(57)【要約】【課題】半導体製造工程で、チャンバー等の洗浄を行う洗浄工程に、高濃度フッ素ガスを用いる事により、洗浄工程が極めて効率化される。しかしこのプロセスに適合できる容器弁が実用化されていない。【解決手段】１）高濃度フッ素ガスに対する安全性が確保できる容器弁として、図に示すケレップのシール部を構成するシートデスクを本体への嵌合方式とし、接触円部でシールする。（図１）２）弁本体は低炭素Ｎｉ金属，スプリング性を要する部品には低炭素系のＮｉ合金を採用し、さらにフッ素ガスが接触する内面を予めフッ化不導体処理を施す事によりフッ素ガス耐食性を確保した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスに接触する接ガスダイヤフラムの材質が C ; 0.10% 以下,
Ni ; 30% 以上, Co ; 0.1〜40％, Cr ; 0.1〜25%, Mo ; 0.1〜12%, にTi, Nb, Ta および
Al の１種以上を総量で 0.01〜5% 以下を主成分とし、その他不可避に含有される微量成分からなる合金で構成され、本容器弁内部でガスと接触する箇所を予めフッ素ガスによりフッ化不動態処理を施してあり、且つ、弁シート部の形状で、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とするとともに、シール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成することを特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【請求項２】
請求項１の容器弁本体は C ; 0.10％ 以下、Ni ; 95％
以上を主成分とし、その他不可避に含有される微量成分からなる合金,もしくは Ni
; 0.1〜20%, Cr ; 0.1〜20%, Mo ; 0.1〜5% を主成分とし、その他不可避に含有される微量成分からなる合金に純ニッケル鍍金した合金で構成され、本容器弁内部でガスと接触する箇所を予めフッ素ガスによりフッ化不動態化処理を施してあり、且つ、弁シート部を、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とするとともに、シール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成することを特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【請求項３】
請求項１および請求項２で、弁シート部およびシール部はすべて金属シール構造であり、ガスと接触する部品のケレップは C
; 0.1 ％以下、Ni ; 95 ％以上を主成分とし、その他不可避に含有される微量成分からなる合金で構成し、弾性体であるスプリングは、C；0.10% 以下, Ni ; 30%
以上, Co ; 0.1〜40％, Cr ; 0.1〜25%, Mo ; 0.1〜12%, にTi, Nb, Ta およびAlの１種以上を総量で 0.01〜5% 以下を主成分とし、その他不可避に含有される微量成分からなる合金で構成され、且つ、弁シート部を、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とするとともに、シール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成することを特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【請求項４】
請求項３で、弾性体であるスプリングは縦弾性係数が 21〜22×103 kg／mm2 であり本容器弁内部でガスと接触する箇所を予めフッ素ガスによりフッ化不動態化処理を施してあり、且つ、弁シート部を、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とするとともに、シール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成することを特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【請求項５】
請求項１から請求項４において、バルブの開閉は、空気圧や不活性ガス圧によるニューマチック式で操作され、かつ遠隔操作、緊急遮断に対応することが可能であり、本容器弁内部でガスと接触する箇所を予めフッ素ガスによりフッ化不動態化処理を施してあり、且つ、弁シート部を、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とするとともに、シール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成することを特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【請求項６】
請求項１から請求項５に於いて、ケレップのシール部を構成するシートデスク部は C ; 0.05％以下、 Ni ; 95％ 以上を主成分とし、その他不可避に含有される微量成分からなる合金の焼鈍材で本体とは別構成し、該シートデスク部をケレップ本体に嵌合した事を特徴とするケレップで構成される事を特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【請求項７】
請求項１から請求項６に記載のダイヤフラム型容器弁は、フッ素ガス 100％ 濃度、圧力 150kg／cm2 までの充填されたボンベ容器に装着される容器弁であり、本容器弁内部でガスと接触する箇所を予めフッ素ガスによりフッ化不動態化処理を施してあり、且つ、弁シート部を、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とするとともに、シール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成することを特徴とするダイヤフラム型高圧ガス用容器弁。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造システムに、高濃度フッ素ガスを、高圧力で供給する容器弁に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶および半導体（以降半導体）製造工程で、チャンバーのクリーニングにフッ素系のガスが大量に使用されている。チャンバー内に堆積したアモルファスシリコン膜や
SiO2、Si304等の膜や粉体のシリコン系の反応副生成物を除去クリーニングするためにフロン系
CF4，C2F6，C3F8等が用いられている。また、NF3ガスをプラズマ分解し、活性な反応性に富むフッ素ラジカルを導入し、上記シリコン系の生成物と反応させ、SiF3を生成させ、このフッ化珪素の揮発性を利用して、反応チャンバーおよび配管内から真空ポンプにより吸引され系外に排気されクリーニングが完了する方法がとられている。この様に半導体製造工程に生成する副生成物を除去するための重要な役割もフッ素は担っている。
【０００３】
フッ素はボンベに充填されて容器弁により密閉されて半導体業界に供給され、ボンベから容器弁を介して半導体製造工程に送給される。フッ素は有毒でかつ腐食性ガスなので、フッ素充填ボンベに使用される容器弁については、１）構造的には、毒性のあるフッ素ガスが漏洩しない安全構造があること２）容器弁を構成する材料は、フッ素に対する耐食性に優れていること、および３）バルブ機能として可能な限りＳＶ値が大である事、が必須である。容器弁を構成する部品はフッ素ガスに対して良好な耐腐食性をもつニッケルおよびモネル等のニッケル合金、真鍮等の銅合金で構成され、シート材はすべてメタルシール構造となっている。油等の有機物はフッ素ガスで猛烈に酸化され燃焼、火災を誘発させる危険性があるので、構成部品には十分な脱脂処理が施されている。
【０００４】
窒素ガスやアルゴンガスで希釈したフッ素濃度30％以下、充填圧力20kg／cm2程度のフッ素ガスが、国内メーカーで製造販売されているおり、容器弁については、この濃度、圧力に対する作動が実績保証された容器弁は既に市販されている。
【０００５】
高濃度フッ素ガスを用いることにより、上記の工程内洗浄がさらに効率的に行えることから、近年、国内では、濃度、100％フッ素、充填圧力、28kg／cm2の充填品を、米国では濃度、100％フッ素ガス、充填圧力、140kg／cm2の充填品を製造したとの報告がある。しかし、この様な高濃度、高圧力でフッ素が充填されたボンベに適した容器弁についてはその詳細は報告されていない。
【０００６】
今後、半導体製造工程チャンバー内洗浄用のフッ素ガスは、高濃度でかつ高圧で充填供給される趨勢にあり、それに適した容器弁の開発が急務となってきている。
【非特許文献１．】半導体工場ガス事故の実態と環境安全対策（サイエンスフォーラム社１９９８年刊）
【非特許文献２．】三菱マテアリアル耐食合金データ集（株式会社三菱マテリアル２００３年ホームページ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
フロン系ガスは地球温暖化ガスであり、今後この使用量を益々削減する必要がある。本来はフッ素ガス100％での使用による半導体製造工程の洗浄方式が性能効率から望ましかったが、高濃度のフッ素ガスを使用するに際しての毒性および安全性の観点から使用されていなかった。特に高濃度フッ素を高圧充填したボンベ用容器弁に関しては、フッ素に対する耐腐食性能をもつ構成材料の検証、および、漏洩のない安全性を確認した構造を実証して十分な保証されるものが開発されていなかった事も実用遅延の大きな原因の一つとされている。
【０００８】
半導体業界の苛酷な競業体質は飽くなき製造原価低減を指向しており、地球環境の保全確保を前提に、高純度高圧フッ素ガスによる高能率な製造工程の洗浄が汎用化されるのはもはや時間の問題と言える。
【０００９】
本発明では、このような趨勢に鑑み、高純度高圧フッ素ガスを高純度に保ち、安全に、かつ、大量に充填できるボンベ用の容器弁を新規に提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
機能および品質保証上、半導体製造工程で用いられるすべての半導体製造用ガスは、金属成分まで含めた全ての不純物が超高純度（ppbレベル）で管理され、工程部材洗浄用に用いられるフッ素に対しても同様に厳しい品質管理が適用される。この厳しい品質管理基準を保証しさらに安全性と機能を兼ね備えた容器弁の開発が必要となる。この為には次の１）〜３）を満足させる条件を見出すことが必須である。
１）容器弁の構造は、安全および機能両面から高濃度・高圧フッ素ガス用として最適設計されていること。
２）材質は高濃度フッ素ガスに対して不動態であるとともに、とくにダイヤフラム等バネ性を要する部材は、充分なフッ素ガス耐食性を有するとともに弾性係数が15×103kg／mm2以上25×103kg／mm2以下であることが必須である。
３）効率の良い洗浄作業を行なう為には、高Ｃｖ値が達成できる容器弁構成である事が必要である。
【００１１】
１）設計面からの検討
高濃度フッ素ガスが漏洩しない為の十分な安全性を確保する方法として、弁シート部の形状設計を重点的に検討し、100％フッ素ガスを最大圧力150kg／cm2で充填したボンベに装着し、高Ｃｖ値で確保される流量を正確にかつ安全に取り出すことのできる機能を有する容器弁を発明した。
【００１２】
弁シート部を、ケレップ側シール部に於いて、弁本体側と接触するシール面の接触直径を弁本体のガス流入口直径より大とする。さらにシール面の接触直径内に円形の窪みを設けた形状で構成する事が設計の骨子である。
【００１３】
また、この構造を見出したことにより、より小さい推力で気密性を得ることが可能となったので、空気圧による自動開閉操作機構、アクチュエーターの搭載により自動開閉ができることとなった。遠隔自動操作は、本容器弁の使用する作業者の手動による開閉操作時の安全性に対する不安感を払拭でき、また、万一の被災が回避きる。
【００１４】
２）材質面からの検討
フッ素ガスはきわめて反応性が高く、ダイフロン等のフッ素樹脂でさえも、容易に分解してしまうので、本用途には樹脂系の材料は全く使用できず、専ら金属材料で最適材料を選定する事が必要である。
【００１５】
真鍮等の銅合金は、フッ素ガスに対する耐食性があり、フッ素電解設備等では使用実績がある材料であるが、フッ素ガスと反応した際に生成されるフッ化銅がフッ素ガス混入にし、銅汚染の危険性があることから本用途には採用できない。同様にニッケルー銅合金のモネル（ニッケル／銅合金）、銅フッ化物汚染による、フッ素ガスの純度の劣化の危険性があるため採用できないことがわかった。
【００１６】
容器弁の機能上で最も重要な、ダイヤフラム弁を構成する、接ガスダイヤフラム、ケレップを上下に押すスプリングは、当然、フッ素ガスに対する耐食性が必須であるとともに、かつ、所定の弾性係数が必要である。しかし、通常容器弁に使われているSUS316Lの弾性係数は19×103kg／mm2で作動は十分であるが、フッ素ガスに対して耐食性がないため使用できない。
【００１７】
同用途用に形状記憶合金（ニッケルーチタン）を新規に検討したが、合金組成の主要成分であるチタンがフッ素と反応して低沸点のフッ化チタンが生成して揮発するため耐食性がないことがわかった。
【００１８】
最強の耐食合金であるニッケルーコバルト合金は、コバルト、ニッケル、クロムの含有量の違いにより縦弾性係数が21〜22×103kg／mm2から22〜23×103kg／mm2変化する。フッ素ガスでの高温暴露試験により、C≦0.05%,Co＝30〜45％、Ni＝10〜20％、Cr＝8〜15％の低クロム含有のニッケルーコバルト合金がフッ素ガスに対して耐食性に優れることがわかった。
【００１９】
合金組成中のクロムとフッ素との反応で生成する高次のフッ化クロム（CrF4  沸点400℃、沸点  400℃、：CrF5  融点30℃、昇華）を生成しにくくするためにはクロム成分は必要最小限にとどめることが有効な手段であることがわかった。
【００２０】
これらの材料特性を鋭意検討して、ガスに接触する接ガスダイヤフラムとして、C ; 0.10% 以下, Ni ; 30% 以上, Co ; 0.1〜40％, Cr ;
0.1〜25%, Mo ; 0.1〜12%, にTi, Nb, Ta および Al の１種以上を総量で 0.01〜5% 以下を主成分とする合金を、容器弁本体は炭素含有量が0.05％以下、ニッケル９５％以上を主成分とする合金を選定した。
【００２１】
本発明の容器弁構造で、弁シート部を構成するケレップ構造に大きな新規性がある。ケレップ構造については実施例で詳述するが、この構造は材質と熱処理と構成方式についての詳細な検討により達成できた。
【００２２】
本容器弁の耐食性の観点からさらなる安全性を付与するためのさらなる検討を行った、ボンベに装着しフッ素ガスを使用するに先立ち、本容器弁のガスと接触する内部（接ガス部）をあらかじめフッ素化不動態処理を行うことを検討した。
【００２３】
ここでいうフッ素不動態処理とはフッ素ガスを導入して材料の表面にフッ素化合物をあらかじめ生成させる処理のことである。フッ素化処理により材料の最表層に薄いフッ素化合物の皮膜が形成される。材料の種類により形成されるフッ素化合物の種類が異なる。特に、Niのフッ素化合物皮膜は極めて薄く、かつ緻密であり、このような強い皮膜が一旦形成されると、その後に高濃度フッ素雰囲気に晒されても、材料はフッ素に全く反応しない。
【００２４】
本発明の容器弁はこの不動態化処理を行うのに効果的な材料としてNiおよびNi合金を選び、予めフッ化不動態処理を施すことを特徴としている。なお、Ｎｉ合金と同様な効果を得る別の方法として、無電解Ｎｉ鍍金法を見いだしている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の容器弁を用いることにより、高純度フッ素ガスを半導体製造工程内に、安全に供給できるようになり、これに伴い効率のよい洗浄が可能となり、半導体生産性の大幅な向上が期待できる。半導体製造業界に対する貢献度は計り知れないものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
半導体業界の過剰供給体制は緩和されたものの、弛まない競争力強化はこの業界の宿命である。この意味から、洗浄工程の効率化は同業界の達成すべき大きなテーマである。そのためには、本発明の容器弁にとっての前工程とも言うべき高純度フッ素ガス製造技術と後工程とも言うべき半導体製造工程とをシステムとして強い連携の下に本テーマを推進していくのが最良の形態である。
【実施例１】
【００２７】
本発明の容器弁設計のコンセプトについて説明する。
本発明の形状設計の新規性は弁シート部を構成するケロップ側のシール形状にある。（図１）〜（図２）により詳説明する。（図１）に示す様に、一般高圧ガス用容器弁では、ケロップ側から45°の角度を有する紡錘状突起部が、バルブ本体側のガス流入孔端部とでシール部を構成するのが一般的である。
【００２８】
これに対して、本発明では（図２）ａ）に示す構造で、ケロップを構成する。ケロップのシール部（今後シートディスクと呼称）は、ケロップ本体とは別部品として構成するのが、本発明実施の為には好ましい。その理由は後述する。
【００２９】
（図２）ｂ）にシートディスクの形状を示した。シール面は弁本体と接触円としてシール部を構成する最重要部分である。シール部を構成する接触円の直径（ｄ）は弁本体のガス流入孔（Ｄ）より大である事が本発明の特徴である。（図１）の本発明の容器弁図に、シートディスクとバルブ本体とのシール部構成状況を示した。
【実施例２】
【００３０】
本発明に基づいて製作した容器弁を用い、本発明の検証を行った。以下に、その詳細を説明する。
【００３１】
シートディスク部の形状は（図２）のｂ）で、接触円の直径（ｄ）＝５±０．０５mm、窪み部の深さ（ｔ）＝０．４＋０．１−０mm、シール部（７）Ｒ＝０．２mm（０．８Ｓ），シール部角度（θ）＝６０°，これとシール部を構成する弁本体のガス流入孔の直径（Ｄ）＝４mm とした。
【００３２】
シートディスクはシール部の機密性確保を目的にケレップ本体とは別構成とした。勿論、ケレップと一体構成とする事例も本発明に包含される事は言うまでもない。
【００３３】
耐フッ素ガス耐食性の確保とシール性確保を目的に、炭素＝0.02%, ニッケル＝99.5%のNICKEL201を用いた。焼鈍によりＨＶ硬さを８０〜１００に調整し、ケレップ本体に焼嵌により嵌合一体化した。以下に本発明の容器弁としての機能特性について説明する。
【００３４】
（１）Ｃｖ値：  
容器弁の特性で、機能評価に繋がる機能特性はＳＶ値である。半導体製造装置の洗浄を効率よく実施するには、瞬間的に大量のフッ素ガスを流入させる機能を有する事が必須である。本発明はこの点に焦点を絞って設計した。
なお、Ｃｖ値は（数１）により計算により求めた。  
【００３５】
【数１】
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【００３６】
(表１)に本発明の容器弁のＣｖ値を、同一条件で測定した従来の容器弁のＳＶ値と比較して示した。
【００３７】
【表１】
2005207480.tif 000004
【００３８】
本発明の容器弁１〜５のＣｖ値はいずれも従来の容器弁のそれのおおよそ１．５倍に到達している。このＣｖ値は、容器弁の業界では画期的な値である。特に、本発明の目的とする半導体業界において、製造装置の洗浄工程の効率化に大きく貢献すると期待できる。また併せて、本発明の対象以外のあらゆる容器弁においても、本発明は有効に活用できる事は言うまでもない。
【００３９】
（２）シートの開閉耐久性：
本設計のコンセプトに基づいて容器弁の耐久性について評価し結果を（表２）に示した。    
【００４０】
【表２】
2005207480.tif 000005
【００４１】
本発明の容器弁の耐久性は、同一条件で測定した従来の容器弁を遙かに凌いでいる。この事は、本発明の設計のコンセプトは、Ｃｖ値が良好であるばかりでなく、耐久性の点でも優れた容器弁を提供できる優れたものである事が検証できた。なお、アクチュエータ最小作動圧力は、従来容器弁の 0.4 MPa に対して、本発明の容器弁は0.38〜0.43 MPa でほぼ同等であった。
【実施例３】
【００４２】
本発明の容器弁はバルブとしての機能に併せて、フッ素ガスに対する耐食性とスプリング特性が重要である。各種の予備調査を行ない耐食性とスプリング特性から材料を選定した。結果を（表３）に示した。
【００４３】
＃１〜２は容器弁本体を構成する材料である。フッ素に対する耐食性は高ニッケル材で、しかも低炭素形の最良が良好である。一方、容器弁のスプリング用途は、耐フッ素耐食性に加えてスプリング特性としての縦弾性係数が重要である。この観点から、＃３〜５の材料が本発明の容器弁のスプリング用に適している。
【００４４】
【表３】
2005207480.tif 000006
【００４５】
これらの合金のフッ素ガスに対する耐食性を、流動するフッ素ガス環境で調査した。
【００４６】
結果を（表４）に示した。テストプレートとして、30mmx60mmx1mm厚さの試片を用い、流動する２０％フッ素ガス（８０％窒素ガス）中で、試験温度は、２５および３００℃で、試験時間は３、１０および２４時間で行った。得られた腐食減量を腐食速度に換算して表示した。
【００４７】
【表４】
2005207480.tif 000007
【００４８】
純ニッケルで、炭素含有量が腐食速度に影響を及ぼす事が認められる。流動するフッ素ガスにより、金属の最表層には不動態膜が形成される。この不動態膜の緻密さと耐食特性がその後の腐食特性に大きく影響を及ぼす。炭素含有量が大の場合には、形成された不動態膜が脆弱であると推測される。
【００４９】
合金中の金属成分がニッケルの場合には、形成される不動態膜はニッケルフッ化物であり、いずれのニッケル合金の場合も、炭素含有量が小であることが、フッ素ガス耐食性に優れている事を見出した。本発明における材質選定の基本である。
【００５０】
＃３〜５は縦弾性係数が本発明の用途の容器弁のスプリングに適合する合金である。いずれも炭素含有量が小であり、優れた耐フッ素ガス耐食性を示している。
【００５１】
ここで対象となる材料は、耐フッ素耐食性の観点から材料はニッケルを主要組成としたオーステナイト系である。本発明の容器弁のダイヤフラム、スプリングで必須特性は良好な縦弾性係数を有する事である。縦弾性係数を向上させる為のオーステナイト系材料における方策は、固溶体化強化と析出硬化による強化である。
【００５２】
（表５）における＃３〜５は、固溶体強化と析出強化とを組み合わせる方法により、本特許の容器弁が目的とする機能を発揮するよう、最適な縦弾性係数を発揮する様の材料設計したものである。良好な耐フッ素耐食性と良好な縦弾性係数を兼ね備えており、本特許の重要構成要素である。
【００５３】
【表５】
2005207480.tif 000008
【００５４】
＃３は 時効処理により、Ti＋Nb がAl と金属間化合物を形成し、生地のオーステナイトを強化させる。＃４はMoの生地への固溶体強化と析出硬化との複合効果を狙った。＃５は＃３と＃４の相乗効果を活用している。いずれも、フッ素ガスに対する耐食性を維持しつつ縦弾性係数が確保できている。
【実施例４】
【００５５】
容器弁として完璧な耐フッ素耐食性を付与するに、実体状態で使用される際にフッ素に僅かでも晒される箇所を、予めフッ化不導体処理を施した。フッ素不動態処理の方法は、80℃、約500mmHgのフッ素ガスを用いて、フッ素ガスともはや反応しなくなるまで行った。さらに温度を上げ、フッ素ガス濃度を上げることにより不態化処理の時間は短縮できるのでこの条件には縛られない
【００５６】
結果を（表６）に示した。容器弁に組み立てる前に部品毎に、フッ素ガス不導体処理を先ず行う。フッ化不導体処理を施した各部品を組み立て本発明の容器弁のガス導入口から、フッ素ガスを、容器弁に導入し、放出口から放出する。この方法で容器弁内の空気をフッ素ガスで充分に置換して後に、上記に条件で十分なフッ化不導体処理を行う。場合によっては事前に行う部品毎のフッ化不導体処理は省略できる。
【００５７】
この様にしてフッ素に触れる箇所を充分にフッ化不導体した、容器弁に、フッ素ガスを封入圧力８００Ｔｏｒｒで充填し２５℃で、１００時間放置後の内部圧力を測定した。
【００５８】
【表６】
2005207480.tif 000009
【００５９】
＃１材と組み合わせた＃０１テストデータのみ圧力変化が認められる。＃１材は炭素含有量が大であるため、形成されたフッ化被膜に充分な耐フッ素耐食性がえられなかったためである。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
半導体製造業界は苛酷な競争原理の元で動いている。スクラップアンドビルトを繰り返しより高い生産性を追求し続けている。超過剰な設備投資が災いして今なお低迷の域を脱していない感があるものの、一部に底離れの気配が伺われる。今後に新設される半導体製造装置は、今までの装置に比べ遙かに生産性の高いシステムが組み込まれている事は言うまでもない。
【００６１】
この様な趨勢の中で、洗浄工程の効率化を目的に、純フッ素による洗浄が次世代半導体製造装置の必須工程とし大幅に採用されると予測される。その際、本発明の容器弁がそのプロセスに必須でかつ重要な役割を果たすとともに、本容器弁が同工業界の発展的展開に大きく貢献する。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】容器弁の実施方法の概要を示した説明図である。
【００６３】
【図２】シートディスク部の詳細を示す説明図である。
【００６４】
【図３】シートディスクのシール構成の詳細な説明図である。
【符号の説明】
【００６５】
１.  ダイヤフラム  
２.  ケレップ
３.  スプリング
４.  バルブ本体
５.  シートディスク
６.  カシメ部
７.  シール部
８．  シール部の円形のくぼみ
９．  シール部角度
【図１】
2005207480.tif 000010
【図２】
2005207480.tif 000011
【図３】
2005207480.tif 000012