(57)【要約】【課題】形成すべき導電パターンが適切なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法と、その方法に使用するフォトマスクを提供すること。【解決手段】基板１２のパターン形成領域２１について、前記導電パターンに対応した保護層３３を被覆し、前記パターン形成領域以外の所定箇所をセンサ接続領域２２として、このセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能する第１の導電体１４を一方の極である第１の極として、前記センサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部３２を形成しておき、第２の導電体を他方の極である第２の極として、前記第１の極と、前記第２の極とをエッチング液に浸漬し、前記２極間に流れる電流をモニタして、エッチングの進行状態を検出する。【選択図】    図４
2005015858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の導電パターンを形成すべきパターン形成領域について、前記導電パターンに対応した保護層を被覆するとともに、前記パターン形成領域以外の所定箇所をセンサ接続領域として、このセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能するようにした第１の導電体を一方の極である第１の極として、前記センサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部を形成しておき、
第２の導電体を他方の極である第２の極として、前記第１の極を含む前記基板と、前記第２の極とをエッチング液に浸漬し、
前記２極間に流れる電流をモニタしながら、エッチングの進行状態を検出することを特徴とする、導電パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンであることを特徴とする、請求項１に記載の導電パターンの形成方法。
【請求項３】
基板の導電パターンを形成すべきパターン形成領域について、前記導電パターンに対応した保護層を被覆するとともに、前記パターン形成領域以外の所定箇所に一対のセンサ接続領域を設けて、一方のセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能するようにした第１の導電体を、前記一方のセンサ接続領域の導電層に接触させ、他方のセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能するようにした第２の導電体を、前記他方のセンサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記一対のセンサ接続領域の間の領域には、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部を形成しておき、
前記基板をエッチング液に浸漬し、
前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に通電して、通電状態をモニタしながら、エッチングの進行状態を検出することを特徴とする、導電パターンの形成方法。
【請求項４】
前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンであることを特徴とする、請求項３に記載の導電パターンの形成方法。
【請求項５】
導電パターンを形成すべき基板に、前記導電パターンに対応した保護層を形成するためのフォトマスクであって、
前記基板の導電パターンを形成すべき領域に対応して、この導電パターンに適合したマスクパターンを備えるとともに、
このマスクパターンが、前記基板の前記導電パターンを形成すべき領域以外の所定箇所に設けられるセンサ接続領域において、導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部との形成に適合するパターンを有していることを特徴とする導電パターン形成用フォトマスク。
【請求項６】
導電パターンを形成すべき基板に、前記導電パターンに対応した保護層を形成するためのフォトマスクであって、
前記基板の導電パターンを形成すべき領域に対応して、この導電パターンに適合したマスクパターンを備えるとともに、
このマスクパターンが、前記基板の前記導電パターンを形成すべき領域以外の所定箇所に設けられる一対のセンサ接続領域において、それぞれの導電体の接続箇所として、対応した導電層が露出された箇所と、前記一対のセンサ接続領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部との形成に適合するパターンを有していることを特徴とする導電パターン形成用フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に形成した導電層をエッチングして導電パターンを形成するための導電パターンの形成方法の改良と、導電パターンの形成方法に利用する導電パターン形成用フォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電子端末やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波素子（以下、「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ    Ａｃｏｕｓｔｉｃ    Ｗａｖｅ）デバイスという」）が使用されている。ＳＡＷデバイスは、圧電基板にすだれ状電極である櫛形電極（以下、「ＩＤＴ」（Ｉｎｔｅｒ    Ｄｉｇｉｔａｌ    Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）という）及び反射器を形成することにより構成されている。
【０００３】
圧電基板は、例えば水晶ウエハを用いて形成される。ＩＤＴと反射器は、圧電基板の表面に、アルミニウム等の導電層を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、フォトリソグラフィ等によりすだれ状となるように形成されている。
【０００４】
すなわち、ＳＡＷデバイスは、水晶ウエハの表面に導電層を形成し、ＩＤＴと反射器に対応した導電パターンを形成して製造される。
このような、例えば、ＳＡＷデバイスの製造に代表される各種の導電パターンの形成方法としては、例えば、次のような手法が知られている（特許文献１参照）。
図１３は、導電パターンを形成する工程を簡単に説明する図であり、図において、１はエッチング液を収容したエッチング槽である。
【０００５】
エッチング槽１内には、導電パターンを形成すべき基板２が浸漬されている。基板２の端部には、センサ３が取り付けられている。センサ３は図１４に示すように、基板２の表面に予め蒸着もしくはスパッタリング等により形成された導電層２ａと電気的接続されており、センサ３からは、図１３に示すように白金線３ａが導出されている。
また、図１３に示すように基板２と対向して、例えば白金等で形成した導体４が浸漬されており、これら白金線３ａと導体４は検出手段５に接続されている。したがって、エッチング層１内では、基板２は一方の極となり、導体４は他方の極となる。
【０００６】
ここで、図１４に示されているように、センサ３は、ベース７と可動部８との端部間隙に、基板２を弾性的に挟み込むようになっており、基板２の導電層２ａ側には、ゴム等の絶縁体９を介在させている。この絶縁体９は凹状の形態であり、その内側にセンサ３に接続される白金線３ａが収容されて、この白金線３ａは導電層２ａと接触されている。白金線３ａはセンサ３の外側では絶縁被覆３ｂにより覆われている。
一方、基板２の電極パターンの形成領域には、フォトレジスト等による保護層６，６が形成すべき導電パターンに対応して配置されている。
【０００７】
このような構成において、図１では、基板２の導電層２ａと白金でなる導体４とは異なる導電体であり、エッチング反応の進行中には、導体４をプラス、基板２をマイナスとして二極間に電流が流れる。この電流を検出手段５でモニタする。  そして、エッチングが進んで、図１４にＡで示す領域の導電層２ａがエッチングにより無くなると、導電層２ａとセンサ３とは通電しなくなるので、検出手段が二極間に流れる電流の急激な低下を検出する。
これにより、導電層２ａのエッチングの終了を検出することができる。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５８−１１８１１５号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような手法により導電パターンを形成すべきエッチングの終了を検出しようとすると、以下のような不都合がある。
すなわち、図１４に示した領域Ａにおける導電層２ａの幅と、保護層６，６間の導電層２ａの幅、つまり、形成すべき導電パターンの幅とは必ずしも同じでない。  このため、領域Ａの幅が導電パターンより大きいと、エッチングスピードが早いので、領域Ａの導電層２ａがエッチングにより消失した時点では、導電パターンを形成すべき箇所では、十分にエッチングが進んでいない場合がある。
また、領域Ａの幅が導電パターンより小さいと、エッチングスピードが遅いので、領域Ａの導電層２ａがエッチングにより消失した時点では、導電パターンを形成すべき箇所では、エッチングが進み過ぎていて、形成された導電パターンが細すぎてしまう。
【００１０】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法と、この導電パターンの形成方法に使用するフォトマスクを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第１の発明によれば、基板の導電パターンを形成すべきパターン形成領域について、前記導電パターンに対応した保護層を被覆するとともに、前記パターン形成領域以外の所定箇所をセンサ接続領域として、このセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能するようにした第１の導電体を一方の極である第１の極として、前記センサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部を形成しておき、第２の導電体を他方の極である第２の極として、前記第１の極を含む前記基板と、前記第２の極とをエッチング液に浸漬し、前記２極間に流れる電流をモニタしながら、エッチングの進行状態を検出することにより、達成される。
【００１２】
第１の発明の構成によれば、基板の導電パターンを形成する領域以外の箇所にセンサ接続領域を設ける。センサ接続領域には、センサとして機能する第１の導電体が接触され、一方の極となる。これに対して、他方の極を構成する第２の導電体が用意され、第１の極を含む前記基板と、前記第２の極とをエッチング液に浸漬して、導電パターンのエッチングを行う。
ここで、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部を設けているので、この露出部がエッチングにより除去されると、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域との間の導通が遮断される。これにより、一方の極と他方の極との間で電流が流れなくなるので、エッチング中にこの電流をモニタしていれば、前記露出部がエッチングで除去された時点を知ることができる。この場合、前記露出部は導電パターンと同じパターン幅に設定されていることから、露出部のエッチング終了時点では、導電パターンのエッチングも完了している。
つまり、前記電流が流れている間は、露出部は前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域を、なお導通させているし、前記電流が止まれば、露出部が完全にエッチングされているので、これと同じパターン幅の導電パターンのエッチングも完了しているのである。
したがって、本発明によれば、エッチング不足やオーバーエッチングによる導電パターンの断線を回避して、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供することができる。
【００１３】
第２の発明は第１の発明の構成において、前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンであることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンである場合には、ＳＡＷデバイスのＩＤＴをきわめて精密に形成することができる。
【００１４】
上述の目的は、第３の発明によれば、基板の導電パターンを形成すべきパターン形成領域について、前記導電パターンに対応した保護層を被覆するとともに、前記パターン形成領域以外の所定箇所に一対のセンサ接続領域を設けて、一方のセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能するようにした第１の導電体を、前記一方のセンサ接続領域の導電層に接触させ、他方のセンサ接続領域の境界に沿って絶縁することでセンサとして機能するようにした第２の導電体を、前記他方のセンサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記一対のセンサ接続領域の間の領域には、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部を形成しておき、前記基板をエッチング液に浸漬し、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に通電して、通電状態をモニタしながら、エッチングの進行状態を検出する、導電パターンの形成方法により、達成される。
【００１５】
第３の発明の構成によれば、第３の発明は、第１の発明と比較すると、センサ接続領域を２つに分割し、それぞれ、センサとして機能する第１の導電体と第２の導電体を接続している。そして、前記一対のセンサ接続領域の間の領域には、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部を形成するようにして、前記基板をエッチング液に浸漬してエッチングを行うようにしている。エッチング作業中は、第１の導電体と第２の導電体の間の通電が維持されるが、前記露出部がエッチングにより除去されると、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域との間の導通が遮断される。つまり、第１の導電体と第２の導電体の間の通電が遮断される。したがって、エッチング中にこの電流をモニタしていれば、前記露出部がエッチングで除去された時点を知ることができる。このため、第１の発明と同様の作用効果を発揮することができる。
【００１６】
第４の発明は第３の発明の構成において、前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンであることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンである場合には、ＳＡＷデバイスのＩＤＴをきわめて精密に形成することができる。
【００１７】
上述の目的は、第５の発明によれば、導電パターンを形成すべき基板に、前記導電パターンに対応した保護層を形成するためのフォトマスクであって、前記基板の導電パターンを形成すべき領域に対応して、この導電パターンに適合したマスクパターンを備えるとともに、このマスクパターンが、前記基板の前記導電パターンを形成すべき領域以外の所定箇所に設けられるセンサ接続領域において、導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部との形成に適合するパターンを有している、導電パターン形成用フォトマスクにより、達成される。
第５の発明の構成によれば、このフォトマスクを使用すると、基板に対して、導電パターンだけでなく、基板の所定箇所のセンサ接続領域において、導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部とを備える保護層のパターンを形成することができる。このため、第１の発明を実施する上で、好適なフォトマスクを得ることができる。
【００１８】
上述の目的は、第６の発明によれば、導電パターンを形成すべき基板に、前記導電パターンに対応した保護層を形成するためのフォトマスクであって、前記基板の導電パターンを形成すべき領域に対応して、この導電パターンに適合したマスクパターンを備えるとともに、このマスクパターンが、前記基板の前記導電パターンを形成すべき領域以外の所定箇所に設けられる一対のセンサ接続領域において、それぞれの導電体の接続箇所として、対応した導電層が露出された箇所と、前記一対のセンサ接続領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部との形成に適合するパターンを有している導電パターン形成用フォトマスクにより、達成される。
第６の発明の構成によれば、このフォトマスクを使用すると、基板に対して、導電パターンだけでなく、基板の所定箇所の一対のセンサ接続領域において、それぞれ対応した導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記一対のセンサ接続領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部とを備える保護層のパターンを形成することができる。このため、第３の発明を実施する上で、好適なフォトマスクを得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図であり、図２は図１の方法に使用する基板の拡大図、図３は図１の方法に使用する基板の要部の概略拡大図、図４は図３のＡ−Ａ線概略断面図である。
図１において、エッチング槽１０には、エッチング液１１が所定量収容されている。エッチング液１１は、エッチングすべき導電層の種類に応じて選択され、例えば、この実施形態ではリン酸溶液が使用されている。
基板１２は、図２に示されているように、ほぼ円形の水晶ウエハである。基板１２の種類、外形はこれに限るものではなく、長方形、正方形等の様々な外形のものが使用できる。基板１２のほぼ中央部には、パターン形成領域３１が設けられている。この実施形態では、水晶ウエハからＳＡＷデバイス（図示せず）を形成する場合について説明しているので、この場合、縦横の線は、個々のＳＡＷデバイスを個片に後でカットする場合の切断線を示している。個片を単位とするチップには、ＩＤＴ及び／または反射器を構成するための導電パターンが形成される。この実施形態では、この導電パターンをエッチングにより形成する方法を説明する。
【００２０】
水晶ウエハである基板１２には、図４に示されているように、導電層２９を予め形成する。導電層２９は、例えばアルミニウムであり、基板１２表面に対して、蒸着もしくはスパッタリングの手法により成膜されている。
そして、この導電層２９には、形成すべき導電パターンに対応して、フォトマスクを利用したフォトリソグラフィの手法により、フォトレジスト等でなる保護層３３が形成される。保護層３３は、エッチング液１１に侵されず、絶縁機能を備えたものである。保護層３３を形成するためのフォトレジストとしては、例えば、ポジレジストを使用することができる。
【００２１】
図２ないし図４を参照して理解されるように、基板１２の所定の領域、この場合は基板１２の周縁付近に、センサ接続領域２２を設ける。このセンサ接続領域２２は、製品のための導電パターンが形成されず、製造時において、後述するセンサを接続するための領域である。このセンサ接続領域２２は、図３に示すように境界２３により区分される。この境界２３は、後述するセンサ３３の絶縁手段が装着されることで、その内部と外部に区別される領域である。
センサ接続領域２２は、基本的には全面に保護層３３を被覆し、例えば、その中央部にセンサ接続部２４を設ける。センサ接続部２４は、センサの接続に適した位置および形状でなり、例えば、図示するような形状として、保護層３３を除去し、そこにセンサ電極部２５を設ける。センサ電極部２５は、例えば白金で形成する。
【００２２】
図３及び図４に示されているように、センサ接続領域２２とパターン形成領域３１との間には、保護層３３により、ＳＡＷデバイスのＩＤＴのパターン幅と同じ幅Ｗ１を設定して、露出部３２を形成している。露出部３２は、保護層３３により被覆されておらず、導電層２９が露出している領域である。露出部３２は、例えば、図３に示すように、センサ接続領域２２を周囲を完全に回り込むように形成される必要がある。
この露出部３２は、ＳＡＷデバイスのＩＤＴのパターンをエッチングする際に同時にエッチングされる領域である。ＳＡＷデバイスのＩＤＴのラインの幅は、ラインどうしの間のパターン幅と等しくされており、このため、露出部３２の幅Ｗ１は、このライン幅もしくはパターン幅と同じ幅とされている。そして、好ましくは、製造しようとするＳＡＷデバイスのＩＤＴの幅に複数の種類がある場合には、最もせまい幅と一致するようにされている。これにより、微細な導電パターンを精密に形成しようとする場合に、最も細い幅のパターンがオーバーエッチングにより損なわれることを有効に防止することができる。
【００２３】
図３及び図４を参照してセンサ１３について説明する。センサ１３は、センサ本体である第１の導体１４を、センサ接続領域２２のセンサ接続部２４に接触させて、接触状態を保持するとともに、その着脱を容易に行うことができる構成とされる。このような機能を備えれば、特に、特定の構造に限られるものではないが、センサ１３は、例えば、図４にその端部を示すような挟持板２７，２８を有しており、これらの間に基板１２のセンサ接続領域２２を挟み込んで保持できるようにされている。挟持板２７，２８は図示しない端部で枢支されており、先端部が互いに接近する方向に付勢されている。この場合、挟持板２７，２８によって、基板１２のセンサ接続領域２２の上に、弾性を備えた絶縁手段２６を同時に挟み込むようになっている。絶縁手段２６は、好ましくは、エッチング液に侵されにくい材料が選択され、例えば、中空の合成ゴム等により形成することができる。この中空の絶縁手段２６の外周は、上述した境界２３を全周にわたって包囲する形状とされている。また、中空の絶縁手段２６の中央付近を貫通して、第１の導体１４が内部に導入されており、その先端は、センサ接続部のセンサ電極２５を介して、導電層２９と接触されている。また、第１の導体１４は、例えば白金線であり、絶縁手段２６から外部に導出されている箇所は、絶縁被覆１４ａにより覆われている。
【００２４】
図１に示されているように、基板１２と対向して、第２の導体１６が配置されている。第２の導体１６は、例えば白金により形成された長尺体もしくは板体等で形成されており、第２の導体１６からはリード１６ａが外部に延出されている。
一方、上述した構成でなるセンサ１３からは、第１の導体１４と一体にリードが外部に延出されており、これらの間には、好ましくは抵抗１９で接続され、各第１の導体１４と第２の導体１６は、増幅手段１７に接続されている。増幅手段１７の出力信号は、検出手段１８に入力されて、その検出結果が、報知手段１５で報知されるようになっている。
【００２５】
以上の構造において、図１に示されているように、センサ１３を取り付けた基板１２と、第２の導体１６を、エッチング槽１０のエッチング液１１内に浸漬して、導電パターンのエッチング処理を行う。
これにより、図４に示すように、エッチング液１１内に露出しているパターン形成領域３１では、ＳＡＷデバイスのＩＤＴの導電パターンについてのエッチングが行われる。同時にセンサ接続領域２２とパターン形成領域３１の間の領域ＡＲ１に関しても、エッチング液１１内に露出しているので、保護槽３３に覆われていない露出部３２のエッチングが進行する。この時、センサ接続領域２２では、絶縁手段２６により包囲された領域内は、エッチング液１１に触れていないので、エッチングは進行しない。
【００２６】
かくして、露出部３２が存在する間は、図１において、第２の導体１６をプラス、基板１２をマイナスとして二極間に電流が流れ、この電流は増幅手段１７で増幅されて、検出手段１８に送られる。検出手段１８では、増幅手段１７のアナログ出力を適宜に処理して、電流検出を行い、この電流が検出されている間は、エッチングを続ける。
【００２７】
次に、エッチングが進行して、図４の状態から、その露出部３２に対応した導電層２９が、図５に符号Ｓ１で示すように完全に除去される。この露出部３２は、図３で説明したように、センサ接続領域２２の周囲を回り込んで形成されているから、この露出部３２が除去されると、パターン形成領域３１とセンサ接続領域２２との間の導通は遮断される。
これにより、検出手段１８は電流値の急激な下降を検出することで、エッチングの終了時点を知ることができ、報知手段１５により、例えば、ブザの鳴動やランプ等の点灯で知らせることができる。
【００２８】
このようにして、報知手段１５からの知らせでエッチングを終了すると、ＳＡＷデバイスのＩＤＴが精密にエッチングされた状態で、作業を終了することができる。
すなわち、露出部３２は、ＩＤＴと同じパターン幅で形成したので、この露出部３２がエッチングにより除去された時点で、ＩＤＴのパターン幅も精密に形成されたことを知ることができる。これにより、エッチング不足により、ＩＤＴのパターンどうしが短絡してしまっていたり、あるいは、エッチングが進行しすぎてパターンが切れてしまうことがなく、精密なパターンを形成することができるのである。
【００２９】
ここで、図６は、本実施形態により、図１の構成に基づいて、エッチング中に電流をモニタする様子を示しており、露出部３２のパターン幅、すなわちスペースの幅が小さい程、エッチング液がパターンの間に入り込む量が少なくなることから、エッチングレートが低くなり、電流の急激な落ち込みまでの時間が遅くなる。逆に、露出部３２のパターン幅、すなわちスペースの幅が大きい程、エッチング液がパターンの間に入り込む量が多くなることから、エッチングレートが高くなり、電流の急激な落ち込みまでの時間が早くなる。
このため、特に、露出部３２のパターン幅をＩＤＴのライン幅もしくはスペース幅が最も小さい領域と合わせておけば、エッチング残りを完全に無くすことができる。
【００３０】
なお、この実施形態の導電パターン形成方法では、基板１２に対して、導電層２９を成膜した後で、保護層３３を上述したパターンで形成することが特徴である。この場合、例えば、図２及び図４で詳述したパターンとなるように、マスクパターンを形成したフォトマスクを使用することで、実現できる。このフォトマスクは従来より使用されているものと同様の材料で形成でき、そのマスクパターンだけが特徴となるものなので、詳細な構造の説明は省略する。
【００３１】
図７は、上述の実施形態の変形例を示している。図７において、上述の実施形態と共通の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略し、以下相違点を中心に説明する。
図７の例は、露出部３２−１の単純な形態を示している。つまり、露出部３２−１は、センサ接続領域２２を完全に囲むようにして、パターン形成領域３１との間に設ければよいので、ＩＤＴの櫛歯の形態とせずに図示のような単純な直線的な囲み形態としてもよい。この場合、露出部３２−１の幅Ｗ１は第１の実施形態と同じである。
このような変形例においても、第１の実施形態と同じ作用効果を発揮することができる。
【００３２】
図８及び図９は、本発明の第２の実施形態を説明する図であり、図８は本発明の第２の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図であり、図９は図８の方法に使用する基板の部分拡大図である。
これらの図において、第１の実施形態と共通の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略し、以下相違点を中心に説明する。
【００３３】
図９に示されているように、この基板１２に設けるセンサ接続領域は、対構造とされている。つまり、同一の構造のセンサ接続領域が隣接して対となるように設けられている。
この場合、一方のセンサ接続領域２２−Ａと他方のセンサ接続領域２２−Ｂとは同じ構造である。そして、各センサ接続領域は、第１の実施形態で説明したセンサ接続領域２２と同じ構造である。
【００３４】
一方のセンサ接続領域２２−Ａと他方のセンサ接続領域２２−Ｂとの間の領域ＡＲ２には、露出部３２が形成されている。つまり、この実施形態では、第１の実施形態のようにセンサ接続領域とパターン形成領域の間に露出部３２を設けるのでなく、対構造の一方のセンサ接続領域２２−Ａと他方のセンサ接続領域２２−Ｂとの間に露出部３２を設ける構造である。
そして、各一方のセンサ接続領域２２−Ａと他方のセンサ接続領域２２−Ｂには、図示しないが、第１の実施形態のセンサ１３と同一のセンサがそれぞれ接続されるようになっている。
【００３５】
図８の第１の導体１４と第２の導体１６の一方の端部（図８では下端）が、各一方のセンサ接続領域２２−Ａと他方のセンサ接続領域２２−Ｂのセンサ接続部２４，２４にそれぞれ接続される。
そして、図８に示すように、第１の導体１４と第２の導体１６は外部に導出され、互いに抵抗１９により接続されるとともに、それぞれ増幅手段１７を介して検出手段１８に接続される。検出手段１８の検出信号は報知手段１５に入力されるようになっている。
【００３６】
かくして、第２の実施形態によれば、基板１２をエッチング槽１０のエッチング液１１内に浸漬させることにより、基板１２のパターン形成領域（図示せず）の導電パターンをエッチングする工程が開始される。このエッチングの進行と同時に、図９の露出部３２のエッチングも進行する。
エッチングの進行中にあっては、図示しない手段により、一方のセンサ接続領域２２−Ａから他方のセンサ接続領域２２−Ｂへ通電を行い、この通電状態が検出手段１８によりモニタされる。
【００３７】
エッチングの進行により、露出部３２が完全に除去されると、一方のセンサ接続領域２２−Ａと他方のセンサ接続領域２２−Ｂとの間の通電が遮断されるから、これにより、検出手段１８は電流値の急激な下降を検出することで、エッチングの終了時点を知ることができ、報知手段１５により、例えば、ブザの鳴動やランプ等の点灯で知らせることができる
このようにして、報知手段１５からの知らせでエッチングを終了すると、ＳＡＷデバイスのＩＤＴが精密にエッチングされた状態で、作業を終了することができる。
このため、第２の実施形態も第１の実施形態と同様の作用効果を発揮することができる。
なお、第２の実施形態の導電パターン形成方法では、基板１２に対して、導電層２９を成膜した後で、保護層３３を上述したパターンで形成することが特徴である。この場合、例えば、図８及び図９で説明したパターンとなるように、マスクパターンを形成したフォトマスクを使用することで、実現できる。このフォトマスクは従来より使用されているものと同様の材料で形成でき、そのマスクパターンだけが特徴となるものなので、詳細な構造の説明は省略する。
【００３８】
図１０及び図１１は、本発明の第３の実施形態を説明する図であり、図１０は本発明の第３の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図であり、図１１は図１０の方法に使用する基板のパターンの構成を説明する説明図である。
これらの図において、第１の実施形態と共通の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略し、以下相違点を中心に説明する。
【００３９】
図１０において、エッチング槽１０の底部には、加熱手段としての例えば電気ヒータ１０ａが設けられており、エッチング液１１を加温できるようになっている。これにより、エッチング液の温度を上げて、エッチングの効率を高めることができるようになっている。
一方、このような構成によると、エッチング槽１０内の場所により加熱ムラが生じる。つまり、エッチング液１１には、加熱による対流が生じて、基板１２に接触するエッチング液１１の温度が、基板１２内の領域により、異なってくることで、エッチングの進行に差が生じる。
【００４０】
そこで、基板１２の周方向に沿って、複数の箇所、この場合１／４周ごとの位置に、それぞれセンサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４を設置している。各センサが設置された箇所には、図１１に示すように、それぞれセンサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４が配置されている。これらのセンサ接続領域はどれも第１の実施形態のセンサ接続領域２２と同じ構造であり、重複する説明は省略する。また、各センサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４も、それぞれ第１の実施形態のセンサ１３と同じ構造であるから、重複する説明は省略する。
【００４１】
図１０において、各センサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４から導出されるそれぞれの第１の導体１４，１４，１４，１４と、第２の導体１６のリード１６ａとの間には、それぞれ抵抗１９，１９，１９，１９が接続され、これら第１の導体１４，１４，１４，１４が並列に接続された状態で、リード１６ａとともに増幅手段１７に接続されている。増幅手段１７の出力信号は、検出手段１８に入力されて、その検出結果が、報知手段１５で報知されるようになっている。
【００４２】
したがって、この第２の実施形態では、図１０に示されているように、各センサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４を取り付けた基板１２と、第２の導体１６を、エッチング槽１０のエッチング液１１内に浸漬して、加熱手段１０ａにより、エッチング液を加温しながら、導電パターンのエッチング処理を行う。これにより、エッチング液１１内に露出しているパターン形成領域３１では、ＳＡＷデバイスのＩＤＴの導電パターンについてのエッチングが行われる。同時に各センサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４では、それぞれパターン形成領域３１との間の領域ＡＲ１（図１１参照）に関しても、エッチング液１１内に露出しているので、保護層３３に覆われていない露出部３２のエッチングが進行する。この時、センサ接続領域では、絶縁手段２６により包囲された領域内は、エッチング液１１に触れていないので、エッチングは進行しない。
【００４３】
かくして、露出部３２が存在する間は、図１０において、第２の導体１６をプラス、基板１２の各センサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４から延びる第２の導体１４をマイナスとして二極間に電流が流れ、この電流は増幅手段１７で増幅されて、検出手段１８に送られる。検出手段１８では、増幅手段１７のアナログ出力を適宜に処理して、電流検出を行い、この電流が検出されている間は、エッチングを続ける。
【００４４】
次に、エッチングが進行して、図１１の状態から、その露出部３２に対応した導電層２９が、図１２に符号Ｓ１で示すように完全に除去される。この露出部３２は、図３で説明したように、各センサ接続領域の周囲を回り込んで形成されているから、この露出部３２が除去されると、パターン形成領域２１とセンサ接続領域２２との間の導通は遮断される。
ここで、各センサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４から延びる第１の導体１４，１４，１４，１４は並列に接続されているので、一部の導通が遮断されても、全体として通電は維持される。したがって、検出手段は、全てのセンサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４において、通電が遮断された状態を検出することにより、検出手段１８は電流値の大幅な低下を検出することで、エッチングの終了時点を知ることができ、報知手段１５により、例えば、ブザの鳴動やランプ等の点灯で知らせることができる
【００４５】
かくして、第３の実施形態によれば、基板１２の全ての位置におけるエッチングの終了を知ることができ、加熱手段１０ａを用いることにより、基板１２上の位置によって、エッチングが完了しないうちに、作業を終わらせてしまうことがなく、基板１２から複数のＳＡＷデバイスを製造しようとする場合等においては、全ての製品に関して、導電パターンの形成が完了したことを知ることができる。
【００４６】
ここで、図１０において、検出手段１８に対して、増幅手段１７を介して、各センサ１３−１，１３−２，１３−３，１３−４から延びる第１の導体１４，１４，１４，１４を個別に接続し、センサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４のいずれかの箇所で、通電が遮断されたことを検出するようにしてもよい。
すなわち、例えば、検出手段１８にタイマを内蔵させておき、センサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４のいずれかの箇所で、最初に通電の遮断が生じたら、当該タイマを駆動して計時を開始し、全てのセンサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４の通電の遮断が起こる前に、タイマの計時が終了したら、報知手段１５により知らせるようにすることができる。
これにより、基板１２全体のエッチングの完了を監視しつつ、最初に通電の遮断が行われた時から、全てのセンサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４の通電の遮断の時までに、必要以上の長時間にわたりエッチングを続けることで、一部の導電パターンにオーバーエッチングを生じることを有効に防止することができる。
【００４７】
また、図１のように第１の導体１４，１４，１４，１４を並列に接続した状態で検出手段１８に接続するようにした構成においても、検出手段１８が最初に所定の電流の下降を検出した時点を、いずれかのセンサ接続領域における導通の遮断と判断して、上記タイマを駆動するようにしてもよい。この場合においても、基板１２全体のエッチングの完了を監視しつつ、最初に通電の遮断が行われた時から、全てのセンサ接続領域２２−１，２２−２，２２−３，２２−４の通電の遮断の時までに、必要以上の長時間にわたりエッチングを続けることで、一部の導電パターンにオーバーエッチングを生じることを有効に防止することができる。
【００４８】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、ＳＡＷデバイスの導電パターンの形成に限らず、基板に設けた導電層をエッチングすることで微細な導電パターンを形成する全てのエッチング作業に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図２】図１の方法に使用する基板の拡大図。
【図３】図１の方法に使用する基板の要部の概略拡大図。
【図４】図３のＡ−Ａ線概略断面図。
【図５】図１の方法において、エッチングが終了した時点のセンサ接続領域の周辺の状態を示す概略図。
【図６】図１の方法において検出手段による通電状態のモニタの様子を示す図。
【図７】本発明の第１実施形態の変形例の要部を示す図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図９】図８の方法に使用する基板の部分拡大図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図１１】図１０の方法に使用する基板の部分拡大図。
【図１２】図１０の方法において、エッチングが終了した時点のセンサ接続領域の周辺の状態と、センサ接続領域以外の領域を示す概略図。
【図１３】従来の導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図１４】図１３の基板のセンサ接続領域の周辺の構造を示す概略断面図。
【符号の説明】
１０・・・エッチング槽、１２・・・基板、１３・・・センサ、１４・・・第１の導体、１６・・・第２の導体、３１・・・パターン形成領域、２２・・・センサ接続領域、３２・・・露出部、３３・・・保護層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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