(57)【要約】  【課題】サブヒータの出力を向上させる。  【解決手段】ウエハ１をボート３３に保持して処理する処理室２４と、処理室２４にガスを供給するガス供給管２９と、処理室２４を排気する排気管２８と、処理室２４の周りでウエハ１の主面に対して水平方向に位置し処理室２４を加熱するメインヒータ３０と、ウエハ１の主面に対して垂直方向に位置するサブヒータ５０とを備えたバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置において、サブヒータ５０はホルダ５２に同心円の蛇行形状に没設された保持溝５３にＣ発熱体５４が敷設されており、Ｃ発熱体５４の上面には凹部５５が全長にわたって一定幅一定に没設されている。Ｃ発熱体は凹部によってパターン長を増加せずに発熱量を増加されるため、限られた空間および限られた許容電流値をもってホルダに封入でき、サブヒータの出力を高めることができる。  【選択図】図４
2005217317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理室に収容して加熱下で処理を施す基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化や拡散、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニールおよび熱ＣＶＤ反応による成膜等の熱処理（thermal treatment ）に使用される熱処理装置（furnace ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法におけるウエハの熱処理には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置（以下、縦形熱処理装置という。）が、広く使用されている。縦形熱処理装置としては、インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され、ヒータによって処理室が加熱されることにより、ウエハに熱処理（thermal treatment ）が施されるように構成されているもの、がある。
【０００３】
従来のこの種の縦形熱処理装置として、熱放出量の大きいボートの下部に補助加熱用のサブヒータを設置して短時間で処理室の垂直方向の温度の回復と安定とを確保することにより、ウエハの処理時間の短縮を図ったものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８２５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記した縦形熱処理装置のサブヒータを平板のカーボン発熱体（以下、Ｃ発熱体という。）を用いて構成した場合には、次のような問題点がある。Ｃ発熱体は非酸素雰囲気で使用する必要があるために、素線の封止や端子の取り出し等において電流値の制約がある。したがって、Ｃ発熱体の出力を大きくするためには、電流値を上げずに抵抗値を増加させる必要がある。しかし、Ｃ発熱体自体の機械的強度の問題から、加工が可能な板厚に限界があるので、Ｃ発熱体の抵抗値を増加させるにはパターン長を延長する必要がある。その結果、高抵抗のパターンを限られた空間に収容することが困難になる。
【０００５】
本発明の目的は、Ｃ発熱体の機械的強度の問題により抵抗値を上げるために板厚を薄くすることができないという問題点と、Ｃ発熱体を使用したサブヒータの製作上の制約である電流値を増加することができない問題点とを解決し、従来のＣ発熱体のパターン全長と同等で電流値を増加させずにサブヒータ出力を増加させた基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えていることを特徴とする。
本願において開示されるその他の発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室の周りで前記基板の主面に対して水平方向に位置し前記処理室を加熱する第一ヒータと、前記基板の主面に対して垂直方向に位置し発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有する第二ヒータとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えている基板処理装置を使用して前記基板を処理する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給管が前記処理室にガスを供給するステップと、前記ヒータが前記処理室を加熱するステップと、前記排気管が前記処理室を排気するステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、Ｃ発熱体の断面形状を凹部または凸部に形成することにより、パターン長および許容電流値を維持した状態で、パターン強度を著しく低下させることなく、Ｃ発熱体の発熱量を増加させることができるために、限られた空間および限られた許容電流値をもってヒータの出力を高めることができる。また、表面積を増加させることにより、表面負荷密度を減少させることができるために、ヒータの寿命を延長することができる。さらに、断面積を減少させることにより、熱容量を減少させることができるために、ヒータの応答性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法における熱処理工程を実施する縦形熱処理装置（バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置）として構成されている。図１に示されているように、縦形熱処理装置１０はロードロック方式の予備室である待機室１１を形成した筐体１２を備えている。待機室１１にはボートを昇降させるボートエレベータ１３が設置されており、ボートエレベータ１３はモータ駆動方式の送りねじ軸装置やベローズ等によって構築されている。ボートエレベータ１３の昇降台１４にはシールキャップ１６がアーム１５を介して支持されており、シールキャップ１６の中心線上には回転軸１７が挿通されて軸受装置によって回転自在に支承されており、回転軸１７はモータ１８によって回転駆動されるように構成されている。また、シールキャップ１６の上面には断熱キャップ４０が立設されている。
【００１０】
図２に示されているように、筐体１２の上にはプロセスチューブ２１が中心線が垂直になるように縦に設置されている。プロセスチューブ２１はアウタチューブ２２とインナチューブ２３とから構成されている。アウタチューブ２２は石英ガラスが使用されて、内径がインナチューブ２３の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２３にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ２３は石英ガラスまたは炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて、上下両端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ２３の筒中空部はボートによって保持された複数枚のウエハが搬入される処理室２４を形成しており、インナチューブ２３の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、三百ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。インナチューブ２３とアウタチューブ２２との間にはドーナツ形状の排気路２５が形成されており、排気路２５の下端部は多段の略円筒形状に構築されたマニホールド２６によって気密封止されている。
【００１１】
アウタチューブ２２およびインナチューブ２３の交換等のために、図３に示されているように、マニホールド２６はアウタチューブ２２およびインナチューブ２３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド２６が縦形熱処理装置１０の筐体１２に支持されることにより、プロセスチューブ２１は垂直に据え付けられた状態になっている。炉口２７がマニホールド２６の下端開口によって構成されており、図１に示されているように、炉口２７はシャッタ２０によって開閉されるように構成されている。
【００１２】
図３に示されているように、マニホールド２６の上部には排気管２８が接続されており、排気管２８は排気装置（図示せず）に接続されてプロセスチューブ２１の内部を排気し得るようになっている。排気管２８はアウタチューブ２２とインナチューブ２３との間に形成された排気路２５に接続されている。排気管２８がマニホールド２６に接続されているために、排気管２８は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路２５の最下端部に配置された状態になっている。また、アウタチューブ２２の下方にはガス供給管２９が炉口２７に連通するように接続されており、ガス供給管２９には原料ガス供給装置やキャリアガス供給装置およびパージガス供給装置（いずれも図示せず）が接続されている。ガス供給管２９によって炉口２７に導入されたガスは、インナチューブ２３の処理室２４を流通して排気路２５を通って排気管２８によって外部へ排気されるようになっている。
【００１３】
図２に示されているように、プロセスチューブ２１の外側には、処理室の周りでウエハの主面に対して水平方向に位置し処理室を加熱する第一ヒータ（以下、メインヒータという。）３０が設置されており、メインヒータ３０は筐体１２によって垂直に支持されている。メインヒータ３０はプロセスチューブ２１の外側を全体的に被覆する断熱槽３１と、断熱槽３１の内周面にアウタチューブ２２の周囲を包囲するように同心円に敷設された発熱体３２とを備えている。断熱槽３１はガラスウール等の断熱材をドーナツ形状に成形された複数のブロックが積層されて、プロセスチューブ２１の外径よりも大径で長さが同程度の円筒形状に形成されており、筐体１２に支持されることによって垂直に据え付けられている。発熱体３２はニクロム線や二珪化モリブデン等の線形の抵抗発熱体によって形成されて、断熱槽３１の内周面に巻装されている。発熱体３２は複数のゾーンに分割されており、所謂ゾーン加熱制御されるように構成されている。
【００１４】
図１、図２および図４に示されているように、回転軸１７の上端部にはボート３３が垂直に設置されている。ボート３３は上下で一対の端板３４、３５と、両端板３４と３５との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材３６とを備えており、複数本の保持部材３６には多数条の保持溝３７が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート３３は複数本の保持部材３６の保持溝３７の間にウエハ１の周辺部をそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。下側端板３５の近傍、すなわちボート３３の下方側には、ウエハ１と略同径の断熱板４５ａが複数枚保持される。
【００１５】
シールキャップ１６の上には断熱キャップ４０が回転軸１７と同心円に設置されている。断熱キャップ４０は上下で一対の端板４１、４２と、両端板４１と４２との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材４３とを備えており、複数本の保持部材４３には多数条の保持溝４４が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。複数本の保持部材４３の保持溝４４の間には断熱板４５ｂの周辺部がそれぞれ挿入されており、断熱板４５ｂは保持部材４３に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持されている。断熱板４５ｂは外形が円形でウエハ１の外径よりも小さく中心をｕ字型に切り欠いた形状をしており、中心を回転軸１７と接触しないように保持されている。排熱され易く熱の変動が大きい炉口２７から離間させるために、ボート３３はシールキャップ１６から持ち上げられて設置されている。断熱キャップ４０はシールキャッ
プ１６の上面とボート３３の下面との空間を埋めることにより、炉口２７における熱の出入りを遮断するように構成されている。
【００１６】
図４に示されているように、断熱キャップ４０の上にはウエハ１の主面に対して垂直方向に位置する第二ヒータ（以下、サブヒータという。）５０が水平に設置されている。図４〜図６に示されているように、サブヒータ５０は複数本の支柱５１によってシールキャップ１６の上に水平に支持されたホルダ５２を備えている。ホルダ５２は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて円盤形状に形成されている。ホルダ５２の上面には保持溝５３が図６に示されているように円形の蛇行形状に形成されて没設されており、保持溝５３内には一本のＣ発熱体（カーボン発熱体）５４が敷設されている。図７に示されているように、Ｃ発熱体５４は断面が凹字形細長い棒状であって、保持溝５３の円形の蛇行に倣ったパネル形状に形成されている。すなわち、ウエハ１と略同径となるように円形のパネル形状に形成されたＣ発熱体５４の上面には凹部５５が全長にわたって一定幅一定深さに没設されている。ホルダ５２の上面にはキャップ５６が保持溝５３を閉塞するように被せられており、Ｃ発熱体５４はキャップ５６によって気密封止されている。また、保持溝５３の内部には窒素ガス等の不活性ガス（図示せず）が封入されており、Ｃ発熱体５４は封入された不活性ガスによって腐蝕を防止されている。
【００１７】
図６に示されているように、Ｃ発熱体５４の両端部はホルダ５２の周縁部において垂直方向下向きに屈曲されて、図５に示されているように、支柱５１の内部に引き込まれて、支柱５１の上端部まで導入されている。その支柱５１内の上端部においてＣ発熱体５４の端末部には給電配線５８がジョイント５７によって接続されており、給電配線５８は支柱５１の下端開口から外部へ引き出されて電源（図示せず）に接続されている。支柱５１の下端開口にはピンチシール部５９が形成されており、Ｃ発熱体５４および給電配線５８はピンチシール部５９によって処理室２４の内外から完全に隔絶されている。
【００１８】
図１および図２に示されているように、シールキャップ１６の周縁部の一箇所には、熱電対６０がボート３３に干渉しないように上下方向に貫通されて垂直に固定されており、ボート３３の処理室２４への搬入時には、熱電対６０はインナチューブ２３の内周面とボート３３の外周面との間に位置する状態になっている。熱電対６０は温度コントローラ（図示せず）に接続されており、熱電対６０は温度計測結果を温度コントローラに送信するようになっている。温度コントローラは熱電対６０からの計測温度に基づいて、メインヒータ３０およびサブヒータ５０をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラはメインヒータ３０およびサブヒータ５０の目標温度と、熱電対６０の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
【００１９】
次に、前記構成に係る縦形熱処理装置を使用した場合のＩＣの製造方法の熱処理工程を説明する。
【００２０】
図１に示されているように、ボート３３には被処理基板としてのウエハ１が複数枚、ウエハ移載装置（図示せず）によって装填（ウエハチャージング）される。複数枚のウエハ１を整列保持したボート３３はボートエレベータ１３によって差し上げられて炉口２７から処理室２４に搬入（ボートローディング）されて行き、図２に示されているように、シールキャップ１６に支持されたままの状態で処理室２４に存置される。
【００２１】
本実施の形態においては、ボート３３が処理室２４に搬入されて行く途中または搬入が完了した後に、電力がサブヒータ５０のＣ発熱体５４に給電配線５８によって供給されることにより、ボート３３の下部領域に保持されたウエハ１群がサブヒータ５０によって補助的に加熱される。また、モータ１８によって回転軸１７が回転駆動されることにより、ボート３３がウエハ１群および断熱板４５ａに慣性力を付与しない程度の速度で緩やかに回転される。
【００２２】
ここで、ボート３３の処理室２４への搬入途中または搬入後にサブヒータ５０によって補助的に加熱を実行する理由を説明する。プロセスチューブ２１の外部に敷設されて処理室２４を全体的に加熱するメインヒータ３０は、殆どの場合、予め設定した処理温度に速く到達するようにボート３３の処理室２４への搬入前に、例えば、処理温度よりも１５０℃〜２００℃程度低いスタンバイ温度で処理室２４を加熱している。したがって、ボート３３の上部領域のウエハ１群は下部領域のウエハ１群と比べて早くスタンバイ温度の処理室２４へ搬入されることになる。その結果、上部領域のウエハ１と下部領域のウエハ１との間では熱履歴が相違してしまうため、同一の縦形熱処理装置によって熱処理したにもかかわらず、ボート３３の全長では熱処理の状態が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート３３の処理室２４への搬入途中または搬入後にサブヒータ５０による加熱を実行して、ボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱することにより、上部領域のウエハ１と下部領域のウエハ１との間での熱履歴を一致させる制御を実行している。ちなみに、サブヒータ５０による加熱開始のタイミングは、ボート３３の処理室２４への搬入速度や処理室２４の内外の温度差等に依存する上部領域のウエハ１と下部領域のウエハ１との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
【００２３】
このボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から加熱するサブヒータ５０のＣ発熱体５４は、ホルダ５２にウエハ１および断熱板４５ａと略同径となるように全体にわたって同心円の蛇行状に敷設されているため、ウエハ１の面内を全体にわたって均一に加熱する。また、Ｃ発熱体５４は上面に凹部５５を没設されることにより、Ｃ発熱体５４自体の発熱量が増強されているので、ウエハ１を強力に加熱することができる。しかも、Ｃ発熱体５４は上面に凹部５５を没設されて表面積を増加されることにより、表面負荷密度を減少させることができるために、Ｃ発熱体５４自体の寿命を延長することができる。かつまた、凹部５５によって断面積を減少されることにより、熱容量が減少されているために、Ｃ発熱体５４は発熱の応答性を向上されている。さらに、Ｃ発熱体５４の両端部が支柱５１の内部に引き込まれてジョイント５７によって給電配線５８に接続されているために、給電配線５８およびジョイント５７は処理室２４の高温雰囲気から支柱５１によって保護された状態になっている。
【００２４】
ボート３３の処理室２４への搬入が完了したら、プロセスチューブ２１の内部が排気管２８によって排気されるとともに、プロセスチューブ２１の内部が予め設定された処理温度すなわち温度コントローラのシーケンス制御の目標温度（例えば、６００℃〜１３００℃）にメインヒータ３０の発熱体３２によって加熱される。この際、メインヒータ３０の発熱体３２の加熱によるプロセスチューブ２１の内部の実際の上昇温度と、発熱体３２のシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対６０の測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
【００２５】
ちなみに、本実施の形態においては、処理室２４の上下方向の温度分布の均一性を高めるために、例えば、下部領域のウエハ１群に対応した熱電対６０の最下段の計測温度とそれ以外の計測温度との差が所定の期間以上一定の範囲になった際に、サブヒータ５０によるボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱する作動を自動的に停止させる制御を実行させることができる。
【００２６】
以上の温度制御によって処理室２４の全体が予め設定された処理温度に安定すると、処理ガスが処理室２４へガス供給管２９から導入される。処理室２４に導入された処理ガスは処理室２４を上昇した後にインナチューブ２３の上端開口から排気路２５へ流れ込み、排気路２５を通じて排気管２８から排気される。処理ガスは処理室２４を流れる際に、ウエハ１群に接触することによりウエハ１の表面に熱処理を施す。この際、ウエハ１の面内の温度分布や熱処理状態の分布の均一性を高めるために、ボート３３は回転軸１７によって緩やかに回転され続ける。
【００２７】
断熱キャップ４０がボート３３の下端部領域であるサブヒータ５０の下方に介設されていることにより、ボート３３の下端部領域のウエハ１群はメインヒータ３０によって加熱制御され難い炉口２７から離間した状態になっているため、下端部領域のウエハ１群の温度のボート３３の全体のウエハ１群に対する均一性は高くなる。
【００２８】
予め設定された熱処理時間が経過すると、メインヒータ３０の加熱作用が温度コントローラのシーケンス制御によって停止され、プロセスチューブ２１の内部の温度が予め設定されたスタンバイ温度に降下されて行く。この際も、メインヒータ３０による処理室２４の実際の下降温度とシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対６０の測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
【００２９】
予め設定されたスタンバイ温度になるか、または、予め設定された降温時間が経過すると、シールキャップ１６が下降されて炉口２７が開口されるとともに、ボート３３に保持された状態でウエハ１群が炉口２７からプロセスチューブ２１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３０】
ここで、ボート３３の処理室２４からの搬出に際しては、ボート３３の下部領域のウエハ１群が上部領域のウエハ１群と比べて早く処理室２４から搬出されることになるため、下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間では熱履歴が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート３３の処理室２４への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ５０による加熱を実行して、ボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間での熱履歴を一致させる制御が実行される。ちなみに、サブヒータ５０による加熱開始のタイミングは、ボート３３の処理室２４からの搬出速度や処理室２４の内外の温度差等に依存する下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
【００３１】
ところで、最近は自然酸化膜がウエハに形成されるのを防止する方向に進んでおり、処理室の下の待機室は窒素雰囲気や真空雰囲気を形成するロードロック方式の予備室として構築されている。しかし、ロードロック方式の予備室に構築されていない場合には、処理室からのボートの搬出が始まると、ウエハは処理室外の雰囲気に晒されてしまうため、ウエハの表面に自然酸化膜が形成されてしまう。この際、搬出されるウエハの温度が高い程、自然酸化膜が形成され易い。そこで、サブヒータ５０の加熱を停止してボート３３の搬出を開始することが考えられる。ところが、サブヒータ５０の加熱を停止してボート３３の搬出を開始すると、ボート３３の上部領域のウエハ１群と下部領域のウエハ１群との熱履歴が相違するため、上部領域のウエハ１群の自然酸化膜の形成具合と、下部領域のウエハ１群の自然酸化膜の形成具合との間でばらつきが発生してしまう。自然酸化膜の形成具合にばらつきが発生すると、それらウエハから取得されるＩＣ（製品）の電気的特性に相違が発生してしまう等の問題点が派生する。つまり、自然酸化膜による影響抑制の観点からも、ボート３３の処理室２４への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ５０による加熱を実行して、ボート３３の下部領域のウエハ１群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ１と上部領域のウエハ１との間での熱履歴を一致させる制御を実行することが望ましい。
【００３２】
ボート３３が処理室２４から搬出されると、処理済のウエハ１群がボート３３から脱装（ディスチャージング）される。以上の作用が繰り返されることにより、縦形熱処理装置による熱処理がウエハ１にバッチ処理されて行く。
【００３３】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３４】
1)  Ｃ発熱体の断面形状を凹形状に形成することにより、パターン長および許容電流値を維持した状態で、パターン強度を著しく低下させることなく、Ｃ発熱体の発熱量を増加させることができるために、限られた空間および限られた許容電流値をもってサブヒータの出力を高めることができる。
【００３５】
2)  Ｃ発熱体の断面形状を凹形状に形成することにより、表面積を増加させて表面負荷密度を減少させることができるために、ヒータの寿命を延長することができる。
【００３６】
3)  Ｃ発熱体の断面形状を凹形状に形成することにより、Ｃ発熱体の断面積を減少させて熱容量を減少させることができるために、Ｃ発熱体すなわちサブヒータの応答性を向上させることができる。
【００３７】
4)  支柱の下端開口にピンチシール部を形成することにより、Ｃ発熱体および給電配線をピンチシール部によって処理室の内外から完全に隔絶することができるために、Ｃ発熱体および給電配線の寿命を延長させることができる。
【００３８】
5)  ボート上のウエハ群における垂直方向の温度の安定を確保しつつウエハ面内の温度分布の均一性も確保することができるため、縦形熱処理装置によるウエハの処理時間を短縮することができるとともに、処理精度や信頼性および製造歩留りを高めることができ、ひいては、ＩＣの品質および信頼性を高めることができる。
【００３９】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４０】
Ｃ発熱体は断面形状を凹形状に形成するに限らず、凸形状に形成してもよい。
【００４１】
サブヒータをＣ発熱体を使用して構成するに限らないし、メインヒータを凹部または凸部を有するＣ発熱体を使用して構成してもよい。
【００４２】
メインヒータおよびサブヒータを一つの熱電対にて制御するように構成するに限らず、メインヒータおよびサブヒータがそれぞれ個別の熱電対にて制御するように構成してもよい。
【００４３】
熱処理は酸化処理や拡散処理および拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール処理等に限らず、成膜処理等の熱処理であってもよい。
【００４４】
被処理物はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、光ディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置を示す一部切断背面図である。
【図２】主要部を示す背面断面図である。
【図３】マニホールド部を示す断面図である。
【図４】シールキャップ部を示す断面図である。
【図５】サブヒータ部を示す一部切断正面図である。
【図６】ホルダを示す平面図である。
【図７】Ｃ発熱体を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…ウエハ（被処理基板）、１０…縦形熱処理装置（基板処理装置）、１１…待機室、１２…筐体、１３…ボートエレベータ、１４…昇降台、１５…アーム、１６…シールキャップ、１７…回転軸、１８…モータ、２０…シャッタ、２１…プロセスチューブ、２２…アウタチューブ、２３…インナチューブ、２４…処理室、２５…排気路、２６…マニホールド、２７…炉口、２８…排気管、２９…ガス供給管、３０…メインヒータ（第一ヒータ）、３１…断熱槽、３２…発熱体、３３…ボート、３４、３５…端板、３６…保持部材、３７…保持溝、４０…断熱キャップ、４１、４２…端板、４３…保持部材、４４…保持溝、４５ａ、４５ｂ…断熱板、５０…サブヒータ（第二ヒータ）、５１…支柱、５２…ホルダ、５３…保持溝、５４…Ｃ発熱体、５５…凹部、５６…キャップ、５７…ジョイント、５８…給電配線、５９…ピンチシール部、６０…熱電対。
【図１】
2005217317.tif 000003
【図２】
2005217317.tif 000004
【図３】
2005217317.tif 000005
【図４】
2005217317.tif 000006
【図５】
2005217317.tif 000007
【図６】
2005217317.tif 000008
【図７】
2005217317.tif 000009