(57)【要約】  【課題】  簡便に作製が可能であり、信頼性の高い光透過型の光電変換装置および光発電装置を提供すること。  【解決手段】  多数個の光透過用の貫通孔７が形成された一方電極となる金属板１の上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層５が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子４の前記一部領域が接合されているとともに、結晶質半導体粒子４間に絶縁体３が形成され、半導体層５に他方電極が電気的に接続されている光電変換装置とし、この光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成した光発電装置とする。これにより、簡便かつ迅速に製造ができ、発電効率を低下させることなく信頼性の高い光電変換装置および光発電装置を提供することができる。【選択図】  図１
2005285863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数個の光透過用の貫通孔が形成された一方電極となる金属板の上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子の前記一部領域が接合されているとともに、前記結晶質半導体粒子間に絶縁体が形成され、前記半導体層に他方電極が電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記金属板の前記結晶質半導体粒子が接合している表面は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記貫通孔は、前記他方電極の上に集電用に形成された多数の互いに平行なフィンガー電極間の下に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換装置を発電手段として用い、該発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成した光発電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電などに使用される光電変換装置および光発電装置に関し、特に結晶半導体粒子を用いた光透過型の光電変換装置およびそれを発電手段として用いた光発電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明基板上に、透明電極、アモルファスシリコン層および裏面電極を下から上へ順に重ねて積層してなり、裏面電極は耐アルカリ性の金属からなり、ウエットエッチングによって、裏面電極およびアモルファスシリコン層を貫通する孔や切り溝を設けた太陽電池が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００３】
また、絶縁性のフレキシブル基板上に、少なくとも第１の電極、光電変換層および第２の電極の積層からなる光電変換装置において、フレキシブル基板に貫通孔が開けられており、光電変換装置の受光面の反対側の面は所定の色に着色されており、貫通孔を光が透過する光電変換装置が提案されている（例えば、特許文献２を参照。）。
【特許文献１】特開平５−152593号公報
【特許文献２】特開平11−251608号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した特許文献１および特許文献２に開示された技術は、いずれも光電変換手段にアモルファスシリコンを使用したものである。アモルファスシリコンは光電変換の変換効率が低いので、光電変換部分に多数個の貫通孔を開けることにより、発電量が大きく低下するという問題がある。
【０００５】
また、アモルファスシリコンよりも変換効率が高い単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いた太陽電池においては、一般にアモルファスシリコンに比べて厚いので、多数個の貫通孔を開けることは困難である。エッチングで行なおうとすれば、加工に多大な時間を要するだけでなく、大量のシリコンが無駄となり、製造コストが増大する。
【０００６】
また、多数個の貫通孔を機械加工により開けることができたとしても、シリコンに対して孔を開けることになるので、やはりエッチング加工と同様に製造コストが増大するだけでなく、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンに機械加工で孔を開ける際に孔の周囲にダメージを与えクラックが入り易くなるという問題がある。
【０００７】
このように、貫通孔の機械加工は、単結晶シリコンや多結晶シリコンに機械的ダメージを与えるので、光電変換装置の半導体部分における品質が低下するおそれがあり、そのうえ光電変換装置の変換効率が低下する原因ともなる。
【０００８】
従って、本発明は上記問題点に鑑み提案されたものであり、その目的は、製造コストの増大を極力抑えることができ、そのうえ安価であるとともに高信頼性の光透過型の光電変換装置および光発電装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の光電変換装置は、１）多数個の光透過用の貫通孔が形成された一方電極となる金属板の上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子の前記一部領域が接合されているとともに、前記結晶質半導体粒子間に絶縁体が形成され、前記半導体層に他方電極が電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
また、２）上記１）の光電変換装置において、前記金属板の前記結晶質半導体粒子が接合している表面は、アルミニウムを含むことを特徴とする。
【００１１】
また、３）上記１）または２）の光電変換装置において、前記貫通孔は、前記他方電極の上に集電用に形成された多数の互いに平行なフィンガー電極間の下に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明の発電装置は、上記１）乃至３）のいずれかの光電変換装置を光発電手段として用い、この光発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したものとする。
【発明の効果】
【００１３】
上記１）の光電変換装置によれば、多数個の光透過用の貫通孔が形成された一方電極となる金属板の上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子の前記一部領域が接合されているとともに、前記結晶質半導体粒子間に絶縁体が形成され、前記半導体層に他方電極が電気的に接続されているので、従来のように脆性材料に貫通孔を形成するのではなく、強靭な金属板自体にあらかじめ貫通孔を開けておき、その上に確実かつ容易に結晶質半導体粒子等を配置することができるので、簡便かつ迅速に製造ができ、発電効率を低下させることなく信頼性の高い光電変換装置を提供することができる。さらに、このような光電変換装置を建物の一般的な窓や天窓として用いたときに、多数個の貫通孔を利用して外光を容易に透過させることができ、採光に優れた光電変換装置を提供できる。
【００１４】
また、上記２）の光電変換装置によれば、前記金属板の前記結晶質半導体粒子が接合される表面は、アルミニウムを含むので、金属板に接合させる結晶質半導体粒子がシリコン等のアルミニウムと低温で反応する材料であれば、金属板の表面と結晶質半導体粒子とが低温で接合が可能となり、金属板上に結晶質半導体粒子を安定して接合させることができ、これにより、特性のより安定した信頼性の高い光電変換装置を提供できる。
【００１５】
また、上記３）の光発電装置によれば、前記貫通孔は、前記他方電極の上に集電用に形成された多数の互いに平行なフィンガー電極間の下に形成されているので、フィンガー電極が貫通孔を塞ぐことがなく、これにより透過光の減少を防止することができ、より採光に好適な光電変換装置を提供できる。
【００１６】
さらに、上記４）の発電装置によれば、上記１）乃至３）のいずれかの光電変換装置を光発電手段として用い、この光発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したので、上述したように簡便に製造ができ、信頼性が高く、安価で採光に好適な発電装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の光電変換装置およびそれを光発電手段として用いた発電装置について模式的に示した図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明の光透過型の光電変換装置の要部断面図であり、１は一方電極であり下部電極でもある金属板、２は金属板１の少なくとも表面に形成されたアルミニウム（Ａｌ）層であり、ここではアルミニウムとシリコン（Ｓｉ）との合金層を用いている。また、同図において３は絶縁体である絶縁層、４はｐ型の結晶質半導体粒子、５はｎ型の半導体層、６は他方電極である透光性導電層、７は貫通孔である。このように、本発明の光電変換装置は、多数個の光透過用の貫通孔７が形成された金属板１上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層５が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子４の前記一部領域が接合されており、結晶質半導体粒子４，４間に絶縁層３が形成され、半導体層５に他方電極であり上部電極でもある透光性導電層６が電気的に接続されている。
【００１９】
また、図２に示すように、多数個の貫通孔７は、他方電極である透光性導電層６の上に集電用に形成された多数の平行なフィンガー電極10，10間に存在している。なお、同図において、８は金属板１の表面が露出した一方極性となる接続用電極面であり、９は多数のフィンガー電極10に接続された、フィンガー電極10より幅が広いバスバー電極であり、他の同一構成の光電変換装置と直列接続することができる。すなわち、一方の光電変換装置のバスバー電極９を他方の同一構成の光電変換装置の接続用電極面８に接続することにより、２つ以上の光電変換装置を、例えば直列接続してなる光電変換パネルや光電変換アレイを構成することができる。
【００２０】
ここで、金属板１はアルミニウム、またはアルミニウムを表層とした２層以上（複数層）の金属の複合体とすることができる。この金属の複合体の下地基板としては、アルミニウムの融点以上の融点を有する金属であればよく、例えば鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），ステンレスや、Ｆｅ−Ｎｉ合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等を主成分とする低熱膨張合金が用いられる。このように、低熱膨張合金を用いるのは、金属板１上に接合させる結晶質半導体粒子４が接合部から容易に剥がれないようにするためである。なお、この複合体における表層のアルミニウム層は、ｐ型の結晶質半導体粒子４を金属板１上に均一に拡散接合するのに必要なアルミニウム量とするために、10μｍ以上の厚みとなることが望ましい。つまり、この厚みが10μｍ未満であると、結晶質半導体粒子４が接合部から容易に剥がれやすくなるので好ましくない。
【００２１】
アルミニウムおよびシリコンを主成分とする合金層等のアルミニウム層２と金属板１との境界には、アルミニウム層２の生成を制御するためのバリア層として、中間層（図示せず）を設けることも可能である。このような中間層としては、例えばニッケル等を用いることが可能であり、不純物が拡散して接合温度が変化しないように、安定して接合が行なえるように、その厚みは１μｍ以上とするが好ましい。また、金属板１が複合体の場合は、熱負荷等により発生する金属板１の反りを抑える目的で、ｐ型結晶質半導体粒子４を配設する側と反対側の面の一部もしくは全面にアルミニウム表層（図示せず）を設けることも可能である。
【００２２】
また、金属板１の厚さは、0.1〜２ｍｍであることが好ましい。なぜなら、0.1ｍｍ未満の場合、金属板１の厚さが薄すぎるために、金属板１に第１導電型の結晶質半導体粒子４を溶着させた際に、金属板１の反りが発生し易くなり、変換効率が低下する原因になるからである。また、２ｍｍ以上の場合は、金属板１自体の重量が増えるため、金属板１自体の軽量化が困難となるからである。
【００２３】
また、一方の電極層となる金属板１上に、ｐ型の結晶質半導体粒子４を多数個配列し、結晶質半導体粒子４間に絶縁層３を介在させ、また、ｐ型の結晶質半導体粒子４上にｎ型の半導体層５を形成させた光電変換装置において、金属板１に光透過可能な複数の貫通孔７を有する。ここで、金属板１上への複数の貫通孔７を開ける方法としては、金型を用いたプレス加工、エッチング加工およびレーザー加工といった方法が挙げられる。それらの加工方法によって、貫通孔７を開けた部位以外の任意の場所に結晶質半導体粒子４を多数個配列させることができる。貫通孔７は金属板１内に一定間隔で開いていることが外観上の点で望ましく、あらかじめ一定間隔で開いている貫通孔７を有する金属板１を使用することがより好ましい。また、特に、貫通孔７が例えば千鳥格子状に形成されていると、作製が容易であるとともに外観上の点で望ましい。金属板１上にｐ型の結晶質半導体粒子４を一定の規則性をもって整列させた場合は、貫通孔７は結晶質半導体粒子４が配設されない、もしくは結晶質半導体粒子４を配設することによって発生するデッドスペース部、詳しくはｐ型結晶質半導体粒子４を最密六方に配置した場合に発生する結晶質半導体粒子４に囲まれた領域に貫通孔７を配置することが可能となり、貫通孔７が存在することによるデッドスペースの増加を抑制することができる。
【００２４】
また、貫通孔７の孔径は結晶質半導体粒子４の外径よりも大きいことが望ましい。なぜなら、貫通孔７の孔径が結晶質半導体粒子４の外径よりも小さいと、製造の際に結晶質半導体粒子４が貫通孔７を塞ぎやすく、その結果、採光しにくい光電変換装置が完成することがあるからである。
【００２５】
また、貫通孔７を開けることにより、一般の窓や天窓として光電変換装置（光電変換パネルや光電変換アレイを含む）を建物に組み込んだときに、外光を透過させることができる機能も有する。貫通孔７の形状は、平面視で円形以外に楕円形、四角形等の形状とする。さらに、貫通孔７を形成する箇所は、図２に示すように、平行なフィンガー電極10，10の間に挟まれるようにして設けることが望ましい。なぜなら、貫通孔７上にフィンガー電極10を形成してしまうと、貫通孔７が塞がれることにより、外光を透過させることが困難になるからである。貫通孔７は、光を透過させる（採光）のために開口率が５〜50％程度となるように形成することが望ましい。
【００２６】
絶縁体である絶縁層３は、正極と負極との分離を行なうための絶縁材料からなる。例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２），酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化鉛（ＰｂＯ），酸化硼素（Ｂ２Ｏ３），酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を成分とするガラスや、耐熱性高分子材料もしくは耐熱性高分子材料と無機フィラーとの混合体、シリコンを含有する有機無機複合材料、またはシリコンを含有する有機無機複合材料と無機フィラーとの混合体、または有機材料等からなる。絶縁層３は結晶質半導体粒子４間に介在するようにアルミニウム層２の表面に層状に形成され、その好適な厚みは絶縁材料の絶縁抵抗により異なるが、耐熱高分子材料の場合であれば、１μｍ以上の厚みであることが望ましい。
【００２７】
ｐ型の結晶質半導体粒子４は、シリコンにｐ型を呈する硼素（Ｂ），アルミニウム，ガリウム（Ｇａ）等、またはｎ型を呈するリン（Ｐ），砒素（Ａｓ）等が微量元素として含まれているものである。結晶質半導体粒子４の粒径としては、0.1〜0.6ｍｍがよい。なぜなら、粒径が0.6ｍｍを超えると、従来型の結晶板を用いた光電変換素子のシリコン使用量と変わらなくなり、結晶質半導体粒子４を用いるメリットが少なくなるからである。一方、0.1ｍｍよりも小さいと、光透過等による光エネルギーロスが大きくなり、光電変換効率が低下する傾向があるからである。また、結晶質半導体粒子４の形状としては、球状、多角形状、多角形状の角部に曲面を持つもの等、種々の形状であってもよい。
【００２８】
半導体層５は例えばシリコンから成り、熱拡散法または気相成長法等により例えばシラン化合物の気相にｎ型を呈するリン系化合物の気相、またはｐ型を呈する硼素系化合物の気相を微量導入して形成する。その厚みは10ｎｍ以上が好ましく、膜質としては結晶質、非晶質、または結晶質と非晶質とが混在するもののいずれでもよいが、光透過率を考慮すると結晶質または結晶質と非晶質とが混在するものがよい。
【００２９】
さらに、半導体層５は結晶質半導体粒子４の表面形状に沿って形成されることが望ましい。それにより、結晶質半導体粒子４は凸面状でかつ曲面状の表面を有することから、結晶質半導体粒子４との間で形成されるｐｎ接合の面積を広くすることができ、結晶質半導体粒子４の内部で光電変換により発生した電子を効率よく収集することができる。
【００３０】
なお、ｐ型の結晶質半導体粒子４として表面側にｎ型を呈するリン，砒素等またはｐ型を呈する硼素，アルミニウム，ガリウム等が微量含まれている領域を層状に有するものを用いる場合には、この層状の領域をｎ型の半導体層５として、この上に直接、透光性導電層６を形成してもよい。
【００３１】
透光性導電層６は、スパッタリング法や気相成長法の成膜方法あるいは塗布焼成等によって形成し、例えばＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＩＴＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ２等から選ばれる１種または複数の酸化物系膜、またはチタン，Ｐｔ，Ａｕ等から選ばれる１種または複数の金属系膜を形成する。なお、このような透光生導電層６は透明であることが必要であり、結晶質半導体粒子４がない部分で入射光の一部が透光性導電層６を透過し、下部の金属板１で反射して結晶質半導体粒子４に照射されることで、光電変換装置全体に照射される光エネルギーを効率よくｐ型結晶質半導体粒子に照射することが可能となる。
【００３２】
透光性導電層６上には保護層（図示せず）を形成してもよい。このような保護層としては、透光性でかつ誘電体の特性を持つものを用いるのがよく、例えば酸化シリコン，酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化アルミニウム、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等を、単一組成または複数組成で、単層または複数層を組み合わせて、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等により形成すればよい。この保護膜は、光の入射面に配置されているために透光性が必要であり、また光電変換により得られた電流のリーク防止のために誘電体であることが必要である。さらに、保護層には、厚みを最適化すれば、反射防止膜としての機能も期待できる。
【００３３】
また、図２に示すように、直列抵抗値を低くするためにｎ型半導体層５または透光性導電層６の上に一定間隔のフィンガー電極10およびバスバー電極９からなるパターン電極を設け、光電変換の変換効率を向上させることも可能である。
【００３４】
貫通孔は金属板１にのみ開けてもよいし、図示のように、金属板１の貫通孔７の直上の各層に貫通孔が形成されて通気などができるようにしてもよい。このように、金属板１に開けた貫通孔７の直上の各層に貫通孔を形成することは製造が容易であるうえに、通気により光電変換装置を冷却して変換効率が低下することが防止できるので望ましい。
【００３５】
次に、図２に示す本発明の光電変換装置の製造方法の一例について簡単に説明する。
【００３６】
まず、所定の厚み・面積の金属板１を用意して、穿孔装置を用いて所定の大きさ・形状の多数個の貫通孔７を、ように千鳥格子状に形成する。
【００３７】
次に、平均粒径数百μｍのｐ型の粒状結晶シリコンである結晶質半導体粒子４を加熱し、ｎ型のドーパントを熱拡散させて光電変換可能な粒状光電変換体を形成する。そして、貫通孔７が形成された金属板１上にこの粒状光電変換体を密に配置し、全体を加熱して金属板１と粒状結晶シリコン３とを接合させる。
【００３８】
次に、例えば水酸化ナトリウム水溶液によるウエットエッチングを行い、金属板１と粒状光電変換体との接合部の一部を除去し、ｎ型の半導体層５と金属板１との間を電気的に分離する。
【００３９】
次に、例えばポリイミド樹脂を結晶質半導体粒子４間に充填させ硬化して絶縁層２を形成する。
【００４０】
次に、その上に例えばＩＴＯからなる透光性導電層６を厚さ約100ｎｍ程度に形成する。
【００４１】
次に、例えば銀ペーストにてフィンガー電極10を４ｍｍピッチに形成し乾燥させる。
【００４２】
以上により、図１，２に示すように、多数個の光透過用の貫通孔７が形成された一方電極となる金属板１の上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層５が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子４の一部領域が接合されているとともに、結晶質半導体粒子４間に絶縁層３が形成され、半導体層５に他方電極が電気的に接続された光電変換装置とすることができる。
【００４３】
さらに、本発明によって作製された１以上の光電変換装置（光電変換装置が複数の場合は互いに直列、並列または直並列に電気的に接続する。）の受光面側およびその反対側の面のそれぞれを、例えば、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）などの接着剤を介してガラスや樹脂などの透明板で覆うモジュール構造（透明板／接着剤／光電変換装置／接着剤／ガラス）とした光透過型モジュールに構成してもよい。このような構成にすることにより、多結晶シリコンからなる太陽電池で構成された光透過型モジュールに比べて、全体から一様に光が透過するため、視認効果が高く圧迫感の少ない光透過型モジュールにすることができる。
【００４４】
上述した光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段からの発電電力を負荷へ供給するように成した光発電装置とすることができる。すなわち、この光電変換装置または、これを例えば枠部材を用いるなどしてモジュール化した光透過型モジュールの１以上を（複数であれば、直列、並列または直並列に接続するなどして）光電変換パネルやこれを複数接続した光電変換アレイに構成して発電手段として負荷に電力を供給する光発電装置とすることができる。
【００４５】
また、上述した光電変換装置、光電変換パネルまたは光電変換アレイを光発電手段として用い、これを直接またはインバータなどの電力変換手段を介して適当な電力に変換して負荷に供給することが可能な発電装置として構成してもよい。このような発電装置を道路沿いに発電用壁面として設置したり、発電用窓として用いたり、各種態様の太陽光発電システム等の光発電装置として利用することができる。
【００４６】
かくして、本発明の光電変換装置によれば、多数個の光透過用の貫通孔７が形成された一方電極の金属板１上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体層５が形成された、多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子４の一部領域が接合されているとともに、結晶質半導体粒子４，４間に絶縁体３が形成され、半導体層５に他方電極が電気的に接続されているので、従来のように脆性材料に貫通孔を設けずに、強靭な金属板１自体にあらかじめ貫通孔を開けておき、その上に容易に結晶質半導体粒子４等を配置することができるので、簡便かつ迅速に製造ができ、信頼性の高い光電変換装置を提供することができる。
【００４７】
また、金属板１の表面がアルミニウムからなるので、金属板１に接合させる結晶質半導体粒子４がシリコン等の材料であれば、結晶質半導体粒子４と金属板１のアルミニウムとが容易にかつ低温で反応することにより、結晶質半導体粒子４を金属板１上に安定して接合することができ、これにより、特性の安定した信頼性の高い光電変換装置を提供できる。
【００４８】
また、貫通孔７は、前記他方電極の上に集電用に形成された多数の平行なフィンガー電極10，10間に存在しているので、フィンガー電極10が貫通孔を塞ぐことがなく、これにより透過光の減少を防止することができ、より採光に好適な光電変換装置を提供できる。
【００４９】
さらに、本発明の発電装置によれば、上記光電変換装置を光発電手段として用い、この光発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したので、簡便に製造ができ、信頼性が高く、安価で採光に好適な発電装置を提供できる。
【００５０】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【実施例】
【００５１】
次に、本発明の光電変換装置をより具体化した実施例について説明する。まず、200ｍｍ×200ｍｍ×0.5ｍｍのアルミニウムからなる金属板１を、図２に示すように、パンチにて３×2.5ｍｍの多数個の四角い貫通孔７を千鳥格子状に形成した。貫通孔７の平面視での全面積は金属板１の貫通孔７を含めた全体の面積に対して約40％となった。なお、この面積比率は屋外光の採光量に応じて適宜調節するものであり、例えばベランダのように、採光量をそれ程必要としない場合は40％よりも少なくてもよい。
【００５２】
次に、平均粒径500μｍのｐ型の粒状結晶シリコンの結晶質半導体粒子４をオキシ塩化リン、酸素および窒素の混合ガス中で加熱し、その表面にリンを熱拡散させて半導体層５を形成した。
【００５３】
上記貫通孔７が形成されたアルミニウムの金属板１上に多数個の結晶質半導体粒子３を密に１層だけ配設し、これらを加熱して金属板１と接合させた。
【００５４】
次に、水酸化ナトリウムによるウエットエッチングを行い、金属板１と結晶質半導体粒子３との接合部における金属板１の一部を除去し、半導体層５と金属板１との間を電気的に分離した。
【００５５】
次に、ポリイミド樹脂を結晶質半導体粒子４間に充填させ硬化させて絶縁層３を形成した。
【００５６】
次に、半導体層５と絶縁層３との上にＩＴＯからなる透光性導電層６を100ｎｍ形成した。
【００５７】
次に、銀ペーストにてフィンガー電極10を４ｍｍピッチに形成し乾燥した。バスバー電極９としてハンダメッキされた銅箔を接着し、電気特性を評価した結果、変換効率は8.4％であった。
【００５８】
本発明によって作製された光電変換装置を、ガラス、ＥＶＡ、光電変換装置、ＥＶＡおよびガラスの積層構造に組み込んだ光透過型モジュールに構成した。この光透過型モジュールは、従来の多結晶シリコンの太陽電池で構成された光透過型モジュールに比べて、モジュール全体から一様に光が透過するため、視認効果が高く圧迫感の少ない光透過型モジュールにすることができた。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の光電変換装置の一例を説明するための要部断面図である。
【図２】本発明の光電変換装置の一例を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・金属板（一方電極）
２・・・アルミニウムを含む層
３・・・絶縁層（絶縁体）
４・・・結晶質半導体粒子
５・・・半導体層
６・・・透光性導電層（他方電極）
７・・・貫通孔
９・・・バスバー電極
10・・・フィンガー電極
【図１】
2005285863.tif 000003
【図２】
2005285863.tif 000004