(57)【要約】【課題】融着防止粉の塗し量の適正化と塗し状態の均一化を図る。【解決手段】未焼結セラミック成形体を焼成する際に、前記未焼結セラミック成形体表面に塗される融着防止粉１を構成する粒子２の平均アスペクト比を２．０以上、１２．０以下とし、その平均粒径を０．１μｍ以上、７．０μｍ以下とすることで、融着防止粉１の塗し量の適正化と塗し状態の均一化を図る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
未焼結セラミック成形体を焼成するに際して当該未焼結セラミック成形体表面に塗される融着防止粉であって、当該融着防止粉を構成する粒子の平均アスペクト比が２．０以上１２．０以下であり、その平均粒径が０．１μｍ以上７．０μｍ以下である、ことを特徴とする融着防止粉。
【請求項２】
ガラスを主成分とする未焼結セラミック成形体の焼成に用いられる、ことを特徴とする請求項１に記載の融着防止粉。
【請求項３】
アルミナを主成分とする、ことを特徴とする請求項１または２に記載の融着防止粉。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の融着防止粉を未焼結セラミック成形体の表面に塗す工程と、
融着防止粉を塗した未焼結セラミック成形体を焼成する工程と、
を含むことを特徴とする未焼結セラミック成形体の焼成方法。
【請求項５】
内部導体を備える未焼結セラミック成形体を用意する工程と、
請求項１ないし３のいずれかに記載の融着防止粉を、前記未焼結セラミック成形体の表面に塗す工程と、
融着防止粉を塗した前記未焼結セラミック成形体を焼成する工程と、
を含むことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、未焼結セラミック成形体を焼成する際に、未焼結セラミック成形体表面に塗（まぶ）す融着防止粉と未焼結セラミック成形体の焼成に際して融着防止粉を用いる未焼結セラミック成形体の焼成方法やセラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック電子部品の製造過程には、未焼結セラミック成形体をサヤに多数収納して一度に焼成処理する工程があり、従来では、この工程において、未焼結セラミック成形体が焼成時にサヤに融着しないように、サヤ表面に融着防止粉を塗すことが行われている。（特許文献１参照）
【特許文献１】特開昭６０−１１２６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の焼成方法では、上記融着防止粉によりサヤと未焼結セラミック成形体との間の融着を防止できるものの、未焼結セラミック成形体どうしの融着を防止しにくいために、未焼結セラミック成形体どうしの相互接触を避けるべく相互に離間されてサヤ詰めされており、その分、サヤ詰め作業等に手間と時間とがかかり製造コストアップの一因ともなっている。
【０００４】
また、上記した焼成方法の場合、サヤ内において未焼結セラミック成形体を重ね詰めして焼成することができないため、重ね詰めで焼成処理効率を上げることができない。
【０００５】
さらに、上記した焼成方法の場合、未焼結セラミック成形体相互間の融着防止に未焼結セラミック成形体それ自体に融着防止剤を塗す必要があるために、塗し量が少ない場合では未焼結セラミック成形体相互間の有効な融着防止ができなくなる一方で、塗し量が多い場合では多量の融着防止粉が未焼結セラミック成形体の昇温に影響して未焼結セラミック成形体の焼結が阻害されてしまう。特に、融着防止粉の塗し量が多い場合、炉内空間を浮遊する多量の融着防止粉により炉内が汚染され、その汚染炉内の清掃に多大なコストがかかる。また、引出電極付きの電子部品からなる未焼結セラミック成形体を焼成処理する際において融着防止粉の塗し量が多くなると、融着防止粉が引出電極の表面に付着して当該引出電極の外部露出面積が減少する。引出電極は電子部品の外部接続電極と、成形体内部導体との間の電気接続個所となる部分であるから、その露出面積が減少することは、セラミック電子部品の電気特性の信頼性に影響して好ましくない。
【０００６】
以上のことにより、融着防止粉を直接未焼結セラミック成形体に塗す場合には、融着防止粉の適正量を均一に未焼結セラミック成形体に塗すことが要求されるが、この要求を実現する構成も方法も見出されていないのが現状である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による融着防止粉は、未焼結セラミック成形体の焼成時に当該未焼結セラミック成形体の表面に塗される融着防止粉であって、それを構成する粒子の形状を長軸と短軸とを有する細長い形状とするとともに、その粒径を最適化したことを特徴とするものである。具体的には、その粒子の平均アスペクト比を２．０以上１２．０以下とし、その粒子の平均粒径を０．１μｍ以上７．０μｍ以下とした。
【０００８】
ここで、粒子とは、融着防止粉を構成する粉単位のことを示す。粒子のアスペクト比とは、粒子の長軸径と短軸径との比（長軸径／短軸径）を示す。粒子の粒径とは、長軸径と短軸径との平均を示す。また、本発明は、全ての粒子において、アスペクト比が２．０以上、１２．０以下であることを必須要件とするのではなく、粒子のアスペクト比を融着防止粉全体で平均した値（融着防止粉全体におけるアスペクト比の平均値）が２．０以上、１２．０以下であることを必須要件としている。同様に、本発明は、全ての粒子において、その粒径が０．１μｍ以上、７．０μｍ以下であることを必須要件とするのではなく、各粒子の粒径を融着防止粉全体で平均した値（融着防止粉全体における粒径の平均値）が０．１μｍ以上、７．０μｍ以下であることを必須要件としている。
【０００９】
本発明では、以上の構成を備えることにより、融着防止粉を未焼結セラミック成形体に均等に塗すことが可能となる。これは次の理由による。融着防止粉は主として静電気によって未焼結セラミック成形体に付着する。球形もしくは球形に近い形状を有する融着防止粉では、未焼結セラミック成形体に点接触で付着してその付着力は比較的弱い。このように未焼結セラミック成形体に対する付着力が弱い球状融着防止粉を未焼結セラミック成形体に確実強固に付着させるため、従来では、球状融着防止粉に水分やアルコール分を噴霧して球状融着防止粉を若干ウエット状態にして付着力を高めることで未焼結セラミック成形体に付着させている。図５では、その付着状態を模式的に示している。同図中の符号２は融着防止粉１を構成する粒子を示し、３は未焼結セラミック成形体を示す。
【００１０】
しかしながら、水分やアルコール分を噴霧された融着防止粉は、複数個が固まった、いわゆるダマ状態になりやすく、ダマ状態の融着防止粉を未焼結セラミック成形体に塗して付着させると未焼結セラミック成形体表面には融着防止粉がダマ状態で偏在することになる。このダマ状態を図６に模式的に示す。図６における符号は図５と同一である。図６に示すように、これでは融着防止粉を適正な量でかつ均等に未焼結セラミック成形体に塗すことはできなくなるうえ、水分やアルコール分を融着防止粉に噴霧するという工程が別途必要となって製造コストが余分にかかってくるものとなる。
【００１１】
そこで、本発明では、融着防止粉を構成する粒子を、長軸と短軸とを有する長細い形状とした。これにより、融着防止粉は、未焼結セラミック成形体表面に対して複数点で接触する、いわば面接触に近い状態で主として静電気により未焼結セラミック成形体に付着する。したがって、融着防止粉が未焼結セラミック成形体に付着する強度は比較的高いものとなる。そのため、本発明の融着防止粉は、水分やアルコール分等を噴霧する工程を経ることなく、未焼結セラミック成形体表面に比較的強固に付着させることができる。水分やアルコール分を噴霧する工程を必要としない分、融着防止粉はダマになりにくくなる。したがって、本発明では、融着防止粉を均等に未焼結セラミック成形体表面に塗すことができる。さらには、水分やアルコール分を噴霧する工程を必要としない分、工程数の削減を図ることができる。また、特殊な噴霧装置などを用いる必要もなく、任意の容器に融着防止粉と未焼結セラミック成形体とを入れて振り混ぜるだけでよいのでコストを削減することができる。
【００１２】
未焼結セラミック成形体における融着を防止するうえで融着防止粉に求められる条件は、塗し量の平面的均等化と塗し量の適正化とである。塗し量を調整するうえでは、融着防止粉の粒子のアスペクト比に加え、融着防止粉の粒径が重要な意味を有する。アスペクト比が小さすぎても大きすぎても塗し量が少なくなる。また、粒径が小さくなると塗し量が多くなり、大きくなると少なくなる。本発明では、融着防止粉の粒子の平均アスペクト比を２．０以上、１２．０以下、平均粒径を０．１μｍ以上、７．０μｍ以下とすることで、塗し量の適正化を図る。なお、好ましくは、平均粒径を０．４μｍ以上、７．０μｍ以下とする。
【００１３】
本発明は、ガラスを主成分とする未焼結セラミック成形体を焼成する際に用いられる融着防止粉において好適に実施できる。好適に実施できる理由は、ガラスを主成分とする未焼結セラミック成形体では、焼成時にガラス成分が軟化して未焼結セラミック成形体どうしの融着が起きやすいという特性を備えていることによる。そのため、このような材質を有する未焼結セラミック成形体の焼成時に用いられる融着防止粉において本発明を実施すれば、その効果は顕著なものとなる。
【００１４】
なお、融着防止粉の好適な例としては、アルミナを主成分とするものが挙げられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、未焼結セラミック成形体に対し融着防止粉を適正な量で均一に塗せるから、未焼結セラミック成形体の融着を防止ないしは実質無くして、当該融着に起因する未焼結セラミック成形体の焼結後の欠けを防止ないしは実質無くすことが可能となる。このことからさらには、水分やアルコール分を融着防止粉に噴霧するような作業が無くなり、特殊な噴霧装置も不要であるため、製造時間の短縮や製造コストの低減に貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を、それを実施する最良の形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の最良の実施形態に係る融着防止粉の部分拡大図であり、図１（ａ）は、未焼結セラミック成形体に融着防止粉を塗した状態における要部の拡大平面図（ＳＥＭ写真）であり、図１（ｂ）は、その拡大断面図（ＳＥＭ写真）である。これらの図において、符号１はアルミナ粉等からなる融着防止粉を示し、２は融着防止粉１を構成する各粒子を示し、３は未焼結セラミック成形体を示す。なお、粒子２とは、融着防止粉１を構成する一つ一つの粒単位のことである。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）によれば、融着防止紛１は未焼結セラミック成形体３全面に付いているが、下地の未焼結セラミック成形体３が見える状態であることがわかる。また、未焼結セラミック成形体３表面部を横から見た図面（図１（ｂ））によって、棒状の融着防止紛１が凹凸を形成していることがわかる。これにより、未焼結セラミック成形体３間、あるいは未焼結セラミック成形体３とサヤとの間の距離を確保することができる。このときの融着防止紛１の塗し厚みは平均０．１５〜１．０μｍ程度であった。
【００１８】
本実施形態では、融着防止粉１として、以下に説明する第１実施例〜第７実施例が作製される。
【００１９】
（第１実施例）
融着防止粉１は、αアルミナから構成されており、ナトリウム,塩素等のイオン性不純物をほとんど含有していない粉体である。具体的には、これらイオン性不純物の含有量は２０ｐｐｍ以下である。各粒子２の平均アスペクト比は６．９であり、平均粒径は１．２μｍである。
【００２０】
（第２実施例）
第１実施例と同様の構成であるものの、各粒子２の平均アスペクト比は６．９であり、平均粒径は０．１μｍである。
【００２１】
（第３実施例）
第１実施例と同様の構成であるものの、各粒子２の平均アスペクト比は６．９であり、平均粒径は０．４μｍである。
【００２２】
（第４実施例）
第１実施例と同様の構成であるものの、各粒子２の平均アスペクト比は６．９であり、平均粒径は４．８μｍである。
【００２３】
（第５実施例）
第１実施例と同様の構成であるものの、各粒子２の平均アスペクト比は６．９であり、平均粒径は７．０μｍである。
【００２４】
（第６実施例）
第１実施例と同様の構成であるものの、各粒子２の平均アスペクト比は２．０であり、平均粒径は１．２μｍである。
【００２５】
（第７実施例）
第１実施例と同様の構成であるものの、各粒子２の平均アスペクト比は１２．０であり、平均粒径は１．２μｍである。
【００２６】
以上説明したように、本実施形態の各実施例の融着防止粉１は、本発明における粒子２の平均アスペクト比の範囲（２．０以上、１２．０以下）と、その平均粒径の範囲（０．１μｍ以上、７．０μｍ以下）を満たしている。
【００２７】
本実施形態の各実施例における細長い形状の融着防止粉１は、例えば、水酸化アルミニウムを加熱することで得られるアルミナ粉末から球状の粒子や長細過ぎる粒子を所定量取り除くことで作製することができる。また、線状のアルミナファイバを粉砕することでも作製できる。しかしながら、これらの製法は一例であって、本発明はいかなる製法によって作製される融着防止粉１であってもよいのはいうまでもない。
【００２８】
本実施形態における各実施例では、平均粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）により測定される。
【００２９】
以上の構成を有する融着防止粉１を用いて未焼結セラミック成形体３を次のようにして焼成処理する。まず、未焼結セラミック成形体３として、ホウ珪酸ガラスを主成分とする０．５５ｍｍ×０．５５ｍｍ×１．０５ｍｍの未焼結セラミック成形体３を１０００００個用意する。本実施形態では未焼結セラミック成形体３として、図２に示されるように、内部にコイルパターン（内部導体）４が内蔵されたインダクタ用の未焼結セラミック成形体を用意する。なお、図２では、未焼結セラミック成形体３の表面に外部接続電極５が形成された状態で図示されているが、外部接続電極５は、焼成処理後の後工程において未焼結セラミック成形体３に形成される。
【００３０】
この未焼結セラミック成形体３と重量３００ｇの融着防止粉１とを容器に入れて振り混ぜたのち、未焼結セラミック成形体３と融着防止粉１とを篩にかけることで余分な融着防止粉１を除去する。
【００３１】
容器に投入した融着防止粉１の重量から篩にかけて除去した融着防止粉１の重量を減算することで未焼結セラミック成形体３に塗した融着防止粉１の総量が算出される。さらに、融着防止粉１の塗し総量を未焼結セラミック成形体３の個数（１０００００）で除算したうえで、その除算値を未焼結セラミック成形体３の表面積で除算することで、融着防止粉１の単位面積当たりの塗し量が算出される。
【００３２】
このようにして融着防止粉１を塗した未焼結セラミック成形体３をサヤに収納したうえで、焼成処理を行う。焼成条件は次の通りである。５００℃で脱バインダーを行い、８７０℃で９０分キープする焼成を大気中で行う。昇温は５℃／分、降温は自然冷却とする。
【００３３】
焼成後、セラミック成形体３を超音波洗浄する。洗浄後、さらにバレル（研磨）処理を行う。バレル処理後、セラミック成形体３に外部接続電極５の形成処理を施す。外部接続電極５の形成処理は外部接続電極材料の塗布・焼付処理とメッキ処理とからなる。これにより、セラミック成形体３は積層セラミック電子部品（積層インダクタ）となる。
【００３４】
前述した本実施形態の各実施例と比較するため、本発明の範囲外となる次のような比較例により未焼結セラミック成形体３の焼成処理を行うとともに、焼成後、・セラミック成形体の超音波洗浄処理、・バレル処理、・外部接続電極形成処理を順次実施することで積層セラミック電子部品（積層インダクタ）を作製する。
【００３５】
（第１比較例）
前述した未焼結セラミック成形体３を、融着防止粉１を全く塗すことなく焼成処理する。それ以外の処理は第１〜第７実施例の場合と同様である。
【００３６】
（第２比較例）
前述した未焼結セラミック成形体３を、平均粒径１．２μｍ,平均アスペクト比１．０（ほぼ球形）のαアルミナからなる融着防止粉を塗したうえで焼成処理する。それ以外の処理は第１〜第７実施例の場合と同様である。本比較例では、その平均アスペクト比１．０が本発明で規定する範囲（２．０以上、１２．０以下）に入っていない。
【００３７】
（第３比較例）
前述した未焼結セラミック成形体３を、平均粒径９．７μｍ,平均アスペクト比６．９のαアルミナからなる融着防止粉を塗したうえで焼成処理する。それ以外の処理は第１〜第７実施例の場合と同様である。本比較例では、その平均粒径９．７が本発明で規定する範囲（０．１μｍ以上、７．０μｍ以下）に入っていない。
【００３８】
（第４比較例）
前述した未焼結セラミック成形体３を、平均粒径０．０５μｍ,平均アスペクト比６．９のαアルミナからなる融着防止粉を塗したうえで焼成処理する。それ以外の処理は第１〜第７実施例の場合と同様である。本比較例では、その平均粒径０．０５が本発明で規定する範囲（０．１μｍ以上、７．０μｍ以下）に入っていない。
【００３９】
（第５比較例）
前述した未焼結セラミック成形体３を、平均粒径１．２μｍ,平均アスペクト比１５．０のαアルミナからなる融着防止粉を塗したうえで焼成処理する。それ以外の処理は第１〜第７実施例の場合と同様である。本比較例では、その平均アスペクト比１５．０が本発明で規定する範囲（２．０以上、１２．０以下）に入っていない。
【００４０】
第１〜第７実施例と第２〜第５比較例とにおける粒子２の平均粒径と融着防止粉１の塗し量の関係が図３に示される。第１実施例の構成では、融着防止粉１の単位面積当たりの塗し量は、１００．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第２実施例の構成では、塗し量は、２１８．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第３実施例の構成では、塗し量は、１４６．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第４実施例の構成では、塗し量は、３５．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第５実施例の構成では、塗し量は、２１．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第６実施例の構成では、塗し量は、２８．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第７実施例の構成では、塗し量は、２９．０μｇ／ｃｍ２と算出された。
【００４１】
一方、第１比較例の構成では、塗し量は、当然ではあるが、０．０μｇ／ｃｍ２である。第２比較例の構成では、塗し量は、１８．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第３比較例の構成では、塗し量は、８．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第４比較例の構成では、塗し量は、５１８．０μｇ／ｃｍ２と算出された。第５比較例の構成では、塗し量は、１０．０μｇ／ｃｍ２と算出された。
【００４２】
一般に、ホウ珪酸ガラスを主成分とするセラミック成形体等の未焼結セラミック成形体３では、融着防止粉１の塗し量の適正量は２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２の範囲にするのが望ましいといわれている。上述した本実施形態の各実施例の構成における融着防止粉１の単位面積当たりの塗し量はその適正範囲内に収まっていることが確認できる。一方、各比較例の構成における塗し量は、その適正範囲内に収まっていないのが確認できる。
【００４３】
前述したように、融着防止粉１においては、平均粒径が小さくなるとその塗し量は多くなり、平均粒径が大きくなるとその塗し量は少なくなる。図３の測定結果においてもそのことが示される。本発明で規定する粒子２の平均粒径の範囲（０．１μｍ以上、７．０μｍ以下）を満足する第１〜第７実施例の構成では、未焼結セラミック成形体３に対する融着防止粉１の塗し量は、未焼結セラミック成形体３の焼成に好適な範囲（２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２）内に収まっている。これに対して、本発明で規定する粒子２の平均粒径の範囲を満足しない第３,第４比較例の構成では、融着防止粉１の塗し量は、未焼結セラミック成形体３の焼成に好適な範囲（２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２）内に収まっていない。
【００４４】
なお、第２比較例においては、粒子２の平均粒径は１．２μｍであって、本発明における粒子２の平均粒径の範囲内に収まっているにもかかわらず、融着防止粉１の塗し量は１８．０μｇ／ｃｍ２であって、最適範囲（２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２）の範囲外となっている。これは、次の理由によると考えられる。
【００４５】
第２比較例における粒子は、平均アスペクト比１．０であって、ほぼ球状の形状を有する。球状の融着防止粉粒子は未焼結セラミック成形体３の表面に対してほとんど点接触しかできないためにその付着力は弱い。付着力の弱い粒子からなる本比較例の融着防止粉を未焼結セラミック成形体３に塗してもその塗し量は最適範囲（２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２）に達しない。なお、従来では、第２比較例の融着防止粉（球状）を用いたうえで、その付着力を高めるために、融着防止粉に水分やアルコール分を噴霧して付着力を高めている。しかしながら、課題で説明したように、そのような工夫をしたところでダマが生じて均等な塗し状態を実現することができない。
【００４６】
また、第５比較例における粒子２の平均粒径は１．２μｍであって、本発明における粒子２の平均粒径の範囲内に収まっているにもかかわらず、融着防止粉１の塗し量は１０．０μｇ／ｃｍ２であって、最適範囲（２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２）の範囲外となっている。これは、次の理由によると考えられる。
【００４７】
第５比較例における粒子は、平均アスペクト比１５．０であって、非常に細長い形状を有する。細長すぎる形状を有する融着防止粉粒子は、粒子単体を見れば、未焼結セラミック成形体３の表面に対する付着力は高い。しかしながら、細長い形状の粒子では、長軸方向に隣接する粒子どうしが互いに干渉し易くなる（例えば、互いに重なり合いやすくなる）結果、粒子どうしで互いの付着力を弱め合ってしまう。これにより、長細い粒子を有する融着防止粉は、十分な粒子付着数を得ることができなくなってその塗し量が最適範囲（２０．０μｇ／ｃｍ２〜２２０．０μｇ／ｃｍ２）に達しない。
【００４８】
次に、本発明の第１〜第７実施例の融着防止粉１を用いて未焼結セラミック成形体３を焼成することで作製した積層セラミック電子部品（図２参照）の作製結果およびその電気特性の測定結果と、第１〜第５比較例の焼成方法により未焼結セラミック成形体３を焼成することで作製した積層セラミック電子部品の作製結果およびその電気特性の測定結果とが図４を参照して説明される。
【００４９】
サンプル数は前述した通り１０００００個とした。図４の測定データにおいては、融着率（他の未焼結セラミック成形体３やサヤに融着した未焼結セラミック成形体３の発生率）と、欠け発生率（部分欠けに起因する外形不良が発生した未焼結セラミック成形体３の発生率）とが作製結果として測定され、積層セラミック電子部品（インダクタ）のインダクタンスＬ（at１００ＭＨｚ）と、Ｑ値（at１００ＭＨｚ）と、直流抵抗Ωとが電気特性として測定される。
【００５０】
図４に示されるように、本発明の第１〜第７実施例では、適正量の最小限度（２０．０μｇ／ｃｍ２）以上の融着防止粉１を未焼結セラミック成形体３に塗しているために、融着を防止する機能が発揮されて、未焼結セラミック成形体３の融着は全く生じていない（融着率は全てゼロ）。
【００５１】
これに対して、第１〜第３比較例,第５比較例では、融着防止粉１の塗し量が適切量の最小限度（２０．０μｇ／ｃｍ２）に達しない（十分な塗し量でない）ために、融着を防止する機能が発揮されておらず、未焼結セラミック成形体３に融着が生じている。
【００５２】
なお、第４比較例では、融着防止粉の塗し量が適正量の最大限度（２２０．０μｇ／ｃｍ２）を超過して焼成障害を生じさせる量ではあるものの、最小限度（２０．０μｇ／ｃｍ２）に達しているために、融着を防止する機能が発揮され、融着率はゼロになっている。
【００５３】
本発明の第１〜第７実施例と、第１〜第３,第５比較例では、適正量の最大限度（２２０．０μｇ／ｃｍ２）以下の融着防止粉１を未焼結セラミック成形体３に塗しているために、焼成障害は生じておらず、電気特性は、それぞれ良好な値となっている。具体的には、インダクタンスＬは、６．８５ｎＨ〜６．９１ｎＨの範囲となっており、Ｑ値は、１０．９〜１１．３の範囲となっており、直流抵抗は、０．１７４Ω〜０．１７９Ωの範囲となっている。
【００５４】
これに対して、第４比較例では、融着防止粉１の塗し量が適切量の最大限度（２２０．０μｇ／ｃｍ２）を超過しているために、焼成障害が生じており、これにより、電気特性はそれぞれ良好な値になっていない。具体的には、インダクタンスＬは、７．０１ｎＨとなっており、Ｑ値は、９．８となっており、直流抵抗は、０．１９２Ωとなっている。
【００５５】
以上説明した実施の形態では、αアルミナの粉末からなる融着防止粉１において本発明を実施したが、この他、本発明は、酸化ジルコニウムや酸化マグネシウムの粉末からなる融着防止粉においても同様に実施できる。また、上述した実施の形態では、ホウ珪酸ガラスを主成分とする未焼結セラミック成形体３の焼成処理に用いられる融着防止粉において本発明を実施したが、本発明はこのような成分の未焼結セラミック成形体の焼成処理に用いられる融着防止粉に限定されないのはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態の融着防止粉の要部拡大図（ＳＥＭ写真）であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の融着防止粉を用いて焼成処理される未焼結セラミック成形体の一例である積層セラミック電子部品の全体構成を示す斜視図である。
【図３】融着防止粉の平均粒径と塗し量との関係を示す図である。
【図４】本発明の各実施例と比較例との測定結果を示す図である。
【図５】融着防止粉が良好な付着状態で未焼結セラミック成形体に塗された形態の想像図である。
【図６】融着防止粉がダマになった状態で未焼結セラミック成形体に塗された形態の想像図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  融着防止粉      ２  粒子        ３  未焼結セラミック成形体
４  コイルパターン（内部導体）      ５  外部接続電極  
【図１】
2005200274.tif 000003
【図２】
2005200274.tif 000004
【図３】
2005200274.tif 000005
【図４】
2005200274.tif 000006
【図５】
2005200274.tif 000007
【図６】
2005200274.tif 000008