(57)【要約】【課題】弾性表面波デバイスにおいて吸収材の圧電性基板に対する接合強度を向上させる。【解決手段】縞状パターン３２が圧電性基板１０上の弾性表面波伝搬方向に関する両端部に形成されており、吸収材２８がこの縞状パターン３２上に形成されている。吸収材２８が縞状パターン３２間の隙間に侵入することで縞状パターン３２とかみ合うため、吸収材２８の圧電性基板１０に対する密着力を増大させることができる。縞状パターン３２については、櫛形電極１２，２０とともに形成することもできるし、電極パッド１６，２４とともに形成することもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波を励振させるための櫛形電極と、不要な弾性表面波を減衰させるための吸収材と、が圧電性基板上に形成されている弾性表面波デバイスであって、
前記圧電性基板上には、アンカー層が形成されており、
前記吸収材は、前記アンカー層上に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスであって、
前記アンカー層を構成する材料は、前記櫛形電極を構成する材料に含まれていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスであって、
外部接続端子用の電極パッドが圧電性基板上に形成されており、
前記アンカー層を構成する材料は、前記電極パッドを構成する材料に含まれていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項２に記載の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
前記櫛形電極とともに前記アンカー層を前記圧電性基板上に形成する電極形成工程と、
前記アンカー層上に前記吸収材を塗布する吸収材塗布工程と、
を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
前記電極パッドとともに前記アンカー層を前記圧電性基板上に形成する電極パッド形成工程と、
前記アンカー層上に前記吸収材を塗布する吸収材塗布工程と、
を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に関し、特に、不要な弾性表面波を減衰させるための吸収材が圧電性基板上に形成されている弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波デバイスにおいては、不要な弾性表面波を減衰させるために、樹脂からなる吸収材が圧電性基板上に形成されているものがある。この吸収材が形成された弾性表面波デバイスを製造する際には、通常ウェハ上で樹脂の印刷を行い、その後ウェハのダイシングを行っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、弾性表面波デバイスは小型化が要求されている。そのため、圧電性基板上に吸収材を形成する領域も小さくすることが要求されている。ただし、吸収材を形成する領域を小さくすると、吸収材の圧電性基板に対する接合強度が低下してしまうという問題点がある。吸収材の圧電性基板に対する接合強度が低下すると、例えばダイシング工程等の後工程を行う際に、吸収材が圧電性基板から剥がれやすくなってしまうという問題点がある。
【０００４】
本発明は、吸収材の圧電性基板に対する接合強度を向上させることができる弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る弾性表面波デバイスは、弾性表面波を励振させるための櫛形電極と、不要な弾性表面波を減衰させるための吸収材と、が圧電性基板上に形成されている弾性表面波デバイスであって、前記圧電性基板上には、アンカー層が形成されており、前記吸収材は、前記アンカー層上に形成されていることを要旨とする。
【０００６】
本発明においては、圧電性基板上にアンカー層が形成されており、このアンカー層上に吸収材が形成されている。これによって、吸収材がアンカー層とかみ合うことで、吸収材の圧電性基板に対する密着力が増大する。したがって、本発明によれば、アンカー効果によって、吸収材の圧電性基板に対する接合強度を向上させることができる。
【０００７】
本発明に係る弾性表面波デバイスにおいて、前記アンカー層を構成する材料は、前記櫛形電極を構成する材料に含まれているものとすることもできる。こうすれば、弾性表面波デバイスのコストを低減することができる。
【０００８】
本発明に係る弾性表面波デバイスにおいて、外部接続端子用の電極パッドが圧電性基板上に形成されており、前記アンカー層を構成する材料は、前記電極パッドを構成する材料に含まれているものとすることもできる。こうすれば、弾性表面波デバイスのコストを低減することができる。
【０００９】
アンカー層を構成する材料が櫛形電極を構成する材料に含まれている態様の本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法において、前記櫛形電極とともに前記アンカー層を前記圧電性基板上に形成する電極形成工程と、前記アンカー層上に前記吸収材を塗布する吸収材塗布工程と、を含むものとすることもできる。こうすれば、櫛形電極を形成する工程の中でアンカー層を形成することができるので、弾性表面波デバイスの生産性を向上させることができる。
【００１０】
アンカー層を構成する材料が電極パッドを構成する材料に含まれている態様の本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法において、前記電極パッドとともに前記アンカー層を前記圧電性基板上に形成する電極パッド形成工程と、前記アンカー層上に前記吸収材を塗布する吸収材塗布工程と、を含むものとすることもできる。こうすれば、電極パッドを形成する工程の中でアンカー層を形成することができるので、弾性表面波デバイスの生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態（以下実施形態という）を図面に従って説明する。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの構成の概略を示す図であり、図１（ａ）は平面図を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）でのＡ−Ａ断面図を示す。本実施形態に係る弾性表面波デバイスは、弾性表面波フィルタであり、圧電性基板１０上に入力側櫛形電極１２、入力側電極パッド１６、出力側櫛形電極２０、出力側電極パッド２４、及び吸収材２８が形成されている。
【００１３】
外部接続端子用の入力側電極パッド１６には、電気信号が入力される。入力側櫛形電極１２には入力された電気信号が印加され、入力側櫛形電極１２は櫛形電極ピッチに対応する波長の弾性表面波を励振する。励振された弾性表面波は、圧電性基板１０上を伝搬し、出力側櫛形電極２０により検出されて電気信号に変換される。変換された電気信号は、外部接続端子用の出力側電極パッド２４から出力される。以上の動作によって、入力側櫛形電極１２及び出力側櫛形電極２０の櫛形電極ピッチに対応する帯域の電気信号が抽出される。
【００１４】
圧電性基板１０上の弾性表面波伝搬方向に関する両端部には、樹脂からなる吸収材２８が形成されている。この吸収材２８によって、信号処理の際に不要な弾性表面波を減衰させることができるので、フィルタ特性を向上させることができる。
【００１５】
図１から吸収材２８を取り除いた構成の概略を図２に示す。図２（ａ）は平面図を示し、図２（ｂ）は図２（ａ）でのＡ−Ａ断面図を示す。図１，２に示すように、本実施形態においては、アンカー層としての縞状パターン３２が圧電性基板１０上の弾性表面波伝搬方向に関する両端部に形成されている。そして、吸収材２８は、この縞状パターン３２上に形成されている。なお、縞状パターン３２の幅ｗ、隙間ｄ、弾性表面波伝搬方向に関する長さｌの典型的な値の一例を挙げると、ｗ＝１μｍ、ｄ＝１．５μｍ、ｌ＝０．２ｍｍである。
【００１６】
次に、本実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法の一例について、図３，４を用いて説明する。
【００１７】
図３は、本実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造工程の順序を説明するフローチャートである。本実施形態に係る弾性表面波デバイスについては、電極形成工程Ｓ１０１、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２、吸収材塗布工程Ｓ１０３、ダイシング工程Ｓ１０４を含む工程により製造することができる。ただし、電極形成工程Ｓ１０１にて形成される櫛形電極１２，２０の膜厚によっては、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２を省略することもできる。
【００１８】
電極形成工程Ｓ１０１は、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２をリフトオフ法により形成する工程であり、レジストパターン形成工程Ｓ１１１、金属膜形成工程Ｓ１１２、及びリフトオフ工程Ｓ１１３を含む。
【００１９】
図４は、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２をリフトオフ法により形成する方法を説明する図であり、圧電性基板１０の側面の断面図を示す。なお、図４では説明の便宜上、１つのデバイスのみ図示しているが、実際はウェハ上に多数のデバイスが形成される。さらに、図４では説明の便宜上、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２の詳細な形状の図示を省略している。
【００２０】
レジストパターン形成工程Ｓ１１１においては、まず圧電性基板（ウェハ）１０上にレジスト膜４４を塗布する。そして、フォトリソグラフィ技術を使用して、圧電性基板１０上における櫛形電極１２，２０及び電極パッド１６，２４を形成する領域４６及び縞状パターン３２を形成する領域４８に塗布されたレジスト膜４４を除去することで、マスキングのためのレジストパターンを形成する（図４（ａ））。なお、縞状パターン３２を形成する領域４８については、圧電性基板１０上の弾性表面波伝搬方向に関するダイシングライン付近の位置に設定される。
【００２１】
次に、金属膜形成工程Ｓ１１２においては、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２を構成する金属材料を例えば蒸着法を用いて堆積させることで、圧電性基板１０上に金属膜を形成する（図４（ｂ））。図４（ｂ）に示す例では、まずＴｉ膜５０を約０．０５μｍの厚さで形成し、その上にＡｌ膜５２を約０．３μｍの厚さで形成した場合を示している。ただし、ここでは１種類の金属材料の膜を形成してもよい。
【００２２】
次に、リフトオフ工程Ｓ１１３においては、レジスト溶剤を用いてリフトオフを行うことで、レジスト膜４４をその上のＴｉ膜５０及びＡｌ膜５２とともに除去する（図４（ｃ））。
【００２３】
以上の電極形成工程Ｓ１０１によって、Ｔｉ膜５０及びＡｌ膜５２により構成される櫛形電極１２，２０及び電極パッド１６，２４を圧電性基板１０上に形成すると同時に、Ｔｉ膜５０及びＡｌ膜５２により構成される縞状パターン３２を圧電性基板１０上に形成することができる。
【００２４】
形成する櫛形電極１２，２０の膜厚の仕様によっては、バンプ電極が接合される電極パッド１６，２４の膜厚をさらに厚くする必要がある。その場合は、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２において、電極パッド１６，２４の形成を再度行うことで、電極パッド１６，２４の膜厚化を行う。電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２においても、電極形成工程Ｓ１０１と同様に、レジストパターン形成工程Ｓ１１１、金属膜形成工程Ｓ１１２、及びリフトオフ工程Ｓ１１３を行う。ただし、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２の場合は、レジストパターン形成工程Ｓ１１１にて形成されるマスキングパターン、すなわちレジスト膜４４の領域が電極形成工程Ｓ１０１の場合と異なる。より詳細には、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２の場合は、レジストパターン形成工程Ｓ１１１において電極パッド１６，２４を形成した領域に塗布されたレジスト膜４４を除去する点では電極形成工程Ｓ１０１の場合と同様であるが、レジストパターン形成工程Ｓ１１１において櫛形電極１２，２０を形成した領域に塗布されたレジスト膜４４を除去しない点で電極形成工程Ｓ１０１の場合と異なる。
【００２５】
また、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２のレジストパターン形成工程Ｓ１１１において縞状パターン３２を形成した領域４８に塗布されたレジスト膜４４を除去しない場合は、その後の金属膜形成工程Ｓ１１２（例えばＡｌ膜、ＡｌＳｉ膜、ＡｌＣｕ膜等を約１μｍの厚さで形成）及びリフトオフ工程Ｓ１１３によって、電極パッド１６，２４のみの膜厚化が行われる。一方、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２のレジストパターン形成工程Ｓ１１１において縞状パターン３２を形成した領域４８に塗布されたレジスト膜４４を除去した場合は、その後の金属膜形成工程Ｓ１１２（例えばＡｌ膜、ＡｌＳｉ膜、ＡｌＣｕ膜等を約１μｍの厚さで形成）及びリフトオフ工程Ｓ１１３によって、電極パッド１６，２４の膜厚化が行われると同時に、縞状パターン３２の膜厚化も行われる。このように、電極パッド１６，２４の膜厚化を行う電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２においても、縞状パターン３２の形成を行うことができる。
【００２６】
次に、吸収材塗布工程Ｓ１０３においては、樹脂からなる吸収材２８が印刷によって縞状パターン３２上に例えば１０〜５０μｍ程度の厚さで塗布される。ただし、例えばＳｉＯ2等の保護膜を縞状パターン３２上に形成した後に、吸収材２８を縞状パターン３２上に保護膜を介した状態で塗布してもよい。
【００２７】
次に、ダイシング工程Ｓ１０４においては、ダイシングラインに沿って圧電性基板（ウェハ）１０をチップ単位に切断する。以上の工程によって、弾性表面波フィルタがチップ単位ごとに製造される。
【００２８】
以上のように、本実施形態の縞状パターン３２については、１）電極形成工程Ｓ１０１、２）電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２、または３）電極形成工程Ｓ１０１及び電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２の両方の工程において形成することが可能である。
【００２９】
１）電極形成工程Ｓ１０１のみにおいて縞状パターン３２を形成した場合、縞状パターン３２を構成する材料は、櫛形電極１２，２０を構成する材料と一致し、電極パッド１６，２４を構成する材料に含まれる。
【００３０】
２）電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２のみにおいて縞状パターン３２を形成した場合、縞状パターン３２を構成する材料は、電極パッド１６，２４を構成する材料に含まれる。
【００３１】
３）電極形成工程Ｓ１０１及び電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２の両方において縞状パターン３２を形成した場合、縞状パターン３２を構成する材料は、電極パッド１６，２４を構成する材料と一致する。
【００３２】
さらに、前述した電極形成工程Ｓ１０１においては、Ｔｉ膜５０の形成とＡｌ膜５２の形成とを異なるレジストパターンを用いて別工程で行うこともできる。例えば、領域４６が除去されたレジストパターンを形成した状態で、Ｔｉ膜５０を形成しリフトオフを行う。次に、領域４６及び領域４８が除去されたレジストパターンを形成した状態で、Ａｌ膜５２を形成しリフトオフを行う。この工程によって、Ｔｉ膜５０及びＡｌ膜５２により構成される櫛形電極１２，２０が形成されるとともに、Ａｌ膜５２のみにより構成される縞状パターン３２が形成される。あるいは、領域４６及び領域４８が除去されたレジストパターンを形成した状態で、Ｔｉ膜５０を形成しリフトオフを行う。次に、領域４６が除去されたレジストパターンを形成した状態で、Ａｌ膜５２を形成しリフトオフを行う。この工程によって、Ｔｉ膜５０及びＡｌ膜５２により構成される櫛形電極１２，２０が形成されるとともに、Ｔｉ膜５０のみにより構成される縞状パターン３２が形成される。この工程を用いた電極形成工程Ｓ１０１のみにおいて縞状パターン３２を形成した場合、縞状パターン３２を構成する材料は、櫛形電極１２，２０を構成する材料に含まれる。また、この工程を用いた電極形成工程Ｓ１０１及び電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２の両方において縞状パターン３２を形成した場合、縞状パターン３２を構成する材料は、電極パッド１６，２４を構成する材料に含まれる。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態においては、圧電性基板１０上に縞状パターン３２が形成されており、吸収材２８がこの縞状パターン３２上に形成されている。これによって、吸収材２８が縞状パターン３２間の隙間に侵入することで縞状パターン３２とかみ合うため、吸収材２８の圧電性基板１０に対する密着力を増大させることができる。したがって、本実施形態によれば、アンカー効果により吸収材２８の圧電性基板１０に対する接合強度を向上させることができるので、吸収材２８が圧電性基板１０から剥がれ落ちるのを確実に防止することができる。
【００３４】
なお、本願発明者が縞状パターン３２の効果を確認するための実験を行った結果、縞状パターン３２を形成しないで吸収材２８をウェハ上に直接塗布した場合は、ウェハのダイシングを行う際に吸収材２８の約５０％が剥がれ落ちる結果となった。これに対して、ウェハ上に縞状パターン３２を形成して縞状パターン３２上に吸収材２８を塗布した場合は、ウェハのダイシングを行っても吸収材２８が剥がれ落ちることはなかった。
【００３５】
さらに、本実施形態において、縞状パターン３２を構成する材料が櫛形電極１２，２０を構成する材料と一致する、あるいは櫛形電極１２，２０を構成する材料に含まれている場合は、縞状パターン３２を櫛形電極１２，２０とともに形成することができる。したがって、弾性表面波デバイスの生産性を向上させることができ、弾性表面波デバイスのコストを低減することができる。
【００３６】
さらに、本実施形態において、縞状パターン３２を構成する材料が電極パッド１６，２４を構成する材料と一致する、あるいは電極パッド１６，２４を構成する材料に含まれている場合は、縞状パターン３２を電極パッド１６，２４とともに形成することができる。したがって、弾性表面波デバイスの生産性を向上させることができ、弾性表面波デバイスのコストを低減することができる。
【００３７】
なお、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２において形成される電極パッド１６，２４の膜厚は櫛形電極１２，２０より厚い。したがって、電極パッド膜厚化工程Ｓ１０２において縞状パターン３２を電極パッド１６，２４とともに形成することにより、縞状パターン３２の膜厚を厚くすることができるので、吸収材２８の圧電性基板１０に対する接合強度をさらに向上させることができる。
【００３８】
以上の説明においては、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２をリフトオフ法により形成する場合について説明した。ただし、以下に説明するように、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２をエッチング法により形成することもできる。
【００３９】
図５は、本実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造工程の他の順序を説明するフローチャートである。図５のフローチャートにおける電極形成工程Ｓ２０１は、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２をエッチング法により形成する工程であり、金属膜形成工程Ｓ２１１、レジストパターン形成工程Ｓ２１２、エッチング工程Ｓ２１３、及びレジスト除去工程Ｓ２１４を含む。なお、電極形成工程Ｓ２０１にて形成される櫛形電極１２，２０の膜厚によっては、電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２を省略することもできる。
【００４０】
図６は、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２をエッチング法により形成する方法を説明する図であり、圧電性基板１０の側面の断面図を示す。なお、図４の場合と同様に、図６でも説明の便宜上、１つのデバイスのみ図示しているが、実際はウェハ上に多数のデバイスが形成される。さらに、図６でも説明の便宜上、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２の詳細な形状の図示を省略している。
【００４１】
金属膜形成工程Ｓ２１１においては、櫛形電極１２，２０、電極パッド１６，２４、及び縞状パターン３２を構成する金属材料を例えば蒸着法を用いて堆積させることで、圧電性基板（ウェハ）１０上に金属膜を形成する（図６（ａ））。図６（ａ）に示す例では、まずＴｉ膜５０を約０．０５μｍの厚さで形成し、その上にＡｌ膜５２を約０．３μｍの厚さで形成した場合を示している。ただし、ここでは１種類の金属材料の膜を形成してもよい。
【００４２】
次に、レジストパターン形成工程Ｓ２１２においては、まずＡｌ膜５２上にレジスト膜４４を塗布する。そして、フォトリソグラフィ技術を使用して、圧電性基板１０上における櫛形電極１２，２０及び電極パッド１６，２４を形成する領域４６及び縞状パターン３２を形成する領域４８以外に塗布されたレジスト膜４４を除去することで、マスキングのためのレジストパターンを形成する（図６（ｂ））。なお、縞状パターン３２を形成する領域４８については、圧電性基板１０上の弾性表面波伝搬方向に関するダイシングライン付近の位置に設定される。
【００４３】
次に、エッチング工程Ｓ２１３においては、圧電性基板１０上における領域４６及び領域４８以外に形成されたＴｉ膜５０及びＡｌ膜５２を例えばＢＣｌ3等のガスを用いたドライエッチングによって除去する（図６（ｃ））。そして、レジスト除去工程Ｓ２１４においては、圧電性基板１０上における領域４６及び領域４８以外に形成されたレジスト膜４４を除去する（図６（ｄ））。以上の電極形成工程Ｓ２０１によって、Ｔｉ膜５０及びＡｌ膜５２により構成される櫛形電極１２，２０及び電極パッド１６，２４を圧電性基板１０上に形成すると同時に、Ｔｉ膜５０及びＡｌ膜５２により構成される縞状パターン３２を圧電性基板１０上に形成することができる。
【００４４】
電極パッド１６，２４の膜厚化を行う場合は、電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２において、電極パッド１６，２４の形成を再度行う。電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２においても、電極形成工程Ｓ２０１と同様に、金属膜形成工程Ｓ２１１、レジストパターン形成工程Ｓ２１２、エッチング工程Ｓ２１３、及びレジスト除去工程Ｓ２１４を行う。ただし、電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２の場合は、レジストパターン形成工程Ｓ２１２にて形成されるマスキングパターン、すなわちレジスト膜４４の領域が電極形成工程Ｓ２０１の場合と異なる。より詳細には、電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２の場合は、レジストパターン形成工程Ｓ２１２において電極パッド１６，２４を形成した領域にレジスト膜４４を形成する点では電極形成工程Ｓ２０１の場合と同様であるが、レジストパターン形成工程Ｓ２１２において櫛形電極１２，２０を形成した領域にレジスト膜４４を形成しない点で電極形成工程Ｓ２０１の場合と異なる。
【００４５】
また、電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２のレジストパターン形成工程Ｓ２１２において縞状パターン３２を形成した領域４８にレジスト膜４４を形成しない場合は、その後のエッチング工程Ｓ２１３及びレジスト除去工程Ｓ２１４によって、電極パッド１６，２４のみの膜厚化が行われる。一方、電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２のレジストパターン形成工程Ｓ２１２において縞状パターン３２を形成した領域４８にレジスト膜４４を形成した場合は、その後のエッチング工程Ｓ２１３及びレジスト除去工程Ｓ２１４によって、電極パッド１６，２４の膜厚化が行われると同時に、縞状パターン３２の膜厚化も行われる。このように、電極パッド１６，２４の膜厚化を行う電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２においても、縞状パターン３２の形成を行うことができる。
【００４６】
なお、吸収材塗布工程Ｓ２０３及びダイシング工程Ｓ２０４は、図３のフローチャートにおける吸収材塗布工程Ｓ１０３及びダイシング工程Ｓ１０４とそれぞれ同様であるため、説明を省略する。
【００４７】
以上のように、エッチング法を用いた場合でもリフトオフ法を用いた場合と同様に、１）電極形成工程Ｓ２０１、２）電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２、または３）電極形成工程Ｓ２０１及び電極パッド膜厚化工程Ｓ２０２の両方の工程において縞状パターン３２を形成することが可能である。そして、エッチング法を用いた場合でもリフトオフ法を用いた場合と同様に、縞状パターン３２を構成する材料が櫛形電極１２，２０を構成する材料と一致する、あるいは櫛形電極１２，２０を構成する材料に含まれるように、縞状パターン３２を形成することができる。さらに、縞状パターン３２を構成する材料が電極パッド１６，２４を構成する材料と一致する、あるいは電極パッド１６，２４を構成する材料に含まれるように、縞状パターン３２を形成することができる。
【００４８】
以上の説明においては、縞状パターン３２を覆うように吸収材２８を形成した場合について説明した。ただし、縞状パターン３２が吸収材２８の外側に張り出していてもアンカー効果を得ることができる。
【００４９】
以上の説明においては、縞状パターン３２によりアンカー層を形成した場合について説明した。ただし、例えばメッシュパターン等のパターンによりアンカー層を形成してもよく、アンカー効果が得られるパターンならば本発明のアンカー層として適用することができる。
【００５０】
以上の説明においては、本発明を弾性表面波フィルタに適用した場合について説明した。ただし、本発明は他の種類の弾性表面波デバイスにも適用することができる。
【００５１】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの構成の概略を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの構成の概略を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法の一例を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法の一例を説明する図である。
【図５】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法の一例を説明するフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法の一例を説明する図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  圧電性基板、１２，２０  櫛形電極、１６，２４  電極パッド、２８  吸収材、３２  縞状パターン。
【図１】
2005217832.tif 000003
【図２】
2005217832.tif 000004
【図３】
2005217832.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005217832.tif 000007
【図６】
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