(57)【要約】【課題】  本発明は、側鎖を有する高分子錯体を、短時間かつ簡便な工程で工業的規模で製造できる方法を提供する。【解決手段】  金属イオンと有機配位子からなる側鎖を有する高分子錯体の製造方法であって、前記金属イオンを含む金属塩の溶媒として水系溶液を使用し、前記有機配位子の溶媒として特定の誘電率の有機溶媒を用いて、反応を溶液系で行うことを特徴とする側鎖を有する高分子錯体の製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属イオンと複数の有機配位子からなる側鎖を有する高分子錯体の製造方法であって、前記金属イオンを含む金属塩の溶媒として水系溶液を使用し、前記複数の有機配位子の溶媒として誘電率が２．４〜３５である有機溶媒を用いて、反応を溶液系で行うことを特徴とする側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【請求項２】
前記反応に於いて二種類の配位子の比率を制御しながら行う請求項１記載の側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【請求項３】
前記の側鎖を有する高分子錯体が、下式（１）で表される請求項１又は２に記載の側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【化１】
2005200384.tif 000005
（ただし、式中Ｘは２価の遷移金属イオン、Ｌ１、Ｌ２はそれぞれ有機配位子を示す。）
【請求項４】
前記式（１）中のＸが、２価の銅又はニッケルイオンである請求項３記載の側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【請求項５】
前記式（１）中のＬ１が、４，４’−ビピリジル又は１，４−ビス（４−ピリジル）ベンゼンである請求項４記載の側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【請求項６】
前記式（１）中のＬ２が、置換、非置換の安息香酸イオンである請求項３記載の側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【請求項７】
前記式（１）中のＬ２が、安息香酸、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２−メトキシ安息香酸、３−メトキシ安息香酸、４−メトキシ安息香酸、２，４−ジメトキシ安息香酸、２，５−ジメトキシ安息香酸、又は、３，５−ジメトキシ安息香酸のイオンである請求項６記載の側鎖を有する高分子錯体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は側鎖を有する高分子錯体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二つ以上の配位部位を有する有機配位子と金属イオンからなる高分子錯体は、多様な高次構造を有し、導電性材料、磁性材料、非線形光学材料、吸着材料等、各種の用途が期待されている（非特許文献１、２参照）。中でも、近年、柔軟な構造を有する高分子錯体が、外部刺激に応じて構造を変化し、従来の材料とは異なる種々の機能を発現する可能性がある材料として注目を集めている（非特許文献３参照）。そのような高分子錯体の例として、図１及び図２のような側鎖を有する高分子錯体が挙げられる。このような高分子錯体は、基本骨格をなす配位子Ｌ１及び金属イオンと、側鎖をなす配位子Ｌ２からなり、Ｌ２同士が水素結合やπ−π相互作用等の弱い相互作用で結合している特徴を有する（非特許文献４、５参照）。これらの高分子錯体は、弱い結合力で結合しているだけの側鎖Ｌ２の部分でずれが生じ得るため、熱や圧力等の外部刺激に応じて立体構造が変化し、機能も変化する可能性がある。例えば光学材料であれば、温度に応じた屈折率の変化、ガス吸蔵材料であればゲート現象やヒステリシスの発現等である（非特許文献６参照）。
【０００３】
しかし、高分子錯体は、その存在が発見されてから間もない、非常に新しいタイプの物質である。そのため、このような構造を有する錯体の製造方法も手探りの段階と言え、工業プロセス化されたものはほとんどない。
【０００４】
図１又は図２のような側鎖を有する高分子錯体を製造する手法として、原料となる金属塩の溶液と配位子溶液を注意深く２層に成し、数日から数週間の長い時間をかけて２液の界面に高分子錯体を生成させる方法がある。この手法は、高分子錯体の製造法として、多数の報告例があり（非特許文献７、８参照）、かなりの一般性を有していると考えることもできるが、反応は通常、希薄な濃度で行われ、さらに反応完結までに数日から数週間を要するため、製造効率が極めて低く、優れた工業的製法とは言い難い。
【０００５】
この二層の界面で錯体を成長させる方法は、界面で常に低い濃度で金属塩と配位子が混合されるため、熱力学的に好ましい錯体が得られると言う原理に基づく。そのため、使用する原料や溶媒が全く同一で、使用する溶液の濃度や反応温度が同一であったとしても、反応速度を高めるために静置する代わりに、単に原料溶液を攪拌しながら混合したり、加熱をしてしまうと、全く違う錯体が生じたり、機能の低い錯体しかできない場合がある（非特許文献９、１０参照）。即ち、図１、図２のような側鎖を有する高分子錯体を効率よく作る方法を確立することは、困難な場合が多い。
【非特許文献１】北川進、集積型金属錯体、講談社サイエンティフィク、１９２〜２２３頁（２００１）
【非特許文献２】大川尚士、伊藤翼編、集積型金属錯体の科学、化学同人、１３５〜１４３頁（２００３）
【非特許文献３】植村一広、北川進、未来材料、１２月号、４４頁（２００２）
【非特許文献４】Ｔｏｎｇ，  Ｍ，  −Ｌ．  ｅｔ  ａｌ．、Ｉｎｏｒｇ．  Ｃｈｅｍ．、Ｖｏｌ．３９、２２３５  （２０００）
【非特許文献５】Ｄｏｍａｓｅｖｉｔｃｈ，  Ｋ．  Ｖ．  Ｊ．、Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍ．、Ｖｏｌ．１５２、２８０  （２０００）
【非特許文献６】Ｋｉｔａｇａｗａ，  Ｓ．  ｅｔ  ａｌ．、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ  Ｃｈｅｍ．  Ｉｎｔ．  Ｅｄ．、４２８  （２００３）
【非特許文献７】Ｌｕ，  Ｊ．  ｅｔ  ａｌ．、Ｉｎｏｒｇ．  Ｃｈｅｍ．、Ｖｏｌ．３６、９２３（１９９７）
【非特許文献８】Ｐｓｃｈｉｒｅｒ，  Ｎ．  Ｇ．、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ  Ｃｈｅｍ．  Ｉｎｔ．  Ｅｄ．、５８３  （２００２）
【非特許文献９】Ｃａｒｌｕｃｃｉ，  Ｌ．  ｅｔ  ａｌ．、Ｊ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．  Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．、２３９７  （１９９４）
【非特許文献１０】Ｃａｒｌｕｃｃｉ，  Ｌ．  ｅｔ  ａｌ．、Ｊ．  Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．、４５６２  （１９９５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記有機合成上の問題を解決し、側鎖を有する高分子錯体を短時間かつ簡便な工程で工業的規模での製造ができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前述のような問題点を解決すべく、鋭意研究を積み重ねた結果、側鎖を有する高分子錯体を、原料の金属塩の水系溶液と特定の誘電率を有する有機溶媒に溶かした複数の有機配位子を混合して反応させることで製造する方法を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、金属イオンと複数の有機配位子からなる側鎖を有する高分子錯体の製造方法であって、前記金属イオンを含む金属塩の溶媒として水系溶液を使用し、前記複数の有機配位子の溶媒として誘電率が２．４〜３５である有機溶媒を用いて、反応を溶液系で行うことを特徴とする側鎖を有する高分子錯体の製造方法である。また、本方法は、金属塩の水系溶液と有機配位子の特定の誘電率を有する有機溶媒の溶液を混合する際に、２種類の配位子のモル比率を制御しながら合成する製造方法である。
【０００９】
本発明で製造する側鎖を有する高分子錯体は、下記式（１）で表される化合物である。
【００１０】
【化１】
2005200384.tif 000002
【００１１】
（ただし、式中Ｘは二価の遷移金属イオン、Ｌ１，  Ｌ２はそれぞれ有機配位子を示す。）
なお、本発明では、側鎖とは分子の一端しか金属に配位していない配位子を意味し、側鎖を有する高分子錯体とは図１、２のような構造を有する高分子錯体を意味する。
【００１２】
式（１）で表される化合物を製造するための原料を例示する。
【００１３】
原料の１つは、遷移金属イオンＸを含む金属塩である。ここで、Ｘは遷移金属イオンであり、２価の遷移金属イオン、例えば、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛のイオン等が挙げられる。錯体の作り易さと言う点で、好ましくはコバルト、ニッケル、銅、亜鉛のイオンであり、さらに好ましくはニッケルと銅のイオンである。また、Ｘの対イオンとしては１価又は２価の陰イオンが例示でき、例えばＣｌ−、Ｂｒ−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯ２−、ＣＨ３ＣＯ２−、ＮＯ３−、ＳｉＦ６２−、ＧｅＦ６２−、ＳＯ４２−等のイオンが挙げられる。錯体の作り易さと言う点でＢＦ４−、ＰＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯ２−、ＣＨ３ＣＯ２−、ＮＯ３−、ＳｉＦ６２−、ＧｅＦ６２−、ＳＯ４２−であり、さらに好ましくはＢＦ４−、ＰＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯ２−、ＣＨ３ＣＯ２−、ＮＯ３−が挙げられる。これらの対イオンは、単一のものを使用してもよいし、混合使用してもかまわない。例えば、金属塩として銅塩を用いる場合、Ｃｕ（ＢＦ４）２を単独で使用してもよいし、Ｃｕ（ＢＦ４）２とＣｕ（ＯＡｃ）２を混合使用してもかまわない。混合比は任意でよい。
【００１４】
式（１）中のＬ１は有機配位子であり、分子内の比較的離れた位置に２個の配位部位を有する配位子、即ち４，４’−ビピリジル及び分子の両末端に４−ピリジル基を１個ずつ有するような配位子、即ちＡ−Ｂ−Ａ（Ａ＝４−ピリジル基）型の配位子が挙げられる。ここで、Ｂは、−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−（シス及びトランス）、−ＣＯ−ＮＨ−、１，４−フェニレン及び置換フェニレン、１，３−フェニレン及び置換フェニレン、２，５−チオフェニル及びその置換体、２，７−フルオレニル及びその置換体、１，４−ジエチニルベンゼン等が挙げられる。比較的安価に入手可能な点で、４，４’−ビピリジル及び１，４−ビス（４−ピリジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−ピリジル）チオフェン、１，４−ビス（４−ピリジル）アセチレンが好ましく、汎用品として入手容易という点で４，４’−ビピリジルが好ましい。
【００１５】
また、（１）式中Ｌ２は、置換、非置換の安息香酸系配位子（イオン）である。置換安息香酸イオンとしては、官能基が１個又は２個置換した安息香酸イオンが挙げられる。官能基としては、水酸基、アミノ基、アミノメチル基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、アセチル基、アセトキシ基等が例示できる。具体的には２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、２，４−アミノ安息香酸、２，５−アミノ安息香酸、３，５−ジアミノ安息香酸、２−メトキシ安息香酸、３−メトキシ安息香酸、４−メトキシ安息香酸、２，４−ジメトキシ安息香酸、２，５−ジメトキシ安息香酸、３，５−ジメトキシ安息香酸、４−アセトキシ安息香酸、２，４−ジアセトキシ安息香酸、２，５−ジアセトキシ安息香酸、４−アセチル安息香酸、２，４−ジアセチル安息香酸、２，５−ジアセチル安息香酸等のイオンを広く例示できる。化合物が安価に入手でき、化合物の安定性が高い点で、無置換の安息香酸イオン、置換基がヒドロキシ基及びメトキシ基の置換安息香酸イオンが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の方法によれば、側鎖を有する高分子錯体を、短時間かつ簡便な工程で工業的規模での製造をすることができる。即ち、本発明は、側鎖を有する高分子錯体の工業的に優れた製造方法を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の方法では、式（１）で表される化合物を製造するために、原料の金属塩と有機配位子を溶媒に溶かして溶液状態で行う。金属塩を溶かす溶媒としては、水を使用することが重要である。水は、金属塩に配位結合し、安定化するため、有機配位子と混合した際に急激な反応が生じるのを抑制し、副反応を低下させる効果がある。また、水に有機溶媒を混合して使用することも可能である。混合する有機溶媒としては、水と混和する溶媒であり、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、アセトン、１，４−ジオキサン等である。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。これらの中では、アルコール類が良い結果を与える。有機溶媒の混合比は５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下である。
【００１８】
一方、有機配位子Ｌ１及びＬ２を溶かす溶媒としては、誘電率が２．４〜３５、好ましくは５〜２５の有機溶媒が好ましい。その例としては、アセトン、メチルエチルケトン等の脂肪族ケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジメトキシエタン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒等が例示できる。安価に入手できる点で、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメトキシエタンが好ましい。これらの溶媒は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもかまわない。たとえば安価だが誘電率が比較的高いメタノールと、高価だが誘電率の低いジエチルエーテルを混合して使用することは誘電率を適切に保ちながら製造コストを削減できるので好ましい。
【００１９】
誘電率が３５を越える溶媒、例えばアセトニトリルと、３５以下の溶媒、例えばアセトンを混合することで、実質的な誘電率は３５以下にすることが可能であるが、混合溶媒としての誘電率は３５以下にすることができても、依然として副反応を促進する作用を有する誘電率が３５超の溶媒種が混合溶媒中に存在していることには変わりは無いため、誘電率が３５超の溶媒を単独で使用した場合よりは高い収率で目的化合物が得られる可能性があるが、誘電率が２．４〜３５の溶媒を使用した場合よりは副反応が多くなるため、好ましくない。
【００２０】
このように、単独では誘電率が２．４〜３５を外れる溶媒を複数混合することで、溶媒全体としての誘電率が２．４〜３５に入るようにすることは可能であるが、単独では誘電率が２．４〜３５を外れる溶媒は目的とする反応を進める能力が低いため、これらの混合で見かけ上誘電率を合わせただけでは、好ましい結果は得られない。
【００２１】
特定の誘電率を有する有機溶媒が側鎖を有する錯体を製造する溶媒として好ましい理由は、以下のように推定することができる。本発明の側鎖を有する高分子錯体では、カルボン酸型配位子Ｌ２のカルボキシル基が金属イオンと塩を形成している。この結合様式を取る際は、多くの場合いわゆる「ランタン型２核錯体」を形成し、目的とする側鎖を有する高分子錯体にはなり得ない（森和助亮、大村哲陽、佐藤智彦、Ｐｅｔｒｏｔｅｃ、第２６巻２号１０５頁（２００２））。目的とする側鎖を有する高分子錯体を形成させるためには、配位子Ｌ２が適度に電離し、イオン状態となり、金属イオンと結合するような条件に於いて錯体を製造すればよいことになる。ここで使用する有機溶媒の誘電率が３５超であると、カルボン酸配位子のカルボキシル基が非常に電離し易く、即ち目的とする側鎖を有する高分子錯体にならずに、ランタン型錯体の２核錯体を形成してしまうと考えられる。また、誘電率が２．４より低い有機溶媒、即ちヘキサン等は極性が高いカルボン酸配位子Ｌ２を溶かし難く、溶媒として十分に機能しないと考えられる。なお、溶媒の誘電率は化学便覧等により知ることができる。
【００２２】
本発明の反応で用いられる金属塩と有機配位子Ｌ１の混合比率は、金属塩：Ｌ１＝３：１〜１：３のモル比、好ましくは２：１〜１：２のモル比の範囲内である。これ以外の範囲では、目的物の収率が低下し、また、未反応の原料が残留して、目的物の精製が困難になる。
【００２３】
配位子Ｌ１、Ｌ２の使用モル比率はＬ１：Ｌ２＝１：０．２〜１：８、収率の点から好ましくは１：０．４〜１：６である。これ以外の比率で反応を行っても目的とする高分子錯体は得られるが、収率が低下し、副反応も増えるために好ましくない。
【００２４】
誘電率が２５〜３５の比較的高い溶媒、例えばメタノール等を溶媒に用いる場合は、ランタン型の２核錯体を生成するのを抑制するために、誘電率が２５以下の溶媒を使用する場合と比較して、カルボン酸型配位子Ｌ２の使用量を抑制するとよい。即ち、配位子Ｌ１とＬ２のモル比率を１：０．２〜１：３、収率の点から好ましくは１：０．４〜１：２にすると、良好な収率で目的とする側鎖を有する高分子錯体を得ることが可能である。
【００２５】
金属塩の水系溶液及び配位子の有機溶媒溶液の混合方法は、金属塩水溶液に配位子有機溶液を添加しても、その逆でもよい。また、混合に際しては必ずしも溶液で行う必要はなく、例えば、金属塩水溶液に固体の配位子を投入し、同時に溶媒を入れる方法や、反応容器に金属塩を装填した後に、配位子の固体又は溶液を注入し、さらに金属塩を溶かすための水系溶液を注入する等、最終的に反応が実質的に溶媒中で起こる方法であれば、種々の方法が可能である。ただし、金属塩の水系溶液と配位子の有機溶液を滴下混合する方法が、工業的には最も操作が簡便であり、好ましい。なお、安息香酸系配位子Ｌ２の溶解性が低く、溶液を調製するのが困難な場合は、配位子Ｌ１は溶液として添加し、配位子Ｌ２を粉体として投入する方法も好ましい。
【００２６】
溶液の濃度は、金属塩水溶液は４０ｍｍｏｌ／Ｌ〜４ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは８０ｍｍｏｌ／Ｌ〜２ｍｏｌ／Ｌであり、配位子の有機溶液は配位子Ｌ１、Ｌ２それぞれに対し４０ｍｍｏｌ／Ｌ〜３ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは８０ｍｍｏｌ／Ｌ〜１．８ｍｏｌ／Ｌである。これより低い濃度で反応を行っても目的物は得られるが、製造効率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では、溶解性が低下し，反応が円滑に進行しない。
【００２７】
反応温度は−２０〜１２０℃、好ましくは１０〜９０℃である。これより低温で行うと、原料の溶解度が下がるため好ましくない。オートクレーブ等を用いて、より高温で反応を行うことも可能であるが、加熱等のエネルギーコストの割には、収率は向上しないため、実質的な意味はない。
【００２８】
反応終了後は、析出した粉体（結晶）を濾過することで、容易に目的の高分子錯体を得ることができる。また、反応溶液を減圧濃縮することで、目的物の収量を増加させることが可能である。減圧濃縮の条件としては、様々な条件で実施が可能であるが、例えば、温度範囲が１０〜８０℃、エネルギーコスト的に好ましくは２０〜６０℃で行うことができる。
【００２９】
反応は、通常のガラスライニングのＳＵＳ製反応容器及び機械式攪拌機を使用して行うことができる。反応終了後は、濾過、水洗、乾燥を行うことで、目的物質と原料の分離を行い、純度の高い目的物質を製造することが可能である。
【実施例】
【００３０】
表１に示す金属塩の水溶液５０ｍＬ（４０ｍｍｏｌ／Ｌ）に、表１に示す有機溶媒に溶解した４，４’−ビピリジル及び２，５−ジヒドロキシ安息香酸の溶液１００ｍＬ（４，４’−ビピリジルの濃度は４０ｍｍｏｌ／Ｌ、２，５−ジヒドロキシ安息香酸の濃度は表１参照）を、３０分かけて滴下した。その後、室温で２時間攪拌した。その後濾過することで、高分子錯体の粉体を得た（表１）。得られた粉体をパーキンエルマー社製赤外分光装置ｓｙｓｔｅｍ２０００及びＡＴＲアタッチメントを使用して分析した。Ｎｏ．１〜１５（実施例）で得られた錯体は、Ｋｉｔａｇａｗａ，  Ｓ．  ｅｔ  ａｌ．、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ  Ｃｈｅｍ．  Ｉｎｔ．  Ｅｄ．、４２８  （２００３）（前記非特許文献６）に記載の方法より合成した物質と同一である：
【００３１】
【化２】
2005200384.tif 000003
【００３２】
（式中、ｂｐｙは４，４’−ビピリジル、ｄｈｂｃは２，５−ジヒドロキシ安息香酸の脱プロトン体をそれぞれ示す）
であることを確かめた（得られた赤外吸収ピークは、３０６５、２８１１、２７０６、１６１３、１５９６、１５６３、１４８０、１３７５、１３５４、１２７５、１２３４、１１９６、１１３２、１０７２、１０４７、１０１８、９４３、８７７、８１８、７８０、７２７、６３８、６４７ｃｍ−１である。）。即ち、側鎖を有する構造であることを確かめた。
【００３３】
Ｎｏ．１で得られた錯体のガス吸着特性の評価を、多孔質の細孔構造の評価等に一般的に用いられている手法である、３０３Ｋにおける重量法によるメタン高圧吸着等温線測定により行った（電子天秤はＣａｈｎ社製ｃａｈｎ  ｂａｌａｎｃｅ  １１００を使用。メタンの純度としては９９．５％のものをドライアイス−エタノールトラップを通したものを使用）。その結果、Ｋｉｔａｇａｗａ，  Ｓ．  ｅｔ  ａｌ．、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ  Ｃｈｅｍ．  Ｉｎｔ．  Ｅｄ．、４２８  （２００３）（前記非特許文献６）やＯｎｉｓｈｉ，  Ｓ．  ｅｔ  ａｌ．、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｓｃｉ．、１９６、８１  （２００２）と同様に、吸着過程においては１ＭＰａまではメタンの吸着がほとんど生じないが、約１ＭＰａを越えるあたりで急激なガスの吸収が生じる、いわゆるゲート現象が確認された。これは、側鎖のずれに起因する吸着能の変化と考えることができる。
【００３４】
溶媒の誘電率が２．４未満であるヘキサン及び３５超であるアセトニトリルを溶媒に使用したＮｏ．１６、１７（比較例）では、得られた粉体を赤外分光分析した結果、非特許文献６に記載の方法より製造した物質とは異なった赤外吸収ピークとなっており、これらの溶媒では目的物が得られないことが判明した。
【００３５】
【表１】
2005200384.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明で得られる側鎖を有する高分子錯体は、図１のＬ２部が弱い相互作用で結合しているため、外部刺激によって構造が変化し、機能も変化する可能性がある。それを利用し、例えば（１）温度、圧力、磁場の変動に応じて屈折率や導電性が変化する光学材料や導電性材料、（２）ガスの種類、圧力、使用時の温度等の外部刺激に応じて吸着量、吸脱着圧力、ゲート現象やヒステリシス現象が変化するガス吸蔵材料、等に利用できる可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】側鎖を有する高分子錯体の構造例
【図２】側鎖を有する高分子錯体の別の構造例
【図１】
2005200384.tif 000006
【図２】
2005200384.tif 000007