(57)【要約】【課題】  隔壁部と第２の電極とが剥離せず表示不良が発生しにくい発光装置、発光装置の製造方法及びそのような発光装置を具備してなる電子機器を提供する。【解決手段】  画素電極１９の周辺部以外の隔壁部２０に、撥液部２０ＢＡが形成されない領域を形成した。そして、その隔壁２０の、撥液部２０ＢＡが形成されない領域上に直接接するように陰極２３を形成した。【選択図】    図４
2005285743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に隔壁にて複数の画素形成領域が区画形成され、
該各画素形成領域に、第１の電極と、前記隔壁及び前記画素形成領域を覆うように形成された第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に少なくとも発光層を有する有機化合物層が形成され、
前記隔壁は、上側壁と横側壁を有しており、
前記隔壁の上側壁の少なくとも一部に前記隔壁と前記第２の電極を密着させる密着部を有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記隔壁に撥液部が形成されており、密着部は撥液部の一部を除去した部分である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記複数の画素形成領域に応じて駆動回路が設けられており、
前記第２隔壁部の表面に、前記駆動回路による段差を有し、
前記密着部は、前記段差上に形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記密着部は、前記隔壁が粗面化された部分である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記密着部は、隔壁を酸化処理もしくは窒化処理した部分である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
第１封止層と第２封止層からなり前記第２の電極を覆うように形成した封止層を備え、
第１封止層は有機樹脂からなり、第２封止層は酸化珪素もしくは酸窒化珪素からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
第１の電極を形成する工程と、
少なくとも前記第１の電極の一部が重なるように上側壁と横側壁を有する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の上側壁の少なくとも一部に密着部を形成する工程と、
前記隔壁にて区画された領域に有機化合物層を含む液体材料を配置する工程と、
前記隔壁及び前記画素形成領域を覆うように前記密着部上に第２電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記隔壁を形成する工程は、前記隔壁の上側壁の少なくとも一部が有機材料となるように形成する工程であり、
前記密着部を形成する工程は、前記隔壁を構成する前記有機材料で形成する工程である
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記隔壁を形成する工程は、隔壁に撥液部を形成する工程を含み、
前記密着部を形成する工程は、前記撥液部の一部を除去する工程である
ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
駆動回路を形成し第１の段差を形成する工程をさらに含み、
前記隔壁を形成する工程は、前記第１の段差に応じた第２の段差を隔壁の上側壁に形成する工程であり、
前記密着部を形成する工程は、前記第２の段差に応じて隔壁の一部を削る工程である
ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記密着部を形成する工程は、前記隔壁の上側壁を粗面化する工程であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記密着部を形成する工程は、前記隔壁の上側壁を酸化もしくは窒化する工程である
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記密着部を形成する工程は、
前記隔壁の前記第１の電極の周縁領域をマスクにて覆う工程と、
前記マスクを介して密着部を形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の電極を清浄化もしくは活性化する工程をさらに含み、
前記密着部を形成する工程は、前記第１の電極を清浄化もしくは活性化する工程と同時に行なわれる
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型化・薄型化の観点から、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に発光層とを有する発光装置が注目されている。
【０００３】
発光装置には、発光層を構成する材料が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス装置がある。有機エレクトロルミネッセンス装置に用いられる発光素子は有機ＥＬ素子、有機発光ダイオード素子、発光ポリマー素子、ＯＬＥＤ素子と呼ばれることもある。有機エレクトロルミネッセンス装置は、液相法（たとえば、インクジェット法、スリットコート法、ディスペンス法、スクリーン印刷法など）を用いて製造することができる。即ち、画素形成領域に対応して形成した複数の第１の電極と、各第１の電極を区画する隔壁とを有し、有機材料を所定の溶媒に溶解もしくは所定の分散媒に分散した液滴状体を、画素形成領域に形成された所定の第１の電極上に配置し、その後溶媒もしくは分散媒を取り除いて発光層を含む有機化合物層を形成する。その後、有機化合物層及び隔壁を覆うように第２の電極を形成する。
【０００４】
この液相法においては、隔壁を、画素電極に直接接する第１隔壁部と該第１隔壁部上に形成される第２隔壁部とで構成する。そして、その第１隔壁部及び第１の電極を親液化処理するとともに、第２隔壁部を撥液化処理することで、配置された液滴を画素電極に密着させるとともに、隣接する他の第１の電極（画素電極）へ配置された液滴との混じり合いを回避するようにしている（たとえば、特許文献１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような構成をなした発光装置においては、前記したように、第２隔壁部の表面が例えばフッ素原子を含むように撥液化処理されているため、表面エネルギーが低く第２の電極が隔壁に密着せず、剥離してしまうという場合がある。また、たとえ、第２の電極が隔壁に密着しても、発光動作を行った場合や温度など環境が変化した場合、第２の電極に応力が加わり、その結果、第２の電極が隔壁から剥離してしまうという場合がある。そのため、発光不良が発生してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は隔壁部と第２の電極とが剥離せず経時劣化や環境などに強く信頼性の高い発光装置、発光装置の製造方法及びそのような発光装置を具備してなる電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光装置は、基板上に隔壁にて複数の画素形成領域が区画形成され、その各画素形成領域に、第１の電極と、前記隔壁及び前記画素形成領域を覆うように形成された第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に少なくとも発光層を有する有機化合物層が形成され、前記隔壁は、上側壁と横側壁を有しており、前記隔壁の上側壁の一部に前記隔壁と前記第２の電極を密着させる密着部を形成した。密着部は、第２隔壁部の前記第１の電極の周辺部以外の領域に形成されており、密着部は有機材料にて構成されていることが好ましい。また、隔壁は、第１隔壁部とその第１隔壁部の上側に形成され第２隔壁部とからなり、第１隔壁部は無機材料から構成され、第２隔壁部は有機材料から構成されており、密着部は第２隔壁部の一部により構成されていることを特徴とする。
【０００８】
これによれば、隔壁の上側壁の一部に密着部を形成した。従って、有機化合物層及び隔壁を覆うように第２の電極が形成されてなる発光装置においては、密着部を形成することにより、第２の電極と隔壁部が剥離するのを防止することができる。したがって、隔壁と第２の電極とを強く密着したので、発光動作を行った場合や温度など環境が変化した場合であっても信頼性の高い発光装置を実現することができる。また、密着部は有機材料で形成されており、隔壁を構成する材料で構成されていることが望ましい。このようにすることにより、隔壁と第２の電極との密着性を向上させることができる。
【０００９】
この発光装置において、隔壁の表面に撥液部が形成されており、密着部は撥液部の一部を除去した部分であることを特徴とする。また、隔壁は、第１隔壁部とその第１隔壁部の上側に形成され第２隔壁部とからなり、前記第２隔壁部の表面に、撥液部が形成されており、前記密着部は撥液部の一部を除去した部分であってもよい。
【００１０】
例えば、フッ素原子を含むように隔壁の表面全体に撥液部を形成すると、表面エネルギーが低いため隔壁の撥液部と第２の電極との密着力が弱いが、撥液部の一部が除去されているため隔壁と第２の電極との密着性を向上させることができ、隔壁と第２の電極との界面における剥離を防止することができる。
【００１１】
この発光装置において、複数の画素形成領域に応じて駆動回路が設けられており、前記第２隔壁部の表面に、前記駆動回路による段差を有し、前記密着部は、前記段差上に形成されていてもよい。本発明における駆動回路は、トランジスタ、ダイオード、容量などの各種機能素子や、走査線、データ線、電源線などの配線、配線と機能素子との接続するコンタクトホールを含んでいる。駆動回路は少なくとも２層の金属層を含み、複数の金属層が平面視重なっている領域を有しており、前記密着部は該領域による段差上に設けられていてもよい。例えば、密着部は、保持容量、走査線とデータ線の交差部、あるいは、走査線と電源線の交差部に応じて設けられていてもよい。
【００１２】
これによれば、隔壁の上側壁に形成される段差を利用して密着部を形成することができる。
【００１３】
この発光装置において、前記密着部は、前記隔壁を粗面化された部分であることを特徴とする。
【００１４】
これによれば、粗面化することで、隔壁と第２の電極とが接する表面積を広くすることができるため、隔壁と第２の電極との密着性を向上させることができ、第２の電極の剥離を防止することができる。隔壁の少なくとも表面が有機材料にて構成されているのであれば、酸素プラズマなど表面処理により、隔壁に粗面化された部分を容易に形成することができる。
【００１５】
この発光装置において、前記密着部は、前記隔壁を酸化処理もしくは窒化処理した部分であることを特徴とする。
【００１６】
これによれば、隔壁の少なくとも一部を酸化処理もしくは窒化処理することにより密着部を形成すると、密着部の表面エネルギーを高くすることができ隔壁と第２の電極との親和性を向上することができるため、第２の電極の剥離を防止することができる。隔壁をアクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂で構成すると、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂は酸素原子あるいは窒素原子を含んでいるため、酸化処理もしくは窒化処理を行うことにより容易に密着部を形成することができる。
【００１７】
また、第１封止層と第２封止層からなり前記第２の電極を覆うように形成した封止層を備え、第１封止層は有機樹脂からなり、第２封止層は酸化珪素もしくは酸窒化珪素からなることを特徴とする。
【００１８】
これによれば、密着部を含む隔壁と第１封止層とがともに有機樹脂により形成されているため、第２の電極と隔壁との間に生じる応力を低減することができる。また、これにより、水分や酸素が発光素子へ拡散するのを良好に防ぐことができる。特に、隔壁と第１封止層とを同等の膜応力の材料にて構成することが望ましい。また、第１隔壁部と第２封止層とはともに酸化珪素を主体として構成することが好ましい。
【００１９】
本発明の発光装置の製造方法は、第１の電極を形成する工程と、少なくとも前記第１の電極の一部が重なるように上側壁と横側壁を有する隔壁を形成する工程と、前記隔壁の上側壁の少なくとも一部に密着部を形成する工程と、前記隔壁にて区画された領域に有機化合物層を含む液体材料を配置する工程と、前記隔壁及び前記画素形成領域を覆うように前記密着部上に第２電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
これによれば、有機化合物層及び隔壁を覆うように第２の電極が形成されてなる発光装置においては、密着部を形成することにより、第２の電極と隔壁部が剥離するのを防止することができる。したがって、隔壁と第２の電極とを強く密着したので、発光動作を行った場合や温度など環境が変化した場合であっても信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【００２１】
この発光装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程は、前記隔壁の上側壁の少なくとも一部が有機材料となるように形成する工程であり、前記密着部を形成する工程は、前記隔壁を構成する前記有機材料で形成する工程であることを特徴とする。また、前記隔壁を形成する工程は、少なくとも前記第１の電極の一部が重なるように無機材料を用いて第１隔壁部を形成する工程と、前記第１隔壁部の上側に有機材料を用いて第２隔壁部を形成する工程であり、前記密着部を形成する工程は、前記第２隔壁部を構成する前記有機材料で形成する工程であってもよい。
【００２２】
これによれば、隔壁と密着部を構成する材料は有機材料であるため応力を発生させること無く、隔壁と第２の電極との密着性を向上させることができる。
【００２３】
この発光装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程は、隔壁に撥液部を形成する工程を含み、前記密着部を形成する工程は、前記撥液部の一部を除去する工程であることを特徴とする。
【００２４】
例えば、フッ素原子を含むように隔壁の表面全体に撥液部を形成すると、表面エネルギーが低いため隔壁の撥液部と第２の電極との密着力が弱いが、撥液部の一部が除去されているため表面エネルギーを高くなり隔壁と第２の電極との密着性を向上させることができ、隔壁と第２の電極との界面における剥離を防止することができる。
【００２５】
この発光装置の製造方法において、駆動回路を形成し第１の段差を形成する工程をさらに含み、前記隔壁を形成する工程は、前記第１の段差に応じた第２の段差を隔壁の上側壁に形成する工程であり、前記密着部を形成する工程は、前記第２の段差に応じて隔壁の一部を削る工程であることを特徴とする。
【００２６】
これによれば、隔壁の上側壁に形成される第２の段差を利用して密着部を形成することができる。本発明における駆動回路は、トランジスタ、ダイオード、容量などの各種機能素子や、走査線、データ線、電源線などの配線、配線と機能素子との接続するコンタクトホールを含んでいる。駆動回路は少なくとも２層の金属層を含み、複数の金属層が平面視重なっている領域を有しており、密着部は、前記複数の金属層が平面視重なっている領域に形成された第２の段差により形成してもよい。例えば、密着部は、保持容量、走査線とデータ線の交差部、あるいは、走査線と電源線の交差部に対応して設けられていてもよい。
【００２７】
この発光装置の製造方法において、前記密着部を形成する工程は、前記隔壁の上側壁を粗面化する工程であることを特徴とする。
【００２８】
これによれば、粗面化することで、隔壁と第２の電極とが接する表面積を広くすることができるため、隔壁と第２の電極との密着性を向上させることができる。したがって、第２の電極の剥離を防止することができる。隔壁の少なくとも表面が有機材料にて構成されているのであれば、酸素プラズマなど表面処理により、隔壁に粗面化された部分を容易に形成することができる。
【００２９】
この発光装置の製造方法において、前記密着部を形成する工程は、前記隔壁の上側壁を酸化もしくは窒化する工程であることを特徴とする。
【００３０】
これによれば、隔壁の少なくとも一部を酸化処理もしくは窒化処理することにより密着部を形成すると、密着部の表面エネルギーを高くすることができ隔壁と第２の電極との親和性を向上することができるため、第２の電極の剥離を防止することができる。隔壁をアクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂で構成すると、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂は酸素原子あるいは窒素原子を含んでいるため、酸化処理もしくは窒化処理を行うことにより容易に密着部を形成することができる。
【００３１】
また、この発光装置の製造方法において、前記密着部を形成する工程は、前記隔壁の前記第１の電極の周縁領域をマスクにて覆う工程と、前記マスクを介して密着部を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００３２】
これによれば、前記第１の電極の周辺部の領域以外の領域に第２の電極を密着させる密着部を備えることによって第２の電極が剥離されにくい発光装置を製造することができる。また、マスクにより第２隔壁部の前記第１の電極の周辺部の領域（主に第２隔壁部の傾斜領域）を保護した状態で密着部を形成することにより、前記第１の電極の周辺部の領域に液体材料が付着することなく、液体材料を所望の領域（第１の電極上の画素形成領域）に配置できるため、液体材料を有効に使用することができる。
【００３３】
この発光装置の製造方法において、前記第１の電極を清浄化もしくは活性化する工程をさらに含み、前記密着部を形成する工程は、前記第１の電極を清浄化もしくは活性化する工程と同時に行なわれることを特徴とする。また、前記密着部を形成する工程は、前記隔壁の前記第１の電極の周縁領域をマスクにて覆うとともに前記隔壁の上側壁の少なくとも一部と前記隔壁にて区画された領域とに前記マスクの開口部を形成する工程と、前記開口部を有する前記マスクを介して前記密着部を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００３４】
これによれば、前記密着部を形成する工程と、前記第１の電極を清浄化もしくは活性化する工程と、前記第１の電極の周縁領域を保護する工程を同時に行うようにすることにより発光装置の製造工程数を増やすことなく密着部を形成することができる。
【００３５】
また、この発光装置の製造方法において、前記第１の電極を形成する工程は、前記第１の電極を金属酸化物で形成する工程であり、前記第１の電極を清浄化もしくは活性化するとともに前記密着部を形成する工程は、酸化する工程であることを特徴とする。第１の電極をインジウム錫酸化物、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファスといった金属酸化物で構成し、第１の電極及び隔壁の上側壁の少なくとも一部を酸化することにより、密着部を形成できるとともに第１の電極を清浄化もしくは活性化することができる。
【００３６】
また、この発光装置の製造方法において、前記隔壁にて区画された領域に有機化合物層を含む液体材料を配置する工程は、インクジェット法により有機化合物層を含む液体材料の液滴を配置する工程であり、前記密着部を形成する工程は、以下の（式１）を満たす領域に前記密着部を形成する工程であることを特徴とする。
【００３７】
［式１］
Ｒ4≧Ｒ3≧（Ｒ1＋Ｒ2）
ここで、
Ｒ1：液滴の半径
Ｒ2：インクジェットヘッドから配置した際の配置ばらつき
Ｒ3：隔壁から密着部までの距離
Ｒ4：画素形成領域と画素形成領域の間隔
である。
【００３８】
このようにすることにより、液滴が配置される部位は撥液部あるいは画素形成領域とすることができるため、液滴が隔壁を介して隣接する他の画素形成領域へ流れ込むことなく所定の画素形成領域内に配置することができる。
【００３９】
本発明の電子機器は、上記記載の発光装置を備えた。
これによれば、第２の電極が剥離せず表示不良が発生しにくい発光装置を具備してなる電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の発光装置を有機エレクトロルミネッセンス装置に適用した各実施形態を図面に従って説明する。
【００４１】
＜第１実施形態＞
＜発光装置＞
図１は、本発明に係る発光装置１の概略構成を示すブロック図である。発光装置１は、画素領域Ａ、走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２００、制御回路３００、及び電源回路７００を備える。このうち、画素領域Ａには、Ｘ方向と平行にｍ本の走査線１０１が形成される。また、Ｘ方向と直交するＹ方向と平行にｎ本のデータ線１０３が形成される。そして、走査線１０１とデータ線１０３との各交差に対応して画素回路４００が各々設けられている。画素回路４００は発光素子ＯＬＥＤを含む。また、各画素回路４００には、電源回路７００によって生成された電源電位ＶＥＬが複数の電源線Ｌを介して供給される。この例の電源線Ｌは、データ線１０３と平行に設けられ、その一端から電源電位ＶＥＬが供給される。
【００４２】
走査線駆動回路１００は、複数の走査線１０１を順次選択するための走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍを生成する。走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、ＹｍはＹ転送開始パルスＤＹをＹクロック信号ＹＣＬＫに同期して順次転送することにより生成される。走査信号Ｙ１は１垂直走査期間（１Ｆ）の最初のタイミングから、１水平走査期間（１Ｈ）に相当する幅のパルスであって、１行目の走査線１０１に供給される。以降、このパルスを順次シフトして、２、３、…、ｍ行目の走査線１０１の各々に走査信号Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍとして供給する。一般的にｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目の走査線１０１に供給される走査信号ＹｉがＨレベルになると、当該走査線１０１が選択されたことを示す。
【００４３】
データ線駆動回路２００は、出力階調データＤｏｕｔに基づいて、選択された走査線１０１に位置する画素回路４００の各々に対し階調信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、…、Ｘｎを供給する。この例において、階調信号Ｘ１〜Ｘｎは階調輝度を指示する電流信号として与えられる。
【００４４】
制御回路３００は、Ｙクロック信号ＹＣＬＫ、Ｘクロック信号ＸＣＬＫ、Ｘ転送開始パルスＤＹ、Ｙ転送開始パルスＤＹ等の各種の制御信号を生成してこれらを走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路２００へ出力する。また、制御回路３００は、外部から供給される入力階調データＤｉｎにガンマ補正等の画像処理を施して出力階調データＤｏｕｔを生成する。
【００４５】
図２に画素回路４００の回路図を示す。画素回路４００は、保持トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、保持容量ＣＡＰ及び発光素子ＯＬＥＤを備える。保持トランジスタＴｒ１のゲートには走査線１０１から走査信号（Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍ）が供給され、そのソースはデータ線１０２のいずれかと接続され、階調信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、…、Ｘｎのいずれかが供給される。保持トランジスタＴｒ１のドレインと駆動トランジスタＴｒ２のゲートと保持容量ＣＡＰの一端とは接続されている。また、保持容量ＣＡＰの他端は電源線Ｌに接続しているが、固定電位の配線に接続されていればよい。保持容量ＣＡＰには選択期間において階調信号が書き込まれ、次の選択期間まで書き込まれた電圧が保持され、階調信号に応じて発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００４６】
図３は、画素回路４００の平面図であり、図４は図３に示すＺ−Ｚ’線の断面図である。駆動トランジスタＴｒ２は、酸化珪素を主体とする下地保護層１２を介して基板１１の表面に設けられている。下地保護層１２の上層にはシリコン層１３が形成される。ゲート絶縁層１４はシリコン層１３を覆うように下地保護層１２の上層に設けられる。ゲート絶縁層１３の上面のうちシリコン層に対向する部分にゲート電極１５が設けられる。このゲート電極１５を介してシリコン層１３にはＶ族元素がドーピングされ、ドレイン領域１３Ｂ及びソース領域１３Ｃが形成される。ここで、Ｖ族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域１３Ａとなる。第１層間絶縁層１６はゲート電極１５を覆うようにゲート絶縁層１４の上層に形成される。さらに、ドレイン電極１７がゲート絶縁層１４および第１層間絶縁層１６にわたって開孔するコンタクトホール１７Ｃを介してドレイン領域１３Ｂと接続される。一方、ソース電極１７Ｂはゲート電極１５を挟んでドレイン電極１７Ａと対向する位置に設けられ、ゲート絶縁層１４および第１層間絶縁層１６にわたって開孔するコンタクトホール１７Ｃを介してソース領域１３Ｃと接続される。第２層間絶縁層１８がドレイン電極１７Ａおよびソース電極１７Ｂを覆うように第１層間絶縁層１３の上層に設けられる。さらに、発光素子の陽極として機能する画素電極（第１の電極）１９が第２層間絶縁層１８において開孔するコンタクトホール１９Ｃを介してソース電極１７Ｂと接続される。画素電極１９は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファスといった金属酸化物で構成されている。そして、画素電極１９には、駆動トランジスタＴｒ２から供給される駆動電流の電流密度に応じたキャリアが供給される。
【００４７】
隔壁２０は、画素電極１９の各々を区画し画素形成領域２を形成しており、コンタクトホール１７Ｃ、コンタクトホール１９Ｃ、保持トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、保持容量ＣＡＰ、走査線１０１、データ線１０２、電源線Ｌを覆うように形成されている。
【００４８】
隔壁２０は、画素電極１９に隣接して形成された第１隔壁部２０Ａと、その第１隔壁部２０Ａ上に形成された第２隔壁部２０Ｂとから構成されている。第１隔壁部２０Ａは、例えば酸化珪素、酸窒化珪素などといった無機材料で構成されている。第２隔壁部２０Ｂは、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂といった有機材料で構成されている。第２隔壁部２０Ｂは上側壁と横側壁を有しており、横側部は傾斜を有するように形成されている。即ち、第１隔壁部２０Ａ側では第２隔壁部２０Ｂの開口部面積が小さく、第１隔壁部２０Ａから上方向側へ向かうに従って第２隔壁部２０Ｂの開口部面積が大きくなる。
【００４９】
そして、隔壁２０は、その第２隔壁部２０Ｂから第１隔壁部２０Ａを画素形成領域２の中央側に平面的に突き出すように露出させた構成を成している。従って、画素形成領域２内において、第１隔壁部２０Ａと第２隔壁部２０Ｂの境界において第１隔壁部２０Ａの平坦部が形成されるように第２隔壁部２０Ｂが形成されている。その結果、各画素形成領域２内において、隔壁２０と画素電極１９とが接する近傍では親液性が支配的となり、隔壁２０の上部では撥液性が支配的となる。
【００５０】
少なくとも横側部を含む第２隔壁部２０Ｂの表面に撥液部２０ＢＡが形成されている。撥液部は、例えばフッ素原子を含んでおり表面エネルギーを低くするように形成される。また、撥液部は、画素電極１９あるいは第１隔壁部２０Ａと比して撥液性がより高くなるように形成される。
【００５１】
また、コンタクトホール１７Ｃ、コンタクトホール１９Ｃ、保持トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、保持容量ＣＡＰ、走査線１０１、データ線１０２、電源線Ｌがいずれかが形成された領域の上方における第２隔壁部２０Ｂの表面に少なくとも密着部２０ＢＢが形成されている。この密着部２０ＢＢには撥液部２０ＢＡが形成されていない。この密着部２０ＢＢは、例えば酸素原子や窒素原子を含んでおり表面エネルギーを高くするように形成される。したがって、密着部２０ＢＢはポリイミド樹脂、アクリル樹脂を含んで構成されることが好ましい。
【００５２】
発光素子ＯＬＥＤは、隔壁２０により区画された画素形成領域２に形成される。図４に示すように、各正孔輸送層２１は対応する画素電極１９に定着している。また、発光層２２は隣接する画素形成領域２内に形成された他の発光層２２と混合することなく所定の画素形成領域２内に形成されている。
【００５３】
正孔輸送層２１は、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体といった有機材料で構成されている。正孔輸送層２１は、対応する画素電極１９から供給されるキャリアを発光層２２へ効率良く注入させるための層である。
【００５４】
発光層２２は、それぞれ有機材料で構成されている。詳しくは、発光層２２は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の有機物発光材料で構成されている。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルイオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適である。
【００５５】
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの低分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。
【００５６】
陰極２３は、１層からなる金属層であっても２層あるいは３層からなる金属層であってもよい。具体的には、陰極２３は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）などの単体材料や、マグネシウム（Ｍｇ）−アルミニウム（Ａｌ）（Ｍｇ：Ａｌ＝１０：１）合金で構成されている。また、酸化リチウムＬｉ２Ｏ／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ）／アルミニウム（Ａｌ）といった積層膜が好適である。
【００５７】
発光素子ＯＬＥＤは、画素電極１９、正孔輸送層２１、発光層２２、陰極２３から構成される。また、正孔注入層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層などを含んでいてもよい。
【００５８】
また、発光素子ＯＬＥＤの陰極２３全面を覆うように、封止層２４が形成される。封止層２４は、有機樹脂からなる第１封止層と、酸化珪素もしくは酸窒化珪素などの無機材料からなりガスバリア性を有するとともに第１封止層を覆うように形成された第２封止層からなることが好ましい。
【００５９】
第２隔壁部２０Ｂに形成された密着部２０ＢＢが直接陰極２３と接する。撥液部２０ＢＡは表面エネルギーが高いため、この陰極２３は撥液部２０ＢＡとの密着力が弱いが、密着部２０ＢＢと陰極２３とは密着力が強く密着する。即ち、撥液部２０ＢＡが形成されていない第２隔壁部２０Ｂは、隔壁２０と陰極１４とを強く密着させる密着部として機能し、隔壁部２０と第２の電極２３とが剥離せず、劣化や環境の変化に強く信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【００６０】
また、密着部２０ＢＢは、第２隔壁部２０Ｂの上側壁を粗面化することにより形成することが望ましい。粗面化することで、第２隔壁部２０Ｂと陰極２３との接する表面積を広くすることができるため、隔壁２０と陰極２３との密着性を向上させることができる。
【００６１】
上記実施形態において、撥液部２０ＢＡを形成し、撥液部２０ＢＡの一部を除去し密着部２０ＢＢを形成したが、第２隔壁部２０Ｂの上側壁の少なくとも一部を粗面化し密着部を形成し、第２隔壁部２０Ｂの表面全体に撥液部２０ＢＡを形成してもよい。粗面化することで、第２隔壁部２０Ｂと陰極２３との接する表面積を広くすることができるため、隔壁２０と陰極２３との密着性を向上させることができる。
【００６２】
＜発光装置の製造方法＞
次に、前記のような構成を成した発光装置１の製造方法の一例を図５及び図６に従って説明する。
【００６３】
まず、図５（ａ）に示す基板Ｐを用意する。ここで、発光素子ＯＬＥＤでは後述する発光層２２による発光光を基板１１側から取り出す構成（所謂、「ボトムエミッション」）とすることも可能であり、また基板１１と反対側から取り出す構成（所謂、「トップエミッション」）とすることも可能である。発光光を基板１１側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものを用いることができ、特に安価なガラスを好適なものとして挙げることができる。本実施形態では、基板１１としてガラス等からなる透明基板を用いる。
【００６４】
この基板１１に対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍの酸化珪素膜からなる下地保護層１２を形成する。
【００６５】
その後、基板１１の温度を約３５０℃に設定して基板の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなるシリコン層１３を形成する。そしてこのシリコン層１３を、レーザアニールまたは固相成長法などによる結晶化工程に供することでシリコン層１３を結晶化してポリシリコン膜とする。
【００６６】
次いで、シリコン層１３及び基板１１の表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁層１４を形成する。
【００６７】
なお、シリコン層１３は、図２に示した駆動トランジスタＴｒ２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては保持トランジスタＴｒ１のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、保持トランジスタＴｒ１と駆動トランジスタＴｒ２とが同時に作られるが、同じ手順で作られるため、以下の説明では保持トランジスタＴｒ１についてのみ説明し、保持トランジスタＴｒ１についてはその説明を省略する。
【００６８】
次に、図５（ｂ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜、ないしこれらの積層膜からなる導電膜をスパッタ法等により形成した後、パターニングすることで、ゲート電極１５を形成する。また、ゲート電極１５と同時に、走査線１０１などの配線を同時に形成する。
【００６９】
続いて、シリコン層１３に対して、高濃度のリンイオンを打ち込むことで、ゲート電極１４に対して自己整合的にソース・ドレイン領域１３Ｂ、１３Ｃを形成する。このとき、ゲート電極１５により遮蔽されて不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１３Ａとなる。
【００７０】
次に、図５（ｃ）に示すように、その後、シリコン層１３及び基板１１の表面を覆う第１層間絶縁層１６を形成する。さらに、第１層間絶縁層１６を貫通するコンタクトホール１７Ｃを形成し、これらコンタクトホール１７Ｃ内にドレイン電極１７Ａ及びソース電極１７Ｂを埋め込むように形成し、薄膜トランジスタＴＦＴを得る。ここで、第１層間絶縁層１６上においてソース電極１７Ｂに接続するように、不図示の電源線Ｌやデータ線１０２などの配線も形成しておく。
【００７１】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１層間絶縁層１６、及び各配線の上面を覆うように第２層間絶縁層１８を形成し、この第２層間絶縁層１８を貫通してソース電極１７Ｂに達するコンタクトホール１９Ｃを貫設する。そして、このコンタクトホール１９Ｃに埋め込むようにして、画素電極１９を形成する。画素電極１９は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファスといった透明導電材料で構成されている。
【００７２】
次に、図５（ｅ）に示すように、画素電極１９の一部を覆うとともに画素形成領域２を取り囲むように、隔壁２０を形成する。この隔壁２０は、基板１１上で発光素子ＯＬＥＤの仕切部材として機能する。隔壁２０は、画素電極１９に隣接して形成された第１隔壁部２０Ａと、その第１隔壁部２０A上に形成された第２隔壁部２０Ｂとから構成されている。
【００７３】
ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約５０〜３００ｎｍの酸化珪素膜を形成し、フォトエッチングでパターニングすることで第１隔壁部２０Ａを形成する。第２隔壁部２０Ｂは、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂といった有機材料により形成する。詳しくは、画素電極１９の周囲に乗り上げて形成された第１隔壁部２０Ａを避けて第２隔壁部２０Ｂを形成する。有機材料に感光性材料を混入させ、公知のフォトリソグラフィに用いるフォトレジストと同様にして形成することにより形成することができる。第２隔壁部２０Ｂは上側壁と横側壁を有している。有機材料を硬化させる際の硬化温度を調整することにより、横側部の傾斜を３０°から６０°とすることができる。第２隔壁部２０Ｂの膜厚は、例えば１〜２μｍ程度に設定すればよい。そして、このような構成のもとに、発光素子ＯＬＥＤの正孔注入層や発光層の形成場所、すなわち、これらの形成材料の塗布される画素電極１９上の領域とその周囲の隔壁２０Ｂとの間に十分な高さの段差からなる画素形成領域２が形成される。
【００７４】
フッ素を含むガスを用いてプラズマ処理などの表面改質を施すことにより、有機材料からなる第２隔壁部２０Ｂの表面をフッ素化して撥液部２０ＢＡを形成する。第１隔壁部２０Ａは酸化珪素膜からなり第２隔壁部２０Ｂは有機材料からなり表面改質の感度が異なるため、第２隔壁部２０Ｂの表面が画素電極１９もしくは第１隔壁部２０Ａと比して撥液化される。このようにして撥液部２０ＢＡを形成する。また、第２隔壁部２０Ｂをフッ素化物を添加した材料を用いて形成し温度を上昇させ硬化させる際に、表面エネルギーの低いフッ素化物を第２隔壁部２０Ｂの表面に現れるようにして、第２隔壁部２０Ｂの表面に撥液部２０ＢＡを形成してもよい。
【００７５】
次いで、図６（ｆ）に示すように、第２隔壁部２０Ｂの傾斜が形成された領域Ａ１を含む領域に公知のフォトレジストＰＲを形成する。一方、第２隔壁部２０Ｂの上側壁の領域Ａ0の少なくとも一部と画素形成領域２に応じた領域Ａ2とにはフォトレジストＰＲが形成されておらず、領域Ａ0の撥液部２０ＢＡの一部及び画素形成領域２内の画素電極１９が露出されることとなる。
【００７６】
そして、フォトレジストＰＲをマスクとして、フォトレジストＰＲ越しに酸素プラズマ、ＵＶオゾン等の酸化処理を施す。この結果、第２隔壁部２０Ｂの上側壁の一部に付着した撥液部２０ＢＡが取り除かれる。また、第２隔壁部２０Ｂを構成する有機材料の表面が酸化されるようにしてもよい。このように、フォトレジストＰＲを介して第２隔壁部２０Ｂの上側壁に密着部２０ＢＢが形成される。その後、前記フォトレジストＰＲを除去すると、図６（ｇ）に示すようになる。また、密着部２０ＢＢを形成する工程は、窒化する工程であってもよい。酸化処理もしくは窒化処理を行うことにより、隔壁の表面エネルギーを大きくすることができる。
【００７７】
また、第２隔壁部２０Ｂを有機材料で構成し、第２隔壁部２０Ｂの上側壁に対して酸素プラズマ、ＵＶオゾン等の酸化処理を施すことにより、第２隔壁部２０Ｂの一部がアッシングされることにより第２隔壁部２０Ｂの上側壁の少なくとも一部が粗面化されることとなる。これに対して、フォトレジストＰＲで覆った第２隔壁部２０Ｂあるいは撥液部２０ＢＡは粗面化されない。
【００７８】
また、このとき、フォトレジストＰＲをマスクとして、フォトレジストＰＲ越しに酸素プラズマ、ＵＶオゾン等の酸化処理を施すことで、画素形成領域２内の画素電極１９の表面を洗浄及び活性化する。画素電極１９を構成するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファスは酸素量が低下し仕事関数が低下する虞がある。この画素電極１９の表面への酸素プラズマ、ＵＶオゾン等の酸化処理によって、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファスが酸化され仕事関数が大きくなり、陽極としての正孔を発光層２２へ注入する機能が向上する。また、酸化処理により画素電極１９の親液性も向上するとともに、画素電極１９上に付着した有機物、あるいは、第２隔壁部２０Ｂをパターニングした際の残さなどを除去することができる。
【００７９】
このように、密着部２０ＢＢの形成と同時に画素形成領域２内の画素電極１９の表面を洗浄及び活性化を行うので、密着部２０ＢＢの形成工程と、画素形成領域２内の画素電極１９の表面を洗浄及び活性化工程とを個別に分けて行う必要がなく、製造工程数を増やすことなく密着部２０ＢＢを形成することができる。
【００８０】
次に、図６（ｈ）に示すように、液滴吐出法（インクジェット方式）によって、正孔輸送層２１及び発光層２２を画素電極上の各画素形成領域２へ形成する。ここで、液滴吐出法による製造方法とは、正孔輸送層２１及び発光層２２を構成する有機化合物材料を所定の溶媒に溶解または分散媒に分散させた液状体ＤをインクジェットヘッドＨから吐出させて各画素形成領域２上にパターニング塗布する方法をいう。インクジェットヘッドＨはピエゾ素子のような圧電素子を用いたヘッドを用いることにより、π電子共役導電性高分子からなる有機化合物材料を劣化させることなく、塗布することができる。また、各画素形成領域２内では、その画素電極１９及びその近傍は親液性が支配的であるので、画素電極１９上に配置された液状体Ｄは、画素電極１９上全面に濡れ広がる。一方、撥液部２０ＢＡが画素形成領域２を囲むように形成されているため、各画素形成領域２内の液状体Ｄは、隔壁２０を介して隣接する他の画素形成領域２へ流れ込むことなく所定の画素形成領域２内に配置される。
【００８１】
正孔輸送層２１は、画素電極１９上の各画素形成領域２へ正孔輸送層材料を溶媒に溶解または分散媒に分散させた液状体Ｄを、インクジェットヘッドＨから吐出させて、その画素電極１９上に配置し、溶媒または分散媒を除去することにより形成することができる。この結果、各画素電極１９上に正孔輸送層材料で構成される正孔輸送層１９が定着される。正孔輸送層材料は、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体を用いることができる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液である。
【００８２】
次に、インクジェット方式によって発光層材料を溶媒に溶解または分散媒に分散させた液状体Ｄを、インクジェットヘッドＨから所定の画素形成領域２へ吐出させて、正孔輸送層２１上に配置し、溶媒または分散媒を除去することにより形成することができる。この結果、正孔輸送層２１に発光層材料で構成される発光層２２が定着される。発光層２２は、全ての画素形成領域２に対して同じ発光層材料を用いてもよく、赤色発光層材料、青色発光層材料、緑色発光層材料などの複数の発光層材料を用いて、複数種類の発光層２２をそれぞれの画素形成領域２に形成してもよい。
【００８３】
発光層材料は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の有機物発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルイオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適である。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。
【００８４】
続いて、図６（ｉ）に示すように、隔壁２０及び発光層２２上全面に渡って陰極２３として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を、例えば真空加熱蒸着で積層形成する。このとき、第２隔壁部２０Ｂ上に形成された密着部２０ＢＢ上に陰極２３が直接接するように形成される。この結果、陰極２３と隔壁２０とを強固に密着して接合することができる。このようにすることにより、画素電極１９、正孔輸送層２１、発光層２２、陰極２３からなる発光素子ＯＬＥＤを形成することができる。また、発光素子ＯＬＥＤは、正孔注入層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層などを含んでいてもよい。また、陰極２３を構成する材料を酸素原子もしくは窒素原子とし、密着部２０ＢＢを酸化もしくは窒化する構成することにより、より隔壁２０と陰極２３との密着性を向上させることができる。
【００８５】
また、発光素子ＯＬＥＤの陰極２３全面を覆うように、封止層２４が形成される。封止層２４は、有機樹脂からなる第１封止層と、酸化珪素もしくは酸窒化珪素などの無機材料からなりガスバリア性を有するとともに第１封止層を覆うように形成された第２封止層からなることが好ましい。第１封止層はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂を誘導体あるいはオリゴマーあるいはモノマーからなる液体材料をスクリーン印刷あるいはスリットコートを用いて塗布して硬化させることにより形成することができる。第１封止層の膜厚は、例えば１〜２μｍ程度であり、第２隔壁部２０Ｂの膜厚と同等であることが望ましい。
【００８６】
さらに、イオンプレーティング法、あるいは、ＩＣＰプラズマやＥＣＲプラズマなどの高密度プラズマを用いたスパッタ法により、酸化珪素もしくは酸窒化珪素などの無機材料からなりガスバリア性を有する第２封止層を形成する。
【００８７】
このような第１封止層を形成することにより、隔壁２０、コンタクトホール１７Ｃ、コンタクトホール１９Ｃ、保持トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、保持容量ＣＡＰ、走査線１０１、データ線１０２、電源線Ｌなどにより形成された段差を平坦化させることができる。したがって、第２封止層にかかる応力を低減することができるため、より緻密でガスバリア性の高い第２封止層を形成することができる。
【００８８】
ここで、密着部２０ＢＢを含む隔壁２０と第１封止層とがともに有機樹脂により形成されているため、陰極２３と隔壁２０との間に生じる応力を低減することができる。特に、隔壁２０と第１封止層とを同等の膜応力の材料にて構成することが望ましい。また、第１隔壁部２０Ａと第２封止層とはともに酸化珪素を主体として構成することが好ましい。
【００８９】
このように，第２隔壁部２０Ｂに形成された密着部２０ＢＢが直接陰極２３と接する。この陰極２３は、撥液部２０ＢＡは表面エネルギーが高いため密着力は弱いが、密着部２０ＢＢと陰極２３とは密着力が強く密着する。即ち、撥液部２０ＢＡが形成されていない第２隔壁部２０Ｂは、隔壁２０と陰極１４とを強く密着させる密着部として機能し、隔壁部２０と第２の電極２３とが剥離せず、劣化や環境の変化に強く信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【００９０】
また、密着部２０ＢＢは、第２隔壁部２０Ｂの上側壁を粗面化することにより形成することが望ましい。粗面化することで、第２隔壁部２０Ｂと陰極２３との接する表面積を広くすることができるため、隔壁２０と陰極２３との密着性を向上させることができる。
【００９１】
さらに、フォトレジストＰＲで覆った第２隔壁部２０Ｂあるいは撥液部２０ＢＡ、すなわち、画素電極１９の周辺部の領域であり傾斜領域Ａ１に位置する第２隔壁部２０Ｂあるいは撥液部２０ＢＡの横側壁は粗面化されないため、液状体Ｄの動的接触角が劣化することがなく液状体Ｄがこの傾斜領域に付着せず画素形成領域２に到達し、有機化合物層（正孔輸送層２１、あるいは、発光層２２）の形成に寄与する。この結果、液状体Ｄを有効に使用することができる。
【００９２】
図７は、画素形成領域２を示す平面図である。また、半径Ｒ1である液状体Ｄと、インクジェットヘッドから吐出し基板１１上に配置した際の配置ばらつきＦＦの半径をしめすＲ2と、画素形成領域２から密着部２０ＢＢまでの距離Ｒ3と、画素形成領域と画素形成領域の間隔とＲ4を同時に示している。第２隔壁部２０Ｂの上側壁の領域Ａ0の少なくとも一部であり、特に、以下の（式１）を満たす領域に密着部２０ＢＢを形成することが望ましい。
【００９３】
［式１］
Ｒ4≧Ｒ3≧（Ｒ1＋Ｒ2）
このようにすることにより、液状体Ｄが配置される部位は密着部２０ＢＢではなく撥液部２０ＢＡとすることができるため、液状体Ｄが隔壁２０を介して隣接する他の画素形成領域２へ流れ込むことなく所定の画素形成領域２内に配置することができる。また、網掛けの領域ＫＫの少なくとも一部に密着部２０ＢＢが形成されていればよい。
【００９４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明を具体化した第２実施形態を説明する。この第２実施形態の発光装置は、密着部の形状及びその製造方法が上記第１実施形態に記載の発光装置と異なっている他は全て同じである。従って、同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００９５】
図８は、発光装置の第２実施形態を示す発光装置の平面図であり、図９は図８に示すＡ−Ａ’線の断面図であり、図１０は、図８に示すＢ−Ｂ’線の断面図である。
【００９６】
図８に示すように、網掛けで示す第２隔壁部２０Ｂにおける密着部２０ＢＢが、保持容量ＣＡＰ、走査線１０１とデータ線１０２の交差部、あるいは、走査線１０１と電源線Ｌの交差部に対応して設けられている。すなわち、ゲート電極１５あるいはゲート電極１５と同層で形成された金属部（例えば、走査線１０１、保持容量ＣＡＰの一方の電極）と、ソース電極１７Ａ、ドレイン電極１７Ｂ、あるいはソース電極１７Ａもしくはドレイン電極１７Ｂと同層で形成された金属部（例えば、データ線１０２、電源線Ｌ、あるいは、保持容量ＣＡＰの他方の電極）とが交差した領域の第２隔壁部２０Ｂの表面に、密着部２０ＢＢが形成されている。密着部２０ＢＢは、複数の金属層が平面視重なっている領域に形成された形成されている。
【００９７】
次に、前記のような構成を成した発光装置１の製造方法の一例を図１１に従って説明する。図８に示すＢ−Ｂ’線の断面図に対応する製造方法であり、第２実施形態における図１１（ｅ）は第１実施形態における図５（ｅ）に対応しており、第１実施形態と共通しているためその説明を省略する。保持容量ＣＡＰの断面における段差Ｄ１に対応して第２隔壁部２０Ｂの表面に段差Ｄ２が形成され、第２隔壁部２０Ｂの表面に周囲と比してゲート電極１５もしくはソース電極１７の膜厚分だけ盛り上った領域Ａ3が形成されている。
【００９８】
フッ素を含むガスを用いてプラズマ処理などの表面改質を施すことにより、有機材料からなる第２隔壁部２０Ｂの表面をフッ素化して撥液部２０ＢＡを形成する。第１隔壁部２０Ａは酸化珪素膜からなり第２隔壁部２０Ｂは有機材料からなり表面改質の感度が異なるため、第２隔壁部２０Ｂの表面が画素電極１９もしくは第１隔壁部２０Ａと比して撥液化される。このようにして撥液部２０ＢＡを形成する。また、第２隔壁部２０Ｂをフッ素化物を添加した材料を用いて形成し温度を上昇させ硬化させる際に、表面エネルギーの低いフッ素化物を第２隔壁部２０Ｂの表面に現れるようにして、第２隔壁部２０Ｂの表面に撥液部２０ＢＡを形成してもよい。
【００９９】
そして、第２隔壁部２０Ｂ上に形成された撥液部２０ＢＡを徐々に研削処理もしくは研磨処理を施していくことで、図１１（ｇ）に示すように、段差部Ｄ上の撥液部２０ＢＡが取り除かれ、先に形成した撥液化していない第２隔壁部２０Ｂが露出させる。撥液化していない第２隔壁部２０Ｂが密着部２０ＢＢとなる。また、走査線１０１とデータ線１０２の交差部、あるいは、走査線１０１と電源線Ｌの交差部にも同様に、密着部２０ＢＢが形成される。
【０１００】
続いて、図１１（ｈ）に示すように、上記第１実施形態と同様にしてインクジェット法を用いて正孔輸送層２１及び発光層２２を形成する。その後、図１１（ｉ）に示すように、段差部Ｄ上の撥液部２０ＢＡが取り除かれ密着部２０ＢＢが形成された状態で、第２隔壁部２０Ｂ及び発光層２２上全面に渡って陰極２３並びに封止層２４を順次積層しながら形成する。
【０１０１】
このとき、陰極２３が第２隔壁部２０Ｂ表面に形成された密着部２０ＢＢに直接接するように形成される。この密着部２０ＢＢには撥液部が形成されていないので、密着部２０ＢＢと陰極２３は第２隔壁部２０Ｂに強く密着する。撥液部２０ＢＡは表面エネルギーが低いため、陰極２３は撥液部２０ＢＡに対する密着力は弱いが、密着部２０ＢＢと陰極２３とは撥液部がないため密着力が強く密着する。即ち、撥液部２０ＢＡが形成されていない第２隔壁部２０Ｂは、隔壁２０と陰極１４とを強く密着させる密着部として機能し、隔壁部２０と第２の電極２３とが剥離せず、劣化や環境の変化に強く信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０１０２】
フォトレジストＰＲを使用することなく密着部２０ＢＢを形成できるとともに、隔壁２０と陰極１４とを強固に密着して接合することができる。
【０１０３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明を具体化した第３実施形態を図１２に従って説明する。この第３実施形態の発光装置は、密着部の形状及びその製造方法が上記実施形態に記載の発光装置と異なっている他は全て同じである。従って、同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【０１０４】
図１２は、それぞれ、第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図である。
【０１０５】
まず、図１２（ｅ）に示すように、第１隔壁部２０Ａ上に第２隔壁部２０Ｂを形成する。次に、図１２（ｆ）に示すように、少なくとも第２隔壁部２０Ｂの傾斜が形成された領域Ａ1以外であって、第２隔壁部２０Ｂ上の上側壁の頂上領域Ａ0の少なくとも一部及び領域Ａ2で示す画素形成領域２に公知のフォトレジストＭを形成する。従って、第２隔壁部２０Ｂの横側壁及び上側壁の一部が露出された状態になる。
【０１０６】
次に、フォトレジストＭをマスクとして、フッ素を含むガスを用いたプラズマ処理などの表面改質を施すことにより、有機材料からなる第２隔壁部２０Ｂ及びフォトレジストＭの表面をフッ素化して撥液部２０ＢＡを形成する。フォトレジストＭの表面に形成された撥液部２０ＢＡとともに、フォトレジストＭを取り除く。これにより、図１２（ｇ）に示すように、第２隔壁部２０Ｂの横側壁及び上側壁の一部に撥液部２０ＢＡが形成される。一方、フォトレジストＭが形成されていた第２隔壁部２０Ｂ上の上側壁、及び、画素形成領域には撥液部２０ＢＡが形成されない。この撥液部２０ＢＡが形成されていない第２隔壁部２０Ｂの上側壁が密着部２０ＢＢとして機能する。
【０１０７】
続いて、上記実施形態と同様にしてインクジェット法を用いて正孔輸送層２１及び発光層２２を形成する。その後、第２隔壁部２０Ｂ及び発光層２２上全面に渡って陰極２３並びに封止層２４を順次積層しながら形成する。
【０１０８】
このとき、第２隔壁部２０Ｂ表面に形成された密着部２０ＢＢに陰極１４が直接接するように形成される。密着部２０ＢＢには、撥液部が形成されていないので、陰極２３は密着部２０ＢＢに強く密着し、隔壁２０と陰極２３とが強固に密着して接合され、隔壁部２０と第２の電極２３とが剥離せず、劣化や環境の変化に強く信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０１０９】
＜第４実施形態＞
次に、上記実施形態で説明した有機ＥＬ装置１の電子機器の適用について図１３に従って説明する。
【０１１０】
図１３は、電子機器の一例たる携帯電話の表示部に適用した例を示す携帯電話の斜視構成図である。図１３において、この携帯電話６０は、発光装置１を用いた表示ユニット６４と、複数の操作ボタン６１とを備えている。なお、携帯電話以外の電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、デジタルスチルカメラ、テレビジョンモニタ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、本発明の発光装置を適用してもよい。また、本発明の発光装置を露光ヘッドへ適用した画像形成装置に適用してもよい。発光装置１を用いた電子機器は、発光不良が発生しにくい。
【０１１１】
尚、特許請求の範囲に記載の液体材料は、上記実施形態においては、液状体Ｄに対応している。特許請求の範囲に記載のマスクは、本実施形態においては、フォトレジストＰＲあるいはフォトレジストＭに対応している。特許請求の範囲に記載の駆動回路は、本実施形態においては、コンタクトホール１７Ｃ、コンタクトホール１９Ｃ、保持トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、保持容量ＣＡＰ、走査線１０１、データ線１０２、電源線Ｌに対応している。また、特許請求の範囲に記載の発光装置は、本実施形態においては、発光装置１に対応している。特許請求の範囲に記載の第１の電極は、本実施形態においては、画素電極１９に対応している。特許請求の範囲に記載の有機化合物層は、本実施形態においては、正孔輸送層２１あるいは発光層２２に対応している。特許請求の範囲に記載の有機化合物層または発光層は、本実施形態においては、発光層２２に対応している。特許請求の範囲に記載の第２の電極は、本実施形態においては、陰極２３に対応している。
【０１１２】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
【０１１３】
○上記各実施形態では、有機化合物層をインクジェット方式で形成したが、これ限定されるものではなく、たとえば、インクジェット法、スリットコート法、ディスペンス法、スクリーン印刷法などであってもよく、液相法により形成されるものであればどのようなものに適応してもよい。
○上記各実施形態では、図２の画素回路にて説明したが、これに限定されるものではない。
○各実施形態においては有機エレクトロルミネッセンス素子を適用した発光装置を例示したが、これ以外の発光装置にも本発明は適用される。例えば、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）や表面伝導型電子放出ディスプレイ（ＳＥＤ：Surface-conduction Electron-emitter Display）、弾道電子放出ディスプレイ（ＢＳＤ：Ballistic electron Surface emitting Display）、発光ダイオードを用いた表示装置、あるいは光書込み型のプリンタや電子複写機の書き込みヘッドといった各種の発光装置に対しても上記各実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】発光装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】画素回路の回路図である。
【図３】画素回路の平面図である。
【図４】図３に示すＺ−Ｚ’線の断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）は、それぞれ発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図６】同じく、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）及び（ｉ）は、それぞれ発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図７】画素形成領域を示す平面図である。
【図８】発光装置の第２実施形態を示す発光装置の平面図である。
【図９】図８に示すＡ−Ａ’線の断面図である。
【図１０】図８に示すＢ−Ｂ’線の断面図である。
【図１１】（ｅ）、（ｇ）、（ｈ）及び（ｉ）は、それぞれ第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】（ｅ）、（ｆ）、及び（ｇ）第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】電子機器の一例たる携帯電話の表示部に適用した例を示す携帯電話の斜視構成図である。
【符号の説明】
【０１１５】
２０ＢＢ…密着部、２０…隔壁、２０Ａ…第１隔壁部、２０Ｂ…第２隔壁部、２０ＢＡ…撥液部、Ｄ１、Ｄ２…段差部、Ｄ…液状体、ＰＲ、Ｍ…マスクとしてのフォトレジスト、Ｔｒ１、Ｔｒ２…駆動回路としての薄膜トランジスタ、１１…基板、１…発光装置、２…画素形成領域、１９…第１の電極としての画素電極、２２…（有機）化合物層として発光層、２３…第２の電極としての陰極、６０…電子機器としての携帯電話。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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