(57)【要約】【課題】光の伝搬損失を抑えることが可能な光導波路用ミラーの製造方法を提供すること。【解決手段】光導波路用ミラーの製造方法は、基板上に透光性の樹脂層からなるクラッドを形成し、クラッド内に光導波路として細長いコアを形成し、コアの端部と対向し基板に対して傾斜する傾斜面を形成し、傾斜面に無電解めっき用触媒を付着させ、樹脂層を加熱して化学的に安定させ、得られた基板を無電解めっき液中に浸漬し、前記触媒の作用により前記めっき液中の金属を析出させて傾斜面に金属めっき膜を形成する工程を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に透光性の樹脂層からなるクラッドを形成し、クラッド内に光導波路として細長いコアを形成し、コアの端部と対向し基板に対して傾斜する傾斜面を形成し、傾斜面に無電解めっき用触媒を付着させ、樹脂層を加熱して化学的に安定させ、得られた基板を無電解めっき液中に浸漬し、前記触媒の作用により前記めっき液中の金属を析出させて傾斜面に金属めっき膜を形成する工程を備える光導波路用ミラーの製造方法。
【請求項２】
触媒がパラジウムからなる請求項１に記載の光導波路用ミラーの製造方法。
【請求項３】
クラッドは光照射により親水性を発現する樹脂からなり、傾斜面に無電解めっき用触媒を付着させる工程は、傾斜面に光を照射して親水性を発現させ、親水性が発現した傾斜面に無電解めっき用触媒を含んだ液を付着させる工程を含む請求項１又は２に記載の光導波路用ミラーの製造方法。
【請求項４】
樹脂がポリシランからなり、樹脂層の加熱温度は２５０〜３５０℃である請求項３に記載の光導波路用ミラーの製造方法。
【請求項５】
金属めっき膜は、傾斜面と接する下層が銅からなり、光導波路の端部と対向する表層が金または銀からなる多層構造を有する請求項１〜４のいずれか１つに記載の光導波路用ミラーの製造方法。
【請求項６】
金属めっき膜は、傾斜面と接する下層がニッケル−リン合金からなり、光導波路の端部と対向する表層が金または銀からなる多層構造を有する請求項１〜４のいずれか１つに記載の光導波路用ミラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光導波路用ミラーの製造方法に関する。さらに詳しくは、より精度よく光路変換を行うことができる光導波路用ミラーの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この発明に関連する従来技術としては、電気回路基板の製造方法であって、基板の表面にポリシラン膜を形成し、このポリシラン膜に対して回路パターンに対応した開口部を有するマスクを介して紫外光を照射して露光部を親水化し、親水化された露光部にパラジウム塩を含有する液を付着させて露光部上にパラジウム塩からなるパターンを形成し、このパターンを無電解めっき用触媒として無電解めっき施し、導電パターンを形成する電気回路基板の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５６７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
２１世紀の高度情報化社会では、情報ニーズの高度化、多様化、デジタル化が進み、ネットワークを介して流通する情報量は現在とは比較にならないほど増大すると予測されている。
【０００４】
この膨大な情報を円滑に伝送、処理するためには、通信装置やコンピュータの処理能力を飛躍的に向上させる必要がある。
【０００５】
半導体集積回路（ＬＳＩ）などの電気素子の性能は着実に向上しているが、信号の高速化に伴うクロストーク、電磁輻射、ノイズ等の電気配線に係る問題がボトルネックとなっている。
【０００６】
これを解決するため、電気配線の一部を光導波路による光配線に置き換え、電気信号の代わりに光信号を利用することが考えられている。光配線の場合、上記の電気配線に係る問題を抑えることができる。
【０００７】
光導波路はコアとコアを取り囲むクラッドからなり、コアの屈折率をクラッド層より大きくすることにより、コアに入射した光がコアとクラッドとの界面で全反射しながら伝搬するようになる。
【０００８】
当初、光配線としては、石英製の光ファイバーが用いられてきたが、配線数が増加すると接続が困難になることから、最近では高分子系の光導波路が検討されている。
【０００９】
高分子系の光導波路の材料としては、ポリメチルメタクレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリシランなどが用いられ、なかでも光照射により屈折率の低下や親水性の発現を示し、焼成後は特性が化学的に安定するポリシランが注目されている。
【００１０】
ところで、光配線と電気配線が形成されている光電気回路基板に、発光素子や受光素子等の光電変換素子と、これら光電変換素子を制御するための電子部品を搭載する際に、従来から電気回路基板に用いられている表面実装技術を適用できることが望まれている。
【００１１】
このため、光電気回路基板の基板面と平行に配線されている光配線と、光電気回路基板の表面に実装された光電変換素子とを光結合させる必要があり、光配線上に光路を９０度変換するためのミラーを形成する必要が生じる。
【００１２】
例えば、光電気回路基板の表面に実装された面受光型フォトダイオードの受光面に、光導波路のコア部を伝搬してきた光を入射させるためには、光導波路の端部近傍に４５度の反射面を有するミラーを形成し、このミラーによって光導波路の端部から出射された光を受光面へ向けて光路変換しなければならない。
【００１３】
ミラーの形成方法としては、様々な提案がなれており、例えば、半導体用ダイサーを用いて光導波路の端部近傍に４５度の傾斜面を形成し、この傾斜面に金属薄膜を蒸着させてミラーを形成する方法が一般的に用いられている。
【００１４】
ここで、光導波路がポリシランからなる場合には、上述の電気回路基板の製造方法でも紹介したように、親水性が発現した部位にパラジウム塩を含む液を付着させ、付着したパラジウム塩を無電解めっき用触媒として利用し、無電解めっきを施すことにより金属めっき膜を形成することが考えられる。
【００１５】
しかしながら、ポリシランは焼成によって側鎖の炭化水素基の脱離や主鎖の切断及び酸化などによる無機化が進行し、体積が約５〜１５％収縮する。
【００１６】
このため、傾斜面に形成した金属めっき膜と傾斜面との面積変化の差から、金属めっき膜に皺がよってしまう可能性がある。あるいは、金属めっき膜と傾斜面との面積変化の差から金属めっき膜の外縁部に応力が加わり、部分的に金属めっき膜が剥離してしまう可能性もある。
【００１７】
この結果、ミラー部で光の透過や散乱が生じ、光の伝搬損失が大きくなる恐れがある。
【００１８】
この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、光の伝搬損失を抑えることが可能な光導波路用ミラーの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明は、基板上に透光性の樹脂層からなるクラッドを形成し、クラッド内に光導波路として細長いコアを形成し、コアの端部と対向し基板に対して傾斜する傾斜面を形成し、傾斜面に無電解めっき用触媒を付着させ、樹脂層を加熱して化学的に安定させ、得られた基板を無電解めっき液中に浸漬し、前記触媒の作用により前記めっき液中の金属を析出させて傾斜面に金属めっき膜を形成する工程を備える光導波路用ミラーの製造方法を提供するものである。
【００２０】
つまり、この発明による光導波路用ミラーの製造方法は、無電解めっき用触媒が付着した樹脂層を加熱して化学的に安定させた後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施す。
このため、樹脂層が加熱によって収縮を生じるものである場合には、加熱後の収縮に起因する金属めっき膜の皺や剥離を防止でき、ミラー部での光の伝搬損失を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、無電解めっき用触媒が付着した樹脂層を加熱して化学的に安定させた後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施すので、樹脂層が加熱によって収縮を生じるものである場合には、加熱後の収縮に起因する金属めっき膜の皺や剥離を防止でき、ミラー部での光の伝搬損失を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
この発明による光導波路用ミラーの製造方法は、基板上に透光性の樹脂層からなるクラッドを形成し、クラッド内に細長いコアを形成し、コアの端部と対向し基板に対して傾斜する傾斜面を形成し、傾斜面に無電解めっき用触媒を付着させ、樹脂層を加熱して化学的に安定させ、得られた基板を無電解めっき液中に浸漬し、無電解めっき用触媒の触媒作用により前記めっき液中の金属を析出させて傾斜面に金属めっき膜を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００２３】
この発明による光導波路用ミラーの製造方法において、基板としては、例えば、石英基板、ポリイミドフィルム等を用いることができる。
【００２４】
また、この発明による光導波路用ミラーの製造方法において、無電解めっき用触媒はパラジウムからなっていてもよい。
【００２５】
また、この発明による光導波路用ミラーの製造方法において、クラッドは光照射により親水性を発現する樹脂からなり、傾斜面に無電解めっき用触媒を付着させる工程は、傾斜面に光を照射して親水性を発現させ、親水性が発現した傾斜面に無電解めっき用触媒を含んだ液を付着させる工程を含んでいてもよい。
【００２６】
無電解めっき用触媒を含んだ液としては、無電解めっき用触媒がパラジウムからなる場合には、例えば、塩化パラジウムと塩化第１スズとの混合溶液、または塩化パラジウム溶液などを用いることができる。
【００２７】
また、この発明による光導波路用ミラーの製造方法において、樹脂はポリシランからなっていてもよい。
【００２８】
ポリシランは、光照射により親水性の発現を示し、２５０〜３５０℃で焼成後は特性が化学的に安定する。
【００２９】
このため、樹脂がポリシランからなる場合、樹脂層の加熱温度は２５０〜３５０℃であってもよい。
【００３０】
ポリシランは、２５０〜３５０℃で加熱されることにより、側鎖の炭化水素基の脱離や主鎖の切断及び酸化などによる無機化が進行し、体積の収縮が生じるが、付着した無電解めっき用触媒は傾斜面に析出し、まばらに点在した状態となっているため、体積の収縮による影響は受けない。
【００３１】
その後、得られた基板を無電解めっき液に浸漬すると、無電解めっき用触媒の触媒作用によりめっき液中の金属が傾斜面に析出し、その後は析出した金属の自己触媒作用により金属めっき膜が成長する。
【００３２】
また、ポリシランは光照射によりアルカリ溶液に対する可溶性と屈折率の低下も示す。
【００３３】
このため、光透過率が漸増又は漸減するグレーマスクを介して光を照射し、照射部位をアルカリ溶液でエッチング除去することにより所望の傾斜面を形成できると共に、光導波路のパターンに対応した形状のマスクを介して光を照射することにより光導波路を形成することもでき、この発明の製造方法で用いる樹脂として好適である。
【００３４】
また、この発明による光導波路の製造方法において、金属めっき膜は、傾斜面と接する下層が銅からなり、光導波路の端部と対向する表層が金または銀からなる多層構造を有していてもよい。
【００３５】
この場合、具体的には、下層側から表層側へ向かって、銅／ニッケル／金、銅／ニッケル／銀、または銅／銀が順に積層された構成などを挙げることができる。
【００３６】
また、この発明による光導波路の製造方法において、金属めっき膜は、傾斜面と接する下層がニッケル−リン合金からなり、光導波路の端部と対向する表層が金または銀からなる多層構造を有していてもよい。
【００３７】
この場合、具体的には、下層側から表層側へ向かって、ニッケル−リン合金／金、またはニッケル−リン合金／銀が順に積層された構成などを挙げることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳細に説明する。なお、複数の実施例において、同じ部材には同じ符号を用いて説明する。
実施例１
この発明の実施例１による光導波路用ミラーの製造方法について図１〜５に基づいて説明する。図１〜５は実施例１による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【００３９】
図１〜５に示されるように、この発明による光導波路用ミラーの製造方法は、基板１上に透光性の樹脂からなる第１および第２クラッド部２，４と、第１、および第２クラッド部２，４に取り囲まれた細長い光導波路５を形成し、コア層３の一部に光導波路５の端部と対向し基板１に対して傾斜する傾斜面６を形成し、傾斜面６に無電解めっき用触媒としてのパラジウム７を付着させ、コア層３および光導波路５を加熱して化学的に安定させた後、得られた基板１を無電解めっき液中に浸漬し、パラジウム７の触媒作用により前記めっき液中の金属を析出させて傾斜面６に反射膜８を形成するものである。以下、各工程について詳しく説明する。
【００４０】
まず、図１（ａ）に示されるように、石英からなる基板１上にポリシランを主成分とする溶液（日本ペイント製、グラシアＷＧ−００５）を膜厚１０μｍとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、２５０℃で予備乾燥し、さらに３５０℃で焼成し、屈折率が１．５８（波長６３３ｎｍ）の第１クラッド部２を形成する。
【００４１】
次に、図１（ｂ）に示されるように、第１クラッド部２を構成するポリシランより屈折率の高いポリシランを主成分とする溶液（日本ペイント製、グラシアＷＧ−００４）を第１クラッド部２上に膜厚２０μｍとなるようにスピンコートし、２５０℃で予備乾燥しコア層３を形成する。
【００４２】
次に、図１（ｃ）に示されるように、コア層３上にフォトマスク３０を配置し、次いで図１（ｄ）に示されるように、フォトマスク３０を介して紫外光Ｌをコア層３に照射し、露光部９を選択的に形成する。
【００４３】
ここで、光源としては５００ＷのディープＵＶランプを用い、波長３００〜４００ｎｍの紫外光照射光量が、膜厚１μｍあたり２００ｍＪ／ｃｍ2となるように露光する。
【００４４】
次に、得られた基板をアルカリ水溶液、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの１０〜２０％水溶液に浸漬し、図１（ｅ）に示されるように露光部９（図１（ｄ）参照）をエッチング除去する。
【００４５】
次に、図２（ｆ）に示されるように、刃面に所定の角度を有するブレード１０を用いて傾斜面６を形成する。
【００４６】
次に、図２（ｇ）に示されるように、フォトマスク４０を介して傾斜面６に上記光源と同じ光源を用いて紫外光Ｌを約２分間照射し、傾斜面６の表面に親水性を発現させる。詳しくは、紫外光Ｌの照射によって傾斜面６の表面にシラノール基が形成され、このシラノール基が金属を吸着するようになる。このため、後の工程で、紫外光Ｌの照射を受けた傾斜面６のみにパラジウム７（図２（ｈ）参照）が選択的に付着するようになる。
【００４７】
次に、得られた基板を、塩化パラジウム０．０３％、塩化第１スズ２％、塩酸２０％を含む触媒液（液温２５℃）に５分間浸漬し、浸漬後の基板を水洗し、１０％の塩酸水溶液に２分間浸漬し、さらに再度水洗し、図２（ｈ）に示されるように、傾斜面６にパラジウム７を析出させる。
【００４８】
次に、図３（ｉ）に示されるように、コア部５に対応する形状の遮光部５１を有するフォトマスク５０を介してコア層３に紫外光Ｌを照射する。これにより、照射部位の屈折率が低下して非照射部位の屈折率が相対的に高められ、結果としてコア層３の一部に屈折率１．６（波長６３３ｎｍ）のコア部５が形成される。
【００４９】
次に、図３（ｊ）に示されるように、得られた基板を３５０℃で３０分間焼成し、コア層３および光導波路５を化学的に安定させる。この際、コア層３および光導波路５が収縮するが、前の工程で傾斜面６に析出したパラジウム７は、傾斜面６の表面にまばらに点在しているだけなので、収縮による影響は受けない。
【００５０】
次に、得られた基板を水洗し、硫酸銅１％、ロシェル塩４％、ホルムアルデヒド１％、水酸化ナトリウム１％を含む無電解銅めっき液（液温２５℃）に１５分間浸漬する。
【００５１】
これにより、先の工程で傾斜面６に析出していたパラジウム７（図３（ｊ）参照）の触媒作用によって無電解銅めっき液中の銅が傾斜面６に析出し、その後は銅の自己触媒作用によりめっき膜が成長し、図３（ｋ）に示されるように、傾斜面６に膜厚０．２μｍの銅めっき膜１１が形成される。
【００５２】
次に、得られた基板を水洗し、１０％の硫酸水溶液で洗浄し、再度水洗し、塩化パラジウム０．０２％を含む触媒液（液温２５℃）に５分間浸漬する。これにより、先の工程で形成された銅めっき膜１１とパラジウムイオンとの置換反応が起こり、図３（ｌ）に示されるように、銅めっき膜１１上にパラジウム７が析出する。
【００５３】
次に、得られた基板を水洗し、硫酸ニッケル２％、ホスフィン酸ナトリウム１．５％、クエン酸ナトリウム３％を含む無電解ニッケルめっき液（液温８０℃）に５分間浸漬する。これにより、図４（ｍ）に示されるように、銅めっき膜１１上に膜厚２μｍのニッケル−リンめっき膜１２が形成される。
【００５４】
次に、得られた基板を水洗し、シアン化金カリウム０．１％、シアン化ナトリウム１％を含む金めっき液（液温８５℃）に１０分間浸漬し、次いで、亜硫酸金ナトリウム１％、ジメチルアミンボラン２％を含む無電解めっき液（液温６０℃）に６０分間浸漬する。
【００５５】
これにより、図４（ｎ）に示されるように、先の工程で形成されたニッケル−リンめっき膜１２上に膜厚０．５μｍの金めっき膜１３が形成され、図４（ｏ）に示されるように、傾斜面６の表面に銅めっき膜１１／ニッケル−リンめっき膜１２／金めっき膜１３の３層構造からなる反射膜８が形成される。
【００５６】
次に、図４（ｐ）に示されるように、コア層３および光導波路５上にコア層３を構成するポリシランと同じポリシランを主成分とする溶液を膜厚３０μｍとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、２５０℃で予備乾燥し、第２クラッド部４を形成する。
【００５７】
次に、図５（ｑ）に示されるように、フォトマスク４５を通して、紫外光Ｌを第２クラッド部４に照射し、ミラー１４上以外を露光して露光部１９を形成する。光源は５００ＷのディープＵＶ用ランプを用いて、波長３００〜４００ｎｍの紫外線照射光量が、ポリシラン膜厚１μｍ当り２００ｍＪ／ｃｍ2となるように露光する。
【００５８】
その後、図５（ｒ）に示されるように、基板を約３５０℃で焼成し、屈折率が１．５８（波長６３３ｎｍ）の第２クラッド部４とミラー１４上部に周囲より屈折率の高い光導波路５’を形成する。このようにして、第１クラッド部２と第２クラッド部４に挟まれた光導波路５の両端近傍にミラー１４を備える光導波路基板１００が完成する。
【００５９】
この際、コア層３は既に焼成工程を経ているので、第２クラッド部４の焼成により反射膜８に剥離や皺などが生じることはない。
【００６０】
また、無電解銅めっき液として厚膜形成用の無電解銅めっき液を用いて膜厚２〜３μｍの銅めっき膜し、無電解ニッケルめっき液の代わりに硝酸銀１％、水酸化アンモニウム７％、亜硫酸ナトリウム１０％を含む銀めっき液を用いて銅めっき膜上に銀めっき膜を形成することも可能である。
【００６１】
また、金めっき液の代わりに上記無電解銀めっき液を用いてニッケル−リンめっき膜上に銀めっき膜を形成することも可能である。
実施例２
この発明の実施例２による光導波路用ミラーの製造方法について図６〜９に基づいて説明する。図６〜９は実施例２による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【００６２】
まず、図６（ａ）に示されるように、厚さ１００μｍのポリイミドフィルムからなるフィルム基板２１上にポリシランを主成分とする溶液（日本ペイント製、グラシアＷＧ−００５）を膜厚１０μｍとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、２５０℃で予備乾燥し、さらに３５０℃で焼成し、屈折率が１．５８（波長６３３ｎｍ）の第１クラッド部２を形成する。
【００６３】
次に、図６（ｂ）に示されるように、第１クラッド部２を構成するポリシランより屈折率の高いポリシランを主成分とする溶液（日本ペイント製、グラシアＷＧ−００４）を第１クラッド部２上に膜厚２０μｍとなるようにスピンコートし、２５０℃で予備乾燥しコア層３を形成する。
【００６４】
次に、図６（ｃ）に示されるように、コア層３上にフォトマスク６０を配置し、次いで図６（ｄ）に示されるように、フォトマスク６０を介して紫外光Ｌをコア層３に照射し、露光部２９を選択的に形成する。
【００６５】
ここで、光源としては５００ＷのディープＵＶランプを用い、波長３００〜４００ｎｍの紫外光照射光量が、膜厚１μｍあたり２００ｍＪ／ｃｍ2となるように露光する。
【００６６】
また、フォトマスク６０は、傾斜面６（図６（ｅ）参照）の潜像を形成するために、傾斜面６と対応する箇所において光透過率が１００〜０％へ漸減するグレーマスクパターンの光透過部６１を有している。
【００６７】
このため、光透過部６１のうち、光透過率が高い部分を介して露光された部分は第２クラッド部３の深くまで露光がすすみ、光透過率が低い部分を介して露光された部分はコア層３の表層近傍のみ露光され、結果として露光部に傾斜面６の潜像を有する露光部２９が形成される。
【００６８】
次に、得られたフィルム基板をアルカリ水溶液、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの１０〜２０％水溶液に浸漬し、図６（ｅ）に示されるように露光部２９をエッチング除去し傾斜面６を形成する。
【００６９】
次に、図７（ｆ）に示されるように、フォトマスク４０を介して傾斜面６に上記光源と同じ光源を用いて紫外光Ｌを約２分間照射し、傾斜面６の表面に親水性を発現させる。
【００７０】
次に、得られたフィルム基板を、塩化パラジウム０．０３％を含む触媒液（液温２５℃）に５分間浸漬する。
【００７１】
これにより、傾斜面６上にパラジウムイオンが吸着され、この吸着されたパラジウムイオンは傾斜面６表面のシラノール基により還元され図７（ｇ）に示されるように傾斜面６の表面にパラジウム７が析出する。
【００７２】
次に、図７（ｈ）に示されるように、コア部５に対応する形状の遮光部５１を有するフォトマスク５０を介してコア層３に紫外光Ｌを照射する。これにより、照射部位の屈折率が低下して非照射部位の屈折率が相対的に高められ、結果としてコア層３の一部に屈折率１．６（波長６３３ｎｍ）のコア部５が形成される。
【００７３】
次に、図８（ｉ）に示されるように、得られたフィルム基板を３５０℃で３０分間焼成し、コア層３および光導波路５を化学的に安定させる。この際、コア層３および光導波路５が収縮するが、前の工程で傾斜面６に析出したパラジウム７は、傾斜面６の表面にまばらに点在しているだけなので、収縮による影響は受けない。
【００７４】
次に、得られたフィルム基板を水洗し、硫酸ニッケル２％、ホスフィン酸ナトリウム１．５％、クエン酸ナトリウム３％を含む無電解ニッケルめっき液（液温８０℃）に５分間浸漬する。
【００７５】
これにより、先の工程で傾斜面６に析出していたパラジウム７（図８（ｉ）参照）の触媒作用によって無電解ニッケルめっき液中のニッケル−リンが傾斜面６に析出し、その後はニッケル−リンの自己触媒作用によりめっき膜が成長し、図８（ｊ）に示されるように、傾斜面６に膜厚２μｍのニッケル−リンめっき膜１２が形成される。
【００７６】
次に、得られたフィルム基板を水洗し、シアン化金カリウム０．１％、シアン化ナトリウム１％を含む金めっき液（液温８５℃）に１０分間浸漬し、次いで、亜硫酸金ナトリウム１％、ジメチルアミンボラン２％を含む無電解めっき液（液温６０℃）に６０分間浸漬する。
【００７７】
これにより、図８（ｋ）に示されるように、先の工程で形成されたニッケル−リンめっき膜１２上に膜厚０．５μｍの金めっき膜１３が形成され、図９（ｌ）に示されるように、傾斜面６の表面にニッケル−リンめっき膜１２／金めっき膜１３の２層構造からなる反射膜２８が形成される。
【００７８】
次に、図９（ｍ）に示されるように、コア層３および光導波路５上にコア層３を構成するポリシランと同じポリシランを主成分とする溶液を膜厚３０μｍとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、２５０℃で予備乾燥し、第２クラッド部４を形成する。
【００７９】
次に、図９（ｎ）に示されるように、フォトマスク６５を通して、紫外光Ｌを第２クラッド部４に照射し、ミラー３４上以外を露光して露光部３９を形成する。光源は５００ＷのディープＵＶ用ランプを用いて、波長３００〜４００ｎｍの紫外線照射光量が、ポリシラン膜厚１μｍ当り２００ｍＪ／ｃｍ2となるように露光する。
【００８０】
その後、図９（ｏ）に示されるように、基板を約３００℃で焼成し、屈折率が１．５８（波長６３３ｎｍ）の第２クラッド部４とミラー３４上部に周囲より屈折率の高い光導波路５’を形成する。このようにして、第１クラッド部２と第２クラッド部４に挟まれた光導波路５の両端近傍にミラー３４を備える光導波路基板２００が完成する。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
光導波路の端部に金属めっき膜からなるミラーを製造する場合に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】この発明の実施例１による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図２】この発明の実施例１による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図３】この発明の実施例１による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図４】この発明の実施例１による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図５】この発明の実施例１による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図６】この発明の実施例２による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図７】この発明の実施例２による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図８】この発明の実施例２による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【図９】この発明の実施例２による光導波路用ミラーの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８３】
１・・・基板
２・・・第１クラッド部
３・・・コア層
４・・・第２クラッド部
５，５'・・・光導波路
６・・・傾斜面
７・・・パラジウム
８，２８・・・反射膜
９，１９，２９，３９・・・露光部
１０・・・ブレード
１１・・・銅めっき膜
１２・・・ニッケル−リンめっき膜
１３・・・金めっき膜
１４，３４・・・ミラー
２１・・・フィルム基板
３０，４０，４５，５０，６０，６５・・・フォトマスク
５１・・・遮光部
６１・・・光透過部
Ｌ・・・紫外光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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