(57)【要約】【課題】高周波電力を用いた堆積膜形成において、良好な膜特性を維持しながら、生産性の向上、堆積膜特性の均一性・再現性向上が可能な堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料で構成された減圧可能な円筒状反応容器内に円筒状基体が設置され、該円筒状反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法に於いて、該円筒状反応容器の内部に第１の高周波電力導入手段を設け、更に該円筒状反応容器の外部に第２の高周波電力導入手段が設定され該第１高周波電力導入手段と第２高周波電力導入手段には、それぞれ独立した高周波電源が接続され高周波電力の導入開始時間に時間差を設け堆積膜形成を行う。【選択図】  図１
2005068454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体材料で構成された減圧可能な円筒状反応容器内に円筒状基体が設置され、該円筒状反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法に於いて、該円筒状反応容器の内部に第１の高周波電力導入手段を設け、更に該円筒状反応容器の外部に第２の高周波電力導入手段が設定され該第１高周波電力導入手段と第２高周波電力導入手段には、それぞれ独立した高周波電源が接続され高周波電力の導入開始時間に時間差を設ける事を特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
第１高周波電力導入手段に高周波電力を導入した後に第２高周波電力導入手段に高周波電力を導入する事を特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
第１高周波電力導入手段に高周波電力を導入し、円筒状反応容器内にプラズマが形成された後に第２高周波電力導入手段に高周波電力を導入する事を特徴とする請求項１及至２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記第１の高周波電力供給手段及び第２の高周波電力供給手段のそれぞれに周波数の異なる複数の高周波電力を導入し、該第１の高周波電力供給手段に導入する該複数の高周波電力における電力値の上位２つのうち一方の高周波電力の周波数をｆ１、電力値をＰ１、他方の高周波電力の周波数をｆ２、電力値をＰ２とし、該第２の高周波電力供給手段に導入する該複数の高周波電力における電力値の上位２つのうち一方の高周波電力の周波数をｆ１’、電力値をＰ１’、他方の高周波電力の周波数をｆ２’、電力値をＰ２’としたときに、下記式（Ａ）〜（Ｄ）を満たす事を特徴とする請求項１及至３に記載の堆積膜形成方法。
１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ  …（Ａ）
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９…（Ｂ）
１０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ…（Ｃ）
０．１≦Ｐ２’／（Ｐ１’＋Ｐ２’）≦０．９…（Ｄ）
【請求項５】
前記堆積膜が少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された電子写真用感光体である事を特徴とする請求項１及至４に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用いる堆積膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力により生成されるプラズマを用いた堆積膜形成方法が知られており、そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスを分解し、その分解種を被処理基体上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法が好適な堆積膜形成手段として実用化されている。この方法を用いた例として、原料ガスにシランガスを用いてアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）薄膜の形成が知られており、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
このようなプラズマＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ薄膜の堆積膜形成装置として、ＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と記す）による従来の堆積膜形成装置、具体的には電子写真用感光体形成装置の一例を示す模式的な構成図を図３に示す。図４（ａ）は、従来の電子写真用感光体形成装置の縦断面を示す模式図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す電子写真用感光体形成装置横断面図を示す模式図である。反応容器４０１の底面には排気口４１６が形成されており、排気口４１６の他端には不図示の排気手段が接続されている。円筒状基体４０２は反応容器４０１の中心部を取り囲むように配置されており、回転軸４１３によって保持され、ヒータ４１１により加熱されるように構成されている。モータ４１４の駆動により減速ギア４１５を介して回転軸４１３が回転し、円筒状基体４０２が回転するようになっている。
【０００５】
原料ガスは、不図示の原料ガス供給手段から原料ガス導入管４１２を経て反応容器４０１内へ導入される。ＶＨＦ帯の高周波電力は、高周波電源４０９から高周波マッチングボックス４０６を経てカソード電極４０４から反応容器４０１内へ導入される。この際、円筒状基体４０２が回転軸４１３を介してアース電位に維持されているため、アノード電極として作用する。
【０００６】
このような従来の電子写真用感光体形成装置を用いた堆積膜の形成は、以下のような手順で行なわれる。まず、反応容器４０１内に円筒状基体４０２を設置し、不図示の排気装置により排気口４１６を通じて反応容器内を排気する。続いて、ヒータ４１１により円筒状基体４０２の温度を２０℃から４５０℃の所定の温度になるよう制御する。
【０００７】
円筒状基体４０２が所定の温度になったところで、原料ガス供給手段から原料ガス導入管４１２を介して反応容器４０１内に原料ガスを導入する。原料ガスが所定の流量となり、反応容器４０１内の圧力が安定したところで、高周波電源４０９から高周波マッチングボックス４０６を介してカソード電極４０４から反応容器４０１内にＶＨＦ帯の高周波電力を導入する。これにより、グロー放電を生起し、原料ガスが励起、解離して円筒状基体４０２上に堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、反応容器４０１へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回操り返すことによって、所望の多層構造の光受容層を形成することができる。堆積膜形成中に、回転軸４１３を介して円筒状基体４０２をモータ４１４により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体４０２の表面の全周に堆積膜が形成される。
【０００８】
このような電子写真感光体形成装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のために電子写真感光体形成方法及び装置の改良が進められている。
【０００９】
例えば一部が誘電体で構成された遮蔽板の内部に複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、電極を該遮蔽板の内外に配置して円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法及び装置の技術に関して開示されている（特許文献１参照）。この堆積膜形成方法及び装置を用いて円筒状基体上に堆積膜を形成することにより、画像欠陥の低減効果が得られることが示されている。
【００１０】
更に非導電性材料で構成された反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、カソード電極を該反応容器の内外に配置して円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法及び装置の技術に関して開示されている（特許文献２参照）。この堆積膜形成方法及び装置を用いて円筒状基体上に堆積膜を形成することにより、堆積膜特性の均一性向上の効果が得られることが示されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平１１−０２６３８８号公報
【特許文献２】
特開平１１−０９２９３２号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の方法及び装置により、良好な堆積膜が形成される。しかしながら、これら堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【００１３】
例えば、電子写真感光体の場合、電子写真装置のプロセススピード向上、装置の小型化、低価格化等の要求は非常に高く、これらを実現可能な感光体特性、具体的には帯電能、感度等の向上、あるいは生産コストの低減、生産時の良品率向上が不可欠となっている。
【００１４】
また、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に成されるため、従来以上に画像濃度むらの低減が求められるようになっている。また同時に、画像上に白点或いは黒点等の画像欠陥を引き起こす球状突起等の構造欠陥についても、従来以上の低減が求められている。
【００１５】
このような構造欠陥は、堆積膜形成前から被処理物上に付着したダスト等の異物を起源として成長したもののほか、堆積膜形成途中に装置内に形成された堆積膜が、膜中の内部応力により微小な膜剥れが発生し、放電空間内に膜片となって拡散、その一部が基体上に付着したものが起源として成長したものが存在する。そのため、成膜前の基体は厳密に洗浄され、クリーンルームなどのダスト管理された環境で反応容器内に運搬することにより、基体にダストが付着することを極力避けるようにしてきた。また、反応容器内に形成された堆積膜が剥れるのを防止するために、反応容器内壁や反応容器内の構成部品等の表面に対して、粗面化する処理や、表面エネルギーの大きいセラミック材で被覆する処理等を施してきた。また、膜中の内部応力を極力低減することを目指し、堆積膜形成条件、堆積膜積層構成の最適化も成されてきた。しかしながら、前述の通り市場からの画像レベルに対する要求は非常に高く、このような構造欠陥の許容レベル（構造欠陥数、構造欠陥のサイズ）も厳しくなってきている。こうした状況下で更なる構造欠陥抑制技術の向上を目指し、とくに形成された堆積膜が剥がれないように改善が強く望まれている。
【００１６】
また、形成される堆積膜特性の均一性・再現性という点においても改善の余地が残されている。堆積膜特性の均一性・再現性が不十分であると、堆積膜特性のばらつき、製品品質の低下、良品率の低下につながってしまう。特に、複数の堆積膜の積層構成よりなる部材形成の場合、この特性のばらつきにより、ある層の膜特性が低下すると、他の層とのマッチングも悪化するため部材全体として大きく影響を受けることとなってしまう。また、電子写真感光体のように大面積の部材においては、局所的な膜質低下であっても、その部分のみを除去することができないため、その影響は大きい。このように、堆積膜特性の均一性・再現性を向上し、堆積膜特性のばらつきを抑制することは、堆積膜全体としての特性向上、堆積膜形成コストの低下に大きく貢献するものである。
【００１７】
このように、画像欠陥を引き起こす球状突起の低減、堆積膜特性の均一性・再現性向上が可能な、堆積膜形成方法を実現することは、製品品質の向上、生産コストの低下を達成可能とするものであり、現在の市場での要求に応えていく上で必要不可欠のものとなっている。
【００１８】
【発明の目的】
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、本発明は減圧可能な反応容器中に円筒状基体を設置し、該反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する高周波−ＰＣＶＤ法による堆積膜形成において、良好な膜特性を維持しながら、画像上に白点或いは黒点等の画像欠陥を引き起こす球状突起の低減を達成し、更に堆積膜特性の均一性・再現性向上が可能な、堆積膜形成方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段及び作用】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、堆積膜形成方法において、高周波電力の導入方法が堆積膜特性、堆積膜特性の均一性・再現性、堆積膜の生産性に大きな影響を及ぼすことを見出した。
【００２０】
即ち、本発明は少なくとも一部が誘電体材料で構成された減圧可能な円筒状反応容器内に円筒状基体が設置され、該円筒状反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法に於いて、該円筒状反応容器の内部に第１の高周波電力導入手段を設け、更に該円筒状反応容器の外部に第２の高周波電力導入手段が設定され該第１高周波電力導入手段と第２高周波電力導入手段には、それぞれ独立した高周波電源が接続され高周波電力の導入開始時間に時間差を設ける事を特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２１】
更に本発明は第１高周波電力導入手段に高周波電力を導入した後に第２高周波電力導入手段に高周波電力を導入する事が望ましい。
【００２２】
更に本発明は第１高周波電力導入手段に高周波電力を導入し、円筒状反応容器内にプラズマが形成された後に第２高周波電力導入手段に高周波電力を導入する事が望ましい。
【００２３】
更に本発明は前記第１の高周波電力供給手段及び第２の高周波電力供給手段のそれぞれに周波数の異なる複数の高周波電力を導入し、該第１の高周波電力供給手段に導入する該複数の高周波電力における電力値の上位２つのうち一方の高周波電力の周波数をｆ１、電力値をＰ１、他方の高周波電力の周波数をｆ２、電力値をＰ２とし、該第２の高周波電力供給手段に導入する該複数の高周波電力における電力値の上位２つのうち一方の高周波電力の周波数をｆ１’、電力値をＰ１’、他方の高周波電力の周波数をｆ２’、電力値をＰ２’としたときに、下記式（Ａ）〜（Ｄ）を満たす事が望ましい。
【００２４】
１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ…（Ａ）
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９…（Ｂ）
１０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ…（Ｃ）
０．１≦Ｐ２’／（Ｐ１’＋Ｐ２’）≦０．９…（Ｄ）
更に本発明は前記堆積膜が少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された電子写真用感光体である事が望ましい。
【００２５】
このような本発明によれば、単一の基体上、或いは複数の基体上に、良好な特性を有する堆積膜を均一に、再現性良く形成し、更に球状突起の発生を抑制する事が可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図を用いて本発明を詳述する。図１は本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体堆積膜製造装置の一例を示した模式的な概略垂直断面図である。図１（ａ）は概略垂直断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の概略水平断面図である。
【００２７】
反応容器１１７の底面には排気口１１６が形成され、排気管の他端は不図示の排気装置に接続されている。堆積膜の形成される円筒状基体１０２は、同一円周上に等間隔で互いに平行に配置され、該円筒状基体１０２を取り囲むように少なくとも一部が誘電体材料で構成された円筒状反応容器（以後、反応容器と記す）１１７が配置されている。円筒状基体１０２は回転軸１１３によって保持され、モータ１１４を駆動すると、減速ギア１１５を介して回転軸１１３が回転し、円筒状基体１０２は回転する。また、円筒状基体１０２は発熱体１１１によって加熱可能となっている。
【００２８】
同一円周上に配置された円筒状基体１０２の配置円内には、第１の高周波電力導入手段１０４が設置され、第１の高周波電源１０９、１１０から出力された高周波電力は、第１のマッチングボックス１０６を経て、第１の高周波電力導入手段１０４から成膜空間となる反応容器１１７内に供給される。
【００２９】
また、反応容器１１７の外側には、第２の高周波電力導入手段１０３が同一円周上に等間隔に設置され、第２の高周波電源１０７、１０８から出力された高周波電力は、第２のマッチングボックス１０５を経て、第２の高周波電力導入手段１０３から成膜空間となる反応容器１１７内に供給される。
【００３０】
反応容器１１７内には原料ガス導入手段１１２が設置され、原料ガス導入手段の他端には不図示の原料ガス供給手段が接続されている。原料ガス供給手段から所望の原料ガスを原料ガス導入手段を介して反応容器１１７中に供給する。
【００３１】
このような装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００３２】
まず、円筒状基体１０２を反応容器１１７内に設置し、不図示の排気装置により排気口１１６を通して反応容器１０１内を排気する。続いて、発熱体１１１により円筒状基体１０２を所定の温度に加熱・制御する。
【００３３】
円筒状基体１０２が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを反応容器１１７内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１１７内の圧力が安定したのを確認した後、第１の高周波電源１０９、１１０から第１のマッチングボックス１０６を介して第１のカソード電極１０４へ所定の高周波電力を供給する。同様に、第２の高周波電源１０７、１０８から第２のマッチングボックス１０５を介して第２のカソード電極１０３へ所定の高周波電力を供給する。この際、２つの独立した高周波電力制御が必要となるが、この高周波電力導入の手順は、第１の高周波電力導入手段１０４からの印加する電力を所定の値に設定した後、第２の高周波電力導入手段１０３からの印加する電力を所定の値に設定する事が望ましい。上記方法で反応容器１１７内に導入された高周波電力によって、反応容器１１７内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒状基体１０２上に堆積膜が形成される。
【００３４】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の導入を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように１つの層の形成が終了した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成を行ってもよいし、あるいは、１つの層の形成終了後一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成してもよい。但し、層の積層に際し一旦放電を停止し、再度放電を開始する場合に於いても上述した放電の開始操作を行えばよい。
【００３５】
また堆積膜の形成中、必要に応じて、回転軸１１３を介して円筒状基体１０２をモータ１１４により所定の速度で回転させてもよい。
【００３６】
本発明においては、周波数の異なる複数の高周波電力を円筒状反応容器の内外に設置された高周波電力導入手段により印加し、それぞれの高周波導入手段への高周波印加開始時間を独立に制御することで、反応容器内全体に十分な密度をもった均一なプラズマが生成可能となる。
【００３７】
本発明において、円筒状基体１０２の配置円内に設置された第１の高周波電力導入手段１０４と円筒状反応容器１１７の配置円外に設置された第２の高周波電力導入手段１０３に印加する高周波電力の印加開始時間に時間差を設けることで、円筒状反応容器１１７内の放電空間におけるプラズマの状態を均一にすることが可能になる。
【００３８】
これは、第１の高周波電力導入手段１０４と第２の高周波電力導入手段１０３に同時に高周波電力を印加した場合、プラズマの形成初期段階に於いて反応容器１１７の内壁近傍或いは、円筒状基体１０２近傍周や同一円周上に設置された円筒状基体１０２の配置円内でプラズマが形成される放電空間内でのプラズマの局在化が発生する場合があり堆積膜形成の再現性のバラツキ及びロット間のバラツキなどが発生する場合がある。更にプラズマ形成の初期段階で一旦プラズマが局在化すると放電空間内にプラズマを均一に制御することが困難である。プラズマが局在化したまま堆積膜の形成を行った場合、堆積膜の膜厚ムラや膜の応力バランスを損ない膜剥れが発生する場合がある。これは高周波電力導入手段近傍で電力の吸収が大きいため反応容器断面方向で第１及び第２の電力導入手段から遠ざかるほど電力のムラが発生してしまい第１及び第２の電力導入手段に同時に高周波電力を印加すると放電空間内での電力バランスが不安定となりプラズマが局在化するものと考えられる。
【００３９】
本発明に於いて放電空間内に設けた第１の高周波電力導入手段に高周波電力を供給した後に第２の高周波電力導入手段に高周波電力を印加することが望ましい。これは放電空間内に設けた第１の高周波電力導入手段に先に高周波電力を印加した場合、反応容器外に設けた第２高周波電力導入手段から先に高周波電力を供給した時よりも更にプラズマの形成が安定し比較的に低い電力で放電空間にプラズマが均一に広がるためである。
【００４０】
更に本発明に於いて第１の高周波電力導入手段に高周波電力を印加することにより反応容器内の放電空間内でプラズマが形成された後に第２の高周波電力導入手段に高周波電力を印加することで均一なプラズマが維持されたまま放電空間内に効率良くパワーが供給され効果的である。
【００４１】
本発明に於いて第１の高周波電力導入手段又は第２の高周波電力導入手段のいずれか一方に高周波電力を印加しプラズマが形成された後に残りの一方の高周波電力導入手段に高周波電力を印加するが、プラズマ形成の判断に関しては反応容器内の内部圧力（内圧）をモニターし原料ガスが分解されることによる内圧の変化でプラズマの形成を検知する手段が一般的であるが反応容器内に温度検知手段を設け温度変化でプラズマの形成を検知しても良い。更に反応容器に窓を設け直接プラズマの形成を確認しても良い。
【００４２】
本発明に於いては、以下のような方法により更に顕著な効果を得ることができる。
【００４３】
図１のような複数の異なる周波数の高周波電力を第１の高周波電力導入手段１０４及び第２の高周波電力導入手段１０３により印加することで、第１及び第２の高周波電力導入手段から導入される高周波電力によって生じる定在波を抑制し、反応容器垂直方向におけるプラズマの分布を更に均一化することが可能なため、円筒状基体長手方向の膜特性及び均一性が向上し、突起集中が減少する。
【００４４】
反応容器中への複数の高周波電力の供給は、同一の電極から行うことが必要である。異なる周波数の高周波電力を各々別の電極から供給した場合、電極ごとに高周波電力の周波数に依存した定在波が生じてしまう。この結果、電極近傍のプラズマ特性は、この定在波に応じた分布形状をもってしまい、生成活性種の種類・比率や、イオンのエネルギーが位置によって異なってしまう。
【００４５】
本発明において、電極に供給する複数の高周波電力の関係、即ち、周波数ならびに電力比率は実際に真空処理特性の均一性を確認しながら決定すればよいが、それぞれの高周波の周波数の差があまりにも小さいと、実質的に同一周波数の高周波電力を印加した場合と同等となってしまい、各々の定在波の節位置、腹位置が近いため十分な定在波抑制効果が得られなくなってしまう。また、その差が大きすぎると、周波数が小さい方の高周波電力の高周波電界定在波の波長が、周波数が大きい方の高周波電力の高周波電界定在波の波長に対して大きすぎて、これもまた十分な定在波抑制効果が得られない。
【００４６】
本発明においては、電極に供給する複数の高周波波電力は、周波数が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２つ含むことが本発明の効果を得る上で必要である。
【００４７】
上記周波数が１０ＭＨｚより低くなると、高速な処理速度を得ることが困難になる。より好ましくは３０ＭＨｚ以上とすることが堆積速度の点で好ましい。
【００４８】
一方周波数が２５０ＭＨｚよりも高くなると、高周波電力の進行方向への減衰が顕著となって、周波数の異なる高周波電力との減衰率のずれが顕著となってしまい、十分な均一化効果が得られなくなってしまう。よって２５０ＭＨｚ以下にすることで重畳効果が有効に得られるため、好ましい。
【００４９】
また、電極に供給する高周波電力の電力比率に関しては、上記周波数の２つの高周波電力を供給する場合、第１の高周波電力をＰ１、これより周波数の低い第２の高周波電力をＰ２としたときに、電力の総和（Ｐ１＋Ｐ２）に対する第２の高周波電力Ｐ２の比率を０．１以上０．９以下の範囲とすることが、本発明の効果を得る上で好ましい。
【００５０】
第２の高周波電力が電力の総和に対してこの範囲よりも小さいと、高周波電界は第１の高周波電力に起因する成分が支配的となってしまい定在波抑制効果がみられない。一方、第２の高周波電力を大きくするに従って、第２の高周波電力が反応容器中での原料ガス分解に及ぼす影響が高まり、第２の高周波電力を単独で用いた場合に近くなり、定在波抑制効果が小さくなる。したがって、少なくとも一方の高周波電力が、２つの合計電力に対して１０％以上にすることが定在波抑制効果を確実に得るうえで必要である。
【００５１】
以上の様に２つの高周波電力を組み合わせた場合に本発明の効果は十分に得られるが、さらに第３の高周波電力を組み合わせることも可能である。第３の高周波電力の範囲としては、第１、第２の高周波電力が適切な範囲に設定されている限りにおいては特に制限はないが、以下のようにすることができる。
【００５２】
第３の高周波電力（周波数ｆ３、電力Ｐ３）が、ｆ１、ｆ２と同様に１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲にある場合には、第１の高周波電力（Ｐ１、ｆ１）、第２の高周波電力（Ｐ２、ｆ２）を組み合わせた場合と同様のメカニズムが期待できる。このとき、Ｐ１〜Ｐ３の中で、電力値の上位２つをＰ１、Ｐ２と再定義すれば、Ｐ３は最も電力値が低いことになる。この場合には、Ｐ３によるマッチング不整合が起こりにくく、且つＰ３による定在波抑制効果が加わるため、Ｐ１、Ｐ２を組み合わせた際よりもさらにムラが抑制される場合がある。
【００５３】
また、本発明においては、円筒状基体は単一でも良いが生産性の面で円筒状基体を複数設置してもよい。但し、複数の円筒状基体を設置する場合においては、反応容器が円筒状であり、かつ、各々の高周波電力導入手段、ガス供給管と、各々の円筒状基体が、反応容器と同一の中心軸である円周上にそれぞれ等間隔に配置されることによりより顕著な効果を得ることができる。これは、円筒状基体、反応容器、高周波電力導入手段の位置関係を極力対称とすることにより、各基体に対する処理均一性が向上するためと推察される。
【００５４】
さらに本発明の構成は、電子写真感光体ならびにその製造の場合により効果的である。電子写真感光体は、大面積の基体への堆積膜形成が必要であり、さらにその全領域にわたって構造欠陥が存在しない必要がある。そのため本発明によれば、基体上に膜厚、膜質共に均一で良好な特性の堆積膜を得ることができるため電子写真特性の向上ならびに生産性の向上に伴うコスト低減の上で極めて効果的である。
【００５５】
また、第１の高周波電力導入手段１０４及び第２の高周波電力導入手段１０３の形状としては特に制限はないが、第１の高周波電力導入手段１０４及び第２の高周波電力導入手段１０３からの膜剥れ防止の観点から、可能な限り曲面により構成されていることが好ましく、特に円筒状が好ましい。
【００５６】
また、第１の高周波電力導入手段１０４の表面は、膜の密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ましい。
【００５７】
更に、膜の密着性向上の観点から、第１の高周波電力導入手段１０４の表面はセラミックス材で被覆されていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に制限はないが、例えば、セラミックス等の筒材により、第１の高周波電力導入手段１０４を覆うように装着してもよい。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。また、上記材料をＣＶＤ法、溶射等の表面コーティング法により、第１の高周波電力導入手段１０４の表面をコーティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、コスト面から、あるいはコーティング対象物の大きさ・形状の制限を受けにくいため好ましい。第１の高周波電力導入手段１０４の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、また高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００５８】
また、反応容器１１７の形状に関しては、原料ガスが分解される成膜空間が，円柱状領域に制限されるように壁面が設けられていることが好ましい。このような成膜空間壁の表面は、膜はがれ防止のため、第１の高周波電力導入手段１０４の表面と同様に、粗面化、セラミックスによる被覆、加熱・冷却を行うことが効果的である。
【００５９】
さらに図１において、１１７は円筒状反応容器であり、少なくとも一部が誘電体材料で構成されている。具体的な誘電体材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライド酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、高周波電力の吸収が少ないという点から、特にアルミナが好適である。
【００６０】
また、一定電位に維持された円筒状導電性シールド１１８を、円筒状反応容器１１７外に設置された第２の高周波電力導入手段１０３を取り囲むように設ける事が、放出される高周波電力の均一性を向上する上で好適である
更に、原料ガス供給手段１１２の数、設置位置は特に制限はないが、反応容器内へ均一に原料ガスを供給できるように設置することが効果的である。
【００６１】
図２は本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体堆積膜製造装置の一例を示した模式的な概略垂直断面図である。図２（ａ）は概略垂直断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の概略水平断面図である。
【００６２】
反応容器２１７の底面には排気口２１６が形成され、排気管の他端は不図示の排気装置に接続されている。堆積膜の形成される円筒状基体２０２は、少なくとも一部が誘電体材料で構成された円筒状反応容器（以後、反応容器と記す）２１７の中央に１本配置されている構成である。円筒状基体２０２は回転軸２１３によって保持され、モータ２１４を駆動すると、減速ギア２１５を介して回転軸２１３が回転し、円筒状基体２０２は回転する。また、円筒状基体２０２の内側に設けた不図示の発熱体によって円筒状基体２０２は加熱可能となっている。
【００６３】
円筒状基体２０２を取り囲むように同一円周上に等間隔に配置された第１の高周波電力導入手段２０４が設置され、第１の高周波電源２０９、２１０から出力された高周波電力は、第１のマッチングボックス２０６を経て、第１の高周波電力導入手段２０４から成膜空間となる反応容器２１７内に供給される。
【００６４】
また、反応容器２１７の外側には、第２の高周波電力導入手段２０３が同一円周上に等間隔に設置され、第２の高周波電源２０７、２０８から出力された高周波電力は、第２のマッチングボックス２０５を経て、第２の高周波電力導入手段２０３から成膜空間となる反応容器２１７内に供給される。
【００６５】
反応容器２１７内には原料ガス導入手段２１２が設置され、原料ガス導入手段の他端には不図示の原料ガス供給手段が接続されている。原料ガス供給手段から所望の原料ガスを原料ガス導入手段を介して反応容器２１７中に供給する。
【００６６】
このような装置を用いた堆積膜の形成は、図１の装置で説明した方法と同様の操作で行うことができる。
【００６７】
図３は本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体堆積膜製造装置の一例を示した模式的な概略垂直断面図である。図３（ａ）は概略垂直断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の概略水平断面図である。
【００６８】
なお、図３の装置は第１の高周波電力導入手段１０４及び第２の高周波電力導入手段１０３それぞれに高周波電力を印加するための高周波電源が単一であること以外は図１の装置と同様である。但し、高周波電源１０７及び１０９の周波数は同一の周波数を使用する。図１に示した装置と同様の部分については同一の符合とし説明を省略する。
【００６９】
このような本発明を用いることにより、例えば図５に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真用光感光体が形成可能である。
【００７０】
図５（ａ）に示す電子写真用感光体５００は、導電性基板５０１の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）を有する光導電性を有する光導電層５０２が設けられている。
【００７１】
図５（ｂ）に示す電子写真用感光体５００は、導電性基体５０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層５０２と、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層５０３が設けられて構成されている。
【００７２】
図５（ｃ）に示す電子写真用感光体５００は、導電性基体５０１の上に、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層５０４と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層５０２と、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層５０３が設けられて構成されている。
【００７３】
図５（ｄ）に示す電子写真用感光体５００は、導電性基体５０１の上に、光導電層５０２が設けられている。この光導電層５０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層５０５及び電荷輸送層５０６とからなり、その上にアモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層５０３が設けられている。
【００７４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明する。
【００７５】
（実施例１）
図３に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表１に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、６本の電子写真感光体を同時に作成した。このとき、第１の高周波電源１０９より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス１０６を介して第１の高周波電力導入手段１０４に印加することにより反応容器１１７内にプラズマを一旦、形成された後に第２の高周波電源１０７より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、マッチングボックス１０５を介して第２の高周波電力導入手段１０３に印加し高周波電力を反応容器１１７内に供給した。またプラズマ形成の判断は反応容器の内部圧力の変動により判断し内圧が安定した段階で第２の高周波電力導入手段１０３に高周波電力を印加した。
【００７６】
また、反応容器１１７は円筒状のアルミナセラミック材で構成され内面をブラスト加工を施した。更に高周波電力導入手段１０４及び１０３は直径２０ｍｍの円柱状とし、特に第１の高周波電力導入手段１０４の表面にはアルミナ材溶射を施した。
【００７７】
【表１】
2005068454.tif 000003
【００７８】
上記条件で作製した電子写真感光体の球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ及び、それぞれのロット内バラツキを下記の条件により測定した。
【００７９】
（球状突起数）
球状突起数の測定は、３０ｍｍ×２５１ｍｍの範囲内にある長径１０μｍ以上の球状突起の数を測定した。測定場所は電子写真感光体の中央を０ｍｍ、垂直方向上を＋、垂直方向下を−とし、電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置を中心とし、幅３０ｍｍを周方向で一周（２５１ｍｍ）にある計５箇所の球状突起数の合計を求めた。同様に６本の電子写真感光体の球状突起数を測定し、６本の平均を球状突起数とした。従って、球状突起数が少ないほど良好であることを示す。
【００８０】
更に６本間の０ｍｍ位置での球状突起数を比較し最小値と最大値の差を球状突起のロット内バラツキとした。
【００８１】
（帯電能ムラ）
帯電能ムラの測定は、作製した電子写真感光体を電子写真装置（評価用に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットして電位特性の評価を行った。その際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光量（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定し、それを帯電能とした。測定場所は、電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置で帯電能を測定し、測定値の最大値と最小値の差を求め、６本の電子写真感光体の平均を帯電能ムラとした。従って、帯電能ムラが小さいほど良好であることを示す。
【００８２】
更に６本間の０ｍｍ位置での帯電能を比較し最小値と最大値の差を帯電能のロット内バラツキとした。
【００８３】
（感度ムラ）
感度ムラの測定は、帯電能ムラ測定と同じ条件で表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が５０Ｖ（明電位）となるようにし、そのときの露光量を感度とした。測定場所は電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置で感度を測定し、測定値の最大値と最小値の差を感度ムラとした。６本の電子写真感光体の平均を感度ムラとした。従って、この長手方向の感度ムラが小さいほど良好であることを示す。
【００８４】
更に６本間の０ｍｍ位置での感度を比較し最小値と最大値の差を感度のロット内バラツキとした。
【００８５】
（比較例１）
図３に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表１に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、６本の電子写真感光体を同時に作成した。このとき、第１の高周波電源１０９より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、マッチングボックス１０６を介して第１の高周波電力導入手段１０４に、また第２の高周波電源１０７より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス１０５を介して第２の高周波電力導入手段１０３に同時に印加し高周波電力を反応容器１１７内に供給すること以外は実施例１と同様の方法で行った。
【００８６】
上記条件により作製した電子写真感光体の球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ及び、それぞれのロット内バラツキを実施例１と同様に求め、その結果を表２及び表３に示す。
【００８７】
【表２】
2005068454.tif 000004
【００８８】
【表３】
2005068454.tif 000005
【００８９】
表２及び表３より、第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段に対する高周波電力の印加開始時間に時間差を設けることにより球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ、ロット内バラツキが改善されることが判明した。
【００９０】
（実施例２）
図１に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表４に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、６本の電子写真感光体を同時に作成した。このとき、第１の高周波電源１０９より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、また１１０からは周波数が６０ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス１０６を介して第１の高周波電力導入手段１０４に印加することにより反応容器１１７内にプラズマを一旦、形成された後に第２の高周波電源１０７より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、また１０８からは周波数が６０ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス１０５を介して第２の高周波電力導入手段１０３に印加し高周波電力を反応容器１１７内に供給した。またプラズマ形成の判断は反応容器の内部圧力の変動により判断し内圧が安定した段階で第２の高周波電力導入手段１０３に高周波電力を印加した。
【００９１】
また、反応容器１１７は円筒状のアルミナセラミック材で構成され内面をブラスト加工を施した。更に高周波電力導入手段１０４及び１０３は直径２０ｍｍの円柱状とし、特に第１の高周波電力導入手段１０４の表面にはアルミナ材溶射を施した。
【００９２】
【表４】
2005068454.tif 000006
【００９３】
上記条件で作製した電子写真感光体の球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ及び、それぞれのロット内バラツキを実施例１と同様の方法で測定した。
【００９４】
（比較例２）
図１に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表４に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、６本の電子写真感光体を同時に作成した。このとき、第１の高周波電力導入手段１０４及び第２の高周波電力導入手段１０３に高周波電力を同時に印加し反応容器１１７内にプラズマを形成したこと以外は実施例２と同様の方法とした。
【００９５】
上記条件により作製した電子写真感光体の球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ及び、それぞれのロット内バラツキを実施例１と同様に求め、その結果を表５及び表６に示す。
【００９６】
（実施例３）
実施例２と同様に図１に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表４に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、６本の電子写真感光体を同時に作成した。このとき、第２の高周波電源１０７より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、また１０８からは周波数が６０ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス１０５を介して第２の高周波電力導入手段１０３に印加することにより反応容器１１７内にプラズマを一旦、形成された後に第１の高周波電源１０９より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、また１１０からは周波数が６０ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス１０６を介して第１の高周波電力導入手段１０４に印加し高周波電力を反応容器１１７内に供給した。またプラズマ形成の判断は反応容器の内部圧力の変動により判断し内圧が安定した段階で第１の高周波電力導入手段１０４に高周波電力を印加した。
【００９７】
また、反応容器１１７は円筒状のアルミナセラミック材で構成され内面をブラスト加工を施した。更に高周波電力導入手段１０４及び１０３は直径２０ｍｍの円柱状とし、特に第１の高周波電力導入手段１０４の表面にはアルミナ材溶射を施した。
【００９８】
実施例２、実施例３及び比較例２によって得られた球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ及びそれぞれのロット内バラツキについて、比較例２の各測定値を１００として相対評価を行った。この結果を表５及び表６に示す。
【００９９】
【表５】
2005068454.tif 000007
【０１００】
【表６】
2005068454.tif 000008
【０１０１】
表５及び表６より、第１の高周波電力導入手段、第２の高周波電力導入手段それぞれに対し周波数の異なる複数の高周波電力が印加可能な構成で更に反応容器内に第１の高周波電力導入手段、反応容器外に第２の高周波電力導入手段を設け、更に第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段に対する高周波電力の印加開始時間に時間差を設けることにより球状突起数、帯電能ムラ、感度ムラ、ロット内バラツキが改善されることが判明した。
【０１０２】
また反応容器内の第１の高周波電力導入手段、次いで反応容器外の第２の高周波電力導入手段の順に周波数の異なる高周波電力を印加することが更に効果的であることが判明した。
【０１０３】
（実施例４）
図２に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表７に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、１０ロット計１０本の電子写真感光体を作成した。
【０１０４】
このとき、第１の高周波電源２０９より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、また２１０からは周波数が６０ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス２０６を介して第１の高周波電力導入手段２０４に印加することにより反応容器２１７内にプラズマを一旦、形成された後に第２の高周波電源２０７より周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を、また２０８からは周波数が６０ＭＨｚの高周波電力をマッチングボックス２０５を介して第２の高周波電力導入手段２０３に印加し高周波電力を反応容器２１７内に供給した。
【０１０５】
またプラズマ形成の判断は反応容器の内部圧力の変動により判断し内圧が安定した段階で第２の高周波電力導入手段２０３に高周波電力を印加した。
【０１０６】
また、反応容器２１７は円筒状のアルミナセラミック材で構成され内面をブラスト加工を施した。更に高周波電力導入手段２０４及び２０３は直径２０ｍｍの円柱状とし、特に第１の高周波電力導入手段２０４の表面にはアルミナ材溶射を施した。
【０１０７】
【表７】
2005068454.tif 000009
【０１０８】
上記条件で作製した電子写真感光体の球状突起数、帯電能及び、感度それぞれのロットバラツキを下記の条件により測定した。
【０１０９】
（球状突起数）
球状突起数の測定は、３０ｍｍ×２５１ｍｍの範囲内にある長径１０μｍ以上の球状突起の数を測定した。測定場所は電子写真感光体の中央を０ｍｍ、垂直方向上を＋、垂直方向下を−とし、電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置を中心とし、幅３０ｍｍを周方向で一周（２５１ｍｍ）にある計５箇所の球状突起数の合計を求め球状突起数とした。従って、球状突起数が少ないほど良好であることを示す。
【０１１０】
更に１０本間の球状突起数を比較し最小値と最大値の差を球状突起のロットバラツキとした。
【０１１１】
（帯電能ムラ）
帯電能ムラの測定は、作製した電子写真感光体を電子写真装置（評価用に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットして電位特性の評価を行った。その際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光量（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定し、それを帯電能とした。測定場所は、電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置で帯電能を測定し、平均を帯電能とした。従って、帯電能ムラが小さいほど良好であることを示す。
【０１１２】
更に１０本間の帯電能を比較し最小値と最大値の差を帯電能のロットバラツキとした。
【０１１３】
（感度ムラ）
感度ムラの測定は、帯電能ムラ測定と同じ条件で表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が５０Ｖ（明電位）となるようにし、そのときの露光量を感度とした。測定場所は電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置で感度を測定し、平均を感度とした。従って、この長手方向の感度ムラが小さいほど良好であることを示す。
【０１１４】
更に１０本間の感度を比較し最小値と最大値の差を感度のロットバラツキとした。
【０１１５】
（比較例３）
実施例４と同様に図２に示す堆積膜形成装置を用い円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に表７に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、１０ロット計１０本の電子写真感光体を作成した後、実施例４で同様の方法で球状突起数、帯電能、感度の評価を行った。
【０１１６】
但し、第１の高周波電力導入手段２０４及び第２の高周波電力導入手段２０３に対し高周波電力の印加開始時間に時差を設けず同時に印加した。
【０１１７】
実施例４及び比較例３によって得られた球状突起数、帯電能、感度それぞれのロットバラツキについて、比較例３の各測定値を１００として相対評価を行った。この結果を表８に示す。
【０１１８】
【表８】
2005068454.tif 000010
【０１１９】
表８より、第１の高周波電力導入手段、第２の高周波電力導入手段それぞれに対し周波数の異なる複数の高周波電力が印加可能な構成で更に反応容器内に第１の高周波電力導入手段、反応容器外に第２の高周波電力導入手段を設け、更に第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段に対する高周波電力の印加開始時間に時間差を設けることにより球状突起数、帯電能、感度のロットバラツキが改善されることが判明した。
【０１２０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高周波−ＰＣＶＤ法による堆積膜形成において、画像欠陥が低減し、基体間・ロット間での特性ばらつきが抑制され、均一性・再現性が高く、安定した堆積膜形成が可能となる。また、堆積膜形成時間の短縮、原料ガス利用効率の向上が達成され、生産コストの低下が実現可能となる。
【０１２１】
この結果、特性の優れた半導体デバイス、電子写真用光受容部材等を低コストで安定して生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図２】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図３】本発明に用いることができる堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図４】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図５】本発明により形成可能な電子写真用光受容部材の層構成の例を示した図である。
【符号の説明】
１０１、２０１・・・反応容器の蓋
１０２、２０２、４０２・・・円筒状基体
１０３、２０３・・・第２高周波電力導入手段
１０４、２０４・・・・・・第２高周波電力導入手段
１０５、２０５・・・・・・第２のマッチングボックス
１０６、２０６・・・・・・第１のマッチングボックス
１０７、１０８、２０７、２０８・・・第２の高周波電源
１０９、１１０、２０９、２１０・・・第１の高周波電源
１１１、３１１、４１１・・・ヒーター
１１２、２１２、４１２・・原料ガス供給手段
１１３、２１３、４１３・・回転軸
１１４、２１４、４１４・・モータ
１１５、２１５、４１５・・減速ギア
１１６、２１６、４１６・・排気口
１１７、２１７、４０１・・反応容器
１１８、２１８・・・導電性シールド
４０５・・マッチングボックス
４０９・・・高周波電源
５００・・・電子写真用感光体
５０１・・・導電性基体
５０２・・・光導電層
５０３・・・表面層
５０４・・・電荷注入阻止層
５０５・・・電荷発生層
５０６・・・電荷輸送層
【図１】
2005068454.tif 000011
【図２】
2005068454.tif 000012
【図３】
2005068454.tif 000013
【図４】
2005068454.tif 000014
【図５】
2005068454.tif 000015