(57)【要約】【課題】  少ない製造コストで、かつ小型の半導体モジュールを製造することができる半導体モジュールの製造方法及び小型化が可能な半導体モジュールを提供すること。【解決手段】  本発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、まず、仮基体７上にめっきにより複数のアンテナとなる配線層３を形成する。次に、配線層３上に開口部１２ａを有する絶縁層１２を形成する。さらに、開口部１２ａを通して少なくとも１つの半導体チップ２を含む１乃至複数の搭載部品を複数のアンテナ３に接続する。そして、搭載部品並びに搭載部品と配線層３との接続部を樹脂封止し、その後に仮基体７を剥離する。最後に複数のアンテナ３を個片に分割する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮基体上にめっきにより複数のアンテナとなる配線層を形成する工程と、
少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を前記複数のアンテナに接続する工程と、
前記複数の搭載部品を相互に連結し保持する工程と、
前記仮基体を剥離する工程と、
前記複数のアンテナを個片に分割する工程とを含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記配線層上に開口部を有する絶縁層を形成する工程をさらに備え、
前記搭載部品は、前記開口部を通して前記複数のアンテナに接続することを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記複数の搭載部品を相互に連結し保持する工程は、少なくとも前記搭載部品並びに当該搭載部品と配線層との接続部を樹脂封止することを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記複数の搭載部品を相互に連結し保持する工程は、前記搭載部品の上面を樹脂シートに接合することを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記仮基体を剥離することによって露出された配線層の外面に保護層を形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記仮基体としてステンレス板を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記仮基体として、表面にニッケルめっき層が形成されたステンレス板を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記配線層を形成する際の給電体として、前記仮基体を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記アンテナは、前記半導体チップの主面より大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
アンテナと、
前記アンテナと接続された半導体チップと、
少なくとも前記半導体チップ並びに当該半導体チップと前記アンテナとの接続部を封止する樹脂とを備えた無線モジュールであって、
前記アンテナ及び前記半導体チップは、前記樹脂が形成された後に剥離される仮基板上に形成されたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１１】
アンテナと、
前記アンテナと接続された半導体チップと、
少なくとも前記半導体チップの上面を接合する樹脂フィルムとを備えた無線モジュールであって、
前記アンテナ及び前記半導体チップは、前記樹脂フィルムが前記半導体チップの上面に接合された後に剥離される仮基板上に形成されたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１２】
前記アンテナを保護する保護層をさらに備えたことを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品が搭載された非接触型通信機能を有する半導体モジュールとその製造方法とに係り、特に、搭載部品とを電気的に接続されるアンテナの構造及びその製造プロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来よりリーダライタ装置との間で通信を行うＲＦ−ＩＤと呼ばれる半導体装置が提案されている。この半導体装置は、リーダライタ装置との間で非接触通信を行うためアンテナを備えている。アンテナは、通常、半導体チップの外部のフレキシブル基板上にエッチング等により形成され、フェイスダウンまたはフェイスアップにてボンディング、導電接着剤による接着等により半導体チップに設けられた電極と接続される。この明細書において、このような構成におけるアンテナを外部アンテナと呼ぶ。最近は、さらに半導体モジュールを小型化する等の目的からアンテナを半導体チップ上に形成する技術が実現されている（例えば、特許文献１参照）。この明細書において、このような構成におけるアンテナをチップ上アンテナと呼ぶ。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３２３６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体チップが小型化された場合には、所望の通信距離を有するアンテナを当該半導体チップ上に形成することが難しくなる。そのため、アンテナを半導体チップに対して外付けすることが考えられるが、少ない製造コストで、かつアンテナと半導体チップの結合体を小型化できるような製造方法は提案されていなかった。
【０００５】
本発明は、少ない製造コストで、かつ小型の半導体モジュールを製造することができる半導体モジュールの製造方法及び小型化が可能な半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、仮基体上にめっきにより複数のアンテナとなる配線層を形成する工程と、少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を前記複数のアンテナに接続する工程と、前記複数の搭載部品を相互に連結し保持する工程と、前記仮基体を剥離する工程と、前記複数のアンテナを個片に分割する工程とを含むことを特徴とするものである。このような製造方法によれば、複数の半導体モジュールを同時に製造することができるため、製造コストを低減できる。また、最終的に仮基板を剥離するため、半導体モジュールを小型化できる。
【０００７】
さらに、前記配線層上に開口部を有する絶縁層を形成する工程を備え、前記搭載部品は、前記開口部を通して前記複数のアンテナに接続するようにしてもよい。また、好ましくは、前記複数の搭載部品を相互に連結し保持する工程は、少なくとも前記搭載部品並びに当該搭載部品と配線層との接続部を樹脂封止するものである。また、前記複数の搭載部品を相互に連結し保持する工程は、前記搭載部品の上面を樹脂シートに接合するものであってもよい。さらに、前記仮基体を剥離することによって露出された配線層の外面に保護層を形成する工程とを含むようにするとよい。
【０００８】
また、前記仮基体としてステンレス板を用いることが好ましい。また、前記仮基体として、表面にニッケルめっき層が形成されたステンレス板を用いることが望ましい。さらに、前記配線層を形成する際の給電体として、前記仮基体を用いるとよい。
【０００９】
好適な実施の形態におけるアンテナは、前記半導体チップの主面より大きい。この場合には、チップ上アンテナを形成することができないため、本発明の半導体モジュールの製造方法により安価に製造することが可能となる。
【００１０】
本発明にかかる半導体モジュールは、アンテナと、前記アンテナと接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップ並びに当該半導体チップと前記アンテナとの接続部を封止する樹脂とを備えた無線モジュールであって、前記アンテナ及び前記半導体チップは、前記樹脂が形成された後に剥離される仮基板上に形成されたことを特徴とするものである。このような構成を有するので、特に最終製品は基板がないため小型化することができる。また、安価に製造することができる構造を有している。
【００１１】
本発明にかかる他の半導体モジュールは、アンテナと、前記アンテナと接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの上面を接合する樹脂フィルムとを備えた無線モジュールであって、前記アンテナ及び前記半導体チップは、前記樹脂フィルムが前記半導体チップの上面に接合された後に剥離される仮基板上に形成されたことを特徴とするものである。このような構成を有するので、特に最終製品は基板がないため小型化することができる。また、安価に製造することができる構造を有している。
さらに、前記アンテナを保護する保護層を備えることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、製造コストが少なく、かつ小型の半導体モジュールを製造することができる半導体モジュールの製造方法及び小型化が可能な半導体モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（半導体モジュールの第１例）
本発明に係る半導体モジュールの第１例を、図１に基づいて説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体モジュールの要部断面図である。図１（ｂ）は、当該半導体モジュールの底面透視図である。図１（ｂ）においては、説明の都合上、保護シート６を省略している。
【００１４】
当該半導体モジュール１は、半導体チップ２を備えている。当該半導体チップ２は、ＩＣチップ、ＩＣ素子等の搭載部品であり、データなどの情報を記憶するメモリ、ＣＰＵ等の論理制御回路、復調回路と変調回路とを含む送受信回路、受信した電波を電力に変える電源回路等を有する。この例にかかる半導体モジュール１は、一つの半導体チップ２を備えているが、複数の半導体チップ２を備えていても良く、さらに他の電子部品を備えていても良い。半導体チップ２は例えば１ｍｍ×１ｍｍ×０．３ｍｍの外形状を有する。半導体チップ２には、図示しない外部電極であるパッド部が設けられている。この例では、半導体チップ２の底面において対向する角部に２つのパッド部が設けられている。そして、一方のパッド部は、接続バンプ４１を介して電極３１と接続されている。また、他方のパッド部は、接続バンプ４２を介して電極３２と接続されている。
【００１５】
接続バンプ４１、４２は、半田ボールや金ボールをリフローすることにより形成される。接続バンプ４１、４２を構成する半田ボール等は、当該電極３１、３２上に例えば電気めっき法、ディップ法、蒸着法等で形成される。接続バンプ４１、４２は、図１に示されるようなボール形状に限らず、ストレートウォール状、太鼓型状の形状を有するものであってもよい。また、接続バンプ４１、４２に代えて半田ペーストを用いて接続するようにしても良い。このように、接続バンプとして、半田バンプを用いると、導電性接着剤を用いた場合に比べて、製造コストを低下させることができる。
【００１６】
好適な実施の形態における電極３１、３２は、ニッケルめっき層上に銅や銅合金をめっきすることにより形成される。当該電極３１、３２は、それぞれ、アンテナ３の両端部に形成される。
【００１７】
アンテナ３は、図示しないリーダライタとの間で非接触通信を行うためのアンテナコイルであり、渦巻き形状や矩形スパイラル形状を有する。当該アンテナ３は、例えば、電極３１、３２と同様に、仮基体のニッケルめっき層上に銅や銅合金をめっきすることにより形成される。尚、当該仮基体は、製造工程において剥離され、最終製品には存在しない。さらに、矩形スパイラル形状に形成されたアンテナの角部を斜めに面取りすることにより、角部における電流集中を防止してアンテナの抵抗値を低減させ、もってリーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めるようにしてもよい。アンテナ３は、例えば、線幅を７μｍ以上、線間距離を５μｍ以下、巻数を２０ターン以上にすると、実用上十分な電力の供給を受け、かつリーダライタとの間の通信特性を確保できる。また、好適な実施の形態におけるアンテナ３は、一辺の長さが２ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。円形の場合には、直径が２ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。この例においては、半導体チップ２の主面の大きさよりもアンテナ３が方が大きい。
【００１８】
半導体チップ２、アンテナ３は、樹脂５により覆われている。樹脂５は、例えば、モールド樹脂であり、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂や紫外線硬化性樹脂により形成される。さらに詳細には、樹脂５は、エポキシ、硬化剤、およびフィラーのシリカ粉などの配合材から成るエポキシ樹脂組成物が用いられる。また、樹脂５として、樹脂シートを用いて形成することも可能である。例えば、熱可塑性であり、かつ紫外線硬化性の性質を有する樹脂シートであれば、樹脂シートを半導体チップ２等を覆うように配置して加熱し、その後に紫外線を照射することによって、半導体チップ２を覆う樹脂５を形成することが可能となる。また、樹脂５は、インジェクションモールドによって形成することも可能である。樹脂５の高さは、例えば、０．５ｍｍから１．０ｍｍである。この樹脂５の外形上は、矩形状であってもよく、円柱形状、コイン形状であってもよい。
【００１９】
アンテナ３は、樹脂５によりその一面が覆われた状態になるが、他面は外部に露出した状態にあり、この部分を保護層６により覆っている。保護層６は、保護樹脂層であり、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）シートにより形成される。当該保護層６は、接着剤により樹脂５及びアンテナ３に対して貼り付けられる。保護層６を設けることにより、アンテナ３が外部に露出しないため、浸食から保護することが可能となる。
【００２０】
このように、本発明にかかる半導体モジュールは、基板を有しない、基板レスであるため、薄い構造とすることができ、小型化が可能となる。
【００２１】
（半導体モジュールの製造方法の第１例）
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第１例を図２に基づいて説明する。この例では、複数個の半導体モジュールを同時に製造しているが、図２においては、便宜上１個の半導体モジュールの部分のみ示す。
【００２２】
まず、図２（ａ）に示すように、表面に例えばニッケルめっき層のめっき層１１が形成されたステンレス鋼板からなる仮基体７を用意する。仮基体７の厚さは０．３ｍｍ、ニッケルめっき層１１の厚さは１０μｍとした。このニッケルめっき層１１の代わりに金属スパッタ層、金属蒸着層としてもよい。金属スパッタ層、金属蒸着層としては、任意の導電性金属をもって形成することができるが、比較的安価で導電率が高いことから、金属スパッタ層又は金属蒸着層についてはアルミニウム、ニッケル、銅及びクロムから選択される金属又はこれらの金属群から選択される２種以上の金属の合金で形成することが好ましく、均質な単層構造とするほか、異なる金属層又は合金層を多層に積層した他層構造とすることもできる。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、ニッケルめっき層１１上に、所要のパターンを有する配線層３を形成する。この配線層３の形成は、ニッケルめっき層１１上にフォトレジスト膜を均一に塗布した後、当該フォトレジスト膜を配線層３のパターンに露光し、露光部を現像処理にて除去した後、ニッケルめっき層１１を給電膜として銅又は銅合金をめっきすることにより行うことができる。より具体的には、配線層３は、無電解めっき法又は電気めっき法若しくは精密電鋳法により形成することができる。無電解めっき法を用いて配線層３を形成する場合には、配線層３の形成に電極を必要としないので、フォトレジスト膜の露光に際して、電極部の形成とリード部の形成が不要になる。この無電解めっきは、化学めっきとも呼ばれ、素地金属をめっき金属の金属塩溶液中に浸して金属イオンを素地表面に析出させるもので、比較的簡単な設備で密着力が強く均一で十分な厚みを有するめっき層が得られるという特徴がある。金属塩は、めっきする金属イオンの供給源となるものであり、銅をめっきする場合には、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等の溶液がめっき液として用いられる。一方、電気めっき法及び精密電鋳法は、めっき金属のイオンを含むめっき浴中にニッケルめっき層１１が形成された仮基板７を浸漬し、ニッケルめっき層１１を陰極、めっき浴中に浸漬された電極を陽極として電圧を印加し、めっき浴中の金属イオンをニッケルめっき層１１の表面に析出させる方法である。電気めっき法及び精密電鋳法も、銅をめっきする場合には、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等の溶液がめっき液として用いられる。このようにしてアンテナとなる配線層３をニッケルめっき層１１上に形成する。
【００２４】
次に、図２（ｃ）に示すように、前記ニッケルめっき層１１の表面及び配線層３の表面に、所要のパターンで開口部１２ａが開設された絶縁層１２を形成する。この絶縁層１２の形成は、前記ニッケルめっき層１１の表面及び配線層３の表面に感光性樹脂を均一に塗布した後、開口部１２ａに対応する部分を露光し、この露光部を現像処理にて除去することにより行うことができる。当該開口部１２ａが図１において説明した電極３１、３２に相当する。絶縁層１２の形成方法として、あまり精度を必要としない場合は、印刷技術を用いて絶縁層を形成することも可能である。尚、さらに配線層及び絶縁層を設け、配線層、絶縁層をそれぞれ２層以上形成してもよい。また、当該絶縁層１２は必ずしも必須ではなく、設けなくてもよい。
【００２５】
次に、図２（ｄ）に示すように、配線層３と半導体チップ２との接続を行う。絶縁層１２に形成された開口部１２ａから露出した配線層３で形成されたアンテナ３の両端部の電極３１、３２に半導体チップ２を電気的に接続をする。半導体チップ２は、通常のプリント基板に半導体チップ等を搭載するために用いられるマウンタにより所定位置に搭載することができる。配線層３と半導体チップ２との接続は、半導体チップ２のパッド部に形成された半田バンプ４を絶縁層１２に開設された開口部１２ａに挿入した後、配線層３と半導体チップ２との間に所要の熱と加圧力とを作用することによって行うことができる。また、別の方法として従来から基板に対して搭載部品をはんだペーストを用いて電気的に接続することも可能である。これは、絶縁層１２に開設された開口部１２ａにはんだペーストを形成し、半導体チップ２のパッド部がはんだペーストと接触するように半導体チップ２を搭載し、図２（ｄ）の状態で仮基体７と共にリフローすることで電気的な接合を行うことができる。
【００２６】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体チップ２と配線層３との接続部および複数の半導体チップ２同士を樹脂５にてモールドする。モールド方法としては、半導体チップ２が搭載された側に樹脂シートを載せた後、加熱・加圧を行う方法や、金型内に図２（ｄ）の状態の仮基体７を配置し、金型形成法で樹脂５を形成することが可能となる。後者の方法の場合には、図３に示されるように、各々のアンテナ３や半導体チップ２を区切る凸部が形成された金型９を用いて樹脂５を形成する。図３に示す例では、金型９に樹脂を注入する注入口を一箇所に設けているが、複数箇所でもよい。
【００２７】
次に、図２（ｆ）に示すように、ニッケルめっき層１１とステンレス製の仮基体７との界面を剥離し、ニッケルめっき１１を露出させる。
【００２８】
さらに、図２（ｇ）に示すように、エッチング処理によってニッケルめっき層１１を除去し、配線層３の表面への保護層６の形成を行う。このとき、ニッケルめっき層１１を全て除去するのではなく、配線層３のある部分のみ残すようにしてもよい。
【００２９】
以上のような製造方法によって、第１実施形態例に係る半導体モジュールを製造することができる。
【００３０】
本例の半導体モジュール製造方法は、仮基体７を用いて配線層３の形成から半導体チップ２等の搭載部品の樹脂封止までの各作業工程を実施するので、仮基体７の剛性を利用して各工程の作業を安定に行うことができ、配線層３と絶縁層１２とを有する半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うことができる。また、樹脂封止終了後に仮基体７を剥離するので、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛かりな装置や後処理を必要とせず、配線層を有する基板なし薄型の非接触型半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うことができる。
【００３１】
仮基体７として、高弾性のステンレス鋼板を用いると共に、当該ステンレス鋼板の表面に導電性が高く、配線層及び絶縁層との剥離性が良好なニッケルめっきを施したので、各作業を特に安定に行うことができ、基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うことができる。
【００３２】
また、仮基体７として、高弾性のステンレス鋼板を用いることで、半導体チップ２とアンテナとの接続をはんだリフロー等の通常の配線基板に搭載部品を接続するための技術を利用することが可能となる。
【００３３】
厚さが０．３ｍｍのステンレス鋼板からなる仮基体７の表面に厚さが１０μｍのニッケルめっき層１１を形成した場合、ニッケルめっき層１１が形成されたステンレス製の仮基体７に反りが発生せず、半導体モジュールの製造を何らの不都合もなく行うことができた。また、ニッケルめっき層１１とステンレス製の仮基体７との界面を剥離する工程においても、ニッケルめっき層１１に、割れ、はがれ、剥離残り等の不都合が一切発生せず、良品を高能率に製造することができた。
【００３４】
実験によると、厚さが０．３ｍｍのステンレス鋼板かならる仮基体７の片面にニッケルめっき層１１を形成した場合、その厚さが薄すぎる場合には半導体モジュールの製造過程で割れやはがれ等の不都合が生じ、厚すぎる場合にはニッケルめっきのめっき工程又はその後の工程でステンレス鋼板に反りを生じて良好な半導体モジュールの製造が困難になる。
【００３５】
なお、本実施形態においては、ニッケルめっきが施された仮基体７を用いたが、配線層３及び絶縁層１２の密着性が良好である場合には、ニッケルめっき層１１を有しないステンレス製の仮基体７を用いることができる。また、ニッケルめっき層１１に代えて、ニッケル合金のめっきが施された仮基体７を用いた場合にも、同様の効果を得ることができる。
【００３６】
続いて、本実施の形態にかかる他の半導体モジュールの製造方法について、図４を用いて説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、ステンレス鋼板からなる仮基体７を用意する。この例では、当該仮基板７には、めっき層は形成されていない。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、仮基体７上に、所要のパターンを有する配線層３を形成する。ここで、仮基体７が導電性を有する場合には、図２を用いて説明した製造法と同様にして、配線層３の形成は、仮基体７上にフォトレジスト膜を均一に塗布した後、当該フォトレジスト膜を配線層３のパターンに露光し、露光部を現像処理にて除去した後、仮基体７を給電体として銅又は銅合金をめっきすることにより行うことができる。より具体的には、配線層３は、無電解めっき法又は電気めっき法若しくは精密電鋳法により形成することができる。無電解めっき法を用いて配線層３を形成する場合には、配線層３の形成に電極を必要としないので、フォトレジスト膜の露光に際して、電極部の形成とリード部の形成が不要になる。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示すように、配線層３と半導体チップ２との接続を行う。配線層３で形成されたアンテナ３の両端部の電極３１、３２に半導体チップ２を電気的に接続をする。半導体チップ２は、通常のプリント基板に半導体チップ等を搭載するために用いられるマウンタにより所定位置に搭載することができる。配線層３と半導体チップ２との接続は、半導体チップ２のパッド部に形成された半田バンプ４を接続部１２ａに位置決めした後、配線層３と半導体チップ２との間に所要の熱と加圧力とを作用することによって行うことができる。また、別の方法として従来から基板に対して搭載部品をはんだペーストを用いて電気的に接続することも可能である。
【００３９】
次に、図４（ｄ）に示すように、半導体チップ２の上面を樹脂シート５１に接合することにより、仮基体７上に搭載した複数の半導体チップ２を連結する。樹脂シート５１は、例えば、熱融着性樹脂より構成され、半導体チップ２の上面を覆うようにして載置した後に加熱・加圧を行うことにより、半導体チップ２と接合することができる。この樹脂シート５１は、例えば、半硬化のエポキシ樹脂をシート化したもので、耐湿性などにすぐれたフェノール硬化型の樹脂シートが用いられる。
【００４０】
次に、図４（ｅ）に示すように、配線層３とステンレス製の仮基体７との界面を剥離し、配線層３を露出させる。
【００４１】
さらに、図４（ｆ）に示すように、配線層３の表面への保護層６の形成を行う。その後に、図４（ｇ）に示すように、樹脂シート５１を半導体チップ２の上面より剥離する。なお、当該樹脂シート５１は剥離せずにそのままの状態で、ダイシング工程に進んでも良い。また、樹脂シート５１として、粘着性を有し、半導体チップ２を連結して仮基体７を剥離後、樹脂シート５１を加熱することにより半導体チップ２の上面との剥離性が向上する特性を有するシートを用いることも可能である。
以上のような製造方法によって、本発明にかかる半導体モジュールを製造することができる。
【００４２】
その他、前記実施形態例においては、半導体モジュール１個分の製造方法について説明したが、半導体モジュールの製造の効率化及び低コスト化を図るため、仮基体７上に配線層３及び絶縁層１２を形成する工程において、半導体モジュール複数個分の配線層３及び絶縁層１２を形成すると共に、半導体チップ２等の搭載部品の搭載工程において、半導体モジュール複数個分の搭載部品を搭載し、保護層６の形成後、複数個の半導体モジュールの個片を切り出すようにすることももちろん可能である。このとき、保護層６を形成前に個片に切り出した後に、保護層６を形成してもよい。図５に半導体モジュール１を複数個同時に形成した状態を示す。半導体モジュール１の切り出しには、半導体ウェハーで通常用いられるダイシング装置を利用することが可能であり、１辺が２〜１０ｍｍ角の非接触半導体モジュールを数千個〜数万個一括で製造することで小型・低コストのモジュールを実現することができる。例えば、４０ｃｍ角の仮基板より５ｍｍ角の半導体モジュールが約６４００個製造することができる。また、プレス加工により、円柱状の外形状を有する半導体モジュールを製造するようにしてもよい。
【００４３】
この製造方法をとる場合には、ニッケルめっき層１１をパターニングしてニッケル層を形成する際に、図５において鎖線で示されている切断予定部分のニッケルめっき層１１を予め除去しておくことが好ましい。このようにすると、所望の半導体モジュールを切断によって多数個取りしても、ニッケルめっき層１１に切断によるバリやはがれが発生しないので、良品を歩留まり良く製造することができる。
【００４４】
（半導体モジュールの他の例）
図１に示す半導体モジュール１は、搭載部品として半導体チップ２のみを備えていたが、図６に示されるように、共振用のキャパシタ３１を備えるようにしてもよい。キャパシタ３１の一端は、アンテナ３の一方の電極３１と接続され、他端は電極３３と接続されている。この電極３３は、アンテナ３の他方の電極３２とジャンパー線８２により接続されている。半導体チップ２は、３箇所において電極３１、電極３３と接続バンプ４１、４４４、４５により接続されている。このように３箇所以上において接続されることにより、バランス良く安定的に接続できる。
【００４５】
また、図７に示されるように電極３３と電極３２をジャンパーチップ（チップ抵抗）により接続することも可能である。尚、さらに絶縁層を介して配線層を設けることにより半導体チップ２のパッド部と接続するようにしてもよい。
【００４６】
（応用例）
上述のような半導体モジュールは、通常、情報担体内に設けられ、使用される。この情報担体は、例えば、カード型やコイン型の基体の中央部に当該半導体モジュールを一体化させることにより形成される。当該基体は、紙材やプラスチックシートにより形成される。また、情報担体内にさらにアンテナ３とリーダライタのコイルとの間の電磁結合を強化するためにブースタコイルを備えるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明にかかる半導体モジュールの構成を示す図である。
【図２】本発明にかかる半導体モジュールの製造工程を示す図である。
【図３】本発明にかかる半導体モジュールの製造工程の一部を示す図である。
【図４】本発明にかかる半導体モジュールの他の製造工程を示す図である。
【図５】本発明にかかる半導体モジュールの製造工程の一部を示す図である。
【図６】本発明にかかる半導体モジュールの他の構成例を示す図である。
【図７】本発明にかかる半導体モジュールの他の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体モジュール
２  半導体チップ
３  アンテナ（配線層）
４  接続バンプ
５  モールド樹脂
６  保護層
７  仮基体
【図１】
2005056221.tif 000003
【図２】
2005056221.tif 000004
【図３】
2005056221.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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