(57)【要約】【課題】内部に形成する導体層としてめっきによる金属薄膜を用いても、その周縁部側の剥れを防止でき、デラミネーションなどの内部欠陥を防止できる積層型電子部品およびその製法を提供する。【解決手段】セラミック層５を積層して構成した直方体状のセラミック本体１と、該セラミック本体１中において前記セラミック層５に重畳してなるとともに、前記セラミック本体１の一端面９側に導出され容量形成に寄与するめっき膜製導体層７を具備してなり、前記めっき膜製導体層７の周縁部１７をその内側領域１９よりも厚くしたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック層を積層して構成した直方体状のセラミック本体と、該セラミック本体中において前記セラミック層に重畳してなるとともに、前記セラミック本体の一端面側に導出され容量形成に寄与するめっき膜製導体層を具備してなり、前記めっき膜製導体層の周縁部をその内側領域よりも厚くしたことを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
セラミック層を積層して構成した直方体状のセラミック本体と、該セラミック本体中において前記セラミック層に重畳してなるとともに、前記セラミック本体の一端面側に導出され容量形成に寄与するめっき膜製導体層と、該めっき膜製導体層と同一面上に形成され、かつ前記導出端面とは反対側の端部側に距離Ｇを介して離間し、容量形成に寄与しないめっき膜製ダミー導体層と、を具備してなり、前記めっき膜製導体層またはめっき膜製ダミー導体層、もしくはこれら両導体層の周縁部をその内側領域よりも厚くしたことを特徴とする積層型電子部品。
【請求項３】
セラミック層は、多数のセラミック粒子が粒界を介して連結され焼結表面を有するものであり、めっき膜製導体層またはめっき膜製ダミー導体層が前記セラミック層の前記焼結表面に追従して密着していることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
セラミック層の焼結表面が、セラミック粒子を取り巻く粒界の最小二乗法による基準面よりも突出していることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項５】
突出した部分の高さが前記基準面よりも０．０１μｍ以上である請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項６】
焼結表面におけるセラミック粒子の平均粒径が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項７】
めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層が開口部を有する請求項１乃至６のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項８】
めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層の表面に金属酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項９】
めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層の表面に異方性結晶が存在することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項１０】
めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層が、これら導体層内に絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項１１】
絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の最大粒径がめっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層の最大厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか記載の積層型電子部品
【請求項１２】
めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層中における絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の総含有量が、前記導体層を平面視したときに１〜５０（面積％）であることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか記載の積層型電子部品。
【請求項１３】
支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、前記導体パターンを含む支持体上にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシートを形成する工程と、前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、を具備する積層型電子部品の製法において、前記導体パターンは、予め離型層を付着させた金属部材上に、少なくとも一方方向に距離Ｇの幅を有するマスクパターンを形成し、前期金属部材上に電気めっきを行い、前記金属部材上のマスクパターンを除く領域に、各パターンを長方形状に、かつその長手方向に距離Ｇの間隔を有しつつ、その導体パターンの長手方向に垂直な方向の導体パターンとは相互に長手方向の中央からずれる配置の千鳥状に形成され、かつ、その周縁部が内側領域よりも厚みが厚く形成され、前記母体積層体を切断する際は、導体パターンを長手方向に分割するとともに長手方向の距離Ｇ間を分割するように切断すること、を特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項１４】
支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、前記導体パターンを含む支持体上にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシートを形成する工程と、前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、を具備する積層型電子部品の製法において、前記導体パターンは、予め離型層を付着させた金属部材上に、少なくとも一方方向に距離Ｇの幅を有するマスクパターンを形成し、前期金属部材上に電気めっきを行い、前記金属部材上のマスクパターンを除く領域に、各パターンを長方形状に、かつその長手方向に距離Ｇの間隔を有しつつ、その導体パターンの長手方向に垂直な方向の導体パターンとは相互に長手方向の中央からずれる配置の千鳥状に形成され、かつ、その周縁部が内側領域よりも厚みが厚く形成され、前記母体積層体を切断する際は、内層された全ての導体パターンについて長手方向の距離Ｇを残すように切断すること、を特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項１５】
セラミックグリーンシートを構成するセラミック粉末の最大粒径が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の積層型電子部品の製法。
【請求項１６】
導体パターンに開口部を有することを特徴とする請求項１３乃至１５のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項１７】
導体パターンの表面が金属酸化膜で覆われていることを特徴とする請求項１３乃至１６のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項１８】
導体パターンの少なくとも表面に異方性結晶が存在することを特徴とする請求項１３乃至１７のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項１９】
導体パターンが絶縁性粒子、半導体粒子および絶縁性粒子のうち少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項１３乃至１８のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項２０】
絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の最大粒径が導体パターンの最大厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１３乃至１９のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項２１】
導体パターン中における絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の総含有量が、前記導体層を平面視したときに１〜５０（面積％）であることを特徴とする請求項１３乃至２０のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品およびその製法に関し、特に、セラミック層とともに積層して構成される内部の導体層としてめっき膜を用いる積層型電子部品およびその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型、高機能化に伴い、積層セラミックコンデンサ、積層アクチュエータあるいは積層インダクタなどの積層型電子部品は絶縁体層や内部の導体層の薄層化が推し進められている。特に、導体層は絶縁体との段差を低減するために更なる薄層化が求められている。
【０００３】
このような状況にあって、一部の電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサなどでは、下記の特許文献１に示すように、導体層として、従来より用いられてきた導体ペーストに替わり、より薄層化が容易なめっき膜や蒸着膜に代表される金属薄膜を用いる動きが出始めている。
【０００４】
また、上記したように、絶縁体上における導体層による段差解消策として下記の特許文献２に記載された構成のものが知られている。即ち、この特許文献２に記載された積層型電子部品では、図１７に示すように、複数のセラミック層１０１からなるセラミック体１０３の内部に形成された導体層１０５と同一面内に、ダミー導体層１０７を形成し、しかも、そのダミー導体層１０７を各層、所定の間隔だけずらして形成することにより、デラミネーションなどの欠陥の発生を防止できると記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３２９６３４号公報
【特許文献２】特開平９−１９０９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献1に記載された積層型電子部品では、それを構成する導体層の表面に凸部を形成しているために、誘電体層である絶縁体へのアンカー効果が高まりこの凸部付近では両層の接合性を高めることができるものの、めっき膜のような薄膜では概して金属膜の内側領域よりも周縁部側が剥れやすいという問題があった。
【０００６】
また、このような問題は、導体層による段差を解消するためにダミー導体層を形成した上記特許文献２においても、上記特許文献１と同様、未だ、金属膜の内側領域よりも周縁部側が剥れやすいという問題を解消できるまでには至らないものであった。
【０００７】
従って、本発明は、内部に形成する導体層としてめっきによる金属薄膜を用いても、その周縁部側の剥れを防止でき、デラミネーションなどの内部欠陥を防止できる積層型電子部品およびその製法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の積層型電子部品は、セラミック層を積層して構成した直方体状のセラミック本体と、該セラミック本体中において前記セラミック層に重畳してなるとともに、前記セラミック本体の一端面側に導出され容量形成に寄与するめっき膜製導体層を具備してなり、前記めっき膜製導体層の周縁部をその内側領域よりも厚くしたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の積層型電子部品は、セラミック層を積層して構成した直方体状のセラミック本体と、該セラミック本体中において前記セラミック層に重畳してなるとともに、前記セラミック本体の一端面側に導出され容量形成に寄与するめっき膜製導体層と、該めっき膜製導体層と同一面上に形成され、かつ前記導出端面とは反対側の端部側に距離Ｇを介して離間し、容量形成に寄与しないめっき膜製ダミー導体層と、を具備してなり、前記めっき膜製導体層またはめっき膜製ダミー導体層、もしくはこれら両導体層の周縁部をその内側領域よりも厚くしたことを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、内部の導体層として容量形成に寄与するめっき膜製導体層に近接してダミー導体層を形成したことにより、少なくとも容量形成に寄与する導体層の厚みからくる段差に起因した導体層の湾曲や歪を抑制できる。
【００１１】
また、本発明によれば、導体層としてめっき膜を用いても、その周縁部側を厚く形成しているために、この厚み分がセラミック層へのアンカーとして作用し、これにより導体層のセラミック層との間の剥れを防止できる。さらに本発明では、セラミック層と導体層との接合性を向上させるという点で、以下の構成があげられる。
【００１２】
即ち上記積層型電子部品では、セラミック層は、多数のセラミック粒子が粒界を介して連結され焼結表面を有するものであり、めっき膜製導体層またはめっき膜製ダミー導体層が前記セラミック層の前記焼結表面に追従して密着していることが望ましい。なお、追従して密着するとは、セラミック層の表面に現れたセラミック粒子の形状に沿ってめっき膜が接していること、例えば、セラミック層の開気孔にめっき膜成分が埋設するほど接している状態をいう。
【００１３】
また上記積層型電子部品では、セラミック層の焼結表面が、セラミック粒子を取り巻く粒界の最小二乗法による基準面よりも突出させた形状であることが望ましい。
【００１４】
さらに上記積層型電子部品では、セラミック層の焼結表面の突出した部分の高さが前記基準面よりも０．０１μｍ以上であることが望ましく、また、セラミック層の焼結表面におけるセラミック粒子の平均粒径が０．５μｍ以下であることが望ましい。即ち本発明によれば、セラミック層を構成するセラミック粒子径を小さいものとすることにより、焼結表面の凹凸部分を多く形成でき、これによりセラミック粒子の突出高さに制限がある場合であってもアンカー効果をさらに高めることができる。
【００１５】
また上記積層型電子部品では、めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層が開口部を有することが望ましい。さらに本発明によれば、上記導体層の面内にピンホール等の開口部を有することにより、この開口部にセラミック粒子の凸部をくい込ませることができ、これにより導体層とセラミック層とのアンカー効果をさらに高めることができる。
【００１６】
また上記積層型電子部品では、めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層の表面に金属酸化膜が形成されていることが望ましい。さらに本発明では、導体層側の表面に金属酸化膜を有することにより金属酸化物により構成されたセラミック層とも接合性をさらに高めることができる。
【００１７】
また上記積層型電子部品では、めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層の表面に異方性結晶が存在することが望ましい。例えば、導体層の表面にその構成金属成分である針状結晶が存在すれば、このような尖った結晶がアンカーとなり、セラミック層への接合力をさらに高めることができる。
【００１８】
また上記積層型電子部品では、めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層が絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有していることが望ましい。即ち、導体層がその表面に上記の粒子を有するものであれば、上記異方性結晶の効果と同様に凹凸を形成でき、これによりセラミック層の焼結表面へのアンカー効果を高めることができる
そして上記積層型電子部品では、絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の最大粒径がめっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層の最大厚みよりも小さいことが望ましく、さらに上記積層型電子部品では、めっき膜製導体層およびめっき膜製ダミー導体層中における絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の総含有量が、前記導体層を平面視したときに１〜５０（面積％）であることが望ましい。即ち、上記したように、本発明によれば導体層に上記の粒子を介在させることにより、セラミック層と導体層との接触点を多くできるものであるが、一方で、その含有量を制限することにより、本来の電極として、高い導電性を確保でき、これにより積層型電子部品の良好な特性を得ることができる。
【００１９】
本発明の積層型電子部品の製法は、支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、前記導体パターンを含む支持体上にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシートを形成する工程と、前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、
を具備する積層型電子部品の製法において、前記導体パターンは、予め離型層を付着させた金属部材上に、少なくとも一方方向に距離Ｇの幅を有するマスクパターンを形成し、前期金属部材上に電気めっきを行い、前記金属部材上のマスクパターンを除く領域に、各パターンを長方形状に、かつその長手方向に距離Ｇの間隔を有しつつ、その導体パターンの長手方向に垂直な方向の導体パターンとは相互に長手方向の中央からずれる配置の千鳥状に形成され、かつ、その周縁部が内側領域よりも厚みが厚く形成され、前記母体積層体を切断する際は、導体パターンを長手方向に分割するとともに長手方向の距離Ｇ間を分割するように切断すること、を特徴とする。
【００２０】
本発明の積層型電子部品の製法は、支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、前記導体パターンを含む支持体上にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシートを形成する工程と、前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、を具備する積層型電子部品の製法において、前記導体パターンは、予め離型層を付着させた金属部材上に、少なくとも一方方向に距離Ｇの幅を有するマスクパターンを形成し、前期金属部材上に電気めっきを行い、前記金属部材上のマスクパターンを除く領域に、各パターンを長方形状に、かつその長手方向に距離Ｇの間隔を有しつつ、その導体パターンの長手方向に垂直な方向の導体パターンとは相互に長手方向の中央からずれる配置の千鳥状に形成され、かつ、その周縁部が内側領域よりも厚みが厚く形成され、前記母体積層体を切断する際は、内層された全ての導体パターンについて長手方向の距離Ｇを残すように切断すること、を特徴とする。
【００２１】
即ち本発明によれば、電気めっき法により金属膜を形成する場合に、めっき膜を形成しない領域に予めマスクパターンを設けていることから、めっき膜を成長させる際に、マスクパターンの側面を這い上がるように成長させることができ、これにより形成されるめっき膜の周縁部の厚みをその内側領域よりも厚く形成できる。
【００２２】
また、本発明では、めっき膜の形成面に予め離型剤を付着させておくことにより、形成しためっき膜を、例えば、セラミックグリーンシートなどの他の基材に転写する場合にも金属部材からの剥離性を良好なものにできる。さらに本発明では、各導体パターンが長方形状であり、その長手方向に距離Ｇの間隔を有するように形成し、しかも導体パターンの長手方向に垂直な方向の導体パターンとは相互に長手方向の中央からずれる配置の千鳥状に形成するものであるが、特に、本発明の導体パターンはめっき膜であることから、導体ペーストを用いる場合などのように形成時のにじみなどがなく、このため上記のパターン間距離Ｇを狭くでき、これにより近接した千鳥状配置に形成できる。
【００２３】
そして、このような導体パターンを積層型電子部品の導体層として採用すると、導体層どうしが近接して配置されることになるために、あたかも導体層の周辺に段差を解消する層を付与したのと同様の効果が得られ、これによりセラミックグリーンシートとともに多層積層した場合でも内部の導体層の変形を防止でき、切断や焼成後のデラミネーションを抑制できる。
【００２４】
また本発明では、上記のめっき膜上にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシートを形成するものであることから、セラミックグリーンシートをめっき膜状の凹凸に沿って追従性よくめっき膜上に形成でき、両層の密着性を高めることができ、デラミネーションの発生を抑制できる。
【００２５】
また上記積層型電子部品の製法では、セラミックグリーンシートを構成するセラミック粉末の最大粒径が０．５μｍ以下であることが望ましい。即ち本発明の製法は、上記したように、めっき膜状にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシートを形成するものであるが、このような製法においてこそセラミックスラリを構成するセラミック粉末の粒径を小さくすることによりめっき膜表面へのセラミックグリーンシートの追従性を高めることができる。また、セラミック粉末の粒径を小さくすることは、即ちセラミックグリーンシートの薄層化が容易となり薄層高積層化が容易となる
また上記積層型電子部品の製法では、導体パターンに開口部を有することが望ましい。一方で、導体パターンとして面内に開口部を設けることにより、この部分にセラミック粉末を入り込ませることができ、このことによりセラミックグリーンシートとめっき膜との密着力をさらに高めることができる。
【００２６】
さらに上記積層型電子部品の製法では、導体パターンの表面が金属酸化膜で覆われていることが望ましい。セラミック粒子と接着する導体パターン側においてもセラミック粒子と同じ金属酸化物層を形成することにより、導体パターンとセラミックグリーンシートとの界面に同じ酸化物成分を形成することにより、成形における密着性とともに焼成後についても、さらに両層の接合性を高めることができる。
【００２７】
また上記積層型電子部品の製法では、導体パターンの少なくとも表面に異方性結晶が存在することが望ましい。つまり、導体パターンの表面に、例えば、針状結晶のような尖った結晶が存在すると、このような結晶のアンカー効果により導体パターン面上に塗布形成されるセラミックグリーンシートとの接着性を高めることができる。
【００２８】
また上記積層型電子部品の製法では、導体パターンが絶縁性粒子、半導体粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有していることが望ましい。即ち本発明によれば、めっき膜内に、上記した針状結晶のみならず粒子を介在させることによってもセラミックグリーンシートに対してアンカーとして接着性を高めることができる。
【００２９】
特に、粒子が絶縁性粒子の場合にはセラミック層との焼結により導体層とセラミック層との接合性を容易に高めることができる。また、粒子が半導体粒子や導電性粒子の場合には、導体パターン表面でのアンカー効果の発現とともに、導電性による電極としての寄与により導体パターンの有効面積の減少分を補う効果がある。こうした絶縁性粒子、半導体粒子および導電性粒子は、球状もしくはそれに近い形状であることから、焼成時の表面積の減少の程度が小さいために導体パターン全体の焼成収縮率を抑えることができ、これにより積層型電子部品の電極として構成される導体層の有効面積の減少を抑制でき、例えば、積層セラミックコンデンサにおいては、導体層の有効面積の減少を小さくできることから有効面積を維持でき、静電容量の低下を防ぐことができる。
【００３０】
上記積層型電子部品では、絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の最大粒径が導体パターンの最大厚みよりも小さいことが望ましい。導体パターンに含まれる粒子の大きさを上記のように規定することにより、粒子の大きさからくる偏りを防ぎ導体パターンの面内において均一に分散させることができ、セラミックグリーンシートとの接着をも面内で均一にできる。
【００３１】
上記積層型電子部品では、導体パターン中における絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の総含有量が、前記導体層を平面視したときに１〜５０（面積％）であることが望ましい。そして本発明によれば、導体パターンに上記の粒子を含ませる場合であっても、その含有量を上記のように規定することにより、導体パターンとセラミックグリーンシートとの十分な密着力を確保すると同時に、めっき膜本来の電極としての優れた導電性をも確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（積層型電子部品の構造）
本発明の積層型電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサについて詳細に説明する。
【００３３】
図１は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの概略断面図である。本発明の積層セラミックコンデンサは、直方体状のセラミック本体１の対向する端面に外部電極３が形成されている。セラミック本体１は複数のセラミック層５を積層して構成されている。セラミック層１上には、このセラミック層１と略相似形状であり、かつ前記セラミック本体１の端面２に導出される容量形成に寄与するめっき製導体層７が形成されている。
【００３４】
図２は、本発明にかかるめっき製ダミー導体層を有する積層セラミックコンデンサの概略断面図である。この積層セラミックコンデンサは、めっき製導体層７と同一面上に、このめっき製導体層７のセラミック本体１の端面２への導出端部１１とは反対側の端部１３に距離Ｇを介して離間して形成された容量形成に寄与しないめっき製ダミー導体層１５が形成されていることを特徴とする。
【００３５】
そして本発明の積層型電子部品では、これらめっき製導体層７またはめっき製ダミー導体層１５、もしくはこれら両導体層７、１５の周縁部１７をその内側領域１９よりも厚くしたことが重要である。
【００３６】
ここで、図１および図２の拡大部について、この周縁部１７の厚みｔ１、その内側領域１９の厚みｔ２としたときに、ｔ１／ｔ２比は、セラミック層５へのアンカー効果を高めるという点で１．１以上、特に１．２以上、一方、セラミック層５を貫通しての導通による絶縁抵抗の低下やショートを防止するという点で１．４以下、特に１．３以下がより好ましい。ここで本発明のめっき製導体層７およびめっき製ダミー導体層１５の厚みは、積層セラミックコンデンサの高積層化および導体層（以後、めっき製導体層およびめっき製ダミー導体層のことを示す）の段差の低減という理由から１μｍ以下、特に０．８μｍ以下であることがより望ましい。
【００３７】
これに対して、導体層７、１５の周縁部１７の厚みがその内側領域１９と実質的に同じ厚みか、もしくは内側領域１９よりも薄い場合には、周縁部１７のアンカー効果が無く、セラミック層５と導体層７、１５との接合力が小さく、デラミネーションが発生する。
【００３８】
図３は、本発明の開口部を有するめっき膜製導体層の平面図である。また、本発明のめっき膜製導体層７およびめっき膜製ダミー導体層１５は開口部２１を有することが望ましい。この開口部２１の形状はピンホールのような略円形のみならず、内辺側が多角形をしていてもかまわない。開口部２１の大きさは、導体層７、１５の静電容量に寄与する電極としての効果を充分なのもにするという点で、その内側の最大径が３０μｍ以下が好ましく、一方、開口部２１によるアンカー効果を確保するという点で５μｍ以上であることがより望ましい。
【００３９】
本発明の導体層７、１５を構成する金属としては、積層セラミックコンデンサ用の内部電極として、誘電体材料の焼結温度および高導電性の点から、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属もしくはこれらの合金が望ましく、特に金属価格の点でＣｕ、Ｎｉ、特には高容量の誘電体材料との同時焼成に好適であるとしてＮｉがより好ましい。
【００４０】
図４は、本発明の、表面に金属酸化膜を形成した導体層を示す部分概略断面図である。本発明では、めっき膜製導体層７およびめっき膜製ダミー導体層１５の表面に金属酸化膜２３が形成されていることが望ましい。金属酸化膜２３としては上記導体層７、１５の主成分の酸化物膜であることが導体層７、１５と金属酸化膜２３との密着性ならびに形成が容易な点でより好ましいが、導体層７、１５の表面に他の金属の酸化膜を形成してもよい。なお、この金属酸化膜２３の厚みはセラミック層５との接合性を高めるという点および導体層７、１５の有効厚みを確保しかつ導電性を高めるという点で、導体層７、１５の全厚みの０．１％以上が好ましい。
【００４１】
例えば、他の金属の酸化膜としては、セラミック層５を構成する元素の窒化物や炭化物、ホウ化物などの非酸化物により構成されているものが好ましい。このような非酸化物であれば、導電性を有することにより、導体層７、１５の有効面積の低下を抑制し、かつセラミック層５の、例えば誘電特性の低下を抑えることができ、同時に、導体層７、１５とセラミック層５との接合性を高めることができ、これによりデラミネーションを防止できる。こうした非酸化物としてはセラミック層５の主成分としてチタン酸バリウムを用いる場合、その構成元素であるＢサイトのＴｉが好適であり、Ｔｉは還元性を有する点でも導電性的に好適である。
【００４２】
図５は、本発明の、少なくとも表面に異方性結晶を有する導体層を示す部分概略平面図である。本発明のめっき膜製導体層７およびめっき膜製ダミー導体層１５の表面には、前記したように、セラミック層５へのアンカー効果を高めるという点で、その表面に異方性結晶２４が存在することが望ましい。異方性結晶２４としてはアンカー効果を期待できる形状として、針状、角状など一見角ばっている形状であればよい。
【００４３】
図６は、本発明の、少なくとも内部に絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有している導体層を示す部分概略断面図である。本発明のめっき膜製導体層７およびめっき膜製ダミー導体層１５は、これら導体層７、１５内に絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子（以後、前記３種の粒子の符号は区別なしに２５とする）のうち少なくとも１種を含有していることが望ましいとされる。
【００４４】
絶縁性粒子としては、種々あるセラミック粉末のなかで、特には、少なくともセラミック層５を構成するセラミック粒子を含むものであることがより望ましい。絶縁性粒子の最大径としては導体層７、１５の厚みよりも小さいことが好ましいが、この場合、導体層を貫通してセラミック層に接合される程度の大きさの粒子径であってもよい。
【００４５】
半導体性粒子としては、予め還元処理したセラミック粒子や、一部酸化処理した金属粉末であればよく、この場合、セラミック層５の構成成分あるいは導体層７、１５の成分、もしくはこれらの混合物からなる粒子など好適に用いることができる。半導体性粒子の場合の適正な大きさ（最大径）は導体層７、１５を貫通するほどの大きさでもかまわないが、セラミック層５の厚みの半分より薄い範囲に食い込むほどであればよい。
【００４６】
導電性粒子としては、導体層７、１５と同じ成分を多く含有するもの、あるいは融点が導体層７、１５の金属成分よりも高く合金化しても融点降下の少ないものが好ましく、この場合、同時焼成されるセラミック層５の誘電特性への影響の程度が小さいほど好ましい。この導電性粒子の大きさについては上記半導体性粒子の大きさと同じ程度であることが、特にセラミック層５の絶縁性を維持するという点で好ましい。これら導電性粒子は、セラミック層５成分を含有するとともに柱状組織となり導体層７、１５を貫通してセラミック層５を結合させるものであってもよい。
【００４７】
図７は、本発明の、少なくとも内部に絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有している導体層を示す部分概略平面図である。本発明のめっき膜製導体層７およびめっき膜製ダミー導体層１５中における絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の総含有量は、前記導体層７、１５を平面視したときに１〜５０（面積％）であることが望ましい。
【００４８】
そして、本発明の導体層７、１５の表面粗さＲａは、周縁部１７の厚み増加分を除き、アンカー効果を確保するという点で２０ｎｍ以上、一方、セラミック層との密着性を高めるという点で１００ｎｍ以下が好ましい。
【００４９】
本発明の積層セラミックコンデンサを構成するセラミック層５は、例えば誘電体層として高誘電率、高い温度特性や電圧依存性などの特性に適し、かつ前記導体層７、１５との同時焼成を可能とする材料として、チタン酸バリウムを主成分とする高絶縁性の材料が好ましく、その厚みは、前記積層セラミックコンデンサの静電容量を高め高積層化できるという点で３μｍ以下が望ましい。
【００５０】
図８は、本発明の、セラミック層の表面の形態を示す平面図である。本発明のセラミック層５は多数のセラミック粒子３１が粒界３３を介して連結され焼結表面３５を有するものであることが望ましく、この焼結表面３５におけるセラミック粒子の平均粒径は０．５μｍ以下であることがより望ましい。特に、セラミック層５の焼結表面３５が、セラミック粒子３１を取り巻く粒界３３の最小二乗法による基準面よりも突出していることが望ましく、さらにその突出高さは前記基準面よりも０．０１μｍ以上であることがより望ましい。
【００５１】
（積層型電子部品の製法）
図９は、本発明の金属膜を製造するために、離型層、マスクパターンを設けた金属部材を示す模式図である。
【００５２】
（Ａ工程）予め離型層５１を付着させた金属部材５３上に、少なくとも一方方向に距離Ｇの幅を有するマスクパターン５５を形成する。金属部材５３としては、例えば、鉄板にめっきを施したものあるいはステンレス等の耐腐食性のものが好適である。離型層５１としては導電性が高く、めっき膜の離型性が高いという点でＴｉＮが好適である。離型層５１の比抵抗は電気めっき時の導電体としての役割を果たすという理由から１０−５〜１０−３Ωｃｍが望ましい。マスクパターン５５としては、比較的厚みの薄い層厚みによって十分な絶縁性が得られかつ剥離性に優れるという点でダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイトライクカーボン（ＧＬＣ）が好適である。
【００５３】
本発明においては、その表面にめっき膜が形成される離型層５１として、上記のＴｉＮ等の結晶性の膜を設けているために、焼成後の導体層７、１５の表面に例えば、異方性の結晶など導体層７、１５を構成する金属成分からなる結晶を析出させることができる。また、本発明においては、上記離型層５１を設けることに加えて、さらにマスクパターン５５として上記のダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイトライクカーボン（ＧＬＣ）を用いているために、このマスクパターン５５の側面に沿ってめっき膜が這い上がるようにして形成できる。こうして、周縁部の厚みの厚い導体パターンを形成できる。マスクパターン５５は導体パターンとなるめっき膜を形成する面積部分だけ離型層５１の部分を残すように形成される。この場合、導体パターンの形状が長方形ならば長辺方向に近接する短辺が距離Ｇだけ離間されて形成される。この距離Ｇは３００μｍ以下が望ましい。
【００５４】
（Ｂ工程）次に、前期金属部材５３上に、例えば、Ｎｉの電気めっきを行い、前記金属部材５３上のマスクパターン５５を除く領域に、めっき膜製の金属膜を形成する。図１０は、本発明のめっき膜である導体パターンを示す平面図である。そのパターン形状は、各パターンが長方形状であり、かつその長手方向に距離Ｇの間隔を有しており、また、その導体パターン５７の長手方向に垂直な方向の導体パターン５７とは相互に長手方向からずれる配置の千鳥状に形成される。なお、本発明では、導体パターン５７間の距離Ｇのスペースが長辺方向の中央部にある場合（図１０ａ）、導体パターン５７間の距離Ｇのスペースが長辺方向の中央部からずれた位置にある場合（図１０ｂ）の両方が対象である。
【００５５】
そして、本発明では、その導体パターン５７の周縁部５９が内側領域６１よりも厚みが厚く形成されていることが重要である。このような形状の導体パターンを積層セラミックコンデンサを製造する際の導体パターンとして用いることにより、この周縁部５９の厚み分がセラミックグリーンシートへのアンカーとなりセラミックグリーンシートとの密着性を高めることができる。即ち、この周縁部５９の厚みがその内側領域６１と同じ厚みかもしくは内側領域６１よりも薄い場合には上記アンカー効果が得られずセラミックグリーンシートとの密着力が低いことからデラミネーションが起こりやすい。導体パターン５７の厚みは1μｍ以下、特に０．８μｍ以下が望ましい。また、本発明の導体パターン５７の長辺方向の間隔Ｇは、後述するセラミックグリーンシートの厚みの１〜５０倍、または１００μｍ以下のいずれか小さい方の間隔が好ましい。
【００５６】
（Ｃ工程）図１１は、導体パターンの転写工程を示す模式図である。次に、金属部材５３上に形成した導体パターン５７を、一旦、別の支持体６３上転写して形成する。この場合のパターン配置は上記金属部材５３上に形成された状態と鏡像の関係である。
【００５７】
（Ｄ工程）図１２は、導体パターン上にセラミックグリーンシートを形成する工程である。次に、導体パターン５７を含む支持体６３上にセラミックスラリを塗布してセラミックグリーンシート６５を形成する。この場合、前記長方形状の導体パターン５７に対してセラミックスラリを塗布する方向は、導体パターン５７の長手方向に対して直角方向に行うのが好ましい。この直角方向の塗布により導体パターン５７の堰きとめ効果がはたらき、その間のスペース内にセラミックスラリが充填され易いからである。この場合の成形条件としては塗布速度を１０〜２００ｍ／分の範囲で行うことが望ましく、このような条件の場合に上記堰きとめ効果が現れる。支持体６３としては、機械的強度、セラミックスラリに含まれる溶剤等への耐性、および可とう性などの点でポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）が好適に用いられる。
【００５８】
セラミックスラリは、例えば、チタン酸バリウムを主成分として含むセラミック原料粉末に所定量の有機バインダ、溶剤および分散剤などを混合し、所定の粘度に調整したものである。本発明では、積層セラミックコンデンサの内部に形成する導体層７、１５として卑金属を用いるために、セラミック層５を構成するセラミック粉末は耐還元性に優れた誘電体材料を用いることが望ましい。成形は公知のコータ、例えば、ドクターブレードが薄層および塗布厚みの均一化の点で好適である。セラミック粉末の平均粒径はセラミックグリーンシート６５の薄層化および焼成後の導体層７、１５中への入り込みを良くし両層の接合性を高めるという点で０．５μｍ以下が好ましい。すなわち、このような成形方法を採用することにより、セラミック層５は多数のセラミック粒子３１が粒界３３を介して連結され焼結表面３５を有するものとなり、めっき膜製導体層７またはめっき膜製ダミー導体層１５が前記セラミック層５の前記焼結表面３５に追従して密着している状態とすることができる。つまり、セラミック層５の焼結表面３５が、セラミック粒子３１を取り巻く粒界３３の最小二乗法による基準面よりも突出しているものとすることができる。ここで、セラミックグリーンシート６５の厚みは、積層セラミックコンデンサに用いるセラミック層５の薄層高積層化という点で、２．５μｍ以下、特に、２μｍ以下が望ましい。
【００５９】
（Ｅ工程、Ｆ工程）図１３および図１４は、母体積層体の形成工程および切断線を示す工程図であり、図１３は、導体パターンの長辺方向の中央部に離間距離Ｇのスペース部分が重なるようにした母体積層体を示す断面図である。図１４は、導体パターンの長辺方向の中央部からずれた位置に離間距離Ｇのスペース部分が重なるようにした母体積層体を示す断面図である。図１３は静電容量に寄与するめっき製導体パターンのみを有するコンデンサ本体成形体を作製する場合、図１４は静電容量に寄与するめっき製導体パターンに距離Ｇの間隔を有してめっき製ダミー導体パターンを具備する場合である。
【００６０】
次に、上記導体パターン５７上にセラミックグリーンシート６５を形成したシート、ここでは導体埋め込みセラミックグリーンシートという、を逐次、支持体６３を剥がしながら積層して有効積層体６７を形成する。このとき導体パターン５７は、その積層方向に対して長辺の位置は揃っている（図示なし）が、導体パターン５７の短辺側は、距離Ｇの間隔の位置が各層交互にずれるように重ねられている。次に、この有効積層体６７の上下層に導体パターン５７を有しないセラミックグリーンシート６５を各々複数枚積層し外部カバー層６９を付与した母体積層体７１を形成する。積層数は小型高容量の積層セラミックコンデンサとして２００層以上、特には３００層以上が好ましい。
【００６１】
積層条件は、例えば、温度５０〜７０℃、圧力０．７〜１．１ＭＰａで仮加圧した後、従来周知の静水圧加圧機を用いて加圧し母体積層体を一体化する。静水圧加圧条件は温度６０〜８０℃、圧力４０〜７０ＭＰａが好ましい。次に、上記作製した母体積層体７１を切断する。切断はダイシングソウなどの連続切断が可能で母体積層体７１の切断性が良好な方法が好適に用いられる。母体積層体７１の切断する箇所は図１３、１４に示す切断線である。図１５は、図１４の母体積層体の切断線を導体パターンにて示す平面図である。図１５（ａ）は導体パターン１面の平面図である。図１５（ｂ）は導体パターンが複数重なったときの透視図である。この図１４の場合の切断線は、図１５に平面図で示した。こうして作製したセラミック本体の成形体であるコンデンサ本体成形体の端面には導体パターン５７が露出されている。なお、切断は上記切断線のほかに導体パターンの長辺方向に平行に導体パターン間を切断する。
【００６２】
（Ｇ工程）次に、切断したコンデンサ本体成形体を高温で焼成しコンデンサ本体を形成する。焼成条件として、温度はめっき膜の融点より低く、再結晶温度よりも高い温度、雰囲気はめっき膜が酸化しない程度の酸素濃度で行うのが好ましい。例えば、めっき膜はＮｉの場合、Ｎｉの再結晶温度は５００〜５５０℃、その融点は１４５０℃であるため、焼成する温度としては１２５０〜１３５０℃で行われる。このような製造工程によって、セラミックグリーンシートは積層セラミックコンデンサのセラミック層となり、めっき膜の導体パターンはめっき製導体層ならびにめっき製ダミー導体層となる。
【００６３】
また、この場合のように、めっき膜の再結晶温度よりも高い温度での焼成を行うために、焼成時にメッキ膜の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、これによりセラミックグリーンシート６５中のセラミック粉末がめっき膜である導体パターン５７の表面に入り込むことにより導体パターン５７とセラミックグリーンシート６５との密着力を向上せしめ、その結果、焼成後の導体層７、１５とセラミック層５とが強固に接合されるのである。
【００６４】
（Ｈ工程）最後に、コンデンサ本体の導体層７、１５が露出した端部に外部電極ペーストを塗布して焼成し、さらにめっきを施すことにより外部電極３が形成される。これによって積層セラミックコンデンサが完成する。
【００６５】
図１６は、本発明の、粒子を分散しての電気めっき法を示す模式図である。
【００６６】
また、本発明によれば、上記Ｂ工程の電気めっき工程において、めっき浴中に以下の各種粒子を分散させて電気めっきを行えば、めっき膜成分の析出と同時に分散させた粒子をめっき膜中に取り込むことができる。なお、各種粒子を分散させない場合にはめっき膜のみを作製できることはいうまでもない。ここで用いる各種粒子としては、絶縁性粒子、半導体性粒子、導電性粒子など各種の粒子を好適に用いることができる。
【００６７】
絶縁性粒子としては、各種のセラミック粒子を用いることができるが、より好適には、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック層５の主成分の粉末を用いることが、セラミック層５の誘電特性の変化が少なくセラミック層５と同じ焼結挙動において形成されるという点で望ましい。
【００６８】
半導体性粒子としては、各種セラミック粒子のなかで金属元素の価数変化のしやすい金属酸化物や窒化物、炭化物、ホウ物などが好適である。例えば、ＮｉＯ、ＴｉＯ２などである。
【００６９】
導電性粒子としては、各種金属粒子を用いることができるが、より好適にはめっき膜と同成分を含むものがより好ましく、この場合、加える粒子そのものが導電性を有していることから電気めっきを行うときも粒子表面にもめっき膜を形成でき、これにより導体パターン５７の有効面積を外形面積と実質的に同じにすることができる。また、導体パターン中における絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子の総含有量は、前記導体層を平面視したときに１〜５０（面積％）であることが望ましい。
【００７０】
なお、このような粒子は前記したようにめっき浴中に分散させてめっき膜内に取り込む方法のほかに、粒子によるめっき膜表面の粗さや凹凸が本発明の製法並びに焼成して形成した積層セラミックコンデンサの電気特性の低下やデラミネーションを発生させない程度であれば、を予め形成した粒子を含まないめっき膜の表面に各種粒子を吹き付ける方法、もしくは各種粒子を含むペーストを印刷法を用いてめっき膜上に塗布する方法なども用いることができる。
【００７１】
また、本発明にかかる導体パターンは、その面内に開口部２１を有することが望ましい。この場合、めっき膜作製時に離型層上に絶縁性の粉末を分散させておくことで容易に形成できる。
【００７２】
また、本発明にかかる導体パターンは、その表面が金属酸化膜で覆われていることが望ましい。この場合、めっき後の膜を室温より高い温度で熱処理する。
【００７３】
また、本発明にかかる導体パターンは、その表面に異方性結晶が存在することが望ましいものであるが、このような異方性結晶は上記離型層の結晶の大きさを変えることにより容易に形成できる。
【実施例】
【００７４】
次に本発明の積層型電子部品にかかる積層セラミックコンデンサを以下のようにして作製した。
【００７５】
（第１の態様：ダミー導体層なし）
まず、金属部材としてステンレス板を用い、その表面に離型層として比抵抗が１０−４ΩｃｍのＴｉＮ膜を形成した。次に、この離型層上に、めっき膜の形成領域となる幅０．９ｍｍ×長さ３．６ｍｍの矩形状領域を有し、その矩形状領域の近接する短辺の間隔が前記距離Ｇ（Ｇ＝５００μｍ）とし、距離Ｇの部分を長辺の中央部に配置した（図１０ａ）、いわゆる千鳥状のパターンになるように、厚み１μｍのＤＬＣからなるマスクパターンを形成した。
【００７６】
次に、上記構成の金属部材をスルファミン酸ニッケルめっき液中に浸漬して、前記金属部材に電界をかけて電気めっきを行った。このとき形成しためっき膜はマスクパターンに接した部分であるめっき膜の周縁部が、その内側領域よりも厚く形成されていた。内側領域の厚みは１μｍであった。
【００７７】
次に、金属部材上に形成したＮｉめっき膜を、一旦、可撓性があり、表面に粘着材を塗布した樹脂製のキャリアフイルム（ＰＥＴフイルム）上に転写した。
【００７８】
次に、Ｎｉめっき膜を転写したキャリアフィルム上に、そのＮｉめっき膜を覆うように平均粒径０．３μｍのセラミック粉末とポリビニルブチラール樹脂およびトルエンとエタノールを１：１の重量比で混合した混合溶媒を含むセラミックスラリを塗布し、乾燥させて、Ｎｉめっき膜上に密着し一体化したセラミックグリーンシートを作製した。成形速度は１００ｍ／分とした。セラミックグリーンシートの厚みは平均で２．５μｍに調整した。
【００７９】
次に、Ｎｉめっき膜上に密着し一体化したセラミックグリーンシートを、各層キャリアフィルムを剥ぎながら２００層仮積層し、次いで、この仮積層体の上下面に外部カバー層を接着させ、温度６０℃、圧力０．８ＭＰａで加圧加熱した。この後、再度、温度７０℃、圧力５０ＭＰａの圧力で静水圧加圧を施し母体積層体を作製した。このとき導体パターンは各層ごとに導体パターンの長辺方向に半分ほどずらして配置され、短辺側は積層方向に整列していた。
【００８０】
次に、母体積層体をダイシングソウを用いて切断した。切断箇所は、図１０（a）の箇所とした。即ち、内部の導体パターンの長辺方向には導体パターン間のほぼ中央部を、短辺方向には、導体パターンの長辺のほぼ中央部（その下層は導体パターン間のほぼ中央部）を切断した。こうして対向する端面に導体パターンが露出したコンデンサ本体成形体を作製した。
【００８１】
次に、切断して得たコンデンサ本体成形体を焼成し、本発明のコンデンサ本体を得た。焼成は温度１３００℃、雰囲気は還元性とした。コンデンサ本体に形成された導体層についても、焼成前の導体パターンと同様に、その周縁部の厚みが内側領域よりも厚くなっていた。また、このような温度で焼成したものはセラミック層表面はセラミック粒子が突出し、そのセラミック粒子に対して導体層が追従するように接合していた。本発明の工程において離型層としてＴｉＮを用いたものでは焼成後の導体層の表面には異方性結晶が見られた。
【００８２】
最後に、コンデンサ本体の導体層が露出した端部に外部電極ペーストを塗布して温度７００℃にて焼付けを行った。さらに、この外部電極の表面にＮｉおよびＳｎめっきを行って本発明の積層セラミックコンデンサを完成させた。作製した積層セラミックコンデンサの寸法は幅１．２５ｍｍ、長さ２ｍｍ、厚み１．２５ｍｍとした。このような製法により作製した積層セラミックコンデンサはセラミック層の表面にめっき膜の導体層が追従するように接着していた。つまり、セラミック層表面の開気孔にめっき膜が入り込むほど密接に接着されていた。
【００８３】
（第２の態様：ダミー導体層あり）
次に、第２の態様として、容量形成に寄与するめっき膜導体層とともにセラミック層の同一面上にめっき膜製ダミー導体層を有する積層セラミックコンデンサを作製した。この場合、前記第１の態様における第２工程のマスクパターンにおいて、以下のような方法を用いて導体パターンとなるめっき膜を作製した。ＤＬＣからなるマスクパターンの厚みは第１の態様と同じとした。ここでは、めっき膜である導体パターンの幅と長さおよび距離Ｇは１００μｍとし、導体パターンの長辺方向のスペース部分である距離Ｇの部分を長辺方向の中央部から短辺側にずれる位置に配置した（図１０ｂ）。これはいわゆる変形千鳥状パターンである。即ち、この第２の態様における母体積層体中の導体パターンは各層ごとに導体パターンの長辺方向に、その中央部から短辺側にずれた配置である。そして、母体積層体の切断は、図１４（ｂ）の箇所とした。ほかの工程は第１の態様と同じとした。
【００８４】
（第３の態様：導体層に開口部）
次に、本発明の第３の態様として、導体層に開口部を有するものを作製した。この場合、上記したように、めっき膜を形成する金属部材上の離型層の表面に溶剤溶解性の樹脂粒子を分散させ、この表面に電気めっきを行い、めっき後にこの樹脂粒子を溶剤で溶解して開口部を形成した。その他の工程は第２の態様と同じとした。めっき膜の開口部の大きさは平均で２０μｍであった。
【００８５】
（第４の態様：導体層に金属酸化膜）
次に、本発明の第４の態様として、めっき製導体層の表面に金属酸化膜を有するものを作製した。この場合、上記したように、電気めっき膜を形成した後に、大気中１５０℃で熱処理を行った。
【００８６】
（第５の態様：導体層に粒子分散）
次に、本発明の第５の態様として、導体層に絶縁性粒子、半導体性粒子、および導電性粒子を有するものを作製した。この場合、上記したように、電気めっき膜を形成する際に、めっき浴中に絶縁性粒子としてチタン酸バリウム粒子を、半導体性粒子としてＮｉＯ粒子もしくはＴｉＮ粒子を、導電性粒子としてＮｉ粒子を各々分散させて、電気めっきを行いめっき膜を作製した。各粒子の最大径はめっき膜の内側領域の厚みより小さい寸法のものを用いた。その量は導体パターンの面積比で１０％以下となるように分散させる粒子量を調整した。その他の工程は第２の態様と同じとした。
【００８７】
（比較例の態様の製法）
比較例として作製した試料は、第１の態様の製法において、第２、３工程を以下のようにした。この場合、離型層上の全面に最初に上記第３工程と同じ条件にて電気めっきを行い、次に、このめっき膜上に、通常行われているように、感光性のレジストを用いてマスクパターンを形成し、レジスト膜のない部分のめっき膜をエッチング液を用いて除去し、残した部分を導体パターンとして用いた。その導体パターンの幅、長さ、厚み、配置は第１の態様と同じとした。こうして作製した導体パターンはその周縁部とその内側領域との厚みの差が実質的に無いものであった。
【００８８】
（測定評価）
次に、上記第１〜５および比較例の態様として作製した積層セラミックコンデンサについて、以下の評価を行った。
【００８９】
（Ａ）作製したコンデンサ本体成形体およびコンデンサ本体について、実体顕微鏡を用いてデラミネーションおよびクラックを観察した。試料数はそれぞれ１００個とした。
【００９０】
（Ｂ）次に、積層セラミックコンデンサについて、静電容量、絶縁破壊電圧および熱衝撃試験を評価した。以下の試料についても試料数は各々１００個とした。
【００９１】
静電容量は１ｋＨｚ、０．６Ｖｒｍｓ、絶縁破壊電圧は、電圧を増加させて破壊するまでの電圧を調べた。熱衝撃試験は、温度を２５０℃および３２５℃に設定した半田槽に１分間試料を浸漬し、浸漬後の試料についてデラミネーションやクラックの発生の有無を調べた。
【表１】
2005285801.tif 000003
【００９２】
表１の結果から明らかなように、本発明の積層セラミックコンデンサである第１〜第５の態様では、熱衝撃試験において最高４／１００個のデラミネーションもしくはクラックがみられたものの、焼成前のコンデンサ本体成形体および焼成後のコンデンサ本体にデラミーションやクラックは無かった。また、本発明の態様の試料では静電容量が、４．７５μＦ以上、絶縁破壊電圧が１９０Ｖ以上であった。これに対して、導体層の周縁部が内側領域に比して厚くない比較例では焼成前および焼成後にデラミネーションもしくはクラックが見られた。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明にかかる積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図２】本発明にかかるめっき製ダミー導体層を有する積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図３】本発明の開口部を有するめっき膜製導体層の平面図である。
【図４】本発明の、表面に金属酸化膜を形成した導体層を示す部分概略断面図である。
【図５】本発明の、少なくとも表面に異方性結晶を有する導体層を示す部分概略平面図である。
【図６】本発明の、少なくとも内部に絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有している導体層を示す部分概略断面図である。
【図７】本発明の、少なくとも内部に絶縁性粒子、半導体性粒子および導電性粒子のうち少なくとも１種を含有している導体層を示す部分概略平面図である。
【図８】本発明の、セラミック層の表面の形態を示す平面図である。
【図９】（Ａ工程）本発明の金属膜を製造するために、離型層、マスクパターンを設けた金属部材を示す模式図である。
【図１０】（Ｂ工程）本発明のめっき膜である導体パターンを示す平面図であり、図１０（ａ）は導体パターン間の距離Ｇのスペースが長辺方向の中央部にある場合、図１０（ｂ）は導体パターン間の距離Ｇのスペースが長辺方向の中央部からずれた位置にある場合である。
【図１１】（Ｃ工程）導体パターンの転写工程を示す模式図である。
【図１２】（Ｄ工程）導体パターン上にセラミックグリーンシートを形成する工程である。
【図１３】（Ｅ、Ｆ工程）母体積層体の形成工程および切断線を示す模式図であり、導体パターンの長辺方向の中央部に離間距離Ｇのスペース部分が重なるようにした母体積層体を示す断面図である。
【図１４】（Ｅ、Ｆ工程）母体積層体の形成工程および切断線を示す模式図であり、導体パターンの長辺方向の中央部からずれた位置に離間距離Ｇのスペース部分が重なるようにした母体積層体を示す断面図である。
【図１５】本発明の母体積層体の切断箇所を導体パターンにて示す平面図であり、図１５（ａ）は導体パターン１面の平面図、図１５（ｂ）は導体パターンが複数重なったときの透視図である
【図１６】本発明の、粒子を分散しての電気めっき法を示す模式図である。
【図１７】従来のダミー導体層を有する積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１  セラミック本体
５  セラミック層
７  めっき製導体層（導体層）
９  端面
１５  めっき製ダミー導体層（導体層）
１７、５９  周縁部
１９、６１  内側領域
２１  開口部
２３  金属酸化膜
２５  絶縁性粒子、半導体性粒子、導電性粒子
３１  セラミック粒子
３３  粒界
３５  焼結表面
５１  離型層
５３  金属部材
５５  マスクパターン
５７  導体パターン
６３  支持体
６５  セラミックグリーンシート
７１  母体積層体
【図１】
2005285801.tif 000004
【図２】
2005285801.tif 000005
【図３】
2005285801.tif 000006
【図４】
2005285801.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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