(57)【要約】【課題】磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末とその製造方法を提供する。【解決手段】Ｒ（ただし、Ｒは、ＤｙおよびＴｂを除くＹを含む希土類元素の内の１種または２種以上を示す。）：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜５％、Ｂ：３〜２０％を含有し、必要に応じてＣｏ：０．１〜５０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多い層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子％で（以下、％は原子％を示す）、Ｒ（ただし、Ｒは、ＤｙおよびＴｂを除くＹを含む希土類元素の内の１種または２種以上を示す。以下同じ）：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多い層（以下、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層という）で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末。
【請求項２】
Ｒ：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ（ただし、ＭはＧａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｇｅ、ＣおよびＳｉの内の１種または２種以上を示す。）：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末。
【請求項３】
Ｒ：５〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末。
【請求項４】
Ｒ：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末。
【請求項５】
実質的に正方晶構造をとるＲ２Ｆｅ１４Ｂ型金属間化合物相を主相とした再結晶粒が相互に隣接した再結晶集合組織を有し、この再結晶集合組織は個々の再結晶粒の最短粒径ａと最長粒径ｂの比（ｂ／ａ）が２未満である形状の再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上存在し、かつ再結晶粒の平均再結晶粒径が０．０５〜５μｍの寸法を有する磁気異方性ＨＤＤＲ磁石粉末の基本組織を有することを特徴とする請求項１、２、３または４記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末。
【請求項６】
請求項１、２、３、４または５記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末を有機バインダーまたは金属バインダーにより結合してなることを特徴とする希土類磁石。
【請求項７】
請求項１、２、３、４または５記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末をホットプレスまたは熱間静水圧プレスしてなることを特徴とする希土類磁石。
【請求項８】
希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項９】
希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１０】
希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１１】
希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
引き続いて、中間熱処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１２】
前記請求項８、９、１０または１１記載の希土類磁石合金原料は、真空またはＡｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持の条件で均質化処理した希土類磁石合金原料であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１３】
希土類磁石合金原料を、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温、または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施したのち、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末（以下、この粉末を水素吸収希土類磁石合金原料粉末という）を作製し、
この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１４】
水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１５】
水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより水素含有原料混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１６】
水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粉末粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
引き続いて、中間熱処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより水素含有原料混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１７】
前記請求項１３、１４、１５または１６記載の水素吸収希土類磁石合金原料粉末を作製するための希土類磁石合金原料は、真空またはＡｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持の条件で均質化処理した希土類磁石合金原料であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【請求項１８】
請求項８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６または１７記載の方法で製造した磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末を有機バインダーまたは金属バインダーにより結合することを特徴とする希土類磁石の製造方法。
【請求項１９】
請求項８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６または１７記載の方法で製造した磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末を成形して圧粉体を作製し、この圧粉体を温度：６００〜９００℃でホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることを特徴とする希土類磁石の製造方法。
【請求項２０】
請求項８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６または１７記載の希土類磁石合金原料は、原子％で（以下、％は原子％を示す）、
Ｒ´（ただし、Ｒ´は、Ｙを含む希土類元素の内の１種または２種以上を示し、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を含まない場合も含む。以下同じ）：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ（但し、ＭはＧａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｇｅ、ＣおよびＳｉの内の１種または２種以上を示す。）：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、または
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭをＧａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｇｅ、ＣおよびＳｉの内の１種または２種以上とすると、原子％で（以下、％は原子％を示す）、Ｙを含む希土類元素の内の１種または２種以上：１０〜２０％、Ｃｏ：０〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料水素化物粉末と、Ｄｙ、Ｔｂの単体、合金、化合物、またはそれら（単体、合金、化合物）の水素化物からなる粉末を混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を拡散加熱し、この拡散加熱した混合粉末から脱水素することにより磁気異方性に優れた希土類磁石粉末を製造する方法は知られており、前記希土類磁石合金原料水素化物粉末は希土類磁石合金原料を水素雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの所定の温度に昇温、または昇温し保持して水素吸収処理したのち、水素圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に昇温し保持することにより前記希土類磁石合金原料に水素を吸収させて相変態による分解を促す水素吸収・分解処理を施し、引き続いて、水素吸収・分解処理を施した希土類磁石合金原料を５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより希土類磁石合金原料に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、引き続いてＡｒガスを導入して室温まで冷却することにより製造することは知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、これら希土類磁石粉末である磁気異方性ＨＤＤＲ磁石粉末は、希土類磁石合金原料を水素吸収処理したのち、水素圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に昇温し保持することにより希土類磁石合金原料に水素を吸収させて相変態による分解を促す水素吸収・分解処理を施し、引き続いて、水素吸収・分解処理を施した希土類磁石合金原料を５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で真空中に保持することにより脱水素処理が施されるところから、実質的に正方晶構造をとるＲ２Ｆｅ１４Ｂ型金属間化合物相を主相とした再結晶粒が相互に隣接した再結晶集合組織を有し、この再結晶集合組織は個々の再結晶粒の最短粒径ａと最長粒径ｂの比（ｂ／ａ）が２未満である形状の再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上存在し、かつ再結晶粒の平均再結晶粒径が０．０５〜５μｍの寸法を有する磁気異方性ＨＤＤＲ磁石粉末の基本組織を有することが知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−９３６１０号公報
【特許文献２】特許第２５７６６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、電気・電子業界では一層磁気異方性に優れた希土類磁石粉末が求められており、特に自動車業界では電気自動車の開発が盛んで、電気自動車に搭載するモーターの開発が盛んに行われている。この電気自動車に搭載されているモーターは小型ガソリンエンジンの近傍に設置されたり、炎天下に放置されることがあるために特に加熱されやすい環境下に置かれることが多々ある。そのために一層耐熱性に優れかつ磁気特性に優れたモーター部品を製造することのできる保磁力および残留磁束密度が共に優れた磁気異方性を有しかつ熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明者らは、一層優れた磁気異方性および熱的安定性を有する希土類磁石粉末を得るべく研究を行った。その結果、以下の（い）〜（は）に記載の研究結果が得られたのである。
（い）（ａ）原子％で（以下、％は原子％を示す）、Ｒ（ただし、Ｒは、ＤｙおよびＴｂを除き、Ｙを含む希土類元素の内の１種または２種以上を示す。以下同じ）：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多い層（以下、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層という）で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（ｂ）Ｒ：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（ｃ）Ｒ：５〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（ｄ）Ｒ：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
の前記（ａ）〜（ｄ）記載の希土類磁石粉末はいずれも従来の特許文献１記載の希土類磁石粉末に比べて一層優れた磁気異方性および熱的安定性を有する。
（ろ）この希土類磁石粉末はいずれも実質的に正方晶構造をとるＲ２Ｆｅ１４Ｂ型金属間化合物相を主相とした再結晶粒が相互に隣接した再結晶集合組織を有し、この再結晶集合組織は個々の再結晶粒の最短粒径ａと最長粒径ｂの比（ｂ／ａ）が２未満である形状の再結晶粒が全再結晶粒の５０容量％以上存在し、かつ再結晶粒の平均再結晶粒径が０．０５〜５μｍの寸法を有する磁気異方性ＨＤＤＲ磁石粉末の基本組織を有している、という研究結果が得られたのである。
（は）これらの前記磁気異方性および熱的安定性を有する希土類磁石粉末は、通常の方法で希土類磁石を作製することができる。
【０００６】
前記一層優れた磁気異方性および熱的安定性を有する希土類磁石粉末を製造するには、
（イ）前記従来の磁気異方性に優れた希土類磁石粉末の製造方法において、希土類磁石合金原料を平均粒径：１０〜１０００μｍになるまで通常の不活性ガス雰囲気中で粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、その後、従来と同様に引き続いて、必要に応じて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を不活性ガス圧：１０〜１０００ｋＰａ、温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、さらに引き続いて、必要に応じて、中間熱処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、その後、５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することにより製造することができる、
（ロ）また、必要に応じて希土類磁石合金原料を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温、または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施したのち、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末（以下、この粉末を水素吸収希土類磁石合金原料粉末という）を作製し、
この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、その後、引き続いて、必要に応じて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を不活性ガス圧：１０〜１０００ｋＰａ、温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、さらに引き続いて、必要に応じて、中間熱処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより水素含有原料混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、その後、５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕することにより製造することもできる。
【０００７】
前記希土類磁石合金原料は、原子％で（以下、％は原子％を示す）、
Ｒ´（ただし、Ｒ´は、Ｙを含む希土類元素の内の１種または２種以上を示し、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を含まない場合も含む。以下同じ）：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ（但し、ＭはＧａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｇｅ、ＣおよびＳｉの内の１種または２種以上を示す。以下同じ）：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
または、Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料であることが好ましい。
【０００８】
この発明は、これらの研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）Ｒ（ただし、Ｒは、ＤｙおよびＴｂを除き、Ｙを含む希土類元素を示す。以下同じ）：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多い層（以下、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層という）で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（２）Ｒ：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（３）Ｒ：５〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（４）Ｒ：５〜２０％、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１〜１０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍを有する希土類磁石粉末であって、
この希土類磁石粉末は、厚さ：０．０５〜５０μｍを有するＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量が多いＤｙ−Ｔｂリッチ層で表面全体の７０％以上覆われており、前記Ｄｙ−Ｔｂリッチ層におけるＤｙおよびＴｂの１種または２種の濃度はＤｙおよびＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が粉末粒子の粒径の１／３の範囲内における中心部の平均検出強度の１．２〜５倍である希土類磁石粉末、
（５）前記（１）、（２）、（３）または（４）記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末を有機バインダーまたは金属バインダーにより結合してなる希土類磁石、
（６）前記（１）、（２）、（３）または（４）記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末をホットプレスまたは熱間静水圧プレスしてなる希土類磁石、
（７）希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（８）希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（９）希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１０）希土類磁石合金原料を不活性ガス雰囲気中で平均粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
引き続いて、中間熱処理を施した混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１１）前記（７）、（８）、（９）または（１０）記載の希土類磁石合金原料は、真空またはＡｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持の条件で均質化処理した希土類磁石合金原料である磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１２）希土類磁石合金原料を、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温、または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施したのち、平均粉末粒径：１０〜１０００μｍになるまで粉砕処理して水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末（以下、この粉末を水素吸収希土類磁石合金原料粉末という）を作製し、
この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１３）水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１４）水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより水素含有原料混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１５）水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、
引き続いて、水素吸収・分解処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中に保持することにより中間熱処理を行い、
引き続いて、中間熱処理を施した水素含有原料混合粉末を５００〜１０００℃の範囲内の温度で、絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより水素含有原料混合粉末に水素を一部残したまま減圧水素中熱処理を行い、
その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕する磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、
（１６）前記（１２）、（１３）、（１４）または（１５）記載の水素吸収希土類磁石合金原料粉末を作製するための希土類磁石合金原料は、真空またはＡｒガス雰囲気中、温度：６００〜１２００℃に保持の条件で均質化処理した希土類磁石合金原料であることを特徴とする磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法。
（１７）前記（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１５）または（１６）記載の方法で製造した磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末を有機バインダーまたは金属バインダーにより結合することを特徴とする希土類磁石の製造方法。
（１８）前記（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１５）または（１６）記載の方法で製造した磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末を成形して圧粉体を作製し、この圧粉体を温度：６００〜９００℃でホットプレスまたは熱間静水圧プレスする希土類磁石の製造方法、
（１９）前記（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１５）または（１６）記載の希土類磁石合金原料は、原子％で（以下、％は原子％を示す）、
Ｒ´（ただし、Ｒ´はＹを含む希土類元素を示す。以下同じ）：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、または
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料である磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法、に特徴を有するものである。
【発明の効果】
【０００９】
希土類磁石合金原料粉末または水素吸収希土類磁石合金原料粉末を作製→希土類磁石合金原料粉末にＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製→水素吸収処理→水素吸収・分解処理→必要に応じて中間熱処理→必要に応じて減圧水素中熱処理→脱水素処理の順序で施すこの発明の希土類磁石粉末の製造方法により得られた希土類磁石粉末は、磁気異方性および熱的安定性に優れており、産業上優れた効果を奏するものである。
【００１０】
この発明の希土類磁石粉末の成分組成および組織、並びにこの発明の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法における希土類磁石合金原料粉末または水素吸収希土類磁石合金原料粉末にＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を添加する添加量および製造条件を前述の如く限定した理由を説明する。
（Ａ）希土類磁石粉末
（ｉ）成分組成の限定理由
Ｒ：
Ｒは、Ｎｄを主体とし、その他、Ｙ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｏなどを微量含む希土類元素（ただし、ＤｙおよびＴｂを除く）であるが、その含有量が５％未満では保磁力が低下し、一方、２０％を越えて含有すると飽和磁化が低下していずれも希望の磁気特性が得られないので好ましくない。したがって、Ｒの含有量は５〜２０％に定めた。
ＤｙおよびＴｂ： 
ＤｙおよびＴｂの１種または２種の含有量を０．０１〜１０％（一層好ましくは、０．３〜４％）に限定したのは、ＤｙおよびＴｂの１種または２種を０．０１％未満含有させても磁気異方性および熱的安定性に優れた所望の効果が得られず、一方、１０％を越えて含有させると、異方性が低下して十分な磁気特性が得られないので好ましくない理由によるものである。
Ｂ：
Ｂの含有量は３％未満では保磁力が低下し、一方、２０％を越えて含有すると飽和磁化が低下していずれも希望の磁気特性が得られないので好ましくない。したがって、Ｂの含有量は３〜２０％に定めた。
Ｃｏ：
Ｃｏは希土類磁石合金の等方性化を阻止するために必要に応じて添加するが、その含有量が０．１％未満では所望の効果が得られず、一方、５０％を越えて含有すると、保磁力および飽和磁化が下がるので異方化しても高特性が得られない。したがって、この発明の希土類磁石粉末および希土類磁石粉末の製造方法で使用する希土類磁石合金原料に含まれるＣｏの含有量は０．１〜５０％（一層好ましくは、５〜３０％）に定めた。
Ｍ（Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｇｅ、ＣおよびＳｉの内の１種または２種以上）：
Ｍは、保磁力および残留磁束密度の一層の向上のために必要に応じて添加するが、その含有量が０．００１％未満では所望の効果が得られず、一方、５％を越えて添加すると、保磁力および残留磁束密度が低下するので好ましくない。したがってＭの含有量は０．００１〜５％以下に定めた。
（ii）組織の限定理由
波長分散型Ｘ線分光法の線分析による最大検出強度：
表面付近のＤｙまたはＴｂの１種または２種の最大検出強度は、波長分散型Ｘ線分光法の線分析で粉末断面を横断するように走査して、粉末の中心付近における粒径の１／３の範囲での平均検出強度を求めてこれを中心付近の強度とし、これに対する割合として表面付近のピークのＤｙまたはＴｂの１種または２種の最大検出強度を求める。なお、時々ＤｙまたはＴｂの１種または２種の検出強度が部分的に極端に大きい場所が現れるが、多くの場合これは希土類リッチの相が存在するためで、この相の特徴としてＤｙまたはＴｂの１種または２種に加えてＮｄまたはＰｒの１種または２種の検出強度も同時に大きくなる。このような相は本発明において不可避で生じる層であるため、最大検出強度の評価の対象からは除外するものとする。また、ここで、ＤｙまたはＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による最大検出強度が１．２倍未満のときは、粉末の表面と内部との異方性磁界の差が小さいため、表面の高い異方性磁界による大きな保磁力と内部の大きな異方性とを両立するという効果が得られない。また、検出強度が５倍を超えるときは表面付近の領域の磁束密度が大きく低下してしまう。従って、領域のＤｙまたはＴｂの１種または２種の波長分散型Ｘ線分光法による検出強度を内部の検出強度の１．２〜５倍（望ましくは１．３〜４倍）とした。
Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの厚さ：
希土類磁石粉末の表面に存在するＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多い領域（Ｄｙ−Ｔｂリッチ層）の表面からの深さは、波長分散型Ｘ線分光法の線分析で粉末断面の表面付近を横断するようにできるだけ細かい間隔で走査し、検出されたピークについて強度が中心付近の平均検出強度の１．２倍以上となる部分の幅を、ＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多い領域の表面からの深さとして求める。なお、走査した場所が部分的に極端にＤｙまたはＴｂの１種または２種の検出強度が大きいＤｙ−Ｔｂリッチ相が存在する場所であった場合は、表面からの深さの評価の対象から除外するものとする。また、ここで、ＤｙまたはＴｂの１種または２種は表面付近のＲ２（Ｆｅ，Ｃｏ）１４Ｂ型結晶粒子のＲ原子を置換して（Ｒ，（Ｄｙ，Ｔｂ））２（Ｆｅ，Ｃｏ）１４Ｂ型相を形成していると思われ、この発明の効果は表面の結晶粒子１層かまたはそれ以上を内部よりもＤｙまたはＴｂの１種または２種が多くなるように置換することで得られると思われるが、ＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多い領域であるＤｙ−Ｔｂリッチ層の厚さが０．０５μｍよりも少ないと所望の効果が得られない。また、その厚さが５０μｍを超えるとＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多く保磁力が大きい領域の体積が内部の高異方性の領域に影響を与えて粉末全体の異方性を著しく下げてしまう。従って、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さを０．０５〜５０μｍ（望ましくは１〜３０μｍ）とした。
Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面被覆率：
ＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多い領域（Ｄｙ−Ｔｂリッチ層）の表面被覆率は、波長分散型Ｘ線分光法の線分析で１つの粉末断面について走査位置を変えて５回以上の線分析を行い、ＤｙまたはＴｂの１種または２種の粉末の表面付近の検出強度の合計が中心付近の１．２倍以上となる粉末表面の数の、粉末表面を走査により横断した回数に対する割合として求める。なお、走査した場所が部分的に極端にＤｙまたはＴｂの１種または２種の検出強度が大きい希土類リッチ相が存在する場所であった場合は、計数の対象から除外するものとする。また、ここで、粉末の表面を、異方性磁界が大きく、かつ、Ｎｄよりも酸化されにくい元素であるＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多い領域が覆うことにより、大きな保磁力と異方性とを兼ね備え、かつ、優れた耐酸化性が得られるが、表面を覆う領域が７０％未満のときは十分大きな保磁力が得られず、また、耐酸化も不十分なため、十分な熱的安定性と耐熱性が得られない。従ってＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多い領域が覆う面積を粉末表面全体の７０％以上（望ましくは８０％以上）とした。
【００１１】
上記のこの発明の希土類磁石粉末は粉末内部の表面付近のＤｙまたはＴｂの１種または２種の多い領域（Ｄｙ−Ｔｂリッチ層）の異方性磁界が中心付近よりも高くなるため粉末として保磁力が向上し、また、ＤｙおよびＴｂは比較的酸化されにくく、粉末としての耐酸化性が良くなるので、粉末の熱的安定性と耐熱性が向上すると考えられる。さらに、ＤｙまたはＴｂの１種または２種の多い領域（Ｄｙ−Ｔｂリッチ層）は粉末の表面付近に限られるので粉末全体の異方性がほとんど低下しないため、この粉末では良好な耐熱性と高い異方性が両立していると考えられる。
（Ｂ）前記（７）、（８）、（９）、（１０）および（１１）記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法における製造条件の限定理由：
希土類磁石合金原料を平均粒径：１０〜１０００μｍ（一層好ましくは、５０〜４００μｍ）の範囲に粉砕する理由は、平均粒径：１０μｍ未満に微細に不活性ガス雰囲気中で粉砕しようとすると、微細であるために粉砕時の発熱によって合金が酸化されることは避けられず、この酸化により最終的に得られる希土類磁石粉末の保磁力は低下するので好ましくなく、一方、平均粒径：１０００μｍよりも大きいと、Ｄｙ、ＴｂまたはＤｙ−Ｔｂ二元系合金が希土類磁石合金原料粉末の中心部まで拡散することが出来ずに組成が不均一となり、最終的に解砕して得られる希土類磁石粉末の１つの粉末粒子内の磁化容易軸が揃いにくくなって、磁気異方性が低下するので好ましくないことによるものである。
【００１２】
この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末に、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持することにより水素を吸収させる水素吸収処理を施し、引き続いて圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記混合粉末に水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕すると、磁気異方性および熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末が得られるのである。
【００１３】
この希土類磁石合金原料粉末に、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を添加し混合して得られた混合粉末を水素吸収処理し、さらに水素吸収・分解処理し、ついで脱水素処理を行うと、磁気異方性および熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末が得られるが、その理由は、下記のごとき理由が考えられる。
【００１４】
最近の研究では、希土類磁石合金原料粉末を水素吸収し、さらに水素吸収・分解し、ついで脱水素する処理（この処理は一般にＨＤＤＲ処理と言われている）による希土類磁石粉末の異方性化は水素吸収・分解処理の段階の反応が重要であることが明らかになってきている。一方、熱的安定性向上のために保磁力を向上させようとＤｙまたはＴｂの１種または２種を希土類磁石合金中に多量に添加すると、文献（特開平９−１６５６０１号公報）にあるように異方性が低下してしまい、十分なエネルギー積を得ることができない。この原因は、希土類磁石合金中にＤｙまたはＴｂの１種または２種が多量に含まれていると、前述の水素吸収・分解処理の反応が影響を受け、水素吸収・分解反応によって形成される状態が異方性化条件を満足しない状態になるためではないかと思われる。
【００１５】
しかし、本発明のように通常の不活性ガス雰囲気中で粉砕して得られた希土類磁石合金原料粉末に、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を添加し混合して得られた混合粉末を水素吸収・分解処理を施すと、そのときの分解反応は、希土類磁石合金からは希土類元素の水素化物が形成されて残りがＦｅまたは（Ｆｅ，Ｃｏ）と、Ｆｅ２Ｂを基本とする相に分解される方向に進むため、同じ希土類元素であるＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末はこの分解反応に携わることがないため、希土類磁石合金原料粉末だけが分解されるため、希土類磁石合金中にＤｙまたはＴｂの１種または２種を多量に添加したときのように水素吸収・分解反応によって形成される状態が異方性化条件を満足しない状態にならない。
【００１６】
ついで、この状態から脱水素処理を行うと、希土類磁石合金原料粉末中に分解したＲ水素化物、Ｆｅまたは（Ｆｅ，Ｃｏ）およびＦｅ２Ｂを基本とする相が反応してＲ２Ｆｅ１４Ｂを基本とする相が形成されるだけでなく、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末も水素を放出することによってＤｙまたはＴｂの１種または２種の原子が希土類磁石合金原料粉末の表面全体に拡散し、引き続いて希土類磁石合金原料粉末の内部に向って拡散するため、最終的に形成されるＲ２Ｆｅ１４Ｂを基本とする相は元の希土類磁石合金原料粉末に比べてＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多くなり、かつ粉末粒子内の表面付近のＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が粉末粒子内の中心付近よりも多くなり、その結果、保磁力が向上し、かつ保磁力の温度係数が低減するため、熱的安定性が向上する。一方、水素吸収・分解反応の段階で異方性化条件を満足する状態になっているため、脱水素によって異方性化が実際に起こって、その結果、保磁力が大きく、かつ異方性に優れた希土類磁石粉末がえられる、などの理由が考えられる。
【００１７】
この発明では、この希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をさらに加熱し、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に保持する水素吸収・分解処理を施すことにより原料に水素を吸収させて相変態を促し分解させるが、混合粉末を作製するために希土類磁石合金原料粉に添加するＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末の平均粒径を０．１〜５０μｍに限定した理由は、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末の平均粒径が０．１μm未満では酸化が激しくなり、取り扱いが非常に困難になるので好ましくなく、一方、平均粒径が５０μmを越えると希土類磁石粉末中にＤｙ、ＴｂまたはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の相またはこれら元素が過多の化合物相が偏析してしまい、均一に拡散することができないので、これら水素化物粉末の平均粒径は０．１〜５０μｍ（一層好ましくは１〜１０μm）に定めた。
また、その添加量を０．０１〜５モル％に限定した理由は０．０１モル％未満では保磁力改善の効果が十分でなく、一方、５モル％を越えて添加すると異方性が低下して十分な磁気特性が得られないので好ましくない。したがって、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末の添加量は０．０１〜５モル％（一層好ましくは、０．３〜３モル％）に定めた。
【００１８】
水素吸収処理における圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの温度に昇温または昇温し保持する条件はすでに知られている条件であり、また、引き続いて施される水素吸収・分解処理工程における圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に保持する条件もすでに知られている条件であり、いずれも特に新規な条件ではないのでその限定理由の説明は省略する。
【００１９】
かかる水素吸収・分解処理したのち、必要に応じて中間熱処理を施す。この中間熱処理は、不活性ガスフローにより雰囲気を不活性ガス雰囲気に変えることにより適度なスピードで異方性化を促進させる工程である。この中間熱処理は圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に保持する条件で行なわれる。かかる中間熱処理における不活性ガス雰囲気の圧力が１０ｋＰａ未満では異方性化が速くなりすぎて保磁力低下の原因になるので好ましくなく、一方、１０００ｋＰａを越えると異方性化がほとんど進まなくなり、残留磁束密度低下の原因になるので好ましくないとされている。
【００２０】
必要に応じて中間熱処理を施したのち、さらに必要に応じて減圧水素中熱処理を施す。この減圧水素中熱処理は、水素吸収・分解処理した混合粉末を絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満（好ましくは、２〜８ｋＰａ）の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満（好ましくは、２〜８ｋＰａ）の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより混合粉末に水素を一部残したまま熱処理する工程である。この減圧水素中熱処理を施すことにより保磁力および残留磁束密度を一層向上させることができる。
【００２１】
必要に応じて中間熱処理および減圧水素中熱処理を施したのち脱水素処理を行う。脱水素処理は到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより混合粉末から強制的に水素を十分放出させ、それにより一層の相変態を促す処理である。到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持する理由は、０．１３ｋＰａを越える到達圧では十分に脱水素が行われないからである。
【００２２】
この脱水素処理後に行なう冷却は不活性ガス（Ａｒガス）を流すことにより室温まで冷却する。冷却した後は解砕して希土類磁石粉末とする。この解砕して得られた希土類磁石粉末は残留内部応力が極めて少ないので熱処理する必要はない。この発明の製造方法により得られた磁気異方性および熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末は、有機バインダーまたは金属バインダーにより結合することにより磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石を製造することができ、さらにこの希土類磁石粉末を成形して圧粉体を作製し、この圧粉体を温度:６００〜９００℃でホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石を製造することが出来る。
（Ｃ）前記（１２）、（１３）、（１４）、（１５）または（１６）記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法における製造条件の限定理由：
水素吸収希土類磁石合金原料粉末は、希土類磁石合金原料に圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの所定の温度に昇温、または昇温し５００℃未満までの所定の温度（例えば、１００℃）に保持することにより水素を吸収せしめる水素吸収処理を施すことにより作製する。この希土類磁石合金原料を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で室温から温度：５００℃未満までの所定の温度に昇温、または昇温する水素吸収処理は、従来から行われている処理であるが、この発明でこの水素吸収処理した希土類磁石合金原料に粉砕処理を施して水素吸収希土類磁石合金原料粉末を作製する理由は、
水素吸収処理した塊状の希土類磁石合金原料は粉砕しやすいこと、
水素吸収処理は温度：５００℃未満までの比較的低い温度で処理されるために高温に保持されるその他の工程で粉砕するよりも粉砕しやすいこと、
塊状の希土類磁石合金原料を水素吸収処理後に予め希土類磁石粉末とほぼ同じ平均粒径に粉砕してあるので、最後の粉砕工程では解砕するだけで十分に微細な希土類磁石粉末が得られ、したがって、得られた希土類磁石粉末が酸化されることが極めて少なく、また内部応力が蓄積されることが極めて少ないところから磁気異方性が一層向上すること、
水素粉砕後、ＨＤＤＲ処理を施すと、磁石粉末の表面凹凸が減少して平滑な表面になり、比表面積が減少するために熱的安定性が向上する、などの理由によるものである。
【００２３】
水素吸収希土類磁石合金原料を製造するに際して、希土類磁石合金原料を水素吸収処理後に平均粉末粒径：１０〜１０００μｍ（一層好ましくは、５０〜４００μｍ）の範囲に粉砕する理由は、水素吸収処理した塊状の希土類磁石合金原料は比較的酸化され難いが、平均粒径：１０μｍ未満に微細に粉砕しようとすると、微細であるために粉砕時に酸化されることは避けられず、この酸化により最終的に得られる希土類磁石粉末の保磁力は低下するので好ましくなく、一方、平均粒径：１０００μｍよりも大きいと、最終的に解砕して得られる希土類磁石粉末の１つの粉末粒子内の磁化容易軸が揃いにくくなって、磁気異方性が低下するので好ましくないことによるものである。水素吸収処希土類磁石合金原料粉末の平均粒径は最終的に得られる希土類磁石粉末とほぼ同じ平均粒径である。
【００２４】
この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末を圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより前記水素含有原料混合粉末にさらに水素を吸収させて分解する水素吸収・分解処理を施し、その後、５００〜１０００℃の範囲内の温度で到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施し、ついで冷却し、解砕すると、磁気異方性および熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末が得られるのである。
【００２５】
この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を添加し混合して得られた水素含有原料混合粉末をさらに水素吸収・分解処理し、ついで脱水素処理を行うと、磁気異方性および熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末が得られるが、その理由は、以下の通りである。
【００２６】
最近の研究では、ＨＤＤＲ処理による希土類磁石粉末の異方性化は水素吸収・分解処理の段階の反応が重要であることが明らかになってきている。その一方で、熱的安定性向上のために保磁力を向上させようとＤｙまたはＴｂの１種または２種を希土類磁石合金中の多量に添加すると、文献（特開平９−１６５６０１号公報）にあるように異方性が低下してしまい、十分なエネルギー積を得ることができない。この原因は、希土類磁石合金中にＤｙまたはＴｂの１種または２種が多量に含まれていると、前述の水素吸収・分解処理の反応が影響を受け、水素吸収・分解反応によって形成される状態が異方性化条件を満足しない状態になるためではないかと思われる。
【００２７】
しかし、本発明のように水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末に、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を添加し混合して得られた水素含有原料混合粉末をさらに水素吸収・分解処理を施すと、そのときの分解反応は、希土類磁石合金からは希土類元素の水素化物が形成されて残りがＦｅまたは（Ｆｅ，Ｃｏ）と、Ｆｅ２Ｂを基本とする相に分解される方向に進むため、同じ希土類元素であるＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末はこの分解反応に携わることがなく、そのために希土類磁石合金原料粉末だけが分解され、希土類磁石合金中にＤｙまたはＴｂの１種または２種を多量に添加したときのように水素吸収・分解反応によって形成される状態が異方性化条件を満足しない状態にならない。
【００２８】
ついで、この状態から脱水素処理を行うと、希土類磁石合金原料粉末中に分解したＲ水素化物、Ｆｅまたは（Ｆｅ，Ｃｏ）およびＦｅ２Ｂを基本とする相が反応してＲ２Ｆｅ１４Ｂを基本とする相が形成されるだけでなく、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末も水素を放出することによってＤｙまたはＴｂの１種または２種の原子が希土類磁石合金原料粉末の表面全体に拡散し、引き続いて希土類磁石合金原料粉末の内部に向って拡散するため、最終的に形成されるＲ２Ｆｅ１４Ｂを基本とする相は元の希土類磁石合金原料粉末に比べてＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が多くなり、かつ粉末粒子内の表面付近のＤｙまたはＴｂの１種または２種の含有量が粉末粒子内の中心付近よりも多くなり、その結果、保磁力が向上し、かつ保磁力の温度係数が低減するため、熱的安定性が向上する。一方、水素吸収・分解反応の段階で異方性化条件を満足する状態になっているため、脱水素によって異方性化が実際に起こって、その結果、保磁力が大きく、かつ異方性に優れた希土類磁石粉末がえられる、と考えられる。
【００２９】
この発明では、この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、平均粒径：０．１〜５０μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を０．０１〜５モル％添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に、さらに加熱し、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に保持する水素吸収・分解処理を施すものであり、この水素吸収・分解処理により原料に水素を吸収させて相変態を促し分解する。
【００３０】
水素含有原料混合粉末を作製するために水素吸収希土類磁石合金原料粉に添加するＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末の平均粒径を０．１〜５０μｍに限定した理由は、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末の平均粒径が０．１μm未満では酸化が激しくなり、取り扱いが非常に困難になるので好ましくなく、一方、平均粒径が５０μmを越えると希土類磁石粉末中にＤｙ、ＴｂまたはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の相またはこれら元素が過多の化合物相が偏析してしまい、均一に拡散することができないので、これら水素化物粉末の平均粒径は０．１〜５０μｍ（一層好ましくは１〜１０μm）に定めた。また、その添加量を０．０１〜５モル％に限定した理由は０．０１モル％未満では保磁力改善の効果が十分でなく、一方、５モル％を越えて添加すると異方性が低下して十分な磁気特性が得られないので好ましくない。したがって、Ｄｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末の添加量は０．０１〜５モル％（一層好ましくは、０．３〜３モル％）に定めた。
【００３１】
水素吸収・分解処理工程における圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に保持する条件はすでに知られている条件であり、特に新規な条件ではないのでその限定理由の説明は省略する。
【００３２】
かかる水素吸収・分解処理したのち、必要に応じて中間熱処理を施す。この中間熱処理は、不活性ガスフローにより雰囲気を不活性ガス雰囲気に変えることにより適度なスピードで異方性化を促進させる工程である。この中間熱処理は圧力：１０〜１０００ｋＰａの不活性ガス雰囲気中で温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度に保持する条件で行なわれる。かかる中間熱処理における不活性ガス雰囲気の圧力が１０ｋＰａ未満では異方性化が速くなりすぎて保磁力低下の原因になるので好ましくなく、一方、１０００ｋＰａを越えると異方性化がほとんど進まなくなり、残留磁束密度低下の原因になるので好ましくないとされている。
【００３３】
必要に応じて中間熱処理を施したのち、さらに必要に応じて減圧水素中熱処理を施す。この減圧水素中熱処理は、水素吸収・分解処理した水素含有原料混合粉末を絶対圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満（好ましくは、２〜８ｋＰａ）の水素雰囲気中または水素分圧：０．６５〜１０ｋＰａ未満（好ましくは、２〜８ｋＰａ）の水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に保持することにより水素含有原料混合粉末に水素を一部残したまま熱処理する工程である。この減圧水素中熱処理を施すことにより保磁力および残留磁束密度を一層向上させることができる。
【００３４】
必要に応じて中間熱処理および減圧水素中熱処理を施したのち脱水素処理を行う。脱水素処理は到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持することにより水素含有原料混合粉末から強制的に水素を十分放出させ、それにより一層の相変態を促す処理である。到達圧：０．１３ｋＰａ以下の真空雰囲気に保持する理由は、０．１３ｋＰａを越える到達圧では十分に脱水素が行われないからである。
【００３５】
この脱水素処理後に行なう冷却は不活性ガス（Ａｒガス）を流すことにより室温まで冷却する。冷却した後は解砕して希土類磁石粉末とする。この解砕して得られた希土類磁石粉末は残留内部応力が極めて少ないので熱処理する必要はない。この発明の製造方法により得られた磁気異方性および熱的安定性に一層優れた希土類磁石粉末は、有機バインダーまたは金属バインダーにより結合することにより磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石を製造することができ、さらにこの希土類磁石粉末を成形して圧粉体を作製し、この圧粉体を温度:６００〜９００℃でホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石を製造することが出来る。
前記（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１５）または（１６）記載の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法で使用される希土類磁石合金原料はＤｙまたはＴｂの１種または２種が含まれていても、含まれていなくても良い。したがって、この発明の磁気異方性および熱的安定性に優れた希土類磁石粉末の製造方法で使用される希土類磁石合金原料は、特許文献１および２に記載の通常の磁気異方性ＨＤＤＲ磁石粉末を製造する際に使用する希土類磁石合金原料と同じ成分組成を有し、一層具体的には、ＤｙまたはＴｂの１種または２種が含まれていても含まれていなくても良いＹを含む希土類元素をＲ´とすると、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料、または
Ｒ´：１０〜２０％、Ｃｏ：０．１〜５０％、Ｂ：３〜２０％、Ｍ：０．００１〜５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する希土類磁石合金原料である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
高周波真空溶解炉を用いて溶解し、得られた溶湯を鋳造してこれを１１００℃のＡｒガス雰囲気中で２４時間保持することにより均質化処理を行い、表１に示される成分組成の希土類磁石合金原料の鋳塊ａ〜ｏを製造した。これら鋳塊ａ〜ｏをＡｒガス雰囲気中で破砕して１０ｍｍ以下のブロックを作製した。
【００３７】
【表１】
2005097711.tif 000003
実施例１
表１の鋳塊ａ〜ｅのブロックをＡｒガス雰囲気中で表２に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、いずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表２に示される量だけ添加し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末に表２に示される条件で水素吸収処理を施し、引き続いて表２に示される条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表２に示される条件で中間熱処理を行い、さらに必要に応じて表２に示される条件で減圧水素中熱処理を行い、次いで表３に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより本発明法１〜５を実施した。
従来例1
表１の鋳塊ａ〜ｅのブロックを粉砕処理することなくまた水素化物粉末を添加して混合粉末を作ることなく表２に示される実施例１と同じ条件で水素吸収処理を施したのち、表２に示される実施例１と同じ条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表２に示される条件で減圧水素中熱処理を行った後、Ａｒガス中で強制的に室温まで冷却し、表３に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石原料水素化物粉末を作製したのち、この希土類磁石原料水素化物粉末にいずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表３に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に真空中で昇温して表３に示される条件に保持して拡散熱処理を施し、さらに表３に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して従来法１〜５を実施することにより希土類磁石粉末を製造した。
【００３８】
本発明法１〜５および従来法１〜５により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨して波長分散型Ｘ線分光計の一つである電子線マイクロアナライザ（日本電子製  ＪＸＡ−８８００ＲＬ、以下、ＥＰＭＡという）により分析した中心付近と表面付近のＤｙおよび／またはＴｂの検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値を求め、その結果を表４に示した。
【００３９】
さらに、本発明法１〜５および従来法１〜５により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3のボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を表５に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表５に示した。ここで保磁力の温度係数αｉＨｃとは、αｉＨｃ（％／℃）＝｛（１５０℃の保磁力‐室温（２０℃）の保磁力）／室温（２０℃）の保磁力｝／（１５０−２０）×１００で求められる値である。
【００４０】
さらに、本発明法１〜５および従来法１〜５により得られた希土類磁石粉末を磁場中で圧縮成形して異方性圧粉体を作製し、この異方性圧粉体をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮方向になるようにＡｒガス中、温度：７５０℃、圧力：５８．８ＭＰａ 、１分間保持の条件でホットプレスを行い、急冷して密度：７．５〜７．７ｇ／ｃｍ3 のホットプレス磁石を作製し、得られたホットプレス磁石の磁気特性を表５に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表５に示した。
【００４１】
また、本発明法１〜５および従来法１〜５により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場を圧縮方向に印加しながら外径：１０ｍｍ、高さ：７ｍｍの寸法を有する円柱状に圧縮成形し、ついでこの円柱状圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3の円柱状ボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁したのち、１００℃に保持したオーブンに１０００時間放置して３時間、１００時間、１０００時間経過後の熱減磁率を測定し、その結果を表５に示して熱的安定性を評価した。
【００４２】
ここで、熱減磁率とは、熱減磁率（％）＝｛（所定時間暴露後の全磁束−暴露前の全磁束）／暴露前の全磁束｝×１００で求められる値である。
【００４３】
【表２】
2005097711.tif 000004
【００４４】
【表３】
2005097711.tif 000005
【００４５】
【表４】
2005097711.tif 000006
【００４６】
【表５】
2005097711.tif 000007
表１〜表５に示される結果から、Ａｒガス雰囲気中で粉砕処理し、これに水素化物粉末を添加して混合粉末を作る本発明法１〜５により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性は、粉砕処理せずまた水素化物を添加しない従来法１〜５により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性に比べて、保磁力および残留磁束密度がともに向上していることが分かり、また保磁力の温度係数が小さく、さらに熱減磁率が小さいところから、熱的安定性にも優れていることが分かる。
【００４７】
この発明の検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値の求め方を本発明法１により得られた希土類磁石粉末を用いて詳細に説明する。
【００４８】
まず、本発明法１により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより粉末内部断面におけるＤｙの元素分布を観察した。その際に撮影したＤｙの元素分布写真を図１に示す。輝点が多い所ほどＤｙの含有量が多いことを示しており、断面外周付近に輝点が多いことから粉末粒子内の表面付近の方が中心付近よりもＤｙの含有量が多いことが示されている。そこでＥＰＭＡで図１の点Ａから点Ｂへの直線上におけるＤｙの線分析を行った。この時の測定条件は、加速電圧１５ｋＶ、電子ビーム径最小、保持時間１．０ｓｅｃ／ｐｏｉｎｔ、測定間隔１．０μｍとして、Ｄｙの特性Ｘ線・ＤｙＬα線（波長０．１９０９ｎｍ）を用いて測定を行った。その結果を図２に示す。グラフの横軸は試料の移動距離（ｍｍ）を示し、縦軸はＤｙＬα線の検出強度をカウント数で示している。０．０１ｍｍ付近から０．１３５ｍｍ付近までの粉末粒子に相当する部分で８００ｃｏｕｎｔｓ以上のＤｙＬα線が検出されているが、特に０．０１ｍｍ付近のピーク（以後ピークＡとする）が１４４０ｃｏｕｎｔｓ、０．１３５ｍｍ付近のピーク（以後ピークＢとする）が１３８０ｃｏｕｎｔｓと両端で強いピークが見られ、粉末粒子内の表面付近のＤｙの含有量が中心付近よりも多いことが分かる。そこで中心付近の強度を粉末粒径の１／３に相当する０．０５１ｍｍから０．０９３ｍｍの間の平均強度として求めると８１１ｃｏｕｎｔｓとなった。従って、ピークＡの中心付近に対する強度比は１．７８、ピークＢは１．７０で１．２よりも十分大きな値であることがわかった。また、試料の向きを変えて同様の線分析を１０回行ったところ、１９ヶ所の表面付近の検出強度が中心付近の１．２倍以上となり、これより表面を覆うＤｙの含有量の多い領域の割合を９５％とした。次にピークＡを中心に保持時間１．０ｓｅｃ、測定間隔２０ｎｍとできるだけ細かい間隔で線分析を行った。その結果を図３に示す。中心付近の検出強度に対して十分有意性があると思われる１．２倍（９７３ｃｏｕｎｔｓ）以上の領域をピークＡの領域としてその幅を求めると４．１μｍとなった。
【００４９】
従来法１の磁石粉末についても同様にＥＰＭＡで分析を行った。１．０μｍ間隔の線分析の結果を図４に示す。中心付近のＤｙＬα線の平均検出強度は１１７６ｃｏｕｎｔｓとなり、表面付近の強度は０．０２ｍｍ付近（以後ピークＣとする）で１３６０ｃｏｕｎｔｓであり、中心付近の１．２倍の１４１１ｃｏｕｎｔｓに達しない。また、２０ｎｍ間隔の線分析の結果を図５に示す。ピークＣの強度は２０ｎｍ間隔の測定により実際には１１８０ｃｏｕｎｔｓと中心付近と変わらず、表面付近と中心付近のＤｙの含有量にはほとんど差がないことが分かった。
【００５０】
同様にして本発明法２〜５および従来法２〜５により作製した希土類磁石粉末についてＥＰＭＡにより分析した中心付近と表面付近のＤｙ＋Ｔｂの検出強度、その強度比、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の厚さ、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面被覆率の値を求めたのであり、以下に述べる実施例２〜６の本発明法６〜３０および従来法６〜３０により作製した希土類磁石粉末についても同様にして求めた。
実施例２
表１の鋳塊ｆ〜ｊのブロックを表６に示される平均粒径になるようにＡｒガス雰囲気中で粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、いずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表６に示される量だけ添加し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末に表６に示される条件で水素吸収処理を施し、引き続いて表６に示される条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表７に示される条件で中間熱処理を行い、さらに必要に応じて表７に示される条件で減圧水素中熱処理を行い、次いで表８に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより本発明法６〜１０を実施した。
従来例２
表１の鋳塊ｆ〜ｊのブロックを粉砕処理することなくまた水素化物粉末を添加して混合粉末を作ることなく表６に示される実施例２と同じ条件で水素吸収処理を施したのち表６に示される実施例２と同じ条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表７に示される条件で減圧水素中熱処理を行った後、Ａｒガス中で強制的に室温まで冷却し、表８に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石原料水素化物粉末を作製したのち、この希土類磁石原料水素化物粉末にいずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表８に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に真空中で昇温して表８に示される条件に保持して拡散熱処理を施し、さらに表８に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより従来法６〜１０を実施した。
【００５１】
本発明法６〜１０および従来法６〜１０により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより分析した中心付近と表面付近のＤｙおよび／またはＴｂの検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値を求め、その結果を表９に示した。
【００５２】
さらに、本発明法６〜１０および従来法６〜１０により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3のボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を表１０に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表１０に示した。
【００５３】
また、本発明法６〜１０および従来法６〜１０により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場を圧縮方向に印加しながら外径：１０ｍｍ、高さ：７ｍｍの寸法を有する円柱状に圧縮成形し、ついでこの円柱状圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3の円柱状ボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁したのち、１００℃に保持したオーブンに１０００時間放置して３時間、１００時間、１０００時間経過後の熱減磁率を測定し、その結果を表１０に示して熱的安定性を評価した。
【００５４】
さらに、本発明法６〜１０および従来法６〜１０により得られた希土類磁石粉末を磁場中で圧縮成形して異方性圧粉体を作製し、この異方性圧粉体をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮方向になるようにＡｒガス中、温度：７５０℃、圧力：５８．８ＭＰａ 、１分間保持の条件でホットプレスを行い、急冷して密度：７．５〜７．７ｇ／ｃｍ3 のホットプレス磁石を作製し、得られたホットプレス磁石の磁気特性を表１０に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表１０に示した。
【００５５】
【表６】
2005097711.tif 000008
【００５６】
【表７】
2005097711.tif 000009
【００５７】
【表８】
2005097711.tif 000010
【００５８】
【表９】
2005097711.tif 000011
【００５９】
【表１０】
2005097711.tif 000012
表１および表６〜表１０に示される結果から、Ａｒガス雰囲気中で粉砕処理し、これに水素化物粉末を添加して混合粉末を作る本発明法６〜１０により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性は、粉砕処理せずまた水素化物を添加しない従来法６〜１０により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性に比べて、保磁力および残留磁束密度がともに向上していることが分かる。また保磁力の温度係数が小さく、さらに熱減磁率が小さいところから、熱的安定性にも優れていることが分かる。
実施例３
表１の鋳塊ｋ〜ｏのブロックを表１１に示される平均粒径になるようにＡｒガス雰囲気中で粉砕処理して希土類磁石合金原料粉末を作製し、この希土類磁石合金原料粉末に、いずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表１１に示される量だけ添加し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末に表１１に示される条件で水素吸収処理を施し、引き続いて表１１に示される条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表１１に示される条件で中間熱処理を行い、さらに必要に応じて表１１に示される条件で減圧水素中熱処理を行い、次いで表１２に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより本発明法１１〜１５を実施した。
従来例３
表１の鋳塊ｋ〜ｏのブロックを粉砕処理することなくまた水素化物粉末を添加して混合粉末を作ることなく表１１に示される実施例３と同じ条件で水素吸収処理を施した後、表１１に示される実施例３と同じ条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表１１に示される条件で減圧水素中熱処理を行った後、Ａｒガス中で強制的に室温まで冷却し、表１２に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石原料水素化物粉末を作製したのち、この希土類磁石原料水素化物粉末にいずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表１２に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に真空中で昇温して表１２に示される条件に保持して拡散熱処理を施し、さらに表１２に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより従来法１１〜１５を実施した。
【００６０】
本発明法１１〜１５および従来法１１〜１５により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより分析した中心付近と表面付近のＤｙおよび／またはＴｂの検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値を求め、その結果を表１３に示した。
【００６１】
本発明法１１〜１５および従来法１１〜１５により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3のボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を表１４に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表１４に示した。
【００６２】
また、本発明法１１〜１５および従来法１１〜１５により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場を圧縮方向に印加しながら外径：１０ｍｍ、高さ：７ｍｍの寸法を有する円柱状に圧縮成形し、ついでこの円柱状圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3の円柱状ボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁したのち、１００℃に保持したオーブンに１０００時間放置して３時間、１００時間、１０００時間経過後の熱減磁率を測定し、その結果を表１４に示して熱的安定性を評価した。
【００６３】
さらに、本発明法１１〜１５および従来法１１〜１５により得られた希土類磁石粉末を磁場中で異方性圧粉体を作製し、この異方性圧粉体をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮方向になるようにＡｒガス中、温度：７５０℃、圧力：５８．８ＭＰａ 、１分間保持の条件でホットプレスを行い、急冷して密度：７．５〜７．７ｇ／ｃｍ3 のホットプレス磁石を作製し、得られたホットプレス磁石の磁気特性を表１４に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表１４に示した。
【００６４】
【表１１】
2005097711.tif 000013
【００６５】
【表１２】
2005097711.tif 000014
【００６６】
【表１３】
2005097711.tif 000015
【００６７】
【表１４】
2005097711.tif 000016
表１および表１１〜表１４に示される結果から、Ａｒガス雰囲気中で粉砕処理し、これに水素化物粉末を添加して混合粉末を作る本発明法１１〜１５により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性は、粉砕処理せずまた水素化物を添加しない従来法１１〜１５により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性に比べて、保磁力および残留磁束密度がともに向上していることが分かる。また保磁力の温度係数が小さく、さらに熱減磁率が小さいところから、熱的安定性にも優れていることが分かる。
実施例４
表１の鋳塊ａ〜ｅのブロックに表１５に示される条件の水素吸収処理を施した後、この水素吸収処理したブロックを表１５に示される平均粒径になるように粉砕処理して水素吸収希土類磁石合金原料粉末を作製し、この水素吸収希土類磁石合金原料粉末に、いずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表１５に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
引き続いて表１５に示される条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表１５に示される条件で中間熱処理を行い、さらに必要に応じて表１５に示される条件で減圧水素中熱処理を行い、さらに表１６に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより本発明法１６〜２０を実施した。
従来例４
表１の鋳塊ａ〜ｅのブロックを表１５に示される条件の水素吸収処理を施した後、粉砕処理することなくまた水素化物粉末を添加して水素含有原料混合粉末を作ることなく表１５に示される実施例４と同じ条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表１５に示される条件で減圧水素中熱処理を行った後、Ａｒガス中で強制的に室温まで冷却し、表１６に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石原料水素化物粉末を作製し、この希土類磁石原料水素化物粉末にいずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表１６に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に真空中で昇温して表１６に示される条件に保持して拡散熱処理を施し、さらに表１６に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより従来法１６〜２０を実施した。
【００６８】
本発明法１６〜２０および従来法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより分析した中心付近と表面付近のＤｙおよび／またはＴｂの検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値を求め、その結果を表１７に示した。
【００６９】
例として、本発明法１６により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより粉末内部断面におけるＤｙの元素分布を観察した際に撮影したＤｙの元素分布写真を図６に示す。断面外周付近に輝点が多いことから粉末粒子内の表面付近の方が中心付近よりもＤｙの含有量が多いことが示されている。実際にＥＰＭＡで図６の点Ｅから点Ｆへの直線上におけるＤｙの線分析を行った結果を図７に示す。図７によると、両端に強いピークが見られ、粉末粒子内の表面付近のＤｙの含有量が中心付近よりも多いことが分かる。両端のピークの平均検出強度は１４１２ｃｏｕｎｔｓ、中心付近の粉末粒径の１／３の範囲での平均検出強度は９１５ｃｏｕｎｔｓで、中心付近に対する強度比は１．５４となった。試料の向きを変えて同様の線分析を１０回行った結果から表面被覆率は９５％となった。また、両端のピークを細かい間隔で走査した結果、中心付近の検出強度の１．２倍以上となる領域の幅は４．５μｍとなった。
【００７０】
表１７の値はこのように本発明法１６により得られた希土類磁石粉末、および同様にして本発明法１７〜２０および従来法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末についての測定結果により得られた値である。
【００７１】
さらに、本発明法１６〜２０および従来法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3のボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を表１８に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表１８に示した。ここで保磁力の温度係数αｉＨｃとは、αｉＨｃ（％／℃）＝｛（１５０℃の保磁力‐室温（２０℃）の保磁力）／室温（２０℃）の保磁力｝／（１５０−２０）×１００で求められる値である。
【００７２】
さらに、本発明法１６〜２０および従来法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末を磁場中で圧縮成形して異方性圧粉体を作製し、この異方性圧粉体をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮方向になるようにＡｒガス中、温度：７５０℃、圧力：５８．８ＭＰａ 、１分間保持の条件でホットプレスを行い、急冷して密度：７．５〜７．７ｇ／ｃｍ3 のホットプレス磁石を作製し、得られたホットプレス磁石の磁気特性を表１８に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表１８に示した。
【００７３】
また、本発明法１６〜２０および従来法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場を圧縮方向に印加しながら外径：１０ｍｍ、高さ：７ｍｍの寸法を有する円柱状に圧縮成形し、ついでこの円柱状圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3の円柱状ボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁したのち、１００℃に保持したオーブンに１０００時間放置して３時間、１００時間、１０００時間経過後の熱減磁率を測定し、その結果を表１８に示して熱的安定性を評価した。
【００７４】
ここで、熱減磁率とは、熱減磁率（％）＝｛（所定時間暴露後の全磁束−暴露前の全磁束）／暴露前の全磁束｝×１００で求められる値である。
【００７５】
【表１５】
2005097711.tif 000017
【００７６】
【表１６】
2005097711.tif 000018
【００７７】
【表１７】
2005097711.tif 000019
【００７８】
【表１８】
2005097711.tif 000020
表１および表１５〜表１８に示される結果から、水素吸収希土類磁石原料粉末に水素化物粉末を添加して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に水素吸収・分解処理を施す本発明法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性は、水素吸収処理を施したのち水素吸収・分解処理を施して得られた希土類磁石原料水素化物粉末に水素化物粉末を添加して得られた水素含有原料混合粉末を拡散熱処理する従来法１６〜２０により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性に比べて、保磁力および残留磁束密度がともに向上していることが分かり、また保磁力の温度係数が小さく、さらに熱減磁率が小さいところから、熱的安定性にも優れていることが分かる。
実施例５
表１の鋳塊ｆ〜ｊのブロックに表１９に示される条件の水素吸収処理を施し、この水素吸収処理したブロックを表１９に示される平均粒径になるように粉砕処理して水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末を作製し、この水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末に、いずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表１９に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
引き続いて表１９に示される条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表１９に示される条件で中間熱処理を行い、さらに必要に応じて表２０に示される条件で減圧水素中熱処理を行い、さらに表２０に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより本発明法２１〜２５を実施した。
従来例５
表１の鋳塊ｆ〜ｊのブロックを表１９に示される実施例５同じ条件の水素吸収処理を施した後、表１９に示される実施例５と同じ条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表２０に示される条件で減圧水素中熱処理を行ったのち、Ａｒガス中で強制的に室温まで冷却し、表２０に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石原料水素化物粉末を作製したのち、この希土類磁石原料水素化物粉末にいずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表２０に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に真空中で昇温して表２０に示される条件に保持して拡散熱処理を施し、さらに表２０に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより従来法２１〜２５を実施した。
【００７９】
本発明法２１〜２５および従来法２１〜２５により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより分析した中心付近と表面付近のＤｙおよび／またはＴｂの検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値を求め、その結果を表２１に示した。
【００８０】
さらに、本発明法２１〜２５および従来法２１〜２５により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3のボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を表２２に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表２２に示した。
【００８１】
また、本発明法２１〜２５および従来法２１〜２５により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場を圧縮方向に印加しながら外径：１０ｍｍ、高さ：７ｍｍの寸法を有する円柱状に圧縮成形し、ついでこの円柱状圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3の円柱状ボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性をを７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁したのち、１００℃に保持したオーブンに１０００時間放置して３時間、１００時間、１０００時間経過後の熱減磁率を測定し、その結果を表２２に示して熱的安定性を評価した。
【００８２】
さらに、本発明法２１〜２５および従来法２１〜２５により得られた希土類磁石粉末を磁場中で圧縮成形して異方性圧粉体を作製し、この異方性圧粉体をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮方向になるようにＡｒガス中、温度：７５０℃、圧力：５８．８ＭＰａ 、１分間保持の条件でホットプレスを行い、急冷して密度：７．５〜７．７ｇ／ｃｍ3 のホットプレス磁石を作製し、得られたホットプレス磁石の磁気特性を表２２に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表２２に示した。
【００８３】
【表１９】
2005097711.tif 000021
【００８４】
【表２０】
2005097711.tif 000022
【００８５】
【表２１】
2005097711.tif 000023
【００８６】
【表２２】
2005097711.tif 000024
表１および表１９〜２２に示される結果から、水素吸収希土類磁石原料粉末に水素化物粉末を添加して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に水素吸収・分解処理を施す本発明法２１〜２５により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性は、水素吸収処理を施したのち水素吸収・分解処理を施して得られた希土類磁石原料水素化物粉末に水素化物粉末を添加して得られた水素含有原料混合粉末を拡散熱処理する従来法２１〜２５により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性に比べて、保磁力および残留磁束密度がともに向上していることが分かり、また保磁力の温度係数が小さく、さらに熱減磁率が小さいところから、熱的安定性にも優れていることが分かる。
実施例６
表１の鋳塊ｋ〜ｏのブロックに表２３に示される条件の水素吸収処理を施し、この水素吸収処理したブロックを表２３に示される平均粒径になるように粉砕処理して水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末を作製し、この水素吸収処理した希土類磁石合金原料粉末に、いずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表２３に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、
引き続いて水素含有原料混合粉末に表２３に示される条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表２３に示される条件で中間熱処理を行い、さらに必要に応じて表２３に示される条件で減圧水素中熱処理を行い、さらに表２４に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより本発明法２６〜３０を実施した。
従来例６
表１の鋳塊ｋ〜ｏのブロックを表２３に示される実施例６同じ条件の水素吸収処理を施した後、粉砕処理することなくまた水素化物粉末を添加して水素含有原料混合粉末を作ることなく実施例６と同じ条件で水素吸収・分解処理を施し、引き続いて必要に応じて表２３に示される条件で減圧水素中熱処理を行った後、Ａｒガス中で強制的に室温まで冷却し、表２４に示される平均粒径になるように粉砕処理して希土類磁石原料水素化物粉末を作製したのち、この希土類磁石原料水素化物粉末にいずれも平均粒径：５μｍのＤｙの水素化物粉末、Ｔｂの水素化物粉末またはＤｙ−Ｔｂ二元系合金の水素化物粉末を表２４に示される量だけ添加し混合して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に真空中で昇温して表２４に示される条件に保持して拡散熱処理を施し、さらに表２４に示される条件で脱水素処理を行った後、Ａｒガスで強制的に室温まで冷却し、３００μｍ以下に解砕して希土類磁石粉末を製造することにより従来法２６〜３０を実施した。
【００８７】
本発明法２６〜３０および従来法２６〜３０により得られた希土類磁石粉末をフェノール樹脂に埋め込み、鏡面に研磨してＥＰＭＡにより分析した中心付近と表面付近のＤｙおよび／またはＴｂの検出強度およびその強度比を測定することにより、Ｄｙ−Ｔｂリッチ層の表面からの深さおよび表面被覆率の値を求め、その結果を表２５に示した。
【００８８】
本発明法２６〜３０および従来法２６〜３０により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場中で圧縮成形して圧粉体を作製し、この圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3のボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性を表２６に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表２６に示した。
【００８９】
また、本発明法２６〜３０および従来法２６〜３０により得られた希土類磁石粉末にそれぞれ３質量％のエポキシ樹脂を加えて混練し、１．６ＭＡ／ｍの磁場を圧縮方向に印加しながら外径：１０ｍｍ、高さ：７ｍｍの寸法を有する円柱状に圧縮成形し、ついでこの円柱状圧粉体をオーブンで１５０℃、２時間熱硬化して、密度：６．０〜６．１ｇ／ｃｍ3の円柱状ボンド磁石を作製し、得られたボンド磁石の磁気特性をを７０ｋＯｅのパルス磁界で着磁したのち、１００℃に保持したオーブンに１０００時間放置して３時間、１００時間、１０００時間経過後の熱減磁率を測定し、その結果を表２６に示して熱的安定性を評価した。
【００９０】
さらに、本発明法２６〜３０および従来法２６〜３０により得られた希土類磁石粉末を磁場中で異方性圧粉体を作製し、この異方性圧粉体をホットプレス装置にセットし、磁場の印加方向が圧縮方向になるようにＡｒガス中、温度：７５０℃、圧力：５８．８ＭＰａ 、１分間保持の条件でホットプレスを行い、急冷して密度：７．５〜７．７ｇ／ｃｍ3 のホットプレス磁石を作製し、得られたホットプレス磁石の磁気特性を表２６に示した。また、１５０℃で磁気特性を測定した結果から保磁力の温度係数αｉＨｃを求め、その値を表２６に示した。
【００９１】
【表２３】
2005097711.tif 000025
【００９２】
【表２４】
2005097711.tif 000026
【００９３】
【表２５】
2005097711.tif 000027
【００９４】
【表２６】
2005097711.tif 000028
表１および表２３〜２６に示される結果から、水素吸収希土類磁石原料粉末に水素化物粉末を添加して水素含有原料混合粉末を作製し、この水素含有原料混合粉末に水素吸収・分解処理を施す本発明法２６〜３０により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性は、水素吸収処理を施したのち水素吸収・分解処理を施して得られた希土類磁石原料水素化物粉末に水素化物粉末を添加して得られた水素含有原料混合粉末を拡散熱処理する従来法２６〜３０により得られた希土類磁石粉末で作製したボンド磁石およびホットプレス磁石の磁気特性に比べて、保磁力および残留磁束密度がともに向上していることが分かり、また保磁力の温度係数が小さく、さらに熱減磁率が小さいところから、熱的安定性にも優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明法１で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの元素分布を示す電子線マイクロアナライザ（ＥＭＰＡ）による元素分布写真である。
【図２】本発明法１で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの図１におけるＡ−Ｂ直線上のＤｙ分布を示す電子線マイクロアナライザ（ＥＭＰＡ）による線分析グラフである。
【図３】本発明法１で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの直線上の元素分布を示し、図２のピークＡ付近を細かい間隔で走査した線分析グラフである。
【図４】従来法１で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの元素分布を示す電子線マイクロアナライザ（ＥＭＰＡ）による線分析グラフである。
【図５】従来法１で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの元素分布を示す図４のピークＣ付近を細かい間隔で走査した線分析グラフである。
【図６】本発明法１６で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの元素分布を示す電子線マイクロアナライザ（ＥＭＰＡ）による元素分布写真である。
【図７】本発明法１６で作製した異方性磁石粉末に含まれるＤｙの図６におけるＥ−Ｆ直線上のＤｙ分布を示す電子線マイクロアナライザ（ＥＭＰＡ）による線分析グラフである。
【図１】
2005097711.tif 000029
【図２】
2005097711.tif 000030
【図３】
2005097711.tif 000031
【図４】
2005097711.tif 000032
【図５】
2005097711.tif 000033
【図６】
2005097711.tif 000034
【図７】
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