(57)【要約】【課題】  遮光膜７７の形成領域にスペーサ５を配置することが可能な、液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  基板７０の裏側から遮光膜７７の開口部７８に向かってレーザ光５１を照射しつつ、基板７０の表側からインクジェットヘッド２０によりスペーサ５を散布する。すると、開口部７８の形成領域の上方に侵入したスペーサ５ａが、レーザ光５１の光圧により進路を曲げられて、遮光膜７７の形成領域に着弾する。なおスペーサ５は遮光膜７７の形成領域に向かって吐出することが望ましく、また基板７０に着弾する際のスペーサ５の速度をほぼ０とすることが望ましい。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の表面における所定領域に粒子を配置する方法であって、
前記基板の裏側から前記所定領域以外の領域に光を照射しつつ、前記基板の表側から前記粒子を散布することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２】
前記基板の前記所定領域には、あらかじめ遮光部材を形成しておくことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記光は、レーザ光であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
前記光の照射は、前記基板に対して垂直に、略平行光を照射することによって行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記粒子の散布は、前記粒子を含む液状体を液滴吐出装置により吐出することによって行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
前記粒子の散布は、前記所定領域に向かって行うことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記粒子の散布は、前記基板に着弾する際の速度がほぼ０となるように行うことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記粒子の散布は、前記粒子とは反対の電荷に前記遮光部材を帯電させた状態で行うことを特徴とする請求項２ないし請求項７のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記基板における複数の領域に対して、前記光の照射および前記粒子の散布を順次行うことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
透光性基板の表面における所定領域に粒子を配置してデバイスを製造する装置であって、
前記基板を載置する透光性を備えたテーブルと、前記テーブルの裏側から前記基板における前記所定領域以外の領域に光を照射する光源と、前記光源からの光を略平行光に変換し前記基板に対して垂直に入射させる光学素子と、前記テーブルの表側から前記粒子を散布する散布手段とを有し、
前記テーブルと前記散布手段との垂直方向距離が調整可能とされ、
前記光源および前記散布手段が連動して水平方向に移動可能とされていることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のデバイス製造方法を使用して製造したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス製造方法、デバイス製造装置、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタに搭載される光変調装置や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として、液晶表示装置が広く用いられている。図２に示すように、液晶表示装置１は、上基板８０および下基板７０により液晶層２を挟持して構成されている。その上基板８０の内側には複数の画素電極８２がマトリクス状に形成され、下基板７０の内側には対向電極７２がストライプ状に形成されている。そして、各画素電極８２および対向電極７２により液晶層２に電界を印加し、液晶分子を再配向させて画像表示を行うようになっている。したがって、各画素電極８２の形成領域が画素領域となっている。
なお、隣接する画素領域からの光洩れを防止するため、下基板７０の内側には遮光膜７７が形成されている。この遮光膜７７には、各画素領域に対応して開口部７８が形成されている。
【０００３】
上述した液晶層２の厚さ（セルギャップ）は、一対の基板間に配置されたスペーサ５によって規制されている。このスペーサ５は、ポリスチレン等の透明材料により、直径２〜７μｍ程度の球状に形成されている。なお、各画素領域にはそれぞれ２個程度のスペーサ５が配置されている。このスペーサ５を基板上に配置する方法として、スペーサ５を分散させたガスをスプレー等により基板上に吹き付ける方法などが用いられている。
【特許文献１】特開２００２−２８３０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したスプレー法は、基板上の任意の位置にスペーサを配置するものである。そのため、上述した画素領域にもスペーサが配置されることになる。この場合、液晶表示装置のコントラスト低下や彩度低下などの原因になるという問題がある。そこで、画素領域以外の遮光膜７７の形成領域に、スペーサ粒子を配置する手法の確立が望まれている。
【０００５】
なお特許文献１には、レーザによりスペーサを制御して、液晶基板を精度よく作製する旨が記載されている。しかしながら、スペーサをどのように制御して、どのような液晶基板を作製するのか、具体的な記載がない。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、所定領域に粒子を配置することが可能な、デバイス製造方法およびデバイス製造装置の提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電気光学装置および電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明のデバイス製造方法は、透光性基板の表面における所定領域に粒子を配置する方法であって、前記基板の裏側から前記所定領域以外の領域に光を照射しつつ、前記基板の表側から前記粒子を散布することを特徴とする。
この構成によれば、所定領域以外の領域に散布された粒子が、当該領域に照射されている光の光圧により進路を曲げられて、基板の所定領域に着弾する。したがって、基板の所定領域に粒子を効率よく配置することができる。
【０００８】
また、前記基板の前記所定領域には、あらかじめ遮光部材を形成しておくことが望ましい。
この構成によれば、所定領域以外の領域に対して正確に光を照射することが可能になり、基板の所定領域に対して正確に粒子を配置することができる。
【０００９】
また、前記光は、レーザ光であることが望ましい。
この構成によれば、レーザ光の強い光圧によって粒子の進路を曲げることが可能になり、基板の所定領域に対して正確に粒子を配置することができる。
【００１０】
また、前記光の照射は、前記基板に対して垂直に略平行光を照射することによって行うことが望ましい。
この構成によれば、所定領域以外の領域に対して正確に光を照射することが可能になり、基板の所定領域に対して正確に粒子を配置することができる。
【００１１】
また、前記粒子の散布は、前記粒子を含む液状体を液滴吐出装置により吐出することによって行うことが望ましい。
この構成によれば、所定量の液状体を所定位置に対して正確に吐出することが可能になり、基板の所定領域に対して正確に粒子を配置することができる。
【００１２】
また、前記粒子の散布は、前記所定領域に向かって行うことが望ましい。
この構成によれば、ほとんどの粒子を基板の所定領域に配置することができる。また、所定領域以外の領域に侵入した一部の粒子についても、当該領域に照射されている光により基板の所定領域に着弾させることができる。したがって、すべての粒子を基板の所定領域に配置することができる。
【００１３】
また、前記粒子の散布は、前記基板に着弾する際の速度がほぼ０となるように行うことが望ましい。
この構成によれば、所定領域以外の領域に散布された粒子の進路を、光圧によって確実に曲げることができる。したがって、基板の所定領域に対して確実に粒子を配置することができる。
【００１４】
また、前記粒子の散布は、前記粒子とは反対の電荷に前記遮光部材を帯電させた状態で行うことが望ましい。
この構成によれば、所定領域以外の領域に散布された粒子を、所定領域に形成された遮光部材に引き付けることができる。したがって、基板の所定領域に対して確実に粒子を配置することができる。
【００１５】
また、前記基板における複数の領域に対して、前記光の照射および前記粒子の散布を順次行うことが望ましい。
この構成によれば、大型の基板を使用する場合でも、その所定領域に対して粒子を配置することができる。また、小型の光源および散布手段を採用することが可能になり、製造コストを低減することができる。
【００１６】
一方、本発明のデバイス製造装置は、透光性基板の表面における所定領域に粒子を配置してデバイスを製造する装置であって、前記基板を載置する透光性を備えたテーブルと、前記テーブルの裏側から前記基板における前記所定領域以外の領域に光を照射する光源と、前記光源からの光を略平行光に変換し前記基板に対して垂直に入射させる光学素子と、前記テーブルの表側から前記粒子を散布する散布手段とを有し、前記テーブルと前記散布手段との垂直方向距離が調整可能とされ、前記光源および前記散布手段が連動して水平方向に移動可能とされていることを特徴とする。
この構成によれば、光学素子を採用したので、基板に対して垂直に略平行光を入射させることができる。また、テーブルと散布手段との垂直方向距離が調整可能とされているので、散布された粒子が基板に着弾する際の速度をほぼ０とすることができる。さらに、光源および散布手段が連動して水平方向に移動可能とされているので、大型の基板を使用する場合でも、その所定領域に対して正確に粒子を配置することができる。
【００１７】
一方、本発明の電気光学装置は、上述したデバイス製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、電気光学装置のコントラスト低下や彩度低下などを防止することが可能となり、表示品質に優れた電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
一方、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
本実施形態に係るデバイス製造方法は、液晶表示装置の製造方法であって、図６に示すように、基板７０の裏側からレーザ光を照射しつつ、基板７０の表側からスペーサ粒子５を散布することにより、遮光膜７７の形成領域にスペーサ粒子５を配置するものである。なお本明細書では、液晶表示装置の構成部材における液晶層側を内側と呼ぶことにする。
【００２０】
［液晶表示装置］
まず、液晶表示装置の概略構成につき、図１ないし図３を用いて説明する。図１は液晶表示装置の分解斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線における側面断面図であり、図３は図２のＢ−Ｂ線における平面断面図である。図２に示すように、液晶表示装置１は、下基板７０および上基板８０により液晶層２を挟持して構成されている。この液晶層２にはネマチック液晶等が採用され、液晶表示装置１の動作モードとしてツイステッドネマチック（ＴＮ）モードが採用されている。なお上記以外の液晶材料を採用することも可能であり、また上記以外の動作モードを採用することも可能である。なお以下には、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にして説明するが、これ以外のアクティブマトリクス型の液晶表示装置やパッシブマトリクス型の液晶表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００２１】
図１に示すように、液晶表示装置１では、ガラス等の透明材料からなる下基板７０および上基板８０が対向配置されている。上基板８０の内側には、複数の走査線８１が形成されている。その走査線８１の側方には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる複数の画素電極８２が、マトリクス状に配置されている。この画素電極８２は、ＴＦＤ素子８３を介して各走査線８１に接続されている。このＴＦＤ素子８３は、基板表面に形成されたＴａを主成分とする第１導電膜と、その第１導電膜の表面に形成されたＴａ２Ｏ３を主成分とする絶縁膜と、その絶縁膜の表面に形成されたＣｒを主成分とする第２導電膜とによって構成されている（いわゆるＭＩＭ構造）。そして、第１導電膜が走査線８１に接続され、第２導電膜が画素電極８２に接続されている。これによりＴＦＤ素子８３は、画素電極８２への通電を制御するスイッチング素子として機能する。
【００２２】
一方、下基板７０の内側には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる複数の対向電極７２が形成されている。この対向電極７２は、上記走査線８１と直交するストライプ状に形成されている。そして、走査線８１に走査信号が供給され、対向電極７２にデータ信号が供給されると、対向する画素電極８２および対向電極７２により、液晶層に電界が印加されるようになっている。したがって、各画素電極８２の形成領域により画素領域が構成されている。
【００２３】
なお、隣接する画素領域からの光洩れを防止するため、下基板７０の内側には遮光膜７７が形成されている。この遮光膜７７は、光吸収性を有する黒色の金属クロム等によって構成されている。また遮光膜７７は、各画素領域に対応する複数の開口部７８を備えている、この開口部７８により、画像領域への光源光の入射または画像領域からの画像光の出射が可能とされている。したがって、遮光膜７７は格子状に形成されている（図３参照）。そして、遮光膜７７を覆うように、図２に示す透明な絶縁膜７９が形成されている。さらに絶縁膜７９の内側には、上述した対向電極７２が形成されている。
【００２４】
また、画素電極８２および対向電極７２を覆うように、配向膜７４，８４が形成されている。この配向膜７４，８４は、電界無印加時における液晶分子の配向状態を制御するものであり、ポリイミド等の有機高分子材料によって構成され、その表面にラビング処理が施されている。これにより電界無印加時には、配向膜７４，８４の表面付近における液晶分子が、その長軸方向をラビング処理方向に一致させて、配向膜７４，８４と略平行に配向されるようになっている。なお、配向膜７４の表面付近における液晶分子の配向方向と、配向膜８４の表面付近における液晶分子の配向方向とが、所定角度だけずれるように、各配向膜７４，８４に対してラビング処理が施されている。これにより、液晶層２を構成する液晶分子は、液晶層２の厚さ方向に沿ってらせん状に積層されるようになっている。
【００２５】
また、両基板７０，８０は、熱硬化型や紫外線硬化型などの接着剤からなるシール材３によって周縁部が接合されている。そして、両基板７０，８０とシール材３とによって囲まれた空間に、液晶層２が封止されている。なお、液晶層２の厚さ（セルギャップ）は、両基板の間に配置されたスペーサ粒子５によって規制されている。このスペーサ５は、ポリスチレン等の透明材料により、直径２〜７μｍ程度の球状に形成されている。なお各画素領域には、それぞれ２個程度のスペーサ５が配置されている。
一方、下基板７０および上基板８０の外側には、偏光板（不図示）が配置されている。各偏光板は、相互の偏光軸（透過軸）が所定角度だけずれた状態で配置されている。また入射側偏光板の外側には、バックライト（不図示）が配置されている。
【００２６】
そして、バックライトから照射された光は、入射側偏光板の偏光軸に沿った直線偏光に変換されて、下基板７０から液晶層２に入射する。この直線偏光は、電界無印加状態の液晶層２を透過する過程で、液晶分子のねじれ方向に沿って所定角度だけ旋回し、出射側偏光板を透過する。これにより、電界無印加時には白表示が行われる（ノーマリーホワイトモード）。一方、液晶層２に電界を印加すると、電界方向に沿って配向膜７４，８４と垂直に液晶分子が再配向する。この場合、液晶層２に入射した直線偏光は旋回しないので、出射側偏光板を透過しない。これにより、電界無印加時には黒表示が行われる。なお、印加する電界の強さによって階調表示を行うことも可能である。
液晶表示装置１は、以上のように構成されている。
【００２７】
［液晶表示装置の製造装置］
本実施形態では、液滴吐出法により、上述したスペーサ５を下基板（以下、単に基板と呼ぶ）７０の表面に散布する。液滴吐出法では、所定量の液滴を所定領域に対して正確に吐出することができる。そこで、液滴吐出法を利用したスペーサの散布装置につき、図４ないし図６を用いて説明する。
図４は、スペーサ散布装置の全体斜視図である。図４において、Ｘ方向はベース１２の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。スペーサ散布装置１０は、インクを吐出するインクジェットヘッド（以下、単にヘッドと呼ぶ）２０と、基板７０を載置するテーブル４６とを主として構成されている。なお、スペーサ散布装置１０の動作は、制御装置２３により制御されるようになっている。
【００２８】
基板７０を載置するテーブル４６は、ガラス等の透明材料によって構成されている。このテーブル４６は、第１移動手段１４によりＹ方向に移動および位置決め可能とされ、モータ４４によりθｚ方向に揺動および位置決め可能とされている。
一方、ヘッド２０は、第２移動手段１６によりＸ方向に移動および位置決め可能とされ、リニアモータ６２によりＺ方向に移動および位置決め可能とされている。またヘッド２０は、モータ６４，６６，６８により、それぞれα，β，γ方向に揺動および位置決め可能とされている。これにより、スペーサ散布装置１０は、ヘッド２０のインク吐出面２０Ｐと、テーブル４６に載置される基板７０との相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールすることができるようになっている。
【００２９】
ここで、ヘッド２０の構造例について、図５を参照して説明する。図５は、インクジェットヘッドの側面断面図である。ヘッド２０は、液滴吐出方式によりインク９６をノズル９１から吐出するものである。液滴吐出方式として、圧電体素子としてのピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式や、インクを加熱して発生した泡（バブル）によりインクを吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、インクに熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。そこで、図５のヘッド２０には、上述したピエゾ方式が採用されている。
【００３０】
ヘッド２０のヘッド本体９０には、リザーバ９５およびリザーバ９５から分岐された複数のインク室９３が形成されている。リザーバ９５は、各インク室９３にインクを供給するための流路になっている。また、ヘッド本体９０の下端面には、インク吐出面を構成するノズルプレートが装着されている。そのノズルプレートには、インクを吐出する複数のノズル９１が、各インク室９３に対応して開口されている。そして、各インク室９３から対応するノズル９１に向かって、インク流路が形成されている。一方、ヘッド本体９０の上端面には、振動板９４が装着されている。なお、振動板９４は各インク室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各インク室９３に対応して、ピエゾ素子９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、ＰＺＴ(PbTiO3 と PbZrO3の混合セラミックス)等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路９９に接続されている。
【００３１】
そして、駆動回路９９からピエゾ素子９２に電圧を印加すると、ピエゾ素子９２が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子９２が収縮変形すると、インク室９３の圧力が低下して、リザーバ９５からインク室９３にインク９６が流入する。またピエゾ素子９２が膨張変形すると、インク室９３の圧力が増加して、ノズル９１からインク９６が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子９２への印加電圧を制御することにより、インク９６の吐出条件を制御しうるようになっている。
【００３２】
なお、図４に示すキャッピングユニット２２は、ヘッド２０におけるインク吐出面２０Ｐの乾燥を防止するため、スペーサ散布装置１０の待機時にインク吐出面２０Ｐをキャッピングするものである。またクリーニングユニット２４は、ヘッド２０におけるノズルの目詰まりを取り除くため、ノズルの内部を吸引するものである。なおクリーニングユニット２４は、ヘッド２０におけるインク吐出面２０Ｐの汚れを取り除くため、インク吐出面２０Ｐのワイピングを行うことも可能である。
【００３３】
図６は、スペーサ散布装置の正面図である。テーブル４６の下方には、レーザ光源５０が配置されている。このレーザ光源５０には、ＹＡＧレーザやガスレーザ、半導体レーザなど、あらゆるレーザを採用することが可能である。一例を挙げれば、波長約８００ｎｍ、出力１００Ｗ／ｍ２のＣＯ２レーザを採用することができる。このレーザ光源５０および次述する光学素子５２は、ヘッド２０と連動して、水平方向に移動しうるように形成されている。
【００３４】
また、テーブル４６とレーザ光源５０との間には、レーザ光源５０から照射されたレーザ光を平行光に変換し、基板７０に対して垂直に入射させる光学素子５２が配置されている。この光学素子５２により、基板７０における開口部の形成領域に対して正確に光を照射することが可能になる。光学素子５２として、コリメータレンズや回折素子等を採用することが可能である。なお後述するように、基板７０における開口部の形成領域のみに対して選択的にレーザ光を照射してもよい。この場合は光学素子５２として、複数の微小なコリメータレンズを集合配置したマイクロレンズアレイを採用することが望ましい。
【００３５】
［液晶表示装置の製造方法］
次に、上記スペーサ散布装置を使用した液晶表示装置の製造方法につき、図６を用いて説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、基板７０の裏側からレーザ光を照射しつつ、基板７０の表側からスペーサ粒子５を散布することにより、基板７０における遮光膜７７の形成領域にスペーサ粒子５を配置するものである。
【００３６】
まず、ヘッド２０から吐出するインクを作製する。具体的には、公知の方法でまず熱可塑性接着剤をスペーサ５の表面に塗布する。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等に分散させて、吐出用のインクを作製する。一方、テーブル４６の上面に、遮光膜７７を含むすべての機能層が形成された基板７０を載置する。なお、図６に示す基板７０では、遮光膜７７以外の機能層の記載を省略している。
【００３７】
次に、基板７０とヘッド２０とを所定の相対位置に移動させる。本実施形態では、基板７０における遮光膜７７の形成領域に向かって液滴８を吐出する。そこで、基板７０における遮光膜７７の形成領域の上方に、ヘッド２０のノズル９１（図５参照）が位置するように、テーブル４６および／またはヘッド２０を水平方向に移動させる。また後述するように、図６に示すヘッド２０から吐出されたスペーサ５を含む液滴８が、基板７０に着弾する際の速度を、ほぼ０とすることが望ましい。そのためには、ヘッド２０からの液滴８の吐出速度等との関係で、ヘッド２０と基板７０との垂直方向距離を適当に設定する必要がある。そこで、上記関係を満たすように、基板７０に対してヘッド２０を垂直方向に移動させる。
【００３８】
次に、レーザ光源５０から基板７０の裏側に向かってレーザ光を照射する。ここで、遮光膜７７の形成領域に照射されたレーザ光は、遮光膜７７に吸収されて基板７０を透過しない。一方、開口部７８の形成領域に照射されたレーザ光は、図２に示す透明な絶縁膜７９、対向電極７２および配向膜７４を透過して、図６に示すように基板７０の表側から出射される。なお、遮光膜７７に向かってレーザ光を照射することなく、開口部７８のみに向かってレーザ光を照射することが望ましい。この場合、遮光膜７７によるレーザ光の吸収がなくなるので、基板７０の発熱を防止することができる。
【００３９】
そして、ヘッド２０からスペーサ５を含む液滴８を吐出する。なお、吐出された液滴８が基板７０に到達するまでに、液滴８に含まれる分散媒６が蒸発して、スペーサ５のみが基板７０に着弾する。ここで、遮光膜７７の形成領域に向かって吐出されたスペーサ５のほとんどは、そのまま遮光膜７７の形成領域に着弾する。もっとも、ヘッド２０の位置ばらつき等により、一部のスペーサ５ａは開口部７８の形成領域に侵入する。しかしながら、開口部７８の形成領域では、基板７０の裏側から表側に向かってレーザ光５１が照射されている。このレーザ光５１の光圧により、当該スペーサは進路を曲げられて開口部７８の形成領域からはじき出され、遮光膜７７の形成領域に着弾する。したがって、すべてのスペーサを遮光膜７７の形成領域に配置することができる。
【００４０】
なお、ヘッド２０から吐出されたスペーサ５を含む液滴８は、空気抵抗を受けて減速される。そして、スペーサ５が基板７０に着弾する際の速度を、ほぼ０とすることが望ましい。これにより、開口部７８の形成領域に侵入したスペーサ５ａの進路を、レーザ光５１の光圧によって確実に曲げることができる。したがって、スペーサ５ａを遮光膜７７の形成領域に対して確実に配置することができる。なお、スペーサ５が基板７０に着弾する際の速度の制御は、ヘッド２０からの液滴８の吐出速度や、ヘッド２０と基板７０との垂直方向距離等を適当に設定することによって行うことが可能である。一例を挙げれば、ヘッド２０からの液滴８の吐出速度を３ｍ／ｓとし、ヘッド２０と基板７０との垂直方向距離を３．７ｍｍとした場合に、スペーサ５が基板７０に着弾する際の速度をほぼ０とすることができる。
【００４１】
またスペーサ５の吐出は、スペーサ５とは反対の電荷に遮光膜７７を帯電させた状態で行うことが望ましい。これにより、開口部７８の形成領域に侵入したスペーサ５ａを、遮光膜７７の形成領域に引き付けることができる。したがって、吐出されたスペーサ５を遮光膜７７の形成領域に対して確実に配置することができる。一般に、微小粒子であるスペーサ５はマイナスに帯電するので、遮光膜７７をプラスに帯電させた状態でスペーサ５を吐出すればよい。
【００４２】
なお、大型の基板７０に対してスペーサ５を散布する場合には、基板７０における複数の領域に対してレーザ光源５０、光学素子５２およびヘッド２０を順次移動させ、各領域においてレーザ光の照射およびスペーサの吐出を順次行えばよい。なお、レーザ光源５０やヘッド２０等を移動させる代わりに、基板７０を移動させてもよい。これにより、大型の基板７０を使用する場合でも、遮光膜７７の形成領域に対してスペーサ５を配置することができる。また、小型のレーザ光源５０およびヘッド２０を採用することが可能になり、スペーサ散布装置の製造コストを低減することができる。
【００４３】
以上のようにスペーサ５を配置した後は、スペーサ５の表面に形成されている接着層を加熱して溶解させる。これにより、スペーサが基板７０の表面に接着される。次に、図２に示すように、下基板７０の内側にシール材３を塗布して上基板８０を貼り合わせる。そして、シール材３の一部に形成された液晶注入口から液晶材料を注入する。なお、基板７０の表面に液晶材料を塗布した上で、上基板８０を貼り合わせてもよい。いずれにしても、スペーサ５は下基板７０の表面に接着されているので、スペーサ５を移動させることなく液晶材料を充填することができる。
以上により、液晶表示装置が完成する。
【００４４】
以上に詳述した本実施形態では、図６に示すように、基板７０における遮光膜７７の形成領域にスペーサ５を配置するため、基板７０の裏側から開口部７８の形成領域に向かってレーザ光５１を照射しつつ、基板７０の表側からスペーサ５を散布する構成とした。この構成によれば、開口部７８の形成領域に散布されたスペーサ５ａが、当該領域に照射されているレーザ光５１の光圧により進路を曲げられて、遮光膜７７の形成領域に着弾する。したがって、遮光膜７７の形成領域に効率よくスペーサ５ａを配置することができる。なお、遮光膜７７の形成領域に照射されたレーザ光はその遮光膜７７によって吸収されるので、開口部７８の形成領域のみに対して正確にレーザ光５１を照射することが可能である。したがって、遮光膜７７の形成領域に対して正確にスペーサ５を配置することができる。
【００４５】
一般的な液晶表示装置では、画素領域の周辺部に遮光膜７７が形成されているので、本実施形態を適用することにより、画素領域以外の領域に対してスペーサ５を簡単かつ確実に配置することができる。これにより、コントラスト低下や彩度低下などを防止することが可能になり、表示品質に優れた液晶表示装置を提供することができる。なお近時では、液晶表示装置の高精細化により、開口率の拡大とともに遮光膜の線幅が狭くなっている。この場合でも、本実施形態を適用することにより、遮光膜７７の形成領域に対して正確にスペーサ５を配置することができるのである。
【００４６】
なお本実施形態では、モノクロ表示用の液晶表示装置におけるスペーサの散布方法について説明した。これに対して、カラー表示用の液晶表示装置では、下基板における遮光膜の開口部に、赤、緑または青の各色光を透過する複数のカラーフィルタが形成されている。この場合には、光源として白色光源を採用することが望ましい。これにより、光源光の一部が各カラーフィルタを透過するので、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお白色光源の代わりに、各カラーフィルタの透過波長のレーザ光源を複数設置して、各カラーフィルタに対して透過波長のレーザ光源を選択的に使用する構成としてもよい。
【００４７】
［電子機器］
次に、本実施形態のデバイス製造方法を使用して製造した電子機器につき、図７を用いて説明する。図７は、携帯電話の斜視図である。図７において符号１０００は携帯電話を示し、符号１００１は表示部を示している。この携帯電話１０００には、本実施形態のデバイス製造方法を使用して製造した液晶表示装置が表示部１００１に採用されている。したがって、表示品質に優れた携帯電話１０００を低コストで提供することができる。
【００４８】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記には液晶表示装置における下基板の表面にスペーサを散布したが、上基板の表面にスペーサを散布する場合に本発明を適用することも可能である。なお上基板には、画素領域の周辺部に形成されたスイッチング素子に対する光の入射を防止するため、遮光膜が形成されている場合がある。そこで、この遮光膜を利用することにより、本実施形態と同様に、画素領域以外の領域にスペーサを散布することができる。
【００４９】
また、上記には液晶表示装置においてスペーサ粒子を散布する場合を例にして説明したが、金属配線を形成する場合にも本発明を適用することが可能である。この場合、基板表面に形成された金属膜を遮光膜として、基板裏側からレーザ光を照射しつつ、金属膜の表面に金属微粒子を散布することにより、抵抗率の小さい金属配線を低コストで形成することが可能になる。これを応用して、プラズマディスプレイ装置における表示電極の高抵抗率を補うための補助電極（バス電極）等を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における側面断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線における平面断面図である。
【図４】スペーサ散布装置の全体斜視図である。
【図５】インクジェットヘッドの側面断面図である。
【図６】スペーサ散布装置の正面図である。
【図７】携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
５スペーサ  ５ａスペーサ  ２０インクジェットヘッド  ５１レーザ光  ７０基板  ７７遮光膜  ７８開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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