(57)【要約】【課題】この発明は基板の下面をリンス処理する際、回転テーブルの基板の下面に対向する部分を満遍なくリンス処理することができるスピン処理装置を提供することにある。【解決手段】基板を回転させながら処理するスピン処理装置であって、  回転テーブル１１と、この回転テーブルに設けられた上記基板を保持する複数の保持部材１８と、上記回転テーブルを回転駆動する制御モータ４と、上記回転テーブルに保持される上記基板の下面に向けて処理液を供給する第１のノズル３３と、処理液によって処理された上記基板の下面にリンス液を供給する第２のノズル３４と、この第２のノズルから噴射されるリンス液の噴射速度を変化させる開閉制御弁とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら処理するスピン処理装置であって、
回転テーブルと、
この回転テーブルに設けられた上記基板を保持する複数の保持手段と、
上記回転テーブルを回転駆動する駆動手段と、
上記回転テーブルに保持される上記基板の下面に向けて処理液を供給する第１のノズルと、
処理液によって処理された上記基板の下面にリンス液を供給する第２のノズルと、
この第２のノズルから噴射されるリンス液の噴射速度を変化させる速度制御手段と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理装置。
【請求項２】
上記回転テーブルの上面側は整流カバーによって覆われていて、この整流カバーの中心部分には、上記第１のノズル体から噴射される処理液と、第２のノズル体から噴射されるリンス液とを上記回転テーブルに保持された上記基板の下面に到達させる通孔が開口形成されていることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【請求項３】
上記速度制御手段は、上記第２のノズル体にリンス液を供給する給液管に設けられた開閉制御弁と、この開閉制御弁を開閉制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【請求項４】
上記速度制御手段は、上記第２のノズル体にリンス液を供給する給液管に設けられた流量制御弁と、この流量制御弁を流れるリンス液の流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【請求項５】
上記速度制御手段は、開閉制御弁と流量制御弁とを直列に接続して流量制御ユニットを形成し、２つの流量制御ユニットを並列にして上記第２のノズル体にリンス液を供給する給液管に接続するとともに、上記各流量制御ユニットの開閉制御弁と流量制御弁のうちの少なくとも開閉制御弁を開閉制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【請求項６】
基板を回転テーブルとともに回転させながら処理するスピン処理方法であって、
上記回転テーブルに上記基板を供給する工程と、
上記基板を上記回転テーブルとともに回転させる工程と、
上記回転テーブルとともに回転する基板の下面に処理液を供給して処理する工程と、
処理液によって処理された基板の下面にリンス液を供給してリンス処理する工程と、
基板の下面をリンス処理する際に、この下面に供給するリンス液の噴射速度を変化させる工程と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板を回転テーブルに保持してこの回転テーブルとともに回転させながら処理する基板のスピン処理装置及びスピン処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ等の基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスではスピン処理装置を用いて基板を処理液としてのたとえばエッチング液などで処理した後、純水などのリンス液でリンス処理し、ついで回転テーブルを高速度で回転させることで、上記基板に付着残留したリンス液を除去する乾燥処理が行なわれる。
【０００３】
上記スピン処理装置は、周知のように処理槽を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられている。このカップ体内には駆動源によって回転駆動される回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには上記基板の外周部を保持する複数の保持部材が周方向に沿って所定間隔で設けられ、これらの保持部材によって上記基板が回転テーブルに対して着脱可能に保持される。
【０００４】
したがって、回転テーブルに基板を保持し、この回転テーブルを回転させて基板に処理液を供給すれば、この基板を処理することができ、また処理後に回転テーブルを高速回転させれば、上記基板を乾燥処理することができる。
【０００５】
上記基板には上面だけでなく、下面にも不純物が付着していることが多い。そのため、上記基板に付着した不純物を除去するため、たとえばエッチング液などの処理液をノズルによって上記基板の上面だけでなく、下面にも噴射供給し、この基板に付着残留する不純物をエッチング作用によって除去するということが行なわれている。
【０００６】
基板の上下面をエッチング液で処理したならば、この基板の上下面に純水からなるリンス液をノズル体によって噴射供給し、基板に付着残留するエッチング液を洗浄除去する。ついで、回転テーブルを高速度で回転させることで、遠心力によって上記基板に付着残留したリンス液を除去する乾燥処理が行なわれる。
【０００７】
基板をリンス液によってリンス処理する際、基板の下面に供給されたリンス液はその下面から回転テーブルの上面に落下し、この回転テーブルもリンスされる。それによって、回転テーブルを高速回転させて基板を乾燥処理する際、回転テーブルからエッチング液がミスト状となって飛散することがなくなるから、ミスト状のエッチング液が基板に付着して基板の汚染の原因になるのを防止することが可能となる。
【０００８】
しかしながら、従来は、基板をリンス液によってリンス処理する際、リンス液は予め設定された一定の噴射速度でノズルから基板の上面及び下面に向けて噴射するようにしていた。そのため、回転テーブルは基板のリンス処理時にある程度はリンス処理されるものの、リンス液は基板の下面の予め定められた位置だけに噴射されるため、その下面から跳ね返って落下するリンス液によって回転テーブルを満遍なくリンス処理することが難しかった。つまり、回転テーブルにエッチング液が残留するということがあった。
【０００９】
その結果、基板の乾燥処理時に、回転テーブルに付着残留したエッチング液がミスト状となって飛散し、乾燥処理された基板に付着して汚染の原因になるということがあった。とくに、回転テーブルの上面は凹凸部分が多い。そのため、凹凸部分に付着したエッチング液は基板のリンス処理時に容易に除去することができないということがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、回転テーブルの上面側を平坦な整流カバーで覆うようにしている。それによって、エッチング液が凹凸部の多い回転テーブルの上面に直接付着するのを防止するとともに、回転テーブルを高速回転させて基板を乾燥処理する際に乱流が発生し難いようにしている。
【００１１】
回転テーブルの上面側を平坦な整流カバーによって覆えば、確かにリンス処理時にエッチング液がリンス処理されずに回転テーブルに残るのを低減することができる。しかしながら、基板の下面にリンス液を噴射供給するノズルからは、上述したようにリンス液を一定の噴射速度で噴射している。
【００１２】
そのため、基板の下面で跳ね返ったリンス液が整流カバーに到達する領域も限られるから、リンス液によって整流カバー全体が満遍なくリンスされず、エッチング液が残留するということがある。それによって、基板の乾燥処理時に整流カバーに残留するエッチング液がミスト状となって飛散し、基板に付着して汚染の原因になるということがある。
【００１３】
とくに、整流カバーには、ノズルから基板の下面にエッチング液やリンス液を噴射するための通孔が穿設されている。そのため、その通孔の内周縁部に付着したエッチング液はリンス処理時にリンス液によって除去され難いということがあるため、その部分に付着残留したエッチング液が基板の汚染の原因になり易いということがある。
【００１４】
この発明は、基板の下面をリンス処理する際に、リンス液によってその前の工程で使用した処理液を確実に除去できるようにすることで、リンス処理後に基板を高速回転させて乾燥処理するときに、基板が処理液によって汚染されることがないようにしたスピン処理装置及びスピン処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、基板を回転させながら処理するスピン処理装置であって、
回転テーブルと、
この回転テーブルに設けられた上記基板を保持する複数の保持手段と、
上記回転テーブルを回転駆動する駆動手段と、
上記回転テーブルに保持される上記基板の下面に向けて処理液を供給する第１のノズルと、
処理液によって処理された上記基板の下面にリンス液を供給する第２のノズルと、
この第２のノズルから噴射されるリンス液の噴射速度を変化させる速度制御手段と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理装置にある。
【００１６】
上記回転テーブルの上面側は整流カバーによって覆われていて、この整流カバーの中心部分には、上記第１のノズル体から噴射される処理液と、第２のノズル体から噴射されるリンス液とを上記回転テーブルに保持された上記基板の下面に到達させる通孔が開口形成されていることが好ましい。
【００１７】
上記速度制御手段は、上記第２のノズル体にリンス液を供給する給液管に設けられた開閉制御弁と、この開閉制御弁を開閉制御する制御手段とを有することが好ましい。
【００１８】
上記速度制御手段は、上記第２のノズル体にリンス液を供給する給液管に設けられた流量制御弁と、この流量制御弁を流れるリンス液の流量を制御する制御手段とを有することが好ましい。
【００１９】
上記速度制御手段は、開閉制御弁と流量制御弁とを直列に接続して流量制御ユニットを形成し、２つの流量制御ユニットを並列にして上記第２のノズル体にリンス液を供給する給液管に接続するとともに、上記各流量制御ユニットの開閉制御弁と流量制御弁のうちの少なくとも開閉制御弁を開閉制御する制御手段を有することが好ましい。
【００２０】
この発明は、基板を回転テーブルとともに回転させながら処理するスピン処理方法であって、
上記回転テーブルに上記基板を供給する工程と、
上記基板を上記回転テーブルとともに回転させる工程と、
上記回転テーブルとともに回転する基板の下面に処理液を供給して処理する工程と、
処理液によって処理された基板の下面にリンス液を供給してリンス処理する工程と、
基板の下面をリンス処理する際に、この下面に供給するリンス液の噴射速度を変化させる工程と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理方法にある。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、基板の下面にリンス液を供給するとき、このリンス液の噴射速度を変化させると、その噴射速度に応じてリンス液の着地位置が変化するため、回転テーブルに付着残留する処理液を満遍なくリンス処理することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２３】
図１乃至図４はこの発明の第１の一実施の形態であって、図１はスピン処理装置を示す。このスピン処理装置は同図に鎖線で示すカップ体１を有する。このカップ体１の底部の径方向中心部には通孔２が穿設され、周辺部には複数の排出管１ａが周方向に所定間隔で接続されている。
【００２４】
上記通孔２には円筒状の動力伝達体３が設けられている。この動力伝達体３は駆動手段である制御モータ４によって回転駆動される。この制御モータ４は筒状の固定子５と、この固定子５内に回転可能に挿入された同じく筒状の回転子６とを有する。
【００２５】
上記動力伝達体３は下端を上記回転子６の上端面に接触させ、その部分がねじ７によって固定されている。したがって、上記動力伝達体３は上記回転子６と一体的に回転するようになっている。なお、上記制御モータ４は制御装置８によって回転速度が後述するように制御される。
【００２６】
上記動力伝達体３のカップ体１内に突出した上端部には回転テーブル１１が取付けられている。この回転テーブル１１は円盤状をなした下板１２と上板１３とを重合させてなり、これら下板１２と上板１３との中心部分には上記動力伝達体３の内部空間に連通する通孔１４が形成されている。
【００２７】
上記回転テーブル１１の上板１３の周辺部には周方向に所定間隔、たとえば９０度間隔で４つの支持筒部１５が一体形成されている。上記下板１２の上記支持筒部１５と対応する部分には通孔１６が形成されている。
【００２８】
上記支持筒部１５と通孔１６には、各々ブッシュ１７ａ，１７ｂが嵌着され、このブッシュ１７ａ，１７ｂには保持部材１８が回転可能に支持されている。この保持部材１８は、上記ブッシュ１７ａ，１７ｂに支持された軸部１９と、この軸部１９の上端部に一体形成された上記軸部１９よりも大径な頭部２０とを有する。
【００２９】
上記頭部２０の上端面には、保持部材１９の回転中心から偏心した位置にテーパ部材２１が設けられている。このテーパ部材２１のテーパ面２１ａの傾斜方向上端部には係合ピン２２が突設されている。
【００３０】
そして、各保持部材１９に設けられたテーパ部材２１には半導体ウエハなどの基板Ｗが周辺部の下面をそのテーパ面２１ａに載置して設けられる。その状態で、各保持部材１９を所定方向、たとえば時計方向に回転させると、上記テーパ部材２１が偏心回転する。それによって、基板Ｗの周辺部がテーパ部材２１のテーパ面２１ａに沿って上昇し、その外周面が係合ピン２２に当接するから、基板Ｗは４つの保持部材１９によって回転テーブル１１に一体的に保持される。
【００３１】
上記保持部材１９を先程と逆方向である、反時計方向に回転させると、上記保持ローラ２２が基板Ｗの外周面から離れる方向に偏心回転する。それによって、基板Ｗの４つの保持部材１９による保持状態が開放される。
【００３２】
図１に示すように、上記保持部材１８の軸部１９は下端が回転テーブル１１の下面側に突出し、その突出端部には子歯車２５が嵌着されている。各保持部材１８の軸部１９に嵌着された子歯車２５は親歯車２６に噛合している。この親歯車２６は上記動力伝達体３に軸受２７を介して回転可能に保持されている。
【００３３】
上記親歯車２６は上記動力伝達体３の外周面に設けられたばね２８によって所定の回転方向、たとえば反時計方向に付勢されている。それによって、子歯車２５が時計方向に回転し、その回転に保持部材１８が連動してテーパ部材２１が偏心回転することで、基板Ｗは各保持部材１８の係合ピン２２によって回転体１１に保持される。
【００３４】
基板Ｗの保持状態を解除するには、上記親歯車２６を図示しない解除機構によってばね２８の付勢力に抗して時計方向に回転させる。具体的には、上記解除機構によって親歯車２６が回転するのを阻止し、その状態で回転テーブル１１を制御モータ４によって時計方向に回転させる。それによって、保持部材１８は反時計方向に回転するから、係合ピン２２による基板Ｗの保持状態が解除されることになる。
【００３５】
上記動力伝達体３の内部には保持筒３１が挿通されている。この保持筒３１の上端にはノズルヘッド３２が取着されている。このノズルヘッド３２には、上面に開口した断面形状が逆円錐状の凹部３０が形成されている。
【００３６】
上記ノズルヘッド３２には、回転テーブル１１に保持された基板Ｗの下面中心部に向かってたとえば処理液としてのエッチング液を噴射する第１のノズル３３と、純水からなるリンス液を噴射する第２のノズル３４及び図示しないが窒素ガスなどの気体を噴射する第３のノズルとが先端を上記凹部３０の内面に開口させて形成されている。さらに、ノズルヘッド３２には、上記凹部３０の内面の最下端に先端を開口させた排液孔３０ａが形成されている。
【００３７】
上記第１のノズル３３の後端には第１の給液管３５が接続され、上記第２のノズル３４の後端には第２の給液管３６が接続されている。さらに、上記排液孔３０ａには排液管３７が接続されている。
【００３８】
上記第１の給液管３５は上記第１のノズルにエッチング液を供給する、図示しないエッチング液の供給源に接続されている。上記第２の給液管３６は上記第２のノズル３４にリンス液を供給する、図示しないリンス液の供給源に接続されている。
【００３９】
上記第２の給液管３６の中途部には、図２に示すように供給源から供給されるリンス液の圧力、つまり流量を調整する流量制御弁３８、開閉制御弁３９及び逆止弁４０が順次直列に設けられている。上記開閉制御弁３９は制御手段としての制御装置４１によって開閉制御されるようになっている。
【００４０】
後述するように、上記第２のノズル３４から基板Ｗの下面にリンス液を供給する際、上記制御装置４１は上記開閉制御弁３９を所定時間ごとに開閉制御する。それによって、リンス液は第２の供給管３６を断続的に流れることになるから、第２のノズル３４から噴射するリンス液の噴射速度も断続的に変化することになる。つまり、この第１の実施の形態では、上記開閉制御弁３９と上記制御装置４１とで第２のノズル３４から噴射するリンス液の噴射速度を制御する速度制御手段を構成している。
【００４１】
上記回転テーブル１１の上面及び外周面は整流カバー４５によって覆われている。この整流カバー４５は、回転テーブル１１に保持される基板Ｗの下面に対向する対向壁部４６と、この対向壁部４６の周縁部に垂設された周壁部４７とを有する。
【００４２】
上記対向壁部４６には、第１のノズル３３から噴射されるエッチング液、第２のノズル３４から噴射されるリンス液及び第３のノズル体から噴射される気体を基板Ｗの下面に到達させるための通孔４８が形成されている。
【００４３】
上記回転テーブル１１の上面に立設された４本の保持部材１８の上端部は、上記整流カバー４５の対向壁部４６に穿設された通孔４９からその上面側に突出している。  
また、回転テーブル１１の上方には、下面側と同様、基板Ｗに処理液としてのエッチング液を噴射する第１の上部ノズル体５０及びリンス液を噴射する第２の上部ノズル体５１が配置されている。
【００４４】
つぎに、上記構成のスピン処理装置によって基板Ｗを処理する際の作用について説明する。この実施の形態における基板Ｗの処理は、図３に示すようにエッチング工程、リンス工程及び乾燥工程からなる。
【００４５】
まず、基板Ｗを回転テーブル１１に保持し、この回転テーブル１１を数十〜数百ｒ．ｐ．ｍの低速度で回転させながら、基板Ｗの上面と下面とに第１のノズル３３と第１の上部ノズル体５０とからエッチング液を供給する。エッチング液による処理は、基板Ｗの上面と下面だけでなく、上面に供給されたエッチング液が遠心力で径方中心部から外周部に向い、外周面に沿って流れることで、外周面に対しても行なわれる。
【００４６】
第１のノズル３３から基板Ｗの下面に噴射供給されたエッチング液は、一部が基板Ｗの下面中心部から周辺部に沿って流れて下面全体をエッチング処理するとともに、下面で跳ね返ってエッチング液は整流カバー４５の上面に滴下する。また、エッチング液の一部は整流カバー４５に形成された通孔４８の内周縁部などにも付着する。
【００４７】
基板Ｗをエッチング液によってエッチング処理したならば、エッチング液の供給を停止してリンス液を供給し、リンス処理を行なう。それによって、基板Ｗの上下面に付着残留するエッチング液を以下のように洗浄除去することができる。
【００４８】
すなわち、基板Ｗをリンス処理する場合、第２のノズル３４から基板Ｗの下面に噴射供給されるリンス液の噴射速度を制御装置４１によって変化させる制御が行なわれる。すなわち、リンス処理時には開閉制御弁３９が制御装置４１によって断続的に開閉制御される。そのため、リンス工程では、第２のノズル３４から噴射されるリンス液の噴射速度は、図３に示す開閉制御弁３９の開閉に応じて変化を繰り返すことになる。
【００４９】
リンス液の噴射速度が変化を繰り返すと、その変化に応じて第２のノズル３４から噴射されたリンス液の到達位置が変化することになる。すなわち、開閉制御弁３９が開のとき、リンス液は図４（ａ）に矢印Ａで示すように所定の速度で基板Ｗの下面の所定の位置に衝突し、この基板Ｗの下面をリンス処理する。
【００５０】
開閉制御弁３９が閉じられると、リンス液の噴射速度が次第に低くなるから、図４（ｂ）に矢印Ｂで示すようにリンス液は、整流カバー４５の上面や通孔４８の周縁部に当たり、その部分をリンス処理する。リンス液の噴射速度がさらに低くなると、図４（ｃ）に矢印Ｃで示すようにノズルヘッド３２に形成された凹部３０に当たり、その凹部３０の表面をリンス処理する。凹部３０をリンス処理したリンス液は排液孔３０ａから排液管３７を通って排出される。
【００５１】
このように、開閉制御弁３９の開閉を繰り返して第２のノズル３４から噴射されるリンス液の噴射速度を変化させると、リンス液が当たる位置を基板Ｗの下面だけでなく、整流カバー４５の上面や通孔４８の周縁部などに変化させることができる。そのため、基板Ｗの下面の所定の箇所だけにリンス液を衝突させるだけでは、十分にリンス処理することができなかった整流カバー４５の上面や通孔４８の内周縁部なども確実にリンス処理することができる。
【００５２】
その結果、リンス処理後に回転テーブル１１を高速度で回転させて行なう基板Ｗの乾燥処理時に、回転テーブル１１の上面側を覆う整流カバー４５の上面や通孔４８の内周部、さらにはノズルヘッド３２の凹部３０などからエッチング液がミスト状となって飛散するのを防止できる。
【００５３】
したがって、乾燥処理時に基板Ｗにミスト状のエッチング液が付着し、基板Ｗが汚染されるの防止することができる。つまり、基板Ｗの乾燥処理を、基板を汚染させることなく確実に行なうことが可能となる。
【００５４】
この第１の実施の形態では、回転テーブル１１の上面側を整流カバー４５で覆うようにしているが、回転テーブル１１の上面側が整流カバー４５で覆われていない場合であっても、第２のノズル３４から噴射されるリンス液の噴射速度を変化させることで、基板Ｗの下面に供給されるリンス液によって回転テーブル１１に付着したエッチング液をむらなく良好にリンス処理することが可能となる。
【００５５】
図５と図６は、それぞれこの発明の第２の実施の形態と、第３の実施の形態を示す速度制御手段の変形例である。
【００５６】
図５に示す速度制御手段は、第２の給液管３６に開閉制御弁３９、流量制御弁３８及び逆止弁４０が順次直列に設けられている。制御装置４１は、上記開閉制御弁３９を開閉制御するだけでなく、上記流量制御弁３８も制御して第２の供給管３６を流れるリンス液の流量を変えることができるようになっている。
【００５７】
したがって、開閉制御弁３９を開いてリンス液を第２のノズル３４から噴射させるとき、流量制御弁３８によって第２のノズル３４から噴射するリンス液の噴射速度を変化させることが可能となる。つまり、第１の実施の形態のように、開閉制御弁３９を開閉制御するだけの場合に比べ、第２のノズル３４から噴射するリンス液の噴射速度を高精度で変化させることが可能となる。
【００５８】
図６に示す速度制御手段は、第１の流量制御弁３８ａ、第１の開閉制御弁３９ａ及び第１の逆止弁４０ａが順次直列に接続された第１の流量制御ユニット５４ａと、第２の流量制御弁３８ｂ、第２の開閉制御弁３９ｂ及び第２の逆止弁４０ｂが順次直列に接続された第２の流量制御ユニット５４ｂとを、並列にして第２の給液管３６に設ける。
【００５９】
上記第１、第２の流量制御弁３８ａ、３８ｂは予め所定の開度に設定されており、上記第１、第２の開閉制御弁３９ａ，３９ｂは制御装置４１によって開閉が制御されるようになっている。
【００６０】
このような構成の速度制御手段によれば、第１の開閉制御弁３９ａを開いて第２の開閉制御弁３９ｂを閉じれば、第１の流量制御弁３８ａによって設定された流量のリンス液が第２の給液管３６を流れるから、リンス液はその流量に応じた噴射速度で第２のノズル３４から噴射する。同様に、第１の開閉制御弁３９ａを閉じて第２の開閉制御弁３９ｂを開けば、第２の流量制御弁３８ｂによって設定された流量のリンス液が第２の給液管３６を流れるから、リンス液はその流量に応じた噴射速度で第２のノズル３４から噴射する。
【００６１】
さらに、第１、第２の開閉制御弁３９ａ，３９ｂを開けば、これら開閉制御弁３９ａ，３９ｂの和に応じた流量のリンス液が第２の供給管３６を流れるから、リンス液はその流量に応じた噴射速度で第２のノズル３４から噴射することになる。
【００６２】
したがって、このような構成によれば、第２のノズル３４から噴射するリンス液の速度を３段階に変えることができるため、その速度変化に応じて整流カバー４５の上面などを確実にリンス処理することが可能である。
【００６３】
なお、この実施の形態において、第１、第２の開閉弁３９ａ，３９ｂに代わり第１、第２の流量制御弁３８ａ，３８ｂを制御装置４１によって制御するようにしてもよく、或いは開閉弁及び流量制御弁の両方を制御装置４１によって制御するようにしてもよい。
【００６４】
この発明における基板の処理は、上述したようにエッチング処理後にリンス処理を行なう場合だけに限られず、基板をエッチング液以外の処理液で処理した場合であっても、その処理後にリンス処理を行なう際にはこの発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】この発明の一実施の形態を示すスピン処理装置の概略的構成を示す断面図。
【図２】速度制御手段の説明図。
【図３】基板の処理工程における回転テーブルの回転数と、リンス処理時におけるリンス液の噴射速度との関係を示す説明図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はリンス液の噴射速度の変化とリンス液の噴射位置とを説明する図。
【図５】この発明の第２の実施の形態を示す速度制御手段の説明図。
【図６】この発明の第３の実施の形態を示す速度制御手段の説明図。
【符号の説明】
【００６６】
４…制御モータ（駆動手段）、１１…回転テーブル、１８…保持部材（保持手段）、３４…第２のノズル、３８…流量制御弁、３９…開閉制御弁、４１…制御装置。
【図１】
2005217138.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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