(57)【要約】【課題】高い流動性を有し、接続信頼性も良好な封止樹脂組成物とそれを用いた接続信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂と、フェノール樹脂とを含み、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂とは相溶解可能であり、上記フェノール樹脂が、上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、１０〜６５重量部の割合で含まれている封止樹脂組成物を用いて、基板間の空隙を封止するとともに接合して半導体装置１０を製造する。また、上記エポキシ樹脂の融点と上記フェノール樹脂の融点とが、２５℃以下であることが好ましい。【選択図】  図１
2005015527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂と、フェノール樹脂とを含む封止樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂とは相溶解可能であり、
前記フェノール樹脂が、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、１０〜６５重量部の割合で含まれていることを特徴とする封止樹脂組成物。
【請求項２】
前記エポキシ樹脂の融点と前記フェノール樹脂の融点とが、２５℃以下である請求項１に記載の封止樹脂組成物。
【請求項３】
第１の基板と、第２の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の空隙が、請求項１または２に記載の封止樹脂組成物により封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
複数のバンプを備えた第１の基板および複数の電極を備えた第２の基板から選ばれる少なくとも一方に、前記バンプの上面および前記電極の上面を除いて請求項１または２に記載の封止樹脂組成物を塗布した後、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記バンプと前記電極とが接するように位置合わせし、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記封止樹脂組成物を介して密着させ、加熱することにより前記封止樹脂組成物を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数のバンプを備えた第１の基板と、複数の電極を備えた第２の基板とを、前記バンプと前記電極とが接するように位置合わせした後、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空隙に請求項１または２に記載の封止樹脂組成物を充填し、加熱することにより前記封止樹脂組成物を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置などに使用する封止樹脂組成物とそれを用いた半導体装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が高まっており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、半導体チップと配線基板との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、半導体チップおよび配線基板の電極間にバンプを介在させることによって達成するフェイスダウン実装、すなわちフリップチップ接合が採用される傾向にある。
【０００３】
図１および図２は、半導体チップと回路基板とがフリップチップ接合された半導体装置１０、２０の断面図である。図１は、半導体チップ１１に設けた金バンプ１２と、回路基板１３に設けた電極１４とを封止樹脂１５を用いて接合した半導体装置１０の断面図である。また、図２は、半導体チップ２１に設けたハンダバンプ２２と、回路基板２３に設けた電極２４とを封止樹脂２５を用いて接合した半導体装置２０の断面図である。
【０００４】
図１の半導体装置１０では、封止樹脂１５を半導体チップ１１または回路基板１３のいずれか、または両方に塗布した後に、半導体チップ１１と回路基板１３とを金バンプ１２と電極１４とが接するように位置合わせして、加熱することにより封止樹脂１５を硬化させて、硬化した封止樹脂１５の硬化収縮力を利用して半導体チップ１１と回路基板１３とを接合している。
【０００５】
また、図２の半導体装置２０では、半導体チップ２１と回路基板２３とをハンダバンプ２２と電極２４とが接するように位置合わせして加熱することにより、ハンダバンプ２２と電極２４とを接合した後に、半導体チップ２１と回路基板２３との間の空隙に封止樹脂２５を充填して加熱することにより封止樹脂２５を硬化させて、半導体チップ２１と回路基板２３とを接合している。
【０００６】
従来から上記封止樹脂１５、２５の主剤としては、金属や無機物質との接続性が良好で、電気絶縁性にも優れている液状のエポキシ樹脂が使用されている。液状のエポキシ樹脂を使用することにより、前述の基板への塗布や充填が容易になるからである。また、そのエポキシ樹脂の硬化剤としては、樹脂組成物全体の流動性を維持するために、分子量が小さく、低粘度の硬化剤が一般に使用されている。この分子量が小さく、低粘度の硬化剤の代表的なものが酸無水物硬化剤である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１７５５７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記封止樹脂１５、２５の加熱硬化は、硬化時間を短縮するために通常１８０〜２４０℃の高温で行われている。しかし、分子量が小さく、低粘度である硬化剤は、揮発性が高く、沸点が低いのが特徴である。従って、この低沸点の硬化剤のみを用いてエポキシ樹脂を高温で加熱硬化させると硬化剤が揮発してガスとなり、封止樹脂内にボイドが発生し易くなり、接合部の接続信頼性が低下するなどの問題がある。
【０００９】
即ち、エポキシ樹脂を主剤とした封止樹脂に用いられる硬化剤の中で、揮発性が高く、低沸点の硬化剤としては酸無水物硬化剤が挙げられる。この酸無水物硬化剤は、室温で液状であり、粘度が低いため、液状のエポキシ樹脂に用いても封止樹脂の流動性が維持できる。この酸無水物硬化剤の代表的なものとして、テトラヘキサフタル酸無水物、ヘキサメチルフタル酸無水物、メチルテトラフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物などがあり、揮発が始まる温度は、熱重量／示差熱分析装置（Ｔｇ／ＤＴＡ）で１０℃／分の昇温速度で測定した場合、約１２０℃である。この揮発性の硬化剤を用いてエポキシ樹脂を約１８０〜２４０℃の高温で加熱硬化させると、硬化剤が揮発してガスが発生する。エポキシ樹脂は、この揮発ガスの発生と同時に硬化するため、封止樹脂内にボイドが発生する。このボイドが半導体チップ端面や接合端子周辺に集中した場合には、接合部の接続信頼性が低下し、また、封止樹脂のはみ出しなどが発生する。
【００１０】
一方、エポキシ樹脂の硬化剤として使用されるフェノール系硬化剤は高沸点であるため、高温で硬化させてもボイドの発生は少ない。しかし、従来のフェノール系硬化剤は、その分子量が大きく、液状のエポキシ樹脂に溶解しないものが多かった。このため、液状のエポキシ樹脂の硬化剤として使用すると、封止樹脂の粘度が高くなり、流動性が確保できないという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明は、液状のエポキシ樹脂に溶解可能で、かつ高沸点を有する硬化剤を用いることにより、高い流動性を有し、接続信頼性も良好な封止樹脂組成物とそれを用いた接続信頼性の高い半導体装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂とを含む封止樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂とは相溶解可能であり、前記フェノール樹脂が、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、１０〜６５重量部の割合で含まれていることを特徴とする封止樹脂組成物を提供する。
【００１３】
また、本発明は、第１の基板と、第２の基板とを含む半導体装置であって、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空隙が、上記封止樹脂組成物により封止されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１４】
また、本発明は、複数のバンプを備えた第１の基板および複数の電極を備えた第２の基板から選ばれる少なくとも一方に、前記バンプの上面および前記電極の上面を除いて上記封止樹脂組成物を塗布した後、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記バンプと前記電極とが接するように位置合わせし、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記封止樹脂組成物を介して密着させ、加熱することにより前記封止樹脂組成物を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１５】
また、本発明は、複数のバンプを備えた第１の基板と、複数の電極を備えた第２の基板とを、前記バンプと前記電極とが接するように位置合わせした後、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空隙に上記封止樹脂組成物を充填し、加熱することにより前記封止樹脂組成物を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
本発明の封止樹脂組成物の一例は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂とを含み、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂とは相溶解可能であり、また上記フェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、１０〜６５重量部の割合で含まれている封止樹脂組成物である。
【００１８】
上記フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として機能するものであり、沸点が約１６０℃以上の高沸点の硬化剤である。この高沸点の硬化剤を使用することにより、加熱硬化時のボイドの発生を低減できる。また、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂とが相溶解可能とは、室温（１５〜３０℃程度）で相互に均一に混和することができることを意味し、これにより封止樹脂組成物の室温での流動性を維持できる。
【００１９】
上記フェノール樹脂としては、融点が６５℃未満のものを使用することが好ましい。これにより、室温で液状のエポキシ樹脂に確実に溶解することが可能となるからである。融点が６５℃以上のフェノール樹脂では、液状のエポキシ樹脂への溶解が困難となる場合もあるからである。
【００２０】
融点が６５℃未満のフェノール樹脂には、分子量が約４００〜１５００であるフェノール樹脂が含まれ、具体的には、分子量が約４００〜１５００のフェノールノボラック樹脂などを使用できる。
【００２１】
上記フェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、１０〜６５重量部の割合で含まれていることが必要であり、１５〜６０重量部の割合で含まれていることがより好ましい。上記フェノール樹脂が、１０重量部を下回ると加熱硬化時のボイドの発生が増加し、また、６５重量部を超えると封止樹脂の粘度が上昇して、封止樹脂としての使用が困難となる。
【００２２】
また、上記フェノール樹脂の融点は２５℃以下であることがより好ましい。融点が２５℃以下のフェノール樹脂は室温で液体であり、室温で液状のエポキシ樹脂との相溶性がより向上するからである。この融点が２５℃以下のフェノール樹脂には、分子量が約６００〜９００のフェノールノボラック樹脂が含まれる。
【００２３】
上記エポキシ樹脂としては、融点が２５℃以下のものを使用することが好ましい。この融点が２５℃以下のエポキシ樹脂は室温で液体のエポキシ樹脂であり、例えば、室温で液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシなどが挙げられる。
【００２４】
上記エポキシ樹脂のフェノール樹脂以外の液状の硬化剤としては、酸無水物硬化剤などを用いることができる。例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などを用いることができる。
【００２５】
本実施形態の封止樹脂組成物は、さらに充填剤を含むことが好ましい。これにより、封止樹脂の熱膨張率を低減でき、接合部の接続信頼性が向上できる。この充填剤としては、例えば、シリカ（酸化ケイ素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化チタン、炭酸カルシウムなどの粉末を用いることができる。この中でも、シリカとアルミナは高純度化が行えるので、α線を低減できる点でより好ましい。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の一例は、第１の基板と、第２の基板とを含み、上記第１の基板と上記第２の基板との間の空隙が、上記で説明した封止樹脂組成物により封止されている半導体装置である。上記封止樹脂組成物を使用して基板間の空隙を封止することにより、ボイドの発生の少ない接続信頼性の高い接合部を形成できる。
【００２７】
また、上記第１の基板、第２の基板には、半導体チップ、ウエハ、配線基板などが含まれる。
【００２８】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法の一例は、複数の金バンプを備えた第１の基板および複数の電極を備えた第２の基板から選ばれる少なくとも一方に、上記金バンプの上面および上記電極の上面を除いて上記で説明した封止樹脂組成物を塗布した後、上記第１の基板と上記第２の基板とを上記金バンプと上記電極とが接するように位置合わせし、上記第１の基板と上記第２の基板とを上記封止樹脂組成物を介して密着させ、加熱することにより上記封止樹脂組成物を硬化させて上記第１の基板と上記第２の基板とを接合するものである。
【００２９】
また、本発明の半導体装置の製造方法の他の一例は、複数のハンダバンプを備えた第１の基板と、複数の電極を備えた第２の基板とを、上記ハンダバンプと上記電極とが接するように位置合わせした後、上記第１の基板と上記第２の基板との間の空隙に上記で説明した封止樹脂組成物を充填し、加熱することにより上記封止樹脂組成物を硬化させて上記第１の基板と上記第２の基板とを接合するものである。
【００３０】
上記製造方法により、半導体装置を製造することにより、ボイドの発生の少ない接続信頼性の高い接合部を形成できる。
【００３１】
上記製造方法における封止樹脂組成物の加熱温度は、ボイドの発生を抑制するとの観点からは低いほうがよいが、加熱温度が低すぎると硬化時間が長くなるので好ましくない。一方、加熱温度が高いと硬化時間が短くなり、ボイドが発生する前に硬化する場合もあり、そのためにボイドの発生が減少する場合もある。従って、加熱温度は、ボイドの発生の抑制と硬化時間の短縮とのバランスを考慮して通常約１８０〜２４０℃の範囲に設定される。この温度範囲で加熱しても、本実施形態の封止樹脂組成物は、高沸点のフェノール樹脂硬化剤を含んでいるので、ボイドの発生を従来に比べて抑制することができる。
【００３２】
【実施例】
次に、本発明を実施例に基づき説明する。
【００３３】
（実施例１）
＜封止樹脂組成物の作製＞
主剤として室温で液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＥＸＡ８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を１００重量部、硬化剤１としてフェノールノボラック樹脂（商品名：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ、三井化学製、融点：５９℃）を１５重量部、硬化剤２としてメチルテトラヒドロフタル酸無水物（商品名：ＫＲＭ２９１−５、旭電化製）を８０重量部、硬化促進剤としてエポキシイミダゾール化合物（商品名：ＰＮ４０、味の素ファインテクノ製）を７重量部、カップリング剤としてシランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ４０３、信越化学製）を２重量部、充填剤としてシリカ粉末（商品名：ＳＯ−Ｅ５、アドマテックス製）を全樹脂組成物に対して６０重量％含有する封止樹脂組成物を作製した。その組成を表１に示した。
【００３４】
次に、上記封止樹脂組成物の粘度を測定した。この粘度の測定には、粘度測定機（商品名：ＥＨ型粘度計、東京計器産業製）を用いた。その結果を硬化剤１の融点とともに表２に示した。
＜半導体装置の基板の準備＞
第１の基板として、電極径７０μｍ、電極ピッチ１２０μｍの電極（金バンプ）を１２０個備える縦８．５ｍｍ、横８．５ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍのＬＳＩチップを準備した。
【００３５】
また、第２の基板として、電極径７０μｍ、電極ピッチ１２０μｍの電極を２７００個備える縦４０ｍｍ、横４０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの三菱瓦斯化学製のトリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名）からなる配線基板を準備した。
＜半導体装置の作製＞
上述のようにして得た封止樹脂６ｍｇを、第１の基板の電極部周辺に塗布した。次に、第１の基板の電極と第２の基板の電極とが接するようにフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、荷重６ｋｇ、基板温度６０℃、接合時間１０秒の条件で加熱接合して、図１と同様の構造の半導体装置を作製した。この時の加熱条件は、加熱ヘッドの温度は２８５℃、封止樹脂の温度は２４０℃とした。
＜ボイドの量の測定＞
上述のようにして作製した半導体装置の接合部のボイドの量を超音波顕微鏡（商品名：ＨＹＥ−ＦＯＣＵＳ、日立建機製）を用いて測定した。測定は、接合部の超音波顕微鏡写真に写ったボイドの面積と樹脂部の面積とを測定する方法で行い、全体の面積に対するボイドの面積の百分率を計算した。その結果を表２に示した。
【００３６】
（実施例２）
フェノールノボラック樹脂“ミレックスＸＬＣ−４Ｌ”に代えて、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＸＰＬ４４３７Ｅ、群栄化学工業製、融点：−１５℃）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製した。本実施例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本実施例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。さらに、実施例１と同様にして本実施例の半導体装置の接合部のボイドの量を測定し、その結果を表２に示した。
【００３７】
（実施例３）
フェノールノボラック樹脂“ミレックスＸＬＣ−４Ｌ”に代えて、フェノールノボラック樹脂（商品名：ＸＰＬ６０３２Ｂ、群栄化学工業製、融点：−１０℃）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製した。本実施例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本実施例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。さらに、実施例１と同様にして本実施例の半導体装置の接合部のボイドの量を測定し、その結果を表２に示した。
【００３８】
（実施例４）
フェノールノボラック樹脂“ＸＰＬ４４３７Ｅ”を６０重量部、メチルテトラヒドロフタル酸無水物“ＫＲＭ２９１−５”を４０重量部用いた以外は、実施例２と同様にして半導体装置を作製した。本実施例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本実施例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。さらに、実施例１と同様にして本実施例の半導体装置の接合部のボイドの量を測定し、その結果を表２に示した。
【００３９】
（比較例１）
フェノール樹脂（硬化剤１）を全く添加せず、硬化剤２としてメチルテトラヒドロフタル酸無水物“ＫＲＭ２９１−５”を１００重量部用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製した。本比較例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本比較例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。さらに、実施例１と同様にして本比較例の半導体装置の接合部のボイドの量を測定し、その結果を表２に示した。
【００４０】
（比較例２）
フェノールノボラック樹脂“ミレックスＸＬＣ−４Ｌ”に代えて、フェノールノボラック樹脂（商品名：ミレックスＸＬＣ−２Ｌ、三井化学製、融点：７０〜８０℃）を用いた以外は、実施例１と同様にして封止樹脂組成物を調製した。本比較例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本比較例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。
【００４１】
本比較例では、封止樹脂組成物の粘度が高すぎて、基板の表面に塗布することができず、半導体装置を作製することができなかった。
【００４２】
（比較例３）
フェノールノボラック樹脂“ミレックスＸＬＣ−４Ｌ”を５重量部、メチルテトラヒドロフタル酸無水物“ＫＲＭ２９１−５”を９０重量部用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製した。本比較例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本比較例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。さらに、実施例１と同様にして本比較例の半導体装置の接合部のボイドの量を測定し、その結果を表２に示した。
【００４３】
（比較例４）
フェノールノボラック樹脂“ＸＰＬ４４３７Ｅ”を７０重量部、メチルテトラヒドロフタル酸無水物“ＫＲＭ２９１−５”を３０重量部用いた以外は、実施例２と同様にして封止樹脂組成物を調製した。本比較例の封止樹脂組成物の組成を表１に示した。また、本比較例の封止樹脂組成物の粘度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。
【００４４】
本比較例では、封止樹脂組成物の粘度が高すぎて、基板の表面に塗布することが困難となり、半導体装置を作製することができなかった。
【００４５】
【表１】
2005015527.tif 000003
【００４６】
【表２】
2005015527.tif 000004
【００４７】
表１および表２から明らかなように、実施例１〜実施例４の封止樹脂の粘度は、１８０００〜６００００となり、流動性に優れていた。また、実施例１〜実施例４の接合部のボイドの量は、いずれも１％以下であり、良好な接合状態を実現できた。
【００４８】
これに対して、比較例１では封止樹脂の粘度は低いものの、接合部のボイドの量は１０％となり、接合部の信頼性に欠けていた。比較例２では、前述のとおり封止樹脂の粘度が高すぎて、半導体装置を作製できなかった。比較例３では封止樹脂の粘度は低いものの、フェノール樹脂の添加量が１０重量部を下回ったため、ボイドの量が７％となり、接合部の信頼性に欠けていた。比較例４では、前述のとおり封止樹脂の粘度が高すぎて、半導体装置を作製できなかった。
【００４９】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００５０】
（付記１）  エポキシ樹脂と、フェノール樹脂とを含む封止樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂とは相溶解可能であり、
前記フェノール樹脂が、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、１０〜６５重量部の割合で含まれていることを特徴とする封止樹脂組成物。
【００５１】
（付記２）  前記エポキシ樹脂の融点と前記フェノール樹脂の融点とが、２５℃以下である付記１に記載の封止樹脂組成物。
【００５２】
（付記３）  前記フェノール樹脂が、フェノールノボラック樹脂である付記１または２に記載の封止樹脂組成物。
【００５３】
（付記４）  さらに充填剤を含む付記１〜３のいずれかに記載の封止樹脂組成物。
【００５４】
（付記５）  前記充填剤が、シリカおよびアルミナから選ばれる少なくとも１種類を含む付記４に記載の封止樹脂組成物。
【００５５】
（付記６）  第１の基板と、第２の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の空隙が、請求項１〜５のいずれかに記載の封止樹脂組成物により封止されていることを特徴とする半導体装置。
【００５６】
（付記７）  前記第１の基板および前記第２の基板が、半導体チップ、ウエハおよび配線基板から選ばれるいずれか一つである付記６に記載の半導体装置。
【００５７】
（付記８）  複数のバンプを備えた第１の基板および複数の電極を備えた第２の基板から選ばれる少なくとも一方に、前記バンプの上面および前記電極の上面を除いて付記１〜５のいずれかに記載の封止樹脂組成物を塗布した後、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記バンプと前記電極とが接するように位置合わせし、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記封止樹脂組成物を介して密着させ、加熱することにより前記封止樹脂組成物を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００５８】
（付記９）  前記バンプが、金バンプである付記８に記載の半導体装置の製造方法。
【００５９】
（付記１０）  複数のバンプを備えた第１の基板と、複数の電極を備えた第２の基板とを、前記バンプと前記電極とが接するように位置合わせした後、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空隙に付記１〜５のいずれかに記載の封止樹脂組成物を充填し、加熱することにより前記封止樹脂組成物を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６０】
（付記１１）  前記バンプが、ハンダバンプである付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
【００６１】
（付記１２）  前記第１の基板および前記第２の基板が、半導体チップ、ウエハおよび配線基板から選ばれるいずれか一つである付記８〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、高い流動性を有し、接続信頼性も良好な封止樹脂組成物とそれを用いた接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】金バンプを備えた半導体チップと回路基板とがフリップチップ接合された半導体装置の断面図である。
【図２】ハンダバンプを備えた半導体チップと回路基板とがフリップチップ接合された半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１０、２０  半導体装置
１１、２１  半導体チップ
１２        金バンプ
２２        ハンダバンプ
１３、２３  回路基板
１４、２４  電極
１５、２５  封止樹脂
【図１】
2005015527.tif 000005
【図２】
2005015527.tif 000006