(57)【要約】【課題】  破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】  回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップの全面に光を照射して、半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を
含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、前記ダ
イシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割
するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップの全面に光を照射して、半導
体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記
半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有するこ
とを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
ピックアップ工程において用いるニードルは、下記式（１）を満たす先端形状を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【数１】
2005166932.tif 000005
【請求項３】
剥離工程において、光は、少なくとも一部の領域において３６５ｎｍにおける照射強度が
５００ｍＷ／ｃｍ２以上であるように照射されることを特徴とする請求項１又は２記載の
半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体
チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスし
て半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パタ
ーンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを１００〜３００
μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されてい
る。
【０００３】
従来から、ダイシングの際には、半導体ウエハ裏面側にダイシング用粘着テープを貼付し
て、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体
チップに分離した後、形成された半導体チップをダイシングテープ側からニードル等で突
き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。今日、このよ
うなニードルピックアップ法は広く普及している。
【０００４】
ニードルピックアップ法は、ニードルを用いて半導体チップの中央部分を突き上げる際に
生じる応力により、半導体チップの周辺部とダイシングテープとを剥離させるものである
。しかし、この方法は必然的に半導体チップに強い衝撃を与えることから、ピックアップ
工程において破損してしまう半導体チップも多く、歩留りを悪化させることから問題とな
っていた。とりわけ、近年の電子機器の小型化に伴い要求されている厚さが５０μｍ以下
の半導体チップを製造する場合には、大半の半導体チップが破損してしまい工業的な生産
を行うことができなかった。
【０００５】
このようなニードルピックアップ法の問題点を改善する方法としては、例えば、ニードル
の先端形状を工夫したり、突き上げの速度を遅くしたりすることにより、半導体チップに
与える衝撃を低減させる方法が考えられる。しかし、突き上げ速度を遅くすると、破損す
る半導体チップの割合こそ減じるものの、全体としてはかえって生産効率を悪化させてし
まうことがあった。また、ダイシングの際に半導体ウエハの位置ずれ等を確実に防止する
ためには、半導体ウエハを固定するダイシング用粘着テープに高い粘着力が求められると
ころ、ニードルの先端形状を丸めたりしてピックアップ時に与える衝撃を小さくすると充
分な剥離を行うことができず、ピックアップ不良が発生してしまうことがあった。
【０００６】
ダイシング用粘着テープの粘着剤としては、硬化型粘着剤を用いたものが市販されている
（例えば、特許文献１等）。このような硬化型粘着剤を用いたダイシング用粘着テープを
用いれば、比較的高い粘着力で半導体ウエハを固定してダイシングを行った後、粘着剤を
硬化してその粘着力を低下させれば、得られた半導体チップをダイシング用粘着テープか
ら剥離することができるとされる。しかしながら、硬化型粘着剤を用いたとしても、その
粘着力の変化の幅は小さいものであることから、ダイシング時の半導体ウエハの位置ずれ
等を充分に防止できる程度に高い粘着力を付与した場合には、硬化後の粘着力もあまり低
下せず、やはり高い衝撃が加わるようにニードルで突き上げなければ、ピックアップ不良
が発生してしまっていた。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−８１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得るこ
とができる半導体チップの製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気
体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程
と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チ
ップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップの全面に光を照射
して、半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工
程と、前記半導体チップをニードルピックアップ法により取り上げるピックアップ工程と
を有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
本発明の半導体チップの製造方法は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射するこ
とにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープ
を貼付するテープ貼付工程を有する。このようなダイシング用粘着テープを貼付すること
により、後述するダイシング工程において半導体ウエハが位置ずれ等を起こすことを防止
することができると同時に、半導体ウエハに与える衝撃を最小限に抑えられる態様でのニ
ードルピックアップ法による半導体チップのピックアップを実現することができる。
【００１１】
上記回路が形成された半導体ウエハとしては、従来公知の方法により調製されたものを用
いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジ
ストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられ
る。
上記半導体ウエハの厚さとしては特に限定されず、従来の１００〜３００μｍ程度のもの
から、５０μｍ以下のものでも用いることができる。本発明の半導体チップの製造方法は
、特に厚さが５０μｍ以下の半導体ウエハから半導体チップを高い生産性で製造するのに
適している。
【００１２】
上記ダイシング用粘着テープは、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含
有する粘着剤層を有する。このような粘着剤層を有することにより、ダイシング工程にお
いて半導体ウエハが位置ずれ等を起こさない程度に充分な粘着力を有する場合であっても
、剥離時に光を照射すれば、気体発生剤から発生した気体が粘着剤層と半導体ウエハとの
界面に放出され、接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導
体ウエハからダイシング用粘着テープを剥離することができ、半導体ウエハに与える衝撃
を最小限に抑えられる態様でのニードルピックアップ法による半導体チップのピックアッ
プを実現することができる。
【００１３】
上記光照射により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ
化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチ
ルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルプロピル）−２−メチル
プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）
、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−メチルプロピオンアミド］、２
，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス
（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−エチル−２
−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（
ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス
｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−
アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−
アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビ
ス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、
２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライ
ド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジサルフェイト
ジハイドロレート、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミ
ジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（
２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド
、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］、２，２’−アゾ
ビス（２−メチルプロピオンアミジン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−
アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシア
シル）−２−メチル−プロピオンアミジン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カ
ルボキシエチル）アミジン］プロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンア
ミドオキシム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル
２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシ
ッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビ
ス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
これらのアゾ化合物は、光、とりわけ波長３６５ｎｍ程度の紫外線を照射することにより
窒素ガスを発生する。
【００１４】
上記アゾ化合物は、１０時間半減期温度が８０℃以上であることが好ましい。１０時間半
減期温度が８０℃未満であると、本発明の粘着テープは、キャストにより粘着剤層を形成
して乾燥する際に発泡を生じてしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリー
ドアウトしてしまったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを
生じさせてしまったりすることがある。１０時間半減期温度が８０℃以上であれば、耐熱
性に優れていることから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
【００１５】
１０時間半減期温度が８０℃以上であるアゾ化合物としては、下記一般式（１）で表され
るアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物は、
耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着
性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤層中に粒子として存在しないものとする
ことができる。
【００１６】
【化１】
2005166932.tif 000002
式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ低級アルキル基を表し、Ｒ３は、炭素数２以上の
飽和アルキル基を表す。なお、Ｒ１とＲ２は、同一であっても、異なっていてもよい。
【００１７】
上記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（
Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−
メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−
２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−
メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオン
アミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２
’−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−
メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオン
アミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プ
ロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プ
ロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオ
ンアミド］等が挙げられる。なかでも、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプ
ロピオンアミド）及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピ
オンアミド］は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
【００１８】
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフ
タルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセ
タンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有する
ポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、とりわけ波長３６５ｎｍ程度の
紫外線を照射することにより窒素ガスを発生する。
【００１９】
これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解
して窒素ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという問題がある。更に、上記
アジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出し
その制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによって被着体が損傷すること
があるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが
、限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
【００２０】
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないこと
から取り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生するこ
ともないため被着体を損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断でき
ることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上記
気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
【００２１】
上記気体発生剤は、上記粘着剤層中に粒子として存在しないことが好ましい。なお、本明
細書において、気体発生剤が粒子として存在しないとは、電子顕微鏡により上記粘着剤層
を観察したときに気体発生剤を確認することができないことを意味する。上記粘着剤層中
に気体発生剤が粒子として存在すると、気体を発生させる刺激として光を照射したときに
粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性
が悪くなったりすることがある。
【００２２】
上記気体発生剤を粒子として存在しないようにするには、通常、上記粘着剤層を構成する
粘着剤に溶解する気体発生剤を選択するが、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場
合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気
体発生剤を微分散させる。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤
は、できるだけ微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分
散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、
電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状
態まで分散させることがより好ましい。
【００２３】
上記ダイシング用粘着テープでは、上記気体発生剤から発生した気体は粘着剤層の外へ放
出されることが好ましい。これにより、上記ダイシング用粘着テープを半導体チップに貼
付した接着面に光を照射すると気体発生剤から発生した気体が半導体チップから接着面の
少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に剥離することができる。この際
、気体発生剤から発生した気体の大部分は粘着剤層の外へ放出されることが好ましい。上
記気体発生剤から発生した気体の大部分が粘着剤層の外へ放出されないと、粘着剤層が気
体発生剤から発生した気体により全体的に発泡してしまい、接着力を低下させる効果を充
分に得ることができず、半導体チップ上に糊残りを生じさせてしまうことがある。なお、
半導体チップ上に糊残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気体の一
部が粘着剤層中に溶け込んでいたり、気泡として粘着剤層中に存在していたりしてもかま
わない。
【００２４】
上記粘着剤層を構成する粘着剤は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであること
が好ましい。このような粘着剤を用いれば、剥離時に刺激を与えて弾性率を上昇させるこ
とにより、粘着力が低下して剥離をより容易にすることができる。
上記粘着剤を架橋させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であっ
てもよいし、異なっていてもよい。刺激が異なる場合には、剥離の際、気体発生剤から気
体を発生させる刺激を与える前に架橋成分を架橋させる刺激を与える。
【００２５】
このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなる
アクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリ
マーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて
光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有
してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重
合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重
合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００２６】
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、
光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するた
め、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率
の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外
部に放出され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤の接着面の少なくとも一部を
剥がし接着力を低下させる。
【００２７】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（
以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上
記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官
能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００２８】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、
一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８
の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主
モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他
の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能
基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である
。
【００２９】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒド
ロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ
基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル
等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチ
ル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル
、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙
げられる。
【００３０】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物として
は、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モ
ノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー
の官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用
いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等
のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが用いられる。
【００３１】
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、
より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるよう
に、その分子量が５，０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜
２０個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、
例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１
，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様
のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で
用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３２】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することによ
り活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、ア
セトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体
化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン
、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−
ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光
重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記後硬化型粘着剤の硬化阻害を防止す
るために、２ｐｈｒ以上配合することが好ましい。
【００３３】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生す
るものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオ
キサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙
げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラ
メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これ
らの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パー
ブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が
好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されても
よい。
【００３４】
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で
、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤
に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活
性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
【００３５】
上記粘着剤は、帯電防止処理が施されていてもよい。上記ダイシング用粘着テープが静電
気等で帯電すると、後述するように自己剥離した半導体チップをピックアップすることが
できなくなったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せ半導体チップの製造に悪影響を
与えたりすることがある。上記粘着剤に帯電防止処理を施す方法としては特に限定されな
いが、例えば、イオン型の界面活性剤や金属微粒子等を粘着剤中に配合する方法等が挙げ
られる。なかでも、金属微粒子や高分子型のイオン型界面活性剤を配合することが、粘着
力に悪影響を及ぼさないことから好ましい。
【００３６】
光照射前の上記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力の好ましい下限は０．５Ｎ／２５
ｍｍ、好ましい上限は１０Ｎ／２５ｍｍである。０．５Ｎ／２５ｍｍ未満であると、粘着
力が不充分でダイシング時に半導体ウエハが動いてしまうことがあり、１０Ｎ／２５ｍｍ
を超えると、光を照射してもピックアップ可能な程度にまで粘着力が低減しないことがあ
る。
【００３７】
光照射前の上記粘着剤層の２３℃における剪断弾性率の好ましい下限は５×１０４Ｐａで
ある。５×１０４Ｐａ未満であると、半導体ウエハを正確にダイシングできないことがあ
る。
【００３８】
上記粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限
は５０μｍである。３μｍ未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発
生することがあり、５０μｍを超えると、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、良好
に剥離することができないことがある。
【００３９】
上記ダイシング用粘着テープは、基材の片面に粘着剤層が形成された片面粘着テープであ
ることが好ましい。
上記基材としては光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアク
リル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート
、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
【００４０】
上記基材としては、帯電防止処理が施されたものが好ましい。上記基材が静電気等により
帯電すると、後述するように自己剥離した半導体チップをピックアップすることができな
くなったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せ半導体チップの製造に悪影響を与えた
りすることがある。上記帯電防止処理をする方法としては特に限定されないが、例えば、
基材に帯電防止処理剤を含有させる方法や、基材表面に帯電防止処理剤を塗布する方法等
が挙げられる。上記帯電防止処理剤としては特に限定されず、例えば、透明な導電可塑剤
、界面活性剤、金属微粒子等が挙げられる。
【００４１】
上記基材の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３０μｍ、好ましい上限は
２００μｍである。３０μｍ未満であると、上記ダイシング用粘着テープの自立性が不足
しハンドリングが困難になることがあり、２００μｍを超えると、上記ダイシング用粘着
テープを剥離する際に不具合が生じることがある。
【００４２】
上記ダイシング用粘着テープを製造する方法としては特に限定されず、例えば、上記基材
の表面に、上記気体発生剤等を含有する粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を
用いて塗工する方法等が挙げられる。
【００４３】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハを
ダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程を有する。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断
分離する方法等を用いることができる。
【００４４】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記分割された個々の半導体チップの全面に光を照
射して、半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離
工程を有する。
上述のように上記ダイシング用粘着テープは上記気体発生剤を含有することから、光を照
射することにより、発生した気体が粘着剤層と半導体チップとの界面に放出され接着面の
少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。このとき、半導体チップとダイシング用粘
着テープとの接着面のうち、少なくとも一部が剥離すれば、この剥離部分が起点となって
、比較的穏やかな条件でニードルによる突き上げを行った場合であっても、容易にかつ確
実に半導体チップとダイシング用粘着テープとを剥離してピックアップすることができる
。とりわけ、半導体チップの周辺端部の少なくとも一部が剥離した場合には、極めて容易
なピックアップが可能になる。このような効果は、従来の硬化型粘着剤を用いたダイシン
グ用粘着テープでは全く得ることができなかったものである。
【００４５】
このように半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離するた
めには、光を半導体チップの全面に照射することが好ましい。なかでも、光を、少なくと
も一部の領域において３６５ｎｍにおける照射強度が５００ｍＷ／ｃｍ２以上であるよう
に照射した場合には、該領域においては確実に剥離が起こることから好ましい。
【００４６】
上記剥離工程においては、分割された複数の半導体チップの全体に一斉に光を照射しても
よいが、個々の半導体チップに順次光を照射して剥離を行うことが好ましい。一斉に光を
照射すると、全ての半導体チップにおいて、接着面の少なくとも一部が剥離することから
、個々の半導体チップを順次ピックアップするために半導体チップ全体を動かしたときに
、個々のチップがバラバラに剥離してしまい、ピックアップ不良の原因となることがある
。個々の半導体チップごとに光照射、剥離及びピックアップを連続して行うことにより、
このようなピックアップ不良による生産性低下を抑えることができる。
【００４７】
個々の半導体チップに順次光を照射して剥離を行う方法としては特に限定されないが、例
えば、光は、光源より発した光を個々の半導体チップに貼付されたダイシング用粘着テー
プまで導光されていることが好適である。上記導光方法としては、上述の集光した光を用
いる方法や単数又は複数の束になった光ファイバーを用いる方法が挙げられる。
【００４８】
上記剥離工程は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活
性ガス雰囲気下で剥離工程を行うことにより、上記粘着剤層を構成する粘着剤の酸素によ
る硬化阻害を抑制することができ、特にチップ面積に対して、酸素阻害を受ける面積の比
率が大きい微小チップの剥離に有効である。
【００４９】
本発明の半導体チップの製造方法は、半導体チップをニードルピックアップ法により取り
上げるピックアップ工程を有する。本明細書においてニードルピックアップ法とは、ダイ
シング用粘着テープ側からニードルを用いて半導体チップを突き上げてピックアップを行
う方法を意味する。
本発明の半導体チップの製造方法においては、上述のように剥離工程において、半導体チ
ップとダイシング用粘着テープとの接着面の少なくとも一部が剥離していることから、こ
の剥離部分が剥離起点となって、従来のダイシング用粘着テープを用いて剥離起点がない
状態でニードルによる突き上げを行う場合に比べて、半導体チップに与える衝撃は格段に
少なくなる。従って、従来公知のニードルピックアップ装置を用いた場合でも、格段に歩
留りが向上し、ピックアップ速度を調節して突き上げ条件を緩和すれば、厚さ５０μｍ以
下の半導体チップであっても製造することが可能になる。
【００５０】
更に、ニードルピックアップに用いるニードルとして、下記式（１）を満たす先端形状を
有するものを用いる場合には、半導体チップの一点に応力が集中しないことから、ピック
アップ速度を上げて生産性を向上させたり、更に厚さの薄い半導体チップを製造したりす
る場合にも、半導体チップを破損することが少ない。
【００５１】
【数１】
2005166932.tif 000003
このような形状のニードルを用いた穏やかな突き上げでは、従来のダイシング用粘着テー
プを用いた場合には確実にピックアップすることはできなかった。しかし、本発明の半導
体チップの製造方法では、上述のように剥離工程において半導体チップの少なくとも一部
が剥離しており、この剥離部分が起点となることから、この程度の衝撃であっても確実に
半導体チップを剥離してピックアップすることができる。
【００５２】
ニードルの先端と半導体チップとの接触面積が０．１％未満であると、半導体チップにか
かる単位面積あたりの衝撃が大きくなり、半導体チップが破損したり、場合によってはニ
ードルが半導体チップを突き抜けたりすることがある。ニードルの先端と半導体チップの
接触面積が７０％を超えると、充分な剥離が起こらずにピックアップ不良を生じることが
ある。好ましい下限は０．５％、好ましい上限は６０％である。
【００５３】
上記ニードルの先端の具体的な形状としては特に限定されないが、例えば、先端の一部が
円形、矩形等の平面状のもの等が挙げられる。なかでも、円形状のものは、方向性がなく
突き上げやすいことから好適である。
【００５４】
上記ピックアップ工程は、ニードル部分を上記先端形状を有するニードルに交換すれば、
従来公知のニードルピックアップ装置を用いて行うことができる。
【００５５】
本発明の半導体チップの製造方法によれば、位置ずれ等を起こすことなく正確にダイシン
グを行うことができ、また、ダイシングされた半導体チップをピックアップする際には、
一定の条件を満たすニードルを用いて比較的穏やかな条件で突き上げることにから、半導
体チップに大きな衝撃を与えず安全にピックアップすることができる。また、ピックアッ
プ速度を速めても半導体チップを損傷しにくいことから、大幅な生産性の向上が可能とな
る。
【発明の効果】
【００５６】
本発明によれば、上記現状に鑑み、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを
得ることができる半導体チップの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限
定されるものではない。
【００５８】
（実施例１）
（粘着剤の調製）
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７
０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２
−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢
酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重
量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部
を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート                ７９重量部
エチルアクリレート                １５重量部
アクリル酸                          １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート    ５重量部
光重合開始剤                    ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン          ０．０１重量部
【００５９】
また、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−ア
ゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエ
チルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製
した。
【００６０】
（ダイシング用粘着テープの作製）
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるよう
にドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処理が施され
たＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシング用
粘着テープを得た。
【００６１】
（半導体チップの製造）
得られたダイシング用粘着テープと回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウエハとを
常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを５mm×５mｍ（面積２５ｍｍ２）の
大きさにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面となる
ように置き、その一つにダイシング用粘着テープ側から紫外線を１．０秒間照射した。こ
のとき、照射した紫外線の３６５ｎｍにおける照射強度を測定したところ、中心部が８０
０ｍＷ／ｃｍ２、周辺部が４００ｍＷ／ｃｍ２であった。なお、紫外線の照射には、光フ
ァイバの先端から紫外線が点状に出光する紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機
社製）を用いた。
【００６２】
紫外線照射後、図１に示した先端形状を有するニードルを用いてニードルピックアップ法
により、半導体チップを取り上げた。図１に示したニードルは、先端が直径１ｍｍ（面積
０．８ｍｍ２）の平面円形状になっていることから、半導体チップ面積の約３％がニード
ル先端と接触することとなる。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、半
導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び
、ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。
この結果を表１に示した。
【００６３】
（実施例２）
ニードルとして、先端が直径０．５ｍｍ（面積０．２ｍｍ２）の平面円形状もの（このニ
ードルで突き上げた場合、半導体チップ面積の約０．８％がニードル先端と接触すること
になる）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりピックアップを行い、ピックアップ
の成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの
割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００６４】
（実施例３）
ニードルとして、先端が直径３．８ｍｍ（面積１１．３ｍｍ２）の平面円形状もの（この
ニードルで突き上げた場合、半導体チップ面積の約４５％がニードル先端と接触すること
になる）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりピックアップを行い、ピックアップ
の成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの
割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００６５】
（実施例４）
ニードルとして、先端が直径０．２ｍｍ（面積０．０３ｍｍ２）の平面円形状もの（この
ニードルで突き上げた場合、半導体チップ面積の約１％がニードル先端と接触することに
なる）を用い、半導体チップ１個当たり約２．０秒間の速度で連続して行った以外は実施
例１と同様の方法によりピックアップを行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアッ
プに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表
１に示した。
【００６６】
（比較例１）
ダイシング用粘着テープとして、光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシ
ング用粘着テープ（日東電工社製、エレップホルダーＵＥ−１１０ＢＪ）を用いた以外は
、実施例１と同様の方法によりピックアップを行い、ピックアップの成功率、及び、ピッ
クアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結
果を表１に示した。
【００６７】
（比較例２）
ダイシング用粘着テープとして、光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシ
ング用粘着テープ（日東電工社製、エレップホルダーＵＥ−１１０ＢＪ）を用い、半導体
チップ１個当たり約２．０秒間の速度で連続して行った以外は、実施例２と同様の方法に
よりピックアップを行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体
チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００６８】
【表１】
2005166932.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明によれば、上記現状に鑑み、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを
得ることができる半導体チップの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】実施例１で用いたニードルの先端形状を示す模式図である。
【図１】
2005166932.tif 000006