(57)【要約】【課題】  ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に好適となるｎ形オーミック電極の構成、並びに低接触抵抗を得るために必要な形成方法を提示する。また、それを備えることにより電気的特性の改善された半導体発光素子を提供する。【解決手段】  ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触する電極の部位を、特に、ＬａＡｌ2合金を原料としたＬａ・Ａｌ合金膜から構成する。また、同半導体との接合領域にランタンを富裕に含ませるため、３００℃以下の温度でＬａ・Ａｌ合金膜を形成する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触させて設けるｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体用途のｎ形オーミック（Ｏｈｍｉｃ）電極であって、該ｎ形オーミック電極層をアルミニウム（元素記号：Ａｌ）とランタン（元素記号：Ｌａ）の合金またはランタンから構成したことを特徴とするｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体のためのｎ形オーミック電極。
【請求項２】
ｎ形オーミック電極層中のランタンの含有率が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接触する面において１０質量％以上であることを特徴とする請求項１に記載のｎ形オーミック電極。
【請求項３】
ｎ形オーミック電極層中のランタンの含有率が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層との接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域で１０質量％未満であることを特徴とする請求項２に記載のｎ形オーミック電極。
【請求項４】
ｎ形オーミック電極層のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接触する面と反対の面がアルミニウムから構成されていることを特徴とする請求項３に記載のｎ形オーミック電極。
【請求項５】
結晶基板の一表面上に設けられたｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層及びｐ形の化合物半導体層と、該ｎ形及びｐ形の化合物半導体層との中間に発光層とを備えた積層構造体に、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）接触性電極を設けて構成される半導体発光素子に於いて、上記のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接して設けるｎ形オーミック電極がランタン・アルミニウム合金層またはランタン層から構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項６】
ｎ形オーミック電極が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接触する面側がランタン・アルミニウム合金層またはランタン層から構成され、その反対面側がアルミニウム層から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
ｎ形オーミック電極が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層との接合界面においてランタンの含有率が１０質量％以上であり、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域でランタンの含有率が１０質量％未満であるランタン・アルミニウム合金層から構成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
ｎ形オーミック電極を構成するランタン・アルミニウム合金層を、ランタン・２アルミニウム合金（組成式：ＬａＡｌ2）を原料として形成することを特徴とするｎ形オーミック電極の形成方法。
【請求項９】
ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層を３００℃以下として、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面にランタン・アルミニウム合金層を接合させて設け、その接合界面においてランタンの含有率が１０質量％以上であり、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域でランタンの含有率が１０質量％未満であるランタン・アルミニウム合金層からｎ形オーミック電極を形成することを特徴とする請求項８に記載のｎ形オーミック電極の形成方法。
【請求項１０】
結晶基板の一表面上に設けられたｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層及びｐ形の化合物半導体層と、該ｎ形及びｐ形の化合物半導体層との中間に発光層とを備えた積層構造体に、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）接触性電極を設ける半導体発光素子の製造方法において、上記ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接して設けるｎ形オーミック電極を構成するランタン・アルミニウム合金層を、ランタン・２アルミニウム合金（組成式：ＬａＡｌ2）を原料として形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層を３００℃以下として、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面にランタン・アルミニウム合金層を接合させて設け、その接合界面においてランタンの含有率が１０質量％以上であり、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域でランタンの含有率が１０質量％未満であるランタン・アルミニウム合金層からｎ形オーミック電極を形成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触させて設けるｎ形オーミック電極、それを備えた半導体発光素子及びｎ形オーミック電極の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、一般式ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表記されるＩＩＩ族窒化物半導体は、青色帯或いは緑色帯の短波長可視光を出射する半導体発光素子にあって、ｎ形クラッド（ｃｌａｄ）層等の障壁層を構成するために利用されている（例えば、非特許文献１参照。）。また、高電子移動度電界効果型トランジスタにあって、電子供給層をｎ形窒化アルミニウム・ガリウム（組成式ＡｌXＧａYＮ：０≦Ｘ≦１）から構成する例がある（例えば、非特許文献１参照。）。発光ダイオード（英略称：ＬＥＤ）或いはレーザダイオード（英略称：ＬＤ）等の半導体発光素子は、上記のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触させてｎ形オーミック接触性電極（ｎ形オーミック電極）を設けて作製される。また、電界効果型トランジスタ（英略称；ＦＥＴ）は、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体からなる電子供給層或いは能動層の表面に例えば、直接、ｎ形オーミック電極を接触させて設けて作製されている。
【０００３】
ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体についてのｎ形オーミック電極は、従来では、例えば、チタン（元素記号：Ｔｉ）（例えば、特許文献１参照。）、または、アルミニウム（元素記号：Ａｌ）からｎ形オーミック電極を構成する例が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特許第２７８３３４９号明細書
【特許文献２】特開平７−４５８６７号公報
【非特許文献１】赤崎  勇編著、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」、初版、（株）培風館、１９９４年５月２０日、１３章
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に従来の金属材料から構成されたｎ形オーミック電極を設けて成る化合物半導体ＬＥＤにあっては、順方向電圧（所謂、Ｖｆ）の更なる低減が望まれている。また、ＦＥＴにあっては、熱抵抗の増大に因る素子特性の劣化を抑制するために更なるドレイン（ｄｒａｉｎ）抵抗の低減が望まれている。化合物半導体発光素子或いはＦＥＴの特性向上には、従って、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体について、低い接触抵抗をもたらす材料からｎ形オーミック電極を構成する必要がある。本発明では、特に、化合物半導体発光素子の特性向上を果たすためのｎ形オーミック電極、それを備えた化合物発光素子、及びそのｎ形オーミック電極の形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は次の構成からなる。
（１）ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触させて設けるｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体用途のｎ形オーミック（Ｏｈｍｉｃ）電極であって、該ｎ形オーミック電極層をアルミニウム（元素記号：Ａｌ）とランタン（元素記号：Ｌａ）の合金またはランタンから構成したことを特徴とするｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体のためのｎ形オーミック電極。
（２）ｎ形オーミック電極層中のランタンの含有率が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接触する面において１０質量％以上であることを特徴とする上記（１）に記載のｎ形オーミック電極。
（３）ｎ形オーミック電極層中のランタンの含有率が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層との接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域で１０質量％未満であることを特徴とする上記（２）に記載のｎ形オーミック電極。
（４）ｎ形オーミック電極層のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接触する面と反対の面がアルミニウムから構成されていることを特徴とする上記（３）に記載のｎ形オーミック電極。
【０００７】
（５）結晶基板の一表面上に設けられたｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層及びｐ形の化合物半導体層と、該ｎ形及びｐ形の化合物半導体層との中間に発光層とを備えた積層構造体に、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）接触性電極を設けて構成される半導体発光素子に於いて、上記のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接して設けるｎ形オーミック電極がランタン・アルミニウム合金層またはランタン層から構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
（６）ｎ形オーミック電極が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接触する面側がランタン・アルミニウム合金層またはランタン層から構成され、その反対面側がアルミニウム層から構成されていることを特徴とする上記（５）に記載の半導体発光素子。
（７）ｎ形オーミック電極が、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層との接合界面においてランタンの含有率が１０質量％以上であり、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域でランタンの含有率が１０質量％未満であるランタン・アルミニウム合金層から構成されていることを特徴とする上記（５）または上記（６）に記載の半導体発光素子。
【０００８】
（８）ｎ形オーミック電極を構成するランタン・アルミニウム合金層を、ランタン・２アルミニウム合金（組成式：ＬａＡｌ2）を原料として形成することを特徴とするｎ形オーミック電極の形成方法。
（９）ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層を３００℃以下として、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面にランタン・アルミニウム合金層を接合させて設け、その接合界面においてランタンの含有率が１０質量％以上であり、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域でランタンの含有率が１０質量％未満であるランタン・アルミニウム合金層からｎ形オーミック電極を形成することを特徴とする上記（８）に記載のｎ形オーミック電極の形成方法。
（１０）結晶基板の一表面上に設けられたｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層及びｐ形の化合物半導体層と、該ｎ形及びｐ形の化合物半導体層との中間に発光層とを備えた積層構造体に、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）接触性電極を設ける半導体発光素子の製造方法において、上記ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層に接して設けるｎ形オーミック電極を構成するランタン・アルミニウム合金層を、ランタン・２アルミニウム合金（組成式：ＬａＡｌ2）を原料として形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
（１１）ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層を３００℃以下として、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面にランタン・アルミニウム合金層を接合させて設け、その接合界面においてランタンの含有率が１０質量％以上であり、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域でランタンの含有率が１０質量％未満であるランタン・アルミニウム合金層からｎ形オーミック電極を形成することを特徴とする上記（１０）に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に依れば、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触させて設けるｎ形オーミック電極をアルミニウムとランタンの合金から構成することとしたので、低接触抵抗の電極を形成できるため、供給される素子駆動電流を効率的に発光のために変換でき、従って、高い発光強度の化合物半導体発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
ｎ形オーミック電極を設けるためのｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層は、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）法、ハイドライド（ｈｙｄｒｉｄｅ）法やＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相堆積）法に依り形成できる。また、分子線エピタキシャル法でも形成できる（Ｊ．Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍ．，１３３（１９９７）、２６９〜２７２頁参照。）。ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０18ｃｍ-3以上であり、抵抗率（比抵抗）は５×１０-2Ω・ｃｍ以下であるのが好適である。ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の層厚は、連続膜が得られる５０ナノメータ（ｎｍ）以上で、亀裂（ｃｒａｃｋ）の顕著な発生が認められない５０００ｎｍ以下とするのが適する。キャリア濃度は、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の層厚方向に略一定であるか、同層の表面に向けて増大しているのが望ましい。
【００１１】
本発明に係わるランタン・アルミニウム合金から成るｎ形オーミック電極は、例えば、組成式でＬａＡｌ4（ランタン含有率＝５６．３質量％）、ＬａＡｌ2（ランタン含有率＝７３．０質量％）、並びにＬａＡｌ（ランタン含有率＝８３．７質量％）と表されるランタン・アルミニウム合金を原料として構成出来る。中でもランタン・２アルミニウム合金（組成式：ＬａＡｌ2）は、ＬａＡｌ4に比較してランタン含有量が多く、通常の真空蒸着手段に依り充分に蒸着できる融点を有しているため、特に好都合な原料として利用できる。ＬａＡｌでは、３ランタン・２アルミニウム（組成式：Ｌａ3Ａｌ2）の場合と同じく、ランタンの含有率はＬａＡｌ2に比べ高いものの、ランタンとアルミニウムとの組成比の安定したランタン・アルミニウム合金膜を形成できない。
【００１２】
接触性のより良いｎ形オーミック電極とするためには、被着時にｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層を敢えて加熱する必要はない。被着時のＩＩＩ族窒化物半導体層温度は、５０℃以下であるのが好適である。ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層を、３００℃を超える温度に加熱して形成すると、ｎ形半導体層との接合界面でランタンの含有量の少ないランタン・アルミニウム合金層が形成され不都合である。接合界面近傍の領域に於いて、ランタン含有量の小さいランタン・アルミニウム合金層が形成される程、ｎ形オーミック電極の接触抵抗は増加する。接合界面近傍の領域でのランタン・アルミニウム合金層のランタン含有率が１０質量％未満となると、接触抵抗を０．１Ω・ｃｍ-2以下とするｎ形オーミック電極は安定して形成出来ない。また、ランタンを１０質量％以上含むアルミニウム・ランタン合金層は、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層との接合界面から合金層の表面に向けて３０ｎｍ以内の領域に設けることが好ましい。逆に、その接合界面から３０ｎｍ以上離れた領域では、ランタンの含有率が１０質量％未満であることが好ましい。ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触する層は、ランタン単体から、即ち、ランタンの質量含有率を１００質量％とする層から構成しても構わない。
【００１３】
ｎ形オーミック電極をなすランタン・アルミニウム合金は、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面を間隙無く被覆できる層厚とするのが適する。一般には、５０ｎｍ以上とするのが適する。結線用の台座（ｐａｄ）電極を構成する場合にあっては、ランタン・アルミニウム合金膜上に更に金属膜を重層させる。ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触するランタン・アルミニウム合金膜に接合させて設ける金属膜は、アルミニウムやチタンから構成するのが好適である。台座電極の厚さは、約１μｍ〜約５μｍとするのが適する。例えば、層厚が０．３μｍのＬａＡｌ2合金膜に、厚さを約１．５μｍとするＡｌ膜を接合させて設けて、合計の層厚を１．８μｍとする台座電極を構成する例を挙げられる。ランタン・アルミニウム合金層上に例えば、アルミニウム層を被着させた後、所謂、合金化熱処理（ａｌｌｏｙｉｎｇ）を３００℃を超える温度で施すのは良好なｎ形オーミック電極を構成するに不都合となる。高温での熱処理に因るランタンの熱拡散に伴い、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層との接合界面近傍の好ましい領域にランタン元素を蓄積出来無くなるからである。
【００１４】
ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に接触させて設けたランタン・アルミニウム合金膜は、低い接触抵抗のｎ形オーミック電極をもたらす作用を有する。
【実施例】
【００１５】
（第１実施例）
ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体層の表面に、ランタン・アルミニウム合金膜からｎ形オーミック電極を設ける場合を例にして本発明を具体的に説明する。
【００１６】
トリメチルガリウム（分子式：（ＣＨ3）3Ｇａ）及びアンモニア（分子式：ＮＨ3）を原料とする減圧ＭＯＣＶＤ手段により、珪素（Ｓｉ）をドーピングしたｎ形ＧａＮ層を気相成長させた。ｎ形ＧａＮ層のキャリア濃度は９×１０19ｃｍ-3であり、層厚は約３．２μｍであった。ＧａＮ層の表面を弗化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）水溶液で処理した後、ランタン・アルミニウム合金膜を表面に被着した。
【００１７】
ｎ形ＧａＮ層を室温（〜２３℃）に保持しつつ、ＬａＡｌ2合金を蒸着源として、通常の真空蒸着手段に依り、ランタン・アルミニウム合金層をＧａＮ層の表面に被着させた。ランタン・アルミニウム合金層の層厚は約０．５μｍとした。図１に、電子顕微鏡に付帯するエネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＥＤＸ）を用いて測定したｎ形ＧａＮ層とランタン・アルミニウム合金層との接合領域における元素分析の結果を示す。分析結果から、室温でＧａＮ層上にランタン・アルミニウム合金層を被着させたことにより、ｎ形ＧａＮ層との接合界面近傍の領域で、ランタンを約１５質量％と豊富に含むランタン・アルミニウム合金層が形成されているのが判明した。また、ランタンを１０質量％を越えて含むランタン・アルミニウム合金層が形成されている領域は、ｎ形ＧａＮ層との接合界面から同合金層の表面側に向けて約８ｎｍの領域であった。それより合金層の表面側の領域に向けてランタンの含有率は１０質量％から、合金層の層厚の増加と共に、減少していた。合金層の表面領域では、ランタンは殆ど含有されておらず、アルミニウムを主体として構成されるものとなった。
【００１８】
上記のｎ形ＧａＮ層の表面上に、近接して形成したランタン・アルミニウム合金膜から成る電極間に於ける電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を図２に示す。±５０ミリボルト（ｍＶ）の正及び負の低電圧領域に於いて、電流は電圧に正比例して直線的に増加している。また、±５Ｖ以下の電圧領域に於いても電流は、印可電圧の増加に応じて直線的に増大した。このＩ−Ｖ特性から、ランタン・アルミニウム合金層によりｎ形ＧａＮ層について良好なｎ形オーミック電極が形成されているのが示された。
【００１９】
ランタン・アルミニウム合金電極間の間隔（Ｌ）を０．２５ｍｍ、０．５０ｍｍ、１．０ｍｍ、及び２．０ｍｍと種々、変化させて測定したＩ−Ｖ特性を図３に示す。Ｉ−Ｖ特性から求めた抵抗値の電極間隔依存性から、ＴＬＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌｉｎｅ  Ｍｏｄｅ）理論に従い算出した接触抵抗は、１．６×１０-2Ω・ｃｍ-2となった。この算出には、電流の通流に実際に有効となる電極の幅を考慮した。
【００２０】
（第２実施例）
上記のｎ形ＧａＮ層を３５０℃に保持しつつ、ＧａＮ層の表面にランタン・アルミニウム合金層を被着させた。第１実施例とは、被着させる温度のみを変更して形成したランタン・アルミニウム合金層についてのオージェ電子分光分析の結果を図４に示す。ランタン・アルミニウム合金層の合金源（ＬａＡｌ2）を高温で被着したため、ランタンが合金層の表層領域に蓄積しているのが認められた。一方、ｎ形ＧａＮ層との接合界面近傍の領域、少なくとも接合界面より合金層側に至る３０ｎｍ以内の領域には、ランタンは殆ど含有されておらず、その質量含有率が５％未満のアルミニウムを主体とする層となっていた。
【００２１】
高温で被着したランタン・アルミニウム合金層のＩ−Ｖ特性を図５に示す。Ｉ−Ｖ特性から、±１Ｖの低電圧領域に於いて、既に、高い抵抗が発生しているのが示された。図２に示した室温で被着したランタン・アルミニウム合金層のＩ−Ｖ特性との比較から、本実施例に於ける高温で形成したランタン・アルミニウム合金膜では、ｎ形ＧａＮ層に対して、第１実施例よりは劣るオーミック特性のｎ形オーミック電極をもたらすことが示された。同様の非整流性を示すＩ−Ｖ特性は、３００℃を越える高温でランタン・アルミニウム合金層を形成した場合に顕著に発現した。
【００２２】
（第３実施例）
ランタン・アルミニウム合金から成るｎ形オーミック電極を利用して化合物半導体ＬＥＤを構成する場合を例にして本発明を具体的に説明する。
【００２３】
図６に本実施例に記載のＬＥＤ１Ａの断面模式図を示す。また、図７にＬＥＤ１Ａの平面模式図を示す。
【００２４】
（０００１）−サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板１０１上に、Ｓｉドープｎ形ＧａＮ層（キャリア濃度＝６×１０18ｃｍ-3，層厚＝４．２μｍ）１０２、インジウム（Ｉｎ）組成比を互いに異にする複数の塊（ｄｏｍａｉｎ）または相（ｐｈａｓｅ）から成る多相構造のｎ形窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ0.90Ｉｎ0.10Ｎ）層１０３、アンドープでｐ形のリン化硼素（ＢＰ）層（キャリア濃度＝１×１０19ｃｍ-3，層厚＝０．６μｍ）１０４を順次、積層させて積層構造体１Ｂを構成した。
【００２５】
次に、公知のフォトリソグラフィー技術を利用して、積層構造体１Ｂの最表層をなすｐ形ＢＰ層１０４にパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）を施した。次に、塩素ガス（Ｃｌ2）を用いた一般的なプラズマエッチング手段に依り、素子の形状に加工した。この加工に依り、ｐ形ＢＰ層１０４の一部の領域を図６及び図７に示す如く削除した。プラズマエッチングにより露出させたｎ形ＧａＮ層１０２の表面には、公知の真空蒸着手段に依り、ランタン・アルミニウム合金層１０５ａ及びアルミニウム層１０５ｂを連続的に被着させた。次に、重層させた金属層（１０５ａ、１０５ｂ）をパターニングして、長方形のｎ形オーミック電極１０５を形成した。ランタン・アルミニウム合金層１０５ａは、ランタン・アルミニウム合金（ＬａＡｌ2）を蒸着源として、室温でｎ形ＧａＮ層１０２上に形成した。ランタン・アルミニウム合金層１０５ａの層厚は１００ｎｍとした。アルミニウム層１０５ｂの層厚は１．５μｍとした。一方、ｐ形ＢＰ層の表面には、電子ビーム蒸着法で被着させたチタン（Ｔｉ）１０６ａ及び金（Ａｕ）１０６ｂの重層構造からなるｐ形オーミック電極１０６を形成した。両方のオーミック電極１０５，１０６について、アロイング処理は施さなかった。
【００２６】
（０００１）結晶面を表面とするｎ形ＧａＮ層１０２を下部クラッド層とし、（１１１）結晶方位に配向したｐ形（１１１）−ＢＰ層１０４を上部クラッド層として構成した、ダブルヘテロ（ＤＨ）接合構造のＬＥＤ１Ａに順方向に素子駆動電流を通流した。ｎ形及びｐ形オーミック電極１０５，１０６間に、２０ｍＡの順方向電流を通流した際の発光中心波長は、４４０ｎｍであった。また、順方向電圧は３．４Ｖであり、逆方向電流を１０μＡとした際の逆方向電圧は８．３Ｖであった。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施例に記載のランタン・アルミニウム層の元素分析結果を示す図である。
【図２】第１実施例に記載の電極の電流−電圧特性を示す図である。
【図３】第１実施例に記載の電極間の距離（Ｌ）に依る電流−電圧特性の変化を示す図である。
【図４】第２実施例に記載の高温で被着したランタン・アルミニウム合金層内部の元素分布を示す図である。
【図５】第２実施例に記載のランタン・アルミニウム合金層の電流−電圧特性を示す図である。
【図６】第３実施例に記載のＬＥＤの断面模式図である。
【図７】図６に記載のＬＥＤの平面模式図である。
【符号の説明】
【００２８】
１Ａ    ＬＥＤ
１Ｂ    積層構造体
１０１    サファイア基板
１０２    ｎ形ＧａＮ層（下部クラッド層）
１０３    ｎ形ＧａＩｎＮ発光層
１０４    ｐ形ＢＰ層（上部クラッド層）
１０５    ｎ形オーミック電極
１０５ａ    ランタン・アルミニウム合金層
１０５ｂ    アルミニウム層
１０６    ｐ形オーミック電極
１０６ａ    チタン層
１０６ｂ    金（Ａｕ）層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005051235.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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