(57)【要約】【課題】  クリーンルーム内において被処理基板に処理液を成膜する際に、基板搬送およびダウンフローに起因する膜厚のむらの発生を抑制し、被処理基板に処理液を均一に成膜できる塗布膜形成装置を提供する。【解決手段】  被処理基板（基板Ｇ）の表面に処理液（レジスト液Ｒ）を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置２１において、被処理基板を載置するステージ７０と、前記ステージ７０に設けられた被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段（レジスト塗布処理部２２）と、前記処理液塗布手段と同一ステージに設けられ、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段（減圧乾燥処理部２３、２４）とを備え、前記処理液塗布手段による塗布処理と、前記減圧乾燥手段による乾燥処理とが、同一のステージ上で行われる。【選択図】  図３
2005270932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、
被処理基板を載置するステージと、前記ステージに設けられた被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段と同一ステージに設けられ、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、
前記処理液塗布手段による塗布処理と、前記減圧乾燥手段による乾燥処理とが、同一のステージ上で行われることを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項２】
前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、
前記上部チャンバは、被処理基板を覆うように前記ステージの上方に、昇降自在に配置されていることを特徴とする請求項１に記載された塗布膜形成装置。
【請求項３】
前記ステージが複数設けられ、各ステージに被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とが設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された塗布膜形成装置。
【請求項４】
前記処理液塗布手段には、ノズルを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された塗布膜形成装置。
【請求項５】
前記ステージ間に、前記処理液塗布手段のノズルの先端に付着した処理液を均一化するプライミング手段が設けられていることを特徴とする請求項４に記載された塗布膜形成装置。
【請求項６】
被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、
被処理基板を一方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される被処理基板に対して固定配置され、搬送される被処理基板の一端から他端にわたり処理液を塗布するノズルと、前記ノズルの後方に隣接して設けられ、前記ノズルによって被処理基板上に塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、
前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、前記減圧乾燥手段による乾燥処理が行われることを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、
前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、被処理基板を覆うように、その上方に、前記上部チャンバが昇降自在に配置されていることを特徴とする請求項６に記載された塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に処理液を塗布し、乾燥させることにより、均一な膜を形成する塗布膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤの製造においては、被処理基板であるＬＣＤ基板に所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンを形成している。このフォトリソグラフィ技術では、被処理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト膜形成→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる塗布現像処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。
【０００４】
このような処理システムにおいて、ＬＣＤ基板にレジスト膜を形成する工程は、基板にレジスト液を塗布する工程と、基板上のレジスト液を乾燥させる工程とに分けられる。このうち、基板上にレジスト液を塗布する方法として、レジスト液を帯状に塗布するレジスト供給ノズルとＬＣＤ基板とを、ノズル吐出口の長手方向と直交する方向に相対的に移動させて塗布する方法がある。この場合、レジスト供給ノズルには、基板の幅方向に延びる微小隙間を有するスリット状吐出口が設けられ、このスリット状吐出口から帯状に吐出されるレジスト液を基板の表面全体に供給することによりレジスト膜を塗布する。
この方法によれば、基板一辺から他辺にわたってレジスト液を帯状に吐出（供給）するため、レジスト液を無駄にすることなく、角型の基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができる。なお、このような塗布方法を採用したレジスト塗布ユニットについては特許文献１（特開平１０−１５６２５５号公報）に開示されている。
【０００５】
また、基板上に塗布されたレジスト液を乾燥する方法として、熱を与えずに減圧乾燥する方法がある。この場合、レジスト液が塗布されたＬＣＤ基板はチャンバ内の処理空間に密閉され、チャンバ内は真空ポンプにより所定の真空度にまで減圧される。
この方法によれば、レジスト液が塗布された基板に対し、加熱によらないで乾燥が施される。すなわち、この減圧乾燥にあっては、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱乾燥する場合のような急激な乾燥が生じないため、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を行うことができる。なお、このような方法を採用した減圧乾燥ユニットについては、特許文献２（特開２００２−３４６４５８号公報）に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５号公報（第３頁右欄第５行乃至第４頁左欄第６行、第１図）
【特許文献２】特開２００２−３４６４５８号公報（第８頁左欄第４０行乃至右欄第３７行、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、レジスト膜を基板上に形成する従来の塗布膜形成装置にあっては、前記したようなレジスト塗布ユニットと減圧乾燥ユニットとが、処理順に従い並列に配置されている。すなわち、先ずレジスト塗布ユニットにより基板上にレジスト液を塗布し、その後、基板を搬送アーム等により減圧乾燥ユニットに搬送し、減圧乾燥処理を行うようになされている。
しかしながら、レジスト塗布処理後に基板を搬送アームによって減圧乾燥ユニットに搬送する場合、基板上のレジスト液が乾燥していないために、搬送による振動等によりレジスト液が流動し、その結果、膜厚にむらが生じるという技術的課題があった。
【０００８】
また、前記の処理システムにおいては、基板表面に塵埃が付着すると、処理に悪影響を及ぼし歩留まりが低下するため、通常、各処理ユニットはクリーンルーム内に配置される。このクリーンルームは、空気中の浮遊塵を除去し、定められた数値に制御する機能を有している。そのためルーム内には、塵埃をフィルタリングして除去すると共にクリーンエアを吹き出す空気循環換気機構が設けられている。なお、この空気循環換気機構における空気循環方式の一つに、天井から床面に向かってクリーンエアを吹き出すダウンフロー方式（垂直層流型）がある。その場合、ルーム内は天井から床方向に向けて空気の流路（以下、ダウンフローと称す）が形成された状態になされる。
【０００９】
前記したような従来の塗布膜形成装置にあっては、クリーンルーム内にレジスト塗布ユニットと減圧乾燥ユニットとが並べて配置されているため、レジスト塗布ユニットから減圧乾燥ユニットへの搬送途中において、前記ダウンフローのエアが基板表面に当たる虞があった。すなわち、その場合、基板上に塗布された乾燥前のレジストにダウンフローのエアが当たることによってレジスト液が流動し、膜厚にむらが生じるという技術的課題があった。
【００１０】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、クリーンルーム内において被処理基板に処理液を成膜する際に、基板搬送およびダウンフローに起因する膜厚のむらの発生を抑制し、被処理基板に処理液を均一に成膜できる塗布膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成装置は、被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、被処理基板を載置するステージと、前記ステージに設けられた被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段と同一ステージに設けられ、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、前記処理液塗布手段による塗布処理と、前記減圧乾燥手段による乾燥処理とが、同一のステージ上で行われることに特徴を有する。
このように、被処理基板に対する処理液の塗布処理および減圧乾燥処理を同一のステージ上で行うことにより、それぞれの処理において基板を異なるステージに載置していた従来の構成に比べ、フットプリントを縮小することができる。
また、処理液の塗布処理と減圧乾燥処理とを同一のステージで行うため、基板の搬送工程を省略でき、基板搬送に伴う処理液の流動等による膜厚のむらの発生を抑制することができる。また、塗布処理から乾燥処理に移行するまでの時間を短縮することができる。
【００１２】
また、前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、前記上部チャンバは、被処理基板を覆うように前記ステージの上方に、昇降自在に配置されていることが望ましい。
このように構成することにより、クリーンルーム内においては、ダウンフローのエアは、上部チャンバの上面に吹き付けられ、基板にダウンフローのエアが直接当たらないため、基板のダウンフローのエアの影響を極力小さいものとすることができる。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上の処理液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
【００１３】
また、前記ステージが複数設けられ、各ステージに被処理基板の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段により塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とが設けられていることが望ましい。
このように、複数のステージにおいて、それぞれ塗布処理および減圧乾燥処理を行うため、基板処理のスループットを向上させることができる。
【００１４】
なお、前記処理液塗布手段にはノズルを含むことが好ましい。また、前記ステージ間に、前記処理液塗布手段のノズルの先端に付着した処理液を均一化するプライミング手段が設けられていることが望ましい。
このプライミング手段は、例えば、回転自在に設けられたプライミングローラと、このプライミングローラを洗浄するためシンナーに浸漬する容器とで構成される。このようにプライミング手段を設けることによって、基板への塗布処理前に、ノズル先端に付着した処理液を均一化することができる。
また、複数のステージに対して前記プライミング手段を共有することによって、コストを低減することができる。
【００１５】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る塗布膜形成装置は、被処理基板の表面に処理液を塗布し、減圧乾燥することにより膜形成する塗布膜形成装置において、被処理基板を一方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される被処理基板に対して固定配置され、搬送される被処理基板の一端から他端にわたり処理液を塗布するノズルと、前記ノズルの後方に隣接して設けられ、前記ノズルによって被処理基板上に塗布された処理液を乾燥処理する減圧乾燥手段とを備え、前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、前記減圧乾燥手段による乾燥処理が行われることに特徴を有する。
このように、被処理基板への処理液の塗布終了位置において、被処理基板に対し減圧乾燥処理が行なわれる。したがって、従来のように塗布処理装置と減圧乾燥処理装置とを並べて配置し、装置間における基板の搬送を搬送アーム等により行っていた構成に比べ、基板処理のスループットを向上させることができる。
また、従来の搬送アーム等によって行われていた場合に比べて、ダウンフローのエアに当たる時間が少なく、膜厚のむらを抑制できる。同様に、処理液塗布後の基板搬送距離も従来に比べ少ないため、基板搬送による膜厚のむらも抑制することができる。
【００１６】
また、前記減圧乾燥手段は、相互に密着することにより処理空間を形成する上部チャンバと下部チャンバとを備え、前記被処理基板への処理液の塗布終了位置において、被処理基板を覆うように、その上方に、前記上部チャンバが昇降自在に配置されていることが望ましい。
このように構成することにより、クリーンルーム内においては、ダウンフローのエアは、上部チャンバの上面に吹き付けられ、被処理基板に直接当たらない。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上の処理液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、クリーンルーム内において被処理基板に処理液を成膜する際に、基板搬送およびダウンフローに起因する膜厚のむらの発生を抑制し、被処理基板に処理液の膜を均一に成膜できる塗布膜形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。先ず、本発明に係る塗布膜形成装置の第一の実施形態について説明する。図１は、本発明に係る塗布膜形成装置を備える塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。この塗布現像処理装置１００は、図示するように、ＬＣＤ基板を搬入・搬出するローダ部１０と、ＬＣＤ基板の第１処理部１１と、中継部１３を介して第１処理部１１に連設される第２処理部１２とで主に構成されている。なお、第２処理部１２には受渡部１４を介してレジスト膜の所定の微細なパターンを露光するための露光装置１５が連設可能になっている。
【００１９】
前記のように構成される塗布現像処理装置１００において、ローダ部１０のカセット載置台１８には複数（図では２つ）のカセット３０が載置されている。そしてカセット３０内に収容された未処理のＬＣＤ基板Ｇ（以下、基板Ｇと呼ぶ）は、ローダ部１０の搬出入ピンセット１６によって取り出された後、第１処理部１１の搬送路４０ａを移動する水平（Ｘ，Ｙ）、垂直（Ｚ）移動及び回転（θ）可能なメインアーム４１ａに受け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１７内に搬送される。
【００２０】
ブラシ洗浄装置１７内でブラシ洗浄された基板Ｇは引き続いてジェット水洗浄装置１８内にて高圧ジェット水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アドヒージョン処理装置１９にて疎水化処理が施され、冷却処理装置２０にて冷却された後、この発明に係る塗布膜形成装置２１にて、レジスト液が塗布され、減圧乾燥処理が施される。
【００２１】
塗布膜形成装置２１においてレジスト膜が形成された基板Ｇは、中継部１３を介して加熱処理装置２５に搬送され、そこで基板Ｇ上のレジスト膜に対して、加熱によるベーキング処理が施される。次いで基板Ｇは、第２処理部１２の搬送路４０ｂを移動するメインアーム４１ｂによって受渡し台２６に搬送され、受渡し台２６から搬送用ピンセット２７によって露光装置１５に搬送され、露光装置１５にて所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Ｇは現像装置２８内へ搬送され、現像液により現像された後、リンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。
次いで基板Ｇは、加熱処理装置２５に搬送され、そこで基板Ｇ上のレジスト膜に対して、加熱によるベーキング処理が施される。
そして、ベーキング処理された処理済みの基板Ｇはローダ部１０のカセット３１内に収容された後に、搬出されて次の処理工程に向けて移送される。
【００２２】
続いて、塗布膜形成装置２１について図２および図３に基づき詳細に説明する。図２は、塗布膜形成装置２１の平面図である。図３は、図２の塗布膜形成装置の側面図である。
図示するように、この塗布膜形成装置２１は、支持台６０の上に配置されたレジスト塗布処理部（処理液塗布手段）２２と、レジスト塗布処理部２２の前後にそれぞれ配置された減圧乾燥処理部（減圧乾燥手段）２３、２４とで構成される。
【００２３】
減圧乾燥処理部２３、２４のそれぞれは、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ６６と、この下部チャンバ６６の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ６７とを有している。下部チャンバ６６は略四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して吸着保持するためのステージ７０が配置されている。前記上部チャンバ６７は、それぞれ上部チャンバ移動手段６８、６９により前記ステージ７０の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ６７が下降して下部チャンバ６６と密着し、ステージ７０上に載置された基板Ｇを処理空間に収容した状態とされる。
また、前記下部チャンバ６６の底面の二箇所には排気口７２が設けられており、各排気口７２に接続された排気管７３は真空ポンプ７４に通じている。そして、下部チャンバ６６に前記上部チャンバ６７を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ７４により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
【００２４】
一方、レジスト塗布処理部２２では、図３に示すようにノズル５１と、このノズル５１の移動を制御するノズル移動手段５５とを備える。さらに待機時においてノズル５１の先端に付着したレジスト液を均一化する（以下、プライミング処理と呼ぶ）ための回転自在なプライミングローラ５２と、このプライミングローラ５２を洗浄するためシンナーに浸漬する容器５３と、ノズル５１の先端部の乾燥を抑制する保湿部５４とを備える。
【００２５】
なお、基板への塗布処理前のプライミング処理においては、図４に示すようにプライミングローラ５２の周面にノズル５１の先端が近接して配置される。そして、吐出口からレジスト液Ｒを吐出する一方で、プライミングローラ５２を回転させ、ノズル５１先端に付着したレジスト液Ｒの均一化処理が行われる。
【００２６】
続いて、このように構成された塗布膜形成装置２１による基板Ｇへのレジスト膜形成処理について説明する。先ず、基板Ｇが、塗布膜形成装置２１の有する２つのステージ７０のうち、いずれかに搬入され吸着保持されると、ノズル移動手段５５によりノズル５１が基板Ｇの上方に移動される。そして、例えば図３の減圧乾燥処理部２３側において示すようにノズル５１からレジスト液Ｒが吐出され、基板Ｇの一辺から他辺に向かってレジスト液Ｒが塗布される。なお、この基板Ｇへのレジスト液Ｒの塗布が終了すると、ノズル５１はプライミングローラ５２上に移動し、プライミング処理が行われる。
【００２７】
一方、レジスト液Ｒが塗布された基板Ｇは、ステージ７０に載置された状態で、その上方から上部チャンバ移動手段６８により下降移動する上部チャンバ６７によって覆われる。そして基板Ｇは、図５の断面図に示すように上部チャンバ６７と下部チャンバ６６とが密着することにより形成された処理空間Ｓ内に収容される。
さらに、この状態から真空ポンプ７４が作動し、排気口７２から排気管７３を介して処理空間Ｓ内の空気が吸引され、処理空間Ｓの気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。これにより、基板Ｇに成膜されたレジスト液Ｒは加熱によらず減圧乾燥が施される。前記の減圧乾燥処理が終了すると、上部チャンバ移動手段６８により上部チャンバ６７が上昇移動し、基板Ｇはメインアーム４１ａに受け渡され、次の処理工程に向け搬送される。
【００２８】
なお、この塗布膜形成装置２１は、前記したように２つのステージ７０を具備しているため、一方のステージ７０で基板Ｇへの塗布処理を行う間、他方のステージ７０で基板Ｇへの減圧乾燥処理を行うよう動作制御がなされる。このように構成され、制御がなされることにより、塗布膜形成装置２１における処理のスループットが向上する。
【００２９】
以上説明した第一の実施形態によれば、塗布膜形成装置２１においては、基板Ｇが搬入された後、基板Ｇに対するレジスト液Ｒの塗布処理及び減圧乾燥処理は、ステージ７０上で行われる。したがって、それぞれの処理において基板Ｇを異なるステージに載置していた従来の構成に比べ、フットプリントを縮小することができる。
また、レジスト液Ｒの塗布処理と減圧乾燥処理とを同一のステージで行うため、夫々の処理間での基板の搬送工程を省略でき、基板搬送に伴うレジスト液Ｒの流動等による膜厚のむらの発生を抑制することができる。また、塗布処理から乾燥処理に移行するまでの時間を短縮することができる。
【００３０】
また、前記実施の形態によれば、レジスト液の塗布処理の間、上部チャンバ６７は基板Ｇの上方に配置され、減圧乾燥処理時には前記上部チャンバ６７が基板Ｇを覆うように下降移動する。このため、クリーンルーム内においては、ダウンフローのエアは、上部チャンバ６７の上面に吹き付けられ、基板Ｇにダウンフローのエアが直接当たらないため、基板Ｇのダウンフローのエアの影響を極力小さなものとすることができる。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上のレジスト液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
なお、前記実施の形態では、２つの基板処理部２３、２４を備える構成を示したが、図６に示すように、１つの基板処理部を備える構成としてもよい。
【００３１】
続いて、本発明に係る塗布膜形成装置の第二の実施形態について説明する。この第二の実施の形態においては、塗布膜形成装置２１の構成のみが前記第一の実施の形態と異なるため、以下においては適宜図１の符号を用いて説明する。
図７は、第二の実施の形態における塗布膜形成装置２１の平面図、図８は図７の塗布膜形成装置の側面図である。図７、図８に示すように、この塗布膜形成装置２１においては、支持台８０の上に、ノズル８４を有するレジスト塗布処理部９５と、減圧乾燥処理部（減圧乾燥手段）９６とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。支持台８０の両側には一対のガイドレール８１が敷設され、このガイドレール８１に沿って平行移動する一組の搬送アーム（搬送手段）８２により、基板Ｇがレジスト塗布処理部９５から減圧乾燥処理部９６へ搬送できるようになされている。
【００３２】
前記レジスト塗布処理部９５は、前記したようにノズル８４を有し、このノズル８４は支持台８０上に固定されたゲート８３から懸垂状態で固定されている。このノズル８４にはレジスト液供給手段（図示せず）からレジスト液が供給され、搬送アーム８２によってゲート８３の下を通過移動する基板Ｇの一端から他端にわたりレジスト液Ｒを塗布するようになされている。
【００３３】
また、減圧乾燥処理部９６は、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ８５と、この下部チャンバ８５の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ８６とを有している。下部チャンバ８５は略四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して吸着保持するためのステージ８８が配置されている。前記上部チャンバ８６は、上部チャンバ移動手段８７によって前記ステージ８８の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ８６が下降して下部チャンバ８５と密着し、ステージ８８上に載置された基板Ｇを処理空間に収容した状態とされる。
また、前記下部チャンバ８５の底面の二箇所には排気口８９が設けられており、各排気口８９に接続された排気管９０は真空ポンプ９１に通じている。そして、下部チャンバ８５に前記上部チャンバ８６を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ９１により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
【００３４】
このように構成された塗布膜形成装置２１においては、基板Ｇが搬入され搬送アーム８２上に載置されると、搬送アーム８２はレール８１上を移動し、レジスト塗布処理部９５のゲート８３下を通過移動する。その際、ゲート８３に固定されたノズル８４からは、その下を移動する基板Ｇに対しレジスト液が吐出され、基板Ｇの一辺から他辺に向かってレジスト液Ｒが塗布される。なお、レジスト液が基板Ｇの全面にわたり塗布された時点（塗布終了位置）では、基板Ｇは減圧乾燥処理部９６の上部チャンバ８６の下に位置し、基板Ｇ全体が上部チャンバ８６により覆われた状態となる。
【００３５】
次いで、基板Ｇは減圧乾燥処理部９６のステージ８８に載置され、その上方から上部チャンバ移動手段８７により下降移動する上部チャンバ８６によって覆われる。そして基板Ｇは、上部チャンバ８６と下部チャンバ８５とが密着することにより形成された処理空間内に収容される。
さらに、この状態から真空ポンプ９１が作動し、排気口８９から排気管９０を介して処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。これにより、基板Ｇに成膜されたレジスト液Ｒは加熱に依らず減圧乾燥が施される。前記の減圧乾燥処理が終了すると、上部チャンバ移動手段８７により上部チャンバ８６が上昇移動し、基板Ｇはメインアーム４１ａに受け渡され、次の処理工程に向け搬送される
【００３６】
以上説明した第二の実施形態によれば、塗布膜形成装置２１においては、基板Ｇへのレジスト液の塗布処理が終了した時点（塗布終了位置）で、基板Ｇは減圧乾燥処理部９６の上部チャンバ８６によって覆われた状態になされる。したがって、レジスト塗布処理装置と減圧乾燥処理装置とを並べて配置し、装置間における基板の搬送を搬送アーム等により行っていた従来の構成に比べ、塗布膜形成装置における基板処理のスループットを向上することができる。
また、レジスト液の塗布処理が終了した時点で、ダウンフローのエアは、上部チャンバ８６に吹き付けられ、基板Ｇに対してダウンフローのエアが直接当たらないため、基板Ｇのダウンフローのエアの影響を極力小さいものとすることができる。その結果、減圧乾燥処理前において、基板上のレジスト液が流動することがなく、膜厚のむらの発生を抑制することができる。
【００３７】
なお、前記した第一および第二の実施の形態においては、ＬＣＤ基板にレジスト膜を塗布形成する場合を例としたが、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、例えば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可能である。また、本発明における被処理基板は、ＬＣＤ基板に限らず、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。また、レジスト液を基板の一端から他端にわたって処理液を塗布する場合について説明したが、これに限らず処理液を被処理基板上に供給する任意の塗布膜形成装置に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、ＬＣＤ基板や半導体ウエハ等に処理液を成膜する塗布膜形成装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明に係る塗布膜形成装置を備える塗布現像処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の塗布現像処理装置が備える塗布膜形成装置の第一の実施の形態を示す平面図である。
【図３】図３は、図２の塗布膜形成装置の側面図である。
【図４】図４は、図２の塗布膜形成装置におけるプライミング処理を説明するための一部拡大図である。
【図５】図５は、図２の塗布膜形成装置が有する減圧乾燥処理部の断面図である。
【図６】図６は、図１の塗布現像処理装置が備える塗布膜形成装置の別の形態を示す側面図である。
【図７】図７は、図１の塗布現像処理装置が備える塗布膜形成装置の第二の実施の形態を示す平面図である。
【図８】図８は、図７の塗布膜形成装置の側面図である。
【符号の説明】
【００４０】
２１      塗布膜形成装置
２２      レジスト塗布処理部（処理液塗布手段）
２３      減圧乾燥処理部（減圧乾燥手段）
２４      減圧乾燥処理部（減圧乾燥手段）
６６      下部チャンバ
６７      上部チャンバ
７０      ステージ
８２      搬送アーム（搬送手段）
８４      ノズル
８５      下部チャンバ
８６      上部チャンバ
９６      減圧乾燥処理部（減圧乾燥手段）
Ｒ        レジスト液（処理液）
Ｇ        ＬＣＤ基板（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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