(57)【要約】【課題】電子部品とケースとのガタを防止し、かつ装置の厚さを薄くできるカード状半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】カード状半導体装置は、表面に第１ポケット２１が形成された第１ケース部材１２と表面に第２ポケット２２が形成された第２ケース部材１３の前記第１，第２ポケットが対向配置されて超音波溶着され、挿入スペースが形成されたカード状のケース１２、１３と、前記ケースの挿入スペース内に収容された、半導体チップを有する電子部品１１と、前記第１，第２ポケットの少なくとも一方の近傍に形成されたエネルギーダイレクターの溶融物が前記挿入スペース内に導入されて形成され、前記電子部品と前記ケースとを固着する溶着部２５Ａとを具備することを特徴としている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１ポケットが形成された第１ケース部材と表面に第２ポケットが形成された第２ケース部材の前記第１，第２ポケットが対向配置されて超音波溶着され、挿入スペースが形成されたカード状のケースと、
前記ケースの挿入スペース内に収容された、半導体チップを有する電子部品と、
前記第１，第２ポケットの少なくとも一方の近傍に形成されたエネルギーダイレクターの溶融物が前記挿入スペース内に導入されて形成され、前記電子部品と前記ケースとを固着する溶着部とを具備すること
を特徴とするカード状半導体装置。
【請求項２】
前記電子部品は、前記半導体チップと外部との接続を行うための端子を更に具備し、前記ケースは、前記電子部品の前記端子に対応する位置に設けられ、前記端子を露出するための開口窓を有すること
を特徴とする請求項１に記載のカード状半導体装置。
【請求項３】
前記電子部品は、パッケージまたは前記半導体チップが搭載された基板であること
を特徴とする請求項１または２に記載のカード状半導体装置。
【請求項４】
表面に第１ポケットが形成された第１ケース部材の前記第１ポケット内に、半導体チップを有する電子部品を配置し、前記第１ケース部材上に、表面に第２ポケットが形成された第２ケース部材を前記第１，第２ポケットが対向するように配置する工程と、
前記第１，第２ポケットの少なくとも一方の近傍に形成されたエネルギーダイレクターに超音波を印加して溶着する工程とを具備し、
前記超音波溶着工程において、前記エネルギーダイレクターの溶融物が前記挿入スペース内に導入され前記電子部品と前記第１ケース，第２ケースを固着すること
を特徴とするカード状半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記超音波溶着工程は、前記第１ケース部材の外周に沿って設けられた第１エネルギーダイレクターを溶融して前記第１，第２ケース部材を溶着し、且つ前記第１ケース部材の前記第１ポケットの周囲に沿って設けられた第２エネルギーダイレクターを溶融して前記挿入スペース内に導入し前記電子部品と前記１，第２ケースとを固着すること
を特徴とする請求項４に記載のカード状半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カード状半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、半導体メモリカード、ＩＣカード等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体メモリカード、ＩＣカード等では、ＩＣチップが搭載されたプリント基板等の電子部品の表面上をカード状の樹脂ケース等により覆った構造が用いられている。この構造では、電子部品と樹脂ケースとの間にガタが生じないように、電子部品と樹脂ケースとが十分に固定される必要がある。例えば、特許文献１では、カード基材１とプリント基板２１との間に接着材料１１、１３を挿入し、カード基材１およびプリント基板２１が接着材料１１、１３に押圧され接着されることにより、接着材料１１、１３を介して、カード基材１およびプリント基板２１を固定している。
【０００３】
しかし、上記のような構造であると、接着材料がプリント基板と基材との間に設けられているため、接着材料の厚さの分だけ余計にＩＣカードが厚くなるという問題がある。
【０００４】
また、接着材料をプリント基板および基材の間に挿入するための工程が余計に必要となるために、製造工程および製造コストが増大するという問題がある。
【０００５】
上記のように従来のカード状半導体装置では、電子部品とケースとのガタを防止しようとすると装置の厚さが厚くなるという事情があった。
【０００６】
また、従来のカード状半導体装置の製造方法では、製造工程および製造コストが増大するという事情があった。
【特許文献１】特開平５−１６５８５号公報  明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は上記のような事情に鑑みて、電子部品とケースの間に生じるガタを防止し、かつ装置の厚さを薄くできるカード状半導体装置を提供する。
【０００８】
また、この発明は上記のような事情に鑑みて、製造工程を短縮でき、製造コストを低減できるカード状半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の一態様によれば、表面に第１ポケットが形成された第１ケース部材と表面に第２ポケットが形成された第２ケース部材の前記第１，第２ポケットが対向配置されて超音波溶着され、挿入スペースが形成されたカード状のケースと、前記ケースの挿入スペース内に収容された、半導体チップを有する電子部品と、前記第１，第２ポケットの少なくとも一方の近傍に形成されたエネルギーダイレクターの溶融物が前記挿入スペース内に導入されて形成され、前記電子部品と前記ケースとを固着する溶着部とを具備するカード状半導体装置を提供できる。
【００１０】
また、この発明の一態様によれば、表面に第１ポケットが形成された第１ケース部材の前記第１ポケット内に、半導体チップを有する電子部品を配置し、前記第１ケース部材上に、表面に第２ポケットが形成された第２ケース部材を前記第１，第２ポケットが対向するように配置する工程と、前記第１，第２ポケットの少なくとも一方の近傍に形成されたエネルギーダイレクターに超音波を印加して溶着する工程とを具備し、前記超音波溶着工程において、前記エネルギーダイレクターの溶融物が前記挿入スペース内に導入され前記電子部品と前記第１ケース，第２ケースを固着するカード状半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、電子部品とケースとのガタを防止し、かつ装置の厚さを薄くできるカード状半導体装置を提供する。
【００１２】
また、この発明によれば、製造工程を短縮でき、製造コストを低減できるカード状半導体装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１４】
［第１の実施形態］
まず、この発明の第１の実施形態に係るカード状半導体装置およびその製造方法について、図１乃至図１３を用いて説明する。図１は、第１の実施形態に係るカード状半導体装置を模式的に示す斜視図である。図２は、図１中の２−２線に沿った断面構造図である。図３は、図１中の３−３線に沿った断面構造図である。図４は、図１中の４−４線に沿った断面構造図である。この第１の実施形態においては、挿入スペース内にパッケージ１１が設けられたＩＣ（integrated circuit）カードを例に挙げて説明する。まず、半導体メモリカードの完成品１０の構造を説明する。
【００１５】
半導体メモリカード１０は、ＩＣ等の半導体チップが搭載された基板が樹脂等により覆われたカード状（平板状）のパッケージ（電子部品）１１、上部ケース（第１ケース部材）１２、および下部ケース（第２ケース部材）１３により構成されている。上部ケース１２にはポケット（凹部）２１が設けられ、下部ケース１３にはポケット（凹部）２２が設けられている。上記ポケット２１、２２が対向配置されて、パッケージ１１を挿入するスペースが設けられ、上記挿入スペースにパッケージ１１が挿入されている。
【００１６】
さらに、図２に示すように、パッケージ１１と上部ケース１２、下部ケース１３は、溶着部２５Ａにより固着されている。ここで、溶着部２５Ａは、上部ケース１２のポケット２１の近傍に設けられた破線で示すエネルギーダイレクター（ＥＤ；energy director）２５Ｂの溶融物が上記挿入スペース内における隙間３１に導入されて形成されている。
【００１７】
ここで、エネルギーダイレクターとは、ケースに一体的に形成された突起であって、超音波で溶融されたものをいう。さらに、上記挿入スペースにおける隙間３１は、パッケージ１１の端部、ポケット２１、およびポケット２２により形成される隙間をいう。
【００１８】
また、図３に示すように、上部ケース１２と下部ケース１３は溶着部２６Ａにより固着されている。ここで、溶着部２６Ａは、上部ケース１２の外周に沿って設けられた破線で示すエネルギーダイレクター２６Ｂの溶融物が、上部ケース１２と下部ケース１３の隙間３２に導入されて形成されている。
【００１９】
同様に、図４に示すように、上部ケース１２と下部ケース１３は溶着部２７Ａにより固着されている。ここで、溶着部２７Ａは、上部ケース１２の外周に沿って設けられた破線で示すエネルギーダイレクター２７Ｂの溶融物が、上部ケース１２と下部ケース１３の隙間３３に導入されて形成されている。
【００２０】
次に、半導体メモリカード１０を形成する部品について説明する。
【００２１】
パッケージ１１は、ＩＣ等の半導体チップが搭載された基板が樹脂等により覆われている。さらに、図５に示すように、パッケージ１１の表面には、半導体チップと外部との接続を行うための金メッキされた接点端子１５が設けられ、接点端子１５から銅配線３５が引き出されている。この銅配線３５はスルーホール３６を介して、パッケージ１１の他方の面の銅配線と導通している。パッケージ１１の裏面は、樹脂等により覆われている。
【００２２】
図６に示すように、上部ケース１２には、ポケット２１が形成され、パッケージ１１の接点端子１５を露出させるための開口窓３８が形成されている。上部ケース１２のポケット２１の近傍に沿ってエネルギーダイレクター２５Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２が設けられている。
【００２３】
エネルギーダイレクター２５Ｂは、ポケット２１の近傍で、この図面における縦方向に沿って設けられている。エネルギーダイレクター３０Ｂ−１は、ポケット２１の左下辺近傍に設けられている。エネルギーダイレクター３０Ｂ−２は、ポケット２１の右下辺近傍に設けられている。
【００２４】
また、上部ケース１２の外周の縦方向に沿ってエネルギーダイレクター２６Ｂが設けられている。上部ケース１２の外周の横方向に沿ってエネルギーダイレクター２７Ｂが設けられている。
【００２５】
図７に示すように、下部ケース１３には、ポケット２２が形成されている。
【００２６】
尚、エネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２の断面形状は、この実施形態で示したように、例えば、三角形、二等辺三角形、直角三角形等の突起を有した形状であることが望ましい。
【００２７】
上記のように、パッケージ１１と上部ケース１２および下部ケース１３は、エネルギーダイレクター２５Ｂの溶融物がパッケージ１１の挿入スペース内における隙間３１に導入され、上記溶融物で形成されている溶着部２５Ａにより固着されている。溶着部２５Ａは、後述する超音波溶着工程によって溶解されたエネルギーダイレクター２５Ｂの溶融物が、隙間３１を埋めるように流れ込み、パッケージ１１と上部ケース１２および下部ケース１３を固着している。
【００２８】
そのため、ポケット２１、２２にパッケージ１１を挿入する際に、寸法公差および製造上の挿入位置ずれを見込んだ隙間３１を設けても、２つのケース１２、１３を超音波溶着した後には隙間３１が溶着部２５Ａにより塞がって固着され、パッケージ１１にガタが生じることを防止することができる。
【００２９】
さらに、寸法公差および製造上の挿入位置ずれを見込んであらかじめ形成される隙間３１を溶着部２５Ａにより塞ぎ、パッケージ１１とケース１２、１３とを固着できるため、新たにパッケージ１１とケース１２、１３とを固着するための接着材料等を設ける必要がない。そのため、半導体メモリカード１０の厚さＷ１を薄くすることができる。
【００３０】
また、上記エネルギーダイレクター２５Ｂは、ポケット２１の近傍で、この図面における縦方向に沿って設けられている。そのため、溶着部２５Ａも縦方向に形成され、特に、図６の平面図の横方向におけるガタを防止できる点で有効である。
【００３１】
さらに、エネルギーダイレクター３０Ｂ−１は、ポケット２１の左下辺近傍に設けられ、エネルギーダイレクター３０Ｂ−２は、ポケット２１の右下辺近傍に設けられている。そのため、特に、図６の平面図における縦方向におけるガタを防止できる点で有効である。
【００３２】
上部ケース１２と下部ケース１３は、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂから隙間３２、３３に導入され、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂの溶融物で形成されている溶着部２６Ａ、２７Ａにより固着されている。
【００３３】
そのため、上部ケース１２および下部ケース１３との間に生じる隙間３２、３３におけるガタを防止することができる。
【００３４】
以上のように、ポケット２１、２２とパッケージ１１との間に、横方向および縦方向の隙間３１、３２、３３を設けても、パッケージ１１をケース１２、１３に十分に固定でき、ガタが生じることを防止できる。そのため、ガタが増大することによる接点端子１５の接触不良の発生や、ガタにより不快な音の発生により品位上の問題が生じることを防止できる。
【００３５】
さらに、ケース１２、１３、パッケージ１１の寸法公差を厳しくする必要がないため、歩留まりを低下でき、製造コストを低減できる。加えて、寸法公差および製造上の挿入位置ずれを見込んだ隙間３１、３２、３３を設けることができるため、製造効率を上げることができる。
【００３６】
次に、この実施形態に係るカード状半導体装置の製造方法について、図１乃至図４に示した半導体メモリカードを例に挙げ、図８乃至図１２を用いて説明する。図８、図９は、この実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を模式的に示す斜視図である。図１０乃至図１２は、この実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を模式的に示すためのもので、図１中の２−２線に沿った方向における断面構造図である。
【００３７】
まず、図８に示すように、上部ケース１２に設けられたポケット２１、および下部ケース１３に設けられたポケット２２が対向配置されてパッケージ１１を挿入するスペースが設けられ、上記挿入スペースに収容できる位置にパッケージ１１が配置される。
【００３８】
続いて、図９および図１０に示すように、下部ケース１３のパケット２２内に裏面側のパッケージ１１を収容する。
【００３９】
続いて、図１１に示すように、ポケット２２と対向配置されたポケット２１が隙間３１を持って表面側のパッケージ１１を覆うように位置合わせを行う。
【００４０】
続いて、上部ケース１２上に配置されるホーン（図示せず）から超音波振動を発生させ、上記超音波振動をエネルギーダイレクター２５Ｂに印加し、エネルギーダイレクター２５Ｂに集中的な伸縮運動を起こさせ、溶融温度まで発熱させることにより、エネルギーダイレクター２５Ｂを溶融させつつ、ポケット２１、２２が対向する方向に圧力を加える。
【００４１】
続いて、図１２に示すように、上記エネルギーダイレクター２５Ｂの溶融物を、上記圧力によって、ケース１２、１３とパッケージ１１の隙間３１を埋めるように流し込んで隙間３１を埋めて溶着部２５Ａを形成し、ケース１２、１３およびパッケージ１１を溶着部２５Ａによって固着させる。
【００４２】
上記超音波溶着工程においては、同時にエネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２においても超音波を印加し、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２を溶融させる。
【００４３】
続いて、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２が溶融物を、それぞれ隙間３２、３３を埋めるように流し込んで隙間３２、３３を埋めて溶着部２６Ａ、２７Ａを形成し、ケース１２およびケース１３を溶着部２６Ａ、２７Ａによって固着させる。
【００４４】
尚、エネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２の断面形状は、この実施形態で示したように、例えば、三角形、二等辺三角形、直角三角形等の突起を有した形状であることが望ましい。エネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２が三角形等の突起を有した断面形状であることにより、上記超音波溶着工程において、超音波振動をこの突起に集中させることができる。
【００４５】
以上の工程により、図１乃至図４に示すカード状半導体装置を製造できる。
【００４６】
上記のように、この実施形態に係る製造方法は、まず、超音波振動をエネルギーダイレクター２５Ｂに印加し、エネルギーダイレクター２５Ｂに集中的な伸縮運動を起こさせ、溶融温度まで発熱させることにより、エネルギーダイレクター２５Ｂを溶融させる。
【００４７】
続いて、上記エネルギーダイレクター２５Ｂの溶融物を、ケース１２、１３とパッケージ１１の隙間３１を埋めるように流し込んで隙間３１を埋めて溶着部２５Ａを形成し、ケース１２、１３およびパッケージ１１を溶着部２５Ａによって固着させる。
【００４８】
ここで、エネルギーダイレクター２５Ｂは、ポケット２１の近傍に設けられている。そのため、上記エネルギーダイレクター２５Ｂが溶けて形成される溶着部２５Ａを、容易に隙間３１を埋めるように流し込むことができる。その結果、パッケージ１１とケース１２、１３との間に生じるガタを容易に、かつ確実に防止することができる。
【００４９】
また、上記超音波溶着工程においては、同時に、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２にも超音波を印加し、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２を溶融させる。
【００５０】
続いて、エネルギーダイレクター２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２の溶融物を、それぞれ隙間３２、３３を埋めるように流し込んで隙間３２、３３を埋めて溶着部２６Ａ、２７Ａを形成し、溶着部２６Ａ、２７Ａによってケース１２およびケース１３を固着させることができる。そのため、製造工程および製造コストを増大させることなく、ガタの発生をより確実に防止できる。
【００５１】
また、この実施形態に係るエネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２の断面形状は、三角形状の突起を有している。そのため、エネルギーダイレクター２５Ａ、２６Ａ、２７Ａ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２の溶け出す位置が、常に突起の頂点近傍となり、均一な溶融状態とすることができ、均一に隙間３１、３２、３３を埋めることができる。その結果、ガタの発生をより防止し、信頼性を向上することができる。
【００５２】
以上のように、ポケット２１、２２とパッケージ１１との間に、横方向および縦方向の隙間３１、３２、３３を設けても、上記隙間３１、３２、３３に容易に流し込んで埋めて形成された溶着部２５Ａ、２６Ａ、２７Ａにより、パッケージ１１をケース１２、１３に十分に固定でき、ガタが生じることを防止できる。そのため、ガタが増大することによる接点端子１５の接触不良の発生や、ガタにより不快な音の発生による品位上の問題が生じることを防止できる。
【００５３】
さらに、隙間３１、３２、３３を設けることができるため、寸法公差を厳しくする必要がないので歩留まりを低下でき、製造コストを低減できる点で有効である。また、寸法公差および製造上の挿入位置ずれを見込んだ隙間３１、３２、３３を設けることができることにより、製造効率を上げることができる。
【００５４】
［第２の実施形態］
次に、この発明の第２の実施形態に係るカード状半導体装置について、図１３および図１４を用いて説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００５５】
図１３は、この実施形態に係る上部ケース１２を模式的に示す平面図である。図１４は、この実施形態に係る下部ケース１３を模式的に示す平面図である。
【００５６】
この実施形態に係るカード状半導体装置は、エネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２を下部ケース１３に設けた例である。
【００５７】
図１３に示すように、上部ケース１２には、ポケット２１、およびパッケージ１１の接点端子１５が露出する開口窓３８が設けられている。
【００５８】
図１４に示すように、下部ケース１３には、ポケット２２の近傍に沿ってエネルギーダイレクター２５Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２が設けられている。エネルギーダイレクター２５Ｂは、ポケット２２の近傍で、この図１４における縦方向に沿って設けられている。エネルギーダイレクター３０Ｂ−１は、ポケット２２の左下辺近傍に設けられている。エネルギーダイレクター３０Ｂ−２は、ポケット２２の右下辺近傍に設けられている。下部ケース１３の外周の縦方向に沿ってエネルギーダイレクター２６Ｂが設けられている。下部ケース１３の外周の横方向に沿ってエネルギーダイレクター２７Ｂが設けられている。
【００５９】
完成品である半導体メモリカードの構成およびその製造方法は、上記第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００６０】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様な効果を有する。さらに、エネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２を下部ケース１３に配置することができ、エネルギーダイレクター２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、３０Ｂ−１、３０Ｂ−２の配置する位置の選択性を向上できる点で有効である。
【００６１】
［第３の実施形態］
次に、この発明の第３の実施形態に係るカード状半導体装置について、図１５および図１６を用いて説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００６２】
図１５は、この実施形態に係る基板７１の裏面を模式的に示す平面図である。図１６は、この実施形態に係るカード状半導体装置を説明するためのもので、図１中の２−２線に沿った方向と同一方向における断面構造図である。
【００６３】
この実施形態に係るカード状半導体装置においては、ケース１２、１３の挿入スペース内に、半導体チップを搭載した基板７１が設けられた半導体メモリカードの例を例に挙げて説明する。
【００６４】
基板７１は、半導体チップ５５が搭載され、表面からスルーホール３６を介して引き出された銅配線３５が設けられ、この銅配線３５は、基板７１に半田実装された受動部品５９−１、５９−２に接続されている。上記受動部品５９−１、５９−２は、例えば、ＩＣ、チップコンデンサ等である。
【００６５】
図１６に示すように、基板７１と上部ケース１２および下部ケース１３との間における基板７１の挿入スペースの隙間７５を埋め込むように溶着部２５Ａが設けられ、基板７１、上部ケース１２、および下部ケース１３が固着されている。上記挿入スペースの隙間７５は、基板７１の端部、ポケット２１、およびポケット２２により形成される隙間をいう。
【００６６】
製造方法は、上記第１の実施形態と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【００６７】
上記のような構成によれば、上記第１、第２の実施形態と同様な効果を有する。さらに、ケース１２、１３の挿入スペース内に基板７１を設ける場合であっても、隙間７５を埋め込むように溶着部２５Ａが設けられ、基板７１、上部ケース１２、および下部ケース１３が溶着部２５Ａにより固着されている。そのため、隙間７５におけるガタが生じることを防止でき、かつ挿入スペース内に設けられる最適な電子部品に対応でき選択性を向上できる点で有効である。
【００６８】
尚、上記３の実施形態においては、ケース１２、１３で基板７１を挟み込む半導体メモリカードの例を説明した。より具体的には、半導体メモリカードの一例としては、例えば、ＳＤカード、ｍｉｎｉＳＤカード、ｘＤピクチャーカード等がある。
【００６９】
さらに、上記第１乃至第３の実施形態においては、半導体メモリカードを例に挙げて説明したが、挿入スペース内に収容される電子部品は、これらに限られず、例えば、ＩＣカード、複数のＩＣを内蔵したマルチチップパッケージ等でもよい。さらに、上記マルチチップパッケージには、ＩＣと受動部品の両方を内蔵していてもよく、搭載しているＩＣは、メモリーに限定されることはない。即ち、ＩＣ（半導体チップ）を有するカード状の電子部品の全般について適用可能である。
【００７０】
以上、第１乃至第３の実施形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るカード状半導体装置を模式的に示す平面図。
【図２】図１中の２−２線に沿って矢印の方向から見た断面構造図。
【図３】図１中の３−３線に沿って矢印の方向から見た断面構造図。
【図４】図１中の４−４線に沿って矢印の方向から見た断面構造図。
【図５】第１の実施形態に係るカード状半導体装置のパッケージを模式的に示す平面図。
【図６】第１の実施形態に係る上部ケースを模式的に示す平面図。
【図７】第１の実施形態に係る下部ケースを模式的に示す平面図。
【図８】第１の実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を模式的に示す斜視図。
【図９】第１の実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を模式的に示す斜視図。
【図１０】第１の実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を説明するためのもので、図１中２−２線に沿った方向と同一方向における断面構造図。
【図１１】第１の実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を説明するためのもので、図１中２−２線に沿った方向と同一方向における断面構造図。
【図１２】第１の実施形態に係るカード状半導体装置の一製造工程を説明するためのもので、図１中２−２線に沿った方向における断面構造図。
【図１３】第２の実施形態に係るカード状半導体装置の上部ケースを模式的に示す平面図。
【図１４】第２の実施形態に係るカード状半導体装置の下部ケースを模式的に示す平面図。
【図１５】第３の実施形態に係るカード状半導体装置の基板を模式的に示す平面図。
【図１６】第３の実施形態に係るカード状半導体装置の構造を説明するためのもので、図１中の２−２線に沿った方向と同一方向おける断面構造図。
【符号の説明】
【００７２】
１０…半導体メモリカード、１１…パッケージ、１２…上部ケース、１３…下部ケース、２１、２２…ポケット（凹部）、２５Ａ…溶着部、２６Ｂ…エネルギーダイレクター、３１…隙間、Ｗ１…半導体メモリカードの厚さ。
【図１】
2005352978.tif 000003
【図２】
2005352978.tif 000004
【図３】
2005352978.tif 000005
【図４】
2005352978.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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