(57)【要約】      （修正有）【課題】適用可能性を最大限に広げると共に不都合で願わしくない副作用の発生を最小限にとどめると共に、周辺の妨害信号を抑制する。【解決手段】磁気共鳴断層撮影磁場の均一範囲（ＦＯＶ）において高周波励起パルスの励起スライスおよび高周波リフォーカスパルスのリフォーカススライスは重なり合い、磁気共鳴断層撮影磁場の不均一範囲において高周波励起パルスの励起スライスおよび高周波リフォーカスパルスのリフォーカススライスは位置的に分離され、それにより不均一範囲におけるエコー信号が回避されるように、高周波励起パルスの中心周波数（ω１）およびバンド幅（Δω１）は高周波リフォーカスパルスの中心周波数（ω２）およびバンド幅（Δω２）と異なり、かつ高周波励起パルス期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場の振幅（ｇ１）は高周波リフォーカスパルス期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場の振幅（ｇ２）と異なる。【選択図】図４Ａ
2005040612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波励起パルス、高周波リフォーカスパルス、スライス選択傾斜磁場パルス、位相エンコード傾斜磁場パルスおよび読出し傾斜磁場パルスを有するスピンエコーシーケンスを用いた磁気共鳴断層撮影における周辺の妨害信号の回避方法において、
磁気共鳴断層撮影磁場の均一範囲（ＦＯＶ）では高周波励起パルスの励起スライスおよび高周波リフォーカスパルスのリフォーカススライスは重なり合い、磁気共鳴断層撮影磁場の不均一範囲では高周波励起パルスの励起スライスおよび高周波リフォーカスパルスのリフォーカススライスは位置的に分離され、それにより不均一範囲におけるエコー信号が回避されるように、高周波励起パルスの中心周波数（ω１）およびバンド幅（Δω１）は高周波リフォーカスパルスの中心周波数（ω２）およびバンド幅（Δω２）と異なり、かつ高周波励起パルスの期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場の振幅（ｇ１）は高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場の振幅（ｇ２）と異なることを特徴とするスピンエコーシーケンスを用いた磁気共鳴断層撮影における周辺の妨害信号の回避方法。
【請求項２】
高周波励起パルスの中心周波数（ω１）、バンド幅（Δω１）および振幅並びに高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ１）の振幅（ｇ１）が高められると同時に、高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の継続時間が高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の継続時間に比べて低減されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
高周波パルス並びにスライス選択傾斜磁場パルスの全継続時間は維持され、高周波励起パルスの中心周波数（ω１）、バンド幅（Δω１）および振幅が高められると同時に、高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ１）の振幅（ｇ１）が高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ２）の振幅（ｇ２）に比べて高められることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
高周波励起パルスの他の副次的放射が付け加えられることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の方法。
【請求項５】
高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ１）の振幅（ｇ１）と、高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ２）の振幅（ｇ２）との相異が関係式ｇ２＝（１＋ε）ｇ１によって数学的に表わされ、トランスバース方向のスライス選択の場合に、相異係数εが次の不等式
ε＞１／｛（Ｒ−ｒ）／ｄ−１／２｝
（但し、ＲはＦＯＶの半径、ｒはＦＯＶ内で励起されたスライスのスライス位置、ｄはＦＯＶ内で励起されたトランスバース方向スライスのスライス厚である）
に基づいて算定されることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の方法。
【請求項６】
高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ１）の振幅（ｇ１）と、高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場（ＧＳ２）の振幅（ｇ２）との相異が関係式ｇ２＝（１＋ε）ｇ１によって数学的に表わされ、サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択の場合に、相異係数εが次の不等式
ε＞１／（−ｒ／ｄ−１／２）
（但し、ｒはＦＯＶ内で励起されたスライスのスライス位置、ｄはＦＯＶ内で励起されたサジタルもしくはコロナル方向スライスのスライス厚である）
に基づいて算定されることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の方法。
【請求項７】
傾斜磁場コイル（３）を備えた傾斜磁場増幅器、入力表示端末装置（２１）、シーケンス制御部（１８）および装置コンピュータ（２０）、並びにアナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）を有する請求項１乃至６の１つに記載の方法を実施するのに適した磁気共鳴断層撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、医学の分野において被検者の検査に適用される核スピン断層撮影（磁気共鳴断層撮影と同義語であるので、以下では磁気共鳴断層撮影または略してＭＲＴとも呼ぶ。）に関する。特に、本発明はスピンエコー画像における例えば二義性アーチファクトの如き周辺の妨害信号の回避方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＲＴは核スピン共鳴の物理現象を基礎とし、画像形成方法として１５年以上前から医学や生物物理学の分野で成功裡に使用されている。この検査方法では、被検体は強力な一定磁場に曝される。これによってそれまで無規則に配列されていた被検体内の原子核スピンが整列する。高周波はこの「整列した」核スピンを励起して振動を起こさせる。ＭＲＴで、この振動は適当な受信コイルにより受信される本来の測定信号を形成する。傾斜磁場コイルで作られた非均一な磁場を使用することによって、被検体は、ＦＯＶ（＝Ｆｉｅｌｄ  ｏｆ  Ｖｉｅｗ，撮像視野）と呼ばれるその都度の関心領域において、３つの全空間方向に空間的にコード化され、これは一般に「位置エンコーディング」と呼ばれる。
【０００３】
ＭＲＴにおけるデータ取得は、いわゆるｋ空間（同義語：周波数空間）において行なわれる。いわゆる画像空間内のＭＲＴ画像はフーリエ変換によってｋ空間内のＭＲＴデータと結び付けられる。ｋ空間を広げる被検体の位置エンコーディングは３つの全空間方向における傾斜磁場によって行なわれる。その場合、スライス選択（被検体における撮影断層を定め、通常はｚ軸である）と、周波数エンコーディング（その断層における１つの方向を定め、通常はｘ軸である）と、位相エンコーディング（その断層内における第２の次元を定め、通常はｙ軸である）とが区別される。
【０００４】
従って、まず、スライス選択傾斜磁場ＧＳもしくはＧＺによって、選択的に例えばｚ方向における１つのスライスが励起される。そのスライスにおける位置情報のコード化は、既述の２つの直交する傾斜磁場ＧＲ，ＧＰにより、位相エンコーディングと周波数エンコーディングとの組み合わせによって行なわれる。両傾斜磁場ＧＲ，ＧＰは、ｚ方向に励起されるスライスの例の場合、ｘ方向およびｙ方向における同様に既述の傾斜磁場コイルによって発生される。
【０００５】
ＭＲＴ実験においてデータを取得できる形式が図２Ａおよび図２Ｂに示されている。使用されたシーケンスはスピンエコーシーケンスである。スピンエコーシーケンスにおいては、（定められた振幅およびバンド幅を有する）９０°励起パルスによって、ｘ−ｙ平面へのスピンの磁化が行われる。時間の経過と共に、ｘ−ｙ平面における横磁化Ｍｘｙを共同で形成する磁化成分のディフェージングが生じる。ある時間（例えばエコー時間ＴＥの１／２）後に、（同様に定められた振幅およびバンド幅を有する）１８０°パルスがｘ−ｙ平面において投射される。その結果、個々の磁化成分の歳差運動方向および歳差運動速度が変化させられることなしに、ディフェージングした磁化成分が表れる。更なる時間ＴＥ／２の後に磁化成分が再び同じ方向を指し示す。すなわち、相応に読み出されて収集される横磁化の「リフェージング」と呼ばれる再生が起きる。横磁化の完全な再生はスピンエコーと呼ばれる。
【０００６】
被検体のスライス全体を測定するために、画像形成シーケンスは、位相エンコード傾斜磁場ＧＰもしくはＧＹの種々の値に対してＮ回繰り返される。その場合、核共鳴信号（スピンエコー信号）の周波数が、各シーケンス通過時に読出し傾斜磁場ＧＲもしくはＧＸの存在のもとで、Δｔクロックで動作するＡＤＣ（アナログディジタル変換器）によって等間隔の時間ステップΔｔでＮ回走査され、ディジタル化され、保存される。このようにして図２Ｂに従って１行ずつ作られたＮ×Ｎ個のデータ点を有する行マトリックス（ｋ空間におけるマトリックスつまりｋマトリックス）が得られる。Ｎ×Ｎ個の点を有する対称マトリックスは一例にすぎず、非対称のマトリックスを作成することもできる。このデータセットからフーリエ変換によって直接にＮ×Ｎピクセルの分解能で観察断層のＭＲ画像を再構成することができる。
【０００７】
ｋマトリックス（マルチスライス撮影の場合は複数のｋマトリックス）の走査は、診断上有用な画質を有するスピンエコーシーケンスの場合、数分の測定時間を必要とし、このことは多くの臨床上の適用にとって問題である。例えば、患者は必要な時間にわたって動かずにじっとしていることができない。胸部または骨盤範囲における検査の場合、人体構造物の運動（心臓運動、呼吸運動、蠕動）は一般に不可避である。スピンエコーシーケンスの高速化手法が１９８６年にターボスピンエコーシーケンス（ＴＳＥシーケンス）として、もしくは英語の頭文字でＲＡＲＥ（Ｒａｐｉｄ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ）として発表された（非特許文献１参照）。上述の従来のスピンエコーシーケンスに比べて遥かに高速であるこの画像形成法は９０°励起パルスの後に多数の多重エコーが発生され、これらの各エコーは個々に位相エンコードされている。相応のシーケンスチャートが、図３Ａにおいて、それぞれ７つのエコーが発生される場合について示されている。各エコーの前後に、選択されるべきフーリエ行に応じて位相エンコード傾斜磁場が投入されなければならない。このようにして、唯一の高周波励起パルス（９０°）の後に図３Ｂに示されているようにｋマトリックスの行状走査が行なわれる。必要な全測定時間はこの例では１／７に短縮される。図３Ａにおける信号経過は理想化されて示されている。実際には後の方のエコーは横磁化のＴ２緩和によっていっそう小さくなる振幅を有する。Ｔ２は横緩和時間である。
【０００８】
更に高速の画像形成シーケンスは、１９９４年に所謂ＨＡＳＴＥシーケンス（Ｈａｌｆ−Ｆｏｕｒｉｅｒ−Ａｃｑｕｉｒｅｄ−Ｓｉｎｇｌｅ−Ｓｈｏｔ−Ｔｕｒｂｏ−Ｓｐｉｎ−Ｅｃｈｏ）として発表されたＲＡＲＥと半フーリエ技術との組み合わせである（非特許文献２参照）。ＨＡＳＴＥはＲＡＲＥと同じ基礎技術を使用するが、しかしｋマトリックスの一方の半分だけが走査される。ｋマトリックスの他方の半分は計算上において半フーリエアルゴリズムにより再構成される。その場合、ｋマトリックスのデータ点がｋマトリックスの中心点に対して鏡面対称に配置されているという事実を利用する。この理由から、ｋマトリックスの半分のデータ点だけを測定し、生データマトリックスを中心点における鏡面反射手法（および複雑な結合）により計算上完全なものにすることで十分である。このようにして、測定時間を半減することができる。勿論、撮影時間の低減は信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ）の√２倍の悪化につながる。
【０００９】
スピンエコーシーケンス（ＳＥシーケンス）の場合、一般に、高周波パルスによる高周波励起の期間中における共振条件がＦＯＶ（静磁場の均一性並びに傾斜磁場の直線性によって表わされる画像視野）内だけでなく、ＦＯＶの不均一なエッジ範囲でも与えられているという問題が存在する。従って、ＭＲＴ装置のエッジ範囲における実際の静磁場の不均一性および傾斜磁場の非直線性によって、定められた磁場強度に対する各空間点の可逆的に一義的な対応付けの原理が損なわれる。これは、不均一範囲の一般には障害となる画像が本来の測定フィールドの画像にアーチファクトの形で重畳されることを意味する。この望ましくないアーチファクトは「二義性アーチファクト（又は曖昧アーチファクト）」と呼ばれ、特にスピンエコーシーケンスの場合にはスピンリフォーカスにより顕著に生じる。「二義性アーチファクト」は、静磁場磁石のｚ方向における広がりが短いほど発生する確率が高い。従って、磁石を短くする傾向にある将来的なＭＲＴシステムでは、この問題点が先鋭化し、このアーチファクトの従来の抑制手段ではもはや解決できない。
【００１０】
この類のアーチファクトを低減するための従来の方策は、一方ではハードウェア手段にあり、他方ではパルスシーケンスの変更にある。
【００１１】
高周波システムにおけるハードウェア手段は、所定の磁石および傾斜磁場の設計において磁場二義性（又は磁場曖昧性）を有する空間位置を有効ボリュームの外側に定めることにある。高周波コイルの構造は、著しいアーチファクトが生じないように、コイルの臨界的な空間位置ではコイル感度を十分に最小限に減らされるべきであるという制限を必要とする。勿論、高周波磁場分布は任意には形成できない。つまり、願わしくない副作用として、有効ボリューム内部にも画質を害する高周波磁場不均一性が生じるからである。
【００１２】
将来的なＭＲ装置の設計時における重点は、より短い磁石、広大化および最大限の患者アクセス性（例えば非侵襲のため）である。このような磁石ジオメトリでは、従来のハードウェア手段が役立たないほど、空間と磁場との必要なかつ可逆的に一義的な対応付けが損なわれ、その結果として生じるアーチファクト問題が重大となる。従って、大きな直径を有する短い磁石の場合、有用な高周波コイル設計の見通しがつかない。
【００１３】
困った状態（ここでは、均一でない磁場経過）の直接的な回避は原理的もしくは技術的な限界にぶつかるか、あるいは製品の経済性を危うくする過大な費用を必要とする場合、パルスシーケンスの変更（シーケンス作成時の新しい方法）はしばしば唯一の実行可能な解決策となる。
【００１４】
パルスシーケンスの変更の実施可能な形式は、付加的ないわゆる予備パルスの投入もしくは投射によるアーチファクト抑制を生じさせることにある（特許文献１参照）。この方法の欠点は、時間的な能力が明白に低下することと、予備コイルによる信号成分の寄生スピンエコーの形での他の画質問題が同時に発生することにある。
【００１５】
パルスシーケンスの変更の他の形式は、高周波励起パルスと高周波リフォーカスパルスとの選択傾斜磁場の極性反転によりアーチファクト抑制を行なうことによって実現される（特許文献２参照）。ＳＥシーケンスの従来のスライス励起と違って、スライス励起の期間中に（９０°）高周波パルスによって投入されるスライス選択傾斜磁場が、（１８０°）リフォーカスパルスの期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場と比べて、符号つまり極性を逆にされる。これによって、（９０°）高周波パルスおよび（１８０°）リフォーカスパルスの誤選択が、重なり合わない異なった範囲における位置空間において生じる。このようにすれば障害となるエコー信号が形成されない。勿論、この方法は、高周波パルスと傾斜磁場パルスとの正確な同時並走およびシステムシミングに対して技術的に高度の要求をするという欠点を有する。更に、種々の化学成分（例えば脂肪および水）の同時表示が可能であるにしても、そのためには顕著な信号損失をともなう。
【特許文献１】米国特許第６４８６６６８号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００２／０１０１２３７号明細書
【非特許文献１】Ｊ．Ｈｅｎｎｉｇ  ｅｔ  ａｌ．  Ｍａｇｎ．Ｒｅｓｏｎ．  Ｍｅｄ．３，８２３−８３３，１９８６
【非特許文献２】Ｂ．Ｋｉｅｆｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｒｅｓｏｎ．Ｉｍａｇｉｎｇ，４（Ｐ），８６，１９９４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
従って、本発明の課題は、新しい画像形成方法を提供すること、もしくはスピンエコーシーケンスの枠内において、適用可能性を最大限に広げると共に不都合で願わしくない副作用の発生を最小限にとどめると同時に、周辺の妨害信号（例えば二義性アーチファクト）を抑制するようにパルスシーケンスの変更を行なうことにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この課題は本発明によれば請求項１の特徴事項によって解決される。請求項２以降は本発明の中心思想を特に有利に展開する。
【００１８】
本発明は、高周波励起パルス、高周波リフォーカスパルス、スライス選択傾斜磁場パルス、位相エンコード傾斜磁場パルスおよび読出し傾斜磁場パルスを有するスピンエコーシーケンスを用いた磁気共鳴断層撮影法における周辺の妨害信号の回避方法において、磁気共鳴断層撮影磁場の均一範囲（ＦＯＶ）では高周波励起パルスの励起スライスおよび高周波リフォーカスパルスのリフォーカススライスは重なり合い、磁気共鳴断層撮影磁場の不均一範囲では高周波励起パルスの励起スライスおよび高周波リフォーカスパルスのリフォーカススライスは位置的に分離され、それにより不均一範囲におけるエコー信号が回避されるように、高周波励起パルスの中心周波数およびバンド幅は高周波リフォーカスパルスの中心周波数およびバンド幅と異なり、かつ高周波励起パルスの期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場の振幅は高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されるスライス選択傾斜磁場の振幅と異なることを特徴とする。
【００１９】
本発明による方法の第１の実施可能な構成において、高周波励起パルスの中心周波数、バンド幅および振幅並びに高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の振幅が高められると同時に、高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の継続時間が高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の継続時間に比べて相応に低減される。
【００２０】
本発明による方法の第２の実施可能な構成において、高周波パルス並びにスライス選択傾斜磁場パルスの全継続時間は維持され、高周波励起パルスの中心周波数、バンド幅および振幅が高められると同時に、高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の振幅が高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の振幅に比べて高められる。
【００２１】
高周波励起パルスの変えられない全持続時間は、高周波励起パルスの他の副次的放射が付け加えられることによって、励起されたスライスにおけるスライス輪郭の改善のために有利に利用される。
【００２２】
トランスバース方向のスライス選択の場合（ＧＳ＝ＧＺ）にも、サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択の場合（ＧＳ≠ＧＺ）にも、スライス選択傾斜磁場振幅の最小限の相異を相異係数の形で算定することができる。
【００２３】
高周波励起パルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の振幅ｇ１と、高周波リフォーカスパルスの期間中に投入されたスライス選択傾斜磁場の振幅ｇ２との相異が関係式ｇ２＝（１＋ε）ｇ１によって数学的に表わされ、トランスバース方向のスライス選択の場合に、相異係数εが次の不等式
ε＞１／｛（Ｒ−ｒ）／ｄ−１／２｝
に基づいて算定される。但し、ＲはＦＯＶの半径、ｒはＦＯＶ内で励起されたスライスのスライス位置、ｄはＦＯＶ内で励起されたトランスバース方向スライスのスライス厚である。
【００２４】
サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択の場合に、相異係数εが次の不等式
ε＞１／（−ｒ／ｄ−１／２）
に基づいて算定される。但し、ｒはＦＯＶ内で励起されたスライスのスライス位置、ｄはＦＯＶ内で励起されたサジタルもしくはコロナル方向スライスのスライス厚である。
【００２５】
さらに、上述の方法を実施するのに適した本発明による磁気共鳴断層撮影装置は、傾斜磁場コイルを備えた傾斜磁場増幅器、入力表示端末装置、シーケンス制御部および装置コンピュータ、並びにアナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、添付図面を参照しながら、実施例に基づいて、本発明の他の利点、特徴および特性を更に詳細に説明する。
図１は、磁気共鳴断層撮影装置を概略的に示す。
図２Ａは、公知のスピンエコーシーケンスにおける傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過を概略的に示す。
図２Ｂは、図２Ａによるスピンエコーシーケンスによるｋマトリックスの時間的走査を概略的に示す。
図３Ａは、７個のスピンエコーの場合における公知のターボスピンエコーシーケンス（ＴＳＥシーケンスもしくはＲＡＲＥシーケンス）の傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過を概略的に示す。
図３Ｂは、図３ＡによるＴＳＥシーケンスもしくはＲＡＲＥシーケンスにおけるｋマトリックスの時間的走査を概略的に示す。
図４Ａは、本発明により変更された第１のＳＥシーケンスにおける高周波パルスおよび傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過を概略的に示す。
図４Ｂは、本発明により変更された第２のＳＥシーケンスにおける高周波パルスおよび傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過を概略的に示す。
図５Ａは、同一の選択傾斜磁場強度を有する場合（左側）と、僅かながらも十分に異なる選択傾斜磁場強度を有する場合（右側）とのトランスバース方向のスライス選択時におけるｚ方向の磁場状態を概略的に示す。
図５Ｂは、二義性アーチファクトの発生をともなう図５Ａの状態による場合（左側の図）と、二義性アーチファクトが本発明によって抑制されている図５Ａの状態による場合（右側の図）とのトランスバース方向のスライス方位におけるマルチスライス測定の重ね合わされたトータル画像を概略的に示す。
図６Ａは、同一の選択傾斜磁場強度を有する場合（左側）と、僅かながらも十分に異なる選択傾斜磁場強度を有する場合（右側）とのサジタルもしくはコロナル方向のスライス選択時におけるｚ方向の磁場状態を概略的に示す。
図６Ｂは、二義性アーチファクトの発生をともなう図６Ａの状態による場合（左側の図）と、二義性アーチファクトが本発明によって抑制されている図６Ａの状態による場合（右側の図）とのサジタルもしくはコロナル方向のスライス方位におけるマルチスライス測定の重ね合わされたトータル画像を概略的に示す。
図７Ａは、本発明による僅かながらも十分に異なる２つのスライス選択傾斜磁場の場合におけるトランスバース方向のスライス選択のための簡単化された磁場モデルを概略的に示す（左側に静磁場および傾斜磁場、右側に全磁場）。
図７Ｂは、トランスバース方向のスライス選択時における異なるスライス厚について、ＦＯＶ中心からの距離に依存したパラメータεの曲線群を概略的に示す。
図８Ａは、サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択時における静磁場磁石の簡単化された磁場モデル（左側）と、本発明による僅かながらも十分に異なるスライス選択傾斜磁場の場合におけるＦＯＶの外側での寄生のスライス選択を考慮した簡単化された磁場モデル（右側）とを概略的に示す。
図８Ｂは、サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択時における異なるスライス厚について、ＦＯＶ中心からの距離に依存したパラメータεの曲線群を示す。
【００２７】
図１は本発明による傾斜磁場パルス発生のための核スピン断層撮影装置（磁気共鳴断層撮影装置）の概略図を示す。この核スピン断層撮影装置の構成は従来の断層撮影装置の構成に相当する。静磁場磁石１は、例えば人体の検査部位の如き被検体の検査範囲における核スピンの偏極もしくは整列のために時間的に一定の強い磁場を発生する。核スピン共鳴測定に必要な静磁場の高い均一性は、人体の検査部位が挿入される球形の測定ボリュームＭ内に規定されている。均一性要求を援助するために、とりわけ時間的に変化しない影響を除去するために、適当な個所に強磁性材料からなる所謂シム板が取付けられる。時間的に変化する影響はシム電源１５によって駆動されるシムコイル２によって除去される。
【００２８】
静磁場磁石１の中には、３つの部分巻線からなる円筒状の傾斜磁場コイルシステム３が挿入されている。各部分巻線は、直交座標系のそれぞれの方向に直線状の傾斜磁場を発生するための電流を増幅器１４から供給される。傾斜磁場コイルシステム３の第１の部分巻線はｘ方向への傾斜磁場Ｇｘを発生し、第２の部分巻線はｙ方向への傾斜磁場Ｇｙを発生し、第３の部分巻線はｚ方向への傾斜磁場Ｇｚを発生する。各増幅器１４は、傾斜磁場パルスを時間正しく発生させるためにシーケンス制御部１８によって制御されるディジタル・アナログ変換器ＤＡＣからなる。
【００２９】
傾斜磁場コイルシステム３内には高周波アンテナ４がある。高周波アンテナ４は、高周波電力増幅器３０から送出される高周波パルスを、被検体つまり被検体の検査範囲の核の励起および核スピンの整列のための交番磁場に変換する。高周波アンテナ４によって、歳差運動をする核スピンから出る交番磁場、すなわち一般には１つまたは複数の高周波パルスおよび１つまたは複数の傾斜磁場パルスから成るパルスシーケンスによって惹き起こされた核スピンエコー信号を電圧に変換することも行なわれ、この電圧は増幅器７を介して高周波システム２２の高周波受信チャンネル８に導かれる。高周波システム２２は更に送信チャンネル９を含み、この送信チャンネル９において核磁気共鳴の励起のための高周波パルスが作成される。その都度の高周波パルスは装置コンピュータ２０からシーケンス制御部１８へ予め与えられるパルスシーケンスに基づいてディジタルで複素数セットとして表示される。この複素数セットは実数部および虚数部としてそれぞれ入力端１２を介して高周波システム２２内のディジタル・アナログ変換器ＤＡＣに供給され、そしてディジタル・アナログ変換器ＤＡＣから送信チャンネル９に供給される。送信チャンネル９においては、パルスシーケンスが高周波キャリア信号に変調される。高周波キャリア信号は測定ボリューム内の核スピンの共鳴周波数に相当する基本周波数を有する。
【００３０】
送信作動から受信作動への切換は送受信切換器６を介して行なわれる。高周波アンテナ４は核スピンの励起のための高周波パルスを測定ボリュームＭへ投射し、かつ、その結果として生じるエコー信号を走査する。このようにして得られた核共鳴信号は高周波システム２２の受信チャンネル８において位相敏感に復調され、それぞれのアナログ・ディジタル変換器ＡＤＣを介して測定信号の実数部および虚数部に変換される。画像コンピュータ１７によって、そのようにして得られた測定データから画像が再構成される。測定データ、画像データおよび制御プログラムの管理は装置コンピュータ２０を介して行なわれる。制御プログラムを予め与えられることにより、シーケンス制御部１８はその都度の所望のパルスシーケンスの発生およびｋ空間の相応の走査を制御する。シーケンス制御部１８は、特に、傾斜磁場の時間正しいスイッチング（投入）と、定められた位相および振幅を持った高周波パルスの送出と、核共鳴信号の受信とを制御する。高周波システム２２およびシーケンス制御部１８のための時間基準にシンセサイザー１９が使用される。核スピン画像の作成のための相応の制御プログラムの選択および作成された核スピン画像の表示は、キーボードおよび１つまたは複数の画面を含む端末装置２１を介して行なわれる。
【００３１】
本発明は、スピンエコーシーケンスにおける新しい高周波励起方式を創出することにある。ここに極めて大きな商業的需要が存在する。なぜならば、全ての画像形成経過の大部分がこのシーケンス型式に基づいており、同時に二義性アーチファクトがスピンリフォーカスの結果として顕著に生じるからである。本発明は周辺的なシーケンス変更だけで極めて効果的なアーチファクト抑制を保証する方式に関する。本発明によるシーケンス経過はシーケンス制御部１８もしくは装置コンピュータ２０内で発生される。画像再構成も装置コンピュータ２０内で行なわれる。
【００３２】
原理的に本発明思想を説明すると次のとおりである。スピンエコーの発生のために少なくとも２つのスライス選択過程が必要である。通常のやり方に反して、両スライス選択過程は、同じように構成されるではなく、ＦＯＶ（「有効ボリューム」とも呼ばれる。）の外側における誤選択ボリュームを空間的に分離するという意図をもって、むしろ選択傾斜磁場強度および高周波パルスのバンド幅に関して異なるよう構成される。ＦＯＶ内における選択は、同じ位置（同じスライス）における高周波励起パルスおよび高周波リフォーカスパルスの中心周波数ω１，ω２およびバンド幅Δω１，Δω２の適切な選定によって行なわれ、従来と同様にこのスライスから所望のエコー信号の収集を生じるもしくは可能にする。誤選択されたボリューム（寄生励起）の空間的な分離によって（ω１，ω２，Δω１，Δω２並びに高周波励起パルスの期間中のスライス選択傾斜磁場ＧＳ１と高周波リフォーカスパルスの期間中のスライス選択傾斜磁場ＧＳ２との異なる振幅ｇ１，ｇ２の選定に基づいて、図５Ａおよび図６Ａ）、不均一範囲におけるエコー信号の形成が無に帰せしめられ、そして画像における二義性アーチファクトが抑制される。シーケンス開始時の高周波スピン励起（９０°パルス）は、選択傾斜磁場強度および高周波パルスのバンド幅が僅かに（２０％〜３０％）高められるように変更されると好ましい。
【００３３】
広範な適用可能性および願わしくない副作用の最小化を保証するように、相違はできるだけ僅かに選ばれる。このように考慮すべき副作用は、特に化学シフトおよびＳＡＲ（ＳＡＲ＝Ｓｐｅｃｉｆｉｃ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｓ−Ｒａｔｅ，比吸収率）の視点である。
【００３４】
３．４ｐｐｍの化学的な脂肪−水シフトによって、脂肪および水についてのスライス位置が常に異なる。両化学的成分のそれぞれについて、選択傾斜磁場強度が変化しない場合にのみ、励起輪郭および全てのリフォーカス輪郭は完全に等しい。厳密に言えば、このことは以下に紹介されているシーケンス設計の場合もはや当てはまらないが、しかし、選択輪郭の相互のずれがほんの僅かであることから、異なる化学的成分の信号損失は数パーセントに限定され、従って些細である。
【００３５】
スライス厚もしくは投影厚（英語：ｓｌａｂ、スラブ）が増大すると、有効ボリュームの外側における誤選択ボリュームの完全分離は、選択傾斜磁場強度および高周波パルスのバンド幅においてそれ相応に大きな相違を必要する。高周波パルスのバンド幅の利用可能な余裕は、一方（上限）では使用できる高周波出力およびＳＡＲ視点によって、他方（下限）では例えばエコー時間および繰返し時間でのシーケンスの減少するタイムパフォーマンスによって制限される。十分になおも実施可能な例えば１００％の相違で、本発明によるシーケンス変更によれば、取立てて言うほどのアーチファクト形成なしに、スライス厚もしくは投影厚を約１００ｍｍまで調整することができる。
【００３６】
次に、本発明を２つの可能な実施例（図４Ａおよび図４Ｂ）に基づいて説明する。
【００３７】
図４Ａおよび図４Ｂのシーケンスチャートの上方部分は従来のＳＥシーケンスを示す。最上行には、送信モードＴＸにおいて、中心周波数ωおよびバンド幅Δωを有する最初のα励起パルス（高周波パルスであり、αは一般に９０°である。）が示され、一方同時に正のスライス選択傾斜磁場ＧＳ１が投入される。高周波励起パルスの後、スライス選択傾斜磁場は反転される。その反転期間中に、一方では読出し傾斜磁場ＧＲ投入され、他方では位相エンコード傾斜磁場ＧＰによる位相エンコーディングが行われる。続いて、スライス選択傾斜磁場ＧＳ２による第２のスライス励起と同時に１８０°リフォーカスパルスによるリフォーカスが行なわれる。従来のＳＥシーケンスの場合、両スライス選択傾斜磁場ＧＳ１，ＧＳ２は等しい振幅を持つ。ＭＲＴシステムの後続の受信モードＲＸにおいてエコー時間ＴＥの後に読出し傾斜磁場ＧＲの投入によってＭＲエコー信号を収集できるようにするためには、１８０°リフォーカスパルスの中心周波数およびバンド幅を高周波励起パルスの中心周波数ωおよびバンド幅Δωに等しく選定することが必要である。このことについては後で更に他の図に基づいて正確に説明する。
【００３８】
本発明によるシーケンスは変更されたスピンエコーシーケンス（ＳＥシーケンス）である。変更点は、高周波励起パルス（αパルス）、高周波リフォーカスパルス（１８０°パルス）およびスライス選択傾斜磁場（ＧＳ）のパラメータを、ＦＯＶ内で従来と同じく１つのスライスが励起され、このスライスからスピンエコーが収集され、ＦＯＶの外側における両高周波パルスの寄生励起がもちろん位置的に分離され、それによりスピンエコーを生じないように変更することである。
【００３９】
本発明の実施可能な第１の実施形態（図４Ａ）では、例えば両高周波パルスの振幅、中心周波数およびバンド幅が変えられることによってパラメータ変更が行なわれる。同時にスライス選択傾斜磁場ＧＳ１，ＧＳ２の継続時間および振幅が相応に変えられる。図４Ａによればαパルスは時間的に見て圧縮され、その振幅は大きくされる。αパルスは中心周波数ω１およびバンド幅Δω１を有する。１８０°パルスは中心周波数ω２およびバンド幅Δω２を持つ。第１のスライス選択傾斜磁場ＧＳ１は短縮され、その振幅ｇ１は第２のスライス選択傾斜磁場ＧＳ２の振幅ｇ２よりも大きくされる。
【００４０】
本発明の実施可能な第２の実施形態（図４Ｂ）では、例えばαパルスおよび第１のスライス選択傾斜磁場ＧＳ１の全継続時間が等しく保たれることによってパラメータ変更が行なわれる。ＧＳ１のパルス振幅ｇ１はＧＳ２のパルス振幅ｇ２に比べて大きくされる。αパルスは時間的に見て圧縮されるが、しかし、励起パルスのｓｉｎｃ関数のような関数の他の副次的放射（英語：Ｓｉｄｅ  ｌｏｂｅｓ、副ローブ）が改善されたスライス輪郭の副次的な作用とともに付加されることによって、元のパルス継続時間が維持される。これは、ＳＡＲ値に対して最小限にしか影響しない。というのは、この場合には変えられないリフォーカスパルスが支配的であるからである。中心周波数ω１，ω２並びにバンド幅Δω１，Δω２は相応に変えられ、相応に互いに同調させられる。
【００４１】
図５Ａおよび図６Ａ（それぞれの左側の図）は従来のスピンエコーシーケンスにおけるＦＯＶ内側もしくは外側における所望のもしくは寄生のスライス励起を示す。人間の体形および患者の通常の横臥に基づいて、とりわけ体軸方向（ｚ方向）における磁場二義性（又は磁場曖昧性）が生じる。これは、スライス選択がＺ方向傾斜磁場（トランスバース方向のスライス）で行なわれるのか、それともＺ方向傾斜磁場なし（サジタルおよびコロナル方向のスライス）で行なわれるのかの差異をもたらす。図５Ａはトランスバース方向のスライス選択（ＧＳ＝ＧＺ）を示し、図６Ａはサジタルもしくはコロナル方向のスライス選択（ＧＳ≠ＧＺ）を示す。
【００４２】
トランスバース方向のスライス励起の場合（図５Ａ）、スライス選択傾斜磁場ＧＳ（＝ＧＺ）がＦＯＶの範囲内で先ず直線的に経過する。引き続く急な磁場低下は静磁場の不均一性に基づくと共に傾斜磁場の非線形性にも基づいており、寄生励起を引き起こす。
【００４３】
サジタルもしくはコロナル方向のスライス励起の場合（図６Ａ）、ｚ方向のスライス選択傾斜磁場は存在しない。それにもかかわらずＦＯＶの外側における静磁場の急低下に基づいて寄生励起が生じる。
【００４４】
結局、これは、従来の２Ｄスピンエコーによる測定の場合には、トランスバース方向のスライス方位およびサジタルもしくはコロナル方向のスライス方位における二義性アーチファクトが画像の種々の個所に現われるという現象をもたらす。この状況が、図５Ｂおよび図６Ｂに、従来の２Ｄスピンエコーによるマルチスライス測定のトータル画像が重ね合わされることによって示されている。図５Ｂ（左側）はトランスバース方向のスライス方位における二義性アーチファクトを示し、図６Ｂ（左側）はサジタルもしくはコロナル方向のスライス方位における二義性アーチファクトを示す。更に信号発生中および信号検出中における異なる磁場状態を考慮する場合、画像におけるアーチファクトがその都度のスライス位置に依存して異なって発生することが明らかである。最後に述べた状況は画像におけるアーチファクトの位置に影響するが、他の過程では深く掘り下げることはしない。なぜならば、本発明の考察は専らスライス選択プロセスに関するからである。
【００４５】
上述したように（図４Ａおよび図４Ｂの説明）、スライス選択は、同一でない選択傾斜磁場強度で、すなわち、少なくとも次の関係を有する第１の傾斜磁場強度ｇ１および第２の傾斜磁場強度ｇ２を用いて行なわれる。
ｇ２＝（１＋ε）ｇ１                            （１）
【００４６】
通常のスピンエコーシーケンスはε＝０を使用する。ε＝−２の場合は上述に相当し、従来技術において既に適用されたシーケンス変更である（選択傾斜磁場における極性反転）。本発明では、ε＞０を選択した場合に有利なシーケンス特性が示される。
【００４７】
定められたスライスの励起時およびリフォーカス時における高周波パルスの中心周波数ωおよびバンド幅Δωは、もちろんすべて次式のとおり所望のスライス位置ｒおよびスライス厚ｄによって与えられている同じ位置範囲に作用しなければならない。
ω１＝γｇ１ｒ                                  （２ａ）
ω２＝γｇ２ｒ＝（１＋ε）ω１                    （２ｂ）
Δω１＝γｇ１ｄ                                （３ａ）
Δω２＝γｇ２ｄ＝（１＋ε）Δω１                （３ｂ）
【００４８】
図５Ａは、在来のトランスバース方向のスライス励起の場合（左側の図）と、励起およびリフォーカスに関する異なる選択傾斜磁場強度におけるトランスバース方向のスライス選択の場合（右側の図）とを対比している。右側の図は、二義性アーチファクト形成のない僅かにではあるがしかし十分に異なる選択傾斜磁場強度（ｇ２＝（１＋ε）ｇ１）を示す。
【００４９】
図５Ｂは、図５Ａにおける設定に基づいて２Ｄスピンエコー測定の例でこのようなシーケンス変更の有効性を示す。僅かに異なるスライス選択（ε＝０．２〜０．３）の場合、この状態におけるアーチファクトが非常に効果的に抑制されている（図５Ｂ右側）。
【００５０】
図６Ａは在来のサジタルもしくはコロナル方向のスライス励起の場合（左側の図）と、励起およびリフォーカスに関する異なる高周波パルス（αパルスもしくはリフォーカスパルス）におけるサジタルもしくはコロナル方向のスライス選択の場合（右側の図）とを対比している。右側の図は、二義性アーチファクト形成のない僅かにではあるがしかし十分に異なる高周波パルス（ω２＝（１＋ε）ω１）を示す。
【００５１】
図６Ｂは、図６Ａにおける設定に基づいてここでも２Ｄスピンエコー測定の例でこのようなシーケンス変更の有効性を示す。僅かに異なるスライス選択（ε＝０．２〜０．３）において、アーチファクトが効果的に抑制されている（図６Ｂ右側）。
【００５２】
次に、空間的な磁場分布の簡単な数学モデルに基づいて重要なパラメータεの適切な選定について詳しく説明する。
【００５３】
図７Ａはトランスバース方向のスライス選択のための磁場モデルを示す。図７Ａにおける左側の図（現実の場合の理想化）の場合、Ｚ方向傾斜磁場はＦＯＶのエッジＲまでＺ座標に対して比例して上昇し、その後一定となってさらに続くのに対して、磁石の静磁場は先ず一定であり、ＦＯＶの外側（＞Ｒ）では一定の磁場勾配−Ｇで低下する。図７Ａにおける右側の図は、本発明に従って、異なる選択傾斜磁場強度ｇ１，ｇ２における全磁場の経過を示す。いずれの場合も、所望のスライス（位置ｒ、厚みｄ）が選択されるが、有効ボリュームの外側における寄生範囲は異なっている（厚みＤ１，Ｄ２を持つ位置ρ１，ρ２）。
【００５４】
図７Ａに相当する理想化モデルは、半径Ｒを有するＦＯＶの内側において磁場分布が理想的である（均一な静磁場および直線状の傾斜磁場）とみなすというように現実の状態を簡単化する。外側範囲＞Ｒにおいて、傾斜磁場が更に上昇することなく、磁石の磁場下降が一定の磁場勾配−Ｇで行なわれるべきである。
【００５５】
傾斜磁場強度ｇ１，ｇ２による２つの選択経過（図７Ａ右側）について、次式が成り立つ。
ω１＝γｇ１ｒ＝γｇ１Ｒ−γＧρ１                        （４ａ）
ω２＝γｇ２ｒ＝γｇ２Ｒ−γＧρ２                        （４ｂ）
Δω１＝γｇ１ｄ＝γＧＤ１                                （５ａ）
Δω２＝γｇ２ｄ＝γＧＤ２                                （５ｂ）
【００５６】
位置ρ１，ρ２における寄生選択は互いに、
ρ２−ρ１＝（Ｒ−ｒ）（ｇ２−ｇ１）／Ｇ                    （６）
だけずれている。
【００５７】
目標は完全な二義性アーチファクト抑制にあり、すなわち
ρ２−ρ１＞（Ｄ１＋Ｄ２）／２                              （７）
なる厚みＤ１，Ｄ２を有するこれらの誤選択ボリュームの完全な分離にある。
【００５８】
従って、不等式（７）に式（１）〜（６）を挿入することによって、パラメータεについて次の条件が得られる。
ε＞１／｛（Ｒ−ｒ）／ｄ−１／２｝                        （８）
但し、ｒの値については、
ｒ＜Ｒ−ｄ／２                                            （９）
である。
【００５９】
注目すべきは、スライス厚ｄの単位で測ると、式（８）がスライスとＦＯＶのエッジとの間の距離（Ｒ−ｒ）のみに関係することである。この距離が大きいほど、εへの要求が少なくなり、このことは図７Ｂにおける双曲線関数群に基づいて具体的に説明することができる。図７Ｂはトランスバース方向のスライス選択時におけるε値の経過を示す。パラメータεが図示された最小値を上回ると、図７Ａによる磁場モデルに対応する二義性アーチファクトが抑制される。通常のスライス厚を有する２Ｄスピンエコー法はこの条件をε＝０．２〜０．３により満足する。
【００６０】
ＦＯＶのエッジにおける極点はこの極点における二義性（又は曖昧性）の消滅に対応する（目標スライスおよび誤選択がここで互いに移行する）。
【００６１】
注目すべきことに、ｇ１，ｇ２およびＧの誤った関連性、すなわち傾斜磁場強度の絶対値および高周波パルスのバンド幅の絶対値並びに外側範囲での磁石の磁場下降は重要ではなく任意に構成することができる。
【００６２】
完全性を期するために、サジタルもしくはコロナル方向のスライス方位用についても想定されるモデルを示す。図８Ａはこれについての磁場モデルを示す。図８Ａの左側の図では、磁石の静磁場が先ず一定であり、ＦＯＶの外側（＞Ｒ）では一定の磁場勾配−Ｇで下降する。図８Ａの右側の図では、所望のスライス（これはＸもしくはＹに関連するためここでは表示できない。）の外側において、どのようにしてＦＯＶの外側の種々の寄生範囲が選択されるかを示している（厚みＤ１，Ｄ２を有する位置ρ１，ρ２）。
【００６３】
示された措置は専らスライス選択過程に関係し、この場合にはＺ方向傾斜磁場が今は関与しないために、これに関する仮定は考慮されない。磁石の磁場経過は有効ボリュームの内側では再び一定と仮定され、外側範囲＞Ｒでは一定の磁場勾配-−Ｇによって描かれている。
【００６４】
傾斜磁場強度ｇ１，ｇ２を有する２つの選択過程について、次式が成り立つ。
ω１＝γｇ１ｒ＝−γＧρ１                              （１０ａ）
ω２＝γｇ２ｒ＝−γＧρ２                              （１０ｂ）
Δω１＝γｇ１ｄ＝γＧＤ１                              （１１ａ）
Δω２＝γｇ２ｄ＝γＧＤ２                              （１１ｂ）
【００６５】
位置ρ１，ρ２での寄生選択は互いに、
ρ２−ρ１＝−ｒ（ｇ２−ｇ１）／Ｇ                        （１２）
だけずれている。
【００６６】
不変の目標は完全な二義性アーチファクト抑制にあり、すなわち
ρ２−ρ１＞（Ｄ１＋Ｄ２）／２                            （１３）
なる厚みＤ１，Ｄ２を有するこれらの誤選択ボリュームの完全な分離にある。
【００６７】
従って、不等式（１３）に式（１０ａ）〜（１２）を挿入することによって、パラメータεについて次の条件が得られる。
ε＞１／（−ｒ／ｄ−１／２）                            （１４）
但し、ｒの値については、
ｒ＜−ｄ／２                                            （１５）
である。
【００６８】
この場合には、スライス厚ｄの単位で測ると、パラメータεはスライスと磁石中心との距離ｒに関係する。この距離が大きいほどεへの要求が僅かとなる。図８Ｂには、サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択時の双曲線関数が示されている。パラメータεが図示された最小値を上回ると、二義性アーチファクトが図８Ａによる磁場モデルに応じて抑制される。通常のスライス厚を有する２Ｄスピンエコー法は、この条件をε＝０．２〜０．３により満足する。
【００６９】
以下に、このシーケンス方法上のアーチファクト抑制の限界を示す。
【００７０】
εのグラフ（図７Ｂおよび図８Ｂ）における極点はこの簡単な数学モデルの現象だけではない。既に説明したように、それらは現実の現象、すなわち二義性アーチファクトから幾何学的なゆがみへの移行を記述する。これは、所望のスライスと寄生的に選択されたボリュームとが、磁場反転点で直接的に接して密接し、結局は互いに部分的に重なって相互移行する場合に起こる。部分的な重なりもしくは一致の場合にはもちろん分離は不可能であり、これは数学モデル化における極点を生じる。
【００７１】
従って、この限界状態ではアーチファクトを完全に避けることはできない。出現画像はそのために典型的な二義性アーチファクトと著しく相違し、寧ろ画像歪に似ている。アーチファクト構造と現実の被検体との対応付けは認識可能であり、誤った解釈の危険をはらんではいない。
【００７２】
使用された磁場モデルが簡単化のために言及していない他の観点は、ＦＯＶの外側における現実の空間的磁場分布と関係がある。トランスバース方向のスライス選択の場合に前提となる外側範囲＞ＲにおけるＺ方向傾斜磁場の一定の磁場経過は、少なくとも、大きな距離＞＞Ｒに関しては該当しない。むしろ、その傾斜磁場は独自に（すなわち磁石の考慮なしに）再び下降し、磁場二義性（又は磁場曖昧性）を有する。
【００７３】
この状況がさらに有害となることはもちろんない。同時に、さらに外側範囲＞Ｒにおける磁石の仮定された磁場下降も必ず起こらなければならない。
【００７４】
従って、磁石が同時にいかなる磁場偏差も持たないところでのみアーチファクトの危険が生じる。この場合に従来の１次元の磁場経過の代わりに磁石の完全な空間的磁場分布が観察され考慮されなければならない。この個所における送信コイルおよび受信コイルのさらに十分に高い高周波感度と一緒のこのような同時発生のみが、二義性アーチファクトが既述のシーケンス変更により完全には抑制されないという危険を含んでいる。
【００７５】
必要な場合、この観点は高周波コイルの設計時に考慮しなければならず、このことは従来のスピンエコーシーケンスにおける制限と違って僅かな満たし得る副次的条件である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】磁気共鳴断層撮影装置の概略図
【図２Ａ】公知のスピンエコーシーケンスにおける傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過図
【図２Ｂ】公知のスピンエコーシーケンスによるｋマトリックスの時間的走査の説明図
【図３Ａ】公知のターボスピンエコーシーケンスにおける傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過図
【図３Ｂ】公知のターボスピンエコーシーケンスにおけるｋマトリックスの時間的走査の説明図
【図４Ａ】本発明により変更された第１のＳＥシーケンスにおける高周波パルスおよび傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過図
【図４Ｂ】本発明により変更された第２のＳＥシーケンスにおける高周波パルスおよび傾斜磁場パルス電流動作の時間的経過図
【図５Ａ】トランスバース方向のスライス選択時におけるｚ方向の磁場経過図
【図５Ｂ】トランスバース方向のスライス選択時におけるマルチスライス測定の重ね合わされたトータル画像例を示す図
【図６Ａ】サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択時におけるｚ方向の磁場経過図
【図６Ｂ】サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択時におけるマルチスライス測定の重ね合わされたトータル画像例を示す図
【図７Ａ】トランスバース方向のスライス選択のための簡単化された磁場モデルを説明するための磁場経過図
【図７Ｂ】トランスバース方向のスライス選択のための簡単化された磁場モデルを説明するためのパラメータεの経過図
【図８Ａ】サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択のための簡単化された磁場モデルを説明するための磁場経過図
【図８Ｂ】サジタルもしくはコロナル方向のスライス選択のための簡単化された磁場モデルを説明するためのパラメータεの経過図
【符号の説明】
【００７７】
１        静磁場磁石
２        シムコイル
３        傾斜磁場コイルシステム
４        高周波アンテナ
５        被検体テーブル
６        送受信切換器
７        増幅器
８        高周波受信チャンネル
９        送信チャンネル
１１        出力端
１２        入力端
１７        画像コンピュータ
１８        シーケンス制御部
１９        シンセサイザー
２０        装置コンピュータ
２１        端末装置
２２        高周波システム
ＧＺ        スライス選択傾斜磁場
ＧＹ        位相エンコード傾斜磁場
ＧＸ        読出し傾斜磁場
【図１】
2005040612.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2005040612.tif 000013
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
2005040612.tif 000017