(57)【要約】【課題】  導電性基板もしくは半導電性基板に設けられた非常に微細な貫通孔の内部に電着膜を形成する場合に、貫通孔内側表面の平滑性を確保し、電着膜の硬化後に発生する貫通孔の開口部における下地の露出を無くし、また貫通孔の孔詰まりを防止する。【解決手段】  １回目の電着で熱流動性の良い電着塗料で塗膜を形成した後、ウェット塗膜の状態で積極的に開口部の電着膜を除去し、硬化して開口部以外の平滑性を確保する。次に２回目の電着で熱流動性を制御した電着塗料を開口部周辺に塗膜を形成し硬化させることによって、１回目の電着で下地の露出した状態となった開口部を十分にカバーする。【選択図】  図１
2005036306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板もしくは半導電性基板に設けられた貫通孔の内側表面に電着膜を形成する電着膜形成方法において、該貫通孔の内側表面に第１の電着膜を塗布する工程と、該第１の電着膜を未硬化の状態で該貫通孔の開口部周辺に形成された第１の電着膜の所定量を除去する工程と、該所定量を除去した第１の電着膜を硬化する工程と、該貫通孔の開口部周辺に第２の電着膜を塗布する工程と、該第２の電着膜を硬化させる工程とを経ることを特徴とする電着膜形成方法。
【請求項２】
前記第１の電着膜は流動調整剤を含まない電着膜であり、前記第２の電着膜は流動調整剤を含んだ電着膜である事を特徴とする請求項１に記載の電着膜形成方法。
【請求項３】
前記第１の電着膜の所定量の除去は、超音波洗浄により選択的に除去される事を特徴とする請求項１に記載の電着膜形成方法。
【請求項４】
前記第１、第２の電着膜は、前記貫通孔の内側表面に形成された絶縁膜である事を特徴とする請求項１に記載の電着膜形成方法。
【請求項５】
前記貫通孔の内径は、５０μｍ〜１５０μｍである事を特徴とする請求項１に記載の電着膜形成方法。
【請求項６】
前記電着膜の硬化時の膜厚は、２μｍ〜２０μｍである事を特徴とする請求項１に記載の電着膜形成方法。
【請求項７】
半導電性基板に設けられた貫通孔の内側表面に絶縁膜を有し、該絶縁膜の内側表面に導電膜を有することで、該半導電性基板の表裏面の導通をとっている半導体装置において、前記絶縁膜は、該貫通孔の開口部周辺に塗布された所定量が未硬化の状態で除去された後、硬化することで形成された第１の電着膜と、該貫通孔の開口部周辺に塗布され硬化することで形成された第２の電着膜とからなる事を特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第１の電着膜は流動調整剤を含まない電着膜であり、前記第２の電着膜は流動調整剤を含んだ電着膜である事を特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記貫通孔の内径は、５０μｍ〜１５０μｍである事を特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記電着膜の硬化時の膜厚は、２μｍ〜２０μｍである事を特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板もしくは半導電性基板に設けた貫通孔の内側表面に、電着塗装により絶縁膜を形成する方法に関する。また形成された絶縁膜の更に内側表面に導電膜を形成することで表裏面の導通をとった半導電性基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電着塗装技術は従来から、自動車部品や電子機器部品などの複雑な形状を有する塗装物に対して用いられている。形成される電着膜の膜厚は硬化時で２０μｍ〜１００μｍのものが一般的である。通常電着塗装では塗布されたウェット塗膜の膜厚は、硬化させることにより１／５〜１／１０程度に収縮する。この硬化収縮時にウェット塗膜は厚肉部から薄肉部に向かって熱流動を起こし、平坦部においては非常に平滑性に優れた塗膜を得ることができる。
【０００３】
しかしながら、塗装物にエッジ部があると、硬化前のエッジ部におけるウェット塗膜は、電流がエッジ部に集中するため平坦部よりも厚く形成される。このエッジ部のウェット塗膜は、硬化時に平坦部に向かって熱流動によって流れるが、エッジ部は熱流動が過剰に起こるため下地の基板１０が露出し未塗装状態となってしまう。
【０００４】
そこで、熱流動を制御するために流動調整剤を含んだ電着塗料を用いる事が考えられている。流動調整剤とはシリコン、シリカ、脂肪酸アマイドワックス等の高分子を主成分とするフィラーを１〜３０％程度電着塗料に含有させることにより、熱流動を制御するものである。しかしながら流動調整剤を使用して電着塗装を行うと、硬化時にエッジ部は一定の膜厚でカバーされるが、平坦部においては流動調整剤の高分子により電着膜が熱流動しにくくなる。そのため、平坦部に不要な応力が加わってしまうため、塗膜がうねってしまい平滑性にかけた形状となってしまう。
【０００５】
そこで、特開平０６‐０５７４９６（特許文献１）に示すように、２コート２ベーク型の二段電着が考えられている。二段電着とは、まず一回目の電着塗装で熱流動性の良い電着塗料を塗装し硬化させる。一回目の電着塗装によりエッジ部以外の平坦部の平滑性を確保される。ただしエッジ部は下地が露出し未塗装状態となっている。次に二回目の電着塗装で、流動調整剤を含有した熱流動性が制御された電着塗料を塗装し硬化させる。二回目の電着塗装は導電体の表面にのみ選択的に塗装されるため、一回目の電着塗装で未塗装状態となったエッジ部を選択的に塗装することができる。このように２コート２ベーク型の二段電着を行うことで、平坦部の平滑性を確保したままエッジ部及び平坦部の全体表面を完全にカバーした電着塗装を行う事ができる。
【特許文献１】特開平０６−０５７４９６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、電着技術は自動車部品や電子機器部品などの外装用部品への塗装のみではなく、導体基板や半導体基板に導電パターンを形成する際に必要となる、絶縁膜の形成にも使用されている。特に導体基板や半導体基板に形成した貫通孔を利用してその表裏面の導通をとる場合、貫通孔の内側表面にはまず絶縁膜を形成し、更にその内側表面に導電膜を形成する。この絶縁膜の形成に電着技術を使用することができる。
【０００７】
この貫通孔の内径は、導電パターンの高密度化に伴い５０μｍ〜１５０μｍといった非常に微細なものとなっている。そのため、貫通孔の内側表面の絶縁膜は、膜厚が２μｍ〜２０μｍ程度で平滑性に優れている事が要求されている。これは、平滑性が悪く、絶縁膜の膜厚が２μｍ以下になってしまうと、絶縁している導電体とリークしてしまう。そのため絶縁不良となってしまい、絶縁膜の機能を果たすことができなくなってしまうためである。また絶縁膜の硬化時の膜厚が２０μｍ以上になってしまうと、絶縁膜の更に内側表面に導電膜を形成することが非常に困難となってしまうためである。
【０００８】
しかしながら、導体基板や半導体基板に使用される絶縁パターンの膜厚は２μｍ〜２０μｍであり、従来の自動車部品や電子機器部品等に使用される２０μｍ〜１００μｍの膜厚の塗膜とは、要求される膜厚が大幅に異なっている。そのため内径が５０μｍ〜１５０μｍの貫通孔の内側表面に、膜厚が２μｍ〜２０μｍの絶縁膜を形成することは非常に困難である。
【０００９】
通常の流動調整剤を含んでいない電着塗料による１回の電着により塗膜を形成する場合、貫通孔の開口部周辺はエッジ部であるため、前述したようにエッジ部は熱流動が過剰に起こるため下地が露出した状態となってしまう。
【００１０】
また、前述の流動調整剤を含んだ電着塗料による１回の電着により塗膜を形成する場合、２０μｍの電着膜を形成するには、６０μｍのウェット塗膜を形成する必要がある。貫通孔の内側表面において６０μｍのウェット塗膜を形成すると、貫通孔の開口部には８０μｍ以上のウェット塗膜が形成されてしまうため、開口部がふさがれてしまい貫通孔の孔詰まりが発生する可能性が高くなってしまう。貫通孔の開口部の孔詰まりが発生すると、絶縁膜の内側表面に形成する導電膜により、貫通孔の表裏面で導通をとることができなくなり導通不良となってしまう。
【００１１】
また、前述のように、ウェット塗膜の硬化時に平坦部に不要な応力が加わってしまうため、塗膜がうねってしまい平滑性にかけた形状となってしまう。絶縁膜の平滑性がかけ、膜厚が２μｍ以下になってしまうと、絶縁している導電体とリークしてしまうため絶縁不良となってしまう。
【００１２】
また、前述した特開平０６−０５７４９６に記載されている２コート２ベーク型の二段電着により塗膜を形成する場合も、流動調整剤を含んだ電着塗料による１回の電着により塗膜を形成する場合と同様に、開口部が塞がれてしまい貫通孔の孔詰まりが発生する可能性が高くなってしまう。また更に二段電着の場合、一回目の塗膜が貫通孔の内部で孔詰まりする可能性も高い。これは一回目のウェット塗膜には流動調整剤が含まれていないため、表面張力により硬化時に熱流動を起こし、開口部のウェット塗膜が厚い部分から、貫通孔の内側表面のウェット塗膜が薄い部分に向けて流れ込んでくる。そのため、貫通孔の内径が５０μｍ〜１５０μｍといった非常に微細である場合、貫通孔の内部で孔詰まりが発生してしまう。貫通孔の内部の孔詰まり及び貫通孔の開口部の孔詰まりが発生すると、絶縁膜の内側表面に形成する導電膜により、貫通孔の表裏面で導通をとることができなくなり導通不良となってしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで本発明は、導電性基板もしくは半導電性基板に設けられた貫通孔の内側表面に電着膜を形成する電着膜形成方法において、該貫通孔の内側表面に第１の電着膜を塗布する工程と、該第１の電着膜を未硬化の状態で該貫通孔の開口部周辺に形成された第１の電着膜の所定量を除去する工程と、該所定量を除去した第１の電着膜を硬化する工程と、該貫通孔の開口部周辺に第２の電着膜を塗布する工程と、該第２の電着膜を硬化させる工程とを経る電着膜形成方法を提案している。
【００１４】
また本発明は、半導電性基板に設けられた貫通孔の内側表面に絶縁膜を有し、該絶縁膜の内側表面に導電膜を有することで、該半導電性基板の表裏面の導通をとっている半導体装置において、前記絶縁膜は、該貫通孔の開口部周辺に塗布された所定量が未硬化の状態で除去された後、硬化することで形成された第１の電着膜と、該貫通孔の開口部周辺に塗布され硬化することで形成された第２の電着膜とからなる半導体装置を提案している。
【００１５】
本発明の目的は導電性基板もしくは半導電性基板に設けられた非常に微細な貫通孔の内部に電着膜を形成する場合に、貫通孔内側表面の平滑性を確保したまま、電着膜の硬化後に発生する貫通孔の開口部における未塗装部分の露出を無くし、また貫通孔の孔詰まりを防止することにある。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導電性基板もしくは半導電性基板に設けられた非常に微細な貫通孔の内側表面であっても、均一な電着膜を形成する事ができる。また、貫通孔の開口部においても、硬化時の熱流動によって下地の基板が露出し未塗装状態になる事がなく、硬化後も確実に電着膜を形成する事ができる。従って電着膜が絶縁膜であれば、確実に絶縁効果を達成する事ができる。また、貫通孔の開口部における電着膜の硬化前の盛り上がりを所定量以下に抑える事ができるため、貫通孔が孔詰まりする事なく、信頼性の高い電着膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は導体もしくは半導体からなる基板１０の表裏面の導通をとるために形成された貫通孔を有する導体装置もしくは半導体装置の様子を示した概念図である。図１（ａ）は基板１０の貫通孔１２の開口部周辺のみを拡大して示した上面図、図１（ｂ）は基板１０の貫通孔１２の開口部周辺のみを拡大して示した断面図である。
【００１８】
図中１０は導電性または半導電性の基板であり、１１は基板１０の表裏面に形成された絶縁膜である。１２は基板１０を貫通する貫通孔である。１３は貫通孔１２の内側表面及び開口部周辺に形成された絶縁性の電着膜である。絶縁膜１３の膜厚は貫通孔１２の内側表面よりも、開口部周辺のほうが厚く形成されている。１４は電着膜のさらに内側表面及び貫通孔１２の開口部周辺に形成された導電膜である。導電膜１４はあらかじめ基板１０の表面に形成されている電極パッド（不図示）と接続されている。電着膜１３は導電膜１４と基板１０とが完全に絶縁されるように形成されている。
【００１９】
図２は、本発明の実施の形態における基板の製造工程を示す断面図であり、導電性基板もしくは半導電性基板に設けた貫通孔１２の内部に電着により絶縁膜を形成している。尚、図２において、図１と同じ部材には同じ符号を付している。
【００２０】
まず、図２（ａ）において、アルミなどの導電性基板もしくはシリコンなどの半導電性の基板１０を準備する。
【００２１】
次に、図２（ｂ）において、基板１０の表裏面に、１．５〜３．０μｍの絶縁膜１１をスピンコート等の塗布手段により形成する。絶縁膜１１の材料としてはポリイミド、ポリエーテルアミド等を使用することができる。
【００２２】
次に、図２（ｃ）において、基板１０にφ５０〜１５０μｍの貫通孔１２を形成する。その製法は、レーザ加工、ドリル加工、エッチング法等であり、基板１０の材質、貫通孔の形状、アスペクト比、生産性等を考慮して適宜選択する事ができる。
【００２３】
次に、図２（ｄ）において、基板１０に電着膜１３を形成する。電着膜１３は流動調整剤を含まない第１の電着塗料（Ａ）と、流動調整剤を含んだ第２の電着塗料（Ｂ）とにより形成されている。
【００２４】
ここで、図３に電着装置の概略図を示す。図中３６は基板１０に電着膜を形成するための電着塗料である。基板１０は電着塗料３６中で、２つの電極３７に挟まれるようにセットされる。電極３７に正電極、基板１０に負電極を与えることで電着塗装が行われる。また電圧と電極の大きさは、電着膜が対向するエッジ部と接触しない範囲で調整する。このように二段電着を行うと本発明の膜構成が形成される。
【００２５】
また、図３の電着装置を使用した、電着膜２３の形成方法を図４を用いて詳細に説明する。尚、図４において、図１と同じ部材には同じ符号を付している。まず、図４（ａ）において第１の電着塗料（Ａ）を用いて第１の電着膜１３ａを形成する。第１の電着塗料（Ａ）としては、ポリイミド、マレイミド等を使用する事ができる。電着膜１３ａの膜厚は、貫通孔１２の内側表面はほぼ均一の厚さで形成されており、貫通孔１２の開口部周辺は、電着の際の電流がエッジ部に集中するため平坦部よりも厚く形成される。この時、貫通孔１２の内側表面はほぼ均一の厚さで形成されていれば、開口部周辺の電着膜１３ａ（ウェット塗膜）は開口部を塞いでいてもかまわない。従って開口部が塞がることを気にする事なく、電着膜１３ａを形成する事ができる。
【００２６】
次に図４（ｂ）において超音波洗浄を行い、貫通孔１２の開口部付近の電着膜１３ａを削り取る。超音波洗浄を行うことで、貫通孔１２の内側表面の第１の電着膜１３ａは残したまま、開口部付近の電着膜１３ａのみを選択的に削り取ることができる。このとき開口部付近の電着膜１３ａは超音波洗浄により削り取られるため、貫通孔１２の開口部付近が電着膜１３ａにより塞がれていても、再び貫通孔とすることができる。
【００２７】
次に、図４（ｃ）において電着膜１３を硬化する。この時電着膜１３は貫通孔１２の開口部の肉厚部が、前述の図４（ｂ）で示した工程で、削り取られているため、大きく熱流動する事はない。従って、熱流動により貫通孔１２の内部に多量の電着膜１３ａ（ウェット塗膜）が流れ込むことがなく、貫通孔１２の内部で孔詰まりを起こすことはない。ただし、開口部では、いくらか熱流動が起こるため、開口部は下地の基板１０が露出した状態となる。
【００２８】
次に図４（ｄ）において第２の電着塗料（Ｂ）を用いて第２の電着膜１３ｂを形成する。第２の電着塗料（Ｂ）は流動調整剤を含んだ熱流動性を制御した電着塗料であり、ポリイミド、マレイミド等を使用する事ができる。流動調整剤は、例えば、シリコンを主成分とするもの、シリカを主成分とするもの、脂肪酸アマイドワックスを主成分とするものなどである。電着膜１３ｂは前述の図４（ｃ）において、開口部において露出した基板１０の周辺にのみ形成される。それ以外の部分は電着膜１３ａにより絶縁されているため、電着膜１３ｂは形成されない。電着膜１３ｂを形成する際、今度は開口部を塞がないように十分注意する必要がある。
【００２９】
その後、図４（ｅ）において第２の電着膜１３ｂを硬化する。電着膜１３ｂは流動調整剤を含んでいるため、硬化により流動することなく、開口部周辺でそのまま収縮する。収縮することにより、開口部は以下の導電膜を形成するに充分な大きさとする事ができる。以上の工程により、孔詰まりがなく、貫通孔１２の内部を平滑に仕上げた電着膜が形成される。
【００３０】
次に、図２（ｅ）において、基板１０の表裏面に形成された絶縁膜１１を剥離する。例えば酸素プラズマで基板１０の表裏面をアッシングすることにより、電着膜に覆われている部分を残して絶縁膜１１は剥離される。
【００３１】
次に図２（ｆ）において、電着膜１３の内側表面および、基板１０の表裏面に導電膜１４を形成する。導電膜の材料は、銅、ニッケル、パラジウム、金、銀を使用する事ができる。またその製法は、ドライめっき、ウェットめっき、ジェットプリンティング法を使用する事ができ、これらは、貫通孔１２の形状やアスペクト比に応じて適宜選択される。
【００３２】
次に図２（ｇ）において、貫通孔１２の内側表面の導電膜１４に囲まれた孔を、埋め込み用の材料１５により埋め込む。この埋め込み材料は、例えば、銅、銀のような導電性金属材料や、ポリイミド、シリコーン、アミド、エポキシ等の絶縁性樹脂材料を使用する事ができる。埋め込み方法は、ディッピング、ディスペンス、印刷、電着などを使用する事ができる。なお、埋め込み用の材料１５は、必ずしも必要ではなく、貫通孔１２の内側が埋め込まれていないままであっても良い。
【００３３】
次に図２（ｈ）において、基板１０の表裏面の導電膜１４のパターニングを行う。これにより、あらかじめ基板１０に設けられていた電極（不図示）と選択的に電気的な接続を行う。なお、この工程は図２（ｇ）に示す埋め込み工程の前に行っても良い。
【００３４】
以上の工程により、基板１０の表裏面を結合させる電着膜１３、導電膜１４、埋め込み用の材料１５からなる貫通孔１２の構造を備えた高密度実装可能な半導体装置を容易に実現することができる。
【実施例１】
【００３５】
次に本実施の形態における具体的な実施例を順に説明する。まず図２（ａ）に対応する工程として、シリコンからなる厚さは６２５μｍの基板１０を準備する。基板１０の表面にはあらかじめ電極、半導体素子、配線が設けられており、電極部以外は絶縁膜であるＳｉＯ２とＳｉＮによって覆われている。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に対応する工程として、スピンコーターを用いて基板１０の表裏面にポリエーテルアミドをコーティングする。膜厚を表裏面ともに１．５μｍになるようにコーティングし、その後２５０℃で６０ｍｉｎ硬化した。
【００３７】
次に、図２（ｃ）に対応する工程として、レーザを用いて貫通孔１２を形成する。レーザはＮｄ：ＹＡＧレーザ第２高調波（波長５３２ｎｍ）を使用し、Ｑ−スイッチパルス発振、パルス幅３０ｎｓｅｃ、発振周波数３ｋＨｚで加工孔径８０μｍの孔を加工した。その際、加工面でのフルエンス６５Ｊ／ｃｍ２、ショット数：１００ｓｈｏｔとした。レーザビームは、レーザ発信器より出射後、光学レンズの組み合わせによって、φ５００μｍのビーム径に拡大された後、φ４００μｍ径のマスクを通過することによってビーム周辺部を除去し、円状のビーム形状を得る。次に、ビーム径が基板上で１／５（φ８０μｍ）になるような縮小倍率の光学系によって集光する事により６５Ｊ／ｃｍ２のフルエンスまでレーザビーム強度は増大する。上記機能により、レーザビームを基板に照射すると直ちに加工が開始され、発振パルス１００ｓｈｏｔでレーザビームにより、基板２０に貫通孔を形成することができた。
【００３８】
次に、図２（ｄ）に対応する工程として、電着法により電着膜１３を貫通孔２２の内側表面および貫通孔１２の開口部付近に形成する。
【００３９】
第１の電着塗料（Ａ）としては、カチオン型ポリイミド電着塗料（エレコート、シミズ社製）を使用し、図３に示すように基板を２つの電極で挟み込んで電極に正電極、基板に負電極を与えることで通電を行った。電界条件を１５０Ｖ、１２０ｓｅｃ、２５℃として厚さ約２５μｍの電着膜を析出させた。
【００４０】
その後、電着塗料中から基板を引き上げ、ウェットの状態で超音波洗浄を行った。純水で満たされたビーカー内に基板を入れ、３８ｋＨｚの超音波中で基板内のすべての貫通孔から液流が確認できるまで洗浄を行った。水の振動は基板の表面に比べて貫通孔内部では十分弱いため、貫通孔内部の電着塗膜を残した、エッジ部の電着塗膜と貫通孔内部の液詰まりのみを取り去った後、２５０℃で６０ｍｉｎ硬化させた。硬化により電着膜の厚さは５μｍとなる。
【００４１】
次に第２の電着塗料（Ｂ）としては、カチオン型ポリイミド電着塗料（エレコート、シミズ社製、流動調整剤２５％含）を使用し、一回目電着と同様な装置を用いて１５０Ｖ、１２０ｓｅｃ、２５℃の電界条件で電着膜を析出させ、２５０℃で６０ｍｉｎ硬化させた。これにより、エッジ部のカバーと、貫通孔内部の平滑性を両立させた、厚さ５μｍの電着膜が形成された。
【００４２】
次に、図２（ｅ）に対応する工程として、図２（ｂ）で形成された絶縁膜１１を剥離する。酸素プラズマで基板１０の表裏面をアッシングすることにより、電着膜１３に覆われている部分を残して、絶縁膜１１が剥離される。アッシング条件は、酸素プラズマ２００ｓｃｃｍを圧力０．０８ｔｏｒｒで２０ｍｉｎアッシングする。
【００４３】
次に、図２（ｆ）に対応する工程として、電着膜１３の内側表面および基板の表裏面に導電膜１４を無電解めっきにより形成する。めっき条件は、水酸化カリウム７５℃、５分、前処理液（メルプレートＩＴＯコンディショナー４８０、メルプレートコンディショナー１１０１、エンプレートアクチベーター４４０、メルテックス社製）、Ｎｉめっき液（メルプレートＮＩ−８６７、メルテックス社製）で０．５μｍの皮膜を形成した後、３０分アニーリングした。
【００４４】
次に、図２（ｇ）に対応する工程として、貫通孔１２の内周面の導電層１４に囲まれた孔は、印刷工法により埋め込み用の材料１５によって埋め込まれる。印刷方法は、メタルマスクを用いて、スキージのアタック角度２５°、スキージスピード３０ｍｍ／ｓｅｃ、クリアランス１．５ｍｍ、印圧０．２５Ｍｐａでポリイミドインク（ＦＳ−５１０Ｔ４０Ｓ、宇部興産社製）を埋め込む。印刷後、１１０℃、５分の乾燥を３回繰り返し、２５０℃、６０分硬化した。
【００４５】
次に、図２（ｈ）に対応する工程として、基板１０の表裏面の導電膜１４のパターニングを行う。パターニング方法は、まず、スピンコーターによりポジ型感光性レジスト（ＯＦＰＲ８００、東京応化社製）を２μｍ均一に塗布した後、１１０℃で９０ｍｉｎ乾燥させた。次にパターニングに対応したマスクを用いて、アライナーで露光した後、現像液（ＮＭＤ−Ｗ、東京応化社製）で現像した。次に、リン酸１０％、硝酸４０％、酢酸４０％のエッチング液に１５ｍｉｎ浸漬することでエッチングした。最後に、レジスト剥離液（剥離液１０４、東京応化社製）に２ｍｉｎ浸漬することにより、残ったレジストを剥離し、所定のパターニングが完成する。これにより、基板に設けられた電極と導電膜１４は選択的に電気的な接続を行った。
【００４６】
この様にして形成した電着膜１３における、導通の良否をＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ（３４４０１Ａ、ＨＥＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社製）により、基板１０の表裏面の導電パターンの抵抗値を測定することで判定した。また、絶縁の良否をＨＩＧＨ  ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ  ＭＥＴＥＲ（４３３９Ｂ、ＨＥＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社製）により、基板１０の導電パターンと、シリコン基板との間の電流値を測定することで判定した。測定結果を表１に示す。なお比較のため、熱流動性を制御するために流動調整剤を含んだ電着塗料を用いる一段電着の場合（比較例１）と、特開平０６−０５７４９６に記載されている二段電着の場合（比較例２）の導通不良及び絶縁不良の数を比較した。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
表１から分かるように、実施例１における二段電着は、導通不良及び絶縁不良の歩留まりが非常に良好である事がわかる。これに対して、比較例１の場合、導通不良及び絶縁不良が起こっていた。これは、貫通孔の開口部が絶縁膜により塞がってしまうため導通不良が発生し、また、貫通孔の内部に形成した絶縁膜が硬化時の応力により平滑性に問題が生じ絶縁不良が発生したためである。また、比較例２の場合、導通不良が起こっていた。これは、貫通孔の内部が硬化により熱流動した絶縁膜により塞がってしまうため導通不良が発生したためである。
【実施例２】
【００４９】
実施例１と同様の方法により基板２０に貫通孔を形成し、その内部に絶縁膜を形成し、更にその内部に導電膜を形成することで、基板２０の表裏面の導通をとった。実施例２においては実施例１と異なり、レーザにより形成した貫通孔１２の加工孔径は１５０μｍであり、電着により形成する絶縁膜の膜厚はウェット時で６０μｍ、硬化時で２０μｍである。
【００５０】
また実施例１と同様に電着膜１３における、導通の良否と、絶縁の良否測定した。測定結果を表２に示す。なお比較のため、熱流動性を制御するために流動調整剤を含んだ電着塗料を用いる一段電着の場合（比較例１）と、特開平０６−０５７４９６に記載されている二段電着の場合（比較例２）の導通不良及び絶縁不良の数を比較した。
【００５１】
【表２】
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【００５２】
表２から分かるように、実施例２における二段電着は、導通不良及び絶縁不良の歩留まりが非常に良好である事がわかる。これに対して、比較例１の場合、導通不良及び絶縁不良が起こっていた。これは、貫通孔の開口部が絶縁膜により塞がってしまうため導通不良が発生し、また、貫通孔の内部に形成した絶縁膜が硬化時の応力により平滑性に問題が生じ絶縁不良が発生したためである。また、比較例２の場合、導通不良が起こっていた。これは、貫通孔の内部が硬化により熱流動した絶縁膜により塞がってしまうため導通不良が発生したためである。
【実施例３】
【００５３】
実施例１と同様の方法により基板２０に貫通孔を形成し、その内部に絶縁膜を形成し、更にその内部に導電膜を形成することで、基板２０の表裏面の導通をとった。実施例３においては実施例１と異なり、レーザにより形成した貫通孔１２の加工孔径は５０μｍであり、電着により形成する絶縁膜の膜厚はウェット時で１０μｍ、硬化時で２μｍである。
【００５４】
また実施例１と同様に電着膜１３における、導通の良否と、絶縁の良否測定した。測定結果を表３に示す。なお比較のため、熱流動性を制御するために流動調整剤を含んだ電着塗料を用いる一段電着の場合（比較例１）と、特開平０６−０５７４９６に記載されている二段電着の場合（比較例２）の導通不良及び絶縁不良の数を比較した。
【００５５】
【表３】
2005036306.tif 000005
【００５６】
表３から分かるように、実施例３における二段電着は、導通不良及び絶縁不良の歩留まりが非常に良好である事がわかる。これに対して、比較例１の場合、導通不良及び絶縁不良が起こっていた。これは、貫通孔の開口部が絶縁膜により塞がってしまうため導通不良が発生し、また、貫通孔の内部に形成した絶縁膜が硬化時の応力により平滑性に問題が生じ絶縁不良が発生したためである。また、比較例２の場合、導通不良が起こっていた。これは、貫通孔の内部が硬化により熱流動した絶縁膜により塞がってしまうため導通不良が発生したためである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明における導体装置もしくは半導体装置の概念図である。
【図２】本発明における導体装置もしくは半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明における導体装置もしくは半導体装置の電着装置を示す概略図である。
【図４】本発明における導体装置もしくは半導体装置の電着方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  基板
１１  絶縁膜
１２  貫通孔
１３  電着膜
１４  導電膜
１５  孔埋め材料
３６  電着塗料
３７  電極
【図１】
2005036306.tif 000006
【図２】
2005036306.tif 000007
【図３】
2005036306.tif 000008
【図４】
2005036306.tif 000009