(57)【要約】【課題】半導体素子をピックアップする工程において半導体素子の損傷を防止できる半導体製造装置を提供すること。【解決手段】半導体製造装置は、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップするピックアップ部をさらに備え、加熱部とピックアップ部は粘着シートを介して互いに対向し、かつ、粘着シートに対して移動できるように配置される請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
ピックアップ部は半導体素子を真空吸着する真空吸着コレットからなり、真空吸着コレットはその吸着力のみで粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
粘着シートの全領域の画像情報を認識する画像認識装置と、画像認識装置によって認識された画像情報に基づいて加熱部およびピックアップ部をそれらが同期して移動するように制御する制御部とをさらに備える請求項２又は３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
粘着シートは、基材シートと、基材シート上に積層された粘着剤層とからなり、粘着剤層は半導体素子を保持する表面側が粗面化されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
基材シートが所定の色に着色されてなる請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
基材シートが伸縮可能である請求項５又は６に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体製造装置を用い、複数の半導体素子を粘着シート上に保持させ、粘着シートのうちピックアップすべき半導体素子を保持している所定領域の粘着力を加熱部によって選択的に低下させ、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップ部によってピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、ダイシング後の半導体素子を粘着シートからピックアップするために用いられる半導体製造装置とそれを用いたピックアップ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この発明に関連する従来技術としては、基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハダイシング用粘着テープにおいて、該粘着剤層が、約１５℃より狭い温度範囲にわたって起こる第１次溶融転移を持つポリマーを含有するポリマー組成物からなることを特徴とする半導体ウエハダイシング用テープが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２４９８５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体素子は半導体ウエハ上に一括して形成された後に、隣接する素子間の切り代を縦横にダイシングし、各素子に分離することにより製造されている。
ダイシングによって分離された各半導体素子は粘着テープ上に貼り付けられた状態でダイボンド工程に搬送され、半導体素子毎にピックアップされ基板やリードフレーム上にダイボンドされる。
【０００４】
ピックアップ工程において、各半導体素子は粘着シートの裏面側から鋭利なピンによって突き上げられ、突き上げられた半導体素子は真空吸着コレットなどのピックアップ手段によって粘着シートから引き剥がされ、実装すべき半導体装置の基板やリードフレーム上に移送される。
【０００５】
ところで、最近の半導体素子の実装形態としては、フリップチップ実装が多用されていることから、ピックアップ工程における各半導体素子は、ＰＮ接合や、集積回路が造り込まれた表面側が粘着シート上に貼り付けられている。
このため、ピックアップされる際にピンによって突き上げられると、突き上げの強さや突き上げ量（突き上げの高さ）によってはＰＮ接合や集積回路が損傷してしまう恐れがある。
【０００６】
そこで、ピンによる突き上げを不要とするか、或いは、突き上げ量を小さくするために、紫外光の照射によって粘着力が低下するＵＶテープを用いることが考えられる。
しかしながら、実際には、紫外光を照射することによってＵＶテープの粘着力を低下させても、ピンによる突き上げが不要となる程までに粘着力を低下させることは難しい。
そして、紫外光の照射によって粘着力が低下した状態にある粘着シート上からピンによる突き上げを行って半導体素子を順次ピックアップしていくと、ピックアップ工程の完了までに半導体素子の配列が乱れてしまい、結果的に歩留まりを低下させてしまう恐れがある。
【０００７】
ピックアップすべき半導体素子を保持する所定の領域毎に紫外光を選択的に照射できれば、上述したような半導体素子の配列の乱れを防止できるかもしれないが、実際には紫外光を照射するＵＶランプの口径が半導体素子の寸法に比べて非常に大きいため、半導体素子を保持する領域に適切な出力で選択的に照射することは難しい。また、仮に照射できたとしても、粘着力の低下が現れるまでにある程度の時間を要することから、ピックアップ工程に要する時間が非常に長くなり現実的ではない。
【０００８】
この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、半導体素子をピックアップする工程において半導体素子の損傷を防止できる半導体製造装置とそれを用いた半導体製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする半導体製造装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を半導体レーザー素子と光学レンズとからなる加熱部によって選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させるので、ピックアップすべき半導体素子毎にその半導体素子を保持している所定領域の粘着力を低下させることができ、小さな力で半導体素子をピックアップできるようになる。
このため、半導体素子をピックアップする工程において、ピンによる突き上げが不要となるか、或いは、突き上げ量（突き上げの高さ）が小さくなり、ピックアップ工程における半導体素子の損傷を防止できるようになる。
特に、半導体レーザー素子から出射されるレーザー光によって粘着シートの所定領域を非接触で加熱できるので、ピックアップすべき半導体素子に加熱に伴う衝撃や圧力が不必要に加わらず、半導体素子の損傷を防止するうえで非常に効果的である。
また、半導体素子は、ピックアップされる寸前まで粘着シートにしっかりと保持されるので、ピックアップ工程中に粘着シート上の半導体素子の配列が乱れることもなく、歩留まりに悪影響を与えることも防止できる。
また、加熱部が、半導体レーザー素子と光学レンズとからなるので、微小な領域を的確に精度よく照射でき、さらには、半導体レーザー素子に対する光学レンズの位置を調整することによりレーザー光の照射範囲を容易に調整できるので、様々な寸法の半導体素子に柔軟に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この発明による半導体製造装置は、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする。
【００１２】
この発明による半導体製造装置において、半導体素子とは、例えば、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子、集積回路が造り込まれた半導体チップなどを意味する。
【００１３】
また、粘着シートとしては、例えば、１００℃〜２００℃程度に加熱することにより粘着力が低下する粘着シートを用いることができる。
また、加熱部を構成する半導体レーザー素子としては、例えば、
波長４０５ｎｍ〜８５０ｎｍ程度、出力３０ｍＷ〜３００ｍＷ程度のものを用いることができる。
一方、加熱部を構成する光学レンズとしては、例えば、凹レンズを用いることができる。
【００１４】
この発明による半導体製造装置は、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップするピックアップ部をさらに備え、加熱部とピックアップ部は粘着シートを介して互いに対向でき、かつ、粘着シートに対して移動できるように配置されていてもよい。
このような構成によれば、加熱部とピックアップ部が粘着シートを介して互いに対向でき、かつ、粘着シートに対して移動できるように配置されるので、粘着シート上に複数の半導体素子が保持されている場合において、各半導体素子のピックアップを効率よく行うことができる。
【００１５】
上述のピックアップ部をさらに備える場合において、ピックアップ部は半導体素子を真空吸着する真空吸着コレットからなり、真空吸着コレットはその吸着力のみで粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップしてもよい。
このような構成によれば、ピックアップ工程においてピンによる突き上げが不要となるので、より確実に半導体素子の損傷を防止できる。
【００１６】
また、ピックアップ部をさらに備える場合において、この発明による半導体製造装置は、粘着シートの全領域の画像情報を認識する画像認識装置と、画像認識装置によって認識された画像情報に基づいて加熱部およびピックアップ部をそれらが同期して移動するように制御する制御部とをさらに備えてもよい。
このような構成によれば、複数の半導体素子を順次ピックアップしていく際に、タクトタイムを短縮するうえで最も合理的となるように加熱部とピックアップ部を移動させることができ、製造効率の向上を図ることができる。
【００１７】
また、この発明による半導体製造装置において、粘着シートは、基材シートと、基材シート上に積層された粘着剤層とからなり、粘着剤層は半導体素子を保持する表面側が粗面化されているのが好ましい。
このような構成によれば、粘着シートと半導体素子との境界（コントラスト）が明確に表れるようになり、特に上述の画像認識装置と制御部を備える場合において、粘着シート上の半導体素子の位置が制御部によって確実に認識されるようになる。
なお、上記構成において、粗面化は、基材フィルムへの粘着材溶こう工程において、離型フィルム（紙）の表面形状を所望の凹凸形状にする事によって処理され、その凹凸の深さは５〜１０μｍ程度が好ましい。
また、上記構成において、基材シートとしては、例えば、ポリエステル、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニール）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などからなるものを用いることができる。
また、粘着剤層としては、例えば、天然ゴムや各種の合成ゴム等を含むゴム系（共）重合体、ポリ（メタ）アクリル酸エステルを主成分とするアクリル系（共）重合体などからなる活性線硬化型ものや、或いは、加熱により膨張する発泡層を含み、加熱時に生ずる発泡層の物理的作用によって粘着力が低下するものなどを用いることができる。
【００１８】
また、粘着シートが基材シートと粘着剤層とからなる上記構成において、基材シートは所定の色に着色されていてもよい。
このような構成によれば、粘着シートと半導体素子との境界がより明確に表れるようになる。なお、粘着シートの色としては、例えば、茶系の色などを挙げることができる。
【００１９】
また、粘着シートが基材シートと粘着剤層とからなる上記構成において、基材シートは伸縮可能であってもよい。
このような構成によれば、基材シートの伸縮性を活かすことにより、従来より粘着シートを固定するために用いられてきた粘着シート固定用の治具等をそのまま用いることができ、新たな設備投資を避けるうえで都合がよい。
【００２０】
この発明は別の観点からみると、ピックアップ部をさらに備える上述の半導体製造装置を用い、複数の半導体素子を粘着シート上に保持させ、粘着シートのうちピックアップすべき半導体素子を保持している所定領域の粘着力を加熱部によって選択的に低下させ、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップ部によってピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法を提供するものでもある。
【００２１】
この発明は、更に別の観点からみると、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部はハロゲンランプと、ハロゲンランプから出射された出射光が粘着シートの所定領域を照射するように出射光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする半導体製造装置を提供するものでもある。
このような構成によっても、上述のこの発明による半導体製造装置と同様の効果が得られる。
なお、上記構成において、加熱部を構成するハロゲンランプとしては、例えば、出力５０Ｗ〜１５０Ｗ程度のものを用いることができ、光学レンズとしては、例えば、凸レンズを用いることができる。
【００２２】
また、この発明は更に別の観点からみると、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は熱源を備えた加熱コレットからなることを特徴とする半導体製造装置を提供するものでもある。
このような構成によっても、上述のこの発明による半導体製造装置と同様の効果が得られる。
なお、加熱コレットとしては、通常の半導体製造工程において加熱用のコレットとして用いられているものを利用できる。
【００２３】
また、この発明は更に別の観点からみると、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に冷却して前記所定領域の粘着力を低下させる冷却部を備え、冷却部は粘着シートの所定領域から熱伝導によって熱を奪う冷却コレットからなっていてもよい。
このような構成によっても、上述のこの発明による半導体製造装置と同様の効果が得られる。
なお、冷却コレットとしては、例えば、熱伝導に優れたアルミや銅などからなるコレットであって、一端が送風によって冷却される放熱板に接続されたものや、熱伝導に優れたアルミや銅などからなる中空のコレットであって、内部に冷媒となる不活性ガスが通されるように構成されたもの、或いは、先端に孔を有するコレットであって、先端の孔から冷却された不活性ガス又はエアーを粘着シートの所定領域に吹き付けるように構成されたものなどを用いることができる。
【００２４】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳細に説明する。
【実施例】
【００２５】
実施例１
この発明の実施例１による半導体製造装置とそれを用いた半導体装置の製造方法について、図１〜４に基づいて説明する。図１は実施例１による半導体製造装置の概略的な構成を示す説明図、図２は粘着シートが固定用治具に取り付けられた状態を示す斜視図、図３は加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図、図４はピックアップされる半導体素子の概略的な構成を示す斜視図である。
【００２６】
図１〜３に示されるように、実施例１による半導体製造装置１００は、ピックアップすべき半導体素子１を保持している粘着シート２の所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部３と、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子１をピックアップするピックアップ部４を備え、加熱部３とピックアップ部４は粘着シート２を介して互いに対向でき、かつ、粘着シート２に対して移動できるように配置されている。
【００２７】
粘着シート２は、ニッタ株式会社製のインテリマーテープ  ウォームオフタイプ（スイッチング温度５０℃）を用いている。図３に示されるように、この粘着シート２は、ＰＶＣ（塩化ビニル）からなる基材シート２ａと、基材シート２ａ上に塗布された粘着剤層２ｂとから構成され、１５０℃まで加熱されると粘着力の低下を示す。基材シート２ａは透光性を有する茶系の色を呈し、粘着剤層２ｂは半導体素子１を保持する表面側が粗面化されている。
図２に示されるように、粘着シート２は固定用治具５に取り付けて用いられる。粘着シート２は、固定用治具５に取り付けられることにより引き伸ばされ、引き伸ばされることにより粘着シート２上に保持された複数の半導体素子１の間に隙間が形成される。
図１に示されるように、粘着シート２を保持する固定用治具５はスペーサ６を介してステージ７上に取り付けられ、ステージ７と粘着シート２との間にはスペーサ６による隙間が形成される。
【００２８】
図３に示されるように、加熱部３は、半導体レーザー装置（半導体レーザー素子）８と、半導体レーザー装置８から出射されたレーザー光の照射範囲を粘着シート２の所定領域に規定する光学レンズ９とからなっている。
半導体レーザー装置８から出射されるレーザー光の波長は６５０ｎｍで、その出力は６０ｍＷである。また、光学レンズ９は凹レンズを用いている。
加熱部３は、粘着シート２の裏面と対向するように、ステージ７と粘着シート２との間に形成された隙間に挿入された移動ステージ１０上に搭載される。
一方、ピックアップ部４は、半導体素子１を真空吸着する真空吸着コレット１１からなり、真空吸着コレット１１はその吸着力のみで粘着力が低下した所定領域上の半導体素子１をピックアップするように構成されている。真空吸着コレット１１は、通常の半導体装置製造工程で用いられる一般的なものである。
【００２９】
真空吸着コレット１１は、その先端が粘着シートの表面と対向するように、移送アーム１２の先端に取り付けられる。
粘着シート２の上方には粘着シート２の表面側を照らす照明装置１３と、照明装置１３によって照らし出された粘着シート２の表面側をその全領域にわたって撮像する画像認識装置１４が配置されている。
画像認識装置１４、移動ステージ１０、加熱部３、移送アーム１２およびピックアップ部４はそれぞれ制御部（図示せず）に接続され、制御部からの指示に基づいて作動するように構成されている。
【００３０】
以上のような構成からなる半導体製造装置１００を用いて半導体装置（ＬＥＤランプ）を製造する方法について説明する。
まず、図２に示されるように、ダイシングの完了した０．３０ｍｍ×０．３０ｍｍの寸法を有する複数のフリップ型の半導体素子１としての発光ダイオードチップを粘着シート２に貼り付け、さらにこの粘着シート２を固定用治具５に取り付けて引き伸ばす。この引き伸ばしの際に、隣接する半導体素子１の間に隙間が形成される。
なお、図４に示されるように、各半導体素子１は表面側にＰＮ接合１５と電極１６がそれぞれ形成された構造を有している。
上述の粘着シート２に貼り付けられる際、各半導体素子１は、ダイシング工程でウエハ（図示せず）を固定するために用いられていたダイシング用粘着シート（図示せず）上から粘着シート２へ反転するように載せかえられるので、ＰＮ接合１５や電極１６が形成された各半導体素子１の表面側が粘着シート２と対向するように貼り付けられることとなる。各半導体素子１の表面側を粘着シート２と対向させるのは、各半導体素子１がフリップチップ実装されることを想定しているからである。
【００３１】
次いで、図１に示されるように、粘着シート２を保持する固定用治具５を、スペーサ６を介してステージ７上に固定する。
固定用治具５がステージ７上に固定されると、照明装置１３が粘着シート２の表面側を照らし、画像認識装置１４が粘着シート２の表面側全体を撮像する。
画像認識装置１４によって撮像された画像情報は図示しない制御部へ送られ、制御部は送られてきた画像情報から粘着シート２上の全ての半導体素子１の位置情報を認識し、さらにその中から最初にピックアップすべき半導体素子１を特定する。
制御部はピックアップすべき半導体素子１を特定すると、その半導体素子１の位置を目指して移動ステージ１０と移送アーム１２を移動させる。
これにより、移動ステージ１０上に搭載された加熱部３と、移送アーム１２の先端に取り付けられたピックアップ部４は、図３に示されるようにピックアップすべき半導体素子１の下方と上方にそれぞれ位置することとなる。
【００３２】
図３に示されるように、ピックアップすべき半導体素子１の下方に位置した加熱部３は、制御部からの指示によってピックアップすべき半導体素子１を保持している粘着シート２の裏面側の所定領域に所定時間にわたってレーザー光を照射する。これにより、レーザー光の照射を受けた粘着シート２の所定領域は１５０℃まで加熱され粘着力が低下する。なお、加熱部３の光学レンズ９は、粘着シート２の裏面における照射サイズがφ０．４３ｍｍとなるようにその位置が調整されている。
加熱部３からのレーザー光の照射によって、粘着シート２の所定領域の粘着力が低下すると、ピックアップ部４を構成する真空吸着コレット１１は、制御部からの指示によって粘着力が低下した所定領域上にある半導体素子１を真空吸着する。
【００３３】
その後、移送アーム１２は制御部からの指示によって真空吸着された半導体素子１を、ダイボンドステージ１７（図１参照）に載置されたリードフレーム１８（図１参照）へ移送する。半導体素子１がリードフレーム１８上に移送されると、真空吸着コレットは、制御部からの指示によって真空吸着を解き、半導体素子１はリードフレーム１８上の所定の位置に搭載される。
その後、半導体素子１とリードフレーム１８とのボンディングが行われ、樹脂封止などの後工程が適宜実施され半導体装置（図示せず）が完成する。
その後、制御部は、次にピックアップすべき半導体素子１の下方と上方に加熱部３とピックアップ部４をそれぞれ位置させるべく、移動ステージ１０と移送アーム１２をそれぞれ移動させる。この際、移動ステージ１０と移送アーム１２は、ホームポジションへ戻ることなく、次にピックアップすべき半導体素子１の位置へ直接移動する。このため、タクトタイムが短縮され、生産効率が向上する。
制御部は、粘着シート２上に保持された全ての半導体素子１のピックアップが完了するまで以上のような動作を繰り返し行う。
【００３４】
実施例２
この発明の実施例２による半導体装置の製造方法について図５に基づいて説明する。図５は、実施例５で用いられる半導体素子の模式的な斜視図である。
図５に示されるように、実施例２において用いられる半導体素子２１としての発光ダイオードチップは、半導体装置としてのＬＥＤランプに組み込まれた際の光の取り出し効率を向上させるべく、画像認識装置１４（図１参照）によって撮像される裏面２１ａが粗面化処理されている。それ以外は上述の実施例１と同様である。
実施例２のように、裏面２１ａが粗面化処理された半導体素子２１であっても、上述の実施例１と同様に、半導体素子２１の位置は的確に認識され、問題無くピックアップすることができる。
【００３５】
実施例３
この発明の実施例３による半導体装置の製造方法について図６に基づいて説明する。図６は実施例３で用いる半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図である。
図６に示されるように、実施例３では、実施例１で用いた半導体素子１（図１参照）よりもサイズの大きい０．５０ｍｍ×０．５０ｍｍの寸法を有する半導体素子３１を用いる。これに伴い、粘着シート２の裏面における半導体レーザー光の照射サイズがφ０．７２ｍｍとなるように加熱部３を構成する光学レンズ９の位置が調整される。
実施例３のように、比較的大きな寸法を有する半導体素子３１であっても、照射サイズを調整することにより、問題無くピックアップすることができる。
【００３６】
実施例４
この発明の実施例４による半導体製造装置について、図７に基づいて説明する。図７は実施例４による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
図７に示されるように、実施例４では、加熱部４３が熱源４４を備えた加熱コレット４５で構成されている。その他の点については実施例１による半導体製造装置１００（図１参照）と同様である。
実施例４のように、加熱部４３として加熱コレット４５を用いても、熱伝導によって粘着シート２の所定領域を選択的に加熱でき、実施例１と同様に粘着シート２の所定領域の粘着力を局部的に低下させることができる。
【００３７】
実施例５
この発明の実施例５による半導体製造装置について、図８に基づいて説明する。図８は実施例５による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
図８に示されるように、実施例５では、加熱部５３がハロゲンランプ５４と、ハロゲンランプ５４の出射光の照射範囲を粘着シート２の任意の領域に規定する光学レンズ５５とから構成されている。その他の点については実施例１による半導体装置１００（図１参照）と同様である。
光学レンズ５５は凸レンズからなり、ハロゲンランプ５４から照射された光を所定領域に絞り込むように構成されている。
実施例５のように、加熱部５３としてハロゲンランプ５４と光学レンズ５５を用いても、粘着シート２の所定領域を選択的に加熱でき、実施例１と同様に粘着シート２の所定領域の粘着力を局部的に低下させることができる。
【００３８】
実施例６
この発明の実施例６による半導体製造装置について、図９に基づいて説明する。図９は実施例６による半導体製造装置の冷却部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
図９に示されるように、実施例６では、実施例１の加熱部３（図１参照）の代わりに冷却部６３が用いられ、冷却部６３は、粘着テープ６２の任意の領域から熱伝導によって熱を奪う冷却コレット６５から構成されている。これに伴い、粘着シート６２は５℃に冷却されることにより、粘着力が低下するものが用いられている（ニッタ株式会社製、インテリマーテープ  クールオフタイプ（１０℃剥離タイプ）。その他の点については実施例１による半導体製造装置１００（図１参照）と同様である。
冷却コレット６５は熱伝導に優れた銀合金からなる中空体で、内部には冷媒として−２５℃に冷却された不活性ガスが通される。
実施例６のように、加熱部３の代わりに冷却部６３が用いられ、粘着シート６２が冷却によって粘着力の低下を示すものであっても、実施例１と同様に粘着シート６２の所定領域の粘着力を局部的に低下させることができる。
【００３９】
以上、この発明による６つの実施例について説明したが、この発明による半導体製造装置によってピックアップされる半導体素子は、フリップ型の半導体素子に限定されるものではなく、例えば、フリップ型以外の半導体素子にも用いることができる。また、半導体素子の種類も発光ダイオード素子に限られるものではなく、半導体レーザー素子、集積回路が造り込まれた半導体チップなど様々な半導体素子に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の実施例１による半導体製造装置の概略的な構成を示す説明図である。
【図２】粘着シートが固定用治具に取り付けられた状態を示す斜視図である。
【図３】加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図である。
【図４】ピックアップされる半導体素子の概略的な構成を示す斜視図である。
【図５】実施例２で用いられる半導体素子の模式的な斜視図である。
【図６】実施例３で用いる半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図である。
【図７】実施例４による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
【図８】実施例５による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
【図９】実施例６による半導体製造装置の冷却部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
【符号の説明】
【００４１】
１，２１，３１・・・半導体素子
２，６２・・・粘着シート
３，４３，５３・・・加熱部
４・・・ピックアップ部
５・・・固定用治具
６・・・スペーサ
７・・・ステージ
８・・・半導体レーザー装置
９，５５・・・光学レンズ
１０・・・移動ステージ
１１・・・真空吸着コレット
１２・・・移送アーム
１３・・・照明装置
１４・・・画像認識装置
１５・・・ＰＮ接合
１６・・・電極
２１ａ・・・裏面
４４・・・熱源
４５・・・加熱コレット
５４・・・ハロゲンランプ
６３・・・冷却部
６５・・・冷却コレット
【図１】
2005302889.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005302889.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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