(57)【要約】【課題】  有機ＥＬディスプレイの画素ごとの輝度ばらつきを精度よく高速に測定し、輝度を補正する。【解決手段】  第１補正データメモリ３２３には行方向の第１補正データＤｈｙが記憶され、第２補正データメモリ３２４は列方向の第２補正データＤｈｘが記憶されている。第１演算回路３２５は第１補正データＤｈｙと第２補正データＤｈｘとに基づいて画素補正データＤＨを生成する。画素補正データＤＨは画素補正データメモリ３２６に記憶される。入力階調データＤｉｎは画素補正データＤＨによって補正され、出力階調データＤoutとして出力する。【選択図】      図５
2005250121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、
前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するために用いられ、前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応するブロック補正データを記憶した補正データ記憶手段と、
前記ブロック補正データに基づいて前記制御データを補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする駆動回路。
【請求項２】
前記複数のブロックは、互いに異なる区分け方法によって分割された複数のブロック群からなり、前記複数の電気光学素子の各々が２以上の前記ブロック群に属し、前記ブロック補正データは、前記複数のブロック群に属する複数系統のデータからなり、
前記補正手段は、複数系統の前記ブロック補正データを用いて前記制御データを補正する
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
前記補正手段は、
前記ブロック補正データに演算を施して画素ごとの画素補正データを生成する演算手段と、
前記画素補正データを記憶する記憶手段とを備え、
前記記憶手段から読み出した前記画素補正データを用いて前記制御データを補正することを特徴とする請求項１又は２に記載の駆動回路。
【請求項４】
前記補正手段は、
前記制御データの制御対象となる画素を特定する特定手段と、
前記ブロック補正データに演算を施して、前記特定手段によって特定された画素について画素補正データを生成する演算手段とを備え、
生成された前記画素補正データを用いて前記制御データを補正することを特徴とする請求項１又は２に記載の駆動回路。
【請求項５】
前記制御データは、前記電気光学素子の発光輝度を制御可能であって前記複数のブロック群の各々に対応した個別制御データからなり、
前記補正手段は、前記個別制御データに対応する前記ブロック群の前記ブロック補正データを用いて当該個別制御データを補正する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の駆動回路。
【請求項６】
請求項１乃至５に記載の駆動回路と、
電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、
前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次表示させる画像制御手段と、
前記電気光学素子に供給される電流を前記ブロックごとに計測してブロック電流として出力する電流計測手段と、
所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分に基づいて前記ブロック補正データを生成する補正データ生成手段と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記電気光学素子は有機発光ダイオードであることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の電気光学装置を表示手段として備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを生成する手段と、前記画素領域を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群の各々について前記ブロックごとに前記制御データを補正するためのブロック補正データを記憶する手段とを備えた電気光学装置を駆動する駆動方法であって、
複数系統の前記ブロック補正データに演算を施して画素ごとの画素補正データを生成し、
生成した前記画素補正データを記憶し、
記憶した前記画素補正データを用いて前記制御データを補正する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１０】
複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを生成する手段と、前記画素領域を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群の各々について前記ブロックごとに前記制御データを補正するためのブロック補正データを記憶する手段とを備えた電気光学装置を駆動する駆動方法であって、
前記制御データの制御対象となる画素を特定し、
前記ブロック補正データに演算を施して、特定された画素について画素補正データを生成し、
生成された前記画素補正データを用いて前記制御データを補正する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１１】
複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記画素領域を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群の各々について前記ブロックごとにブロック補正データを記憶した手段とを備えた電気光学装置を駆動する駆動方法であって、
前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを生成し、
前記制御データは、前記複数のブロック群の各々に対応した個別制御データからなり、
前記個別制御データに対応する前記ブロック群の前記ブロック補正データを用いて前記個別制御データを補正する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記電気光学素子は電流によって駆動され、
前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次表示させ、
前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測し、
所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分に基づいて前記ブロック補正データを生成する、
ことを特徴とする請求項９乃至１１のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード等の電気光学素子を用いた電気光学装置、その駆動回路及び駆動方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に替わる電気光学装置として、有機発光ダイオード素子（以下、ＯＬＥＤ素子と称する。）を備えた装置が注目されている。ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子は、電気的にはダイオードのように動作し、光学的には、順バイアス時に発光して順バイアス電流の増加にともなって発光輝度が増加する。
【０００３】
ＯＬＥＤ素子をマトリクス状に配列した電気光学装置は、アクティブ型とパッシブ型に大別される。いずれの場合も様々な要因によりＯＬＥＤ素子に流れる電流がばらつく。アクティブ型の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線を備え、走査線とデータ線の交差に対応して画素回路が各々設けられている。各画素回路は、各ＯＬＥＤ素子に電流を供給するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を有する。アクティブ型の電気光学装置は、ＴＦＴの特性やアナログデータの書き込み精度等に起因してＯＬＥＤ素子に流れる電流がばらつく。一方、パッシブ型の電気光学装置にあっては、電流経路の抵抗成分や容量成分の影響で、一定時間内にＯＬＥＤ素子に供給する電流がばらつく。
【０００４】
ＯＬＥＤ素子に流れる電流のばらつきを改善する技術として、各ＯＬＥＤ素子に流れる電流を測定し、測定結果に基づいて補正値を生成し、画像データを補正する手法が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開平２００３−２０２８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の技術のように画素毎に電流を測定するのでは、全ての画素について電流を測定するのに時間がかかる。特に、大画面の電気光学装置にあっては、画素数が多いので大きな問題となる。
【０００７】
本発明は上述した問題に鑑みてなされたものであり、簡易な計測で補正を実行可能な電気光学装置、その駆動回路及び駆動方法、並びに電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するため、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域を備えた電気光学装置を駆動するものであって、前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを補正するために用いられ、前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応するブロック補正データを記憶した補正データ記憶手段と、前記ブロック補正データに基づいて前記制御データを補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、ブロック単位でブロック補正データを記憶するので、補正データ記憶手段の記憶容量を削減することができる。ここで、ブロック補正データに基づいてとは、ブロック補正データを直接用いる場合と、それから生成されたデータを用いて補正する場合の両者が含まれる。補正データ記憶手段は不揮発性メモリで構成されることが好ましい。また、電気光学素子とは、電気エネルギーによって光学特性が変化する素子の意味であり、有機発光ダイオードや無機発光ダイオード等の自発光素子が含まれる。また、ブロックの分割手法としては、ランダムに輝度のばらつきを測定した場合に比べて、ブロックごと輝度のばらつきが大きくなるように定めることが好ましい。ばらつきの要因としては、１個のドライバ内における出力のばらつき、複数個のドライバを使用する場合においてドライバ間の出力のばらつき、電気光学素子を含む画素回路を構成するトランジスタを形成するプロセスにおけるばらつき、電気光学素子を形成するプロセスにおけるばらつきが含まれる。従って、電気光学装置の製造プロセスにおけるばらつきが反映されるようにブロックを分割することが好ましい。
【００１０】
上述した駆動回路において、前記複数のブロックは、互いに異なる区分け方法によって分割された複数のブロック群からなり、前記複数の電気光学素子の各々が２以上の前記ブロック群に属し、前記ブロック補正データは、前記複数のブロック群に属する複数系統のデータからなり、前記補正手段は、複数系統の前記ブロック補正データを用いて前記制御データを補正することが好ましい。この場合には、電気光学素子が複数のブロック群に含まれるので、複数系統のブロック補正データから正確に制御データを補正することが可能となる。例えば、電気光学素子がｍ行ｎ列に配列されている場合、第１ブロック群として行方向にｍ個のブロックに分割する一方、第２ブロック群として列方向にｎ個のブロックに分割してもよい。
【００１１】
上述した駆動回路において、前記補正手段は、前記ブロック補正データに演算を施して画素ごとの画素補正データを生成する演算手段と、前記画素補正データを記憶する記憶手段とを備え、前記記憶手段から読み出した前記画素補正データを用いて前記制御データを補正することが好ましい。この場合は、画素補正データを記憶手段に保存するので、常に演算処理を実行して画素補正データを生成する必要がない。従って、演算手段はリアルタイムで画素補正データを生成する必要がないので構成を簡易なものにすることができる。例えば、電気光学装置に電源が投入された直後の初期化期間に演算手段を用いて画素補正データを生成して記憶手段に保存すればよい。また、記憶手段はＳＲＡＭやＤＲＡＭ等の揮発性メモリであってもよい。
【００１２】
上述した駆動回路において、前記補正手段は、前記制御データの制御対象となる画素を特定する特定手段と、前記ブロック補正データに演算を施して、前記特定手段によって特定された画素について画素補正データを生成する演算手段とを備え、生成された前記画素補正データを用いて前記制御データを補正することが好ましい。この場合は、リアルタイムで画素補正データを生成するので、これを記憶する記憶手段を設ける必要がなくなる。
【００１３】
上述した駆動回路において、前記制御データは、前記電気光学素子の発光輝度を制御可能であって前記複数のブロック群の各々に対応した個別制御データからなり、前記補正手段は、前記個別制御データに対応する前記ブロック群の前記ブロック補正データを用いて当該個別制御データを補正してもよい。例えば、複数のブロック群が行方向に分割された第１ブロック群と列方向に分割された第２ブロック群とからなる場合には、列方向に配置される各データ線に駆動電流又は駆動電圧を供給するデータ線駆動回路において、第１ブロック群に対応する補正を実行し、各行に配置される電気光学素子の発光期間を走査線駆動回路で制御し第２ブロック群に対応する補正を実行してもよい。
【００１４】
次に、本発明に係る電気光学装置は、上述した駆動回路と、電流によって駆動される複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次表示させる画像制御手段と、前記電気光学素子に供給される電流を前記ブロックごとに計測してブロック電流として出力する電流計測手段と、所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分に基づいて前記ブロック補正データを生成する補正データ生成手段と、を備えることが好ましい。この発明によれば、電気光学装置自身が電流計測手段を備えるので、経時変化によって電気光学装置の構成要素の電気的特性が変化しても、これを考慮して制御データを補正することが可能となる。ここで、前記電気光学素子は有機発光ダイオードであることが好ましい。
【００１５】
次に、本発明に係る電子機器は、前記電気光学装置を表示手段として備えたことを特徴とし、例えば、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、ＰＤＡ、電卓等が該当する。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを生成する手段と、前記画素領域を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群の各々について前記ブロックごとに前記制御データを補正するためのブロック補正データを記憶する手段とを備えた電気光学装置を駆動するものであって、複数系統の前記ブロック補正データに演算を施して画素ごとの画素補正データを生成し、生成した前記画素補正データを記憶し、記憶した前記画素補正データを用いて前記制御データを補正することを特徴とする。この発明によれば、画素補正データを記憶するので、常に演算処理を実行して画素補正データを生成する必要がない。従って、演算処理の負荷を軽減することができる。
【００１７】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを生成する手段と、前記画素領域を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群の各々について前記ブロックごとに前記制御データを補正するためのブロック補正データを記憶する手段とを備えた電気光学装置を駆動するものであって、前記制御データの制御対象となる画素を特定し、前記ブロック補正データに演算を施して、特定された画素について画素補正データを生成し、生成された前記画素補正データを用いて前記制御データを補正することを特徴とする。この発明によれば、リアルタイムで画素補正データを生成するので、画素補正データの記憶を不要にできる。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子がマトリクス状に配列された画素領域と、前記画素領域を互いに異なる区分け方法によって分割した複数のブロック群の各々について前記ブロックごとにブロック補正データを記憶した手段とを備えた電気光学装置を駆動するものであって、前記電気光学素子の発光輝度を制御する制御データを生成し、前記制御データは、前記複数のブロック群の各々に対応した個別制御データからなり、前記個別制御データに対応する前記ブロック群の前記ブロック補正データを用いて前記個別制御データを補正することを特徴とする。ブロック単位で補正を実行するので、補正処理を簡易にすることができる。
【００１９】
また、上述した電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学素子は電流によって駆動され、前記画素領域を分割した複数のブロックに各々対応する画像パターンを順次表示させ、前記ブロック毎に前記電気光学素子に供給される電流をブロック電流として計測し、所定の基準電流値に対する前記ブロック電流の差分に基づいて前記ブロック補正データを生成することが好ましい。この発明によれば、電流計測を実行するので、経時変化によって電気光学装置の構成要素の電気的特性が変化しても、これを考慮して制御データを補正することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の概略構成を示すブロック図である。電気光学装置１は、画素領域Ａ、走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２００、制御回路３００及び電源回路５５０を備える。このうち、画素領域Ａには、Ｘ方向と平行にｍ本の走査線１０１及びｍ本の発光制御線１０２が形成される。また、Ｘ方向と直交するＹ方向と平行にｎ本のデータ線１０３が形成される。そして、走査線１０１とデータ線１０３との各交差に対応して画素回路４００が各々設けられている。画素回路４００はＯＬＥＤ素子を含む。また、各画素回路４００には、電源電圧Ｖｄｄが電源線Ｌを介して供給される。
【００２１】
走査線駆動回路１００は、複数の走査線１０１を順次選択するための走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍを生成すると共に発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍを生成する。走査信号Ｙ１はＹ転送開始パルスＤＹをＹクロック信号ＹＣＬＫに同期して順次転送することにより生成される。発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍは、各発光制御線１０２を介して各画素回路４００に各々供給される。図２に走査信号Ｙ１〜Ｙｍと発光制御信号Ｖｇ１〜Ｖｇｍのタイミングチャートの一例を示す。
【００２２】
走査信号Ｙ１は、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初のタイミングから、１水平走査期間（１Ｈ）に相当する幅のパルスであって、１行目の走査線１０１に供給される。以降、このパルスを順次シフトして、２、３、…、ｍ行目の走査線１０１の各々に走査信号Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍとして供給する。一般的にｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目の走査線１０１に供給される走査信号ＹｉがＨレベルになると、当該走査線１０１が選択されたことを示す。また、発光制御信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｍとしては、例えば、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍの論理レベルを反転した信号を用いる。
【００２３】
データ線駆動回路２００は、出力階調データＤｏｕｔに基づいて、選択された走査線１０１に位置する画素回路４００の各々に対し階調信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘｎを供給する。この例において、階調信号Ｘ１〜Ｘｎは階調輝度を指示する電流信号として与えられる。データ線駆動回路２００は、シフトレジスタ、ラッチ回路、ｎ本のデータ線１０３の各々に対応した電流出力型のデジタルアナログ変換器を有している。シフトレジスタは、Ｘ転送開始パルスＤＸをＸクロック信号ＸＣＬＫに同期して順次転送して、点順次のラッチ信号を生成する。ラッチ回路はラッチ信号を用いて出力階調データＤｏｕｔをラッチする。その出力信号がデジタルアナログ変換器でＤＡ変換され階調信号Ｘ１〜Ｘｎが生成される。
【００２４】
制御回路３００は、タイミング生成部３１０と補正部３２０を備える。タイミング生成部３１０はＹクロック信号ＹＣＬＫ、Ｘクロック信号ＸＣＬＫ、Ｘ転送開始パルスＤＹ、Ｙ転送開始パルスＤＹ等の各種の制御信号を生成してこれらを走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００へ出力する。また、補正部３２０は、外部から供給される入力階調データＤｉｎに補正処理を施して出力階調データＤｏｕｔを生成する。補正部３２０の詳細については後述する。
【００２５】
次に、画素回路４００について説明する。図３に、画素回路４００の回路図を示す。同図に示す画素回路４００は、ｉ行目の対応するものであり、電源電圧Ｖｄｄが供給される。画素回路４００は、４個のＴＦＴ４０１〜４０４と、容量素子４１０と、ＯＬＥＤ素子４２０とを備える。ＴＦＴ４０１〜４０４の製造プロセスでは、レーザーアニールショットを利用してガラス基板の上にポリシリコン層が形成される。また、ＯＬＥＤ素子４２０は、陽極と陰極との間に発光層が挟持されている。そして、ＯＬＥＤ素子４２０は、順方向電流に応じた輝度で発光する。発光層には、発光色に応じた有機ＥＬ（Electronic Luminescence）材料が用いられる。発光層の製造プロセスでは、インクジェット方式のヘッドから有機ＥＬ材料を液滴として吐出し、これを乾燥させている。
【００２６】
駆動トランジスタであるＴＦＴ４０１はｐチャネル型、スイッチングトランジスタであるＴＦＴ４０２〜４０４はｎチャネル型である。ＴＦＴ４０１のソース電極は電源線ＬＲに接続される一方、そのドレイン電極はＴＦＴ４０３のドレイン電極、ＴＦＴ４０４のドレイン電極及びＴＦＴ４０２のソース電極にそれぞれ接続される。
【００２７】
容量素子４１０の一端はＴＦＴ４０１のソース電極に接続される一方、その他端は、ＴＦＴ４０１のゲート電極及びＴＦＴ４０２のドレイン電極にそれぞれ接続される。ＴＦＴ４０３のゲート電極は走査線１０１に接続され、そのソース電極は、データ線１０３に接続される。また、ＴＦＴ４０２のゲート電極は走査線１０１に接続される。一方、ＴＦＴ４０４のゲート電極は発光制御線１０２に接続され、そのソース電極はＯＬＥＤ素子４２０の陽極に接続される。ＴＦＴ４０４のゲート電極には、発光制御線１０２を介して発光制御信号Ｖｇｉが供給される。なお、ＯＬＥＤ素子４２０の陰極は、画素回路４００のすべてにわたって共通の電極であり、電源における低位（基準）電位となっている。
【００２８】
このような構成において、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型ＴＦＴ４０２がオン状態となるので、ＴＦＴ４０１は、ゲート電極とドレイン電極とが互いに接続されたダイオードとして機能する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型ＴＦＴ４０３も、ＴＦＴ４０２と同様にオン状態となる。この結果、データ線駆動回路２００の電流Ｉdataが、電源線ＬＲ→ＴＦＴ４０１→ＴＦＴ４０３→データ線１０３という経路で流れるとともに、そのときに、ＴＦＴ４０１のゲート電極の電位に応じた電荷が容量素子４１０に蓄積される。
【００２９】
走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ４０３、４０２はともにオフ状態となる。このとき、ＴＦＴ４０１のゲート電極における入力インピーダンスは極めて高いので、容量素子４１０における電荷の蓄積状態は変化しない。ＴＦＴ４０１のゲート・ソース間電圧は、電流Ｉdataが流れたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬレベルになると、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルとなる。このため、ＴＦＴ４０４がオンし、ＴＦＴ４０１のソース・ドレイン間には、そのゲート電圧に応じた注入電流Ｉoledが流れる。詳細には、この電流は、電源線ＬＲ→ＴＦＴ４０１→ＴＦＴ４０４→ＯＬＥＤ素子４２０という経路で流れる。
【００３０】
ここで、ＯＬＥＤ素子４２０に流れる注入電流Ｉoledは、ＴＦＴ４０１のゲート・ソース間電圧で定まるが、その電圧は、Ｈレベルの走査信号Ｙｉによって電流Ｉdataがデータ線１０３に流れたときに、容量素子４１０によって保持された電圧である。このため、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルになったときに、ＯＬＥＤ素子４２０に流れる注入電流Ｉoledは、直前に流れた電流Ｉdataに略一致する。このように画素回路４００は、電流Ｉdataによって発光輝度を規定することから、電流プログラム方式の回路である。
【００３１】
ＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度は、注入電流Ｉoledに対応したものになるが、実際の電気光学装置１においては、様々な要因によって注入電流Ｉoledがばらつく。このため、輝度ムラが発生して電気光学装置１の表示品質が劣化することがある。注入電流Ｉoledのばらつきに着目すると、画素領域Ａは図４に示すブロックＢに分割して考えることができる。図４（Ａ）は画素領域Ａを行方向に分割したものであり、図４（Ｂ）は画素領域Ａを列方向に分割したものであり、図４（Ｃ）は画素領域Ａを縦横の位置に応じて分割したものであり、図４（Ｄ）は、画素領域Ａを左右に２分割したものである。
【００３２】
上述したようにデータ線駆動回路２００は、ｎ個の電流出力型のデジタルアナログ変換器を備える。従って、デジタルアナログ変換器の特性がばらつくと、図４（Ｂ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくことになる。
【００３３】
また、画素回路４００のＴＦＴ４０１〜４０４は、上述したようにレーザーアニールショットを利用して形成される。レーザーアニールの工程では、複数のレーザー光源を所定の方向に走査する処理が行われる。このため、レーザー光源間で光量がばらつくことがあり、また、走査が進行する過程でも光量がばらつくことがある。光量のばらつきは、ポリシリコン層の電気的な特性に影響を与えることになるので、ＴＦＴ４０１〜４０４の電気的な特性がばらつくことになる。例えば、レーザーアニールショットの走査方向が列方向である場合には、レーザー光源の光量の相違に起因して図４（Ｂ）示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくと共に、走査の進行過程での光量の相違に起因して図４（Ａ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつく。
【００３４】
更に、ＯＬＥＤ素子４２０の発光層は上述したようにインクジェット方式で有機ＥＬ材料を塗布した後、乾燥して形成される。塗布工程では、複数のヘッドから有機ＥＬ材料を液滴として吐出しながら所定の方向に走査する処理が行われる。このため、ヘッド間で液滴の大きさがばらつくことがあり、また、走査が進行する過程でも液滴の大きさがばらつくことがある。液滴の大きさのばらつきは、発光層の電気的な特性に影響を与えるので、ＯＬＥＤ素子４２０の発光特性がばらつくことになる。例えば、インクジェットの走査方向が行方向である場合には、ヘッド間の液滴量の相違に起因して図４（Ａ）示すブロックＢの間で発光輝度がばらつくと共に、走査の進行過程での液滴量の相違に起因して図４（Ｂ）に示すブロックＢの間で発光輝度がばらつく。また、乾燥工程では熱の勾配に起因して発光層の電気的な特性がばらつく。このため、ＯＬＥＤ素子４２０の画素領域Ａにおける位置によって発光輝度がばらつくことになる。従って、図４（Ｃ）に示すブロック間で発光輝度がばらつくことになる。
【００３５】
加えて、上述したデータ線駆動回路２００を複数のＩＣモジュールで構成することがある。この場合は、ＩＣモジュール間の電気的な特性がばらつくと発光輝度がばらつく。例えば、データ線駆動回路２００を２個のＩＣモジュールで構成する場合は、図４（Ｄ）に示すブロック間で発光輝度がばらつくことになる。以下の説明においては、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように画素領域Ａを所定の規則に従って分割したブロックＢの集まりをブロック群ＢＧと称する。
【００３６】
上述したように発光輝度はＯＬＥＤ素子４２０への注入電流Ｉoledに比例する。また、１画素のＯＬＥＤ素子４２０のみを発光させたときの電源電流は当該ＯＬＥＤ素子４２０の注入電流Ｉoledである。従って、各画素の輝度のばらつきは注入電流Ｉoledのばらつきから特定することが可能である。また、あるブロックＢのＯＬＥＤ素子４２０のみを発光させたときの電源電流をブロック電流Ｉｂとしたとき、画素ごとの注入電流Ｉoledは、異なるブロック群ＢＧに属する複数のブロック電流Ｉｂから特定することができる。例えば、図４（Ａ）に示される行方向に分割したブロックＢの集まりを第１ブロック群ＢＧ１、図４（Ｂ）に示される列方向に分割したブロックＢの集まりを第２ブロック群ＢＧ２としたとき、第１行第１列に位置する画素の注入電流Ｉoledは、第１ブロック群ＢＧ１に属する第１行目のブロック電流Ｉｂと第２ブロック群ＢＧ２に属する第１列目のブロック電流Ｉｂとに基づいて特定することが可能である。本実施形態においては、第１ブロック群ＢＧ１と第２ブロック群ＢＧ２についてブロック電流Ｉｂを計測し、計測したブロック電流Ｉｂに基づいて、輝度のばらつきを補正する補正データＤｈを予め生成し、これを不揮発性メモリに記憶しておく。この例の補正データＤｈは、行方向に分割されたｍ個のブロックＢに対応した第１補正データＤｈｙと、列方向に分割されたｎ個のブロックＢに対応した第２補正データＤｈｘから構成される。補正部３２０は、第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘが記憶された不揮発性メモリを備える。なお、不揮発性メモリへのデータの書き込みは、電気光学装置１の検査工程においてブロック電流Ｉｂを計測し、計測結果に基づいて書き込めばよい。
【００３７】
図５に補正部３２０のブロック図を示す。補正部３２０は、Ｙクロック信号ＹＣＬＫをカウントして行アドレス信号ＹＡＤＲを出力する行アドレスカウンタ３２１とＸクロック信号ＸＣＬＫをカウントして列アドレス信号ＸＡＤＲを出力する列アドレスカウンタ３２２を備える。第１補正データメモリ３２３及び第２補正データメモリ３２４は、第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを予め記憶した不揮発性メモリである。第１補正データＤｈｙは、ｍ個のデータＤｈｙ１、Ｄｈｙ２、…Ｄｈｙｍから構成され、第２補正データＤｈｘは、ｎ個のデータＤｈｘ１、Ｄｈｘ２、…Ｄｈｘｎから構成される。そして、ｉ行目を指示する行アドレス信号ＹＡＤＲが第１補正データメモリ３２３に供給されると第１補正データＤｈｙｉが出力され、ｊ列目を指示する列アドレス信号ＸＡＤＲが第２補正データメモリ３２４に供給されると第２補正データＤｈｘｊが出力される。
【００３８】
演算回路３２５は、第１補正データＤｈｙと第２補正データＤｈｘに演算処理を施して画素補正データＤＨを生成する。画素補正データＤＨは画素ごとに補正値を指示するものであり、ｉ行目の第１補正データＤｈｙｉとｊ列目の第２補正データＤｈｘｊとに基づいて、ｉ行ｊ列の画素補正データＤＨｉｊが生成される。
【００３９】
生成された画素補正データＤＨは画素補正データメモリ３２６に記憶される。画素補正データメモリ３２６は、例えば、ＳＲＡＭやＤＲＡＭ等の揮発性メモリによって構成できる。なお、上述した第１補正データＤｈｙと第２補正データＤｈｘに基づいて画素補正データＤｈを生成し、これを画素補正データメモリ３２６に記憶する一連の処理は、電気光学装置１に電源を投入した直後の初期化期間に実行される。従って、初期化期間に続く表示期間においては、画素補正データメモリ３２６から画素補正データＤＨを読み出すだけでよいので、リアルタイムに画素補正データＤＨを生成する必要はない。
【００４０】
また、表示期間においては、行アドレス信号ＹＡＤＲ及び列アドレス信号ＸＡＤＲが画素補正データメモリ３２６へ供給され、指定された画素の画素補正データＤＨが読み出される。第２演算回路３２７は、画素補正データＤＨを用いて入力階調データＤｉｎを補正して出力階調データＤｏｕｔを生成する。
【００４１】
第１演算回路３２５の演算処理は、加算、減算、乗算、又は除算、若しくはこれらの組み合わせを取り得る。第２演算回路３２７の演算処理についても同様である。更に、第１及び第２演算回路３２５及び３２７の少なくとも一方を、入力値と出力値とを対応付けて記憶したルックアップテーブルに置き換えることも可能である。ルックアップテーブルを採用する場合には、入力値と出力値との間に非線形特性を持たせることができる。
【００４２】
ここで、各画素を所定の輝度で発光させる場合、所定の輝度に対応する注入電流Ｉoledの値が基準電流値Ｉrefであるものとする。実際の電気光学装置１では、図４を参照して説明した様々な要因によって、注入電流Ｉoledの値が基準電流値Ｉrefに対してばらつく。上述した第１補正データＤｈｙは行方向のばらつきをブロックＢごとに補正するデータであり、第２補正データＤｈｘは列方向のばらつきをブロックＢごとに補正するデータである。例えば、画素のばらつきが行方向のばらつきと列方向のばらつきの加算で与えられる場合には、ｉ行ｊ列の画素補正データＤＨｉｊは式（１）となる。
ＤＨｉｊ＝Ｄｈｙｉ＋Ｄｈｘｊ…（１）
この場合には、第１演算回路３２５は加算回路によって構成される。
例えば、画素領域Ａが５行５列のブロックＢから構成されるものとする。また、図６に示すように、第１ブロック群ＢＧ１に対応する第１補正データＤｈｙがＤｈｙ１＝０、Ｄｈｙ２＝１、Ｄｈｙ３＝２、Ｄｈｙ４＝−３、Ｄｈｙ５＝１であり、第２ブロック群ＢＧ２に対応する第２補正データＤｈｘがＤｈｘ１＝０、Ｄｈｘ２＝１、Ｄｈｘ３＝−２、Ｄｈｘ４＝０、Ｄｈｘ５＝２であるものとする。この場合、画素補正データＤＨは、図７に示すものとなる。
【００４３】
また、画素のばらつきが行方向のばらつきと列方向のばらつきの乗算で与えられる場合には、ｉ行ｊ列の画素補正データＤＨｉｊは式（２）となる。
ＤＨｉｊ＝Ｄｈｙｉ×Ｄｈｘｊ…（２）
この場合には、第１演算回路３２５は乗算回路によって構成される。
【００４４】
このように本実施形態においては、予め画素補正データＨＤを不揮発性メモリに記憶しておくのではなく、ブロック群ごとの第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを不揮発性メモリするので、不揮発性メモリの記憶容量を大幅に削減することができる。また、電気光学装置１の電気的特性に応じた補正データを生成する過程では、画素ごとに注入電流Ｉoledを測定する必要はなく、ブロックＢごとの測定で足りるので、補正データを生成する時間を大幅に短縮することができる。例えば、画素領域Ａがｍ行ｎ列で構成される場合、画素ごとのばらつきを直接測定するには、ｎ・ｍ回の測定が必要となるが、ブロック群ＢＧごとに測定する本実施形態では、ｎ＋ｍ回の測定で計測を完了することが可能となる。
【００４５】
＜２．第２実施形態＞
上述した第１実施形態においては、第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを予め記憶した不揮発性メモリを備えたが、第２実施形態に係る電気光学装置２は、電源電流を計測して第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを生成する点で第１実施形態と相違する。
【００４６】
図８は第２実施形態に係る電気光学装置２の構成を示すブロック図である。電流計５００は電源線Ｌを流れる電源電流の計測結果をブロック電流記憶部６００に出力する。ブロック電流記憶部６００は、電源電流値をブロック電流Ｉｂの値として記憶する。補正データ生成回路７００は、ブロック電流記憶部６００に記憶したブロック電流Ｉｂの値に基づいて、第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを生成する。また、補正データ生成回路７００は、画像パターン作成回路８００に対して画像パターンを指示する指示信号を出力する。画像パターン作成回路８００は、第１ブロック群ＢＧ１の及び第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢを所定の輝度で発光させる画像パターン信号ＧＳを生成し、これを制御回路３００に順次出力する。
【００４７】
以上の構成において、全てのブロックＢについてブロック電流Ｉｂを計測し、次に、補正データＤｈを生成する。図９にブロック電流Ｉｂを計測する処理のフローチャートを示す。まず、電気光学装置２の電源が投入される（ステップＳ１）。この後、電気光学装置２において画像表示の制御／駆動が開始される（ステップＳ２）。次に、補正データ生成回路７００は、第１ブロック群ＢＧ１、第２ブロック群ＢＧ２の順に画像パターンを生成するように指示信号を生成し、これに従って画像パターン作成回路８００が画像パターン信号ＧＳを生成する（ステップＳ３）。具体的には、第１ブロック群ＢＧ１の各ブロックＢについて第１行→第２行→…→第ｍ行の順に発光させる画像パターンを作成させる。これに続いて、第２ブロック群ＢＧ２の各ブロックＢについて第１列→第２列→…→第ｎ列の順に発光させる画像パターンを作成させる。ここで、画像パターンは、対象となるブロックＢが均一な所定輝度となるように設定されており、また、ブロック間の輝度も同じになるように設定されている。
【００４８】
次に、あるブロックＢが発光すると電流計５００を用いて電源電流が計測される（ステップＳ４）。この電源電流がブロック電流Ｉｂとなる。次に、計測されたブロック電流Ｉｂがブロック電流記憶部６００に記憶される（ステップＳ５）。この後、補正データ生成回路７００は、全てのブロックＢについて測定が終了したか否かを判定する（ステップＳ６）。ステップＳ６の判定条件が否定されると、補正データ生成回路７００は、次の画像パターンを指示する指示信号を出力し、これを受けて画像パターン作成回路８００が変更した画像パターン信号ＧＳを電気光学装置１へ供給する。そして、全てのブロックＢについて測定が終了するとブロック電流Ｉｂの計測処理が終了する。
【００４９】
次に、補正データ生成回路７００はブロック電流Ｉｂに基づいて第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを生成する。第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘは、例えば、以下に示す式（３）、（４）に従って算出する。
Ｄｈｙ＝−（行ごとの電流／１行の画素数−Ｉref）…（３）
Ｄｈｘ＝−（列ごとの電流／１列の画素数−Ｉref）…（４）
このようにして生成された第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘは、補正部３２０の第１補正データメモリ３２３及び第２補正データメモリ３２４に保存される。なお、第１実施形態において第１補正データメモリ３２３及び第２補正データメモリ３２４は不揮発性メモリで構成したが、第２実施形態においては書き込みを容易にする観点から、揮発性メモリを用いることが好ましい。
【００５０】
以上、説明したように本実施形態によれば、画素ごとの注入電流Ｉoledを計測するのではなく、ブロックＢごとの注入電流Ｉoledを計測して第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを生成したので、短時間で計測を終了することができる。また、電気光学装置２に計測機能を内蔵することで、温度特性や外光等の周囲の環境及び経時変化に応じた補正処理が可能となる。
【００５１】
＜３．応用例＞
（１）上述した第１及び第２実施形態においては、補正部３２０において、画素補正データメモリ３２６を設けたが、図１０に示すように画素補正データメモリ３２６を省略してもよい。この場合には、第１演算回路３２５において画素補正データＤＨをリアルタイムで生成する必要があるが、メモリ容量を削減することが可能となる。
【００５２】
（２）上述した第1及び第２実施形態では、単一色の電気光学装置１又は２を一例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、カラー表示の電気光学装置１又は２を対象としてもよい。この場合、複数種類の発光色を有するＯＬＥＤ素子４２０を用いるか、あるいは、単色のＯＬＥＤ素子とカラーフィルタ等の色変換層とを組み合わせることが考えられる。前者の場合には、例えば、図１１に示す電気光学装置２を構成すればよい。同図に示す「Ｒ」、「Ｇ」、及び「Ｂ」の符号はそれぞれ「赤」、「緑」、及び「青」を意味し、ＯＬＥＤ素子４２０の発光色を示している。この例にあっては、データ線１０３に沿って各色の画素回路４００が配列されている。また、各画素回路４００のうち、Ｒ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＲと接続されており、Ｇ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＧと接続されており、Ｂ色に対応する画素回路４００は電源線ＬＢに接続されている。電源電圧Ｖｄｄｒ、Ｖｄｄｇ、及びＶｄｄｂが、電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢを介して、ＲＧＢ各色に対応する画素回路４００に供給される。
【００５３】
そして、電流計５００は、各電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢに流れる電流を各々検出する。図１２を参照して、行方向の第1ブロック群ＢＧ１のブロックＢについて説明する。同図に示すように行方向のブロックＢには、ＲＧＢ色の画素が各々設けられている。発光色が相違するＯＬＥＤ素子４２０では、発光効率が異なるので基準電流値Ｉrefが相違する。このため、補正データＤｈの発光色に応じて生成する必要がある。そこで、同図に示すようにブロックＢを発光色ごとのサブブロックＢｒ、Ｂｇ及びＢｂの集まりと捉え、サブブロックＢｒ、Ｂｇ及びＢｂごとにブロック電流Ｉｂを計測して、第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｘを生成すればよい。
【００５４】
なお、この例では、電流計５００を各電源線ＬＲ、ＬＧ及びＬＢに設けたので、ＲＧＢ各色に対応するブロック電流Ｉｂを同時に計測することができるが、電流計５００を１個として各色に対応する画像パターンを順次表示させてもよい。
【００５５】
（３）上述した第２実施形態及び応用例において、電流計５００は、電源電流が定常状態で一定値を示すタイミングで瞬時電流を測定してもよいし、あるいは、ある時間で平均化された平均電流を測定してもよい。例えば、パッシブ型の電気光学装置１においては、電源電流が図１３に示すように変化するが、瞬時電流はＩ１となり、平均電流はＩ２となる。また、アクティブ型の電気光学装置の場合、電源電流は書込電流（非発光）と発光電流とに分けられることがある。この場合には、書き込み期間、発光期間、及びブランク期間の割合、並びに書き込み電流値から発光に寄与する電源電流値を算出してもよい。
【００５６】
（４）上述した第１実施形態、第２実施形態及び応用例において、基準電流値Ｉrefは、予め定められた値であったが、全画面の平均輝度に応じて定めてもよい。また、上述した実施形態では、行方向と列方向に着目してブロック群ＢＳを選定したが、図４（Ｃ）に示すブロックＢや図４（Ｄ）に示すブロックＢを採用してもよい。更に、上述した実施形態及び応用例では、ブロックＢごとのばらつきを計測したが、これに加えて画素領域Ａ全体のばらつきを計測結果として出力するようにしてもよい。この場合には、電気光学パネル全体で荒く補正して、ブロックＢごとに細かく補正することが可能となる。
【００５７】
（５）上述した第１実施形態、第２実施形態及び応用例においては、出力階調データＤｏｕｔを調整することで注入電流Ｉoledのばらつきを補正したが、画素回路４００へ供給するアナログ電圧やアナログ電流、あるいは発光時間などを調整してばらつきを吸収するように構成してもよい。要は、注入電流Ｉoledを制御可能なデータであれば、如何なるものであっても補正の対象とすることが可能である。この場合、補正の対象となるデータの補正値を記憶すればよい。
【００５８】
（６）また、第２実施形態の基準電流値Ｉrefは、上述したように予め定められた値であってもよいし、画素領域Ａの全体の平均であってもよい。更に、直前の画像パターンを表示させたときの電流であってよいし、最初の画像パターンを表示させたときの電流であってもよい。
【００５９】
（７）また、上述した第１実施形態、第２実施形態及び応用例においては、画素ごとの画素補正データＤＨを用いてＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度が均一になるように補正したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ブロック単位の第１補正データＤｈｙ及び第２補正データＤｈｘを用いてＯＬＥＤ素子４２０の発光輝度が均一になるように補正してもよい。例えば、行ごとのばらつきは、第１補正データＤｈｙを用いて発光期間（図２に示す期間Ｔ）を調整することにより補正し、列ごとのばらつきは第２補正データＤｈｘを用いてデータ線駆動回路２００で補正してもよい。
【００６０】
（８）また、上述した第２実施形態において、画素回路４００を図１４に示すように構成してもよい。この例ではＯＬＥＤ素子４２０と並列にＴＦＴ４０５が設けられており、そのゲートには消灯制御信号ＳＳが供給されるようになっている。消灯制御信号ＳＳは、電流計５００によるブロック電流Ｉｂの計測期間においてＨレベルになる信号であって、制御回路３００で生成される。この場合、ブロック電流Ｉｂの計測期間にあってはＴＦＴ４０５がオン状態となり、ＯＬＥＤ素子４２０が短絡されるので、ＯＬＥＤ素子４２０が消灯する。仮に、計測期間においてＯＬＥＤ素子４２０に電流を流すと、ＯＬＥＤ素子４２０が点灯するが、この応用例では消灯を維持することが可能となる。
【００６１】
＜４．電子機器＞
次に、上述した実施形態及び応用例に係る電気光学装置１又は２を適用した電子機器について説明する。図１５に、電気光学装置１又は２を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。この電気光学装置１はＯＬＥＤ素子４２０を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００６２】
図１６に、電気光学装置１又は２を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００６３】
図１７に、電気光学装置１又は２を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００６４】
なお、電気光学装置１又は２が適用される電子機器としては、図１５〜１７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】同装置における走査線駆動回路のタイミングチャートである。
【図３】同装置における画素回路の構成を示す回路図である。
【図４】画素領域Ａのブロックの態様を説明するための説明図である。
【図５】同装置における補正部の構成を示すブロック図である。
【図６】同装置に用いられる第１補正データ及び第２補正データの一例を示す説明図である。
【図７】同装置に用いられる画素補正データの一例を示す説明図である。
【図８】第２実施形態に係る電気光学装置２の構成を示すブロック図である。
【図９】同装置の計測処理の内容を示すフローチャートである。
【図１０】応用例に係る補正部の構成を示すブロック図である。
【図１１】応用例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】カラー表示の電気光学装置におけるブロックを構成するサブブロックを説明するための説明図である。
【図１３】応用例に係る電源電流の計測をするための説明図である。
【図１４】応用例に係る画素回路の構成を示す回路図である。
【図１５】同装置を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１６】同電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１７】同電気光学装置を適用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６６】
１、２…電気光学装置、３００…制御回路、３２０…補正部、４００…画素回路、４２０…有機発光ダイオード、５００…電流計、６００…ブロック電流記憶部、７００…補正データ生成回路、８００…画像パターン作成回路、ＤＨ…画素補正データ、Ｄｈｙ…第１補正データ、Ｄｈｘ…第２補正データ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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