(57)【要約】【課題】  レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。【解決手段】  ｎ−ＩｎＰ基板１０１の上方に形成されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２と、この回折格子層１１２の上方に形成されたＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷ活性層１０３と、この活性層１０３の上に形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６およびｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８を備えたリッジ部１１４とを有する。ここで、回折格子層１１２のバンドギャップエネルギーに相当する波長λｇとレーザ光の発振波長λとは、λ−１５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍの関係を満たす。【選択図】      図１
2005166998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成されたｎ型の回折格子層と、
前記回折格子層の上方に形成され、多重量子井戸構造を含む活性層と、
前記活性層の上に形成され、ｐ型のクラッド層およびｐ型のコンタクト層を備えたリッジ部とを有し、
前記回折格子層のバンドギャップエネルギーに相当する波長λｇとレーザ光の発振波長λとが式（１）
λ−１５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（１）
の関係を満たすことを特徴とするリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項２】
前記波長λｇと前記発振波長λとが式（２）
λ−１００ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（２）
の関係を満たす請求項１に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項３】
前記波長λｇと前記発振波長λとが式（３）
λ−５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（３）
の関係を満たす請求項１または２に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項４】
前記波長λｇと前記発振波長λとが式（４）
λ−２５ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（４）
の関係を満たす請求項１〜３のいずれか１に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項５】
前記発振波長λが式（５）および式（６）
１．２０μｍ≦λ≦１．４５μｍ    ・・・（５）
１．４５μｍ≦λ≦１．６５μｍ    ・・・（６）
の少なくとも一方の関係を満たす請求項１〜４のいずれか１に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項６】
前記回折格子層から前記活性層までの距離ｄが式（７）
０ｎｍ≦ｄ≦２００ｎｍ    ・・・（７）
の関係を満たす請求項１〜５のいずれか１に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項７】
前記回折格子層はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層であり、
前記活性層はＡｌＧａＩｎＡｓ層である請求項６に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項８】
前記回折格子層と前記活性層との間にｎ型のクラッド層が形成されている請求項６に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項９】
前記回折格子層はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層であり、
前記活性層はＡｌＧａＩｎＡｓ層であり、
前記ｎ型のクラッド層はＳおよびＳｉのいずれか一方を不純物として含むｎ−ＩｎＰ層である請求項８に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項１０】
前記回折格子の結合定数κＬが式（８）
３≦κＬ≦５    ・・・（８）
の関係を満たす請求項１〜９のいずれか１に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【請求項１１】
共振器長Ｌが式（９）
２００μｍ≦Ｌ≦３００μｍ    ・・・（９）
の関係を満たす請求項１０に記載のリッジ型分布帰還半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッジ型分布帰還半導体レーザに関し、より詳細には、主として光通信装置の光源として使用されるリッジ型分布帰還半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
リッジ型分布帰還（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ，以下、ＤＦＢという。）半導体レーザは、単一縦モードの安定性が高いことから、光通信装置の光源などに用いられる半導体レーザとして注目されている。
【０００３】
図４は、従来のリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの断面図である（例えば、非特許文献１参照）。図において、４０１はｎ−ＩｎＰ基板、４０２はｎ−ＩｎＰバッファ層、４０３はＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）構造を含む活性層、４０４はｐ−ＩｎＰクラッド層、４０５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層、４０６はｐ−ＩｎＰクラッド層、４０７はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ（Ｂａｎｄ  Ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ  Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）層、４０８はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、４０９はＳｉＯ２絶縁膜、４１０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕアノード電極、そして、４１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕカソード電極である。
【０００４】
アノード電極４１０からカソード電極４１１に順方向電流を流すと、アノード側からホールが、カソード側から電子が、それぞれ活性層４０３に注入される。これにより、活性層４０３内でキャリアの反転分布が生じて光利得が発生する。その結果、活性層４０３に近接して設けられた回折格子層４０５によって自然放出光が帰還され、所定の閾値以上の電流が流れるとレーザ発振に至りレーザ光が放出される。この場合、順方向電流の量を変調することによって、レーザ光の強度を変調することが可能となる。
【０００５】
【非特許文献１】ティー・タキグチ（Ｔ．Ｔａｋｉｇｕｃｈｉ）ら、λ／４シフトのグレーチングを有する高速の１．３μｍ  ＡｌＧａＩｎＡｓ  ＤＦＢ−ＬＤ（Ｈｉｇｈ  ｓｐｅｅｄ  １．３μｍ  ＡｌＧａＩｎＡｓ  ＤＦＢ−ＬＤ  ｗｉｔｈ  λ／４−ｓｈｉｆｔ  ｇｒａｔｉｎｇ）、ＩｎＰおよび関連材料に関する２００１年国際会議  会議録（２００１  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ）、第１３回ＩＰＲＭ、２００１年５月１４日〜１８日、ＷＰ−０３、ｐ．１４０−１４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来のリッジ型ＤＦＢ半導体レーザにあっては、回折格子層はｐ型の半導体層中に形成されていた。ここで、回折格子層を構成するＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップエネルギーに相当する波長λｇをレーザの発振波長λに近づけると、回折格子の結合定数κＬを大きくすることができるので、低い閾値でのレーザ発振を期待することができる。
【０００７】
しかしながら、波長λｇが発振波長λに近づくと、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層内にホールが蓄積しやすくなるとともに、有効質量の軽い電子も活性層を乗り越えて蓄積しやすくなる。このため、回折格子層の内部でレーザ発振に寄与しないキャリアの再結合が多く起こり、レーザの閾値の増大や発光効率の低下などを招くという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型ＤＦＢ半導体レーザを提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的および利点は以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のリッジ型分布帰還半導体レーザは、ｎ型の半導体基板と、この半導体基板の上方に形成されたｎ型の回折格子層と、この回折格子層の上方に形成され、多重量子井戸構造を含む活性層と、この活性層の上に形成され、ｐ型のクラッド層およびｐ型のコンタクト層を備えたリッジ部とを有し、回折格子層のバンドギャップエネルギーに相当する波長λｇとレーザ光の発振波長λとが式（１）の関係を満たすことを特徴とするものである。
【００１１】
λ−１５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（１）
【発明の効果】
【００１２】
この発明は以上説明したように、リッジ型分布帰還半導体レーザが、ｎ型の半導体基板と、この半導体基板の上方に形成されたｎ型の回折格子層と、この回折格子層の上方に形成され、多重量子井戸構造を含む活性層と、この活性層の上に形成され、ｐ型のクラッド層およびｐ型のコンタクト層を備えたリッジ部とを有しているので、回折格子層内部でのキャリアの再結合を低減させることができる。したがって、波長λｇの値を発振波長λの値程度まで大きくした場合であっても、レーザ光の発光効率の低下を抑制することが可能となる。
【００１３】
また、本発明によれば、波長λｇと発振波長λとが上記の式（１）の関係を満たしているので、回折格子の結合定数κＬを大きくすることができる。これにより、低い閾値電流でのレーザ発振が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明においては、リッジ型分布帰還半導体レーザが、ｎ型の半導体基板と、この半導体基板の上方に形成されたｎ型の回折格子層と、この回折格子層の上方に形成された活性層と、この活性層の上に形成されてｐ型のクラッド層およびｐ型のコンタクト層を備えたリッジ部とを有する。
【００１５】
図１は、本実施の形態にかかるリッジ型分布帰還（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ，以下、ＤＦＢという。）半導体レーザの斜視図の一例である。また、図２は、図１のリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの断面図である。
【００１６】
図１および図２において、１０１はｎ−ＩｎＰ基板、１０２はｎ−ＩｎＰバッファ層、１１２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層、１１３はｎ−ＩｎＰクラッド層、１０３はＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）構造を含む活性層、１０６はｐ−ＩｎＰクラッド層、１０７はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ（Ｂａｎｄ  Ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ  Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）層、１０８はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、１０９はＳｉＯ２絶縁膜、１１０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕアノード電極、そして、１１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕカソード電極である。
【００１７】
尚、本明細書においては、簡単のために、これらを回折格子層１１２、活性層１０３、アノード電極１１０およびカソード電極１１１と称す場合もある。
【００１８】
図１から分かるように、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１３は、所定の周期で配置された回折格子層１１２の溝を埋め込むようにして、回折格子層１１２と活性層１０３の間に設けられている。そして、アノード電極１１０からカソード電極１１１に順方向電流を流すと、アノード側からホールが、カソード側から電子が、それぞれ活性層１０３に注入される。これにより、活性層１０３内でキャリアの反転分布が生じて光利得が発生する。その結果、活性層１０３に近接して設けられた回折格子層１１２によって自然放出光が帰還され、所定の閾値以上の電流が流れるとレーザ発振に至りレーザ光が放出される。この場合、順方向電流の量を変調することによって、レーザ光の強度を変調することが可能となる。
【００１９】
ここで、レーザ光の発振波長をλとし、回折格子層１１２を構成するＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップエネルギーに相当する波長をλｇとする。波長λｇの値を発振波長λの値に近づけると、回折格子の結合定数κＬの値を大きくすることができるので、レーザ光を発振する際の閾値電流を小さくすることが可能となる。閾値電流の低電流化とシングルモード発振の実現とを両立させる観点からは、結合定数κＬの値が式（２）の関係を満たしていることが好ましい。この場合、レーザの共振器長Ｌは式（３）の関係にあるとすることができる。
【００２０】
３≦κＬ≦５    ・・・（２）
２００μｍ≦Ｌ≦３００μｍ    ・・・（３）
【００２１】
本実施の形態では、回折格子層１１２をｎ型半導体中に形成することを特徴としている。
【００２２】
ホールの有効質量は電子に比べて大きい。したがって、ｐ型半導体中に回折格子層を形成する従来法では、軽い電子が活性層を乗り越えて回折格子層に流れ込むために、回折格子層内でホールと電子の再結合が生じる。一方、ｎ型半導体中に回折格子層を設けた場合には、有効質量の重いホールは活性層を乗り越えて回折格子層に流れ込み難い。すなわち、本実施の形態によれば、回折格子層１１２をｎ型半導体中に形成することによって、回折格子層１１２内部でのホールと電子の再結合を低減させることができる。したがって、波長λｇの値を発振波長λの値程度まで大きくした場合であっても、回折格子層１１２内にホールが蓄積することは殆どない。それゆえ、波長λｇの値を発振波長λの値に近づけることによって、回折格子の結合定数κＬを大きくして低い閾値でのレーザ発振が可能になるとともに、レーザ光の発光効率を大きくすることができる。
【００２３】
ここで、波長λｇと発振波長λとは、式（４）の関係を満たしていることが好ましく、式（５）の関係を満たしていることがより好ましく、式（６）の関係を満たしていることがさらに好ましく、式（７）の関係を満たしていることが最も好ましい。｜λｇ−λ｜の値が小さくなるほど、結合定数κＬの値は大きくなる。
【００２４】
λ−１５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（４）
λ−１００ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（５）
λ−５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（６）
λ−２５ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍ    ・・・（７）
【００２５】
さらに、本実施の形態におけるリッジ型ＤＦＢ半導体レーザでは、発振波長λは、式（８）および式（９）の少なくとも一方の関係を満たしていることが好ましい。
【００２６】
１．２０μｍ≦λ≦１．４５μｍ    ・・・（８）
１．４５μｍ≦λ≦１．６５μｍ    ・・・（９）
【００２７】
以下に、本実施の形態におけるリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの製造方法の一例について、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２８】
まず、ｎ型の半導体基板として、厚さが１００μｍ程度で、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲にあるｎ−ＩｎＰ基板１０１を準備する。
【００２９】
次に、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）法またはＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いて、ｎ−ＩｎＰ基板１０１の表面にｎ−ＩｎＰバッファ層１０２を形成する。ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２の膜厚は１００ｎｍ〜３，０００ｎｍとすることができ、また、そのキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３〜２×１０１８ｃｍ−３とすることができる。
【００３０】
ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２を形成した後は、この上に、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を用いてｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２を形成する。ここで、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２は、本発明におけるｎ型の回折格子層である。ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２の膜厚は２０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができ、そのキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３〜５×１０１８ｃｍ−３とすることができる。その後、例えば、ＳｉＯ２膜からなるハードマスクを用いて、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２をドライエッチングする。これにより、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２を所定の周期で配置されたストライプ状パターンに加工する。
【００３１】
次に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２の上に、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を用いてｎ−ＩｎＰクラッド層１１３を形成する。ここで、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１３のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３〜４×１０１９ｃｍ−３とすることができる。また、回折格子層１１２から、次に形成するＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３までの距離ｄが、式（１０）の関係を満たすようにしてｎ−ＩｎＰクラッド層１１３の膜厚を設定する。ここで、距離ｄは、ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２との界面から測定したｎ−ＩｎＰクラッド層１１３の膜厚とｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２の膜厚の差に等しい。
【００３２】
０ｎｍ≦ｄ≦２００ｎｍ    ・・・（１０）
【００３３】
図１に示すように、本実施の形態では、ストライプ状パターンに形成されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２をｎ側ＩｎＰクラッド層１１３で埋め込んだ構造をとる。これは、従来のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層をｐ−ＩｎＰクラッド層で埋め込む場合に比較すると、良好な埋込み形状になることが実験により判明している。ここで、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１３を形成する際に添加する不純物は、Ｓ（硫黄）またはＳｉ（シリコン）であることが好ましい。埋込み形状が良好なものとなることによって、信頼性に優れた半導体レーザを得ることが可能となる。
【００３４】
一方、本実施の形態においては、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１３はなくてもよい（図３）。
【００３５】
図１において、距離ｄの値が小さくなるほど結合定数κＬの値は大きくなる。したがって、図３に示すように、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２の上にＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３を直接形成した構造であれば、距離ｄはゼロになるので、結合定数κＬの値をより大きくして低い閾値電流の値を得ることが可能となる。
【００３６】
ｎ−ＩｎＰクラッド層１１３を形成した後は、この上に、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を用いてＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３を形成する。ここで、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３は、本発明における多重量子井戸構造を含む活性層である。ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３の膜厚は４００ｎｍ程度とすることができ、その井戸数は４〜１０とすることができる。
【００３７】
次に、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３の上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６をＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を用いて形成する。ここで、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６は、本発明におけるｐ型のクラッド層である。ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６の膜厚は１，４００ｎｍ〜２，０００ｎｍとすることができ、そのキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３〜２×１０１８ｃｍ−３とすることができる。
【００３８】
次に、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６の上に、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を用いてｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ層１０７を形成する。ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ層１０７の膜厚は１００ｎｍ程度とすることができ、そのキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３〜５×１０１８ｃｍ−３とすることができる。
【００３９】
次に、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ層１０７の上に、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を用いてｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８を形成する。ここで、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８は、本発明におけるｐ型のコンタクト層である。ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８の膜厚は１００ｎｍ〜６００ｎｍとすることができ、そのキャリア濃度は１×１０１９ｃｍ−３程度とすることができる。
【００４０】
その後、例えば、ＳｉＯ２膜をマスクとして、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１０３に至るまで、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ層１０７およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６をウェットエッチングする。これにより、幅１．６μｍ〜２．５μｍのストライプ状のリッジ部１１４を形成する。
【００４１】
次に、リッジ部を覆うようにしてＳｉＯ２絶縁膜１０９を全面に形成する。ＳｉＯ２絶縁膜１０９は、スパッタ法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、２００ｎｍ〜８００ｎｍの膜厚で形成することができる。
【００４２】
次に、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８上のＳｉＯ２膜を選択的にエッチング除去して、表面にｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８を露出させる。その後、ｎ−ＩｎＰ基板１０１の表面側全面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕアノード電極１１０を、ｎ−ＩｎＰ基板１０１の裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕカソード電極１１１をそれぞれ形成する。これらは、蒸着法またはスパッタ法を用いて、各膜を積層させることにより形成することができる。また、各電極の膜厚は、１μｍ〜３μｍとすることができる。
【００４３】
以上の工程によって、本実施の形態によるリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施の形態におけるリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの斜視図の一例である。
【図２】本実施の形態におけるリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの断面図の一例である。
【図３】本実施の形態におけるリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの断面図の一例である。
【図４】従来のリッジ型ＤＦＢ半導体レーザの断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０１，４０１  ｎ−ＩｎＰ基板
１０２，４０２  ｎ−ＩｎＰバッファ層
１０３，４０３  活性層
１０６，４０４，４０６  ｐ−ＩｎＰクラッド層
１０７，４０７  ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＢＤＲ層
１０８，４０８  ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１０９，４０９  ＳｉＯ２絶縁膜
１１０，４１０  アノード電極
１１１，４１１  カソード電極
１１２，４０５  回折格子層
１１３  ｎ−ＩｎＰクラッド層
１１４  リッジ部
【図１】
2005166998.tif 000003
【図２】
2005166998.tif 000004
【図３】
2005166998.tif 000005
【図４】
2005166998.tif 000006