(57)【要約】【課題】更なるファイン化に対応すべく、柱状金属体の形状、大きさ、及び位置を高精度に制御することができる柱状金属体の形成方法、その形成方法で得られる柱状金属体、及びその柱状金属体を備えた配線基板を提供する。【解決手段】金属層のエッチングにより柱状金属体ＥＰを形成する柱状金属体の形成方法において、前記金属層の柱状金属体ＥＰを形成する位置に第１マスク層を形成する工程、その金属層を部分エッチングして柱状金属体ＥＰの上部となる凸部２４ａを形成する工程、前記第１マスク層を除去する工程、前記凸部２４ａ及びその周囲の残部金属層２４ｃを略一定幅で被覆する第２マスク層３０を形成する工程、及び前記残部金属層２４ｃをエッチングして柱状金属体ＥＰの下部２４ｂを形成する工程を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層のエッチングにより柱状金属体を形成する柱状金属体の形成方法において、
（ａ）前記金属層の柱状金属体を形成する位置に第１マスク層を形成する工程、
（ｂ）その金属層を部分エッチングして柱状金属体の上部となる凸部を形成する工程、
（ｃ）前記第１マスク層を除去する工程、
（ｄ）前記凸部及びその凸部の周囲の残部金属層を略一定幅で被覆する第２マスク層を形成する工程、及び
（ｅ）前記残部金属層をエッチングして柱状金属体の下部を形成する工程、を含むことを特徴とする柱状金属体の形成方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程における金属層は、それと別の金属からなる保護金属層で被覆された下層の配線層の上に形成されたものである請求項１記載の柱状金属体の形成方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程で形成される凸部の高さが、最終的な柱状金属体の高さの１０〜７０％であり、前記（ｄ）工程で凸部の周囲の残部金属層を被覆する第２マスク層の幅が、最終的な柱状金属体の高さの３０〜１５０％である請求項１又は２に記載の柱状金属体の形成方法。
【請求項４】
最も太い部分の高さが、上面までの高さの３０〜９０％であり、最も細い部分の高さが、前記最も太い部分の高さの３０〜７０％である配線層間接続用の柱状金属体。
【請求項５】
柱状金属体が、それと別の金属からなる保護金属層で被覆された下層の配線層の上に形成されたものである請求項４記載の配線層間接続用の柱状金属体。
【請求項６】
請求項４又は５記載の柱状金属体を備えた配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品実装用のバンプや多層配線基板の配線層間の導電接続などに利用できる柱状金属体の形成方法、その形成方法で得られる柱状金属体、及びその柱状金属体を備えた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器等の小形化や高機能化に伴い、電子部品の高密度化が進められると共に、それを実装するための配線基板に対しても高密度化の要求が高まっている。また、ベアチップ等を実装する配線基板についても、ランド径やランドピッチのファイン化が進められている。これらに伴い、半導体部品実装用のバンプや多層配線基板の配線層間の導電接続などに利用できる柱状金属体にも、小径化や高密度化の要求が高まっている。
【０００３】
従来、上記の小径化に対応可能なバンプや柱状金属体の形成方法としては、金属層をエッチングして形成する方法が有効とされてきた。例えば、バンプを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の全面にバンプを構成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成した後、そのメッキ層のバンプ形成部分にマスク層を形成し、メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、非パターン部を被覆する保護金属層を除去する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、この方法で得られるバンプは、エッチングで形成されるため、周囲のエッチング環境によって、エッチングの度合いが変化し、これがバンプの小径化の妨げとなる場合がある。つまり、エッチングの度合いの違いによって、バンプ上面の面積が変化し、このため面積(大きさ)の不均一なバンプが形成される場合があった。そして、エッチングで形成したバンプは、裾広がりとなるため、短絡を防止するために十分なエッチングを行うと、バンプ上面の面積が極端に小さいものが生じる結果となった。
【０００５】
また、隣接する２つのバンプを円形のマスク層でエッチングにより形成するような場合、マスク層の形状が等方的であるにもかかわらず、周囲のエッチング環境が均一でないため、各バンプのエッチングの度合いが等方的でなくなり（例えば楕円化）、上面形状が不均一となり易い。
【０００６】
上記の如きバンプ形状や大きさの不均一化が生じると、これを介したチップ等への接続を確実に行うのが困難になり、更なる高密度化を目的としてバンプを小径化しようとすると、接続の信頼性、加工性などの点で限界があった。これは、多層配線基板の最外層にエッチングでバンプを形成する場合の問題であるが、エッチングで柱状金属体を形成する場合のファイン化の問題は、上下の配線層間を導電接続するためのビアポストについても当てはまる課題である。
【特許文献１】ＷＯ００／５２９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、更なるファイン化に対応すべく、柱状金属体の形状、大きさ、及び位置を高精度に制御することができる柱状金属体の形成方法、その形成方法で得られる柱状金属体、及びその柱状金属体を備えた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。      
【０００９】
即ち、本発明の柱状金属体の形成方法は、金属層のエッチングにより柱状金属体を形成する柱状金属体の形成方法において、
（ａ）前記金属層の柱状金属体を形成する位置に第１マスク層を形成する工程、
（ｂ）その金属層を部分エッチングして柱状金属体の上部となる凸部を形成する工程、
（ｃ）前記第１マスク層を除去する工程、
（ｄ）前記凸部及びその凸部の周囲の残部金属層を略一定幅で被覆する第２マスク層を形成する工程、及び
（ｅ）前記残部金属層をエッチングして柱状金属体の下部を形成する工程、を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明によると、第１マスク層を用いた部分エッチングで、金属層の上部のみをエッチングするため、エッチング量が少なくなり、全体をエッチングする場合と比べて周囲の環境による影響を受けにくくなる。このため、柱状金属体の上部となる凸部の形状、大きさ、及び位置を高精度に制御することができ、下部のエッチング時には当該凸部を第２マスク層で保護するため、柱状金属体の形状、大きさ、及び位置を高精度に制御することができる。また、下部のエッチング時には、凸部及びその周囲の残部金属層を略一定幅で被覆する第２マスク層が存在するため、横方向からのエッチングが起こるので、柱状金属体の下部が裾広がりとなるのを抑制することができる。このため、短絡を防止する目的で過度のエッチングをする必要が無くなる。その結果、接続の信頼性と加工性を維持しながら、更なるファイン化に対応することができる。
【００１１】
上記において、前記（ａ）工程における金属層は、それと別の金属からなる保護金属層で被覆された下層の配線層の上に形成されたものであることが好ましい。このように下層の配線層を保護しておくことで、上記のエッチング時に配線層が浸食されるのを防止できる。また、柱状金属体を下層の配線層に導電接続させることができ、配線層間のビアポストとして利用することができる。
【００１２】
また、前記（ｂ）工程で形成される凸部の高さが、最終的な柱状金属体の高さの１０〜７０％であり、前記（ｄ）工程で凸部の周囲の残部金属層を被覆する第２マスク層の幅が、最終的な柱状金属体の高さの３０〜１５０％であることが好ましい。前記凸部の高さがこの範囲であると、凸部の形状、大きさ、及び位置を高精度に制御し易くなる。また、周囲の残部金属層を被覆する第２マスク層の幅がこの範囲であると、加工性を損なわずに、横方向からのエッチングを起こし易くすることができる。
【００１３】
一方、本発明の柱状金属体は、最も太い部分の高さが、上面までの高さの３０〜９０％であり、最も細い部分の高さが、前記最も太い部分の高さの３０〜７０％であることを特徴とする。本発明の柱状金属体によると、前記最も太い部分の高さが、底面より十分高い位置になるため、柱状金属体が裾広がりとなって短絡し易くなるのを防止することができる。また、最も細い部分の高さ、上面でなくなるため、柱状金属体を上層に接続する際に、従来のエッチングバンプ等と比較して、接続の信頼性が高いものとなる。
【００１４】
上記において、柱状金属体が、それと別の金属からなる保護金属層で被覆された下層の配線層の上に形成されたものであることが好ましい。このように下層の配線層を保護しておくことで、上記のエッチング時に配線層が浸食されるのを防止できる。また、柱状金属体を下層の配線層に導電接続させることができ、配線層間のビアポストとして利用することができる。
【００１５】
他方、本発明の配線基板は、上記いずれか記載の柱状金属体を備えたことを特徴とする。本発明の配線基板によると、上記の柱状金属体を備えるため、短絡を防止し易く、かつ上層に接続する際に信頼性が高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１〜図５は、本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図である。
【００１７】
本実施形態では、基材２１の両面側に下層の配線層２２を有し、金属層２４と別の金属からなる保護金属層１１で被覆された下層の配線層２２の上に柱状金属体ＥＰを形成する例を示す。
【００１８】
先ず、図１（Ａ）に示すように、基材２１の両面上に配線層２２をパターン形成したものを準備する。その際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジストを使用する方法等で作製したものを用いることができる。基材２１としては、ガラス繊維とポリイミド樹脂等の各種反応硬化性樹脂とからなる基材を用いることができ、基材２１にはメッキスルーホール等の層間接続構造を有していてもよい。また、配線層２２を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使用される。
【００１９】
次に、図１（Ｂ）に示すように、予めパターン形成した配線層２２の非パターン部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層１０を形成する。無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、配線層２２を構成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００２０】
次に、図１（Ｃ）に示すように、下層の配線層２２の非パターン部を含めた全面を保護金属層１１で被覆すべく、下地導電層１０の全面に電解メッキを行って保護金属層１１を形成する。その際、保護金属層１１を構成する金属としては、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用される。具体的には、柱状金属体を構成する金属が銅である場合、保護金属層を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、電解メッキ可能な金属と、そのエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。
【００２１】
上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、図１（Ｂ）の基板をメッキ浴内に浸漬しながら、下地導電層１０を陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００２２】
即ち、本発明では、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層２２の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層１１を形成することが好ましい。その際、上述のように下地導電層１０等が介在する状態で、保護金属層１１による被覆を行ってもよく、また、下地導電層１０等を介在させずに、直接、保護金属層１１による被覆を行ってもよい。
【００２３】
次いで、図２（Ａ）に示すように、保護金属層１１の略全面に、柱状金属体ＥＰを構成する金属からなる金属層２４を電解メッキにより形成する。当該金属としては、通常、銅、ニッケル等が使用されるが、配線層２２を構成する金属とは同一でも異なっていてもよい。電解メッキは、上記と同様の方法により行われるが、保護金属層１１が陰極として利用される。具体的な金属層２４の厚みとしては、例えば２０〜２００μｍ、或いはそれ以上のものが例示される。このように、電解メッキにより全面に金属層２４を形成すると、金属層２４の高さが略等しくなり、略均一な高さの柱状金属体ＥＰを迅速に形成することができる。
【００２４】
本発明の（ａ）工程は、図２（Ｂ）に示すように、上記の金属層２４の柱状金属体ＥＰを形成する位置に第１マスク層２５を形成するものである。本実施形態では、スクリーン印刷により、散点状に第１マスク層２５を印刷する例を示す。第１マスク層２５の個々の大きさ（面積又は外径等）は、柱状金属体ＥＰの上部の大きさに対応して決定され、例えば５０〜３００μｍ、或いはそれ以上の外径を有するものが例示される。本発明では、２回に分けてエッチングを行うため、柱状金属体ＥＰの上面の位置、形状、大きさを、第１マスク層２５によって高精度に形成することができる。
【００２５】
本発明の（ｂ）工程は、図２（Ｃ）に示すように、金属層２４を部分エッチングして柱状金属体ＥＰの上部となる凸部２４ａを形成するものである。この部分エッチングによって、残部金属層２４ｃから突出する凸部２４ａが形成される。その際、エッチングの度合いによって、柱状金属体ＥＰの上部（凸部２４ａ）の高さを調整することができる。エッチングの度合いは、エッチング液の濃度や処理時間等で調整することができる。
【００２６】
図６（Ａ）を用いて説明すると、本発明では、この（ｂ）工程で形成される凸部２４ａの高さｈ１が、最終的な柱状金属体ＥＰの高さＨの１０〜７０％であるのが好ましく、特に２０〜６０％が好ましい。
【００２７】
エッチングの方法としては、金属層２４及び保護金属層１１を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、金属層２４（即ち柱状金属体ＥＰ）が銅であり、保護金属層１１が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用される。
【００２８】
本発明の（ｃ）工程は、図３（Ａ）に示すように、前記第１マスク層２５を除去するものである。これは薬剤除去、剥離除去など、第１マスク層２５の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００２９】
本発明の（ｄ）工程は、図３（Ｂ）に示すように、前記凸部２４ａ及びその凸部２４ａの周囲の残部金属層２４ｃを略一定幅で被覆する第２マスク層３０を形成する。図６（Ａ）を用いて説明すると、凸部２４ａの周囲の残部金属層２４ｃを被覆する第２マスク層３０の幅Ｗは、最終的な柱状金属体ＥＰの高さＨの３０〜１５０％であることが好ましく、５０〜１００％がより好ましい。
【００３０】
第２マスク層３０の形成には、凹凸の有る表面を高精度にマスクする観点から、感光性樹脂を用いて行うのが好ましい。感光性樹脂としては、液状フォトレジストやドライフィルムレジスト等を用いることができる。これらは、乾燥後又熱圧着後に、所定のパターンで露光され、現像が行われる。ドライフィルムレジストを熱圧着する場合、プレス面との間にクッション材を介在させることによって、ドライフィルムレジストを残部金属層２４ｃの表面により確実に密着させることができる。
【００３１】
これによって、図６（Ａ）に示すように、上面部３２及び周囲部３１と、その間に介在する側壁部３３からなる第２マスク層３０が形成される。この周囲部３１の存在によって、後のエッチングによって柱状金属体ＥＰの凸部２４ａが浸食されるのを好適に保護することができる。
【００３２】
本発明の（ｅ）工程は、図３（Ｃ）に示すように、前記残部金属層２４ｃをエッチングして柱状金属体ＥＰの下部２４ｂを形成するものである。エッチングの方法としては、（ｂ）工程と同じエッチング液を用いる方法が使用可能である。その際、エッチングによる浸食量が多過ぎると、形成される柱状金属体ＥＰの下部２４ｂが小径化（アンダーカットの増大）し過ぎて、後の工程に支障をきたす場合が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パターン部に金属層２４が残存して、短絡の原因となる場合が生じる。また、図３（Ｃ）に示すように、保護金属層１１で被覆された配線層２２（パターン部及び非パターン部）、柱状金属体ＥＰがエッチングされずに残ることになる。
【００３３】
本発明では、（ｅ）工程のエッチングによって、柱状金属体ＥＰの上面の径よりも、柱状金属体ＥＰの下部２４ｂの最も細い部分の径が小さくなるのが好ましい。これによって、短絡を好適に防止しながら、柱状金属体ＥＰの上面でより確実な接続を行うことができるようになる。
【００３４】
上記のエッチングの際には、図６（Ａ）に示すように、最初、残部金属層２４ｃの表面がラインＬ０の位置にあり、ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３を経て、最終的な柱状金属体ＥＰの下部２４ｂが形成される。エッチングの後期ほど、ラインが垂直に近づくが、柱状金属体ＥＰの上部２４ａの形状（特に上面形状）は維持される。これに対して、従来技術のエッチングでは、裾の部分を小径にするほど、上面の大きさが小さくなる。
【００３５】
本発明の柱状金属体ＥＰは、最も太い部分の高さｈ２が、上面までの高さＨの３０〜９０％であることが好ましい。また、最も細い部分の高さｈ３が、前記最も太い部分の高さｈ２の３０〜７０％であることが好ましい。
【００３６】
次に、図４（Ａ）に示すように、第２マスク層３０の除去を行うが、マスク層の除去（剥離）には、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等を用いることができる。
【００３７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、保護金属層１１の浸食が可能なエッチングを行う。エッチングの方法としては、（ｂ）工程や（ｅ）工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、柱状金属体ＥＰと下層の配線層２２が銅であり、保護金属層１１が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。これにより、図４（Ｂ）に示すように、柱状金属体ＥＰと配線層２２（パターン部）とに介在する保護金属層１１のみを残存させることができる。また、非パターン部には、下地導電層１０のみが残存する。
【００３８】
次に、図４（Ｃ）に示すように、非パターン部に残存する下地導電層１０をソフトエッチングで除去するが、ソフトエッチングを行うのは、柱状金属体ＥＰや、露出する配線層２２（パターン部）を過度に浸食するのを防止するためである。ソフトエッチングの方法としては、下地導電層１０を構成する金属に対するエッチング液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチングの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。
【００３９】
即ち、本発明では、少なくとも保護金属層１１の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１１を除去するが、上述のように下地導電層１０を有する場合には、保護金属層１１と下地導電層１０を順次エッチングして、非パターン部の保護金属層１１と下地導電層１０とを除去する。これにより、パターン部間の陥落を確実に防止することができる。
【００４０】
次に、図５（Ａ）に示すように、絶縁層２６を形成するための絶縁材２６ａの塗布を行う。絶縁材２６ａとしては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができ、これを各種方法で、柱状金属体ＥＰの高さよりやや厚くなるように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布方法としては、各種コーターが用いられる。また、反応硬化性樹脂のシートを用いて、ホットプレス等で絶縁層を形成することも可能である。
【００４１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、硬化した絶縁材２６ａを研削・研磨等することにより、柱状金属体ＥＰの高さと略同じ厚さを有する絶縁層２６を形成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００４２】
次に、図５（Ｃ）に示すように、柱状金属体ＥＰに一部が導電接続された上層の配線層２７を形成する。この配線層２７の形成は、下層の配線層２２を形成するのと同様の方法で形成することができる。例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッチング処理することによって、所定のパターンを持った配線層２７を形成することができる。
【００４３】
以上の工程によると、更に上層に配線層を形成することにより、例えば基板内に配線層として６層又は８層以上の回路構成をもつ多層配線基板を製造することができる。内部には、バイアホールに相当する層間接続構造が単数段又は複数段の柱状金属体ＥＰにより形成されている。
【００４４】
本発明の配線基板は、以上の如き柱状金属体を備えるものであるが、配線層間の導電接続だけでなく、チップを搭載するために配線層の表面にバンプを設けたもの、チップ搭載用基板の表面にバンプを設けたものなどでもよい。
〔他の実施形態〕
以下、本発明の他の実施形態について説明する。
【００４５】
（１）前記の実施形態では、基材の両面側に下層の配線層を有し、金属層と別の金属からなる保護金属層で被覆された下層の配線層の上に柱状金属体を形成する例を示したが、柱状金属体を基板の片面のみに形成するもの、即ち配線層の積層を片面のみに行うものであってもよい。
【００４６】
また、図７（Ａ）に示すように、配線層の上ではなく、別の金属層３６の表面に柱状金属体を形成してもよい。その場合、別の金属層３６の表面を別の保護金属層３５が被覆しているのが好ましい。別の金属層３６と別の保護金属層３５とは、それぞれ金属層２４と保護金属層１１と同じ金属で構成することができる。なお、図７（Ｂ）及び（Ｃ）は、（ｅ）工程において、柱状金属体ＥＰの下部２４ｂにおけるエッチングの程度が少ないものと多いものとを示している。これらは何れも本発明によって得られるものである。
【００４７】
（２）前記の実施形態では、予めパターン形成した下層の配線層の非パターン部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層を形成した後、更に全面に電解メッキを行って保護金属層を形成する例を示したが、絶縁層の全面に無電解メッキを行って下地導電層を形成した後にパターン形成した下層の配線層に対し、その全面に電解メッキを行って前記保護金属層を形成してもよい。その場合、下地導電層が既に存在するため、電解メッキを利用したパターンメッキにより下層の配線層のパターン形成が可能になる。なお、上記の方法は何れも、下地導電層を無電解メッキで形成しているが、スパッタリング、蒸着等により形成することも可能である。
【００４８】
（３）前記の実施形態では、第１マスク層を印刷により形成する例を示したが、ドライフィルムレジスト等を用いてマスク層を形成してもよい。その場合、ドライフィルムレジストの熱圧着、露光、現像が行われる。また、マスク層の除去（剥離）には、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００４９】
また、第１マスク層や第２マスク層を金属層のエッチング時に耐性を示す金属で形成してもよい。その場合、保護金属層と同様の金属を使用することができる。このように、マスク層を金属で形成すると、柱状金属体の上部となる凸部との密着性が良好になり、マスク層の脱落による不良の発生を防止することができる。
【００５０】
金属によるマスク層の形成は、所定パターンのメッキレジストを形成した後に、部分メッキを行う方法や、パネルメッキ後に所定パターンのエッチングレジストを形成してから、エッチングを行う方法などによって、所定の位置にマスク層を形成すればよい。
【００５１】
更に、金属層の黒化処理によって第１マスク層や第２マスク層を形成することも可能である。金属層の黒化処理した部分は、金属層をアルカリエッチングする際に耐性を有し、マスク層として機能する。本発明では、マスク層としての黒化処理を行った部分に更に、感光性樹脂などを用いてマスク層を形成することも可能である。この場合、樹脂のマスク層が脱落しても、黒化処理を行った部分がマスク層として機能するため、より確実に所望のエッチングを行うことができるようになる。
【００５２】
（４）前記の実施形態では、絶縁材を研削・研磨等することにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを有する絶縁層を形成する例を示したが、絶縁材である樹脂を加熱加圧することにより、柱状金属体の高さと略同じ厚さを有する絶縁層を形成してもよい。その場合、柱状金属体上に薄く残る絶縁性樹脂は、プラズマ処理等によって簡単に除去でき、また加熱後に研磨して平坦化することもできる。
【００５３】
（５）前記の実施形態では、第２マスク層の除去を（ｅ）工程の直後に行っている例を示したが、マスク層の除去工程の順序はこれに限定されず、例えば、保護金属層のエッチング工程の直後、下地導電層のソフトエッチング工程の直後、あるいは、絶縁材２６ａを研削・研磨等する際に、マスク層の除去を行ってもよい。
【００５４】
（６）前記の実施形態では、下地導電層を有する下層の配線層に保護金属層を被覆する例を示したが、下地導電層を形成せずに直接、保護金属層を被覆してもよい。その場合、無電解メッキ等により下層の配線層に保護金属層を被覆すればよく、また、保護金属層の浸食が可能なエッチングのみで、非パターン部を被覆する保護金属層を除去して、パターン部間の陥落を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図
【図２】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図
【図３】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図
【図４】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図
【図５】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図
【図６】本発明の柱状金属体の一例を従来品と比較して示す断面図
【図７】本発明の柱状金属体の他の例を示す工程図
【符号の説明】
【００５６】
１１    保護金属層
２１    基材（絶縁層）
２２    下層の配線層
２４    金属層
２４ａ  柱状金属体の上部（凸部）
２４ｂ  柱状金属体の下部
２４ｃ  残部金属層
ＥＰ    柱状金属体
２５    第１マスク層
２６    絶縁層
３０    第２マスク層
【図１】
2005285986.tif 000003
【図２】
2005285986.tif 000004
【図３】
2005285986.tif 000005
【図４】
2005285986.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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