(57)【要約】【課題】  利得減衰の開始時点から増幅器による歪みを低減できるＡＧＣ回路を提供する。【解決手段】  可変減衰器２１と、その次段に設けられた可変利得増幅器２６とを備え、可変減衰器２１の減衰量と可変利得増幅器２６の利得とを共通のＡＧＣ電圧によって制御し、ＡＧＣ電圧による利得減衰の開始から所定の電圧までの範囲は可変減衰器２１のみの減衰を制御ることで可変減衰器２１による減衰量を大きくし、所定の電圧を超えた範囲では可変減衰器２１の減衰と可変利得増幅器２６の利得とを制御してＡＧＣ電圧による利得減衰開始から所定の範囲での可変利得増幅器に入力される信号レベルを下げた。【選択図】        図１
2005278097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変減衰器と、その次段に設けられた可変利得増幅器とを備え、前記可変減衰器の減衰量と前記可変利得増幅器の利得とを共通のＡＧＣ電圧によって制御し、前記ＡＧＣ電圧による利得制御の開始から所定の電圧までの範囲では前記可変減衰器のみの減衰を制御し、前記所定の電圧を超えた範囲では前記可変減衰器の減衰と前記可変利得増幅器の利得とを制御したことを特徴とするＡＧＣ回路。
【請求項２】
前記可変減衰器には一端が信号入力端子に結合され、他端が前記可変利得増幅器の入力端に結合されたピンダイオードを設け、前記可変利得増幅器には前記入力端にベースが接続されたトランジスタを設け、前記ピンダイオードのカソードに第１のバイアス電圧を印加する第１のバイアス回路と、前記トランジスタのベースに第２のバイアス電圧を印加する第２のバイアス回路と、前記トランジスタのベースにアノードが接続されたスイッチダイオードとを設け、前記ピンダイオードのアノードと前記スイッチダイオードのカソードとに前記ＡＧＣ電圧を印加し、前記第１のバイアス電圧よりも前記第２のバイアス電圧を高くしたことを特徴とする請求項１に記載のＡＧＣ回路。
【請求項３】
前記ピンダイオードのアノードと前記スイッチダイオードのカソードにそれぞれ給電抵抗を介して前記ＡＧＣ電圧を印加したことを特徴とする請求項２に記載のＡＧＣ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョン受信機のチューナ等に使用される自動利得制御回路（ＡＧＣ回路）に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、図３を参照して従来のＡＧＣ回路を説明する。入力端子Ａは入力同調回路１の入力側に接続され、出力側は結合コンデンサ２を介してピンダイオード１２のカソード側に接続され、アノード側は結合コンデンサ１３を介してＦＥＴ１３の第１ゲート端子に接続される。ＦＥＴ１３の第２ゲート端子は抵抗４を介してＡＧＣ端子Ｂに接続され、ＡＧＣ端子Ｂはチョークコイル１１を介してピンダイオード１２のアノードに側に接続される。ピンダイオード１２のカソード側はチョークコイル１４と抵抗１５を介してツェナーダイオード８のカソード側に接続され、そのアノード側は接地される。また、ツェナーダイオード８のカソード側は抵抗６を介してＦＥＴ１３のソース端子に接続される共に、抵抗５によってＦＥＴ１３の第１ゲートにも接続される。
【０００３】
ＦＥＴ１３のドレイン端子はチョークコイル９を介して電源端子Ｃに接続されると共に、結合コンデンサ１０を介して出力端子Ｄに接続される。電源端子Ｄは抵抗７によってツェナーダイオード８のカソードに接続される。
【０００４】
最大利得時（利得減衰がほぼ０ｄＢ）の場合には、ＡＧＣ端子Ｂに印加されたＡＧＣ電圧（８ボルト）によってピンダイオード１２に電流を流しツェナーダイオード８に流し込む。このときピンダイオード１２はオン状態で、入力端子Ａに入力された信号は減衰なしでＦＥＴ１３の第１ゲートに入力される。
【０００５】
ＡＧＣ電圧が４．７ボルト以上ではピンダイオード１２はオン状態となり、利得減衰はＦＥＴ１３によって制御される。ＡＧＣ電圧が４．７ボルトより小さくなると、ピンダイオード１２が逆バイアスされてオフとなり、減衰器として第さする。この状態では、利得減衰はＦＥＴ１３とピンダイオード１２の両方で行われる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】特許第２５０６７１９号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記構成では、利得減衰を０ｄＢから増加する際に、最初はピンダイオードがオン状態であり、利得減衰はＦＥＴのみによって行われる。利得減衰が更に増加すると、ピンダイオードがオフに切り替わってピンダイオードによる利得減衰が加算される。従って、利得減衰開始後の一定範囲ではＦＥＴに入力される信号は減衰せずに大きなレベルを保持しているので、特に強電界の下で使用されたときにはＦＥＴによって大きなな歪みが発生する。
【０００８】
本発明は、利得減衰の開始時点から増幅器による歪みを低減できるＡＧＣ回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題に対し、本発明では、可変減衰器と、その次段に設けられた可変利得増幅器とを備え、前記可変減衰器の減衰量と前記可変利得増幅器の利得とを共通のＡＧＣ電圧によって制御し、前記ＡＧＣ電圧による利得制御の開始から所定の電圧までの範囲では前記可変減衰器のみの減衰を制御し、前記所定の電圧を超えた範囲では前記可変減衰器の減衰と前記可変利得増幅器の利得とを制御した。
【００１０】
また、前記可変減衰器には一端が信号入力端子に結合され、他端が前記可変利得増幅器の入力端に結合されたピンダイオードを設け、前記可変利得増幅器には前記入力端にベースが接続されたトランジスタを設け、前記ピンダイオードのカソードに第１のバイアス電圧を印加する第１のバイアス回路と、前記トランジスタのベースに第２のバイアス電圧を印加する第２のバイアス回路と、前記トランジスタのベースにアノードが接続されたスイッチダイオードとを設け、前記ピンダイオードのアノードと前記スイッチダイオードのカソードとに前記ＡＧＣ電圧を印加し、前記第１のバイアス電圧よりも前記第２のバイアス電圧を高くした。
【００１１】
また、前記ピンダイオードのアノードと前記スイッチダイオードのカソードにそれぞれ給電抵抗を介して前記ＡＧＣ電圧を印加した。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載された発明によれば、可変減衰器と、その次段に設けられた可変利得増幅器とを備え、可変減衰器の減衰量と可変利得増幅器の利得とを共通のＡＧＣ電圧によって制御し、ＡＧＣ電圧による利得制御の開始から所定の電圧までの範囲では可変減衰器のみの減衰を制御し、所定の電圧を超えた範囲では可変減衰器の減衰と可変利得増幅器の利得とを制御したので、ＡＧＣ電圧による利得制御の開始から所定の電圧までの範囲では可変減衰器による減衰量を大きくなり、可変利得増幅器に入力される信号レベルが小さくなって可変利得増幅器で発生する歪みが低減される。
【００１３】
また、請求項２に記載された発明によれば、可変減衰器には一端が信号入力端子に結合され、他端が可変利得増幅器の入力端に結合されたピンダイオードを設け、可変利得増幅器には入力端にベースが接続されたトランジスタを設け、ピンダイオードのカソードに第１のバイアス電圧を印加する第１のバイアス回路と、トランジスタのベースに第２のバイアス電圧を印加する第２のバイアス回路と、トランジスタのベースにアノードが接続されたスイッチダイオードとを設け、ピンダイオードのアノードとスイッチダイオードのカソードとにＡＧＣ電圧を印加し、第１のバイアス電圧よりも第２のバイアス電圧を高くしたので、可変利得増幅器による利得減衰が開始されるまでは可変減衰器のみを減衰動作させることができる。
【００１４】
また、請求項３に記載された発明によれば、ピンダイオードのアノードとスイッチダイオードのカソードにそれぞれ給電抵抗を介してＡＧＣ電圧を印加したので、給電抵抗の抵抗値の設定によってＡＧＣ電圧に対する減衰量の特性を設定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下図１及び図２を参照して本発明のＡＧＣ回路を説明する。図１において、可変減衰器２１を構成するピンダイオード２１ａは、その一端（図１の実施形態ではアノード）が入力端子２２に結合され、カソードには第１のバイアス回路２１ｂから第１のバイアス電圧が印加される。第１のバイアス回路２１ｂは電源端子２３とグランドとの間に接続された直列接続の抵抗Ｒ１、Ｒ２を有し、ピンダイオード２１ａのカソードはそれらの抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続点に接続される。また、アノードは給電抵抗２４を介してＡＧＣ端子２５に接続される。
【００１６】
可変利得増幅器２６は、増幅トランジスタ２６ａを有し、そのコレクタは負荷抵抗２６ｂを介して電源端子２３に接続されると共に、結合コンデンサ２６ｃを介して出力端子２７に接続される。エミッタはバイパスコンデンサ２６ｄによって高周波的に接地される共に、エミッタバイアス抵抗２６ｅによってグランドに接続される。また、可変利得増幅器２６の入力端となるトランジスタ２６ａのベースには、第２のバイアス回路２６ｆから第２のバイアス電圧が印加される。第２のバイアス回路２６ｆは電源端子２３とグランドとの間に接続された直列接続の抵抗Ｒ３、Ｒ４を有し、トランジスタ２６ａのベースはそれら抵抗Ｒ３、Ｒ４の接続点に接続される。
【００１７】
そして、ピンダイオード２１ａの他端（図１の実施形態ではカソード）が結合コンデンサ２８を介してトランジスタのベースに接続される。
【００１８】
また、第２のバイアス回路２６ｆを構成する抵抗Ｒ３とＲ４との接続点にはスイッチダイオード２９のアノードが接続され、そのカソードは給電抵抗３０を介してＡＧＣ端子２５に接続される。
【００１９】
以上の構成において、電源端子２３には、例えば１２ボルトの電圧が印加される。また、ＡＧＣ端子２５には、可変利得増幅器２６の後段に設けられたＡＧＣ電圧発生回路（図示せず）から出力されたＡＧＣ電圧が印加される。ＡＧＣ電圧は、入力端子２２に入力される信号のレベルに対応して、例えば１０ボルトから３ボルトまで変化する。ＡＧＣ電圧は信号のレベルが小さいときは高くなり、信号のレベルが大きくなれば低くなる。また、第１のバイアス回路２１ｂによって設定される第１のバイアス電圧及び第２のバイアス回路２６ｆによって設定される第２のバイアス電圧はそれぞれＡＧＣ電圧の最大値（１０ボルト）よりも低い電圧に設定され、且つ、第１のバイアス電圧よりも第２のバイアス電圧を高く設定する。例えば、第１のバイアス電圧は４ボルトに設定され。第２のバイアス電圧は８ボルトに設定される。
【００２０】
図２を参照して可変減衰器２１と可変利得増幅器２６の動作を説明する。信号レベルの変化（増加）に応じてＡＧＣ電圧が１０ボルトから低下する過程をみると、最初の１０ボルトの時点ではピンダイオード２１ａはほぼ完全なオン状態となっている。また、スイッチダイオード２９はオフとなっている。従って、可変減衰器２１の減衰量は最小（減衰量０）であり、可変利得増幅器２６は利得減衰されない（最大利得状態）。信号レベルの増加に対応してＡＧＣ電圧が低下開始すると、ピンダイオード２１ａに流れる電流が徐々に少なくなる。そして、ＡＧＣ電圧が第１のバイアス電圧よりもほぼ０．７ボルト高い電圧（４．７ボルト）に低下するまでの範囲ではピンダイオード２１ａに流れる電流が減少して減衰量が増加する。そして、ＡＧＣ電圧が４．７ボルト以下になるとピンダイオード２１ａがほぼ完全なオフ状態となって、減衰量は変化しなくなりほぼ一定となる。従って、可変減衰器２１による減衰量は図２（Ａ）に示すようになる。上記の０．７ボルトの電圧はピンダイオード２１ａがオンとなるときの順方向バイアス電圧を意味する。
【００２１】
一方、可変利得増幅器２６においては、ＡＧＣ電圧が第２のバイアス電圧よりもほぼ０．７ボルト低い電圧（７．３ボルト）に低下するまでの範囲ではスイッチダイオード２９がほぼ完全なオフ状態であるのでトランジスタ２６ａのベースバイアス電圧が不変であり、可変利得増幅器２６では利得減衰動作は行われない。すなわち、最大利得状態を保持している。ＡＧＣ電圧が７．３ボルト以下に低下していくとスイッチダイオード２９に電流が流れ始め、その電流はＡＧＣ電圧の低下に対応して徐々に増加する。従って、トランジスタ２６のベース電圧が下がり、可変利得増幅器２６の利得が減少していく。つまり、利得減衰量が増加していく。この様子は図２の（Ｂ）に示すようになる。上記の０．７ボルトの電圧はスイッチダイオード２９がオンとなるときの順方向バイアス電圧を意味する。
【００２２】
よって、ＡＧＣ電圧が１０ボルト〜７．３ボルトの範囲では、可変減衰器２１のみが減衰動作を行い、その範囲を超えると、可変減衰器２１の減衰に可変利得増幅器２６の利得減衰が加わる。つまり、上記のＡＧＣ電圧の範囲では、全体の減衰量を可変減衰器２１のみで受け持つことになる。従って、全体の減衰量が同一ならば、可変減衰器２１による減衰量は従来よりも大きくなるので、その分だけ可変利得増幅器２６に入力される信号レベルが低下することとなり、可変利得増幅器２６による歪みの発生が押さえられる。
【００２３】
なお、ピンダイオード２１ａ及びスイッチダイオード２９に流れる電流はそれぞれ給電抵抗２４、３０の抵抗値に依存するので、その抵抗値の設定によってＡＧＣ電圧に対する減衰特性（減衰量など）を設定できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のＡＧＣ回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明のＡＧＣ回路の減衰特性図である。
【図３】従来のＡＧＣ回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００２５】
２１：可変減衰器
２１ａ：ピンダイオード
２１ｂ第１のバイアス回路
２２：入力端子
２３：電源端子
２４：給電抵抗
２５：ＡＧＣ端子
２６：可変利得増幅器
２６ａ：トランジスタ
２６ｂ：負荷抵抗
２６ｃ：結合コンデンサ
２６ｄ：バイパスコンデンサ
２６ｅ；エミッタバイアス抵抗
２６ｆ：第２のバイアス回路
２７：出力端子
２８：結合コンデンサ
２９：スイッチダイオード
３０：給電抵抗
【図１】
2005278097.tif 000003
【図２】
2005278097.tif 000004
【図３】
2005278097.tif 000005