(57)【要約】【課題】半導体もしくは液晶デバイス製造プロセス中に砥粒やセラミックスの微小片が半導体ウェハもしくは液晶のガラス基板上に落ちてパーティクルとなるのを防止する半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法は、焼成前のセラミック成形体にこれと同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒を用いてブラスト処理を施した後、このセラミック成形体を焼成することを特徴とするものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に粗面部を有するセラミックス製の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法であって、焼成前のセラミック成形体に該セラミック成形体と同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒を用いてブラスト処理を施した後、該セラミック成形体を焼成することを特徴とする半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法。
【請求項２】
前記セラミック成形体と同材質の砥粒の平均粒径が５０〜２００μｍである請求項１に記載の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法。
【請求項３】
前記有機物からなる砥粒の平均粒径が２００〜６００μｍである請求項１に記載の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法。
【請求項４】
前記ブラスト処理が、０．３〜０．５ＭＰａの噴射圧力でなされることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法。
【請求項５】
半導体もしくは液晶製造装置用部材が、ドーム状に形成されたセラミック成形体を焼成してなる処理容器用部材である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法。
【請求項６】
前記セラミック成形体の開口部を上方に向けて載置可能に、上部に該セラミック成形体の外壁形状が転写された凹みを有する焼成治具を用い、該焼成治具に前記セラミック成形体を載置したままブラスト処理及び焼成がなされることを特徴とする請求項５に記載の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤやＰＶＤのような成膜装置やエッチング装置等において、腐食性ガスやプラズマに曝される部位に使用される半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるＰＶＤやＣＶＤのような成膜工程やエッチング工程では、一般的にフッ素系や塩素系等種々の腐食性ガスをプラズマ化させて半導体ウェハ上に成膜や微細加工が施される。このような製造における処理容器用部材等の半導体製造装置用部材として、プラズマ化したガスによる腐食が少ないように、石英や耐食性の強いアルミナ、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、イットリア、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックスからなる部材が使用されている。
【０００３】
図４は上記の処理容器用部材が適用された誘導結合型プラズマエッチング装置を示す断面図である。処理容器用部材５はドーム状をなし、その下に金属製の下部チャンバー６１が処理容器用部材５に密着するように設けられており、これらによりチャンバーが構成されている。下部チャンバー６１内の上部には支持テーブル６２が配置され、その上に静電チャック６３が設けられており、静電チャック６３上に半導体ウェハ６４が載置される。静電チャック６３の電極には直流電源が接続されており、これにより半導体ウェハ６４を静電吸着する。また、支持テーブル６２にはＲＦ電源が接続されている。一方、下部ャンバー６１の底部には真空ポンプ６７が接続されており、チャンバー６１内を真空排気可能となっている。また、下部チャンバー６１の上部には半導体ウェハ６４の上方にエッチングガス例えばＣＦ４ガスを供給するガス供給ノズル６５が設けられている。処理容器用部材５の周囲には誘導コイル６６が設けられており、この誘導コイル６６にはＲＦ電源から例えば４００ｋＨｚの高周波が印加される。    
このエッチング装置においては、真空ポンプ６７によりチャンバー６１内を所定の真空度まで排気し、静電チャック６３により半導体ウェハ６４を静電吸着した後、ノズル６５からエッチングガスとして例えばＣＦ４ガスを供給しつつ、ＲＦ電源から誘導コイル６６に給電することにより、半導体ウェハ６４の上方部分にエッチングガスのプラズマが形成され、半導体ウェハ６４が所定のパターンにエッチングされる。    
このようなエッチング処理の際、処理容器用部材の内面はプラズマからの衝撃を受けるとともに、フッ化物膜等が付着・堆積する。このフッ化物膜等が半導体ウェハ上に剥がれ落ちてパーティクルとなるのを防止するために、処理容器用部材５の表面には粗面５１が形成されている。
【０００４】
従来、処理容器用部材５の表面に粗面部５１を得る方法としては、ブラスト処理を施す方法が知られている。このとき、図５に示すようにブラスト処理装置を用い、ノズル７よりエアー圧力により噴射した砥粒８を焼結後のセラミック部材（処理容器用部材５）に衝突させて粗面部５１が形成される（特許文献１参照）。また、ラバープレス成形法において、使用する金型の表面を同様にブラスト処理し、転写する方法が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１０２３６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、焼結後のセラミック部材（処理容器用部材５）の表面にブラスト処理装置を用いて粗面部５１を形成する場合、電融アルミナや炭化珪素質からなるグリーンカーボン（以下「ＧＣ」という）等の砥粒８を衝突させて物理的に破砕するため、図６に示すように、長さ１〜５μｍの微細クラック５２が無数に発生してしまう。そして、これらの砥粒８がその微細クラック５２に咬み込み、半導体デバイス製造プロセス中に処理容器用部材５が高温により熱膨張し微細クラック５２が進展した場合には、砥粒８や処理容器用部材５のセラミックスの微小片がウェハ上に落ちて、パーティクルとなるという問題があった。特にプラズマに対する耐食性に優れるＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）やイットリアは、一般的にアルミナよりも強度、破壊靭性値が低く、微細クラック５２が生じやすかった。    
また、ラバープレスにおける金型の面粗度を荒し、転写する方法では、実際には成形時に１００ＭＰａ程の圧力により成形される為、金型と成形体はかなり密着された状態となり、成形体を金型から引き離すときに密着面を粗くすると離れにくくなり、金型表面に成形体の一部が付着してしまい、所望の形状を得られなかった。    
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、半導体もしくは液晶デバイス製造プロセス中に砥粒やセラミックスの微小片が半導体ウェハもしくは液晶のガラス基板上に落ちてパーティクルとなるのを防止する半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、鋭意検討した結果、焼成前のセラミックス成形体にブラスト処理を施すことが上記課題を解決することを見出し、本発明に到達した。    
すなわち本発明は、表面に粗面部を有するセラミックス製の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法であって、焼成前のセラミック成形体に該セラミック成形体と同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒を用いてブラスト処理を施した後、該セラミック成形体を焼成することを特徴とする。    
ここで、セラミック成形体と同材質の砥粒の平均粒径が５０〜２００μｍであるのが好ましく、有機物からなる砥粒の平均粒径が２００〜６００μｍであるのが好ましい。また、ブラスト処理が、０．３〜０．５ＭＰａの噴射圧力でなされるのが好ましい。    
このような半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法は、ドーム状に形成されたセラミック成形体を焼成してなる処理容器用部材の製造に好ましく採用できる。    
また、本発明は、ドーム状に形成されたセラミック成形体の開口部を上方に向けて載置可能に、上部に該セラミック成形体の外壁形状が転写された凹みを有する焼成治具を用い、該焼成治具に前記セラミック成形体を載置したままブラスト処理及び焼成がなされることを特徴とするものである。    
尚、本発明における半導体もしくは液晶製造装置用部材とは、半導体製造装置用部材としても液晶製造装置用部材としても利用可能であることを意味する。
【発明の効果】
【０００７】
このように本発明の半導体もしくは液晶製造装置用部材の製造方法によれば、粗面部における微細クラックを防止し、腐食性ガス雰囲気に曝されても、砥粒やセラミックスの微小片が脱落することがないので、半導体ウェハもしくは液晶のガラス基板上へのパーティクルを減少させることができる。    
また、平均粒径が５０〜２００μｍのセラミック成形体と同材質の砥粒、または、平均粒径が２００〜６００μｍの有機物からなる砥粒を用いることにより、よりパーティクルの発生を低減させることができる。    
また、ブラスト処理が０．３〜０．５ＭＰａの噴射圧力でなされることにより、砥粒の粒径との調整で、良好な粗面を得ることが可能である。    
また、セラミック成形体の開口部を上方に向けて載置可能に、上部にこのセラミック成形体の外壁形状が転写された凹みを有する焼成治具を用い、この焼成治具に前記セラミック成形体を載置したままブラスト処理及び焼成がなされることにより、ブラスト処理中に、その粗面とする際に発生する成形体の反りや変形を防止することができ、さらに焼成時の収縮による変形を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。    
本発明は、半導体もしくは液晶製造装置用部材としての処理容器用部材の製造方法であって、焼成前のセラミック成形体にこれと同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒を用いてブラスト処理を施した後、このセラミック成形体を焼成することを特徴とするものである。
【０００９】
図１に示すように、セラミック成形体１は、セラミックスからなるドーム状の部材である。このセラミック成形体１は、セラミック原料をこのセラミック成形体１の内面を模した芯金が挿入されたゴム型内に充填し、これをゴム蓋やシール用テープを使用して密封し、湿式静水圧水槽内へ浸漬して、約１００ＭＰａの圧力で成形することで得られる。尚、セラミック原料は、アルミナ、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、イットリア、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素などの主成分に、ＰＥＧ、ＰＶＡの成形助剤や焼結助剤が含まれたスラリーを、ボールミルで混合・粉砕し、スプレードライ乾燥により得られた顆粒状のものである。そして、このセラミック成形体１をゴム型より取り出し、旋盤やフライス盤を使用して外面を加工し、さらにマシニングセンターなどを使用して目的の形状に切削加工する。このとき、後述のブラスト処理により粗面部１１となるセラミック成形体１の内面は、ある程度目的とする形状に近似した形状に成形されてはいるが、微妙な収縮率の違いなどを補正するために、若干の切削加工を施しても良い。
【００１０】
次に、この切削加工済みのセラミック成形体１の内面を粗面部１１とするために、図２に示すように、図１に示すセラミック成形体１の開口部１２を上方に向けて、ブラスト処理装置のノズル３よりエアー圧力により噴射した砥粒２を上方からセラミック成形体１の内面に衝突させて、ブラスト処理が施される。このブラスト処理装置は乾式のブラスト装置で、本来は焼結したガラスの表面に絵柄などを施すための装置であり、一般にセラミックスの焼成後にその表面をあらすためにも使用されている。    
焼成前のセラミック成形体にブラスト処理を施すのは、焼成前のセラミック成形体が成形助剤などの有機バインダーを含んでおり、焼結体としての処理容器用部材に比べて硬度が低いので、焼成前にブラスト処理するほうが微細クラックが生じにくく、微細クラックが生じたとしてもその後の焼成段階において、表面にガラス成分が析出することにより略修復されるからである。    
そして、このブラスト処理のとき、図２に示すように、セラミック成形体１の開口部１２を上方に向けて載置可能に、上部にセラミック成形体１の外壁形状が転写された凹み４１を有する焼成治具４を用いるのが好ましい。このような形状の焼成治具４を用いて、セラミック成形体１の開口部１２を上方に向け、外径部１３までの部分をこの焼成治具４の凹み４１にはめ込んだ状態でブラスト処理を施すのは、セラミック成形体１を固定できるのみならず、セラミック成形体１の表面の変化によってセラミック成形体１に反りや変形が発生しようとする問題を抑える効果があるからである。
【００１１】
ここで、ブラスト処理に使用される砥粒２としては、セラミック成形体１と同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒が用いられる。
【００１２】
セラミック成形体１と同材質の砥粒は、セラミックスの一次原料に圧力を加えることなく、１０００〜１７００℃で焼成又は仮焼したものである。この砥粒の平均粒径は５０〜２００μｍであることが好ましく、特に７０〜１００μｍであるのが好ましい。５０μｍ未満であると衝撃が軽すぎるためブラスト処理の噴射圧力を高くしても粗面部１１とすることが困難となり、また２００μｍを超えると粗面部１１の内面があれ過ぎてしまう傾向があるからである。    
焼成前のセラミック成形体１に砥粒を噴射すると、そのセラミック成形体１の硬度が低いために、セラミック成形体１の表面に砥粒が埋め込まれてしまったり微細クラック中に砥粒が食い込んでしまう可能性があるが、砥粒とセラミックス成形体１が同材質であることにより、焼成工程の段階で両者は同化し、砥粒がパーティクルとなることが低減されるという効果を有する。    
さらに、このセラミックス成形体１と同材質の砥粒は、その純度が９９％以上であり不純物が１％未満であるのが好ましい。ここで、不純物としてはＮａ、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣａＯ等が挙げられるが、この不純物が１％以上であると、セラミック成形体１の表面に砥粒が埋め込まれてしまったり微細クラック中に砥粒が食い込んでしまった場合に、結晶の結合力が弱く半導体ウェハもしくは液晶のガラス基板上に脱落してパーティクルとなる可能性が高くなるからである。
【００１３】
また、有機物からなる砥粒の材質としては、天然樹脂、合成樹脂ともに使用でき、合成樹脂としては、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、この砥粒の平均粒径は２００〜６００μｍであることが好ましく、粒径が２００μｍ未満であると、衝撃が軽すぎるためブラスト処理の噴射圧力を高くしても粗面部１１とすることが困難となり、６００μｍを超えると衝突する面積が大きくなるため粗面部１１とすることが困難となる傾向があるからである。    
有機物からなる砥粒は、セラミック成形体１と同材質の砥粒に比べ硬度が低いので、ブラスト処理装置内の金属部品を磨耗させることなく、これにより不純物が混入されることが少ないという効果を有する。さらに、有機物からなる砥粒はセラミック成形体１にぶつかる衝撃で、変形、破砕されるため、部材に大きな衝撃を与えることがなく、その表面が必要以上に大きな粗面部１１になりにくいという効果を有する。さらに、セラミックスの焼成温度は、アルミナで１４００〜１７００℃、窒化アルミ・炭化珪素が約２０００℃、窒化珪素で約１８００℃であり、焼成前の脱脂工程あるいは焼成中に有機バインダーと同様に５００℃付近で揮発して飛んでしまうため、焼成前にセラミックス表面に残っていたとしても、焼成後に完全に無くなってしまうという効果を有する。    
さらに、有機物からなる砥粒は、その純度が９９％以上であり不純物が１％未満であるのが好ましい。ここで、不純物としてはＮａ、Ｃｌ等が挙げられるが、この不純物が１％以上であると、有機物からなる砥粒がセラミックス表面に残っていた場合に、脱脂工程や焼成工程において反応物としてその表面に異物（コンタミネーション）として付着したり、変色することがあるからである。
【００１４】
そして、ブラスト処理におけるセラミック成形体１と同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒の噴射圧力としては、０．３〜０．５ＭＰａであるのが好ましい。０．３ＭＰａ未満であると噴射圧力が弱すぎて粗面部１１とすることが困難であり、０．５ＭＰａを超えると噴射圧力が強すぎて粗面部１１の表面粗さが大きくなり過ぎてしまったり、粗面部に砥粒が食い込んでしまう可能性がある。この食い込みはセラミック成形体１と同材質の砥粒若しくは有機物からなる砥粒を用いることによりそれほど問題とはならないが、食い込みがないほうが好ましい。したがって、その砥粒の平均粒径を考慮しながら、その噴射圧力を０．３〜０．５ＭＰａとすることで、その粗面部１１の表面粗さＲａが焼結後の処理容器用部材として好ましい１．５〜５．５μｍの範囲となり、使用中のフッ化物膜等が付着・堆積しても、これが半導体ウェハもしくは液晶のガラス基板上に剥がれ落ちてパーティクルとなるのを防止できる。
【００１５】
また、砥粒２をセラミック成形体１に噴射するときの距離は、粗面部１１より５０〜１００ｍｍ程度とすることが好ましい。この距離が５０ｍｍ未満であると粗面部１１に砥粒２が集中して噴射されて、その粗面部１１が必要以上に凹んでしまうことがあり、また距離が１００ｍｍを超えると噴射した砥粒２の勢いが弱くなり過ぎて、粗面部１１を均一に荒らす際に多くの時間を費やすことになる。    
さらに、砥粒２をセラミック成形体に噴射するときの角度は、荒らす粗面部１１に対して、砥粒２が垂直に当たるように噴射することが好ましい。このとき、その粗面部１１に対してノズル３の角度を３０°以上に倒して噴射すると、粗面部１１に噴射された砥粒２が斜めに衝突するため、その分粗面となりにくく、また、噴射された砥粒２と粗面部１１との距離が、近い部分と遠い部分が発生するため、その粗面部１１の面粗さのバラツキが大きくなる。
【００１６】
尚、砥粒２を噴射する際は、一部分だけ長い間砥粒２を噴射し続けると、その部分だけが大きく凹んでしまうため、その部材を回転させながら砥粒２を噴射するか、もしくは噴射するノズル３が一定の速度で移動できるように工夫することで、粗面部１１とした際の面粗さのバラツキを少なくすることができる。また、粗面部１１を必要としない部分は、その部分をテープなどで覆うことで、粗面部１１となることを防ぐことができる。
【００１７】
このように粗面部１１の形成されたセラミック成形体１は、その後、電気炉やガス炉内で、３００〜５００℃の比較的低温で有機バインダーを揮発させる脱脂工程、１４００〜２０００℃の温度でなされる焼成工程からなる焼成段階を経て、焼結体としての処理容器用部材となる。    
この焼成段階における脱脂工程で急激に昇温すると、有機バインダーが一気に揮発して、成形体にクラックが発生することがある。また、焼成段階における焼成工程で、１０００℃を超える部分より収縮が始まり結晶化が進んで緻密化していくが、この工程でもその昇温が速いと成形体が収縮に追いつけずにクラックが発生したり、また大きく変形する可能性がある。したがって、これらの温度域での昇温速度を５０℃／ｈ以下にすることが好ましい。
【００１８】
ここで、この焼成段階においても、図２に示すブラスト処理で用いた焼成治具４をそのまま用いるのが好ましい。このような形状の焼成治具４を用いて、セラミック成形体１の開口部１２を上方に向け、外径部１３までの部分をこの焼成治具４の凹み４１にはめ込んだ状態で、脱脂、焼成することにより、焼成治具４が焼成の際の変形防止や矯正の役割を果たし、寸法精度が良好な焼結体としての処理容器用部材を得ることができる。このように曲面状の底面を支えるだけではなく、側面の外径部１３まで嵌めこむことでその形状を良好に保つことができ、寸法精度が確保できるため、焼成前のブラスト処理でその内面を粗面１１とすることができ、焼成後にその内面を粗面部１１とする必要がない。    
尚、図１に示すようなセラミック成形体１の場合、開口部１２を下側にして焼成する方法もあるが、その場合も内面側に支持部材を配置して曲面状の部分の変形を抑えるなどの工夫が必要である。
【００１９】
焼成前に微細クラックが生じていたとしても、この焼成段階において、表面にガラス成分が析出することにより略修復される。また、砥粒とセラミックス成形体が同材質の場合、セラミック成形体の表面に砥粒が埋め込まれてしまったり微細クラック中に砥粒が食い込んでしまっていたとしても、焼成工程の段階で両者は同化する。さらに、有機物からなる砥粒の場合、焼成前の脱脂工程あるいは焼成中に有機バインダーと同様に５００℃付近で揮発して飛んでしまうため、焼成後に完全に無くなってしまう。したがって、半導体もしくは液晶デバイス製造プロセス中に砥粒やセラミックスの微小片が半導体ウェハもしくは液晶のガラス基板上に落ちてパーティクルとなることはない。
【００２０】
尚、本発明の製造方法に用いられる半導体もしくは液晶製造装置用部材としては、本例のような処理容器用部材に限定されず、その他、断熱材、サセプタ、ステージ、フォーカスリング、リッド、電極等にも採用できる。
【実施例】
【００２１】
（実施例１）
純度９９％のアルミナセラミックス材料を用いて、ラバープレス法で成形した成形体を切削し、外径１００ｍｍで厚み１０ｍｍの大きさの円盤形状の試料を製作し、焼成後の状態を評価した。
【００２２】
比較例として、焼成後に平均粒径が６００μｍのＧＣ砥粒を使用してブラスト処理したものを試料１とした。
【００２３】
また、比較例として同様に平均粒径が４００μｍのＧＣ砥粒を用いたものを試料２とした。
【００２４】
以下本発明実施例として、焼成前の成形体に同材質の純度９５％アルミナセラミックスの原料を１０００℃で約２時間仮焼した粉体を砥粒としてブラスト処理したものを試料３とした。
【００２５】
また、同様に純度９８％の砥粒を用いたものを試料４、また、同様に純度９９．５％の砥粒を用いたものを試料５として使用した。
【００２６】
また、試料６として焼成前の成形体にポリエチレン樹脂からなる平均粒径が１００μｍの有機砥粒を使用した。
【００２７】
また、試料７として、焼成前に同様の平均粒径が２００μｍの有機砥粒を使用した。
【００２８】
また、試料８として、焼成前に同様の平均粒径が４００μｍの有機砥粒を使用した。
【００２９】
その他の条件として、ブラスト装置は乾式ブラスト機を使用し、その噴射圧力を０．４ＭＰａとし、ノズルから試料までの距離を３０ｍｍに設定した。また、ノズルは一定の速さで移動し、試料の全面を５分間でブラスト処理した。
【００３０】
このときのノズルの口径は、１０ｍｍのものを使用した。
【００３１】
評価方法として、ブラスト処理後の面粗さを測定し、続いて試料を２分割に研削加工して、処理面の断面を倍率１万倍の光学レンズにて観察し、微細クラック（マイクロクラック）の長さを測定した。また、これに超音波洗浄を行った後、粘着テープをその表面に貼り付け、これを剥離した際に、粘着テープの表面についた脱粒の有無を確認し、さらに走査型電子分光分析により粗面部の表面分析を実施し、アルミナ以外の不純物量を測定して比較した。
【００３２】
結果を表１に示す。
【表１】
2005272161.tif 000002
【００３３】
表１の結果より、比較例の試料１は、焼成後に粗面化したもので、砥粒が大きく面粗さは試料中最も粗面となっているが、粗面を観察した結果、微細クラックが確認でき、粘着テープでも脱粒が確認された。また、その表面の不純物も１％以上と多かった。
【００３４】
また、比較例の試料２は、その粒径を小さくしても同様に微細クラック・脱粒ともに確認できた。
【００３５】
これらに対し、焼成前に同材質の原料で粗面化した本発明実施例の試料３〜５は、面粗さも規格内で、微細クラックの長さが１μｍ未満であり、脱粒もなく、良好な粗面であった。なお、砥粒の純度が低い試料３、４は、焼成後の面に異物の発生が見られたが、砥粒の純度が高い試料５は、不純物も少なく良好であった。
【００３６】
また、焼成前に有機砥粒で粗面化した本発明実施例の試料６〜８は、同材質のものより微細クラックや脱粒が無く、異物の発生も確認できなかった。また、不純物も少ないため、耐食性の向上が図れる。
【００３７】
以上のように、焼成前にブラスト処理により施されたことにより、微細クラックや脱粒の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に用いられるセラミック成形体の断面図である。
【図２】本発明の製造方法におけるブラスト処理の説明図である。
【図３】本発明に用いられるセラミック成形体の粗面部表面の拡大断面図である。
【図４】半導体製造装置内の各部材の概略図である。
【図５】従来の製造方法におけるブラスト処理の説明図である。
【図６】従来の製造方法における処理容器用部材の粗面部表面の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  ：セラミック成形体
１１：粗面部
１２：開口部
１３：外径部
２  ：砥粒
３  ：ノズル
４  ：焼成治具
４１：凹み
【図１】
2005272161.tif 000003
【図２】
2005272161.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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