(57)【要約】【課題】堆積膜特性の均一性を極めて高いレベルとし、さらに、画像欠陥の原因となる球状突起を低減することで高画質を満たす堆積膜を形成可能とする。【解決手段】減圧可能な反応容器１０１内に複数の円筒状基体１０２が設置される。反応容器１０１内に供給された原料ガスを第１の高周波電力導入手段１０３および第２の高周波電力導入手段１０４から導入された高周波電力で分解することで、円筒状基体１０２に堆積膜が形成される。第１の高周波電力導入手段１０３は円筒状基体１０２の配置円外に配置され、第２の高周波電力導入手段１０４は円筒状基体１０２の配置円内に配置される。第１の高周波電力導入手段１０３に印加する高周波電力と第２の高周波電力導入手段１０４に印加する高周波電力とは独立に制御され、それぞれ周波数の異なる複数の高周波電力が導入される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に配置し、該反応容器中に供給された原料ガスを第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該第１の高周波電力導入手段により該円筒状基体の配置円外から高周波電力を導入し、
該第２の高周波電力導入手段により該円筒状基体の配置円内から高周波電力を導入し、
該第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力と該第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を独立に制御し、
該第１の高周波電力導入手段と該第２の高周波電力導入手段のそれぞれに周波数が異なる複数の高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力において、上位２つの電力値をとる高周波電力のうち周波数が高い方の電力値をＰ１、周波数の低い方の電力値をＰ２、Ｒ１を以下の（ａ）とし、
前記第２の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力において、上位２つの電力値をとる高周波電力のうち周波数が高い方の電力値をＰ１’、周波数の低い方の電力値をＰ２’、Ｒ２を以下の（ｂ）とし、
以下の条件（ｃ）を満たす高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
（ａ）  Ｒ１＝Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）
（ｂ）  Ｒ２＝Ｐ２’／（Ｐ１’＋Ｐ２’）
（ｃ）  Ｒ１≠Ｒ２
【請求項３】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１及びｆ２としたとき、以下の条件（ｄ）、（ｅ）を満たし、
前記第２の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１’及びｆ２’としたとき、以下の条件（ｆ）、（ｇ）を満たす高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする請求項１乃至２に記載の堆積膜形成方法。
（ｄ）１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
（ｅ）０．１≦Ｒ１≦０．９
（ｆ）１０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ
（ｇ）０．１≦Ｒ２≦０．９
【請求項４】
前記円筒状基体の配置円の中心と同じくする同心円上に等間隔で複数設置した前記第１の高周波電力導入手段から高周波電力を導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１乃至３に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記円筒状基体の配置円の中心に設置した前記第２の高周波電力導入手段から高周波電力を導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４に記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】
複数の円筒状基体を取り囲み、且つ中心軸が円筒状基体の配置円の中心を通るような円筒状壁で構成される反応容器内で前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１乃至５に記載の堆積膜形成方法。
【請求項７】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を前記反応容器外から導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成方法。
【請求項８】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を前記反応容器内から導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成方法。
【請求項９】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１’とが以下の条件（ｈ）を満たす高周波電力を用いて前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項３乃至８に記載の堆積膜形成方法。
（ｈ）  ｆ１＝ｆ１’
【請求項１０】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２’とが以下の条件（ｉ）を満たす高周波電力を用いて前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項３乃至８に記載の堆積膜形成方法。
（ｉ）  ｆ２＝ｆ２’
【請求項１１】
前記円筒状基体上に形成する堆積膜がシリコン原子を含有する非晶質材料であることを特徴とする請求項１乃至１０に記載の堆積膜形成方法。
【請求項１２】
電子写真感光体の製造に用いられることを特徴とする請求項１乃至１１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項１３】
減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を設置し、該反応容器中に供給された原料ガスを第１の高周波電力導入手段及び第２の高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、
該第１の高周波電力導入手段は該円筒状基体の配置円外に配置され、
該第２の高周波電力導入手段は該円筒状基体の配置円内に配置され、
該第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力と該第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を独立に制御可能な制御手段を有し、
該第１の高周波電力導入手段及び該第２の高周波電力導入手段に周波数の異なる複数の高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項１４】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１、ｆ２としたとき、以下の条件（ｊ）を満たし、
前記第２の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１’、ｆ２’としたとき、以下の条件（ｋ）を満たす高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする請求項１３に記載の堆積膜形成装置。
（ｊ）１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
（ｋ）１０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ
【請求項１５】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１’とが以下の条件（ｌ）を満たす高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする請求項１３乃至１４に記載の堆積膜形成装置。
（ｌ）  ｆ１＝ｆ１’
【請求項１６】
前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２’とが以下の条件（ｍ）を満たす高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする請求項１３乃至１４に記載の堆積膜形成装置。
（ｍ）  ｆ２＝ｆ２’
【請求項１７】
前記第１の高周波電力導入手段は、前記円筒状基体の配置円の中心と同じくする同心円上に等間隔で複数設置されていることを特徴とする請求項１３乃至１６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１８】
前記第２の高周波電力導入手段が前記円筒状基体の配置円の中心に設置されていることを特徴とする請求項１３乃至１７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１９】
前記反応容器が前記円筒状基体を取り囲む円筒状壁を形成し、且つ前記円筒状壁の中心軸が前記円筒状基体の配置円の中心を通るように設置されていることを特徴とする請求項１３乃至１８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項２０】
前記円筒状壁の少なくとも一部が誘電体で構成され、前記第１の高周波電力導入手段が前記反応容器外に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の堆積膜形成装置。
【請求項２１】
前記円筒状壁が導電性材料で構成され、前記第１の高周波電力導入手段が前記反応容器内に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の堆積膜形成装置。
【請求項２２】
前記円筒状基体上に形成する堆積膜がシリコン原子を含有する非晶質材料であることを特徴とする請求項１３乃至２１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項２３】
電子写真感光体の製造に用いられることを特徴とする請求項１３乃至２２に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、被処理基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に高周波電力により生成されるプラズマを用いた半導体デバイス、電子写真感光体等の堆積膜を利用した光受容部材を形成するのに適した堆積膜形成方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力により生成されるプラズマを用いた堆積膜形成方法が知られており、そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスを分解し、その分解種を被処理基体上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法が好適な堆積膜形成手段として実用化されている。この方法を用いた例として、原料ガスにシランガスを用いてアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）薄膜の形成が知られており、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
このようなプラズマＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ薄膜の堆積膜形成装置として、ＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と記す）による従来の堆積膜形成装置、具体的には電子写真用感光体形成装置の一例を示す模式的な構成図を図７に示す。図７（ａ）は、従来の電子写真用感光体形成装置の縦断面を示す模式図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す電子写真用感光体形成装置横断面図を示す模式図である。反応容器７０１の側面には排気管が一体に形成されており、排気管の他端には不図示の排気手段が接続されている。円筒状基体７０２は反応容器７０１の中心部を取り囲むように配置されており、回転軸７１３によって保持され、ヒータ７１１により加熱されるように構成されている。モータ７１４より回転軸７１３が回転し、円筒状基体７０２が自転するようになっている。
【０００５】
原料ガスは、不図示の原料ガス供給手段から原料ガス導入管７１２を経て反応容器７０１内へ導入される。ＶＨＦ帯の高周波電力は、高周波電源７０９から高周波マッチングボックス７０６を経てカソード電極７０４から反応容器７０１内へ導入される。この際、円筒状基体７０２が回転軸７１３を介してアース電位に維持されているため、アノード電極として作用する。
【０００６】
このような従来の電子写真用感光体形成装置を用いた堆積膜の形成は、以下のような手順で行なわれる。まず、反応容器７０１内に円筒状基体７０２を設置し、不図示の排気装置により反応容器内を排気する。続いて、ヒータ７１１により円筒状基体７０２を所定の温度になるよう制御する。その後、原料ガス供給手段から原料ガス導入管７１２を介して反応容器７０１内に原料ガスを導入し、カソード電極７０４から反応容器７０１内にＶＨＦ帯の高周波電力を導入する。これにより、円筒状基体７０２上に堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力及び原料ガスの供給を止めて堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回操り返すことによって、所望の多層構造の光受容層を形成することができる。堆積膜形成中に、円筒状基体７０１を回転させることにより円筒状基体７０１の表面の全周に亘って均一な堆積膜が形成される。
【０００７】
このような電子写真感光体形成装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のために電子写真感光体形成方法及び装置の改良が進められている。
【０００８】
反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、カソード電極を円筒状基体の配置円内外に配置して円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法及び装置の技術に関して開示されている（例えば、特許文献１参照）。この堆積膜形成方法及び装置を用いて円筒状基体上に堆積膜を形成することにより、堆積膜特性の均一性向上の効果が得られることが示されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−０９２９３２号公報（第１４頁〜第１８頁、図１、図８、図１０）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の堆積膜形成方法及び装置により、堆積膜特性の均一性が改善されることで良好な堆積膜の形成が可能となり、また、歩留の改善による生産性の向上も可能となってきている。しかし、製品の高品質化が進む一方で、製品に対する市場の要求が日々高まってきており、更なる高品質な製品を製造可能な堆積膜形成方法及び装置が求められているのが現状である。
【００１１】
例えば、電子写真感光体においては、電子写真装置の高速化、小型化、低価格化等の要求が非常に高まっている。そのため、これらを実現可能にする電子写真用感光体の特性を実現するとともに、電子写真用感光体製造時の良品率の向上が不可欠となっている。更に、近年デジタル電子写真装置及びカラー電子写真装置の普及が目覚しく、これら電子写真装置では、文字原稿のみにとどまらず、写真、デザイン等の画像を出力する機会も増加しているため、電子写真装置の高画質化への要求も高まっている。これらを実現するためには、従来以上に感光体特性、具体的には帯電能、感度の均一性の向上及び画像欠陥を引き起こす感光体表面の微小な突起の低減が不可欠となっている。
【００１２】
このような感光体特性の向上及び感光体表面の微小な突起の低減を目指して、堆積膜形成時の条件、堆積膜の層構成の最適化もなされているが、堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置の面からの改善も強く望まれている。
【００１３】
このような状況下において、前述した従来の堆積膜形成装置、堆積膜形成方法においても、堆積膜特性の向上に関して、まだ改善の余地が残されているのが現状である。
【００１４】
例えば、ＶＨＦ−ＣＶＤ法による堆積膜形成方法及び装置では、ＶＨＦ帯、あるいはその近傍の周波数の高周波電力を用いてプラズマを生成して基板上に堆積膜を形成することにより、堆積膜の堆積速度の向上、堆積膜の特性の向上が達成可能となった。しかしながら、このような周波数帯の高周波電力を用いた場合、反応容器内での高周波電力の波長が反応容器、高周波電極、基板及び基板ホルダー等と同程度の長さとなり、反応容器中で高周波電力が定在波を形成しやすくなる。そのため、上述した従来の堆積膜形成方法及び装置では、この定在波によって反応容器内で鉛直方向及び断面方向で電力の強弱が生じプラズマ特性が異なってしまうため、基板上に形成される堆積膜特性の均一化が難しかった。更に、電力の弱い場所に反応容器内のダスト等が吸着され、これが突起の原因となることから突起の集中を抑えることが難しかった。
【００１５】
また、特許文献１に記載の堆積膜形成方法及び装置では、円筒状基体の配置円内外から高周波電力を導入し、更にそれぞれの高周波電力を独立に制御することにより、定在波により生じる反応容器内での鉛直方向及び断面方向の電力の強弱を低減することで、従来の堆積膜形成方法及び装置よりも安定した堆積膜の形成を可能とした。しかしながら、前記堆積膜形成方法及び装置においても、現在市場が要求している高画質を実現するための堆積膜特性の均一性及び画像欠陥数の条件を満たすことが難しくなりつつある。
【００１６】
【目的】
そこで、本発明の目的は、従来の堆積膜形成装置よりも堆積膜特性の均一性を極めて高いレベルとし、更に画像欠陥の原因となる球状突起を低減することで、市場要求の非常に高い高画質を満たす堆積膜を形成可能な堆積膜形成方法及び装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置において、高周波電力導入方法が堆積膜特性の均一性及び画像欠陥低減に大きな影響を及ぼすことを見出した。具体的には、円筒状基体を同一円周上に等間隔で配置し、周波数が異なる複数の高周波電力を該円筒状基体の配置円内外から独立に制御して導入することで、複数の基体上に球状突起が形成しにくく且つ良好な特性を有する堆積膜を均一に形成可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１８】
具体的には、
（１）  減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を配置し、反応容器中に供給された原料ガスを第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、該第１の高周波電力導入手段により該円筒状基体の配置円外から高周波電力を導入し、該第２の高周波電力導入手段により該円筒状基体の配置円内から高周波電力を導入し、該第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力と該第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を独立に制御し、該第１の高周波電力導入手段と該第２の高周波電力導入手段に周波数が異なる複数の高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００１９】
（２）  （１）に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力の上位２つの電力値をとる高周波電力のうち周波数が高い方の電力値をＰ１、周波数の低い方の電力値をＰ２、Ｒ１を以下の（ａ）とし、前記第２の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力の上位２つの電力値をとる高周波電力のうち周波数が高い方の電力値をＰ１’、周波数の低い方の電力値をＰ２’、Ｒ２を以下の（ｂ）とし、以下の条件（ｃ）を満たす高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２０】
（ａ）  Ｒ１＝Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）
（ｂ）  Ｒ２＝Ｐ２’／（Ｐ１’＋Ｐ２’）
（ｃ）  Ｒ１≠Ｒ２
（３）  （１）から（２）に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１及びｆ２としたとき、以下の条件（ｄ）、（ｅ）を満たし、
前記第２の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１’及びｆ２’としたとき、以下の条件（ｆ）、（ｇ）を満たす高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２１】
（ｄ）１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
（ｅ）０．１≦Ｒ１≦０．９
（ｆ）１０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ
（ｇ）０．１≦Ｒ２≦０．９
（４）  （１）から（３）に記載の堆積膜形成方法において、前記円筒状基体の配置円の中心と同じくする同心円上に等間隔で複数設置した前記第１の高周波電力導入手段から高周波電力を導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２２】
（５）  （１）から（４）に記載の堆積膜形成方法において、前記円筒状基体の配置円の中心に設置した前記第２の高周波電力導入手段から高周波電力を導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２３】
（６）  （１）から（５）に記載の堆積膜形成方法において、複数の円筒状基体を取り囲み、且つ中心軸が円筒状基体の配置円の中心を通るように設置した円筒状壁で構成される反応容器内で前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２４】
（７）  （６）に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を前記反応容器外から導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２５】
（８）  （６）に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を前記反応容器内から導入して前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２６】
（９）  （３）から（８）に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１’とが以下の条件（ｈ）を満たす高周波電力を用いて前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２７】
（ｈ）  ｆ１＝ｆ１’
（１０）  （３）から（９）に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２’とが以下の条件（ｉ）を満たす高周波電力を用いて前記円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２８】
（ｉ）  ｆ２＝ｆ２’
（１１）  （１）から（１０）に記載の堆積膜形成方法において、前記円筒状基体上に形成する堆積膜がシリコン原子を含有する非晶質材料であることを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００２９】
（１２）  （１）から（１１）に記載の堆積膜形成方法において、電子写真感光体の製造に用いられることを特徴とする堆積膜形成方法に関する。
【００３０】
（１３）  減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を設置し、反応容器中に供給された原料ガスを第１の高周波電力導入手段及び第２の高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、該円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、該第１の高周波電力導入手段は該円筒状基体の配置円外に配置され、該第２の高周波電力導入手段は該円筒状基体の配置円内に配置され、該第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力と該第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を独立に制御可能な制御手段を有し、該第１の高周波電力導入手段及び該第２の高周波電力導入手段に周波数の異なる複数の高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３１】
（１４）  （１３）に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１、ｆ２としたとき、以下の条件（ｊ）を満たし、
前記第２の高周波電力導入手段に印加する複数の高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の周波数をｆ１’、ｆ２’としたとき、以下の条件（ｋ）を満たす高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３２】
（ｊ）１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
（ｋ）１０ＭＨｚ≦ｆ２’＜ｆ１’≦２５０ＭＨｚ
（１５）  （１３）から（１４）に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ１’とが以下の条件（ｌ）を満たす高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３３】
（ｌ）  ｆ１＝ｆ１’
（１６）  （１３）から（１５）に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２と前記第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数ｆ２’とが以下の条件（ｍ）を満たす高周波電力を導入可能な高周波電源を有することを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３４】
（ｍ）  ｆ２＝ｆ２’
（１７）  （１３）から（１６）に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の高周波電力導入手段は、前記円筒状基体の配置円の中心と同じくする同心円上に等間隔で複数設置されていることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３５】
（１８）  （１３）から（１７）に記載の堆積膜形成装置において、前記第２の高周波電力導入手段が前記円筒状基体の配置円の中心に設置されていることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３６】
（１９）  （１３）から（１８）に記載の堆積膜形成装置において、前記反応容器が前記円筒状基体を取り囲む円筒状壁を形成し、且つ前記円筒状壁の中心軸が前記円筒状基体の配置円の中心を通るように設置されていることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３７】
（２０）  （１９）に記載の堆積膜形成装置において、前記円筒状壁の少なくとも一部が誘電体で構成され、前記第１の高周波電力導入手段が前記反応容器外に配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３８】
（２１）  （１９）に記載の堆積膜形成装置において、前記円筒状壁が導電性材料で構成され、前記第１の高周波電力導入手段が前記反応容器内に配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００３９】
（２２）  （１３）から（２１）に記載の堆積膜形成装置において、前記円筒状基体上に形成する堆積膜がシリコン原子を含有する非晶質材料であることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００４０】
（２３）  （１３）から（２２）に記載の堆積膜形成装置において、電子写真感光体の製造に用いられることを特徴とする堆積膜形成装置に関する。
【００４１】
【発明の実施の形態】
図を用いて本発明を詳述する。図１は本発明のａ−Ｓｉ系感光体堆積膜製造装置の一例を示した模式的な概略図である。図１（ａ）は概略垂直断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の概略水平断面図である。
【００４２】
反応容器１０１の底面には排気口１１６が形成され、排気管の他端は不図示の排気装置に接続されている。堆積膜の形成される円筒状基体１０２は、同一円周上に等間隔で互いに平行に配置されている。基体１０２は回転軸１１３によって保持され、モータ１１４を駆動すると、減速ギア１１５を介して回転軸１１３が回転し、円筒状基体１０２はその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっている。また、円筒状基体１０２は発熱体１１１によって加熱可能となっている。
【００４３】
同一円周上に配置された円筒状基体１０２の配置円外には、第１の高周波電力導入手段１０３が設置され、第１の高周波電源１０７、１０８から出力された高周波電力は、第１のマッチングボックス１０５を経て、第１の高周波電力導入手段１０３から成膜空間となる反応容器１０１内に供給される。
【００４４】
また、同一円周上に配置された円筒状基体１０２の配置円内には、第２の高周波電力導入手段１０４が設置され、第２の高周波電源１０９、１１０から出力された高周波電力は、第２のマッチングボックス１０６を経て、第２の高周波電力導入手段１０４から成膜空間となる反応容器１０１内に供給される。
【００４５】
反応容器１０１内には原料ガス導入手段１１２が設置され、原料ガス導入手段の他端には不図示の原料ガス供給手段が接続されている。原料ガス供給手段から所望の原料ガスを原料ガス導入手段を介して反応容器１０１中に供給する。
【００４６】
このような装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００４７】
まず、円筒状基体１０２を反応容器１０１内に設置し、不図示の排気装置により排気口１１６を通して反応容器１０１内を排気する。続いて、発熱体１１１により円筒状基体１０２を所定の温度に加熱・制御する。
【００４８】
円筒状基体１０２が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段１１２を介して、原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したのを確認した後、第１の高周波電源１０７、１０８から第１のマッチングボックス１０５を介して第１のカソード電極１０３へ所定の高周波電力を供給する。同様に、第２の高周波電源１０９、１１０から第２のマッチングボックス１０６を介して第２のカソード電極１０４へ所定の高周波電力を供給する。上記方法で反応容器１０１内に導入された高周波電力によって、反応容器１０１内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒状基体１０２上に堆積膜が形成される。
【００４９】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の導入を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように１つの層の形成が終了した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成を行ってもよいし、あるいは、１つの層の形成終了後一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成してもよい。
【００５０】
堆積膜の形成中、必要に応じて、回転軸１１３を介して円筒状基体１０２をモータ１１４により所定の速度で回転させてもよい。
【００５１】
本発明においては、周波数の異なる複数の高周波電力を円筒状基体の配置円内外から高周波電力導入手段により印加し、それぞれの高周波導入手段を独立に制御することで、反応容器内に十分な密度をもった均一なプラズマが生成可能となる。
【００５２】
これは以下のような理由によるものと考えられる。図５のような円筒状基体５０２の配置円外に第１の高周波電力導入手段５０３、円筒状基体の配置円内に第２の高周波電力導入手段５０４を設置し、第１の高周波電力導入手段５０３及び第２の高周波導入手段５０４に単一の周波数の高周波電力を印加する従来の装置では、図３のような第２の高周波電力導入手段３０４のみの装置や図４のような第１の高周波電力導入手段４０３のみの装置と比べ、水平断面方向におけるプラズマの均一性は改善し、均一で良好な堆積膜が形成可能となった。しかし、単一の周波数の高周波電力を第１の高周波導入手段５０３        及び第２の高周波電力導入手段５０４により反応容器内に導入するため、第１の高周波電力導入手段から導入される高周波電力により生じる定在波と第２の高周波電力導入手段から導入される高周波電力により生じる定在波の強い場所どうし、弱い場所どうしが重なり合ってしまう。その結果、垂直断面方向において導入される高周波電力の強さに変化が生じるためプラズマの不均一な分布を生じ、導入される高周波電力の弱い場所と円筒状基体が交差する場所で堆積膜の特性が低下したり、球状突起が集中したりする場合があった。
【００５３】
そこで本発明では、図１のような複数の異なる周波数の高周波電力を第１の高周波電力導入手段１０３及び第２の高周波電力導入手段１０４により印加することで、第１の高周波電力導入手段１０３から導入される高周波電力によって生じる定在波及び第２の高周波電力導入手段１０４から導入される高周波電力によって生じる定在波のムラを抑制することで均一に高周波電力を導入可能となった。そのため、第１の高周波電力導入手段から導入された高周波電力によって生じる定在波と第２の高周波電力導入手段から導入された高周波電力によって生じる定在波が重なっても、垂直断面方向において高周波電力の強弱の差が小さいことから、従来の装置形態よりも極めてプラズマの分布を均一化することが可能なった。その結果、円筒状基体長手方向及び円周方向共に膜特性及び均一性が向上、球状突起の集中及び数の低減が可能となった。
【００５４】
よって、本発明においては、円筒状基体の配置円外のみならず配置円内にも十分な密度をもったプラズマを均一に生成可能であるため、円筒状基体全周にわたって同時に膜特性及び突起が均一な膜を形成することができる。
【００５５】
本発明においては、更に以下のような構成・方法により、さらに顕著な効果を得ることができる。各々について詳述する。
【００５６】
本発明において、第１の高周波導入手段に導入される高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の電力値の比率Ｒ１と第２の高周波導入手段に導入される高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の電力値の比率Ｒ２が、Ｒ１≠Ｒ２にすることにより膜特性の均一性、球状突起の低減の効果が更に高くなる。
【００５７】
これは、円筒状基体１０２の配置円外に設置された第１の高周波電力導入手段１０３と円筒状基体１０２の配置円内に設置された第２の高周波電力導入手段１０４に印加する高周波電力の上位２つの電力値をとる高周波電力の電力値の比率（Ｒ１、Ｒ２）を変えることで、円筒状基体１０２の配置円内外におけるプラズマの状態を更に均一にすることが可能になるためである。つまり、周波数の異なる複数の高周波電力を重畳することで高周波電力により生じる定在波を抑制することが可能であるが、周波数の高い高周波電力の方が高周波電力導入手段近傍での電力の吸収が大きいため反応容器断面方向で第１（第２）の電力導入手段から遠ざかるほど電力のムラが発生してしまう。この断面方向のムラを抑制するために、第２（第１）の高周波電力導入手段に印加する上位２つの異なる周波数の電力値を調整することにより断面方向で均一な原料ガスの分解が生じ、反応容器内に均一なプラズマが生成可能となるからである。
【００５８】
更に、本発明において、第１の高周波導入手段に導入される高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の電力値の比率Ｒ１と第２の高周波導入手段に導入される高周波電力のうち上位２つの電力値をとる高周波電力の電力値の比率Ｒ２は、｜Ｒ１−Ｒ２｜が０．０５以上０．６以下にするとより膜特性の均一性、球状突起の低減の効果が特に高くなる。
【００５９】
これは、｜Ｒ１−Ｒ２｜を０．０５以上にすることにより前述した断面方向のムラを十分抑制可能となり、膜特性の均一性、球状突起の低減の効果が高くなる。しかし、０．６よりも大きくすると原料ガスの分解が支配する周波数が第１と第２の高周波電力導入手段とで異なる場合があり、その結果、反応容器内のプラズマの均一性を低下させる場合がある。このことから、｜Ｒ１−Ｒ２｜を０．０５以上０．６以下にすることにより極めて膜特性が均一で、且つ球状突起の少ない堆積膜の形成が可能となる。
【００６０】
本発明においては高周波電力の周波数が１０〜２５０ＭＨｚの範囲において、円筒状基体周方向での膜特性の均一性が特に高くなる。
【００６１】
これは、１０ＭＨｚよりも低い周波数領域においては、プラズマが安定して生成可能な圧力が急激に高まることに起因していると思われる。このような高い圧力においては、成膜空間中においてポリシラン等のパーティクルが生じ易く、このパーティクルが堆積膜中に取り込まれると球状突起を形成する。このパーティクルは特にシース近傍で発生しやすく、本発明においては隣接するシリンダー間でこの膜中への取り込みが生じてしまう場合がある。本発明において、高周波電力の周波数を１０ＭＨｚ以上とすることにより、このような膜中へのパーティクルの取り込みが生じず、円筒状基体全周にわたって球状突起の低減が可能となる。
【００６２】
また、２５０ＭＨｚよりも高い周波数領域においては、プラズマの均一性の差により２５０ＭＨｚ以下の場合と比べて膜特性の均一性に差が生じてしまうものと思われる。周波数が２５０ＭＨｚよりも高い周波数領域においては、電力導入手段近傍での電力の吸収が大きく、ここで電子の生成が最も頻繁に為されるため、プラズマ不均一を生じ易く、堆積膜の特性ムラにつながりやすい。２５０ＭＨｚ以下の周波数においては、電力導入手段近傍での極端な電力吸収が生じにくいため、プラズマ均一性、さらには膜特性の均一性が高くなる。
【００６３】
本発明においては、円筒状基体１０２を反応容器１０１の中央を中心とする同一円周上に沿って等間隔に配置するほうが好ましい。反応容器内に円筒状基体１０２を均一に配置することにより反応容器内の接地電位がより均一に配設されることから、更に反応容器内におけるプラズマ分布の均一性が向上し、形成される堆積膜特性の均一性の向上、球状突起の低減が可能となる。このように円筒状基体１０２を配置することにより、複数の円筒状基体上に同時に堆積膜を形成するに際して、円筒状基体間の特性ばらつき抑制が同時に達成可能となる。
【００６４】
また、本発明において、同一円周上に配置される円筒状基体１０２の数には特に制限はないが、一般的に、円筒状基体１０２の数を多くするに伴って、装置の大型化および必要とする高周波電源容量の増大をもたらすため、これらの点を考慮して適宜決定される。
【００６５】
本発明においては、高周波電力導入手段を円筒状基体の配置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で配置することにより、各円筒状基体に及ぼす影響が均一化され、円筒状基体間での堆積膜の特性ムラが低減する。この場合、各円筒状基体に対する高周波電力導入手段の影響を均一化するという点から、高周波電力導入手段の数としては、円筒状基体と同数もしくは円筒状基体の１／２とすることが更に好ましい。円筒状基体の１／２とする場合には、近接する２つの円筒状基体との距離が等しくなるよう配置することが最適である。複数の高周波電力導入手段１０３への高周波電力の印加は、図１のように高周波電源からマッチングボックス１０５を介した後、電力導入路を分岐させて行ってもよいし、高周波電源から電力供給路を分岐させた後、複数のマッチングボックスを介して電力導入を行ってもよく、さらには、個々の第１の高周波電力導入手段ごとに別個の高周波電源およびマッチングボックスを設けてもよいが、全ての高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数が完全に一致するという点、装置コストの点、装置の大きさの点から共通の高周波電源から全ての第１の高周波電力導入手段に高周波電力を印加することが好ましい。
【００６６】
第２の高周波電力導入手段１０４もまた、各円筒状基体１０２への影響を平均化するという点から、円筒状基体の配置円中心に設置するか、もしくは円筒状基体の配置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で複数配置することが好ましい。このような配置とすることで、基体間での堆積膜特性のばらつきが更に抑制される。
【００６７】
第１の高周波電力導入手段１０３及び第２の高周波電力導入手段１０４への高周波電力供給は、第１の高周波電力導入手段１０３及び第２の高周波電力導入手段１０４の１点に行ってもよいし、また、複数の点に行ってもよい。
【００６８】
また、第１の高周波電力導入手段１０３及び第２の高周波電力導入手段１０４の形状としては特に制限はないが、放電空間内にある第２の高周波電力導入手段１０４からの膜はがれ防止の観点から、可能な限り曲面により構成されていることが好ましく、特に円筒状が好ましい。第１の高周波電力導入手段に関しても図２に示すように第１の高周波導入手段２０３が放電空間内にある場合には、第２の高周波導入手段２０４と同様に可能な限り曲面により構成されていることが好ましく、特に円筒状が好ましい。
【００６９】
更に、第１の高周波電力導入手段２０３及び第２の高周波電力導入手段２０４の表面は、膜の密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ましい。
【００７０】
また、膜の密着性向上の観点から、第１の高周波電力導入手段１０３と第２の高周波電力導入手段１０４の表面はセラミックス材で被覆されていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に制限はないが、例えば、セラミックス等の筒材により、第１の高周波電力導入手段１０３と第２の高周波電力導入手段１０４を覆うように装着してもよい。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。また、上記材料をＣＶＤ法、溶射等の表面コーティング法により、第１の高周波電力導入手段１０３と第２の高周波電力導入手段１０４の表面をコーティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、コスト面から、あるいはコーティング対象物の大きさ・形状の制限を受けにくいため好ましい。第１の高周波電力導入手段１０３と第２の高周波電力導入手段１０４の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、また高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００７１】
本発明においては、複数の円筒状基体を取り囲み、かつ中心軸が円筒状基体の配置円の中心を通るように設置された円筒状壁の内部において、原料ガスを分解して堆積膜形成を行う構成とすることにより、各円筒状基体と成膜空間壁面の距離が等しくなり各円筒状基体上で膜の堆積に寄与する成膜空間体積が等しくなることから常に全ての円筒状基体に対して同量の活性種が到達することから各円筒状基体間での堆積膜特性の差が生じにくくなる。
【００７２】
反応容器１０１の形状に関しては、どのような形状のものであっても本発明の効果は得られるが、前述したように、原料ガスが分解される成膜空間が，円柱状領域に制限されるように壁面が設けられていることが好ましい。この場合、必ずしも反応容器１０１そのものが円筒状である必要はなく、例えば、角状の反応容器内に円筒状の成膜空間壁を設けてもよい。成膜空間を円柱状領域に制限するに際しては、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体１０１の配置円の中心を通るようにする方が好ましい。これは、このような成膜空間壁の表面は、膜はがれ防止のため、第１の高周波電力導入手段１０３及び第２の高周波電力導入手段１０４の表面と同様に、粗面化、セラミックスによる被覆、加熱・冷却を行うことが効果的である。
【００７３】
また、本発明においては、このように円筒状壁の内部において原料ガスを分解して堆積膜形成を行うに際して、円筒状壁面の少なくとも一部を非導電性材料で構成し、該円筒状壁面の外部から高周波電力を導入することで更なる効果を得ることができる。すなわち、このような構成とすることで、高周波電力導入手段への膜付着による原料ガスのロスがなくなり、原料ガス利用効率が向上する。この結果、生産コストの低下が可能となる。さらに、堆積膜形成中に高周波電力導入手段表面からの膜はがれが生じないため、成膜空間中のダストが減少し、球状突起の減少を可能にする。
【００７４】
さらに本発明においては、図１に示すように、原料ガスが分解される成膜空間を、少なくとも一部が非導電性材料で構成された円筒状壁１１７により円柱状領域に制限し、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体１０２配置円の中心を通る構成とし、さらに、円筒状基体１０２の配置円外に設置された第１の高周波電力導入手段１０３を円柱状壁１０１外部に位置させることにより、原料ガスの利用効率が向上し、同時に、球状突起の抑制が可能となる。図１において、１０１は円筒状壁であり、少なくとも一部が非導電性材料で構成されている。具体的な非導電性材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライド酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、高周波電力の吸収が少ないという点から、特にアルミナが好適である。
【００７５】
また、中心軸が円筒状基体１０２配置円の中心を通り、一定電位に維持された円筒状導電性シールドを、円筒状壁面１０１外に設置された第１の高周波電力導入手段１０３を取り囲むように設けるのが、放出される高周波電力の均一性を向上する上で好適である。この円筒状導電性シールドは反応容器１０１が兼ねる構成としてもよい。
【００７６】
本発明においては、第１の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の発振源と第２の高周波電力導入手段に印加する高周波電力の発振源を同一にしてもよい。これにより、位相差を常に一定に維持可能となるため、良好な堆積膜を更に安定して、再現性良く形成することが可能となる。
【００７７】
この原因については、発振源が異なる場合、２つの電源において発振周波数を完全に一致させることが困難であり、この発振周波数のずれによって、堆積膜形成中、あるいは堆積膜形成ロット毎に位相差が変化してしまうことに起因すると考えられる。この位相差によって、プラズマ中で生成される活性種の種類・比率が変化してしまい、また、場合によってはプラズマが不安定となってしまう。
【００７８】
第１の高周波電力導入手段１０３及び第２の高周波電力導入手段１０４へ導入される高周波電力を独立した２つの電源およびマッチングボックスを用いる等の手段により各々独立に電力制御する。また、第１の高周波電力導入手段１０３に印加する高周波電力の発振源と第２の高周波電力導入手段１０４に印加する高周波電力の発振源を同一とすることが好ましい。
【００７９】
原料ガス供給手段１１２の数、設置位置は特に制限はないが、反応容器内へ均一に原料ガスを供給できるように設置することが効果的である。
【００８０】
このような本発明を用いることにより、例えば図８に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材が形成可能である。
【００８１】
図８（ａ）に示す電子写真用感光体８００は、支持体８０１の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）を有する光導電性を有する光導電層８０２が設けられている。
【００８２】
図８（ｂ）に示す電子写真用感光体８００は、支持体８０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層８０２と、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層８０３が設けられて構成されている。
【００８３】
図８（ｃ）に示す電子写真用感光体８００は、支持体８０１の上に、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層８０４と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１２０２と、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層８０３が設けられて構成されている。
【００８４】
図８（ｄ）に示す電子写真用感光体８００は、支持体８０１の上に、光導電層８０２が設けられている。この光導電層８０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層８０５及び電荷輸送層８０６とからなり、その上にアモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）表面層８０３が設けられている。
【００８５】
【実施例及び比較例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００８６】
＜実施例１＞
図２に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー２０２）上に下記表１に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、電子写真感光体を作製した。このとき、周波数が１０５ＭＨｚである高周波電力を出力可能な第１の高周波電源２０７、２０９及び周波数が６０ＭＨｚである高周波電力を出力可能な第２の高周波電源２０８、２１０を用いた。また、電子写真感光体作製時に用いる各ガス種は各層内で一定の流量とした。
【００８７】
【表１】
2005068455.tif 000003
【００８８】
表１のＰ１は、第１の高周波導入手段から印加する高周波電力において、周波数が高い方（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ２は周波数の低い方（６０ＭＨｚ）の電力値である。また、表１のＰ’１は、第２の高周波導入手段から印加する高周波電力において、周波数が高い方（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ’２は周波数の低い方（６０ＭＨｚ）の電力値である。更に、表１のＲ１は第１の高周波電力導入手段から印加する全電力値に対するＰ２の比率であり、Ｒ２は第２の高周波電力導入手段から印加する全電力値に対するＰ２’の比率である。
【００８９】
上記条件で作製した電子写真感光体の球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感度ムラを下記の条件により測定した。
【００９０】
【球状突起数】
球状突起数の測定は、３０ｍｍ×２５１ｍｍの範囲内にある長径１０μｍ以上の球状突起の数を測定した。測定場所は電子写真感光体の中央を０ｍｍ、垂直方向上を＋、垂直方向下を−とし、電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置を中心とし、幅３０ｍｍを周方向で一周（２５１ｍｍ）にある計５点の球状突起の合計を求めた。同様に６本のドラムを測定し、６本の球状突起数の平均を球状突起突起数とした。従って、球状突起数が少ないほど良好であることを示す。
【００９１】
【膜厚ムラ】
膜厚ムラの測定は、電子写真感光体の長手方向において中心を０ｍｍとし、０ｍｍから上下２０ｍｍ間隔で計１７点の膜厚を測定し、測定値の最大値と最小値の差を求め、６本の電子写真感光体の平均を膜厚ムラとした。従って、膜厚ムラが小さいほど良好であることを示す。
【００９２】
【帯電能ムラ】
帯電能ムラの測定は、作製した電子写真感光体を電子写真装置（評価用に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットして電位特性の評価を行った。その際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光量（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定し、それを帯電能とした。測定場所は、膜厚測定と同じ電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置で帯電能を測定し、測定値の最大値と最小値の差を求め、６本の電子写真感光体の平均を帯電能ムラとした。従って、帯電能ムラが小さいほど良好であることを示す。
【００９３】
【感度ムラ】
感度ムラの測定は、帯電能ムラ測定と同じ条件で表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が５０Ｖ（明電位）となるようにし、そのときの露光量を感度とした。測定場所は膜厚測定と同じ電子写真感光体の長手方向＋１３０ｍｍ、＋９０ｍｍ、０ｍｍ、−９０ｍｍ、−１３０ｍｍの位置で感度を測定し、測定値の最大値と最小値の差を求め、６本の電子写真感光体の平均を感度ムラとした。従って、この長手方向の感度ムラが小さいほど良好であることを示す。
【００９４】
＜比較例１＞
図５に示す堆積膜形成装置を用い、下記表２に示す条件により実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。このとき、高周波電源５０７、５０９としては周波数が１０５ＭＨｚである高周波電力を出力可能な電源を用いた。
【００９５】
【表２】
2005068455.tif 000004
【００９６】
表２のＰ１は、第１の高周波導入手段から印加する高周波電力（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ１’は、第２の高周波導入手段から印加する高周波電力（１０５ＭＨｚ）の電力値である。
【００９７】
上記条件により作製した電子写真感光体の球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感度ムラを実施例１と同様に求めた。
【００９８】
実施例１及び比較例１によって得られた球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感度ムラについて、比較例１の各測定値を１００として相対評価を行った。この結果を表３に示す。
【００９９】
【表３】
2005068455.tif 000005
【０１００】
表３より、配置円内外の高周波電量導入手段から単一の周波数の高周波電力を反応容器内に導入する場合と、円筒状基体の配置円内外から複数の異なる周波数の高周波電力を反応容器内に導入する場合とでは、複数の異なる周波数の高周波電力を円筒状基体の配置円内外にある高周波電力導入手段に印加する方が、より単一の周波数の高周波電力を印加するよりも良好となった。
【０１０１】
＜実施例２＞
図１に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウムシリンダー１０２）上に、下記表４に示す条件で、阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行い、電子写真感光体を作製した。高周波電源は、周波数が１０５ＭＨｚである高周波電力を出力可能な第１の高周波電源１０７、１０９及び周波数が７０ＭＨｚである高周波電力を出力可能な第２の高周波電源１０８、１１０を用いた。また、第１の高周波電力導入手段に印加する周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力値と周波数が７０ＭＨｚの高周波電力値の比率を下記表５に示す条件とし、第２の高周波電力導入手段に印加する周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力値及び周波数が７０ＭＨｚの高周波電力値の比率を表４の条件で各層内は一定とした。また、電子写真感光体作製時に用いる各ガス種は各層内で一定の流量とした。
【０１０２】
【表４】
2005068455.tif 000006
【０１０３】
表４のＰ１は、第１の高周波導入手段から印加する高周波電力において、周波数が高い方（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ２は周波数の低い方（７０ＭＨｚ）の電力値である。また、表４のＰ１’は、第２の高周波導入手段から印加する高周波電力において、周波数が高い方（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ２’は周波数の低い方（７０ＭＨｚ）の電力値である。更に、表４のＲ１は第１の高周波電力導入手段から印加する全電力値に対するＰ２の比率であり、Ｒ２は第２の高周波電力導入手段から印加する全電力値に対するＰ２’の比率である。
【０１０４】
【表５】
2005068455.tif 000007
【０１０５】
上記条件により作製した電子写真感光体の球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感度ムラを実施例１と同様に求めた。
【０１０６】
実施例２の各条件Ｉ〜ＶＩによって得られた球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感
度ムラについて、ＩＩの各測定値を１００として相対評価を行った。この結果を表６に示す
。
【０１０７】
【表６】
2005068455.tif 000008
【０１０８】
表６より、配置円内の第２の高周波電力導入手段から反応容器内に導入される周波数が１０５ＭＨｚ及び７０ＭＨｚである高周波電力の電力値の比率を一定にし、配置円外の第１の高周波電量導入手段から反応容器内に導入される周波数が１０５ＭＨｚ及び７０ＭＨｚである高周波電力の電力値の比率を変化させたところ、第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段から印加された周波数が１０５ＭＨｚ及び７０ＭＨｚである高周波電力の電力値の比率Ｒ１及びＲ２が同じ比率であるよりもＲ１とＲ２の差の絶対値が０．０５から０．６の間では上記全て評価において良好であったが、Ｒ１とＲ２の差が０．６より大きくなると若干良好となる程度であった。
【０１０９】
この結果より、第１の高周波電力導入手段の上位２つの電力値をとる高周波電力のうち、周波数が高い方の高周波電力の電力値Ｐ１と周波数が低い方の高周波電力の電力値Ｐ２の比率Ｒ１と第２の高周波電力導入手段の上位２つの電力値をとる高周波電力のうち、周波数が高い方の高周波電力の電力値Ｐ’１と周波数が低い方の高周波電力の電力値Ｐ’２の比率Ｒ２が、Ｒ１＝Ｒ２の条件よりもＲ１≠Ｒ２の条件の方が良好であった。その中でも０．０５≦｜Ｒ１−Ｒ２｜≦０．６の条件が更に良好であった。
【０１１０】
＜実施例３＞
下記表７に示す条件により実施例２と同様に電子写真感光体を作製した。このとき、高周波電源として、周波数が１０５ＭＨｚである高周波電力を出力可能な第１の高周波電源１０７、１０９及び周波数が５０ＭＨｚである高周波電力を出力可能な第２の高周波電源１０８、１１０を用い、第１の高周波電力導入手段に印加する周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力値と周波数が７０ＭＨｚの高周波電力値の比率を下記表７の条件で各層内は一定とし、第２の高周波電力導入手段に印加する周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力値及び周波数が７０ＭＨｚの高周波電力値の比率を下記表８の条件とした。
【０１１１】
【表７】
2005068455.tif 000009
【０１１２】
【表８】
2005068455.tif 000010
【０１１３】
表７のＰ１は、第１の高周波導入手段から印加する高周波電力において、周波数が高い方（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ２は周波数の低い方（５０ＭＨｚ）の電力値である。また、表４のＰ１’は、第２の高周波導入手段から印加する高周波電力において、周波数が高い方（１０５ＭＨｚ）の電力値であり、Ｐ２’は周波数の低い方（５０ＭＨｚ）の電力値である。更に、表４のＲ１は第１の高周波電力導入手段から印加する全電力値に対するＰ２の比率であり、Ｒ２は第２の高周波電力導入手段から印加する全電力値に対するＰ２’の比率である。
【０１１４】
上記条件により作製した電子写真感光体の球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感度ムラを実施例１と同様に求めた。
【０１１５】
実施例３の各条件Ｉ〜ＶＩによって得られた球状突起数、膜厚ムラ、帯電能ムラ及び感度ムラについて、ＩＩの各測定値を１００として相対評価を行った。この結果を表９に示す。
【０１１６】
【表９】
2005068455.tif 000011
【０１１７】
表９より、配置円外の第１の高周波電力導入手段から反応容器内に導入される周波数が１０５ＭＨｚ及び５０ＭＨｚである高周波電力の電力値の比率を一定にし、配置円内の第２の高周波電量導入手段から反応容器内に導入される周波数が１０５ＭＨｚ及び５０ＭＨｚである高周波電力の電力値の比率を変化させたところ、第１の高周波電力導入手段と第２の高周波電力導入手段から印加された周波数が１０５ＭＨｚ及び５０ＭＨｚである高周波電力の電力値の比率Ｒ１及びＲ２が同じ比率であるよりもＲ１とＲ２の差の絶対値が０．０５から０．６の間では上記全て評価において良好であったが、Ｒ１とＲ２の差が０．６より大きくなると若干良好となる程度であった。
【０１１８】
この結果より、第１の高周波電力導入手段の上位２つの電力値をとる高周波電力のうち、周波数が高い方の高周波電力の電力値Ｐ１と周波数が低い方の高周波電力の電力値Ｐ２の比率Ｒ１と第２の高周波電力導入手段の上位２つの電力値をとる高周波電力のうち、周波数が高い方の高周波電力の電力値Ｐ’１と周波数が低い方の高周波電力の電力値Ｐ２’の比率Ｒ２が、Ｒ１＝Ｒ２の条件よりもＲ１≠Ｒ２の条件の方が良好であった。その中でも０．０５≦｜Ｒ１−Ｒ２｜≦０．６の条件が更に良好であった。
【０１１９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高周波−ＰＣＶＤ法による堆積膜形成において、堆積膜特性の均一性が高く且つ球状突起が減少することから、従来の電子写真感光体を使用するよりも画像の均一性が向上し画像欠陥が極めて少なくできるため、近年要求されている高画質に対応できる堆積膜の形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態を示す堆積膜形成装置の模式的な垂直断面図である。（ｂ）は（ａ）の水平断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施形態を示す堆積膜形成装置の模式的な垂直断面図である。（ｂ）は（ａ）の水平断面図である。
【図３】（ａ）は従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を示した模式的な垂直断面図である。（ｂ）は（ａ）の水平断面図である。
【図４】（ａ）は従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を示した模式的な垂直断面図である。（ｂ）は（ａ）の水平断面図である。
【図５】（ａ）は従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を示した模式的な垂直断面図である。（ｂ）は（ａ）の水平断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態を示す堆積膜形成装置の模式的な垂直断面図である。
【図７】（ａ）は従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を示した模式的な垂直断面図である。（ｂ）は（ａ）の水平断面図である。
【図８】本発明により形成可能な電子写真用光受容部材の層構成の一例を示した図である。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１    反応容器
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２、７０２    円筒状基体
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、７０３    第１の高周波電極
１０４、２０４、６０４    第２の高周波電極
１０５、２０５、６０５    第１のマッチングボックス
１０６、２０６、６０６    第２のマッチングボックス
１０７、１０９、２０７、２０９、４０７、５０７    第１の高周波電源
１０８、１１０、２０８、２１０、３０８、５０８、７０８    第２の高周波電源
１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１    ヒータ
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２    原料ガス導入手段
１１３、２１３、３１３、４１３、５１３、６１３、７１３    回転軸
１１４、２１４、３１４、４１４、５１４、６１４、７１４    モータ
１１５、２１５、３１５、４１５、５１５、６１５、７１５    減速ギア
１１６、２１６、３１６、４１６、５１６、６１６、７１６    排気口
１１７    円筒状壁
１１８    シールド
６１９    第１の高周波発振器
６２０    第２の高周波発振器
６２１    アンプ
６２２    アンプ
６２３    アンプ
６２４    アンプ
８００    電子写真用感光体
８０１    支持体
８０２    光導電層
８０３    表面層
８０４    電荷注入阻止層
８０５    電荷発生層
８０６    電荷輸送層
【図１】
2005068455.tif 000012
【図２】
2005068455.tif 000013
【図３】
2005068455.tif 000014
【図４】
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【図５】
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【図６】
2005068455.tif 000017
【図７】
2005068455.tif 000018
【図８】
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