(57)【要約】【課題】  枚葉式洗浄装置でのレジスト剥離洗浄に際して、水と混合しても発熱しない薬液を用いてウェハ裏面洗浄を行うことにより、ウェハ裏面洗浄に用いるノズル等の洗浄装置の部品を劣化せずにウェハ裏面の汚染を除去することを可能にする。【解決手段】  枚葉式洗浄装置により半導体ウェハのレジスト剥離洗浄を行う際、水と混合しても発熱しない薬液を用いてウェハの裏面洗浄を行う。  上記薬液としては、アルカリ系薬液であるアンモニア水と過酸化水素水と水を混合した溶液、または希釈アンモニア水からなる溶液、または水酸化カリウム溶液を用いることができる。また、酸系薬液である塩素と過酸化水素水と水を混合した溶液、またはフッ化水素と塩化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液、またはフッ化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液を用いることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
枚葉式洗浄装置により半導体ウェハのレジスト剥離洗浄を行う際、
水と混合しても発熱しない薬液を用いて前記ウェハの裏面洗浄を行う
ことを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。
【請求項２】
前記薬液として、有機汚染を除去できる薬液を用いる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄方法。
【請求項３】
前記薬液として、アルカリ系薬液を用いる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄方法。
【請求項４】
前記アルカリ系薬液は、アンモニア水と過酸化水素水と水を混合した溶液、または希釈アンモニア水からなる溶液、または水酸化カリウム溶液である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハの洗浄方法。
【請求項５】
前記薬液として、酸系薬液を用いる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄方法。
【請求項６】
前記酸系薬液は、塩素と過酸化水素水と水を混合した溶液、またはフッ化水素と塩化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液、またはフッ化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液である
ことを特徴とする請求項５記載の半導体ウェハの洗浄方法。
【請求項７】
前記薬液処理の際、ウェハ表面を不活性な液体またはガスで覆う
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの洗浄方法に関する。さらに詳しくは、レジスト剥離洗浄におけるウェハ裏面洗浄に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばシリコン等の半導体ウェハの洗浄プロセスにおけるフォトレジスト膜の剥離工程、いわゆるレジスト剥離工程では、硫酸と過酸化水素水を混合した（Ｈ２ ＳＯ４ ／Ｈ２ Ｏ２ ）薬液（以後、ＳＰＭ溶液と略称する）を用いるのが一般的である。また、近年は半導体ウェハの大口径化や少量多品種生産等の潮流が進み、これまで一般的であったディップ式のバッチ洗浄方式から、スプレー式の枚葉洗浄式への移行が検討されている。
【０００３】
半導体装置を製造する際に必要とされるレジスト剥離装置及びレジスト剥離方法として、回転テーブル上に半導体ウェハを支持し、半導体ウェハを回転させつつ半導体ウェハのレジスト塗布面の中央付近に向ってノズルよりレジスト剥離液を滴下し、レジスト剥離液を遠心力で全面にわたり拡げてレジストと反応させて剥離するようにした技術が特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開平１１ー２８８８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、枚葉洗浄方式によりＳＰＭ溶液洗浄を行う際、ＳＰＭ溶液洗浄で半導体ウェハ表面のレジスト剥離を行うと共に、半導体ウェハ裏面もＳＰＭ溶液洗浄を行うことが考えられる。一方、枚葉式洗浄装置としては、ウェハ回転機構を有する枚葉洗浄装置が考えられる。このウェハ回転機構を有する枚葉式洗浄装置の場合、ウェハ表面側には薬液吐出用のノズル、ウェハ表面洗浄後のリンス処理（水洗等）用のノズル等の複数のノズルが配設されが、ウェハ裏面側の薬液吐出用のノズルは回転軸の部分にしか設置できない。このため、ウェハ裏面側ではノズルを１本だけ有するが一般的である。
【０００５】
また、ウェハ裏面洗浄後のリンス処理（水洗等）は必須であるため、１本のノズルで水洗とＳＰＭ溶液洗浄の両方を行うと、それぞれが反応し、発熱し、薬液吐出ノズルを始めとした装置部品が劣化してしまう。このため、ウェハ裏面洗浄には、水と反応して装置部品を劣化させない薬液を用いることが必要となる。
【０００６】
また、レジスト剥離の前工程までに、ウェハ裏面にはレジスト等の有機物を始めとした汚染物が付着してしまうため、レジスト剥離工程以降に導入されるチャンバの汚染、さらにそのチャンバからの転写によるウェハ汚染に起因する良品率低下等の問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上述の点に鑑み、洗浄装置の部品を劣化させずに、半導体ウェハのレジスト剥離洗浄に際し、ウェハ裏面のレジスト等の有機汚染を除去できるようにした半導体ウェハの洗浄方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体ウェハの洗浄方法は、枚葉式洗浄装置により半導体ウェハのレジスト剥離洗浄を行う際、水と混合しても発熱しない薬液を用いてウェハの裏面洗浄を行うことを特徴とする。
【０００９】
ウェハの裏面洗浄に用いる薬液としては、有機汚染を除去できる薬液を用いるのが好ましい。上記薬液には、アルカリ系薬液、酸系薬液を用いることができる。
アルカリ系薬液としては、アンモニア水（ＮＨ４ ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２ Ｏ）を混合した溶液（ＳＣ１溶液と略称する）、または希釈アンモニア水（ｄＮＨ４ ＯＨ）からなる溶液、または水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いることができる。
酸系薬液としては、塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２ Ｏ）を混合した溶液（ＳＣ２溶液と略称する）、またはフッ化水素（ＨＦ）と塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２ Ｏ）を混合した溶液（ＦＨＰＭ溶液と略称する）、またはフッ化水素（ＨＦ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２ Ｏ）を混合した溶液（ＦＰＭ溶液と略称する）を用いることができる。
【００１０】
ウェハ裏面洗浄において、上記薬液処理する際には、ウェハ表面を不活性な液体またはガスで覆うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体ウェハの洗浄方法によれば、枚葉式洗浄装置でのレジスト剥離洗浄に際して、水と混合しても発熱しない薬液を用いてウェハ裏面洗浄を行うことにより、ウェハ裏面洗浄に用いるノズル等の洗浄装置の部品を劣化せずにウェハ裏面の汚染を除去することができる。
【００１２】
ウェハ裏面洗浄の薬液として、アルカリ系薬液であるアンモニア水と過酸化水素水と水を混合した溶液（ＮＨ４ ＯＨ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）、または希釈アンモニア水（ｄＮＨ４ ＯＨ）からなる溶液、または水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液等の薬液を用いることにより、よりウェハ裏面の汚染レベルを低減することができる。
或いはウェハ裏面洗浄の薬液として、酸系薬液である塩化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液（ＨＣｌ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）、またはフッ化水素と塩化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液（ＨＦ／ＨＣｌ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）、またはフッ化水素と過酸化水素水と水を混合した溶液（ＨＦ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）等の薬液を用いることにより、よりウェハ裏面の汚染レベルを低減することができる。
【００１３】
また、ウェハ裏面洗浄の際にウェハ表面を不活性な液体またはガスで覆うことにより、ウェハ裏面処理に用いる薬液がウェハ表面に回り込んでも、ウェハ表面を変質させることがない。
従って、上述した本発明に係る半導体ウェハの洗浄方法を用いることにより、半導体ウェハの状態での良品率、さらには半導体ウェハから製造される半導体デバイスの良品率を増加することができる。また枚葉式洗浄装置の処理チャンバ自体のメンテナンス頻度を低減することができる。すなわち、水と混合しても発熱しない薬液を用いてウェハ裏面洗浄を行うので、例えば、ノズル等の部品交換頻度を下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
図１に、本発明の半導体ウェハの洗浄方法に適用される、ウェハ回転機構を有する枚葉式回転洗浄装置、特にその装置本体の概略を示す。この枚葉式回転洗浄装置１は、回転軸２により回転可能に配置された回転基板３を有し、この回転基板３上に複数、例えば４つの半導体ウェハ６を支持するウェハ支持部材４が植立されている。回転基板３の上方には、ウェハ表面６ａのレジスト剥離及びリンス処理（例えば水洗浄）を行うための、薬液吐出ノズル、リンス液吐出ノズルなど複数本、本例では２本のノズル５〔５Ａ，５Ｂ〕が配設される。ノズル５Ａは例えばＳＰＭ溶液用、ノズル５Ｂは例えばＳＣ１／リンス液用とすることができる。なお、ウェハ表面側には複数のノズルを配置することが容易であるので、1薬液１ノズルとする方が好ましい。一方、ウェハ裏面６ｂに対応する回転軸２の部分には、ウェハ裏面６ｂの汚染を洗浄するための薬液吐出及びリンス液（例えば水）吐出を兼ねる１本のノズル７が配設される。このノズル７は、回転軸２の軸芯部を貫通するように一体に形成される。この枚葉式洗浄装置１では、ウェハ支持部材４に半導体ウェハ６の周辺を支持するように、洗浄すべき半導体ウェハ６を配置し、この状態で回転軸２を回転させて回転基板３と共に半導体ウェハ６を回転させる。一方、上方からノズル５Ａを介してレジスト剥離用の薬液８を吐出させ、半導体ウェハ表面６ａのレジスト膜を剥離除去し、その後ノズル５Ｂからリンス液の例えば水等を吐出させて洗浄（リンス処理）が行われる。ウェハ裏面６ｂに対しては回転軸２に一体に設けたノズル７を通じて所要の薬液を吐出して汚染除去市、その後リンス液の例えば水等を吐出させてウェハ裏面６ｂの洗浄（リンス処理）を行う。
【００１６】
本実施の形態においては、上述の枚葉式回転洗浄装置１を用いて半導体ウェハ表面６ａのレジスト膜を剥離除去する際に、レジスト剥離用の薬液としては、通常用いられている薬液、例えばＳＰＭ溶液を用いる。一方ウェハ裏面６ｂの汚染除去用の薬液としては、アルカリ系薬液、または酸系薬液を用いることができる。このアルカリ薬液、酸系薬液としては、少なくとも水と混合しても発熱しないような薬液を必要とする。また、このアルカリ系薬液、酸系薬液は、レジストを始めとした有機汚染を除去することが可能な薬液を必要とする。
【００１７】
このため、アルカリ系薬液としては、アンモニア水（ＮＨ４ ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２Ｏ）を混合した溶液（ＳＣ１溶液）、または希釈アンモニア水（ｄＮＨ４ ＯＨ）からなる溶液、または水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いるのが適切である。また、酸系薬液としては、塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２ ）と水（Ｈ２Ｏ）を混合した溶液（ＳＣ２溶液）、またはフッ化水素（ＨＦ）と塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２ Ｏ）を混合した溶液（ＦＨＰＭ溶液）、またはフッ化水素（ＨＦ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）と水（Ｈ２ Ｏ）を混合した溶液（ＦＰＭ溶液）を用いるのが適切である。
【００１８】
さらに、上記薬液によりウェハ裏面を洗浄しているときに、ウェハ表面側に薬液が回り込んでウェハ表面の素子が酸化するのを防ぐために、ウェハ裏面の薬液洗浄時にウェハ表面を水等の不活性な液体、またはＮ２ ガス、Ａｒガス、Ｈ２ ガス、フォーミングガス等の不活性ガスで覆うようにすることが好ましい。
【００１９】
上述した薬液を用いてウェハ表面６ａのレジスト剥離洗浄と共に、ウェハ裏面の汚染洗浄するための洗浄工程としては、次のような工程を採用することができる。例えば、ウェハ表面６ａに対するＳＰＭ溶液によるレジスト剥離工程の前工程または／及び後工程でウェハ裏面６ｂに対して上記薬液を用いて汚染除去を行うことができる。前工程で上記薬液でウェハ裏面６ｂの汚染除去を行った場合、後工程ではウェハ表面６ａのみ上記薬液処理を行うようにしてもよい。上記薬液によりウェハ裏面６ｂの汚染除去を行っているとき、ウェハ表面６ａを不活性な液体またはガスで覆うようにすることが好ましい。いずれも、最終工程ではウェハの表裏面６ａ，６ｂを純水、温純水または希釈塩化水素水等の液体でリンス処理を行うようにする。
また、上記後工程でのウェハ表面６ａまたは／及びウェハ裏面６ｂに対する上記薬液処理を省略し、ウェハ表面６ａに対するＳＰＭ溶液によるレジスト剥離工程の後、直ちにウェハ表裏面６ａ，６ｂのリンス処理を行うこともできる。
【００２０】
また、最初にＳＰＭ溶液でウェハ表面６ａのレジスト剥離処理を行い、その後にウェハ裏面６ｂに対する上記薬液処理を行い、最後にウェハ表裏面６ａ，６ｂのリンス処理を行うこともできる。ウェハ裏面６ｂに対する上記薬液処理時に、同時にウェハ表面６ａを上記薬液処理もしくは不活性な液体またはガスで覆うようにしてもよい。
さらに、最初にＳＰＭ溶液でウェハ表面６ａのレジスト剥離処理を行うと同時に、ウェハ裏面６ｂを上記薬液処理し、その後ウェハ表裏面６ａ，６ｂのリンス処理を行うようにすることもできる。
【００２１】
本実施の形態によれば、半導体洗浄プロセスにおけるフォトレジスト剥離洗浄に際し、ウェハ裏面６ｂの洗浄を水と反応して発熱しない液体を用いているので、ノズル等の装置部品を劣化させずにウェハ裏面６ｂの汚染を除去することができる。更に、上記液体を用いることで、よりウェハ裏面６ｂの汚染レベルの低減が可能になる。
【００２２】
また、ウェハ裏面６ｂ洗浄の際に、ウェハ表面６ａを水等の不活性な液体、またはＮ2 ガスのような不活性ガスで覆うことにより、ウェハ裏面処理に用いる薬液がウェハ表面６ａに回り込んでもウェハ表面６ａに形成されている素子を酸化させることがない。これらにより、半導体デバイスの良品率を向上し、処理チャンバ自体のメンテナンスの頻度、例えばノズル等の部品交換頻度の低減化を実現することが可能になる。
【００２３】
次に、実施例に基いて本発明をより詳述する。洗浄装置は、前述した図１のウェハ回転機構を有する枚葉式洗浄装置１を用いた。
【００２４】
［実施例１］
ステップ１において、装置本体内のウェハ支持部材４に支持するように、レジスト剥離洗浄すべき半導体ウェハ、すなわち表面６ａにレジスト膜が形成されている半導体ウェハ６を設置する。この半導体ウェハを２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ裏面６ｂにＳＣ１溶液（ＮＨ４ ＯＨ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）を下部のノズル７を通じて供給し、ウェハ裏面６ｂに付着したレジスト等の有機汚染を除去する。その際、ウェハ表面６ａにＳＣ１溶液が回り込まないように、ウェハ表面６ａを水または不活性ガスである例えば窒素ガス（Ｎ２ ガス）で覆う。
次のステップ２において、半導体ウェハ６を１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍで回転させながら、上方のノズル５Ａを通じてウェハ表面６ａにＳＰＭ溶液（Ｈ２ ＳＯ４ ／Ｈ２ Ｏ２ ）を供給してウェハ表面６ａのレジスト膜を除去する。
次のステップ３において、半導体ウェハ６を２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂにそれぞれノズル５Ａ及び７を通じてＳＣ１溶液を供給し、ウェハ表面６ａに残留した硫酸やレジストを除去し、またウェハ裏面６ｂに付着した硫酸痕やレジスト汚染を除去する。
次のステップ４において、半導体ウェハ６を２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂにノズル５Ｂ及び７を通じてリンス液、例えば純水、温純水または希釈塩化水素（ＨＣｌ）水溶液等を供給してリンス処理する。
次のステップ５において、半導体ウェハ６を１５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液を振り切り乾燥し、洗浄処理を終了する。
【００２５】
［実施例２］
実施例１のステップ３において、ウェハ裏面６ｂにはＳＣ１溶液を供給せず、ウェハ表面６ａだけにＳＣ１溶液を供給する。その他のステップ１、２、４、５は実施例１と同様である。このようにステップ３でウェハ表面６ａにだけＳＣ１溶液を供給することも可能である。但し、実施例２では、ウェハ裏面６ｂに硫酸痕等の汚染が残留する可能性がある。
【００２６】
［実施例３］
実施例１のステップ３において、ウェハ裏面６ｂにＳＣ１溶液を供給し、ウェハ表面６ａに水または不活性ガスである例えば窒素ガス（Ｎ２ ガス）を供給する。その他のステップ１、２、４、５は実施例１と同様である。このようにステップ３でウェハ表面６ａには水または窒素ガスを供給することも可能である。実施例３では、ウェハ表面６ａの酸化を抑制したい工程には効果があるが、ウェハ表面６ａの汚染が除去しきれない可能性がある。
【００２７】
［実施例４］
実施例１のステップ３を省略する。その他のステップ１、２、４、５は実施例１と同様である。このようにステップ３を省略することも可能である。但し、ＳＰＭ溶液による処理痕の汚染が残留する虞れがあるので、この場合のリンス処理には温純水または希釈塩化水素（ＨＣｌ）水を用いることが好ましい。
【００２８】
［実施例５］
ステップ１において、装置本体内のウェハ支持部材４に支持するように、レジスト剥離洗浄すべき半導体ウェハ、すなわち表面６ａにレジスト膜が形成されている半導体ウェハ６を設置する。この半導体ウェハ６を１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａにＳＰＣ溶液（Ｈ２ ＳＯ４ ／Ｈ２ Ｏ２ ）を上部のノズル５Ａを通じて供給し、ウェハ表面６ａのレジスト膜を除去する。
次のステップ２において、半導体ウェハ６を２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂにノズル５Ａ及び７を通じてＳＣ１溶液を供給し、ウェハ表面６ａに残留した硫酸やレジストを除去し、ウェハ裏面６ｂに付着したレジスト汚染等を除去する。
次のステップ３において、半導体ウェハ６を２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂをノズル５Ｂ及び７を通じてリンス液、例えば純水、温純水または希釈塩化水素（ＨＣｌ）水溶液等を供給してリンス処理する。
次のステップ４において、半導体ウェハ６を１５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液を振り切り乾燥し、洗浄処理を終了する。
【００２９】
［実施例６］
実施例５のステップ２において、ウェハ裏面６ｂにＳＣ１溶液を供給し、ウェハ表面６ａに水または不活性ガスの例えば窒素ガス（Ｎ２ ガス）を供給する。その他のステップ１、３、４は実施例５と同様である。このようにステップ２で、ウェハ表面６ａを水またはＮ2 ガスで覆ってウェハ裏面６ｂをＳＣ１溶液で洗浄することも可能である。実施例６では、ウェハ表面６ａに硫酸痕等の汚染が残留する可能性がある。
【００３０】
［比較例１］
ステップ１において、装置本体内のウェハ支持部材４に支持するように、レジスト剥離洗浄すべき半導体ウェハ、すなわち表面６ａにレジスト膜が形成されている半導体ウェハ６を設置する。この半導体ウェハ６を１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂにそれぞれノズル５Ａ及び７を通じてＳＰM溶液を供給し、ウェハ表面６ａのレジスト膜を除去し、またウェハ裏面６ｂに付着したレジスト等の有機汚染を除去する。
次のステップ２において、半導体ウェハ６を２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、上方のノズル５Ａを通じてウェハ表面６ａにＳＣ１溶液を供給してウェハ表面６ａに残留した硫酸やレジスト等を除去する。
次のステップ３において、半導体ウェハ６を２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂにノズル５Ｂ及び７を通じてリンス液、例えば純水、温純水または希釈塩化水素（ＨＣｌ）水溶液等を供給してリンス処理する。
次のステップ４において、半導体ウェハ６を１５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液を振り切り乾燥し、洗浄処理を終了する。
【００３１】
［比較例２］
比較例１のステップ２を省略する。その他のステップ１、３、４は比較例１と同様である。
【００３２】
上述した各実施例１〜６と比較例１、２についてのウェハ裏面汚染除去の状態とノズル等の装置部品の状態を評価した結果を、表１に示す。表１中の評価において、◎は極めて良、○は良、△はやや良である。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
この表１によれば、実施例１〜６においては、いずれもウェハ表面６ａ及びウェハ裏面６ｂの汚染除去が良好に行われ、かつウェハ裏面６ｂの洗浄用ノズル７等の装置部品の劣化が回避されることが確認できる。そして、レジスト剥離処理として例えば、図４及び図５の場合がある。図４の半導体ウェハ６では、シリコン基板１１の表面にシリコン酸化膜１２を形成し、レジストマスク１３を介してエッチングによりシリコン酸化膜１２をパターンした場合である。このシリコン基板１１の一部が露出している半導体ウェハ６におけるレジスト剥離処理としては、露出したシリコン基板１１の表面の素子に影響を与えない液体またはガスでウェハ表面６ａを覆ってウェハ裏面６ｂをＳＣ１溶液で洗浄する実施例６の方法を用いるのが良い。
図５の半導体ウェハ６では、シリコン基板１１の表面にシリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１２を積層し、レジストマスク１３を介してエッチングによりシリコン酸化膜１２をパターンした場合である。シリコン窒化膜１４によりシリコン基板１１が露出していない半導体ウェハ６におけるレジスト剥離処理としては、シリコン窒化膜１４でウェハ表面６ａが保護されているので、実施例５の方法を用いることができる。従って、半導体ウェハ６の表面状態によって、レジスト剥離処理方法を選択することができる。
【００３５】
また、実施例４のように、ＳＰＭ溶液洗浄の前にＳＣ１溶液による洗浄を行うよりも、ウェハ裏面６ｂの汚染除去に関しては本実施例６の方が好ましい。実際に、ウェハ表面６ａのＳＰＭ溶液処理前にウェハ裏面６ｂのＳＣ１溶液処理を行った実施例４の場合、ウェハ裏面６ｂの汚染残留が図２に示す状態であるのに対して、ウェハ表面６ａのＳＰＭ溶液処理後にウェハ裏面６ｂのＳＣ１溶液処理を行った実施例６の場合には、汚染残留が図３に示す状態となり、汚染物１６の残留個数が全く異なり、実施例６（図３参照）の方が少なくなっている。
【００３６】
［実施例７］
表１の実施例１〜６では、ウェハ裏面洗浄の薬液としてＳＣ１溶液を用いたが、このＳＣ１溶液に変えて、アルカリ系薬液である希釈アンモニア水からなる溶液、または水酸化カリウム溶液、酸系薬液であるＳＣ２溶液（ＨＣｌ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）、ＦＨＰＭ溶液（ＨＦ／ＨＣｌ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）、及びＦＰＭ溶液（ＨＦ／Ｈ２ Ｏ２ ／Ｈ２ Ｏ）を用い、これらの薬液について実施例１〜６と同様の洗浄処理方法で半導体ウェハを洗浄した。ウェハ裏面洗浄にかかる薬液を用いた場合にも、実施例１〜６と同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の洗浄方法に適用される枚葉式洗浄装置の概略的構成図である。
【図２】実施例４のウェハ裏面の洗浄後の汚染残留状態を示す説明図である。
【図３】実施例６のウェハ裏面の洗浄後の汚染残留状態を示す説明図である。
【図４】レジスト剥離洗浄すべき半導体ウェハの断面構造の一例を示す断面図である。
【図５】レジスト剥離洗浄すべき半導体ウェハの断面構造の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１・・枚葉式洗浄装置、２・・回転軸、３・・回転基板、４・・ウェハ支持部材、５〔５Ａ，５Ｂ〕・・ノズル、６・・半導体ウェハ、６ａ・・ウェハ表面、６ｂ・・ウェハ裏面、７・・ノズル、１１・・シリコン基板、１２・・シリコン酸化膜、１３・・レジストマスク、１４・・シリコン窒化膜、１６・・汚染物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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