(57)【要約】【課題】  小型化に適し、かつ通過帯域の高域側又は低域側において良好な減衰特性を有するＳＡＷフィルタ回路を提供する。【解決手段】  第１端子と第２端子とに電気的に接続された第１直列腕ＳＡＷ共振器ＳＲ１と、第１端子と第３端子とに電気的に接続された第２並列腕ＳＡＷ共振器ＰＲ１と、第２端子と第４端子とに電気的に接続された第３並列腕ＳＡＷ共振器ＰＲ２とを有する第１回路３０と、第３端子に電気的に接続された第５端子と、第４端子に電気的に接続された第６端子と、電気的に短絡された第７端子及び第８端子と、第５端子と第６端子とに電気的に接続された第１受動素子Ｃ２と、第５端子と７端子とに電気的に接続された第２受動素子Ｌ１と、第６端子と第８端子とに電気的に接続された第３受動素子Ｌ３とを有する第２回路３１と、を備えることを特徴とするＳＡＷフィルタ回路。【選択図】      図１
2005278131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端子から第４端子と、前記第１端子と前記第２端子とに電気的に接続された第１ＳＡＷ共振器と、前記第１端子と前記第３端子とに電気的に接続された第２ＳＡＷ共振器と、前記第２端子と前記第４端子とに電気的に接続された第３ＳＡＷ共振器とを有する第１回路と、
前記第３端子に電気的に接続された第５端子と、前記第４端子に電気的に接続された第６端子と、電気的に短絡された第７端子及び第８端子と、前記第５端子と前記第６端子とに電気的に接続された第１受動素子と、前記第５端子と前記７端子とに電気的に接続された第２受動素子と、前記第６端子と前記第８端子とに電気的に接続された第３受動素子とを有し、前記第１受動素子から第３受動素子はインダクタ又はキャパシタでありかつ前記第１乃至第３受動素子のうち少なくとも１つはキャパシタである第２回路と、を備えることを特徴とするＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２】
前記第１受動素子はキャパシタであり、前記第２及び第３受動素子はインダクタであることを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項３】
前記第２及び第３受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項２に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項４】
前記第１受動素子は、ＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項２に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項５】
前記第１受動素子の容量値は２２ｐＦ以上１０５ｐＦ以下であり、前記第２受動素子のインダクタンス値は０．２ｎＨ以上１．０ｎＨ以下であり、前記第３受動素子のインダクタンス値は０．２ｎＨ以上０．６ｎＨ以下であることを特徴とする、請求項２に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項６】
前記第１及び第３受動素子はキャパシタであり、前記第２受動素子はインダクタであることを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項７】
前記第２受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項６に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項８】
前記第１及び第３受動素子はＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項６に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項９】
前記第１受動素子の容量値は６００ｐＦ以上８００ｐＦ以下であり、前記第２受動素子のインダクタンス値は０．１ｎＨ以上１ｎＨ以下であり、前記第３受動素子の容量値は５５０ｐＦ以上７５０ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項６に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１０】
前記第１及び第２受動素子はインダクタであり、前記第３受動素子はキャパシタであることを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１１】
前記第１及び第２受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１２】
前記第３受動素子は、ＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１３】
前記第１受動素子のインダクタンス値は０．１ｎＨ以上０．５ｎＨ以下であり、前記第２受動素子のインダクタンス値は０．１ｎＨ以上０．５ｎＨ以下であり、前記第３受動素子の容量値は１ｐＦ以上９０ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１４】
前記第１受動素子はインダクタであり、前記第２及び第３受動素子はキャパシタであることを特徴とする、請求項１に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１５】
前記第１受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項１４に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１６】
前記第２及び第３受動素子はＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項１４に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１７】
前記第１受動素子のインダクタンス値は０．３ｎＨ以上１．５ｎＨ以下であり、前記第２受動素子の容量値は６８ｐＦ以上７００ｐＦ以下であり、前記第３受動素子の容量値は７０ｐＦ以上１７０ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項１４に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１８】
前記第１回路は、第９及び第１０端子と、前記第２端子と前記第９端子とに電気的に接続された第４ＳＡＷ共振器と、前記第９端子と前記第１０端子とに電気的に接続された第５ＳＡＷ共振器とをさらに備え、
前記第２回路は、前記第１０端子に電気的に接続された第１１端子と、前記第６端子と前記第１１端子とに電気的に接続された第４受動素子と、前記第８端子に電気的に短絡された第１２端子と、前記第１１端子と前記第１２端子とに電気的に接続された第５受動素子とをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項１９】
前記第１回路は、第１３及び第１４端子と、前記第１端子と前記第１３端子とに電気的に接続された第６ＳＡＷ共振器と、前記第２端子と前記第１４端子とに電気的に接続された第７ＳＡＷ共振器とをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２０】
前記第１受動素子はキャパシタであり、前記第２及び第３受動素子はインダクタであることを特徴とする、請求項１９に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２１】
前記第２及び第３受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項２０に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２２】
前記第１受動素子は、ＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項２０に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２３】
前記第１受動素子の容量値は１５ｐＦ以上５５ｐＦ以下であり、前記第２受動素子のインダクタンス値は０．５ｎＨ以上２ｎＨ以下であり、前記第３受動素子のインダクタンス値は０．５ｎＨ以上２ｎＨ以下であることを特徴とする、請求項２０に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２４】
前記第１及び第３受動素子はキャパシタであり、前記第２受動素子はインダクタであることを特徴とする、請求項１９に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２５】
前記第２受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項２４に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２６】
前記第１及び第３受動素子はＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項２４に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２７】
前記第１受動素子の容量値は９．５ｐＦ以上１３０ｐＦ以下であり、前記第２受動素子のインダクタンス値は０．２５ｎＨ以上２ｎＨ以下であり、前記第３受動素子の容量値は１００ｐＦ以上７００ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項２４に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２８】
前記第１及び第２受動素子はインダクタであり、前記第３受動素子はキャパシタであることを特徴とする、請求項１９に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項２９】
前記第１及び第２受動素子はボンディングワイヤまたはストリップラインによって構成されることを特徴とする、請求項２８に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項３０】
前記第３受動素子は、ＭＩＭキャパシタまたはチップキャパシタであることを特徴とする、請求項２８に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【請求項３１】
前記第１受動素子のインダクタンス値は０．０５ｎＨ以上０．１５ｎＨ以下であり、前記第２受動素子のインダクタンス値は０．３ｎＨ以上２ｎＨ以下であり、前記第３受動素子の容量値は１．５ｐＦ以上９０ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項２８に記載のＳＡＷフィルタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷフィルタ回路、特に、携帯電話等の小型移動体通信機器に用いられる送信用または受信用のＳＡＷフィルタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＳＡＷフィルタ回路は、例えば、非特許文献１、及び特許文献１〜３に記載されている。
非特許文献１には、同文献第１図に示されるような、直列腕共振器１個と並列腕共振器１個の梯子型回路で構成されるＳＡＷフィルタが記載されている。このＳＡＷフィルタ回路は、同文献第２図に示すように、並列腕共振器のインピーダンスのＸｐの反共振周波数ｆａｐと、直列腕共振器のインピーダンスのＸｓの共振周波数ｆｒｓとが一致するように設計され、ｆ＝ｆａｐ＝ｆｒｓを中心周波数とする通過帯域を持つように構成されている。また、低域側の減衰極がＸｐ＝０の周波数、高域側の減衰極がＸｓ＝極大の周波数に位置するように構成されている。これにより、中心周波数近傍でＸｐが５０オームよりも十分大きくかつＸｓ＝０になるようにして、通過帯域の挿入損低減、減衰帯域の減衰量確保及び整合回路の不要化を図っている。
【０００３】
特許文献１には、同文献第１図に示されるように、複数の並列腕共振器を有する梯子型回路で構成されるＳＡＷフィルタ回路が記載されている。このＳＡＷフィルタ回路では、複数の並列腕共振器のグランド側を共通のボンディングパッド上で同電位にし、共通のボンディングワイヤ（インダクタンスＬＥ）によって、ボンディングパッドをパッケージのグランドに接続している。これにより、低域側減衰帯域の減衰量規格が緩和されている場合に、高域側減衰帯域を高減衰量化しつつ通過帯域の挿入損改善を図っている。
【０００４】
特許文献２には、同文献第１図に示されるように、帯域通過梯子型ＳＡＷフィルタに対して、３個のインダクタからなる二端子対回路を直列接続したＳＡＷフィルタ回路が記載されている。このＳＡＷフィルタ回路では、二端子対回路の３個のインダクタによって、通過帯域の高域側及び低域側の減衰帯域に減衰帯域を２個ずつ形成し、高域側の減衰帯域だけでなく低域側の減衰帯域においても減衰量が大きくなるように構成している。
【０００５】
特許文献３には、同文献第２図に示すように、複数の直列腕共振器及び複数の並列腕共振器とを有する梯子型回路によって構成されるＳＡＷフィルタ回路が記載されている。このＳＡＷフィルタ回路では、各並列腕共振器のグランド側が個別のインダクタＬ（ボンディングワイヤ）によってボンディングパッドに接続され、ボンディングパッドからインダクタＬｐ（ボンディングワイヤ）によってパッケージのグランドに接続されている。また、このＳＡＷフィルタ回路では、最も入力側に近い並列腕共振器のグランド側と、最も出力側に近い並列腕共振器のグランド側との間にキャパシタを配置することにより、ボンディングワイヤに必要とされるインダクタンス値を低減している。
【非特許文献１】電子情報通信学会論文誌’93/2,Vol.J76-A,No.2,pp245-251（第１−２図）
【特許文献１】特開平１０−９３３８２号公報（第２−３頁、第１、４、８図）
【特許文献２】特開平２００２−２０８８３５号公報（第３−６頁、第１、１１、１５図）
【特許文献３】特開２００３−１０１３８４号公報（第３−４頁、第２−３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、移動体通信端末においては、送信帯域及び受信帯域は広く、かつ送信帯域と受信帯域との間が狭く設定されているため、送信帯域及び受信帯域が近接する帯域において、十分な減衰量を確保する必要がある。即ち、送信帯域が低域側、受信帯域が高域側の場合には、送信用フィルタの高域側又は受信用フィルタの低域側の減衰量を確保する必要がある。即ち、ＳＡＷフィルタの通過帯域の高域側又は低域側において十分な減衰特性を得られるに構成する必要がある。
【０００７】
非特許文献１に記載の梯子型回路構成では、低域側及び高域側の減衰帯域に１個ずつの減衰極しか持たないので、各減衰帯域において十分な広さの減衰帯域幅の規格を満足することが困難と思われる。また、特許文献１及び２に記載の回路構成では、減衰帯域において、必要な減衰量が得られる減衰幅は、インダクタンス値が大きいほど、大きくなる傾向がある。このインダクタンス値はボンディングワイヤまたはストリツプラインで構成される。このインダクタンス値をボンディングワイヤで実現する場合は、ボンディングワイヤが長いほどインダクタンス値が大きくなり、減衰特性がボンディングワイヤの長さに依存する度合いが高い。
【０００８】
特許文献３に記載の回路構成では、入力側及び出力側に最も近い並列腕共振器のグランド側の間にキャパシタを配置することにより、ワイヤボンディングに必要なインダクタンス値を低減し、ワイヤボンディングの長さの低減を図っているが、ワイヤボンディングの長さの低減を図るためには、容量値の非常に大きなキャパシタンス値を用いる必要があり、ＳＡＷフィルタ装置の小型化が困難と思われる。従って、ＳＡＷフィルタ装置の小型化に適し、かつ通過帯域の高域側又は低域側において良好な減衰特性を有するＳＡＷフィルタ回路が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るＳＡＷフィルタ回路は、第１回路と第２回路とを備えている。
第１回路は、第１端子から第４端子と、第１端子と第２端子とに電気的に接続された第１ＳＡＷ共振器と、第１端子と第３端子とに電気的に接続された第２ＳＡＷ共振器と、第２端子と第４端子とに電気的に接続された第３ＳＡＷ共振器とを有する。
第２回路は、第３端子に電気的に接続された第５端子と、第４端子に電気的に接続された第６端子と、電気的に短絡された第７端子及び第８端子と、第５端子と第６端子とに電気的に接続された第１受動素子と、第５端子と７端子とに電気的に接続された第２受動素子と、第６端子と第８端子とに電気的に接続された第３受動素子とを有する。第１受動素子から第３受動素子はインダクタ又はキャパシタであり、第１受動素子から第３受動素子のうち少なくとも１つはキャパシタである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るＳＡＷフィルタ回路では、第２回路を構成する第１受動素子から第３受動素子によって減衰帯域に複数の減衰極を形成し、良好な減衰特性を実現し得る。また、本発明のように第１受動素子から第３受動素子の少なくとも１つをキャパシタによって構成した場合、第１受動素子から第３受動素子をインダクタのみによって構成する場合に必要なインダクタンス値に比較して、小さいインダクタンス値でインダクタを構成することが可能である。従って、インダクタに必要なワイヤボンディングの長さを低減することが可能であり、ＳＡＷフィルタ回路の小型化に適している。また、第１ＳＡＷ共振器から第３ＳＡＷ共振器の３個の共振器ごとに少なくとも１個のキャパシタを割り当てるので、キャパシタ１個当たりの容量値が大きくなりすぎることを抑制し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（１）第１実施形態
〔構造〕
図１は、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。
このＳＡＷフィルタ回路１０は、二端子対回路３０と、二端子対回路３０に直列接続された二端子対回路３１とを備えている。
【００１２】
二端子対回路３０は、ＳＡＷ共振器ＳＲ１と、ＳＡＷ共振器ＰＲ１と、ＳＡＷ共振器ＰＲ２と、入力端子ＩＮと、出力端子ＯＵＴと、接続点Ｐ３及びＰ４とを備えている。二端子対回路３１は、キャパシタＣ２と、インダクタＬ１と、インダクタＬ３と、グランドＧＮＤ１及びＧＮＤ２と、接続点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ５及びＰ６とを備えている。以下、簡単のため、ＳＡＷ共振器を単に共振器と称す。
【００１３】
このＳＡＷフィルタ回路１０では、共振器ＰＲ１が接続点Ｐ１を介してキャパシタＣ２及びインダクタＬ１に接続されるとともに、共振器ＰＲ２が接続点Ｐ２を介してキャパシタＣ２及びインダクタＬ３に接続されることによって、二端子対回路３０と二端子対回路３１とが直列接続されている。
共振器ＳＲ１は、接続点Ｐ３、Ｐ４を有する直列腕に設けられた直列腕共振器であり、接続点Ｐ３を介して入力端子ＩＮに電気的に接続されるとともに、接続端子Ｐ４を介して出力端子ＯＵＴに電気的に接続されている。共振器ＰＲ１は、接続点Ｐ３、Ｐ１及びＰ５を有する並列腕に設けられた並列腕共振器であり、接続点Ｐ３を介して入力端子ＩＮに電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ１を介してキャパシタＣ２及びインダクタＬ１に電気的に接続されている。共振器ＰＲ２は、接続点Ｐ４、Ｐ２を有する並列腕に設けられた並列腕共振器であり、接続点Ｐ４を介して出力端子ＯＵＴに電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ２を介してキャパシタＣ２及びインダクタＬ３に電気的に接続されている。
【００１４】
キャパシタＣ２は、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２とに電気的に接続され、接続点Ｐ１を介してインダクタＬ１及び共振器ＰＲ１に電気的に接続され、接続点Ｐ２を介してインダクタＬ３及び共振器ＰＲ２に電気的に接続されている。インダクタＬ１は、接続点Ｐ１と接続点Ｐ５とに電気的に接続され、接続点Ｐ１を介してキャパシタＣ２及び共振器ＰＲ１に接続されるとともに、接続点Ｐ５を介してグランドＧＮＤ１に接続されている。インダクタＬ３は、接続点Ｐ２と接続点Ｐ６とに電気的に接続され、接続点Ｐ２を介してキャパシタＣ２及び共振器ＰＲ２に電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ６を介してグランドＧＮＤ２に接続されている。ＧＮＤ１とＧＮＤ２とは、接続点Ｐ５及びＰ６を介して電気的に短絡されている。
【００１５】
図２は、ＳＡＷフィルタ回路１０の実装例であり、通常の半導体集積回路と同様な微細加工技術によって実現されるＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。
ＳＡＷフィルタ装置１０Ａは、圧電基板２１と、パッケージ１１及び圧電基板２１上に形成されたパターンと、ボンディングワイヤ１３，１５，１８，１９とを備えている。
共振器ＳＲ１、ＰＲ１及びＰＲ２と、配線パターン１４Ａ及び１４Ｂと、パッド２２及び２３とは、圧電基板２１上のパターンとして形成されている。パッド１２，１６及び２０はパッケージ２０上のパターンとして形成されている。
【００１６】
共振器ＳＲ１は、櫛歯状電極１００ＢＡ及び１００ＢＢからなるインターティジタル電極（インターディジタル変換器：ＩＤＴ、以下ＩＤＴという）１００Ｂと、ＩＤＴ１００Ｂの両側に配置されたグレーティング反射器１００Ａ及び１００Ｃとを備えている。共振器ＰＲ１は、櫛歯状電極１１０ＢＡ及び１１０ＢＢからなるＩＤＴ１１０Ｂと、ＩＤＴ１１０Ｂの両側に配置されたグレーティング反射器１１０Ａ及び１１０Ｃとを備えている。共振器ＰＲ２は、櫛歯状電極１１１ＢＡ及び１１１ＢＢからなるＩＤＴ１１１Ｂと、ＩＤＴ１１１Ｂの両側に配置されたグレーティング反射器１１１Ａ及び１１１Ｃとを備えている。
【００１７】
配線パターン１４Ａ及び１４Ｂ、パッド２２及び２３は、例えばタングステンによって形成されている。共振器ＳＲ１において、櫛歯状電極１００ＢＡは配線パターン１４Ａに接続されており、櫛歯電極１００ＢＢは配線パターン１４Ｂに接続されている。共振器ＰＲ１において、櫛歯状電極１１０ＢＡは配線パターン１４Ａに接続されており、櫛歯状電極１１０ＢＢはパッド２２に接続されている。共振器ＰＲ２において、櫛歯状電極１１１ＢＡはパッド２３に接続されており、櫛歯状電極１１１ＢＢは配線パターン１４Ｂに接続されている。
【００１８】
パターン１７は、図１５に示すようなＭＩＭ(Metal:Insulator:Metal)キャパシタであり、図１のキャパシタＣ２を構成する。キャパシタＣ２は、ボンディングワイヤによってパッド２２及び２３と接続されている。このＭＩＭキャパシタは、容量絶縁膜を第１及び第２の電極によって上下から挟み込んだ構造であり、微細加工プロセスに適している。ＭＩＭキャパシタの容量Ｃは、容量絶縁膜の比誘電率をεｒ、第１及び第２の電極間の距離をｄ、第１及び第２の電極が対向する面積をＷ＊Ｌとすると、Ｃ＝εｒ＊ε０＊（Ｗ＊Ｌ）／ｄによって決定される。また、キャパシタＣ２は、ディスクリートのチップ部品であるチップキャパシタを用いて構成することができる。この場合、チップキャパシタをパッケージ内又はパッケージ外に配置し、パッド２２，２３にボンディングワイヤで電気的に接続する。また、キャパシタＣ２は、圧電基板２１をキャパシタＣ２の容量絶縁膜として利用し、圧電基板２１上に２つの電極パターンを形成して構成してもよい。この場合、２つの電極パターンをそれぞれパッド２２，２３にボンディングワイヤで電気的に接続する。
【００１９】
ボンディングワイヤ１８は、パッド２２とパッド２０とに接続されており、図１のインダクタＬ１を構成する。ボンディングワイヤ１９は、パッド２３とパッド２０とに接続されており、図１のインダクタＬ３を構成する。パッド２０は、図１のＧＮＤ１及びＧＮＤ２に対応する。
パッド１２は、図１の入力端子ＩＮに対応し、ボンディングワイヤ１３によって配線１４Ａに接続されている。パッド１６は、図１の出力端子ＯＵＴに対応し、ボンディングワイヤ１５によって配線１４Ｂに接続されている。
【００２０】
インダクタとして使用されるボンディングワイヤは所望のインダクタンス値を持つように構成されるが、他のボンディングワイヤは、インダクタンス値の十分小さなボンディングワイヤが使用される。本実施形態例では、インダクタＬ２，Ｌ３として使用されるボンディングワイヤ１８，１９は所望のインダクタンス値を持つように構成されるが、ボンディングワイヤ１３，１５，キャパシタＣ２をパッド２２及び２３に接続するボンディングワイヤ）は、インダクタンス値の十分小さなボンディングワイヤが使用される。
【００２１】
パターン１７をパッド２２，２３に接続するボンディングワイヤは、十分小さなインダクタンス値を持つように構成されるが、所定のインダクタンス値を持つ。そのため、キャパシタＣ２のインピーダンスは、パターン１７の容量成分と、パターン１７をパッド２２及び２３に接続するためのボンディングワイヤのインダクタンス値とによって決まる。従って、パターン１７の容量値は、ボンディングワイヤのインダクタンス値も考慮して決める。
【００２２】
〔シミュレーション〕
（シミュレーション原理）
１．第１実施形態のＳＡＷフィルタ
第１実施形態のＳＡＷフィルタ１０の減衰特性をシミュレーションするための原理について説明する。
【００２３】
まず、ＳＡＷフィルタ回路１０のＺ行列Ｚ（３２）を求め、Ｚ行列Ｚ（３２）をＦ行列Ｆ（３２）に変換し、Ｆ行列（３２）から動作伝達係数Ｓ（３２）を計算する。そして、動作伝達係数Ｓ（３２）から減衰特性α（ω）を計算し、α（ω）において周波数を変化させることにより、ＳＡＷフィルタ回路１０の減衰特性を計算する。以下、具体的に計算式を説明する。
【００２４】
ＳＡＷフィルタ回路１０のＺ行列Ｚ（３２）は、式（１）で与えられる。
Ｚ（３２）＝Ｚ（３０）＋Ｚ（３１）・・・・（１）
Ｚ（３０）は二端子対回路３０のＺ行列であり、Ｚ（３１）は二端子対回路３１のＺ行列である。
Ｚ（３０）は、式（２），（３）のようになる。式（１）において、Ｚｉｊは、Ｚ行列のｉ行ｊ列成分を表す。Ｚ（ＰＲ１）は共振器ＰＲ１のインピーダンス、Ｚ（ＳＲ１）は共振器ＳＲ１のインピーダンス、Ｚ（ＰＲ２）は共振器ＰＲ２のインピーダンスである。また、Ｋ１は式（３）で与えられる。
Z（３０）＝［Ｚ１１，Ｚ１２，Ｚ２１，Ｚ２２］
Ｚ１１＝Ｚ１１（３０）、Ｚ１２＝Ｚ１２（３０）、Ｚ２１＝Ｚ２１（３０）、
Ｚ２２＝Ｚ２２（３０）
Ｚ１１（３０）＝Ｚ（ＰＲ１）＊｛Ｚ（ＳＲ１）＋Ｚ（ＰＲ２）｝／Ｋ１
Ｚ１２（３０）＝Ｚ（ＰＲ１）＊Ｚ（ＰＲ２）／Ｋ１
Ｚ２１（３０）＝Ｚ（ＰＲ１）＊Ｚ（ＰＲ２）／Ｋ１
Ｚ２２（３０）＝Ｚ（ＰＲ２）＊｛Ｚ（ＰＲ１）＋Ｚ（ＳＲ１）｝］          ・・・（２）
Ｋ１＝Ｚ（ＰＲ１）＋Ｚ（ＳＲ１）＋Ｚ（ＰＲ２）                        ・・・（３）
Ｚ（３１）は、式（４）で与えられる。式（４）中、Ｋ２は式（５）で与えられ、Ｚ１〜Ｚ３は式（６）によって与えられる。
Z（３１）＝［Ｚ１１，Ｚ１２，Ｚ２１，Ｚ２２］Ｚ１１＝Ｚ１１（３１）、
Ｚ１２＝Ｚ１２（３１）、Ｚ２１＝Ｚ２１（３１）、Ｚ２２＝Ｚ２２（３１）
Ｚ１１（３１）＝Ｚ１＊｛Ｚ２＋Ｚ３｝／Ｋ２
Ｚ１２（３１）＝Ｚ１＊Ｚ３／Ｋ２
Ｚ２１（３１）＝Ｚ１＊Ｚ３／Ｋ２
Ｚ２２（３１）＝Ｚ３＊｛Ｚ１＋Ｚ２｝                                ・・・（４）
Ｋ２＝Ｚ１＋Ｚ２＋Ｚ３・・・（５）
Ｚ１＝ｊωＬ１，Ｚ２＝−ｊ／（ω・Ｃ２），Ｚ３＝ｊωＬ３・・・（６）
具体的には、Ｋ２＝（１／Ｓ）（Ｓ＾２＋ω２３＾２），ω２３＾２＝１／｛（Ｌ１＋Ｌ３）＊Ｃ２｝であり、Ｚ（３１）の各要素は式（７）になる。ここで、Ｓ＝ｊω、ω１０＾２＝１／（Ｌ３＊Ｃ２）、ω２０＾２＝１／（Ｌ１＊Ｃ２）である。ここで、“＾”は、べき乗を表す。
Ｚ１１（３１）＝Ｓ＊（Ｌ１＊Ｌ３）＊（Ｓ＾２＋ω１０＾２）／｛（Ｌ１＋Ｌ３）＊（Ｓ＾２＋ω２３＾２）｝
Ｚ１２（３１）＝Ｚ２１（３１）＝Ｓ＾３＋Ｌ１＊Ｌ３／（Ｓ＾２＋ω２３＾２）
Ｚ２２（３１）＝Ｓ＊（Ｌ１＊Ｌ３）＊（Ｓ＾２＋ω２０＾２）／｛（Ｌ１＋Ｌ３）＊（Ｓ＾２＋ω２３＾２）｝                                                  ・・・（７）
Ｚ（３２）をＦ行列Ｆ（３２）に変換すると、式（８）に示すようになる。
Ｆ（３２）＝［Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ］Ａ＝Ａ（３２）、Ｂ＝Ｂ（３２）、Ｃ＝Ｃ（３２）、
Ｄ＝Ｄ（３２）
Ａ（３２）＝Ｚ１１（３２）／Ｚ２１（３２）
Ｂ（３２）＝｛Ｚ１１（３２）＊Ｚ２２（３２）―Ｚ１２（３２）＊Ｚ２１（３２）｝
／Ｚ２１（３２）
Ｃ（３２）＝１／Ｚ２１（３２）
Ｄ（３２）＝Ｚ２２（３２）／Ｚ２１（３２）                            ・・・（８）
動作伝達係数Ｓ（３２）は、Ｆ行列Ｆ（３２）を用いて式（９）のように求められる。
Ｚ（３２）＝｛Ａ（３２）＋Ｂ（３２）＋Ｃ（３２）＋Ｄ（３２）｝／２    ・・・（９）
従って、減衰特性α（ω）は、動作伝達係数Ｓ（３２）によって式（１０）のように求めることができる。
α（ω）＝２０ＬＯＧ［ＡＢＳ｛Ｓ（３２）｝］・・・（１０）
２．比較例に係るＳＡＷフィルタ
比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００は、図１７に示す回路構成である。ＳＡＷフィルタ回路１０００は、図１の回路において、Ｃ２をＬ２に置き換えた場合であり、二端子対回路３１が全てインダクタで構成されることを仮定した場合である。ＳＡＷフィルタ１０００の減衰特性は、式（１）〜（１０）と同様にして求めることができる。但し、式（６）においてＺ２＝ｊωＬ２とし、式（７）が式（７−ａ）のようになる。
Ｚ１１（３１）＝Ｓ＊Ｌ１＊（Ｌ２＋Ｌ３）／（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）
Ｚ１２（３１）＝Ｚ２１（３１）＝Ｓ＊Ｌ１＊Ｌ３／（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）
Ｚ２２（３１）＝Ｓ＊Ｌ３＊（Ｌ１＋Ｌ２）／（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）    ・・・（７−ａ）
（シミュレーション結果）
図９には、シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数を示す。同図に示すように、共振器ＳＲ１の交差長を７０μｍ、対数を７０本とし、共振器ＰＲ１及びＰＲ２の交差長を６０μｍ、対数を８０本とした。また、キャパシタＣ２の容量値、インダクタＬ１及びＬ３のインダクタンス値を図１０（ａ）のＮＯ１〜４のように設定した各場合と、比較例についてシミュレーションを行った。また、比較例に係るＳＡＷフィルタ回路１０００では、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝０．２ｎＨである。
【００２５】
図１０（ａ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図１１は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
図１０（ａ）において、２０ｄＢ（−）は、低域側減衰帯域において−２０ｄＢまで減衰する周波数のうち低い方の周波数であり、２０ｄＢ（＋）は、低域側減衰帯域において−２０ｄＢまで減衰する周波数の高い方の周波数である。２０ｄＢ帯域幅は、２０ｄＢ（＋）の周波数と２０ｄＢ（−）の周波数との差であり、低域側減衰帯域において−２０ｄＢ以下の減衰量を確保できる周波数の帯域幅である。３ｄＢ（−）は、−３ｄＢまで減衰する周波数のうち低い方の周波数であり、３ｄＢ（＋）は、―３ｄＢまで減衰する周波数の高い方の周波数である。３ｄＢ帯域幅は、３ｄＢ（＋）の周波数と３ｄＢ（−）の周波数との差であり、通過帯域幅を示す。
【００２６】
図１０（ａ）及び図１１を参照すると、第１実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、低域側減衰帯域における２０ｄＢ帯域幅が、比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００よりも大きくなり、低域側減衰帯域において減衰特性が改善され得ることが分かる。また、第１実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例の場合とほぼ同じ幅を示すことが分かる。また、第１実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、高域側減衰帯域において、比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００とほとんど同じ減衰特性を示す。以上より、第１実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、通過帯域及び高域側の減衰特性を保持しつつ、低域側の減衰特性を改善し得ることが分かる。
【００２７】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ１０を構成する場合に、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ２とすることによって、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
【００２８】
また、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ２とした場合、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、低域側減衰帯域において２０ｄＢ減衰幅を拡大させ、低域側減衰特性を改善することができる。
また、例えば、図１６のように、図１のＳＡＷフィルタ回路１０を縦続接続した場合には、３個の共振器（ＳＲ１、ＰＲ１、及びＰＲ２）当たりに少なくとも１つのキャパシタを割り当てるので、特許文献３に記載の回路のように最も入力側に近い並列腕共振器のグランド側と最も出力側に近い並列腕共振器のグランド側との間のみにキャパシタを配置する場合に比較して、キャパシタ１個当たりに要する容量値を低減できる可能性がある。
【００２９】
（２）第２実施形態
〔構造〕
図３は、第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０は、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０（図１）において、インダクタＬ２がキャパシタＣ３に置き換えられた回路構成である。
【００３０】
図４は、第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０が実装されたＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａは、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａ（図２）において、ボンディングワイヤ１９がキャパシタＣ３を構成するパターン１９、及びパターン１９をパッド２０及び２３に電気的に接続するためのボンディングワイヤとに置き換えられた構造である。パターン１９によるキャパシタＣ３は、キャパシタＣ２と同様に構成される。
【００３１】
〔シミュレーション〕
第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）は、第１実施形態に係る（１）〜（１０）と同様にして算出する。但し、第２実施形態では、第１実施形態に係るインダクタＬ３がキャパシタＣ３に置き換えられているので、式（６）においてＺ３＝−ｊ／（ωＣ３）とすると、Ｋ２＝−ｊ（Ｌ１／ω）（Ｓ＾２＋ω２３＾２），ω２３＾２＝（Ｃ２＋Ｃ３）／（Ｌ１＊Ｃ２＊Ｃ３）となり、式（７）は式（７−ｂ）のようになる。
Ｚ１１（３１）＝Ｓ＊（Ｃ２＋Ｃ３）／｛Ｃ２＊Ｃ３＊（Ｓ＾２＋ω２３＾２）｝
Ｚ１２（３１）＝Ｚ２１（３１）＝Ｓ／｛Ｃ３＊（Ｓ＾２＋ω２３＾２）｝
Ｚ２２（３１）＝（Ｓ＾２＋ω１２＾２）／｛Ｓ＾２＊Ｃ３＊（Ｓ＾２＋ω２３＾２）｝
・・・（７−ｂ）
第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）をシミュレーションした結果を図１０（ｂ）、図１２に示す。図１０（ｂ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図１２は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
【００３２】
シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数は、第１実施形態と同様に、図９に示された値である。また、インダクタＬ１のインダクタンス値、キャパシタＣ２及びＣ３の容量値を図１０（ｂ）のＮＯ１〜４のように設定した各場合についてシミュレーションを実行した。図１０（ｂ）には、図１０（ａ）と同様に、比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００のシミュレーション結果を併せて記載している。
【００３３】
図１０（ｂ）及び図１２を参照すると、ＮＯ１〜４のＳＡＷフィルタ回路１０は、低域側減衰帯域における２０ｄＢ帯域幅が、比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００よりも大きくなり、低域側減衰帯域において減衰特性が改善され得ることが分かる。また、第２実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００とほぼ同じ幅を示すことが分かる。以上より、第２実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、通過帯域及び低域側の減衰特性を改善し得ることが分かる。
【００３４】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ１０を構成する場合に、二端子対回路３１の受動素子の２つをキャパシタＣ２及びＣ３とすることによって、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。この場合、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタとする場合（例えば、第１実施形態）よりも、さらにインダクタの数を低減することができる。
【００３５】
また、キャパシタＣ２及びＣ３の容量値を適切に選択することによって、インダクタＬ１に必要なインダクタンス値を低減することが可能であり（図１０（ｂ）のＮＯ３）、インダクタＬ１の長さを低減することによっても、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
また、二端子対回路３１の受動素子の２つをキャパシタＣ２及びＣ３とした場合、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、低域側減衰帯域において２０ｄＢ減衰幅を拡大させ、低域側減衰特性を改善することができる。
【００３６】
（３）第３実施形態
〔構造〕
図５は、第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０は、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０（図１）において、キャパシタＬ２がインダクタＬ２に、インダクタＬ３がキャパシタＣ３に置き換えられた回路構成である。
【００３７】
図６は、第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０が実装されたＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａは、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａ（図２）において、キャパシタＣ２を構成するパターン１７、及びパターン１７をパッド２２，２３に接続するボンディングワイヤがインダクタＬ２を構成するボンディングワイヤ１７に置き換えられている。また、インダクタＬ３を構成するボンディングワイヤ１９が、キャパシタＣ３を構成するパターン１９、及びパターン１９がパッド２０及び２３に接続するボンディングワイヤに置き換えらている。
【００３８】
〔シミュレーション〕
第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）は、第１実施形態に係る（１）〜（１０）と同様にして算出する。但し、第３実施形態では、第１実施形態に係るキャパシタＣ２及びインダクタＬ３が夫々インダクタＬ２及びキャパシタＣ３に置き換えられているので、式（６）においてＺ２＝ｊωＬ２、Ｚ３＝−ｊ／（ωＣ３）とすると、Ｋ２＝−ｊ（Ｌ１／ω）（Ｓ＾２＋ω２３＾２），ω２３＾２＝１／｛（Ｌ１＋Ｌ２）＊Ｃ３｝となり、式（７）は式（７−ｃ）のようになる。
Ｚ１１（３１）＝Ｓ＊Ｌ１＊Ｌ２＊（ω３＾２＋Ｓ＾２）／｛（Ｌ１＋Ｌ２）＊（ω２＾２＋Ｓ＾２）｝
Ｚ１２（３１）＝Ｚ２１（３１）＝Ｓ＊Ｌ１／｛（Ｌ１＋Ｌ２）＊（ω２＾２＋Ｓ＾２）｝
Ｚ２２（３１）＝Ｌ１＊（ω１＾２＋Ｓ＾２）／｛Ｓ＊（Ｌ１＋Ｌ２）＊（ω２＾２＊Ｓ＾２）｝
但し、ω１＾２＝１／（Ｌ１＊Ｌ３）、ω２＾２＝１／｛Ｃ３＊（Ｌ１＋Ｌ２）｝、ω３＾２＝１／（Ｌ２＊Ｌ３）
・・・（７−ｃ）
第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）をシミュレーションした結果を図１０（ｃ）、図１３に示す。図１０（ｃ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図１３は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
【００３９】
シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数は、第１実施形態と同様に、図９に示された値である。また、インダクタＬ１及びＬ２のインダクタンス値、キャパシタＣ３の容量値を図１０（ｃ）のＮＯ１〜４のように設定した各場合についてシミュレーションを実行した。図１０（ｃ）には、図１０（ａ）と同様に、比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００のシミュレーション結果を併せて記載している。
【００４０】
図１０（ｃ）及び図１３を参照すると、ＮＯ１〜４のＳＡＷフィルタ回路１０は、低域側減衰帯域における２０ｄＢ帯域幅が、比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００よりも大きくなり、低域側減衰帯域において減衰特性が改善され得ることが分かる。また、ＮＯ１〜ＮＯ４のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例のＳＡＷフィルタ回路１０００とほぼ同じ幅を示すことが分かる。以上より、第３実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、低域側の減衰特性を改善し得ることが分かる。
【００４１】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ１０を構成する場合に、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ３とすることによって、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
【００４２】
また、キャパシタＣ３の容量値を適切に選択することによって、インダクタＬ１及びＬ２に必要なインダクタンス値を低減することが可能であり（図１０（ｃ）のＮＯ４）、インダクタＬ１及びＬ２の長さを低減することによっても、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
また、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ３とした場合、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、低域側減衰帯域において２０ｄＢ減衰幅を拡大させ、低域側減衰特性を改善することができる。
【００４３】
（４）第４実施形態
〔構造〕
図７は、第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０は、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０（図１）において、インダクタＬ１，Ｌ３がキャパシタＣ１，Ｃ３に置き換えられており、キャパシタＣ２がインダクタＬ２に置き換えられている。
【００４４】
図８は、第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０が実装されたＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａは、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａ（図２）において、インダクタＬ１を構成するボンディングワイヤ１８が、キャパシタＣ１を構成するパターン１８及びパターン１８をパッド２０，２２に接続するためのボンディングワイヤに置き換えられている。インダクタＬ３を構成するボンディングワイヤ１９が、キャパシタＣ３を構成するパターン１９及びパターン１９をパッド２０，２２に接続するためのボンディングワイヤに置き換えられている。また、キャパシタＣ２を構成するパターン１７、及びパターン１７をパッド２２及び２３に接続するためのボンディングワイヤが、インダクタＬ２を構成するボンディングワイヤ１７に置き換えられている。
【００４５】
〔シミュレーション〕
第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）は、第１実施形態に係る（１）〜（１０）と同様にして算出する。但し、第４実施形態では、第１実施形態に係るインダクタＬ１，Ｌ３がキャパシタＣ１，Ｃ３に置き換えられ、かつ第１実施形態に係るキャパシタＣ２がインダクタＬ２に置き換えられているので、式（６）においてＺ１＝−ｊ／（ωＣ１）、Ｚ２＝ｊωＬ２、Ｚ３＝−ｊ／（ωＣ３）とすると、式（７）は式（７−ｄ）のようになる。
Ｚ１１（３１）＝Ｋ１／（Ｓ＊Ｃ１＊Ｋ０）
Ｚ１２（３１）＝Ｚ２１（３１）＝１／（Ｓ＊Ｌ２＊Ｃ１＊Ｃ３＊Ｋ０）
Ｚ２２（３１）＝Ｋ１／（Ｓ＊Ｃ３＊Ｋ０）
但し、Ｋ０＝Ｓ＾２＋ω２３＾２、ω２３＾２＝（Ｃ１＋Ｃ３）／（Ｌ２＊Ｃ１＊Ｃ３）
Ｋ１＝（Ｓ＾２＋ω１３＾２）、ω１３＾２＝１／（Ｌ２＊Ｃ３）
・・・（７−ｄ）
第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）をシミュレーションした結果を図１０（ｄ）及び図１４に示す。図１０（ｄ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図１４は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
【００４６】
シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数は、第１実施形態と同様に、図９に示された値である。また、キャパシタＣ１，Ｃ３の容量値、インダクタＬ２のインダクタンス値を図１０（ｄ）のＮＯ１〜４のように設定した各場合についてシミュレーションを実行した。図１０（ｄ）には、図１０（ａ）と同様に、比較例に係るＳＡＷフィルタ回路１０００のシミュレーション結果を併せて記載している。
【００４７】
図１０（ｄ）及び図１４を参照すると、ＮＯ１〜ＮＯ４の低域側減衰帯域における２０ｄＢ帯域幅は比較例の場合よりも大きくなり、第４実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０によって、低域側減衰帯域における減衰特性が改善され得ることが分かる。また、第４実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例の場合とほぼ同じ幅を示すことが分かる。以上より、第４実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、低域側の減衰特性を改善し得ることが分かる。
【００４８】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ１０を構成する場合に、二端子対回路３１の受動素子の２つをキャパシタＣ１及びＣ３とすることによって、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。この場合、第１及び第３実施形態のように二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタで構成する場合に比較して、さらにインダクタの数を低減できる。
【００４９】
また、二端子対回路３１の受動素子の２つをキャパシタＣ１及びＣ３とした場合、二端子対回路３１の受動素子を全てインダクタで構成する場合に比較して、低域側減衰帯域において２０ｄＢ減衰幅を拡大させ、低域側減衰特性を改善することができる。
（５）他の実施形態
第１乃至第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の構成を縦続接続しても良い。例えば、第１実施形態に係るフィルタ回路１０を縦続接続した場合には、図１６に示すような構成になる。
【００５０】
このＳＡＷフィルタ回路１０は、図１のＳＡＷフィルタ回路１０において、共振器ＳＲ１と、共振器ＰＲ３と、キャパシタＣ４と、インダクタＬ５と、接続点Ｐ７〜Ｐ９とをさらに備えている。共振器ＳＲ１は、接続点Ｐ４及びＰ８を有する直列腕に設けられた直列腕共振器であり、接続点Ｐ４を介して共振器ＳＲ１及び共振器ＰＲ２に電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ８を介して出力端子ＯＵＴ及び共振器ＰＲ３に電気的に接続されている。共振器ＰＲ３は、接続点Ｐ８、Ｐ７及びＰ９を有する並列腕に設けられた並列腕共振器であり、接続点Ｐ８を介して共振器ＳＲ２及び出力端子ＯＵＴに電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ７を介してキャパシタＣ４及びインダクタＬ５に電気的に接続されている。キャパシタＣ４は、接続点Ｐ１、Ｐ２及びＰ７を有する直列腕に設けられたインダクタであり、接続点Ｐ２を介して共振器ＰＲ２及びインダクタＬ３に電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ７を介して共振器ＰＲ３及びインダクタＬ５に電気的に接続されている。インダクタＬ５は、接続点Ｐ８、Ｐ７及びＰ９を有する並列腕に設けられたインダクタであり、接続点Ｐ７を介して共振器ＰＲ３及びキャパシタＣ４に電気的に接続されるとともに、接続点Ｐ９を介してグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。また、グランドＧＮＤ１とグランドＧＮＤ２とは、接続点Ｐ５、Ｐ６及びＰ９を介して電気的に短絡されている。
【００５１】
このように、共振器ＳＲ１・ＰＲ１・ＰＲ２に対してキャパシタＣ２、共振器ＳＲ２・ＰＲ２・ＰＲ３に対してキャパシタＣ４のように、３個の共振器ごとに少なくとも１個のキャパシタを配置することにより、特許文献３の回路のように最も入力側の並列腕共振器のグランド側と最も出力側の並列腕共振器のグランド側との間のみにキャパシタを配置する場合に比較して、キャパシタ１個当たりに必要な容量値を低減できる可能性がある。
（６）第５実施形態
〔構造〕
図１８は、第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。
【００５２】
このＳＡＷフィルタ回路１０は、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０（図１）の二端子対回路３０において、入力端子ＩＮと接続点Ｐ３の間に共振器ＳＲ２を、出力端子ＯＵＴと接続点４の間に共振器ＳＲ３をさらに備えた回路構成である。
図１９は、第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０が実装されたＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。
【００５３】
ＳＡＷフィルタ回路１０Ａは、第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａ（図２）において、共振器ＳＲ２と共振器ＳＲ３をさらに備えている。
共振器ＳＲ２及びＳＲ３と、配線パターン１４Ｃ及び１４Ｄは、圧電基板２１上のパターンとして形成されている。
共振器ＳＲ２は、櫛歯状電極１１２ＢＡ及び１１２ＢＢからなるＩＤＴ１１２Ｂと、ＩＤＴ１１２Ｂの両側に配置されたグレーティング反射器１１２Ａ及び１１２Ｃとを備えている。共振器ＳＲ３は、櫛歯状電極１１３ＢＡ及び１１３ＢＢからなるＩＤＴ１１３Ｂと、ＩＤＴ１１３Ｂの両側に配置されたグレーティング反射器１１３Ａ及び１１３Ｃとを備えている。
【００５４】
配線パターン１４Ｃ及び１４Ｄは、例えばタングステンによって形成されている。共振器ＳＲ２において、櫛歯状電極１１２ＢＡは配線パターン１４Ｃ接続されており、櫛歯状電極１１２ＢＢは配線パターン１４Ａに接続されている。共振器ＳＲ３において、櫛歯状電極１１３ＢＡは配線パターン１４Ｂ接続されており、櫛歯状電極１１３ＢＢは配線パターン１４Ｄに接続されている。
【００５５】
配線１４Ｃは、ボンディングワイヤ１３によってパッド１２に接続されている。配線１４Ｄは、ボンディングワイヤ１５によってパッド１６に接続されている。
〔シミュレーション〕
（シミュレーション原理）
１．第５実施形態のＳＡＷフィルタ
第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）は、第１実施形態に係る式（１）〜（１０）と同様にして算出する。但し、第５実施形態では、新たに共振器ＳＲ２及びＳＲ３が追加されているので、二端子対回路３０のＺ行列であるＺ（３０）を算出する式（２）、（３）は、式（２−ａ）、（３−ａ）のようになる。Ｚ（ＳＲ１）は共振器ＳＲ１のインピーダンス、Ｚ（ＳＲ２）は共振器２のインピーダンス、Ｚ（ＳＲ３）は共振器ＳＲ３のインピーダンス、Ｙ（ＰＲ１）は共振器ＰＲ１のアドミッタンス、Ｙ（ＰＲ２）は共振器ＰＲ２のアドミッタンスである。また、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＫ１は式（３−ａ）で与えられる。
Z（３０）＝［Ｚ１１，Ｚ１２，Ｚ２１，Ｚ２２］
Ｚ１１＝Ｚ１１（３０）、Ｚ１２＝Ｚ１２（３０）、Ｚ２１＝Ｚ２１（３０）、
Ｚ２２＝Ｚ２２（３０）
Ｚ１１（３０）＝Ａ／Ｃ
Ｚ１２（３０）＝ＡＢＳ（Ｋ）／Ｃ
Ｚ２１（３０）＝１／Ｃ
Ｚ２２（３０）＝Ｄ／Ｃ                                                  ・・・（２−ａ）
Ａ＝１＋Ｚ（ＳＲ２）＊Ｙ（ＰＲ１）＋Ｙ（ＰＲ２）＊（Ｚ（ＳＲ２）＋Ｚ（ＳＲ１）＊（１＋Ｚ（ＳＲ２）＊Ｙ（ＰＲ１）））
Ｂ＝Ｚ（ＳＲ２）＋Ｚ（ＳＲ１）＊（１＋Ｚ（ＳＲ２）＊Ｙ（ＰＲ１））＋Ｚ（ＳＲ３）＊（１＋Ｚ（ＳＲ２）＊Ｙ（ＰＲ１）＋Ｙ（ＰＲ２）＊（Ｚ（ＳＲ２）＋Ｚ（ＳＲ３）＊（１＋Ｚ（ＳＲ２）＊Ｙ（ＰＲ１））））
Ｃ＝Ｙ（ＰＲ１）＋Ｙ（ＰＲ２）＊（１＋Ｚ（ＳＲ２）＊Ｙ（ＰＲ１））
Ｄ＝１＋Ｚ（ＳＲ１）＊Ｙ（ＰＲ１）＋Ｚ（ＳＲ３）＊（Ｙ（ＰＲ１）＋Ｙ（ＰＲ２）＊（１＋Ｚ（ＳＲ１）＊Ｙ（ＰＲ１）））
Ｋ＝Ａ＊Ｄ−Ｂ＊Ｃ                                                        式（３−ａ）
２．比較例に係るＳＡＷフィルタ
比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１は、図２９に示す回路構成である。ＳＡＷフィルタ回路１００１は、図１８の回路において、Ｃ２をＬ２に置き換えた場合であり、二端子対回路３１がすべてインダクタで構成されることを仮定した場合である。ＳＡＷフィルタ回路１００１の減衰特性は、式（１）、（４）〜（１０）、及び式（２−ａ）、（３−ａ）と同様にして算出する。但し、式（６）においてＺ２＝ｊωＬ２とし、第１実施形態の比較例と同様に、式（７）が式（７−ａ）のようになる。
（シミュレーション結果）
図２４には、シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数を示す。同図に示すように、共振器ＳＲ１の交差長を６００μｍ、対数を８０本とし、共振器ＳＲ２及びＳＲ３の交差長を１２０μｍ、対数を８０本とし、共振器ＰＲ１及びＰＲ２の交差長を８０μｍ、対数を１００本とした。また、キャパシタＣ２の容量値、インダクタＬ１及びＬ３のインダクタンス値を図２５（ａ）のＮＯ１〜７のように設定した場合と、比較例についてシミュレーションを行った。なお、比較例に係るＳＡＷフィルタ回路１００１では、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝２ｎＨである。
【００５６】
図２５（ａ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図２６は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
図２５（ａ）において、３０ｄＢ（−）は、高域側減衰帯域において−３０ｄＢまで減衰する周波数のうち低い方の周波数であり、３０ｄＢ（＋）は、高域側減衰帯域において−３０ｄＢまで減衰する周波数の高い方の周波数である。３０ｄＢ帯域幅は、３０ｄＢ（＋）の周波数と３０ｄＢ（−）の周波数との差であり、高域側減衰帯域において−３０ｄＢ以下の減衰量を確保できる周波数の帯域幅である。３ｄＢ（−）は、−３ｄＢまで減衰する周波数のうち低い方の周波数であり、３ｄＢ（＋）は、−３ｄＢまで減衰する周波数の高い方の周波数である。３ｄＢ帯域幅は、３ｄＢ（＋）の周波数と３ｄＢ（−）の周波数との差であり、通過帯域幅を示す。
【００５７】
図２５（ａ）及び図２６を参照すると、第５実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、高域側減衰帯域における３０ｄＢ帯域幅が、比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１よりも大きくなり、高域側減衰帯域において減衰特性が改善され得ることがわかる。また、第５実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例の場合とほぼ同じ幅を示すことがわかる。以上より、第５実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、通過帯域及び高域側の減衰特性を改善し得ることがわかる。
【００５８】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ回路１０を構成する場合に、二端子対回路３１の１つをキャパシタＣ２とすることによって、二端子対回路３１の受動素子をすべてインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
【００５９】
また、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ２とした場合、二端子対回路３１の受動素子をすべてインダクタで構成する場合に比較して、高域側減衰帯域において３０ｄＢ減衰幅を拡大させ、高域側減衰特性を改善することができる。
（７）第６実施形態
〔構造〕
図２０は、第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０は、第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０（図１８）において、インダクタＬ３がキャパシタＣ３に置き換えられた回路構成である。
【００６０】
図２１は、第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０が実装されたＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａは、第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０Ａ（図１９）において、ボンディングワイヤ１９がキャパシタＣ３を構成するパターン１９、及びパターン１９をパッド２０及び２３に電気的に接続するためのボンディングワイヤとに置き換えられた構造である。パターン１９によるキャパシタＣ３は、キャパシタＣ２と同様に構成される。
【００６１】
〔シミュレーション〕
（シミュレーション原理）
第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）は、第５実施形態に係る式（１）、（４）〜（１０）、及び式（２−ａ）、（３−ａ）と同様にして算出する。但し、第６実施形態では、第５実施形態に係るインダクタＬ３がキャパシタＣ３に置き換えられているので、式（６）においてＺ３＝−ｊ／（ωＣ３）とし、第２実施形態と同様に、式（７）が式（７−ｂ）のようになる。
（シミュレーション結果）
第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）をシミュレートした結果を図２５（ｂ）、図２７に示す。図２５（ｂ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図２７は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
【００６２】
シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数は、第５実施形態と同様に、図２４に示された値である。また、インダクタＬ１のインダクタンス値、キャパシタＣ２及びＣ３の容量値を図２５（ｂ）のＮＯ１〜７のように設定した場合についてのシミュレーションを実行した。図２５（ｂ）には、図２５（ａ）と同様に、比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１のシミュレーション結果を併せて記載している。
【００６３】
図２５（ｂ）及び図２７を参照すると、ＮＯ２〜６のＳＡＷフィルタ回路１０は、高域側減衰帯域における３０ｄＢ帯域幅が、比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１よりも大きくなり、高域側減衰帯域において減衰特性が改善され得ることがわかる。なお、ＮＯ１及び７のＳＡＷフィルタ回路１０においては、比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１をわずかに下回ってはいるが、ほとんど有意差はないものと判断できる。また、第６実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例の場合とほぼ同じ幅を示すことがわかる。以上より、第６実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、通過帯域及び高域側の減衰特性を改善し得ることがわかる。
【００６４】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ回路１０を構成する場合に、二端子対回路３１の受動素子の２つをキャパシタＣ２及びＣ３とすることによって、二端子対回路３１の受動素子のすべてをインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。この場合、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタとする場合（例えば、第５実施形態）よりも、さらにインダクタの数を低減することができる。
【００６５】
また、キャパシタＣ２及びＣ３の容量値を適切に選択することによって、インダクタＬ１に必要なインダクタンス値を低減することが可能であり（例えば、図２５（ｂ）のＮＯ５）、インダクタＬ１の長さを低減することによっても、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
また、二端子対回路３１の受動素子の２つをキャパシタＣ２及びＣ３とした場合、二端子対回路３１の受動素子をすべてインダクタで構成する場合に比較して、高域側減衰帯域において３０ｄＢ減衰幅を拡大させ、高域側減衰特性を改善することができる。
（８）第７実施形態
〔構造〕
図２２は、第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０の回路図である。第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０は、第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０（図１８）において、キャパシタＣ２がインダクタＬ２に、インダクタＬ３がキャパシタＣ３に置き換えられた回路構成である。
【００６６】
図２３は、第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路１０が実装されたＳＡＷフィルタ装置１０Ａを示している。第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａは、第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ装置１０Ａ（図１９）において、キャパシタＣ２を構成するパターン１７、及びパターン１７をパッド２２、２３に接続するボンディングワイヤがインダクタＬ２を構成するボンディングワイヤ１７に置き換えられている。また、インダクタＬ３を構成するボンディングワイヤ１９が、キャパシタＣ３を構成するパターン１９，及びパターン１９がパッド２０及び２３に接続するボンディングワイヤに置き換えられている。
【００６７】
〔シミュレーション〕
（シミュレーション原理）
第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）は、第５実施形態に係る式（１）、（４）〜（１０）、及び式（２−ａ）、（３−ａ）と同様にして算出する。但し、第７実施形態では、第５実施形態に係るキャパシタＣ２及びインダクタＬ３がそれぞれインダクタＬ２及びキャパシタＣ３ｎに置き換えられているので、式（６）においてＺ２＝ｊωＬ２、Ｚ３＝―ｊ／（ωＣ３）とし、第３実施形態と同様に、式（７）が式（７−ｃ）のようになる。（シミュレーション結果）
第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ１０の減衰特性α（ω）をシミュレートした結果を図２５（ｃ）、図２８に示す。図２５（ｃ）は、シミュレーション結果を数値で表したものである。図２８は、シミュレーション結果の減衰特性をグラフに表したものである。
【００６８】
シミュレーションに用いた共振器ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＰＲ１、ＰＲ２の交差長及び対数は、第５実施形態と同様に、図２４に示された値である。また、インダクタＬ１及びＬ２のインダクタンス値、キャパシタＣ３の容量値を図２５（ｃ）のＮＯ１〜７のように設定した場合についてのシミュレーションを実行した。図２５（ｃ）には、図２５（ａ）と同様に、比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１のシミュレーション結果を併せて記載している。
【００６９】
図２５（ｃ）及び図２８を参照すると、ＮＯ１〜７のＳＡＷフィルタ回路１０は、高域側減衰帯域における３０ｄＢ帯域幅が、比較例のＳＡＷフィルタ回路１００１よりも大きくなり、高域側減衰帯域において減衰特性が改善され得ることがわかる。また、第６実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、３ｄＢ帯域幅が比較例の場合とほぼ同じ値であり、通過帯域が比較例の場合とほぼ同じ幅を示すことがわかる。以上より、第６実施形態のＳＡＷフィルタ回路１０は、通過帯域及び高域側の減衰特性を改善し得ることがわかる。
【００７０】
〔作用効果〕
共振器ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、ＰＲ１及びＰＲ２からなる二端子対回路３０に、受動素子（インダクタ又はキャパシタ）からなる二端子対回路３１を直列接続してＳＡＷフィルタ回路１０を構成する場合に、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ３とすることによって、二端子対回路３１の受動素子のすべてをインダクタで構成する場合に比較して、インダクタの数を低減することができる。インダクタンス値がボンディングワイヤの長さに依存するインダクタの数を低減できることによって、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
【００７１】
また、キャパシタＣ３の容量値を適切に選択することによって、インダクタＬ１及びＬ２に必要なインダクタンス値を低減することが可能であり（例えば、図２５（ｃ）のＮＯ３）、インダクタＬ１及びＬ２の長さを低減することによっても、ＳＡＷフィルタ回路１０の小型化を図ることができる。
また、二端子対回路３１の受動素子の１つをキャパシタＣ３とした場合、二端子対回路３１の受動素子をすべてインダクタで構成する場合に比較して、高域側減衰帯域において３０ｄＢ減衰幅を拡大させ、高域側減衰特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図２】第１実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図３】第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図４】第２実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図５】第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図６】第３実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図７】第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図８】第４実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図９】シミュレーションに使用したＳＡＷ共振器の交差長及び対数。
【図１０】シミュレーション結果の表。
【図１１】シミュレーション結果のグラフ（第１実施形態）
【図１２】シミュレーション結果のグラフ（第２実施形態）
【図１３】シミュレーション結果のグラフ（第３実施形態）
【図１４】シミュレーション結果のグラフ（第４実施形態）
【図１５】ＭＩＭキャパシタの構成例。
【図１６】図１のＳＡＷフィルタ回路を縦続接続した場合のＳＡＷフィルタ回路。
【図１７】比較例に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図１８】第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図１９】第５実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図２０】第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図２１】第６実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図２２】第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【図２３】第７実施形態に係るＳＡＷフィルタ回路の実装例。
【図２４】シミュレーションに使用したＳＡＷ共振器の交差長及び対数。
【図２５】シミュレーション結果の表。
【図２６】シミュレーション結果のグラフ（第５実施形態）
【図２７】シミュレーション結果のグラフ（第６実施形態）
【図２８】シミュレーション結果のグラフ（第７実施形態）
【図２９】比較例に係るＳＡＷフィルタ回路の回路図。
【符号の説明】
【００７３】
１０  ＳＡＷフィルタ
３０，３１  二端子対回路
【図１】
2005278131.tif 000003
【図２】
2005278131.tif 000004
【図３】
2005278131.tif 000005
【図４】
2005278131.tif 000006
【図５】
2005278131.tif 000007
【図６】
2005278131.tif 000008
【図７】
2005278131.tif 000009
【図８】
2005278131.tif 000010
【図９】
2005278131.tif 000011
【図１０】
2005278131.tif 000012
【図１１】
2005278131.tif 000013
【図１２】
2005278131.tif 000014
【図１３】
2005278131.tif 000015
【図１４】
2005278131.tif 000016
【図１５】
2005278131.tif 000017
【図１６】
2005278131.tif 000018
【図１７】
2005278131.tif 000019
【図１８】
2005278131.tif 000020
【図１９】
2005278131.tif 000021
【図２０】
2005278131.tif 000022
【図２１】
2005278131.tif 000023
【図２２】
2005278131.tif 000024
【図２３】
2005278131.tif 000025
【図２４】
2005278131.tif 000026
【図２５】
2005278131.tif 000027
【図２６】
2005278131.tif 000028
【図２７】
2005278131.tif 000029
【図２８】
2005278131.tif 000030
【図２９】
2005278131.tif 000031