(57)【要約】【課題】セミアディティブ工法により配線導体の幅や配線導体間の間隔が２０μｍ以下に加工することができるが、絶縁樹脂の粗化底面の無電解めっき層を完全に除去するために時間がかかり、配線導体を形成する無電解めっき層の部分が選択的にエッチングされることから配線導体の剥離が生じてしまうため、エッチング時間を短くする必要がある。【解決手段】少なくとも樹脂を含有してなる絶縁層９と、該絶縁層の主面に形成された配線導体１５と、前記絶縁層９を貫通して、前記絶縁層９に隔てられた配線導体１５を接続するビア１３とを具備してなる配線基板１７であって、該配線基板１７を垂直に切断した際の切断面における絶縁層９の稜線が、非連続の直線部９ａと凹凸部９ｂで構成され、前記絶縁層主面の単位長さ当たりの前記直線部９ａの長さの和が、２０〜７０％であることを特徴とする。【選択図】図１
2005217052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも樹脂を含有してなる絶縁層と、該絶縁層の主面に形成された配線導体と、前記絶縁層を貫通して、前記絶縁層に隔てられた配線導体を接続するビアとを具備してなる配線基板であって、該配線基板を垂直に切断した際の切断面における絶縁層の稜線が、非連続の直線部と凹凸部で構成され、前記絶縁層主面の単位長さ当たりの前記直線部の長さの和が、２０〜７０％であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁層主面に形成された凹みの最大深さが３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁層主面における一定単純面積に対する絶縁層粗化表面積の割合が１．１〜２．５０であることを特徴とする請求項１又は２のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁層が少なくとも樹脂と、無機フィラーあるいは樹脂フィラーからなることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層主面に、無電解めっき層と、電解めっき層とが順次形成されて配線導体を構成してなるとともに、前記無電解めっき層の厚さが０．１〜２μｍであり、前記電解めっき層の厚さが５〜３０μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
電解めっき層の表面粗さがＲａ＝０．４μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
少なくとも樹脂を含有してなる絶縁層の少なくとも一方の主面にプレス板を当接させ加熱加圧して、前記絶縁層主面を平坦化するプレス工程と、平坦化した前記絶縁層主面に、非連続の直線部と、凹凸部とを形成する粗化工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
粗化工程において、粗化液を用いて絶縁層主面を粗化することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
プレス工程と粗化工程との間に、絶縁層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を設け、粗化工程後にめっき法により前記貫通孔に貫通導体を形成し、絶縁層主面に配線導体を形成する導体形成工程とを具備することを特徴とする請求項７又は８のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
導体形成工程において絶縁層主面に無電解めっき層と電解めっき層を順次形成することを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも樹脂を含有してなる絶縁層と、該絶縁層の主面に形成された配線導体と、前記絶縁層を貫通して、前記絶縁層に隔てられた配線導体を接続するビアとを具備してなる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されてきており、このような電子機器に搭載される電子装置も小型・高密度化が要求されるようになってきている。そのため、電子装置を構成する配線基板にも小型・薄型・多端子化が求められてきており、それを実現するために信号導体等の配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線導体の多層化により高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような配線導体を形成する方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法およびフルアクティブ法があるが、サブトラクティブ法は細密な配線導体の形成が難しいという問題点を、フルアディティブ法は無電解めっき層のみで配線導体の形成を行うために、その形成に長時間を要してしまうという問題点を有していた。そのため、配線導体を形成する方法としては、一般的には、セミアディティブ法が用いられている。
【０００４】
ビルドアップ基板におけるセミアディティブ法とは、プリント配線基板に絶縁樹脂をラミネートした後硬化する工程と、絶縁樹脂表面を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に所定の時間浸漬し粗化する工程と、上面に無電解銅めっき用のパラジウム触媒を付着させる工程と、パラジウム触媒を付着させた絶縁樹脂の上面に無電解めっき層を被着させる工程と、無電解めっき層の上面にめっきレジスト層のフィルムをラミネートまたは塗布した後に、このフィルムを露光・現像して、めっきレジスト層に、無電解めっき層の上面に電解めっき層を被着させるための配線導体のパターン形状の開口部を形成する工程と、その開口部内の無電解めっき層の上面に１０〜３０μｍ程度の電解めっき層を被着させる工程と、無電解めっき層の上面からめっきレジスト層を剥離する工程と、硫酸系や塩素系水溶液のエッチング液を用いてめっきレジスト層を剥離したことにより露出した無電解めっき層およびパラジウム触媒を除去する工程とを順次行うことにより配線導体を形成する方法である。なお、この方法では、無電解めっき層およびパラジウム触媒を除去する際に、電解めっき層の上面や側面も同時にエッチングされる。
【０００５】
昨今の配線基板は配線導体の幅や配線導体間の間隔が２０μｍ以下と狭くなってきているにもかかわらず、絶縁樹脂表面の粗化面が深いことから、絶縁樹脂表面の粗化面全体に付きまわり性が良く、充分な無電解めっき層を形成するために、無電解めっき層の厚みが１μｍ以上必要となり、厚みのばらつきも大きかった。しかしそのため粗化の深い位置に形成されている無電解めっき層の厚みを完全に除去するためにエッチング時間がより長くかかることから配線導体を構成する無電解めっき層と電解めっき層のうち、特に無電解めっき層が選択的にエッチングされてしまい、無電解めっき層エッチング工程及び洗浄工程において、無電解めっき層が選択的にエッチングされて生じた段差部分に、エッチング液や洗浄液が入り込み、配線導体が持ち上げられることによって、配線導体の剥がれが生じて断線してしまうという問題点を有していた。
【０００６】
逆に、エッチングが不十分な場合には、粗化面の深いところに形成された無電解めっき層やパラジウム触媒を完全に除去することができず、無電解めっき層が隣接する配線導体の方向にかけて裾をひいた形状に残ってしまい、その結果、隣接する配線導体間で電気的に短絡してしまうという問題点を有していた。
【０００７】
このような問題の対策として、硫酸系や塩素系水溶液のエッチング液を用いて無電解めっき層およびパラジウム触媒を除去する際、配線導体を構成する電解めっき層と無電解めっき層のうち、無電解めっき層が選択的にエッチングされる前にエッチングをストップし、配線導体間に残存する無電解めっき層の残さやパラジウム触媒をクロム酸によって除去するという提案や（特許文献１参照）、絶縁基板の表層部分を一部除去することにより同時に配線導体間に残存する無電解めっき層の残さやパラジウム触媒を除去するという提案がなされている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９４９２６号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の配線導体間に残存する無電解めっき層の残さやパラジウム触媒をクロム酸によって除去する方法では、無電解めっき層およびパラジウム触媒のエッチング量をコントロールすることが難しいことや、クロム酸の残さが残ることが問題となる。また、特許文献２の絶縁基板の表層部分を一部除去することにより同時に配線導体間に残存する無電解めっき層の残さやパラジウム触媒を除去する方法においては、絶縁基板が薄くなることによる層間絶縁信頼性の低下や、配線導体下部の絶縁基板の一部まで除去され、配線導体の剥がれが生じるという問題を有していた。そして配線導体に剥がれが生じないように配線導体のエッチング時間を調整すると配線導体間に残渣が除去しきれず、長期使用後の絶縁抵抗値が低下するという問題が生じていた。
【０００９】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、配線導体間の電気的絶縁性を維持するとともに、配線導体と絶縁基板の接合信頼性に優れた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板は、少なくとも樹脂を含有してなる絶縁層と、該絶縁層の主面に形成された配線導体と、前記絶縁層を貫通して、前記絶縁層に隔てられた配線導体を接続するビアとを具備してなる配線基板であって、該配線基板を垂直に切断した際の切断面における絶縁層の稜線が、非連続の直線部と凹凸部で構成され、前記絶縁層主面の単位長さ当たりの前記直線部の長さの和が、２０〜７０％であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、絶縁層主面に形成された凹みの最大深さが３μｍ以下であることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、絶縁層主面における一定単純面積に対する絶縁層粗化表面積の割合が１．１〜２．５０であることが望ましい。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、絶縁層が少なくとも樹脂と無機フィラーあるいは樹脂フィラーからなることが望ましい。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、絶縁層主面に、無電解めっき層と、電解めっき層とが順次形成されて配線導体を構成してなるとともに、前記無電解めっき層の厚さが０．１〜２μｍであり、前記電解めっき層の厚さが５〜３０μｍであることが望ましい。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、電解めっき層の表面粗さがＲａ＝０．４μｍ以下であることが望ましい。
【００１６】
また、本発明の配線基板の製造方法は、少なくとも樹脂を含有してなる絶縁層の少なくとも一方の主面にプレス板を当接させ加熱加圧して、前記絶縁層主面を平坦化するプレス工程と、平坦化した前記絶縁層主面に、非連続の直線部と凹凸部を形成する粗化工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の配線基板の製造方法は、粗化工程において、粗化液を用いて絶縁層主面を粗化することが望ましい。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、プレス工程と粗化工程との間に、絶縁層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を設け、粗化工程後にめっき法により前記貫通孔に貫通導体を形成し、絶縁層主面に配線導体を形成する導体形成工程とを具備することが望ましい。
【００１９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、導体形成工程において絶縁層主面に無電解めっき層と電解めっき層を順次形成することが望ましい。
【００２０】
このような配線基板及びその製造方法を用いることで、無電解めっき層の除去に要する時間を短縮できることから、無電解めっき層が選択的にエッチングされることによる配線導体の剥がれを防止することができ、配線導体間の残渣がないことから絶縁信頼性の低下も防止することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では該配線基板を垂直に切断した際の、切断面における絶縁層の稜線が、切断面における絶縁層の稜線が、非連続の直線部と凹凸部で構成され、前記絶縁層の主面の単位長さ当たりの前記直線部の長さの和を２０〜７０％としたことから、無電解めっき液の液当たりの良い直線部を起点として、つきまわりよく無電解めっき層が形成されるため、薄い無電解めっき層でも絶縁樹脂の粗化凹みの最深部においても十分に無電解めっき層を形成することができる。そして、無電解めっき層厚みをこれまでより薄くすることができるため、無電解めっき層の形成時間を短縮でき、また、無電解めっき層除去時のエッチング時間を短縮することができる。また、配線導体を形成する化学的耐久性に劣る無電解めっき層の厚みを減らすことができ、無電解めっき層が選択的にエッチングされて、配線導体が剥離することを抑制できる。
【００２２】
また、絶縁層主面に形成された凹みの最大深さを３μｍ以下とすることで、無電解めっき層のエッチング時間をより均一にでき、余分なエッチング時間を見込む必要がなくなり無電解めっき層のエッチング時間をさらに短縮することができる。
【００２３】
また、絶縁層主面における一定単純面積に対する絶縁層の表面積の割合を１．１〜２．５０とすることで、絶縁層主面に形成された凹みの深さが３μｍ程度でも凹みの形状が、蛸壺形になり、無電解銅めっき層を除去するために時間がかかるという問題をなくし、エッチング時間を短縮することが出来る。
【００２４】
また、本発明の配線基板は、絶縁層が少なくとも樹脂と無機フィラーあるいは樹脂フィラーとにより形成することで、絶縁層を粗化液により粗化処理する場合には、無機フィラーあるいは有機フィラーが脱粒して、良好な粗化面を形成することができる。さらには樹脂に含有する無機フィラーあるいは樹脂フィラーの粒径、体積％を適宜調整することで安定した粗化面を形成することができる。
【００２５】
また、配線導体を構成する無電解めっき層の厚さを０．１〜２μｍ、前記電解めっき層の厚さを５〜３０μｍとすることで、化学的耐久性が低く、比較的、電気抵抗が高い無電解めっき層よりも、化学的耐久性が高く、比較的、電気抵抗が低い電解めっき層を厚くすることで、無電解めっき層の選択的エッチングを抑えることができるとともに、電解めっき層により安定した導通信頼性を確保することができる。
【００２６】
また、電解めっき層の表面粗さをＲａ＝０．４μｍ以下とすることで、表皮効果による伝送損失を抑えることができるため、電気特性に優れた配線層を形成することができる。
【００２７】
また、本発明の配線基板の製造方法では、絶縁層の少なくとも一方の主面にプレス板を当接させ加熱加圧して、前記絶縁層主面を平坦化するプレス工程と、平坦化した前記絶縁層主面に、非連続の直線部と凹凸部を形成する粗化工程を設けることで、絶縁層同士の密着性が低下することなく、絶縁層主面と略平行な平行部に対してエッチング液の液あたりが向上することから、無電解めっき層の厚みを薄くすることができ、無電解めっき層の形成時間を短縮することができるとともに、無電解めっき層のエッチング時間を短縮することができる。
【００２８】
また、粗化工程において粗化液を用いて絶縁層主面を粗化することで、絶縁層に無機フィラーあるいは有機フィラーが含まれている場合には、無機フィラーあるいは有機フィラーを効率よく脱粒させることができ、絶縁層主面と配線導体間及び絶縁層間の密着性を高くすることができる。
【００２９】
また、プレス工程と粗化工程との間に絶縁層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を設け、粗化工程後にめっき法により前記貫通孔に貫通導体を形成し、絶縁層主面に配線導体を形成する導体形成工程とを設けることで、貫通孔内壁も粗化することができ、貫通導体と貫通孔内壁の密着性を高くすることができる。
【００３０】
また、導体形成工程において絶縁層主面に無電解めっき層と電解めっき層を順次形成したことから、めっき層形成速度の遅い無電解めっき層のみで導体を形成せず、導体の大部分をめっき層形成速度の速い電解めっき層にて成形できるため導体加工時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の配線基板は、例えば、図１（ａ）に示すように、ガラスクロスと樹脂とを含有してなるコア基板１と、コア基板１を貫通して形成されたスルーホール３と、スルーホール３内に形成されたスルーホール導体５と、コア基板１の両面に形成されたコア配線層７と、コア基板１の主面に形成された絶縁層９と、絶縁層９を貫通して形成された貫通孔１１と、貫通孔１１内に形成されたビア導体１３と、絶縁層９の主面に形成された配線導体１５とで構成されている。
【００３２】
このような配線基板において、コア基板１、絶縁層９は、それぞれを挟持するように配置されたコア配線層７、配線導体１５並びに、それぞれを貫通して設けられたスルーホール導体５、ビア導体１３とを支持し、電気的に絶縁する機能を有している。
【００３３】
そして、コア配線層７、配線導体１５、スルーホール導体５、ビア導体１３は、それぞれが任意に接続され、配線回路を形成している。
【００３４】
配線基板１７は、図１（ａ）の例では、板状の芯体を有するコア基板１と、この表面に被着した絶縁層９とから形成されている。コア基板１の芯体は、配線基板１７のそりを防止する機能を有し、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなり、また、絶縁層９は、配線導体１５の支持体としての機能を有し、厚みが１０〜８０μｍであり、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。
【００３５】
また、絶縁層９の表面には配線導体１５が形成されている。この配線導体１５は、図１（ｂ）に示すように、めっき法により形成され、厚みが２μｍ以下でかつ０．１μｍ以上、最適には厚みが１μｍ以下でかつ０．１μｍ以上の無電解めっき層１５ａと厚みが５μｍ以上、最適には１５μｍ以上の電解めっき層１５ｂとから形成されることが望ましい。この配線導体１５は、配線基板１７に搭載される半導体素子等の電子部品の各電極を外部電気回路（図示せず）に電気的に接続する導電路としての機能を有する。
【００３６】
本発明の配線基板１７においては、絶縁層９の断面と絶縁層９の主面とが形成する稜線が、非連続の直線部９ａと、凹凸部９ｂとからなり、絶縁層９の主面の単位長さ当たりの直線部９ａの長さの和が、２０〜７０％であることが重要である。
【００３７】
本発明の配線基板１７によれば、絶縁層９を、上記構成としたことから、無電解めっき液の液当たりの良い絶縁層９の直線部９ａを起点として、つきまわりよく無電解めっき層１５ａが形成されるため、比較的薄く無電解めっき層１５ａを形成したとしても、凹凸部９ｂの最深部においても十分に無電解めっき層１５ａが形成されている。このことから無電解めっき層１５ａ厚みをこれまでより薄くすることができるため、配線導体１５のうち、電気抵抗の小さい電解めっき層１５ｂの割合が大きくなり、低抵抗の配線導体１５を形成できるとともに、化学的耐久性に劣る無電解めっき層１５ａの厚みが薄くなるため、配線基板１７の信頼性を向上させることができる。また、製造工程においては、電解めっき層１５ｂに比べ、形成速度の遅い無電解めっき層１５ａの厚みを薄くできるため、配線導体１５の形成時間を短縮することができ、また、無電解めっき層１５ａ除去の際もエッチング時間を短縮することができる。
【００３８】
本発明の配線基板１７においては、上記のように、絶縁層９の断面と絶縁層９の主面とが形成する稜線において、絶縁層９主面の直線部９ａと、凹凸部９ｂとを形成し、絶縁層９の主面の単位長さ当たりの直線部９ａの長さの和を２０〜７０％とすることが重要なのであるが、このような構造の配線基板１７の製造方法について、従来工法と比較して説明する。
【００３９】
従来工法では、図６（ａ）に示すように、板状のコア基板２１にＢステージ状態の絶縁樹脂をラミネートしたのち硬化して絶縁層２９を形成する。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すように、炭酸ガスレーザまたはＹＡＧレーザにより絶縁層２９に貫通孔３３を形成する。
【００４１】
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層２９表面を過マンガン酸塩類水溶液等で粗化し、さらに、絶縁層２９の主面に順次、無電解めっき層、電解めっき層を形成する。
【００４２】
このような従来の製造方法では、絶縁層２９の主面には絶縁層２９の主面と非平行な非平行部２９ｂのみが形成されていた。
【００４３】
一方、本発明においては、図２（ａ）に示すように、ガラスクロス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層した後、熱硬化することにより作製した厚みが０．３〜１．５ｍｍの板状のコア基板１にＢステージ状態のエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性からなる厚みが２０〜６０μｍの絶縁樹脂をラミネートしたのち、図２（ｂ）に示すように、主面が平坦な金型３５を用いて、５０℃〜１７０℃、１０〜１８０秒、０．３〜１ＭＰａの条件でプレス加工を行ない、硬化する。このとき、絶縁層９の金型３５と接していた側の主面は、従来の製造方法では、荒い面であったのが、本発明の製造方法によれば、プレスによる加圧工程を設けたことで、絶縁層９の主面が平坦化され、絶縁基板を垂直に切断した際の、切断面における絶縁層の稜線に直線部９ａと凹凸部９ｂとを形成することができるのである。
【００４４】
さらに、図２（ｃ）に示すように、炭酸ガスレーザまたはＹＡＧレーザにより絶縁層９に貫通孔１３を形成し、図３（ｄ）に示すように、絶縁層９の表面を４０〜６０℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に５〜１５分間浸漬し、表面の粗化凹みが最大深さで３μｍ以下の粗さとなるように粗化することで、絶縁層９の主面に、直線部９ａと凹凸部９ｂとが形成される。
【００４５】
次に、２０〜４０℃の無電解めっき用のパラジウム触媒の水溶液中に１〜１０分間浸漬することで絶縁層９の表面にパラジウム触媒を形成する。なお、煩雑であるため、パラジウム触媒Ａは図示しない。
【００４６】
次に、図３（ｅ）に示すように、パラジウム触媒を形成したコア基板１と絶縁層９の積層体を硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等からなる５５〜６５℃の無電解めっき液に約１０〜３０分間浸漬して、絶縁層９の表面に０．３〜１．０μｍ程度の無電解めっき層１５ａを析出させ、その後、図３（ｆ）に示すように、無電解めっき層１５ａ上にめっきレジスト層１６を形成する。めっきレジスト層１６は、厚みが１５〜５０μｍであり、例えば材料が感光性樹脂からなり、ラミネートすることにより被着形成される。
【００４７】
その後、図４（ｇ）に示すように、露光と現像により開口部１８を形成する。
【００４８】
しかる後、図４（ｈ）に示すように、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等からなる電解銅めっき液に３〜５Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら１〜３時間浸漬することにより開口部１８に電解めっき層１５ｂを形成する。
【００４９】
その後、図５（ｉ）に示すように、４５〜５０℃の水酸化ナトリウム水溶液でめっきレジスト層１６を除去し、さらに、図５（ｊ）に示すように、めっきレジスト層１６を剥離したことにより露出した無電解めっき層１５ａを２５〜３０℃の硫酸・過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチングして除去する。
【００５０】
次に、無電解めっき層１５ａを除去したことにより露出するパラジウム触媒Ａ（図示せず）を２５〜３０℃程度のシアン化ニッケルカリウムやシアン化カリウム水溶液等のシアン系水溶液に１０〜３０分間程度浸漬でエッチング除去するとともに、蟻酸等を主たる成分とする粗化剤で配線導体１５の表面を粗化する（図示せず）。
【００５１】
さらに必要に応じて、絶縁層９と配線導体１５の主面に他の絶縁層９並びに他の配線導体１５を設けることで本発明の配線基板１７を作製することができる。
【００５２】
なお、絶縁層の稜線が直線的な直線部９ａと、凹凸部９ｂの測定は、超深度形状測定顕微鏡（キーエンスＶＫ−８５００等）のレーザ測定機を使用して、モニタ上３０００倍のレンズにより一定長さ（少なくとも１ｍｍ）の表面粗さ測定を行い、そのデータを画像処理にすることにより直線部と粗化されて深くなっている部分との比率を算出するという方法で行った。直線部９ａは、図７に示す画像処理後のプロファイルのうち、直線部分を直線で結んだ際、その直線の上下０．５μmの範囲内に含まれる部分を直線部９ａと規定し、測定範囲中それ以外の部分を凹凸部９ｂと規定している。
【００５３】
なお、上記の装置を用いない場合には、たとえば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、３０００倍に拡大し、ＳＥＭ写真を撮影し、同様の解析を行ってもよい。
【００５４】
そして、本発明においては、凹凸部９ｂの深さは、３μｍ以下とすることが望ましく、それによりエッチング液が凹みに滞留することを少なくすることができるとともに、エッチング時間の変動を少なくすることができる。
【００５５】
また、絶縁層９の主面における一定単純面積に対する絶縁層９の表面積の割合を１．１〜２．５０の範囲とすることで、凹凸部９ｂの形状が、開口部よりも内部において径が大きい蛸壺形になり無電解銅めっき層１５ａを除去するために時間がかかるという問題をなくし、エッチング時間を短縮することが出来る。
【００５６】
また、配線導体１５は、めっき法により形成され、厚みが０．１μｍ以上でかつ２μｍ以下、最適には厚みが０．３μｍ以上でかつ１μｍ以下の無電解めっき層１５ａと厚みが５μｍ以上、最適には１５μｍ以上の電解めっき層１５ｂとから形成されることが望ましい。さらに、配線導体１５を形成する電解めっき層１５ｂの表面粗さがＲａ＝０．４μｍ以下であり、最適にはＲａ＝０．２μｍ以下であることが望ましい。
【００５７】
なお、本発明の配線基板１７並びに本発明の配線基板１７の製造方法は上述の実施例に限定されるものではなく、本要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の例では絶縁層９をコア基板１の上面に積層し、この絶縁層９上に配線導体１５を形成したが、絶縁層９をコア基板１の上下両面に積層し、この両面に配線導体１５を形成してもよい。また、両面に形成した配線導体１５間を絶縁基板１の内部に形成した貫通導体で電気的に接続してもよい。さらに、上述の例では、絶縁基板１をコア基板１に絶縁層９を積層してなるものとしたが、絶縁基板１をコア基板１のみで構成してもよい。また、コア基板１の主面にも同様の製造方法で、絶縁層の稜線が直線部９ａと凹凸部９ｂとを形成できることは言うまでもない
また、本発明の配線基板１７の製造方法も、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【実施例】
【００５８】
本発明の配線基板及び配線基板の製造方法を評価するために、サンプルを作製し、次の評価を行なった。
【００５９】
（配線基板の作製）
（１）ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスに対してビスマレイミドトリアジン樹脂を５０体積％の割合で含浸させた厚さ２００μｍのプリプレグを４枚積層し、５ＭＰａの圧力で圧着し、２００℃で２時間加熱して完全硬化させてコア基板を作製した。
【００６０】
（２）そして、コア基板表面に従来周知のドクターブレード法を採用して形成したエポキシ樹脂からなるシートを積層するとともに仮硬化し、コア基板の主面に絶縁層を設けた。  
（３）続いてコア基板と絶縁層との積層体をホットプレス機により１００℃、３０秒、そして表１に示す圧力で両面から加熱加圧し、さらには、これを１７０℃で２時間加熱し熱硬化することで絶縁基板１を作製した。
【００６１】
（４）さらに、炭酸ガスレーザにより絶縁層に貫通孔を形成したのち、絶縁基板を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に所定の時間浸漬し表面を表１に示す粗さまで粗化した後、３０℃の無電解銅めっき用のパラジウム触媒の水溶液中に５分間浸漬し、表面にパラジウム触媒を付着させた。
【００６２】
（５）次に、絶縁基板表面に、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等からなる６０℃の無電解銅めっき液に浸漬し、浸漬時間を調整することで表１に示す初期無電解銅めっき層厚みとした。
【００６３】
（６）そして、無電解銅めっき層上に耐めっき樹脂層となる、アクリル樹脂を主たる成分としてなるフォトレジストを被着し露光・現像により、電解銅めっき層を被着するための幅１５μｍの導体パターン形成のための開口部を形成した。
【００６４】
（７）さらに、無電解銅めっき層の一部を３０℃の硫酸加水水溶液でエッチング速度を調整し除去した。
【００６５】
（８）次に、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等からなる電解銅めっき液に３Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら所定の時間浸漬することにより、開口部に電解銅めっき層を所定の厚みで形成した。
【００６６】
（９）その後、耐めっき樹脂層を水酸化ナトリウムで除去し、露出した無電解銅めっき層を硫酸加水水溶液により、エッチング速度を調整して除去する。
【００６７】
（１０）そして、表面に絶縁抵抗・導通抵抗測定のための開口部を有する２０μｍ厚のアクリル変性エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層を形成し配線基板とした。
【表１】
2005217052.tif 000003
【００６８】
表１より、
本発明の範囲外である配線基板を垂直に切断した際の切断面における絶縁層の稜線が、直線部と凹凸部で構成され、絶縁層の主面の単位長さ当たりの直線部の長さの和が２０％未満であり、一定単純面積に対する絶縁層粗化表面積の割合が２．５より大きい試料Ｎｏ．１は、不飽和ＰＣＴ放置後の絶縁抵抗値が１０５以下となり、配線間の絶縁性が保てず、さらに粗化形状は蛸壺形となっていた。また絶縁層の主面の単位長さ当たりの直線部の長さの和が７０％を超え、７２％であり、一定単純面積に対する絶縁層粗化表面積の割合が１．１より小さい試料Ｎｏ．５は、半田耐熱２６０℃ディッピング繰り返しテストにおいて３回目で層間剥がれによる密着不良が生じ、それぞれ配線基板としての機能をなさなかった。
【００６９】
一方、本発明の絶縁層の断面と絶縁層の主面とが形成する稜線が、直線部と凹凸部とからなり、絶縁層の主面の単位長さ当たりの直線部の長さの和が、２０〜７０％である試料Ｎｏ．２〜４では、絶縁抵抗も１０８Ω以上であり、半田耐熱２６０℃ディッピング繰り返しテスト１０回以上においても層間剥がれがみられず、良好な特性を示すことがわかる。
【００７０】
ただし、絶縁層主面に形成された凹みの最大深さが３μｍより大きい試料Ｎｏ．６では不飽和ＰＣＴ後の絶縁抵抗値が１０６と若干高くなった。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）は、本発明の配線基板を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の配線基板の要部拡大図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図５】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図６】従来の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図７】本発明の配線基板の絶縁層の稜線を超深度形状測定顕微鏡を使用して測定したプロファイルの一例である。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・・・・絶縁基板
９・・・・・絶縁層
９ａ・・・・・直線部
９ｂ・・・・・凹凸部
１５・・・・・・配線導体
１５ａ・・・・・無電解めっき層
１５ｂ・・・・・電解めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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