(57)【要約】【課題】  本発明は、成膜中のダストに起因する球状突起の発生を減らすことによって、電子写真感光体の画像欠陥を大幅に低減し、さらに電子写真感光体の帯電能の向上、ゴーストの低減が可能となる堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】  複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、高周波電力導入手段を反応容器の外部に配置して高周波電力を導入することで、複数の基体上に良好な特性を有する堆積膜を形成する堆積膜装置及び方法において、高周波電力導入手段が直径の異なる複数の配置円上に設置されることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、該反応容器内部に同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電力導入手段とを有し、該高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、該高周波電力導入手段が直径の異なる複数の配置円上に配置されることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記円筒状基体の数の整数倍の前記高周波電力導入手段が設けられることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記円筒状基体の数の２倍以上の前記高周波電力導入手段が設けられることを特徴とする請求項１乃至２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記円筒状基体の数の３倍以上の前記高周波電力導入手段が設けられることを特徴とする請求項１乃至２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
少なくとも一つの配置円上に配置される前記高周波電力導入手段は、概略前記円筒状基体の対向位置に配置され、他の配置円上に配置される前記高周波電力導入手段は、該円筒状基体の間に配置されることを特徴とする請求項１乃至４に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記円筒状基体の間に配置される前記高周波電力導入手段の配置円の直径は、該円筒状基体の対向位置に配置される前記高周波電力導入手段の配置円の直径より小さいことを特徴とする請求項５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記高周波電力導入手段と、該高周波電力導入手段から最も近い前記円筒状基体との距離を、全ての該高周波電力導入手段で実質的に等しくなるように配置することを特徴とする請求項１乃至６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
複数の配置円上に配置された前記高周波電力導入手段に同一の高周波電源から高周波電力を印加することを特徴とする請求項１乃至７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記高周波電力導入手段が配置される複数の配置円ごとに独立した高周波電源が設けられることを特徴とする請求項１乃至７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記独立した高周波電源ごとに、前記高周波電力導入手段に印加する高周波電力が異なることを特徴とする請求項９に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記独立した高周波電源ごとに、前記高周波電力導入手段に印加する高周波電力の発振周波数が異なることを特徴とする請求項９乃至10に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記円筒状基体が配置される配置円内に、さらに導電性を有する円筒状部材を有することを特徴とする請求項１乃至11に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
前記円筒状部材が円筒状基体の配置円の概略中央に設置されていることを特徴とする請求項12に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１４】
前記円筒状部材は接地されていることを特徴とする請求項12乃至13に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１５】
前記高周波電力の周波数が５０〜４５０ＭＨｚの範囲であることを特徴とする請求項１乃至14に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１６】
前記高周波電力の周波数が５０〜４５０ＭＨｚの範囲にある異なる２つ以上の周波数を重畳したものであることを特徴とする請求項１乃至15に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１７】
前記複数の円筒状基体上に形成される堆積膜が、シリコン原子を母材とした非単結晶材料であることを特徴とする請求項１乃至16に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１８】
電子写真感光体の製造に用いられることを特徴とする請求項１乃至17に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１９】
請求項１乃至18記載の堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置および堆積膜形成方法に関する。とりわけ機能性膜、特に半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用いる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等の形成に用いる堆積膜形成方法として、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力によって生起されたプラズマを用いた方法が多数知られており、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
例えばプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波グロー放電により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は好適な堆積膜形成手段として実用化されており、例えば電子写真用アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と表記する）堆積膜の形成等に利用され、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
特に、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ（以下、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）法が注目を浴びており、このＶＨＦ−ＰＣＶＤ法を用いた各種堆積膜の開発が積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では堆積膜の堆積速度が比較的速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。そして、複数のａ−Ｓｉ系電子写真用の感光体を同時に形成できて、生産性が高い堆積膜形成装置の開発が進められている。
【０００５】
例えば、反応容器の一部を誘電体部材とし、高周波電力導入手段を反応容器の外側に複数配置することで、大面積で均質な高周波放電が容易に達成され、大面積基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うことが可能になる装置が開示されている。（例えば、特許文献１参照）
このような堆積膜形成装置の一例として、図3に模式的な構成図を示す。
【０００６】
図３（ａ）は概略断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。反応容器３０１は誘電体部材３０１（ａ）と上蓋３０１（ｂ）から成る。反応容器３０１の下部には排気配管３０９が接続され、排気配管３０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続されている。反応容器３０１の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される複数の円筒状基体３０５が互いに平行になるように同一円周上に配置されている。複数の円筒状基体３０５は基体加熱用ヒーター３０７を内蔵した基体支持体３０６によって各々保持されている。そして、反応容器３０１内にはＳｉＨ4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ａｒ、Ｈｅ等のガスボンベからなる不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段３１０があり、反応容器３０１の外には高周波電力導入手段３０２が設置されている。高周波電力導入手段３０２には、高周波電源３０３がマッチングボックス３０４と高周波電力分岐手段３１２を介して接続されている。さらに、円筒状基体３０５は各々の回転機構３０８によって、回転可能になっている。
【特許文献１】特開平９−３１０１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来の堆積膜形成装置及び方法により、膜堆積速度の向上による基体処理時間の短縮、同時処理可能基体数の増加、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が達成され、生産コストの安い、実用的な特性と均一性を持つ電子写真感光体を得ることが可能になった。また真空反応容器内の清掃を厳格に行えばある程度欠陥の少ない電子写真感光体を得ることは可能である。
【０００８】
しかしながら、これらの堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【０００９】
すなわち、近年、急激に需要が広がっているカラー複写機においては、これまで以上に画像欠陥に対する要求が厳しい。ところが、電子写真感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品においては、その感光体の製造工程が長時間に渡るために製造工程中にダストが発生しやすく、且つ、堆積面の面積が広いため、自ずとダストが付着する確率も高まる傾向がある。このダスト起因の堆積膜の異常成長は画像欠陥に直結するため、極力なくすことが必要となってきた。
【００１０】
従って、膜堆積速度が速く、光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスによる画像形成時に画像欠陥が少ない堆積膜を高収率で得るためには、改善すべき問題が残存していた。
【００１１】
上記の感光体の製造工程で発生する堆積膜の異常成長とは次のようなものである。
【００１２】
ａ−Ｓｉ膜は基体表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」が成長してしまうという性質を持っている。球状突起はダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って基体側に抜けてしまう。このため、球状突起のある部分は、画像上ではべた黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はべた白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機に搭載される場合にはさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【００１３】
この球状突起は、ダストを起点としているため、使用する基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。このようにして、成膜開始前に基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。しかし、球状突起の発生原因は基体上に付着したダストのみではない。すなわち、ａ−Ｓｉ感光体を製造する場合、要求される膜厚が数μmから数１０μmと非常に厚いため、成膜時間は数時間から数十時間に及び、この間にａ−Ｓｉ膜は基体のみではなく、反応容器壁や反応容器内の構造物にも堆積する。これらの炉壁、構造物は基体のように管理された表面や温度を有していないため、場合によっては密着力が弱く、長時間に渡る成膜中に膜剥がれを起こす場合があった。成膜中に僅かでも剥がれが発生すると、それがダストとなり、堆積中の感光体表面に付着し、これが起点となって球状突起の異常成長が発生してしまう。従って、高い歩留まりを維持していくためには、成膜前の基体の管理のみならず、成膜中における反応容器内の膜剥がれの防止についても慎重な管理が必要とされ、ａ−Ｓｉ感光体の製造を難しいものにしていた。
【００１４】
また、画像欠陥の問題に加え、近年の複写機のカラー化や高速化に伴い、電位特性に対する要求は以前にも増して高まっている。すなわち、複写機のカラー化は本体プロセスの複雑化をもたらしており、このために帯電手段と現像手段を接近させて配置することが難しくなってきている。このような状況の中で現像位置で充分な表面電位を得るためには、より高い帯電能が必要である。また、複写機の高速化は、帯電に割く時間が割かれていくことを意味し、この場合も帯電能の向上が求められる。
【００１５】
さらに複写機の用途が文字中心の複写原稿から写真等の画像に移り、ハーフトーンを多用する複写原稿が増えてきたため、濃度の均一性については、以前に増して厳しい基準が要求されるようになってきた。特に写真原稿に関しては、ゴーストと呼ばれる現象に対して要求が厳しい。ここで言うゴーストとは、前回複写したイメージがハーフトーン領域で薄く顕在化してしまう現象である。これまでにも様々な方法によってゴーストをより軽減する試みがなされているが、更に向上させることのできる技術が切望されている。
【００１６】
本発明の目的は、上述のごとき従来の電子写真感光体における諸問題、具体的には球状突起に起因する画像欠陥を克服し、さらに帯電能が高く、ゴーストの少ない、優れた特性を有する電子写真感光体を、安価に安定して歩留まり良く製造し得る堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、該反応容器内部に同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電力導入手段とを有し、該高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、該高周波電力導入手段を直径の異なる複数の配置円上に配置することにより、大幅に球状突起の発生を減らすと同時に、電気特性の向上が可能であることを見出した。
【００１８】
上記の効果が得られる本発明の形態について、以下、詳述する。
【００１９】
本発明者らは、複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、反応容器の外部に高周波電力導入手段を配置した堆積膜形成装置において、球状突起に起因する画像欠陥を改善するために、反応容器の内面に付着する堆積膜の密着性を向上させてダストの発生を低減する方法を検討した。まず、成膜が終了した後の反応容器内の堆積膜の密着性を詳細に検討していったところ、高周波電力導入手段近傍の反応容器壁に付着した堆積膜と高周波電力導入手段から離れた位置の堆積膜で膜の密着性や応力などが異なっていることを発見した。
【００２０】
従来用いられてきた堆積膜形成装置は、代表的には図３、及び図４に示したものである。図３に示した堆積膜形成装置では高周波電力導入手段３０２は円筒状基体３０５と同心円状に配置され、かつ、円筒状基体３０５と対向する位置に配置されている。高周波電力導入手段３０２をこのような構成にした場合、対向電極の役割を果たす円筒状基体３０５の距離が接近しているため、高周波電力が効率よく投入される。このため、高周波電力導入手段３０２と円筒状基体３０５間の電力密度が高まり、両者の間に位置する反応容器３０１（ａ）の壁が大電力に晒されることになる。この結果、反応容器壁に付着する堆積膜から脱水素反応が進んで膜中応力が増加し、成膜条件によっては膜剥がれが発生しやすくなるのである。この反応容器壁からの膜剥がれはたとえ微細な剥がれであっても円筒状基体３０５までの距離が近いため、球状突起などの異常成長を引き起こす重大な要因となる。
【００２１】
図４（ａ）に示した堆積膜形成装置では高周波電力導入手段３０２は円筒状基体３０５と同心円状に、かつ、円筒状基体３０５の間に位置するように配置されている。高周波電力導入手段３０２の配置をこのような構成にした場合、高周波電力導入手段３０２と対向電極の役割を果たす円筒状基体３０５との距離が遠いために電力投入効率が低下し、円筒状基体対向位置と同等の電力を投入した場合、感光体特性の悪化原因となる。感光体特性を補償するために投入電力を大きくすると高周波電力導入手段３０２近傍の反応容器壁に堆積している膜の膜質が変化し、やはり成膜条件によっては膜剥がれの原因となる。
【００２２】
図４（ｂ）に示した堆積膜形成装置では高周波電力導入手段３０２は円筒状基体３０５と同心円状に、円筒状基体３０５と対向する位置、および円筒状基体３０５の間に設けられている。高周波電力導入手段３０２の配置をこのような構成にした場合、円筒状基体３０５の対向位置に配置された高周波電力導入手段３０２は、円筒状基体の間に配置されたものよりも距離が近く、高周波電力の導入効率が高くなる。逆に、円筒状基体間に配置された高周波電力導入手段３０２は距離が遠くなるために導入効率が低下してしまう。従って、図４（ｂ）に示した堆積膜装置は、結果的にほとんどの高周波電力が円筒状基体３０５の対向位置に配置された高周波電力導入手段３０２から供給されてしまい、やはり、成膜条件によっては反応容器３０１（ａ）の炉壁からの剥がれの問題が生じてしまう。
【００２３】
本発明者らは、この高周波電力の導入方法によって発生する反応容器壁からの膜剥がれが、電子写真感光体の品質向上の大きな障壁になっていることを確認した。そして、その対策を鋭意検討した結果、反応容器外に設けられた高周波電力導入手段から高周波電力を導入する場合、反応容器内面での電力密度を出来るだけ均一に近づけることが炉壁からの膜剥がれ防止に有効であるとの結論に達した。そこで、高周波電力導入手段の本数を出来るだけ増やし、反応容器外周に均等に配置することにより、電力分布を均一に近づける検討を行った。すると確かに高周波電力導入手段を増やすほどに反応容器壁からの膜剥がれは発生しにくくなることが確認されたが、成膜条件によっては膜剥がれを皆無にするところまでは改善できなかった。
【００２４】
そこで、さらに検討を行った結果、高周波電力導入手段と、対向電極となる円筒状基体との距離が電力分布の均一化に重要であるとの結論に至った。すなわち、高周波電力導入手段と最も近い位置にある円筒状基体の間の距離が全ての高周波電力導入手段について等しくなるように、各々の高周波電力導入手段の配置する位置を調整した。その結果、充分大きい高周波電力を導入しても、反応容器壁からの膜剥がれは全く発生せず、画像欠陥のほとんどない、非常に優れた感光体が得られることが判明した。
【００２５】
この理由については、現在、次のように考えている。すなわち、高周波電力導入手段を同一円周上に配置した場合、たとえ電極本数を増やしても高周波電力導入手段から円筒状基体までの最短距離にはばらつきが出来る。このため、いくら高周波電力導入手段の数を増やしても、高周波電力導入手段と円筒状基体の距離が近い場所で高周波電力の導入効率は高くなり、遠いところで低くなってしまう。結果として、高周波電力導入手段を増やした割には、高周波電力の導入効率が高いところから大部分の高周波電力は印加されてしまい、その部分の膜剥がれを抑えることは難しかった。従って、このように高周波電力導入手段と円筒状基体との最短距離にばらつきがある状態ではどうしても膜剥がれを皆無にするところまでは改善できなかったのである。
【００２６】
一方、高周波電力導入手段から円筒状基体までの最短距離が等しくなるように各々の高周波電力導入手段を配置した場合、導入効率はどの高周波電力導入手段においても等しいため、電力分布にむらができない。このため、高周波電力導入手段の本数を増やすことにより高周波電力は反応容器壁全体に均一に広がり、膜剥がれを防止できるのである。
【００２７】
本発明において、さらに特筆すべきこととして、電子写真感光体の電気特性が向上することが確認された。特に、帯電能が向上し、ゴーストが軽減する現象が見られた。この原因について詳細は不明であるが、円筒状基体の周りに複数の高周波電力導入手段が等しい距離で配置されるため、円筒状基体の周りの電力分布が均一化し、プラズマ状態も均一になることが堆積膜の膜質向上に寄与したものと考えている。
【００２８】
本発明は、以上の経緯によって完成されたものである。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明によれば、複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、高周波電力導入手段を反応容器の外部に配置して高周波電力を導入することで、基体上に良好な特性を有する堆積膜を形成する堆積膜装置及び方法において、各々の高周波電力導入手段と円筒状基体の距離が等しくなるように、高周波電力導入手段を直径の異なる複数の配置円上に設置することによって、電気的特性を犠牲にすることなく大幅に球状突起の発生を減らすことが可能となった。さらに、高周波電力が均一に投入できるため、堆積膜の膜質を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を用いて本発明の堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法について詳細に説明する。
【００３１】
図１は本発明の堆積膜形成装置であり、複数の電子写真感光体を同時に形成できる生産性の極めて高い装置の一例を模式的に示したものである。
【００３２】
図１（ａ）は概略断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。図１に示す堆積膜形成装置は、原料ガスが分解される成膜空間を誘電体部材１０１（ａ）と上蓋１０１（ｂ）から成る反応容器１０１により円柱状領域に制限し、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体１０５の配置円の中心を通る構成とし、さらに高周波電力導入手段１０２を誘電体部材１０１（ａ）の外部に位置させることにより、原料ガスの利用効率を向上させ、同時に、形成される堆積膜中の欠陥を減少させることが可能となるものである。
【００３３】
反応容器１０１の下部には排気配管１０９が接続され、排気配管１０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続されている。反応容器１０１の中心部を取り囲むように、堆積膜を形成される複数の円筒状基体１０５が互いに平行になるように同一円周上に配置されている。複数の円筒状基体１０５は基体加熱用ヒーター１０７を内蔵した基体支持体１０６によって各々保持されている。そして、反応容器１０１内にはＳｉＨ4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ａｒ、Ｈｅ等のガスボンベからなる不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段１１０があり、反応容器１０１の外には高周波電力導入手段１０２が直径の異なる２つの配置円上に配置されている。高周波電力導入手段１０２には、高周波電源１０３がマッチングボックス１０４と高周波電力分岐手段１１２を介して接続されている。さらに、円筒状基体１０５は各々の回転機構１０８によって、回転可能になっている。
【００３４】
ここで、高周波電力導入手段１０２は、反応容器１０１に近い配置円上に配置された内周の高周波電力導入手段１０２（ａ）と、反応容器１０１から遠い配置円上に配置された外周の高周波電力導入手段１０２（ｂ）の２種類に分けられることにより、直径の異なる複数の配置円上に配置される。複数の配置円のそれぞれの直径は、内周の高周波導入手段１０２（ａ）から最も近い円筒状基体１０５までの距離（Ａ）と外周の高周波電力導入手段１０２（ｂ）から最も近い円筒状基体１０５までの距離（Ｂ）が等しくなるように決定することが肝要である。円筒状基体１０５の本数の２倍の高周波電力導入手段１０２を配置する場合、内周の高周波電力導入手段１０２（ａ）は円筒状基体間に、外周の高周波電力導入手段１０２（ｂ）は円筒状基体の対向面に設けることが好ましい。このように距離（A）と距離（B）とを等しくなるように高周波電力導入手段１０２を設けることにより円筒状基体１０５との間の電力密度が実質的に等しくなり、この結果、間にある反応容器１０１の内面に堆積する堆積膜の膜質が均一となり、応力も均一になるため、剥がれ防止効果が得られる。さらに、本堆積膜形成装置の場合、円筒状基体１０５一本に対して高周波電力導入手段１０２は２本となっている。このため、例えば図３や図４（ａ）の堆積膜形成装置のように、円筒状基体３０５一本に対して高周波電力導入手段３０２が一本の場合と比べて、高周波電力導入手段一本当たりの高周波電力は１／２となっている。このため、反応容器１０１の壁を通り抜ける電力密度も１／２であり、堆積膜の剥がれ防止に非常に効果的である。
【００３５】
一方、図４（ｂ）の堆積膜形成装置では、高周波電力導入手段３０２は円筒状基体に対して２本であり、図１の堆積膜形成装置と同様であるが、高周波電力導入手段３０２は単一の配置円上に配置されている。このため、円筒状基体３０５の対向位置に配置された高周波電力導入手段３０２は、円筒状基体の間に配置されたものよりも距離が近く、高周波電力の導入効率が高くなる。逆に、円筒状基体間に配置された高周波電力導入手段３０２は距離が遠くなるために導入効率が低下してしまう。この結果、図４（ｂ）の装置は、図１の装置と同じ数の高周波電力導入手段３０２を備えているものの、結果的にほとんどの電力が円筒状基体３０５の対向位置に配置された高周波電力導入手段３０２から供給されてしまい、やはり、成膜条件によっては反応容器３０１（ａ）の炉壁からの剥がれの問題が生じてしまう。一方、本発明によるところの図１の堆積膜形成装置では、外周の高周波電力導入手段１０２（ｂ）と内周の高周波電力導入手段１０２（ａ）とも円筒状基体１０５までの距離が等しく、どちらの導入手段にも均等に電力が供給されるため、上記のような問題が生じない。
【００３６】
高周波電力導入手段１０２及び高周波電力分岐手段１１２の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスなどは熱伝導が良く、電気伝導も良いので好適である。これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００３７】
高周波電力導入手段１０２の数としては、円筒状基体１０５の２倍以上の整数倍とすることが好ましい。円筒状基体１０５の２倍とする場合には、図１（ｂ）に示したように、円筒状基体１０５の対向位置、及び円筒状基体間に配置することが最適である。さらに、高周波電力導入手段１０２の数を円筒状基体１０５の３倍とすることはさらに好ましい。この場合には、図２（ａ）に示したように、円筒状基体１０５の対向位置に１本、円筒状基体間に２本配置する方法や、図２（ｂ）に示したように、円筒状基体１０５の対向位置に２本、円筒状基体間に１本配置する方法などがある。ここで、円筒状基体１０５の「対向位置」とは、高周波電力導入手段１０２の配置円の中心から見て、円筒状基体に隠れる範囲に配置することを意味している。同様に、「円筒状基体間」とは、高周波電力導入手段１０２の配置円の中心から見て、円筒状基体１０５に重ならない範囲に配置することを意味している。高周波電力導入手段１０２の数を４倍以上にする場合にも同様の方法で配置すればよい。このとき、各々の高周波電力導入手段１０２を等間隔に、かつ、円筒状基体１０５からの距離を等しくするように配置することは本発明の効果を得る上で非常に好ましいものである。
【００３８】
複数の高周波電力導入手段１０２への電力の供給は、例えば、１つの高周波電源１０３からマッチングボックス１０４を介した後、電力供給路を高周波電力分岐手段１１２で分岐させて行うことができる。また例えば、１つの高周波電源１０３から電力供給路を高周波電力分岐手段１１２で分岐させた後、複数のマッチングボックスを介して電力供給を行っても良い。また、高周波電力導入手段１０２を例えば円筒状基体１０５の対向位置にあるものと、円筒状基体間にあるものといったように異なる配置円上にあるものごとに分け、各々に対して独立して高周波電源１０３、マッチングボックス１０４、高周波電力分岐手段１１２を設けてもよい。この場合、必要に応じてそれぞれの高周波電源の発振周波数や印加電力を変えることも、電子写真感光体の品質管理が容易になるため好ましいものである。さらには個々の高周波電力導入手段１０２ごとに別個の高周波電源およびマッチングボックスを設けてもよいが、装置コストや装置の大きさを重視する場合には、１つの高周波電源から全ての高周波電力導入手段１０２に電力供給することが好ましい。
【００３９】
高周波電力導入手段１０２としては棒状、筒状、球状、板状等の高周波電力導入手段や、同軸構造体の外部導体に開口部を設けそこから電力供給する手段等が用いることができる。
【００４０】
また、高周波電源１０３は、装置に適した高周波電力を発生することが出来ればいかなるものでも好適に使用出来る。さらに、高周波電源１０３の出力変動率には特に制限は無い。
【００４１】
本発明においては高周波電力の周波数が５０〜４５０ＭＨｚの範囲において、画像欠陥の低減効果が特に高くなる。これは、５０ＭＨｚよりも低い周波数領域においては、プラズマが安定して生成可能な圧力が急激に高まることに起因していると思われる。本発明者らの検討によれば、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの場合には、プラズマが安定して生成可能な圧力は、周波数が５０ＭＨｚ以上の場合と比べ約１桁から半桁高いことが確認されている。このような高い圧力においては、成膜空間中においてポリシラン等のパーティクルが生じ易く、このパーティクルが堆積膜中に取り込まれると球状突起を発生させやすくなる。本発明において、高周波電力の周波数を５０ＭＨｚ以上とすることにより、プラズマ生成圧力を充分低くすることができるため、パーティクルの発生確率は激減し、円筒状基体全周にわたって良好な堆積膜が形成されるものと考えられる。
【００４２】
また、４５０ＭＨｚよりも高い周波数領域においては、プラズマの均一性の低下により４５０ＭＨｚ以下の場合と比べて膜特性の均一性に差が生じてしまう。このような膜特性の均一性に差ができると、同時に膜の応力にも差が生じ、その境界付近で膜剥がれが生じやすくなる。このため、画像欠陥が悪化しやすい。周波数が４５０ＭＨｚよりも高い周波数領域においては、電力導入手段近傍での電力の吸収が大きく、ここで電子の生成が最も頻繁に為されるため、プラズマ不均一を生じ易く、堆積膜の特性むらにつながりやすい。４５０ＭＨｚ以下の周波数においては、電力導入手段近傍での極端な電力吸収が生じにくいため、プラズマ均一性、さらには膜特性の均一性が高くなる。
【００４３】
本発明で使用されるマッチングボックス１０４は高周波電源１０３と負荷の整合を取ることができるものであればいかなる構成のものでも好適に使用出来る。また、整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが製造時の煩雑さを避けるために好適であるが、手動で調整されるものであっても本発明の効果に全く影響は無い。また、マッチングボックス１０４が配置される位置に関しては整合が取れる範囲においてどこに設置してもなんら問題はないが、マッチングボックス１０４から高周波電力導入手段１０２までの配線のインダクタンスを出来るだけ小さくするような配置とした方が広い負荷条件で整合を取ることが可能になるため望ましい。
【００４４】
本発明で使用される反応容器１０１の誘電体部材１０１（ａ）の材料としては、セラミックス材料が好ましく、具体的には、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コージュライト、炭化珪素、チッ化ホウ素、チッ化アルミ、チッ化珪素等の少なくとも一つ以上を含む材料によって構成されていると堆積膜の密着性が高く、球状突起発生防止のために有効であるので好ましい。これらの中でも、アルミナ、チッ化ホウ素、チッ化アルミは誘電正接や絶縁抵抗等の電気特性にすぐれ、高周波電力の吸収が少ないことからより好ましい。
【００４５】
また、加工の容易さから電子写真感光体を作製する際には、反応容器１０１の誘電体部材１０１（ａ）の形状は円筒形状が好ましいが、必要に応じて楕円形、多角形形状を用いても良く、作製する部材に応じて形状を選択すれば良い。
【００４６】
反応容器１０１の誘電体部材１０１（ａ）表面の少なくとも一部は、球状突起低減効果を増すために算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。また、Ｒａを上記の範囲内にすると同時に平均傾斜角（θａ）を９度以上２０度以下の範囲に制御する、或いはＲａを上記の範囲内にすると同時に局部山頂の平均間隔（Ｓ）を３０μｍ以上１００μｍ以下の範囲にすることがより好ましい。さらに、Ｒａ、θａ、Ｓを全て上記の範囲内にすることで画像欠陥改善効果が特に顕著になる。
【００４７】
反応容器１０１の上蓋１０１（ｂ）の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスなどの材料を用いると導電性で熱伝導が良いので好適である。これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００４８】
円筒状基体１０５は、使用目的に応じた材質を有するものであれば良い。材質においては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスは電気伝導が良好のため好適である。さらに、これらの材料中の２種以上からなる複合材料も耐熱性が向上するために望ましい。
【００４９】
基体加熱用ヒーター１０７は真空仕様である発熱体であればよく、具体的にはシース状ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター、カーボンヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。基体加熱用ヒーター１０７の表面材料としてはステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００５０】
本発明の堆積膜形成装置においては、図６に示したように円筒状基体で囲まれる放電空間の中央に導電性を有する円筒状部材を設置しても良い。このような円筒状部材を設置することにより、さらに画像欠陥を低減させることが可能である。円筒状部材は接地した状態で用いることがより好ましい。
【００５１】
図１の堆積膜形成装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００５２】
まず、基体ホルダー１０６に保持した円筒状基体１０５を反応容器１０１内に設置し、不図示の排気装置により排気口１０９を通して反応容器１０１内を排気する。続いて、発熱体１０７により円筒状基体１０５を所定の温度に加熱・制御する。
【００５３】
円筒状基体１０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段１１０を介して、原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源１０３からマッチングボックス１０４を介して複数の配置円上に設置された高周波電力導入手段１０２へ所定の高周波電力を供給する。供給された高周波電力によって、反応容器１０１内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
【００５４】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように１つの層の形成が終了した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成を行なってもよいし、あるいは、１つの層の形成終了後一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成してもよい。また、各層の間で一旦、反応容器１０１内の残留ガスを充分真空引きすることで、層と層の間で異なるガス種を使う場合の汚染の心配がなくなるため好ましい。
【００５５】
堆積膜の形成中、必要に応じて円筒状基体１０５を回転機構１０８により所定の速度で回転させてもよい。
【００５６】
本発明を用いることにより、例えば図５に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真感光体が形成可能である。
【００５７】
図５（ａ）に示す電子写真感光体５００は、支持体５０１の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉを有する光導電性を有する光導電層５０２が設けられている。
【００５８】
図５（ｂ）に示す電子写真感光体５００は、支持体５０１の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉからなり光導電性を有する光導電層５０２と、ａ−Ｓｉ系（又はアモルファス炭素系）表面層５０３が設けられて構成されている。
【００５９】
図５（ｃ）に示す電子写真感光体５００は、支持体５０１の上に、ａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層５０４と、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉからなり光導電性を有する光導電層５０２と、ａ−Ｓｉ系（又はアモルファス炭素系）表面層５０３が設けられて構成されている。
【００６０】
図５（ｄ）に示す電子写真感光体５００は、支持体５０１の上に、光導電層５０２が設けられている。この光導電層５０２は水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉからなる電荷発生層５０５及び電荷輸送層５０６とからなり、その上にａ−Ｓｉ系（又はアモルファス炭素系）表面層５０３が設けられている。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。
（実施例１）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体１０５としての直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、高周波電源１０３の発振周波数を５０ＭＨｚとして表１に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でａ−Ｓｉ堆積膜から成る電子写真感光体を作成した。この装置では、それぞれの高周波電力導入手段１０２と最近接の円筒状基体１０５との距離は全ての高周波電力導入手段で等しくなるように設置してある。
【００６２】
【表１】
2005163166.tif 000003
（比較例１）
図３に示す従来堆積膜形成装置を用い、実施例１と同様にして表１の条件でａ−Ｓｉ感光体の形成を行った。成膜条件は実施例１と全く同様とした。
【００６３】
実施例１、比較例１で作成したａ−Ｓｉ電子写真感光体は、下記の方法で評価を行った。
（反応容器の膜付き）
成膜終了後の反応容器内面に堆積した堆積膜の付着状況を次の方法で調べた。
【００６４】
まず、反応容器内面にセロハンテープをしっかり貼り付け、次にセロハンテープをゆっくり剥がし、テープに付着してくる膜の量を透過濃度を測定することで評価した。濃度が濃いほど膜剥がれし易いことを示している。評価は円筒状基体対向面と円筒状基体間でそれぞれ５ヶ所サンプリングを行い、結果を平均した。
【００６５】
得られた結果は、比較例１での濃度の値を100％としてランク付けを行った。
◎  …      ７０％未満
○〜◎  …  ７０％以上、８０％未満
○  …      ８０％以上、９０％未満
△〜○  …  ９０％以上、１００％未満
△  …      比較例１と変らず
×  …      比較例１より悪化
（球状突起数）
得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察した。そして、20μｍ以上の大きさの球状突起の数を数え、10cm2当たりの個数を調べた。
【００６６】
得られた結果は、比較例１での値を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
◎  …      ３０％未満
○〜◎  …  ３０％以上５０％未満
○  …      ５０％以上７０％未満
△〜○  …  ７０％以上１００％未満
△  …      比較例１と変らず
×  …      比較例１より悪化
（画像欠陥）
本テスト用に改造したキヤノン製複写機ｉＲ５０００に本実施例で作製した電子写真感光体を設置し、プロセススピード２６５ｍｍ/sec、前露光（波長６６０nｍのＬＥＤ）光量４lx・s、主帯電器の電流値１０００μＡの条件にて画像形成を行い、Ａ３サイズの黒原稿を複写した。こうして得られた画像を観察し、直径0.3mm以上の球状突起に起因する白ポチの個数を数えた。
【００６７】
得られた結果は、比較例１での値を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
◎  …      ３０％未満
○〜◎  …  ３０％以上５０％未満
○  …      ５０％以上７０％未満
△〜○  …  ７０％以上１００％未満
△  …      比較例１と変らず
×  …      比較例１より悪化
（帯電能）
電子写真装置の主帯電器に一定の電流（例えば１０００μＡ）を流し、現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより暗部電位を測定した。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。帯電能の評価結果は、比較例１の結果を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
◎      …  １２０％より大
○〜◎  …  １１５％より大、１２０％以下
○      …  １１０％より大、１１５％以下
△〜○  …  １００％より大、１１０％以下
△      …      比較例１と変らず
×      …      比較例１より悪化
（ゴースト）
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定することにより行った。したがって、数値が小さいほど良好である。ゴーストの評価結果は、比較例１の結果を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
◎      …  ７０％未満
○〜◎  …  ７０％以上８０％未満
○      …  ８０％以上９０％未満
△〜○  …  ９０％以上１００％未満
△      …      比較例１と変らず
×      …      比較例１より悪化
実施例１、比較例１の評価結果を表２に示す。表２から分かるように、本発明の堆積膜形成装置を用いることによって剥がれ、球状突起、画像欠陥が大幅に改善されることが分かる。また、予期しなかった効果であるが、帯電能、感度、光メモリーといった電子写真感光体の特性に関しても改善が見られる。これは、高周波電力導入手段と円筒状基体のが均等になるように高周波電力導入手段を複数の配置円上に配置したことで、円筒状基体の周りのプラズマ状態が均一化したことが影響を与えていると推定される。
【００６８】
【表２】
2005163166.tif 000004
（実施例２）
図２（ａ）に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体１０５としての直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、高周波電源の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表３に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でａ−Ｓｉ堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。図２（ａ）の堆積膜形成装置には、円筒状基体１０５の対向面に１本、円筒状基体間に２本の高周波電力導入手段１０２を設けた。従って、合計で円筒状基体の３倍の高周波電力導入手段が設置されている。この装置では、円筒状基体の対向面に設置された高周波電力導入手段より、円筒状基体間の高周波電力導入手段の方が、若干、円筒状基体に近い構成となっている。
【００６９】
【表３】
2005163166.tif 000005
上記の方法で得られた電子写真感光体は、実施例１と同様の評価を行った。結果を表４に示す。表４からわかるように、円筒状基体に対して、高周波電力導入手段が３倍ある堆積膜形成装置は本発明の効果をさらに得ることができることが判明した。
【００７０】
【表４】
2005163166.tif 000006
（実施例３）
図２（ｂ）に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体１０５としての直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、高周波電源の発振周波数を１０５ＭＨｚと６０MHzの重畳周波数として、表５に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でａ−Ｓｉ堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。図２（ｂ）の堆積膜形成装置には、円筒状基体１０５の対向面に２本、円筒状基体の間に１本の高周波電力導入手段１０２を設けた。従って、合計で円筒状基体の３倍の高周波電力導入手段が設置されている。この装置では、それぞれの高周波電力導入手段と最近接の円筒状基体との距離は全ての高周波電力導入手段で等しくなるように設置してある。
【００７１】
【表５】
2005163166.tif 000007
上記の方法で得られた電子写真感光体は、実施例１と同様の評価を行った。結果を表６に示す。表６からわかるように、円筒状基体に対して、高周波電力導入手段を３倍にし、かつ、両者の距離を等しくした堆積膜形成装置では、本発明の効果をさらに得ることができることが判明した。
【００７２】
【表６】
2005163166.tif 000008
（実施例４）
図２（ａ）に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体１０５としての直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、表７に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でａ−Ｓｉ堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。
【００７３】
本実施例では、内周高周波電力導入手段１０２（ａ）と外周高周波電力導入手段１０２（ｂ）にそれぞれ別の高周波電源を接続し、独立して電力を制御した。各々の高周波電源の発振周波数は150ＭＨｚとした。
【００７４】
【表７】
2005163166.tif 000009
上記の方法で得られた電子写真感光体は、実施例１と同様の評価を行った。結果を表８に示す。表８からわかるように、内周高周波電力導入手段、外周高周波電力導入手段それぞれに独立した高周波電源を接続することで、印加する電力をよりきめ細かく制御することが可能となり、本発明の効果はより一層得られることが判明した。また、電子写真感光体の品質管理が容易になるというメリットもあった。
【００７５】
【表８】
2005163166.tif 000010
（実施例５）
図２（ａ）に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体１０５としての直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、表９に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でａ−Ｓｉ堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。
【００７６】
本実施例では、内周高周波電力導入手段１０２（ａ）と外周高周波電力導入手段１０２（ｂ）にそれぞれ別の高周波電源を接続し、独立して電力を制御した。各々の高周波電源の発振周波数は内周高周波電力導入手段１０２（ａ）に印加する周波数を50ＭＨｚ、外周高周波電力導入手段１０２（ｂ）に印加する周波数を100ＭＨｚとした。
【００７７】
【表９】
2005163166.tif 000011
上記の方法で得られた電子写真感光体は、実施例１と同様の評価を行った。結果を表10に示す。表10からわかるように、内周高周波電力導入手段、外周高周波電力導入手段それぞれに独立した高周波電源を接続し、異なる発振周波数の高周波電力を印加することで、本発明の効果はより一層得られることが判明した。また、電子写真感光体の品質管理が容易になるというメリットもあった。
【００７８】
【表１０】
2005163166.tif 000012
（実施例６）
図６に示す堆積膜形成装置を用い、円筒状基体６０５としての直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、表１１に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でａ−Ｓｉ堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。高周波電源６０３は1台とし、高周波電力分岐手段６１２を用いて各々の高周波電力導入手段６０２に分配した。高周波電源の発振周波数は４００ＭＨｚとした。この装置では、それぞれの高周波電力導入手段と最近接の円筒状基体との距離は全ての高周波電力導入手段で等しくなるように設置してある。
【００７９】
本実施例では、円筒状部材で囲まれた放電空間の中央にステンレス製の円筒状部材６１３を設置した。円筒状部材６１３の直径は、円筒状基体に囲まれた領域の直径の０．２５倍、長さは反応容器の高さの０．９５倍とした。円筒状部材は排気口５０９に設置された排気メッシュを介してアースに落とされている。
【００８０】
【表１１】
2005163166.tif 000013
上記の方法で得られた電子写真感光体は、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１２に示す。表１２からわかるように、放電空間中央に円筒状部材をアースに落とした状態で設置することで、本発明の効果と相まって、さらに画像欠陥を低減することが出来ることが判明した。
【００８１】
【表１２】
2005163166.tif 000014
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図２】本発明の堆積膜形成装置の横断面図の一例を示した模式的な構成図である。
【図３】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図４】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図５】本発明により形成可能な電子写真感光体の層構成の一例を示した図である。
【図６】本発明の堆積膜形成装置のさらに別の一例を示した模式的な構成図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０１、３０１  反応容器
１０１（ａ）、３０１（ａ）、６０１（ａ）  誘電体部材
１０１（ｂ）、３０１（ｂ）、６０１（ｂ）  上蓋
１０２、３０２、６０２  高周波電力導入手段
１０３、３０３、６０３  高周波電源
１０４、３０４、６０４  マッチングボックス
１０５、３０５、６０５  円筒状基体
１０６、３０６、６０６  基体支持体
１０７、３０７、６０７  基体加熱用ヒーター
１０８、３０８、６０８  回転機構
１０９、３０９、６０９  排気配管
１１０、３１０、６１０  ガス供給手段
１１２、３１２、６１２  高周波電力分岐手段
５００  電子写真用感光体
５０１  支持体
５０２  光導電層
５０３  表面層
５０４  電荷注入阻止層
５０５  電荷発生層
５０６  電荷輸送層
６１３  円筒状部材
【図１】
2005163166.tif 000015
【図２】
2005163166.tif 000016
【図３】
2005163166.tif 000017
【図４】
2005163166.tif 000018
【図５】
2005163166.tif 000019
【図６】
2005163166.tif 000020