(57)【要約】【課題】  ワ−クの寸法よりも小さい寸法の研磨パッドを備えたバッチ式研磨装置を用いて、光学ガラス基板を研磨加工し、研磨ワ−クの表面平坦度を０．１μｍ以下としたい。【解決手段】  回転軸２７に軸承された吸着チャック２８ａ上に長方形状ワ−クｗを載置し、この長方形状ワ−ク上方に設けられた中空回転軸３７に軸承された円帯、楕円帯、または正三角形帯の帯状研磨パッド３９を用い、研磨剤液３１を中空回転軸３７の中空部を経由して長方形状ワ−ク表面と帯状研磨パッド間に供給しながら回転する前記吸着チャック２８ａを左右方向に１０〜１００ｍｍ幅往復揺動させつつ、かつ、帯状研磨パッドの中心点Ｑは、帯状研磨パッドを軸承する中空回転軸の軸心の延長上にあり、長方形状ワ−クを左右に揺動する前の角形ワ−クの中心点Ｏ座標（Ｘ，Ｙ）を（０，０）としたとき、このＸＹ座標により４分割された長方形の１つの面上に帯状研磨パッドの中心点Ｑが位置するようにして帯状研磨パッド３９を長方形状ワ−ク表面に押圧しつつ回転させて角形ワ−ク表面を平坦化する方法。【選択図】  図１
2005254416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸に軸承された吸着チャック上に角形ワ−クを載置し、この角形ワ−ク上方に設けられた中空回転軸に軸承された帯状研磨パッドを用い、角形ワ−ク表面と帯状研磨パッド間に研磨剤液を介在させながら回転する前記吸着チャックを左右方向に１０〜１００ｍｍ幅往復揺動させつつ、前記帯状研磨パッドを角形ワ−ク表面に押圧しつつ回転させて角形ワ−ク表面を平坦化する角形ワ−クの研磨方法において、
（１）前記角形ワ−クは、横（Ｘ座標方向）の長さ（単位ｍｍ）が２ａ、縦（Ｙ座標方向）の長さが２ｂ（但し、１．８ｂ≧ａ≧１．３ｂである。）の長方形状物であり、
（２）帯状研磨パッドは、中央部を面積比（刳り貫いた部分の面積／刳り貫く前の面積）で１／４〜２／３を円形または楕円形に刳り貫いた円帯、楕円帯、または正三角形帯の形状を示し、その帯状研磨パッドの外径は、
円帯のとき、その外径Ｌ（単位ｍｍ）は、
〔（ａ２＋ｂ２）1／２＋５０〕≧Ｌ≧（ａ２＋ｂ２）1／２を満たすものであり、
楕円帯のとき、その外長径Ｌ（単位ｍｍ）は、（ａ＋１００）≧Ｌ≧（ａ＋５０）を、外短径ｌ（単位ｍｍ）は、（ｂ＋１００）≧ｌ≧（ｂ＋５０）を満たすものであり、
正三角形帯のとき、その一辺Ｌ（単位ｍｍ）は、
〔（ａ２＋ｂ２）1／２＋５０〕≧Ｌ≧（ａ２＋ｂ２）1／２を満たすものであり、
（３）帯状研磨パッドの中心点Ｑは、帯状研磨パッドを軸承する中空回転軸の軸心の延長上にあり、角形ワ−クを左右に揺動する前の角形ワ−クの中心点Ｏ座標（Ｘ，Ｙ）を（０，０）としたとき、このＸＹ座標により４分割された長方形の１つの面上に帯状研磨パッドの中心点Ｑは位置し、
（４）研磨剤液は、帯状研磨パッドを軸承する中空回転軸の中空部を経由して帯状研磨パッドの帯内に供給される、
ことを特徴とする、角形ワ−クの研磨方法。
【請求項２】
帯状研磨パッドは、角径ワ−クと接する側の表面に帯の内方から帯の外方に向かって弧状の溝が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の角形ワ−クの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＴｉＣ基板、セラミック基板、シリコン基板等の長方形状のワ−クの表面を研磨して０．１μｍ以下の表面平坦度に平坦化する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示板に用いるガラス基板の研磨方法としては、搬送テ−ブル上に角形ワ−クを複数固定し、搬送テ−ブルを右方向に移動しつつ、この搬送テ−ブルの上方に並列させた複数の研磨パッドを回転および前後方向に揺動させながら角形ワ−クを押圧し、摺擦して角形ワ−ク表面を平坦化する連続研磨方法が行われている。
【０００３】
上記連続研磨方法では、用いる連続研磨装置は巨大なものとなるため、角形ワ−クを保持して回転中心Ｏ１を中心に回転させられるキャリアと、キャリアに対向配置されていて角形ワ−クの面に接しつつ回転中心Ｏ２を中心として回転される研磨定盤（パッド）とを用い、前記キャリアおよび研磨定盤がそれぞれ回転中に、回転中心Ｏ１が回転中心Ｏ２を中心として半径Δの円運動を行うようにするため、回転中心Ｏ２を中心に回転する回転第を設け、この回転台上に前記キャリアを配置したバッチ式平面研磨装置が提案され、実用化されてる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、セラミック製のガラス板保持側上定盤のガラス板貼付面に長方形状フロ−トガラス板を貼り付けて保持し、このガラス板保持側上定盤の下方に対向配置した回転するポリシング下定盤面に研磨剤液を供給しつつ前記長方形状フロ−トガラス板を押し付けながらガラス板保持側上定盤を回転させるとともに下定盤のポリシング面と平行方向に揺動させて摺擦して３μｍ以下の平坦度とする研磨方法も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
一方、円形ワ−ク（半導体基板）を保持して回転させるための回転テ−ブルと、この回転テ−ブルを支持してガイドテ−ブル上を左右方向へ移動させるためのスライダを備えた揺動機構と、前記回転テ−ブルの上方に設けた円形ワ−クの口径よりも大きい口径の研磨パッドと、前記回転テ−ブル上に載置された円形ワ−ク表面に研磨剤液を供給するノズルと、ワ−ク表面検出機器を備えた化学機械研磨装置を用い、円形状ワ−クの被研磨面と、この研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当接された研磨パッドの研磨面との間に研磨剤液を供給しつつ、回転テ−ブルを揺動させて基板の研磨を行う方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開２０００−０４２９１１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１８４８１号公報
【特許文献３】特開平９−３００２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述の特許文献１に記載される平面研磨装置は、角形ワ−クを保持するキャリア径よりも大きい口径の研磨パッド（上定盤）を用い、かつ、キャリアを覆って研磨を行うため、研磨中のワ−クの研磨状態を観察することができないし、研磨パッドを支持する機構が大きくなる。特許文献２に記載の研磨方法は、研磨されるワ−クが上定盤に貼りつけられるため、研磨終了後のフロ−トガラス板の洗浄に接着剤を除去する必要があり、手間を要する。また、研磨中のワ−クの研磨状態を観察することができない。特許文献３に記載される化学機械研磨装置は、研磨中、フロ−トガラス板の研磨状態を観察できるが、ワ−クを載せる回転テ−ブルに対し、大きい口径の研磨パッド（上定盤）を用いるため、研磨パッドを支持する機構が大きくなる。さらに、前記のいずれの特許文献に記載される研磨剤液供給手段は、直接、下定盤に供給するため、有効に使用される研磨剤液量が少ない。
【０００７】
本発明者等は、特許文献３に開示されるワ−クを載置する回転テ−ブルを左右に往復揺動しながら長方形状ワ−クを研磨する方式において、ワ−クテ−ブルの口径より小さい口径の研磨パッドを用いて長方形状ワ−クを研磨したところ、研磨ワ−クの中央部の研磨取り代ろが外縁より大きく、厚みが薄くなることと、研磨ワ−クの外周縁部の厚み分布にバラツキがあることを見出した。
本発明の目的の第１は、研磨中にワ−クの研磨状態が目視可能で、平坦度が０．１μｍ以下の平坦度の研磨ワ−クが得られる角形ワ−クの研磨方法の提供にある。本発明の他の目的は、研磨剤液を有効に利用できる研磨剤液の供給方法にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、回転軸に軸承された吸着チャック上に角形ワ−クを載置し、この角形ワ−ク上方に設けられた中空回転軸に軸承された帯状研磨パッドを用い、角形ワ−ク表面と帯状研磨パッド間に研磨剤液を介在させながら回転する前記吸着チャックを左右方向に１０〜１００ｍｍ幅往復揺動させつつ、前記帯状研磨パッドを角形ワ−ク表面に押圧しつつ回転させて角形ワ−ク表面を平坦化する角形ワ−クの研磨方法において、
（１）前記角形ワ−クは、横（Ｘ座標方向）の長さ（単位ｍｍ）が２ａ、縦（Ｙ座標方向）の長さが２ｂ（但し、１．８ｂ≧ａ≧１．３ｂである。）の長方形状物であり、
（２）帯状研磨パッドは、中央部を面積比（刳り貫いた部分の面積／刳り貫く前の面積）で１／４〜２／３を円形または楕円形に刳り貫いた円帯、楕円帯、または正三角形帯の形状を示し、その帯状研磨パッドの外径は、
円帯のとき、その外径Ｌ（単位ｍｍ）は、
〔（ａ２＋ｂ２）1／２＋５０〕≧Ｌ≧（ａ２＋ｂ２）1／２を満たすものであり、
楕円帯のとき、その外長径Ｌ（単位ｍｍ）は、（ａ＋１００）≧Ｌ≧（ａ＋５０）を、外短径ｌ（単位ｍｍ）は、（ｂ＋１００）≧ｌ≧（ｂ＋５０）を満たすものであり、
正三角形帯のとき、その一辺Ｌ（単位ｍｍ）は、
〔（ａ２＋ｂ２）1／２＋５０〕≧Ｌ≧（ａ２＋ｂ２）1／２を満たすものであり、
（３）帯状研磨パッドの中心点Ｑは、帯状研磨パッドを軸承する中空回転軸の軸心の延長上にあり、角形ワ−クを左右に揺動する前の角形ワ−クの中心点Ｏ座標（Ｘ，Ｙ）を（０，０）としたとき、このＸＹ座標により４分割された長方形の１つの面上に帯状研磨パッドの中心点Ｑは位置し、
（４）研磨剤液は、帯状研磨パッドを軸承する中空回転軸の中空部を経由して帯状研磨パッドの帯内に供給される、
ことを特徴とする、角形ワ−クの研磨方法を提供するものである。
【０００９】
請求項２の発明は、前記角形ワ−クの研磨方法において、帯状研磨パッドは、角形ワ−クと接する側の表面に帯の内方から帯の外方に向かって弧状の溝が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
帯状研磨パッドの寸法は、角形ワ−クの寸法より小さいので、研磨中にワ−クの研磨状態が目視でき、観察できる。帯状研磨パッドは、中央部が刳り貫かれており、および、角形ワ−クが研磨中に左右に往復揺動されるので、角形ワ−クの中央部が外周縁よりも研磨過剰となることはなく、平坦度が０．１μｍ以下の研磨ガラス板が得られる。研磨剤液は、帯状研磨パッドを軸承する中空回転軸の中空部を経由して帯状研磨パッドの帯内に供給されるので、従来の研磨剤が研磨パット外へ供給される方式より研磨剤液が有効に利用される。さらに、研磨パット表面に帯の内方から帯の外方に向かう弧状の溝を設けたことにより研磨パットの回転遠心力により研磨パットの帯内の研磨剤液がこの溝を伝わって帯外へ排出され易くなっており、帯内での研磨剤液滞留が防止され、研磨剤液の使用量を減少できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
図１は研磨装置の一部を切り欠いた模式正面図、図２は回転テ−ブル上の角形ワ−クと帯状研磨パッドの相対的位置関係を示す表面図で、図２ａは楕円帯状研磨パッド、図２ｂは円帯状研磨パッド、図２ｃは正三角形帯状研磨パッドの場合である。図３は回転テ−ブル揺動速度の変化を示す図、および、図４は回転テ−ブル揺動時の角形ワ−クと楕円帯状研磨パッドの相対的位置関係を示す表面図である。
【００１２】
図１に示す平面研磨装置１において、２はワ−クステ−ション、３は工具ステ−ションである。ワ−クステ−ション２は、基台２１の上にガイドテ−ブル２２を設け、そのガイド上を滑走するスライダ２３と、そのスライダ２３上に回転駆動手段２６により回転される中空回転軸２７に軸承された回転テ−ブル２８を備えている。前記スライダ２３の底部には、サ−ボモ−タ２４による回転駆動を受けるボ−ルネジ２５と螺合する雌ネジを備える螺合体（図示されていない）が固定されており、角形ワ−クｗの中心点Ｏの位置座標（ＸＯ，ＹＯ，ＺＯ）と帯状研磨パッドの中心点Ｑの位置座標（ＸＱ，ＹＱ，ＺＱ）をリニアスケ−ルが読み取り、制御装置の記録部に送信されてきた信号を、記憶部に搭載された加工プログラムソフトに蓄積されたデ−タと比較部が比較し、演算し、加工プログラムソフトに従って制御装置の指示部からの指令を受けて駆動されたサ−ボモ−タ２４の回転により回転テ−ブル２８を左右方向（Ｘ座標方向）に往復移動させる。
【００１３】
前記中空回転軸２７の中空部には、ポ−ラスセラミックチャック板２８ａ製回転テ−ブル２８を減圧する減圧管と回転テ−ブル２８の底部に加圧空気を供給する加圧管を兼用する気体流通管（図示されていない）と回転テ−ブル２８の底部を冷却する冷却水を供給する液体供給管（図示されていない）が内蔵されており、ロ−タリ−ジョイント（図示されていない）を介して中空回転軸外部に設置されている真空ポンプや、コンプレッサ、液体ポンプに連結している配管および切替バルブ（いずれも図示されていない）を介して接続されている。
【００１４】
長方形状ワ−クｗは、前記回転テ−ブル２８上に載置された中央部を長方形状に刳り貫いた外周が円状のワ−ク治具２９の刳り貫き部内に挿入され、回転テ−ブル２８のポ−ラスセラミックチャック板２８ａ底部を真空ポンプで減圧することにより固定される。ワ−ク治具２９の高さは角形ワ−クの厚みより低い。
【００１５】
工具ステ−ション３は、基台２１上に設けた案内レ−ル４０上を滑走するスライダ４１上に起立して設けた支持部材３２の前面に散り付けられたガイド３３ａ上をサ−ボモ−タ４４の駆動を受けて回転するボ−ルネジ（図示されていない）の回転力により上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能に螺合体を介して取り付けられたスライド板３３の前面に取付部材３６を介して研磨ヘッド３５を固定している。研磨ヘッド３５は中空回転軸３７に軸承され、研磨ヘッド３５下面にはリング状の取付板３８を介して帯状の研磨パッド３９が接着剤で貼付されている。前記支持部材３２を据え付けるスライダ４１の底部には螺合体４２が固定され、ボ−ルネジ４３がネジ込まれている。図示されていないサ−ボモ−タの駆動を受けボ−ルネジ４３が回転し、スライダ４１を前後方向（Ｙ軸方向）に滑走させることにより角形ワ−クｗの中心点Ｏに対する帯状研磨パッド３９の中心点Ｑの相対的な位置合わせを可能としている。また、研磨時、研磨パッドの前後方向（Ｙ軸方向）の揺動を可能としている。帯状研磨パッド３９を前後方向に１０〜３０ｍｍ幅、１０〜５０ｍｍ／分の直線揺動速度で揺動する動きを追加することにより研磨ワ−クの表面平坦度は更に向上する。
【００１６】
前記中空回転軸３７の中空部には加圧空気供給管３０と研磨剤液供給管３１が内装されており、これら管３０，３１はロ−タリ−ジョイント４５を介して図示されていないコンプレッサやポンプに配管で連結されている。加圧空気および研磨剤液の出口は、帯状研磨パッド３９の中央部分の刳り貫き部に位置する。中空回転軸３７は、サ−ボモ−タ４５の回転駆動をプ−リ３４ａ、プ−リ−ベルト３４ｂおよび中空回転軸の外周に取り付けたプ−リ−３４ｃより受け、中空回転軸３７を回転駆動し、その駆動を受けて研磨ヘッド３５は回転する。
【００１７】
角形ワ−クｗは、横（Ｘ座標方向）の長さ（単位ｍｍ）が２ａ、縦（Ｙ座標方向）の長さが２ｂ（但し、１．８ｂ≧ａ≧１．３ｂである。）の長方形状物であり、ガラス基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＴｉＣ基板、セラミック基板、シリコン基板等が挙げられる。例えば、ガラス基板の寸法として、横寸法（２ａ）が６６０ｍｍ、縦寸法（２ｂ）が３７２ｍｍのデジタルテレビ用長方形基板（対角線長さは７５６ｍｍ）、横寸法４８２ｍｍ、縦寸法３７２ｍｍのアナログテレビ用長方形基板、横寸法３５０ｍｍ、縦寸法３００ｍｍの液晶表示器用長方形基板が挙げられる。
【００１８】
帯状研磨パッド３９は、中央部を面積比（刳り貫いた部分の面積／刳り貫く前の面積）で１／４〜２／３を円形または楕円形に刳り貫いた円帯、楕円帯、または正三角形帯の形状を示し、その帯状研磨パッドの外径は、角形ワ−クｗの横（２ａ）、縦（２ｂ）の寸法に応じる。
円帯のとき、その外径Ｌ（単位ｍｍ）は、
〔（ａ２＋ｂ２）1／２＋５０〕≧Ｌ≧（ａ２＋ｂ２）1／２を満たすものであり、
楕円帯のとき、その外長径Ｌ（単位ｍｍ）は、（ａ＋１００）≧Ｌ≧（ａ＋５０）を、外短径ｌ（単位ｍｍ）は、（ｂ＋１００）≧ｌ≧（ｂ＋５０）を満たすものであり、
正三角形帯のとき、その一辺Ｌ（単位ｍｍ）は、
〔（ａ２＋ｂ２）1／２＋５０〕≧Ｌ≧（ａ２＋ｂ２）1／２を満たすものである。
帯状研磨パッド３９の帯幅は、３５ｍｍ〜１００ｍｍ、好ましくは、５０〜８０ｍｍが好ましい。また、帯状研磨パッド３９の角形ワ−クと接する側の表面に帯の内方から帯の外方に向かって弧状の溝３９ａを４〜１６本設けるのが好ましい。
【００１９】
帯状研磨パッド３９の素材としては、硬質発泡ウレタンシ−ト、ポリエステル繊維不織布、フェルト、ポリビニ−ルアルコ−ル繊維不織布、ポリアミド繊維不織布等が挙げられる。これらシ−ト状物を帯状に刳り貫くことにより帯状研磨パッド３９が得られる。
【００２０】
研磨剤液としては、セリア系水分散剤、コロイダルシリカ系水分散剤、コロイダルアルミナ系水分散剤、過酸化水素／酢酸／水研磨液、テトラメチルアンモニウム・ヒドロキシド／ＫＯＨ／水研磨液等、基板の種類に応じて選択する。
【００２１】
研磨装置１のＸＹＺ位置座標は、公知のようにハイデン社、ジ−メンス社、ファナック株式会社、三菱電機株式会社等のリニアスケ−ルとリニアエンコ−ダを用いて測定できる。帯状研磨パッドの中心点Ｑは、帯状研磨パッド３９を軸承する中空回転軸３７の軸心の延長上にあり、図２ａおよび図４ａと図５ａに示すように、角形ワ−クを左右に揺動する前の角形ワ−クの中心点Ｏ位置座標（Ｘ，Ｙ）を基準点Ｏ’（０，０）としたとき、このＸＹ座標により４分割された長方形の１つの面上に帯状研磨パッドの中心点Ｑは位置する。帯状研磨パッドの中心点Ｑは、前記基準点Ｏ’に対し、４分割された長方形の対角線交点Ｒより５０ｍｍ以内の円周内に位置させるのが好ましく、４分割された長方形の対角線交点に帯状研磨パッドの中心点Ｑを設定すると加工プログラムソフトが設計し易いし、帯状研磨パッドを小型化できる。
【００２２】
研磨取り代量を決定するPrestonの式  Ｖ＝ｎ．Ｐ．ｖ．ｔ（ここで、Ｖは研磨速度、ｎは定数、ｖは研磨パッドとワ−クの相対線速、Ｐは研磨パッドとワ−クの接触圧、ｔは研磨パッドとワ−クの接触時間である。）は、均一な研磨を行う上で加工プログラムソフトを設計する上で参考とされる。ワ−クの各点においてＶをほぼ等しくするよう、Ｐ，ｖ、ｔを研磨パッドの素材、形状、ワ−ク形状、ワ−ク素材に応じて求めることとなる。しかしながら、揺動速度、接触圧Ｐを揺動位置で可変することは、加工プログラムソフトにより決定された指令速度に機械系が追従できないので、揺動位置の数点乃至数十点で揺動速度、接触圧Ｐを可変する、あるいは、接触圧Ｐを一定とし、揺動速度を可変する加工プログラムソフトが一般に設計され、この揺動速度、接触圧Ｐの条件は、予め実験を行い、最適結果を出した条件を加工プログラムに組み込む。
【００２３】
ワ−ク形状が長方形状であり、研磨パッドがワ−クより小さく、かつ、ワ−クが回転され、かつ、左右方向に揺動されて研磨パッドにより研磨されるので、中央部を面積比で１／４から２／３刳り貫いた帯状研磨パッドとすることにより、研磨ワ−クの中央部の研磨速度Ｖが研磨ワ−クの研磨速度より極端に大きくなることを防止し、研磨ワ−クの平坦度を均一とする。
【００２４】
角形ワ−クを左右に揺動する前の角形ワ−クの中心点Ｏ位置座標（Ｘ，Ｙ）を基準点Ｏ’（０，０）と一致させたとき、このＸＹ座標により４分割された長方形の１つの面上に帯状研磨パッドの中心点Ｑを位置させ、かつ、この帯状研磨パッドの中心点Ｑを前記基準点Ｏ’に対し、４分割された長方形の対角線交点Ｒより５０ｍｍ以内、好ましくは１０ｍｍ以内の円内に位置させることにより、角形ワ−クｗを載置している回転テ−ブル２８の左右（Ｘ軸方向）の揺動位置が決め易くなる。即ち、揺動幅をｘｍｍ（ｘ＝１０〜１００ｍｍ）としたとき、ワ−クの基準点位置Ｏ’において、帯状研磨パッドの中心点Ｑ（ＸＱ，ＹＱ，ＺＱ）の位置が４分割された長方形の対角線交点Ｒ座標位置（ＸＲ，ＹＲ，ＺＲ）から離れているＸ座標の距離（ＸＲ−ＸＱ）を求め、帯状研磨パッドの中心点Ｑより（ｘ／２−ＸＲ＋ＸＱ）ｍｍ幅右方向の距離が回転テ−ブルの揺動右端点ｆ、帯状研磨パッドの中心点Ｑより（ｘ／２＋ＸＲ−ＸＱ）ｍｍ幅左方向の距離が回転テ−ブルの揺動左端点ｅと決める。
【００２５】
角形ワ−クを研磨するには、回転軸２７に軸承された吸着チャック２８上に角形ワ−クｗをその中心点Ｏが回転軸２７の軸心延長上に存在するように載置し、この角形ワ−ク上方に設けられた中空回転軸３７に軸承された帯状研磨パッド３９を用い、角形ワ−ク表面と帯状研磨パッド間に研磨剤液３１を介在させながら１０〜５０ｒｐｍで回転する前記吸着チャック２８ａを左右方向に１０〜１００ｍｍ幅、１０〜１００ｍｍ／分の直線揺動速度で往復揺動させつつ、前記帯状研磨パッドを角形ワ−ク表面に１００〜２００ｇ／ｃｍ２で押圧しつつ２０〜２００ｒｐｍで回転させて角形ワ−ク表面を２〜２５μｍ研磨して平坦化する。回転テ−ブル２８と帯状研磨パッド３９の回転方向は、同一方向であっても異なった方向であってもよい。異なった回転方向であるほうが、研磨時間は短縮できる。
【００２６】
回転テ−ブル２８の左右方向揺動速度は、揺動幅ｘを８点から５０点位に均等分割し、前以って実験で最適条件を求める。揺動折り返し点ｆとｅにおける揺動速度は、当然０ｍｍ／分である。揺動速度は、図３（揺動距離５０ｍｍ、分割点１１点）に示すようにこの右端の揺動折り返し点ｆ近傍では長方形ワ−クに対するパッドの接触時間が長くなるように揺動速度を遅くし、左端の折り返し点ｅ近傍では長方形ワ−クに対するパッドの接触時間が短くなるように揺動速度を速くする。基準点Ｏからの揺動が１度、右端の揺動折り返し点ｆまで到達したら、以下、揺動折り返し点ｆとｅにおける揺動速度は図３に示すように繰り替えされる。
【００２７】
実施例１
横４８０ｍｍ、縦３７０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス板を、外径がＸ２／（２４０＋３０）２＋Ｙ２／（１６５＋３０）２＝１の楕円方程式を満たし（Ｌ＝２７０ｍｍ、ｌ＝１９５ｍｍ）、中央内径がＸ２／（２４０−２０）２＋Ｙ２／（１６５−２０）２＝１の楕円方程式を満たす楕円を刳り貫き、その表面に４本の弧状溝を彫刻した帯幅５０ｍｍ、厚み４．５ｍｍの硬質ポリウレタンフォ−ム製楕円帯状研磨パッドを用い、ガラス板を４分割した長方形の対角線交点に楕円帯状研磨パッドの中心点Ｑを置き、回転テ−ブル２８の揺動幅５０ｍｍを基準点Ｏから右（ｆ）に２５ｍｍ、左（ｅ）に２５ｍｍとし、この揺動幅５０ｍｍを直線揺動速度１０ｍｍ／分で揺動した。
【００２８】
研磨取り代量は１５μｍ、長方形ワ−クにかかる圧力は、研磨中、１００ｇ／ｃｍ２一定とした。研磨剤液としては、市販のセリ系水分散液を用い、回転テ−ブルの回転速度５０ｒｐｍ、研磨パッドの回転速度１００ｒｐｍの加工条件で行った。得られた研磨ガラス板の表面を純水で洗浄し、ついで、乾燥した。研磨ガラス板の表面平坦度は、０．１０μｍであった。
【００２９】
実施例２
実施例１において、回転テ−ブル２８の左右方向の揺動に加えて、帯状研磨パッド３９を前後方向（Ｙ軸方向）に２０ｍｍ幅、５ｍｍ／分の直線揺動速度で揺動させた。得られた研磨ガラス板の表面を純水で洗浄し、ついで、乾燥した。研磨ガラス板の表面平坦度は、０．０５μｍであった。
【００３０】
実施例３
横４８０ｍｍ、縦３７０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス板を、外径が３３０ｍｍ、内径が２００ｍｍの円帯状研磨パッドの表面に８本の弧状溝を彫刻した帯幅６５ｍｍ、厚み４．５ｍｍの硬質ポリウレタンフォ−ム製円帯状研磨パッドを用い、ガラス板を４分割した長方形の対角線交点に円帯状研磨パッドの中心点Ｑを置き、回転テ−ブル２８の揺動幅５０ｍｍを基準点Ｏ’から右（ｆ）に１５ｍｍ、左（ｅ）に３５ｍｍとし、この揺動幅５０ｍｍを直線揺動速度１０ｍｍ／分、揺動加速度変更ポイント８点で揺動して研磨を行った。研磨取り代量は１２μｍ、長方形ワ−クにかかる圧力は、研磨中、１００ｇ／ｃｍ２一定とした。研磨剤液としては、市販のセリ系水分散液を用い、回転テ−ブルの回転速度５０ｒｐｍ、研磨パッドの回転速度８０ｒｐｍの加工条件で行った。得られた研磨ガラス板の表面を純水で洗浄し、ついで、乾燥した。研磨ガラス板の表面平坦度は、０．０８μｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の角形ワ−クの研磨方法は、バッチ式の研磨装置を用い、表面平坦度が０．１μｍ以下と平坦性に優れる研磨加工ワ−クを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】研磨装置の一部を切り欠いた模式正面図である。
【図２】回転テ−ブル上の角形ワ−クと帯状研磨パッドの相対的位置関係を示す表面図である。
【図３】回転テ−ブルの揺動速度の変化を示す図である。
【図４】回転テ−ブル上の角形ワ−クと楕円帯状研磨パッドの相対的位置関係を示す表面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１    平面研磨装置
２    ワ−クステ−ション
３    工具ステ−ション
２１  基台
２２  ガイドテ−ブル
２３  スライダ
２４  サ−ボモ−タ
２５  ボ−ルネジ
２６  回転駆動手段
２７  中空回転軸
２８  回転テ−ブル
２８ａ  ポ−ラスセラミックチャック板
３０  加圧空気供給管
３１  研磨剤液供給管
３２  支持部材
３５  研磨ヘッド
３９  帯状研磨パッド
３９ａ  弧状溝
４５  モ−タ
ｗ    角形ワ−ク
Ｏ    角形ワ−ク中心点
Ｏ’  基準点
Ｑ    帯状研磨パッド中心点
【図１】
2005254416.tif 000003
【図２】
2005254416.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005254416.tif 000006