(57)【要約】【課題】  クロストークに起因する出力信号対出力ノイズ比の悪化を抑圧し、結合容量に起因する出力信号対出力ノイズ比の悪化を抑圧し、インバランスに起因する出力信号対出力ノイズ比の悪化を抑圧するシールドを備える固体撮像装置を提供する。【解決手段】  出力線２１０及び２２０が属する層にシールド線３０１、３０２及び３０３を配設する。また、シールド線３０１、３０２及び３０３の上方にシールド線３０４、３０５及び３０６をそれぞれ配設する。更に、シールド線３０１とシールド線３０４の間、シールド線３０２とシールド線３０５の間及びシールド線３０３とシールド線３０６の間に、シールドピン３０７、３０８及び３０９をそれぞれ配設する。出力線２１０及び２２０の上方にはシールド線を配設しない。構造をシールド線３０１の中心線及びシールド線３０４の中心線を含む平面に関し、面対称とする。【選択図】        図２
2005217366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子が並ぶラインを１以上備えるアレイと、
選択されたラインに属する前記複数の光電変換素子からの第１の信号を伝送する第１の出力線と、
前記選択されたラインに属する前記複数の光電変換素子からの第２の信号を伝送する第２の出力線と、
前記第１の出力線から前記第１の信号を受け、前記第２の出力線から前記第２の信号を受け、前記第１の信号と前記第２の信号との差分を出力する差動回路と、
を備える固体撮像装置において、
前記第１の出力線と前記第２の出力線とは第１の層に配設され、
前記第１の出力線と前記第２の出力線との間のクロストークを抑制するためのシールドを前記第１の層を含む複数の層に備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
前記シールドは、前記第１層と異なる少なくとも１つの層において、前記第１の出力線が垂直射影された位置及び前記第２の出力線が垂直射影された位置を除いて配設されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の固体撮像装置において、
前記シールドは、少なくとも前記第１の出力線と前記第２の出力線との間に配設された第１の部分を有し、
前記第１の出力線と前記第２の出力線は、前記第１の部分を基準として面対称に配設されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像装置において、
前記第１の出力線と前記第１の部分との間の距離及び前記第２の出力線と前記第１の部分との間の距離は、０．５ミクロンから６ミクロンまでの範囲にあることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
請求項４に記載の固体撮像装置において、
前記シールドは、前記第１の出力線から前記第１の部分を見る方向と逆の方向に第２の部分を有し、
前記シールドは、前記第２の出力線から前記第１の部分を見る方向と逆の方向に第３の部分を有し、
前記第１の出力線と前記第２の部分との間の距離及び前記第２の出力線と前記第３の部分との間の距離は、０．５ミクロンから６ミクロンまでの範囲にあることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の固体撮像装置において、
前記シールドの相互に異なった層の間に配設される更なるシールドを備えることを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静止画像又は動画像を撮像し、静止画像信号又は動画像信号を出力するための固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、ＣＣＤセンサとＭＯＳ型センサとに大別される。ＣＣＤセンサは、一般的には、ノイズが小さい点で優れているが、消費電力が大きいという欠点がある。他方、ＭＯＳ型センサは、ＣＣＤセンサに対して消費電力が格段に小さいという利点を有するが、一般的には、ノイズがやや大きいという欠点を有する。ただし、ＭＯＳ型センサにおけるノイズは低減される傾向にあり、将来はＣＣＤセンサと同等以上の性能が得られることが期待されている。
【０００３】
また、ＭＯＳ型センサにおいてはＭＯＳトランジスタを用いたさまざまな機能回路を内蔵することが比較的容易であり、一例として画素内に信号増幅用素子を有する増幅型固体撮像素子が挙げられる。このような撮像装置は、画素を構成する受光素子や増幅素子のばらつきに起因する固定パターンノイズ（ＦＰＮ）と呼ばれるノイズが発生し易い。固定パターンノイズを補正するための１つの方法として、各画素から暗状態の出力（Ｖｄａｒｋ）と明状態の出力（Ｖｓｉｇ）の両方を読み出し、それらの差を信号出力として用いる方法がある。このような方法では、一般に水平読出しラインが暗信号用と明信号用の２本必要となる。また、一般に高速化のため水平方向の奇数番目の画素と偶数番目の画素をそれぞれチャネル１およびチャネル２として同時に読み出すので、それぞれに暗信号（Ｖｄａｒｋ）と明信号（Ｖｓｉｇ）用のラインを用いた場合、計４本の水平読出しラインが必要になる。
【０００４】
特許文献１の図７は、このような増幅型固体撮像素子の水平読出しライン付近の回路構成の一例を示している。図７の増幅型固体撮像素子は、増幅型光電変換画素が行および列方向に配置されて構成される画素マトリクス１と、例えば計４本の配線を備えた水平読出しライン３と、水平読出しスイッチ群５と、蓄積容量群７と、信号転送スイッチ群９と、水平シフトレジスタ１１と、出力アンプ群１２とを備えている。
【０００５】
図５は従来のＭＯＳ型センサの概略構成を示す図である。ＭＯＳ型センサでは、複数の光電変換素子１１０が２次元状に配列されたセンサアレイ１００と、センサアレイ１００から光電変換素子１１０の行を順次選択する垂直シフトレジスタ回路１２０と、選択行の光電変換素子１１０から光信号となる信号電荷（Ｓ）とノイズ信号となるリセットレベル（Ｎ）をそれぞれ保持しておく信号電荷保持容量Ｃｔｓとリセットレベル保持容量Ｃｔｎを含むラインメモリ回路１３０と、ラインメモリ回路１３０に保持された１行分の信号データの中から転送スイッチにより同時に２つずつ選択して、第１の光信号側共通出力線（以下、第１Ｓ出力線という）２１０と第１のノイズ信号側共通出力線（以下、第１Ｎ出力線という）２２０及び第２の光信号側共通出力線（以下、第２Ｓ出力線という）２３０と第２のノイズ信号側共通出力線（以下、第２Ｎ出力線という）２４０に転送するための水平シフトレジスタ回路１４０と、第１Ｓ出力線２１０からの光信号と第１Ｎ出力線２２０からのノイズ信号との第１の差分信号、及び第２Ｓ出力線２３０からの光信号と第２Ｎ出力線２４０からのノイズ信号との第２の差分信号をそれぞれ増幅して出力する第１及び第２の差信号（Ｓ−Ｎ）読出し回路１５０を有する。
【０００６】
第１の差信号読出し回路の出力端子（ｏｕｔ１）１７０から第１の差信号が出力され、第２の差信号読出し回路の出力端子（ｏｕｔ２）１８０から第２の差信号が出力される。第１Ｓ出力線２１０、第１Ｎ出力線２２０、第２Ｓ出力線２３０及び第２Ｎ出力線２４０は共通出力線１６０を構成する。
【０００７】
図６は、図５の切断線Ａ−Ａ’付近での断面を模式的に図示したものであり、第１Ｓ出力線２１０、第１Ｎ出力線２２０及びこれらの周辺の断面を示す。図６に示すように、第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０は同層に配設されており、これらの間には、シールド線９０１が配設されている。また、第１Ｓ出力線２１０の左隣には、シールド線９０２が配設されている。更に、第１Ｎ出力線２２０の右隣には、シールド線９０３が設けられている。更に、シールド線９０２からシールド線９０３までの範囲を含む領域の下方には、シールド板９０４が設けられている。第１Ｓ出力線２１０、第１Ｎ出力線２２０、シールド線９０１、９０２、９０３及びシールド板９０４は、共通出力線１６０の左端から右端のどこに設けても同様な配置及び断面形状を有する。尚図示はしていないが、シールド板下には、絶縁層を介して基板が配されている。これは通常光電変換部を形成するためのシリコン基板である。
【０００８】
図５に示すＭＯＳ型センサの切断線Ｂ−Ｂ’付近での断面を模式的に図示したものも、図６に示した模式図と同様である。
【０００９】
図６に示すように、シールド線９０１、９０２、９０３及びシールド板９０４を設けた場合には、符号９１１で示すように、シールド線９０１の上方を迂回する電気力線９１１が形成され、この電気力線９１１を介して、第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０との間にクロストークが発生する。クロストークが発生すると、Ｓ−Ｎ読出回路１７０の出力における信号対ノイズ比が悪化する。
【００１０】
そこで、非特許文献１で説明されているように、図７に示すように、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）の周辺全体及び第２Ｓ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）９５２の周辺全体をシールド板９５３で覆うことが考えられる。
【特許文献１】特開平０９−２４６５１７号公報
【非特許文献１】「ＡＮＡＬＯＧ  ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ  ＣＩＲＣＵＩＴ  ＤＥＳＩＧＮ」  出版社：Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ、  著者：Ｄａｖｉｄ  Ｊｏｈｎｓ      Ｋｅｎ  Ｍａｒｔｉｎ、  出版年：１９９７年（平成９年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図７に示した構成においては、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）とシールド９５３との間の結合容量により、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）を通る信号が減衰してしまう。同様に、第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）とシールド９５３との間の結合容量により、第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）を通るノイズが減衰してしまう。第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）及び第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）は、固体撮像装置の画像水平方向の左端から右端まで伸びているので、結合容量が長い距離にわたって分布することになり、単位長さ当たりの結合容量の僅かな増加が全体の結合容量を大きく増加させ、これによる減衰は程度が著しい。なぜならば、画素から読み出された信号電荷はＣｔｓ，Ｃｔｎに一旦蓄積された後に第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）および第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）に読み出される。この寄生容量をそれぞれＣｈｓ，Ｃｈｎとするとこれらの読み出された電荷はＣｔｓとＣｈｓ、ＣｔｎとＣｈｎの間で容量分割を受けてＣｔｓ／（Ｃｔｓ＋Ｃｈｓ）倍およびＣｔｎ／（Ｃｔｎ＋Ｃｈｎ）倍に減衰してしまうからである。
【００１２】
従って、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の出力端子１７０（又は出力端子１８０）から所望のレベルの出力を得ようとした場合、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の増幅率を上げなければならず、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の内部で発生するノイズのレベルがＳ−Ｎ読出し回路１５０の出力端子１７０（又は出力端子１８０）において高くなり、結果として、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の出力端子１７０（又は出力端子１８０）における信号対ノイズ比が悪化する。
【００１３】
また、本来であれば、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）には、光電変換素子１１０で発生した信号とノイズが現れ、第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）には、同一の光電変換素子１１０で発生したノイズが現れ、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０において、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）に現れたノイズと第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）に現れたノイズがキャンセルされ、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の出力端子１７０（又は出力端子１８０）において、光電変換素子１１０で発生した信号とノイズのうち信号のみを得ることができるのであるが、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）とシールド線との間の結合容量が第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）とシールド線との間の結合容量と異なると、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の入力におけるノイズのレベルが第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）と第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）との間で異なってしまい、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０において、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）に現れたノイズと第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）に現れたノイズを完全にキャンセルすることができなくなり、Ｓ−Ｎ読出し回路１５０の出力端子１７０（又は出力端子１８０）において、光電変換素子１１０で発生した信号とノイズのうち信号のみを得ることができなくなってしまう。
【００１４】
そこで、本発明は、クロストークに起因する出力信号対出力ノイズ比の悪化を抑圧し、結合容量に起因する出力信号対出力ノイズ比の悪化を抑圧し、更に、インバランスに起因する出力信号対出力ノイズ比の悪化を抑圧することを可能とするシールドを備える固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、複数の光電変換素子が並ぶラインを１以上備えるアレイと、選択されたラインに属する前記複数の光電変換素子からの第１の信号を伝送する第１の出力線と、前記選択されたラインに属する前記複数の光電変換素子からの第２の信号を伝送する第２の出力線と、前記第１の出力線から前記第１の信号を受け、前記第２の出力線から前記第２の信号を受け、前記第１の信号と前記第２の信号との差分を出力する差動回路と、を備える固体撮像装置において、前記第１の出力線と前記第２の出力線とは第１層に配設され、前記第１の出力線と前記第２の出力線との間のクロストークを抑制するためのシールドを前記第１層を含む複数の層に備えることを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【００１６】
上記の固体撮像装置において、前記シールドは、前記第１層と異なる少なくとも１つの層において、前記第１の出力線が垂直射影された位置及び前記第２の出力線が垂直射影された位置を除いて配設されていてもよい。
【００１７】
上記の固体撮像装置において、前記シールドは、少なくとも前記第１の出力線と前記第２の出力線との間に配設された第１の部分を有し、前記第１の出力線と前記第２の出力線は、前記第１の部分を基準として面対称に配設されていてもよい。
【００１８】
上記の固体撮像装置において、前記第１の出力線と前記第１の部分との間の距離及び前記第２の出力線と前記第１の部分との間の距離は、０．５ミクロンから６ミクロンまでの範囲にあってもよい。
【００１９】
上記の固体撮像装置において、前記シールドは、前記第１の出力線から前記第１の部分を見る方向と逆の方向に第２の部分を有し、前記シールドは、前記第２の出力線から前記第１の部分を見る方向と逆の方向に第３の部分を有し、前記第１の出力線と前記第２の部分との間の距離及び前記第２の出力線と前記第３の部分との間の距離は、０．５ミクロンから６ミクロンまでの範囲にあってもよい。
【００２０】
上記の固体撮像装置は、前記シールドの相互に異なった層の間に配設される更なるシールドを備えていてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、シールドの増加により、出力線間のクロストークを抑圧することができ、従って、出力信号対出力ノイズ比を高めることができる。
【００２２】
また、本発明によれば、シールドを一部除外して設けることにより、出力線とシールドとの間の結合容量の増加を軽微にすることができ、従って、出力信号対出力ノイズ比を高めることができる。
【００２３】
更に、本発明によれば、対称性により、Ｓ出力線とシールドとの間の結合容量とＮ出力線とシールドとの間の結合容量を等しくすることができ、従って、出力信号対出力ノイズ比を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２５】
本発明の実施形態による固体撮像装置の基本的な構成は、図５に示す従来技術によるものと同様であるので、重複する説明を省略する。
【００２６】
本実施形態においては、第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）及び第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）の周辺に配設されるシールドが図６及び７に示すものと異なる。
【００２７】
図１は、本実施形態による第１Ｓ出力線２１０（又は第２Ｓ出力線２３０）及び第１Ｎ出力線２２０（又は第２Ｎ出力線２４０）並びにこれらの周辺に配設されるシールド線等のシールドを示す平面図である。図２は、図１の切断線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【００２８】
なお、以下の説明では、第１Ｓ出力線２１０というときには、第２Ｓ出力線２３０をもいうものとし、第１Ｎ出力線２２０というときには、第２Ｎ出力線２４０をもいうものとし、第２Ｓ出力線２３０及び第２Ｎ出力線２４０についての説明を省略する。
【００２９】
図１及び２を参照すると、第１Ｓ出力線２１０及び第１Ｎ出力線２２０は、同層（以下、「第１層」という。）に配設される。第１層の第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０の間には、シールド線３０１が配設される。また、第１層の第１Ｓ出力線２１０の左側には、シールド線３０２が配設され、第１層の第１Ｎ出力線２２０の右側には、シールド線３０３が配設される。この第１層は、光電変換部においては信号を第１、第２Ｓ出力線、第１、２Ｎ出力線に転送する垂直信号線を形成するレイヤである。
【００３０】
第１Ｓ出力線２１０とシールド線３０１との間の距離は、第１Ｎ出力線２２０とシールド線３０１との間の距離と等しい。また、第１Ｓ出力線２１０とシールド線３０２との間の距離は、第１Ｎ出力線とシールド線３０３との間の距離と等しい。
【００３１】
第１層の上方の層（以下、「第２層」という。）において、シールド線３０１、３０２及び３０３をそれぞれ垂直射影した場所にはシールド線３０４、３０５及び３０６が配設される。３０４〜３０６が形成されるのは、光電変換部においては主に、電源線、接地線(グランド線)を形成するレイヤである。
【００３２】
シールド線３０１とシールド線３０４とは、離散的にシールドピン３０７により接続されている。同様に、シールド線３０２とシールド線３０５とは、離散的にシールドピン３０８により接続されていて、シールド線３０３とシールド線３０６とは、離散的にシールドピン３０９により接続されている。
【００３３】
いずれのシールド線も接地又は出力インピーダンスが概略ゼロの定電圧源に接続されている。また、シールド線３０１〜３０６及びシールドピン３０７〜３０９の材料は、導電性物質（例えば、アルミニウム、銅等）である。また、上記構造は基板１９０の上に形成されている。ここでいう基板とは、光電変換部等が形成されているシリコン基板などである。
【００３４】
シールド線３０１、３０２及び３０３のみならず、シールド線３０４、３０５及び３０６を配設しているので、シールド線３０１、３０２及び３０３のみを配設した場合に比べ、第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０との間のクロストークを抑圧することが可能となる。特に、シールド線３０１、３０２及び３０３のみを配設した場合におけるクロストークの大部分を占めるシールド線３０４の位置を迂回する電気力線によるクロストークが無くなるので、全体としてのクロストークを抑圧することができる。また、シールドピンを設けることによって、シールド線上を通る電気力線の一部を遮断することができこの電気力線によるクロストークが無くなるので、全体としてのクロストークを抑圧することができる。
【００３５】
また、上記説明から明らかなように、第２層において、第１Ｓ出力線２１０を垂直投影した場所及び第１Ｎ出力線２２０を垂直投影した場所には、シールド線は配設されていない。こうすることにより、第２層において、第１Ｓ出力線２１０を垂直投影した場所及び第１Ｎ出力線２２０を垂直投影した場所にシールド線を配設した場合に比べ、第１Ｓ出力線２１０とこのようなシールド線との間の結合容量及び第１Ｎ出力線２２０とこのようなシールド線との間の結合容量が削除されるので、シールド線を増やしたことに因る全体としての結合容量の増加は最小限に抑えられる。
【００３６】
また、上記説明から明らかなように、シールド線３０１の中央線及び３０４の中央線を含む平面を基準として、第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０は面対称に配設され、シールド線３０２とシールド線３０３は面対称に配設され、シールド線３０５とシールド線３０６は面対称に配設され、シールドピン３０８とシールドピン３０９は面対称に配設される。このように面対称の構成を採ることにより、第１Ｓ出力線２１０とシールド線との間の結合容量と第１Ｎ出力線２２０とシールド線との間の結合容量を等しくすることができ、従って、第１Ｓ出力線２１０からＳ−Ｎ読出し回路１５０に供給されるノイズのレベルと第１Ｎ出力線２２０からＳ−Ｎ読出し回路１５０に供給されるノイズのレベルを等しくすることができ、ノイズのアンバランスに起因する信号対ノイズ比の劣化を防止することができる。
【００３７】
図３は、図２に示す出力線とシールド線との間の距離Ｌをパラメータとしたときの出力線とシールド線との間の結合容量及び第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０との間のクロストーク量を示すグラフである。図３から明らかなように、距離Ｌが０．５ミクロン以上であれば、より少ないことが望まれる結合容量が最大許容結合容量以下であるので、距離Ｌを０．５ミクロン以上にすることが好ましい。また、距離Ｌが６．０ミクロン以下であれば、より少ないことが望まれるクロストーク量が最大許容クロストーク量以下であるので、距離Ｌを６．０ミクロン以下にすることが好ましい。従って、距離Ｌを０．５ミクロンから６．０までの範囲にすることが好ましい。
【００３８】
図４は、図１及び２に示したシールド線及びシールドピンに更に他のシールド線及びシールドピンを追加した実施形態を示す。図４を参照すると、第１層の下方の層（以下、「第３層」という。）において、シールド線３０１、３０２及び３０３をそれぞれ垂直射影した場所にはシールド線３１０、３１１及び３１２が配設される。
【００３９】
シールド線３０１とシールド線３１０とは、離散的にシールドピン３１３により接続されている。同様に、シールド線３０２とシールド線３１１とは、離散的にシールドピン３１４により接続されていて、シールド線３０３とシールド線３１２とは、離散的にシールドピン３１５により接続されている。
【００４０】
シールド線３１０〜３１２及びシールドピン３１３〜３１５の材料は、導電性物質（例えば、アルミニウム、銅等）である。
【００４１】
図４に示す実施形態によれば、図１及び２に示す実施形態と比較し、シールド線及びシールドピンが追加されているので、クロストークを更に抑圧することが可能となる。
【００４２】
また、図４に示す実施形態に因れば、図１及び２に示す実施形態と同様に、第３層において、第１Ｓ出力線２１０を垂直投影した場所及び第１Ｎ出力線２２０を垂直投影した場所には、シールド線は配設されていない。こうすることにより、第３層において、第１Ｓ出力線２１０を垂直投影した場所及び第１Ｎ出力線２２０を垂直投影した場所にシールド線を配設した場合に比べ、第１Ｓ出力線２１０とこのようなシールド線との間の結合容量及び第１Ｎ出力線２２０とこのようなシールド線との間の結合容量が削除されるので、シールド線を増やしたことに因る全体としての結合容量の増加は最小限に抑えられる。
【００４３】
また、上記説明から明らかなように、シールド線３０１の中央線及び３０４の中央線を含む平面を基準として、第１Ｓ出力線２１０と第１Ｎ出力線２２０は面対称に配設され、シールド線３０２とシールド線３０３は面対称に配設され、シールド線３０５とシールド線３０６は面対称に配設され、シールドピン３０８とシールドピン３０９は面対称に配設され、シールド線３１１とシールド線３１２は面対称に配設され、シールドピン３１４とシールドピン３１５は面対称に配設される。このように面対称の構成を採ることにより、第１Ｓ出力線２１０とシールド線との間の結合容量と第１Ｎ出力線２２０とシールド線との間の結合容量を等しくすることができ、従って、第１Ｓ出力線２１０からＳ−Ｎ読出し回路１５０に供給されるノイズのレベルと第１Ｎ出力線２２０からＳ−Ｎ読出し回路１５０に供給されるノイズのレベルを等しくすることができ、ノイズのインバランスに起因する信号対ノイズ比の劣化を防止することができる。
【００４４】
なお、上記の実施形態においては、複数の光電変換素子１１０より構成されるラインがセンサアレイ１００に複数あるとしたが、このようなラインがセンサアレイ１００に１つのみあってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、固体撮像装置において、出力信号対出力ノイズ比を改善することに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態による固体撮像装置の出力線、シールド線及びシールドピンを示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態による固体撮像装置の出力線、シールド線及びシールドピンを示す断面図であり、図１の切断線Ｃ−Ｃ’に沿ったものである。
【図３】出力線とシールド線との間の距離対クロストークの関係及び出力線とシールド線との間の距離対結合容量の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の他の実施形態による固体撮像装置の出力線、シールド線及びシールドピンを示す断面図である。
【図５】固体撮像装置を示す等価回路図である。
【図６】従来例による固体撮像装置の出力線及びシールド線を示す断面図である。
【図７】他の従来例による固体撮像装置の出力線及びシールド線を示す断面図であり、図６の切断線Ａ−Ａ’又は切断線Ｂ−Ｂ’に沿ったものである。
【符号の説明】
【００４７】
１００  センサアレイ
１１０  光電変換素子
１２０  垂直シフトレジスタ回路
１３０  ラインメモリ回路
１４０  水平シフトレジスタ
１５０  Ｓ−Ｎ読出し回路
１６０  共通出力線
２１０  第１Ｓ出力線
２２０  第１Ｎ出力線
２３０  第２Ｓ出力線
２４０  第２Ｎ出力線
３０１〜３０６、３１０〜３１２  シールド線
３０７〜３０９、３１３〜３１５  シールドピン
【図１】
2005217366.tif 000003
【図２】
2005217366.tif 000004
【図３】
2005217366.tif 000005
【図４】
2005217366.tif 000006
【図５】
2005217366.tif 000007
【図６】
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【図７】
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