(57)【要約】      （修正有）【課題】モールド成形後の半導体パッケージの反りを抑制することができ、かつ、リードフレームの製造コストを低く抑えることができる、リードフレーム、モールド成形装置およびモールド成形方法を提供する。【解決手段】リードフレーム４は、半導体素子６を搭載するための載置面を有するダイパッド４ａと、ダイパッド４ａの吊リードとを備えている。吊リードは、非直線形状であり、ダイパッド４ａを載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有している。モールド成形装置は、上金型１と、上金型１と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、上金型１との衝合により、所定の空洞３ａを発生させる下金型２と、貫通孔に挿入され、上下方向に移動可能であり、モールド成形時に空洞内３ａに配置されるダイパッド４ａを下方向から押すピン８とを、備えている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載するための載置面を有するダイパッドと、
前記ダイパッドの吊リードとを備え、
前記吊リードは、非直線形状であり、前記ダイパッドを前記載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有する、
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記吊リードは、曲線形状を有している、
ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ダイパッドは、矩形形状であり、
前記吊リードは、前記矩形形状の前記ダイパッドの各コーナ部を懸吊している、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
上金型と、
前記上金型と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、前記上金型との衝合により、所定の空洞を発生させる下金型と、
前記貫通孔に挿入され、前記上下方向に移動可能であり、モールド成形時に前記空洞内に配置されるダイパッドを下方向から押すピンと
を備えることを特徴とするモールド成形装置。
【請求項５】
前記ピンおよび前記下金型の前記貫通孔の数は、４つであり、
前記各ピンは、前記各貫通孔に各々貫入しており、各々、矩形形状のダイパッドのコーナ付近において当接可能である、
ことを特徴とする請求項４に記載のモールド成形装置。
【請求項６】
（ａ）請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリードフレームが備えるダイパッドに、半導体素子を搭載する工程と、
（ｂ）請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備える、上金型と下金型とを衝合することにより発生する空洞内に、前記半導体素子が搭載されたダイパッドを配置する工程と、
（ｃ）モールド成形時に、請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備えるピンにより、前記空洞内に配置された前記半導体素子が搭載されたダイパッドを下方向から押しながら、モールド樹脂を前記空洞内に注入する工程と
を備えることを特徴とするモールド成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リードフレーム、モールド成形装置およびモールド成形方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子が実装されたリードフレームに対してモールド成形処理を施すことにより、半導体パッケージが製造されている。当該モールド成形処理は、上金型、下金型、所定の形状のリードフレーム、およびモールド成形装置を用いて行われている。
【０００３】
上金型と下金型とを衝合させることにより、所定の空洞が両金型間に生じる。また、リードフレームは、ダイパッドと、枠部と、略直線形状の吊リードと、複数のリードとを備えている。ここで、ダイパッド、枠部、吊リードと、各リードは、一体的に形成されている。また吊リードは、枠部に対してダイパッドを懸吊させるための部材である。
【０００４】
上金型と下金型との衝合に際して、当該衝合部にリードフレームの枠部の一部を挟み込む。こうすることにより、上金型と下金型とを衝合させた状態で、両金型間に生じる空洞内にリードフレームを固定することができる。
【０００５】
そして、モールド成形装置に添え付けられており、上記リードフレームの固定済みの金型内に生ずる空洞内に、モールド樹脂を流し込む。以上により、モールド成形処理が実行されていた。
【０００６】
ところで、従来より、モールド成形処理後の半導体パッケージは、どちらか一方の主面側に、凹状（または凸状）に反るという問題が発生していた。半導体パッケージの反りは、リードフレーム、半導体素子、およびモールド樹脂等の熱膨張係数の違いにより発生する。特に、半導体パッケージの反りは、モールド樹脂の樹脂厚および、リードフレーム上に実装される半導体素子の縦構造寸法に大きく依存している。
【０００７】
したがって、半導体パッケージの反りを抑制するためには、半導体素子の縦構造寸法を特定する必要がある。そして、上述の寸法の特定をした上で、金型内に固定されているリードフレームの上下における、モールド樹脂の各樹脂厚を最適な値にする必要がある。
【０００８】
そこで、応力シミュレーション等を用いて、半導体素子の縦構造寸法を特定した状態での、リードフレーム上方のモールド樹脂の樹脂厚および、リードフレーム下方のモールド樹脂の樹脂厚を決定していた。そして、リードフレームの上下面上において、当該決定した樹脂厚の樹脂が形成されるように、金型内のダイパッドの上下位置を決定していた。そして、実際に金型内にリードフレームが固定されている状態で、ダイパッドが前述の決定した位置に存するように、当該リードフレームの形状を定めていた。
【０００９】
つまり、半導体素子の縦構造寸法に応じて、リードフレームの形状が定められていた。
【００１０】
本発明に関連する従来技術として、例えば、特許文献１，２等がある。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−３４０４０３号公報
【特許文献２】特開平８−１６２４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のように、リードフレーム形状は、半導体素子の縦構造寸法等に応じて、決定されていた。したがって、半導体素子の縦構造寸法等が変更（例えば、半導体素子のスタック段数の変更等）される度に、新たに、当該構造寸法等に最適なリードフレームを製造する必要がある。
【００１３】
このように、半導体素子の縦構造寸法等が変更される度に、リードフレームを製造する必要があるので、リードフレームの製造コストが高くならざるを得なかった。
【００１４】
また、上記のように新たに、半導体素子の縦構造寸法等に応じて、最適な形状・寸法のリードフレームを製造したとしても、モールド成形処理を施す前に行われるダイボンドやワイヤボンド工程によって、リードフレームのダイパッドの上下位置が変化してしまう。
【００１５】
したがって、折角適正な形状のリードフレームを作成したとしても、ダイボンド工程等を施し、その後にモールド成形処理を施した後の半導体パッケージには、無視できない反りが発生してしまう。
【００１６】
そこで、この発明は、モールド成形後の半導体パッケージの反りを抑制することができ、かつ、リードフレームの製造コストを低く抑えることができる、リードフレーム、モールド成形装置およびモールド成形方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載のリードフレームは、半導体素子を搭載するための載置面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの吊リードとを備え、前記吊リードは、非直線形状であり、前記ダイパッドを前記載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有する。
【００１８】
また、本発明に係る請求項４に記載のモールド成形装置は、上金型と、前記上金型と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、前記上金型との衝合により、所定の空洞を発生させる下金型と、前記貫通孔に挿入され、前記上下方向に移動可能であり、モールド成形時に前記空洞内に配置されるダイパッドを下方向から押すピンとを備えている。
【００１９】
また、本発明に係る請求項６に記載のモールド成形方法は、（ａ）請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリードフレームが備えるダイパッドに、半導体素子を搭載する工程と、（ｂ）請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備える、上金型と下金型とを衝合することにより発生する空洞内に、前記半導体素子が搭載されたダイパッドを配置する工程と、（ｃ）モールド成形時に、請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備えるピンにより、前記空洞内に配置された前記半導体素子が搭載されたダイパッドを下方向から押しながら、モールド樹脂を前記空洞内に注入する工程とを備えている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の請求項１に記載のリードフレームは、半導体素子を搭載するための載置面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの吊リードとを備え、前記吊リードは、非直線形状であり、前記ダイパッドを前記載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有するので、当該リードフレームをモールド成形金型に挟着した状態で、ダイパッドに対して上下方向の力を加えると、吊リードの弾性機能により、当該ダイパッドは上下方向に移動可能となる。したがって、ダイパッドに搭載される半導体素子の縦寸法等の構造が異なっても、同一仕様のリードフレームを採用することができる。よって、搭載される半導体素子の縦寸法が変わる度に、リードフレームを形成する必要がなくなり、リードフレームの製造コストの低減を図ることができる。また、モールド成形処理前の工程（例えば、ダイパンドやワイヤボンド等の工程）により、ダイパッドの上下位置が変動しても、本発明に係るリードフレームを採用することにより、モールド成形処理の際に、ダイパッドの上下位置のズレを是正することができる。
【００２１】
本発明の請求項４に記載のモールド成形装置は、上金型と、前記上金型と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、前記上金型との衝合により、所定の空洞を発生させる下金型と、前記貫通孔に挿入され、前記上下方向に移動可能であり、モールド成形時に前記空洞内に配置されるダイパッドを下方向から押すピンとを備えているので、ダイパッドに搭載される半導体素子の縦構造寸法等が変更されたとしても、当該縦構造寸法の変更に合わせて、空洞内に配置されたダイパッドの上下位置を適正な位置（モールド処理終了後の半導体パッケージの反りを最小限に抑えることができる位置）移動させることができる。したがって、搭載される半導体素子の縦構造寸法等が変更されても、同一仕様のリードフレームを用いてモールド処理を施すことができる。よって、半導体パッケージの反りを抑制することができると伴に、リードフレームの製造コストを従来より抑えることができる。また、モールド成形処理前に、ダイボンド工程やワイヤボンディング工程等を施し、リードフレームのダイパッドの上下位置が多少シフトとしたとする。しかし、請求項４に係る発明では、モールド成形処理を行う直前に、ピンによりダイパッドを適正な位置に移動させることができる。したがって、ダイボンド工程等によるダイパッドの上下位置がシフトしても、当該シフトとを是正することができ、当該ダイボンド工程等に起因する半導体パッケージの反りも抑制することができる。また、請求項４に係る発明では、モールド処理の最中においても、ピンによってリードフレームは下方向に支持（固定）されているので、モールド樹脂の流れにより、当該リードフレームが下方向にシフトすることも防止することができる。したがって、リードフレームの下方向のシフトに起因する、モールド成形後の半導体パッケージの反りを、より抑制することができる。
【００２２】
本発明の請求項６に記載のモールド成形方法は、（ａ）請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリードフレームが備えるダイパッドに、半導体素子を搭載する工程と、（ｂ）請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備える、上金型と下金型とを衝合することにより発生する空洞内に、前記半導体素子が搭載されたダイパッドを配置する工程と、（ｃ）モールド成形時に、請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備えるピンにより、前記空洞内に配置された前記半導体素子が搭載されたダイパッドを下方向から押しながら、モールド樹脂を前記空洞内に注入する工程とを備えているので、上記各効果と同様な効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００２４】
＜実施の形態１＞
図１〜３を用いて、本実施の形態に係るモールド成形金型の構造を説明する。
【００２５】
図１は、上金型の断面を示す図である。図２は、下金型の断面を示す図である。図３は、上金型と下金型とを衝合した状態を示す断面図である（つまり、モールド成形金型の断面図である）。
【００２６】
図１において、上金型１の下面側（下金型２と衝合される側）には、凹部１ａが形成されている。さらに、凹部１ａの側面には、後述するモールド樹脂供給路３ｂ（図３）に対応して凹部１ｂが形成されている。
【００２７】
また、図２において、下金型２の上面側（上金型１と衝合される側）には、凹部２ａが形成されている。さらに、凹部２ａの側面には、後述するモールド樹脂供給路３ｂ（図３）に対応して凹部２ｂが形成されている。
【００２８】
さらに、下金型２には、下面から上面に至る貫通孔２ｃ，２ｄが穿設されている。ここで、貫通孔２ｃは、下金型２の下面から凹部２ａの底部に至って、凹部２ａのほぼ中央部に穿設されている。また、貫通孔２ｄは、下金型２の下面から凹部２ｄの底部に至って、穿設されている。
【００２９】
貫通孔２ｃとして、従来より使用していたエジェクタピン用の孔をそのまま併用してもよい。
【００３０】
また、図３に示すように、上金型１と下金型２とが衝合（以下、上金型１と下金型２とが衝合された金型をモールド成形金型３と称する）することにより、所定の空洞３ａと、モールド樹脂供給路３ｂとが形成される。ここで、空洞３ａは、凹部１ａと凹部２ａとにより、形成される。空洞３ａの位置は、上金型と下金型から成るモールド成形金型３のほぼ中央部に形成される。また、モールド樹脂供給路３ｂは、凹部１ｂ、凹部２ｂおよび貫通孔２ｄとで形成されている。
【００３１】
空洞３ａには、半導体素子等が搭載されたリードフレームが設置される。また、モールド樹脂供給路３ｂには、下金型２の下面側から空洞３ａに向けて、モールド樹脂が注入される。
【００３２】
次に、図４に、本発明に係るリードフレームの断面形状を示す。
【００３３】
図４に示すように、リードフレーム４は、ダイパッド４ａ、枠部４ｂ、吊リード４ｃおよび複数のリード（図示せず）から構成されている。なお、各部４ａ，４ｂ，４ｃ等は、一体的である。また、リードフレーム４は、例えば鉄や銅製である。
【００３４】
ダイパッド４ａには、例えばスタック構造（例えば、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造等）の半導体素子が搭載される。
【００３５】
また、リードフレーム４のモールド成形処理の際には、図３に示したモールド成形金型３の空洞３ａ内にダイパッド４ａが配置される。ここで、枠部４ｂの一部が、上金型１と下金型２との衝合部において挟まれることにより、ダイパッド４ａは、空洞３ａ内に中空配置される。
【００３６】
また、吊リード４ｃは、枠部４ｂに対してダイパッド４ａを懸吊させるための部材である。本実施の形態において、吊リード４ｃは、所定の曲率を有する曲線形状である。なお、ここでは、吊リード４ｃは、曲線形状のみ開示しているが、これ以外の形状であっても弾性機能を有するものであればよい。しかし、吊リード４ｃの形状を直線形状とした場合には、弾性機能が有効（適当）に働かないため、吊リード４ｃは、非直線形状であれば良い。
【００３７】
吊リード４ｃを非直線形状とすることにより、当該吊リード４ｃには、適当な弾性機能が与えられる。したがって、枠部４ｂが上金型１と下金型２とで挟着されている状態において、ダイパッド４ａに対して、図４の上下方向に力を加えると、当該ダイパッド４ａの懸吊位置は、当該上下方向の力に沿って、移動する。
【００３８】
特に、吊リード４ｃを曲線形状とすることにより、簡易に当該吊リード４ｃは、適当な弾性機能を有することができる。
【００３９】
また、ダイパッド４ａの上下移動を容易ならしめるために、吊リード４ｃの剛性を弱くしても良い。
【００４０】
図５に、モールド成形金型３の空洞３ａ内に、リードフレーム４が配置されている様子を示す。ここで、ダイパッド４ａ上には、スタック構造の半導体素子６が搭載されている。また、半導体素子６とリードフレーム４とは、ワイヤ７により電気的に接続されている（厳密には、半導体素子６と図示していない各リードと接続されている。図５では、簡略したため、このようには、なっていない）。
【００４１】
図５に示しているように、リードフレーム４の枠部４ｂの一部が、上金型１と下金型２との衝合部において、挟着されている。当該枠部４ｂの挟着により、ダイパッド４ａは、空洞３ａ内の所定の位置に中空配置される。なお、図５では、簡略化のため枠部４ｂが挟着されてい状況を示さず、上金型１と下金型２とが直に接続させている。また、金型の外側においても枠部４ｂが食み出すが、当該様子も簡略化のため図５には図示してない。
【００４２】
また、図６に示すように、モールド成形装置には、上下方向に移動可能なピン８が設けられている。そして、図５に示したモールド成形金型３でリードフレーム４を挟着した状態において、図６，７に示すように、下金型２に穿設されている貫通孔２ｃに当該ピン８が貫入される。なお、図７は、ダイパッド４ａに対して、ピン８が当接している箇所を拡大した図である。
【００４３】
ピン８は、図８に示すように、円柱部８ａと円錐部８ｂとから構成されている。また、リードフレーム４を挟着しているモールド成形金型３をモールド成形装置に設置すると、図６，７に示すように、ダイパッド４ａの下面においてピン８の円錐部８ｂの先端が当接される。したがって、ピン８の当接により、ピン８が当接される前の状態と比べて、ダイパッド４ａの位置は、吊リード４ｃの弾性機能を利用して上方向に移動する。つまり、ピン８の当接により、ダイパッド４ａは押し上げられる。
【００４４】
なお、ピン８は、モールド成形装置によって固定されているモールド成形金型３に対して、上下方向に移動可能である。また、下金型２の貫通孔２ｃの径と、ピン８の円柱部の径とは、隙間よりモールド樹脂が流れ出ない程度に、ほぼ同一である方が望ましい。また、ピン８の先端部の形状は、抜き角を考慮した円錐形状である。
【００４５】
次に、ピン８が当接されている状態において、ピン８を上下方向に可動させ、ダイパッド４ａの位置を適正な位置に調整する。すなわち、ダイパッド４ａの位置は、モールド成形後の半導体パッケージの反りが最小限に抑制できる位置に、調整される。
【００４６】
ダイパッド４ａの適正位置は、シミュレーションによって決定してもよく、また、複数個の実測値から半導体パッケージの反りが最小限に抑えられる位置を推測して決定してもよい。
【００４７】
上記のように、ダイパッド４ａの位置を適正位置に調整した後に、ピン８をその状態に維持して、モールド樹脂供給路３ｂを通してモールド樹脂１０を金型内の空洞３ａに注入し（図９参照）、モールド成形処理を施す。そして、最終的に、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体パッケージを形成する。ここで、半導体パッケージの厚さは、通常１．４ｍｍｔ以下である。
【００４８】
以上のように、本実施の形態に係るモールド成形金型３、リードフレーム４およびモールド成形装置等を適用することにより、半導体素子６が搭載されているリードフレーム４に対してモールド成形処理を施す前に、モールド成形金型３の空洞３ａ内のダイパッド４ａの位置を自由に移動させることができる。
【００４９】
従来では、ダイパッド４ａに搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更される度に、当該縦構造寸法の変更に合わせて、空洞３ａ内でのダイパッド４ａの上下位置を適正な位置となるように、リードフレーム４の形状を変更していた。すなわち、搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更される度に、新たにリードフレーム４を製造する必要があった。
【００５０】
しかし、この発明では、ダイパッド４ａに搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更されたとしても、当該縦構造寸法の変更に合わせて、空洞３ａ内でのダイパッド４ａの上下位置を適正な位置（モールド処理終了後の半導体パッケージの反りを最小限に抑えることができる位置）に移動させることができる。
【００５１】
したがって、搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更されても、同一仕様のリードフレーム４を用いてモールド処理を施すことができる。よって、半導体パッケージの反りを抑制することができると伴に、リードフレーム４の製造コストを従来より抑えることができる。
【００５２】
また、モールド成形処理前に、ダイボンド工程やワイヤボンディング工程等を施し、リードフレーム４のダイパッド４ａの上下位置がシフトとしたとする。この場合においても、本発明では、モールド成形処理を行う直前に、ピン８によりダイパッド４ａを適正な位置に移動させることができる。
【００５３】
したがって、ダイボンド工程等によるダイパッド４ａの上下位置がシフトしても、当該シフトとを是正することができ、当該ダイボンド工程等に起因する半導体パッケージの反りも抑制することができる。
【００５４】
また、従来技術に係るモールド成形処理では、枠部４ｂが上金型１と下金型２との衝合部において挟着されることにより、リードフレーム４は、モールド成形金型３の空洞３ａ内の所定の位置に固定される。
【００５５】
しかし、従来技術に係るモールド成形処理では、リードフレーム４は、その他の箇所では支持されていない。よって、図１０に示すように、モールド成形金型３の空洞３ａ内にモールド樹脂１０が流し込まれると、半導体素子６を搭載したリードフレーム４は、モールド樹脂１０の流入に伴い、多少上下方向にシフトすることがあった。したがって、当該上下方向のリードフレーム４のシフトに起因して、半導体パッケージの反りが発生することもあった。
【００５６】
ところが、本発明では、モールド成形処理の最中においても、ピン８によってリードフレーム４は下方向に支持（固定）されているので、モールド樹脂１０の流れにより、当該リードフレーム４が下方向にシフトすることも防止することができる。したがって、リードフレーム４の下方向のシフトに起因する、モールド成形後の半導体パッケージの反りを、より抑制することができる（図９参照）。
【００５７】
また、図８で示したように、ピン８の先端部は、抜き角を考慮した円錐形状なので、モールド処理終了後に、モールド成形金型３から当該ピン８を容易に引き抜くことができる。さらに、ピン８の先端部は円錐形状なので、ピン８が存在していたために半導体パッケージ内に発生するボイドの大きさを、ピン８の先端部を円柱形状とする場合よりも、小さくすることができる。
【００５８】
＜実施の形態２＞
本実施の形態の特徴を示す図を、図１１に示す。図１１は、ダイパッド４ａを上方から見た平面図である。
【００５９】
図１１に示すように、スタック構造の半導体素子６を搭載しているダイパッド４ａの下面は、４本のピン（ピン自身は図示せず）が当接されている。ダイパッド４ａに付されている×印は、ピン８の当接位置Ｐである。図１１から分かるように、各ピンは、ダイパッド４ａの各コーナ付近において、各々当接されている。
【００６０】
また、図１２に、半導体素子６が搭載されているリードフレーム４が設置されている、モールド成形金型３の断面図を示す。図１２から分かるように、本実施の形態では、下金型２には、４つ（図１２の断面図には、２つのみが図示されている）の貫通孔２ｃが穿設されている。
【００６１】
そして、図１２において、各貫通孔２ｃには、ピン８が各々貫入されており、ピン８の先端部は、ダイパッド４ａの各コーナ部において、当該ダイパッド４ａの下面を支持している。
【００６２】
上記のように、ピン８の本数を増加させることにより、ダイパッド４ａの上下位置制御をより安定して、精度良く行うことができる。
【００６３】
なお、上記各実施の形態において、ダイパッド４ａに対して吊リード４ｃは、図１３に示すように形成されても良く、また、図１４に示すように形成されても良い。
【００６４】
つまり、図１３に示すように、２つの吊リード４ｃは各々、ダイパッド４ａの左右の辺の中央付近に接続されても良い。また、図１４に示すように、４つの吊リード４ｃは各々、ダイパッド４ａのコーナ部に接続されても良い。
【００６５】
ここで、図１３，１４は、ダイパッド４ａを上方から見た平面図である。
【００６６】
なお、図１３に示す場合よりも図１４に示す場合の方が、ダイパッド４ａの各辺における上下位置のバラツキをより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】上金型の断面図である。
【図２】下金型の断面図である。
【図３】モールド成形金型の断面図である。
【図４】リードフレームの断面図である。
【図５】半導体素子が搭載されたリードフレームがモールド成形金型に挟着されている様子を示す断面図である。
【図６】モールド成形金型の空洞に存するリードフレームに対してピンが当接されている様子を示す断面図である。
【図７】リードフレーム（ダイパッド）にピンが当接されている様子を示す拡大断面図である。
【図８】ピンの側面形状を示す拡大断面図である。
【図９】実施の形態１に係るモールド成形金型の空洞内にモールド樹脂が流し込まれる様子を示す断面図である。
【図１０】従来の技術に係るモールド成形金型の空洞内にモールド樹脂が流し込まれる様子を示す断面図である。
【図１１】モールド成形金型の空洞に存するリードフレームに対して、複数本のピンが当接されている様子を示す断面図である。
【図１２】半導体素子が搭載されているダイパッドに対して、複数本のピンが当接されている様子を示す平面図である。
【図１３】ダイパッドに対して２本の吊リードが配設されている様子を示す平面図である。
【図１４】ダイパッドに対して４本の吊リードが配設されている様子を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  上金型、２  下金型、３  モールド成形金型、４  リードフレーム、６  半導体素子、７  ワイヤ、８  ピン、１０  モールド樹脂、１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ  凹部、２ｃ，２ｄ  貫通孔、３ａ  空銅、３ｂ  供給路、４ａ  ダイパッド、４ｂ  枠部、４ｃ  吊リード、８ａ  円柱部、８ｂ  円錐部、Ｐ  当接部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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