(57)【要約】【課題】  セラミックス基板に金属板を接合した絶縁回路基板を搭載するパワー半導体装置において繰り返し試験の信頼性に優れ、且つチップからヒートシンクにかけての熱抵抗の低減された半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】  セラミックス基板３にヒートシンク２を接合した絶縁回路基板を搭載するパワー半導体装置において、セラミックス基板とヒートシンクとが直接接合されている。繰り返し試験（熱サイクル試験）の信頼性に優れると同時にチップ特性の安定性や熱破壊信頼性の点でチップからヒートシンクにかけての熱抵抗（過渡熱抵抗）が低減する。セラミックス基板とＣｕ等のヒートシンク金属とを樹脂を含むはんだ合金で接合する場合は、セラミックスと金属との線膨張係数差に起因する接合後の基板反りを低減でき、チップ、セラミック基板に発生する応力の低減が可能になる。【選択図】  図１
2005285885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが第１の主面上に搭載されたセラミックス基板と、
前記半導体チップが接合されている前記第１の主面に形成された回路パターンと、
前記セラミックス基板の第１の主面とは反対側の第２の主面に直接接しているヒートシンクとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップが第１の主面上に搭載されたセラミックス基板と、
前記半導体チップが接合された第１の主面に形成された回路パターンと、
前記セラミックス基板の第１の主面とは反対側の第２の主面に接着剤を介して接しているヒートシンクとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記セラミックス基板と前記ヒートシンクとが樹脂を含有するはんだ合金により接合されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記セラミックス基板と前記ヒートシンクの側面は、絶縁性樹脂層により被覆されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記セラミックス基板は、窒化ケイ素からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の構造に係り、とくにＴＣＴやＴＦＴなどの繰り返し試験に対する信頼性と、半導体チップからヒートシンクにかけての低熱抵抗を有するパワー半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＧＢＴモジュールなどパワー半導体装置の絶縁回路部デザインは、セラミックス基板の一方の面（第１の主面）に回路パターン銅板（以下、表Ｃｕという）と他方の面（第２の主面）に放熱用銅板（以下、裏Ｃｕという）とが接合されたＤＢＣ（Direct Bonding Cu ）基板等が用いられ、この表Ｃｕ上に半導体チップを高温はんだによってはんだ付けした後、裏ＣｕとＣｕヒートシンク（Ｃｕベース）とを６３Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだによりリフローはんだ付けした構造となっている。
【０００３】
図５は、従来のＩＧＢＴモジュールの断面図である。ＩＧＢＴが作り込まれたシリコンチップ１０１は、セラミックス基板１０３の第１の主面に形成された表Ｃｕ１０４上にマウントはんだ１０７によって接合されている。そして、セラミックス基板１０３は、第２の主面に裏Ｃｕ１０５が形成されている。セラミックス基板１０３は、この裏Ｃｕ１０５を介してリフローはんだ１０８によってＣｕヒートシンク１０２に接合されている。シリコンチップ１０１と表Ｃｕ１０４とは、Ａｌなどからなるボンディングワイヤ１０６によって電気的に接続されている。
【０００４】
この裏Ｃｕが存在することにより、接合プロセスが多くなること及び裏Ｃｕ自体の熱抵抗のためパッケージとしての熱抵抗の低減が阻害されていた。さらに裏ＣｕとＣｕヒートシンクとのはんだ接合強度よりセラミックス基板と裏Ｃｕとの接合強度の方が大きいために、ＴＣＴによる応力によってはんだクラックが発生し脆化し易く、とくにＥＶ用など車載関係に使用されるパッケージでは耐脆化性の向上が求められていた。ＩＧＢＴモジュールの従来技術は、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００５】
この裏Ｃｕが存在することにより、接合プロセスが多くなること及び裏Ｃｕ自体の熱抵抗のためパッケージとしての熱抵抗の低減が阻害されていた。さらに裏ＣｕとＣｕヒートシンクとのはんだ接合強度よりセラミックス基板と裏Ｃｕとの接合強度の方が大きいために、ＴＣＴによる応力によってはんだクラックが発生し脆化し易く、とくにＥＶ用など車載関係に使用されるパッケージでは耐脆化性の向上が求められていた。
【０００６】
もし仮に裏Ｃｕをなくして直接ヒートシンクをセラミックス基板に接合したとすると、線膨張係数差により非常に大きな反りが発生し、セラミックス基板に強度の小さい窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を使用した場合では接合後に基板が割れたり、あるいは強度の大きい窒化ケイ素（ＳｉＮ）基板等を使用した場合でも接合後には割れなくてもＴＣＴの比較的低サイクルで割れることが判明しているのでこの様な構造のものは実用化されていなかった。
【特許文献１】特開平８−１６７７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情によりなされたものであり、セラミックス基板に金属板を接合した絶縁回路基板を搭載するＩＧＢＴモジュールなどの半導体装置において、熱サイクル試験などの繰り返し試験の信頼性に優れ、同時にチップからヒートシンクにかけての熱抵抗の低減された半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の一態様は、半導体チップと、前記半導体チップが第１の主面上に搭載されたセラミックス基板と、前記半導体チップが接合されている前記第１の主面に形成された回路パターンと、前記セラミックス基板の第１の主面とは反対側の第２の主面に直接接しているヒートシンクとを備えていることを特徴としている。
また、本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップが第１の主面上に搭載されたセラミックス基板と、前記半導体チップが接合された第１の主面に形成された回路パターンと、前記セラミックス基板の第１の主面とは反対側の第２の主面に接着剤を介して接しているヒートシンクとを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、主としてヒートシンクとセラミックス間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことによって、熱抵抗の低減が達成される。また、セラミックス基板とＣｕ等のヒートシンク金属とを樹脂を含むはんだ合金で接合する場合は、従来より問題となっていたセラミックスと金属との線膨張係数差に起因する接合後の基板反りを低減でき、その結果、チップ、基板に発生する応力低減が図られ、熱サイクル試験によるそれら部材そのものの破壊（クラック発生）及び基板とヒートシンク間接合界面の脆化クラックの発生を抑制し高信頼性の半導体装置が得らる。さらに、本発明では、ヒートシンクとセラミックス間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことができるので構造のシンプル化が達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
セラミックス基板に金属板を接合した絶縁回路基板を搭載するＩＧＢＴモジュールなど大電力を使用する半導体装置においては、ＴＣＴやＴＦＴなどの繰り返し試験（熱サイクル試験）の信頼性に優れることが求められていると同時に、チップ特性安定性や熱破壊信頼性の点でチップからヒートシンクにかけての熱抵抗の低減の要求が強く、本発明は、その両特性を両立させるべくなされたものであり、絶縁層たるセラミックス基板とヒートシンクとを直接あるいは接着剤を介して接合されていることを特徴とするものある。以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００１１】
まず、図１及び図６、図７を参照して実施例１を説明する。
図１は、本発明のパワー半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図、図６は、各実施例及び比較例のパワー半導体装置の特性を示す図、図７は、図１の半導体装置に用いられ、シリコンチップが搭載された回路パターン銅板が形成されているセラミックス基板の斜視図である。本発明のＩＧＢＴモジュールなどパワー半導体装置の絶縁回路部は、例えば、ＤＢＣ基板等が用いられ、セラミックス基板の一方の面（第１の主面）に回路パターン銅板が接合されているが、他方の面（第２の主面）には従来とは異なり放熱用銅板が接合されていない。この回路パターン銅板上に半導体チップを高温はんだによってはんだ付けした後、セラミックス基板をＣｕヒートシンク（Ｃｕベースともいう）上に載置した構造となっている。
【００１２】
図１は、ＩＧＢＴモジュールの断面図である。ＩＧＢＴが作り込まれたシリコンチップ１は、セラミックス基板３の第１の主面に形成された回路パターン銅板４上にマウントはんだ７によって接合されている（図７参照）。窒化ケイ素からなるセラミックス基板３は、従来のものとは異なり、第２の主面に放熱用銅板が形成されていない。セラミックス基板３は、Ｃｕヒートシンク２上に載置されている。また、シリコンチップ１と回路パターン銅板４とは、Ａｌなどからなるボンディングワイヤ６によって電気的に接続されている。マウントはんだ７には、例えば、６３Ｓｎ−Ｐｂ系の材料を用いる。本発明において使用されるはんだ合金は、従来から知られている６３Ｓｎ−Ｐｂ系の他に加え、Ｓｎ−Ｃｕ系等のＰｂフリーはんだ合金などを用いても同様の効果が得られる。
【００１３】
シリコンチップ１がマウントされたセラミックス基板３とＣｕヒートシンク２とは直接接触して置かれている。そして、この接触状態は、シリコンチップ１、ヒートシンク２、セラミックス基板３、回路パターン銅板４等を封止するエポキシ樹脂などの材料を用いた樹脂封止体１０を用いて固定される。勿論ヒートシンク２の一面は、樹脂封止体１０から露出している。樹脂封止体１０は、例えば、トランスファーモールド等の方法を用いる。また、セラミックス基板３と回路パターン銅板４とは活性金属法で接合される。活性金属法は、金属と絶縁物との接合方法として知られている。この方法は、まず、セラミックス基板３の上に厚さ３０μｍ程度の鑞剤層３０を形成する。この鑞剤は、例えば、７２Ａｇ−２８Ｃｕからなる基材にその２〜５重量％程度の活性金属であるＴｉなどを含有させて構成されている。鑞剤層上に回路パターン銅板４を載せて８００〜８５０℃程度で加熱すると、鑞剤のＴｉがセラミックス基板３に拡散し、酸化して鑞剤層がセラミックス基板３に強固に接合してセラミックス基板３と回路パターン銅板４とを接合する。
【００１４】
この半導体装置の熱抵抗評価は、製品使用状態での熱抵抗評価として通常行われているΔｍＶ法により、各組合せを比較した（Ｎ＝３平均）。
モジュール強度信頼性評価として、ＴＣＴ（１サイクル：−４０℃×６０分→ＲＴ．（室温）×５分→１２５℃×６０分→ＲＴ．×５分）３００サイクル後のセラミックス基板でのクラック有無を確認した。また、ＴＣＴ前及びＴＣＴ３００サイクル後のサンプルについて、超音波探傷装置（ＳＡＴ）にてヒートシンク／セラミックス基板間の樹脂ボイド面積率を測定し、その増加量を脆化量として評価した。結果を図６に示す。
【００１５】
この実施例によれば、主としてヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことによって、熱抵抗の低減が達成される。また、ヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことができるので構造のシンプル化が達成される。
【実施例２】
【００１６】
次に、図２及び図６を参照して実施例２を説明する。
図２は、本発明のパワー半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図である。この実施例のＩＧＢＴモジュールの絶縁回路部は、例えば、ＤＢＣ基板等が用いられ、セラミックス基板の一方の面（第１の主面）に回路パターン銅板が接合されているが、他方の面（第２の主面）には従来とは異なり放熱用銅板が接合されていない。この回路パターン銅板上に半導体チップを高温はんだによってはんだ付けした後、セラミックス基板をＣｕヒートシンク上に載置した構造となっている。
【００１７】
図２は、ＩＧＢＴモジュールの断面図である。ＩＧＢＴが作り込まれたシリコンチップ２１は、窒化ケイ素などからなるセラミックス基板２３の第１の主面にはんだ２９により接合された回路パターン銅板２４の上に、マウントはんだ２７によって接合されている。セラミックス基板２３は、従来のものとは異なり、第２の主面に放熱用銅板が形成されていない。セラミックス基板２３は、リフローはんだ２８によりＣｕヒートシンク２２に接合されている。また、シリコンチップ２１と回路パターン銅板２４とは、Ａｌなどからなるボンディングワイヤ２６によって電気的に接続されている。マウントはんだ２７には、例えば、６３Ｓｎ−Ｐｂ系の材料を用いる。
【００１８】
この実施例ではセラミックス基板２３とＣｕヒートシンク２２とを接合するリフローはんだ２８及び回路パターン銅板２４とセラミックス基板２３とを接合するはんだ２９は、エポキシ樹脂などの樹脂を含有するはんだ合金を用いている。シリコンチップ２１、ヒートシンク２２、セラミックス基板２３、回路パターン銅板２４等は、エポキシ樹脂などの材料を用いた樹脂封止体（図示を略す）を用いて封止されている。樹脂封止体は、例えば、トランスファーモールド等の方法を用いる。本発明では、このようなパッケージングを用いずに、ケースでヒートシンクとジョイニング後内部にシリコーンゲルを封入した構造を採用することもできる。この半導体装置の熱抵抗評価、モジュール強度信頼性評価、脆化量評価は、結果を図６に示す。
【００１９】
この実施例によれば、主としてヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことによって、熱抵抗の低減が達成される。また、ヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことができるので構造のシンプル化が達成される。また、セラミックス基板とＣｕ等のヒートシンク金属とは樹脂を含むはんだ合金で接合されているので、はんだに含まれる樹脂の塑性変形を吸収する作用により、従来より問題となっていたセラミックスと金属との線膨張係数差に起因する接合後の基板反りを低減でき、その結果、チップ、セラミックス基板に発生する応力低減が図られ、熱サイクル試験によるそれら部材そのものの破壊（クラック発生）及びセラミックス基板とヒートシンク間接合界面の脆化クラックの発生を抑制して高信頼性の半導体装置が得られる。
【実施例３】
【００２０】
次に、図３及び図６を参照して実施例３を説明する。
図３は、本発明のパワー半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図である。この実施例のＩＧＢＴモジュールの絶縁回路部は、例えば、ＤＢＣ基板等が用いられ、窒化ケイ素などからなるセラミックス基板の一方の面（第１の主面）に回路パターン銅板が接合されているが、他方の面（第２の主面）には従来とは異なり放熱用銅板が接合されていない。この回路パターン銅板上に半導体チップを高温はんだによってはんだ付けした後、セラミックス基板をＣｕヒートシンク（Ｃｕベースともいう）上に載置した構造となっている。
【００２１】
図３は、ＩＧＢＴモジュールの断面図である。ＩＧＢＴが作り込まれたシリコンチップ３１は、セラミックス基板３３の第１の主面に形成された回路パターンを構成するメタライズ層３４上にマウントはんだ３７によって接合されている。メタライズ層３４は、セラミックス基板３３上に回路パターン状に導電ペーストを塗布し、これを熱処理して形成する膜厚５０〜８０μｍの厚膜パターンである。厚膜パターンを構成する金属材料にはＭｏ−ＴｉＮ、Ｗなどが用いられる。セラミックス基板３３は、従来のものとは異なり、第２の主面に放熱用銅板が形成されていない。セラミックス基板３３は、Ｃｕヒートシンク３２上に載置されている。また、シリコンチップ３１とメタライズ層３４とは、Ａｌなどからなるボンディングワイヤ３６によって電気的に接続されている。マウントはんだ３７には、例えば、６３Ｓｎ−Ｐｂ系の材料を用いる。
【００２２】
セラミックス基板３３とＣｕヒートシンク３２とは、エポキシ樹脂を含有するはんだ合金（リフローはんだ３８）により接合されている。シリコンチップ３１、ヒートシンク３２、セラミックス基板３３、メタライズ層３４等は、エポキシ樹脂などの材料を用いた樹脂封止体（図示を略す）を用いて封止されている。樹脂封止体は、例えば、トランスファーモールド等の方法を用いる。本発明では、このようなパッケージングを用いずに、ケースでヒートシンクとジョイニング後内部にシリコーンゲルを封入した構造を採用することもできる。この半導体装置の熱抵抗評価、モジュール強度信頼性評価、脆化量評価は、結果を図６に示す。
【００２３】
この実施例によれば、主としてヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことによって、熱抵抗の低減が達成される。また、ヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことができるので構造のシンプル化が達成される。また、セラミックス基板とＣｕ等のヒートシンク金属とは樹脂を含むはんだ合金で接合されているので、従来より問題となっていたセラミックス基板と金属との線膨張係数差に起因する接合後の基板反りを低減でき、その結果、チップ、基板に発生する応力低減が図られ、熱サイクル試験によるそれら部材そのものの破壊（クラック発生）及び基板とヒートシンク間接合界面の脆化クラックの発生を抑制して高信頼性の半導体装置が得られる。
【実施例４】
【００２４】
次に、図４及び図６を参照して実施例４を説明する。
図４は、本発明のパワー半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図である。この実施例のＩＧＢＴモジュールの絶縁回路部は、例えば、ＤＢＣ基板等が用いられ、窒化ケイ素などからなるセラミックス基板の一方の面（第１の主面）に回路パターン銅板が接合されているが、他方の面（第２の主面）には従来とは異なり放熱用銅板が接合されていない。この実施例は、この回路パターン銅板上に半導体チップを高温はんだによってはんだ付けした後、セラミックス基板をＣｕヒートシンク上に載置した構造となっている。
【００２５】
図４は、ＩＧＢＴモジュールの断面図である。ＩＧＢＴが作り込まれたシリコンチップ４１は、セラミックス基板４３の第１の主面に形成された回路パターンを構成する厚さ０．６〜１．０程度のＣｕフレーム４４上にマウントはんだ４７によって接合されている。フレーム４４は、セラミックス基板４３の第１の主面上に形成さたメタライズ層５０上にはんだ４９により固着されている。セラミックス基板４３は、従来のものとは異なり、第２の主面に放熱用銅板が形成されていない。また、セラミックス基板４３は、Ｃｕヒートシンク４２上に載置され、リフローはんだ４８により固定されている。また、シリコンチップ４１とＣｕフレーム４４とは、Ａｌなどからなるボンディングワイヤ４６によって電気的に接続されている。マウントはんだ４７には、例えば、６３Ｓｎ−Ｐｂ系の材料を用いる。
【００２６】
セラミックス基板４３とＣｕヒートシンク４２はエポキシ樹脂を含有するはんだ合金（リフローはんだ４８）により接合されている。シリコンチップ４１、ヒートシンク４２、セラミックス基板４３、メタライズ層４４等は、エポキシ樹脂などの材料を用いた樹脂封止体（図示を略す）を用いて封止されている。樹脂封止体は、例えば、トランスファーモールド等の方法を用いる。この半導体装置の熱抵抗評価、モジュール強度信頼性評価、脆化量評価は、結果を図６に示す。
【００２７】
この実施例によれば、主としてヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことによって、熱抵抗の低減が達成される。また、ヒートシンクとセラミックス基板間に従来から存在していた放熱用金属をなくすことができるので構造のシンプル化が達成される。また、セラミックス基板とＣｕ等のヒートシンク金属とは樹脂を含むはんだ合金で接合されているので、従来より問題となっていたセラミックス基板と金属との線膨張係数差に起因する接合後の基板反りを低減でき、その結果、チップ、基板に発生する応力低減が図られ、熱サイクル試験によるそれら部材そのものの破壊（クラック発生）及び基板とヒートシンク間接合界面の脆化クラックの発生を抑制し高信頼性の半導体装置が得られる。また、メタライズ層及びフレームを用いることにより熱抵抗が低減され、しかも安価にこの様な半導体装置を形成することができる。
【００２８】
次に、実施例５乃至実施例１１を説明する。
図６は、ヒートシンク厚さ、セラミックス基板厚さ、ヒートシンク金属材料、はんだ合金材料を種々変えた場合における各実施例（実施例１乃至実施例１１）及び比較例（比較例１乃至比較例４）のパワー半導体装置の特性を示すものである。図番は、実施例に対応する図１〜５のいずれかを示す。セラミックスは、セラミックス基板材料を示す。熱伝導率κ（Ｗ／ｍＫ）は、セラミックス基板の熱伝導を示す。セラミックス厚さ（ｍｍ）は、セラミックス基板の厚さを示す。ヒートシンク金属は、ヒートシンク材料を示す。熱抵抗Ｒth（℃／Ｗ）は、パワー半導体装置の使用状態での熱抵抗評価を示す。ＴＣＴ後クラック有無は、パワー半導体装置の強度信頼性評価を示す。ＴＣＴ後はんだ脆化量（％）は、パワー半導体装置の脆化量を示す。
【００２９】
実施例１乃至実施例４は、それぞれ各図１乃至図４に示すパワー半導体装置を用いている。実施例５乃至実施例１１は、図１に示すパワー半導体装置を用いている。比較例１乃至比較例４は、図５に示す従来のパワー半導体装置を用いている。各実施例及び比較例で用いられるセラミックス基板の材料は、実施例１乃至実施例１１及び比較例１，２が窒化珪素であり、比較例３が窒化アルミニウムであり、比較例４は、アルミナを用いている。
図６において、熱抵抗Ｒthをみると、実施例では比較例１，２，４より１０〜２０％程度低減されている。また、熱抵抗的に実施例と同等の特性を有する比較例３のサンプルでは、実施例では見られなかったＴＣＴ後でのクラックが見られたので、本発明は総合的に比較例より優れた作用効果が認められる。
【００３０】
本発明を説明する実施例は、以上の通りであるが、本発明は、さらに次のような構造を有することができる。セラミックス基板上に形成された回路パターン銅板の厚さは、１００μｍが適当である。Ｃｕなどのヒートシンクの厚さは、２ｍｍ以上が適当である。セラミックス基板の厚さは、０．５５ｍｍ以下が適当であるである。ヒートシンク金属は、Ｃｕの外、Ａｌであってもよい。ヒートシンクは、ＣｕあるいはＡｌを含む複合体であってもよい。セラミックス基板とヒートシンクとの接合に用いられる合金、もしくは半導体チップと回路パターンを接合するはんだは、Ｐｂフリーであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図。
【図２】本発明の実施例２に係る半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図。
【図３】本発明の実施例３に係る半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図。
【図４】本発明の実施例４に係る半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図。
【図５】従来の半導体装置（パワーモジュール）の概略断面図。
【図６】各実施例及び比較例の半導体装置の特性を示す図。
【図７】図１の半導体装置において用いられるセラミックス基板の平面図。
【符号の説明】
【００３２】
１、２１、３１、４１、１０１・・・シリコンチップ
２、２２、３２、４２、１０２・・・ヒートシンク
３、２３、３３、４３、１０３・・・セラミックス基板
４、２４、１０４・・・回路パターン銅板
６、２６、３６、４６、１０６・・・ボンディングワイヤ
７、２７、３７、４７、１０７・・・マウントはんだ
１０・・・樹脂封止体
２８、３８、４８、１０８・・・リフローはんだ
２９、４９・・・はんだ
３４、５０・・・メタライズ層
４４・・・Ｃｕフレーム
１０５・・・放熱用銅板
【図１】
2005285885.tif 000003
【図２】
2005285885.tif 000004
【図３】
2005285885.tif 000005
【図４】
2005285885.tif 000006
【図５】
2005285885.tif 000007
【図６】
2005285885.tif 000008
【図７】
2005285885.tif 000009