(57)【要約】【課題】  保護層を３．０ｎｍ以下の薄膜で形成した場合においても、十分な硬度を得ること。【解決手段】  保護層の下側に成長核層を形成し、ｓｐ３結合の構造体の成長を界面付近で促進させるようにしたので、保護層内でのｓｐ３結合の構造体の成分の密度を、保護層内の界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたずに略均一化された状態とし、かつ、ｓｐ３結合の構造体以外のｓｐ２結合の構造体の成分の密度よりも多い主成分とすること。【選択図】  図１
2005056495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層と前記保護層との間に、該保護層を構成する複数の構造体のうち所定の構造体の成分のみの成長を促進させる成長核層を設け、
ここで、前記保護層は、
前記所定の構造体の成分の成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該所定の構造体の成分の密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該所定の構造体以外の他の構造体の成分の密度よりも多い主成分とされ、これにより形成される該保護層の硬度を一定以上に保つことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記成長核層は、ｓｐ３結合のＳｉ、又は、ｓｐ３結合のＣおよびｓｐ３結合のＳｉを主成分として形成され、
前記保護層は、前記所定の構造体としてｓｐ３結合のＣを主成分とするｔａ−Ｃ（テトラヘドラルアモルファスカーボン）として形成されたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護層の膜厚は、３．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記成長核層の膜厚は、１．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体を作製する製造方法であって、
前記磁気記録層上に、ｓｐ３結合のＳｉ、又は、ｓｐ３結合のＣおよびｓｐ３結合のＳｉを主成分とした成長核層を形成する工程と、
前記成長核層上に、ｓｐ３結合のＣを主成分とするｔａ−Ｃ（テトラヘドラルアモルファスカーボン）からなる保護層を形成する工程と
を具え、
ここで、前記保護層は、
前記ｓｐ３結合のＣの成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該ｓｐ３結合のＣの密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該ｓｐ３結合以外の他のｓｐ２結合のＣの密度よりも多い主成分とされ、これにより形成された該保護層の硬度を一定以上に保つことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ハードディスク装置を構成するハードディスク磁気記録媒体に適用可能な、磁気記録媒体、および、その製造方法に関し、特に、記録層を形成する磁気記録層をヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する、ｓｐ３結合炭素（ｓｐ３−Ｃ）に富んだ保護層の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク装置はコンピューターの主要な外部記録装置であり、マルチメディアの進行と共に、急速に高記録密度化、高転送速度化、小型化が進んでいる。また、これに伴い、ハードディスク装置の主要部品である磁気記録媒体においても、面記録密度の向上と共に、磁気ヘッドの浮上量が低下しており、トライボロジー的な機械的強度の維持が要求される。
【０００３】
磁気記録媒体に関しては一層の薄膜化、それに伴う高硬度化が要求されている。磁気記録媒体の高硬度化を維持するには、その媒体を構成する保護層の改良が不可欠である。  
従来、その保護層には、成分元素としてカーボン(Ｃ)系が用いられ、現在はスパッタ法やプラズマＣＶＤ法により成膜が行われている。
また、磁気記録媒体として、さらに高耐久性を有したカーボン系の保護膜を形成するために、ｓｐ３結合炭素（ｓｐ３−Ｃ）に富み、高硬度であるｔａ−Ｃ（テトラヘドラルアモルファスカーボン）の適用も検討されており、真空アーク蒸着法による研究が行われている。
【０００４】
図７は、従来の保護層として用いられているカーボン系組成の相図を示す(例えば、非特許文献１参照)。
【０００５】
三角形の各頂点は、それぞれダイヤモンド、グラファイト、水素(Ｈ)に対応している。ｔａ−Ｃは、バルクでは水素をほとんど含まずｓｐ３結合炭素に富んでおり、ダイヤモンドに似て非常に緻密で硬いという特徴を持っている。
【０００６】
また、特許文献１や特許文献２には、Ｓｉ上に水素を含有したカーボン膜（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ：ＤＬＣ）を形成し、ＤＬＣの密着性を向上させたという発明が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６４−７６４２３号公報
【特許文献２】特開平６−１１１２８７号公報
【非特許文献１】ＰＨＹＳＩＣＡＬ  ＲＥＶＩＥＷＢ，Ｖｏｌ．６１．Ｎｏ．２０，ｐ１４０９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図８は、磁性層上に直接形成された保護層としてのｔａ−Ｃのｓｐ３結合炭素の割合（＝ｓｐ３結合炭素／〔ｓｐ３結合炭素＋ｓｐ２結合炭素〕）に対するｔａ−Ｃ膜の膜厚の依存性を示す。
ｓｐ３結合炭素の割合は、Ｘ線光電子分光法により測定した炭素のＣｌｓピークを、ｓｐ３結合炭素成分（２８５．５ｅＶ付近）と、ｓｐ２結合炭素成分（２８４．５ｅＶ付近）とに波形分離をし、そのピーク面積比から算出した。
ｓｐ３結合炭素の割合は、ｔａ−Ｃ膜の膜厚依存があり、３．０ｎｍ以上では８０％以上であるが、３．０ｎｍ以下ではｓｐ３結合炭素の割合は非常に少なく、ｔａ−Ｃ本来の特性であるｓｐ３結合炭素に富んだ膜が得られない。
【０００９】
図９は、ｓｐ３結合炭素の割合と硬度との関係を示す。
【００１０】
この図９から、カーボン膜（膜厚約１００ｎｍ）において、ｓｐ３結合炭素の割合が少ないと硬度が低くなり、高耐久性が要求されるような保護層に適用することができないことがわかる。
【００１１】
以上の図８および図９からわかるように、ｔａ−Ｃ膜の膜厚が３．０ｎｍ以下になると、ｓｐ３結合炭素の割合が急激に減少するため、硬度も急激に低下することになる。その結果、３．０ｎｍ以下のような薄膜状態では十分な硬度が得られないため、磁気記録媒体の保護層として適用することができないという問題がある。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、保護層を３．０ｎｍ以下の薄膜で形成した場合においても、十分な硬度を得ることが可能な、磁気記録媒体、および、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体であって、前記磁気記録層と前記保護層との間に、該保護層を構成する複数の構造体のうち所定の構造体の成分のみの成長を促進させる成長核層を設け、ここで、前記保護層は、前記所定の構造体の成分の成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該所定の構造体の成分の密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該所定の構造体以外の他の構造体の成分の密度よりも多い主成分とされ、これにより形成される該保護層の硬度を一定以上に保つことによって、磁気記録媒体を構成する。
【００１４】
ここで、前記成長核層は、ｓｐ３結合のＳｉ、又は、ｓｐ３結合のＣおよびｓｐ３結合のＳｉを主成分として形成し、前記保護層は、前記所定の構造体としてｓｐ３結合のＣを主成分とするｔａ−Ｃ（テトラヘドラルアモルファスカーボン）として形成してもよい。
【００１５】
前記保護層の膜厚は３．０ｎｍ以下とし、前記成長核層の膜厚は１．０ｎｍ以下とすることができる。
【００１６】
本発明は、非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体を作製する製造方法であって、前記磁気記録層上に、ｓｐ３結合のＳｉ、又は、ｓｐ３結合のＣおよびｓｐ３結合のＳｉを主成分とした成長核層を形成する工程と、前記成長核層上に、ｓｐ３結合のＣを主成分とするｔａ−Ｃ（テトラヘドラルアモルファスカーボン）からなる保護層を形成する工程とを具え、ここで、前記保護層は、前記ｓｐ３結合のＣの成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該ｓｐ３結合のＣの密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該ｓｐ３結合以外の他のｓｐ２結合のＣの密度よりも多い主成分とされ、これにより形成された該保護層の硬度を一定以上に保つことによって、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
以上発明したように、本発明によれば、保護層の下側に成長核層を形成し、ｓｐ３結合の構造体の成長を界面付近で促進させるようにしたので、保護層内でのｓｐ３結合の構造体の成分の密度を、保護層内の界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたずに略均一化された状態とし、かつ、ｓｐ３結合の構造体以外のｓｐ２結合の構造体の成分の密度よりも多い主成分とすることができ、これにより、保護層が３．０ｎｍ以下の薄膜においても十分な硬度を得ることができ、磁気記録媒体としての耐久性を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の第１の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００１９】
(概要)
本発明の概要について説明する。
【００２０】
膜厚が３．０ｎｍ以下のような薄膜状態（成長初期）でも、ｓｐ３結合炭素に富んだ本来の特性を有するｔａ−Ｃ膜からなる保護層を形成するために、ｔａ−Ｃ膜からなる保護層の下側にｓｐ３結合を有するＳｉ系(すなわち、ｓｐ３結合のＳｉ、又は、ｓｐ３結合のＣおよびｓｐ３結合のＳｉ)を主成分とする成長核層を設ける。
【００２１】
このように、ｔａ−Ｃ膜からなる保護層の下側にｓｐ３結合を有する成長核層を形成することにより、ｔａ−Ｃ膜のｓｐ３結合炭素の成長を促進させ、３．０ｎｍ以下のような薄膜状態でも、３．０ｎｍ以上のときと同じように、ｓｐ３結合炭素に富んだｔａ−Ｃ膜を形成することができる。これにより、保護層の膜の硬度を増加させ、磁気記録媒体としての耐久性を向上させることができる。
【００２２】
保護層のｔａ−Ｃ膜は、カーボン膜が水素をほとんど含有しておらず、成長核層のＳｉ系膜の形成は、ｔａ−Ｃ膜のｓｐ３結合の成長を促進させるための導入手段である。
【００２３】
(磁気記録媒体の構造)
本発明に係る磁気記録媒体の構造について説明する。
【００２４】
図１は、磁気記録媒体の断面構造を示す。
【００２５】
磁気記録媒体１には、非磁性基板２上に、めっき層３、下地層４、磁気記録層５、成長核層６、カーボン保護層７、液体潤滑層８が、順次積層されている。
成長核層６は、アモルファス構造であり、ｓｐ３結合のＳｉ、又は、ｓｐ３結合のＣ(すなわち、ｓｐ３結合炭素)およびｓｐ３結合のＳｉを主成分とした組成から構成されている。
【００２６】
この成長核層６は、カーボン保護層７を構成する複数の構造体のうち、ｓｐ３結合のＣの成分のみの成長を促進させる機能をもつ。
成長核層６の膜厚は、１．０ｎｍ以下が好ましい。なお、膜厚が１．０ｎｍ以上のときは、成長核層６とカーボン保護層７との総膜厚が厚くなり、保護膜全体の薄膜化に反してしまうことになる。
【００２７】
カーボン保護層７は、ｓｐ３結合のＣを主成分とするｔａ−Ｃ（テトラヘドラルアモルファスカーボン）として形成されている。このｔａ−Ｃ膜の組成比は、前述した図７に示したように、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素との割合で決まるが、本例ではｓｐ３結合炭素が少なくとも６０％以上含まれている。
【００２８】
このカーボン保護層７は、記録層を形成する磁気記録層５を磁気ヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する。
【００２９】
カーボン保護層７の膜厚は、３．０ｎｍ以下であり、好ましくは１ｎｍ〜２ｎｍである。
【００３０】
以下、その他の層について説明する。
【００３１】
非磁性基板２は、アルミ合金、ガラス、プラスチック基板など、慣用のいかなる非磁性基板でもよい。具体的なプラスチック基板としては、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどからなる基板を挙げることができる。
【００３２】
非磁性基板２の大きさは、２．５インチ、３インチ、３．３インチ、３．５インチ、５インチなどいずれの大きさのディスク基板であってもよい。なお、ここで示した大きさは公称値であり、当該技術において汎用されているものである。
【００３３】
磁気記録層５は、記録層として使用できる強磁性金属を含み、具体的には、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＺｒＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ａｌ２Ｏ３などを成分とする磁気記録層である。膜厚は、２０ｎｍ以下であり、好ましくは１０〜２０ｎｍである。また、磁気記録層５を複数用いて多層構造の記録層としてもよい。
【００３４】
下地層４は、下地層４を形成する慣用のいかなる成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体的には、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍｏ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔなどから成る。膜厚は、２０ｎｍ以下であり、好ましくは１０ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００３５】
めっき層３は、例えばＮｉ−Ｐ等の合金からなる。
【００３６】
(成長核層の意義)
次に、成長核層６を設けた理由について説明する。
図２（ａ）（ｂ）は、成長核層６とカーボン保護層７との界面領域１００の層構造を、本発明と従来例とを比較して示す。図２（ａ）は本発明、図２（ｂ）は従来例である。なお、図２中、白黒の濃淡について、黒い方はｓｐ３結合が多く、白い方はｓｐ２結合が多いことを表す。
【００３７】
カーボン保護層７を構成するｔａ−Ｃ膜は、本来（バルク状態では）、ｓｐ３結合のＣ（以下、ｓｐ３結合炭素という）に富んだ膜である。前述した図７の相図に示すように、本来は、ｓｐ３結合炭素の割合が６０％〜９０％ぐらいの膜である。
【００３８】
しかし、前述した図８の波形３０に示すように、薄膜（すなわち、膜厚が３ｎｍ以下）においては、ｓｐ３結合炭素の割合が急激に減少しており、本来の特性（ｓｐ３結合炭素に富んだ膜）にはなっていない。
【００３９】
また、図２（ｂ）の従来の層構造に示すように、カーボン保護層７のうち磁気記録層５に近い界面領域１００ではｓｐ３結合炭素の割合が極端に低くなっており、本来の特性ではないｔａ−Ｃ膜になっていることがわかる。すなわち、この従来の保護層７では、ｓｐ３結合炭素の界面から上方へ向かう割合が、極小領域と、小領域と、多領域との３つの領域に分けられる。
【００４０】
そこで、本発明では、磁気記録層５に近い界面領域においても（言い替えるならば、この界面領域１００のみならず界面領域１００から離れた領域も含めた膜全体に渡っても）、ｔａ−Ｃ膜の本来のｓｐ３結合炭素に富んだ膜とするために、ｔａ−Ｃ膜をｓｐ３結合炭素の形成を補助する役割として、ｓｐ３結合の構造体を有するＳｉ系の成長核層６をｔａ−Ｃ膜の下側に導入した。
【００４１】
この成長核層６を導入することによって、図２（ａ）に示すように、ｔａ−Ｃ膜は、膜厚が３ｎｍ以下でも、ｓｐ３結合炭素に富んだ膜となる。すなわち、本発明のカーボン保護層７では、ｓｐ３結合炭素の界面から上方へ向かう割合には、図２（ｂ）に示したような極小領域と小領域は存在せず、中領域と、多領域とからなる。
【００４２】
従って、本発明のカーボン保護層７内において、ｓｐ３結合炭素の構造体の密度は、界面領域と該界面から離れた領域との間においてほとんど傾斜をもたず略均一化される。
【００４３】
図３（ａ）は、成長核層６とカーボン保護層７との界面付近での構造体の構成を模式的に示す。図３（ｂ）は、その構造体の構成単位を示す。
カーボン保護層７の界面付近では、ｓｐ２結合炭素１０とｓｐ３結合炭素２０とが存在しているが、ｓｐ３結合炭素２０の密度の方が、ｓｐ２結合炭素１０の密度よりも多い主成分となっている。この理由は、ｓｐ３結合炭素２０の成長が、成長核層６との界面付近で促進されるからである。
【００４４】
以上説明したように、成長核層６を導入したことにより、ｔａ−Ｃ膜は、膜全体としてｓｐ３結合炭素の割合を多くすることができる。本例では、ｔａ−Ｃ膜中のｓｐ３結合炭素を主成分として少なくとも６０％以上としたことにより、図９から、一定以上の硬度を保つことができる。この一定以上の硬度とは、磁気記録媒体１の保護膜として使用できるくらいの高い硬度を有する膜として形成されることを意味するものである。
【００４５】
(保護層の薄膜化)
次に、カーボン保護層７の薄膜化について説明する。
【００４６】
図４および図５は、成長核層６の膜厚に対する、カーボン保護層７を構成するｔａ−Ｃ膜と、ｓｐ３結合炭素の割合との関係を示す。
【００４７】
図４は、成長核層６がＳｉＣ（すなわち、ｓｐ３結合のＣとｓｐ３結合のＳｉとからなる）の例である。図５は、成長核層６がＳｉ（すなわち、ｓｐ３結合のＳｉからなる）の例である。
【００４８】
波形３０は、成長核層６の膜厚が０ｎｍ（すなわち、従来の層構造）のときの関係を示す。波形３１は成長核層６の膜厚が０．５ｎｍ、波形３２は成長核層６の膜厚が０．８ｎｍ、波形３３は成長核層６の膜厚が１．０ｎｍのときの関係を示す。
【００４９】
以上から、波形３１〜３３は、成長核層６がＳｉＣ，Ｓｉのいずれの場合においても、ｔａ−Ｃ膜の膜厚が１．０ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で変わると、ｓｐ３結合炭素は６０％〜８５％の範囲でその組成の割合が変化することがわかる。この範囲内での変化は、従来の波形３０には存在しない特性である。
【００５０】
そして、ｓｐ３結合炭素の密度の割合が６０％〜８５％の範囲内にあるということは、前述した図９から、硬度は６０〜８０（ＧＰａ）となり、高い硬度を維持できることになる。
【００５１】
図６は、カーボン保護層７のｔａ−Ｃ膜の膜厚が１．５ｎｍ、ＳｉＣ，Ｓｉの成長核層６の膜厚が０．５ｎｍ〜１．０ｎｍの場合における磨耗量の変化を示す。図６は、比較例の摩耗量を１として規格化したカーボン摩耗量で示している。図６からわかるように、磨耗量を一定以下に抑えることができる。波形４０はＳｉＣの例、波形４１はＳｉの例である。
【００５２】
以上説明したように、カーボン保護層７のｔａ−Ｃ膜の膜厚を３．０ｎｍ以下に設定しても、一定以上の硬度が得られることがわかる。この硬度は、成長核層６の膜厚が１．０ｎｍ以下の場合でも容易に実現できる。
【００５３】
従って、ｔａ−Ｃ膜の膜厚を３．０ｎｍ以下に設定することができるため、保護膜全体を薄くでき、磁気記録媒体１の薄膜化を図ることができる。
【００５４】
これにより、磁気記録媒体１は、超薄型のハードディスク磁気記録媒体を備えたハードディスク装置として構成することが可能となり、また、一定以上の硬度を有して耐摩耗性に優れていることから、記録層を形成する磁気記録層５を磁気ヘッドの衝撃や外界の腐食性物質などの腐食から保護することもでき、媒体の信頼性を向上させることができる。
【００５５】
（試作例１）
次に、製造方法として、磁気記録媒体１の試作例を挙げて説明する。
【００５６】
３．５インチアルミ合金基板上２に、Ｎｉ−Ｐめっき層３を施す。そのめっき層３上に、スパッタ法で膜厚２０ｎｍのＣｒからなる下地層４、スパッタ法で膜厚１０ｎｍのＣｏ合金からなる磁気記録層５を積層する。
【００５７】
そして、その磁気記録層５上に、スパッタ法でｓｐ３結合のＳｉＣを主成分とした成長核層６を膜厚０．８ｎｍだけ形成する。
この成長核層６上に、真空アーク蒸着法のひとつであるＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ａｒｃ）法で、膜厚１．５ｎｍのｔａ−Ｃ膜（テトラヘドラルアモルファスカーボン）からなるカーボン保護膜７を成膜した。
【００５８】
このようにして作製した磁気記録媒体１を用い、以下の評価試験を行った。
【００５９】
まず、カーボン保護層７のｓｐ３結合炭素の割合を、Ｘ線光電子分光法によって測定した。
【００６０】
炭素のＣｌｓピークを、ｓｐ３結合炭素の成分（２８５．５ｅＶ付近）と、ｓｐ２結合炭素の成分（２８４．５ｅＶ付近）とに波形分離をして、そのピーク面積比から算出した。ｓｐ３結合炭素の成分の割合は、約７１％であった。この割合は、図４の波形３１〜３３に示した３．０ｎｍ以下の薄膜の範囲内であることがわかる。
【００６１】
次に、耐久性試験を行い、図６に示したような耐摩耗性を評価した。
潤滑膜無しサンプルを用い、ＳＵＳ(ステンレス)球を取り付けたヘッドを一定荷重で摺動させ、ＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）にて摺動部付近のＰ波反射率を測定し、その反射率のピーク面積をカーボン摩耗量として相対比較し、評価した。
【００６２】
規格化したカーボン摩耗量は、図６の波形４０からもわかるように、比較例の磨耗量を１とすると、０．４２であった。
【００６３】
（試作例２）
磁気記録媒体１の成長核層６は、ｓｐ３結合のＳｉを主成分とした組成として構成した。その他の層構成および作製方法は、前述した試作例１と同じである。
評価試験として、カーボン保護層７のｓｐ３結合炭素の割合の測定、耐摩耗性の評価を、試作例１と同様に行った。
ｓｐ３結合炭素の成分の割合は、約６５％であった。この割合は、図５の波形３１〜３３に示した３．０ｎｍ以下の薄膜の範囲内であることがわかる。
【００６４】
また、規格化したカーボン摩耗量は、図６の波形４１からもわかるように、比較例の磨耗量を１とすると、０．５３であった。
【００６５】
（比較例）
上記試作例に対する比較例として、従来型の磁気記録媒体を作製した。磁気記録媒体の成長核層６の形成を無しにした以外は、試作例１と同様にして作製した。
ｓｐ３結合炭素の成分の割合は、約１５％であった。図９の値からもわかるように、硬度が著しく低いことがわかる。規格化したカーボン摩耗量は比較例を１としており、摩耗量は大きいことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、例えば、ハードディスク装置を構成するハードディスク磁気記録媒体に適用可能な、磁気記録媒体、および、その製造方法に関し、特に、記録層を形成する磁気記録層をヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する、ｓｐ３結合炭素（ｓｐ３−Ｃ）に富んだ保護層の形成方法を提供することによって、保護層を３．０ｎｍ以下の薄膜で形成した場合においても、十分な硬度を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の概略構成を示す断面図である。
【図２】保護層の界面付近での密度変化を、従来例と比較して示す説明図である。
【図３】保護層の界面付近での構造体を模式的に示す説明図である。
【図４】成長核層がＳｉＣの場合における、ｔａ−Ｃ膜厚とｓｐ３結合炭素の割合との関係を示す特性図である。
【図５】成長核層がＳｉの場合における、ｔａ−Ｃ膜の膜厚とｓｐ３結合炭素の割合との関係を示す特性図である。
【図６】ｔａ−Ｃ膜が薄膜で形成された場合における、成長核層の膜厚と、規格化したカーボン摩耗量との関係を示す特性図である。
【図７】カーボン系の相図である。
【図８】従来のｔａ−Ｃ膜厚とｓｐ３結合炭素の割合との関係を示す特性図である。
【図９】ｓｐ３結合炭素の割合と硬度との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  磁気記録媒体
２  非磁性基板
３  めっき層
４  下地層
５  磁気記録層
６  成長核層
７  カーボン保護層
８  液体潤滑層
１０  ｓｐ２結合炭素
２０  ｓｐ３結合炭素
１００  界面領域
【図１】
2005056495.tif 000003
【図２】
2005056495.tif 000004
【図３】
2005056495.tif 000005
【図４】
2005056495.tif 000006
【図５】
2005056495.tif 000007
【図６】
2005056495.tif 000008
【図７】
2005056495.tif 000009
【図８】
2005056495.tif 000010
【図９】
2005056495.tif 000011