(57)【要約】【課題】  基板上に形成される燐濃度の低いNi一低P系の軟磁性膜を腐食させることなく、かつ、安価で研摩することができること。【解決手段】  仕上げ研磨用のスラリーは、７０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の粒子径を有するコロイダルシルカと純水とが混合されたスラリーとされる。【選択図】  図１
2005216465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ｗｔ％以上６ｗｔ％以下の燐を含むＮｉ−Ｐ系合金からなる軟磁性下地層を有する基板の該軟磁性下地層の表面を、粗研磨する第１の研磨工程と、
前記第１の研磨工程により研磨された軟磁性下地層の表面を、純水と７０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の粒子径を有するコロイダルシリカとが混合された研磨液により研磨する第２の研磨工程と、
を含む記録媒体用ディスク基板の研磨方法。
【請求項２】
前記第２の研磨工程により研磨された軟磁性下地層の表面粗さＲａが０．５ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１記載の研磨方法により研磨された記録媒体用ディスク基板。
【請求項３】
請求項１記載の研磨方法により研磨された記録媒体用ディスク基板上に少なくとも磁気記録層を形成する工程を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性膜を有する記録媒体用ディスク基板、その研磨方法、および、その研磨方法を用いる垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。その垂直磁気記録方式においては、例えば、特許文献１にも示されるように、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜よりなる磁気記録層とポリイミド基板とされるベースの表面との間に低抗磁力材層（Ｍｏ−Ｆｅ−Ｎｉ）（以下、軟磁性膜ともいう）を形成した２層構造が提案されている。
【０００３】
特に、情報を記録する役割を担う磁気記録層の下側に、磁気ヘッドから発生する磁束を通しやすい軟磁性裏打ち層と呼ばれる軟磁性膜を付与した二層垂直磁気記録媒体は、磁気ヘッドの発生磁界強度とその磁界勾配を増加させ、記録分解能を向上させるとともに媒体からの漏洩磁束も増加させることから、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体として好適であることが知られている。
【０００４】
このような二層垂直磁気記録媒体の一連の製造工程においては、アルミニウム合金基材上に非磁性のＮｉＰ層を無電解めっき法で形成した基板、もしくは、ガラス基板を用い、その表面を研磨した後に軟磁性膜を形成し、さらに軟磁性膜上に、磁気記録層および保護層等が形成されることにより、磁気記録媒体が得られることとなる。
【０００５】
軟磁性裏打ち層としては、一般にNiF e合金やコバルト（Co）を主体とするアモルファス合金等が用いられている。これらの材料を用いる場合、記録再生特性の観点から0．1μm〜数μmの膜厚が必要とされている。このような比較的厚い膜厚を有する軟磁性層は、従来の磁気記録媒体の製造に用いられているスパッタ法では、安価に大量生産することが非常に困難であり、無電解めっき法による低コストでの大量生産を可能とすることが課題となっている。
【０００６】
これまでのところ、この課題に対し、特許文献２にも示されるように、Ni−Fe−P系合金からなる軟磁性材料膜における無電解めっきによる生産が提案されている。
しかし、Ni−Fe−P層を用いた軟磁性裏打ち層は、3元素からなるので無電解めっき法においてはそのめっき液の組成等の管理が非常に困難であり、従って、大量生産時にその品質を維持制御することが困難な場合がある。なぜならば、めっき液の成分中の硫酸第一鉄が大気に触れると酸化して硫酸第二鉄に除々に変化してしまうことから、一定のめっき液組成に管理することが困難だからである。
【０００７】
一方、特許文献３にも示されるように、アルミウム基板上にNi−P系合金の軟磁性膜を無電解メッキにより形成することが提案されている。
また、特許文献４にも示されるように、磁気記録媒体の一連の製造工程中、磁気記録媒体用ガラス基板の表面研磨工程においては、研磨液として平均粒径０．１μｍを有するコロイダルシリカと純水との混合液を使用することも提案されている。
【０００８】
【特許文献１】特公昭５８−９１号公報
【特許文献２】特開平７−６６０３４号公報
【特許文献３】特公平３−２３９７２号公報
【特許文献４】特開２００３−６８４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本出願人により先に出願された特願２００３−０２７４８６号の明細書中にも示されるように、より安定させて無電解めっきにより大量生産できるめっき膜（軟磁性膜）を検討した結果、Ni一低P膜は、2元素であることから、無電解めっきで作製する場合、3元素からなるめっき液に比べてめっき液が安定し管理が容易でありまた品質も安定しているという結果を得た。特に、P濃度を6wt％以下にしたNi−P膜（以下、Ni一低P膜ともいう）が有望である。
【００１０】
また、本出願人により先に出願された特願２００３−０４９８７８号の明細書中にも示されるように、このようなNi一低P膜に対する研摩加工は、アルミナスラリーによる粗研摩工程とコロイダルシリカによる最終研摩工程との2工程からなる。
P濃度12％以上の一般的なNi−P合金の非磁性膜は、酸溶液中での耐食性が高く、P濃度12％以上の非磁性膜の研磨工程において、研磨液としてこの酸性研摩スラリーを用いることができる。
【００１１】
しかし、これら研摩剤には、生産性と表面品質を両立させる為に、エッチング作用のある酸性エッチング剤が添加されている。P濃度6％以下のNi一低Pめっきを施した基板は耐酸性が低く、表面が不均質に溶出してしまう為、鏡面研摩ができない。さらに、その表面における腐食が酷い場合、リン酸ニッケル（Ni）が再析出して黒色の被膜を形成してしまう等の問題がある。
【００１２】
これに対し、上述の特願２００３−０４９８７８号の明細書中において、pH8以上のアルカリ性研磨剤を用いて研摩する方法が提案されており、これにより、基板上に施したNi−低P膜を良好に研摩することが可能であることが記載されている。その際、最終研磨に使用しているアルカリ性研磨剤は、有機酸、無機酸、pH調整液（KOH等）等の各種薬品の配合による研磨促進剤と、コロイダルシリカとを混合したものを研磨剤としている。
【００１３】
しかし、この方法では、研磨促進剤を製作するために数種類の薬品を混合するので研磨剤の価格が高くなり、また、調合量の管理が大変であるという問題を伴う。
以上の問題点を考慮し、本発明は、記録媒体用ディスク基板の研磨方法であって、基板上に形成される燐濃度の低いNi一低P系の軟磁性膜を腐食させることなく、かつ、安価で研摩することができる記録媒体用ディスク基板、その研磨方法、および、その研磨方法を用いる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述の目的を達成するために、本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法は、１ｗｔ％以上６ｗｔ％以下の燐を含むＮｉ−Ｐ系合金からなる軟磁性下地層を有する基板の該軟磁性下地層の表面を、粗研磨する第１の研磨工程と、第１の研磨工程により研磨された軟磁性下地層の表面を、純水と７０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の粒子径を有するコロイダルシリカとが混合された研磨液により研磨する第２の研磨工程と、を含む。
【００１５】
また、本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法は、本発明の研磨方法により研磨された基板上に少なくとも磁気記録層を形成する工程を備える。
【発明の効果】
【００１６】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法、および、垂直磁気記録媒体の製造方法によれば、第１の研磨工程により粗研磨された軟磁性下地層の表面を、純水と７０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の粒子径を有するコロイダルシリカとが混合された研磨液により研磨する第２の研磨工程を含むので基板上に形成される燐濃度の低いNi一低P系の軟磁性膜を腐食させることなく、かつ、安価で研摩することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図２は、本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用されたディスク状磁気記録媒体の製造における一連の工程を示す。
【００１８】
図２に示される一連の工程により得られるディスク状磁気記録媒体１０は、例えば、３．５インチの垂直磁気記録媒体とされ、図７に示されるように、基体１２の表面上に初期反応層１４、非磁性下地層２４、軟磁性下地層１６、非磁性シード層１８、磁気記録層２０、保護層２２が順次、積層されて形成されている。なお、図７は、ディスク状磁気記録媒体１０における半径方向に沿った断面の一部分を概略的に示す。
【００１９】
基体１２は、非磁性材料、例えば、アルミウムマグネシウム系合金（Ａｌ−５Ｍｇ（ａｔ％））で作られている。なお、基体１２の材料は、アルミ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等が用いられてもよい。さらに、基体１２の材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリオレフィンおよびその他のプラスチック樹脂を射出成形することで作製した基板が用いられてもよい。
【００２０】
基体１２の表面上に形成される初期反応層１４は、所定の膜厚（０．１〜０．８μｍ）を有する例えば、亜鉛（Ｚｎ）膜とされる。
また、初期反応層は、基体１２の材料としてアルミ合金が用いられた場合、ジンケート液（酸化亜鉛および苛性ソーダ水溶液を含む液）に浸漬して形成するZn膜層を用いるのが一般的である。その場合、Zn層の膜厚は、0．1〜0．8／μmであることが望ましいが、該範囲をはずれた膜厚であっても可能である。
【００２１】
さらに、基体１２の材料として強化ガラス、結晶化ガラス、プラスチック等が用いられた場合、初期反応層を形成するにあたっては、20〜40g／1の塩酸酸性塩化スズ溶液と0．1〜0．5g／1の塩酸酸性塩化パラジウム溶液に順次浸漬して表面にPd核を析出させる活性化処理を行うのが一般的である。尚、スパッタ法やイオンプレーティング法等の物理蒸着法を用いて、初期反応層としてNi、Ni−P、Cu、Cr、Fe、またはPdなどの薄膜を1nm〜1000nm程度形成することも可能である。
【００２２】
非磁性下地層２４は、図６に示されるように、例えば、所定の膜厚を有するニッケル一高濃度の燐系（以下、Ｎｉ−高Ｐ系ともいう）合金のめっき層とされる。そのめっき層は、例えば、無電解めっき法により積層される。Ｎｉ−高Ｐ系合金のめっき層のP濃度は、例えば、10wt％以上13wt％以下が望ましく、好ましくは、例えば、１２．５％とされる。
【００２３】
無電解めっき法により初期反応層１４上に積層される非磁性下地層２４を形成するための無電解めっき液は、燐濃度１２．５％とされ、例えば、Niイオン、錯化剤、および還元剤を含む。Niイオンとしては、NiSO４、NiC12などを用いることができる。錯化剤としては、一般的なクエン酸、酒石酸塩などを用いることができる。また、還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムを一般的に用い、さらにヒドラジン、ホルムアルデヒド、またはホウ水素化ナトリウムなどを併用してもよい。
【００２４】
そして、80〜95℃に調整したそれらを含有するめっき液に、初期反応層１４が形成されたディスク基板が浸漬されることにより、非磁性下地層２４が初期反応層１４上に積層される。
【００２５】
なお、Ni−P系合金のめっき層は、安価な大量生産の観点から無電解めっき法により積層することが望ましいが、これに限定されることなく、求められる特性等により、スパッタ法やイオンプレーティング法等の物理蒸着法等の一般的な他の成膜方法が用いられてもよい。
【００２６】
例えば、無電解めっき法により、非磁性下地層２４上に形成される軟磁性下地層１６は、所定の膜厚を有するニッケル一低濃度の燐系（以下、Ｎｉ−低Ｐ系ともいう）合金のめっき層とされる。めっき層は、例えば、燐濃度４．５％とされる。
【００２７】
Ni−低P系合金のめっき層における軟磁性特性を良好に実現させるためには、めっき層の合金におけるP濃度は１ｗｔ％以上6wt％以下が望ましい。燐（Ｐ）が１ｗｔ％未満である場合、安定な無電解めっき膜を形成することが困難であり、また、燐（Ｐ）が６ｗｔ％を超える場合、めっき層の飽和磁束密度［B s］が低下しすぎて二層垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層としての機能を果たさないからである。従って、めっき層の合金におけるP濃度は１ｗｔ％以上6wt％以下が望ましい。
【００２８】
また、Ni一低P系合金のメッキ層の膜厚は、0．5μm以上であることが望ましい。
Ni一低P系合金のメッキ層の膜厚は、垂直磁気記録媒体面の軟磁性裏打ち層として機能するために0．5μm以上であることが必要である。
【００２９】
上述の非磁性下地層２４と軟磁性下地層１６の膜厚の上限は、特に規定されないが、９μｍ以下であることが製造コストの低減の観点から望ましい。さらに、非磁性下地層２４と軟磁性下地層１６の膜厚の和は、３μｍ以上であることが基板表面の硬度を確保するために必要である。
【００３０】
本願の発明者の検証によれば、Ni一低P系合金のめっき層の飽和磁束密度［B s］をVSM（振動試料磁力計）で測定すると、P濃度2％、膜厚1μmでは0．4T程度の軟磁性特性が得られ、P濃度6％、膜厚1μmでは0．15T程度の軟磁性特性が得られることが確認されている。
【００３１】
無電解めっき法により非磁性下地層２４上に積層される軟磁性下地層１６を形成するための無電解めっき液は、燐濃度３．７％とされ、例えば、Niイオン、錯化剤、および還元剤を含む。Niイオンとしては、NiSO４、NiC12などを用いることができる。錯化剤としては、一般的なクエン酸、酒石酸塩などを用いることができる。また、還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムを一般的に用い、さらにヒドラジン、ホルムアルデヒド、またはホウ水素化ナトリウムなどを併用してもよい。
【００３２】
そして、80〜95℃に調整したそれらを含有するめっき液に、非磁性下地層２４が形成されたディスク基板が浸漬されることにより、軟磁性下地層１６が非磁性下地層２４上に積層される。なお、軟磁性下地層１６を形成する場合、上述の非磁性下地層２４を形成する場合と異なる条件は、その膜厚およびめっき浴の燐濃度だけである。
非磁性シード層１８は、後述する磁気記録層２０の結晶配向および結晶粒径等を好ましく制御するための材料、例えば、磁気記録層２０がＣｏ系合金等とＰｔあるいはＰｄ等とが積層された磁化膜である場合、Ｐｔ，またはＰｄ等で形成される。なお、非磁性シード層１８を形成する材料としては、ＣｏＣｒ系合金、Ｔｉ、あるいはＴｉ系合金、Ｒｕ等が用いられても良い。非磁性シード層１８の膜厚は、例えば、１〜５００ｎｍが好ましい。
【００３３】
非磁性シード層１８上に形成される磁気記録層２０の材料としては、垂直磁気記録媒体としての記録再生を担うことができるいかなる材料、例えば、上述したようなＣｏ系合金、ＰｔあるいはＰｄ等をも用いることができる。
【００３４】
磁気記録層２０上に形成される保護層２２は、例えば、カーボンを主体とする薄膜とされる。保護層２２の膜厚は、例えば、１〜１０ｎｍが好ましい。
なお、非磁性シード層１８、磁気記録層２０、および、保護層２２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、めっき法などのいずれの薄膜形成方法でも形成することが可能である。
【００３５】
なお、上述の例においては、初期反応層１４上に非磁性下地層２４が形成されているが、斯かる例に限られることなく、例えば、図８に示されるように、初期反応層１４上に直接的に軟磁性下地層１６が形成されてもよい。また、図示が省略されるが、基体１２の両面にそれぞれ、上述の各層がそれぞれ積層されてもよい。
【００３６】
上述したディスク状磁気記録媒体１０を製造するにあたっては、先ず、図２に示されるように、前処理工程Ｓ１において、円盤状の基体１２の表面がアルカリ洗浄および酸エッチングにより清浄化される。次に、清浄化された基体１２は、初期反応層形成工程Ｓ２において、ジンケート液に浸漬される。これにより、所定の膜厚を有する所定の亜鉛（Ｚｎ）膜が初期反応層１４として形成される。
【００３７】
続いて、下地層形成工程Ｓ３において、非磁性下地層２４および軟磁性下地層１６が初期反応層１４が形成された基体１２に対して無電解めっきにより形成される。即ち、P濃度12．5％のNi―高P系合金のめっき液が用いられることにより、P濃度12．5％、膜厚9μmの非磁性下地層２４（Ni一高P系合金層）が基体１２の初期反応層１４上に、形成される。その後、P濃度3．7％のNi一低P系合金のめっき液が用いられることにより、P濃度4．5％、膜厚3μmの軟磁性下地層１６（Ni一低P系合金層）が非磁性下地層２４上に形成される。従って、非磁性下地層２４および軟磁性下地層１６（Ni−P系合金層）における総膜厚が12μmとなる。
【００３８】
続いて、熱処理工程Ｓ４において、飽和磁束密度［B s］を向上させるために非磁性下地層２４および軟磁性下地層１６が形成された基体１２に対し所定の温度範囲で、所定期間だけ加熱処理が施される。なお、熱処理工程Ｓ４は、省略されてもよい。
【００３９】
続いて、図２に示される粗研磨工程Ｓ５において、軟磁性下地層１６の表面が研磨される。研磨は、例えば、図３に示されるような両面研磨装置が用いられる。
【００４０】
図３において、両面研磨装置は、環状の研磨布４２を一方の表面に有し、回動可能に支持される下定盤部４０と、下定盤部４０に対向し回動可能にかつ下定盤部４０に対し近接または離隔可能に配される上定盤部４４と、下定盤部４０の中央の開口部内に配されキャリア５０に支持される遊星歯車列（不図示）を介して駆動力を内歯歯車４８に伝達する太陽歯車５４を有する駆動軸５４と、下定盤部４０の外周を包囲するように下定盤部４０に連結され、上述の遊星歯車列からの駆動力を下定盤部４０に伝達する内歯歯車４８と、図示が省略されるが、上定盤部４４を下定盤４０に対し近接または離隔、例えば、昇降させる昇降駆動機構と、下定盤部４０および上定盤部４４をそれぞれ回動させる駆動用モータとを主な要素として含んで構成されている。
【００４１】
環状の研磨布４６を研磨布４２に対向する面に有する上定盤部４４は、その中央部分に駆動軸５４の中心軸線と共通の軸線上に駆動軸５６の一端が連結されている。駆動軸５６の他端には、上述の駆動用モータの出力部および昇降駆動機構が連結されている。これにより、駆動用モータが作動状態とされる場合、上定盤部４４を伴う駆動軸５６は、図３に示される矢印の示す方向に回動されるとともに、昇降駆動機構により、所定の圧力により、下定盤部４０に向けて押圧されることとなる。
【００４２】
上定盤部４４を伴う駆動軸５６の回転速度Ｒｖは、例えば、図４に示される特性線Ｌａに従い制御される。
【００４３】
図４は、縦軸に駆動軸５６の回転速度Ｒｖをとり、横軸に研磨時間ｔをとり、回転速度Ｒｖの研磨時間に応じた変化をあらわす特性線Ｌａを示す。回転速度Ｒｖは、は、研磨開始から所定の時点ｔｏまで加速して所定の速度Ｒｍに到達する。回転速度Ｒｖは、時点ｔｏから所定期間経過する時点ｔｒまで所定の速度Ｒｍを維持した後、時点ｔｒから減速を開始し時点ｔｆで零となる。従って、回転開始から時点ｔｆまでの期間が研磨時間となる。
【００４４】
駆動軸５６の周囲には、後述する純水およびスラリー等を供給路６０を介して研磨布４２と研磨布４６との間に供給する研磨液貯留部材５８が配されている。環状の研磨液貯留部材５８は、図示が省略される支持部材により上定盤部４４に連結されている。研磨液貯留部材５８は、供給される純水およびスラリー等を貯留する環状の溝５８Ｇを内部に有している。溝５８Ｇの内部には、複数の供給路６０の一端がそれぞれ連結されている。各供給路６０は、研磨液貯留部材５８の円周方向に沿って所定の角度間隔で配されている。各供給路６０の他端は、上定盤部４４および研磨布４６を介して上定盤部４４および下定盤部４０の相互間に開口している。
【００４５】
研磨液貯留部材５８の溝５８Ｇの真上には、純水を供給する供給路６２の一端が所定距離、離隔して配されている。供給路６２の他端には、純水が貯留される純水用タンクが連結されている。また、供給路６２には、純水の供給量を制御する制御弁６２Ｖが設けられている。
【００４６】
さらに、供給路６２の一端側には、スラリーを供給路６２に供給する供給路６４の一端が連結されている。供給路６４の他端には、スラリーが貯留されるスラリー用タンクが連結されている。供給路６４には、スラリーの供給量を制御する制御弁６４Ｖが設けられている。
【００４７】
従って、供給路６２を通じてスラリーまたは純水が供給され、駆動軸５６が回動される場合、そのスラリーまたは純水が回動される研磨液貯留部材５８の溝５８Ｇおよび各供給路６０を通じて研磨布４２と研磨布４６との間に供給されることとなる。
キャリア５０は、基板保持部材としても機能し、上述の研磨される基板２８（図６参照）を保持する複数の孔を有している。孔内に所定の隙間をもって配される各基板２８は、自転可能に配されている。
【００４８】
下定盤部４０は、駆動軸５４に連結される駆動用モータが作動状態とされることにより、図３の矢印の示す方向、即ち、上述の上定盤部４４の回転方向とは逆方向に回転せしめられる。下定盤部４０の回転速度Ｒｖは、上述した図４に示される特性線Ｌａに従い同様に制御される。
【００４９】
従って、駆動軸５４および５６が回動される場合、キャリア５０に保持される基板２８の摺接面は、内歯歯車４８とともに回動される研磨布４２および下定盤４０、研磨布４６に対して相対運動せしめられることにより、スラリーが供給されながら、研磨されることとなる。また、単位時間あたり研磨量が上定盤部４４および下定盤４０相互間の所定の押圧力、その回転速度に比例するので必要な研磨量の制御は、研磨時間が所定の値に設定されることにより制御されることとなる。
【００５０】
斯かる両面研磨装置が用いられるもとで、粗研磨工程Ｓ５において、スラリーは、シリカ、コロイダルシルカ、アルミナ、炭化珪素、ジルコニア、ダイヤモンド等の研磨材を、一般的な有機酸を用いた酸性エッチング剤と調合して粗研磨用スラリーとする。
【００５１】
好ましくは、ｐＨ３．３の研磨液にアルミナを混合した酸性アルミナスラリーとされる。これらの研磨材の粒径は、５ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが望ましく、好ましくは、７００〜９００ｎｍである。研磨量は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が望ましい。
【００５２】
研磨するにあたっては、制御弁６４Ｖが開状態とされ、制御弁６２Ｖが閉状態とされることにより、酸性アルミナスラリーが供給されるもとで、軟磁性下地層１６の表面が研磨される。研磨時間が研磨開始後上述の時点ｔｒを経過した後、制御弁６４Ｖが閉状態とされ、制御弁６２Ｖが開状態とされる。これにより、純水により基板２８上のスラリーが簡易的に取り除かれる。
【００５３】
続いて、図２における仕上げ研磨工程Ｓ６において、粗研磨された基板２８の軟磁性下地層１６について仕上げ研磨が施される。仕上げ研磨用のスラリーは、コロイダルシルカと純水とが混合されたスラリーとされる。これにより、軟磁性膜を腐食させることなく、薬品の調合が不要とされる安価な研磨液が、Ｎｉ−低Ｐ系合金の軟磁性下地層１６の研磨用に得られることとなる。
【００５４】
コロイダルシリカの粒径は、7０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であることが望ましい。後述するように、コロイダルシリカの粒径が７０ｎｍ未満の場合、表面粗さが悪化することが発明者による検証により確認されたからである。また、コロイダルシリカの粒径が１４０ｎｍより大きい場合、やはり表面粗さが悪化することが検証、確認されたからである。
その軟磁性下地層１６の研磨量は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が望ましい。また、その表面粗さは、Ｒａ＝０．５ｎｍ未満であることが望ましい。Ｒａ＝０．５ｎｍ未満とされるのは、記憶容量をさらに向上させるためである。
【００５５】
研磨するにあたっては、制御弁６４Ｖが開状態とされ、制御弁６２Ｖが閉状態とされることにより、そのコロイダルシルカと純水とが混合されたスラリーが供給されるもとで、軟磁性下地層１６の表面が研磨される。研磨時間が研磨開始後上述の時点ｔｒを経過した後、制御弁６４Ｖが閉状態とされ、制御弁６２Ｖが開状態とされる。これにより、純水により基板２８上のスラリーが簡易的に取り除かれる。
【００５６】
続いて、洗浄、乾燥工程（不図示）を経た後、図２における磁気記録層形成工程Ｓ７において、図７に示されるように、非磁性シード層１８、磁気記録層２０、および、保護層２２は、例えば、スパッタリング法等により、その軟磁性下地層１６上に順次積層され形成されることとなる。これにより、ディスク状磁気記録媒体１０が得られることとなる。
図１および図５は、本願の発明者により検証された比較例の実験結果を示す。
【００５７】
比較例の実験は、図３に示される両面研磨装置が用いられて３．５インチの基板に形成されたＮｉ−低Ｐ系合金の軟磁性膜（膜厚３μｍ）に対して上述のような粗研磨工程Ｓ５および仕上研磨工程Ｓ６が行われるものである。
【００５８】
図５は、比較例の実験における上述の粗研磨工程Ｓ５の研磨条件を示すものであって、主加工圧力（ｇ／ｃｍ２）、上定盤部４４および下定盤部４０の回転速度（ｒｐｍ），使用された研磨材の粒径の範囲（ｎｍ），スラリー（研磨液）流量（ｍｌ／ｍｉｎ），研磨速度（ｎｍ／ｍｉｎ）の値をそれぞれ示す。
【００５９】
スラリーは、ｐＨ３．３に調整した研磨液に研磨材として砥粒径７００〜９００ｎｍのアルミナを混合した酸性アルミナスラリーとされる。
【００６０】
図１は、比較例の実験における上述の仕上研磨工程Ｓ６において使用されるスラリーのコロイダルシリカの粒径、研磨時間（ｍｉｎ）、後述する工程１および２の合計の研磨量（μｍ）、仕上げ研磨後の表面粗さ（Ｒａ）の値をそれぞれ、示す。
【００６１】
図１において、工程１および工程２は、それぞれ、粗研磨工程Ｓ５および仕上研磨工程Ｓ６をあらわす。仕上げ用スラリーは、それぞれ、砥粒径２０ｎｍのコロイダルシリカ（条件１）、砥粒径４０ｎｍのコロイダルシリカ（条件２）、砥粒径７０ｎｍのコロイダルシリカ（条件３）、砥粒径１４０ｎｍのコロイダルシリカ（条件４）、砥粒径２４０ｎｍのコロイダルシリカ（条件５）をそれぞれ３ｗｔ％濃度となるように純水（Ｈ２０）に混合したものとされる。コロイダルシリカは、日産化学工業（株）のＳＴシリーズより前記の粒径のものを選定して研磨に用いたものである。
表面粗さＲａの測定は、AFMにて１０μm  X  １０μmの範囲における表面粗さを測定したものである。
【００６２】
図１から明らかなように、コロイダルシリカの粒径が７０ｎｍまたは１４０ｎｍであるスラリーを用いた研磨においては、研磨後の基板の表面粗さは、それぞれＲａ＝０．３ｎｍである（条件3、条件4）。
【００６３】
これに対し、コロイダルシリカの粒径が２０ｎｍまたは粒径４０ｎｍであるスラリーを用いた研磨においては、Ｒａ＝０．７ｎｍ（条件１）、Ｒａ＝０．６ｎｍ（条件２）である。また、粒径２４０ｎｍであるスラリーを用いた研磨においては、Ｒａ＝０．５ｎｍ（条件５）である。
【００６４】
従って、その粒径が４０ｎｍ以下の比較的小さい粒径のコロイダルシリカを用いた場合、および、粒径が２４０ｎｍ以上の大きな粒径のコロイダルシリカを用いた場合、その研磨後の表面粗さが、悪化していることとなる。
つまり、コロイダルシリカの粒径を７０ｎｍ〜１４０ｎｍとすることで、表面粗さにおいて良好な結果を得ることができる。
【００６５】
スラリーに用いられるコロイダルシリカの粒径を７０ｎｍ〜１４０ｎｍとすることにより、最終仕上げ表面の表面粗さRaを下げることができ、磁気ディスク基板に求められる超平坦面を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用された実施例および比較例の実験結果を示すテーブルである。
【図２】本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用される記録媒体の製造工程を示す工程図である。
【図３】本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用される研磨装置の要部を概略的に示す構成図である。
【図４】図３に示される研磨装置の上定盤部および下定盤部における研磨時間に応じた回転速度の変化を示す特性図である。
【図５】図１に示される実施例および比較例の実験における粗仕上げ工程の諸条件の値を示すテーブルである。
【図６】本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用された基板の部分断面図である。
【図７】本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用された磁気記録媒体の部分断面図である。
【図８】本発明に係る記録媒体用ディスク基板の研磨方法の一例が適用された記録媒体用ディスク基板の部分断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１２    基体
１６    軟磁性層
１０    ディスク状磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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