(57)【要約】【課題】  温度変化に敏感な回路と熱源を集積回路領域において共存させる。【解決手段】  感温デバイス１２ａは、感温デバイス１２ａから発熱デバイス１２ｂを断熱するトレンチ１４ａを適切に設けることにより、同一の集積回路１０上の発熱デバイス１２ｂから遮蔽される。１つの実施形態では、トレンチ１４ｂは、集積回路ウェーハを完全に貫通する裏面腐食により成されている。結果として得られるトレンチ１４ｂに、断熱材１８が充填されることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感熱領域と、
発熱領域と、
前記感熱領域から前記発熱領域を遮蔽するように配置されているトレンチと
を備えている集積回路。
【請求項２】
前記トレンチが前記発熱領域の少なくとも２つの側辺の近傍に配置されている、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記トレンチが前記発熱領域を完全に包囲している、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
半導体基板上に形成されている請求項１に記載の回路であって、前記トレンチが前記基板を完全に貫通して延びている請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記基板の上面に配置されている誘電体層を含む請求項４に記載の回路。
【請求項６】
前記トレンチの中に配置されているトレンチ充填剤を含む請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記トレンチ充填剤はアモルファス二酸化珪素である請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記回路は半導体基板を含み、前記トレンチは延びて前記基板の裏面から前記基板に入り込んでいる請求項１に記載の回路。
【請求項９】
前記トレンチは前記基板の裏面から延びて前記基板を完全に貫通している請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
前記トレンチに断熱性充填剤が充填されている請求項９に記載の回路。
【請求項１１】
集積回路の第１の領域内に感熱性の第１の回路を形成するステップと、
集積回路の第２の領域内に発熱する第２の回路を形成するステップと、
前記第２の回路により発生された熱から前記第１の回路を遮蔽するために前記第２の領域の周りにトレンチを形成するステップと
を含んで成る方法。
【請求項１２】
半導体基板上に前記第１及び第２の領域を形成するステップと、前記基板を完全に貫通して延びているトレンチを形成するステップとを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板上に誘電体層を形成するステップと、エッチストップとして前記誘電体層を使用するステップとを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記トレンチにトレンチ充填剤を充填するステップを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記トレンチにアモルファス二酸化珪素を充填するステップを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
裏面腐食を使用して前記トレンチを形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
半導体基板と、
感熱性の第１のエレメントを含む、前記基板の第１の領域と、
発熱する第２のエレメントを含む、前記基板の第２の領域と、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置されており、前記基板を完全に貫通して延びているトレンチと
を備えている集積回路。
【請求項１８】
前記基板は上面及び裏面を含み、前記トレンチは前記裏面から前記上面へ延びている請求項１７に記載の回路。
【請求項１９】
前記基板及び前記トレンチ上に設けられている誘電体層を含む請求項１７に記載の回路。
【請求項２０】
前記トレンチにトレンチ充填剤が充填されている請求項１７に記載の回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（背景）
本発明は、一般に、集積回路内の断熱に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路には、様々な構成要素が含まれていることもある。これらの構成要素のうちのいくつかは、高熱を発生することもある。別の構成要素は、高温や変化に比較的敏感であることもある。
【０００３】
コストを低く抑えるために、同一の集積回路内にできるだけ多くの異なる構成要素を集積するのが望ましい。このように集積すれば、コストが下がるだけなく、サイズも小さくできる。しかしながら、より多くの構成要素を集積すると、熱に敏感なデバイスが、高熱発生デバイスと一緒に集積される確率が高くなる。
【発明の開示】
【０００４】
このようにして、熱に関連する問題を生じさせずに、同一の集積回路に異なるタイプのデバイスを集積するためのより良い方法が必要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
（詳細な説明）
図１において、集積回路１０は、様々な集積構成要素を含むこともある。例えば、温度変化に敏感な回路或いはデバイスが領域１２ａに配置されていることもある。例えば電力増幅器などの発熱デバイス又は回路が領域１２ｂ及び１２ｃのそれぞれに配置されていることもある。このようにして、領域１２ｂ及び１２ｃの双方から領域１２ａを熱的に絶縁するのが望ましい。
【０００６】
この目的のために、充填されたＬ形トレンチ１４ａが、領域１２ｂの端縁の周りに配置されることもある。この場合、領域１２ａに面する比較的方形に近い領域の２つの辺が、充填されたＬ形トレンチ１４ａにより遮蔽されていることもある。領域１２ｃは、完全に包囲する充填されたトレンチ１４ｂにより絶縁されることもある。トレンチ１４は、感温回路領域１２ａから発熱回路領域１２ｂ及び１２ｃを絶縁するのに効果的である。
【０００７】
このようにして、図２に示すように、集積回路基板１０の領域１２ｃ内には発熱回路２０が形成されていることもある。回路２０は、半導体基板１１の内部及び表面に形成されていることもある。基板１１上には上面誘電体層１６が配置されていることもある。
【０００８】
本発明の１つの実施形態では、回路１０がウェーハの形をとっているままで、トレンチ１４は、基板１１の裏面からの裏面腐食（back side etch）により形成される。この裏面腐食は、エッチストップとして上面誘電体層１６を使用することもある。このようにして、本発明の１つの実施形態では、裏面腐食は、ウェーハ基板１１を完全に貫通して延びて、ウェーハの上面上のエッチストップ誘電体層１６に到達する。
【０００９】
次いで、トレンチ１４に、適切な断熱特性を有する適切な充填剤１が充填される。例えば、アモルファス二酸化珪素が断熱充填剤１として利用されることもある。いくつかの実施形態では、トレンチ充填剤は利用されない。別の実施形態では、トレンチ１４は、従来の絶縁トレンチ技術を使用して、裏面の代りにウェーハの上面から成される。
【００１０】
その結果、例えば無線周波数電力増幅器などの電力消費が大きいデバイスに起因する有害な高温或いは温度変動は、同一の集積回路１０上に共存する感温デバイスから見た場合、より低減されることが分かる。
【００１１】
本発明を、限定された数の実施形態に対して説明したが、当業者は、それらから多数の変更及び変形を思い付くことが可能である。
【００１２】
添付のクレームは、本発明の真の精神及び範囲内に入るすべてのこのような変更及び変形をカバーするものとする。
【実施例１】
【００１３】
感熱領域と、発熱領域と、前記感熱領域から前記発熱領域を遮蔽するように配置されているトレンチとを備えている集積回路が提供される。
【実施例２】
【００１４】
前記トレンチが前記発熱領域の少なくとも２つの側辺の近傍に配置されている、実施例１に記載の回路が提供される。
【実施例３】
【００１５】
前記トレンチが前記発熱領域を完全に包囲している、実施例１に記載の回路が提供される。
【実施例４】
【００１６】
半導体基板上に形成されている実施例１に記載の回路であって、前記トレンチが前記基板を完全に貫通して延びている実施例１に記載の回路が提供される。
【実施例５】
【００１７】
前記基板の上面に配置されている誘電体層を含む実施例４に記載の回路が提供される。
【実施例６】
【００１８】
前記トレンチの中に配置されているトレンチ充填剤を含む実施例１に記載の回路が提供される。
【実施例７】
【００１９】
前記トレンチ充填剤はアモルファス二酸化珪素である実施例６に記載の回路が提供される。
【実施例８】
【００２０】
前記回路は半導体基板を含み、前記トレンチは延びて前記基板の裏面から前記基板に入り込んでいる実施例１に記載の回路が提供される。
【実施例９】
【００２１】
前記トレンチは前記基板の裏面から延びて前記基板を完全に貫通している実施例８に記載の回路が提供される。
【実施例１０】
【００２２】
前記トレンチに断熱性充填剤が充填されている実施例９に記載の回路が提供される。
【実施例１１】
【００２３】
集積回路の第１の領域内に感熱性の第１の回路を形成するステップと、集積回路の第２の領域内に発熱する第２の回路を形成するステップと、前記第２の回路により発生された熱から前記第１の回路を遮蔽するために前記第２の領域の周りにトレンチを形成するステップとを含んで成る方法が提供される。
【実施例１２】
【００２４】
半導体基板上に前記第１及び第２の領域を形成するステップと、前記基板を完全に貫通して延びているトレンチを形成するステップとを含む実施例１１に記載の方法が提供される。
【実施例１３】
【００２５】
前記基板上に誘電体層を形成するステップと、エッチストップとして前記誘電体層を使用するステップとを含む実施例１２に記載の方法が提供される。
【実施例１４】
【００２６】
前記トレンチにトレンチ充填剤を充填するステップを含む実施例１３に記載の方法が提供される。
【実施例１５】
【００２７】
前記トレンチにアモルファス二酸化珪素を充填するステップを含む実施例１４に記載の方法が提供される。
【実施例１６】
【００２８】
裏面腐食を使用して前記トレンチを形成するステップを含む実施例１に記載の方法が提供される。
【実施例１７】
【００２９】
半導体基板と、感熱性の第１のエレメントを含む、前記基板の第１の領域と、発熱する第２のエレメントを含む、前記基板の第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置されており、前記基板を完全に貫通して延びているトレンチとを備えている集積回路が提供される。
【実施例１８】
【００３０】
前記基板は上面及び裏面を含み、前記トレンチは前記裏面から前記上面へ延びている実施例１７に記載の回路が提供される。
【実施例１９】
【００３１】
前記基板及び前記トレンチ上に設けられている誘電体層を含む実施例１７に記載の回路が提供される。
【実施例２０】
【００３２】
前記トレンチにトレンチ充填剤が充填されている実施例１７に記載の回路が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の１つの実施形態による集積回路の底面平面図である。
【図２】本発明の１つの実施形態による図１の２−２切断線に略々沿って切断して示す拡大断面図である。
【図１】
2005056980.tif 000003
【図２】
2005056980.tif 000004