(57)【要約】  【課題】  上ガラス基板と下ガラス基板との間において面に沿ってずれが発生することのないスペーサーを具えるパネル型表示装置を提供する。  【解決手段】  透過領域と、該透過領域の周囲を取り囲む非透過領域とを含む複数の画素ユニットによって画素アレイを形成し、かつ該非透過領域に上方に突起するバンプ構造を形成してなる下ガラス基板と、及び該下ガラス基板上に設ける上ガラス基板とを含んでなり、該上ガラス基板の下表面には下方向に突起し、該下ガラス基板に当接する支持構造を形成し、該支持構造が該透過領域内に位置し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って位置がずれることを防ぐように構成する。【選択図】  図２Ｂ 
2005352489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過領域と、該透過領域の周囲を取り囲む非透過領域とを含む複数の画素ユニットによって画素アレイを形成し、かつ該非透過領域に上方に突起するバンプ構造を形成してなる下ガラス基板と、
該下ガラス基板上に設ける上ガラス基板とを含むパネル型表示装置であって、
該上ガラス基板の下表面には下方向に突起し、該下ガラス基板に当接する支持構造を形成し、
該支持構造が該透過領域内に位置し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成することを特徴とするパネル型表示装置。
【請求項２】
前記バンプ構図が該下ガラス基板表面に形成される薄膜トランジスタによって構成されることを特徴とする請求項１に記載のパネル型表示装置。
【請求項３】
前記バンプ構造が該下ガラス基板表面に形成されるゲートラインパターンとデータラインパターンとが交錯し、重なり合って構成されることを特徴とする請求項１に記載のパネル型表示装置。
【請求項４】
前記上ガラス基板と支持構造との間にカラーフィルタが形成されることを特徴とする請求項１に記載のパネル型表示装置。
【請求項５】
前記上ガラス基板と下ガラス基板との間に液晶層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のパネル型表示装置。
【請求項６】
トランジスタを形成する下ガラス基板と、カラーフィルタを形成する上ガラス基板と、該上ガラス基板と下ガラス基板の間に形成する液晶層とを含む液晶表示装置であって、
該上ガラス基板の下表面に形成するカラーフィルタと、
該カラーフィルタの下表面に形成されるコモン電極と、
該下ガラス基板上表面に形成され、複数の横方向に分布する複数のゲートラインパターンを具える第１導電層と、
該第１導電層上に形成される誘電層と、
該誘電層と、該下ガラス基板表面に形成され、複数のソース／ドレインパターンと、複数の縦方向に分布するデータラインパターンとを具え、かつ該誘電層と該第１導電層と重なり合う位置にバンプ構造を構成する代２導電層と、
該下ガラス基板と上がＲス基板の間に形成される複数の支持構造とを含み、
該支持構造は上表面が該コモン電極に接続し、下表面が該ゲートラインパターンに対応し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記バンプ構造が、該ソース／ドレインパターンと該誘電層と該ゲートラインパターンが堆積して構成される第１バンプと、該縦方向のデータラインパターンと該誘電層と該横方向のゲートラインパターンとが堆積して構成される第２バンプ構造とを含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１バンプがトランジスタとして用いられ、２つの隣り合う該第２バンプ構造の間に該第バンプ構造を１つ設け、かつ該第１バンプ構造が一方の第２バンプ構造に隣接することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記２つの隣り合う第２バンプ構造の間に２つの該支持構造を具え、かつ一方の該支持構造の右側壁が該第１バンプ構造に当接し、他方の支持構造の左側壁が該第２バンプ構造に当接することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記２つの隣り合う第２バンプ構造の間に短冊状を呈する支持構造を１つ具え、かつ該支持構造の、かつ該支持構造の右側壁が該第１バンプ構造に当接し、該支持構造の左側壁が該第２バンプ構造に当接することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記２つの隣り合う第１バンプ構造の間に２つの該支持構造を具え、一方の該支持構造は底面が該第２バンプ構造上面に当接し、かつ側壁が一方の該第１バンプ構造に当接し、他方の支持構造は側壁が他方の第１バンプ構造に当接することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に関し、特にフォトスペーサー（ｐｈｏｔｏ  ｓｐｅｃｅｒ）を用いた支持構造を具えるパネル型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示器（ＬＣＤ）、有機励起発光表示装置（ＯＬＥＤ）などのパネル型表示装置は、薄膜トランジスタの製造技術の急速な進歩にともない性能が上昇し、個人用の携帯情報端末（ＰＤＡ）、ノートブック型パソコン、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話など各種電子関連製品に幅広く応用されるようになった。また、ディスプレイ業界では、研究開発及び大型生産設備への投資を積極的に進めている。よって、パネル型表示装置
は品質が向上するとともに、価格が低下している。このため、応用範囲が急速に拡大している。
【０００３】
液晶表示パネルの製造工程は、沈降成膜やマイクロフォトエッチングなどの製造工程によって下ガラス基板の表面に大量の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、及び縦横に交錯する走査線とデータラインのパターンを形成して必要とする画素アレイを構築する。また、上ガラス基板の表面にはカラーフィルタ（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ）とコモン電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を形成する。更に、上ガラス基板を反転させて下ガラス基板の表面に形成した画素アレイ領域上を覆い、液晶を該上、下ガラス基板の間に注入して液晶層を形成し、表示パネルを構成する。
【０００４】
一般に、上ガラス基板の表面に形成するカラーフィルタは、かなりの量の画素（Ｐｉｇｍｅｎｔ）と、及びその回りを取り巻くブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ）を含む。万の単位で形成される画素はアレイ状に配列され、その配列の順序に基づき、緑色、赤色、青色の三原色にそれぞれ着色し、且つそれぞれ画素電極に対応させる。ブラックマトリクスはクロムフィルム（Ｃｒ）、もしくは樹脂材料によって形成され、それぞれの画素の周囲を取り囲み、それぞれの画素ユニットの周囲の液晶配列不良の領域を遮蔽する。
【０００５】
ここで注意すべき点は、上ガラス基板と下ガラス基板との間に十分な支持作用を与えるために、表示パネルを組み立てる過程において、上下ガラス基板の間にスペーサーなどの支持物を設けて仕切り、更に液晶を注入するという点である。従来の技術において、広く応用される方法は、装置でプラスティックビーズを一方のガラス基板上に散布し、他方のガラス基板に組立てを行う方法である。係る方法は全てのプラスティックビーズの大きさと、分布の均一性を性格に制御することができないのみならず、プラスティックビーズが移動する可能性がある。よって製品の歩止りに影響を与える。
【０００６】
上述の問題を効率良く改善するために、目下組立ての製造工程において、マイクロフォト技術を利用し、柱状のフォトスペーサー（Ｐｈｏｔｏ  Ｓｐａｃｅｒ）を形成する方法を用いている。該方法は、上ガラス基板の表面に感光性の樹脂材を塗布して樹脂層を形成し、更に当業者に熟知されているフォトリソグラフィー技術を移用して必要とするスペーサーを形成する。よって、スペーサーのサイズ、所在する位置を正確に制御することができる。スペーサーをブラックマトリクスなどの非透過領域に固定することによって、スペーサーが原因となり発生する露光から起きる画像の品質低下を防ぐことができる。
【０００７】
図１Ａ、１Ｂに光学フォトリソグラフィー技術を利用してスペーサーを形成した表示装置の平面図と断面図を開示する。図１Ａに開示するように下ガラス基板１の表面には、縦、横に交錯するゲートライン（即ち走査線）と、データライン１２のパターンを形成し、ゲートライン１１のパターン上であって、ゲートライン１１とデータライン１２の重なり合う位置に隣接した位置に、対応する画素の制御を行う薄膜トランジスタ１４を形成する。
【０００８】
また、上ガラス基板２と下ガラス基板１とを組み立てる場合、上ガラス基板２に形成したスペーサーが、画素電極の領域を遮蔽することを避けるため、既存の技術によるレイアウトでは組み立てた後のスペーサーがゲートライン１１のパターンの範囲内であって、且つ左右データライン１２のパターンの間に位置するように構成する。図１Ａに開示するように、上ガラス基板２と下ガラス基板１とを組み立てた場合、スペーサー２１はゲートライン１１のパターン上であって、且つ両データライン１２の間に位置する。
【０００９】
図１Ｂは、図１Ａに開示するａ−ａ’線に沿った断面図である。下ガラス基板１の表面には予め第１金属層を形成し、フォトリソグラフィーエッチング工程によってゲートライン１１のパターンを形成し、次いでゲートライン１１上に、誘電層と第２金属層を順に沈降させ、再度フォトリソグラフィーエッチング工程を行い、第２金属層上にデータライン１２のパターンと、ソース／ドレインパターンを形成し、且つ第１金属層と第２金属層とを隔離する誘電層パターン１３を形成する。
【００１０】
該ソース／ドレインパターン、誘電層パターン１３、及びゲートライン１１とによって必要とする薄膜トランジスタ１４を形成する。データライン１２と、誘電層パターン１３と、ゲートライン１１とが重なり合う位置は、バンプ構造１５を形成する。上ガラス基板２をしたガラス基板１上に組みつける場合、スペーサー２１はゲートライン１１に当接し、その位置は左右バンプ構造１５の間である。
【００１１】
ここで注意すべき点は、フォトリソグラフィーの製造工程で上ガラス基板２の表面にスペーサー２１を形成する場合、粘着性を具えないという点である。よって、スペーサー２１の上端が下ガラス基板１有上のゲートライン１１に当接し、圧迫しても上ガラス基板２と下ガラス基板１とは、やはり固定することができない。従って、表示パネルを組み立てた後、上ガラス基板２、もしくは下ガラス基板１が外部の力（剪断応力）を受けた場合、上ガラス基板２と下ガラス基板１との間において図１Ｂに開示する矢印の方向にずれが発生する。ずれが大きくなった場合、上ガラス基板２に形成するブラックマトリクスは、画素ユニット内の液晶の配列不良領域を完全に遮蔽することができなくなり、表示パネル全体の画面が暗くなった場合、光の漏れという問題が発生し、更に画面の色が不均一になるといった現象（Ｍｏｖａｂｌｅ  Ｍｕｒａ）が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述するとおり、従来の技術では上ガラス基板と下ガラス基板とが剪断応力の作用を受けると、ガラス基板の面に沿ってずれが発生する。
【００１３】
そこで、この発明は、上ガラス基板と下ガラス基板との間において面に沿ってずれが発生することのないスペーサーを具えるパネル型表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
そこで本発明者は、従来の技術に鑑み鋭意研究を重ねた結果、上表面にバンプ構造を形成した下ガラス基板と、下表面に下方に突起した支持構造を形成する上ガラス基板とを含み、該支持構造の下表面が該下ガラス基板に当接し、該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接するパネル型表示装置の構造によって課題を解決できる点に着眼し、係る知見に基づき本発明を完成させた。
以下、この発明について具体的に説明する。
【００１５】
請求項１に記載するパネル型表示装置は、透過領域と、該透過領域の周囲を取り囲む非透過領域とを含む複数の画素ユニットによって画素アレイを形成し、かつ該非透過領域に上方に突起するバンプ構造を形成してなる下ガラス基板と、  該下ガラス基板上に設ける上ガラス基板とを含むパネル型表示装置であって、
該上ガラス基板の下表面には下方向に突起し、該下ガラス基板に当接する支持構造を形成し、
該支持構造が該透過領域内に位置し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成する。
【００１６】
請求項２に記載するパネル型表示装置は、請求項１におけるバンプ構図が該下ガラス基板表面に形成される薄膜トランジスタによって構成される。
【００１７】
請求項３に記載するパネル型表示装置は、請求項１におけるバンプ構造が該下ガラス基板表面に形成されるゲートラインパターンとデータラインパターンとが交錯し、重なり合って構成される。
【００１８】
請求項５に記載するパネル型表示装置は、請求項１における上ガラス基板と支持構造との間にカラーフィルタが形成される。
【００１９】
請求項５に記載するパネル型表示装置は、請求項１における上ガラス基板と下ガラス基板との間に液晶層が形成される。
【００２０】
請求項６に記載する液晶表示装置は、トランジスタを形成する下ガラス基板と、カラーフィルタを形成する上ガラス基板と、該上ガラス基板と下ガラス基板の間に形成する液晶層とを含む液晶表示装置であって、
該上ガラス基板の下表面に形成するカラーフィルタと、
該カラーフィルタの下表面に形成されるコモン電極と、
該下ガラス基板上表面に形成され、複数の横方向に分布する複数のゲートラインパターンを具える第１導電層と、
該第１導電層上に形成される誘電層と、
該誘電層と、該下ガラス基板表面に形成され、複数のソース／ドレインパターンと、複数の縦方向に分布するデータラインパターンとを具え、かつ該誘電層と該第１導電層と重なり合う位置にバンプ構造を構成する代２導電層と、
該下ガラス基板と上がＲス基板の間に形成される複数の支持構造とを含み、
該支持構造は上表面が該コモン電極に接続し、下表面が該ゲートラインパターンに対応し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成する。
【００２１】
請求項７に記載する液晶表示装置は、請求項６におけるバンプ構造が、該ソース／ドレインパターンと該誘電層と該ゲートラインパターンが堆積して構成される第１バンプと、該縦方向のデータラインパターンと該誘電層と該横方向のゲートラインパターンとが堆積して構成される第２バンプ構造とを含む。
【００２２】
請求項８に記載する液晶表示装置は、請求項７における第１バンプがトランジスタとして用いられ、２つの隣り合う該第２バンプ構造の間に該第バンプ構造を１つ設け、かつ該第１バンプ構造が一方の第２バンプ構造に隣接する。
【００２３】
請求項９に記載する液晶表示装置は、請求項８における２つの隣り合う第２バンプ構造の間に２つの該支持構造を具え、かつ一方の該支持構造の右側壁が該第１バンプ構造に当接し、他方の支持構造の左側壁が該第２バンプ構造に当接する。
【００２４】
請求項１０に記載する液晶表示装置は、請求項８における２つの隣り合う第２バンプ構造の間に短冊状を呈する支持構造を１つ具え、かつ該支持構造の、かつ該支持構造の右側壁が該第１バンプ構造に当接し、該支持構造の左側壁が該第２バンプ構造に当接する。
【００２５】
請求項８に記載する液晶表示装置は、請求項８における２つの隣り合う第１バンプ構造の間に２つの該支持構造を具え、一方の該支持構造は底面が該第２バンプ構造上面にに当接し、かつ側壁が一方の該第１バンプ構造に当接し、他方の支持構造は側壁が他方の第１バンプ構造に当接する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のパネル型表示装置は、上ガラス基板と下ガラス基板とを組み立てる場合に、上下ガラス基板の位置がずれることを防ぎ、ガラス基板の位置ずれにによって発生する表示装置の光の漏れを防ぎ、製品の歩留まりをＴかめるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
この発明は、フォトスペーサーを用いた支持構造を具えるパネル型表示装置を提供するものであって、上表面にバンプ構造を形成した下ガラス基板と、下表面に下方に突起した支持構造を形成する上ガラス基板とを含み、該支持構造の下表面が該下ガラス基板に当接し、該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接するように構成して、上下ガラスパネルを組み立てる場合に発生するラス基板の位置のずれを防ぐという目的を、実現した。
係る構成のパネル型表示装置について、その構造と特徴を詳述するために具体的な実施例を挙げ、以下に説明する。
【実施例１】
【００２８】
図２Ａ、図２Ｂにこの発明による液晶表示装置３の平面図と断面図を開示する。図２Ａに開示するように液晶表示装置３はトランジスタを形成する下ガラス基板３０と、カラーフィルタを形成する上ガラス基板３１とを含んでなり、且つ上ガラス基板３１と、下ガラス基板３０との間に液晶を注入して液晶層３２を形成する。
【００２９】
カラーフィルタ３１０は上ガラス基板３１の下表面に形成し、通過する光線から、赤、青、緑色の３色の光線を発生させる作用を有する。また、カラーフィルタ３１０の下表面にはコモン電極３１１を形成する。コモン電極３１１は下ガラス基板３０上に形成する画素電極に対応し、液晶分子を駆動してツイストさせる電場を発生させる作用を有する。
【００３０】
下ガラス基板３０の上表面には、第１導電層４０１と、誘電層４０２と、第２導電層４０３とを順に形成する。一般には第１導電層４０１を沈降させて形成した後、マイクロフォトエッチングを行い、第１導電層４０１上に複数のゲートラインパターン４０１ａを形成する。当業者の熟知するところであるが、これらゲートラインパターン４０１ａは、下ガラス基板３０の上表面において横方向に分布する。
【００３１】
ゲートラインパターン４０１ａを形成した後、下ガラス基板３０とゲートラインパターン４０１ａ上に誘電層４０２を沈降させて形成する。誘電層４０２は第１導電層４０１と、これに続いて沈降させる導電層との間における絶縁、隔絶の作用を有する。
【００３２】
次いで、誘電層４０２と下ガラス基板３０の表面に第２導電層４０３を沈降させて形成し、マイクロフォトエッチングの工程を行い、第２導電層４０３上にソース／ドレインパターン４０３ａと、複数のデータラインパターン４０３ｂを形成する。データラインパターン４０３ｂは、横方向に分布するゲートラインパターン４０１ａに対して直交して下ガラス基板３０の表面に分布する。即ち、ゲートラインパターン４０１ａとデータラインパターン４０３ｂは交錯して格子状の構造を呈する。
【００３３】
ここで注意すべき点は、第１導電層４０１、誘電層４０２、及び第２導電層４０３を下ガラス基板３０上に順に沈降させるため、その重なり合う位置に堆積されたバンプ構造４０ａ、４０ｂが形成されるという点である。即ち、図２ａに開示するようにバンプ構造は、ソース／ドレインパターン４０３ａ、誘電層４０２、及びゲートラインパターン４０１ａが堆積して形成される第１バンプ構造４０ａと、縦方向に分布するデータラインパターン４０３ｂ、誘電層４０２、及び横方向に分布するゲートラインパターン４０１ａが交錯し、体積されて形成される第２バンプ構造４０ｂとを含む。
【００３４】
下ガラス基板３０上のゲートラインパターン４０１ａと、データラインパターン４０３ｂとを配列してなる格子状アレイは、画素ユニットアレイの範囲を限定する。即ち、それぞれの格子は一つの画素ユニットが締める領域である。言いかえれば図２ｂに開示するように隣り合うゲートラインパターン４０１ａと、隣り合うデータラインパターンｂとによって囲まれる領域に画素ユニットを形成する。図２Ｂは、図２Ａに開示するａ−ａ’線に沿った断面図である。図面によれば下ガラス基板３０上を横方向に分布するゲートラインパターン４０１ａの左右両側の表面に、縦方向に分布する複数のデータラインパターン４０３ｂの内の隣り合う二本のデータラインパターン４０３が存在する。この２本のデータラインパターン４０３ｂは、それぞれゲートラインパターン４０１ａと交錯して重なり合い、図面に開示するように隣り合う２つの第２バンプ構造４０ｂを構成する。
【００３５】
また、ソース／ドレインパターン４０３ａ、誘電層４０２、及びゲートラインパターン４０１ａを体積してなる第１バンプ構造４０ａは、実際には薄膜トランジスタ素子である。薄膜トランジスタ素子のドレインはデータラインパターン４０３ｂに接続してデータ信号を得る。よって、レイアウトにおいては第一バンプ構造４０ａは対応するデータラインパターン４０３ｂに隣接するように設ける。即ち第一バンプ構造４０ａは第二バンプ構造４０ｂに隣接する。それぞれの画素ユニットは、薄膜トランジスタの回路によって駆動させる。よって、図２ａに開示するように二つの隣り合う第二バンプ構造２０ｂの間に、第一バンプ構造４０ａ（即ち薄膜トランジスタラジオ素子）を設け、且つ第一バンプ構造４０ａはデータラインパターン４０３ｂの左側に設ける。
【００３６】
上ガラス基板３１と下ガラス基板３０の間のギャップを維持して液晶を注入し、液晶層３２を形成するために上ガラス基板３１の下表面には、下方に向かって突出する支持構造５０を形成する。この場合、外部からの力を受けて上ガラス基板３１と下ガラス基板３０との間に基盤の面に沿ってずれが発生することを防ぐために、支持構造５０を上ガラス基板３０表目に形成する際は、指示構造５０を設ける位置を特に選択する必要がある。即ち後続の工程において上ガラス基板３１を下ガラス基板３０上に取り付ける場合、支持構造５０の側壁がバンプ構造４０ａ。４０ｂの側壁に接触するように設ける。支持構造５０はフォトリソグラフィーの製造工程を利用して上ガラス基板３１の下表面にフォトスペーサーを形成して構成する。
【００３７】
図２ａ、図２ｂに開示するように、第一の実施例においては上ガラス基板３１のコモン電極３１１の下表面に、下方に突出する支持構造５０を形成する。支持構造５０は短冊状のブロックである。上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とを組み立てる場合、支持構造５０の下表面が、下ガラス基板３０のゲートラインパターン４０１ａを圧迫するように当接する。更に、隣り合う二つの第二バンプ構造４０ｂの間には支持構造５０を一つだけ設ける。この場合、支持構造５０の右側の側壁は第一バンプ構造４０ａに当接し、左側の側壁は第二バンプ構造４０ｂに当接する。よって、第一バンプ構造４０ａと第二バンプ構造４０ｂの制限を受け、上ガラス基板３１と、下ガラス基板３０に剪断応力の作用が働いても、基板の面に沿ってずれが発生しない。
【実施例２】
【００３８】
上述する短冊状の支持構造５０以外に、二つの支持構造がそれぞれ第一バンプ構造４０ａと第二バンプ構造４０ｂとに当接する構造にしてもよい。図３Ａ、図３Ｂに第２の実施例を開示する。図３Ａは第２の実施例による液晶表示装置３の平面図であって、図３Ｂはその断面図である。図面に開示するように上ガラス基板３１のコモン電極３１１下表面に形成される指示構造は、左側の支持構造５１ａと右側に位置する支持構造５１ｂを含む。支持構造５１ａ、５１Ｂは図面に開示するように矩形を呈するブロックである。当然のことながら製造コストを考慮した場合、支持構造５１ａ、５１ｂは円柱、もしくはその他形状のブロックにしてもよい。
【００３９】
第１の実施例と同様に、支持構造５１ａ、５１ｂの上ガラス基板３１表面の位置を調整することによって、上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とを組み立てる場合、支持構造５１ａ、５１ｂの下表面は下ガラス基板３０に形成したゲートラインパターン４０１ａを圧迫するように当接する。
【００４０】
ここで、特に説明すべきこととして、第２の実施例においては、隣り合う２つの第２バンプ構造４０ｂの間に２つのバンプ構造５１ａ、５１ｂを同時に設けることが挙げられる。バンプ構造５１ａの右側の側壁は第１バンプ構造４０ａに当接し、支持構造５１ｂの左側は第２バンプ構造４０ｂに当接する。このため、第１バンプ構造４０ａと第２バンプ構造４０ｂの制限を同時に受けることになり、上ガラス基板３１と、下ガラス基板３０に剪断応力の作用が働いても、基盤の面に沿ってずれが発生しない。
【実施例３】
【００４１】
上述するように支持構造が左右両側の第１バンプ構造４０ａと第２バンプ構造４０ｂに同時に当接する構造以外に、下方向に突出する支持構造が、バンプ構造の上面を直接圧迫し、バンプ構造の階段状の表面によって最大の摩擦力を得て上ガラス基板３１と、下ガラス基板３０のずれを防ぐ目的を達するように構成してもよい。
【００４２】
図４Ａ、図４Ｂに第３の実施例による液晶表示装置の平面図と断面図を開示する。上ガラス基板３１のコモン電極３１１の下表面に形成する支持構造５２は、矩形のブロックであって、第２バンプ構造４０ｂに対する位置に形成する。  
【００４３】
上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とを組み立てる場合、支持構造５２の底面が直接第２バンプ構造４０ｂの上表面を圧迫すると同時に、支持構造５２の左側壁が第２バンプ構造４０ｂの左側に隣接する第１バンプ構造４０ａに当接する。したがって、支持構造５２と第２バンプ構造４０ｂとの間に比較的大きな摩擦力が発生するとともに、支持構造５２の左側壁が同時に第１バンプ構造４０ａの制限を受ける。このため上ガラス基板３１と、下ガラス基板３０が基板の面に沿ってずれることがない。
【実施例４】
【００４４】
さらに好ましい固定の効果を得るために、上述するように支持構造５２の左側壁をバンプ構造に当接させるとともに、さらに支持構造を設けて右側のバンプ構造に当接させてもよい。図５Ａ、図５Ｂに第４の実施例による液晶表示装置３の平面図と断面図を開示する。図面によれば、上ガラス基板３１のコモン電極３１１下表面に、第２バンプ構造４０ｂに対する支持構造５２を形成し、支持構造５２の右側に支持構造５３をさらに形成する。この２つの支持構造５２、５３は、図面に開示するように矩形のブロックである。
【００４５】
上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とを組み立てる場合、支持構造５２の底面が直接第２バンプ構造４０ｂの上表面を圧迫すると同時に、支持構造５２の左側壁が第２バンプ構造４０ｂの左側の第１バンプ構造４０ａに当接する。同時に支持構造５３の右側壁が他の第１バンプ構造４０ａに当接する。言い換えれば、２つの隣り合う第１バンプ構造４０ａの間に２つの支持構造５２、５３を形成し、それぞれを隣り合う第１バンプ構造４０ａに当接させて、上ガラス基板３１と、下ガラス基板３０が基板の面に沿ってずれることを防ぐ。
【００４６】
ここで特に指摘すべきことは、上述する支持構造が表示パネルの光線からの照射に影響を与えることを防ぐために好ましくは支持構造を画素ユニットの非透過領域内に設けることである。
【００４７】
以上に述べた実施例について、それぞれの画素ユニットは中央に位置する透過領域と該透過領域を取り囲む非透過領域とを含む。中央に位置する透過領域は画素電極を設ける領域であって、非透過領域は上述するゲートラインパターン４０１ａ、データラインパターン４０３ｂ、もしくはブラックマトリクスなどの非常透材を設ける。
上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とを組み立てる場合、上ガラス基板３１の下表面に形成する支持構造は非透過領域の範囲内に位置する。上述するそれぞれの実施例において、支持構造はデータラインパターン４０３ｂに沿った方向のサイズがゲートラインパターン４０１ａの幅より狭くなるようにする。よって、支持構造全体がゲートラインパターン４０１ａ上に投影され、ゲートラインパターン４０１ａの範囲内に完全に入る。
【００４８】
下ガラス基板３０上には、薄膜トランジスタ、ゲートラインパターン、データラインパターンなどを形成する。よって、下ガラス基板３０の表面には往々にして階段状のバンプ構造が形成される。上ガラス基板３１下表面に形成される支持構造のサイズと位置を調整することによって、  上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とを組み立てる場合、支持柱を同時に側面側に位置するバンプ構造に当接させることができる。したがって、本来の  上下ガラス基板を支持する効果以外に、  上ガラス基板３１と下ガラス基板３０とが基板の面に沿って位置がずれることを防ぐことができる。このため従来の技術に見られる光が漏れるという問題を効率よく解決することができる。
【００４９】
以上はこの発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。実施例においては液晶表示装置に実施する場合を例としたが、本発明の技術を  上ガラス基板と下ガラス基板との間にずれの発生する可能性のあるその他フラットパネル方表示装置に応用することは、当業者にとって容易なことである。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれも本発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１Ａ】従来の技術によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。
【図１Ｂ】従来の技術によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。
【図２Ａ】この発明によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である（実施例１）。
【図２Ｂ】この発明によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である（実施例１）。
【図３Ａ】第２の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。
【図３Ｂ】第２の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。
【図４Ａ】第３の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。
【図４Ｂ】第３の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。
【図５Ａ】第４の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。
【図５Ｂ】第４の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１            下ガラス基板
１１          ゲートライン
１２          データライン
１３          誘電層パターン
１４          薄膜トランジスタ
１５          バンプ構造
２            上ガラス基板
２１          スペーサー
３            液晶表示装置
３０          下ガラス基板
３１          上ガラス基板
３１０        カラーフィルタ
３１１        コモン電極
３２          液晶層
４０ａ        第１バンプ構造
４０ｂ        第２バンプ構造
４０１        第１導電層
４０１ａ      ゲートラインパターン
４０２        誘電層
４０３        第２誘電層
４０３ａ      ソース／ドレインパターン
４０３ｂ      データラインパターン
５０、５１ａ、５１ｂ、５２、５３          支持構造
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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