(57)【要約】【課題】  フォトリソプロセス工程において、半導体ウエハに異常が発生した場合に、異常の原因を特定することができるフォトリソプロセス装置１１を提供する。【解決手段】  複数の工程によって基板に対するフォトリソグラフィー処理を行うフォトリソプロセス装置１１において、検査部１７は、提供された基板の欠陥の有無を検査し、搬送部１５は、指示された工程で処理された基板を検査部１７に搬送して提供する。制御部１９は、通常動作時には、複数の工程の内、所定の工程で処理された基板のみが検査部１７に提供されて検査され、所定の工程で処理された基板に欠陥があると検査部１７が判断した場合には、所定の工程より前に存在する工程において処理された基板が検査部１７に提供されるように搬送部１５を制御する。異常特定部４９は、異常発見モード時における判定部の判定結果に基づいて、欠陥が発生した工程を特定する。【選択図】  図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の工程によって基板に対するフォトリソグラフィー処理を行うフォトリソプロセス装置であって、
提供された基板に対して欠陥があるか否かを検査する基板検査部と、
前記複数の工程の内、指示された工程において処理された基板を前記基板検査部に搬送して提供することにより、当該基板を基板検査部によって検査させる基板提供部と、
通常動作モード時においては、前記複数の工程の内、所定の工程で処理された基板のみが前記基板検査部に提供されて検査され、当該所定の工程で処理された基板に欠陥があると基板検査部が判断した異常発見モード時には、当該所定の工程より前に存在する工程において処理された基板が前記基板検査部に提供されて検査されるように前記基板提供部を制御する制御部と、
前記異常発見モード時における前記基板検査部の検査結果に基づいて、いずれの工程で前記欠陥が発生したのかを特定する異常特定部とを備える、フォトリソプロセス装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記異常発見モード時には、前記所定の工程よりも前に存在する工程の内、各工程で処理された基板を基板の処理工程順序を遡りながら順番に基板検査部に提供するように基板提供部に指示する検査工程指示部を含み、
前記異常特定部は、前記基板検査部が基板に欠陥がないと判断した場合には、欠陥がないと判断された工程の直後の工程に異常があると判断するとともに、前記制御部に基板検査部への基板の提供を中止させる異常工程特定部を含む、請求項１に記載のフォトリソプロセス装置。
【請求項３】
前記異常特定部によって特定された工程での処理が復旧するための回復措置を行う回復処理実行部をさらに備える、請求項１に記載のフォトリソプロセス装置。
【請求項４】
前記所定の工程は、異常が発生する可能性を有する複数の工程の内、最終工程に位置することを特徴とする、請求項１に記載のフォトリソプロセス装置。
【請求項５】
複数の工程によって基板に対してフォトリソグラフィー処理を行うフォトリソプロセスにおいて、複数の前記工程での処理において基板に欠陥が発生したことを検出する方法であって、
前記複数の工程の内、所定の工程で処理された基板に対して、欠陥があるか否かを検査する第１検査ステップと、
前記所定の工程で処理された基板に欠陥があると第１検査ステップにおいて判断された場合には、前記所定の工程より前に存在する工程において処理された基板を検査する第２検査ステップと、
前記第２検査ステップの検査結果に基づいて、いずれの工程で前記欠陥が発生したのかを特定する異常特定ステップとを備える、欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソプロセス装置に関し、より特定的には、フォトリソグラフィーに用いられるフォトリソプロセス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスを製造する際の微細なパターンの加工には、フォトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術が用いられる。フォトリソグラフィーとは、一般的には、写真技術を用いて半導体ウエハの表面に微細な回路パターンを焼き付け、作製する工程をいう。
【０００３】
図６は、従来の代表的なフォトリソプロセスの処理工程を示すフローチャートである。まず、ステップＳ３０１において、レジストコーターのローダ部に半導体ウエハが搬送される。そして、処理は次のステップＳ３０３に進む。
【０００４】
ステップＳ３０３において、半導体ウエハの表面にレジストが塗布される。そして、処理は次のステップＳ３０５に進む。ステップＳ３０５において、ステッパ等の露光装置によって、レジストの表面に必要な回路パターンが転写される。そして、処理は次のステップＳ３０７に進む。
【０００５】
ステップＳ３０７において、現像処理が行われる。具体的には、回路パターンが転写された半導体ウエハは、レジストパターン形成に不要な部分のレジストが除去される。一連のフォトリソプロセス作業終了後、半導体ウエハはアンローダ部に移送される。
【０００６】
以上のようなフォトリソプロセス工程を経て製造された半導体ウエハに対して、不良の有無を調べるために製品検査が行われる。半導体ウエハの検査は、一般的には、現像終了後または配線パターン形成完了後に行われる。検査は、例えば抜き取り検査であって、処理された複数の半導体ウエハから所定の枚数の半導体ウエハが抜き取られ、抜き取られた半導体ウエハに対して検査が行われる。半導体ウエハに対して行われる検査は、一般的には、光学顕微鏡またはＳＥＭを用いた寸法検査や、外観検査である。
【０００７】
このようなフォトリソグラフィー工程に用いられるフォトリソ装置の一例として、レジストの現像状態をモニタリングするフォトリソプロセスモニタ装置が提案されている（特許文献１）。同装置によれば、現像工程が終了した製品を順番にモニタリングしていくことによって、リアルタイムで不良製品を発見することができる。
【特許文献１】特開平５−３２６３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、フォトリソグラフィー工程には、塗布工程、露光工程および現像工程等の複数の工程が存在する。従来のフォトリソ装置は、半導体ウエハの検査を現像工程が終了した時点においてのみ行うため、半導体ウエハに異常が発生した原因、つまり、異常が発生した工程を特定することができない。
【０００９】
それゆえに、本発明の目的は、フォトリソプロセス工程において、半導体ウエハに異常が発生した場合に、異常の原因を特定することができるフォトリソプロセス装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のフォトリソプロセス装置は、基板検査部と、基板提供部と、制御部と、異常特定部とを備える。基板検査部は、提供された基板に対して欠陥があるか否かを検査する。基板提供部は、複数の工程の内、指示された工程において処理された基板を基板検査部に搬送して提供することにより、基板を基板検査部によって検査させる。制御部は、通常動作モード時においては、複数の工程の内、所定の工程で処理された基板のみが基板検査部に提供されて検査され、所定の工程で処理された基板に欠陥があると基板検査部が判断した異常発見モード時には、所定の工程より前に存在する工程において処理された基板が基板検査部に提供されて検査されるように基板提供部を制御する。異常特定部は、異常発見モード時における基板検査部の検査結果に基づいて、いずれの工程で欠陥が発生したのかを特定する。
【００１１】
また、制御部は検査工程指示部を含み、異常特定部は異常工程特定部を含んでいてもよい。検査工程指示部は、異常発見モード時には、所定の工程よりも前に存在する工程の内、各工程で処理された基板を基板の処理工程順序を遡りながら順番に基板検査部に提供するように基板提供部に指示する。異常工程特定部は、基板検査部が基板に欠陥がないと判断した場合には、欠陥がないと判断された工程の直後の工程に異常があると判断するとともに、制御部に基板検査部への基板の提供を中止させる。
【００１２】
また、フォトリソプロセス装置は、回復処理実行部をさらに備えていてもよい。回復処理実行部は、異常特定部によって特定された工程での処理が復旧するための回復措置を行う。
【００１３】
また、所定の工程は、異常が発生する可能性を有する複数の工程の内、最終工程に位置していてもよい。
【００１４】
また、本発明は、フォトリソプロセス装置のみならず、基板の検査方法に対しても向けられている。基板の検査方法は、第１検査ステップと、第２検査ステップと、異常特定ステップとを備える。第１検査ステップは、複数の工程の内、所定の工程で処理された基板に対して、欠陥があるか否かを検査する。第２検査ステップは、所定の工程で処理された基板に欠陥があると第１検査ステップにおいて判断された場合には、所定の工程より前に存在する工程において処理された基板を検査する。異常特定ステップは、第２検査ステップの検査結果に基づいて、いずれの工程で欠陥が発生したのかを特定する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のフォトリソプロセス装置は、通常時には所定の工程で処理された基板を検査し、基板に欠陥が発見された場合には、所定の工程よりも前に存在する工程で処理された基板を検査しているので、異常の原因となった工程を特定することができる。
【００１６】
また、制御部が検査工程指示部を含み、異常特定部が異常工程特定部を含むこととすれば、全ての工程について基板を検査する場合に比べ、検査する基板の枚数を最小限にとどめ、効率的に異常原因である工程を特定することができる。
【００１７】
また、フォトリソプロセス装置が回復処理実行部をさらに備えることとすれば、異常原因と特定した工程の復旧処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１に示すブロック図を参照して、本発明の一実施形態に係るフォトリソプロセス装置１１の構成について説明する。フォトリソプロセス装置１１は、生産動作部１３と、検査部１７と、制御部１９と、レジスト剥離部２１とを含み、半導体ウエハに対してフォトリソグラフィー処理および検査を行う。
【００１９】
生産動作部１３は、ローダ部３１と、複数のフォトリソ処理部３３と、アンローダ部３５とを含む。以下、フォトリソプロセス装置１１は、フォトリソ処理部３３として、塗布部３３ａと、露光部３３ｂと、現像部３３ｃとを含む場合について説明する。塗布部３３ａと、露光部３３ｂと、現像部３３ｃとを特に区別する必要のない場合には、これらをフォトリソ処理部３３と総称する。一般的に、フォトリソ工程において、半導体ウエハは、ローダ部３１、塗布部３３ａ、露光部３３ｂ、現像部３３ｃ、検査部１７、アンローダ部３５の順番で処理される。
【００２０】
図１において、実線矢印は各部から出力される信号の流れを示し、点線矢印は半導体ウエハの搬送経路を示す。フォトリソ処理部３３（塗布部３３ａ、露光部３３ｂおよび現像部３３ｃ）と、検査部１７と、レジスト剥離部２１とは、搬送部１５によって接続され、半導体ウエハは、搬送部１５によって各部へ搬送される。以下、フォトリソプロセス装置１１の各部について詳細に説明する。
【００２１】
ローダ部３１には、フォトリソプロセス装置１１で処理が開始される半導体ウエハが設置される。ローダ部３１に設置された半導体ウエハは、搬送部１５を介して塗布部３３ａに渡される。搬送部１５は、例えば伸縮自在なアーム型搬送機であって、半導体ウエハを所定の位置に搬送する。塗布部３３ａは、例えばコーターであって、半導体ウエハにレジストを塗布する。レジストが塗布された半導体ウエハは、搬送部１５を介して露光部３３ｂに渡される。
【００２２】
露光部３３ｂは、例えばステッパ方式で露光を行う露光機であって、レジストが塗布された半導体ウエハにマスクパターンを転写する。パターンが転写された半導体ウエハは、搬送部１５を介して現像部３３ｃに渡される。現像部３３ｃは、露光部３３ｂによって露光されたレジストパターンを現像する。現像が完了した半導体ウエハは、搬送部１５を介して検査部１７に渡される。
【００２３】
図２を参照して、検査部１７について詳細に説明する。検査部１７は、撮像部４１と、記憶部４５と、画像比較部４３と、判定部４７と、異常特定部４９と、信号生成部５１とを含む。当該検査部１７は、塗布部３３ａ、露光部３３ｂおよび現像部３３ｃの各部で処理された半導体ウエハの検査を行い、半導体ウエハに異常が発生した場合には、異常原因となったフォトリソ処理部３３を特定する。半導体ウエハに異常が発見されるまで、つまり、正常にフォトリソプロセス装置１１の動作が行われている場合には、検査部１７は、現像部３３ｃで処理された半導体ウエハを検査する。
【００２４】
記憶部４５は、例えばメモリ等の記憶装置であって、現像部３３ｃで処理された後の正常なレジストパターンを示すモデルパターンを格納する。記憶部４５はこれだけでなく、レジスト塗布直後、露光直後の半導体ウエハ所定箇所の撮像モデルパターンも予め記憶している。記憶部４５に格納されているモデルデータは、後述する画像比較部４３によって適宜読み出されて使用される。撮像部４１は、典型的にはＣＣＤカメラであって、半導体ウエハの所定の箇所を撮像する。撮像部４１によって撮像された撮像パターンは、画像比較部４３に渡される。
【００２５】
図３Ａは、記憶部４５に格納されるモデルパターン５５の一例を模式的に示す図である。現像後、正常な半導体ウエハには、モデルパターン５５と同様な配線パターン５７が形成される。
【００２６】
図２の説明に戻り、画像比較部４３は、撮像部４１から撮像パターンを受け取ると、記憶部４５からモデルパターン５５を読み出し、撮像パターンとモデルパターン５５とを比較し、不一致箇所を抽出する。画像比較部４３によって抽出された不一致箇所を示すデータは、判定部４７に出力される。また、画像比較部４３は、後述する判定部４７によって半導体ウエハに異常が存在すると判断された場合、レジスト塗布後および露光後の半導体ウエハを撮像した撮像パターンと予め記憶部４５に格納された撮像モデルパターンとを比較し、不一致箇所を抽出する。この場合、半導体ウエハに塗布されたレジストに存在するパーティクルやレジスト中の有機異物が不一致箇所として抽出される。
【００２７】
図３Ｂは、撮像パターン５９の一例を模式的に示す図である。レジストには、例えば、パーティクルや、レジストのブリッジのような異常箇所６１が発生する場合がある。異常箇所６１が発生すると、現像工程において、正常なレジストパターンが形成されないために、現像後にエッチングやスパッタによって配線を形成する場合に、正常な配線パターンを形成することができない。
【００２８】
図３Ｃは、画像比較部４３によって抽出された抽出パターン６３の一例を模式的に示す図である。画像比較部４３は、図３Ａに示すモデルパターン５５と、図３Ｂに示す撮像パターン５９とを比較して不一致箇所６５を抽出し、抽出パターン６３を生成する。
【００２９】
再び図２の説明に戻り、判定部４７は、画像比較部４３から受け取った抽出パターン６３に基づいて、半導体ウエハに異常が存在するか否かを判断する。判定部４７は、半導体ウエハに異常が存在しないと判断した場合、信号生成部５１に、フォトリソプロセス装置１１に生産を継続させるための継続指示信号を生成するよう指示する。一方、判定部４７は、半導体ウエハに異常が存在すると判断した場合、信号生成部５１に、フォトリソプロセス装置１１における生産を停止させるための停止指示信号を生成するよう指示する。
【００３０】
また、判定部４７は、画像比較部４３から受け取った抽出パターン６３が、塗布部３３ａまたは露光部３３ｃによって処理が行われた半導体ウエハを撮像した撮像パターン５９に基づいて抽出された場合、判定結果を異常特定部４９に通知する。
【００３１】
異常特定部４９は、判定部４７から受け取った判定結果に基づいて、異常が発生したフォトリソ処理部３３を特定する。具体的には、異常特定部４９は、塗布部３３ａで処理された半導体ウエハに異常が存在し、露光部３３ｂで処理された半導体ウエハに異常が存在しない場合、塗布部３３ａが異常原因であると特定する。また、異常特定部４９は、塗布部３３ａで処理された半導体ウエハに異常がなく露光部３３ｂで処理された半導体ウエハに異常が存在する場合、露光部３３ｂが異常原因であると特定する。塗布部３３ａで処理された半導体ウエハと、露光部３３ｂで処理された半導体ウエハの双方に異常が存在しない場合、異常特定部４９は、現像部３３ｃが異常原因であると特定する。異常特定部４９は、異常原因を特定すると、特定したフォトリソ処置部３３において復旧処理を行うための復旧指示信号を生成するよう、信号生成部５１に指示する。
【００３２】
信号生成部５１は、判定部４７の指示に従って、継続指示信号または停止指示信号を生成する。また、信号生成部５１は、異常特定部４９の指示に従って、復旧信号を生成する。信号生成部５１によって生成された信号は、制御部１９に渡される。
【００３３】
図１の説明に戻り、制御部１９は、信号生成部５１から受け取った信号に従って、フォトリソプロセス装置１１の各フォトリソ処理部３３の動作を制御する。具体的には、制御部１９は、継続指示信号を受け取った場合、各フォトリソ処理部３３における処理を継続させる。また、制御部１９は、停止指示信号を受け取った場合、各フォトリソ処理部３３における処理を停止させる。
【００３４】
制御部１９は、停止指示信号を受け取り、各フォトリソ処理部３３における処理を停止させた後、塗布部３３ａおよび露光部３３ｂにおいて処理された半導体ウエハを検査部１７に搬送するよう、搬送部１５に指示する。本実施形態において、各フォトリソ処理部３３の処理が停止された後、制御部１９は、半導体ウエハを、露光処理後、塗布処理後の順番で検査部１７に渡すものとする。つまり、各フォトリソ処理部３３の処理停止後、半導体ウエハは、まず、露光処理後の半導体ウエハが検査部に渡され、次に、塗布処理後の半導体ウエハが検査部１７に渡される。
【００３５】
アンローダ部３５は、一連のフォトリソプロセス（ここでは、レジスト塗布、露光および現像）が完了した半導体ウエハを収納する。レジスト剥離部２１は、搬送部１５から受け取った半導体ウエハに再生処理を施す。判定部４７によって、異常が存在すると判定された半導体ウエハは、レジスト剥離部２１に渡される。レジスト剥離部２１は、半導体ウエハからレジストを剥離する。レジスト剥離部２１において再生処理が施された半導体ウエハは、搬送部１５を介してローダ部３１に渡される。
【００３６】
図４を参照して、以上のような構成を有するフォトリソプロセス装置１１の動作について説明する。ステップＳ１０１において、半導体ウエハのレジスト現像後、半導体ウエハが搬送部１５によって検査部１７に設置される。そして、処理は次のステップＳ１０３に進む。
【００３７】
ステップＳ１０３において、半導体ウエハの現像処理後の撮像が行われる。撮像部４１は、半導体ウエハにおける所定の箇所のレジストパターンを撮像する。撮像部４１は、撮像した撮像パターン５９を画像比較部４３に出力する。そして、処理は次のステップＳ１０５に進む。
【００３８】
ステップＳ１０５において、画像の比較が行われる。画像比較部４３は、記憶部４５からモデルパターン５５を読み出し、当該モデルパターン５５と、撮像部４１から受け取った撮像パターン５９とを比較して、不一致箇所６５を抽出する。そして、処理は次のステップＳ１０７に進む。
【００３９】
ステップＳ１０７において、半導体ウエハの異常の判定が行われる。判定部４７は、画像処理部から抽出パターン６３を受け取る。そして、処理は次のステップＳ１０９に進む。
【００４０】
ステップＳ１０９において、半導体ウエハに異常が存在するか否かが判断される。判定部４７は、半導体ウエハに異常が存在するか否かを判断する。ステップＳ１０９においてＮｏ、つまり、半導体ウエハに異常が存在しなかった場合、処理はステップＳ１１９に進む。
【００４１】
ステップＳ１１９において、検査部１７から塗布部３３ａ、露光部３３ｂおよび現像部３３ｃに対して工程継続指示が出力される。判定部４７は、生産をそのまま継続するための継続指示信号を生成するよう、信号生成部５１に指示する。信号生成部５１は生成した継続指示信号を制御部１９に渡す。継続指示信号は制御部１９によって、塗布部３３ａ、露光部３３ｂおよび現像部３３ｃに渡され、フォトリソプロセス装置１１における処理が続行される。
【００４２】
一方、ステップＳ１０９においてＹｅｓ、つまり、レジストパターンに異常があった場合、処理はステップＳ１１１に進む。ステップＳ１１１において、工程停止指示が出力される。判定部４７は、生産を停止させるための停止指示信号を生成するよう、信号生成部５１に指示する。信号生成部５１によって生成された停止指示信号は制御部１９に渡される。制御部１９は、停止指示信号を受け取ると、フォトリソプロセス装置１１の生産を停止する。すなわち、塗布部３３ａ、露光部３３ｂ、現像部３３ｃにおける処理が停止される。異常が発見された半導体ウエハは、レジスト剥離部２１に渡される。そして、処理は次のステップＳ１１３に進む。ステップＳ１１３において、原因特定処理が行われる。
【００４３】
図５に示すフローチャートを参照して、図５のサブルーチンステップＳ１１３の詳細について説明する。工程を停止したとき、フォトリソ処理部３３の塗布部３３ａ、露光部３３ｂ、現像部３３ｃにはそれぞれ半導体ウエハが設置されたまま停止しているが、ステップＳ２０１において、まず現像の一つ前の露光後の半導体ウエハの検査が行われる。制御部１９は、露光処理が終了した半導体ウエハを検査部１７に渡すよう搬送部１５に指示する。検査部１７は、搬送部１５から露光処理後の半導体ウエハを受け取ると、半導体ウエハの検査を行う。検査は、基本的には、ステップＳ１０３およびＳ１０５で行われる処理と同様であり、撮像部４１において撮像された撮像パターン５９が画像比較部４３において処理される。画像比較部４３は、撮像部４１から受け取った撮像パターン５９を検証し、レジストに異物が混入していれば不一致箇所６５として抽出する。そして、処理は次のステップＳ２０３に進む。
【００４４】
ステップＳ２０３において、異常を検出したか否かが判断される。判定部４７は、判定結果を異常特定部４９に出力する。異常特定部４９は、露光部３３ｂに異常が存在するか否かを判断する。ステップＳ２０３においてＮｏ、つまり、露光後の半導体ウエハから異常が検出されなかった場合、処理はステップＳ２０５に進む。
【００４５】
露光直後には異常が検出されなかったのであるから、ステップＳ２０５において、異常が生じた箇所は露光の次の処理を行う部分である現像部３３ｃであると特定される。一方、ステップＳ２０３においてＹｅｓ、つまり露光直後の半導体ウエハから異常が検出された場合、処理はステップＳ２０７に進む。
【００４６】
ステップＳ２０７において、塗布後の半導体ウエハの検査が行われる。制御部１９は、塗布処理が終了した半導体ウエハを検査部１７に渡すよう搬送部１５に指示する。検査部１７は、搬送部１５から塗布処理後の半導体ウエハを受け取ると、半導体ウエハの検査を行う。ステップＳ２０７における半導体ウエハの検査方法は、ステップＳ２０１における半導体ウエハの検査方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。そして、処理は次のステップＳ２０９に進む。
【００４７】
ステップＳ２０９において、露光の一つ前の異常を検出したか否かが判断される。判定部４７は、判定結果を異常特定部４９に渡す。異常特定部４９は、露光部３３ｂに異常が存在するか否かを判断する。ステップＳ２０９においてＮｏ、つまり塗布後の半導体ウエハから異常が検出されない場合、処理は次のステップＳ２１１に進む。ステップＳ２１１において、異常原因が露光部３３ｂであると特定される。
【００４８】
一方、ステップＳ２０９において、異常を検出したか否かが判断される。ステップＳ２０９においてＹｅｓ、つまり、塗布後の半導体ウエハから異常が検出された場合、処理はステップＳ２１３に進む。ステップＳ２１３において、異常原因が塗布部３３ａであると特定される。以上のステップＳ２０１〜Ｓ２１３によって、原因特定処理が完了する。
【００４９】
再び図４の説明に戻り、ステップＳ１１５において、復旧処理が行われる。異常特定部４９は、異常を特定したフォトリソ処理部３３に対して復旧処理を実行するための復旧指示信号を生成するよう、信号生成部５１に指示する。信号生成部５１において生成された復旧指示信号は、制御部１９を介して、異常原因と特定されたフォトリソ処理部３３に出力される。例えば、塗布部３３ａが異常の原因であると特定された場合、塗布部３３ａは制御部１９から指示を受け取ると復旧処理を行う。塗布部３３ａが行う復旧作業は、例えばノズル等の各部の洗浄を行うことによる異物などの除去である。そして、処理は次のステップＳ１１７に進む。
【００５０】
ステップＳ１１７において、生産動作が再開される。制御部１９は、フォトリソ処理部３３（塗布部３３ａ、露光部３３ｂおよび現像部３３ｃ）に再び生産を開始させるよう指示する。各フォトリソ処理部３３は、再び半導体ウエハに対する処理を開始する。
【００５１】
以上のように、本実施形態によれば、半導体ウエハに異常が発生した場合に、以上の原因を特定することができる。また、異常原因として特定されたフォトリソ処理部３３が再生処理を行うため、フォトリソプロセスが異常によって停止する時間を低減させることができる。
【００５２】
なお、本実施形態において、半導体ウエハに異常が存在しなかった場合、フォトリソプロセス装置１１は生産続行を指示する継続指示信号を生成する。ここで、フォトリソプロセス装置１１は、生産を継続すると判断した場合には継続指示信号を生成せず、生産を停止すると判断した場合にのみ、停止指示信号を生成することとしても良い。
【００５３】
また、本実施形態において、検査部１７は、半導体ウエハを撮像した撮像データに基づいて異常の有無を検査する。ここで、半導体ウエハの検査方法は、半導体ウエハの異常を検出することができる方法であればよく、画像処理以外の他の検査方法であってもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明に係るフォトリソプロセス装置は、フォトリソプロセス工程において、半導体ウエハに異常が発生した場合の異常原因の特定等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係るフォトリソプロセス装置１１の構成を示すブロック図。
【図２】検査部１７の詳細な構成を示すブロック図
【図３Ａ】モデルパターンの一例を模式的に示す図
【図３Ｂ】撮像された画像の一例を模式的に示す図
【図３Ｃ】図３Ａと図３Ｂとを比較した際に抽出される不一致箇所６５の一例を模式的に示す図
【図４】フォトリソプロセス装置１１の動作を示すフローチャート
【図５】サブルーチンステップＳ１１３の詳細を示すフローチャート
【図６】従来のフォトリソグラフィー工程において行われる処理を示すフローチャート
【符号の説明】
【００５６】
１１  フォトリソプロセス装置
１３  生産動作部
１５  搬送部
１７  検査部
１９  制御部
２１  レジスト剥離部
３１  ローダ部
３３  フォトリソ処理部
３５  アンローダ部
４１  撮像部
４３  画像比較部
４５  記憶部
４７  判定部
４９  異常特定部
５１  信号生成部
５５  モデルパターン
５７  配線パターン
５９  撮像パターン
６１  異常箇所
６３  抽出パターン
６５  不一致箇所
【図１】
2005217062.tif 000003
【図２】
2005217062.tif 000004
【図３Ａ】
2005217062.tif 000005
【図３Ｂ】
2005217062.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図４】
2005217062.tif 000008
【図５】
2005217062.tif 000009
【図６】
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