(57)【要約】【課題】  ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を抑制することができる光導波路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  光導波路基板１は、主面３ａを有する基板３と、基板３の主面３ａ上に形成された光導波路層５とを備える。主面３ａは、主面３ａの縁に接する領域３ｅと、該領域３ｅ以外の領域である領域３ｄとを有する。光導波路層５は、領域３ｄ上に設けられており、基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板中央寄りに位置する側面５ａ及び５ｂを有する。光導波路層５は、クラッド部６と、クラッド部６内に設けられ、クラッド部６よりも高屈折率のコア部７を有する。側面５ａ及び５ｂが基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板中央寄りに位置することにより、ウェハを基板単位に切断する際に、主面３ａの縁においてチッピングが生じても、光導波路層５の剥離を抑制することができる。【選択図】  図１
2005309159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、
前記基板の前記主面上に形成され、光を導波するコア部を有する光導波路層と
を備え、
前記光導波路層の側面の少なくとも一部が、前記基板の対応する側面よりも該基板の中央寄りに設けられていることを特徴とする、光導波路基板。
【請求項２】
前記基板の前記主面が、該主面の縁に接しており前記光導波路層に覆われていない領域を有することを特徴とする、請求項１に記載の光導波路基板。
【請求項３】
光を導波するコア部を有する光導波路層が主面上に形成されたウェハに対し、該主面の切断予定ラインに沿った領域を覆う前記光導波路層を除去し、該領域を前記切断予定ラインに沿って分割するように前記ウェハを切断して形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の光導波路基板。
【請求項４】
前記コア部の光入出射端を有する前記光導波路層の側面に沿った前記領域の前記主面の縁からの幅が、前記光導波路層の他の側面に沿った前記領域の前記主面の縁からの幅よりも小さいことを特徴とする、請求項２または３に記載の光導波路基板。
【請求項５】
前記光導波路層が、前記基板の前記主面における該主面の縁に接する領域上に、前記光導波路層の他の部分よりも薄い薄膜部分を有することを特徴とする、請求項１に記載の光導波路基板。
【請求項６】
光を導波するコア部を有する光導波路層が主面上に形成されたウェハに対し、該主面の切断予定ラインに沿った領域を覆う前記光導波路層に該光導波路層の他の部分よりも薄い薄膜部分を形成し、該薄膜部分を前記切断予定ラインに沿って分割するように前記ウェハを切断して形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の光導波路基板。
【請求項７】
前記薄膜部分の厚さが、前記コア部と前記主面との間隔よりも小さいことを特徴とする、請求項５または６に記載の光導波路基板。
【請求項８】
前記コア部の光入出射端を有する前記光導波路層の側面に沿った前記薄膜部分の前記主面の縁からの幅が、前記光導波路層の他の側面に沿った前記薄膜部分の前記主面の縁からの幅よりも小さいことを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一項に記載の光導波路基板。
【請求項９】
前記光導波路層が重合体を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光導波路基板。
【請求項１０】
光を導波するコア部を有する光導波路層が主面上に形成されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する切断工程を備え、
前記切断工程が、
前記主面の前記切断予定ラインに沿った領域を覆う前記光導波路層の少なくとも一部を除去する工程と、
前記主面の前記領域を前記切断予定ラインに沿って分割するように前記ウェハを切断する工程と
を含むことを特徴とする、光導波路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバなどの光伝送媒体中を進む光を分波或いは結合するために、光導波路基板が用いられる。例えば埋込み型の光導波路基板は、Ｓｉ等からなる基板上に、光を導波するコア、及び該コアを覆うクラッドからなるポリマー製の光導波路層を備える。このような光導波路基板の製造方法は、例えば次のとおりである。まず、Ｓｉウェハ上に下部クラッド層を形成する。次に、下部クラッド層上に該下部クラッド層よりも屈折率が大きいコア層をフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などにより任意の平面形状に形成する。続いて、コア層を覆うように上部クラッド層を形成する。そして、下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層が形成されたＳｉウェハを所定のラインに沿ってチップ状に切断することにより、光導波路基板が完成する。
【０００３】
上述した光導波路基板の製造方法における、Ｓｉウェハをチップ状に切断するための技術としては、例えば特許文献１に開示された光導波路基板の製造方法がある。図２２は、この方法を説明するための図である。この方法は、ウェハ状の基板１０１上に光導波路１０２を形成した後、ダイシングブレード１０３により光導波路１０２と基板１０１とを切削し、光導波路１０２の端面１０２ａを形成するとともに基板１０１に光導波路１０２の端面１０２ａと同一面の側面を持つ段差部１０１ｂを形成する。この方法では、基板１０１が切削されることにより生じる砥粒が基板１０１とダイシングブレードの間で細かく粉砕されることで細かな粒子となり、それによって光導波路端面１０２が研磨される作用があると述べている。また、ダイシングブレード１０３が基板を貫通してダイシングしてしまうと、ダイシングブレード１０３を貫通させないでダイシングする場合と比べて大きなチッピング（欠け）が生じてしまい、それにより光導波路端面が傷つき、光導波路が剥がれやすくなることを述べている。そのため、ダイシングブレード１０３の貫入深さによって砥粒による研磨作用を制御し、良好な光導波路端面を形成しようとしている。
【特許文献１】特開平１１−３３７７５７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されたような従来の光導波路基板の製造方法では、次の問題があることを本発明者らは見出した。すなわち、Ｓｉのように比較的固い材料からなるウェハをダイシングによって切断すると、ウェハの切断面にチッピングが発生することがある。そして、ウェハのチッピングによって光導波路層がウェハ表面から剥がれてしまうおそれがある。ここで、図２３（ａ）は、ポリマーからなる光導波路層１０５が表面上に形成されたＳｉウェハ１０４をダイシングしたときに、光導波路層１０５が剥がれた様子を示す外観写真である。また、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に示したＳｉウェハ１０４及び光導波路層１０５の断面写真である。図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、従来のダイシング方法によってウェハ１０４を切断すると、チッピングによって光導波路層１０５がウェハ１０４の表面から剥がれる場合があることがわかる。
【０００５】
本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を抑制することができる光導波路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した課題を解決するために、本発明による光導波路基板は、主面を有する基板と、基板の主面上に形成され、光を導波するコア部を有する光導波路層とを備え、光導波路層の側面の少なくとも一部が、基板の対応する側面よりも該基板の中央寄りに設けられていることを特徴とする。
【０００７】
上記光導波路基板では、光導波路層の側面の少なくとも一部が基板の対応する側面よりも該基板の中央寄りに設けられることにより、光導波路層が形成されたウェハを基板単位に切断する際に、主面の縁（すなわちウェハの切断部分）においてチッピングによる欠けや割れが生じても、その影響が光導波路層に及び難い。従って、この光導波路基板によれば、ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を抑制することができる。
【０００８】
また、光導波路基板は、基板の主面が、該主面の縁に接しており光導波路層に覆われていない領域を有することを特徴としてもよい。この光導波路基板では、光導波路層に覆われていない領域が主面の縁に接して存在することにより、光導波路層が形成されたウェハを基板単位に切断する際に、チッピングによる光導波路層への影響を効果的に抑え、ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を好適に抑制することができる。
【０００９】
また、光導波路基板は、光を導波するコア部を有する光導波路層が主面上に形成されたウェハに対し、主面の切断予定ラインに沿った領域を覆う光導波路層を除去し、該領域を切断予定ラインに沿って分割するようにウェハを切断して形成されたことを特徴としてもよい。この光導波路基板では、光導波路層が形成されたウェハを切断する際に、主面上における光導波路が除去された領域を分割するようにウェハを切断するので、チッピングによる光導波路層への影響を効果的に抑え、ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を好適に抑制することができる。
【００１０】
また、光導波路基板は、コア部の光入出射端を有する光導波路層の側面に沿った領域の主面の縁からの幅が、光導波路層の他の側面に沿った領域の主面の縁からの幅よりも小さいことを特徴としてもよい。これによって、コア部の光入出射端と光ファイバ等の光学部品とを接合する際に、基板側面に当接された光学部品の側面と光入出射端との距離を短くし、結合損失を低減することができる。また、光導波路基板をピンセット等で掴む際に、主面の縁からの幅が比較的大きな領域に沿った基板側面を掴むことにより、光導波路層の損傷を防ぐことができる。
【００１１】
また、光導波路基板は、光導波路層が、基板の主面における該主面の縁に接する領域上に、光導波路層の他の部分よりも薄い薄膜部分を有することを特徴としてもよい。発明者らは、ウェハ切断時における切断部分付近の光導波路層が薄いほど、ウェハ切断時に光導波路層がウェハ表面から剥がれにくいことを見出した。従って、この光導波路基板によれば、主面の縁に接する領域上に光導波路層が薄膜部分を有することにより、光導波路層が形成されたウェハを基板単位に切断する際に、チッピングによる光導波路層の剥離を好適に抑制することができる。
【００１２】
また、光導波路基板は、光を導波するコア部を有する光導波路層が主面上に形成されたウェハに対し、主面の切断予定ラインに沿った領域を覆う光導波路層に該光導波路層の他の部分よりも薄い薄膜部分を形成し、該薄膜部分を切断予定ラインに沿って分割するようにウェハを切断して形成されたことを特徴としてもよい。この光導波路基板によれば、光導波路層が形成されたウェハを切断する際に、薄膜部分を分割するようにウェハを切断するので、チッピングによる光導波路層の剥離を好適に抑制することができる。
【００１３】
また、光導波路基板は、薄膜部分の厚さが、コア部と主面との間隔よりも小さいことを特徴としてもよい。薄膜部分がこのような厚さを有することによって、チッピングによる光導波路層の剥離をより効果的に抑制することができる。なお、ここでいうコア部と主面との間隔と薄膜部分の厚さとの関係は、光導波路基板の任意の断面における、コア部と主面との間隔と薄膜部分の厚さとの関係を指すものとする。
【００１４】
また、光導波路基板は、コア部の光入出射端を有する光導波路層の側面に沿った薄膜部分の主面の縁からの幅が、光導波路層の他の側面に沿った薄膜部分の主面の縁からの幅よりも小さいことを特徴としてもよい。これによって、コア部の光入出射端と光ファイバ等の光学部品とを接続する際に、基板側面に当接された光学部品の側面と光入出射端との距離を短くし、結合損失を低減することができる。また、光導波路基板をピンセット等で掴む際に、主面の縁からの幅が比較的大きい薄膜部分に沿った基板側面を掴むことにより、光導波路層の損傷を防ぐことができる。
【００１５】
また、光導波路基板は、光導波路層が重合体を含むことを特徴としてもよい。光導波路層が重合体を含む場合、光導波路層は基板と比べて軟らかくなるため、ウェハを切断する際にチッピングによって光導波路層が剥がれ易くなる。これに対し、上記光導波路基板によれば、光導波路層が重合体を含む場合であっても光導波路層の剥離を好適に抑制することができる。
【００１６】
また、本発明による光導波路基板の製造方法は、光を導波するコア部を有する光導波路層が主面上に形成されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する切断工程を備え、切断工程が、主面の切断予定ラインに沿った領域を覆う光導波路層の少なくとも一部を除去する工程と、主面の領域を切断予定ラインに沿って分割するようにウェハを切断する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
この製造方法では、光導波路層が形成されたウェハを切断する際に、主面上における光導波路の少なくとも一部が除去された領域を分割するようにウェハを切断するので、その際にチッピングによる欠けや割れが生じても、その影響が光導波路層に及び難い。従って、この光導波路基板の製造方法によれば、ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による光導波路基板及びその製造方法によれば、ウェハを切断する際の光導波路層の剥離を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明による光導波路基板及びその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
まず、本発明による光導波路基板及びその製造方法の第１実施形態について説明する。図１（ａ）は、本実施形態による光導波路基板の構成を示す平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す光導波路基板１のＩ−Ｉ断面を示す断面図である。また、図１（ｃ）は、図１（ａ）に示す光導波路基板１のII−II断面を示す断面図である。なお、II−II断面は、光導波路基板１が有するコア部７に沿って設定されている。また、図２は、本実施形態の光導波路基板１が備える基板３の主面３ａを示す平面図である。なお、本実施形態の光導波路基板１は、いわゆる埋込み型の光導波路基板である。
【００２１】
図１（ａ）〜図１（ｃ）及び図２を参照すると、本実施形態の光導波路基板１は、基板３及び光導波路層５を備える。基板３は、例えばシリコン、石英、ガラスエポキシ、セラミック、ポリイミドなどの材料を用いて形成されるとよい。基板３は、その平面形状が矩形状であり、主面３ａ、一対の側面３ｂ、及び他の一対の側面３ｃを有する。主面３ａは、図２に示すように、主面３ａの縁に隣接する領域３ｅと、主面３ａにおける該領域３ｅ以外を占める領域３ｄとを有する。本実施形態では、領域３ｅは領域３ｄを囲んで設定されている。
【００２２】
光導波路層５は、基板３の主面３ａにおける領域３ｄ上に設けられている。すなわち、光導波路層５は、基板３の主面３ａにおける領域３ｅ以外の領域上に設けられており、領域３ｅは光導波路層５に覆われていない。光導波路層５は、一対の側面５ａ及び別の一対の側面５ｂを有する矩形状に形成されている。光導波路層５が領域３ｅ以外の領域上に設けられていることにより、側面５ａ及び５ｂは、それぞれ基板３の対応する側面３ｂ及び３ｃよりも基板３の中央寄りに位置している。言い換えれば、側面５ａ及び５ｂは、それぞれ基板３の側面３ｂ及び３ｃからセットバックした位置に設けられている。
【００２３】
光導波路層５は、クラッド部６、及びクラッド部６よりも屈折率が大きいコア部７を有する。クラッド部６は、基板３の主面３ａにおける領域３ｄ上に層状に形成されており、コア部７は、クラッド部６の内部に形成されている。コア部７は、光導波路層５の一対の側面５ａ間を結ぶＹ字形の平面形状を呈しており、一対の側面５ａのうち一方の側面５ａに光入出射端７ａを有し、他方の側面５ａに２つの光入出射端７ｂ及び７ｃを有する。コア部７は、光入出射端７ａから入射した光を分岐し、分岐した光を光入出射端７ｂ及び７ｃのそれぞれから出射させることができる。また、コア部７は、光入出射端７ｂ及び７ｃのそれぞれから入射した光を結合し、結合した光を光入出射端７ａから出射させることができる。
【００２４】
ここで、主面３ａの縁に接する領域３ｅのうち、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃを有する光導波路層５の側面５ａに沿った領域３ｅの主面３ａの縁からの幅Ｌ1は、他の側面５ｂに沿った領域３ｅの主面３ａの縁からの幅Ｌ2よりも小さく設定されている。言い換えれば、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃを有する光導波路層５の側面５ａの、基板３の側面３ｂに対するセットバック幅Ｌ1は、他の側面５ｂの側面３ｃに対するセットバック幅Ｌ2よりも小さく設定されている。
【００２５】
光導波路層５を構成する材料としては、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、シリコーン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ、アクリレートなどを主剤とする有機系の重合体（ポリマー）や、石英、ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｉ３Ｎ４，ＹＩＧ（Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２）などの無機系材料を例示することができる。なお、前述した有機系材料としては、例示した各材料のＣ−Ｈ基におけるＨがフッ素や重水素に置換されたもの等も含まれる。
【００２６】
続いて、上記実施形態の光導波路基板１の製造方法について図３〜図６を参照して説明する。図３は、光導波路基板１の製造に用いられるウェハ生産物１０を示す平面図であり、図４は、図３に示すウェハ生産物１０のIII−III断面を示す拡大断面図である。なお、図４は、光導波路層２０に含まれるコア部１８の長手方向に沿った断面を示している。図３を参照すると、ウェハ生産物１０上には、切断予定ラインＡが想定されている。この切断予定ラインＡは、ウェハ生産物１０をチップ状に切断することにより製造される光導波路基板同士の境界線であり、ウェハ生産物１０上に想定される仮想線である。
【００２７】
また、図４を参照すると、ウェハ生産物１０は、Ｓｉ等からなるウェハ４を備える。ウェハ４の主面４ａには、切断予定ラインＡに沿って延びる領域４ｂが想定される。また、ウェハ生産物１０は、ウェハ４の主面４ａ上に形成された光導波路層２０を備える。光導波路層２０は、コア部１８及びクラッド層１９を有する。このウェハ生産物１０の製造方法は、次の通りである。まず、ウェハ４の主面４ａを洗浄し、主面４ａ上にクラッド層１９の一部である下部クラッド層１９ａを積層する。下部クラッド層１９ａの材料としては、上述した有機系の重合体または無機系材料を用いる。そして、下部クラッド層１９ａ上に下部クラッド層１９ａよりも高屈折率のコア層を積層し、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術などによってコア層を任意の形状（本実施形態ではＹ字形状）に露光・現像することによりコア部１８を形成する。最後に、コア部１８及び下部クラッド層１９ａを覆うように、下部クラッド層１９ａと同じ材料からなる上部クラッド層１９ｂを積層する。こうして、ウェハ生産物１０が完成する。なお、光導波路層２０が重合体からなる場合、ボイド（空洞）の混入を防ぐために光導波路層２０を比較的厚く形成することが好ましい。
【００２８】
続いて、図５（ａ）に示すように、上部クラッド層１９ｂ上にマスク４１を形成する。マスクは、一般的なフォトレジストやＯ２耐性のあるレジスト、また、Ａｌなどの金属薄膜を用いてもよい。そして、図５（ｂ）に示すように、下部クラッド層１９ａに底を有する溝５５をダイシングブレード６１によって形成する。このとき、ウェハ４の主面４ａの領域４ｂ上に溝５５の底面が位置し、溝５５の底面の幅が領域４ｂの幅と略同様になるように、溝５５を形成する。このため、ダイシングブレード６１としては、主面４ａの領域４ｂの幅に応じた幅のものを用いるとよい。或いは、図５（ｃ）に示すような幅の小さなダイシングブレード６２を用いてもよい。この場合には、ダイシングブレード６２を領域４ｂの幅方向に移動させてダイシングを繰り返すことにより、領域４ｂの幅に応じた幅を有する溝５５を形成するとよい。
【００２９】
続いて、図５（ｄ）に示すように、例えばイオン６６をウェハ４の主面４ａ側から衝突させる反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによって、下部クラッド層１９ａのうち溝５５の底に残っている部分（すなわち、下部クラッド層１９ａのうちマスク４１によって覆われていない部分）を除去する。こうして、切断予定ラインＡに沿って光導波路層２０を分離する溝５３が形成され、側面５ａ及び５ｂを有しコア部７及びクラッド部６を含む光導波路層５が形成される。また、このとき、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃが形成される。また、光導波路層５を分離する溝５３が形成されることにより、ウェハ４の主面４ａにおける切断予定ラインＡに沿った領域４ｂが露出することとなる。
【００３０】
続いて、図６（ａ）に示すように、上記ダイシングブレード６１よりも幅が小さなダイシングブレード６３を用いて、ウェハ４を切断する。このとき、主面４ａの領域４ｂを切断予定ラインＡに沿って分割するようにウェハ４を切断する。或いは、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すようなさらに幅の小さなダイシングブレード６４を用いてウェハ４を切断してもよい。この場合には、図６（ｂ）に示すようにウェハ４を切断した後、図６（ｃ）に示すようにダイシングブレード６４を領域４ｂの幅方向に移動して切断を繰り返すことによって領域４ｂを任意の幅に分割するとよい。こうして、切断予定ラインＡ（図３参照）に沿ってウェハ４が切断され、図６（ｄ）に示すように側面３ｂ及び３ｃを有する基板３が形成される。以上の工程によって、基板３及び光導波路層５を備える光導波路基板１が完成する。なお、領域４ｂは、分割されることによって光導波路基板１における主面３ａの領域３ｅとなる。また、主面３ａにおいて光導波路層５に覆われた領域が、領域３ｄとなる。
【００３１】
ここで、図７（ａ）〜図７（ｃ）を参照して、光導波路基板１の他の製造方法について説明する。ここで説明する工程は、上記製造方法における図５（ａ）〜（ｄ）に示した工程に対応するものであり、他の工程については上記製造方法と同様である。
【００３２】
まず、上記製造方法と同様の方法により、ウェハ４上に光導波路層２０を備えるウェハ生産物を用意する。そして、図７（ａ）に示すように、上部クラッド層１９ｂ上にマスク４１を形成する。続いて、図７（ｂ）に示すように、ウェハ４の主面４ａの領域４ｂ上に位置するマスク４１の部分を除去し、マスク４１に開口４１ａを形成する。このとき、開口４１ａの幅が領域４ｂの幅と略同様になるように、開口４１ａを形成する。
【００３３】
続いて、図７（ｃ）に示すように、例えばイオン６６をウェハ４の主面４ａ側から衝突させる反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによって、光導波路層２０のうちマスク４１に覆われない部分（すなわち開口４１ａに対応する部分）を除去する。こうして、光導波路層２０を分離する溝５３が形成され、側面５ａ及び５ｂを有しコア部７及びクラッド部６を含む光導波路層５が形成される。また、このとき、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃが形成される。また、ウェハ４の主面４ａにおける切断予定ラインＡに沿った領域４ｂが露出する。
【００３４】
以降、上記製造方法と同様の工程（図６（ａ）〜（ｄ）参照）により、基板３及び光導波路層５を備える光導波路基板１が完成する。
【００３５】
以上に述べた本実施形態による光導波路基板１の効果について説明する。本発明者らは、光導波路層が形成されたウェハを切断してチップ化する際に、光導波路層がウェハから剥離するといった現象に直面した。そして、この現象を検証したところ、ウェハをダイシングする際の切削深さが深いほど、光導波路層の剥離が顕著になることを見出した。さらに検証したところ、ウェハのチッピングによって生じた破片が光導波路層を押し上げることによって、光導波路層がウェハから剥離していることを見出した。
【００３６】
これに対し、本実施形態の光導波路基板１では、光導波路層５の側面５ａ及び５ｂそれぞれが、基板３の側面３ｂ及び３ｃそれぞれよりも基板３の中央寄りに設けられている。これにより、光導波路層５が形成されたウェハ４を基板単位に切断する際（図６（ａ）〜図６（ｃ）参照）に、主面３ａの縁（すなわちウェハ４の切断部分）においてチッピングによる欠けや割れが生じても、その影響が光導波路層５に及び難い。従って、この光導波路基板１によれば、ウェハ４を切断する際の光導波路層５の剥離を抑制することができる。
【００３７】
ここで、図８（ａ）〜図８（ｃ）は、光導波路基板１の別の効果を説明するための図である。光導波路基板１では、側面５ａ及び５ｂがそれぞれ側面３ｂ及び３ｃよりも基板中央寄りに設けられていることにより、側面５ａ及び５ｂの横の空間が接着剤溜まりの役割を果たす。すなわち、図８（ａ）に示すように、コア７３及びクラッド７５からなる光ファイバ７１などの光学部品と光導波路基板１とを結合する際には、光ファイバ７１の側面７１ａと基板３の側面３ｂとを当接させるとともに、側面７１ａと光導波路層５の側面５ａとの間に生じる空間に光透過性の接着剤７７を流し込むことにより、光ファイバ７１と光導波路基板１とを好適に結合することができる。また、接着剤７７の屈折率を光ファイバ７１のコア７３の屈折率及び光導波路層５のコア部７の屈折率の間の値とすることにより、光ファイバ７１と光導波路基板１との間の結合損失を低減できる。
【００３８】
これに対し、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、光導波路層の側面と基板の側面とが同一面内にある場合には、光ファイバ７１のコア７３と光導波路層のコア部との間に接着剤７７が介在できない（図８（ｂ））、或いは、接着剤７７が光ファイバ７１のコア７３と光導波路層のコア部との間に留まることができず、下方に抜けてしまう（図８（ｃ））といった不都合が生じるおそれがある。本実施形態の光導波路基板１によれば、これらのような不都合は生じず、光ファイバ７１と光導波路基板１とを好適に結合することができる。
【００３９】
また、図９（ａ）及び図９（ｂ）は、光導波路基板１のさらに別の効果を説明するための部分断面図である。光導波路基板１では、側面５ａ及び５ｂがそれぞれ側面３ｂ及び３ｃよりも基板中央寄りに設けられていることにより、光導波路基板１をピンセット６５等で取り扱う際に、光導波路層５の損傷を防げる。ピンセット６５等で光導波路基板１を掴む際には、ピンセット６５が光導波路基板１の側面に対して斜めに接する場合が多い。このとき、光導波路層の側面と基板の側面とが同一面内にある場合には、図９（ｂ）に示すように、ピンセット６５が光導波路層に当たり、光導波路層が損傷するおそれがある。これに対し、本実施形態の光導波路基板１によれば、図９（ａ）に示すように、光導波路層５とピンセット６５との接触を防ぐことができる。従って、この光導波路基板１によれば、光導波路基板１を取り扱う際の光導波路層５の損傷を防止できる。
【００４０】
また、本実施形態のように、主面３ａにおいて、光導波路層５に覆われていない領域３ｅが主面３ａの縁に接して存在することが好ましい。これにより、光導波路層５が形成されたウェハ４を基板単位に切断する際に、主面３ａの縁すなわちウェハ４の主面４ａの切断部分におけるチッピングによる光導波路層５への影響を効果的に抑え、ウェハ４を切断する際の光導波路層５の剥離を好適に抑制することができる。
【００４１】
また、本実施形態による光導波路基板１及びその製造方法では、光導波路層５が形成されたウェハ４を切断する際に、主面４ａ上における光導波路層５が除去された領域４ｂを分割するようにウェハ４を切断している。これにより、ウェハ４のチッピングによる光導波路層５への影響を効果的に抑え、ウェハ４を切断する際の光導波路層５の剥離を好適に抑制することができる。
【００４２】
また、本実施形態のように、光導波路基板１は、基板３の主面３ａにおける光導波路層５に覆われていない領域３ｅのうち、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃを有する光導波路層５の側面５ａに沿った領域３ｅの主面３ａの縁からの幅Ｌ1が、光導波路層５の他の側面５ｂに沿った領域３ｅの主面３ａの縁からの幅Ｌ2よりも小さいことが好ましい。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、幅Ｌ1が幅Ｌ2よりも小さいことによる効果を説明するための図である。光導波路層５の側面５ａに沿った領域３ｅの幅Ｌ1が比較的大きい場合には、図１０（ｂ）に示すように、光ファイバ７１のコア７３の側面７３ａと光導波路層５のコア部７の光入出射端７ａ（または７ｂ，７ｃ）との距離が大きくなり、光ファイバ７１からの光が光入出射端７ａに入射するまでに広がってしまう。従って、光ファイバ７１と光導波路層５との間の結合損失が大きくなってしまう。これに対し、本実施形態の光導波路基板１では、図１０（ａ）に示すように光導波路層５の側面５ａに沿った領域３ｅの幅Ｌ1が比較的小さく設定されているので、コア７３の側面７３ａとコア部７の光入出射端７ａ（または７ｂ，７ｃ）との距離を小さくすることができ、結合損失を低減することができる。
【００４３】
また、領域３ｅの幅Ｌ1が幅Ｌ2よりも小さいことによって、次の効果も得られる。すなわち、図９に示したようにピンセット６５等で光導波路基板１を掴む場合に、比較的大きな幅Ｌ2を有する領域３ｅに沿った基板３の側面３ｃを掴むことにより、光導波路層５の損傷をより効果的に防ぐことができる。
【００４４】
また、本実施形態のように、光導波路層５は、重合体を含んで構成されていてもよい。従来の光導波路基板（例えば図２２参照）では、光導波路層が重合体を含む場合、光導波路層は基板と比べて軟らかいため、ウェハを切断する際にチッピングによって光導波路層が剥がれ易くなる。また、上部クラッド層を積層する際、コア部の分岐部分などの狭小な部分へのボイド（空洞）の混入を防ぐために上部クラッド層を厚く積層することが好ましいが、その結果、ウェハを切断する際にチッピングによって光導波路層がさらに剥がれ易くなってしまう。これに対し、本実施形態の光導波路基板１によれば、光導波路層５が重合体を含む場合であっても光導波路層５の剥離を好適に抑制することができる。
【００４５】
（変形例）
図１１（ａ）は、上記第１実施形態の変形例による光導波路基板１ａを示す平面図である。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す光導波路基板１ａのIV−IV断面を示す断面図である。また、図１１（ｃ）は、図１１（ａ）に示す光導波路基板１ａのＶ−Ｖ断面を示す断面図である。なお、Ｖ−Ｖ断面は、光導波路基板１ａが有するコア部９に沿って設定されている。本変形例による光導波路基板１ａと第１実施形態の光導波路基板１との相違点は、光導波路層の形状である。すなわち、第１実施形態の光導波路層５が埋込み型であるのに対し、本変形例の光導波路層８はリッジ型である。なお、本変形例の基板３の構成は、第１実施形態の基板３の構成と同様である。
【００４６】
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）を参照すると、本変形例の光導波路層８は、第１実施形態の光導波路層５と同様の材料を用いて主面３ａの領域３ｄ上に設けられている。すなわち、光導波路層８は、基板３の主面３ａにおける領域３ｅ以外の領域上に設けられており、領域３ｅは光導波路層８に覆われていない。光導波路層８は、その平面形状が矩形状を呈しており、一対の側面８ａ、及び他の一対の側面８ｂを有する。光導波路層８の側面８ａ及び８ｂは、それぞれ基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板３の中央寄りに設けられている。また、光導波路層８は、コア部９及びクラッド部１５を有する。クラッド部１５は、領域３ｄ上に層状に形成されている。また、コア部９は、クラッド部１５の表面１５ａ上に設けられている。コア部９は、光導波路層８の一対の側面８ａ間を結ぶＹ字形の平面形状を呈しており、一対の側面８ａのうち一方の側面８ａに光入出射端９ａを有し、他方の側面８ａに２つの光入出射端９ｂ及び９ｃを有する。
【００４７】
本変形例による光導波路基板１ａは、上記第１実施形態の光導波路基板１と同様に、次の効果を有する。すなわち、光導波路基板１ａでは、光導波路層８の側面８ａ及び８ｂが基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板３の中央寄りに設けられ、光導波路層８に覆われていない領域３ｅが主面３ａの縁に接して存在することにより、光導波路層８が形成されたウェハを基板単位に切断する際に、主面３ａの縁においてチッピングによる欠けや割れが生じても、その影響が光導波路層８に及び難い。従って、本変形例の光導波路基板１ａによれば、ウェハを切断する際の光導波路層８の剥離を好適に抑制することができる。このように、光導波路層の側面が基板中央寄りに設けられる構成は、埋込み型の光導波路基板１に限らず、リッジ型の光導波路基板１ａにも適用することができる。また、基板上に光導波路層が形成された構成の光導波路基板であれば、他の型の光導波路基板にも適用することが可能である。
【００４８】
（第２の実施の形態）
次に、本発明による光導波路基板及びその製造方法の第２実施形態について説明する。図１２（ａ）は、本実施形態による光導波路基板１ｂの構成を示す平面図である。また、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す光導波路基板１ｂのVI−VI断面を示す断面図である。また、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）に示す光導波路基板１ｂのVII−VII断面を示す断面図である。なお、VII−VII断面は、光導波路基板１ｂが有するコア部７に沿って設定されている。また、本実施形態においては、基板３の構成が第１実施形態の基板３の構成と同様なので、既に説明した図２を参照しながら本実施形態の構成を説明する。
【００４９】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）及び図２を参照すると、本実施形態の光導波路基板１ｂは、基板３及び光導波路層１１を備える。光導波路層１１は、基板３の主面３ａ上に設けられている。光導波路層１１は、主面３ａの領域３ｅ上に薄膜部分１１ｃを有しており、薄膜部分１１ｃは光導波路層１１の他の部分と比較して薄く形成されている。また、光導波路層１１のうち主面３ａの領域３ｄ上に設けられた部分は、一対の側面１１ａ及び別の一対の側面１１ｂを有する矩形状に形成されている。すなわち、側面１１ａ及び１１ｂは、それぞれ基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板３の中央寄りに位置している。言い換えれば、側面１１ａ及び１１ｂは、それぞれ基板３の側面３ｂ及び３ｃからセットバックした位置に設けられている。
【００５０】
光導波路層１１は、クラッド部１７、及びクラッド部１７よりも屈折率が大きいコア部７を有する。クラッド部１７は、基板３の主面３ａにおける領域３ｄ上に層状に形成されるとともに、領域３ｅ上において薄膜部分１１ｃを構成している。また、コア部７は、クラッド部１７の内部に形成されている。なお、コア部７の構成及び形状については、第１実施形態のコア部７の構成及び形状と同様なので、詳細な説明を省略する。また、光導波路層１１を構成する材料についても、第１実施形態の光導波路層５と同様である。
【００５１】
ここで、図１３（ａ）は、光導波路層１１の側面１１ａ付近の拡大断面図である。また、図１３（ｂ）は、光導波路層１１の側面１１ｂ付近の拡大断面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）を参照すると、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃを有する光導波路層１１の側面１１ａに沿った薄膜部分１１ｃの主面３ａの縁からの幅Ｌ3は、他の側面１１ｂに沿った薄膜部分１１ｃの主面３ａの縁からの幅Ｌ4よりも小さく設定されている。言い換えれば、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃを有する光導波路層１１の側面１１ａの、基板３の側面３ｂに対するセットバック幅Ｌ3は、他の側面１１ｂの側面３ｃに対するセットバック幅Ｌ4よりも小さく設定されている。また、薄膜部分１１ｃの厚さｔ1は、コア部７と基板３との間隔ｔ2よりも小さく設定されている。言い換えれば、薄膜部分１１ｃの厚さは、光導波路基板１ｂの製造時に基板３上に積層される下部クラッド層１９ａ（図４参照）よりも薄く形成されている。薄膜部分１１ｃの厚さｔ1の数値例としては、例えばコア部７と基板３との間隔ｔ2＝２０〜５０μｍのとき、ｔ1＜２０μｍであることが好ましい。また、さらに好適には、ｔ2＝２０〜５０μｍのとき、ｔ1＜５μｍであることが好ましい。
【００５２】
続いて、上記実施形態の光導波路基板１の製造方法について図１４〜図１６を参照して説明する。なお、本実施形態においても、第１実施形態において説明したウェハ生産物１０（図３及び図４参照）を用いる。
【００５３】
まず、図１４（ａ）に示すように、下部クラッド層１９ａに底を有する溝をダイシングブレード６１によって形成することにより、下部クラッド層１９ａよりも薄い薄膜部分５１を形成する。このとき、ウェハ４の主面４ａの領域４ｂ上に薄膜部分５１が位置し、薄膜部分５１の幅が領域４ｂの幅と略同様になるように、薄膜部分５１を形成する。このため、ダイシングブレード６１としては、主面４ａの領域４ｂの幅に応じた幅のものを用いるとよい。或いは、図１４（ｂ）に示すような幅の小さなダイシングブレード６２を用いてもよい。この場合には、ダイシングブレード６２を領域４ｂの幅方向に移動させてダイシングを繰り返すことにより、領域４ｂの幅に応じた幅を有する薄膜部分５１を形成するとよい。
【００５４】
続いて、図１５（ａ）に示すように、上記ダイシングブレード６１よりも幅が小さなダイシングブレード６３を用いて、ウェハ４を切断する。このとき、薄膜部分５１（図１４（ａ）、図１４（ｂ）参照）を切断予定ラインＡに沿って分割するようにウェハ４を切断する。或いは、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）に示すような幅の小さなダイシングブレード６４を用いてウェハ４を切断してもよい。この場合には、図１５（ｂ）に示すようにウェハ４を切断した後、図１５（ｃ）に示すようにダイシングブレード６４を領域４ｂの幅方向に移動して切断を繰り返すことによって薄膜部分５１を任意の幅に分割するとよい。こうして、切断予定ラインＡ（図３参照）に沿ってウェハ４が切断され、基板３及び光導波路層１１を備える光導波路基板１ｂが完成する。なお、薄膜部分５１は、分割されることにより光導波路基板１における薄膜部分１１ｃとなる。
【００５５】
ここで、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）を参照して、光導波路基板１ｂの別の製造方法について説明する。ここで説明する工程は、上記製造方法における図１４（ａ）または図１４（ｂ）に示した工程に対応するものであり、他の工程については上記製造方法と同様である。
【００５６】
まず、図１６（ａ）に示すように、ウェハ生産物１０の上部クラッド層１９ｂ上にマスク４１を塗布する。続いて、図１６（ｂ）に示すように、ウェハ４の主面４ａの領域４ｂに対応するマスク４１の部分を除去し、マスク４１に開口４１ａを形成する。このとき、開口４１ａの幅が領域４ｂの幅と略同様になるように、開口４１ａを形成する。
【００５７】
続いて、図１６（ｃ）に示すように、例えばイオン６６をウェハ４の主面４ａ側から衝突させる反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによって、光導波路層２０のうちマスク４１に覆われない部分（すなわち開口４１ａに対応する部分）を下部クラッド層１９ａに達する深さまで除去する。こうして、下部クラッド層１９ａに底を有する溝が形成されることにより、下部クラッド層１９ａよりも薄い薄膜部分５１が形成される。
【００５８】
以降、上記製造方法と同様の工程（図１５（ａ）〜（ｃ）参照）により、基板３及び光導波路層１１を備える光導波路基板１ｂが完成する。
【００５９】
以上に述べた本実施形態による光導波路基板１ｂの効果について説明する。本実施形態の光導波路基板１ｂでは、光導波路層１１の側面１１ａ及び１１ｂそれぞれが、基板３の側面３ｂ及び３ｃそれぞれよりも基板３の中央寄りに設けられている。これにより、光導波路層２０が形成されたウェハ４を基板単位に切断する際に、主面３ａの縁すなわちウェハ４の切断部分においてチッピングによる欠けや割れが生じても、光導波路層１１の剥離を抑制することができる。
【００６０】
ここで、図１７〜図２０は、光導波路基板１ｂ及びその製造方法の上述した効果を実際に示す写真である。図１７は、光導波路基板１ｂの外観の一部を斜め上方から撮影した写真である。図１８は、図１７に示す写真の一部を拡大した写真である。図１９は、光導波路基板１ｂの外観の一部を上方から撮影した写真である。図２０は、光導波路基板１ｂの外観の一部を側方から撮影した写真である。
【００６１】
図１７〜図２０に示すように、本実施形態の光導波路基板１ｂによれば、光導波路層１１の側面１１ａ及び１１ｂが基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板中央寄りに設けられることによって、光導波路層１１の剥離が抑制されていることがわかる。特に、図２０に示すように、基板３の主面３ａの縁にチッピングＣが発生しているにも拘わらず、光導波路層１１の剥離を効果的に抑制できていることがわかる。
【００６２】
また、本実施形態による光導波路基板１ｂは、次の効果を有する。すなわち、光導波路基板１ｂと光ファイバ等の光伝送路とを互いに接合する際に、側面１１ａ及び１１ｂの横の空間が接着剤溜まりの役割を果たし、光ファイバと光導波路基板１ｂとを好適に結合することができる。また、光導波路層１１の側面１１ａ及び１１ｂが基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板中央寄りに設けられることによって、光導波路基板１ｂをピンセット等で掴む際に、光導波路層１１の損傷を防ぐことができる。
【００６３】
また、本実施形態のように、主面３ａの縁に接する領域３ｅ上の光導波路層１１が、薄膜部分１１ｃとなっていることが好ましい。本発明者らは、ウェハ切断時における切断部分付近の光導波路層が薄いほど、ウェハ切断時に光導波路層がウェハ表面から剥がれにくいことを見出した。これは基板と光導波路層の熱膨張係数が異なるため、光導波路層が薄いほどその応力差が小さくなり、剥がれにくいということが理由の一つに挙げられる。従って、本実施形態の光導波路基板１ｂによれば、主面３ａの縁に接する領域３ｅ上の光導波路層１１が薄膜部分１１ｃとなっていることにより、光導波路層２０が形成されたウェハ４を基板単位に切断する際に、主面３ａの縁すなわちウェハ４の主面４ａにおける切断部分においてチッピングによる欠けや割れが生じても、光導波路層１１の剥離を好適に抑制することができる。
【００６４】
また、本実施形態による光導波路基板１ｂ及びその製造方法では、光導波路層２０が形成されたウェハ４を切断する際に、薄膜部分５１を分割するようにウェハ４を切断するので、その際にチッピングによる欠けや割れがウェハ４に生じても、光導波路層１１の剥離を好適に抑制することができる。
【００６５】
また、本実施形態のように、薄膜部分１１ｃの厚さｔ1は、コア部７と主面３ａとの間隔ｔ2よりも小さいことが好ましい。発明者らは、鋭意研究の末、薄膜部分１１ｃの好適な厚さを見出した。すなわち、薄膜部分１１ｃの厚さｔ1が間隔ｔ2よりも小さく設定されることによって、基板３のチッピングによる光導波路層１１の剥離をより効果的に抑制することができる。
【００６６】
また、本実施形態のように、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃを有する光導波路層１１の側面１１ａに沿った薄膜部分１１ｃの主面３ａの縁からの幅Ｌ3は、光導波路層１１の他の側面１１ｂに沿った薄膜部分１１ｃの主面３ａの縁からの幅Ｌ4よりも小さいことが好ましい。これによって、コア部７の光入出射端７ａ〜７ｃと光ファイバ等の光学部品とを結合する際に、基板３の側面３ｂに当接された光学部品の側面と光入出射端７ａ〜７ｃとの距離を短くし、結合損失を低減することができる。また、光導波路基板１ｂをピンセット等で掴む際に、主面３ａの縁からの幅が比較的大きな薄膜部分１１ｃに沿った基板３の側面３ｃを掴むことにより、光導波路層１１の損傷をより好適に防ぐことができる。
【００６７】
（変形例）
図２１（ａ）は、上記第２実施形態の変形例による光導波路基板１ｃを示す平面図である。また、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）に示す光導波路基板１ｃのVIII−VIII断面を示す断面図である。また、図２１（ｃ）は、図２１（ａ）に示す光導波路基板１ｃのIX−IX断面を示す断面図である。なお、IX−IX断面は、光導波路基板１ｃが有するコア部９に沿って設定されている。本変形例による光導波路基板１ｃと第２実施形態の光導波路基板１ｂとの相違点は、光導波路層の形状である。すなわち、第２実施形態の光導波路層１１が埋込み型であるのに対し、本変形例の光導波路層１３はリッジ型である。なお、本変形例の基板３の構成は、第１実施形態の基板３の構成と同様である。
【００６８】
図２１（ａ）〜図２１（ｃ）を参照すると、本変形例の光導波路層１３は、第２実施形態の光導波路層１１と同様の材料を用いて主面３ａ上に設けられている。すなわち、光導波路層１３のうち、薄膜部分１３ｃが主面３ａの領域３ｅ上に設けられており、他の部分が主面３ａの領域３ｄ上に設けられている。光導波路層１３のうち領域３ｄ上に設けられた部分は、その平面形状が矩形状を呈しており、一対の側面１３ａ、及び他の一対の側面１３ｂを有する。光導波路層１３の側面１３ａ及び１３ｂは、それぞれ基板３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板３の中央寄りに設けられている。また、光導波路層１３は、コア部９及びクラッド部１４を有する。クラッド部１４は、主面３ａの領域３ｄ上に層状に形成されるとともに、領域３ｅ上の薄膜部分１３ｃを構成している。また、コア部９は、クラッド部１４の表面１４ａ上に設けられている。コア部９は、光導波路層１３の一対の側面１３ａ間を結ぶＹ字形の平面形状を呈しており、一対の側面１３ａのうち一方の側面１３ａに光入出射端９ａを有し、他方の側面１３ａに２つの光入出射端９ｂ及び９ｃを有する。
【００６９】
本変形例による光導波路基板１ｃは、上記第２実施形態の光導波路基板１ｂと同様に、次の効果を有する。すなわち、光導波路基板１ｃでは、光導波路層１３の側面１３ａ及び１３ｂがそれぞれ主面３の側面３ｂ及び３ｃよりも基板３の中央寄りに設けられ、主面３ａの縁に接する領域３ｅ上の光導波路層１３が薄膜部分１３ｃとなっていることにより、光導波路層が形成されたウェハを基板単位に切断する際に、主面３ａの縁においてチッピングによる欠けや割れが生じても、光導波路層１３の剥離を好適に抑制することができる。
【００７０】
本発明による光導波路基板及びその製造方法は、上記した各実施形態及び変形例に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、コア部の平面形状は、上記各実施形態のようなＹ字形状に限られるものではなく、必要に応じて様々な平面形状に形成してもよい。また、光導波路基板の平面形状は、上記各実施形態のような矩形以外にも、様々な多角形状とすることが可能である。
【００７１】
また、上記各実施形態では、光導波路層の４つの側面全てが基板側面よりも基板中央寄りに設けられているが、光導波路層の側面のうち少なくとも一部の側面が該側面に対応する基板側面よりも基板中央寄りに設けられてもよい。また、主面の縁に接する領域（領域３ｅ）は、上記各実施形態のように主面の縁全体に接するように設定される以外にも、例えば主面の縁の少なくとも一部に接するように設定されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】（ａ）第１実施形態による光導波路基板の構成を示す平面図である。（ｂ）（ａ）に示す光導波路基板のＩ−Ｉ断面を示す断面図である。（ｃ）（ａ）に示す光導波路基板のII−II断面を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の光導波路基板が備える基板の主面を示す平面図である。
【図３】光導波路基板の製造に用いられるウェハ生産物を示す平面図である。
【図４】図３に示すウェハ生産物のIII−III断面を示す拡大断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）第１実施形態の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）第１実施形態の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）第１実施形態の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）第１実施形態の光導波路基板の効果を説明するための図である。
【図９】（ａ），（ｂ）第１実施形態の光導波路基板の効果を説明するための図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）第１実施形態の光導波路基板の効果を説明するための図である。
【図１１】（ａ）第１実施形態の変形例による光導波路基板を示す平面図である。（ｂ）（ａ）に示す光導波路基板のIV−IV断面を示す断面図である。（ｃ）（ａ）に示す光導波路基板のＶ−Ｖ断面を示す断面図である。
【図１２】（ａ）第２実施形態による光導波路基板の構成を示す平面図である。（ｂ）（ａ）に示す光導波路基板のVI−VI断面を示す断面図である。（ｃ）（ａ）に示す光導波路基板のVII−VII断面を示す断面図である。
【図１３】（ａ）光導波路層の側面付近の拡大断面図である。（ｂ）光導波路層の側面付近の拡大断面図である。
【図１４】（ａ），（ｂ）第２実施形態の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）第２実施形態の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）第２実施形態の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１７】光導波路基板の外観の一部を斜め上方から撮影した写真である。
【図１８】図１７に示す写真の一部を拡大した写真である。
【図１９】光導波路基板の外観の一部を上方から撮影した写真である。
【図２０】光導波路基板の外観の一部を側方から撮影した写真である。
【図２１】（ａ）第２実施形態の変形例による光導波路基板を示す平面図である。（ｂ）（ａ）に示す光導波路基板のVIII−VIII断面を示す断面図である。（ｃ）（ａ）に示す光導波路基板のIX−IX断面を示す断面図である。
【図２２】従来の光導波路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２３】（ａ）ポリマーからなる光導波路層が表面上に形成されたＳｉウェハを従来の方法でダイシングしたときに、光導波路層が剥がれた様子を示す外観写真である。（ｂ）（ａ）に示したＳｉウェハ及び光導波路層の断面写真である。
【符号の説明】
【００７３】
１，１ａ〜１ｃ…光導波路基板、３…基板、４…ウェハ、５，８，１１，１３…光導波路層、６，１４，１５，１７…クラッド部、７，９，１８…コア部、１０…ウェハ生産物、１１ｃ，１３ｃ，５１…薄膜部分、１９…クラッド層、１９ａ…下部クラッド層、１９ｂ…上部クラッド層、２０…光導波路層、６１〜６４…ダイシングブレード、６６…イオン。
【図１】
2005309159.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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