(57)【要約】【課題】  アーク放電時のカソード電極の破壊を最少化し、カソード電極の抵抗値を低くして大面積表示装置で動映像または多階調映像を容易に実現できる電子放出素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板と、第１基板上に形成される少なくとも一つのゲート電極と、補助電極及びこの補助電極の厚さより薄く形成される主電極を含み、前記第１基板上に形成される複数のカソード電極と、ゲート電極とカソード電極の間に形成される絶縁層と、カソード電極の主電極と電気的に連結される電子放出部と、前記第２基板上に形成されるアノード電極と、アノード電極の一方の面に位置する蛍光膜と、を含む。【選択図】  図１
2005166643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板と、
前記第１基板上に形成される少なくとも一つのゲート電極と、
前記第１基板上に形成される複数のカソード電極と、
前記ゲート電極と前記カソード電極の間に形成される絶縁層と、
前記カソード電極と電気的に連結される電子放出部と、
前記第２基板上に形成される少なくとも一つのアノード電極と、
前記アノード電極の一方の面に位置する蛍光膜と、を含み、
前記カソード電極が、
補助電極と、
前記補助電極の厚さより薄く形成された主電極と、
を含むことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記カソード電極が１０〜２０ｍΩ／□のシート抵抗値を有して形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記カソード電極の主電極が前記補助電極の少なくとも一部を覆うように位置することを特徴とする、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記補助電極の厚さが１〜５μｍであることを特徴とする、請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記カソード電極の主電極が少なくとも二層の積層構造に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記二層の積層構造が異種金属の組合せであることを特徴とする、請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記主電極の一方の側の周縁の一部には、該一部が除去されて形成されたエミッタ収容部があり、前記エミッタ収容部内に前記電子放出部が位置することを特徴とする、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記電子放出素子は、前記電子放出部から離れた絶縁層上に配置されると共に前記ゲート電極と電気的に連結されている対向電極を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項９】
前記対向電極が第１層と、前記第１層上に、該第１層より薄く形成される第２層を含むことを特徴とする、請求項８に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記電子放出部がカーボンナノチューブ、グラファイト、ダイアモンド、ダイアモンド状カーボン、フラーレン、グラファイトナノファイバー、シリコンナノワイヤーのうちのいずれか一つまたはこれらの組合せからなることを特徴とする、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
（ａ）第１基板上に透明な導電物質を用いてゲート電極を形成する段階と、
（ｂ）前記ゲート電極を覆いながら第１基板の上面全体に透明誘電体を塗布して絶縁層を形成する段階と、
（ｃ）前記絶縁層上に厚膜電極材料を印刷してカソード電極の補助電極を形成する段階と、
（ｄ）前記絶縁層の前面に金属を蒸着及びパターニングして前記補助電極上に該補助電極の少なくとも一部を覆う広がりを有するカソード電極の主電極を形成する段階と、
（ｅ）前記第１基板の上面全体に電子放出物質を塗布し、これを選択的に硬化させた後、現像して前記主電極と接触するエミッタを形成する段階と、
を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）段階が銀ペーストを印刷、乾燥及び焼成することからなることを特徴とする、請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記（ｃ）段階が前記補助電極を１〜５μｍの厚さに形成することからなることを特徴とする、請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記（ｄ）段階がクロム、アルミニウム、モリブデンのうちのいずれか一つの金属を蒸着し、これをパターニングすることを含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記（ｄ）段階と（ｅ）段階の間に、第１基板の上面全体に犠牲層を形成し、犠牲層をパターニングしてエミッタを位置させる開口部を形成する段階を更に含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１６】
前記（ｅ）段階が、犠牲層の前面に電子放出物質を塗布し、第１基板の後面を通じて紫外線を照射して開口部に満たされたエミッタを選択的に硬化した後、現像を通じて硬化されない電子放出物質を除去することからなることを特徴とする、請求項１５に載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１７】
前記（ｅ）段階以降、犠牲層をパターニングしてカソード電極の主電極上に該犠牲層を残す段階を更にさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記（ｂ）段階で絶縁層にビアホールを形成する過程を更に含み、前記（ｃ）段階でビアホールに厚膜電極材料を充填してビアホールに対向電極の第１層を形成することを特徴とする、請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１９】
前記（ｄ）段階で対向電極の第１層上に金属膜が残るようにパターニングして対向電極の第２層を形成することを特徴とする、請求項１８に記載の電子放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出素子に関し、より詳しくはカーボン系物質からなるエミッタを備えると同時にエミッタの電子放出を制御するゲート電極をカソード電極より下に配置した電子放出素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子放出素子分野においては低電圧（大略１０〜１００Ｖ）駆動条件で電子を良好に放出するカーボン系物質を用いてスクリーン印刷のような厚膜工程を通じてエミッタを形成する技術が研究開発されている。今までの技術動向によると、エミッタに適したカーボン系物質としてはグラファイト、ダイアモンド、ダイアモンド状カーボン及びカーボンナノチューブなどが知られており、この中で特にカーボンナノチューブは１〜１０Ｖ/μｍ程度の低い電界でも電子を良好に放出して理想的な電子放出物質として期待されている。
【０００３】
前記カーボンナノチューブを用いたエミッタ及びこのエミッタ製作と関連するものとして、２つの従来技術文献がある（例えば、特許文献１及び２参照）。
【特許文献１】米国特許第６，３５９，３８３号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４３６，２２１号明細書
【０００４】
一方、電子放出素子がカソードとゲート及びアノード電極を備えた３極管構造からなる時、図５に示すように後面基板１上にゲート電極３を形成し、ゲート電極３上に絶縁層５を形成した後、絶縁層５上にカソード電極７とエミッタ９を配置すると同時に、前面基板１１上にアノード電極１３と蛍光膜１５を形成した構成が広く知られている。この時、カソード電極７は大略２、０００〜４、０００Å程度の厚さを有する金属薄膜（Cr、Al、Moなど）であって、通常の写真エッチング工程によりパターニングされて形成される。
【０００５】
前記構造は製作過程でゲート電極３とカソード電極７が断線するおそれがなく、エミッタ９が後面基板１の最上部に位置するのでスクリーン印刷のような厚膜工程を容易に適用でき、製造工程が比較的単純で面積の大きな表示装置を製作するのに有利な長所を有する。
【０００６】
ところが、前記のように金属薄膜からなるカソード電極７は次の問題点を有している。
【０００７】
第１に、アノード電極１３に高電圧を印加して駆動する時、表示装置内にアーク放電が発生することがあるが、この場合、金属薄膜からなるカソード電極７はアーク放電によって容易に破壊される。第２に、面積の大きな表示装置で動映像または多階調映像を実現するためにはカソード電極７の抵抗を小さくする必要があるが、金属薄膜からなるカソード電極７（現在３〜５Ω/□のシート抵抗値を有する）では抵抗を低くすることに限界がある。
【０００８】
従って、アーク放電時にも損傷し難くて抵抗値を低くすることができる代替材料として導電性厚膜材料を考慮できるが、導電性厚膜材料では金属薄膜のような微細パターニングが不可能であって高解像度化に不向きな短所がある。また、導電性厚膜材料は耐酸性が低いために、エミッタ形成に必要な犠牲金属層（図示せず）を、酸性蝕刻剤で除去する時にカソード電極の導電性厚膜材料が損傷する問題が発生する。
【０００９】
従って、金属薄膜のカソード電極を、現状より厚く形成して抵抗を低くする方法が一般に用いられているが、この方法もまた電極形成工程に長時間を必要とし、アーク放電時の電極損傷に関連する問題を解決することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は前記問題点を解消するためのものであって、本発明の目的は、アーク放電時のカソード電極の破壊を最少化し、カソード電極の抵抗値を低くして面積の大きな表示装置で動映像または多階調映像を容易に実現できる電子放出素子及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板と、前記第１基板上に形成される少なくとも一つのゲート電極と、補助電極と、前記補助電極の厚さより薄く形成された主電極と、を含み、前記第１基板上に形成される複数のカソード電極と、前記ゲート電極と前記複数のカソード電極の間に形成される絶縁層と、前記カソード電極の主電極と電気的に連結される電子放出部と、前記第２基板上に形成される少なくとも一つのアノード電極と、前記アノード電極の一面に位置する蛍光膜と、を含む。
【００１２】
前記カソード電極は１０〜２０ｍΩ/□のシート抵抗値を有する。
【００１３】
前記カソード電極で主電極は補助電極を覆いながら形成され、前記補助電極の暑さは１〜５μｍの厚さに維持される。
【００１４】
また、前記カソード電極の主電極は少なくとも二層の積層構造に形成することができるし、この時、この二層の積層構造は異種金属から構成することができる。
【００１５】
前記主電極の一方の側の周縁の一部には、該一部が除去されて形成されたエミッタ収容部があり、前記エミッタ収容部内に前記電子放出部が位置して前記カソード電極に接触する。
【００１６】
前記電子放出素子は前記ゲート電極と電気的に連結されながら電子放出部と任意の間隔をおいて絶縁層上に配置される対向電極を更に含む。
【００１７】
前記対向電極は、第１層と、前記第１層上に、該第１層より薄く形成される第２層を含む。
【００１８】
前記電子放出部を構成する物質としては、大きく分けると、カーボン系物質と、ナノメートルサイズ物質と、があるが、カーボン系物資としてはカーボンナノチューブ、グラファイト、ダイアモンド状カーボン、フラーレン(fulleren)すなわちＣ６０などがあって、ナノメートルサイズ物質としてはカーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバー(Graphite Nano Fiber)、シリコンナノワイヤー(Silicon Nano Wire)などがある。前記電子放出部はこのような物質のうちのいずれか一つまたはこれらの組合せからなる。
【００１９】
また、本発明に従う電子放出素子の製造方法は、
（ａ）第１基板上に透明な導電物質を用いてゲート電極を形成する段階と、
（ｂ）ゲート電極を覆いながら第１基板の上面全体に透明誘電体を塗布して絶縁層を形成する段階と、
（ｃ）絶縁層上に厚膜電極材料を印刷してカソード電極の補助電極を形成する段階と、
（ｄ）絶縁層の前面に金属を蒸着及びパターニングして前記補助電極上に補助電極の少なくとも一部を覆う広がりを有するカソード電極の主電極を形成する段階と、
（ｅ）前記第１基板の上面全体に電子放出物質を塗布し、これを選択的に硬化させた後、現像して前記主電極と接触するエミッタを形成する段階と、を含む。
【００２０】
前記補助電極を形成する段階は銀（Ag）ペーストを印刷、乾燥及び焼成するものからなり、主電極を形成する段階はクロム（Cr）、アルミニウム（Al）、モリブデン（Mo）のうちのいずれか一つの金属を蒸着し、これをパターニングすることからなる。
【００２１】
前記カソード電極の主電極を形成した後、第１基板の上面全体に犠牲層を形成し、犠牲層をパターニングしてエミッタが位置する開口部を形成する段階を更に含むことができ、この場合、犠牲層の前面に電子放出物質を塗布し、第１基板の後面を通じて紫外線を照射して開口部に満たされたエミッタを選択的に硬化した後、現像を通じて硬化されない電子放出物質を除去するものとしてエミッタを完成する。
【００２２】
前記絶縁層を形成する時にビアホールを共に形成し、カソード電極の補助電極を形成する時にビアホールに厚膜電極材料を充填してビアホールに対向電極の第１層を形成する。また、カソード電極の主電極を形成する時に対向電極の第１層上に金属膜が残るようにパターニングして対向電極の第２層を形成する。
【発明の効果】
【００２３】
このように本実施形態ではカソード電極の補助電極が極めて低い抵抗値を有することによって、表示装置の面積が大きくなっても、カソード電極の電圧降下を最少化して動映像または多階調映像を容易に実現できる。そして真空容器内部でアーク放電が生じて主電極が破損しても耐久性に優れた補助電極がカソード電極の断線を防止し、金属薄膜で形成される主電極がカソード電極とエミッタの微細パターニングを可能にして高解像度化に有利な効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の実施形態による電子放出素子の部分分解斜視図であり、図２は図１の電子放出素子が結合された状態を示した部分断面図である。
【００２６】
図面を参考すると、電子放出素子は任意の間隔をおいて対向配置されて真空容器を構成する第１基板２と第２基板４を含む。前記第１基板２には電界形成によって電子を放出できる特徴構成が設けられ、前記第２基板４には前記電子によって発光した光で所定のイメージを実現する特徴構成が設けられる。
【００２７】
これをより具体的に説明すると、前記第１基板２上にはゲート電極６が一つの方向（図面のＹ方向）に沿ってストライプパターンからなって、ゲート電極６を覆いながら第１基板２の内面全体に絶縁層８が位置する。絶縁層８上にはカソード電極１０がゲート電極６と交差する方向（図面のＸ方向）に沿ってストライプパターンからなって、ゲート電極６とカソード電極１０が交差する領域毎にカソード電極１０の一側の周縁に電子放出部であるエミッタ１２が位置する。
【００２８】
本実施形態においてカソード電極１０は伝導性厚膜材質からなる補助電極１４と、金属薄膜材質で形成されながら前記補助電極１４より薄い厚さを有する主電極１６と、からなって、エミッタ１２は主電極１６の一側の周縁で主電極１６と接触して位置する。
【００２９】
前記補助電極１４は一例に銀（Ag）、アルミニウム（Al）または銅（Cu）ペーストをスクリーン印刷し焼成した膜として、１０〜２０ｍΩ/□の極めて低い抵抗値を有し、カソード電極１０の電圧降下を防止する役割を果たす。そして主電極１６はクロム（Cr）、アルミニウム（Al）またはモリブデン（Mo）などの金属を蒸着してパターニングした膜として、金属薄膜の特性上、高精細パターニングができてカソード電極１０とエミッタ１２を微細パターン化する役割を果たす。
【００３０】
本実施形態で前記主電極１６は補助電極１４より広い幅で形成されて補助電極１４を覆いながら位置し、その厚さは前記補助電極１４を十分に覆いながらこの補助電極１４の厚さ（例:１〜５μｍ）より薄い厚さ（例:８００Å）を維持する。
【００３１】
前記主電極１６の一側の周縁には主電極１６の一部が除去されたエミッタ収容部１８が形成され、エミッタ収容部１８の内側にエミッタ１２が位置して前記主電極１６に接触する。
【００３２】
前記主電極１６は一つの層の金属膜からなり、図３に示すように第１、２金属膜１６ａ、１６ｂの積層構造から構成することができる。この場合、第１、２金属膜１６ａ、１６ｂは選択的エッチング性を有する異種金属が好ましく、ここで前記第２金属膜１６ｂを前記エミッタ１２のパターニングのための犠牲層として使用できる。この第２金属膜１６ｂは前記電子放出素子の駆動時において、高圧のアノード電場によってアーク放電が発生する時、第１金属膜１６ａと補助電極１４の破壊を最少化する役割を果たす。
【００３３】
本実施形態で前記エミッタ１２は実質的に均一な厚さで形成される面の電子源として、前記電子放出部を構成する物質としては、大きく分けると、カーボン系物質と、ナノメートルサイズ物質と、があるが、カーボン系物資としてはカーボンナノチューブ、グラファイト、ダイアモンド状カーボン、Ｃ６０などがあって、ナノメートルサイズ物質としてはカーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバー、シリコンナノワイヤーなどがある。前記電子放出部はこのような物質のうちのいずれか一つまたはこれらの組合せからなる。
【００３４】
そして、第１基板２上にはゲート電極６の電界を絶縁層８上に押し上げる対向電極２０が位置しうる。対向電極２０は絶縁層８に形成されたビアホール８ａを通じてゲート電極６と接触してこれと電気的に連結され、カソード電極１０の間でエミッタ１２と任意の間隔をおいて位置する。前記対向電極２０はエミッタ１２により強い電場が印加されるようにしてエミッタ１２から電子を良好に放出させる役割を果たす。
【００３５】
本実施形態で対向電極２０は伝導性厚膜材質からなる第１層２２と、金属薄膜材質で形成されながら前記第１層２２より薄い厚さを有する第２層２４と、から構成することができる。第１層２２は絶縁層８に形成されたビアホール８ａに充填されて第２層２４の形成を容易にし、ゲート電極６と第２層２４を円滑に通電させる。
【００３６】
そして、第１基板２に対向する第２基板４の一面にはアノード電極２６が形成され、アノード電極２６の一面には蛍光膜２８と黒色膜３０と、からなる蛍光スクリーン３２が形成される。アノード電極２６はインジウムスズ酸化物（ITO）のような透明導電材で形成する。
【００３７】
一方、蛍光スクリーン３２表面にはメタルバック（metal back）効果によって画面の輝度を高める金属膜（図示せず）が位置しうる。
【００３８】
前記金属膜が前記第２基板４に形成される場合、前記実施形態とは違い前記透明電極を省略し、この金属膜をアノード電極として使用できる。
【００３９】
前記第１基板２と第２基板４はその間にスペーサ３４を配置した状態でフリットガラスのような密封材（図示せず）によって周縁が接合され、次に、図示しない排気口を通じてその内部が排気されて真空容器を構成する。図示は省略したが、第１基板２と第２基板４の間にメッシュ形態のグリッド基板を配置してエミッタ１２から放出される電子の収束を図ることができる。
【００４０】
このように構成される電子放出素子は、外部からゲート電極６、カソード電極１０及びアノード電極２６に所定の電圧を供給して駆動するが、一例にゲート電極６には数〜数十ボルトの（＋）電圧が、カソード電極１０には数〜数十ボルトの（−）電圧が、そしてアノード電極２６には数百〜数千ボルトの（＋）電圧が印加される。
【００４１】
これでゲート電極６とカソード電極１０の電圧差によってエミッタ１２周囲に電界が形成されてエミッタ１２から電子が放出され、放出された電子はアノード電極２６に印加された高電圧に引かれて第２基板４に向かいながら当該画素の蛍光膜２８に衝突してこれを発光させることによって所定の表示が行われる。
【００４２】
ここで、本実施形態による電子放出素子はカソード電極１０の補助電極１４が極めて低い抵抗値を有することによって、表示装置の面積が大きくなっても、カソード電極１０の電圧降下を最少化して動映像または多階調映像を容易に実現できる。そして補助電極１４は耐久性が優れているので、真空容器の内部でアーク放電が生じて主電極１６が破損しても補助電極１４がカソード電極１０の断線を防止する。また、カソード電極１０の主電極１６は微細パターニングができるので、カソード電極１０とエミッタ１２を微細パターン化して高解像度の実現に有利な長所を有する。
【００４３】
次に前述した電子放出素子の製造方法について説明する。
【００４４】
図４Ａ乃至図４Ｅは本発明の実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するために示した各段階の概略図である。
【００４５】
まず、図４Ａに図示するように、樹脂硬化用紫外線が透過できる透明な第１基板２上にインジウムスズ酸化物（ITO）のような透明な導電物質をスパッタリングまたはコーティング方法で塗布し、公知の写真エッチング工程でパターニングしてゲート電極６を形成する。
【００４６】
そして、第１基板２の上面全体に、樹脂硬化用紫外線が透過できる透明な誘電物質を印刷、乾燥及び焼成して絶縁層８を形成する。前記印刷、乾燥、焼成工程を２回繰り返すと、大略１０〜３０μｍの厚さの絶縁層８を形成できる。次に写真エッチングまたは湿式エッチング工程で絶縁層８にビアホール８ａを形成してゲート電極６を露出させる。ビアホール８ａには以降のゲート電極６と電気的に連結される対向電極が形成される。
【００４７】
そして、絶縁層８上に厚膜電極材料、例えば、銀（Ag）ペーストを印刷、乾燥及び焼成して補助電極１４を形成する。補助電極１４は１０〜２０ｍΩ/□の低いシート抵抗値を有し、以降形成される主電極と共にカソード電極を構成するが、主電極が補助電極１４を完全に覆うことができるように補助電極１４の厚さは１〜５μｍに最少化するのが好ましい。この時、補助電極１４で感光性厚膜電極材料を用いることができ、この場合、露光と現像工程を通じて厚膜電極材料をパターニングして補助電極１４を形成する。
【００４８】
前記のように厚膜電極材料を用いて補助電極１４を形成する時、厚膜電極材料をビアホール８ａの中に同時に印刷してビアホール８ａを厚膜電極材料で充填させた。これでビアホール８ａの中に対向電極の第１層２２を形成するが、第１層２２は、この後に対向電極の第２層２４を形成する時、ビアホール８ａと第２層との段差を減らして第２層２４の形成を容易にする役割を果たす。
【００４９】
次に、図４Ｂに示すように、第１基板２の上面全体にクロム（Cr）、アルミニウム（Al）またはモリブデン（Mo）などの金属を蒸着し、写真エッチング工程でパターニングして補助電極１４上に主電極１６を形成し、第１層２２上に第２層２４を形成する。これで主電極１６と補助電極１４と、からなるカソード電極１０と、第１、２層２２、２４からなる対向電極２０が完成される。
【００５０】
この時、主電極１６は補助電極１４の少なくとも一部を覆う広がりを有して形成され、特に本実施形態では、補助電極１４を完全に覆うようにするが、これは次に説明する犠牲層除去時の犠牲層エッチャント（蝕刻剤）によって補助電極１４が損傷することを防止するためのものである。一方、主電極１６をパターニングする時、対向電極２０と対向する主電極１６の一側の周縁に沿って図１に示したエミッタ収容部１８を形成してエミッタが位置する空間を用意する。
【００５１】
次に、図４Ｃに示すように、第１基板２の上面全体に金属物質を蒸着し、写真エッチング工程でパターニングしてエミッタ収容部１８に対応する開口部を有する犠牲層３６を形成する。犠牲層３６は、主電極１６と異なるエッチング特性を有する異種金属で形成され、主電極１６を残しながら犠牲層２６を除去できるエッチング剤であればよい。例えば、主電極１６がクロム（Cr）である時、犠牲層３６はアルミニウム（Al）で作ることができる。
【００５２】
次に、犠牲層３６が形成された第１基板２の上面全体にペースト状の、感光性（紫外線硬化型）樹脂と電子放出物質との混合物、好ましくカーボンナノチューブを主成分とする感光性電子放出物質をスクリーン印刷する。そして第１基板２の後面を通じて紫外線を照射してエミッタ収容部１８に満たされた電子放出物質を選択的に硬化し、硬化されない電子放出物質を現像を通じて除去し、数マイクロメーター（μｍ）の厚さのエミッタ１２を完成する（図４Ｄ参照）。
【００５３】
次に、犠牲層エッチャントを用いて犠牲層３６を全て除去すると、図４Ｄに示す第１基板２構成を完成し、犠牲層３６を全て除去しなくて主電極１６と第２層２４上に犠牲層３６が残るようにパターニングすると、図４Ｅに示す第１基板２構造を完成できる。図４Ｅでカソード電極１０の主電極１６は第１、２金属膜１６ａ、１６ｂの積層構造からなり対向電極２０の第２層２４また、第１、２金属膜２４ａ、２４ｂの積層構造からなる。
【００５４】
最後に第１基板２上にスペーサ３４（図２参照）を固定させ、図１に示すように第２基板４上にアノード電極２６と蛍光スクリーン３２を形成した後、図示しない密封材を用いて第１、２基板２、４の周縁を接合させ、第１、２基板２、４の内部を排気させて電子放出素子を完成させる。
【００５５】
一方、前記ではゲート電極６がストライプ形状で、アノード電極２６が第２基板４の内面全体に形成される構造について説明したが、ゲート電極が第１基板の内面全体に形成され、アノード電極がカソード電極と交差する方向に沿ってストライプパターンを形成する構造とすることもできる。
【００５６】
前記では本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなくて特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施するのができてこれも当然ながら本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態による電子放出素子の部分分解斜視図である。
【図２】図１の電子放出素子が結合された状態を示した部分断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態によるカソード電極を説明するために示した部分断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階の概略図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階の概略図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階の概略図である。
【図４Ｄ】本発明の実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階の概略図である。
【図４Ｅ】本発明の実施形態による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階の概略図である。
【図５】従来技術による電子放出素子の部分断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
２  第１基板
４  第２基板
６  ゲート電極
８  絶縁層
８ａ  ビアホール
１０  カソード電極
１２  エミッタ
１４  補助電極
１６  主電極
１６ａ  第１金属膜
１６ｂ  第２金属膜
１８  エミッタ受容部
２０  対向電極
２２  第１層
２４  第２層
２４ａ  第１金属膜
２４ｂ  第２金属膜
２６  アノード電極
２８  蛍光膜
３０  黒色膜
３２  蛍光スクリーン
３４  スペーサ
３６  犠牲層
【図１】
2005166643.tif 000003
【図２】
2005166643.tif 000004
【図３】
2005166643.tif 000005
【図４Ａ】
2005166643.tif 000006
【図４Ｂ】
2005166643.tif 000007
【図４Ｃ】
2005166643.tif 000008
【図４Ｄ】
2005166643.tif 000009
【図４Ｅ】
2005166643.tif 000010
【図５】
2005166643.tif 000011