(57)【要約】【課題】透明導電膜と半導体層との導電性を確保するように、好適に透明導電膜を形成することができる透明導電膜形成用組成物、かかる透明導電膜形成用組成物を用いた透明導電膜の形成方法、透明導電膜形成用組成物を用いて形成された透明導電膜、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の透明導電膜形成用組成物は、透明導電膜の形成に用いられる透明導電膜形成用組成物であって、導電性を有する金属酸化物微粒子および／またはその前駆体で構成される透明導電膜材料と、フッ化水素、または、フッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料と、少なくとも透明導電膜材料の一部を溶解または分散する液状媒体とを含むことを特徴とする。フッ化水素、または、ＨＦ発生材料より発生するフッ化水素の量は、液状媒体１重量部に対して１×１０−４〜５×１０−１重量部である。【選択図】無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜の形成に用いられる透明導電膜形成用組成物であって、
導電性を有する金属酸化物微粒子および／またはその前駆体で構成される透明導電膜材料と、
フッ化水素、または、フッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料と、
少なくとも前記透明導電膜材料の一部を溶解または分散する液状媒体とを含むことを特徴とする透明導電膜形成用組成物。
【請求項２】
前記フッ化水素、または、前記ＨＦ発生材料より発生するフッ化水素の量は、前記液状媒体１重量部に対して１×１０−４〜５×１０−１重量部である請求項１に記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項３】
加熱により収縮して前記金属酸化物微粒子同士の緻密化を促進する緻密化促進物質を含む請求項１または２に記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項４】
前記緻密化促進物質は、室温から４００℃まで加熱したとき、その重量減少率が１０％以上のものである請求項３に記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項５】
前記緻密化促進物質は、その収縮物が導電性を有するものである請求項３または４に記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項６】
前記透明導電膜材料として金属酸化物微粒子を含むものであって、
前記緻密化促進物質は、形成された透明導電膜において、その収縮物が前記金属酸化物微粒子１重量部に対して０．０１〜１重量部となるように混合されている請求項３ないし５のいずれかに記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項７】
前記緻密化促進物質は、前記前駆体であり、前記前駆体の少なくとも一部が、前記加熱により金属酸化物に変化する請求項３ないし６のいずれかに記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項８】
前記透明導電膜材料として金属酸化物微粒子を含むものであって、
前記緻密化促進物質の加熱により得られる金属酸化物と、前記透明導電膜材料の主材料である金属酸化物微粒子とは、同種のものである請求項３ないし７のいずれかに記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項９】
前記金属酸化物微粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍである請求項１ないし８のいずれかに記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項１０】
前記金属酸化物微粒子は、前記液状媒体１重量部に対して０．０５〜０．９重量部となるように混合されている請求項１ないし９のいずれかに記載の透明導電膜形成用組成物。
【請求項１１】
少なくとも表面付近の一部が、シリコンで構成された部材の表面に透明導電膜を形成する方法であって、
請求項１ないし１０のいずれかに記載の透明導電膜形成用組成物を、前記部材の表面に付与する付与工程を有することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
【請求項１２】
前記部材は、主としてシリコンで構成された膜を有し、少なくとも当該膜上に、前記透明導電膜形成用組成物を付与する請求項１１に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１３】
前記付与工程の後に、少なくとも１回の熱処理工程を有する請求項１１または１２に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１４】
前記熱処理工程は、第１の熱処理工程と、前記第１の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で熱処理を施す第２の熱処理工程とを有する請求項１３に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１５】
前記第１の熱処理工程における熱処理の温度をＴ１、前記第２の熱処理工程における熱処理の温度をＴ２としたとき、Ｔ２＞Ｔ１＋２０の関係を満足する請求項１４に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１６】
前記第１の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ１は、２０〜１００℃である請求項１４または１５に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１７】
前記第２の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ２は、２０〜２００℃である請求項１４ないし１６のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１８】
前記熱処理工程は、さらに、前記第２の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で熱処理を施す第３の熱処理工程を有する請求項１４ないし１７のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１９】
前記第２の熱処理工程における熱処理の温度をＴ２、前記第３の熱処理工程における熱処理の温度をＴ３としたとき、Ｔ３＞Ｔ２＋５０の関係を満足する請求項１８に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項２０】
前記第３の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ３は、５０〜５００℃である請求項１８または１９に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項２１】
前記第１の熱処理工程における時間は、１０秒〜６００秒である請求項１４ないし２０のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項２２】
前記第２の熱処理工程における時間は、１〜４０分である請求項１４ないし２１のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項２３】
前記第３の熱処理工程における時間は、１〜１８０分である請求項１８ないし２２のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項２４】
請求項１１ないし２３のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法により形成されることを特徴とする透明導電膜。
【請求項２５】
透明導電膜は、半導体層と接続されているものであって、
透明導電膜と前記半導体層とのそのコンタクト抵抗値は、１００ｋΩ以下である請求項２４に記載の透明導電膜。
【請求項２６】
請求項２４または２５に記載の透明導電膜を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２７】
請求項２６に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜形成用組成物、透明導電膜の形成方法、透明導電膜、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスでは、高集積化を実現するために配線の多層化が行なわれている。
透明導電膜は、優れた導電性と透明性を有しており、導電性と透明性とが求められるものに広く用いられている。例えば、液晶画像表示装置では、液晶を駆動する画素電極および走査電極として透明導電膜が設けられている。
多層配線を有する電子デバイスにおいて、層間絶縁膜を介して配設される上下の配線パターンを電気的に接続する場合に、このような透明導電膜は、シリコンで構成された下層導電部に接続され、電極形成されることがある。
【０００３】
ところで、シリコンは、非常に酸化されやすく、通常、その表面に自然に酸化されて形成された膜（自然酸化膜）を有している。この自然酸化膜は絶縁性物質であり、自然酸化膜が形成された下層導電部にそのまま透明導電膜を接続すると、シリコンと透明導電膜との導線性がシリコン表面の自然酸化膜によって阻害され、コンタクト抵抗値が高くなるという問題があった。その結果、装置全体の駆動電圧が高くなるという問題があった。
このような自然酸化膜を除去する方法として、従来より様々な方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の自然酸化膜の除去方法のように、スパッタエッチングを用いて、自然酸化膜を取り除く場合、自然酸化膜を除去するだけでなく、下部導電部の表面や層間絶縁膜等のその他の部位の表面にダメージを与えてしまい、画素ごとに電気特性のばらつきが生じたり、上部膜との密着性低下を起こし、最終的に得られる装置の信頼性が低下するといった問題が生じる。また、スパッタエッチングを施す装置は、高真空装置を用いるために、条件等の管理が難しく、さらに非常に高価でエネルギーも浪費する。また、ウェットエッチング等の方法により自然酸化膜を除去する方法も考えられるが、工程が煩雑になるという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２６７２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、透明導電膜と半導体層との導電性を確保するように、好適に透明導電膜を形成することができる透明導電膜形成用組成物、かかる透明導電膜形成用組成物を用いた透明導電膜の形成方法、透明導電膜形成用組成物を用いて形成された透明導電膜、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の透明導電膜形成用組成物は、透明導電膜の形成に用いられる透明導電膜形成用組成物であって、
導電性を有する金属酸化物微粒子および／またはその前駆体で構成される透明導電膜材料と、
フッ化水素、または、フッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料と、
少なくとも前記透明導電膜材料の一部を溶解または分散する液状媒体とを含むことを特徴とする。
これにより、透明導電膜と半導体層との導電性を確保するように、好適に透明導電膜を形成することができる透明導電膜形成用組成物を提供することができる。
【０００８】
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記フッ化水素、または、前記ＨＦ発生材料より発生するフッ化水素の量は、前記液状媒体１重量部に対して１×１０−４〜５×１０−１重量部であるのが好ましい。
これにより、効率よくシリコンの自然酸化膜を除去することができる。
本発明の透明導電膜形成用組成物では、加熱により収縮して前記金属酸化物微粒子同士の緻密化を促進する緻密化促進物質を含むのが好ましい。
これにより、熱処理によって緻密化促進物質が収縮し、透明導電膜の緻密化を促進することができる。
【０００９】
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記緻密化促進物質は、室温から４００℃まで加熱したとき、その重量減少率が１０％以上のものであるのが好ましい。
これにより、透明導電膜の緻密化をより促進することができ、形成された透明導電膜をより導電性に優れたものとすることができる。
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記緻密化促進物質は、その収縮物が導電性を有するものであるのが好ましい。
これにより、形成された透明導電膜の導電性をより向上させることができる。
【００１０】
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記透明導電膜材料として金属酸化物微粒子を含むものであって、
前記緻密化促進物質は、形成された透明導電膜において、その収縮物が前記金属酸化物微粒子１重量部に対して０．０１〜１重量部となるように混合されているのが好ましい。
これにより、金属酸化物微粒子同士の緻密化を十分に進行させることができる。
【００１１】
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記緻密化促進物質は、前記前駆体であり、前記前駆体の少なくとも一部が、前記加熱により金属酸化物に変化するのが好ましい。
これより、得られる透明導電膜では、膜の強度および密着性の向上、膜特性の安定化を図ることができる。
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記透明導電膜材料として金属酸化物微粒子を含むものであって、
前記緻密化促進物質の加熱により得られる金属酸化物と、前記透明導電膜材料の主材料である金属酸化物微粒子とは、同種のものであるのが好ましい。
これにより、形成された透明導電膜は、より導電性、膜強度および密着性、膜特性の安定性が優れたものとなる。
【００１２】
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記金属酸化物微粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍであるのが好ましい。
これにより、透明導電膜形成用組成物の取り扱いが容易となるとともに、形成された透明導電膜を、より導電性、膜強度および密着性、膜特性の安定性に優れたものとすることができる。
【００１３】
本発明の透明導電膜形成用組成物では、前記金属酸化物微粒子は、前記液状媒体１重量部に対して０．０５〜０．９重量部となるように混合されているのが好ましい。
これにより、様々な膜厚の透明導電膜の形成が可能となるとともに、形成された透明導電膜を、より導電性、膜強度および密着性、膜特性の安定性に優れたものとすることができる。
【００１４】
本発明の透明導電膜の形成方法は、少なくとも表面付近の一部が、シリコンで構成された部材の表面に透明導電膜を形成する方法であって、
本発明の透明導電膜形成用組成物を、前記部材の表面に付与する付与工程を有することを特徴とする。
これにより、シリコンの表面に形成された自然酸化膜を除去しつつ、容易かつ簡便に透明導電膜を形成することができる。
【００１５】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記部材は、主としてシリコンで構成された膜を有し、少なくとも当該膜上に、前記透明導電膜形成用組成物を付与するのが好ましい。
これにより、シリコンの表面に形成された自然酸化膜を除去しつつ、容易かつ簡便に透明導電膜を形成することができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記付与工程の後に、少なくとも１回の熱処理工程を有するのが好ましい。
これにより、より効率的にシリコンの自然酸化膜を除去しつつ、容易かつ簡便に透明導電膜を形成することができる。
【００１６】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記熱処理工程は、第１の熱処理工程と、前記第１の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で熱処理を施す第２の熱処理工程とを有するのが好ましい。
これにより、より効率的にシリコンの自然酸化膜を除去しつつ、容易かつ簡便に透明導電膜を形成することができる。
【００１７】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第１の熱処理工程における熱処理の温度をＴ１、前記第２の熱処理工程における熱処理の温度をＴ２としたとき、Ｔ２＞Ｔ１＋２０の関係を満足するのが好ましい。
このような関係を満足することにより、例えば、自然酸化膜のエッチング量を制御することが可能となり、他材料にダメージを与えることなく、フッ化水素や液状媒体等をより確実に除去することができる。
【００１８】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第１の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ１は、２０〜１００℃であるのが好ましい。
これにより、より効率的にシリコンで形成された下層導電部との接合面の自然酸化膜を除去することができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第２の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ２は、２０〜２００℃であるのが好ましい。
これにより、フッ化水素や液状媒体等をより確実に除去することができる。
【００１９】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記熱処理工程は、さらに、前記第２の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で熱処理を施す第３の熱処理工程を有するのが好ましい。
これにより、金属酸化物微粒子同士の緻密化を十分に進行させることができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第２の熱処理工程における熱処理の温度をＴ２、前記第３の熱処理工程における熱処理の温度をＴ３としたとき、Ｔ３＞Ｔ２＋５０の関係を満足するのが好ましい。
このような関係を満足することにより、残存するフッ化水素や液状媒体等をより確実に除去するとともに、金属酸化物微粒子同士の固着や、前駆体の収縮を十分に進行させることができる。
【００２０】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第３の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ３は、５０〜５００℃であるのが好ましい。
これにより、残存するフッ化水素や液状媒体等をより確実に除去するとともに、金属酸化物微粒子同士の固着や、前駆体の収縮を十分に進行させることができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第１の熱処理工程における時間は、１０秒〜６００秒であるのが好ましい。
これにより、より確実にシリコン上の自然酸化膜を除去することができる。
【００２１】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第２の熱処理工程における時間は、１〜４０分であるのが好ましい。
これにより、フッ化水素や液状媒体等をより確実に除去することができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第３の熱処理工程における時間は、１〜１８０分であるのが好ましい。
これにより、透明導電膜の緻密化を十分に進行させることができる。
【００２２】
本発明の透明導電膜は、本発明の透明導電膜の形成方法により形成されることを特徴とする。
これにより、緻密性、導電性の高い透明導電膜が得られ、膜強度および密着性、膜特性の安定性に優れたものとなる。
本発明の透明導電膜では、半導体層と接続されているものであって、
透明導電膜と前記半導体層とのそのコンタクト抵抗値は、１００ｋΩ以下であるのが好ましい。
これにより、電子デバイスを構築した際に、かかる電子デバイスをより応答速度の速いものとすることができる。
【００２３】
本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の透明導電膜形成用組成物、透明導電膜の形成方法、透明導電膜、電子デバイスおよび電子機器の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の電子デバイスを、液晶パネルに適用した場合を一例として説明する。
＜液晶パネルの構成＞
図１は、本発明が適用された液晶パネルの好適な実施形態を示す模式的な縦断面図、図２は、図１に示す液晶パネルの薄膜トランジスタ付近の拡大断面図である。
図１に示すように、液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１００は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）９と、ＴＦＴ基板９に接合された配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２に接合された配向膜３’と、配向膜３と配向膜３’との空隙に封入された液晶よりなる液晶層２と、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）９の外表面側（配向膜３と対向する面とは反対の面側）に接合された偏光膜４と、液晶パネル用対向基板１２の外表面側（配向膜３’と対向する面とは反対の面側）に接合された偏光膜４’とを有している。
【００２５】
液晶層２は、主として、液晶分子で構成されている。
液晶層２を構成する液晶分子としては、ネマチック液晶、スメクチック液晶など配向し得るものであればいかなる液晶分子を用いても構わないが、ＴＮ型液晶パネルの場合、ネマチック液晶を形成させるものが好ましく、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体液晶、ビフェニル誘導体液晶、ビフェニルシクロヘキサン誘導体液晶、テルフェニル誘導体液晶、フェニルエーテル誘導体液晶、フェニルエステル誘導体液晶、ビシクロヘキサン誘導体液晶、アゾメチン誘導体液晶、アゾキシ誘導体液晶、ピリミジン誘導体液晶、ジオキサン誘導体液晶、キュバン誘導体液晶等が挙げられる。さらに、これらネマチック液晶分子にモノフルオロ基、ジフルオロ基、トリフルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入した液晶分子も含まれる。
【００２６】
液晶層２の両面には、配向膜３、３’が配置されている。配向膜３、３’は、液晶層２を構成する液晶分子の（電圧無印加時における）配向状態を規制する機能を有する。
配向膜３、３’は、通常、主として、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子材料で構成されたものである。前記高分子材料の中でも特に、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が好ましい。配向膜３、３’が、主として、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂で構成されたものであると、製造工程において簡便に高分子膜を形成できるとともに、耐熱性、耐薬品性などに優れた特性を有するものとなる。
【００２７】
また、配向膜３、３’としては、通常、上記のような材料で構成された膜に、液晶層２を構成する液晶分子の配向を規制する配向機能を付与するための処理が施されたものが用いられる。配向機能を付与するための処理法としては、例えば、ラビング法、光配向法等が挙げられる。
ラビング法は、ローラ等を用いて、膜の表面を一定の方向に擦る（ラビングする）方法である。このような処理を施すことにより、膜はラビングした方向に異方性を有するものとなり、液晶層を構成する液晶分子の配向方向を規制することが可能となる。
【００２８】
光配向法は、直線偏光紫外線等の光を膜の表面付近に照射することにより、膜を構成する高分子のうち、特定方向を向いている分子のみを選択的に反応させる方法である。このような処理を施すことにより、膜は異方性を有するものとなり、液晶層を構成する液晶分子の配向方向を規制することが可能となる。
上記のような配向処理は、通常、基板（マイクロレンズ基板１１とブラックマトリックス１３との接合体、ＴＦＴ基板９）上に形成された電極（透明導電膜１４、画素電極９２）の表面に、前記材料で構成された膜を形成した後、当該膜に対して施される。電極上に成膜を行う方法としては、例えば、ディッピング、ドクターブレード、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、静電塗装、電着塗装、ロールコーター等の各種塗布法、溶射法、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の乾式めっき法等が挙げられるが、この中でも特に、スピンコート法が好ましい。スピンコート法を用いることにより、均質で、均一な厚さの膜を、容易かつ確実に形成することができる。
【００２９】
このような配向膜は、その平均厚さが２０〜１２０ｎｍであるのが好ましく、３０〜８０ｎｍであるのがより好ましい。
配向膜の平均厚さが前記下限値未満であると、配向膜に十分な配向機能を付与するのが困難になる可能性がある。一方、配向膜の平均厚さが前記上限値を超えると、駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる可能性がある。
【００３０】
液晶パネル用対向基板１２は、マイクロレンズ基板１１と、かかるマイクロレンズ基板１１の表層１１４上に設けられ、開口１３１が形成されたブラックマトリックス１３と、表層１１４上にブラックマトリックス１３を覆うように設けられた透明導電膜（共通電極）１４とを有している。
マイクロレンズ基板１１は、凹曲面を有する複数（多数）の凹部（マイクロレンズ用凹部）１１２が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板（第１の基板）１１１と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板１１１の凹部１１２が設けられた面に樹脂層（接着剤層）１１５を介して接合された表層（第２の基板）１１４とを有しており、また、樹脂層１１５では、凹部１１２内に充填された樹脂によりマイクロレンズ１１３が形成されている。
【００３１】
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、平板状の母材（透明基板）より製造され、その表面には、複数（多数）の凹部１１２が形成されている。凹部１１２は、例えば、マスクを用いた、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等により形成することができる。
このマイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、例えば、石英ガラス等のガラスやポリエチレンテレフタレート等のプラスチック材料等で構成されている。
【００３２】
前記母材の熱膨張係数は、後述するガラス基板９１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネルでは、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
かかる観点からは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、ガラス基板９１とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
【００３３】
特に、マイクロレンズ基板１１を高温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネル（ＨＴＰＳ）に用いる場合には、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、石英ガラスで構成されていることが好ましい。ＴＦＴ液晶パネルは、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を有している。かかるＴＦＴ基板には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を石英ガラスで構成することにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたＴＦＴ液晶パネルを得ることができる。
【００３４】
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の上面には、凹部１１２を覆う樹脂層（接着剤層）１１５が設けられている。
凹部１１２内には、樹脂層１１５の構成材料が充填されることにより、マイクロレンズ１１３が形成されている。
樹脂層１１５は、例えば、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂（接着剤）で構成することができ、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系のような紫外線硬化樹脂等で好適に構成することができる。
【００３５】
樹脂層１１５の上面には、平板状の表層１１４が設けられている。
表層（ガラス層）１１４は、例えばガラスで構成することができる。この場合、表層１１４の熱膨張係数は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）とすることが好ましい。これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
【００３６】
表層１１４の厚さは、マイクロレンズ基板１１が液晶パネルに用いられる場合、必要な光学特性を得る観点からは、通常、５〜１０００μｍ程度とされ、より好ましくは１０〜１５０μｍ程度とされる。
なお、表層（バリア層）１１４は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の酸化物系セラミックス、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。表層１１４をセラミックスで構成する場合、表層１１４の厚さは、特に限定されないが、２０ｎｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度とすることがより好ましい。
なお、このような表層１１４は、必要に応じて省略することができる。
【００３７】
ブラックマトリックス１３は、遮光機能を有し、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂等で構成されている。
透明導電膜（電極）１４は、導電性を有し、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）等で構成されている。
【００３８】
ＴＦＴ基板９は、液晶層２の液晶を駆動する基板であり、ガラス基板９１と、ガラス基板９１上に設けられた下地絶縁膜９４と、かかる下地絶縁膜９４上に設けられ、マトリックス状（行列状）に配設された複数（多数）の画素電極９２と、各画素電極９２に対応する複数（多数）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）９３とを有している。なお、図１では、シール材、配線等の記載は省略した。
ガラス基板９１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
【００３９】
下地絶縁膜９４の構成材料は、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ2、ＴＥＯＳ（ケイ酸エチル）、ポリシラザン、ポリイミド、Ｌｏｗ−Ｋ材等を用いることができる。この下地絶縁膜９４は、シロキサン結合を有するＳＯＧ（Spin On Glass）などの液体絶縁材料をガラス基板９１に塗布し、これを焼成して加熱分解させて形成することができる。これにより、高価な真空装置などを使用する必要がなく、成膜に必要な投入エネルギーや時間などを節減することができる。液体絶縁材料の塗布は、例えば、スピンコート、ディップコート、液体ミスト化学堆積法（Liquid Source Misted Chemical Deposition：ＬＳＭＣＤ）、スリットコートなどにより行うことができる。また、液体絶縁材料の塗布は、いわゆるインクジェットプリンタのプリンタヘッドのような定量吐出装置によって行うこともできる。この定量吐出装置を用いれば、所望の部分にだけ塗布することが可能であるので、材料を節減することができる。
【００４０】
画素電極９２は、透明導電膜（共通電極）１４との間で充放電を行うことにより、液晶層２の液晶分子を駆動する（液晶の配向を変化させる）。この画素電極９２は、例えば、前述した透明導電膜１４と同様の材料で構成されている。
薄膜トランジスタ９３は、近傍の対応する画素電極９２に接続されている。また、薄膜トランジスタ９３は、図示しない制御回路に接続され、画素電極９２へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極９２の充放電が制御される。
【００４１】
図２に示すように、薄膜トランジスタ９３は、下地絶縁膜９４上に設けられ、チャンネル領域９３２０とソース領域９３１６とドレイン領域９３１８とを備える半導体層９３１４と、半導体層９３１４を覆うように設けられたゲート絶縁膜９３２６、絶縁層９３４２と、ゲート絶縁膜９３２６を介してチャンネル領域９３２０と対向するように設けられたゲート電極９３５１と、ゲート電極９３５１上方の絶縁層９３４２上に設けられた導電部９３５６と、ソース領域９３１６上方の絶縁層９３４２上に設けられ、ソース電極として機能する導電部（本発明の透明導電膜）９３５２と、ドレイン領域９３１８上方の絶縁層９３４２上に設けられ、ドレイン電極として機能する導電部（本発明の透明導電膜）９３５４とを有している。
【００４２】
本実施形態では、この下地絶縁膜９４上に、半導体層９３１４が設けられている。この半導体層９３１４は、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコンで構成される。
前述したように、この半導体層９３１４は、チャンネル領域９３２０とソース領域９３１６とドレイン領域９３１８とを有している。図２に示すように、半導体層９３１４は、チャンネル領域９３２０の一方の側部にソース領域（下層導電部）９３１６が形成され、チャンネル領域９３２０の他方の側部にドレイン領域（下層導電部）９３１８が形成された構成となっている。
【００４３】
チャンネル領域９３２０は、例えば、真性半導体材料で構成される。ソース領域９３１６およびドレイン領域９３１８は、例えば、リン等のｎ型不純物が導入（ドープ）された半導体材料で構成される。なお、半導体層９３１４の構成はこの構成に限定されず、例えば、ソース領域９３１６およびドレイン領域９３１８は、ｐ型不純物が導入された半導体材料で構成されてもよい。また、チャンネル領域９３２０は、例えば、ｐ型またはｎ型不純物が導入された半導体材料で構成されてもよい。
このような半導体層９３１４は、絶縁膜（ゲート絶縁膜９３２６、絶縁層９３４２）で覆われている。このような絶縁膜のうち、チャンネル領域９３２０と導電部９３５６との間に介在している部分は、チャンネル領域９３２０と導電部９３５６との間に生じる電界の経路となるゲート絶縁層として機能する。
【００４４】
ゲート絶縁膜９３２６、絶縁層９３４２の構成材料は、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ2、ＴＥＯＳ（ケイ酸エチル）、ポリシラザン等のケイ素化合物を用いることができる。なお、ゲート絶縁膜９３２６、絶縁層９３４２は、上記以外の材料、例えば樹脂、セラミックス等で構成されてもよいことは、言うまでもない。
絶縁層９３４２上には、導電部９３５２、導電部９３５４、および導電部９３５６が設けられている。前述したように、導電部９３５６は、チャンネル領域９３２０の上方に形成されている。導電部９３５２は、ソース領域９３１６に接触している。導電部９３５４は、ドレイン領域９３１８に接触している。
【００４５】
図２に示すように、ゲート絶縁膜９３２６および絶縁層９３４２のソース領域９３１６が形成された領域内には、ソース領域９３１６に連通する孔部（コンタクトホール）が形成されている。導電部９３５２は、この孔部を通じて、ソース領域９３１６に接触している。また、ゲート絶縁膜９３２６および絶縁層９３４２のドレイン領域９３１８が形成された領域内には、ドレイン領域９３１８に連通する孔部が形成されている。導電部９３５４は、この孔部を通して、ドレイン領域９３１８に接触している。
【００４６】
本実施形態の液晶パネル１００では、導電部９３５４は、画素電極９２と接触している。すなわち、導電部９３５４は、画素電極９２と電気的に接続されている。また、液晶パネル１００を構成する複数個の導電部９３５２は、図示しない部分で、互いに電気的に接続されている。さらには、液晶パネル１００を構成する複数個の導電部９３５６は、他の回路に、並列に接続可能になっている。
【００４７】
これら導電部９３５２、導電部９３５４、および導電部９３５６は、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成される。なお、これらの導電部上には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の材料で構成された、図示しないパッシベーション膜が形成されていてもよい。
なお、これら導電部９３５２、導電部９３５４の形成方法については、後に詳述する。
【００４８】
図１に示すように、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）９の外表面側（配向膜３と対向する面とは反対の面側）には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）４が配置されている。同様に、液晶パネル用対向基板１２の外表面側（配向膜３’と対向する面とは反対の面側）には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）４’が配置されている。
偏光膜４、４’の構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が挙げられる。また、偏光膜としては、前記材料にヨウ素をドープしたもの等を用いてもよい。
【００４９】
偏光膜としては、例えば、上記材料で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いることができる。
このような偏光膜４、４’を配置することにより、通電量の調節による光の透過率の制御をより確実に行うことができる。
偏光膜４、４’の偏光軸の方向は、通常、配向膜３、３’の配向方向に応じて決定される。
【００５０】
このような液晶パネル１００では、通常、１個のマイクロレンズ１１３と、かかるマイクロレンズ１１３の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１３の１個の開口１３１と、１個の画素電極９２と、かかる画素電極９２に接続された１個の薄膜トランジスタ９３とが、１画素に対応している。
液晶パネル用対向基板１２側から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を通り、マイクロレンズ１１３を通過する際に集光されつつ、樹脂層１１５、表層１１４、ブラックマトリックス１３の開口１３１、透明導電膜１４、液晶層２、画素電極９２、ガラス基板９１を透過する。このとき、マイクロレンズ基板１１の入射側に偏光膜４’が設けられているため、入射光Ｌが液晶層２を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層２の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１００を透過した入射光Ｌを偏光膜４に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
【００５１】
このように、液晶パネル１００は、マイクロレンズ１１３を有しており、しかも、マイクロレンズ１１３を通過した入射光Ｌは、集光されてブラックマトリックス１３の開口１３１を通過する。一方、ブラックマトリックス１３の開口１３１が形成されていない部分では、入射光Ｌは遮光される。したがって、液晶パネル１００では、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Ｌの減衰が抑制される。このため、液晶パネル１００は、画素部で高い光の透過率を有する。
この液晶パネル１００は、例えば、ＴＦＴ基板９と液晶パネル用対向基板１２とに、それぞれ、配向膜３、３’を接合し、その後、シール材（図示せず）を介して両者を接合し、次いで、これにより形成された空隙部の封入孔（図示せず）から液晶を空隙部内に注入し、次いで、かかる封入孔を塞ぐことにより製造することができる。
【００５２】
＜透明導電膜形成用組成物＞
次に、本発明の透明導電膜形成用組成物について説明する。
本発明の透明導電膜形成用組成物は、例えば、前述したような導電部９３５２、導電部９３５４を構成する透明導電膜の形成に用いられるものであり、導電性を有する金属酸化物微粒子および／またはその前駆体で構成される透明導電膜材料と、フッ化水素、または、フッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料と、少なくとも透明導電膜材料の一部を溶解または分散する液状媒体とを含むものである。
透明導電膜を形成する際には、透明導電膜形成用組成物を基材上に供給して被膜を形成し、その後、この被膜に、例えば、乾燥処理、熱処理等を施すことにより、透明導電膜を得ることができる。
【００５３】
［透明導電膜材料］
＜１＞金属酸化物微粒子
透明導電膜材料を構成する金属酸化物微粒子としては、導電性を有するものであれば、いかなるものも使用可能であるが、比較的高い透明性（光透過性）を有するものが好ましい。
【００５４】
かかる金属酸化物微粒子としては、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含む酸化物が挙げられる。
【００５５】
これらの中でも、金属酸化物微粒子としては、特に、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）、Ｓｂを含有する酸化スズ（ＡＴＯ）、Ｆを含有する酸化スズ（ＦＴＯ）、Ａｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛が好ましい。これらの透明導電膜材料は、特に高い導電性と透明性とを有するものとなる。
また、以上のような金属酸化物微粒子は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００５６】
なお、金属酸化物微粒子として、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）を主材料とする粒子を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
このような金属酸化物微粒子の形状は、例えば、球状、針状、葉状等のいかなるものであってもよいが、球状であるのが好ましい。球状の金属酸化物微粒子を用いることにより、緻密な透明導電膜を簡便に形成することができる。
【００５７】
この場合、金属酸化物微粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍであるのが好ましく、５〜１０００ｎｍであるのがより好ましく、１０〜５００ｎｍであるのがさらに好ましい。金属酸化物微粒子の平均粒径が小さ過ぎると、金属酸化物微粒子の表面積の増大に伴う経時的な膜特性の変化が顕著になるおそれがある。一方、金属酸化物微粒子の平均粒径が大き過ぎると、形成された透明導電膜において、金属酸化物微粒子間の空隙が大きくなり、その結果、金属酸化物微粒子同士の接触面積が減少して、十分な導電性が得られなかったり、膜の強度、密着性および膜特性が低下するおそれがある。
【００５８】
なお、他の形状の金属酸化物微粒子を用いる場合、これらの金属酸化物微粒子は、その最大長さの平均値が前記平均粒径の範囲となるようにするのが好ましい。
また、金属酸化物微粒子は、それらをより確実に緻密化（密着）させる観点からは、単一の形状のものを用いるのが好ましいが、２種以上の異なる形状のものを組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００５９】
このような金属酸化物微粒子は、これを溶解または分散する液状媒体１重量部に対して０．０５〜０．９重量部となるよう混合するのが好ましく、０．１〜０．５重量部となるように混合するのがより好ましい。金属酸化物微粒子の混合量（添加量）が少な過ぎると、形成される透明導電膜が薄膜化しすぎて断線しやすくなったり、導電膜として十分な導電性が得られないおそれがある。一方、金属酸化物微粒子の混合量が多過ぎると、透明導電膜が厚膜化して透過率が低下したり、金属酸化物微粒子の透明導電膜形成用組成物中での分散性が低下し、透明導電膜形成用組成物の調製や基材上への塗布（供給）が困難になるおそれがある。
【００６０】
＜２＞金属酸化物前駆体
透明導電膜材料を構成する金属酸化物前駆体（以下単に前駆体ともいう。）は、その後の加熱（熱処理）により得られる金属酸化物が導電性を有するものであれば、いかなるものも使用可能であるが、その加熱により得られる金属酸化物が比較的高い透明性（光透過性）を有するものが好ましい。
【００６１】
また、金属酸化物前駆体は、加熱により金属酸化物となる際に体積収縮するため、得られる透明導電膜は、より緻密化され、膜の強度および密着性の向上、膜特性の安定化を図ることができる。
また、金属酸化物前駆体は、一般に前述した金属酸化物と比べて、液状媒体に溶解しやすく、流動性が高い。このため、金属酸化物前駆体は、例えば薄膜トランジスタのような比較的小さい部材に透明導電膜を形成するのに好適に用いることができる。
【００６２】
かかる前駆体としては、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等のアルコキシドや塩、または、これらの誘導体や錯体等が挙げられる。
【００６３】
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。塩としては、例えば、ハロゲン化物、蟻酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
また、誘導体としては、例えば、水和物、中和または加水分解により得られる水酸化物等が挙げられる。錯体としては、例えば、α−またはβ−ジケトン類、α−またはβ−ケト酸類、α−またはβ−ケト酸エステル類、アミノアルコール類等とのキレート化合物が挙げられる。
【００６４】
これらの前駆体は、目的とする金属酸化物の種類等に応じて、１種または２種以上を適宜組み合わせて用いるようにすればよい。
なお、金属酸化物前駆体として、インジウム化合物と有機スズ化合物とを組み合わせて用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
【００６５】
また、金属酸化物前駆体として、例えば、アルコキシドや塩を用いる場合には、金属酸化物前駆体の金属酸化物への変化（変換）を促進する酸触媒、塩基触媒等を添加してもよい。
酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００６６】
このような金属酸化物前駆体は、これを溶解または分散する液状媒体１重量部に対して、混合した金属酸化物前駆体が全て金属酸化物に変化したときの金属酸化物が０．０５〜０．９重量部となるよう混合するのが好ましく、０．１〜０．５重量部となるように混合するのがより好ましい。前駆体の混合量（添加量）が少な過ぎると、形成される透明導電膜が薄膜化しすぎて断線しやすくなったり、導電膜として十分な導電性が得られないおそれがある。一方、前駆体の混合量が多過ぎると、透明導電膜が厚膜化して透過率が低下したり、熱分解によって生成した大量の副生成物の脱離によって緻密な透明導電膜を形成することが困難だったり、透明導電膜形成用組成物の流動性が低下し、透明導電膜形成用組成物の調製や基材上への付与（供給）が困難になるおそれがある。
【００６７】
なお、前述したような金属酸化物微粒子と無機酸化物前駆体とは併用して用いてもよい。
この場合、前駆体は、例えば、金属酸化物微粒子同士の緻密化を促進するものとして用いることができる。すなわち、前駆体は、緻密化促進物質として用いることができる。これにより、熱処理によって前駆体が金属酸化物に変化して、かつ体積収縮し、金属酸化物微粒子同士の緻密化を促進する。これにより、金属酸化物微粒子同士の接触面積が増大し、その結果、得られた透明導電膜では、より高い導電性が得られる。また、金属酸化物微粒子同士が緻密化する（金属酸化物の密度が高くなる）ことにより、得られる透明導電膜では、膜の強度および密着性の向上、膜特性の安定化を図ることができる。
【００６８】
金属酸化物前駆体（緻密化促進物質）は、前述した金属酸化物微粒子１重量部に対して０．０１〜１重量部となるように配合されるのが好ましく、０．０５〜０．２重量部となるように配合されるのがより好ましい。
前駆体が緻密化促進物質として機能する場合、前駆体は、室温から４００℃（好ましくは３５０℃）まで加熱したとき、その重量減少率が１０％以上であるものが好適である。
【００６９】
ここで、重量減少率とは、［（室温での重量−加熱後の重量）／室温での重量］×１００（％）で算出される値である。
重量減少率が前記範囲の前駆体を用いることにより、金属酸化物微粒子同士の緻密化をより促進することができ、形成された透明導電膜をより導電性に優れたものとすることができる。
【００７０】
なお、前述した説明では、金属酸化物前駆体が、緻密化促進物質として機能するものとして説明したが、このような機能を有していないものであってもよい。
また、緻密化促進物質として、金属酸化物前駆体を用いるものとして説明したが、緻密化物質は、前駆体以外のものであってもよい。
このような緻密化促進物質としては、透明導電膜が形成された後において、金属酸化物微粒子同士の空隙を埋めるように残存するものであるのが好ましい。これにより、形成された透明導電膜の膜強度をより向上させることができる。
【００７１】
また、このような緻密化促進物質としては、加熱により、例えば加水分解、熱分解等をして、縮合反応を生じる物質（熱分解性物質）が好適である。緻密化促進物質として熱分解性物質を使用することにより、この熱分解性物質の反応の過程で、金属酸化物微粒子同士の緻密化が促進されるとともに、その反応生成物が金属酸化物微粒子同士の空隙を埋めるように残存する。これにより、形成された透明導電膜は、導電性、膜強度および密着性、膜特性の安定性がより優れたものとなる。
【００７２】
また、緻密化促進物質およびその収縮物は、導電性を有するものであってもよく、導電性を有さないもののいずれであってもよいが、少なくとも収縮物の状態において導電性を有するもの（導電性材料）であるのが好ましい。これにより、形成された透明導電膜の導電性をより向上させることができる。ここで、緻密化促進物質の収縮物とは、加熱により収縮（変化）した後の緻密化促進物質のことを言う。
【００７３】
［フッ化水素、または、フッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料］
一般に、シリコンで構成された半導体層の表面には、自然に酸化されて形成された極薄膜（自然酸化膜）が存在する。このように自然酸化膜が形成されたシリコン上にそのまま透明導電膜を形成すると、自然酸化膜が絶縁性膜であることにより、半導体層と透明導電膜との導電性を阻害するという問題があった。このような問題を解決するため、従来より、スパッタエッチング等の方法により、透明導電膜の成膜前に予め、自然酸化膜の除去を行っている。
【００７４】
しかし、スパッタエッチング等の従来の方法では、全面にエッチングするために、シリコン上の自然酸化膜を取り除くだけでなく、酸化ケイ素で構成された層間絶縁膜やその他の部位の表面も同様にエッチングされて、表面が荒れてしまい、透明導電膜等の上層膜との密着性等に影響を与えたりするために、最終的に得られる装置の信頼性が低下するといった問題等が生じていた。
【００７５】
そこで、本発明者は、上記問題を解決すべく鋭意検討した結果、透明導電膜を形成する材料（透明導電膜形成用組成物）に、フッ化水素またはフッ化水素を発生し得る材料（ＨＦ発生材料）を含有させ、エッチング工程、乾燥工程、熱処理工程の各工程ごとに、詳細な温度制御を行うことにより、上述したような透明導電膜と電気的に接合される下層導電部（ソース領域、ドレイン領域等）の表面の自然酸化膜のみを選択的に除去しつつ、容易にかつ確実に透明導電膜を形成できることを見出した。
【００７６】
ＨＦ発生材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属Ｍのフッ化金属塩（ＭＦｎ（ｎはＭの価数））、フッ化アンモニウム塩等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
これらの中でも、フッ化金属塩としては、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化インジウム（ＩｎＦ４）、フッ化スズ、フッ化ホウ素（ＢＦ３）、フッ化アンモニウム塩としては、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムを用いるのが好ましい。これにより、より効率的に塗布した透明導電膜形成用組成物中にフッ化水素を発生させることができる。
なお、必要に応じて、水等の溶媒、酸触媒、塩基触媒等の触媒を添加してもよい。これにより、フッ化水素の発生を促進することができる。
【００７８】
フッ化水素酸、または、ＨＦ発生材料より発生するフッ化水素の量は、後述するような液状媒体１重量部に対して１×１０−４〜５×１０−１重量部であるのが好ましく、１×１０−３〜５×１０−２重量部であるのがより好ましい。これにより、効率よく塗布した透明導電膜形成用組成物に接触している、下層導電部表面のシリコンの自然酸化膜を除去することができる。これに対し、フッ化水素の量が前記下限値未満であると、十分にシリコンの自然酸化膜を除去するのが困難となる場合がある。一方、フッ化水素の量が前記上限値を超えると、エッチング工程の制御が困難になり、下層導電部表面が過剰にエッチングされる問題が発生し、配合量に見合うだけの効果が得られない場合がある。また、最終的にフッ化水素を完全に除去するのが困難となる場合がある。
【００７９】
［液状媒体］
液状媒体（金属酸化物微粒子や金属酸化物前駆体を溶解または分散する液体）としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエーテル類、酸アミド類、芳香族炭化水素類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８０】
これらの中でも、液状媒体としては、水、アルコール類、グリコール類、ケトン類を用いるのが好ましい。これらの液体を用いることにより、透明導電膜形成用組成物中で金属酸化物微粒子等を良好に分散させることができ、かつ金属酸化物前駆体の溶解性も良好であるために、基材上への透明導電膜形成用組成物の供給（塗布）を容易かつ確実に行うことができる。
【００８１】
＜透明導電膜の形成方法＞
次に、本発明の透明導電膜の形成方法について説明する。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前述したような透明導電膜形成用組成物を、部材の表面に付与して透明導電膜を形成することを特徴とする。これにより、下層導電部の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程を省略しても、容易かつ簡便にコンタクトホールを介して下層導電部との良好な電気的接合を有する透明導電膜を形成することができる。なお、以下の説明では、透明導電膜形成用組成物として、金属酸化物微粒子と、その前駆体（緻密化促進物質）との両方を含むものとして説明する。
図３および図４は、本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
本実施形態の透明導電膜の形成方法は、［１］マスク形成工程と、［２］透明導電膜形成用組成物の付与工程と、［３］被膜の熱処理工程と、［４］マスク除去工程とを有している。以下、これらの工程について、順次説明する。
【００８２】
［１］  マスク形成工程
まず、図３（ａ）に示すような部材５を用意する。この部材５は、導電部９３５２、導電部９３５４、および導電部９３５６を形成する前の薄膜トランジスタ９３を構成するものである。
次に、部材５上に、絶縁層９３４２を覆ってレジスト膜を形成する。そして、レジスト膜に紫外線を照射し、開口部としての導電部用溝（配線溝）９３５７を有するマスク（パターン形状制御マスク）６Ｅとする（図３（ｂ）参照。）。
【００８３】
なお、このようにして形成されたマスク６Ｅに対して、撥液処理を施してもよい。これにより、後述するように透明導電膜形成用組成物を付与する際に、所望の部位に選択的に透明導電膜形成用組成物を付与することができる。
撥液処理の方法としては、例えば、四フッ化炭素ガス、大気圧プラズマにより発生させた活性化フッ素等にさらす方法等が挙げられる。
【００８４】
なお、マスクを形成する方法としては、上述した方法に限定されず、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の気相成膜法（乾式めっき法）、ディップコート、ドクターブレード、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、静電塗装、電着塗装、ロールコーター等の各種塗布法、溶射、金属箔の接合や、表面層の構成材料に対応する前駆体（モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー、プレポリマー等）を重合反応（特に、プラズマ重合）させる方法等が挙げられる。
【００８５】
［２］  透明導電膜形成用組成物の付与工程
次に、図３（ｃ）および図４（ａ）に示すように、配線溝９３５７に透明導電膜形成用組成物を付与し、被膜８１を形成する。
配線溝９３５７に透明導電膜形成用組成物を付与する方法としては、特に限定されず、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いるのが好適である。
塗布法によれば、比較的容易かつ精度よく、目的とする膜厚の被膜８１を形成することができる。
なお、被膜８１の平均厚さは、目的とする透明導電膜の厚さ、付与（塗布）する透明導電膜形成用組成物中の透明導電膜材料の濃度（含有量）等に応じて適宜設定される。
【００８６】
［３］  被膜の熱処理工程
次に、形成された被膜８１に対し、熱処理を施す。
本実施形態では、第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で熱処理を施す第２の熱処理工程と、第２の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で熱処理を施す第３の熱処理工程とを有するものとして説明する。
【００８７】
（３−１）第１の熱処理工程（第１の熱処理）
まず、前述のように形成された被膜８１に対し第１の熱処理を施す。
第１の熱処理を施すことにより、例えば、透明導電膜形成用組成物がフッ化水素を発生し得るＨＦ発生材料を含む場合、被膜８１中に効率よくフッ化水素を発生させ、透明導電膜形成用組成物が接触している下層導電部の表面の自然酸化膜９５を選択的に除去することができる（図４（ｂ）参照。）。
【００８８】
また、透明導電膜形成用組成物がフッ化水素を含むものである場合には、このように熱処理を施すことにより、被膜８１中のフッ化水素を活性化し、より効率的にシリコンの自然酸化膜９５を除去することができる。
第１の熱処理工程における熱処理の温度Ｔ１は、２０〜１００℃であるのが好ましく、２５〜８０℃であるのがより好ましい。これにより、より効率的にシリコンの自然酸化膜を除去するができる。これに対し、温度Ｔ１が前記下限値未満であると、シリコンの自然酸化膜を十分に除去するまでの時間が長くなる場合がある。一方、温度Ｔ２が前記上限値を超えると、フッ化水素が被膜８１より大気中に飛散し、被膜８１中のフッ化水素濃度が低下する可能性がある。その結果、シリコンの自然酸化膜を十分に除去するのが困難となる可能性がある。
【００８９】
第１の熱処理工程における熱処理を施す時間は、特に限定されないが、熱処理の温度を前記範囲とする場合、５〜６００秒であるのが好ましく、３０〜３００秒であるのがより好ましい。これにより、より確実にシリコンの自然酸化膜を除去することができる。
なお、第１の熱処理は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気等、いかなる雰囲気下で行うものであってもよい。
【００９０】
ところで、シリコンの自然酸化膜は、下記反応式（Ｉ）示す反応が進行して除去されるものと考えられる。
ＳｉＯ２  ＋  ４ＨＦ  →  ＳｉＦ４  ＋  ２Ｈ２Ｏ    ……（Ｉ）
この反応で発生するＳｉＦ４は気体であるから、最終的に得られる透明導電膜中に残存するのを防止することができる。
【００９１】
（３−２）第２の熱処理工程（第２の熱処理）
次に、被膜８１に対し、第１の熱処理工程の熱処理よりも高い温度で第２の熱処理を施す。
このような第２の熱処理を施すことにより、例えば、被膜８１を乾燥し、液状媒体の一部または全部を除去することができる。また、被膜８１中のフッ化水素等を効果的に除去することができる（図４（ｃ）参照。）。
【００９２】
この被膜８１を乾燥する温度（乾燥温度）Ｔ２は、液状媒体の種類等に応じて適宜設定され、特に限定されないが、２０〜２００℃であるのが好ましく、５０〜１５０℃であるのがより好ましい。これにより、透明導電膜材料の変質等を抑制しつつ、フッ化水素や液状媒体等をより確実に除去することができる。
また、前記第１の熱処理工程における熱処理の温度をＴ１、第２の熱処理工程における熱処理の温度をＴ２としたとき、Ｔ２＞Ｔ１＋２０の関係を満足するのが好ましく、Ｔ１＋２０＜Ｔ２＜Ｔ１＋１００の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、透明導電膜材料の変質等を抑制しつつ、フッ化水素や液状媒体等をより確実に除去することができる。
【００９３】
また、被膜８１を乾燥する時間も、特に限定されないが、乾燥温度を前記範囲とする場合、１〜４０分であるのが好ましく、１〜２０分であるのがより好ましい。これにより、フッ化水素や液状媒体等をより確実に除去することができる。
なお、第２の熱処理工程において、乾燥温度や乾燥時間等を適宜設定して、被膜８１の乾燥速度を調節することにより、乾燥後の被膜８１において、金属酸化物微粒子をより整然と並べる（配置する）ことができ、後述する第３の熱処理工程による熱処理により、無機酸化物同士の緻密化をより確実に進行させることができる。
【００９４】
かかる観点からは、透明導電膜形成用組成物の付与工程、および第１の熱処理工程と第２の熱処理工程では、被膜８１に対して、例えば超音波の付与等により振動を与えつつ行うようにしてもよい。
また、第２の熱処理は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気等、いかなる雰囲気下で行うものであってもよい。また、第２の熱処理は、必要に応じて真空または減圧状態下で行うものであってもよい。これにより、より低温度条件下で効率的にフッ化水素や液状媒体を除去することができる。
【００９５】
（３−３）第３の熱処理工程（第３の熱処理）
次に、乾燥後の被膜８１に第３の熱処理（例えば焼成等）を施して、硬化（固化）させる。これにより、図２に示すような本発明の透明導電膜（導電部９３５２、導電部９３５４）が得られる。
この第３の熱処理を行うと、図４（ｄ）に示すように、金属酸化物微粒子間の空隙に埋まった前駆体８が体積収縮して、この収縮により金属酸化物微粒子７同士の緻密化が促進され、その結果、透明導電膜の密度が高まる。また、このとき、金属酸化物微粒子７同士が互いに固着（焼結）されるために、透明導電膜の密着性、硬度がより高まる。
【００９６】
また、図４（ｃ）のように表面が荒れている場合であっても、このような熱処理を施すことにより、表面を平坦化させることができる。
例えば、前駆体８として、金属アルコキシドを用いた場合には、加熱により金属アルコキシドが加水分解し、アルコールと金属の水酸化物が生成する。さらに、この金属水酸化物に縮合反応が生じることにより、金属酸化物（前駆体の収縮物８’）が生成する。
【００９７】
この反応の過程で、金属酸化物微粒子７同士の緻密化（被膜８１の収縮）が促進されるとともに、生成した金属酸化物（前駆体の収縮物８’）が金属酸化物微粒子７同士の空隙を埋める。その結果、金属酸化物微粒子７同士の接触面積が増大し、かつ空隙を埋めた金属酸化物も導電性を有するために、より導電性、膜強度および密着性、膜特性の安定性に優れた透明導電膜（導電部９３５２、導電部９３５４、および導電部９３５６）が得られる。
この第３の熱処理の温度Ｔ３は、特に限定されないが、５０〜５００℃であるのが好ましく、１５０〜３５０℃であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、金属酸化物微粒子７同士の固着や、前駆体８の体積収縮が十分に進行しないおそれがある。一方、熱処理の温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果が見込めない。
【００９８】
また、前記第２の熱処理工程における熱処理の温度をＴ２、第３の熱処理工程における熱処理の温度をＴ３としたとき、Ｔ３＞Ｔ２＋５０の関係を満足するのが好ましく、Ｔ２＋５０＜Ｔ３＜Ｔ２＋３００の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、被膜８１に残留したフッ化水素や液状媒体等をより確実に除去するとともに、金属酸化物微粒子７同士の固着や、前駆体８の体積収縮を十分に進行させることができる。
また、第３の熱処理の時間（加熱時間）も、特に限定されず、加熱温度を前記範囲とする場合、１〜１８０分であるのが好ましく、５〜１２０分であるのがより好ましい。前記範囲の加熱時間で、金属酸化物微粒子７同士の固着や、前駆体８の収縮を十分に進行させることができる。
【００９９】
また、この第３の熱処理における雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。また、必要に応じて真空または減圧状態下で行うものであってもよい。
なお、第３の熱処理は、複数回に繰り返し行ってもよく、この場合、各熱処理における熱処理条件は、同一であっても異なっていてもよい。
【０１００】
［４］  マスク除去工程
次に、マスク６Ｅを除去する。これにより、図２に示すような薄膜トランジスタが得られる。
マスク６Ｅの除去は、いかなる方法で行うものであってもよいが、例えば、酸素プラズマやオゾンによる、大気圧下または減圧下でのアッシング、紫外線や、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、マスク６Ｅを溶解、分解可能な有機溶剤もしくは無機溶液への浸漬等により行うことができる。
【０１０１】
なお、本実施形態では、マスク除去工程を有するものとして説明したが、本発明を適用して得られる部材の用途等によっては、マスク除去工程を省略してもよい。
このように、本発明の透明導電膜の形成方法では、湿式プロセスによって、シリコンの自然酸化膜を徐処しつつ、透明導電膜を形成するので、簡易な設備および工程によりコスト、エネルギーを浪費することなく、透明導電膜を形成することができる。
したがって、このような透明導電膜形成用組成物および透明導電膜の形成方法を用いて、図１に示す液晶パネルの各導電部を形成することにより、液晶の駆動性能、耐久性等の各種特性に優れた液晶パネルを、低コストで製造することができる。
【０１０２】
＜電子機器＞
本発明の電子デバイスは、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述の液晶パネル（電気光学装置）１００を備えている。
【０１０３】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の液晶パネル（電気光学装置）１００を表示部に備えている。
【０１０４】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０５】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の液晶パネル１００が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１０６】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶パネル１００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１０７】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１０８】
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１０９】
以上、本発明の透明導電膜形成用組成物、透明導電膜の形成方法、透明導電膜、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の透明導電膜形成用組成物では、必要に応じて、各種の添加剤を添加するようにしてもよい。
【０１１０】
また、本発明の透明導電膜の形成方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
また、前述した実施形態では、透明導電膜形成用組成物を用いて、薄膜トランジスタ９３の各導電部を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、透明導電膜１４や画素電極９２等を形成する場合においても、本発明の透明導電膜形成用組成物を適用することができる。
【０１１１】
また、本発明の透明導電膜形成用組成物は、シリコンのみで構成された半導体層上に形成するものに限定されず、主としてシリコンで構成された半導体層上に形成するものであってもよい。主としてシリコンで構成された半導体層としては、例えば、ｐ型不純物等の不純物が導入されたものが挙げられる。
また、前述した実施形態では、熱処理工程として、３つの工程を有するものとして説明したが、これに限定されず、このような熱処理工程は、１つの工程で行うものであってもよいし、２つの工程で行うものであってもよいし、４つ以上の工程で行うものであってもよい。また、このような熱処理工程は省略してもよい。また、各熱処理工程での熱処理温度は、各工程中において一定であってもよいし、変化するものであってもよい。
さらに、本発明の電子デバイスおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【実施例】
【０１１２】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
Ａ．透明導電膜
以下のようにして、実施例１〜３および比較例１〜３において、それぞれ、透明導電膜を図３（ａ）に示す部材に形成した。
（実施例１）
＜１−１＞  図３（ａ）に示す部材を用意した。
その後、前述したような方法を用いて、部材上にマスクを形成した。
【０１１３】
＜１−２＞  次に、液状媒体として水＋エタノール混合液（水／エタノール（重量比）＝８／２）を用いて、この液状媒体に、ＩＴＯ粒子（平均粒径：２０ｎｍ）、塩化インジウム、塩化スズおよびフッ化アンモニウムを、それぞれ、次のような混合比となるように混合して、透明導電膜形成用組成物を調製した。
ＩＴＯ粒子        ：液状媒体１重量部に対して０．１重量部
塩化インジウム    ：ＩＴＯ粒子１重量部に対して０．７重量部
塩化スズ          ：ＩＴＯ粒子１重量部に対して０．０４重量部、
インジウム／スズ（原子比）＝９３／７
フッ化アンモニウム：液状媒体１重量部に対して３×１０−３重量部（フッ化水素発生                      量として約２×１０−３重量部（シリコン酸化膜のエッチングレ                      ートより概算））
なお、塩化インジウムと塩化スズとを、インジウム／スズ（重量比）＝０．７／０．０４で混合した混合物（緻密化促進物質）は、室温から３５０℃まで加熱したところ、その重量減少率が１０％以上であった。
また、ＩＴＯ粒子としては、インジウム／スズ（原子比）＝９４／６のものを用いた。
【０１１４】
＜１−３＞  次に、この透明導電膜形成用組成物を、スピンコート法により、部材上に塗布して被膜を形成した。
なお、部材の回転数は、２０００ｒｐｍで行った。
＜１−４＞  次に、得られた被膜に対し、大気（酸化性雰囲気）中、温度５０℃×時間１００秒の条件で熱処理（第１の熱処理）を施した。
【０１１５】
＜１−５＞  次に、第１の熱処理を施した被膜を、大気（酸化性雰囲気）中、温度１００℃×時間５分で乾燥（第２の熱処理）した。
【０１１６】
＜１−６＞  次に、乾燥後の被膜に対し、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間６０分の条件で熱処理（第３の熱処理）を施した。これにより、透明導電膜を得た。
なお、透明導電膜中において、ＩＴＯ粒子：ＩＴＯ（緻密化促進物質の収縮物）＝１：０．２（重量比）であった。
＜１−７＞
次に、マスクに紫外線を照射し、マスクを分解、除去した。
【０１１７】
（実施例２）
＜２−１＞  図３（ａ）に示す部材を用意した。
その後、前述したような方法を用いて、部材上にマスクを形成した。
＜２−２＞  次に、液状媒体としてエタノールを用いて、このエタノールに、ＡＴＯ粒子（平均粒径：１００ｎｍ）、ジ−ｎ−ブチルスズ−ジ−アセテート（有機スズ化合物）および塩化アンチモン、５０ｗｔ％（濃度）のフッ酸（フッ化水素＋水）を、それぞれ、次のような混合比となるように混合して、透明導電膜形成用組成物を調製した。
ＡＴＯ粒子    ：液状媒体１重量部に対して０．３重量部
有機スズ化合物：ＡＴＯ粒子１重量部に対して０．５重量部
塩化アンチモン：ＡＴＯ粒子１重量部に対して０．１５重量部
スズ／アンチモン（原子比）＝８０／２０
フッ酸        ：液状媒体１重量部に対して２．５×１０−３重量部（フッ化水素発生                  量として約２．５×１０−３重量部）
【０１１８】
なお、有機スズ化合物と塩化アンチモンとを、スズ／アンチモン（重量比）＝０．５／０．１５で混合した混合物（緻密化促進物質）は、室温から５００℃まで加熱したところ、その重量減少率が１０％以上であった。
また、ＡＴＯ粒子としては、スズ／アンチモン（原子比）＝８０／２０のものを用いた。
【０１１９】
＜２−３＞  次に、この透明導電膜形成用組成物を、スピンコート法により、部材上に塗布して被膜を形成した。
なお、部材の回転数は、２０００ｒｐｍで行った。
＜２−４＞  次に、得られた被膜に対し、大気（酸化性雰囲気）中、温度３０℃×時間１２０秒の条件で熱処理（第１の熱処理）を施した。
【０１２０】
＜２−５＞  次に、第１の熱処理を施した被膜を、大気（酸化性雰囲気）中、温度８０℃×時間５分で乾燥（第２の熱処理）した。
＜２−６＞  次に、乾燥後の被膜に対し、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度５００℃×時間６０分の条件で熱処理（第３の熱処理）を施した。これにより、透明導電膜を得た。
なお、透明導電膜中において、ＡＴＯ粒子：ＡＴＯ（緻密化促進物質の収縮物）＝１：０．３８（重量比）であった。
【０１２１】
（比較例１）
フッ化アンモニウムを用いなかった以外は、前記実施例１と同様にして調製した透明導電膜形成用組成物を用いて、透明導電膜を形成した。
（比較例２）
まず、図３（ａ）に示す部材を用意した。
【０１２２】
次に、２ｗｔ％フッ酸（フッ化水素＋水）を用いて、大気（酸化性雰囲気）中、温度２０℃×時間２０秒の条件で、ウェットエッチングを施し、自然酸化膜を除去した。
次に、自然酸化膜を除去する処理を施した部材の表面に、スパッタ法を用いて、ＩＴＯの被膜を形成した。
次に、形成したＩＴＯ被膜の表面に、レジスト膜を塗布し、感光・現像・エッチングを施し、透明導電膜を形成する部位に対応するマスクを形成した。
【０１２３】
次に、該マスクを用いて、エッチングを施し、マスクで覆われていないＩＴＯ被膜を除去した。
その後、マスクを除去し、透明導電膜を形成した。
なお、ウェットエッチング後の部材の表面を観察したところ、目的としない部分にもスパッタエッチングが施されており、全体的に表面が荒れていた。
【０１２４】
［評価］
各実施例および各比較例で形成した透明導電膜について、それぞれ、半導体層とのコンタクト抵抗値を測定し、それぞれ、１０個の平均値を求めた。なお、コンタクト抵抗値は、４探針法（ＪＩＳ  Ｋ７１９１）を用いて測定した。
その結果を表１に示す。
【０１２５】
【表１】
2005149734.tif 000002
【０１２６】
表１に示すように、各実施例の透明導電膜は、対応する各比較例に対して、コンタクト抵抗値が低く、導電性に優れるものであった。
特に、自然酸化膜を除去した比較例２と比較しても、各実施例の透明導電膜は、優れたコンタクト抵抗値を示した。これは、透明導電膜形成用組成物中の金属酸化物微粒子の表面にフッ化水素が付加し、これが熱処理によって除去される際に、透明導電膜と半導体層との接合性や透明導電膜の緻密化を向上させたためであると考えられる。
なお、比較例１の透明導電膜では、表１に示すように全体的に高いコンタクト抵抗値を示し、また測定部位によりコンタクト抵抗値のばらつきが確認された。
【０１２７】
Ｂ．液晶パネル
次に、前記実施例１、２および比較例１、２の透明導電膜が形成された薄膜トランジスタを用いて、図１に示すような液晶パネルを製造した。
前記実施例１、２の透明導電膜を有する液晶パネルは、いずれも、応答速度が速く、色ムラ等の発生も認められなかった。またこれらの液晶パネルは、前記比較例２と同様にして形成した液晶パネルと比較しても優れた性能を示した。
【０１２８】
これに対し、透明導電膜を、前記比較例１と同様にして形成した液晶パネルは、いずれも、液晶素子特有のＣＲ時定数が増加、画像信号に対する反応時間が長いもの（低応答速度）であった。また、色ムラの発生も生じた。
さらに、このような現象は、経時的に顕著となった。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の液晶パネル（電子デバイス）の好適な実施形態を示す模式的な縦断面図である。
【図２】図１に示す液晶パネルの薄膜トランジスタ付近の拡大断面図である。
【図３】本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図４】本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３０】
１００……液晶パネル  ２……液晶層  ３、３’……配向膜  ４、４’……偏光膜  ５……部材  ６Ｅ……マスク  ７……金属酸化物微粒子  ８……前駆体  ８’……前駆体の収縮物  ８１‥‥被膜  ９……ＴＦＴ基板  ９１……ガラス基板  ９２……画素電極  ９３……薄膜トランジスタ  ９３１４……半導体層（多結晶シリコン膜）  ９３１６……ソース領域  ９３１８……ドレイン領域  ９３２０……チャンネル領域  ９３２６……ゲート絶縁膜  ９３３２……ゲート電極用トレンチ  ９３３６……レジスト膜  ９３４２……絶縁層  ９３５１……ゲート電極  ９３５２……導電部  ９３５４……導電部  ９３５６……導電部  ９３５７……導電部用溝（配線溝）  ９４……下地絶縁膜  １１……マイクロレンズ基板  １１１……マイクロレンズ用凹部付き基板  １１２……凹部  １１３……マイクロレンズ  １１４……表層  １１５……樹脂層  １２……液晶パネル用対向基板  １３……ブラックマトリックス  １３１……開口  １４……透明導電膜  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
2005149734.tif 000003
【図２】
2005149734.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005149734.tif 000009