(57)【要約】【課題】  特にメッキ層の最下層、あるいは全体を金メッキ層とする形態において、レジスト剥離を防止でき、前記積層メッキ層を所定形状で形成することが可能なメッキ層の製造方法、及びそれを用いた接続装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  Ｃｕ基板４０上に液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２を形成し、前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２にスパイラル接触子２０の形状のパターン４１ａ，４２ａを露光現像により形成する。前記Ｃｕ基板４０とＤＦＲ層４２間に液体レジスト層４１を介在させることで、前記Ｃｕ基板４０と液体レジスト層４１間、及び液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間の密着性は良好になり、前記パターン内にＡｕメッキ層４３をメッキ形成してもレジスト剥離することはなく所定形状のメッキ層を形成することができる。【選択図】図１０
2005163076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  基板上に、液体レジストを塗布して、液体レジスト層を形成する工程と、
（ｂ）  前記液体レジスト層にメッキ層のパターンを形成する工程と、
（ｃ）  前記液体レジスト層上及び前記パターン上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）からなるＤＦＲ層をラミネートする工程と、
（ｄ）  前記ＤＦＲ層に、前記（ｂ）工程でのパターン形成位置と同じ位置に、前記メッキ層のパターンを形成する工程と、
（ｅ）  前記パターン内に、最下層としてＡｕメッキ層を有する積層メッキ層、あるいは全体がＡｕメッキ層からなるメッキ層をメッキ形成する工程と、
（ｆ）  前記ＤＦＲ層及び液体レジスト層を除去する工程と、
（ｇ）  前記基板を除去する工程、
を有することを特徴とするメッキ層の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程の次に、前記（ｃ）工程を行ない、前記（ｄ）工程で、前記ＤＦＲ層及び液体レジスト層に同時にメッキ層のパターンを形成する請求項１記載のメッキ層の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）工程では、研磨処理を行わずに、そのまま前記Ｃｕ基板上に前記液体レジスト層を形成する請求項１または２に記載のメッキ層の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程前に、前記液体レジスト層をプリベーク処理により仮硬化する請求項１ないし３のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項５】
前記液体レジストには、ノボラック樹脂を主体としたレジストを用いる請求項１ないし４のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項６】
前記液体レジスト層の平均膜厚を１〜５μｍの範囲内とする請求項１ないし５のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項７】
前記（ｄ）工程後、前記（ｅ）工程より前に、前記ＤＦＲ層及び液体レジスト層をポストベーク処理により硬化する請求項１ないし６のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項８】
前記ドライフィルムレジストには、アクリル樹脂や、ポリエステル樹脂を主体としたレジストを用いる請求項１ないし７のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項９】
前記ＤＦＲ層の平均膜厚を２０〜３０μｍの範囲内とする請求項１ないし７のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項１０】
前記基板にＣｕ基板を用いる請求項１ないし９のいずれかに記載のメッキ層の製造方法。
【請求項１１】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
前記請求項１ないし１０のいずれかのメッキ層の製造方法を用いて、前記接触子をメッキ形成することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接触子を、下からＡｕメッキ層、補助弾性層及び電気伝導層から成る積層メッキ層で形成する請求項１１記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ層の製造方法、さらには、前記メッキ層の製造方法を用いた、ＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置の製造方法に係わり、特に、前記メッキ層の最下層にＡｕ層を形成する場合の最適な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところでこの特許文献１には、スパイラル状接触子の形成方法について簡単な説明がある。
【０００５】
例えばこの公報の図３７工程では、レジスト層に接触子形状のパターンを形成し、このパターン内に前記接触子をメッキ形成している。
【０００６】
前記特許文献１の図３７では、前記接触子形状に形成されたレジストパターン内にニッケルメッキ２９を施し、前記ニッケルメッキ２９を主体とした接触子を成形している。
【０００７】
しかし前記ニッケルメッキ２９では、前記半導体との電気的な接触が良好ではないため、例えば前記ニッケルメッキ２９の上下面にＡｕなどの電気伝導性に優れたメッキ層を形成した積層メッキから成る接触子構造が検討されている。
【０００８】
図１８は、前記接触子１の形状の一例である。図１８の前記接触子１はスパイラル形状で形成される（以下、接触子１をスパイラル接触子１と呼ぶ）。
【０００９】
複数のスパイラル接触子１は、基台２に取付けられる。前記基台２にはその表面から裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）２ａが設けられ、前記凹部２ａの上面に、前記スパイラル接触子１が設けられている。
【００１０】
前記スパイラル接触子１は図１９に示す製造方法にてメッキ形成される。図１９は図１８に示すスパイラル接触子１をＣ−Ｃ線から膜厚方向に切断し、その切断面を矢印方向から見た製造過程中の部分断面図である。
【００１１】
符号３はＣｕ基板である。前記Ｃｕ基板３上にはドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）から成るドライフィルムレジスト層４（以下、ＤＦＲ層４と言う）が熱圧着によりラミネートされており、前記ＤＦＲ層４には前記スパイラル接触子１の形状パターン４ａが露光現像によって形成されている。上記のようにドライフィルムレジストを用いる理由は、所定寸法の背の高いパターン４ａを確保するためである。
【００１２】
図１９工程では、前記形状パターン４ａ内には下から電気伝導性に優れるとともに腐蝕に強い金メッキ層５、ばね性に優れたニッケルメッキ層６、及び金メッキ層７がこの順に積層メッキされ、この３層メッキで前記スパイラル接触子１が構成される。前記積層メッキを施した後、前記ＤＦＲ層４が除去され、さらに所定の工程を経た後、前記Ｃｕ基板３が除去される。
【００１３】
図２０は図１９の一部位を拡大した断面図で、且つ、ちょうど最下層の金メッキ層５を前記形状パターン４ａ内にメッキ形成するときの状態を示したものである。
【００１４】
ところで図２０に示すように、アンカー効果により前記ＤＦＲ層４とＣｕ基板３間の密着性を高めるために、前記Ｃｕ基板３の表面３ａは適度に荒らされている。
【００１５】
しかしドライフィルムレジストを、前記Ｃｕ基板３上に熱圧着して貼り付ける際に、前記Ｃｕ基板３の表面３ａが凹凸加工されているため、前記ＤＦＲ層４が、前記Ｃｕ基板３の表面３ａの凹部内に適切に入り込まない部位が生じ、そこには、隙間Ｄが形成されてしまい、前記ＤＦＲ層４とＣｕ基板３とが高い密着性を保つ状態とはなっていない。
【００１６】
また仮に前記Ｃｕ基板３の表面３ａに対し凹凸加工のための化学研磨処理を行わないと、上記したアンカー効果を期待できないため、かかる場合も、前記Ｃｕ基板３とＤＦＲ層４との密着性は低い状態となっている。
【００１７】
そして前記金メッキ層５は、シアン［（ＣＮ）2］を含む酸性金メッキ浴を用いてメッキ形成されたものであるが、メッキ液はシアンの良好な浸透性のために、密着性が高くないＤＦＲ層４とＣｕ基板３間に進入してしまう（矢印で示している）。
【００１８】
上記のような要因により、前記金メッキ層５をメッキ形成する際に、前記ＤＦＲ層４が剥離しやすくなり、積層メッキのメッキ形成が不可能になるといった事態が生じた。
【００１９】
あるいは前記ＤＦＲ層４が剥離までしなくても、前記金メッキ層５のメッキ形成のためのメッキ液が前記レジスト層４とＣｕ基板３間に浸透する結果、前記金メッキ層５の裾部が周囲に広がって突出する形状になってしまい、前記スパイラル接触子１を所定形状に形成できなかった。
【００２０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特にメッキ層の最下層、あるいは全体を金メッキ層とする形態において、レジスト剥離を防止でき、前記積層メッキ層を所定形状で形成することが可能なメッキ層の製造方法、及びそれを用いた接続装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明における積層メッキ層の製造方法は、
（ａ）  基板上に、液体レジストを塗布して、液体レジスト層を形成する工程と、
（ｂ）  前記液体レジスト層にメッキ層のパターンを形成する工程と、
（ｃ）  前記液体レジスト層上及び前記パターン上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）からなるＤＦＲ層をラミネートする工程と、
（ｄ）  前記ＤＦＲ層に、前記（ｂ）工程でのパターン形成位置と同じ位置に、前記メッキ層のパターンを形成する工程と、
（ｅ）  前記パターン内に、最下層としてＡｕメッキ層を有する積層メッキ層、あるいは全体がＡｕメッキ層からなるメッキ層をメッキ形成する工程と、
（ｆ）  前記ＤＦＲ層及び液体レジスト層を除去する工程と、
（ｇ）  前記基板を除去する工程、
を有することを特徴とするものである。
【００２２】
本発明では、前記（ａ）工程に示すように、まず基板上に液体レジストからなる液体レジスト層を形成し、次に前記（ｃ）工程でドライフィルムレジストからなるＤＦＲ層を形成する。
【００２３】
このように本発明では、前記ＤＦＲ層と基板間に液体レジスト層を介在させることで、前記液体レジスト層は、ＤＦＲ層に比べて基板表面の微細な形状の隅々まで入り込み、前記基板との密着性が高いから、前記（ｅ）工程でＡｕメッキ層をメッキ形成するとき、基板と液体レジスト層間にメッキ液が浸透するのを抑制でき、レジスト剥離が生じることなく、金メッキ層、及び前記金メッキ層を含んだ積層メッキ層を所定の形状にて形成できる。
【００２４】
また前記液体レジストの表面は、前記基板表面の形状に係わらず、その流動性により、ほぼ平坦な面となりやすく、よって前記液体レジスト層上に設けられる前期ＤＦＲ層と前記液体レジスト層間に隙間は生じにくく、高い密着性を確保できる。
【００２５】
また本発明では、前記（ａ）工程の次に、前記（ｃ）工程を行ない、前記（ｄ）工程で、前記ＤＦＲ層及び液体レジスト層に同時にメッキ層のパターンを形成することが、製造工程を容易化できて好ましい。
【００２６】
また本発明では、前記（ａ）工程では、研磨処理を行わずに、そのまま前記Ｃｕ基板上に前記液体レジスト層を形成してもよい。かかる場合でも前記液体レジスト層と基板間の密着性を高く保つことができる。
【００２７】
また本発明では、前記（ｃ）工程前に、前記液体レジスト層をプリベーク処理により仮硬化することが好ましい。
【００２８】
また本発明では、前記液体レジストには、ノボラック樹脂を主体としたレジストを用いることが好ましい。
【００２９】
また本発明では、前記液体レジスト層の平均膜厚を１〜５μｍの範囲内とすることが好ましい。
【００３０】
また本発明では、前記（ｄ）工程後、前記（ｅ）工程より前に、前記ＤＦＲ層及び液体レジスト層をポストベーク処理により硬化することが好ましい。
【００３１】
また本発明では、前記ドライフィルムレジストには、アクリル樹脂や、ポリエステル樹脂を主体としたレジストを用いることが好ましい。
【００３２】
また本発明では、前記ＤＦＲ層の平均膜厚を２０〜３０μｍの範囲内とすることが好ましい。
また本発明では、前記基板にＣｕ基板を用いることが好ましい。
【００３３】
本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
前記のいずれかの積層メッキ層の製造方法を用いて、前記接触子をメッキ形成することを特徴とするものである。
【００３４】
これにより所定形状で且つ所定膜厚の接触子を適切且つ容易に形成でき、前記接続装置の電気的特性を良好なものにすることができる。
【００３５】
また本発明では、前記接触子を、下からＡｕメッキ層、補助弾性層及び電気伝導層から成る積層メッキ層で形成することが好ましい。これにより検査対象の電子部品の接触子との電気的接触性が良好で、且つばね性が高い接続装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明では、基板上に液体レジスト層を設け、その上にドライフィルムレジストからなるＤＦＲ層を設け、前記液体レジストとＤＦＲ層に設けられたパターン内に、少なくとも最下層としてＡｕメッキ層を有するメッキ層をメッキ形成するときに、前記液体レジスト層と基板間の密着性が高いことから、メッキ液が前記液体レジスト層と基板間に浸透しにくく、レジスト剥離が生じない。
【００３７】
このため所定形状のメッキ層を適切且つ容易に形成することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面を矢印方向から示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００３９】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品９が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００４０】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品９の下面に多数の球状接触子（外部接続部）９ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００４１】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品９の球状接触子９ａに対応して設けられている。
【００４２】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００４３】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３に示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、図示Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔を空けて複数形成されている。
【００４４】
前記各スパイラル接触子２０は、図３のように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００４５】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００４６】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品９とプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００４７】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品９を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００４８】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品９を前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品９を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００４９】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品９の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品９を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品９側の各球状接触子９ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００５０】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品９が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子９ａが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子９ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子９ａと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００５１】
図４は、図３に示す前記スパイラル接触子２０の各ターンを構成する接触子片２０ａをＢ線から膜厚方向に切断し、矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００５２】
図４に示すように、前記接触子片２０ａは、下層側電気伝導層３２と、補助弾性層３３と上層側電気伝導層３４の３層メッキ構造である。
【００５３】
ここで前記下層側電気伝導層３２は、Ａｕから成る。また前記補助弾性層３３は、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるいは多層構造でメッキ形成される。
【００５４】
また前記上層側電気伝導層３４は、ＡｕやＰｔ，Ｐｄ等の白金族元素から一種以上の元素が選択されてなる単層あるいは多層構造でメッキ形成される。これらはいずれも貴金属（noble metal）であり、化学的に非常に安定した性質を持つ。なお貴金属には一般的に「銀（Ａｇ）」も含むが、銀メッキは、メッキ浴がアルカリ性になるため、銀メッキを施すとレジストパターンが溶け出す不具合が生じるため使用できない。
【００５５】
前記補助弾性層３３は、前記電気伝導層３２、３４に比べて降伏点及び弾性係数が高くばね性に優れている。ただし補助弾性層３３は電気伝導性に劣るため、それを前記補助弾性層３３の上下に設けた電気伝導層３２、３４で補っている。
【００５６】
ここで前記下層側電気伝導層３２の下面３２ａは、凹凸が形成されて荒らされた状態になっており平坦化面となっていない。これは後述する製造方法の一実施形態によるものであるが、後述する製造方法の他の実施形態によれば前記電気伝導層３２の下面３２ａを平坦化面として形成することもできる。
【００５７】
また前記下層側電気伝導層３２の平均膜厚は０．０１μｍ〜０．５μｍ程度、前記補助弾性層３３の平均膜厚は１０μｍ〜３０μｍ程度、前記上層側電気伝導層３４の平均膜厚は０．０１μｍ〜０．５μｍ程度である。前記下層側電気伝導層３２の膜厚は、前記上層側電気伝導層３４の膜厚に比べて薄くてもよい。前記下層側電気伝導層３２は、図２，図３に示す基台１１との間に介在する異方性導電接着剤との良好な通電を確保するために設けられたものであり、前記異方性導電接着剤は、前記下層側電気伝導層３２の下面全体に塗布されるので、前記下層側電気伝導層３２の膜厚が薄く仮に欠陥部などがあっても、前記下層側電気伝導層３２が適切に設けられている部位で前記異方性導電接着剤との良好な通電を確保できる。一方、上層側電気伝導層３４は、電気部品９の球状接触子９ａと接触する部分であり、前記上層側電気伝導層３４に欠陥部があるとその位置に前記球状接触子９ａが接触したときに、前記電気部品９との良好な電気通電性が失われるので、前記上層側電動層３４はできる限り厚く形成し、前記補助弾性層３３の上面全体が優れた電気伝導層となっていることが好ましい。
【００５８】
図５から図１１は、本発明の前記スパイラル接触子２０の第１の製造方法を示す一工程図である。各工程図は、製造工程中のスパイラル接触子２０の部分断面図である。
【００５９】
図５工程に示す符号４０はＣｕ基板である。図５に示すように、前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａは、凹凸加工されて荒らされた状態になっているが、これは前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａを脱脂処理した後、例えば化学研磨を行うことにより行われる。
【００６０】
次に、図６に示す工程では、前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａ上に液体レジストをスピンコートなどで塗布し、液体レジスト層４１を形成する。前記液体レジストにはノボラック樹脂を主体としたレジストを使用することが好ましい。また前記液体レジスト層４１の平均膜厚を１〜５μｍ程度で形成することが好ましい。
【００６１】
ここで前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ〜１μｍ程度であるから、前記液体レジスト層４１の形成によって、前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａがほぼ覆われる。前記液体レジスト層４１は、前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａで流動し、主に前記表面４０ａの凹部内を埋めるため、図６のように前記液体レジスト層４１の表面４１ｂは、前記Ｃｕ基板の表面４０ａに比べてなだらかな面（中心線平均粗さの小さい）になる。
【００６２】
次に、図７に示す工程では、前記液体レジスト層４１に対して露光現像により図３に示すスパイラル接触子２０と同じ形状のパターン４１ａを形成する。前記露光現像には、露光部分がスパイラル接触子２０と同じ形状となっているマスク層を前記液体レジスト層４１の上方に配置して前記液体レジスト層４１を露光し現像する。
【００６３】
そして前記パターン４１ａの形状が後工程で崩れないように（逆に言えば液体レジスト層４０の形状が変形しないように）、前記液体レジスト層４１を１２０℃程度の温度でプリベーク処理（仮硬化処理）する。
【００６４】
次に図８に示す工程では、前記液体レジスト層４１ａ上、及び前記パターン４１ａ内から露出した前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａ上にかけてドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）から成るＤＦＲ層４２を熱圧着によりラミネートする。
【００６５】
前記ＤＦＲには、アクリル樹脂やポリエステル樹脂を主体としたレジストを用いることが好ましい。また前記ＤＦＲ層４２の平均膜厚を２０〜３０μｍ程度の膜厚で形成することが好ましい。
【００６６】
前記ＤＦＲは上記のように膜厚が厚く、厚い膜厚のメッキ層を形成するときには最適なレジストである。一方、前記液体レジストは、一般的に薄いメッキ層を形成する場合などに使用されるものである。
【００６７】
本発明では、ＤＦＲを用いて主にスパイラル接触子２０のメッキ形成のためのパターンを形成するが、従来課題で説明したようにＤＦＲであるとＡｕメッキを行うときのメッキ液の浸透が問題となるため、前記メッキ液の浸透を防ぐための液体レジスト層４１を前記ＤＦＲ層４２の下に置いたのである。
【００６８】
前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２との密着性はよい。特に前記液体レジスト層４１にノボラック樹脂を主体としたレジストを用い、前記ＤＦＲ層４２にアクリル樹脂あるいはポリエステル樹脂を主体としたレジストを用いた場合の密着性は良好である。また前記液体レジスト層４１は上記のようにプリベーク処理を施しただけで完全に硬化させられているわけではないため、熱圧着により前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間に化学的作用が生じ密着性は高まるものと考えられる。
【００６９】
また上記したように前記液体レジスト層４１の表面は、Ｃｕ基板４０の表面４０ａに比べてなだらかになるため、前記ＤＦＲ層４２を前記液体レジスト層４１の上に設けるときのアンカー効果は低下するが、前記液体レジスト層４１の表面はＣｕ基板４０の表面４０ａの凹凸形状の影響を受けて完全な平坦化面とならず若干うねっていたり、液体レジスト層４１が薄い膜厚なのでピンホール等の欠陥部が生じる可能性があり、多少のアンカー効果は期待でき、上記した液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間の密着性の相性とも合わせて、前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間の密着性はより向上するものと考えられる。
【００７０】
次に図９に示す工程では、前記ＤＦＲ層４２の上方に、前記液体レジスト層４１にパターン４１ａを形成するときに使用したマスク層を配置し、前記マスク層の露光部分が、前記液体レジスト層４１のパターン４１ａと高さ方向で一致するように位置合わせした後、前記ＤＦＲ層４２に対して露光現像を行ない、前記ＤＦＲ層４２にスパイラル接触子２０と同じ形状のパターン４２ａを形成する。前記前記ＤＦＲ層４２に形成されたパターン４２ａの下には、前記液体レジスト層４１に形成されたパターン４１ａが形成されているから、前記パターン４２ａとパターン４１ａとを合わせてスパイラル接触子２０のメッキ形成のためのパターンが構成される。
【００７１】
次に、前記ＤＦＲ層４２及び液体レジスト層４１に対して約１２０℃程度のポストベーク処理を行ない、前期ＤＦＲ層４２及び液体レジスト層４１を硬化させる。このポストベーク処理によっても、前記ＤＦＲ層４２と液体レジスト層４１間の密着性は高まるものと考えられる。前記ポストベーク処理により、パターン４１ａ，４２ａの形状が後工程の最中に変形することなく適切に維持され、所定形状のスパイラル接触子２０を形成することが可能になる。
【００７２】
次に図１０に示す工程では、前記パターン４１ａ，４２ａ内のＣｕ基板４０の表面４０ａにＡｕメッキ層４３をメッキ形成する。前記Ａｕメッキ層４３を０．０１μｍ〜０．５μｍの範囲内でメッキ形成する。
【００７３】
本発明では、前記Ｃｕ基板４０上には、まずパターン４１ａを形成した液体レジスト層４１が設けられており、前記液体レジスト層４１と前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａ間の密着性は良好で、隙間等が生じていないから、前記液体レジスト層４１と前記Ｃｕ基板４０間に、前記Ａｕメッキ層４３を形成する際のメッキ液が浸透することを適切に抑制でき、レジスト剥離等の不具合を効果的に解消することができる。
【００７４】
また前記Ａｕメッキ層４３が、前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２との境界に及ぶほどの膜厚でメッキ形成されたとしても、前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間は完全に密着しているから、前記メッキ液が前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層間に浸透するといった不具合も適切に抑制できる。
【００７５】
前記Ａｕメッキ層４３をメッキ形成した後、図１１工程に示すように、前記Ａｕメッキ層４３上に補助弾性層４４、電気伝導層４５をメッキ形成する。
【００７６】
前記補助弾性層４４を、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるいは多層構造としてメッキ形成する。また前記電気伝導層４５を、ＡｕやＰｔ，Ｐｄ等の白金族元素から少なくとも一種の元素が選択された単層あるいは多層構造としてメッキ形成する。
【００７７】
前記Ａｕメッキ層４３，補助弾性層４４及び電気伝導層４５の積層メッキ層によりスパイラル接触子２０を構成する。
【００７８】
次に、図１１に示すＤＦＲ層４２及び液体レジスト層４１をアルカリ水溶液等により溶解して除去し、各スパイラル接触子２０の基部２１間（図３を参照）を繋ぐガイドフレーム（図示しない）を設けた後、Ｃｕ基板４０をエッチング等により除去する。
【００７９】
上記したスパイラル接触子２０の第一の製造方法では、図７工程で、前記液体レジスト層４１にパターン４１ａを形成した後、図８工程でＤＦＲ層４２の形成、図９工程で前記ＤＦＲ層４２に対するパターン４２ａ形成を行ったが、図７ないし図９の工程に代えて、以下の工程により、前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２にパターンを形成することもできる。
【００８０】
上記した図６工程の後、図１２工程のように、前記液体レジスト層４１の上全面にドライフィルムレジストからなるＤＦＲ層４２を熱圧着等によりラミネートする。
【００８１】
次に図１３工程に示すように、前記ＤＦＲ層４２及び液体レジスト層４１に、同時にスパイラル接触子２０と同じ形状のパターン４１ａ，４２ａを露光現像により形成する。そしてポストベーク処理を行った後、図１０，図１１工程により、前記パターン４１ａ，４２ａ内にＡｕメッキ層４３，補助弾性層４４及び電気伝導層４５をメッキ形成し、積層メッキからなるスパイラル接触子２０を形成する。
【００８２】
図１２及び図１３工程を用いれば、図７工程が必要無くなるため、製造工程数を減らすことができるとともに、図９工程ではマスク層の位置合わせが必要であったがそれも必要無くなるので、製造工程の簡略化を促進させることができる。
【００８３】
図１４ないし図１７工程は、図５ないし図１３工程とは別の工程で行われたスパイラル接触子２０の製造方法を示す一工程図である。
【００８４】
図１４工程では、Ｃｕ基板４０の表面４０ａに脱脂処理は行なうが、化学研磨処理は行わず、そのため前記表面４０ａは図５のように凹凸加工されず平坦化面のままである。
【００８５】
そして前記Ｃｕ基板４０上に液体レジスト層４１をスピンコート等により塗布形成する。前記液体レジスト層４１の材質及び平均膜厚は図６で説明した通りである。
【００８６】
次に図１５工程では、前記液体レジスト層４１上にドライフィルムレジストから成るＤＦＲ層４２を熱圧着等によりラミネート形成する。前記ＤＦＲの材質及び平均膜厚は図８で説明した通りである。
【００８７】
次に図１６工程では、前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２に、スパイラル接触子２０と同じ形状のパターン４１ａ，４２ａを露光現像により形成する。そして前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２をポストベーク処理する。図１６工程では、前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２に同時に前記パターン４１ａ、４２ａを形成したが、図７ないし図９工程と同様に、図１４工程の後、前記液体レジスト層４１にパターン４１ａを形成しプリベーク処理を行った後、ＤＦＲ層４２の形成、前記ＤＦＲ層４２に対するパターン４２ａの形成を行ってもよい。
【００８８】
そして図１７工程で、前記パターン４１ａ，４２ａ内に下からＡｕメッキ層４３，補助弾性層４４及び電気伝導層４５をメッキ形成し、積層メッキから成るスパイラル接触子２０を形成する。
【００８９】
図１４ないし図１７に示す一連の製造工程では、図１４工程のように、前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａを化学研磨処理せずに、前記表面４０ａを平坦化面のまま残しておいても、液体レジスト層４１はその流動性のため、巨視的に見たときに前記表面４０ａにある微細な凹凸の凹部内に入り込み、アンカー効果が生じて、前記液体レジスト層４１はＣｕ基板４０上に密着しやすい。当然、図５のようにＣｕ基板４０の表面４０ａを研磨手段を用いて荒らす方が、全く研磨処理を施さない場合に比べて強いアンカー効果を期待でき、前記Ｃｕ基板４０と液体レジスト層４１との密着性をより高めることができるが、研磨処理を施さなくても液体レジストはＣｕ基板４０の表面４０ａの微細な形状の隅々まで浸透して、前記液体レジスト層４１はＣｕ基板４０の表面４０ａに良好に密着するものと考えられる。
【００９０】
前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａを化学研磨しないことのメリットは、前記化学研磨処理が工程から必要なくなり、製造工程の簡略化を図ることができる点と、Ａｕメッキ層４３の下面４３ａを、平坦化面として成形できる点にある。
【００９１】
Ａｕメッキ層４３は、前記Ａｕメッキ層４３を含む積層メッキをスパイラル接触子２０や他の部材として使用する場合に、前記Ａｕメッキ層４３での電気伝導性を良好に保つことができ、しかも他部材との接触性も良好なものとなる。
【００９２】
本発明でのスパイラル接触子２０の製造方法の特徴的部分は、Ｃｕ基板４０の上に液体レジスト層４１を介してＤＦＲ層４２を形成し、前記液体レジスト層４１と前記ＤＦＲ層４２とにスパイラル接触子２０の形成のためのパターン４１ａ，４２ａを形成する点にある。
【００９３】
これにより、前記パターン４１ａ，４２ａ内に最下層としてＡｕメッキ層４３をメッキ形成したときに、前記液体レジスト層４１とＣｕ基板４０間の密着性が高いために、シアンを含むメッキ液が前記液体レジスト層４１とＣｕ基板４０間に浸透しにくく、レジスト剥離を抑制でき、前記Ａｕメッキ層４３を含む積層メッキからなるスパイラル接触子２０を所定形状にてメッキ形成することができる。
【００９４】
また前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間の密着性も良好で、前記液体レジスト層４１とＤＦＲ層４２間にシアンを含むメッキ液が浸透して前記ＤＦＲ層４２が剥離することも適切に抑制することが可能である。
【００９５】
ところで、図５ないし図１７に示すスパイラル接触子２０の製造方法の製造方法は、いずれも様々なメッキ技術に使用できるものである。
【００９６】
例えばバンプなどの電気接触構造体も、基板の上にレジスト層を塗布し、前記レジスト層にパターンを形成し、そのパターン内に金属メッキを成長させ、その後、前記レジスト層を除去する工程を踏むため、特に前記電気接触構造体の最下層や、全体がＡｕメッキ層で形成される場合には、本発明を適用することで、前記電気接触構造体を所定の形状に効果的に形成できる。
【００９７】
また図５ないし図１７工程では、Ｃｕ基板４０を用いてその上にスパイラル接触子２０をメッキ形成するが、Ｃｕ以外の基板であってもかまわない。しかしＣｕ基板４０を用いると、Ｃｕ基板４０が安価であるので製造費用の低減を図ることができること、前記Ｃｕ基板４０の表面４０ａに化学研磨処理を行ない前記表面４０ａを所定形状に加工しやすいこと、前記Ｃｕ基板４０をエッチングに除去しやすいこと、Ｃｕ基板４０の表面４０ａ上に直接Ａｕメッキ層４３をメッキ形成できメッキ下地層が必要ないこと、などにより前記基板にはＣｕ基板４０を用いることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、
【図４】図３に示すＢ線から切断したスパイラル接触子の部分拡大断面図、
【図５】本発明における接触子の製造方法を示す一工程図、
【図６】図５の次に行われる一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図、
【図１２】図７ないし図９とは別の製造工程を用いた一工程図、
【図１３】図１２の次に行われる一工程図、
【図１４】別の製造方法を示す一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図、
【図１７】図１６の次に行われる一工程図、
【図１８】スパイラル接触子の部分拡大斜視図、
【図１９】従来のスパイラル接触子の製造方法を示す一工程図、
【図２０】従来のスパイラル接触子の製造方法を問題点を説明するための説明図、
【符号の説明】
【００９９】
２０  スパイラル接触子
２０ａ  接触子片
２１  基部
２２  巻き始端
２３  巻き終端
３２、３４、４５  電気伝導層
３３、４４  補助弾性層
４０  Ｃｕ基板
４１  液体レジスト層
４２  ＤＦＲ層
４３  Ａｕメッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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