(57)【要約】【課題】  酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料との反応を抑制し、安定した成膜を可能とする電極部材、及びこれを備えた成膜装置を提供する。【解決手段】  電極部材４２は、蒸着材料Ｒを保持すると共に、蒸着材料Ｒにプラズマビーム或いは電子ビームを導く。この電極部材４２は、タングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成された電極本体５６と、タングステン系材料から形成されており、電極本体５６の少なくとも蒸着材料Ｒと接触する表面を覆うタングステン層５８と、耐酸化性を有する材料から形成されており、電極本体５６の露出面を被覆する皮膜６０と、を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を保持すると共に、該蒸着材料にプラズマビーム或いは電子ビームを導く電極部材であって、
タングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成された電極本体と、
前記タングステン系材料から形成されており、前記電極本体の少なくとも前記蒸着材料と接触する表面を覆うタングステン層と、
耐酸化性を有する材料から形成されており、前記電極本体の露出面を被覆する皮膜と、
を備えることを特徴とする電極部材。
【請求項２】
前記電極本体を形成する前記導電材料は、銅、銀、アルミ、及びこれらを主成分とする合金のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の電極部材。
【請求項３】
前記皮膜を形成する材料は、白金、金、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミナ、酸化珪素、酸化ジルコニア、及び炭化珪素のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極部材。
【請求項４】
前記電極本体と接触して設けられており、該電極本体を冷却する冷却部材を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電極部材。
【請求項５】
前記蒸着材料は酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電極部材。
【請求項６】
成膜のためのチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板を保持するための基板保持部と、
前記チャンバ内に設けられた請求項１〜５のいずれかに記載の電極部材と、
前記チャンバ内にプラズマビーム或いは電子ビームを供給するエネルギ源と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極部材、及びこれを備えた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマビームを利用した成膜装置として、例えば特許文献１に開示されたものがある。この成膜装置は、蒸着材料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするロッドを保持すると共にプラズマビームを蒸着材料に導く電極部材（ハース）を備えている。
【特許文献１】特開２００２−２４１９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような電極部材では、電極としての導電性と、蒸着材料と反応しない耐食性が求められる。しかしながら、酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料を用いた成膜において、両者を満足するような電極部材の構造は知られていなかった。従って、蒸着材料との反応により電極部材が損傷して、安定した成膜が行えなくなるおそれがあった。
【０００４】
本発明は、上記した事情に鑑みて為されたものであり、酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料との反応を抑制し、安定した成膜を可能とする電極部材、及びこれを備えた成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者は、上記した課題を解決するため鋭意研究し、電極部材の材料として、高融点金属であり金属亜鉛に対する耐食性の高いタングステンを使用することを考えた。しかしながら、タングステンといえども、金属亜鉛でなく酸化亜鉛に対しては反応してＺｎＷＯ４という複合酸化物が形成され、１０９０℃で液相を持つようになり、酸化亜鉛に接触する部分が溶融して、電極部材が損傷するおそれがあることが分かった。このとき、電極部材を介して蒸着材料を冷却して反応が生じない１０００℃以下の温度まで下げることも考えられるが、１０００℃以下では蒸着材料が蒸発しずらく、また蒸着材料の電気抵抗も大きくなって、蒸着材料から電極部材への電流パスが不安定になり、異常放電等の不具合を生じるおそれがあることが分かった。そこで、電極部材の温度を好適に制御して、蒸着材料との接触部分のみが１０００℃以下になるように温度制御することを試みたが、タングステン単体のるつぼでは、このような温度制御が容易でないことが分かった。本発明は、かかる知見に基づいてなされたものである。
【０００６】
本発明に係る電極部材は、蒸着材料を保持すると共に、蒸着材料にプラズマビーム或いは電子ビームを導く。この電極部材は、タングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成された電極本体と、タングステン系材料から形成されており、電極本体の少なくとも蒸着材料と接触する表面を覆うタングステン層と、耐酸化性を有する材料から形成されており、電極本体の露出面を被覆する皮膜と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この電極部材では、電極本体がタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されており、温度制御が容易になっている。また、少なくとも蒸着材料と接触する電極本体の表面は、タングステン系材料から形成されたタングステン層に覆われており、耐食性の向上が図られている。従って、電極本体を冷却して、蒸着材料とタングステン層との接触部分を反応が生じない温度に制御することが容易になり、蒸着材料との反応を抑制して、安定した成膜を図ることが可能となる。また、電極本体の他の露出面は、耐酸化性を有する材料から形成された皮膜により被覆されているため、電極本体を構成する導電材料が蒸発乃至スパッタされて膜に混入することを防止することができる。
【０００８】
本発明に係る電極部材では、電極本体を形成する導電材料は、銅、銀、アルミ、及びこれらを主成分とする合金のいずれかであることを特徴としてもよい。このような導電材料は、導電性が高く、且つタングステン系材料よりも熱伝導性が高いため好ましい。
【０００９】
本発明に係る電極部材では、皮膜を形成する材料は、白金、金、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミナ、酸化珪素、酸化ジルコニア、及び炭化珪素のいずれかであることを特徴としてもよい。このような材料は、耐酸化性が高いため好ましい。
【００１０】
本発明に係る電極部材は、電極本体と接触して設けられており、電極本体を冷却する冷却部材を備えることを特徴としてもよい。このようにすれば、冷却部材を通して電極本体を冷却することができる。
【００１１】
本発明に係る電極部材では、蒸着材料は酸化亜鉛を主成分とすることを特徴としてもよい。この電極部材は、酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料を用いた成膜に好適である。
【００１２】
本発明に係る成膜装置は、成膜のためのチャンバと、チャンバ内に設けられた基板を保持するための基板保持部と、チャンバ内に設けられた上記した電極部材と、チャンバ内にプラズマビーム或いは電子ビームを供給するエネルギ源と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
この成膜装置によれば、酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料を用いた成膜において、電極部材と蒸着材料との反応が抑制され、安定した成膜が可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電極部材と酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料との反応が抑制され、安定した成膜が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る成膜装置としてのイオンプレーティング装置の構成を示す図である。図１に示すように、イオンプレーティング装置１０は、真空チャンバ１２を備えている。
【００１６】
真空チャンバ１２の左側壁部には、ガイド部１２ａを介して、例えば圧力勾配型プラズマ銃のようなプラズマビーム発生器（エネルギ源）１４が取り付けられている。ガイド部１２ａの外側には、プラズマビームＰＢをガイドするためのステアリングコイル１６が設けられている。プラズマビーム発生器１４には、プラズマビームＰＢを収束するための第１中間電極１８及び第２中間電極２０が同心的に配置されている。第１中間電極１８には、磁極軸がプラズマビーム発生器１４の中心軸と平行になるようにして、永久磁石１８ａが内蔵されている。第２中間電極２０には、コイル２０ａが内蔵されている。
【００１７】
プラズマビーム発生器１４は、第１及び第２中間電極１８，２０で規定される通路に繋がる絶縁管（例えば、ガラス管）２２を有している。この絶縁管２２内には、Ｍｏ筒２４が配置されている。Ｍｏ筒２４内には、Ｔａパイプ２６が配置されている。Ｍｏ筒２４とＴａパイプ２６とで規定される空間は、ＬａＢ6 製の環状板２８で隔離されている。上述の絶縁管２２、Ｍｏ筒２４、及びＴａパイプ２６の一端は、導体板部３０に取り付けられている。この導体板部３０に形成されたキャリアガス導入口３０ａから、キャリアガスが導入される。導入されたキャリアガスは、Ｔａパイプ２６を通過する。
【００１８】
真空チャンバ１２内には、成膜される被処理物体としての基板３２が、基板保持部３４に保持されている。この基板３２には、負バイアス用の直流電源３６が接続されている。基板３２に対向して真空チャンバ１２の底壁部上には、陽極部４０が配置されている。
【００１９】
陽極部４０は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であるハース（電極部材）４２と、その周囲に配置された環状の補助陽極４４とを有している。
【００２０】
ハース４２は、導電材料で形成されるとともに、接地された真空チャンバ１２に図示しない絶縁物を介して支持されている。このハース４２は、適当な正電位に制御されており、プラズマビーム発生器１４から出射したプラズマビームＰＢを下方に吸引する。ハース４２は、蒸着材料源である材料ロッドＲが装填される貫通孔４２ａを有している。この材料ロッドＲは、酸化亜鉛を主成分とする膜材料を焼結して固めたものである。材料ロッドＲは、プラズマビームＰＢからの電流によって加熱されて昇華し、基板３２上に酸化亜鉛薄膜を形成するための材料蒸気を発生する。真空チャンバ１２下部には、材料ロッドＲを次々にハース４２の貫通孔４２ａに装填するとともに、装填した材料ロッドＲを徐々に上昇させる材料供給装置４６が設けられている。従って、材料ロッドＲの上端が蒸発して消耗しても、この上端を材料供給装置４６によりハース４２の上端から常に一定量だけ突出させることができる。
【００２１】
補助陽極４４は、ハース４２の周囲にこれと同心に配置された環状の容器４８を有している。この環状容器４８内には、フェライト等で形成された環状の永久磁石５０と、これと同心に積層されたコイル５２とが収納されている。これら永久磁石５０及びコイル５２は、磁場制御部材であり、ハース４２の直上方にカスプ状磁場を形成する。これにより、ハース４２に入射するプラズマビームＰＢの向き等を修正することができる。
【００２２】
補助陽極４４内のコイル５２は電磁石を構成し、図示しない陽極電源装置から給電されて、永久磁石５０により発生する中心側の磁界と同じ向きになるような付加的磁界を形成する。これにより、コイル５２に供給する電流を変化させることができ、ハース４２に入射するプラズマビームＰＢの向きの微調整が可能になる。
【００２３】
補助陽極４４の容器４８も、ハース４２と同様に導電性材料で形成される。この補助陽極４４は、ハース４２に対して図示しない絶縁物を介して取り付けられている。補助陽極４４に印加する電圧を変化させることによって、ハース４２の上方の電界を補的に制御できる。すなわち、補助陽極４４の電位をハース４２と同じにすると、プラズマビームＰＢもこれに引き寄せられてハース４２へのプラズマビームＰＢの供給が減少する。一方、補助陽極４４の電位を真空チャンバ１２と同じ程度に下げると、プラズマビームＰＢがハース４２に引き寄せられて材料ロッドＲが加熱される。
【００２４】
図２は、ハース４２のより詳細な構造を説明する縦断面図である。ハース４２は、ベース部材（冷却部材）５４と、ベース部材５４上に固定される略円錐台状のガイド部材（電極本体）５６とを有している。ベース部材５４とガイド部材５６とは、それぞれに設けた貫通孔の中心を一致させて固定されている。これにより、ハース４２の中心に材料ロッドＲを上方に繰り出すための円筒状の貫通孔４２ａが形成される。
【００２５】
ベース部材５４は、銅、銀、アルミ、これらを主成分とする合金等のタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されており、ガイド部材５６に直接接触して設けられている。このベース部材５４には、冷却水（冷媒）を循環させるためのキャビティＣが設けられている。このキャビティＣに冷却水を循環させベース部材５４を冷却することで、ガイド部材５６を冷却するようになっている。
【００２６】
ガイド部材５６は、銅、銀、アルミ、これらを主成分とする合金等のタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されている。ガイド部材５６は、ベース部材５４と電気的及び機械的に接続されて適当な電位及び温度に維持される。材料ロッドＲと接触するガイド部材５６の貫通孔の表面は、タングステン系の材料（タングステン及びその合金）からなるタングステン層５８により覆われている。同様に、材料ロッドＲと接触するベース部材５４の貫通孔の表面も、タングステン系の材料（タングステン及びその合金）からなるタングステン層５８により覆われている。
【００２７】
ここで、タングステン層５８の厚みは、０．５ｍｍ〜６ｍｍであると好ましい。厚みが０．５ｍｍよりも小さいと、材料ロッドＲが上昇するときに磨耗するおそれがあるからである。一方、厚みが６ｍｍよりも大きいと、材料ロッドＲの冷却効果が低減する傾向にあるである。
【００２８】
これらガイド部材５６及びベース部材５４の貫通孔４２ａへのタングステン層５８の接合は、焼き嵌めや冷やし嵌め等により行うことができる。また、ガイド部材５６及びベース部材５４を形成する材料よりも低融点の金属を挟んで、溶着させてもよい。例えば、ガイド部材５６及びベース部材５４を銅により形成するときには、アルミニウムを間に挟んでタングステン層５８を溶着させてもよい。また、ガイド部材５６及びベース部材５４の貫通孔４２ａへタングステン系材料を溶射して、タングステン層５８を形成してもよい。更に、ガイド部材５６及びベース部材５４の貫通孔４２ａの表面とタングステン層５８の外周面との間にネジを刻設し、ねじ嵌めしてもよい。
【００２９】
また、ガイド部材５６の外部に露出した表面（露出面）は、白金、金、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミナ、酸化珪素、酸化ジルコニア、炭化珪素等の耐酸化性を有する材料からなる皮膜６０により被覆されている。この皮膜６０の形成は、ドライコーティング、湿式メッキ、溶射等のいずれの方法によって形成してもよい。
【００３０】
また、ベース部材５４の外部に露出した上面は、絶縁膜６２により被覆されている。これにより、不要な部分での放電が抑制されている。
【００３１】
再び、図１を参照して、導体板部３０には可変電源６４のマイナス端が接続され、そのプラス端はそれぞれ抵抗器Ｒ１及びＲ２を介して第１及び第２の中間電極１８，２０に接続されている。
【００３２】
また、真空チャンバ１２の右側壁部には、Ａｒガス等のキャリアガスを導入するためのガス導入口１２ｂが形成されると共に、真空チャンバ１２内を排気するための排気口１２ｃが設けられている。
【００３３】
次に、上記したイオンプレーティング装置１０の作用及び効果について説明する。
【００３４】
上述のイオンプレーティング装置１０では、キャリアガス導入口３０ａからキャリアガスが導入されると、第１中間電極１８とＭｏ筒２４との間で放電が始まる。これによって、プラズマビームＰＢが生成される。このプラズマビームＰＢは、ステアリングコイル１６と真空チャンバ１２内の陽極部４０にガイドされて、ハース４２に到達する。
【００３５】
ハース４２にプラズマビームＰＢが与えられると、ハース４２の上端に達している材料ロッドＲが加熱されて蒸発する。この蒸発金属粒子は、プラズマビームＰＢによって励起、イオン化されて、基板３２の表面に到達する。これにより、基板３２上に酸化亜鉛薄膜が形成される。このとき、基板３２にバイアス電圧を印加してもよい。
【００３６】
なお、材料ロッドＲは、押し上げ棒７０が駆動機構７２により上下方向に駆動されることで、ハース４２上端に連続的に供給される。
【００３７】
上記したような成膜中には、ベース部材５４のキャビティＣに冷却水を循環させ、ベース部材５４を冷却する。これにより、ベース部材５４に接触したガイド部材５６が冷却される。その結果、ベース部材５４及びガイド部材５６の貫通孔４２ａの表面を覆うタングステン層５８を通し、反応が生じないように材料ロッドＲの表面が１０００℃以下の適切な温度に制御される。材料ロッドＲのその他の部分は、プラズマビームＰＢにより加熱され１０００℃以上に維持されて、蒸発が促進されると共に、電気抵抗の低減が図られて異常放電等の不具合が回避される。
【００３８】
このように本実施形態に係るイオンプレーティング装置１０では、ハース４２のガイド部材５６が銅、銀、アルミ、これらを主成分とする合金等のタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されており、温度制御が容易になっている。また、材料ロッドＲと接触するガイド部材５６及びベース部材５４の貫通孔４２ａの表面は、タングステン系材料から形成されたタングステン層５８により覆われている。従って、材料ロッドＲのタングステン層５８と接する部分のみの温度を１０００℃以下の温度に制御することが容易になり、材料ロッドＲとの反応を抑制して、安定した成膜が可能となる。
【００３９】
また、ガイド部材５６の他の露出面は、白金、金、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミナ、酸化珪素、酸化ジルコニア、炭化珪素等の耐酸化性を有する材料から形成された皮膜６０により被覆されているため、ガイド部材５６を構成する導電材料が蒸発乃至スパッタされて膜に混入することを防止することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、上記した第１実施形態と同一の要素には同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００４０】
図３は、第２実施形態に係る成膜装置としてのイオンプレーティング装置が備えるるつぼ（電極部材）の構成を示す縦断面図である。なお、第２実施形態に係るイオンプレーティング装置１０が備える電極部材としてのるつぼ８０は、蒸着材料のタブレットＴが無くなると成膜を止めて補充するといった、いわゆるバッチ式のるつぼであり、第１実施形態に係るイオンプレーティング装置１０が備える連続式のハース４２と構造が異なる。この相違から、本実施形態に係るイオンプレーティング装置１０では、蒸着材料を連続して供給するための材料供給装置４６が省略される。それ以外の構成は、第１実施形態に係るイオンプレーティング装置１０と同様であるため、重複する説明を省略する。
【００４１】
本実施形態のるつぼ８０について更に詳細に説明すると、るつぼ８０は、ベース部材（冷却部材）８２と、ベース部材８２上に固定される略円柱状のるつぼ本体（電極本体）８４とを有している。
【００４２】
ベース部材８２は、銅、銀、アルミ、これらを主成分とする合金等のタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されており、るつぼ本体８４に直接接触して設けられている。このベース部材８２には、冷却水（冷媒）を循環させるためのキャビティＣが設けられている。このキャビティＣに冷却水を循環させベース部材８２を冷却することで、るつぼ本体８４を冷却するようになっている。
【００４３】
るつぼ本体８２は、銅、銀、アルミ、これらを主成分とする合金等のタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されている。るつぼ本体８２の上面には、蒸着材料としてのタブレットＴを載置するための溝８６が凹設されている。るつぼ本体８４は、ベース部材８２と電気的及び機械的に接続されて適当な電位及び温度に維持される。蒸着材料のタブレットＴと接触する溝８６の表面は、タングステン系の材料（タングステン及びその合金）からなるタングステン層８８により覆われている。本実施形態では、溝８６の底壁及び側壁ともにタングステン層８８により覆われている。このタングステン層８８の厚みも、０．５ｍｍ〜６ｍｍであると好ましい。
【００４４】
るつぼ本体８４の溝８６へのタングステン層８６の接合は、焼き嵌めや冷やし嵌め等により行うことができる。また、るつぼ本体８４を形成する材料よりも低融点の金属を挟んで、溶着させてもよい。また、るつぼ本体８４の溝８６へタングステン系材料を溶射して、タングステン層８８を形成してもよい。更に、るつぼ本体８４の溝８６の表面とタングステン層８８の外側面との間にネジを刻設し、ねじ嵌めしてもよい。
【００４５】
また、るつぼ本体８４の外部に露出した表面（露出面）は、白金、金、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミナ、酸化珪素、酸化ジルコニア、炭化珪素等の耐酸化性を有する材料からなる皮膜９０により被覆されている。この皮膜９０の形成は、ドライコーティング、湿式メッキ、溶射等のいずれの方法によって形成してもよい。
【００４６】
また、ベース部材８２の外部に露出した上面は、絶縁膜９２により被覆されている。これにより、不要な部分での放電が抑制されている。
【００４７】
本実施形態に係るイオンプレーティング装置１０においても、るつぼ本体８４が銅、銀、アルミ、これらを主成分とする合金等のタングステン系材料よりも熱伝導性の高い導電材料から形成されており、温度制御が容易になっている。また、蒸着材料のタブレットＴと接触するるつぼ本体８４の溝８６の表面は、タングステン系材料から形成されたタングステン層８８により覆われている。従って、材料タブレットＴのタングステン層８８と接する部分のみの温度を１０００℃以下の温度に制御することが容易になり、材料タブレットＴとの反応を抑制して、安定した成膜が可能となる。
【００４８】
また、るつぼ本体８４の他の露出面は、白金、金、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミナ、酸化珪素、酸化ジルコニア、炭化珪素等の耐酸化性を有する材料から形成された皮膜９０により被覆されているため、るつぼ本体８４を構成する導電材料が蒸発乃至スパッタされて膜に混入することを防止することができる。
【００４９】
ここで、本実施形態に係るイオンプレーティング装置１０のるつぼ８０において、図４に示すように、側壁が外に向かって広がるように溝８６を設けると好ましい。このようにすれば、材料タブレットＴから蒸発した材料蒸気が広がり易くなり、より安定した成膜が可能となる。なお、図４において、タングステン層８８とるつぼ本体８４との間にある中間層９４は、るつぼ本体８４を形成する材料よりも低融点の金属を挟んで、タングステン層８８をるつぼ本体８４に溶着させたときの層を示している。
【００５０】
上記した第１及び第２実施形態に係るイオンプレーティング装置１０は、酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料を用いて、液晶用の透明導電膜、太陽電池の透明導電膜、タッチパネルの電極膜、ガラスのヒーター素線、透明樹脂板に成膜してなるＥＭＩ対策用の透明電磁遮蔽フィルムなどの形成に好適である。また、紫外線カット皮膜や光触媒効果による汚染防止皮膜の形成に好適である。
【００５１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、上記した実施形態では成膜装置としてイオンプレーティング装置１０について説明したが、単に真空雰囲気下で蒸着を行う成膜装置にも本発明は適用可能である。
【００５２】
また、上記した実施形態では、蒸着材料を蒸発させるエネルギ源としてプラズマビーム発生器１４について説明したが、エネルギ源として電子ビーム発生器を用い電子ビームで蒸着材料を蒸発させるようにしてもよい。
【００５３】
また、上記した第１実施形態ではベース部材５４とガイド部材５６とを別体で構成し、第２実施形態ではベース部材８２とるつぼ本体８４とを別体で構成したが、これらは一体物として形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施形態に係る成膜装置としてのイオンプレーティング装置の構成を示す図である。
【図２】電極部材としてのハースの構成を示す縦断面図である。
【図３】第２実施形態に係るイオンプレーティング装置が備える電極部材としてのるつぼの構成を示す縦断面図である。
【図４】るつぼの変形例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…イオンプレーティング装置、１２…真空チャンバ、１４…プラズマビーム発生器、３２…基板、３４…基板保持部、４２…ハース、５４，８２…ベース部材、５６…ガイド部材、５８，８８…タングステン層、６０，９０…皮膜、８０…るつぼ、８４…るつぼ本体、Ｒ，Ｔ…蒸着材料、ＰＢ…プラズマビーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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