(57)【要約】【課題】  ＤＶＤとＣＤとの光学系を兼用するための波長の異なる２種類の半導体レーザチップを集積化し、それらの半導体レーザチップから出射されるレーザ光を近接させる。【解決手段】  異なる波長のレーザ光を出射する複数の半導体レーザチップ３，４を発光点３ａ，４ａを対向させて支持体２の表面に配置し、対向して配置された半導体レーザチップ３，４の間に位置する穴６を支持体２に形成する。半導体レーザチップ３，４から出射されたレーザ光を反射する２つの反射面５ａを有する反射体５をその反射面５ａが支持体２の表面に対して４５°になるように穴６に装着する。各半導体レーザチップ３，４から出射されたレーザ光は、反射体５の反射面５ａで反射された後に近接した位置を進行する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
レーザ光の発光点を有する面を対向させて前記支持体の表面に配置され、それぞれ異なる波長のレーザ光を出射する複数の半導体レーザチップと、
対向して配置された前記半導体レーザチップの間に位置付けられて前記支持体に形成された穴と、
前記半導体レーザチップから出射されたレーザ光を反射する２つの反射面を有し、前記反射面が前記支持体の表面に対して４５°になるように前記穴に装着された反射体と、
を具備する半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記反射体は、シリコンを主成分とする材料で四角柱状に形成されている請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記支持体と前記反射体とは、シリコンを主成分とする材料で形成されている請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記穴の内周面には、前記支持体の表面に対して４５°の角度で傾斜する傾斜面が形成されている請求項１ないし３のいずれか一記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記穴の前記傾斜面の部分は、断面形状が９０°のダイヤモンドブレードによる研削加工で形成されている請求項４記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記穴の前記傾斜面の部分は、異方性エッチングにより形成されている請求項４記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記穴の内周面には階段状面が形成され、この階段状面の段差部先端を結ぶ線が前記支持体の表面に対し４５°の角度で傾斜している請求項１ないし３のいずれか一記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記半導体レーザチップからの光出力を検出する受光部が前記支持体上に設けられている請求項１ないし７のいずれか一記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一記載の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザチップから出射されたレーザ光を光ディスク上に集光させる対物レンズと、
前記光ディスクからの反射光を受光する受光素子と、
前記光ディスクからの反射光を前記受光素子に向けて屈曲させるホログラム素子と、
を具備する集積化光ピックアップ。
【請求項１０】
光ディスクを回転させる回転駆動機構と、
請求項９記載の集積化光ピックアップと、
前記光ディスクの種類に応じて前記集積化光ピックアップから出射されるレーザ光の種類を選択する選択出射手段と、
を具備する光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置、集積化光ピックアップ及び光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の光ディスクとしてＤＶＤが注目されているが、ＤＶＤを再生可能な、又は、再生及び書込可能なプレイヤーにおいては、ＣＤに対しても再生、又は、再生及び書込可能な機能を併せ持つことが望ましい。そのためには、ＤＶＤ用の波長の短い（６３５ｎｍ又は６５０ｎｍ）赤色半導体レーザチップと、ＣＤ用の波長の長い（７８０ｎｍ）近赤外半導体レーザチップとを搭載した光ピックアップが必要とされている。さらに、装置の小型化のためには、２種類の半導体レーザチップを一つのパッケージの中に組み込んだ集積化光ピックアップの実現が期待されている。
【０００３】
しかし、２つの半導体レーザチップを一つのパッケージに組み込んで光学系を共通化するためには、２つ半導体レーザチップの発光点間隔をできるだけ接近させる必要があり、その間隔を３００μｍ以下、望ましくは１００μｍ以下としなければならない。
【０００４】
従来、２つの半導体レーザチップの発光点間隔を狭くした半導体レーザ装置の発明としては、特許文献１に開示された発明が知られている。この特許文献１に開示された発明を図１３に示す。この発明は、波長の異なるレーザ光を出射する２つの半導体レーザチップ１０１，１０２の発光点１０３，１０４が端部に偏った位置に形成され、２つの半導体レーザチップ１０１，１０２は発光点１０３，１０４が近接するように配置されている。
【０００５】
また、２つの半導体レーザチップの発光点間隔を狭くした他の半導体レーザ装置の発明としては、特許文献２に開示された発明が知られている。この特許文献２に開示された発明を図１４に示す。この発明は、波長が異なるレーザ光を出射する２つの半導体レーザチップ１１１，１１２が支持体１１３上に設けられ、これらの半導体レーザチップ１１１，１１２の間に断面形状が三角形のミラー１１４が形成されている。支持体１１３がシリコンで形成され、この支持体１１３を異方性エッチングすることによりミラー１１４が形成されている。半導体レーザチップ１１１，１１２から出射されたレーザ光はミラー１１４の反射面で反射され、近接して位置する平行光となって進行する。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１１２０８９号公報
【０００７】
【特許文献２】特開平１１−３９６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１３に示した特許文献１に開示された発明では、２つの半導体レーザチップの１０１，１０２は少なくとも３０μｍ程度の間隔をあける必要があるので、発光点１０３，１０４の間隔を１００μｍ程度とするためには、発光点１０３，１０４の位置を半導体レーザチップ１０１，１０２のチップ外形端から３５μｍ程度の位置に形成する必要がある。しかし、発光点１０３，１０４の位置がチップ外形端に近すぎるため、チップの分離工程で欠けが発生したときに発光点１０３，１０４が破損してしまい、歩留まりが低下している。
【０００９】
図１４に示した特許文献２に開示された発明では、実際にはシリコン表面に異方性エッチングで４５°の斜面をもつ断面形状が三角形のミラー１１４を形成することは難しく、現実的ではない。
【００１０】
以上のように、ＤＶＤとＣＤとの光学系を兼用するための波長の異なる２種類の半導体レーザチップを集積化した半導体レーザ装置、その半導体レーザ装置を含んだ光ピックアップの実現は困難である。
【００１１】
本発明の目的は、ＤＶＤとＣＤとの光学系を兼用するための波長の異なる２種類の半導体レーザチップを集積化した半導体レーザ装置及びその半導体レーザ装置を含んだ集積化光ピックアップを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１記載の発明の半導体レーザ装置は、支持体と、レーザ光の発光点を有する面を対向させて前記支持体の表面に配置され、それぞれ異なる波長のレーザ光を出射する複数の半導体レーザチップと、対向して配置された前記半導体レーザチップの間に位置付けられて前記支持体に形成された穴と、前記半導体レーザチップから出射されたレーザ光を反射する２つの反射面を有し、前記反射面が前記支持体の表面に対して４５°になるように前記穴に装着された反射体と、を具備する。
【００１３】
したがって、各半導体レーザチップの発光点から出射された波長の異なるレーザ光は、反射体の反射面に当たって反射され、支持体の表面に対して垂直方向に進行する。反射体と半導体レーザチップとの相対位置関係を最適化することにより、反射体の反射面で反射されて進行する波長が異なるレーザ光の間隔を任意の狭い間隔に設定することが可能となる。
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記反射体は、シリコンを主成分とする材料で四角柱状に形成されている。
【００１５】
したがって、一方の反射面はシリコン表面を使い、他方の反射面はエッチング面を使うことで、平坦度の優れた反射面をもつ反射体を作製することができる。
【００１６】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の半導体レーザ装置において、前記支持体と前記反射体とは、シリコンを主成分とする材料で形成されている。
【００１７】
したがって、支持体と反射体とが共にシリコンを主成分とする材料で形成されているので、支持体と反射体との熱膨張係数が近いために環境温度が変化した際にも熱応力を抑えることができ、支持体への反射体の取り付け精度が維持される。
【００１８】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか一記載の半導体レーザ装置において、前記穴の内周面には、前記支持体の表面に対して４５°の角度で傾斜する傾斜面が形成されている。
【００１９】
したがって、四角柱状の反射体を穴に装着したとき、反射体の外周面である反射面を穴の傾斜面に当接させることにより、反射体の反射面が支持体の表面に対して４５°の角度に精度良く維持される。
【００２０】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の半導体レーザ装置において、前記穴の前記傾斜面の部分は、断面形状が９０°のダイヤモンドブレードによる研削加工で形成されている。
【００２１】
したがって、正確な断面形状の穴を簡単に形成できる。
【００２２】
請求項６記載の発明は、請求項４記載の半導体レーザ装置において、前記穴の前記傾斜面の部分は、異方性エッチングにより形成されている。
【００２３】
したがって、正確な断面形状の穴を簡単に形成できる。
【００２４】
請求項７記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか一記載の半導体レーザ装置において、前記穴の内周面には階段状面が形成され、この階段状面の段差部先端を結ぶ線が前記支持体の表面に対し４５°の角度で傾斜している。
【００２５】
したがって、四角柱状の反射体を穴に装着したとき、反射体の外周面である反射面を穴の階段状面の段差部先端に当接させることにより、反射体の反射面が支持体の表面に対して４５°の角度に精度良く維持される。
【００２６】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７のいずれか一記載の半導体レーザ装置において、前記半導体レーザチップからの光出力を検出する受光部が前記支持体上に設けられている。
【００２７】
したがって、半導体レーザチップと半導体レーザチップからの光出力を検出する受光部とを集積化して小型化を達成できる。
【００２８】
請求項９記載の発明の集積化光ピックアップは、請求項１ないし８のいずれか一記載の半導体レーザ装置と、前記半導体レーザチップから出射されたレーザ光を光ディスク上に集光させる対物レンズと、前記光ディスクからの反射光を受光する受光素子と、前記光ディスクからの反射光を前記受光素子に向けて屈曲させるホログラム素子と、を具備する。
【００２９】
したがって、複数種類の光ディスクに対応した複数の半導体レーザチップが集積化されているため、集積化光ピックアップの小型化が実現される。
【００３０】
請求項１０記載の発明の光ディスク装置は、光ディスクを回転させる回転駆動機構と、請求項９記載の集積化光ピックアップと、前記光ディスクの種類に応じて前記集積化光ピックアップから出射されるレーザ光の種類を選択する選択出射手段と、を具備する。
【００３１】
したがって、光ディスク装置に小型の集積化光ピックアップを搭載することによって、光ディスク装置は小型化される。
【発明の効果】
【００３２】
請求項１記載の発明の半導体レーザ装置によれば、反射体と半導体レーザチップとの相対位置関係を最適化することにより、反射体の反射面で反射されて進行する波長が異なるレーザ光の間隔を任意の狭い間隔に設定することができる。
【００３３】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記反射体は、シリコンを主成分とする材料で四角柱状に形成されているので、一方の反射面はシリコン表面を使い、他方の反射面はエッチング面を使うことで、平坦度の優れた反射面をもつ反射体を作製することができる。
【００３４】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２記載の半導体レーザ装置において、前記支持体と前記反射体とは、シリコンを主成分とする材料で形成されているので、支持体と反射体との熱膨張係数が近いために環境温度が変化した際にも熱応力を抑えることができ、支持体への反射体の取り付け精度を維持することができる。
【００３５】
請求項４記載の発明によれば、請求項１ないし３のいずれか一記載の半導体レーザ装置において、前記穴の内周面には、前記支持体の表面に対して４５°の角度で傾斜する傾斜面が形成されているので、四角柱状の反射体を穴に装着したとき、反射体の外周面である反射面を穴の傾斜面に当接させることにより、反射体の反射面が支持体の表面に対して４５°の角度となるように精度良く維持することができる。
【００３６】
請求項５記載の発明によれば、請求項４記載の半導体レーザ装置において、前記穴の前記傾斜面の部分は、断面形状が９０°のダイヤモンドブレードによる研削加工で形成されているので、正確な断面形状の穴を簡単に形成できる。
【００３７】
請求項６記載の発明によれば、請求項４記載の半導体レーザ装置において、前記穴の前記傾斜面の部分は、異方性エッチングにより形成されているので、正確な断面形状の穴を簡単に形成できる。
【００３８】
請求項７記載の発明によれば、請求項１ないし３のいずれか一記載の半導体レーザ装置において、前記穴の内周面には階段状面が形成され、この階段状面の段差部先端を結ぶ線が前記支持体の表面に対し４５°の角度で傾斜しているので、四角柱状の反射体を穴に装着したとき、反射体の外周面である反射面を穴の階段状面の段差部先端に当接させることにより、反射体の反射面が支持体の表面に対して４５°の角度となるように精度良く維持することができる。
【００３９】
請求項８記載の発明によれば、請求項１ないし７のいずれか一記載の半導体レーザ装置において、前記半導体レーザチップからの光出力を検出する受光部が前記支持体上に設けられているので、半導体レーザチップと半導体レーザチップからの光出力を検出する受光部とを集積化して小型化を達成できる。
【００４０】
請求項９記載の発明の集積化光ピックアップによれば、複数種類の光ディスクに対応した複数の半導体レーザチップが集積化されているため、集積化光ピックアップの小型化を実現できる。
【００４１】
請求項１０記載の発明の光ディスク装置によれば、小型の集積化光ピックアップを搭載することによって小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
本発明の第１の実施の形態を図１ないし図５に基づいて説明する。図１は半導体レーザ装置を示す正面図、図２はその平面図である。
【００４３】
この半導体レーザ装置１は、支持体２と、２つの半導体レーザチップ３，４と、反射体５とを主要な構成して形成されている。
【００４４】
支持体２は放熱性に優れたシリコンを用いた板状の部材であり、その表面に半導体レーザチップ３，４が実装されている。この支持体２には、実装された半導体レーザチップ３，４の間に位置付けられて穴６が形成され、この穴６の中に反射体５が装着されている。
【００４５】
半導体レーザチップ３，４は異なる波長のレーザ光Ｂ１，Ｂ２を出射する構成であり、半導体レーザチップ３からはＤＶＤ用の波長の短い（６３５ｎｍ又は６５０ｎｍ）レーザ光Ｂ１が出射され、半導体レーザチップ４からはＣＤ用の波長の長い（７８０ｎｍ）レーザ光Ｂ２が出射される。半導体レーザチップ３，４は、それぞれレーザ光Ｂ１，Ｂ２が出射される発光点３ａ，４ａを対向させて実装されている。
【００４６】
支持体２に形成されている穴６は、支持体２の表面側と裏面側とを貫通して形成されており、その断面形状は表面側が狭い逆Ｙ字形とされている。この穴６の内周面には、支持体２の表面に対して４５°の角度で傾斜する傾斜面６ａが形成されている。
【００４７】
反射体５は、シリコンを材料して一辺が２００μｍの四角柱状に形成されており、周囲の４面のうちの２面が反射面５ａとされている。反射体５は支持体２の裏面側から穴６に挿入されて接着固定されている。穴６に挿入された反射体５は、反射面５ａが傾斜面６ａに当接され、反射面５ａの一部が支持体２の表面側へ露出している。反射面５ａにおける支持体２の表面側に露出した部分には、レーザ光Ｂ１，Ｂ２が出射される発光点３ａ，４ａが対向している。
【００４８】
穴６を形成する工程を図４に基づいて説明する。支持体２の表面側からエッチングにより凹部６ｂを形成する（図４（ａ））。ついで、先端部の断面形状が９０°であるダイヤモンドブレード７を用いて支持体２の裏面側から凹部６ｂに向けて研削加工し、逆Ｙ字形の穴６が完成する（図４（ｂ）、（ｃ））。
【００４９】
反射体５は、シリコンを用いて1辺が２００μｍの四角柱状に形成されており、このような微小構造物は、シリコンの異方性エッチング技術を用いて作製される。半導体材料のシリコンでは、特定のエッチング液において特定の結晶方位にエッチングが進行する異方性を持っている。このようなエッチングは異方性エッチングとして知られている。本発明の反射体５は、シリコン表面を第一の反射面として利用し、異方性エッチングによる垂直なエッチング面を第二の反射面として利用することができる。具体的には、（１１０）面のシリコン基板を異方性エッチングすることで形成することができる。
【００５０】
反射体５の製作工程を図５を参照して説明する。反射体５を形成する基板８として（１１０）面のシリコン基板を採用する。この基板８に対してマスクを用いて異方性エッチングを行い、所定幅の開口９を形成する（図５（ａ））。マスク材料としてはシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を用い、エッチング液としては、２３．４ｗｔ％ＫＯＨ、１３．３ｗｔ％イソプロピルアルコール、６３．３ｗｔ％Ｈ２Ｏを使用する。図５（ａ）に示すように、基板８は所定の間隔で垂直にエッチングされた短冊状となる。
【００５１】
その後、マスクを除去し、反射面となる面に０．０１μｍ程度のチタンを蒸着し、さらに０．１μｍ以上の金を蒸着する。この時、シリコンの基板８の表面であった面８ａと、エッチングにより形成された面８ｂとに斜め４５°からチタン、金を蒸着する（図５（ｂ））。最後に、図５（ｃ）に図示するように開口９が形成され、チタン及び金を蒸着された基板８を所定の長さに切り出すことにより、２面に反射面５ａを有する反射体５が形成される。
【００５２】
このようにして異方性エッチングで得られた面８ｂに形成された反射面５ａの平坦度と、基板８の表面側の面８ａに形成された反射面５ａとの平坦度とを評価した結果、ほとんど差がなかった。
【００５３】
四角柱状の反射体５を穴６に装着し、その反射面５ａを支持体２の表面に対して４５°の角度で傾斜した傾斜面６ａに当接させることにより、反射面５ａは支持体２の表面に対して４５°の角度で固定される。
【００５４】
このように構成された半導体レーザ装置１では、半導体レーザチップ３，４の発光点３ａ，４ａから出射されたレーザ光Ｂ１，Ｂ２が、反射体５の反射面５ａに当たって反射し、支持体２の表面に対して垂直方向に進行する。このとき、反射体５と半導体レーザチップ３，４との相対位置関係を最適化することにより、例えば、支持体２の表面側へ露出する反射面５ａの露出寸法を調整することにより、支持体２の表面から垂直方向に進行するレーザ光Ｂ１，Ｂ２の間隔を任意の間隔に設定することが可能となる。
【００５５】
反射面５ａで反射した後に支持体２の表面から垂直方向に進行するレーザ光Ｂ１，Ｂ２の間隔と、穴６、反射体５の寸法等について、図３を参照して詳しく説明する。取り出したい二つのレーザ光Ｂ１，Ｂ２の間隔ｄ０を１００μｍとし、反射体５の周囲の４面の一辺の長さＬを２００μｍ、半導体レーザチップ３，４の発光点３ａ，４ａと反射面５ａとの距離ｄ１を５０μｍ、半導体レーザチップ３，４の実装時の支持体２の端部からの突き出し量ｄ２を５μｍ、支持体２の表面から半導体レーザチップ３，４の発光点３ａ，４ａまでの高さｔ０を５μｍとすると、半導体レーザチップ３，４間距離ｄ３は２００μｍ、穴６における支持体２の表面側の開口部距離ｄ４は２１０μｍ（ｄ０＋２ｄ１＋２ｄ２）となり、穴６の表面開口部側の厚さｔ１は５０μｍ（ｄ４／２−ｄ０／２−ｔ０）となる。支持体２の厚さとしては支持体２が穴６から裏面側に突出しない厚さｔ０が必要で、約√２×Ｌ以上、例えば、３５０μｍ程度、裏面側の開口幅ｄ５も同じく反射体５を装着できるように√２×Ｌ、例えば、３００μｍ程度となる。
【００５６】
本発明の第２の実施の形態を図６及び図７にも基づいて説明する。なお、図１ないし図５において説明した部分と同じ部分は同じ符号で示し、説明も省略する（以下の実施の形態でも同じ）。図６は半導体レーザ装置を示す正面図、図７はその平面図である。
【００５７】
本実施の形態では、支持体２に形成される穴６の内周面に、階段状面１１が形成されている。この階段状面１１は、段差部先端を結ぶ線が、支持体２の表面に対して４５°の角度で傾斜するように形成されている。
【００５８】
穴６に装着された反射体５は、反射面５ａが階段状面１１の段差部先端に当接され、反射面５ａの一部が支持体２の表面側へ露出している。反射面５ａにおける支持体２の表面側に露出した部分には、レーザ光が出射される発光点３ａ，４ａが対向している。
【００５９】
階段状面１１は、先端部が矩形状に形成されたダイヤモンドブレードを用いて支持体２を研削加工することにより形成されている。
【００６０】
本実施の形態では、反射体５を穴６に装着したとき、反射体５の反射面５ａが穴６の階段状面１１の段差部先端に当接し、反射面５ａの一部が支持体２の表面側へ露出する。このとき、反射面５ａは支持体２の表面に対して４５°の角度を維持される。
【００６１】
このため、半導体レーザチップ３，４の発光点３ａ，４ａから出射されて反射面５ａで反射されたレーザ光Ｂ１，Ｂ２は、支持体２の表面に対して垂直方向に進行する。このとき、反射体５と半導体レーザチップ３，４との相対位置関係を最適化することにより、例えば、支持体２の表面側へ露出する反射面５ａの露出寸法を調整することにより、支持体２の表面から垂直方向に進行するレーザ光Ｂ１，Ｂ２の間隔を任意の狭い間隔に設定することが可能となる。
【００６２】
本発明の第３の実施の形態を図８及び図９に基づいて説明する。図８は半導体レーザ装置を示す正面図、図９はその平面図である。
【００６３】
本実施の形態では、支持体２の穴６がシリコンに対する異方性エッチングにより形成されている。
【００６４】
穴６を異方性エッチングで形成する場合、シリコンの（１００）面は異方性エッチングすることで５４°の斜面が形成されることが知られている。そこで（０１１）方向を軸として（１００）面に９°オフアングルした支持体２を異方性エッチングすることにより、一方の斜面が支持体２の表面に対して４５°の角度で傾斜する傾斜面６ａとなり、他方の斜面が支持体２の表面に対して６３°の角度で傾斜する傾斜面６ｃとなる。
【００６５】
穴６に装着された反射体５は、一方の反射面５ａが傾斜面６ａに当接され、傾斜面６ｃに対して反射体５の一つのコーナー部分が当接されている。
【００６６】
穴６に装着された反射体５の一部は支持体２の表面側へ露出しており、このとき、傾斜面６ａと反射面５ａとが当接することにより、反射面５ａは支持体２の表面に対して４５°の角度を維持される。
【００６７】
このため、半導体レーザチップ３，４の発光点３ａ，４ａから出射されて反射面５ａで反射されたレーザ光Ｂ１，Ｂ２は、上述した第１又は第２の実施の形態と同じように、支持体２の表面に対して垂直方向に進行する。
【００６８】
本発明の第４の実施の形態を図１０及び図１１に基づいて説明する。本実施の形態は、上述した半導体レーザ装置１を用いた集積化光ピックアップ２１を示したものである。この集積化光ピックアップ２１では、半導体レーザチップ３，４からの出力光を検出する受光部２２，２３が半導体レーザ装置１の一部として支持体２上に実装されている。さらに、ＤＶＤやＣＤ等の光ディスク（図示せず）から反射光を受光する受光素子２４，２５が支持体２上に実装されている。
【００６９】
集積化光ピックアップ２１の他の構成部品としては、半導体レーザチップ３，４から出射されたレーザ光Ｂ１，Ｂ２を光ディスク上に集光させる対物レンズ２６、光ディスクから反射光を受光素子２４，２５に向けて屈曲させるホログラム素子２７等が設けられている。
【００７０】
この集積化光ピックアップ２１によれば、複数種類の光ディスクに対応した複数の半導体レーザチップ３，４、受光部２２，２３、受光素子２４，２５が実装され、支持体２の上方にホログラム素子２７や対物レンズ２６が配置されており、集積化光ピックアップ２１の小型化を達成することができる。
【００７１】
本発明の第５の実施の形態を図１２に基づいて説明する。本実施の形態は、第４の実施の形態の集積化光ピックアップ２１を搭載する光ディスク装置３１の一例である。図１２は本実施の形態における光ディスク装置３１が備える各部の電気的接続を概略的に示すブロック図である。
【００７２】
図１２に示すように、光ディスク装置３１は、光ディスクＤを任意の回転速度で回転させる回転駆動機構の主要部を構成するスピンドルモータ３２、このスピンドルモータ３２の制御を行う回転制御部３３、光ディスクＤの記録面に対してレーザ光Ｂ１，Ｂ２を出射して光ディスクＤの記録面で反射されたレーザ光Ｂ１，Ｂ２を受光する集積化光ピックアップ２１、この集積化光ピックアップ２１を光ディスクＤの半径方向に移動させるスライダモータ３４、このスライダモータ３４の制御を行うスライダモータ制御部３５、集積化光ピックアップ２１の制御を行う光ピックアップ制御部３６、集積化光ピックアップ２１からの信号を処理する信号処理部３７、各種プログラム及び格納データを演算処理し各部の動作を制御するＣＰＵ３８、リード／ライト処理プログラムや制御プログラム等の固定的データを予め格納する記憶媒体であるＲＯＭ３９、光ディスクＤから読み出したリードデータ及び光ディスクＤに書き込むライトデータ等を一時的に格納する記憶手段であるＲＡＭ４０等を備えている。このような光ディスク装置３１は、外部インターフェース（図示せず）を介して上位装置であるホストコンピュータ４１に接続されている。
【００７３】
なお、光ピックアップ制御部３６及びＣＰＵ３８が集積化光ピックアップ２１に光ディスクＤの種類に応じていずれか一方のレーザ光Ｂ１又はＢ２を択一的に選択出射させる選択出射手段として機能する。すなわち、選択出射手段は、集積化光ピックアップ２１中の半導体レーザチップ３，４を光ディスクＤの種類に応じて択一的に選択駆動する。
【００７４】
このような構成において、光ディスク装置３１による光ディスクＤに対するデータのリード／ライト動作について説明する。ホストコンピュータ４１から光ディスク装置３１にリード／ライトコマンドが入力されると、光ディスク装置３１のＣＰＵ３８は、ＲＯＭ３９に格納されたリード／ライト処理プログラムに基づいてリード／ライト処理を実行する。
【００７５】
ＣＰＵ３８は、回転制御部３３によりスピンドルモータ３２を駆動制御して光ディスクＤを回転させ、スライダモータ制御部３５によりスライダモータ３４を駆動制御して集積化光ピックアップ２１を光ディスクＤの半径方向に移動させながら、光ピックアップ制御部３６により集積化光ピックアップ２１を駆動制御して光ディスクＤの記録面に対しレーザ光Ｂ１，Ｂ２を出射し、光ディスクＤの記録面に反射されたれレーザ光Ｂ１，Ｂ２を受光してリード／ライトを実行する。このとき、ＣＰＵ３８は、一時的にＲＡＭ４０に格納されたリードデータをホストコンピュータ４１に送信し、ライトデータをホストコンピュータ４１から一時的にＲＡＭ４０に格納する処理も行う。
【００７６】
なお、光ディスクＤがＤＶＤである場合には、選択出射手段により半導体レーザチップ３が選択駆動されてレーザ光Ｂ１が出射され、光ディスクＤがＣＤである場合には、選択出射手段により半導体レーザチップ４が選択駆動されてレーザ光Ｂ２が出射される。
【００７７】
したがって、第４の実施の形態の小型の集積化光ピックアップ２１を光ディスク装置３１に搭載することによって、光ディスク装置３１が小型化される。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体レーザ装置を示す縦断正面図である。
【図２】その平面図である。
【図３】その一部を拡大して示す縦断正面図である。
【図４】支持体に穴を形成する工程を示す正面図である。
【図５】反射体を形成する工程を示す斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の半導体レーザ装置を示す縦断正面図である。
【図７】その平面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の半導体レーザ装置を示す縦断正面図である。
【図９】その平面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態の集積化光ピックアップを示す縦断正面図である。
【図１１】その一部を示す平面図である。
【図１２】本発明の第５の実施の形態の光ディスク装置を示すブロック図である。
【図１３】従来例の半導体レーザ装置を示す正面図である。
【図１４】他の従来例の半導体レーザ装置を示す縦断正面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１      半導体レーザ装置
２      支持体
３      半導体レーザチップ
３ａ    発光点
４      半導体レーザチップ
４ａ    発光点
５      反射体
５ａ    反射面
６      穴
６ａ    傾斜面
７      ダイヤモンドブレード
１１      階段状面
２１      集積化光ピックアップ
２２      受光部
２３      受光部
２４      受光素子
２５      受光素子
２６      対物レンズ
２７      ホログラム素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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