(57)【要約】【課題】封着作業を迅速かつ安定して行うことが可能な画像表示装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】片側基板の通電加熱による封着処理を実現するもので、例えば背面基板１２に設けられた封着材２１ａを通電加熱し、この通電加熱により封着材２１ａを溶融した状態で、前面基板１１と背面基板１２とを互いに接近させ、基板同士を封着面を一致させて重ね合わせる。この重ね合わせにより、前面基板１１に設けられた封着材２１ｂが背面基板１２に設けられた封着材２１ａの溶融熱を受けて溶解され、封着材２１ａ、２１ｂが互い溶融して一体化した封着層２１を形成する。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板の対向する面に設けられた封着部を封着して外囲器を構成する画像表示装置の製造方法において、
前記各基板のうち、一方の基板に設けられた封着部を加熱し、当該封着部を他方の基板に設けられた封着部と重ね合わせて前記各基板の封着部を封着することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
対向配置された一対の基板の対向する面に設けられた封着部を封着して外囲器を構成する画像表示装置の製造方法において、
前記各基板のうち、一方の基板に設けられた封着部を通電加熱し、当該通電加熱された封着部を他方の基板に設けられた封着部と重ね合わせて前記各基板の封着部を封着することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記各基板のうち、少なくともいずれかの基板の封着部は封着材を有し、前記各基板の封着部が接触することにより前記封着材が熔解され前記封着部が封着される請求項１または２記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記各基板のうち、少なくともいずれかの基板の封着部は前記封着材の下地層を有し、前記封着材が前記下地層に融着されて前記封着部が封着される請求項３記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記下地層を通電加熱して前記封着材を前記下地層に融着させる請求項４記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記一方の基板に設けた封着材の量と前記他方の基板に設けた封着材の量とを所定の条件のもとに配分する請求項３記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記通電加熱の時間帯を２秒乃至１０分とした請求項２記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、対向配置されているとともに周縁部同士が封着された一対の基板を備えた平面型の画像表示装置を製造する製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（以下ＣＲＴと称す）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤと称す）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと称す）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤと称す）、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導電子放出ディスプレイ（以下ＳＥＤと称す）などがある。
【０００３】
これら各種表示装置のうち、例えばＦＥＤやＳＥＤでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧が印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【０００５】
このようなＦＥＤやＳＥＤでは、表示装置の厚さを数ｍｍ程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されているＣＲＴと比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００６】
例えば、上記のようなＦＥＤにおいて、外囲器を構成する前面基板および背面基板を接合するために様々な製造方法が検討されている。一般的には、２枚の基板と側壁との間にフリットガラスなどの焼結材料を充填し、炉中で加熱、焼結させ、基板と側壁とを結合させて外囲器を形成する。基本的な手順の一例としては、予め背面基板に側壁を溶着したものを準備し、更にこれと前面基板を溶着する。
【０００７】
しかしながら、フリットガラスを焼結する場合には不要なガスが発生する。そして、このガスは、溶着後、密閉された外囲器の内部に残留し、後に外囲器内部を高真空に排気する際の障害となる。そこで、前面基板と側壁との間に比較的低温で溶融するインジウム等の低融点金属封着材料を充填し、導電性封着材料に通電しそのジュール熱により導電性封着材料自身を発熱、溶解させ、基板を結合する方法（以下通電加熱と称す）が検討されている。
【特許文献１】特開２００２−３１９３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の通電加熱では、基板相互を加圧した状態で基板各々に設けた封着材をそれぞれ同時に加熱溶融する加圧−加熱モードと、基板各々に設けた封着材をそれぞれ加熱溶融した状態で基板相互を加圧する加熱−加圧モードとが考えられる。
【０００９】
しかしながら従来技術に於いては、加圧−加熱モードの場合、通電前に各基板に設けたインジウム等の封着材を加圧しているため、封着材の溶融直後に於いて基板の辺上から加熱溶融された封着材がはみ出し、安定した封着が期待できないという問題があった。また加熱−加圧モードの場合、予め基板双方の封着材をそれぞれ加熱溶融状態にしておくことから、加熱処理および封着後の冷却処理に多くの時間を必要とし作業性が悪いという問題があった。更に、この際、通電加熱の際の電流値を上げることで封着材の溶解にかかる時間短縮を図ることが可能であるが、この際は大きな通電電流が必要になるとともに、各基板への熱歪応力が増大して基板の変形さらには破損を招く等の問題があった。
【００１０】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、導電性金属材料を用いた封着材による封着作業を基板全体を低温に維持しながら効率よく迅速かつ安定して行うことができ歩留まりを向上できる画像表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、対向配置された一対の基板の対向する面に設けられた封着部を封着して外囲器を構成する画像表示装置の製造方法において、前記各基板のうち、一方の基板に設けられた封着部を加熱し、当該封着部を他方の基板に設けられた封着部と重ね合わせて前記各基板の封着部を封着することを特徴とする。これにより、封着作業を基板全体を低温に維持しながら短時間で効率よく安定して行うことができる。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、対向配置された一対の基板の対向する面に設けられた封着部を封着して外囲器を構成する画像表示装置の製造方法において、前記各基板のうち、一方の基板に設けられた封着部を通電加熱し、当該通電加熱された封着部を他方の基板に設けられた封着部と重ね合わせて前記各基板の封着部を封着することを特徴とする。これにより、封着作業を基板全体を低温に維持しながら短時間で効率よく安定して行うことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、片側基板の加熱による封着処理により、封着作業を基板全体を低温に維持しながら短時間で効率よく安定して行うことができ、これにより信頼性が高く表示品位の高い画像表示装置が製造可能な画像表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面を参照しながら、この発明に係る画像表示装置の製造方法をＦＥＤの製造に適用した実施の形態について詳細に説明する。ここでは片側基板の通電加熱による封着処理を例に採って実施形態を説明する。
【００１５】
図１ないし図４に示すように、ＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これらの基板は１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。背面基板１２は前面基板１１よりも大きな寸法に形成されている。そして、前面基板１１および背面基板１２は、矩形枠状の側壁１８を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された扁平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。
【００１６】
真空外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の一辺と平行な方向にそれぞれ延在しているとともに、上記一辺と直交する方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４は板状に限らず、柱状のものを用いてもよい。
【００１７】
前面基板１１の内面には、画像表示面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、およびこれらの蛍光体層間に位置した黒色光吸収層２０を並べて構成されている。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、真空外囲器１０の上記一辺と平行な方向に延在しているとともに、この一辺と直交する方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、蛍光体スクリーン１６上には、たとえばアルミニウムからなるメタルバック１７およびバリウムからなるゲッター膜２７が順に重ねて形成されている。
【００１８】
背面基板１２の内面上には、図３に示すように、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出素子２２は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。詳細に述べると、背面基板１２の内面上には、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリコン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上には、モリブデンやニオブ等からなるゲート電極２８が形成されている。そして、背面基板１２の内面上において各キャビティ２５内にはモリブデンなどからなるコーン状の電子放出素子２２が設けられている。また、背面基板１２の内面には、電子放出素子２２に電位を供給する多数本の配線２３がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の周縁部に引出されている。
【００１９】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、映像信号は、単純マトリックス方式に形成された電子放出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン１６には＋１０ｋＶが印加される。これにより、電子放出素子２２から電子ビームが放出される。そして、電子放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。
【００２０】
このように蛍光体スクリーン１６には高電圧が印加されるため、前面基板１１、背面基板１２、側壁１８、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。後述するように、背面基板１２と側壁１８との間は、フリットガラス等の低融点ガラス１９によって封着されている。また、前面基板１１と背面基板１２の側壁１８との間は、導電性を有する低融点封着材としてインジウム（Ｉｎ）を含んだ封着層２１によって封着されている。この封着層２１による本発明の実施形態に於ける封着処理（片側基板の通電加熱による封着処理）については後述する。
【００２１】
次に、上記構成を有するＦＥＤの製造方法について詳細に説明する。  
まず、前面基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これは、前面基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体ストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを形成した板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットする。この状態で、露光、現像することにより、前面基板１１となるガラス板上に蛍光体スクリーンを形成する。その後、蛍光体スクリーン１６に重ねてメタルバック１７を形成する。
【００２２】
続いて、背面基板１２用の板ガラスに電子放出素子２２を形成する。これは、マトリックス状の導電性カソード層２４を板ガラス上に形成し、このカソード層上に例えば熱酸化法やＣＶＤ法あるいはスパッタリング法により２酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。この後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極２８を形成する。
【００２３】
その後、レジストパターン及びゲート電極２８をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ２５を形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背面基板１２表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極２８上に例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。更に、背面基板１２表面に対して垂直な方向からカソード形成用の材料として例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、キャビティ２５の内部に電子放出素子２２が形成される。次に、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
【００２４】
続いて、大気中で低融点ガラス１９により側壁１８および支持部材１４を背面基板１２の内面上に封着する。その後、側壁１８の全周にわたって下地層３０ａを形成し、この下地層の上に後述する封着方法により必要に応じて封着材として例えばインジウムを所定の幅および厚さに充填し封着層２１を形成する。同様に、前面基板１１の上記側壁と対向する封着面に下地層３０ｂを形成し、この下地層の上に後述する封着方法により必要に応じて封着材として例えばインジウムを所定の幅および厚さに充填し封着層２１を形成する。
【００２５】
なお、金属封着材料としては、融点が約３５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。本実施形態で用いるインジウム（Ｉｎ）は、融点１５６．７℃と低いだけでなく、蒸気圧が低い、低温でも脆くならないなどの優れた特徴がある。また、下地層３１ａ、３１ｂは、金属封着材料に対して濡れ性および気密性の良い材料、つまり、金属封着材料に対して親和性の高い材料を用いる。
【００２６】
次いで、側壁１８が封着された背面基板１２および前面基板１１を所定間隔離して対向配置し、この状態で、真空処理装置内に投入する。ここでは、例えば図５に示すような真空処理装置１００を用いる。
【００２７】
真空処理装置１００は、並んで配設されたロード室１０１、ベーキング、電子線洗浄室１０２、冷却室１０３、ゲッター膜の蒸着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアンロード室１０７を備えている。組立室１０５には、封着層を形成する封着材（インジウム）２１ａ、２１ｂを加熱溶融するための直流電源を出力する電源装置１２０が設けられている。また、真空処理装置１００の各室は、真空処理が可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室が真空排気されている。これら各処理室間は図示しないゲートバルブ等により接続されている。
【００２８】
所定間隔離間して対向配置された前面基板１１および背面基板１２は、まず、ロード室１０１に投入される。そして、ロード室１０１内の雰囲気を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室１０２へ送られる。
【００２９】
ベーキング、電子線洗浄室１０２では、各種部材を３５０〜４００℃の温度に加熱し、各基板の表面吸着ガスを放出させる。同時にベーキング、電子線洗浄室１０２に取り付けられた図示しない電子線発生装置から電子線を、前面基板１１の蛍光体スクリーン面、および背面基板１２の電子放出素子面に照射する。その際、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって電子線を偏向走査することにより、蛍光体スクリーン面および電子放出素子面の全面をそれぞれ電子線洗浄する。
【００３０】
ベーキングおよび電子線洗浄された前面基板１１および背面基板１２は冷却室１０３に送られ、約１２０℃の温度まで冷却された後、ゲッター膜の蒸着室１０４へと送られる。この蒸着室１０４では、メタルバック１７の外側にゲッター膜２７としてバリウム膜が蒸着形成される。バリウム膜は表面が酸素や炭素などで汚染されることを防止することができ、活性状態を維持することができる。
【００３１】
続いて、前面基板１１および背面基板１２は組立室１０５に送られる。この組立室１０５において、前面基板１１および背面基板１２は、対向配置された状態で組立室内の一対のホットプレート（図示せず）にそれぞれ保持される。前面基板１１は落下しないように、固定治具（図示せず）により上側のホットプレートに固定する。
【００３２】
その後、前面基板１１および背面基板１２を約１２０℃に維持したまま、互いに接近する方向へ移動させ電源装置１２０の直流電源供給による通電加熱で封着層２１のインジウムを溶融させ、前面基板１１および背面基板１２の周縁部を封着する。この際の本発明の実施形態に係る製造方法について図６乃至図１０を参照して説明する。
【００３３】
まず図６乃至図８を参照して本発明の第１実施形態に於ける製造方法を説明する。この第１実施形態に於ける製造方法は、前面基板１１と背面基板１２のそれぞれに下地層および封着層を形成し、そのいずれか一方の基板に設けた封着層を通電加熱により溶融させて、上記基板を重ね合わせ、一方の基板に設けた封着材の溶融熱で他方の基板に設けた封着材を熔解させることにより前面基板１１と背面基板１２の封着面を封着している。
【００３４】
この第１実施形態に於いては、上記真空処理装置内に投入する以前の工程に於いて、図６（ａ），（ｂ）に示すように、背面基板１２の側壁１８の封着面の全周にわたって下地層３０ａの上に封着層２１を形成する封着材（インジウム）２１ａを所定の幅および厚さに塗布し、さらに上記背面基板１２の側壁１８の封着面に対向する前面基板１１の封着面の全周にわたって下地層３０ｂの上に上記同様の封着材２１ｂを所定の幅および厚さに塗布する。この前面基板１１および背面基板１２は対向配置された状態で組立室１０５に送られ、ここで片側基板の通電加熱による封着処理が行われる。
【００３５】
この片側基板の通電加熱による封着処理を実現する第１実施形態に於いては、図６（ｂ）および図７（ａ）に示すように、いずれか一方の基板、例えば背面基板１２に設けられた封着材２１ａに電源装置１２０から直流電源を供給し、封着材２１ａを通電加熱する。尚、この際、封着材２１ａに対して通電電流が二分されるよう電流経路を考慮する必要があるがここではその説明を省略する。また図７に於いては支持部材１４、側壁１８等の部材を含まない簡素化したモデルを例に示している。
【００３６】
上記通電加熱により封着材２１ａを溶融した状態で、前面基板１１と背面基板１２とを互いに接近させ、基板同士を封着面を一致させて重ね合わせる。
【００３７】
この重ね合わせにより、背面基板１２に設けられた溶融状態にある封着材２１ａが前面基板１１に設けられた封着材２１ｂに接触し、前面基板１１に設けられた封着材２１ｂが背面基板１２に設けられた封着材２１ａの溶融熱を受けて溶解され、封着材２１ａ、２１ｂが互い溶融して一体化した封着層２１を形成する。この封着状態を図７（ｂ）に示している。また上記封着処理に於ける背面基板１２および前面基板１１の封着部分近傍の温度変化の状態を図８に示している。
【００３８】
図８（ａ）は通電加熱時に於ける温度変化の状態遷移の一例を示し、図８（ｂ）は基板同士を重ね合わせた以降の基板冷却時に於ける温度変化の状態遷移の一例を示している。ここでは通電加熱による封着材の溶融を短時間に行わず、図８（ａ）に示すように６０秒程度の長い時間をかけて緩やかな温度上昇で片側基板（背面基板１２）のみの封着材２１ａに対して加熱処理をしている。
【００３９】
一方、重ね合わせ後は封着材２１ａの溶融熱が封着材２１ｂに奪われることから、図８（ｂ）に示すように、重ね合わせ直後から背面基板１２の温度が急激に下降し、略９０秒程度で封着層２１が固化状態（例えば１４０℃以下）となり３分程度で冷却処理を終えることができる。従ってこの図８の例では加熱に１分、冷却に２乃至３分の計３〜４分程度で封着処理が完了する。
【００４０】
尚、上記図８に示す例は、背面基板１２に設けた封着材２１ａと前面基板１１に設けた封着材２１ｂとを等量にした場合の例であり、基板の熱放散特性、金属封着材の熱特性等、種々の条件を考慮して背面基板１２に設けた封着材２１ａの量と前面基板１１に設けた封着材２１ｂの量とを適宜調整して配分することにより、片側基板の通電加熱による封着処理によって、より効率のよい安定した封着が可能となる。例えば封着処理に於いて通電加熱される側の基板（この例では背面基板１２）から加熱されない側の基板（この例では前面基板１１）に伝達される熱量を必要最小限にとどめることを条件とした場合、背面基板１２に設けた封着材２１ａの量を前面基板１１に設けた封着材２１ｂの量より少なくすることが考えられる。また、基板の接合強度、封着材料、融着時間等を条件とした場合、通電加熱する側の基板の封着材を多く配分することが考えられる。
【００４１】
次に図９を参照して片側基板の通電加熱による封着処理を実現する第２実施形態を説明する。この第２実施形態に於ける製造方法は、一方の基板に下地層および封着層を形成し、他方の基板に下地層のみを形成して、一方の基板に設けた封着層を通電加熱により溶融させ、その溶融した封着材を他方の基板に設けた下地層に融着させることにより基板相互の封着面を封着している。図９（ａ）に示す例では、背面基板１２に封着層を形成する封着材２１ａ、および下地層３０ａを設け、前面基板１１に下地層３０ｂのみを設けている。
【００４２】
この第２実施形態に於いては、図９（ａ）に示すように、例えば背面基板１２に設けられた封着材２１ａに電源装置１２０から直流電源を供給し、封着材２１ａを通電加熱する。
【００４３】
この通電加熱により封着材２１ａを溶融した状態で、前面基板１１と背面基板１２とを互いに接近させ基板同士を封着面を一致させて重ね合わせる。
【００４４】
この重ね合わせにより、図９（ｂ）に示すように、背面基板１２に設けられた溶融状態にある封着材２１ａが前面基板１１に設けられた下地層３０ｂに接触し、封着材２１ａが下地層３０ｂに融着することによって封着層２１が形成される。
【００４５】
この第２実施形態による片側基板の通電加熱による封着処理は、前面基板１１に封着材を設ける工程を省くことができるとともに、封着材同士の溶融に要する時間を皆無にできることから製造工程の簡素化並びに時間短縮を図ることができる。
【００４６】
次に図１０を参照して片側基板の通電加熱による封着処理を実現する第３実施形態を説明する。この第３実施形態に於ける製造方法は、一方の基板に下地層および封着層を形成し、他方の基板に下地層のみを形成して、一方の基板に設けた封着層を下地層の通電加熱により溶融させ、その溶融した封着材を他方の基板に設けた下地層に融着させることにより基板相互の封着面を封着している。図１０（ａ）に示す例では、背面基板１２に封着層を形成する封着材２１ａ、および下地層３０ａを設け、前面基板１１に下地層３０ｂのみを設けている。
【００４７】
この第２実施形態に於いては、封着材２１ａに直接、電流を流して通電加熱するのではなく、封着材２１ａをその下地層３０ａを介し間接的に通電加熱して溶融している。即ち図１０（ａ）に示すように、例えば背面基板１２に設けられた下地層３０ａに電源装置１２０から直流電源を供給して下地層３０ａを通電加熱し、その下地層３０ａに発生した熱で下地層３０ａのうえに設けられた封着材２１ａを溶融する。
【００４８】
この通電加熱により封着材２１ａを溶融した状態で、前面基板１１と背面基板１２とを互いに接近させ基板同士を封着面を一致させて重ね合わせる。
【００４９】
この重ね合わせにより、図１０（ｂ）に示すように、背面基板１２に設けられた溶融状態にある封着材２１ａが前面基板１１に設けられた下地層３０ｂに接触し、封着材２１ａが下地層３０ｂに融着することによって封着層２１が形成される。
【００５０】
この第３実施形態に於いても上記した第２実施形態と同様に前面基板１１に封着材を設ける工程を省くことができるとともに、封着材同士の溶融に要する時間を皆無にできることから製造工程の簡素化並びに時間短縮を図ることができる。
【００５１】
また、片側基板の通電加熱による封着処理を実現する他の実施形態として、例えば上記図１０（ａ）に於いて、背面基板１２に下地層３０ａのみを形成し、前面基板１１の下地層３０ｂに予め封着層を形成しておいて、背面基板１２に設けられた下地層３０ａに電源装置１２０から直流電源を供給して下地層３０ａを通電加熱し、基板相互を重ね合わせた際に、背面基板１２に設けた下地層３０ａの熱で前面基板１１の下地層３０ｂに形成された封着層を溶解し、背面基板１２に設けた下地層３０ａに前面基板１１に設けた封着層を融着させて封着層２１を形成することも可能である。また上記各実施形態に於いて通電加熱しない側の基板に設けた下地層を通電加熱することで封着材の融着を促進させることも可能である。
【００５２】
上述したように、組立室１０５に於いては、片側基板の通電加熱による封着処理により基板相互の封着面が封着される。  
上記工程により封着された前面基板１１および背面基板１２は、冷却室１０６で常温まで冷却され、アンロード室１０７から取り出される。これにより、ＦＥＤの真空外囲器１０が完成する。  
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階では本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、上記実施形態では、インジウム等の金属性封着材を用いた片側基板の通電加熱による封着処理を例に採ったが、通電加熱以外のランプヒーター等の外部熱源を用いた封着材の溶融手段、通電加熱と外部熱源の組合せによる封着材の溶融手段等も適用可能である。また封着材もインジウムに限るものではなく、例えば通電加熱による封着処理の場合は導電性を有した他の封着材料であってもよい。具体例としては、封着材として、少なくともＩｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｂｉのいずれかを含む金属を用いることができる。また、外囲器の側壁は予め背面基板あるいは前面基板と共に一体的に成形された構成であってもよく、さらに真空外囲器の外形状や支持部材の構成並びに配置、下地層の有無、電子放出素子の種類等も上記実施の形態に限られるものでなく、種々の構成に本発明の方法を適用することができる。また上記した実施の形態では、真空雰囲気中で基板を接合する工程について述べたが、その他の雰囲気環境において本発明の方法を適用することも可能である。またこの発明は、ＦＥＤの製造に限定されることなく、ＳＥＤやＰＤＰ等の他の画像表示装置、あるいは、外囲器内部が高真空とならない画像表示装置の製造にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】この発明の実施の形態に係るＦＥＤ全体を示す斜視図。
【図２】上記ＦＥＤの内部構成を示す斜視図。
【図３】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図。
【図４】上記ＦＥＤの蛍光体スクリーンの一部を拡大して示す平面図。
【図５】上記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【図６】本発明の第１実施形態を説明するための上記ＦＥＤの製造に用いられる前面基板および背面基板を示す平面図。
【図７】上記第１実施形態に於ける封着処理の工程説明図。
【図８】上記第１実施形態の封着処理に於ける背面基板および前面基板の温度変化の状態を示す図。
【図９】本発明の第２実施形態に於ける封着処理の工程説明図。
【図１０】本発明の第２実施形態に於ける封着処理の工程説明図。
【符号の説明】
【００５４】
１０…真空外囲器、  １１…前面基板、  １２…背面基板、  １４…支持部材、  １６…蛍光体スクリーン、  １８…側壁、  ２１…封着層、  ２１ａ，２１ｂ…封着材、  ２２…電子放出素子、  ３０ａ，３０ｂ…下地層、  １００…真空処理装置、１２０…電源装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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