(57)【要約】【課題】本発明は、球状突起の発生を大幅に減らし、画像むらや電気的特性のばらつきを改善する堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供することを目的としている。【解決手段】円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、高周波電力を該円筒状基体の配置円外から導入することで、複数の基体上に、良好な特性を有する堆積膜形成装置および堆積膜形成方法において、同心円上に配置された基体の内部に、少なくとも一部に原料ガスの排気孔を有する円筒状部材を設置して堆積膜形成を行うことを特徴とするものである。【選択図】  図１
2005015880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体部材で構成され、減圧可能な空間を形成する反応容器と、該反応容器内に配置された、複数の円筒状基体保持手段および原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電極を有し、該高周波電極に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体保持手段に保持された円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記原料ガスの排気孔を有する円筒状部材を該反応容器の中央領域に設置したことを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記円筒状部材の直径は、前記複数の円筒状基体が形成する内接円の直径の０．１倍〜０．８倍であることを特徴とする、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記円筒状部材の長さは、前記円筒状部材の軸方向における前記反応容器の長さの０．５倍〜０．９８倍であることを特徴とする、請求項１または２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記円筒状部材の前記排気孔は、パンチング加工により形成された形状もしくはスリット状であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記円筒状部材の前記排気孔は、前記円筒状部材の軸方向に不均一に分布していることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記円筒状部材の表面粗さは、ブラスト加工あるいは溶射加工によって調整されていることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記円筒状部材の表面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることを特徴とする、請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記円筒状部材の表面は、平均傾斜角（θａ）が９度以上２０度以下の範囲であることを特徴とする、請求項７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記円筒状部材の表面は、局部山頂の平均間隔（Ｓ）が３０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記高周波電力導入手段は、前記複数の円筒状基体の配置円と中心を同じくする同心円上に互いに等間隔で設置されている、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記高周波電力の周波数は、５０〜４５０ＭＨｚの範囲であることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記堆積膜は、シリコン原子を母材としたアモルファス材料であることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
電子写真感光体に用いられる堆積膜を形成することを特徴とする、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置を用いた堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基体上に堆積膜を形成する装置および方法に関する。とりわけ機能性膜、特に半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用いる堆積膜の形成装置および形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等の形成に用いる堆積膜形成方法として、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力によって生起されたプラズマを用いた方法が多数知られており、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
例えばプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波グロー放電により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は好適な堆積膜形成手段として実用化されており、例えば電子写真用の水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）堆積膜の形成等に利用され、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
特に、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ（以下、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する。）法が注目を浴びており、このＶＨＦ−ＰＣＶＤ法を用いた各種堆積膜の開発が積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では堆積膜の堆積速度が比較的速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。そして、複数のａ−Ｓｉ系電子写真用の光受容部材を同時に形成できて、生産性が高い堆積膜形成装置の開発が進められている。
【０００５】
例えば、カソード電極を反応容器の外側に複数配置し、カソード電極と対向電極間にある反応容器の一部を誘電体部材とすることで、大面積で均質な高周波放電が容易に達成され、大面積基体へのプラズマ処理を均一かつ高速に行うことが可能になる装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このような堆積膜形成装置として、図３に模式的な構成図を示す。図３（ａ）は概略断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。反応容器２０１は、２０１（ａ）と２０１（ｂ）とからなり、２０１（ａ）は誘電体部材で構成されており、反応容器２０１の下部には排気配管２０９が接続され、排気配管２０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続されている。反応容器２０１の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される複数の円筒状基体２０５が互いに平行になるように同一円周上に配置されている。複数の円筒状基体２０５は、基体加熱用ヒーター２０７を内蔵した基体支持体２０６によって各々保持されている。そして、反応容器２０１内にはＳｉＨ４、ＧｅＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３、Ａｒ、Ｈｅ等の、ガスボンベからなる不図示のガス供給装置に接続された原料ガス供給手段２１０があり、反応容器２０１の外には高周波電極２０２が設置されている。高周波電極２０２には、高周波電源２０３がマッチングボックス２０４と高周波電力分岐手段２１２を介して接続されている。さらに、円筒状基体２０５は各々の回転機構２０８によって、回転可能なようになっている。
【０００７】
また、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を同時に供給することにより、広い範囲において均一な真空処理特性を有する方法が示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−３１０１８１号公報
【特許文献２】
特開２００２−２４１９４４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の電子写真感光体形成方法および装置により、膜堆積速度の向上による基体処理時間の短縮、同時処理可能基体数の増加、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が達成され、生産コストの安い、ある程度実用的な特性と均一性を持つ電子写真感光体を得ることが可能になった。また、真空反応容器内の清掃を厳格に行えばある程度欠陥の少ない電子写真感光体を得ることは可能である。
【００１０】
しかしながら、これら堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【００１１】
すなわち、近年、急激に需要が広がっているカラー複写機においては、これまで以上に画像欠陥に対する要求が厳しい。例えば電子写真用感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品においても、その感光体の製造工程で発生する堆積膜の異常成長は画像欠陥に直結するため、極力なくすことが求められている。したがって、均一膜質で光学的および電気的諸特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスによる画像形成時に欠陥の少ない堆積膜を高収率で得るのは難しいという解決すべき問題が残存している。
【００１２】
上記の感光体の製造工程で発生する堆積膜の異常成長とは次のようなものである。
【００１３】
ａ−Ｓｉ膜は、基体表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」が成長してしまうという性質を持っている。球状突起は、ダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って基体側に抜けてしまうという性質を持っている。このため、球状突起のある部分は、画像上ではベタ黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はベタ白画像に黒い点となって現れる）。この、いわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥に対する規格は年々厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機に搭載される場合にはさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【００１４】
この球状突起は、ダストを起点としているため、使用する基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。このようにして、成膜開始前に基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。しかし、球状突起の発生原因は基体上に付着したダストのみではない。すなわち、ａ−Ｓｉ感光体を製造する場合、要求される膜厚が数μｍから数１０μｍと非常に厚いため、成膜時間は数時間から数十時間に及ぶ。この間に、ａ−Ｓｉ膜は基体のみではなく、成膜炉壁や成膜炉内の構造物にも堆積する。これらの炉壁、構造物は基体のように管理された表面を有していないため、場合によっては密着力が弱く、長時間にわたる成膜中に膜剥がれを起こす場合があった。成膜中に僅かでも剥がれが発生すると、それがダストとなり、堆積中の感光体表面に付着し、これが起点となって球状突起が発生してしまう。したがって、高い歩留まりを維持していくためには、成膜前の基体の管理のみならず、成膜中における成膜炉内の膜剥がれの防止についても慎重な管理が必要とされ、ａ−Ｓｉ感光体の製造を難しいものにしていた。
【００１５】
画像欠陥以外にも画質に対する要求も高まっている。
【００１６】
特にデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁になされるため、ハーフトーンを含む原稿が多くコピーされるようになり、画像濃度むら、光メモリー等も画像欠陥と同様視覚的にも明らかになる。したがって、画像濃度むらの低減、光メモリーの低減等の感光体特性の向上も従来以上に強く求められるようになっている。このような感光体特性の向上目指し、堆積膜形成条件、堆積膜積層構成の最適化もなされているが、同時に、堆積膜形成装置、堆積膜形成方法の面での改善も強く望まれている。
【００１７】
このような状況下において、前述従来の堆積膜形成装置、堆積膜形成方法においても、画像欠陥の低減、堆積膜特性の向上に関して、まだ改善の余地が残されているのが現状である。
【００１８】
また、形成される堆積膜特性の均一性・再現性という点においても改善の余地が残されている。堆積膜特性の均一性・再現性が不十分であると、堆積膜特性はばらつき、製品品質の低下、良品率の低下につながってしまう。特に、複数の堆積膜の積層構成よりなる部材形成の場合、この特性のばらつきにより、ある層の膜特性が低下すると、他の層とのマッチングも悪化するため部材全体として大きく影響を受けることとなってしまう。また、電子写真感光体のような大面積の部材においては、局所的な膜質低下であっても、その部分のみを除去することができないため、その影響は大きい。このように、堆積膜特性の均一性・再現性を向上させ、堆積膜特性のばらつきを抑制することは、堆積膜全体としての特性向上、堆積膜形成コストの低下に大きく貢献するものである。
【００１９】
そこで本発明は上記課題の解決を目的とするものである。すなわち、本発明の目的は、減圧可能な反応容器中に複数の円筒状基体を設置し、該反応容器中に供給した原料ガスを高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜の形成において、良好な膜特性を維持しながら、生産性の向上、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が可能な堆積膜形成装置、堆積膜形成方法を提供することにある。
【００２０】
本発明の目的は、上述のごとき従来の電子写真感光体における諸問題を、電気的特性を犠牲にすることなく克服して、安価に安定して歩留まり良く製造し得る、画像欠陥が少なく高画質の使いやすい電子写真感光体の製造を可能にする堆積膜形成装置、および堆積膜形成方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、まず、堆積膜形成装置・堆積膜形成方法において、少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器内に円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、高周波電力を該反応容器外から導入する場合、円筒状基体で囲まれた空間の形状を工夫することにより複数の基体上に、良好な特性を有する堆積膜を均一に、再現性良く、形成可能であることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
【００２２】
すなわち、本発明の堆積膜形成装置は、少なくとも一部が誘電体部材で構成され、減圧可能な空間を形成する反応容器と、該反応容器内に配置された、複数の円筒状基体保持手段および原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電極を有し、該高周波電極に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体保持手段に保持された円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、原料ガスの排気孔を有する円筒状部材を該反応容器の中央領域に設置したことをを特徴とする。
【００２３】
このような本発明によれば、複数の基体上に、欠陥が少なく、良好な特性を有する堆積膜を均一に、再現性良く、形成することが可能である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
このような効果が得られる本発明について、以下、詳述する。
【００２５】
本発明者らは、複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、高周波電力導入手段を反応容器の外部に配置した堆積膜形成装置において、堆積膜の密着性を向上させてダストの発生を低減する方法を検討していたとき、円筒状基体の周りの構成が非対称となっていることに気がついた。この非対称性は、大雑把に言って、円筒状基体の配置円の内側と外側に分けて考えることができるが、これがどのような影響を及ぼしているかを確認した。
【００２６】
すなわち、通常の成膜工程においては、堆積膜がその周方向に均一に堆積するように回転させている円筒状基体を静止状態にして堆積膜を形成し、円筒状基体の周方向の球状突起分布を調べた。すると、球状突起数は周方向に均等に発生しているのではなく、円筒状基体の配置円の内側に多く発生していることが判明した。つまり、このような形態の堆積膜形成装置において、球状突起を改善しカラー複写機での使用にも耐えるレベルまで画像欠陥を低減するためには、主に、この内部側の球状突起の数を低減する必要があることが確認された。
【００２７】
円筒状基体の配置円の内側で球状突起が多い理由の詳細は現在、不明だが、堆積膜形成装置の構造を見たとき、円筒状基体が並んだ円周の外側は堆積膜形成装置の炉壁が面しているのに対して内側には炉壁はない。このような空間の形状の違いが付着した堆積膜の膜応力の差を発生させ、密着性に影響を与えているのだろうと想像している。
【００２８】
これに対して、本発明による、円筒状部材を複数の円筒状基体の内部空間に設置した堆積膜形成装置で製造された円筒状基体の、周方向の球状突起数分布を調べたところ、内側で球状突起の発生率が低減しており、周方向で球状突起分布はほぼ均等になっていることが判明した。これは、複数の円筒状基体の内部空間に設置した円筒状部材が内部側の炉壁に相当する機能を持ち、擬似的ながら内部と外部の構造が対称になったためではないかと考えている。
【００２９】
円筒状部材は、炉壁と同様の誘電体材料にした場合、炉壁と円筒状基体との間の距離と、円筒状基体と円筒状部材との間の距離とをほぼ等しくしたときに球状突起の低減効果が最も現れた。しかし、このときの副作用として、円筒状部材にも堆積膜が付着するため、円筒状基体に堆積する膜の堆積速度が若干低下してしまう現象が現れた。そこで、本発明者らは球状突起改善効果と堆積速度の維持が両立する構成について鋭意検討した。
【００３０】
その結果、円筒状部材の材質を誘電体材料から導電性材料（例えば金属）に変更し、かつ、接地することにより、球状突起低減効果を維持しながら円筒状部材の外径を小さくすることが可能であることが判明した。一方、堆積速度は円筒状部材の外径を小さくすることで大幅に向上することが確認された。
【００３１】
さらに本発明者らは、さらなる堆積膜の特性の均一化および再現性に関して検討していたとき、前述の円筒状部材表面に原料ガスの排気孔を設けることにより、円筒状基体の軸方向での特性のばらつきが改善されることを偶然に見出した。そのメカニズムについてはあくまで推測ではあるが、本発明者らは以下のように考察している。
【００３２】
軸方向での堆積膜の特性のばらつきは、プラズマの定在波の形と対応していることがすでに解っており、円筒状部材の表面の形状により定在波の形が変化すると考えている。すなわち、円筒状部材の排気孔の凹凸により、定在波のピークの大きさが緩和され、堆積膜の特性むらが改善されたと推測している。
【００３３】
さらに、円筒状基体の配置円の概略中央に向かって原料ガスの流れが生じることと、円筒状部材が高周波電極のアノードとして作用することで、円筒状基体の配置円内のプラズマ密度が上昇しプラズマ自体を安定にさせる働きもあると推測している。このことにより、成膜ロット間の特性のばらつきおよびロット内での特性のばらつき等も同時に改善されるという予期せぬ効果も得られていると推測している。
【００３４】
本発明は、以上の経緯によって完成されたものである。
【００３５】
上記本発明において、堆積速度を低下させずに、かつ、堆積膜の特性むらおよびばらつき、球状突起改善効果を維持するためには、円筒状部材をある特定の範囲の外径にする必要があった。
【００３６】
すなわち、円筒状部材の外径を、複数の円筒状基体に囲まれた空間に内接する内接円の直径（すなわち複数の円筒状基体の中心軸を結ぶ円の直径から円筒状基体の直径を引いた値）に対して０．１倍〜０．８倍、さらに好ましくは０．１倍〜０．５倍とするときに限って、球状突起改善効果と堆積速度維持が両立することが判明した。
【００３７】
また、円筒状部材の長さは、長すぎると、先端で異常放電が発生しやすくなり、また、短すぎると本発明の効果が得られなくなるため、重要なパラメーターである。本発明においては、配置された円筒状部材の軸方向における前記反応容器の長さに対して、０．５倍〜０．９８倍が本発明の効果を得るために最適であった。
【００３８】
円筒状部材の材質は、導電性材料なら何でも使用できるが、アルミニウム、鉄、ステンレス、金、銀、銅、ニッケル、クロムなどの金属材料が排気孔の加工などの利便性の点で好ましい。
【００３９】
円筒状部材に形成される排気孔は、円筒状部材内部にプラズマが回りこまずかつ充分に原料ガスが排気でき所望の圧力に制御可能であれば形態は特に制限されない。通常、丸孔や角孔など、パンチング加工によって形成された形状が好ましい。また、スリット状の長孔としてもよく、その端部の形状は円形であっても方形であってもよい。
【００４０】
排気孔は、円筒状部材全面に均一に配置されていることが原料ガスの排気の流れから好ましいと考えられるが、定在波のピーク大きさの制御の観点から、発信される周波数によって適宜決定することがより好ましい。
【００４１】
円筒状部材の表面は、膜の密着性を向上し、膜剥がれを防止し、成膜中のダストを抑制する目的から、表面状態を制御することが好ましい。例えば、表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。これは、Ｒａを１μｍ以上とすることでａ−Ｓｉ堆積膜との接触面積が増加し、密着性に良好な影響を及ぼすからである。一方、Ｒａが大き過ぎると逆にダストを取り込みやすくなり、これが吐き出された際に球状突起の核になってしまうことがある。よって、Ｒａは１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
さらに、円筒状部材の表面は、Ｒａを上記の範囲内にして平均傾斜角（θａ）が９度以上２０度以下の範囲にした場合、あるいは、Ｒａを上記の範囲内にして局部山頂の平均間隔（Ｓ）が３０μｍ以上１００μｍ以下の範囲にした場合に本発明の効果がより顕著になり、Ｒａを上記の範囲内にしてθａ、かつ、Ｓを上記の範囲内にすると特に本発明の効果が顕著になることが本発明者の実験によって明らかとなった。これは、Ｒａに加えてθａ、Ｓを一定の範囲にすることで部材と堆積膜との接触面積をより最適な範囲にでき、部材に堆積する膜の応力が緩和されやすい状態になって密着性が増したためであると考えている。
【００４２】
なお、本発明で用いた表面粗さの測定はＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に基づき、Ｓｕｒｆｔｅｓｔ  ＳＪ−４００（株式会社ミツトヨ製）を用い、カットオフ０．８ｍｍ、基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍとして測定を行った。なお、「平均傾斜角（θａ）」とは、図５に示すように測定曲線の局部傾斜の絶対値を合計し、平均した値（Δａ）の逆正接（θａ＝ｔａｎ−１Δａ）で表される。
【００４３】
また、表面を荒らす場合には、ブラスト加工を行ったり、溶射材で被覆すれば良い。ブラスト加工や溶射は、コスト面から、あるいは表面粗さの制御性の高さや、コーティング対象物の大きさ・形状の制限を受けにくいため好ましい。
【００４４】
溶射の具体的手段に特に制限はないが、例えばプラズマ溶射、減圧プラズマ溶射、高速フレーム溶射、低温溶射などのコーティング法により表面をコーティングしてもよい。具体的な溶射材料としては、アルミニウム、ステンレス、鉄、ニッケル、二酸化チタン等が挙げられる。円筒状部材の表面を被覆する溶射材の厚さは特に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、また、製造コストの面から１μｍ〜１ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５００μｍがより好ましい。
【００４５】
本発明の堆積膜形成装置では、円筒状部材は接地していることがより効果的である。接地していることによって、高周波電力導入手段に対して擬似的な対向電極的な作用をしているものと推測される。逆に、円筒状部材は、接地しているだけで充分に本発明の効果を得ることができるため、例えば円筒状部材用に別の高周波電源を用意したり、１台の高周波電源から高周波電力導入手段と円筒状部材に出力を分岐して整合を取る、といったコストや手間が一切掛からないため、堆積膜形成装置自体のコストを低減することができ、ひいては電子写真感光体の製造コスト低減にも結びつくことになる。
【００４６】
本発明においては高周波電力の周波数が５０〜４５０ＭＨｚの範囲において、堆積膜の特性むらの制御および画像欠陥の低減効果が特に高くなる。
【００４７】
これは、５０ＭＨｚよりも低い周波数領域においては、プラズマが安定して生成可能な圧力が急激に高まることに起因していると思われる。本発明者らの検討によれば、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの場合には、プラズマが安定して生成可能な圧力は、周波数が５０ＭＨｚ以上の場合と比べ約１桁から半桁高いことが確認されている。このような高い圧力においては、成膜空間中においてポリシラン等のパーティクルが生じ易く、このパーティクルが堆積膜中に取り込まれると球状突起を発生させやすくなる。本発明において、高周波電力の周波数を５０ＭＨｚ以上とすることにより、プラズマ生成圧力を充分低くすることができるため、パーティクルの発生確率は激減し、円筒状基体全周にわたって良好な堆積膜が形成されるものと考えられる。
【００４８】
一方、４５０ＭＨｚよりも高い周波数領域においては、堆積膜の特性むら改善効果が現れにくい。理由は定かではないが、定在波の形状に起因していると推測される。そのため、本発明の定在波の緩和作用が効きにくい場合があると推測される。また、このような膜特性の均一性に差ができると、同時に膜の応力にも差が生じ、その境界付近で膜剥がれが生じやすくなる。このため、画像欠陥が悪化しやすい。また、周波数が４５０ＭＨｚよりも高い周波数領域においては、電力導入手段近傍での電力の吸収が大きく、ここで電子の生成が最も頻繁になされるため、プラズマ不均一を生じ易く、堆積膜の特性むらにつながりやすい。４５０ＭＨｚ以下の周波数においては、電力導入手段近傍での極端な電力吸収が生じにくいため、プラズマ均一性、さらには膜特性の均一性が高くなる。
【００４９】
このような効果が得られる本発明の実施の形態を以下に図を用いて詳述する。
【００５０】
図１は、本発明のａ−Ｓｉ系感光体堆積膜製造装置の一例を示した模式的構成図である。図１は概略縦断面図、図２は図１の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図である。
【００５１】
図１に示す堆積膜製造装置は、少なくとも一部が非導電性材料で構成された円筒状壁１０２により円柱状領域に、原料ガスが分解される成膜空間を制限し、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体１０１配置円の中心を通る構成となっている。さらに、円筒状基体１０１の配置円外に設置された高周波電力導入手段１１４を円柱状壁１０２外部に位置させることにより、原料ガスの利用効率が向上し、同時に、形成される堆積膜中の欠陥が抑制可能となる。図１において、１０２は円筒状壁であり、少なくとも一部が非導電性材料で構成されている。具体的な非導電性材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライド酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、高周波電力の吸収が少ないという点から、特にアルミナが好適である。
【００５２】
円筒状基体１０１の配置円概略中央には、本発明の構成要素の一例として形成された円筒状部材１２０が設置されており、その表面に排気孔が形成され、成膜空間はその排気孔を介して排気装置１０５に接続されている。
【００５３】
堆積膜の形成される円筒状基体１０１は、同一円周上に等間隔で互いに平行に配置されている。基体１０１は回転軸１０３によって保持され、モーター１１６を駆動すると、減速ギアを介して回転軸１０３が回転し、円筒状基体１０１はその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっている。また、円筒状基体１０１は発熱体１０３（回転軸と兼用）によって加熱可能となっている。
【００５４】
同一円周上に配置された円筒状基体１０１の配置円外には、高周波電力導入手段１１４が設置され、高周波電源１１３から出力された高周波電力は、マッチングボックス１１５を経て、高周波電力導入手段１１４から成膜空間となる反応容器１０２内に供給される。
【００５５】
反応容器１０２内には原料ガス供給手段１１７が設置され、所望の原料ガスを反応容器１０２中に供給する。原料ガス供給手段１１７の数、設置位置は特に制限はなく、円筒状基体配置円内あるいは円筒状基体配置円外に設置される。
【００５６】
本発明において、同一円周上に配置される円筒状基体１０１の数には特に制限はないが、一般的に、円筒状基体１０５の数を多くするに伴って、装置の大型化および必要とする高周波電源容量の増大をもたらすため、これらの点を考慮して適宜決定される。
【００５７】
このような堆積膜形成装置を用いて、例えば図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、種々のａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を形成することができる。
【００５８】
図６（ａ）に示す電子写真用感光体４００は、支持体４０１の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）を有する光導電性を有する光導電層４０２が設けられている。
【００５９】
図６（ｂ）に示す電子写真用感光体４００は、支持体４０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層４０２と、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層４０３が設けられて構成されている。
【００６０】
図６（ｃ）に示す電子写真用感光体４００は、支持体４０１の上に、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層４０４と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層４０２と、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層４０３が設けられて構成されている。
【００６１】
図６（ｄ）に示す電子写真用感光体４００は、支持体４０１の上に、光導電層４０２が設けられている。この光導電層４０２は、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層４０５および電荷輸送層４０６とからなり、その上にはアモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層４０３が設けられている。
【００６２】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。
【００６３】
（実施例１）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表１に示す条件で、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本実施例では、高周波電源１１３−１のみから高周波電力を発信し、電力発信周波数を１００ＭＨｚとした。
【００６４】
本実施例において、円筒状部材は、直径１００ｍｍ、肉厚３ｍｍ、高さ４７０ｍｍの円筒状Ａｌ製部材（パイプ）の片端を閉塞した筒状部材の側面にφ３ｍｍの開口部（排気孔）を４ｍｍピッチで均一に全面開口したものを用いた。図７にその概略図を示す。
【００６５】
円筒状部材の表面は、ブラスト加工により、Ｒａ＝０．５μｍ、θａ＝８度、Ｓ＝１５０μｍとした。
【００６６】
【表１】
2005015880.tif 000003
【００６７】
図１において、原料ガスが分解される成膜空間は、円筒状壁１０２により、円筒状基体１０１を内包する円柱状領域に制限されている。その円柱状領域は、中心軸が円筒状基体配置円の中心を通っている。円筒状壁１０２は内径４００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、高さ５００ｍｍのアルミナ製円筒によりなっている。円筒状壁１０２の内面は、ブラスト加工により表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【００６８】
高周波電力導入手段１１４は、直径２０ｍｍ、長さ４７０ｍｍのＳＵＳ製円柱であり、円筒状壁１０２の外部に設置され、同一円周上に等間隔で６本、円筒状壁１０２の外面から３０ｍｍの間隔を隔てて設置されている。
【００６９】
図中１００は円筒状壁１０２の外部に設置された高周波電力導入手段１１４のシールド手段である。
【００７０】
原料ガス供給手段１１７は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製パイプで、端部が封止された構造であり、パイプ上に設けられた直径１．２ｍｍのガス噴出口から原料ガスが供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１７の設置位置は円筒状基体配置円内とし、円筒状基体１０１の配置円と中心を同じくする同一円周上に等間隔で６本配置した。原料ガス供給手段１１７の表面は、ブラスト加工により表面粗さを２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【００７１】
感光体製造手順は概略以下の通りとした。
【００７２】
まず、基体ホルダー１０１−Ａに保持された円筒状基体１０１を、反応容器１０２内の回転軸１０３上に設置した。その後、排気装置１０５により反応容器１０２内の概略中央に設けられた円筒状部材１２０の排気孔を通して反応容器１０２内を排気した。続いて、回転軸１０３を介して円筒状基体１０１をモーター１１６により１０ｒｐｍの速度で回転させ、さらに原料ガス供給手段１１７から反応容器１０２中に５００ｓｃｃｍのＡｒを供給しながら発熱体１０３（回転軸と兼用）により円筒状基体１０１を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【００７３】
次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器１０２を排気装置１０５により円筒状部材１２０の排気孔を通して排気した後、原料ガス供給手段１１７を介して、表１に示す電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１１３の出力値を表１に示す電力に設定し、マッチングボックス１１５を介して高周波電力導入手段１１４へ高周波電力を供給した。高周波電力導入手段１１４から反応容器１０２内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励起・解離することにより、円筒状基体１０１上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷注入阻止層の形成を終えた。同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電層、表面層を順次形成した。
【００７４】
（比較例１）
図３に示す従来の堆積膜形成装置を用い、表１に示した条件で実施例１と同様に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本比較例においても、高周波電源２０３から発信される周波数は１００ＭＨｚとした。
【００７５】
（評価）
このようにして製造されたａ−Ｓｉ感光体を、本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ５０００に設置し、感光体の特性評価を行なった。評価項目は「球状突起数」、「画像欠陥」、「画像濃度むら」、および「特性ばらつき」の４項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行ない、結果を表２に示す。表２に示すように、評価結果は、全項目とも実施例１と比較例１の間で明らかに差が認められた。
【００７６】
（球状突起数）
得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察した。そして、２０μｍ以上の大きさの球状突起の数を数え、１０ｃｍ２当たりの個数を調べた。
【００７７】
得られた結果は、比較例１での値を基準として、球状突起の減少率でランク付けを行った。
【００７８】
◎    …    ８０％以上の減少
○    …    ４０％以上８０％未満の減少
△    …    ０％以上４０％未満の減少
×    …    増加
（画像欠陥）
キヤノン製の複写機ｉＲ５０００に、製造した電子写真用感光体を設置し、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）光量４ｌｘ・Ｓ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にてベタ黒画像（画像密度１００％）において得られた画像を観察し、Ａ３サイズの黒原稿を複写した。こうして得られた画像を観察し、直径０．３ｍｍ以上の球状突起に起因する白ポチの個数を数えた。
【００７９】
得られた結果は、比較例１での値を基準として、画像欠陥の減少率でランク付けを行った。
【００８０】
◎    …    ８０％以上の減少
○    …    ４０％以上８０％未満の減少
△    …    ０％以上４０％未満の減少
×    …    増加
（画像濃度むら）
まず、現像器位置での暗部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した。次いで、キャノン製中間調チャート（部品号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値と最低値の差により評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。したがって、数値が小さいほど良好である。
【００８１】
（特性ばらつき）
上記「画像濃度むら」および下記３項目の合計４項目において、各々の評価における全感光体の評価結果の最大値と最小値を求め、次いで（最大値）／（最小値）の値を求めた。４項目のうち、この値が最大のものを特性ばらつきの値とした。
【００８２】
帯電能：複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域にわたって行ない、その中の最低暗部電位により評価した。評価結果は全感光体の帯電能から最大値と最小値を求め、次いで（最大値）／（最小値）の値を求めた。
【００８３】
感度：現像器位置での暗部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した際の像露光光量により評価する。したがって、像露光光量が少ないほど感度が良好であることを示す。感度測定は感光体母線方向全領域にわたって行ない、その中の最大像露光光量により評価した。評価結果は全感光体の感度から最大値と最小値を求め、次いで（最大値）／（最小値）の値を求めた。
【００８４】
光メモリー：現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定することにより行った。光メモリーの測定は、感光体母線方向全領域にわたって行ない、その中の最大反射濃度差により評価した。評価結果は全感光体の最大反射濃度差の最大値と最小値を求め、次いで（最大値）／（最小値）の値を求めた。
【００８５】
画像濃度むら、および各項目の特性ばらつき（帯電能、感度、光メモリー）の評価結果は、比較例１の評価結果を基準とし、各項目の改善度合いにより判定を行った。
【００８６】
◎      …  ４０％以上の良化
◎〜○  …  ３０％以上４０％未満の良化
○      …  ２０％以上３０％未満の良化
○〜△  …  １０％以上２０％未満の良化
△      …  ０％以上１０％未満の良化
×      …  悪化
【００８７】
【表２】
2005015880.tif 000004
【００８８】
（実施例２）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表３に示す条件で、実施例１と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本実施例では、高周波電源１１３−１の発信周波数を１００ＭＨｚとし、高周波電源１１３−２の発信周波数を５０ＭＨｚとした。なお、高周波電源１１３−１および１１３−２の出力は全出力のそれぞれ５０％とした。
【００８９】
本実施例の円筒状部材は、実施例１と同等のものを使用した。
【００９０】
【表３】
2005015880.tif 000005
【００９１】
（比較例２）
本比較例では、従来の堆積膜形成装置（図３参照）の電源入力手段を改造し、図４に示すような、２つの高周波電源２０３−１，２０３−２とそれぞれに対応したマッチングボックス２０４−１、２０４−２を備える装置を用い、実施例２と同様に感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本比較例においても、実施例２と同様に高周波電源２０３ａの発信周波数を１００ＭＨｚとし、高周波電源２０３−２の発信周波数を５０ＭＨｚとした。なお、高周波電源２０３−１および２０３−２の出力は全出力のそれぞれ５０％とした。
【００９２】
実施例および比較例で製造した感光体の評価は、実施例１および比較例１と同様の項目を同様の手法で行った。
【００９３】
球状突起数および画像欠陥においては比較例２を基準として判定し、画像濃度むら、および各項目の特性ばらつき（帯電能、感度、光メモリー）の評価結果は、比較例１を基準とし、各項目の改善度合いにより判定を行った。
評価結果は表４に示す。
【００９４】
【表４】
2005015880.tif 000006
【００９５】
（実施例３）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表３に示す条件で、実施例１と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。
【００９６】
本実施例では、円筒状部材はＮｉ製とし、その直径が円筒状基体に囲まれた領域、すなわち配置された円筒状基体に内接する円の直径の０．０５倍〜０．８５倍となるように変化させた。長さは、反応容器の高さの０．９倍とした。
【００９７】
円筒状部材の肉厚は３ｍｍ、片端は実施例１と同様に閉塞したものを使用し、円筒状部材の側面にφ３ｍｍの開口部（排気孔）を４ｍｍピッチで均一に全面開口したものを用いた。いずれの円筒状部材の表面も、ブラスト加工によりＲａ＝３．７μｍ、θａ＝１５度、Ｓ＝７８μｍとした。
【００９８】
（堆積速度）
成膜の終わった電子写真感光体のトータルの膜厚を渦電流式膜厚計（株式会社フィッシャーインストルメンツ製  ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ）で測定した。得られた膜厚をトータルの成膜時間で割ることにより堆積速度を評価した。評価は、比較例１の堆積速度を１００％としたときの相対値で表した。
【００９９】
実施例３の結果を表５に示す。表５から分かるように、円筒状部材の直径は複数の円筒状基体に囲まれた領域に対して０．１〜０．８倍としたときに特に球状突起数、画像欠陥に改善が見られることが分かる。また、円筒状部材の直径を小さくしていっても特性は良好なまま保たれ、かつ、堆積速度は速くなっていく。特に０．５倍以下の範囲では比較例１とほぼ同等の堆積速度が得られており、非常に良好である。
【０１００】
【表５】
2005015880.tif 000007
【０１０１】
（実施例４）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表３に示す条件で、実施例１と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。評価は実施例１と同様に行った。
【０１０２】
本実施例では、円筒状部材の材質はＡｌ製とし、その長さを、反応容器の高さの０．４５倍〜０．９９倍となるように変化させた。円筒状部材の肉厚は３ｍｍ、片端は実施例１と同様に閉塞したものを使用し、円筒状部材の側面にφ３ｍｍの開口部（排気孔）を４ｍｍピッチで均一に全面開口したものを用いた。直径は、円筒状基体に囲まれた領域の直径の０．８倍とし、いずれの円筒状部材の表面も、ブラスト加工により、Ｒａ＝０．５μｍ、θａ＝８度、Ｓ＝１５０μｍとした。
【０１０３】
実施例４の結果を表６に示す。表６の結果から分かるように、円筒状部材の長さを反応容器の高さの０．５〜０．９８倍にすることによって本発明の効果が顕著に現れることが分かる。０．９９倍にした場合に特性が若干悪くなっているのは、円筒状部材と反応炉上部の間に放電が集中したためと考えられる。
【０１０４】
【表６】
2005015880.tif 000008
【０１０５】
（実施例５）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表１に示す条件で、実施例１と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。
【０１０６】
本実施例では、高周波電源１１３の発振周波数を４５ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの単周波数、および重畳周波数とした。なお、重畳周波数の場合は、高周波電源１１３−１および１１３―２の出力は全出力のそれぞれ５０％とした。
【０１０７】
本実施例の円筒状部材は、実施例１と同等のものを使用した。
製造した感光体は、実施例１の評価と同様に行ない、評価結果は比較例１で製造した感光体の評価結果を基準とした。
【０１０８】
実施例５の結果を表７に示す。表７から分かるように、高周波電力の周波数を５０〜４５０ＭＨｚの範囲とすることによって、単周波数でも重畳でも、より顕著に本発明の効果が得られることが分かる。
【０１０９】
【表７】
2005015880.tif 000009
【０１１０】
（実施例６）
図１に示す堆積膜形成装置において、図５（ａ）〜（ｃ）に示した排気孔パターンの円筒状部材を用い、実施例１と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成し感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本実施例では、高周波電源１１３−１のみから高周波電力を発信し５０ＭＨｚ、１５０ＭＨｚ、３５０ＭＨｚの各周波数においてそれぞれ感光体を製造した。
【０１１１】
円筒状部材は、直径１００ｍｍ、肉厚３ｍｍ、高さ４７０ｍｍの円筒状Ａｌ製部材（パイプ）の片端を閉塞した筒状部材の側面にφ３ｍｍの開口部（排気孔）を４ｍｍピッチで開口したものを用いた。各円筒状部材の開口部の範囲は、図５に示したように、円筒状部材の全長の１／３とした。いずれの円筒状部材の表面も、ブラスト加工により、Ｒａ＝０．５μｍ、θａ＝８度、Ｓ＝１５０μｍとした。
【０１１２】
本実施例で製造した感光体の評価は、評価１と同様の項目を同様の手法で行った。各項目の評価結果は、比較例１で製造した感光体の評価結果を基準とし、各項目の改善度合いにより判定を行った。評価結果は表８に示す。
【０１１３】
表８に示すように、各項目共に良好な結果が得られている。また、画像濃度むらおよび特性のばらつきにおいては、発信周波数ごとに最適な排気孔の分布があることが認められる。
【０１１４】
【表８】
2005015880.tif 000010
【０１１５】
（実施例７）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表３に示す条件で、実施例２と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本実施例では、高周波電源１１３−１の発信周波数を１００ＭＨｚとし、高周波電源１１３−２の発信周波数を５０ＭＨｚとした。なお、高周波電源１１３−１および１１３−２の出力は全出力のそれぞれ５０％とした。
【０１１６】
本実施例の円筒状部材は、実施例１と同等のサイズものを使用し、円筒状部材の表面をブラスト加工により算術平均粗さＲａ、平均傾斜角θａ、局部山頂の平均間隔Ｓを様々に変化させた。
本実施例で製造した感光体の評価は、実施例１と同様の項目を同様の手法で行った。各項目の評価結果は、比較例２で製造した感光体の評価結果を基準とし、各項目の改善度合いにより判定を行った。
【０１１７】
実施例７の結果を表９に示す。表９の結果から分かるように、本発明においては、円筒状部材の表面粗さに関して、Ｒａを１〜２０μｍ、θａを９〜２０度、かつＳを３０〜１００μｍの範囲とすることによってより顕著に球状突起、画像欠陥低減効果が得られることが分かる。
【０１１８】
【表９】
2005015880.tif 000011
【０１１９】
（実施例８）  図１に示す堆積膜形成装置を用い、表３に示す条件で、実施例２と同様に直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー１０１上に電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した感光体を１０ロット分、合計６０本製造した。本実施例では、高周波電源１１３−１の発信周波数を１００ＭＨｚとし、高周波電源１１３−２の発信周波数を５０ＭＨｚとした。なお、高周波電源１１３−１および１１３−２の出力は全出力のそれぞれ５０％とした。
【０１２０】
本実施例の円筒状部材は、実施例１と同等のサイズものを使用し、円筒状部材の表面をアルミニウム材、ニッケル材、ステンレス材、二酸化チタン材の４種類の材料を用いた溶射により、算術平均粗さＲａ、平均傾斜角θａ、局部山頂の平均間隔Ｓをそれぞれの材料ごとに実施例７と同様に変化させた。
【０１２１】
本実施例で製造した感光体の評価は、実施例１と同様の項目を同様の手法で行った。
【０１２２】
得られた電子写真感光体を実施例７と同様に評価を行ったところ、アルミニウム材、ニッケル材、ステンレス材、二酸化チタン材、いずれの材料においても表９と全く同様の結果が得られた。このことから、円筒状部材の表面を荒らす手法は溶射であっても好適に用いられることが判明した。
【０１２３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、円筒状基体を同一円周上に互いに等間隔で配置し、高周波電力を該円筒状基体の配置円外から導入することで、複数の基体上に、良好な特性を有する堆積膜形成装置・方法において、配置円上に配置された基体の内部に、少なくとも一部に原料ガスの排気孔を有する円筒状部材を設置することによって、球状突起の発生を大幅に減らし、画像むらや電気的特性のばらつきを改善することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成図である。
【図２】図１に示す堆積膜形成装置のＡ−Ａ’切断線における断面図である。
【図３】従来の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成図である。
【図４】従来の堆積膜形成装置を改造して用意された、比較例を製造するための堆積膜形成装置を示す模式的な構成図である。
【図５】本発明の一例による円筒状部材の排気孔の分布を示す模式的な構成図である。
【図６】本発明により形成可能な電子写真用光受容部材の層構成の一例を示した図である。
【図７】本発明の円筒状部材の一例を示した概略図である。
【符号の説明】
１０１  円筒状基体
１０２  反応容器
１０１―Ａ  基体ホルダー
１０３  回転軸
１０５  排気装置（手段）
１１３  高周波電源
１１４  高周波電力導入手段
１１５  マッチングボックス
１１６  モーター
１１７  原料ガス供給手段
１２０  円筒状部材
２０１  反応容器
２０１（ａ）  誘電体部材
２０２（ｂ）  上蓋
２０３  高周波電源
２０４  マッチングボックス
２０５  円筒状基体
２０６  基体支持体
２０７  基体加熱用ヒーター
２０８  回転機構
２０９  排気配管
２１０  ガス供給手段
４００  電子写真用感光体
４０１  支持体
４０２  光導電層
４０３  表面層
４０４  電荷注入阻止層
４０５  電荷発生層
４０６  電荷輸送層
【図１】
2005015880.tif 000012
【図２】
2005015880.tif 000013
【図３】
2005015880.tif 000014
【図４】
2005015880.tif 000015
【図５】
2005015880.tif 000016
【図６】
2005015880.tif 000017
【図７】
2005015880.tif 000018