(57)【要約】【課題】  磁性薄膜により局所的に大きな磁界を発生させる。特に熱磁気記録媒体において、媒体外部から印加する記録磁界を大幅に低減、もしくは不要とする。これにより、記録装置を薄型化・小型化・低コスト化する。【解決手段】  常時磁化反転しない磁性層１と容易に磁化反転する磁性層３とを相対的に低いキュリー温度の磁性層２を介して交換結合させた構成。磁性層２のキュリー温度以上に加熱された局所領域の磁性層３が磁化反転して大きな漏洩磁界を発生する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所加熱することにより、加熱部位に所定方向の磁界を発生させることが可能な、磁性薄膜からなる磁界発生手段であり、少なくとも第１、第２、第３の磁性薄膜が順次交換結合して積層されており、該第２の磁性薄膜は、該第１及び第３の磁性薄膜よりもキュリー温度が低く、該第３の磁性薄膜は、少なくとも周囲温度から該第２の磁性薄膜のキュリー温度に至る温度範囲において該第１の磁性薄膜よりも保磁力エネルギーが小さい材料からなり、該第１、第２、第３の磁性薄膜は互いに交換相互作用による結合状態が安定な方向に配向しており、該第１の磁性薄膜は使用状態において常時所定方向への配向状態を維持し、該第３の磁性薄膜は、該第２の磁性薄膜のキュリー温度以上に局所加熱された時に、該局所加熱部位において磁化反転することを特徴とする磁性薄膜から構成される磁界発生手段。
【請求項２】
磁性薄膜を局所加熱して、磁界の作用により加熱部位の磁化配向状態を変化させて情報の記録を行う熱磁気記録媒体であって、請求項１に記載の磁界発生手段が該熱磁気記録媒体内に組み込まれており、該磁界発生手段により該加熱部位に作用する磁界を発生させることを特徴とする熱磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の熱磁気記録媒体であって、該熱磁気記録媒体の記録温度をＴ０（℃）とした時、該磁界発生手段を構成する該第２の磁性薄膜のキュリー温度Ｔ２が、Ｔ０−１００＜Ｔ２＜Ｔ０（℃）を満たすことを特徴とする熱磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項２に記載の熱磁気記録媒体であって、該熱磁気記録媒体の記録温度をＴ０（℃）とした時、該磁界発生手段を構成する該第２の磁性薄膜のキュリー温度Ｔ２が、Ｔ０−１００＜Ｔ２＜Ｔ０−５０（℃）を満たすことを特徴とする熱磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性薄膜による磁界発生手段に関するものであり、特に光ビームの強度、パルス幅を変調する、所謂光変調により情報の記録を行う熱磁気記録媒体において、記録時の外部印加磁界を低減もしくは不要とするための熱磁気記録媒体の構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
熱と磁界の作用により熱磁気記録を行う光磁気記録媒体は、特開平６−２９０４９６号公報に開示されているＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）等の磁性膜特有の現象を利用した超解像再生技術により、光学系の分解能を超えた高密度再生が可能である。しかしそのような高密度の記録を行うためには、従来は記録膜に近接させて磁界変調ヘッドを配置する必要があった。このためＤＶＤのような基板貼り合わせ構造を有する光ディスクや、Ｂｌｕ−ｒａｙのような記録膜面側に光ヘッドが配置されるタイプの光ディスクには適用が困難であった。この問題を克服するために、発明者は光変調方式（ＬＩＭＤＯＷ：Ｌｉｇｈｔ  Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｖｅｒ  Ｗｒｉｔｅ）で光学系の分解能以上の高密度記録が可能な磁区後部消去方式（ＤＴＥ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｔａｉｌ  Ｅｒａｓｉｎｇ）と呼ぶ記録方式を特開平６−１３１７２号公報において提案している。ＤＴＥを用いれば、磁界変調ヘッドに換えてＤＣバイアス磁石を記録膜から離して配置すればよいので、どのようなタイプの光ディスクにも光磁気記録媒体による超解像再生技術を適用することが可能になる。
【特許文献１】特開平０６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開平０６−１３１７２２号公報
【特許文献３】特開平０９−１６７３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、バイアス磁石は依然として必要であったため、例えばノートパソコンに搭載する場合のように、ドライブ装置の薄型化が要求される用途に対しては不利であった。この問題に対して、発明者は既に特開平９−１６７３８８号公報において、バイアス磁界発生手段を磁性薄膜として媒体内部に組み込むことにより外部バイアス磁界を低減もしくは不要とすることを提案している。しかしこの構成では、磁性薄膜からの発生磁界をあまり大きくすることはできず、特に記録に大きな磁界を要する媒体に適用した場合には、外部バイアス磁界を完全に不要とするのは困難であった。
【０００４】
本発明は、バイアス磁石を完全に不要とするに充分な大きさの磁界を発生可能な、磁性薄膜で構成されたバイアス磁界発生手段を提供し、これを媒体内部に組み込んだ熱磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的は以下の構成により達成される。
【０００６】
局所加熱することにより、加熱部位に所定方向の磁界を発生させることが可能な、磁性薄膜からなる磁界発生手段であり、少なくとも第１、第２、第３の磁性薄膜が順次交換結合して積層されており、該第２の磁性薄膜は、該第１及び第３の磁性薄膜よりもキュリー温度が低く、該第３の磁性薄膜は、少なくとも周囲温度から該第２の磁性薄膜のキュリー温度に至る温度範囲において該第１の磁性薄膜よりも保磁力エネルギーが小さい材料からなり、該第１、第２、第３の磁性薄膜は互いに交換相互作用による結合状態が安定な方向に配向しており、該第１の磁性薄膜は使用状態において常時所定方向への配向状態を維持し、該第３の磁性薄膜は、該第２の磁性薄膜のキュリー温度以上に局所加熱された時に、該局所加熱部位において磁化反転することを特徴とする磁性薄膜から構成される磁界発生手段、およびそれを内包する熱磁気記録媒体。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の磁界発生手段は、磁性薄膜により局所的に大きな磁界を発生させることが可能であり、この磁界発生手段を組み込んだ熱磁気記録媒体は、媒体外部から印加する記録磁界を大幅に低減、もしくは不要とすることができる。これにより、記録装置の薄型化・小型化・低コスト化が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
はじめに、特開平９−１３１７２２号公報に開示された従来の媒体構成について解説する。
【０００９】
一方向に着磁された磁性薄膜（バイアス層）を局所加熱すると磁化の勾配が生じるため漏洩磁界が発生する。この漏洩磁界を利用して記録層を磁化反転させる。但し、バイアス層自体が磁化反転してしまうとオーバーライト不能になってしまう。一方、バイアス層のキュリー温度を高くして磁化反転が起こらないようにすると、加熱部位にも磁化が残存して周囲からの漏洩磁界をキャンセルしてしまい、大きな漏洩磁界が発生しなくなる。そこでキュリー温度の低いバイアス層を、キュリー温度が高く記録プロセスで磁化反転しない磁性層（本発明における第１の磁性薄膜であり、ＬＩＭＤＯＷやＤＴＥ媒体においては、その初期化層で兼用できる）と交換結合させることにより、バイアス層のキュリー温度以上に加熱してもバイアス層が磁化反転しないようにする。
【００１０】
図１の上段に、膜厚１００ｎｍのＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金からなるバイアス層を局所加熱して、ピーク温度７００Ｋ、周囲温度３００Ｋ、２σ＝０．６ｕｍのガウス分布状の温度分布を付与した時の、バイアス層表面から５０ｎｍの位置における、漏洩磁界の膜面垂直成分の分布のシミュレーション結果を示す。同図の中段に、その位置に配置された膜厚２０ｎｍの記録層と、バイアス層との位置関係を示す。下段には付与した温度分布を示してある。バイアス層として図２に示したような飽和磁化の温度依存性を有するＢ１、Ｂ２、Ｂ３の３種類の磁性膜を仮定した。また記録層のキュリー温度は６００Ｋとした。図１から明らかなように、バイアス層のキュリー温度を高くするほど大きな漏洩磁界が得られ、バイアス層がキュリー温度に達する位置よりも若干高温側に漏洩磁界強度のピークが現れる。しかし、磁化反転を起こさせる記録層のキュリー温度の位置における漏洩磁界強度は、バイアス層のキュリー温度を高くし過ぎると逆に低下する。結局、バイアス層のキュリー温度を記録層のキュリー温度よりも適度に低温のＢ２程度のキュリー温度に設計した時、最も有効に漏洩磁界を記録層に作用させることができることになる。シミュレーションによれば、この時３００Ｏｅ程度の漏洩磁界を記録層に作用させることができている。しかし、現状のＤＴＥ媒体は、４５０Ｏｅ程度の記録磁界を要するため、まだ磁界強度が不十分である。シミュレーション上では、飽和磁化をより大きくしたり、膜厚をより厚くすれば、更に大きな漏洩磁界を発生させることは可能である。しかし現実には、飽和磁化を大きくし過ぎると面内磁化膜になってしまって効果的に漏洩磁界を発生させることはできない。また膜厚も、生産性や材料費を考慮すると更に厚くするのは好ましくない。
【００１１】
そこで、本発明では、より大きな磁界を発生させることが可能な磁性薄膜構成として、バイアス層（本発明の第２の磁性薄膜）よりもキュリー温度が高く保磁力の小さなＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ合金からなるバイアス補助層（本発明の第３の磁性薄膜）を、薄いバイアス層を介して交換結合させた構成とした。このバイアス補助層は、保磁力が小さいため、バイアス層がキュリー温度以上に達して初期化層との交換結合が切れた部位では、バイアス層からの漏洩磁界と自己反磁界とにより容易に磁化反転する。その結果、この部位からの漏洩磁界と周囲からの漏洩磁界とが同一方向に発生して重ね合わされ、大きな漏洩磁界を発生する。図３に、バイアス層の膜厚を３０ｎｍ、バイアス補助層の膜厚を７０ｎｍとして、バイアス層表面から５０ｎｍの位置におけるバイアス層からの漏洩磁界、バイアス補助層表面から８０ｎｍの位置におけるバイアス補助層からの漏洩磁界、及び両者の和をシミュレーションした結果を示す。両層の飽和磁化の温度依存性は図４に示したように仮定した。バイアス層がキュリー温度以上になっている領域ではバイアス補助層の磁化を反転させてある。この時は、記録層のキュリー温度の位置において４５０Ｏｅ程度の漏洩磁界が得られており、記録磁界として充分な漏洩磁界を記録層に作用させることが可能なことが分かる。
【００１２】
以下に具体的な実施例をもって本発明を詳細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りにおいて以下の実施例に限定されるものではない。以下の実施例では、上述のＤＴＥ媒体に本発明の構成を適用した例を示すが、本発明はこれに限らず、熱磁気記録を行う記録媒体であれば、どのような記録媒体にも適用可能である。
【００１３】
更には、磁性薄膜で構成された局所磁界発生手段自体として、磁性記録媒体への適用に限らず、例えば表示素子等への適用も考えられる。
【００１４】
先ず、本発明の実施例の媒体（ＤＴＥ媒体）の基本となる構成として用いた比較例の熱磁気記録媒体について説明する。ここでは、ＤＷＤＤの層構成とＤＴＥの層構成とを組み合わせた構成の光磁気記録媒体を用いて、磁区後部消去方式で高密度記録を行った。この光磁気記録媒体の磁性層の層構成を図５に示す。Ｄ１／Ｄ２／Ｃ／Ｓｒ／Ｍの部分がＤＷＤＤによる再生を実現するための層構成であり、詳しくは、特開平６−２９０４９６号公報にその特性、機能について開示されている。簡単には、メモリ層Ｍに対して相対的に磁壁抗磁力が小さな移動層Ｄ１／Ｄ２と、記録磁区を保持するメモリ層Ｍと、それらの磁性層間に位置し、それらの磁性層よりキュリー温度が低いスイッチング層Ｓｒを基本構成としている。
【００１５】
また、Ｍ／Ｉｎｔ／Ｗ／Ｓｗ／Ｉの部分がＤＴＥによる記録を実現するための層構成であり、詳しくは、特開昭６３−２６８１０３号公報等にその特性、機能について開示されている。簡単には、層間で次の条件を満たすように構成されている。
メモリ層Ｍは周囲温度（例えば、室温）において以下の条件
２Ｍｓ１Ｈｃ１ｈ１＞δｗ１２
（Ｍｓ１：メモリ層Ｍの飽和磁化、Ｈｃ１：メモリ層Ｍの保磁力、ｈ１：メモリ層Ｍの膜厚、δｗ１２：メモリ層Ｍと記録層間Ｗとの間の界面磁壁エネルギー）を満足し、メモリ層Ｍのキュリー温度近傍で
２Ｍｓ１Ｈｃ１ｈ１＜δｗ１２
を満足する。
【００１６】
また、記録層Ｗは周囲温度以上、スイッチング層Ｓｗのキュリー温度以下の適当な温度で以下の条件を満足する。
２Ｍｓ２Ｈｃ２ｈ２＜δｗ２４−δｗ１２
（Ｍｓ２：記録層Ｗの飽和磁化、Ｈｃ２：記録層Ｗの保磁力、ｈ２：記録層Ｗの膜厚、δｗ２４：記録層Ｗと初期化層Ｉとの間の界面磁壁エネルギー、δｗ１２：メモリ層Ｍと記録層Ｗとの間の界面磁壁エネルギー）。
【００１７】
また、初期化層Ｉは周囲温度から記録層Ｗのキュリー温度に至るまで以下の条件を満足する。
２Ｍｓ４Ｈｃ４ｈ４＞δｗ２４
（Ｍｓ４：初期化層Ｉの飽和磁化、Ｈｃ４：初期化層Ｉの保磁力、ｈ４：初期化層Ｉの膜厚、δｗ２４：記録層Ｗと初期化層Ｉとの間の界面磁壁エネルギー）。
【００１８】
なお、層間の交換結合のオン・オフを切り換える機能を果たすスイッチング層が、ＤＷＤＤとＤＴＥの両方の構成に存在するので、区別のために前者のスイッチング層をＳｒ層、後者のそれをＳｗ層としてある。
【００１９】
また、移動層はキュリー温度の異なる２層で構成し、再生温度範囲で飽和磁化がキャンセルされるようにして、磁壁移動動作に及ぼす浮遊磁界の影響を抑制してある。また、Ｍ層とＷ層との間に、上記条件を効率的に満たすように両層間の交換相互作用の強さを調整するための磁性層が、中間層（Ｉｎｔ層）として挿入されている。
【００２０】
各磁性層のキュリー温度の設計において、磁区後部消去方式のプロセスを実現させる上で特に注意すべき点は、記録・消去・初期化の各温度に関わる磁性層、即ちＷ層・Ｍ層・Ｓｗ層のキュリー温度の設計である。記録温度まで加熱後、瞬時に初期化温度まで冷却して初期化を行い、直後に消去温度まで加熱するので、各温度の差は出来るだけ小さい方がよい。通常のＬＩＭＤＯＷ媒体では、消去温度レベルの温度分布を形成した時に、分布のピーク温度が記録温度を越えてはならないので、記録温度と消去温度との差を大きく取る必要があった。しかし、磁区後部消去方式の場合には、消去動作を行った時に中心の高温部に磁区が書けてしまっても、後続の記録もしくは消去の動作で上書きするようにできるので問題がない。このためＭ層のキュリー温度をＷ層のキュリー温度近くの高温に設計することが出来る。本実施例では両者の差が５０℃以下になるようにした。それに伴って、Ｓｗ層のキュリー温度も、Ｗ層の初期化がＭ層の磁化状態に影響を及ぼさない範囲で、Ｍ層のキュリー温度近くの高温に設計できる。本実施例ではＷ層とＳｗ層とのキュリー温度の差が１００℃以下になるようにした。
【００２１】
また、冷却を効率よく行うための熱構造の設計も重要である。本実施例に用いた媒体は、磁性層の両側にＳｉＮの下地層及び保護層を、それぞれ３５ｎｍ及び２０ｎｍ成膜してあり、更に保護層を介してＡｌ合金の放熱層を１００ｎｍ付加してある。
【００２２】
なお、磁壁移動動作の安定化のために、Ｉ層まで成膜した後、一旦成膜装置から取り出して、記録トラックの両側を高出力のレーザーでアニール処理し、その後に放熱層を成膜している。また、成膜後に永久磁石で１５ｋＯｅ程度の磁界を印加してＩ層を全面初期化している。生産性を考慮する場合には、アニール時に同時に初期化を行うことも可能である。あるいは、基板の表面形状や成膜条件を適切化して、アニール処理を省略することも可能である。
【００２３】
（実施例１）
実施例１で用いた媒体の構成を図６に示す。前述の比較例の媒体と同様にＤ１／Ｄ２／Ｃ／Ｓｒ／Ｍの部分がＤＷＤＤ動作のための層構成であり、Ｍ／Ｉｎｔ／Ｗ／Ｓｗ／Ｉ／Ｂ／ＢＡの部分がＤＴＥ動作のための層構成である。情報はまず記録層に記録された後、メモリ層に転写されて保存される。記録層上に、スイッチング層と初期化層とを介して、バイアス層が３０ｎｍ、バイアス補助層が７０ｎｎｍ積層されている。室温における飽和磁化の大きさが（作用）の項で述べたシミュレーションに用いた磁性層と同様になるように各磁性層の組成比を調整した。シミュレーションと同様に、記録層の膜厚中心から５０ｎｍの位置にバイアス層が、８０ｎｍの位置にバイアス補助層が配置されていることになる。記録層のキュリー温度は５９２Ｋ、バイアス補助層のキュリー温度は６７３Ｋである。また、初期化層のキュリー温度は７５３Ｋであり、記録動作を含む使用状態で媒体が曝される温度に対して充分高温であり、製造時に着磁された初期状態を常に維持する。
【００２４】
バイアス補助層は垂直磁気異方性の小さなＧｄＦｅ系合金で構成されており、垂直磁気異方性の大きなＴｂＦｅ系合金で構成された初期化層と比べて、保磁力と飽和磁化と膜厚との積で表される保磁力エネルギーが、少なくとも周囲温度からバイアス層のキュリー温度に至る温度範囲で常に小さい。このためバイアス補助層は、周囲温度からバイアス層のキュリー温度に至る温度範囲では、初期化層との交換結合により、初期化層に対して平行にスピン配向して、交換相互作用によるエネルギー安定状態に磁化配向する。これに対して、バイアス層のキュリー温度以上に加熱された局所領域では、隣接磁性層との交換相互作用によるエネルギーは消滅して、静磁エネルギーが支配的になるため、磁化反転して静磁エネルギー的に安定な状態に遷移する。つまり、バイアス層からの漏洩磁界とバイアス補助層の自己反磁界とにより、磁化反転した状態が静磁エネルギー的に安定な状態になる。
【００２５】
なお、初期化層のキュリー温度は必ずしも記録動作で媒体が曝される温度よりも高温でなくても良い。初期化層がキュリー温度以上に加熱されても、その後の冷却過程で初期の配向状態を維持できればよい。加熱領域における静磁エネルギーを適切化することでそのような動作も可能である。
【００２６】
上記の光磁気記録媒体に、光学系の分解能以上の高密度な微細パターンをＤＴＥで記録し、このパターンをＤＷＤＤで再生して記録特性を評価した。評価には、レーザ波長６６０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６０の光学系を用いた。スポット径は約０．９２μｍである。本実施例では、基本動作確認のために、０．１５ｕｍのトーン信号を記録した結果について述べる。トーン信号の記録は、レーザを記録パワーレベルと０ｍＷ固定のボトムレベルとの間で単純に２値変調することで、ＤＴＥによる高密度オーバーライトが可能である。線速は３．０ｍ／ｓｅｃ、パルス幅は２５ｎｓｅｃとした。
【００２７】
図７は、バイアス層のキュリー温度を４８５Ｋから５４６Ｋまで変えたサンプルの、ＣＮＲ（上段）及びジッタ（下段）の、記録時の外部印加磁界に対する依存性を示した図である。同図中に、バイアス層／バイアス補助層がない比較例のサンプルの場合の依存性を白抜き丸印で示してある。＋側は記録方向、−側は消去方向に磁界を印加したことを示す。
【００２８】
シミュレーション結果を反映して、バイアス層のキュリー温度の上昇と共に記録に要する外部印加磁界が低減し、５０８Ｋ以上で無磁界記録が実現している。しかし５４６Ｋでは逆に必要磁界が増大し、記録特性も劣化している。５３３Ｋの本発明のサンプルの場合と、比較例のサンプルの場合とを比較すると、本発明の磁性薄膜によるバイアス磁界発生手段により、４５０Ｏｅ程度の磁界が記録層に作用していることになる。
【００２９】
バイアス層のキュリー温度を５３３Ｋとした上記の光磁気記録媒体の、無磁界におけるジッタの記録パワー依存性を図８に示す。光学系の分解能以上の高密度記録が、無磁界の光変調記録で、充分に広い記録パワーマージンを持って実現している。
【００３０】
（実施例２）
実施例２の媒体構成を図９に示す。比較例のＤＴＥ媒体構成におけるスイッチング層（Ｓｗ）と初期化層（Ｉ）との間に、バイアス補助層（ＢＡ）とバイアス層（Ｂ）とが挿入されている。本実施例の場合、バイアス補助層はスイッチング層とも交換結合しているので、スイッチング層のキュリー温度がバイアス層のキュリー温度以下になるように設計して、バイアス層がキュリー温度以上に達している領域では、スイッチング層もキュリー温度以上に達しているようにしておく必要がある。このように設計しておくことにより、バイアス層がキュリー温度以上に達している領域のバイアス補助層が磁化反転可能になる。
【００３１】
本実施例の構成は、実施例１の構成と比較して、磁界発生手段が記録層（ｗ）により近接して配置されるので、より大きな磁界を記録層に作用させることができる。その結果所定の磁界を発生させるためのバイアス層及びバイアス補助層の膜厚を薄く出来る。
【００３２】
ところで、ＤＴＥ媒体は通常のＬＩＭＤＯＷ媒体と異なり、スイッチング層のキュリー温度が記録層のキュリー温度に近い高温に設計されており、バイアス層のキュリー温度の設計範囲と重なった領域に設計が可能である。したがって、スイッチング層の機能とバイアス層の機能とを１つの磁性層（ＢＳ層）で兼用することも可能と考えられる。その場合、バイアス補助層はこのＢＳ層と記録層（Ｗ）との間に配置され、ＢＳ層がキュリー温度以上に達している領域のバイアス補助層は、自身の磁化反転動作により、記録層の磁化反転を、漏洩磁界による静磁的な作用と共に、交換相互作用により促進することになる。
【００３３】
（実施例３）
実施例３の媒体構成を図１０に示す。本実施例は、比較例のＤＴＥ媒体の初期化層と、本発明の第１の磁性薄膜とを兼用させない例である。この構成では大きな磁界を発生するバイアス補助層を、実施例１の場合よりも記録層に近づけて配置できる点で有利である。その結果バイアス層及びバイアス補助層を薄く出来る。ＤＴＥ媒体の初期化層（Ｉ）とバイアス補助層（ＢＡ）との間には、例えばＳｉなどからなる非磁性層が、交換相互作用を遮断可能な数ｎｍ程度の膜厚で成膜される。この非磁性層を挿入することにより、バイアス層のキュリー温度以上に加熱された領域のバイアス補助層の磁化が、隣接層との交換結合に妨げられることなく磁化反転可能になる。非磁性層と第１の磁性薄膜（ＢＩ）とを余分に成膜しなければならないが、機能が分離されることで、良好な記録特性と記録磁界の低減とを両立させるための製造マージン等は拡がると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】局所加熱された磁性薄膜からの漏洩磁界分布をシミュレーションした結果を示した図。
【図２】図１のシミュレーションで仮定した磁性薄膜の飽和磁化の温度依存性を示した図。
【図３】局所加熱された本発明の磁性薄膜構成からの漏洩磁界分布をシミュレーションした結果を示した図。
【図４】図３のシミュレーションで仮定した磁性薄膜の飽和磁化の温度依存性を示した図。
【図５】本発明を適用する標準記録媒体として用いた、比較例の媒体構成。
【図６】本発明の実施例１の媒体構成。
【図７】本発明と比較例の媒体の、記録特性の記録磁界依存性を示した図。
【図８】本発明の媒体の、無磁界における記録特性の記録パワー依存性を示した図。
【図９】本発明の実施例２の媒体構成。
【図１０】本発明の実施例３の媒体構成。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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