(57)【要約】【課題】  光アシスト磁気記録あるいは表面記録型磁界変調ＭＯ記録において、保存安定性に優れ、かつ高密度記録可能な情報記録媒体を提供する。【解決手段】  非磁性支持体２の少なくとも一方の面に、反射層３、干渉層４、下地層５、コバルト／パラジウム多層膜からなる垂直磁気記録層６および保護層７をこの順に形成したことを特徴とし、情報記録媒体１の保護層７を通して磁気記録層６へ光を入射して情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒あるいは光アシスト磁気記録に使用することが好ましい。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の少なくとも一方の面に、反射層、干渉層、下地層、コバルト／パラジウム多層膜からなる垂直磁気記録層および保護層をこの順に形成したことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
情報記録媒体の該保護層を通して該記録層へ光を入射して情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒あるいは光アシスト磁気記録に使用することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に関し、特に、光磁気記録、光アシスト磁気記録が可能な情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及により、パーソナル・コンピュータを用いて大容量の動画情報や音声情報の処理を行う等、コンピュータの利用形態が変化してきている。これに伴い、ハードディスク等の磁気記録媒体に要求される記憶容量も増大している。
【０００３】
現在、市販のハードディスク装置で採用されている磁気記録方式は、記録媒体の走行方向に磁化を行う長手磁気記録方式であるが、熱により媒体に記録された磁化情報が消失する「熱揺らぎ」により、高密度化には限界があるとされている。これに対し、記録媒体のディスク面に垂直に磁化を行う垂直磁気記録方式が、高密度化を実現する次世代の磁気記録方式として期待されており、垂直磁気記録のための磁性材料としては、コバルト−クロム系合金（Ｃｏ−Ｃｒ）が有力視されてきた。
【０００４】
しかし、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２を上回る高密度記録を行おうとする場合、垂直磁気記録方式においても、熱揺らぎの影響が強くなる。そこで垂直磁気記録材料として、ＣｏＣｒ合金と比較して垂直磁気異方性Ｋｕが高く、熱的に安定であるＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金、Ｃｏ／ＰｄやＣｏ／Ｐｔ等の遷移金属／貴金属多層膜、ＦｅＰｔ等の希土類貴金属合金等が注目を集めている。
【０００５】
これらの高Ｋｕ材料は面内方向の磁気的な結合が強く、磁壁移動型の記録になりやすい。このような記録材料では極小さい記録信号を記録しようとすると、磁壁の移動によって、書き込まれた記録信号が乱されたり、消失したりするために、ノイズが高く、磁気記録媒体材料として使用することが困難である。このため、最近になって媒体の記録しようとするヘッド近傍にレーザー光を照射して、加熱し、温度が上昇して保磁力が低下した部分に選択的に記録を行う光アシスト磁気記録が注目されてきている。光アシスト磁気記録では常温で高保磁力Ｈｃ、高Ｋｕであって面内の交換結合が強い記録材料に対しても、小さい記録マークを明瞭に記録することができる特徴を有する。
【０００６】
光アシスト磁気記録の記録過程は磁界変調光磁気記録ＭＯとほぼ同じであるため、従来の磁界変調ＭＯと同じ記録材料を磁気ヘッド近傍に配置する構成、つまり磁気ディスクとほぼ同じ構成とすることで、記録媒体を作製できる。しかし、従来の磁界変調ＭＯ用記録材料として使用されているＴｂＦｅＣｏ合金は非常に酸化しやすいＴｂを含むため、従来の磁気ディスクのような極薄い保護層のみでは容易に酸化されてしまい、十分な信頼性を確保することが難しいといった問題がある。
【０００７】
そこで耐食性に優れているＣｏ／Ｐｄ多層膜、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜といった遷移金属／貴金属多層膜材料を記録材料として使用を試みると（例えば、特許文献１参照。）、これら多層膜単体ではＨｃが低すぎて使用できず、下地層を付与してＨｃを高めると、熱の拡散速度が早くなり、レーザーによる加熱を十分に行うことができないといった問題があった。
【特許文献１】特開平１−２５１３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、光アシスト磁気記録あるいは表面記録型磁界変調ＭＯ記録において、保存安定性に優れ、かつ高密度記録可能な情報記録媒体を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は以下の通りとした。
（１）非磁性支持体の少なくとも一方の面に、反射層、干渉層、下地層、コバルト／パラジウム多層膜からなる垂直磁気記録層および保護層をこの順に形成したことを特徴とする情報記録媒体。
（２）情報記録媒体の前記保護層を通して前記記録層へ光を入射して情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒あるいは光アシスト磁気記録に使用することを特徴とする前記（１）の情報記録媒体。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の情報記録媒体は、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜を記録材料とし、希土類元素などの酸化されやすい元素を含まないため、耐食性、保存安定性に優れている。また熱伝導性を改良するため、熱を拡散しやすい反射層、熱を拡散しにくい干渉層、熱を拡散しやすい下地層等の各層を適切な層構成、順序で設けることによって、レーザーパワーを有効に使用し、光アシストあるいは表面記録ＭＯ記録が可能となる。
【００１１】
また、本発明の情報記録媒体は、波長６６０ｎｍ以下の短波長領域で光のカー回転角の大きい、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜を記録膜としており、さらに反射層や保護層等の各層を適切な層構成、順序に設定することでカー効果のエンハスを行うことができるため、短波長レーザーを利用した表面記録型ＭＯ媒体として有望である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図１を参照して、本発明について詳細に説明する。
本発明の情報記録媒体１に用いられる非磁性支持体（以下、単に支持体または基板とも称する）２は、ハードディスク形態で使用する場合には、ディスク形状に加工されたガラス基板、アルミニウム基板、シリコン基板、カーボン基板、ポリカーボネート基板等が使用できる。ディスクサイズは特に限定されず、一般的な１．０ｉｎｃｈφ〜５．２５ｉｎｃｈφのディスク状基板が使用できる。厚みも特に限定されず、０．１から２．０ｍｍのものが使用できる。またハードディスクでは磁気ヘッドを極僅かに浮上させて走行させながら記録再生を行うため、基板の表面粗さは平滑であることが好ましく、このため、基板表面を物理的あるいは化学的に研磨して、鏡面加工することが好ましい。本発明においてコバルト／パラジウム多層膜からなる垂直磁気記録層（以下、「磁気記録層」または「磁性層」とも称する）６を用いるが、この磁性層は基板を加熱することなく室温で成膜しても十分な磁気特性がえられるため、ＣｏＣｒ系合金を使用した場合に必要とされる基板加熱が不要であり、生産性に優れていると同時に、ＣｏＣｒ系合金で使用することが難しかったプラスティック基板も使用することができる。
【００１３】
また、フレキシブルディスク形態で使用する場合には、可とう性高分子材料が使用できる。可とう性高分子材料としては、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセテートセルロース、フッ素樹脂等で構成された樹脂フィルムが挙げられる。
【００１４】
樹脂フィルムに同一の樹脂フィルムまたは他の樹脂フィルムをラミネートして使用してもよい。樹脂フィルムをラミネートすることにより、支持体自身に起因する反りやうねりを軽減することができる。これによりディスク回転時の面ぶれを軽減することが可能になり、ヘッドとディスクの衝突頻度や衝突強度が軽減され、磁気記録層の耐傷性を著しく改善することがきる。また、製造時に片面に磁気記録層が形成された状態でハンドリングできるため、支持体の両面に磁気記録層を形成するよりも、表面に傷が付き難く、フィルム蛇行による欠陥も発生し難い。
【００１５】
ラミネート手法としては、熱ローラによるロールラミネート、平板熱プレスによるラミネート等を使用することができる。接着剤の付与方法としては、接着面に接着剤を塗布してラミネートする方法、予め離型紙上に接着剤が塗布された接着シートを用いる方法等が挙げられる。接着剤の種類は、特に限定されず、一般的なホットメルト接着剤、熱硬化性接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ＥＢ硬化型接着剤、粘着シート、嫌気性接着剤などを使用することがきる。
【００１６】
可とう性高分子支持体の厚みは、１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ、さらに好ましくは２５μｍ〜８０μｍである。支持体２の厚みが１０μｍ以上であると、高速回転時の安定性が向上し、面ぶれが減少する。一方、支持体２の厚みが２００μｍ以下であると、回転時の剛性が低くなり、接触時の衝撃を回避することが容易になり、磁気ヘッドの跳躍を防ぐ。
【００１７】
下記式で表される支持体２の腰の強さは、ｂ＝１０ｍｍでの値が４．９〜１９．６ＭＰａ（０．５〜２．０ｋｇｆ／ｍｍ2）の範囲にあることが好ましく、６．８６〜１４．７６ＭＰａ（０．７〜１．５ｋｇｆ／ｍｍ2）がより好ましい。
【００１８】
支持体の腰の強さ＝Ｅｂｄ3／１２
【００１９】
なお、この式において、Ｅはヤング率、ｂはフィルム幅、ｄはフィルム厚さを各々表す。
【００２０】
可とう性高分子支持体の表面は、磁気ヘッドによる記録を行うために、可能な限り平滑であることが好ましい。支持体表面の凹凸は、信号の記録再生特性を著しく低下させる。具体的には、後述する下塗り層を使用する場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが中心面平均粗さＳＲａで５ｎｍ以内、好ましくは２ｎｍ以内、触針式表面粗さ計で測定した突起高さが１μｍ以内、好ましくは０．１μｍ以内である。また、下塗り膜を用いない場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが中心面平均粗さＳＲａで３ｎｍ以内、好ましくは１ｎｍ以内、触針式表面粗さ計で測定した突起高さが０．１μｍ以内、好ましくは０．０６μｍ以内である。
【００２１】
磁気記録層が設けられる側の支持体表面には、平面性の改善を目的として下塗り層を設けることが好ましい。磁気記録層をスパッタリング等で形成するため、下塗り層は耐熱性に優れることが好ましく、下塗り層の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、フッ素系樹脂等を使用することができる。熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂は、平滑化効果が高く、特に好ましい。下塗り層の厚みは、０．１μｍ〜３．０μｍが好ましい。支持体２に他の樹脂フィルムをラミネートする場合には、ラミネート加工前に下塗り層を形成してもよく、ラミネート加工後に下塗り層を形成してもよい。
【００２２】
熱硬化性ポリイミド樹脂としては、例えば、丸善石油化学社製のビスアリルナジイミド「ＢＡＮＩ」のように、分子内に末端不飽和基を２つ以上有するイミドモノマーを、熱重合して得られるポリイミド樹脂が好適に用いられる。このイミドモノマーは、モノマーの状態で支持体表面に塗布した後に、比較的低温で熱重合させることができるので、原料となるモノマーを支持体上に直接塗布して硬化させることができる。また、このイミドモノマーは汎用溶剤に溶解させて使用することができ、生産性、作業性に優れると共に、分子量が小さく、その溶液粘度が低いために、塗布時に凹凸に対する回り込みが良く、平滑化効果が高い。
【００２３】
熱硬化性シリコン樹脂としては、有機基が導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法で重合したシリコン樹脂が好適に用いられる。このシリコン樹脂は、二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換した構造からなりシリコンゴムよりも大幅に耐熱性に優れると共に、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れるため、可とう性フィルムからなる支持体上に樹脂膜を形成しても、クラックや剥離が生じ難い。また、原料となるモノマーを支持体上に直接塗布して硬化させることができるため、汎用溶剤を使用することができ、凹凸に対する回り込みも良く、平滑化効果が高い。更に、縮重合反応は、酸やキレート剤などの触媒の添加により比較的低温から進行するため、短時間で硬化させることができ、汎用の塗布装置を用いて樹脂膜を形成することができる。
【００２４】
下塗り層の表面には、磁気ヘッドと磁気ディスクとの真実接触面積を低減し、摺動特性を改善することを目的として、微小突起（テクスチャ）を設けることが好ましい。また、微小突起を設けることにより、支持体のハンドリング性も良好になる。微小突起を形成する方法としては、球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗布して有機物の突起を形成する方法などが使用できるが、下塗り層の耐熱性を確保するため、球状シリカ粒子を塗布して微小突起を形成するのが好ましい。
【００２５】
微小突起の高さは５ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、ｌ０ｎｍ〜３０ｍｍがより好ましい。微小突起の高さが６０ｎｍ以下であると記録再生ヘッドと媒体のスペーシングロスがなく信号の記録再生特性が劣化することがない。また、微小突起の高さが５ｎｍ以上であると摺動特性の改善効果がより高くなる。微小突起の密度は０．１〜１００個／μｍ2が好ましく、１〜１０個／μｍ2がより好ましい。微小突起の密度が０．１個／μｍ2以上の場合は摺動特性の改善効果がより高くなり、１００個／μｍ2以下の場合には凝集粒子が増加せず高い突起も増加せず記録再生特性が劣化しない。
【００２６】
また、バインダーとなる樹脂を用いて微小突起を支持体表面に固定することもできる。バインダーには、十分な耐熱性を備えた樹脂を使用することが好ましく、耐熱性を備えた樹脂としては、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂を使用することが特に好ましい。
【００２７】
本発明において非磁性支持体２と磁気記録層６との間には、熱の拡散速度を制御する、さらにはカー回転角のエンハンスを行うため、一般的な光磁気ディスクと同様な反射層（膜）３を設ける。反射膜には、レーザー光に対する反射率が高い光反射性物質が使用される。このような光反射性物質としては、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ―Ｔｉ、Ａｌ−Ｉｎ、Ａｌ―Ｎｂ、Ａｌ―Ｔａ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属及び半金属を挙げることができる。これらの物質は単独で用いてもよく、二種以上を組合せて用いてもよい。この反射膜は、上記光反射性物質を非磁性支持体上にスパッタリング、または電子ビーム真空蒸着することにより形成することができる。反射膜の膜厚は１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。反射膜の膜厚が厚いほど、熱の拡散速度は速くなり、光の反射率が高くなる。一方、反射膜の膜厚が薄いほど熱の拡散速度は遅くなり、光の反射率は低くなる。
【００２８】
本発明では反射膜３上に干渉層４を設ける。この干渉層はＭＯ媒体の保護層として用いられている窒化ケイ素ＳｉＮxが好ましいが、これ以外でも透明で後述の下地層５や磁性層の特性に影響せず、屈折率が高く、透明材料であれば使用可能である。例えば、シリカ、アルミナなどの酸化物（Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ）、窒化アルミニウムなどの窒化物（Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ）、硫化亜鉛等の硫化物（Ｚｎ−Ｓ）、ダイヤモンドライクカーボン等の炭素化合物等が挙げられる。またこれらの材料の混合物であっても良い。この干渉層は、スパッタリング法、真空蒸着法や化学気相反応法（ＣＶＤ法）などにより形成することができる。干渉層の膜厚は、熱伝導度、カー効果のエンハンス効果を考慮して決定される。干渉層の膜厚が厚いほど熱の拡散速度は低下し、薄いほど熱の拡散速度は速くなる。カー効果のエンハンスは反射膜−磁性層間の多重反射を利用するため、使用する波長、反射層材料種、下地層膜厚、Ｃｏ／Ｐｄ磁性層膜厚によって干渉層の厚みに最適点が存在する。例えば入射光の波長が６６０ｎｍ、反射層がＡｇＣｕ合金で厚みが５０ｎｍ、下地層の厚みが２ｎｍ、Ｃｏ／Ｐｄ磁性層の厚みが１５ｎｍ、磁性層上の後述の保護層７が屈折２．０のＳｉＮxであって、この干渉層材料が屈折率２．０のＳｉＮxである場合、干渉層の膜厚８０ｎｍ〜９０ｎｍでカー効果は極大となる。ＭＯ媒体として使用する場合、このような多重反射を用いたカー効果のエンハスでは従来から公知の様に、ＭＯ出力がカー回転角と反射率の平方根の積に比例するため、反射率が低下してもカー回転角が大きくなるように設計すると良い。
【００２９】
本発明では磁気記録層６の記録特性を改善するため磁性層の下層として下地層５を設ける。この下地層によって磁性層の初期成長層を低減できるため、高Ｈｃ、低ノイズの記録媒体を得ることができる。下地層の膜厚は０．５〜１０ｎｍが好ましく、１．０〜５．０ｎｍが特に好ましい。下地層は、スパッタ法、真空蒸着法等のいわゆる真空成膜法で作製できる。
下地層を構成する元素としては特に限定されないが、パラジウム、白金、金、銀、銅等が挙げられる。その中でも、形成容易性、コスト面等からパラジウムが好ましい。
【００３０】
磁性層６となるＣｏ／Ｐｄ多層膜は、例えば０．２ｎｍのＣｏ薄膜と０．８ｎｍのＰｄ薄膜を十〜数十層積層した多層膜であり、Ｐｄ膜に接するＣｏ膜の格子歪によって垂直磁気異方性が発現すると考えられている。コバルト膜の厚みは、好ましくは０．１０〜１．００ｎｍであり、さらに好ましくは０．１５〜０．５０ｎｍである。コバルト膜の厚みが０．１０ｎｍ以上であれば、記録層が磁性を確実に有し、１．００ｎｍ以下であれば保磁力が向上し、ノイズが低下する。また白金膜またはパラジウム膜の厚みは、好ましくは０．１０〜２．０ｎｍであり、さらに好ましくは０．４０〜１．２０ｎｍである。白金膜またはパラジウム膜の厚みが０．１０ｎｍ以上であれば、垂直磁気異方性が向上し、出力の向上やノイズが減少し、２．０ｎｍ以下であると、磁化が増加するため、出力が向上する。多層膜からなる磁性層の膜厚としては５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、１０〜２５ｎｍが特に好ましい。磁性層の膜厚が５０ｎｍ以下であれば、光の透過性が向上し、また熱の拡散速度が低くなる。また５ｎｍ以上であれば、Ｈｃが高くなり、高密度記録媒体として好適に使用できる。このような磁性層厚にするためには上記のＣｏあるいはＰｄ膜厚の膜を必要量積層すればよい。これらの膜構成と後述の成膜条件を制御することで、磁気記録層の垂直方向の保磁力を制御することできる。保磁力としては１１９．４〜６３６．８ｋＡ／ｍ（１５００〜８０００Ｏｅ）の範囲であることが好ましい。
【００３１】
磁気記録層の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法及びイオン注入法等の物理的蒸着法（ＰＶＤ法）を挙げることができるが、組成制御が容易である点で、スパッタリング法が特に好ましい。スパッタリングの方法としては、一般的なＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングの他に、ＤＣパルススパッタ、ＲＦバイアススパッタ、反応性スパッタなどが使用できる。スパッタリングの際には、コバルトおよびパラジウムまたは白金をターゲットとして、これらのターゲット上に支持体を保持させた基板を回転させて通過させる方法や、逆に支持体を保持させた基板を固定し、各ターゲットを回転させて通過させる方法を使用することができる。ウェブ状の支持体に記録層を設ける際には、必要数のターゲットおよびカソードを設置し、この上にウェブを搬送させてスパッタする方法や、ターゲットととして搬送方向にコバルトとパラジウムまたは白金が交互になる様に重ねたものを使用し、この上にウェブを搬送させてスパッタする方法が使用できる。本発明の垂直磁気記録層は、スパッタリング法により作製することができ、室温で成膜できるため、可とう性非磁性支持体を使用しているにもかかわらず、基板変形がなく平面性に優れている。
【００３２】
磁性層上の保護層７は、磁気記録層の腐蝕を防止し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの擬似接触または接触摺動による摩耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するために設けられる。保護層は、反射層−下地層間の干渉層材料と同じでも異なっていても良い。この保護層は磁気ヘッド、光ヘッドとの接触から情報記録媒体を保護する機能を高めるため、高硬度のダイヤモンドライクカーボンＤＬＣが好ましいが、これ以外でも透明で下地層や磁性層の特性に影響せず、屈折率が高く、高硬度の透明材料であれば使用可能である。例えば、シリカ、アルミナなどの酸化物（Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ）、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどの窒化物（Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ）、硫化亜鉛等の硫化物（Ｚｎ−Ｓ）等が挙げられる。またこれらの材料の混合物であっても良い。この誘電体層は、スパッタリング法、真空蒸着法や化学気相反応法（ＣＶＤ法）などにより形成することができる。誘電体層の膜厚は、磁気的なスペーシング量、保護層としての効果、カー効果のエンハンス効果を考慮して決定される。つまり膜厚が薄い場合には、磁気的なスペーシングが少なくなり、磁気ヘッドによる読み出し、書き込みには有利であるが、カー効果のエンハンスが小さくなり、保護層として記録層を摩耗、腐食から守る効果が薄くなる。厚い場合にはこの逆である。本発明の目的である、光アシスト磁気記録媒体や表面記録型磁界変調ＭＯ媒体ではいずれも磁気ヘッドによる読み出し、あるいは書き込みを前提としているため、この保護膜の厚みは１〜３０ｎｍ、好ましくは２〜２０ｎｍの範囲である。
【００３３】
保護層７上には、走行耐久性および耐食性を改善するために、潤滑層（膜）８を設けることが好ましい。潤滑膜には、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤等の潤滑剤が使用される。
炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
【００３４】
フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）n、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）n、またはこれらの共重合体等である。具体的には、分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、商品名「FOMBLIN Z-DOL」）等が挙げられる。
【００３５】
極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
上記の潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用することができ、潤滑剤を有機溶剤に溶解した溶液を、スピンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ディップコート法等で保護層７表面に塗布するか、真空蒸着法により保護層７表面に付着させればよい。潤滑剤の塗布量としては、１〜３０ｍｇ／ｍ2が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
【００３６】
また、耐食性をさらに高めるために、防錆剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。これら防錆剤は、潤滑剤に混合して保護層７上に塗布してもよく、潤滑剤を塗布する前に保護層７上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布してもよい。防錆剤の塗布量としては、０．１〜１０ｍｇ／ｍ2が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
【００３７】
上述の製造方法で作製した磁気記録媒体は、製造工程で付着した塵埃や潤滑剤の凝集が生じることがある。このため、作製した磁気記録媒体は熱処理、ワイピング、バーニッシュなどのクリーニング工程によってクリーニングされることが好ましい。
【００３８】
磁気ディスクでは磁気ヘッド、光ヘッドの位置出しを行うため、トラッキングサーボが用いられる。本発明の情報記録媒体においては、従来からハードディスクで使用されてきた媒体上のサーボ信号を読み出して、その信号に応じてヘッドを追従させるサンプルサーボ方式、従来から光ディスク、ＭＯディスクで使用されてきた基板のランド／グルーブ情報を光で読み出す光サーボ方式のいずれも使用できる。さらに、本発明の情報記録媒体では、トラッキング情報を磁気的に媒体上に記録して、これを光のカー回転角を用いて読み出す後述の方法が特に好適である。
【００３９】
磁気信号のトラッキング信号を磁気ディスクに記録する、即ち、磁気記録層をプリフォーマットする方法は、特に限定されない。例えば、磁気ヘッドにより磁化領域を書き込んでもよく、磁気転写により磁化領域を形成してもよい。微細なパターンの磁化領域を短時間で形成するためには、磁気転写により磁化領域を形成するのが特に好ましい。
【００４０】
磁気転写は、軟磁性層が形成されたマスター担体から、磁化される前の磁気記録層を備えたスレーブ媒体に、磁気信号を転写して所定パターンの磁化領域を形成する方法である。マスター担体は、シリコン、アルミニウム等の非磁性材料で構成された基板上に、転写パターンに応じて形成された、磁束密度が大きなＣｏ、Ｆｅなどの強磁性体からなる凸状の軟磁性層を形成したものであり、基板と磁性層との間には、必要に応じてＣｒ、Ｔｉ等の非磁性金属材料で構成された導電性層を設けることができる。マスター担体は、フォトファブリケーションや、光ディスクの基板形成に使用するスタンパを用いて作製することができる。例えば、スタンパにより所定パターンが形成されたニッケル基板に磁性層を形成してマスター担体を得ることができる。以下、磁気転写により磁化領域を形成する方法を具体的に説明する。
【００４１】
まず、非磁性支持体の両面の各々に、磁化される前の本発明の情報記録媒体に、ある方向の直流磁界を印加して、スレーブ媒体の磁気記録層を磁界印加方向に励磁する（初期磁化）。なお、磁気記録層は、初期磁化されて全体が磁化領域となる。
次に、マスター担体を、初期磁化されたスレーブ媒体に密着させて、転写磁界として先ほどと逆方向の直流磁界または交流バイアス磁界等を印加し、磁性層をこの方向に励磁する。これにより、スレーブ媒体と磁性層とが接触している部分から、磁気記録層の対応する部分に磁界が印加されて、その部分の磁化方向が反転し、磁化領域に逆向きの磁化領域が形成される。これによりスレーブ媒体の精密なプリフォーマットが行われる。
【００４２】
この磁気転写法で書き込まれたサーボ信号は通常のハードディスクと同様に磁気ヘッド読み出しても良いが、次に示すＭＯの原理を利用した光トラッキングも使用可能である。
【００４３】
つまり、この場合、支持体側がＳ極で保護層がＮ極になる方向に磁化された磁化領域に直線偏光を照射すると、磁気カー効果により、その反射光の偏光面は入射光の偏光面から所定角度θ（例えば右回り）だけ回転する。一方、支持体側がＮ極で保護層側がＳ極になる方向に磁化された磁化領域に同じ直線偏光を照射すると、磁気カー効果により、その反射光の偏光面は入射光の偏光面から所定角度−θ（例えば左回り）だけ回転する。
このためトラッキング用のレーザー光を照射すると、照射されたレーザー光は、磁気ディスクにより反射される。偏光板等を通してこの反射光から偏光面が所定角度だけ回転した反射光を検出し、この反射光の強度により、磁気ヘッドとトラックの相対的なずれを検出して、トラッキング・サーボを行うことができる。即ち、同心円状またはスパイラル状に設けられた磁化領域は、トラッキング・ガイドとしての役割を果たす。なお、トラッキング・エラー検出方式としては、２分割フォトディテクタを用いてトラッキング誤差信号を得るプッシュプル法、３ビーム法等、光ディスクにおいて使用されるトラッキング・エラー検出方式を使用することができる。
【実施例】
【００４４】
〔実施例１〕
鏡面研磨された２．５ｉｎｃｈφサイズのハードディスク用基板をスパッタ装置に設置し、Ａｒイオンによる基板クリーニングを行った。その後アルゴンを真空度０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）まで導入し、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＡｇＣｕ（１０ａｔ％）をターゲットとしてＡｇＣｕ反射層を５０ｎｍの厚みとなるように成膜し、次にＳｉ3Ｎ4をターゲットとしてＳｉＮxからなる干渉層を８０ｎｍの厚みとなるように成膜し、次にＰｄターゲットを用いてＰｄからなる厚み２．５ｎｍのＰｄ下地層を形成した。さらにこの上にＣｏターゲットとＰｄターゲット上で前記フィルムを回転させ、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜からなる記録層を作成した。この多層膜の厚みはＣｏが０．２ｎｍ、Ｐｄが０．８ｎｍであり、これを１５層積層することで１５ｎｍ厚の磁性層とした。さらにこの上にＳｉ3Ｎ4をターゲットとしてＳｉＮxからなる保護層を２０ｎｍの厚みとなるように成膜した。
【００４５】
作製した磁気ディスクは磁界強度１Ｔの永久磁石を用いて初期化した後、グルーブ幅０．３μｍ、ランド幅０．６μｍのスパイラルパターンを形成した磁気転写マスター単体と圧着し、初期化磁界と逆向きに保磁力に相当する転写磁界〔１９９ｋＡ／ｍ（２５００Ｏｅ）〕を印加して、スパイラル状のサーボ信号を記録した。
【００４６】
この磁気ディスクの電磁変換特性の評価は、回転数１０００ｒｐｍで回転させた状態で半径２５ｍｍ位置に光ヘッド（波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６）をロードし、転写したサーボ信号を用いてトラッキングサーボをかけた状態で２ＭＨｚの信号を光変調方式で記録し、そのＭＯ出力対信号近傍ノイズ比（ＣＮＲ）を評価することで行った。なお、この装置においてトラッキングエラー信号の検出はサブビームにもカー回転角の検出機構を設けた特殊な３ビーム方式を用いており、記録時の外部磁界は０．０５Ｔ（５００Ｇ）とした。また記録時のレーザーパワーは５．０ｍＷ、再生時のレーザーパワーは１．５ｍＷとした。ＣＮＲの結果は実施例１の結果を基準に相対値で整理した。作製したディスクの垂直方向の保磁力、波長６６０ｎｍにおけるカー回転角はカー効果測定装置（日本分光株式会社製Ｋ−２５０）を用いて、カーヒステリシス曲線から求めた。
【００４７】
〔実施例２〜９、比較例１〜３〕
実施例１において保護層、下地層、磁性層の膜厚を表１記載の構成に代えて実施例２〜９、比較例1〜２を作製した。また比較例３では反射膜を作製せず、それ以外は実施例１と同様に試料を作製した。
【００４８】
【表１】
2005056504.tif 000003
【００４９】
実施例の評価結果を下記表２に示す。
【００５０】
【表２】
2005056504.tif 000004
【００５１】
上記結果からわかるように本発明を適用した情報記録媒体は、高いＣＮＲを確保でき、高密度媒体に適することがわかる。上記実施例では表面入射型光変調ＭＯの形態を示したが、同様の効果によって、表面入射型磁界変調ＭＯや光アシスト磁気記録媒体としても有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の情報記録媒体の層構成を示す概略図。
【符号の説明】
【００５３】
１  情報記録媒体
２  非磁性支持体
３  反射層
４  干渉層
５  下地層
６  磁気記録層
７  保護層
８  潤滑層
【図１】
2005056504.tif 000005