(57)【要約】【課題】周期の微細なピットパターンなどの微細構造を、均一なサイズをもって形成することを可能とし、またその製造にあたり工程数の抑制を図って生産性の向上を可能とした粒子配置構造体とその製造方法を提供する。【解決手段】被粒子配置体１０に、エネルギー的に安定な状態を形成する所要の配置パターン１１を設け、この配置パターン１１上に、選択的に粒子２を付着して構成する。【選択図】図５ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被粒子配置体に、エネルギー的に安定な状態を形成する所要の配置パターンが設けられ、
上記配置パターンに倣って、選択的に粒子が付着されて成る
ことを特徴とする粒子配置構造体。
【請求項２】
上記配置パターン上の粒子が単層もしくは多層に積層された構造を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の粒子配置構造体。
【請求項３】
上記粒子の配置が、均一もしくは複数の格子サイズの繰り返しによる周期構造を、少なくとも一部に有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の粒子配置構造体。
【請求項４】
上記粒子の配置が、フォトニック結晶構造を有する配置による
ことを特徴とする請求項１または２に記載の粒子配置構造体。
【請求項５】
被粒子配置体に、複数の粒子が所要の配置パターンに配置されて成る粒子配置構造体の製造方法であって、
上記被粒子配置体に、エネルギー的に安定な状態を形成する上記所要の配置パターンを設ける工程と、
上記配置パターンに倣って上記粒子を選択的に付着させる粒子付着工程とを有する
ことを特徴とする粒子配置構造体の製造方法。
【請求項６】
上記粒子付着工程が、上記粒子が分散された液体中に上記被粒子配置体を浸漬させた後、該被粒子配置体を上記液体から引き上げることによって、上記エネルギー的に安定な状態を形成する上記配置パターンに倣って上記粒子を選択的に付着配置させる工程である
ことを特徴とする請求項５に記載の粒子配置構造体の製造方法。
【請求項７】
上記配置パターン上の上記粒子の大きさが予めほぼ一様に揃えられて成る
ことを特徴とする請求項５または６に記載の粒子配置構造体の製造方法。
【請求項８】
上記配置パターンに対する上記粒子付着工程が、上記配置パターン上の粒子が単層もしくは多層に積層された構造を有する
ことを特徴とする請求項５、６または７に記載の粒子配置構造体。
【請求項９】
上記配置パターン上に付着された上記粒子を残して、上記配置パターンまたは上記被粒子配置体を除去する
ことを特徴とする請求項５、６、７または８に記載の粒子配置構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、目的とするパターンに応じて粒子が配置された粒子配置構造体とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、２次元的広がりをもつ領域に凹凸形状を作製するには、フォトリソグラフィー、すなわちフォトレジストへの露光・現像を行い、フォトレジストを選択的に除去する方法などが採られる。
例えば、光ディスク等の光記録媒体の原盤を作製する過程において、ガラス等より成るディスク状基板の上にフォトレジストを塗布した後、記録トラックに沿ってパターン露光を行って光学記録を行い、現像を施して表面に所要の凹凸パターンを形成して光記録媒体用原盤を得ることができる。
【０００３】
また近年、新しい光学機能素子としてフォトニック結晶（Ｐｈｏｔｏｎｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌ：ＰＣ）と呼ばれる構造物が提案されている。この構造物を作製するためには光の波長以下という微細なサイズにおいて、周期的な構造を形成する必要がある。
【０００４】
このように光の波長以下の周期的構造を作製するには、従来は周期的なパターンとなるようフォトリソグラフィーを行い、作製されたレジストパターンをマスクとしてエッチング加工を施して作製する方法が主として採られている。エッチングされた構造物は２次元的なフォトニック結晶にもなるし、同様の構造物を積み重ねることによって３次元的なフォトニック結晶も作製されている(例えば非特許文献１及び２参照。)。
【０００５】
あるいはフォトリソグラフィーにより作製されたレジストパターン上に、例えばスパッターで多層膜を形成することによっても、３次元的なフォトニック結晶構造が実現されている。
【０００６】
図１０Ａ〜Ｃにこのようなフォトニック結晶構造を形成する場合の一例の製造工程を示す。
この場合、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の化合物半導体を用いて光導波路構造を構成するもので、図１０Ａに示すように、ＩｎＰ等より成る基板５１の上に例えばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造より成る導波層５２をエピタキシャル成長し、この上に上部クラッド層５３を形成する。
【０００７】
そして図１０Ｂに示すように、フォトニック結晶構造を構成する周期構造をもって、凹凸パターン５４を形成する。この凹凸パターン５４は例えば、フォトレジストの塗布、パターン露光及び現像、更にレジストパターンをマスクとする異方性エッチングを行ういわゆるフォトリソグラフィーの技術により基板５１に達する深さをもって形成する。
【０００８】
その後図１０Ｃに示すように、凹凸パターン５４を介してＨＣｌ等のウェットエッチングにより基板５１の内部をエッチングして空洞部５５を形成する。
このような構造とすることによって、上下に屈折率の高い領域に挟まれてスラブ導波型構造とされ、また凹凸パターン５４によるフォトニック結晶構造に挟まれた導波領域５６を有する光学機能素子が構成される。
【０００９】
ところで、２次元的に広がる凹凸形状を作成する場合、電子ビーム露光を行った場合でもその分解能は数十ｎｍ程度となり、それ以上小さい構造に関しては、例えできたとしても作製される点や線のサイズが均一ではなくなってしまう。
【００１０】
例えば平面上に六方最密に（すなわち六方格子状に）ピットが並んだ凹凸形状に対応するレジストパターンを形成する場合において、その一部にピットのない部分を形成すると、ピットのない部分の周囲の６つのピットサイズは、隣接するピット間の露光量が重複するいわゆる被り露光が減少するために、それ以外のピットに比べて小さくなる。
【００１１】
このような問題を回避して、均一なピットサイズをもって確実に形成するためには、ピット周期を１００ｎｍ程度にまで大きくする必要がある。
【００１２】
一方フォトニック結晶に関しては、一般に周期構造の繰り返し回数が多いほどフォトニック結晶としての光を遮蔽する性能が増すため、3次元的な周期構造とすることが望ましい。しかし、周期構造を３次元方向に形成するためには、フォトリソグラフィーやエッチング等の煩雑な周期構造作製プロセスを多数回繰り返すことで実現されており、それゆえプロセスの回数分だけ作製時間を要することとなり、生産性が悪化する原因となっている。
【００１３】
【非特許文献１】A.Chutinan and S.Noda,"Waveguides and waveguide bends in two-dimentional photonic crystal slabs",Physical Review B, Vol.62, No.7, 15 August 2000, pp4488-4492
【非特許文献２】S.Noda et al,"Semiconductor Three-Dimentional and Two-DimentionalPhotonic Crystal and Devices", IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol.38, No.7, July 2002, pp726-735
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上述したように微細なピットパターンなどの微細構造を、より均一なサイズをもって形成することを可能とし、またその製造にあたり工程数の抑制を図って生産性の向上を可能とした粒子配置構造体とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明による粒子配置構造体は、被粒子配置体に、エネルギー的に安定な状態を形成する所要の配置パターンを設け、この配置パターンに倣って、選択的に粒子を付着して構成する。
【００１６】
また本発明による粒子配置構造体の製造方法は、被粒子配置体に、複数の粒子が所要の配置パターンに配置されて成る粒子配置構造体の製造方法であって、被粒子配置体に、エネルギー的に安定な状態を形成する所要の配置パターンを設ける工程と、この配置パターンに倣って粒子を選択的に付着させる粒子付着工程とを有する。
【００１７】
また本発明による粒子配置構造体の製造方法は、上述の製造方法における粒子付着工程を、粒子が分散された液体中に被粒子配置体を浸漬させた後、この被粒子配置体を液体から引き上げることによって、エネルギー的に安定な状態を形成する配置パターンに倣って粒子を選択的に付着配置させる工程とする。
【００１８】
上述したように本発明は、粒子を配置パターンに倣って付着配置させることにより粒子配置構造体を製造するものであり、従来フォトリソグラフィー等により形成した凹凸パターンを粒子の有無によって配置して構成するものである。
【００１９】
そしてこの粒子の付着配置は、配置パターンにエネルギー的に安定な状態を形成する構造とすることによって、エネルギー的に安定な位置に粒子を例えば加熱による融着、静電的相互作用、分子間力などによって、他の人工的な作用を加えることなく、いわば自己組織的に配置パターンに倣って付着配置させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明による粒子配置構造体とその製造方法によれば、電子ビーム照射などの従来の技術ではパターンが微細なためにそのサイズにばらつきが生じる場合においても、粒子のサイズに合わせてパターンのサイズをほぼ揃えることができ、パターンのサイズのばらつきを低減させることができるという効果がある。
【００２１】
また更に本発明による粒子配置構造体の製造方法において、配置パターンを形成した被粒子配置体を、粒子を分散させた液体に浸漬した後、この液体から引き上げて配置パターンに倣って粒子を配置させることによって、粒子を配置パターンに倣って自己組織的に配置させることができると共に、安価な装置構成で容易に２次元的または３次元的な配置パターンを有する粒子配置構造体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明による粒子配置構造体とその製造方法の各例を、図面を参照して説明するが、本発明は以下の例に限定されることなく種々の変形、変更が可能である。
【００２３】
本発明による粒子配置構造体は、被粒子配置体に、エネルギー的に安定な状態を形成する所要の配置パターンを設け、この配置パターンに倣って選択的に粒子を付着して構成するものであり、上述したように本発明によれば、微細なパターンを形成する場合においても、そのパターンのサイズ、大きさのばらつきを抑制することができる。
【００２４】
このような粒子配置構造体は、本発明による粒子配置構造体の製造方法により製造し得る。すなわち、被粒子配置体にエネルギー的に安定な状態を形成する所要の配置パターンを設ける工程と、この配置パターンに倣って選択的に粒子を付着させる粒子付着工程とによって製造することができる。
【００２５】
そしてこの製造方法において粒子付着工程を、粒子が分散された液体中に被粒子配置体を浸漬させた後、この被粒子配置体を液体から引き上げることによって、エネルギー的に安定な状態を形成する配置パターンに倣って粒子を選択的に付着配置させることにより、安価な装置構成で容易に微細なパターンの粒子配置構造体を得ることができる。
【００２６】
このような粒子配置構造体の製造方法の一例を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明による粒子配置構造体の製造方法の一例の一製造工程を示す。図１に示すように、粒子浴槽１の中に粒子２を分散させた例えば純水より成る液体３を収容する。この液体３に分散させた粒子２は、例えば分粒により予め直径をほぼ一様に揃えた粒子２が用いられ、これらを、溶解せずに分散させる。
【００２７】
このように、粒子の大きさを予めほぼ一様に揃えることにより、配置パターンのサイズのばらつきに比して、粒子を配置して構成した粒子配置構造体のパターンのサイズのばらつきを確実に抑制することができる。
【００２８】
そしてこの粒子２が分散された液体３に、予め例えば凹凸パターン等のエネルギー的に安定な状態を形成する所望の配置パターン、具体的には例えば凹部によりエネルギー的に安定な状態を形成する配置パターンが設けられたＳｉＯ２等より成る被粒子配置体１０を浸漬させる。
この配置パターンは、例えばフォトリソグラフィーを適用してフォトレジストの塗布、パターン露光及び現像により形成してもよいし、また電子線リソグラフィーにより形成することもできる。
次にこの被粒子配置体１０を、矢印ａで示すように液体３から気中に引き上げる。
【００２９】
このとき、粒子２が図１に示すように、液体３とともに被粒子配置体１０の配置パターンによるエネルギー的に安定な状態を構成する例えば凹部に選択的に付着されるが、液体３の蒸発により粒子２のみが被粒子配置体１０に残存し、静電的相互作用等によって、そのまま付着配置される。
【００３０】
一例として、純水中に平均粒径２１０ｎｍのアモルファスシリカより成る粒子２を重量比約２０％の濃度で拡散させた。そして、例えば合成石英製の被粒子配置体１０を粒子浴槽１に入れ、次に１０μｍ／ｓ程度の一定速度で引き上げた。
このとき、引き上げ環境に振動が加わると配列欠陥が生じるが、外乱なく適度な湿度のもとでは単層粒子配列となった。
【００３１】
通常、被粒子配置体１０が親水性であるとすると、粒子２が被粒子配置体１０に付着し、疎水性であれば付着しないか付着しても均一な自己組織的配置が難しくなる。
ここでは、被粒子配置体１の表面を紫外線照射等により親水化処理している。引き上げた被粒子配置体１０に成膜される粒子膜の厚みは、粒子浴槽１内の粒子濃度や引き上げ速度、液体３の気化速度、周囲の温湿度等環境条件によって決定される。
【００３２】
一般に、引き上げ速度を下げると、図２に模式的な断面構成を示すように、単層膜として粒子２が配置され、引き上げ速度を上げると、図３に模式的な断面構成を示すように、多層膜として粒子が配置される。
【００３３】
配置パターンが形成されていない被粒子配置体を用いて単層膜が成膜される速度で引き上げた場合、部分的には六方最密充填構造の平面配置である六方格子状に配置するが、成膜欠陥が生じた場合には、図４に模式的な構成を示すように格子方位がずれて境界２０が生じてしまう。
【００３４】
これに対し本発明においては、予め被粒子配置体１０に配置パターンを形成するものであるが、図５に模式的断面構成を示すように、例えば粒子２の平均粒径に合わせたピッチで予め被粒子配置体１０、この場合例えば基板１０Ａ上にレジスト１０Ｂを被着してパターン露光、現像して作成した配置パターン１１を形成しておくことにより、上述したような粒界を生じることなく均一な格子サイズ、パターンをもって粒子を配置させた粒子配置構造体１２を形成することができる。
【００３５】
またこのようにして作製した粒子配置構造体を利用して、この上に粒子を多層に積層して多層構成の粒子配置構造体を構成することもできる。
このような多層構成とすることによって、多層構造の粒子配置構造体をサイズのばらつきを抑えて容易に作製することができる。
【００３６】
この場合、粒子の上に付着配置される粒子は、粒子間のファンデルワールス力により自己組織的に配置される。
したがって各種の多層構成の構造体へ本発明を適用することにより、例えば３次元構成のフォトニクス結晶などをパターンのサイズのばらつきを抑えて製造することができる。
【００３７】
更に、上述の配置パターン上に付着された粒子を残して、配置パターンまたは被粒子配置体を除去することによって、粒子配置構造体を組み込む構造体の構成をより自由に選定することが可能となる。
例えば上述したように、被粒子配置体上に配置パターンを例えば凹凸パターンとして形成し、この上に粒子配置構造体を形成した後、被粒子配置体のみをウェットエッチング等により除去して、粒子配置構造体を他の基板、もしくは構造物に被着することもできる。
【００３８】
或いは粒子配置構造体を例えば接着剤を有する基材に被着して、配置パターンまたは被粒子配置体を除去することもでき、その後粒子配置構造体を他の構造物に組み込むことも可能である。
【００３９】
次に、上述の本発明による粒子配置構造体とその製造方法を光記録媒体製造用原盤の作製に適用する場合を説明する。
例えば円盤状の合成石英よりなる基板１０Ａを用意し、この上に電子ビーム露光用等のレジスト１０Ｂを塗布して、基板１０Ａを回転させながら半径方向にも照射領域を移動させて例えば電子ビームによる露光を行い、現像を施して配置パターン１１が形成された被粒子配置体１０を作製する。
【００４０】
配置パターン１１としては、例えば記録トラックに沿う方向に２１０ｎｍ毎に直径１００ｎｍ程度の窪み、いわゆるピットをスパイラル状に形成することができる。
一回転につき半径方向に約１８０ｎｍ移動させ、隣接する記録トラック間のピット列パターンとピット周期の位相が反転するように、すなわちピットの平面構成が図６に示すようにほぼ六方格子状に配置されるパターンとして電子ビーム露光することで、微小域内では六方最密充填構造の平面構成となる配置パターン１１が形成される。
【００４１】
このとき、レジスト１０Ｂの膜厚を５０ｎｍ程度とすることで、露光・現像後のピット深さも５０ｎｍ程度とすることができる。
【００４２】
尚、レジスト１０Ｂと基板１０Ａの密着性を上げるため、通常レジスト塗布前に基板１０ＡにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）蒸気処理を行う。これにより、基板１０Ａの表面は親水性から疎水性に変化し、疎水性のレジスト１０Ｂと密着が取れるようになる。
現像後の状態ではレジスト１０Ｂ表面と露出した基板１０Ａ表面の両方が疎水性となっているが、紫外線照射等を行うことにより両方を親水性に変えることができる。
【００４３】
このようにしてパターニングと親水化処理を行った後に、上述の図１において説明した例と同様の条件をもって粒子２を拡散させた粒子浴槽１から被粒子配置体１０を引き上げると、図７に模式的平面構成を示すように、予め作製した配置パターン１１に倣って、そのエネルギー的に安定な状態となる位置、この場合凹部に粒子２を自己組織的に配置させることができる。この配置方向が引き上げ方向と平行でなくても必ずパターンに倣った配置を取り、成膜欠陥があってもそれが引き金となって格子方位がずれることもなく、良好な均一性をもって粒子配置構造体を製造することができる。
【００４４】
このような本発明製造方法によれば、従来はレジストに形成する凹凸パターンの微細化により、隣接するピットの有無によってパターンサイズにばらつきが生じていた場合においても、均一なパターンサイズをもって配置した構造体を得ることができ、光記録媒体に適用して良好な結果を得ることができた。
【００４５】
一方、光ディスクの記録ピットパターンにおいて、ＴｗｏＤＯＳと呼ばれるピットの配置方式が提案されている(例えばWim M.J.Coene,“Two-Dimentional Optical Storage”， Optical Data Storage 2003 Technical Digest,Optical Society of America,May 11 2003,pp90-92参照。)。
これは１０トラック程度分の領域にピットを六方最密パターン状に束ねてスパイラル状に配置したもので、マルチビームを用いて同時に複数のピットを読み出すものであり、光スポット内のピットの密度を上げることを可能にして、これにより高記録密度化を図るものである。
【００４６】
そしてこの方式では、ピットの単位サイズをスポット径の３分の１程度とすることで、一つの集光スポットで例えば７つのピットを同時に読み取り、各戻り光から得られた信号を元に演算を行うことで各ピットの情報を解析できるようになっている。この配置方式を採用した場合には、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃと同等のピックアップ、つまり波長４０５ｎｍで集光レンズの開口数ＮＡが０．８５のピックアップを用いると、情報記録密度をＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃの約１．４倍程度まで高めることも可能とされ、その場合にはトラックピッチが約１４３ｎｍで、ピット列上でのピット周期が約１６５ｎｍとなる。
【００４７】
ここで更に、記録密度を上げるために波長２６６ｎｍで集光レンズの開口数ＮＡ＝１．３５のピックアップを用いた場合には、波長と開口数ＮＡの比からスポット径は０．４１倍となる。このとき、対応するピットの周期は、約６８(≒１６５×０．４１)ｎｍとなる。
電子線描画により６８ｎｍのピットを形成することは不可能ではないが、現状では図８に模式的な平面構成を示すように、隣接するピットの有無により、被り露光量が変化し、記録トラック方向の長さ及び半径方向の幅の両方のピットサイズがばらついてしまう。これにより、読み取り信号がばらつき、エラーレートが増加するという問題が生じる。
【００４８】
そこで本発明を適用して、すなわち上述したように平均粒径が６０ｎｍ程度の粒子を純水等の液体中に拡散させて、この液体から微小ピットをパターニング形成して配置パターン１１を形成した被粒子配置体１０を引き上げることで、図９に模式的平面構成を示すように、配置パターン１１に倣った配置で粒子２を付着配置させ、サイズの揃った突起形状として、ピットパターンを構成することができる。
【００４９】
このようにして作製した粒子配置構造体、すなわち粒子の配置された被粒子配置体１０を原盤として、通常の光ディスク作製プロセスと同様のレプリカ作製、つまりＮｉメッキによるスタンパー作製とこのスタンパーを金型としたプラスチックの射出成型等を行うことによって、従来の電子線露光では均一化が難しく解像度が満たされない微細なサイズのピットパターンも、均一なピットサイズをもって良好な解像度をもって製造することができる。
【００５０】
尚、上述の例においては、液体中に粒子を分散させ、エネルギー的に安定な状態を形成する配置パターンを設けた被粒子配置体を浸漬した後引き上げて粒子を配置したが、本発明はその他加熱溶融により粒子をエネルギー的に安定な状態となる位置に選択的に融着させて、配置パターンに倣って粒子を自己組織的に配置することも可能である。
【００５１】
また上述の例においては、光記録媒体用原盤への粒子配置を行った例を説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば光ディスク用の基板１枚ごとに上述したような粒子配置を行ってもよく、さらには光ディスクに限ることなく、微細パターンであるがゆえにパターンサイズがばらついてしまった構造体に対し、本発明を適用してこのパターン上に粒径の揃った粒子を配置させることで、パターンサイズを整え、ばらつきを抑制することができる。
【００５２】
また本発明は、粒子の配置パターンとして、均一もしくは複数の格子サイズの繰り返しによる周期構造を少なくとも一部に有する構成とすることもできる。この場合は、周期構造に限定されることなく各種の構造体に本発明を適用することができる。
【００５３】
更に、粒子の配置を、フォトニック結晶構造を構成する配置とすることによって、これをフォトニクス結晶の作製に適用し得る。この場合は、従来困難であった数十ｎｍ程度以下のパターンを作製する場合などにおいても、粒子の大きさを適切に選定することによって、容易にばらつきを抑えて２次元周期構造、３次元周期構造を作製することができる。
【００５４】
例えばフォトニック結晶において、格子サイズの比較的小さい領域と、比較的大きい領域とを交互に、或いは部分的に形成することにより、格子サイズの比較的大きい領域を導波領域として屈折率差を分散させるとことにより光閉じ込め効果を向上させるとか、またフォトニックバンドギャップ領域を全体的に或いは一部に設ける構成とするなど各種構成とする場合に本発明を適用することが可能である。この場合、その周期構造のパターンのサイズのばらつきを抑制することができ、より特性に優れた光学機能素子を提供することができる。
【００５５】
またフォトニック結晶構造に限定されることなく、粒子サイズとほぼ同等の格子サイズとして最密構造とするとか、その周期構造の中に、意図的に周期構造を逸した構造を形成することも可能である。
また周期構造の部分的な逸脱等により光を閉じ込める作用を利用して導波路を形成することもでき、更にまた粒子の配置により光学的な回路を形成し、構造物内部において電磁波を所望の経路で導波させることができるなど、その他種々の変形、変更が可能である。
【００５６】
また、上述の例においては、六方最密充填構造の配置でパターニングしたが、正方格子や故意に欠陥を導入したパターン等任意のパターンでピットを形成し、それに倣って粒子を配置させても良い。
【００５７】
更にまた、レジストパターンに倣って粒子を配置させた後、加熱処理や紫外線照射、或いは有機溶剤等による洗浄を施すことにより、レジストパターンのみを除去するなど、配置パターンもしくは被粒子配置体を除去して、他の構造物に組み込むこともでき、その他の各種の構造体に適用可能である。
【００５８】
また、配置させた粒子配置構造体自体をマスクとして、石英基板等の被粒子配置体にエッチングを行うことで、被粒子配置体の加工を行うなど、粒子配置構造体を形成する以外にも加工手段として用いるなど、種々の製造工程への適用も可能である。
【００５９】
或いはまた、上述の例においては配置パターンをフォトリソグラフィーにより形成したが、その他レーザーアブレーション等の異なる手法で被粒子配置体にパターニングを行うこともできる。
【００６０】
また上述の例においては被粒子配置体の材料として石英基板を用いたが、Ｓｉウェハー等の各種材料よりなる被粒子配置体を用いることも可能である。また粒子としては、上述の例においてはアモルファスシリカを用いたが、磁性を呈する材料を含む各種の金属等、他の材料を用い得ることはいうまでもない。
【００６１】
更に粒子を磁性体により構成する場合においては、上述した微細パターンとして磁性体粒子よる粒子配置構造体を形成し、この粒子を磁化し、磁化の方向により情報の記録を行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明による粒子配置構造体の製造方法の一例の一製造工程図である。
【図２】粒子配置構造体の一例の模式的断面構成図である。
【図３】粒子配置構造体の一例の模式的断面構成図である。
【図４】比較例による粒子配置構造体の一例の模式的平面構成図である。
【図５】本発明による粒子配置構造体の一例の模式的断面構成図である。
【図６】本発明による配置パターンの一例の模式的平面構成図である。
【図７】本発明による粒子配置構造体の一例の模式的平面構成図である。
【図８】本発明による配置パターンの一例の模式的平面構成図である。
【図９】本発明による粒子配置構造体の一例の模式的平面構成図である。
【図１０】Ａは従来のフォトニック結晶の製造方法の一例の一製造工程図である。Ｂは従来のフォトニック結晶の製造方法の一例の一製造工程図である。Ｃは従来のフォトニック結晶の製造方法の一例の一製造工程図である。
【符号の説明】
【００６３】
１      粒子浴槽
２      粒子
３      液体
１０    被粒子配置体
１０Ａ  基板
１０Ｂ  レジスト
１１    配置パターン
１２    粒子配置構造体
２０    境界
５１    基板
５２    導波層
５３    上部クラッド層
５４    凹凸パターン
５５    空洞部
５６    導波領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2005138011.tif 000006
【図５】
2005138011.tif 000007
【図６】
2005138011.tif 000008
【図７】
2005138011.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005138011.tif 000011
【図１０】
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