(57)【要約】【課題】コストの増大を招くことなく信頼性及び耐久性に優れた表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】表示部を駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子は、表面に段差部を有する第１電極層２０２と、第１電極層２０２の段差部ＳＴを覆う絶縁層２１４と、絶縁層２１４上に配置され絶縁層２１４から露出した第１電極層２０２と電気的に接続される第２電極層２０３と、を備えたことを特徴とする。【選択図】    図３
2005010503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素を有する表示部と、前記表示部を駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子と、を備えた表示装置であって、
前記外部接続端子は、
表面に段差部を有する第１電極層と、
前記第１電極層の段差部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、前記絶縁層から露出した前記第１電極層と電気的に接続される第２電極層と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
一対の基板間に液晶層を保持して構成され、マトリクス状に配置された複数の画素を有する表示部と、前記表示部を駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子と、を備えた表示装置であって、
前記表示部は、
各画素の行方向に延在された複数の走査線と、
各画素の列方向に延在された複数の信号線と、
各画素の前記走査線と前記信号線との交差部にそれぞれ配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を介して前記信号線に接続された画素電極と、
前記液晶層を介して前記画素電極に対向して配置された対向電極と、を備え、
外部接続端子は、
前記信号線と同一材料で形成され、表面に段差部を有する第１電極層と、
前記第１電極層の段差部を覆う絶縁層と、
前記画素電極と同一材料で形成されるとともに前記絶縁層上に配置され、前記絶縁層から露出した前記第１電極層と電気的に接続される第２電極層と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記第１電極層は、モリブデン（Ｍｏ）を含む２つのモリブデン層の間にアルミニウム（Ａｌ）を含むアルミニウム層を有する少なくとも３層の積層構造で構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極層は、単層構造であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は、外光を反射して画像を表示する反射画素電極と、バックライト光を透過して画像を表示する透過画素電極とを有し、
前記第２電極層は、反射画素電極と同一材料で形成された第１金属層と、透過画素電極と同一材料で形成された第２金属層との少なくとも２層の積層構造で構成されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に係り、特に、一画素内に外光を反射することによって画像を表示する反射部とバックライト光を透過することによって画像を表示する透過部とを有する半透過型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄型、軽量かつ低消費電力であることから、ＯＡ機器や携帯型情報端末等のディスプレイとして広く使用されている。特に、画素毎にスイッチング素子を配置したアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、表示特性が優れているため、表示デバイスの主流になりつつあり、また研究開発も盛んに行われている。
【０００３】
この種の液晶表示装置では、画素を駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子が設けられている。この外部接続端子は、アレイ基板上に走査線、信号線、スイッチング素子、画素電極などを形成する際に、それらと同一材料で形成される。すなわち、外部接続端子としては複数の材料を積層した構造が用いられている。
【０００４】
このような外部接続端子は、外部との電気的な導通を得るため、その表面を保護膜で被覆することができない。このため、腐食が発生しやすく、端子の断線などの接続不良が生じやすい。上述した複数の材料を積層した構造をもつ外部接続端子は、単層構造のものより腐食に強いが、電極形成のプロセス中に膜のピンホール及び割れ等が発生した場合、パターニング工程に使用する現像液、エッチング液及びレジスト剥離液に浸食され、腐食が発生することがある。
【０００５】
特に、信号線がモリブデン（Ｍｏ）を含む２つのモリブデン層の間にアルミニウム（Ａｌ）を含むアルミニウム層を有する３層の積層構造で構成された場合、外部接続端子における信号線と同層の電極層もモリブデン層／アルミニウム層／モリブデン層の積層構造で構成される。
【０００６】
このような電極層をコンタクトホールなどの段差部分に配置すると、表面のモリブデン層がカバレッジ不足となって内部のアルミニウム層を露出してしまうことがある。アルミニウム層を露出した状態では、後のパターニング工程に使用する現像液、エッチング液及びレジスト剥離液などによって浸食され、腐食の発生に繋がる。
【０００７】
これに対して、モリブデン−タンタル合金膜と純モリブデン膜との２層構造の配線を採用し、タンタル含有率を少なくとも９０原子％以上とすることで腐食耐性を向上する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、タンタルは、希少金属であり、高価であることからコストの増大を招くといった課題を生ずる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−０８１６３３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、コストの増大を招くことなく信頼性及び耐久性に優れた表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明の第１の様態による表示装置は、
マトリクス状に配置された複数の画素を有する表示部と、前記表示部を駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子と、を備えた表示装置であって、
前記外部接続端子は、
表面に段差部を有する第１電極層と、
前記第１電極層の段差部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、前記絶縁層から露出した前記第１電極層と電気的に接続される第２電極層と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
この発明の第２の様態による表示装置は、
一対の基板間に液晶層を保持して構成され、マトリクス状に配置された複数の画素を有する表示部と、前記表示部を駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子と、を備えた表示装置であって、
前記表示部は、
各画素の行方向に延在された複数の走査線と、
各画素の列方向に延在された複数の信号線と、
各画素の前記走査線と前記信号線との交差部にそれぞれ配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を介して前記信号線に接続された画素電極と、
前記液晶層を介して前記画素電極に対向して配置された対向電極と、を備え、
外部接続端子は、
前記信号線と同一材料で形成され、表面に段差部を有する第１電極層と、
前記第１電極層の段差部を覆う絶縁層と、
前記画素電極と同一材料で形成されるとともに前記絶縁層上に配置され、前記絶縁層から露出した前記第１電極層と電気的に接続される第２電極層と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、一画素内に外光を反射することによって画像を表示する反射部とバックライト光を透過することによって画像を表示する透過部とを有する半透過型液晶表示装置を例に説明する。
【００１３】
図１及び図２に示すように、液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。
【００１４】
また、この液晶表示装置は、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱを保持する面とは反対の外面に設けられた第１偏光制御素子ＰＯＬ１、及び、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱを保持する面とは反対の外面に設けられた第２偏光制御素子ＰＯＬ２を備えている。さらに、この液晶表示装置は、第１偏光制御素子ＰＯＬ１側から液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライトユニットＢＬを備えている。
【００１５】
このような液晶表示装置は、画像を表示する表示部ＤＳＰにおいて、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。各画素ＰＸは、外光を反射することによって画像を表示（反射表示）する反射部ＰＲと、バックライトユニットＢＬからのバックライト光を透過することによって画像を表示（透過表示）する透過部ＰＴと、を有している。
【００１６】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性絶縁基板１０を用いて形成される。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示部ＤＳＰにおいて、各画素ＰＸの行に沿ってそれぞれ延在されたｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、各画素ＰＸの列に沿って延在されたｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各々対応走査線Ｙ及び対応信号線Ｘの交差位置近傍において画素毎にそれぞれ配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子すなわち薄膜トランジスタＷ、画素毎に配置され薄膜トランジスタＷを介して対応信号線Ｘに接続されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、液晶容量ＣＬＣと並列に各々補助容量ＣＳを構成するよう対応行の画素電極ＥＰに容量結合してｎ本の走査線Ｙと略平行に形成された補助容量線ＡＹなどを備えている。
【００１７】
各薄膜トランジスタＷは、Ｎチャネル薄膜トランジスタであり、絶縁基板１０上に配置されたポリシリコン半導体層１２を備えている。ポリシリコン半導体層１２は、チャネル領域１２Ｃを挟んだ両側にそれぞれソース領域１２Ｓ及びドレイン領域１２Ｄを有している。このポリシリコン半導体層１２は、ゲート絶縁膜１４によって覆われている。
【００１８】
薄膜トランジスタＷのゲート電極ＷＧは、１本の走査線Ｙに接続され、走査線Ｙ及び補助容量線ＡＹとともにゲート絶縁膜１４上に形成されている。これらゲート電極ＷＧ、走査線Ｙ、及び補助容量線ＡＹは、層間絶縁膜１６によって覆われている。
【００１９】
薄膜トランジスタＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、層間絶縁膜１６上においてゲート電極ＷＧの両側に配置されている。ソース電極ＷＳは、１個の画素電極ＥＰに接続されるとともに、ポリシリコン半導体層１２のソース領域１２Ｓにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、１本の信号線Ｘに接続されるとともに、ポリシリコン半導体層１２のドレイン領域１２Ｄにコンタクトしている。これらソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤ、及び信号線Ｘは、有機絶縁膜１８によって覆われている。
【００２０】
画素電極ＥＰは、反射部ＰＲに対応して設けられた反射画素電極ＥＰＲ及び透過部ＰＴに対応して設けられた透過画素電極ＥＰＴを有している。反射画素電極ＥＰＲは、所定膜厚のバンプとして機能する有機絶縁膜１８上に配置され、ソース電極ＷＳと電気的に接続されている。透過画素電極ＥＰＴは、反射画素電極ＥＰＲと電気的に接続されており、反射画素電極ＥＰＲを介してソース電極ＷＳと電気的に接続されている。
【００２１】
反射画素電極ＥＰＲは、アルミニウムなどの光反射性を有する金属材料によって形成される。透過画素電極ＥＰＴは、層間絶縁膜１６上に配置され、反射画素電極ＥＰＲと電気的に接続されている。透過画素電極ＥＰＴは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する金属材料によって形成される。すべての画素ＰＸに対応した画素電極ＥＰは、配向膜２０によって覆われている。
【００２２】
走査線ドライバＹＤは、シフトレジスタやバッファ回路などによって構成され、アレイ基板ＡＲ上に配置されている。この走査線ドライバＹＤは、ｎ本の走査線Ｙに接続され、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてそれぞれの走査線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。
【００２３】
信号線ドライバＸＤは、シフトレジスタ、レベルシフタ、アナログスイッチなどによって構成され、外部回路基板１００上に配置されている。この信号線ドライバＸＤは、ｍ本の信号線Ｘに接続され、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行の薄膜トランジスタＷが走査信号によってオンする毎にそれぞれの信号線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応する薄膜トランジスタＷを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００２４】
アレイ基板ＡＲ及び外部回路基板１００は、フレキシブル配線基板１１０を介して接続されている。すなわち、アレイ基板ＡＲは、その一辺に表示部ＤＳＰを駆動するための信号を外部から入力するための外部接続端子Ｔを備えている。この外部接続端子Ｔは、アレイ基板ＡＲ上に形成される表示部ＤＳＰ、走査線ドライバＹＤなどと同一材料にて同時に形成される。フレキシブル配線基板１１０は、外部接続端子Ｔに対応する接続パッドＰＤを備えている。接続パッドＰＤは、アレイ基板ＡＲの外部接続端子Ｔに対して異方性導電膜（ＡＣＦ）を介して接続されている。
【００２５】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性絶縁基板３０を用いて形成される。すなわち、この対向基板ＣＴは、表示部ＤＳＰにおいて、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素に配置されたカラーフィルタ３４、単一の対向電極ＥＴなどを備えている。
【００２６】
ブラックマトリクス３２は、アレイ基板ＡＲに設けられた走査線Ｙや信号線Ｘなどの配線部に対向するように配置されている。カラーフィルタ３４は、互いに異なる色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。
【００２７】
対向電極ＥＴは、すべての画素ＰＸに対応して画素電極ＥＰに対向するように配置されている。この対向電極ＥＴは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する金属材料によって形成されている。また、この対向電極ＥＴは、配向膜３６によって覆われている。
【００２８】
このような対向基板ＣＴと、上述したようなアレイ基板ＡＲとをそれぞれの配向膜２０及び３６を対向して配置したとき、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。すなわち、反射部ＰＲには、透過部ＰＴのほぼ半分程度のギャップが形成される。
【００２９】
液晶層ＬＱは、これらアレイ基板ＡＲの配向膜２０と対向基板ＣＴの配向膜３６との間に形成されたギャップに封入された液晶分子４０を含む液晶組成物で構成さていれる。
【００３０】
第１偏光制御素子ＰＯＬ１及び第２偏光制御素子ＰＯＬ２は、これらを通過する光の偏光状態を制御する。すなわち、第１偏光制御素子ＰＯＬ１は、これに入射したバックライト光の偏光状態を制御し、第１偏光制御素子ＰＯＬ１を通過した光すなわち液晶表示パネルＬＰＮに入射する直前の光の偏光状態を所定の円偏光に変換する。また、第２偏光制御素子ＰＯＬ２は、これに入射した外光の偏光状態を制御し、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過した光すなわち液晶表示パネルＬＰＮに入射する直前の光の偏光状態を所定の円偏光に変換する。これら第１偏光制御素子ＰＯＬ１及び第２偏光制御素子ＰＯＬ２は、偏光板や位相差板などで構成されている。
【００３１】
次に、表示モードがノーマリーホワイトモードの半透過型液晶表示装置による反射表示及び透過表示の動作について、図２を参照してより詳細に説明する。
【００３２】
液晶表示装置における反射部ＰＲは、液晶層ＬＱに電位差を生じさせていない状態すなわち電圧無印加時において、以下のように動作する。すなわち、対向基板ＣＴ側から入射した外光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過することにより例えば時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、対向基板ＣＴを介して液晶層ＬＱに入射する。この円偏光は、液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられた後に反射画素電極ＥＰＲに達する。反射画素電極ＥＰＲにより反射された反射光は、その時点でπの位相差が与えられ、再び液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられる。これにより、液晶層ＬＱを往復した円偏光は２πの位相差が与えられることになる。つまり、反射部ＰＲによって反射された反射光は、時計回りの円偏光の偏光状態で対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過するため、カラーフィルタ３４の色に即した単色の明表示を行う。
【００３３】
一方、液晶層ＬＱに電位差を生じさせた状態すなわち電圧印加時において、反射部ＰＲは、以下のように動作する。すなわち、電圧無印加時と同様に、対向基板ＣＴ側から入射した外光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過することにより例えば時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、対向基板ＣＴを介して液晶層ＬＱに入射する。
【００３４】
この円偏光は、液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられた後に反射画素電極ＥＰＲによって反射され、再び液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられる。この円偏光は、例えば電圧印加時の液晶層の残留リタデーションが０の場合には、液晶層ＬＱを通過する際に位相差の影響を受けないので、そのままの偏光状態で反射画素電極ＥＰＲに達する。反射画素電極ＥＰＲにより反射された反射光は、前述と同様にその時点でπの位相差が与えられ、再び液晶層ＬＱを通過するが、位相差の影響を受けないので、液晶層ＬＱを往復した円偏光はπの位相差が与えられることになる。つまり、反射部ＰＲによって反射された反射光は、反時計回りの円偏光の偏光状態に変換されて対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過しない。このため、暗表示、すなわち黒表示を行う。
【００３５】
このように、反射部ＰＲでは、外光を選択的に反射することによって画像を表示する。
【００３６】
液晶表示装置における透過部ＰＴは、電圧無印加時において、以下のように動作する。すなわち、バックライトユニットＢＬから出射されたバックライト光は、第１偏光制御素子ＰＯＬ１を通過することにより例えば反時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、アレイ基板ＡＲを介して液晶層ＬＱに入射する。この円偏光は、反射部ＰＲの約２倍のギャップの透過部ＰＴにおいて液晶層ＬＱを通過する際にπの位相差が与えられる。つまり、透過部ＰＴを透過した透過光は、時計回りの円偏光の偏光状態で対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過するため、カラーフィルタ３４の色に即した単色の明表示を行う。
【００３７】
一方、電圧印加時において、透過部ＰＴは、以下のように動作する。すなわち、電圧無印加時と同様に、アレイ基板ＡＲ側から入射したバックライト光は、第１偏光制御素子ＰＯＬ１を通過することにより例えば反時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、アレイ基板ＡＲを介して液晶層ＬＱに入射する。この円偏光は、例えば電圧印加時の液晶層の残留リタデーションが０の場合には、液晶層ＬＱを通過する際に位相差の影響を受けないので、そのままの偏光状態で対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過しない。このため、暗表示、すなわち黒表示を行う。
【００３８】
このように、透過部ＰＴでは、バックライト光を選択的に透過することによって画像を表示する。
【００３９】
次に、上述したマルチギャップ構造を有する半透過型液晶表示装置の外部接続端子の構造についてより詳細に説明する。
【００４０】
図３に示すように、外部接続端子Ｔは、走査電極層２０１、信号電極層（第１電極層）２０２、及び、画素電極層（第２電極層）２０３を少なくとも積層した構造を有している。
【００４１】
走査電極層２０１は、走査線Ｙと同一材料により同時に形成される。走査線Ｙ及び走査電極層２０１は、例えばモリブデン−タングステンにより形成されている。この走査電極層２０１は、ゲート絶縁膜１４と同一材料、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）で形成された第１絶縁層２１１上に島状に配置されている。
【００４２】
第１絶縁層２１１及び走査電極層２０１の一部は、層間絶縁膜１６と同一材料、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）で形成された第２絶縁層２１２によって覆われている。この第２絶縁層２１２は、走査電極層２０１を部分的に露出するコンタクトホール２１２Ｈを有している。
【００４３】
信号電極層２０２は、信号線Ｘと同一材料により同時に形成される。信号線Ｘ及び信号電極層２０２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）を含む２つのモリブデン層の間にアルミニウム（Ａｌ）を含むアルミニウム層を有する少なくとも３層の積層構造（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）で構成されている。
【００４４】
信号電極層２０２は、その表面に段差部を有している。すなわち、信号電極層２０２は、第２絶縁層２１２の一部に重なって配置されるとともに第２絶縁層２１２のコンタクトホール２１２Ｈを介して露出した走査電極層２０１にコンタクトし、走査電極層２０１と電気的に接続されている。
【００４５】
このため、信号電極層２０２は、実質的に、コンタクトホール２１２Ｈの高さ分、あるいは、第２絶縁層２１２の厚さ分の段差部ＳＴを有することになる。このとき、信号線電極層２０２の最も表層に配置されるモリブデン層は、段差部ＳＴで下層のアルミニウム層を十分に覆うことができず、カバレッジ不足を生じやすい。
【００４６】
第２絶縁層２１２及び信号電極層２０２の一部は、有機絶縁膜１８と同一材料、例えばＳｉＮｘ（窒化シリコン）で形成された第３絶縁層２１３によって覆われている。この第３絶縁層２１３は、信号電極層２０２を部分的に露出するコンタクトホール２１３Ｈを有している。このコンタクトホール２１３Ｈは、例えばコンタクトホール２１２Ｈより大きな孔径で形成される。
【００４７】
第３絶縁層２１３及び信号電極層２０２の一部は、第４絶縁層（ＨＲＣ；ハード・レジン・コート）２１４によって覆われている。この第４絶縁層２１４は、信号電極層２０２を部分的に露出するコンタクトホール２１４Ｈを有している。また、この第４絶縁層２１４は、信号電極層２０２の段差部ＳＴを覆うように形成されている。つまり、コンタクトホール２１４Ｈは、段差部ＳＴの形成要因となるコンタクトホール２１２Ｈより小さな孔径で形成される。
【００４８】
このため、信号線電極層２０２の段差部ＳＴにおいて、最も表層に配置されるモリブデン層でカバレッジ不足を生じた場合であっても、段差部ＳＴが十分な厚さの第４絶縁層２１４によって覆われることになり、下層のアルミニウム層の露出を防止することができる。
【００４９】
画素電極層２０３は、画素電極ＥＰと同一材料により同時に形成される。画素電極ＥＰ及び画素電極層２０３は、例えば透過画素電極ＥＰＴと同一材料のＩＴＯによって形成された単層構造で構成されている。この画素電極層２０３は、第４絶縁層２１４上に配置されるとともに第４絶縁層２１４のコンタクトホール２１４Ｈを介して露出した信号電極層２０２にコンタクトし、走査電極層２０２と電気的に接続されている。
【００５０】
このような構造の外部接続端子Ｔは、異方性導電膜ＡＣＦを介してフレキシブル配線基板１１０の接続パッドＰＤに接続される。
【００５１】
上述した構成の外部接続端子Ｔによれば、コンタクトホール２１２Ｈに形成された電極層２０２が複数の金属層からなる積層構造で構成された場合、コンタクトホール２１Ｈに対応した段差部ＳＴが形成されるため、電極層２０２の表面層が下層を覆いにくくなるが、電極層２０２の上層に段差部ＳＴを覆う絶縁層２１４を配置したことにより、電極層２０２のカバレッジ不良を補償することが可能となる。
【００５２】
したがって、電極層２０２は、絶縁層２１４の形成過程以降において、反射画素電極１９などをパターニングする際の現像液、エッチング液及びレジスト剥離液の浸食を受けることがなく、腐食が発生しにくくなる。このため、外部接続端子Ｔの腐食による断線などの接続不良の発生を防止することができ、信頼性及び耐久性に優れた表示装置を提供することができる。
【００５３】
なお、図３に示した例では、画素電極層２０３は、透過画素電極ＥＰＴと同一材料のＩＴＯによって形成したが、反射画素電極ＥＰＲと同一のアルミニウムによって形成された単層構造で構成しても良い。
また、図４に示すように、画素電極層２０３は、反射画素電極ＥＰＲと同一材料（アルミニウム）で形成された第１金属層２０３Ｒと、透過画素電極ＥＰＴと同一材料（ＩＴＯ）で形成された第２金属層２０３Ｔとの少なくとも２層の積層構造で構成してもよい。
画素電極層２０３をこれらの構造とした場合であっても上述した実施の形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００５４】
以上説明したように、この実施の形態における表示装置によれば、外部接続端子の電極層として、モリブデン（Ｍｏ）を含む２つのモリブデン層の間に比較的安価なアルミニウム（Ａｌ）を含むアルミニウム層を有する積層構造（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を採用し、しかも、この電極層の表面に形成された段差部を絶縁層で覆ったことにより、外部接続端子における腐食耐性を向上することができる。このため、外部接続端子での接続不良の発生を防止することが可能となる。これにより、コストの増大を招くことなく信頼性及び耐久性を向上することが可能となる。
【００５５】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５６】
上述した実施形態では、この発明の表示装置として半透過型液晶表示装置を例に説明したが、反射型液晶表示装置や透過型液晶表示装置の外部端子構造にも適用可能であり、特に、表示モードは限定されず、ホモジニアスモード、ＴＮ（ツイステッド  ネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパー  ツイステッド  ネマティック）モード、ＧＨ（ゲスト−ホスト）モード、ＥＣＢ（電界制御複屈折）モード、強誘電性液晶などで適用可能である。
【００５７】
また、この発明の表示装置は、他の表示装置、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの外部接続端子構造にも適用可能であることは言うまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、コストの増大を招くことなく信頼性及び耐久性に優れた表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、この発明の一実施形態に係る外部接続端子の構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、この発明の一実施形態に係る外部接続端子の他の構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＰＴ…透過部、ＰＲ…反射部、ＰＯＬ１…第１偏光制御素子、ＰＯＬ２…第２偏光制御素子、ＢＬ…バックライトユニット、ＰＸ…画素、１８…有機絶縁膜（バンプ）、ＥＰ…画素電極、ＥＰＲ…反射画素電極、ＥＰＴ…透過画素電極、Ｔ…外部接続端子、ＳＴ…段差部、ＡＣＦ…異方性導電膜、ＰＤ…接続パッド、１１０…フレキシブル配線基板、２０１…走査電極層、２０２…信号電極層、２０３…画素電極層、２１１…第１絶縁層、２１２…第２絶縁層、２１３…第３絶縁層、２１４…第４絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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