(57)【要約】      （修正有）【課題】ガス抜きを迅速かつ低コストで実施できる、ケーブルの絶縁層または半導体層を架橋させる方法および設備を提供する。【解決手段】反応室内での架橋を進行させながら、１つまたは複数の導線１を誘導加熱によって次第に強く加熱していく。この方策により、内部すなわち導線の中での温度上昇によって架橋をいっそう迅速に進ませるために、形状安定性の増大を惹起するところの、内側と外側から絶縁層または半導体層の中央に向かって進行する架橋を行う。このとき、導線1の温度をさらに上げるために、架橋の進行に伴って生じる絶縁層および／または半導体層の形状安定性の増大を利用する。架橋領域6に引き続いて、さらなる温度上昇によりガス抜き領域8が設けられており、そこでは１つまたは複数の導線１の誘導加熱によって、ケーブル4からのいっそう迅速な脱ガスが、反応室の比較的短い区間で引き起こされる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温の不活性ガスで充填されて過圧のもとにある反応室を通過する製造中のケーブルの１つまたは複数の導線の絶縁層または半導体層を架橋させる方法であって、
反応室内での運動を進行させながら、すなわち架橋を進行させながら、１つまたは複数の導線を誘導加熱によって次第に強く加熱していくことを特徴とする、絶縁層または半導体層を架橋させる方法。
【請求項２】
反応室内を進行していくケーブルと同時に、およびこれと結びついた、ケーブルの絶縁層または半導体層の外側層の架橋が次第に強まると同時に、反応室の中でケーブルを取り囲む加熱された不活性ガス雰囲気の加熱を次第に強くしていく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
高温の不活性ガスの対流で伝達される熱によるケーブルの外面からの架橋が、外側層の形状安定的な架橋を引き起こしたときに、初めて誘導加熱を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１つまたは複数の導線へ最初に供給される熱による、１つまたは複数の導線のほうを向いている絶縁層または半導体層の内面からの架橋が、絶縁層または半導体層の内側層の形状安定的な架橋を引き起こしたときに、初めて誘導加熱を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
絶縁層または半導体層を形成する材料の融点まで加熱を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ケーブルを架橋の後に、ただしまだ冷却する前に、過圧雰囲気の中でケーブルの温度レベルを上げることによってガス抜きする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ガス抜きをするために架橋区間の終端部に、または終端部の直前に、およびガス抜き領域へケーブルが入る前および／または入るときに、および必要に応じてガス抜き区間の内部で、ケーブルの温度上昇を内側から得るために誘導式の導線加熱を行う、請求項１および６に記載の方法。
【請求項８】
ガス抜きをするために架橋区間の終端部で、ケーブルを外部から取り囲む過圧雰囲気の温度上昇を行う、請求項１および６に記載の方法。
【請求項９】
架橋とガス抜きが不活性ガス雰囲気の中で過圧のもとで行われ、ガス抜き区間の不活性ガスに対しては、架橋反応に由来する気体状の派生生成物の浄化が行われる、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１０】
ガス抜き区間の不活性ガスが、架橋区間からの不活性ガスと一緒に、浄化装置の内部を通る循環路に通される、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１１】
ガス抜き区間の不活性ガスが、架橋区間の不活性ガスとは別個に、浄化装置の内部を通るそれぞれの循環路に通される、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１２】
巻取の直前または巻取の途中における周囲空気雰囲気の中での最終的なガス抜きが、４０℃から１００℃の温度、特に５５℃から７５℃の温度の温度維持区間で実施される、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１３】
特に前記設備を通過するときや冷却のときに発生するケーブルの変形が、復元力と記憶効果を活性化させるための、融点の直前またはそれ以上の温度範囲での再加熱によって取り除かれる、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１４】
不活性ガスが浄化された後、ガス抜き区間へ再び入る前に、ガス抜きにとって好都合な温度まで加熱される、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１５】
架橋、ガス抜き、およびこれに続く（予備）冷却を共通の管の中で実施し、
この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのための供給管と排出管によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却の個々の区域が区分されている、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１６】
架橋、ガス抜き、およびこれに続く（予備）冷却を共通の管の中で実施し、
この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのためのエアロックまたは狭隘個所によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却の個々の区域が区分されている、請求項１および６に記載の方法。
【請求項１７】
高温の不活性ガスで充填されて過圧のもとにある反応室を通過する製造中のケーブルの絶縁層または半導体層を架橋させる設備であって、
反応室には、架橋が開始されていて製造中のケーブルの外側形状の形状安定性にまで至っている１つまたは複数の箇所に、製造中のケーブルの１つまたは複数の導線のための少なくとも１つの誘導加熱装置が配置されていることを特徴とする、絶縁層または半導体層を架橋させる設備。
【請求項１８】
架橋が開始されていて製造中のケーブルの外側形状の形状安定性にまで至っている箇所に、製造中のケーブルの１つまたは複数の導線のための少なくとも１つの誘導加熱装置が配置されている、請求項１７に記載の設備。
【請求項１９】
架橋領域で誘導加熱装置が製造中のケーブルの１つまたは複数の導線を、絶縁層または半導体層の材料の融点まで温度上昇させるように設定されている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２０】
架橋装置と冷却区間の間に、不活性ガスが充填された、高い温度レベルと過圧とで作用するガス抜き区間が配置されている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２１】
前記ガス抜き区間に浄化装置が並列に接続されており、ガス抜き区間と浄化装置に含まれる不活性ガスが循環路でこの浄化装置に通される、請求項１７に記載の設備。
【請求項２２】
架橋区間からの不活性ガスが、ガス抜き区間からの不活性ガスと一緒に、浄化装置の内部を通る循環路に通される、請求項１７に記載の設備。
【請求項２３】
架橋区間が管の狭隘部によってガス抜き区間から分離されている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２４】
ガス抜き区間の不活性ガス循環路に少なくとも１つの加熱装置が設けられている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２５】
ガス抜き区間の終端部でその内部に導線加熱をするための誘導加熱部が設けられている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２６】
浄化区域の終端部に、浄化された不活性ガスに対する加熱設備が設けられている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２７】
架橋、ガス抜き、およびこれに続く冷却のために共通の管が設けられており、この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのための供給管と排出管によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く冷却の個々の区域が区分されている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２８】
架橋、ガス抜き、およびこれに続く冷却のために共通の管が設けられており、この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのためのエアロックまたは狭隘個所によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く冷却の個々の区域が区分されている、請求項１７に記載の設備。
【請求項２９】
連続的な製造プロセスの後および／または途中に調温区域でさらにガス抜きと変形除去をするための温度調節が、高温空気流によって大気条件のもとで連続的に行われる、請求項１７に記載の設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高温の不活性ガスで充填されて過圧のもとにある反応室を通過する製造中のケーブルの絶縁層または半導体層を架橋させる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に高圧ケーブルや特別高圧ケーブルを製造するときには、絶縁層・半導体層が架橋されて、これらの層に特別な安定性が与えられる。そのために、これらの層を形成する押出物には、熱作用のもとで分解してその際に架橋を引き起こす架橋剤、多くの場合過酸化物が添加される。したがって製造プロセスでは、１つまたは複数の導線の被覆が行われる押出機およびこれに後置されたクロスヘッドで、すでにこれらの装置で架橋が始まらないようにするために、温度をできるだけ低く保つことが必要である。クロスヘッドに後置されている反応室、多くの場合長い管では、架橋をさせるために、製作されるケーブルの温度を上昇させなくてはならず、このことは、製作されるケーブルに高温の不活性ガスを注ぐことによって行われる。それにより、外部から内部に向かって進行する絶縁層および／または半導体層の架橋が行われる。このような架橋はゆっくりとしか進行しないので、反応室の非常に大きな長さが必要である。架橋の促進によって反応室を短くするためには、クロスヘッドの前またはより好ましくはクロスヘッドの直後に配置された誘導加熱部によって１つまたは複数の導線を加熱し、それにより、熱が対流によって外部から内部へ流れるだけでなく、熱伝導によって内部から外部にも流れるようにしなくてはならない。ただしこのような誘導加熱をするときは、クロスヘッドでケーブルに与えられた形状が滴下現象によって失われないようにするために、絶縁層または半導体層の温度が、架橋されるべき材料の融点近くまで達したり、あるいは融点を超えたりしないように注意しなくてはならない。
【０００３】
架橋反応が起こるとジクミルペルオキシドの分解によって気体状の派生生成物が形成されるので、架橋プロセスは、気体の発散や小孔の形成を防止するために、１０バールから１６バールの過圧のもとで行われる。架橋プロセスの後にすぐ引き続いて、同じく過圧のもとで実施される冷却プロセスが開始され、この冷却プロセスは多くの場合同じ管の内部で行われる。１つまたは複数の導線を被覆する押出物の中には分解物質の含有率が高いので、小孔の形成が行われないようにするために、完成したケーブルを保管するときには長時間にわたる後処理が必要である。５０℃から８０℃の温度で調温室内に保管することによってガス抜き時間の短縮を実現することができるが、この場合、調温室へ移し替えるときにケーブルの自重が邪魔になる。とはいえ、このような方策はどれも高いコストがかかり、費用が集中する。押出成形可能な素材のガス抜きという問題は、押出機の使用や製作の分野で知られている。
【０００４】
押出成形機のガス抜き領域では非常に迅速なガス抜きが行われ、そこでは、短い区間でスクリューのスクリュー軸直径を短くすることで、その他の部分では高い充填度が著しく緩和され、外部の真空によって圧力が著しく低下し、それにより、押出物の中にあるガスを真空源に吸い取ることができる。しかしながらこのことは、本件のようにケーブルの絶縁層および／または半導体層の場合には不可能である。このような処理は過圧のもとで実施しなければならず、真空には耐えられないからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は従来技術の欠点を回避するものである。本発明の課題は、ガス抜きをいっそう迅速かつ少ないコストで実施することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、反応室の架橋領域での架橋が進行するにつれて１つまたは複数の導線を誘導加熱により次第に強く加熱していくことによって、上記のような架橋の促進を実現する。架橋領域の後には、反応室内で冷却をする前に、１つまたは複数の導線の強力な誘導加熱によってガス抜きが行われる領域が導入される。反応室内を進行していくケーブルと同時に、およびこれに関連して、ケーブルの絶縁層または半導体層の外側層の次第に強まっていく架橋と同時に、反応室の中でケーブルを取り囲む加熱された不活性ガス雰囲気が次第に強く加熱されていくことが好ましい。これは反応室を外部から加熱することで行うことができ、また、不活性ガスを循環流に通し、この循環流を加熱することによって行うこともできる。
【０００７】
このような方策により、内部すなわち導線の中での温度上昇によって架橋をいっそう迅速に進ませるために、形状安定性の増大を惹起する、内側と外側から絶縁層または半導体層の中央に向かって進行する架橋が利用される。このとき、導線の温度をさらに上げるために、架橋の進行に伴って生じる形状安定性の増大を利用する。それにより、時間（反応器内での滞留時間）に伴って、ないしは反応器が設置されている長さに伴って、架橋の指数関数的な進行を得ることができ、それによって従来普通であった反応器の長さも短縮することができる。
【０００８】
高温の不活性ガスの対流で伝達される熱によるケーブルの外面からの架橋が、外側層の形状安定的な架橋を引き起こしたときに初めて誘導加熱を行うのが好都合である。というのも、それによって製造中のケーブルが、クロスヘッドで与えられた正確な形状を保つことが確保されるからである。
【０００９】
１つまたは複数の導線へ最初に供給される熱による、１つまたは複数の導線のほうを向いている絶縁層または半導体層の内面からの架橋が、絶縁層または半導体層の内側層の形状安定的な架橋を引き起こしたときに初めて誘導加熱を行うのも同様に好都合である。
【００１０】
この方法では、絶縁層または半導体層が製造されている材料の融点まで加熱を行うと好ましいことが判明している。
【００１１】
このような方策によって本発明は、架橋をいっそう迅速かつ少ないコストで、比較的短い反応室のなかで実施することに成功している。このことは、ガス抜きを必要とするケーブルについても、ガス抜きをしなくてもよいケーブルについても同様に当てはまる。
【００１２】
ガス抜きを必要とするケーブルについて、本発明は、同じ誘導加熱によって手順を進める。その要点は、架橋されたケーブルをまだ冷却する前に、ガス抜き区間において過圧雰囲気の中でケーブルの温度レベルを上げることによってガス抜きすることにある。
【００１３】
このようなガス抜きは、不活性ガス雰囲気の同じ過圧のもとで、同じ反応室のなかで行うのが好都合である。
【００１４】
従来技術では、反応管の内部での架橋のプロセスは熱供給をしながら過圧のもとで行われ、反応管の終端部のところに（予備）冷却領域があるのに対して、本発明では、架橋領域の後に別の領域が反応管に配置されており、すなわち、内部および外部の熱供給がさらにケーブルに行われるガス抜き領域が配置されている。このガス抜き領域は、冷却領域の前に配置されている。したがって架橋とガス抜きのプロセス全体が、冷却工程の前に反応管の内部で行われる。
【００１５】
ガス抜き領域でのこのような温度レベルの上昇は、ケーブルでその内側から追加の誘導式の導線加熱をすることによって、ケーブルがガス抜き区間へ入る前に、架橋区間の最後または最後の直前で行う。外部からは、ケーブルを取り囲む不活性ガスの過圧雰囲気の温度を上げることによって温度上昇を行う。
【００１６】
これは比較的簡単であるにもかかわらず、ガス抜き区間にケーブルがとどまっている間に、気体状の派生生成物が冷却区間に到達する前にすでに心線の絶縁層または半導体層から出ることを可能にする、かなり効率の高い方策である。このことは、すでに冷却されたケーブルの再加熱の省略によるエネルギー節減を可能にするばかりでなく、保管時間の省略によって明らかに高い生産速度を可能にする。
【００１７】
不活性ガスは時折、ただしより好ましくは常時、浄化しなくてはならない。それは、架橋領域とガス抜き領域の過圧雰囲気で派生生成物の分圧が大きくなりすぎないようにするためである。そのような大きすぎる分圧は、ケーブルの表面に影響を及ぼすばかりでなく、気体状の派生生成物が１つまたは複数の架橋されるべき層から出るのを妨げられるという結果につながる可能性がある。その理由から、およびいっそうのエネルギー節減のために、ガス抜き区間の不活性ガスに対して、架橋反応に由来する気体状の派生生成物の除去を行うのが好都合である。
【００１８】
ガス抜き区間の不活性ガスが、架橋区間からの不活性ガスとともに、浄化装置の内部を通る循環路に通されるのが好都合な場合がある。ガス抜き区間の温度と架橋区間の温度は、多くの場合、著しく異なっていることがあるので、そのような場合には、ガス抜き区間の不活性ガスが架橋区間の不活性ガスとは別個に、浄化装置の内部を通る循環路に通されるのが好都合である。
【００１９】
上記の方策にもかかわらず、反応管から出るときにはまだ気体状の派生生成物のわずかな一部がケーブルの絶縁層および／または半導体層に残っている可能性がある。そして最終的なガス抜きが、場合により巻取の直前または巻取中に、４０℃から１００℃の温度、特に５５℃から７５℃の温度の温度維持区間で行われ、もしくは調温室の中で行われる。
【００２０】
特に冷却のときに発生するケーブルの変形は、復元力と記憶効果を活性化させるために、融点または融点直前の温度範囲まで再加熱することによって取り除くことができる。
【００２１】
ガス抜き区間で誘導加熱による導線加熱が行われると、ガス抜きにとって好ましい。というのも派生生成物が主に導線の近くに遊離し、ケーブルがさらに進行するときに外部に向かって移動することができ、そこでガス抜き区間の圧縮ガス雰囲気の中へ拡散するからである。
【００２２】
すでに使用されて浄化された不活性ガスの再使用は、不活性ガスが浄化の後でガス抜き区間へ再び入る前に、ガス抜きのために必要な温度まで加熱されることによって可能となる。
【００２３】
特に、架橋、ガス抜き、およびこれに続く（予備）冷却を共通の管の中で実施し、この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのための供給管と排出管によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却の個々の区域が区分されているのが好ましいことが判明している。
【００２４】
個々の管区域を区分けするさらに別の方法の要点は、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却を共通の管の中で実施し、この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのためのエアロックまたは狭隘個所によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却の個々の区域が区分されていることにある。
【００２５】
過酸化物架橋された絶縁層および／または半導体層を備えるケーブルを製造する上述の方法を実施することができる設備は、１つまたは複数の導線の巻出し装置と、押出機からの供給を受ける、１つまたは複数の導線を絶縁層および／または半導体層で被覆するクロスヘッドと、これに後続する、過圧のもとで不活性ガスが充填されている加熱された架橋装置と、冷却区間と、巻取装置とで構成される。この設備で重要かつ新規なことは、架橋区間と冷却区間の間に、不活性ガスが充填された、高い温度レベルと過圧とで作用するガス抜き区間が配置されていることである。このガス抜き区間は、導線ないし導線束の表面で架橋する押出物から、気体状の派生生成物をすでに発生状態のときに取り除く役目をするものであり、それにより、平滑な表面と著しく低減された派生生成物の含有率とを備えるケーブルが冷却区間に入り、したがって、冷却区間の通過後に特別なエネルギーコストをかけたり、特別に高価な別個の後置された設備部分のコストをかけたりして、派生生成物を除去しなくてもよくなる。このことは、ガス抜きをいっそう迅速に少ないコストで実施することを可能にする。この場合、冷却区間の直前に、特別に高いケーブルの温度レベルを活用して、１つまたは複数の導線への別途の誘導式のエネルギー供給によって温度をいっそう短時間で上昇させ、すでに冷却区間へ入る前に気体状の派生生成物の主要な部分を取り除く。このことは、冷却後のガス抜きのためのケーブルの再加熱を不要にし、したがってエネルギーを節減する。それによってケーブルの完成が迅速に行われ、製造コストが低減される。
【００２６】
この設備では、ガス抜き区間の後に浄化装置が並列に接続されており、この浄化装置によって、ガス抜き区間で発生して含まれている不活性ガスが循環路で除去されるのが好都合であり、そればかりか多くの場合必要でもある。
【００２７】
あるいはすでに架橋区間でも架橋剤の気体状の派生生成物が、押し出された導線被覆から外に出る。このような派生生成物も設備から除去するために、架橋区間に由来する不活性ガスが、ガス抜き区間に由来する不活性ガスと一緒に、またはこれと別個に、浄化装置を通る循環路に通されると好都合である。
【００２８】
これは、浄化装置にある、架橋区間とガス抜き区間の共通の不活性ガス循環路で行うことができ、あるいは別個の循環路と別個の浄化装置で行うこともできる。別の浄化装置を通る追加の循環路で、派生ガスを冷却装置から別個に除去することができる。別個の循環路で浄化をするとコストが高くなるように思えるが、そのようなことはない。異なる循環路は異なる温度レベルを有しており、再加熱または冷却のエネルギーが節減されるからである。
【００２９】
ガス抜き区間および冷却区間からの架橋区間の分離は、管の狭隘部によって行うことができる。
【００３０】
ガス抜き区間の不活性ガス循環路には、発生する熱損失を再び補充するための加熱装置を設けるのが好都合である。たとえば、ガス抜き区間の入口付近の内部に、導線加熱をするための誘導加熱部が設けられていると好ましい。ガス抜き区間に付属する浄化装置の終端部には、浄化された不活性ガスに対する加熱設備が設けられる。
【００３１】
この設備は、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却のために共通の管が設けられており、この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのための供給管と排出管によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却の個々の区域が区分されていることによって構成されるのが格別に好ましい。
【００３２】
あるいは、前記に劣らず好ましいこの設備を構成する手段は、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却のために共通の管が設けられており、この管では、暖かい不活性ガス、加熱された不活性ガス、および冷却された不活性ガスのためのエアロックまたは狭隘個所によって、架橋、ガス抜き、およびこれに続く予備冷却の個々の区域が区分されていることにある。
【００３３】
架橋区間、ガス抜き区間、および冷却区間のこのような分離が必要ないところでは、ただ１つの浄化装置を備えるただ１つの不活性ガス循環路を設けるのが好都合である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
次に、図面に示す実施例を参照しながら、本発明の要部について詳しく説明する。
【００３５】
図面には、上に述べた種々の設備が図示されており、導線１はまずガイドロール２を介して案内される。次いでこの導線１は、図示しない押出機から供給を受けるクロスヘッド３で絶縁層および／または半導体層を被覆され、絶縁層および／または半導体層がまだ架橋を要する未完成のケーブル４として、クロスヘッド３から離れていく。
【００３６】
この架橋は、複数の管部分が組み合されて構成された、反応器としての役目をする管すなわち架橋領域６の内部で、熱供給および不活性ガス雰囲気の過圧のもとで行われる。絶縁層および／または半導体層は、当初、絶縁層および／または半導体層の融点よりも高い温度に加熱されてはならない。しかし、架橋の開始によって一定の形状安定性に達した後は、さらに架橋を迅速に進行させるために、温度をできるだけ高く設定しなければならない。外部からは、ケーブルの回りに注がれる高温の不活性ガスによってケーブル４の加熱が行われる。さらにケーブル４は内部からも、クロスヘッド３の直前に配置された誘導加熱装置５による導線１の誘導加熱によって加熱され、それにより、導線１は予備加熱された状態で絶縁層および／または半導体層が被覆されており、したがって熱が内部から絶縁層および／または半導体層へ放出される。
【００３７】
このような誘導加熱部は、たとえば反応器の個々の管が互いにフランジ接合されている部位で１個所または複数個所に組み込まれていてもよい。
【００３８】
管状の反応器の架橋領域６では、押出成形の前に絶縁層および／または半導体層に予め添加されている架橋剤が熱によって分解され、全面的または部分的に気体成分に分解して、標準温度での長時間にわたるプロセスの間にこの気体成分がケーブルから逃げていく。この時間中、ケーブルは使用に供することができない。
【００３９】
架橋、および気体状の派生生成物の放出を促進することができる。これは、絶縁層および／または半導体層の融点を超える加熱によって行われる。このことは、絶縁層および／または半導体層がその融点を超える加熱によってもはや形状安定性を失わない程度まで架橋が進行しているときに可能である。
【００４０】
これは、管状の反応器に別個に組み込まれた、管部分８とこれらの管部分８に前置された誘導加熱部７とを備えるガス抜き領域で行われる。ガス抜き領域８では、絶縁層および／または半導体層が、絶縁層および／または半導体層の融点以上に加熱された不活性ガスによって外部から加熱され、その一方で内部からも、誘導加熱部７によって絶縁層および／または半導体層の融点以上にケーブル４が加熱される。このとき架橋剤の気体状の派生生成物が、架橋領域６におけるよりも多量に発生する。
【００４１】
架橋領域６とガス抜き領域８は、この両方の領域で異なる温度をそれぞれ所定の値に保てるようにするために、反応管にある狭隘個所によって互いに分離されている。この狭隘個所は誘導加熱部７によって形成されている。
【００４２】
架橋領域８の終端部には、予備冷却の役目をする冷却領域１０から架橋領域８を分離する別の狭隘個所９が反応管にあり、この冷却領域には比較的低い温度の不活性ガス雰囲気があり、架橋領域６およびガス抜き領域８と同じ圧力が発生している。冷却領域１０の終端部には、反応管内部の不活性ガス雰囲気を、冷却液が作用する冷却領域１２から分離するエアロック１１がある。この冷却領域１２では、ケーブルドラムに巻き取ることができる程度までケーブルが冷却される。
【００４３】
押出成形の前に絶縁層および／または半導体層に予め添加され、供給される熱によって分解されて気体成分に分解する架橋剤は、ケーブルの内部ばかりでなく、反応管の内部でケーブルを取り囲む不活性ガス雰囲気の中でも好ましくない作用をする。この気体状の派生生成物が外へ出るのを妨げられるからである。したがって、不活性ガス雰囲気の交換と、これに続く浄化とが目論まれる。これは循環路の中で行われるので、不活性ガスおよびその中に内在している熱を常に再利用することができる。
【００４４】
図１では、不活性ガスは部位１３のところで反応管６，８，１０から導出され、浄化装置１５と加熱装置１６を通って延びる、再生区間１４としての役目をする管を通過する。浄化装置１５では、反応管から導出された不活性ガスから気体状の派生生成物が除去され、加熱装置１６で再びガス抜きのために望ましい温度にされてから、入口部位１７のところで再び反応管に導入される。不活性ガスの流動方向は矢印で図示されている。
【００４５】
図２では、このような不活性ガス循環路が２つの異なる循環路１８に分割されている。一方は架橋領域６のため、他方はガス抜き領域８のためのものである。これにはエネルギー面の利点がある。両方の循環路における不活性ガスの流動方向は、それぞれ矢印で図示されている。
【００４６】
図３には、垂直方向に構成された設備が示されている。この図面では、同じ符号は以前の各図面と同じ対象物を表している。
【００４７】
図４は、懸垂線状の反応管の予備冷却領域１０から出てくるケーブル４の、冷却領域１２における仕上処理を示している。ケーブルはエアロック１１を通過した後、水が満たされた圧力冷却管２１に入り、エアロック２２を通ってそこから出る。ガイドロール２３で方向転換した後、ケーブルは、絶縁層および／または半導体層に変形が生じている場合にこれを記憶効果によって取り除く調温区間２４を通過し、次いで、引出装置２５から引き出されたケーブル４が巻取装置２６でケーブルドラム２７に巻き取られる。
【００４８】
このように本発明は、高温の不活性ガスで充填されて過圧のもとにある反応室を通過する製造中のケーブルの絶縁層または半導体層を架橋させる方法および設備に関するものである。この設備は、格別に長く、そのために高いコストのかかる生産工場を必要とする、非常に長い反応管が主要部となっている。本発明の課題は、架橋および場合によりこれに後続するガス抜きを、いっそう迅速かつ少ないコストで実施することにある。本発明の要諦は、反応室内での運動を進行させながら、すなわち架橋を進行させながら、１つまたは複数の導線を誘導加熱によって次第に強く加熱していくことにある。この方策により、内部すなわち導線の中での温度上昇によって架橋をいっそう迅速に進ませるために、形状安定性の増大を惹起する、内側と外側から絶縁層または半導体層の中央に向かって進行する架橋が利用される。このとき、導線の温度をさらに上げるために、架橋の進行に伴って生じる絶縁層および／または半導体層の形状安定性の増大を利用する。架橋領域に引き続いて、さらなる温度上昇によりガス抜き領域が設けられており、そこでは１つまたは複数の導線の誘導加熱によって、ケーブルからのいっそう迅速な脱ガスが、反応室の比較的短い区間で引き起こされる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】反応中の不活性ガスのための再生区間を備える、懸垂線状に構成された設備である。
【図２】反応器の架橋区間にある不活性ガスと、ガス抜き区間にある不活性ガスとのために２つの再生区間を備える、懸垂線状に構成された設備である。
【図３】反応器の架橋区間にある不活性ガスと、ガス抜き区間にある不活性ガスとのために２つの再生区間を備える、垂直に構成された設備である。
【図４】懸垂線状の反応管の予備冷却領域から出てくるケーブルの、冷却区間における仕上処理を示すものである。
【符号の説明】
【００５０】
１  導線
２  ガイドロール
３  クロスヘッド
４  ケーブル
５  誘導加熱装置
６  架橋領域
７  誘導加熱部
８  ガス抜き領域
９  狭隘個所
１０  予備冷却領域
１１  エアロック
１２  冷却領域
１３  導出部位
１４  再生区間
１５  浄化装置
１６  加熱装置
１７  入口部位
１８  架橋領域の不活性ガス循環路
１９  圧力冷却管
２０  エアロック
２１  ガイドロール
２２  調温区間
２３  引出装置
２４  巻取装置
２５  ケーブルドラム
【図１】
2005216864.tif 000003
【図２】
2005216864.tif 000004
【図３】
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【図４】
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