(57)【要約】【課題】  磁極層の形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することにより薄膜磁気ヘッドを安定に量産することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁層９上に主磁極層１０を形成すると共にその絶縁層９に窪み９Ｈを形成した状態において、それらの絶縁層９（窪み９Ｈ）および主磁極層１０を覆うように絶縁層１１、ストッパ層５３、絶縁層１２、ストッパ層５４および絶縁層５５をこの順に形成したのち、２段構成のストッパ層５３，５４を利用して研磨処理の進行度を制御しながらＣＭＰ法を使用して絶縁層１１，１２，５５を順次研磨する。研磨過程において絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈに起因する凹凸が十分に緩和されるため、ウェハに複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド間において主磁極層１０の形成厚さがばらつきにくくなる。【選択図】    図１１
2005285193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
下地層上に、前記磁極層をパターン形成すると共に、その下地層に、前記磁極層に沿って窪みを形成する第１の工程と、
前記磁極層およびその周辺領域の前記下地層を覆うように、第１の絶縁層を形成する第２の工程と、
前記磁極層の周辺領域における前記第１の絶縁層上に、研磨処理の進行度を制御するための第１のストッパ層をパターン形成する第３の工程と、
前記第１のストッパ層およびその周辺領域における前記第１の絶縁層を覆うように、第２の絶縁層を形成する第４の工程と、
前記磁極層の周辺領域における前記第２の絶縁層上に、研磨処理の進行度を制御するための第２のストッパ層をパターン形成する第５の工程と、
前記第２のストッパ層およびその周辺領域における前記第２の絶縁層を覆うように、第３の絶縁層を形成する第６の工程と、
前記第２のストッパ層が露出するまで少なくとも前記第３の絶縁層を研磨する第７の工程と、
露出した前記第２のストッパ層を除去する第８の工程と、
前記第１のストッパ層が露出するまで少なくとも前記第１および第２の絶縁層を研磨する第９の工程と、
露出した前記第１のストッパ層を除去する第１０の工程と、を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、前記記録媒体の記録トラック幅を規定する磁極先端部分を含むように前記磁極層を形成し、
その第１の工程が、
前記下地層上に、前記磁極先端部分に対応する部分がその磁極先端部分よりも大きい幅を有するように前駆磁極層パターンを形成する工程と、
前記前駆磁極層パターンを前記下地層と共にエッチングし、その前駆磁極層パターンのうちの前記磁極先端部分に対応する部分の幅を次第に狭めることにより、前記磁極先端部分の幅が前記媒体進行方向側からその媒体進行方向側と反対側に向かって次第に狭まるように前記磁極層を形成すると共に、前記下地層を前記前駆磁極層パターンに沿って選択的に掘り下げることにより、前記磁極層を挟んで両側に配置されるように前記窪みを形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記下地層上に前駆磁極層を形成したのち、その前駆磁極層をエッチングしてパターニングすることにより、前記前駆磁極層パターンを形成する
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第２、第４および第６の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を使用して、前記第１、第２および第３の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第３および第５の工程において、前記第１、第２および第３の絶縁層よりも研磨速度が遅い材料を使用して、前記第１および第２のストッパ層を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、炭素（Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金を使用して、前記第１および第２のストッパ層を形成する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第５の工程において、前記第１のストッパ層の厚さ以上の厚さを有するように、前記第２のストッパ層を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように、前記磁極層を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
基板に前記磁極層を複数に渡って並列的に形成することにより、複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
電子デバイスを備えた電子部品の製造方法であって、
下地層上に、前記電子デバイスをパターン形成すると共に、その下地層に、前記電子デバイスに沿って窪みを形成する第１の工程と、
前記電子デバイスおよびその周辺領域の前記下地層を覆うように、最下絶縁層を形成する第２の工程と、
前記電子デバイスの周辺領域における前記最下絶縁層上に、研磨処理の進行度を制御するための最下ストッパ層をパターン形成する第３の工程と、
前記最下ストッパ層およびその周辺領域における前記最下絶縁層上に、前記最下ストッパ層および前記最下絶縁層に対応する領域を覆う中間絶縁層と、前記電子デバイスの周辺領域における前記中間絶縁層上に対応する領域に配置されて研磨処理の進行度を制御する中間ストッパ層との組み合わせを１段または２段以上に渡って繰り返し形成することにより積層させる第４の工程と、
最上層の前記中間ストッパ層およびその周辺領域における最上層の前記中間絶縁層を覆うように、最上絶縁層を形成する第５の工程と、
前記中間ストッパ層を順次露出させると共にその露出した前記中間ストッパ層を順次除去しながら、前記最下ストッパ層が露出するまで前記最下絶縁層、前記中間絶縁層および前記最上絶縁層を順次研磨する第６の工程と、
露出した前記最下ストッパ層を除去する第７の工程と、を含む
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
基板に前記電子デバイスを複数に渡って並列的に形成することにより、複数の電子部品を並列的に形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法、および例えば薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用される電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり、垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式を利用した場合には、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、主に、記録用の磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を実行する磁極層とを備えている。この薄膜磁気ヘッドの製造工程では、例えば、絶縁層により周囲を埋設されるように磁極層を形成し、引き続き磁極層と共に絶縁層を覆うようにギャップ層を形成したのち、そのギャップ層上に薄膜コイルをパターン形成している。この場合には、特に、均一な厚さとなるように極薄のギャップ層を形成すると共に、所望のパターン形状となるように薄膜コイルを高精度に形成するためには、例えば、磁極層およびその周辺領域を覆うように絶縁層を形成したのち、その絶縁層を磁極層と共に平坦化する必要がある。
【０００４】
この平坦化方法としては、例えば、研磨処理が一般的に使用されている（例えば、特許文献１，２参照。）。研磨処理を使用した具体的な平坦化処理としては、例えば、絶縁層に設けた溝を埋め込むように磁性層を形成したのち、その絶縁層上に形成したストッパ層を利用して研磨処理の進行度を制御しながら磁性層を研磨して平坦化することにより、その溝内に磁極層を形成している。この平坦化方法によれば、ストッパ層を利用して研磨処理の進行度が制御されるため、平坦化処理を容易に実行することが可能である。
【特許文献１】特開２００２−０９２８２１号公報
【特許文献２】特開平０８−１０２０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドを安定に量産するためには、例えば、記録処理を担う磁極層の形成厚さを可能な限り高精度に制御する必要がある。しかしながら、ストッパ層を利用して研磨処理の進行度を制御しながら平坦化する従来の平坦化方法では、例えば、研磨方法として物理的かつ化学的研磨作用を伴うＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用した場合に、ストッパ層を利用して研磨処理の進行度を制御しているにもかかわらず、主に化学的研磨作用に起因して磁極層および絶縁層が過剰研磨されやすいため、ウェハに複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成しようとすると、各薄膜磁気ヘッド間において過剰研磨量に差異が生じ、すなわち各磁極層の形成厚さがばらつきやすくなるという問題があった。特に、上記した磁極層の形成厚さのばらつきは、例えば、磁極層およびその周辺領域を覆うように絶縁層を形成したのち、その絶縁層を研磨することにより平坦化する場合に、その磁極層が形成されている下地が凹凸を有していることに起因して絶縁層が凹凸を有しており、すなわち凹凸（特に凹部）が設けられた絶縁層を研磨することにより平坦化する場合に顕著となる。したがって、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの安定な量産性を確保するためには、磁極層の形成厚さのばらつきを可能な限り抑制し得る平坦化技術の確立が急務である。この場合には、特に、薄膜磁気ヘッドを構成する磁極層に限らず、各種用途の電子部品を構成する電子デバイスの形成厚さのばらつきを可能な限り抑制し得る平坦化技術を確立することが重要である。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、磁極層の形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することにより薄膜磁気ヘッドを安定に量産することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の第２の目的は、電子デバイスの形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することにより電子部品を安定に量産することが可能な電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、下地層上に磁極層をパターン形成すると共に、その下地層に磁極層に沿って窪みを形成する第１の工程と、磁極層およびその周辺領域の下地層を覆うように第１の絶縁層を形成する第２の工程と、磁極層の周辺領域における第１の絶縁層上に研磨処理の進行度を制御するための第１のストッパ層をパターン形成する第３の工程と、第１のストッパ層およびその周辺領域における第１の絶縁層を覆うように第２の絶縁層を形成する第４の工程と、磁極層の周辺領域における第２の絶縁層上に研磨処理の進行度を制御するための第２のストッパ層をパターン形成する第５の工程と、第２のストッパ層およびその周辺領域における第２の絶縁層を覆うように第３の絶縁層を形成する第６の工程と、第２のストッパ層が露出するまで少なくとも第３の絶縁層を研磨する第７の工程と、露出した第２のストッパ層を除去する第８の工程と、第１のストッパ層が露出するまで少なくとも第１および第２の絶縁層を研磨する第９の工程と、露出した第１のストッパ層を除去する第１０の工程とを含むようにしたものである。
【０００９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、本発明の電子部品の製造方法を使用して磁極層が形成されるため、例えば、基板に複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド間において磁極層の形成厚さがばらつきにくくなる。
【００１０】
本発明に係る電子部品の製造方法は、電子デバイスを備えた電子部品を製造する方法であり、下地層上に電子デバイスをパターン形成すると共に、その下地層に電子デバイスに沿って窪みを形成する第１の工程と、電子デバイスおよびその周辺領域の下地層を覆うように最下絶縁層を形成する第２の工程と、電子デバイスの周辺領域における最下絶縁層上に研磨処理の進行度を制御するための最下ストッパ層をパターン形成する第３の工程と、最下ストッパ層およびその周辺領域における最下絶縁層上に、最下ストッパ層および最下絶縁層に対応する領域を覆う中間絶縁層と電子デバイスの周辺領域における中間絶縁層上に対応する領域に配置されて研磨処理の進行度を制御する中間ストッパ層との組み合わせを１段または２段以上に渡って繰り返し形成することにより積層させる第４の工程と、最上層の中間ストッパ層およびその周辺領域における最上層の中間絶縁層を覆うように最上絶縁層を形成する第５の工程と、中間ストッパ層を順次露出させると共にその露出した中間ストッパ層を順次除去しながら最下ストッパ層が露出するまで最下絶縁層、中間絶縁層および最上絶縁層を順次研磨する第６の工程と、露出した最下ストッパ層を除去する第７の工程とを含むようにしたものである。
【００１１】
本発明に係る電子部品の製造方法では、下地層上に電子デバイスがパターン形成されると共にその下地層に電子デバイスに沿って窪みが形成された状態において、（１）電子デバイスおよびその周辺領域の下地層を覆うように最下絶縁層が形成され、（２）電子デバイスの周辺領域における最下絶縁層上に研磨処理の進行度を制御するための最下ストッパ層がパターン形成され、（３）最下ストッパ層およびその周辺領域における最下絶縁層上に、最下ストッパ層および最下絶縁層に対応する領域を覆う中間絶縁層と電子デバイスの周辺領域における中間絶縁層上に対応する領域に配置されて研磨処理の進行度を制御する中間ストッパ層との組み合わせが１段または２段以上に渡って繰り返し形成されることにより積層され、（４）最上層の中間ストッパ層およびその周辺領域における最上層の中間絶縁層を覆うように最上絶縁層が形成されたのち、（５）中間ストッパ層を順次露出させると共にその露出した中間ストッパ層を順次除去しながら最下ストッパ層が露出するまで最下絶縁層、中間絶縁層および最上絶縁層が順次研磨される。この場合には、最下ストッパ層が露出するまで最下絶縁層、中間絶縁層および最上絶縁層が研磨される過程において、その最上絶縁層に設けられている窪みの存在に起因する凹凸（具体的には凹部）が十分に緩和される結果、最下ストッパ層が露出することにより研磨処理が完了した際に、磁極層が必要以上に過剰研磨されないため、その磁極層の形成厚さが目標形成厚さからずれにくくなる。これにより、例えば、基板に複数の電子部品を並列的に形成する場合に、各電子部品間において電子デバイスの形成厚さがばらつきにくくなる。
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の工程において、記録媒体の記録トラック幅を規定する磁極先端部分を含むように磁極層を形成し、その第１の工程が、下地層上に磁極先端部分に対応する部分がその磁極先端部分よりも大きい幅を有するように前駆磁極層パターンを形成する工程と、前駆磁極層パターンを下地層と共にエッチングし、その前駆磁極層パターンのうちの磁極先端部分に対応する部分の幅を次第に狭めることにより、磁極先端部分の幅が媒体進行方向側からその媒体進行方向側と反対側に向かって次第に狭まるように磁極層を形成すると共に、下地層を前駆磁極層パターンに沿って選択的に掘り下げることにより、磁極層を挟んで両側に配置されるように窪みを形成する工程とを含むようにしてもよい。この場合には、下地層上に前駆磁極層を形成したのち、その前駆磁極層をエッチングしてパターニングすることにより前駆磁極層パターンを形成することが可能である。
【００１３】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第３および第５の工程において、第１、第２および第３の絶縁層よりも研磨速度が遅い材料を使用して第１および第２のストッパ層を形成するのが好ましく、特に、第５の工程において、第１のストッパ層の厚さ以上の厚さを有するように第２のストッパ層を形成するのが好ましい。
【００１４】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の工程において、記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように磁極層を形成してもよい。特に、基板に磁極層を複数に渡って並列的に形成することにより、複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成することが可能である。
【００１５】
また、本発明に係る電子部品の製造方法では、基板に電子デバイスを複数に渡って並列的に形成することにより、複数の電子部品を並列的に形成することが可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、本発明の電子部品の製造方法を使用して磁極層が形成されることに基づき、例えば、基板に複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド間において磁極層の形成厚さがばらつきにくくなるため、その磁極層の形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することにより薄膜磁気ヘッドを安定に量産することが可能になる。
【００１７】
本発明に係る電子部品の製造方法によれば、最下絶縁層および最下ストッパ層と最上絶縁層との間に、中間絶縁層と中間ストッパ層との組み合わせが１段または２段以上に渡って繰り返し形成された状態において、中間ストッパ層を順次露出させると共にその露出した中間ストッパ層を順次除去しながら最下ストッパ層が露出するまで最下絶縁層、中間絶縁層および最上絶縁層が順次研磨されることに基づき、例えば、基板に複数の電子部品を並列的に形成する場合に、各電子部品間において電子デバイスの形成厚さがばらつきにくくなるため、電子デバイスの形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することにより電子部品を安定に量産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面（ＸＺ面に平行な断面）を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面（ＹＺ面に平行な断面）を示している。また、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表し、図３は磁極層の露出面の平面構成を拡大して表している。なお、図１に示した矢印Ｄは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に進行する方向（媒体進行方向）を表している。
【００２０】
以下の説明では、図１〜図３中に示したＸ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図４以降においても同様とする。
【００２１】
この薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向Ｄに移動する例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、例えば、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ；Magneto-resistive ）効果を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１８とがこの順に積層された構成を有している。
【００２２】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）４０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００２３】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面４０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００２４】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００２５】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）効果またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）効果などを利用して再生処理を実行するものである。
【００２６】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層９，１１，１２により周辺を埋設された磁極層２０と、連結用の開口（バックギャップ１３ＢＧ）が設けられたギャップ層１３と、絶縁層１５により埋設された薄膜コイル１４と、ライトシールド層３０とがこの順に積層された構成を有している。なお、図２では、記録ヘッド部１００Ｂのうちの磁極層２０、薄膜コイル１４およびライトシールド層３０のみを示している。
【００２７】
磁極層２０は、薄膜コイル１４において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を実行するものであり、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１３に設けられたバックギャップ１３ＢＧに対応する位置まで延在している。特に、磁極層２０は、例えば、補助磁極層８のトレーリング側に主磁極層１０が配置され、すなわち補助磁極層８および主磁極層１０がこの順に積層された積層構造を有している。この「トレーリング側」とは、図１に示した媒体進行方向Ｄに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側（媒体進行方向Ｄ側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における上側をいう。これに対して、流れの流入する側（媒体進行方向Ｄ側と反対側）は「リーディング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における下側をいう。
【００２８】
補助磁極層８は、主磁極層１０の磁束収容量を確保するための補助的な磁束の収容部分として機能するものであり、例えば、鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。この鉄コバルト系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。この補助磁極層８は、エアベアリング面４０よりも後退した位置から後方に向かって延在しており、主磁極層１０に連結されている。なお、「連結」とは、物理的に接触して連結されていると共に、磁気的に導通可能に連結されていることを表しており、この「連結」の意味合いは、以降の説明においても同様である。この補助磁極層８は、例えば、図２に示したように、幅Ｗ２を有する矩形状の平面形状を有している。
【００２９】
主磁極層１０は、主要な磁束の放出部分として機能するものであり、例えば、補助磁極層８と同様に鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。この主磁極層１０は、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはエアベアリング面４０からバックギャップ１３ＢＧに対応する位置まで延在しており、補助磁極層８に部分的に連結されている。この主磁極層１０は、例えば、図２に示したように、エアベアリング面４０に近い側から順に、記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１（Ｗ１＝約０．１０μｍ〜０．３０μｍ）を有し、薄膜コイル１４において発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極先端部分としての先端部１０Ａと、この先端部１０Ａの後方に連結され、先端部１０Ａの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１０Ｂとを含んで構成されている。この主磁極層１０の幅が先端部１０Ａ（幅Ｗ１）から後端部１０Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」である。
【００３０】
先端部１０Ａは、薄膜コイル１４において発生した磁束を記録媒体に向けて実質的に放出する部分でり、図２に示したように、エアベアリグ面４０に露出した露出面Ｍを有している。この露出面Ｍは、例えば、図３に示したように、トレーリング側からリーディング側に向かって次第に幅が狭まった平面形状を有しており、すなわちトレーリング側に位置する上端縁Ｅ１（いわゆるトレーリングエッジＴＥ）を上底とし、かつリーディング側に位置する下端縁Ｅ２（いわゆるリーディングエッジＬＥ）を下底とする左右対象な逆台形状を有している。この先端部１０ＡのトレーリングエッジＴＥは、磁極層１０のうちの実質的な記録箇所である。逆台形状の平面形状を有する露出面Ｍを規定する角度、すなわち露出面Ｍの側端縁Ｅ３とリーディングエッジＬＥの延在方向との間の角度θは、自由に設定可能である。この先端部１０Ａは、例えば、長さ方向（Ｙ軸方向）において、位置によらずに露出面Ｍに対応する断面形状を有している。なお、露出面Ｍの平面形状は必ずしも左右対象の逆台形状に限らず、左右非対象の逆台形状であってもよい。
【００３１】
後端部１０Ｂは、補助磁極層８に収容された磁束の一部を収容して先端部１０Ａへ供給する部分である。この後端部１０Ｂの幅は、例えば、後方において一定幅Ｗ２であると共に、前方において先端部１０Ａへ近づくにしたがって幅Ｗ２から幅Ｗ１まで次第に狭まっている。
【００３２】
絶縁層９は、主に、補助磁極層８を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。この絶縁層９のうち、磁極層２０（主磁極層１０の先端部１０Ａ）の周辺領域は、図１（Ａ）に示したように、その磁極層２０に沿って選択的に掘り下げられており、すなわち絶縁層９に窪み９Ｈが設けられている。具体的には、窪み９Ｈは、例えば、先端部１０Ａを挟んで両側に配置されるように絶縁層９に設けられている。この窪み９Ｈは、磁極層２０の形成工程において、エッチング処理を利用して先端部１０Ａの断面形状が左右対象な逆台形状となるように主磁極層１０を形成した際に、そのエッチング処理の影響を受けて絶縁層９が選択的に掘り下げられることにより形成されたものである。この窪み９Ｈの深さは、例えば、約１．０μｍである。
【００３３】
絶縁層１１は、主に、主磁極層１０を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、絶縁層９と同様にアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。この絶縁層１１は、上記したように主磁極層１０の周囲を埋設すると共に、絶縁層９に設けられた窪み９Ｈを埋め込むように配設されている。この絶縁層１１のうち、窪み９Ｈに対応する箇所には、例えば、図１（Ａ）に示したように、その窪み９Ｈよりも浅い深さを有する窪み１１Ｈが設けられている。
【００３４】
絶縁層１２は、主に、絶縁層１１と共に主磁極層１０を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。この絶縁層１２は、例えば、絶縁層１１に設けられた窪み１１Ｈを埋め込むように配設されている。
【００３５】
ギャップ層１３は、磁極層２０とライトシールド層３０とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１３は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
【００３６】
薄膜コイル１４は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１４は、例えば、図２に示したように、バックギャップ１３ＢＧを中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造を有している。なお、図１および図２では、薄膜コイル１４を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００３７】
絶縁層１５は、薄膜コイル１４を覆って周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ１３ＢＧを塞がないようにギャップ層１３上に配設されている。この絶縁層１５は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成されており、その端縁近傍部分は丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層１５の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」であり、エアベアリング面４０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離は「スロートハイトＴＨ」である。このスロートハイトＴＨは、例えば、約０．３μｍ以下である。なお、図１および図２では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。
【００３８】
ライトシールド層３０は、磁極層２０から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。このライトシールド層３０は、磁極層２０のトレーリング側においてエアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはエアベアリング面４０に近い側においてギャップ層１３により磁極層２０から隔てられると共にエアベアリング面４０から遠い側においてバックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層２０に連結されるように延在している。特に、ライトシールド層３０は、例えば、互いに別体をなす２つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するＴＨ規定層１６と、このＴＨ規定層１６から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層１７とを含んで構成されている。
【００３９】
ＴＨ規定層１６は、ギャップ層１３に隣接し、エアベアリング面４０からこのエアベアリング面４０とバックギャップ１３ＢＧとの間の位置、具体的にはエアベアリング面４０と薄膜コイル１４との間の位置まで延在している。このＴＨ規定層１６は、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、例えば、図２に示したように、磁極層２０の幅Ｗ２よりも大きい幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状を有している。このＴＨ規定層１６には、薄膜コイル１４を埋設している絶縁層１５が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１６は絶縁層１５の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定し、具体的にはスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
【００４０】
ヨーク層１７は、絶縁層１５を覆うようにエアベアリング面４０からバックギャップ１３ＢＧに対応する位置まで延在しており、前方においてＴＨ規定層１６に乗り上げて連結されていると共に後方においてバックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層２０に連結されている。このヨーク層１７は、例えば、ＴＨ規定層１６と同様の磁性材料により構成されており、図２に示したように、ＴＨ規定層１６と同様に幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。
【００４１】
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００４２】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂの薄膜コイル１４に電流が流れると、その薄膜コイル１４において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層２０に収容されたのち、その磁極層２０内を主磁極層１０のうちの先端部１０Ａへ向けて流れる。この際、磁極層２０内を流れる磁束は、その磁極層２０の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部１０Ａの露出面ＭのうちのトレーリングエッジＴＥ近傍に集中する。このトレーリングエッジＴＥ近傍に集中した磁束が先端部１０Ａの露出面Ｍから外部へ放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界（垂直磁界）が発生し、この垂直磁界に基づいて記録媒体が垂直方向に磁化されるため、記録媒体に情報が磁気的に記録される。なお、情報の記録時には、先端部１０Ａから放出された磁束の広がり成分がライトシールド層３０に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。このライトシールド層３０に取り込まれた磁束は、バックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層２０に環流される。
【００４３】
一方、再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００４４】
次に、図１〜図１６を参照して、図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッドを製造するために使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図１４は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。図１５は製造途中の薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表しており、図９または図１０に示した断面構成に対応している。図１６は薄膜磁気ヘッドの量産工程を説明するためのものである。なお、本発明の「電子部品の製造方法」は、その電子部品として薄膜磁気ヘッドを製造するために本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用されるものであるため、その「電子部品の製造方法」に関しては以下で併せて説明する。
【００４５】
以下では、まず、図１および図１６を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図１５を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（記録ヘッド部１００Ｂ）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴等に関しては既に詳述したので、その説明を随時省略するものとする。
【００４６】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理またはスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６を埋設したシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、この分離層７上に、絶縁層９，１１，１２により周囲を埋設された磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０）と、バックギャップ１３ＢＧが設けられたギャップ層１３と、薄膜コイル１４を埋設した絶縁層１５と、ライトシールド層３０（ＴＨ規定層１６，ヨーク層１７）とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１８を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面４０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４７】
特に、この薄膜磁気ヘッドは、基板としてのウェハに複数個に渡って並列的に形成される。具体的には、例えば、図１６に示したように、ウェハ２０１に設けられた複数の形成領域Ｒごとに、電子部品の製造プロセスとして上記した一連の薄膜磁気ヘッドの製造プロセスが並列的に施され、すなわち電子デバイスとしての磁極層２０が複数に渡って並列的に形成されることにより、電子部品としての薄膜磁気ヘッド２０２が複数に渡って並列的に形成される。なお、図１６では、薄膜磁気ヘッド２０２の構成を模式的に示している。
【００４８】
薄膜磁気ヘッドの主要部を形成する際には、まず、図４に示したように、分離層７上に補助磁極層８をパターン形成し、引き続き補助磁極層８およびその周辺領域を覆うように絶縁層９を形成したのち、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用して補助磁極層８が露出するまで絶縁層９を研磨して平坦化することにより、補助磁極層８の周囲に絶縁層９を埋設する。
【００４９】
続いて、図４に示したように、下地層としての絶縁層９を含んで形成された研磨後の平坦面上に、例えばスパッタリングを使用して前駆磁極層１０Ｚ１を形成する。この前駆磁極層１０Ｚ１は、後工程においてエッチングされることにより主磁極層１０となる前準備層である。この前駆磁極層１０Ｚ１を形成する際には、例えば、厚さが約０．４μｍとなるようにする。
【００５０】
続いて、図４に示したように、前駆磁極層１０Ｚ１上に、例えばスパッタリングを使用して前駆マスク層５１Ｚを形成する。この前駆マスク層５１Ｚは、後工程においてエッチングされることにより後述するマスク５１（図５参照）、すなわち前駆磁極層１０Ｚ１をエッチングするために使用されるエッチング用マスクとなるものである。この前駆マスク層５１Ｚを形成する際には、例えば、前駆磁極層１０Ｚ１よりもエッチングレートが遅いアルミナまたは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの無機絶縁材料を使用すると共に、厚さが約０．３μｍとなるようにする。
【００５１】
続いて、図４に示したように、前駆マスク層５１Ｚ上にマスク５２をパターン形成する。このマスク５２は、前駆マスク層５１Ｚをエッチングするために使用されるエッチング用マスクである。このマスク５２を形成する際には、例えば、最終的に形成される主磁極層１０の平面形状に対応したパターン形状を有し、具体的には先端部１０Ａに対応する先端部５２Ａを含み、この先端部５２Ａが先端部１０Ａの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ０（Ｗ０＞Ｗ１）を有するようにする。なお、マスク５２を形成する際には、例えば、そのマスク５２との間に間隔を設け、具体的には後工程において絶縁層９に形成される窪み９Ｈ（図６参照）の形成領域に対応する領域に間隔を設けながら周囲を囲むように、マスク５２Ｘを併せて形成する。
【００５２】
このマスク５２の形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、前駆マスク層５１Ｚ上に、スパッタリングを使用して電極層としてのシード層（図示せず）を形成する。このシード層の形成材料としては、例えば、マスク５２の形成材料と同様の磁性材料を使用する。続いて、シード層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を塗布したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、マスク５２を形成するためのフォトレジストパターン（図示せず）を形成する。このフォトレジストパターンを形成する際には、マスク５２の平面形状に対応した開口部を有するようにする。なお、フォトレジストパターンの形成材料としては、例えば、ポジ型またはネガ型のいずれのタイプのフォトレジストも使用可能である。続いて、シード層を電極層として使用してフォトレジストパターンの開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより、マスク５２を形成する。最後に、フォトレジストパターンを除去することにより、マスク５２のみを残存させる。これにより、前駆マスク層５１Ｚ上にマスク５２が形成される。なお、マスク５２Ｘの形成手順は、上記したマスク５２の形成手順と同様である。
【００５３】
続いて、図４に示したように、マスク５２，５２Ｘを用い、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）を使用して前駆マスク層５１Ｚおよび前駆磁極層１０Ｚ１をエッチングすることによりパターニングする。このエッチング処理により、マスク５２の平面形状に対応するように前駆マスク層５１Ｚおよび前駆磁極層１０Ｚ１の双方がパターニングされるため、図５に示したように、パターニング後の前駆マスク層５１Ｚとしてマスク５１がパターン形成されると共に、同様にパターニング後の前駆磁極層１０Ｚ１として前駆磁極層パターン１０Ｚ２が形成される。この前駆磁極層パターン１０Ｚ２は、マスク５２のうちの先端部５２Ａに対応する先端部１０Ｚ２Ａ（幅Ｗ０）を含むように形成される。このマスク５１は、後工程において前駆磁極層パターン１０Ｚ２をエッチングするために使用されるエッチング用マスクである。なお、マスク５１および前駆磁極層パターン１０Ｚ２が形成される際には、例えば、マスク５２Ｘの平面形状に対応するように前駆マスク層５１Ｚおよび前駆磁極層１０Ｚ１が併せてパターニングされるため、パターニング後の前駆マスク層５１Ｚとしてマスク５１Ｘが形成されると共に、同様にパターニングごの前駆磁極層１０Ｚ１として前駆磁極層パターン１０Ｚ２Ｘが形成される。なお、マスク５１，５１Ｘおよび前駆磁極層パターン１０Ｚ２，１０Ｚ２Ｘを形成するために前駆マスク層５１Ｚおよび前駆磁極層１０Ｚ１をエッチングする際には、例えば、それらの前駆マスク層５１Ｚおよび前駆磁極層１０Ｚ１だけでなくマスク５２，５２Ｘ自体もエッチングされるため、それらのマスク５２，５２Ｘの厚さが目減りする。この場合には、例えば、エッチング処理が完了した時点においてマスク５２，５２Ｘが残存するようにしてもよいし（図５参照）、あるいは残存せずに消失するようにしてもよい。
【００５４】
続いて、図５に示したように、マスク５１，５２Ｘを用い、例えばイオンミリングを使用して前駆磁極層パターン１０Ｚ２をエッチングすることにより加工する。この前駆磁極層パターン１０Ｚ２をエッチングする際には、例えば、前駆磁極層パターン１０Ｚ２に対して斜め方向からイオンビームを照射し、具体的には前駆磁極層パターン１０Ｚ２の延在面（Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に平行な面）に対する垂線（Ｙ軸に平行な線）とイオンビームの照射方向との間の角度が約５０°〜７０°となるようにする。このエッチング処理により、エッチングレートが遅い無機絶縁材料により形成されているマスク５１とエッチングレートが速い磁性材料により形成されている前駆磁極層パターン１０Ｚ２との間のエッチングレートの差異に起因して、その前駆磁極層パターン１０Ｚ２のうちの先端部１０Ｚ２Ａに対する幅方向（Ｘ軸方向に平行な方向）のエッチング作用に基づくエッチング量が上方（トレーリング側）から下方（リーディング側）に向かって次第に増加し、すなわち先端部１０Ｚ２Ａの幅が次第に狭められるため、図６に示したように、エッチング加工後の前駆磁極層パターン１０Ｚ２として、先端部１０Ａおよび後端部１０Ｂを含むように主磁極層１０が形成される。この主磁極層１０のうちの先端部１０Ａは、上記したように、トレーリング側からリーディング側に向かって次第にエッチング量が増加する特徴的なエッチング作用に基づき、トレーリング側において幅Ｗ０よりも小さい幅Ｗ１（Ｗ１＜Ｗ０）を有すると共にリーディング側において幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ４（Ｗ４＜Ｗ１）を有し、すなわちトレーリング側からリーディング側に向かって次第に幅が狭まる左右対象な逆台形状の断面形状を有するように形成される。なお、主磁極層１０が形成される際には、上記したマスク５１と前駆磁極層パターン１０Ｚ２との間のエッチングレートの差異に基づくエッチング作用がマスク５１Ｘと前駆磁極層パターン１０Ｚ２Ｘとの間においても得られ、すなわち前駆磁極層パターン１０Ｚ２Ｘの幅が次第に狭められるため、エッチング加工後の前駆磁極層パターン１０Ｚ２Ｘとして磁極層パターン１０Ｘが形成される。これらの主磁極層１０および磁極層パターン１０Ｘが形成される際には、鉛直方向（Ｙ軸に平行な方向）のエッチング作用に基づき、主磁極層１０（先端部１０Ａ）および磁極層パターン１０Ｘに沿って絶縁層９が選択的に掘り下げられるため、図６（Ａ）に示したように、先端部１０Ａを挟んで両側に配置されるように窪み９Ｈが形成される。この窪み９Ｈの深さは、例えば、約１．０μｍとなる。なお、主磁極層１０および磁極層パターン１０Ｘを形成するために前駆磁極層パターン１０Ｚ２，１０Ｚ２Ｘをエッチングする際には、例えば、それらの前駆磁極層パターン１０Ｚ２，１０Ｚ２Ｘだけでなくマスク５２，５２Ｘ自体もエッチングされるため、それらのマスク５２，５２Ｘの厚さがさらに目減りする。この窪み９Ｈが形成された際に、例えば、主磁極層１０の形成完了時点においてマスク５２の厚さが約０．５μｍになったとすると、主磁極層１０およびマスク５１，５２の総厚さは約１．２μｍとなるため、上記した窪み９Ｈの深さ（＝約１．０μｍ）を加味すれば、窪み９Ｈの底（最低位置）とマスク５２の表面（最高位置）との間には、約２．２μｍの高低差が生じることとなる。
【００５５】
続いて、図７に示したように、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、主磁極層１０およびその周辺領域（窪み９Ｈに対応する領域）を選択的に覆うようにマスク６０を形成する。
【００５６】
続いて、マスク６０を用い、例えばウェットエッチング処理を全体に施すことにより、図８に示したように、マスク５１Ｘ，５２Ｘおよび磁極層パターン１０Ｘを選択的に除去したのち、使用済みのマスク６０を除去する。
【００５７】
続いて、図９に示したように、例えばスパッタリングを使用して、主磁極層１０、マスク５１，５２およびその周辺領域Ｓの絶縁層９を覆い、特に、その絶縁層９に設けられた窪み９Ｈを埋め込むように、最下絶縁層としての絶縁層１１（第１の絶縁層）を形成する。この絶縁層１１を形成する際には、例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの非磁性絶縁材料を使用する。この絶縁層１１が形成される際には、上記した窪み９Ｈの底とマスク５２の表面との間の高低差に起因して凹凸を有するように成膜されるため、その絶縁層１１のうちの窪み９Ｈに対応する箇所に窪み１１Ｈが形成される。特に、絶縁層１１を形成する際には、例えば、周辺領域Ｓにおける絶縁層１１の表面位置が主磁極層１０の表面位置よりも高くなるようにし、具体的には周辺領域Ｓにおける絶縁層１１の厚さＴ１が約０．４３μｍとなるようにする。
【００５８】
続いて、図９に示したように、周辺領域Ｓにおける絶縁層１１上に、例えばスパッタリングを使用して最下ストッパ層としてのストッパ層５３（第１のストッパ層）をパターン形成する。このストッパ層５３は、後工程において研磨処理の進行度を制御するために使用されるものである。先工程（図６および図７参照）において、マスク５１Ｘ，５２Ｘおよび磁極層パターン１０Ｘを含む積層構造体を周辺領域Ｓに形成しておいたことに伴い、その周辺領域Ｓにおいて絶縁層９がエッチングされずに平坦なままであるため、その絶縁層９の平坦性を反映してストッパ層５３も平坦に形成される。このストッパ層５３を形成する際には、例えば、絶縁層１１および後述する絶縁層１２（図１０参照），５５（図１１参照）よりも研磨速度が遅い材料を使用し、具体的にはタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、炭素（Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金を使用する。特に、ストッパ層５３を形成する際には、例えば、図１５に示したように、主磁極層１０の外周に沿って間隔を空けて配置され、その主磁極層１０を周囲から囲む枠型の平面形状を有すると共に、そのストッパ層５３の厚さが、約１００ｎｍとなるようにする。なお、ストッパ層５３を形成する際には、例えば、上記したように単層となるように形成してもよいし、あるいは異なる材料を含む積層または混合層となるように形成してもよい。
【００５９】
このストッパ層５３の形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、絶縁層１１上にフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、その絶縁層１１上のうちの主磁極層１０に対応する領域（中央領域Ｃ）に、リフトオフ用のフォトレジストパターン（図示せず）を形成する。このフォトレジストパターンを形成する際には、例えば、主磁極層１０に対応する平面形状を有するようにする。続いて、スパッタリングを使用して、フォトレジストパターンおよびその周辺領域Ｓを覆うようにストッパ層５３を形成する。このストッパ層５３が形成される際には、そのストッパ層５３のうちの一部が中央領域Ｃにおけるフォトレジストパターン上に配置されると共に、残りが周辺領域Ｓにおける絶縁層１１上に配置される。最後に、フォトレジストパターンをリフトオフして除去する。このリフトオフにより、フォトレジストパターンと共にその上に配置されていたストッパ層５３の一部が除去されるため、図９に示したように、周辺領域Ｓにおける絶縁層１１上にのみストッパ層５３が残存する。
【００６０】
続いて、図１０に示したように、例えばスパッタリングを使用して、ストッパ層５３およびその周辺領域における絶縁層１１を覆い、特に、その絶縁層１１に設けられた窪み１１Ｈを埋め込むように、中間絶縁層としての絶縁層１２（第２の絶縁層）を形成する。この絶縁層１２が形成される際には、絶縁層１１に設けられた窪み１１Ｈに起因して凹凸を有するように成膜されるため、その絶縁層１２のうちの窪み１１Ｈに対応する箇所に窪み１２Ｈが形成される。特に、絶縁層１２を形成する際には、例えば、周辺領域Ｓにおける絶縁層１２の厚さＴ２が約０．６０μｍとなるようにする。なお、絶縁層１２の形成材料は、例えば、絶縁層１１の形成材料と同様である。
【００６１】
続いて、図１０に示したように、周辺領域Ｓにおける絶縁層１２上に、例えばスパッタリングを使用して中間ストッパ層としてのストッパ層５４（第２のストッパ層）をパターン形成する。このストッパ層５４は、先に形成したストッパ層５３と同様に研磨処理の進行度を制御するために使用されるものである。このストッパ層５４を形成する際には、例えば、図１５に示したように、ストッパ層５３と同様に枠型の平面形状を有すると共に、そのストッパ層５４の厚さがストッパ層５３の厚さ以上となり、具体的には約１００ｎｍとなるようにする。なお、ストッパ層５４の形成材料および形成手順は、例えば、ストッパ層５３の形成材料および形成手順と同様である。このストッパ層５４を形成する際には、例えば、上記したように単層となるように形成してもよいし、あるいは異なる材料を含む積層または混合層となるように形成してもよい。
【００６２】
続いて、図１１に示したように、例えばスパッタリングを使用して、ストッパ層５４およびその周辺領域における絶縁層１２を覆い、特に、その絶縁層１２に設けられた窪み１２Ｈを埋め込むように、最上絶縁層としての絶縁層５５（第３の絶縁層）を形成する。この絶縁層５５が形成される際には、絶縁層１２に設けられた窪み１２Ｈに起因して凹凸を有するように成膜されるため、その絶縁層５５のうちの窪み１２Ｈに対応する箇所に窪み５５Ｈが形成される。この絶縁層５５を形成する際には、例えば、周辺領域Ｓにおける絶縁層５５の厚さＴ３が約２．００μｍとなるようにする。なお、絶縁層５５の形成材料は、例えば、絶縁層１２の形成材料と同様である。この絶縁層５５が形成される際には、窪み９Ｈが設けられた絶縁層９を覆うように絶縁層１１，１２，５５が順次形成されることに基づき、それらの絶縁層１１，１２，５５に設けられることとなる凹凸が順次強調されるため、窪み１１Ｈ，１２Ｈ，５５Ｈの深さがこの順に深くなる。具体的には、例えば、上記したように、絶縁層９に設けられた窪み９Ｈの深さが約１．０μｍであったのに対して、絶縁層５５に設けられる窪み５５Ｈの深さは約２．０μｍとなる。
【００６３】
続いて、例えばＣＭＰ法を使用して、全体に研磨処理を施す。具体的には、図１２に示したように、ストッパ層５４に到達し、すなわちストッパ層５４が露出するまで少なくとも絶縁層５５（ここでは例えば絶縁層１２，５５）を研磨する。この研磨処理では、研磨加工が絶縁層１２，５５を研磨したのちにストッパ層５４に到達すると、絶縁層１２，５５とストッパ層５４との間の研磨速度の差異（選択比）に起因して研磨加工の進行度が抑制されるため、その研磨加工がそれ以上進行しなくなる。これらの絶縁層１２，５５が研磨される際には、その絶縁層５５に窪み５５Ｈが設けられていたことに起因して、周辺領域Ｓの研磨量よりも中央領域Ｃの研磨量が相対的に大きくなるため、図１２に示したように、周辺領域Ｓにおいてストッパ層５４が露出した時点において、中央領域Ｃにおいて絶縁層１２，５５が僅かに過剰研磨されて掘り下げられる。
【００６４】
続いて、例えばＲＩＥを使用して、露出したストッパ層５４を選択的に除去する。なお、ストッパ層５４を除去する手法としては、例えば、ＲＩＥに代えてイオンミリングを使用してもよい。イオンミリングを使用した場合のエッチングレートは絶縁層１１，１２，５５よりもストッパ層５４において大きいため、そのエッチングレートの差異を利用してストッパ層５４を選択的に除去可能である。
【００６５】
続いて、例えばＣＭＰ法を使用して全体に研磨処理を施す。具体的には、図１３に示したように、ストッパ層５３に到達し、すなわちストッパ層５３が露出するまで少なくとも絶縁層１１，１２（ここでは例えば絶縁層１１，１２，５５）を研磨する。この研磨処理では、研磨加工が絶縁層１１，１２，５５を研磨したのちにストッパ層５３に到達すると、上記したストッパ層５４の場合と同様に絶縁層１１，１２，５５とストッパ層５３との間の研磨速度の差異に起因して研磨加工の進行度が抑制されるため、その研磨加工がそれ以上進行しなくなる。これらの絶縁層１１，１２，５５が研磨される際には、先の研磨工程（図１２参照）において絶縁層１２，５５の過剰研磨量が僅かとなるように抑えられていたことに基づき、周辺領域Ｓの研磨量と中央領域Ｃの研磨量との間に差異がほとんどなくなるため、研磨後の研磨面がほぼ平坦になると共に、特に、絶縁層１１，１２，５５と共にマスク５１，５２が併せて研磨されることにより除去されるため、研磨後の研磨面に主磁極層１０が露出する。この主磁極層１０が研磨面に露出する際には、例えば、上記した過剰研磨の影響を受けて主磁極層１０のトレーリング側の端面が僅かに研磨されるため、その主磁極層１０の形成厚さＴが実質的に研磨後に決定されると共に、図３に示した主磁極層１０のトレーリングエッジＴＥが実質的に研磨後の研磨面に基づいて規定される。
【００６６】
この場合には、例えば、主磁極層１０の形成厚さが目標厚さＴに到達する前に研磨処理を終了したのち、その研磨処理に代えてイオンミリングを使用してエッチングすることにより主磁極層１０の形成厚さを目標厚さＴとなるように調整すると共に、そのエッチング後のエッチング面に基づいて主磁極層１０のトレーリングエッジＴＥを規定するようにしてもよい。一般に、イオミリングのエッチング速度はＣＭＰ法の研磨速度よりも遅く、すなわちＣＭＰ法に代えてイオンミリングを使用した方が主磁極層の形成厚さＴを調整しやすいため、イオンミリングを使用することにより主磁極層１０の形成厚さＴをより高精度に制御することができる。また、イオンミリングを使用した場合には、ＣＭＰ法を使用した場合に生じる不具合、例えば研磨後の主磁極層１０がスラリーに晒されて腐食することに起因してトレーリングエッジＴＥが型崩れすることを回避することができる。
【００６７】
なお、参考までに、研磨加工がストッパ層５３，５４に到達したこと、すなわち研磨処理の終点を検出する方法としては、いくつかの具体例が挙げられる。例えば、アルミナを使用して絶縁層１１，１２，５５を形成すると共にタンタルを使用してストッパ層５３，５４を形成した場合には、それらの絶縁層１１，１２，５５とストッパ層５３，５４との間の光反射特性の差異（絶縁層１１，１２，５５の反射光強度＜ストッパ層５３，５４の反射光強度）を利用して、反射光強度の変化に基づいて研磨処理の終点を検出するようにしてもよい。また、例えば、イオン検出装置を使用して、研磨時に生じるストッパ層５３，５４のイオン濃度の変化に基づいて研磨処理の終点を検出するようにしてもよいし、あるいはストッパ層５３，５４のイオンに起因する色調の変化に基づいて研磨処理の終点を検出するようにしてもよい。
【００６８】
続いて、例えばＲＩＥを使用して、露出したストッパ層５３を選択的に除去する。なお、ストッパ層５３を除去する場合には、例えば、先工程においてストッパ層５４を除去した場合と同様に、ＲＩＥに代えてイオンミリングを使用してもよい。
【００６９】
続いて、図１４に示したように、例えばスパッタリングを使用して、全体にギャップ層１３を形成する。このギャップ層１３を形成する際には、例えば、バックギャップ１３ＢＧを覆わないようにすると共に、厚さが約０．２μｍ以下となるようにする。
【００７０】
続いて、図１４に示したように、ギャップ層１３上のうち、後工程において薄膜コイル１４が形成されることとなる領域よりも前方の領域に、例えばめっき膜を成長させることによりＴＨ規定層１６をパターン形成する。このＴＨ規定層１６を形成する際には、例えば、ＴＨ規定層１６の後端位置に基づいてスロートハイトが決定される点を考慮して形成位置を設定する。
【００７１】
続いて、図１４に示したように、ＴＨ規定層１６とバックギャップ１３ＢＧとの間のギャップ層１３上に、例えばめっき膜を成長させることにより薄膜コイル１４をパターン形成する。続いて、フォトリソグラフィ処理を使用して、薄膜コイル１４の各巻線間およびその周辺を覆うようにフォトレジスト膜（図示せず）をパターン形成したのち、そのフォトレジスト膜を焼成することにより、絶縁層１５を形成する。この焼成処理によりフォトレジスト膜が流動する結果、前方部分がＴＨ規定層１６に隣接すると共に後方部分が丸みを帯びて傾斜するように絶縁層１５が形成される。なお、薄膜コイル１４およびＴＨ規定層１６を形成する際には、必ずしもＴＨ規定層１６を形成したのちに薄膜コイル１４を形成する必要はなく、例えば、薄膜コイル１４を形成したのちにＴＨ規定層１６を形成するようにしてもよい。
【００７２】
最後に、例えばめっき処理やスパッタリングを使用して、絶縁層１５およびその周辺を覆うようにヨーク層１７をパターン形成する。このヨーク層１７を形成する際には、前方においてＴＨ規定層１６に乗り上げて連結されると共に後方においてバックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層２０に連結されるようにする。これにより、ＴＨ規定層１６およびヨーク層１７を含むようにライトシールド層３０が形成され、記録ヘッド部１００Ｂが完成する。
【００７３】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層９上に主磁極層１０を形成すると共にその絶縁層９に窪み９Ｈを形成した状態において、それらの絶縁層９（窪み９Ｈ）および主磁極層１０を覆うように絶縁層１１、ストッパ層５３、絶縁層１２、ストッパ層５４および絶縁層５５をこの順に形成したのち、２段構成のストッパ層５３，５４を利用して研磨処理の進行度を制御しながらＣＭＰ法を使用して絶縁層１１，１２，５５を順次研磨するようにしたので、以下の理由により、主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきを可能な限り抑制することにより薄膜磁気ヘッドを安定に量産することができる。
【００７４】
図１７および図１８は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するためのものであり、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における図１１〜図１３に対応する工程を表している。この比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、図１７に示したように、ストッパ層５３と絶縁層５５との間に絶縁層１２およびストッパ層５４を形成せず、すなわち絶縁層９および主磁極層１０を覆うように絶縁層１１、ストッパ層５３および絶縁層５５をこの順に形成したのち、図１８に示したように、１段構成のストッパ層５３を利用して研磨処理の進行度を制御しながらＣＭＰ法を使用して絶縁層１１，５５を順次研磨する点を除き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と同様の手順を有するものである。
【００７５】
この比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法とは異なり、ストッパ層５３と絶縁層５５との間に絶縁層１２およびストッパ層５４が存在しないため、図１７に示したように、１段構成のストッパ層５３のみを利用して研磨処理の進行度が制御されながら、窪み５５Ｈが設けられた絶縁層５５が絶縁層１１と共にＣＭＰ研磨される。この場合には、ストッパ層５３が露出するまで絶縁層１１，５５が研磨される過程において、その絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈの存在に起因する凹凸（具体的には凹部）が幾分かは緩和されるものの、その凹凸が十分に緩和されないため、ストッパ層５３を利用して研磨処理の進行度を制御しているにもかかわらず、中央領域Ｃの研磨量と周辺領域Ｓの研磨量との間の差異が大きくなり、具体的には窪み５５Ｈに対応する中央領域Ｃの研磨量が周辺領域Ｓの研磨量よりも大きくなる。中央領域Ｃの研磨量が周辺領域Ｓの研磨量よりも大きくなると、図１８に示したように、ストッパ層５３が露出することにより研磨処理が完了した際に、中央領域Ｃにおいて絶縁層１１，５５と共に主磁極層１０が必要以上に過剰研磨されることとなるため、その主磁極層１０の形成厚さＴが目標形成厚さからずれやすくなる。したがって、比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１６を参照して説明したようにウェハ２０１に複数の薄膜磁気ヘッド２０２を並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド２０２間において主磁極層１０の形成厚さＴがばらつきやすくなるため、それらの主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきを可能な限り抑制することにより薄膜磁気ヘッドを安定に量産することが困難になる。この場合における主磁極層１０の形成厚さＴのばらつき、すなわち形成厚さＴの最大値と最小値との差異は、例えば、約１２０ｎｍ程度となる。
【００７６】
これに対して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ストッパ層５３と絶縁層５５との間に絶縁層１２およびストッパ層５４が存在するため、第１段階として、図１１および図１２に示したように、ストッパ層５４を利用して研磨処理の進行度が制御されながら、窪み５５Ｈが設けられた絶縁層５５が絶縁層１２と共にＣＭＰ研磨されたのち、第２の段階として、図１２および図１３に示したように、ストッパ層５３を利用して再び研磨処理の進行度が制御されながら、絶縁層１１，１２，５５がＣＭＰ研磨される。この場合には、ストッパ層５４が露出するまで絶縁層１２，５５が研磨される過程において、その絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈの存在に起因する凹凸（具体的には凹部）が緩和される上、さらに、ストッパ層５３が露出するまで絶縁層１１，１２，５５が研磨される過程において、上記した窪み５５Ｈに起因する凹凸が追加緩和されるため、ストッパ層５３，５４を利用して研磨処理の進行度が２段階に渡って制御される結果、中央領域Ｃの研磨量と周辺領域Ｓの研磨量との間の差異がほとんどなくなり、具体的には窪み５５Ｈに対応する中央領域Ｃの研磨量と周辺領域Ｓの研磨量とが互いにほぼ等しくなる。中央領域Ｃの研磨量と周辺領域Ｓの研磨量とが互いにほぼ等しくなると、図１３に示したように、ストッパ層５３が露出することにより研磨処理が完了した際に、中央領域Ｃにおいて絶縁層１１，１２と共に主磁極層１０が必要以上に過剰研磨されず、すなわち絶縁層１１，１２および主磁極層１０がほぼ平坦化されるため、その主磁極層１０の形成厚さＴが目標形成厚さからずれにくくなる。したがって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１６を参照して説明したようにウェハ２０１に複数の薄膜磁気ヘッド２０２を並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド２０２間において主磁極層１０の形成厚さＴがばらつきにくくなるため、それらの主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきを可能な限り抑制することにより薄膜磁気ヘッドを安定に量産することが可能になる。この場合における主磁極層１０の形成厚さＴのばらつき（形成厚さＴの最大値と最小値との差異）は、例えば、約５０ｎｍ程度となり、すなわち比較例の場合と比較して約１／３となる。
【００７７】
確認までに、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の意義について補足しておくと、この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、図４〜図６を参照して説明したように、前駆磁極層１０Ｚ１をエッチングすることにより、先端部１０Ａが逆台形状の断面形状を有するように主磁極層１０を形成する場合に有用な方法である。なぜなら、逆台形状の断面形状を有する先端部１０Ａを含むように主磁極層１０を形成するために前駆磁極層１０Ｚ１をエッチングする場合には、その前駆磁極層１０Ｚ１をパターニングすることにより前駆磁極層パターン１０Ｚ２を形成したのち、図５に示したように、前駆磁極層パターン１０Ｚ２のうちの先端部１０Ｚ２Ａを加工するために、その前駆磁極層パターン１０Ｚ２に対して斜め方向からイオンビームが照射されることにより比較的長時間に渡ってイオンミリングが施されるため、そのイオンミリング時に鉛直方向のエッチング作用に基づいて絶縁層９が比較的深く掘り下げられる（絶縁層９に比較的深い窪み９Ｈが形成される）からである。すなわち、窪み９Ｈの深さと絶縁層５５の表面凹凸状態との関連性（絶縁層９に形成される窪み９Ｈが深いほど、絶縁層５５を成膜した際に窪み５５Ｈが深くなるという成膜処理の観点に基づく技術的事実）と、被研磨物（ここでは窪み５５Ｈが設けられた絶縁層５５と共に絶縁層１１，１２）の研磨前の構造的特徴と研磨後の平坦化状態との関連性（被研磨物の厚さが大きく、かつ被研磨物に設けられた窪みの深さが深いほど、その被研磨物が研磨後に平坦化されにくくなるという研磨処理の観点に基づく技術的技術）との双方を考慮すれば、窪み９Ｈの深さが比較的浅い場合よりも比較的深い場合において、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法が有用となるのである。
【００７８】
また、参考までに、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に基づいて得られる効果の程度を説明しておくと、この薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用すれば、窪み９Ｈの深さが比較的浅い場合とほぼ同程度となるように主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきを抑制することができる。その理由は、以下の通りである。
【００７９】
図１９〜図２３は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する参考例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するためのものであり、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における図４〜図１３に対応する工程を表している。この参考例の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、２段階のエッチング工程（前駆磁極層１０Ｚ１のエッチング工程および前駆磁極層パターン１０Ｚ２のエッチング工程）を経て主磁極層１０を形成している本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法とは異なり、１段階のエッチング工程を経て主磁極層１０を形成しており、具体的には（１）フォトレジストパターン６１を使用してめっき膜を成長させることにより、先端部１００ＺＡが逆台形状の断面形状を有するように前駆磁極層パターン１００Ｚを形成すると共に、併せて、前駆磁極層パターン１００ＺＸを形成し（図１９参照）、（２）フォトレジストパターン６１を除去したのち、イオンミリングを使用して前駆磁極層パターン１００Ｚ，１００ＺＸをエッチングすることにより先端部１０Ａを含むように主磁極層１０を形成し、併せて磁極層パターン１０Ｘを形成すると共に、絶縁層９に窪み９Ｈを形成し（図２０および図２１参照）、（３）磁極層パターン１０Ｘを選択的に除去したのち、主磁極層１０およびその周辺の絶縁層９を覆うように絶縁層１１、ストッパ層５３および絶縁層５５を形成し、(図２２参照）（４）ストッパ層５３を利用して研磨処理の進行度を制御しながら絶縁層１１，５５を研磨している（図２３参照）。この場合には、前駆磁極層パターン１００Ｚのうちの先端部１００ＺＡを加工するために、その前駆磁極層パターン１００Ｚに対して斜め方向からイオンビームが照射されることにより比較的短時間に渡ってイオンミリングが施されるため、そのイオンミリング時に鉛直方向のエッチング作用に基づいて絶縁層９が比較的浅く掘り下げられる（絶縁層９に比較的浅い窪み９Ｈが形成される）結果、絶縁層５５に形成される窪み５５Ｈの深さが比較的浅くなる。具体的には、この場合における窪み９Ｈの深さは、例えば、約０．５μｍである。これにより、参考例の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ストッパ層５３と絶縁層５５との間に絶縁層１２およびストッパ層５４を形成しなくても、そのストッパ層５３が露出するまで絶縁層１１，５５を研磨した際に窪み５５Ｈに起因する凹凸（具体的には凹部）が十分に緩和されるため、中央領域Ｃにおいて絶縁層１１，５５と共に主磁極層１０が必要以上に過剰研磨されず、すなわち絶縁層１１，５５および主磁極層１０がほぼ平坦化されるため、その主磁極層１０の形成厚さＴが目標形成厚さからずれにくくなる。この場合における主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきは、例えば、約３０ｎｍ〜６０ｎｍ程度となる。したがって、参考例の場合における形成厚さＴのばらつき（＝約３０ｎｍ〜６０ｎｍ）と本実施の形態の場合における形成厚さＴのばらつき（＝約５０ｎｍ）とを比較すると、それらの形成厚さＴのばらつきは互いにほぼ等しくなるため、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用することにより、窪み９Ｈの深さが比較的浅い場合とほぼ同程度となるように、主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきを抑制することが可能になるのである。
【００８０】
また、上記した他、本実施の形態では、ストッパ層５３，５４を利用して絶縁層１１，１２，５５に対する研磨処理の進行度を制御するようにしたので、ウェハ２０１に複数の薄膜磁気ヘッド２０２を並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド２０２間において絶縁層１１，１２，５５の研磨量がほぼ一律になる。したがって、上記したように、絶縁層１１，１２，５５を研磨する際に、研磨加工がストッパ層５３，５４に到達した時点でそれ以上進行しにくくなるため、極端に長時間に渡って研磨処理を行わない限り（ストッパ層５３，５４が消失するまで過剰に研磨処理を行わない限り）、加工時間に関係せずに研磨処理の進行度を適性に制御することができる。
【００８１】
また、本実施の形態では、使用済みのストッパ層５３，５４を除去するようにしたので、完成後の薄膜磁気ヘッドにストッパ層５３，５４が残存しない。この場合には、不要なストッパ層５３，５４が残存したことに起因する不具合、例えば、ストッパ層５３，５４を介した主磁極層１０の意図しない通電などの発生を防止することができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、２段構成のストッパ層５３，５４を使用する場合に、下段のストッパ層５３の厚さ以上の厚さを有するように上段のストッパ層５４を形成したので、そのストッパ層５４を利用して研磨処理の進行度を制御しながら絶縁層１２，５５を研磨する場合に、それらの絶縁層１２，５５に対して意図せずに研磨処理が過剰に施されたとしても、その研磨処理の影響を受けてストッパ層５４が消失しにくくなる。この場合には、ストッパ層５４がストッパ層５３よりも小さい厚さを有することに起因して、そのストッパ層５４が研磨処理の影響を受けて消失しやすい場合とは異なり、ストッパ層５４を利用して研磨処理の進行度を制御しながら絶縁層１２，５５を十分に研磨することが可能となり、すなわち研磨処理を通じて絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈに起因する凹凸を十分に緩和することが可能となる。したがって、この観点においても主磁極層１０の形成厚さＴのばらつき抑制に寄与することができる。
【００８３】
特に、本実施の形態に係る電子部品の製造方法では、下地層（絶縁層９）上に電子デバイス（主磁極層１０）を形成すると共にその下地層に窪み（窪み９Ｈ）を形成した状態において、（１）下地層および電子デバイスを覆うように最下絶縁層（絶縁層１１）および最下ストッパ層（ストッパ層５３）を形成し、（２）中間絶縁層（絶縁層１２）および中間ストッパ層（ストッパ層５４）の組み合わせを１段または２段以上に渡って繰り返し形成することにより積層し、具体的には中間絶縁層および中間ストッパ層の組み合わせを１段だけ形成することにより積層し、（３）最上絶縁層（絶縁層５５）を形成したのち、（４）中間ストッパ層を順次露出させると共にその露出した中間ストッパ層を順次除去しながら、最下ストッパ層が露出するまで最下絶縁層、中間絶縁層および最上絶縁層を順次研磨するようにしたので、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関して上記した作用と同様の作用に基づき、研磨過程において最上絶縁層に設けられている窪みの存在に起因する凹凸（具体的には凹部）が十分に緩和される結果、研磨処理の完了時点において電子デバイスの形成厚さが目標形成厚さからずれにくくなる。したがって、基板に複数の電子部品を並列的に形成する場合に、各電子部品間において電子デバイスの形成厚さがばらつきにくくなるため、それらの電子デバイスの形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することにより電子部品を安定に量産することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態では、図４に示したように、めっき膜を成長させることによりマスク５２を形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、主磁極層１０の形成手法と同様に、磁性材層を形成したのち、その磁性材層をエッチングしてパターニングすることによりマスク５２を形成するようにしてもよい。この場合においても、マスク５２を所望のパターン形状となるように形成可能であるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
また、本実施の形態では、図９〜図１３に示したように、主磁極層１０および絶縁層９（窪み９Ｈ）を覆うように絶縁層１１（窪み１１Ｈ）、ストッパ層５３、絶縁層１２（窪み１２Ｈ）、ストッパ層５４および絶縁層５５（窪み５５Ｈ）を形成したのち、２段構成のストッパ層５３，５４を利用して研磨処理の進行度を制御しながら絶縁層１１，１２，５５を研磨し、具体的には１段階目の研磨工程においてストッパ層５４を利用しながら絶縁層１２，５５を研磨すると共に、２段階目の研磨工程においてストッパ層５３を利用しながら絶縁層１１，１２，５５を研磨するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、上記した一連の工程における各絶縁層１１，１２，５５の厚さ、各窪み１１Ｈ，１２Ｈ，５５Ｈの深さ、ならびに各段階の研磨工程において研磨される研磨対象（絶縁層１１，１２，５５のいずれが研磨されるか）を含む条件は自由に変更可能である。これらの条件をどのように設定した場合においても、研磨処理を通じて絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈに起因する凹凸を十分に緩和することが可能な限り、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
また、本実施の形態では、図９〜図１３に示したように、ストッパ層を２段階に設け、その２段構成のストッパ層（ここでは例えばストッパ層５３，５４）を利用して研磨処理の進行度を制御しながら絶縁層（ここでは例えば絶縁層１１，１２，５５）を研磨するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、ストッパ層の段数構成は２段以上の範囲において自由に変更可能である。ストッパ層の段数構成を変更した場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、ストッパ層の段数構成を３段以上に設定した場合には、ストッパ層の形成工程数が増加するものの、研磨処理を通じて絶縁層に設けられている深い窪みに起因する凹凸をより一層緩和することが可能であるため、主磁極層１０の形成厚さＴのばらつきをより抑制することができる。なお、上記したストッパ層の段数構成に関する変更は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に限らず、電子部品の製造方法（中間絶縁層および中間ストッパ層の組み合わせの段数構成）に関しても同様である。
【００８７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明をシールド型ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、単磁極型ヘッドまたはリング型ヘッドの製造方法に適用してもよい。また、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドの製造方法や、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法にも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドの製造方法についても適用可能である。
【００８８】
また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することも可能である。
【００８９】
また、上記実施の形態では、本発明の電子部品の製造方法を薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明の電子部品の製造方法を薄膜磁気ヘッド以外の他の電子部品の製造方法に適用することも可能である。この場合においても、電子部品を構成する電子デバイスの形成厚さのばらつきを可能な限り抑制することが可能なため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】磁極層の露出面の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する一製造工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】製造途中の薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図１６】薄膜磁気ヘッドの量産工程を説明するための平面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する一製造工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する参考例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する一製造工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１…基板、２，９，１１，１２，１５，５５…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、９Ｈ，１１Ｈ，１２Ｈ，５５Ｈ…窪み、１０…主磁極層、１０Ａ，１０Ｚ２Ａ，５２Ａ…先端部、１０Ｂ…後端部、１０Ｘ…磁極層パターン、１０Ｚ１…前駆磁極層、１０Ｚ２，１０Ｚ２Ｘ…前駆磁極層パターン、１３…ギャップ層、１３ＢＧ…バックギャップ、１４…薄膜コイル、１６…ＴＨ規定層、１７…ヨーク層、１８…オーバーコート層、２０…磁極層、３０…ライトシールド層、４０…エアベアリング面、５１，５１Ｘ，５２，５２Ｘ，６０…マスク、５１Ｚ…前駆マスク層、５３，５４…ストッパ層、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２０１…ウェハ、２０２…薄膜磁気ヘッド、Ｃ…中央領域、Ｄ…媒体進行方向、Ｅ１…上端縁、Ｅ２…下端縁、Ｅ３…側端縁、ＦＰ…フレアポイント、ＬＥ…リーディングエッジ、Ｍ…露出面、Ｒ…形成領域、Ｓ…周辺領域、Ｔ…形成厚さ、ＴＥ…トレーリングエッジ、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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