(57)【要約】【課題】 入力電圧に応じて出力電圧を生成する電圧生成回路に関し、所望の立ち上がりの出力電圧を生成できる電圧生成回路を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、入力電圧に応じて出力電圧を生成する電圧生成回路において、前記入力電圧に直列に挿入された抵抗回路（Ｒ23、Ｒ24）と、前記抵抗回路（Ｒ23、Ｒ24）とともにフィルタを構成するキャパシタ（Ｃ２）と、前記入力電圧の立ち上がり及び／又は立ち下がりをディジタル処理により遅延出力するディジタル遅延回路（４２）と、前記ディジタル遅延回路（４２）の遅延出力に応じて前記抵抗回路（Ｒ23、Ｒ24）を構成する抵抗のうち所定の抵抗（Ｒ24）をバイパスさせるバイパス回路（５２）とを有することを特徴とする。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧に応じて出力電圧を生成する電圧生成回路において、
前記入力電圧に直列に挿入された抵抗回路と、
前記抵抗回路とともにフィルタを構成するキャパシタと、
前記入力電圧の立ち上がり及び／又は立ち下がりをディジタル処理により遅延出力するディジタル遅延回路と、
前記ディジタル遅延回路の遅延出力に応じて前記抵抗回路を構成する抵抗のうち所定の抵抗をバイパスさせるバイパス回路とを有することを特徴とする電圧生成回路。
【請求項２】
前記抵抗回路は、複数の抵抗を直列に接続した構成とされ、
前記バイパス回路は、前記複数の抵抗のうちバイパスさせる所定の抵抗に並列に接続され、前記ディジタル遅延回路の遅延出力に応じてスイッチングするスイッチを有することを特徴とする請求項１記載の電圧生成回路。
【請求項３】
前記バイパス回路は、前記ディジタル遅延回路の遅延出力が、前記入力電圧が立ち下がっている期間に相当する期間、前記抵抗回路のうち所定の抵抗をバイパスさせることを特徴とする請求項１又は２記載の電圧生成回路。
【請求項４】
前記バイパス回路は、前記抵抗回路のうち複数の抵抗を異なる遅延時間を有する複数のディジタル遅延回路の遅延出力に応じてバイパスさせることにより、所望の立ち上がりを可能としたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の電圧生成回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電圧生成回路に係り、特に、入力電圧に応じて出力電圧を生成する電圧生成回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のよりオーディオ信号を増幅して、ヘッドフォンやスピーカなどに出力するオーディオアンプ回路が知られている。
【０００３】
このようなオーディオアンプ回路には、電源の投入時や切断時のノイズをカットするためにシャットダウン機能及びミュート機能が内蔵されている。
【０００４】
図６はオーディオアンプ回路のブロック構成図を示す。
【０００５】
オーディオアンプ回路１０１の入力端子Ｔinには、信号源１０２から直流カット用のコンデンサＣ41を介して入力信号が供給される。入力端子Ｔinに供給された入力信号は、増幅回路１１１に供給される。増幅回路１１１は、差動増幅回路１２１、入力抵抗Ｒ31、帰還抵抗Ｒ32、スイッチ１２２から構成されており、基準電圧生成回路１１２から基準電圧が印加され、反転増幅回路を構成する。
【０００６】
増幅回路１１１は、基準電圧生成回路１１２からの基準電圧と入力端子Ｔinに供給された入力信号との差に応じた信号を出力する。増幅回路１１１で増幅された信号は、出力端子Ｔoutから出力され、スピーカ１０３を駆動する。
【０００７】
スイッチ１２２は、入力抵抗Ｒ31と帰還抵抗Ｒ32との接続点と差動増幅回路１２１の反転入力端子との間に設けられており、制御端子Ｔcnt1にコントローラ１０４から供給されるミュート信号に応じてスイッチングされる。スイッチ１２２は、ミュート信号がハイレベルのときには、入力抵抗Ｒ31と帰還抵抗Ｒ32との接続点と差動増幅回路１２１の反転入力端子とを短絡状態として、入力信号が反転増幅されて、出力端子Ｔoutから出力されるようにする。
【０００８】
また、スイッチ１２２は、ミュート信号がローレベルのときには、差動増幅回路１２１の出力と反転入力端子とを短絡状態として、入力信号が出力端子Ｔoutから出力されないようにする。このように、コントローラ１０４から制御端子Ｔcnt1に供給されるミュート信号に応じてスイッチ１２２がスイッチングされ、入力信号の差動増幅回路１２１への供給が制御され、ミュート機能が制御される。
【０００９】
また、基準電圧生成回路１１２は、スイッチ１３１、抵抗Ｒ41、Ｒ42、コンデンサＣ51から構成される。基準電圧生成回路１１２には、定電圧Ｖddが印加されている。定電圧Ｖddは、スイッチ１３１を介して抵抗Ｒ41、Ｒ42から構成される直列回路に印加される。スイッチ１３１は、コントローラ１０４から制御端子Ｔcnt2に供給されるシャットダウン信号がハイレベルのときにはオンし、定電圧Ｖddを抵抗Ｒ41、Ｒ42から構成される直列回路に印加し、シャットダウン信号がローレベルのときにはオフし、抵抗Ｒ41、Ｒ42から構成される直列回路への定電圧Ｖddの印加を停止させる。
【００１０】
抵抗Ｒ41、Ｒ42は、スイッチ１３１がオンのときに定電圧Ｖddを分圧して、基準電圧を生成し、差動増幅回路１２１の非反転入力端子に供給する。これにより、増幅回路１１１が動作状態となる。このとき、抵抗Ｒ41と抵抗Ｒ42との接続点には、端子Ｔcが接続されており、また、この端子Ｔcには、コンデンサＣ51が外付けされている。端子Ｔcに接続されたコンデンサＣ51により基準電圧のリプルが吸収される。
【００１１】
図７はオーディオアンプ回路１０１の動作説明図を示す。図７（Ａ）はコントローラ１０４から出力されるシャットダウン信号、図７（Ｂ）はスイッチ１３１のスイッチング状態、図７（Ｃ）は差動増幅回路１２１に供給される基準電圧、図７（Ｄ）はコントローラ１０４から出力されるミュート信号、図７（Ｅ）はスイッチ１２２のスイッチング状態を示す。
【００１２】
図７（Ａ）に示すように時刻ｔ20でシャットダウン信号がローレベルからハイレベルになると、図７（Ｂ）に示すようにスイッチ１３１がオンする。スイッチ１３１がオンすることにより、抵抗Ｒ41、Ｒ42により基準電圧が生成される。このとき、図７（Ｃ）に示すように外付けコンデンサＣ51により基準電圧は徐々に立ち上がり、時刻ｔ11で所定のレベルになる。時刻ｔ11で基準電圧が所定レベルに達すると、差動増幅回路１２１のシャットダウン状態が解除され、動作状態となる。
【００１３】
コントローラ１０４は、シャットダウン信号をハイレベルにしてからの時間をカウントしており、予め設定された所定時間経過した時刻ｔ12で図７（Ｄ）に示すようにミュート信号を出力する。ミュート信号により図７（Ｅ）に示すように増幅回路１１１のスイッチ１２２がオンし、入力信号のミュート状態が解除されると、入力信号が増幅回路１１１で増幅され、スピーカ１０３に供給される。
【００１４】
このように、従来はコントローラ１０４からのシャットダウン信号に基づいて、基準電圧生成回路１１２での基準電圧の生成が制御され、増幅回路１１１の動作が制御され、シャットダウン機能が制御され、また、コントローラ１０４からのミュート信号に基づいて、増幅回路１１１のミュート機能が制御されている。
【００１５】
例えば、スタンバイ信号に応じて増幅回路の基準電圧の生成を制御するオーディオアンプ回路が提案されている（特許文献１参照）。
【００１６】
【特許文献１】ＵＳＰ５，６４２，０７４号（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかるに、従来のオーディオアンプ回路では、基準電圧はリプル吸収用のコンデンサＣ51によりシャットダウン信号に対して遅延して立ち上がっていた。
【００１８】
このため、立ち上がりまでの速度が遅く、音声の出力が遅延するなどの問題点があった。
【００１９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、所望の立ち上がりの出力電圧を生成できる電圧生成回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、入力電圧に応じて出力電圧を生成する電圧生成回路において、前記入力電圧に直列に挿入された抵抗回路（Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）と、前記抵抗回路（Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）とともにフィルタを構成するキャパシタ（Ｃ２）と、前記入力電圧の立ち上がり及び／又は立ち下がりをディジタル処理により遅延出力するディジタル遅延回路（４２；８１）と、前記ディジタル遅延回路（４２；８１）の遅延出力に応じて前記抵抗回路（Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）を構成する抵抗のうち所定の抵抗をバイパスさせるバイパス回路（５２；５２ａ、５２ｂ）とを有することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、前記抵抗回路を、複数の抵抗（Ｒ23、Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）を直列に接続した構成とし、前記バイパス回路は、前記複数の抵抗（Ｒ23、Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）のうちバイパスさせる所定の抵抗（Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）に並列に接続され、前記ディジタル遅延回路（４２；８２）の遅延出力に応じてスイッチングするスイッチ（Ｑ１、Ｑ２）を有することを特徴とする。
【００２２】
さらに、本発明は、前記ディジタル遅延回路（４２；８２）の遅延出力が、前記入力電圧が立ち下がっている期間に相当する期間、前記抵抗回路のうち所定の抵抗をバイパスさせることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、前記抵抗回路のうち複数の抵抗（Ｒ24a、Ｒ24b）を前記ディジタル遅延回路（８２）の異なる遅延出力でバイパスさせることにより、所望の立ち上がりを可能としたことを特徴とする。
【００２４】
なお、上記参照符号はあくまでも参考であり、これによって特許請求の範囲が限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、入力電圧に直列に挿入された抵抗回路（Ｒ23、Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）と、抵抗回路（Ｒ23、Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）とともにフィルタを構成するキャパシタ（Ｃ２）と、入力電圧の立ち上がり及び／又は立ち下がりをディジタル処理により遅延出力するディジタル遅延回路（４２；８２）と、ディジタル遅延回路（４２；８２）の遅延出力に応じて抵抗回路（Ｒ23、Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）を構成する抵抗のうち所定の抵抗（Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）をバイパスさせるバイパス回路（５２；５２ａ、５２ｂ）とを設け、立ち上がり時に抵抗（Ｒ24；Ｒ24a、Ｒ24b）をバイパスさせることにより、生成電圧の立ち上がりを調整できる。このため、例えば、後段の回路（２１、３１）の特性に合わせて、電圧を立ち上げることができるため、後段回路（２１、３１）を高速、かつ、ショックなく起動できるなどの特長を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は本発明の一実施例のブロック構成図を示す。
【００２７】
本実施例の信号出力回路１は、１チップの半導体集積回路から構成され、増幅回路１１、１２、機能制御回路１３が搭載された構成とされ、外部端子として、入力端子Ｔin、出力端子Ｔout-、Ｔout+、端子Ｔsd、Ｔcを有する構成とされている。入力端子Ｔinには、信号源２からコンデンサＣ１を介して入力信号が供給される。端子Ｔsdには、コントローラ４からシャットダウン信号が供給される。また、反転出力端子Ｔout-と非反転出力端子Ｔout+との間には、スピーカ３が接続される。さらに、端子Ｔcには、コンデンサＣ２が接続される。
【００２８】
入力端子Ｔinに供給された信号は、増幅回路１１に供給される。増幅回路１１は、抵抗Ｒ１、Ｒ２、差動増幅回路２１、スイッチ回路２２から構成され、反転増幅回路を構成しており、入力端子Ｔinに供給された入力信号を反転増幅して出力する。
【００２９】
スイッチ回路２２は、ミュート機能を実現するための回路であり、入力抵抗Ｒ１と帰還抵抗Ｒ２との接続点と差動増幅回路２１に反転入力端子との間に接続されており、機能制御回路１３から供給されるミュート信号がローレベルのときにオンし、ハイレベルのときにオフする。スイッチ回路２２は、オンすると、入力抵抗Ｒ１と帰還抵抗Ｒ２との接続点と差動増幅回路２１の反転入力端子とを短絡し、入力信号が差動増幅回路２１の反転入力端子に供給されるようにする。これにより、増幅回路１１は、ミュートが解除され、入力信号が反転増幅される状態となる。
【００３０】
スイッチ回路２２は、オフすると、入力抵抗Ｒ１と帰還抵抗Ｒ２との接続点と差動増幅回路２１の反転入力端子とを開放あるいは、破線で示すように、差動増幅回路２１の出力端子と非反転入力端子とを短絡した状態とする。これにより、増幅回路１１は入力信号をミュートした状態となる。
【００３１】
増幅回路１１の出力信号は、反転出力端子Ｔout-から出力されるとともに、増幅回路１２に供給される。
【００３２】
増幅回路１２は、抵抗Ｒ11、Ｒ12、差動増幅回路３１、スイッチ回路３２から構成され、差動増幅回路を構成しており、増幅回路１１から供給された信号を反転増幅して、非出力端子Ｔout+から出力する。
【００３３】
スイッチ回路３２は、ミュート機能を実現するための回路であり、入力抵抗Ｒ11と帰還抵抗Ｒ12との接続点と差動増幅回路３１に反転入力端子との間に接続されており、機能制御回路１３から供給されるミュート信号がローレベルのときにオンし、ハイレベルのときにオフする。スイッチ回路３２は、オンすると、入力抵抗Ｒ11と帰還抵抗Ｒ12との接続点と差動増幅回路３１の反転入力端子とを短絡し、入力信号が差動増幅回路３１の反転入力端子に供給されるようにする。これにより、増幅回路１２は、ミュートが解除され、入力信号が反転増幅される状態となる。
【００３４】
スイッチ回路３２は、オフすると、入力抵抗Ｒ１と帰還抵抗Ｒ２との接続点と差動増幅回路２１の反転入力端子とを開放あるいは、破線で示すように、差動増幅回路２１の出力端子と非反転入力端子とを短絡した状態とする。これにより、増幅回路１２は入力信号をミュートした状態となる。
【００３５】
増幅回路１２の出力信号は、反転出力端子Ｔout+から出力される。
【００３６】
端子Ｔsdには、コントローラ４からシャットダウン信号が供給されている。コントローラ４は、例えば、電源投入時にシャットダウン信号をローレベルからハイレベルに反転させる。端子Ｔsdにコントローラ４から供給されたシャットダウン信号は、機能制御回路１３に供給される。
【００３７】
機能制御回路１３は、基準電圧生成回路４１及び遅延回路４２から構成される。基準電圧生成回路４１は、シャットダウン機能を実現するための回路であり、スイッチ５１、抵抗Ｒ21〜Ｒ24、バイパス回路５２から構成されている。また、基準電圧生成回路４１には、端子ＴcにコンデンサＣ２が外付けされる。
【００３８】
スイッチ５１は、シャットダウン信号がハイレベルのときにオンし、ローレベルのときオフする。スイッチ５１がオンすると、定電圧Ｖddが抵抗Ｒ21、Ｒ22からなる直列回路に印加される。抵抗Ｒ21、Ｒ22には、定電圧Ｖddを抵抗Ｒ21と抵抗Ｒ22とで分圧した電圧を抵抗Ｒ21と抵抗Ｒ22との接続点から出力する。
【００３９】
抵抗Ｒ21と抵抗Ｒ22との接続点は、抵抗Ｒ23、Ｒ24からなる直列回路を介して増幅回路１１の差動増幅回路２１及び増幅回路１２の差動増幅回路３１の非反転入力端子に接続される。抵抗Ｒ24と、増幅回路１１の差動増幅回路２１及び増幅回路１２の差動増幅回路３１の非反転入力端子との接続点は、端子Ｔcに接続されている。
【００４０】
端子Ｔcに外付けされたコンデンサＣ２は、増幅回路１１の差動増幅回路２１及び増幅回路１２の差動増幅回路３１の非反転入力端子に印加される基準電圧のリプルを吸収する。
【００４１】
スイッチ５１がオンすると、抵抗Ｒ23、Ｒ24及びコンデンサＣ２により決定される時定数だけ遅延して、差動増幅回路２１の非反転入力端子及び差動増幅回路３１の非反転入力端子の印加電圧が立ち上がる。よって、増幅回路１１、１２の起動が遅延する。そこで、増幅回路１１、１２の起動を速くするために、スイッチ５１がオンするときに、抵抗Ｒ24をバイパスするバイパス回路５２を設けている。
【００４２】
バイパス回路５２は、ＣＭＯＳ（complementary metal oxide
semiconductor）構造とされたＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１及びＱ２並びにインバータ６１から構成され、抵抗Ｒ24をバイパスする伝達経路を形成するトランスファゲートを構成している。ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１及びＱ２は、ゲートに遅延回路４２の出力が印加されており、遅延回路４２の出力がローレベルのとき共にオンし、遅延回路４２の出力が所定時間遅延してハイレベルになったとき、オフする。
【００４３】
このため、バイパス回路５２は、シャットダウン信号が立ち上がり、スイッチ５１がオンした状態では、オンし、抵抗Ｒ24をバイパスしており、シャットダウン信号が立ち上がってから所定時間、遅延した後に、オフし、抵抗Ｒ24のバイパスを解除する。抵抗Ｒ24がバイパス回路５２によりバイパスされることにより、抵抗が小さくなるので、端子Ｔcに接続されたコンデンサＣ２の充電電流が大きくなり、コンデンサＣ２が高速で充電される。よって、差動増幅回路２１の非反転入力端子及び差動増幅回路３１の非反転入力端子への印加電圧の立ち上がりが速くなり、増幅回路１１、１２を早く動作させることができる。
【００４４】
なお、遅延回路４２は、ミュート機能を制御するための回路であり、シャットダウン信号を所定に遅延時間だけ遅延させ、ミュート信号として出力する。所定の遅延時間は、シャットダウン信号に応じて増幅回路１１、１２が起動してから増幅回路１１、１２が確実に動作するまでに要する時間に設定されている。
【００４５】
図２は遅延回路４２のブロック構成図を示す。
【００４６】
遅延回路４２は、発振回路７１、インバータ７２、フリップフロップ７３−１〜７３−ｎから構成されたロジックタイマから構成されている。
【００４７】
発振回路７１は、シャットダウン制御端子Ｔsdに供給されるシャットダウン信号がローレベルからハイレベルになると、起動して発振を開始し、発振出力をインバータ７２及びフリップフロップ７３−１に供給する。インバータ７２は、発振回路７１の発振出力を反転出力する。
【００４８】
フリップフロップ７３−１〜７３−ｎは、Ｄフリップフロップから構成されており、リセット端子Ｒには、シャットダウン信号が供給され、シャットダウン信号により出力Ｑがローレベルにリセットされる。フリップフロップ７３−１は、クロック端子Ｃに発振回路７１の発振出力が供給され、反転クロック端子ＮＣにインバータ７２により反転された反転発振出力が供給され、データ端子Ｄには、反転出力端子ＮＱが接続されている。また、反転出力端子ＮＣは次段のフリップフロップ７３−２のクロック端子Ｃに接続され、非反転出力端子Ｑは反転クロック端子ＮＣに接続されている。
【００４９】
以上フリップフロップ７３−１、７３−２の接続をｎ個のフリップフロップ７３−１〜７３−ｎに対して行う。これにより、いわゆる、アップカウンタを構成している。最終段のフリップフロップ７３−ｎの非反転出力端子Ｑから出力は、シャットダウン信号の立ち上がりから発振回路７１の発振出力をｎの２剰回カウントアップした後に、ハイレベルに立ち上がる。これによって、シャットダウン信号を遅延した出力が得られる。
【００５０】
このように、遅延回路４２をロジックタイマで構成することにより、コンデンサなどを用いて遅延時間を設定する場合に比べて、正確に遅延時間を設定できる。
【００５１】
なお、本実施例では、遅延回路４２をロジックタイマで構成したが、これに限定されるものではなく、ディジタル処理により遅延させる構成の遅延回路であればよい。
【００５２】
次に本実施例の動作を説明する。
【００５３】
図３は本発明の一実施例の動作説明図を示す。図３（Ａ）はコントローラ４から端子Ｔsdに供給されるシャットダウン信号、図３（Ｂ）はスイッチ５１のスイッチング状態、図３（Ｃ）は差動増幅回路２１、３１の非反転入力端子に印加される基準電圧、図３（Ｄ）は遅延回路４２の出力、図３（Ｅ）はスイッチ２２、３２のスイッチング状態を示す。
【００５４】
図３（Ａ）に示すように時刻ｔ0でシャットダウン信号がローレベルからハイレベルになると、図３（Ｂ）に示すようにスイッチ５１がオンする。このとき、バイパス回路５２がオン状態であるため、外付けコンデンサＣ２が急速に充電され、時刻ｔ１で差動増幅回路２１、３１の非反転入力端子に所定の基準電圧が印加される。
【００５５】
その後、時刻ｔ０から所定の遅延時間ΔＴ経過した時刻ｔ２（＞ｔ１）で、遅延回路４２の出力がハイレベルに立ち上がり、スイッチ２２、３２がオンする。スイッチ２２、３２がオンすることにより、ミュートが解除され、入力信号が増幅回路１１、１２で増幅され、スピーカ３に供給される。
【００５６】
本実施例によれば、端子Ｔsdからシャットダウン信号を供給するだけで、シャットダウン状態の解除後、ミュート状態を解除できるため、外部端子数を低減できる。また、コントローラ４はシャットダウン信号だけを生成すればよいので、コントローラ４の処理負担を低減できる。
【００５７】
また、シャットダウン信号を遅延させることによりミュート状態を制御するミュート信号を生成することにより、シャットダウン状態の解除が終了した後にミュート状態の解除することができる。このため、差動増幅回路２１、３１の起動前は入力信号をミュート状態にすることができ、差動増幅回路２１、３１の起動時の出力の大幅な変動を防止でき、スムーズな起動が可能となる。
【００５８】
なお、本実施例の基準電圧生成回路４１では、単に抵抗Ｒ24をバイパスさせることにより差動増幅回路２１、３１の非反転入力端子に供給される基準電圧の起動時間を早める構成としたが、複数の抵抗を、タイミングを変えてバイパスさせることにより、立ち上がりの波形を設定するようにしてもよい。
【００５９】
図４は機能制御回路１３のブロック構成図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６０】
本変形例の機能制御回路８０は、基準電圧生成回路８１が抵抗Ｒ24に代えて抵抗Ｒ24a、Ｒ24bを設け、バイパス回路５２に代えて、抵抗Ｒ24aをバイパスさせるバイパス回路５２a、抵抗Ｒ24bをバイパスさせるバイパス回路５２ｂを設けた構成とされている。また、遅延回路８２は、シャットダウン信号を第１の遅延時間Ｔ1だけ遅延させる遅延回路４２a、シャットダウン信号を第１の遅延時間Ｔ1より長い第２の遅延時間Ｔ2（＞Ｔ１）だけ遅延させる遅延回路４２ｂから構成される。なお、遅延回路４２ａ、４２ｂは、図２に示す遅延回路４２と同様な構成であり、Ｄ−フリップフロップの接続段数が遅延回路４２ａに比べて遅延回路４２ｂが多く設定されている。
【００６１】
基準電圧生成回路８１を構成する抵抗Ｒ24a、Ｒ24bは、抵抗Ｒ23と端子Ｔcとの間に直列に接続されている。バイパス回路５２ａは抵抗Ｒ24aに並列に接続され、バイパス回路５２ｂは抵抗Ｒ24bに並列に接続されている。
【００６２】
バイパス回路５２aは、図１に示すバイパス回路５２と同様にＣＭＯＳ構造によりトランスファゲートを構成するＭＯＳ電界効果トランジスタＱ1a、Ｑ2a、インバータ６１ａから構成され、遅延回路４２aから供給される第１の遅延出力によりシャットダウン信号の立ち上がりから第１の遅延時間Ｔ１だけ遅延してスイッチングされる。バイパス回路５２ｂは、図１に示すバイパス回路５２と同様にＣＭＯＳ構造によりトランスファゲートを構成するＭＯＳ電界効果トランジスタＱ1b、Ｑ2b、インバータ６１ｂから構成され、遅延回路４２ｂから供給される第２の遅延出力によりシャットダウン信号の立ち上がりから第１の遅延時間Ｔ１だけ遅延してスイッチングされる。
【００６３】
図５は本発明の一実施例の変形例の動作説明図を示す。図５（Ａ）はシャットダウン信号、図５（Ｂ）は遅延回路４２ａの遅延出力、図５（Ｃ）は遅延回路４２ｂの遅延出力、図５（Ｄ）は端子Ｔcに発生する基準電圧の波形を示す。
【００６４】
図５（Ａ）に示すように時刻ｔ20でシャットダウン信号が立ち上がると、スイッチ５１がオンする。このとき、遅延回路４２ａ、４２ｂの遅延出力はローレベルであるので、バイパス回路５２ａ、５２ｂは共にオンとなり、抵抗Ｒ24a、Ｒ24bをバイパスしてコンデンサＣ２が充電される。このため、図５（Ｄ）に示すように端子Ｔcに発生する基準電圧は急峻に立ち上がる。
【００６５】
時刻ｔ20でシャットダウン信号が立ち上がり、第１の遅延時間Ｔ1が経過した時刻ｔ21になると、図５（Ｂ）に示すように遅延回路４２ａの遅延出力が立ち上がる。遅延回路４２ａの遅延出力が立ち上がると、バイパス回路５２ａがオフする。バイパス回路５２ａがオフすると、抵抗Ｒ24aを通してコンデンサＣ２が充電されるため、図５（Ｄ）に示すように端子Ｔcに発生する基準電圧の立ち上がりが緩やかになる。
【００６６】
時刻ｔ20でシャットダウン信号が立ち上がり、第２の遅延時間Ｔ2が経過した時刻ｔ22になると、図５（Ｃ）に示すように遅延回路４２ｂの遅延出力が立ち上がる。遅延回路４２ｂの遅延出力が立ち上がると、バイパス回路５２ｂがオフする。バイパス回路５２ｂがオフすると、抵抗Ｒ24a、Ｒ24bの両方を通してコンデンサＣ２が充電されるため、図５（Ｄ）に示すように端子Ｔcに発生する基準電圧の立ち上がりがさらに緩やかになる。
【００６７】
時刻ｔ23でコンデンサＣ２が充電されると、図５（Ｄ）に示すように端子Ｔcに発生する基準電圧は一定レベルになる。
【００６８】
このとき、端子Ｔcに発生する基準電圧は、抵抗Ｒ24a、Ｒ24b、第１の遅延時間Ｔ１、及び、第２の遅延時間Ｔ２の設定に応じて所望の立ち上がり波形に調整できる。このため、例えば、第１の遅延時間Ｔ１を第２の遅延時間Ｔ２に比べて長く設定することにより、端子Ｔcに発生する基準電圧の立ち上がりを、高速で、かつ、ショックを少なく立ち上がるように設定することにより、差動増幅回路２１、３１を高速に立ち上げることができるとともに、立ち上がりのショックを軽減し、ショックノイズなどが発生することなく起動できる。
【００６９】
なお、本実施例では、説明を簡単にするために、２つの直列抵抗Ｒ24a、Ｒ24bをバイパスするバイパス回路５２a、５２ｂを設けることにより、３段階の立ち上がりを設定可能としたが、直列抵抗の段数を増加させ、多段の立ち上がりを設定可能としてもよい。
【００７０】
また、本実施例では、直列抵抗に並列にバイパス回路を挿入するようにしたが、並列抵抗に直列にバイパス回路を挿入することにより、立ち上がりの設定を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施例のブロック構成図である。
【図２】遅延回路４２のブロック構成図である。
【図３】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図４】機能制御回路１３の変形例のブロック構成図である。
【図５】本発明の一実施例の変形例の動作説明図である。
【図６】オーディオアンプ回路のブロック構成図である。
【図７】オーディオアンプ回路の動作説明図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  信号出力回路、２  信号源、３  スピーカ、４  コントローラ
１１、１２  増幅回路、１３  機能制御回路
２１、３１  差動増幅回路、２２、３２  スイッチ
４１  基準電圧生成回路、４２、４２a、４２ｂ  遅延回路
５１  スイッチ、５２、５２a、５２ｂ  バイパス回路
６１  インバータ
７１  発振回路、７２  インバータ、７３−１〜７３−ｎ  フリップフロップ
８０  機能制御回路
８１  基準電圧生成回路、８２  遅延回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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