(57)【要約】【課題】低誘電率化とともに誘電損失の低い低温焼成磁器とそれを用いた配線基板を提供する。【解決手段】ＳｉＯ２を４５〜５５質量％と、Ａｌ２Ｏ３を３１〜３５質量％と、ＭｇＯを１２〜１５質量％と、Ｂ２Ｏ３を０．１〜５質量％とを総量で９９．５質量％以上含むガラス成分を７０〜９９質量％と、アルミナ、ムライト、フォルステライト、スピネルおよびガーナイトの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー成分を１〜３０質量％の割合で含有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２を４５〜５５質量％と、Ａｌ２Ｏ３を３１〜３５質量％と、ＭｇＯを１２〜１５質量％と、Ｂ２Ｏ３を０．１〜５質量％とを総量で９９．５質量％以上含むガラス成分を７０〜１００質量％と、アルミナ、ムライト、フォルステライト、スピネルおよびガーナイトの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー成分を０〜３０質量％の割合で含有することを特徴とする低温焼成磁器組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の前記低温焼成磁器組成物を８５０〜１０５０℃で焼成することを特徴とする低温焼成磁器。
【請求項３】
前記低温焼成磁器が結晶相としてコーディライトを含有するとともに、開気孔率が１％以下であることを特徴とする請求項２に記載の低温焼成磁器。
【請求項４】
４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の低温焼成磁器。
【請求項５】
１０〜６０ＧＨｚにおける比誘電率が６．５以下、誘電損失が３０×１０−４以下であることを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか記載の低温焼成磁器。
【請求項６】
抗折強度が２５０ＭＰａ以上、ヤング率が１２０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項２乃至５のうちいずれか記載の低温焼成磁器。
【請求項７】
セラミック絶縁層が多層に積層された絶縁基板の表面及び／または内部にメタライズ配線層が配設されている配線基板において、前記セラミック絶縁層のうち少なくとも１層が請求項２乃至６のうちいずれか記載の低温焼成磁器からなることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
メタライズ配線層が銅または銀を主成分とすることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板に関し、特に、低誘電率、低誘電損失かつ高強度を有する低温焼成磁器と、それを絶縁層とする電気素子収納用パッケージなどに使用される配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、光通信や高速インターフェースといったＧＨｚレベル以上の高周波信号を処理する電子機器として携帯電話やＰＤＡなどモバイル機器が急速に発達している。このような電子機器等に使用される配線基板としては、誘電損失による伝送信号の減衰を抑制するために、より低い比誘電率および誘電損失を有することとともに、携帯時の不意な落下や衝撃にも耐え得る充分な機械的強度を有する絶縁基板が求められている。
【０００３】
そして、従来より用いられてきたアルミナ質セラミックスからなる絶縁基板にかわり、アルミナよりも低誘電率化が可能なガラス成分とフィラー成分とを混合して形成された低温焼成磁器が開発されているが、例えば、下記に示す特許文献１によれば、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯおよびアルカリ土類金属酸化物等を含有するガラス粉末と、フィラー成分としてフォルステライト粉末とを混合した組成物を焼成して低温焼成磁器を作製し、この磁器を配線基板に適用したものが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−１７５８５５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献１に記載された従来の低温焼成磁器では、磁器の低誘電率化および高強度化に関して改善が図られているものの、この低温焼成磁器は、上述のように、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびアルカリ土類金属酸化物の他にＢ２Ｏ３やＺｎＯなどを多く含むガラス粉末を用いているために、焼成後の磁器中には、このガラス粉末から結晶化した結晶相の他に非晶質相が多く含まれている。このため、焼成後の低温焼成磁器は、特許文献１に記載の周波数よりも高い周波数領域における誘電損失が大きくなるという問題があった。
【０００６】
従って、本発明は、低誘電率化とともに誘電損失の低い低温焼成磁器とそれを用いた配線基板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に対して検討を重ねた結果、ＳｉＯ２を４５〜５５質量％と、Ａｌ２Ｏ３を３１〜３５質量％と、ＭｇＯを１２〜１５質量％と、Ｂ２Ｏ３を０．１〜５質量％とを総量で９９．５質量％以上含むガラス成分を７０〜１００質量％と、アルミナ、ムライト、フォルステライト、スピネルおよびガーナイトの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー成分を０〜３０質量％の割合で含む組成物を焼成することにより、得られる低温焼成磁器中にコーディエライト結晶相を多く析出することが可能となり、機械的強度を高めつつ、高周波領域における比誘電率を６．５以下、誘電損失を３０×１０−４以下に低くすることができることを見出し、本発明に至った。
【０００８】
即ち、本発明の低温焼成磁器組成物は、ＳｉＯ２を４５〜５５質量％と、Ａｌ２Ｏ３を３１〜３５質量％と、ＭｇＯを１２〜１５質量％と、Ｂ２Ｏ３を０．１〜５質量％とを総量で９９．５質量％以上含むガラス成分を７０〜１００質量％と、アルミナ、ムライト、フォルステライト、スピネルおよびガーナイトの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー成分を０〜３０質量％の割合で含有することを特徴とする。そして、本発明の低温焼成磁器は、上記の低温焼成磁器組成物を８５０〜１０５０℃で焼成することを特徴とするものである。
【０００９】
この場合、上記低温焼成磁器では、磁器中に結晶相として、このように多くのコーディエライト結晶相を含有させ、かつこの磁器の開気孔率を１％以下とすることにより、４０〜４００℃における熱膨張係数を５×１０−６／℃以下にでき、また、周波数が１０〜６０ＧＨｚにおける比誘電率を６．５以下、誘電損失を３０×１０−４以下にできる。また、上記低温焼成磁器では、抗折強度を２５０ＭＰａ以上、ヤング率を１２０ＧＰａ以上に高めることができる。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、セラミック絶縁層が多層に積層された絶縁基板の表面及び／または内部にメタライズ配線層が配設されている配線基板において、前記セラミックス絶縁層のうち少なくとも１層が上記の低温焼成磁器からなることを特徴とする。本発明の低誘電率、低誘電損失かつ高強度の低温焼成磁器を用いて配線基板を形成することにより伝送特性が高くかつ実装や製品の落下衝撃耐性に優れた配線基板を形成できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の低温焼成磁器組成物は、基本成分として、ガラス成分とフィラー成分とから構成されるものである。ガラス成分は、そのガラス成分中にＳｉＯ２を４５〜５５質量％と、Ａｌ２Ｏ３を３１〜３５質量％と、ＭｇＯを１２〜１５質量％と、Ｂ２Ｏ３を０．１〜５質量％とを総量で９９．５質量％以上含有することを特徴とするものである。低温焼成磁器組成物中のガラス成分の割合は、特に９９．７質量％以上であることがより望ましい。
【００１２】
また、ガラス成分自体からのコーディエライト結晶相の析出を高めるという理由から、ＳｉＯ２は４８〜５２質量％、Ａｌ２Ｏ３は３２〜３５質量％、ＭｇＯは１３〜１４質量％、およびＢ２Ｏ３は０．２〜４質量％であることが望ましい。
【００１３】
さらに、本発明の低温焼成磁器を構成するガラス成分中には、磁器の比誘電率や機械的強度を劣化させなければ上記のＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ以外に、不可避不純物を含有してもよいが、その含有量は０．５質量％以下、特に、０．３質量％以下であることがより望ましい。
【００１４】
また、本発明のガラス成分の軟化点は、フィラー成分への塗れ性を高め磁器を緻密化するという点で、１０５０℃以下、特に６００〜９８０℃であることがより望ましい。
【００１５】
ここで本発明のガラス成分の構成成分について説明する。ガラス成分中に含まれるＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３およびＭｇＯの割合を上記範囲に限定したのは、ＳｉＯ２が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記低温焼成磁器の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、これもガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。
【００１６】
Ａｌ２Ｏ３およびＭｇＯは、前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記低温焼成磁器の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。
【００１７】
Ｂ２Ｏ３は、前記範囲よりも少ないと、ガラスの溶解温度が上昇しすぎて、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの結晶化が阻害され磁器中の非晶質相が増加し、誘電損失の増加並びにヤング率の低下をきたす。
【００１８】
そして、本発明においては、前記ガラス粉末を１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、少なくともコーディエライトを結晶相として析出することで前記低温焼成磁器の熱膨張係数、比誘電率および誘電損失を低下せしめることが可能となる。また、本発明ではコーディエライト結晶相を粉末としてではなくガラス成分中から析出せしめることにより、焼結性を向上させる効果もあるため前記低温焼成磁器のヤング率並びに抗折強度を向上せしめることが可能となる。
【００１９】
なお、上記のようなガラス成分からはコーディエライト結晶相として低温型コーディエライト（α）および高温型コーディエライト（β）が析出するが、誘電損失を低減できるという点から低温型コーディエライト（α）がより好ましい。
【００２０】
また、本発明では、低温焼成磁器の電気的および機械的特性に影響しない程度であればコーディエライト結晶相とともにインディアライト結晶相が析出してもよく、  また、ガラス粉末からガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出してもよい。
【００２１】
一方、磁器中にはＢ２Ｏ３化合物などの非晶質相が存在するが、このような非晶質相の割合は磁器の誘電損失を抑制するという点で１０質量％以下、特に５質量％以下であることがより望ましい。
【００２２】
また、本発明の低温焼成磁器組成物中にはフィラー成分としてアルミナ、ムライト、フォルステライト、スピネルおよびガーナイトの群から選ばれる少なくとも１種を含有することが重要である。この中で特にアルミナがより好ましい。
【００２３】
これはアルミナが本発明のガラス成分との濡れ性がよいためであり、このように比較的低誘電率で高ヤング率を示すフィラー成分を含有させることにより本発明の低温焼成磁器磁器の比誘電率を低く抑えかつ機械的強度を高めることができる。
【００２４】
また、本発明の低温焼成磁器組成物においては、低誘電率、低損失及び高ヤング率を得るという理由からガラス成分が７０〜１００質量％、フィラー成分が０〜３０質量％の割合で含まれることが重要である。特に、ガラス成分は８０〜９５質量％、更には８５〜９０質量％、フィラー成分は５〜２０質量％、更には１０〜１５質量％であることがより望ましい。
【００２５】
ガラス成分が７０質量％より少ないかまたはフィラー成分が３０体積％より多い場合には焼結性が低下しボイドの多い磁器しか得られずこのため開気孔率が高くなり比誘電率も増大する。
【００２６】
そして、本発明の低温焼成磁器は、全体組成として、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＢの各金属元素の酸化物換算による合量を１００質量％としたときに、ＳｉＯ２が３６．７〜５６．３質量％、特に４３．６〜６０．３質量％、Ａｌ２Ｏ３が２７．８〜４９．８質量％、特に、２９．６〜５４．８質量％、ＭｇＯが１１〜１８．８質量％、特に１１．７〜１６．６２質量％、Ｂ２Ｏ３が０．１〜５質量％、特に０．０９〜３質量％の割合で構成されることが望ましく、焼成後における最終組成を上記のような組成とすることにより以下の誘電特性ならびに機械的特性を得ることができる。
【００２７】
即ち、１０〜６０ＧＨｚにおける比誘電率は６．５以下、特に６以下、更には５．５以下、誘電損失は３０×１０−４以下、特に２９×１０−４以下、更には２８×１０−４以下にできる。こうして高周波伝送線路やアンテナの伝送損失を低くすることができる。
【００２８】
４０〜４００℃における熱膨張係数は５×１０−６／℃以下、特に、４．５×１０−６／℃以下、更には、４．３×１０−６／℃以下にできる。こうして、電気素子の熱膨張係数に近づけることができるために半田付けなどの実装工程や半導体素子の作動停止の繰り返しによる温度サイクルによる熱応力によるクラックや剥離を防止できる。
【００２９】
抗折強度は２５０ＭＰａ以上、特に２８０ＭＰａ以上、更には３００ＭＰａ以上に高めることができ、ヤング率は１２０ＧＰａ以上、特に１２５ＧＰａ以上、更には１３０ＧＰａ以上にできる。この場合においても、熱応力によるクラックを抑制し、メタライズ強度を高め、かつ配線基板の機械的信頼性を高めることができる。
【００３０】
また、本発明の低温焼成磁器は、上記のように誘電特性および機械的強度を高めさらに配線基板としての耐湿性を向上させるという理由から、磁器の表面および／または内部に形成される開気孔率が１％以下、特に、０．５％以下、更には０．２％以下であることがより望ましい。
【００３１】
次に、本発明の低温焼成磁器を作製するための方法について説明する。
【００３２】
まず、出発原料として、前記ガラス成分の組成を有するガラス粉末と、前記フィラー成分となる各種のフィラー粉末のうち少なくとも１種とを焼成温度や熱膨張係数等の目的に応じて、前述した所定の比率で混合する。
【００３３】
即ち、ガラス粉末として、ＳｉＯ２を４５〜５５質量％と、Ａｌ２Ｏ３を３１〜３５質量％と、ＭｇＯを１２〜１５質量％と、Ｂ２Ｏ３を０．１〜５質量％とを総量で９９．５質量％以上含むガラス粉末を７０〜１００質量％と、アルミナ、ムライト、フォルステライト、スピネルおよびガーナイトの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末を０〜３０質量％の割合で混合するものである。
【００３４】
また本発明では、かかる低温焼成磁器中のボイドの最大径を小さくし焼結性を高めるという理由から、この磁器にかかるガラス粉末の平均粒径は０．１〜５μｍ、特に、１〜３μｍ、一方、フィラー粉末の平均粒径は０．１〜５μｍ、特に、１〜３μｍであることが望ましい。
【００３５】
そして、本発明において用いられる上記ガラス粉末は、前記した所定量のフィラー粉末を添加混合することにより焼成過程において結晶の析出が起こり、フィラー成分とコーディエライトを液相焼結させるための液相を適切な温度で形成できる。また、フィラー粉末を添加することにより成形体全体の収縮開始温度を上昇させることができるため、かかるフィラー粉末の含有量の調整により、用いる金属の種類によりメタライズ配線層との同時焼成条件のマッチングを図ることもできる。
【００３６】
本発明によれば、上記のように配合されたガラス粉末とフィラー粉末との混合物に、適当な成形の有機バインダを添加した後、所望の成形手段、例えば、ドクターブレード、圧延法、金型プレス等により所定の形状に成形後、焼成する。
【００３７】
焼成にあたっては、まず、成形のために配合した有機バインダ成分を除去する。
【００３８】
有機バインダの除去は、５００〜７５０℃前後の大気雰囲気中または窒素雰囲気中で行われる。この時、成形体の収縮開始温度は７００〜８５０℃程度であることが望ましく、かかる収縮開始温度がこれより低いと有機バインダの除去が困難となるため、成形体中のガラス粉末の特性、特に、軟化点を前述したように制御することが望ましい。
【００３９】
本発明の低温焼成磁器は、８５０℃〜１０５０℃の温度範囲で焼成して得られることを特徴とし、特に、９００〜９７５℃が好ましい。この場合の焼成雰囲気は用いるメタライズ配線層の金属種によって適宜選択される。メタライズ配線層としては、銅または銀を主成分とすることが望ましく、銅を用いる場合には非酸化性雰囲気が、銀を用いる場合には酸化性雰囲気が好適に用いられる。この時の焼成温度が８５０℃より低いと緻密化することが難しく、さらに１０５０℃を越えると後述する配線基板を作製する場合に、銅や銀などのメタライズ配線層との同時焼成が難しくなる。
【００４０】
即ち、本発明においては、上記範囲の組成を有するガラス粉末とフィラー粉末を混合したものを用いることにより磁器中の気孔を低減することができ、さらに磁器中にコージェライトという特定の結晶相を多く析出させることにより、低熱膨張係数、低誘電率、低誘電損失かつ高強度の低温焼成磁器を得ることができる。
【００４１】
次に、本発明の配線基板を作製する場合には、前記組成物からなる混合粉末に、適当な有機樹脂および溶剤を添加混合してスラリーを調製し、上記ドクターブレード法などのシート成形法によりグリーンシートを成形する。
【００４２】
次に、このグリーンシートに所望により貫通孔を形成した後、この貫通孔内に、前記の銅もしくは銀などを主成分とする導体ペーストを充填してビアホール導体を形成する。一方、このグリーンシートの表面には、貫通孔用の導体ペーストと同じ金属を含む配線パターン用の導体ペーストを用いてスクリーン印刷により配線パターンを形成する。その厚みは１５〜３０μｍとすることが望ましい。
【００４３】
次に、ビアホール導体および配線パターンを形成したグリーンシートを複数積層し、上述した焼成条件を用いて配線基板を作製する。
【００４４】
次に、この配線基板を適用した例として以下のＢＧＡ型の電気素子収納用パッケージが挙げられる。
【００４５】
図１は本発明の低温焼成磁器の応用例として、配線基板、とりわけ、ＢＧＡ型の電気素子収納用パッケージとその実装構造の一実施例を示す概略断面図である。
【００４６】
この電気素子収納用パッケージは、絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された、いわゆる配線基板を基礎的構造とするものであり、Ａは電気素子収納用パッケージ、Ｂは外部回路基板をそれぞれ示す。
【００４７】
電気素子収納用パッケージＡは、絶縁基板１と蓋体２とメタライズ配線層３と接続端子４により構成され、絶縁基板１及び蓋体２は半導体素子などの電気素子５を内部に気密に収容するためのキャビティ６を形成する。そして、キャビティ６内にて電気素子５は、ガラス、樹脂等の接着材を介して絶縁基板１に接着固定される。
【００４８】
また、絶縁基板１の表面および内部には、メタライズ配線層３が配設されており、電気素子５と絶縁基板１の下面に形成された接続端子４と電気的に接続するように配設されている。図１の電気素子収納用パッケージによれば、接続端子４は、接続パッド４ａを介して高融点の半田（錫−鉛合金）から成るボール状端子４ｂがロウ材により取着されている。
【００４９】
なお、本発明の配線基板を高周波用の配線基板に適用する場合には、メタライズ配線層はストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路のうちいずれか１種の形態とする。
【００５０】
一方、外部回路基板Ｂは、絶縁体７と配線導体８により構成されており、絶縁体７は、少なくとも有機樹脂を含む絶縁材料からなり、具体的には、ガラス−エポキシ系複合材料などのように４０〜４００℃の線熱膨張係数が１２〜１６×１０−６／℃の特性を有し、一般にはプリント基板等が用いられる。また、この基板Ｂの表面に形成される配線導体８は、絶縁体７との熱膨張係数の整合性と、良電気伝導性の点で、通常、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ−Ｓｎ等の金属導体からなる。
【００５１】
電気素子収納用パッケージＡを外部回路基板Ｂに実装するには、電気素子収納用パッケージＡの絶縁基板１の下面のボール状端子４ｂを外部回路基板Ｂの配線導体８上に載置当接させ、しかる後、低融点の半田等のロウ材により約２５０〜４００℃の温度で半田を溶融させて配線導体とボール状端子４ｂとを接合することにより実装される。この時、配線導体８の表面にはボール状端子４ｂとのロウ材による接続を容易に行うために予めロウ材が被着形成されていることが望ましい。
【００５２】
本発明によって、高強度、低誘電率を有する低温焼成磁器を用いて構成される多層配線基板は、従来使用されているアルミナ等の多層配線基板と同様、機械的特性に優れ、信頼性が高く有用であり、さらに、誘電特性に優れ、高周波信号を扱う上でも、誘電体損失による信号減衰を抑えることが可能である。
【００５３】
【実施例】
以下、本発明の低温焼成磁器およびそれを用いた配線基板について実施例に基づき具体的に説明する。
【００５４】
まず、ガラス粉末として、表１に示すガラス粉末（本発明のガラス成分が９９．５質量％）と、フィラー粉末とを用意し、表２に示す割合になるように秤量混合した。ガラス粉末の平均粒径は３μｍ、アルミナ粉末とコーディエライト粉末の平均粒径は１μｍとした。次に、この混合物を粉砕後、有機バインダ、有機溶剤を添加し十分混合してスラリーを作製しドクターブレード法により厚み３００μｍのグリーンシートを作製した。得られたグリーンシートを積層した後、７００℃の水蒸気を含有する窒素雰囲気中にて脱バインダ処理後、前記焼成法に基き焼成を行った。昇温速度は３００℃／℃とした。
【００５５】
次に、上記のようにして得られた低温焼成磁器に対して、▲１▼まず、アルキメデス法により開気孔率を求めた。▲２▼熱膨張係数は熱機械分析装置を用いて室温から４００℃における熱膨張曲線をとり求めた。▲３▼結晶相の同定はＸ線回折法を用いて行った。▲４▼抗折強度はＪＩＳ−Ｒ１６０１に基づき３点曲げ試験により求めた。
【００５６】
▲５▼ヤング率はＪＩＳ−Ｒ１６０２に基づき測定した。▲６▼比誘電率と誘電損失は６０ＧＨｚでの特性についてはネットワークアナライザーおよびシンセサイズドスイーパーを用いて誘電体共振器法により評価した。この場合、ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で誘電体共振器の励起を行い、ＴＥ０２１、ＴＥ０３１モードの共振特性により求めた。この場合の形状は直径２〜３ｍｍ、厚み１．２５ｍｍとした。
【００５７】
さらに、表１のガラス粉末とフィラー粉末との混合物である低温焼成磁器組成物を用いてドクターブレード法により厚み２００μｍのグリーンシートを作製し、このグリーンシートに貫通孔を形成した後この貫通孔内に導体ペーストを充填してビアホール導体を形成した。次いで、このグリーンシートの表面に導体パターンを用いてスクリーン印刷により配線パターンを形成した。導体ペーストの金属成分は銅を主成分とした。次に、前記ビアホール導体および配線パターンを形成したグリーンシートを６枚積層圧着した。次に、この積層体を上述の焼成条件（焼成時間：１時間）により焼成を施して配線基板を作製した。
【００５８】
得られた配線基板表面の２ｍｍ□のメタライズ配線層の表面にニッケルおよび金メッキを施し、このメッキ上に銅リード線をハンダ付けした後、この銅リード線をメタライズ配線層に対して垂直方向に１０ｍｍ／秒の速度で引張試験を行った。メタライズ強度の評価はメタライズ配線層の面積をＳ、引張り荷重をＦとしたときに、Ｆ／Ｓとして求めた。これらの結果を表２にまとめて示した。
【００５９】
【表１】
2005015239.tif 000003
【００６０】
【表２】
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【００６１】
表２の結果から明らかなように、本発明の試料Ｎｏ．２〜７、９〜１９では、開気孔率が０．２％以下、１０〜６０ＧＨｚにおける比誘電率が６．５以下、誘電損失が３０×１０−４以下、熱膨張係数が５×１０−６／℃、抗折強度が２５０ＭＰａ、ヤング率が１３０ＧＰａ以上であった。
【００６２】
特に、ガラス成分中のＢ２Ｏ３の含有量を２．５質量％以下としたガラス成分を用い、フィラー成分として、Ａｌ２Ｏ３を用い、ガラス成分を７０〜９５質量％、Ａｌ２Ｏ３量を５〜３０質量％とした試料Ｎｏ．１０〜１４では、１０〜６０ＧＨｚにおける比誘電率が５．８以下、熱膨張係数が４．９×１０−６／℃以下、抗折強度が２７０ＭＰａ以上、ヤング率が１４０ＧＰａ以上となり、特に、誘電損失を７×１０−４以下に低減できた。
【００６３】
一方、本発明の範囲外の組成であるＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆガラスを用いた場合の試料Ｎｏ．１、１７、１８および１９、並びに、Ａガラスを用いても組成を本発明の範囲外とした試料Ｎｏ．８では、試料が未焼結で評価できなかったもの、あるいは同周波数における比誘電率または誘電損失が高いものがみられた。また、抗折強度やヤング率も低かった。
【００６４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器では、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３およびＭｇＯを主成分として含むガラス成分とフィラー成分とを所定の割合で組み合わせることによりコーディエライト結晶相を含有させることができ、これにより、この磁器の開気孔率を１％以下にでき、４０〜４００℃における熱膨張係数を５×１０−６／℃以下、周波数１０〜６０ＧＨｚにおける比誘電率を６．５以下、誘電損失を３０×１０−４以下にできる。また、抗折強度を２５０ＭＰａ以上、ヤング率を１２０ＧＰａ以上に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  蓋体
３  メタライズ配線層
４  接続端子
４ａ  電極パッド
４ｂ  ボール状端子
５  半導体素子
６  キャビティ
７  絶縁体
８  配線導体
９  電極層
１０  ビアホール導体
Ａ  半導体素子収納用パッケージ
Ｂ  外部電気回路基板
【図１】
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