(57)【要約】【課題】  Ｉｎ3+とＳｎ4+とを含有し、Ｓｎ4+の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液から、Ｉｎ3+とＳｎ2+とを含有し、Ｓｎ2+の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液を、錫イオンを実質的に増加させることなく簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】  Ｉｎ3+とＳｎ4+とを含有し、Ｓｎ4+の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液に電解処理を行うことによりＳｎ4+を金属錫として析出させ、このときＳｎ2+の酸性水溶液中の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上となるようにＳｎ4+を金属錫として析出させ得る電流量の半分以上の量の電流を流して電解処理を行い、金属錫を溶解させるＩｎ3+とＳｎ2+とを含有し、Ｓｎ2+の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液の製造方法。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムイオンと４価錫イオンとを含有し、４価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液に電解処理を行うことにより４価の錫イオンを金属錫として析出させ、このとき２価錫イオンの酸性水溶液中の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上となるように４価錫イオンを金属錫として析出させ得る電流量の半分以上の量の電流を流して電解処理を行い、金属錫を溶解させることを特徴とするインジウムイオンと２価錫イオンを含有し、２価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液の製造方法。
【請求項２】
電解処理における電流密度が、５０Ａｍ-2以上２０００Ａｍ-2以下の範囲である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
電解処理を、陽イオン交換膜で仕切られた電解槽のアノード電極側の硫酸水溶液、カソード電極側のインジウムイオンと４価錫イオンとを含有する酸性水溶液に電流を流して行う請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
インジウムイオンと４価錫イオンとを含有する酸性水溶液が、インジウムと錫と酸素とを含有する化合物を塩酸に溶解して得られる酸性水溶液である請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インジウムイオンと２価錫イオンとを含有する水溶液の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジウムイオンと２価錫イオンとを含有する水溶液は、酸化インジウム−酸化錫固溶体（以下「ＩＴＯ」ということがある。）の焼結体の製造用に用いられる。ＩＴＯ焼結体はＩＴＯ薄膜をスパッタ法により製造するためのターゲットとして用いられている。ＩＴＯ薄膜は、高い導電性と優れた透明性を有するために、液晶ディスプレイ用の透明導電膜として利用されている。
【０００３】
ＩＴＯ焼結体をスパッタ法用のターゲットとして使用すると、スパッタを行うに従ってＩＴＯ焼結体は消耗していくが、均一に消耗していくのではなく、局所的に消耗していく。消耗が進むとＩＴＯ焼結体を貫通する穴が形成されるので、その前にＩＴＯ焼結体は新品と交換される。そして、相当の残存部分のあるＩＴＯ焼結体を、そのまま廃棄するのではなく、リサイクルすることが提案されており、従来から、ＩＴＯ焼結体を酸で溶解し、インジウムイオンと４価錫イオンとを含有する酸性水溶液を得て、それをＩＴＯ焼結体の原料として用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
このＩＴＯ焼結体を酸で溶解することにより得られ、インジウムイオンと錫イオンとを含有する酸性水溶液からＩＴＯ焼結体を製造するために、該酸性水溶液にアンモニア水等のアルカリ水溶液を加えてインジウムと錫の水酸化物の沈澱を生成させ、得られた沈澱を焼成してＩＴＯ粉末とし、そのＩＴＯ粉末をプレス成形し、得られた成形体を焼結してＩＴＯ焼結体を製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、前記酸性水溶液を用いてＩＴＯ焼結体を製造すると、焼結体密度が十分高くないという問題点があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２４７１６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、本発明者らは、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液に含有される錫イオンのうち、２価の錫イオンが全錫イオンのうちの５０重量％以上である場合において、この水溶液から前記のようにインジウムと錫の水酸化物の沈澱を生成させて製造されたＩＴＯ焼結体の密度が高くなることを見出していた（特願２００３−３１９４３９）。そして、ＩＴＯ焼結体を酸で溶解することにより得られる酸性水溶液に含有される錫イオンは主に４価であるので、この４価の錫イオンの少なくとも一部を２価の錫イオンとして、前記酸性水溶液から、インジウムイオンと主に２価である錫イオンとを含有する水溶液を製造する方法が課題であり、本発明者らは、前記酸性水溶液に金属錫を加え、式（１）
Ｓｎ＋Ｓｎ4+→２Ｓｎ2+      （１）
により４価錫イオンを減少させ、２価錫イオンを増加させ、インジウムイオンと錫イオンとを含有し、２価錫イオンが全錫イオンのうち５０重量％以上である水溶液を製造する方法を提案していたが、この製造方法によれば、酸性水溶液中の錫イオンの量が増加し、インジウムイオンに対する錫イオンの量が増加するという問題点があった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、インジウムイオンと４価錫イオンとを含有し、４価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液から、インジウムイオンと２価錫イオンを含有し、２価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液を、錫イオンを実質的に増加させることなく簡便に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記課題について鋭意検討した結果、インジウムイオンと４価錫イオンとを含有し、４価の錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液に必要な量の電流を流して電解処理を行うことにより４価の錫イオンを金属錫として析出させ、金属錫を溶解させることによって、簡便に、インジウムイオンと２価錫イオンを含有し、２価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、インジウムイオンと４価錫イオンとを含有し、４価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液に電解処理を行うことにより４価の錫イオンを金属錫として析出させ、このとき２価錫イオンの酸性水溶液中の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上となるように４価錫イオンを金属錫として析出させ得る電流量の半分以上の量の電流を流して電解処理を行い、金属錫を溶解させることを特徴とするインジウムイオンと２価錫イオンを含有し、２価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法により得られるインジウム含有水溶液は、４価の錫イオン含有量が少なく、ＩＴＯ焼結体製造用のＩＴＯ粉末を製造する原料水溶液として使用した場合、高い密度のＩＴＯ焼結体を与えるＩＴＯ粉末が得られ、高い密度のＩＴＯ焼結体は透明導電膜を製造するためのスパッタのターゲット用として好適なので、本発明は工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の製造方法においては、インジウムイオンと４価錫イオンとを含有し、４価の錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％を超える酸性水溶液（以下、単に「酸性液」ということがある。）に電解処理を行うことにより金属錫を析出させ、金属錫を溶解させることにより、全錫イオンの中で２価の錫イオンの含有量が５０重量％以上である水溶液であってインジウムイオンと２価錫イオンとを含有する水溶液を製造する。ここで、電解処理における電流量は、２価錫イオンの酸性水溶液中の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上となるように４価錫イオンを金属錫として析出させ得る電流量の半分以上の量である。
【００１２】
本発明の製造方法において用いる電極の材質は、アノード電極としては不溶性の白金、寸法安定性電極および炭素板が好ましく、カソード電極としては錫、銅、チタンおよび白金が好ましい。
【００１３】
電解を開始すると、金属錫がカソード電極の上に通常は析出する。ただし、電流密度が低く、酸性液の温度が高い場合は、金属錫の析出が目視では観察されず、析出した金属錫が直ちに溶解してしまうことがあるが、本発明の製造方法においては、金属錫の析出は目視で観察されない場合も含む。また、金属錫の析出とともに、金属錫の溶解も同時に進行することがある。
【００１４】
電解処理の電流密度としては５０Ａｍ-2以上２０００Ａｍ-2以下の範囲が好ましく、さらに好ましくは１００Ａｍ-2以上１５００Ａｍ-2以下の範囲である。電流密度が２０００Ａｍ-2を超える場合にはカソードから水素ガスが発生して安全上好ましくなく、３０Ａｍ-2を下回る場合には金属錫を析出させるために長時間を要し工業的には生産効率の観点から好ましくない。電解処理の方法としては定電流法を用いることが好ましい。
【００１５】
酸性液に塩酸が含まれる場合は、アノード電極から塩素ガスが発生することがある。このような場合には、アノード電極からの塩素ガス発生を防止する方法として、陽イオン交換膜で仕切られた電解槽のアノード電極側の硫酸水溶液と、カソード電極側のインジウムイオンと錫イオンとを含有する酸性液に電流を流して電解処理することが好ましい。
【００１６】
２価の錫イオンは空気中の酸素によって徐々に４価の錫イオンに酸化されるので、電解処理時の雰囲気はＮ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気とすることが好ましく、不活性ガス雰囲気中で酸性液を撹拌しながら行うことがさらに好ましい。
【００１７】
また、電解処理時の水溶液の温度は必ずしも限定されず、通常工業的に実施される範囲において任意に選ぶことができる。通常は０℃以上８０℃以下で行う。
【００１８】
電解処理におけるカソード電位としては、標準水素電極基準で好ましくは−０．６Ｖ以上、より好ましくは−０．４５Ｖ以上、さらにに好ましくは−０．４Ｖ以上である。電位が−０．６Ｖを下回るとカソード水素ガスが発生して安全上好ましくない。
【００１９】
この電解処理において流す電流量は、２価錫イオンの酸性水溶液中の含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上となるように４価錫イオンを金属錫として析出させ得る電流量の半分以上の量である。具体的には、まず、酸性液中の４価錫イオンのうち、全錫イオンに対する４価錫イオンの割合が５０重量％未満まで減少させる量の４価錫イオンを金属錫に還元するために必要な電流量を求める。そして、電流量としては、前記電流量の０．５倍以上１０倍以下の範囲が好ましく、０．５倍以上５倍以下がさらに好ましい。電流量が多過ぎると、金属錫に続いて金属インジウムが析出する。電解処理を停止して放置すれば、析出した金属インジウムは酸性液に全量溶解させることができるので、全量の溶解が終了すれば酸性液中のインジウムイオン濃度は電解処理前から変化しないものの、エネルギー効率が低くなるので、電流量が多すぎる場合は好ましくない。この電解処理が終了した段階で、酸性液中の全錫イオン中の２価錫イオンの割合がすでに５０重量％以上に到達することもある。また、電解処理が終了した段階で析出している金属錫は、全部がカソード上に存在することもあれば、また一部が液中に遊離した状態で存在することもある。
【００２０】
次に、析出した金属錫を溶解し、酸性液中に残存する４価錫イオンを（１）式に従って２価錫イオンに還元する。なお、金属錫の溶解は、電解処理を停止した直後に自然に始まる。
Ｓｎ＋Ｓｎ4+→２Ｓｎ2+      （１）
ここで、析出した金属錫を用いずに、析出した金属錫を酸性液から分離し、別途用意した金属錫を酸性液に加えて溶解させてもよいが、析出した金属錫を用いた方が、酸性液中の錫イオンの量が、電解処理前と変化することが無いので、好ましい。
【００２１】
金属錫の溶解による還元処理はＮ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気中で酸性液を撹拌しながら行うことがさらに好ましい。
【００２２】
この金属錫の溶解の際の温度は必ずしも限定されず、通常工業的に実施される範囲において任意に選ぶことができる。通常は０℃以上９０℃以下で行うが、温度が高い方が金属錫の溶解による４価の錫イオンの還元が促進されるため好ましい。また、金属錫の溶解による還元処理の時間は、反応温度や最終的に得ようとするインジウムイオンと錫イオンを含有する水溶液中の錫イオン中の２価錫イオンの割合によっても依存するので必ずしも限定されないが、通常は１時間以上、好ましくは３時間以上、より好ましくは５時間以上である。
【００２３】
金属錫の溶解による還元処理後には、一部の金属錫は未溶解の状態で残存することがあるが、このような金属錫は還元処理後のインジウムイオンと錫イオンを含有する水溶液から分離する。
【００２４】
また、上述のような１回の電解処理と１回の金属錫溶解操作のみではなく、例えば電解操作と金属錫溶解操作の繰り返しを何回かに実施して行っても何ら支障はない。
【００２５】
以上のようにして得られたインジウムイオンと錫イオンを含有する水溶液の錫イオン中の２価錫イオンの割合は、５０重量％以上、好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上である。
【００２６】
以上のように、本発明の製造方法によれば、酸性液中の錫イオンの量を増加させることなく、酸性液中の４価錫イオンを２価錫イオンに変化させ、インジウムイオンと２価錫イオンを含有し、２価錫イオンの含有量が全錫イオンのうちの５０重量％以上である水溶液を製造することができる。
【００２７】
なお、以上のようにして得られたインジウムイオンと２価錫イオンを含む水溶液に、必要であればさらに２価錫イオンを含んだ水溶液を添加、またはインジウムイオンを含んだ水溶液を添加して、インジウムと錫濃度を調整することができる。この際のインジウムと錫の濃度は、最終的に得ようとするＩＴＯ粉末に含有される錫量に応じて、インジウムイオン濃度との関係で決定すれば良く、酸化物に換算した場合に酸化インジウムと酸化錫の合計量に対する錫の量は２〜２０重量％で、通常は１０〜２０重量％である。
【００２８】
得られたインジウムと２価の錫イオンを含む水溶液は、例えば空気中に放置することによって、容易に酸化され４価の錫イオンに変化する。従って、水溶液は密栓して、不活性雰囲気中で保存することが好ましい。
【００２９】
本発明の製造方法において、インジウムイオンと錫イオンを含む水溶液としては、例えば、ＩＴＯ、水酸化インジウム−水酸化錫混合物等を酸水溶液、例えば塩酸水溶液に溶解させた、インジウムイオンと４価の錫イオンを含む水溶液が挙げられ、工業的には、ＩＴＯ粉末の中で品質規格から外れた製品、ＩＴＯ焼結体で品質規格から外れた製品、ＩＴＯ焼結体の研削くず、あるいはスパッタリングに使用した使用済みＩＴＯターゲットから取り出されたＩＴＯ焼結体を塩酸に溶解したインジウムイオンと錫イオンを含有する水溶液を用いることができる。以下、ＩＴＯの使用済みターゲットを用いた方法に関して説明する。
【００３０】
使用済みＩＴＯターゲットは、ＩＴＯ焼結体が銅製のバッキングプレートにインジウム半田等により貼付された状態で回収されるため、１５０〜２００℃程度に加熱してＩＴＯ焼結体をバッキングプレートから剥離する。剥離して取り出したＩＴＯ焼結体にはバッキングプレートとの接合に使用したインジウム半田等が付着残留している場合がある。インジウム半田にはＣｕ、Ｐｂ等の不純物が含まれている場合があり、また、ＩＴＯ焼結体表面にＳｉ、Ａｌ、Ｆｅ等を含有する異物が付着している場合があるため、酸を用いて洗浄し、インジウム半田や異物等を除去しておくことが好ましい。
【００３１】
ＩＴＯ焼結体は、酸への溶解速度を向上させるために予め粉砕することが好ましい。粉砕方法としては特に限定されないが、工業的に通常用いられるジョークラッシャー、ロールクラッシャー、ディスクミル、振動ミル等を用いることができ、これら粉砕機の被粉砕物に接触する部分の材質としてはアルミナ、ジルコニア、タングステンカーバイド等のセラミックスが好ましい。粉砕機の材質が金属の場合は、粉砕後のＩＴＯ焼結体にその金属が付着して汚染が生じ、ＩＴＯ焼結体を溶解して作製した溶解液（以下、単に溶解液ということがある。）から金属不純物を除去することが必要となるので好ましくない。粉砕後のＩＴＯ焼結体の大きさとしては必ずしも限定されないが、好ましくは２０ｍｍ以下、更に好ましくは２ｍｍ以下、最も好ましくは０．５ｍｍ以下である。
【００３２】
ＩＴＯ焼結体を溶解するための酸としては塩酸、硫酸、硝酸等が挙げられるが、ＩＴＯの溶解速度が速い塩酸が好ましく、以下塩酸を用いた場合について説明する。溶解方法は特に限定されないが、反応容器に塩酸と粉砕後のＩＴＯ焼結体とを仕込み撹拌する等の方法を例示することができる。
【００３３】
ＩＴＯ焼結体を酸により溶解するときの温度、時間は特に限定されず、工業的に有利な温度、時間を選択することができ、温度としては通常は４０℃以上１００℃以下、好ましくは６０℃以上８０℃以下の温度範囲、溶解時間としては通常は１００時間以内、好ましくは５０時間以内、さらに好ましくは２４時間以内である。ＩＴＯ焼結体を溶解して得られた溶解液のインジウムの濃度は５０ｇ／Ｌ以上３５０ｇ／Ｌ以下が好ましく、１００ｇ／Ｌ以上３５０ｇ／Ｌ以下がさらに好ましい。
【００３４】
こうして得られた溶解液には、未溶解のＩＴＯ焼結体破片や粉砕機の部材から混入したセラミックス粒子が残存する場合もあるが、その場合には濾過等の固液分離によりそれらの固体を除去して液のみを回収する。
【００３５】
この様にして得られたインジウムと錫イオンを含む水溶液には不純物として例えば、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ等が含まれる場合があり、この場合にはカチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂等のイオン交換樹脂と接触させて、これら不純物を除去する工程を含む製造方法が好ましい。特に、ＩＴＯ焼結体を粉砕し溶解して得られる溶解液を用いる場合は、不純物としてＺｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ等が含まれる可能性が高く、イオン交換樹脂と接触させて、これら不純物を除去する工程を含む製造方法が好ましい。この不純物除去の工程は、後述する還元処理の後に行っても何ら差し支えはない。
【００３６】
このようにして得られたＩＴＯ溶解液中に含まれる錫イオンの価数は４価であり、塩化インジウムと塩化第２錫を純水に溶解させて得られる水溶液と同等なイオン種を含むものである。
【実施例】
【００３７】
次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３８】
インジウムイオンと４価錫イオンを含有する酸性液としては、以下のものを使用した。なお、いずれ酸性液も２価錫イオンは殆ど含まれていなかった。
（酸性液Ａ）インジウムイオンと４価錫イオンとを含有する酸性液としては、使用済みＩＴＯターゲットをジョークラッシャーにて約１〜４ｍｍに粉砕し、濃度３５重量％の塩酸水溶液にて溶解して得た水溶液を純水で希釈して、陽イオン交換樹脂と接触させて不純物Ｚｒを除去し、インジウムイオン濃度＝１５９．６ｇ／Ｌ、４価錫イオン濃度＝１４．８ｇ／Ｌの酸性液とした。
【００３９】
（酸性液Ｂ）金属インジウムを３５重量％塩酸水溶液に溶解した酸性液に、塩化第２錫５水和物（ＳｎＣｌ4・５Ｈ2Ｏ）を添加し、インジウムイオン濃度＝３３４．７ｇ／Ｌ、４価錫イオン濃度＝３６．３ｇ／Ｌのインジウムイオンと４価錫イオンを含有する酸性液を作製した。
【００４０】
（酸性液Ｃ）金属インジウムを３５重量％塩酸水溶液に溶解した酸性液に、塩化第２錫５水和物（ＳｎＣｌ4・５Ｈ2Ｏ）を添加し、インジウムイオン濃度＝３４６．２ｇ／Ｌ、４価錫イオン濃度＝３６．５ｇ／Ｌのインジウムイオンと４価錫イオンを含有する酸性液を作製した。
【００４１】
（酸性液Ｄ）使用済みＩＴＯターゲットをジョークラッシャーにて約１〜４ｍｍに粉砕し、３５重量％塩酸水溶液に溶解し、インジウムイオン濃度＝３３３．４ｇ／Ｌ、４価錫イオン濃度＝３４．３ｇ／Ｌのインジウムイオンと４価錫イオンを含有する酸性液を作製した。
【００４２】
酸性液中のインジウムイオン濃度はＩＣＰ発光法によって、全錫イオン濃度（２価＋４価錫イオン濃度）はよう素滴定法あるいはＩＣＰ発光法によって、２価錫イオン濃度はよう素滴定法によって分析測定した。
【００４３】
実施例１
陽イオン交換膜で仕切られた電解槽内のカソード電極側に酸性液Ａを５０ｍＬ仕込み、Ｎ2を酸性液に吹き込んで撹拌した。また、アノード電極側には１規定のＨ2ＳＯ4水溶液を５０ｍＬ仕込んだ。電解処理は、カソード電極として３６ｍｍ×２５ｍｍの銅板、アノード電極として３０ｍｍ×２０ｍｍの白金板を用いて、電流密度４００Ａｍ-2で室温（約２５℃）にて５５分間行った。次いで、電解処理を停止して５時間放置し、インジウムイオン濃度が１５７ｇ／Ｌ、全錫イオン濃度が１０．５ｇ／Ｌ、２価錫イオン濃度が６．４ｇ／Ｌ、の酸性液が得られた。この酸性液の錫イオン中の２価錫イオンの割合は６１重量％であった。
【００４４】
実施例２
陽イオン交換膜で仕切られた電解槽内のカソード電極側に酸性液Ｂを５０ｍＬ仕込み、Ｎ2を吹き込んで撹拌した。また、アノード電極側には１規定のＨ2ＳＯ4水溶液を５０ｍｌ仕込んだ。電解処理は、カソード電極として３６ｍｍ×２５ｍｍの銅板、アノード電極として３０ｍｍ×２０ｍｍの白金板を用いて、電流密度６００Ａｍ-2で室温（約２５℃）にて１．５分間行った。次いで、電解処理を停止して５時間放置し、インジウムイオン濃度が３３１ｇ／Ｌ、全錫イオン濃度が３４．７ｇ／Ｌ、２価錫イオン濃度が２９．８ｇ／Ｌの酸性液が得られた。この水溶液の錫イオン中の２価錫イオンの割合は８６重量％であった。
【００４５】
実施例３
陽イオン交換膜で仕切られた電解槽内のカソード電極側に酸性液Ｃを１００ｍＬ仕込み、Ｎ2ガスを２００ｍＬ／分で吹き込んだ。また、アノード電極側には１規定のＨ2ＳＯ4水溶液を１００ｍｌ仕込んだ。電解処理は、アノード電極として３８ｍｍ×３０ｍｍのＳｎ板、カソード電極として３８ｍｍ×３０ｍｍの白金板を用いて、電流密度３５０Ａｍ-2で室温（約２５℃）にて４時間行った。次いで、電解処理を停止して４時間放置し、インジウムイオン濃度が２８７．５ｇ／Ｌ、全錫イオン濃度が３１．１ｇ／Ｌ、２価錫イオン濃度が３１．０ｇ／Ｌの酸性液が得られた。この水溶液の錫イオン中の２価錫イオンの割合は９９重量％を超えるものであった。また、この酸性液中の不純物濃度をＩＣＰ発光装置で分析した結果、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎは１重量ｐｐｍ未満で、Ｐｂは２重量ｐｐｍ未満であった。
【００４６】
実施例４
陽イオン交換膜で仕切られた電解槽内のカソード電極側に水溶液Ｄを１００ｍＬ仕込み撹拌した。この際カソード室内にはＮ２ガスを２００ｍＬ／分で吹き込んだ。また、アノード電極側には１規定のＨ2ＳＯ4水溶液を１００ｍｌ仕込んだ。電解処理は、アノード電極として３８ｍｍ×３０ｍｍのＳｎ板、カソード電極として３８ｍｍ×３０ｍｍの白金板を用いて、電流密度２６０Ａｍ-2で室温（約２５℃）にて３５分間行った。さらに電流密度３１０Ａｍ-2で２３５分間電解処理した。次いで、電解処理を停止して４時間放置し、インジウムイオン濃度が２８９．６ｇ／Ｌ、全錫イオン濃度が２８．６ｇ／Ｌ、２価錫イオン濃度が２７．５ｇ／Ｌの酸性液が得られた。この酸性液の錫イオン中の２価錫イオンの割合は９６重量％であった。