(57)【要約】【課題】  従来の露光装置において測定していたのは静止時の有効光源のみであり、走査型露光装置における走査の影響を考慮していないこと。【解決手段】  走査型露光装置において、該露光面もしくはその近傍における露光範囲を所望の位置／大きさに制限する開口絞りと、前記開口絞りで制限された露光面もしくは該露光面から所定量光軸方向に移動した面の照度分布を測定し前記制限された露光領域の射出（入射）光線の角度特性を計測する射出（入射）光線角度計測手段を具備し、該開口絞りを露光面もしくは露光面近傍において走査方向に直線的に配列された複数位置に設定し、各々の位置での射出（入射）角度特性を計測し、その計測結果を積算する演算手段を設けたことを特徴とする構成とした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から放射した露光光で第１のステージ上に配置されたマスクパターンを照明し、該パターンを投影光学系を介して第２のステージ上の露光面に設けた基板上に転写し、前記露光光による照明領域中を該マスクパターンと該基板を同期させて走査露光する走査型露光装置において、
該露光面もしくは該露光面近傍における露光範囲を所望の位置／大きさに制限する開口絞りと、前記開口絞りで制限された露光面もしくは該露光面から所定量光軸方向に移動した面の照度分布を測定し前記制限された露光領域の射出（入射）光線の角度特性を計測する射出（入射）光線角度計測手段を具備した走査型露光装置であって、
該開口絞りを露光面もしくは露光面近傍において走査方向に直線的に配列された複数位置に設定し、各々の位置での射出（入射）角度特性を計測し、その計測結果を積算する演算手段を設けたことを特徴とする走査型露光装置。
【請求項２】
前記複数位置での射出（入射）角度特性の計測は、各々独立に順次なされることを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項３】
前記射出（入射）光線角度計測手段は、所定の大きさを持つ開口と、その開口から入射する光線の強度を計測する光検出器を有し、該開口と光検出器を露光面近傍にて光軸と垂直方向に移動させて照度分布を計測することを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項４】
前記射出（入射）光線角度計測手段は前記所定の大きさを持つ開口と、前記光検出器を光学的に略共役な関係とする光学系を有することを特徴とする請求項３の露光装置。
【請求項５】
前記射出（入射）光線角度計測手段は、センサーアレイを有し、該センサーアレイを露光面近傍にて光軸と垂直方向に移動させて照度分布を計測することを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項６】
前記射出（入射）光線角度計測手段は、２次元センサーアレイであることを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項７】
上記開口絞りにより設定される露光面の複数位置は、走査方向と直交した方向のある像高にて走査方向に直線的に配列された複数の位置であることを特徴とする請求項１から６の走査型露光装置。
【請求項８】
光源から放射した露光光で第１のステージ上に配置されたマスクパターンを照明し、該パターンを投影光学系を介して第２のステージ上の露光面に設けた基板上に転写し、前記露光光による照明領域中を該マスクパターンと該基板を同期させて走査露光する走査型露光装置において、
該露光面における露光範囲を所望の位置／大きさに制限する開口絞りと、該露光面に対して光学的にフーリエ変換面となる位置に配置された２次元センサーアレイを具備した走査型露光装置であって、
該開口絞りは、露光面における照明形状の走査方向の照明範囲を制限しない走査方向に長いスリット状の形状に設定し、該スリットを通過した全ての光束の前記フーリエ変換面における強度分布を測定することを特徴とする走査型露光装置。
【請求項９】
光源から放射した露光光で第１のステージ上に配置されたマスクパターンを照明し、該パターンを投影光学系を介して第２のステージ上の露光面に設けた基板上に転写する露光装置において、
該露光面の光学的共役位置から所定量光軸方向に移動した位置に配置し光軸に垂直な平面内において所望の位置／大きさに制限する開口絞りと、該露光面における照度分布を測定する照度分布測定手段を具備した走査型露光装置であって、
該光学的共役位置における光線のＮＡは０．２５以下であることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
上記投影露光装置は、露光面側がテレセントリックな光学系であることを特徴とする請求項１〜９の投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、具体的には被照射面に設けた第１物体面上のパターンを投影光学系により第２物体面上に投影露光する際、被照射面での光強度分布（照度分布）及びテレセン度（光束の重心位置のずれまたは有効光源の中心のずれ）を適切に設定し、特に高い解像度が容易に得られるステップアンドスキャン方式を利用してデバイスを製造する際に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の超ＬＳＩ等の高集積化を目的とした半導体素子製造用の投影露光装置には回路パターンの焼付けに極めて高い転写が要求されている。この要求を満足させるひとつの要素に投影光学系に入射する照明光の角度分布を適切にすることがあり、その角度分布を測定する方法について提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この角度分布を測定する方法では、ウエハ上の１点での有効光源を測定する場合、マスキングブレード上で微小開口を設定し、露光面から光軸方向に変位した平面に該微小開口への入射角度分布に対応した強度分布が現れるようにし、この位置にディテクターを置いて該微小開口への入射角度分布を測定している。
【特許文献１】特開平１１−０８７２３２号公報（米国特許第６３３３７７７号明細書）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
走査型露光装置においては、走査により露光面における入射角度分布（ここでは有効光源と呼ぶ）は静止時とは異なったものとなると考えられる。しかしながら、従来の方法で測定できる有効光源は静止時のもののみであり、走査型露光装置における走査の影響を考慮していない。
【０００５】
また、従来の方法では、露光面から変位した平面上で有効光源を測定しているため、実際の角度分布からずれたものとなっている。
【０００６】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、走査型露光装置において、特に走査時の光学系の有効光源分布を測定すると共に、従来より正確な分布を得る手段を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光でマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを投影光学系を介して露光面に配置した基板に投影する転写し、前記露光光による照明領域中を該マスクパターンと該基板を同期させて走査露光する走査型露光装置において、該露光面もしくはその近傍における露光範囲を所望の位置／大きさに制限する開口絞りと、前記開口絞りで制限された露光面もしくは該露光面から所定量光軸方向に移動した面の照度分布を測定し前記制限された露光領域の射出（入射）光線の角度特性を計測する射出（入射）光線角度計測手段を具備し、該開口絞りを露光面もしくは露光面近傍において走査方向に直線的に配列された複数位置に設定し、各々の位置での射出（入射）角度特性を計測し、その計測結果を積算する演算手段を設けたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
レチクル面上の各種のパターンをウエハ面上に安定して高い解像力で投影することができる露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１は本発明の実施形態１の要部概略図である。本実施形態はサブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー用のステップアンドスキャン方式の投影露光装置に適用した場合を示している。
【００１２】
図中、１は水銀ランプ等の光源としての発光管であり、紫外線及び遠紫外線等を放射する高輝度の発光部１ａを有している。発光部１ａは楕円ミラー２の第１焦点又はその近傍に配置している。発光部１ａは楕円ミラー２の第２焦点又はその近傍４に結像される。３はコールドミラーであり、多層膜より成り、大部分の赤外光を透過すると共に大部分の紫外線を反射させている。楕円ミラー２はコールドミラー３を介して第２焦点又はその近傍４に発光部１ａの発光部像（光源像）１ｂを形成している。図中１〜４に相当する光源として、２４８ｎｍ（ＫｒＦ）または１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長の光を供給するエキシマレーザーを用いても良い。
【００１３】
５は光学系であり、コンデンサーレンズやコリメーターレンズ、そしてズームレンズなどから成り、第２焦点又はその近傍４に形成した発光部像１ｂをレンズ系（調整手段）６を介してオプティカルインテグレータ（２次光源形成手段）７の入射面７ａに結像させている。
【００１４】
レンズ系６は被照射面（例えばレチクル面）に入射する照明光の入射角度を調整する調整手段としての作用を有しており、レンズ系駆動装置３２により光軸方向及び光軸に垂直な平面に沿って２次元的に駆動可能となっている。
【００１５】
オプティカルインテグレータ７は断面が４角形状の複数の微小レンズを２次元的に所定ピッチで配列して構成しており、その射出面７ｂ近傍に複数の２次光源を形成している。オプティカルインテグレータ７の射出面７ｂ近傍には絞り８が配置され、絞り駆動機構３３により、絞りの大きさ及び形状を可変としている。
【００１６】
９は照度ムラ補正手段（補正手段）であり、駆動装置３４で被照射面１４上の照度ムラの補正を行う。１０は集光レンズであり、オプティカルインテグレータ７の射出面７ｂ近傍の複数の２次光源から射出した複数の光束を集光し、ミラー１１で反射させて被照射面としてのマスキングブレード１２面を重畳照射して、その面を均一に照明している。
【００１７】
マスキングブレード１２は複数の可動の遮光板より成り、マスキングブレード駆動装置３１により、任意の開口形状が形成されるようにして、ウエハ１８面上の露光範囲を規制している。１３は結像レンズであり、マスキングブレード１２の開口形状を被照射面としてのレチクル１４面に転写し、レチクル１４面上の必要な領域を均一に照明している。レチクル１４はレチクルステージ１５によって保持されている。
【００１８】
１６はレチクル１４面上の回路パターンを縮小投影する投影光学系（投影レンズ）であり、射出テレセントリック系より成っている。１７は投影光学系１６の瞳、１８はレチクル１４上の回路パターンが投影転写されるウエハ（基板）であり、露光面に位置している。１９はウエハ１８を保持し光軸方向に動くウエハチャック、２０はウエハチャック１９を保持して光軸と直交する平面に沿って２次元的に動くＸＹステージ、２１は投影レンズ１６やＸＹステージ２０が置かれる定盤である。ＸＹステージ２０は後述する照明光の角度特性を測定する為に光軸Ｌａ方向に所定量上下できる構造になっている。
【００１９】
本実施形態における光学系では、発光部１ａと第２焦点４とオプティカルインテグレータ７の入射面とマスキングブレード１２とレチクル１４とウエハ面１８とが互いに共役関係である。また、絞り８の射出面と投影光学系１６の瞳面１７とが略共役関係となっている。
【００２０】
２２、２３はウエハ１８の表面の光軸方向に関する位置（高さ）情報を検出するための面位置検出装置の一部分を示し、２２はウエハ１８を斜方向から照明する照明装置、２３はウエハ１８の表面からの反射光を受け、ウエハ１８の面位置に応じた信号を出力する受光装置である。２８は照明装置２２と受光装置２３を制御する制御装置である。
【００２１】
２５はＸＹステージ２０上に固設された反射鏡、２６は反射鏡２５の反射面にレーザー光を当ててＸＹステージ２０の変位量を検出するレーザー干渉計、２７はレーザー干渉計２６からの出力を受け、ＸＹステージ２０の移動を制御する駆動装置である。
【００２２】
尚、駆動装置２７は制御装置２８からウエハ１８の表面高さに関する面位置情報を受け、ウエハチャック１９を光軸方向に動かすことにより、ウエハ１８の表面を投影レンズ系１６によるレチクル１４のデバイスパターンの結像面に合致させている。
【００２３】
２４はウエハ１８面上に入射する照明光の角度分布及びその面上の照度分布を検出するためのディテクター（照度計、検出器）であり、ウエハ１８面に受光部を一致させて照射画面領域内をＸＹステージ２０の駆動と共に移動しながら照明光を受光し、その出力に対応した信号を検出装置２９に送っている。又、照度計２４は光軸Ｌａ方向に移動可能となっている。
【００２４】
３０は、各装置２７、２８、２９、３１、３２、３３、３４を制御する主制御装置であり、主制御装置３０には検出装置２９からの情報が入力される。
【００２５】
照度計２４は、露光面から変位した位置での光強度分布及び光強度分布の露光光軸に対する非対称性を測定している。そして照度計２４からの検出結果に基づいてレンズ系（調整手段）６を駆動させて光強度分布及びその露光光軸に対する非対称性を調整している。
【００２６】
又、本実施形態ではマスキングブレード１２は、その開口形状を変えて図２に示す露光面１８ａから露光光軸Ｌａ方向に変位した平面１８ｂに露光光の主光線のずれが現れるようにしている。照度計２４はこのときの主光線のずれを測定している。
【００２７】
又、本実施形態では照度計（検出器）２４は露光光の主光線の光学系（５〜１６）の光軸Ｌａに対する傾き具合を検出している。そして照度計２４からの信号に基づいてレンズ系（調整手段）６を駆動させて露光光の主光線の傾角を調整している。
【００２８】
このような装置で角度分布を測定する方法は、特開平１１−０８７２３２（米国特許第６３３３７７７号明細書）などで提案されている。この方法によれば、例えば画面中心（光軸Ｌａ位置）における照明光の角度分布を測定する場合には、光軸Ｌａの位置のみわずかに照明光が透過するように、マスキングブレードを駆動して開口を小さく制限する。このときディテクターをほぼ光軸Ｌａの位置に移動すると共に、実際のウエハ面の位置から所定距離だけ下方に移動させる。
【００２９】
この方法はステップアンドリピート方式の投影露光装置においては有効である。しかし、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置において走査時の像性能を決定する、走査時の有効光源を測定することができない。
【００３０】
そこで本発明では、走査による影響を考慮して有効光源分布を測定する方法を提案する。本発明の第１の実施形態では、上記開口絞りを複数の位置に設定し、各々の位置での射出（入射）角度特性を計測する。そして、この計測結果を積算する演算手段を設ける。この複数位置は、走査方向と直交した方向のある像高にて走査方向に直線的に配置された複数の位置とする。
【００３１】
例えば画面中心（光軸Ｌａ位置）における照明光の有効光源を測定する場合について、図２を用いて説明する。このとき前記複数の位置として、図３に示すように、光軸Ｌａの位置から走査方向に直線的に配置された複数の位置とする。ステップアンドスキャン方式の露光装置においては、ウエハ上の１点を照射する光は、マスキングブレード上ではこれら複数の位置を含む直線上を通過すると考えられる。それぞれの測定において、測定する位置のみ僅かに照明光が透過するように、マスキングブレード駆動装置３１によりマスキングブレード１２を駆動して開口１２ａを小さく制限する。それぞれの測定において、測定する各点の位置にディテクター２４を移動すると共に、露光面１８ａから所定距離だけ下方に位置させる。
【００３２】
マスキングブレード１２によって制限された開口１２ａからの照明光のみが露光面１８ａを通り、ディテクター２４に到達する。このときの光強度をＸＹステージ２０を２次元的に動かしながらディテクター２４で測定する。そして、これら複数位置での計測結果を演算手段を用いて積算する。これによって、走査時の照明光の角度特性が得られる。
【００３３】
露光面１８ａ上の光軸Ｌａ以外の点で照明光の有効光源を測定したい場合には、測定したい点のマスキングブレード面内に対応する位置から走査方向に直線的に配置された複数の位置とする。これらの位置にマスキングブレード１２の微小開口を設定すると共に、ディテクター２４の位置を移動させれば良い。
【００３４】
ディテクター２４は、所定の大きさを持つ開口と、その開口から入射する光線の強度を計測する光検出器を有し、この開口と光検出器を一体で露光面近傍にて光軸と垂直方向に移動させて照度分布を計測する。光検出器の感度ムラの影響をなくすため、前記開口と光検出器の間にレンズを挿入し、開口と光検出器が略共役となるようにする。
【００３５】
また、ディテクター２４として、センサーアレイを、センサー面が露光面近傍に来るように配置しても良い。センサーアレイは、センサーが走査方向に多数並んだ１次元センサーアレイである。このセンサーアレイをステージ２０によって走査方向と垂直な方向に動かしながら各画素の出力を求める。この測定を前記複数の位置で行い、演算手段を用いて積算することにより、走査時の照明光の有効光源が得られる。
【００３６】
また、ディテクター２４として、２次元センサーアレイを、センサー面が露光面近傍に来るように配置しても良い。各画素の２次元的な出力を求める。この測定を前記複数の位置で行い、演算手段を用いて積算することにより、走査時の照明光の有効光源が得られる。
【００３７】
以上の例ではウエハ１８面上に入射する照明光の角度分布及びその面上の照度分布を検出するためのディテクター２４を用いて有効光源を計測することとしたが、別のディテクターをウエハ面１８近傍に配置することとしても良い。
【実施例２】
【００３８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。前に述べたように、ウエハ上の１点を照射する光はウエハ面照明領域で走査方向に平行な直線上の光を積算したものとなる。そこで第２の実施形態では、図４に示すようにマスキングブレード１２における開口絞り１２ｂを、露光面における照明形状の走査方向の照明範囲を制限しない走査方向に長いスリット状の形状に設定する。そして、図５に示すように、ディテクター２４に代えて、２次元センサーアレイ５２を配置する。このとき、２次元センサーアレイ５２は、露光面１８ａに対して光学的にフーリエ変換面となる位置に配置する。そのために、露光面１８ａと２次元センサーアレイ５２の間にレンズ系５１を設ける。スリット状開口絞り１２ｂを通過した全ての光束の、前期フーリエ変換面における強度分布を測定する。
【００３９】
例えば画面中心（光軸Ｌａ位置）における照明光の有効光源を測定する場合には、マスキングブレード駆動装置３１によりマスキングブレード１２を駆動して、光軸Ｌａの位置で走査方向に長いスリット状の開口絞り１２ｂを設定する。
【００４０】
この開口絞り１２ｂを通過した光束は露光面１８ａでスリット状の領域に結像する。この領域の各点を通過した光束は、露光面に対して光学的にフーリエ変換面となる位置で重なり、これが走査時の照明光の角度特性を与える。第１の実施形態が複数の点での測定を要したのに対し、第２の実施形態では１回の測定で走査時の角度特性が得られる。
【００４１】
露光面上の光軸Ｌａ条以外の点で照明光の有効光源を測定したい場合には、マスキングブレード駆動装置３１によりマスキングブレード１２を駆動して、測定したい点のマスキングブレード面内に対応する像高で走査方向に長いスリット状の開口絞り１２ｂを設定する。それと共に、ステージ２０の位置を移動させ、２次元センサーアレイ５２を所定の位置に移動すれば良い。
【００４２】
以上第１の実施形態、第２の実施形態において、マスキングブレードによって照明光を制限する代わりに、微小開口もしくはスリット状開口を備えた遮光板を露光面１８ａと同一平面内に設定し、この開口を透過した光を照度分布測定手段で受けるようにしても良い。
【００４３】
また、レチクル面１４に微小開口もしくはスリット状開口を備えた遮光板を用意し、それをレチクル面と同一の平面内で移動させる機構を用いても、上記と同様の測定が可能である。
【実施例３】
【００４４】
次に、本発明の第３の実施形態について述べる。投影露光装置において、本来計測したい有効光源分布とはＮＡ＝ｓｉｎθ（θ：入射角度）の分布である。しかし実際の計測では露光面から変位した位置の平面で計測を行うため、等ピッチでエリア内を計測した場合ｔａｎθの分布を見ていることになる。これによるずれは、例えば次のようになる。
ＮＡ０．２のときｔａｎθ＝０．２０４（２％のずれ）
ＮＡ０．８のときｔａｎθ＝１．３３（６７％のずれ）
すなわち、ＮＡが大きい場合に大きなずれが生じる。そこで本発明では、ＮＡが小さい位置で計測を行うことによりこのずれを小さくすることを提案する。
【００４５】
図６は本発明の第３の実施形態として、図１に示した走査型露光装置の一部分を示したものである。レチクルからウエハに転写する倍率は１より小さいとする。このとき、レチクル面のＮＡはウエハ面のＮＡより小さくなる。例えば倍率１／４の場合、レチクル面のＮＡはウエハ面のＮＡの１／４となる。レチクル面１４ａから所定量光軸方向に移動した位置に開口絞りを備えた遮光板４１を設定する。開口絞りとして微小開口を設定すれば、レチクル面に有効光源分布が得られる。レチクル面１４ａと露光面１８は共役なので、露光面でも同様の有効光源分布が得られる。ディテクター２４を用いて露光面の光強度分布を計測することで、この有効光源分布を計測できる。この計測を、第１の実施形態で説明したように複数位置で行い、その計測結果を演算手段を用いて積算する。これによって、走査時の照明光の角度特性が得られる。
【００４６】
ＮＡが０．２５以下となる位置で計測を行えば、前述のずれを４％以下とすることができ、実際の分布に近い有効光源分布が得られることとなる。本形態では露光面で強度分布を測定しているが、得られるのはレチクルから所定量移動した位置の光強度分布であり、ＮＡが小さい位置で計測を行うことができる。
【００４７】
以上、第３の実施形態として、走査型露光装置における実施例を説明したが、この方法はステップアンドリピート方式の露光装置にも適用できる。この場合も、従来の方法と比べてより実際の分布に近い有効光源の測定ができる。
【００４８】
また、本形態では開口絞りの位置をレチクル面から所定量移動した位置としたが、レチクルとマスキングブレードが共役であることから、開口絞りをマスキングブレード位置から所定量移動した位置としても良い。
【００４９】
以上、本発明で述べた方法によって測定される有効光源分布は、走査時の像性能を決定する、走査時の有効光源分布であるとみなすことができる。
【００５０】
以上の方法により走査時の有効光源を測定することができれば、この結果をもとに補正を行い、照明光を最適な角度で供給することができる。補正の方法については、例えば特開平１１−０８７２３２号公報（米国特許第６３３３７７７号明細書）に提案されている方法を使用する。
【００５１】
本実施例によれば以上のように、走査の影響を考慮して、照明光の有効光源を測定することができる。そして、この測定の結果をもとに補正を行い、照明光を最適な角度で供給することができ、レチクル面上の各種のパターンをウエハ面上に安定して高い解像力で投影することができる露光装置を達成することができる。
【実施例４】
【００５２】
次に、前述の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００５３】
図７は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５４】
図８は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２ではウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では前述の露光装置によってマスクの回路パタ−ンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウエハ上に回路パタ−ンが形成される。
【００５５】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は難しかった高集積度のデバイスを製造することが可能になる。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の光学系の概略図である。
【図２】実施形態１における図１の一部分の説明図である。
【図３】実施形態１におけるマスキングブレード上の開口を表す説明図である。
【図４】実施形態２におけるマスキングブレード上の開口を表す説明図である。
【図５】実施形態２において使用される光学系の説明図である。
【図６】実施形態３における図１の一部分の説明図である。
【図７】デバイスの製造フローを示す図である。
【図８】図７のウエハプロセスを示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  水銀ランプ（光源）
２  楕円ミラー
３  コールドミラー
４  楕円ミラー２の第２焦点
５  光学系
６  レンズ系
７  オプティカルインテグレータ
８  絞り
９  照度ムラ補正手段
１０  レンズ
１１  ミラー
１２  マスキングブレード
１３  レンズ
１４  レチクル
１５  レチクルステージ
１６  投光光学系（投影レンズ）
１７  投影レンズ瞳
１８  ウエハ
１９  ウエハチャック
２０  ＸＹステージ
２１  定盤
２４  ディテクター
４１  遮光板
５１  光学系
５２  ２次元アレイセンサー
【図１】
2005302825.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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