(57)【要約】【課題】本発明は光減衰器の光ファイバ部と減衰部とを分離して多層構造に具現することにより光減衰器、とりわけ多チャネル可変光減衰器の集積度を高めるようにした多チャネル可変光減衰器に関する。【解決手段】本発明の光減衰器には、入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間３９が設けられ、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ライン４０，４０’が設けられる。遮断膜４６は前記光信号伝送ライン４０，４０’の離隔空間３９に位置し、前記光信号伝送ライン４０，４０’と交差する方向へ移動可能なよう位置する。さらに、マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータ４５が前記遮断膜４６の位置する光信号伝送ライン４０と隣接した他の光信号伝送ライン４０’の上部に位置し、前記遮断膜４６と連結され遮断膜４６を移動させる。【選択図】図１
2005115308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間が設けられ、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ラインと、
前記光信号伝送ラインの離隔空間に位置し、前記光信号伝送ラインと交差する方向へ移動可能なよう位置する遮断膜と、
前記遮断膜が位置する光信号伝送ラインと隣接した他の光信号伝送ラインの上部に位置し、前記遮断膜と連結されながら遮断膜を移動させるマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータと、
を有することを特徴とする多チャネル可変光減衰器。
【請求項２】
前記光信号伝送ラインは光ファイバを通して形成されることを特徴とする請求項１に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項３】
前記光信号伝送ラインの離隔空間と隣接した光信号伝送ラインの離隔空間とは相異する線上に位置することを特徴とする請求項１に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項４】
前記光信号伝送ラインの離隔空間は隣接した光信号伝送ラインの離隔空間と同じ線上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項５】
前記離隔空間に位置する遮断膜は他の駆動部と干渉しないよう上部終端が凹んで段差になった形状を有することを特徴とする請求項４に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項６】
前記ＭＥＭＳアクチュエータは櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータであることを特徴とする請求項１に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項７】
前記遮断膜は前記離隔空間を通過する光を遮断する初期位置を有し、前記駆動部が作動すると駆動部に向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする請求項５に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項８】
酸化層が上部及び下部のＳｉ層間に形成されたＳＯＩウェーハを設ける段階と、
前記ＳＯＩウェーハの上部Ｓｉ層及び酸化層を食刻して少なくとも２個の光信号伝送ラインが挿入され得る構造物を設ける段階と、
Ｓｉ層から形成されたＳｉウェーハを設ける段階と、
前記Ｓｉウェーハに遮断膜を形成するよう食刻する段階と、
前記Ｓｉウェーハの遮断膜が前記ＳＯＩウェーハの構造物の間に位置するよう前記Ｓｉウェーハを前記ＳＯＩウェーハの上部に接合する段階と、
前記Ｓｉウェーハを食刻してＭＥＭＳアクチュエータを設ける段階と、
前記ＳＯＩウェーハの構造物の間に光信号伝送ラインを挿入する段階と、
を有することを特徴とする多チャネル可変光減衰器の製造方法。
【請求項９】
前記光信号伝送ラインは光ファイバを通して形成されることを特徴とする請求項８に記載の多チャネル可変光減衰器の製造方法。
【請求項１０】
前記遮断膜は隣接した他の遮断膜と異なる線上に設けられることを特徴とする請求項９に記載の多チャネル可変光減衰器の製造方法。
【請求項１１】
前記遮断膜は隣接した他の遮断膜と同じ線上に設けられることを特徴とする請求項９に記載の多チャネル可変光減衰器の製造方法。
【請求項１２】
前記遮断膜は他の駆動部と干渉しないよう上部終端が凹んで段差になった形状を有するよう形成されることを特徴とする請求項１１に記載の多チャネル可変光減衰器の製造方法。
【請求項１３】
前記ＭＥＭＳアクチュエータは櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータであることを特徴とする請求項８に記載の多チャネル可変光減衰器の製造方法。
【請求項１４】
入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間が相異する線上に形成され、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ラインを形成するよう配列される光ファイバと、
前記光信号伝送ラインの光信号を減衰するよう前記離隔空間に位置し、前記光信号伝送ラインと交差する方向へ移動可能なよう位置する遮断膜と、
前記遮断膜が位置する光信号伝送ラインと隣接した他の光信号伝送ラインの上部に位置し、前記遮断膜と連結されながら遮断膜を移動させる櫛歯（ｃｏｍｂ）型マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータと、
前記櫛歯型ＭＥＭＳアクチュエータに連結されアクチュエータに電圧を印加する端子と、
を有することを特徴とする多チャネル可変光減衰器。
【請求項１５】
前記遮断膜は前記離隔空間を通過する光を遮断する初期位置を有し、前記駆動部が作動すると駆動部に向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする請求項１４に記載の多チャネル可変光減衰器。
【請求項１６】
入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間が互いに同じ線上に形成され、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ラインを形成するよう配列される光ファイバと、
前記光信号伝送ラインの光信号を減衰するよう前記離隔空間に位置し、前記光信号伝送ラインと交差する方向へ移動可能なよう位置し、上部終端に凹んで段差部が形成される遮断膜と、
前記遮断膜が位置する光信号伝送ラインと隣接した他の光信号伝送ラインの上部に位置し、前記遮断膜と連結されながら遮断膜を移動させる櫛歯（ｃｏｍｂ）型マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータと、
前記櫛歯型ＭＥＭＳアクチュエータに連結されアクチュエータに電圧を印加する端子と、
を有することを特徴とする多チャネル可変光減衰器。
【請求項１７】
前記遮断膜は前記離隔空間を通過する光を遮断する初期位置を有し、前記駆動部が作動すると駆動部に向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする請求項１６に記載の多チャネル可変光減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多チャネル可変光減衰器に関するもので、より詳しくは光減衰器の光ファイバ部と減衰部とを分離して多層構造に具現することにより光減衰器、とりわけ多チャネル可変光減衰器の集積度を高めるようにした多チャネル可変光減衰器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信の主要部品の一つである光減衰器（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）は、入力された光信号に減衰部が一定程度の光損失を発生させて減衰した光信号を出力端に送り出す光部品である。光通信網においては伝送距離の長短による光ファイバの伝送損失差、光ファイバ接続部の個数差、伝送路に使用される光分器結合などにより一定部分に受信される光量（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｏｗｅｒ）の大きさがシステム構成に応じて異なってくる。これを調節する機能を行うものが光減衰器である。
【０００３】
前記光減衰器は入力端と出力端となる光ファイバ部と光信号の減衰機能を果たす減衰部とで成る。光減衰器は減衰量の可変当否に応じて固定光減衰器（ｆｉｘｅｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）と可変光減衰器（ｖａｒｉａｂｌｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ、ＶＯＡ）とに区分することができる。さらに、前記可変光減衰器は入力端と出力端の個数に応じて１チャネルＶＯＡと多チャネルＶＯＡとに区分することができる。
【０００４】
図９は従来の１チャネルＶＯＡを示した図面で、図１０は図９のＡ−Ａ’線に応じた断面図である。入力端光ファイバ（１０２）及び出力端光ファイバ（１０３）が互いに一定間隔離隔しながら配列されている。入力端光ファイバ（１０２）と出力端光ファイバ（１０３）が形成する離隔空間に遮断膜（１０６）が位置するようになり、前記遮断膜（１０６）を移動させる駆動部（１０５）、及び前記駆動部（１０５）を固定する固定部（１０４）が具備される。
【０００５】
このような従来の１チャネルＶＯＡは入力端光ファイバ（１０２）を通して光信号（１０１）が入ってくると、固定部（１０４）に支持された駆動部（１０５）が動き出し、遮断膜（１０６）が駆動部（１０５）により変位を起こすようになる。遮断膜（１０６）は入力された光信号の一部を塞いで光量を減らし、減衰した光信号（１０７）が出力端光ファイバ（１０３）に出力される。
【０００６】
図１１は従来の多チャネルＶＯＡを示した図面である。図１１のＶＯＡは図９のＶＯＡを多数個配列したものである。図１１の多チャネルＶＯＡは１個のチャネルを有するＶＯＡ（１１０、１２０）を多数個配列し、各々のＶＯＡは入力端光ファイバ（１１２）及び出力端光ファイバ（１１３）を設け、入力端と出力端との間に遮断膜（１１６）が位置する構成を有する。遮断膜（１１６）を駆動する駆動部（１１５）及び前記駆動部（１１５）を固定する固定部（１１４）が前記入力端光ファイバ（１１２）及び出力端光ファイバ（１１３）と同じ平面上に並列される。
【０００７】
前記多チャネルＶＯＡはチャネルの数だけＶＯＡの面積が増加する問題がある。即ち、光ファイバの隣に駆動部が位置し、再び駆動部の隣に他の光ファイバが位置する配列構造となる。したがって、このような構造からは多チャネルＶＯＡの大きさを小型化し難く、集積度を高め難い問題が発生する。さらに、一定面積のウェーハに生産できるＶＯＡ個数を増加させ難い為、生産性が低下する問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記のような問題を解決するためのもので、光減衰器の光ファイバ部と減衰部とを分離し、これを相異する層上に配列して全体面積を減らし、集積度を高めた光減衰器を提供することに目的がある。
【０００９】
さらに、本発明は面積が最小化され集積度の高い光減衰器を提供することにより光減衰器の生産性を向上させることに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記のような目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は、入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間が設けられ、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ライン；前記光信号伝送ラインの離隔空間に位置し、前記光信号伝送ラインと交差する方向へ移動可能なよう位置する遮断膜；前記遮断膜が位置する光信号伝送ラインと隣接した他の光信号伝送ラインの上部に位置し、前記遮断膜と連結され遮断膜を移動させるマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータ；を含む多チャネル可変光減衰器を提供する。好ましくは、前記光信号伝送ラインは光ファイバを通して形成されることができる。さらに、前記光信号伝送ラインの離隔空間と隣接した光信号伝送ラインの離隔空間は相異な線上に位置するか、隣接した光信号伝送ラインの離隔空間のような線上に形成されることができる。この際、前記離隔空間に位置する遮断膜は他駆動部と干渉しないよう上部終端が凹んで段差がかった形状を有することが好ましい。さらに好ましくは、前記ＭＥＭＳアクチュエータは櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータであることを特徴とし、前記遮断膜は前記離隔空間を通過する光を遮断する初期位置を有し、前記駆動部が作動すると駆動部に向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明は酸化層が上部及び下部のＳｉ層間に形成されたＳＯＩウェーハを設ける段階；前記ＳＯＩウェーハの上部Ｓｉ層及び酸化層を食刻して少なくとも２個の光信号伝送ラインが挿入され得る構造物を形成する段階；Ｓｉ層から成るＳｉウェーハを設ける段階；前記Ｓｉウェーハに遮断膜を形成するよう食刻する段階；前記Ｓｉウェーハの遮断膜が前記ＳＯＩウェーハの構造物間に位置するよう前記Ｓｉウェーハを前記ＳＯＩウェーハの上部に接合する段階；前記Ｓｉウェーハを食刻してＭＥＭＳアクチュエータを形成する段階；前記ＳＯＩウェーハの構造物間に光信号伝送ラインを挿入する段階；を含む多チャネル可変光減衰器の製造方法を提供する。好ましくは、前記光信号伝送ラインは光ファイバを通して形成されることを特徴とし、前記遮断膜は隣接した他遮断膜と異なる線上に形成されるか、隣接した他遮断膜と同じ線上に形成されることができる。好ましくは、前記遮断膜は他駆動部と干渉しないよう上部終端が凹んで段差がかった形状を有するよう形成されることを特徴とし、前記ＭＥＭＳアクチュエータは櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータであることを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明は、入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間が相異する線上に形成され、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ラインを形成するよう配列される光ファイバ；前記光信号伝送ラインの光信号を減衰するよう前記離隔空間に位置し、前記光信号伝送ラインと交差する方向へ移動可能なよう位置する遮断膜；前記遮断膜が位置する光信号伝送ラインと隣接した他の光信号伝送ラインの上部に位置し、前記遮断膜と連結され遮断膜を移動させる櫛歯（ｃｏｍｂ）型マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータ；前記櫛歯型ＭＥＭＳアクチュエータに連結されアクチュエータに電圧を印加する端子；を含む多チャネル可変光減衰器を提供する。好ましくは、前記遮断膜は前記離隔空間を通過する光を遮断する初期位置を有し、前記駆動部が作動すると駆動部に向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明は入力端と出力端との間に光信号の伝送量を調整する離隔空間が相互同じ線上に形成され、相互平行に配列される少なくとも２個の光信号伝送ラインを形成するよう配列される光ファイバ；前記光信号伝送ラインの光信号を減衰するよう前記離隔空間に位置し、前記光信号伝送ラインと交差する方向へ移動可能なよう位置し、上部終端に凹んだ段差部が形成される遮断膜；前記遮断膜が位置する光信号伝送ラインと隣接した他光信号伝送ラインの上部に位置し、前記遮断膜と連結されながら遮断膜を移動させる櫛歯（ｃｏｍｂ）型マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータ；前記櫛歯型ＭＥＭＳアクチュエータに連結されアクチュエータに電圧を印加する端子；を含む多チャネル可変光減衰器を提供する。好ましくは、前記遮断膜は前記離隔空間を通過する光を遮断する初期位置を有し、前記駆動部が作動すると駆動部に向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明によると光減衰器の光ファイバ部と減衰部とを分離しこれらを相異する層上に配列して全体面積を減らし、集積度を高めた光減衰器を提供できる。とりわけ、光信号伝送ラインを相互密着させた状態で光減衰器が製造できるようになり、同一寸法の光減衰器に配列できるチャネルの数を増加させることができる。さらに、本発明の多チャネル可変光減衰器は伝送ライン上部にアクチュエータを配列した為、各駆動手段への信号印加及び処理パターン形成の自由度を高められる効果を奏する。また、本発明は光ファイバ配列部分の面積が最小化され集積度の高い光減衰器を提供することにより、従来と同一面積のウェーハに同一寸法の光減衰器を設けてもチャネル数の多い多チャネルに形成できる利点があり、さらに同一なチャネルの減衰器を製造してもより多数の減衰器が提供できる為、光減衰器の生産性を向上させられる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好ましき実施例について添付の図面を参照しながらより詳しく説明する。図１は本発明による多チャネル可変光減衰器を示した図面で、図２は図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００１６】
本発明による多チャネル可変光減衰器は光信号の入力端と出力端との間に形成される離隔空間に交差しながら移動可能に設けられる遮断膜を駆動するアクチュエータを他の層上に位置させ集積度を高めるよう構成している。
【００１７】
図１において、光信号の入力端（４２）と出力端（４３）が設けられた光信号伝送ライン（４０）が設けられる。前記光信号伝送ライン（４０）は入力端（４２）と出力端（４３）との間に所定距離離隔されて形成される離隔空間（３９）を設ける。前記離隔空間（３９）は光信号の伝送量を適切に減衰して出力させる機能を果たす。
【００１８】
このように入力端及び出力端、離隔空間を成す光信号伝送ライン（４０）が少なくとも２個配列される。これは光減衰器において多チャネルを具現するための配列である。この際、前記光信号伝送ライン（４０）は相互平行に配列されることが集積度の向上のためには好ましい。図１においては光信号伝送ライン（４０）が２個配列されたものを図示しているが、これは説明のための例示に過ぎず２個に限定されるものではない。
【００１９】
前記光信号伝送ライン（４０）は光ファイバで形成されることが好ましい。光ファイバは光学繊維ともいい、合成樹脂を材料とするものもあるが、主に透明度が良好なガラスで形成される。光ファイバは中央のコア（ｃｏｒｅ）部分を周辺からクラッディング（ｃｌａｄｄｉｎｇ）部分が覆った二重の円柱形状となる。光ファイバの外部には衝撃から保護するため合成樹脂被覆が被される。光ファイバのコア部分の屈折率はクラッディング部分の屈折率より高く、こうした構造により光信号がコア部分に集中されて損失無く進行できるようになる。
【００２０】
前記光信号伝送ライン（４０）の離隔空間（３９）には光信号伝送ラインと交差する方向に移動可能な遮断膜（４６）が位置するようになる。遮断膜（４６）は光ファイバのコア部分を遮断できる位置に配列され、図２及び図３に示したような形状を有する。遮断膜（４６）は光信号と接触して光信号伝送量を減衰する一端は自由端にし、その反対側の他端は駆動のためのアクチュエータに連結される。
【００２１】
本発明において遮断膜（４６）の駆動のためのアクチュエータ（４５）にはマイクロ電子機械システム（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ、以下「ＭＥＭＳ」）アクチュエータが使用される。前記ＭＥＭＳアクチュエータは超小型駆動手段であり、シリコンウェーハに食刻により駆動構造を形成し、これに電圧を印加して微細駆動するようにする。前記遮断膜（４６）は通常ＭＥＭＳアクチュエータと一体形成される。
【００２２】
前記ＭＥＭＳアクチュエータ（４５）は遮断膜（４６）が位置する光信号伝送ライン（４０）と隣接した他光信号伝送ライン（４０’）の上部に位置する。従来の多チャネル可変光減衰器の駆動部が光信号伝送ラインと同じ平面上に配列され、このような従来の構造においては光減衰器の伝送ライン同士の間に駆動部が位置する空間が別途必要であった。したがって、従来の構造では光減衰器の集積度を高めるのに限界があった。
【００２３】
本発明においては駆動部であるＭＥＭＳアクチュエータを他の伝送ラインの上部に位置させることにより駆動部と光信号伝送ラインとが相異する平面上に位置するようにした。これにより光信号伝送ライン同士の間に駆動部が位置する別途の空間を除去することができ、光減衰器の集積度を向上させられるようになる。
【００２４】
図１において、一つの光信号伝送ライン（４０）の離隔空間（３９）に遮断膜（４６）が光信号伝送ラインと交差するよう位置し、前記遮断膜（４６）は他の光信号伝送ライン（４０’）の上部に位置する駆動手段であるＭＥＭＳアクチュエータ（４５）と連結される。本実施例において遮断膜（４６）は光信号伝送ライン（４０）と垂直な方向へ移動可能なように配列されるが、垂直でない所定の角度で傾くよう構成することもできる。
【００２５】
前記ＭＥＭＳアクチュエータ（４５）は両終端に電圧が印加される端子（４４）が形成され、前記端子（４４）はアクチュエータに電圧を印加してアクチュエータが駆動できるようにする。ＭＥＭＳアクチュエータは好ましくは櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータである。これは図４及び図５に詳細に示してある。
【００２６】
図２において、光信号伝送ラインを形成する光ファイバ（４２、４３）は下部の基板（４１）と基板（４１）に形成させる側面構造物（４７）とその上部の駆動手段を形成する上部構造物（４８）と間に挿入されて配列される。図２は図１のＡ−Ａ’線に沿って切開した部分の断面図である。光信号伝送ラインを成す光ファイバ（４２、４３）の上部に位置する上部構造物（４８）にはＭＥＭＳアクチュエータ（４５）及び遮断膜（４６）、端子（４４）が形成されている。
【００２７】
図１に戻って、隣接した光信号伝送ライン（４０、４０’）の離隔空間（３９）は相互一致しない線上に位置するようになる。即ち、光信号伝送ラインに垂直な仮想の線を垂直線とすると、前記離隔空間を互いに同じ垂直線上に位置しないよう配列する。これは光信号伝送ラインの上部に位置するＭＥＭＳアクチュエータが相互に食い違うよう配列するためである。図１のように、各ＭＥＭＳアクチュエータは一対ずつ相互に向き合うよう配列される。
【００２８】
図３は図１のＣ−Ｃ’ラインの断面図である。これはＭＥＭＳアクチュエータ（４５’）の遮断膜（４６’）の配列を示したもので、遮断膜（４６’）はアクチュエータ（４５’）と一体で連結されている。基板（４１）と上部構造物（４８）との間に光ファイバ（４２、４２’）が位置する。光ファイバ中、図面番号４２の光ファイバと４２’の光ファイバは相異する光信号伝送ラインを形成する。
【００２９】
図３の遮断膜（４６’）は、図１の光信号伝送ライン（４０’）の光信号伝送量減衰のためのもので、光ファイバ（４２’）のコア部分を塞げるよう位置する。遮断膜（４６’）は他の光ファイバ（４２）の上部から水平に延びた後、再び下方に延びた折曲形状を有する。遮断膜（４６’）の上部終端はＭＥＭＳアクチュエータ（４５）となり、これらは再び上部構造物（４８）に形成された端子と連結される。
【００３０】
図４は前記のような離隔空間が相互に食い違うよう形成された本発明による多チャネル可変光減衰器の一実施例を示した図面である。図５は図４のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。図４及び図５のように本発明による光減衰器のＭＥＭＳアクチュエータには櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータを使用するのが好ましい。櫛歯型アクチュエータ（５０）は相互対向する方向に交差するよう水平に配列される櫛歯を有する第１部材と第２部材を含んで成る。第１部材及び第２部材に電圧を印加するとその電圧差により相互引力が作用し、第１または第２部材に連結された遮断膜（４６）を移動させるようになる。
【００３１】
この際、遮断膜（４６）は初期位置が光ファイバ（４２、４３）のコア部分を塞ぐよう位置し、駆動手段のアクチュエータの駆動によりコア部分を開放するよう作動するのが好ましい。これは櫛歯型アクチュエータの作動特性によるものであり、他のＭＥＭＳアクチュエータを使って遮断膜が他の方式で作動するようにすることもできる。
【００３２】
図６は本発明による多チャネル可変光減衰器の他の実施例を示した図面である。図７は図６のＥ−Ｅ’線に沿った断面図である。本発明による多チャネル可変光減衰器の光信号伝送ラインの離隔空間は互いに同じ垂直線上に形成することもできる。図６のように、光ファイバ（５２、５３）同士の離隔空間（５９）が同一垂直線上に形成される場合、光信号伝送量を調節する遮断膜（５６）の形状が図１及び図４の実施例と異なってくる。
【００３３】
即ち、離隔空間らが互いに同じ線上に形成される場合、駆動のためのアクチュエータ（５５）及びアクチュエータに連結される遮断膜（５６）が互いに同一線上に位置するようになる。この際、遮断膜同士の干渉を防止すべく遮断膜の上部部分に凹んだ段差が形成された形状を有するものが好ましい。こうした場合の遮断膜（５６）の断面を図７に図示している。図６の実施例においても先に説明した他の実施例のようにアクチュエータ（５５）に連結される端子（５４）が上部構造物（５８）に設けられる。
【００３４】
本発明のようにアクチュエータが光信号伝送ラインの上部に位置する場合、光減衰器の光信号伝送ラインの集積度を高める利点を奏する。さらに、従来の場合、駆動アクチュエータが光信号伝送ライン同士の間に位置することにより各々のチャネル別に独立的な電気信号の印加が必需であったが、本発明によるとアクチュエータが光ファイバの上部に形成され、それに電圧を印加する端子も光ファイバの上部に位置することになり、各チャネルの端子及びそれに連結される各パターンの設計自由度が高くなる利点を奏する。
【００３５】
図８（ａ）ないし（ｊ）は本発明による多チャネル可変光減衰器の製造工程を各段階別に示した図面である。図８（ａ）ないし（ｊ）は図１のＢ−Ｂ’断面を基準に示した。
【００３６】
先ず、Ｓｉ組成の下部構造物を成す下部Ｓｉ層（６１）及びその上部のＳｉＯ２組成の酸化層（６２）、酸化層上部のＳｉ組成の上部Ｓｉ層（６３）から成るＳＩＯウェーハ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｗａｆｅｒ、６０）を設ける（図８（ａ））。
【００３７】
前記ＳＩＯウェーハ（６０）の上部Ｓｉ層（６３）を食刻して側面構造物（６５）を形成するために食刻パターン（６４）を形成し、これを食刻して側面構造物（６５）を形成する（図８（ｂ）及び（ｃ））。ここで、食刻はウェーハ（６０）のＳｉ層（６３）を食刻するよう行う。
【００３８】
ＳＩＯウェーハ（６０）の酸化層（６２）を食刻して側面構造物（６５）の下部に下部Ｓｉ層（６１）が露出し下部Ｓｉ層（６１）が基板を形成するようにする（図８（ｄ））。
【００３９】
次いで、Ｓｉ組成のウェーハ（７０）を設け、このウェーハの上部面に食刻パターン（７１）を形成し、遮断膜（７２）を形成するよう食刻する。遮断膜（７２）は先の図１、４、６の実施例におけるように上部構造物（４８）より下方に延びた形状を有し、このために前記Ｓｉ組成のウェーハ（７０）に遮断膜が形成され得る構造を残すのである（図８（ｅ）、（ｆ））。
【００４０】
前記のように遮断膜（７２）の形成されたＳｉウェーハ（７０）を裏返して前記ＳＯＩウェーハ（６０）の上部に接合する。即ち、遮断膜（７２）がＳＯＩウェーハ（７０）の側面構造物（６５）の間に位置するよう接合する。ここで、遮断膜（７２）が光信号伝送ライン上に位置するよう接合し、接合されたＳｉウェーハ（７０）が予め定められた厚さになるようポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）して加工する（図８（ｇ））。
【００４１】
光減衰器の上部層を形成する前記Ｓｉウェーハ（７０）にＭＥＭＳアクチュエータを形成すべく上部面に食刻パターン（７３）を形成する。その後これを食刻してアクチュエータ（７４）及びアクチュエータに連結された遮断膜（７２）を形成する（図８（ｈ）、（ｉ））。さらに、この段階においてはアクチュエータに電圧を印加するための端子及びその他のパターンを形成する。
【００４２】
最後に、ＳＯＩウェーハ（６０）の側面構造物（６５）の間及びＳＯＩウェーハ（６０）とＳｉウェーハ（７０）の間に光ファイバ（７６、７７）を挿入する。挿入された光ファイバ中一つの光ファイバ（７６）は入力端となり、他方の一つの光ファイバ（７７）は出力端となる。光ファイバ（７６、７７）は遮断膜（７２）まで挿入されて遮断膜により相互に塞がれた状態で設けられる。
【００４３】
この際、遮断膜（７２）の位置を各伝送ラインの遮断膜と同じ線上に位置するようにすること（図６の実施例）と、他の線上に位置するようにすること（図１、４の実施例）がすべて可能である。但し、遮断膜が同一線上に位置するなら遮断膜の形状を上部側が凹んだ段差を有するよう形成することが好ましい（図７参照）。これは図８（ｈ）、（ｉ）段階における食刻パターン及び食刻量を調節することから成し遂げられる。また、前記アクチュエータは櫛歯（ｃｏｍｂ）型アクチュエータであることが好ましい。
【００４４】
本発明は特定な実施例に係り図示・説明したが、以下の特許請求の範囲により具備される本発明の精神や分野を外れない限度内で本発明が多様に改造及び変化され得ることは当業界において通常の知識を有する者であれば容易に想到できることを明かしておく。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明による多チャネル可変光減衰器を示した図面である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図３】図１のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図４】本発明による多チャネル可変光減衰器の一実施例を示した図面である。
【図５】図４のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【図６】本発明による多チャネル可変光減衰器の他の実施例を示した図面である。
【図７】図６のＥ−Ｅ’線に沿った断面図である。
【図８】（ａ）ないし（ｊ）は本発明による多チャネル可変光減衰器の製造段階を示した図面である。
【図９】１チャネル可変光減衰器を示した図面である。
【図１０】図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図１１】従来の多チャネル可変光減衰器を示した図面である。
【符号の説明】
【００４６】
４１、５１  基板
４０、４０’光信号伝送ライン
４２、４２’、５２  入力端光ファイバ
４３、５３  出力端光ファイバ
４４、５４  端子
４５、５５  ＭＥＭＳアクチュエータ
４６、５６  遮断膜
４７、６５  側面構造物
４８  上部構造物
５０  櫛歯型アクチュエータ
６１  下部Ｓｉ層
６２  酸化層
６３  上部Ｓｉ層
６４、７１、７３  食刻パターン
６０  ＳＯＩウェーハ
７０  ＳＩウェーハ
【図１】
2005115308.tif 000003
【図２】
2005115308.tif 000004
【図３】
2005115308.tif 000005
【図４】
2005115308.tif 000006
【図５】
2005115308.tif 000007
【図６】
2005115308.tif 000008
【図７】
2005115308.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005115308.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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