(57)【要約】【課題】  ソルダーレジスト層に開口部を形成するとき、専用の露光マスクを用いることなく、且つ、デバイス毎に寸法変動が異なっても、露光を容易に且つ確実に行なうことができるようにする。【解決手段】  例えば、上層配線３の電極パッド部に対応する部分における上層ソルダーレジスト層４の上面に、インクジェットヘッド１００によりカーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる上層遮光層１３を形成する。次に、上面側から紫外線を照射して露光を行なうと、上層遮光層１３下以外の領域における上層ソルダーレジスト層４が硬化する。次に、現像を行なうと、上層遮光層１３下の未硬化の上層ソルダーレジスト層４がその上の上層遮光層１３と共に除去され、開口部が形成される。基板１の伸縮により電極パッド位置が変動した場合には、位置変動に応じて、インクジェットヘッド１００による遮光層形成位置を適宜補正する。【選択図】  図４
2005134541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト層を形成し、該レジスト層上にインクジェットヘッドにより遮光性インクを塗布して遮光層を形成し、前記レジスト層の前記遮光層を介した露光および現像を行なって前記レジスト層をパターニングすることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記レジスト層はネガ型であり、前記基板は少なくとも１つの電極パッド部を有し、前記電極パッド部に対応する部分における前記レジスト層上に前記遮光層を形成し、露光および現像を行なって前記電極パッド部に対応する部分における前記レジスト層に開口部を形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記基板はプリント配線基板であり、少なくとも、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された上層配線と、該上層配線の一部によって形成された前記電極パッド部と、を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の発明において、前記基板は、少なくとも、半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の周囲に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に、少なくとも一部が前記半導体構成体の外部接続用電極に電気的に接続されて設けられた少なくとも１層の上層再配線と、該上層再配線の一部によって形成された前記電極パッド部と、を備えて形成されていることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載の発明において、前記レジスト層はソルダーレジスト層であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至４に記載の発明において、前記遮光性インクは遮光性顔料インクであることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至４に記載の発明において、前記レジスト層を液状レジストの塗布により形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項８】
請求項１乃至４に記載の発明において、前記レジスト層をドライフィルムレジストのラミネートにより形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の発明において、前記現像により、前記遮光層下の前記レジスト層を前記遮光層と共に除去することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の発明において、前記現像を行なう前に、前記遮光層を除去することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の発明において、前記ドライフィルムレジストの上面に透明なカバーフィルムがラミネートされ、前記カバーフィルムの上面に前記遮光層を形成し、この後、前記露光を行ない、次いで、前記カバーフィルムを前記遮光層と共に剥離し、この後、前記現像を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項２乃至４に記載の発明において、前記インクジェットヘッドにより前記遮光層を形成する位置を、前記基板における前記電極パッドの位置の、所定の位置からのずれ量に応じて補正することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は配線基板上に形成されるソルダーレジスト層等のレジスト層を所定の形状にパターニングするレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のソルダーレジスト層等のレジスト層形成方法には、配線基板等の基板上の絶縁層上に形成された接続パッド等の電極パッド部を有する配線を含む絶縁層上の全面にネガ型のソルダーレジスト層を形成し、電極パッド部に対応する部分に遮光部を有する露光マスクを用いて露光し、次いで、現像を行なって電極パッド部に対応する部分におけるソルダーレジスト層をパターニングして、開口部を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１１４６９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、露光マスクを用いて露光を行なう際に、基板におけるそれまでの熱履歴等による熱膨張や収縮等により、電極パッドの位置が所定の位置から変動（寸法変動）してしまい、露光マスクの遮光部の位置とずれてしまうことがある。このような場合においては、露光マスクの遮光部の位置を電極パッドの位置に正確に合わせ込むために、露光マスクを何度か作り直さなければならないことがある。しかも、このような寸法変動は基板毎に異なることがあるため、多大な時間とコストがかかるという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、専用の露光マスクを用いることなく、且つ、基板毎に寸法変動が異なっていても、露光を容易に且つ確実に行なうことができるレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板上にレジスト層を形成し、該レジスト層上にインクジェットヘッドにより遮光性インクを塗布して遮光層を形成し、前記レジスト層の前記遮光層を介した露光および現像を行なって前記レジスト層をパターニングすることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジスト層はネガ型であり、前記基板は少なくとも１つの電極パッド部を有し、前記電極パッド部に対応する部分における前記レジスト層上に前記遮光層を形成し、露光および現像を行なって前記電極パッド部に対応する部分における前記レジスト層に開口部を形成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記基板はプリント配線基板であり、少なくとも、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された上層配線と、該上層配線の一部によって形成された前記電極パッド部と、を有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記基板は、少なくとも、半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の周囲に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に、少なくとも一部が前記半導体構成体の外部接続用電極に電気的に接続されて設けられた少なくとも１層の上層再配線と、該上層再配線の一部によって形成された前記電極パッド部と、を備えて形成されていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４に記載の発明において、前記レジスト層はソルダーレジスト層であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至４に記載の発明において、前記遮光性インクは遮光性顔料インクであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至４に記載の発明において、前記レジスト層を液状レジストの塗布により形成することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至４に記載の発明において、前記レジスト層をドライフィルムレジストのラミネートにより形成することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項７または８に記載の発明において、前記現像により、前記遮光層を前記レジスト層と共に除去することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記現像を行なう前に、前記遮光層を除去することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記ドライフィルムレジストの上面に透明なカバーフィルムがラミネートされ、前記カバーフィルムの上面に前記遮光層を形成し、この後、前記露光を行ない、次いで、前記カバーフィルムを前記遮光層と共に剥離し、この後、前記現像を行なうことを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項２乃至４に記載の発明において、前記インクジェットヘッドにより前記遮光層を形成する位置を、前記基板における前記電極パッドの位置の、所定の位置からのずれ量に応じて補正することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、レジスト層上にインクジェットヘッドにより遮光性インクを塗布して遮光層を形成しているので、専用の露光マスクを用いることなく、所望の位置に遮光層を形成して、レジスト層をパターニングすることができる。更に、基板の伸縮により遮光層を形成する電極パッドの位置が変動した場合であっても、インクジェットヘッドによる遮光層の形成位置を電極パッドの位置の変動に応じて補正すればよく、レジストパターンの形成を容易に且つ確実に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（プリント配線板への適用例その１）
図１はこの発明のレジストパターン形成方法により形成されたソルダーレジスト層を備えたプリント配線板の一例の一部の断面図を示す。このプリント配線板は絶縁基板１を備えている。絶縁基板板１は、例えば、ガラス繊維、アラミド繊維、液晶繊維等にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等を含浸させたもの、あるいは、樹脂単体等の絶縁材料からなっている。
【０００９】
絶縁基板１の上面には銅等からなる上層下地金属層２が設けられている。上層下地金属層２の上面全体には銅からなる上層配線３が設けられている。上層配線３を含む絶縁基板１の上面には上層ソルダーレジスト層４が設けられている。上層配線３の接続パッド（電極パッド）部に対応する部分における上層ソルダーレジスト層４には開口部５が設けられている。
【００１０】
絶縁基板１の下面には銅等からなる下層下地金属層６が設けられている。下層下地金属層６の下面全体には銅からなる下層配線７が設けられている。下層配線７を含む絶縁基板１の下面には下層ソルダーレジスト層８が設けられている。下層配線７の接続パッド（電極パッド）部に対応する部分における下層ソルダーレジスト層８には開口部９が設けられている。
【００１１】
上層下地金属層２を含む上層配線３の少なくとも一部と下層下地金属層６を含む下層配線７の少なくとも一部とは、絶縁基板１に設けられた貫通孔１０の内壁面に設けられた銅等からなる下地金属層１１ａと銅層１１ｂとからなる上下導通部１１を介して接続されている。この場合、上下導通部１１内には、上下配線の電気的な導通を良くするために、銀ペースト、銅ペースト、導電性樹脂等からなる導電材１２が充填されているが、絶縁性樹脂が充填されていてもよく、また、空洞であってもよい。
【００１２】
次に、このプリント配線板の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、絶縁基板１の上面に上層下地金属層２を含む上層配線３が形成され、絶縁基板１の下面に下層下地金属層６を含む下層配線７が形成され、上層下地金属層２を含む上層配線３の少なくとも一部と下層下地金属層６を含む下層配線７の少なくとも一部とが絶縁基板１の貫通孔１０内に形成された上下導通部１１を介して接続されたものを用意する。
【００１３】
次に、図３に示すように、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等によるネガ型の液状レジストの塗布により、上層配線３を含む絶縁基板１の上面に上層ソルダーレジスト層４を形成する。また、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等によるネガ型の液状レジストの塗布により、下層配線７を含む絶縁基板１の下面に下層ソルダーレジスト層８を形成する。
【００１４】
次に、図４に示すように、上層配線３の接続パッド部に対応する部分における上層ソルダーレジスト層４の上面に、インクジェットヘッド１００を各接続パッド部上の位置に順次移動させ、カーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる遮光性インクをインクジェットヘッド１００より噴射して塗布する。このインジェットヘッド１００による遮光性インクの塗布によりカーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる上層遮光層１３を各接続パッド部上の所望の位置に形成する。
【００１５】
また、例えば絶縁基板１を裏返すことにより、下層配線７の接続パッド部に対応する部分における下層ソルダーレジスト層８の下面に、同様に、インクジェットヘッド１００による遮光性インクの塗布によりカーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる下層遮光層１４を形成する。
【００１６】
次に、図５に示すように、上面側から紫外線を照射して露光を行なうと、上層遮光層１３下以外の領域における上層ソルダーレジスト層４が硬化し、上層遮光層１３下の上層ソルダーレジスト層４が未硬化状態のままとなる。また、下面側から紫外線を照射して露光を行なうと、下層遮光層１３上以外の領域における下層ソルダーレジスト層８が硬化し、下層遮光層１４上の上層ソルダーレジスト層８が未硬化状態のままとなる。
【００１７】
次に、現像を行なうと、上層遮光層１３下の未硬化の上層ソルダーレジスト層４がその上の上層遮光層１３と共に除去され、また、下層遮光層１４上の未硬化の下層ソルダーレジスト層８がその下の下層遮光層１４と共に除去される。この結果、図１に示すように、上層配線３の接続パッド部に対応する部分における上層ソルダーレジスト層４に開口部５が形成され、また、下層配線７の接続パッド部に対応する部分における下層ソルダーレジスト層８に開口部９が形成される。
【００１８】
以上のように、上記レジストパターン形成方法では、ソルダーレジスト層４、８の表面にインクジェットヘッド１００を用いた遮光性インクの塗布により遮光層１３、１４を形成しているため、専用の露光マスクを用いることなく、露光を行なうことができる。また、ソルダーレジスト層４、８の表面に遮光層１３、１４が密着しているため、露光装置として簡易なものを用いても、精度良く露光することができる。
【００１９】
次に、絶縁基板１がそれまでの熱履歴により伸縮し、配線３、７の接続パッド部の位置変動（寸法変動）が生じた場合について説明する。例えば、絶縁基板１上の４隅にアライメントマークが形成されている場合には、これらのアライメントマークの位置をカメラによるパターン認識により検出し、これらの検出位置データを予め設定された所期位置データと比較して、そのＸＹ方向の位置ずれ量を算出し、この算出結果に基づいて、インクジェット式プリンタによる遮光層形成位置を補正すると、絶縁基板１毎に寸法変動が異なっても、露光を容易に且つ確実に行なうことができる。
【００２０】
ここで、現在市販されているインクジェット式プリンタには、プリント配線板等のシンボリックマーク印字用の高精度なものがある。このようなインクジェット式プリンタでは、例えば、±０．０５ｍｍの精度、解像度６００ｄｐｉ、６０μｍ程度の線幅印字の性能を持つものがある。また、上述したようなアライメントマークのパターン認識による印字位置の補正機能を備えたものがある。
【００２１】
一方、上述した遮光層１３、１４を例えば直径０．２〜０．４ｍｍの円形パターンとする場合には、上記のようなインクジェット式プリンタで十分に対応することができる程度の精度であるため、遮光層１３、１４の形成に現在利用可能なインクジェット式プリンタを容易に適用することができる。また、パターン認識による印字位置の補正機能を上記の遮光層形成位置の補正に適用することができる。なお、カーボンブラックインク等の遮光性顔料インクによって形成された遮光層１３、１４は、６００ｍＪ／ｃｍ２の露光量に対しても十分な遮光性を持っているので、ソルダーレジスト層４、８の遮光マスクとして十分に機能する。
【００２２】
ところで、ソルダーレジスト層４、８は配線３、７の保護膜としての機能も有するため、耐環境性が要求され、比較的厚めに例えば３０〜４０μｍ以上に形成される。したがって、ソルダーレジスト層４、８自体をインクジェットヘッドによるインクの塗布により形成するのは極めて困難であるが、本発明は、ソルダーレジスト層自体をインクジェットヘッドにより塗布するのではなく、インクジェットヘッドにより遮光性インクを塗布して、ソルダーレジスト層上に遮光層を形成するようにしているものであるため、現在利用可能なインクジェット式プリンタにおけるインクジェットヘッドを比較的容易に適用することができる。
【００２３】
（変形例）
上記実施形態では、現像により、例えば、上層遮光層１３下の未硬化の上層ソルダーレジスト層４をその上の上層遮光層１３と共に除去する場合について説明したが、これに限らず、まず、上層遮光層１３を水洗等により除去し、次いで、未硬化の上層ソルダーレジスト層４を現像により除去するようにしてもよい。このようにした場合には、回収された現像液にインクが混入しないようにすることができる。
【００２４】
（プリント配線板への適用例その２）
上記実施形態では、ソルダーレジスト層４、８を液状レジストの塗布により形成した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図６に示すように、ソルダーレジスト層４、８をドライフィルムレジストのラミネートにより形成するようにしてもよい。ここで、図７に示すように、ドライフィルム２１は、ネガ型のドライフィルムレジスト２２の一面にキャリアフィルム２３が積層され、他面に透明なポリエチレンテレフタレートやポリエチレン等からなるカバーフィルム２４が積層された３層構造として市販されている。
【００２５】
このため、キャリアフィルム２３を剥がしながら、カバーフィルム２４を含むドライフィルムレジスト２２を対象物表面にラミネートすることができる。このようにして、図６に示すように、上層配線３を含む絶縁基板１の上面に上層カバーフィルム１５を含む上層ソルダーレジスト層４をラミネートする。また、下層配線７を含む絶縁基板１の下面に下層カバーフィルム１６を含む下層ソルダーレジスト層８をラミネートする。
【００２６】
次に、上層配線３の接続パッド部に対応する部分における上層カバーフィルム１５の上面に、図４に示した場合と同様に、インクジェットヘッド１００による遮光性インクの塗布によりカーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる上層遮光層１３を形成する。また、下層配線７の接続パッド部に対応する部分における下層カバーフィルム１６の下面に、同様に、インクジェットヘッド１００による遮光性インクの塗布によりカーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる下層遮光層１４を形成する。
【００２７】
次に、上面側から紫外線を照射して露光を行なうと、上層遮光層１３下以外の領域における上層ソルダーレジスト層４が硬化し、上層遮光層１３下の上層ソルダーレジスト層４が未硬化状態のままとなる。また、下面側から紫外線を照射して露光を行なうと、下層遮光層１３上以外の領域における下層ソルダーレジスト層８が硬化し、上層遮光層１３下の上層ソルダーレジスト層４が未硬化状態のままとなる。次に、上層カバーフィルム１５をその上の上層遮光層１３と共に剥離する。また、下層カバーフィルム１６をその下の下層遮光層１４と共に剥離する。
【００２８】
次に、現像を行なうと、未硬化の上層ソルダーレジスト層４が除去され、また、未硬化の下層ソルダーレジスト層８が除去される。この結果、図１に示すように、上層配線３の接続パッド部に対応する部分における上層ソルダーレジスト層４に開口部５が形成され、また、下層配線７の接続パッド部に対応する部分における下層ソルダーレジスト層８に開口部９が形成される。
【００２９】
そして、この場合、カバーフィルム１５、１６の表面に遮光層１３、１４が密着しているため、露光装置として簡易なものを用いても、精度良く露光することができる。また、上記実施形態の場合と同様に、専用の露光マスクを用いることなく、且つ、絶縁基板１毎に寸法変動が異なっても、露光を容易に且つ確実に行なうことができる。
【００３０】
（半導体装置への適用例）
図８はこの発明のレジストパターン形成方法により形成されたソルダーレジスト層を備えた半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は平面方形状のベース板３１を備えている。ベース板３１は、例えば、ガラス繊維、アラミド繊維、液晶繊維等にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ等を含浸させたもの、シリコン、ガラス、セラミックス、樹脂単体等の絶縁材料、あるいは、銅やアルミニウム等の金属材料からなっている。
【００３１】
ベース板３１の上面には、ベース板３１のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体３２の下面が接着層３２を介して接着されている。この場合、半導体構成体３２は、一般的にＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、平面方形状のシリコン等からなる半導体基板３３を備えている。半導体基板３３は接着層３２を介してベース板３１に接着されている。半導体基板３３の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３５が集積回路に接続されて設けられている。
【００３２】
接続パッド３５の中央部を除く半導体基板３３の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３６が設けられ、接続パッド３５の中央部は絶縁膜３６に設けられた開口部３７を介して露出されている。絶縁膜３６の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）３８が設けられている。この場合、絶縁膜３６の開口部３７に対応する部分における保護膜３８には開口部３９が設けられている。
【００３３】
保護膜３８の上面には銅等からなる下地金属層４０が設けられている。下地金属層４０の上面全体には銅からなる再配線４１が設けられている。下地金属層４０を含む再配線４１の一端部は、両開口部３７、３９を介して接続パッド３５に接続されている。再配線４１の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極４２が設けられている。再配線４１を含む保護膜３８の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜４４がその上面が柱状電極４２の上面と面一となるように設けられている。
【００３４】
半導体構成体３２の周囲におけるベース板３１の上面には方形枠状の絶縁層４４がその上面が半導体構成体３２の上面とほぼ面一となるように設けられている。絶縁層４４は、例えば、熱硬化性樹脂、あるいは、熱硬化性樹脂中にガラス繊維やシリカフィラー等の補強材を分散させたものからなっている。
【００３５】
半導体構成体３２および絶縁層４４の上面には第１の上層絶縁膜４５がその上面を平坦とされて設けられている。第１の上層絶縁膜４５は、ビルドアップ基板に用いられる、通常、ビルドアップ材と言われるもので、例えば、エポキシ系樹脂やＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂中に繊維やフィラー等の補強材を含有させたものである。この場合、繊維は、ガラス繊維やアラミド繊維等である。フィラーは、シリカフィラーやセラミックス系フィラー等である。
【００３６】
第１の上層絶縁膜４５の上面には銅等からなる第１の下地金属層４６が設けられている。第１の下地金属層４６の上面全体には銅からなる第１の上層再配線４７が設けられている。第１の下地金属層４６を含む第１の上層再配線４７の一端部は、柱状電極４２の上面中央部に対応する部分における第１の上層絶縁膜４５に設けられた開口部４８を介して柱状電極４２の上面に接続されている。
【００３７】
第１の上層再配線４７を含む第１の上層絶縁膜４５の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第２の上層絶縁膜４９が設けられている。第２の上層絶縁膜４９の上面には銅等からなる第２の下地金属層５０が設けられている。第２の下地金属層５０の上面全体には銅からなる第２の上層再配線５１が設けられている。第２の下地金属層５０を含む第２の上層再配線５１の一端部は、第１の上層再配線４７の接続パッド部に対応する部分における第２の上層絶縁膜４９に設けられた開口部５２を介して第１の上層再配線４７の接続パッド部に接続されている。
【００３８】
第２の上層再配線５１を含む第２の上層絶縁膜４９の上面にはソルダーレジスト層５３が設けられている。第２の上層再配線５１の接続パッド（電極パッド）部に対応する部分におけるソルダーレジスト層５３には開口部５４が設けられている。開口部５４内およびその上方には半田ボール５５が第２の上層再配線５１の接続パッド部に接続されて設けられている。複数の半田ボール５５は、ソルダーレジスト層５３の上面にマトリクス状に配置されている。
【００３９】
ところで、ベース板３１のサイズを半導体構成体３２のサイズよりもある程度大きくしているのは、半導体基板３３上の接続パッド３５の数の増加に応じて、半田ボール５５の配置領域を半導体構成体３２のサイズよりもある程度大きくし、これにより、第２の上層再配線５１の接続パッド部（ソルダーレジスト層５３の開口部５４内の部分）のサイズおよびピッチを柱状電極４２のサイズおよびピッチよりも大きくするためである。
【００４０】
このため、マトリクス状に配置された第２の上層再配線５１の接続パッド部は、半導体構成体３２に対応する領域のみでなく、半導体構成体３２の側面の外側に設けられた絶縁層４４および外部絶縁層２２に対応する領域上にも配置されている。つまり、マトリクス状に配置された半田ボール５５のうち、少なくとも最外周の半田ボール５５は半導体構成体３２よりも外側に位置する周囲に配置されている。
【００４１】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図９に示すように、図８に示すベース板３１を複数枚採取することができる大きさで、限定する意味ではないが、平面形状が方形状のベース板３１を用意する。次に、ベース板３１の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体３２の半導体基板３３の下面に接着された接着層３２を接着する。
【００４２】
次に、半導体構成体３２間および最外周に配置された半導体構成体３２の外側におけるベース板３１の上面に、例えばスクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、第１の絶縁材料４４ａを形成し、さらにその上面にシート状の第２の絶縁材料４５ａを配置する。第１の絶縁材料４４ａは、熱硬化性樹脂、あるいは、熱硬化性樹脂中にガラス繊維やシリカフィラー等の補強材を分散させたものである。
【００４３】
シート状の第２の絶縁材料４５ａは、限定する意味ではないが、ビルドアップ材が好ましく、このビルドアップ材としては、エポキシ系樹脂やＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラーを混入させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしたものがある。しかしながら、第２の絶縁材料４５ａとして、ガラス繊維にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となしたプリプレグ材、またはフィラーが混入されない、熱硬化性樹脂のみからなる材料を用いることもできる。
【００４４】
次に、図１０に示す一対の加熱加圧板６１、６２を用いて、第１、第２の絶縁材料４４ａ、４５ａを加熱加圧する。すると、半導体構成体３２間および最外周に配置された半導体構成体３２の外側におけるベース板３１の上面に絶縁層４４が形成され、半導体構成体３２および絶縁層４４の上面に第１の上層絶縁膜４５が形成される。
【００４５】
この場合、第１の上層絶縁膜４５の上面は、上側の加熱加圧板６１の下面によって押さえ付けられるため、平坦面となる。したがって、第１の上層絶縁膜４５の上面を平坦化するための研磨工程は不要である。このため、ベース板３１のサイズが例えば５００×５００ｍｍ程度と比較的大きくても、その上に配置された複数の半導体構成体３２に対して第１の上層絶縁膜４５の上面の平坦化を一括して簡単に行なうことができる。
【００４６】
次に、図１１に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、柱状電極４２の上面中央部に対応する部分における第１の上層絶縁膜４５に開口部４８を形成する。次に、図１２に示すように、第１の上層絶縁膜４５の上面に第１の下地金属層４６を含む第１の上層再配線４７を形成する。この場合、第１の下地金属層４６を含む第１の上層再配線４７の一端部は、第１の上層絶縁膜４５の開口部４８を介して柱状電極４２の上面に接続される。
【００４７】
次に、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、第１の上層再配線４７を含む第１の上層絶縁膜４５の上面にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる第２の上層絶縁膜４９を形成する。この場合、第１の上層再配線４７の接続パッド部に対応する部分における第２の上層絶縁膜４９には開口部３０が形成されている。
【００４８】
次に、第２の上層絶縁膜４９の上面に第２の下地金属層５０を含む第２の上層再配線５１を形成する。この場合、第２の下地金属層５０を含む第２の上層再配線５１の一端部は、第２の上層絶縁膜４４９の開口部５２を介して第１の上層再配線４７の接続パッド部に接続される。
【００４９】
次に、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等によるネガ型の液状レジストの塗布により、第２の上層再配線５１を含む第２の上層絶縁膜４９の上面にソルダーレジスト層５３を形成する。次に、第２の上層再配線５１の接続パッド部に対応する部分におけるソルダーレジスト層５３の上面に、インクジェットヘッド１００（図示せず）を用いた遮光性インクの塗布によりカーボンブラックインク等の遮光性顔料インクからなる遮光層６３を形成する。
【００５０】
次に、上面側から紫外線を照射して露光を行なうと、遮光層６３下以外の領域におけるソルダーレジスト層５３が硬化し、遮光層６３下のソルダーレジスト層５３が未硬化状態のままとなる。次に、現像を行なうと、遮光層６３下の未硬化のソルダーレジスト層５３がその上の遮光層６３と共に除去される。この結果、図１３に示すように、第２の上層再配線５１の接続パッド部に対応する部分におけるソルダーレジスト層５３に開口部５４が形成される。
【００５１】
次に、図１４に示すように、開口部５４内およびその上方に半田ボール５５を第２の上層再配線５１の接続パッド部に接続させて形成する。次に、図１５に示すように、互いに隣接する半導体構成体３２間において、ソルダーレジスト層５３、第２の上層絶縁膜４９、第１の上層絶縁膜４５、絶縁層４４およびベース板３１を切断すると、図８に示す半導体装置が複数個得られる。
【００５２】
そして、この場合、ソルダーレジスト層５３の表面に遮光層６３が密着しているため、露光装置として簡易なものを用いても、精度良く露光することができる。また、上記実施形態の場合と同様に、専用の露光マスクを用いることなく、且つ、切断前のベース板３１毎に寸法変動が異なっても、露光を容易に且つ確実に行なうことができる。
【００５３】
次に、インクジェットヘッドによる遮光層形成位置の補正の他の例について説明する。図１２に示す状態におけるベース板３１のサイズは、互いに隣接する半導体構成体３２間において切断すると、図８に示す半導体装置が複数個得られる大きさである。そこで、ベース板３１上を複数の小ブロック（例えば、１つまたは複数の半導体構成体３２に対応するブロック）に分ける。
【００５４】
そして、１の小ブロックの予め設定された１つの第２の上層再配線５１の接続パッド部の位置をカメラによるパターン認識により検出し、この検出位置データを予め設定された所期位置データと比較して、そのＸＹ方向の位置ずれ量を算出し、この算出結果に基づいて、当該１の小ブロックに対するインクジェットヘッドによる遮光層形成位置を補正する。この場合、小ブロック内では、サイズが小さいため、位置ずれは無視することができる。なお、ソルダーレジストはポジ型であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明のレジストパターン形成方法により形成されたソルダーレジスト層を備えたプリント配線板の一例の一部の断面図。
【図２】図１に示すプリント配線板の製造方法の一例において、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続き、インクジェットヘッドにより遮光性インクを塗布して遮光層を形成する工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】この発明のレジストパターン形成方法により形成されたソルダーレジスト層を備えたプリント配線板の他の例を説明するために示す一部の断面図。
【図７】ドライフィルムを説明するために示す斜視図。
【図８】この発明のレジストパターン形成方法により形成されたソルダーレジスト層を備えた半導体装置の一例の断面図。
【図９】図８に示す半導体装置の製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１  絶縁基板
３  上層配線
４  上層ソルダーレジスト層
５  開口部
７  下層配線
８  下層ソルダーレジスト層
９  開口部
１１  上下導通部
１３  上層遮光層
１４  下層遮光層
１５  上層カバーフィルム
１６  下層カバーフィルム
１００  インクジェットヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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