(57)【要約】【課題】  従来のタッチパネルにおいては、一般的にディスプレイ部と、受光素子とは、別個の生産設備による別個の製造プロセスを経て別個のモジュール品として製造されており、これらのモジュール部品を同一の筐体にアセンブリすることにより完成品を製造していた。このため、機器の部品点数の削減、各モジュール部品の製造コストの低減にも自ずと限界があった。【解決手段】  表示部周囲の同一基板上に発光素子と受光素子を配置したタッチパネルで、発光素子をマイクロキャビティ型素子とする。これにより、発光素子が、強く指向性の高い光を発することができ、受光素子の感度を向上させることができる。また、発光素子、受光素子はＴＦＴであり、有機ＥＬ素子を用いた表示部と同一基板に配置でき、装置の小型化・薄型化を実現できる。【選択図】    図３
2005339406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示部と、
第１のＥＬ層と導電薄膜からなる複数の発光素子と、
第１の薄膜トランジスタからなり前記発光素子に対応して設けられた複数の受光素子とを具備し、
前記発光素子はマイクロキャビティ型素子であることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
複数の画素を有する表示部と、導電薄膜と、第１の平坦化膜と、第１の電極と、第１のＥＬ層と、第２の電極を積層した複数の発光素子と、第１の薄膜トランジスタからなり前記発光素子に対応して設けられた受光素子とを具備し、
前記発光素子は、それぞれの前記第１のＥＬ層から前記導電薄膜までの距離を一つの波長の整数倍で離間することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記発光素子の前記第１のＥＬ層から前記導電薄膜までの合計膜厚を一つの波長の整数倍にすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
単一の基板上に前記表示部、前記発光素子および受光素子を設け、前記発光素子及び受光素子は前記表示部の周辺に配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記発光素子は前記表示部の２辺に沿って該表示部周囲に配置され、前記受光素子は、前記表示部の他の２辺に沿って該表示部周囲に配置されることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記基板上に設けられ前記発光素子の光を反射して前記表示部上を通過させ前記受光素子に到達させる反射材とをさらに具備することを特徴とする請求項４または請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記表示部を構成する１つの前記画素内に、第３の電極と、第２のＥＬ層および第４の電極を少なくとも有する表示素子が配置されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記表示部を構成する前記画素内に、前記表示素子を駆動するための複数の第２の薄膜トランジスタを有することを特徴とする請求項７に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記第１のＥＬ層は青または赤または緑の色成分の光を発光し、前記第２のＥＬ層は他の一つの波長の光を発光することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記第１及び第２のＥＬ層は一つの波長の光を発光し、前記第１のＥＬ層から前記第１の平坦化膜までの合計膜厚が、前記第２のＥＬ層から前記導電薄膜までの合計膜厚と同等であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルに係り、特に、有機ＥＬ素子を用いたタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のディスプレイデバイスには、例えば光を遮断することにより入力座標を検知する光学式タッチパネルや、外光を検知してディスプレイの画面の輝度をコントロールするもの等、受光素子が組み込まれているものが多い。
【０００３】
例えば、図７には光学式タッチパネル３０１の一例を示す。光学式タッチパネル３０１は、表示面３０２の外周に、赤外線等を発光及び受光する発光器３０３および受光器３０４を配置している。このような光学式タッチパネル３０１は、発光器３０３が発する赤外線光を座標入力しようとしている指等で遮断することにより、受光器（受光素子）３０４に赤外線光が到達しない点を入力座標として検知するものである（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平５−３５４０２公報（第２−３ページ、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のタッチパネルにおいては、一般的にディスプレイ部と、受光素子とは、別個の生産設備による別個の製造プロセスを経て別個のモジュール品として製造されており、これらのモジュール部品を同一の筐体にアセンブリすることにより完成品を製造していた。このため、機器の部品点数の削減、各モジュール部品の製造コストの低減にも自ずと限界があった。
【０００５】
特に、現在では例えばＰＤＡなどのモバイル端末の普及が目覚しく、これにより、タッチパネルは更なる小型化、軽量化、薄型化が要求され、部品点数を削減し、安価に提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされ、第１に、複数の画素を有する表示部と、第１のＥＬ層と導電薄膜からなる複数の発光素子と、第１の薄膜トランジスタからなり前記発光素子に対応して設けられた複数の受光素子とを具備し、前記発光素子をマイクロキャビティ型素子とすることにより解決するものである。
【０００７】
また、複数の画素を有する表示部と、導電薄膜と、第１の平坦化膜と、第１の電極と、第１のＥＬ層と、第２の電極を積層した複数の発光素子と、第１の薄膜トランジスタからなり前記発光素子に対応して設けられた受光素子とを具備し、前記発光素子は、それぞれの前記第１のＥＬ層から前記導電薄膜までの距離を一つの波長の整数倍で離間することを特徴とするものである。
【０００８】
また、前記発光素子の前記第１のＥＬ層から前記導電薄膜までの合計膜厚を一つの波長の整数倍にすることを特徴とするものである。
【０００９】
また、単一の基板上に前記表示部、前記発光素子および受光素子を設け、前記発光素子及び受光素子は前記表示部の周辺に配置されることを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記発光素子は前記表示部の２辺に沿って該表示部周囲に配置され、前記受光素子は、前記表示部の他の２辺に沿って該表示部周囲に配置されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記基板上に設けられ前記発光素子の光を反射して前記表示部上を通過させ前記受光素子に到達させる反射材とをさらに具備することを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記表示部を構成する１つの前記画素内に、第３の電極と、第２のＥＬ層および第４の電極を少なくとも有する表示素子が配置されることを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記表示部を構成する前記画素内に、前記表示素子を駆動するための複数の第２の薄膜トランジスタを有することを特徴とするものである。
【００１４】
また、前記第１のＥＬ層は青または赤または緑の色成分の光を発光し、前記第２のＥＬ層は他の一つの波長の光を発光することを特徴とするものである。
【００１５】
また、前記第１及び第２のＥＬ層は一つの波長の光を発光し、前記第１のＥＬ層から前記第１の平坦化膜までの合計膜厚が、前記第２のＥＬ層から前記導電薄膜までの合計膜厚と同等であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、発光素子が強く、指向性の高い光を発することができるので、受光素子の感度を向上させることができる。また、発光素子、受光素子は絶縁基板上に設けたＴＦＴで実現できるので、有機ＥＬ素子を用いた表示部と同一基板に配置でき、装置の小型化・薄型化を実現できる。また、表示部と同一の製造工程において、ほぼ同一の膜質で製造できるため、製造工数や部品点数の削減にも寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態を図１から図６を参照して詳細に説明する。図１（Ａ）はタッチパネルの平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００１８】
本発明のタッチパネル２５０は、光センサ１００と、表示部２００と、発光素子２４０とから構成され、これらを同一絶縁性基板１０上に配置したものである。
【００１９】
表示部２００は、スイッチ用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴと表示素子とからなる画素をマトリクス状に複数配置する。表示部２００の周囲２辺に沿って発光素子２４０が一定間隔で複数配置され、光センサ１００からの光を受光する。発光素子２４０は、表示部２００を構成する有機ＥＬ素子と同じ有機ＥＬ素子からなる。もしくは、各光センサ１００をアクティブ駆動したい場合には、更にこの有機ＥＬ素子に表示部２００を構成するようなＴＦＴを設けても良い。光センサ１００はＴＦＴであり、発光素子２４０と個々に対応して一定間隔で表示部２００の他の２辺に沿って複数配置される。
【００２０】
発光素子２４０は、図１（Ｂ）の如く紙面上方に発光するため、発光素子２４０の光が表示部２００上部を通過し光センサ１００に到達するように、鏡などの反射材２６０が基板１０に設けられる。
【００２１】
入力座標の検出の方法の一例を説明すると、発光素子２４０のうち、一方の辺に配置された発光素子２４０が最初に素子毎に順次発光し、次に他方の辺に配置された発光素子２４０が素子毎に順次発光する。この発光は表示部２００の上部に何もなければ常に光センサ１００で受光されるが、指や入力ペンなどで、表示部２００の所定の位置に触れると、特定の発光素子２４０の発光が遮断され、その発光が特定の光センサ１００で受光されなくなる。この発光素子２４０の発光タイミングと光センサ１００の出力から、発光が遮断された領域を２次元的に感知し、入力座標を検出する。
【００２２】
図２は図１の表示部の１表示画素を示す。図２（Ａ）は平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２３】
図２（Ａ）に示すように、ゲート信号線１５１とドレイン信号線１５２とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。１つの画素は、表示素子とそれを駆動する駆動用ＴＦＴ２２０と、スイッチ用ＴＦＴ２１０を有する。
【００２４】
図２（Ｂ）のごとく、駆動用ＴＦＴ２２０の上層には平坦化膜１１７が設けられ、透明電極１６１と、ＥＬ層１６３と、金属電極１６６が積層された有機ＥＬ素子１６５からなる表示素子が接続する。両信号線の交点付近にはスイッチ用ＴＦＴ２１０が備えられており、そのスイッチ用ＴＦＴ２１０のソース１１３ｓは後述の保持容量電極線１５４との間で容量をなす容量電極１５５を兼ねるとともに、表示素子（有機ＥＬ素子）１６５の駆動用ＴＦＴ２２０のゲート１４１に接続されている。駆動用ＴＦＴ２２０のソース１４３ｓは、ソース電極１５８を介して有機ＥＬ素子１６５の陽極１６１に接続され、他方のドレイン１４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線１５３に接続されている。
【００２５】
また、スイッチ用ＴＦＴ２１０の付近には、ゲート信号線１５１と並行に保持容量電極線１５４が配置されている。この保持容量電極線１５４はゲート絶縁膜１２を介してスイッチ用ＴＦＴ２１０のソース１１３ｓと接続された容量電極１５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量１７０は、駆動用ＴＦＴ２２０のゲート１４１に印加される電圧を保持するために設けられている。この画素がマトリクス状に複数配置されて表示部２００を構成する。
【００２６】
図２（Ｂ）を参照して、駆動用ＴＦＴ２２０と有機ＥＬ素子について更に説明する。絶縁性基板１０上に、バッファ層となる絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＯ２等）１４を設け、その上層に多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜からなる半導体層１４３を形成する。半導体層１４３上にはＳｉＮ、ＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜１２およびクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電極１４１を順次積層する。
【００２７】
半導体層１４３には、ゲート電極１４１下方に真性又は実質的に真性であるチャネル１４３ｃと、このチャネル１４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピングを施してソース１４３ｓ及びドレイン１４３ｄが設けられている。
【００２８】
そして、半導体層１４３、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極１４１上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン１４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線１５３を配置する。以上の工程により、駆動用ＴＦＴ２２０が形成される。なお、スイッチ用ＴＦＴ２１０も駆動用ＴＦＴ２２０と同じ工程で形成することができる。
【００２９】
次に、層間絶縁膜１５のソース１４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してソース電極１５８を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化膜１１７を形成して、その平坦化膜１１７及び層間絶縁膜１５のソース１４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、ソース電極５８とコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る有機ＥＬ素子の陽極１６１を平坦化膜１１７上に設ける。
【００３０】
表示素子である有機ＥＬ素子１６５は、陽極１６１に、ホール輸送層１６２、ＥＬ層１６３及び電子輸送層１６４をこの順に積層し、更に、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極１６６を積層形成したものである。この陰極１６６は、図２（Ａ）に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１０の全面、即ち紙面の全面に設けられる。また、ＥＬ層１６３は、画素毎に異なる材料を用いることでＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の発光を得ることができる
有機ＥＬ素子１６５は、陽極１６１から注入されたホールと、陰極１６６から注入された電子とがＥＬ層１６３の内部で再結合し、ＥＬ層１６３を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程でＥＬ層１６３から光が放たれ、この光が透明な陽極１６１から透明絶縁基板１０を介して外部へ放出されて発光する。
【００３１】
図３は、発光素子２４０の図２（Ｂ）と同様な断面図である。
【００３２】
発光素子２４０は、ＥＬ層と導電薄膜とを有する。すなわち、図のごとく、ＴＦＴ２２５の上層に導電薄膜７０と、平坦化膜２７と、透明電極６１と、ＥＬ層６３と、金属電極６６を積層した構造である。なお、本実施形態においては複数の発光素子２４０をアクティブ駆動させるためにＴＦＴ２２５を設けたが、発光素子２４０をパッシブ駆動させる場合、ＴＦＴ２２５は不要である。
【００３３】
発光素子２４０の駆動用ＴＦＴ２２５も、表示部２００内の表示素子の駆動用ＴＦＴ２２０と同様な構造であるため説明を省略する。
【００３４】
本実施形態の発光素子２４０は、後述するマイクロキャビティ（微小光共振器）構造を取り入れるため、層間絶縁膜１５の上に例えばＡｇ等の非常に薄い導電薄膜７０を配置する。
【００３５】
また、発光素子２４０を構成する有機ＥＬ素子６５は、表示部２００の有機ＥＬ素子と同様である。即ち陽極６１に、ホール輸送層６２、ＥＬ層６３及び電子輸送層６４をこの順に積層し、更に、陰極６６を積層形成したものである。
【００３６】
尚、画素は上述の如く表示素子を構成するＥＬ層１６３の発光色がＲ、Ｇ、Ｂの三色あり、これらを順番に配置する。一方発光素子２４０は、発光すればよいので、ＥＬ層６３は１つの発光色で良く、特に、本実施形態では、表示部上を通過させて受光素子まで到達させる必要があるので、なるべく強い光を発光できる材料を用いるとよい。
【００３７】
図４は、受光素子１００を示す断面図である。受光素子は、ゲート電極と、絶縁膜と、半導体層とから構成されるＴＦＴであり、上述の、表示素子および発光素子の駆動用ＴＦＴ２２０、２２５と同様の構造でも良いが、半導体層の受光面がゲート電極の影とならないように、即ち、受光面がゲート電極に対向しない面になるように形成することが受光量増大の観点からは好適である。従って、後述する、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を用いた発光素子を用いる場合、発光素子の発光がＴＦＴを形成する基板側から出力され、反射材で反射され、基板側から入力されるので、受光面増大の観点からは受光面がゲート電極に重畳しない面が基板側に向いていることが好ましい。つまり、上述の駆動用トランジスタと同様、ゲート電極が半導体層を介して基板と逆に形成される、いわゆるトップゲート型のＴＦＴを受光素子に用いることが好ましい。一方、発光素子の発光がＴＦＴを形成する基板側と逆側に出力されるトップエミッション型の場合は、ボトムゲート型のＴＦＴを受光素子に用いることが好ましい。
【００３８】
以下に説明するいわゆるボトムゲート型のＴＦＴにする場合もある。
【００３９】
まず、絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１１を設ける。ゲート電極１１上には、ゲート絶縁膜１２を設け、更にｐ−Ｓｉ膜からなり、ゲート電極１１上方に位置するチャネル１３ｃと、ソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられた半導体層１３を積層する。ゲート絶縁膜１２及び半導体層１３上の全面に、層間絶縁膜１５を設け、ドレイン１３ｄ接続するドレイン電極１６を設ける。さらにその上層に平坦化膜１７を設け、ソース１３ｓに接続するソース電極１８を設ける。受光素子により増幅されたフォトカレントはソース電極１８（またはドレイン電極１６）側から出力される。
【００４０】
受光素子１００は、発光素子２４０に個々に対応して複数設けられる。受光素子１００を複数配置する場合には、それぞれ並列に接続するとよい。ＴＦＴを複数設けることで、受光素子１００としての冗長性、受光の平均化性を持たせることができる。
【００４１】
上記の構造のｐ−ＳｉＴＦＴでは、ＴＦＴがオフ時に半導体層１３に外部から光が入射すると、チャネル１３ｃとソース１３ｓまたはチャネル１３ｃとドレイン１３ｄの接合領域において電子−正孔対が発生する。この電子−正孔対が接合領域の電場のために引き分けられて光起電力が生じ、フォトカレントが得られる。このようなフォトカレントの増加を検知して、受光素子として利用するものである。
【００４２】
しかし、図１のタッチパネルでは、発光素子２４０からの光を反射材２６０で反射させ、更に表示部２００を通過した光を受光素子１００で受光する。つまり、受光素子１００に到達するまでの間の光の減衰は避けられず、受光素子１００は微小な光をセンシングすることになる。そこで、本実施形態の如く発光素子２４０をマイクロキャビティ型素子にすることにより、高輝度で高指向性をもたせ、受光素子１００での感度を向上させることとした。
【００４３】
再度図３を参照し、マイクロキャビティ構造について説明する。本実施形態によれば、有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を取り入れることで、光の緩衝効果を利用した発光強度の増幅が可能となる。
【００４４】
有機ＥＬの発光は、電子輸送層６４からの電子とホール輸送層６２からのホールがＥＬ層６３内で結合することにより起こるが、更に詳細には電子輸送層６４とＥＬ層６３の界面付近で発光している。すなわちこの界面から導電薄膜７０までの距離、すなわち、ＥＬ層６３、ホール輸送層６２、透明電極６１、平坦化膜２７の合計膜厚ｄが、ある一つの波長（共振波長）の整数倍になるように制御する。これにより、電子輸送層６４とＥＬ層６３の界面で生じた光は、その波長の節目が導電薄膜７０に到達し、導電薄膜７０から基板１０を通過して出力される。一方、上記の界面で生じた光は等方的に出力されるので、全ての光が導電薄膜７０に到達したときに波長の節目にあたるわけではない。この場合、その光は透過が抑制され、導電薄膜７０から陰極６６の方へ反射される。このように導電薄膜７０を透過しない光は、導電薄膜７０と陰極６６の間で反射を繰り返し、波長の節目が導電薄膜７０と重なったとき、外部へ放出される。
【００４５】
図５には、マイクロキャビティ型素子の特性を示す。マイクロキャビティ構造ではない有機ＥＬ素子（破線）は、波長幅の広い発光スペクトルで発光パターンは指向性のない等方的な発光を出力する。一方、マイクロキャビティ構造の有機ＥＬ素子（実線）では、共振波長での強度が増強されるとともに他の波長が抑制され、また半値幅の狭いシャープな発光を出力し、かつその発光が指向性を有する（図５（Ａ））。また、指向性だけでなく発光強度の面でも高効率、高輝度となる（図５（Ｂ））。つまり、図３に示す膜厚ｄを、１つの波長の整数倍になるようにコントロールすることで、所定の波長を有する強い発光が可能な発光素子２４０が実現できる。ゆえに、受光素子１００の受光量を増加させ、感度を向上させることができるので、タッチパネルの低電力化及び高感度化をはかることができる。
【００４６】
また、本実施形態では、発光素子２４０、受光素子１００、表示部２００は、全て絶縁基板上に設けたＴＦＴで実現できるので、図１の如く同一基板上に設けることができる。これにより、光センサ（受光素子１００）を有するタッチパネルの、小型化、薄型化を実現できる。
【００４７】
以上に述べたように、発光素子２４０をマイクロキャビティ型素子にすることで、膜厚ｄの精密な制御が必要となる。そこで、図６（Ａ）のごとく、発光素子２４０をＲ、Ｇ、Ｂ以外のある１つの波長の光を発光するように設け、この波長の整数倍となる膜厚ｄを、タッチパネル全体に適用するとよい。ある１つの波長が、例えば表示部で用いられない色成分である紫に対応する波長である場合、平坦化膜２７、陽極６１、ホール輸送層６２およびＥＬ層６３の合計膜厚ｄを、紫の波長の整数倍とする。
【００４８】
また、図６（Ｂ）のごとく、平坦化膜２７を平坦化膜２７ａ及び２７ｂの積層体として、平坦化膜２７ａ及び２７ｂの間に導電薄膜７０を形成しても良い。これにより、導電薄膜７０より上の平坦化膜２７ｂ、陽極６１、ホール輸送層６２及びＥＬ層６３の合計膜厚ｄ’をフレキシブルに変更できるので、設計自由度が上がる。
【００４９】
なお、紫を発光する為の有機ＥＬ素子６５の形成においては、材料を発光素子２４０の有機ＥＬ素子に用いても良いし、または紫の波長さえ有していればマイクロキャビティ構造によって紫の発光のみ出力されるため、紫の波長を含む色成分の発光材料を用いても良い。
【００５０】
また、上記本実施形態においては、発光素子２４０の有機ＥＬ素子６５が発光する色成分を、表示部２００を構成する有機ＥＬ素子１６５が発光する色成分と異なるように設定したが、有機ＥＬ素子６５及び１６５が発光する色成分が同じ色成分であっても良い。また、表示部及び全ての発光素子に共通した有機ＥＬ素子を形成し、少なくとも表示部２００の発光出力側に、特定の色成分を透過させるカラーフィルタまたは特定の色成分に変換する色変換部材を設けても良い。ただし、発光素子が出力する色成分は、発光効率の高い色成分にすることが好ましく、発光効率の最も高い色成分にすることがより好ましい。
【００５１】
更に、表示部、受光素子及び発光素子に共通する構成要素（ＴＦＴ、有機ＥＬ素子）が多いため、少なくとも一の共通する構成要素を同時に及び／または同一工程で形成することにより、部品点数の削減や製造プロセスの効率化も図ることができる。より好ましくは、共通する構成要素を全て同時に同一工程で形成する。
【００５２】
例えば、表示部２００の駆動用ＴＦＴ２２０との形成と同時に、発光素子２４０に接続するＴＦＴ２２５を同一工程で形成し、且つ／またはこれらの上層に形成される表示部２００の有機ＥＬ素子１６５及び発光素子２４０の有機ＥＬ素子６５も同一工程で形成することができる。なお、不図示のＴＦＴからなる受光素子１００のＴＦＴがボトムゲート型ＴＦＴであって、スイッチ用ＴＦＴ２１０等の他のＴＦＴがトップゲート型ＴＦＴである場合、ボトムゲート型ＴＦＴとトップゲート型ＴＦＴとでは積層構造が異なるので、異なる積層構造を有する２種類のＴＦＴを受光素子用のＴＦＴ及び他のＴＦＴに用いると、同一工程で形成することができない。しかし、少なくとも一の層または膜（例えばゲート絶縁膜１２や層間絶縁膜１５）を他のＴＦＴと同じ材料及び膜厚であるなら、その層または膜だけ他のＴＦＴと同時に同一工程で積層すれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図３】本発明の実施の形態を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態を説明するための断面図である。
【図５】本発明を説明するための（Ａ）特性図、（Ｂ）特性図である。
【図６】本発明の実施の形態を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図７】従来技術を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０              絶縁性基板
１１、１４１      ゲート電極
１３、１４３      半導体層
１６              ドレイン電極
１８、１５８      ソース電極
２７、２７ａ、２７ｂ、１１７      平坦化膜
６１、１６１      透明電極（陽極）
６５、１６５      有機ＥＬ素子
６６、１６６      金属電極（陰極）
７０              導電薄膜
１００            光センサ
１５１            ゲート信号線
１５２            ドレイン信号線
１５３            駆動電源線
２００            表示部
２１０            スイッチ用ＴＦＴ
２２０            駆動用ＴＦＴ
２４０            発光素子
【図１】
2005339406.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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