(57)【要約】      （修正有）【課題】一次成形品の表面に所望の回路パターンを精度良く形成することができ、しかも二次成形した被覆層を容易に除去することができる三次元射出成形回路部品の製造方法を提供すること。【解決手段】基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程、一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して二次成形品を形成する工程、及びめっき処理してレジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に導体回路層を形成する工程を含む三次元射出成形回路部品の製造方法である。レジスト樹脂として、軟化点が１００〜２３０℃、２００℃で測定した溶融粘度が３００〜８００００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ポリアミド樹脂を使用し、有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する。【選択図】図１
2005217279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部品の基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程、所望により一次成形品の表面を粗面化する工程、一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する工程、及び二次成形品をめっき処理して、レジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に導体回路層を形成する工程を含む三次元射出成形回路部品の製造方法において、
（１）レジスト樹脂として、軟化点が１００〜２３０℃、２００℃で測定した溶融粘度が３００〜８００００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ポリアミド樹脂を使用し、かつ、
（２）めっき処理時のめっき触媒付与後またはめっきによる導体回路層の形成後に、有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する工程を配置する
ことを特徴とする三次元射出成形回路部品の製造方法。
【請求項２】
レジスト樹脂として使用する熱可塑性ポリアミド樹脂が、ダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体を含むジカルボン酸成分とジアミン成分とを重縮合してなるダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂が、
ａ）二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(a-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(a-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分と、
ｂ）ジアミン成分とを、
全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が０．８：１〜１．３：１の範囲内で重縮合して得られる熱可塑性ポリアミド樹脂である請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
ジアミン成分が、下記式（Ｉ）
【化１】
2005217279.tif 000006
〔式中、Ｒ1は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｙは、水素原子、ＲＮＨ2またはＲＯＨ（Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキレン基）である。〕
で表されるピペラジン化合物、及び下記式(II)
【化２】
2005217279.tif 000007
〔式中、Ｒ1は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｒ2は、二価の脂肪族炭化水素基であり、Ｙは、水素原子、ＲＮＨ2またはＲＯＨ（Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキレン基）である。〕
で表されるジピペリジル化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の含窒素複素環化合物(b-1)を全アミノ基の２０当量％以上と、該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)を全アミノ基の８０当量％以下とからなるジアミン成分である請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
レジスト樹脂として使用する熱可塑性ポリアミド樹脂が、ダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体を含むジカルボン酸成分とジアミン成分とを重縮合してなるダイマー酸ベースのポリアミド樹脂と、ポリアミドポリアミン樹脂とをアミド交換反応させて得られるアミド交換反応型ポリアミド樹脂である請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
アミド交換反応型ポリアミド樹脂が、
ａ）二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(a-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(a-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分と、
ｂ）下記式（Ｉ）
【化３】
2005217279.tif 000008
〔式中、Ｒ1は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｙは、水素原子、ＲＮＨ2またはＲＯＨ（Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキレン基）である。〕
で表されるピペラジン化合物、及び下記式(II)
【化４】
2005217279.tif 000009
〔式中、Ｒ1は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｒ2は、二価の脂肪族炭化水素基であり、Ｙは、水素原子、ＲＮＨ2またはＲＯＨ（Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキレン基）である。〕
で表されるジピペリジル化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の含窒素複素環化合物(b-1)を全アミノ基の２０当量％以上と、該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)を全アミノ基の８０当量％以下とからなるジアミン成分とを、
全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が０．８：１〜１．３：１の範囲内で重縮合して得られるポリアミド樹脂（Ａ）、及び
ｃ）二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分と、
ｄ）ポリアルキレンポリアミンとを、
全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が１．３：１〜３．０：１の範囲内で重縮合して得られるポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）
を重量比（Ａ：Ｂ）９９．９：０．１〜４０：６０の範囲内で溶融混合してアミド交換反応させてなるものである請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
アミド交換反応型ポリアミド樹脂が、ポリアミド樹脂（Ａ）とポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）とを重量比（Ａ：Ｂ）９５：５〜４０：６０の範囲内で溶融混合してアミド交換反応させてなるものである請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
レジスト樹脂被覆層を溶解除去するのに使用する有機溶媒が、アルコール類またはアルコール類と他の有機溶媒との混合溶媒である請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
アルコール類が、エタノールまたは２−プロパノールである請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
下記工程ｉ〜ｖ：
（i）回路部品の基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程ｉ、
（ii）必要に応じて、一次成形品の表面を粗面化する工程ｉｉ、
（iii）一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する工程ｉｉｉ、
（iv）二次成形品のレジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に、めっきにより導体回路層を形成する工程ｉｖ、及び
（v）有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する工程ｖ
を含む請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
下記工程Ｉ〜ＶＩ：
（I）回路部品の基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程Ｉ、
（II）必要に応じて、一次成形品の表面を粗面化する工程ＩＩ、
（III）一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する工程ＩＩＩ、
（IV）二次成形品のレジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に、めっき触媒を賦与する工程ＩＶ、
（V）有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する工程Ｖ、及び
（VI）めっき触媒賦与部分にめっきして導体回路層を形成する工程ＶＩ
を含む請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、三次元射出成形回路部品の製造方法に関し、さらに詳しくは、有機溶媒に可溶性の熱可塑性ポリアミド樹脂をレジスト樹脂として使用する工程を含む三次元射出成形回路部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、軽量化、高性能化に伴って、プリント配線基板のファインパターン化、多層化、機器内の合理化、省スペース化などが進められている。組立の自動化の観点からも、組立性の向上を目指した配線合理化技術が求められている。このような要求に応えるために、射出成形品の表面に立体的に配線（導体回路）を形成した三次元射出成形回路部品(Molded Interconnect Device; 以下、「ＭＩＤ」と略記）が提案されている。
【０００３】
ＭＩＤは、合成樹脂射出成形品と配線部品とを一体化した立体配線基板であって、自由な三次元性を持ち、配線の合理化のみならず、電子ディバイス部品などの小型化、表面実装を可能とするものである。例えば、ＭＩＤを機器内の隙間に配置することにより、集積密度を向上させることができる。ＭＩＤは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体パッケージ、三次元プリント配線板、携帯電話のアンテナ部品等に応用されている。
【０００４】
従来のＭＩＤの製造方法には、大別して「一回成形法」と「二回成形法」とがある。一回成形法では、めっきグレードの樹脂を用いて射出成形により成形品を成形し、該成形品の全面を粗面化した後、触媒を付与し、次いで、銅めっき膜を形成する。次に、銅めっき膜上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術により回路形成を行う。回路形成方法としては、エッチングレジストを用いたサブトラクティブ法、めっきレジストを用いたセミアディティブ法などがある。
【０００５】
この１回成形法では、レジスト膜への露光工程において、フィルムマスクやガラスマスクを用いて平行光により露光するため、垂直面には回路を形成することが困難である。マスクの形状を成形品の形状に合わせるように成形する方法を採用しても、成形可能なマスク形状に限界があり、しかも露光光線を均一に照射できるマスク形状に限定されるという問題がある。したがって、１回成形法は、導体回路形成の自由度が低い。さらに、１回成形法では、エッチングにより回路を形成するため、導体の厚さを厚くすることが困難である。
【０００６】
２回成形法は、易めっき性樹脂と難めっき性樹脂の２種類の樹脂を用いて、２回の成形により一体の成型品を成形し、フルアディティブ法により回路を形成する方法である。より具体的には、易めっき性樹脂を射出成形して一次成形品を成形し、その表面に触媒を付与するか、予め触媒を含有する易めっき性樹脂を射出成形して一次成形品を成形する。次に、一次成形品の回路を形成すべき部分以外の全面に難めっき性樹脂を射出成形して、難めっき性樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する。難めっき性樹脂被覆層は、めっきの際のめっきレジストの役割を果すものである。最後に、フルアディティブ法により、一次成形品表面の回路を形成すべき部分にめっきを施す。
【０００７】
２回成形法によれば、垂直面にも容易に回路を形成することができるため、１回成形法では不可能または困難であった立体的な回路成形を容易に行うことができる。２回成形法では、導体の厚さも、フルアディティブ法のため、エッチングを用いる１回成形法に比べて厚くすることができ、許容電流が大きな回路部品とすることができる。
【０００８】
しかし、従来の２回成形法では、二次成形した難めっき性樹脂被覆層がそのまま製品に残ってしまうので、回路部品全体が厚くなり、薄型にしたり、小型化や軽量化を図るには限界がある。また、２回成形法では、難めっき性樹脂被覆層が製品に残ることから、難めっき性樹脂として耐熱性、電気絶縁性、機械的強度、耐薬品性等に優れた樹脂材料を用いる必要があるため、製造コストが高くなる。さらに、一次成形品を金型内にインサートして難めっき性樹脂を射出成形するため、難めっき性樹脂として高性能の樹脂材料を用いると、高圧で射出成形する必要が生じ、その結果、回路部の高さを高くしたり、回路部の幅を広くする必要が生じる。
【０００９】
従来、２回成形法において、二次成形した部分が製品に残らないように、工程の途中で溶出させる方法が提案されている（特許文献１参照）。具体的に、該文献には、（１）回路部品の外形形状に合致する形状のキャビティ内にめっきグレードの液晶ポリマーを射出して一次成形品を成形する工程、（２）一次成形品を表面粗化する工程、（３）一次成形品に形成すべき回路部分を除く全表面に空隙を有する形状のキャビティ内に、表面粗化した一次成形品をインサートして、キャビティ内にオキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂を射出して二次成形品を成形する工程、（４）二次成形品を成形後に、露出している回路部分にパラジウム、金などによる触媒を賦与する工程、（５）触媒賦与後の二次成形品を湯中にて加熱して、二次成形によって成形した部分を湯中に溶出させる工程、及び（６）触媒賦与部分をめっきして回路を形成する工程からなる成形回路部品（ＭＩＤ）の製造方法が開示されている。
【００１０】
しかし、上記文献に記載の方法では、水溶性のオキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂を用いて二次成形部分（被覆層）を形成しているため、触媒賦与工程や触媒活性化工程で使用する塩酸や硫酸などの無機酸を含有する処理液により、当該被覆層が膨潤したり、溶解が部分的に進行する。その結果、所望の導体回路パターンを精度良く形成することが困難である。特に、回路ピッチが微細になるほど、この傾向が顕著になるという問題があった。
【００１１】
また、２回成形法とフォトリソグラフィ技術とを組み合わせたＭＩＤの製造方法が提案されている（特許文献２参照）。該文献には、凹凸の大きい険阻部となめらかに変化する平滑部とを有する合成樹脂射出成形品に導体回路を形成するＭＩＤの製造方法において、（１）射出成形品を、無電解めっき用触媒を配合した易めっき性材料の一次射出成形と無電解めっき用触媒を配合していない難めっき性材料の二次射出成形とで形成し、かつ、（２）険阻部の表面に易めっき性材料を露出させて険阻部の導体回路パターンを形成すると共に、（３）平滑部の全面に易めっき性材料が露出するように一次及び二次射出成形した後、険阻部と平滑部の全面に無電解めっきを施し、しかる後、（４）険阻部と平滑部の全面にレジスト被膜を形成し、そのレジスト被膜にフォトリソグラフィを施して平滑部の全面の無電解めっき層に、険阻部の導体回路パターンと連なる平滑部の導体回路パターンを形成するＭＩＤの製造方法が開示されている。
【００１２】
しかし、上記文献に記載の方法は、フォトリソグラフィ技術を適用するため、３次元導体回路形成の自由度が低く、しかも二次射出成形部分が製品に残ることになる。
【特許文献１】特開平１１−１４５５８３号公報
【特許文献２】特開平７−２８３５１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の課題は、２回成形法により三次元射出成形回路部品を製造する方法において、基板となる一次成形品の表面に所望の回路パターンを精度良く形成することができ、しかも二次成形した被覆層を容易に除去することができる三次元射出成形回路部品の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、特定の物性を有する熱可塑性ポリアミド樹脂が射出成形性、一次成形品に対する接着性、めっき処理液に対する耐性、有機溶媒に対する溶解性に優れた高分子材料であり、めっき処理時に一次成形品の上に射出成形によってパターン状の被覆層を形成するための高分子材料として好適であることを見出した。二次成形による被覆層は、めっき処理時のレジストとして機能するため、被覆層の形成に使用する高分子材料をレジスト樹脂と呼び、被覆層をレジスト樹脂被覆層と呼ぶ。本発明は、これらの知見に基づいて、完成するに至ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、回路部品の基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程、所望により一次成形品の表面を粗面化する工程、一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する工程、及び二次成形品をめっき処理して、レジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に導体回路層を形成する工程を含む三次元射出成形回路部品の製造方法において、
（１）レジスト樹脂として、軟化点が１００〜２３０℃、２００℃で測定した溶融粘度が３００〜８００００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ポリアミド樹脂を使用し、かつ、
（２）めっき処理時のめっき触媒付与後またはめっきによる導体回路層の形成後に、有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する工程を配置する
ことを特徴とする三次元射出成形回路部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、射出成形性、一次成形品に対する接着性、めっき処理液に対する耐性、有機溶媒に対する溶解性に優れた熱可塑性ポリアミド樹脂をレジスト樹脂として使用することにより、めっき処理液に溶解または膨潤することなく、一次成形品（基板）上に精度良く導体回路パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の三次元射出成形回路部品（ＭＩＤ）の製造方法について、図１を参照しながら説明する。図１において、合成樹脂を射出成形して、基板を構成する一次成形品１１を得る。所望により、この一次成形品の表面を粗面化処理する。次に、一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面に、レジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層１２を有する二次成形品を成形する。なお、図１では、明確化のために、レジスト樹脂被覆層１２を一次成形品１１の垂直部分と平坦部分のみに形成しているように図示しているが、実際には、回路部分を除く全面をパターン状に被覆している。
【００１８】
次に、回路部分にめっきを施して、めっき層１３を形成するが、その前に、必要に応じて、粗面化処理、触媒賦与処理などを行うことができる。最後に、有機溶媒を用いて、レジスト樹脂被覆層１２を溶解除去する。他の方法としては、回路形成部分にめっき触媒を付与した後、レジスト樹脂被覆層を溶解除去し、しかる後、めっき触媒を賦与した回路形成部分にめっきを施す方法がある。
【００１９】
基板となる一次成形品に使用する合成樹脂としては、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂等のスーパーエンジニアリングプラスチック；ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性ポリエステル樹脂；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン４６、ナイロン６Ｔ、ナイロン９Ｔなどのナイロン樹脂；などが挙げられる。
【００２０】
基板となる一次成形品を構成する合成樹脂は、射出成形性、耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性などに優れたものであることが望ましい。これらの合成樹脂の中でも、ＬＣＰ及びＰＢＴが特に好ましい。また、合成樹脂は、めっきグレードであることが望ましい。
【００２１】
これらの合成樹脂を射出成形して一次成形品を成形し、必要に応じて表面を粗化する。粗面化する方法としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液を５０〜９０℃に加熱し、その中に一次成形品を１〜６０分間程度浸漬する方法が挙げられるが、その他の方法も適用することができる。合成樹脂には、所望により、めっき賦与のためのめっき触媒を添加しておくことができる。
【００２２】
一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面に、レジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を成形するには、一般に、一次成形品を二次金型内にセットし、レジスト樹脂を射出インサート成形する。レジスト被覆層は、一次成形品の回路としない部分にパターン状に被覆する。つまり、基板である一次成形品の回路パターンを形成する部分以外の全表面にレジスト樹脂を射出成形して被覆する。
【００２３】
二次成形品のレジスト樹脂被覆層部分を除く回路を形成すべき部分に、めっきにより導体回路層を形成するが、その際、常法に従って、めっき触媒賦与、触媒活性化などの前処理を行う。めっきは、無電解めっき、それに引き続く電解めっき等の方法により行い、それによって、導体回路層を形成する。その後、本発明では、有機溶媒を用いて、二次成形品上のレジスト樹脂被覆層を溶解除去する。また、前述したとおり、めっき触媒付与後、有機溶媒を用いて二次成形品上のレジスト樹脂被覆層を溶解除去し、一次成形品上にパターン状に残存するめっき触媒を利用して、無電解めっき、それに引き続く電解めっきにより、導体回路を形成することもできる。
【００２４】
本発明の製造方法では、レジスト樹脂として、軟化点が１００〜２３０℃で、２００℃で測定した溶融粘度が３００〜８００００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ポリアミド樹脂を使用し、かつ、めっき処理時のめっき触媒付与後またはめっきによる導体回路層の形成後に、有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する。
【００２５】
本発明においてレジスト樹脂として使用する熱可塑性ポリアミド樹脂は、軟化点が１００〜２３０℃、好ましくは１１０〜２２０℃の範囲内にある。熱可塑性樹脂の軟化点が高すぎると、二次成形時の溶融樹脂温度が高くなりすぎて、一次成形品の表面を溶融するおそれがある。この軟化点が低すぎると、射出成形性が低下する傾向にある。
【００２６】
また、熱可塑性ポリアミド樹脂は、２００℃で測定した溶融粘度が３００〜８００００ｍＰａ・ｓ、好ましくは５００〜１００００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１０００〜１００００ｍＰａ・ｓである。熱可塑性ポリアミド樹脂の溶融粘度が低すぎると、射出成形性が低下し、バリの発生などの問題が生じ易くなる。熱可塑性樹脂の溶融粘度が高すぎると、有機溶媒に対する溶解性が低下する傾向にある。
【００２７】
本発明で使用する熱可塑性ポリアミド樹脂は、射出成形が可能であり、他の合成樹脂からなる一次成形品に対する接着性に優れ、めっき処理液に対する耐性があり、しかもアルコール類などの有機溶媒に可溶性のものである。このような熱可塑性ポリアミド樹脂としては、例えば、(1)ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂、及び(2)ダイマー酸ベースのアミド交換反応型ポリアミド樹脂が挙げられる。
【００２８】
ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂とは、ダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体を含むジカルボン酸成分とジアミン成分とを重縮合してなる熱可塑性ポリアミド樹脂である。
【００２９】
ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂は、
ａ）二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(a-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(a-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分と、
ｂ）ジアミン成分とを、
全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が０．８：１〜１．３：１の範囲内で重縮合して得られる熱可塑性ポリアミド樹脂であることが好ましい。
【００３０】
ジアミン成分としては、特に限定されず、例えば、下式
Ｈ2ＮＲ5ＮＨ2
で表されるジアミン化合物(b-2)を挙げることができる。式中、Ｒ5は、脂肪族、脂環式または芳香族の二価の炭化水素基で炭素原子数２ないし３６のもの、あるいは、ポリオキシアルキレン基を持ったものである。このようなジアミン化合物の具体例は、エチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノブタン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、オクタデカメチレンジアミン、メタキシリレンジアミン、パラキシレンジアミン、シクロへキシレンジアミン、ビス（アミノエチル）ベンゼン、シクロヘキシルビス（メチルアミン）、ジアミノ−ジシクロヘキシルメタン、メチレンジアニリン、ポリオキシプロピレンジアミン、ダイマージアミンなどが挙げられる。ジアミン化合物は、Ｒ5が炭素原子数２ないし６のアルキレン基であるものが好ましい。
【００３１】
ジアミン成分としては、上記のもの以外に、下記式（Ｉ）
【００３２】
【化５】
2005217279.tif 000003
【００３３】
〔式中、Ｒ1は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｙは、水素原子、ＲＮＨ2またはＲＯＨ（Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキレン基）である。〕
で表されるピペラジン化合物、及び下記式(II)
【００３４】
【化６】
2005217279.tif 000004
【００３５】
〔式中、Ｒ1は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、Ｒ2は、二価の脂肪族炭化水素基であり、Ｙは、水素原子、ＲＮＨ2またはＲＯＨ（Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキレン基）である。〕
で表されるジピペリジル化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の含窒素複素環化合物(b-1)を使用することができる。
【００３６】
また、ジアミン成分として、含窒素複素環化合物(b-1)を全アミノ基の２０当量％以上と、該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)を全アミノ基の８０当量％以下とからなるジアミン成分を用いることも好ましい。
【００３７】
ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂としては、市販品の中から軟化点及び溶融粘度が前記範囲内にあるものを選択して用いることができる。市販品としては、例えば、ヘンケルジャパン社製の登録商標名「マクロメルト」シリーズの中から適したものを選択することができる。
【００３８】
もちろん、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂は、独自に合成したものを使用することができる。この点で、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂は、下記に詳述するダイマー酸ベースのアミド交換反応型ポリアミド樹脂の製造に使用するポリアミド樹脂（Ａ）と使用する成分や物性などが共通していることが多い。そこで、以下、主としてダイマー酸ベースのアミド交換反応型ポリアミド樹脂と、それを形成するのに使用するポリアミド樹脂（Ａ）及びポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）について詳述するが、ポリアミド樹脂（Ａ）についての説明は、前記のダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂に援用することができる。
【００３９】
ダイマー酸ベースのアミド交換反応型ポリアミド樹脂としては、ダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体を含むジカルボン酸成分とジアミン成分とを重縮合してなるダイマー酸ベースのポリアミド樹脂とポリアミドポリアミン樹脂とをアミド交換反応させて得られるアミド交換反応型ポリアミド樹脂を挙げることができる。
【００４０】
このアミド交換反応型ポリアミド樹脂は、
ａ）二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(a-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(a-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分と、
ｂ）前記式（Ｉ）で表されるピペラジン化合物、及び前記式(II)で表されるジピペリジル化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の含窒素複素環化合物(b-1)を全アミノ基の２０当量％以上と、該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)を全アミノ基の８０当量％以下とからなるジアミン成分とを、
全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が０．８：１〜１．３：１の範囲内で重縮合して得られるポリアミド樹脂（Ａ）、及び
ｃ）二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分と、
ｄ）ポリアルキレンポリアミンとを、
全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が１．３：１〜３．０：１の範囲内で重縮合して得られるポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）
を重量比（Ａ：Ｂ）９９．９：０．１〜４０：６０の範囲内で溶融混合してアミド交換反応させてなるものであることが好ましい。
【００４１】
さらに、アミド交換反応型ポリアミド樹脂として、前記ポリアミド樹脂（Ａ）とポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）とを重量比（Ａ：Ｂ）９５：５〜４０：６０の範囲内で溶融混合してアミド交換反応させてなるものであることがより好ましい。
【００４２】
ポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）とのアミド交換反応に使用するポリアミド樹脂（Ａ）は、例えば、特公昭４５−６８２５号公報や特開昭４８−１４７９０号公報に記載されている製造方法により得ることができる。
【００４３】
本発明で使用するダイマー酸(Dimer acid)は、オレイン酸（Ｃ18Ｈ34Ｏ2）、リノール酸（Ｃ18Ｈ32Ｏ2）、リノレン酸（Ｃ18Ｈ30Ｏ2）などの不飽和脂肪酸を粘土触媒により縮合させて二量体化した重合脂肪酸である。飽和脂肪酸を過酸化物触媒を用いて重合することによっても、ダイマー酸を得ることができる。ダイマー酸の主成分は二量体であり、その他に単量体や三量体などを含んでいる。ダイマー酸の代表的なものは、単量体（Ｃ18）、二量体（Ｃ36）及び三量体（Ｃ54）の混合物である。
【００４４】
ダイマー酸の製法は、米国特許第３１５７６８１号明細書に記載されている。トール油脂肪酸などのオレイン酸、リノール酸を主成分とする脂肪酸から製造された市販のダイマー酸は、一般に、Ｃ18単量体酸（単量体）５〜１５重量％、Ｃ36二量体酸（二量体）６０〜８０重量％、及びＣ54以上の高次重合体酸（三量体）１０〜３５重量％の組成を有している。
【００４５】
この未分別ダイマー酸中の単量体、二量体及び三量体の比率は、原料及びその重合条件に依存する。単量体脂肪酸とは、未重合の単量体酸を意味し、二量体脂肪酸とは、二量体脂肪酸を意味し、三量体脂肪酸とは、主として三量体酸よりなり更に高次のものも含有する重合体を意味する。ダイマー酸とは、脂肪酸から得られる重合酸の総称で、単量体、二量体、三量体の混合物である。ダイマー酸の原料となる脂肪酸とは、飽和、エチレン系不飽和、アセチレン系不飽和の天然及び合成の脂肪酸族のカルボン酸で、炭素原子数８乃至２４のものをいう。
【００４６】
飽和脂肪酸は、一般に、米国特許第３１５７６８１号明細書に記載の方法とは少し異なる方法で重合される。即ち、飽和脂肪酸は、中温で過酸化ジ−ｔ−ブチルのような過酸化物触媒を用いて重合される。一般に、重合体の収率が低いのでこれらの原料は工業的に重要ではない。飽和脂肪酸としては、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、イソパルミチン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸、及びリグノセリン酸のような直鎖及び側鎖の酸が挙げられる。重合されるエチレン系及びアセチレン系不飽和脂肪酸とその重合法に関しては、米国特許第３１５７６８１号明細書に記載されている。
【００４７】
ダイマー酸中に存在する単量体、二量体、及び三量体脂肪酸の含量は、ガスクロマトグラフィーにより、対応するメチルエステルとして定量される。他の定量法は、ミクロ分子蒸留分析法、液体クロマトグラフィー等がある。
【００４８】
本発明では、二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(a-1)を使用する。二量体脂肪酸の含有量は、好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０〜９５重量％である。二量体脂肪酸の含有量を高めるには、ダイマー酸を分留するか、溶剤抽出法により単量体を除去するなどの方法を採用することができる。二量体脂肪酸の含有量が低すぎると、溶融成形性などに優れたポリアミドを得ることができない。
【００４９】
ダイマー酸は、酸の形で使用することができるが、この他、アミド生成可能な誘導体とすることもできる。アミド生成可能な誘導体とは、ジアミン成分と反応してアミド結合を生成することが可能な誘導体を意味する。このような誘導体としては、エステル、ハロゲン化物、及び酸無水物がある。エステルは、ダイマー酸をアルコールと反応させることにより得ることができる。エステル残基としては、炭素原子数１〜８のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらの中でも、メチル基やエチル基などの炭素原子数１〜４のアルキル基が特に好ましい。ハロゲンとしては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子などがあるが、塩素原子が好ましい。
【００５０】
ジカルボン酸成分としては、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(a-2)を使用することができる。このようなジカルボン酸化合物とその誘導体としては、下記式
Ｒ3ＯＯＣ−ＣＯＯＲ3
または下記式
Ｒ3ＯＯＣ−Ｒ4−ＣＯＯＲ3
で表される化合物を挙げることができる。これらの式において、Ｒ3は、炭素原子数１〜８のアルキル基またはアリール基であり、Ｒ4は、炭素原子数１〜２０の二価の炭化水素の脂肪族、脂環式または芳香族基である。また、これらの酸の無水物、ハロゲン化物（塩化物など）も使用することができる。エステルは、炭素原子数１〜４のアルキルエステルが好ましい。
【００５１】
このようなジカルボン酸化合物の例としては、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、コハク酸、スベリン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ピメリン酸、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタリンジカルボン酸、１，４−または１，３−シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられる。
【００５２】
ジカルボン酸成分は、二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(a-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上、好ましくは５０当量％以上、より好ましくは５０〜９０当量％、最も好ましくは５５〜８５当量％と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(a-2)を全カルボキシル基の８０当量％以下、好ましくは５０当量％以下、より好ましくは１０〜５０当量％、最も好ましくは１５〜４５当量％とから構成される。ここで、全カルボキシル基は、カルボン酸のみならず、そのエステル、ハロゲン化物、酸無水物などに由来する官能基を意味する。溶融粘度調節等の目的で、モノカルボン酸化合物またはそのアミド形成可能な誘導体を少量成分として併用することができる。
【００５３】
ポリアミド樹脂（Ａ）を形成するジアミン成分としては、前記式(I)で表されるピペラジン化合物と前記式(II)で表されるジピペリジル化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の含窒素複素環化合物(b-1)、及び該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)を使用することが好ましい。
【００５４】
含窒素複素環化合物(b-1)を使用することにより、ポリアミド樹脂（Ａ）の接着性が向上し、さらには、合成樹脂成形品などに対して良好な接着性を示すアミド交換反応型ポリアミド樹脂を得ることができる。
【００５５】
含窒素複素環化合物(b-1)の具体例としては、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、２，５−ジエチルピペラジン、２−メチルピペラジン、２−エチルピペラジン、Ｎ−アミノエチル−ピペラジン、Ｎ−アミノプロピル−ピペラジン、１，３−ジ（４−ピペリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピペリジル）エタン、１，４−ジ（４−ピペリジル）ブタン、１−（Ｎ−ペンタヒドロキシエチル−４−ピペリジル）−３−（４−ピペリジル）プロパンなどが挙げられる。該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)としては、前記式Ｈ2ＮＲ5ＮＨ2で表されるものを挙げることができる。
【００５６】
ジアミン成分は、含窒素複素環化合物(b-1)を全アミノ基の２０当量％以上、好ましくは２０〜９０当量％、より好ましくは２５〜７５当量％と、該含窒素複素環化合物以外のジアミン化合物(b-2)を全アミノ基の８０当量％以下、好ましくは１０〜８０当量％、より好ましくは２５〜７５当量％とから構成される。含窒素複素環化合物の当量％が小さすぎると、接着性を十分に向上させることができない。
【００５７】
本発明で使用するポリアミド樹脂（Ａ）は、前述のジカルボン酸成分とジアミン成分とを、全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が０．８：１〜１．３：１、好ましくは０．９：１〜１．２：１の範囲内で重縮合して得られるポリアミドである。両成分を上記比率（モル当量比）で重縮合させることにより、酸価及びアミン価が共に好ましくは３５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、より好ましくは３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下で安定したポリアミド樹脂（Ａ）を得ることができる。
【００５８】
ポリアミド樹脂（Ａ）は、ジカルボン酸成分とジアミン成分とを加熱して重縮合させることにより得ることができる。加熱条件としては、例えば、１００〜３００℃で３〜１０時間程度加熱する方法が挙げられる。加熱は、減圧下に行ってもよい。
【００５９】
ポリアミド樹脂（Ａ）は、軟化点１００〜２３０℃、酸価０〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価５〜３０ｍｇＫＯＨ／ｇ、及び２００℃で測定した溶融粘度３００〜８００００ｍＰａ・ｓの物性を有するものであることが望ましい。ポリアミド樹脂（Ａ）の軟化点及び溶融粘度が低すぎると、それを用いて得られるアミド交換反応型ポリアミド樹脂の軟化点及び溶融粘度が低下し、溶融成形性やその他の特性が悪化する。ポリアミド樹脂（Ａ）の軟化点は、好ましくは１１０〜２２０℃、より好ましくは１２５〜１９０℃である。ポリアミド樹脂（Ａ）の２００℃で測定した溶融粘度は、好ましくは５００〜１００００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１０００〜８０００ｍＰａ・ｓである。
【００６０】
本発明でアミド交換反応に使用するポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）は、二量体脂肪酸含有量が６５重量％以上のダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-1)を全カルボキシル基の２０当量％以上と、ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-2）を全カルボキシル基の８０当量％以下とからなるジカルボン酸成分、及びポリアルキレンポリアミンとを、全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が１．３：１〜３．０：１の範囲内で重縮合して得られるポリアミドポリアミン樹脂である。
【００６１】
ダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-1)、及びダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-2)としては、ポリアミド樹脂（Ａ）を合成するのに使用したのと同じものを使用することができる。ダイマー酸またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-1)は、好ましくは全カルボキシル基の５０当量％以上、より好ましくは６０〜１００当量％の割合で使用される。ダイマー酸以外のジカルボン酸化合物またはそのアミド生成可能な誘導体(ｃ-2)は、好ましくは全カルボキシル基の５０当量％以下、より好ましくは０〜４０当量％の割合で使用される。溶融粘度調節等の目的で、モノカルボン酸化合物またはそのアミド形成可能な誘導体を少量成分として併用することができる。
【００６２】
ポリアルキレンポリアミンとしては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンなどが挙げられる。
【００６３】
ポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）は、ジカルボン酸成分とポリアルキレンポリアミンとを、全アミン当量の全カルボキシル当量に対する比が１．３：１〜３．０：１の範囲内で重縮合することにより合成されるアミン官能基を持ったポリアミドポリアミン樹脂である。ポリアミドポリアミン樹脂は、例えば、特公昭３７−１８８９８号公報に記載されている合成法により製造することができる。
【００６４】
ポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）は、酸価０〜５ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価５０〜３５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、及び２００℃で測定した溶融粘度５０〜３０００ｍＰａ・ｓの物性を有するものであることが望ましい。
【００６５】
アミド交換反応型ポリアミド樹脂を製造するには、ポリアミド樹脂（Ａ）とポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）とを重量比（Ａ：Ｂ）で通常９９．９：０．１〜４０：６０、好ましくは９５：５〜４０：６０、より好ましくは９０：１０〜５０：５０で溶融混合する。ポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）の混合比率が高すぎると、生成するアミド交換反応型ポリアミド樹脂の軟化点が低下しすぎて、射出成形時の固化に長時間を要したり、バリが発生し易くなる。
【００６６】
ポリアミド樹脂（Ａ）とポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）は、通常１５０〜３００℃、好ましくは２００〜２５０℃の高温下で、通常１時間以上、好ましくは５時間以上、より好ましくは１０時間以上、溶融混合することにより、アミド交換反応を起させる。アミド交換反応が生じていることは、溶融混合の結果、均一な物性を有するアミド交換反応型ポリアミド樹脂の得られることにより明らかである。溶融混合時に、アミド交換反応に加えて、更なる重縮合反応が進むこともある。
【００６７】
本発明で使用するアミド交換反応型ポリアミド樹脂は、アミド交換反応後に下記物性
ｉ）軟化点が１００〜２３０℃、好ましくは１１０〜２１０℃、より好ましくは１２０〜１８０℃、
ii）酸価が０〜５ｍｇＫＯＨ/ｇ、
iii）アミン価が１０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇ、
iv）２００℃で測定した溶融粘度が３００〜８００００ｍＰａ・ｓ、好ましくは５００〜１００００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１０００〜８０００ｍＰａ・ｓ
を有するものである。
【００６８】
アミド交換反応型ポリアミド樹脂の軟化点及び溶融粘度が低すぎると、射出成形性が低下し、その他の物性も悪化することがある。
【００６９】
ポリアミド樹脂（Ａ）単独でも、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂として、射出成形法による溶融成形が可能であり、他の合成樹脂成形品に対する優れた接着性が得られる。一方、ポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）単独では、軟化点を有していないため、射出成形法等の溶融成形法を適用することが困難である。
【００７０】
レジスト樹脂として使用する熱可塑性樹脂の中でも、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂及びダイマー酸ベースのアミド交換反応型ポリアミド樹脂などの熱可塑性ポリアミド樹脂は、射出成形性などの溶融成形性、他の合成樹脂成形品に対する接着性、めっき処理液に対する耐性、アルコール類などの有機溶媒に対する溶解性などに優れているため、ＭＩＤ製造時のレジスト樹脂として好適である。しかも、熱可塑性ポリアミド樹脂は、レジスト樹脂として使用した後、有機溶媒により容易に溶解除去することができるため、レジスト樹脂被覆層が残存しないＭＩＤの製造に好適である。
【００７１】
前記特性を有する熱可塑性ポリアミド樹脂をレジスト樹脂として使用するＭＩＤの製造方法は、好ましくは、下記の一連の工程ｉ〜ｖを有するものである。
【００７２】
（i）回路部品の基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程ｉ、
（ii）必要に応じて、一次成形品の表面を粗面化する工程ｉｉ、
（iii）一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する工程ｉｉｉ、
（iv）二次成形品のレジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に、めっきにより導体回路層を形成する工程ｉｖ、及び
（v）有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する工程ｖ。
【００７３】
熱可塑性樹脂をレジスト樹脂としてＭＩＤを製造する他の方法として、以下の各工程Ｉ〜ＶＩを含む製造方法が挙げられる。
【００７４】
（I）回路部品の基板を構成する一次成形品を合成樹脂の射出成形により形成する工程Ｉ、
（II）必要に応じて、一次成形品の表面を粗面化する工程ＩＩ、
（III）一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂を射出成形して、レジスト樹脂被覆層を有する二次成形品を形成する工程ＩＩＩ、
（IV）二次成形品のレジスト樹脂が被覆されていない回路を形成すべき部分に、めっき触媒を賦与する工程ＩＶ、
（V）有機溶媒を用いてレジスト樹脂被覆層を溶解除去する工程Ｖ、及び
（VI）めっき触媒賦与部分にめっきして導体回路層を形成する工程ＶＩ。
【００７５】
レジスト樹脂として使用した熱可塑性ポリアミド樹脂の被覆層を溶解除去するために、本発明では、アルコール類などの有機溶媒を使用する。レジスト樹脂被覆層の溶解除去に適した有機溶剤としては、基板を構成する合成樹脂一次成形品を侵さないものであること、熱可塑性ポリアミド樹脂に対する溶解性に優れていること、適度の温度に加熱して使用することができること、安価であること、環境汚染が少ないことなどが求められる。
【００７６】
有機溶媒としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール（すなわち、イソプロピルアルコール；ＩＰＡ）、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−２−プロパノール、２−メチル−１−プロパノール、アミルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類が好ましい。アルコール類としては、一価の低級アルコール類がより好ましいが、前記特性を有する熱可塑性樹脂に対する溶解性や１００℃以下の適度の温度に加熱して使用可能である点で、エタノール及び２−プロパノールが特に好ましい。
【００７７】
その他の有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミド系有機溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロへプタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；などが好ましい。
【００７８】
有機溶媒としては、前記のアルコール類、芳香族炭化水素類、アミド系有機溶媒、ケトン類などをそれぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて混合溶媒として使用することができる。混合溶媒での各成分の混合比率は、熱可塑性ポリアミド樹脂に対する溶解性に優れている範囲内で任意に選ぶことができるが、多くの場合、アルコール類が好ましくは３０〜９９容量％、より好ましくは４０〜９０容量％と、他の有機溶媒が好ましくは１〜７０容量％、より好ましくは１０〜６０容量％の範囲内から選ばれる。アルコール類に混合する有機溶媒として、トルエンなどの芳香族炭化水素類、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミド系有機溶媒を用いると、レジスト樹脂被覆層の溶解性を高めることができる。
【００７９】
有機溶媒は、通常０〜１００℃、好ましくは２０〜９０℃、より好ましくは３０〜８５℃の温度で使用することが望ましい。有機溶媒として、エタノールや２−プロパノールを用いる場合には、好ましくは４０〜８５℃、より好ましくは５０〜８０℃の高温で使用することが、レジスト樹脂被覆層の溶解除去効率を高める上で特に好ましい。
【００８０】
熱可塑性ポリアミド樹脂からなるレジスト樹脂被覆層を溶解除去するには、めっき触媒付与後または導体回路形成後の二次成形品を有機溶媒中に浸漬する方法を採用することが好ましい。浸漬法によれば、有機溶媒の温度調整が容易で、しかもレジスト樹脂被覆層の全体を溶解除去するのが容易である。有機溶媒を吹き付ける方法や刷毛塗りする方法など、必要に応じて他の方法を採用したり、併用することができる。
【００８１】
浸漬法では、温度調整した有機溶媒中に二次成形品を１〜６０分間、好ましくは５〜４０分間浸漬する方法により、レジスト樹脂被覆層を容易に除去することができる。本発明で使用する熱可塑性ポリアミド樹脂は、めっき処理工程で使用する無機酸を含有する各種処理液に対して安定であるため、所望の回路パターンを精度良く得ることができ、回路ピッチの微細化にも対応が可能となる。
【００８２】
また、本発明で使用する熱可塑性ポリアミド樹脂は、一次成形品用の各種合成樹脂に対する接着性に優れているので、一次成形品の表面を粗面化せずとも、二次金型にセットして熱可塑性樹脂を成形するだけで、一次成形品の表面にレジスト樹脂被覆層として接着させることができる。その後、二次成形品の一次成形品表面露出部を粗面化し、めっきを行えば、一次成形品とめっき層の密着強度が得られる。レジスト樹脂被覆層を除去すれば、非回路部は、粗面化処理されていないので、平滑性の非回路部を有する外観の優れたＭＩＤを製造することができるという効果も得られる。
【実施例】
【００８３】
以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。物性及び特性の測定法は、次のとおりである。
【００８４】
（１）軟化点：
軟化点は、ＪＩＳ  Ｋ６８６３−１９９４に記載されているホットメルト接着剤の軟化点試験方法に準拠して測定した。
（２）酸価：
酸価は、フェノールフタレインを指示薬とし、水酸化カリウム水溶液を滴定液とする中和滴定法により測定した。
【００８５】
（３）アミン価：
アミン価は、ブロムクレゾールグリーンを指示薬とし、塩酸水溶液を滴定液とする中和滴定法により測定した。
（４）溶融粘度：
溶融粘度は、ＪＩＳ  Ｋ６８６２−１９８４に記載されているホットメルト接着剤の溶融粘度試験方法のＢ法に準拠して、測定温度２００℃で測定した。
【００８６】
＜めっき工程＞
めっき工程は、以下の手順により行った。すなわち、下記(1)〜(5)に示した処方にて無電解銅めっきを行い、厚み２μｍの銅めっき層を形成し、引き続いて、(6)の手順で電気銅めっきを行い、めっき層の合計厚みを１５μｍとした。
【００８７】
(1)脱脂処理：
一次成形品を超音波洗浄機で５分間洗浄した後、イオン交換水で洗浄する。
【００８８】
(2)プレディップ：
塩化ナトリウム（１８０ｇ／Ｌ）、塩酸（８０ｍｌ／Ｌ）、及びＯＳ−１５０５〔シプレイ・ファーイースト（株）製、商品名〕（２０ｍｌ／Ｌ）をこれらの比率で混合して処理液を調製し、この処理液を４５℃の温度に設定して、その中に試料を３分間浸漬する。
【００８９】
(3)触媒付与：
塩化ナトリウム（１８０ｇ／Ｌ）、塩酸（１００ｍｌ／Ｌ）、ＯＳ−１５０５〔シプレイ・ファーイースト（株）製、商品名〕（２０ｍｌ／Ｌ）、及びＯＳ−１５５８〔シプレイ・ファーイースト（株）製、商品名〕（２０ｍｌ／Ｌ）をこれらの比率で混合して処理液を調製し、この処理液を３０℃の温度に設定して、その中に試料を８分間浸漬する。浸漬後、試料をイオン交換水で洗浄する。
【００９０】
(4)触媒活性化：
ＯＳ−１５６０〔シプレイ・ファーイースト（株）製、商品名〕（濃度＝２０ｍｌ／Ｌ）からなる処理液を３０℃の温度に設定し、この処理液中に試料を２分間浸漬する。浸漬後、試料をイオン交換水で洗浄する。
【００９１】
(5)無電解銅めっき：
ＯＳ−１５９８Ｍ（４８ｍｌ／Ｌ）、ＯＳ−１５９８Ａ（１０ｍｌ／Ｌ）、ＯＳ−１５９８Ｒ（２ｍｌ／Ｌ）、ＯＳ−１１２０ＳＲ（２．１ｍｌ／Ｌ）、ＣｕｐＺ（２３ｍｌ／Ｌ）、及びＣｕｐＹ（１２ｍｌ／Ｌ）〔それぞれシプレイ・ファーイースト（株）製、商品名〕をこれらの比率で混合してめっき液を調製し、次いで、めっき液を４５℃の温度に設定して、その中に試料を１５分浸漬する。浸漬後、試料をイオン交換水で洗浄する。
【００９２】
(6)電気銅めっき：
硫酸銅（２２０ｇ／Ｌ）と硫酸（６０ｇ／Ｌ）をこれらの比率で混合してめっき液を調製し、次いで、めっき液を２５℃の温度に設定して、その中に試料を浸漬し、２Ａ／ｄｍ2の電流密度で２０分間通電することにより、厚み約１５μｍのめっき層を形成する。
【００９３】
［実施例１］
液晶ポリエステル樹脂（ＬＣＰ）〔ベクトラＣ８１０、ポリプラスチック（株）製、商品名〕を、射出成形機（型締力＝１００トン、スクリュー径＝４５ｍｍφ）を用いて、射出圧５０ｋｇ／ｃｍ2、保圧時間１０秒間、金型温度６０℃の条件にて射出成形することにより、図２に示す形状の一次成形品２１を成形した。得られた一次成形品をエタノールで洗浄した後、８０℃に設定した４５％の水酸化ナトリウム水溶液中に５分間浸漬し、次いで、３％の塩酸で中和する方法により粗面化した。粗面化した一次成形品を二次金型内にセットし、レジスト樹脂を射出成形して、一次成形品の回路を形成すべき部分を除く全表面にレジスト樹脂被覆層を形成した（二次成形品の成形）。
【００９４】
レジスト樹脂としては、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂であるマクロメルトＪＰ１７５（ヘンケルジャパン製；軟化点１７５℃、２００℃での溶融粘度３０００ｍＰａ・ｓ）を使用した。
【００９５】
得られた二次成形品に、前記手順で無電解めっき及び電解めっき処理を行った後、８０℃の２−プロパノール中に３０分間浸漬して、レジスト樹脂被覆層を溶解除去して、導体回路２２を有する三次元射出成形回路部品を得た。得られた回路部品は、図２に示すように、回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍの回路（Ｌ＆Ｓ＝３００／３００μｍ）が形成されており、所望のパターンの導体回路層を高精度で形成することが可能であった。
【００９６】
［実施例２］
ポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）〔ＵＢＥ  ＰＢＴ  ３０００  宇部興産（株）製、商品名〕１００重量部に炭酸カルシウム２０重量部を添加した樹脂組成物を、射出成形機（型締力１００トン、スクリュー径４５ｍｍφ）を用いて、射出圧５０ｋｇ／ｃｍ2、保圧時間１０秒間、金型温度６０℃の条件にて射出成形することにより、図２に示す形状の一次成形品２１を成形した。この一次成形品をエタノールで洗浄した後、８０℃に設定した濃度４５重量％水酸化ナトリウム水溶液中に５分間浸漬し、次いで、３％の塩酸で中和する方法で粗面化した。粗面化した一次成形品を二次金型内にセットし、レジスト樹脂をインサート射出成形して二次成形品を得た。
【００９７】
レジスト樹脂としては、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂であるマクロメルトＯＭ６７３（ヘンケルジャパン製；軟化点１８５℃、２００℃での溶融粘度３０００ｍＰａ・ｓ）を使用した。
【００９８】
得られた二次成形品に、前記手順で無電解めっき及び電解めっき処理を行った後、８０℃の２−プロパノール中に３０分間浸漬して、レジスト樹脂被覆層を溶解除去して、導体回路２２を有する三次元射出成形回路部品を得た。得られた回路部品は、図２に示すように、回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍの回路（Ｌ＆Ｓ＝３００／３００μｍ）が形成されており、所望のパターンの導体回路層を高精度で形成することが可能であった。
【００９９】
［実施例３］
実施例１で作製したのと同じ一次成形品を使用し、二次成形用のレジスト樹脂として、ダイマー酸（０．６５当量）、セバシン酸（０．３５当量）、エチレンジアミン（０．５３当量）、及びピペラジン（０．５３当量）を重縮合して得られた、軟化点１６０℃、酸価１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価１０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、溶融粘度３０００ｍＰａ・ｓ（２１０℃）のポリアミド樹脂（Ａ）と、ダイマー酸（１．０当量）及びジエチレントリアミン（１．５当量）を重縮合して得られた、酸価１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価１００．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、溶融粘度１００ｍＰａ・ｓ（２００℃）のポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）とを、Ａ：Ｂ＝８０／２０の重量比で配合し、２３０℃で１２時間溶融混合、アミド交換反応させて得られた、軟化点１５０℃、酸価１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価２５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、溶融粘度３０００ｍＰａ・ｓ（２００℃）のアミド交換反応型ポリアミド樹脂を使用した。
【０１００】
得られた二次成形品に、前記手順で無電解めっき及び電解めっき処理を行った後、８０℃の２−プロパノール中に３０分間浸漬して、レジスト樹脂被覆層を溶解除去して、導体回路２２を有する三次元射出成形回路部品を得た。得られた回路部品は、図２に示すように、回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍの回路（Ｌ＆Ｓ＝３００／３００μｍ）が形成されており、所望のパターンの導体回路層を高精度で形成することが可能であった。
【０１０１】
［実施例４］
実施例１で作製したのと同じＬＣＰ製の一次成形品を使用し、二次成形用のレジスト樹脂として、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂であるマクロメルトＯＭ６７３（ヘンケルジャパン製；軟化点１８５℃、２００℃での溶融粘度３０００ｍＰａ・ｓ）を使用した。
【０１０２】
得られた二次成形品に、前記手順で無電解めっき及び電解めっき処理を行った後、８０℃の２−プロパノールとトルエンとの１：１混合溶媒中に１５分間浸漬して、レジスト樹脂被覆層を溶解除去して、導体回路２２を有する三次元射出成形回路部品を得た。得られた回路部品は、図２に示すように、回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍの回路（Ｌ＆Ｓ＝３００／３００μｍ）が形成されており、所望のパターンの導体回路層を高精度で形成することが可能であった。
【０１０３】
［比較例１］
実施例１で作製したのと同じＬＣＰ製の一次成形品を使用し、二次成形用のレジスト樹脂として、オキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂〔エコマティＡＸ２０００、日本合成化学（株）製、商品名〕を使用し、図２に対応する形状を有する二次成形品を得た。しかし、粗面化工程において、レジスト樹脂被覆層の膨潤が見られ、所望の回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍのパターンの導体回路層を形成することができなかった。
【０１０４】
［比較例２］
実施例１で作製したのと同じＬＣＰ製の一次成形品を使用し、二次成形用のレジスト樹脂として、ダイマー酸ベースの熱可塑性ポリアミド樹脂であるマクロメルト６９００（ヘンケルジャパン製；軟化点１４０℃、２００℃での溶融粘度１０ｍＰａ・ｓ）を使用した。しかし、レジスト樹脂の射出成形工程でバリ（一次成形品と金型のクリアランスに樹脂が入り込む現象）が発生したため、所望の回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍのパターンの導体回路層の形成ができなかった。
【０１０５】
［比較例３］
実施例１で作製したのと同じＬＣＰ製の一次成形品を使用し、二次成形用のレジスト樹脂として、実施例３でアミド交換反応に使用したポリアミドポリアミン樹脂（Ｂ）を使用したこと以外は、実施例１と同様にして導体回路の形成を行った。しかし、レジスト樹脂の射出成形工程で、バリが発生したため、所望の回路幅３００μｍ、回路ピッチ６００μｍのパターンの導体回路層の形成ができなかった。
【０１０６】
【表１】
2005217279.tif 000005
【０１０７】
（脚注）
（＊１）二次成形性：
○：バリの発生がなく、二次成形性が良好である、
×：バリが発生する。
（＊２）めっき液耐性：
○：めっき液で溶解または膨潤しない、
×：めっき液で溶解または膨潤する。
（＊３）溶解性：
○：有機溶媒に対する溶解性が良好である、
×：有機溶媒に対する溶解性が悪い。
（＊４）回路パターン形成性：
○：ライン＆スペース＝３００／３００μｍの回路パターンを精度良く形成することができる、
×：回路パターンを形成できないか、その精度に劣る。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明によれば、２回成形法により三次元射出成形回路部品を製造する方法において、基板となる一次成形品の表面に所望の回路パターンを精度良く形成することができ、しかも二次成形した被覆層を容易に除去することができる三次元射出成形回路部品の製造方法が提供される。本発明の方法により得られた三次元射出成形回路部品は、エレクトロニクス実装技術分野などにおいて好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明のＭＩＤ製造方法の一例に従って、工程（ａ）から工程（ｅ）を経て、ＭＩＤが製造されることを示す工程図である。
【図２】本発明の製造方法の一例に従って得られるＭＩＤの一例を示す略図であり、斜視図（Ａ）、正面図（Ｂ）、及び側面図（Ｃ）を示す。
【符号の説明】
【０１１０】
１１：一次成形品、
１２：レジスト樹脂層、
１３：めっき層（導体回路層）、
２１：一次成形品、
２２：めっき層（導体回路層）。
【図１】
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【図２】
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