(57)【要約】【課題】  本発明は、基板処理装置において、基板の非処理面に付着した異物により、堆積膜に傷や欠陥が生じることなく、基板を処理し、特に繰り返し長時間基板処理を行なう、大量生産に適した処理装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】  本発明は、上記目的を達成するため、基板の非処理面に付着した付着物を除去する手段を有し、該除去手段は機械的に除去する手段と磁力により除去する手段とからなることを特徴とする。【選択図】  図１
2005068485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送しながら、少なくとも該基板の一方の面にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、該基板の非処理面に付着した付着物を該基板から除去する手段を有し、該除去手段は機械的に除去する手段と磁力により除去する手段とからなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記機械的に除去する手段が、ブラシ状部材もしくはブレード状部材あるいは剛性のある板状部材のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記機械的に除去する手段の少なくとも一つが、前記磁力により除去する手段より、前記基板搬送方向上流に設けられていることを特徴とする請求項１〜２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記基板と前記磁力により除去する手段との距離が、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記機械的に除去する手段と前記基板の接触面について、どの一辺も前記基板の搬送方向に対して垂直ではないことを特徴とする請求項１〜４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記機械的に除去する手段が、前記基板幅方向で少なくとも一つ頂点をもち該基板搬送方向下流で該基板端部側に向かって広がるよう配列されていることを特徴とする請求項１〜５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記機械的に除去する手段と前記磁力により除去する手段とが一体化していることを特徴とする請求項１〜６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記磁力により除去する手段が、電磁石であることを特徴とする請求項１〜７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記基板を搬送するための回転ローラーを有し、前記付着物を該基板から除去する手段が、該回転ローラーの直前に設けられていることを特徴とする請求項１〜８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記付着物を前記基板から除去する手段が、前記基板の処理室出口ごとに設けられていることを特徴とする請求項１〜９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
基板を搬送しながら少なくとも該基板の一方の面にプラズマ処理を行なう方法において、該基板の非処理面に付着した付着物を該基板から除去する工程を有し、該工程は機械的に除去する工程と磁力により除去する工程とからなることを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に機能性堆積膜の形成、プラズマ処理等、所望の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。特に長尺基板を使用した非単結晶シリコン等を原料とした太陽電池のように、長時間に渡って連続的に繰り返し処理する大量生産に向いた基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板を処理する技術として、例えば米国特許第４，４００、４０９号明細書（特許文献１）にはロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）方式を採用したＣＶＤ法が開示されている。この方法によれば成膜室を設け、帯状基板を連続的に搬送することによって、堆積膜を連続形成することができるとされている。帯状基板はコイル状に巻かれるとともに、帯状基板の裏面は回転ローラー等に接触し搬送される。従って、帯状基板搬送時に帯状基板の裏面などに異物が付着したりすると、その異物が帯状基板と回転ローラーの間やコイル間に挟まれて、帯状基板にキズや変形を発生させ、帯状基板上に形成された堆積膜にキズや欠陥が生じる。また、帯状基板によって搬送された異物が帯状基板に接触する回転ローラーなどに付着した場合などは、回転ローラーの回転毎に異物と帯状基板が接触するため、回転ローラーの円周長毎に断続的な堆積膜のキズや欠陥が発生することになる。
【０００３】
この結果、生産装置における稼働率、良品率の低下を招き、コスト上昇の原因となる。
【０００４】
特開平６−２６０６６８号公報（特許文献２）には、帯状基板とガスゲートを用いた堆積膜形成装置における基板上の異物を除去する方法の１つが開示されている。具体的には、帯状基体の底面の異物を除去するブレード、又はブラシ等からなる除塵機構を成膜室出口に設けることにより、異物による傷や凹凸の発生を抑制する方法が開示されている。
【０００５】
この方法によれば、成膜室内で発生し帯状基板に付着した異物は成膜室出口に設けられた異物除去機構により、ガスゲートに達する前に帯状基板から除去され、ガスゲートなどで発生する帯状基板の詰まりなどを防止することが可能である。
【０００６】
また特開平６−２６０４２１号公報（特許文献３）には、処理区間以外の帯状基板移動径路の１箇所以上に帯電除去により除塵手段を設ける技術が開示されている。
【０００７】
この方法によれば、帯状基板搬送時に生じた摩擦帯電により、基板に付着した異物を効率良く除去することにより、異物によるキズ等の欠陥の発生を抑制することができる。
【０００８】
また、特開平１１−２２１６１１号公報（特許文献４）には、鋼板の上下両側の離間した位置に、一対の磁石を同じ極が向かい合うように配置する技術が開示されている。
【０００９】
この方法によれば、鋼板表面に付着した鉄粉などの磁性体粉を、鋼板表面に傷をつけず効率よく吸着することができる。
【００１０】
これらの技術により、基板上に付着した異物が原因で発生する問題が減少し、形成した堆積膜の特性及び歩留まりも大きく改善されていた。
【００１１】
しかし、近年、基板のＧＮＤを強化する技術として、以下に挙げる二つが用いられている。一つは、特開２０００−１６０３４５号公報（特許文献５）に開示されている技術である。これは、帯状部材を覆う導電性天板と帯状部材の裏面を線接触または面接触させ、天板をアース電位にする技術である。もう一つは、特開平４−３４２１１７号公報（特許文献６）に開示されている技術である。これは、天板側に磁石を設けることで天板と基板裏面の密着性を高める技術である。
【特許文献１】米国特許第４，４００、４０９号明細書
【特許文献２】特開平６−２６０６６８号公報
【特許文献３】特開平６−２６０４２１号公報
【特許文献４】特開平１１−２２１６１１号公報
【特許文献５】特開２０００−１６０３４５号公報
【特許文献６】特開平４−３４２１１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
これらの技術においては、基板と天板が線接触または面接触しているために、従来とは比較にならないほど、鉄粉（異物）の発生量が飛躍的に増大してしまった。また、天板側に設けられた磁石の磁力によって発生した鉄粉（異物）が磁化し、基板に強固に付着する場合が生じる。
【００１３】
更に、成膜室の壁面等に堆積する堆積膜が厚くなり剥がれることで生じる膜片が、上記のような鉄粉と混合されてしまうことで、従来の技術によっては容易に除去することができなくなっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板を搬送しながら、少なくとも該基板の一方の面にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、該基板の非処理面に付着した付着物を該基板から除去する手段を有し、該除去手段は機械的に除去する手段と磁力により除去する手段とからなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
【００１５】
本発明は、前記機械的に除去する手段が、ブラシ状部材もしくはブレード状部材あるいは剛性のある板状部材のうちの少なくとも一つを含むことを含むものである。
【００１６】
本発明は、前記機械的に除去する手段の少なくとも一つが、前記磁力により除去する手段より、前記基板搬送方向上流に設けられていることを含むものである。
【００１７】
本発明は、前記基板と前記磁力により除去する手段との距離が、１ｍｍ以上であることを含むものである。
【００１８】
本発明は、前記機械的に除去する手段と前記基板の接触面について、どの一辺も前記基板の搬送方向に対して垂直ではないことを含むものである。
【００１９】
本発明は、前記機械的に除去する手段が、前記基板幅方向で少なくとも一つ頂点をもち該基板搬送方向下流で該基板端部側に向かって広がるよう配列されていることを含むものである。
【００２０】
本発明は、前記機械的に除去する手段と前記磁力により除去する手段とが一体化していることを含むものである。
【００２１】
本発明は、前記磁力により除去する手段が、電磁石であることを含むものである。
【００２２】
本発明は、前記基板を搬送するための回転ローラーを有し、前記付着物を該基板から除去する手段が、該回転ローラーの直前に設けられていることを含むものである。
【００２３】
本発明は、前記付着物を前記基板から除去する手段が、前記基板の処理室出口ごとに設けられていることを含むものである。
【００２４】
本発明は、基板を搬送しながら少なくとも該基板の一方の面にプラズマ処理を行なう方法において、該基板の非処理面に付着した付着物を該基板から除去する工程を有し、該工程は機械的に除去する工程と磁力により除去する工程とからなることを特徴とするプラズマ処理方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、上記のような基板のプラズマ処理装置にすることで、長時間のプラズマ処理を行なっても、安定して異物を除去および捕獲し続け堆積膜に欠陥が発生せずに堆積膜形成が可能となる。この為、高品質な堆積膜を長時間安定して形成することが可能となり生産性が向上やコストダウンが図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、帯状基板を連続搬送しながら基板上に堆積膜を形成する成膜装置に用いた時の一例を示すものである。機械的に除去する手段１０２は、適当な圧力で基板１０１と接触することで、基板に付着した異物が基板とともに下流へ搬送されるのを防止する。しかし、付着物のうち磁化しているものは、基板に強固に付着しているために機械的に除去する手段１０２では捕獲されず下流へ搬送されてしまう場合がある。そこで、基板１０１と非接触を保ち、機械的に除去する手段２０２の下流に設置された磁力により除去する手段１０３が、基板に残された磁化した異物を自身の磁力によって吸着し、基板１０１から除去する。
【００２７】
コイル状に巻かれた帯状基板１０１は巻き出しチャンバー１１１から巻出され、成膜室１１２、１１３、１１４を通過する際に、順次堆積膜が形成され、巻き取りチャンバー１１５に導かれ、全ての堆積膜が形成された状態で再び１０５のコイル状に巻取られる。巻き取られる際に、堆積膜の表面を保護する目的で、コイル１０５と帯状基板１０１の間に、合紙１０７が挟み込むように巻取られる。また、これら各チャンバー１１２〜１１４はスリット状のガスゲート１１６で接続されており、隣り合うチャンバー内のガスをそれぞれ分離できるようになっている。各成膜室では、帯状基板の表面（図示では下面）にそれぞれ異なる堆積膜を形成し、例えばｎｉｐ構造を有する太陽電池用半導体が形成される。
【００２８】
１１２、１１３、１１４の各成膜室には成膜ガス供給管１１７、排気ポンプ１１９、基板を加熱するためのヒーター２２０、不図示の放電を生起するための高周波電源およびガス供給機構が設けられ、堆積膜の形成が行われる。帯状基板１０１は回転ローラー１０４で搬送方向を変更される。また、ガスゲート１１６には分離用ガス供給管１１８より不図示の分離用ガスが導入される。巻き出しチャンバー１１１と巻き取りチャンバー１１５には、排気ポンプ１１９が接続され、ガスゲート１１６に導入された分離用ガスと、チャンバー内で発生した脱ガスを排気している。
【００２９】
帯状基板の非成膜面（図示では上面）の付着物は、巻き出しチャンバー１１５内において回転ローラー１０４の搬送上流に設けられた機械的に除去する手段１０６と磁力により除去する手段１２０により基板から除去される。
【００３０】
次にこの装置を用いて堆積膜形成の手順を具体的に示す。真空ポンプ１１９にてチャンバー１１１〜１１５を真空にする。ガスゲート１１６に分離用ガス供給管１１８より分離用ガスを導入する。成膜室１１２〜１１４に成膜ガス供給管１１７より、各堆積膜に応じた原料ガスを導入する。不図示の高周波電源より高周波を印加し放電を生起させる。帯状基板１０１を巻出しチャンバー１１１から巻き取りチャンバー１１５方向に搬送する。これにより帯状基板１０１が巻き出しコイル１０６から巻出され、成膜室１１２、１１３、１１４を順次通過し、帯状基板１０１上に堆積膜を形成された後、コイル１０５に巻取られる。
【００３１】
機械的に除去する手段の材質は、耐熱性、耐久性に優れ、脱ガスの少ない樹脂または、セラミック等が好ましく、温度等の装置条件により適宜選択することができる。ブレードの硬度、接触の度合は、基板が速度を変えることなくスムーズに、傷のつかない程度に搬送されれば、特に限定されない。また、ブラシ状部材、ブレードあるいは剛性のある板状部材を用いても良いが、発生する付着物が小さな粉状である場合にも捕獲能力が低下しないブレードあるいは剛性のある板状部材を用いる方がより望ましい。
【００３２】
また、機械的に除去する手段と磁力により除去する手段のどちらを搬送上流側に設けても構わない。しかし、磁化していない付着物の発生量が極端に多くなった場合、それらが磁化した付着物を覆ってしまう場合が発生する。このような場合、磁力により除去する手段の磁力が有効に働かないために吸着能力が低下し、磁化した付着物を十分に除去できなくなる。この場合、先に磁化していない付着物を機械的に除去する手段で捕獲し、その後に磁力により除去する手段で磁化した付着物を吸着するように基板を搬送すれば良い。従って、機械的に除去する手段を上流側に設けた方が、以上のような場合にも対応可能となり、望ましい。
【００３３】
また、機械的に除去する手段と基板の搬送方向とがなす角度について、特に規定されることはない。しかし、以下に述べる理由により、その角度は直角でない方がより好ましい。機械的に除去する手段と基板は、基板処理中常に一定の接触圧力が保たれていることが理想的である。しかし、現実的には、基板にかかるテンションが基板搬送に伴うわずかながらの変動は避けられず、機械的に除去する手段と基板との接触圧力も変動する。接触圧力が小さくなると、機械的に除去する手段に捕獲された異物が下流側へ搬送される確率が高くなる。従って、機械的に除去する手段と基盤の搬送方向とは直交しない方が、機械的に除去する手段に捕獲された付着物は基板搬送経路外に排出されるので、より好ましい。更に、機械的に除去する手段は、基板幅方向で少なくとも一つ頂点をもち基板搬送方向下流で該基板端部側に向かって広がるよう配列されている方が、より速やかに捕獲された付着物が基板搬送経路外に排出されるため、より望ましい。
【００３４】
機械的に除去する手段と磁力により除去する手段との間隔は特に規定されることはないが、両手段を一体化させることがより好ましい。基板と接触させている機械的に除去する手段と一体化させることによって、磁力により除去する手段と基板との間隔が一定に保たれる。従って、その間隔を一定に保つための機構を新たに設ける必要が無くなり、除去手段全体をコンパクトに構成することができる。
【００３５】
磁力により除去する手段と基板との距離は、非接触であれば特に規定されることはない。しかし、磁力により除去する手段に吸着された付着物の最表面が基板の非処理面に達すると、既に吸着されている異物が基板と擦れ、基板とともに搬送されてしまうこととなる。そこで、我々が鋭意検討を行った結果、上記距離は１ｍｍ以上であることがより望ましいとの結論に至った。一方、この距離が大きくなりすぎると、異物に作用する磁力が小さくなり除去効果も小さくなる。そのため使用する磁石の磁力に応じて、この距離の上限は適宜決定される。
【００３６】
磁力による除去手段は、永久磁石および電磁石のいずれをも問わない。基板の処理時間とともに磁石表面に吸着した異物の量が増えると、基板の非処理面における実効的な磁力が低下するため、磁力による除去手段の磁力は大きいほうが良い。しかし、磁力による除去手段の磁力が大きい場合、基板自体を磁力で引き付け、基板のスムーズな搬送の妨げになる。また、基板との距離を一定に保つのが困難になる。従って、経験的に得られる異物の発生頻度や基板の処理時間などから考慮して、用いる磁力による除去手段の磁力を決定することになる。しかし、異物の発生量が想定以上に多くなった場合、所望の基板処理時間が経過するまでに付着物を吸着する能力を失ってしまう。しかし、このような場合、磁力による除去手段に電磁石を用いれば、磁力を適宜大きくすることで、付着物の吸着能力を所望の基板処理時間中一定に保つことができるために、より好ましい。
【００３７】
帯状基板を搬送する際、その搬送方向を変えるために回転ローラーが用いられる。基板が回転ローラーを通過する時、基板にかかるテンションの圧力で非処理面が回転ローラーに密着される。この時、基板の非処理面に付着物が残っていると、基板に押し傷や打痕が発生し、堆積膜の膜質低下につながる。従って、基板搬送方向に対して回転ローラーの直前に、基板の付着物を除去する手段を設ける方が、より効果的に付着物の悪影響を取り除くことができるためより好ましい。
【００３８】
基板の非処理面の付着物は、主に基板処理室内で発生する。各処理室で発生する付着物が少量でも処理室が多い場合は、一つの付着物除去手段の能力を超えることになる。各処理室の出口ごとに付着物除去手段を設置した方が、このような場合にも効率よく付着物を除去することができ、より望ましい。
【００３９】
また、本発明の異物除去手段には、必要に応じて異物の除去量を検出し、一旦除去した異物を回収する手段を更に設けても良い。例えば、本発明の異物除去手段の近傍に、除去した異物量を電気的、光学的、あるいは磁気的な方法で検出する手段を設け、その量が予め設定した値に達した時点で、除去した異物を系外に回収する手段を設けることも可能である。その際、磁力により異物を除去する手段として電磁石を使用した場合、回収時には電磁石の磁力を小さくすることが好ましい。
【００４０】
以下に本発明の効果を実証するために実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何等限定されるものではない。
【実施例１】
【００４１】
図１に示す成膜装置を用い、上記発明の実施の形態にて示した手順で、一定速度で搬送する帯状基板上にｎ、ｉ、ｐ型のアモルファスシリコン膜を作製した。この時の各成膜室での作製条件を表１に示す。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
機械的に付着物を除去する手段１０２には、テフロン（登録商標）製の板状部材を用い、板状部材が基板搬送方向となす角度θ１＝９０°となるように不図示の支持部材により固定されている。また、板状部材は、基板のスムーズな搬送を阻害しない程度の接触圧力を保って基板と接触している。また、磁力による除去手段１０３には、磁束密度２００ｍＴを有する板状の希土類磁石を使用し、不図示の支持部材によって基板１０１から間隔Ｄ＝１ｍｍを保つよう支持されている。
【００４４】
また、巻き取りチャンバーには、回転ローラー１０４を通過した後の基板１０１の成膜面を観察することが可能なように図示のアクリル製窓が設けられており、基板搬送をしながら基板に発生する打痕や傷の観察をすることができる。
【００４５】
このようにしてアモルファスシリコン膜を全長４００ｍ、幅３５ｃｍのステンレス帯状基板上に堆積した。この基板２０１を長さ方向３０ｃｍ毎に切断し、３０ｃｍｘ３５ｃｍ（＝１０５０ｃｍ２）の太陽電池サンプルとして評価した。成膜後のテフロン（登録商標）製板状部材１０２の手前には多量の異物が堆積していた。また、磁石１０３の表面には少量の付着物が吸着されていたが、基板との間隔１ｍｍを埋めるほどではなかった。また、得られた太陽電池は、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率については、図９に示すような結果となり、成膜開始２００ｍ以後少しずつ低下する傾向が見られ、成膜開始３００ｍ以降は、通常の成膜装置で作製した場合と同等であった。
【００４６】
（比較例）
図２に示すように、基板に付着した異物を除去する手段としてテフロン（登録商標）製板状部材のみを用いたこと以外は、実施例１と同様にして帯状基板４００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。得られた太陽電池は、基板全長にわたって良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率は、図９に示すような結果になった。
【実施例２】
【００４７】
図３に示すように、基板搬送方向に対して、機械的に除去する手段と磁力による除去する手段の設置順序を入れ換えた以外は、実施例２と同様にして、帯状基板４００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。この場合、テフロン（登録商標）製板状部材の下流側に磁化した異物が搬送されており、巻き取られた基板には少量の打痕を確認することができた。得られた太陽電池は、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１０に示すように成膜開始時は比較例で作製した太陽電池より良好な生存率であったが、成膜時間の経過に伴い少しずつ低下していく傾向が見られた。
【実施例３】
【００４８】
磁石２０３と基板２０１の距離が０．５ｍｍであること以外は、実施例１と同様にして帯状基板４００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。成膜後のテフロン（登録商標）製板状部材２０２の手前には、実施例とほぼ同量の異物が堆積していた。また、磁石２０３に吸着された異物は基板２０１と接触していた。磁石２０３の搬送下流側には多数の異物が搬送されていた。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１１に示すように成膜開始時は比較例で作製した太陽電池より良好な生存率であったが、成膜開始１００ｍ以降から低下し始め、成膜開始２００ｍ以降は通常の成膜装置で作製した場合と同等であった。
【実施例４】
【００４９】
図４に示すように、基板の付着物を機械的に除去する手段が基板搬送方向となす角度θ１＝１３５°となるように設置する以外は、実施例１と同様にして、帯状基板４００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。成膜後のテフロン（登録商標）製板状部材３０２の手前に堆積している異物の量は実施例１に比較すると少なく、一部の異物は巻き取りチャンバー１１５の底部で基板搬送経路の脇に堆積していた。磁石３０３の表面に吸着されている異物の量は、実施例１の場合とほぼ同量であった。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１２に示すように成膜開始２００ｍ以降に低下し始めたが、基板全長にわたって比較例で作製したものよりも良好な結果を示した。
【実施例５】
【００５０】
磁石１０３と基板１０１の距離が５ｍｍであること以外は、実施例１と同様にして帯状基板８００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。成膜後のテフロン（登録商標）製板状部材１０２の手前には、実施例１とほぼ同量の異物が堆積していた。一部の異物は巻き取りチャンバー１１５の底部で基板搬送経路の脇に堆積しており、その量は実施例３の場合より多かった。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１３に示すように基板全長にわたって比較例で作製したものよりも良好な結果を示したが、成膜開始３００ｍ以降で若干低下した。
【実施例６】
【００５１】
図５に示すように、テフロン（登録商標）製板状部材５０２をＶ字型に配置し、Ｖ字型の頂点を基板幅方向中央に位置させ、その頂角を９０度となるように設置した。また、基板と磁石５０３との距離を５ｍｍにした。これら以外を実施例１と同様にして、帯状基板８００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。成膜後のテフロン（登録商標）製板状部材５０２の手前にはごくわずかの異物が堆積しており、その堆積量は実施例３と比較して少なかった。一方、巻き取りチャンバー１１５の底部で基板搬送経路の脇に堆積していた異物の量は、実施例３に比べて多くなっていた。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１４に示すように成膜開始時はほぼ１００％であったが成膜開始３００ｍ以降にやや低下する傾向が見られたが、基板全長にわたって比較例で作製したものよりもかなり良好な結果を示した。
【実施例７】
【００５２】
図６に示すように、磁力による除去手段として電磁石を用い、基板と電磁石の距離は５ｍｍに設定した以外は、実施例４と同様にして、帯状基板８００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。この際、巻取りチャンバーに設けられた不図示のアクリル製窓から基板表面を観察し、基板表面の付着物の量や傷あるいは打痕の発生量を考慮して、適宜電磁石の磁力を大きくしていった。成膜後のテフロン（登録商標）製板状部材５０２の手前にはごくわずかの異物が堆積しており、その堆積量は実施例４と同等であった。また、巻き取りチャンバー１１５の底部で基板搬送経路の脇に堆積していた異物の量も、実施例４と同等であった。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１５に示すように基板全長にわたって一定でほぼ１００％の結果を得た。
【実施例８】
【００５３】
図７に示すように、各処理室７１１、７１２、７１３の出口にも基板の付着物を除去する手段を設置した以外は、実施例２と同様にして、帯状基板８００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。成膜後、処理室７１１、７１２、７１３の出口および巻取りチャンバー７１５に設置したそれぞれのテフロン（登録商標）製板状部材７０２の手前には少量の異物が堆積していた。また、それぞれの磁石７０３には少量の異物が吸着されていたが、基板との間隔１ｍｍを埋めるほどではなかった。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、図１６に示すように成膜開始４５０ｍ以降で低下する傾向が見られたが、基板全長にわたって比較例で作製したものよりも良好な結果を示した。
【実施例９】
【００５４】
図８に示すように、電磁石８０３に吸着された異物の量を光センサーで検出する手段８３０を設けた以外は、実施５と同様にして帯状基板８００ｍにアモルファスシリコン膜を堆積し、太陽電池サンプルを作製した。この際、不図示の機構により光センサー８３０は複数の電磁石８０３の表面に吸着された異物の量を検出し、その検出量に応じて電磁石８３０の磁力を変化させるように設定した。得られた太陽電池は、基板全長にわたって変わりなく、良好な光電変換効率を示した。また、太陽電池の生存率について、実施例５と同じく基板全長にわたって一定でほぼ１００％の結果を得た。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明による堆積膜形成装置の一実施例である。
【図２】従来の堆積膜形成装置である。
【図３】本発明による基板の付着物を除去する手段の一実施例である。
【図４】本発明による基板の付着物を除去する手段の一実施例である。
【図５】本発明による基板の付着物を除去する手段の一実施例である。
【図６】本発明による基板の付着物を除去する手段の一実施例である。
【図７】本発明による堆積膜形成装置の一実施例である。
【図８】本発明による基板の付着物を除去する手段の一実施例である。
【図９】本発明の実施例１における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１０】従来の方法における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施例２における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１２】本発明の実施例３における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１３】本発明の実施例４における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１４】本発明の実施例５における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施例６における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例７における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【図１７】本発明の実施例８における長さ方向に対する、太陽電池サンプルの生存率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５６】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１  帯状基板
１０２、３０２、４０２、５０２、６０２、８０２  テフロン（登録商標）製板状部材
１０３、３０３、４０３、５０３、７０３  永久磁石
６０３、８０３  電磁石
１０４、２０４、３０４  回転ローラー
１０５、２０５、７０５  巻き取りコイル
１０６、２０６、７０６  巻き出しコイル
１０７、２０７、７０７  合紙
１１１、２１１、７１１  巻き出しチャンバー
１１２〜１１４、２１２〜２１４、７１２〜７１４  成膜室
１１５、２１５、７１５  巻き取りチャンバー
１１６、２１６、７１６  ガスゲート
１１７、２１７、７１７  成膜用ガス導入管
１１８、２１８、７１８  分離用ガス導入管
１１９、２１９、７１９  真空ポンプ
８３０  光センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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