(57)【要約】      （修正有）【課題】負荷電流制御素子および負荷が、過熱状態と検出された場合でも、その負荷電流が一時的に制限され、過熱状態が解消されると、負荷電流が通電される。【解決手段】過熱保護回路１は、電源２から負荷３への電流通路内に設けられ、負荷３に流す電流を制御するバイポーラトランジスタ４の他に、第１の固定抵抗５およびＰＴＣサーミスタ６が並列に接続される抵抗ユニット７と、抵抗ユニット７と直列に接続された第２の固定抵抗８と、からなる抵抗モジュール９と、を備え、このＰＴＣサーミスタ６は、負荷３およびバイポーラトランジスタ４のうち少なくとも一方と熱的に結合され、かつ、抵抗モジュール９は、正常状態では、第２の固定抵抗８の抵抗値と、ほぼ等しく、かつ、過熱状態では、第１の固定抵抗５の抵抗値と第２の固定抵抗８の抵抗値を足した値と、ほぼ等しくなるように、第１の固定抵抗５、第２の固定抵抗８、およびＰＴＣサーミスタ６を設定する。【選択図】            図１
2005051873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から負荷への電流通路内に設けられ、前記負荷に流す電流を制御する入力端子を有する負荷電流制御素子の他に、
第１の固定抵抗および正の抵抗温度係数を有するサーミスタ素子が並列に接続される抵抗ユニットと、前記抵抗ユニットと直列に接続された第２の固定抵抗と、からなる抵抗モジュールと、を備え、
前記サーミスタ素子は、前記負荷および前記負荷電流制御素子のうち少なくとも一方と熱的に結合され、かつ、前記抵抗モジュールは、前記負荷電流制御素子の入力端子と接続されており、
前記負荷の電力が初期状態から低減されない温度範囲を正常状態、前記負荷の電力が初期状態から低減される温度範囲を過熱状態としたときに、
正常状態では、前記抵抗モジュールの抵抗値が、第２の固定抵抗の抵抗値と、ほぼ等しく、かつ、
過熱状態では、前記抵抗モジュールの抵抗値が、第１の固定抵抗の抵抗値と第２の固定抵抗の抵抗値を足した値と、ほぼ等しくなるように、
前記第１の固定抵抗、前記第２の固定抵抗、および前記サーミスタ素子を設定することを特徴とする、過熱保護回路。
【請求項２】
前記負荷電流制御素子は、バイポーラトランジスタであり、前記負荷電流制御素子の入力端子は、ベースであって、
前記負荷電流制御素子のコレクタは、前記負荷に接続され、かつ、前記負荷電流制御素子のベースは、前記抵抗モジュールに接続されるとともに、前記負荷電流制御素子のエミッタは、前記電源に接続されることを特徴とする、請求項１に記載の過熱保護回路。
【請求項３】
前記抵抗ユニットは、２個以上直列に接続され、前記サーミスタ素子は、それぞれキュリー温度の異なるサーミスタ特性を有するものが用いられることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の過熱保護回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種の電気機器の電源回路などに用いられる過熱保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオードを用いたパソコンなどの表示装置や自動車に用いられるパワーステアリング用モータの駆動回路を備える電気機器などに用いられる部品あるいは機器全体において、何らかの原因によって異常過熱が起こる場合がある。そのための対策として、過熱状態を検出し、その検出結果に基づいて過熱状態を解消する過熱保護回路が提案されている。
【０００３】
例えば、図６に示される過熱保護回路４１は、半導体スイッチ素子としてのトランジスタ４４と、感熱スイッチとしてのバイメタル４５を備えており、トランジスタ４４が、電源４２および負荷４３に対して直列に接続され、かつ、バイメタル４５が、トランジスタ４４のベースと、負荷４３との間に設けられたスイッチ回路とを構成している。（例えば、特許文献１参照。）
この構成において、トランジスタ４４とバイメタル４５とは熱的に結合されており、トランジスタ４４が過熱状態となって、ある所定温度以上になると、回路を閉じた状態から開く状態にバイメタル４５が切り換わる。これによって、トランジスタ４４のベース電流が零となり、トランジスタ４４がオフ状態に切り換わるので、負荷４３に対して電流の供給が完全に遮断される。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２８２９７８号公報（全頁、図１、図２）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の過熱保護回路では、以下に示すような問題点を有している。すなわち、この構成の過熱保護回路において、トランジスタが正常状態から、ある所定温度以上の過熱状態になると、バイメタルによってトランジスタはオフ状態に切り換えられ、負荷への通電は完全に遮断される。このため、発光ダイオードを用いた表示装置やパワーステアリング用モータの駆動回路を備える電気機器などのように、過熱状態と検出された場合でも、負荷電流が完全に遮断されることなく、その負荷電流を所定の時間だけ一時的に制限して、過熱状態が解消されると、再度正常状態の負荷電流を通電させるようにしたい用途には、この構成の過熱保護回路を用いることはできない。
【０００６】
そこで、本発明は、負荷電流制御素子や負荷において、電源から負荷へ電力を供給するときに、過熱状態を検出した場合でも、負荷電流を完全に遮断することなく、その負荷電流を一時的に制限でき、そして過熱状態が解消されると、正常状態の負荷電流を通電できる過熱保護回路を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、この発明に係る過熱保護回路は、電源から負荷への電流通路内に設けられ、この負荷に流す電流を制御する入力端子を有する負荷電流制御素子の他に、第１の固定抵抗および正の抵抗温度係数を有するサーミスタ素子が並列に接続される抵抗ユニットと、この抵抗ユニットと直列に接続された第２の固定抵抗と、からなる抵抗モジュールと、を備え、上記サーミスタ素子は、負荷および負荷電流制御素子のうち少なくとも一方と熱的に結合され、かつ、上記抵抗モジュールは、負荷電流制御素子の入力端子と接続されており、負荷の電力が初期状態から低減されない温度範囲を正常状態、負荷の電力が初期状態から低減される温度範囲を過熱状態としたときに、その正常状態では、前記抵抗モジュールの抵抗値が、第２の固定抵抗の抵抗値と、ほぼ等しく、かつ、その過熱状態では、前記抵抗モジュールの抵抗値が、第１の固定抵抗の抵抗値と第２の固定抵抗の抵抗値を足した値と、ほぼ等しくなるように、第１の固定抵抗、第２の固定抵抗、およびサーミスタ素子を設定することを特徴とする。
【０００８】
また、この発明に係る過熱保護回路の特定の局面として、前記負荷電流制御素子は、バイポーラトランジスタであることが好ましく、この負荷電流制御素子の入力端子は、ベースであって、負荷電流制御素子のコレクタは、負荷に接続され、かつ、負荷電流制御素子のベースは、抵抗モジュールに接続されるとともに、負荷電流制御素子のエミッタは、電源に接続される。
【０００９】
また、この発明に係る過熱保護回路の別の特定の局面としては、上記抵抗ユニットは、２個以上直列に接続され、上記サーミスタ素子は、それぞれキュリー温度の異なるサーミスタ特性を有するものが用いられることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、上記抵抗ユニット素子中のサーミスタ素子は、２個以上存在し、キュリー温度をそれぞれ適宜所望の値に選択することができる。
【００１１】
したがって、キュリー温度の異なるサーミスタ素子を用いるので、過熱時に見られる負荷または負荷電流制御素子の熱伝導による抵抗値の増加が、それぞれのサーミスタ素子で異なるので、サーミスタ素子の温度に応じて負荷電流制御素子の信号を段階的に変化させることができ、負荷電流を細かく制御することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１ないし図３は、この発明の第１の実施形態を説明するためのものである。ここで、図１は、第１の実施形態に係る過熱保護回路の回路図である。また、図２は、図１の過熱保護回路において示される、正の温度係数を有するサーミスタ素子６の温度と抵抗モジュール９の抵抗値との関係を示すグラフである。また、図３は、図１の過熱保護回路において示される、正の温度係数を有するサーミスタ素子６の温度と負荷電流Ｉ（コレクタ電流ＩＣ）との関係を示すグラフである。
【００１３】
過熱保護回路１には、電源２と負荷３が、電流通路内に設けられており、電源２から負荷３への電流通路に流れる負荷電流Ｉを制御する入力端子を備える負荷電流制御素子４と、抵抗モジュール９と、を備えている。
【００１４】
また、抵抗モジュール９は、第１の固定抵抗５および正の抵抗温度係数を有するサーミスタ素子６（以下、「ＰＴＣサーミスタ」と記す）からなる抵抗ユニット７と、第２の固定抵抗８とを備えており、第１の固定抵抗５およびＰＴＣサーミスタ６は、並列に接続されるとともに、抵抗ユニット７および第２の固定抵抗８は、直列に接続されている。
【００１５】
また、抵抗ユニット７は、負荷３および負荷電流制御素子４のうち少なくとも一方と、熱的に結合されており、かつ、抵抗モジュール９は、負荷電流制御素子４の入力端子と接続されている。
【００１６】
電源２は、例えばＤＣＤＣコンバータや電池などの直流電源が用いられ、この実施形態におけるその電圧は５Ｖである。負荷３は、一例としてモータが用いられている。
【００１７】
負荷電流制御素子４としては、一例としてｎｐｎ型のバイポーラトランジスタが用いられる。ただし、それに限定されず、ｐｎｐ型のバイポーラトランジスタや電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）なども適用可能である。
【００１８】
より具体的には、過熱保護回路１において、負荷３の一方端子には、電源２の正極側が接続され、負荷３の他方端子には、負荷電流制御素子（以下、「バイポーラトランジスタ」と記す）４のコレクタが接続されているとともに、バイポーラトランジスタ４のエミッタには、電源２の負極側が接続されている。また、第１の固定抵抗５とＰＴＣサーミスタ６が並列に接続される抵抗ユニット７の一方端子は、バイポーラトランジスタ４のベースと接続され、抵抗ユニット７の他方端子は、第２の固定抵抗８の一方端子と接続されているとともに、第２の固定抵抗８の他方端子は、負荷３の一方端子および電源２の正極側と接続されている。
【００１９】
ここで、ＰＴＣサーミスタ６は、負荷３および負荷電流制御素子４のうち少なくとも一方と熱伝導が容易になるように、負荷３もしくは負荷電流制御素子４に近接配置されており、熱的に結合された状態である。したがって、負荷３もしくは負荷電流制御素子４が何らかの要因で温度上昇する場合、その温度上昇に伴う負荷３もしくは負荷電流制御素子４の熱がＰＴＣサーミスタ６に短時間で伝導される。
【００２０】
また、ＰＴＣサーミスタ６は、以下に示すような温度特性を有するように選択される。すなわち、正常状態（もしくは、非過熱状態）では、ＰＴＣサーミスタ６の抵抗値は、第１の固定抵抗５の抵抗値および第２の固定抵抗８の抵抗値と比較して、小さい抵抗値（例えばＲＰＴＣ＝１００Ω）であり、負荷３の過熱状態として判断される所定温度（例えば８０℃）以上では、逆に第１の固定抵抗５の抵抗値および第２の固定抵抗８の抵抗値よりも大きい抵抗値（例えばＲＰＴＣ＝１０ｋΩ）である。ここで、第１の固定抵抗５は、例えば抵抗値Ｒ１が１．６ｋΩのものを使用し、第２の固定抵抗８は、例えば抵抗値Ｒ０が１ｋΩのものを使用する。
【００２１】
なお、過熱保護回路１には、通電のオンオフの切り換えを行なうスイッチ１０が設けられている。このスイッチ回路１０は、負荷３を作動させるためのドライブ回路であるが、これに限らず、通電のオンオフを切り換える手段としては各種採用が可能である。
【００２２】
さらに、過熱保護回路１の回路図には、第１のバイアス抵抗１１および第２のバイアス抵抗１２が設けられている。より具体的には、第１のバイアス抵抗１１は、バイポーラトランジスタ４のエミッタと電源２との間に配置され、第２のバイアス抵抗１２は、バイポーラトランジスタ４のベースと上記電源２との間に配置されている。したがって、第１のバイアス抵抗１１の抵抗値および／または第２のバイアス抵抗１２の抵抗値をあらかじめ調整することにより、バイポーラトランジスタ４の動作点を所望の条件に設定できるので、負荷３に供給される電流を良好に制御することが可能となる。ここで、第１のバイアス抵抗１１は、例えば抵抗値Ｒ１Ｂが１００Ωのものを使用し、第２のバイアス抵抗１２は、例えば抵抗値Ｒ２Ｂが１．３５ｋΩのものを使用する。
【００２３】
本発明の第１の実施形態に係る過熱保護回路１の動作について説明する。
【００２４】
はじめに、正常状態（換言すると、負荷の電力が初期状態から低減されない温度範囲）では、過熱保護回路１は、以下に示すように動作する。すなわち、スイッチ回路１０を閉じて、電源２をＯＮ状態にして作動させると、電源２から、抵抗モジュール９を通って、バイポーラトランジスタ４のベースに電流が流れ、そのベース電流ＩＢに応じたコレクタ電流ＩＣ、すなわち負荷電流Ｉが負荷３に流れる。
【００２５】
ここで、抵抗モジュール９の抵抗値は、ＰＴＣサーミスタ６の温度によって、図２のように、抵抗温度依存性を示す。これによると、正常状態では、例えばＲＰＴＣ＝１００Ω、Ｒ１＝１．６ｋΩ、Ｒ０＝１ｋΩ、Ｒ１Ｂ＝１００Ω、Ｒ２Ｂ＝１．３５ｋΩの場合、抵抗モジュール９の抵抗値は、約１．１ｋΩとなり、第２の固定抵抗８の抵抗値Ｒ２とほぼ同程度であるとみなしてよい。
【００２６】
なお、第１の固定抵抗５（Ｒ１）とＰＴＣサーミスタ６（ＲＰＴＣ）は並列に接続されているため、温度が上昇してＰＴＣサーミスタ６の抵抗値（ＲＰＴＣ）が増加しても、抵抗ユニット７の抵抗値は、第１の固定抵抗５の抵抗値（Ｒ１）よりも大きな値をとることはない。
【００２７】
つまり、正常状態での抵抗モジュール９の抵抗値は、後述のような、ある所定温度以上の過熱状態での抵抗モジュール９の抵抗値と比べて、低い値を示し、上記ベース電流ＩＢは、比較的大きな値となる。したがって、このベース電流ＩＢに応じたコレクタ電流ＩＣが負荷電流Ｉとして流れ、負荷３が負荷として正常に作動される。この場合、図３を参照すると、正常状態のときに負荷３に流れる負荷電流Ｉの電流値は、例えば２０ｍＡである。
【００２８】
次に、負荷３がある所定温度以上の過熱状態（換言すると、負荷の電力が初期状態から低減されない温度範囲）になると、過熱保護回路１は、以下に示すように動作する。すなわち、負荷３が過熱状態にある場合、ＰＴＣサーミスタ６は、この負荷電流制御素子４と熱的に結合されているため、ＰＴＣサーミスタ６の温度は上昇する。そして、その温度上昇に伴い、ある所定温度以上（例えば、８０℃以上）に達すると、ＰＴＣサーミスタ６の抵抗値は、例えばＲＰＴＣ＝１０ｋΩと急激に大きくなる。したがって、例えばＲＰＴＣ＝１０ｋΩ、Ｒ１＝１．６ｋΩ、Ｒ０＝１ｋΩ、Ｒ１Ｂ＝１００Ω、Ｒ２Ｂ＝１．３５ｋΩの場合、抵抗モジュール９の抵抗値は、図２に示すように、約２．４ｋΩとなり、第１の固定抵抗５の抵抗値Ｒ１と第２の固定抵抗８の抵抗値Ｒ２を足した値、すなわち「Ｒ１＋Ｒ２」とほぼ同程度であるとみなしてよい。つまり、この時に流れるベース電流ＩＢの電流値は、室温に近い状態のベース電流ＩＢのそれと比べて小さくなるので、そのベース電流ＩＢに応じた上記コレクタ電流ＩＣの電流値も、室温に近い状態のコレクタ電流ＩＣのそれと比べて減少する。この場合、図３を参照すると、過熱状態のときに負荷３に流れる負荷電流Ｉの電流値は、例えば１０ｍＡである。
【００２９】
そして、ＰＴＣサーミスタ６の温度が所定温度よりもさらに高くなった場合でも、図２を見てもわかるように、抵抗モジュール９の抵抗値は、ある抵抗値以上には大きくならずに一定の値に収束する挙動を示す。これにより、負荷３へ流れる電流値が小さく制限されるため、負荷３の過熱状態は次第に改善され、最終的に、再び正常状態に戻る。
【００３０】
ここで、この過熱保護回路１において、正常状態では、抵抗モジュール９の抵抗値が、第２の固定抵抗８の抵抗値と、ほぼ等しく、かつ、過熱状態では、抵抗モジュール９の抵抗値が、第１の固定抵抗５の抵抗値と第２の固定抵抗８の抵抗値を足した値と、ほぼ等しくなるように、第１の固定抵抗５、第２の固定抵抗８、およびＰＴＣサーミスタ６を設定することが望ましい。
【００３１】
さらに、ＰＴＣサーミスタ６のキュリー温度を、正常状態と過熱状態の境界温度、もしくは負荷電流を一時的に制限させた温度とほぼ一致するように、ＰＴＣサーミスタ６を選択することがより望ましく、第１の固定抵抗５の抵抗値と第２の固定抵抗８の抵抗値はともに同桁の抵抗値であり、キュリー温度未満でのＰＴＣサーミスタ６の抵抗値は、第１の固定抵抗５の抵抗値および第２の固定抵抗８の抵抗値に比べて１桁低い抵抗値であり、かつ、キュリー温度以上でのＰＴＣサーミスタ６の抵抗値は、第１の固定抵抗５の抵抗値および第２の固定抵抗８の抵抗値に比べて１桁高い抵抗値であることがより望ましい。
【００３２】
以上のように、本発明の過熱保護回路１によれば、負荷電流Ｉを完全に遮断することなく、負荷を動作状態に保ったままで、負荷電流Ｉを一時的に制限させることが可能となる。したがって、過熱状態と検出された場合でも、負荷電流が完全に遮断されることなく、その負荷電流を所定の時間だけ一時的に制限して、過熱状態が解消されると、再度正常状態の負荷電流を通電させるようにしたい用途、例えばパワーステアリング用モータの駆動回路やパソコンなどの表示装置に用いる電流制御回路の場合には、有効に作動させることができる。
【００３３】
なお、ＰＴＣサーミスタ６のキュリー温度を変えると、図３のグラフの、実線で示されるものと破線で示されるものに見られるように、ベース電流ＩＢが過熱保護のために低減される温度、言い換えると、負荷電流Ｉが制限されるときの温度を変更することが可能となる。なお、図２の場合では、実線で示すサーミスタの方が、破線で示すサーミスタよりもキュリー温度は高くなっている。
【００３４】
図４は、この発明の第２の実施形態を説明するためのものである。ここで、図４は、第２の実施形態における過熱保護回路の回路図で、第１の実施形態における一変形例の位置付けである。また、図５は、図４の過熱保護回路において示される、正の温度係数を有するサーミスタの温度と負荷電流との関係を示すグラフである。図４において、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３５】
過熱保護回路３１は、図１に示される過熱保護回路の回路図において、第１の固定抵抗２６およびＰＴＣサーミスタ２５が並列に接続される抵抗ユニット２７を、２個以上の所定数ｎ個を直列に接続される構成に置き換えたものであり、より具体的には、過熱保護回路３１において、負荷３の一方端子には、電源２の正極側が接続され、負荷３の他方端子には、バイポーラトランジスタ４のコレクタが接続されているとともに、バイポーラトランジスタ４のエミッタは、電源２の負極側に接続されている。また、第１の固定抵抗２６とＰＴＣサーミスタ２５が並列に接続される抵抗ユニット２７の一方端子は、バイポーラトランジスタ４のベースと接続され、抵抗ユニット２７の他方端子は、第２の固定抵抗の一方端子と接続されているとともに、第２の固定抵抗２８の他方端子は、電源３２の正極側と接続されている。そして、抵抗ユニット２７は、第１の固定抵抗２６およびＰＴＣサーミスタ２５が並列に接続された構成を１個としたとき、２個以上の所定数ｎ個を直列に接続される構成である。なお、各ＰＴＣサーミスタ２５は、負荷３もしくはバイポーラトランジスタ４の少なくとも一方と、熱的に結合された状態である。また、電源３２は、バイポーラトランジスタ４の制御を行なうために、電源２の他に、さらに設けられている。
【００３６】
ここで、直列接続される抵抗ユニット２７の数は、過熱保護する際に、負荷３に電流を供給するのを段階的に減少させるように、所望の段数に応じて適宜設定される。すなわち、過熱保護回路３１の各ＰＴＣサーミスタ２５はそれぞれ異なる温度特性、すなわちキュリー温度が異なるものに設定できる（例えば、１０℃ごとにキュリー温度が異なるようにする等）。
【００３７】
したがって、図５に示すように、正常状態から過熱状態、すなわち負荷３が正常状態よりもある所定温度以上に温度上昇する状態になると、各ＰＴＣサーミスタ２５のうち最もキュリー温度が低いものが、ある所定温度以上で急激に抵抗値増加を示し、そのＰＴＣサーミスタ２５と並列接続された第１の固定抵抗２６による電圧降下が生じるので、その電圧降下分に相当する負荷電流Ｉが低減される。同様に、さらに温度上昇すると、その次にキュリー温度が高いものが、ある所定温度以上で急激に抵抗値増加を示し、そのＰＴＣサーミスタ２５と並列接続された第１の固定抵抗２６による電圧降下が生じるので、その電圧降下分に相当する負荷電流Ｉが低減される。このようにして、順次キュリー温度がより高いものを用いると、段階的に負荷電流Ｉを減少させることが可能となる。なお、負荷３の温度が変化しなくなると、その温度に対応した負荷電流Ｉで安定する。逆に、負荷３の温度が低下すると、その温度に対応して負荷電流Ｉが増大する。この第３の実施形態では、多段階に負荷電流を変化させることができるので、過熱状態が生じても急激に負荷電流を低減させることなく、微少な電流値の制御を精度良く行なうことができる。
【００３８】
本発明は、上述の実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。
【００３９】
第１の固定抵抗およびＰＴＣサーミスタが並列に接続された抵抗ユニットは、第１の固定抵抗を成す抵抗成分に対してＰＴＣサーミスタが並列に接続されていればよく、第１の固定抵抗が複数の抵抗素子で構成されたものや、複数個のＰＴＣサーミスタが並列に接続されたものも含まれ得る。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、過熱状態と検出された場合でも、負荷電流が完全に遮断されることなく、その負荷電流を所定の時間だけ一時的に制限して、過熱状態が解消されると、再度正常状態の負荷電流を通電させるようにしたい用途、例えばパワーステアリング用モータの駆動回路やパソコンなどの表示装置に用いられる電流制御回路の場合には、有効に作動させることが可能となり、その負荷が過熱状態になっている場合でも、その保護を図りながら、負荷を作動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る第１の実施形態の過熱保護回路の回路図。
【図２】図１において示される、ＰＴＣサーミスタ６の温度と抵抗モジュール９の抵抗値との関係を示すグラフ。
【図３】図１において示される、ＰＴＣサーミスタ６の温度と負荷電流Ｉとの関係を示すグラフ。
【図４】この発明に係る第２の実施形態の過熱保護回路の回路図。
【図５】図４において示される、ＰＴＣサーミスタ２５の温度と負荷電流との関係を示すグラフ。
【図６】従来例の過熱保護回路の回路図。
【符号の説明】
１    過熱保護回路
２    電源
３    負荷
４    負荷電流制御素子（バイポーラトランジスタ）
５    第１の固定抵抗
６    サーミスタ素子（ＰＴＣサーミスタ）
７    抵抗ユニット
８    第２の固定抵抗
９    抵抗モジュール
【図１】
2005051873.tif 000003
【図２】
2005051873.tif 000004
【図３】
2005051873.tif 000005
【図４】
2005051873.tif 000006
【図５】
2005051873.tif 000007
【図６】
2005051873.tif 000008