(57)【要約】【課題】  ゲート間リークを発生させずに駆動させることができる電荷転送装置を提供する。【解決手段】  信号電荷の転送を行う電荷転送部２０３と、電荷転送部２０３の上方に形成され転送を制御する第１のゲート電極２０１と、電荷転送部２０３の上方において第１のゲート電極２０１の端部を覆って隣に形成され転送を制御する第２のゲート電極２０２と、第１のゲート電極２０１に接続され駆動電圧を印加する第１の配線部２０８と、第２のゲート電極２０２に接続され駆動電圧を印加する第２の配線部２０９とを備え、第２の配線部２０９を、第１の配線部２０８の上方であって幅端部より内側の範囲内に形成する。または、第２の配線部２０９を、第１の配線部２０８の端部を垂直転送部２０３のゲートオーバーラップ長以下のオーバーラップ長をもって覆って形成する。【選択図】  図１
2005166825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、信号電荷の転送を行う電荷転送部と、
前記電荷転送部の上方に形成され、前記転送を制御する第１のゲート電極と、
前記電荷転送部の上方において前記第１のゲート電極の端部を覆って隣に形成され、前記転送を制御する第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極に接続され、前記第１のゲート電極に駆動電圧を印加する第１の配線部と、
前記第２のゲート電極に接続され、前記第２のゲート電極に駆動電圧を印加する第２の配線部とを備え、
前記第２の配線部は、前記第１の配線部の上方であって前記第１の配線部の幅端部より内側の範囲内に形成されている
ことを特徴とする電荷転送装置。
【請求項２】
光を信号電荷に変換するフォトダイオードをさらに備え、
前記電荷転送部は、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を転送し、
前記第２の配線部は、少なくとも前記フォトダイオードが形成された有効画素領域外において、前記第１の配線部の上方であって前記第１の配線部の幅端部より内側の範囲内に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の電荷転送装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、信号電荷の転送を行う電荷転送部と、
前記電荷転送部の上方に形成され、前記転送を制御する第１のゲート電極と、
前記電荷転送部の上方において前記第１のゲート電極の端部からオーバーラップ長ｄ１をもって覆って隣に形成され、前記転送を制御する第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極に接続され、前記第１のゲート電極に駆動電圧を印加する第１の配線部と、
前記第２のゲート電極に接続され、前記第２のゲート電極に駆動電圧を印加する第２の配線部とを備え、
前記第２の配線部は、前記第１の配線部の端部をオーバーラップ長ｄ２をもって覆って形成され、前記オーバーラップ長ｄ２は前記オーバーラップ長ｄ１以下である
ことを特徴とする電荷転送装置。
【請求項４】
光を信号電荷に変換するフォトダイオードをさらに備え、
前記電荷転送部は、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を転送し、
前記第２の配線部は、少なくとも前記フォトダイオードが形成された有効画素領域外において、前記第１の配線部の端部をオーバーラップ長ｄ２をもって覆い、前記オーバーラップ長ｄ２は前記オーバーラップ長ｄ１以下である
ことを特徴とする請求項３記載の電荷転送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一体型ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等の固体撮像装置に利用できる電荷転送装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像装置は一体型ビデオカメラやデジタルスチルカメラの撮像部などに広く実用に供されている。その中でインターライン転送方式ＣＣＤ型固体撮像装置（以下ＩＴ−ＣＣＤという）は、低雑音特性を有することから、特に注力されている。
図４は、一般的なＩＴ−ＣＣＤの構成を示す模式図である。
図４において、ＩＴ−ＣＣＤ１は、二次元状に複数配置され光電変換機能を有するフォトダイオード１０１、各フォトダイオード１０１に隣接して設置されフォトダイオード１０１で発生した信号電荷を垂直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送部１０２、各フォトダイオード１０１に隣接して設置され垂直転送を制御する垂直転送ゲート１０３、各垂直転送ゲート１０３に転送を制御する転送パルスを与えるための垂直配線部１０４、各垂直転送部１０２から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部１０５、および水平転送部１０５の信号電荷を外部に出力する出力部１０６を備える。
【０００３】
図５は、図４に示した単位画素６個分のフォトダイオード１０１と垂直転送ゲート１０３のゲート電極パターンを示す図である。
図５においては、フォトダイオード２０４、垂直転送部２０２上の第１のポリシリコンで形成された第１の転送ゲート２０１および第２のポリシリコンで形成された第２の転送ゲート２０２が示されている。
【０００４】
図６は、図４における各垂直転送ゲート１０３に駆動信号を供給するための垂直配線部１０４のゲート電極パターンの詳細を示す図である。
図６において、図５と同様に、第１のポリシリコンで形成された第１の転送ゲート２０１、第２のポリシリコンで形成された第２の転送ゲート２０２、第１の転送ゲート２０１に駆動電圧を供給するためのポリシリコンで形成された第１の配線部２０８、および第２の転送ゲート２０２に駆動電圧を供給するためのポリシリコンで形成された第２の配線部２０９が示されている。また、第１の配線部２０８と第２の配線部２０９はコンタクト２０６によりアルミニウム（ＡＬ）配線２０７に電気的に接続されている。これにより、それぞれのゲートには垂直方向の電荷転送のための転送パルスが印加される。
【０００５】
ＡＬ配線２０７にはＶ１〜Ｖ４の垂直転送パルスが印加され、これにより、第１の転送ゲート２０１には、Ｖ２もしくはＶ４、第２の転送ゲート２０２にはＶ１もしくはＶ３が、それぞれ順番に印加される。なお、以降の説明ではＶ１が印加される第２の転送ゲートをＶ１ゲート、Ｖ２が印加される第１の転送ゲートをＶ２ゲート、Ｖ３が印加される第２の転送ゲートをＶ３ゲート、Ｖ４が印加される第１の転送ゲートをＶ４ゲートと呼ぶこととする。
【０００６】
図５および図６における第１の転送ゲート２０１および第１の配線部２０８は第１のポリシリコンで、また第２の転送ゲート２０２および第２の配線部２０９は第２のポリシリコンでそれぞれ形成されており、第２の転送ゲート２０２および第２の配線部２０９は、第１の転送ゲート２０１および第１の配線部２０８上にオーバーラップ部分をもつ。
次に、このオーバーラップ部分について以下に説明を行う。
【０００７】
図７は、従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極を示す図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）における垂直転送部２０３の中央付近Ａ−Ａ’での断面を示す図である。
図７においてＶ１ゲートもしくはＶ３ゲートはそれぞれＶ２ゲートもしくはＶ４ゲートとのオーバーラップａ１をもち、Ｖ２ゲートもしくはＶ４ゲートはそれぞれＶ３ゲートもしくはＶ１ゲートとオーバーラップｂ１をもつ。
【０００８】
第１の転送ゲート２０１と第２の転送ゲート２０２のオーバーラップ部分の間には酸化膜などの層間絶縁膜が形成されている。これらの層間絶縁膜は、第１の転送ゲート２０１を形成後第１の転送ゲート２０１を酸化、もしくはＣＶＤなどの方法にて層間絶縁膜を形成後、第２の転送ゲート２０２を形成することで得られる。
第２の転送ゲート２０２形成後は酸化やＣＶＤなどの方法により、更にその上方の配線層との層間絶縁膜を形成する。
【０００９】
この第２の転送ゲート２０２の酸化時において、酸素がオーバーラップ部分に供給されやすい。オーバーラップｂ１の方がオーバーラップａ１に比べその距離が小さいため、２つのオーバーラップ部分の層間絶縁膜厚はオーバーラップａ１よりもオーバーラップｂ１の部分の方がより厚くなる。
図８は、従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極配線部を示す図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極配線部のＢ−Ｂ’での断面を示す図である。
【００１０】
図８においても、Ｖ１ゲートもしくはＶ３ゲートはそれぞれＶ２ゲートもしくはＶ４ゲートとのオーバーラップａ２をもち、Ｖ２ゲートもしくはＶ４ゲートはそれぞれ、Ｖ３ゲートもしくはＶ１ゲートとのオーバーラップｂ２をもつ。
なお、第１の配線部２０８および第２の配線部２０９の下方の半導体基板２０５はシリコンで形成されている。
【００１１】
図８におけるオーバーラップａ２およびｂ２は図７における垂直転送部２０３でのゲート電極のオーバーラップａ１およびｂ１と比較すると、ａ２とａ１はほぼ同等の長さであるが、ｂ２は通常ａ２とほぼ等しくなるように設計されるため、ｂ１より長くなっており、このためオーバーラップｂ２における層間絶縁膜厚はオーバーラップｂ１のように厚くはならない。
【００１２】
なお、今日通常は垂直転送部２０３においては単位画素サイズ内に隣接してフォトダイオードを形成する等、寸法的に余裕がない状況でゲート形成を行っているが、配線部においてはフォトダイオードを隣接して形成する必要が無い分、寸法的に余裕があり、オーバーラップ形成においても均等に行うのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−４０７９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来の構成の固体撮像装置における電荷転送装置では、以下に説明を行うように駆動電圧に対して十分な耐圧性能が得られなくなるという問題がある。
すなわち、配線部においては、Ｖ４−Ｖ１、Ｖ２−Ｖ３間のゲート層間絶縁膜厚が撮像部のゲート層間絶縁膜厚より薄くなっているため、配線部にてゲート間耐圧が低下し、ハイレベル電圧（ＶＨ）電圧とローレベル電圧（ＶＬ）電圧との電圧差が印加されたときに配線部にてゲート間のリークが生じるという問題がある。
【００１４】
特許文献１に開示された技術においては、図６に示したように、配線部のコンタクト２０６がある領域では、ゲートのオーバーラップが無く、一見この問題が無いようであるが、コンタクト２０６に至る前のパターンにてこの問題が発生する十分なオーバーラップを生じている。
また、この従来例では配線部のコンタクトがある領域では、ゲートのオーバーラップが無くなるように形成されているが、これが可能なのは固体撮像装置として保有する単位画素の大きさが十分大きいからであって、微細化が進んできている今日では有効な方法とは言い難い。
【００１５】
また、上記の課題は、固体撮像装置における電荷転送部および配線部のみに限られず、ＣＣＤ型のデバイス全てについての課題である。
そこで本発明は、単位画素の微細化が進んだ状態でも、配線部においても撮像部と同等なゲート間耐圧が得られ、ゲート間リークを発生させずに問題なく駆動させることができる電荷転送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る電荷転送装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、信号電荷の転送を行う電荷転送部と、前記電荷転送部の上方に形成され、前記転送を制御する第１のゲート電極と、前記電荷転送部の上方において前記第１のゲート電極の端部を覆って隣に形成され、前記転送を制御する第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極に接続され、前記第１のゲート電極に駆動電圧を印加する第１の配線部と、前記第２のゲート電極に接続され、前記第２のゲート電極に駆動電圧を印加する第２の配線部とを備え、前記第２の配線部は、前記第１の配線部の上方であって前記第１の配線部の幅端部より内側の範囲内に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
さらに、光を信号電荷に変換するフォトダイオードを備え、前記電荷転送部は、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を転送し、前記第２の配線部は、少なくとも前記フォトダイオードが形成された有効画素領域外において、前記第１の配線部の上方であって前記第１の配線部の幅端部より内側の範囲内に形成されていることを特徴とする。
また、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、信号電荷の転送を行う電荷転送部と、前記電荷転送部の上方に形成され、前記転送を制御する第１のゲート電極と、前記電荷転送部の上方において前記第１のゲート電極の端部からオーバーラップ長ｄ１をもって覆って隣に形成され、前記転送を制御する第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極に接続され、前記第１のゲート電極に駆動電圧を印加する第１の配線部と、前記第２のゲート電極に接続され、前記第２のゲート電極に駆動電圧を印加する第２の配線部とを備え、前記第２の配線部は、前記第１の配線部の端部をオーバーラップ長ｄ２をもって覆って形成され、前記オーバーラップ長ｄ２は前記オーバーラップ長ｄ１以下であることを特徴とする。
【００１８】
さらに、光を信号電荷に変換するフォトダイオードを備え、前記電荷転送部は、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を転送し、前記第２の配線部は、少なくとも前記フォトダイオードが形成された有効画素領域外において、前記第１の配線部の端部をオーバーラップ長ｄ２をもって覆い、前記オーバーラップ長ｄ２は前記オーバーラップ長ｄ１以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の構成によれば、第１の配線部と第２の配線部とのオーバーラップ量が、垂直転送部でのそれぞれのオーバーラップ量より大きく形成されないようにするので、その部分での層間絶縁膜が配線部にて薄く仕上がることはないため、第１の配線部の角部にてそれを覆う第２の配線部との耐圧が劣化することを防止できる。従って、ゲート電極の配線部においても撮像部と同様に、オーバーラップ部分における耐圧が向上し、ゲート間に高電圧パルスが印加された時に配線部でリーク等の問題を発生することなく駆動することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明の実施例１に係る固体撮像装置における電荷転送装置の電極パターンを示す図である。
図１においては、第１のポリシリコンで形成された第１の転送ゲート２０１、第２のポリシリコンで形成された第２の転送ゲート２０２、第１の転送ゲートに駆動電圧を供給するためのポリシリコンで形成された第１の配線部２０８、および第２の転送ゲート２０２に駆動電圧を供給するためのポリシリコンで形成された第２の配線部２０９が示されている。
【００２２】
また、第１の配線部２０８と第２の配線部２０９はコンタクト２０６によりＡＬ配線２０７に電気的に接続されている。これにより、それぞれのゲートには垂直方向の電荷転送のための転送パルスが印加される。
ＡＬ配線２０７にはそれぞれＶ１〜Ｖ４の垂直転送パルスが印加され、これにより、第１の転送ゲート２０１にはＶ２もしくはＶ４、第２の転送ゲートにはＶ１もしくはＶ３が、それぞれ順番に印加される。以降の説明では、Ｖ１が印加される第２の転送ゲートをＶ１ゲート、Ｖ２が印加される第１の転送ゲートをＶ２ゲート、Ｖ３が印加される第２の転送ゲートをＶ３ゲート、Ｖ４が印加される第１の転送ゲートをＶ４ゲートと呼ぶこととする。
【００２３】
図２は、本発明の実施例１に係るゲート電極配線部の電極パターンを示す図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す平面図におけるＣ−Ｃ’の断面図である。
図２においてＶ１ゲートもしくはＶ３ゲートはそれぞれＶ２ゲートもしくはＶ４ゲートとのオーバーラップａ３をもち、Ｖ２ゲートもしくはＶ４ゲートはそれぞれ、Ｖ３ゲートもしくはＶ１ゲートとのオーバーラップはない構造となっている。
【００２４】
本実施例において、Ｖ１ゲートもしくはＶ３ゲートとそれぞれＶ２ゲートもしくはＶ４ゲートとのオーバーラップａ３は、それぞれＶ１ゲートもしくはＶ３ゲートのゲート幅と等しい。さらに、Ｖ１およびＶ３ゲート幅はそれぞれＶ２およびＶ４ゲート幅以下の寸法で、かつ、Ｖ２およびＶ４ゲートからはみ出していない。
以上のように、本発明の実施例１に係る電荷転送装置の構造によれば、従来技術の図８で説明を行ったようなゲート間のリークが生じることがなく、配線部においても撮像部と同等なゲート間耐圧が得られ、ゲート間リークを発生させずに問題なく駆動させることができる電荷転送装置を実現することができる。
【実施例２】
【００２５】
図３は、本発明の実施例２に係る電荷転送装置のゲート電極配線部の電極パターンを示す図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す平面図におけるＤ−Ｄ’の断面図である。
図３では、第１のポリシリコンで形成された第１の転送ゲート２０１、第２のポリシリコンで形成された第２の転送ゲート２０２、および、第１の転送ゲート２０１と第２の転送ゲート２０２がそれぞれ配線部において成しているパターンが示されている。
【００２６】
また、本実施例においても実施例１と同様に、第１の転送ゲート２０１にはＶ２もしくはＶ４が、第２の転送ゲート２０２にはＶ１もしくはＶ３が印加される。
図３において、Ｖ１ゲートもしくはＶ３ゲートはそれぞれＶ２ゲートもしくはＶ４ゲートとのオーバーラップａ４をもち、Ｖ２ゲートもしくはＶ４ゲートはそれぞれＶ３ゲートもしくはＶ１ゲートとオーバーラップｂ４をもつ。
【００２７】
本実施例においてオーバーラップａ４およびｂ４はそれぞれ、図７に示した垂直転送部２０３におけるオーバーラップａ１およびｂ１と同等の長さになっている。
本発明の実施例１においては、図１または図２に示したように、第２の配線部であるＶ１およびＶ３は第１の配線部であるＶ２およびＶ４の上面のみで互いに対面している構造となっている。そのため、Ｖ１もしくはＶ３とＶ２もしくはＶ４の間に高電圧が印加されたときには、ゲート電極断面構造にてその平面をなす辺と、その側面をなす辺の交差する角部に電界が集中し、上下に相対するゲート間にてリークが発生しやすい箇所となる。
【００２８】
しかしながら本発明の実施例２の構成によれば、第１の転送ゲート２０１にて電界集中が起きる角部を第２の転送ゲート２０２が覆うことが無く、両ゲート間に高電圧が印加されてもリークしやすい弱い箇所が存在しない。
垂直転送ゲートの配線部は最も早くに外部からの電圧がＡＬなどの金属配線を通じて印加される箇所であり、以降ポリシリコン等のゲート電極を通じて垂直転送部２０３全体に電圧が印加されるが、ポリシリコンで形成されているゲート電極は比較的高抵抗であり、垂直転送部２０３では電圧の印加スピードが緩やかになってくる。
【００２９】
このように、垂直転送ゲートの配線部はゲート間の耐圧的には最も破壊されやすいところであるため、本発明の構成によれば大幅に配線部の耐圧向上が可能になる。
本発明の実施例２においては、図３に示したように、第１の配線部２０８はその断面構造にて平面をなす辺とその側面をなす辺の交差する角部を、ａ４およびｂ４のオーバ−ラップをもって、第２の配線部２０９が覆っている。このオーバーラップ量は、例えば、Ｖ１とＶ２のオーバーラップ量ａ４では０．５μｍ程度であり、この量は垂直転送部２０３のＶ１とＶ２のオーバーラップ量ａ１と同等である。また、Ｖ２とＶ３のオーバーラップ量ｂ４は０．２μｍ程度であり、やはりこれも垂直転送部２０３のＶ２とＶ３のオーバーラップ量ｂ１と同等である。つまり、ａ１≒ａ４＞ｂ４≒ｂ１の関係にある。
【００３０】
Ｖ２とＶ３のオーバーラップ量ｂ４は小さいので、第２の配線部２０９を酸化等の処理をするときの酸素の供給によりそのオーバーラップ部においてＶ２とＶ３の層間絶縁膜が厚くなる。
従って、オーバーラップ量ａ４およびｂ４が、図７における垂直転送部２０３でのそれぞれのオーバーラップ量ａ１およびｂ１より大きく形成されないようにすれば、その部分での層間絶縁膜が配線部にて薄く仕上がることはないため、第１の配線部２０８の角部にてそれを覆う第２の配線部２０９との耐圧が劣化することを防止できる。
【００３１】
駆動電圧としては実施例１と２に共通であるが、転送パルスＶ１〜Ｖ４は垂直転送パルスとして各電極にＭ（ミドル）電圧と、Ｌ（ロー）電圧を交互に印加するが、フォトダイオードから垂直転送部２０３への電荷転送時にはＨ（ハイ）電圧を印加する。
たとえば転送ゲートＶ１とＶ３にはＨ電圧を印加するが、このとき、隣り合う配線同士の電圧差を考慮すると、Ｖ１とＶ２またはＶ３とＶ４の間は配線間のオーバーラップが大きく耐圧が比較的弱くなるため、Ｖ２およびＶ４がＭ電圧の時にそれぞれＶ１およびＶ３がＨ電圧を印加するのが望ましい。本発明の実施例１では転送ゲート配線部においては第１の転送ゲート２０１の角部を覆う部分が存在しないため、Ｖ１−Ｖ２、Ｖ３−Ｖ４の電圧に関する考慮は関係ないが、垂直転送部２０３では角部を覆う部分が存在するため、いずれの実施例においても前述の駆動電圧に関する考慮は有効である。
【００３２】
以上のように、本発明の実施例１および２の構成の電荷転送装置によれば、ゲート電極の配線部においても撮像部と同様に、オーバーラップ部分における耐圧が向上し、ゲート間に高電圧パルスが印加された時に配線部でリーク等の問題を発生することなく駆動することが可能となる。
なお、本発明の実施例では転送ゲートをＶ１〜Ｖ４の４相パルスを印加する例にて説明を行ったが、先に電圧の印加例で述べたように各ゲートに印加される電圧差とその間の角部を覆うオーバーラップ量を鑑みれば、任意の相数によるパルスと電極構成においても同様であることはいうまでもない。
【００３３】
また、配線をＡＬであるとして説明したが、これが銅、タングステンなどその他の低抵抗配線であっても同様であることはいうまでもない。
また、ゲート材料をポリシリコンであるとして説明したが、これがポリサイドやその他の材料を利用したものであっても同様であることは明らかである。
なお、本発明の実施例に係る図１〜図３では、水平転送部１０５の出力部近傍に配線あるいは回路領域を確保する必要があるため、第１の配線部２０８および第２の配線部２０９の垂直転送部２０３側は、これらを避けるように屈曲して形成されているが、ストレート形状であっても構わない。
【００３４】
また、本発明は、固体撮像装置における電荷転送部および配線部のみに限らず、ＣＣＤ型のデバイス全てについて適用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明に係る電荷転送装置は、ＩＴ−ＣＣＤ等の固体撮像装置に適用できる。単位画素の微細化がゲート間絶縁膜厚の薄膜を伴う今日、その有用性は大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例１に係る電荷転送装置のゲート電極配線部のパターンを示す図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施例１に係る電荷転送装置のゲート電極配線部のパターン、（ｂ）はその断面を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施例２に係る電荷転送装置のゲート電極配線部のパターン、（ｂ）はその断面を示す図である。
【図４】従来の固体撮像装置（ＩＴ−ＣＣＤ）の概略平面図である。
【図５】従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極パターンを示す図である。
【図６】従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極配線部のパターンを示す図である。
【図７】（ａ）は従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極パターン、（ｂ）はその断面を示す図である。
【図８】（ａ）は従来のＩＴ−ＣＣＤのゲート電極配線部のパターン、（ｂ）はその断面を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  固体撮像装置（ＩＴ−ＣＣＤ）
１０１  フォトダイオード
１０２  垂直転送部
１０３  垂直転送ゲート
１０４  垂直配線部
１０５  水平転送部
１０６  出力部
２０１  第１の転送ゲート
２０２  第２の転送ゲート
２０３  垂直転送部
２０４  フォトダイオード
２０５  シリコン基板
２０６  コンタクト
２０７  ＡＬ配線
２０８  第１の配線部
２０９  第２の配線部
ａ１〜ａ４、ｂ１、ｂ２、ｂ４  オーバーラップ
【図１】
2005166825.tif 000003
【図２】
2005166825.tif 000004
【図３】
2005166825.tif 000005
【図４】
2005166825.tif 000006
【図５】
2005166825.tif 000007
【図６】
2005166825.tif 000008
【図７】
2005166825.tif 000009
【図８】
2005166825.tif 000010