(57)【要約】【課題】小型化かつ低背化を図りつつも、出力信号パターンやバイアスパターン等の伝送ロスが発生せず、効率の高い高周波電力増幅モジュールを提供する。【解決手段】誘電体基板１の表面に実装された電力増幅素子２へ信号を供給する入力信号パターン３と、電力増幅素子２から信号を取り出す出力信号パターン４と、電力増幅素子２へ電源を供給するバイアスパターン５を有し、入力信号パターン３、出力信号パターン４、バイアスパターン５が誘電体基板１の表面あるいは内部に形成されてなる高周波電力増幅モジュールであって、出力信号パターン４、バイアスパターン５の少なくとも一方の導体厚みが入力信号パターン３より厚いことを特徴とする。特に、入力信号パターンの導体厚みｔ１、前記出力信号パターンの導体厚みｔ２、バイアスパターンの導体厚みｔ３において、ｔ２≧１．５×ｔ１またはｔ３≧１．５×ｔ１の関係にあることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、該誘電体基板の表面に実装された電力増幅素子と、該電力増幅素子へ信号を供給する入力信号パターンと、該電力増幅素子から信号を取り出す出力信号パターンと、該電力増幅素子へ電源を供給するバイアスパターンを有し、前記入力信号パターン、前記出力信号パターン、前記バイアスパターンが前記誘電体基板の表面あるいは内部に形成されてなる高周波電力増幅モジュールであって、前記出力信号パターン、バイアスパターンの少なくとも一方の導体厚みが前記入力信号パターンより厚いことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
【請求項２】
前記入力信号パターンの導体厚みｔ１、前記出力信号パターンの導体厚みｔ２、バイアスパターンの導体厚みｔ３において、ｔ２≧１．５×ｔ１またはｔ３≧１．５×ｔ１の関係にあることを特徴とする請求項１記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項３】
前記出力信号パターンの導体厚みｔ２とバイアスパターンの導体厚みｔ３の少なくともどちらか一方が２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項４】
前記出力信号パターン、バイアスパターンの少なくとも一方の導体層が、誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項５】
全体が、誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層の積層体から構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項６】
前記複合層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項４または請求項５記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項７】
前記複合層が、
（ａ）光透過可能なキャリアフィルム表面に、少なくとも金属粉末と、有機バインダとを含む導体ペーストによって、光非透過性の所定の導体パターン層を形成する工程と、
（ｂ）前記導体パターン層を形成したキャリアフィルム上に、少なくとも光硬化可能なモノマー、光重合開始剤、および誘電体材料を含有する光硬化スラリーを、前記導体パターン層の厚さ以上の厚さに塗布して光硬化誘電体層を形成する工程と、
（ｃ）前記キャリアフィルムの裏面より、光を照射して前記導体パターン層形成以外の領域の光硬化誘電体層を光硬化し、現像液を付与して、前記光硬化誘電体層の前記導体パターン層表面を含む非光硬化部を溶化、除去して、複合層を形成する工程と、
（ｄ）この複合層を焼成する工程と、
を形成されたものである請求項５または請求項６記載の多層配線基板。
【請求項８】
ダイプレクサ、アンテナ共用器、方向性結合器、アイソレータ、高周波スイッチ、バンドパスフィルタのうち少なくとも一つを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項９】
前記請求項１乃至請求項８のいずれか記載の高周波モジュールを搭載したことを特徴とする携帯端末機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯情報端末機、無線ＬＡＮ、ＷＬＬ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｌｏｃａｌ  Ｌｏｏｐ）等の電子機器・電子装置等に用いられる、小型・高性能かつ低価格な高周波電力増幅モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、無線通信などに用いられる高周波電力増幅モジュールには、セラミックスの優れた物性、例えば誘電特性、放熱性等からセラミックスからなる誘電体基板に対して、導体層によって種々の回路を設けてなる。
【０００３】
これまでの高周波電力増幅モジュールは、誘電体層となるガラス粉末やセラミック粉末を用いてドクターブレード法などによってグリーンシートを作製し、このシートにＮＣパンチや金型などで貫通孔を形成した後、導電性ペーストを充填するとともに、グリーンシート表面に配線パターンを印刷形成し、その後、これらのシートを複数積層して、焼成するテープ積層工法によって作製される（特許文献１参照）。その結果、図６に示すように、誘電体基板２１の表面に、電力増幅素子２が実装搭載されており、誘電体基板２１表面に印刷形成された入力信号パターン２３、出力信号パターン２４、バイアスパターン２５とワイヤボンディングされる。また、各パターン２３、２３、２５は、誘電体層を挟んで電極が形成され、キャパシタ２６、２７、２８が形成される。さらに、電力増幅素子２の直下には、ビア導体２９が複数本形成され、グランド電極３０と接続される。
【０００４】
近年、携帯電話等の移動体通信機の普及などにより、高周波電力増幅モジュールの小型化、低背化が強く要求されるようになった。これに伴い、回路の高密度化が進むとともに、誘電体層１層あたりの厚みを薄くし、内層されるキャパシタンスの小型化や製品高さの低背化を行い、市場の要求に対応してきた。
【特許文献１】特開２００２−３５９３２１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、誘電体層１層あたりの厚みを薄くするに伴い、内層の導体パターンの厚みも薄くする必要があった。例えば、誘電体層の厚みを５０μｍとした場合、導体厚みを２０μｍ以上とすると、導体層と誘電体層との段差が大きくなり、その結果、導体層との段差部で層間剥離が発生し、回路基板としての信頼性が低下してしまうために、導体厚みは１０μｍ以下にする必要がある。
【０００６】
ところが、導体層の厚みが薄くなると、例えば、ＣＤＭＡ方式の携帯電話で用いられる高周波電力増幅モジュールにおいては、バイアスパターンには、数百ｍＡの電流を流し、出力信号パターンには、約１Ｗの高周波電力を流すことが必要であるが、導体厚みが薄くなると、これらの導体層の抵抗値が増加してしまい、伝送ロスが発生し、効率が悪化してしまうという問題があった。
【０００７】
従って、本発明は、小型化かつ低背化を図りつつも、出力信号パターンやバイアスパターン等の伝送ロスが発生せず、効率の高い高周波電力増幅モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の高周波増幅回路モジュールは、誘電体基板と、該誘電体基板の表面に実装された電力増幅素子と、該電力増幅素子へ信号を供給する入力信号パターンと、該電力増幅素子から信号を取り出す出力信号パターンと、該電力増幅素子へ電源を供給するバイアスパターンを有し、前記入力信号パターン、前記出力信号パターン、前記バイアスパターンが前記誘電体基板の表面あるいは内部に形成されてなる高周波電力増幅モジュールであって、前記出力信号パターン、バイアスパターンの少なくとも一方の導体厚みが前記入力信号パターンより厚いことを特徴とするものである。本発明によれば、かかる構造によって、効率に影響する配線の導体厚みを維持したまま、モジュールの低背化、小型化を実現できる。
【０００９】
また、前記の高周波電力増幅モジュールにおいて、前記入力信号パターンの導体厚みｔ１、前記出力信号パターンの導体厚みｔ２、バイアスパターンの導体厚みｔ３において、ｔ２≧１．５×ｔ１またはｔ３≧１．５×ｔ１の関係にすることによって、モジュールの低背化、小型化を行った場合においても効率の維持を実現できる。
【００１０】
また、前記の高周波電力増幅モジュールにおいて、出力信号パターンの導体厚みｔ２とバイアスパターンの導体厚みｔ３の少なくとも一方を２０μｍ以上としたことにより、効率を悪化させることなく、モジュールの低背化、小型化を実現できる。
【００１１】
前記出力信号パターン、バイアスパターンの少なくとも一方の導体層を、誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層にて形成することによって、導体層の厚みを厚くしても、誘電体層との段差を生じることがないために、層間剥離などによる信頼性の低下の発生がない。しかも、この複合層の積層数に応じて、導体層の厚みを任意に調整することができる。
【００１２】
特に、モジュール全体が、誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層による積層体から構成されていることによって、従来法におけるビア導体を形成するために貫通穴形成、導体ペーストの貫通穴への充填などの工程を行う必要がなく、さらに信頼性を高めることができる。
【００１３】
なお、前記複合層の厚みを５０μｍ以下とすることによって、高周波モジュールの低背化、小型化を図ることができる。
【００１４】
また、前記複合層は、例えば、（ａ）光透過可能なキャリアフィルム表面に、少なくとも金属粉末と、有機バインダとを含む導体ペーストによって、光非透過性の所定の導体パターン層を形成する工程と、（ｂ）前記導体パターン層を形成したキャリアフィルム上に、少なくとも光硬化可能なモノマー、光重合開始剤、および誘電体材料を含有する光硬化スラリーを、前記導体パターン層の厚さ以上の厚さに塗布して光硬化誘電体層を形成する工程と、（ｃ）前記キャリアフィルムの裏面より、光を照射して前記導体パターン層形成以外の領域の光硬化誘電体層を光硬化し、現像液を付与して、前記光硬化誘電体層の前記導体パターン層表面を含む非光硬化部を溶化、除去して、複合層を形成する工程と、（ｄ）この複合層を焼成する工程とを経て形成することができる。
【００１５】
また、本発明の高周波モジュールにおいては、ダイプレクサ、アンテナ共用器、方向性結合器、アイソレータ、高周波スイッチ、バンドパスフィルタのうち少なくとも一つを備えることによって、高周波電力増幅モジュールの高機能化を図ることができる。
【００１６】
そして、上記の高周波モジュールを搭載することによって、携帯端末機器の小型化、低背化を図るとともに、信頼性を高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高周波電力増幅モジュールの小型化、低背化を図るにあたり、誘電体層の厚みを薄くする場合であっても、効率に大きく影響する出力信号パターン、バイアスパターンの厚みを厚くすることができ、これにより、電池寿命が長く、かつ、小型で薄型の携帯型情報端末機等の電子機器・電子装置等に好適な高周波電力増幅モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明の高周波電力増幅モジュールの一例を示す（ａ）概略斜視図及び（ｂ）Ａ−Ａ’概略断面図、（ｃ）Ｂ−Ｂ’概略断面図である。また、図２は、本発明の高周波電力増幅モジュールにて形成される回路の一例を示す回路図である。
【００１９】
図において、１は誘電体基板、２は電力増幅素子、３は入力信号パターン、４は出力信号パターン、５はバイアスパターン、６〜８はキャパシタンス、９は放熱用導体、１０はグランドパターンを示す。また、図２中において、１１は入力信号端子、１２は電源端子、１３は出力信号端子である。
【００２０】
図２の回路によれば、入力信号端子１１から入力された信号は、キャパシタンス６と入力信号パターン３を介して、電力増幅素子２へ入力され、電力増幅素子２で電力増幅される。増幅された信号は、出力信号パターン４とキャパシタンス７、８を介して出力信号端子１３へ出力される。電力増幅素子２へは、電源端子１２からバイアスパターン５を介してＤＣ電源が供給される。
【００２１】
図１によれば、誘電体基板１の表面には、入力信号パターン３および出力信号パターン４およびバイアスパターン５が形成されている。また、電力増幅素子２は、基板表面に搭載され、ボンディングワイヤや半田などによって、入力信号パターン３および出力信号パターン４およびバイアスパターン５と接続されている。また、誘電体基板１の内部には、キャパシタンス６、７、８を形成すべく、入力信号パターン３および出力信号パターン４およびバイアスパターン５に対して、それぞれ誘電体層３ａ、４ａ、５ａを介して対向電極パターン３ｂ、４ｂ、５ｂが形成されている。そして、この対向電極パターン３ｂ、４ｂ、５ｂは、誘電体基板１の裏面に形成された入力信号端子１１、出力信号端子１３、電源端子１２にそれぞれ接続されている。また、電力増幅素子２を搭載した部分の直下には、放熱用導体９が埋設されており、電力増幅素子２が増幅動作時に発生した熱は、放熱用導体９、ＧＮＤパターン１０を経由して系外に放出される。
【００２２】
本発明によれば、上記の高周波モジュールにおいて、出力信号パターン４、バイアスパターン５の少なくとも一方の導体厚みを入力信号パターン３よりも厚く形成されている。このように、出力信号パターン４、バイアスパターン５の少なくとも一方の導体厚みを入力信号パターン３よりも厚く形成することによって、導体厚みが薄くなることによる、効率の悪化を避けることができる。
【００２３】
例えば、８００ＭＨｚ帯の携帯電話のシステムであるＣＤＭＡ方式に用いられる電力増幅入力信号パターンの厚みｔ１が１０μｍであったとすると、出力信号パターンの厚みｔ２，バイアスパターンの厚みｔ３は、ｔ２≧１．５×ｔ１またはｔ３≧１．５×ｔ１、特にｔ２≧２×ｔ１またはｔ３≧２×ｔ１、の関係にあることが望ましい。これによって、導体抵抗値による効率の低下を避けることができる。
【００２４】
例えば、内蔵するキャパシタンス６，７，８の面積を削減するために、導体間の最小間隔を５０μｍとしたとすると、従来のグリーンシート法に基づき作製した場合、各パターンの厚みｔ１、ｔ２、ｔ３はいずれも１０μｍ以下としなければならず、その結果、効率が低下してしまう。これに対して、本発明によれば、とりわけ、出力信号パターン４の導体厚みｔ２とバイアスパターン５の導体厚みｔ３の少なくともどちらか一方が２０μｍ以上、３０μｍ以上、さらには４０μｍ以上とすることによって、さらに効率を高めることができる。
【００２５】
一方、誘電体基板１を構成する誘電体層の厚みは、５０μｍ以下、特に４０μｍ以下とすることによって、モジュールの低背化とともに、多機能化を図ることができる。
【００２６】
このような薄い誘電体層に対して、２０μｍ以上の厚みの導体パターンを形成する場合両者の厚み差による段差が大きくなり、層間剥離などの問題が発生しやすくなる。
【００２７】
そこで、本発明によれば、出力信号パターン４、バイアスパターン５の少なくとも一方の導体層を、誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層によって形成する。
【００２８】
このような複合層は、例えば、以下の方法によって作製することができる。図３に、複合層を製造するための工程図を示した。図３によれば、（ａ）光透過可能なキャリアフィルム１００表面に、導体ペーストによって光非透過性の所定のパターンの導体パターン層１０１を形成し、（ｂ）その上に、光硬化スラリーを導体パターン層１０１の厚さ以上の厚さに塗布して光硬化セラミック層１０２を形成する。次に、（ｃ）キャリアフィルム１００の裏面より、光を照射して、導体パターン層１０１形成以外の領域の光硬化セラミック層１０２を光硬化させた後、（ｄ）これを現像して現像して、光硬化セラミック層１２と導体パターン層１１からなる複合層を作製する。なお、（ｅ）キャリアフィルム１００が適宜、取り外すことができる。
【００２９】
上記の複合層の形成にあたって、用いられる光硬化スラリーは、望ましくは、セラミック粉末に、光硬化可能なモノマーと、光重合開始剤と、有機バインダと、可塑剤とを、有機溶剤に混合し、ボールミルで混練して調製する。
【００３０】
光硬化可能なモノマーとしては、低温で短時間の焼成工程に対応するために、熱分解性に優れたものであることが望ましい。また、光硬化可能なモノマーは、スリップ材の塗布・乾燥後の露光によって光重合される必要があり、遊離ラジカルの形成、連鎖生長付加重合が可能で、２級もしくは３級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば少なくとも１つの重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに対応するアルキルメタクリレート等が挙げられる。また、テトラエチレングリコールジアクリレート等のポリエチレングリコールジアクリレートおよびそれらに対応するメタクリレートも有効である。また、光開始系材料としては、ベンゾフェノン類，アシロインエステル類化合物などが挙げられる。
【００３１】
また、有機バインダも、光硬化可能なモノマーと同様に熱分解性が良好であることが望まれ、同時にスリップの粘性を決めるものであるため、固形分との濡れ性も考慮することが必要である。本発明によれば、アクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。
【００３２】
有機溶剤としては、エチルカルビトールアセテート、ブチルセルソルブ、３メトキシブチルアセテートの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００３３】
各成分の含有量は、セラミック粉末１００質量部あたり、光硬化モノマー及び光重合開始剤を５〜２０質量部、有機バインダを１０〜４０質量部、可塑剤を１〜５質量部、有機溶剤を５０〜１００質量部の割合が適当である。
【００３４】
また、導体パターン層１０１を形成するための導体ペーストは、平均粒径が１〜３μｍ程度の前記導体材料の粉末に、必要に応じてセラミック材料を添加した無機成分に対して、エチルセルロース、アクリル樹脂などの有機バインダを加え、さらにジブチルフタレート、αテルピネオール、ブチルカルビトール、２・２・４−トリメチル−３・３−ペンタジオールモノイソブチレートなどの適当な溶剤を混合し、３本ローラ等により均質に混練して調製される。
【００３５】
上記複合層によれば、複合層を形成する誘電体層１０２および導体層１０１の厚みは、最初に形成する導体層１０１の厚みによって定めることができ、誘電体層１０２の厚みを薄く、かつ導体層１０１の厚みを厚く形成することが可能である。
【００３６】
また、出力信号パターン４、バイアスパターン５の厚みを大きくする場合、上記の複合層を所定の厚みになるまで必要数を積層することによって、出力信号パターン４、バイアスパターン５を厚くすることができる。
【００３７】
例えば、図１においては、入力信号パターン３は、複合層１層で形成されているのに対して、出力信号パターン４は、複合層を３層積層して形成され、バイアスパターン５は、複合層を２層積層して形成されたものである。
【００３８】
本発明によれば、図１に示すとおり、高周波増幅回路モジュール全体を上記複合層の積層体によって形成することがもっとも望ましい。その場合、誘電体層と導体層とが一体化した複合層において導体層の位置を適宜変更し、それらを積層した後、積層体を焼成することによって、図１に示したような平面回路および垂直回路によって３次元的回路を具備する誘電体基板がセラミックスからなる高周波電力増幅モジュールを形成することができる。
【００３９】
例えば、従来の高周波モジュールにおいて、図５に示したように、ビア導体を複数形成した放熱ビアに変えて、放熱領域をすべて導体層によって形成したて放熱体を設けることができ、これによって放熱ビアに比較して放熱効率を高めることができる。また、キャパシタ６，７，８を形成する誘電体層や電極も薄くできるために、キャパシタ６、７、８を小型化することもできる。
【００４０】
なお、誘電体基板１の表面に形成される表面の出力信号パターン４、バイアスパターン５、入力信号パターン３の表面には、半田との濡れ性を改善するために、ニッケル、金などのメッキ層が１〜３μｍの厚みで形成される。
【００４１】
また、必要に応じて、表面処理として、さらに入力信号パターン３、出力信号パターン４、バイアスパターン５基板表面に厚膜抵抗膜や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さらにＩＣチップを含む電子部品などを実装してもよい。また、必要に応じて、入出力信号パターン３，４、バイアスパターン５と電力増幅素子２とをワイヤボンディングによって接続する。さらには、誘電体基板１表面に形成された各種回路や実装搭載された電子部品を樹脂などによって封止したり、蓋を取り付けるなどによって、高周波電力増幅モジュールとして完成する。
【００４２】
本発明における上記の高周波電力増幅モジュールにおいて、誘電体基板１は、（１）Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）少なくともＳｉＯ２およびＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物を含有する金属酸化物による混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成されるセラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼結性のセラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。
【００４３】
用いられる（２）の混合物や、（３）のガラス組成物としては、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−アルカリ金属酸化物系、さらにはこれらの系にアルカリ金属酸化物、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を配合した組成物が挙げられる。（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラスに対して２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。
【００４４】
一方、入出力信号パターン、バイアスパターン、端子電極、垂直導体は、セラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられ、例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガンの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）の場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。上記の導体材料には、セラミック材料と同時焼成する上で、セラミック材料を構成する成分を含有することが望ましい。
【００４５】
なお、上記の例は、あくまで本発明の例示であって、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での種々の変更や改良は何ら差し支えないものである。
【００４６】
例えば、誘電体基板１の上面にキャビティを形成して、そのキャビティ内に電力増幅素子２を収納することによって、モジュールの低背化、小型化を図ることができる。
【００４７】
また、図４に示すように、テスト信号との切り替えを行う高周波スイッチ２１、２周波数の分配を行うダイプレクサ２２（例えば、８００ＭＨｚ帯のＣＤＭＡ信号と１５７５ＭＨｚのＧＰＳ信号を分配する）、Ｔｘ信号とＲｘ信号を分配するアンテナ共用器２３、アンテナのインピーダンスの不整合による反射波を吸収するためのアイソレータ２４、高周波電力増幅モジュールの出力をモニタする方向性結合器２５、高周波電力増幅モジュールへ入力される信号の純度を高めるためのバンドパスフィルタ２６を本発明の高周波電力増幅モジュールに付与することによって、各ブロック回路への接続を最短の配線長で実現できるために、効率を高めることができる。また、図２の高周波電力増幅モジュール、図４の高周波モジュールを携帯通信機に搭載することによって、通信機の効率が改善し、例えば、携帯用通信機の場合、１回の充電による使用時間を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の高周波電力増幅モジュールの一例を示す（ａ）概略斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図である。
【図２】本発明の高周波電力増幅モジュールの一例を示す回路図である。
【図３】本発明における複合層を形成するための工程図を示す。
【図４】本発明の高周波電力増幅モジュールを用いた高周波モジュールの回路図を示す。
【図５】従来の高周波電力増幅モジュールの一例を示す（ａ）概略斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・誘電体基板
２・・・電力増幅素子
３・・・入力信号パターン
４・・・出力信号パターン
５・・・・バイアスパターン
６〜８・・キャパシタンス
９・・・・放熱体
１０・・・グランド電極
１１・・・入力信号端子
１２・・・電源端子
１３・・・出力信号端子
【図１】
2005217579.tif 000003
【図２】
2005217579.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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