(57)【要約】【課題】圧電共振器において、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制する。【解決手段】基板１１上に形成された下部電極２４と、下部電極２４上に形成された圧電膜２３と、圧電膜２３上に形成され、圧電膜２３の内部を伝搬するバルク波により下部電極２４と協働して所定の共振周波数の信号を得る上部電極２５と、上部電極２５上に交互に積層形成された所定の音響インピーダンスを有するＳｉＯ２膜２８ａおよびＳｉＯ２膜２８ａよりも高い音響インピーダンスを有するＡｌＮ膜２８ｂから構成されるとともにＳｉＯ２膜２８ａが上部電極２５に接し、バルク波を反射する音響多層反射膜２８とを備えた構成とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の電極膜と、
前記第１の電極膜上に形成された圧電膜と、
前記圧電膜上に形成され、当該圧電膜の内部を伝搬するバルク波により前記第１の電極膜と協働して所定の共振周波数の信号を得る第２の電極膜と、
前記第２の電極膜上に交互に積層形成された所定の音響インピーダンスを有する第１の音響膜およびこの第１の音響膜よりも高い音響インピーダンスを有する第２の音響膜から構成されるとともに前記第１の音響膜が前記第２の電極膜に接し、前記バルク波を反射する音響多層反射膜と、
を備えたことを特徴とする圧電共振器。
【請求項２】
前記第１の音響膜はＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項１記載の圧電共振器。
【請求項３】
前記第２の音響膜はＡｌＮまたはＺｎＯからなることを特徴とする請求項１または２記載の圧電共振器。
【請求項４】
前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みが０．１２５λ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電共振器。
【請求項５】
前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みが０．１８λ〜０．２２５λで、前記第２の音響膜の厚みが０．０５λ〜０．２２５λであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電共振器。
【請求項６】
前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みが０．２７５λ〜０．３４λで、前記第２の音響膜の厚みが０．０５λ〜０．２２５λであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電共振器。
【請求項７】
前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みが０．１８λ〜０．２２５λで、前記第２の音響膜の厚みが０．２７５λ〜０．３５λであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電共振器。
【請求項８】
前記音響多層反射膜上に形成された第３の電極膜と、
前記第３の電極膜上に形成された圧電膜と、
前記圧電膜上に形成され、当該圧電膜の内部を伝搬するバルク波により前記第３の電極膜と協働して所定の共振周波数の信号を得る第４の電極膜と、
を備えたことを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の圧電共振器。
【請求項９】
前記圧電共振器は、ＳＭＲ型圧電共振器またはダイヤフラム型圧電共振器であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の圧電共振器。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の圧電共振器を備えたことを特徴とするフィルタ。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れか一項に記載の圧電共振器を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項１２】
請求項１０記載のフィルタを備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項１３】
前記圧電共振器または前記フィルタが実装基板に搭載されて樹脂封止されていることを特徴とする請求項１１または１２記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電共振器およびそれを用いたフィルタならびに電子部品に関し、特に圧電共振器等におけるＱ値（インピーダンス比＝反共振抵抗値／共振抵抗値）の劣化抑制に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
バルク波（ＢＡＷ  −  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を用いた水晶振動子等の圧電共振器や弾性表面波（ＳＡＷ  −  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を用いた弾性表面波共振器においては、温度特性の改善を目的として、共振器の表面にＳｉＯ２膜等の誘電体膜を付加することが行われている。
【０００３】
すなわち、図９に示すように、たとえばＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型の圧電共振器において、基板１１の片面に、音響インピーダンスが低い薄膜と高い薄膜、たとえばＳｉＯ２膜２６ａとＡｌＮ膜２６ｂとが交互に積層されてなる反射膜２６が形成され、反射膜２６上に、ＡｌＮやＺｎＯなどからなる圧電膜２３を挟んで下部電極２４と上部電極２５とが積層形成されている。そして、上部電極２５の上、つまり共振器の表面に、たとえばＳｉＯ２膜などの誘電体膜２７が形成されている。なお、誘電体膜２７は、圧電膜２３と上部電極２５との間に形成される場合もある。
【０００４】
一般的に圧電体は負の温度特性を有するものが多いために、正の温度特性を有するＳｉＯ２膜を付加することにより温度特性がキャンセルされ、良好な温度特性が得られることが知られている。また、これと同時にＳｉＯ２膜の質量付加効果による周波数変動を利用してこのＳｉＯ２膜にトリミング膜としての機能を持たせたり、耐環境性を目的に保護膜としての機能を持たせたりしている。
【０００５】
なお、圧電共振器の表面にＳｉＯ２膜を付加する技術は、たとえば日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会第８１回研究会資料（Ｈ１５．１．３０）「ＳＭＲ型圧電薄膜共振子の温度特性改善」に記載されている。
【０００６】
【非特許文献１】
日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会第８１回研究会資料（Ｈ１５．１．３０）「ＳＭＲ型圧電薄膜共振子の温度特性改善」
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、振動に寄与しない圧電性のない膜（ここではＳｉＯ２膜）を付加することになるため、Ｑ値が劣化する等、共振器の周波数特性に悪影響がでる。
【０００８】
すなわち、図１０に示すように、ＳｉＯ２膜を付加していないときの共振器のインピーダンス特性Ａに対して、前述したＳｉＯ２膜をたとえば０．５μｍの膜厚で付加したときのインピーダンス特性Ｂでは、共振周波数が低周波側にシフトし、しかもＱ値が悪化している。膜厚が厚くなればなるほど、誘電体膜による温度補償機能は向上するが、そのトレードオフとして特性がますます悪化してしまうことから、付加可能な膜厚には限界がある。
【０００９】
そして、このような問題は、共振器のみならず、それを用いたフィルタや電子部品にも共通する。
【００１０】
そこで、本発明は、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することのできる圧電共振器およびそれを用いたフィルタならびに電子部品を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る圧電共振器は、基板上に形成された第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された圧電膜と、前記圧電膜上に形成され、当該圧電膜の内部を伝搬するバルク波により前記第１の電極膜と協働して所定の共振周波数の信号を得る第２の電極膜と、前記第２の電極膜上に交互に積層形成された所定の音響インピーダンスを有する第１の音響膜およびこの第１の音響膜よりも高い音響インピーダンスを有する第２の音響膜から構成されるとともに前記第１の音響膜が前記第２の電極膜に接し、前記バルク波を反射する音響多層反射膜と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
このような発明によれば、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００１３】
本発明の好ましい形態において、前記第１の音響膜はＳｉＯ２で形成し、前記第２の音響膜はＡｌＮまたはＺｎＯで形成することができる。
【００１４】
本発明のさらに好ましい形態において、前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みは０．１２５λ以上とするのがよい。
【００１５】
これにより、温度特性を一層改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００１６】
本発明のさらに好ましい形態において、前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みを０．１８λ〜０．２２５λ、前記第２の音響膜の厚みを０．０５λ〜０．２２５λとするのがよい。
【００１７】
これにより、温度特性の改善とＱ値の劣化抑制をバランスよく両立することが可能になる。
【００１８】
本発明のさらに好ましい形態において、前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みを０．２７５λ〜０．３４λ、前記第２の音響膜の厚みを０．０５λ〜０．２２５λとするのがよい。
【００１９】
これにより、特に温度特性の改善を図ることが可能になる。
【００２０】
本発明のさらに好ましい形態において、前記バルク波の波長をλとしたとき、前記第１の音響膜の厚みが０．１８λ〜０．２２５λ、前記第２の音響膜の厚みが０．２７５λ〜０．３５λとするのがよい。
【００２１】
これにより、特にＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００２２】
これらの形態において、前記音響多層反射膜上に形成された第３の電極膜と、前記第３の電極膜上に形成された圧電膜と、前記圧電膜上に形成され、当該圧電膜の内部を伝搬するバルク波により前記第３の電極膜と協働して所定の共振周波数の信号を得る第４の電極膜と、を備えることができる。
【００２３】
これにより、相互に音響的に切り離された、あるいは音響的に結合した小型の２つの共振器を得ることができる。
【００２４】
これらの形態において、前記圧電共振器は、ＳＭＲ型圧電共振器またはダイヤフラム型圧電共振器とすることができる。
【００２５】
これにより、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００２６】
上記課題を解決するため、本発明に係るフィルタは、前述した圧電共振器を備えたことを特徴とする。
【００２７】
このような発明によれば、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００２８】
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品は、前述した圧電共振器を備えたことを特徴とする。
【００２９】
このような発明によれば、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００３０】
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品は前述したフィルタを備えたことをを特徴とする。
【００３１】
このような発明によれば、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【００３２】
本発明の好ましい形態において、電子部品に用いられた前記圧電共振器または前記フィルタは実装基板に搭載されて樹脂封止されている。
【００３３】
これにより、実装基板と圧電共振器やフィルタとの間にも樹脂を充填して機械的な接合強度を向上させることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、発明の実施の形態は、本発明が実施される特に有用な形態としてのものであり、本発明がその実施の形態に限定されるものではない。
【００３５】
図１は本発明の一実施の形態である圧電共振器を示す断面図、図２は図１の圧電共振器におけるインピーダンス特性を音響多層反射膜のない圧電共振器のインピーダンス特性とともに示すグラフ、図３は本発明の他の実施の形態である圧電共振器を示す断面図、図４はＳｉＯ２膜の厚さとＴＣＦとの関係を示すグラフ、図５はＳｉＯ２の規格化膜厚に対するＡｌＮの規格化膜厚の上限を示すグラフ、図６はＡｌＮの規格化膜厚とインピーダンス比との関係をＳｉＯ２の規格化膜厚について示すグラフ、図７は図３は本発明の他の実施の形態である圧電共振器を示す断面図、図８は本実施の形態の圧電共振器であるデバイスが実装基板に搭載された状態を示す断面図である。
【００３６】
図１に示す圧電共振器はＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型圧電共振器と呼ばれるもので、シリコンやガラスからなる基板１１の片面に、音響インピーダンスが低い薄膜と高い薄膜、たとえばＳｉＯ２膜２６ａとＡｌＮ膜２６ｂとが交互に積層されてなる反射膜２６が形成され、反射膜２６上に、ＡｌＮやＺｎＯなどからなる圧電膜２３を挟んで下部電極（第１の電極膜）２４と上部電極（第２の電極膜）２５とが積層形成されている。なお、反射膜２６は形成されていなくてもよく、この場合には基板１１上に直接下部電極２４が形成される。
【００３７】
上部電極２５の上には、所定の音響インピーダンスを有する薄膜であるＳｉＯ２膜（第１の音響膜）２８ａと、このＳｉＯ２膜２８ａよりも高い音響インピーダンスを有する薄膜であるＡｌＮ膜（第２の音響膜）２８ｂとが積層形成された構造を有し、後述するバルク波を反射する音響多層反射膜２８が形成されている。そして、上部電極２５には音響インピーダンスの低いＳｉＯ２膜２８ａが接している。
【００３８】
ここで、圧電膜２３の厚さの２倍を１波長（λ）とし、圧電膜２３中の音速ｖ０で決まる周波数（ｆ＝ｖ０／λ）としたとき、ＳｉＯ２膜２８ａおよびＡｌＮ膜２８ｂの厚さは、それぞれの膜中を伝搬する音波の波長λの１／４にほぼ等しく、つまり当該圧電共振器の共振周波数付近において、それぞれの膜を伝搬する音波の波長λの１／４となるよう設定されている。すなわち、ＳｉＯ２膜２８ａ中およびＡｌＮ膜２８ｂ中の音速をそれぞれｖ１，ｖ２とすると、厚みはそれぞれ、ｈ１＝１／４×ｖ１／ｆ、ｈ２＝１／４×ｖ２／ｆとなっている。本実施の形態では、ＳｉＯ２膜２８ａの膜厚が０．７８２μｍ、ＡｌＮ膜２８ｂの膜厚が１．４８μｍである。
【００３９】
なお、本実施の形態においては音響多層反射膜２８は２層であるが、３層以上にわたって交互に形成されていればよい。よって、上部電極２５にはＳｉＯ２膜２８ａが接することから、その反対側には、層数が偶数であればＡｌＮ膜２８ｂが、奇数であればＳｉＯ２膜２８ａが位置することになる。膜厚についても異なる層のＳｉＯ２膜２８ａあるいはＡｌＮ膜２８ｂは一定である必要はなく、たとえば上部電極２５に接するＳｉＯ２膜２８ａを０．５μｍとし、それ以外のＳｉＯ２膜２８ａを０．７８２μｍとしてもよい。
【００４０】
また、音響インピーダンスが異なる２種類の薄膜が交互に積層され、上部電極２５には音響インピーダンスの低い方の薄膜が接している限り、音響多層反射膜２８を構成する薄膜はＳｉＯ２膜２８ａとＡｌＮ膜２８ｂとに限定されるものではない。例えば、ＡｌＮ膜に換えてＺｎＯ膜を用いることができる。
【００４１】
さらに、音響多層反射膜２８およびこれを構成するＳｉＯ２膜２８ａおよびＡｌＮ膜２８ｂの厚さは前述した数値に限定されるものではなく、自由に設定することができる。
【００４２】
このような圧電共振器において、下部電極２４と上部電極２５とに交流電圧を印可すると、圧電効果により圧電膜２３の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号が得られる。
【００４３】
図１に示す本実施の形態の圧電共振器におけるインピーダンス特性を図２に示す。図２において、符号Ｃが本願の圧電共振器のインピーダンス特性、符号Ａが音響多層反射膜のない圧電共振器のインピーダンス特性である。
【００４４】
本実施の形態の圧電共振器においては、上部電極２５上にバルク波を反射する音響多層反射膜２８が形成されており、これが圧電膜２３を自由振動状態に近づけるとともに圧電共振器の温度特性を改善する温度補償膜として機能する。したがって、図２に示すように、本願の圧電共振器のインピーダンス特性Ｃは、音響多層反射膜のない圧電共振器のインピーダンス特性Ａと比べて、共振周波数は殆どシフトしておらずほぼ同等であり、また厚い音響多層反射膜２８が形成されているにもかかわらずＱ値の劣化も少ない。なお、音響多層反射膜２８の温度補償機能については後述する。
【００４５】
また、従来の技術で説明したようなＳｉＯ２膜のみを付加した場合には共振周波数が低下するため、電極膜厚を薄くするなどして周波数低下を補償しなければならないが、本実施の形態のような音響多層反射膜２８を用いると、膜のない状態での共振周波数とほぼ一致するので、周波数低下に対する補償が必要ない。
【００４６】
さらに、最表面となるＡｌＮ膜２８ｂやＳｉＯ２膜２８ａは膜厚に対する周波数感度が小さいため、膜厚の制御による周波数調整が容易になる。
【００４７】
なお、上部電極２５上に形成される音響多層反射膜２８の層数を適切に設定し、その上に、図３に示すように、さらに下部電極（第３の電極膜）２９、圧電膜３０、上部電極（第４の電極膜）３１を順次積層して共振器を形成すれば、相互に音響的に切り離された、あるいは音響的に結合した小型の２つの共振器を得ることができる。
【００４８】
ここで、音響多層反射膜２８の温度補償機能について説明する。圧電体の殆どはＴＣＦ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：周波数温度係数）＜０であり、たとえば本実施の形態で用いられているＺｎＯではおよそ−４０ｐｐｍ／℃である。そして、図４に示すように、ＴＣＦはＳｉＯ２膜を厚くするとプラス側に変化するので、所定の厚みでＴＣＦがゼロになり、さらに厚くすると正になる。
【００４９】
そして、本実施の形態のようにＳｉＯ２膜を０．７８２μｍ、ＡｌＮ膜を１．４８μｍ（波長で規格化すると、いずれも０．２５λの厚さ）とした２層の音響多層反射膜２８を形成した場合の温度特性は、図４において、音響多層反射膜がない場合（ＳｉＯ２厚さがゼロの場合）のＴＣＦが−４０ｐｐｍ／℃であったのに対して、ＳｉＯ２の厚さを０．２５λとした音響多層反射膜２８を形成した場合のＴＣＦは−１７ｐｐｍ／℃となり、２３ｐｐｍ／℃も改善している。
【００５０】
ここで、ＳｉＯ２膜２８ａおよびＡｌＮ膜２８ｂの厚さは０．２５λに限定されるものではなく、適当に選択すればよい。たとえば、ＳｉＯ２膜２８ａを０．５μｍとしても、同様の効果が得られる。この場合は、共振周波数が高くなるが（従来に比べて周波数の変化量は少ない）、もう一方の反射膜ＡｌＮの厚みを増やす等により共振周波数を調整すればよい。
【００５１】
但し、ＳｉＯ２膜の膜厚を厚くすればＴＣＦはプラス側に変化し、ＡｌＮ膜の膜厚を厚くすればＴＣＦはマイナス側に変化するので、これらの一方あるいは両方の条件を推進すれば温度特性はさらに改善されることになる。なお、図４より、ＳｉＯ２膜の膜厚が０．１２５λ以上でＴＣＦの改善が著しいことから、少なくともＳｉＯ２膜の膜厚は０．１２５λ以上となっているのがよい。
【００５２】
音響多層反射膜２８がＳｉＯ２膜とＡｌＮ膜の２層構造におけるＳｉＯ２の規格化膜厚に対するＡｌＮの規格化膜厚の上限を図５に示す。ＳｉＯ２の膜厚およびＡｌＮの膜厚に応じて共振周波数が変化するが、このグラフは、あるＳｉＯ２の膜厚のときに、音響多層反射膜がない場合よりも共振周波数が大きくなるＡｌＮの膜厚の上限を示したもの、つまりＳｉＯ２膜厚に対する最適なＡｌＮ膜厚を示したものである。図５より、例えばＳｉＯ２の膜厚が０．１８λのときにはＡｌＮの膜厚は０．３９λ以下であることが好ましいことが分かる。
【００５３】
音響多層反射膜がない場合よりも共振周波数が大きくなることを条件としたのは、音響多層反射膜２８がない場合よりも共振周波数が下がると、上部電極２５に接しているＳｉＯ２膜２８ａに振動エネルギーが漏れるために共振抵抗が劣化し、特性が悪化するからである。また、周波数低下分を補償するために電極や圧電体の膜厚を薄くする必要が生じ好ましくない。逆に、共振周波数が増加した場合は電極の厚みを薄くすればよいため、電極抵抗を削減できるからである。
【００５４】
そして、ＳｉＯ２膜をより厚くしＡｌＮ膜をより薄くすれば温度特性はさらに改善されることは既に述べたが、この図５より、ＳｉＯ２膜の厚みが厚くなればなるほど、音響多層反射膜がない場合よりも共振周波数が大きくなるＡｌＮの厚みが非常に薄くなって反射膜としての機能が減殺されてしまうことが分かる。
【００５５】
ここで、図６において、ＡｌＮの規格化膜厚とインピーダンス比との関係をＳｉＯ２の規格化膜厚について示す。
【００５６】
図６より、ＳｉＯ２膜を０．１８λ〜０．２２５λとし、且つＡｌＮ膜を０．０５λ〜０．２２５λにすることにより、温度特性の改善とＱ値の劣化抑制をバランスよく両立できることが分かる。なお、温度特性は、ＳｉＯ２膜とＡｌＮ膜の規格化膜厚が等しいとき、例えばＳｉＯ２膜およびＡｌＮ膜がともに０．２２λあるいは０．２λでは膜厚比が１：１と同じになることからＳｉＯ２膜およびＡｌＮ膜がともに０．２５λと同等の温度特性が得られるものと考えられ、またＱ特性が良い領域となる。
【００５７】
また、この図６より、ＳｉＯ２膜を０．２７５λ〜０．３４λとし、ＡｌＮ膜を０．０５λ〜０．２２５λとすることにより、インピーダンス比はやや劣化するものの、ＳｉＯ２膜の膜厚を厚くすることにより前述したＳｉＯ２膜の温度補償機能がより発揮されることから、特に温度特性が改善されることが分かる。
【００５８】
そして、図６より、ＳｉＯ２膜を０．１８λ〜０．２２５λとし、ＡｌＮ膜０．２７５λ〜０．３５λとすることにより、ＳｉＯ２膜の膜厚が薄くなって温度補償機能がやや劣化するものの、インピーダンス比が向上して特にＱ値の劣化が抑制されることが分かる。
【００５９】
なお、音響多層反射膜の層数を増やす場合も、共振周波数を、音響多層反射膜がない場合の共振周波数より高くなるように各層の膜厚を設定すればよい。例えばＳｉＯ２膜（１）／ＡｌＮ膜／ＳｉＯ２膜（２）と３層形成する場合には、ＳｉＯ２膜（２）の厚みを０．２７５λ以上とし、共振周波数が音響多層反射膜がない場合のそれよりも高くなるようにすることが望ましい。
【００６０】
以上の説明においては、本発明をＳＭＲ型の圧電共振器に適用した場合について説明したが、本発明はダイヤフラム型の圧電共振器に適用することもできる。
【００６１】
ここで、ダイヤフラム型の圧電共振器の構成を図７に示す。
【００６２】
図７において、たとえばＳｉＯ２膜（酸化膜）などの保護層２２が両面に形成されたシリコンやガラスからなる基板１１の片面に、ＡｌＮやＺｎＯなどからなる圧電膜２３を挟んで下部電極（第１の電極膜）２４と上部電極（第２の電極膜）２５とが積層形成されている。下部電極２４と上部電極２５とが積層方向にオーバーラップした部分は、バルク波が伝搬しやすくするために、エッチング等の手法により基板１１が切り欠かれている。そして、上部電極２５上に、前述したようなＳｉＯ２膜（第１の音響膜）２８ａとＡｌＮ膜（第２の音響膜）２８ｂとが積層形成された音響多層反射膜２８が形成されているものである。
【００６３】
また、以上に説明した圧電共振器を備えたフィルタを構成することができる。さらに、このような圧電共振器やフィルタを実装基板に搭載した電子部品を得ることができる。この場合において、上部電極上に音響多層反射膜が形成されているために圧電共振器やフィルタといったデバイスの表面が何らかの部材と接触していても動作特性には大きな影響はない。そこで、図８に示すように、デバイス１２をたとえばバンプ１３を介してフェイスダウンで実装基板１４に固定し、樹脂１５により封止することにより、実装基板１４とデバイス１２との間にも樹脂１５を充填して機械的な接合強度を向上させることができる。
【００６４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば以下の効果を奏することができる。
【００６５】
第２の電極膜上に形成された音響多層反射膜が圧電膜を自由振動状態に近づけるとともに温度補償膜として機能するので、温度特性を改善しつつＱ値の劣化を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である圧電共振器を示す断面図である。
【図２】図１の圧電共振器におけるインピーダンス特性を音響多層反射膜のない圧電共振器のインピーダンス特性とともに示すグラフである。
【図３】本発明の他の実施の形態である圧電共振器を示す断面図である。
【図４】ＳｉＯ２膜の厚さとＴＣＦとの関係を示すグラフである。
【図５】ＳｉＯ２の規格化膜厚に対するＡｌＮの規格化膜厚の上限を示すグラフである。
【図６】ＡｌＮの規格化膜厚とインピーダンス比との関係をＳｉＯ２の規格化膜厚について示すグラフである。
【図７】図３は本発明の他の実施の形態である圧電共振器を示す断面図である。
【図８】本実施の形態の圧電共振器であるデバイスが実装基板に搭載された状態を示す断面図である。
【図９】従来の圧電共振器の一例を示す断面図である。
【図１０】図９の圧電共振器におけるインピーダンス特性を音響多層反射膜のない圧電共振器のインピーダンス特性とともに示すグラフである。
【符号の説明】
１１  基板
１２  デバイス
１３  バンプ
１４  実装基板
１５  樹脂
２２  保護層
２３  圧電膜
２４  下部電極（第１の電極膜）
２５  上部電極（第２の電極膜）
２６  反射膜
２６ａ  ＳｉＯ２膜
２６ｂ  ＡｌＮ膜
２７  誘電体膜
２８  音響多層反射膜
２８ａ  ＳｉＯ２膜（第１の音響膜）
２８ｂ  ＡｌＮ膜（第２の音響膜）
２９  下部電極（第３の電極膜）
３０  圧電膜
３１  上部電極（第４の電極膜）
【図１】
2005051447.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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