(57)【要約】【課題】  装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作を正確に行うことができる放射線撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】  欠損画素検出部は、検出された放射線に基づく画素について欠損画素を検出する。この検出の際には、キャリブレーション部に関する校正情報（キャリブレーション後の画素）を用いて行う。したがって、キャリブレーション部によるキャリブレーション（校正）のタイミングに合わせて欠損画素の検出および補間を同時に行うことができる。欠損画素の検出および補間を行う期間よりも短い所定期間（例えば１日）でキャリブレーション部によるキャリブレーションが行われるので、欠損画素の検出および補間についても従来よりも短い期間で行われる。その結果、装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作（欠損登録）を正確に行うことができる。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体を透過した放射線を検出する放射線検出手段と、検出された放射線に基づく画素について欠損画素を検出する欠損画素検出手段と、欠損画素検出手段で検出された欠損画素の補間を行う欠損画素補間手段とを備え、検出された放射線に基づいて、欠損画素補間手段で欠損画素の補間を行って画像処理を行うことで、被検体の撮像を行う放射線撮像装置であって、放射線検出手段を構成する各々の検出素子ごとに校正を行う画素校正手段を備え、画素校正手段に関する校正情報を用いて前記欠損画素検出手段は欠損画素を検出することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線撮像装置において、放射線照射状態、その放射線照射前の非照射状態、放射線照射直後の非照射状態の各状態でそれぞれ得られた画素校正手段による校正後の各校正情報を組み合わせて用いて、前記欠損画素検出手段は欠損画素を検出することを特徴とする放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野や、非破壊検査，ＲＩ（Radio isotope）検査，および光学検査などの工業分野や、原子力分野などに用いられる放射線撮像装置に係り、特に、欠損画素を検出する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線を例に採ると、放射線撮像装置において画像処理は、フラットパネル型放射線検出器（ＦＰＤ）などに代表される放射線検出手段で検出された放射線に基づいて行われる。上述したＦＰＤは、感応膜が基板上に積層されて構成されており、その感応膜に入射した放射線を検出して、検出された放射線を電荷に変換して、２次元アレイ状に配置されたキャパシタに電荷を蓄積する。蓄積された電荷はスイッチング素子をＯＮすることで読み出されて、電気信号として画像処理部に送り込まれて画像処理が行われる。したがって、キャパシタやスイッチング素子を構成する検出素子ごとに蓄積される電荷の量にバラツキがあり、それによって検出素子ごとの電気信号に基づく画素についてもバラツキがある。
【０００３】
特に、検出素子として機能しない場合には、画素の値が極端に大きくなって画像上で白く浮き出る、あるいは画素の値が極端に小さくなって画像上で黒くなる。検出素子の感度が高い場合には、放射線が入射していない状態でも暗電流が発生して画素の値が大きくなる。逆に、検出素子の感度が低い、あるいは検出素子にゴミなどが付着した場合には、画素の値が小さくなる。このような画素は『欠損画素』と呼ばれている。
【０００４】
欠損画素を補間する手法として、欠損画素に隣接する複数個の画素から中央値の画素で欠損画素を置換するメディアンフィルタ処理や、隣接する画素に基づいて画素を補間する補間処理などがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。また、欠損画素を検出して補間する一連の操作（この操作を、以下、『欠損登録』とも呼ぶ）は、所定の期間（例えば１ヵ月）ごとに行われる。
【特許文献１】特開２０００−２８４０５９号公報（第２−４頁、図２−４）
【特許文献２】特開２０００−１３５２１０号公報（第４−９頁、図３，４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した所定の期間中においても欠損画素の数が増減しており、欠損登録が正確に行われずに画像処理がされる場合がある。そこで、所定期間よりも短い期間（例えば１日）ごとに欠損登録を行うことで、欠損登録を正確に行うことも考えられるが、短い期間で欠損登録を行うこと自体が装置の運用上難しい。
【０００６】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作を正確に行うことができる放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
【０００８】
すなわち、欠損登録よりも短い期間で日常的に行われている画素のデータを用いることに着目してみた。欠損登録よりも短い期間（例えば１日）で行われているものにキャリブレーション（校正）がある。
【０００９】
上述した検出素子ごとの画素のバラツキを低減させるのに、欠損登録以外にはキャリブレーションがある。キャリブレーションは、バラツキをなくすために、例えば検出素子ごとの増幅器（アンプ）のゲインをそれぞれ調節して出力側をそろえるものである。そこで、例えばキャリブレーションを行った画素のデータを用いて欠損画素を検出することで、キャリブレーションごとの短い期間で欠損登録を行うという知見を得た。
【００１０】
このような知見に基づくこの発明は、次のような構成をとる。
【００１１】
すなわち、請求項1に記載の発明は、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出手段と、検出された放射線に基づく画素について欠損画素を検出する欠損画素検出手段と、欠損画素検出手段で検出された欠損画素の補間を行う欠損画素補間手段とを備え、検出された放射線に基づいて、欠損画素補間手段で欠損画素の補間を行って画像処理を行うことで、被検体の撮像を行う放射線撮像装置であって、放射線検出手段を構成する各々の検出素子ごとに校正を行う画素校正手段を備え、画素校正手段に関する校正情報を用いて前記欠損画素検出手段は欠損画素を検出することを特徴とするものである。
【００１２】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、欠損画素検出手段は、検出された放射線に基づく画素について欠損画素を検出する。この検出の際には、画素校正手段に関する校正情報を用いて行う。したがって、画素校正手段による校正のタイミングに合わせて欠損画素の検出および補間を同時に行うことができる。欠損画素の検出および補間を行う期間よりも短い所定期間で画素校正手段による校正が行われるので、欠損画素の検出および補間についても従来よりも短い期間で行われる。その結果、装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作（欠損登録）を正確に行うことができる。
【００１３】
ここで、画素校正手段に関する校正情報は、校正が行われた画素であってもよいし、検出素子ごとの増幅器のゲインであってもよい。
【００１４】
上述した発明において、放射線照射状態、その放射線照射前の非照射状態、放射線照射直後の非照射状態の各状態でそれぞれ得られた画素校正手段による校正後の各校正情報を組み合わせて用いて、欠損画素検出手段は欠損画素を検出するのが好ましい（請求項２に記載の発明）。各状態の校正情報を組み合わせて用いることで、上述した一連の操作をより一層正確に行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に係る放射線撮像装置によれば、欠損画素の検出の際には、画素校正手段で校正を行った画素を用いて行うので、画素校正手段による校正のタイミングに合わせて欠損画素の検出および補間を同時に行うことができる。その結果、装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作（欠損登録）を正確に行うことができる。
【実施例】
【００１６】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
【００１７】
図１は、実施例に係るＸ線診断装置のブロック図であり、図２は、Ｘ線診断装置に用いられている画像処理部の具体的構成を示したブロック図であり、図３は、Ｘ線診断装置に用いられる側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図４は、平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。本実施例では、放射線検出手段としてフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」という）を例に採るとともに、放射線撮像装置としてＸ線診断装置を例に採って説明する。
【００１８】
本実施例に係るＸ線診断装置は、図１に示すように、被検体Ｍを載置する天板１と、その被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管２と、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＦＰＤ３とを備えている。ＦＰＤ３は、放射線検出手段に相当する。
【００１９】
Ｘ線診断装置は、他に、天板１の昇降および水平移動を制御する天板制御部４や、ＦＰＤ３の走査を制御するＦＰＤ制御部５や、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部６を有するＸ線管制御部７や、ＦＰＤ３から電荷信号であるＸ線検出信号についてキャリブレーションを行うキャリブレーション部８や、キャリブレーションされたＸ線検出信号をディジタル化して取り出すＡ／Ｄ変換器９や、Ａ／Ｄ変換器９から出力されたＸ線検出信号に基づいて種々の処理を行う他に後述する欠損画素の検出・補間といった欠損登録を行う画像処理部１０や、これらの各構成部を統括するコントローラ１１や、処理された画像などを記憶するメモリ部１２や、オペレータが入力設定を行う入力部１３や、処理された画像などを表示するモニタ１４などを備えている。キャリブレーション部８は、この発明における画素校正手段に相当する。
【００２０】
天板制御部４は、天板１を水平移動させて被検体Ｍを撮像位置にまで収容したり、昇降よび水平移動させて被検体Ｍを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部６は、Ｘ線を照射させるための管電圧や管電流を発生してＸ線管２に与え、Ｘ線管制御部７は、Ｘ線管２を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させるによる走査に関する制御や、Ｘ線管３側のコリメータ（図示省略）の照視野の設定の制御などを行う。なお、Ｘ線管２やＦＰＤ３の走査の際には、Ｘ線管２から照射されたＸ線をＦＰＤ３が検出できるようにＸ線管２およびＦＰＤ３が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。
【００２１】
キャリブレーション部８は、ＦＰＤ３から出力された電荷信号、すなわち画素について校正を行うものであって、本実施例では後述するスイッチング素子３２ごとの増幅器（アンプ）３８（図４参照）のゲインをそれぞれ調節して出力側をそろえる。Ａ／Ｄ変換器９は、キャリブレーションされた電荷信号をアナログからディジタルに変換して、ディジタル化したＸ線検出信号を出力する。コントローラ１１は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されており、メモリ部１２は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部１３は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。Ｘ線診断装置では、被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出して、検出されたＸ線に基づいてキャリブレーション部８でキャリブレーションを行い、画像処理部１０で画像処理を行うことで被検体Ｍの撮像を行う。
【００２２】
図２に示すように、画像処理部１０は、欠損画素を検出する欠損画素検出部２１と、欠損画素検出部２１で検出された欠損画素の補間を行う欠損画素補間部２２とを備えて構成されている。これらの構成を備えることで画像処理部９は、欠損画素の検出および補間の一連の操作である欠損登録を行う。欠損画素検出部２１は、この発明における欠損画素検出手段に相当し、欠損画素補間部２２は、この発明における欠損画素補間手段に相当する。
【００２３】
欠損画素検出部２１は、分離回路や比較器などで構成されており、、分離回路で電荷信号に基づく画素をキャパシタやスイッチング素子３２を構成する検出素子ごとに空間的に展開して、展開された画素を比較することで、最大値あるいは最小値の画素を欠損画素として検出する。なお、キャリブレーション部８で増幅器３８のゲインがそれぞれ調節された状態で、すなわちキャリブレーションが行われた状態で、画素を空間的に展開する。なお、欠損画素検出部２１は、上述の構成に限定されず、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）と減算器とで欠損画素検出部２１を構成し、空間的に展開された画素の信号のうち、高周波成分である急峻な画素の信号以外の低周波成分のみをローバスフィルタで通過させ、低周波成分と全体の信号とを減算器で減算して急峻な画素を検出することで、急峻な画素、すなわち最大値あるいは最小値の画素を検出してもよい。
【００２４】
また、欠損画素は、上述した最大値や最小値の画素だけに限定されず、Ｘ線の照射・非照射に関わらず一定の値をもつ画素や、Ｘ線の入射線量に関わらず一定の値をもつ画素や、あるＸ線の入射線量までは一定の値を有して所定のＸ線の入射線量を超えると挙動が不定になる画素や、Ｘ線を検出できない画素などをも含む。これらの画素の特性に合わせて欠損画素検出部２１を構成する。
【００２５】
欠損画素補間部２２は、例えばメディアンフィルタなどで構成されており、複数個の画素からメディアンフィルタで中央値の画素を検出して、その検出された中央値の画素で欠損画素を置換することで欠損画素を補間する。
【００２６】
ＦＰＤ３は、図３に示すように、ガラス基板３１と、ガラス基板３１上に形成された薄膜トランジスタＴＦＴとから構成されている。薄膜トランジスタＴＦＴについては、図３、図４に示すように、縦・横式２次元マトリクス状配列でスイッチング素子３２が多数個（例えば、1024個×1024個）形成されており、キャリア収集電極３３ごとにスイッチング素子３２が互いに分離形成されている。すなわち、ＦＰＤ３は、２次元アレイ放射線検出器でもある。
【００２７】
図３に示すようにキャリア収集電極３３の上にはＸ線感応型半導体３４が積層形成されており、図３、図４に示すようにキャリア収集電極３３は、スイッチング素子３２のソースＳに接続されている。ゲートドライバ３５からは複数本のゲートバスライン３６が接続されているとともに、各ゲートバスライン３６はスイッチング素子３２のゲートＧに接続されている。一方、図４に示すように、電荷信号を収集して１つに出力するマルチプレクサ３７には増幅器３８を介して複数本のデータバスライン３９が接続されているとともに、図３、図４に示すように各データバスライン３９はスイッチング素子３２のドレインＤに接続されている。
【００２８】
図示を省略する共通電極にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートバスライン３６の電圧を印加（または０Ｖに）することでスイッチング素子３２のゲートがＯＮされて、キャリア収集電極３３は、検出面側で入射したＸ線からＸ線感応型半導体３４を介して変換された電荷信号（キャリア）を、スイッチング素子３２のソースＳとドレインＤとを介してデータバスライン３９に読み出す。なお、スイッチング素子がＯＮされるまでは、電荷信号はキャパシタ（図示省略）で暫定的に蓄積されて記憶される。各データバスライン３９に読み出された電荷信号を増幅器３８で増幅して、マルチプレクサ３７で１つの電荷信号にまとめて出力する。出力された電荷信号をＡ／Ｄ変換器８でディジタル化してＸ線検出信号として出力する。
【００２９】
次に、本実施例装置における一連の画像処理について、図５のフローチャートおよび図６、図７を参照して説明する。
【００３０】
（ステップＳ１）Ｘ線照射前のキャリブレーション
Ｘ線を照射しない非照射状態でＦＰＤ３が検出してＡ／Ｄ変換器９でディジタル化した後に、画素として画像処理部１０に送り込む。そして、画像処理部９に送り込まれた画素に応じて増幅器３８のゲインを調節する。つまり、出力側となるスイッチング素子３２ごとの画素が同じになるようにゲインを調節してそろえる。このように、図６のタイミングチャートに示すように、キャリブレーション部８によりキャリブレーションを実行する。
【００３１】
キャリブレーションを行ってゲインを調節して出力側をそろえたとしても、これらの欠損画素については固有の値をもつのが通常である。したがって、図７（ｂ）に示すように、キャリブレーション後においてもこれらの画素は欠損画素として残り、欠損画素以外の他の画素については値がそろう。図７（ａ）はキャリブレーション前の各画素を示す模式図であって、図７（ｂ）はキャリブレーション後の各画素を示す模式図である。図７中の『×』は欠損画素を便宜上表す。
【００３２】
（ステップＳ２）欠損登録
キャリブレーション後の画素を、画像処理部１０に再度に送り込む。画像処理部１０内の欠損画素検出部２１は、キャリブレーション後の画素、すなわち出力側がそろった画素を用いて欠損画素を検出する。このキャリブレーション後の画素は、この発明における校正情報に相当する。欠損画素の検出後において、欠損画素補間部２２は、その欠損画素をメディアンフィルタで補間する。この欠損画素を検出して補間する一連の操作により、図６のタイミングチャートに示すように、欠損登録を実行する。
【００３３】
（ステップＳ３）Ｘ線照射のキャリブレーション
Ｘ線管２から被検体ＭにＸ線を照射する（照射状態）。被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出してＡ／Ｄ変換器８でディジタル化した後に、画素として画像処理部１０に送り込む。ステップＳ１と同様に、送り込まれた画素に応じてキャリブレーションを行う（図６のタイミングチャート参照）。
【００３４】
（ステップＳ４）欠損登録
ステップＳ２と同様に、キャリブレーション後の画素を用いて欠損画素を検出して補間する欠損登録を実行する（図６のタイミングチャート参照）。
【００３５】
（ステップＳ５）Ｘ線照射直後のキャリブレーション
Ｘ線照射直後の非照射状態でＦＰＤ３が検出してＡ／Ｄ変換器８でディジタル化した後に、画素として画像処理部１０に送り込む。ステップＳ１，Ｓ３と同様に、送り込まれた画素に応じてキャリブレーションを行う（図６のタイミングチャート参照）。
【００３６】
（ステップＳ６）欠損登録
ステップＳ２，Ｓ４と同様に、キャリブレーション後の画素を用いて欠損画素を検出して補間する欠損登録を実行する（図６のタイミングチャート参照）。
【００３７】
以上のように構成された本実施例装置によれば、欠損画素検出部２１は、検出された放射線に基づく画素について欠損画素を検出する。この検出の際には、キャリブレーション部８に関する校正情報（本実施例ではキャリブレーション後の画素）を用いて行う。したがって、キャリブレーション部８によるキャリブレーション（校正）のタイミングに合わせて欠損画素の検出および補間を同時に行うことができる。欠損画素の検出および補間を行う期間よりも短い所定期間（例えば１日）でキャリブレーション部８によるキャリブレーションが行われるので、欠損画素の検出および補間についても従来よりも短い期間で行われる。その結果、装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作（欠損登録）を正確に行うことができる。
【００３８】
本実施例では、Ｘ線照射状態、そのＸ線照射前の非照射状態、Ｘ線照射直後の非照射状態の各状態でそれぞれ得られたキャリブレーション後の各画素を組み合わせて用いて欠損画素を検出している。各状態のキャリブレーション後の画素を組み合わせて用いることで、上述した欠損登録をより一層正確に行うことができる。具体的には、欠損画素は、Ｘ線の照射状態のときのみに判明するものや、非照射状態のときのみに判明するものや、Ｘ線の入射線量に応じて判明するものがあるので、これらの各状態を組み合わせることで、より多くの欠損画素を検出することができる。
【００３９】
なお、本実施例では、メディアンフィルタ処理のように、欠損画素を置換することで欠損画素の補間を行ったが、隣接する画素に基づいて画素を補間する補間処理などに例示されるように、特に限定されない。また、隣接する画素に基づいて画素を補間する場合には、Ｘ線を照射しない非照射状態で画素についてキャリブレーションを実行しつつ予め測定して、その補正データに基づいて画素の重み付けを行ったりすればよい。
【００４０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４１】
（１）上述した実施例では、図１に示すようなＸ線診断装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線診断装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。
【００４２】
（２）上述した実施例では、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３を例に採って説明したが、画素を区画する２次元マトリクス状で配列された検出素子から構成されるＸ線検出器であれば、この発明は適用することができる。
【００４３】
（３）上述した実施例では、Ｘ線を検出するＸ線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００４４】
（４）上述した実施例では、ＦＰＤ３は、放射線（実施例ではＸ線）感応型の半導体を備え、入射した放射線を放射線感応型の半導体で直接的に電荷信号に変換する直接変換型の検出器であったが、放射線感応型の替わりに光感応型の半導体を備えるとともにシンチレータを備え、入射した放射線をシンチレータで光に変換し、変換された光を光感応型の半導体で電荷信号に変換する間接変換型の検出器であってもよい。
【００４５】
（５）上述した実施例では、図２に示す欠損画素検出部２１は、キャリブレーション後の画素、すなわち出力側がそろった画素を用いて欠損画素を検出したが、図８（ｂ）に示すように、キャリブレーションを行うことで欠損画素までが出力側がそろってしまい、キャリブレーション後において一見すると欠損画素がなくなってしまう場合がある。図８（ａ）はキャリブレーション前の各画素を示す模式図であって、図８（ｂ）はキャリブレーション後の各画素を示す模式図である。図８（ａ）中の『×』は欠損画素を便宜上表す。つまり、図８（ａ）では欠損画素が存在しているにも関わらず、図８（ｂ）では欠損画素に相当する箇所に、欠損画素を表している『×』がなくなってしまう。
【００４６】
この場合には、欠損画素に関する検出素子のゲインの値が他の画素に関する検出素子のゲインの値と異なるので、キャリブレーション部８（図１参照）はゲインの値を、例えばメモリ部１２（図１参照）に送り込み、コントローラ１１を介して各ゲインを画像処理部１０（図１参照）の欠損画素検出部２１に与え、各ゲインを用いて欠損画素を検出すればよい。
【００４７】
このように、校正情報は、上述した実施例のようにキャリブレーション（校正）が行われた画素であってもよいし、ゲインであってもよい。
【００４８】
（６）キャリブレーションを行うタイミングについては、特に限定されない。例えば、１日に２回以上行ってもよいし、３日に１回の割合で行ってもよい。
【００４９】
（７）照射状態または非照射状態のキャリブレーションのデータのみで欠損画素を検出するのが可能であれば、上述した実施例のように照射前の非照射状態、照射状態、照射直後の非照射状態の各状態を必ずしも組み合わせる必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施例に係るＸ線診断装置のブロック図である。
【図２】Ｘ線診断装置に用いられている画像処理部の具体的構成を示したブロック図である。
【図３】Ｘ線診断装置に用いられる側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図４】平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図５】一連の画像処理を示すフローチャートである。
【図６】一連のキャリブレーションおよび欠損登録のタイミングチャートである。
【図７】（ａ）はキャリブレーション前の各画素を示す模式図であって、（ｂ）はキャリブレーション後の各画素を示す模式図である。
【図８】（ａ）はキャリブレーション前の各画素を示す模式図であって、（ｂ）はキャリブレーション後の各画素を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
３  …  フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
８  …  キャリブレーション部
２１  …  欠損画素検出部
２２  …  欠損画素補間部
Ｍ  …  被検体
【図１】
2005270552.tif 000003
【図２】
2005270552.tif 000004
【図３】
2005270552.tif 000005
【図４】
2005270552.tif 000006
【図５】
2005270552.tif 000007
【図６】
2005270552.tif 000008
【図７】
2005270552.tif 000009
【図８】
2005270552.tif 000010