(57)【要約】【課題】絶縁テープ基材と半導体素子とを強固に実装する。【解決手段】有機絶縁テープ基材１のインナーリード５上に形成されたバンプ６と、チップ１１の電極パッド１２とが超音波熱圧着により接合されてなるチップオンフィルムパッケージの半導体装置において、チップ１１の四隅コーナー部にコーナー補強パッド１１を設けるとともに、コーナー補強パッド３１に対応して有機絶縁テープ基材２に補強バンプ３３を有するコーナー補強リード３２を設けておき、超音波熱圧着により、インナーリード５上のバンブ６と電極パット１２とを接合する同時に、コーナー補強パッド３１上の補強バンプ３３と補強リード３２とを接合する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機絶縁テープ基材のインナーリード上に形成されたバンプと、半導体素子の電極パッドとが超音波熱圧着により接合されてなるチップオンフィルムパッケージの半導体装置であって、
前記半導体素子の少なくとも四隅コーナー部に設けられた補強パッドと、前記補強パッドに対応して前記有機絶縁テープ基材に設けられて補強バンプを有する補強リードとを具備し、
前記超音波熱圧着により、前記インナーリード上のバンプと電極パットが接合される同時に、前記補強リード上の補強バンプと補強パッドとが接合されて形成された
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
補強パッドにのみ塗布された第１封止樹脂が、超音波熱圧着により硬化されて補強バンプと前記補強パッドとの接合部を封止するように構成された
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
テープ基材と半導体素子の間でバンプと電極パッドの接合部と、硬化された第１封止樹脂の周囲に、第２封止樹脂がアンダーフィル充填されて封止するように構成された
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
第１封止樹脂および第２封止樹脂がそれぞれ速硬化性の同一の樹脂で構成された
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
第１封止樹脂が速硬化性の樹脂で構成されるとともに、第２封止樹脂が前記第１封止樹脂と異なる材質の樹脂で構成された
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
補強パッドが、平面視Ｌ字形に形成された
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項７】
補強リードが半導体素子の両辺に対して傾斜角を持ってテープ基材に設けられた
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項８】
補強パッドとの接合部近傍で互いに連結された複数本の補強リードが設けられた
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項９】
超音波熱圧着により、有機絶縁テープ基材のインナーリード上に形成されたバンプと、半導体素子の電極パッドとを接合してチップオンフィルムパッケージの半導体装置を製造するに際し、
予め前記半導体素子の少なくとも四隅コーナー部に補強パッドを形成するとともに、前記補強パッドに対応して前記有機絶縁テープ基材に補強バンプを有する補強リードを形成しておき、
前記超音波熱圧着により、前記インナーリード上のバンプと半導体素子の電極パッドとを接合すると同時に、前記補強パッドと前記補強リード上の補強バンプとを接合する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
補強パッドにのみ第１封止樹脂を塗布して、超音波熱圧着により第１封止樹脂を硬化する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
超音波熱圧着後に、バンプおよび電極パッドの接合部周囲と、硬化された第１封止樹脂の周囲に、第２封止樹脂をアンダーフィル充填して封止した
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載した基板を有するパッケージにおいて、特に有機絶縁テープ基材の配線上のバンプと半導体素子上のパッドとを超音波熱圧着により一括接続を行うチップオンフィルムパッケージの半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のフレキシブルなテープ基材を利用したテープキャリアパッケージは、たとえば特許文献１に示すように、フラットパネルディスプレイの駆動用ドライバーパッケージとして主に使用されている。
【０００３】
たとえばフレキシブルな基材を使用したパッケージモジュールの一つとしてＣＯＦ（Chip  On  Film ）がある。これはたとえば図９に示すように、テープキャリアパッケージの有機絶縁テープ基材１は、ポリイミド基材２に引き回し配線３が形成され、引き回し配線３上で入出力の外部端子以外はソルダーレジスト４が塗布されてコートされている。また引き回し配線３から延びるインナーリード５上にバンプ６（バンプ付きリード配線）が形成されて構成されている。
【０００４】
上記ＣＯＦの製造は、液状の封止樹脂７をテープ基材１上に先に塗布し、半導体素子（以下、チップという）１１の電極パッド１２と有機絶縁テープ基材１のインナーリード５のバンプ６とを超音波熱圧着接続すると同時に、先塗りした液状の封止樹脂７を硬化させる方法により製造される。この時、ボンディングステージ２１は加熱されている。
【０００５】
上記液状の封止樹脂７を先塗りするＣＯＦの従来の製造方法について詳細を説明する。
図７（ｂ）に示すように、チップ１１上の電極パッド１２と、有機絶縁テープ基材１上に形成された引き回し配線３からのびるインナーリード５上のバンプ６を接続する部分に、塗布ノズル２２により液状の封止樹脂７を有機絶縁テープ基材１に先塗りする。
【０００６】
図７（ｃ）〜（ｅ）に示すように、塗布された封止樹脂７は広がり、さらに加熱されたボンディングステージ２１により有機絶縁テープ基材１上で拡がる。
チップ１１上の電極パッド１２と、有機絶縁テープ基材１上の引き回し配線３のバンプ６が位置合わせされた後、図７（ｆ）に示すように、チップ１１を吸着したボンディングツール２３により超音波熱圧着が行われ、チップ１１上の電極パッド１２と引き回し配線３上のバンプ６が接合される。加熱された超音波熱圧着ボンディングツール２３は、同時に液状の封止樹脂７を硬化させる。
【０００７】
電極パッド１２は主にＡｌで形成され、引き回し配線３あるいはインナーリード５は、ＣｕにＮｉ／Ａｕメッキで形成されており、バンプ６はＡｕメッキで形成され、超音波熱圧着により金属接合が行われる。チップ１１や引き回し配線３を外部力や湿気、汚染物などの悪い環境から電気的、物理的に保護するための封止樹脂７は、ボンディングツール２３の加熱により硬化されるが、硬化が不足の場合には、有機絶縁テープ基材１とチップ１１の接合後に本硬化が改めて行われる。
【特許文献１】特開平９−３２６４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来のＣＯＦでは、液状の封止樹脂７を先塗りして絶縁性テープ基材１の引き回し配線３からのびるインナーリード５に形成されたバンプ６とチップ１１上の電極パッド１２を、超音波熱圧着により一括して接続し実装するため、超音波熱圧着により多数の電極パッド１２を一括して接続しなければならず、バンプ６と電極パッド１２の接続強度が弱いという問題があった。また、先塗りする液状の封止樹脂７はボンディングツール２３に付着しない樹脂量を使用してバンプ６と電極パッド１２の接続強度を高める必要があった。
【０００９】
そこで本発明は、絶縁テープ基材と半導体素子とを強固に実装してバンプと電極パッドの接続強度を高めることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の発明は、有機絶縁テープ基材のインナーリード上に形成されたバンプと、半導体素子の電極パッドとが超音波熱圧着により接合されてなるチップオンフィルムパッケージの半導体装置であって、前記半導体素子の少なくとも四隅コーナー部に設けられた補強パッドと、前記補強パッドに対応して前記有機絶縁テープ基材に設けられて補強バンプを有する補強リードとを具備し、前記超音波熱圧着により、前記インナーリード上のバンプと電極パットが接合される同時に、前記補強リード上の補強バンプと補強パッドとが接合されて形成されたものである。
【００１１】
請求項２記載の発明は、補強パッドにのみ塗布された第１封止樹脂が、超音波熱圧着により硬化されて補強バンプと前記補強パッドとの接合部を封止するように構成されたものである。
【００１２】
請求項９記載の発明は、超音波熱圧着により、有機絶縁テープ基材のインナーリード上に形成されたバンプと、半導体素子の電極パッドとを接合してチップオンフィルムパッケージの半導体装置を製造するに際し、予め前記半導体素子の少なくとも四隅コーナー部に補強パッドを形成するとともに、前記補強パッドに対応して前記有機絶縁テープ基材に補強バンプを有する補強リードを形成しておき、前記超音波熱圧着により、前記インナーリード上のバンプと半導体素子の電極パッドとを接合すると同時に、前記補強パッドと前記補強リード上の補強バンプとを接合するものである。
【００１３】
請求項１０記載の発明は、補強パッドにのみ第１封止樹脂を塗布して、超音波熱圧着により第１封止樹脂を硬化するものである。
【発明の効果】
【００１４】
上記請求項１または９記載の発明によれば、半導体素子の少なくとも四隅に補強パッドを設けて、有機絶縁テープ基材に形成された補強リードの補強バンプと半導体素子の補強パッドとを接合することで、半導体素子の４つのコーナーが固定されるため、接合後にフレキシブルなテープ基材に外部から力が加わった場合でも、電気的に接続されているインナーリードと電極パッドの接続部に、外部からの力が及ぶことなく安定した接続が継続して得られる。
【００１５】
請求項２または請求項１０記載の発明によれば、半導体素子の四隅コーナー部で補強パッドと補強バンプとの接続と同時に第２封止樹脂を硬化させて四隅コーナー部の固定をさらに強固にすることができる。半導体素子の四隅コーナー部を強固にすることで、以下の効果がある。半導体装置を製造する際に、次の封止樹脂（第２封止樹脂）による接続の固定が保持される前段階での半導体素子と有機絶縁テープ基材の接続部での電気オープン不良を防止することができる。そして、半導体素子の四隅コーナー部の強固な保持は、電気的接続があるインナーリード上のバンプと電極パッドの接合部を熱サイクルによる応力から守ることができる。さらに、速硬化性の第１封止樹脂を四隅コーナー部に塗布する場合、液状の第１封止樹脂は少量ですみ、ボンディング時ツールに付着することなく、ボンディングと同時に第１封止樹脂を硬化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［実施の形態１］
本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態を図１（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。なお、従来例と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００１７】
チップ（半導体素子）１１の四隅コーナー部にコーナー補強パッド（補強パッド）３１がそれぞれ形成されている。またポリイミド基材２上には、コーナーパッド３１にそれぞれ対応して、補強バンプ３３を有するコーナー補強リード（補強リード）３２が設けられている。そして、コーナー補強リード３２の補強バンプ３３とコーナー補強パッド３１は、超音波熱圧着により接合されてボンディング強度が確保される。
【００１８】
前記コーナー補強パッド３１およびコーナー補強リード３２はそれぞれ正面視がチップ１１の両辺に沿うＬ字形に形成されるとともに、コーナー補強リード３２上の補強バンプ３３も正面視がチップ１１の両辺に沿うＬ字形になっており、接続時に外部から加わる力に対して接合強度が確保され、接合の安定性を図ることができるように構成されている。
【００１９】
上記構成における製造方法は、ボンディングツールによりチップ１１を保持して、インナーリード５のバンプ６上にチップ１１の電極パッド１２を超音波熱圧着して接合される。
【００２０】
上記実施の形態によれば、チップ１１のコーナー補強パッド３１を、有機絶縁基板１のコーナー補強リード３２に接合することで、チップ１１の四隅コーナー部を接合して接合強度が向上されるので、接合後フレキシブルな基材２に外部から力が加わった場合でも、四隅コーナー部のコーナー補強パッド３１とコーナー補強リード３２の接合部で外力を支持することができ、インナーリード５と電極パッド１２の接合部に外部からの力が及ぶことなく電気的な接続を安定して継続することができる。しかも、チップ１１の四隅コーナー部に設けられたコーナー補強パッド３１と、コーナー補強リード３２および補強バンプ３３とをそれぞれ正面視がチップ１１の両辺に沿うＬ字形に形成されているので、コーナー部分の狭い範囲で十分な接合面積を確保することができて、接合強度を向上させることができる。
［第２の実施の形態］
本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態を図２（ａ）〜（ｆ）図３（ｇ）〜（ｉ）を参照して説明する。なお、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００２１】
図２において、７Ａは、接合前にコーナー補強リード３２部分に供給されて超音波熱圧着により硬化された第１封止樹脂で、この第１封止樹脂７Ａは速硬化性樹脂により構成されている。
【００２２】
次にこの半導体装置の製造方法を図２（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。
図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ｈ）に示すように、第１塗布ノズル２２Ａから第１封止樹脂７Ａがポリイミド基材２のコーナー補強リード３２上に塗布される。この第１封止樹脂７Ａはチップ１１の四隅コーナー部にのみに接着されることになる。
【００２３】
図２（ｄ）〜（ｆ）、図３（ｇ），（ｉ）に示すように、ボンディングツール２３による超音波熱圧着により、インナーリード５のバンプ６とチップ１１の電極パッド１２とが接合されると同時に、コーナー補強リード３２上の補強バンプ３３とコーナー補強パッド３１が接合され、ボンディング強度が確保される。第１封止樹脂７Ａはこの超音波熱圧着時に同時に硬化される。
【００２４】
上記第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の作用硬化に加えて、四隅コーナー部に、速硬化性の第１封止樹脂７Ａを、インナーリード５のバンプ６と電極パッド１２の接合と同時に硬化させて封止樹脂層を形成することで、チップ１１の四隅コーナー部の固定をさらに強固にすることができる。
【００２５】
またチップ１１の四隅コーナー部の接続を強固にすることで、以下の効果がある。すなわち、この半導体装置を製造する際、第２封止樹脂７Ｂを塗布、硬化する前のチップ１１とポリイミド基材２の接続が不安定な状態においても、電気的接続がある端子での電気オープン不良を防止することが出来る。
【００２６】
そして、チップ１１の四隅コーナー部の強固な保持は、電気的接続がある端子、インナーリード５上のバンプ６と電極パッド１２との接合部を熱サイクルによる応力から守ることができる。さらに、速硬化性の第１封止樹脂７Ａを四隅コーナー部に形成する場合、塗布する液状の第１封止樹脂７Ａを少量ですみ、ボンディング時にツールに付着することなくボンディングと同時に液状封止樹脂が硬化させることができる。
［第３の実施の形態］
本発明に係る半導体装置の第３の実施の形態を図４（ｅ）〜（ｇ）を参照して説明する。なお、第１，第２の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００２７】
図４（ｇ）において、７Ｂは、接合後にポリイミド基材２上でチップ１１との間と、硬化された第１封止樹脂７Ａの周囲にアンダーフィル充填されて硬化された第２封止樹脂で、この第２封止樹脂７Ｂは、速硬化性樹脂あるいはポストキュアを必要とする樹脂で、たとえばその材質は、エポキシ樹脂が使用される。
【００２８】
なお、上記半導体装置の製造方法の前半部分は、第２の実施の形態と同じであるため図３（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、ポリイミド基材２上に、補強パンプ３３を有するコーナー補強リード３２が形成されている。第１塗布ノズル２２Ａから第１封止樹脂７Ａが四隅のコーナー補強リード３２上に塗布される。これにより第１封止樹脂７Ａはチップ１１の四隅の４コーナー部にのみに接着されることになる。
【００２９】
図３（ｃ）〜（ｅ）、図４（ａ）に示すように、ボンディングツール２３により、コーナー補強リード３２の補強バンプ３３とコーナー補強パッド３１が超音波熱圧着されて接合されて、ボンディング強度が確保される。第１封止樹脂７は速硬化タイプの樹脂で、熱圧着により硬化される。この接合により、四隅コーナー部が接着されて接合強度が保持されており、チップ１の外部応力からの接合安定性の向上が図られる。
【００３０】
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、第２塗布ノズル２２Ｂから、第２封止樹脂７Ｂがアンダーフィル充填により塗布される。そして再加熱されることで第２封止樹脂７Ｂが硬化されることで半導体装置が製造される。
【００３１】
上記第３の実施の形態によれば、チップ１１の四隅コーナー部のコーナー補強リード３２上の補強バンプ３３とコーナー補強パッド３１の接合部を第１封止樹脂７Ａでボンディングし、さらに第１封止樹脂のボンディング部と、インナーリード５上のバンプ６とチップ１１の電極パッド１２との接合部を含むチップ１１とテープ基材の間隙にアンダーフィル充填し、熱硬化させることにより、さらに接合強度を向上させることができ、電気的接続を持った端子の接続安定性を確保することができる。
［第４の実施の形態］
本発明に係る半導体装置で、コーナー補強リードが変形された第４の実施の形態を図５（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
【００３２】
チップ１１の四隅に正面視Ｌ字形のコーナー補強パッド３１が形成され、これらコーナー補強パッド３１に対応してポリイミド基材２上にコーナー補強リード４２が設けられている。これらコーナー補強リード４２は、コーナー部の斜め方向（コーナー角を二等分する方向）から伸びてチップ１１に接合され補強するように構成されている。これらコーナー補強リード４２の先端部は、コーナー補強パッド３１に対応する斜めＬ字部４２ａが形成され、斜めＬ字部４２ａ上に相似状のＬ字形補強バンプ４３が形成されている。
【００３３】
上記構成における製造方法は、ボンディングツールによりチップ１１を保持して、インナーリード５のバンプ６上にチップ１１の電極パッド１２を超音波熱圧着して接合される。
【００３４】
または第２の実施の形態あるいは第３の実施の形態と同様の手順で、第１封止樹脂７Ａ、または第１封止樹脂７Ａと第２封止樹脂７Ｂが塗布、充填されて製造される。
上記実施の形態によれば、第１〜第３の実施の形態の効果に加えて、コーナー補強リード４２をコーナー部の斜め方向に配置したので、チップ１１に対して両辺に角度を持って加わる斜め方向の負荷を良好に支持することができ、接合強度を向上させることができる。
［第５の実施の形態］
本発明に係る半導体装置で、コーナー補強リードが変形された第５の実施の形態を図６（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
【００３５】
チップ１１の四隅コーナー部にそれぞれ正面視Ｌ字形のコーナー補強パッド３１が形成されている。ポリイミド基材２上には、コーナー補強パッド３１に対応して補強パンプ５３Ａ，５３Ｂがそれぞれ形成されたコーナー補強リード５２Ａ，５２Ｂが設けられている。これらコーナー補強リード５２Ａ，５２Ｂは、電極パッド１２に接続されるインナーリード５より幅が広く形成され、引き回り配線３からチップ１の辺に直交する方向に延長された２種類で構成されている。図６では、２本ずつのコーナー補強リード５２Ａと５２Ｂがそれぞれ設けられている。
【００３６】
上記構成における製造方法は、ボンディングツールによりチップ１１を保持して、インナーリード５のバンプ６上にチップ１１の電極パッド１２を超音波熱圧着して接合される。または第２の実施の形態あるいは第３の実施の形態と同様の手順で、第１封止樹脂７Ａ、または第１封止樹脂７Ａと第２封止樹脂７Ｂが塗布、充填されて製造される。
【００３７】
上記実施の形態によれば、第１〜第３の実施の形態の効果に加えて、コーナー補強リード５２Ａ，５２Ｂを、インナーリード５より幅が広く形成するとともに、配置方向が９０°角度の異なる２種類を複数本設けたので、チップ１１に対してあらゆる角度から加わる負荷をさらに良好に支持することができ、接合強度をさらに向上させることができる。
［第６の実施の形態］
本発明に係る半導体装置で、コーナー補強リードが変形された第５の実施の形態を図７を参照して説明する。
【００３８】
チップ１１の四隅コーナー部にそれぞれ正面視Ｌ字形のコーナー補強パッド３１が形成されている。ポリイミド基材２１上に設けられて補強バンプ６３Ａ，６３Ｂを有するコーナー補強リード６２Ａ，６２Ｂは、配置方向が９０°角度の異なる２種類を設けて、接合部近傍の先端部で９０°の角度で互いに連結されている。
【００３９】
上記構成における製造方法は、ボンディングツールによりチップ１１を保持して、インナーリード５のバンプ６上にチップ１１の電極パッド１２を超音波熱圧着により接合される。または第２の実施の形態あるいは第３の実施の形態と同様の手順で、第１封止樹脂７Ａ、または第１封止樹脂７Ａと第２封止樹脂７Ｂが塗布、充填されて製造される。
【００４０】
上記実施の形態によれば、第１〜第３の実施の形態の効果に加えて、コーナー補強リード６２Ａ，６２Ｂを、配置方向が９０°の異なる２種類を接合部近傍のの先端部で連結したので、チップ１１に対してあらゆる角度から加わる負荷をさらに良好に支持することができ、接合強度をさらに向上させることができる。
［第７の実施の形態］
本発明に係る半導体装置で、コーナー補強リードが変形された第７の実施の形態を図８を参照して説明する。
【００４１】
チップ１１の四隅コーナー部にそれぞれ正面視Ｌ字形のコーナー補強パッド３１が形成されている。ポリイミド基材２１上に設けられて補強バンプ７３Ａ，７３Ｂを有するコーナー補強リード７２Ａ，７２Ｂは、インナーリード５より幅の広く形成されるとともに、配置方向が９０°の異なる２種類を２本ずつ設けて、各組で隣接するコーナー補強リード７２Ａおよび７２Ｂを、それぞれ補強バンプ７３に連続する接合部近傍の連結部７２ｃで互いに連結している。
【００４２】
上記構成における製造方法は、ボンディングツールによりチップ１１を保持して、インナーリード５のバンプ６上にチップ１１の電極パッド１２を超音波熱圧着して接合される。または第２の実施の形態あるいは第３の実施の形態と同様の手順で、第１封止樹脂７Ａ、または第１封止樹脂７Ａと第２封止樹脂７Ｂが塗布、充填されて製造される。
【００４３】
上記実施の形態によれば、第１〜第３の実施の形態の効果に加えて、コーナー補強リード７２Ａおよび７２Ｂを、それぞれ連結部７２ｃで連結して強度を増加させたので、チップ１１に対して加わる負荷を良好に支持することができ、接合強度をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態を示し、（ａ）は半導体装置の概略平面図、（ｂ）はチップのコーナー部を示す平面図、（ｃ）は同コーナー部のリード接合状態を示す平面図、（ｄ）は同コーナー部の接合状態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の第２の実施の形態を示し、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ製造手順を示す側面断面図である。
【図３】（ｇ）〜（ｉ）はそれぞれ同半導体装置を示し、（ｇ）は図２（ｆ）に示すＢ部拡大図、（ｈ）は図２（ａ）の平面図、（ｉ）は図２（ｆ）の平面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の第３の実施の形態を示し、（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施の形態の半導体装置の製造後の追加手順を示す側面断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の第４の実施の形態を示し、（ａ）は半導体装置のコーナー部のリード接合状態を示す平面図、（ｂ）はコーナー部の接合状態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の第５の実施の形態を示し、（ａ）は半導体装置のコーナー部の平面図、（ｂ）はコーナー部のリード接合状態を示す平面図である。
【図７】本発明に係る半導体装置の第６の実施の形態を示すコーナー部のリード接合状態を示す平面図である。
【図８】本発明に係る半導体装置の第７の実施の形態を示すコーナー部のリード接合状態を示す平面図である。
【図９】従来の半導体装置を示し、（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ製造手順を示す側面断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    有機絶縁テープ基材
２    ポリイミド基材
５    インナーリード
６    バンプ
７Ａ  第１封止樹脂
７Ｂ  第２封止樹脂
１１    チップ
１２    電極パッド
３１，４２，５２Ａ，５２Ｂ，６２Ａ，６２Ｂ，７２Ａ，７２Ｂ  コーナー補強パッド（補強パッド）
３２    コーナー補強リード（補強リード）
３３，  ４３，５３Ａ，５３Ｂ，６３Ａ，６３Ｂ，７３Ａ，７３Ｂ  補強バンプ
【図１】
2005166960.tif 000003
【図２】
2005166960.tif 000004
【図３】
2005166960.tif 000005
【図４】
2005166960.tif 000006
【図５】
2005166960.tif 000007
【図６】
2005166960.tif 000008
【図７】
2005166960.tif 000009
【図８】
2005166960.tif 000010
【図９】
2005166960.tif 000011