(57)【要約】【課題】ウエーハの表面に保護テープを貼着し裏面を研磨パッドによって乾式研磨する際にウエーハの外周のウエーハと保護テープとの間に研磨くずが付着しないようにすることができる、ウエーハの研磨方法を提供する。【解決手段】ウエーハ（Ｗ）の外周に形成された円弧状の面取り部（Ｍ）を切断してウエーハの外周に絶壁（Ｚ）を形成し、研磨装置のチャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面（１２）に保護テープ（Ｐ）を貼着し、保護テープの側をチャックテーブルに載置して研磨手段によってウエーハの面を乾式研磨する。【選択図】図２
2005166861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を柔軟部材に砥粒を混入した研磨パッドで乾式研磨する研磨手段とを具備する研磨装置を用いてウエーハを研磨する方法であって、  ウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を切断してウエーハの外周に絶壁を形成し、  該チャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面に保護テープを貼着し、  保護テープの側をチャックテーブルに載置してウエーハの面を該研磨手段で乾式研磨する、ことを特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項２】
保護テープは、ウエーハの外周の絶壁から０〜１．０ｍｍはみ出している、請求項１記載のウエーハの研磨方法。
【請求項３】
該研磨パッドの柔軟部材はフエルトである、請求項１又は２記載のウエーハの研磨方法。
【請求項４】
該ウエーハは、シリコンウエーハの表面に複数のチップが形成されている半導体ウエーハであり、その裏面が研磨される、請求項１から３までのいずれかに記載のウエーハの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの研磨方法、さらに詳しくは、半導体ウエーハのように半導体チップが形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着して裏面を研磨する、ウエーハの研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップが表面に複数形成された半導体ウエーハは、裏面が研削されて所定の厚さに形成され、その後ウエーハは個々の半導体チップ毎に分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。この半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハに研削水を供給しながら研削を遂行する研削砥石を含む研削手段とを備え、半導体ウエーハの裏面を効率よく研削することができる。
【０００３】
しかしながら、研削砥石によってウエーハの裏面を研削すると研削した面にソーマークが形成されるとともに内部に細かなクラックが形成されチップの抗折強度を著しく低下させるという問題がある。
【０００４】
そこで、本出願人によって、柔軟部材に砥粒を混入して適宜のボンド剤で固めて研磨パッドを構成し、この研磨パッドによって乾式でウエーハの研削面を研磨してソーマーク及びクラックを除去しチップの抗折強度を向上させる研磨装置が開発され実用に供されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−７１７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、図３（ａ）に示すようにウエーハＷの表面に保護テープＰを貼着し、ウエーハの裏面を研磨すると、部分拡大図である図３（ｂ）に示すようにウエーハＷの外周に形成されている円弧状の面取り部Ｍと保護テープＰとの間にパウダー状の研磨くずが入り込み、ウエーハＷの外周を持ち上げてウエーハを破損させるという問題がある。
【０００７】
また、図３（ｃ）に示すように、裏面の研磨されたウエーハＷは、表裏を反転させてダイシングテープＴに貼替えられ、このダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦに支持された状態でダイシングされて個々の半導体チップ毎に分割されるが、ダイシングテープＴに貼替える際にウエーハＷの外周に付着した研磨くずがダイシングテープＴとウエーハＷの間に挟まりダイシングの際にチップを損傷させるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その技術的課題は、ウエーハの表面に保護テープを貼着し裏面を研磨パッドによって乾式研磨する際にウエーハの外周のウエーハと保護テープとの間に研磨くずが付着しないようにすることができる、ウエーハの研磨方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、鋭意検討及び実験を重ねた結果、ウエーハの外周の円弧状の面取り部の形状に起因して面取り部と保護テープとによって形成される裂け目状の窪みに研磨くずが集積しやすいことに着目し、この部分の形状を改良することにより従来の問題を有効に除くことができることを確認した。
【００１０】
すなわち、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を柔軟部材に砥粒を混入した研磨パッドで乾式研磨する研磨手段とを具備する研磨装置を用いてウエーハを研磨する方法であって、
ウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を切断してウエーハの外周に絶壁を形成し、チャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面に保護テープを貼着し、保護テープの側をチャックテーブルに載置してウエーハの面を該研磨手段で乾式研磨する、ことを特徴とするウエーハの研磨方法が提供される。
【００１１】
そして、保護テープは、ウエーハの外周の絶壁から０〜１．０ｍｍはみ出しているのが望ましい。また、該研磨パッドの柔軟部材はフエルトであるのが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に従って構成されたウエーハの研磨方法によれば、ウエーハの外周の円弧状の面取り部を切断してウエーハの外周に絶壁を形成したので、ウエーハの外周の円弧状の面取り部と保護テープによって形成される裂け目状の窪みは除かれ、研磨くずが円弧状の面取り部と保護テープとの間に入り込み集積するのを防止でき、ウエーハを破損させる問題を除くことができる。
【００１３】
また、研磨くずの入り込み集積を防止できるので、次工程において半導体チップをダイシングする際に研磨くずによってチップが損傷する問題も除くことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に従って構成されたウエーハの研磨方法について、半導体ウエーハの研磨における好適実施形態を図示している添付図面を参照して、さらに詳細に説明する。
【００１５】
図１を参照して先ず、半導体ウエーハを研磨するのに用いられる全体を番号２で示す研磨装置についてその概要を説明する。研磨装置２は、ウエーハを吸着保持するチャックテーブル４と、チャックテーブル４に保持されたウエーハの面を研磨パッド６によって乾式研磨する研磨手段８とを具備している。
【００１６】
チャックテーブル４は、上面にウエーハを載置する載置面を有し、回転駆動を自在に、そして研磨パッド６に対して往復動を自在に備えられている。載置面は多孔質セラミックのような適宜の多孔性材料によって形成され、吸引手段に接続されている。
【００１７】
研磨手段８は、円板形状の研磨パッド６を鉛直に延び回転駆動される回転軸８ａの下端に備えている。図１（ｂ）に示した研磨パッド６の拡大図を参照して説明すると、研磨パッド６は、回転軸８ａに取り付けるための取り付けねじ孔６ａを有してアルミニウムのごとき適宜の材料によって形成された支持板６ｂと、支持板６ｂに接合された砥粒の混入された柔軟部材６ｃとを備えている（研磨パッド６については後にさらに詳述する）。
【００１８】
本発明に係るウエーハの研磨方法について説明すると、このウエーハの研磨方法は、（１）ウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を切断してウエーハの外周に絶壁を形成し、（２）チャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面に保護テープを貼着し、（３）保護テープの側をチャックテーブルに載置してウエーハの面を研磨手段によって乾式研磨することにより遂行される。
【００１９】
なお、半導体ウエーハは、シリコンウエーハの「表面」に複数の半導体チップが形成されているもので、その「裏面」が研磨される。
【００２０】
上述のウエーハの研磨方法について、主として図２を参照して手順を追って詳細に説明する。
【００２１】
（１）ウエーハの外周面成形：
図２（ａ）に示すように、ウエーハＷの外周に形成されている円弧状の面取り部Ｍを、円板状の回転切刃であるブレード１０によって切断し、ウエーハＷの外周にウエーハの面に略直角の絶壁Ｚを形成する。ブレード１０としては、例えば半導体チップの製造工程においてウエーハＷの表面に形成された複数の半導体チップを切断するのに用いるダイヤモンド砥粒を適宜の結合剤で結合して形成したブレードを用いるのが好都合である。
【００２２】
ブレード１０によるウエーハＷの面取り部Ｍの切断、絶壁Ｚの成形は、ウエーハＷを、軸線１４を中心に環状のブレード逃げ溝Ｇの形成された治具１６に取り付け、例えば３００００ＲＰＭで回転するブレード１０に対して治具１６を、軸線１４を中心に毎分１回転の速さで回転させることにより、容易にそして確実に面取り部Ｍを切断し絶壁Ｚを形成することができる。
【００２３】
この面取り部Ｍの切断及び絶壁Ｚの成形は、コアードリル、すなわちドリルの中心部に切刃のないドリルによっても容易に形成することができる。
【００２４】
（２）保護テープ貼着：
図２（ｂ）に示すように、絶壁Ｚが外周に形成されたウエーハＷの、チャックテーブル４（図１）に保持される複数の半導体チップの形成された被保持面１２に、保護テープＰを貼着する。このとき保護テープＰは、その外周がウエーハＷの外周の絶壁Ｚから外方に０〜１．０ｍｍはみ出すように貼着する。
【００２５】
この保護テープＰは、ポリエステルのような適宜の合成樹脂フィルムあるいはシートなどの片面に、紫外線硬化型粘着剤あるいは加熱硬化型粘着剤などを塗布して形成されている。
【００２６】
（３）研磨：
上述のように、絶壁Ｚが形成され保護テープＰが貼着されたウエーハＷを、図１に示す研磨装置２によって、その「表面」である保護テープＰが貼着された被保持面１２側をチャックテーブル４の載置面に載置し「裏面」を研磨手段８によって研磨する。
【００２７】
本発明に係る研磨方法により半導体ウエーハＷを乾式研磨するには、研磨パッド６の柔軟部材６ｃとして、フエルトに砥粒を含浸させボンド剤により固めて形成したフエルト砥石を用いるのが好都合である。フエルトとしては、羊毛、ポリエステル、ナイロンのごとき合成繊維、綿、麻ごとき天然繊維などを用いることができる。また砥粒としては、０．０１μｍから１００μｍの粒径を有する、シリカ、ダイヤモンドなどを用い、フエルトに含浸させて、例えばフェノール樹脂系接着剤によってフエルトの中に結合する。
【００２８】
このウエーハの研磨方法によれば、図２（ａ）に示すように、ウエーハＷの外周の円弧状の面取り部Ｍを切断して外周に、図２に示すように絶壁Ｚを形成したので、ウエーハＷの外周の円弧状の面取り部Ｍと保護テープＰとによって形成される裂け目状の窪み（図３（ｂ））は除かれ、この部分に研磨くずが入り込み集積するのを防止でき、研磨くずがウエーハの外周を持ち上げてウエーハを破損させる問題を除くことができる。また、研磨くずの入り込み集積を防止できるので、後の工程においてウエーハＷから半導体チップをダイシングする際に研磨くずによってチップが損傷する問題も除くことができる。
【００２９】
以上、本発明に係るウエーハの研磨方法について半導体ウエーハを例に説明したが、ウエーハとしては半導体ウエーハに限定されるものではなく、他のウエーハの研磨にも適用できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）本発明に係るウエーハの研磨方法に用いられる半導体ウエーハの研磨装置の斜視図、及び（ｂ）研磨手段に備えられる研磨パッドの表裏拡大図。
【図２】本発明に係るウエーハの研磨方法の、（ａ）ウエーハの外周に絶壁の成形、及び（ｂ）保護テープの貼着の説明図。
【図３】ウエーハの研磨における従来の問題の説明図。
【符号の説明】
【００３１】
２：研磨装置
４：チャックテーブル
６：研磨パッド
８：研磨手段
Ｗ：ウエーハ
Ｍ：面取り部
Ｚ：絶壁
Ｐ：保護テープ
【図１】
2005166861.tif 000003
【図２】
2005166861.tif 000004
【図３】
2005166861.tif 000005