(57)【要約】【課題】坩堝に貯留した成膜材料への加熱を行うに際して、加熱開始時から迅速に所定温度まで立ち上げることができ、かつ成膜材料の各部に亘って均等な温度分部を持たせることができる成膜材料の加熱装置及び成膜材料の加熱方法を提供する。【解決手段】有底の円筒状に形成された坩堝１０の開口の上部に開口部１２が配設される。その上方に所定距離を保って素子基板ｃが配設される。坩堝１０の外周には密接して勘合するボビン１１が配設され、該ボビン１１にコイル１３が埋設されている。坩堝１０の内部には成膜材料１４が貯留され、この成膜材料１４には、有機ＥＬカラーディスプレイの表示面板に膜形成するための有機材料と、高周波磁界が与えられることによって渦電流が発生しこれに伴って熱を発生させる誘電体材質の微小粉末でなる被加熱粒子が混合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置において、
前記坩堝の内部に高周波磁束を印加するコイルと、
前記坩堝内部に貯留された成膜材料に混入されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱粒子と、
を具備することを特徴とする成膜材料の加熱装置。
【請求項２】
坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置において、
前記坩堝の内部に高周波磁束を印加するコイルと、
前記坩堝内部に貯留された成膜材料に接し得るように配設されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱部材と、
を具備することを特徴とする成膜材料の加熱装置。
【請求項３】
前記被加熱部材は、筒状体で形成されると共に、該筒状体の内外部に前記成膜材料が接し得るように配設された筒状加熱部材を含んで構成することを特徴とする請求項２に記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項４】
前記被加熱部材は、柱状体で形成されると共に、該柱状体の外部に前記成膜材料が接し得るように配設された柱状加熱部材を含んで構成することを特徴とする請求項２に記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項５】
前記被加熱部材は、前記筒状加熱部材の複数が密接されたハニカム構造で構成することを特徴とする請求項３に記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項６】
坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置において、
前記坩堝の内部に高周波磁束を印加するコイルと、
前記坩堝内部に貯留された成膜材料に混入されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱粒子と、
前記坩堝内部に貯留された前記成膜材料に接し得るように配設されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱部材と、
を具備することを特徴とする成膜材料の加熱装置。
【請求項７】
前記コイルは、前記坩堝の外部に巻回して構成することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項８】
前記コイルは、前記坩堝の内部に巻回して構成することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項９】
前記コイルは、前記坩堝の壁面に埋設して巻回して構成することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項１０】
前記坩堝は、前記高周波磁束によって発熱する材質で製されたことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【請求項１１】
坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱方法において、
高周波磁束によって発熱する被加熱粒子が混入された成膜材料を坩堝に貯留し、該坩堝内に高周波磁束を印加することによって、該成膜材料を気化することを特徴とする成膜材料の加熱方法。
【請求項１２】
坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱方法において、
高周波磁束によって発熱する被加熱部材が配設された坩堝内部に成膜材料を貯留し、前記被加熱部材に高周波磁束を印加することによって、該成膜材料を気化することを特徴とする成膜材料の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置及び加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜材料を加熱し、例えば有機ＥＬ材料を加熱して昇華状態や蒸発状態（以下、この２つの状態を「気化」と総称する）にし、ＥＬディスプレイ基板に薄膜形成を行うときにはその加熱源に電熱ヒータが用いられる場合が多い。
【０００３】
その具体例としては、図１１に示すように、有底の筒状に形成される坩堝１の内部に有機ＥＬ材料でなる成膜材料４が貯留され、その上部には漏斗状の開口部２が形成され、底部の下位に電熱ヒータ３が配設されることによって成膜材料の加熱装置が構成される。
【０００４】
電熱ヒータ３に通電することによって坩堝１内の成膜材料４が加熱され、成膜材料４の性質により昇華もしくは蒸発の状態にされ気化がなされ、これが開口部２の上方に位置する素子基板ｃに付着され、所定の膜形成を行うことができ、素子基板ｃの面積が大きい場合には、素子基板ｃの全体を移動させながら成膜材料４が連続的に付着されるように駆動制御される。
【０００５】
このような加熱装置においては、電熱ヒータ３を坩堝１の底部に配設しただけであるので坩堝１内に貯留されている成膜材料４の温度分布が不均等になり、電熱ヒータ３に近い部分の成膜材料４温度が高くなり、遠い部分（成膜材料４の上面部）の温度が低くなってしまい、同時に成膜材料４の外周寄りの温度が低く中心部の温度が高くなってしまう。
【０００６】
その結果、開口部２の上方に上昇もしくは飛散浮遊する成膜材料４の量が不均等になってしまい最終的に素子基板ｃに付着する形成膜厚が不均等になってしまうのである。
【０００７】
このため、図１２に示すような温度制御手段を用いて素子基板への形成膜厚を均等化することが行われている。
【０００８】
即ち、坩堝１の底板部の外方に配設される電熱ヒータを図１１に示すように１つにせず、複数分割、例えば第１ヒータ３ａ、第２ヒータ３ｂ、第３ヒータ３ｃおよび第４ヒータ３ｄのように４分割し、これら第１〜第４ヒータ３ａ〜３ｄにヒータ電源部５から電源を供給し、その供給を、第１〜第４ヒータ３ａ〜３ｄのそれぞれの近傍に配置した第１〜第４測温部６ａ〜６ｄの出力を熱電対検出部７で検出することによってその出力をヒータ電源部５にフィードバックし当該の４つの測温点の温度を均一化している。
【０００９】
従って、第１〜第４ヒータ３ａ〜３ｄのそれぞれの測温点Ａ〜Ｄは、図１３に示すようにヒータへの電源投入時点から温度上昇し、ピーク点ｔａ〜ｔｄに達した後に安定した平坦な温度に制御され、坩堝１（図１１と図１２参照）の内部に貯留された成膜材料温度が均等に制御されるのである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来の成膜材料の加熱装置及び成膜材料の加熱方法は、ヒータを加熱源として、有機ＥＬ材料等の成膜材料の加熱をしているので、図１３に示すように加熱開始時には、成膜材料を所定温度まで上昇させるに時間を要し、かつ加熱開始時には過渡的に設定温度より大きくなってしまい（図１３のピーク点ｔａ〜ｔｄ参照）、成膜材料への投入熱量を、素子基板への膜形成状態に応じて瞬時に変化させることが困難であるという問題があり、このために例えば真空チャンバ内部に坩堝を配置して素子基板に気化された成膜材料を付着させる場合に、不要な成膜材料が真空チャンバ内壁に付着してしまい、その清掃メンテナンス作業に多大の工数を要するという問題がある。
【００１１】
また、成膜材料への加熱は坩堝の外部から与えられるために、成膜材料の気化が、加熱温度の高い個所、即ちヒータ加熱部により近い個所で多く発生してしまい素子基板の製造の歩留まりが悪いだけでなく当該基板への膜厚の不均等が生じてしまうという問題もある。なお、図１２に示すような温度制御手段を用いて成膜材料の各部の温度を均等化することによってある程度の改善効果があるものの、坩堝の外部から加熱が与えられるという根本的な問題を解消するには到っていない
【００１２】
そこで、本発明の目的は、坩堝に貯留した成膜材料への加熱を行うに際して、加熱開始時から迅速に所定温度まで立ち上げることができ、かつ成膜材料の各部に亘って均等な温度分部を持たせることができる成膜材料の加熱装置及び成膜材料の加熱方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前述の課題を解決するため、本発明による成膜材料の加熱装置は、次のような特徴的な構成を採用している。
【００１４】
（１）坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置において、
前記坩堝の内部に高周波磁束を印加するコイルと、
前記坩堝内部に貯留された成膜材料に混入されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱粒子と、を具備する成膜材料の加熱装置。
【００１５】
（２）坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置において、
前記坩堝の内部に高周波磁束を印加するコイルと、
前記坩堝内部に貯留された成膜材料に接し得るように配設されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱部材と、
を具備する成膜材料の加熱装置。
【００１６】
（３）前記被加熱部材は、筒状体で形成されると共に、該筒状体の内外部に前記成膜材料が接し得るように配設された筒状加熱部材を含んで構成する上記（２）に記載の成膜材料の加熱装置。
【００１７】
（４）前記被加熱部材は、柱状体で形成されると共に、該柱状体の外部に前記成膜材料が接し得るように配設された柱状加熱部材を含んで構成する上記（２）に記載の成膜材料の加熱装置。
【００１８】
（５）前記被加熱部材は、前記筒状加熱部材の複数が密接されたハニカム構造で構成する上記（３）に記載の成膜材料の加熱装置。
【００１９】
（６）坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱装置において、
前記坩堝の内部に高周波磁束を印加するコイルと、
前記坩堝内部に貯留された成膜材料に混入されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱粒子と、
前記坩堝内部に貯留された前記成膜材料に接し得るように配設されると共に、前記高周波磁束によって発熱する被加熱部材と、を具備する成膜材料の加熱装置。
【００２０】
（７）前記コイルは、前記坩堝の外部に巻回して構成する上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【００２１】
（８）前記コイルは、前記坩堝の内部に巻回して構成する上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【００２２】
（９）前記コイルは、前記坩堝の壁面に埋設して巻回して構成する上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【００２３】
（１０）前記坩堝は、前記高周波磁束によって発熱する材質で製された上記（１）乃至（９）のいずれかに記載の成膜材料の加熱装置。
【００２４】
また、本発明による成膜材料の加熱方法は、次に記載するような特徴的な動作ステップを有している。
【００２５】
（１１）坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱方法において、
高周波磁束によって発熱する被加熱粒子が混入された成膜材料を坩堝に貯留し、該坩堝内に高周波磁束を印加することによって、該成膜材料を気化する成膜材料の加熱方法。
【００２６】
（１２）坩堝に貯留された成膜材料を加熱して気化する成膜材料の加熱方法において、
高周波磁束によって発熱する被加熱部材が配設された坩堝内部に成膜材料を貯留し、前記被加熱部材に高周波磁束を印加することによって、該成膜材料を気化する成膜材料の加熱方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明による成膜材料の加熱装置及び加熱方法によれば、坩堝内に貯留された成膜材料の加熱が、成膜材料に混入され、かつ高周波磁束によって発熱する被加熱粒子を具備する場合には、被加熱粒子による微小領域での発熱によって成膜材料の加熱がなされるので、成膜材料の各部において均等に加熱され、しかも加熱の立上り特性と立下り特性が極めて急峻であるので、素子基板への付着の有／無の状態を制御が加熱／停止の制御を行うことによって応答の良い付着制御を行なうことができる。
【００２８】
また、坩堝内部に貯留された成膜材料に接し得るように、高周波磁束によって発熱する被加熱部材を配設した場合には、当該の被加熱部材に接する大きな面積の領域で発熱がなされるので、成膜材料の各部において均等に加熱され、しかも加熱の立上り特性と立下り特性が極めて急峻であるので、素子基板への付着の有／無の状態を制御が加熱／停止の制御を行うことによって応答の良い付着制御を行なうことができる。
【００２９】
また、被加熱粒子を成膜材料に混入させることと、坩堝内部に被加熱部材を配設することを同時に行えば、素子基板への付着制御をより効果的に行なうことができる。
【００３０】
このように素子基板への付着制御を確実に行なうことができるので、成膜材料の無駄を少なくすることができ、例えば真空チャンバ内部に坩堝を配置して素子基板に気化された成膜材料を付着させる場合に、不要な成膜材料が真空チャンバ内壁に付着する量を極めて少なくすることができ、清掃メンテナンス作業の工数を大幅に削減することができる。
【００３１】
従って、本発明によれば、坩堝に貯留した成膜材料への加熱を行うに際して、加熱開始時から迅速に所定温度まで立ち上げることができ、かつ成膜材料の各部に亘って均等な温度分部を持たせることができる成膜材料の加熱装置及び成膜材料の加熱方法を提供することができる。
【実施例１】
【００３２】
図１において、有底の円筒状に形成された坩堝１０の開口の上部には、外方に向かって放射状に形成される開口部１２が配設され、その上方に所定距離を保って素子基板ｃが配設され、坩堝１０の外周には密接して勘合するボビン１１が配設され、該ボビン１１にコイル１３が埋設されている。
【００３３】
坩堝１０の内部には成膜材料１４が貯留され、この成膜材料１４は、膜形成される素子基板ｃ、例えば有機ＥＬカラーディスプレイの表示面板に膜形成するための有機材料と、高周波磁界が与えられることによって渦電流が発生しこれに伴って熱が発生する誘電体材質の微小粉末でなる、例えば鉄粉末が混合されている。
【００３４】
従って、坩堝１０に貯留された成膜材料１４を加熱して気化する加熱装置において、坩堝１０の内部に高周波磁束を印加するコイル１３と、坩堝１０の内部に貯留された成膜材料１４に混入されると共に、高周波磁束によって発熱する被加熱粒子と、を具備して本実施例１が構成される。
【００３５】
このように構成されると共に、コイル１３は、坩堝１０の外部に巻回して構成された成膜材料の加熱装置が構成される。
【００３６】
このため、坩堝１０内部に被加熱部材が混合された粉体状の成膜材料１４を貯留し、開口部１２の上方に所定距離だけ離隔して素子基板ｃを位置した状態でコイル１３に高周波電流が供給されると、巻回されたコイル１３の内方に交番磁束が発生する。
【００３７】
すると、この交番磁束が成膜材料１４内の被加熱粒子に渦電流が発生しこれに伴って被加熱粒子が発熱し、被加熱粒子の発熱によってその周囲に接している成膜材料１４が微小領域において加熱される。
【００３８】
このとき、被加熱粒子は坩堝１０内の成膜材料１４の各部に均等に分布されているので成膜材料１４の全体を見た場合には、その各部に均等に発熱源が分布されるので成膜材料１４が均等に温度上昇されることになり、所定温度に達したときに成膜材料１４の気化がなされ、開口部１２によって飛散範囲が制限された状態（ある程度、収束された状態）で素子基板ｃに付着されることになる。
【００３９】
また、素子基板ｃへの膜形成範囲が開口部１２の上方範囲より広い場合には、コイル１３への通電を保った状態で素子基板ｃの全体を所定速度で移動すれば広範囲に亘る膜形成を行うことができる。
【実施例２】
【００４０】
図２に示す［実施例２］は、光の３原色である赤色、緑色、青色の画素のそれぞれを選択的に発光させることによって所定のカラー画像を再現させるカラーディスプレイの素子基板に本発明による成膜材料の加熱装置を用いて膜形成する例である。
【００４１】
真空チャンバ内に２系統の加熱装置を併設し、即ち、図１に示す坩堝１０、ボビン１１、開口部１２、コイル１３、成膜材料１４と同様のものを併設したもので、これらの第１系統におけると同様の構成には部材符号の数字にＡ及びＢという文字を付加する。
【００４２】
成膜材料１４Ａ、１４Ｂの上部に位置される素子基板ｃと開口部１２Ａ、１２Ｂの上部にシャッタａが配置され、このシャッタａと素子基板ｃの間にマスクｂが配設されている。
【００４３】
素子基板ｃとマスクｂの位置関係は、素子基板ｃに所定ピッチで形成される赤色発光層Ｒ、緑色発光層Ｇ、青色発光層Ｂのいずれか１つの発光層をマスクｂの開口部で露呈させ他の部分を覆う状態にあり、当該マスクｂの下位に配設されるシャッタａは、素子基板ｃに成膜材料１４Ａ、１４Ｂが付着されないように全て覆うものである。
【００４４】
コイル１３Ａとコイル１３Ｂのそれぞれには所定の高周波電流を発生する電源１５Ａと電源１５Ｂのそれぞれの出力が同軸ケーブル等の接続線を介して接続されている。
【００４５】
このため、坩堝１０内部に被加熱部材が混合された粉体状の成膜材料１４を貯留し、開口部１２の上方に所定距離だけ離隔して素子基板ｃを位置した状態でコイル１３に電源１５Ａ、１５Ｂから高周波電流が供給されると、巻回されたコイル１３Ａ、１３Ｂの内方に交番磁束が発生する。
【００４６】
すると、この交番磁束によって成膜材料１４内の被加熱粒子に渦電流が生じ、これに伴って被加熱粒子が発熱する。
【００４７】
このとき、被加熱粒子は坩堝１０Ａ、１０Ｂ内の成膜材料１４Ａ、１４Ｂの各部に均等に分布されているので成膜材料全体を見た場合には、その各部に均等に発熱源が分布されるので材料が均等に温度上昇されることになり、所定温度に達したときに材料の気化がなされ、開口部１２Ａ、１２Ｂによって飛散範囲が制限された状態（ある程度、収束された状態）で素子基板ｃに付着されることになる。
【００４８】
このとき、素子基板ｃの下位にマスクｂとシャッタａが配置されているので、例えばシャッタａを全開とし、マスクｂの開口を素子基板ｃの青色発光層Ｂの部位に位置させた状態でコイル１３Ａ、１３Ｂへの通電を行えば青色発光層Ｂのみに材料付着をさせることができ、赤色発光層Ｒと緑色発光層Ｇにおいてもマスクｂの位置を制御することによって材料付着を行なうことができる。
【００４９】
なお、今までの説明は、成膜材料１４Ａと成膜材料１４Ｂが同一種類の物質とした場合であるが、成膜材料１４Ａと成膜材料１４Ｂのそれぞれの材質を異ならせる、マスクｂの開口位置を制御することによって２種の材料を選択的に素子基板ｃに付着させることができる。
【００５０】
なお、［実施例１］と［実施例２］として図１と図２を用いて説明した成膜材料の加熱装置は、坩堝とボビンが別体とされたものであるが、本実施例は、図３に示すように坩堝１０の外周壁にコイル１３を埋設したもので、即ち、坩堝１０の壁面に埋設して巻回したコイル１３を有するように構成することによって、コイル１３と成膜材料１４の距離が短縮化されるのでより効率的な高周波磁束の印加を行うことができる。
【００５１】
さて、図２を用いて説明した［実施例２］は、素子基板ｃの赤色発光層Ｒと緑色発光層Ｇと青色発光層Ｂのそれぞれに成膜するものであるが、成膜材料が実際に使用されているのは、図４に示すように、成膜期間ｄ１と成膜していない非成膜期間ｄ２が交互に繰り返されるときに、赤色発光層Ｒと緑色発光層Ｇと青色発光層Ｂのそれぞれにおける成膜がなされるため、全体の材料使用量（材料コスト）は図５に示すように従来の加熱装置による従来特性ｅに比して半分以下の値を有する本発明特性ｆとなり、言い換えれば、実際に気化される量が少ないので例えば真空チェンバに付着されてしまう無駄な成膜材料を定期的に行われる清掃メンテナンスまでに必要な時間は、図６に示すように所定の残付着量に至るまでの時間が従来特性ｅによる場合には少なく、言い換えれば頻繁に清掃メンテナンスを行わなければならず、これに比して本発明特性ｆの場合には、所定の残付着量に至るまでの時間が多く、言い換えれば清掃メンテナンスの頻度を非常に少なくすることができるのである。
【００５２】
以上のことは、成膜材料を加熱するときの立上りと立下りの特性が図７に示すように従来特性ｅに比して本発明特性ｆが極めて急峻であることに起因するものである。
【実施例３】
【００５３】
一般的に、坩堝は、数百度の高温に耐えられる非誘電体の材質、例えば陶磁器系統の材質で構成されているが、この材質を誘電体の性質を有する導電性セラミックスで構成しても良く、この場合には、高周波磁束によって坩堝自身が発熱することによってより効率的な加熱を行うことができる。
【００５４】
即ち、図８に示すように成膜材料１４が貯留される坩堝１６は、誘電体の性質を有する導電性セラミックスで有底の筒状に成形され、その内部に絶縁体で形成されると共にコイル１９が埋設されたボビン１８が収納されている。
【００５５】
また、コイル１９が巻回された中心部に柱状の被加熱部材２０が設けられている。この被加熱部材２０は、坩堝１６の内部に貯留された成膜材料１４に接し得るように配設されると共に、コイル１９による高周波磁束によって発熱するものである。
【００５６】
従って、坩堝１６の内部に被加熱粒子が混合された粉体状の成膜材料１４を貯留し、開口部１７の上方に所定距離だけ離隔して素子基板を位置させた状態でコイル１９に所定の高周波電流を供給すると、巻回されたコイル１９の内方に交番磁束が発生する。
【００５７】
すると、この交番磁束によって、成膜材料１４内の誘電体粒子の個々に渦電流が発生しこれに伴って該誘電体粒子が発熱し、これと同時にコイル１９による交番磁束によって被加熱部材２０にも渦電流が発生し該被加熱部材２０が発熱し、更に坩堝１６の周壁にも渦電流が発生し該坩堝１６が発熱する。
【００５８】
コイル１９に高周波電流が供給されることによって生じる発熱は、３系統の発熱、即ち、成膜材料１４に含まれている誘電体粒子からの発熱、被加熱部材２０からの発熱、坩堝１６の壁面からの発熱である。
【００５９】
このとき、誘電体材料は坩堝１６内の成膜材料１４の各部に均等に分布されているので成膜材料１４の全体を見た場合には、その各部に均等に発熱源が分布されるので成膜材料１４が均等に温度上昇されることになり、更に、被加熱部材２０による発熱と、坩堝１６自身の発熱、即ち３系統の発熱によって成膜材料１４が所定温度に達したときに気化がなされ、開口部１７によって飛散範囲が制限された状態（ある程度、収束された状態）で素子基板に付着されることになる。
【実施例４】
【００６０】
図８を用いて説明した［実施例３］は、ボビン１８の内方に柱状の被加熱部材２０を設けたものであるが、この被加熱部材２０は、筒状体で形成されると共に、該筒状体の内外部に前記成膜材料が接し得るように配設された筒状加熱部材を含んで構成するようにしても良く、図９に示すように坩堝２１の底面に６角筒状の被加熱部材２２を規則的に配置したり、図１０に示すように、坩堝２１の底面に円筒状の被加熱部材２３を規則的に配置しても良い。
【００６１】
なお、被加熱部材２２、２３は、複数がハニカム構造で密接された構成にすれば成膜材料に接する面積を広くできるため、効率的な加熱を行うことができ、これらの筒状もしくは柱状の被加熱部材に貫通穴を形成することによってその内外を成膜材料が連通状態で循環するので効率的な加熱が行える。
【００６２】
なお、今まで説明した複数の実施例においては、有機ＥＬディスプレイの素子基板に成膜材料を付着させる例であるが、本発明による成膜材料の加熱装置及び加熱方法は、これに限定されることなく、成膜材料の材質、並びにそれが付着され基板は全くの任意であって如何なるものであっても良く、成膜材料の自身に高周波磁束によって発熱する物質が含まれる場合であっても良いことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施例１による成膜材料の加熱装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例２による成膜材料の加熱装置の概略構成図である。
【図３】図２と図３に示される坩堝の変形例を示す断面図である。
【図４】本発明による成膜材料の実使用状態を説明するための線図である。
【図５】本発明による成膜材料の使用量を従来装置の場合と比較して説明するための線図である。
【図６】本発明による成膜材料の残付着量を従来装置の場合と比較して説明するための線図である。
【図７】本発明による加熱装置の加熱の立ち上がり特性と立下り特性を従来装置の場合と比較して説明するための線図である。
【図８】本発明の実施例３による成膜材料の加熱装置の断面図である。
【図９】本発明の実施例４による成膜材料の加熱装置の被加熱部材の部分示す一部破断斜視図である。
【図１０】図９に示す被加熱部材の変形例を説明するための一部破断斜視図である。
【図１１】従来の成膜材料の加熱装置の動作原理を説明するための概略構成図である。
【図１２】図１１に示される従来装置を改善した例を説明するための概略構成図である。
【図１３】図１２に示される従来装置の温度分布状態を説明するための線図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，１０Ａ，１０Ｂ，２１    坩堝
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１８    ボビン
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１７  開口部
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１９  コイル
１４、１４Ａ、１４Ｂ  成膜材料
１５Ａ、１５Ｂ  電源
２０、２２、２３  被加熱部材
ａ  シャッタ
ｂ  マスク
ｃ  素子基板
【図１】
2005097661.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005097661.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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