(57)【要約】【課題】  書き込まれたビットの優れた熱安定性及び低媒体ノイズ特性を有すると共に書込み性能が良好な磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供する。【解決手段】  基板１１と、前記基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１強磁性層１６、第１非磁性結合層１８、第２強磁性層１９、第２非磁性結合層２０、磁性層２１、保護層２２、及び潤滑層２３とが順次形成された構成となっている。磁気記録媒体１０は、第２強磁性層１９と磁性層２１とが第２非磁性結合層２０を介して反強磁性的に交換結合されており、さらに第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とが第１非磁性結合層１８を介して強磁性的に交換結合され、Ｈｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’の関係を有する。【選択図】  図２
2005182922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層上に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行であり、
前記第１の強磁性層の動的保磁力Ｈｃ1’、第２の強磁性層の動的保磁力Ｈｃ2’、及び磁性層の動的保磁力Ｈｃ3’の関係が、記録磁界のスイッチング時間領域において、Ｈｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’である、磁気記録媒体。
【請求項２】
第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層上に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行であり、
前記第１の強磁性層はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒＰｔを主体とした合金よりなり、前記第２の強磁性層及び磁性層はＣｏＣｒＰｔを主体とした合金よりなり、
第１の強磁性層のＰｔ含有量＜磁性層のＰｔ含有量≦第２の強磁性層のＰｔ含有量の関係を有する、磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第２の強磁性層の異方性磁界は第１の強磁性層の異方性磁界よりも大きいことを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層上に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行であり、
前記磁性層の磁化方向を切り換える記録磁界を印加すると、磁性層の磁化方向が第２の強磁性層の磁化方向よりも先に切り換わる、磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対して情報を書き込み及び／又は読み出しを行う記録再生手段とを備えた磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録に適した磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特に磁性層が他の層と交換結合した積層体を有する磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は、近年高密度記録化が急速に進められ、年率１００％の伸びを示している。現在主流の面内記録方式においては面記録密度の限界が１００Ｇｂ／ｉｎ2と予想されている。その理由として、高密度記録領域においては、媒体ノイズ低減のため、磁化単位を構成する結晶粒の大きさを低減し、磁化単位同士の境界すなわち磁化遷移領域のジグザグを低減等している。しかし、結晶粒の大きさを低減すると、磁化単位を構成する体積が減少するので、熱揺らぎにより磁化が減少するという熱安定性の問題が生じてくる。したがって、１００Ｇｂ／ｉｎ2を超える高記録密度を達成するためには、媒体ノイズの低減と熱安定性を高度に両立する必要がある。
【０００３】
本願発明者は媒体ノイズの低減と熱安定性が両立する図１に示す磁気記録媒体１００を提案している（特許文献１及び２参照）。磁気記録媒体１００は、基板１０５上に、強磁性層１０１とその強磁性層１０１上に設けられた非磁性結合層１０３からなる交換層構造と、その交換層構造上に形成された磁性層１０２を有し、強磁性層１０１と磁性層１０２とが非磁性結合層１０３を介して反強磁性的に交換結合しているものであり、実質的な結晶粒の体積は交換結合した強磁性層１０１及び磁性層１０２の結晶粒の体積の和となり、熱的安定性が著しく向上するとともに、結晶粒をさらに微細化可能にするため低媒体ノイズ化を図ることができるというものである。このような磁気記録媒体１００を用いることにより、記録されたビットの熱安定性が向上し媒体ノイズが低減され、信頼性の高い高密度記録を実現できることが期待されている。
【特許文献１】特開２００１−０５６９２１号公報
【特許文献２】特開２００１−０５６９２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、磁気記録媒体１００の再生出力は磁性層１０２及び強磁性層１０１の磁化が反平行となっているため、各々の残留磁化の差分にほぼ比例する。したがって、従来の単層磁性層を有する磁気記録媒体と同程度の再生出力を得るためには、例えば磁性層１０２及び強磁性層１０１に同じ組成の材料を用いた場合、記録再生を行う磁気ヘッドから遠い強磁性層１０１に対して、磁気ヘッドに近い磁性層１０２の膜厚を厚く、かつ従来の単層磁性層の膜厚より厚く設定する。しかし、このような構成では、磁性層１０２の膜厚増加による書込み性能、例えばオーバーライト特性やＮＬＴＳ（ノン・リニア・トランジッション・シフト）特性が劣化するおそれがある。
【０００５】
また、記録の際に、磁気ヘッドから印加された記録磁界により、磁性層１０２及び強磁性層１０１の磁化は互いに記録磁界の方向を向いて平行となる。その後、磁気ヘッドが移動して記録磁界が弱まると、磁性層１０２からの交換磁界を受けて強磁性層１０１の磁化の方向が切り換わり反平行に結合する。しかし、磁気ヘッドの移動方向に対して後端部にあたる、磁気ヘッドの磁極（トレーリングエッジ）付近において、記録磁界の方向を切り換えた直後の磁性層１０２及び強磁性層１０１の磁化方向の切り換わり等の振る舞いは、各々が及ぼす交換磁界や反磁界の影響によって複雑となる。磁性層１０２は、特に強磁性層１０１の磁気特性等により、磁化遷移領域の形成される位置や傾き等が変化しＮＬＴＳ特性が劣化するおそれがある。
【０００６】
また、熱的安定性を向上するために、単に強磁性層１０１の膜厚を増して交換結合する実質的な結晶粒の体積を増加させるとオーバーライト特性が劣化するおそれがある。
【０００７】
したがって、本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、書き込まれたビットの優れた熱安定性及び低媒体ノイズ特性を有すると共に書込み性能が良好な磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、第１の強磁性層と、第１の非磁性結合層と、第２の強磁性層と、第２の非磁性結合層と、磁性層とが順次積層されてなり、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で、前記磁性層の磁化と第２の強磁性層の磁化が互いに反平行であり、かつ第２の強磁性層の磁化と第１の強磁性層の磁化が互いに平行であり、前記第１の強磁性層の動的保磁力Ｈｃ1’、第２の強磁性層の動的保磁力Ｈｃ2’、及び磁性層の動的保磁力Ｈｃ3’の関係が、記録磁界のスイッチング時間領域において、Ｈｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’である磁気記録媒体が提供される。
【０００９】
本発明によれば、磁気ヘッドからの記録磁界の方向が切り換えられた際に、記録磁界のスイッチング時間領域において、Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’の関係を有することにより基板側の第２の強磁性層よりも動的保磁力の低い磁気ヘッド側の磁性層の磁化方向が先に記録磁界の方向に切り換わる。したがって、磁性層において磁化遷移領域が記録磁界の切り換えタイミングに相当する位置に形成され、ＮＬＴＳ特性を向上することができる。さらに、磁性層の磁化方向が切り換わる際に記録磁界と同方向の交換磁界が磁性層に印加され、磁性層に印加される磁界が強まるので磁化方向が切り換わり易くなりオーバーライト特性を向上することができる。
【００１０】
さらに、本発明の磁気記録媒体は第２の強磁性層に強磁性的に交換結合し、第２の強磁性層の動的保磁力よりも低い動的保磁力を有する第１の強磁性層が設けられている。すなわちＨｃ1’＜Ｈｃ2’の関係を有することにより、第１の強磁性層は、記録過程において第２の強磁性層と比較して磁化方向が切り換わり易いのでオーバーライト特性を劣化させることなく、記録後において第２の強磁性層を介して磁性層と交換結合することにより、一記録単位の磁区を占める結晶粒の実質的な体積が増すので、熱的安定性を向上することができる。
【００１１】
また、前記磁性層及び第２の強磁性層はＣｏＣｒＰｔを主体とした合金よりなり、前記第１の強磁性層はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒＰｔを主体とした合金よりなり、第１の強磁性層のＰｔ含有量＜磁性層のＰｔ含有量≦第２の強磁性層のＰｔ含有量の関係を有してもよい。ＣｏＣｒＰｔを主体とする合金とすることにより、高結晶磁気異方性を有するので熱的安定性が高く、第１の強磁性層のＰｔ含有量＜磁性層のＰｔ含有量≦第２の強磁性層のＰｔ含有量の関係を有するので、上述した動的保磁力の関係を有し、書き込み性能が優れ、熱的安定性を一層高めることができる。
【００１２】
本発明の他の観点によれば、上記いずれかの磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対して情報を書き込み及び／又は読み出しを行う記録再生手段とを備えた磁気記憶装置が提供される。
【００１３】
本発明によれば、書き込まれたビットの優れた熱安定性及び低媒体ノイズ特性を有すると共に書込み性能が一層良好な磁気記憶装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、互いに交換結合した第１の強磁性層、第２の強磁性層、及び磁性層がＨｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’の関係を有するので、書き込まれたビットの優れた熱安定性及び低媒体ノイズ特性を有すると共に書込み性能が良好な磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の断面図である。図２を参照するに、本実施の形態の磁気記録媒体１０は、基板１１と、前記基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１強磁性層１６、第１非磁性結合層１８、第２強磁性層１９、第２非磁性結合層２０、磁性層２１、保護層２２、及び潤滑層２３とが順次形成された構成となっている。磁気記録媒体１０は、第２強磁性層１９と磁性層２１とが第２非磁性結合層２０を介して反強磁性的に交換結合されており、さらに第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とが第１非磁性結合層１８を介して強磁性的に交換結合されている。以下、磁気記録媒体１０について詳細に説明する。
【００１７】
前記基板１１は、例えばディスク状のプラスチック基板、ガラス基板、ＮｉＰメッキアルミ合金基板、シリコン基板などを用いることができ、特に基板１１がテープ状である場合は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド等のプラスチックフィルムを用いることできる。基板１１はテクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。なお、テクスチャ処理は、磁気記録媒体１０が磁気ディスクの場合、周方向、すなわちトラック方向に形成される。
【００１８】
前記第１シード層１２は、非磁性材料、例えばＮｉＰ、ＣｏＷ、ＣｒＴｉ等からなりテクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。なお、第１シード層１２がＮｉＰ等のアモルファス材料の場合は酸化処理されていることが好ましい。第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１のｃ軸の面内配向が向上する。また、ｃ軸配向を向上させる公知の材料であればＮｉＰの替わりに用いることができる。
【００１９】
前記第２シード層１３は、例えばＮｉＰ、ＣｏＷ，ＣｒＴｉ等のアモルファス材料、ＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ等のＢ２構造を有する合金からなる。第２シード層１３がアモルファス材料よりなり、この上に形成される下地層１４がＢ２構造を有する合金よりなる場合に、下地層１４の（００１）面又は（１１２）面の配向を向上する。テクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。なお、上述したテクスチャ処理は、磁気記録媒体１０が磁気ディスクの場合、周方向、すなわちトラック方向に形成される。
【００２０】
前記下地層１４は、例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＢ、ＣｒＭｏＢなどのＣｒ合金や、ＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ等のＢ２構造を有する合金より構成される。上述したように、下地層１４は第２シード層１３上にエピタキシャル成長し、下地層１４がＢ２構造を有する場合は（００１）面又は（１１２）面が成長方向に良好な配向を示し、下地層１４がＣｒやＣｒ合金よりなる場合は（００２）面が成長方向に良好な配向を示す。また下地層１４はこれらのＣｒ合金やＢ２構造を有する合金からなる層を複数積層してもよい。積層することにより下地層１４自体の配向を向上し、非磁性中間層１５のエピタキシャル成長を良好とし、さらに第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の配向を向上することができる。
【００２１】
前記非磁性中間層１５は、ＣｏＣｒ合金に元素あるいは合金Ｍを添加したｈｃｐ構造を有する非磁性合金から構成され、厚さが１ｎｍ〜５ｎｍの範囲に設定される。ここでＭは、Ｐｔ、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金から選択される。非磁性中間層１５は下地層１４の結晶性及び結晶粒サイズを引き継いでエピタキシャル成長し、非磁性中間層１５上にエピタキシャル成長する第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の結晶性を向上し、結晶粒（磁性粒子）サイズの分布幅を減少させ、面内方向（基板面と平行な方向）のｃ軸配向を促進する。また、非磁性中間層１５は、上記合金からなる層を複数積層してもよい。第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の配向を向上することができる。
【００２２】
なお、第１強磁性層１６の格子定数に対して、非磁性中間層１５の格子定数を数％だけ異ならせて、非磁性中間層１５と第１強磁性層１６の界面又は第１強磁性層１６中の面内方向に内部応力を発生させる構成としてもよい。第１強磁性層１６の静的保磁力を増加することができる。
【００２３】
前記第１強磁性層１６は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等から構成され、特にＣｏＣｒＴａ及びＣｏＣｒＰｔ、さらに、ＣｏＣｒＰｔに、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金を添加した材料よりなるＣｏＣｒＰｔ多元系合金が好ましい。第１強磁性層１６は厚さが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定される。第１強磁性層１６は非磁性中間層１５上に例えば（１１−２０）方向にエピタキシャル成長し、ｃ軸が面内方向に配向して磁化容易軸方向が面内方向となる。
【００２４】
第１強磁性層１６は動的保磁力を第２強磁性層１９よりも低く設定する。これにより第２強磁性層１９よりも小さな印加磁界、例えば記録磁界や交換磁界により切り換り易くなる。一方、第１強磁性層１６を設けることにより、第１強磁性層１６は第２強磁性層１９を介して間接的に磁性層２１と交換結合しているので、交換結合する体積が増加し熱的安定性を高めることができる。したがって、磁気記録媒体１０は、第１強磁性層１６と第２強磁性層１９と磁性層２１の膜厚の総和に等しい膜厚を有する単層の強磁性層を備えた磁気記録媒体と比較して、同程度の熱的安定性の効果を得ることができると共に、磁気ヘッドから遠い第１強磁性層１６の動的保磁力を第２強磁性層１９および磁性層２１よりも低く設定しているのでオーバーライト特性を向上することができる。
【００２５】
前記第１非磁性結合層１８は、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金などから構成される。これらのうち、Ｒｈ、Ｉｒはｆｃｃ構造を有するのに対しＲｕはｈｃｐ構造を有しＣｏＣｒＰｔ系合金の格子定数ａ＝０．２５ｎｍに対しＲｕはａ＝０．２７ｎｍで近接しているのでＲｕあるいはＲｕ系合金が好ましい。Ｒｕ系合金としては、Ｒｕと、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、及びこれらの合金のうちいずれか一つとの合金が挙げられる。Ｒｕ系合金は、Ｒｕ100-xＣｏx（ｘ＝０原子％よりも大きく６０原子％以下、特にｘ＝０原子％よりも大きく４０原子％以下）が好ましい。第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とが強磁性的に結合する第１非磁性結合層１８の厚さの範囲を拡大することができる。
【００２６】
また、Ｒｈ系合金としては、Ｒｈと、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、及びこれらの合金のうちいずれか一つとの合金が挙げられる。Ｉｒ系合金としては、Ｉｒと、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、及びこれらの合金のうちいずれか一つと合金が挙げられる。
【００２７】
第１非磁性結合層１８の厚さは、第１非磁性結合層１８がＲｕ膜よりなる場合は０．１ｎｍ〜０．４５ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。また、Ｒｕ合金膜、例えばＲｕＣｏ膜よりなる場合は、０．１ｎｍ〜０．９５ｎｍの範囲から、第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とが強磁性的に結合する合金材料及び含有量により適宜設定されることが好ましい。この範囲内に設定することにより第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とを強磁性的に交換結合することができ、外部磁界を印加されていない状態で第１強磁性層１６の磁化と第２強磁性層１９の磁化を互いに平行とすることができる。また、ＲｕＣｏ膜を用いることで、第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とが強磁性的に結合する第１非磁性結合層１８の厚さの範囲を拡大できる点で好ましい。交換結合の大きさの観点からは０．２ｎｍ〜０．８ｎｍの範囲であることが更に好ましい。例えばＲｕ80Ｃｏ20膜の場合は０．２ｎｍ〜０．７ｎｍの範囲に設定されることが更に好ましい。
【００２８】
また、第１非磁性結合層１８の形成にあたっては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法を用いることができる。特に基板全体に亘って厚さのバラツキを抑制するために、イオンクラスタビーム（ＩＣＢ）法を用いてもよい。表面に到達する運動エネルギー及び堆積量の制御が良好であるので厚さのばらつきを抑制することができる。さらに、ＩＣＢ法を用いることにより、上述したＲｕ膜及びＲｕ合金膜等の好ましい厚さの最小値を０．２ｎｍ程度の極薄の範囲まで拡張することができると推察される。
【００２９】
前記第２強磁性層１９は、第１強磁性層１６の材料として挙げた、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金、並びに、好適な上記ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ及びＣｏＣｒＰｔ多元系合金から選択・構成される。
【００３０】
第２強磁性層１９の材料の組成は、第１強磁性層１６及び磁性層２１と比較して、Ｐｔ含有量を多く設定する。すなわち、第１強磁性層１６のＰｔ含有量＜磁性層２１のＰｔ含有量≦第２強磁性層１９のＰｔ含有量の関係を有するように設定する。動的保磁力の関係をＨｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’とすることができる。ここでＨｃ1’：第１強磁性層１６の動的保磁力、Ｈｃ2’：第２強磁性層１９の動的保磁力、Ｈｃ3’：磁性層２１の動的保磁力である。例えば磁性層２１を９原子％Ｐｔ−ＣｏＣｒＢ、第１強磁性層１６を２原子％Ｐｔ−ＣｏＣｒＢに対して第２強磁性層１９を１５原子％Ｐｔ−ＣｏＣｒＢとする。動的保磁力Ｈｃ2’を高めることができる。
【００３１】
なお、第１強磁性層１６はＰｔを含まなくともよい。動的保磁力Ｈｃ1’を低下させることができ、記録磁界を取り去った後に、第２強磁性層１９からの交換磁界により第２強磁性層１９の磁化方向と同じ方向に容易かつ早期に切り換えることができる。ここで、早期とは１ミリ秒程度をいい、例えば磁気ディスク装置において、磁気ディスクが１回転に要する時間より短い時間である。このように設定することにより、記録後ディスクが１回転する間に磁化状態が安定な状態になり、磁気ヘッドの再生出力を安定化することができる。なお、上記動的保磁力の関係を他の材料、例えばＰｔ以外の他の元素含有量を調整して設定してもよい。
【００３２】
また、Ｈｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’の関係を有する一例としては、第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の異方性磁界Ｈｋの関係が、Ｈｋ1＜Ｈｋ3≦Ｈｋ2となるように設定する。Ｂｅｒｔｒａｍ（H. N. Bertram, H. J. Richter, Arrhenius-Neel:J. Appl. Phys., vol. 85, No. 8, pp.4991(1999)）による動的保磁力と異方性磁界との関係は下記式（１）より、
Ｈｃ’＝０．４７４Ｈｋ｛１−１．５５［(ｋBＴ／ＫｕＶ）×ｌｎ（ｆ0ｔ／ｌｎ２）／２］｝2/3  …（１）
と表され、磁界スイッチング時間ｔ＝１０-9／ｌｎ２秒で異方性磁界Ｈｋと動的保磁力Ｈｃ’は比例すると考えてよく、Ｈｋ1＜Ｈｋ3≦Ｈｋ2より、Ｈｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’の関係が設定されることとなる。なお、上記式（３）中、ｆ0は緩和周波数（Attempt frequency）、Ｋｕは異方性定数、Ｖは磁性単位の体積、ｋBはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。
【００３３】
第２強磁性層１９の厚さは、０．２ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲に設定される。この範囲に設定することにより静的保磁力Ｈｃ2を低下させることでき、静的保磁力の関係をＨｃ3＞Ｈｃ2とすることができる。第２強磁性層１９の厚さは、特にオーバーライト特性の観点からは、Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’を満足する限り０．５ｎｍ〜２．０ｎｍの範囲であることが好ましい。動的保磁力Ｈｃ2’を大幅に増加させても薄層であるのでオーバーライト特性をほぼ同程度あるいはわずかな低下に抑制することができる。
【００３４】
前記第２非磁性結合層２０は、上述の第１非磁性結合層１８と同様の材料により構成され、厚さは０．５ｎｍ〜１．４ｎｍの範囲内に設定され、第２非磁性結合層２０の材料により適宜選択される。この範囲内に設定することにより第２強磁性層１９と磁性層２１とを反強磁性的に交換結合することができ、外部磁界を印加されていない状態で第２強磁性層１９の磁化と磁性層２１を互いに反平行とすることができる。例えば、Ｒｕ膜よりなる場合は０．５ｎｍ〜０．９ｎｍの範囲に設定される。また、第１非磁性結合層１８がＲｕＣｏ膜よりなる場合は１．０ｎｍ〜１．４ｎｍの範囲に設定される。第２強磁性層１９と磁性層２１とが反強磁性的に交換結合する第２非磁性結合層２０の厚さの範囲を拡大できる点で好ましい。
【００３５】
前記磁性層２１は、第１強磁性層１６及び第２強磁性層１９と同様に、厚さが５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定され、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等から構成され、好適なＣｏＣｒＴａ、及びＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ多元合金から選択・構成される。第１シード層１２〜磁性層２１までの積層体はエピタキシャル成長により形成されているので、磁性層２１の結晶性が良好でありかつ結晶粒径が制御されているので媒体ノイズが低減される。
【００３６】
また、第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の飽和磁化をそれぞれＭｓ1、Ｍｓ2、Ｍｓ3、膜厚をそれぞれｔ1、ｔ2、ｔ3と表すと、（Ｍｓ1×ｔ1＋Ｍｓ2×ｔ2）＜Ｍｓ3×ｔ3の関係に設定することが好ましい。磁気ヘッドの近くに位置する磁性層２１が正味の残留面積磁化を担うので、磁気ヘッドの記録磁界の切り換え位置に対応して磁性層２１に情報をより正確に記録することができる。なお、（Ｍｓ1×ｔ1＋Ｍｓ2×ｔ2）＞Ｍｓ3×ｔ3と設定してもよいが、磁気ヘッドから遠くに位置する第１強磁性層１６及び第２強磁性層１９が正味の飽和磁化を担うので、磁気ヘッドによる記録磁界の切り換え位置に対応して磁性層２１に正確に情報を記録することがより困難となり、また、磁気ヘッドと第１強磁性層１６及び第２強磁性層１９との距離が大となり、再生出力が低下してしまう。
【００３７】
磁性層２１と第２強磁性層１９との関係において、上述したように、第２強磁性層１９及び磁性層２１の動的保磁力の関係がＨｃ2’≧Ｈｃ3’に設定される。磁性層２１の動的保磁力Ｈｃ3’を第２強磁性層１９の動的保磁力をＨｃ2’より低くすることで、磁気ヘッドの記録磁界の切り換えに対し、磁性層２１が、第２強磁性層１９より先に磁化方向が切り換わる。したがって、磁性層２１には記録磁界の切り換えのタイミングに合った磁化遷移領域が形成され、ＮＬＴＳを低減することができる。
【００３８】
前記保護層２２は、例えばダイヤモンドライクカーボン、窒化カーボン、アモルファスカーボンなどにより構成され、厚さが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍから５ｎｍに設定される。
【００３９】
前記潤滑層２３は、例えばパーフルオロポリエーテルを主鎖として末端基が−ＯＨ、ベンゼン環等よりなる有機系液体潤滑剤より構成される。具体的には、潤滑層２３は厚さが０．５ｎｍ〜３．０ｎｍのＺＤｏｌ（Ｍｏｎｔｅ  Ｆｌｕｏｓ社製  末端基：−ＯＨ）、ＡＭ３００１（アウジモント社製、末端基：ベンゼン環）、Ｚ２５（Ｍｏｎｔｅ  Ｆｌｕｏｓ社製）等の潤滑剤から構成され、潤滑剤は保護層２２の材質に合わせて適宜選択される。なお、上述した各層は潤滑層２３を除いてスパッタ法、真空蒸着法などを用いて形成され、潤滑層２３は浸漬法、スピンコータ法を用いて形成される。また、磁気記録媒体１０がテープ状の場合、潤滑層２３はダイ塗工法、浸漬法等を用いて形成される。
【００４０】
本実施の形態の一実施例を以下に説明する。本実施例に係る磁気ディスクは、ガラス基板上に厚さ２５ｎｍのＮｉＰ層を形成し、大気中に曝露することよりＮｉＰ層に酸化処理を施す。次いで、ＮｉＰ層の上に順次、ＣｒＭｏＷ層（５ｎｍ）、ＣｒＭｏ層（３ｎｍ）、ＣｏＣｒ層（１ｎｍ）、第１強磁性層としてのＣｏＣｒＰｔ2Ｔａ合金層（４ｎｍ）、第１非磁性結合層１８としてのＲｕ層（０．３ｎｍ）、第２強磁性層としてのＣｏＣｒＰｔ16Ｂ合金層（１．５ｎｍ）の、第２非磁性結合層としてのＲｕ層（０．８ｎｍ）、磁性層としてのＣｏＣｒＰｔ12Ｂ合金層（１７ｎｍ）、ダイヤモンドライクカーボン層（４．５ｎｍ）を積層する。これらの成膜においてはＤＣマグネトスパッタリング装置を用いる。さらに、ＡＭ３００１をフッ素系溶媒に希釈した潤滑剤希釈溶液を用いて浸漬法により塗布して潤滑層（１．０ｎｍ）を形成する。以上により本実施例の磁気ディスクが形成される。なお、上記括弧内の数値は膜厚を示す。
【００４１】
図３は、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の静磁気特性及び磁化状態を示す図である。図３を参照するに、残留磁化状態から外部磁界Ｈを増加させると（例えば状態Ｂ→状態Ｃ、又は状態Ｄ→状態Ａ）、第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の磁化は外部磁界Ｈの印加方向を向いて互いに平行となる。次に外部磁界Ｈを減少させると、第２強磁性層１９の磁化が磁性層２１からの交換磁界により磁化方向が切り換わり、第１強磁性層１６の磁化が第２強磁性層１９からの交換磁界により切り換わる。外部磁界が印加されない状態（状態Ｂ、Ｄ）では、磁性層２１の磁化と第２強磁性層１９の磁化とが互いに反平行を向き、第１強磁性層１６と第２強磁性層１９の磁化が互いに平行に向く。さらに、外部磁界の方向を切り換えて増加させると磁性層２１の磁化方向が切り換わり始め、これら３層の正味の磁化Ｍは０となりこの外部磁界の値が３層の保磁力Ｈｃとなる。ここで、静磁気特性は振動試料型磁力計（ＶＳＭ）等で測定されたものであり、１ループの測定時間は数分間程度である。外部磁界の方向を切り換える時間は数秒程度となる。このような外部磁界の方向を切り換える時間（以下、「磁界スイッチング時間」と称する。）が秒のオーダー以上の長い時間の場合の保磁力Ｈｃを静的保磁力Ｈｃと称する。
【００４２】
このような外部磁界の方向を切り換える時間が数秒程度の静磁気特性曲線の場合は、本実施の形態に係る磁気記録媒体１０と、第１強磁性層１６／第１非磁性結合層１８／第２強磁性層１９を単層の強磁性層に換えた磁気記録媒体と略同様の静磁気特性曲線となる。
図４は、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の動的保磁力及び静的保磁力と、磁界及び磁化スイッチング時間との関係を示す図である。なお、磁化スイッチング時間は磁化方向が切り換わるのに要する時間である。
【００４３】
図４を参照するに、第１強磁性層、第２強磁性層、及び磁性層の保磁力の特性曲線が示されている。保磁力の特性曲線は、秒のオーダーの磁界スイッチング時間ｔAの時間領域（この時間領域の保磁力が静的保磁力である。）では保磁力は低く、一方、記録過程の磁界スイッチング時間（サブナノ秒〜１ナノ秒程度）では、短時間に磁界を切り換える場合、磁化の運動を妨げる方向に力（例えば粘性力）が働くため、磁化方向を切り換えるためにはより大きな印加磁界が必要となり、保磁力が増加する。この時間領域の保磁力を動的保磁力Ｈｃ’と称する。
【００４４】
磁界スイッチング時間ｔAの時間領域における静的保磁力の関係は、Ｈｃ3＞Ｈｃ2かつＨｃ3＞Ｈｃ1に設定されることが好ましい。磁性層が正味の残留面積磁化を担うことができ、磁性層に磁気ヘッドの記録磁界の切り換え位置に対応して磁化遷移領域が形成されるのでＮＬＴＳ特性が良好となる。
【００４５】
一方、磁界スイッチング時間ｔBの時間領域における動的保磁力の関係は、上述したようにＨｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’の関係を有している。例えば、第１強磁性層、第２強磁性層、及び磁性層の各層に印加される記録磁界及び交換磁界（方向も含め。）が略等しい場合は、磁化スイッチング時間は、短い方から並べると、第１強磁性層、磁性層、第２強磁性層の順になる。したがって、記録磁界を切り換えると、第１強磁性層、磁性層、第２強磁性層の順で磁化が切り換わる。本実施の形態の磁気記録媒体の場合は、交換磁界の働きにより磁性層の磁化方向の切り換えがし易くなる。以下、記録過程について説明する。
【００４６】
図５（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の磁気記録媒体の記録過程を時系列的に示す図である。図中説明の便宜のため、磁気ヘッドと磁気記録媒体の相対的に静止しているものとして説明する。
【００４７】
図５（Ａ）では、図示されない磁気ヘッドからの記録磁界ＨAPが右方向に印加され、記録磁界ＨAPにより、第１強磁性層１６、第２強磁性層１９、及び磁性層２１の各層の磁化Ｍ１〜Ｍ３はそれぞれ右方向に磁化している。
【００４８】
図５（Ｂ）では、記録磁界ＨAPが左方向に切り換えられ、動的保磁力の最も低い第１強磁性層１６の磁化Ｍ１が第２強磁性層１９及び磁性層２１の磁化Ｍ２、Ｍ３よりも先に記録磁界ＨAPにより切り換わる。この状態において、第２強磁性層１９には、第１強磁性層１６及び磁性層２１とそれぞれ交換結合しているので、第１強磁性層１６からの交換磁界ＨE21と磁性層２１からの交換磁界ＨE23は記録磁界ＨAPに平行に印加される。また、磁性層２１には、第２強磁性層１９からの交換磁界ＨE3が記録磁界ＨAPに平行に印加される。下式（２）の関係より、磁性層２１の磁化が先に記録磁界ＨAPの方向に切り換わる。
Ｈh3＋ＨE3−Ｈｃ3’＞Ｈh2＋ＨE2−Ｈｃ2’＞０  …（２）
ここで、Ｈh2、Ｈh3は第２強磁性層１９、磁性層２１でのそれぞれの記録磁界ＨAPの大きさを表す。
【００４９】
図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）に対してわずかな時間を経過した状態を示し、磁性層２１の磁化方向が切り換わった状態を示す。記録磁界ＨAPが増加することにより、図５（Ｄ）に示すように第２強磁性の磁化方向が切り換わる。その結果、各層の磁化が互いに平行になる。磁性層２１には図５（Ｃ）に示す磁性層２１の磁化の切り換えに合わせて、先に形成された右方向の磁化との境界である磁化遷移領域が形成される。
【００５０】
図５（Ｅ）は、記録磁界ＨAPを除去した後の様子を示している。第２強磁性層１９の磁化が交換磁界ＨE21およびＨE23を受けて磁気緩和により磁化方向が切り換わる。磁化方向が切り換わるために要する時間は図４に示す交換磁界ＨE2（＝｜ＨE23−ＨE21｜より保磁力曲線の動的保磁力Ｈｃ2’が下式（３）を満たす磁化スイッチング時間ｔＲＬ２である。
｜ＨE23−ＨE21｜≧Ｈｃ2’  …（３）
ｔＲＬ２はｔAとｔBとの間の時間領域であり、より短時間であることが好ましい。第１強磁性層１６は第２強磁性層１９から受ける交換磁界により、図４に示す磁化スイッチング時間ｔＲＬ１を要して磁化方向が切り換わる。
【００５１】
図５（Ｆ）は、第１強磁性層１６の磁化方向が切り換わった後の残留磁化状態の様子を示している。磁性層２１の磁化方向に対して、第１強磁性層１６及び第２強磁性層１９の磁化が反平行となる。
【００５２】
以上により、磁性層２１は記録磁界ＨAPと第２強磁性層１９からの交換磁界により強められた磁界によって、第２強磁性層１９よりも先に磁化方向が切り換わる。また、記録磁界ＨAPを除去した後に確実に第１強磁性層１６及び第２強磁性層１９の磁化方向を磁性層２１の磁化方向に対して反平行に切り換えることができる。
【００５３】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の磁気記憶装置の一実施の形態を示す図６及び図７と共に説明する。図６は、磁気記憶装置の要部を示す断面図である。図７は、図６に示す磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
【００５４】
図６及び図７を参照するに、磁気記憶装置４０は大略ハウジング４３からなる。ハウジング４３内には、モータ４４、ハブ４５、複数の磁気記録媒体４６、複数の記録再生ヘッド４７、複数のサスペンション４８、複数のアーム４９及びアクチュエータユニット４１が設けられている。磁気記録媒体４６は、モータ４４より回転されるハブ４５に取り付けられている。記録再生ヘッド４７は、ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果型素子）、又はＴＭＲ素子（トンネル磁気効果型）、又はＣＰＰ素子（Current Perpendicular to Plane素子）の再生ヘッド４７Ａと薄膜ヘッドの記録ヘッド４７Ｂとの複合型ヘッドからなる。各記録再生ヘッド４７は対応するアーム４９の先端にサスペンション４８を介して取り付けられている。アーム４９はアクチュエータユニット４１により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００５５】
本実施の形態の磁気記憶装置４０は、磁気記録媒体４６に特徴がある。磁気記録媒体４６は、例えば、図２に示す積層構成を有する実施の形態の磁気記録媒体１０である。勿論磁気記録媒体４６の枚数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であっても良い。
【００５６】
磁気記憶装置４０の基本構成は、図６及び図７に示すものに限定されるものではない。本発明で用いる磁気記録媒体４６は、磁気ディスクに限定されない。
【００５７】
本実施の形態によれば、磁気記憶装置４０は、磁気記録媒体４６が書き込まれたビットの優れた熱安定性及び低媒体ノイズ特性を有すると共に、書込み性能が良好であるので、信頼性が高くかつ高記録密度化を図ることができる。
【００５８】
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５９】
例えば、第２の実施の形態では磁気記憶装置についてハードディスク装置を例として説明したが、本発明はハードディスク装置に限定されない。例えば、本発明は磁気テープ装置、例えばヘリカルスキャン型のビデオテープ装置や、磁気テープの幅方向に亘って多数のトラックが形成されたコンピュータ用磁気テープ装置に用いられる磁気テープに適用することができる。
【００６０】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行であり、
前記第１の強磁性層の動的保磁力Ｈｃ1’、第２の強磁性層の動的保磁力Ｈｃ2’、及び磁性層の動的保磁力Ｈｃ3’の関係が、記録磁界のスイッチング時間領域において、Ｈｃ1’＜Ｈｃ3’≦Ｈｃ2’である、磁気記録媒体。
（付記２）  第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行であり、
前記第１の強磁性層はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒＰｔを主体とした合金よりなり、前記第２の強磁性層及び磁性層はＣｏＣｒＰｔを主体とした合金よりなり、
第１の強磁性層のＰｔ含有量＜磁性層のＰｔ含有量≦第２の強磁性層のＰｔ含有量の関係を有する、磁気記録媒体。
（付記３）  前記第２の強磁性層のＰｔ含有量が磁性層のＰｔ含有量よりも多いことを特徴とする付記１または２記載の磁気記録媒体。
（付記４）  前記第２の強磁性層は０．２ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲内の膜厚を有することを特徴とする１〜３うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記５）  前記第２の強磁性層の異方性磁界は第１の強磁性層の異方性磁界よりも大きいことを特徴とする付記１〜４うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記６）  前記第２の非磁性結合層は前記第１の非磁性結合層よりも膜厚が大なることを特徴とする付記１〜５うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記７）  前記第１及び第２の非磁性結合層はＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、及びＩｒ系合金からなる群のうちいずれかの材料よりなることを特徴とする付記１〜６うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記８）  前記第１の非磁性結合層はＲｕ膜よりなり、厚さが０．１ｎｍ〜０．４５ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする付記１〜７うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記９）  前記第１の非磁性結合層はＲｕＣｏ膜よりなり、厚さが０．１ｎｍ〜０．９５ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする付記１〜８うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１０）  前記第２の非磁性結合層はＲｕ膜よりなり、厚さが０．５ｎｍ〜０．９ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする付記１〜９うち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１１）  前記第１の強磁性層が飽和磁化Ｍｓ1および膜厚ｔ1を有し、
前記第２の強磁性層が飽和磁化Ｍｓ2および膜厚ｔ2を有し、
前記磁性層が飽和磁化Ｍｓ3および膜厚ｔ3を有するとき、
（Ｍｓ1×ｔ1＋Ｍｓ2×ｔ2）＜Ｍｓ3×ｔ3の関係を有することを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１２）  第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行であり、
前記磁性層の磁化方向を切り換える記録磁界を印加すると、磁性層の磁化方向が第２の強磁性層の磁化方向よりも先に切り換わる、磁気記録媒体。
（付記１３）  付記１〜１２のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対して情報を書き込み及び／又は読み出しを行う記録再生手段とを備えた磁気記憶装置。
（付記１４）  記録磁界を印加して情報を磁気的に磁気記録媒体に記録する記録方法であって、
前記第１の強磁性層上に設けられた第１の非磁性結合層と、
前記第１の非磁性結合層上に設けられた第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層上に設けられた第２の非磁性結合層と、
前記第２の非磁性結合層に設けられた磁性層とを備え、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と磁性層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記第１の強磁性層と第２の強磁性層の磁化方向が互いに平行であり、かつ前記第２の強磁性層と磁性層の磁化方向が互いに反平行である、磁気記録媒体に対し、前記磁性層の磁化方向を切り換えるステップを含み、
前記第１の強磁性層、第２の強磁性層及び磁性層の磁化方向は、記録磁界をかけて互いに平行にした後に、該記録磁界を取り除くと、前記第１の強磁性層及び第２の強磁性層の磁化方向が切り換わり、該記録磁界が印加されていない状態では、磁性層と、第１の強磁性層及び第２の強磁性層との磁化方向が互いに反平行となることを特徴とする記録方法。
（付記１５）  記録磁界を印加して情報を磁気的に磁気記録媒体に記録する記録方法であって、
前記磁気記録媒体は、
第１の強磁性層と、第１の非磁性結合層と、第２の強磁性層と、第２の非磁性結合層と、磁性層とが順次積層されてなり、
前記第１の強磁性層と第２の強磁性層、及び第２の強磁性層と第２の非磁性結合層はそれぞれ交換結合すると共に、
外部磁界が印加されない状態で、前記磁性層の磁化と第２の強磁性層の磁化が互いに反平行であり、かつ第２の強磁性層の磁化と第１の強磁性層の磁化が互いに平行であり、
記録磁界の磁界方向を切り替えた際に、第２の強磁性層及び磁性層に印加される記録磁界及び交換磁界と動的保磁力との関係が、下記式（２）によって表されることを特徴とする記録方法。
【００６１】
Ｈh3＋ＨE3−Ｈｃ3’＞Ｈh2＋ＨE2−Ｈｃ2’＞０  …（２）
（ここで、Ｈｃ2’、Ｈｃ3’は各々第２の強磁性層、磁性層の動的保磁力、ＨE2、ＨE3は各々第２の強磁性層、磁性層に印加される交換磁界、Ｈh2、Ｈh3は各々第２の強磁性層、磁性層に印加される記録磁界を表す。）
（付記１６）  記録磁界を除去した後に、第１の強磁性層及び第２の強磁性層に印加される交換磁界と動的保磁力との関係が、下記式（３）によって表されることを特徴とする付記１５記載の記録方法。
【００６２】
｜ＨE23−ＨE21｜≧Ｈｃ2’  …（３）
（ここで、ＨE23及びＨE21は、それぞれ磁性層及び第１強磁性層から第２の強磁性層に印加される交換磁界である。）
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来の磁気記録媒体の要部断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の静磁気特性及び磁化状態を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の動的保磁力及び静的保磁力と、磁界及び磁化スイッチング時間との関係を示す図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の記録過程を時系列的に示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す断面図である。
【図７】図６に示す磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０、４６  磁気記録媒体
１１        基板
１２        第１シード層
１３        第２シード層
１４        下地層
１５        非磁性中間層
１６        第１強磁性層
１８        第１非磁性結合層
１９        第２強磁性層
２０        第２非磁性結合層
２１        磁性層
２２        保護層
２３        潤滑層
４０        磁気記憶装置
【図１】
2005182922.tif 000003
【図２】
2005182922.tif 000004
【図３】
2005182922.tif 000005
【図４】
2005182922.tif 000006
【図５】
2005182922.tif 000007
【図６】
2005182922.tif 000008
【図７】
2005182922.tif 000009