用凹部９，１０は、ＴＥＭモード線路１２，１３の延在方向と直交する横方向の幅が導波路用凹部８の横幅よりも幅狭に形成されることにより、導波管型導波路Ａ内を伝搬する電磁波に対する遮断導波路として機能する。
【００２１】
次に、高周波モジュール１の動作について、図４を参照して説明する。
【００２２】
この高周波モジュール１では、同図に示すように、ＴＥＭモード線路１２に入力されたＴＥＭモードの電磁波Ｗ１は、ＴＥＭモード線路１２を経由して短絡柱５に達し、次いで、短絡柱５内を通過する。そして、その際に、短絡柱５の周囲に環状の磁界Ｈ１を発生させる。この場合、共振器２１のＥ面において磁界Ｈ１の方向と共振器２１に発生する電磁波の磁界Ｈ２の方向とが一致する。したがって、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１と共振器２１内の電磁波（磁界Ｈ２）とが磁界結合する。この際に、短絡柱５が基板３に立設されているため（基板３から起立しているため）、磁界Ｈ１は誘電体としての基板３内を通過しない。したがって、短絡柱５の周囲に発生する電磁波Ｗ１の磁界Ｈ１は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、強い磁界密度のＴＥＭモードの電磁波Ｗ１と共振器（導波管型導波路）２１内を伝搬するＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）とが磁界結合する。したがって、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１とＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュール１の挿入損失が低減される。また、この高周波モジュール１では、導波路用凹部８における遮断導波路用凹部９と接する幅方向の各一辺の中央部分に短絡柱５が立設されているため、共振器２１内を伝搬するＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）の磁界強度が最大となる部位でＴＥＭモードの電磁波Ｗ１と磁界結合する。したがって、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１（磁界Ｈ１）は、共振器２１内の電磁波（磁界Ｈ２）と良好な状態で磁界結合する。つまり、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１（磁界Ｈ１）がＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）に効率よく変換される。
【００２３】
次いで、共振器２１内の電磁波（磁界Ｈ２）は、一対の仕切壁７，７間に形成された隙間をＥ面結合窓として、共振器２２内の電磁波（磁界Ｈ３）と磁界結合することによって共振器２２内に図４に示す磁界Ｈ３が発生する。一方、短絡柱６に発生するＴＥＭモードの電磁波Ｗ２の磁界Ｈ４の方向は同図に示す方向となる。このため、電磁波の磁界Ｈ３の方向とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２の磁界Ｈ４の方向とが一致する。したがって、共振器２２内の電磁波（磁界Ｈ３）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２とが磁界結合する。この際に、短絡柱６が基板３に立設されているため（基板３から起立しているため）、磁界Ｈ４は誘電体としての基板３内を通過しない。したがって、短絡柱６の周囲に発生する電磁波Ｗ２の磁界Ｈ４は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、共振器（導波管型導波路）２２内を伝搬するＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２とが良好に磁界結合する。したがって、ＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュール１の挿入損失が低減される。また、導波路用凹部８における遮断導波路用凹部１０と接する幅方向の各一辺の中央部分に短絡柱６が立設されているため、共振器２２内を伝搬するＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）の磁界強度が最大となる部位でＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２（磁界Ｈ４）とが磁界結合する。したがって、共振器２２内の電磁波は電磁波Ｗ２と良好な状態で磁界結合する。つまり、ＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）がＴＥＭモードの電磁波Ｗ２（磁界Ｈ４）に効率よく変換される。この後、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ２は、短絡柱６を通過してＴＥＭモード線路１３に達し、このＴＥＭモード線路１３を介して出力される。以上のようにして、この高周波モジュール１は、ＴＥＭモード入力−（ＴＥモード変換−ＴＥＭモード変換−）ＴＥＭモード出力型のフィルタとして機能する。
【００２４】
このように、この高周波モジュール１によれば、基板３から起立する短絡柱５，６を備えて構成したことにより、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１からＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）への変換の際、およびＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）からＴＥＭモードの電磁波Ｗ２への変換の際に、短絡柱５，６の周囲に発生する電磁波の磁界Ｈ１，Ｈ４は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１とＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ１）とを良好に磁界結合させることができると共に、ＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２とを良好に磁界結合させることができる。したがって、ＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ１，Ｈ２）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ１，Ｗ２との間で効率よくモード変換される。この結果、挿入損失の極めて小さい高周波モジュール１を構成することができる。
【００２５】
また、この高周波モジュール１によれば、各ＴＥＭモード線路１２，１３に対応させて各遮断導波路用凹部９，１０を形成したことにより、導波管型導波路Ａを伝搬する各電磁波（磁界Ｈ２，Ｈ３）に対する遮断導波路として各遮断導波路用凹部９，１０をそれぞれ機能させることができる結果、各電磁波（磁界Ｈ２，Ｈ３）の外部への漏洩を防止することができる。また、導波路用凹部８における各遮断導波路用凹部９，１０と接する幅方向の各一辺の中央部分に各短絡柱５，６を立設したことにより、導波管型導波路Ａ内を伝搬するＴＥモードの各電磁波（磁界Ｈ２，Ｈ３）の磁界強度が最大となる部位でＴＥＭモードの電磁波Ｗ１，Ｗ２とそれぞれ磁界結合させることができる。したがって、ＴＥＭモードの電磁波Ｗ１とＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ２）との磁界結合、およびＴＥモードの電磁波（磁界Ｈ３）とＴＥＭモードの電磁波Ｗ２とを一層良好に磁界結合させることができる。この結果、高周波モジュール１の挿入損失を一層低減することができる。
【００２６】
なお、本発明は、上記した構成に限定されない。例えば、導波路用凹部８の両側に各遮断導波路用凹部９，１０を配設した高周波モジュール１について上記したが、各遮断導波路用凹部９，１０のうちのいずれか一方のみを配設する構成を採用することができるし、遮断導波路用凹部９，１０を設けない構成を採用することもできる。一例として、図５に示す高周波モジュール３１では、導波路用凹部８および遮断導波路用凹部１０を配設して遮断導波路用凹部９を配設していないモジュール用部品本体３４で構成された高周波モジュール用部品３２を用いて、ＴＥＭモード線路１３側にのみ遮断導波路が形成されている。この場合、ＴＥＭモード線路１２側の短絡柱５は、導波路用凹部８の内面８ａにおける周縁部位に立設されている。また、面４ｂには、ＴＥＭモード線路１２を通過するＴＥＭモードの電磁波に対する影響を回避するために、その一部（ＴＥＭモード線路１２の上方部位であって短絡柱５の近傍部位）を切り欠いた切欠部３５が形成されている。この場合、切欠部３５の切欠幅Ｌ１は、コプレーナ線路としてのＴＥＭモード線路１２の両側に形成されているグランドパターン間の幅Ｌ２よりも狭く形成されている。また、切欠部３５の部位には、非導電材料製（例えば樹脂製）の防塵蓋（図示せず）が嵌め込まれている。なお、同図において高周波モジュール１と同一の構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。この高周波モジュール３１によれば、遮断導波路用凹部９が設けられていない分だけ電磁波（磁界Ｈ２）が外部に漏洩するものの、それ以外の点に関しては、高周波モジュール１と同様の作用効果を奏することができる。また、高周波モジュール１，３１として、各ＴＥＭモード線路１２，１３をコプレーナ線路で形成した例について上記したが、マイクロストリップ線路やストリップ線路で形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】高周波モジュール１の構成を示す斜視図である。
【図２】図１における高周波モジュール用部品２の裏面側から見た斜視図である。
【図３】高周波モジュール用部品２および基板３の構成を示す分解斜視図である。
【図４】高周波モジュール１の動作を説明するための説明図である。
【図５】高周波モジュール３１の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２８】
１，３１  高周波モジュール
２，３２  高周波モジュール用部品
３  基板
４，３４  モジュール用部品本体
４ａ  モジュール用部品本体の一方の面
５，６  短絡柱
７  出力線路
８  導波管型導波路用凹部
８ａ  導波路用凹部の内面
９，１０  遮断導波路用凹部
９ａ，１０ａ  遮断導波路用凹部の内面
１２，１３  ＴＥＭモード線路
【図１】
2005217604.tif 000003
【図２】
2005217604.tif 000004
【図３】
2005217604.tif 000005
【図４】
2005217604.tif 000006
【図５】
2005217604.tif 000007