(57)【要約】【課題】薄膜基板に接続する金属板による様々な電気的影響を減らし、更に伝送特性を上げた高周波パッケージ実装済基板を提供する。【解決手段】高周波パッケージ用サブストレートが薄膜基板であり、その薄膜基板の反りを防ぎ実装を容易にする為の金属板を薄膜基板の下面に設け、その金属板は、薄膜基板のグランドに接続され、更に薄膜基板を実装する基板のグランドにも接続され、金属板と薄膜基板の接続が、ソルダーレジストを用いた事を特徴とする。【選択図】無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波パッケージ用サブストレートが薄膜基板であり、その薄膜基板の反りを防ぎ実装を容易にする為の金属板を薄膜基板の下面に設け、その金属板は、薄膜基板のグランドに接続され、更に薄膜基板を実装する基板のグランドにも接続された事を特徴とする高周波パッケージ実装済基板。
【請求項２】
金属板と薄膜基板の接続が、ソルダーレジストを用いたことを特徴とする請求項１に記載の高周波パッケージ実装済基板。
【請求項３】
信号の接続部と金属板とが特性インピーダンスマッチングした事を特徴とする請求項１または２記載の高周波パッケージ実装済基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波伝送に優れたＩＣパッケージの実装済基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波パッケージ用薄膜基板に付ける金属板は、基板の反りを防止し実装を容易にするために設け、薄膜基板の上面に、ＩＣチップを実装する場所をくりぬいた形で貼り付けている。薄膜基板である為、高周波伝送になるほど薄膜基板内の線路と薄膜基板の上面に配置された金属板が電気的に結合する。この結合により、薄膜基板内を伝送する高周波パスルに歪みが生じる。また、高周波パルスの歪みだけでなく、電気的結合により金属板からの電磁放射も起こる。
【０００３】
また、例え薄膜基板内で歪み無く伝送された高周波パルスも薄膜基板を異なる基板に実装する接続部では、伝送形態が崩れる為に非常に大きな歪みを生じる。このように、薄膜基板に接続する金属板によって、様々な電気的影響が伝送特性に現われる。
【０００４】
以下に公知文献を示す。
【特許文献１】特開２００３−１５２１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明は、このような、薄膜基板に接続する金属板による様々な電気的影響を減らし、更に伝送特性を上げた高周波パッケージ実装済基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、係る課題に鑑みなされたものであり、請求項１に記載の発明は、高周波パッケージ用サブストレートが薄膜基板であり、その薄膜基板の反りを防ぎ実装を容易にする為の金属板を薄膜基板の下面に設け、その金属板は、薄膜基板のグランドに接続され、更に薄膜基板を実装する基板のグランドにも接続された事を特徴とする高周波パッケージ実装済基板としたものである。
【０００７】
ここで、金属板及び実装基板をグランドに接続することにより、金属板周辺の信号部分がノイズなどの外部信号が遮断され、様々な電気的影響を減らし伝達特性を向上できる。
【０００８】
本発明の請求項２の発明は、金属板と薄膜基板の接続が、ソルダーレジストを用いたことを特徴とする請求項１に記載の高周波パッケージ実装済基板としたものである。
【０００９】
ここで、比誘電率、誘電損失の少ないソルダーレジストで接続することにより、更に良好な高周波伝送が可能となる。ソルダーレジストとしてはエポキシ樹脂など公知の樹脂を用いることができる。
【００１０】
本発明の請求項３の発明は、信号の接続部と金属板とが特性インピーダンスマッチングした事を特徴とする請求項１または２記載の高周波パッケージ実装済基板としたものである。
【００１１】
ここで、信号の接続部と金属板とが特性インピーダンスマッチングした事により、確実に伝送特性を良好にでき、反射の少ない信号の伝達ができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上、本発明によれば、金属板をＧＮＤ接続する事によって、伝送特性に悪影響を与える金属板に伝送特性に良好な効果を与える事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の高周波パッケージ実装済基板の実施の形態例を断面で示した説明図である。薄膜基板２の片面（下側の面）に実装基板５と接続されるシグナルピンを中抜きされた金属板３が設けられ、他の片面には半だボールによりＩＣチップ１が接続されている。薄膜基板２内の線路を通じ、ＩＣチップ１とシグナルピンとが接続されている。また薄膜基板２は半だボールにより信号線や電源、ＧＮＤが実装基板５に接続されている。
【００１４】
図２は、シグナルピンを、図３は、グランドピンを拡大した図である。ここでは、半田ボールでの接続を例に取っているが、ピン等の他の接続方法も可能である。本発明では、薄型基板の下面に金属板３が接着剤６により付いている。この接着剤６は、ソルダーレジストの代わりとなっている。この金属板３は、基板５とサブストレート（薄膜基板）を実装する接続部のみ穴があいている。
【００１５】
図２のようにシグナルピンと金属板３はある距離を持って離れている。これは、この接続部での特性インピーダンスを線路の特性インピーダンスに合わせるためである。例えば、特性インピーダンスを５０［Ω］に合わせるとするなら、図２のような半田ボールの場合、直径が０．５［ｍｍ］であれば、ボールと金属板の間が空気とすると、ボールと金属板の距離は、０．３２５［ｍｍ］となる。ボールと金属板の間にε＝４．２の物質が充填されているとすると、その距離は、１．１３［ｍｍ］となる。図３は、グランドピンは、金属板と接続するような配置となる。
【００１６】
本願の高周波パッケージ実装済基板の製造方法の例を以下に示す。
【００１７】
まず、ＢＧＡ用の基板に、チップ実装面とは反対面にパッドをパターニングして形成する。
【００１８】
次に、その上にソルダーレジストを塗布し、パッド上のピン接続部のソルダーレジストを除去するパターニングを行う。
【００１９】
次に、チップを実装し、BGA基板を作成する。
【００２０】
次に、シグナルピンおよびＧＮＤピンの位置に相当する部分に穴を開けた金属板を用意する。シグナルピンが、金属板と接触しショートするのを避けるため、シグナルピンの配置場所に、金属板開けた穴の側面を、予め薄膜の絶縁物を設けたほうが好ましい。
【００２１】
次に、金属板を上記パターニングしたＢＧＡ基板の面上に、パッドと穴の中心位置が一致する様に貼りつける。
【００２２】
次に、穴にボールを入れる。
【００２３】
次に、上記ＢＧＡ基板に実装するＰＣＢ基板の面に、ピンに相当する部分にパッドをパターニングして形成する。
【００２４】
次に、ＰＣＢ基板の面にソルダーレジストを塗布し、パッド上のピン接続部のソルダーレジストを除去するパターニングを行う。
【００２５】
次に、ＰＣＢ基板を、パッドがボールに接続する様に前期のボールを入れたＢＧＡ基板に貼りつける。
【実施例】
【００２６】
薄膜基板に金属板を接着させる際、薄膜基板のＧＮＤピンと金属基板は接続される。また、薄膜基板のシグナルピンと金属基板の間隙は、特性インピーダンス５０［Ω］となるような間隙とする。ここでは、パット径：０．６［ｍｍ］、バンプ径：０．５［ｍｍ］とし、間隙を０．３２５［ｍｍ］とした。その後、薄膜基板を実装する。この時の電気特性を測定した結果が図４である。比較した一般的な金属板の配置の構造は、本発明の例と同様に、パット径：０．６［ｍｍ］、バンプ径：０．５［ｍｍ］とし、ボールと金属板の距離は０．３２５［ｍｍ］とした。図４は、S-Parameter表記のＳ１１である。Ｓ１１は、反射係数を表している。値が小さくなるほど、反射の割合が小さい事を表している。一般的な金属板の配置に比べると、本発明の配置の方が反射係数の低い帯域が広い事がわかる。この事より、本発明は、高周波領域において良好な特性を得ることができると言える。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の高周波パッケージ実装済基板の実施例を断面で示した説明図である。
【図２】本発明の高周波パッケージ実装済基板の実施例のシグナルピンを拡大して断面で示した説明図である。
【図３】本発明の高周波パッケージ実装済基板の実施例のグランドピンを拡大して断面で示した説明図である。
【図４】本発明の高周波パッケージ実装済基板の実施例の特性図である。
【符号の説明】
【００２８】
１：ＩＣチップ
２：薄膜基板
３：金属板
４：実装部分
５：実装基板
６：接着剤
【図１】
2005302864.tif 000002
【図２】
2005302864.tif 000003
【図３】
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【図４】
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