(57)【要約】【課題】  出力される発振信号のレベルが周波数で変化するのを押さえる。【解決手段】  発振周波数が周波数制御電圧によって変えられる発振回路３０と、発振回路３０から出力される発振信号を増幅する緩衝増幅回路４６とを備え、発振回路３０の出力端と緩衝増幅回路４６の入力端とを相互に結合すると共に、発振信号を緩衝増幅回路４６に入力する結合用容量素子６０を設け、結合用容量素子６０の容量値を発振信号の周波数が高くなるに従って小さくして発振周波数が変わっても発振回路３０と緩衝増幅回路との間の結合度をほぼ一定にした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振周波数が周波数制御電圧によって変えられる発振回路と、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する緩衝増幅回路とを備え、前記発振回路の出力端と前記緩衝増幅回路の入力端とを相互に結合すると共に、前記発振信号を前記緩衝増幅回路に入力する結合用容量素子を設け、前記結合用容量素子の容量値を前記発振信号の周波数が高くなるに従って小さくしたことを特徴とする電圧制御発振器。
【請求項２】
前記発振回路は、前記周波数制御電圧が印加される第１の可変容量ダイオードを有し、前記結合用容量素子を第２の可変容量ダイオードで構成し、前記周波数制御電圧を前記第２の可変容量ダイオードに印加し、前記第１の可変容量ダイオードの容量値と前記第２の可変容量ダイオードの容量値とを前記周波数制御電圧によって互いに同一方向に増減したことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振器。
【請求項３】
前記第１の可変容量ダイオードのアノードと前記第２の可変容量ダイオードのアノードとを直流的に接地し、前記第１の可変容量ダイオードのカソードと前記第２の可変容量ダイオードのカソードとに前記周波数制御電圧を印加したことを特徴とする請求項２に記載の電圧制御発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧制御発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電圧制御発振器を図３に従って説明する。発振段１は、発振用トランジスタ６と、共振回路７と、結合コンデンサ８と、帰還用コンデンサ９と、負荷抵抗１０と、ベースバイアス抵抗１１、１２と、コンデンサ１３と、半固定コンデンサ（手動調整可能な可変容量）１４とを備えている。共振回路７は、バラクタダイオード７１と、第１インダクタ７２と、第２インダクタ７３と、結合コンデンサ７４と、コンデンサ７５と、バイパスコンデンサ７６とを備えている。
バッファ段２は、増幅用トランジスタ１５と、結合コンデンサ１６、１７と、負荷インダクタ１８と、ベースバイアス抵抗１９と、電源直列抵抗２０と、バイパスコンデンサ２１、２２、２３とを備えている。
【０００３】
発振段１においては、周波数制御電圧供給端子５に正電圧の周波数制御電圧が供給されると、その周波数制御電圧は第１インダクタ７２を通してバラクタダイオード７１に供給され、バラクタダイオード７１に逆バイアスでんあつを加え、バラクタダイオード７１の容量をその周波数制御電圧に対応した値に設定する。この容量の設定によって、共振回路７の共振周波数は、主として、第１インダクタ７２及び第２インダクタ７３の各インダクタンス値とバラクタダイオード７１の容量値によって決定される。このとき、発振用トランジスタ６は、ベースに結合された共振回路７により、共振回路７の共振周波数にほぼ等しい周波数で発振し、そのエミッタから発振信号が出力され、次段のバッファ段２に供給される。
【０００４】
バッファ段２においては、発振信号が結合コンデンサ１６を通して増幅用トランジスタ１５のベースに供給され、増幅用トランジスタ１５でエミッタ接地増幅された後、増幅された発振信号は増幅トランジスタ１５のコレクタから結合コンデンサ１７を通して信号出力端子３に供給される。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３５７９２０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発振段１から出力された発振信号をバッファ段２に入力する結合コンデンサ１６はその容量値が固定であるので、発振周波数が高くなるに従ってインピーダンスが低くなり、バッファ段２に入力する発振信号のレベルが大きくなる。このため、バッファ段２から出力される発振信号のレベルは周波数が高くなるに従って大きくなる。即ち、周波数に対する発振信号レベルが傾斜するという問題がる。
【０００７】
本発明は、出力される発振信号のレベルが周波数で変化するのを押さえることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そのため、本発明では、発振周波数が周波数制御電圧によって変えられる発振回路と、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する緩衝増幅回路とを備え、前記発振回路の出力端と前記緩衝増幅回路の入力端とを相互に結合すると共に、前記発振信号を前記緩衝増幅回路に入力する結合用容量素子を設け、前記結合用容量素子の容量値を前記発振信号の周波数が高くなるに従って小さくした。
【０００９】
また、前記発振回路は、前記周波数制御電圧が印加される第１の可変容量ダイオードを有し、前記結合用容量素子を第２の可変容量ダイオードで構成し、前記周波数制御電圧を前記第２の可変容量ダイオードに印加し、前記第１の可変容量ダイオードの容量値と前記第２の可変容量ダイオードの容量値とを前記周波数制御電圧によって互いに同一方向に増減した。
【００１０】
また、前記第１の可変容量ダイオードのアノードと前記第２の可変容量ダイオードのアノードとを直流的に接地し、前記第１の可変容量ダイオードのカソードと前記第２の可変容量ダイオードのカソードとに前記周波数制御電圧を印加した。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の電圧制御発振器は、発振周波数が周波数制御電圧によって変えられる発振回路と、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する緩衝増幅回路とを備え、前記発振回路の出力端と前記緩衝増幅回路の入力端とを相互に結合すると共に、前記発振信号を前記緩衝増幅回路に入力する結合用容量素子を設け、前記結合用容量素子の容量値を前記発振信号の周波数が高くなるに従って小さくしたので、
【００１２】
また、請求項２に記載の電圧制御発振器は、前記発振回路は、前記周波数制御電圧が印加される第１の可変容量ダイオードを有し、前記結合用容量素子を第２の可変容量ダイオードで構成し、前記周波数制御電圧を前記第２の可変容量ダイオードに印加し、前記第１の可変容量ダイオードの容量値と前記第２の可変容量ダイオードの容量値とを前記周波数制御電圧によって互いに同一方向に増減したので、
【００１３】
また、請求項３に記載の電圧制御発振器は、前記第１の可変容量ダイオードのアノードと前記第２の可変容量ダイオードのアノードとを直流的に接地し、前記第１の可変容量ダイオードのカソードと前記第２の可変容量ダイオードのカソードとに前記周波数制御電圧を印加したので、
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１に従って、本発明の電圧制御発振器を説明する。
先ず、図１において、発振回路３０は、発振トランジスタ３１と、発振トランジスタ３１に結合された共振回路３２と有する。発振トランジスタ３１のコレクタはバイパスコンデンサ３３によって高周波的に接地され、ベースとエミッタとの間、及びエミッタとグランドとの間にそれぞれ帰還コンデンサ３４、３５が接続される。そして、ベースにはベースバイアス抵抗３６、３７によってバイアス電圧が印加され、エミッタはエミッタバイアス抵抗３８を介して接地される。
【００１５】
共振回路３２は、インダクタ３２ａと、コンデンサ３２ｂを介してインダクタ３２ａに並列接続された第１の可変容量ダイオード３２ｃとからなり、第１の可変容量ダイオード３２ｃのアノードは接地される。そして、共振回路３２は結合コンデンサ３９によって発振トランジスタ３１のベースに結合される。また、第１の可変容量ダイオード３２ｃのカソードには電圧制御端子４０に印加される周波数制御電圧がインダクタ４１を介して供給される。そして、発振トランジスタ３１のコレクタとベースバイアス抵抗３６とに電源端子４５から電圧が供給される。
【００１６】
以上の構成により、発振回路３０はコレクタ接地型の発振回路として構成され、発振周波数は第１の可変容量ダイオード３２ｃのカソードに印加される周波数制御電圧の値に対応して所定の周波数範囲で変化し、周波数制御電圧が高くなれば第１の可変容量ダイオード３２ｃの容量値が小さくなって発振周波数が高くなり、周波数制御電圧が低くなれば第１の可変容量ダイオード３２ｃの容量値が大きくなって発振周波数が低くなる。発振信号は発振回路３０の出力端となる発振トランジスタ３１のエミッタから出力される。
【００１７】
緩衝増幅回路４６はエミッタ接地型として構成され、増幅トランジスタ４７のコレクタには電源端子４５からインダクタ４８を介して電圧が供給される。コレクタは終端コンデンサ４９を介して接地されると共に結合コンデンサ５０を介して出力端子５１に接続される。エミッタはバイパスコンデンサ５２によって高周波的に接地されると共に、エミッタバイアス抵抗５３を介して接地される。また、緩衝増幅回路４６の入力端となるベースにはベースバイアス抵抗５４、５５からバイアス電圧が印加される。
【００１８】
発振回路３０の出力端と緩衝増幅回路４６の入力端とは結合用容量素子である第２の可変容量ダイオード６０によって結合される。例えば、第２の可変容量ダイオード６０のアノードは発振トランジスタ３１のエミッタに交流結合され、カソードは増幅トランジスタ４７のベースに交流結合されるが、逆の接続として、第２の可変容量素子６０のアノードを増幅トランジスタ４７のベースに交流結合し、カソードを発振トランジスタ３１のエミッタに交流結合してもよい。そして、第２の可変容量ダイオード６０のアノードを抵抗６１を介して直流的に接地し、カソードには抵抗６２を介して周波数制御電圧を印加する。この結果、第２の可変容量ダイオード６０の容量値は、周波数制御電圧が高くなればその容量値が小さくなり、低くなれば容量値が大きくなる。
【００１９】
発振回路３０が所定の周波数範囲で発振した場合、発振周波数に連動して結合用の第２の可変容量ダイオード６０の容量値も変化するが、発振周波数が高くなれば容量値が小さくなり、発振周波数が低くなれば容量値が大きくなるので、結合用の第２の可変容量ダイオード６０のインピーダンスはほぼ一定に押さえられる。このことは、発振周波数が変化しても発振回路３０と緩衝増幅回路４６との間の結合度がほぼ一定であることになり、緩衝増幅回路４６に入力される発振信号のレベルがほぼ一定となる。したがて、緩衝増幅回路４６から出力される発振信号のレベル変化が押さえられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の電圧制御発振器の構成を示す回路図である。
【図２】従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００２１】
３０：発振回路
３１：発振トランジスタ
３２：共振回路
３２ａ：インダクタ
３２ｂ：コンデンサ
３２ｃ：第１の可変容量ダイオード
３３：バイパスコンデンサ
３４、３５：帰還コンデンサ
３６、３７：ベースバイアス抵抗
３８：エミッタバイアス抵抗
３９：結合コンデンサ
４０：制御電圧端子
４１：インダクタ
４５：電源端子
４６：緩衝増幅回路
４７：増幅トランジスタ
４８：インダクタ
４９：終端コンデンサ
５０、結合コンデンサ
５１：出力端子
５２：バイパスコンデンサ
５３：エミッタバイアス抵抗
５４、５５：ベースバイアス抵抗
６０：可変容量素子（第２の可変容量ダイオード）
６１、６２：抵抗
【図１】
2005269388.tif 000003
【図２】
2005269388.tif 000004