(57)【要約】【課題】センサ全体の寸法を大きくせずに物理量の検出感度を高める。【解決手段】ビーム部４は、幅細の薄い帯状に形成され、固定電極６Ｘ，６Ｙの電極支持部７とフレーム部２の間の隙間を通ってマス部３の周囲を略４分の３周した位置においてフレーム部２の内側角部に他端部が連結されている。ビーム部４の両端部を除く部位をマス部３の周囲に配設される固定電極６Ｘ，６Ｙとフレーム部２との間に配置しているため、加速度センサ１全体の寸法を大きくせずにビーム部４の長さ寸法を伸ばしてマス部３の変位量を大きくすることができ、物理量（加速度）の検出感度を高めることが可能である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加速度や角速度のような物理量を可動電極と固定電極の間の静電容量によって検出する静電容量式センサであって、固定電極と、固定電極に対向する可動電極と、可動電極を支持し且つ物理量によって変位するマス部と、撓み自在に形成されて一端部でマス部と連結され且つ他端部が固定される１乃至複数のビーム部とが半導体基板を加工して形成される静電容量式センサにおいて、ビーム部の両端部を除く部位の少なくとも一部が、固定電極に対してマス部と反対側に配置されたことを特徴とする静電容量式センサ。
【請求項２】
ビーム部は、マス部および固定電極の回りを周回する形状に形成されたことを特徴とする請求項１記載の静電容量式センサ。
【請求項３】
マス部は、周縁から中央に向かう溝が設けられ、ビーム部は、溝の中央側の端部でマス部と連結されて一部が溝内に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の静電容量式センサ。
【請求項４】
２つのビーム部を備えたことを特徴とする請求項１又は２又は３記載の静電容量式センサ。
【請求項５】
４つのビーム部を備えたことを特徴とする請求項１又は２又は３記載の静電容量式センサ。
【請求項６】
ビーム部の撓み量を規制する規制手段を備えたことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の静電容量式センサ。
【請求項７】
マス部およびビーム部とともに半導体基板を加工して形成される肉厚部が、ビーム部とビーム部の周囲に設けられる構造物との距離が相対的に大きい部位に配置されることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の静電容量式センサ。
【請求項８】
固定電極と可動電極は、マス部およびビーム部の並び方向と略平行に対向し、当該並び方向と直交する方向におけるマス部の少なくとも片側に可動電極と対向する第２の固定電極が配設されたことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の静電容量式センサ。
【請求項９】
ビーム部は、前記並び方向と直交する方向の厚みがマス部の厚みよりも小さく形成されたことを特徴とする請求項８記載の静電容量式センサ。
【請求項１０】
固定電極、可動電極、マス部およびビーム部を囲む枠状に形成されてビーム部の他端部が連結されるフレーム部を備え、該フレーム部は、マス部およびビーム部との並び方向に直交する方向において両側から絶縁体からなる一対の基板に固定され、一方の基板は、１乃至複数の角部が切り欠かれてなる開口部を有し、該開口部を通して外部に露出する位置に固定電極と電気的に接続された電極パッドが設けられたことを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の静電容量式センサ。
【請求項１１】
前記基板は２つの開口部を有することを特徴とする請求項１０記載の静電容量式センサ。
【請求項１２】
開口部の輪郭が直線のみで形成されたことを特徴とする請求項１０又は１１記載の静電容量式センサ。
【請求項１３】
固定電極並びに可動電極が櫛歯状に形成され、ビーム部と固定電極並びに可動電極が半導体基板を反応性イオンエッチングによりエッチングして形成されることを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載の静電容量式センサ。
【請求項１４】
請求項１０又は１１又は１２の静電容量式センサを製造する製造方法であって、複数のセンサブロックがウェハに形成され、該ウェハから個々のセンサブロックを切り出して静電容量式センサを製造する製造方法において、基板を構成する絶縁体に複数の孔を貫設し、該孔がウェハにおいて隣接するセンサブロックの境界に跨るように絶縁体をウェハに接合した後に個々のセンサブロックを絶縁体とともにウェハから切り出すことを特徴とする静電容量式センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固定電極と可動電極の間の静電容量から加速度や角速度を検出する静電容量式センサおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、固定電極と、固定電極に対向する可動電極と、可動電極を支持し且つ物理量によって変位するマス部と、撓み自在に形成されて一端部でマス部と連結される１乃至複数のビーム部と、固定電極、可動電極、マス部およびビーム部を囲む枠状に形成されてビーム部の他端部が連結されるフレーム部とが半導体基板を加工して形成される静電容量式センサが種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１２は従来の静電容量式加速度センサの平面図である。矩形枠状に形成されたフレーム部３０の内側にマス部３１、ビーム部３２、固定電極３３並びに可動電極３４が配置されている。マス部３１は大略四角形状であって、その四辺にそれぞれ可動電極３４が櫛歯状に形成されている。ビーム部３２は幅細で葛折れ形に形成され、一端部がフレーム部３０の内側角部に連結されるとともに、他端部がマス部３１の四隅に連結されて撓み自在にマス部３１を支持している。また、固定電極３３も櫛歯状に形成され、マス部３１の各辺とフレーム部３０との間に配置されて各可動電極３４と互い違いに並んで対向している。
【０００４】
而して、加速度が印加されるとマス部３１が変位して可動電極３４と固定電極３３の間のギャップが変化することから、固定電極３３と可動電極３４の間の静電容量も変化し、その容量変化を図示しない外部回路で測定するにより加速度の印加方向およびその大きさが検出できる。尚、このような構造の加速度センサは、一般にシリコンなどの半導体基板をエッチング等の半導体微細加工技術により加工することで形成される。
【特許文献１】特許第３３２７５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、静電容量式センサで物理量（上記従来例であれば、加速度）の検出感度を高くするには、物理量に対するマス部の変位量を大きくすればよい。しかしながら、上記従来例では４つのビーム部３２がそれぞれマス部３１の四隅と、当該四隅に対向するフレーム部３０の内側角部との間に配置された構成であるため、葛折れ形としても十分な長さを確保することが困難であり、センサ全体の寸法を大きくせずにマス部３１の変位量を大きくするには限界があった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的は、センサ全体の寸法を大きくしなくても物理量の検出感度を高めることが可能な静電容量式センサおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、加速度や角速度のような物理量を可動電極と固定電極の間の静電容量によって検出する静電容量式センサであって、固定電極と、固定電極に対向する可動電極と、可動電極を支持し且つ物理量によって変位するマス部と、撓み自在に形成されて一端部でマス部と連結され且つ他端部が固定される１乃至複数のビーム部とが半導体基板を加工して形成される静電容量式センサにおいて、ビーム部の両端部を除く部位の少なくとも一部が、固定電極に対してマス部と反対側に配置されたことを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、センサ全体の寸法を大きくせずにビーム部の長さ寸法を伸ばしてマス部の変位量を大きくすることができ、物理量の検出感度を高めることが可能な静電容量式センサが提供できる。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、ビーム部は、マス部および固定電極の回りを周回する形状に形成されたことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、ビーム部の長さ寸法をさらに伸ばして物理量の検出感度を一層高めることができる。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、マス部は、周縁から中央に向かう溝が設けられ、ビーム部は、溝の中央側の端部でマス部と連結されて一部が溝内に配置されることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、ビーム部の長さ寸法をさらに伸ばして物理量の検出感度を一層高めることができる。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１又は２又は３の発明において、２つのビーム部を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、４つのビーム部を備える場合に比較してマス部の変位量が大きくなり物理量の検出感度が高くなる。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１又は２又は３の発明において、４つのビーム部を備えたことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、２つのビーム部を備える場合に比較して振動に対するマス部の安定性が増し、検出精度が向上する。
【００１７】
請求項６の発明は、請求項１〜５の発明において、ビーム部の撓み量を規制する規制手段を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、過大な物理量が印加されたときに規制手段でビーム部の撓み量が規制されてビーム部の破損等が防止できる。
【００１９】
請求項７の発明は、請求項１〜６の何れかの発明において、マス部およびビーム部とともに半導体基板を加工して形成される肉厚部が、ビーム部とビーム部の周囲に設けられる構造物との距離が相対的に大きい部位に配置されることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、ビーム部とビーム部の周囲に設けられる構造物との距離が大きい部位では、半導体基板を加工（エッチング）する際にビーム部が必要以上にエッチングされてしまう虞があるが、そのような部位に肉厚部を配置することでビーム部が必要以上にエッチングされるのを防ぎ、検出感度にばらつきが生じるのを防止することができる。
【００２１】
請求項８の発明は、請求項１〜７の何れかの発明において、固定電極と可動電極は、マス部およびビーム部の並び方向と略平行に対向し、当該並び方向と直交する方向におけるマス部の少なくとも片側に可動電極と対向する第２の固定電極が配設されたことを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、固定電極と可動電極の間の静電容量の変化により３次元直交座標系のｘ軸およびｙ軸の各方向の加速度を検出するとともに、第２の固定電極と可動電極の間の静電容量の変化によりｚ軸方向の加速度も検出することが可能な加速度センサが実現できる。
【００２３】
請求項９の発明は、請求項８の発明において、ビーム部は、前記並び方向と直交する方向の厚みがマス部の厚みよりも小さく形成されたことを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、ｚ軸方向におけるマス部の変位量を増やして当該方向の加速度の検出感度を高めることができる。
【００２５】
請求項１０の発明は、請求項１〜９の何れかの発明において、固定電極、可動電極、マス部およびビーム部を囲む枠状に形成されてビーム部の他端部が連結されるフレーム部を備え、該フレーム部は、マス部およびビーム部との並び方向に直交する方向において両側から絶縁体からなる一対の基板に固定され、一方の基板は、１乃至複数の角部が切り欠かれてなる開口部を有し、該開口部を通して外部に露出する位置に固定電極と電気的に接続された電極パッドが設けられたことを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、一枚のウェハから多数の静電容量式センサを製造する場合に隣接する複数のセンサに跨る形で開口部が配置され、基板の一箇所を切り欠けば複数のセンサの開口部を同時に形成することが可能で製造が容易になる。
【００２７】
請求項１１の発明は、請求項１０の発明において、前記基板は２つの開口部を有することを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、開口部による基板の強度低下を抑えることができる。
【００２９】
請求項１２の発明は、請求項１０又は１１の発明において、開口部の輪郭が直線のみで形成されたことを特徴とする。
【００３０】
この発明によれば、開口部の輪郭が曲線で形成される場合に比較して開口部を除く部位の面積を大きくすることができ、製造時において開口部を通して埃等の異物がマス部やビーム部などに付着し難くなる。
【００３１】
請求項１３の発明は、請求項１〜１２の何れかの発明において、固定電極並びに可動電極が櫛歯状に形成され、ビーム部と固定電極並びに可動電極が半導体基板を反応性イオンエッチングによりエッチングして形成されることを特徴とする。
【００３２】
この発明によれば、固定電極と可動電極の対向面積を拡げることが可能で物理量の検出感度をさらに高めることができる。
【００３３】
請求項１４の発明は、請求項１０又は１１又は１２の静電容量式センサを製造する製造方法であって、複数のセンサブロックがウェハに形成され、該ウェハから個々のセンサブロックを切り出して静電容量式センサを製造する製造方法において、基板を構成する絶縁体に複数の孔を貫設し、該孔がウェハにおいて隣接するセンサブロックの境界に跨るように絶縁体をウェハに接合した後に個々のセンサブロックを絶縁体とともにウェハから切り出すことを特徴とする。
【００３４】
この発明によれば、絶縁体の必要箇所のみに開口部を設けることが可能で、しかもウェハから切り出されたセンサブロックにおいては隣接する他のセンサブロックとの境界部分で開口部が開放されているため、開口部を通して電極パッドにワイヤをボンディングする作業が容易に行える。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、センサ全体の寸法を大きくせずにビーム部の長さ寸法を伸ばしてマス部の変位量を大きくすることができ、物理量の検出感度を高めることが可能な静電容量式センサが提供できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明を静電容量式の半導体加速度センサに適用した実施形態について図面を参照して詳細に説明する。但し、本発明の静電容量式センサは加速度センサに限定されるものではなく、加速度以外にも角速度や圧力等の物理量を検出する静電容量式センサにも本発明の技術思想が適用可能であることはいうまでもない。
【００３７】
図１は本実施形態の静電容量式半導体加速度センサ（以下、単に「加速度センサ」という）１を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面矢視図である。フレーム部２は、図１（ａ）に示すように縦横の寸法がほぼ等しい略正方形の扁平な枠状に形成されている。マス部３は略菱形の扁平な形状に形成され、その四辺にはそれぞれ櫛歯状の可動電極５Ｘ，５Ｙが形成されている。固定電極６Ｘ，６Ｙも可動電極５Ｘ，５Ｙと同様に櫛歯状に形成され、マス部３の各辺とフレーム部２との間に配置されて各可動電極５Ｘ，５Ｙと互い違いに並んで対向している。尚、固定電極６Ｘ，６Ｙは固定電極６Ｘ，６Ｙよりも幅の太い電極支持部７によって支持されている。
【００３８】
マス部３には４つの頂点からそれぞれ中央部に向かって幅細の溝８が設けられており、各溝８の中央側の端部で４つのビーム部４の一端部がそれぞれマス部３と連結されている。各ビーム部４は、溝８よりも幅細の薄い帯状に形成され、溝８の頂点側端部の外で円弧状に湾曲し、固定電極６Ｘ，６Ｙに対してマス部３と反対側（すなわち、固定電極６Ｘ，６Ｙの電極支持部７とフレーム部２の間の隙間）を通ってマス部３の周囲を略４分の３周した位置においてフレーム部２の内側角部に他端部が連結されている。薄い帯状に形成されたビーム部４は少なくともその幅方向に撓み自在であり、フレーム部２の内側で４つのビーム部４によって支持されているマス部３が図１（ａ）におけるｘ軸方向並びにｙ軸方向に変位可能となっている。なお、本実施形態ではビーム部４の端部を固定する構造物として矩形枠状のフレーム部２を備えているが、必ずしもフレーム部２を備える必要はなく、ビーム部４の端部が固定できる構造であれば構わない。
【００３９】
ここで、マス部３の対向する一対の頂点近傍において可動電極５Ｘ，５Ｙと並行する切り欠き３ａが溝８を挟んで対向する位置に設けられ、マス部３が大きく変位したときにマス部３と干渉するストッパ部２０が切り欠き３ａ内に設けられている。すなわち、外部から衝撃が加わったときにストッパ部２０が切り欠き３ａ内においてマス部３と干渉し、マス部３が過度に変位することを防ぐことができる。
【００４０】
そして、加速度が印加されることでマス部３がｘｙ平面内で変位し、ｘ軸方向の変位量に応じて固定電極６Ｘと可動電極５Ｘの間のギャップが変化して両者間の静電容量も変化し、同じくｙ軸方向の変位量に応じて固定電極６Ｙと可動電極５Ｙの間のギャップが変化して両者間の静電容量も変化するから、これら２つの静電容量の変化の大きさを測定することで印加された加速度の方向とその大きさが検出できるのである。但し、このような加速度の検出原理は従来の静電容量式センサと共通であるから詳細な説明は省略する。
【００４１】
而して本実施形態では、ビーム部４の両端部を除く部位を固定電極６Ｘ，６Ｙに対してマス部３と反対側に配置しているため、加速度センサ１全体の寸法を大きくせずにビーム部４の長さ寸法を伸ばしてマス部３の変位量を大きくすることができ、物理量（加速度）の検出感度を高めることが可能である。また、ビーム部４をマス部３および固定電極６Ｘ，６Ｙの回りを周回する螺旋形状に形成することでその長さ寸法を伸ばしており、このことによってもマス部３の変位量を大きくして加速度の検出感度を高めることができる。さらに、マス部３の周縁から中央に向かう溝８を設け、この溝８の中央側の端部で一端部をマス部３と連結してビーム部４の一部を溝８内に配置しているから、溝８内に配置されている分だけビーム部４の長さ寸法を伸ばすことが可能であり、このことによってもマス部３の変位量を大きくして加速度の検出感度を高めることができる。
【００４２】
ところで、本実施形態では４つのビーム部４によってマス部３を揺動自在に支持する構造としているが、図２に示すように例えば対角の位置にある２つのビーム部４のみでマス部３を支持する構造とすれば、４つのビーム部４で支持する場合に比較してマス部３の変位量が大きくなり、加速度の検出感度をさらに高めることが可能である。但し、４つのビーム部４でマス部３を支持する構造には、２つのビーム部４でマス部４を支持する構造に比較して、検出対象でない加速度以外の振動に対するマス部３の安定性が増し、本来検出すべき加速度の検出精度が向上するという利点がある。
【００４３】
尚、過大な加速度が印加された場合にビーム部４の撓み量が大きくなり過ぎて破損等の不具合が生じる虞があるから、ビーム部４の撓み量を規制する規制手段を設けることが望ましい。例えば、図３に示すようにビーム部４との間に所定の隙間を空けて対向する複数の突起状のビームストッパ９を形成すればよく、過大な加速度が印加されたときにビーム部４がビームストッパ９に当たって撓み量が規制されてビーム部４の破損等が防止できるものである。
【００４４】
ここで、本実施形態におけるビーム部４や可動電極５Ｘ，５Ｙおよび固定電極６Ｘ，６Ｙは、半導体基板（例えば、シリコン基板）をドライエッチング、例えば誘導結合プラズマ式の反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）でエッチングすることによって形成されるが、ビーム部４のように長さと幅の寸法比（アスペクト比）が高い構造を形成する場合、その周囲のエッチング領域が大きいと当該エッチング領域のエッチング後にガスが入り込みやすくなり、本来エッチングされるべきでない領域まで過剰にエッチングされてビーム部４が細くなってしまう虞がある。そのために本実施形態では、図１および図４に示すようにビーム部４とビーム部４の周囲に設けられる構造物（例えば、フレーム部２やストッパ部２０など）との距離が相対的に大きい部位、すなわち、ビーム部４の円弧状に湾曲した部分の近傍にエッチングされない肉厚部１０を配置することによってエッチング領域を縮小している。このように肉厚部１０を配置することでビーム部４の近傍のエッチング領域が縮小されるため、ビーム部４が必要以上にエッチングされるのを防ぐことができ、ビーム部４の細りによって検出感度にばらつきが生じるのを防止している。なお、ビーム部４と、ビーム部４の周囲に設けられる構造物とは何れも本実施形態に限定されるものではなく、如何なる構成においても、ビーム部４とビーム部４の周囲に設けられる構造物との距離が相対的に大きい部位に肉厚部を設けることでビーム部４の細りが抑えられるものである。
【００４５】
ところで、図５に示すようにマス部３およびビーム部４との並び方向（図５における左右方向）に直交する方向（図５における上下方向）において両側から絶縁体（例えば、ガラス）からなる一対の基板１１，１２がフレーム部２に接合され、基板１１，１２によってフレーム部２を補強する構造とするのが一般的である。このような構造において、各基板１１，１２の可動電極５Ｘ，５Ｙとの対向面に第２の固定電極１５を形成すれば、第２の固定電極１５と可動電極５Ｘ，５Ｙとの間の静電容量の変化により、図５における上下方向、すなわち、ｚ軸方向の加速度を検出することができ、３軸方向の加速度が検出可能な加速度センサが実現できる。但し、ｚ軸方向における加速度の検出感度を高めるために、図６に示すようにｚ軸に沿ったビーム部４の厚みがマス部３の厚みよりも小さくなるように形成し、ビーム部４がｚ軸方向に容易に撓むようにしてｚ軸方向におけるマス部３の変位量を増やすことが望ましい。
【００４６】
また、上述のようにフレーム部２を一対の基板１１，１２で補強する場合、図７に示すように各電極支持部７の表面に形成されている固定電極用の電極パッド１３、並びにフレーム部２の表面に形成されている可動電極用の電極パッド１４にワイヤボンディングするために、フレーム部２の表面側に接合される基板１２にそれぞれ開口部１２ａを設ける必要がある。一方、本実施形態の加速度センサ１のように半導体基板を加工して形成するものにおいては、半導体基板（ウェハ）の裏面に一方の基板１１を接合し、ウェハの表面にエッチング等の加工を行うことで多数の加速度センサ１を縦横に並べて形成し、さらにウェハの表面に他方の基板１２を接合した後、個々の加速度センサ１をウェハから切り出すという製造方法が採用されている。従って、ウェハから切り出される前の加速度センサ１（以下、説明を簡単にするために切り出す前のものを「センサブロック」と呼ぶ）は縦横に斜めに合計８個のセンサブロック１と隣接しており、加速度センサ１の４つの角部に形成される開口部１２ａが各々隣接する４つのセンサブロック１に跨って配置されることになるから、隣接する４つのセンサブロック１の角部に相当する箇所の基板１２を切り欠けば、一箇所について４つのセンサブロック１の基板１２に同時に開口部１２ａを形成することが可能であり、個々のセンサブロック１について個別に開口部１２ａを形成する場合に比較して開口部１２ａの製造が容易に行えるという利点がある。
【００４７】
ここで、基板１２の４つの角部にそれぞれ開口部１２ａを形成すると基板１２の強度が低下すると考えられるから、図８に示すように対角線上にある２つの角部にだけ開口部１２ａを形成し、各開口部１２ａにより露出する範囲に４つの固定電極用の電極パッド１３並びに可動電極用の電極パッド１４を配置し、開口部１２ａによる基板１２の強度低下を抑えることが望ましい。また、図７および図８に示すように開口部１２ａの輪郭を直線のみで形成することにより、輪郭を曲線で形成する場合に比較して基板１２の開口部１２ａを除く部位の面積を大きくすることができ、製造時において開口部１２ａを通して埃等の異物がマス部３やビーム部４などに付着し難くなる。
【００４８】
最後に本実施形態の加速度センサ１の製造方法について説明する。まず、ウェハの裏面に基板１１となる絶縁体を接合し、ＩＣＰ−ＲＩＥによってウェハの表面からエッチングを行ってマス部３、ビーム部４、可動電極５Ｘ，５Ｙ、固定電極６Ｘ，６Ｙなどを形成する。ここで、ＩＣＰ−ＲＩＥのような反応性イオンエッチングでエッチングすることにより、ウェハの厚み方向において深い位置まで均一にエッチングすることができるから、可動電極５Ｘ，５Ｙ並びに固定電極６Ｘ，６Ｙの深さ方向の寸法、すなわち、両者の対向面積を大きくとることができ、結果的に加速度の検出感度の向上が図れるものである。
【００４９】
一方、基板１２となる絶縁体に平面視八角形の複数の孔を貫設し、各孔の中心が隣接する４つのセンサブロック１の角が集まる点と重なるように位置あわせしてウェハの表面に絶縁体を接合する（図１０参照）。そして、図１０に破線で示した位置で個々のセンサブロック１を絶縁体（基板１１，１２）とともにウェハから切り出せば、図１１に示すように表裏両面に基板１１，１２が接合された加速度センサ１が得られる。尚、図１１ではフレーム部２やマス部３、ビーム部４等の細部の図示は省略している。
【００５０】
而して、上述のように基板１２を構成する絶縁体に予め開口部１２ａを構成するための孔を貫設すれば、絶縁体（基板１２）の必要箇所のみに開口部１２ａを設けることが可能で、しかもウェハから切り出されたセンサブロック（加速度センサ）１においては隣接する他のセンサブロック（加速度センサ）１との境界部分で開口部１２ａが開放されているため、キャピラリなどのボンディング用工具が四方を基板１２で囲まれるというようなことがなく、開口部１２ａを通して電極パッド１３，１４にワイヤをボンディングする作業が容易に行えるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面矢視図である。
【図２】同上の他の構成を示す平面図である。
【図３】同上の要部の平面図である。
【図４】同上の要部の平面図である。
【図５】同上の他の構成を示す断面図である。
【図６】同上のさらに他の構成を示す断面図である。
【図７】同上の基板を接合した状態の平面図である。
【図８】同上の基板を接合した状態の平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ線断面矢視図である。
【図１０】同上の製造方法を説明するための説明図である。
【図１１】同上の一部省略した斜視図である。
【図１２】従来例の平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  加速度センサ
２  フレーム部
３  マス部
４  ビーム部
５Ｘ，５Ｙ  可動電極
６Ｘ，６Ｙ  固定電極
７  電極支持部
８  溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005083972.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005083972.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005083972.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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