(57)【要約】【課題】  反射型の光学部材に対して高精度な位置検出を行うことができる位置検出装置及び方法を提供する。【解決手段】  位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出装置であって、前記ステージには基準マークが設けられており、前記位置検出用マーク又は前記基準マークを照明する照明光を射出する照明光学系と、前記位置検出用マーク又は前記基準マークで反射した反射光を撮像手段に導く検出光学系と、前記撮像手段により検出される前記位置検出用マーク又は前記基準マークのマーク信号のコントラストを変更する変更手段とを有することを特徴とする位置検出装置を提供する。【選択図】          図２
2005166785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出装置であって、
前記ステージには基準マークが設けられており、
前記位置検出用マーク又は前記基準マークを照明する照明光を射出する照明光学系と、
前記位置検出用マーク又は前記基準マークで反射した反射光を撮像手段に導く検出光学系と、
前記撮像手段により検出される前記位置検出用マーク又は前記基準マークのマーク信号のコントラストを変更する変更手段とを有することを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
前記変更手段は、前記検出光学系の開口数を変更することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記変更手段は、前記照明光学系の開口数を変更することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記変更手段は、前記照明光の波長を変更することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項５】
前記変更手段は、前記検出手段が検出する前記反射光の検出方式を変更することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項６】
位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出方法であって、
前記ステージには基準マークが設けられており、
所定の検出条件で前記位置検出用マーク又は基準マークからの反射光を検出するステップと、
前記検出ステップで検出した前記反射光から得られるマーク信号が所定のコントラストを有しているかどうか判断するステップと、
前記判断ステップで前記マーク信号が所定のコントラストを有していないと判断した場合に、前記検出条件を変更するステップとを有することを特徴とする位置検出方法。
【請求項７】
位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出方法であって、
前記ステージには基準マークが設けられており、
前記位置検出用マーク又は前記基準マークの膜厚及び反射率毎に検出条件を予め記憶するステップと、
前記位置検出用マーク又は前記基準マークの膜厚及び反射率を取得するステップと、
前記取得ステップで取得した前記位置検出用マーク又は前記基準マークの膜厚
及び反射率に基づいて、前記検出条件を選択するステップとを有することを特徴とする位置検出方法。
【請求項８】
露光光を用いて反射型原版に形成されたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介して被処理体上に露光する露光装置であって、
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の位置検出装置を有し、
前記位置検出装置を利用して前記反射型原版の位置合わせを行うことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記露光光は、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍの波長を有する極端紫外線光であることを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記反射型原版は、前記露光光に対して最適な反射率の多層膜を有することを特徴とする請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
露光光を用いて反射型原版に形成されたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介して被処理体上に露光する露光方法であって、
請求項６又は７記載の位置検出方法を用いて、前記反射型原版の位置合わせを行うステップと、
位置合わせが行われた前記反射型原版に前記露光光を照明するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１０のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、位置検出装置に係り、特に、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、液晶ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの各種デバイスを製造する際に使用される露光装置において、レチクル等の物体の位置を高精度に検出する位置検出装置に関する。本発明は、露光光源として極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用する露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル又はマスク（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する。）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光源は、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外線光の波長は短くなってきた。
【０００４】
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。
【０００５】
ＥＵＶ光の波長領域では、物質による光の吸収が非常に大きくなるので、可視光や紫外線光で用いられるような光の屈折を利用した屈折素子は実用的ではない（即ち、ＥＵＶ光の波長領域では使用できる硝材は存在しない）。そこで、ＥＵＶ露光装置では、光の反射を利用した反射素子、即ち、ミラー（例えば、多層膜ミラー）が用いられる。また、レチクルもミラーの上に吸収体によって転写すべきパターンを形成した反射型レチクルが用いられる。
【０００６】
一方、投影露光装置においては、解像度の向上に伴って、ステージに載置するレチクルやウェハ、及び、レチクルとウェハとの相対的な位置を合わせるアライメントについても高精度化が必要とされている。そのため、投影露光装置には、レチクル等の上に構成されたアライメントマークを検出する位置検出装置、所謂、アライメント光学系（アライメントスコープ）が各種構成されている。
【０００７】
例えば、装置本体に対して正確に位置決めされているレチクル基準マークとレチクル上のアライメントマークの相対的な位置合わせを行うレチクルアライメントは、露光光と異なる波長を有するアライメント光でレチクル基準マーク及びアライメントマークを照明し、かかるマークを透過した光を撮像素子上に結像させて両マークの像の位置関係よりレチクルの装置本体に対する位置ずれを検出することによって、レチクルと装置本体との位置合わせを行うものである（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−３５３０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、ＥＵＶ露光装置におけるレチクルアライメントの場合、反射型レチクルを用いているために、レチクル基準マーク及びアライメントマークにアライメント光を透過させることができず、両マークの像を検出することができない。
【０００９】
また、反射型レチクル及び多層膜ミラーは、ＥＵＶ光の波長に対して高反射率となるように最適化されているため、非露光光であるアライメント光に対して十分な反射率が得られない場合がある。例えば、非露光光を用いて、反射型レチクル上のアライメントマークを投影光学系を介して検出するＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｔｈｅ  Ｌｅｎｓ）アライメントの場合、アライメント光に対してアライメントマークの反射率が低いために、検出されるマーク信号のコントラストが低下する場合がある。
【００１０】
また、投影光学系を介さずに反射型レチクル上のアライメントマークを検出することも考えられるが、上述したように、反射型レチクルのパターンは露光光に対して反射率及び吸収率を保証しているため、露光光以外の波長を使用すると、マーク信号を常に高コントラストで検出することができない場合がある。コントラストの低いマーク信号では、必要とされる高精度な位置検出できないばかりか、極端な場合にはアライメントマーク自体を検出することができない。
【００１１】
そこで、本発明は、反射型の光学部材に対して高精度な位置検出を行うことができる位置検出装置及び方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての位置検出装置は、位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出装置であって、前記ステージには基準マークが設けられており、前記位置検出用マーク又は前記基準マークを照明する照明光を射出する照明光学系と、前記位置検出用マーク又は前記基準マークで反射した反射光を撮像手段に導く検出光学系と、前記撮像手段により検出される前記位置検出用マーク又は前記基準マークのマーク信号のコントラストを変更する変更手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の別の側面としての位置検出方法は、位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出方法であって、前記ステージには基準マークが設けられており、所定の検出条件で前記位置検出用マーク又は基準マークからの反射光を検出するステップと、前記検出ステップで検出した前記反射光から得られるマーク信号が所定のコントラストを有しているかどうか判断するステップと、前記判断ステップで前記マーク信号が所定のコントラストを有していないと判断した場合に、前記検出条件を変更するステップとを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に別の側面としての位置検出方法は、位置検出用マークが形成された反射型原版と、前記反射型原版を載置するステージとの相対的な位置関係を検出する位置検出方法であって、前記ステージには基準マークが設けられており、前記位置検出用マーク又は前記基準マークの膜厚及び反射率毎に検出条件を予め記憶するステップと、前記位置検出用マーク又は前記基準マークの膜厚及び反射率を取得するステップと、前記取得ステップで取得した前記位置検出用マーク又は前記基準マークの膜厚及び反射率に基づいて、前記検出条件を選択するステップとを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、露光光を用いて反射型原版に形成されたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介して被処理体上に露光する露光装置であって、上述の位置検出装置を有し、前記位置検出装置を利用して前記反射型原版の位置合わせを行うことを特徴とする。
【００１６】
本発明の別の側面としての露光方法は、露光光を用いて反射型原版に形成されたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介して被処理体上に露光する露光方法であって、上述の位置検出方法を用いて、前記反射型原版の位置合わせを行うステップと、位置合わせが行われた前記反射型原版に前記露光光を照明するステップとを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、反射型の光学部材に対して高精度な位置検出を行うことができる位置検出装置及び方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００２１】
露光装置１は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル１２０に形成された回路パターンを被処理体１４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００２２】
図１を参照するに、露光装置１は、照明装置１１０と、レチクル１２０を載置するレチクルステージ１２５と、投影光学系１３０と、被処理体１４０を載置するウェハステージ１４５と、フォーカス位置検出機構１５０と、位置検出装置２００とを有する。
【００２３】
また、図１に示すように、ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低く、残留ガス（高分子有機ガスなど）成分との反応によりコンタミを生成してしまうため、少なくとも、ＥＵＶ光が通る光路（即ち、光学系全体）は真空チャンバーＣＡによって真空雰囲気となっている。
【００２４】
照明装置１１０は、投影光学系１３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル１２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源１１２と、照明光学系１１４とを有する。
【００２５】
ＥＵＶ光源１１２は、例えば、レーザープラズマ光源が用いられる。これは、真空中のターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される、例えば、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属膜、ガスジェット、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００２６】
照明光学系１１４は、ＥＵＶ光源１１２からのＥＵＶ光をレチクル１２０に導く光学系であり、複数の多層膜ミラー又は斜入射ミラー（集光ミラー）１１４ａ及びオプティカルインテグレーター１１４ｂ等から構成される。集光ミラー１１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター１１４ｂは、レチクル１２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照明光学系１１４は、レチクル１２０と共役な位置に、レチクル１２０の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャー（画角制限アパーチャー）１１４ｃが設けられている。
【００２７】
レチクル１２０は、反射型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動される。レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０で反射されて被処理体１４０上に投影される。レチクル１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル１２０と被処理体１４０とを走査することによりレチクル１２０のパターンを被処理体１４０上に縮小投影する。
【００２８】
レチクルステージ１２５は、レチクルチャック１２５ａを介してレチクル１２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向にレチクルステージ１２５を駆動することでレチクル１２０を移動させることができる。ここで、レチクル１２０又は被処理体１４０の面内で走査方向をＹ軸、それに垂直な方向をＸ軸、レチクル１２０又は被処理体１４０の面に垂直な方向をＺ軸とする。
【００２９】
投影光学系１３０は、複数のミラー１３０ａを用いて、レチクル１２０面上のパターンを像面である被処理体１４０上に縮小投影する。複数のミラー１３０ａの枚数は少ない方がＥＵＶ光の利用効率を高めることができるが収差補正が難しくなるため、４枚乃至６枚程度で構成される。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル１２０と被処理体１４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系１３０の被処理体１４０側の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程度である。ミラー１３０ａは、低熱膨張ガラスやシリコンカーバイド等の剛性及び硬度が硬く、熱膨張率が小さい材料からなる基板を研削及び研磨して所定の反射面形状（凸面又は凹面の球面や非球面など）を創生した後、モリブデン／シリコンなどの多層膜を成膜したものである。ミラー１３０ａへのＥＵＶ光の入射角が一定でない場合、膜周期一定の多層膜では、場所によって反射率が高くなるＥＵＶ光の波長がずれてしまうため、同一の波長のＥＵＶ光が効率的に反射されるように膜周期分布を持たせるとよい。
【００３０】
被処理体１４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体１４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００３１】
ウェハステージ１４５は、ウェハチャック１４５ａによって被処理体１４０を支持する。ウェハステージ１４５は、レチクルステージ１２５と同様に、リニアモーターを利用して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向に被処理体１４０を移動する。また、レチクルステージ１２５の位置とウェハステージ１４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００３２】
フォーカス位置検出機構１５０は、被処理体１４０面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ１４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体１４０面を投影光学系１３０による結像位置に保つ。
【００３３】
位置検出装置２００はＴＴＲアライメント光学系であり、直接又は間接的にレチクル１２０と被処理体１４０との相対的な位置関係を検出している。
【００３４】
以下、位置検出装置２００について具体的に説明する。図２は、図１に示す位置検出装置２００の構成の一例を示す拡大ブロック図である。位置検出装置２００は、照明光学系２１０と、検出光学系２２０とから構成される第１の位置検出手段と、照明光学系２５０と、検出光学系２６０とから構成される第２の位置検出手段とを有する。
【００３５】
照明光学系２１０は、非露光光を発する光源２１２と集光レンズ２１４から構成されている。照明光学系２１０からの照明光は、ハーフミラー２３０とミラー２４０を反射して、レチクルステージ１２５の上に配置されている反射型のアライメントマーク（以下、「レチクルステージ基準マーク」と称する。）１２５ｂを照明する。更に、レチクルステージ基準マーク１２５ｂを反射した照明光は、投影光学系１３０を通過し、基板としてのウェハ１４０を保持するウェハチャック１４５ａ上のチャックマーク１４５ｂを照射する。
【００３６】
レチクルステージ基準マーク１２５ｂとチャックマーク１４５ｂの相対的な位置決めは、照明光学系２１０によって照明されたレチクルステージ基準マーク１２５ｂ、チャックマーク１４５ｂの画像を、結像レンズ２２２と撮像素子２２４から構成される検出光学系２２０によって検出し、各種画像処理検出方法により行う。
【００３７】
照明光学系２５０は、非露光光を発する光源２５２と集光レンズ２５４から構成されている。照明光学系２５０からの照明光は、ハーフミラー２７０を反射して、レチクルステージ１２５の上に配置されているレチクルステージ基準マーク１２５ｂを照明する。更に、レチクルステージ基準マーク１２５ｂを反射した照明光は、結像光学系２６２を介して撮像素子２６４に受光される。
【００３８】
レチクルステージ基準マーク１２５ｂとレチクルアライメントマーク１２０ｂとの相対的な位置関係は、図３及び図４を用いて後述する方法によって相対的な位置関係を予め検出しておく。また、チャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂとの相対的な位置関係は、図５及び図６を用いて後述する方法によって相対的な位置関係を予め検出しておく。これにより、レチクルステージ基準マーク１２５ｂとチャックマーク１４５ｂの相対的な位置決めを行えば、レチクル１２０とウェハ１４０の相対的な位置合わせが行えることになる。
【００３９】
まず、図３及び図４を参照して、レチクルステージ基準マーク１２５ｂとレチクルアライメントマーク１２０ｂとの相対的な位置関係を予め検出する方法について説明する。
【００４０】
図３は、レチクルステージ１２５上に配置されたレチクルステージ基準マーク１２５ｂとレチクル１２０上に配置されたレチクルアライメントマーク１２０ｂとの相対的な位置計測を説明するための図であって、レチクル１２０上のレチクルアライメントマーク１２０ｂを検出している状態を示している。図３を参照するに、図１に示す状態と比較して、チクルステージ１２０の矢印方向への駆動により、レチクル１２０及びレチクルステージ基準マーク１２５ｂが移動して、検出光学系２６０の撮像素子２６４にレチクルアライメントマーク１２０ｂの画像が受光されているところである。
【００４１】
図４は、レチクルステージ１２５上に配置されたレチクルステージ基準マーク１２５ｂとレチクル１２０上に配置されたレチクルアライメントマーク１２０ｂの相対的な位置計測を説明するための図であって、レチクルステージ１２５上のレチクルステージ基準マーク１２５ｂを検出している状態を示している。図２及び図３に示す状態と比較して、レチクルステージ１２５の駆動が更に矢印方向に行われ、レチクル１２０及びレチクルステージ基準マーク１２５ｂが更に移動して検出光学系２６０の撮像素子２６４にレチクルステージ基準マーク１２５ｂの画像が受光されているところである。
【００４２】
まず、図３に示す状態となるように、レチクルステージ１２５が検出光学系２６０の検出位置に移動する。そして、レチクルステージ１２５を移動させ、検出光学系２６０により、レチクル１２０上のレチクルアライメントマーク１２０ｂの位置を画像処理検出し、その時のレチクルステージ１２５の位置をレチクルステージ位置記憶装置３００により記憶する。なお、この際のレチクルステージ１２５の位置は、レチクルステージ１２５に設けられている図示しない干渉計ミラーとその外に設けられているレーザー干渉計にて計測される。
【００４３】
次に、図４に示す状態となるように、レチクルステージ１２５が移動し、レチクルステージ基準マーク１２５ｂの位置を、検出光学系２６０により検出し、その時のレチクルステージ１２５の位置を図示しないレーザー干渉計にて測定を行い、レチクルステージ位置記憶装置３００により記憶する。検出光学系２６０による各マークの検出時のレチクルステージ１２５の座標から、レチクルステージ基準マーク１２５ｂとレチクルアライメントマーク１２０ｂの相対的な位置を検出する。
【００４４】
検出光学系２６０、光源２５２、照明光学系２５４及びハーフミラー２７０は移動機構を備えていてもよい。また、レチクルステージ基準マーク１２５ｂとレチクルアライメントマーク１２０ｂとの間の相対的な位置関係を検出する際、得られる画像のデフォーカス特性を検出すること等により、二つのマーク間の高さ検出を行ってもよい。
【００４５】
次に、図５及び図６を参照して、チャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂとの相対的な位置関係を予め検出する方法について説明する。かかる方法は、チャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂとの相対的な位置関係を、露光装置１の露光のためのウェハステージ１４５上にウェハ１４０を載置する前に検出し、次に、チャックマーク１４５ｂが設けられているチャック１４５ａでウェハ１４０を保持したまま、チャック１４５ａとウェハ１４０を搬送し露光装置１の露光のためのウェハステージ１４５上に載せ、レチクル１２０上のレチクルステージ基準マーク１２０ｂとチャックマーク１４５ｂとの相対的な位置関係を検出し、前に検出しているチャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂとの相対的な位置関係の情報を基にウェハステージ１４５を駆動して露光を行うものである。
【００４６】
これにより、アライメント計測と露光が平行に行われ、アライメント光学系の構成上の束縛条件、多くの場合において、投影光学系がなくなり、色々なアライメント光学系を構成することが可能となり、多彩なウェハプロセスに対して安定した検出率と高精度が高スループットで実現可能となる。
【００４７】
また、露光装置１でのレチクル１２０上のレチクルステージ基準マーク１２０ｂとチャックマーク１４５ｂの関係を計測する検出系（本実施形態では、ＴＴＬアライメント光学系）のチャックマーク側のベースラインというものも存在しなくなり計測精度の悪化要因を減らすことが可能となる。
【００４８】
図５及び図６は、ウェハステージ１４５上に配置されているチャック１４５ａの上に構成しているチャックマーク１４５ｂとウェハ１４０上に配置されているウェハアライメントマーク１４０ｂの相対的な位置関係を検出する第３の位置検出手段で各マークを計測している状態を示す図である。
【００４９】
本実施形態では、第３の位置検出手段として、光源２８２と、集光レンズ２８４とから構成される照明光学系２８０と、結像光学系２９２と、撮像素子２９４とから構成される検出光学系２９０により、画像処理検出を行い、チャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂとの相対的な位置関係を検出する。
【００５０】
まず、図５に示す状態となるように、ウェハステージ１２５が検出光学系２９０の検出位置に移動する。そして、ウェハステージ１４５の上に設置されたチャックマーク８の位置を、検出光学系２９０により検出し、その時のウェハステージ１４５の位置をウェハステージ位置記憶装置４００により記憶する。
【００５１】
次に、図６に示す状態となるように、ウェハステージ１４５を移動させ、検出光学系２９０により、ウェハ１４０上の複数のショットのウェハアライメントマーク１４０ｂの位置を画像処理検出し、その時のウェハステージ１４５の位置をウェハステージ位置記憶装置４００により記憶する。検出光学系２９０による各マークの検出時のウェハステージ１２５の位置座標から、チャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂの相対的な位置を検出する。
【００５２】
これにより、レチクル１２０とウェハ１４０の相対的な位置検出を行う際のウェハ１４０側のアライメントマーク１４０ｂは、チャックマーク１４５ｂを用いて行えばよい。チャックマーク１４５ｂはチャック１４５ａ上の任意の位置に配置が可能であること、及び、チャックマーク１４５ｂはアライメント光に対して高反射率が得られる基板を選択できる等の利点があり、設計の自由度が向上する。
【００５３】
また、チャックマーク１４５ｂとウェハアライメントマーク１４０ｂの相対的な位置関係を検出する際、得られる画像のデフォーカス特性を検出すること等により、二つのマーク間の高さ検出も行うことができる。
【００５４】
以下、レチクルステージ基準マーク１２５ｂ及びレチクルアライメントマーク１２０ｂの位置を検出する検出光学系２６０について詳細に説明する。図７は、図２乃至図４に示す検出光学系２６０の詳細な構成を示すブロック図である。
【００５５】
図７を参照するに、レチクルステージ１２０に構成されているレチクルチャック１２５ａに吸着されたレチクル１２０は、厚みバラツキを持っているため、そのフォーカス方向の位置を補正することができるように、レチクルステージ１２０はＺ軸方向に駆動可能になっている。なお、レチクルチャック１２５ａは、例えば、静電方式でレチクル１２０を吸着している。
【００５６】
照明光学系２５０の光源２５２から射出された光は、ファイバー２５３等によりコンデンサーレンズ２５６及び２５７に導光される。ファイバー２５３の端面と共役な面には、様々な形状を持ったアパーチャー切り替え２５８が構成されており、後述する条件で選択が可能になっている。
【００５７】
アパーチャー切り替え２５８は、図８に示すように、種々の形状を有する開口２５８ａ乃至２５８ｆが複数形成されている。ここで、図８は、図７に示すアパーチャー切り替え２５８を示す平面図である。本実施形態では、６種類の開口２５８ａ乃至２５８ｆを有し、開口２５８ａは最大開口（検出光学系２６０の最大開口数と同じ、所謂、照明σ値１に相当）、開口２５８ｂ及び２５８ｃ、は最大開口に対して小さな開口、開口２５８ｄは暗視野照明として、或いは、四重極照明として使用され、開口２５８ｅ及び２５８ｆは後述する暗視野照明として使用することができる構成になっている。換言すれば、アパーチャー切り替え２５８は、照明系のσ値を可変にしていることになる。但し、アパーチャー切り替え２５８の開口２５８ａ乃至２５８ｆの開口形状及び数に関しては、上述した種類に限定するものではない。
【００５８】
アパーチャー切り替え２５８の所定の開口２５８ａ乃至２５８ｆが選択され、かかる開口２５８ａ乃至２５８ｆを通過した光は、集光レンズ２５４を通過した後、照明光学系２５０と検出光学系２６０とを合成するハーフミラー２７０を経て、検出光学系２６０の対物レンズ２６１の瞳面（観察物体とフーリエ変換面）上にアパーチャー切り替え２５８（の開口２５８ａ乃至２５８ｆ）の像を結像させている。即ち、ファイバー２５３の出射端面、アパーチャー切り替え２５８及び対物レンズ２６１の瞳面は、共役な関係に配置されている。
【００５９】
対物レンズ２６１の瞳面には対物レンズ２６１の観察物体面上での開口数（ＮＡ）を可変にできるように、ＮＡ切り替え機構２６３が配置されている。ＮＡ切り替え機構２６３は、多段の開口径を持つアパーチャーを構成しており、それらを選択することでＮＡを可変にすることができる。
【００６０】
ＮＡ切り替え機構２６３を通過した光は、対物レンズ２６１を介して、レチクルアライメントマーク１２０ｂを照明している。即ち、ファイバー２５３の端面、アパーチャー切り替え２５８、ＮＡ切り替え機構２６３を通過した光により、レチクルアライメントマーク１２０ｂをケーラー照明している。
【００６１】
レチクルアライメントマーク１２０ｂから発生する反射、回折、散乱光は、再び対物レンズ２６１、ＮＡ切り替え機構２６３を通過した後、リレーレンズ２６５に至る。リレーレンズ２６５は、その後方に、レチクルアライメントマーク１２０ｂの像を一旦結像させる。
【００６２】
その後、結像光学系２６２にて再度撮像素子２６４上にレチクルアライメントマーク１２０ｂの像を結像させる。撮像素子２６４からの電気信号に基づいて、レチクルアライメントマーク１２０ｂの位置を算出する。なお、本実施形態では、対物レンズ２６１、リレーレンズ２６５、結像光学系２６２により撮像素子２６４上にレチクルアライメントマーク１２０ｂの像を結像しているが、レチクルアライメントマーク１２０ｂの像を撮像素子２６４上に結像することができれば、これらの光学要素、結像回数等はこれに限定されるものではない。
【００６３】
一方、ファイバー３１０の入射側の構成を図９に示す。図９を参照するに、ファイバー３１０の入射側には、３種類の光源２５２と、多段波長フィルタ２５１が構成されている。まず、ハロゲンランプ等の略可視光領域の波長を持つ光源２５２ａが構成されている。本実施形態では、ハロゲンランプ２５２ａとする。ハロゲンランプ２５２ａから射出された光は可視光領域に対して広帯域な波長分布を持っており、多段波長フィルタ２５１を通過する。
【００６４】
多段波長フィルタ２５１には、図１０に示すように、複数の波長カットフィルタ２５１ａ乃至２５１ｄがターレット上に構成されており（本実施形態では、４種類）、回転することで特定の波長の切り出しが可能になっている。波長帯域としては、４００ｎｍ乃至７５０ｎｍ近傍の光を特定の波長帯域として取り出す事が可能である。ここで、図１０は、図９に示す多段波長フィルタ２５１を示す平面図である。
【００６５】
多段波長フィルタ２５１を通過した光は、光路上に出し入れ可能な切り替えミラー２５５ｂ及び２５５ｃを光路上から取り出すことにより、コンデンサーレンズ２５９により、ファイバー２５３の入射面に効率良く導光される。
【００６６】
光源２５２としては、その他に水銀ランプのような紫外光を発生する光源２５２ｂと、赤外光を発生するＬＥＤ等の光源２５２ｃも構成されている。これらの光源２５２ｂ及び２５２ｃから出射した光は、切り替えミラー２５５ｂ及び２５５ｃを光路上に挿入することで、ハロゲンランプ２５２ａと同様に、ファイバー２５３に導光されるようになっている。
【００６７】
切り替えミラー２５５ｂ又は２５５ｃ、多段波長フィルタ２５１の波長カットフィルタ２５１ａ乃至２５１ｄを選択することで、所望の波長をファイバー２５３に導光することができ、ファイバー２５３によって、検出光学系２６０に導光することが可能になっている。なお、光源２５２の種類としては、ハロゲンランプ、水銀ランプ、ＬＥＤなどを例に挙げているが、これらに限定されない。ＬＥＤの代わりにＬＤやＨｅＮｅレーザー等の光源等を使用することも可能である。また、ファイバー２５３は、紫外光までも透過する必要があるので、合成石英等の紫外線透過型のファイバーを用いる必要がある。
【００６８】
検出光学系２６０に導光されたそれら波長の光は、上述したように、各波長帯域の条件下でレチクルアライメントマーク１２０ｂの観察が可能になっている。なお、これら光源ユニットは、好ましくは真空領域外に構成し、ファイバー２５３や光学レンズ等の引き回しによって、検出光学系２６０へ導光する。これにより、ランプ等からの脱ガスや発熱等の真空領域の環境を悪化させる要因を分離することが可能である。
【００６９】
広帯域の波長に対して、検出光学系２６０の色収差等はできるだけ補正されていることが望ましい。しかし、実際には紫外光までを保証する場合、レンズ等の硝材が限定されるため、全ての波長領域に対して収差補正することは困難になる場合がある。かかる場合については、後述する方法によって、その収差の影響を除去することが可能である。
【００７０】
以上のように、本実施形態におけるレチクルアライメントマーク１２０ｂを検出する検出光学系２６０は、照明光学系２５０のＮＡ（アパーチャー切り替え２５８）や検出光学系２６０のＮＡ（ＮＡ切り替え機構２６３）、更には、観察波長等の光学パラメータを変更可能にしている。かかる光学パラメータの選択について説明する。
【００７１】
図１１（ａ）は、ある積層構造を有するレチクル１２０のレチクルアライメントマーク１２０ｂの断面形状を模式的に示す図であり、かかるレチクルアライメントマーク１２０ｂを上述した検出光学系２６０で検出して得られたマーク信号を図１１（ｂ）乃至図１１（ｄ）に模式的に示している。
【００７２】
レチクル１２０は、基板１２０ｃの上にモリブデンとシリコンの多層構造を有する反射膜１２０ｄが構成されており、ＥＵＶ光を効率よく反射するようになっている。一方、ＥＵＶ光を反射しない積層構造の反射防止膜が反射膜１２０ｄ上に構成され、かかる反射防止膜によりレチクルアライメントマーク１２０ｂが形成されている。反射膜１２０ｄは、基本的には、金属膜で構成されているため、検出光学系２６０で用いる波長に対しては、ある程度の反射光を得ることが可能となる。
【００７３】
図１１（ａ）においては、反射防止膜も反射膜１２０ｄと同様な反射率を持つ場合を想定している。上述したように、検出光学系２６０で広帯域の波長を観察する場合、検出光学系２６０のＮＡはレチクルアライメントマーク１２０ｂを解像できる程度に絞って使うことで、球面収差やコマ収差といったＮＡに依存した収差の発生を抑えることが可能である。しかし、反射防止膜であるレチクルアライメントマーク１２０ｂの段差構造が低い場合、ＮＡを絞った状態では、高いコントラストを有するアライメント信号として、検出できない場合がある。低コントラストのアライメントマーク信号では、計測精度の劣化や、極端な場合には検出自体も不可能になってしまう。そのため、ある程度コントラスト高いアライメント信号を得る必要がある。
【００７４】
低コントラストのアライメント信号を表しているのが図１１（ｂ）に示すアライメント信号で、信号の深さＤが十分に得られない。このようなアライメント信号の場合、コントラストを上げる方法としては、検出光学系のＮＡを大きくする、或いは、アライメント光の波長を短くすることが効果的である。
【００７５】
検出光学系２６０の高ＮＡ化、或いは、アライメント光の短波長化した状態で検出されるレチクルアライメントマーク１２０ｂのアライメント信号を図１１（ｃ）に示す。図１１（ｃ）を参照するに、アライメント信号のコントラストが向上し、レチクルアライメントマーク１２０ｂの検出精度を保証することが可能となる。更に、上述したような対応でもアライメント信号のコントラストが十分でない場合、照明光学系２５０のσ値を小さくすることで、よりコントラストを強調することが可能となる。但し、σ値の小さい照明は検出光学系２６０の収差の影響が大きく、アライメント信号に非対称な歪を生じさせてしまうため、余りσ値を小さくすることは好ましくはない。しかし、レチクルアライメントマーク１２０ｂを検出できないことは露光装置として許容はできないため、そうした場合のみに適用する。ＮＡについても同様である。
【００７６】
一方、図１２（ａ）は、上述した反射防止膜であるレチクルアライメントマーク１２０ｂがアライメント光の波長に対して、透過性を有する場合を示している。かかる場合には、レチクルアライメントマーク１２０ｂで多重干渉が発生し、特定の波長に対して十分なコントラストが得られない場合が考えられる。ある特定の波長で、その干渉条件の悪い状態でのアライメント信号を図１２（ｂ）に示している。例えば、収差の敏感度を考えると、できるだけ長波長の光が好ましいが、赤外光では、図１２（ｂ）に示すように、干渉条件が悪くなってしまう場合、波長を可視光、或いは、紫外光まで変化させることで、反射防止膜であるレチクルアライメントマーク１２０ｂでの干渉状態が変化し、図１２（ｃ）に示すように、コントラストの高いアライメント信号を得ることができる。
【００７７】
なお、どの波長が最適かは、反射防止膜であるレチクルアライメントマーク１２０ｂの構成によって様々であり、適宜アライメント信号のコントラストを評価することで最適な波長を選択する。また、波長の選択、ＮＡの選択、σ値の選択といった光学パラメータについては、例えば、図１１（ｃ）に示す信号の深さＤの値を評価し、所定のコントラストが得られるかどうかで判断する。勿論、その他の関数でコントラストを定義してもよく、所定の評価値に基づいて、その値を満足する光学パラメータを選択できる構成を取っていれば、それに限定されるものではない。
【００７８】
また、本実施形態では、検出光学系２６０のＮＡ、波長、照明光学系２５０のσ値の変更の全てについて説明しているが、実際には、いずれか一つ、或いは、複数の組み合わせとして構成してもよい。
【００７９】
次に、図８に示すアパーチャー切り替え２５８の開口２５８ｅ又は２５８ｆで構成される暗視野検出について説明する。図７では、対物レンズ２６１の瞳面にＮＡを可変にできる構成をしていたが、ＮＡ切り替え機構２６３は、この位置に限定されるものではない。特に、暗視野検出を行う場合、対物レンズ２６１の後段にある結像光学系２６２の瞳近傍に配置してもよい。検出光のみが通過する瞳面にＮＡ切り替え機構２６３を配置し、その開口形状を、例えば、開口２５８ｆの内側の円径よりも小さくすることで、レチクルアライメントマーク１２０ｂからの回折光のみを検出でき、落射照明系の暗視野検出が可能となる。図１１や図１２を参照して説明したにような対応でも高コントラストなアライメント信号が得られない場合には、この暗視野検出が有効な場合がある。なお、暗視野検出と波長を変更する組み合わせも可能であるのは明確である。
【００８０】
以上のように、レチクルアライメントマーク１２０ｂの膜構成によってはＥＵＶ光に対する特性が保証されただけなので、ある特定の光学パラメータを有する検出光学系２６０では常に高コントラストなアライメント信号として検出することが困難な可能性がある。そうしたパターンの変化に対して、柔軟に対応するため、光学パラメータを可変にする検出光学系２６０を構成することが有効である。
【００８１】
次に、検出光学系２６０が使用するアライメント光の波長に対して、残存収差を持ってしまう場合について説明する。検出光学系２６０の波長に対する収差として、軸上色収差の発生が考えられる。ある特定の波長が選択された後、レチクル１２０上のアライメントマーク１２０ｂを観察する。その場合、軸上色収差のため、アライメントマーク信号がデフォーカスしている。そこで、レチクル１２０をフォーカス方向に駆動し、複数のフォーカス位置において検出光学系２６０を用いてアライメント信号のコントラストを算出する。コントラストの最大になるフォーカス位置を算出し、かかる位置でレチクルアライメントマーク１２０ｂを検出することで軸上色収差による像のボケがある程度解消される。
【００８２】
なお、このようにして算出したフォーカス位置に対して、上述したように、レチクルステージ基準マーク１２５ｂも計測する。その後、例えば、ＴＴＬアライメント光学系によって、ウェハとの相対的な位置を算出することで、検出光学系２６０の主光軸の傾きから発生する横ずれ成分を補償することが可能となる。
【００８３】
更に、倍率色収差については、特定の波長で発生する倍率誤差分を考慮して、かかる誤差分を計算上補正することでマークの大きさが多少変化しても検出は可能である。また、常に検出光学系２６０の中心に対してアライメントマーク１２０ｂを検出すれば、倍率色収差から発生するオフセット量は極力抑えることが可能である。上述した軸上色収差の場合と同様に、レチクルステージ基準マーク１２５ｂの位置も計測することで、より発生する誤差量を抑えることが可能である。
【００８４】
以上では、波長を変える度にレチクルステージ基準マーク１２５ｂの位置を測定しなおすように説明したが、予め所定の波長、或いは、照明光学系２５０のσ値、検出光学系２５０のＮＡに対して発生するオフセット（フォーカス量や倍率誤差分）を測定しておき、その値を装置に保存し且つ使用することで毎回の測定は不要になる。レチクルステージ基準マーク１２５ｂは、ガラスの基板にＣｒのような金属膜でマークを形成することで、検出光学系２５０の波長帯域に対して常にコントラストの高いアライメント信号を検出可能となる。
【００８５】
位置検出装置２００によれば、例えば、ＥＵＶ露光装置等において、レチクル（原版）とウェハ（基板）の相対的な位置決めを行う際に、ＥＵＶ光に対して最適化された様々なレチクルの多層膜ミラーを有するレチクルアライメントマークに対して、レチクルアライメントマークを検出する検出光学系のＮＡ、照明光学系のＮＡ（照明σ値）、波長、明視野検出、暗視野検出といった幾つかの光学パラメータを可変にすることで、常に、レチクルアライメントマークを高コントラスト（高Ｓ／Ｎ比）として検出すること可能となり、高精度な位置決めが可能となる。換言すれば、位置検出装置２００は、検出条件を変更することで、検出するアライメント信号のコントラストを変更することができる。
【００８６】
露光において、照明装置１１０から射出されたＥＵＶ光はレチクル１２０を照明し、レチクル１２０面上のパターンは、投影光学系１３０を介して、被処理体１４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、レチクル１２０と被処理体１４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル１２０の全面を露光する。露光装置１は、位置検出装置２００によって高精度にアライメントが行われているので、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００８７】
次に、図１３及び図１４を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８８】
図１４は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００８９】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図２】図１に示す位置検出装置の構成の一例を示す拡大ブロック図である。
【図３】レチクルステージ上に配置されたレチクルステージ基準マークとレチクル上に配置されたレチクルアライメントマークとの相対的な位置計測を説明するための図である。
【図４】レチクルステージ上に配置されたレチクルステージ基準マークとレチクル上に配置されたレチクルアライメントマークの相対的な位置計測を説明するための図である。
【図５】ウェハステージ上に配置されているチャックの上に構成しているチャックマークとウェハ上に配置されているウェハアライメントマークとの相対的な位置関係の検出を説明するための図である。
【図６】ウェハステージ上に配置されているチャックの上に構成しているチャックマークとウェハ上に配置されているウェハアライメントマークとの相対的な位置関係の検出を説明するための図である。
【図７】図２乃至図４に示す検出光学系の詳細な構成を示すブロック図である。
【図８】図７に示すアパーチャー切り替えを示す平面図である。
【図９】図７に示すファイバーの入射側の構成を示すブロック図である。
【図１０】図９に示す多段波長フィルタを示す平面図である。
【図１１】レチクル上のレチクルアライメントマークの構造とアライメント信号との関係を示す図である。
【図１２】レチクル上のレチクルアライメントマークの構造とアライメント信号との関係を示す図である。
【図１３】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１４】図１３に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００９１】
１                              露光装置
１１０                          照明装置
１２０                          レチクル
１２０ｂ                        レチクルアライメントマーク
１２５                          レチクルステージ
１２５ａ                        レチクルチャック
１２５ｂ                        レチクルステージ基準マーク
１４０                          被処理体
１４０ｂ                        ウェハアライメントマーク
１４５                          ウェハステージ
１４５ａ                        ウェハチャック
１４５ｂ                        チャックマーク
２００                          位置検出装置
２５０                          照明光学系
２５１                          多段波長フィルタ
２５１ａ乃至２５１ｄ            波長カットフィルタ
２５２ａ乃至２５２ｃ            光源
２５５ｂ及び２５５ｃ            切り替えミラー
２５８                          アパーチャー切り替え
２５８ａ乃至２５８ｆ            開口
２６０                          検出光学系
２６３                          ＮＡ切り替え機構
【図１】
2005166785.tif 000003
【図２】
2005166785.tif 000004
【図３】
2005166785.tif 000005
【図４】
2005166785.tif 000006
【図５】
2005166785.tif 000007
【図６】
2005166785.tif 000008
【図７】
2005166785.tif 000009
【図８】
2005166785.tif 000010
【図９】
2005166785.tif 000011
【図１０】
2005166785.tif 000012
【図１１】
2005166785.tif 000013
【図１２】
2005166785.tif 000014
【図１３】
2005166785.tif 000015
【図１４】
2005166785.tif 000016