(57)【要約】【課題】    ２以上のマスクを用いてパターン転写する場合のマスクの検査を、パターン領域の検査の精度を保ちつつ、デバイス上問題が生じない箇所での擬似欠陥を救済しながら行う。【解決手段】    マスク画像とマスクデータとの比較検査を行う際に、ステッチング部とそれ以外のパターン部とに分割して、ステッチング部の欠陥検出感度をパターン部よりも低くすることで、上記擬似欠陥を救済する。【選択図】    図１
2005250106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査方法であって、
マスクの設計データ上で、２以上のマスクによって転写されるオーバーラップ領域を検出する工程と、
前記マスクの設計データを前記オーバーラップ領域データと、それ以外のパターン領域データと、に分割する工程と、
前記マスクの画像データを取得する工程と、
前記パターン領域データと、前記画像データと、を第１の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
前記オーバーラップ領域データと、前記画像データと、を、前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスクの検査方法。
【請求項２】
パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査方法であって、
２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域のマスクの設計データを、オーバーラップ領域データとして記憶部の第１のデータ層に格納する工程と、
前記オーバーラップ領域以外の領域のマスクの設計データを、パターン領域データとして記憶部の第２のデータ層に格納する工程と、
前記マスクの画像データを取得する工程と、
前記パターン領域データを前記第２のデータ層より読み出す工程と、
前記パターン領域データと前記画像データとを、第１の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
前記オーバーラップ領域データを前記第１のデータ層より読み出す工程と、
前記オーバーラップ領域データと前記画像データとを、前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスク検査方法。
【請求項３】
パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査装置であって、
マスクの設計データを格納する記憶手段と、
前記記憶手段より前記マスクの設計データを読み出し、２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域データとそれ以外のパターン領域データとに分割する手段と、
前記マスクの画像データを取得する手段と、
前記パターン領域データと前記画像データとを、第１の欠陥検出感度により比較する手段と、
前記オーバーラップ領域データと前記画像データとを、前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較する手段と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスク検査装置。
【請求項４】
パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査装置であって、
２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域のマスクの設計データを、オーバーラップ領域データとして記憶部の第１のデータ層に格納する手段と、
前記オーバーラップ領域以外の領域のマスクの設計データを、パターン領域データとして記憶部の第２のデータ層に格納する手段と、
前記マスクの画像データを取得する手段と、
前記第２のデータ層に格納された前記パターン領域データを読み出し、前記画像データと第１の欠陥検出感度により比較する手段と、
前記第１のデータ層に格納された前記オーバーラップ領域のデータを読み出し、前記画像データと前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較する手段と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスクの検査装置。
【請求項５】
前記画像データを取得する手段は、前記マスクに電子線を照射し、その反射像を検出することにより前記画像データを取得することを特徴とする請求項３または４に記載の荷電粒子線マスク検査装置。
【請求項６】
パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスクの設計データを表す荷電粒子線マスクデータ構造であって、
２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域のマスクの設計データがオーバーラップ領域データとして第１のデータ層に格納され、
前記オーバーラップ領域以外の領域のマスクの設計データがパターン領域データとして第２のデータ層に格納されたことを特徴とする荷電粒子線マスクデータ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線マスク検査方法、荷電粒子線マスク検査装置及び荷電粒子線マスクデータ構造に関し、特に、荷電粒子線を用いたパターン転写に際してパターンを得るために２以上のマスク用いる場合のマスクを効率良く検査できる荷電粒子線マスク検査方法、荷電粒子線マスク検査装置及び荷電粒子線マスクデータ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化にともない、パターンの微細化を実現する手段として、荷電粒子線露光方法が注目されている。荷電粒子線露光方法によれば、電子線などの荷電粒子線によるパターン転写を行うことで、より微細なパターン形成が可能となる。
【０００３】
図８は、荷電粒子線転写に用いられるマスクのマスク構造を表す断面図である。すなわち、同図（ａ）はステンシル型、同図(ｂ)はメンブレン型のマスクをそれぞれ表す。
【０００４】
ステンシル型のマスクは、図８（ａ）に表したように、外周付近に壁状に設けられたストラット８０１と、その先端設けられた遮蔽板８０２と、を有する。遮蔽板８０２は、例えばシリコン（Ｓｉ）などからなる厚みが２マイクロメータ程度の薄膜である。この遮蔽板８０２には、所定のパターンに対応する開口８０３が設けられている。電子線などの荷電粒子線は、この開口８０３を透過して図示しないウェーハに照射され、所定のパターンを転写できる。
【０００５】
一方、メンブレン型のマスクは、図８（ｂ）に表したように、薄膜メンブレン８０４の上に荷電粒子線に対する散乱体８０５が設けられた構造を有する。荷電粒子線は薄膜メンブレン８０４は透過するが、散乱体８０５により遮蔽され、所定のパターンを形成できる。
【０００６】
転写領域を完全に除去したステンシル型は解像性が高いものの、例えばドーナツパターンなどの中抜きパターンにおいては対策が必要となる、といったパターン設計上の制約がある。一方、メンブレン型はパターン設計上の制限は少ないものの、薄膜上で電子線散乱が生じることから、パターン解像性がステンシル型よりも劣る。また薄膜での電子線散乱を抑制するために、極力メンブレン厚さを薄くする必要があるが、薄くするとマスクの機械的強度に問題が生じる。このように、それぞれのマスク構造には一長一短があるが、まずは解像性がより優れているステンシルタイプが使用される場合が多い。
【０００７】
ステンシル型マスクはドーナツパターンだけでなく、細長パターン、高密度パターンにおいてもマスク強度が低下するため、パターンを２つのマスクに振り分ける必要がある。従って、所定パターンを転写するのに２回転写する相補露光が行われることになる（例えば、特許文献１）。
【０００８】
図９は、相補露光を行う場合のパターン接続部を表す概念図である。図９（ａ）はＣＡＤ（computer aided design）の設計データ、（ｂ）は設計データを２つのマスクＡ、Ｂに振り分けたところ、（ｃ）はマスクＡ、Ｂ上のパターン、（ｄ）はマスクＡ、Ｂを用いて転写されたパターンの形状をそれぞれ表している。
ナノメートルであるのが理想であるが、実際には図９（ｃ）に示すように合わせズレが生じる。このように、マスクの相補接続部に合わせズレが生じた場合、転写されたパターンは図９（ｄ）に示すように、本来連続するべき部分で分離してしまい、デバイス不良となってしまう。
【０００９】
このため、通常はパターン接続部に 「ステッチング（stitching）処理」が行われる。図１０は、ステッチング処理に用いられるパターンの一例を表す平面図である。ステッチング処理には、図１０（ａ）に表すように、単純に長さを延ばすものもから、（ｂ）〜（ｅ）のように接続部の先端形状を凹あるいは凸に加工するものなど様々な態様があり、多少の合わせズレが生じた場合でも接続が確保され、デバイス特性上問題が起きないようになされている。
【特許文献１】特開２００３−４５７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ステッチング処理は、相補露光を行う上で非常に重要な技術であるが、以下のような問題点がある。  
すなわち、図１０（ｂ）〜（ｅ）に示すパターンは、加工形状が設計ルールより小さいため、作製精度が低下してしまう。このようなパターンが多数混在したマスクを通常の欠陥検査装置にて検査すると、欠陥として検出される可能性が高くなる。
【００１１】
図１１は、図１０（ｄ）に表した接続部における欠陥検査の具体例を例示する概念図である。図１１（ａ）に表したように、精度よく形成されたパターン１１０１は、欠陥検査装置でマスクパターンデータ１１０２と比較を行っても問題はない。しかし、図１１（ｂ）のように凸部が左側に大きくズレてしまったパターン１１０３は、欠陥検査装置でマスクパタンデータ１１０２と比較すると、接続部以外のパターン領域では一致している場合でも、不一致を検出する割合が大きくなる。
【００１２】
しかしながら、図１０に表されるステッチング部の形状は、元々、多少の合わせズレが生じても問題とならないような形状に作られている。また、合わせズレが生じてもデバイス特性上問題が生じないような箇所に設けられる等の工夫がなされている。このため、ステッチング部の加工は、必ずしも厳密である必要はない。  
このように、ステッチング部の加工精度は高くする必要がないにもかかわらず、マスク欠陥検査装置では欠陥として検出されることになる。その結果、欠陥個数が多くなり、実際の欠陥か、擬似欠陥かを改めて確認することが必要になるなどの問題が発生する。そして、この問題は、相補露光だけでなく、一つのチップをそれよりも小さな所定領域(サブフィールド)に分割し、それらをつなぎあせることによって１チップをパターン転写する方式においても、接続部にはステッチング処理が必要となるため、同様に起こりうる。
【００１３】
このように、２以上の荷電粒子線マスクを用いてパターン形成を行う場合のマスクの検査は、パターン接続部において、デバイス性能上許容範囲であるにもかかわらず、欠陥となる場合が多く、実際の欠陥であるかどうかの確認を再度行う必要があった。
【００１４】
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、所定パターンを得るために２以上のマスクを用いる場合の荷電粒子線マスクを効率良く検査できる荷電粒子線マスク検査方法、荷電粒子線マスク検査装置及び荷電粒子線マスクデータ構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の荷電粒子線マスク検査方法においては、マスク画像とマスクデータとの比較検査を行う際に、マスクデータをステッチング部とそれ以外のパターン部とに分割し、ステッチング部の欠陥検出感度をパターン部よりも低くすることで、上記擬似欠陥を救済することができる。
【００１６】
本発明によれば、パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査方法であって、
マスクの設計データ上で、２以上のマスクによって転写されるオーバーラップ領域を検出する工程と、
前記マスクの設計データを前記オーバーラップ領域データと、それ以外のパターン領域データと、に分割する工程と、
前記マスクの画像データを取得する工程と、
前記パターン領域データと、前記画像データと、を第１の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
前記オーバーラップ領域データと、前記画像データと、を、前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスクの検査方法が提供される。
【００１７】
または、本発明によれば、パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査方法であって、
２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域のマスクの設計データを、オーバーラップ領域データとして記憶部の第１のデータ層に格納する工程と、
前記オーバーラップ領域以外の領域のマスクの設計データを、パターン領域データとして記憶部の第２のデータ層に格納する工程と、
前記マスクの画像データを取得する工程と、
前記パターン領域データを前記第２のデータ層より読み出す工程と、
前記パターン領域データと前記画像データとを、第１の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
前記オーバーラップ領域データを前記第１のデータ層より読み出す工程と、
前記オーバーラップ領域データと前記画像データとを、前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較検査する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスク検査方法が提供される。
【００１８】
また、本発明によれば、パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査装置であって、
マスクの設計データを格納する記憶手段と、
前記記憶手段より前記マスクの設計データを読み出し、２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域データとそれ以外のパターン領域データとに分割する手段と、
前記マスクの画像データを取得する手段と、
前記パターン領域データと前記画像データとを、第１の欠陥検出感度により比較する手段と、
前記オーバーラップ領域データと前記画像データとを、前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較する手段と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスク検査装置が提供される。
【００１９】
または、本発明によれば、パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスク検査装置であって、
２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域のマスクの設計データを、オーバーラップ領域データとして記憶部の第１のデータ層に格納する手段と、
前記オーバーラップ領域以外の領域のマスクの設計データを、パターン領域データとして記憶部の第２のデータ層に格納する手段と、
前記マスクの画像データを取得する手段と、
前記第２のデータ層に格納された前記パターン領域データを読み出し、前記画像データと第１の欠陥検出感度により比較する手段と、
前記第１のデータ層に格納された前記オーバーラップ領域のデータを読み出し、前記画像データと前記第１の欠陥検出感度より低い第２の欠陥検出感度により比較する手段と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線マスクの検査装置が提供される。
【００２０】
ここで、前記画像データを取得する手段は、前記マスクに電子線を照射し、その反射像を検出することにより前記画像データを取得するものとすることができる。
【００２１】
また、本発明によれば、パターンを２以上のマスクに分割してマスクパターン転写を行う荷電粒子線マスクのマスクの設計データを表す荷電粒子線マスクデータ構造であって、
２以上のマスクによってパターン転写されるオーバーラップ領域のマスクの設計データがオーバーラップ領域データとして第１のデータ層に格納され、
前記オーバーラップ領域以外の領域のマスクの設計データがパターン領域データとして第２のデータ層に格納されたことを特徴とする荷電粒子線マスクデータ構造が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、荷電粒子線マスクの検査を、パターン領域の検査の精度を保ちつつ、デバイス上問題が生じない箇所での擬似欠陥を救済しながら行うことで、効率よく歩留まりのよい検査を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の実施の形態にかかる荷電粒子線マスクの欠陥検査の工程を表したフローチャートである。
【００２４】
まず、検査装置は検査するマスクの設計データを取り込む（ステップＳ１０１）。  
次に、マスクの設計データ中でステッチング処理を行っているステッチング領域と、それ以外のパターン領域とに分割する（ステップＳ１０２）。
【００２５】
図２は、図１のステップ１０２に示すマスクデータの分割の様子を表す概念図である。（ａ）はパターンの設計データ、（ｂ）は（ａ）を相補分割により振り分けた、マスクＡ、Ｂのマスクパターンデータ、（ｃ）はマスクＢの分割されたマスクパターンデータを表している。
【００２６】
図２（ａ）に表すＬ字型のパターンデータ２０１は２つに分割され、（ｂ）に表すように、マスクＡには縦方向パターン２０２、マスクＢには横方向パターン２０３が振り分けられる。マスクＢの横方向パターン２０３はステッチング処理によって、縦方向パターン２０２方向にパターンエッジを伸ばして、ステッチング領域２０４が形成されている。
【００２７】
図２（ｂ）に表すマスクＢのパターンデータは、図２（ｃ）に表すように、ステッチング領域２０４とパターン領域２０５とに分割される。
【００２８】
ところで、パターン設計をＣＡＤで行う場合、パターンのデータは「レイヤ（layer）」と呼ばれる階層構造で格納することができる。  
図３は、設計データをステッチング領域とパターン領域とに分けて、格納するデータ構造の様子表す概念図である。
【００２９】
Ｌ字型パターン３０１は、縦方向パターン３０２と横方向パターン３０３とステッチング領域３０４とに分けられる。縦方向パターン３０２は、マスクＡのパターン領域情報レイヤに、横方向パターン３０３はマスクＢのパターン領域情報レイヤに格納され、ステッチング領域３０４は、マスクＢのステッチング領域情報レイヤに格納される。縦方向パターンはステッチング処理を行っていないので、マスクＡのステッチング領域情報レイヤには情報は格納されていない。
【００３０】
このように、パターン設計時に、ステッチング領域のデータとパターン領域のデータを異なる層に分けておけば、検査時の分割処理は不要となる。検査装置にＣＡＤの設計データを読み込み、ステッチング領域のデータとパターン領域のデータをそれぞれ対応するレイヤより読み出せばよい。
【００３１】
再び、図１のフローチャートに戻り、説明を続ける。  
次に、例えば走査型電子顕微鏡（scanning electron microscopy：ＳＥＭ）などを用いてマスクの画像データを取り込む（ステップＳ１０３）。
【００３２】
次に、ステップステップＳ１０２で分割されたパターン領域のマスクデータとマスクの画像データの比較検査を行う。この比較は、通常の「die to database 方式」などの欠陥検査でよい（ステップＳ１０４）。
【００３３】
一方で、ステッチング領域のマスクデータとマスク画像との比較検査を行う。このとき検査感度はステップＳ１０４の検査感度に比べて低く設定する。例えば、パターンマッチングの整合率をパターン領域では８０パーセントとすると、ステッチング領域においては４０パーセントにして行えばよい（ステップＳ１０５）。
図４は、図１のステップ１０５、１０６に示すパターンデータとマスク画像との比較検査の様子を表した概念図である。
【００３４】
図４（ａ）に表すように、ステップ１０３で取り込まれたマスクＡの縦方向パターン画像４０１はステッチング処理が行われていないため、 図２（ｂ）に表す縦方向パターンデータ２０２と、通常の比較検査を行えばよい。一方、マスクＢの横方向パターン画像４０２はステッチング処理が行われているため、図４（ｂ）に表すように、ステッチング領域データ２０４との比較検査と、パターン領域データ２０６との比較検査を行う。このとき、ステッチング領域データとの比較検査の欠陥検出感度は、上記説明したように、パターン領域データとの比較検査の欠陥検出感度よりも低く設定して行う。
【００３５】
これまでステッチング領域とそれ以外の領域のマスクデータは別層に分けられている場合を例に説明してきたが、異なる層に分けられていない場合でも、本発明を適用することができる。
【００３６】
図５は、ステッチング領域データが別層に分かれていない場合のステッチング領域データが分割される様子を表した概念図である。
【００３７】
図５（ａ）に表すように、マスクＡの縦方向パターンデータ５０１とマスクＢの横方向パターンデータ５０２とを合成して、図５（ｂ）に表したように、重なり合った部分５０３をステッチング領域データとすればよい。このとき、マスクＡの縦方向パターンデータ５０１にもステッチング領域が生じるが、マスクＢの比較検査と同様、ステッチング領域データとの比較検査と、パターン領域データとの比較検査をそれぞれ行えばよい。
【００３８】
図６は、マスクＡの比較検査の様子を表す、ブロック図である。図４（ｂ）同様、パターン画像６０１は、ステッチング領域データ５０３との比較検査と、パターン領域データ５０１との比較検査を行う。このとき、ステッチング領域データとの比較検査の欠陥検出感度は、パターン領域データとの比較検査の欠陥検出感度よりも低く設定して行う。  
以上のように、ステッチング領域と、それ以外の領域とに分けて、それほど高い加工精度が必要でないステッチング領域の欠陥検出感度を、通常のパターン領域より低く設定することで、ステッチング領域で生じやすい誤検出を減らすことが可能となる。
【００３９】
図７は、本発明の実施の形態にかかる荷電粒子線マスク検査装置７０を例示する模式図である。  
ＳＥＭ装置７０１とそれに接続されるＣＰＵ７０２およびこれの周辺装置として、メモリ装置７０３、表示部７０４、操作部７０５から構成される。ＳＥＭ装置７０１は、電子光学系７０６と、測定物を載置するステージ７０７と、電子光学系処理部７０８と、２次電子検出器７０９と、信号処理部６１０と、より構成される。電子光学系６０６は、電子ビームを生成して検査対象であるマスク等に電子ビームを照射する。２次電子検出器７０９は、電子ビームの照射により検査対象の表面から放出された２次電子を検出する。信号処理部７１０は、２次電子検出器７０９により検出された２次電子を変換して２次電子信号としてＣＰＵ７０２に供給する。ＣＰＵ７０２は、装置全体を制御する。ＣＰＵ７０２は、メモリ装置７０３よりマスクの設計データを読み込み、ＳＥＭ装置７０１から供給される、マスクの画像情報を処理し、上記荷電粒子線マスク検査方法で説明した工程により、マスク画像とマスクデータとの比較検査を行う。比較検査の結果は、表示部７０４に表示される。このとき、操作部７０５により、比較検査の欠陥検出感度を調整することができる。また、記憶部７０３にはマスクパターンデータとしてマスクのＣＡＤデータをあらかじめ記憶させておけばよい。
【００４０】
以上説明したように、本発明の荷電粒子線マスク検査方法、および荷電粒子線マスク検査装置を用いることにより、２以上のマスクを用いてパターン転写する場合のマスクの検査を、パターン領域の検査の精度を保ちつつ、デバイス上問題が生じない箇所での擬似欠陥を救済しながら行うことができるので、効率のよく歩留まりのよい検査を行うことが可能となる。  そしてこのことは、微細パターンの半導体装置の開発、製造に大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の荷電粒子線マスクの欠陥検査の工程を表したフローチャートである。
【図２】マスクデータの分割の様子を表すイメージ図である。
【図３】設計データのデータ構造のイメージ図である。
【図４】パターンデータとマスク画像との比較検査の様子を表すイメージ図である。
【図５】マスクデータの分割の様子を表すイメージ図である。
【図６】パターンデータとマスク画像との比較検査の様子を表すイメージ図である。
【図７】本発明の荷電粒子線マスク検査装置のブロック図である。
【図８】荷電粒子線転写に用いられるマスクの断面図である。
【図９】パターン接続部の様子を表すイメージ図である。
【図１０】ステッチング処理に用いられるパターンの形状を示す上面図である。
【図１１】ステッチング処理に用いられるパターンの形状を示す上面図である。
【符号の説明】
【００４２】
２０１、３０１、９０１  設計パターンデータ
２０２、３０２、５０１、９０３  マスクＡのパターンデータ
２０３、５０２、９０４  マスクＢのパターンデータ
２０４ 、３０４  マスクＢのステッチング領域データ
２０５、３０３  マスクＢのパターン領域データ
４０１、６０１、９０５  マスクＡのパターン画像
４０２、９０６  マスクＢのパターン画像
５０３  合成画像より得られるステッチング領域データ
７０  荷電粒子線マスク検査装置
７０１  ＳＥＭ装置
７０２   ＣＰＵ
７０３  メモリ装置
７０４   表示部
７０５  電子光学系
７０７  ステージ
７０８  電子光学系処理部
７０９  ２次電子検出器
７１０   信号処理部
８０１  メンブレン
８０２  散乱体
９０２  分割線
９０７  マスクＡの転写されたパターン形状
９０８  マスクＢの転写されたパターン形状
１１０１  精度よく形成されたステッチング領域のパターン画像
１１０２  ステッチング領域データ
１１０３  精度悪く形成されたステッチング領域のパターン画像
【図１】
2005250106.tif 000003
【図２】
2005250106.tif 000004
【図３】
2005250106.tif 000005
【図４】
2005250106.tif 000006
【図５】
2005250106.tif 000007
【図６】
2005250106.tif 000008
【図７】
2005250106.tif 000009
【図８】
2005250106.tif 000010
【図９】
2005250106.tif 000011
【図１０】
2005250106.tif 000012
【図１１】
2005250106.tif 000013