(57)【要約】【課題】  確実に薄膜素子と配線基板との導通を確保すると共に所望の薄膜素子のみを配線基板上に実装する。【解決手段】  薄膜素子１３が剥離層１２を介して基礎基板１１上に形成される転写用薄膜素子基板であって、上記薄膜素子１３上に配置されかつ上記薄膜素子１３の導電部に対応する開口部１４ａが形成される絶縁層１４と、上記開口部１４ａ内に配置されかつ導電性微粒子１５によって形成される導電性微粒子層とを有する。【選択図】              図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜素子が剥離層を介して基礎基板上に形成される転写用薄膜素子基板であって、
前記薄膜素子上に配置されかつ前記薄膜素子の導電部に対応する開口部が形成される絶縁層と、
前記開口部内に配置されかつ導電性微粒子によって形成される導電性微粒子層と
を有することを特徴とする転写用薄膜素子基板。
【請求項２】
前記導電性微粒子は、その表面に接着性を有することを特徴とする請求項１記載の転写用薄膜素子基板。
【請求項３】
前記絶縁層に前記導電性微粒子の粒径よりも幅の小さいスリットが複数形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の転写用薄膜素子基板。
【請求項４】
前記薄膜素子が前記基礎基板上に複数形成されている場合に、前記基礎基板の中央部に位置する前記導電性微粒子層である中央導電性微粒子層の高さが前記基礎基板の外周部に位置する前記導電性微粒子層である外周導電性微粒子層の高さよりも高いことを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の転写用薄膜素子基板。
【請求項５】
前記中央導電性微粒子層が前記外周導電性微粒子層を形成する導電性微粒子よりも大きな粒径の導電性微粒子によって形成されていることを特徴とする請求項４記載の転写用薄膜素子基板。
【請求項６】
前記中央導電性微粒子層が前記外周導電性微粒子層よりも多くの導電性微粒子が積層されることによって形成されていることを特徴とする請求項４記載の転写用薄膜素子基板。
【請求項７】
薄膜素子が剥離層を介して基礎基板上に形成される転写用薄膜素子基板の製造方法であって、
前記薄膜素子上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に前記薄膜素子の導電部に対応する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に選択的に導電性微粒子を配置することによって前記開口部内に導電性微粒子層を形成する工程と
を有することを特徴とする転写用薄膜素子基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写用薄膜素子基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）装置等の半導体応用装置においては、変形や落下による壊れ防止、低コスト化等の理由等により下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
【０００３】
しかし、パネル型の表示装置に使用される薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）は、高温プロセスの製造工程によって製造されるので、当該高温プロセスによる製造方法を用いてプラスチック基板上にＴＦＴを形成したり、有機ＥＬ素子等の回路素子を形成したりすると、基板の熱変形や回路素子の破壊、素子寿命の低下を招いてしまい、結果として所望の半導体応用装置を製造するのが難しい。
【０００４】
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いて複数のＴＦＴ等の薄膜素子を耐熱性の基礎基板上に製造した後に、当該基板から薄膜素子が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを導電性微粒子を含む接合材を介してプラスチック基板等の配線基板に貼り付けることにより、プラスチック基板や有機ＥＬ素子等の回路素子等を高温プロセスに曝すのを回避する転写技術が提案されている。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した転写技術では、薄膜素子の転写に用いられる接合材を、マスク印刷法（スクリーン印刷法）を用いて、基板上に配置している。すなわち、接合材の配置パターンに応じて開口が形成されたマスクを基板（基礎基板あるいはプラスチック基板）上に配置するとともに、そのマスクを介して基板上に接合材を配置している。
【０００６】
しかしながら、マスク印刷法では、接合材を配置する基板に対してマスクを高精度に位置合わせするとともに、供給量を正確に制御する必要がある。例えば、接合材の配置位置ずれが生じたり、或いは接合材の配置量が多すぎたりした場合には、転写されるべき薄膜素子の他に、その薄膜素子に隣接する薄膜素子までも転写されてしまうという問題がある。すなわち、薄膜素子は１枚の基板に複数の薄膜素子が規則的に配置された状態に形成されるため、転写先の接合材が所定位置から食み出した場合には、その接合材が本来転写されるべきでない薄膜素子に接触し、剥離させてしまうのである。
これにより、複数の薄膜素子を形成した１枚の基板から転写できる薄膜素子の数が減り、製造コストを上昇させてしまうという問題がある。
また、薄膜素子の接続端子（導電部）が小さいと、接合材に含まれる導電性微粒子がうまく接続端子に補足されない場合があり、このような場合には、薄膜素子と配線基板との導通が確保することができなくなる。
【０００７】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、確実に薄膜素子と配線基板との導通を確保すると共に所望の薄膜素子のみを配線基板上に実装することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る転写用薄膜素子基板は、薄膜素子が剥離層を介して基礎基板上に形成される転写用薄膜素子基板であって、上記薄膜素子上に配置されかつ上記薄膜素子の導電部に対応する開口部が形成される絶縁層と、上記開口部内に配置されかつ導電性微粒子によって形成される導電性微粒子層とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る転写用薄膜素子基板の製造方法は、薄膜素子が剥離層を介して基礎基板上に形成される転写用薄膜素子基板の製造方法であって、上記薄膜素子上に絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層に上記薄膜素子の導電部に対応する開口部を形成する工程と、上記開口部内に選択的に導電性微粒子を配置することによって上記開口部内に導電性微粒子層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
このような特徴を有する本発明に係る転写用薄膜素子基板及びその製造方法によれば、薄膜素子の導電部に対応して形成された絶縁層の開口部内に導電性微粒子によって形成される導電性微粒子層が配置される。このため、薄膜素子を配線基板上に配置する際に、薄膜素子と配線基板との間に導電性微粒子を含む接合材を配することなく、薄膜素子の配線基板との導通を確保することができる。したがって、本発明に係る転写用薄膜素子基板によれば、確実に薄膜素子と配線基板との導通を確保すると共に所望の薄膜素子のみを配線基板上に実装することが可能となる。
なお、ここで言う導電性微粒子層の構成は、導電性微粒子が単層あるいは単一であっても良いし、また、導電性微粒子が複数層であっても良い。
【００１１】
また、本発明に係る転写用薄膜素子基板においては、上記導電性微粒子が、その表面に接着性を有することが好ましい。
このように、導電性微粒子がその表面に接着性を有することによって、導電性微粒子を確実に絶縁層の開口部内に配置することができ、また、薄膜素子を配線基板上に配置する際における薄膜素子のずれを抑止することができる。
【００１２】
また、本発明に係る転写用薄膜素子基板においては、上記絶縁層に上記導電性微粒子の粒径よりも幅の小さいスリットが複数形成されていることが好ましい。
例えば、絶縁層に形成された開口部内に導電性微粒子を配置する場合には、基礎基板上全体に導電性微粒子を散布し、その後、基礎基板上にエアーを吹付けることによって開口部に入り込んでいない導電性微粒子を吹き飛ばし、これによって開口部内のみに導電性微粒子を残すという方法を採用することができる。このような場合に、絶縁層に導電性微粒子の粒径よりも小さいスリットが複数形成されていることによって、絶縁層と導電性微粒子との接触面積を小さくすることができ、絶縁層上に散布された導電性微粒子がエアーによって吹き飛ばされ易くなる。したがって、より確実に開口部内のみに導電性微粒子を配置することができる。
【００１３】
また、本発明に係る転写用薄膜素子基板においては、上記薄膜素子が上記基礎基板上に複数形成されている場合に、上記基礎基板の中央部に位置する上記導電性微粒子層である中央導電性微粒子層の高さが上記基礎基板の外周部に位置する上記導電性微粒子層である外周導電性微粒子層の高さよりも高いという構成を採用することができる。
上述のように薄膜素子は、高温プロセスを経て基礎基板上に形成される。基礎基板と薄膜素子とは、その熱膨張係数に差があるため、高温プロセスを経ることによって転写用薄膜素子基板が湾曲する。具体的には、転写用薄膜素子基板は、基礎基板の外周部が中央部よりも薄膜素子側に突出するように湾曲する。また、配線基板が湾曲する場合もある。配線基板は、一般的に導電層上に配線層が形成されることによって構成されているが、配線層を形成する際に、転写用薄膜素子基板程ではないが加熱される。このため、導電層と配線層との熱膨張係数の差に起因して配線基板が湾曲する。具体的には、導電層の外周部が中央部よりも配線層側に突出するように湾曲する。
このように、転写用薄膜素子基板あるいは／及び配線基板が湾曲すると、転写用薄膜素子基板と配線基板とを対向させた際に、転写用薄膜素子基板の中央部に形成された薄膜素子が、転写用薄膜素子基板の外周部に形成された薄膜素子よりも配線基板から遠くなる。このため、転写用薄膜素子基板の中央部に形成された薄膜素子に接触配置される導電性微粒子層が配線基板と接触できなくなる。
したがって、本発明に係る転写用薄膜素子基板のように、中央導電性微粒子層の高さを外周導電性微粒子層の高さよりも高くすることによって、確実に中央導電性微粒子層と配線基板との導通を確保することが可能となる。
【００１４】
なお、本発明に係る転写用薄膜素子基板は、上記中央導電性微粒子層が上記外周導電性微粒子層を形成する導電性微粒子よりも大きな粒径の導電性微粒子によって形成されているという構成を採用することができる。
また、上記中央導電性微粒子層が上記外周導電性微粒子層よりも多くの導電性微粒子が積層されることによって形成されているという構成を採用することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明に係る転写用薄膜素子基板及びその製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、本第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板１の概略構成を示した断面図である。この図に示すように、本第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板１は、基礎基板１１と、当該基礎基板１１上に剥離層１２を介して複数形成されるＴＦＴ素子１３（薄膜素子）と、当該ＴＦＴ素子１３上に配置されかつＴＦＴ素子１３の接続端子に対応する開口部１４ａが形成される絶縁層１４と、当該絶縁層１４に形成された開口部１４ａ内に配置される導電性微粒子１５とを備えて構成されている。
【００１７】
基礎基板１１は、例えば１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板１１の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板１１の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基礎基板１１の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基礎基板１１の照射光の透過率が高い場合には、上記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
【００１８】
剥離層１２は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生じる材料からなる。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層１２に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層１２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００１９】
剥離層１２の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層１２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２０】
剥離層１２の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層１２の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層１２の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層１２の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００２１】
剥離層１２の形成方法は、均一な厚みで剥離層１２を形成可能な方法であればよく、剥離層１２の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２２】
特に剥離層１２の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層１２をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００２３】
ＴＦＴ素子１３は、剥離層１２を介して基礎基板１１上に複数形成されており、外部と導通を図るための接続端子（導電部）が非基礎基板１１側に形成されている。なお、ＴＦＴ素子１３は、高温プロセスを含む公知の技術を用いて形成されるため、ＴＦＴ素子１３の形成方法については省略する。
【００２４】
絶縁層１４は、例えばポリイミドやアクリル等の樹脂によって形成されており、上述のように、ＴＦＴ素子１３の接続端子が露出されるような開口部１４ａを有している。また、開口部１４ａ以外の絶縁層１４上には、導電性微粒子１５の粒径よりも幅の小さいスリット１４ｂが複数形成されている。なお、スリット１４ｂ，１４ｂ間の間隔も導電性微粒子１５の粒径よりも小さいことが好ましい。また、開口部１４ａの幅は、導電性微粒子１５の粒径の１００〜１２５％が好ましい。
【００２５】
絶縁層１４は、例えばスピンコート法やキャスティング法等によって基礎基板１１の全面に塗布され、その後、例えばフォトリソグラフィー法等によって、開口部１４ａ及びスリット１４ｂが形成される。このようにして、ＴＦＴ素子１３の接続端子に対応する開口部１４ａを有する絶縁層１４がＴＦＴ素子１３上に形成される。
【００２６】
導電性微粒子１５は、表層がポリアミドの接着性を有する材料によってコーティングされることによって、その表面に接着性を有している。そして、絶縁層１４の開口部１４ａに選択的に配置されることによって、ＴＦＴ素子１３の接続端子と接触されている。
【００２７】
導電性微粒子１５は、例えば導電性微粒子１５を基礎基板１１上全体に散布し、その後、基礎基板１１上にエアーを吹付け、開口部４ａに入り込んでいない導電性微粒子１５を吹き飛ばすことで開口部１４ａ内のみに選択的に配置される。ここで、絶縁層１４には、導電性微粒子１５の粒径よりも小さいスリット１４ｂが複数形成されているため、開口部１４ａ以外の部位において絶縁層１４と導電性微粒子１５との接触面積が小さくなり、絶縁層１４上のこの部位に散布された導電性微粒子１５がエアーによって吹き飛ばされ易くなる。したがって、より確実に導電性微粒子１５を開口部１４ａ内のみに選択的に配置することができる。
【００２８】
そして、このように構成された本第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板１がＴＦＴ素子１３側を配線基板側に向けた状態で当該配線基板と対向配置され、その後、ＴＦＴ素子１３を配線基板に加熱・押圧した状態で剥離することによって、ＴＦＴ素子１３が配線基板上に実装される。
【００２９】
ここで、本第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板１によれば、予め導電性微粒１５がＴＦＴ素子１３の導電部と接触状態で配置されているため、ＴＦＴ素子１３を配線基板に実装する際に、ＴＦＴ素子１３と配線基板との間に予め接合材を配する必要がなくなる。したがって、本第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板１によれば、所望のＴＦＴ素子１３のみを配線基板上に実装することが可能となる。また、予め導電性微粒子１５がＴＦＴ素子１３の導電部と接触状態で配置されているため、確実にＴＦＴ素子１３と配線基板との導通を確保することが可能となる。
また、本第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板１によれば、導電性微粒子１５がその表面に接着性を有しているため、ＴＦＴ素子１３と配線基板とを接合する際に、ＴＦＴ素子と配線基板との位置ずれを抑止することができる。
【００３０】
（第２実施形態）
次に、図２を参照して本発明の第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板２の説明をする。なお、本第２実施形態の説明において、上記第１実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
【００３１】
図２は、本第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板２の概略構成を示した断面図である。この図に示すように、本第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板２は、基礎基板１１の中央部に位置する開口部１４ａ１が基礎基板１１の外周部に位置する開口部１４ａ２よりも広く形成されている。そして、基礎基板１１の中央部に位置する開口部１４ａ１内に配置される導電性微粒子１５ａの粒径が基礎基板１１の外周部に位置する開口部１４ａ２内に配置される導電性微粒子１５ｂの粒径よりも大きく設定されている。これによって、基礎基板１１の中央部に位置する開口部１４ａ１内に配置される導電性微粒子１５ａ（中央導電性微粒子層）の高さが基礎基板１１の外周部に位置する開口部１４ａ２内に配置される導電性微粒子１５ｂ（外周導電性微粒子層）よりも高くなる。
なお、このように基礎基板１１の中央部に位置する開口部１４ａ１内に導電性微粒子１５ａを選択的に配置し、基礎基板１１の外周部に位置する開口部１４ａ２内に導電性微粒子１５ｂを選択的に配置する場合には、基礎基板１１の中央部全体に導電性微粒子１５ａを散布しかつ基礎基板１１の外周部全体に導電性微粒子１５ｂを散布した後に、基礎基板１１上エアーを吹付けることによって行うことができる。
【００３２】
上述のようにＴＦＴ素子１３は、高温プロセスを経て基礎基板１１上に形成される。基礎基板１１とＴＦＴ素子１３とは、その熱膨張係数に差があるため、高温プロセスを経ることによって転写用薄膜素子基板２が湾曲する。具体的には、基礎基板１１の外周部が中央部よりもＴＦＴ素子１３側に突出するように湾曲する。また、ＴＦＴ素子１３が実装される配線基板が湾曲する場合もある。具体的には、導電層の外周部が中央部よりも配線層側に突出するように湾曲する。
【００３３】
このような場合であっても、本第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板２によれば、基礎基板１１の中央部に位置する開口部１４ａ１内に配置される導電性微粒子１５ａの高さが基礎基板１１の外周部に位置する開口部１４ａ２内に配置される導電性微粒子１５ｂよりも高くされている。このため、転写用薄膜素子基板２と配線基板とを対向配置した際に、全ての導電性微粒子１５を配線基板と接触させることができる。
すなわち、本第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板２によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、確実に全ての導電性微粒子１５と配線基板との導通を確保することが可能となる。
【００３４】
（第３実施形態）
次に、図３を参照して本発明の第３実施形態に係る転写用薄膜素子基板３の説明をする。なお、本第３実施形態の説明において、上記第１及び第２実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
【００３５】
図３は、本第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板３の概略構成を示した断面図である。この図に示すように、本第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板３は、基礎基板１１の中央部に位置する開口部１４ａ１に複数の導電性微粒子１５が積層されており、これによって、基礎基板１１の中央部に位置する導電性微粒子層の高さが基礎基板１１の外周部に位置する導電性微粒子層の高さよりも高くされている。このため、上記第２実施形態と同様に、転写用薄膜素子基板３あるいは／及び配線基板が湾曲している場合であっても、転写用薄膜素子基板３と配線基板とを対向配置した際に、全ての導電性微粒子１５を配線基板と接触させることができる。
なお、このように基礎基板１１の中央部に位置する導電性微粒子層の高さを基礎基板１１の外周部に位置する導電性微粒子層の高さよりも高くする場合には、まず、基礎基板１１上の全面に導電性微粒子１５を散布した後にエアーを吹付け、続いて基礎基板１１の中央部のみに再び導電性微粒子１５を散布してエアーを吹付けることによって行うことができる。
【００３６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る転写用薄膜素子基板及びその製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００３７】
例えば、開口部１４ａ，１４ａ１，１４ａ２内に予め接着剤を選択的に配置した後に導電性微粒子１５を基礎基板１１上に散布しても良い。これによって、より確実に導電性微粒子１５を開口部１４ａ，１４ａ１，１４ａ２内に選択的に配置することができる。なお、このような構成を採用する場合には、導電性微粒子１５の表面は接着性を持たなくても良い。
【００３８】
また、導電性微粒子１５の表層をコーディングする接着性を有する材料及び絶縁層１４として熱可塑性を有する材料を用いても良い。このような構成を採用することによって、容易にＴＦＴ素子１３をリペアすることが可能となる。
【００３９】
また、スリット１４ｂ上の導電性微粒子１５がエアーによって吹き飛ばされ難い場合には、導電性微粒子１５を基礎基板１１上全体に散布した後、さらに一層の絶縁層を基礎基板１１上の全体に導電性微粒子１５を覆うように形成し、フォトリソグラフィーにより開口部１４ａ以外の部位、すなわちスリット１４ｂの部位の絶縁層および導電性微粒子１５を除去してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る転写用薄膜素子基板の概略構成を示した断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る転写用薄膜素子基板の概略構成を示した断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る転写用薄膜素子基板の概略構成を示した断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１，２，３……転写用薄膜素子基板、１１……基礎基板、１２……剥離層、１３……ＴＦＴ素子（薄膜素子）、１４……絶縁層、１４ａ，１４ａ１，１４ａ２……開口部、１４ｂ……スリット、１５……導電性微粒子
【図１】
2005250385.tif 000003
【図２】
2005250385.tif 000004
【図３】
2005250385.tif 000005