(57)【要約】【課題】記録トラックのトラック幅の縮小に大いに貢献することできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。【解決手段】磁極本体層は媒体対向面（ＡＢＳ）から後退した位置で途切れる。磁極本体層には、磁極本体層の表面からＡＢＳに向かって前方に広がる中間磁性層が受け止められる。中間磁性層はＡＢＳから後退した位置で途切れる。中間磁性層には、中間磁性層の表面からＡＢＳに向かって前方に広がる先端磁性層が受け止められる。先端磁性層はＡＢＳに臨む。こうした薄膜磁気ヘッドによれば、磁極本体層並びに中間磁性層および先端磁性層の積層構造の働きで磁束の流通路では断面積の変化は緩和される。断面積の縮小にも拘わらず磁束の飽和は十分に抑制されることができる。先端磁性層の先端が縮小されても、先端磁性層の先端から十分な強度の磁束は漏れ出ることができる。【選択図】図４
2005182897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に向き合わせられるヘッドスライダの媒体対向面から後退した位置で途切れる磁極本体層と、磁極本体層の表面から媒体対向面に向かって前方に広がり、媒体対向面から後退した位置で途切れる中間磁性層と、中間磁性層の表面から媒体対向面に向かって前方に広がり、媒体対向面に臨む先端磁性層とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記中間磁性層の前端は前記磁極本体層の前端よりも媒体対向面に近い位置で途切れることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記先端磁性層には、媒体対向面から均一幅で後方に延びる主磁極先端域が区画されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記主磁極先端域は、前記媒体対向面に臨む先端面でトレーリング側よりもリーディング側で狭められることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
第１絶縁層に隣接する磁極本体層を形成する工程と、第１絶縁層および磁極本体層の表面上で、磁極本体層の前端から前方に広がる第１磁性素材層を積層する工程と、第１絶縁層および磁極本体層の表面に第２絶縁層を形成し、第２絶縁層で第１磁性素材層を覆う工程と、第２絶縁層に平坦化処理を施し、第２絶縁層に囲まれる第１磁性素材層を平坦面で露出させる工程と、平坦面に第２磁性素材層を積層する工程と、第２磁性素材層の表面に、第１磁性素材層の前端よりも前方に広がるマスクを形成する工程と、マスクに基づき、第１および第２磁性素材層から磁極層を削り出す工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記憶装置で磁気情報の書き込みに用いられる薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録の分野ではいわゆる単磁極ヘッドは広く知られる。こういった単磁極ヘッドは、例えば非特許文献１に記載されるように、磁極本体層すなわちヨーク層と先端磁性層すなわち主磁極層とを備える。主磁極層の前端から磁気ディスクの裏打ち層に向かって磁界は作用する。コイルで生成される磁束はヨーク層から主磁極層に誘導される。
【０００３】
主磁極層には、媒体対向面から均一幅でコイルに向かって延びる主磁極先端域が区画される。主磁極層の幅は主磁極先端域の後端から急激に広がっていく。主磁極層の膜厚はヨーク層のそれに比べて相当に薄いことから、主磁極先端域の均一幅は高い精度で確立されることができる。トラック幅の縮小は実現されることができる。その一方で、主磁極先端域の入り口では主磁極層の断面積が急激に絞られる。こうした断面積の縮小に基づき磁束の飽和が引き起こされる。その結果、主磁極先端域の先端から漏れ出る磁界は減少してしまう。媒体対向面からコイルに向かって延びる主磁極先端域の長さが十分に縮小されれば、磁界の減少は回避されることができる。
【特許文献１】日本国特開２００２−９２８２１号公報
【非特許文献１】Stoev et al., “High Linear Density Study of Advanced Single-Pole Head” IEEE Transactions on Magnetics, September 2002, vol. 38 No.5, pp2243-2248
【非特許文献２】Liu et al., “Advanced Probe Head for Perpendicular Recording” IEEE Transactions on Magnetics, July 2002, vol. 38 No.4, pp1647-1651
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のような主磁極先端域の形成にあたって例えばイオンミリングは用いられる。イオンミリングの実施にあたって磁性素材層上には主磁極層の形状を象ったフォトレジスト膜が形成される。フォトレジスト膜の周囲で磁性素材層は削り落とされる。
【０００５】
このとき、主磁極層の幅は主磁極先端域の後端から急激に広がることから、主磁極先端域の後端ではイオンの進入はフォトレジスト膜で遮られてしまう。主磁極先端域の後端は十分に削り取られることはできない。主磁極先端域では後端付近で幅が増大してしまう。高い精度で均一幅が確立されることができない。したがって、前述のように主磁極先端域の長さが縮小されていくと、媒体対向面で露出する主磁極先端域の寸法精度は悪化してしまう。
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、記録トラックのトラック幅の縮小に大いに貢献することできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明によれば、記録媒体に向き合わせられるヘッドスライダの媒体対向面から後退した位置で途切れる磁極本体層と、磁極本体層の表面から媒体対向面に向かって前方に広がり、媒体対向面から後退した位置で途切れる中間磁性層と、中間磁性層の表面から媒体対向面に向かって前方に広がり、媒体対向面に臨む先端磁性層とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドが提供される。
【０００８】
こういった薄膜磁気ヘッドでは、磁極本体層から中間磁性層、先端磁性層に順番に磁束は流通する。先端磁性層の先端から記録媒体に向かって磁束は漏れ出ることができる。磁極本体層並びに中間磁性層および先端磁性層の積層構造の働きで磁束の流通路では断面積の変化は緩和される。断面積の縮小にも拘わらず磁束の飽和は十分に抑制されることができる。先端磁性層の先端が縮小されても、先端磁性層の先端から十分な強度の磁束は漏れ出ることができる。
【０００９】
こうした薄膜磁気ヘッドでは、中間磁性層の前端は磁極本体層の前端よりも媒体対向面に近い位置で途切れればよい。こういった構成によれば、磁束の流通路では、媒体対向面に向かって徐々に断面積は縮小されることができる。しかも、中間磁性層の膜厚に基づき断面積の変化は高い精度で制御されることができる。
【００１０】
先端磁性層には、媒体対向面から均一幅で後方に延びる主磁極先端域が区画されればよい。この種の薄膜磁気ヘッドでは、磁極本体層と先端磁性層とは個別に積層形成されることができる。先端磁性層の膜厚は磁極本体層のそれに比べて相当に薄く設定されることができる。その結果、主磁極先端域の均一幅は高い精度で確立されることができる。トラック幅の縮小は実現されることができる。しかも、前述のように磁極本体層並びに中間磁性層および先端磁性層の積層構造の働きで磁束の流通路では断面積の変化は緩和されることから、主磁極先端域に十分な長さが確保されても磁束の飽和は確実に抑制されることができる。主磁極先端域の均一幅が縮小されても、主磁極先端域の先端から十分な強度の磁束は漏れ出ることができる。加えて、こうした薄膜磁気ヘッドが例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記憶装置に組み込まれる場合、先端磁性層の膜厚（ポール長さ）が薄く設定されれば、ヨー角（スキュー）依存性は確実に低減されることができる。
【００１１】
こうした薄膜磁気ヘッドでは、中間磁性層の前端は、主磁極先端域の後端よりも媒体対向面に接近した位置で途切れればよい。こういった構成によれば、磁束の流通路では、媒体対向面に向かって段階的に断面積は縮小されることができる。しかも、中間磁性層の前端の位置や主磁極先端域の後端の位置に基づき断面積の変化は高い精度で制御されることができる。
【００１２】
こうした薄膜磁気ヘッドでは、主磁極先端域は、媒体対向面に臨む先端面でトレーリング側よりもリーディング側で狭められればよい。主磁極先端域は、一般に、トレーリング側の稜線よりもリーディング側の稜線で記録トラックの中心線から乖離しやすい。トレーリング側の稜線よりもリーディング側の稜線が狭められれば、確実に狭小幅の記録トラックは描き出されることができる。しかも、リーディング側の稜線が隣接する記録トラックにはみ出すことはない。隣接する記録トラックへの磁気情報の書き込みは阻止される。
【００１３】
以上のような薄膜磁気ヘッドの実現にあたって、磁極本体層の表面には中間磁性層を受け止める平坦化面が規定されればよい。同様に、中間磁性層の表面には先端磁性層を受け止める平坦面が規定されてもよい。
【００１４】
中間磁性層は、先端磁性層の外縁から外側に広がりつつ磁極本体層に近づく裾広がり面を備えればよい。こういった薄膜磁気ヘッドによれば、磁極本体層から先端磁性層に向かって中間磁性層内で徐々に磁束の流通路は狭められていくことができる。
【００１５】
以上のような薄膜磁気ヘッドの製造にあたって、第１絶縁層に隣接する磁極本体層を形成する工程と、第１絶縁層および磁極本体層の表面上で、磁極本体層の前端から前方に広がる第１磁性素材層を積層する工程と、第１絶縁層および磁極本体層の表面に第２絶縁層を形成し、第２絶縁層で第１磁性素材層を覆う工程と、第２絶縁層に平坦化処理を施し、第２絶縁層に囲まれる第１磁性素材層を平坦面で露出させる工程と、平坦面に第２磁性素材層を積層する工程と、第２磁性素材層の表面に、第１磁性素材層の前端よりも前方に広がるマスクを形成する工程と、マスクに基づき、第１および第２磁性素材層から磁極層を削り出す工程とが実施されればよい。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように本発明によれば、高記録磁界および高記録磁界勾配を保持しつつ、記録トラックのトラック幅の縮小に大いに貢献することできる薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１８】
図１は磁気記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００１９】
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５はアクチュエータブロック１６を備える。アクチュエータブロック１６は、垂直方向に延びる支軸１７に回転自在に支持される。ヘッドアクチュエータ１５は、支軸１７から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８を備える。アクチュエータアーム１８はアクチュエータブロック１６に保持される。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間に１つのアクチュエータアーム１８が配置される。アクチュエータブロック１６およびアクチュエータアーム１８は例えば鋳造に基づきアルミニウムから一体成型されればよい。
【００２０】
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。浮上ヘッドスライダ２１にはいわゆる磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
【００２１】
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には正圧すなわち浮力や負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション１９の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００２２】
アクチュエータブロック１６には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１６は支軸１７回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１６の回転に基づきアクチュエータアーム１８の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に支軸１７回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした浮上ヘッドスライダ２１の移動に基づき電磁変換素子は目標記録トラックに対して位置決めされることができる。
【００２３】
図２は浮上ヘッドスライダ２１の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、平たい直方体に形成されるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体２３を備える。スライダ本体２３の空気流出端にはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４が接合される。ヘッド素子内蔵膜２４には電磁変換素子すなわち読み出し書き込みヘッド２５が埋め込まれる。スライダ本体２３およびヘッド素子内蔵膜２４には、磁気ディスク１３に対向する媒体対向面すなわち浮上面２６が規定される。
【００２４】
浮上面２６には、スライダ本体２３の空気流入端に沿って延びるフロントレール２８と、スライダ本体２３の空気流出端に隣接して広がるリアレール２９とが形成される。フロントレール２８およびリアレール２９の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）３１、３２が規定される。ＡＢＳ３１、３２の空気流入端は段差３３、３４でレール２８、２９の頂上面に接続される。読み出し書き込みヘッド２５はＡＢＳ３２で前端を露出させる。ただし、ＡＢＳ３２の表面には、読み出し書き込みヘッド２５の前端に覆い被さるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜が形成されてもよい。
【００２５】
磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３５は浮上面２６に受け止められる。このとき、段差３３、３４の働きでＡＢＳ３１、３２には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール２８の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２１の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２６】
図３は浮上面２６の様子を詳細に示す。読み出し書き込みヘッド２５は読み取りヘッド素子３６と薄膜磁気ヘッドすなわち単磁極ヘッド３７とを備える。読み取りヘッド素子３６では、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報は検出されることができる。単磁極ヘッド３７は、後述されるように、導電コイルパターンで生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。読み取りヘッド素子３６および単磁極ヘッド３７は、前述のヘッド素子内蔵膜２４の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するＡｌ２Ｏ３（アルミナ）膜３８と、下側半層すなわちアンダーコート膜を構成するＡｌ２Ｏ３（アルミナ）膜３９との間に挟み込まれる。
【００２７】
読み取りヘッド素子３６は、アルミナ膜３９の表面に沿って広がる下部シールド層４１を備える。下部シールド層４１の表面には絶縁層４２が覆い被さる。絶縁層４２の表面には上部シールド層４３が配置される。下部および上部シールド層４１、４３は例えばＦｅＮやＮｉＦｅといった磁性材料から構成されればよい。下部および上部シールド層４１、４３の膜厚は例えば１μｍ〜２μｍ程度に設定されればよい。
【００２８】
下部および上部シールド層４１、４３の間では、絶縁層４２に磁気抵抗効果（ＭＲ）素子４４が埋め込まれる。こうしたＭＲ素子４４には、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子といった読み出し素子が用いられればよい。下部および上部シールド層４１、４３同士の間隔は磁気ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００２９】
単磁極ヘッド３７は、上部シールド層４３上で任意の基準平面４５に沿って広がる下部磁極層すなわち補助磁極４６を備える。基準平面４５は、例えば上部シールド層４３上に均一な膜厚で積層形成されるＡｌ２Ｏ３（アルミナ）層といった非磁性層４７の表面で規定される。非磁性層４７は上部シールド層４３と補助磁極４６との間で磁気的な結合を断ち切る。
【００３０】
補助磁極４６上には、後述されるように、アルミナ層３８に主磁極４８が埋め込まれる。主磁極４８上には、アルミナ層３８内にシールド層４９が配置される。シールド層４９は例えばＮｉやＦｅを含む磁性材料から形成されればよい。ここでは、例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）が用いられればよい。シールド層４９の膜厚は例えば１μｍ〜２μｍ程度に設定されればよい。
【００３１】
図４に示されるように、補助磁極４６の表面には絶縁層５１が積層形成される。絶縁層５２の表面には、絶縁層５２に埋め込まれた導電コイルパターン５３が形成される。こうした絶縁層５１、５２はギャップ層を構成する。絶縁層５１、５２すなわちギャップ層の膜厚は例えば３μｍ〜６μｍ程度に設定されればよい。
【００３２】
絶縁層５２上には磁極本体層５４が積層形成される。磁極本体層５４は、ＡＢＳ３２から後退した第１位置で途切れる。第１位置は、ＡＢＳ３２および磁極本体層５４の前端の間の距離ｄ１で規定される。磁極本体層５４は例えばＮｉやＦｅを含む磁性材料から形成されればよい。ここでは、例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）が用いられればよい。磁極本体層５４の膜厚は例えば１μｍ〜３μｍ程度に設定されればよい。
【００３３】
磁極本体層５４の後端は導電コイルコイルパターン５３の中心位置で連結部５５に受け止められる。連結部５５は補助磁極４６の表面に積層形成される。連結部５５は例えばＮｉやＦｅを含む磁性材料から形成されればよい。ここでは、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）が用いられればよい。連結部５５に基づき磁極本体層５４および補助磁極４６は磁気的に連結される。
【００３４】
磁極本体層５４の表面には平坦化面５６が規定される。平坦化面５６上には中間磁性層５７が受け止められる。中間磁性層５７は磁極本体層５４の表面からＡＢＳ３２に向かって前方に広がる。中間磁性層５７は、ＡＢＳ３２から後退した第２位置で途切れる。中間磁性層５７の前端は、磁極本体層５２の前端よりもＡＢＳ３２に近い位置で途切れる。第２位置は、ＡＢＳ３２および中間磁性層５７の前端の間の距離ｄ２で規定される。距離ｄ２は例えば数１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定されればよい。中間磁性層５７は例えばＮｉやＦｅを含む磁性材料から形成されればよい。ここでは、例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）が用いられればよい。中間磁性層５７の膜厚は例えば２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度に設定されればよい。
【００３５】
中間磁性層５７の表面には平坦面５８が規定される。平坦面５８上には先端磁性層５９が受け止められる。先端磁性層５９は、中間磁性層５７の表面からＡＢＳ３２に向かって前方に広がる。先端磁性層５９の前端はＡＢＳ３２に臨む。先端磁性層５９は、例えばＦｅＣｏやＦｅＮｉＣｏといった高飽和磁束密度を有する磁性材料から形成されればよい。磁極本体層５４並びに中間磁性層５７および先端磁性層５９は前述の主磁極４８を構成する。主磁極４８および補助磁極４６は協働して単磁極ヘッド３７の磁性コアを構成する。
【００３６】
周知の通り、導電コイルパターン５３で磁界が生起されると、主磁極４８および補助磁極４６では磁束の流通路が形成される。すなわち、磁極本体層５４から中間磁性層５７、先端磁性層５９に順番に磁束は流通する。こうして、先端磁性層５９の先端から磁気ディスク１３に向かって磁束は漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁界を形成する。
【００３７】
図５に示されるように、先端磁性層５９には主磁極先端域６１が区画される。主磁極先端域６１はＡＢＳ３２から均一幅で後方に延びる。先端磁性層５９の幅は、主磁極先端域６１の後端からさらに後方に向かって急激に増大する。ただし、主磁極先端域６１の幅は前述の第２位置すなわち中間磁性層５７の前端の位置から後方に向かって徐々に増大する。主磁極先端域６１の幅は磁気ディスク１３上で記録トラックの幅方向に磁気記録の分解能を決定する。こうした単磁極ヘッド３７では、磁極本体層５４と先端磁性層５９とは個別に積層形成されることができる。先端磁性層５９の膜厚は磁極本体層５４のそれに比べて相当に薄く設定されることができる。その結果、主磁極先端域６１の均一幅は高い精度で確立されることができる。トラック幅の縮小は実現されることができる。
【００３８】
前述されるように、中間磁性層５７の前端は第２位置で途切れる。すなわち、中間磁性層５７の前端は、主磁極先端域６１の後端よりもＡＢＳ３２に接近した位置で途切れる。こうして磁束の流通路では、ＡＢＳ３２に向かって段階的に断面積は縮小されることができる。しかも、中間磁性層５７の前端の位置や主磁極先端域６１の位置に基づき断面積の変化は高い精度で実現されることができる。
【００３９】
中間磁性層５７には、先端磁性層５９の外縁から外側に広がりつつ磁極本体層５４に近づく裾広がり面６２が規定される。こうした裾広がり面６２によれば、磁極本体層５４から先端磁性層５９に向かって中間磁性層５７内で徐々に磁束の流通路は狭められていくことができる。中間磁性層５７の輪郭は、中間磁性層５７の先端および裾広がり面６２以外の領域で先端磁性層５９の輪郭と一致する。
【００４０】
図６に示されるように、主磁極先端域６１は、ＡＢＳ３２に臨む先端面６３でトレーリング側よりもリーディング側で狭められる。ここでは、先端面６３は例えば台形形状に形成される。主磁極先端域６１では、一般に、トレーリング側の稜線よりもリーディング側の稜線で記録トラックの中心線から乖離しやすい。こうしてトレーリング側の稜線よりもリーディング側の稜線が狭められれば、確実に極小幅の記録トラックは描き出されることができる。しかも、リーディング側の稜線が隣接する記録トラックにはみ出すことはない。隣接する記録トラックへの磁気情報の書き込みは阻止される。ここでは、前述されるように、先端磁性層５９の膜厚は例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度に設定されればよい。先端磁性層５９の主磁極先端域６１の幅すなわちコア幅は例えば６０〜１５０ｎｍ程度に設定されればよい。図７に示されるように、中間磁性層５７は、主磁極先端域６１と同様に、前端面５７ａでトレーリング側よりもリーディング側で狭められる。こうして前述されるように、磁束の流通路では、ＡＢＳ３２に向かって段階的に断面積は縮小されることができる。しかも、中間磁性層５７の前端の位置や主磁極先端域６１の位置に基づき断面積の変化は高い精度で実現されることができる。
【００４１】
以上のような単磁極ヘッド３７によれば、磁極本体層５４並びに中間磁性層５７および先端磁性層５９の積層構造の働きで磁束の流通路では断面積の変化は緩和される。断面積の縮小に拘わらず磁束の飽和は十分に抑制されることができる。主磁極先端域６１の幅が狭められても、主磁極先端域６１の先端から十分な強度の磁束は漏れ出ることができる。
【００４２】
以上のような単磁極ヘッド３７では、磁極本体層５４の表面には複数の中間磁性層５７が積層形成されてもよい。このとき、上側の中間磁性層５７の前端は、上側の中間磁性層５７を受け止める下側の中間磁性層５７の前端よりもＡＢＳ３２に近づいた位置で途切れればよい。こうした複数の中間磁性層５７によれば、磁極本体層５４並びに中間磁性層５７および先端磁性層５９の積層構造の働きで磁束の流通路では断面積の変化は緩和されることができる。
【００４３】
以上のような読み出し書き込みヘッド２５の製造方法を簡単に説明する。製造にあたって例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のウエハ（図示されず）が用意される。ウエハの表面には、周知の通り、アルミナ膜３９、下部シールド層４１、ＭＲ素子４４、絶縁層４２、上部シールド層４３および非磁性層４７が積層形成される。こうして、読み取りヘッド素子３６が形成される。
【００４４】
その後、図８に示されるように、非磁性層４７の表面には補助磁極４６が積層形成される。続いて、補助磁極４６の表面にはアルミナ膜といった絶縁層（図示されず）が積層形成される。補助磁極４６は絶縁層で覆われる。化学的機械研磨法（ＣＭＰ）に基づき絶縁層に平坦化処理が施される。こうして絶縁層に囲まれる補助磁極４６は平坦化面で露出する。
【００４５】
その後、図９に示されるように、補助磁極４６の表面には連結部５５が積層形成される。連結部５５の膜厚は例えば２μｍ〜４μｍ程度に設定される。補助磁極４６の表面にはアルミナ膜といった絶縁層５１が積層形成される。絶縁層５１の表面には導電コイルパターン５３が形成される。導電コイルパターン５３の膜厚は例えば１μｍ〜３μｍ程度に設定されればよい。
【００４６】
その後、導電コイルパターン５３の隙間にはフォトレジスト材料が充填される。その後、導電コイルパターン５３やフォトレジスト材料の表面は絶縁材料で覆われる。絶縁材料には例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）やＳｉＯ２（シリコン酸化物）が用いられればよい。導電コイルパターン５３および連結部５５は第１絶縁層すなわち絶縁層５２で覆われる。化学的機械研磨法に基づき絶縁層５２に平坦化処理が施される。こうして絶縁層５２に囲まれる連結部５５は平坦化面で露出する。
【００４７】
その後、図１０に示されるように、絶縁層５２および連結部５５すなわち基層の表面に磁極本体層５４が積層形成される。磁極本体層５４は例えばめっきに基づき所定の形状に形成されればよい。絶縁層５２の表面にはアルミナ膜といった絶縁層６３が積層形成される。磁極本体層５４は絶縁層６４で覆われる。その後、化学的機械研磨法に基づき絶縁層６４に平坦化処理が施される。こうして、図１１に示されるように、絶縁層６４すなわち絶縁層５２に囲まれる磁極本体層５４は平坦化面５６で露出する。磁極本体層５４は絶縁層５２に隣接する。
【００４８】
その後、図１２に示されるように、平坦化面５６上には、磁極本体層５４の前端から前方に広がる第１磁性素材層６５が積層形成される。第１磁性素材層６５は例えばめっきに基づき所定の形状に形成されればよい。平坦化面５６上にはアルミナ膜といった第２絶縁層すなわち絶縁層６６が積層形成される。第１磁性素材層６５は絶縁層６６で覆われる。その後、化学的機械研磨法に基づき絶縁層６６に平坦化処理が施される。こうして、図１３に示されるように、絶縁層６６に囲まれる第１磁性素材層６５は平坦面５８で露出する。
【００４９】
その後、図１４に示されるように、平坦面５８上には全面にわたって第２磁性素材層６７が積層形成される。積層形成にあたって例えば周知のスパッタリング法が用いられればよい。続いて、第２磁性素材層６７の表面には、第１磁性素材層６５の前端よりも前方に広がるマスクすなわちフォトレジスト膜６８が形成される。フォトレジスト膜６８の輪郭は、図１５に示されるように、フォトレジスト膜６８の先端を除いて第１磁性素材層６５の輪郭に含まれる。同様に、第１磁性素材層６５の輪郭は第１磁性素材層６５の先端を除いて磁極本体層５４の輪郭に含まれる。ただし、マスクには例えばＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２、Ｔｉ、Ｔａといったハードマスクが用いられてもよい。
【００５０】
その後、フォトレジスト膜６８に基づき第１および第２磁性素材層６５、６７から磁性層が削り出される。削り出しにあたって例えばドライエッチング法が用いられればよい。エッチングにあたってフォトレジスト膜６８の先端に区画される先端域６８ａでは、所定の傾斜角で例えばイオンが照射される。こうして第１および第２磁性素材層６５、６７の断面は例えば台形形状に削り出される。その結果、先端磁性層５９の主磁極先端域６１では、先端面でトレーリング側よりもリーディング側で狭められる。
【００５１】
同様に、フォトレジスト膜６８の後端にも例えばイオンが照射される。その結果、第１磁性素材層６５では、フォトレジスト膜６８の外縁から外側に広がりつつ磁極本体層５４に近づく傾斜面すなわち裾広がり面６２が形成される。こうして、図１６に示されるように、中間磁性層５７および先端磁性層５９が形成される。中間磁性層５７の輪郭は、前述されるように、中間磁性層５７の先端および裾広がり面６２以外の領域で先端磁性層５９の輪郭と一致する。ここでは、先端磁性層５９の主磁極先端域６１のコア幅は例えば６０〜１５０ｎｍ程度に設定されればよい。その後、先端磁性層５９の表面にはアルミナ膜３８やシールド層４９（図示されず）が積層形成される。最後に、図１７に示されるように、研磨処理に基づきＡＢＳ３２が形成される。
【００５２】
ただし、磁極本体層５４の形成にあたって、磁極本体層５４は例えば周知のスパッタリング法に基づき成膜されてもよい。その後、フォトリソグラフィ法やドライエッチング法に基づき所定の形状に削り出されてもよい。
【００５３】
（付記１）  記録媒体に向き合わせられるヘッドスライダの媒体対向面から後退した位置で途切れる磁極本体層と、磁極本体層の表面から媒体対向面に向かって前方に広がり、媒体対向面から後退した位置で途切れる中間磁性層と、中間磁性層の表面から媒体対向面に向かって前方に広がり、媒体対向面に臨む先端磁性層とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００５４】
（付記２）  付記１に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記中間磁性層の前端は前記磁極本体層の前端よりも媒体対向面に近い位置で途切れることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００５５】
（付記３）  付記１または２に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記先端磁性層には、媒体対向面から均一幅で後方に延びる主磁極先端域が区画されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００５６】
（付記４）  付記３に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記中間磁性層の前端は、主磁極先端域の後端よりも媒体対向面に接近した位置で途切れることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００５７】
（付記５）  付記３または４に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記主磁極先端域は、前記媒体対向面に臨む先端面でトレーリング側よりもリーディング側で狭められることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００５８】
（付記６）  付記１〜５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁極本体層の表面には、前記中間磁性層を受け止める平坦化面が規定されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００５９】
（付記７）  付記１〜６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記中間磁性層の表面には、前記先端磁性層を受け止める平坦面が規定されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００６０】
（付記８）  付記１〜７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記中間磁性層は、先端磁性層の外縁から外側に広がりつつ磁極本体層に近づく裾広がり面を備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００６１】
（付記９）  第１絶縁層に隣接する磁極本体層を形成する工程と、第１絶縁層および磁極本体層の表面上で、磁極本体層の前端から前方に広がる第１磁性素材層を積層する工程と、第１絶縁層および磁極本体層の表面に第２絶縁層を形成し、第２絶縁層で第１磁性素材層を覆う工程と、第２絶縁層に平坦化処理を施し、第２絶縁層に囲まれる第１磁性素材層を平坦面で露出させる工程と、平坦面に第２磁性素材層を積層する工程と、第２磁性素材層の表面に、第１磁性素材層の前端よりも前方に広がるマスクを形成する工程と、マスクに基づき、第１および第２磁性素材層から磁極層を削り出す工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】磁気記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】一具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
【図３】浮上面で観察される読み出し書き込みヘッドの様子を概略的に示す正面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った拡大断面図である。
【図５】図３の５−５線に沿った拡大断面図である。
【図６】浮上面で観察される主磁極先端域の前端面を概略的に示す正面図である。
【図７】図５の７−７線に沿った拡大断面図であり、浮上面から後退した位置で観察される中間磁性層の前端面を概略的に示す図である。
【図８】下部磁極層の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図９】連結部および導電コイルパターンの形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図１０】磁極本体層の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図１１】磁極本体層の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図１２】第１磁性素材層の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図１３】第１磁性素材層の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図１４】第２磁性素材層およびフォトレジスト膜の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【図１５】フォトレジスト膜の形成工程を概略的に示すウエハの拡大部分水平断面図である。
【図１６】第１および第２磁性素材層の削り出し工程を概略的に示すウエハの拡大部分水平断面図である。
【図１７】研磨処理に基づき空気軸受け面が形成される工程を概略的に示すウエハの拡大部分垂直断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１３  磁気ディスク（記録媒体）、２１  浮上ヘッドスライダ、３２  空気軸受け面（媒体対向面）、３７  単磁極ヘッド（薄膜磁気ヘッド）、５２  絶縁層（第１絶縁層）、５４  磁極本体層、５６  平坦下面、５７  中間磁性層（磁性層）、５８  平坦面、５９  先端磁性層（磁性層）、６１  主磁極先端域、６２  裾広がり面、６３  先端面、６５  第１磁性素材層、６６  絶縁層（第２絶縁層）、６７  第２磁性素材層、６８  フォトレジスト膜（マスク）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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