(57)【要約】【課題】円筒状基体上に形成された堆積膜の剥離を抑制することができるスパッタリング方法及びスパッタリング装置並びに電子写真感光体の製造方法を提供すること。【解決手段】処理容器内に設置されたターゲットと、円筒状基体の位置関係を基体の母線方向に沿って変化させ、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を長くするとともに、基体を回転させながら基体の外周上に堆積膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させる。【選択図】図１
2005264257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に設置されたターゲットと、円筒状基体との位置関係を前記基体の母線方向に沿って変化させ、前記ターゲットが前記基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、前記基体の端部近傍に存在する時間を長くするとともに、前記基体を回転させながら前記基体の外周上に堆積膜を形成するスパッタリング方法であって、
前記ターゲットの中心と、前記ターゲットの中心が近い側の前記基体の端部との距離が近くなる程、前記基体の回転速度を増加させることを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項２】
前記基体の回転速度を増加させる際に、前記基体の回転速度と、前記ターゲットの中心が近い側の前記基体の端部における堆積膜の形成速度とが比例していることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング方法。
【請求項３】
前記ターゲットに、内壁と外壁を有する筒状の形状を有するものを用い、前記内壁の部分をスパッタリングすることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリング方法。
【請求項４】
前記基体の外周上に、少なくとも非晶質シリコン系材料から成る光導電性堆積膜を形成した後、請求項１〜３の何れかに記載のスパッタリング方法を用いて表面保護層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
処理容器と、前記処理容器内に設置された、ターゲットと円筒状の基体を保持することが可能な基体支持体と、前記ターゲットと前記基体の位置関係を前記基体の母線方向に沿って変化させる手段と、前記ターゲットが前記基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、前記基体の端部近傍に存在する時間を長く設定する手段と、前記基体を回転させる手段とを有するスパッタリング装置であって、
前記ターゲットの中心と前記ターゲットの中心が近い側の前記基体の端部との距離が近くなる程、前記基体の回転速度を増加させる手段を備えていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項６】
前記基体の回転速度を増加させる手段が、前記基体の回転速度と、前記ターゲットの中心が近い側の前記基体の端部における堆積膜の形成速度とが比例するように前記基体の回転速度を調整する手段を有することを特徴とする請求項５記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記ターゲットの形状が、内壁と外壁を有する筒状であって、前記内壁部分がスパッタリング面であることを特徴とする請求項５又は６記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円筒状基体の外周に堆積膜を形成するスパッタリング方法、スパッタリング装置及びスパッタリングによって堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法に関し、特に、処理容器の小型化と堆積膜の剥離の抑制を両立することができるスパッタリング方法、スパッタリング装置、スパッタリングによって形成された堆積膜の剥離を抑制することができる電子写真感光体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から広く用いられている堆積膜の形成方法の１つにスパッタリング法が挙げられる。スパッタリング法は、処理容器内に設置されたターゲット近傍でプラズマを生起させてターゲットをスパッタリングし、それによって叩き出されたスパッタリング粒子を基体上に堆積させることによって堆積膜の形成を行う堆積膜の形成プロセスである。スパッタリング法は、材料の汎用性や堆積膜の形成プロセスの簡便さにおいて優れた手法として広く用いられており、様々な形状や大きさの基体上に、膜厚が均一な堆積膜を形成するための様々な検討が従来から行われてきた。
【０００３】
例えば、円筒状の基体の外周部に堆積膜を形成する際には、基体を回転させながらスパッタリングを行うことが一般的であり、円筒状基体と対向して配置した複数の平板ターゲットの間にシャッターを設け、ターゲット近傍でプラズマを生起し、堆積膜の形成に使用するターゲットのシャッターのみを選択的に開き、基体を回転させながら堆積膜を形成する例が開示されている（例えば、特許文献１）。平板状のターゲットに対向して配置した基体を回転させることで、基体の円周方向に渡って均一な膜厚を有する堆積膜を得ることができる。
【０００４】
又、堆積膜の膜厚むらを小さくするためには、ターゲットと基体の位置関係を変化させながらスパッタリングを行うことが一般的である。このとき、ターゲットと基体の位置関係を変化させることによって、ターゲットの移動範囲に応じて堆積膜の形成を行う処理容器が大型化する傾向にあるが、これを抑制するための検討が行われている。例えば、基体をターゲットに対して平行に通過させ、ターゲット上を所定回数通過させて堆積膜を形成する際に、基体がターゲット上を通過する時間を短くし、ターゲット近傍部の位置に存在する時間を長く設定する薄膜の製造方法の例が開示されている（例えば、特許文献２）。これによって、凹凸がある基体にも膜厚の均一な堆積膜を形成することができる。又、堆積膜の形成工程を通じてスパッタリング粒子が飛来しにくい基体の端部付近がターゲットと対向する時間を長くすることによって、均一な膜厚むらを得るために必要な基体の移動距離を小さくすることができる。これによって、堆積膜の形成を行う処理容器の小型化、処理ガス量の低減等が可能となる。
【０００５】
ところで、スパッタリング装置を用いて基体上に堆積膜を形成する際には、プラズマＣＶＤ等の他の手法によって予め基体上に機能性堆積膜を形成し、その上にスパッタリング装置を用いて耐湿性や耐久性の向上を目的とした表面保護層を形成することができる。例えば、アモルファスシリコンを主成分とする光導電層の上に、スパッタリング装置を用いて耐湿性に優れる材料を表面保護層として形成した電子写真感光体の例が開示されている（例えば、特許文献３）。一般的に、電子写真感光体や光起電力デバイス等に用いられるアモルファスシリコンを主成分とする光導電性薄膜は、スパッタリングよりもプラズマＣＶＤによって形成した方が優れた膜質を得ることができる。
【０００６】
しかし、光導電層を保護するための表面保護層としては、材料の汎用性に優れるスパッタリングを用いた方が、プラズマＣＶＤを用いるよりも簡便に所望の耐久性や耐湿性、光透過性を有する表面保護層を得られることがある。そのため、プラズマＣＶＤ等では形成することが困難な表面保護層を形成する必要があるときには、スパッタリングは所望の特性を有する電子写真感光体を製造することができる有効な手段の１つである。このような電子写真感光体の表面保護層としての堆積膜をスパッタリングによって形成する際にも、上述のように基体を回転させたり、ターゲットが基体の端部近傍の位置に存在する時間を長くすることによって、膜厚むらの均一化や堆積膜の形成を行う処理容器の小型化、処理ガスの低減等が可能となる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１２９３２２号公報
【特許文献２】特登録２８５０５８０号公報
【特許文献３】特開平２−７７７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、本発明者等が、円筒状の基体（以下、基体とも称する）を回転させながら、ターゲットが基体の端部近傍の位置に存在する時間を長くして堆積膜を形成しようとしたところ、基体の端部で堆積膜が剥離し易くなることがあった。このような剥離し易い堆積膜を電子写真感光体等のデバイスの表面保護層として用いると、表面保護層が剥離して画質や電気的特性等のデバイスの特性や、繰り返し使用時の耐久性が著しく低下することがある。
【０００９】
本発明は以上のような課題を改善するためになされたものであり、その目的とする処は、処理容器を小型化することができ、円筒状の基体上に形成された堆積膜の剥離を抑制することができるスパッタリング方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するため、本発明に係るスパッタリング方法においては、処理容器内に設置されたターゲットと円筒状の基体との位置関係を基体の母線方向に沿って変化させ、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を長くするとともに、基体を回転させながら基体の外周上に堆積膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程、基体の回転速度を増加させることを特徴とする。
【００１１】
又、本発明においては、基体の回転速度を増加させる際に、基体の回転速度とターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度とが比例していることを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明においては、ターゲットに、内壁と外壁を有する筒状の形状を有するものを用い、その内壁部分をスパッタリングすることを特徴とする。
【００１３】
そして、本発明においては、基体の外周上に少なくとも非晶質シリコン系材料から成る光導電性堆積膜を形成した後、上述したスパッタリング方法を用いて表面保護層を形成して電子写真感光体を作製することを特徴とする。
【００１４】
又、本発明に係るスパッタリング装置においては、処理容器と、処理容器内に設置された、ターゲットと円筒状の基体を保持することが可能な基体支持体と、ターゲットと基体の位置関係を、基体の母線方向に沿って変化させる手段と、ターゲットが基体の端部近傍に存在する時間を、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも長く設定する手段と、基体を回転させる手段を有するスパッタリング装置であって、ターゲットの中心とターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させる手段を備えていることを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明に係るスパッタリング装置においては、基体の回転速度を増加させる手段が、基体の回転速度と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度とが比例するように基体の回転速度を調整する手段を有していることを特徴とする。
【００１６】
そして、本発明に係るスパッタリング装置においては、ターゲットが内壁と外壁を有する筒状の形状であって、その内壁部分をスパッタリング面とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明においては、スパッタリング法によって円筒状基体に堆積膜を形成する際に、円筒状の基体の位置関係を基体の母線方向に沿って変化させ、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を長くするとともに、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させることで、小型化した処理容器を用いても均一な膜厚むらを得ることができるとともに、円筒状の基体に形成された堆積膜の剥離を抑制することができる。
【００１８】
又、基体の回転速度を増加させる際に、基体の回転速度とターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度とが比例しているようにすることで、円筒状の基体に形成された堆積膜の剥離をより抑制することができる。
【００１９】
そして、ターゲットに筒状のものを用いることで、堆積膜の剥離を更に抑制することができる。
【００２０】
更に、本発明においては、円筒基体上に、予め少なくとも非晶質シリコン系材料から成る光導電性堆積膜を形成した後、以上に述べたようなスパッタリング方法を用いて表面保護層を形成することで、スパッタリングによって形成された表面保護層の剥離が抑制された電子写真感光体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明における実施の形態と作用を図を用いて以下に説明する。
【００２２】
＜実施の形態１＞
図１は本発明に係るスパッタリング装置の一例の模式図である。内部で堆積膜の形成を行う金属製の処理容器２１０１には、処理容器２１０１内部を真空排気するための排気装置２２０１が排気路２３０１を介して接続されている。排気路２３０１中には、排気弁２５０１や、堆積膜の形成中に処理容器２１０１内の圧力を調節するスロットル弁２５０２が設けられている。処理容器２１０１内の圧力は圧力計２１０２によって知ることができる。
【００２３】
又、処理容器２１０１の上方には、円筒状基体１００１（以下、基体１００１とも称する）を搬入出するためのロードロック室２１０３が搬送路２３０２を介して接続されている。搬送路２３０２には、ロードロック室２１０３と処理容器２１０１を遮断するための弁２５０３が設けられている。又、ロードロック室２１０３内を真空排気するための排気装置２２０２が排気路２３０３を介して接続されており、排気路２３０３には、排気弁２５０４が設けられている。又、ロードロック室２１０３を大気開放するためのリーク弁２５０５が設けられている。
【００２４】
ロードロック室２１０３内の圧力は、圧力計２１０４によって知ることができる。基体１００１は、基体ホルダ２１０５に支持された状態でロードロック室の搬入扉２１０６より投入される。投入された基体１００１は、処理容器２１０１とロードロック室２１０３の間を搬送するための昇降機（不図示）によって処理容器２１０１から搬入出される。処理容器２１０１内に搬入された基体１００１は、処理容器２１０１内の回転軸２１０７に保持される。
【００２５】
処理容器２１０１にはガス供給路２３０４を介してガス供給装置２４００が接続されており、ガス導入ノズル２１０８からスパッタリングガスや反応ガスを導入することが可能となっている。又、ガス供給路２３０４にはガス供給弁２５０６が設けられている。ガス供給装置２４００は、スパッタリングガスボンベ２４１１及び反応ガスボンベ２４２１，２４３１、弁２５１１〜２５１３、２５２１〜２５２３、２５３１〜２５３３、レギュレータ２４１２、２４２２，２４３２、マスフローコントローラ２４１３，２４２３，２４３３等から成る。
【００２６】
スパッタリングガスとしては、ＡｒやＨｅ、Ｘｅ等の不活性ガスが用いられる。又、ターゲットがアルミニウムやマグネシウム、ランタン等の金属であって、基体上にそれらの酸化物やフッ化物を堆積させる際には、反応ガスとしてフッ素（Ｆ2）ガスや酸素（Ｏ2）ガス等を用いることができる。尚、スパッタリングガスと反応ガスは、それぞれ別のノズルから供給しても良い。
【００２７】
処理容器２１０１内において、基体１００１は基体ホルダ２１０５に保持される。このとき、基体１００１は、基体ホルダ２１０５、回転軸２１０７、接地部材２１０９及び処理容器２１０１を介して接地される。基体１００１の上部には、基体１００１の内側に堆積膜が形成されるのを防ぐためキャップ２１１０が設けられている。尚、基体ホルダ２１０５の内側にヒータ（不図示）を設け、基体１００１を加熱できるようにしても良い。又、基体ホルダは、回転軸２１０７を介してモータ２１１１に接続され、モータ２１１１を駆動させることによって基体１００１を所望の回転速度で回転させることが可能となっている。
【００２８】
基体１００１と対向する位置にはターゲットユニット２６００が配置されている。ターゲットユニット２６００は、スパッタリング材料であるターゲット２６１１、ターゲット２６１１を保持するターゲットホルダ２６２１、ターゲット２６１１を処理容器２１０１から絶縁するための絶縁物２６３１等から成り、シャフト２１１２によって処理容器２１０１中に保持される。ターゲット２６１１の大きさは、基体１００１の長さや外径、処理容器２１０１の大きさに合わせて最適化したものを用い、スパッタリング面２６１２の侵食やそれに伴う熱変形等によって所望の膜厚分布や膜特性が得られなくなるまで繰り返し使用することができる。
【００２９】
ターゲット２６１１の材料は堆積膜の種類に応じて選定し、例えば、マグネシウム、アルミニウム、ランタン、カルシウム、バリウムや所定の組成を有する合金等の導電性材料を用いることができる。又、これらの金属の反応物、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化ランタン、フッ化カルシウム、フッ化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化シリコン等の絶縁性材料を用いても良い。又、スパッタリング面２６１２の裏側に磁石２６４１を設け、スパッタリング面２６１２に平行な磁界を印加しても良い。磁界の印加によってスパッタリング面２６１２近傍に高密度なプラズマが生成されるため、スパッタリング面２６１２から叩き出されるスパッタリング粒子数が増加し、堆積膜の形成速度を高めることができる。
【００３０】
尚、スパッタリング中にターゲット２６１１が昇温に伴って変形したり、磁石２６４１の温度が上昇して磁性が失われる可能性があるときには、ターゲット２６１１や磁石２６４１近傍に冷却パイプ（不図示）を配置して冷却水を流し、ターゲット２６１１や磁石２６４１を冷却しても良い。
【００３１】
又、ターゲット２６１１は、電源ケーブル２１１３を介して電源２１１４に接続され、ターゲット２６１１を陰極、処理容器２１０１を陽極として電界を印加することが可能となっている。尚、図中にはターゲット２６１１が金属等の導電性材料から成ることを想定して直流電源を記したが、ターゲット２６１１が絶縁材料のときには高周波電源を用いることができる。
【００３２】
又、本実施の形態においては、ターゲットユニット２６００はシャフト２１１２を介して移動子２１１５に接続されている。移動子２１１５はモータ２１１６によって基体１００１の母線方向に沿って移動することが可能となっており、これによって、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向に沿って移動可能となっている。ターゲット２６１１を移動させながらスパッタリングを行うことで、基体１００１の母線方向に沿った膜厚むらを小さくすることできる。そして、本発明においては、不図示の制御手段によって、ターゲット２６１１が基体１００１の中央付近に存在する時間よりも、ターゲット２６１１が基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長く設定する。具体的には、ターゲットが基体の母線上の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を低下させたり、ターゲット２６１１を所定の距離毎に停止、保持させ、ターゲットが基体の母線上の中心から離れるに従いターゲットの停止保持時間を増加させるようにターゲットの移動を制御することが挙げられる。
【００３３】
尚、このとき、ガスノズル２１０８は処理容器２１０１内で固定されていても良いが、反応ガスを導入してスパッタリングを行うときに、反応ガスの濃度分布によって膜特性や膜厚にむらが生じる場合がある。そのような場合は、ガス導入路２３０４中にベローズ２１１７を設ける等してガス導入路２３０３に伸縮性を持たせ、ガス導入ノズル２１１１もモータ２１１６によって基体１００１の母線方向に移動可能としても良い。更に、本発明においては、ターゲット２６１１を基体１００１の母線方向に沿って移動させながらスパッタリングを行う際に、不図示の制御手段を用いて、ターゲット２６１１の中心と、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部との距離が近くなる程基体１００１の回転速度が増加するように基体１００１の回転速度を制御する。
【００３４】
尚、図１に示したスパッタリング装置は、基体１００１を鉛直に配置し、ターゲット２６１１を鉛直方向に移動させるものであるが、基体１００１を水平に配置し、ターゲット２６１１を水平方向に移動させながら堆積膜を形成する構成であっても良い。又、ここではターゲット２６１１を基体１００１の母線方向に移動させながら堆積膜の形成を行うことが可能なスパッタリング装置について説明したが、ターゲット２６１１を固定して基体１００１を移動させたり、基体１００１とターゲット２６１１の両方を基体１００１の母線方向に対して平行に移動可能とし、基体１００１とターゲット２６１１の位置関係を相対的に移動させることもできる。そして、このようなときにも、ターゲット２６１１が基体１００１の母線上の中心近傍に存在する時間よりも、端部近傍に存在する時間を長くする。
【００３５】
本発明に係る堆積膜の形成工程は、図１に示したスパッタリング装置を用いて以下のようにして行うことができる。尚、ここでは金属材料から成るターゲット２６１１に直流電力を供給するとともに、処理容器２１０１内に反応ガスを導入して反応スパッタリングを行う際の堆積膜の形成工程について説明する。
【００３６】
先ず、ロードロック室２１０３の搬入扉２１０６を開き、基体１００１を保持した基体ホルダ２１０５を昇降機に取り付けた後、搬入扉２１０６を閉じて排気装置２２０２を作動させ、弁２５０４を開いてロードロック室２１０３内を真空排気する。尚、堆積膜の形成時にターゲット２６１１に直流電力を印加する際に、スパッタリング面２６１２の酸化、フッ化等によってスパッタリング面２６１２に電荷が蓄積され、アークが発生する恐れがあるときには、ロードロック室２１０３内を真空排気する間に、プレスパッタリングによって表面の酸化物やフッ化物等の不要成分を除去しておくことが望ましい。
【００３７】
プレスパッタリングは、以下のようにして行うことができる。
【００３８】
先ず、排気装置２２０１を作動させ、弁２５０１を開いて処理容器２１０１内を真空排気する。処理容器２１０１内が所定の圧力に到達すると、スパッタリングガスをマスフローコントローラ２４１３によって流量を調節しながら処理容器２１０１内に導入する。そして、ターゲット２６１１を陰極、処理容器２１０１を陽極として直流電源２１１４から直流電力を印加し、スパッタリング面２６１２近傍でスパッタリングガスをプラズマ化する。プラズマ中の陽イオンはスパッタリング面２６１２に衝突し、スパッタリング面２６１２上の酸化膜を除去する。このとき、排気路２３０１中に設けたスロットル弁２５０２の開度を調節し、処理容器２１０１内の圧力を調節しても良い。又、プレスパッタリング中には、スパッタリング面２６１２で発生するアークの発生回数や、直流電源２１１４の電圧値や電流値等をモニタしておくと、これらの値が安定した時点で酸化膜やフッ化膜の除去が完了したと判断することができる。
【００３９】
プレスパッタリングを停止するときは、直流電力の供給を停止し、弁２５０６と弁２５１２，２５１３を閉じてスパッタリングガスの導入を停止する。尚、プレスパッタリングを行う前に基体１００１を処理容器２１０１内に搬入しても良いが、その際は、スパッタリング粒子が基体１００１に到達するのを防ぐため、基体１００１とターゲット２６１１の間にシャッター（不図示）を設けることが望ましい。
【００４０】
プレスパッタリングが完了し、ロードロック室２１０３内が所定の圧力に到達した後、弁２５０３を開いて基体ホルダ２１０５を処理容器２１０１内に搬送し、回転軸２１０７に保持する。次に、ガス供給路２３０４中の弁２５０６開き、堆積膜の形成に使用するスパッタリングガスや反応ガスをマスフローコントローラ２４１３，２４２３，２４３３によって流量を調節しながら処理容器２１０１内に導入する。このとき、反応ガスを水素ガスや不活性ガス等で希釈したり、反応ガスを複数導入しても良い。
【００４１】
スパッタリングガスと反応ガスを導入した後、直流電源２１１４からターゲット２６１１に直流電力を供給してプラズマを生起させる。尚、スパッタリング中は、排気路２３０１中のスロットル弁２５０２を用いて処理容器２１０１内の圧力を所定の値に調節しておくことが望ましい。
【００４２】
プラズマによってスパッタリングされたスパッタリング粒子は、基体１００１上で反応ガスと反応して堆積膜を形成する。堆積膜の形成中はモータ２１１６を駆動させ、ターゲット２６１１を基体１００１の母線方向に沿って移動させる。このとき、本発明においては、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中央近傍に存在する時間よりも、基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長くして堆積膜を形成する。これによって、ターゲット２６１１の移動範囲を小さくしても、基体１００１の端部側で膜厚が薄くなって膜厚むらが大きくなることを抑制することができる。そのため、処理容器の小型化と膜厚むらの均一化を両立することが可能となる。
【００４３】
ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするためには、例えば、ターゲット２６１１が基体１００１の端部側に移動するに従い、ターゲット２６１１の移動速度を遅くすることができる。図２に、ターゲット２６１１の中心位置が対向する基体１００１の母線方向の位置と、ターゲット２６１１を連続的に移動させながら堆積膜を形成したときのターゲット２６１１の移動速度との関係の一例を示す。
【００４４】
図２においては、基体１００１の母線方向の中心を０ｍｍとしており、ターゲット２６１１の中心が基体１００１の母線方向の中心から離れるに従い、ターゲット２６１１の移動速度が比例関数的に減少している。又、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長くする別の方法として、ターゲット２６１１を所定の距離毎に停止、保持を繰り返しながら移動させ、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心から離れるに従い、ターゲット２６１１の停止保持時間を増加させることもできる。
【００４５】
図３にターゲット２６１１の中心位置が対向する基体１００１の母線方向の位置と、ターゲット２６１１を所定の距離毎に停止、保持しながら堆積膜を形成したときのターゲット２６１１の停止保持時間との関係の一例を示す。
【００４６】
図３においては、基体１００１の母線方向の中心から６０ｍｍ毎にターゲット２６１１を停止させ、ターゲット２６１１の停止保持時間が、ターゲット２６１１の中心が基体１００１の中心位置から離れるに従い、比例関数的に増加している。このとき、ターゲットを停止保持させる距離間隔が小さいほど均一な膜厚むらを得ることができ、求める膜厚むらに応じて調節することができる。これらの方法によって、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長くすることができ、処理容器の小型化と膜厚むらの均一化を両立することが可能となる。
【００４７】
尚、ターゲット２６１１の移動速度やターゲット２６１１の停止保持時間は、膜厚むらを均一にすることができる範囲内で正弦関数的、又は指数関数的に変化させることも可能である。又、ターゲット２６１１の移動速度の変化や、ターゲット２６１１が基体１００１の所定の位置に停止保持される時間の変化の割合は、ターゲット２６１１の大きさや、ターゲット２６１１と基体１００１の間の距離等に応じて調節する。又、ターゲット２６１１は基体１００１上を複数回通過させることも可能であるが、ターゲット２６１１の移動速度や停止保持時間、更には基体１００１の回転速度の制御を単純にするためにも、ターゲット２６１１が基体１００１上を通過する回数は１回とするのが望ましい。
【００４８】
更に、堆積膜の形成中はターゲット２６１１が基体１００１の端部近傍に存在する時間を長くするようにターゲット２６１１を移動させるとともに、基体１００１を回転させる。基体１００１を回転させることで基体１００１の円周方向に沿った膜厚むらを均一化することができる。
【００４９】
しかし、その一方で、堆積膜の形成中を通じて一定の回転速度で基体１００１を回転させたところ、基体１００１の端部近傍において堆積膜が剥離し易くなることがあった。そこで、本発明者等は、基体１００１の母線上の位置に応じて基体１００１の回転速度を変化させて堆積膜の剥離の有無について検討した結果、ターゲット２６１１の中心と、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させることで、基体１００１の端部における堆積膜の剥離を抑制することができることを見出した。その詳細なメカニズムは不明であるが、基体１００１の円周方向に亘って堆積膜中に蓄積される応力のむらと、１回転当たりに基体１００１上に堆積する膜厚が影響しているものと推測される。
【００５０】
即ち、堆積膜の形成速度は、基体１００１の円周方向の位置や、ターゲット２６１１の中心と基体１００１との位置関係によって異なる。基体１００１の円周方向においては、一般的にターゲット２６１１と対向する位置で堆積膜の形成速度は速く、基体１００１の中心軸を挟んでターゲット２６１１の反対側の位置で最も遅くなる。このとき、基体１００１の円周方向に亘る堆積膜の形成速度のむらに起因して堆積膜中に蓄積される堆積膜の応力にもむらが生じ、この応力差が堆積膜の剥離の原因となるものと思われる。そして、この応力差は、基体１００１の母線方向におけるターゲット２６１１と基体１００１の位置関係によって異なり、基体１００１の母線方向に渡る堆積膜の形成速度が最も速くなるとき、即ち、ターゲット２６１１が基体１００１の母線上で対向する位置において最も大きくなる。
【００５１】
そのため、本発明のように、ターゲット２６１１が基体１００１の端部近傍に存在する時間が、基体１００１の中心近傍に存在する時間よりも長い場合は、基体１００１の端部近傍で円周方向に亘る応力差が大きい堆積膜が厚く形成されるため、基体１００１の端部で堆積膜の剥離が発生し易くなるものと考えられる。従って、ターゲット２６１１の中心が基体１００１の端部に近い位置にあるときに基体１００１の回転速度を上げ、１回転当たりに堆積される膜厚を薄くすることによって、基体１００１の円周方向に亘る堆積膜中の応力差が分散、軽減されるものと推察される。
【００５２】
一方、ターゲット２６１１の中心が基体１００１の端部付近から離れた位置にあるときには、基体１００１の端部における円周方向に渡る応力差は比較的小さくなる。しかし、その一方で、ターゲット２６１１が対向する位置関係に比べて堆積膜の形成速度が低下するため、基体１００１の回転速度が一定の下では、ターゲット２６１１の中心が近い位置関係にあるときよりも１回転当たりに堆積される膜厚が相対的に薄くなる。そのため、その上又は下にターゲット２６１１の中心が基体１００１の端部付近に近づいた状態で堆積膜が形成されるとき、これら２種類の堆積膜の全応力差に起因する剪断力によって堆積膜が剥離し易くなると考えられる。
【００５３】
よって、基体１００１の端部付近から離れた位置にあるときに基体１００１の回転速度を下げて１回転当たりに堆積される膜厚を厚くすることで堆積膜の剥離が抑制されたものと思われる。そして、ターゲットが基体１００１の母線方向の中心を越え、基体１００１の他端側に近づいた際には、基体１００１の他端部において１回転当たりに堆積される膜厚のバランスを保つため、基体の回転速度を再び上げる。そのため、基体の回転速度は基体の母線方向の中心に対して対称となるように変化させることが最適である。尚、ターゲット２６１１が基体１００１の他端側にある等、ターゲット２６１１が基体１００１の端部からより離れた位置にあるときには、基体１００１の円周方向における堆積膜中の応力差が十分小さい堆積膜が形成されるため、基体１００１の回転速度によらずに剥離しにくい堆積膜が形成されるものと推測される。
【００５４】
図４にターゲット２６１１の中心位置が対向する基体１００１の母線方向の位置と、基体１００１の回転速度との関係の一例を示す。
【００５５】
図４においては、基体１００１の母線方向の中心位置を０としており、±１８０ｍｍが基体１００１の端部となっている。そして、ターゲット２６１１の中心が基体１００１の端部と対向する位置関係において、基体１００１の回転速度が最も速くなるように比例関数的に変化している。
【００５６】
又、ターゲット２６１１を所定の距離毎に停止、保持させ、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心から離れるに従い、ターゲット２６１１の停止保持時間を増加させる際には、図５のように、ターゲット２６１１を停止保持させる毎に基体１００１の回転速度を変化させ、ターゲット２６１１の中心が基体１００１の端部と対向するときに最も速くなるように調節することができる。
【００５７】
尚、以上のように基体１００１の回転速度を変化させたときには、基体１００１の回転速度は母線の中心で極小値をとるが、このときの基体１００１の回転速度を下げすぎると、堆積膜中の内部応力の分散が不十分なために堆積膜が剥離することがある。そのため、堆積膜の内部応力を適切に分散できる程度に基体１００１の回転速度の極小値を設定する。又、基体１００１の回転速度の変化の割合は、ターゲット２６１１の大きさや、ターゲット２６１１の大きさや、ターゲット２６１１と基体１００１間の距離等によって調節する。
【００５８】
更に、本発明においては、基体１００１の回転速度を以下のように制御することができる。
【００５９】
即ち、ターゲット２６１１と基体１００１が任意の位置関係にあるときに、基体１００１の回転速度を、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させる。ターゲット２６１１の移動速度を連続的に変化させた際に、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例するように基体１００１の回転速度を変化させたときの様子の一例を図６に示す。
【００６０】
図６においては、基体１００１の母線方向の長さが３６０ｍｍの基体１００１の端部において基体１００１の回転速度が最も速く、基体１００１の端部からターゲットが離れるに従い、基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例するように基体１００１の回転速度が減少している。このように、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例するように基体１００１の回転速度を変化させることで、基体１００１の端部において１回転当たりに形成される堆積膜の膜厚を更に均一にすることができる。これによって、堆積膜の剥離を更に抑制することが可能となる。同様に、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心から離れるに従い、ターゲット２６１１の停止保持時間を増加させる際には、図７のように、ターゲット２６１１を停止保持させる毎に、基体１００１の回転速度を、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例させて変化させることができる。
【００６１】
以上のように、ターゲット２６１１が基体１００１の端部近傍に存在する時間を長くするとともに、ターゲット２６１１の中心と、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部との距離が近くなる程基体１００１の回転速度を速めながら堆積膜の形成を行う。そして、堆積膜の形成が完了した時点で基体１００１の回転およびターゲット２６１１の移動を停止させ、弁２５０６と、スパッタリングガスや反応ガスのボンベに接続された弁を閉じてガスの導入を停止し、ターゲット３６１１への直流電力の供給を停止する。その後、処理容器２１０１内やガス供給装置２４００の配管内のパージを行う。そして、基体１００１はロードロック室３１０３へ搬出され、大気中に取り出される。
【００６２】
尚、ここではターゲット２６１１を基体１００１の母線方向に移動させながら堆積膜の形成を行う場合について説明したが、ターゲット２６１１を固定して基体１００１を移動させながらスパッタリングを行っても良い。又、ここではターゲット２６１１に導電性材料を用い、直流電力を印加してスパッタリングを行う方法について述べたが、フッ化マグネシウム、フッ化ランタン、フッ化カルシウム、フッ化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化シリコン等の絶縁性の物質をターゲット２６１１に用いたときには、ターゲット２６１１に高周波電力を印加してスパッタリングを行うことが望ましい。
【００６３】
以上のように、本発明においては、ターゲット２６１１が基体１００１の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、ターゲット２６１１の中心と、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部との距離が近くなる程基体１００１の回転速度を増加させることによって、堆積膜の剥離を抑制することができる。又、基体１００１の回転速度を、ターゲット２６１１の中心が近い側の基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例させて変化させることで、堆積膜の剥離をより抑制することができる。
【００６４】
＜実施の形態２＞
本発明に係るスパッタリング方法及びスパッタリング装置においては、ターゲットの形状を最適化することで、堆積膜の剥離をさらに抑制することができる。本発明者等は、堆積膜の剥離が発生しにくいターゲットの形状について検討した結果、筒状のターゲットの内壁部分をスパッタリング面とすることで基体１００１の端部における堆積膜の剥離を更に抑制することができることを見出した。ターゲットを筒状のものとしたときの本発明に係るスパッタリング装置の一例を図８に示す。
【００６５】
本実施の形態においては、ターゲット２６１３が内壁と外壁を有する筒状の形状となっており、内壁部をスパッタリング面２６１４として堆積膜を形成する。ターゲット２６１３のスパッタリング面２６１４に垂直な断面としては円形や矩形、楕円形状等が挙げられる。又、スパッタリング面２６１４近傍におけるプラズマ密度を高めるため、ターゲット２６１３の外壁部の外側に磁石２６４２を配置しても良い。そして、ターゲット２６１３は絶縁物２６３２を介してターゲットホルダ２６２２に保持される。直流電力は、ターゲット２６１３の底面に密着して設けられたバッキングプレート２６１５を介して供給することができる。
【００６６】
又、スパッタリングガスは、バッキングプレート２６１５の裏側に設けられたスパッタリングガス供給ノズル２１１８から供給することができる。尚、フッ素や酸素、窒素ガス等を導入して反応スパッタリングを行う際には、スパッタリングガスを導入するノズルから導入しても良いが、スパッタリング面のフッ化や酸化、窒化を抑制するため、ターゲット２６１３と基体１００１の間に反応ガス導入ノズル２１１９を設けても良い。更に、これらのノズルは、スパッタリングガス供給路２３０５及び反応ガス導入路２３０６中にベローズ２１２０，２１２１を設け、モータ２１１６によって移動可能としても良い。
【００６７】
このような筒状のターゲット２６１３を用いることで、平板状のターゲット２６１１を用いたときよりも堆積膜の剥離を抑制することができる。その詳細なメカニズムは明らかではないが、基体１００１の円周方向に亘って飛来するするスパッタリング粒子の入射角度が影響しているものと推測される。即ち、平板状のターゲット２６１１を用いたときには、基体１００１の円周方向においてターゲット２６１１と対向しない部分には、ターゲット２６１１と対向する部分よりも斜入射するスパッタリング粒子の割合が多く、密着性に劣る膜が形成され易い。
【００６８】
一方、ターゲット２６１１と対向する部分にはスパッタリング粒子が垂直入射し易く、密着性に優れた堆積膜が形成され易い。このとき、基体１００１の円周方向においては、下地との密着性のむらが大きい堆積膜が形成される。そのため、基体１００１の回転速度によらず、密着性に劣る部分を基点として堆積膜が剥離し易くなるものと思われる。この円周方向における密着性のむらは、基体１００１の母線方向においてターゲット２６１１が対向する場所で最も大きくなり、そのような位置関係にある時間が最も長い基体１００１の端部で堆積膜の剥離が発生し易くなるものと推測される。
【００６９】
一方、筒状のターゲット２６１３を用いた際には、スパッタリング面２６１４が基体１００１の母線と対向しなくなり、基体１００１の円周方向に亘って飛来するスパッタリング粒子の入射角度が、平板状のターゲット２６１１を用いたときよりも平均化されるものと思われる。そのため、基体１００１の円周方向に渡る密着性のむらが堆積膜の剥離が発生しにくい程度に平均化され、堆積膜の剥離がさらに発生しにくくなるものと推測される。
【００７０】
以上のような筒状のターゲット２６１３の内壁部をスパッタリングして堆積膜を形成する際にも、実施の形態１と同様に、ターゲット２６１３が基体１００１の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体１００１の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、ターゲット２６１３の中心と、ターゲット２６１３の中心が近い側の基体１００１の端部との距離が近くなる程基体１００１の回転速度を増加させる。尚、本実施の形態においても、基体１００１の回転速度を、ターゲット２６１３の中心が近い側の基体１００１の端部における堆積膜の形成速度に比例させて変化させることによって、堆積膜の剥離を更に抑制することができる。
【００７１】
＜実施の形態３＞
以上に述べた本発明に係るスパッタリング方法を用いて基体上に堆積膜を形成する際には、基体上に予め機能性堆積膜を形成しておくことができる。例えば、少なくともアモルファスシリコンを主成分とする光導電層を形成した後、本発明に係るスパッタリング方法によって表面保護層を形成して電子写真感光体を作製することができる。
【００７２】
本発明に係る電子写真感光体の製造方法によって作製された電子写真感光体の層構成の一例を図９に示す。
【００７３】
図９に示した電子写真感光体１０００においては、アルミニウム等の導電性基体１００１と、導電性基体１００１の表面に順次積層された電荷注入阻止層１１０１、光導電層１１０２等から成るアモルファスシリコン層１１００と、本発明に係るスパッタリング方法によって形成された表面保護層１２０１とから成る。尚、この他にも、光導電層１１０２と表面層の間に上部阻止層や中間層等を設けても良い。
【００７４】
アモルファスシリコンを主成分とする堆積膜は、グロー放電法（直流又は交流ＣＶＤ法等）スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ、熱ＣＶＤ法等の堆積膜形成法によって形成することができる。これらの堆積膜形成法は、製造条件、投資負荷、製造規模、望まれる特性等によって適宜選択することができるが、所望の特性を有するアモルファスシリコン層を形成するに当たっての条件制御が比較的容易であることから、グロー放電法、特にＲＦ帯、ＶＨＦ帯、μＷ帯等の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
【００７５】
図１０にプラズマＣＶＤによってアモルファスシリコン層を形成するための装置の一例を示す。
【００７６】
反応容器３１００は、高周波電力を投入する電極を兼ねるカソード電極３１０１と、カソード電極３１０１を絶縁するためのセラミック碍子３１０２から成る。反応容器３１００内には基体１００１を保持するための基体ホルダ３１０３が設けられており、基体１００１の内側には、基体１００１を所望の温度に加熱するためのヒータ３１０４が設けられている。又、ヒータ３１０４がプラズマに晒されないように、基体１００１上部にキャップ３１０５を設けている。反応容器３１００は上蓋３１０６によって真空封止可能となっている。カソード電極３１０１にはマッチングボックス３１０７が接続され、マッチングボックス３１０７は高周波電源３１０８へと接続される。尚、カソード電極３１０１の周りには周囲に高周波が漏洩するのを防止する高周波シールド（不図示）を設けることが好ましい。
【００７７】
又、反応容器３１０１の底部には排気口３１０９が設けられ、排気路３３０１、弁３５０１を介して排気装置３２０１が接続されている。排気路３３０１中には、容器内の圧力を知るための圧力計３１１０が設けられている。更に、反応容器３１００内に基体１００１と同心円上に配置されたガス導入管３１１１は、ガス供給路３３０２、弁３５０２を介してガス供給装置３４００に接続される。ガス供給装置３４００は、ガスボンベ３４１１，３４２１，３４３１，３４４１，３４５１、弁３５１１〜３５１３、３５２１〜３５２３、３５３１〜３５３３、３５４１〜３５４３、３５５１〜３５５３、レギュレータ３４１２、３４２２，３４３２，３４４２，３４５２、マスフローコントローラ３４１３，３４２３，３４３３，３４４３，３４５３等から成る。
【００７８】
アモルファスシリコン層の形成時に使用されるＳi
供給用ガスとしては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態、又はガス化し得る水素化珪素（シラン類）が挙げられ、特に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ6が好ましい。又、光導電層にハロゲンを積極的に導入するためにハロゲン供給用の原料ガスを使用しても良い。例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物等が挙げられ、これを単体或は水素や希ガス等で希釈して使用することが可能である。
【００７９】
又、所望の帯電能や感度、ゴースト特性を実現するために、導電率の調整用に周期表第１３族等の導電性制御物質を含むガスを供給することもできる。例えば、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣｌ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。その他、ＡｌＣl3、ＧａＣｌ3、ＩｎＣｌ3等も挙げることができる。又、負帯電用の電子写真感光体を作製する際には、ＰＨ3やＰ2Ｈ4等に代表される周期表第１５族の導電性制御物質を用いることができる。これらの導電性制御物質を含むガスを導入する際には、必要に応じてＨ2及び／又はＨｅ等の希ガスにより希釈して使用しても良い。
【００８０】
図１０に示したプラズマＣＶＤ装置を用いて、基体１００１上にアモルファスシリコン層を形成する工程について以下に説明する。
【００８１】
先ず、反応容器３１００内に基体１００１を投入し、上蓋３１０６で封止する。次に、排気装置３２０１を作動させ、弁３５０１を開いて反応容器３１００内を真空排気する。次に、堆積膜の形成に使用するガスをマスフローコントローラ３４１３，３４２３，３４３３、３４４３，３４５３によって流量を調節しながら、処理ガスを反応容器３１００内に導入する。このとき、使用する処理ガスは目的とする機能や膜特性に応じて選択し、処理ガスの流量も処理条件に合わせて調節する。処理ガスを反応容器３１００に導入しながら、高周波電源３１０８からマッチングボックス３１０７を介して電極３１０１に高周波電力を印加し、処理ガスをプラズマ化して基体１００１上にアモルファスシリコン層を形成する。このとき、ヒータ３１０４によって基体１００１の温度を適宜調節しても良い。
【００８２】
又、スロットル弁３５０３を用いて反応容器３１００内の圧力を調節することができる。アモルファスシリコン層の形成が終了した後、リーク弁３５０４を開いて反応容器３１００内を大気開放し、基体１００１を取り出す。尚、上述した方法でアモルファスシリコン層を形成する際には、光導電性を有する光導電層のみならず、導電性の基体から電荷の注入を阻止する働きを持つ電荷注入阻止層を形成することも可能である。
【００８３】
以上のような手順で基体１００１上にアモルファスシリコンを主成分とする堆積膜を形成した後、本発明に係るスパッタリング方法を用いて表面保護層を形成する。これによって、スパッタリングによって形成された表面保護層の剥離が抑制された電子写真感光体を得ることができる。
【００８４】
本発明における実施例を図を用いて以下に説明する。
【実施例１】
【００８５】
図１に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。又、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させて堆積膜を形成した。
【００８６】
ターゲットにはマグネシウムを用い、スパッタリングガスとしてアルゴンガス、反応ガスとしてフッ素ガスを導入し、フッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。基体としては外径８０ｍｍ、長さ３６０ｍｍのアルミニウムシリンダを用いた。ターゲットには、基体の母線方向の長さが１２０ｍｍ、幅が１００ｍｍの平板状のものを用い、基体の中心軸から１５０ｍｍの位置でスパッタリング面が基体の母線方向と平行となるように設置した。フッ化マグネシウム膜の形成条件を表１に示した。
【００８７】
【表１】
2005264257.tif 000003
尚、堆積膜の形成前には、アルゴンガスのみを処理容器内に導入した状態でターゲットに直流電力を印加してプレスパッタリングを行い、ターゲット表面の酸化膜、フッ化膜等を除去した。本実施例におけるターゲットの移動速度の変化は図２に示したように行った。即ち、ターゲットの中心が基体の端部である±１８０ｍｍの位置にあるときの移動速度が、ターゲットの中心が基体の母線方向の中心と対向するときの移動速度の１／２となるように比例関数的に変化させた。又、ターゲットの移動範囲は、図２のようにターゲットの移動速度を変化させたときに、基体の母線方向における膜厚が最も厚い部分に対する最も薄い部分の比が０．９０以上となるように調節した。
【００８８】
又、本実施例における基体の回転速度の変化は図４に示したように行った。即ち、ターゲットの中心が基体の端部である±１８０ｍｍの位置にあるときの基体の回転速度が、ターゲットの中心が基体の母線方向の中心と対向するときの回転速度の３倍となるように比例関数的に変化させて堆積膜を形成した。
【００８９】
以上の手順で５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
［比較例１］
図１に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本比較例においては、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。又、基体の回転速度は、実施例１における最も遅い回転速度で一定とした。ターゲット及び基体は実施例１と同様のものを用い、実施例１と同様の堆積膜の形成条件及び手順でフッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。このとき、ターゲットの移動速度の変化及びターゲットの移動範囲は実施例１と同様とした。
【００９０】
以上の手順で５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
［比較例２］
図１に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本比較例においては、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。又、基体の回転速度は、実施例１における最も速い回転速度で一定とした。ターゲット及び基体は実施例１と同様のものを用い、実施例１と同様の堆積膜の形成条件及び手順でフッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。このとき、ターゲットの移動速度の変化及びターゲットの移動範囲は実施例１と同様とした。
【００９１】
以上の手順で５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
［比較例３］
図１に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本比較例においては、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。又、ターゲットの中心が基体の端部と対向する位置関係のときに最も遅くなるように基体の回転速度を変化させて堆積膜を形成した。本比較例における基体の回転速度の変化は図１１に示したように行った。図１１に示したように、ターゲットの中心が基体の端部と対向するときの回転速度が、ターゲットの中心が基体の母線方向の中心と対向するときの回転速度の１／３となるように比例関数的に変化させて堆積膜を形成した。
【００９２】
ターゲット及び基体は実施例１と同様のものを用い、実施例１と同様の堆積膜の形成条件及び手順でフッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。尚、ターゲットの移動速度の変化及びターゲットの移動範囲は実施例１と同様とした。
【００９３】
以上の手順で５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
【００９４】
実施例１及び比較例１〜３のそれぞれにおいて堆積膜に剥離が生じた本数について、比較例１において堆積膜の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を表２に示した。
【００９５】
【表２】
2005264257.tif 000004
表２から明らかなように、ターゲットが基体の端部側に移動するに従ってターゲットの移動速度を遅くした際に、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させることで、基体の回転速度が一定のときや、ターゲットが基体の端部側に近づくに従って基体の回転速度を遅くしたときよりも堆積膜の剥離を抑制することができた。
【００９６】
以上のように、ターゲットが基体の端部近傍に存在する時間を、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも相対的に長くするとともに、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させることで、小型化した処理容器を用いても均一な膜厚むらを得ることができるとともに、円筒状の基体に形成された堆積膜の剥離を抑制することができる。
【実施例２】
【００９７】
図１に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。又、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させて堆積膜の形成を行った。
【００９８】
ターゲット及び基体は実施例１と同様のものを用い、実施例１と同様の堆積膜の形成条件及び手順でフッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。又、ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲も実施例１と同様とした。更に、基体の回転速度については、図６に示すように、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させた。
【００９９】
以上の手順で、５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
【０１００】
実施例２において堆積膜の剥離が生じた本数について、比較例１における堆積膜の剥離の発生本数に対する比を算出した結果を、実施例１の結果と合わせて表３に示した。
【０１０１】
【表３】
2005264257.tif 000005
表３から明らかなように、ターゲットが基体の端部側に移動するに従ってターゲットの移動速度を遅くするとともに、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させることで、ターゲットが基体の端部に近づくに従い、基体の回転速度を比例関数的に増加させたときよりも堆積膜の剥離を抑制することができた。
【０１０２】
以上のように、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させることで、より堆積膜の剥離を抑制することができる。
【実施例３】
【０１０３】
図８に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、筒状のターゲットを使用した。又、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。そして、ターゲットの中心と、その中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を比例関数的に増加させて堆積膜を形成した。
【０１０４】
基体は実施例１と同様のアルミニウムシリンダを用い、ターゲットには、内径１２０ｍｍ、外径１３０ｍｍの円筒状のマグネシウム材を用いた。堆積膜の形成条件及び手順は実施例１と同様とし、フッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。このとき、ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲は、図２のようにターゲットの移動速度を変化させたときに、基体の母線方向に渡る膜厚が最も厚い部分に対する最も薄い部分の比が０．９０以上となるように調節した。又、基体の回転速度の変化は実施例１と同様とした。
【０１０５】
以上の手順で５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
【０１０６】
実施例３において堆積膜に剥離が生じた本数について、比較例１において堆積膜の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を、平板ターゲットを用いたときの実施例１の結果と合わせて表４に示した。
【０１０７】
【表４】
2005264257.tif 000006
表４から明らかなように、ターゲットが基体の端部側に移動するに従いターゲットの移動速度を遅くするとともに、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させた際に、筒状のターゲットを用いることで、平板状のターゲットを用いたときよりも堆積膜の剥離を抑制することができた。
【０１０８】
以上のように、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させて堆積膜を形成する際に、筒状のターゲットを用いることで、堆積膜の剥離を更に抑制することができる。
【実施例４】
【０１０９】
図８に示したスパッタリング装置を用いて堆積膜を形成し、堆積膜の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては実施例３と同様の筒状のターゲットを使用した。又、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。そして、基体の回転速度については、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させた。
【０１１０】
基体は実施例１と同様のアルミニウムシリンダを用い、実施例３と同様の堆積膜の形成条件及び手順でフッ化マグネシウム膜を基体上に堆積させた。このとき、ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲は実施例３と同様とした。
【０１１１】
以上の手順で５０本の基体に堆積膜の形成を行い、得られた堆積膜について、スパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
【０１１２】
実施例４において堆積膜に剥離が生じた本数について、比較例１において堆積膜の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を、実施例３の結果と合わせて表５に示た。
【０１１３】
【表５】
2005264257.tif 000007
表５から明らかなように、筒状のターゲットを用いたときにも、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように基体の回転速度を変化させることで、堆積膜の剥離をさらに抑制することができた。
【０１１４】
以上のように、筒状のターゲットを用いたときにも、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させることで、堆積膜の剥離をさらに抑制することができる。
【実施例５】
【０１１５】
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図１に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して図９に示す電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くした。又、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を比例関数的に増加させた。
【０１１６】
本発明においては、先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコンを主体とする電荷注入阻止層と光導電層を形成した。基体は実施例１で用いたものと同様のアルミニウムシリンダを用いた。アモルファスシリコン層の形成条件を表６に示した。
【０１１７】
【表６】
2005264257.tif 000008
尚、電源には、周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いた。
【０１１８】
電荷注入阻止層と光導電層を形成した後、図１に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。ターゲットは実施例１と同様のものを用い、フッ化マグネシウム膜の形成条件も実施例１と同様とした。又、ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲も実施例１と同様とした。そして、基体の回転速度についても実施例１と同様に変化させた。
【０１１９】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、表面保護層が剥離した本数を計測した。
［比較例４］
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図１に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本比較例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くした。又、基体の回転速度は一定として表面保護層を形成した。
【０１２０】
先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いて、実施例５と同様の条件で電荷注入阻止層と光導電層を形成した。尚、基体は実施例１と同様のものを用いた。その後、図１に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。このとき、ターゲットは実施例１と同様のものを用いた。尚、ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲も実施例１と同様とした。又、基体の回転速度は、実施例１における最も遅い回転速度で一定とした。
【０１２１】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、表面保護層が剥離した本数を計測した。
［比較例５］
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図１に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本比較例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くした。又、基体の回転速度は一定として表面保護層を形成した。
【０１２２】
先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いて、実施例５と同様の条件で電荷注入阻止層と光導電層を形成した。尚、基体は実施例１と同様のものを用いた。その後、図１に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。このとき、ターゲットは実施例１と同様のものを用いた。ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲も実施例１と同様とした。又、基体の回転速度は、実施例１における最も速い回転速度で一定とした。
【０１２３】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、表面保護層が剥離した本数を計測した。
［比較例６］
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図１に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本比較例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くした。又、ターゲットが基体の端部側に近づくに従って基体の回転速度を比例関数的に減少させた。
【０１２４】
先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いて、実施例５と同様の条件で電荷注入阻止層と光導電層を形成した。尚、基体は実施例１と同様のものを用いた。その後、図１に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。このとき、ターゲットは実施例１と同様のものを用いた。ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲も実施例１と同様とした。又、基体の回転速度の変化は比較例３と同様とした。
【０１２５】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、堆積膜が剥離した本数を計測した。
【０１２６】
実施例５、比較例４〜６のそれぞれにおいて、表面保護層に剥離が生じた本数について、比較例４において表面保護層の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を表７に示した。
【０１２７】
【表７】
2005264257.tif 000009
表７から明らかなように、ターゲットの中心が基体の端部側に移動するに従いターゲットの移動速度を遅くして表面保護層を形成した際には、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させることで、基体の回転速度が一定のときや、ターゲットが基体の端部側に近づくに従って基体の回転速度を遅くしたときよりも、表面保護層の剥離を抑制することができた。
【０１２８】
以上のように、電子写真感光体の表面保護層を形成する際に、ターゲットが基体の端部近傍に存在する時間を、ターゲットが基体母線方向の中心付近に存在する時間よりも相対的に長くするとともに、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させることで、処理容器の小型化に対応したスパッタリング方法においても、表面保護層の剥離を抑制することができる。
【実施例６】
【０１２９】
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図１に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くした。又、基体の回転速度については、図６に示すように、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させた。
【０１３０】
先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いて、実施例５と同様の条件で電荷注入阻止層と光導電層を形成した。尚、基体は実施例１と同様のものを用いた。その後、図１に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。このとき、ターゲットは実施例１と同様のものを用いた。ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲も実施例１と同様とした。又、基体の回転速度の変化は実施例２と同様とした。
【０１３１】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、表面保護層が剥離した本数を計測した。
【０１３２】
実施例６において表面保護層に剥離が生じた本数について、比較例４において表面保護層の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を実施例５の結果と合わせて表８に示した。
【０１３３】
【表８】
2005264257.tif 000010
表８から明らかなように、ターゲットが基体の端部側に移動するに従ってターゲットの移動速度を遅くした際には、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させることで、ターゲットが基体の端部に近づくに従い、基体の回転速度を比例関数的に変化させたときよりも、表面保護層の剥離をさらに抑制することができてた。
【０１３４】
以上のように、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させて電子写真感光体の表面保護層を形成することで、表面保護層の剥離を更に抑制することができる。
【実施例７】
【０１３５】
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図８に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に筒状のターゲットを使用し、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くしてスパッタリングを行った。そして、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を比例関数的に増加させて堆積膜を形成した。
【０１３６】
先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いて、実施例５と同様の条件で電荷注入阻止層と光導電層を形成した。尚、基体は実施例１と同様のものを用いた。その後、図８に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。このとき、ターゲットは実施例３と同様のものを用いた。ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲は実施例３と同様とした。又、基体の回転速度の変化は実施例３と同様とした。
【０１３７】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、表面保護層が剥離した本数を計測した。
【０１３８】
実施例７において表面保護層に剥離が生じた本数について、比較例４において表面保護層の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を、平板ターゲットを用いたときの実施例５の結果と合わせて表９に示した。
【０１３９】
【表９】
2005264257.tif 000011
表９から明らかなように、ターゲットが基体の端部側に移動するに従いターゲットの移動速度を遅くするとともに、ターゲットの中心と、ターゲットの中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させた際に、筒状のターゲットを用いることで、平板状のターゲットを用いたときよりも、表面保護層の剥離を抑制することができた。
【０１４０】
以上のように、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、ターゲットの中心と、その中心が近い側の基体の端部との距離が近くなる程基体の回転速度を増加させて電子写真感光体の表面保護層を形成する際に、筒状のターゲットを用いることで、表面保護層の剥離を更に抑制することができる。
【実施例８】
【０１４１】
図１０に示したＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層を形成した後、図８に示したスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を形成して電子写真感光体を作製し、表面保護層の剥離発生の有無を調べた。本実施例においては、スパッタリングによって表面保護層を形成する際に筒状のターゲットを使用し、ターゲットが基体の母線方向の中心から離れるに従いターゲットの移動速度を遅くした。又、基体の回転速度については、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させた。
【０１４２】
先ず、図１０に示したＣＶＤ装置を用いて、実施例５と同様の条件で電荷注入阻止層と光導電層を形成した。尚、基体は実施例１と同様のものを用いた。その後、図８に示すスパッタリング装置を用いてフッ化マグネシウムから成る表面保護層を１μｍ形成した。このとき、ターゲットは実施例３と同様のものを用いた。ターゲットの移動速度の変化は実施例１と同様とし、ターゲットの移動範囲は実施例３と同様とした。又、基体の回転速度の変化は実施例４と同様とした。
【０１４３】
以上の手順で５０本の電子写真感光体を作製し、表面保護層の形成後、電子写真感光体をスパッタリング装置から取り出して２４時間放置した後、表面保護層が剥離した本数を計測した。
【０１４４】
実施例８において表面保護層に剥離が生じた本数について、比較例１において表面保護層の剥離が発生した本数に対する比を算出した結果を、実施例７の結果と合わせて表１０に示した。
【０１４５】
【表１０】
2005264257.tif 000012
表１０から明らかなように、筒状のターゲットを用いたときにも、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように基体の回転速度を変化させることで、表面保護層の剥離を更に抑制することができた。
【０１４６】
以上のように、ターゲットが基体の母線方向の中心付近に存在する時間よりも、基体の端部近傍に存在する時間を相対的に長くするとともに、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させる際にも、筒状のターゲットを用いることで表面保護層の剥離を更に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の一例を示す模式図である。
【図２】ターゲットの中心位置が対向する基体の母線方向の位置とターゲットを連続的に移動させながら堆積膜を形成したときのターゲットの移動速度との関係の一例を示す図である。
【図３】ターゲットの中心位置が対向する基体の母線方向の位置とターゲットを所定の距離毎に停止、保持しながら堆積膜を形成したときのターゲットの停止保持時間との関係の一例を示す図である。
【図４】ターゲットを連続的に移動させながら堆積膜を形成したときのターゲットの中心位置が対向する基体の母線方向の位置と基体の回転速度の関係の一例を示す図である。
【図５】ターゲットを所定の距離毎に停止、保持しながら堆積膜を形成したときのターゲットの中心位置が対向する基体の母線方向の位置と基体の回転速度の関係の一例を示す図である。
【図６】ターゲットの移動速度を連続的に変化させた際に、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させたときの一例を示す図である。
【図７】ターゲットを所定の距離毎に停止、保持しながら堆積膜を形成したときに、基体の回転速度を、ターゲットの中心が近い側の基体の端部における堆積膜の形成速度に比例するように変化させたときの一例を示す図である。
【図８】ターゲットを筒状のものとしたときの本発明に係るスパッタリング装置の一例を示す図である。
【図９】本発明に係る電子写真感光体の形成方法によって形成された電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図１０】プラズマＣＶＤによってアモルファスシリコン層を形成するための装置の一例を示す図である。
【図１１】本発明の比較例における基体の回転速度の変化を示す図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１００１  円筒状基体
１１００  アモルファスシリコン層
１１０１  電荷注入阻止層
１１０２  光導電層
１２０１  表面保護層
２１０１  処理容器
２１０２  圧力計
２１０３  ロードロック室
２１０４  圧力計
２１０５  基体ホルダ
２１０６  搬入出扉
２１０７  回転軸
２１０８  ガス導入ノズル
２１０９  接地部材
２１１０  キャップ
２１１１  モータ
２１１２  シャフト
２１１３  電源ケーブル
２１１４  電源
２１１５  移動子
２１１６  モータ
２１１７  ベローズ
２１１８  スパッタリングガス供給ノズル
２１１９  反応ガス供給ノズル
２１２０，２１２１  ベローズ
２２０１，２２０２  排気装置
２３０１  排気路
２３０２  搬送路
２３０３  排気路
２３０４  ガス供給路
２３０５  スパッタリングガス供給路
２３０６  反応ガス供給路
２４００  ガス供給装置
２４１１  スパッタリングガスボンベ
２４２１，２４３１  反応ガスボンベ
２４１２、２４２２，２４３２  レギュレータ
２４１３，２４２３，２４３３  マスフローコントローラ
２５０１  排気弁
２５０２  スロットル弁
２５０３  弁
２５０４  排気弁
２５０５  リーク弁
２５０６  ガス供給弁
２５０７  スパッタリングガス供給弁
２５０８  反応ガス供給弁
２５１１〜２５１３  弁
２５２１〜２５２３  弁
２５３１〜２５３３  弁
２６００  ターゲットユニット
２６１１  ターゲット
２６１２  スパッタリング面
２６１３  ターゲット
２６１４  スパッタリング面
２６１５  バッキングプレート
２６２１，２６２２  ターゲットホルダ
２６３１，２６３２  絶縁物
２６３２  絶縁物
２６４１，２６４２  磁石
３１００  反応容器
３１０１  カソード電極
３１０２  セラミック碍子
３１０３  基体ホルダ
３１０４  ヒータ
３１０５  キャップ
３１０６  上蓋
３１０７  マッチングボックス
３１０８  高周波電源
３１０９  排気口
３２０１  排気装置
３１１０  圧力計
３１１１  ガス導入管
３２０１  排気装置
３３０１  排気路
３３０２  ガス供給路
３４００  ガス供給装置
３４１１，３４２１，３４３１，３４４１，３４５１  ガスボンベ
３４１２，３４２２，３４３２，３４４２，３４５２  レギュレータ
３４１３，３４２３、３４３３、３４４３、３４５３  マスフローコントローラ
３５０１  弁
３５０２  弁
３５０３  スロットル弁
３５０４  リーク弁
３５１１〜３５１３  弁
３５２１〜３５２３  弁
３５３１〜３５３３  弁
３５４１〜３５４３  弁
３５５１〜３５５３  弁
【図１】
2005264257.tif 000013
【図２】
2005264257.tif 000014
【図３】
2005264257.tif 000015
【図４】
2005264257.tif 000016
【図５】
2005264257.tif 000017
【図６】
2005264257.tif 000018
【図７】
2005264257.tif 000019
【図８】
2005264257.tif 000020
【図９】
2005264257.tif 000021
【図１０】
2005264257.tif 000022
【図１１】
2005264257.tif 000023