(57)【要約】 【課題】  発光効率を向上させることが出来るプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  前面ガラス基板１と背面ガラス基板５が放電空間Ｓを介して対向され、前面ガラス基板１に行方向に延び列方向に並設された複数のサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）とこの行電極対を被覆する誘電体層２が形成され、放電空間Ｓに形成される放電セルＣ１毎にサステイン電極Ｙとの間で放電を行う複数のアドレス電極Ｄが列方向に延び行方向に並設されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前面ガラス基板１に放電セルＣ１を区画する金属製の第１隔壁１１が形成され、背面ガラス基板５に放電セルＣ１を区画するとともに第１隔壁１１に当接される金属製の第２隔壁１２が形成されている。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が放電空間を介して対向され、この一対の基板の一方の基板に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、放電空間に形成される単位発光領域毎に行電極との間で放電を行う複数の列電極が列方向に延び行方向に並設されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記一方の基板に単位発光領域を区画する第１隔壁が形成され、
前記一方の基板に対向する他方の基板に単位発光領域を区画するとともに第１隔壁に対向される第２隔壁が形成され、
前記第１隔壁および第２隔壁が、それぞれ、所要の形状に成形された金属製の基体と、この基体の表面を被覆する絶縁膜とを有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第１隔壁と第２隔壁が互いに当接されて、単位発光領域を区画している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１隔壁の絶縁層が、二次電子放出材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記二次電子放出材料がＭｇＯである請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第２隔壁の内側に蛍光体層が形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第１隔壁上に列電極が形成され、この列電極が、第１隔壁上に形成された誘電体被覆層によって被覆されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記第２隔壁上に列電極が形成され、この列電極が、第２隔壁上に形成された誘電体被覆層によって被覆されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記誘電体被覆層を介して第１隔壁と第２隔壁が当接されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記行電極対を構成する各行電極が、行方向に延びる電極本体部と、この電極本体部に沿って等間隔に並設されて対になっている他の行電極側に突出して放電ギャップを介して互いに対向される複数の電極突出部とを有し、各列電極が、それぞれ、行電極の電極本体部に沿って並設された隣接する電極突出部間の中間位置に対向する位置に位置されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記列電極が、それぞれ、行電極の電極本体部に沿って並設された隣接する電極突出部間において、列電極との間で放電を発生させる電極突出部側に偏った位置に位置されている請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第１隔壁が、列方向に隣接する単位発光領域の間の部分において行方向に延びる横壁部を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１ないし３は、従来の面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の構成を示しており、図１はこの従来のＰＤＰの正面図であり、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図，図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【０００３】
この図１ないし３において、ＰＤＰの表示面を形成する前面ガラス基板１の背面に、複数のサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。
【０００４】
サステイン電極Ｘ（Ｙ）は、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａ（Ｙａ）と、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｘａ（Ｙａ）の狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂ（Ｙｂ）とによって構成されている。
【０００５】
このサステイン電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【０００６】
前面ガラス基板１の背面には、サステイン電極Ｘ，Ｙを被覆するように誘電体層２が形成されており、この誘電体層２の背面には、互いに隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに隣り合うバス電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置、および、この隣り合うバス電極ＸｂとＹｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層２の背面側に突出する嵩上げ誘電体層３が、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。
【０００７】
そして、この誘電体層２と嵩上げ誘電体層３の背面側には、ＭｇＯからなる保護層４が形成されている。
【０００８】
一方、前面ガラス基板１と放電空間Ｓを介して平行に配置された背面ガラス基板５の表示側の面上には、アドレス電極Ｄが、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置においてサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に並設されている。
【０００９】
背面ガラス基板５の表示側の面上には、さらに、アドレス電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）６が形成され、この列電極保護層６上に、隔壁７が形成されている。
【００１０】
この隔壁７は、ガラス材によるサンドブラスト法によって、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において列方向に延びる縦壁部７Ａと、隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸｂとＹｂ、および、このバス電極ＸｂとＹｂの間の領域に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる横壁部７Ｂとによって略格子形状に成形されている。
【００１１】
そして、この略格子状の隔壁７によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間の放電空間Ｓが、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）において互いに対になっている透明電極ＸａとＹａに対向する部分に形成される放電セルＣ毎に、それぞれ方形に区画されている。
【００１２】
このとき、隔壁７の横壁部７Ｂは、嵩上げ誘電体層３に当接されていて、行方向に隣接する放電セルＣ間が閉じられている。
【００１３】
各放電セルＣ内において、隔壁７の縦壁部７Ａおよび横壁部７Ｂの側面と列電極保護層６の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層８が形成されており、この蛍光体層８の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色に色分けされて、これらが行方向に順に並ぶように配列されている。
【００１４】
前面ガラス基板１と背面ガラス基板５との間の放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている（例えば特許文献１参照）。
【００１５】
上記ＰＤＰは、サステイン電極ＸとＹ間またはサステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ間においてリセット放電が行われた後、サステイン電極Ｙの透明電極Ｙａとアドレス電極Ｄ間において選択的にアドレス放電が行われて、このアドレス放電が行われた放電セルＣに対向する誘電体層２に壁電荷が形成される。
【００１６】
この状態で各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）のサステイン電極ＸとＹに交互にサステイン・パルスが印加されて、誘電体層２に壁電荷が形成されている放電セルＣ（発光セル）内においてサステイン放電が発生される。
【００１７】
そして、このサステイン放電によって、発光セル内の放電ガス中のキセノンガスから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層８が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像の形成が行われる。
【００１８】
上記のような構成のＰＤＰの発光効率は、放電セルＣ内の空間の広さに関連していて、放電セルＣ内の空間が広いほど蛍光体層８の表面面積が広くなって、発光効率が向上する。
【００１９】
ここで、近年のＰＤＰの高精細化に伴って、放電セルＣの幅方向の大きさには制約があり、大きく出来ないために、発光効率を向上させるためには、放電セルＣの高さ（パネルの厚み方向の幅）を大きくする必要がある。
【００２０】
この放電セルＣの高さは、隔壁７の高さとこの隔壁７の横壁部７Ｂに保護層４を介して当接される嵩上げ誘電体層３の高さとによって規定される（図２参照）。
【００２１】
しかしながら、従来のＰＤＰの隔壁７は、ガラス材を用いてサンドブラスト法により形成されていたために、隔壁に欠損や傾き等が発生する虞があり、この隔壁７の高さを大きく設定するには限界がある。
【００２２】
また、嵩上げ誘電体層３も誘電材料を印刷法やフィルムの貼り付け等の方法によって形成されるため、その高さを大きくするには限界がある。
【００２３】
このため、従来のＰＤＰでは、放電セルＣの高さを所定以上には大きくすることが出来ず、ＰＤＰの高精細化によって放電セルＣの幅方向の寸法が減少してゆくのに伴って、放電セルＣ内の放電空間での発光効率が低下してしまうという問題が発生している。
【００２４】
【特許文献１】特開２０００−１９５４３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
この発明は、上記のような面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルにおける問題点を解決するために為されたものである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
この発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、一対の基板が放電空間を介して対向され、この一対の基板の一方の基板に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、放電空間に形成される単位発光領域毎に行電極との間で放電を行う複数の列電極が列方向に延び行方向に並設されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記一方の基板に単位発光領域を区画する第１隔壁が形成され、前記一方の基板に対向する他方の基板に単位発光領域を区画するとともに第１隔壁に対向される第２隔壁が形成され、前記第１隔壁および第２隔壁が、それぞれ、所要の形状に成形された金属製の基体と、この基体の表面を被覆する絶縁膜とを有していることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
この発明は、前面ガラス基板の背面ガラス基板に対向する側に、金属製の基体の表面がＭｇＯ等の二次電子放出材料（高γ材料）によって形成された絶縁層によって被覆された第１隔壁が形成され、背面ガラス基板の前面ガラス基板に対向する側に、金属製の基体の表面が絶縁層によって被覆されて第１隔壁に当接される第２隔壁が形成されて、この第１隔壁と第２隔壁によって、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間に形成される放電セルが、それぞれ区画されているＰＤＰを、その最良の実施形態としている。
【００２８】
この実施形態によるＰＤＰは、放電セルの高さ（パネルの厚さ方向の幅）が、前面ガラス基板側に形成された第１隔壁と、背面ガラス基板側に形成された第２隔壁の高さによって決定され、この第１隔壁と第２隔壁が金属製であることによって、従来のＰＤＰのガラス材を用いてサンドブラスト法により形成される隔壁と比較して、隔壁に欠損や傾き等が発生する虞がなく、所望の高さに形成することが出来る。
【００２９】
さらに、このＰＤＰは、従来のＰＤＰの嵩上げ誘電体層が形成されていた部分に、誘電材料によって形成される嵩上げ誘電体層の代わりに、金属製の第１隔壁が形成されることによって、その分、放電セルの高さを従来のＰＤＰと比較して高く設定出来る。
【００３０】
また、この第１隔壁は、従来のＰＤＰの嵩上げ誘電体層と同様の、サステイン電極による面放電が放電セル内から外側に拡がるのを防止する機能を有している。
【００３１】
従って、このＰＤＰは、放電セルの高さを従来のＰＤＰと比較して高く設定することができ、これによって、ＰＤＰの高精細化が図られる場合でも、その発光効率を高めることが出来るようになる。
【実施例１】
【００３２】
図４および５は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１実施例を示しており、図４はこの第１実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図であり、図５は図４のV−V線における断面図である。
【００３３】
この図４および５において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図４において左右方向）に延びるとともに列方向（図４において上下方向）に並設されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。
【００３４】
このサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘｂ，Ｙｂと、このバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って等間隔に配列されてバス電極Ｘｂ，Ｙｂから対になっている他方のサステイン電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘａ，Ｙａとから構成されている。
【００３５】
そして、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されていて、この誘電体層２によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。
【００３６】
以上の構成は、前述した図１ないし３の従来のＰＤＰの構成と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００３７】
この保護層上には、金属製の第１隔壁１１が形成されている。
【００３８】
この第１隔壁１１は、金属製の基体１１ａとこの基体１１ａの表面を被覆する絶縁膜１１ｂとによって構成されている。
【００３９】
そして、この第１隔壁１１は、サステイン電極Ｘ（Ｙ）のバス電極Ｘｂ（Ｙｂ）に沿って並設されている各透明電極Ｘａ（Ｙａ）のそれぞれの中間位置に対向する部分において列方向に延びる第１縦壁部１１Ａと、隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸｂとＹｂ、および、このバス電極ＸｂとＹｂの間の領域に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第１横壁部１１Ｂとによって略格子形状に形成されている。
【００４０】
第１隔壁１１を構成する絶縁膜１１ｂは、ＭｇＯ等の高γ絶縁膜やＡｌ２Ｓｉ３，Ｓｉ２Ｏ３等の絶縁膜によって構成されている。
【００４１】
さらに、誘電体層２の背面側には、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されて、この保護層によって誘電体層２の表面が被覆されている。
【００４２】
一方、前面ガラス基板１と放電空間Ｓ１を介して対向する背面ガラス基板５の表示側の面上には、アドレス電極Ｄが、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置においてサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に並設されている。
【００４３】
背面ガラス基板５の表示側の面上には、さらに、アドレス電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）６が形成されている。
【００４４】
以上の、背面ガラス基板５側の構成については、前述した図１ないし３の従来のＰＤＰの構成と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。
列電極保護層６上に、第２隔壁１２が形成されている。
【００４５】
この第２隔壁１２は、前述した第１隔壁１１と同様に、金属製の基体１２ａとこの基体１２ａの表面を被覆する絶縁膜１２ｂによって被覆されている。
【００４６】
この第２隔壁１２は、第１隔壁１１の第１縦壁部１１Ａに対向する位置（列方向に並設された各アドレス電極Ｄの中間位置に対向する位置）において列方向に延びる第２縦壁部１２Ａと、第１隔壁１１の第１横壁部１１Ｂに対向する位置（前面ガラス基板１の隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸｂとＹｂ、および、このバス電極ＸｂとＹｂの間の領域に対向する位置）においてそれぞれ行方向に延びる第２横壁部１２Ｂとによって略格子形状に形成されている。
【００４７】
第２隔壁１２を構成する絶縁膜１２ｂは、Ａｌ２Ｓｉ３，Ｓｉ２Ｏ３等の絶縁膜によって構成されている。
【００４８】
そして、この第２隔壁１２は、その第２縦壁部１２Ａおよび第２横壁部１２Ｂの前面ガラス基板１と平行な頂面が、第１隔壁１１の第１縦壁部１１Ａおよび第１横壁部１１Ｂの背面ガラス基板５と平行な頂面と、それぞれ、互いに当接されている。
【００４９】
さらに、この第２隔壁１２の間の列電極保護層６６の表面と第２隔壁１２の第２縦壁部１２Ａおよび第２隔壁１２Ｂの側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層１８が、行方向に順に並ぶように形成されている。
【００５０】
以上のようにして、前面ガラス基板１側に形成された第１隔壁１１と背面ガラス基板５側に形成された第２隔壁１２によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間Ｓ１が、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極Ｘａ，Ｙａに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣ１が形成されている。
【００５１】
そして、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間Ｓ１内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている。
【００５２】
上記ＰＤＰ１０は、従来のＰＤＰの場合と同様に、サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）のサステイン電極ＸとＹ間、または、サステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ間においてリセット放電を行い、サステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ間においてアドレス放電を行い、さらに、サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹの放電ギャップｇを介して対向する透明電極Ｘａ，Ｙａ間においてサステイン放電を行って、マトリクス表示による画像形成を行う。
【００５３】
上記ＰＤＰ１０は、放電セルＣ１の高さ（パネルの厚さ方向の幅）は、互いにその頂面が当接される前面ガラス基板１側に形成された第１隔壁１１と、背面ガラス基板５側に形成された第２隔壁１２の高さによって決定される。
【００５４】
そして、このＰＤＰ１０の第１隔壁１１と第２隔壁１２は、それぞれの基体１１ａ，１２ａが金属材料によって形成されることによって、従来のＰＤＰのガラス材を用いてサンドブラスト法により形成される隔壁と比較して、隔壁に欠損や傾き等が発生する虞がなく、所要の高さに形成することが出来る。
【００５５】
さらに、このＰＤＰ１０は、従来のＰＤＰの嵩上げ誘電体層が形成されていた部分に、誘電材料によって形成される嵩上げ誘電体層の代わりに、金属製の第１隔壁１１が形成されることによって、その分、放電セルＣ１の高さを従来のＰＤＰと比較して高く設定出来る。
【００５６】
また、第１隔壁１１は、従来のＰＤＰの嵩上げ誘電体層と同様の、サステイン電極による面放電が放電セルＣ１内から外側に拡がるのを防止する機能を有している。
【００５７】
以上のように、上記ＰＤＰ１０によれば、放電セルＣ１の高さを従来のＰＤＰと比較して高く設定することが可能であり、これによって、ＰＤＰの高精細化が図られる場合でも、その発光効率を高めることが出来るようになる。
【００５８】
さらに、前面ガラス基板１に第１隔壁１１が形成されることによって、この第１隔壁１１を構成するＭｇＯ等の二次電子放出材料（高γ材料）によって形成される絶縁膜１１ｂの面積が、第１隔壁１１の高さを高くすることによって大きくなり、この絶縁膜１１ｂによって、放電セルＣ１内における二次電子放出特性が従来のＰＤＰに比べて向上し、放電効率が上昇するので、これによっても、発光効率が向上される。
【００５９】
さらに、背面ガラス基板５側において、第２隔壁１２の高さが高く設定されることによって、その内側に形成される蛍光体層１８の膜厚および表面積を大きくすることができ、これによっても発光効率を向上させることが出来る。
【００６０】
なお、上記ＰＤＰ１０においては、前面ガラス基板１側にのみＭｇＯ層（絶縁膜１１ｂ）を形成し、背面ガラス基板５側にのみ蛍光体層１８を形成することによって、前面ガラス基板１の製造工程と背面ガラス基板５の製造工程を分離出来るので、製造プロセスが容易になる。
【００６１】
さらに、上記ＰＤＰ１０においては、前面ガラス基板１側に従来の嵩上げ誘電体層に変えて金属製の第１隔壁１１を形成することによって、製造工程が複雑な嵩上げ誘電体層が不要になるとともに、あらかじめ成形されている第１隔壁１１を誘電体層２の背面側に取り付けるようにすることによって、製造工程の簡略化が可能になる。
【００６２】
図６は、上記ＰＤＰ１０の製造工程のフロー図である。
【００６３】
次に、この図５に基づいてＰＤＰ１０の製造工程の説明を行う。
金属製隔壁の製造工程Ａにおいて、金属板へのＤＦＲラミネート工程（工程ＡＳ１）の後、パターン露光および現像工程（工程ＡＳ２）が行われる。
【００６４】
この工程ＡＳ２の後、エッチング工程（工程ＡＳ３）が行われて、金属板が第１隔壁１１または第２隔壁１２の略格子形状に成形され、さらに、ＤＦＲ剥離工程（工程ＡＳ４）が行われる。
【００６５】
そして、この工程ＡＳ４の後、スパッタ法や蒸着法，ＣＶＤ法等によって、工程ＡＳ４において略格子形状に成形された金属板の表面に絶縁膜１１ｂまたは１２ｂが形成される（工程ＡＳ５）。
【００６６】
前面ガラス基板１の製造工程Ｂにおいて、先ず、前面ガラス基板１の背面側にサステイン電極Ｘ，Ｙが形成される（工程ＢＳ１）。
【００６７】
この工程程ＢＳ１には、サステイン電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａの形成工程とバス電極Ｘｂ，Ｙｂの形成工程が含まれる。
【００６８】
この工程ＢＳ１によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成された後、さらに、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されて（工程ＢＳ２）、工程ＢＳ１よって形成されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆される。
【００６９】
この工程ＢＳ２において、誘電体層２の焼成が行われる前に、製造工程Ａにおいて製造された第１隔壁１１が誘電体層２上に位置合わせされ、誘電体層２の焼成によって第１隔壁１１が誘電体層２上の所定位置に接合される（工程ＢＳ３）。
【００７０】
この工程ＢＳ３の後、誘電体層２の背面に保護層が形成される（工程ＢＳ４）。
【００７１】
背面ガラス基板５の製造工程Ｃにおいて、先ず、背面ガラス基板５の表示面側の所定位置に、アドレス電極Ｄが形成され（工程ＣＳ１）、この工程ＣＳ１の後、列電極保護層６が形成される（工程ＣＳ２）。
【００７２】
この工程ＣＳ２において、列電極保護層６の焼成が行われる前に、製造工程Ａにおいて製造された第２隔壁１２が列電極保護層６上に位置合わせされ、列電極保護層６の焼成によって第２隔壁１２が列電極保護層６上の所定位置に接合される（工程ＣＳ３）。
【００７３】
そして、この工程ＣＳ３の終了後、この第２隔壁１２による各区画部分の内側に、それぞれ、赤，緑，青の蛍光体層１８が形成され（工程ＣＳ４）、さらに、背面ガラス基板５の表示面側の周縁部に封着層が形成される（工程ＣＳ５）。
【００７４】
以上のようにして、製造工程Ｂにおいて各構造物が形成された前面ガラス基板１と、製造工程Ｃにおいて各構造物が形成された背面ガラス基板５は、放電空間を介して重ね合わされて互いの位置合わせが行われた後（工程ＤＳ１）、この前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間の封着工程（工程ＤＳ２）および放電空間内からの排気・ベーキング工程（工程ＤＳ３），放電空間内への放電ガスの導入工程（工程ＤＳ４），この放電ガスの封止（チップオフ）工程（工程ＤＳ５）が順次行われて、ＰＤＰ１０が製造される。
【実施例２】
【００７５】
図７および８は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第２実施例を示しており、図７はこの第２実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図であり、図８は図４のVIII−VIII線における断面図である。
【００７６】
この図７および８において、ＰＤＰ２０は、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図７において左右方向）に延びるとともに列方向（図７において上下方向）に並設されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。
【００７７】
このサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘｂ，Ｙｂと、このバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って等間隔に配列されてバス電極Ｘｂ，Ｙｂから対になっている他方のサステイン電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘａ，Ｙａとから構成されている。
【００７８】
そして、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されていて、この誘電体層２によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。
【００７９】
この保護層上には、金属製の第１隔壁１１が形成されている。
この第１隔壁１１は、金属製の基体１１ａとこの基体１１ａの表面を被覆する絶縁膜１１ｂによって構成されている。
【００８０】
そして、この第１隔壁１１は、サステイン電極Ｘ（Ｙ）のバス電極Ｘｂ（Ｙｂ）に沿って並設されている各透明電極Ｘａ（Ｙａ）のそれぞれの中間位置に対向する部分において列方向に延びる第１縦壁部１１Ａと、隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸｂとＹｂ、および、このバス電極ＸｂとＹｂの間の領域に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第１横壁部１１Ｂとによって略格子形状に形成されている。
【００８１】
第１隔壁１１を構成する絶縁膜１１ｂは、ＭｇＯ等の高γ絶縁膜やＡｌ２Ｓｉ３，Ｓｉ２Ｏ３等の絶縁膜によって形成されている。
【００８２】
さらに、誘電体層２の背面側には、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されて、この保護層によって誘電体層２の表面が被覆されている。
【００８３】
以上の構成は、前述した第１実施例のＰＤＰ１０の構成と同様であり、同一の構成部分については、同一の符号が付されている。
【００８４】
そして、第１隔壁１１の前面ガラス基板１と平行で背面側に向いた頂面１１ｃ上に、アドレス電極Ｄ１が第１隔壁１１の第１縦壁部１１Ａに沿って列方向に延びるように形成されており、さらに、この第１隔壁１１の頂面１１ｃ上に誘電体被覆層２１が形成されて、この誘電体被覆層２１によってアドレス電極Ｄ１が被覆されている。
【００８５】
このアドレス電極Ｄ１の形成位置は、図８（ａ）に示されるように、第１隔壁１１の頂面１１ｃの中央位置、すなわち、行方向に並設されている透明電極Ｘａ（Ｙａ）間の中央位置に対向される位置でも良いが、後述するように対になる透明電極Ｙａとの間で確実にアドレス放電を発生させ、隣接する他の透明電極Ｙａとの間で誤放電が発生するのを防止するために、図８（ｂ）に示されるように、アドレス電極Ｄ１を、第１隔壁１１の頂面１１ｃ上において対になる透明電極Ｙａの側にシフトした（偏った）位置に形成するのが好ましい。
【００８６】
一方、前面ガラス基板１と放電空間Ｓ２を介して対向する背面ガラス基板５の表示側の面上には、白色誘電体層２６が形成されている。
【００８７】
白色誘電体層２６上に、第２隔壁１２が形成されている。
【００８８】
この第２隔壁１２は、前述した第１隔壁１１と同様に、金属製の基体１２ａとこの基体１２ａの表面を被覆する絶縁膜１２ｂによって構成されている。
【００８９】
この第２隔壁１２は、第１隔壁１１の第１縦壁部１１Ａに対向する位置において列方向に延びる第２縦壁部１２Ａと、第１隔壁１１の第１横壁部１１Ｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第２横壁部１２Ｂとによって略格子形状に形成されている。
【００９０】
第２隔壁１２を構成する絶縁膜１２ｂは、Ａｌ２Ｓｉ３，Ｓｉ２Ｏ３等の絶縁膜によって形成されている。
【００９１】
そして、この第２隔壁１２は、その第２縦壁部１２Ａおよび第２隔壁１２Ｂの前面ガラス基板１と平行な頂面が、第１隔壁１１上に形成された誘電体被覆層２１に当接されている。
【００９２】
さらに、この第２隔壁１２の間の白色誘電体層２６の表面と第２隔壁１２の第２縦壁部１２Ａおよび第２隔壁１２Ｂの側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層２８が、行方向に順に並ぶように形成されている。
【００９３】
以上のようにして、前面ガラス基板１側に形成された第１隔壁１１と背面ガラス基板５側に形成された第２隔壁１２によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間Ｓが、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極Ｘａ，Ｙａに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣ２が形成されている。
【００９４】
そして、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間Ｓ２内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている。
【００９５】
上記ＰＤＰ２０は、従来のＰＤＰの場合と同様に、サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）のサステイン電極ＸとＹ間、または、サステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ間においてリセット放電を行い、サステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ間においてアドレス放電を行い、そして、サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹの放電ギャップｇを介して対向する透明電極Ｘａ，Ｙａ間においてサステイン放電を行って、マトリクス表示による画像形成を行う。
【００９６】
上記ＰＤＰ２０は、放電セルＣ２の高さ（パネルの厚さ方向の幅）は、互いにその頂面が誘電体被覆層２１を介して当接される前面ガラス基板１側に形成された第１隔壁１１と、背面ガラス基板５側に形成された第２隔壁１２の高さによって決定される。
【００９７】
そして、このＰＤＰ２０の第１隔壁１１と第２隔壁１２は、それぞれの基体１１ａ，１２ａが金属材料によって形成されることによって、従来のＰＤＰのガラス材を用いてサンドブラスト法により形成される隔壁と比較して、隔壁に欠損や傾き等が発生する虞がなく、所望の高さに形成することが出来る。
【００９８】
さらに、このＰＤＰ２０は、従来のＰＤＰの嵩上げ誘電体層が形成されていた部分に、誘電材料によって形成される嵩上げ誘電体層の代わりに、金属製の第１隔壁１１が形成されることによって、その分、放電セルＣ２の高さを従来のＰＤＰと比較して高く設定出来る。
【００９９】
また、第１隔壁１１は、従来のＰＤＰの嵩上げ誘電体層と同様の、サステイン電極による面放電が放電セルＣ２内から外側に拡がるのを防止する機能を有している。
【０１００】
以上のように、上記ＰＤＰ２０によれば、放電セルＣ２の高さを従来のＰＤＰと比較して高く設定することが可能であり、これによって、ＰＤＰの高精細化が図られる場合でも、その発光効率を高めることが出来るようになる。
【０１０１】
さらに、前面ガラス基板１に第１隔壁１１が形成されることによって、この第１隔壁１１を構成するＭｇＯ等の高γ材料によって形成される絶縁膜１１ｂの面積が、第１隔壁１１の高さを高くすることによって大きくなり、この絶縁膜１１ｂによって、放電セルＣ２内における二次電子放出特性が従来のＰＤＰに比べて向上し、放電効率が上昇するので、これによっても、発光効率が向上される。
【０１０２】
さらに、背面ガラス基板５側において、第２隔壁１２の高さが高く設定されることによって、その内側に形成される蛍光体層２８の膜厚および表面積を大きくすることができ、これによっても発光効率を向上させることが出来る。
【０１０３】
さらに、上記ＰＤＰ２０は、アドレス電極Ｄ１が第１隔壁１１の頂面１１ｃ上に形成されることによって、アドレス電極Ｄ１との間で放電を発生させるサステイン電極Ｙの透明電極Ｙａとの間隔（放電距離）が、ＰＤＰ１０の場合よりも短くなっているので、このアドレス電極Ｄ１とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙａ間での放電が発生し易くなり、その放電電圧がＰＤＰ１０に比べて低減されるとともに、アドレスマージンも広くなる。
【０１０４】
なお、上記ＰＤＰ１０においては、前面ガラス基板１側にのみＭｇＯ層（絶縁膜１１ｂ）を形成し、背面ガラス基板５側にのみ蛍光体層２８を形成することによって、前面ガラス基板１の製造工程と背面ガラス基板５の製造工程を分離出来るので、製造プロセスが容易になる。
【０１０５】
さらに、上記ＰＤＰ１０においては、前面ガラス基板１側に従来の嵩上げ誘電体層に変えて金属製の第１隔壁１１を形成することによって、製造工程が複雑な嵩上げ誘電体層が不要になるとともに、あらかじめ成形されている第１隔壁１１を誘電体層２の背面側に取り付けるようにすることによって、製造工程の簡略化が可能になる。
【０１０６】
図９は、上記ＰＤＰ１０の製造工程のフロー図である。
次に、この図９に基づいてＰＤＰ１０の製造工程の説明を行う。
【０１０７】
金属製隔壁の製造工程Ｅにおいて、金属板へのＤＦＲラミネート工程（工程ＥＳ１）の後、パターン露光および現像工程（工程ＥＳ２）が行われる。
【０１０８】
この工程ＥＳ２の後、エッチング工程（工程ＥＳ３）が行われて、金属板が第１隔壁１１または第２隔壁１２の略格子形状に成形され、さらに、ＤＦＲ剥離工程（工程ＥＳ４）が行われる。
【０１０９】
そして、この工程ＥＳ４の後、スパッタ法や蒸着法，ＣＶＤ法等によって、工程ＥＳ４において格子形状に成形された金属板の表面に絶縁膜１１ｂまたは１２ｂが形成される（工程ＥＳ５）。
なお、この金属製隔壁の製造工程Ｅは、第１実施例における金属製隔壁の製造工程Ａと同様である。
【０１１０】
前面ガラス基板１の製造工程Ｆにおいて、先ず、前面ガラス基板１の背面側にサステイン電極Ｘ，Ｙが形成される（工程ＦＳ１）。
【０１１１】
この工程程ＦＳ１には、サステイン電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａの形成工程とバス電極Ｘｂ，Ｙｂの形成工程が含まれる。
【０１１２】
この工程ＦＳ１によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成された後、さらに、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されて（工程ＦＳ２）、工程ＦＳ１よって形成されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆される。
【０１１３】
この工程ＦＳ２において、誘電体層２の焼成が行われる前に、製造工程Ａにおいて製造された第１隔壁１１が誘電体層２上に位置合わせされ、誘電体層２の焼成によって第１隔壁１１が誘電体層２の所定位置に接合される（工程ＦＳ３）。
【０１１４】
この工程ＦＳ３の後、第１隔壁１１の頂面１１ｃ上にアドレス電極Ｄ１が形成され（工程ＦＳ４）、さらに誘電体被覆層２１が形成されて、アドレス電極Ｄ１が被覆される（工程ＦＳ５）。
そして、この工程ＦＳ５の後、誘電体層２の背面に保護層が形成される（工程ＦＳ６）。
【０１１５】
背面ガラス基板５の製造工程Ｇにおいて、先ず、背面ガラス基板５の表示面側に、白色誘電体層２６が形成される（工程ＧＳ１）。
【０１１６】
この工程ＧＳ１において、白色誘電体層２６の焼成が行われる前に、金属製隔壁の製造工程Ｅにおいて製造された第２隔壁１２が白色誘電体層２６上に位置合わせされ、白色誘電体層２６の焼成によって第２隔壁１２が白色誘電体層２６の所定位置に接合される（工程ＧＳ２）。
【０１１７】
そして、この工程ＧＳ２の終了後、この第２隔壁１２による各区画部分の内側に、それぞれ、赤，緑，青の蛍光体層２８が形成され（工程ＧＳ３）、さらに、背面ガラス基板５の表示面側の周縁部に封着層が形成される（工程ＧＳ４）。
【０１１８】
以上のようにして、製造工程Ｆにおいて各構造物が形成された前面ガラス基板１と、製造工程Ｇにおいて各構造物が形成された背面ガラス基板５は、放電空間を介して重ね合わされて互いの位置合わせが行われた後（工程ＨＳ１）、この前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間の封着工程（工程ＨＳ２）および放電空間内からの排気・ベーキング工程（工程ＨＳ３），放電空間内への放電ガスの導入工程（工程ＨＳ４），この放電ガスの封止（チップオフ）工程（工程ＨＳ５）が順次行われて、ＰＤＰ２０が製造される。
【０１１９】
図１０は、図７および８に示される第２実施例のＰＤＰの変形例を示す断面図である。
【０１２０】
図７および８のＰＤＰの列電極Ｄ１が前面ガラス基板１側に形成された第１隔壁１１の第１縦壁部１１Ａ上に形成されていたのに対し、この図１０のＰＤＰは、列電極Ｄ２が、背面ガラス基板５側に形成された第２隔壁１２の第２縦壁部１２Ａ（図７参照）上に形成されて、この第２隔壁１２の頂面１２ｃ上に形成された誘電体被覆層３１によって被覆された構成を備えている。
【０１２１】
他の部分の構成については図７および８のＰＤＰの構成とほぼ同様であり、同一の構成部分については、図７および８のＰＤＰと同一の符号が付されている。
【０１２２】
この図１０のＰＤＰも、上述した図８のＰＤＰと同様の作用効果を発揮することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】従来例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図４】この発明の実施形態における第１実施例を模式的に示す正面図である。
【図５】図４のV−V線における断面図である。
【図６】同実施例によるプラズマディスプレイパネルの製造工程を示すフローチャートである。
【図７】この発明の実施形態における第２実施例を模式的に示す正面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である。
【図９】同実施例によるプラズマディスプレイパネルの製造工程を示すフローチャートである。
【図１０】第２実施例の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１                    …前面ガラス基板（前面基板）
２                    …誘電体層
５                    …背面ガラス基板（背面基板）
１０，２０            …ＰＤＰ
１１                  …第１隔壁
１１Ａ                …第１縦壁部
１１Ｂ                …第１横壁部
１１ａ                …基体
１１ｂ                …絶縁膜
１１ｃ                …頂面
１２                  …第２隔壁
１２Ａ                …第２縦壁部
１２Ｂ                …第２横壁部
１２ａ                …基体
１２ｂ                …絶縁膜
１８                  …蛍光体層
２１，３１            …誘電体被覆層
２８                  …蛍光体層
Ｘ，Ｙ               …サステイン電極（行電極）
Ｘａ，Ｙａ           …透明電極（電極突出部）
Ｘｂ，Ｙｂ           …バス電極（電極本体部）
Ｄ，Ｄ１，Ｄ２       …アドレス電極（列電極）
Ｓ１，Ｓ２           …放電空間
Ｃ１，Ｃ２           …放電セル（単位発光領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005339944.tif 000008
【図７】
2005339944.tif 000009
【図８】
2005339944.tif 000010
【図９】
2005339944.tif 000011
【図１０】
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