(57)【要約】【課題】基体からの異物の除去を確実に行うことができる異物除去装置を提供すること。【解決手段】基板１２上に付着する異物を基体１２から分離するレーザ光照射手段と、基体１２上から分離されて飛翔する異物を小容器開口部３１から導入して捕獲するための異物捕獲小容器１５と、導入後に異物が小容器開口部３１から漏出する前に小容器開口部３１を閉鎖するシャッタ１４とを有する、異物除去装置４４ａ。従って、レーザ光による瞬間的な基板１２の変形によって基板１２から分離されて飛翔する異物を異物捕獲小容器１５内に捕獲すると共にこの小容器からの漏出を防止して、基板１２への再付着を防止し、基板１２からの異物の除去を確実に行うことができ、局所クリーニングにとって好適なものとなる。【選択図】          図１
2005254186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に付着する異物を前記基体から分離する手段と、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を開口部から導入して捕獲するための捕獲手段と、前記導入後に前記異物が前記開口部から漏出する前に前記開口部を閉鎖する遮蔽手段とを有する、異物除去装置。
【請求項２】
前記開口部が開放された状態で、前記異物の付着個所を変形させることによって前記異物を飛翔させ、前記開口部から前記捕獲手段内に収容し、この収容後に前記開口部が前記遮蔽手段によって閉鎖されるように構成される、請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項３】
前記開口部の開放状態において、前記捕獲手段の内部がその外部よりも負圧とされる、請求項２に記載の異物除去装置。
【請求項４】
前記捕獲手段に捕獲された前記異物が、前記捕獲手段内のガス置換によって前記捕獲手段の外部に排出される、請求項３に記載の異物除去装置。
【請求項５】
前記捕獲手段の内部の真空排気と、前記開口部の開放と、前記異物の捕獲と、前記開口部の閉鎖と、前記捕獲手段の内部のガス置換とが順次複数回行われる、請求項４に記載の異物除去装置。
【請求項６】
前記捕獲手段が真空容器内に配置され、この真空容器内の真空排気後に前記捕獲手段内の真空排気が行われ、前記捕獲手段内のガス置換後に前記基体が前記真空容器外に取り出される、請求項５に記載の異物除去装置。
【請求項７】
前記捕獲手段が前記基体に対して相対的に移動し、この移動位置において前記異物の付着個所が変形される、請求項２に記載の異物除去装置。
【請求項８】
前記異物の付着個所を熱変形させるためのレーザ光を照射するレーザ光透過部と、このレーザ光透過部を透過したレーザ光を通過させる前記開口部とを有する容器状の捕獲部と；前記開口部を開閉するためのシャッタ部と；前記捕獲部内をガス置換又は／及び排気するための気体導管部と；によって、前記捕獲手段が構成されている、請求項７に記載の異物除去装置。
【請求項９】
前記開口部及び前記シャッタ部の側で前記捕獲部が前記基体と対向して配置される、請求項８に記載の異物除去装置。
【請求項１０】
前記捕獲手段が前記基体の上方又は下方に配置される、請求項９に記載の異物除去装置。
【請求項１１】
前記捕獲手段及び前記レーザ光の照射手段が前記基体に対して相対的に移動すると共に、前記捕獲手段を収容した真空容器の壁部の少なくとも一部分が前記レーザ光透過部へのレーザ光透過性に形成されている、請求項８に記載の異物除去装置。
【請求項１２】
前記捕獲部が前記真空容器内に設けられた前捕獲処理容器内に配置され、この容器に形成された開口部を通してレーザ光が照射されて前記基体が熱変形させられ、前記基体上に付着した異物が予め前記前捕獲処理容器内に捕獲される、請求項１１に記載の異物除去装置。
【請求項１３】
前記前捕獲処理後に、前記基体上に残留した異物が前記捕獲手段によって除去される、請求項１２に記載の異物除去装置。
【請求項１４】
前記前捕獲処理容器による前記前捕獲処理に用いる前記レーザ光と、前記捕獲手段による捕獲除去に用いるレーザ光とが共通に用いられる、請求項１３に記載の異物除去装置。
【請求項１５】
前記前捕獲処理容器が前記捕獲手段と兼用される、請求項１２に記載の異物除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばステンシルマスク等に付着する異物の除去に好適な異物除去装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の微細化は、光リソグラフィの解像限界を超えるために、電子線又はイオンビーム等の荷電粒子線を用いて微細な回路パターンを露光して描画する微細加工技術が開発されている。
【０００３】
しかし、従来の電子線露光による直描方式においては、微細パターンになるほどデータの規模が大きくなり、その結果、描画時間が長くなり、生産性（スループット）が低くなってしまう。
【０００４】
そこで、所定の回路パターンを有する転写マスクに電子線又はイオンビーム等を照射することによってウェーハ上に回路パターンを形成する、転写型の電子線露光装置又はイオンビーム露光装置が提案されている。転写型のリソグラフィには、マスクを透過した荷電粒子線を電子／イオン光学系により縮小投影する方式のもの（Lucent Technologies社のＳＣＡＬＰＥＬ：scattering with angular limitation in projection electron-beam lithography、ＩＢＭ社のＰＲＥＶＡＩＬ：projection exposure with variable axis immersion lenses、ニコン社のＥＢステッパーおよびイオンビーム転写リソグラフィ等）と、マスク直下に近接させたウェーハに電子／イオン光学系を介さずに転写する方式のもの（リープル、東京精密社によるＬＥＥＰＬ：low-energy e-beam proximity lithography等）がある。
【０００５】
これらの転写用に共通なのは、マスク上に厚さおよそ１００ｎｍから１０μｍ程度の薄膜領域（メンブレン）を形成し、そのメンブレン上に転写パターンを配置することである。転写パターンが（１）メンブレンの開口により形成されるものはステンシルマスク（例えば：H. C. Pfeiffer, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 6658 (1995). ）、（２）金属薄膜等の散乱体で形成されるものは散乱メンブレンマスク（例えば：L. R. Harriott, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2130 (1997). ）と呼ばれる。
【０００６】
上記のＬＥＥＰＬ：低加速電圧電子ビーム等倍近接露光は、１００ｎｍ以下の高スループットの電子線露光技術の一つであり、例えば、ウェーハとステンシルマスクとの間隔を約５０μｍに近接配置した状態で、平行低加速電圧電子線をウェーハに照射することにより、マスクパターンを等倍転写するものである。使用されるステンシルマスクは厚さ１００ｎｍ〜２μｍ程度であり、Ｓｉ、ＳｉＣ又はダイアモンド等の薄膜（メンブレン）にビーム貫通孔を開けたものである。
【０００７】
図２０の平面図（Ａ）及びこの平面図のＸ−Ｘ’線断面図（Ｂ）に示すように、ステンシルマスク８３は例えば、電子線を透過するための幅０．０３〜０．５μｍの複数の貫通孔（パターン開口部）８５が形成された厚さ０．４〜１．０μｍのメンブレン（薄膜）８６を有している（パターン開口部８５は理解容易のために、数個分を簡略に図示している）。このメンブレン８６は、パターン開口部８５の周囲に形成された１〜４０ｍｍ径の開口部８４を有するＳｉＯ2膜８８を介して、ＳｉＯ2膜８８の開口部８４より大きいサイズの開口部８７を有するＳｉウェーハ８９に支持されている。ステンシルマスク８３の全厚は例えば７２５μｍである。
【０００８】
このステンシルマスク８３の作製工程を図２１〜図２２に示すが、まず、図２１（ａ）に示すように、Ｓｉウェーハ８９にＳｉＯ2膜８８及びＳｉ又はＳｉＣからなるメンブレン８６をそれぞれ所定の厚さで順次形成する。或いは、所定の厚さで形成されたＳｉＯ2、Ｓｉ層をもつＳＯＩ基板（silicon on insulator）を用意する。
【０００９】
次に、図２１（ｂ）に示すように、Ｓｉウェーハ８９上にレジスト９０を所定パターンに設け、Ｓｉウェーハ８９の一部をＳｉＯ2膜８８の表面に至るまで、ドライエッチングで除去して開口部８７を形成する。
【００１０】
次に、図２１（ｃ）に示すように、レジスト９０を除去した後に、Ｓｉウェーハ８９をマスクとしてＳｉＯ2膜８８の一部をメンブレン８６の表面に至るまで、ドライエッチングで除去して開口部８４を形成する。
【００１１】
次に、図２１（ｃ）の状態を上下反転させた図２２（ｄ）に示すように、メンブレン８６上に新たなレジスト９１を設け、このレジスト９１を所定のパターンに加工する。
【００１２】
次に、図２２（ｅ）に示すように、レジスト９１をマスクとして、メンブレン８６をドライエッチングして貫通孔を形成し、パターン開口部８５を形成する。その後に、図２２（ｆ）に示すように、メンブレン８６上のレジスト９１を除去することによって、所定形状のパターン開口部８５を有するメンブレン８６からなるパターンエリア９２を有するステンシルマスク８３を作製することができる。ドライエッチングでなく、ウェットエッチングを用いる方法など、様々な製造方法が考案されている。
【００１３】
さて、上記のステンシルマスク８３等の半導体デバイスプロセスにおける作製パターン寸法が６５ｎｍ以下へ縮小すると共に、許容できるパーティクル等の表面付着異物のサイズも小さくなっている。この許容できる表面付着異物のサイズは作製パターン寸法の約１／１０〜１／１２とされており、この場合には、約６ｎｍ〜３０ｎｍのサイズの表面付着異物の存在が問題になる。
【００１４】
また、システムＬＳＩの大面積化やＬＥＥＰＬマスクに代表されるフォトマスクのような基板等の表面に付着している異物の絶対数をゼロにする技術が求められている。なぜなら、ＳＯＣ（System On Chip）化によりシステムＬＳＩの面積が増大するに従い、そのチップ内に異物が付着する割合も増加して歩留まりの低下が懸念されるからである。また、複数枚の基板を露光するフォトマスクに異物が付着するために発生する欠陥数は露光する基板の枚数倍になるために、そのような付着異物数はゼロにすることが望まれている。
【００１５】
そのような異物除去の機能を達成するにあたり、ステンシルマスク等の基板の表面全体を一括処理するのではなく異物の付着位置のみを局所的に処理する方法が望ましい。なぜならば、清浄度が高い表面に対して一括処理を行った場合に、除去した異物の再付着や新たな汚染により基板の清浄度がかえって悪化する場合が多いからである。従って、清浄度が高い基板表面を更に清浄化する場合には異物（パーティクル等）を個別に除去する局所クリーニングが適している。
【００１６】
この局所クリーニングに関する提案として、図２３に示すように、従来の除去方法によって基板上の異物の数を例えば１０００個から１５個に減少させた後に、残留する少数の異物の除去にプローブを使用する構造の異物除去装置１０７Ａである、クリーニングアセンブリ９７が提案されている（後述の特許文献１を参照）。
【００１７】
このアセンブリ９７においては、フォトマスク１０１を手動又は自動装填機構によって支持台１０４上に載置する。この支持台１０４はフォトマスク１０１を検査位置とクリーニング位置との間で移動させる駆動機構１０５に結合されている。最初にフォトマスク１０１を支持台１０４上の検査位置に置き、ここでフォトマスク１０１に付着する異物について検査装置９３によって検査する。
【００１８】
次に、フォトマスク１０１を検査してからフォトマスク１０１はクリーニング位置に移動し、プローブ先端部９５を有するカンチレバー９８が開口部９６を通して保護薄膜枠１０６中に移動し配置される。その結果として、プローブ９５の先端部がフォトマスク１０１に対向して配置される。
【００１９】
次に、検査装置９３による検査の間に見出された異物の位置は中央処理装置であるＣＰＵ１０３に既に読み込まれており、カンチレバー９８は水平ＸＹ面及び垂直Ｚ面内でカンチレバー９８を移動させることのできる駆動機構１０２により移動する。この駆動機構１０２はＣＰＵ１０３に結合されているために、これにより選択された異物の座標はＣＰＵ１０３から駆動機構１０２に読み取られる。そのために、ＣＰＵ１０３の制御によりカンチレバー９８を水平Ｘ方向及びＹ方向に移動させて、フォトマスク１０１上の異物が付着する任意の点に移動させることができる。
【００２０】
次に、カンチレバー９８のプローブ９５を垂直方向にフォトマスク１０１上の異物に接触するか又はほとんど接触する位置まで下げる。続けて、カンチレバー９８が成極されることによって生じた静電力により、異物をフォトマスク１０１から引き離してプローブ９５の表面上に付着させることができる。
【００２１】
続いて、異物の付着したプローブ９５がフォトマスク１０１上から後退しクリーニング室９９内に移動する。このクリーニング室９９内においてプローブ９５に付着した異物を濾過板１００に付着させることにより、プローブ９５のクリーニングを行う。そしてこれらの工程をフォトマスク１０１上から異物がなくなるまで続ける。
【００２２】
次に、局所的に処理する洗浄方法の他の例としてレーザクリーニング法が挙げられる。このレーザクリーニング法は、パルスレーザー光照射による基板表面の瞬間的に熱膨張させて運動エネルギーを異物に与えることにより除去する技術である。
【００２３】
このレーザクリーニング法の実施例として、予め検出した異物の付着位置に対して局所的に異物の除去を行なう方法を挙げる。例えば、上記のＬＥＥＰＬマスクに代表されるフォトマスクにおいては、露光不良が発生している位置は露光結果や電子顕微鏡による観察により予め検出することができる。そして、その位置に対して局所的にレーザクリーニングを実施した後に、異物の除去が達成されたかを再度観察する。
【００２４】
このようなレーザクリーニング法による局所クリーニングにおいては、基板の表面から分離した異物の挙動は、従来、基板の表面へ供給する雰囲気流れによって制御する手法が用いられている。
【００２５】
例えば、図２４に示すように、雰囲気流れの供給により異物の再付着を防止する手段としてコールドロンを提案する構造の異物除去装置１０７Ｂが挙げられる（後述の特許文献２を参照）。
【００２６】
この構造においては、四角形のチャンバ６３を清浄化する構成を示しており、所定形状のガス流出口６１がチャンバ６３の上部に位置している。また、移動方向６２に移動自在であるベース６０に取り付けられたロボット式のアーム６４がケーブルヘッド６５を有し、このケーブルヘッド６５がチャンバ６３の内壁を周りとして回転するための手段である。
【００２７】
この例においては、ガス流出口６１がチャンバ６３の上部に位置しているために、チャンバ６３の内壁を移動して取り除いた異物をガス流出口６１に向けて引っ張るのに重力に頼ることができない。そのために、矢印に示すような２次ガス流６６をチャンバ６３の内部底面に与えることによって、チャンバ６３の内部底面付近における一定のガス乱流を維持することができる。
【００２８】
この２次ガス流６６は、チャンバ６３の内部全体に亘って流出口６１に向かうガスの一定の運動を生じさせる。従って、ケーブルヘッド６５によってチャンバ６３内側の基板表面６７をチャンバ６３の内部底面から上部へと洗浄する際に、異物は２次ガス流６６によって生じた上部に流れるガス流によって運ばれて流出口６１を通って放出される。
【００２９】
この例においては、雰囲気ガスである２次ガス流６６を基板表面６７へ供給する方法、又は基板表面６７から取り除かれた異物を含有する排ガスを排出するガス流出口６１を備える方法である。つまり、この構造は雰囲気に含まれる分子の運動エネルギーを異物へ供与することで成り立つと考えられる。
【００３０】
次に、図２５に示すような構造の異物除去装置１０７Ｃも存在する（後述の特許文献３を参照）。例えば、凹部７６を有する基板７４及び複数の端子ピン７５からなるＰＧＡ（Pin Grid Array）を真空チャンバ内に入れずに大気中に配置し、エキシマレーザ光６９を照射する部分にレンズ７０を設け、かつ排気口を有する小型容器７２を凹部７６上に載置して密着した後に、小型容器７２を載置した部分だけを簡易的に真空状態にする。
【００３１】
続けて、小型容器７２の内部を真空中かつ真空ポンプで真空排気７１しながら、レンズ７０を通してエキシマレーザ光６９を照射して凹部７６に対してレーザアブレーションを行うことにより、そこに付着する異物を飛散させて小型容器７２の外に排出してＰＧＡ７３への付着を防止する方法である。この構造は、レーザ光６９の照射部分へ小型容器７２を配置して小型容器７２内を真空ポンプで排気する方法を用いるものである。
【００３２】
次に、図２６の異物除去装置１０７Ｄの構造に示すように、異物除去処理室８１内には、その底部に端子ピン７５を有する基板７４を配置し、この基板７４の上方に所定の間隔を空けてフード７８を有する排気吸引口８０と、この排気吸引口８０に接続された高真空吸引ポンプ７９とを備える。加えて、異物除去処理室８１の雰囲気全体を減圧状態に維持するための真空吸引ポンプ８２も別途備えられている（後述の特許文献４を参照）。
【００３３】
そして、基板７４上の異物付着位置にレーザ光６９を照射した時に発生する飛翔物である異物は基板７４上からフード７８に向かって矢印の方向に飛翔する。この飛翔する異物を排気吸引口８０から吸引して異物除去処理室の外部へ除去するのである。基板７４にレーザ光６９が照射されて飛翔物である異物が発生すると基板７４の周辺の圧力が瞬間的に上昇するので、直ちに排気吸引口８０から吸引されて異物が除去される。
【００３４】
【特許文献１】特開平８−２５４８１７号公報（第４頁左欄２３行目〜第４頁右欄３４行目、図２）
【００３５】
【特許文献２】特表平７−５０５５７７号公報（第７頁左下欄４行目〜第７頁左下欄１６行目、図２０）
【００３６】
【特許文献３】特許第２９８４１４７号公報（第２頁右欄２７行目〜第２頁右欄３７行目、図２）
【００３７】
【特許文献４】特開平７−９４４４０号公報（第１４頁左欄４１行目〜第１４頁右欄１１行目、図１１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
しかし、図２３に示す異物除去装置１０７Ａにおいては、プローブ先端部９５と異物を接触させずに、静電気力などの間接的な作用力によって異物を基板表面から離脱させるため、液架橋力などの強い力で異物が付着していると、異物を基板表面から離脱させられない。
【００３９】
また、図２４に示す異物除去装置１０７Ｂにおいては、この異物除去方法が雰囲気に含まれる分子の運動エネルギーを異物へ供与することで成り立つと考えられる。従って、電子顕微鏡の鏡筒内のように雰囲気圧力が低い場合に分離して飛翔する微粒子である異物の挙動を制御できないことがある。なぜならば、雰囲気ガスの分子密度が低いために時間当たりで分離して飛翔する異物に衝突する分子数が減少してしまい、供与する運動エネルギーが小さくなってしまうからである。そして分離して飛翔した異物がチャンバ６３の内壁等に残存してしまう可能性や内壁等に衝突した後に反射して基板の表面に再付着する可能性がある。
【００４０】
また、図２５に示す異物除去装置１０７Ｃにおいては、小型容器７２内とその周辺空間の圧力差が生じなくなるような場合に、異物の吸引効果を望みにくいために、分離して飛翔する異物が小型容器７２の内壁に残存する可能性や、内壁に衝突した後に反射してＰＧＡ７３の表面に再付着する可能性がある。
【００４１】
また、図２６に示す異物除去装置１０７Ｄにおいても、異物除去処理室８１内とその周辺空間の圧力差が生じなくなるような場合に、異物の吸引効果を望みにくいために、分離して飛翔する異物が異物除去処理室８１の内壁に残存する可能性や、内壁に衝突した後に反射して基板７４に再付着する可能性がある。
【００４２】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、基体からの異物の除去を確実に行うことができる異物除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
即ち、本発明は、基体上に付着する異物を前記基体から分離する手段と、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を開口部から導入して捕獲するための捕獲手段と、前記導入後に前記異物が前記開口部から漏出する前に前記開口部を閉鎖する遮蔽手段とを有する、異物除去装置に係るものである。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の装置によれば、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を開口部から導入して捕獲するための捕獲手段と、前記導入後に前記異物が前記開口部から漏出する前に前記開口部を閉鎖する遮蔽手段とを有するために、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を前記捕獲手段内に捕獲すると共にこの捕獲手段からの漏出を防止して、前記基体への再付着を防止し、前記基体からの前記異物の除去を確実に行うことができ、局所クリーニングにとって好適なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
本発明において、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を前記捕獲手段内に確実に捕獲するために、前記開口部が開放された状態で、前記異物の付着個所を望ましくは瞬間的に変形させることによって前記異物を飛翔させ、前記開口部から前記捕獲手段内に収容し、この収容後に前記開口部が前記遮蔽手段によって閉鎖されるように構成されるのが望ましい。
【００４６】
この場合、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を前記開口部から前記捕獲手段内に収容し易くするために、前記開口部の開放状態において、前記捕獲手段の内部がその外部よりも負圧とされるのが望ましい。
【００４７】
また、前記捕獲手段内に捕獲された前記異物を前記捕獲手段から排出するために、前記捕獲手段に既に捕獲された前記異物が、前記捕獲手段内のガス置換によって前記捕獲手段の外部に排出されるのが望ましい。
【００４８】
この場合、複数の前記異物を捕獲するために、前記捕獲手段の内部の真空排気と、前記開口部の開放と、前記異物の捕獲と、前記開口部の閉鎖と、前記捕獲手段の内部のガス置換とが順次複数回行われるのが望ましい。
【００４９】
また、前記捕獲手段が真空容器内に配置され、この真空容器内の真空排気後に前記捕獲手段内の真空排気が行われ、前記捕獲手段内のガス置換後に前記基体が前記真空容器外に取り出されるのが望ましい。
【００５０】
また、前記捕獲手段が前記基体に対して相対的に移動し、この移動位置において前記異物の付着個所が変形されるようにしてもよい。
【００５１】
また、前記異物を確実に除去しかつ前記基体への前記異物の再付着を防止するために、前記異物の付着個所を熱変形させるためのレーザ光を照射するレーザ光透過部と、このレーザ光透過部を透過したレーザ光を通過させる前記開口部とを有する容器状の捕獲部と；前記開口部を開閉するためのシャッタ部と；前記捕獲部内をガス置換又は／及び排気するための気体導管部と；によって、前記捕獲手段が構成されているのが望ましい。
【００５２】
この場合、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を前記開口部から前記捕獲手段内に収容し易くするために、前記開口部及び前記シャッタ部の側で前記捕獲部が前記基体と対向して配置されるのが望ましい。
【００５３】
また、前記基体から分離されて飛翔する前記異物を前記開口部から前記捕獲手段内に収容し易くするために、前記捕獲手段が前記基体の上方又は下方、特にほぼ鉛直方向上方又はほぼ鉛直方向下方に配置されるのが望ましい。
【００５４】
また、前記真空容器内の前記基板の所定個所に前記真空容器外から前記レーザ光を照射するために、所定個所前記捕獲手段及び前記レーザ光の照射手段が前記基体に対して相対的に移動すると共に、前記捕獲手段を収容した真空容器の壁部の少なくとも一部分が前記レーザ光透過部へのレーザ光透過性に形成されているのが望ましい。
【００５５】
この場合、同一の前記真空容器内で前記異物の除去処理を行うために、前記捕獲部が前記真空容器内に設けられた前捕獲処理容器内に配置され、この容器に形成された開口部を通してレーザ光が照射されて前記基体が瞬間的に熱変形させられ、前記基体上に付着した異物が予め前記前捕獲処理容器内に捕獲され、続いて、前記前捕獲処理後に、前記基体上に残留した異物が前記捕獲手段によって除去されるのが望ましい。
【００５６】
加えて、前記前捕獲処理容器による前記前捕獲処理に用いる前記レーザ光と、前記捕獲手段による捕獲除去に用いるレーザ光とが共通に用いられると、異物除去装置の構造の簡略化を図ることができる。
【００５７】
更に、前記前捕獲処理容器が前記捕獲手段と兼用されることも、異物除去装置の構造の簡易化に有利である。
【００５８】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に詳細に説明する。
【００５９】
第１の実施の形態
本実施の形態による異物除去装置４４ａにおいては、図１に示すように、上面の所定個所に設けられたレーザ光透過性の材質からなる光学窓１１、側面の所定個所に設けられた基板搬入口１６、及びバルブ６で開閉できる真空排気管１７を有する低圧真空容器５が設けられる。
【００６０】
この低圧真空容器５内の下部に基板配置台１３によって支持された基板１２が配置され、この基板１２と低圧真空容器５の上面に設けられたレーザ光透過部である光学窓１１との間に、バルブ６を有する気体導管部である小容器内パージガス流入管８と、バルブ６を有する気体導管部である小容器内パージガス排出管９と、小容器開口部３１、遮蔽手段であるシャッタ１４と、レーザ光透過部である光学窓と、容器状の捕獲部４６とからなる異物捕獲小容器１５が、水平方向に移動可能に、かつ基板１２のほぼ鉛直方向上方に配置されている。本実施の形態においては、基板１２を例えばステンシルマスクとする（以下同様）。
【００６１】
更に、ガス流入管８及びガス排出管９は、異物捕獲小容器１５の側面に設けられて低圧真空容器５から外部に突出しており、光学窓１０は異物捕獲小容器１５の上面に設けられている。シャッタ１４は異物捕獲小容器１５の下面に設けられて基板１２に対して対向しており、図中に破線で示すように、横方向に移動可能である。
【００６２】
また、低圧真空容器５上から照射されるレーザ光は光学窓１１、光学窓１０及び異物捕獲小容器１５内を順次透過又は通過して基板１２上に達する。
【００６３】
図２に示す異物捕獲小容器１５の詳細断面図においては、下面に設けられたシャッタ１４が、シャッタ駆動スライダ２９の駆動に伴って横方向に移動することにより、異物捕獲小容器１５の下面に設けられたシャッタ受け部３０間の小容器開口部３１を開閉することができる。
【００６４】
加えて、シャッタ受け部３０の底面から基板１２の上面までの距離をｄ１、レーザ光が通過する位置である小容器開口部３１の中心からシャッタ受け部３０の先端までの距離をｄ２、及び、小容器開口部３１の開口幅をｄ３とすると、例えばシャッタの閉鎖速度が１ｍ／秒であれば、ｄ１は１０００μｍが望ましく、ｄ２は５００μｍが望ましく、ｄ３は１０００μｍが望ましい。シャッタの閉鎖速度が速い場合、ｄ２及びｄ３は大きくできる。
【００６５】
次に、図３〜図７について、異物除去装置４４ａの基本動作のフローチャート及び基本動作のタイムチャート等を説明する。
【００６６】
＜小容器の真空排気＞
まず、図３の概略断面図及び図６の異物除去装置４４ａの基本動作フローチャートに示すように、基板搬入口１６を開放して、既に前処理によって殆んどの異物が洗浄除去された基板１２を低圧真空容器５内の所定個所へ搬送し、基板配置台１３上に配置した後に基板搬入口１６を閉鎖する。この基板１２は、僅かに残存して付着している異物を局所クリーニングするために真空容器５内に搬入される（以下、同様）。低圧真空容器５には気密性の高いものを使用し、真空排気に耐えられるような構造とする（工程１）。
【００６７】
次に、真空排気管１７のバルブ６を開放して低圧真空容器５内を真空排気した後に、バルブ６を閉鎖して低圧真空容器５内を一定の真空状態にする。この際に、低圧真空容器５内の異物捕獲小容器１５のシャッタ１４を駆動して異物捕獲小容器１５の開口部３１を閉鎖しておく（工程２）。
【００６８】
＜小容器のシャッタ開放とレーザ光照射＞
次に、図４の概略断面図及び図６の異物除去装置４４ａの基本動作フローチャートに示すように、基板１２上の除去すべき異物（パーティクル）４５の付着位置にレーザ光を照射できるように、レーザ光の照射位置を調整する（工程３）。
【００６９】
次に、除去する異物４５を捕獲するための異物捕獲小容器１５を基板１２に対して相対的に移動させて、異物４５の付着位置へ導くように調整する。（工程４）。
【００７０】
次に、ガス排出管９のバルブ６を開放しかつガス流入管８のバルブ６を閉鎖して、異物捕獲小容器１５内の圧力が低圧真空容器５内の圧力以下になるように、ガス排出管９から真空排気した（図３参照）後に、ガス排出管９のバルブ６も閉鎖する。これによって、シャッタ１４の開放時に小容器１５内が低圧真空容器５内に対して負圧になるために、負圧になることによる除去異物の搬送能力を期待できることがある（工程５）。但し、真空容器５内は雰囲気圧力が低く設定されるので、小容器１５内を負圧にして異物搬送能力を高めることは期待されないことがあるので、両容器５と１５は同等の内圧としてもよい。
【００７１】
次に、異物捕獲小容器１５のシャッタ１４を開放する（工程６）。
【００７２】
次に、基板１２上の異物付着位置に局部的にレーザ光１を照射し、この照射による基板１２の局部的な瞬間的な変形により異物４５を基板１２上から分離して飛翔させ、開口部３１から小容器１５内に導入する。このレーザ光１は、レーザ光源１８から供給され、強度調整系２、照射位置調整系３、集光系４、光学窓１１及び光学窓１０等を順次通過して基板１２の表面へ到達する。
【００７３】
このレーザ光源１８については、例えば、エキシマレーザやＮｄ：ＹＡＧ等の固体レーザ又はＴｉ：Ａｌ２Ｏ３等のフェムト秒レーザが考えられ、基板１２の表面及び異物の組成等の条件に応じて調整する。強度調整系２とは、ＮＤフィルタに代表されるアッテネータ（減衰器）又は偏向フィルタのような偏向選択器である。照射位置調整系３とは、ＸＹステージ等の稼動部を備えたミラーや光ファイバ等の光路を変更する器具である。集光系４とは、アフォーカルレンズや対物レンズ等のレーザ光１の集光面積を調整する器具である。これらの各系によって、レーザ光１の照射強度、照射位置、照射面積及びエネルギー密度を調整することができる（工程７）。
【００７４】
＜小容器のシャッタ閉鎖と小容器パージ＞
次に、図５の概略断面図及び図６の異物除去装置４４ａの基本動作フローチャート図に示すように、レーザ光１の照射によって異物４５を飛翔させて小容器１５内に導入した直後にシャッタ１４を閉じて、異物捕獲小容器１５を遮蔽する。レーザ光１の照射とシャッタ１４による開口部３１の閉鎖とのタイミングについては、基板１２の表面から分離して飛翔した異物４５が異物捕獲小容器１５内へ到達した時点から、シャッタ１４を閉じる前に開口部３１を通して漏出する寸前までの時間内にシャッタ１４を閉じる。このシャッタ動作（閉じるタイミング）は、基板１２の表面からシャッタ１４までの距離等の条件を考慮に入れて決定される。例えば、上記時間を１ｍ／秒以内としてよい（工程８）。
【００７５】
次に、ガス流入管８及び排出管９のバルブ６を開放してパージガスを異物捕獲小容器１５内に流入し、小容器１５内をガス置換してパージすることにより、小容器１５内の異物４５を異物除去装置４４ａの外へ排出する（工程９）。このパージガスの組成は異物４５の搬送機能に影響しないと考えられる。小容器１５内に捕獲した異物４５自体をエッチングする場合には、酸素を導入することも可能である。
【００７６】
次に、図６の異物除去装置４４ａの基本動作フローチャート及び図７の異物除去装置４４ａの基本動作タイムチャートに示すように、基板搬送（工程１）〜小容器パージ（工程９）の工程（ａ）を基板１２上の全ての異物４が除去されるまでの工程を繰り返し行う。ここで、低圧真空容器５に基板１２の表面の観察機能を備えている場合には、工程の繰り返しを行う判断をその観察結果から行うことができる。予め異物４５の付着位置の情報を得ている場合には、その異物４５の付着位置の全てについて異物の分離除去処理が完了するまで繰り返して処理することができる（工程１０）。
【００７７】
次に、全ての異物４５の付着位置について分離除去処理（局所クリーニング）を行った後に、真空排気管１７のバルブ６を開放して低圧真空容器５内をリークし、大気圧とする（工程１１）。
【００７８】
次に、処理済の基板１２を基板搬入口１６を開放して搬出し、異物除去処理工程を終了する（工程１２）。
【００７９】
図８は、本実施の形態による異物除去装置４４ａの具体例を示す。これによれば、異物捕獲小容器１５のシャッタ１４の駆動にはシャッタ駆動スライダ２９を用い、高速に閉鎖作業を行い、レーザ光１の強度調整系２には無段階ＮＤフィルタ２４を用いる。加えて、照射位置調節系３にはミラー２０、Ｘステージ２３によってＸ方向に移動可能なミラー２１並びにＸＹステージ１９によってＸ方向及びＹ方向に移動可能なミラー２２を用い、集光系４に合成石英レンズ３２を用いることができる。レーザー光源１８にはＮｄ：ＹＡＧレーザの第２、第３及び第４高調波（SHG, THG, FHG）を用いる。
【００８０】
更に、レーザ光１を基板１２の表面へ垂直又はそれに近い角度で照射することが望ましいために、合成石英レンズ３２と照射位置調節系３のミラー２０、２１及び２２とをミラー・レンズ連結冶具２７によって連結する。異物捕獲小容器１５もそれに連動して移動させるために、ＸＹステージ３３によってＸ方向及びＹ方向に移動可能にする。光学窓１０及び１１はそれぞれ合成石英窓２５及び２６とする。
【００８１】
なお、これらの構造以外は上記の図１に示した構造と同様であるが、図８では、小容器内パージガス流入、小容器内パージガス排出及び真空排気等をまとめて示している（以下、同様）。
【００８２】
次に、図２について、異物捕獲小容器１５の低圧真空容器５内における設置位置及び各寸法等の具体的な一例を示す。
【００８３】
パルスレーザ光の照射によってもたらされる基板１２の表面の熱膨張（変形）により、異物は付着位置からほぼ等方的に放出される。従って、異物捕獲小容器１５による捕集効率は、異物から見た小容器開口部３１の立体角により決定される。この異物から見た小容器開口部３１の立体角は、小容器開口部３１から基板１２上までの距離ｄ１と小容器開口部３１の面積とに依存する。
【００８４】
例えば、小容器開口部３１と基板１２との距離ｄ１が近すぎると、小容器開口部３１と基板１２の表面との衝突を防ぐための制御が困難になる。そのため、距離ｄ１を例えば１ｍｍとすることができる。
【００８５】
また、小容器開口部３１の面積が広いほどその立体角は大きくなるが、シャッタ１４の閉鎖速度によりその上限が決まる。また、異物が異物捕獲小容器１５の内壁に衝突して反射し、基板１２の表面に再付着する前に、シャッタ１４を閉じる必要があるため、シャッタ１４の閉鎖速度を例えば１ｍ／秒とすることができる。
【００８６】
また、異物の運動（飛翔）速度は、基板１２の表面の熱膨張変位から受け取った運動エネルギーからもたらされる。例えば、エネルギー密度０．２Ｊ／ｃｍ2のパルスＮＤ：ＹＡＧレーザのＴＨＧ照射がもたらすシリコン基板１２の表面変位の加速度が約１０9ｍ／ｓ2とすると、加速時間が照射レーザ光のパルス幅と同等の約１０-9ｓであれば最終的な異物の離脱速度は約１ｍ／ｓとなる。更に、雰囲気の圧力が低いために、基板１２の表面を離脱した後の異物はほとんど等速運動をすると考えられる。
【００８７】
従って、小容器開口部３１と基板１２との距離ｄ１が1ｍｍであれば、異物が開口部３１を通過するために所要する時間は約１ｍｓとなる。また、そのタイミングでシャッタ１４が閉鎖できる距離が開口部の寸法となり、この場合に１ｍｍとなる。異物捕獲小容器１５の容積が大きいほど、異物の衝突及び反射が起きる時間を遅くすることができるが、パージに必要な時間で限定される。
【００８８】
本実施の形態による異物除去装置４４ａによれば、基体１２から分離されて飛翔する異物を小容器開口部３１から導入して捕獲するための異物捕獲小容器１５と、この導入後に異物が小容器開口部３１から漏出する前に小容器開口部３１を閉鎖するシャッタ１４とを有するために、基体１２から分離されて飛翔する異物を異物捕獲小容器１５内に捕獲し、かつ小容器１５内から漏出して基体１２に再付着することを防止でき、基体１２からの異物の除去を確実に行うことができる。
【００８９】
第２の実施の形態
本実施の形態においては、図９の異物除去装置４４ｂに示すように、無段階ＮＤフィルタ２４と合成石英レンズ３２との間に角度固定式のミラー２０が設けられて低圧真空容器５内の上部からレーザ光１が照射されると共に、異物捕獲小容器１５が低圧真空容器５内の上部に固定され、低圧真空容器５内の基板搬送補助具２８上に異物付着面を上にして載置かれた基板１２が、ＸＹスライダ３３によってＸ方向及びＹ方向に移動することができる以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００９０】
本実施の形態によれば、上述したレーザ光１の照射位置調整系３に代えて基板配置台１３のＸＹスライダ３３を用いて、基板１２をレーザ光照射位置に移動させることができるために、レーザ光１の照射位置調整系の構成を簡略化することができると共に、異物捕獲小容器１５が低圧真空容器５の上部に固定されることによって、小容器１５と低圧真空容器５との双方に合成石英窓２６を共用することができるために、低圧真空容器５の合成石英窓を省略してその構造を簡略化することができる。
【００９１】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【００９２】
第３の実施の形態
本実施の形態においては、図１０の異物除去装置４４ｃに示すように、無段階ＮＤフィルタ２４と合成石英レンズ３２との間に角度固定式のミラー２０が設けられて低圧真空容器５の下部からレーザ光１を照射し、異物捕獲小容器１５が低圧真空容器５内の下部であって基板１２のほぼ鉛直方向下方に固定され、低圧真空容器５内の基板搬送補助具２８上に基板反転機構３４によって異物付着面を下にして載置された基板１２が、ＸＹスライダ３３によってＸ方向及びＹ方向に移動することができる以外は、上述した第２の実施の形態と同様である。
【００９３】
本実施の形態によれば、清浄化の対象となる基板１２の表面を下方に向けて処理を行うために、基板１２から離脱した異物に重力が作用して異物が鉛直方向に落下することにより、飛翔する異物を下方の異物捕獲小容器１５内に容易に捕獲することができると共に、基板１２に再付着することをより効果的に防止することができる。
【００９４】
その他、本実施の形態においては、上述した第２の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【００９５】
第４の実施の形態
本実施の形態においては、図１１の異物除去装置４４ｄに示すように、異物捕獲小容器１５内において合成石英窓２６と小容器開口部３１との間に対物レンズ３６が設けられる以外は、上述した第３の実施の形態と同様である。
【００９６】
本実施の形態によれば、レーザ光１の集光系に対物レンズ３６を配置しているために、レーザ光１の集光系の構成を簡略化することができると共に、合成石英窓２６を通過するレーザ光を集光することによりレーザ光照射領域の寸法を１μｍ程度に絞ることができる。更に、例えば、フェムト秒のＴｉ：Ａｌ2Ｏ3レーザのように、エネルギーが小さいレーザを用いても、クリーニングを効果的に行うことができる。
【００９７】
更に、図１２に示すように、本実施の形態による異物捕獲小容器１５の構造については、小容器開口部３１及びシャッタ１４が小容器１５の上部に設けられ、支持部３５によってレーザ光照射経路に支持される対物レンズ３６が小容器１５内の下部に設けられている。合成石英窓２６を通過するレーザ光１は対物レンズ３６によって集光された後に、小容器開口部３１を通過して基板１２上に到達する。
【００９８】
その他、本実施の形態においては、上述した第３の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【００９９】
第５の実施の形態
本実施の形態においては、図１３の異物除去装置４４ｅに示すように、異物捕獲小容器１５内において、異物捕獲小容器１５内からパージできずに残存してしまった異物を除去するために、各ガス流入管及び排出管８、９及び３８が存在しない側の内側壁に紫外ランプ３７が設けられ、小容器１５内に反応性ガス（Ｏ2）を導入するガス流入管３８が設けられる以外は、上述した第４の実施の形態と同様である。
【０１００】
本実施の形態によれば、小容器１５内に異物のエッチング用の反応性ガス（Ｏ2）を流入管３８から導入してエッチングした後に、紫外ランプ３７によって紫外光を照射する機構を備えるために、主に有機質の異物の除去について有効となる。ここでは、流入する反応性ガスとして例えば酸素等を供給して異物を燃焼（エッチング）し、紫外光の照射については、例えば、誘電バリア放電を用いた紫外ランプ３７から紫外光を照射して異物を分解する。また、紫外ランプ３７を設ける代わりに、例えば、局所クリーニング用の上記の照射レーザ光１を分岐させて得られる分岐レーザ光を小容器１５内に照射することによって、無機質の異物も除去することができる。
【０１０１】
図１４の異物除去装置４４ｅの基本動作フローチャートに示すように、本実施の形態においては、図６の異物除去装置４４ａの基本動作フローチャートに示す基板搬送（工程１）〜シャッタ閉鎖（工程７）と同様の工程を行った後に、パージガス流入管８及び排出管９のバルブ６を閉鎖し、バルブ６を開放した反応性ガス流入管３８を通じて、異物をエッチングする反応性ガス（Ｏ2）を導入し、異物を燃焼させてエッチングした後に排出する（工程８）。
【０１０２】
次に、小容器１５内に紫外光を供給して照射して異物を分解する（工程９）。その後、小容器１５内をパージガスによってパージする（工程１０）。レーザ光照射位置調整（工程３）〜小容器パージ（工程１０）の一連の工程を異物の除去が終わるまで繰り返した後に、図６の容器内真空リーク（工程１２）及び基板搬出（工程１３）と同様の工程を行って異物除去工程を終了する。
【０１０３】
その他、本実施の形態においては、上述した第４の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１０４】
第６の実施の形態
本実施の形態においては、図１５の異物除去装置４４ｆに示すように、照射位置調節系３にガルバノミラー３９を用い、集光系４にｆθレンズ４０用いる以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１０５】
本実施の形態によれば、照射位置調節系３にガルバノミラー３９を用い、集光系４にｆθレンズ４０用いるために、レーザ光１の照射位置を容易に変更することができる。
【０１０６】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１０７】
第７の実施の形態
本実施の形態においては、図１６の異物除去装置４４ｇに示すように、無段階ＮＤフィルタ２４と合成石英窓２５との間にミラー２０を設け、開口部４２を形成する遮蔽板４１ａ、４１ｂを有して異物捕獲小容器１５を囲むようにして配置された前捕獲処理容器である異物捕獲中容器４３を設け、異物捕獲小容器１５と異物捕獲中容器４３とが合成石英窓２５を共有している以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１０８】
本実施の形態においては、レーザ光照射位置は固定するが、異物捕獲小容器１５と基板１２を載置する基板搬送補助具２８とは、水平方向に移動するものとし、除去異物捕獲中容器４３の下部に設けられて基板１２の表面に対向して配置される遮蔽板４１ａと４１ｂとの間に開口部４２を配置する。
【０１０９】
次に、図１７について、異物除去装置４４ｇの基本動作のフローチャートを説明する。
【０１１０】
まず、基板搬入口１６を開放して異物除去処理を行う基板１２を低圧真空容器５内の所定個所へ搬送し、基板配置台１３上に配置した後に基板搬入口１６を閉鎖する。この時に、基板１２に対しては前処理も含めて未だ何ら異物除去処理をしていないものとする（工程１）。
【０１１１】
次に、真空排気管１７のバルブ６を開放して低圧真空容器５内及び異物捕獲中容器４３内を真空排気した後に、真空排気管１７のバルブ６を閉鎖して低圧真空容器５内を一定の真空状態にする。この際に、低圧真空容器５内の異物捕獲小容器１５のシャッタ１４を駆動して異物捕獲小容器１５の開口部を閉鎖しておき、異物捕獲中容器４３内で支障ない位置に退避させておくが、異物捕獲中容器４３の開口部４２は閉鎖しない（工程２）。
【０１１２】
次に、基板１２上の除去すべき異物４５の付着位置にレーザ光を照射できるように、基板１２を移動させてレーザ光の照射位置を調整しつつ、開口部４２を介して基板１２上の異物付着位置にレーザ光１を全面に亘って照射して瞬間的に熱変形させることにより、異物を基板１２上から分離及び飛翔させて開口部４２から異物捕獲中容器４３に導入し、各遮蔽板４１ａ及び４１ｂ上に保持した後に、異物捕獲中容器４３に設けられた図示しない排出手段によって異物を外部に排出することにより、異物の予備除去（前捕獲処理）工程を基板全面に亘って行う（工程３）。
【０１１３】
次に、基板１２上に残留する異物の位置を確認するために、図示しない検査手段によって基板１２上を検査する（工程４）。
【０１１４】
次に、残留する異物４５を捕獲するための異物捕獲小容器１５及び基板１２を開口部４２に対して上下方向で位置が揃うように移動させて、開口部４２をレーザ光照射位置となる異物４５の付着位置へ導くように調整する（工程５）。
【０１１５】
次に、小容器１５の真空排気（工程６）〜小容器１５のパージ（工程１０）の工程は、図６に示した小容器１５の真空排気（工程５）〜小容器１５のパージ（工程９）の工程と同様に行うので、ここでは説明を省略する。なお、基板１２上から分離して飛翔する異物は、開口部４２を通過してから異物捕獲小容器１５内に導入される。
【０１１６】
次に、レーザ光照射位置調整（工程５）〜小容器パージ（工程１０）の工程を全ての異物が除去されるまで繰り返し行う（工程１１）。この際、中容器４３のシャッタ４１ａ、４１ｂは開放しておいてもよいが、図示の如く閉じたままにすると、局所クリーニング時に小容器１５からの異物の漏出による再付着を一層防止することができる。
【０１１７】
次に、全ての異物の付着位置について異物の分離除去処理（局所クリーニング）を行った後に、真空排気管１７のバルブ６を開放して低圧真空容器５内をリークして大気圧とする（工程１２）。
【０１１８】
次に、処理済の基板１２を基板搬入口１６を開放して搬出し、異物除去処理工程を終了する（工程１３）。
【０１１９】
本実施の形態によれば、同一のレーザ光照射設備を共用し、同一の低圧真空容器５内において、基板１２からの異物の予備除去と残存する異物の局所クリーニングとを順次行うことができるので、異物除去用の設備及び異物除去工程を簡易化することができる。
【０１２０】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１２１】
第８の実施の形態
本実施の形態においては、図１８の異物除去装置４４ｈに示すように、照射位置調節系３にガルバノミラー３９を用い、集光系４にｆθレンズ４０用いる以外は、上述した第７の実施の形態と同様である。
【０１２２】
本実施の形態によれば、照射位置調節系３にガルバノミラー３９を用い、集光系４にｆθレンズ４０用いるために、レーザ光１の照射位置を容易に変更することができる。
【０１２３】
その他、本実施の形態においては、上述した第７の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１２４】
第９の実施の形態
本実施の形態においては、図１９の異物除去装置４４ｉに示すように、異物捕獲小容器１５が省略され、バルブ６を有する小容器内パージガス流入管８及びバルブ６を有する小容器内パージガス排出管９が、上述の異物捕獲中容器と同等の容器４３に接続し、遮蔽板４１ａ及び４１ｂの下に開口部４２を閉鎖することのできるシャッタ４１ａ及び４１ｂが設けられている以外は、上述した第７の実施の形態と同様である。
【０１２５】
本実施の形態による異物除去工程については、まず、開口部４２を開放したままで基板１２の全面に亘ってレーザ光照射して基板１２上の異物を分離して飛翔させ、開口部４２を介して容器４３内に導入した後に、シャッタ４３ａ及び４３ｂによって開口部４２を閉鎖し、異物捕獲容器４３内をパージすることによって、捕獲した異物を外部に排出して異物の予備除去処理を行う。続けて、基板上に残留する個々の異物に対して、上記したと同様にしてレーザ光照射を行い、シャッタ４３ａ及び４３ｂによる遮蔽及びパージによって局所的な異物除去処理（局所クリーニング）を終了し、処理済みの基板を搬出する。
【０１２６】
本実施の形態によれば、開口部４２を介して容器内４３内に異物を導入した後に、シャッタ４３ａ及び４３ｂにより開口部４２を閉鎖し、容器４３内をパージすることを予備除去処理及び局所クリーニング処理の両方の処理で行うので、異物捕獲容器４３内から異物をより確実に排出することができると同時に、装置内部の構造を簡略化することができる。
【０１２７】
その他、本実施の形態においては、上述した第７の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１２８】
以上に説明した実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて種々に変形が可能である。
【０１２９】
例えば、異物捕獲小容器１５、シャッタ１４、合成石英窓２６及び小容器開口部３１等のサイズ、形状、厚さ、材質、構造、移動方法及び配置等、並びに、レーザ光１の種類、照射方法、照射時間及び照射強度等は、異物の付着状況等の条件に対応して適宜変更することができる。
【０１３０】
また、小容器内パージガスや小容器反応性ガス等の種類、濃度及び流入量、並びに、紫外ランプの３７の配置、照射時間及び照射量等は、異物の付着状況等の条件に対応して柔軟に変更することができる。
【０１３１】
また、基板１２がステンシルマスクであればその表面のみを除去処理し、その他の基板等であれば裏表の両面を除去処理してもよい。この基板１２はステンシルマスク以外のものでよい。
【０１３２】
また、飛翔して異物捕獲小容器１５内に収容した異物を感知するために、小容器１５内に感知器等を設けて感知してもよい。
【０１３３】
また、上述した異物除去装置は、付着物の除去処理の他に、例えば、レーザアニール処理等のレーザ光処理や感光性材料の露光処理等にも応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図２】同、異物除去装置の要部の概略断面図である。
【図３】同、異物除去工程を示す概略断面図である。
【図４】同、異物除去工程を示す概略断面図である。
【図５】同、異物除去工程を示す概略断面図である。
【図６】同、異物除去装置の基本動作のフローチャートである。
【図７】同、異物除去装置の基本動作のタイムチャートである。
【図８】同、異物除去装置の具体例の概略断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図１２】同、異物除去装置の要部の概略断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態による異物除去装置の要部の概略断面図である。
【図１４】同、異物除去装置の基本動作のフローチャートである。
【図１５】本発明の第６の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図１６】本発明の第７の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図１７】同、異物除去装置の基本動作のフローチャートである。
【図１８】本発明の第８の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図１９】本発明の第９の実施の形態による異物除去装置の概略断面図である。
【図２０】従来例によるステンシルマスクの平面図（Ａ）及びＸ−Ｘ’線断面図（Ｂ）である。
【図２１】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図２２】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図２３】同、異物除去装置の概略構成図である。
【図２４】同、別の異物除去装置の概略断面図である。
【図２５】同、別の異物除去装置の概略断面図である。
【図２６】同、更に別の異物除去装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１…レーザ光、２…強度調節系、３…照射位置調節系、４…集光系、
５…低圧真空容器、６…バルブ、７…内壁、８…ガス流入管、９…ガス排出管、
１０、１１…光学窓、１２…基板、１３…基板配置台、
１４、４３ａ、４３ｂ…シャッタ、１５…異物捕獲小容器、１６…基板搬入口、
１７…真空排気管、１８…レーザ光源、１９…ＸＹステージ、
２０、２１、２２…ミラー、２３…Ｘステージ、２４…無段階ＮＤフィルタ、
２５、２６…合成石英窓、２７…ミラー・レンズ連結冶具、２８…基板搬送補助具、
２９…シャッタ駆動スライダ、３０…シャッタ受け部、３１…小容器開口部、
３２…合成石英レンズ、３３…ＸＹスライダ、３４…基板反転機構、３５…支持部、
３６…対物レンズ、３７…紫外ランプ、３８…反応性ガス（Ｏ２）流入管、
３９…ガルバノミラー、４０…ｆθレンズ、４１ａ、４１ｂ…遮蔽板、４２…開口部、
４３…異物捕獲中容器、
４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄ、４４ｅ、４４ｆ、４４ｇ、４４ｈ、４４ｉ…異物除去装置、４５…異物、４６…捕獲部
【図１】
2005254186.tif 000003
【図２】
2005254186.tif 000004
【図３】
2005254186.tif 000005
【図４】
2005254186.tif 000006
【図５】
2005254186.tif 000007
【図６】
2005254186.tif 000008
【図７】
2005254186.tif 000009
【図８】
2005254186.tif 000010
【図９】
2005254186.tif 000011
【図１０】
2005254186.tif 000012
【図１１】
2005254186.tif 000013
【図１２】
2005254186.tif 000014
【図１３】
2005254186.tif 000015
【図１４】
2005254186.tif 000016
【図１５】
2005254186.tif 000017
【図１６】
2005254186.tif 000018
【図１７】
2005254186.tif 000019
【図１８】
2005254186.tif 000020
【図１９】
2005254186.tif 000021
【図２０】
2005254186.tif 000022
【図２１】
2005254186.tif 000023
【図２２】
2005254186.tif 000024
【図２３】
2005254186.tif 000025
【図２４】
2005254186.tif 000026
【図２５】
2005254186.tif 000027
【図２６】
2005254186.tif 000028