(57)【要約】      （修正有）【課題】有機膜上にスパッタリングで薄膜を形成する方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、基板取付部１２０、ターゲット装置２００、ターゲット装置に電界を印加するための電源供給部３００及び取付部とターゲット装置を含むチャンバ部１００を備えている。チャンバ部は、ターゲット装置を基板に対して相対的に平行移動や回転移動可能にする移送装置１３０を備え、ターゲット装置は同一極性の電圧が印加される、対向する２つのターゲット部及び２つのターゲット部間の空間に工程ガスを供給するガス供給部を備える。壁体部の２つのターゲット部間の空間を覆いかぶせ、かつ、基板取付部を臨むように一部が開放された壁体部を更に備える。従って、有機膜の上側に有機膜に対するプラズマ損傷なしに、低温でＯＬＥＤの電極膜を形成することにより、ＯＬＥＤの発光効率、電気的、光学的特性の向上と長寿命化ができる。【選択図】 図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２つのターゲットに同一極性の電圧を印加し、
前記２つのターゲット間の空間に、ターゲット面に対してほぼ直交する磁界を形成し、
前記２つのターゲット間にプラズマ形成用工程ガスを投入してプラズマを発生させながら、有機膜が形成された基板の成膜対象部分を、前記２つのターゲット間の空間と離隔された部位に、且つ前記２つのターゲット間の空間と対向するように設けてスパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項２】
前記２つのターゲット間の空間は、前記基板の成膜対象部分を向く部分のみ開放されたシールドを介して、開放面が限定された状態でスパッタリングを行うことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング方法。
【請求項３】
前記開放された部分と前記基板の成膜対象部分の相対的位置を変化させながらスパッタリングを行うことを特徴とする請求項２に記載のスパッタリング方法。
【請求項４】
スパッタリング過程において、前記各ターゲットが取り付けられた部分に対する冷却が共になされることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング方法。
【請求項５】
前記基板を、前記２つのターゲット間の空間の周辺を円形で囲むように、曲面をなすように設け、スパッタリングを行うことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング方法。
【請求項６】
対向する前記２つのターゲットの材質を異なる材質としてスパッタリングを行うことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング方法。
【請求項７】
有機膜が形成された基板が設置される取付部と、
前記基板に薄膜を形成する物質粒子を供給するターゲット装置と、
前記ターゲット装置に電界を印加するための電源供給部と、
前記取付部と前記ターゲット装置を含むチャンバ部と、を備えてなることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項８】
前記チャンバ部には、チャンバ壁体内で前記ターゲット装置を平行移動、或いは回動可能に取り付けられる移送装置が備えられることを特徴とする請求項７に記載のスパッタリング装置。
【請求項９】
前記ターゲット装置は、同一極性の電圧が印加される対向する２つのターゲット部と、
前記２つのターゲット部と前記２つのターゲット部との間の空間を覆いかぶせながら、該空間で前記取付部を臨むことが可能な開放部が形成された壁体部と、を備えてなることを特徴とする請求項７または請求項８のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【請求項１０】
前記ターゲット装置は、対向する２つのターゲットのうちの１つを備えて互いに対向する２つのターゲット部を備え、
各ターゲット部は、前記ターゲットの対向面を露出させる開口を有するケースと、前記ケース内で前記ターゲットを支持する支持プレートと、前記支持プレートの後方に設けられる磁界形成手段と、を備えてなることを特徴とする請求項９に記載のスパッタリング装置。
【請求項１１】
前記ターゲット部には、冷却手段が更に備えられることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１２】
前記磁界形成手段は、前記支持プレートの後方に設けられる、少なくとも１つのマグネットと、前記マグネットの前方及び後方に設けられる強磁性体ヨークとを備えることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１３】
前記ターゲット部は、前記磁界形成手段を内蔵し、且つ、前記支持プレートが開口部に配置されるターゲット胴体を備えてなることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１４】
前記磁界形成手段は、前記２つのターゲット間の空間に前記２つのターゲットのターゲット面を結ぶ方向の磁界を形成することを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１５】
前記ケース外側にガス供給管及び噴射ノズルを含むガス供給装置が備えられることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１６】
前記ターゲット装置において、前記２つのターゲット部は、各々、前記ケース外側に結合して前記ケースを回転移動させる回動部と、前記ケースを水平移動させて前記２つのターゲット部の間隔を調節する水平移動部と、に結合されることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の有機膜上に薄膜を形成する方法及び装置に関し、より詳細には、有機膜上にスパッタリングにより薄膜を形成する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代平面形表示装置として注目されている有機電界発光表示装置（ＯＥＬＤ：Organic Electro Luminescent Display）は有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を備えてなされた表示装置である。ＯＬＥＤは、自発光、光視野角、高速応答特性などに優れる特性を有している。有機発光表示装置の基本的構成と発光原理は一般的に広く知られている。
【０００３】
このような有機電界発光表示装置は、基板上の各画素にアノード（陽極）に該当する第１電極と、発光層等からなる有機膜及びカソード（陰極）に該当する第２電極とを基本的に備えた有機電界発光素子を配置してなされる。
【０００４】
有機電界発光素子では、アノードとカソードとの間に数ボルト（Ｖ）程度の電圧を印加すると、アノードに正孔が生成され、カソードに分離された電子が生成される。生成された正孔と電子が各々正孔輸送層、または、電子輸送層を経由して発光層で結合して、高いエネルギー状態の励起子（exciton）が生成される。励起子が基底状態に戻りながら両状態のエネルギーの差に該当するエネルギーを有する光が発生する。
【０００５】
有機膜には電子、または、正孔の発生及び輸送層が別途に形成されることもでき、輸送層が別途に形成されることがなく、電界発光層のみ両電極間に存在する等、表示装置内で有機発光素子の具体的な構成は多様になされることができる。
【０００６】
基板に下部アノード電極と有機発光層を含む有機膜を形成した後、カソード電極及び保護膜を形成する際、一般的な薄膜形成方法の１つであるスパッタリングの使用が考慮できる。スパッタリング装置では、真空容器内でイオン化したＡｒなどの粒子が電界により引かれることにより、或いは、自由運動によりターゲットと衝突する。
【０００７】
その際、ターゲットから落ちる物質粒子が蒸着対象の工程の基板に蓄積されて薄膜を形成することになる。薄膜の特性を向上させたり、アルゴンなどの工程ガスをイオン化させるために、通常、工程空間にプラズマが形成される。その際、プラズマの形成方法として工程空間に高周波電界を印加する方法を用いることができる。
【０００８】
ところが、有機膜上にカソード電極のような導体パターンを形成するために、従来のＤＣ／ＲＦスパッタリングを使用した場合、有機膜が損傷しやすいという問題があった。
【０００９】
有機膜に損傷を与えないためには、高エネルギー粒子の衝突による損傷を防止しなければならない。また、ＯＬＥＤでは基板及び有機膜の損傷を防止するために、有機膜上に膜を形成する工程は高い反応温度を必要としない低温工程になることが好ましい。
【００１０】
より詳細に説明すると、従来のスパッタリング方法は、ターゲットに１５０Ｖ以上の電圧を印加して１００ｅＶ以上の高いエネルギーを有する粒子を多く発生させる。高エネルギー粒子が基板と衝突して膜を形成することになれば、その過程で有機膜の構造を部分的に破壊して有機膜特性を変化させる。たとえば、ＯＬＥＤを構成する主要有機物のＡｌｑ３（Tris 8-Hydroxyquinolinato aluminium）の場合、Ｎ−ＡｌとＣ−Ｏ−Ａｌ結合が１００ｅＶ以上のエネルギーを有するＯ−、中性Ａｒ、Ａｒ＋の衝突により分解する。
【００１１】
Ｌｉａｏは、米国応用物理学会誌（Applied Physics Letters、 Vol 75、p1619）にスパッタリング工程中、Ａｒ＋の衝突がＡｌｑ３特性を金属性に変化させるという内容を発表した。また、衝突により粒子のエネルギーが基板の温度を、たとえば、２００℃程度に上昇させて熱により基板の有機膜特性を変化させることができる。
【００１２】
図１は、既存のＤＣスパッタを用いて全面発光ＯＬＥＤの有機膜上にＡｌとＩＴＯ電極を各々成膜した後、測定した電流−電圧曲線である。ＤＣスパッタ（スパッタリング）装置を用いてＡｌやＩＴＯ電極膜をＯＬＥＤの有機膜上に形成する場合、負電圧領域からリーク電流が発生することが分かる。このようなリーク電流は上述の通り、成膜工程中、高エネルギー粒子による有機膜損傷により発生するものである。
【００１３】
一方、最近、ディスプレイの大型化と共に、ＯＥＬＤ分野でも画面が大型化する傾向にある。スパッタリングは、設備コストの高い真空空間でなされるので、スパッタリングを通じて大型基板に経済的、効率的に薄膜を形成することが徐々に重要な問題となる。また、広い基板上に均一に良質の薄膜を、スパッタリングを通じて形成することも重要な問題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、ＯＬＥＤの場合のように、有機膜上にスパッタリングで薄膜を形成する際に、従来の有機膜の損傷のような問題点を解決できる方法及びそれに適合した装置を提供することを第１の目的とする。
【００１５】
本発明は、スパッタリングのためのプラズマ形成により下部有機膜を損傷せずに、従って、有機膜を通した電流の漏洩を低減させることができる薄膜形成方法及びその装置を提供することを第２の目的とする。
【００１６】
本発明は、スパッタリングにより、有機膜形成された広い基板に均一な品位を有する薄膜を效率的に形成できる薄膜形成方法及びその装置を提供することを第３の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するため、本発明に係るスパッタリング方法は、対向する２つのターゲットに同一極性の電圧を印加し、前記２つのターゲット間の空間に、ターゲット面に対してほぼ直交する磁界を形成し、前記２つのターゲット間にプラズマ形成用工程ガスを投入してプラズマを発生させながら、有機膜が形成された基板の成膜対象部分を、前記２つのターゲット間の空間と離隔された部位に、前記２つのターゲット間の空間と対向するように設けてスパッタリングを行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明方法において、基板が設けられた方向の以外の方向は、シールドにより遮断された状態でスパッタリングを行うことが好ましい。その場合、たとえば、２つのターゲット間の空間は両方向が２つのターゲットにより限定される。また、基板に向く方向以外の別の方向は２つのターゲットの周辺を回りながら２つのターゲットの周辺部を結合される、略ターゲット面と垂直に形成されるシールドにより限定される。
【００１９】
本発明方法において、磁界は均一磁界、或いはターゲット面から外に向かうにつれてより強くなる磁界であっても良い。垂直磁界は平板型永久磁石や電磁石を対向する２つのターゲットの背面側に、各々磁石の異なる極性が来るように配置する方法とすることができる。磁石は単一の磁石、或いは複数の磁石の組み合わせで構成することができる。その場合、垂直磁界はターゲット間の全ての空間でターゲット面と垂直であるよりは、対向する２つのターゲット面と略垂直をなしながら２つのターゲット面を繋ぐ磁気力線を有する磁界と考えられる。
【００２０】
磁界形成過程において、電流によるオーム熱、ターゲットに衝突するプラズマ粒子による伝導熱が発生する場合に対し、磁界発生装置及びターゲット周辺を冷却させる過程をスパッタリング過程で同時進行させることができる。
【００２１】
本発明方法において、対向する２つのターゲットを含むターゲット装置を移動型で形成することができる。ターゲット装置の２つのターゲットの周辺にシールドを設け、基板外の方向にターゲット物質が放出されることを防止する場合、ターゲット装置を移動型で形成することがより効果的である。その際、ターゲット装置を移動型で設けることは、ターゲット装置で基板に対して開いた部分とこれに対向する基板部分との相対的位置を変化させる場合を広く含むことができる。
【００２２】
即ち、ターゲット装置または基板中のうちの少なくとも１つを基板面に対して平行に動くようにすることができる。また、弾性的な基板を基板面からの上面視で、円周の一部をなすように曲げて配置し、ターゲット装置を円周に対応する円の中心部に置いて、相対的に回転させる方法も考えられる。その際、ターゲット装置のシールドを動かしたり、開いた部分を回転させたり、ターゲット装置自体を回転させたり、基板を円周に沿って動かすことが全て可能である。移動型ターゲット装置を用いて薄膜を形成する場合、有機膜が形成された大型基板に対しても基板の全面に均一な薄膜を形成できる。
【００２３】
本発明において、２つのターゲットを相違する材質とし、２つのターゲット位置の各々に印加される電圧及び有効面積を調節して基板に形成される電極膜の材質、特性を調節できる。たとえば、導線パターンの形成のためのスパッタリングにおいて、通常、ターゲットを全てアルミニウム合金材質で使用する際に、１つのターゲットをアルミニウムで、他のターゲットをアルミニウムと合金を形成する材質で作ることができる。また、１つのターゲットをＩＴＯで、他のターゲットをＩＺＯ（indium zinc oxide）で形成して、積層されるスパッタ膜をＩＴＺＯで形成することができる。同じ方法で、金属ターゲットと透明電極用ターゲットとを結合させて、良質の電子注入効率に優れる透明電極膜を形成させることもできる。導電膜は、金属電極層と透明電極層との複数層薄膜で形成することもできる。
【００２４】
本発明は、１００℃以下の低温でなされることができるので、熱に弱い合成樹脂基板を採用するフレキシブル型有機発光表示装置の有機発光素子形成に好適であり、その場合、ターゲットの周囲に基板を曲げて曲面とすることにより基板の電極膜形成効率を高めることができる。
【００２５】
本発明の方法により形成される薄膜は、有機膜上で非晶質あるいは微細多結晶でなされることができる。即ち、高エネルギーターゲット物質粒子による衝撃が発生しないので、結晶成長に必要とするエネルギー供給がなく、薄膜は結晶質構造で成長しない。たとえば、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）は、基板上に第１電極、発光層を含む有機膜、第２電極が順次に備えられた構造で、両電極中の有機膜形成後になされる電極の電極膜は、ガラス基板上に厚さ１０００Åのアルミニウム膜を形成する場合を基準として３０ｎｍ以下の粒度で形成することができる。
【００２６】
前記の目的の達成のための本願の他の発明では、有機膜が形成された基板上に薄膜形成物質を供給するターゲット装置と、このターゲット装置を含むスパッタリング装置を提供する。
【００２７】
本発明のスパッタリング装置は、有機膜が形成された基板が取り付けられる取付部と、基板に薄膜を形成するターゲット物質粒子を供給するターゲット装置と、ターゲット装置に電界を印加するための電源供給部、及び取付部とターゲット装置とを含むチャンバ部と、を備えてなされる。チャンバ部にはチャンバ（チャンバ壁体）の他にチャンバ内でターゲット装置が平行移動や回動可能に取り付けられる移送装置を備えることができる。
【００２８】
また、本発明のターゲット装置は、同一極性の電圧が印加される対向する２つのターゲット部と、２つのターゲット部間の空間にアルゴン等の工程ガスを供給するガス供給部とを備える。ターゲット装置は２つのターゲット部とその間の空間を覆いかぶせながらその間の空間から外部、たとえば、基板取付部を臨む開放部が形成された壁体部を更に備えることができる。２つのターゲット部はそれ自体が全体壁体部の一部をなすことができ、その場合、ターゲット部を除外した壁体部はシールドと考えられる。
【００２９】
ターゲット部は、基本的にターゲットを備え、ターゲットは、通常、円形あるいは多角形のプレートとなる。ターゲット部において、ターゲットは一側面に開口を有するケースに収容される。その際、ターゲットの対向面は、該開口を通じて露出する。ターゲットをケースに安定して取り付けるために、ターゲットの裏面を支持するターゲット胴体がケース内に更に設けられる。ターゲット部には対向する２つのターゲット部間の空間にターゲット面と直交する磁界を形成するために磁界発生装置が備えられる。磁界発生装置は、大概ターゲットの後方に設けられ、対向する２つのターゲット面で相違する磁極が対向するように設けられる。
【００３０】
磁界発生装置はターゲット胴体に内蔵することも可能である。磁界発生装置の駆動またはターゲットに対する工程ガスイオンや他のプラズマ粒子の衝突による熱を除去できる冷却装置を、磁界発生装置の周辺及びターゲット後面側に設ける構成とすることも可能である。ターゲットを容易に取り付けるために、或いは、非導電性ターゲットに電圧を印加するために、別途の支持プレートをターゲット胴体とターゲットとの間に設けられることもできる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によると、有機膜の上側に有機膜に対するプラズマ損傷なしに、低温で薄膜を形成することができる。従って、ＯＬＥＤの場合、発光層有機膜の発光効率、電気的、光学的特性を向上させることができ、ＯＬＥＤの寿命も延長させることができる。特に、良質のＩＴＯを有機膜上に形成させることができるので、優れる特性の全面発光型ＯＬＥＤを製造できることになる。
【００３２】
また、本発明方法は、２つのターゲットを用いて、その間に高密度プラズマを形成して電極膜蒸着時間を短縮化するので、工程の効率を向上させることができる。
【００３３】
特に、本発明によると、低温成膜可能なので、熱に弱い基板を使用するフレキシブル型ＯＥＬＤを製作する際、基板が加熱されるという問題を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付の図面を参照しながら実施の形態を通じて本発明のスパッタリング装置及びターゲット装置をより詳細に説明する。
【００３５】
図２及び図３は、本発明の実施の形態に係るスパッタリング装置を説明するための概念的断面図及び概略的斜視図であり、図４〜図６は、スパッタリング装置に取り付けられたターゲット装置を説明するための図面である。
【００３６】
図２及び図３を参照すると、本発明の１つの実施の形態に係るスパッタリング装置は、対向ターゲット式スパッタリング装置であって、チャンバ部１００と、前記チャンバ部１００内に設けられるターゲット装置２００と、電源供給装置３００とを含む。
【００３７】
チャンバ部１００は、スパッタリング装置の胴体をなすチャンバ１１０と、基板（Ｓ）を取り付ける基板取付部１２０と、ターゲット装置２００を移送させるためのターゲット移送装置１３０とを含んでなる。チャンバ１１０は真空チャンバであって、チャンバ１１０の内部は０．１ｍTorr〜１００ｍTorr間の真空を維持するようにすることができる。
【００３８】
基板取付部１２０は基板（Ｓ）を取り付け、基板（Ｓ）はターゲット装置２００と対向して配置され、構成例によっては基板（Ｓ）を所定速度で回転させることができる。ターゲット移送装置１３０は、ターゲット装置２００を移送させるための装置であって、ターゲット装置２００を移送することにより、大型基板にスパッタリングする場合にも均一なスパッタリングを実施できるようにする。併せて、チャンバ部１００はチャンバ１１０の内部がスパッタリング工程中にスパッタリング物質により汚染されることを防止するために、チャンバ１１０の内壁に沿って防着板１４０を更に備えることもできる。
【００３９】
図４〜図６に示すように、ターゲット装置２００は互いに対向する第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂを備えてなる。第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂは、各々、ケース２２０ａ、２２０ｂ、ターゲット２１０ａ、２１０ｂ、ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂ、磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂ及び冷却路２５０ａ、２５０ｂを備える。
【００４０】
ケース２２０ａ、２２０ｂは、互いに対向する側部が各々開放された箱形状に形成されており、開放側の側面に接地シールド２２２ａ、２２２ｂが結合している。その接地シールド２２２ａ、２２２ｂは、中空のリング形状を成しており、その端部２２４ａ、２２４ｂが中心に向けて延びている。このような接地シールド２２２ａ、２２２ｂは、初期放電の際に、接地の役割を果たし、ターゲット２１０ａ、２１０ｂとは１〜５ｍｍ程度の間隔を維持して表面がプラズマ粒子に損傷しないように加工されなければならない。
【００４１】
このケース２２０ａ、２２０ｂにターゲット２１０ａ、２１０ｂと、ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂとが収容される。ターゲット２１０ａ、２１０ｂは開口を通じて一面が露出するように収容され、ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂは、そのターゲット２１０ａ、２１０ｂの裏面を支持する。ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂとターゲット２１０ａ、２１０ｂとの間には支持プレート２３２ａ、２３２ｂが更に介置されており、ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂ内には磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂが収容されている。そして、冷却路２５０ａ、２５０ｂがターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂと磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂとの間に形成されている。
【００４２】
ターゲット２１０ａ、２１０ｂは、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂで互いに対向するように配置される。また、ターゲット２１０ａ、２１０ｂは、基板（Ｓ）上に形成しようとする薄膜の成分物質からなり、基板（Ｓ）上に形成しようとする物質の種類によって第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂのターゲット２１０ａ、２１０ｂは同一物質からなる場合、或いは、相違する物質からなる場合がある。
【００４３】
例えば、ターゲット２１０ａ、２１０ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金及びこれらの等価物とすることができる。または、ターゲット２１０ａ、２１０ｂは、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc Oxide）、ＩＯ（Indium Oxide）、ＺｎＯ、ＴＺＯ（Tin-Zinc Oxide）、ＡＺＯ、ＧＺＯ、または、これらの等価物からなることができる。
【００４４】
また、ターゲット２１０ａ、２１０ｂが相違する物質からなるようにして、基板（Ｓ）上に２種類以上の物質からなる化合物で構成される薄膜を形成することができる。例えば、ターゲット２１０ａ、２１０ｂ中、いずれかの１つをＩＴＯで構成し、もう１つをＩＺＯで構成して、基板（Ｓ）上にＩＴＺＯからなる薄膜を形成することができる。即ち、ターゲット２１０ａ、２１０ｂとして各種の物質を用いることにより、前記基板（Ｓ）上に形成される物質を多様に調節することができる。
【００４５】
ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂは絶縁体で形成され、一側面が開放された箱型となっている。支持プレート２３２ａ、２３２ｂは、ターゲット２１０ａ、２１０ｂの後面（互いに対向する面の裏面）を支持するようにターゲット２１０ａ、２１０ｂを取付する部分であって、ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂの開放された部分に結合している。
【００４６】
磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂは、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂの互いに対向するターゲット２１０ａ、２１０ｂ間の空間に磁界を発生させるための手段であり、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂの磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂは、互いに異なる極性が向き合うように配置される。本発明の実施の形態では、磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂは、ブロック本体２４２ａ、２４２ｂと、マグネット２４４ａ、２４４ｂと、ヨーク２４６ａ、２４６ｂから構成されている。
【００４７】
ブロック本体２４０ａ、２４０ｂは、棒形状のマグネット２４４ａ、２４４ｂを少なくとも１つ取り付けることができるように形成されたものであり、絶縁体で形成されている。マグネット２４４ａ、２４４ｂは、従来のスパッタリング装置で用いられる磁界発生手段の長さより長く形成される。従来のスパッタリング装置に用いられる磁界発生手段の長さは一般的に１．５ｃｍ〜２ｃｍであるが、本発明のマグネット２４４ａ、２４４ｂの長さはこの３倍〜５倍のものが好ましい。即ち、前記マグネット２４４ａ、２４４ｂの長さは４．５ｃｍ以上であるものが好ましく、より好ましくは、５〜１２ｃｍの長さを有するようにする。
【００４８】
これは、マグネット２４４ａ、２４４ｂの長さが長いほど、磁界発生ブロックにより形成される磁界がターゲット面に対し、より垂直に近づき、ターゲット部間の空間に強く集束されるためである。即ち、マグネット長さを長くすると、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂ間の空間から外れる磁束成分を減少させることができる。マグネット２４４ａ、２４４ｂの表面は、少なくとも５０００ガウス以上の磁束密度を有することが好ましい。
【００４９】
ヨーク２４６ａ、２４６ｂは、磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂから発生する磁界強度がターゲット対向面の全般に亘って、より均一に分布するようにする。この作用により、ヨーク２４６ａ、２４６ｂは、マグネット２４４ａ、２４４ｂにより磁性を帯びることができる物質からなることが好ましい。即ち、前記ヨーク２４６ａ、２４６ｂは、強磁性体で形成されることが常磁性体物質で形成されることより好ましい。前記ヨーク２４６ａ、２４６ｂが強磁性体からなる場合には、鉄、コバルト、ニッケル及びこれらの合金中、いずれかの一つからなることができる。
【００５０】
ヨークとしては、厚さ２〜１０ｍｍのＦｅ系列のプレートを使用することができ、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂの全体の大きさは形成薄膜の均一性と膜形成速度などを考慮して基板のサイズに対して、１３０〜２００％の大きさを備えるようにする。
【００５１】
冷却路２５０ａ、２５０ｂは、冷媒の流れを通じて、前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂの磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂを冷却する。冷却路２５０ａ、２５０ｂは、ターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂ及び支持プレートの内面に所定経路の流路で形成されることができる。図示の例では磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂとターゲット胴体の隙間に沿って冷媒が流れるように配置される。冷却路２５０ａ、２５０ｂに流入する冷媒は、ケース２２０ａ、２２０ｂ及びターゲット胴体２３０ａ、２３０ｂに形成された流入管２５２ａ、２５２ｂ及び流出管２５４ａ、２５４ｂに沿って流入及び流出する。
【００５２】
一方、支持プレート２３２ａ、２３２ｂの磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂに向かう面にも任意形状の流路２３４ａ、２３４ｂを形成することができる。該流路２３４ａ、２３４ｂは、前記冷却路２５０ａ、２５０ｂに連通されて、冷却水が支持プレート２３２ａ、２３２ｂと磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂとの間まで流れることができるようにする。
【００５３】
ケース２２０ａ、２２０ｂの上側及び／または下側には、ガス供給手段２６０ａ、２６０ｂが備えられている。このようなガス供給手段２６０ａ、２６０ｂは、工程によって下部または上部のガス供給手段が各々単独で噴射したり、または、上部及び下部が同時に噴射することができ、チャンバ１１０の全体の雰囲気で工程圧力を調節できる。
【００５４】
ガス供給手段２６０ａ、２６０ｂは、通常、ガス供給管２６２ａ、２６２ｂとガス噴射ノズル２６４ａ、２６４ｂとを含む。ガス噴射ノズル２６４ａ、２６４ｂは、図５及び図６に示すように、ケース２２０ａ、２２０ｂの幅方向に延長された細いパイプに複数個の孔が形成されてガスが噴出できるように形成される。この際、孔の直径は１〜５ｍｍ程度であり、間隔は５〜１００ｍｍで、ガスの流れ及びプラズマの形態によって間隔調節が可能である。
【００５５】
一方、ケース２２０ａ、２２０ｂには、該ガス噴射ノズル２６４ａ、２６４ｂとの間に補正バー２６６ａ、２６６ｂを更に設けることができる。実際の成膜の際、薄膜の厚さの分布は、ターゲット装置の中心部に該当する基板部分が厚い、ガウス分布をなすことができる。補正バー２６６ａ、２６６ｂにより、このような中心部の成膜分布をより均一にすることができる。
【００５６】
第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂのケース２２０ａ、２２０ｂは、各々、ベースプレート２７０に水平移動及び回動可能に設けられている。即ち、ベースプレート２７０に互いに近接または離隔可能に水平移動部２７２ａ、２７２ｂが設けられ、この水平移動部２７２ａ、２７２ｂ上に回動部２７４ａ、２７４ｂを介して第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂのケース２２０ａ、２２０ｂが設けられる。
【００５７】
水平移動部２７２ａ、２７２ｂはレール形態またはボルト固定方式などを使用して第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂが３０〜１５０ｍｍ程度の間隔を維持できるようにする。回動部２７４ａ、２７４ｂは、ヒンジ手段とすることができるが、それによって、前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂが水平移動部２７２ａ、２７２ｂを中心にターゲット２１０ａ、２１０ｂの対向面が図６に示すように上方に向くように回動可能となる。
【００５８】
回動部２７４ａ、２７４ｂは、前記ターゲット２１０ａ、２１０ｂの交換作業時に、前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂのターゲット２１０ａ、２１０ｂが上部に向くようにして、前記ターゲット２１０ａ、２１０ｂの円滑な交換ができるようにする。
【００５９】
また、ターゲット装置２００は、外部吸入ポンプ（図示していない）と連結されて異質物を外部に排出できる。ベースプレート２７０面上には異質物除去手段（図示していない）を更に備える。異質物除去手段は、交換可能に設けられることができる。異質物除去手段は、スパッタリング工程時に発生できる異質物がターゲット装置２００のベースプレート２７０の底面に蓄積されたり、基板（Ｓ）上に流入することを防止する。従って、異質物を含むターゲットから放出された物質粒子などがターゲット周囲の底面に蓄積されて、ターゲットと工程チャンバの壁体の間の放電や短絡を誘発させて、ターゲット２１０ａ、２１０ｂに影響を及ぼすことを防止できる。
【００６０】
図２において、電源供給装置３００は、１対の対向ターゲット２１０ａ、２１０ｂがカソード電極となるようにこの１対の対向ターゲット２１０ａ、２１０ｂに（−）電極を接続し、前記チャンバ１１０がアノード電極で作動するよう（＋）電極を接続する。以下、このような本発明装置の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置の動作について説明する。
【００６１】
チャンバ部１００の基板取付部１２０に基板（Ｓ）を取り付け、アルゴン（Ａｒ）ガスなどの工程ガスをガス供給手段２６０ａ、２６０ｂを介して前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂとの間の空間に供給する。その際、基板（Ｓ）上に形成される薄膜が酸素を含む物質、即ち、酸化物である場合に、アルゴン（Ａｒ）ガスの他に、酸素（Ｏ２）をチャンバ１１０の内部に注入できる。その際、前記チャンバ１１０の内部の圧力、特に、前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂ間のガスの圧力は、０．１ｍTorr〜１００ｍTorrであることが好ましい。
【００６２】
その理由は、工程ガスの圧力が１００ｍTorrより高い場合には、スパッタリング方法を通じて基板（Ｓ）上に形成される薄膜内にアルゴン（Ａｒ）のような工程ガスの成分の含量が増加して薄膜の特性劣化をもたらしてしまい、また、工程ガスの圧力が０．１ｍTorrより低い場合には、前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂ間の空間でのプラズマ形成が困難となるので、スパッタリング効率が落ちてしまうからである。
【００６３】
そして、図４及び図２を参照すると、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂの互いに対向するターゲット２１０ａ、２１０ｂに電源供給装置３００を通じて同時に（−）電源を印加する。磁界発生ブロック２４０ａ、２４０ｂにより発生された磁界によって、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂ間の空間内で形成されたプラズマが拘束される。
【００６４】
その際、プラズマ内の電子は、前記第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂの互いに対向するターゲット２１０ａ、２１０ｂ間の空間で磁界の作用により磁力線方向を中心軸として回動する。同時に、ターゲット２１０ａ、２１０ｂに印加された（−）電圧により２つのターゲットを反射電極として往復運動をする。従って、電子はターゲット間の空間に拘束されて高密度プラズマを維持させる。
【００６５】
プラズマ内で形成、または、印加された電源により形成されたイオンも磁力線を中心軸として回動すると共に、ターゲットの印加電圧により加速する。正イオンの加速及び衝突により、ターゲット２１０ａ、２１０ｂ中の、いずれかの一つから飛び出したターゲット物質粒子中で、１００ｅＶ以上の高いエネルギーを有する粒子は概ね反対側ターゲットに運動することになる。
【００６６】
従って、高エネルギーを有する粒子は、２つのターゲット部間の空間を往復することになり、ターゲット部から離間し、且つターゲット面と略垂直をなすように基板取付部に取り付けられた基板には、この高エネルギーを有する粒子は到達せず、基板（Ｓ）上に何らの影響を与えないことになる。また、比較的低いエネルギーを有する中性の物質粒子は拡散により前記基板（Ｓ）に付着して薄膜を形成することになる。
【００６７】
このような実施の形態のスパッタリング装置では、従来のスパッタリング装置を用いる場合に比べてプラズマによる基板の損傷、即ち、高いエネルギーを有する粒子の衝突による基板（Ｓ）の損傷が防止されて、基板（Ｓ）の有機膜の変性のない状態で、その上に薄膜を形成できる。
【００６８】
また、高エネルギー粒子の衝突がないので、基板（Ｓ）のスパッタリング工程後の温度が従来の約２００℃よりも低減する。実験によると、別途の基板（Ｓ）冷却システムを設置しない場合でも、基板（Ｓ）の温度を４０℃以下に維持することができた。従って、高温による基板有機膜の損傷、変性も回避できる。
【００６９】
また、本実施の形態のような装置では、基板（Ｓ）がチャンバ１１０の内部の上部に配置され、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂのターゲット２１０ａ、２１０ｂが基板（Ｓ）に対して垂直に設けられた状態でスパッタリング工程が行われる。従って、従来の上下対向ターゲット式スパッタリング装置のように、異質物及びスパッタリングされた物質が下部に蓄積されて、ターゲット中の下部のターゲットからのアーク放電の発生を防止でき、アーク放電によるターゲット２１０ａ、２１０ｂの損傷を防止できる。また、異質物除去手段が別途に備えられると、前記の異質物及びスパッタリング物質をベースプレート２７０の内部の底面に備えられた異質物除去手段の交換により除去することもできる。
【００７０】
また、図示の実施の形態では、第１ターゲット部２００ａ及び第２ターゲット部２００ｂのケース２２０ａ、２２０ｂが回動部２７４ａ、２７４ｂを介して水平移動部２７２ａ、２７２ｂに連結されるので、前記ターゲット２１０ａ、２１０ｂを寿命により交換する際には、前記ターゲット２１０ａ、２１０ｂが上方を向くようにすることができ、前記ターゲット２１０ａ、２１０ｂの交換作業を円滑に行うことができる。従って、ターゲット２１０ａ、２１０ｂの交換に所要する作業時間を短縮化することができる。
【００７１】
本実施の形態のターゲット装置２００は、図２及び図３のように、チャンバ内で別途の壁体部内に形成することができる。壁体部は、ターゲット装置をなす別の要素、図４〜図６の第１ターゲット部、第２ターゲット部及びベースプレートを含むようになされ、両対向されたターゲット面間の空間を覆いかぶせ、かつ、この間の空間が基板取付部の基板を臨むように一部が開放されている。各ターゲット部は、ベースプレートを通じて壁体部と連結される。より具体的には、各ターゲット部は、回動部、平行移動部を介してベースプレートに結合し、ベースプレートは壁体部に取り付けられる。各ターゲット部のケースとベースプレート自体が壁体部の一部を形成できる。その場合、壁体部の残りの部分は一つの開放部を有するシールドと考えられる。
【００７２】
本実施の形態のターゲット装置は、壁体部を有する状態では壁体部の一部がチャンバ部の移送装置と連結される。壁体部のない状態でもベースプレートを通じてチャンバ部の移送装置と連結されて稼動可能である。移送装置はターゲット装置の対向したターゲット面の間の空間と基板の薄膜形成対象部分の相対的位置を変化させる手段となる。
【００７３】
本実施の形態ではターゲット装置において、２つのターゲット面の間の空間を全般的に覆いかぶせる壁体部を設け、開放部が設けられた基板方向以外の方向にスパッタリングによるターゲット物質粒子が放出されることを防止する。一方向のみにターゲット物質粒子を放出できるのでターゲット装置は一種の「ガン」をなして「スパッタリングガン」であると考えられる。勿論、ターゲット物質が放出されるシールドの開放部、あるいは、スリットの大きさは一定の範囲で調節可能に形成できる。
【００７４】
その場合、対向する２つのターゲットを含むターゲット装置は、本実施の形態の移送装置を含んで多様な方法で移動型として形成することができる。即ち、ターゲット装置を移動型として設けることは、ターゲット装置において、基板に対して開いた部分とこれに対向した基板部分との相対的位置を変化させる場合に有効となる。
【００７５】
たとえば、ターゲット装置及び基板のうちの少なくとも１つを基板面と平行に動くようにすることができる。また、弾性を有する基板を、基板面の上から見た際に円周の一部をなすように曲げて配置し、ターゲット装置をこの円周に対応する円の中心部に配置して相対的に回転させる方法も考えられる。その際、ターゲット装置の壁体部（シールド）を動作させて開放部を回転させたり、ターゲット装置自体を回転させたりすることができる。また、基板を円周に沿って動作させることも可能である。
【００７６】
移動型ターゲット装置を用いて薄膜を形成する場合、開放部の幅が狭くても開放部の長さを基板の一方向の幅より長くし、その垂直方向に開放部を有するターゲット装置を平行移動させることにより基板の全体をスキャニングできる。従って、有機膜が形成された大型基板に対しても基板の全面に均一な薄膜を形成できる。
【００７７】
一方、図７は、本発明の別の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための概略図である。
【００７８】
図７を参照すると、本発明の別の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置は、前述した図２〜図６に示したように、対向ターゲット式スパッタリング装置と構造的に類似している。但し、１つのチャンバ部１００内にターゲット装置４００、５００が複数個備えられる構造が異なっている。１つのチャンバ部１００内に２つ以上のターゲット装置４００、５００を設け、適当な間隔で配置することにより、大型基板（Ｓ）であっても一度にスパッタリングできる。
【００７９】
１つのチャンバ部１００内に多数のターゲット装置４００、５００を設けることにより、大型基板（Ｓ）にスパッタリングを通じて均一性の高い薄膜を形成できる。このようなスパッタリング装置は多様な成膜工程に利用されることができるが、特に、有機薄膜トランジスタ及び有機電界発光表示装置の製造方法に適用可能である。
【００８０】
図８は、本発明のスパッタリング装置により製造される有機薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
【００８１】
基板１１上に有機半導体層１２を形成し、この有機半導体層１２上にソース／ドレイン電極１３を形成した後、これらを覆うようにゲート絶縁膜１４を形成し、ゲート絶縁膜１４上にゲート電極１５を形成する。
【００８２】
その際、前記有機半導体層１２は、ペンタセン（pentacene）、テトラセン（tetracene）、アントラセン（anthracene）、ナフタレン（naphthalene）、α-６-チオフェン、α-４-チオフェン、ペリレン（perylene）及びその誘導体、ルブレン（rubrene）及びその誘導体、コロネン（coronene）及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（perylene tetracarboxylic diimide）及びその誘導体、ペリレンテトララカルボン酸ジアンハイドライド（perylene tetracarboxylic dianhydride） 及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α-５-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属を含有するか、または、含有しないフタロシアニン（phthalocyanine）及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（naphthalene tetracarboxylic diimide）及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンハイドライド（naphthalene tetracarboxylic dianhydride）及びその誘導体、パイロメリティックジアンハイドライド及びその誘導体、パイロメリティックジイミド及びこれらの誘導体、チオフェンを含む供液系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体などが使われることができる。
【００８３】
そして、ソース／ドレイン電極１３は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇなどのような高級な金属及びＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅなどの金属を使用することができる。このソース／ドレイン電極１３を本発明のスパッタリング装置を用いてスパッタリング成膜することができる。
【００８４】
本発明によると、このように有機半導体層１２上にソース／ドレイン電極１３をスパッタリングしても、有機半導体層１２に与えられる損傷を軽減することができる。ゲート電極１５のスパッタリングも本発明のスパッタリング装置を利用できる。
【００８５】
図９は、本発明のスパッタリング装置により製造される有機薄膜トランジスタの別の一例を示すものであって、基板１１上にゲート電極１５を形成し、これを覆うようにゲート絶縁膜１４を形成した後、ゲート絶縁膜１４上に有機半導体層１２を形成し、この有機半導体層１２上にソース／ドレイン電極１３を形成したものである。
【００８６】
この場合にも、ソース／ドレイン電極１３を本発明に係るスパッタリング装置を用いてスパッタリング成膜すると、下部の有機半導体層１２へのダメージを最小化できる。勿論、ゲート電極１５も前記スパッタリング装置を用いて成膜することができる。
【００８７】
図１０は、本発明のスパッタリング装置により製造される有機薄膜トランジスタの更に別の一例を示すものであって、基板１１上にソース／ドレイン電極１３を形成し、これを覆うように有機半導体層１２を形成した後、有機半導体層１２を覆うようにゲート絶縁膜１４を形成し、その上にゲート電極１５を形成したものである。
【００８８】
この場合、ゲート電極１５を本発明に係るスパッタリング装置を用いてスパッタリング成膜すると、下部の有機半導体層１２へのダメージを最小化できる。勿論、ソース／ドレイン電極１３も前記スパッタリング装置を用いて成膜することができる。
【００８９】
本発明のスパッタリング装置は、その他にも多様な構造の薄膜トランジスタ製造工程に適用可能である。
【００９０】
図１１は、本発明のスパッタリング装置により製造される有機電界発光表示装置の一例を示すものである。
【００９１】
前述のように、ＴＦＴが形成されている基板上に平坦化膜２６を形成した後、平坦化膜２６上にＴＦＴのドレイン電極と接続される第１電極２８を形成する。そして、第１電極２８が露出するように平坦化膜２６を形成した後、露出した第１電極２８上に有機発光膜２９を形成する。そして、この有機発光膜２９を覆うように第２電極３０を形成する。
【００９２】
その際、前記有機発光膜は低分子または高分子有機膜を使用することができるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ；Hole Injection Layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ；Hole Transport Layer）、発光層（ＥＭＬ；Emission Layer）、電子輸送層（ＥＴＬ；Electron Transport Layer）、電子注入層（ＥＩＬ；Electron Injection Layer）などが単一、或いは複合の構造で積層されて形成されることができ、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ；copper phthalocyanine）、Ｎ、Ｎ−ジ（ナフタレン-１-ｙｌ）−Ｎ、Ｎ'−ジフェニル−ベンジジンＮ、Ｎ'-ジ（naphthalene−１−ｙｌ）−Ｎ、Ｎ'-diphenyl-benzidine：ＮＰＢ）、トリス-８-ハイドロキシキノリンアルミニウム（tris-８-hydroxyquinoline aluminium））（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。
【００９３】
これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。高分子有機膜の場合には概ねホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を有することができ、その際、前記ホール輸送層にＰＥＤＯＴを使用し、発光層にＰＰＶ（Poly-Phenylenevinylene）系及びポリフルオレン（Polyfluorene）系等、高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法等で形成できる。
【００９４】
このような有機発光膜２９上に形成される第２電極３０はワーク関数の低い金属物質でスパッタリングされるが、その際、本発明に係るスパッタリング装置を用いて第２電極３０を成膜することができる。すると、下部の有機発光膜２９へのダメージを最小化できる。勿論、これは図１１に図示した能動型（active matrix type）の有機電界発光表示装置に限るのではなく、受動型（passive matrix type）の有機電界発光表示装置の製造工程にも同様に適用可能である。
【００９５】
図１２は、本発明のスパッタリング装置を用いて製作した有機電界発光表示装置のリーク電流を説明するための特性図である。
【００９６】
図１に示した実験結果を求めたものと同一構造の全面発光型有機電界発光表示装置の有機膜上に、上部電極として、ＩＴＯを図２〜図６に示すような対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて成膜したものであって、Glass／ＩＴＯ（anode）／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ／ＥＩＬからなる有機電界発光素子上に１０００Åの厚さのＩＴＯを成膜させた。
【００９７】
成膜の際、基礎圧力（base pressure）は、１０-７Torr領域であり、チャンバ１１０の内部の圧力は、５ｍTorr（工程時の圧力は、０．１〜５０ｍTorr水準で可変可能）、工程ガスとしては、ＡｒとＯ２を９:１の割合で使用した（工程によって可変可能０．１％〜１０％以内のＯ２／Ａｒ比率調整可能）。ターゲット２１０ａ、２１０ｂは、矩形状のＩＴＯを使用したし、ＤＣ電源１００Ｗ〜５ｋＷ領域で成膜した。
【００９８】
図１及び図１２の特性図に示すように、既存のＤＣスパッタを用いて製作した有機電界発光表示装置と比較する際、逆バイアス（reverse bias）領域でリーク電流が減少して、ほとんど発生していないことが分かる。これは、高いエネルギーを有する粒子が磁気場内に拘束されて、基板方向への粒子衝突を最小化したためである。
【００９９】
ここで、本発明の実施の形態では、基板（Ｓ）がチャンバの内部空間の上部に位置し、前記ターゲット装置２００、４００、５００が下部に位置して下部から上部方向にスパッタリングする対向ターゲット式スパッタリング装置を例として説明したが、前記基板を紙面に対して略直交する状態で起こし、ターゲット面が水平方向を向くようにターゲット装置を配置し、ターゲット粒子が水平方向に移動して基板に供給される構成とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】従来のスパッタリング装置を用いて形成された有機電界発光表示装置のリーク電流を示す特性図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための概略的な部分断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための概略的な斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット装置を示す断面図である。
【図５】図４に示したスパッタリング用ターゲット装置の斜視図である。
【図６】図４に示したスパッタリング用ターゲット装置の回動部の作動により第１ターゲット部及び第２ターゲット部が回動した状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の別の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための概略的な部分断面図である。
【図８】本発明のスパッタリング装置により作成される有機薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
【図９】本発明のスパッタリング装置により作成される有機薄膜トランジスタの別の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明のスパッタリング装置により作成される有機薄膜トランジスタの更に別の一例を示す断面図である。
【図１１】本発明のスパッタリング装置により作成される有機電界発光表示装置の一例を示す断面図である。
【図１２】本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて作成した有機電界発光表示装置のリーク電流を示す特性図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１００    チャンバ部
１１０    チャンバ
１２０    基板取付部
１３０    ターゲット部移送装置
１４０    防着板
２００、４００、５００    スパッタリング用ターゲット装置
２００ａ    第１ターゲット部
２００ｂ    第２ターゲット部
２１０ａ、２１０ｂ    スパッタリングターゲット
２２０ａ、２２０ｂ    ケース
２３０ａ、２３０ｂ    ターゲット胴体
２３２ａ、２３２ｂ    支持プレート
２４０ａ、２４０ｂ    磁界発生ブロック
２４４ａ、２４４ｂ    マグネット
２４６ａ、２４６ｂ    ヨーク
２５０ａ、２５０ｂ    冷却路
２６０ａ、２６０ｂ    ガス供給手段
２７２ａ、２７２ｂ    水平移動部
２７４ａ、２７４ｂ    回動部
３００    電源供給装置
【図１】
2005273018.tif 000003
【図２】
2005273018.tif 000004
【図３】
2005273018.tif 000005
【図４】
2005273018.tif 000006
【図５】
2005273018.tif 000007
【図６】
2005273018.tif 000008
【図７】
2005273018.tif 000009
【図８】
2005273018.tif 000010
【図９】
2005273018.tif 000011
【図１０】
2005273018.tif 000012
【図１１】
2005273018.tif 000013
【図１２】
2005273018.tif 000014