(57)【要約】【課題】  照明位置調整用マークが、通常のマスクのサブフィールドの範囲内に納まる荷電粒子線露光装置用ビーム調整用マスクを提供する。【解決手段】  照明ビーム位置合わせ用マークは、サブフィールドに対応する正方形の照明領域４内に設けられており、各辺４ａ〜４ｄに隣接して、１ａ〜１ｄの４つが設けられている。例えば照明ビーム位置合わせ用マーク１ａは、照明領域４の辺４ａに平行な３つの小開口からなり、各小開口は辺４ａの方向に長い矩形状の形状をしている。他の照明ビーム位置合わせ用マーク１ｂ〜１ｄもそれぞれ同様の形状を有している。投影ビーム位置合わせ用マーク２は、サブフィールドに対応する領域３の辺３ａ、３ｂに平行で、辺３ａ、３ｂの方向に長い２つの開口２ａ、２ｂの組と、サブフィールドに対応する領域３の辺３ｃ、３ｄに平行で、辺３ｃ、３ｄの方向に長い２つの開口２ｃ、２ｄの組とから構成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線露光装置において、レチクルを照明する荷電粒子線を、当該レチクル中の各サブフィールドに合わせるためのビーム調整用に用いられるレチクルであって、前記サブフィールドに対応する照明領域内に、前記照明領域の各辺に隣接して、照明ビーム位置合わせ用マークが設けられていることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルであって、前記照明ビーム位置合わせ用マークが、複数のサブフィールドに対応する位置に設けられていることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル。
【請求項３】
請求項２に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルであって、前記照明ビーム位置合わせ用マークが、一つのレチクル内の全てのサブフィールドに対応する位置に設けられていることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルであって、前記照明ビーム位置合わせ用マークは前記照明領域の各当該辺に平行で、当該辺の方向に長い矩形状の複数の小開口からなることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルであって、前記サブフィールドの中心部に対応する部分に、当該サブフィールドの各辺に平行で、各辺の方向に長い２本の矩形状の開口が、互いに直交する方向に２組設けられて、投影ビーム位置合わせ用マークとされていることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル。
【請求項６】
請求項５に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルであって、前記照明ビーム位置合わせ用マーク及び投影ビーム位置合わせ用マークが、複数のサブフィールドに対応する位置に設けられていることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、前記サブフィールドに対応する領域を、荷電粒子線で照明し、前記照明ビーム位置合わせ用マークを構成する小開口を通った荷電粒子線のウエハ位置での像を観測し、その像に基づいて、照明ビームの位置を調整する工程を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置における照明ビームの調整方法。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、前記投影ビーム位置合わせ用マークが存在する領域を、荷電粒子線で照明し、前記投影ビーム位置合わせ用マークを構成する開口を通った荷電粒子線のウエハ位置での像を観測し、その像に基づいて、投影光学系を調整する工程を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置における投影光学系の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル（本明細書及び特許請求の範囲において、レチクルとはマスクを含む概念である）、荷電粒子線露光装置における照明ビームの調整方法、荷電粒子線露光装置における投影光学系の調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、露光の高解像と高スループットの両方を兼ね備えた、荷電粒子線露光装置の一種である電子線露光装置の方式の検討が進められている。
【０００３】
本発明が前提とする従来技術の例として、半導体装置製造用の分割転写方式電子線露光装置の光学系の概要を図５に示す。図５において電子源１１を出た電子線１２は第一照明レンズ１３ａによって成形開口１４を照明する。成形開口１４を出た電子線１２は第二照明レンズ１３ｂ、第三照明レンズ１３ｃによってレチクル１５上に成形開口像を等倍結像する。レチクル１５を出た電子線は第一投影レンズ１６ａ、第二投影レンズ１６ｂによってウエハ１８上にレチクル像を結像する。また、図６に示すように複数の偏向器１９ａ〜１９ｃ、２０ａ、２０ｂを備え、光軸外にも電子線を偏向させることで、光軸から外れた場所にある部分の投影露光を可能にし、高スループットを達成するものである。符号１７は、レチクル１５によって散乱された電子線をカットするための散乱アパーチャである。なお、図６を含め、以下の図において、前出の図に示された構成要素と同じ構成要素には、同じ符号を付してその説明を省略する。
【０００４】
前述のように、荷電粒子光学系ではレンズによる像面湾曲や非点収差を補正できないため、半導体装置のような数十ｍｍ単位のパターンを一括で転写するとボケが非常に大きくなる。このため、転写すべき像をサブフィールドに分割し、それぞれをウエハ上でつなぎ合わせて全体の露光パターンを形成することになる。サブフィールドの大きさは通常レチクル１５上で１ｍｍ角程度、ウエハ上で0.25ｍｍ角程度になる。
【０００５】
前述のように、偏向器を使用して電子線を偏向させることにより、光軸から離れたサブフィールドの投影露光を行うことができるが、偏向器の駆動のみで投影露光できる一組のサブフィールドの像は、ウエハ上で連結して一つの像にすることができる。このようなサブフィールドの組をメインフィールドと呼ぶことにする。通常このメインフィールドはサブフィールド２０個分程度で、ウエハ上で５ｍｍ×0.25ｍｍ程度となる。メインフィールドとメインフィールドの間では、もはや電子線の偏向だけでは投影露光を行うことができず、レチクルとウエハを同期させて機械的に移動させることにより露光を行っている。
【０００６】
成形開口１４は、通常、高融点の金属に正方形の開口を開けたもので、その寸法は第二、第三照明レンズ１３ｂ、１３ｃによってレチクル１５上に結像した時、その像がレチクル１５上のサブフィールドの大きさに一致するようにされている。但し、サブフィールド間にはストラットと呼ばれるパターンが存在しない梁部や、梁部とサブフィールドの間に、その周辺のスカート部と呼ばれる、やはりパターンの存在しない領域がある場合があり、この場合には、成形開口１４の像は、サブフィールドの大きさより、やや大きくなるように設定されている。
【０００７】
従来は、メインフィールド内の各サブフィールドに対する電子線の照明位置を調整するために図７に示すような開口パターンを有する照明位置調整用パターンを使用していた。これは、レチクル上の、成形開口像２１が形成される部分の外殻に、スリット開口２２を設けたものである。
【０００８】
図８に従来の照明位置調整方法を示す。調整用レチクルのスリット開口２２を、照明位置を調整したいサブフィールド位置上に移動して、照明系偏向器を走査する。このとき、ウェハステージ上には重金属板２３が置かれ、その反射電子を反射電子検出器２４でその強度を検出するようになっている。
【０００９】
図９に照明系偏向器の偏向量と、反射電子検出信号との関係の例を示す。図９において、横軸は照明系偏向器の偏向量である。図９（ａ）は、図８における相対する２つのスリット開口２２を成形開口像２１が通過したときの反射電子の検出信号を示すものである。最初は、成形開口像２１が例えば左側のスリット開口２２にかかっており、スリット開口の左右方向全幅にわたって電子線が通過するので、反射電子の数も多いが、成形開口像２１が右側に移動するに従って、成形開口像２１の左端が左側のスリット開口２２の中に入り込むようになり、通過する電子線が減少し始める。
【００１０】
そして、成形開口像２１が左側のスリット開口２２から外れると、通過する電子線は、殆ど０に近くなる。続いて、成形開口像２１が、右側のスリット開口２２にかかり始めると、再び通過する電子線の量が増加し始め、成形開口像２１が、右側のスリット開口２２の左右方向全幅を覆った時点で、通過する電子線の量は一定となる。よって、図９（ａ）に示すような信号が得られる。
【００１１】
図９（ｂ）は、図９（ａ）の信号を照明系偏向器の偏向量について微分したもの（通常偏向は定速で行われるので時間微分に対応する）、図９（ｃ）は、図９（ａ）の信号を照明系偏向器の偏向量について２階微分したものである。図９（ｃ）の信号のゼロクロス点が、左右のスリット開口２２の中心位置に対応する。よって、このゼロクロス点の中心が、調整用レチクルのサブフィールドの中心ということになる。これと、照明系偏向器がサブフィールドの中心であるとしている点との位置の差Δｘが、照明系偏向器の誤差であるので、この誤差を補正するように、照明系偏向器を調整するようにする。
【００１２】
このような調整を、電子線露光装置の光軸をｚ軸とするｘ−ｙ−ｚ直交座標系におけるｘ軸方向、ｙ軸方向について行い、各サブフィールド毎に、照明系偏向器の調整量を決定していく。そして、実際の露光においては、この調整量を考慮して、照明系偏向器を駆動し、照明用の電子線が、各サブフィールドを正確に照明するようにしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
以上のような、スリット開口２２が形成された従来の照明位置調整用レチクルを用いて、分割転写方式荷電粒子線露光装置の照明位置を調整する際、荷電粒子線とレチクルが相対的に正しい位置付近に調整されると、荷電粒子線がかなり大きくずれるまで、スリット開口２２を通過しないので、その荷電粒子線のずれを検出できなくなるという問題があった。また、図７から分かるように、従来の照明位置調整用レチクルにおいて、スリット開口２２が形成される場所は、通常のレチクルのサブフィールドの範囲（図７における成形開口像２１の大きさにほぼ等しい）の外側にあり、通常のレチクルにおいては隣のサブフィールドの存在する範囲に形成される。よって、通常のサブフィールドの数だけ配置することはできず、全サブフィールドについて調整を行うためには、照明位置調整用レチクルの種類を変えたり、一つの照明位置調整用レチクルの位置を変えたりして行う必要があるという問題点があった。
【００１４】
又、従来の照明位置調整用レチクルは、照明ビームの位置調整用に使用されるだけであり、投影ビームの位置調整用には用いることができなかった。照明ビームの位置調整（位置合わせ）とは、成形開口像が、レチクル面での目的の位置（通常はレチクルが正しい位置におかれた場合の各サブフィールド位置（スカート部がある場合には、サブフィールドとスカート部を含む位置））に来るように照明光学系における荷電粒子線の変更を調整することであり、投影ビームの位置調整（位置合わせ）とは、レチクル面の所定位置を照明した荷電粒子線が、照明されたレチクル面が投影されるべきウエハ面に到達するように投影光学系における荷電粒子線の偏向を調整することである。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、照明位置調整用マークが、通常のレチクルのサブフィールドの範囲内に納まり、必要とあれば、全サブフィールドに対応する照明位置調整用マークを１枚のレチクルに形成することが可能な荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを提供することを課題とし、さらには、これに加えて、照明光学系の調整にも、投影光学系の調整にも使用可能な荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決するための第１の手段は、荷電粒子線露光装置において、レチクルを照明する荷電粒子線を、当該レチクル中の各サブフィールドに合わせるためのビーム調整用に用いられるレチクルであって、前記サブフィールドに対応する照明領域内に、前記照明領域の各辺に隣接して照明ビーム位置合わせ用マークが設けられていることを特徴とする荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクル（請求項１）である。
【００１７】
前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、前記照明ビーム位置合わせ用マークが、複数のサブフィールドに対応する位置に設けられていることを特徴とするもの（請求項２）である。
【００１８】
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第２の手段であって、前記照明ビーム位置合わせ用マークが、一つのレチクル内の全てのサブフィールドに対応する位置に設けられていることを特徴とするもの（請求項３）である。
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第１の手段から第３の手段のいずれかであって、前記照明ビーム位置合わせ用マークは前記照明領域の各当該辺に平行で、当該辺の方向に長い矩形状の複数の小開口からなることを特徴とするもの（請求項４）である。
【００１９】
前記課題を解決するための第５の手段は、前記第１の手段から第４の手段のいずれかであって、前記サブフィールドの中心部に対応する部分に、当該サブフィールドの各辺に平行で、各辺の方向に長い２本の矩形状の開口が、互いに直交する方向に２組設けられて、投影ビーム位置合わせ用マークとされていることを特徴とするもの（請求項５）である。
【００２０】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第５の手段であって、前記照明ビーム位置合わせ用マーク及び投影ビーム位置合わせ用マークが、複数のサブフィールドに対応する位置に設けられていることを特徴とするもの（請求項６）である。
【００２１】
前記課題を解決するための第７の手段は、前記第１の手段から第６の手段のいずれかである荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、前記サブフィールドに対応する領域を、荷電粒子線で照明し、前記照明ビーム位置合わせ用マークを構成する小開口を通った荷電粒子線のウエハ位置での像を観測し、その像に基づいて、照明ビームの位置を調整する工程を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置における照明ビームの調整方法（請求項７）である。
【００２２】
前記課題を解決するための第８の手段は、前記第５または第６の手段の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、前記投影ビーム位置合わせ用マークが存在する領域を、荷電粒子線で照明し、前記投影ビーム位置合わせ用マークを構成する開口を通った荷電粒子線のウエハ位置での像を観測し、その像に基づいて、投影光学系を調整する工程を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置における投影光学系の調整方法（請求項８）である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、照明位置調整用マークが、通常のレチクルのサブフィールドの範囲内に納まり、必要とあれば、全サブフィールドに対応する照明位置調整用マークを１枚のレチクルに形成することが可能な荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを提供することができ、さらには、これに加えて、照明光学系の調整にも、投影光学系の調整にも使用可能な荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の１例である荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルに形成された、サブフィールド１個分に相当する照明ビーム位置合わせ用マーク１ａ〜１ｄと投影ビーム位置合わせ用マーク２を示す図である。
【００２５】
図１において３はサブフィールドに対応する正方形の領域であり、４はサブフィールドに対応する照明領域（成形開口の像）である。（ａ）は、サブフィールドに対応する領域３とサブフィールドに対応する照明領域４とが一致している場合である。これは、ストラットで囲まれる領域がサブフィールドとなっており、スカート部が無い場合に対応する。（ｂ）は、サブフィールドに対応する領域３よりもサブフィールドに対応する照明領域４が大きい場合であり、サブフィールドに対応する照明領域４がサブフィールドに対応する領域３より広く、スカート部にもかかるようになっている場合に対応する。
【００２６】
いずれの場合にも、照明ビーム位置合わせ用マークは、サブフィールドに対応する照明領域４内に設けられており、この照明領域４の各辺４ａ〜４ｄに隣接して、１ａ〜１ｄの４つが設けられている。いずれの場合も、例えば照明ビーム位置合わせ用マーク１ａは、サブフィールドに対応する領域この場合照明領域４の辺４ａに平行な３つの小開口からなり、各小開口は辺４ａの方向に長い矩形状の形状をしている。他の照明ビーム位置合わせ用マーク１ｂ〜１ｄもそれぞれ同様の形状と寸法、間隔を有する小開口を有している。
【００２７】
投影ビーム位置合わせ用マーク２は、サブフィールドに対応する領域３の辺３ａ、３ｂに平行で、辺３ａ、３ｂの方向に長い２つの開口２ａ、２ｂの組と、サブフィールドに対応する領域３の辺３ｃ、３ｄに平行で、辺３ｃ、３ｄの方向に長い２つの開口２ｃ、２ｄの組とから構成されている。
【００２８】
照明ビーム位置合わせ用マーク１ａと１ｂの中心、照明ビーム位置合わせ用マーク１ｃと１ｄの中心にサブフィールドに対応する照明領域４の中心が来るようにし、かつ、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ａと２ｂの中心、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ｃと２ｄの中心にサブフィールドに対応する領域３の中心が来るようにしている。
【００２９】
なお、投影光学系における投影ビームの調整をこの荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して行わない場合は、投影ビーム位置合わせ用マーク２は必要ない。
【００３０】
このような荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、照明ビームの位置ずれを検出する方法を図２に示す。以下の例においては、荷電粒子線は電子線とする。図１に示されたサブフィールドに対応する照明領域４が、調整の対象となるサブフィールド位置（又はこれにスカート部を加えた位置）に一致するように荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルの位置を合わせ、通常の露光条件と同じ条件で、対応するサブフィールドを照明ビームで照明する。すると、図１で示されたサブフィールドに対応する照明領域４に近い領域が照明されることになる。よって、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａ〜１ｄの小開口を通過した電子線と、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ａ〜２ｄを透過した電子線は、それらの開口の像をウエハ面に形成する。
【００３１】
この実施の形態においては、ウエハ位置にピンホール５を形成しておき、このピンホールを透過した電子線を電子線検出器で検出する。そして、投影光学系に設けられた偏向器を駆動して、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａ〜１ｄの像、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ａ〜２ｄの像を、このピンホール５上を走査させ、そのときの偏向量と、電子線検出器で検出される電子線の量との関係を測定する。
【００３２】
今、図１の線Ａに沿った部分の像が、ピンホール５の上を通過するように、投影光学系の偏向器を駆動すると、例として図３に示すような、偏向量と電子線検出器の出力の関係が得られる。図３において、横軸は偏向量、縦軸は電子線検出器の出力である。左から照明ビーム位置合わせ用マーク１ｂの３つの小開口、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ｂ、２ａ、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａの３つの小開口に対応するピークが得られている。
【００３３】
図３（ａ）は、照明位置がずれている場合のグラフであり、照明ビーム位置合わせ用マーク１ｂの左端の小開口に対応する電子線検出器の出力が、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａの右端の小開口に対応する電子線検出器の出力よりもＡだけ小さくなっている。
【００３４】
このように、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａと１ｂの３つの小開口に対応する電子線検出器の出力の大小を比較することにより、照明ビームが、露光すべきサブフィールドに対してどちら方向にずれているかが分かる。
【００３５】
このような場合、照明系偏向器を調整して、図３（ｂ）に示すように、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａと１ｂの３つの小開口に対応する電子線検出器の出力の大小が同じになるようにすれば、照明ビームの位置合わせが完了したことになる。よって、実際の露光時にも、このときの条件で照明系偏向器を駆動してやれば、適切な照明が行われることになる。同じ調整を、図１の線Ｂに沿った部分の像が、ピンホール５の上を通過するように投影光学系の偏向器を駆動して行えば、その方向の調整が可能である。
【００３６】
このような調整方法は、図１（ａ）のように、スカート部がない場合にも、図１（ｂ）のようにスカート部がある場合にも、同様に行うことができる。何故ならば、照明ビームのエッジがくるべき位置にアライメントマーク１ａ〜１ｄを配置しておけばよいからである。尚、各アライメントマークは図では３本のラインだが本数は任意の数でよく、また、最も外側のラインのみではなく、他のラインを用いても同様にアライメントを行うことができる。また、アライメントマークはライン＆スペースに限定される必要はなく、一つの矩形マーク等を用いることも可能である。
【００３７】
次に、投影光学系における投影ビームの位置合わせを行うための投影位置の検出方法について説明する。
図４（ａ）は、図３（ａ）の中央部分を拡大したものである。この信号を偏向位置について微分すると（実際には等速で偏向を行うので時間微分に相当する）、図４（ｂ）に示すような信号が得られる。この信号のゼロクロス点が、図３（ａ）の各ピークの最高点に対応し、それぞれ、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ｂ，２ａの中心と考えられる。よって、これらゼロクロス点の中点が、サブフィールドの中心と考えられる。
【００３８】
よって、投影光学系の偏向器で、このサブフィールドを露光するための偏向量が、図で偏向中心として示した位置にあったとすると、偏向量がΔｘだけずれていることになる。従って、実際の露光においては、投影光学系の偏向量を当初の設定量よりΔｘだけずらすことにより、ウエハ面の正確な位置に投影露光を行うことができる。
同様の調整を図１の線Ｂに沿って行えば、この方向についても、投影ビームの位置合わせを行うための投影位置のずれの検出と調整を行うことができる。
【００３９】
なお、以上の説明においては、ウエハ位置に設けられたピンホール５上に、荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルの開口の像を走査させて位置ずれの検出を行ったが、実際にウエハを露光して、形成されたパターンから、照明ビームの位置ずれを検出するようにしてもよい。
【００４０】
又、以上説明した例においては、照明ビーム位置合わせ用マーク１ａと１ｂの中心、照明ビーム位置合わせ用マーク１ｃと１ｄの中心にサブフィールドに対応する領域３の中心が来るようにし、かつ、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ａと２ｂの中心、投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ｃと２ｄの中心にサブフィールドに対応する領域３の中心が来るようにしているが、これらの位置関係をこうした関係よりずらし、上述の方法と同じ方法で調整を行った後で、このずらした量を補正するようにしてもよい。
【００４１】
図１に示したような位置合わせマークは、全てサブフィールドに対応する領域３内に設けられている。よって、実際に使用するレチクル内の全てのサブフィールドに対応する領域に形成することができ、これにより、１枚の荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、全てのサブフィールドについて、ビームの調整を行うことができる。勿論、全てのサブフィールドに対応して位置合わせ用マークを設ける必用はなく、複数の所定のサブフィールドに対応する領域にのみ設けるようにしてもよい。
【００４２】
さらに、本発明のビーム調整用レチクルは、偏向器の感度を測定する場合にも用いることができる。例えば、照明光学系の偏向器の感度を調整する場合は、ビーム調整用レチクルを使用して、一つのサブフィールドにおいて照明ビームの位置合わせを行い、そのときの照明光学系の偏向器のコイルに流した電流を記録する。そして、レチクルステージを駆動することによりビーム調整用レチクルの位置を変え、隣のサブフィールドにおいて照明ビームの位置合わせを行い、そのときの偏向器のコイルに流した電流を記録する。すると、サブフィールド間の距離と、各々のサブフィールドにおいて位置合わせを行ったときの偏向器のコイルに流した電流値の差から、照明光学系の偏向器の感度を求めることができる。
【００４３】
投影光学系の偏向器の感度を求めるときは、所定の電流値で投影光学系の偏向器のコイルを励磁し、そのときのビーム調整用レチクルの投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ｃと２ｄのウエハ面での像の位置の中心を求める。そして、偏向器に流す電流値を所定だけ変化させ、そのときのビーム調整用レチクルの投影ビーム位置合わせ用マーク２の開口２ｃと２ｄのウエハ面での像の位置の中心を求める。そして、これらの電流値の差と、像の中心位置の差より、投影光学系の偏向器の感度（図の紙面左右方向）を求めることができる。同様にして、マーク２の開口２ａと２ｂの中心位置測定を行うことにより、図の紙面上下方向の投影光学系の偏光器の感度を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態の１例である荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルに形成された、サブフィールド１個分に相当する照明ビーム位置合わせ用マークと投影ビーム位置合わせ用マークを示す図である。
【図２】図１に示されたようなパターンが形成されたこのような荷電粒子線露光装置用ビーム調整用レチクルを使用して、照明ビームの位置ずれを検出する方法を示す図である。
【図３】図１の線Ａに沿った部分の像が、ピンホールの上を通過するように、投影光学系の偏向器を駆動したときに得られる電子線検出器の信号の例を示す図である。
【図４】レチクルとウエハの位置合わせを行うための投影位置の検出方法を示す図である。
【図５】本発明が前提とする従来技術である、半導体装置製造用の分割転写方式電子線露光装置の光学系の概要を示す図である。
【図６】図５に示すような分割転写方式電子線露光装置における偏向器の作用を示す図である。
【図７】従来使用されていた照明位置調整用パターンの例を示す図である。
【図８】従来の照明位置調整方法を示す図である。
【図９】照明系偏向器の偏向量と、反射電子検出信号との関係の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１ａ〜１ｄ…照明ビーム位置合わせ用マーク、２…投影ビーム位置合わせ用マーク、２ａ〜２ｄ…投影ビーム位置合わせ用マークの開口、３…サブフィールドに対応する領域、３ａ〜３ｄ…領域３の辺、４…照明領域、４ａ〜４ｄ…照明領域の辺、５…ピンホール、１１…電子源、１２…電子線、１３ａ…第一照明レンズ、１３ｂ…第二照明レンズ、１３ｃ…第三照明レンズ、１４…成形開口、１５…レチクル、１６ａ…第一投影レンズ、１６ｂ…第二投影レンズ、１７…散乱アパーチャ、１８…ウエハ、１９ａ〜１９ｃ…偏向器、２０ａ、２０ｂ…偏向器、２１…成形開口像、２２…スリット開口、２３…重金属板、２４…反射電子検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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