(57)【要約】【課題】  コイル層の直流抵抗値のバラつきが少なく、均一な品質で形成できる磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  下部コア層４０と磁極部４２と接続層５１とで形成された空間６０内の前記下部コア層４０上にコイル絶縁下地層４７を形成した後、前記コイル絶縁下地層４７上に複数本のコイル層４８を形成し、前記コイル層４８の上面４８ａ１および側面４８ａ２に第１材料層５５を形成する。更に前記第１材料層５５の上に絶縁層４９を形成した後、前記絶縁層４９の上に第２材料層５６を形成し、前記磁極部４２、前記第２材料層５６、前記絶縁層４９を削って前記コイル層４８の上方に位置する前記第１材料層５５の上面５５ａを露出させ、前記磁極部４２の上面４２ａと前記第１材料層５５の上面５５ａとを同一面とする。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層上に、前記対向面からハイト方向に所定長さで形成される磁極部と、前記磁極部からハイト方向に離れて形成された接続層とが形成され、前記下部コア層と前記磁極部と前記接続層とで形成された空間を有する磁気ヘッドの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）前記空間内の前記下部コア層上にコイル絶縁下地層を形成する工程と、
（ｂ）前記コイル絶縁下地層上に複数本のコイル層を形成する工程と、
（ｃ）前記コイル層の上面および側面に第１材料層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１材料層の上に絶縁層を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁層の上に第２材料層を形成する工程と、
（ｆ）前記磁極部を削ると共に、前記第２材料層、前記絶縁層を削って前記コイル層の上方に位置する前記第１材料層の上面を露出させ、前記磁極部の上面と前記第１材料層の上面とを同一面とする工程、
【請求項２】
前記（ａ）工程で、前記磁極部の上面に前記コイル絶縁下地層を形成する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１材料層は、前記第２材料層よりも研磨レートが遅い材料で形成されている請求項１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１材料層は、前記絶縁層よりも研磨レートが遅い材料で形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１材料層は、前記磁極部よりも研磨レートが遅い材料で形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の磁気ヘッドの製造方法に係り、特にコイル層の直流抵抗値のバラつきが少なく、均一な品質で形成できる磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６は従来の磁気ヘッドの縦断面図である。図１６に示す記録ヘッド部Ｈｗは、いわゆるインダクティブヘッドＨｗである。このインダクティブヘッドＨｗは、例えば磁気抵抗効果を利用した再生ヘッド部Ｈｒの上に積層される。
【０００３】
図１６に示される磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダ１のトレーリング側端面１ａに形成されたものである。
【０００４】
スライダ１のトレーリング側端面１ａ上にＡｌ２Ｏ３膜２を介して再生ヘッド部Ｈｒが形成されている。再生ヘッド部Ｈｒは、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【０００５】
再生ヘッド部Ｈｒは、下部シールド層３、下部ギャップ層４の上に設けられた磁界読み取り部Ｍ、上部ギャップ層５、上部シールド層６を有している。
【０００６】
下部ギャップ層４及び上部ギャップ層５は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料からなり、下部シールド層３及び上部シールド層６は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。
【０００７】
上部シールド層６の上には、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料からなる分離層７が積層されており、分離層７の上にインダクティブヘッドＨｗが積層されている。
【０００８】
分離層７の上には、下部コア層１０が積層されている。下部コア層１０上には、ギャップデプス（Ｇｄ）を規制するＧｄ決め層１１が形成されている。
【０００９】
また、記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層１１上にかけて磁極部１２が形成されている。
【００１０】
磁極部１２は下から下部磁極層１３、非磁性のギャップ層１４、及び上部磁極層１５が積層されて形成されている。上部磁極層１５は、その上に形成される上部コア層１６と磁気的に接続される。
【００１１】
上部磁極層１５及び下部磁極層１３は、ＮｉＦｅなどの軟磁性材料を用いて形成される。
【００１２】
下部コア層１０の上であって、Ｇｄ決め層１１のハイト方向（図示Ｙ方向）後方にはコイル絶縁下地層１７が形成されており、コイル絶縁下地層１７上には、Ｃｕなどの導電性材料によって第１コイル層１８ａが螺旋状にパターン形成されている。この第１コイル層１８ａの上には、コイル絶縁下地層２３を介して第２コイル層１８ｂが形成されている。
【００１３】
前記第１コイル層１８ａと前記第２コイル層１８ｂとでコイル層１８が構成される。前記第１コイル層１８ａの周囲には、有機絶縁材料や無機絶縁材料からなる絶縁層１９が形成されており、前記第２コイル層１８ｂの周囲には絶縁層２０が形成されている。
【００１４】
上部コア層１６の基端部１６ａは、下部コア層１０上に形成された磁性材料製の接続層（バックギャップ層）２１上に接続されている。
【００１５】
上部コア層１６と下部コア層１０は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。
前記上部コア層１６の上はアルミナなどで形成された保護層２２が形成されている。
【００１６】
コイル層１８に記録電流が与えられると、下部コア層１０及び上部コア層１６に記録磁界が誘導され、ギャップ層１４を介して対向する下部磁極層１３及び上部磁極層１５間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００１７】
コイル層１８に電流が流されると、ジュール熱が発生し磁極部１２が膨張する。近年、磁気ヘッドの高記録密度化が進み、磁極部１２のわずかな膨張も記録特性に大きな影響を及ぼすようになっている。
【００１８】
近年の高記録密度化に伴う磁気ヘッド全体の小型化に伴って、非常に狭いスペースに前記コイル層１８を形成しなければならない。そのため、形成されるコイル層１８も小さなものとならざるを得ず、コイル層１８の断面積も小さくなり、コイル層１８の直流抵抗値が非常に大きくなってしまう。
【００１９】
コイル層１８の直流抵抗値が大きくなると、前記コイル層１８を流れる記録電流によって大きなジュール熱が発生し、前記インダクティブヘッドＨｗ内部の温度が非常に高くなる。
【００２０】
前記インダクティブヘッドＨｗ内部での温度が高くなると、金属材料で形成されているコイル層１８、下部コア層１０や上部コア層１６と、その周囲を覆う分離層７や保護層２２などの絶縁性材料との間での熱膨張係数の違いによって、前記インダクティブヘッドＨｗが形成されている部分が、他の部分に比べて記録媒体との対向面Ｆから突出しやくなるという、いわゆるＰＴＰ（Ｐｏｌｅ  Ｔｉｐ  Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）と呼ばれる現象が発生する。
【００２１】
このように前記インダクティブヘッドＨｗが記録媒体との対向面Ｆから突出するＰＴＰ現象が発生すると、前記インダクティブヘッドが記録媒体に衝突する頻度が高まり、記録媒体を傷つけたり、インダクティブヘッドが損傷しやくなる。
【００２２】
このＰＴＰを抑制するために、前記コイル層１８の断面積を大きくすることによって、前記コイル層１８の直流抵抗値を低く抑えることが行われている。特に、第１コイル層１８ａでは形成されるスペースが限られる場合が多く、前記第１コイル層１８ａの幅寸法を大きくするには限界があることから、前記第１コイル層１８ａの膜厚寸法を大きくすることによって断面積を大きくし、直流抵抗値の低減を図っている。従来、この第１コイル層１８ａの膜厚寸法を大きくするために、図１６に示すように、前記第１コイル層１８ａの上面１８ａ１を、前記磁極部１２の上面１２ａ、前記絶縁層１９の上面１９ａ、前記接続層２１の上面２１ａと同一の面２４上に位置するように形成し、これにより前記第１コイル層１８ａの膜厚寸法が大きくなるように構成している。
【００２３】
図１７は、前記図１に示すインダクティブヘッドＨｗの製造方法の一工程を示した縦断面図である。図１７では、図１６に示すインダクティブヘッドＨｗを構成する前記第１コイル層１８ａの上面１８ａ１を、前記面２４上に位置するように形成するための工程を示している。
【００２４】
図１７に示すように、スライダ１のトレーリング側端面１ａ上にＡｌ２Ｏ３膜２を介して再生ヘッド部Ｈｒを形成した後、この再生ヘッド部Ｈｒの上に分離層７を形成し、この分離層７の上に下部コア層１０を形成する。
【００２５】
そして、この下部コア層１０の上に、Ｇｄ決め層１１、磁極部１２、接続層２１を形成し、これら磁極部１２、Ｇｄ決め層１１、接続層２１、および前記下部コア層１０の上にかけて、コイル絶縁下地層１７を形成する。そして、このコイル絶縁下地層１７の上に、前記第１コイル層１８ａを形成し、この第１コイル層１８ａの周囲に、絶縁層１９を形成する。この状態を示したのが図１７である。
【００２６】
図１７に示す状態において、図示Ｄ−Ｄ線で前記磁極部１２、前記コイル絶縁下地層１７、前記絶縁層１９、前記接続層２１とともに、前記第１コイル層１８ａを研磨すると、図１６に示すように、前記磁極部１２の上面１２ａ、前記絶縁層１９の上面１９ａ、および前記接続層２１の上面２１ａと同一の面２４上に、前記第１コイル層１８ａの上面１８ａ１が位置するように形成される。
【００２７】
このように、図１７に示す工程で、面２４を形成するために行う研磨工程は、通常、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって行われる。
【００２８】
このように、磁気ヘッドの製造工程中における研磨工程をＣＭＰによって行う技術思想は、以下に示す特許文献１および２に開示されている。
【００２９】
前記特許文献１および２に開示された技術思想では、被研磨部分である磁気コアやギャップの上面はＣＭＰによって研磨、露出されるため、この被研磨部分の上面の平滑度合いはＣＭＰの研磨精度に依存する。
【特許文献１】特開平７−２７２２１１号公報
【特許文献２】特開平１１−２３２６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
前記特許文献１および２に開示された技術思想を利用し、図１７に示す工程において、前記特許文献１および２に開示されたＣＭＰによって前記第１コイル層１８ａを研磨した場合、研磨後の前記第１コイル層１８ａの上面１８ａ１を平滑面とするには限界があった。特に、ＣＭＰによって前記第１コイル層１８ａを研磨した場合の膜厚分布は、０．５μｍ程度のバラつきが見られる。
【００３１】
このように、前記第１コイル層１８ａの膜厚寸法にバラつきが生じると、前記第１コイル層１８ａの直流抵抗値が各インダクティブヘッドＨｗによってバラついてしまう。したがって、均一な品質の磁気ヘッドを製造することができず、各インダクティブヘッドＨｗによって前記ＰＴＰの問題が大きなものが存在したり、または少ないものが存在したりする。
【００３２】
本発明は前記従来の課題を解決するものであり、コイル層の膜厚寸法のバラつきを少なくすることによりコイル層の直流抵抗値のバラつきを少なくし、均一な品質で形成された磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明は、記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層上に、前記対向面からハイト方向に所定長さで形成される磁極部と、前記磁極部からハイト方向に離れて形成された接続層とが形成され、前記下部コア層と前記磁極部と前記接続層とで形成された空間を有する磁気ヘッドの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００３４】
（ａ）前記空間内の前記下部コア層上にコイル絶縁下地層を形成する工程と、
（ｂ）前記コイル絶縁下地層上に複数本のコイル層を形成する工程と、
（ｃ）前記コイル層の上面および側面に第１材料層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１材料層の上に絶縁層を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁層の上に第２材料層を形成する工程と、
（ｆ）前記磁極部を削ると共に、前記第２材料層、前記絶縁層を削って前記コイル層の上方に位置する前記第１材料層の上面を露出させ、前記磁極部の上面と前記第１材料層の上面とを同一面とする工程、
【００３５】
この場合、前記（ａ）工程で、前記磁極部の上面に前記コイル絶縁下地層を形成するものとして構成することが好ましい。
【００３６】
また、前記第１材料層は、前記第２材料層よりも研磨レートが遅い材料で形成されているものとして構成することが好ましい。
【００３７】
また、前記第１材料層は、前記絶縁層よりも研磨レートが遅い材料で形成されているものとして構成することが好ましい。
【００３８】
また、前記第１材料層は、前記磁極部よりも研磨レートが遅い材料で形成されているものとして構成することが好ましい。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の製造方法では、コイル層の上面には、ＣＭＰなどの研磨工程を施さず、前記上面の上に形成された第１材料層の上面でＣＭＰなどの研磨工程を終了する。したがって、前記コイル層の上面は、メッキ形成されたままの状態を維持することができるため、前記コイル層の膜厚分布を小さくすることができる。
したがって、均一な品質の磁気ヘッドを製造することができる。
【００４０】
また、前記コイル層の上面を研磨しないため、前記コイル層の膜厚寸法を減少させることが無いため、前記コイル層の断面積を大きくすることができ、前記コイル層の直流抵抗値を減少させることができ、ＰＴＰの問題を抑制することも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
図１は、本発明の実施の形態の磁気ヘッドの部分平面図、図２は図１に示す磁気ヘッドをＩＩ−ＩＩ線から切断し矢印方向から見た縦断面図である。なお図１では図を分かり易くするために、図２に示す保護層５２を省略して図示している。
【００４２】
図２に示す磁気ヘッドＨｗは記録用の磁気ヘッドであり、いわゆるインダクティブヘッドＨｗである。このインダクティブヘッドＨｗは、例えば磁気抵抗効果を利用した再生用磁気ヘッドＨｒの上に積層される。
【００４３】
図１及び図２に示される磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダ３１のトレーリング側端面３１ａに形成されたものであり、再生用磁気ヘッドＨｒと、書込み用のインダクティブヘッドＨｗとが積層された、複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００４４】
図１及び図２に示すように、スライダ３１のトレーリング側端面３１ａ上にＡｌ２Ｏ３膜３２を介して再生用磁気ヘッドＨｒが形成されている。再生用磁気ヘッドＨｒは、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【００４５】
再生ヘッド部Ｈｒは、下部シールド層３３、下部ギャップ層３４の上に設けられた磁界読み取り部Ｍ、上部ギャップ層３５、上部シールド層３６を有している。磁界読み取り部Ｍは、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である。
【００４６】
磁界読み取り部Ｍのトラック幅方向（Ｘ方向）の長さが、再生用磁気ヘッドＨｒのトラック幅Ｔｒである。
【００４７】
下部ギャップ層３４及び上部ギャップ層３５は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料からなり、下部シールド層３３及び上部シールド層３６は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。
【００４８】
上部シールド層３６の上には、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料からなる分離層３７が積層されており、分離層３７の上にインダクティブヘッドＨｗが積層されている。
【００４９】
分離層３７の上には、下部コア層（第１磁性層）４０が形成されている。下部コア層４０はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。下部コア層４０は記録媒体との対向面Ｆからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。
【００５０】
下部コア層４０上には、ギャップデプス（Ｇｄ）を規制するＧｄ決め層４１が形成されている。
【００５１】
また、記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層４１上にかけて磁極部４２が形成されている。磁極部４２はトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。トラック幅Ｔｗは、例えば０．１μｍ〜１．０μｍで形成される。
【００５２】
磁極部４２は下から下部磁極層４３、非磁性のギャップ層４４、及び上部磁極層４５が積層されて形成されている。上部磁極層４５は、その上に形成される上部コア層４６と磁気的に接続される。
【００５３】
上部磁極層４５及び下部磁極層４３は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【００５４】
ただし、上部磁極層４５及び下部磁極層４３は、下部コア層４０や上部コア層４６よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。
【００５５】
このようにギャップ層４４に近い上部磁極層４５及び下部磁極層４３を飽和磁束密度の大きい磁性材料で形成することで上部コア層４６や下部コア層４０から流れてきた磁束をギャップ近傍に集約することが容易になり、記録密度を向上させることが可能になる。
【００５６】
また下部磁極層４３の上に形成されたギャップ層４４は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層４４は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００５７】
下部磁極層４３は、下部コア層４０上にメッキ形成されている。また下部磁極層４３の上に形成されたギャップ層４４は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。このようにギャップ層４４がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層４３、ギャップ層４４及び上部磁極層４５を連続してメッキ形成することが可能である。
【００５８】
下部コア層４０の上であって、Ｇｄ決め層４１のハイト方向（図示Ｙ方向）後方にはコイル絶縁下地層４７が形成されており、コイル絶縁下地層４７上には、ＣｕやＡｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によって第１コイル層４８ａが螺旋状にパターン形成されている。この第１コイル層４８ａの上には、コイル絶縁下地層５３を介して第２コイル層４８ｂが形成されている。なお、図１では図を分かり易くするために、コイル層４８を円状に示しているが、実際は前記コイル層４８は接続層５１を中心として螺旋状に巻き回されている。
【００５９】
前記第１コイル層４８ａと前記第２コイル層４８ｂとでコイル層４８が構成される。前記第１コイル層４８ａの周囲には、レジストなどの有機絶縁材料や、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料からなる絶縁層４９が形成されており、前記第２コイル層４８ｂの周囲には、レジストなどの有機絶縁材料や、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料からなる絶縁層５０が形成されている。
【００６０】
上部コア層４６の基端部４６ａは、下部コア層４０上に形成された磁性材料製の接続層（バックギャップ層）５１上に磁気的に接続されているため、前記下部コア層４０と前記上部コア層４６とが磁気的に接続されている。
【００６１】
上部コア層４６と下部コア層４０は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。
接続層５１は下部コア層４０と同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。また接続層５１は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。
【００６２】
前記下部コア層４０及び接続層５１に囲まれて形成された空間内にコイル絶縁下地層４７が形成されている。前記コイル絶縁下地層４７は、後記する第１材料層５５よりも研磨レートが早い材料で形成され、例えばＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成されている。コイル絶縁下地層４７上に、前記接続層５１の周囲をらせん状に巻回する第１コイル層４８ａが螺旋状にパターン形成されている。
【００６３】
前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１および側面４８ａ２から、前記コイル絶縁下地層４７の上面４７ａにかけて、ＳｉＯ２などから成る第１材料層５５が形成されている。
【００６４】
前記第１コイル層４８ａの上に形成された前記第１材料層５５の上には、コイル絶縁下地層５３を介して第２コイル層４８ｂが形成されている。
【００６５】
前記第１コイル層４８ａと前記第２コイル層４８ｂとでコイル層４８が構成される。前記第１コイル層４８ａおよび前記第２コイル層４８ｂは、Ｃｕなどの導電性材料によって形成されている。前記第１コイル層４８ａの周囲には、有機絶縁材料や無機絶縁材料からなる絶縁層４９が形成されており、前記第２コイル層４８ｂの周囲には絶縁層５０が形成されている。
【００６６】
前記上部コア層４６の上はアルミナなどで形成された保護層５２が形成されている。
コイル層４８に記録電流が与えられると、下部コア層４０及び上部コア層４６に記録磁界が誘導され、ギャップ層４４を介して対向する下部磁極層４３及び上部磁極層４５間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００６７】
前記図１および図２に示す前記インダクティブヘッドＨｗの製造方法について説明する。
【００６８】
図３ないし図１０は図１および図２に示す前記インダクティブヘッドＨｗの製造方法を工程別に示したものであるが、各図では縦断面図を示している。
【００６９】
図３に示す工程では、読取り部Ｈｒ上に分離層３７を形成した後、この分離層３７上に下部コア層４９０を形成する。
【００７０】
次に、図４に示す工程で、前記下部コア層４０の上面４０ａに、記録媒体との対向面Ｆからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置にＧｄ決め層４１を形成する。次に、メッキに必要な例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＣｏ合金から成るメッキシード膜（図示せず）を形成した後、レジスト層（図示せず）でパターンを形成し、このパターン内に下から下部磁極層４３、ギャップ層４４、上部磁極層４５を連続してメッキ形成して磁極部４２を形成するとともに、接続層５１を形成し、前記レジスト（図示せず）を除去する。前記磁極部４２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗを規制する。トラック幅Ｔｗは、例えば０．１μｍ〜１．０μｍで形成される。前記磁極部４２と前記接続層５１と前記下部コア層４０とで空間６０、６１が形成される。
【００７１】
前記上部磁極層４５は、後記する第１材料層５５よりも研磨レートが早い材料で形成され、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【００７２】
また前記接続層５１は、後記する第１材料層５５よりも研磨レートが早い材料で形成され、例えばＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。
【００７３】
次に図５に示すように、前記空間６０の前記磁極部４２から、前記Ｇｄ決め層４１、前記下部コア層４０の上面４０ａ前記接続層５１、さらには前記接続層５１のハイト方向側（図示Ｙ方向側）の下部コア層４０の上面４０ａ上に形成された前記空間６１にかけて、コイル絶縁下地層４７を形成する。前記コイル絶縁下地層４７は、後記する第１材料層５５よりも研磨レートが早い材料で形成され、例えばＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成されている。
この図５に示す状態を記録媒体との対向面Ｆ側から見た状態を示したのが図６である。
【００７４】
次に図７に示すように、前記空間６０および６１に形成された前記コイル絶縁下地層４７の上に、Ｃｕなどの導電性材料で複数本の第１コイル層４８ａを形成する。この際、図１に示すように、前記第１コイル層４８ａを、前記接続層５１を中心として巻き回すように形成する。前記第１コイル層４８ａは、例えばＣｕやＡｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によって、メッキ形成される。
【００７５】
次に図８に示すように、前記コイル絶縁下地層４７、および前記第１コイル層４８ａの上面と側面４８ａ２にかけて、第１材料層５５を形成する。なおこの際、図９にハッチングで示すように、前記第１材料層５５を前記第１コイル層４８ａが形成されている平面領域の全面を覆うように形成する。したがって図８に示すように、前記磁極部４２の上面４２ａの上方向（図示Ｚ方向）にも前記第１材料層５５が積層される。この図８に示す状態を記録媒体との対向面Ｆ側から見た状態を示したのが図１０である。
【００７６】
次に、前記空間６０内および６１内に、前記第１材料層５５を介して前記第１コイル層４８ａの周囲が覆われる状態で、絶縁層４９を形成する（図１１を参照）。このとき、前記絶縁層４９の上面４９ａが、前記空間６０の側面６０ａおよび前記空間６１の側面６１ａに位置するように形成し、前記絶縁層４９が前記磁極部４２の上面４２ａの上方向には積層されないように形成する。前記絶縁層４９は、前記第１材料層５５よりも研磨レートが早い材料で形成され、例えばレジストなどの有機絶縁材料や、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料から形成することができる。
【００７７】
そして、図１１の図示矢印に示すように、前記絶縁層４９の上方からＲＩＥやイオンミリングなどの公知の除去工程によって、前記第１材料層５５を除去する。なお、イオンミリングの入射角度は、平坦化された絶縁層３９の上面に対する法線方向を０°方向としたときに、０°から４５°の範囲であることが好ましい。このとき、前記第１コイル層４８ａの周囲は前記第１材料層５５を介して前記絶縁層４９で覆われているため、前記第１コイル層４８ａの周囲に形成されている前記第１材料層５５は除去されずに残る。一方、前記磁極部４２の上面４２ａの上方向に積層された前記第１材料層５５は、前記絶縁層４９が形成されていないため、ＲＩＥやイオンミリングなどによる前記第１材料層５５の除去工程の際に除去される。しかし、前記磁極部４２の上面４２ａの上方向には前記コイル絶縁下地層４７が形成されているため、前記ＲＩＥやイオンミリングなどによる前記第１材料層５５の除去工程の際に、前記磁極部４２が損傷を受けることを防止することができ、図４に示す工程で規制されたトラック幅Ｔｗが変化してしまうことを防止できる。
【００７８】
第１材料層５５の除去工程後の状態を示したのが図１１である。図１１に示すように、前記第１材料層５５は前記絶縁層４９に覆われていない部分である、前記磁極部４２の上面４２ａの上方向、および前記接続層５１の上面５１ａの上方向において除去されている。
前記第１材料層５５は、例えばＳｉＯ２で形成される。
【００７９】
次に図１２に示すように、前記空間６０内および６１内で、前記絶縁層４９の上に、第２材料層５６を形成する。この第２材料層５６は、前記第１材料層５５よりも研磨レートが早い材料で形成され、例えばＡｌ２Ｏ３で形成される。そして、前記磁極部４２の上面４２ａの上方向および前記接続層５１の上面５１ａの上方向に形成された前記コイル絶縁下地層４７、前記磁極部４２、前記接続層５１とともに、前記第２材料層５６を図示Ｘ−Ｙ平面と平行な方向からＣＭＰなどの公知の方法により研磨する。例えば、この研磨工程はＣＭＰで行うことができる。この際、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１の上方に形成された部分の前記第１材料層５５の上面５５ａの高さ位置（図示Ｄ−Ｄ線で示す位置）まで研磨したときに、前記研磨を終了する。研磨を終了した時点を示したのが図１３である。図１３に示すように、研磨を終了した時点での前記Ｄ−Ｄ線には、前記上部磁極層４５の上面４５ａ、前記コイル絶縁下地層４７の上面４７ａ、前記絶縁層４９の上面４９ａ、前記第１材料層５５の上面５５ａ、前記接続層５１の上面５１ａが同一平面上に形成された平坦化面７４が形成される。
【００８０】
図１３に示す工程の後、コイル絶縁下地層５３、第２コイル層４８ｂ、絶縁層５０、上部コア層４６、保護層５２を形成すると、図１および図２に示される磁気ヘッドを得ることができる。前記コイル絶縁下地層５３、第２コイル層４８ｂ、絶縁層５０、上部コア層４６、保護層５２の材料は、既に図１ないし図２を用いて説明しているので、ここでの説明は省略する。
【００８１】
本発明の製造方法では、図１２に示す研磨工程において、前記第２材料層５６、前記絶縁層４９、前記コイル絶縁下地層４７、前記上部磁極層４５、および前記接続層５１の研磨レートが、前記第１材料層５５の研磨レートよりも速くなるような材料で形成されている。言い換えれば、前記第１材料層５５の研磨レートが、前記第２材料層５６、前記絶縁層４９、前記コイル絶縁下地層４７、前記上部磁極層４５、および前記接続層５１の研磨レートよりも遅くなるような材料で形成されている。
【００８２】
したがって、図１２に示す工程の研磨加工を、第１材料層５５をマーカ、すなわちストッパとして終了させることが可能となる。この際、前記磁極部４２の上面を規定する前記上部磁極層４５の上面４５ａの高さ位置（図示Ｚ方向に置ける高さ位置）を、前記第１材料層５５の上面５５ａの高さ位置で容易に規制させることができ、前記上面４５ａと前記上面５５ａとを容易に同一の平坦化面７４上に位置させることが可能となる。したがって、第２コイル層４８ｂをこの平坦化面７４上に所定形状に簡単に且つ精度良く形成することが可能になる。
【００８３】
また本発明の製造方法では、図１２に示す工程での研磨工程で、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１は前記第１材料層５５で保護され、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１は研磨されない。
【００８４】
したがって、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１は、図７に示す工程で前記第１コイル層４８をメッキ形成したままの状態で、前記第１材料層５５が前記上面４８ａ１上に形成された状態である。
【００８５】
ここで、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１をメッキ形成したままの状態の膜厚（図２に示すｔを参照）分布と、前記上面４８ａ１をＣＭＰにより研磨したときの膜厚（図２に示すｔを参照）分布では、前者のほうが膜厚分布が小さい。
【００８６】
これを表したのが、図１４および図１５で示すグラフである。図１４は、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１にＣＭＰを行ったときの、前記第１コイル層４８ａの直流抵抗値（ＤＣＲ）と素子数との関係を示したグラフである。一方、図１５は、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１をメッキ形成したままの状態で、前記第１コイル層４８ａの直流抵抗値（ＤＣＲ）と素子数との関係を示したグラフである。図１４および図１５において、直流抵抗値のバラつきは、前記第１コイル層４８ａの膜厚寸法のバラつきと比例する。
【００８７】
なお、図１４および図１５では、縦軸に素子数を表し、横軸に直流抵抗値（ＤＣＲ）を表す。ここで、横軸に表した数値はＤＣＲのレンジを表しており、それぞれのレンジにおけるＤＣＲ値（Ω）を、図示右下方部に示している。
【００８８】
図１４および図１５に示すように、前記第１コイル層４８の上面４８ａ１がメッキ形成されたままの状態の方が、第１コイル層４８ａの上面をＣＭＰした場合よりも、ＤＣＲのバラつきが多い、すなわち膜厚分布が大きいということが分かる。
【００８９】
本発明の製造方法では、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１には、ＣＭＰなどの研磨工程を施さず、前記上面４８ａ１の上に形成された第１材料層５５の上面５５ａでＣＭＰなどの研磨工程を終了する。したがって、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１は、メッキ形成されたままの状態を維持することができるため、前記第１コイル層４８ａの膜厚（図２に示すｔを参照）分布を小さくすることができる。
【００９０】
したがって、均一な品質の磁気ヘッドを製造することができる。ゆえに、前記インダクティブヘッドＨｗ内部での温度が高くなった場合に、金属材料で形成されているコイル層４８、下部コア層４０や上部コア層４６と、その周囲を覆う分離層３７や保護層５２などの絶縁性材料との間での熱膨張係数の違いによって、前記インダクティブヘッドＨｗが形成されている部分が、他の部分に比べて記録媒体との対向面Ｆから突出しやくなるという、いわゆるＰＴＰ（Ｐｏｌｅ  Ｔｉｐ  Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）の問題が大きなものが存在したり、または少ないものが存在したりといった品質のバラつきを抑制することが可能となる。
【００９１】
また、前記第１コイル層４８ａの上面４８ａ１を研磨しないため、前記第１コイル層４８ａの膜厚寸法ｔを減少させることが無いため、前記第１コイル層４８ａの断面積を大きくすることができ、前記第１コイル層４８ａの直流抵抗値を減少させることができ、前記ＰＴＰの問題を抑制することも可能となる。
【００９２】
なお、前記コイル層４８は第２コイル層４８ｂが形成されず、第１コイル層４８ａのみの一層構造でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施の形態の磁気ヘッドの部分平面図、
【図２】図１に示す磁気ヘッドをＩＩ−ＩＩ線から切断した縦断面図、
【図３】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図４】図３に示す工程の次に行われる一工程図、
【図５】図４に示す工程の次に行われる一工程図、
【図６】図５に示す製造途中の磁気ヘッドを記録媒体との対向面から見た正面図、
【図７】図６に示す工程の次に行われる一工程図、
【図８】図７に示す工程の次に行われる一工程図、
【図９】図８に示す製造途中の磁気ヘッドを上面から見た平面図、
【図１０】図８に示す製造途中の磁気ヘッドを記録媒体との対向面から見た正面図、
【図１１】図８に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１２】図１１に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１４】前記第１コイル層の直流抵抗値（ＤＣＲ）と素子数との関係を示したグラフ、
【図１５】前記第１コイル層の直流抵抗値（ＤＣＲ）と素子数との関係を示したグラフ、
【図１６】従来の磁気ヘッドを示す縦断面図、
【図１７】従来の磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【符号の説明】
【００９４】
４２  磁極部
４３  下部磁極層
４４  ギャップ層
４５  上部磁極層
４６  上部コア層
４７  コイル絶縁下地層
４７ａ  上面
４８  コイル層
４８ａ  第１コイル層
４８ａ１  上面
４８ａ２  側面
４８ｂ  第２コイル層
４９  絶縁層
４９ａ  上面
５０  絶縁層
５１  接続層
５３  コイル絶縁下地層
５５  第１材料層
５５ａ  上面
５６  第２材料層
６０  空間
６１  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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