(57)【要約】【課題】  可能な限り高性能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  第１のフレアポイントＦＰ１から後方に向かって延在する補助磁極層８（隣接部８Ａ，非隣接部８Ｂ）と、エアベアリング面４０から第１のフレアポイントＦＰ１を経由して後方に向かって延在する主磁極層１０（先端部１０Ａ，後端部１０Ｂ）とがこの順に積層された積層構造を有するように、磁極層２０を形成する。（１）主磁極層１０が高精度に形成されることに基づいて記録トラック幅が高精度に制御され、（２）主磁極層１０の磁束収容量が増大することに基づいて記録処理が安定に実行され、（３）意図しない情報の消去が防止されることに基づいて記録媒体に記録済みの情報が安定に維持されるため、これらの３つの観点において薄膜磁気ヘッドが高性能化する。【選択図】    図３
2005285228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出すると共に、前記記録媒体対向面から順に、前記記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有する磁極層と、を備え、
前記磁極層が、
その磁極層の幅が前記一定幅領域から前記拡幅領域へ拡がる第１の拡幅位置から後方に向かって延在すると共に、前記拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層と、
その補助磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記記録媒体対向面から順に、前記記録媒体対向面から前記第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有すると共に、前記一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層と、がこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
さらに、前記補助磁極層の周辺に埋設された絶縁層を備え、
前記補助磁極層の前記媒体進行方向側の端面および前記絶縁層の前記媒体進行方向側の端面の双方を含んで平坦面が構成されており、前記主磁極層が前記平坦面に隣接するように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の拡幅位置と前記主磁極層の幅が前記第１の磁極層部分から前記第２の磁極層部分へ拡がる第２の拡幅位置との間の距離ＦＨ（μｍ）と、前記記録媒体対向面と前記第１の拡幅位置との間の距離ＮＨ（μｍ）との間に、０．４０＜ＦＨ／（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立している
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記距離ＦＨ（μｍ）が、０．１μｍよりも大きく、かつ０．８μｍよりも小さい範囲内である
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記補助磁極層が、
前記主磁極層に隣接するように配置され、第１の厚さを有する第３の磁極層部分と、
前記主磁極層に隣接しないように配置され、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有する第４の磁極層部分と、を含んで構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極層が、前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出すると共に、前記記録媒体対向面から順に、前記記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有する磁極層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁極層を形成する工程が、
その磁極層の幅が前記一定幅領域から前記拡幅領域へ拡がる第１の拡幅位置から後方に向かって延在するように、前記拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層をパターン形成する第１の工程と、
その補助磁極層の前記媒体進行方向側に、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記記録媒体対向面から順に、前記記録媒体対向面から前記第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有するように、前記一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層をパターン形成することにより、前記補助磁極層と前記主磁極層とがこの順に積層された積層構造を有するように前記磁極層を形成する第２の工程と、を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、めっき膜を成長させることにより前記主磁極層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程において、磁性材層を形成したのち、その磁性材層をエッチングしてパターニングすることにより前記主磁極層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、
前記補助磁極層およびその周辺を覆うように絶縁層を形成する第３の工程と、
前記補助磁極層および前記絶縁層の双方を研磨することにより、前記補助磁極層の前記媒体進行方向側の端面および前記絶縁層の前記媒体進行方向側の端面の双方を含むように平坦面を形成する第４の工程と、を含み、
前記第２の工程において、前記平坦面上に前記主磁極層を形成する
ことを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の拡幅位置と前記主磁極層の幅が前記第１の磁極層部分から前記第２の磁極層部分へ拡がる第２の拡幅位置との間の距離ＦＨ（μｍ）と、前記記録媒体対向面と前記第１の拡幅位置との間の距離ＮＨ（μｍ）との間に、０．４０＜ＦＨ／（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立するようにする
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記距離ＦＨ（μｍ）が、０．１μｍよりも大きく、かつ０．８μｍよりも小さい範囲内となるようにする
ことを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の工程において、
前記主磁極層に隣接するように配置され、第１の厚さを有する第３の磁極層部分と、
前記主磁極層に隣接しないように配置され、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有する第４の磁極層部分と、を含むように前記補助磁極層を形成する
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の工程が、
全体に渡って前記第１の厚さを有するように、前記補助磁極層を形成するための前駆磁極層をパターン形成する工程と、
前記前駆磁極層上に前記主磁極層を形成する工程と、
前記主磁極層をマスクとして使用し、前記前駆磁極層を選択的にエッチングして掘り下げることにより、前記補助磁極層を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように、前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
媒体進行方向に移動する記録媒体と、この記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドと、を搭載し、
その薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出すると共に、前記記録媒体対向面から順に、前記記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有する磁極層と、を備え、
前記磁極層が、
その磁極層の幅が前記一定幅領域から前記拡幅領域へ拡がる第１の拡幅位置から後方に向かって延在すると共に、前記拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層と、
その補助磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記記録媒体対向面から順に、前記記録媒体対向面から前記第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有すると共に、前記一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層と、がこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびにその薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体（例えばハードディスク；以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、磁気記録装置（例えばハードディスクドライブ）に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みのハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、その薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を実行する磁極層とを備えている。この磁極層は、一般に、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）から後方に向かって延在し、そのエアベアリング面から順に、記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有している。この磁極層の幅が一定幅領域から拡幅領域へ拡がる位置は、「フレアポイント」と呼ばれている。この種の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルに電流が流れると、その薄膜コイルにおいて記録用の磁束が発生する。そして、磁極層から記録媒体に向けて磁束が放出されると、その磁束に基づいて発生した記録用の磁界（垂直磁界）により記録媒体が磁化されるため、その記録媒体に情報が磁気的に記録される。
【０００４】
この垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの構成としては、既にいくつかの態様が提案されている。
【０００５】
具体的には、例えば、スキューに起因するサイドフリンジングの影響を抑制するために、磁極層のうちの記録媒体に対向する対向面が略台形状を有する薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献１参照。）。この薄膜磁気ヘッドでは、互いに別個に形成された２つの磁性構造体、すなわち一定幅領域を規定する主磁極層と、拡幅領域を規定するヨーク層とを含んで磁極層が構成されており、特に、主磁極層のうちの後方部分がヨーク層により部分的に覆われている。
【特許文献１】特開２００２−１９７６１３号公報
【０００６】
また、例えば、ヨーク層上にめっき膜を成長させることにより主磁極層を形成し、そのヨーク層から主磁極層へ磁束を効率よく流すために、ヨーク層の前端面が傾斜または湾曲した薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献２参照。）。この薄膜磁気ヘッドでは、上記した薄膜磁気ヘッドと同様に、互いに別個に形成された主磁極層およびヨーク層を含んで磁極層が構成されており、特に、主磁極層がヨーク層上に部分的に乗り上げている。
【特許文献２】特開２００２−１９７６１１号公報
【０００７】
また、例えば、主磁極層の厚さおよび幅を制御するために、その主磁極層上に非磁性層が配設された薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献３参照。）。この薄膜磁気ヘッドでは、上記した薄膜磁気ヘッドと同様に、互いに別個に形成された主磁極層およびヨーク層を含んで磁極層が構成されており、特に、主磁極層がヨーク層上に部分的にオーバーラップして配設されている。
【特許文献３】特開２００２−１９７６０９号公報
【０００８】
さらに、例えば、磁界勾配を向上させるために、エアベアリング面に近づくにしたがって断面積が次第に小さくなるように構成された磁極層のうちの先端部分（ポールチップ）が、そのポールチップのトレーリング端縁を含む平面よりもリーディング側に位置する薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献４参照。）。この薄膜磁気ヘッドでは、互いに別個に形成された主磁極およびポールチップを含んで磁極層が形成されており、特に、ポールチップが主磁極上に部分的にオーバーラップして配設されている。
【特許文献４】特開２００３−０３６５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの信頼性を高め、その薄膜磁気ヘッドの普及を図るためには、例えば、可能な限り高性能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な製造技術の確立が重要である。
【００１０】
具体的には、第１に、例えば、記録処理の実行部分である磁極層に基づいて記録媒体の記録トラック幅を高精度に制御するために、その磁極層を可能な限り高精度に形成する必要がある。この場合には、特に、磁極層のうち、実質的に記録トラック幅を画定する部分である一定幅領域に対応する部分を高精度に形成することが重要である。
【００１１】
また、第２に、例えば、磁極層において記録処理を安定に実行するために、その磁極層に関して可能な限り磁束収容量を高める必要がある。この場合には、特に、磁極層のうち、磁束の収容部分である拡幅領域に対応する部分から磁束の放出部分である一定幅領域に対応する部分へ磁束を十分かつ円滑に流入させることが重要である。
【００１２】
さらに、第３に、例えば、記録媒体に記録された記録済みの情報を安定に維持するために、磁極層に収容された磁束に起因して記録済みの情報が意図せずに消去されることを可能な限り防止する必要がある。この場合には、特に、磁極層のうち、本来的な磁束の放出部分でない拡幅領域に対応する部分から意図せずに放出される磁束量を低減させることが重要である。
【００１３】
しかしながら、上記した３つの観点において有望な薄膜磁気ヘッドの製造技術が要望されているにもかかわらず、従来の薄膜磁気ヘッドの製造技術では上記した３つの観点において十分に要望を満たし得るとは言いがたいため、その薄膜磁気ヘッドの製造技術に関しては未だ改善の余地が多分にある。特に、記録媒体の面記録密度が加速的に増加している今日の技術背景を考慮すれば、上記した３つの観点において十分な利点が得られる薄膜磁気ヘッドの製造技術の確立は急務である。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、可能な限り高性能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の第２の目的は、可能な限り高性能化を実現することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【００１６】
さらに、本発明の第３の目的は、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載し、可能な限り高性能化を実現することが可能な磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出すると共に、記録媒体対向面から順に、記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有する磁極層とを備え、磁極層が、その磁極層の幅が一定幅領域から拡幅領域へ拡がる第１の拡幅位置から後方に向かって延在すると共に、拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層と、その補助磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在し、記録媒体対向面から順に、記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有すると共に、一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層とがこの順に積層された積層構造を有しているものである。
【００１８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造されることに基づいて高性能化する。
【００１９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出すると共に、記録媒体対向面から順に、記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有する磁極層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、磁極層を形成する工程が、その磁極層の幅が一定幅領域から拡幅領域へ拡がる第１の拡幅位置から後方に向かって延在するように、拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層をパターン形成する第１の工程と、その補助磁極層の媒体進行方向側に、記録媒体対向面から後方に向かって延在し、記録媒体対向面から順に、記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有するように、一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層をパターン形成することにより、補助磁極層と主磁極層とがこの順に積層された積層構造を有するように磁極層を形成する第２の工程とを含むようにしたものである。
【００２０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の拡幅位置から後方に向かって延在し、拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層と、その補助磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在し、一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層とがこの順に積層された積層構造を有するように磁極層が形成され、特に、記録媒体対向面から順に、記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有するように主磁極層が形成される。これにより、主磁極層の高精度形成に基づく記録トラック幅の高精度制御、主磁極層の磁束収容量増大に基づく記録処理の安定実行、ならびに意図しない情報の消去防止に基づく情報の安定維持の３つの観点において十分な利点が得られる。
【００２１】
本発明に係る磁気記録装置は、媒体進行方向に移動する記録媒体と、この記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドとを搭載し、その薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出すると共に、記録媒体対向面から順に、記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する一定幅領域と、その一定幅領域の幅よりも大きい幅を有する拡幅領域とを含む平面形状を有する磁極層とを備え、磁極層が、その磁極層の幅が一定幅領域から拡幅領域へ拡がる第１の拡幅位置から後方に向かって延在すると共に、拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層と、その補助磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在し、記録媒体対向面から順に、記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有すると共に、一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層とがこの順に積層された積層構造を有しているものである。
【００２２】
本発明に係る磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載していることに基づいて高性能化する。
【００２３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、めっき膜を成長させることにより主磁極層を形成してもよいし、あるいは磁性材層を形成したのち、その磁性材層をエッチングしてパターニングすることにより主磁極層を形成してもよい。
【００２４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドのまたはその製造方法では、補助磁極層およびその周辺を覆うように絶縁層を形成し、引き続き補助磁極層および絶縁層の双方を研磨することにより、補助磁極層の媒体進行方向側の端面および絶縁層の前記媒体進行方向側の端面の双方を含むように平坦面を形成したのち、その平坦面上に主磁極層を形成するのが好ましい。また、第１の拡幅位置と主磁極層の幅が第１の磁極層部分から第２の磁極層部分へ拡がる第２の拡幅位置との間の距離ＦＨ（μｍ）と、記録媒体対向面と第１の拡幅位置との間の距離ＮＨ（μｍ）との間に０．４０＜ＦＨ／（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立しているのが好ましく、特に、距離ＦＨ（μｍ）が０．１μｍよりも大きく、かつ０．８μｍよりも小さい範囲内であるのが好ましい。この場合には、主磁極層に隣接するように配置され、第１の厚さを有する第３の磁極層部分と、主磁極層に隣接しないように配置され、第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有する第４の磁極層部分とを含むように補助磁極層を形成するのが好ましく、具体的には、全体に渡って第１の厚さを有するように補助磁極層を形成するための前駆磁極層をパターン形成し、引き続き前駆磁極層上に主磁極層を形成したのち、主磁極層をマスクとして使用し、前駆磁極層を選択的にエッチングして掘り下げることにより補助磁極層を形成することが可能である。特に、記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように磁極部分を形成してもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造されることに基づき、可能な限り高性能化を実現することができる。
【００２６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の拡幅位置から後方に向かって延在し、拡幅領域の平面形状を規定する補助磁極層と、その補助磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在し、一定幅領域の平面形状を規定する主磁極層とを含むように磁極層が形成され、特に、記録媒体対向面から順に、記録媒体対向面から第１の拡幅位置を経由して後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、その第１の磁極層部分の幅よりも大きい幅を有する第２の磁極層部分とを有するように主磁極層が形成されることに基づき、主磁極層の高精度形成に基づく記録トラック幅の高精度制御、主磁極層の磁束収容量増大に基づく記録処理の安定実行、ならびに意図しない情報の消去防止に基づく情報の安定維持の３つの観点において十分な利点が得られるため、可能な限り高性能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２７】
本発明に係る磁気記録装置によれば、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載していることに基づき、可能な限り高性能化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１〜図４は薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１は全体の断面構成を示し、図２は主要部の平面構成を示し、図３は主要部の斜視構成を示し、図４は主要部の断面構成の一部を拡大して示している。図１のうち、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面（ＸＺ面に沿った断面）を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面（ＹＺ面に沿った断面）を示している。また、図４では、図２に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成を示している。なお、図１および図３に示した上向きの矢印Ｄは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
【００３０】
以下の説明では、図１〜図４に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図５以降においても同様とする。
【００３１】
この薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向Ｄに移動する例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ；Magneto-resistive ）効果を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１７とがこの順に積層された構成を有している。
【００３２】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された積層構造を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）４０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００３３】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周辺から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面４０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００３４】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周辺から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００３５】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）効果またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）効果などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものである。
【００３６】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層９，１１により周辺を埋設された磁極層２０と、磁気連結用の開口（バックギャップ１２ＢＧ）が設けられたギャップ層１２と、絶縁層１４により埋設された薄膜コイル１３と、ライトシールド層３０とがこの順に積層された構成を有している。
【００３７】
磁極層２０は、薄膜コイル１３において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより磁気的処理（記録処理）を実行するものであり、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１２に設けられたバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在している。
【００３８】
この磁極層２０は、図２に示したように、エアベアリング面４０から順に、記録媒体の記録トラック幅を画定する極微小な一定幅Ｗ１（Ｗ１＝約０．１μｍ〜０．３μｍ）を有する一定幅領域Ｒ１と、その一定幅領域Ｒ１の幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する拡幅領域Ｒ２とを含む平面形状を有している。この磁極層２０の幅が一定幅領域Ｒ１から拡幅領域Ｒ２へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「第１のフレアポイントＦＰ１（第１の拡幅位置）」である。
【００３９】
特に、磁極層２０は、例えば、図１〜図３に示したように、絶縁層９により周辺を埋設された補助磁極層８と、絶縁層１１により周辺を埋設された主磁極層１０とがこの順に積層され、すなわち補助磁極層８のトレーリング側に主磁極層１０が配置された積層構造を有している。この「トレーリング側」とは、図１および図３に示した媒体進行方向Ｄに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側（媒体進行方向Ｄ側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における上側をいう。これに対して、流れの流入する側（媒体進行方向Ｄ側と反対側）は「リーディング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における下側をいう。なお、図２および図３では、薄膜磁気ヘッドのうち、磁極層２０およびその周辺部分の構成を示している。
【００４０】
補助磁極層８は、主要な磁束の収容部分として機能するものであり、例えば、鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。この鉄コバルト系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。この補助磁極層８は、エアベアリング面４０よりも後退した位置から後方に向かって延在し、具体的には第１のフレアポイントＦＰ１からバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、主磁極層１０に隣接して連結されている。なお、「連結」とは、物理的に接触して連結され、かつ磁気的に導通可能に連結されていることを表しており、この「連結」の意味合いは、以降の説明においても同様である。エアベアリング面４０を基準とした補助磁極層８の後退距離（すなわち後述するネックハイトＮＨ）は、約０．０５μｍ〜０．５μｍである。この補助磁極層８のトレーリング側の端面は、例えば、絶縁層９のトレーリング側の端面と共に平坦化されており、すなわち補助磁極層８のトレーリング側の端面および絶縁層９のトレーリング側の端面の双方を含んで平坦面Ｍ１が構成されている。
【００４１】
特に、補助磁極層８は、拡幅領域Ｒ２の平面形状を規定しており、例えば、図２および図３に示したように、拡幅領域Ｒ２に対応する幅Ｗ２を有している。具体的には、補助磁極層８の幅は、例えば、後方において一定幅Ｗ２であると共に、前方において第１のフレアポイントＦＰ１へ近づくにしたがって幅Ｗ２から幅Ｗ１へ次第に狭まっている。この補助磁極層８では、例えば、図３に示したように、主磁極層１０に隣接している領域部分の厚さに対して、その領域部分以外の領域部分（主磁極層１０に隣接していない領域部分）の厚さが薄くなっており、すなわち補助磁極層８は、例えば、主磁極層１０に隣接するように配置され、厚さＴ１（第１の厚さ）を有する隣接部８Ａ（第３の磁極層部分）と、主磁極層１０に隣接しないように配置され、隣接部８Ａの厚さＴ１よりも小さい厚さＴ２（Ｔ２＜Ｔ１；第２の厚さ）を有する非隣接部８Ｂ（第４の磁極層部分）とを含んで構成されている。この補助磁極層８に設けられた厚さの差異、すなわち隣接部８Ａの厚さＴ１と非隣接部８Ｂの厚さＴ２との差異（Ｔ１−Ｔ２）は、約０．０５μｍ以上、好ましくは約０．０５μｍ〜０．１５μｍである。なお、非隣接部８Ｂの厚さＴ２は、例えば、補助磁極層８の形成工程中においてエッチング処理の影響を受けて、主磁極層１０のうちの後述する先端部１０Ａから幅方向（Ｘ軸方向）へ離れるにしたがって次第に薄くなっており、すなわち非隣接部８Ｂは、先端部１０Ａから離れるにしたがって次第に落ち込むように傾斜している。
【００４２】
主磁極層１０は、主要な磁束の放出部分として機能するものであり、例えば、補助磁極層８と同様に、鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。この主磁極層１０は、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはエアベアリング面４０からバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在している。
【００４３】
特に、主磁極層１０は、一定幅領域Ｒ１の平面形状を規定しており、例えば、図２および図３に示したように、エアベアリング面４０から順に、エアベアリング面４０から第１のフレアポイントＦＰ１を経由して後方に向かって延在し、一定幅領域Ｒ１に対応する幅Ｗ１を有する先端部１０Ａ（第１の磁極層部分）と、その先端部１０Ａの後方に連結され、先端部１０Ａの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ１）を有する後端部１０Ｂ（第２の磁極層部分）とを含んで構成されている。なお、後端部１０Ｂの幅Ｗ３は、上記したように先端部１０Ａの幅Ｗ１よりも大きい一方で、補助磁極層８の幅Ｗ２よりも小さくなっている（Ｗ１＜Ｗ３＜Ｗ２）。この主磁極層１０の幅が先端部１０Ａから後端部１０Ｂへ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能に関与する「第２のフレアポイントＦＰ２（第２の拡幅位置）」である。
【００４４】
先端部１０Ａは、薄膜コイル１３において発生した磁束を記録媒体に向けて実質的に放出する部分であり、エアベアリング面４０に露出した露出面Ｍ２を有している。この露出面Ｍ２、例えば、図３に示したように、トレーリング側からリーディング側に向かって次第に幅が狭まる形状を有しており、すなわちトレーリング側に位置して幅Ｗ１を有する端縁（トレーリングエッジ）ＴＥを上底とし、かつリーディング側に位置して幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ５（Ｗ５＜Ｗ１）を有する端縁（リーディングエッジ）ＬＥを下底とする左右対象な逆台形状を有している。この先端部１０ＡのトレーリングエッジＴＥは、磁極層１０のうちの実質的な記録箇所である。なお、先端部１０Ａは、例えば、長さ方向（Ｙ軸方向）において位置によらずに露出面Ｍ２に対応する断面形状を有している。
【００４５】
後端部１０Ｂは、補助磁極層８に収容された磁束の一部を収容して先端部１０Ａへ供給する部分である。この後端部１０Ｂの幅は、例えば、後方において一定幅Ｗ３であると共に、前方において第２のフレアポイントＦＰ２へ近づくにしたがって幅Ｗ３から幅Ｗ１へ次第に狭まっている。
【００４６】
第１のフレアポイントＦＰ１に基づいて規定される距離、すなわちエアベアリング面４０と第１のフレアポイントＦＰ１との間の距離は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「ネックハイトＮＨ（μｍ）」である。また、第２のフレアポイントＦＰ２に基づいて規定される距離、すなわち第１のフレアポイントＦＰ１と第２のフレアポイントＦＰ２との間の距離は、薄膜磁気ヘッドの記録性能に関与する「フレアハイトＦＨ（μｍ）」である。これらのフレアハイトＦＨとネックハイトＮＨとの間には、例えば、ＮＨ≦ＦＨ、ならびに０．４０＜ＦＨ／（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立している。この関係に基づき、例えば、ネックハイトＮＨ＝０．１５μｍである場合には、フレアハイトＦＨは約０．１μｍよりも大きく、かつ０．８μｍよりも小さい範囲内（０．１μｍ＜ＦＨ＜０．８μｍ）であるのが好ましい。
【００４７】
絶縁層９は、補助磁極層８を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。この絶縁層９では、例えば、図３に示したように、補助磁極層８と同様に、主磁極層１０に隣接している領域部分の厚さに対して、その領域部分以外の領域部分（主磁極層１０に隣接していない領域部分）の厚さが薄くなっている。この絶縁層９のトレーリング側の端面は、例えば、上記したように、補助磁極層８のトレーリング側の端面と共に平坦面Ｍ１を構成している。
【００４８】
絶縁層１１は、主磁極層１０を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００４９】
ギャップ層１２は、磁極層２０とライトシールド層３０とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１２は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
【００５０】
薄膜コイル１３は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１３は、例えば、図２に示したように、バックギャップ１２ＢＧを中心として巻回する巻回構造を有している。なお、図１および図２では、薄膜コイル１３を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００５１】
絶縁層１４は、薄膜コイル１３を覆って周辺から電気的に分離するものであり、バックギャップ１２ＢＧを塞がないようにギャップ層１２上に配設されている。この絶縁層１４は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成されており、その端縁近傍部分は丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層１４の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」であり、エアベアリング面４０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離は「スロートハイトＴＨ」である。なお、図１および図２では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰが第１のフレアポイントＦＰ１に一致しており、すなわちスロートハイトＴＨがネックハイトＮＨに一致している場合を示している。
【００５２】
ライトシールド層３０は、磁極層２０から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。このライトシールド層３０は、磁極層２０のトレーリング側においてエアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはエアベアリング面４０に近い側においてギャップ層１２により磁極層２０から隔てられると共にエアベアリング面４０から遠い側においてバックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に連結されるように延在している。特に、ライトシールド層３０は、例えば、互いに別体をなす２つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するＴＨ規定層１５と、このＴＨ規定層１５から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層１６とを含んで構成されている。
【００５３】
ＴＨ規定層１５は、ギャップ層１２に隣接し、エアベアリング面４０からこのエアベアリング面４０とバックギャップ１２ＢＧとの間の位置、具体的にはエアベアリング面４０と薄膜コイル１３との間の位置まで延在している。このＴＨ規定層１５は、例えば、パーマロイまたは鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、例えば、図２に示したように、磁極層２０の幅Ｗ２よりも大きい幅Ｗ４（Ｗ４＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状を有している。このＴＨ規定層１５には薄膜コイル１３を埋設している絶縁層１４が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１５は絶縁層１４の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定し、具体的にはスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
【００５４】
ヨーク層１６は、絶縁層１４を覆うようにエアベアリング面４０からバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、前方においてＴＨ規定層１５に乗り上げて連結されていると共に後方においてバックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に隣接して連結されている。このヨーク層１６は、例えば、ＴＨ規定層１５と同様に、パーマロイまたは鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、図２に示したように、幅Ｗ４を有する矩形状の平面形状を有している。
【００５５】
次に、図１〜図４を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００５６】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂの薄膜コイル１３に電流が流れると、その薄膜コイル１３において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層２０に収容されたのち、その磁極層２０内を主磁極層１０のうちの先端部１０Ａへ向けて流れる。この際、磁極層２０内を流れる磁束は、その磁極層２０の幅の減少に伴い、第１のフレアポイントＦＰ１において絞り込まれて集束するため、先端部１０Ａの露出面Ｍ２のうちのトレーリングエッジＴＥ近傍に集中する。このトレーリングエッジＴＥ近傍に集中した磁束が先端部１０Ａの露出面Ｍ２から外部へ放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界（垂直磁界）が発生し、この垂直磁界に基づいて記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に情報が磁気的に記録される。なお、情報の記録時には、先端部１０Ａの露出面Ｍ２から放出された磁束の広がり成分がライトシールド層３０に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。このライトシールド層３０に取り込まれた磁束は、バックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に環流される。
【００５７】
一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００５８】
次に、図１〜図１５を参照して、図１〜図４に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図５〜図１５は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、図５〜図１１は図１に対応する断面構成を示し、図１２〜図１５は図３に対応する斜視構成を示している。なお、図１２、図１３、図１４および図１５は、それぞれ図６、図８、図１０および図１１に対応している。
【００５９】
以下では、まず、図１を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図１５を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（磁極層２０）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドを構成する一連の構成要素の材質、寸法ならびに構造的特徴に関しては既に詳述したので、それらの説明を随時省略するものとする。
【００６０】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理またはスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングまたはウェットエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６を埋設したシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、この分離層７上に、絶縁層９，１１により周辺を埋設された磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０）と、バックギャップ１２ＢＧが設けられたギャップ層１２と、薄膜コイル１３を埋設した絶縁層１４と、ライトシールド層３０（ＴＨ規定層１５，ヨーク層１６）とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１７を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面４０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６１】
薄膜磁気ヘッドの主要部を形成する際には、分離層７を形成したのち、まず、図５に示したように、その分離層７上に、後述する前駆磁極層８Ｚを形成するためのフォトレジストパターン５１を形成する。
【００６２】
このフォトレジストパターン５１の形成工程は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、分離層７上に、スパッタリングを使用して電極層としてのシード層（図示せず）を形成する。このシード層の形成材料としては、例えば、前駆磁極層８Ｚの形成材料と同様の磁性材料を使用する。続いて、シード層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を塗布したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、フォトレジストパターン５１を形成する。このフォトレジストパターン５１を形成する際には、前駆磁極層８Ｚの平面形状に対応した開口部５１Ｋを有するようにする。なお、フォトレジストパターン５１の形成材料としては、例えば、ポジ型またはネガ型のいずれのタイプのフォトレジストも使用可能である。
【００６３】
続いて、先工程において形成したシード層と共にフォトレジストパターン５１を使用し、そのフォトレジストパターン５１の開口部５１Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、図５に示したように、前駆磁極層８Ｚをパターン形成する。この前駆磁極層８Ｚは、後工程において研磨処理およびエッチング処理を施されることにより補助磁極層８となる前準備層であり、その補助磁極層８と同様の平面形状を有するものである。この前駆磁極層８Ｚを形成する際には、例えば、補助磁極層８（隣接部８Ａ）の形成厚さＴ１よりも大きい厚さＴ０（Ｔ０＞Ｔ１）を有すると共に、エアベアリング面４０（図１参照）となる位置から約０．０５μｍ〜０．５μｍだけ後退するようにする。もちろん、前駆磁極層８Ｚが厚さＴ０を有すると共にエアベアリング面４０となる位置から約０．０５μｍ〜０．５μｍだけ後退することが可能となるように、先工程においてフォトレジストパターン５１の形成厚さと共に開口部５１Ｋの形成位置を調整しておく。特に、前駆磁極層８Ｚの最前端位置は、第１のフレアポイントＦＰ１を規定する位置となる。
【００６４】
続いて、使用済みのフォトレジストパターン５１を除去することにより、図６および図１２に示したように、分離層７上に前駆磁極層８Ｚのみを残存させる。こののち、例えばイオンミリングを使用し、前駆磁極層８Ｚをマスクとして使用済みのシード層（図示せず）をエッチングすることにより、そのシード層のうちの前駆磁極層８Ｚに対応する領域部分以外の領域部分を選択的に除去する。
【００６５】
続いて、図７に示したように、前駆磁極層８Ｚおよびその周辺の分離層７を覆うように、例えばスパッタリングを使用して絶縁層９を形成する。この絶縁層９を形成する際には、例えば、その絶縁層９の最下面が前駆磁極層８Ｚの最上面よりも高くなるようにし、すなわち前駆磁極層８Ｚを完全に埋設する。
【００６６】
続いて、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用し、絶縁層９と共に前駆磁極層８Ｚを研磨することにより、図８および図１３に示したように、前駆磁極層８Ｚのトレーリング側の端面および絶縁層９のトレーリング側の端面の双方を含むように平坦面Ｍ１を形成する。この平坦面Ｍ１を形成する際には、例えば、前駆磁極層８Ｚの厚さが全体に渡ってＴ０からＴ１になるまで研磨処理を行うようにする。
【００６７】
続いて、図９に示したように、平坦面Ｍ１上に、主磁極層１０を形成するためのフォトレジストパターン５２を形成する。なお、フォトレジストパターン５２（シード層を含む）の形成工程は、先工程において形成したフォトレジストパターン５１の形成工程と同様である。このフォトレジストパターン５２を形成する際には、主磁極層１０の平面形状に対応した開口部５２Ｋを有し、特に、図９（Ａ）に示したように、開口部５２Ｋの開口幅が平坦面Ｍ１に近づくにしたがって次第に狭まるようにする。
【００６８】
続いて、シード層と共にフォトレジストパターン５２を使用し、そのフォトレジストパターン５２の開口部５２Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、図９に示したように、先端部１０Ａおよび後端部１０Ｂを含む主磁極層１０をパターン形成する。この主磁極層１０が形成される際には、開口幅５２Ｋの開口幅が平坦面Ｍ１に近づくにしたがって次第に狭まっているフォトレジストパターン５２の特徴的なパターン構造に基づき、図９（Ａ）に示したように、左右対象な逆台形状の断面形状を有するように先端部１０Ａが形成される。
【００６９】
続いて、使用済みのフォトレジストパターン５２を除去したのち、例えばイオンミリングを使用し、主磁極層１０をマスクとして使用済みのシード層（図示せず）をエッチングすることにより、そのシード層のうちの主磁極層１０に対応する領域以外の領域部分を選択的に除去する。これにより、図１０および図１４に示したように、平坦面Ｍ１上に主磁極層１０のみを残存させる。シード層がエッチングされる際には、マスクとして使用される主磁極層１０のうちの先端部１０Ａが左右対象な逆台形状の断面形状を有していることに基づき、その先端部１０Ａの構造的特徴に起因してエッチング作用の及ぶ範囲に陰となる領域が生じるため、エッチング量は先端部１０Ａから幅方向（Ｘ軸方向）へ離れるにしたがって次第に大きくなる。これにより、先端部１０Ａの近傍領域でシード層が除去された時点において、その先端部１０Ａから離れた領域ではシード層が除去されたのちに前駆磁極層８Ｚおよび絶縁層９まで僅かに掘り下げられることとなるため、先端部１０Ａの周辺領域では、前駆磁極層８Ｚおよび絶縁層９が先端部１０Ａから離れるにしたがって次第に落ち込むように傾斜する。
【００７０】
最後に、主磁極層１０をマスクとして前駆磁極層８Ｚおよび絶縁層９をエッチングして掘り下げることにより、図１１および図１５に示したように、隣接部８Ａ（厚さＴ１）および非隣接部８Ｂ（厚さＴ２）を含む補助磁極層８を形成する。この補助磁極層８を形成する際には、例えば、非隣接部８Ｂの厚さがＴ１からＴ２になるまでエッチング処理を行うようにし、具体的には約０．０５μｍ〜０．１５μｍの深さとなるまで前駆磁極層８Ｚを掘り下げるようにする。これにより、補助磁極層８（隣接部８Ａ，非隣接部８Ｂ）と主磁極層１０（先端部１０Ａ，後端部１０Ｂ）とがこの順に積層された積層構造を有する磁極層２０が完成する。
【００７１】
なお、上記では、説明を簡略化する関係上、図１１および図１５に示した時点で磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０）が実質的に完成することとしているが、厳密には、後工程においてエアベアリング面４０が形成され、すなわち主磁極層１０の露出面Ｍ２（図４参照）が形成された時点において磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０）が最終的に完成する。
【００７２】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のフレアポイントＦＰ１から後方に向かって延在し、拡幅領域Ｒ２の平面形状を規定する補助磁極層８（隣接部８Ａ，非隣接部８Ｂ）と、エアベアリング面４０から第１のフレアポイントＦＰ１を経由して後方に向かって延在し、一定幅領域Ｒ１の平面形状を規定する主磁極層１０（先端部１０Ａ，後端部１０Ｂ）とがこの順に積層された積層構造を有するように磁極層２０を形成したので、以下の３つの観点において利点が得られる結果、可能な限り高性能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７３】
すなわち、第１に、図７〜図１０および図１３，図１４に示したように、前駆磁極層８Ｚおよび絶縁層９の双方を研磨して平坦化することにより平坦面Ｍ１を形成したのち、その平坦面Ｍ１上に主磁極層１０を形成したので、凹凸を有する非平坦面上に主磁極層１０を形成する場合と比較して、主磁極層を１０を高精度に形成することが可能となる。なぜなら、主磁極層１０を形成するために使用されるフォトレジストパターン５２が平坦面Ｍ１上に形成されるため、そのフォトレジストパターン５２を形成するためにフォトレジスト膜を露光した際に、下地（シード層）から生じる反射光の反射角度範囲が狭まり、フォトレジスト膜中の露光領域（開口部５２Ｋとなる領域）が拡大しにくくなるからである。この場合には、特に、主磁極層１０のうち、実質的に記録トラック幅を画定する部分である先端部１０Ａを目標通りの極微小な一定幅Ｗ１となるように高精度に形成することが可能となるため、その先端部１０Ａの幅Ｗ１に基づき、記録媒体の記録トラック幅を高精度に制御することが可能となる。
【００７４】
また、第２に、図２に示したように、極微小な一定幅Ｗ１を有する先端部１０Ａと共に、その先端部１０Ａの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ３を有する後端部１０Ｂを含むように主磁極層１０を形成したので、先端部１０Ａのみを含んで後端部１０Ｂを含まないように主磁極層１０を形成する場合と比較して、主磁極層１０の磁束収容量を高めることが可能となる。なぜなら、極微小な幅Ｗ１に基づいて磁束収容量が小さい先端部１０Ａの後方に、その幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ３に基づいて磁束収容量が大きい後端部１０Ｂが連結されているため、その後端部１０Ｂの存在に基づいて主磁極層１０全体の総磁束収容量が確保されるからである。この場合には、特に、主磁極層１０のうち、後端部１０Ｂを含む磁束の収容部分である拡幅領域Ｒ２から先端部１０Ａを含む主要な磁束の放出部分である一定幅領域Ｒ１へ磁束を十分かつ円滑に流入させることが可能となるため、その十分かつ円滑な磁束の流入に基づき、主磁極層１０において記録処理を安定に実行することが可能となる。
【００７５】
さらに、第３に、図１０，図１１および図１４，図１５に示したように、補助磁極層８のうち、主磁極層１０に隣接する領域部分以外の領域部分を選択的に掘り下げ、すなわち主磁極層１０に隣接配置されて厚さＴ１を有する隣接部８Ａと、主磁極層１０に隣接配置されずに厚さＴ１よりも小さい厚さＴ２を有する非隣接部８Ｂとを含むように補助磁極層８を形成したので、全体に渡って厚さＴ１を有するように補助磁極層８を形成する場合と比較して、補助磁極層８に収容された磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを防止することが可能となる。なぜなら、厚さＴ１に基づいて磁束収容量が大きい隣接部８Ａの前方両側に、その厚さＴ１よりも小さい厚さＴ２に基づいて磁束収容量が小さい非隣接部８Ｂが配置されるため、その非隣接部８Ｂの磁束収容量が意図的に低減されるからである。この場合には、特に、磁極層２０のうち、本来的な磁束の放出部分でない補助磁極層８（非隣接部８Ｂ）から意図せずに放出される磁束量を低減することが可能となるため、その意図しない磁束の放出量の低減に基づき、記録媒体に記録済みの情報を安定に維持することが可能となる。
【００７６】
なお、上記した第３の観点（意図しない情報の消去防止）に関して詳細に説明すれば、例えば、図４に対応する図１６に示したように、全体に渡って厚さＴ１を有するように補助磁極層１０８が構成されている比較例の場合には、その厚さＴ１に基づいて補助磁極層１０８が過大な磁束収容量を有し、すなわち補助磁極層１０８から意図せずに放出される漏れ磁束Ｊの量（漏れ磁界）が大きくなりすぎるため、その漏れ磁束Ｊに起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されやすくなる。これに対して、図４に示したように、厚さＴ１を有する隣接部８Ａと、その厚さＴ１よりも小さい厚さＴ２を有する非隣接部８Ｂとを含むように補助磁極層８が構成されている本実施の形態の場合には、その厚さＴ１，Ｔ２間の差異に基づいて補助磁極層８磁束収容量が適性化され、すなわち補助磁極層８から意図せずに放出される漏れ磁束Ｊの量が意図的に低減されるため、その漏れ磁束Ｊに起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されにくくなる。
【００７７】
上記したように、本実施の形態では、主磁極層１０の高精度形成に基づく記録トラック幅の高精度制御、主磁極層１０の磁束収容量増大に基づく記録処理の安定実行、ならびに意図しない情報の消去防止に基づく情報の安定維持の３つの観点において十分な利点が得られるため、可能な限り高性能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７８】
また、上記した他、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造されるため、上記した３つの観点において利点が得られる。したがって、可能な限り薄膜磁気ヘッドの高性能化を実現することができる。
【００７９】
また、本実施の形態では、ネックハイトＮＨ、すなわちエアベアリング面４０と第１のフレアポイントＦＰ１との間の距離と、フレアハイトＦＨ、すなわち第１のフレアポイントＦＰ１と第２のフレアポイントＦＰ２との間の距離との間に、０．４０＜ＦＨ（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立するようにしたので、垂直磁界強度および先端部１０Ａの形成精度の双方を確保する観点においてネックハイトＮＨおよびフレアハイトＦＨが適性化される。したがって、ネックハイトＮＨおよびフレアハイトＦＨの双方を自由に設定しながら、記録磁界強度および先端部１０Ａの形成精度の双方を確保することができる。この場合には、特に、ネックハイトＮＨ＝０．１５μｍと設定したとき、フレアハイトＦＨを０．１μｍ＜ＦＨ＜０．８μｍと設定することにより、記録磁界強度および先端部１０Ａの形成精度の双方を確保することができる。
【００８０】
なお、本実施の形態では、図９および図１０に示したように、フォトレジストパターン５２を使用してめっき膜を成長させることにより主磁極層１０を形成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、めっき処理に代えてエッチング処理を利用して主磁極層１０を形成してもよい。具体的には、例えば、図１７に示したように、例えばスパッタリングを使用して、主磁極層１０の形成材料を成膜することにより磁性材層５３を形成し、引き続き磁性材層５３上に、例えばアルミナをパターン成膜することにより主磁極層１０の平面形状に対応したパターン形状を有するマスク５４を形成したのち、図１８に示したように、例えばイオンミリングまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）を使用してマスク５４越しに磁性材層５３をエッチングしてパターニングすることにより、主磁極層１０を形成してもよい。この場合においても、上記実施の形態において図１０および図１４を参照して説明した場合と同様に、エッチング処理の影響を受けて前駆磁極層８Ｚおよび絶縁層９が僅かに掘り下げられるため、それらの前駆磁極層８Ｚおよび絶縁層９が先端部１０Ａから離れるにしたがって次第に落ち込むように傾斜する。参考までに、磁性材層５３をエッチングする際には、その磁性材層５３と共にマスク５４が併せてエッチングされることにより目減りするが、例えば、磁性材層５３のパターニングが完了した時点（主磁極層１０が完成した時点）においてマスク５４が残存するようにしてもよいし、あるいはマスク５４が残存せずに消失するようにしてもよい（図１８参照）。この場合においても、所望のパターン形状となるように主磁極層１０を形成することが可能なため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８１】
また、本実施の形態では、図３に示したように、主磁極層１０の露出面Ｍ２が左右対象な逆台形状を有するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、露出面Ｍ２の平面形状は自由に変更可能である。
【００８２】
また、本実施の形態では、図１０および図１１に示したように、主磁極層１０をマスクとして前駆磁極層８Ｚを部分的にエッチングして掘り下げることにより、図３に示したように、互いに異なる厚さを有する隣接部８Ａ（厚さＴ１）および非隣接部８Ｂ（厚さＴ２）を含むように補助磁極層８を形成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１９に示したように、前駆磁極層８Ｚを掘り下げずに、その前駆磁極層８Ｚをそのまま補助磁極層８としてもよい。なお、図１９に示した薄膜磁気ヘッドの構成に関する上記以外の特徴は、例えば、図３に示した場合と同様である。
【００８３】
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法についての説明を終了する。
【００８４】
次に、図２０および図２１を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図２０は磁気記録装置の切り欠き概観構成を表し、図２１は磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
【００８５】
この磁気記録装置は、図２０に示したように、例えば、筐体２００の内部に、情報が記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク（ハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、先端にヘッドスライダ２１０が取り付けられた複数のアーム２０２とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０３を中心として回転可能になっている。アーム２０２は、動力源としての駆動部２０４に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０５を中心として、ベアリング２０６を介して旋回可能になっている。駆動部２０４は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。なお、図２０では、例えば、固定軸２０５を中心として複数のアーム２０２が一体的に旋回するモデルを示している。
【００８６】
ヘッドスライダ２１０は、図２１に示したように、アーム２０２の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が一面（エアベアリング面２２０）に設けられた略直方体状の基体２１１のうち、そのエアベアリング面２２０と直交する一側面（図２１中、右手前側の面）に、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた構成を有している。この薄膜磁気ヘッド２１２は、例えば、上記実施の形態において説明した構成を有するものである。なお、図２１では、ヘッドスライダ２１０のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図２０に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００８７】
なお、薄膜磁気ヘッド２１２の詳細な構成については、上記実施の形態において既に詳細に説明したので、その説明を省略する。
【００８８】
この磁気記録装置では、情報の記録時においてアーム２０２が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）までヘッドスライダ２１０が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記各実施の形態において説明したように動作することにより薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に情報を磁気的に記録する。
【００８９】
この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッド２１２を備えるようにしたので、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置を可能な限り高性能化することができる。
【００９０】
なお、この磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド２１２に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【実施例】
【００９１】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００９２】
上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド（図１〜図４参照；以下、単に「本発明の薄膜磁気ヘッド」という。）を磁気記録装置（図２０および図２１参照）に搭載して記録処理を実行した際の諸特性を調べたところ、以下の一連の結果が得られた。
【００９３】
まず、補助磁極層の構造と記録媒体に記録済みの情報の意図しない消去との間の相関を調べたところ、図２２に示した結果が得られた。図２２は垂直磁界強度分布を表しており、「横軸」は記録位置Ｐ、すなわち主磁極層の配置位置を基準としたときのトラック幅方向の位置を示し、「縦軸」は垂直磁界強度Ｈ（１０3 ／（４π）Ａ／ｍ）を示している。本発明の薄膜磁気ヘッドに関して補助磁極層の構造と記録媒体に記録済みの情報の意図しない消去との間の相関を調べる際には、その性能を比較評価するために、上記実施の形態において図１６に示した比較例の薄膜磁気ヘッドに関しても同様に相関を調べた。図２２に示した「２２Ａ（実線）」は本発明の薄膜磁気ヘッド（図４参照）に関する結果を示し、「２２Ｂ（破線）」は比較例の薄膜磁気ヘッド（図１６参照）に関する結果を示している。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの構成条件としては、補助磁極層の掘り下げ深さ、すなわち補助磁極層を構成する隣接部の厚さと非隣接部の厚さとの間の差異を０．１μｍとした。
【００９４】
図２２に示した結果から判るように、互いに厚さが異なる隣接部および非隣接部を含むように補助磁極層を構成した本発明（２２Ａ）および全体に渡って一律な厚さを有するように補助磁極層を構成した比較例（２２Ｂ）のいずれの場合においても、垂直磁界強度Ｈは記録媒体上の記録対象トラックに対応する記録位置Ｐ（主磁極層の配置位置に対応する記録位置Ｐ１）において最大（ピーク）となり、隣接トラックに対応する記録位置Ｐ（主磁極層の配置位置からトラック幅方向にずれた記録位置Ｐ２）において次第に小さくなるように分布した。しかしながら、本発明と比較例との間で垂直磁界強度Ｈを比較したところ、その垂直磁界強度Ｈは記録対象トラックに対応する記録位置Ｐ１において互いに同程度であったが、隣接トラックに対応する記録位置Ｐ２において比較例よりも本発明において小さくなった。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、互いに厚さが異なる隣接部および非隣接部を含むように補助磁極層を構成することにより、隣接トラックに対応する記録領域において補助磁極層から意図せずに放出される磁束量（不要な垂直磁界強度）が低減するため、記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されにくくなることが確認された。
【００９５】
続いて、フレアハイトと記録特性または主磁極層の加工特性との間の相関を調べたところ、図２３および図２４に示した結果が得られた。図２３は垂直磁界強度のフレアハイト依存性を表しており、「横軸」はフレアハイトＦＨ（μｍ）を示し、「縦軸」は垂直磁界強度Ｈ（１０3 ／（４π）Ａ／ｍ）を示している。また、図２４は主磁極層の形成精度のフレアハイト依存性を表しており、「横軸」はフレアハイトＦＨ（μｍ）を示し、「縦軸」は主磁極層のうちの先端部の形成幅の標準偏差σ（μｍ）を表している。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造条件としては、主磁極層のうちの先端部の目標形成幅＝０．１６μｍ，補助磁極層の掘り下げ深さ＝０．１μｍ，ネックハイトＮＨ＝０．１５μｍ、とした。
【００９６】
図２３に示した結果から判るように、垂直磁界強度ＨはフレアハイトＦＨが大きくなるにしたがって次第に減少した。この図２３に示した結果に基づき、薄膜磁気ヘッドを使用して記録処理を安定に実行する上で９０００×１０3 ／（４π）Ａ／ｍよりも大きい垂直磁界強度Ｈ（Ｈ＞９０００×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ）が必要であるとすると、この条件を満たすフレアハイトＦＨは０．８μｍよりも小さい範囲内（ＦＨ＜０．８μｍ）であることが導き出された。また、図２４に示した結果から判るように、先端部の形成幅の標準偏差σはフレアハイトＦＨが大きくなるにしたがって急激に減少した。この図２４に示した結果に基づき、薄膜磁気ヘッドを安定に製造する上で先端部の形成精度として０．０１５μｍよりも小さい標準偏差σ（σ＜０．０１５μｍ）が必要であるとすると、この条件を満たすフレアハイトＦＨは０．１μｍよりも大きい範囲内（ＦＨ＞０．１μｍ）であることが導き出された。これらのことから、フレアハイトＦＨを０．１μｍよりも大きく、かつ０．８μｍよりも小さい範囲内（０．１μｍ＜ＦＨ＜０．８μｍ）とすることにより、垂直磁界強度と先端部の形成精度との双方が確保されることが確認された。
【００９７】
特に、上記した説明では、図２３および図２４に示した結果に基づき、ネックハイトＮＨ＝０．１５μｍの場合のフレアハイトＦＨの適性範囲（０．１μｍ＜ＦＨ＜０．８μｍ）を特定したが、上記した適性範囲を特定するために利用されたネックハイトＮＨとフレアハイトＦＨとの間の相関関係に基いて関係式を算出すると、それらのネックハイトＮＨとフレアハイトＦＨとの間に０．４＜ＦＨ（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立することが導き出される。このことから、０．４＜ＦＨ（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係式が成立するようにネックハイトＮＨおよびフレアハイトＦＨを設定することにより、ネックハイトＮＨおよびフレアハイトＦＨの双方を自由に設定しながら垂直磁界強度と先端部の形成精度との双方が確保されることが確認された。
【００９８】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態および実施例では、本発明をシールド型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、単磁極型ヘッドに適用してもよい。また、上記実施の形態および実施例では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【００９９】
また、上記実施の形態および実施例では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置は、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を表す斜視図である。
【図４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の断面構成の一部を拡大して表す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する一工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図６に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１３】図８に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１４】図１０に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１５】図１１に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１６】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例の薄膜磁気ヘッドの断面構成の一部を拡大して表す断面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する変形例の一工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する変形例を表す斜視図である。
【図２０】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の切り欠き外観構成を表す斜視図である。
【図２１】図２０に示した磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表す斜視図である。
【図２２】垂直磁界強度分布を表す図である。
【図２３】垂直磁界強度のフレアハイト依存性を表す図である。
【図２４】主磁極層の形成精度のフレアハイト依存性を表す図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１…基板、２，９，１１，１４…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、８Ａ…隣接部、８Ｂ…非隣接部、８Ｚ…前駆磁極層、１０…主磁極層、１０Ａ…先端部、１０Ｂ…後端部、１２…ギャップ層、１２ＢＧ…バックギャップ、１３…薄膜コイル、１５…ＴＨ規定層、１６…ヨーク層、１７…オーバーコート層、２０…磁極層、３０…ライトシールド層、４０，２２０…エアベアリング面、５１，５２…フォトレジストパターン、５１Ｋ，５２Ｋ…開口部、５３…磁性材層、５４…マスク、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…アーム、２０３…スピンドルモータ、２０４…駆動部、２０５…固定軸、２０６…ベアリング、２１０…ヘッドスライダ、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、Ｄ…媒体進行方向、ＦＨ…フレアハイト、ＦＰ１…第１のフレアポイント、ＦＰ２…第２のフレアポイント、Ｊ…漏れ磁束、ＬＥ…リーディングエッジ、Ｍ１…平坦面、Ｍ２…露出面、ＮＨ…ネックハイト、Ｒ１…一定幅領域、Ｒ２…拡幅領域、ＴＥ…トレーリングエッジ、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置。
【図１】
2005285228.tif 000003
【図２】
2005285228.tif 000004
【図３】
2005285228.tif 000005
【図４】
2005285228.tif 000006
【図５】
2005285228.tif 000007
【図６】
2005285228.tif 000008
【図７】
2005285228.tif 000009
【図８】
2005285228.tif 000010
【図９】
2005285228.tif 000011
【図１０】
2005285228.tif 000012
【図１１】
2005285228.tif 000013
【図１２】
2005285228.tif 000014
【図１３】
2005285228.tif 000015
【図１４】
2005285228.tif 000016
【図１５】
2005285228.tif 000017
【図１６】
2005285228.tif 000018
【図１７】
2005285228.tif 000019
【図１８】
2005285228.tif 000020
【図１９】
2005285228.tif 000021
【図２０】
2005285228.tif 000022
【図２１】
2005285228.tif 000023
【図２２】
2005285228.tif 000024
【図２３】
2005285228.tif 000025
【図２４】
2005285228.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように、前記磁極層を形成する
ことを特徴とする請求項７ないし請求項１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、補助磁極層およびその周辺を覆うように絶縁層を形成し、引き続き補助磁極層および絶縁層の双方を研磨することにより、補助磁極層の媒体進行方向側の端面および絶縁層の媒体進行方向側の端面の双方を含むように平坦面を形成したのち、その平坦面上に主磁極層を形成するのが好ましい。また、第１の拡幅位置と主磁極層の幅が第１の磁極層部分から第２の磁極層部分へ拡がる第２の拡幅位置との間の距離ＦＨ（μｍ）と、記録媒体対向面と第１の拡幅位置との間の距離ＮＨ（μｍ）との間に０．４０＜ＦＨ／（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立しているのが好ましく、特に、距離ＦＨ（μｍ）が０．１μｍよりも大きく、かつ０．８μｍよりも小さい範囲内であるのが好ましい。この場合には、主磁極層に隣接するように配置され、第１の厚さを有する第３の磁極層部分と、主磁極層に隣接しないように配置され、第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有する第４の磁極層部分とを含むように補助磁極層を形成するのが好ましく、具体的には、全体に渡って第１の厚さを有するように補助磁極層を形成するための前駆磁極層をパターン形成し、引き続き前駆磁極層上に主磁極層を形成したのち、主磁極層をマスクとして使用し、前駆磁極層を選択的にエッチングして掘り下げることにより補助磁極層を形成することが可能である。特に、記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように磁極を形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
また、本実施の形態では、ネックハイトＮＨ、すなわちエアベアリング面４０と第１のフレアポイントＦＰ１との間の距離と、フレアハイトＦＨ、すなわち第１のフレアポイントＦＰ１と第２のフレアポイントＦＰ２との間の距離との間に、０．４０＜ＦＨ（ＦＨ＋ＮＨ）＜０．８４の関係が成立するようにしたので、垂直磁界強度および先端部１０Ａの形成精度の双方を確保する観点においてネックハイトＮＨおよびフレアハイトＦＨが適正化される。したがって、ネックハイトＮＨおよびフレアハイトＦＨの双方を自由に設定しながら、記録磁界強度および先端部１０Ａの形成精度の双方を確保することができる。この場合には、特に、ネックハイトＮＨ＝０．１５μｍと設定したとき、フレアハイトＦＨを０．１μｍ＜ＦＨ＜０．８μｍと設定することにより、記録磁界強度および先端部１０Ａの形成精度の双方を確保することができる。