(57)【要約】      （修正有）【課題】薬液の消費量を低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】まず、ウエハＷがほぼ水平な姿勢で保持され、一端に下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５がそれぞれ設けられた処理液配管１０，２４の他端の流体導入部１０ａ，２４ａから薬液が導入され、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から、ウエハＷの下面および上面に向けて薬液が吐出されて処理される。次に、流体導入部１０ａ，２４ａから窒素ガスが導入されて、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内の薬液が押し出される。その後、流体導入部１０ａ，２４ａからリンス液が導入され、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からウエハＷの下面および上面に向けてリンス液が吐出されてウエハＷがリンス処理される。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の基板に対して、薬液を用いた薬液処理およびリンス液を用いたリンス処理を施すための基板処理方法であって、
一端に処理液ノズルが設けられた処理液配管の他端の流体導入部から上記処理液配管内に薬液を導入し、上記処理液ノズルから当該薬液を基板に向けて吐出して当該薬液で基板を処理する薬液処理工程と、
この薬液処理工程の後、上記流体導入部から上記処理液配管内に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の薬液を押し出し、上記処理液ノズルから排出させる薬液押し出し工程と、
この薬液押し出し工程の後、上記流体導入部から上記処理液配管内にリンス液を導入し、上記処理液ノズルから当該リンス液を基板に向けて吐出して当該リンス液で基板をリンス処理するリンス工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板をほぼ水平な姿勢に保持する基板保持工程をさらに含み、
上記薬液処理工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の下面に上記処理液ノズルから薬液を供給する工程を含み、
上記リンス工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の下面に上記処理液ノズルからリンス液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
上記薬液処理工程、上記薬液押し出し工程および上記リンス工程が順に繰り返し実行され、
上記リンス工程の終了後、次の薬液処理工程の開始前に、上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を排出するリンス液排出工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
上記リンス液排出工程が、上記流体導入部から上記処理液配管内に気体を導入して上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を押し出し、上記処理液ノズルから排出させる工程を含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
上記リンス液排出工程が、上記処理液配管内を吸引することにより上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を排出する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項６】
上記リンス液排出工程の終了後、次の薬液処理工程の開始前に、基板から排除された処理液を第１流路に導く工程と、
上記薬液押し出し工程の後、上記リンス工程の前に、上記基板から排除された処理液を上記第１流路とは異なる第２流路に導く工程とをさらに含むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板を保持するための基板保持機構と、
薬液およびリンス液を上記基板保持機構に保持された基板に向けて吐出する処理液ノズルが一端に設けられ、薬液、リンス液および気体を導入する流体導入部が他端に設けられた処理液配管と、
上記流体導入部から上記処理液配管内に、薬液、リンス液および気体を切り換えて導入する導入流体切り換え手段と、
上記処理液配管に導入する流体を薬液からリンス液に切り換えるのに先立って、上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の薬液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御する制御部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
上記基板保持機構は、基板をほぼ水平な姿勢で保持することができるものであり、
上記処理液ノズルは、上記基板保持機構によりほぼ水平に保持される基板の下方に配置されていることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記基板保持機構に保持された基板から排除された処理液を分別して排出するための第１流路および第２流路と、
上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液の流路を上記第１流路と第２流路とに切り換える流路切り換え手段とをさらに含み、
上記制御部が、
（ａ）上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液を上記第１流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、
（ｂ）上記処理液配管に薬液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、
（ｃ）上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、
（ｄ）上記基板保持機構に保持された基板から排除された処理液を上記第２流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、
（ｅ）上記処理液配管にリンス液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、ならびに
（ｆ）上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御するステップを上記の順に実行可能であることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上記基板保持機構に保持された基板から排除された処理液を分別して排出するための第１流路および第２流路と、
上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液の流路を上記第１流路と第２流路とに切り換える流路切り換え手段と、
上記処理液配管内を吸引する吸引手段とをさらに含み、
上記制御部が、
（ａ）上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液を上記第１流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、
（ｂ）上記処理液配管に薬液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、
（ｃ）上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、
（ｄ）上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液を上記第２流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、
（ｅ）上記処理液配管にリンス液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、ならびに
（ｇ）上記処理液配管内を吸引して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を排出させるように上記吸引手段を制御するステップを上記の順に実行可能であることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象の基板に対して薬液を用いた薬液処理およびリンス液を用いたリンス処理を行うための方法および装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して、処理液を用いた処理が行われる。
図５は、処理対象である半導体ウエハに対して、薬液による処理（薬液処理）およびリンス液によるリンス処理を行うための従来の基板処理装置の構造を示す図解的な断面図である。
【０００３】
この基板処理装置５０は、チャンバ５１と、その内部に設けられ、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗをほぼ水平な姿勢に保持して回転するスピンチャック７０と、スピンチャック７０を取り囲むように配置された環状のスプラッシュガード５３とを含んでいる。
スピンチャック７０は、円板状でほぼ水平に配置されたスピンベース５２と、スピンベース５２の下面中心部に、スピンベース５２にほぼ垂直に取り付けられ、ほぼ鉛直方向に沿う中心軸を有する回転軸５７とを備えている。スピンベース５２の上面周縁部には複数のチャックピン５６が立設されており、これらのチャックピン５６により、ウエハＷをほぼ水平に保持できるようになっている。
【０００４】
回転軸５７には、回転軸５７をその中心軸のまわりに回転させるための回転駆動機構５８が結合されており、回転駆動機構５８によりスピンチャック７０に保持されたウエハＷを、ほぼ水平な面内で回転させることができるようになっている。
回転軸５７は管状であり、回転軸５７の内部には、その内部を薬液やリンス液などの処理液を流すための処理液配管６４が挿通されている。回転駆動機構５８は、処理液配管６４の側方に配置されている。処理液配管６４の一端は、スピンベース５２の上面からわずかに突出するように配置されており、この突出部は処理液を吐出する開口を有する下処理液ノズル６３となっている。
【０００５】
処理液配管６４の他端には、ミキシングバルブ６２を介して、薬液配管８１とリンス液配管８２とが接続されている。ミキシングバルブ６２の付近で、薬液配管８１にはバルブ８１Ｖ１が介装されており、リンス液配管８２にはバルブ８２Ｖ１が介装されている。
バルブ８２Ｖ１を閉じ、バルブ８１Ｖ１を開くことにより、薬液配管８１に接続された薬液供給源８３からの薬液（たとえば、エッチング液）を、ミキシングバルブ６２を介して処理液配管６４に導入できる。また、バルブ８１Ｖ１を閉じ、バルブ８２Ｖ１を開くことにより、リンス液配管８２に接続されたリンス液供給源８４からのリンス液（たとえば、純水）を、ミキシングバルブ６２を介して処理液配管６４に導入できる。これにより、下処理液ノズル６３から、スピンチャック７０に保持されたウエハＷの下面に向けて、薬液とリンス液とを選択的に吐出でき、ウエハＷの下面に対して、薬液処理やリンス処理を施すことができる。
【０００６】
スピンチャック７０の上方には、処理液配管８６の一端に設けられ下方を指向する上処理液ノズル８５が配置されている。処理液配管８６は、円板状の遮断板８０の中心部を挿通されている。
処理液配管８６には、ミキシングバルブ８７を介して薬液配管８１およびリンス液配管８２が接続されている。ミキシングバルブ８７の付近で、薬液配管８１にはバルブ８１Ｖ２が介装されており、リンス液配管８２にはバルブ８２Ｖ２が介装されている。
【０００７】
バルブ８２Ｖ２を閉じ、バルブ８１Ｖ２を開くことにより、薬液配管８１およびミキシングバルブ８７を介して、処理液配管８６に薬液を導入でき、バルブ８１Ｖ２を閉じ、バルブ８２Ｖ２を開くことにより、リンス液配管８２およびミキシングバルブ８７を介して、処理液配管８６にリンス液を導入できる。これにより、上処理液ノズル８５から、スピンチャック７０に保持されたウエハＷの上面に向けて、薬液とリンス液とを選択的に吐出でき、ウエハＷの上面に対して、薬液処理やリンス処理を施すことができる。
【０００８】
スプラッシュガード５３の下部には、スプラッシュガード５３の中心軸側斜め下方に開いた切り欠き状の第１案内部５３ａと、第１案内部５３ａの内方に鉛直方向に刻設された円環状の溝５３ｃとが、スプラッシュガード５３の全周に渡って形成されている。また、スプラッシュガード５３の内面（中心軸側）上部には、断面くの字形で内方に開いた溝状の第２案内部５３ｂが形成されている。
【０００９】
スプラッシュガード５３の下方には、３つの円筒部材８８ａ，８８ｂ，８８ｃが、底板９３の上に同軸状に立設されている。円筒部材８８ａの径は円筒部材８８ｂ，８８ｃの径より大きく、円筒部材８８ｂの径は円筒部材８８ｃの径より大きい。円筒部材８８ａは、スプラッシュガード５３を内部に収容し得る大きさを有している。
円筒部材８８ａおよび円筒部材８８ｂを側壁として、第１回収槽９０が形成されており、円筒部材８８ｂおよび円筒部材８８ｃを側壁として第２回収槽８９が形成されている。第１および第２回収槽９０，８９の底部には、内部の液体を抜き出すための第１および第２排液配管９２，９１が、それぞれ連通接続されている。
【００１０】
スプラッシュガード５３には昇降機構６０が結合されており、所定の高さ位置の間で、スプラッシュガード５３を昇降できるようになっている。
回転駆動機構５８および昇降機構６０の動作、ならびにバルブ８１Ｖ１，８２Ｖ１，８１Ｖ２，８２Ｖ２の開閉は、制御部９５により制御される。
スプラッシュガード５３が上昇された位置にあるとき（この状態のスプラッシュガード５３を、図５に実線で示す。）には、スピンチャック７０に保持されたウエハＷの側方には、第１案内部５３ａが位置するようになっている。この状態で、スピンチャック７０に保持され回転駆動機構５８により回転されているウエハＷに、下処理液ノズル６３や上処理液ノズル８５から処理液（薬液やリンス液）が供給されると、このような処理液は、回転するウエハＷの遠心力により側方へと振り切られ、第１案内部５３ａに当たり、下方へと流れて第１回収槽９０に回収される。
【００１１】
一方、スプラッシュガード５３が下降された位置にあるとき（この状態のスプラッシュガード５３を、図５に二点鎖線で示す。）には、スプラッシュガード５３が円筒部材８８ａの内部にほぼ収容され、円筒部材８８ｂの上部にスプラッシュガード５３の円環状の溝５３ｃが嵌るようになっている。このとき、スピンチャック７０に保持されたウエハＷの側方には、第２案内部５３ｂが位置する。
【００１２】
この状態で、スピンチャック７０に保持され回転駆動機構５８により回転されているウエハＷに、下処理液ノズル６３や上処理液ノズル８５から処理液が供給されると、このような処理液は、回転するウエハＷの遠心力により側方へと振り切られ、第２案内部５３ｂに当たり、下方へと流れて第２回収槽８９に回収される。
このように、スプラッシュガード５３の上下位置により、回転するウエハＷから側方に振り切られた処理液を、第１回収槽９０と第２回収槽８９とに分別して回収することができる。この基板処理装置５０によるウエハＷの処理方法では、第２回収槽８９に回収される処理液は廃棄され、第１回収槽９０に回収される処理液は再利用される。以下、スプラッシュガード５３について、上昇された位置を「回収位置」といい、下降された位置を「廃棄位置」という。
【００１３】
この基板処理装置５０により、以下のようにしてウエハＷの薬液処理およびリンス処理を行うことができる。このような処理を行うためのプログラム（レシピ）は、制御部９５に備えられた記憶装置に格納されている。
先ず、図示しないロボットハンドによりチャンバ５１内にウエハＷが搬入されて、スピンチャック７０にウエハＷが保持される。このとき、スプラッシュガード５３は、廃棄位置よりさらに下方に下降されている。また、バルブ８１Ｖ１，８２Ｖ１，８１Ｖ２，８２Ｖ２は閉じられており、処理液配管６４，８６には、薬液およびリンス液は導入されないが、処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５内には、前回ウエハＷが処理されたときに処理液配管６４，８６に導入されたリンス液が存在している。
【００１４】
そして、制御部９５により回転駆動機構５８が制御されて、スピンチャック７０に保持されたウエハＷが回転される。
次に、制御部９５により昇降機構６０が制御されて、スプラッシュガード５３が廃棄位置にされる。さらに、制御部９５の制御により、バルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２が開かれて、薬液配管８２から処理液配管６４，８６に薬液が導入される。これにより、処理液配管６４，８６内に存在するリンス液は、薬液により押し出される。押し出されたリンス液は、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から吐出されて（プリディスペンス工程）、ウエハＷに供給され、回転するウエハＷの遠心力により側方に振り切られて、スプラッシュガード５３の第２案内部５３ｂに当たり、下方へと流れ落ちて第２回収槽８９に回収される。
【００１５】
処理液配管６４，８６への薬液の導入は、所定時間継続された後、制御部９５の制御によりバルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２が閉じられることにより停止される。これにより、薬液が導入される前に処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５内に存在していたリンス液はほぼ完全に抜き出され、処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５内は薬液で占められる。換言すれば、薬液が導入される前に処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５内に存在していたリンス液が完全に排出されるように、処理液配管６４，８６への薬液の導入は充分な時間行われる。このため、このプリディスペンス工程の最後には、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から薬液が吐出される。
【００１６】
続いて、制御部９５により、昇降機構６０が制御されて、スプラッシュガード５３が回収位置に移動（上昇）される。そして、制御部９５の制御により、バルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２が開かれて、薬液配管８２から処理液配管６４，８６に薬液が導入される。これにより、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５からは、薬液が吐出されてウエハＷに供給され、ウエハＷは薬液処理される。ウエハＷに供給された薬液は、回転するウエハＷの遠心力により側方に振り切られて、スプラッシュガード５３の第１案内部５３ａに当たり、下方へと流れ落ちて第１回収槽９０に回収される。
【００１７】
スプラッシュガード５３が回収位置に配置された時点で、すでに処理液配管６４，８６内が薬液で占められていることにより、その後、処理液配管６４，８６に薬液が導入されると、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５からは、最初から薬液が吐出される。これにより、第１回収槽９０にリンス液が回収されることはない。すなわち、第１回収槽９０に回収される薬液は、リンス液で希釈されることなく、再利用に適したものとなる。このようにして回収された薬液は、第１排液配管９２を介して薬液キャビネットへと抜き出され、再度、薬液供給源８３に供給される。
【００１８】
処理液配管６４，８６への薬液の供給は、所定時間継続された後、制御部９５の制御によりバルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２が閉じられることにより停止される。
次に、制御部９５により、昇降機構６０が制御されて、スプラッシュガード５３が廃棄位置に移動（下降）される。そして、制御部９５の制御により、バルブ８２Ｖ１，８２Ｖ２が開かれて、処理液配管６４，８６にリンス液が導入される。これにより、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から、リンス液が吐出されてウエハＷに供給される。ウエハＷに供給されたリンス液は、回転するウエハＷの遠心力により側方へ振り切られて、スプラッシュガード５３の第２案内部５３ｂに当たり、下方へと流れ落ちて第２回収槽８９に回収される。ウエハＷに付着していた薬液は、リンス液により洗い流される。第２回収槽８９に回収されるリンス液は、薬液や汚染物を含むので、第２排液配管９１を介して抜き出された後、廃棄される。
【００１９】
そして、制御部９５により回転駆動機構５８が制御されて、所定時間、スピンチャック７０の回転数が高くされて、ウエハＷが振り切り乾燥された後、スピンチャック７０の回転が停止される。その後、図示しないロボットハンドにより、ウエハＷがチャンバ５１から搬出されて、１枚のウエハＷの薬液処理およびリンス処理が終了する。この状態で、処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５内は、リンス液で満たされている。
【００２０】
このような基板処理方法では、上記プリディスペンス工程で下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から吐出された薬液は、廃棄されることになる。プリディスペンス工程で廃棄される薬液をなくす（または、少なくする）ために、以下のような操作をすることが考えられる。すなわち、リンス液によるウエハＷのリンス処理が終了した直後、すなわち、スプラッシュガード５３が廃棄位置に配置されている状態で、処理液配管６４，８６に薬液を導入して、処理液配管６４，８６内のリンス液を押し出し、そして、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から薬液が吐出される直前に、処理液配管６４，８６への薬液の導入を停止する。
【００２１】
しかし、このように下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から薬液が吐出される直前に、処理液配管６４，８６への薬液の導入を停止するようにバルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２を閉じることは困難である。
また、処理液配管６４の長さは、処理液配管６４の側方に回転駆動機構５８などの構造物が配置されていることにより長くなっており、同様に、処理液配管８６の長さは、処理液配管８６の側方に遮断板８０などの構造物が配置されていることにより長くなっている。これにより、処理液配管６４，８６の容積は大きくなっており、このことが上述のようなバルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２の制御を一層困難なものにしている。
【００２２】
このため、ウエハＷに薬液が供給されないように、一定の余裕を持って、早めに処理液配管６４，８６への薬液の供給を停止すると、処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５中にリンス液が残った状態で、薬液処理工程が実施されることになる。この場合、回収される薬液にリンス液が混入してしまう。これにより、薬液が希釈化されるが、このように希釈化された薬液をそのまま再利用して、ウエハＷの処理を行うと、プロセスに重大な障害を及ぼすおそれがある。
【００２３】
プリディスペンス工程で、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から薬液が吐出された直後に、処理液配管６４，８６への薬液の導入を停止するようにバルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２を閉じることによっても、廃棄される薬液の量を少なくすることができるが、上記と同様の理由により、このようなバルブ８１Ｖ１，８１Ｖ２の制御は困難である。この場合、処理液配管６４，８６内のリンス液を確実に抜き出すため、一定の余裕を持って多めに処理液配管６４，８６へ薬液を供給すると、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から吐出され、第２回収槽８９に回収されて廃棄される薬液が生じることになる。
【００２４】
下記特許文献１には、処理液配管８６に窒素ガスを導入できる基板処理装置が開示されている。この基板処理装置を用いたウエハＷの処理方法では、リンス液（純水）によるウエハＷのリンス処理の後、処理液配管８６内に窒素ガスが導入され、処理液配管８６や上処理液ノズル８５内に残っているリンス液が押し出される。この方法では、リンス液を押し出すために薬液を用いないから、リンス液の押し出しに伴って廃棄される薬液が生じることはなく、また、薬液にリンス液が混入しないので薬液は再利用に適したものとなる。
【特許文献１】特開２００３−２９７７８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
ところが、上記の方法では、薬液処理後の処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５内には、薬液が存在しており、このような薬液は、リンス工程で、処理液配管６４，８６にリンス液が導入されることにより、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から排出される。このような薬液は、リンス液とともに廃棄されるので、薬液の消費量は多かった。
【００２６】
このような問題を解消するための、薬液とリンス液とにより共有される下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５の代わりに、薬液吐出用のノズルとリンス液吐出用のノズルとを別個に設け、これらのノズルと薬液供給源８３およびリンス液供給源８４とを、それぞれ専用の配管で接続することも考えられる。このように、薬液およびリンス液の流路において、薬液とリンス液とにより共有される部分をなくすことにより、配管内の液体を押し出す必要はなくなり、廃棄される薬液をなくすことができる。
【００２７】
たとえば、薬液とリンス液とにより共用される上処理液ノズル８５を設ける代わりに、遮断板を挿通する配管の先端に、薬液吐出用のノズルおよびリンス液吐出用のノズルの一方を設け、他方のノズルを別個に設けることができる。ここで、遮断板８０がスピンベース５２とある程度の間隔をあけて配置可能であれば、上記他方のノズルを、移動可能なアーム連結して、スピンチャック７０に保持されたウエハＷと遮断板８０との間に挿入して、薬液またはリンス液を当該ウエハＷの上面に供給することができる。しかし、スピンチャック７０に保持されたウエハＷの下側から薬液やリンス液を吐出するノズルに関しては、このような構造とすることができない。
【００２８】
以上のような理由により、廃棄される薬液の量が多いため、薬液の消費量が多かった。
そこで、この発明の目的は、薬液の消費量を低減できる基板処理方法を提供することである。
この発明の目的は、薬液の消費量を低減できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、処理対象の基板（Ｗ）に対して、薬液を用いた薬液処理およびリンス液を用いたリンス処理を施すための基板処理方法であって、一端に処理液ノズル（１４，２５）が設けられた処理液配管（１０，２４）の他端の流体導入部（１０ａ，２４ａ）から上記処理液配管内に薬液を導入し、上記処理液ノズルから当該薬液を基板に向けて吐出して当該薬液で基板を処理する薬液処理工程と、この薬液処理工程の後、上記流体導入部から上記処理液配管内に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の薬液を押し出し、上記処理液ノズルから排出させる薬液押し出し工程と、この薬液押し出し工程の後、上記流体導入部から上記処理液配管内にリンス液を導入し、上記処理液ノズルから当該リンス液を基板に向けて吐出して当該リンス液で基板をリンス処理するリンス工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００３０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、薬液押し出し工程により、薬液処理工程で処理液配管および処理液ノズル内に導入された薬液は、押し出されて排出される。この際、薬液は気体により押し出されるから、処理液配管および処理液ノズル内の薬液を完全に排出するために、一定の余裕を持って処理液配管に気体を導入したとしても、処理液ノズルから排出される薬液に、リンス液などの薬液以外の液体が混入することはない。
【００３１】
したがって、薬液処理工程で処理液ノズルから吐出される薬液に加えて、薬液押し出し工程で処理液ノズルから排出される薬液も回収して再利用できる。
また、薬液押し出し工程により、リンス工程が開始されるまでには、処理液配管および処理液ノズル内には薬液が存在しない状態になっているから、リンス工程では、処理液ノズルからは、最初からリンス液が吐出される。したがって、リンス工程で、処理液ノズルから吐出される液体（処理液）を廃棄しても、このような液体は実質的に薬液を含まないので、薬液が廃棄されることはない。すなわち、この方法により、薬液の消費量を低減できる。
【００３２】
薬液は、たとえば、エッチング液であってもよく、リンス液は、たとえば、純水（たとえば、脱イオン水）であってもよく、気体は、たとえば、窒素ガスや空気などの不活性ガスであってもよい。処理対象の基板は、たとえば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板であってもよい。
この基板処理方法は、基板をほぼその面内で回転させる基板回転工程をさらに含んでいてもよく、この場合、上記薬液処理工程は、上記流体導入部から上記処理液配管内に薬液を導入し、上記処理液ノズルから上記基板回転工程で回転されている基板に向けて当該薬液を吐出して当該薬液で基板を処理する工程を含んでいてもよく、上記リンス工程は、上記流体導入部から上記処理液配管内にリンス液を導入し、上記処理液ノズルから上記基板回転工程で回転されている基板に向けて当該リンス液を吐出して当該リンス液で基板をリンス処理する工程を含んでいてもよい。
【００３３】
回転している基板に薬液やリンス液を供給することにより、基板に対して均一に薬液処理やリンス処理を施すことができる。
請求項２記載の発明は、基板をほぼ水平な姿勢に保持する基板保持工程をさらに含み、上記薬液処理工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の下面に上記処理液ノズル（１４）から薬液を供給する工程を含み、上記リンス工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の下面に上記処理液ノズルからリンス液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法である。
【００３４】
この発明によれば、基板の下面に向けて処理液ノズルから吐出される薬液の消費量を低減できる。
基板を保持するための基板保持機構には、通常、回転駆動機構が結合されており、基板の下面に向けて薬液やリンス液（処理液）を吐出するための処理液ノズル（下処理液ノズル）が、その一端に設けられた処理液配管は、その側方に回転駆動機構などの構造物が配置されているため長くなる。このため、このような処理液配管の容積は大きくなるから、従来の基板処理方法では、このような処理液配管に導入された薬液は大量に廃棄されていた。
【００３５】
この発明の基板処理方法によれば、基板の下面に向けて処理液を吐出するために、このような容積が大きい処理液配管が用いられる場合でも、薬液の消費量を低減できる。
上記薬液処理工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の上面に上記処理液ノズルから薬液を供給する工程を含んでいてもよく、この場合、この工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の下面に上記処理液ノズルから薬液を供給する工程と同時に実施されてもよい。
【００３６】
同様に、上記リンス工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の上面に上記処理液ノズルからリンス液を供給する工程を含んでいてもよく、この場合、この工程は、上記基板保持工程でほぼ水平に保持された基板の下面に上記処理液ノズルからリンス液を供給する工程と同時に実施されてもよい。
請求項３記載の発明は、上記薬液処理工程、上記薬液押し出し工程および上記リンス工程が順に繰り返し実行され、上記リンス工程の終了後、次の薬液処理工程の開始前に、上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を排出するリンス液排出工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法である。
【００３７】
この発明によれば、リンス液排出工程により、リンス工程で処理液配管および処理液ノズル内に導入されたリンス液は、気体により押し出されて排出される。このため、処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を完全に排出するために、処理液配管に多めに気体を導入したとしても、廃棄されるリンス液に薬液が混入することはない。すなわち、この方法により、薬液の消費量を低減できる。
【００３８】
また、次に実施される薬液処理工程の際には、処理液ノズルからは、最初から薬液が吐出され、リンス液は混入しないから、このような薬液を回収して再利用できる。
上記リンス液排出工程は、請求項４記載のように、上記流体導入部から上記処理液配管内に気体を導入して上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を押し出し、上記処理液ノズルから排出させる工程を含んでいてもよい。
【００３９】
この工程は、薬液押し出し工程を実施するための設備により実施できる。
また、上記リンス液排出工程は、請求項５記載のように、上記処理液配管内を吸引することにより上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を排出する工程を含んでいてもよい。
この工程は、たとえば、上記流体導入部を介して上記処理液配管内を吸引することにより上記処理液配管および処理液ノズル内のリンス液を排出する工程を含んでいてもよい。この場合、処理液ノズルからは何も吐出されないので、リンス液排出工程を実施しながら、同時に、基板に対して他の処理を施す工程（たとえば、基板を高速回転させることにより当該基板を振り切り乾燥する乾燥工程）を実施できる。
【００４０】
請求項６記載の発明は、上記リンス液排出工程の終了後、次の薬液処理工程の開始前に、基板から排除された処理液を第１流路（Ｐ１）に導く工程と、上記薬液押し出し工程の後、上記リンス工程の前に、上記基板から排除された処理液を上記第１流路とは異なる第２流路（Ｐ２）に導く工程とをさらに含むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理方法である。
【００４１】
この発明によれば、第１流路に導かれた処理液は、実質的にリンス液を含まない薬液となる。また、第２流路に導かれた処理液は、リンス液により基板から洗い流された薬液を除き、実質的に薬液を含まないリンス液となる。したがって、第１流路に導かれた薬液を回収して再利用できるとともに、第２流路に導かれたリンス液を廃棄しても、実質的に薬液が廃棄されることはない。
【００４２】
請求項７記載の発明は、基板（Ｗ）を保持するための基板保持機構（３）と、薬液およびリンス液を上記基板保持機構に保持された基板に向けて吐出する処理液ノズル（１４，２５）が一端に設けられ、薬液、リンス液および気体を導入する流体導入部（１０ａ，２４ａ）が他端に設けられた処理液配管（１０，２４）と、上記流体導入部から上記処理液配管内に、薬液、リンス液および気体を切り換えて導入する導入流体切り換え手段（１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，１８Ｖ２）と、上記処理液配管に導入する流体を薬液からリンス液に切り換えるのに先立って、上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の薬液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御する制御部（３５，４６）とを備えたことを特徴とする基板処理装置（１，４１）である。
【００４３】
この基板処理装置により、請求項１記載の基板処理方法を実施することができ、請求項１記載の基板処理方法と同様の効果を奏することができる。
基板保持機構には、基板保持機構に保持された基板を回転させるための回転駆動機構が結合されていてもよい。この場合、基板保持機構に保持され回転駆動機構により回転されている基板に向けて、処理液ノズルから薬液やリンス液を吐出して、基板に対して均一に薬液処理やリンス処理を施すことができる。
【００４４】
基板保持機構は回転軸を備えていてもよく、この場合、処理液配管は、この回転軸を挿通されていてもよい。
請求項８記載の発明は、上記基板保持機構は、基板をほぼ水平な姿勢で保持することができるものであり、上記処理液ノズル（１４）は、上記基板保持機構によりほぼ水平に保持される基板の下方に配置されていることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置である。
【００４５】
この基板処理装置により、請求項２記載の基板処理方法を実施することができ、請求項２記載の基板処理方法と同様の効果を奏することができる。
請求項９記載の発明は、上記基板保持機構に保持された基板から排除された処理液を分別して排出するための第１流路（Ｐ１）および第２流路（Ｐ２）と、上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液の流路を上記第１流路と第２流路とに切り換える流路切り換え手段（４，３４）とをさらに含み、上記制御部が、（ａ）上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液を上記第１流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、（ｂ）上記処理液配管に薬液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、（ｃ）上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、（ｄ）上記基板保持機構に保持された基板から排除された処理液を上記第２流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、（ｅ）上記処理液配管にリンス液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、ならびに（ｆ）上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御するステップを上記の順に実行可能であることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置（１）である。
【００４６】
この基板処理装置により、請求項４および６記載の基板処理方法を実施することができ、請求項４および６記載の基板処理方法と同様の効果を奏することができる。
請求項１０記載の発明は、上記基板保持機構に保持された基板から排除された処理液を分別して排出するための第１流路（Ｐ１）および第２流路（Ｐ２）と、上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液の流路を上記第１流路と第２流路とに切り換える流路切り換え手段（４，３４）と、上記処理液配管内を吸引する吸引手段（４４）とをさらに含み、上記制御部が、（ａ）上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液を上記第１流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、（ｂ）上記処理液配管に薬液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、（ｃ）上記処理液配管に気体を導入して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を押し出して上記処理液ノズルから排出させるように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、（ｄ）上記基板保持機構に保持された基板から排除される処理液を上記第２流路に導くように上記流路切り換え手段を制御するステップ、（ｅ）上記処理液配管にリンス液を導入するように上記導入流体切り換え手段を制御するステップ、ならびに（ｇ）上記処理液配管内を吸引して、上記処理液配管および処理液ノズル内の処理液を排出させるように上記吸引手段を制御するステップを上記の順に実行可能であることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置（４１）である。
【００４７】
この基板処理装置により、請求項５および６記載の基板処理方法を実施することができ、請求項５および６記載の基板処理方法と同様の効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。この基板処理装置１は、処理対象である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して、薬液による処理（薬液処理）およびリンス液によるリンス処理を行うことができる。図１Ａは、薬液処理を行うときの状態を示しており、図１Ｂは、リンス処理を行うときの状態を示している。
【００４９】
この基板処理装置１は、チャンバ２と、その内部に設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持して回転するスピンチャック３と、平面視においてスピンチャック３を取り囲むように配置された環状のスプラッシュガード４とを含んでいる。
スピンチャック３は、円板状でほぼ水平に配置されたスピンベース５と、スピンベース５の下面中心部に、スピンベース５にほぼ垂直に取り付けられ、ほぼ鉛直方向に沿う中心軸を有する回転軸６とを備えている。スピンベース５の上面周縁部には複数のチャックピン７が周方向に間隔をあけて立設されている。チャックピン７は、ウエハＷの下面周縁部を支持しつつ、ウエハＷの端面（周面）に当接し、他のチャックピン７と協働してウエハＷを挟持できるようになっている。ウエハＷは、その中心付近を回転軸６の中心軸が通るように、スピンチャック５に保持される。
【００５０】
回転軸６には、回転軸６をその中心軸のまわりに回転させるための回転駆動機構８が結合されており、回転駆動機構８によりスピンチャック３に保持されたウエハＷを、ほぼ水平な面内で回転させることができるようになっている。回転駆動機構８は、スピンベース５の下方に配置されており、フード９により薬液やリンス液などから保護されている。
回転軸６は管状であり、回転軸６の内部には、薬液やリンス液などの処理液を流すための処理液配管１０が挿通されている。回転軸６の内壁面と処理液配管１０との間には、窒素ガス供給路１１をなす間隙が形成されている。窒素ガス供給路１１の上端は、スピンベース５と処理液配管１０との間に、窒素ガス吐出口１１ａとして開口している。
【００５１】
窒素ガス供給路１１の下方から、窒素ガス配管１２を介して窒素ガス供給源１３からの窒素ガス（不活性ガスの一例）を導入できるようになっている。窒素ガス配管１２には、バルブ１２Ｖが介装されている。バルブ１２Ｖを開くことにより、窒素ガス吐出口１１ａから窒素ガスを吐出できる。
処理液配管１０の一端は、スピンベース５の上面からわずかに突出しており、この突出部は処理液を吐出する下処理液ノズル１４となっている。下処理液ノズル１４の先端周縁部にはフランジ１５が設けられている。フランジ１５は、窒素ガス吐出口１１ａの上方を覆っており、これにより、下処理液ノズル１４から吐出された処理液が、窒素ガス吐出口１１ａに入らないようになっている。
【００５２】
処理液配管１０の他端は、処理液や窒素ガスを導入するための流体導入部１０ａをなしている。流体導入部１０ａには、ミキシングバルブＭＶ１を介して、薬液配管１６、リンス液配管１７および窒素ガス配管１８が連通接続されている。薬液配管１６には、薬液（たとえば、エッチング液）が収容された薬液供給源１９が接続されており、リンス液配管１７には、リンス液（たとえば、脱イオン水などの純水）が収容されたリンス液供給源２０が接続されている。窒素ガス配管１８には、窒素ガス供給源１３が接続されている。
【００５３】
ミキシングバルブＭＶ１との接続部近傍において、薬液配管１６にはバルブ１６Ｖ１が介装されており、リンス液配管１７にはバルブ１７Ｖ１が介装されており、窒素ガス配管１８にはバルブ１８Ｖ１が介装されている。バルブ１６Ｖ１を開くことにより、処理液配管１０内に薬液を導入でき、バルブ１７Ｖ１を開くことにより、処理液配管１０内にリンス液を導入でき、バルブ１８Ｖ１を開くことにより、処理液配管１０内に窒素ガスを導入できる。バルブ１６Ｖ１，１７Ｖ１，１８Ｖ１により、処理液配管１０内に薬液、リンス液および窒素ガスを切り換えて導入できる。
【００５４】
バルブ１７Ｖ１，１８Ｖ１を閉じ、バルブ１６Ｖ１を開くことにより、下処理液ノズル１４から薬液を吐出して、スピンチャック３に保持されたウエハＷの下面に薬液を供給できる。バルブ１６Ｖ１，１８Ｖ１を閉じ、バルブ１７Ｖ１を開くことにより、下処理液ノズル１４からリンス液を吐出して、スピンチャック３に保持されたウエハＷの下面にリンス液を供給できる。バルブ１６Ｖ１，１７Ｖ１を閉じ、バルブ１８Ｖ１を開くことにより、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内の処理液を、窒素ガスによって押し出し、下処理液ノズル１４から排出させることができる。
【００５５】
スピンチャック３の上方には、スピンベース５とほぼ同じ大きさを有する円板状の遮断板２１が、ほぼ水平に配置されている。遮断板２１の上面中心部には、遮断板２１にほぼ垂直に、ほぼ鉛直方向に沿う中心軸を有する回転軸２２が取り付けられている。回転軸２２の中心軸と回転軸１１の中心軸とは、ほぼ同一直線上にのる。
回転軸２２には、回転駆動機構２３が結合されている。回転駆動機構２３により、遮断板２１を、ほぼ水平な面内で、スピンチャック３と同じ方向にほぼ同じ回転数で回転させることができる。
【００５６】
回転軸２２は管状であり、回転軸２２の内部には、薬液やリンス液などの処理液を流すための処理液配管２４が挿通されている。回転軸２２の内壁面と処理液配管２４との間には、窒素ガス供給路２６をなす間隙が形成されている。窒素ガス供給路２６の下端は、遮断板２１と処理液配管２４との間に、窒素ガス吐出口２６ａとして開口している。
窒素ガス供給路２６の上方から、窒素ガス配管２７を介して窒素ガス供給源１３からの窒素ガス（不活性ガスの一例）を導入できるようになっている。窒素ガス配管２７には、バルブ２７Ｖが介装されている。バルブ２７Ｖを開くことにより、窒素ガス吐出口２６ａから窒素ガスを吐出できる。
【００５７】
処理液配管２４の一端は、遮断板２１の下面とほぼ面一に配置されて処理液を吐出する上処理液ノズル２５となっている。
処理液配管２４の他端は、処理液や窒素ガスを導入するための流体導入部２４ａをなしている。流体導入部２４ａには、ミキシングバルブＭＶ２を介して、薬液配管１６、リンス液配管１７および窒素ガス配管１８が連通接続されている。ミキシングバルブＭＶ２との接続部近傍において、薬液配管１６にはバルブ１６Ｖ２が介装されており、リンス液配管１７にはバルブ１７Ｖ２が介装されており、窒素ガス配管１８にはバルブ１８Ｖ２が介装されている。
【００５８】
バルブ１６Ｖ２を開くことにより、処理液配管２４内に薬液を導入でき、バルブ１７Ｖ２を開くことにより、処理液配管２４内にリンス液を導入でき、バルブ１８Ｖ２を開くことにより、処理液配管２４内に窒素ガスを導入できる。バルブ１６Ｖ２，１７Ｖ２，１８Ｖ２により、処理液配管２４内に、薬液、リンス液および窒素ガスを切り換えて導入できる。
【００５９】
バルブ１７Ｖ２，１８Ｖ２を閉じ、バルブ１６Ｖ２を開くことにより、上処理液ノズル２５から薬液を吐出して、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上面に薬液を供給できる。バルブ１６Ｖ２，１８Ｖ２を閉じ、バルブ１７Ｖ２を開くことにより、上処理液ノズル２５からリンス液を吐出して、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上面にリンス液を供給できる。バルブ１６Ｖ２，１７Ｖ２を閉じ、バルブ１８Ｖ２を開くことにより、処理液配管２４および上処理液ノズル２５内の処理液を、窒素ガスによって押し出して、上処理液ノズル２５から排出させることができる。
【００６０】
回転軸２２および処理液配管２４には、昇降機構３３が結合されている。昇降機構３３により、回転軸２２および処理液配管２４を同時に昇降することができる。
スプラッシュガード４の下部には、スプラッシュガード４の中心軸側斜め下方に開いた切り欠き状の第１案内部４ａと、第１案内部４ａの内方に鉛直方向に刻設された円環状の溝４ｃとが、スプラッシュガード４の全周に渡って形成されている。また、スプラッシュガード４の内面（中心軸側）上部には、断面くの字形で内方に開いた溝状の第２案内部４ｂが形成されている。
【００６１】
スプラッシュガード４の下方には、３つの円筒部材２８ａ，２８ｂ，２８ｃが、底板３６の上に同軸状に立設されている。円筒部材２８ａの径は円筒部材２８ｂ，２８ｃの径より大きく、円筒部材２８ｂの径は円筒部材２８ｃの径より大きい。円筒部材２８ａは、スプラッシュガード４を内部に収容し得る大きさを有している。
円筒部材２８ａおよび円筒部材２８ｂを側壁として、第１回収槽３０が形成されており、円筒部材２８ｂおよび円筒部材２８ｃを側壁として第２回収槽２９が形成されている。第１および第２回収槽３０，２９の底部には、内部の液体を抜き出すための第１および第２排液配管３２，３１が、それぞれ連通接続されている。
【００６２】
スプラッシュガード４には昇降機構３４が結合されており、所定の高さ位置の間で、スプラッシュガード４を昇降できる。
回転駆動機構８，２３および昇降機構３３，３４の動作、ならびにバルブ１２Ｖ，１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，１８Ｖ２，２７Ｖの開閉は、制御部３５により制御される。
【００６３】
図１Ａを参照して、スプラッシュガード４が上昇された位置にあるときには、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方には、第１案内部４ａが位置するようになっている。この状態で、スピンチャック３に保持され回転駆動機構８により回転されているウエハＷに、下処理液ノズル１４や上処理液ノズル２５から処理液（薬液やリンス液）が供給されると、このような処理液は、回転するウエハＷの遠心力により側方へと振り切られ、第１案内部４ａに当たり、下方へと流れ落ちて第１回収槽３０に回収される。すなわち、この場合、スピンチャック３に保持されたウエハＷから排除された処理液は、第１案内部４ａを経て第１回収槽３０に至る第１流路Ｐ１に導かれる。
【００６４】
一方、スプラッシュガード４が下降された位置にあるときには、図１Ｂに示すように、スプラッシュガード４が円筒部材２８ａの内部にほぼ収容され、円筒部材２８ｂの上部にスプラッシュガード４の円環状の溝４ｃが嵌るようになっている。このとき、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方には、第２案内部４ｂが位置する。
この状態で、スピンチャック３に保持され回転駆動機構８により回転されているウエハＷに、下処理液ノズル１４や上処理液ノズル２５から処理液が供給されると、このような処理液は、回転するウエハＷの遠心力により側方へと振り切られ、第２案内部４ｂに当たり、下方へと流れて第２回収槽２９に回収される。すなわち、この場合、スピンチャック３に保持されたウエハＷから排除された処理液は、第２案内部４ｂを経て第２回収槽２９に至る第２流路Ｐ２に導かれる。
【００６５】
このように、スプラッシュガード４の上下位置により、回転するウエハＷから側方に振り切られた処理液を、第１流路Ｐ１および第２流路Ｐ２にそれぞれ導くことによって、これらの処理液を第１および第２排液配管３２，３１から分別して排出できる。
この基板処理装置１によるウエハＷの処理方法では、第２回収槽２９に回収される処理液は、第１排液配管３２から抜き出された後廃棄され、第１回収槽３０に回収される処理液は、第２排液配管３１から抜き出された後再利用される。
【００６６】
以下、スプラッシュガード４について、上昇された位置、すなわち、スピンチャック３に保持されたウエハＷから排除された処理液が第１回収槽３０に導かれるような位置を「回収位置」といい、下降された位置、すなわち、スピンチャック３に保持されたウエハＷから排除された処理液が第２回収槽２９に導かれるような位置を「廃棄位置」という。
図２は、この基板処理装置１によるウエハＷの処理方法を説明するためのフローチャートである。このような処理を行うためのプログラム（レシピ）は、制御部３５に備えられた記憶装置に格納されている。
【００６７】
先ず、制御部３５の制御により、バルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，１８Ｖ２が閉じた状態とされ、バルブ１２Ｖ，２７Ｖが開いた状態とされる。これにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からは処理液は吐出されないが、窒素ガス吐出口１１ａ，２６ａからは窒素ガスが吐出される。窒素ガスは、たとえば、５０リットル／ｍｉｎないし１００リットル／ｍｉｎ程度の流量で吐出される。この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には、リンス液などの液体は存在していない。
【００６８】
また、スプラッシュガード４は、廃棄位置（図１Ｂ参照）よりさらに下方へ下降された位置に配置されている。
この状態で、図示しないロボットハンドにより、チャンバ２内にウエハＷが搬入されて、スピンチャック３によりウエハＷがほぼ水平な姿勢に保持される（ステップＳ１）。
そして、制御部３５により、昇降機構３４が制御されて、スプラッシュガード４が回収位置（図１Ａ参照）に移動（上昇）され（ステップＳ２）、回転駆動機構８が制御されて、スピンチャック３に保持されたウエハＷが回転される。
【００６９】
次に、制御部３５の制御により、バルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２が開かれて、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に薬液が導入される（ステップＳ３）。これにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から、ウエハＷに向けて薬液が吐出される。吐出された薬液は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの下面および上面の中心部付近にそれぞれ供給され、回転するウエハＷの遠心力によりウエハＷの下面および上面を周縁部へと広がっていく。これにより、ウエハＷの下面および上面の全面が薬液により均一に処理される。
【００７０】
ウエハＷの周縁部に至った薬液は、回転するウエハＷの遠心力により、側方へと振り切られ、第１流路Ｐ１に導かれて、スプラッシュガード４の第１案内部４ａに当たり、下方へと流れ落ちて第１回収槽３０に回収される。薬液が導入される前の処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内に、リンス液などの液体が存在していないことより、第１回収槽３０に回収される薬液には、リンス液などの他の液体は混入しない。
【００７１】
処理液配管１０，２４への薬液の導入は、所定時間継続された後、制御部３５の制御によりバルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２が閉じられることにより停止される。この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には薬液が存在している。
続いて、制御部３５の制御により、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２が開かれて、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に窒素ガスが導入される（ステップＳ４）。これにより、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内に存在している薬液は、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から排出され、回転するウエハＷの下面および／またはスピンベース５の上面、ならびにウエハＷの上面を流れ、遠心力により側方へと振り切られて、第１案内部４ａに当たり、下方へと流れ落ちて第１回収槽３０に回収される。薬液は、窒素ガスにより押し出されるので、第１回収槽３０に回収された薬液には、リンス液などの他の液体は混入しない。
【００７２】
このように、ステップＳ３およびステップＳ４で第１回収槽３０に回収された薬液は、ともに再利用に適しており、第１排液配管３２を介して薬液キャビネットへと抜き出された後、再度、薬液供給源１９に供給される。
処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内の薬液がほぼ完全に抜き出されると、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からは窒素ガスが吐出されるが、これらの窒素ガスの流量が大きすぎると、窒素ガスが吹き付けられるウエハＷ中心部付近が乾いたり、薬液の液滴が飛散して、薬液処理の均一性が悪化したり、パーティクルの発生およびウエハＷへの付着の原因となる。
【００７３】
このため、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２の開度の調整により、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から吐出される窒素ガスの線流速が、５ｍ／ｓｅｃ以下になるようにされる。薬液押し出しのスループットを考慮すると、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から吐出される窒素ガスの線流速は、好ましくは、１ｍ／ｓｅｃないし２ｍ／ｓｅｃになるようにされる。
【００７４】
処理液配管１０，２４への窒素ガスの供給は、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内の薬液を完全に抜き出すのに充分な時間継続され、その後、制御部３５の制御によりバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２が閉じられることにより停止される。したがって、この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には、薬液などの液体は存在していない。
【００７５】
次に、制御部３５により昇降機構３４が制御されて、スプラッシュガード４が廃棄位置（図１Ｂ参照）に移動（下降）される（ステップＳ５）。
続いて、制御部３５の制御により、バルブ１７Ｖ１，１７Ｖ２が開かれて、処理液配管１０，２４内にリンス液が導入される（ステップＳ６）。これにより、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から、ウエハＷに向けてリンス液が吐出される。
【００７６】
吐出されたリンス液は、ウエハＷの下面および上面の中心部にそれぞれ供給され、回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの下面および上面に沿って周縁部へ広がるように流れる。これにより、ウエハＷの下面および上面に付着している薬液は、リンス液により洗い流される。ウエハＷの周縁部に至ったリンス液は、遠心力により側方へ振り切られて、スプラッシュガード４の第２案内部４ｂに当たり、下方へと流れ落ちて第２回収槽２９に回収される。第２回収槽２９に回収されるリンス液は、薬液や汚染物を含むので、第１排液配管３１を介して抜き出された後、廃棄される。
【００７７】
また、処理液配管１０，２４にリンス液を導入する前に、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には薬液が存在しない状態にされていることにより、従来の基板処理方法のように、処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から排出されて廃棄される薬液（図５参照）は、実質的に生じない。したがって、この基板処理装置１および基板処理方法により、薬液の使用量を低減できる。
【００７８】
処理液配管１０，２４へのリンス液の導入は、所定時間継続された後、制御部３５の制御により、バルブ１７Ｖ１，１７Ｖ２が閉じられることにより停止される。
次に、制御部３５の制御により、バルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２が開かれて、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に窒素ガスが導入される（ステップＳ７）。これにより、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内に存在しているリンス液は、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から排出され、回転するウエハＷの下面および／またはスピンベース５の上面、ならびにウエハＷの上面を流れ、遠心力により側方へと振り切られて、第２案内部４ｂに当たり、下方へと流れ落ちて第２回収槽２９に回収される。
【００７９】
この工程は、窒素ガスにより薬液を押し出す工程（ステップＳ４）を実施するための設備により実施できる。
処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内のリンス液がほぼ完全に抜き出されると、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からは窒素ガスが吐出される。このときの下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から吐出される窒素ガスの線流速は、ステップＳ４の場合と同様の理由により、５ｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは、１ｍ／ｓｅｃないし２ｍ／ｓｅｃとされる。
【００８０】
処理液配管１０，２４への窒素ガスの供給は、処理液配管１０，２４内のリンス液を完全に抜き出すのに充分な時間継続され、その後、制御部３５の制御によりバルブ１８Ｖ１，１８Ｖ２が閉じられることにより停止される。したがって、この状態で、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内には、リンス液などの液体は存在していない。
【００８１】
次に、制御部３５により昇降機構３３が制御されて、遮断板２１および上処理液ノズル２５が下降されて、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上方に近接して配置される。この状態で、窒素ガス吐出口１１ａ，２６ａから、上述のように多量の窒素が吐出されていることにより、ウエハＷ付近の雰囲気の酸素分圧は低くなる。
そして、制御部３５により回転駆動機構８が制御されて、所定時間、スピンチャック３の回転数が高くされるとともに、回転駆動機構２３が制御されて、遮断板２１がスピンチャック３と同じ方向にほぼ同じ回転数で回転される。これにより、ウエハＷが振り切り乾燥され、その後、制御部３５により回転駆動機構８，２３が制御されて、スピンチャック３および遮断板２１の回転が停止される。
【００８２】
そして、制御部３５により昇降機構３３が制御されて、遮断板２１および上処理液ノズル２５が上昇された後、図示しないロボットハンドにより、ウエハＷがチャンバ２から搬出されて（ステップＳ８）、１枚のウエハＷの薬液処理およびリンス処理が終了する。
以下、同様にして、次のウエハＷがチャンバ２内に搬入されて処理される（ステップＳ１〜Ｓ８）。窒素ガスにより処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内のリンス液が排出（ステップＳ７）されていることにより、次のウエハＷを処理する前に、従来の基板処理方法のように、プリディスペンス工程を実施する必要はない。また、次のウエハＷの薬液処理（ステップＳ３）に用いられる薬液に、リンス液が混入することもない。
【００８３】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。図３において、図１Ａおよび図１Ｂに示す各部に対応する部分には、図１Ａおよび図１Ｂと同じ参照符号を付して説明を省略する。図３には、スプラッシュガード４が廃棄位置に配置された状態を示すが、図１Ａに示す基板処理装置１と同様、スプラッシュガード４は、昇降機構３４により回収位置と廃棄位置との間を移動可能である。
【００８４】
この基板処理装置４１において、ウエハＷの上面に向けて薬液とリンス液と吐出する上処理液ノズル２５が一端に設けられた処理液配管２４（図１Ａ参照）は設けられておらず、処理液配管２４の代わりにリンス液配管１７が、遮断板２１の中心部を挿通されている。リンス液配管１７の先端は、遮断板２１の下面とほぼ面一に配置され、リンス液を吐出するリンス液ノズル２５Ａとなっている。すなわち、遮断板２１を挿通されたリンス液配管１７は、リンス液を流すために専用に用いられ、薬液を流すためには用いられない。
【００８５】
また、この基板処理装置４１は、薬液を吐出するために専用に用いられる薬液ノズル２５Ｂを備えている。薬液ノズル２５Ｂは、薬液ノズル２５Ｂを支持するとともに薬液を流すための配管を兼ねたアーム４２の一端に設けられており、アーム４２の他端には、薬液配管１６が接続されている。これにより、薬液供給源１９からの薬液を薬液配管１６を介してアーム４２内に導入し、薬液ノズル２５Ｂから吐出させることができる。
【００８６】
アーム４２には、移動機構４３が結合されている。遮断板２１が、スピンベース５から一定以上の距離をあけて配置されているときに、移動機構４３によりアーム４２を移動して、薬液ノズル２５Ｂをスピンベース５と遮断板２１との間に挿入できる。この状態で、薬液ノズル２５Ｂからスピンチャック３に保持されたウエハＷの上面に向けて、薬液を吐出できる。
【００８７】
窒素ガス配管１２は、直接窒素ガス供給源１３に接続されているが、窒素ガス配管１８は、分岐点Ｂにおいて、窒素ガス配管１２から分岐するように設けられている。窒素ガス配管１２において、窒素ガス供給源１３と分岐点Ｂとの間には、バルブ１２Ｖおよびマスフローコントローラ４５が介装されている。また、窒素ガス配管１８において、分岐点Ｂとバルブ１８Ｖ１との間には、ニードルバルブ１８ＮＶが介装されている。
【００８８】
この基板処理装置４１は、窒素ガス吐出口１１ａ，２６ａから吐出される窒素ガスの流量を、処理液配管１０内に導入される窒素ガスの流量と比べて、桁違いに多くして使用される。このため、窒素ガス配管１２に窒素ガスを流して窒素ガス吐出口１１ａから吐出させているときに、バルブ１８Ｖ１を開閉して、処理液配管１０への窒素ガスの導入およびその停止をしても、窒素ガス配管１２を流れる窒素ガスの流量はほとんど変わらない。マスフローコントローラ４５により、窒素ガス配管１２を流れる窒素ガスの流量を制御しつつ、ニードルバルブ１８ＮＶにより、窒素ガス配管１８を流れる窒素ガスの流量、すなわち、処理液配管１０内に導入する窒素ガスの流量を正確に制御できる。
【００８９】
ミキシングバルブＭＶ１には、配管４７を介して吸引装置４４が接続されている。配管４７には、バルブ４７Ｖが介装されている。バルブ１６Ｖ１，１７Ｖ１，１８Ｖ１を閉じ、バルブ４７Ｖを開き、吸引装置４４を作動させることにより、処理液配管１０内を吸引できる。
回転駆動機構８，２３、昇降機構３３，３４、移動機構４３、吸引装置４４およびマスフローコントローラ４５の動作、ならびにバルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，２７Ｖ，４７Ｖの開閉は、制御部４６により制御される。
【００９０】
図４は、この基板処理装置４１によるウエハＷの処理方法を説明するためのフローチャートである。
先ず、制御部４６の制御により、バルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，４７Ｖが閉じた状態とされ、バルブ１２Ｖ，２７Ｖが開いた状態とされる。これにより、下処理液ノズル１４、リンス液ノズル２５Ａおよび薬液ノズル２５Ｂからは処理液は吐出されないが、窒素ガス吐出口１１ａ，２６ａからは窒素ガスが吐出される。窒素ガスは、たとえば、５０リットル／ｍｉｎないし１００リットル／ｍｉｎ程度の流量で吐出される。
【００９１】
この状態で、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内には、リンス液などの液体は存在していない。一方、リンス液配管１７およびリンス液ノズル２５Ａ内は、リンス液で満たされており、アーム４２および薬液ノズル２５Ｂ内は、薬液で満たされている。
また、スプラッシュガード４は、廃棄位置よりさらに下降された位置に配置されている。
【００９２】
この状態で、図示しないロボットハンドにより、チャンバ２内にウエハＷが搬入されて、スピンチャック３によりウエハＷがほぼ水平な姿勢に保持される（ステップＴ１）。
そして、制御部４６により、昇降機構３４が制御されて、スプラッシュガード４が回収位置に移動（上昇）され（ステップＴ２）、回転駆動機構８が制御されて、スピンチャック３に保持されたウエハＷが回転される。
【００９３】
続いて、制御部４６により移動機構４３が制御されて、アーム４２が移動され、薬液ノズル２５Ｂがスピンベース５と遮断板２１とに間に挿入される。次に、制御部４６の制御により、バルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２が開かれて、流体導入部１０ａから処理液配管１０内に薬液が導入される（ステップＴ３）とともに、アーム４２内にも薬液が導入される。これにより、下処理液ノズル１４および薬液ノズル２５Ｂから、ウエハＷに向けて薬液が吐出される。
【００９４】
吐出された薬液は、第１の実施形態に係る基板処理装置１による基板処理方法の場合と同様にして、ウエハＷの下面および上面を流れ、第１流路Ｐ１に導かれて、第１回収槽３０に回収される。薬液が導入される前の処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に、リンス液など薬液以外の液体が存在していないこと、ならびに、アーム４２および薬液ノズル２５Ｂが薬液専用に用いられることにより、第１回収槽３０に回収される薬液には、薬液以外の液体は混入しない。
【００９５】
処理液配管１０およびアーム４２への薬液の導入は、所定時間継続された後、制御部４６の制御によりバルブ１６Ｖ１，１６Ｖ２が閉じられることにより停止される。この状態で、処理液配管１０、アーム４２、下処理液ノズル１４および薬液ノズル２５Ｂ内には薬液が存在している。
続いて、制御部４６により移動機構４３が制御されて、アーム４２がスピンベース５と遮断板２１との間から退避されるとともに、制御部４６の制御により、バルブ１８Ｖ１が開かれて、流体導入部１０ａから処理液配管１０内に窒素ガスが導入される（ステップＴ４）。これにより、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に存在している薬液は、下処理液ノズル１４から排出され、回転するウエハＷの下面および／またはスピンベース５の上面を流れ、遠心力により側方へと振り切られて、第１案内部４ａに当たり、下方へと流れ落ちて第１回収槽３０に回収される。窒素ガスにより押し出すことにより、薬液には、リンス液などの薬液以外の液体は混入しない。
【００９６】
このようにして回収された薬液は、第２排液配管３２を介して薬液キャビネットへと抜き出され、再度、薬液供給源１９に供給される。したがって、窒素ガスにより押し出された薬液も廃棄することなく、再利用できる。これらの薬液は、リンス液を含んでいないので、再利用に適している。
下処理液ノズル１４から吐出される窒素ガスの線流速は、第１の実施形態に係る基板処理装置１による基板処理方法の場合と同様の理由により、５ｍ／ｓｅｃ以下になるように、好ましくは、１ｍ／ｓｅｃないし２ｍ／ｓｅｃになるようにされる。
【００９７】
処理液配管１０への窒素ガスの供給は、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内の薬液を完全に抜き出すのに充分な時間継続され、その後、制御部４６の制御によりバルブ１８Ｖ１が閉じられることにより停止される。したがって、この状態で、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内には、薬液などの液体は存在していない。
次に、制御部４６により昇降機構３４が制御されて、スプラッシュガード４が廃棄位置に移動（下降）される（ステップＴ５）。
【００９８】
続いて、制御部４６の制御により、バルブ１７Ｖ１，１７Ｖ２が開かれて、処理液配管１０内にリンス液が導入され（ステップＴ６）、下処理液ノズル１４およびリンス液ノズル２５Ａから、ウエハＷに向けてリンス液が吐出される。
吐出されたリンス液は、第１の実施形態に係る基板処理装置１による基板処理方法の場合と同様にして、ウエハＷの下面および上面を中心部から周縁部へと流れ、第２流路Ｐ２へと導かれて、第２回収槽２９に回収される。第２回収槽２９に回収されるリンス液は、薬液や汚染物を含むので、第１排液配管３１を介して抜き出された後、廃棄される。
【００９９】
また、リンス液を導入する前に、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内には薬液が存在しない状態にされていること、ならびにリンス液配管１７およびリンス液ノズル２５Ａがリンス液専用に用いられることにより、従来の基板処理方法のように、処理液配管６４，８６、下処理液ノズル６３および上処理液ノズル８５から排出されて廃棄される薬液（図５参照）は、実質的に生じない。したがって、この基板処理装置４１および基板処理方法により、薬液の使用量を低減できる。
【０１００】
処理液配管１０へのリンス液の導入、および下処理液ノズル１４およびリンス液ノズル２５Ａからのリンス液の吐出は、所定時間継続された後、制御部４６の制御により、バルブ１７Ｖ１，１７Ｖ２が閉じられることにより停止される。
次に、制御部４６の制御により、バルブ４７Ｖが開かれ、吸引装置４４が作動される。これにより、流体導入部１０ａから処理液配管１０内が吸引される（ステップＴ７）。これにより、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内に存在しているリンス液は排出され、ミキシングバルブＭＶ１および配管４７を介して、吸引装置４４内に回収される。
【０１０１】
処理液配管１０内の吸引は、処理液配管１０内のリンス液を完全に抜き出すのに充分な時間継続され、その後、制御部４６の制御によりバルブ４７Ｖが閉じられ、吸引装置４４が停止されることにより終了される。したがって、この状態で、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内には、リンス液などの液体は存在していない。
一方、吸引装置４４の作動開始と同時またはその直後に、制御部４６により昇降機構３３が制御されて、遮断板２１およびリンス液ノズル２５Ａが下降されて、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上方に近接して配置される。
【０１０２】
そして、制御部４６により回転駆動機構８が制御されて、所定時間、スピンチャック３の回転数が高くされるとともに、回転駆動機構２３が制御されて、遮断板２１がスピンチャック３と同じ方向にほぼ同じ回転数で回転される。これにより、ウエハＷが振り切り乾燥され、その後、制御部４６により回転駆動機構８，２３が制御されて、スピンチャック３および遮断板２１の回転が停止される。
【０１０３】
この実施形態では、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内のリンス液を排出するときに、リンス液は下処理液ノズル１４から吐出されない。このため、処理液配管１０および下処理液ノズル１４内のリンス液の排出と、ウエハＷの振り切り乾燥とを並行して行うことができ、処理時間の短縮を図ることができる。
そして、制御部４６により昇降機構３３が制御されて、遮断板２１およびリンス液ノズル２５Ａが上昇された後、図示しないロボットハンドにより、ウエハＷがチャンバ２から搬出されて（ステップＴ８）、１枚のウエハＷの薬液処理およびリンス処理が終了する。
【０１０４】
以下、同様にして、次のウエハＷがチャンバ２内に搬入されて処理される（ステップＴ１〜Ｔ８）。
本発明の実施形態の説明は以上の通りであるが、本発明は、別の形態でも実施できる。たとえば、第１の実施形態において、基板処理装置１の処理液配管１０，２４の流体導入部１０ａ，２４ａからは、薬液供給源１９に収容された薬液に加えて、この薬液とは異なる第２の薬液を導入できるように構成されていてもよい。この場合、スプラッシュガード４の案内部および回収槽の数を３つに増やし、薬液、第２の薬液およびリンス液を、それぞれ専用の回収槽に分別して回収できるようにすることができる。
【０１０５】
この場合、たとえば、リンス工程（ステップＳ６、図２参照）の後、流体導入部１０ａ，２４ａから第２の薬液を処理液配管１０，２４内に導入し、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から、第２の薬液をウエハＷの下面および上面に向けてそれぞれ吐出して、この第２の薬液でウエハＷを処理する第２薬液処理工程を実施し、この第２薬液処理工程の後、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内に窒素ガス（不活性ガスの一例）を導入して、処理液配管１０，２４、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５内の第２の薬液を押し出し、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５から排出させる第２薬液押し出し工程を実施し、さらに、この第２薬液押し出し工程の後、流体導入部１０ａ，２４ａから処理液配管１０，２４内にリンス液を導入し、下処理液ノズル１４および上処理液ノズル２５からリンス液をウエハＷの下面および上面に向けてそれぞれ吐出して、このリンス液でウエハＷをリンス処理する第２リンス工程を実施してもよい。これらの工程（ステップ）は、制御部３５の制御により実行されるものとすることができる。
【０１０６】
この場合、薬液処理工程で用いられた薬液および薬液押し出し工程で排出された薬液と、第２薬液処理工程で用いられた第２の薬液および第２薬液押し出し工程で排出された第２の薬液とを分別して回収すると、これらの薬液および第２の薬液は、それぞれ他の薬液やリンス液を実質的に含まないものとなるので、これらの薬液および第２の薬液はそれぞれ再利用可能である。すなわち、このような基板処理装置および基板処理方法により、薬液および第２の薬液の消費量を低減できる。
【０１０７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図であり、薬液処理を行うときの状態を示している。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図であり、リンス処理を行うときの状態を示している。
【図２】図１Ａおよび図１Ｂに示す基板処理装置によるウエハの処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図であり、リンス処理を行うときの状態を示している。
【図４】図３に示す基板処理装置によるウエハの処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】処理対象である半導体ウエハに対して、薬液処理およびリンス処理を施すための従来の基板処理装置の構造を示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１，４１    基板処理装置
３    スピンチャック
４    スプラッシュガード
１０，２４    処理液配管
１０ａ，２４ａ    流体導入部
１４    下処理液ノズル
１６Ｖ１，１６Ｖ２，１７Ｖ１，１７Ｖ２，１８Ｖ１，１８Ｖ２    バルブ
２５    上処理液ノズル
３４    昇降機構
３５，４６    制御部
４４    吸引装置
Ｐ１    第１流路
Ｐ２    第２流路
Ｗ    ウエハ
【図１Ａ】
2005302746.tif 000003
【図１Ｂ】
2005302746.tif 000004
【図２】
2005302746.tif 000005
【図３】
2005302746.tif 000006
【図４】
2005302746.tif 000007
【図５】
2005302746.tif 000008