(57)【要約】【課題】  磁気ヘッド構造に関し、浮上面のコイルの位置する部分がディスクへ向かって突き出すのを低減することができるようにすることを目的とする。【解決手段】  磁気ヘッド構造は、基板に設けられたコイル２２と、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップ２４を形成する磁極２６と、コイルを取り囲む絶縁層３２と、絶縁層３２及び磁極２６を覆って基板１６に形成された保護膜３４とを備え、絶縁層３２は浮上面のコイルの位置する部分が突き出すのを低減するように保護膜の厚さに対して定められた値以上の体積をもつ構成とする。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜とを備え、絶縁層は保護膜の厚さに対して定められた値以上の体積をもつことを特徴とする磁気ヘッド構造。
【請求項２】
絶縁層の体積は、保護膜の厚さをＬとするとき、Ｌを２５μｍ以下とし、Ｌの３乗で規定される値の１０倍から４０倍の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド構造。
【請求項３】
絶縁層はコイルを取り囲む層と、コイルを取り囲む層とは別に配置された層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド構造。
【請求項４】
コイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜とを備え、コイルは、コイル外周部の幅がコイル内周部の幅よりも２倍以上大きいように形成されていることを特徴とする磁気ヘッド構造。
【請求項５】
コイルの引き出し線のコイル外周部の近傍の部分の幅はコイル外周部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の磁気ヘッド構造。
【請求項６】
コイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜と、保護膜に配置され且つ保護膜よりも熱膨張率の小さい材料の層とを備えることを特徴とする磁気ヘッド構造。
【請求項７】
保護膜よりも熱膨張率の小さい材料の層は保護膜の表面に配置されることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッド構造。
【請求項８】
保護膜よりも熱膨張率の小さい材料の層は保護膜の内部に配置されることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッド構造。
【請求項９】
保護膜よりも熱膨張率の小さい材料の層は磁極とシールドの間に配置されることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッド構造。
【請求項１０】
請求項７、８、９の組み合せにより構成されることを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気デイスク装置で使用される磁気ヘッド構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、複数のディスクと、ディスクの間に挿入された複数の磁気ヘッド構造とを含む。磁気ヘッド構造は、磁気ヘッドスライダに設けられている。ディスクに対向する磁気ヘッドスライダの表面を浮上面と呼ぶ。磁気ヘッド構造は、スライダを構成する基板に設けられたコイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜とを備える。磁気ギャップにより、ディスクに情報を書き込むことができる。さらに、基板にはシールドとリード素子（ＭＲ素子）が配置される。
【０００３】
ディスクに情報を書き込むときには、コイルに電流を流す。コイルを流れる電流が磁束を発生し、磁極の磁気ギャップで漏れだした磁束がディスクに情報を書き込む。また、ディスクからデータを読み込む場合には、ＭＲ素子でデータを読み込む。最近、記録密度を向上させるに、磁気ヘッドスライダの浮上量はますます小さくなっており、例えば、浮上量は１０数ｎｍとなっている。
【０００４】
磁気ヘッド構造においては、基板はアルチック、コイルは銅、磁極とシールドはNiFeなどの磁性体、保護膜はアルミナ、絶縁層はフォトレジストなどの樹脂材料で作られている。このように、磁気ヘッド構造は全体としてアルミナなどの保護膜によって覆われ、その内部に、保護膜とは熱膨張率の異なるコイルや絶縁層が配置されている。
【０００５】
アルミナの熱膨張率は５．８×１０-6、銅の熱膨張率は１７．２×１０-6、磁性体であるパーマロイの熱膨張率は１０×１０-6、フォトレジストの熱膨張率は３０〜７０×１０-6である。銅や磁性材料の熱膨張率はアルミナの熱膨張率より２〜３倍程度大きい。フォトレジストの熱膨張率はアルミナの熱膨張率より１０倍程度大きい。
【０００６】
磁気ディスク装置の内部の温度が上昇したり、コイル通電により温度が上昇したりすると、磁気ヘッド構造の構成材料の熱膨張の差によって、磁気ヘッド構造に熱変形が生じる。このような熱変形は浮上面の変形を生じさせる。
【０００７】
浮上面の変形を考察する場合、熱膨張率の大きいフォトレジストからなる絶縁層が最も膨張し、このため、浮上面の磁極近傍部分がディスクに向かって突き出す現象があらわれる。この浮上面における変形が生じると、磁気ヘッドスライダの最小浮上量が実質的に減少することになり、浮上面の磁極近傍部分がディスクに接触する可能性が生じ、信頼性低下の問題が発生する。
【０００８】
従って、浮上面の磁極近傍部分のディスクへ向かっての突き出しを低減することが望ましい。
【０００９】
従来、絶縁層及び保護膜の材料を変えて浮上面の磁極近傍部分の突き出しを低減する提案がある。例えば、保護膜を２つの部分に分離し、浮上面に近い側にヤング率の高い材料を使用し、浮上面から遠い側にヤング率の低い材料を使用する提案がある（特許文献１参照）。また、絶縁層に低いガラス転移点を有する樹脂を使用する提案がある（特許文献２参照）。しかしながら、上記したように、保護膜の熱膨張率と絶縁層の熱膨張率とは大きな差があるので、保護膜の熱膨張率と絶縁層の熱膨張率の差を少し縮めただけでは熱変形の根本的な低減対策とはならない。
【００１０】
【特許文献１】特開平２０００−３０６２１３号公報
【特許文献２】特開平２０００−３０６２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、浮上面の磁極近傍部分がディスクへ向かって突き出すのを低減することができるようにした磁気ヘッド構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による磁気ヘッド構造は、コイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜とを備え、絶縁層は保護膜の厚さに対して定められた値以上の体積をもつことを特徴とするものである。
【００１３】
この構成によれば、絶縁層の体積をある値以上に増加すれば、浮上面の磁極近傍部分がディスクへ向かって突き出すのを低減することができる。通常は絶縁層の体積を増加すると、絶縁層の熱膨張量も増加するので、浮上面の磁極近傍部分の突き出し量は大きくなると思われる。本願の発明者は、絶縁層の高温時の膨張は浮上面に向かう方向ばかりでなく、浮上面に対して横方向にも生じることに着目した。絶縁層の体積を増加すると、浮上面に対して横方向に膨張する絶縁層の成分が、絶縁層の上にある保護膜を局部的に押し上げ、保護膜の浮上面側の部分を回転させるモーメントが生じる。このモーメントにより、浮上面の外縁部はディスクに向かって変形し、浮上面の磁極近傍部分の突き出しは抑制されるようになる。このため、熱膨張率の大きい絶縁層の体積を増加すれば、浮上面の磁極近傍部分が突き出すのが低減される。なお、絶縁層を覆う保護膜の厚さが大きいほど、保護膜を変形させて浮上面の磁極近傍部分が突き出すのを低減するためには、絶縁層の材料の体積はより大きくする必要がある。
【００１４】
また、本発明による磁気ヘッド構造は、コイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜とを備え、コイルは、コイル外周部の幅がコイル内周部の幅よりも２倍以上大きいように形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
この構成において、コイルは幅の大きい部分をもつようになり、コイルの抵抗が減少する。コイルの抵抗が減少すると、コイルの発熱量が減少し、その結果、絶縁層の膨張量が減少し、熱変形が低減される。従って、浮上面の磁極近傍部分が突き出すのが低減される。
【００１６】
また、本発明による磁気ヘッド構造は、コイルと、コイルが発生した磁束を通し且つ磁気ギャップを形成する磁極と、コイルを取り囲む絶縁層と、絶縁層及び磁極を覆う保護膜と、保護膜に配置され且つ保護膜よりも熱膨張率の小さい材料の層とを備えることを特徴とするものである。
【００１７】
この構成において、保護膜よりも熱膨張率の小さい材料の層は、磁気ヘッド構造全体の熱膨張を押さえ、よって、浮上面の磁極近傍部分が突き出すのが低減される。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、浮上面の磁極近傍部分が突き出すのが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明に係わる磁気ディスク装置の一部を示す略図である。図２は磁気ヘッドスライダを示す斜視図である。
【００２０】
磁気ディスク装置１０は、ディスク１２と、磁気ヘッドスライダ１４とを含む。磁気ヘッドスライダ１４は浮上面１６と、浮上用レール（図示せず）を有する。ディスク１２は作動時に矢印Ｘで示される方向に回転し、磁気ヘッドスライダ１４はディスク１２に対して浮上量Ｙ及びピッチ角Ｚで浮上する。浮上量Ｙは例えば約１０ｎｍである。
【００２１】
磁気ヘッドスライダ１４はスライダ本体となる基板１８と、基板１８に磁気ヘッド構造２０とからなる。磁気ヘッド構造２０は基板１８に幾つかの材料の薄膜を積層して形成されたものである。磁気ヘッド構造２０は、基板１８の端部に形成されたコイル２２と、コイル２２が発生した磁束を通し且つ磁気ギャップ２４を形成する磁極２６を有する。さらに、基板１８にはシールド２８とリード素子（ＭＲ素子）３０が設けられる。
【００２２】
ディスク１２に情報を書き込むときには、コイル２２に電流を流す。コイル２２を流れる電流が磁束を発生し、磁極２６の磁気ギャップ２４で漏れだした磁束がディスク１２に情報を書き込む。また、ディスク１２からデータを読み込む場合には、リード素子３０でデータを読み込む。最近、記録密度を向上させるに、磁気ヘッドスライダ１４の浮上量はますます小さくなっており、例えば、浮上量Ｆは１０数ｎｍとなっている。
【００２３】
図３は磁気ヘッド構造２０を示す断面図である。基板１８は図１及び図２の基板１８の端部の一部分のみが示されている。磁気ヘッド構造２０は、コイル２２と、磁極２６を有する。コイル２２は上コイル２２Ｕと下コイル２２Ｌからなる２層構造のものであり、上コイル２２Ｕと下コイル２２Ｌの中心部は互いに接続されている。さらに、基板１８には２層のシールド２８が設けられ、２層のシールド２８の間にリード素子（ＭＲ素子）３０が配置される。
【００２４】
さらに、磁気ヘッド構造２０は、コイル２２を取り囲む絶縁層３２と、絶縁層３２及び磁極２６を覆う保護膜３４を含む。絶縁層３２は２層のコイル２２（２２Ｕ、２２Ｌ）に対応して２層の構造からなる。これらの要素は、それぞれの材料の薄膜を積層して形成されたものである。保護膜３４とかなりの厚みを有し、上記幾つかの層の間にも形成されている。
【００２５】
基板１８はアルチック、コイル２２は銅、磁極２６とシールド２８はNiFeなどの磁性体、保護膜３４はアルミナ、絶縁層３２はフォトレジストなどの樹脂材料で作られている。磁気ヘッド構造２０は全体としてアルミナなどの保護膜３４によって覆われ、その内部に、保護膜３４とは熱膨張率の異なるコイル２２や絶縁層３２が配置されている。保護膜３４を形成するアルミナの熱膨張率は５．８×１０-6、コイル２２を形成する銅の熱膨張率は１７．２×１０-6、磁極２６及びシールド２８を形成する磁性体であるパーマロイの熱膨張率は１０×１０-6、絶縁層３２を形成するフォトレジストの熱膨張率は３０〜７０×１０-6である。銅や磁性材料の熱膨張率はアルミナの熱膨張率より２〜３倍程度大きく、フォトレジストの熱膨張率はアルミナの熱膨張率より１０倍程度大きい。
【００２６】
絶縁層３２は、浮上面１６のコイル２２の位置する部分が突き出すのを低減するように保護膜３４の厚さに対して定められた値以上の体積をもつ。図３においては、絶縁層３２は一定の厚さをもち、かつ、図３の断面でコイル２２の存在範囲よりかなり長く形成されている。すなわち、絶縁層３２は、コイル２２を絶縁するのに必要な体積よりもかなり大きな体積をもつように形成されている。
【００２７】
図９は従来の磁気ヘッド構造の熱変形を示す図である。磁気ヘッド構造の構成要素は図３のものと同様の符号で示されている。図９の絶縁層３２の体積は図３の絶縁層３２の体積よりも小さい。図９は有限要素法を用いて、熱変形を算出したものである。図９においては、主として絶縁層３２と保護膜３４の熱膨張係数の差により、熱変形が生じていることが分かる。特に、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａが矢印Ａで示すようにディスク１２へ向かって最も大きく突き出すように変形する。磁気ヘッドスライダ１４の浮上量は１０数ｎｍの域まで達しており、この部分１６Ａの突き出し量が大きくなると、磁気ヘッドスライダ１４の最小浮上量が実質的に減少することになり、浮上面１６のコイル２２が位置する部分１６Ａがディスク１２に接触する可能性がある。
【００２８】
本願の発明においては、絶縁層３２の体積をある値以上に増加すれば、保護膜３４は図９に破線で示されるように変形し、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａが矢印Ａで示す方向に突き出すのを低減することができる。それによって、磁気ヘッド構造２０の作動の信頼性はより向上する。
【００２９】
通常は絶縁層３２の体積を増加すると、絶縁層３２の熱膨張量も増加するので、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａの突き出し量は大きくなると思われる。本願の発明者は、絶縁層３２の高温時の膨張は浮上面１６に向かう方向ばかりでなく、浮上面１６に対して横方向にも生じることに着目した。
【００３０】
絶縁層３２の体積を増加すると、浮上面１６に対して横方向に膨張する絶縁層３２の成分が、絶縁層３２の上にある保護膜３４の一部を局部的に押し上げ、浮上面１６の保護膜３４が位置する部分を回転させるモーメントＭが生じる。このモーメントＭにより、浮上面１６の外縁部（図９における保護膜３４の左端上部）はディスク１２に向かって変形し、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａの突き出しは抑制される。
【００３１】
このため、熱膨張率の大きい絶縁層３２の体積を増加すれば、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａの突き出しが低減される。なお、保護膜３４を変形させて浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａが突き出すのを低減するためには、絶縁層３２を覆う保護膜３４の厚さが大きいほど、絶縁層３２の材料の体積はより大きくする必要がある。
【００３２】
図１０は保護膜３４の厚さを変えた場合の絶縁層３２の体積と浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａの変位量との関係を示す図である。部分１６Ａの変位量は図９の矢印Ａの方向にとった突き出し量である。保護膜３４の厚さは６．２５μｍ、１２．５μｍ、２５μｍとした。図１０に示す結果から、部分１６Ａの突き出し量は絶縁層３２の体積がある値となるところで極小値をもつことが分かる。また、保護膜３４の厚さが大きいほど、部分１６Ａの突き出し量の極小値は絶縁層３２の体積の増加の方へ移動する。
【００３３】
従って、このメカニズムを利用して、部分１６Ａの突き出し量の低減を図るのが、本発明の特徴である。ただし、絶縁層（フォトレジスト）３２の体積が多すぎると、部分１６Ａの突き出しの低減効果はなくなるので、保護膜３４の厚さに応じて、極小値を含む所定の範囲で絶縁層３２の体積を定めることが肝要となる。
【００３４】
図１０の結果を分析した結果、絶縁層３２の体積は、保護膜３４の厚さをＬとするとき、Ｌを２５μｍ以下とし、Ｌの３乗で規定される値の１０倍から４０倍の範囲にあるようにするのが好ましいことが分かった。この場合、図３に示されるように、厚さＬは磁極２６よりも上の保護膜３４の厚さとする。なお、この結果は、保護膜３４の厚さが２５μｍ以下の磁気ヘッド構造に最適である。
【００３５】
図１１は本発明と従来の磁気ヘッド構造の浮上面の変位量を示す図である。本発明の磁気ヘッド構造は、保護膜３４の厚さ１２．５μｍ、絶縁層３２の体積３．２６Ｅ−０５ｍｍ3 とした。従来の磁気ヘッド構造は、保護膜３４の厚さ１２．５μｍ、絶縁層３２の体積２．８５Ｅ−０６ｍｍ3 （絶縁層としてコイル２２の周囲に配置される標準的な体積）とした。本発明により、部分１４Ａの突き出し量は約３０％低減される。
【００３６】
絶縁層３２の体積を増加するのに際して、絶縁層３２の材料は１か所に集約して配置しなくても、幾つかに分散して配置してもよい。図３から図８は絶縁層３２の材料を種々に変更して配置して、絶縁層３２の体積を増加した例を示す。
【００３７】
図４は磁気ヘッド構造の断面図である。図４においては、上コイル２２Ｕを取り囲む絶縁層３２の体積が増加され、下コイル２２Ｌを取り囲む絶縁層３２の体積は従来の通りである。
【００３８】
図５は磁気ヘッド構造の断面図である。図５においては、上コイル２２Ｕを取り囲む絶縁層３２の体積は従来の通りであり、下コイル２２Ｌを取り囲む絶縁層３２の体積が増加される。
【００３９】
図６は磁気ヘッド構造の断面図である。図６においては、上コイル２２Ｕを取り囲む絶縁層３２の体積及び下コイル２２Ｌを取り囲む絶縁層３２の体積は従来の通りであり、これらの絶縁層３２とほぼ同一平面に追加の絶縁層３２Ａが設けられる。
【００４０】
図７は磁気ヘッド構造の断面図である。図７においては、上コイル２２Ｕを取り囲む絶縁層３２の体積及び下コイル２２Ｌを取り囲む絶縁層３２の体積は従来の通りであり、これらの絶縁層３２の上方に追加の絶縁層３２Ｂが設けられる。追加の絶縁層３２Ａ、３２Ｂはコイル２２を直接に絶縁するものではないが、絶縁層３２と同じ材料で作られ、絶縁層３２の体積を増加したのと同様な効果を有する。
【００４１】
図８は磁気ヘッド構造の断面図である。図８においては、単層のコイル２２が設けられ、コイル２２を取り囲む単層の絶縁層３２の体積が増加される。単層コイルにおいても、多層コイルと同様の効果が得られる。
【００４２】
図１２は２層構造のコイルにおける上コイルを示す平面図である。図１３は２層構造のコイルにおける下コイルを示す平面図である。上コイル２２Ｕの内端と下コイル２２Ｌの内端とは互いに接続される。図１２及び図１３の上コイル２２Ｕ及び下コイル２２Ｌは例えば図３から図７の上コイル２２Ｕ及び下コイル２２Ｌとして使用でき、あるいは従来の２層構造のコイルとして使用できる。
【００４３】
各コイル２２Ｕ、２２Ｌは、引き出し線２２ａと、コイル部分２２ｂとを有する。コイル部分２２ｂは、コイル内周部２２ｉとコイル外周部２２ｏとを有する。各コイル２２Ｕ、２２Ｌにおいて、コイル外周部２２ｏの幅Ｗがコイル内周部２２ｉの幅ｗよりも２倍以上大きいように形成されている。
【００４４】
また、コイルの引き出し線２２ａのコイル外周部２２ｏの近傍の部分２２ｎの幅はコイル外周部２２ｏの幅よりも大きい。特に、上コイル２２Ｕにおいては、コイルの引き出し線２２ａのコイル外周部２２ｏの近傍の部分２２ｎの幅は、コイルの引き出し線２２ａのその他の部分２２ｐの幅よりも大きい。
【００４５】
この構成において、コイルは幅の大きい部分をもつようになり、コイルの抵抗が減少する。コイルの抵抗が減少すると、コイルの発熱量が減少し、その結果、絶縁層３２の膨張量が減少し、熱変形が低減される。従って、浮上面１６のコイル２２が位置する部分１６Ａ（図９参照）が突き出すのが低減される。
【００４６】
このように、コイル２２に通電した場合に、コイル２２がその抵抗で発熱し、温度上昇し、その結果部分１６Ａが突き出す。コイル２２を通電するときの部分１６Ａの突き出しは、コイル２２の発熱量（温度上昇）に比例する。そのため、コイル２２の抵抗の低減が発熱量の低減、すなわち突き出し量の低減につながる。本発明では、コイル２２の引き出し線２２ａとコイル外周部２２ｏを大きく広げる構造とすることでコイル２２の抵抗を低減させる。
【００４７】
本発明の実施例においては、コイル外周部２２ｏの幅はコイル内周部２２ｉの幅の２倍以上にし、引き出し線２２ａはコイル最外周部と接続するまでその太さを維持し、接続する直前で線を太くしている。
【００４８】
図１４は本発明と従来の磁気ヘッド構造の浮上面の変位量を示す図である。ＤＣ６０ｍＡで電流を流した場合に、本発明によりコイル２２の拡張を行う例では、コイルの拡張を行わない従来の例に比べて、最高温度は２１％低減される。試験では下記の表１の結果が得られた。
【００４９】
表１
コイル拡張無し    コイル拡張有り
抵抗（Ω）              ３．０            ２．４
発熱量（mW）          １０．８            ８．６
最高上昇温度（℃）    １３．０          １０．３
【００５０】
図１５は磁気ヘッド構造の他の実施例を示す断面図である。この例の磁気ヘッド構造２０は、前の例の磁気ヘッド構造２０と同様に、コイル２２と、コイル２２が発生した磁束を通し且つ磁気ギャップ２４を形成する磁極２６を、コイル２２を取り囲む絶縁層３２と、絶縁層３２及び磁極２６を覆う保護膜３４を含む。さらに、基板１８には２層のシールド２８が設けられ、２層のシールド２８の間にリード素子（ＭＲ素子）３０が配置される。コイル２２は、シールド２８及び保護膜３４の一部を介して基板１８に形成される。
【００５１】
さらに、磁気ヘッド構造２０は、保護膜３４に配置され且つ保護膜３４よりも熱膨張率の小さい材料の層３６を備える。熱膨張率の小さい材料の層３６は１つの層内に断続的に配置されるよりも１つの連続的な層となるように配置されるのが好ましい。図１５においては、１つの熱膨張率の小さい材料の層３６が基板１８の表面に設けられる。この場合、保護膜３４の一層が熱膨張率の小さい材料の層３６の上に形成され、さらに、シールド２８がその保護膜３４の一層の上に形成されている。さらに、１つの熱膨張率の小さい材料の層３６が基板１８とは反対側の保護膜３４の表面に設けられている。例えば、熱膨張率の小さい材料の層３６はインバーからなる。あるいは、熱膨張率の小さい材料の層３６は、窒化アルミ（ＡｌＮ）等の熱膨張率の小さい材料、または絶縁材料とインバーの複合構造とすることができる。
【００５２】
保護膜３４よりも熱膨張率の小さい材料の層３６は、温度が上昇しても熱膨張量が小さいために膨張量が小さく、浮上面１６に垂直な方向での絶縁層３２の熱膨張を押さえ、よって、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａが突き出すのが低減される。つまり、熱膨張率の小さい材料の層３６を設けることによって、熱膨張量の大きい絶縁層３２が浮上面１６に垂直な方向へ大きく膨張するのを抑制し、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａが突き出すのを低減する。絶縁層３２は浮上面１６に平行な方向へ膨張することができる。
【００５３】
図１８は本発明と従来の磁気ヘッド構造の浮上面の変位量を示す図である。本発明の例によれば、従来の例に比べて、浮上面１６の磁極近傍部分１６Ａの変位量（突き出し量）は大きく低減される。
【００５４】
図１６は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。熱膨張率の小さい材料の層３６を除くと、図１６の磁気ヘッド構造２０は図１５の磁気ヘッド構造２０と同様である。図１６においては、熱膨張率の小さい材料の層３６は保護膜３４の内部に配置される。この例の作用は図１５の例の作用と同様である。
【００５５】
図１７は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。熱膨張率の小さい材料の層３６を除くと、図１７の磁気ヘッド構造２０は図１５の磁気ヘッド構造２０と同様である。図１７においては、熱膨張率の小さい材料の層３６は磁極２６と上部シールド２８の間に配置される。この例の作用は図１５の例の作用と同様である。
【００５６】
このように、熱膨張率の小さい材料の層３６は保護膜３４の表面に配置される。あるいは、熱膨張率の小さい材料の層３６は保護膜３４の内部に配置される。あるいは、熱膨張率の小さい材料の層３６は保護膜３４の表面におよび基板１８と保護膜３４の間に配置される。あるいは、熱膨張率の小さい材料の層３６は磁極２６とシールド２８の間に配置される。あるいは、熱膨張率の小さい材料の層３６は絶縁層３２とほぼ平行な層として保護膜３４の内部のあらゆる位置に設けられることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は本発明に係わる磁気ディスク装置の一部を示す略図である。
【図２】図２は磁気ヘッドスライダを示す斜視図である。
【図３】図３は磁気ヘッド構造を示す断面図である。
【図４】図４は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図５】図５は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図６】図６は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図７】図７は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図８】図８は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図９】図９は従来の磁気ヘッド構造の熱変形を示す図である。
【図１０】図１０は保護膜の厚さを変えた場合の絶縁層の体積と浮上面の磁極近傍部分の変位量との関係を示す図である。
【図１１】図１１は本発明と従来の磁気ヘッド構造の浮上面の変位量を示す図である。
【図１２】図１２は２層構造のコイルにおける上コイルを示す平面図である。
【図１３】図１３は２層構造のコイルにおける下コイルを示す平面図である。
【図１４】図１４は本発明と従来の磁気ヘッド構造の浮上面の変位量を示す図である。
【図１５】図１５は磁気ヘッド構造の他の実施例を示す断面図である。
【図１６】図１６は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図１７】図１７は磁気ヘッド構造の変形例を示す断面図である。
【図１８】図１８は本発明と従来の磁気ヘッド構造の浮上面の変位量を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…磁気ディスク装置
１２…ディスク
１４…磁気ヘッドスライダ
１６…浮上面
１８…基板
２０…磁気ヘッド構造
２２…コイル
２４…磁気ギャップ
２６…磁極
２８…シールド
３０…リード素子
３２…絶縁層
３４…保護膜
３６…熱膨張率の小さい材料の層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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