(57)【要約】【課題】本発明は電子部品に関し、特に高アスペクト比を有する微細導体パターンを有する絶縁信頼性の高い電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性の基板１の上に導体パターン２を設け、この導体パターン２の表面にめっき法で金属膜５を設け、この金属膜５を酸化して得た金属酸化物層３を前記導電パターンの表面に設けた構成とするものであり、薄く均一な絶縁膜を導体パターン上に設けていることから高アスペクト比の導体パターンを有する信頼性の高い電子部品を実現することができる。【選択図】図１
2005166873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンの表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体パターンの表面に設けた電子部品。
【請求項２】
絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面に設けた電子部品。
【請求項３】
絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンを設けた基板の表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を基板の表面に設けた電子部品。
【請求項４】
基板をセラミック基板とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項５】
基板をガラスセラミック基板とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項６】
基板を有機基板とした請求項１〜３のいずれか一つに記載に電子部品。
【請求項７】
導体パターンに少なくともＡｇを含む電極材料を用いた請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項８】
導体パターンをＡｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄとした請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
金属酸化物層をＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯのうちいずれか一つを含む構成とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項１０】
金属酸化物層の厚みを０．５〜５μｍとした請求項１〜３，９のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項１１】
導体パターンの一部を表出させた請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項１２】
導体パターンおよび基板の一部を表出させた請求項２または３に記載の電子部品。
【請求項１３】
絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、この導体パターンの表面にめっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化処理することにより前記導体パターンの表面に金属酸化物層を形成する電子部品の製造方法。
【請求項１４】
絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、この導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化処理することにより前記導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面に金属酸化物層を形成する電子部品の製造方法。
【請求項１５】
絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、この導体パターンを形成した基板の表面にめっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化処理することにより前記基板の表面に金属酸化物層を形成する電子部品の製造方法。
【請求項１６】
めっき法が無電解めっき法である請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】
酸化処理を熱処理にて行う請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１８】
熱処理の温度を導体パターンの融点以下で行う請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１９】
絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、少なくともこの導体パターンの表面にめっき法によりニッケル膜を形成し、このニッケル膜を８５０℃〜導体パターンを形成する電極材料の融点以下の温度で酸化熱処理することにより少なくとも導体パターンの表面に酸化ニッケルを金属酸化物層として形成する電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器、通信機器などに利用される電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電子部品は小型化あるいは薄型化さらには多機能化が要求されており、しかも高速信号化やデジタル化に伴い導体パターンには高精度・高微細化が求められている。
【０００３】
これらの要求を満たすために小型でありながら高精度化と微細化を実現するために、導体パターンのファイン化と配線抵抗の上昇を防ぐための高膜厚化が進み、高アスペクト比の導体パターンを形成する必要性が高まってきている。
【０００４】
図９は従来の導体パターンを含む電子部品における模式断面図である。
【０００５】
図９において、基板２１の上に導体パターン２２がスクリーン印刷方法などにより形成されている。この導体パターン２２の材料として、導電性には優れるがマイグレーションの恐れがあるＡｇなどの電極材料を用いた場合、信頼性の確保という観点から前記導体パターン２２の上に絶縁保護膜２３を被覆することが通常行われている。
【０００６】
例えば、この基板２１にアルミナなどのセラミック基板を用いた場合、絶縁保護膜２３はガラス粉を主成分としてバインダ・溶剤等を混合したガラスペーストなどをスクリーン印刷工法で所定の厚みに印刷形成し、その後乾燥、焼成することでガラスの絶縁保護膜２３を形成している。また基板２１がガラスエポキシ材料で構成されている場合、あまり高温で熱処理することが困難であることから、有機材料を主材料とする樹脂ペーストを用いてスクリーン印刷し、その後樹脂を熱硬化することで有機材料の保護絶縁膜２３を形成する方法などが一般的である。
【０００７】
さらに、薄膜法を用いて無機酸化物をスパッタ法などでＳｉＯ2膜を形成して無機酸化物の絶縁保護膜２３を形成することなども行われている。
【０００８】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開平１１−２８８７７９号公報
【特許文献２】特開平０９−２３７９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の構成である各種基板２１の上にＡｇなどのマイグレーションの恐れのある電極材料を用いて形成した微細な導体パターン２２の上にスクリーン印刷などの印刷工法などによる絶縁保護膜２３の形成は塗膜の厚みの均一性に欠けたり、気泡２４や空隙２５を発生させやすいという欠点があり、導体パターン２２の絶縁信頼性を低下させていた。前記印刷工法は生産性に優れるという特徴を有しているが、ペーストの粘弾性特性に起因した原因より、絶縁保護膜２３の塗膜を高精度に均一に形成することが困難である。
【００１０】
特に、導体パターン２２のエッジ部分では絶縁保護膜２３の厚みが薄くなったり、導体パターン２２の間に気泡２４を巻き込んだり、あるいは導体パターン２２間の隙間が狭いときなどには導体パターン２２の間を十分にペーストで埋めきれないことがあり、空隙２５を発生させていた。
【００１１】
また、薄膜法では平面部では均一に成膜できることから問題は発生しないが導体パターン２２の壁面には平面部と同じように均一に形成することは困難である。
【００１２】
つまり、従来の方法で高アスペクト比で微細な導体パターン２２を形成すると耐マイグレーション性に対する十分な信頼性が確保できないという課題を有していた。
【００１３】
本発明は以上のような従来の欠点を除去し、高アスペクト比の導体パターンを有する信頼性の高い電子部品を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１５】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンの表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体パターンの表面に設けた電子部品であり、薄く均一な絶縁膜を導体パターン上に設けていることから高アスペクト比の導体パターンを有する信頼性の高い電子部品を実現することができる。
【００１６】
本発明の請求項２に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面に設けた電子部品であり、薄く均一な絶縁膜を導体パターン上および導体パターンのパターンピッチ間の基板上にも形成することにより高アスペクト比で微細なパターンピッチの導体を有する、より信頼性の高い電子部品を実現することができる。
【００１７】
本発明の請求項３に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンを設けた基板の表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を基板の表面に設けた電子部品であり、薄く均一な絶縁膜を導体パターンと絶縁性の基板の全面に形成することで、さらに信頼性の高い微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。
【００１８】
本発明の請求項４に記載の発明は、絶縁性基板をセラミック基板とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品であり、耐熱性が高く熱伝導性に優れたセラミック基板を使用することでパワー用電源モジュールなどの高い耐熱性と放熱性が要求される微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。
【００１９】
本発明の請求項５に記載の発明は、絶縁性基板をガラスセラミック基板とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品であり、多層化が容易で生産性に優れたガラスセラミック基板を使用することで微細な導体パターンを有する小型の積層構造の電子部品を実現することができる。
【００２０】
本発明の請求項６に記載の発明は、基板を有機基板とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品であり、生産性に優れ、柔軟性があり耐衝撃性に優れる微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。
【００２１】
本発明の請求項７に記載の発明は、導体パターンに少なくともＡｇを含む電極材料を用いた請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品であり、導体配線抵抗が低いため損失の少ない、微細な導体パターンを有する信頼性に優れた電子部品を実現することができる。
【００２２】
本発明の請求項８に記載の発明は、導体パターンをＡｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄとした請求項７に記載の電子部品であり、請求項７の作用に加えて、より耐マイグレーション性の高い電子部品を実現することができる。
【００２３】
本発明の請求項９に記載の発明は、金属酸化物層をＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯのうちいずれか一つを含む構成とした請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品であり、めっき法により金属膜の酸化を容易に行えるので生産性に優れた微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。
【００２４】
本発明の請求項１０に記載の発明は、金属酸化物層の厚みを０．５〜５μｍとした請求項１〜３，９のいずれか一つに記載の電子部品であり、均一な膜質を有する金属酸化物層を得ることができ、信頼性に優れた微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。
【００２５】
本発明の請求項１１に記載の発明は、導体パターンの一部を表出させた請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品であり、半導体や他の部品のはんだ実装が可能な電子部品を実現することができる。
【００２６】
本発明の請求項１２に記載の発明は、導体パターンおよび基板の一部を表出させた請求項２または３に記載の電子部品であり、他の導体パターンの形成や他の部品の形成が可能な電子部品を実現することができる。
【００２７】
本発明の請求項１３に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、この導体パターンの表面にめっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化処理することにより導体パターンの表面に金属酸化物層を形成する電子部品の製造方法であり、高アスペクト比で凹凸の激しい導体パターンの表面であっても均一性の高い金属酸化物層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【００２８】
本発明の請求項１４に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、この導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化処理することにより前記導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面に金属酸化物層を形成する電子部品の製造方法であり、狭ピッチで形成された導体パターン間の基板表面にも均一性が高い金属酸化物層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【００２９】
本発明の請求項１５に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、この導体パターンを形成した基板の表面にめっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化処理することにより前記基板の表面に金属酸化物層を形成する電子部品の製造方法であり、基板全面に薄く均一な金属酸化物層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【００３０】
本発明の請求項１６に記載の発明は、めっき法が無電解めっき法である請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法であり、複雑な導体パターン形状の電子部品に対して、薄く均一に金属酸化物層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【００３１】
本発明の請求項１７に記載の発明は、酸化処理を熱処理にて行う請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法であり、熱処理という簡単なプロセスで酸化処理を行うことができる。
【００３２】
本発明の請求項１８に記載の発明は、熱処理の温度を導体パターンの融点以下で行う請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法であり、熱処理を融点以下で行うことで導体パターンの変質や配線抵抗の変化が少ない電子部品の製造方法を提供することができる。
【００３３】
本発明の請求項１９に記載の発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成し、少なくともこの導体パターンの表面にめっき法によりニッケル膜を形成し、このニッケル膜を８５０℃〜導体パターンを形成する電極材料の融点以下の温度で酸化熱処理することにより少なくとも導体パターンの表面に酸化ニッケルを金属酸化物層として形成する電子部品の製造方法であり、均一で緻密な絶縁膜である酸化ニッケルを金属酸化物層として形成することにより高アスペクト比で微細な導体パターンを有する信頼性の高い電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の電子部品は絶縁層にめっき法を用いて均一に形成した金属膜を酸化して得られる金属酸化物層を絶縁保護膜として用いているので、高アスペクト比を有する微細な導体パターンであっても均一で緻密な絶縁膜を容易に得ることができることから、Ａｇを含んだ電極材料を導体パターンに用いてもマイグレーションの発生しにくい絶縁信頼性の高い小型高精度の電子部品を提供することができるという効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１〜５、７〜１０、１３〜１９に記載の発明について説明する。
【００３６】
図１は本発明の実施の形態１における電子部品の一例であるコモンモードチョークコイル部品の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ部における断面図である。また図３は他のコイル部品の斜視図、図４は図３のＢ−Ｂ部における断面図である。また図５は別のコイル部品の斜視図、図６は図５のＣ−Ｃ部における断面図である。
【００３７】
図１において、アルミナなどの熱伝導性に優れたセラミック基板からなる基板１の両面にＡｇなどの電極材料を用いて導体パターン２が２重の螺旋状にコイルパターンとして形成されている。
【００３８】
この導体パターン２の表面にはＮｉなどの金属膜５（後述）をめっき法で形成した後、この金属膜５を熱処理あるいは化学処理によって酸化して得られた金属酸化物層３が形成されている。また必要に応じて基板１の両面の導体パターン２との電気的接続を得るためにスルホール４で接続された構成となっている。
【００３９】
このめっき法で金属膜５を形成するとき、特に電気めっきを利用することにより導体パターン２の表面のみにレジストマスクを使用することなく金属膜５を形成することができる。この電気めっきではＮｉの金属膜５を形成するとき、Ｎｉ用電気めっき液（ワット液）中に基板１を浸漬して電解をかけることにより導体パターン２の表面のみにＮｉの金属膜５を形成することができる。
【００４０】
また、近年コイルを形成するための導体パターン２は高アスペクト比になる傾向が大きくなってきている。それはコイルのインダクタンス値を大きくすることとコイルのＱ値を高めることから導体パターン２の電極幅と電極間隔を小さくし、電極の高さを大きくすることが必然的に要求されていることからである。このような構成の導体パターン２の壁面あるいはエッジ部に均一の保護膜で被覆することは困難であったが、本発明のような構成とすることにより、Ａｇなどの電極材料を用いて形成した導体パターン２の表面全てを緻密かつ均一に金属酸化物層３にて被覆することが可能となり、高アスペクト比であってもＡｇのマイグレーションを防止し、絶縁不良を低下させるという効果を発揮することが可能である。また、導体パターン２の表面にめっき法を用いてＮｉなどの金属膜５を形成していることから、どのような形状の導体パターン２であっても均一に金属酸化物層３を形成できるとともに、導体パターン２のエッジ部においても平坦な部分と同一厚みの金属酸化物層３にて被覆することが可能となる。
【００４１】
このように、めっき法で均一に形成された金属膜５を熱処理あるいは化学処理方法により酸化して金属酸化物層３とすることによって、導体パターン２の表面に均一で緻密な絶縁保護膜を形成することが可能となり、導体抵抗に優れたＡｇを主成分とする導体材料を用いた微細な高アスペクト比を有する導体パターン２を設けた小型の高精度・高信頼性の電子部品を実現することができる。
【００４２】
また、この電子部品は基板１にアルミナ基板などの熱伝導性に優れたセラミック基板を用いていることから放熱性が要求される電源用小型モジュール部品などに有用である。
【００４３】
また、この基板１はガラスセラミック基板とすることにより内層にＡｇを配線材料として内蔵した多層配線構造を実現することが可能となり、小型化が要求される携帯機器用の小型高周波用モジュール部品などに有用である。
【００４４】
また、本発明の電子部品は特に導体パターン２にＡｇを含む電極材料を用いたときにその効果を最大限に発揮できるものであり、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄを導体パターン２に用いることにより導体抵抗値の低い高信頼性の電子部品とすることができる。つまり、熱処理を大気中で行っても金属として維持できることが重要である。
【００４５】
また、高信頼性を実現できる金属酸化物層３は大気中で熱処理により金属酸化物となる材料であれば用いることができるが、より好ましくはＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯのうち少なくともいずれか一つを用いることがより好ましい。その理由として、無電解めっき法を用いてＮｉ，Ｃｕの金属膜５を形成することができ、電気めっき法によりＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕの金属膜５を形成することができるからである。またこの金属酸化物層３はこれらの単層ないしは複層であってもよい。
【００４６】
また、この金属酸化物層３の厚みは０．５〜５μｍの範囲が好ましい。この金属酸化物層３の厚みが０．５μｍより薄くなると十分な信頼性が得られなくなり、５μｍより厚くなると導体パターン２の電極ピッチが微細にできなくなるからである。
【００４７】
また、図面では基板１の両面に導体パターン２を形成しているが片面において本発明の効果を発揮することができる。
【００４８】
次に、図３および図４を用いて他のコイル部品について説明する。前記で説明した構成と同じ部分についての説明は省略する。
【００４９】
図３および図４において、基板１にはアルミナ粉とガラス粉の混合粉体を用いたガラスセラミック基板を用いており、特に図１および図２の構成と異なっている部分は金属酸化物層３が導体パターン２の表面と導体パターン２の間の基板１の表面に形成していることであり、このような構成とすることにより電極間隔の狭い微細な導体パターン２を形成した領域においても、より信頼性の高い導体パターン２を形成した電子部品を実現することができる。またこの電子部品は基板１に誘電特性、生産性に優れた低温焼成性のガラスセラミック基板を用いていることから多層化も容易であり、高周波用の小型モジュール部品などに有用である。
【００５０】
次に、図５および図６を用いて別のコイル部品について説明する。前記と同じ構成の部分についての説明は省略する。
【００５１】
図５および図６において、特に異なっている部分は金属酸化物層３を導体パターン２を形成している基板１の表面に全面に形成していることであり、このような構成とすることにより微細な導体パターン２の形成した所定の領域においてのみならず基板１の全面にわたって形成したＡｇなどの導体パターン２を金属酸化物層３で形成していることから耐環境性を要求される電装用の電子部品を実現することができる。例えば、ＬとＣとの複合部品などのように微細な導体パターン２が必要でない箇所においては導体抵抗値の高い他の電極材料を用いることもあるが、これらの異なった電極材料を用いた場合であっても基板１の全面に金属酸化物層５を形成することにより信頼性に優れた複合部品などの電子部品を実現することができる。
【００５２】
次に、図７（ａ）〜図７（ｆ）を用いて本発明の電子部品の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、図７（ａ）に示すように、セラミック基板の一例である純度９６％のアルミナ基板１を準備する。この基板１にはその他にも低温焼結で生産性に優れたガラスセラミック基板を用いることができる。またこのアルミナ基板１にはスルホール４が形成されている。
【００５４】
その後、図７（ｂ）に示すようにこのアルミナ基板１の表面にＡｇペーストを用いて凹版印刷法により印刷形成した後、９００℃で焼成して導体パターン２を形成する。この導体パターン２の形成方法は薄膜法、めっき法などによっても形成することが可能である。
【００５５】
次に、図７（ｃ）に示すように導体パターン２の表面と基板１の表層にＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂめっき液を用いて無電解めっき法によりＮｉ膜を２μｍの厚みに形成して金属膜５を形成する。このとき金属膜５を所定のパターンに形成したいときにはレジスト材料を用いてフォトリソ工法により容易にパターン化された金属膜５を形成することが可能であり、適宜選択することができる。
【００５６】
その後、図７（ｄ）に示すようにこの金属膜５を昇温速度２００℃／ｈ、酸化温度９００℃、保持時間４時間の熱酸化条件にて空気中で熱処理することにより、ＮｉＯからなる金属酸化物層３を形成する。このときの金属酸化物層３は酸化処理することにより厚みは約３．２μｍになっていた。
【００５７】
この酸化処理工程において、生産性を考慮するとＮｉからなる金属膜５を熱酸化させるためには８５０℃以上の温度であり、かつ導体パターン２を構成する電極材料の融点以下で行うことがより好ましい。８５０℃より低い温度では熱酸化の時間が長くなり、電極材料の融点以上の温度で熱処理を行うと導体パターン２を変質あるいは形状の維持を困難とさせる。
【００５８】
次に、図７（ｅ）に示すように前記金属酸化物層３の表面に信頼性をより高める観点からガラスなどの絶縁性材料を保護膜６として形成する。
【００５９】
その後、図７（ｆ）に示すようなチップ状の電子部品とするために端面電極７を形成することにより所望の電子部品を得ることができる。端面電極７としては前述したように、導電性材料であればよいが、一般的には単一層でなく複数層から構成されることが望ましい。表面実装用とした場合にはプリント配線板への実装時の実装強度あるいは実装時の半田の濡れ性、半田くわれなどを考慮する必要があり、具体的には最下層は導体パターン２と同じ材料を用い、中間層には半田くわれを防止するニッケル電極を用い、最外層にははんだに対して濡れ性の良いはんだ電極あるいはスズ電極などを用いる。しかしながら、これは一例であり、必ずしもこの構成を採用する必要はなく、金属等の導電性に優れた材料以外に導電性樹脂材料、銀と白金の合金や銀とパラジウムの合金などでもよい。
【００６０】
また、金属膜５を酸化処理して形成した金属酸化物層３は図７（ｄ）に示すようなアルミナ基板１の表面全体でなくてもよい。例えば導体パターン２の表面部を被覆することにより導体パターン２を構成するＡｇの絶縁保護膜としての機能は発揮することができる。
【００６１】
また、導体パターン２の表面と電極間のアルミナ基板１の表面にも被覆することにより、より近接して導体パターン２を配置する必要性のある電子部品あるいは高い電位がかかる導体パターン２の電極間においても、より信頼性の高い絶縁保護膜としての機能を発揮することができる。
【００６２】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項６，１１，１２に記載の発明について説明する。なお、実施の形態１と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しその説明を省略する。
【００６３】
図８において、実施の形態１と相違する点は基板１がガラスエポキシ材料などの有機基板で構成されていることであり、基板１にこのような有機基板を用いることにより大判化が図れ生産性の効率を高めることができる。つまり有機材料を基板１とした場合、フォトリソグラフィの工法を用いてあらかじめ有機基板に形成された表層のＡｇからなる導体パターン２の表層に無電解によるＮｉめっきを１μｍの膜厚となるように形成して金属膜５を得る。
【００６４】
次に、この金属膜５の酸化処理を行う。このとき基板１が有機基板の場合には加熱温度の上限があるため、例えばＰＨ３以下の酸性溶液中に浸漬したり、同一空間上にＰＨ３以下の酸性溶液を共存させて酸化させるような化学処理によりＮｉをＮｉＯに酸化する。
【００６５】
こうして得られた金属酸化物層３は薄く均一な膜厚分布となることから導体パターン２の微細な部分にも均一に形成することができる。
【００６６】
次に相違する点は、この基板１の表面に導体パターン２の表面が金属酸化物層３に被覆されることなく部分的に露出している端子電極部１０を設けていることである。このような端子電極部１０を設ける構成とすることにより、高周波用のモジュール部品を実現する場合、この端子電極部１０に半導体デバイスあるいはコイル、コンデンサおよび抵抗器などの端子電極１１を有する部品９を実装する時、端子電極１１と端子電極部１０とをはんだで接続することが容易に実現できる。
【００６７】
このとき、金属酸化物層３がはんだ実装するときのパターンマスクとして作用し、レジストなどを用いることなく容易に実装用のランドとして利用できる端子電極部１０を設けた電子部品を実現することができる。
【００６８】
また、基板１の表面を部分的に露出した本発明の一例であるモジュール部品の場合、基板１の上に厚膜あるいは薄膜技術で形成する抵抗パターン８を形成することができる。この抵抗パターン８を形成するとき、その抵抗パターン８の下層に金属酸化物層３が存在するとこの金属酸化物層３と抵抗パターン８を構成する抵抗体材料との化学反応あるいは熱反応などにより抵抗体材料の抵抗値、温度係数あるいは抵抗ノイズなどに悪影響を及ぼす可能性が大きい。またカーボン抵抗などを形成する場合、下地材料の表面粗さや、材質が抵抗特性に影響を与えることがあり、本発明の構成とすることにより安定した素子を基板１の上に設けることができる電子部品を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明にかかる電子部品は、高い導電性と耐マイグレーション性を有する微細導体パターンを必要とする絶縁保護膜の形成に関するものであり、均一で緻密な絶縁保護膜を効率よく形成できることから携帯用電子機器に用いる高信頼性の小型の電子部品として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施の形態１における電子部品の一例であるコモンモードチョークコイルの斜視図
【図２】同断面図
【図３】本発明の実施の形態１における電子部品の他の例のコモンモードチョークコイルの斜視図
【図４】同断面図
【図５】本発明の実施の形態１における電子部品の別の例のコモンモードチョークコイルの斜視図
【図６】同断面図
【図７】（ａ）〜（ｆ）本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を説明するための断面図
【図８】本発明の実施の形態２における電子部品の断面図
【図９】従来の電子部品の断面図
【符号の説明】
【００７１】
１  基板
２  導体パターン
３  金属酸化物層
４  スルホール
５  金属膜
６  保護膜
７  端面電極
８  抵抗パターン
９  部品
１０  端子電極部
１１  端子電極
【図１】
2005166873.tif 000003
【図２】
2005166873.tif 000004
【図３】
2005166873.tif 000005
【図４】
2005166873.tif 000006
【図５】
2005166873.tif 000007
【図６】
2005166873.tif 000008
【図７】
2005166873.tif 000009
【図８】
2005166873.tif 000010
【図９】
2005166873.tif 000011