(57)【要約】【課題】熱収縮現象に対して熱処理が有効ではあるが、熱収縮量及び熱処理の効果のばらつきが発生し、安価で良好な電子材料用基板を得るのが難しかった。【解決手段】歪点が５７０℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラスを製造する場合において、引張応力値をＦ、一定の引張応力値をＦ０、熱膨張係数をα、ガラス基板の板厚をｔとするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が一定の値ｋよりも大きいガラスの場合は熱処理工程を行い、ｋ以下のガラスの場合は熱処理を行わない電子材料基板用ガラスの製造方法。歪点が５７０℃以上５８５℃未満の場合のｋは（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、５８５℃以上６００℃未満の場合のｋは（１６０〜１９０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、６００℃以上６１０℃以下の場合のｋは（１９０〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である特徴を有す。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
歪点が５７０℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラスを製造する場合において、引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が一定の値ｋよりも大きいガラスの場合は熱処理工程を行い、ｋ以下のガラスの場合は熱処理を行わないことを特徴とする電子材料基板用ガラスの製造方法。
【請求項２】
歪点の温度により、ｋの値を変更することを特徴とする請求項１に記載の電子材料基板用ガラスの製造方法。
【請求項３】
歪点が５７０℃以上５８５℃未満の場合のｋは（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、５８５℃以上６００℃未満の場合のｋは（１６０〜１９０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、６００℃以上６１０℃以下の場合のｋは（１９０〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子材料基板用ガラスの製造方法。
【請求項４】
室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋ以上１２０×１０−７／Ｋ以下、及びガラス基板の板厚ｔが２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子材料基板用ガラスの製造方法。
【請求項５】
引張応力をＦ（Ｐａ）、平均引張応力をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が１６０×１０１３ＰａＫ／ｍ２以下にあることを特徴とする歪点が５７０℃以上５８５℃未満の電子材料基板用ガラス。
【請求項６】
引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が１９０×１０１３ＰａＫ／ｍ２以下にあることを特徴とする歪点が５８５℃以上６００℃未満の電子材料基板用ガラス。
【請求項７】
引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が２２０×１０１３ＰａＫ／ｍ２以下にあることを特徴とする歪点が６００℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラス。
【請求項８】
室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋ以上１２０×１０−７／Ｋ以下、及びガラス基板の板厚ｔが２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の電子材料基板用ガラス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ）を始めとする、液晶表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、蛍光表示パネル、エレクトロクロミック表示パネル、発光ダイオード表示パネル、ガス放電式表示パネル等に代表される電子材料基板用ガラス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子部品の発達に伴い、プラズマディスプレイパネル、液晶表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、蛍光表示パネル、エレクトロクロミック表示パネル、発光ダイオード表示パネル、ガス放電式表示パネル等、多くの種類の表示パネルが開発されている。その中でも、プラズマディスプレイパネルが薄型かつ大型の平板型カラー表示装置として注目を集めている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、所定形状の電極がその表面に設けられた２枚のガラス基板を、電極パターンにずれが生じないように精密に位置合わせして貼り合わせて製造される。この２枚のガラス基板を貼り合わせる前に、誘電体膜塗布などの工程でガラス基板は一定時間高温度の処理を受ける。その加熱工程の際にガラス基板の寸法が変化する現象が知られている。これは、一般的に「熱収縮」現象と呼ばれ、電子基板用ガラスが加熱工程中に発生する、パネル全体でも１ｍｍにも満たない微小な寸法変化である。
【０００４】
しかし、電子材料基板という観点からみれば、この寸法変化は大きく、寸法変化を小さくする方法が検討されている。この熱収縮は、パネル作製工程における加熱処理によって発生する。
【０００５】
ガラスの構造は、その温度で熱平衡状態にある仮想温度で表すことができ、熱収縮は熱処理による仮想温度の変化として説明できる。ガラスの仮想温度は溶融状態からガラス状態までガラスを冷却するときの冷却速度に依存する。すなわち、急冷されたガラスはその構造が高い温度で凍結されるため仮想温度は高く、徐冷されたガラスはその構造が低い温度で凍結するため仮想温度は低くなる。仮想温度の高いガラスはその構造が疎であり、仮想温度の低いガラスはその構造が緻密である（非特許文献１参照）。
【０００６】
ガラス基板を、そのガラス基板の仮想温度より低い温度で加熱すると仮想温度は低温側に変化し、構造はより緻密となる。また、ガラス基板の仮想温度より高い温度で加熱すると仮想温度は高温側に変化し、構造はより疎となる。
【０００７】
加熱処理におけるガラスの仮想温度の変化は（１）式で表される。
【０００８】
（Ｔｆ（τ）−Ｔ）／（Ｔｆ（０）−Ｔ）＝ｅｘｐ｛−（τ・Ｋ／η）ｂ｝    …（１）
ここで、Ｔｆ（０）は加熱処理前の仮想温度、Ｔｆ（τ）はτ分後のガラス仮想温度、Ｔは加熱温度、τは加熱時間、Ｋ、ｂはそれぞれガラス組成によって決まる定数、ηは加熱温度でのガラスの粘度である。（１）式によれば、加熱処理によるガラスの仮想温度の変化量は、加熱条件（温度、時間）、ガラス組成、加熱処理前のガラスの仮想温度によって決まることになる。
【０００９】
すなわち、ガラス基板の熱収縮は、パネル作製工程おける加熱処理によって、ガラスがより安定な構造に変化するために起こる。また、ガラス板生産時の冷却条件にも左右される。
【００１０】
理論的には、上述のように説明されるが、実際の熱収縮現象を把握することは難しい。パネル作製工程における加熱処理を一定としても、熱収縮の値にばらつきが発生するからである。通常の形で生産されたガラスを加熱処理すると、必ずばらつきを伴った熱収縮現象が発生するので、例えばＰＤＰパネルを製造するときには大きな問題となっている。熱収縮量がばらつくと、後のガラス基板貼り合わせ工程で２枚のガラス基板上に設けられている電極や素子の位置を正確に合わせることが困難となるからである。さらに、熱処理を行わなくとも、パネル製造で問題を発生しないガラスも存在する。一方、熱処理を行っても、パネル製造で問題を発生するガラスも存在する。このように、熱収縮現象に対しての熱処理は、それなりの効果は認められるが、絶対的な技術ではない。
【００１１】
上述のように、熱収縮現象が発生し、パネル製作時において熱収縮量がばらつき、さらには熱処理の効果にもばらつきが発生することは大きな問題である。無駄な熱処理をなくし、ばらつきを小さくできれば、極めて高価とされる、例えばＰＤＰの需要拡大に大きな寄与が期待される。
【００１２】
公知技術をみれば、一次徐冷の後でガラス基板を熱処理することにより熱収縮率を小さくし、貼り合わせ不良を防止する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特許３１７５３１０号公報
【非特許文献１】
ガラス工学ハンドブック，朝倉書店（１９９９），３７９〜３８４頁
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
熱収縮はパネル作製工程における加熱処理によって、ガラスがより安定な構造に変化するために起こるとされている。この対策として、熱処理する方法が提案されている。例えば、特許３１７５３１０号で開示されたパネル製造工程前におけるガラス基板の熱処理は、熱収縮量が一般的に小さくなり、それなりの効果が認められる。
【００１５】
プラズマディスプレイパネルの製造工程では、ガラス基板は５５０〜６００℃に加熱される。電極や素子を形成するとき、その工程での熱収縮による寸法変化分を見込んでパターニングすることが可能である。従って、貼り合わせ不良は熱収縮率の絶対値ではなく、むしろ熱収縮率の値がばらつくことの影響の方が大きい。
【００１６】
熱収縮現象に対して熱処理が有効ではあるが、パネル製作時において熱収縮量がばらつき、さらには熱処理の効果にもばらつきが発生する問題はまだ残されている。すなわち、パネル製作時の熱収縮対策として熱処理を行っても、熱収縮量及び熱処理の効果にばらつきが発生し、安価で良好な電子材料用基板を得るのが難しかった。また、その製造方法も開発済とは言えない状況にある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、歪点が５７０℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラスを製造する場合において、引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が一定の値ｋよりも大きいガラスの場合は熱処理工程を行い、ｋ以下のガラスの場合は熱処理を行わない電子材料基板用ガラスの製造方法である。
【００１８】
また、歪点の温度により、ｋの値を変更する上記の電子材料基板用ガラスの製造方法である。
【００１９】
またさらに、歪点が５７０℃以上５８５℃未満の場合のｋは（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、５８５℃以上６００℃未満の場合のｋは（１６０〜２００）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、６００℃以上６１０℃以下の場合のｋは（２００〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である上記の電子材料基板用ガラスの製造方法である。
【００２０】
またさらに、室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋ以上１２０×１０−７／Ｋ以下、及びガラス基板の板厚ｔが２ｍｍ以上３ｍｍ以下である上記の電子材料基板用ガラスの製造方法である。
【００２１】
さらに、歪点が５７０℃以上６１０℃以下のＰＤＰ用ガラス基板において、引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２にある、歪点が５７０℃以上５８５℃未満の電子材料基板用ガラスである。
【００２２】
また、歪点が５７０℃以上６１０℃以下のＰＤＰ用ガラス基板において、引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が（１６０〜２００）×１０１３ＰａＫ／ｍ２にある、歪点が５８５℃以上６００℃未満の電子材料基板用ガラスである。
【００２３】
また、歪点が５７０℃以上６１０℃以下のＰＤＰ用ガラス基板において、引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が（２００〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２にある、歪点が６００℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラスである。
【００２４】
さらに、室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋ以上１２０×１０−７／Ｋ以下、及びガラス基板の板厚ｔが２ｍｍ以上３ｍｍ以下である上記の電子材料基板用ガラスである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明は、歪点が５７０℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラスを製造する場合において、引張応力値をＦ（Ｐａ）、一定の引張応力値をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が一定の値ｋよりも大きいガラスの場合は熱処理工程を行い、ｋ以下のガラスの場合は熱処理を行わない電子材料基板用ガラスの製造方法である。
【００２６】
歪点が５７０℃未満のガラスでは熱収縮量が大きくなる。熱処理を行うことで改善はできるが、ばらつきが大きく、その絶対値も考えると問題は大きい。さらに、本発明で重要な因子の熱膨張係数の値も正確に測定できなくなるので、歪点が５７０℃未満のガラスは除外すべきである。一方、６１０℃を越えたガラスでは、熱収縮に対しての効果は大きいが、耐火物や製板条件の変更等、大幅なコスト高となり、トータル的には生産的な寄与は小さい。
【００２７】
ここで、Ｆは個々のガラスの引張応力値である。引張応力の定義としては、厳密には多くの考え方がある。しかし、ここで述べる引張応力とは、一般的な光学的手法、例えばガラス板の断面方向を通過する偏光波の複屈折を測定することにより一義的に求められる引張応力を示している。なお、Ｆは圧縮応力を測定し、その値にある常数例えば、０．５を掛けた値で代表させても良い。
【００２８】
Ｆ０は一定の値であり、ＰＤＰパネルメーカーの設計値である。一般的には、使用予定のガラスにおける引張応力の平均値、パネルメーカーの実験結果、設計ポリシー等から決められる。例えば、あるＦ０をスタートとし、最適のＦ０を実験的かつ理論的に選ぶが、パネル製造時の最大歩留を考慮してパネル設計をすることが多いため、その設計に基づいたＦ０に収束される傾向にある。したがって、Ｆ０は各パネルメーカーで、さらにはパネル製造ライン毎にその値は異なるので、一概に決めることはできない。しかし、前述したように、Ｆ０は引張応力の平均値に近く、０．２〜０．８ＭＰａ程度である。例えば、よく使用されるガラス板厚の２．８ｍｍでは０．４〜０．６ＭＰａ程度、また２．３ｍｍの板厚では０．３〜０．５ＭＰａ程度である。
【００２９】
また、歪点の温度により、ｋの値を変更する上記の電子材料基板用ガラスの製造方法である。従来の概念では、例えば歪点の異なるガラスでもｋの値は一定であると考えられがちであるが、歪点の違いも考慮すべきである。すなわち、歪点の違いは、ガラス構造の違いでもあり、緩和現象も異なる。この点を考慮することにより、無駄な工程を入れる必要がなくなる。
【００３０】
またさらに、歪点が５７０℃以上５８５℃未満の場合のｋは（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、５８５℃以上６００℃未満の場合のｋは（１６０〜１９０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２、６００℃以上６１０℃以下の場合のｋは（１９０〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である上記の電子材料基板用ガラスの製造方法である。
【００３１】
歪点が５７０℃以上５８５℃未満の場合、ｋは（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２とすべきである。１６０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも大きいと、パネルの製造工程において、熱収縮の問題が多発し、１２０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも小さいと生産性が大きく下がることになる。望ましくは、（１４５〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である。
【００３２】
歪点が５８５℃以上６００℃未満の場合、ｋは（１６０〜２００）×１０１３ＰａＫ／ｍ２とすべきである。２００×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも大きいと、パネルの製造工程において、熱収縮の問題が多発し、１６０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも小さいと生産性が大きく下がることになる。望ましくは、（１７０〜１９０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である。
【００３３】
歪点が６００℃以上６１０℃未満の場合、ｋは（２００〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２とすべきである。２２０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも大きいと、パネルの製造工程において、熱収縮の問題が多発し、２００×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも小さいと生産性が大きく下がることになる。望ましくは、（２０５〜２１５）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である。
【００３４】
またさらに、室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋ以上１２０×１０−７／Ｋ以下、及びガラス基板の板厚ｔが２ｍｍ以上３ｍｍ以下である上記の電子材料基板用ガラスの製造方法である。室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋよりも小さいと、パネル組み立て時にクラックが多発し、場合によっては破壊する。室温から５００℃の平均熱膨張係数が１２０×１０−７／Ｋよりも大きい場合も、パネル組み立て時にクラックが多発し、場合によっては破壊するが、変形による問題の方が多い傾向にある。
【００３５】
また、ガラス基板の板厚ｔが２ｍｍよりも小さいと、例えばＰＤＰパネルとする場合に強度不足となり、実際には使用できない。また、ガラス基板の板厚ｔが３ｍｍよりも大きいと、重くなるため、実際には使用しにくい。但し、この板厚については、絶対的なものではなく、ＰＤＰメーカーやユーザーニーズにより、異なることもあり得る。
【００３６】
なお、室温から５００℃の平均熱膨張係数とガラス基板の板厚は、上述したｋの値と密接な関係にあり、本発明の範囲外では別の値となる傾向にある。また、熱膨張係数αは、室温から５００℃の平均熱膨張係数であり、その測定温度域により、値が若干異なるので注意する必要がある。
【００３７】
さらに、歪点が５７０℃以上６１０℃以下のＰＤＰ用ガラス基板において、引張応力をＦ（Ｐａ）、平均引張応力をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が（１２０〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２にある、歪点が５７０℃以上５８５℃未満の電子材料基板用ガラスである。
【００３８】
歪点が５７０℃未満のガラスでは熱収縮量が大きくなる。熱処理を行うことで改善はできるが、ばらつきが大きく、その絶対値も考えると問題は大きい。さらに、本発明で重要な因子の熱膨張係数の値も正確に測定できなくなるので、歪点が５７０℃未満のガラスは除外すべきである。一方、６１０℃を越えたガラスでは、熱収縮に対しての効果は大きいが、耐火物や製板条件の変更等、大幅なコスト高となり、トータル的には生産的な寄与は小さい。
【００３９】
（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値１６０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも大きいと、パネルの製造工程において、熱収縮の問題が多発し、１２０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも小さいと生産性が大きく下がることになる。望ましくは、（１４５〜１６０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である。この条件では、歪点が５７０℃以上５８５℃未満の電子材料基板用ガラスのみが対応できる。歪点が５７０℃未満のガラス又は５８５℃を越えたガラスでは、パネル化の作業時にクラックの発生、さらには破壊が発生することもある。
【００４０】
また、引張応力をＦ（Ｐａ）、平均引張応力をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が（１６０〜２００）×１０１３ＰａＫ／ｍ２にある、歪点が５８５℃以上６００℃未満の電子材料基板用ガラスである。
【００４１】
（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値２００×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも大きいと、パネルの製造工程において、熱収縮の問題が多発し、１６０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも小さいと生産性が大きく下がることになる。この条件では、歪点が５８５℃以上６００℃未満の電子材料基板用ガラスのみが対応できる。歪点が５８５℃未満のガラス又は６００℃を越えたガラスでは、パネル化の作業時にクラックの発生、さらには破壊が発生することもある。
【００４２】
また、引張応力をＦ（Ｐａ）、平均引張応力をＦ０（Ｐａ）、熱膨張係数をα（１／Ｋ）、ガラス基板の板厚をｔ（ｍ）とするとき、（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値が（２００〜２２０）×１０１３ＰａＫ／ｍ２にある、歪点が６００℃以上６１０℃以下の電子材料基板用ガラスである。
【００４３】
（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値２２０×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも大きいと、パネルの製造工程において、熱収縮の問題が多発し、２００×１０１３ＰａＫ／ｍ２よりも小さいと生産性が大きく下がることになる。望ましくは、（２０５〜２１５）×１０１３ＰａＫ／ｍ２である。この条件では、歪点が６００℃以上６１０℃未満の電子材料基板用ガラスのみが対応できる。歪点が６００℃未満のガラス又は６１０℃を越えたガラスでは、パネル化の作業時にクラックの発生、さらには破壊が発生することもある。
【００４４】
さらに、室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋ以上１２０×１０−７／Ｋ以下、及びガラス基板の板厚ｔが２ｍｍ以上３ｍｍ以下である上記の電子材料基板用ガラスである。室温から５００℃の平均熱膨張係数が８０×１０−７／Ｋよりも小さいと、パネル組み立て時にクラックが多発し、場合によっては破壊する。室温から５００℃の平均熱膨張係数が１２０×１０−７／Ｋよりも大きい場合も、パネル組み立て時にクラックが多発し、場合によっては破壊するが、変形による問題の方が多い傾向にある。
【００４５】
また、ガラス基板の板厚ｔが２ｍｍよりも小さいと、例えばＰＤＰパネルとする場合に強度不足から破壊し、実際には使用できない。また、ガラス基板の板厚ｔが３ｍｍよりも大きいと、重くなるため、実際には使用しにくい。但し、この板厚については、絶対的なものではなく、ＰＤＰメーカーやユーザーニーズにより、異なることもあり得る。
【００４６】
なお、室温から５００℃の平均熱膨張係数とガラス基板の板厚は、上述したｋの値と密接な関係にあり、本発明の範囲外では別の値となる傾向にある。
【００４７】
【実施例】
以下、実施例に基づき、説明する。
（実施例１）
歪点６０３℃、室温から５００℃の平均熱膨張係数９０×１０−７／Ｋ、室温でのヤング率７９ＧＰａ、光弾性定数２．５７（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａ、板厚２．８ｍｍのガラス基板をフロート法により成形し、徐冷条件が異なるそれぞれ２枚のガラス板（表１の基板ＮＯ．１〜５）を準備した。
【００４８】
ガラス基板の中央引張応力Ｆは、準備したガラス板から幅約２５ｍｍ、長さ約４０ｍｍのガラス片を切り出し、ガラス断面を幅方向に沿って通過した偏光波の複屈折による光路差を東芝ガラス製東芝精密歪計ＳＶＰ−３０で測定し、以下の式で見積もった。
【００４９】
Ｆ＝Ｂ／ＣＬ  …（２）
ここで、Ｂは光路差、Ｃは光弾性定数、Ｌは偏光波の通過距離である。なお、作製したガラスの引張応力の平均値は０．４６ＭＰａであったので、Ｆ０も同様の値と推定した。
【００５０】
図１に示す熱処理プロファイル（ＰＤＰの製造工程に模した５８０℃、２０分保持）に基づき、作製したガラス基板に熱処理を施し、熱収縮量を測定したところ、平均値は２２５ｐｐｍであった。また、図２に示すように、１枚目のガラス基板Ａには８００ｍｍ間隔で２本の平行な１５μｍ幅のケガキ線を、２枚目のガラス基板Ｂには２２５ｐｐｍ分の熱収縮量を見込んだ８００．１８ｐｐｍ間隔のケガキ線をそれぞれ描いた。その後、ガラス基板Ｂのみ５８０℃、２０分の熱処理をした後、貼り合わせ、ケガキ線の反対側から顕微鏡観察した。このとき、実際にケガキ線が重なっていれば貼り合わせを良、重ならなければ貼り合わせを不良と判断した。
【００５１】
なお、基板ＮＯ．４と５については、それぞれＦの値が０．２９ＭＰａおよび０．６２ＭＰａ（｜Ｆ−Ｆ０｜／（α・ｔ２）＝２４１および２２７×１０１３ＰａＫ／ｍ２）だったので、ガラス基板Ｂにはケガキ線を描く前に図３に示す熱処理を行った。
【００５２】
表１に、中央引張応力（Ｆ）と（Ｆ−Ｆ０）／（α・ｔ２）の絶対値、および貼り合わせの検討結果を示す。いずれの場合も貼り合わせ不良は認められなかった。
【００５３】
【表１】
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【００５４】
（実施例２）
実施例１と同様のガラス組成で板厚が２．３ｍｍの試料を準備した（表１の基板ＮＯ．６から８）。基板ＮＯ．８については、Ｆの値が０．３５ＭＰａ（｜Ｆ−Ｆ０｜／（α・ｔ２）＝２５１×１０１３ＰａＫ／ｍ２）だったので、ガラス基板Ｂにはケガキ線を描く前に図３に示す熱処理を行った。
【００５５】
このガラス板の貼り合わせを実施例１に準じて行った。その結果、貼り合わせ不良は認められなかった。
【００５６】
（実施例３）
歪点が５８３℃、室温から５００℃の平均熱膨張係数９０×１０−７／Ｋ、室温でのヤング率７９ＧＰａ、光弾性定数２．５７（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａで板厚が２．８ｍｍのガラス板を準備した（表１の基板ＮＯ．９〜１１）。
【００５７】
実施例１に準じ、このガラスの熱収縮量を測定したところ、平均値は２６０ｐｐｍであった。そこで、２枚目のガラス基板Ｂは８００．２１ｍｍ間隔のケガキ線とした。基板ＮＯ．１１については、Ｆの値が０．５８ＭＰａ（｜Ｆ−Ｆ０｜／（α・ｔ２）＝１７０×１０１３ＰａＫ／ｍ２）だったので、ガラス基板Ｂにはケガキ線を描く前に図３に示す熱処理を行った。
【００５８】
このガラス板の貼り合わせを実施例１に準じて行った。その結果、貼り合わせ不良は認められなかった。
【００５９】
（実施例４）
歪点が５７３℃、室温から５００℃の平均熱膨張係数９０×１０−７／Ｋ、室温でのヤング率７５ＧＰａ、光弾性定数２．５７（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａで板厚が２．３ｍｍのガラス板を準備した（表１の基板ＮＯ．１２〜１４）。
【００６０】
実施例１に準じ、このガラスの熱収縮量を測定したところ、平均値は３２５ｐｐｍであった。そこで、２枚目のガラス基板Ｂは８００．２６ｍｍ間隔のケガキ線とした。基板ＮＯ．１４については、Ｆの値が０．３８ＭＰａ（｜Ｆ−Ｆ０｜／（α・ｔ２）＝１６８×１０１３ＰａＫ／ｍ２）だったので、ガラス基板Ｂにはケガキ線を描く前に図３に示す熱処理を行った。
【００６１】
このガラス板の貼り合わせを実施例１に準じて行った。その結果、貼り合わせ不良は認められなかった。
【００６２】
（比較例）
上述の基板Ｎｏ．４、５、８、１１、１４とほぼ同様の条件で製造されたガラス板を準備した。ガラス基板Ａの熱処理を行わない他は、ほぼ実施例１〜４に準じ、貼り合わせテストを行った。その結果、いずれの試料とも貼り合わせ不良が認められた。
【００６３】
【発明の効果】
本発明により、熱収縮量及び熱処理のばらつきが小さく、安価で良好な電子材料用基板を製造することができた。また、上述の電子材料基板を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で述べた一般的なＰＤＰ製造工程に準じた熱処理プロファイルを示す概略図である。
【図２】実施例１で述べた貼り合わせの評価方法を示す模式図である。
【図３】実施例１で述べた貼り合わせの不良対策用の熱処理プロファイルを示す概略図である。
【符号の説明】
１    基板Ａ
２    基板Ｂ
３    けがき線
４    貼り合わせた後の基板Ａ及び基板Ｂ
５    一致させた側のけがき線の拡大図
６    測定側のけがき線の拡大図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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