(57)【要約】【課題】  射出成型する際の光ディスク基板との離型性を安定して行えるスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】  ガラス基板１上にフォトレジストを塗布した後、露光・現像を行ってフォトレジストパターン２を形成する工程と、スパッタ法により、フォトレジストパターン２から露出したガラス基板１上及びフォトレジストパターン２上にＮｉ膜３を形成した後、電鋳法により、Ｎｉ膜３上にＮｉ電鋳膜４を形成してスタンパ５を作製する工程と、スタンパ５をフォトレジストパターン２から離間させる工程と、スタンパ５に残留しているフォトレジストパターン５を除去する工程と、スタンパ５を真空装置内に導入し、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス、Ａｒガスをこの順に用いて放電させて、それらのガスのラジカルをスタンパ５のＮｉ膜３に付着させる処理をする工程と、を有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にフォトレジストを塗布した後、露光・現像を行ってフォトレジストパターンを形成する工程と、
スパッタ法により、前記フォトレジストパターンから露出した前記ガラス基板上及び前記フォトレジストパターン上にＮｉ膜を形成した後、電鋳法により、前記Ｎｉ膜上にＮｉ電鋳膜を形成してスタンパを作製する工程と、
前記スタンパを前記フォトレジストパターンから離間させる工程と、
前記スタンパに残留している前記フォトレジストパターンを除去する工程と、
前記スタンパを真空装置内に導入し、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス、Ａｒガスをこの順に用いて高周波放電させて、それらのガスのラジカルを前記スタンパのＮｉ膜に付着させる処理をする工程と、
を有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
前記ＣＦ4ガス、前記Ｏ2ガス及び前記Ａｒガスは、ガス圧力を３〜６Ｐａとするとき、放電電力が、それぞれ１００Ｗ、５０〜１００Ｗ、５０〜１００Ｗであり、処理時間が、それぞれ３０〜６０秒、３０〜６０秒、１５〜３０秒であることを特徴とする請求項１記載のスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク基板の作製に用いられるスタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、オーディオ、画像用途、コンピュータメモリとして高密度データが蓄積できる光ディスクは、光透過性光ディスク基板上に溝やピットを形成し、この表面に記録層や各種の保護層を積層して作製される。
【０００３】
この光透過性光ディスク基板は、スタンパを用いて作製される。
このスタンパは、以下のように作製される。
ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光・現像することによって、フォトレジストパターンを形成する。次に、このフォトレジストパターン上及びフォトレジストパターンから露出した前記ガラス基板上にスパッタ法により、Ｎｉ膜を形成する。引き続いて、電鋳法により、Ｎｉ電鋳膜を形成する。次に、フォトレジストパターンからＮｉ膜及びＮｉ電鋳膜を離間させた後、アセトン洗浄及び酸素アッシングを行って前記Ｎｉ膜及びＮｉ電鋳膜上に残留しているフォトレジストを除去する。
【０００４】
次に、前記Ｎｉ膜側に有機物からなる保護膜を形成した後、前記Ｎｉ電鋳膜上を耐水研磨紙で研磨する。この後、前記保護膜を除去する。更に、アルカリ性の電解液に含まれる界面活性剤を用いて、前記Ｎｉ膜及びＮｉ電鋳膜を洗浄する。
更に、水洗後、５体積％の硫酸溶液で中和した後、水洗・スピン乾燥させてスタンパを作製する。この後、前記スタンパを用いて、射出成型して光ディスク基板を作製する。
【０００５】
この際、光ディスク基板の材料としては、ポリカーボネート樹脂が用いられるが、射出成型の際に前記スタンパにポリカーボネートが付着してしまい離型性が悪いといった問題を生じていた。これは、前記スタンパ表面に界面活性剤が残留し、親水性つまり極性のある表面となり、ポリカーボネート樹脂のエステル結合と化学親和力を持つためと考えられた。
この対策としては、特開２００１−２３２６４３号公報に記載されているスタンパ表面をフッ化することが考えられた。
【０００６】
即ち、チャンバーと、前記チャンバー内に電極と、前記電極と対向配置されてグランド接地された対向電極と、前記電極に高周波を印加する高周波電源と、前記チャンバー内にＯ2を導入する酸素ガス源と、前記チャンバーと前記酸素ガス源との間にあって、前記Ｏ2流量を調整するマスフローと、前記チャンバー内のガス圧力を調整する圧力コントローラと、からなる真空装置を用いて、前記電極上にフッ素樹脂とスタンパを並列して配置し、前記高周波電源を駆動して高周波を前記電極に供給して酸素プラズマを前記電極と前記対向電極との間に発生させ、酸素ラジカルを前記フッ素樹脂に衝突させ、炭素及びフッ素を飛び出させると、炭素と酸素は結合してＣＯ2となり排気させ、フッ素はフッ素ラジカルとなり酸素ラジカルと混合させる。
【０００７】
更に、前記スタンパ表面に衝突した酸素ラジカルは、前記スタンパ表面の残留有機物を分解してＣＯ2及びＨ2Ｏとして排出された後、フッ素ラジカルが酸素ラジカルと共にスタンパ表面の金属と結合してフッ化物及び酸化物を形成する。このようにスタンパ表面をフッ化物で覆うことにより光ディスク基板を作製した際の離型性を向上することができるものである。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２３２８４３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、酸素ラジカルをフッ素樹脂に衝突させてフッ素ラジカルを生成しているため、前記フッ素ラジカル化が不十分な場合には、前記フッ素ラジカルと前記スタンパ表面の金属との結合が不安定な状態が生じる場合がある。
このため、光ディスク基板を作製する際の安定した離型性を得られなくなる。
【００１０】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、射出成型する際の光ディスク基板との離型性を安定して行えるスタンパの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明における第１の発明は、ガラス基板上にフォトレジストを塗布した後、露光・現像を行ってフォトレジストパターンを形成する工程と、スパッタ法により、前記フォトレジストパターンから露出した前記ガラス基板上及び前記フォトレジストパターン上にＮｉ膜を形成した後、電鋳法により、前記Ｎｉ膜上にＮｉ電鋳膜を形成してスタンパを作製する工程と、前記スタンパを前記フォトレジストパターンから離間させる工程と、前記スタンパに残留している前記フォトレジストパターンを除去する工程と、前記スタンパを真空装置内に導入し、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス、Ａｒガスをこの順に用いて高周波放電させて、それらのガスのラジカルを前記スタンパのＮｉ膜に付着させる処理をする工程と、を有することを特徴とするスタンパの製造方法を提供する。
第２の発明は、前記ＣＦ4ガス、前記Ｏ2ガス及び前記Ａｒガスは、ガス圧力を３〜６Ｐａとするとき、放電電力が、それぞれ１００Ｗ、５０〜１００Ｗ、５０〜１００Ｗであり、処理時間が、それぞれ３０〜６０秒、３０〜６０秒、１５〜３０秒であることを特徴とする請求項１記載のスタンパの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
スタンパを真空装置内に導入し、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス、Ａｒガスをこの順に用いて高周波放電させて、それらのガスのラジカルをスタンパのＮｉ膜に付着させる処理をするので、スタンパ表面が撥水性となり、かつスタンパの凸部がトリミングされるため、光ディスク基板を射出成形する際、良好な離型性を有するスタンパが得られる。その際のＣＦ4ガス、Ｏ2ガス、Ａｒガス条件は、ガス圧力を３〜６Ｐａとするとき、放電電力が、それぞれ１００Ｗ、５０〜１００Ｗ、５０〜１００Ｗであり、処理時間が、それぞれ３０〜６０秒、３０〜６０秒、１５〜３０秒である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明の実施形態に係るスタンパの製造方法について図１及び図２を用いて説明する。
図１は、本発明の実施形態におけるスタンパの製造方法を示し、（Ａ）は、（フォトレジストパターン形成工程）の断面図、（Ｂ）は、（スパッタ膜及び電鋳膜形成工程）の断面図、（Ｃ）は、（保護膜形成工程）の断面図、（Ｄ）は、（研磨工程）の断面図、（Ｅ）は、（表面処理工程）の断面図である。
【００１４】
（フォトレジストパターン形成工程）
図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１上にフォトレジストを塗布した後、露光・現像を行ってフォトレジストパターン２を形成する。
【００１５】
（スパッタ膜及び電鋳膜形成工程）
次に、図１（Ｂ）に示すように、フォトレジストパターン２上及びフォトレジストパターン２から露出したガラス基板１上にスパッタ法によりＮｉ膜３を形成する。引き続いて、電鋳法により、Ｎｉ膜３上にＮｉ電鋳膜４を形成してスタンパ５を得る。
【００１６】
（保護膜形成工程）
次に、スタンパ５をフォトレジストパターン２から離間させる。更に、このスタンパ５をアセトンに浸し、更に酸素アッシングを行って、スタンパ５のＮｉ膜３に残留しているフォトレジストパターン２を除去する。この後、スタンパ５のＮｉ膜３上に有機物からなる保護膜６を形成する。
【００１７】
（研磨工程）
次に、スタンパ５のＮｉ電鋳膜４側を耐水研磨紙７で研磨した後、水洗を行って、砥粒が残留しないようにする。この後、スタンパ５のＮｉ膜３側に形成されている保護膜６を剥離する。その後、センタリングマシンで規定の大きさに内外径を打ち抜く。
【００１８】
（表面処理工程）
次に、図示しない真空装置内にスタンパ５を導入し、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスを順次高周波放電させて、スタンパ５のＮｉ膜３の表面を処理してＮｉ膜３上に残存しているフォトレジストを完全に除去して、有機物の付着していないスタンパ５を作製する。
ここで、ＣＦ4ガスに引き続いてＯ2ガスを用いるのは、スタンパ５表面にフッ化物と酸化物を形成させて、撥水化させるためである。また、Ａｒガスを用いるのは、射出成形時の光ディスク基板がスタンパ５の凸部５ａから離れ易くするために凸部５ａの先端をわずかにトリミングするためである。
【００１９】
次に、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガスの放電電力、放電電力印加時間、ガス流量及びガス圧をパラメータとして、スタンパ５のＮｉ膜３の表面処理を行って、その時の射出成形時の光ディスク基板の離型性についてサンプル１〜１０を作製して調べた。以下では、ガス流量及びガス圧力は、それぞれ５０ｓｃｃｍ、５Ｐａと一定にした。なお、ガス圧力は、３〜６Ｐａの範囲でも良い。このガス圧力範囲でも再現性のある放電の確保や印加電圧（プラズマエネルギー）が得られる。
【００２０】
凸部５ａに対応する前記光ディスク基板に形成されたピットが再現性良くされている場合は、離型性は良とした。この離型性については、スタンパ５を射出成形用に１０００回使用したとき、スタンパ５の凸部５ａが精度良く光ディスク基板に転写されているかどうかで判定した。
その結果を表１に示す。表１中、〇は、離型性が良、×は、離型性が悪いことを示している。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
表１に示すように、離型性は、サンプル１〜８では、良好であったが、サンプル９、１０では悪かった。即ち、スタンパ５に対して、ＣＦ4ガスで１００Ｗ、３０〜６０秒の処理を行った後、Ｏ2ガスで、１００Ｗ、３０〜６０秒の処理を行い、更にＡｒガスで１００Ｗ、１５〜３０秒の処理を行うことにより、良好な離型性を有したスタンパ５が得られることがわかる。
また、ＣＦ4ガスの放電電力を１００Ｗのままにした状態で、Ｏ2ガス及びＡｒガスの放電電力を５０Ｗにした場合も同様な効果が得られた。また、ガス圧力は、３〜６Ｐａの範囲でも同様な結果が得られた。
しかし、ＣＦ4ガス以外の他のガスの放電電力及び処理時間は前記と同じでも、ＣＦ4ガスの放電電力を５０Ｗにした場合には、離型性は悪かった。これは、撥水性を確保するためには、ＣＦ4ガスの放電電力が支配的であるためと思われる。
【００２３】
また、サンプル１〜８では、スタンパ５の表面をオージェ分析を行ったところＯとＦのピークが現れ、その表面が撥水性になっていることが確認された。しかし、サンプル９、１０では、ＯとＦのピークが現れなかった。
【００２４】
以上のように、本発明の実施形態によれば、スタンパ５を図示しない真空装置内に導入し、ＣＦ4ガス、Ｏ2ガス、Ａｒガスをこの順に用いて高周波放電させて、それらのガスのラジカルをスタンパ５のＮｉ膜３に付着させる処理をするので、スタンパ５表面が撥水性となり、かつスタンパ５の凸部５ａがトリミングされるため、光ディスク基板を射出成形する際、良好な離型性を有するスタンパ５が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
ＣＤ（コンパクト・ディスク）、ＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）及びｂｌｕ  ｒａｙディスク用の光ディスク基板を歩留まり良く作製する際に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態におけるスタンパの製造方法を示し、（Ａ）は、（フォトレジストパターン形成工程）の断面図、（Ｂ）は、（スパッタ膜及び電鋳膜形成工程）の断面図、（Ｃ）は、（保護膜形成工程）の断面図、（Ｄ）は、（研磨工程）の断面図、（Ｅ）は、（表面処理工程）の断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１…ガラス基板、２…フォトレジストパターン、３…Ｎｉ膜、４…Ｎｉ電鋳膜、５…スタンパ、６…保護膜、７…耐水研磨紙
【図１】
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