(57)【要約】【課題】  記録磁場に対する漏れ磁場を相対的に小さくすることができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスクドライブ装置を提供する。【解決手段】  下部磁極層と、ギャップ層と、ギャップ層を介して下部磁極層と対向している上部磁極層と、下部磁極層及び上部磁極層を介してギャップ層に磁束を供給するコイル導体と、下部磁極層及び上部磁極層の少なくとも一方の、ギャップ層に面する側に設けられた凹部とを備えており、凹部のＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置している。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁極層と、ギャップ層と、該ギャップ層を介して前記下部磁極層と対向している上部磁極層と、前記下部磁極層及び前記上部磁極層を介して前記ギャップ層に磁束を供給するコイル導体と、前記下部磁極層及び前記上部磁極層の少なくとも一方の、前記ギャップ層に面する側に設けられた凹部とを備えており、該凹部の浮上面とは反対側の端が、前記上部磁極層の浮上面とは反対側の端面より浮上面側に位置していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記凹部が、前記下部磁極層のみに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記凹部が、前記上部磁極層のみに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記凹部が、前記下部磁極層及び前記上部磁極層の両方に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
下部磁極層と、ギャップ層と、該ギャップ層を介して前記下部磁極層と対向している上部磁極層と、前記下部磁極層及び前記上部磁極層を介して前記ギャップ層に磁束を供給するコイル導体と、前記下部磁極層の、前記ギャップ層に面する側に設けられた凹部とを備えており、ＷＧを前記ギャップ層の厚さとすると、該凹部の浮上面とは反対側の端が、前記上部磁極層の浮上面とは反対側の端面から１０ＷＧだけ浮上面とは反対方向に離れた位置に又は該位置より浮上面側に位置していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記凹部の浮上面とは反対側の端が、前記上部磁極層の浮上面とは反対側の端面より浮上面側に位置していることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記ギャップ層に面して、前記上部磁極層にも凹部が設けられており、該上部磁極層の凹部の浮上面とは反対側の端が、該上部磁極層の浮上面とは反対側の端面より浮上面側に位置していることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記凹部が、浮上面と平行に伸長する凹溝であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記凹部内に非磁性体が充填されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のヘッドジンバルアセンブリを少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に磁気情報を記録するためのインダクティブ書込みヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスクドライブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクティブ書込みヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層と上部磁極層との間にギャップ層を設け、下部磁極層及び上部磁極層を介して供給された磁束をこのギャップ層の部分で記録媒体に印加することによって磁気記録を行う。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁極層のコイル導体側の後方に凹部又は溝を設け、その凹部又は溝の先端を下部磁極層のエッジとして規定することにより、ギャップデプス（ギャップ深さ）の精度を高めるようにした技術は公知である（特許文献１、２）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−８９４３０号公報
【特許文献２】特開２００１−２３１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、薄膜磁気ヘッド用のプリアンプの性能向上に伴い、より大きな書込み電流を流すことが可能となってきている。このような大電流をコイル導体に流し、記録磁場を高めようとすると、それと同時に、例えばサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場も増大してしまう。このような増大した漏れ磁場は、隣接するトラックに記録されている磁気情報を消去してしまう可能性を有している。
【０００６】
特許文献１及び２には、凹部又は溝の先端、即ち磁気ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）側のエッジの位置精度を高めることによってギャップデプスの精度を高めて記録特性を向上させる点が開示されているが、漏れ磁場を小さくするための構造については何等示唆していない。
【０００７】
従って本発明の目的は、記録磁場に対する漏れ磁場を相対的に小さくすることができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、下部磁極層と、ギャップ層と、ギャップ層を介して下部磁極層と対向している上部磁極層と、下部磁極層及び上部磁極層を介してギャップ層に磁束を供給するコイル導体と、下部磁極層及び上部磁極層の少なくとも一方の、ギャップ層に面する側に設けられた凹部とを備えており、凹部のＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置している薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【０００９】
下部磁極層及び上部磁極層の少なくとも一方の、凹部のＡＢＳとは反対側の端外側位置に、相手の磁極層と対向する面が存在することとなるため、この対向面を介して下部磁極層から上部磁極層へ、逆に、上部磁極層から下部磁極層へ磁束の供給がなされることから、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の部分に磁束が集中するのでこの部分が飽和し易くなる。その結果、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場を小さくすることが可能となる。即ち、上部磁極層とその上の上部ヨーク層との接触面積を確保した状態で下部磁極層と上部磁極層とのＡＢＳ近傍での対向面積を凹溝によって小さくすることで記録磁場の強度を増大させた場合に、本発明のように、ＡＢＳの反対側からも上部磁極層へ磁束の供給を行うことで、漏れ磁場の成分を低減化しているのである。
【００１０】
凹部が、下部磁極層のみに設けられているか、上部磁極層のみに設けられているか、又は下部磁極層及び上部磁極層の両方に設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、さらに、下部磁極層と、ギャップ層と、ギャップ層を介して下部磁極層と対向している上部磁極層と、下部磁極層及び上部磁極層を介してギャップ層に磁束を供給するコイル導体と、下部磁極層の、ギャップ層に面する側に設けられた凹部とを備えており、ＷＧをギャップ層の厚さとすると、凹部のＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の端面から１０ＷＧだけＡＢＳとは反対方向に離れた位置に又はこの位置よりＡＢＳ側に位置している薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１２】
下部磁極層の、凹部のＡＢＳとは反対側の端から、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の端面までの磁気的距離がさほど大きくならないため、下部磁極層の凹部のＡＢＳとは反対側の端からも上部磁極層へ、又はその逆に磁束の供給がなされることから、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の部分に磁束が集中するのでこの部分が飽和し易くなる。その結果、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場を小さくすることが可能となる。即ち、上部磁極層とその上の上部ヨーク層との接触面積を確保した状態で下部磁極層と上部磁極層とのＡＢＳ近傍での対向面積を凹溝によって小さくすることで記録磁場の強度を増大させた場合に、本発明のように、ＡＢＳの反対側からも上部磁極層へ磁束の供給を行うことで、漏れ磁場の成分を低減化しているのである。また、ギャップ層の厚さＷＧを調整することにより、漏れ磁場の大きさを低減させることが可能となる。
【００１３】
凹部のＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置していることが好ましい。この場合、ギャップ層に面して、上部磁極層にも凹部が設けられており、上部磁極層の凹部のＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置していることがより好ましい。
【００１４】
凹部が、ＡＢＳと平行に伸長する凹溝であることも好ましい。
【００１５】
凹部内に非磁性体が充填されていることも好ましい。
【００１６】
本発明によれば、さらに、上述の薄膜磁気ヘッドとこれを支持するサスペンションとを備えたＨＧＡ、及びこのＨＧＡを少なくとも１つ備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、下部磁極層のＡＢＳとは反対側の部分からも上部磁極層へ磁束の供給がなされ、上部磁極層のＡＢＳとは反対側の部分が飽和し易くなるので、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場を小さくすることが可能となる。その結果、記録磁場を高めた場合にも、隣接するトラックに記録されている磁気情報を消去してしまうような不都合は生じない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の一実施形態における磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【００１９】
同図において、１は動作時に軸２の回りを回転するこの例では複数の磁気ディスク、３はその後端に薄膜磁気ヘッドが形成されている磁気ヘッドスライダをトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置をそれぞれ示している。アセンブリキャリッジ装置３は、軸４を中心にして角揺動可能なキャリッジ５と、このキャリッジ５を角揺動駆動する例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）からなるアクチュエータ６とから主として構成されている。
【００２０】
キャリッジ５には、軸４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７の先端部にはＨＧＡ８が固着されている。各ＨＧＡ８は、サスペンション９とその先端部に設けられている磁気ヘッドスライダとから主として構成されており、この磁気ヘッドスライダが各磁気ディスク１の表面に対して対向するように駆動アーム７の先端部に設けられている。
【００２１】
図２は図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの一部の構成を概略的に示す断面図である。
【００２２】
同図において、１０は磁性材料による下部シールド層、１１は下部磁極層でもある磁性材料による上部シールド層、１２は下部シールド層１０上に積層された非磁性絶縁材料によるシールドギャップ層、１３はシールドギャップ層１２を介して下部シールド層１０及び上部シールド層１１間に形成された磁気抵抗効果（ＭＲ）層、１４は下部磁極層１１上に積層された非磁性材料によるギャップ層、１５はギャップ層１４上に積層された磁性材料による上部磁極層、１６はギャップ層１４上に積層された絶縁体層、１７は絶縁体層１６上にパターニング形成された導電材料によるコイル導体層、１８は絶縁体層１６上のコイル導体層１７間に形成されたレジスト材料層、１９はコイル導体層１７及びレジスト材料層１８上に積層された絶縁体層、２０は絶縁体層１９及び上部磁極層１５（ＡＢＳ近傍部分及びバックギャップ部分において）上に形成されており、上部磁極層１５に磁気的に結合された磁性材料による上部ヨーク層、２１はこの薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ、２２は下部磁極層１１の上面に設けられた凹溝をそれぞれ示している。凹溝２２はＡＢＳ２１に沿って伸長しており、その内部には非磁性材料が充填されている。
【００２３】
図３は図２に示した薄膜磁気ヘッドの上部磁極層１５と凹溝２２との位置関係を説明するための断面図である。
【００２４】
同図に示すように、本実施形態においては、下部磁極層１１のギャップ層１４に面する側、即ち上面側に設けられた凹溝２２は、そのＡＢＳ２１とは反対側の端２２ａが、上部磁極層１５のＡＢＳ２１とは反対側の端面１５ａよりＡＢＳ２１側に位置している。このため、下部磁極層１１の、凹溝２２の端２２ａの外側位置に、上部磁極層１５と対向する面１１ａが存在することとなる。従って、下部磁極層１１のＡＢＳ２１の近傍部分のみならず、下部磁極層１１の対向面１１ａからも上部磁極層１５へ、又はその逆に磁束の供給がなされることから、上部磁極層１５の対応する部分に磁束が集中しこの部分が飽和し易くなって、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場が小さくなる。その結果、記録磁場を高めた場合にも、隣接するトラックに記録されている磁気情報を消去してしまうような不都合は生じない。即ち、上部磁極層１５とその上の上部ヨーク層２０との接触面積を確保した状態で下部磁極層１１と上部磁極層１５とのＡＢＳ２１近傍での対向面積を凹溝２２によって小さくすることで記録磁場の強度を増大させた場合に、ＡＢＳ２１の反対側からも上部磁極層１５へ磁束の供給を行うことで、漏れ磁場の成分を低減化しているのである。
【００２５】
下部磁極層１１に形成される凹溝２２のＡＢＳ２１とは反対側の端２２ａの位置がどの部分にあれば、記録磁場を高めた場合にも、漏れ磁場がさほど大きくならないかをシミュレーションによって求めた。
【００２６】
図４は凹溝２２の端２２ａの位置と漏れ磁場／記録磁場の比との関係のシミュレーション結果を表す図である。同図において、縦軸は記録磁場及び漏れ磁場（Ｏｅ）並びに漏れ磁場／記録磁場の比、横軸はα／Ｗをそれぞれ表している。ここで、αは上部磁極層１５のＡＢＳ２１とは反対側の端面１５ａから凹溝２２の端２２ａの位置までの距離であり、ＷＧはギャップ層１４の厚さである。なお、αは、図３に示すように、凹溝２２の端２２ａが上部磁極層１５の端面１５ａよりＡＢＳ側にあれば正、ＡＢＳの反対側にあれば負で表されている。αが従ってα／ＷＧが正の場合は、下部磁極層１１の対向面１１ａが存在し、α／ＷＧが負の場合は、対向面は存在しないこととなる。
【００２７】
図４から分かるように、α／ＷＧ≧−１０となると、漏れ磁場／記録磁場の比が低下し始めるので、α≧−１０ＷＧであることが望ましく、これは、図３に示すように凹溝２２′の端２２ａ′が、上部磁極層１５の端面１５ａから１０ＷＧだけＡＢＳ２１とは反対方向に離れた位置に又はこの位置よりＡＢＳ２１側に位置していることである。なお、αが負の場合、対向面は存在しないが、α≧−１０ＷＧであれば、凹溝２２′の端２２ａ′から、上部磁極層１５の端面１５ａまでの磁気的距離がさほど大きくならないため、この部分の上部磁極層へも下部磁極層から磁束の供給がなされ、飽和し易くなって、記録磁場を増大した場合にも漏れ磁場が小さくなるのである。また、ギャップ層１４の厚さＷＧを調整することにより、漏れ磁場の大きさを低減させることが可能となる。
【００２８】
図５及び図６は本実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態の製造工程について説明する。
【００２９】
まず、図５（Ｂ）に示すように、下部シールド層１０、シールドギャップ層１２、ＭＲ層（図５及び図６では図示を省略）及び磁性材料による下部磁極層兼用の上部シールド層１１を順次形成した後、この下部磁極層１１の表面を例えば化学機械研磨法（ＣＭＰ）によって平坦化する。
【００３０】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、この下部磁極層１１に例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料が充填された凹溝２２を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介したミリング、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリング及びレジストマスクを除去する工程を含んでいる。その後、表面を例えばＣＭＰによって平坦化する。
【００３１】
次いで、図５（Ｄ）に示すように、下部磁極層１１上にＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料によるギャップ層１４を積層する。この工程は、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリングによって行われる。さらに、その上にめっき用のシード層を積層する。
【００３２】
次いで、図５（Ｅ）に示すように、ギャップ層１４上に磁性材料による上部磁極層１５を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストフレームの形成、レジストフレームを介した磁性材料のめっき、レジストフレームの除去及びシード層をエッチング除去する工程を含んでいる。その後、上部磁極層１５の整形が行われる。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介した下部磁極層１１の途中までのミリング及びレジストマスクを除去する工程を含んでいる。
【００３３】
次いで、図５（Ｆ）に示すように、絶縁材料をスパッタリングにより積層し、絶縁体層１６を形成する。
【００３４】
次いで、図５（Ｇ）に示すように、絶縁体層１６上にコイル導体層１７を形成する。この工程は、めっき用のシード層のスパッタリング、その上に積層したレジスト層をパターニングすることによるレジストフレームの形成、レジストフレームを介した導電材料のめっき、レジストフレームの除去及びシード層をエッチング除去する工程を含んでいる。
【００３５】
次いで、図６（Ａ）に示すように、レジスト材料１８′をコイル導体層１７上及びそれらの間に塗布して硬化させる。この工程は、レジスト層のパターニング、ベーキングによる硬化の工程を含んでいる。
【００３６】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、その上に例えばＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料をスパッタリングして絶縁体層２３を形成し、その後、表面を例えばＣＭＰによって平坦化する。
【００３７】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、その上に絶縁体層１９を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料のスパッタリング及びレジストマスクを除去するリフトオフ工程を含んでいる。
【００３８】
次いで、図６（Ｄ）に示すように、ヨーク層のバックギャップ部用の開口２４を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、ミリングによる開口２４の部分のコイル導体層１７の除去、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）及びアッシングによるその下の絶縁体層１６及びギャップ層１４の除去、並びにレジストマスクを除去する工程を含んでいる。
【００３９】
その後、図５（Ａ）に示すように、その上に上部ヨーク層２０を形成する。この工程は、シード層をスパッタリングによる積層、レジスト層をパターニングすることによるレジストフレームの形成、レジストフレームを介した磁性材料のめっき、レジストフレームの除去及びシード層をエッチング除去する工程を含んでいる。
【００４０】
これ以後のウエハプロセス、さらにその後に行われる加工プロセス及び研磨プロセスは、この分野においてよく知られているものであるため説明を省略する。
【００４１】
図７は本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態の製造工程について説明する。
【００４２】
まず、図７（Ｂ）に示すように、下部シールド層１０、シールドギャップ層１２、ＭＲ層（図７では図示を省略）及び磁性材料による下部磁極層兼用の上部シールド層１１を順次形成した後、この下部磁極層１１の表面を例えばＣＭＰによって平坦化する。
【００４３】
次いで、図７（Ｃ）に示すように、この下部磁極層１１上にＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料によるギャップ層１４を積層する。この工程は、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリングによって行われる。
【００４４】
次いで、図７（Ｄ）に示すように、このギャップ層１４上に例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料による突起層２５を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料のスパッタリング及びレジストマスクを除去するリフトオフ工程を含んでいる。その後、その上にめっき用のシード層２６を積層する。
【００４５】
次いで、図７（Ｅ）に示すように、ギャップ層１４及び突起層２５上に磁性材料による上部磁極層１５′を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストフレームの形成、レジストフレームを介した磁性材料のめっき、レジストフレームの除去及びシード層をエッチング除去する工程を含んでいる。その後、上部磁極層１５′の整形が行われる。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介した下部磁極層１１の途中までのミリング及びレジストマスクを除去する工程を含んでいる。
【００４６】
以後、図５（Ｆ）及び（Ｇ）並びに図６（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を行うことにより、図７（Ａ）に示すように、上部磁極層１５′に突起層、従って凹溝２５が形成された構造が作製される。
【００４７】
これ以後のウエハプロセス、さらにその後に行われる加工プロセス及び研磨プロセスは、この分野においてよく知られているものであるため説明を省略する。
【００４８】
図７（Ａ）から分かるように、本実施形態においては、下部磁極層１１には凹溝が形成されておらず、上部磁極層１５′に凹溝２５が設けられている。この凹溝２５は、そのＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層１５′のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置している。このため、上部磁極層１５′の、凹溝２５の端の外側位置に、下部磁極層１１と対向する面が存在することとなる。従って、上部磁極層１５′のＡＢＳの近傍部分のみならず、上部磁極層１５′のこの対向面へも下部磁極層１１から、又はその逆に磁束の供給がなされることから、上部磁極層１５′の対応する部分に磁束が集中しこの部分が飽和し易くなって、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場が小さくなる。
その結果、記録磁場を高めた場合にも、隣接するトラックに記録されている磁気情報を消去してしまうような不都合は生じない。
【００４９】
図８は本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態の製造工程について説明する。
【００５０】
まず、図８（Ｂ）に示すように、下部シールド層１０、シールドギャップ層１２、ＭＲ層（図８では図示を省略）及び磁性材料による下部磁極層兼用の上部シールド層１１を順次形成した後、この下部磁極層１１の表面を例えばＣＭＰによって平坦化する。
【００５１】
次いで、図８（Ｃ）に示すように、この下部磁極層１１に例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料が充填された凹溝２２と、その上に例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料による突起層２５とを形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介したミリング、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリング及びレジストマスクの除去、表面を例えばＣＭＰによる平坦化、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料のスパッタリング及びレジストマスクを除去するリフトオフ工程を含んでいる。
【００５２】
次いで、図８（Ｄ）に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料によるギャップ層１４を積層する。この工程は、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリングによって行われる。その後、その上にめっき用のシード層２６を積層する。
【００５３】
次いで、図８（Ｅ）に示すように、ギャップ層１４及び突起層２５上に磁性材料による上部磁極層１５′を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストフレームの形成、レジストフレームを介した磁性材料のめっき、レジストフレームの除去及びシード層をエッチング除去する工程を含んでいる。その後、上部磁極層１５′の整形が行われる。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介した下部磁極層１１の途中までのミリング及びレジストマスクを除去する工程を含んでいる。
【００５４】
以後、図５（Ｆ）及び（Ｇ）並びに図６（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を行うことにより、図８（Ａ）に示すように、下部磁性層１１及び上部磁極層１５′の両方に非磁性材料が充填された凹溝２２及び２５がそれぞれ形成された構造が作製される。
【００５５】
これ以後のウエハプロセス、さらにその後に行われる加工プロセス及び研磨プロセスは、この分野においてよく知られているものであるため説明を省略する。
【００５６】
図８（Ａ）から分かるように、本実施形態においては、下部磁極層１１及び上部磁極層１５′の両方に凹溝２２及び２５が設けられている。これら凹溝２２及び２５は、そのＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層１５′のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置している。このため、上部磁極層１５′の凹溝２５の端の外側位置と、下部磁極層１１の凹溝２２の端の外側位置とに互いに対向する面が存在することとなる。従って、上部磁極層１５′のＡＢＳの近傍部分のみならず、上部磁極層１５′のこの対向面へも下部磁極層１１の対向面から、又はその逆に磁束の供給がなされることから、上部磁極層１５′の対応する部分に磁束が集中しこの部分が飽和し易くなって、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場が小さくなる。その結果、記録磁場を高めた場合にも、隣接するトラックに記録されている磁気情報を消去してしまうような不都合は生じない。
【００５７】
図９は本発明のまたさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態の製造工程について説明する。
【００５８】
まず、図９（Ｂ）に示すように、下部シールド層１０、シールドギャップ層１２、ＭＲ層（図９では図示を省略）及び磁性材料による下部磁極層兼用の上部シールド層１１を順次形成した後、この下部磁極層１１の表面を例えばＣＭＰによって平坦化する。
【００５９】
次いで、図９（Ｃ）に示すように、この下部磁極層１１に例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料が充填された凹溝２２を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介したミリング、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリング及びレジストマスクを除去する工程を含んでいる。その後、表面を例えばＣＭＰにより平坦化する。
【００６０】
次いで、図９（Ｄ）に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料によるギャップ層１４を積層する。この工程は、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料のスパッタリングによって行われる。
【００６１】
次いで、図９（Ｅ）に示すように、ギャップ層１４上に例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料による突起層２５′を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料のスパッタリング及びレジストマスクを除去するリフトオフ工程を含んでいる。その後、その上にめっき用のシード層２６を積層する。
【００６２】
次いで、図９（Ｆ）に示すように、ギャップ層１４及び突起層２５′上に磁性材料による上部磁極層１５″を形成する。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストフレームの形成、レジストフレームを介した磁性材料のめっき、レジストフレームの除去及びシード層をエッチング除去する工程を含んでいる。その後、上部磁極層１５″の整形が行われる。この工程は、レジスト層をパターニングすることによるレジストマスクの形成、レジストマスクを介した下部磁極層１１の途中までのミリング及びレジストマスクを除去する工程を含んでいる。
【００６３】
以後、図５（Ｆ）及び（Ｇ）並びに図６（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を行うことにより、図９（Ａ）に示すように、下部磁性層１１及び上部磁極層１５″の両方に非磁性材料が充填された凹溝２２及び２５′がそれぞれ形成された構造が作製される。
【００６４】
これ以後のウエハプロセス、さらにその後に行われる加工プロセス及び研磨プロセスは、この分野においてよく知られているものであるため説明を省略する。
【００６５】
図９（Ａ）から分かるように、本実施形態においても、下部磁極層１１及び上部磁極層１５″の両方に凹溝２２及び２５′が設けられている。これら凹溝２２及び２５′は、そのＡＢＳとは反対側の端が、上部磁極層１５″のＡＢＳとは反対側の端面よりＡＢＳ側に位置している。このため、上部磁極層１５″の凹溝２５′のＡＢＳとは反対側の端の外側位置と、下部磁極層１１の凹溝２２のＡＢＳとは反対側の端の外側位置とに互いに対向する面が存在することとなる。従って、上部磁極層１５″のＡＢＳの近傍部分のみならず、上部磁極層１５″のこの対向面へも下部磁極層１１の対向面から磁束の供給がなされ、上部磁極層１５″のこの部分が飽和し易くなって、記録磁場を増大した場合にもサイドフリンジ磁界のごとき漏れ磁場が小さくなる。その結果、記録磁場を高めた場合にも、隣接するトラックに記録されている磁気情報を消去してしまうような不都合は生じない。
【００６６】
以上述べた実施形態においては、凹溝の充填物及び／又は突起層がＡｌ２Ｏ３などの非磁性材料であるとしているが、Ａｌ２Ｏ３の他に、レジスト材料や非磁性金属材料などの非磁性材料を用いても良いことは明らかである。また、これら実施形態においては、下部磁極層及び／又は上部磁極層のＡＢＳと平行に走る凹溝が設けられているが、このような凹溝の代わりに溝とは異なる形状の凹部を設けても良いことも明らかである。
【００６７】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態における磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの一部の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図２に示した薄膜磁気ヘッドの上部磁極層と凹溝との位置関係を説明するための断面図である。
【図４】凹溝の端の位置と漏れ磁場／記録磁場の比との関係のシミュレーション結果を表す図である。
【図５】図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。
【図６】図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。
【図９】本発明のまたさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの製造工程の一部を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  磁気ディスク
２、４  軸
３  アセンブリキャリッジ装置
５  キャリッジ
６  アクチュエータ
７  駆動アーム
８  ＨＧＡ
９  サスペンション
１０  下部シールド層
１１  上部シールド層
１１ａ  対向面
１２  シールドギャップ層
１３  ＭＲ層
１４  ギャップ層
１５、１５′、１５″  上部磁極層
１５ａ  ＡＢＳとは反対側の端面
１６、１９、２３  絶縁体層
１７  コイル導体層
１８  レジスト材料層
１８′  レジスト材料
２０  上部ヨーク層
２１  ＡＢＳ
２２、２２′  凹溝
２２ａ、２２ａ′  ＡＢＳとは反対側の端
２４  バックギャップ部用の開口
２５  突起層
２６  シード層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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