(57)【要約】【課題】  ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、コストを低減する。【解決手段】  シリコン基板１上に絶縁膜３を介して設けられた保護膜５の上面には配線８が設けられている。配線８の接続パッド部を除く部分は上層絶縁膜９で覆われている。上層絶縁膜９の上面には、上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２が上層絶縁膜９に設けられた開口部１０を介して配線８の接続パッド部に接続されて設けられている。上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２上には半田ボール１５が設けられている。この場合、柱状電極上に半田ボールを設ける構造ではなく、上層接続パッド１２上に半田ボール１５を設けているため、柱状電極を有する場合と比較して、コストを低減することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に接続パッドが設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、且つ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、且つ、前記絶縁膜の開口部を介して前記接続パッドに接続された配線と、前記配線を含む前記絶縁膜上に設けられ、且つ、前記配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜の開口部内における前記配線の接続パッド部上およびその近傍の前記上層絶縁膜上に設けられた上層接続パッドとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜の厚さは２０〜４０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記配線の厚さは３〜５μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記上層接続パッドの厚さは５μｍ以上で１５〜５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜の開口部の直径は前記上層接続パッドの直径の２／３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜の開口部の直径は前記上層接続パッドの直径よりも５０μｍ以上小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記上層絶縁膜の開口部の直径は５０μｍ程度であり、前記上層接続パッドの直径は４００〜１５０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記配線の接続パッド部の直径は１００μｍ程度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記上層接続パッドの中心と前記上層絶縁膜の開口部の中心とは互いにずれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜は２層以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の発明において、前記上層接続パッド上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１または１１に記載の発明において、前記上層絶縁膜上において前記上層接続パッドを除く部分にオーバーコート膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜は第１および第２の上層絶縁膜からなり、前記絶縁膜上に前記配線からなる第１の配線および下部金属層、誘電体層、上部金属層からなる３層構造のコンデンサが設けられ、且つ、前記コンデンサの下部金属層が前記第１の配線の１つに接続され、前記第１の上層絶縁膜上に第２の配線が前記第１の配線および前記コンデンサの上部金属層に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記第２の配線は下地金属層のみからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の発明において、前記コンデンサの下部金属層および該下部金属層に接続された前記第１の配線下に下地金属層が連続して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜は第１および第２の上層絶縁膜からなり、前記絶縁膜上に前記配線からなる第１の配線が設けられ、前記第１の上層絶縁膜上に第２の配線が設けられ、前記第１の上層絶縁膜上または前記第２の上層絶縁膜上に２つの端部を有する渦巻形状の誘導素子が一端部を前記第１の配線の１つに接続され且つ他端部を前記第２の配線の１つに接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の発明において、前記上層絶縁膜は第１および第２の上層絶縁膜からなり、前記絶縁膜上に前記配線からなる第１の配線および２つの端部を有する渦巻形状の誘導素子が設けられ、且つ、前記誘導素子の外端部が前記第１の配線の１つに接続され、前記第２の上層絶縁膜上に下地金属層のみからなる第２の配線が前記第１の配線の他の１つおよび前記誘導素子の内端部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるもので、上面に複数の接続パッドを有する半導体基板上に絶縁膜を介して配線を前記接続パッドに接続させて設け、配線の接続パッド上に柱状電極を設け、配線を含む絶縁膜上に封止膜をその上面が柱状電極の上面と面一となるように設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２２０５２号公報（図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置では、柱状電極の高さが例えば１００μｍ程度と比較的高く、この比較的高い柱状電極を銅の電解メッキによって形成しているため、柱状電極の形成に時間がかかり、しかも電解メッキにより形成される柱状電極の高さにばらつきがあるため、封止膜を柱状電極の上面を覆うように形成した後に、封止膜および柱状電極の上面側を適宜に研磨して、柱状電極の高さを均一にするとともに、柱状電極の上面を含む封止膜の上面を平坦化しており、工程数が多く、コスト高になってしまうという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、コストを低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記目的を達成するため、従来の柱状電極の代わりに、上層接続パッドを設けたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、従来の柱状電極の代わりに、上層接続パッドを設けているため、柱状電極を有する場合と比較して、コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。
【０００９】
絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。この場合、絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。保護膜５の上面には銅等からなる下地金属層７が設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる配線８が設けられている。下地金属層７を含む配線８の一端部は、両開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１０】
配線８を含む保護膜５の上面には上層絶縁膜９がその上面を平坦とされて設けられている。上層絶縁膜９は、ビルドアップ基板に用いられる、通常、ビルドアップ材と言われるもので、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラー等からなる補強材が混入されたものからなっている。
【００１１】
配線８の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜９には平面円形状の開口部１０が設けられている。上層絶縁膜９の上面には銅等からなる平面円形状の上層下地金属層１１が設けられている。上層下地金属層１１の上面全体には銅からなる上層接続パッド１２が設けられている。上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２は、上層絶縁膜９の開口部１０を介して配線８の接続パッド部に接続されている。
【００１２】
上層絶縁膜９の上面において上層接続パッド１２を除く部分にはソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜１３が設けられている。上層接続パッド１２に対応する部分におけるオーバーコート膜１３には平面円形状の開口部１４が設けられている。この場合、開口部１４の直径は上層接続パッド１２の直径よりも大きくなっている。したがって、上層接続パッド１２はオーバーコート膜１３によって覆われていない。
【００１３】
上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２上には半田ボール１５が設けられている。この場合、複数の半田ボール１５は、オーバーコート膜１３上に突出され、且つ、マトリクス状に配置されている。
【００１４】
次に、この半導体装置の一部の寸法の一例について説明する。配線８の厚さは、後述する開口部１０形成工程に耐えうるようにするために、３〜５μｍと比較的厚くなっている。上層絶縁膜９の厚さは、応力緩和機能を十分に発揮しうるようにするために、２０〜４０μｍと比較的厚くなっている。上層接続パッド１２の厚さは、オーバーコート膜１３によって覆われておらず、上層絶縁膜９上に突出されたようになっているため、５μｍ以上で１５〜５０μｍ以下と比較的厚くなっている。
【００１５】
上層絶縁膜９の開口部１０の直径は上層接続パッド１２の直径の２／３以下となっている。これは、開口部１０が上層接続パッド１２の内側に位置することにより、上層接続パッド１２の外周部にかかる半田ボール１５からの応力が開口部１０内に設けられたビアに直接伝わらないようにして、同ビア下の配線８が応力により断線するのを防止するためである。この場合、上層絶縁膜９の開口部１０の中心は、上層接続パッド１２の中心と一致している必要はなく、ある程度ずれていてもよい。
【００１６】
そして、配線８の接続パッド部の直径は１００μｍ程度であり、上層絶縁膜９の開口部１０の直径は５０μｍ程度であり、上層接続パッド１２の直径は４００〜１５０μｍである。この場合、上記応力による配線８の断線を防止するには、上層絶縁膜９の開口部１０の直径は上層接続パッド１２の直径よりも５０μｍ以上小さいことが好ましい。
【００１７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明するに、まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）１上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられ、接続パッド２の中央部が絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されたものを用意する。
【００１８】
上記において、ウエハ状態のシリコン基板１には、各半導体装置が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド２は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。なお、図２において、符号２１で示す領域は、ダイシングラインに対応する領域である。
【００１９】
次に、図３に示すように、両開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層７を形成する。この場合、下地金属層７は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２０】
次に、下地金属層７の上面にメッキレジスト膜２２をパターン形成する。この場合、配線８形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２２には開口部２３が形成されている。次に、下地金属層７をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２２の開口部２３内の下地金属層７の上面に配線８を形成する。この場合、配線８の厚さは５μｍ程度とし、その接続パッド部の直径は１００μｍ程度とした。
【００２１】
次に、メッキレジスト膜２２を剥離し、次いで、配線８をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去すると、図４に示すように、配線８下にのみ下地金属層７が残存される。
【００２２】
次に、図５に示すように、配線８を含む保護膜５の上面に上層絶縁膜形成用シート９ａを配置する。上層絶縁膜形成用シート９ａは、限定する意味ではないが、シート状のビルドアップ材が好ましく、このビルドアップ材としては、非感光性のエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラーを混入させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしたものがある。この場合、上層絶縁膜形成用シート９ａの厚さは４０μｍ程度とした。
【００２３】
なお、上層絶縁膜形成用シート９ａとして、ガラス繊維にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となしたプリプレグ材、または、シリカフィラーが混入されない、半硬化状態の熱硬化性樹脂のみからなるシート状のものを用いるようにしてもよい。
【００２４】
次に、図６に示すように、一対の加熱加圧板２４、２５を用いて上下から上層絶縁膜形成用シート９ａを加熱加圧する。すると、配線８を含む保護膜５の上面に上層絶縁膜９が形成される。この場合、上層絶縁膜９の上面は、上側の加熱加圧板２４の下面によって押さえ付けられるため、平坦面となる。したがって、上層絶縁膜９の上面を平坦化するための研磨工程は不要である。
【００２５】
次に、図７に示すように、紫外線レーザビームを照射するレーザ加工により、配線８の接続パッド部の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜９に開口部１０を形成する。この場合、開口部１０の直径は５０μｍ程度とした。次に、必要に応じて、開口部１０内等に発生したエポキシスミア等をデスミア処理により除去する。
【００２６】
次に、図８に示すように、開口部１０を介して露出された配線８の接続パッド部を含む上層絶縁膜９の上面全体に、銅の無電解メッキ等により、上層下地金属層１１を形成する。次に、上層下地金属層１１をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、上層下地金属層１１の上面全体に上層接続パッド形成用層１２ａを形成する。次に、上層接続パッド形成用層１２ａの上面の上層接続パッド形成領域にレジスト膜２４をパターン形成する。
【００２７】
次に、レジスト膜２４をマスクとして、上層接続パッド形成用層１２ａおよび上層下地金属層１１の不要な部分をエッチングして除去すると、図９に示すように、レジスト膜２４下に上層接続パッド１２および上層下地金属層１１が形成される。この場合、上層接続パッド１２の厚さは１５〜３０μｍとし、その直径は４００〜１５０μｍとした。次に、レジスト膜２４を剥離する。なお、上層接続パッド１２および上層下地金属層１１の形成方法は、図３および図４に示すような形成方法であってもよい。
【００２８】
次に、図１０に示すように、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等によるネガ型の液状レジストの塗布により、上層接続パッド１２を含む上層絶縁膜９の上面にソルダーレジスト膜１３ａを形成する。次に、上層接続パッド１２よりもやや大きい領域に対応するソルダーレジスト膜１３ａの上面に、インクジェットヘッド２５を用いた、カーボンブラックインク等の遮光性顔料インクの塗布により、遮光層２６を形成する。
【００２９】
次に、上面側から紫外線を照射して露光を行なうと、遮光層２６下以外の領域におけるソルダーレジスト膜１３ａが硬化し、遮光層２６下のソルダーレジスト膜１３ａが未硬化状態のままとなる。次に、現像を行なうと、遮光層２６下の未硬化のソルダーレジスト膜１３ａがその上の遮光層２６と共に除去される。この結果、図１１に示すように、上層接続パッド１２よりもやや大きい領域に対応する部分に開口部１４を有するオーバーコート膜１３が形成される。なお、開口部１４を有するオーバーコート膜１３の形成方法は、通常のフォトリソグラフィ法による形成方法であってもよい。
【００３０】
次に、図１２に示すように、上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２上に半田ボール１５を形成する。次に、シリコン基板１の下面をダイシングテープ（図示せず）に貼り付け、図１３に示すように、ダイシングライン２１に沿って切断した後に、ダイシングテープから剥がすと、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３１】
このようにして得られた半導体装置では、上層接続パッド１２の厚さが厚くても３０μｍ（または５０μｍ）程度であるため、電解メッキによる上層接続パッド１２の形成を比較的短い時間で行なうことができ、また、上層接続パッド１２の厚さにばらつきが生じにくく、従来の柱状電極を有する場合と比較して、コストを低減することができる。また、上層接続パッド１２の中心と上層絶縁膜９の開口部１０の中心とが互いにある程度ずれても、別に支障はないため、高い加工精度が要求されず、これによってもコストを低減することができる。
【００３２】
（第２実施形態）
図１４はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す場合と異なる点は、オーバーコート膜１３を有せず、且つ、上層絶縁膜を第１の上層絶縁膜９Ａと第２の上層絶縁膜９Ｂとの２層構造とした点である。この場合、第１の上層絶縁膜９Ａは、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ＢＴ樹脂等からなる高耐圧絶縁膜によって、ビルドアップ材からなる第２の上層絶縁膜９Ｂよりもある程度薄く形成されている。
【００３３】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、図４に示す工程後に、配線８を含む保護膜５の上面にポリイミド等からなる第１の上層絶縁膜９Ａをスクリーン印刷法等により形成する。次に、第１の上層絶縁膜９Ａの上面にビルドアップ材からなる第２の上層絶縁膜９Ｂを上記第１実施形態の場合と同様の方法により形成する。次に、上記レーザ加工により、第１、第２の上層絶縁膜９Ａ、９Ｂに開口部１０を形成する。以下の工程は、上記第１実施形態の場合と同様であるので、省略する。なお、上層絶縁膜は３層以上としてもよい。
【００３４】
（第３実施形態）
図１５はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す場合と大きく異なる点は、オーバーコート膜１３を有せず、且つ、上層絶縁膜をポリイミド系樹脂等からなる第１の上層絶縁膜９Ｃとビルドアップ材からなる第２の上層絶縁膜９Ｄとの２層構造とし、保護膜５上に前記配線８からなる第１の配線８、コンデンサ３１および渦巻形状の誘導素子３２を設け、第１の上層絶縁膜９Ｃ上に第２の配線３３を設けた点である。
【００３５】
すなわち、コンデンサ３１は、保護膜５の上面に設けられた下地金属層７の上面に設けられた下部金属層３４、誘電体層３５、上部金属層３６の３層構造となっている。この場合、コンデンサ３１は上部金属層３６およびその下に設けられた誘電体層３５、下部金属層３４の部分からなり、その他の部分における下部金属層３４および誘電体層３５は第１の配線８の１つに接続された配線部３７となっている。
【００３６】
誘導素子３２は、保護膜５の上面に渦巻形状に設けられた下地金属層７とその上面に設けられた銅層３８とからなっている。誘導素子３２の外端部は第１の配線８の他の１つに接続されている。第２の配線３３は、その下に設けられた下地金属層３９と共に、第１の上層絶縁膜９Ｃに設けられた開口部１０Ｃを介して第１の配線８、コンデンサ３１の上部金属層３６および誘導素子３２の内端部に接続されている。上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２は、第２の上層絶縁膜９Ｄに設けられた開口部１０Ｄを介して第２の配線３３の接続パッド部に接続されている。
【００３７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図１６に示すように、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に、銅の無電解メッキ等により、下地金属層７を形成する。次に、下地金属層７の上面にメッキレジスト膜４１をパターン形成する。この場合、第１の配線８形成領域および銅層３８形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜４１には開口部４２が形成されている。次に、下地金属層７をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜４１の開口部４２内の下地金属層７の上面に第１の配線８および銅層３８を形成する。次に、メッキレジスト膜４１を剥離する。
【００３８】
次に、図１７に示すように、スパッタ法等により、第１の配線８および銅層３８を含む下地金属層７の上面全体にアルミニウムやチタン等からなる下部金属層形成用層３４ａ、チタン酸バリウムストロンチウム系誘電体材料等からなる誘電体層形成用層３５ａおよびアルミニウムやチタン等からなる上部金属層形成用層３６ａを連続して形成する。次に、上部金属層形成用層３６ａをパターニングすることにより、図１８に示すように、上部金属層３６を形成する。
【００３９】
次に、誘電体層形成用層３５ａおよび下部金属層形成用層３４ａをドライエッチングにより連続してパターニングすることにより、図１９に示すように、所定の１つの第１の配線８およびその近傍の下地金属層７の上面に下部金属層３４および誘電体層３５を形成する。次に、第１の配線８、誘電体層３５および銅層３８をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去すると、図２０に示すように、第１の配線８、誘電体層３５および銅層３８下にのみ下地金属層７が残存される。
【００４０】
この場合、誘電体層３５を含む下部金属層３４からなる配線部３７および該配線部３７に接続された所定の１つの第１の配線８下には下地金属層７が連続して残存される。したがって、上部金属層３６およびその下の誘電体層３５、下部金属層３４からなるコンデンサ３１の下部金属層３４は、配線部３７の下部金属層３４のみならず、それらの下に残存された下地金属層７を介して所定の１つの第１の配線８に接続されるため、接続不良が発生しにくいようにすることができる。
【００４１】
以下の工程は、図１５を参照して簡単に説明する。まず、第１の配線８等を含む保護膜５の上面にポリイミド等からなる第１の上層絶縁膜９Ａをスクリーン印刷法等により形成する。次に、通常のフォトリソグラフィ法により、第１の上層絶縁膜９Ａに開口部１０Ｄを形成する。次に、第１の上層絶縁膜９Ａの上面に下地金属層３９を含む第２の配線３３を形成する。以下の工程は、上記第１実施形態の場合と同様であるので、省略する。なお、第１の上層絶縁膜９Ｃの上面に誘導素子３２を設け、その内端部を第１の上層絶縁膜９Ｃの開口部１０Ｃを介して第１の配線８の接続パッド部に接続するようにしてもよい。
【００４２】
（第４実施形態）
図２１はこの発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１５に示す場合と異なる点は、コンデンサ３１および誘導素子３２には大きな電流が流れないので、第１の上層絶縁膜９Ｃの上面に下地金属層３９のみからなる第２の配線を設け、上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２を第１、第２の上層絶縁膜９Ｃ、９Ｄの開口部１０Ｃ、１０Ｄを介して第１の配線８の接続パッド部に接続した点である。この場合、第１、第２の上層絶縁膜９Ｃ、９Ｄの開口部１０Ｃ、１０Ｄは、第２の上層絶縁膜９Ｄを形成した後に、同時に形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図１５】この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。
【図１６】図１５に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】この発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【００４４】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
４  開口部
５  保護膜
６  開口部
７  下地金属層
８  配線
９  上層絶縁膜
１０  開口部
１１  上層下地金属層
１２  上層接続パッド
１３  オーバーコート膜
１４  開口部
１５  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005216939.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2005216939.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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