(57)【要約】【課題】互いのラビング方向を略直交させてＴＦＴ基板及び対向基板の配向膜にラビング処理を行った後の液晶表示装置に通電を行い続けても表示ムラが発生し難い、かつ高歩留まりにより製造することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】  ラビングローラにより配向膜にラビング処理が施された素子基板９及び該素子基板に対向する基板３を有する液晶表示装置７０において、素子基板９の画素電極９０が形成された表示領域の少なくとも１つの角部の２辺に対向する前記表示領域外の位置に、ダミー電極１５が形成されていることを特徴とする。【選択図】図６
2005250238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材で貼り合わされ液晶を挟持する一対の基板を有する液晶表示装置において、
前記一対の基板は夫々、前記シール材が形成される領域の内側に、表示電極と、ラビン
グ処理された配向膜を有し、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の表示電極が形成された領域と前記シール
材が形成された領域との隙間において、前記表示電極が形成された領域の角部の周囲にダミー電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記角部は、前記一対の基板のうち一方の基板において前記表示電極が形成された領域で
ラビングが開始された箇所と、他方の基板において表示電極が形成された領域でラビング
が開始された箇所とが交差する箇所であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。
【請求項３】
前記一方の基板に対するラビング方向は前記一方の基板と略直交する一の方向であり、前
記他方の基板に対するラビング方向は前記一の方向に略直交することを特徴とする請求項
１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ダミー電極は、前記表示領域に形成された表示電極と同一層で形成されていること
を特徴とする請求項１，２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ダミー電極は、前記表示電極と前記角部において隣接していることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
シール材で貼り合わされて液晶を挟持する一対の基板を有し、前記シール材の形成され
る領域の内側に表示電極を有する一対の基板を有する液晶表示装置の製造方法において、
前記シール材が形成される領域の内側において、前記表示電極が形成された領域と前記
シール材が形成された領域との隙間に前記表示電極が形成された領域の角部の周囲にダミ
ー電極を形成する工程と、
前記一対の基板のうち一方の基板の配向膜に対するラビング方向と、他の基板に配向膜
に対するラビング方向とが交差するようにラビング処理を行う工程と、
を有し、
前記ラビング処理において、ラビングローラは、前記ダミー電極に当接した後、前記表
示電極に当接することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記一方の基板に対するラビング方向は前記一方の基板と略直交する一の方向であり、前
記他方の基板に対するラビング方向は前記一の方向に略直交することを特徴とする請求項
６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ダミー電極は、前記表示領域の表示電極と同一工程で形成されることを特徴とする
請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置を用いて形成したことを特徴とす
る電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、電子機器に関し、特に液晶表示装
置に用いる素子基板の表示領域の形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶表示装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶
を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transis
tor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、
他方の基板に共通電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応
じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板
とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えばガラス又は石英基板上に、
所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって
構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって
、形成されるのである。
【０００４】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度
に貼り合わされた後、液晶が封入されるようになっている。このパネル組立工程は、先ず
、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との液晶層と接する面
上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。この配向膜は、例
えばポリイミドを約数十ナノメータの厚さで印刷することにより形成される。
【０００５】
その後、焼成を行い、さらに電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビン
グ処理を施す。次いで、一方の基板上の周縁に接着剤となるシール部を設け、このシール
部を用いてＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させ
、その後シール部の一部に設けられた切り欠きを介して液晶を封入するといった手法が用
いられている。
【０００６】
ここで、ラビング処理とは、布等のクロス材で表面が形成されたラビングローラに、基
板表面に形成された配向膜を接触させ、直線的に移動させて、基板配向膜表面に細かい溝
を形成して配向膜を配向異方性の膜にするものである。配向膜に一定方向の溝を形成する
ラビング処理を施すことにより、液晶分子の配列を規定することができる。
【０００７】
ところで、近年、例えば多くの液晶表示装置において採用されているＴＮモードの液晶
表示装置の場合、ＴＦＴ基板の配向膜に対し、一の方向に上述したラビング処理を行った
場合は、対向基板の配向膜に対しては、一の方向とは略直交する方向にラビング処理を行
うことが一般的に知られ行われている（例えば非特許文献１参照）。
【０００８】
このように、ＴＦＴ基板の配向膜に対するラビング方向と、対向基板の配向膜に対する
ラビング方向とを略直交させてラビング処理を行うことにより、液晶表示装置の液晶分子
は略９０°ねじれた構造を有する。
【非特許文献１】竹添秀男著「イラスト・図解液晶のしくみがわかる本」株式会社技術評論社、平成１１年１２月１０日、ｐ８６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の画素電極及び対向基板の共通電極に、
電圧が印加された際、図８に示すように、ＴＦＴ基板と対向基板との間に封入された液晶
１５０中の電荷、例えば不純物イオンは、ラビングの方向と逆方向に移動する傾向がある
。
【００１０】
このため、液晶表示装置に通電を行い続けると、図７に示すように、液晶のねじれ方が
ＴＮモードの液晶表示装置７００の表示領域２００における、ＴＦＴ基板の配向膜に一の
方向αからラビングローラ１００の周面１００ａが最初に当接する位置と、対向基板の配
向膜に一の方向αと略直交する他の方向βからラビングローラ１００の周面１００ａが最
初に当接する位置とが略直交する領域、即ち表示領域２００の１つの隅部２００ａに、液
晶中の不純物イオンが移動して局在してしまう。
【００１１】
よって、液晶表示装置７００に通電を続けると、表示領域２００の隅部２００ａに、異
不純物イオンの焼き付きが起こり、表示ムラ１６０が発生してしまう虞があった。
【００１２】
本発明は前記事情に着目してなされたものであり、その目的は、互いのラビング方向を
略直交させてＴＦＴ基板及び対向基板の配向膜にラビング処理を行った際、ラビング処理
後のＴＦＴ基板及び対向基板により構成される液晶表示装置に通電させ続けても表示ムラ
が発生し難い、かつ高歩留まりにより製造することができる液晶表示装置、液晶表示装置
の製造方法、液晶表示装置を用いた電子機器を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために本発明に係る液晶表示装置は、シール材で貼り合わされ液晶
を挟持する一対の基板を有する液晶表示装置において、前記一対の基板は夫々、前記シー
ル材が形成される領域の内側に、表示電極と、ラビング処理された配向膜を有し、前記一
対の基板のうち少なくとも一方の基板の表示電極が形成された領域と前記シール材が形成
された領域との隙間において、前記表示電極が形成された領域の角部の周囲に前記ダミー
電極が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の液晶表示装置によれば、ラビング処理によって発生する不純物イオンの集中を
、前記ダミー電極に生じさせることにより、表示領域の隅部に、表示ムラが発生するのを
防ぐことができるという効果を有する。
【００１５】
また、前記角部は、前記一対の基板のうち一方の基板において前記表示電極が形成され
た領域でラビングが開始された箇所と、他方の基板において表示電極が形成された領域で
ラビングが開始された箇所とが交差する箇所であることを特徴とし、また、前記一方の基
板に対するラビング方向は前記一方の基板と略直交する一の方向であり、前記他方の基板
に対するラビング方向は前記一の方向に略直交することを特徴とする。
【００１６】
本発明の液晶表示装置によれば、液晶表示装置に通電を行い続けた際、素子基板の表示
領域に形成された配向膜に一の方向からラビングローラが当接し始めること、及び前記素
子基板に対向する基板の表示領域に形成された配向膜に一の方向と略直交する他の方向か
ら前記ラビングローラが当接し始めることに起因する前記両基板間の電荷の移動による前
記表示領域の角部に発生する電荷の吸着を、前記ダミー電極に全て生じさせることができ
るため、効率良く、素子基板と該素子基板に対向する基板とにより構成される液晶表示装
置の表示領域の隅部に、電荷の吸着に起因する表示ムラが発生するのを防ぐことができる
という効果を有する。
【００１７】
さらに、前記他方の基板に対するラビング方向は前記一の方向に略直交することを特徴
とし、前記ダミー電極は、前記表示領域に形成された表示電極と同一層で形成されている
ことを特徴とし、前記ダミー電極は、前記表示電極と前記角部において隣接していること
を特徴とする。
【００１８】
本発明の液晶表示装置によれば、ダミー電極を、素子基板の表示領域に形成された表示
電極と同一層により角部において隣接するよう形成することにより、容易に工程を増やす
ことなくダミー電極を形成することができるという効果を有する。
【００１９】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、シール材で貼り合わされて液晶を挟持する一
対の基板を有し、前記シール材の形成される領域の内側に表示電極を有する一対の基板を
有する液晶表示装置の製造方法において、前記シール材が形成される領域の内側において
、前記表示電極が形成された領域と前記シール材が形成された領域との隙間に前記表示電
極が形成された領域の角部の周囲にダミー電極を形成する工程と、前記一対の基板のうち
一方の基板の配向膜に対するラビング方向と、他の基板に配向膜に対するラビング方向と
が交差するようにラビング処理を行う工程と、を有し、前記ラビング処理において、ラビ
ングローラは、前記ダミー電極に当接した後、前記表示電極に当接することを特徴とする
。
【００２０】
また、前記一方の基板に対するラビング方向は前記一方の基板と略直交する一の方向で
あり、前記他方の基板に対するラビング方向は前記一の方向に略直交することを特徴とす
る。
【００２１】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、素子基板の表示領域に形成された配向膜に
一の方向からダミー電極に当接するよう、ラビングローラが当接する工程を有し、また前
記素子基板に対向する基板の表示領域に形成された配向膜に一の方向と略直交する他の方
向から前記ラビングローラが当接する工程を有することにより、前記両基板間の電荷の移
動による前記表示領域の隅部に発生する電荷の吸着は、前記ダミー電極に全て生じる。
【００２２】
よって、液晶表示装置に通電を行い続けた際、素子基板と該素子基板に対向する基板と
により構成される液晶表示装置の表示領域の隅部に、液晶中の不純物イオンが移動して局
在してしまい、不純物が焼き付いてしまうのを防ぐことができるため、高歩留まりにより
液晶表示装置を製造することができるという効果を有する。
【００２３】
さらに、前記ダミー電極は、前記表示領域の表示電極と同一工程で形成されることを特
徴とする。
【００２４】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、ダミー電極は、表示領域の表示電極と同一
工程で形成されることにより、効率良くダミー電極を形成することができるという効果を
有する。
【００２５】
本発明に係る電子機器は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置を用い
て形成したことを特徴とする。
【００２６】
本発明の電子機器によれば、表示ムラが発生し難い液晶表示装置により構成された電子
機器を提供することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態では、液晶
表示装置は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）が形成
された基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）及び該ＴＦＴ基板に対向配置される基板（以下、
対向基板と称す）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例に挙げて説明す
る。
【００２８】
先ず、図１を参照して、液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の一実
施の形態を示す液晶表示装置の概略断面図である。  
同図に示すように、液晶表示装置７０は、ＴＦＴ基板９とそれに対向して設けられる対
向基板３との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板９に、例えば図示しないＴ
ＦＴ等のスイッチング素子及び後述する表示電極である画素電極９０（図４参照）がマト
リクス状に配置されている。
【００２９】
対向基板３に、後述する共通電極３０（図５参照）が全面に配置されている。ＴＦＴ基
板９及び対向基板３間に封止した液晶５０の光学特性を画像信号に応じて変化させること
により、液晶表示装置７０は画像表示を可能としている。
【００３０】
ＴＦＴ基板９の画素電極９０が配置された液晶５０と接する面上に、液晶分子をＴＦＴ
基板面に沿って配向させるための後述するラビング処理が施された配向膜９ｈが形成され
ている。
【００３１】
また、対向基板３の共通電極３０が配置された液晶５０と接する面上に、液晶分子を対
向基板面に沿って配向させるための後述するラビング処理が施された配向膜３ｈが形成さ
れている。
【００３２】
さらに、対向基板３の配向膜３ｈには、ＴＦＴ基板９の配向膜９ｈに施されたラビング
処理の方向と略直交する方向にラビング処理が施されている。このことにより、液晶表示
装置７０の液晶５０のねじれ方は、ＴＦＴ基板９と対向基板３との間において略９０°ね
じれた構造を有するＴＮモードとなっている。
【００３３】
ＴＦＴ基板９と対向基板３との間に、液晶５０を封入するシール材４１が形成されてい
る。シール材４１は、例えばＴＦＴ基板９の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦ
Ｔ基板９と対向基板３とを相互に固着する。また、ＴＦＴ基板１０のシール材４１の外側
の領域に、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って外部端子電極６１設けられている。
【００３４】
次に、このように構成された液晶表示装置７０のＴＦＴ基板９及び対向基板３上に形成
された各配向膜９ｈ，３ｈをラビング処理するラビング装置の構成について図２を用いて
説明する。
【００３５】
図２に、図１の液晶表示装置のＴＦＴ基板及び対向基板上に形成された各配向膜をラビ
ング処理するラビング装置の構成の一例を示す。  
図２に示すように、ラビング装置１は、基台４の上面（以下、基準平面と称す）４ａに
固定されたラビングローラ２と、ラビング処理の際にＴＦＴ基板９または対向基板３を載
置して基準平面４ａ上を移動するパレット５と、このパレット５に載置したＴＦＴ基板９
または対向基板３上の各配向膜９ｈ，３ｈがラビングローラ２の周面２ｂに当接するよう
に、パレット５を基準平面４ａ上においてガイドするガイド６と、ラビングローラ２の回
転軸２ｃに回転駆動力を供給するモータ７とにより、その主要部が構成されている。
【００３６】
ラビングローラ２は、布等のクロス材で形成されたローラ周面２ｂを有するローラ部２
ａと、回転軸２ｃと、一対の軸受け２ｄとにより、その主要部が構成されており、回転軸
２ｃは、一対の軸受け２ｄにより基準平面４ａに平行な平面上に回転自在に軸支されてい
る。一対の軸受け２ｄは、基準平面４ａに対し図示しない高さ調節機構を有しており、ロ
ーラ２の高さを任意に調節できるようになっている。
【００３７】
このように構成されたラビングローラ２は、軸受け２ｄで支持された回転軸２ｃを介し
てモータ７により回転力が供給されることにより、ローラ部２ａの周面２ｂが一方向に、
例えば３００ｒｐｍで回転しながらＴＦＴ基板９または対向基板３の表面に形成された各
配向膜９ｈ，３ｈに当接し、ＴＦＴ基板９または対向基板３の各配向膜９ｈ，３ｈ表面に
細かい溝を形成して各配向膜９ｈ，３ｈを配向異方性の膜にする。
【００３８】
パレット５は、ラビング処理の際に、パレット５上にＴＦＴ基板９または対向基板３を
載置して、基準平面４ａ上でガイド６により移動し、このパレット５に載置したＴＦＴ基
板９または対向基板３をラビングローラ２にそれぞれ当接させるものである。
【００３９】
尚、ガイド６は、図示しないパレット角調節機構を有し、このパレット角調節機構は、
ラビング処理時に、ラビングローラ２に対して、ＴＦＴ基板９または対向基板３の当接角
度を可変、固定するものである。
【００４０】
また、パレット５及びガイド６を用いて、パレット５に載置したＴＦＴ基板９または対
向基板３をラビングローラ２の周面２ｂにそれぞれ当接させる際、パレット５及びガイド
６は、ＴＦＴ基板９の配向膜９ｈに対し、ＴＦＴ基板９を一の方向からローラ部２ａの周
面２ｂを当接させた場合は、対向基板３の配向膜３ｈに対しては、一の方向と交差する、
例えば直交する他の方向からローラ部２ａの周面２ｂを当接させる。
【００４１】
一の方向α及び他の方向βの例としては、ＴＦＴ基板９の任意の１辺に直交する方向が
αであり、それに直行する方向がβである。
【００４２】
このことにより、液晶表示装置の液晶５０のねじれ方は、ＴＦＴ基板９と対向基板３と
の間において略９０°ねじれた構造を有するＴＮモードとなる。
【００４３】
次に、このように構成された液晶表示装置７０の製造方法について図３を用いて説明す
る。図３は、図１の液晶表示装置の製造方法を示したフローチャート、図４は、図１のＴ
ＦＴ基板９に形成された配向膜９ｈにラビングを施すことを示すことを示す要部概略平面
図、図５は、図１の対向基板３に形成された配向膜３ｈにラビングを施すことを示すこと
を示す要部概略平面図、図６は、表示ムラがＴＦＴ基板９のダミー電極が形成された位置
に発生していることを示す図１の液晶表示装置の概略平面図である。
【００４４】
図３に示すように、先ずステップＳ１において、例えばガラス又は石英基板上に、所定
のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって、図
４に示すように、画素電極９０等の各層が形成されたＴＦＴ基板９の、例えば矩形状の表
示領域２０の少なくとも１つの隅部、例えば１つの隅部２０ａにおいて交差する表示領域
の２辺に対向する位置で前記表示領域２０以外の位置にダミー電極１５が形成される。
【００４５】
ダミー電極１５は、一対の基板を貼り合せるシール材４１が形成される領域の内側に設け
られ、液晶と接触するようになっている。また、ダミー電極１５は、表示領域２０に形成
された画素電極９０と隅部２０ａにおいて隣接するように形成しても良い。
【００４６】
また、ダミー電極１５は画素電極９０とは同一工程において形成してもよい。さらに、
ダミー電極１５の基板表面からの高さは、画素電極９０の高さと等しくなるように形成さ
れている。
【００４７】
ＴＦＴ基板９にダミー電極１５が形成された後、ステップＳ２では、ＴＦＴ基板９の表
示領域２０及びダミー電極１５に、配向膜９ｈ，１５ｈが、例えば塗布によりそれぞれ形
成され、その後、ステップＳ３に移行する。
【００４８】
ステップＳ３では、ＴＦＴ基板９の表示領域２０及びダミー電極１５に形成された配向
膜９ｈ，１５ｈに、一の方向αからダミー電極１５に当接するよう、ラビングローラ２を
当接させ、配向膜９ｈ，１５ｈにラビング処理が施される。その後、ステップＳ６に移行
する。
【００４９】
一方、対向基板３は、例えばガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体
薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって、図５に示す共通電極３０等の
各層が形成された対向基板３の表示領域４０に、先ずステップＳ４において、配向膜３ｈ
が、例えば塗布により形成され、その後、ステップＳ５に移行する。
【００５０】
ステップＳ５では、対向基板３の表示領域４０に形成された配向膜３ｈに、一の方向α
と略直交する他の方向βからラビングローラ２を当接させ、配向膜３ｈにラビング処理が
施される。
【００５１】
このことにより、後の工程において、貼り合わされるＴＦＴ基板９と対向基板３とによ
り構成される液晶表示装置７０の液晶５０のねじれ方は、ＴＦＴ基板９と対向基板３との
間において略９０°ねじれた構造を有するＴＮモードとなる。その後、ステップＳ６に移
行する。
【００５２】
ステップＳ６では、ステップＳ１〜Ｓ３において形成されたＴＦＴ基板９とステップＳ
４〜Ｓ５において形成された対向基板３とをシール材４１（図１参照）を介して貼り合わ
され、ＴＦＴ基板９と対向基板３とが対向配置される。さらに両基板間に液晶が封入され
ることにより、液晶表示装置７０は製造される。
【００５３】
このように製造された液晶表示装置７０は、該液晶表示装置７０を構成するＴＦＴ基板
９の矩形状の表示領域２０の１つの隅部２０ａの２辺を覆う前記表示領域２０以外の位置
に、ダミー電極１５が形成されている。
【００５４】
よって、液晶表示装置７０に通電を続けた際、図６に示すように、液晶表示装置７０の
表示領域７７における、ＴＦＴ基板９の配向膜９ｈに一の方向αからラビングローラ２の
周面２ｂが最初に当接する一辺と、対向基板３の配向膜３ｈに一の方向αと略直交する他
の方向βからラビングローラ２の周面２ｂが最初に当接する一辺と対向するＴＦＴ基板９
の一辺とが略直交する隅部７７ａに、液晶中の不純物イオンの集中はダミー電極１５に生
じる。
【００５５】
このため、不純物イオンの焼き付きに起因する表示ムラ１５ａを表示領域の外に発生さ
せることができるため、本来の表示に影響を及ぼさない。また、さらに、ＴＦＴ基板９に
ダミー電極１５を形成する工程は、ＴＦＴ基板９の表示領域２０に画素電極９０を形成す
る工程と同一層、あるいは同一工程で行われてもよい。よって、効率良くダミー電極１５
を形成することができる。
【００５６】
尚、本実施の形態においては、ダミー電極１５は、図４に示すように、ＴＦＴ基板９の
矩形状の表示領域２０の１つの隅部２０ａの２辺に対向する表示領域２０以外の位置に形
成されると示したが、これに限らず、シール材４１の形成領域内において、ＴＦＴ基板９
の表示領域２０に形成された配向膜９ｈに一の方向αからラビングローラ２が当接し始め
る隅部であれば、どの位置にいくつ形成しても良いことは云うまでもない。
【００５７】
また、ＴＦＴ基板９の表示領域２０は、矩形状であると示したが、これに限らず、どの
ような形状のものであっても、例えば多角形状や円弧状のものであっても本実施の形態が
適用できるということは勿論である。
【００５８】
さらに、ＴＦＴ基板９または対向基板３上に形成された各配向膜９ｈ，３ｈをそれぞれ
ラビング処理する際、パレット５上にＴＦＴ基板９または対向基板３を載置して、基準平
面４ａ上でガイド６により移動し、このパレット５に載置したＴＦＴ基板９または対向基
板３をラビングローラ２に当接させることにより各配向膜９ｈ，３ｈにラビング処理を行
うと示した。
【００５９】
しかしながら、これに限らず、ＴＦＴ基板９または対向基板３に対し、ラビングローラ
２を移動させることにより、ＴＦＴ基板９または対向基板３上の各配向膜９ｈ，３ｈにそ
れぞれラビング処理を施しても良いことは勿論である。
【００６０】
また、ダミー電極１５に面取り部を形成し、ダミー電極１５がラビングローラ２の周面
２ｂに当接する際の周面２ｂのクロスの乱れを防止するようにしてもよい。さらに、パレ
ット５には、複数のＴＦＴ基板９または対向基板３を戴置して、該複数のＴＦＴ基板９ま
たは対向基板３上に形成された各配向膜９ｈ，３ｈにそれぞれラビング処理を行ってもよ
い。
【００６１】
本実施の形態に適用される液晶表示装置には、例えばＴＦＴ素子を用いたアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置を例に挙げて示したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオ
ード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置に適用しても良い。
【００６２】
また、本発明に係る液晶表示装置が適用できる電子機器としては、例えば、携帯電話機
、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナ
ルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジ
タルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコ
ーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、液晶表示装置を用いる機器が挙げられる
。
【００６３】
よって、このような電子機器に本実施の形態を適用すれば、表示ムラが発生し難い液晶
表示装置により構成された電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の概略断面図。
【図２】図１中の液晶表示装置のＴＦＴ基板上に形成された配向膜をラビング処理するラビング装置の要部の構成の一例を示した概略斜視図。
【図３】図１中の液晶表示装置の製造方法を示したフローチャート。
【図４】図１中のＴＦＴ基板に形成された配向膜にラビングを施すことを示すことを示す要部概略平面図。
【図５】図１中の対向基板に形成された配向膜にラビングを施すことを示すことを示す要部概略平面図。
【図６】表示ムラがＴＦＴ基板のダミー電極が形成された位置に発生していることを示す図１の液晶表示装置の概略平面図。
【図７】表示ムラが液晶表示装置の表示領域の隅部に発生していることを示す従来の液晶表示装置の概略平面図。
【図８】ＴＦＴ基板と対向基板との間に封入された液晶中の電荷が、ラビングの方向と逆方向に移動することを示す概略図。
【符号の説明】
【００６５】
２…ラビングローラ、３…対向基板、３ｈ…対向基板上の配向膜、９…ＴＦＴ基板、９
ｈ…ＴＦＴ基板上の配向膜、１５…ダミー電極、２０…ＴＦＴ基板の表示領域、２０ａ…
隅部、７０…液晶表示装置、９０…画素電極、α…一の方向、β…一の方向と略直交する
他の方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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