(57)【要約】  【課題】反応室などの装置に対するクリーニングを低減したり、もしくは不用にして量産性を高めた薄膜堆積装置を提供する。  【解決手段】ガス通過孔３７を形成した密閉容器３８の内部に、複数個の筒状被成膜用基体３４を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群と、複数個の筒状被成膜用基体３４を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群とを設け、これら第１基体群と第２基体群との間のほぼ対称面に面状の発熱体３９を配設して成るカセット４０を、ガス導入孔３６を設けた真空容器３３内に装着し、これら各筒状被成膜用基体３４に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜する。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス通過孔を形成した密閉容器の内部に、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群と、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群とを設けるともに、これら第１基体群と第２基体群との間のほぼ対称面に面状の発熱体を配設して成るカセットを、ガス導入孔を設けた反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成した薄膜堆積装置。
【請求項２】
複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群を配設して成る第１カセット構成部と、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群を配設して成る第２カセット構成部との間に、発熱体を配設した発熱体用カセット構成部を介在させるとともに、これら第１カセット構成部と発熱体用カセット構成部と第２カセット構成部とを組み合わせて成り、さらにこれらの組み合わせ構造にガス通過孔を形成して密閉容器と成したカセットを、ガス導入孔を設けた反応室内に装着し、さらに各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成した薄膜堆積装置。
【請求項３】
ガス通過孔を形成した円筒状の密閉容器の内部に、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ同一円周上に立設するとともに、この円周の中心に前記密閉容器の中心軸を配して、この中心軸に線状の発熱体を配設して成るカセットを備え、さらにこのカセットを反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成したことを特徴とする薄膜堆積装置。
【請求項４】
前記発熱体を密閉容器の中心軸に配設することに代えて、当該中心軸と共通にした円筒状の周面にそって配設したことを特徴する請求項３に記載の薄膜堆積装置。
【請求項５】
ガス通過孔を形成した円筒状の密閉容器の内部に、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に複数列に立設するとともに、線状の発熱体を上記複数個の筒状被成膜用基体のうち、最も近い部位に配置された複数の筒状被成膜用基体と、それぞれ等間隔になるように複数列配設して成るカセットを備え、さらにこのカセットを反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成したことを特徴とする薄膜堆積装置。
【請求項６】
前記カセットを反応室の内部にて移動させる搬送手段を設けたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜堆積装置。
【請求項７】
順次下記（イ）〜（ホ）の各工程を経て、ホットワイヤーＣＶＤ法により被成膜用基体上に成膜する薄膜堆積方法。
（イ） 請求項１ないし６のいずれかに記載のカセットを反応室に設置する。
（ロ）反応室内に供給したガスを、前記ガス通過孔を通してカセット内に導入するとともに、発熱体を加熱し、前記被成膜用基体上にホットワイヤーＣＶＤ法により成膜する。
（ハ）前工程のカセットを反応室より取出す。
（ニ）前工程にて取出されたカセットより成膜基体を取出す。
（ホ）成膜基体を取出したカセット本体をクリーニングする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱した発熱体によって原料ガスを分解・活性化し、基体上にアモルファスシリコン系などの薄膜を形成するホットワイヤーＣＶＤ法（触媒ＣＶＤ法、ＣＡＴ―ＣＶＤ法とも称される。以下、本願においては、ＨＷ―ＣＶＤ法と略す）を用いた薄膜堆積装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコン（アモルファスシリコンを以下、ａ−Ｓｉと略す）系の材料を用いた電子写真感光体や太陽電池、イメージセンサ、光センサ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の製作には、主にグロー放電プラズマＣＶＤ法による成膜装置が広く用いられてきた。
【０００３】
このグロー放電プラズマＣＶＤ法を用いて電子写真感光体を作製する場合には、図７に示すようなグロー放電プラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【０００４】
同図はグロー放電プラズマＣＶＤ装置１の概略構成図であって、円筒状の真空容器２のほぼ中央に配置した円筒状の導電性基体上に、グロー放電プラズマによりａ−Ｓｉ系膜を成膜するものである。これによれば、基体支持体３に保持された導電性基体４を接地電極とし、これを等距離で囲んだ中空の円筒状の金属電極を、高周波電力印加電極５としている。
【０００５】
この高周波電力印加電極５には、成膜用の原料ガスを導入するガス導入管６が接続され、この電極５の内周面に設けられたガス吹き出し孔７から、基体４に向けて両電極間に原料ガスが導入される。
【０００６】
電極５の上下には、接地との絶縁のための絶縁リング８、８’が設けられ、電極５と基体４との間には、高周波電源９が接続されている。
【０００７】
基体支持体３の内部には、ニクロム線やカートリッジヒーターなどからなる基体加熱手段１０が設けられていて、基体４を所望の温度に設定することができる。また、基体支持体３と基体４は、回転用のモーター１１と回転伝達手段１２により、一体で回転させることができ、膜厚や膜質の均一化を図っている。
【０００８】
この装置を用いてａ−Ｓｉ系膜の成膜を行なうに当たっては、所定の流量やガス比に設定された原料ガスを、ガス導入管６からガス吹き出し孔７を介して両電極間に導入すると共に、真空ポンプ（図示せず）に接続された排気配管１３からの排気量を調整することにより、所定のガス圧力に設定する。その後、高周波電源９により高周波電力を印加して、両電極間にグロー放電プラズマを発生させて原料ガスを分解し、所望の温度に設定した基体４上にａ−Ｓｉ系膜を成膜する。
【０００９】
しかしながら、上記のグロー放電プラズマＣＶＤ法によれば、成膜中のａ−Ｓｉ系膜の表面がプラズマによりダメージを受けるため、膜特性の向上や積層膜の界面特性の制御に限界があるという問題点があった。
【００１０】
また、成膜装置毎にグロー放電プラズマ発生用の高価な高周波電源が必要であるという問題点もあった。
【００１１】
さらに高周波によるグロー放電プラズマの発生に伴って、電力の一部が高周波ノイズとして成膜装置の各部や外部に漏洩し、ガス流量やガス圧力あるいは基体温度の各種制御機器に対し、誤動作を引き起こすという問題点もあった。
【００１２】
加えて、グロー放電プラズマによる分解生成物は、真空容器内の基体以外の部位、すなわち電極や容器の内壁、排気配管系等にも付着し堆積していた。そのため、ａ−Ｓｉ系膜の成膜中に副生成物として黄色の易燃性粉体が多量に発生し、その粉体が成膜中の基体表面に飛来して、成膜欠陥の発生原因となっていた。
【００１３】
また、成膜毎に反応炉内の粉体洗浄作業を必要とし、しかも、その取扱いに危険が伴うという問題点もあった。
【００１４】
これらの問題点に対処し、ａ−Ｓｉ系膜の特性を改善することを目的として、近年、特許文献１や特許文献２等に、ＨＷ―ＣＶＤ法（ＣＡＴ−ＣＶＤ法）と呼ばれる成膜方法ならびにその装置が提案されている。
【００１５】
このＨＷ−ＣＶＤ装置を、図８に示す装置の概略図に基づいて説明する。
【００１６】
１４は真空容器からなる反応室であり、この反応室１４内には、基体の保持と加熱をおこなう基体保持台１５が設置され、その上面に基体１６が保持される。
【００１７】
基体１６の上部には、適当な間隔をおいてタングステン等からなる高温の発熱体１７が配置され、その発熱体１７を通過して基体上に原料ガスが供給できるように、ガス導入管１８が配置される。
【００１８】
１９は真空ポンプ、２０は基体加熱手段としてのヒーターである。
【００１９】
この装置によりａ−Ｓｉ系膜を成膜するには、真空ポンプ１９により真空状態に排気した反応室１４内に、ＳｉＨ４とＨ２の混合ガスなどからなる原料ガスをガス導入管１８より導入し、１０００〜２０００℃に加熱された発熱体１７に接触させて分解・活性化し、それにより生成した化学種を基体１６に到達させて、ａ−Ｓｉ系膜を堆積させる。
【００２０】
特許文献３には、発熱体と基体の間に気体が通過可能な開口部を有する輻射断熱部材を設けることにより、発熱体からの輻射による基体の温度上昇を防止する方法が提案されている。
【００２１】
また、特許文献４および特許文献５には、発熱体に含まれた重金属等の不純物が、膜中へ混入することを防止する方法が提案されている。
【００２２】
さらにまた、特許文献６には、Ｈ２などの材料ガスが発熱体によって分解活性化され活性種が生成される活性種生成空間と、ＳｉＨ４などの原料ガスが前記活性種との化学反応によって基体上に膜堆積する成膜処理空間とを、同一真空容器内で隔離することにより、発熱体で使用される高融点金属、たとえばタングステン線などがＳｉＨ４と反応してシリコン化合物を生成し、そのために引き起こされる発熱体の劣化を防止する技術が提案されている。
【００２３】
また、特許文献７には、発熱体端部の支持部をカバーにて覆い、その間隙に希釈ガスや不活性ガス等を導入して発熱体端部の温度低下部を原料ガスと隔離することにより、前記シリコン化合物の生成を防止する技術も提案されている。
【００２４】
以上のとおり、このＨＷ―ＣＶＤ法によれば、成膜反応においてプラズマによるダメージがないため、優れた特性の膜が得られ、積層膜の界面特性も良好となる。また、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜中の水素含有量の低減ができることで、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の光学的バンドギャップが小さくなり、これによって、太陽電池の光電変換効率が向上し、太陽電池やイメージセンサにおける光劣化が改善され、ＴＦＴでのキャリア移動度が改善される。
【００２５】
このようなＨＷ―ＣＶＤ法を用いた量産性に優れたＨＷ―ＣＶＤ装置も提案されている。
【００２６】
図９と図１０は、特許文献２に記載された装置構成であり、図９はその概略断面図であり、図１０にその横断面図を示す。
【００２７】
このＨＷ―ＣＶＤ装置２１によると、２７は真空容器であり、この真空容器２７内の中央に、ガス吹き出し手段２３が設けられ、ガスはガス吹き出し孔２４を通って発熱体２５に接触し、分解・活性化された後、被成膜用基体２２に成膜される。
【００２８】
被成膜用基体２２は、ガス吹き出し手段２３、発熱体２５と平行に直線状に配列された複数個の支持体２６によって支持されており、支持体２６は車輪２８を備えた台車２９に一体的に設置され、基体温度制御手段３０や、回転伝達手段３１は真空中で接続や切り離しが可能なように構成されている。
【００２９】
ガス吹き出し手段は２３の外面は、成膜中には、被成膜用基体２２と同様に発熱体２５からの熱輻射を受ける。しかしながら、ガス吹き出し手段２３は成膜用ガスが供給されることによりガスによる冷却作用を受けることで、輻射熱を効果的に吸収・発散することができる。その結果、発熱体と被成膜用基体の間に輻射遮断部材を設ける必要がなくなり、ガスの利用効率が向上する。
【００３０】
また、この装置２１の真空容器２７には、被成膜用基体２２のセットや取り出しが一体的に行えるように、直線的に配列した複数個の被成膜用基体２２と直交する側の容器２７の側壁に、幾つかのゲートバルブ３２が設けられる。そして、このゲートバルブ３２を介して複数の真空容器２７を連結することにより、成膜室の前後に真空排気や予備加熱を行なったり、冷却や真空リークを行なったりする予備室を設けたり、各層毎の成膜室を分離することによって各層の膜質の向上を図る、いわゆるインライン型の量産性に優れたＨＷ―ＣＶＤ装置と成す。
【００３１】
ところで、近年、ＨＷ―ＣＶＤ法により成膜を、さらに詳しく解明されるようになってきた。
【００３２】
たとえば、非特許文献１によれば、発熱体によって分解・活性化されたガス、すなわち堆積種は、ガス流の影響の少ない通常の触媒ＣＶＤの条件下においては、発熱体に対しほぼ均一に放射状に熱拡散され、発熱体上の１点から基体上のある点への到達密度は、その点と触媒体上の点までの距離ｒに対して  １／ｒ２に比例することが明らかにされてきた。
【特許文献１】特許１７０４１１０号
【特許文献２】特許３１４５５３６号
【特許文献３】特許２６９２３２６号
【特許文献４】特開２０００―２７７５０１号
【特許文献５】特開２０００−２７７５０２号
【特許文献６】特開２００１−３４５２８０号
【特許文献７】特開２００２−９３７２３号
【非特許文献１】ＮＥＤＯ大学連携型産業科学技術研究開発プロジェクト「Ｃａｔ−ＣＶＤ法による半導体デバイス製造プロセス」成果報告会・資料２００１．６．４、Ｐ１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
しかしながら、特許文献２に提案されたＨＷ―ＣＶＤ装置２１によれば、ガス吹き出し手段２３と複数の被成膜用基体２２との間に発熱体２５が配置されていることから、被成膜用基体２２に向かうガスと、このガスとほぼ同量もしくはそれに近い量でもってガス吹き出し手段２３にも向かうことで、これにも堆積していた。
【００３４】
しかも、真空容器２７の内面にも、前述した発熱体に対しほぼ均一に放射状に熱拡散されるという関係に基づいて、成膜体が付着していた。
【００３５】
したがって、真空容器に繰り返し基体を導入し、成膜を行った場合、膜が応力のために剥がれて基体上に飛来し、成膜欠陥を発生させるという問題点があった。
【００３６】
特に電子写真感光体の技術分野においては、その成膜欠陥は、電子写真装置において著しい画像品質の低下を招き、これを防止するために頻繁に装置の洗浄を行う必要があるが、頻繁に装置の洗浄を行うことは、著しく生産性を低下させ、これまでＨＷ−ＣＶＤの効果が十分に得られなかった。
【００３７】
本発明は、上記の問題点を解決して完成されたものであり、その目的は反応室などの装置に対するクリーニングを低減したり、もしくは不用にして量産性を高めた薄膜堆積装置を提供することにある。
【００３８】
本発明の他の目的は高品位のａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製する薄膜堆積装置を提供することにある。
【００３９】
本発明のさらに他の目的は、かかる本発明の目的を達成するための薄膜堆積方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
本発明の薄膜堆積装置は、ガス通過孔を形成した密閉容器の内部に、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群と、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群とを設けるともに、これら第１基体群と第２基体群との間のほぼ対称面に面状の発熱体を配設して成るカセットを、ガス導入孔を設けた反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ系層を成膜するように成したことを特徴する。
【００４１】
本発明の他の薄膜堆積装置は、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群を配設して成る第１カセット構成部と、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群を配設して成る第２カセット構成部との間に、発熱体を配設した発熱体用カセット構成部を介在させるとともに、これら第１カセット構成部と発熱体用カセット構成部と第２カセット構成部とを組み合わせて成り、さらにこれらの組み合わせ構造にガス通過孔を形成して密閉容器と成したカセットを、ガス導入孔を設けた反応室内に装着し、さらに各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ系層を成膜するように成したことを特徴する。
【００４２】
また、本発明の薄膜堆積装置は、ガス通過孔を形成した円筒状の密閉容器の内部に、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ同一円周上に立設するとともに、この円周の中心に前記密閉容器の中心軸を配して、この中心軸に線状の発熱体を配設して成るカセットを備え、さらにこのカセットを反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ系層を成膜するように成したことを特徴とする。
【００４３】
さらにまた、本発明の薄膜堆積装置は、前記発熱体を密閉容器の中心軸に配設することに代えて、当該中心軸と共通にした円筒状の周面にそって配設したことを特徴する。
【００４４】
また、本発明の薄膜堆積装置は、ガス通過孔を形成した円筒状の密閉容器の内部に、複数個の筒状被成膜用基体を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に複数列に立設するとともに、線状の発熱体を上記複数個の筒状被成膜用基体のうち、最も近い部位に配置された複数の筒状被成膜用基体と、それぞれ等間隔になるように複数列配設して成るカセットを備え、さらにこのカセットを反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ系層を成膜するように成したことを特徴とする。
【００４５】
本発明のさらに他の薄膜堆積装置は、前記カセットを反応室の内部にて移動させる搬送手段を設けたことを特徴とする。
【００４６】
本発明の薄膜堆積方法は、順次下記（イ）〜（ホ）の各工程を経て、ホットワイヤーＣＶＤ法により被成膜用基体上に成膜することを特徴する。
【００４７】
（イ）  前記カセットを反応室に設置する。
【００４８】
（ロ）  反応室内に供給したガスを、前記ガス通過孔を通してカセット内に導入するとともに、発熱体を加熱し、前記被成膜用基体上にホットワイヤーＣＶＤ法により成膜する。
【００４９】
（ハ）  前工程のカセットを反応室より取出す。
【００５０】
（ニ）  前工程にて取出されたカセットより成膜基体を取出す。
【００５１】
（ホ）  成膜基体を取出したカセット本体をクリーニングする。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、上記構成のごとく、複数個の筒状被成膜用基体と発熱体を配設して成るカセットを、ガス導入孔を設けた反応室内に装着し、これら各筒状被成膜用基体に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ系層を成膜するように成したことで、カセットが、発熱体から熱拡散された化学種のうちの、筒状被成膜用基体以外に付着する化学種のほぼ全体を捕獲するように、発熱体の周りを覆う構造を有し、必要に応じて当該カセットの外部から基体の温度を設定する手段と基体支持体へ回転を伝達する手段を併設すると共に、真空容器内を当該カセットが移動することにより、真空装置のクリーニングを行わなくても初期の状態を維持できる量産性に優れたインライン形式のＨＷ−ＣＶＤ装置を提供できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
（例１）
本例では請求項１に係る薄膜堆積装置を述べる。
【００５４】
以下、本発明の薄膜堆積装置であるＨＷ−ＣＶＤ装置について、その詳細を図面により述べる。
【００５５】
図１は本発明に係るＨＷ―ＣＶＤ装置（触媒ＣＶＤ装置）３２の概略構成図であり、図２はその横断面図である。
【００５６】
このＨＷ―ＣＶＤ装置３２によれば、前記反応室である箱形状の真空容器３３の内部に、これよりも小型化にした同様な箱形状のガス通過孔３７を形成した密閉容器３８でもって構成したカセット４０を配置し、そして、このカセット４０を真空容器３３の内部から外部に取り出すことができる構造である。
【００５７】
この取り出しには、たとえばカセット４０に車輪などの搬送手段Ｈを設け、カセット４０が真空容器３３内を移動することができるようにするとよい。その他の搬送手段として、真空容器３３内をスライドさせたりしてもよい。
【００５８】
このカセット４０には、円筒状の基体支持体３５を一直線状に立てるように、たとえば２列に配列し、これら各基体支持体３５の外周面に、前記被成膜用基体である円筒状の基体３４の内周面が対向するか、もしくは接触するように配置する。
【００５９】
これら基体３４の配列については、複数個の基体３４を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群と、複数個の基体３４を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群とを設けている。なお、これら第１基体群と第２基体群については、とくに明記しないが、一方の基体配列群を第１基体群とした場合、他方は第２基体群と成る。
【００６０】
そして、これら第１基体群と第２基体群との間のほぼ対称面に面状の発熱体３９を配設している。
【００６１】
このように内部に第１基体群と第２基体群と発熱体３９とを配置したカセット４０によれば、その周壁に多くのガス通過孔３７が形成されている。
【００６２】
なお、本例によれば、第１基体群と第２基体群から成る２列の配列でもって説明しているが、これに代えて２列の配列でもって一組を成し、そして、このような組構成を３組、４組、あるいは５組というように複数の組にしてもよい。
【００６３】
また、４５は導入端子であり、４６は電力供給手段であり、導入端子４５および電力供給手段４６を通して発熱体３９と電気的に接続され、外部の電源により発熱体３９を加熱するようになっている。
【００６４】
真空容器３３には、双方が対向する側面板にガス導入孔３６を設けており、これらのガス導入孔３６を通して、真空容器３３の内部にガスを導入するようになっている。
【００６５】
そして、ガスはガス透過孔３７を通してカセット４０（密閉容器３８）の内部に導入され、そして、成膜にした残余のガスは、排気用配管４２を通して廃棄される。
【００６６】
この排気用配管４２はカセット４０と真空容器３３とに対し接続したものであって、その排気口を図２に示すごとく円形状に示す。
【００６７】
以下、さらに上記構成の各部材を説明する。
【００６８】
前記基体３４によれば、その材質は、製品の用途に応じて、導電性または絶縁性あるいは絶縁性基体の表面に導電処理を施したものが選択される。
【００６９】
導電性基体としては、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属またはこれらの合金が挙げられる。
【００７０】
絶縁性基体としては、ホウ珪酸ガラスやソーダガラス、パイレックス（R）ガラス等のガラス材や、セラミックス、石英、サファイヤ等の無機絶縁物、あるいはフッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、マイラー等の合成樹脂絶縁物が挙げられる。これらの絶縁性基体は、必要に応じて、少なくとも成膜を行なう側の表面が導電処理される。
【００７１】
この導電処理は、絶縁性基体の表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・酸化物）、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅等の導電層や、Ａｌ、Ｎｉ、金（Ａｕ）等からなる金属層を、真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオンプレーティング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スプレー法、塗布法、浸漬法等で形成することで行なう。
【００７２】
基体支持体３５の内部には、発熱体３９からの輻射熱を受けても成膜中の基体温度を所望の値に維持するために、温度検出手段、加熱手段、冷却手段などからなる基体温度制御手段４１を設ける。
【００７３】
温度検出手段としては、熱電対やサーミスタ等を用いて基体温度制御手段４１の外壁の温度を検出するように取り付け、支持体３５に保持された基体３４の温度状態をモニターしながら、温度調節器（図示せず）により加熱手段と冷却手段を制御して、基体温度を所望の値に維持する。
【００７４】
加熱手段には、ニクロム線やシーズヒーター、カートリッジヒーター等の電気的なものや、油等の熱媒体が用いられる。
【００７５】
冷却手段には、空気や窒素ガス等の気体や、水、油等からなる冷却媒体が、基体温度制御手段４１の内部を循環するようにして用いられる。
【００７６】
このように温度検出手段、加熱手段、冷却手段などからなる基体温度制御手段４１でもって、成膜中の基体温度は、１００〜５００℃、好適には２００〜３５０℃の一定温度に制御される。
【００７７】
さらに支持体３５は、回転モーター４４に接続された回転伝達手段４３によって基体３４と一体的に回転する。回転伝達手段４３は真空中で接続や切り離しが可能なように構成される。
【００７８】
このような接続機構によれば、電気的な配線については、電流接続端子とソレノイドの組合せやスリップリングとブラシの組合せ等が用いられ、媒体についてはクイックカップリングとソレノイドの組合せ等が用いられる。
【００７９】
また、回転や搬送の動力の伝達については、ギヤ同士の組合せやギヤとソレノイドの組合せ等が用いられる。回転伝達手段４３と容器３３との接点には装置内部の真空を維持しながら、さらに基体温度制御手段を機能させる回転機構が設けられる。
【００８０】
このような回転機構としては、回転軸を二重もしくは三重構造としてオイルシールやメカニカルシール等の真空シール手段を用い、中空にした回転軸内部に温度検出手段やヒーターの配線および媒体の循環経路を設ける。媒体の循環経路と外部の制御機器との接続には、スリップリングや回転導入端子等を用いる。
【００８１】
上記構成のＨＷ−ＣＶＤ装置によれば、ガス透過孔３７より導入されたガスは、発熱体３９によって分解・活性化され、放射状に活性種を熱拡散するが、活性種の大部分は基体３４に成膜される。しかし、基体間を抜けて外側に到達した活性種は密閉容器３８の側面へ、そして、上下方向に拡散した活性種はほぼ全てカセット４０（密閉容器３８）の内面に成膜される。
【００８２】
そして、成膜終了後、ゲートバルブ４７より搬出されたカセット４０が一体的に取り出され、カセット４０はクリーニングされた後、再び基体３４がセットされ、真空容器３３へ導入される。このようにカセット４０を外に取り出したり、あるいは真空容器３３へ導入するには、車輪などの搬送手段Ｈを用いればよい。
【００８３】
つぎに発熱体３９について、詳述する。
【００８４】
発熱体３９の材料としては、原料ガスの熱分解反応を起こして、その反応生成物を堆積種となし、かつ発熱材料自身が、昇華や蒸発により堆積され、膜中に混入しにくいものが選択される。
【００８５】
このような材料には、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎやそれらの合金がある。
【００８６】
発熱体３９の基本的な形状は、第１基体群と第２基体群との間のほぼ中央に平面状に配置された形状であり、これにより、第１基体群と第２基体群との間のほぼ対称面に面状の発熱体３９を配設した構成となる。
【００８７】
また、発熱体３９は、ガスが透過する構造を有している。そのような構造は、たとえば以下のとおりである。
【００８８】
（Ａ）  上記の材料で作られたワイヤーやフィラメント、リボン等を、２つの同一径のリング状絶縁保持部材の間をグリッド状、方形波状、のこぎり状等に固定し、筒状とする。
【００８９】
（Ｂ）  上記の材料で作られたワイヤーやフィラメント、リボン等を、セラミックスや石英、タングステン等の支持材を格子状や網目状、メッシュ状、ハニカム状等に組み合わせた筒状支持体に巻き付け、筒状とする。
【００９０】
（Ｃ）  上記の材料で作られたワイヤーやフィラメント、リボン等を、格子状や網目状、メッシュ状、ハニカム状に組み合わせて、筒状とする。
【００９１】
（Ｄ）  上記の材料で作られた薄い平板に、円形や三角形、正方形、長方形、菱形、六角形、縦長のスリット状、横長のスリット状、斜めのスリット状、またはそれらの組合せからなる種々の通気孔を多数設けたものを、筒状に成型する。
【００９２】
（Ｅ）  （Ｄ）のような通気孔を設けた、直径の異なる複数の筒状平板を、互いの通気孔が重ならず、かつ互いの筒状平板間にガスの通過する間隙を有するように、二重以上に組み合わせる。  
上記（Ａ）のような発熱体の形状の例を図３の（イ）〜（ハ）に示す。同図において、４８は絶縁性の保持部材、４９は導電性電極、５０は発熱体である。また、５１はこれら発熱体を保持する枠である。
【００９３】
上記（Ｂ）〜（Ｅ）のような発熱体の形状の例を図４（ａ）〜（ｍ）に示す。同図（ａ）〜（ｃ）は、上記（Ａ）の発熱体材料５２を支持材５３に巻き付けた例、同図（ｄ）〜（ｆ）は、上記（Ｂ）の発熱体材料を組み合わせた例、同図（ｇ）〜（ｋ）は、上記（Ｃ）の発熱体材料で作られた平板５４に種々の通気孔５５を多数設けた例、同図（ｌ）、（ｍ）は、上記（Ｄ）の例を示すものである。
【００９４】
これらの発熱体４１には、真空容器３３の外部から電流端子４６を介して電力が供給され、通電によるジュール熱で５００〜２２００℃、好適には８００〜２０００℃の高温に加熱される。
【００９５】
基体支持体３５に保持された基体３４の位置は、基体・支持体の材質、厚さ、大きさ等によって異なるが、熱輻射と堆積密度、膜厚の均一性などの点から設定され、１０〜１５０ｍｍ、好適には４０〜８０ｍｍ、最適には５０〜７０ｍｍとされる。
【００９６】
本発明の成膜用原料ガスを供給するガス透過孔３７を備えた密閉容器３８は、外周から内部に吹き出す構造を有しているが、発熱体３９によって分解・生成された活性種は、通常のＨＷ−ＣＶＤの条件下ではガス流の影響を受けず、発熱体３９から放射状に熱拡散され、これにより、従来のプラズマＣＶＤ法のように必ずしも基体に向けて一様に吹き出す必要はない。
【００９７】
したがって、本例のごとく、外周部のみならず、真空容器３３の上部、下部、またはその一部分等、その内部に排気用配管４２とある程度離れた場所であって真空容器内を原料ガスが十分拡散するような部位に対し、ガス透過孔３７のごとき同様なガス吹き出し手段を配置すればよい。
【００９８】
本発明のＨＷ−ＣＶＤ装置に用いられるａ−Ｓｉ系膜の原料ガスは、グロー放電プラズマＣＶＤ法で用いられるものと同様である。
【００９９】
すなわち、成膜原料ガスとしては、シリコンと水素やハロゲン元素とからなる化合物、たとえばＳｉＨ４ 、Ｓｉ２ Ｈ６ 、Ｓｉ３ Ｈ８ 、ＳｉＦ４ 、ＳｉＣｌ４ 、ＳｉＣｌ２ Ｈ２ 等が用いられる。
【０１００】
希釈用ガスとしては、Ｈ２ 、Ｎ２ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等が用いられる。
【０１０１】
価電子制御ガスには、Ｐ型不純物としては元素周期律表第III族Ｂの元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ等）を含む化合物、たとえばＢ２ Ｈ６ 、Ｂ（ＣＨ３ ）３ 、Ａｌ（ＣＨ３ ）３ 、Ａｌ（Ｃ２ Ｈ５ ）３ 、Ｇａ（ＣＨ３ ）３ 等が用いられ、Ｎ型不純物としては元素周期律表第Ｖ族Ｂの元素（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等）を含む化合物、たとえばＰＨ３ 、Ｐ２ Ｈ４ 、ＡｓＨ３ 、ＳｂＨ３ 等が用いられる。
【０１０２】
また、バンドギャップ調整用ガスとしては、バンドギャップを拡大する元素であるＣ、Ｎ、Ｏを含む化合物、たとえばＣＨ４ 、Ｃ２ Ｈ２ 、Ｃ３ Ｈ８ 、Ｎ２ 、ＮＨ３ 、ＮＯ、Ｎ２ Ｏ、ＮＯ２ 、Ｏ２ 、ＣＯ、ＣＯ２ 等や、バンドギャップを狭める元素であるＧｅ、Ｓｎを含む化合物、たとえばＧｅＨ４ 、ＳｎＨ４ 、Ｓｎ（ＣＨ３）３ 等が用いられる。
【０１０３】
成膜に当たっては、これらのガスを減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて所望の流量や混合比に調整し、真空容器３３に導入して、ガス吹き出し手段であるガス導入孔３６を備えた密閉容器３８から発熱体３９に供給する。
【０１０４】
成膜時のガス圧力は、０．００１〜２０Ｔｏｒｒ、好適には０．００５〜１Ｔｏｒｒ、さらに好適には０．０１〜０．５Ｔｏｒｒに設定される。ガス圧力をこの範囲に設定することで、供給されたガスが効率的に分解、輸送される。また、反応生成物同士の気相中での２次反応が抑制されることにより、基体上に良質なａ−Ｓｉ系膜を形成することができる。なお、より高品質の膜を得るためには、成膜を開始するに先立って、基体がセットされた後の真空容器３３内を一旦１０−６Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気し、容器内の水分や残留不純物ガスを除去しておくことが望ましい。
【０１０５】
（薄膜堆積方法）
本発明に係る薄膜堆積方法は、上記構成のＨＷ−ＣＶＤ装置２１を用いて、順次下記（イ）〜（ホ）の各工程を経る。これら各工程を図６に示す。
【０１０６】
この工程の前に本発明のカセット４０を用意する。このカセット４０によれば、図１に示すごとく、カセット本体の内部に発熱体３９を形成したものであるが、さらにこの本体内に被成膜用基体３４や支持体３５を設けたものである。
【０１０７】
（イ）工程：カセット４０を真空容器３３に設置する。
【０１０８】
（ロ）前述したごとく、真空容器３３内に供給したガスを、ガス通過孔３７を通してカセット４０内に導入するとともに、発熱体３９を加熱し、被成膜用基体３４上にホットワイヤーＣＶＤ法により成膜する。
【０１０９】
（ハ）カセット４０を真空容器３３より取出す。
【０１１０】
（ニ）カセット４０より成膜基体を取出す。
【０１１１】
（ホ）成膜基体を取出したカセット本体をクリーニングする。
【０１１２】
カセットのクリーニングについては、ホーニング等の物理的に成膜体を除去する方法や、苛性ソーダ等のアルカリ系の溶剤と反応させて化学的に成膜体を除去する方法が用いられる。
【０１１３】
このような方法によれば、発熱体４０から熱拡散された化学種のうちの、基体以外に付着する化学種のほぼ全体をカセット４０の内部にて捕獲し、これにより、簡易な構造でもって当該カセットを成膜毎にクリーニングすることができ、その結果、真空容器３３を成膜毎にクリーニングする必要がなくなり、量産性が向上する。
【０１１４】
かくして本発明の薄膜堆積方法によれば、カセット４０を真空容器３３より取出すだけで、そのカセット４０のみをクレーニングすればよく、従来のごとく反応室をクリーニングすることもなくなり、これにより、簡便なクリーニングとなり、その結果、製造工程が削減し、製造コストを下げることができた。
【０１１５】
また、本発明の薄膜堆積方法によれば、前記構成のＨＷ−ＣＶＤ装置３２のごとく、真空容器３３の内部に発熱体３９や被成膜用基体３４を配置したことで、カセット４０は真空容器３３に比べ、小さな容積となり、その結果、この容積内のガスが成膜に効率的寄与されることで、製造コストを低下させることができた。
【０１１６】
さらにまた、本発明によれば、カセット４０の本体の外周壁に多数のガス通過孔３７を形成したことで、カセット４０の本体の内壁に成膜されようとしても、それがガス流によって阻害され、その結果、ガスが効率的に利用され、製造コストを低減させることができた。
【０１１７】
しかも、従来のＨＷ−ＣＶＤ装置によれば、その反応室の内壁に付着した成膜体が剥離し、そして、飛来することで、基体表面に付着し、成膜欠陥を発生させていたが、これに対し、そのように反応室の内壁に成膜体が付着し、そして、剥離することもなくなった。また、成膜中に剥がれた成膜体の被成膜用基体３４への飛来を大幅に減少させ、その結果、成膜欠陥のない高品質かつ高信頼性のａ−Ｓｉ成膜製品、たとえばａ−Ｓｉ電子写真感光体が得られた。
【０１１８】
以下、具体的な実験例を述べる。
【０１１９】
このＨＷ−ＣＶＤ装置３２により、以下のようにして図５に示す層構成のａ−Ｓｉ電子写真感光ドラムを作製した。
【０１２０】
同図において、５６、５７、５８および５９は、それぞれ導電性の基体、キャリア注入阻止層、光導電層および表面保護層を表わす。
【０１２１】
図１の構成のＨＷ−ＣＶＤ装置３２において、発熱体３９に０．５ｍｍ径の純度９９．９９％のタングステンワイヤーを図３の（１）の形状に６本並列に配置したものを用い、発熱体と基体との距離は６０ｍｍとした。また、基体の基体温度制御手段４１にはカートリッジヒーターと熱電対を用いた。
【０１２２】
この装置３２に、表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長さ２５４ｍｍの円筒状Ａｌ基体をセットし、基体温度を２５０℃に加熱しながら、ロータリーポンプとターボ分子ポンプにより１×１０−６  Ｔｏｒｒの真空度まで真空排気を行なった。
【０１２３】
次に発熱体３９を通電して１８００℃に加熱し、表１の条件でキャリア注入阻止層５７、光導電層５８、表面保護層５９を順次形成し、ａ−Ｓｉ電子写真感光ドラム（以下、ａ−Ｓｉドラムと略す）Ａを作製した。
【表１】
2005076108.tif 000003
【０１２４】
このａ−ＳｉドラムＡの帯電特性を、＋６ｋＶの電圧を印加したコロナ帯電器を用いて測定し、光感度特性をセンター波長６８０ｎｍ、半値幅２ｎｍに分光された単色光にて３５０Ｖからの半減露光量、残留電位にて評価したところ、帯電能２６０Ｖ、半減露光量０．４１μＪ／ｃｍ２と良好で、残留電位も５Ｖ以下優れた特性を示した。
【０１２５】
そして、このａ−ＳｉドラムＡを京セラミタ製電子写真プリンタＦＳ−１８００に搭載して画像評価を行なった結果、バックかぶりのない、解像力の優れた画像が得られた。
【０１２６】
次に、装置の連続成膜回数と、画像における黒点や白点等の画像欠陥の発生率を評価した結果を表２に示す。
【０１２７】
表２において、装置１は本発明による装置、装置２は図９、１０に示す従来のＨＷ−ＣＶＤ装置、装置３は図７に示す従来のプラズマＣＶＤ装置を表す。
【０１２８】
評価は、装置のメンテナンス後の、連続成膜回数に対する各成膜ロットの欠陥の発生率で行った。なお、装置３のプラズマＣＶＤ装置は副生成物の易燃性粉体が多量に発生するため、成膜毎にメンテナンス（装置の分解・洗浄）を行っている。
【表２】
2005076108.tif 000004
【０１２９】
上記の結果から明らかなように、従来の装置においては、数回にて欠陥発生率が大幅に増加しているのに対し、本発明によれば、真空装置のクリーニングを行わなくても初期の状態を維持できる量産性に優れたインライン形式のＨＷ−ＣＶＤ装置を提供できた。
【０１３０】
（例２）
本例では請求項３、４、５に係る各薄膜堆積装置を述べる。
【０１３１】
このような真空容器内を移動するカセット形状としては、基体支持体を直線的に配置したもののみならず、図１１に示すように、カセットを円筒形状とし、内部に複数の基体、発熱体を設けた構造にしてもよい。
【０１３２】
図１１は横断面図であり、同図（１）〜（３）において、６０はガス透過孔、６１は密閉容器、６２は基体支持体、６３は筒状被成膜用基体、６４は発熱体である。
【０１３３】
図１１（１）に示す薄膜堆積装置は、請求項３に係る構成であり、ガス通過孔６０を形成した円筒状の密閉容器６１の内部に、複数個の筒状被成膜用基体６３を各中心軸がほぼ等距離かつ同一円周上に立設するとともに、この円周の中心に密閉容器６１の中心軸を配して、この中心軸に線状の発熱体６４を配設して成るカセット４０を備え、さらにこのカセット４０を反応室である真空容器３３内に装着し、これら各筒状被成膜用基体６３に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成している。
【０１３４】
そして、上記構成のカセット４０を複数個真空容器３３に配置した構成を図１２と図１３により示す。図１２は本発明に係るＨＷ―ＣＶＤ装置（触媒ＣＶＤ装置）３２の概略構成図であり、図１３はその横断面図である。なお、図１と図２に示す箇所と同一箇所には同一符号を付す。
【０１３５】
また、図１１（２）に示す薄膜堆積装置は、請求項４に係る構成である。
【０１３６】
すなわち、発熱体６４を密閉容器６１の中心軸に配設することに代えて、当該中心軸と共通にした円筒状の周面にそって配設したことを特徴する。
【０１３７】
図１１（３）に示す薄膜堆積装置は、請求項５に係る構成である。
【０１３８】
ガス通過孔６０を形成した円筒状の密閉容器６１の内部に、複数個の筒状被成膜用基体６３を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に複数列に立設するとともに、線状の発熱体６４を複数個の筒状被成膜用基体６３のうち、最も近い部位に配置された複数の筒状被成膜用基体６３と、それぞれ等間隔になるように複数列配設して成るカセット４０を備え、さらにこのカセット４０を反応室（真空容器３３）内に装着し、これら各筒状被成膜用基体６３に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成している。
【０１３９】
以上のような各構成のＨＷ―ＣＶＤ装置（触媒ＣＶＤ装置）３２であっても、本発明の効果が十分得られることは言うまでもない。
【０１４０】
さらに前述したごとく、同様にカセット４０を反応室の内部にて移動させる搬送手段Ｈを設けてもよい。
【０１４１】
さらにまた、同様に本発明に係る薄膜堆積方法によれば、上記構成のＨＷ−ＣＶＤ装置３２を用いて、順次（イ）〜（ホ）の各工程を経る。
【０１４２】
（例３）
本例では請求項２に係る薄膜堆積装置を述べる。
【０１４３】
図１４は本発明のＨＷ―ＣＶＤ装置（触媒ＣＶＤ装置）６５の概略構成図であり、図１５に基体支持体および発熱体を有するカセットのイメージ図である。
【０１４４】
複数個の筒状被成膜用基体６８を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第１基体群を配設して成る第１カセット構成部と、複数個の筒状被成膜用基体６８を各中心軸がほぼ等距離かつ一直線上に立設して成る第２基体群を配設して成る第２カセット構成部とから成る。
【０１４５】
また、これら第１カセット構成部と第２カセット構成部との間に、発熱体７７を配設した発熱体用カセット構成部を介在させる。
【０１４６】
図１５（ａ）は第１カセット構成部や第２カセット構成部を示す。図１５（ｂ）は発熱体用カセット構成部を示す。
【０１４７】
そして、本例のカセット６７は、これら第１カセット構成部と発熱体用カセット構成部と第２カセット構成部とを組み合わせて成る。
【０１４８】
さらにこれらの組み合わせ構造にガス通過孔７３を形成して密閉容器と成したカセット６７を、ガス導入孔７５を設けた反応室（真空容器６６）内に装着し、さらに各筒状被成膜用基体６８に対しホットワイヤーＣＶＤ法によりアモルファスシリコン系層を成膜するように成している。
【０１４９】
７４は電力供給手段、７６は導入端子である。
【０１５０】
この装置６５によると、ガス通過孔７３が発熱体７７の上部に配置されており、それらは一体的に真空容器６６から取り出せる構造を有している。この構造により基体支持体を有するカセットの構造が非常に簡略化されている。この装置６５において、ガス導入孔（管）７５により真空容器６６内に導入されたガスは、ガス通過孔７３によってカセット６７内部に供給され、中央に配置された発熱体７７に接触して分解・熱拡散される。直線的に複数配置された基体支持体６９は、各々内部に基体温度制御手段７０を有し、回転モーター７２に接続された回転伝達手段７１によって基体６８と一体的に回転される。
【０１５１】
この装置に表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長さ２５４ｍｍの円筒状アルミニウム基体を用いて成膜を行った。基体は、中心の発熱体と６０ｍｍの距離にて８本設置し、発熱体は直径０．５ｍｍのタングステンワイヤーを上下に１本垂直に配置して、表３に示した条件にて図５に示すごとく３層構造を有するａ−ＳｉドラムＢを作製した。
【表３】
2005076108.tif 000005
【０１５２】
このａ−ＳｉドラムＢの帯電特性を、＋６ｋＶの電圧を印加したコロナ帯電器を用いて測定し、光感度特性をセンター波長６８０ｎｍ、半値幅２ｎｍに分光された単色光にて２５０Ｖからの半減露光量、残留電位にて評価したところ帯電能２６０Ｖ、半減露光量０．３９μＪ／ｃｍ2と良好で、残留電位も５Ｖ以下優れた特性を示した。
【０１５３】
そして、このａ−ＳｉドラムＢを京セラミタ製電子写真プリンタＦＳ−１８００に搭載して画像評価を行なった結果、バックかぶりのない、解像力の優れた画像が得られた。
【０１５４】
また、前述の例１と同様、真空容器６６のクリーニングを行わず、カセットのみ洗浄して繰り返し成膜を行った結果、繰り返しによって欠陥が増加することはなく、真空装置のクリーニングを行わなくても初期の状態を維持できる量産性に優れたＨＷ−ＣＶＤ装置を提供できた。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】本発明に係るＨＷ−ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】本発明に係るＨＷ−ＣＶＤ装置の横断面図である。
【図３】（イ）、（ロ）、（ハ）は本発明に係る発熱体の構成を示す正面図である。
【図４】本発明に係る発熱体の部分拡大図を示す。
【図５】ａ−Ｓｉ電子写真用感光体の層構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の薄膜方法を示すフローチャート図である。
【図７】グロー放電プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図８】従来のＨＷ−ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図９】従来の電子写真感光体用ＨＷ−ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図１０】従来の電子写真感光体用ＨＷ−ＣＶＤ装置の横断面図である。
【図１１】（１）、（２）、（３）は本発明に係る他のＨＷ−ＣＶＤ装置におけるカセットの横断面図である。
【図１２】本発明に係る他のＨＷ−ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図１３】本発明に係る他のＨＷ−ＣＶＤ装置の横断面図である。
【図１４】本発明に係る他のＨＷ−ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は本発明に係る他のＨＷ−ＣＶＤ装置におけるカセットの要部の斜視図である。
【符号の説明】
【０１５６】
３２・・・ＨＷ―ＣＶＤ装置（触媒ＣＶＤ装置）
３３・・・真空容器
３７・・・ガス通過孔
３８・・・密閉容器
４０・・・カセット
３５・・・基体支持体
３４・・・被成膜用基体
３９・・・発熱体
４２・・・排気用配管
【図１】
2005076108.tif 000006
【図２】
2005076108.tif 000007
【図３】
2005076108.tif 000008
【図４】
2005076108.tif 000009
【図５】
2005076108.tif 000010
【図６】
2005076108.tif 000011
【図７】
2005076108.tif 000012
【図８】
2005076108.tif 000013
【図９】
2005076108.tif 000014
【図１０】
2005076108.tif 000015
【図１１】
2005076108.tif 000016
【図１２】
2005076108.tif 000017
【図１３】
2005076108.tif 000018
【図１４】
2005076108.tif 000019
【図１５】
2005076108.tif 000020