(57)【要約】【課題】導波路のベース基板からの剥離を防止する導波路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】導波路基板１は、ベース基板２の上面に設けられた導波路溝内に、導波路コア４を内蔵する導波路３が形成されて構成され、導波路３の一対の周辺部は、それぞれベース基板２に設けられた楔状受部５に嵌合する状態にて設定される。この楔状受部５における楔嵌合結合により、導波路３の周辺部における剥離方向に向かう破断応力が抑止され、導波路３のベース基板２からの剥離が的確に防止される。【選択図】      図１
2005115047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上の溝内に導波路を密着して形成して構成される導波路基板において、該導波路の光軸に直交する断面で見るとき、該溝の両側面と該溝の底面との角度が鋭角であり、該溝の両側面は該導波路が該ベース基板から剥離することを防止する楔状受部をなしていることを特徴とする導波路基板。
【請求項２】
前記ベース基板がシリコン基板である請求項１に記載の導波路基板。
【請求項３】
前記ベース基板がガラス基板である請求項１に記載の導波路基板。
【請求項４】
ベース基板上の上面に導波路溝を有し、該導波路溝内に導波路を設けた導波路基板の製造方法において、
前記導波路溝の両内側側面が該導波路溝の底面に対し鋭角をなす形に導波路溝を形成し、前記導波路が該導波路溝から離脱するのを防止する楔状受部を該両内側側面でもって構成し、該楔状受部を形成した前記ベース基板を楔受け付基板となすステップＳ1と、
前記両内側側面および前記底面に密着して前記導波路溝内に前記導波路を作成するステップＳ2と
を有することを特徴とする導波路基板の製造方法。
【請求項５】
前記ステップＳ1は、ベース基板上にフォトレジストを塗布し、露光および現像を行うことにより前記溝または凹部を形成するためのパターニングを行い、ベース基板上の前記所定位置に、マスクとして作用する相対向するレジストを生成するステップＳ11と、
パターニングされたベース基板を、チャンバー内の対電極に対して、所定の傾斜角となるように設置してドライエッチングを行うステップＳ12と、
該ドライエッチングされたベース基板を、前記チャンバー内の対電極に対して、ステップＳ12の場合と反対の角度の向きに同一の傾斜角となるように設置し直して、再度ドライエッチングを行うステップＳ13と、
前記チャンバー内からドライエッチング後のベース基板を取出してレジストを除去し、前記楔受け付基板を作成するステップＳ14とを有し、
前記ステップＳ2は、前記楔受け付基板の基板上に光感光性高分子樹脂Ａをスピンコートにより成膜するステップＳ21と、
該楔受け付基板の導波路溝の全域を埋めるように、該導波路溝と同一面積程度の範囲にわたりマスク露光および現像を行い、現像後に摂氏２００度程度でポストベークすることにより、該導波路溝の内部に光感光性高分子樹脂Ａでなる所定の厚さのアンダークラッドを形成するステップＳ22と、
前記アンダークラッド上に、光感光性高分子樹脂Ａよりも屈折率の高い光感光性高分子樹脂Ｂをスピンコートにより成膜するステップＳ23と、
光感光性高分子樹脂Ａでなる前記アンダークラッドの所定範囲にわたり露光および現像を行い、現像後にポストベークすることにより、該アンダークラッド上に所定の厚さと幅を有する光感光性高分子樹脂Ｂの導波路コアを形成するステップＳ24と、
光感光性高分子樹脂Ａでなる楔受け付基板の前記アンダークラッド上に、光感光性高分子樹脂Ａをスピンコートにより成膜するステップＳ25と、
該楔受け付基板の導波路溝の全域を埋めるように、該導波路溝と同一面積程度の範囲にわたりマスク露光を行い、現像後に摂氏２００度程度でポストベークすることにより、該導波路溝の上面に光感光性高分子樹脂Ａでなる所定の厚さのオーバークラッドを形成し、所定のウエハとして作成するステップＳ26と、
ステップＳ26において作成されたウエハを、所定の大きさの寸法にダイシング処理してチップ化し、所望の導波路基板として製造するステップＳ27と
を有することを特徴とする請求項４に記載の導波路基板の製造方法。
【請求項６】
前記ベース基板がシリコン基板である請求項５に記載の導波路基板の製造方法。
【請求項７】
前記ベース基板がガラス基板である請求項５に記載の導波路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導波路基板およびその製造方法に関し、特に、ベース基板上に、導波路コアおよびクラッドにより形成される導波路を備えて構成される導波路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ベース基板上に、導波路コアおよびクラッドを積層して形成される導波路を有する導波路基板においては、クラッドのベース基板に対する積層手法に関連して，該導波路の周辺部がベース基板より剥離するという問題があり、これに対応する改善策が提案されている。その１例として、特許文献１には、ベース基板と、光導波路（以下、導波路と云う）の使用材料との間の熱膨張率差異に起因する剥離（またはクラック）の発生を防止する導波路基板およびその製造方法が開示されている。この従来例においては、導波路における、ベース基板からの剥離の発生という問題を解決するために、ベース基板上において、導波路を形成するコア（以下、導波路コアと云う）を含む該導波路コア近傍の一部の下部クラッド層（以下、アンダークラッドと云う）のみを残して、それ以外のアンダークラッドをベース基板上から殆ど除去し、上記の一部のみ残されたアンダークラッド上に導波路コアを形成するとともに、該アンダークラッド上に、該導波路コアを覆うように上部クラッド層（以下、オーバークラッドと云う）を形成することにより、アンダークラッド、導波路コアおよびオーバークラッドとベース基板との間の応力を極力開放する状態として、導波路のベース基板からの剥離の発生を防止するという方法が採られている。図１０（ａ）は、該特許文献１における導波路基板の構成を示す図であるが、例えば、ベース基板１７とアンダークラッド１９との接着性が良くない場合には、ベース基板１７の上面において、アンダークラッド１９を残したい部位（導波路コア２０を形成する部位およびその近傍）には、選択的にアンダークラッド１９との間の接着性が改善された領域として接着性改良部１８を形成した後に、ベース基板１７の上面にアンダークラッドが形成される。このアンダークラッドの内、上記の限定された領域以外のアンダークラッドは除去されて、図１０（ａ）に示されるように、極めて限定された領域に対応するアンダークラッド１９のみが形成される。そして更に、上記限定された領域に対応して、アンダークラッド１９の上面には導波路コア２０が形成され、その上部にオーバークラッド２１が形成されて導波路基板として形成される。このように、導波路コア２０を形成する部位およびその近傍の領域を限定して層間の接着性を改善することにより、導波路基板における層間の応力が緩和されて、問題となる剥離が回避されるものとしている。
【０００３】
また、他の例として、特許文献２においては、導波路における内部応力または反りの発生を防止できる光導波路素子の形成方法が開示されている。図１０（ｂ）は、特許文献２における導波路基板の外観斜視図であるが、その製造方法としては、セラミック多孔質基板２２の基板上に、エッチング溶液により浸食または溶解する剥離用膜２３を形成する工程と、この剥離用膜２３の皮膜上にコア層２４を積層する工程と、セラミック多孔質基板２２の下部をエッチング溶液に浸漬して剥離用膜２３に対するエッチングを行い、コア層２４をセラミック多孔質基板２２から剥離する工程と、コア層２４を他の基板上に高温にて貼り付ける工程と、コア層２４をパターニングする工程と、パターニングした後のコア層２４を被覆するように、前記他の基板上にクラッド層を形成する工程とを有している。
【０００４】
特許文献３には、光導波路と光ファイバの接続構造が開示されている。この接続構造では、光導波路は光導波路基板に形成されており、その光導波路基板の端部に光ファイバ挿入部なる凹部を設け、光導波路の端面が光ファイバ挿入部に臨むようにし、この光ファイバ挿入部に光ファイバを挿入し、その光ファイバのコアと光導波路とを当接し、光ファイバのコアと光導波路との軸合わせをし、その後に光ファイバの外周と光ファイバ挿入部の内壁との間隙に接着剤を充填し、接着剤を硬化させ、光導波路と光ファイバとの接続をしている。この特許文献３の接続構造では、接着剤の経年変化などにより接着剤と光導波路基板との接着に劣化が生じても、光導波路と光ファイバとの接続状態に劣化が生じることを防ぐために、光ファイバ挿入部の形に工夫を凝らしてある。その光ファイバ挿入部の形に関する第1の工夫は、光導波路基板の上方側から光ファイバ挿入部を見たとき、光ファイバ挿入部の上面の面積が底面の面積より小さいことである。その光ファイバ挿入部の形に関する第２の工夫は、光ファイバを挿入する側から光ファイバ挿入部を見たとき、光ファイバ挿入部の端面の幅が光ファイバ挿入部の最大幅より小さいことである。このように光ファイバ挿入部の形に工夫を凝らすことにより、接着剤の経年変化などにより接着剤の接着力が低下しても、光ファイバを光導波路基板から引きぬく方向の力、或いは光ファイバを光導波路基板に対し上方へ押し上げる力が作用しても、光ファイバが光導波路基板から抜けることがないとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２５５４２９
【特許文献２】特開平０８−２６２２４９
【特許文献３】実開平０５−０６９７０７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来の導波路基板またはその製造方法の内で、特許文献１に記載の方法では、ベース基板の導波路コアを形成する領域および近傍のみを残して導波路基板を形成することにより、積層間の応力を極力緩和して剥離の防止を図っているが、実用時における耐剥離特性の維持については確証が得られないという欠点がある。
【０００７】
また、その製造方法については、アンダークラッド層およびオーバークラッド層などを含む材料として、ポリイミド等の非感光性材料を使用しているために、限定された領域以外のアンダークラッド層およびオーバークラッド層を除去し、残したい下部クラッド下に対して選択的に行う下地処理工程、および途中過程において行うクラッド層除去工程などを含む工程手順の実施に際しては、積層形成上のプロセス処理を多用する必要があるという欠点がある。また、更に精密な導波路コアを形成する場合には、導波路コア近傍領域の下部クラッド上面に、導波路コアを作成する際に該導波路コアの形態が崩れやすくなり、それによる導波路基板の特性に対する影響が危惧されるという欠点がある。
【０００８】
また、特許文献２に記載の方法では、積層間の内部応力の発生を防止するために、導波路材料と同程度の熱膨張率のダミー基板を用いて導波路を形成した後に、エッチング処理等を行っている。しかし、このためには、ダミー基板から導波路を剥離させるというプロセス処理が付加的に必要になるという欠点がある。また、更に高精度の位置合わせを必要とするベース基板と導波路膜の場合には、より高度の処理技術を必要とするという欠点がある。
【０００９】
また、特許文献３は、光ファイバと光導波路基板とを接着する接着剤の接着力の低下があっても、該光導波路基板上の光導波路と該光ファイバとの接続を維持できるようにする構造を開示するが、光導波路基板における導波路がベース基板から剥離するのを防止する構造に関する技術を開示するものではない。
【００１０】
本発明の目的は、上記の欠点を排除して、ベース基板上に、導波路の２辺の周辺部に沿って楔受け作用を呈する一対の楔状受部を設け、該導波路を周辺部が該楔状受部に嵌合するようにしてベース基板上に形成し、該楔嵌合結合によって、導波路の周辺部における剥離方向に向かう破断応力を抑止することにより、問題の剥離を的確に防止することのできる導波路基板を提供するとともに、剥離防止に関わる導波路基板形成上のプロセス処理を容易に実施することのできる導波路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、前述の課題を解決するために、次の手段を提供する。
【００１２】
（１）ベース基板上の溝内に導波路を密着して形成して構成される導波路基板において、該導波路の光軸に直交する断面で見るとき、該溝の両側面と該溝の底面との角度が鋭角であり、該溝の両側面は該導波路が該ベース基板から剥離することを防止する楔状受部をなしていることを特徴とする導波路基板。
【００１３】
（２）前記ベース基板がシリコン基板である前記（１）に記載の導波路基板。
【００１４】
（３）前記ベース基板がガラス基板である前記（１）に記載の導波路基板。
【００１５】
（４）ベース基板上の上面に導波路溝を有し、該導波路溝内に導波路を設けた導波路基板の製造方法において、
前記導波路溝の両内側側面が該導波路溝の底面に対し鋭角をなす形に導波路溝を形成し、前記導波路が該導波路溝から離脱するのを防止する楔状受部を該両内側側面でもって構成し、該楔状受部を形成した前記ベース基板を楔受け付基板となすステップＳ1と、
前記両内側側面および前記底面に密着して前記導波路溝内に前記導波路を作成するステップＳ2と
を有することを特徴とする導波路基板の製造方法。
【００１６】
（５）前記ステップＳ1は、ベース基板上にフォトレジストを塗布し、露光および現像を行うことにより前記溝または凹部を形成するためのパターニングを行い、ベース基板上の前記所定位置に、マスクとして作用する相対向するレジストを生成するステップＳ11と、
パターニングされたベース基板を、チャンバー内の対電極に対して、所定の傾斜角となるように設置してドライエッチングを行うステップＳ12と、
該ドライエッチングされたベース基板を、前記チャンバー内の対電極に対して、ステップＳ12の場合と反対の角度の向きに同一の傾斜角となるように設置し直して、再度ドライエッチングを行うステップＳ13と、
前記チャンバー内からドライエッチング後のベース基板を取出してレジストを除去し、前記楔受け付基板を作成するステップＳ14とを有し、
前記ステップＳ2は、前記楔受け付基板の基板上に光感光性高分子樹脂Ａをスピンコートにより成膜するステップＳ21と、
該楔受け付基板の導波路溝の全域を埋めるように、該導波路溝と同一面積程度の範囲にわたりマスク露光および現像を行い、現像後に摂氏２００度程度でポストベークすることにより、該導波路溝の内部に光感光性高分子樹脂Ａでなる所定の厚さのアンダークラッドを形成するステップＳ22と、
前記アンダークラッド上に、光感光性高分子樹脂Ａよりも屈折率の高い光感光性高分子樹脂Ｂをスピンコートにより成膜するステップＳ23と、
光感光性高分子樹脂Ａでなる前記アンダークラッドの所定範囲にわたり露光および現像を行い、現像後にポストベークすることにより、該アンダークラッド上に所定の厚さと幅を有する光感光性高分子樹脂Ｂの導波路コアを形成するステップＳ24と、
光感光性高分子樹脂Ａでなる楔受け付基板の前記アンダークラッド上に、光感光性高分子樹脂Ａをスピンコートにより成膜するステップＳ25と、
該楔受け付基板の導波路溝の全域を埋めるように、該導波路溝と同一面積程度の範囲にわたりマスク露光を行い、現像後に摂氏２００度程度でポストベークすることにより、該導波路溝の上面に光感光性高分子樹脂Ａでなる所定の厚さのオーバークラッドを形成し、所定のウエハとして作成するステップＳ26と、
ステップＳ26において作成されたウエハを、所定の大きさの寸法にダイシング処理してチップ化し、所望の導波路基板として製造するステップＳ27と
を有することを特徴とする前記（４）に記載の導波路基板の製造方法。
【００１７】
（６）前記ベース基板がシリコン基板である前記（５）に記載の導波路基板の製造方法。
【００１８】
（７）前記ベース基板がガラス基板である前記（５）に記載の導波路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
上記の構成および製造方法によれば、導波路の周辺部が、ベース基板上に設けられた楔受け作用を呈する一対の楔状受部に嵌合して設定されるために、該楔嵌合結合により、導波路の周辺部における剥離方向に向かう破断応力が抑止され、導波路基板における導波路のベース基板からの剥離が確実に防止される。また、導波路基板の製造方法においては、導波路コア、アンダークラッドおよびオーバークラッド等の材料として、光感光性高分子樹脂が用いられているために、平易なプロセス処理により導波路基板の製造が可能となる。
【００２０】
更に詳しくは、本発明によれば次の効果が得られる。まず、本発明の導波路基板は、該導波路の相対向する２辺の導波路周辺部が設定されるベース基板上の位置に、楔受け作用を呈する断面形状の一対の楔状受部を設け、導波路周辺部と楔状受部との嵌合結合を介して導波路周辺部の剥離方向に向かう破断応力を抑止することにより、導波路周辺部のベース基板からの剥離を的確に防止することが出来るという効果がある。
【００２１】
また本発明の導波路基板の製造方法は、導波路周辺と楔状受部との嵌合結合により基板からの剥離を防止する導波路基板の製造方法として、導波路コア、アンダークラッドおよびオーバークラッド等の材料として、光感光性高分子樹脂を使用することにより、平易なプロセス処理を介して所望の導波路基板を作成することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、本発明の導波路基板について説明する。図１は、該導波路基板の一実施形態の外観斜視図であり、図２（ａ）および（ｂ）は、図１の手前側を部分的に抽出して、それぞれ上面図および矢視１００の正面図として示した図である。図１と図２（ａ）および（ｂ）に示されるように、本実施形態は、ベース基板２の上面に設けられた導波路溝内に、導波路コア４を内蔵する導波路３が形成されて構成されており、導波路３の一対の周辺部は、それぞれベース基板２に設けられた楔状受部５に嵌合する状態にて設定されている。この楔状受部５における楔嵌合結合により、前述のように、導波路の周辺部における剥離方向に向かう破断応力が抑止され、導波路のベース基板からの剥離が確実に防止される。
【００２３】
次に、本発明の導波路基板の製造方法について説明する。図３は、導波路基板の製造方法の実施形態における工程のフローチャートを示す図である。図３に示されるように、本実施形態は、Ｓ1およびＳ2の２ステップより成り立っており、ステップＳ1においては、ベース基板上の導波路の相対向する２辺の周辺部が設定される位置に、相対向して楔作用を呈する一対の楔状受部を設けるとともに、この楔状受部を周縁として、導波路がベース基板上に収まる程度の所定深さの導波路溝を生成して、導波路形成上の受け皿となる楔受け付基板を作成する。次いで、ステップＳ2においては、導波路の相対向する２辺の周辺部を、前記楔受け付基板上の一対の楔状受部を形成する溝または凹部に嵌合する状態として該導波路を前記導波路溝内に形成し、導波路周辺部のベース基板からの剥離を防止することのできる導波路基板を作成する。
【００２４】
この導波路基板の製造方法においては、導波路周辺部のベース基板からの剥離を防止するために、該導波路周辺部の断面形状を楔形状とし、ベース基板上の楔状受部に嵌合させることにより、周辺部における剥離方向に向かう破断応力が抑止されて、導波路のベース基板からの剥離が有効に防止される。また前述の従来例に対比して、剥離防止に関わるプロセス処理を容易に実施することができる。
【００２５】
次に、導波路基板の製造方法の一実施例について説明する。図４、図５および図６は、本実施例における工程のフローチャートを示す図である。この内、図４のフローチャートに示されるＳ11、Ｓ12、Ｓ13およびＳ14を含む４ステップは、前記ステップＳ1に含まれている工程であり、図５および図６のフローチャートに示されるＳ21、Ｓ22、Ｓ23、Ｓ24、Ｓ25、Ｓ26およびＳ27を含む７ステップは、前記ステップＳ2に含まれている工程である。なお、本実施例においては、これらのフローチャートに記載されているベース基板として、シリコン基板を使用する場合について説明するものとする。また、図７、図８および図９には、それぞれステップＳ11、Ｓ12、Ｓ13およびＳ14と、ステップＳ21、Ｓ22、Ｓ23、Ｓ24、Ｓ25、Ｓ26およびＳ27の各ステップにおいて、ベース基板として、シリコン基板を用いる場合について、各工程に対応して推移する導波路基板の外観形態の模様を示す図が示されている。以下においては、図７、図８および図９の外観形態図と、図４、図５および図６のフローチャートとを参照して、導波路基板の製造方法の一実施例について説明する。
【００２６】
図４において、先ずステップＳ11においては、シリコン基板６（図７（ａ）を参照）の上面にフォトレジスト７を塗布し（図７（ｂ）を参照）、露光および現像を行って楔状受部５（図２（ｂ）を参照）の溝または凹部を形成するためのパターニングを行い、シリコン基板６の上面の前記所定位置に、マスクとして作用する相対向するレジスト７を生成する（図７（ｃ）を参照）。ステップＳ12においては、ステップＳ11においてパターニングされたシリコン基板６を、治具１６を用いて、チャンバー１４の内部の相対向する電極１５に対して所定の傾斜角だけ傾けて設置し、相対向する電極１５による電界１０２を介してドライエッチングを行う（図７（ｄ）を参照）。次いでステップＳ13においては、ステップＳ12においてドライエッチングされたシリコン基板６を、チャンバー１４内部の相対向する電極１５に対して、ステップＳ12の場合とは反対の角度の向きに、同一傾斜角となるように傾けて設置し直し、電界１０２を介してドライエッチングを行う（図８（ａ）を参照）。ステップＳ12およびステップＳ13の工程においては、シリコン基板６を傾けて、対電極間に対してエッチング対象物が略垂直にエッチングされる特性を利用することにより、シリコン基板６の上面の導波路周辺部に対応する位置に、楔状受部５の断面形状として所定の楔受形状を形成するとともに、楔状受部５を周縁とする深さ３０μｍの導波路溝９を生成する。ステップＳ14においては、ステップＳ12およびＳ13において、基板上に楔状受部５ならびに導波路溝９が形成されたシリコン基板６をチャンバー１４の内部より取出し、レジスト７を除去して楔状受部５ならびに導波路溝９が基板上に生成された楔受け付基板８を作成する（図８（ｂ）を参照）。以上の工程が、ステップＳ1に含まれる製造工程である。
【００２７】
なお、本実施例においては、シリコン基板６に、楔状受部５を周縁とする導波路溝９を形成する手法としては、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いる方法を用いているが、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）装置を用いることにより、シリコン基板６を傾けることなく楔状受部５を作成することも可能である。
【００２８】
次いで、ステップＳ1に進み、ステップＳ21において、前記楔受け付基板８の基板上に、光感光性高分子樹脂Ａ１０をスピンコートにより成膜し（図８（ｃ）を参照）、ステップＳ22においては、前記楔受け付基板８の導波路溝９の全域を埋めるように、導波路溝９と同一面積程度の範囲にわたり、マスク１１および露光１０３を介して露光および現像を行い（図８（ｄ）を参照）、現像後に２００度程度でポストベークすることにより、シリコン基板６の導波路溝９の内部に、厚さ１０μｍのアンダークラッド（光感光性高分子樹脂Ａ）１２を形成する（図９（ａ）を参照）。次いでステップＳ23において、アンダークラッド（光感光性高分子樹脂Ａ）１２の上面に、光感光性高分子樹脂Ａよりも屈折率の高い光感光性高分子樹脂Ｂをスピンコートにより成膜し、ステップＳ24においては、前記アンダークラッド（光感光性高分子樹脂Ａ）１２の所定範囲にわたり露光および現像を行い、現像後に２００度程度でポストベークすることにより、アンダークラッド（光感光性高分子樹脂Ａ）１２の上面に、厚さ５μｍ、幅５μｍの導波路コア（光感光性高分子樹脂Ｂ）４を形成する（図９（ｂ）を参照）。この場合における導波路コア４とアンダークラッド１２の比屈折率差は0.5％である。ステップＳ25においては、導波路コア（光感光性高分子樹脂Ｂ）４を含むアンダークラッド（光感光性高分子樹脂Ａ）１２の上面に、光感光性高分子樹脂Ａ１０をスピンコートにより成膜し、ステップＳ26においては、楔受け付き基板８の導波路溝９の全域を埋めるように、該導波路溝９と同一面積程度の範囲にわたりマスク露光を行い、現像後に２００度程度でポストベークすることにより、シリコン基板６の、アンダークラッド１２と導波路コア４を含む導波路溝９の上面に、厚さ１５μｍのオーバークラッド（光感光性高分子樹脂Ｂ）１３を形成して（図９（ｃ）を参照）、導波路コア４を含む導波路３が、楔状受部５を介してシリコン基板６からの剥離が防止される導波路基板１を形成し、この導波路基板１をウエハとして作成する（図９（ｄ）を参照）。そして、ステップＳ27においては、作成されたウエハを所定の大きさの寸法にダイシング処理し、導波路基板を導波路チップとして作成する。なお本実施例において作成された導波路基板においては、導波路溝の深さ３０μｍに対して、導波路の厚みは３０μｍ程度であり、該導波路は、シリコン基板に埋め込まれた状態で設定される。
【００２９】
本実施例においては、全製造工程を通して、導波路とシリコン基板との間の剥離現象は全く観察されることがなく、また、その後の熱衝撃試験においても、従来の導波路基板に対比して歴然たる剥離防止の有効性が確認されている。即ち、本発明の導波路基板は、導波路のシリコン基板からの耐剥離特性において優れているとともに、製造方法においては、導波路コア、アンダークラッドおよびオーバークラッド等の材料として光感光性高分子樹脂を用いることにより、平易なプロセス処理により導波路基板の作成を可能にするという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の導波路基板の実施形態を示す外観斜視図である。
【００３１】
【図２】前記実施形態の部分外観図である。
【００３２】
【図３】本発明の導波路基板の製造方法における実施形態のフローチャートを示す図である。
【００３３】
【図４】前記導波路基板の製造方法における一実施例のフローチャートを示す図（１）である。
【００３４】
【図５】前記導波路基板の製造方法における一実施例のフローチャートを示す図（２）である。
【００３５】
【図６】前記導波路基板の製造方法における一実施例のフローチャートを示す図（３）である。
【００３６】
【図７】前記導波路基板の製造方法における一実施例の各工程に対応する外観形態の推移を示す図（１）である。
【００３７】
【図８】前記導波路基板の製造方法における一実施例の各工程に対応する外観形態の推移を示す図（２）である。
【００３８】
【図９】前記導波路基板の製造方法における一実施例の各工程に対応する構造形態の推移を示す図（３）である。
【００３９】
【図１０】従来例を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    導波路基板
２，１７    ベース基板
３    導波路
４，２０    導波路コア
５    楔状受部
６    シリコン基板
７    レジスト
８    楔受け付基板
９    導波路溝
１０    光感光性樹脂Ａ
１１    マスク
１２,１９    アンダークラッド
１３,２１    オーバークラッド
１４    チャンバー
１５    電極
１６    治具
１８    接続性改良部
２２    セラミック多孔質基板
２３    剥離用膜
２４    コア層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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