(57)【要約】【課題】ＩＴＥＲ装置（核融合炉）における超伝導コイル用ジャケット等の超伝導コイルジャケット部では、ジャケット材との異種材接合が必要であるが、異種材接合は、ろう接や溶接法では、接合面に脆く強度の低い金属間化合物が形成するため、接合部の健全性を確保することができない。【解決手段】純Ｔｉ／銅合金（間挿入材）／極低温用ステンレスからなる異種材を直接重ね合わせ、これを高温等方加圧（ＨＩＰ）することにより、接触箇所に金属間化合物等の反応層を形成させずに無溶解接合する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種材間に金属間化合物等の反応層を形成させない無溶解接合方法。
【請求項２】
異種材接合を高温等方加圧（ＨＩＰ）を採用して異種材間に金属間化合物等の反応層を形成させないことにより、接合面での接合による不均一をなくす請求項１記載の方法。
【請求項３】
純Ｔｉ／極低温用ステンレスの異種材間の接合を行う請求項２記載の方法。
【請求項４】
純Ｔｉ／極低温用ステンレス間に銅合金の間挿入材をいれて接合する請求項２又は３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、原子力分野及び超伝導技術分野で使用されている異種材の無溶解接合方法に関する方法である。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＴＥＲ装置（核融合炉）における超伝導コイルジャケット部では、ジャケット材との異種材接合が必要であり、そのため、このジャケット部材（超伝導材側と電流取り出し側のそれぞれの配線間と接続を取り持つ、２種類以上の異種材接合体）として、超伝導材と同等の熱膨張率を有し、非磁性、耐食性、加工性の優れた純Ｔｉと極低温用ステンレスとの接合構造が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら異種材接合は、ろう接や溶接法では、その接合面に、脆く強度の低い金属間化合物が形成するため、接合部の健全性を確保することができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、純Ｔｉ／銅合金（間挿入材）／極低温用ステンレスからなる異種材を直接重ね合わせ、これを高温等方加圧（ＨＩＰ）することにより、接触箇所に金属間化合物等の反応層を形成させずに無溶解接合するものである。ＨＩＰ法において、この反応層を生じさせないで異種材を接合するためのＨＩＰ接合処理条件は、次のとおりである。
【０００５】
（１）アルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）とＴｉの場合、温度８００℃〜キャプセル材融点以下で、圧力９８Ｍｐａ以上及び加圧期間１２０分以上である。
【０００６】
（２）ＤＳ−ＣｕとＦｅ−Ｃｒ−Ｎｉ合金（ＪＪ１）の場合、温度９５０℃〜キャプセル材融点以下で、圧力１４７Ｍｐａ以上及び加圧期間１２０分以上である。
【０００７】
（３）ＤＳ−Ｃｕと極低温用ステンレス（３１６Ｌ）の場合、温度１０３０℃〜キャプセル材融点以下で、圧力１４７Ｍｐａ以上及び加圧期間１２０分以上である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は、ＨＩＰ接合用キャプセル構造及び接合試験体からの試験片の切り出しを示す図である。図１（上部）に示されるように、Ｔｉ材／Ｄｓ−Ｃｕ（アルミナ分散銅）材／Ｔｉ材が、カプセル中に挿入され、そのカプセルの両端にキャップを嵌めた後、高温等方加圧（ＨＩＰ）が施されることにより接合される。
【０００９】
図１（上部）のＨＩＰにより得られた接合材が、図１（下部）に示されるように、点線の位置で縦方向に切断される。その小さな方の切断片が、台に載置された後、研削、研磨され、更にエッチング処理されて試験片箔を得る。得られた試験片箔が、硬度試験及び金属組織観察のために使用される。又、大きな方の切断片が、縦方向に角柱材及び円柱材として切り出され、引張り試験及び４点曲げ試験に使用される。
【００１０】
図２は、Ｔｉと無酸素銅（ＯＦＨＣ−Ｃｕ）とのＨＩＰ接合材の引張り強度と伸びに与えるＨＩＰ処理温度の影響を示す図である。図２には、Ｔｉ／無酸素銅（ＯＦＨＣ−Ｃｕ）の接合試験片について、そのＨＩＰの接合温度に対する（ａ）引張り強度ＭＰａ及び（ｂ）伸び％の結果が示されている。
【００１１】
図３は、Ｔｉとアルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）とのＨＩＰ接合材の４点曲げ強度と変位に与えるＨＩＰ処理温度の影響を示す図である。図３には、Ｔｉ／アルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）の接合試験片について、そのＨＩＰの接合温度に対する（ａ）４点曲げ強度ＭＰａ及び（ｂ）変位ｍｍの結果が示されている。
【００１２】
図４は、アルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）とＪＪ１との接合材の４点曲げ強度と変位に与えるＨＩＰ処理温度の影響を示す図である。  図４には、アルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）／Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ合金（ＪＪ１）の接合試験片について、そのＨＩＰの接合温度に対する（ａ）４点曲げ強度ＭＰａ及び（ｂ）変位ｍｍの結果が示されている。
【００１３】
したがって、図２〜図４から、それぞれの試験片における強度、伸び及び変位の最高値に関するＨＩＰ温度の最適温度が示されている。
【００１４】
【実施例】
（ア）接合素材
純Ｔｉ／銅合金では、Ｔｉと無酸素銅（ＯＦＨＣ−Ｃｕ）若しくはアルミナ分散銅（Ｄｓ−Ｃｕ）との接合、又、銅合金／極低温用ステンレスでは、無酸素銅若しくはアルミナ分散銅とＪＪ１又は３１６Ｌ−ＳＳとの接合が行われるが、それらの素材の化学組成が、表１に示されている。
【００１５】
【表１】
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【００１６】
（イ）接合方法
純Ｔｉ／銅合金、又は純Ｔｉ／極低温用ステンレスの接合は、図１に示されるように、円柱状異種材を重ねた状態でＳＵＳ（ステンレス）製キャプセルに真空封入し、これにＨＩＰ処理を施すことにより接合した。
【００１７】
（ウ）ＨＩＰ処理条件及び接合結果
表２には、ＴｉとＤＳ−Ｃｕ（アルミナ分散銅）との接合を、ＨＩＰ又はＭａｃｈｉｎｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ（機械加工時）において、９８ＭＰａの圧力且つ１２０分の保持時間で行った接合結果が、その加熱温度とともに示されている。
【００１８】
表３には、ＤＳ−ＣｕとＪＪ１（Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ合金）との接合を、ＨＩＰ又はＭａｃｈｉｎｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓにおいて、１４７ＭＰａ圧力且つ１２０分の保持時間で行った接合結果が、その加熱温度とともに示されている。
【００１９】
表４には、ＤＳ−Ｃｕと３１６Ｌと（極低温用ステンレス）の接合を、ＨＩＰ又はＭａｃｈｉｎｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓにおいて、１４７ＭＰａの圧力且つ１２０分の保持時間で行った接合結果が、その加熱温度とともに示されている。
【００２０】
下記の表中、機械加工時とは、ＨＩＰ処理後の接合材から試験片を切り出した段階を意味する。そこで、接合材をキャプセルから取り出した段階で、その接合が良好であるか、接合に欠陥があるか、又は不接合であるかどうかの結果が表の左欄に示され、機械加工時の段階で、その接合が良好であるか、接合に欠陥があるか、又は不接合であるかどうかの結果が表の右欄に示されている。
【００２１】
【表２】
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【００２２】
【表３】
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【００２３】
【表４】
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【００２４】
（エ）強度試験及びその結果
ＨＩＰ処理材から強度試験片を取り出し高温強度試験を実施した。
【００２５】
表５（ａ）には、ＤＳ−Ｃｕと３１６Ｌ  ＳＳとのＨＩＰ接合を温度１０３０℃、圧力１４７ＭＰａ及び保持時間１２０分で行って得られた試験片について、４点曲げ試験を行った接合結果が示されている。
【００２６】
表５（ｂ）には、ＤＳ−Ｃｕと３１６Ｌ  ＳＳとのＨＩＰ接合を、温度１０３０℃、圧力１４７ＭＰａ及び保持時間１２０分で行い、その後時効（ａｇｉｎｇ）を温度６５０℃で２４０時間で行って得られた試験片について、４点曲げ試験を行った接合結果が示されている。
【００２７】
【表５】
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【００２８】
表５（ａ）では、  表４のＤＳ−Ｃｕと３１６Ｌステンレス鋼とのＨＩＰ接合試験片の室温強度が示されている。表中で、例えば、ＤＳ１２とは、ＤＳはＤＳ−Ｃｕと３１６Ｌステンレス鋼（Ｓ）とのＨＩＰ接合材で、１２番目のものであることを示す。
【００２９】
表５（ｂ）では、表４のＤＳ−Ｃｕと３１６Ｌステンレス鋼とのＨＩＰ接合試験片の室温強度が示されている。その試験片は、１０３０℃×１４７ＭＰａ×１２０分のＨＩＰ処理後、装置から取り出し、更に６５０℃×２４０時間の熱処理を加えて得られたものである。
【００３０】
【発明の効果】
本発明により、極低温状況下の使用に耐える高強度・無反応層接合構造体を製作できるようになる。したがって、本発明により、ＩＴＥＲ装置の超伝導コイル用ジャケットを製作できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＨＩＰ接合用キャプセル構造及び接合試験体からの試験片の切り出しを示す図である。
【図２】Ｔｉと無酸素銅（ＯＦＨＣ−Ｃｕ）とのＨＩＰ接合材の引張り強度と伸びに与えるＨＩＰ処理温度の影響を示す図である。
【図３】Ｔｉとアルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）とのＨＩＰ接合材の４点曲げ強度と変位に与えるＨＩＰ処理温度の影響を示す図である。
【図４】アルミナ分散銅（ＤＳ−Ｃｕ）とＪＪ１との接合材の４点曲げ強度と変位に与えるＨＩＰ処理温度の影響を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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