(57)【要約】【課題】 アドレッシング(addressing)に必要な時間が短縮したプラズマディスプレイパネルとその駆動方法及び装置を提供する。【解決手段】 スキャン電極とサステイン電極が形成された上部基板と、アドレス電極、横隔壁及び縦隔壁が形成された下部基板とを含み、前記横隔壁及び縦隔壁は、互いに交差して多数の放電セルを形成し、前記放電セルは、蛍光体が塗布された主放電セルと、酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルとに区分される。【選択図】  図１２
2005056850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極とサステイン電極が形成された上部基板と、アドレス電極、横隔壁及び縦隔壁が形成された下部基板とを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記横隔壁及び縦隔壁は、互いに交差して多数の放電セルを形成し、
前記放電セルは、蛍光体が塗布された主放電セルと、酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルに区分されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記横隔壁は、前記放電セルと放電セルを区分する第１横隔壁と、前記主放電セルと補助放電セルを区分する第２横隔壁とを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第２横隔壁には、前記主放電セルと補助放電セルを連結する開口部が形成されたことを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１横隔壁の上側にはスキャン電極が形成されたことを特徴とする請求項２または３記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第２横隔壁の上側にはサステイン電極が形成されたことを特徴とする請求項２または３記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前補助放電セルの上側にはコントラスト向上のためのブラックマトリックスが形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記補助放電セルの側面には蛍光体が塗布されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
横隔壁及び縦隔壁の交差によって多数の放電セルが形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
前記放電セル内の酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルでプライミング放電を起こす段階と、
前記プライミング放電によって発生したプライミング荷電粒子が流入される蛍光体が塗布された主放電セルでアドレス放電を起こす段階とを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項９】
前記主放電セルにおけるアドレス放電と同時に、下側に横隔壁によって区分されて位置した補助放電セルでプライミング放電が起こることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１０】
横隔壁及び縦隔壁の交差によって多数の放電セルが形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記横隔壁及び縦隔壁は、互いに交差して蛍光体が塗布された主放電セルと酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルとに区分された多数の放電セルと、
前記補助放電セル内でプライミング放電を起こし、前記プライミング放電によって生成されたプライミング荷電粒子を用いて主放電セルでアドレス放電を起こす駆動回路とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１１】
前記駆動回路は、スキャン電極に順次スキャンパルスを供給するスキャン駆動回路と、
アドレス電極に前記スキャンパルスと同期されるデータパルスを供給するデータ駆動回路と、
前記スキャン駆動回路と交代に作動してサステイン電極にサステインパルスを供給するサステイン駆動回路とを含むことを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１２】
各セルが分離されるように、下部基板の上部に形成された横隔壁及び縦隔壁と、上部基板の下部に形成されたバス電極とを含み、前記横隔壁の幅が縦隔壁の幅より厚く形成される隔壁構造を有する面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルにおいて、
隣接する上部セルと下部セルを分離させる横隔壁に横長さ方向に所定の幅と高さを有する横溝を形成させ、上部基板と下部基板が合着されるとき、前記横溝の直上部にバス電極が横長さ方向に配置されるようにすることを特徴とするウェル型隔壁構造を有する面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
バス電極のうちサステインバス電極が一つに統合され、上部セルと下部セルに同時に電圧が印加されることを特徴とする請求項１２記載のウェル型隔壁構造を有する面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
主放電セルと、
前記主放電セルに隣接する補助放電セルと、
前記主放電セルと補助放電セルを区分する多数の横隔壁と前記横隔壁が連結される多数の縦隔壁とを有する隔壁と、
前記横隔壁の間を貫通し、前記補助放電セル内で発生する荷電粒子を前記主放電セルへ案内するための排気／電荷移動路とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
上部基板上に形成され、前記主放電セルと前記補助放電セルで放電を起こすための上板電極と、
前記横隔壁と前記縦隔壁上に形成される蛍光体と、
前記上板電極と交差する方向に前記上部基板と対向する下部基板上に形成される下板電極とをさらに備えることを特徴とする請求項１４記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記上板電極それぞれは、
透明電極と、
前記透明電極の一側に形成される金属バス電極とを備えることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記金属バス電極は前記横隔壁に重畳されることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
主放電セルと、前記主放電セルに隣接する補助放電セルと、前記主放電セルと前記補助放電セルに区分する多数の横隔壁と前記横隔壁が連結される多数の縦隔壁とを有する隔壁と、前記横隔壁の間を貫通し、前記補助放電セル内で発生する荷電粒子を前記主放電セルへ案内するための排気／電荷移動路が形成されたプラズマディスプレイパネルを駆動するための方法において、
前記補助放電セル内で発生するプライミング荷電粒子を用いて前記主放電セル内で放電を起こす段階を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１９】
主放電セルと、前記主放電セルに隣接する補助放電セルと、前記主放電セルと前記補助放電セルを区分する多数の横隔壁と前記横隔壁が連結される多数の縦隔壁とを有する隔壁と、前記横隔壁の間を貫通し、前記補助放電セル内で発生する荷電粒子を前記主放電セルへ案内するための排気／電荷移動路が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記補助放電セル内で発生するプライミング荷電粒子を用いて前記主放電セル内で放電を起こす駆動部とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに係り、より詳しくは、プラズマディスプレイパネルとその駆動方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel：以下「ＰＤＰ」という)は、Ｈｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅガスの放電時に発生する紫外線で蛍光体を発光させることにより、画像を表示する。このようなＰＤＰは、薄膜化と大型化が容易であるうえ、最近の技術開発に励まされて大きく向上した画質を提供する。特に、３電極交流面放電型ＰＤＰは、放電時に表面に蓄積された壁電荷を用いて、放電に必要な電圧を低め、放電によって発生するスパッタリングから電極を保護するから低電圧駆動と長寿命の利点を有する。
【０００３】
図１は従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの放電セルを示す斜視図である。図１に示すように、３電極交流面放電型ＰＤＰは、上部基板１０上に形成された多数のスキャン電極Ｙ及び多数のサステイン電極Ｚと、下部基板１８上に形成されたアドレス電極Ｘとを備える。
【０００４】
このＰＤＰの放電セルは、スキャン電極Ｙ、サステイン電極Ｚ及びアドレス電極Ｘの交差部毎に形成されてマトリックス状に配置される。
【０００５】
スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚそれぞれは、透明電極１２と、透明電極１２より小さい線幅を有し、透明電極の一側縁に形成される金属バス電極１１とを含む。透明電極１２は、通常、インジウム錫酸化物(Indium-Tin-Oxide:ＩＴＯ)によって上部基板１０上に形成される。金属バス電極１１は、通常、金属で透明電極１２上に形成され、高抵抗の透明電極１２による電圧降下を減らす役割を果たす。スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚが形成された上部基板１０には、上部誘電体層１３と保護膜１４が積層される。上部誘電体層１３にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が積もる。保護膜１４はプラズマ放電時に発生したスパッタリングから電極Ｙ、Ｚと上部誘電体層１３を保護し、２次電池の放出効率を高める。この保護膜１４としては、通常、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が用いられる。
【０００６】
アドレス電極Ｘは、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚと交差する方向に下部基板１８上に形成される。下部基板１８上には下部誘電体層１７と隔壁１５が形成される。下部誘電体層１７と隔壁１５の表面には、蛍光体層１６が形成される。隔壁１５は放電セルを物理的に区分する。蛍光体層１６は、プラズマ放電時に発生した紫外線によって励起・発光して赤色、緑色または青色のいずれか一つの可視光線を発生する。
【０００７】
上／下部基板１０、１８と隔壁１５との間に設けられた放電セルの放電空間には、放電のためのＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅ、Ｈｅ＋Ｘｅ＋Ｎｅなどの不活性混合ガスが注入される。
【０００８】
図２は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、８つのサブフィールドが含まれた従来の一つのフレームを示す図である。図２に示すように、このような３電極交流面放電型ＰＤＰは、画像の諧調(Gray Level)を実現するために、一つのフレームを、発光回数の異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。２５６階調で画像を表示しようとする場合、１／６０秒に該当するフレーム期間（１６.６７ｍｓ）は、図２のように８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分けられる。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８は、放電セルを初期化するためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及び放電回数によって諧調を実現するサステイン期間に分けられる。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８のリセット期間及びアドレス期間は各サブフィールド毎に同一である反面、サステイン期間及びその放電回数は各サブフィールドにおいて２ｎ（但し、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加する。
【０００９】
ところが、前記のようなプラズマディスプレイパネルは、アドレス期間を任意的に減らすことが難しいため、画面の解像度が増加し、或いは動映像で擬似輪郭ノイズ(Contour noise)を減らすためにサブフィールドを追加する場合、サステイン期間を十分確保することが難しいという問題点がある。
【００１０】
たとえば、アドレス放電が必要な時間を３μｓとすれば、ＶＧＡ（６４０×４８０）の解像度において一つのサブフィールドで必要なアドレス期間は、３μｓ×４８０＝１.４４ｍｓがかかる。また、各サブフィールドで必要なリセット期間が約３００〜６００μｓであり、一つのフレーム期間（１６.６７ｍｓ）内に図２のような８つのサブフィールドが含まれていると、ＶＧＡ級の解像度において一つのフレーム期間で必要な総リセット期間とアドレス期間は（１.４４ｍｓ×８）＋（０.３〜０.６ｍｓ）×８）＝１３.９２〜１６.３２ｍｓである。したがって、前記リセット期間とアドレス期間を除いたサステイン期間は、１６.６７ｍｓ−（１３.９２〜１６.３２ｍｓ）＝０.３５〜２.７５ｍｓなので、一つのフレーム期間の２.０９〜１６.５％程度に過ぎない。
【００１１】
もし解像度がＸＧＡ（１０２４×７６８）に高くなると、一つのサブフィールドで必要なアドレス期間は３μｓ×７６８＝２.３ｍｓがかかり、一つのサブフィールドで必要なリセット期間が約３００〜６００μｓであり、ＸＧＡの解像度で一つのフレーム期間内に８つのサブフィールドが含まれるとするとき、一つのフレーム期間内における総リセット期間とアドレス期間は、（２.３ｍｓ×８）＋（０.３〜０.６ｍｓ）×８）＝２０.８〜２３.２である。したがって、前記リセット期間とアドレス期間を除いたサステイン期間は、１６.６７ｍｓ−（２０.８〜２３.２ｍｓ）＝−６.５３〜−４.１３ｍｓであって、ＸＧＡ級において一つのフレーム内に８つのサブフィールドが割り当てられると、アドレス放電に必要な時間を減らさなくてはサステイン期間を確保することが不可能である。
【００１２】
このような駆動時間の不足を解決するために、プラズマディスプレイパネルを上半部と下半部に分け、上半部と下半部を同時にデュアルスキャン（またはダブルスキャン）する方式が提案されたことがある。ところが、デュアルスキャン方式は、上半部と下半部のデータを分離してプラズマディスプレイパネルに供給しなければならないため、データ駆動回路の数が約２倍さらに必要であるという欠点がある。
【００１３】
したがって、従来のプラズマディスプレイパネルは、アドレス期間が長くてサステイン期間の確保が難しいため、輝度が低く、サブフィールドの個数も増やすことができないので、動画像において擬似輪郭ノイズに弱いという問題点が発生するしかない。
【００１４】
図１は従来のウェル型隔壁構造を示しているが、これをより詳細に考察すると、次の通りである。
【００１５】
図３、図５、図７は従来の技術に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図であり、図４、図６、図８は前記図３、図５、図７の隔壁構造を備えながら、横隔壁の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。
【００１６】
まず、図３を参照してウェル型隔壁について説明すると、前記隔壁は、下部ガラス基板（図示せず）の上部に位置し、隣接セル２１３ ａ、２１3 ｂ 、２１３ｃとの誤放電防止のために横方向に形成された横隔壁２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃと縦方向に形成された多数個の縦隔壁２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃが等間隔で配置される。すなわち、ウェル型隔壁は、セル２１３ ａ、２１3 ｂ 、２１３ｃが横隔壁２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃと縦隔壁２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃで取り囲まれた形状を有する。
【００１７】
図４に示すように、透明電極２１５ａ、２１５ｂは前記セルの上部に位置し、バス電極２１４ａ、２１４ｂは前記横隔壁２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃの上部に所定の間隔で離隔し、横隔壁２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃの両側に一つずつ横長さ方向に配置される。
【００１８】
ところが、前記のようなウェル型隔壁構造を有する面放電方式ＡＣ型ＰＤＰは、輝度を定める主要因の一つである各セル２１３、２１４、２１３ｃの面積を占めている光が透過し得る領域の割合、すなわち開口率が著しく低いので、輝度と効率が低くなるという問題点がある。
【００１９】
かかる問題点を解決するために、図５または図６のようなウェル型隔壁構造を有するＰＤＰが考案された。すなわち、図５または図６では、横隔壁２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃを前記図３または４に示された横隔壁２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃより幅を厚く形成した。
【００２０】
ところが、図５または図６のような隔壁構造を有するＰＤＰは、データ電極（図示せず）と上板電極間の静電容量の増加により無効電力が上昇し、これにより全体パネルの消費電力が増加するという問題点がある。
【００２１】
このため、かかる問題点を解決するために、図７または図８のような隔壁構造を有するＰＤＰが考案された。すなわち、図７または図８では、前記図５または図６に示された横隔壁２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃの上面に、所定の幅と高さを有する横溝２３６ａ、２３６ｂ、２３６ｃを横長さ方向に形成した。
【００２２】
ここで、図６及び図８は、図４で説明したものと同様に、図５及び図７のような隔壁構造を有しながら、バス電極及び透明電極が配置されたことを示す。
【００２３】
図７または図８のような隔壁構造からなるＰＤＰは、上板電極と下板電極間の静電容量が減少して無効電力が減少しただけでなく、設けられた溝が排気通路の役割をして排気性能も共に向上した。ところが、バス電極が隔壁上に設置されているため、下板電極と上下電極間の静電容量は依然として大きく残っている実情である。
【００２４】
また、このようなＰＤＰの隔壁構造は、図９のようなストライプ型(stripe type)と図１０のような閉鎖型が代表的であり、最近、図１１のようなフィシュボーン型(Fish bone type)が開発されたことがある。
【００２５】
図９のようなストライプ型隔壁１５は、アドレス電極Ｘの間でそのアドレス電極Ｘの方向にのみ形成され、横方向に隣り合う放電セルの間を物理的に区分する。このストライプ型隔壁１５は、縦方向に隣接したセルの空間を遮断しないため、ＰＤＰの排気工程で排気を容易に行うことができるという利点があるが、蛍光体塗布面積が小さいため、ＰＤＰの輝度と効率を低下させるという欠点がある。これに比べて、図１０のような閉鎖型隔壁４５は、アドレス電極Ｘの間でそのアドレス電極Ｘの方向に形成され、横方向に隣り合う放電セルの間を物理的に区分する縦隔壁４５ｂと、両側の縦隔壁４５ｂの間に形成され、縦方向に隣り合う放電セルを物理的に区分する横隔壁４５ａとを含む。この閉鎖型隔壁４５は、ストライプ型隔壁とは逆に、蛍光体の塗布面積が広くなるという利点があるが、横方向と縦方向それぞれで排気路をほぼ完全に遮断しているため、ＰＤＰの排気工程で排気を難しくするという欠点がある。
【００２６】
図１１のようなフィシュボーン型の隔壁５５は、アドレス電極Ｘの間でそのアドレス電極Ｘの方向に形成され、横方向に隣り合う放電セルの間を物理的に区分する縦隔壁５５ｂと、中間部に排気路が形成されるように両側の縦隔壁５５ｂそれぞれでその縦隔壁５５ｂの垂直方向に形成され、縦方向に隣り合う放電セルを物理的に区分する横隔壁５５ａとを含む。このフィシュボーン型の隔壁５５は、ストライプ型隔壁１５に比べて蛍光体のオフ面積が広くなるという利点があり、閉鎖型隔壁４５に比べて排気路の確保が容易であるという利点がある。
【００２７】
ところが、前述したＰＤＰは、図９〜図１１のような隔壁構造を採用しても、効率が満足すべき水準に至らず、解像度の増加または効率を高めるために放電ガスにおいてＸｅの添加量を高めると、アドレス放電遅延、すなわちアドレスジッタ値が増加して駆動時間が足りなくなるという問題点がある。アドレス放電遅延時間が長くなると、アドレス期間が長くなるので、それだけサステイン期間が短くなり、擬似輪郭ノイズなどの画質低下要因を減らすために、サブフィールドを分割または追加することが困難になる。
【００２８】
また、前述したＰＤＰは、金属バス電極１１が放電セル内の有効表示面を横断するために、その金属バス電極１１によって開口率が落ち、輝度が低下するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
したがって、本発明は、かかる従来の問題点を解決するためのもので、その目的は、アドレッシング(addressing)に必要な時間が短縮したプラズマディスプレイパネルとその駆動方法及び装置を提供することにある。
【００３０】
本発明の他の目的は、データ電極と上板電極間の静電容量が減少して無効電力が減少したウェル型隔壁構造を有する面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【００３１】
本発明のさらに他の目的は、発光効率を高め、アドレス高速駆動を可能にしたプラズマディスプレイパネルとその駆動方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、スキャン電極とサステイン電極が形成された上部基板と、アドレス電極、横隔壁及び縦隔壁が形成された下部基板とを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記横隔壁及び縦隔壁は、互いに交差して多数の放電セルを形成し、前記放電セルは蛍光体が塗布された主放電セルと、酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルに区分されたことを特徴とする。
【００３３】
また、前記横隔壁は、前記放電セルと放電セルを区分する第１横隔壁と、前記主放電セルと補助放電セルを区分する第２横隔壁を含むことを特徴とする。
【００３４】
また、前記第２横隔壁には、前記主放電セルと補助放電セルを連結する開口部が形成されたことを特徴とする。
【００３５】
また、前記第１横隔壁の上側にはスキャン電極が形成されたことを特徴とする。
【００３６】
また、前記第２横隔壁の上側にはサステイン電極が形成されたことを特徴とする。
【００３７】
また、前補助放電セルの上側にはコントラスト向上のためのブラックマトリックスが形成されたことを特徴とする。
【００３８】
また、前記補助放電セルの側面には蛍光体が塗布されたことを特徴とする。
【００３９】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、横隔壁及び縦隔壁の交差によって多数の放電セルが形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、前記放電セル内の酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルでプライミング放電を起こす段階と、前記プライミング放電によって発生したプライミング荷電粒子が流入される蛍光体が塗布された主放電セルでアドレス放電を起こす段階とを含むことを特徴とする。
【００４０】
また、前記主放電セルにおけるアドレス放電と同時に、下側に横隔壁によって区分されて位置した補助放電セルでプライミング放電が起こることを特徴とする。
【００４１】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置では、横隔壁及び縦隔壁の交差によって多数の放電セルが形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、前記横隔壁及び縦隔壁は、互いに交差し、蛍光体が塗布された主放電セルと酸化マグネシウムが塗布された補助放電セルとに区分された多数の放電セルと、前記補助放電セル内でプライミング放電を起こし、前記プライミング放電によって生成されたプライミング荷電粒子を用いて主放電セルでアドレス放電を起こす駆動回路とを含むことを特徴とする。
【００４２】
また、前記駆動回路は、スキャン電極に順次スキャンパルスを供給するスキャン駆動回路と、アドレス電極に、前記スキャンパルスと同期されるデータパルスを供給するデータ駆動回路と、前記スキャン駆動回路と交代に作動してサステイン電極にサステインパルスを供給するサステイン駆動回路とを含むことを特徴とする。
【００４３】
本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、各セルが分離されるように、下部基板の上部に形成された横隔壁及び縦隔壁と、上部基板の下部に形成されたバス電極とを含み、前記横隔壁の幅が縦隔壁の幅より厚く形成される隔壁構造を有する面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルにおいて、隣接する上部セルと下部セルを分離させる横隔壁に横長さ方向に所定の幅と高さを有する横溝を形成させ、上部基板と下部基板が合着されるとき、前記横溝の直上部にバス電極が横長さ方向に配置されるようにすることを特徴とする。
【００４４】
また、前記横溝の直上部に配置されるバス電極のうち、サステイン(sustain)バス電極が一つに統合されて上部セルと下部セルに同時に電圧が印加されることを特徴とする。
【００４５】
本発明の第３実施形態に係るＰＤＰは、主放電セルと、前記主放電セルに隣接する補助放電セルと、前記主放電セルと補助放電セルを区分する多数の横隔壁と前記横隔壁が連結される多数の縦隔壁とを有する隔壁と、前記横隔壁の間を貫通し、前記補助放電セル内で発生する荷電粒子を前記主放電セルへ案内するための排気／電荷移動路を備える。
【００４６】
本発明の第３実施形態に係るＰＤＰは、上部基板上に形成され、前記主放電セルと前記補助放電セルで放電を起こすための上板電極と、前記横隔壁と前記縦隔壁上に形成される蛍光体と、前記上板電極と交差する方向に前記上部基板と対向する下部基板上に形成される下板電極とをさらに備える。
【００４７】
前記上板電極それぞれは、透明電極と、前記透明電極の一側に形成される金属バス電極とを備える。
【００４８】
前記金属バス電極は、 前記横隔壁と重畳する。
【００４９】
本発明の第３実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、主放電セルと、前記主放電セルに隣接する補助放電セルと、前記主放電セルと前記補助放電セルに区分する多数の横隔壁と前記横隔壁が連結される多数の縦隔壁とを有する隔壁と、前記横隔壁の間を貫通し、前記補助放電セル内で発生する荷電粒子を前記主放電セルへ案内するための排気／電荷移動路が形成されたＰＤＰを駆動するための方法において、前記補助放電セル内で発生するプライミング荷電粒子を用いて前記主放電セル内で放電を起こす段階を含む。
【００５０】
本発明の第３実施形態に係るＰＤＰの駆動装置は、主放電セルと、前記主放電セルに隣接する補助放電セルと、前記主放電セルと前記補助放電セルを区分する多数の横隔壁と前記横隔壁が連結される多数の縦隔壁とを有する隔壁と、前記横隔壁の間を貫通し、前記補助放電セル内で発生する荷電粒子を前記主放電セルへ案内するための排気／電荷移動路が形成されたＰＤＰと、前記補助放電セル内で発生するプライミング荷電粒子を用いて前記主放電セル内で放電を起こす駆動部とを備える。
【発明の効果】
【００５１】
本発明ば、アドレス放電が迅速に起こりうるようにすることができる。
本発明ば、静電容量をさらに減少させることができ、これにより無効電力を最小化させることができる。また、前記サステイン溝を最小化させることにより、放電セルの大きさを従来の技術より小型化させることができる。
本発明は、アドレス放電を速く且つ安定的に起こす。その結果、本発明に係るＰＤＰとその駆動方法及び装置は、排気が容易であるうえ、ＰＤＰの発光効率を高め、アドレスの高速駆動を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００５３】
＜第１実施形態＞
図１２は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上板と下板とを分離して説明する図、図１３は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの電極と隔壁構造を説明する図、図１４は図１３のＩ−Ｉ’線に沿った断面図、図１５は図１３のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。  
【００５４】
図１２〜図１５を参照して説明すると、本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚが形成された上部基板１と、アドレス電極Ｘ、横隔壁８ａ、８ｂ及び縦隔壁８ｃが形成された下部基板７とを含む。前記下部基板７は、横隔壁８ａ、８ｂ及び縦隔壁８ｃによって主放電セル３２と補助放電セル３１が形成されるが、前記主放電セル３２は蛍光体３０が塗布され、前記補助放電セル３１は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）２９が塗布される。また、図示していないが、前記補助放電セル３１の側面には蛍光体３０が塗布できる。
【００５５】
また、前記上部基板１、下部基板７及び隔壁８ａ、８ｂ、８ｃによって設けられた放電空間には、Ｈｅ×Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅ、Ｈｅ＋Ｘｅ＋Ｎｅなどの混合ガスが注入される。
【００５６】
前記主放電セル３２には赤色、緑色及び青色の蛍光体３０が形成され、放電によって発生した紫外線に励起されて赤色、緑色及び青色波長帯域の光を放出する。
【００５７】
そして、前記補助放電セル３１は、プライミング荷電粒子３３（荷電粒子及び励起粒子）が発生するようにして、主放電セル３２内におけるアドレス放電がより迅速に起こるようにする。ここで、前記酸化マグネシウム（ＭｇＯ）２９は、プライミング荷電粒子３３の放電を促進させる物質であって、前記所穂放電セル３１に塗布される。前記補助放電セル３１は、第１横隔壁８ａと第２横隔壁８ｂ間の放電空間であって、プライミング放電により生成されたプライミング荷電粒子３３を主放電セル３２に供給する。
【００５８】
前記プラズマディスプレイパネルの構造についてより詳細に説明すると、前記スキャン電極Ｙは上部基板１に形成されるが、主放電セル３２の上側のＩＴＯ(Indium-Tin-Oxide)の透明電極パターン２Ｙと、第１横隔壁８ａの上側の金属バス電極３Ｙとを含む。また、サステイン電極Ｚは、前記スキャン電極Ｙの透明電極パターン２Ｙと対応して位置する透明電極パターン２Ｚと、第２横隔壁８ｂの上側の金属バス電極３Ｚとを含む。
【００５９】
前記横隔壁８ａ、８ｂは、主放電セル３２と補助放電セル３１とが分離されるようにするが、特に前記第１横隔壁８ａは、上下に隣り合った放電セルを分離させ、上下に隣り合ったセル間のコントラスト低下を防止し、第２横隔壁８ｂは、主放電セル３２と補助放電セル３１とを分離させ、開口部９が形成されてプライミング荷電粒子３３が主放電セル３２へ移動するようにする。そして、縦隔壁８ｃは、前記横隔壁８ａ、８ｂと垂直に形成され、横方向に配列される赤色、緑色及び青色の主放電セル３２及び補助放電セル３１が分離されるようにする。
【００６０】
また、前記補助放電セル３１の上側の上部基板１には、ブラックマトリック３４が形成されるが、前記ブラックマトリックス３４は、第１誘電層４と第２誘電層５との間に形成され、前記第２誘電層５の全面には酸化マグネシウム（ＭｇＯ）成分の保護層６が形成される。
【００６１】
前記ブラックマトリックス３４は、補助放電セル３１内でスキャン電極Ｙの金属バス電極３Ｙとサステイン電極Ｚの金属バス電極３Ｚとの間に放電が起こるときに発生する光が外部に漏洩することを防止してコントラストの低下を防ぐ。
【００６２】
次に、前記のように構成された本発明に係るプラズマディスプレイパネルの作動を、プラズマディスプレイパネルの駆動方法及び装置によって説明する。
【００６３】
図１６は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を説明する図である。
【００６４】
図１６を参照すると、本発明に係るプラズマディスプレイパネル６４の駆動装置は、アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにビデオデータを供給するデータ駆動部６１と、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに初期化信号とスキャンパルスとサステインパルスを供給するスキャン駆動部６２と、サステイン電極Ｚ１〜Ｚｎにサステインパルスを供給するサステイン駆動部６３とを含む。
【００６５】
前記スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎとサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎは、アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍと交差し、その交差地点に形成されるセル６５がマトリックス状に配置される。それぞれのセル６５は、図３〜図６に示すように、蛍光体３０が形成された主放電セル３２と、酸化マグネシウム２９が形成された補助放電セル３１とを含む。
【００６６】
前記データ駆動部６１は、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次供給されるスキャンパルスに同期されるようにアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにビデオデータを供給し、前記スキャン駆動部６２は、リセット期間中に全画面を初期化するための立ち上がり波形と立ち下がり波形をスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。また、スキャン駆動部６２は、アドレス期間中にスキャンパルスをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次供給した後、サステイン期間中にサステインパルスをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。
【００６７】
そして、サステイン駆動部６３は、リセット期間中の一部期間とアドレス期間に正極性の直流バイアス電圧をサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎに供給した後、サステイン期間中にスキャン駆動部６２と交代に動作してサステインパルスをサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎに供給する。また、サステイン駆動部６３は、サステイン期間に相次いでセル６５内の残留電荷を消去するための消去信号をサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎに供給する。
【００６８】
図１７は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明する図である。
【００６９】
図１７を参照すると、リセット期間には全てのスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに同時に立ち上がり波形Ｒａｍｐ−ｕｐと立ち下がり波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが印加されるが、立ち上がり波形によって全画面のセル内に微弱な放電が起こり、その結果、全画面のセル内に壁電荷が生成される。そして、立ち下がり波形は、セル内に微弱な消去放電を起こすことにより、立ち上がり波形によって生成された壁電荷及び空間電荷のうちアドレス放電に不要な電荷を消去させて全画面のセル内に壁電荷を均一に残留させる。
【００７０】
アドレス期間には、負極性のスキャンパルス−ｓｃａｎがスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次印加されると同時に、アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍに前記スキャンパルス−ｓｃａｎと同期されるように正極性のデータパルスｄａｔａが印加される。
【００７１】
この際、前記スキャンパルス−ｓｃａｎとデータパルスｄａｔａとの電圧差によって主放電セル３２内のスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎとアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍの間にアドレス放電が起こり、同時にスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎとサステイン電極Ｚ２〜Ｚｎの間に微弱なプライミング放電が起こる。前記プライミング放電によって発生したプライミング荷電粒子３３が第２横隔壁８ｂの開口部９を介して主放電セル３１側へ移動する。
【００７２】
そして、次のスキャンパルス−ｓｃａｎが発生すると、スキャンパルス−ｓｃａｎとデータパルスｄａｔａとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧とが加えられ、その電圧とプライミング荷電粒子３３によるプライミング効果が加えられることにより、主放電セル３２内でスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎとアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍの間にアドレス放電が生ずる。
【００７３】
前記アドレス放電によって選択されたオンセル(on-cell)内には、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ上に正極性壁電荷が積もり、アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍ上に負極性壁電荷が積もる。そして、サステイン電極Ｚ１〜Ｚｎ上の壁電荷分布はリセット期間直後の壁電荷状態をほぼそのまま維持する。
【００７４】
アドレス放電過程によって酸化マグネシウム２９が塗布された補助放電セル３１のプライミング放電について説明すると、第１スキャン電極Ｙ１にスキャンパルス−ｓｃａｎが印加されるとき、２番目のラインの補助放電セル３１内で第１スキャン電極Ｙ１と第２スキャン電極Ｚ２との間にプライミング放電（図１３の４１）が起こる。次に、第２スキャン電極Ｙ２にスキャンパルス−ｓｃａｎが印加されるとき、プライミング放電によるプライミング効果の助けを受けて２番目のラインの主放電セル３２内で第２スキャン電極Ｙ２とアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍとの間にアドレス放電（図１３の４２）が起こる。
【００７５】
前記補助放電セル３１内で発生するプライミング放電とそれによるプライミング効果によってアドレス放電がより短時間内に起こり易く、その結果、プラズマディスプレイパネルに放電ガスにＸｅ含量を高める場合に発生するジッタ(jitter)値の増加、すなわちアドレス放電の遅延を最小化することができる。
【００７６】
一方、立ち下がり波形が供給される期間とアドレス期間中にサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎには、正極性の直流電圧Ｚｄｃが供給される。
【００７７】
そして、サステイン期間には、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎとサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎに交番的にサステインパルスｓｕｓが印加される。サステインパルスｓｕｓが印加される度に、アドレス放電によって選択されたオンセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスｓｕｓの電圧が加えられることにより、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎとサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎとの間に面放電の形でサステイン放電が起こる。
【００７８】
そして、サステイン期間に相次いで消去期間にはサステイン放電によって発生したセル内の残留電荷を消去するためのランプ波形型の消去信号ｅｒｓが供給される。
【００７９】
図１８は補助放電セルと酸化マグネシウムを塗布した場合のＩＯＮの数を説明する図である。
【００８０】
図１８に示すように、補助放電セル内に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を塗布することにより、より多くの荷電粒子が発生してアドレシング放電が迅速に起こる可能性がある。
【００８１】
上述したように、本発明の第１実施形態によれば、第１横隔壁と第２横隔壁を備えて主放電セルと補助放電セルを形成し、酸化マグネシウムが塗布された補助放電セル内でプライミング放電を起こした後、アドレス放電が起こるようにすることにより、アドレス放電が迅速に起こりうるようにすることができる。
【００８２】
＜第２実施形態＞
図１９は本発明の第２実施形態に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図、図２０は図１９の隔壁構造を備えながら横溝の直上部にバス電極が配置された状態の平面図である。
【００８３】
図１９に示すように、各セル３１３ａ、３１３ｂ、３１３ｃは、横隔壁３１１ａ、３１１ａ’、３１１ｂ、３１１ｂ’、３１１ｃ、３１１ｃ’と縦隔壁３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃによって分離される。前記横隔壁の幅が縦隔壁の幅より厚く且つ前記横隔壁に横長さ方向に所定の幅を高さを有する横溝３１５ａ、３１５ｂ、３１５ｃが形成される。
【００８４】
本発明のＰＤＰは、前記のように横隔壁の幅を厚く形成させることにより、従来の技術（図３〜図８）によるＰＤＰより輝度と効率を増加させることができ、且つ横溝（３１５ａ、３１５ｂ、３１５ｃ）を形成させることにより、上板電極と下板電極間の静電容量を減少させることができる。
【００８５】
図２０に示すように、バス電極３１６ａ、３１６ｂは、前記横溝３１５ａの直上部でありながら溝の両縁に横長さ方向に２つが形成される。すなわち、従来では、前記バス電極３１５ａ、３１５ｂ、３１５ｃが横隔壁の上部に位置するが、本発明では、横溝３１５ａの直上部に位置する。未説明符号３１４ａ、３１４ｂはＩＴＯ電極である。
【００８６】
前記のようにバス電極３１６ａ、３１６ｂが横溝３１５ａの直上部に配置されたＰＤＰは、バス電極が横隔壁の上部に配置されたＰＤＰ（図３〜図８）より上板電極と下板電極間の静電容量が減少する。その理由は、バス電極が横溝の直上部に配置されると、データ電極と上板電極との間には所定の空間が形成されるためである。このように静電容量が減少すると、無効電力も減少し、これによりＰＤＰの製品自体の消費電力が減少する。
【００８７】
前記上板に形成される電極にはバス電極とＩＴＯ電極などがあり、下板に形成される電極にはアドレス電極がある。前記バス電極にはサステインバス電極とスキャンバス電極がある。次に、図２１〜図２４は、横溝の直上部にバス電極（サステインバス電極とスキャンバス電極）が配置されたことを示す。
【００８８】
図２１は本発明の第２実施形態の変形例に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図、図２２は図２１の隔壁構造を備えながら横溝の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。図２１の隔壁構造は前記図１９の隔壁構造と同一である。したがって、その詳細な説明は省略する。
【００８９】
図２２に示すように、横溝の直上部にバス電極が形成されるが、前記バス電極のうちサステインバス電極３１６ｄ、３１６ｄ’は上下端横溝（以下、「サステイン溝」という）３１５ａ、３１５ｂの上部に位置し、スキャンバス電極３１６ｅ、３１６ｅ’は中端の横溝（以下、「スキャン溝」という）３１５ｂの上部に位置する。前記サステインバス電極とスキャンバス電極の位置は特に限定されない。すなわち、スキャンバス電極が上下端に位置し、サステインバス電極が中端に位置しても構わない。未説明符号Ａ、Ａ’はサステイン溝の幅をいい、Ｂはスキャン溝の幅をいう。
【００９０】
前記スキャンバス電極３１６ｅ、３１６ｅ’は、図１９または図２０に示したバス電極と同一の位置に形成される。すなわち、前記スキャンバス電極３１６ｅ、３１６ｅ’は横長さ方向に横溝３１５ｂの両縁の上部に位置する。
【００９１】
前記サステインバス電極３１６ｄ、３１６ｄ’は、一つに統合されて横溝３１５ａ、３１５ｃの中央に配置され、隣接する上部セル３１４ａと下部セル３１４ｂに同時にサステイン電圧を印加する。前記のように２つのサステインバス電極を一つに統合させると、図１９または図２０のような隔壁構造を有するＰＤＰよりその構造が簡単になり且つ上板電極と下板電極間の静電容量を減少させることができる。
【００９２】
図２３は本発明の第２実施形態の他の変形例に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図、図２４は図２３の隔壁構造を備えながら横溝の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。
【００９３】
図２３に示した隔壁は、図２１に示した隔壁と比較して説明すると、サステイン溝の幅Ｃ、Ｃ’が短くなる構造を有する。これは、図８ｂに示すように、サステインバス電極３１６ｄ、３１６ｄ’が位置するサステイン溝Ｃ、Ｃ”の空白を最小化するためのものである。前記のようにサステイン溝の幅Ｃ、Ｃ”が最小化されることにより、放電セルの大きさも最小化させることができる。
【００９４】
上述したように、本発明の第２実施形態によれば、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのウェル型隔壁において横隔壁が２つの部分に分けられることにより、上板と下板間の静電容量を減らすことができる。特に、サステインバス電極を一つに統合し、前記サステインバス電極をサステイン溝の上部に位置させることにより、静電容量をさらに減少させることができ、これにより無効電力を最小化させることができる。また、前記サステイン溝を最小化させることにより、放電セルの大きさを従来の技術より小型化させることができる。
【００９５】
＜第３実施形態＞
図２５は本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを示す分解斜視図、図２６は図２５のプラズマディスプレイパネルの電極配置と隔壁を示す平面図である。
【００９６】
図２５及び図２６を参照すると、本発明の実施形態に係るＰＤＰは、有効表示が行われる主放電セル７０と、主放電セル７０にプライミング荷電粒子を供給するための補助放電セル７１と、主放電セル７０と補助放電セル７１を貫通する排気／電荷移動路７２とを備える。
【００９７】
主放電セル７０と補助放電セル７１は、横隔壁６５ａと縦隔壁６５ｂを有する隔壁６５によって区分される。主放電セル７０には、プラズマ放電時に発生する紫外線によって励起及び遷移して可視光を発生する蛍光体（図示せず）が形成される。補助放電セル７１にはプラズマ放電時に荷電粒子を発生する。この補助放電セル７１内で発生する荷電粒子は、主放電セル７０内でのプラズマ放電を容易にするためのプライミング荷電粒子であって、主放電セル７０内に供給される。このような主放電セル７０と補助放電セル７１内にはＨｅ、Ｘｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ａｒなどが混合された不活性混合ガスが注入される。
【００９８】
このＰＤＰの上部基板６０上には多数のスキャン電極Ｙと多数のサステイン電極Ｚが形成され、下部基板６８上にはスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚに交差するアドレス電極Ｘが形成される。
【００９９】
スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚそれぞれは、透明電極６２と、透明電極６２より小さい線幅を有し、透明電極６２の一側縁に形成される金属バス電極６１とを含む。透明電極６２は、通常、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような透明伝導性金属物質で上部基板６０上に形成される。金属バス電極６１は、電気的抵抗の小さい金属で透明電極６２の一側に形成され、高抵抗の透明電極６２による電圧降下を減らす役割を果たす。
【０１００】
上部基板６０上には、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚを覆うように誘電体層（図示せず）が形成され、その誘電体層上にＭｇＯ保護膜（図示せず）が形成される。
【０１０１】
隔壁６５は下部基板６８上に形成される。この隔壁６５の横隔壁６５ａは、縦隔壁６５ｂから放電セルの１／２横幅より小さい長さだけ放電セルの横方向に長く形成される。この横隔壁６５ａは、縦方向において隣り合う主放電セル７０と補助放電セル７１との境界線上に位置するとともに、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚの金属バス電極６１と重畳する。対向する横隔壁６５ａの間には排気／電荷移動路７２が形成される。
【０１０２】
縦隔壁６５ｂは、アドレス電極Ｘを介してそのアドレス電極Ｘに沿って長く形成される。この縦隔壁６５ｂは横方向において隣り合う主放電セル７０と補助放電セル７１との境界線上に位置する。
【０１０３】
本発明に係るＰＤＰは、金属バス電極６１が横隔壁６５ａと重畳するので、主放電セル７０内で金属バス電極６１による開口率の低下がない。また、本発明に係るＰＤＰは、従来のＰＤＰに比べて補助放電セルだけ主放電セルの縦方向放電空間が減る可能性があるが、発光効率を増加させる。これは、一般に放電セルの縦方向放電空間が増える場合に発光効率が大きく異ならない点と、横隔壁６５ｂに形成された蛍光体の放電が大きく起こる放電空間にさらに近接してその蛍光体の発光効率が向上する点のためである。
【０１０４】
図２７は本発明の第３実施形態に係るＰＤＰとその駆動装置を示す。
【０１０５】
図２７を参照すると、本発明の実施形態に係るＰＤＰの駆動装置は、ＰＤＰのアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにデータを供給するためのデータ駆動部８２と、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎを駆動するためのスキャン駆動部８３と、サステイン電極Ｚを駆動するためのサステイン駆動部８４と、各駆動部８２、８３、８４を制御するためのタイミングコントローラ８１と、各駆動部８２、８３、８４に必要な駆動電圧を発生するための駆動電圧発生部８５とを備える。
【０１０６】
データ駆動部８２は、タイミングコントローラ８１からのタイミング制御信号ＣＴＲＸに応答してデータをサンプリングしラッチした後、そのデータをアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍに供給する。
【０１０７】
スキャン駆動部８３は、タイミングコントローラ８１の制御下にリセット期間に初期化波形をスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。そして、スキャン駆動部８３は、アドレス期間にスキャンパルスをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次供給した後、サステイン期間にサステインパルスｓｕｓを供給し、サステイン放電の了後には消去信号をスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。
【０１０８】
サステイン駆動部８４は、タイミングコントローラ８１の制御下にスキャン駆動部８３と交代に動作してサステインパルスｓｕｓをサステイン電極Ｚに供給する。
【０１０９】
タイミングコントローラ８１は、垂直／水平同期信号とクロック信号を入力として、各駆動部に必要なタイミング制御信号ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺを発生する。そして、タイミングコントローラ８１は、タイミング制御信号ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺを当該駆動部８２、８３、８４に供給することにより、各駆動部８２、８３、９８４を制御する。データ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路、及び駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部８３内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。そして、サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部８４内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
【０１１０】
駆動電圧発生部８５は、初期化波形のセットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン電圧−Ｖｙ、スキャンスイング電圧Ｖｓｃ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄなどを発生する。このような駆動電圧は放電ガスの組成または放電セルの構造によって変わる。
【０１１１】
図２８は本発明の第３実施形態に係るＰＤＰの駆動波形であって、図２７の駆動装置から発生する。
【０１１２】
図２８を参照すると、リセット期間には全てのスキャン電極Ｙに初期化波形として立ち上がり波形Ｒａｍｐ−ｕｐが供給された後、立ち下がり波形Ｒａｍｐ−ｄｎが供給される。立ち上がり波形Ｒａｍｐ−ｕｐによって全画面のセル内でスキャン電極Ｙとアドレス電極Ｘとの間とスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間には弱放電にセットアップ放電が起こる。このセットアップ放電によってアドレス電極Ｘとサステイン電極Ｚ上には正極性（＋）の壁電荷が積もり、スキャン電極Ｙ上には負極性（−）の壁電荷が積もる。立ち下がり波形Ｒａｍｐ−ｄｎがスキャン電極Ｙに供給される間、サステイン電極Ｚには正極性のサステイン電圧Ｖｓが供給され、アドレス電極Ｘには０Ｖが供給される。このようなたち下がり波形Ｒａｍｐ−ｄｎが供給されるとき、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚの間及びスキャン電極Ｙとアドレス電極Ｘの間に弱放電にセットダウン放電が起こる。
【０１１３】
このようなセットダウン放電により、セットアップ放電時に形成された壁電荷の中でも、アドレス放電に不要な過度な壁電荷が消去される。このようなリセット期間における壁電荷の変化を考察すると、アドレス電極Ｘ上の壁電荷の変化は殆どなく、セットアップ放電時に形成されたスキャン電極Ｙ上の負極性（−）壁電荷がセットダウン放電によって一部減少する反面、サステイン電極Ｚ上にはセットアップ放電時に正極性の壁電荷が形成されたが、セットダウン放電時にスキャン電極Ｙの負極性壁電荷の減少分だけ自分に負極性壁電荷が積もりながら負極性壁電荷が積もる。
【０１１４】
アドレス期間にはスキャンスイング電圧Ｖｓｃのスイング幅を有し、負極性スキャン電圧−Ｖｙまで電圧が低くなるスキャンパルスｓｃｐがスキャン電極Ｙに順次供給されると同時に、スキャンパルスｓｃｐに同期される正極性データ電圧Ｖｄのデータパルスｄｐがアドレス電極Ｘに供給される。スキャンパルスｓｃｐとデータパルスｄｐの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加えられることにより、データパルスｄｐが供給される主放電セル７０内にはアドレス放電が発生する。アドレス放電によって選択された主放電セル７０内には、サステイン電圧Ｖｓが供給されるときに放電が起こりうるにようにする程度の壁電荷が形成される。
【０１１５】
図２９は補助放電セルで発生するプライミング荷電粒子の移動を示す平面図である。このアドレス放電と同時に、図２９のように補助放電セル７１内には、スキャン電極Ｙとアドレス電極Ｘの間及び／またはスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚの間に補助放電が発生する。この補助放電によって発生したプライミング荷電粒子は、排気／電荷移動路７２を介して、次にスキャニングされた主放電セル７０に供給される。このように以前スキャンラインに含まれた補助放電セルから発生するプライミング荷電粒子によって次のスキャンラインの主放電セルにスキャンパルスｓｃｐとデータパルスｄｐが印加されると、セル内の壁電圧がプライミング荷電粒子によって高くなるので、アドレス放電が速く且つ安定的に起こる。したがって、本発明の実施形態に係るＰＤＰの駆動方法及び装置は、アドレス期間が減る可能性があるので、高速駆動が可能である。
【０１１６】
サステイン期間には、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚに交番的にサステイン電圧Ｖｓのサステインパルスｓｕｓが供給される。アドレス放電によって選択された主放電セル７０は、セル内の壁電圧と外部サステイン電圧Ｖｓが加えられることにより、サステインパルスｓｕｓ毎にスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間にサステイン放電、すなわち表示放電が発生する。
【０１１７】
サステイン放電の完了後には消去期間が続く。消去期間には電圧がサステイン電圧Ｖｓまで漸次上昇する消去ランプ波形ｅｒｓがサステイン電極Ｚに供給される。消去ランプ波形ｅｒｓは、スキャン電圧Ｙとサステイン電極Ｚの間に消去放電を起こすことにより、全画面の主放電セル７０と補助放電セル７１内に残留する壁電荷を消去させる。
【０１１８】
上述したように、本発明の第３実施形態に係るＰＤＰとその駆動方法及び装置は、横隔壁に金属バス電極を重畳させてその金属バス電極による開口率の低下を最小化し、横隔壁の位置を、放電が大きく起こる放電空間側に移動させることにより、横隔壁に形成された蛍光体の発光効率を高めることができる。また、本発明に係るＰＤＰとその駆動方法及び装置は、以前スキャンタイムの間、補助放電セル内でプラズマ放電を起こしてプライミング荷電粒子を発生させ、そのプライミング荷電粒子を、次にスキャニングされる主放電セルに供給することにより、アドレス放電を速く且つ安定的に起こす。その結果、本発明に係るＰＤＰとその駆動方法及び装置は、排気が容易であるうえ、ＰＤＰの発光効率を高め、アドレスの高速駆動を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの放電セルを示す斜視図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法において８個のサブフィールドが含まれた従来の一つのフレームを示す図である。
【図３】従来の技術に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図である。
【図４】前記図３の隔壁構造を備えながら、横隔壁の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。
【図５】従来の技術に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図である。
【図６】前記図５の隔壁構造を備えながら、横隔壁の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。
【図７】従来の技術に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図である。
【図８】前記図７の隔壁構造を備えながら、横隔壁の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。
【図９】従来のストライプ型隔壁を示す平面図である。
【図１０】従来の閉鎖型隔壁を示す平面図である。
【図１１】従来のフィシュボーン型隔壁を示す平面図である。
【図１２】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上板と下板を分離して説明する図である。
【図１３】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの電極と隔壁構造を説明する図である。
【図１４】図１３のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図１５】図１３のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。
【図１６】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を説明する図である。
【図１７】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明する図である。
【図１８】補助放電セルに酸化マグネシウムを塗布した場合のＩＯＮの数を説明する図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図である。
【図２０】図１９の隔壁構造を備えながら横溝の直上部にバス電極が配置された状態の平面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態の変形例に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図である。
【図２２】図１９の隔壁構造を備えながら横溝の直上部にバス電極が配置された状態の平面図である。
【図２３】本発明の第２実施形態の他の変形例に係る面放電方式ＡＣ型ＰＤＰのウェル型隔壁構造の平面図である。
【図２４】図２３の隔壁構造を備えながら横溝の直上部にバス電極が配置されたことを示す平面図である。
【図２５】本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを示す分解斜視図である。
【図２６】図２５に示したプラズマディスプレイパネルの電極配置と隔壁を示す平面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態に係るＰＤＰとその駆動装置を示す図である。
【図２８】本発明の第３実施形態に係る、図２７の駆動装置から発生するＰＤＰの駆動波形を示す図である。
【図２９】補助放電セルで発生するプライミング荷電粒子の移動を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１０ 上部基板
１８ 下部基板
１２ 透明電極
１１ 金属バス電極
１３  上部誘電体層
１４  保護膜
１５  隔壁
１６   蛍光体層
【図３】
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【図５】
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【図７】
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【図１９】
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【図２３】
2005056850.tif 000007
【図１】
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【図２】
2005056850.tif 000009
【図４】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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