(57)【要約】 【課題】  ＬＳＩ単体におけるノイズに対する電磁感受性の強度評価を容易に行うことができる半導体装置の試験装置を提供する。【解決手段】  電磁界プローブ走査機５は制御部１８の指示に基づいて、電磁界プローブ３を被試験ＬＳＩ２の被試験端子から伸びる配線パターン上に移動させる。電磁界プローブ３からはノイズが発生する。テストパターン発生部１０によって発生されたテストパターンは被試験ＬＳＩ２に入力され、被試験ＬＳＩ２から出力された出力パターンは比較部１２に入力される。比較部１２はこの出力パターンと、期待値パターン発生部１１から出力された期待値パターンとを比較し、比較結果を示す信号を制御部１８へ出力する。制御部１８はこの信号に基づいて、被試験ＬＳＩ２の誤動作の有無を判定する。被試験ＬＳＩ２に誤動作があった場合、制御部１８は電磁界プローブ３が発生していた電磁界強度を記憶部１７に格納する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノイズに対する半導体装置の電磁感受性を測定する半導体装置の試験装置において、
ノイズを発生するノイズ発生手段と、
前記ノイズ発生手段を前記半導体装置の被試験端子の付近または該被試験端子に接続している信号線の付近に配置する配置手段と、
テストパターンを発生し、該テストパターンを前記半導体装置の入力端子に出力するテストパターン発生手段と、
動作検証用の期待値パターンを発生する期待値パターン発生手段と、
前記半導体装置の出力端子から出力された出力パターンと、前記期待値パターン発生手段によって発生された前記期待値パターンとを比較し、前記半導体装置の誤動作の有無を判定する判定手段と、
前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記ノイズ発生手段によって発生されたノイズの強度を記憶する記憶手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置の試験装置。
【請求項２】
前記ノイズ発生手段は、電界および磁界を選択的に発生することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の試験装置。
【請求項３】
前記ノイズ発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作がないと判定された場合に、前記ノイズの強度を上げることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の試験装置。
【請求項４】
前記配置手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があると判定された場合に、前記ノイズ発生手段を前記半導体装置の前記被試験端子とは異なる被試験端子の付近または該被試験端子に接続している信号線の付近に再配置することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載の半導体装置の試験装置。
【請求項５】
前記テストパターン発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記テストパターンとは異なる他のテストパターンを発生することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載の半導体装置の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノイズに対するＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体装置の強度を評価する半導体装置の試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体装置には、静電気による静電ノイズや電磁波などによって発生する電磁界ノイズに対する耐性の高さが要求される。従来、上記のノイズに対する半導体装置の電磁感受性（ＥＭＳ：Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）の測定・評価を行う試験においては、複数のＬＳＩ等を備えた回路基板、あるいはその回路基板が装着された電子機器が用いられ、それら回路基板あるいは電子機器に対する試験が行われていた。
【０００３】
例えば、机などの上に被試験機器と水平結合板および垂直結合板とを載置し、水平結合板および垂直結合板に対して放電させ、被試験機器への影響を測定する間接放電試験がある。また、電波暗室で規定の周波数・試験レベルの電磁界ノイズを、広帯域アンテナにより被試験機器に照射し、被試験機器の誤動作および劣化の評価を行うＲＦイミュニティ試験等がある（非特許文献１参照）。
【非特許文献１】「Ｏｒｉｇｉｎａｌ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ＣＡＴＡＬＯＧ  ２００１」、株式会社ノイズ研究所、２００１年、ｐ．２９，ｐ．１１２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の半導体装置の電磁感受性の測定試験においては、以下に述べるような問題点があった。例えば、複数のＬＳＩ等を備えた回路基板に対して試験を行う場合、回路基板の作り方や、回路基板に搭載される部品の選定、レイアウトなどが測定結果に大きな影響を及ぼしていた。また、回路基板が装着された電子機器に対して試験を行う場合、電子機器を含む試験システム全体に対する電磁シールドの手法が測定結果に大きな影響を及ぼしていた。さらに、従来の試験においては、複数のＬＳＩを備えた回路基板あるいはその回路基板が装着された電子機器に対して試験を行うのみであり、ＬＳＩ単体に対して、例えばＬＳＩの１ピンごとに電磁感受性の測定試験を行うというような試験を行うことが困難であった。したがって、ＬＳＩの開発者にとっては、開発したＬＳＩの、ノイズに対する電磁感受性の強度評価を知ることが困難であった。
【０００５】
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、ＬＳＩ単体におけるノイズに対する電磁感受性の強度評価を容易に行うことができる半導体装置の試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、ノイズに対する半導体装置の電磁感受性を測定する半導体装置の試験装置において、ノイズを発生するノイズ発生手段と、前記ノイズ発生手段を前記半導体装置の被試験端子の付近または該被試験端子に接続している信号線の付近に配置する配置手段と、テストパターンを発生し、該テストパターンを前記半導体装置の入力端子に出力するテストパターン発生手段と、動作検証用の期待値パターンを発生する期待値パターン発生手段と、前記半導体装置の出力端子から出力された出力パターンと、前記期待値パターン発生手段によって発生された前記期待値パターンとを比較し、前記半導体装置の誤動作の有無を判定する判定手段と、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記ノイズ発生手段によって発生されたノイズの強度を記憶する記憶手段とを具備することを特徴とする半導体装置の試験装置である。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置の試験装置において、前記ノイズ発生手段は、電界および磁界を選択的に発生することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の試験装置において、前記ノイズ発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作がないと判定された場合に、前記ノイズの強度を上げることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載の半導体装置の試験装置において、前記配置手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があると判定された場合に、前記ノイズ発生手段を前記半導体装置の前記被試験端子とは異なる被試験端子の付近または該被試験端子に接続している信号線の付近に再配置することを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載の半導体装置の試験装置において、前記テストパターン発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記テストパターンとは異なる他のテストパターンを発生することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、被試験ＬＳＩの被試験端子の付近またはその被試験端子に接続している信号線の付近でノイズを発生させ、被試験ＬＳＩの出力パターンと期待値パターンとの比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが異なる場合は、そのときのノイズの強度を記憶するようにしたので、ノイズに対する被試験ＬＳＩの強度測定を端子ごとに容易に行うことができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照し、本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の試験装置の構成を示すブロック図である。図において、１は試験を行うテスターである。２は試験の対象となる被試験ＬＳＩであり、図示せぬ試験ボード上に載置されている。３はノイズを発生して所定の箇所にノイズを印加する電磁界プローブである。４は電磁界プローブ３にノイズを発生させる電磁界ノイズ生成部である。電磁界プローブ３および電磁界ノイズ生成部４は、後述するように、選択的に電界および磁界を発生することができる。５は電磁界プローブ３の移動を制御する電磁界プローブ走査機である。６はテスター１による試験の結果や、ユーザに対する操作指示等を表示する表示部である。
【００１３】
テスター１において、１０は被試験ＬＳＩ２に入力するテストパターンを発生するテストパターン発生部である。テストパターンは“０”と“１”の複数の論理状態の組み合わせからなる。テストパターン発生部１０は、ＬＳＩの論理設計等の検証（シミュレーション）に使用された検証データに基づいてテストパターンを発生する。テストパターン発生部１０によって発生されたテストパターンはバッファ１３を介して被試験ＬＳＩ２の被試験入力端子に入力される。
【００１４】
１１は特定のテストパターンに対して被試験ＬＳＩ２から出力が期待される期待値パターンを発生する期待値パターン発生部である。期待値パターン発生部１１は、ＬＳＩの論理設計等の検証に使用された検証データに基づいて、期待値パターンを発生する。１２は期待値パターン発生部１１によって発生された期待値パターンと被試験ＬＳＩ２の被試験出力端子から出力され、バッファ１４を介して入力された実際の出力パターンとの論理比較を行う比較部である。
【００１５】
１５は表示インタフェース部であり、制御部１８から出力された、表示を指示する信号を外部の表示部６へ出力する。１６はユーザインタフェース部であり、ユーザによって操作されるキーボード等を備えている。１７は記憶部であり、試験時の制御部１８の動作を規定する試験プログラムや、試験結果などを記憶する。１８は上記各部を制御する制御部である。
【００１６】
図２は被試験ＬＳＩ２の各端子および電磁界プローブ３の位置関係を示す概略参考図である。被試験ＬＳＩ２は図のように被試験端子２１ａ〜２１ｃおよび２２ａ〜２２ｃを有している。本実施形態においては、被試験端子２１ａ〜２１ｃはそれぞれ配線パターン２０１ａ〜２０１ｃに接続され、テストパターン発生部１０によって発生されたテストパターンが入力される被試験入力端子として用いられる。また、被試験端子２２ａ〜２２ｃは被試験出力端子として用いられ、それらはそれぞれ配線パターン２０２ａ〜２０２ｃに接続され、これらから出力された出力パターンは比較部１２へ入力される。なお、被試験端子の数は図２で示されるものに限定されない。
【００１７】
図３は電磁界プローブ３および電磁界ノイズ生成部４による電磁界発生の原理を示す参考回路図である。図３（ａ）は磁界発生の原理を示している。図において、３１は電磁界プローブ３内に設けられたループアンテナである。４１は電源、４２は放電抵抗、４３は放電用コンデンサである。４４はスイッチであり、接点４４ａまたは接点４４ｂと共通接点４４ｃとの接続を切り替える。電源４１、放電抵抗４２、放電用コンデンサ４３、およびスイッチ４４は電磁界ノイズ生成部４内に設けられている。
【００１８】
電磁界プローブ３から磁界を発生させる場合、まず接点４４ａと共通接点４４ｃとを接続し、電源４１によって放電用コンデンサ４３を充電する。続いて、所定のタイミングでスイッチ４４を動作させ、接点４４ｂと共通接点４４ｃとを接続する。これにより、放電用コンデンサ４３に充電された電荷が放電抵抗４２を通り、ループアンテナ３１を流れ、ループアンテナ３１からパルス磁界が発生する。電源４１の起電力を変えることにより、発生するパルス磁界の大きさを変えることができる。
【００１９】
図３（ｂ）は電界発生の原理を示している。図において、同図（ａ）に示される構成と同じものには同一の符号を付け、説明を省略する。３２は電界プローブ３内に設けられた電極であり、３３は放電抵抗である。電磁界プローブ３から電界を発生させる場合、まず接点４４ａと共通接点４４ｃとを接続し、電源４１によって放電用コンデンサ４３を充電する。続いて、所定のタイミングでスイッチ４４を動作させ、接点４４ｂと共通接点４４ｃとを接続する。これにより、放電用コンデンサ４３に充電された電荷が放電抵抗３３に放電されて放電電圧が電極３２に加わり、パルス電界が発生する。電源４１の起電力を変えることにより、発生するパルス電界の大きさを変えることができる。
【００２０】
なお、上記は磁界および電界発生の一例を示すものであり、実施の態様は上記に限定されない。また、電磁界プローブ３としては、磁界発生用のプローブと電界発生用のプローブとをそれぞれ予め用意しておき、試験内容に応じてユーザが両プローブを使い分けるようにしてもよいし、１本のプローブ内に図３の磁界発生用回路および電界発生用回路を設け、両者を切り替えることにより電界および磁界の発生を切り替えるようにしてもよい。これにより、電磁界プローブ３は電界および磁界を選択的に発生することができる。
【００２１】
次に、本実施形態による半導体装置の試験装置の動作を説明する。まず、第1の動作例について説明する。この例では、被試験ＬＳＩ２の被試験端子２１ａ〜２１ｃのそれぞれにテストパターンを入力し、各被試験端子に接続している配線パターン（信号線）上で電磁界プローブ３からノイズを発生し、各被試験端子の電磁界強度を測定する。
【００２２】
まず、ユーザによって、ユーザインタフェース部１６から電磁界プローブ３の操作指示と被試験入力端子２１ａ〜２１ｃの各端子間のピッチ（間隔）とが入力される。ユーザによって入力された情報はユーザインタフェース部１６から制御部１８に入力される。制御部１８はこの情報に基づいて、電磁界プローブ走査機５に対して、電磁界プローブ３の移動を指示する。電磁界プローブ走査機５はこれに基づいて、電磁界プローブ３を被試験ＬＳＩ２の被試験端子２１ａから伸びる配線パターン上（配線パターンの付近）に移動させる。続いて、ユーザによってユーザインタフェース部１６から試験開始の指示がなされると、試験開始を指示する信号が制御部１８に入力される。
【００２３】
この信号を受けた制御部１８はテストパターン発生部１０に対してテストパターンの発生を指示する。指示を受けたテストパターン発生部１０はテストパターンを発生し、バッファ１３を介して被試験ＬＳＩ２に出力する。また、制御部１８は電磁界ノイズ生成部４に対してノイズの発生を指示する信号を出力する。この信号を受けた電磁界ノイズ生成部４は、所定の大きさおよび形状のパルス電流を生成し、電磁界プローブ３へパルス電流を供給する。パルス電流を供給された電磁界プローブ３はノイズとなるパルス電界またはパルス磁界を発生する。また、電磁界ノイズ生成部４は、電磁界プローブ３が発生しているノイズの強度を制御部１８へ通知する。
【００２４】
被試験ＬＳＩ２から出力された出力パターンは、バッファ１４を介して比較部１２に入力される。比較部１２は被試験ＬＳＩ２の出力パターンと、期待値パターン発生部１１から出力された期待値パターンとを論理的に比較し、比較結果を示す信号を制御部１８へ出力する。比較部１２による比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同一であった場合、制御部１８は被試験端子が正常な動作を行ったと判断する。この場合、制御部１８は同じテストパターンの発生をテストパターン発生部１０に指示すると共に、電磁界ノイズ生成部４に対して、ノイズの強度を上げて再びノイズを発生するように指示する。そして、被試験ＬＳＩ２が誤動作を行うまで、ノイズの強度を変えながら、上記の試験が続けられる。
【００２５】
一方、比較部１２による比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同一でなかった場合、制御部１８は被試験ＬＳＩ２に誤動作が生じたと判断する。このとき比較部１２は、被試験ＬＳＩ２の動作に異常が生じたテストパターン中の位置を制御部１８に通知する。制御部１８は電磁界プローブ３が発生していた電磁界強度、テストパターンの識別子、被試験ＬＳＩ２の動作に異常が生じたテストパターン中の位置、および被試験端子の識別子が対応付けられた情報を記憶部１７に格納する。続いて、制御部１８は電磁界プローブ走査機５に対して電磁界プローブ３の移動を指示する。電磁界プローブ走査機５はこの指示に基づいて、被試験端子２１ｂに接続している配線パターン上に電磁界プローブ３を移動させる。そして、被試験端子２１ｂに対して上記と同じ試験が行われる。これが繰り返されることにより、被試験端子２１ａ〜２１ｃのそれぞれの電磁界強度が測定される。
【００２６】
制御部１８が記憶部１７から試験結果を示すデータを読み出し、表示インタフェース部１５を介してデータを表示部６に出力すると、表示部６は試験結果をグラフにして表示する。図４は、第１の動作例による試験結果を示す参考図である。図において、横軸のアルファベットは被試験ＬＳＩ２の被試験端子を識別するためのものであり、縦軸は各被試験端子の電磁界強度を示している。図に示されるように、被試験ＬＳＩ２が特定のテストパターンによる動作を行っている場合、ｃで示される被試験端子がノイズに対して最も弱い端子であることがわかる。
【００２７】
なお、上記の動作例において、電磁界プローブ３が、被試験ＬＳＩ２の被試験端子に接続している配線パターンを走査する順序はユーザが任意に指定してよい。
【００２８】
次に、第２の動作例について説明する。この例では、試験対象の被試験端子を特定の端子に固定し、その動作条件を変化させた場合のそれぞれの動作条件に対しての電磁界強度を測定する。
【００２９】
まず、ユーザによって、ユーザインタフェース部１６から電磁界プローブ３の操作指示と試験対象の被試験端子の識別子とが入力される。ユーザによって入力された情報はユーザインタフェース部１６から制御部１８に入力される。例えば、ユーザによって被試験端子２１ａが試験対象として選択されたとする。制御部１８が電磁界プローブ走査機５に対して、電磁界プローブ３の移動を指示すると、電磁界プローブ走査機５は電磁界プローブ３を被試験ＬＳＩ２の被試験端子２１ａから伸びる配線パターン上に移動させる。続いて、ユーザによってユーザインタフェース部１６から試験開始の指示がなされると、試験開始を指示する信号が制御部１８に入力される。
【００３０】
この信号を受けた制御部１８はテストパターン発生部１０に対してテストパターンの発生を指示する。指示を受けたテストパターン発生部１０はテストパターンを発生し、バッファ１３を介して被試験ＬＳＩ２に出力する。また、制御部１８は電磁界ノイズ生成部４に対してノイズの発生を指示する信号を出力する。この信号を受けた電磁界ノイズ生成部４は、所定の大きさおよび形状のパルス電流を生成し、電磁界プローブ３へパルス電流を供給する。パルス電流を供給された電磁界プローブ３はノイズとなるパルス電界またはパルス磁界を発生する。また、電磁界ノイズ生成部４は、電磁界プローブ３が発生しているノイズの強度を制御部１８へ通知する。
【００３１】
被試験ＬＳＩ２から出力された出力パターンは、バッファ１４を介して比較部１２に入力される。比較部１２は被試験ＬＳＩ２の出力パターンと、期待値パターン発生部１１から出力された期待値パターンとを論理的に比較し、比較結果を示す信号を制御部１８へ出力する。出力パターンと期待値パターンとが同一であった場合、制御部１８は被試験端子が正常な動作を行ったと判断する。この場合、制御部１８は同じテストパターンの発生をテストパターン発生部１０に指示すると共に、電磁界ノイズ生成部４に対して、ノイズの強度を上げて再びノイズを発生するように指示する。そして、被試験ＬＳＩ２が誤動作を行うまで、ノイズの強度を変えながら、上記の試験が続けられる。
【００３２】
一方、比較部１２による比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同一でなかった場合、制御部１８は被試験ＬＳＩ２に誤動作が生じたと判断する。このとき比較部１２は、被試験ＬＳＩ２の動作に異常が生じたテストパターン中の位置を制御部１８に通知する。制御部１８は電磁界プローブ３が発生していた電磁界強度、テストパターンの識別子、被試験ＬＳＩ２の動作に異常が生じたテストパターン中の位置、および被試験端子の識別子が対応付けられた情報を記憶部１７に格納する。
【００３３】
続いて、制御部１８はテストパターン発生部１０に対して、動作モードの異なるテストパターンの発生を指示すると共に、電磁界ノイズ生成部４に対して、再びノイズを発生するように指示する。そして、被試験端子２１ａに対して、別のテストパターンによる試験が行われる。これが繰り返されることにより、異なる動作モードに対する被試験端子２１ａの電磁界強度が測定される。同様の試験を他の被試験端子に対しても行うことにより、異なる動作モードに対する被試験ＬＳＩ２の各被試験端子の電磁界に対する耐圧を測定することができる。
【００３４】
制御部１８が記憶部１７から試験結果を示すデータを読み出し、表示インタフェース部１５を介してデータを表示部６に出力すると、表示部６は試験結果をグラフにして表示する。図５は第２の動作例による試験結果を示す参考図である。この図は、特定の被試験端子についての試験結果を示している。図において、横軸は動作モードの異なるテストパターンを示しており、縦軸は各テストパターンによる動作時の電磁界強度を示している。図に示されるように、この被試験端子は、動作Ｄのときに最も電磁界強度が低く、したがって、電磁界に対する耐圧が小さい。また、動作Ｅ〜Ｈにおいては、電磁界強度にほとんど変化がないことなどがわかる。
【００３５】
なお、上述した各試験において、試験開始前にユーザが試験の形式や、試験に使用するテストパターン等を指定できるようにしてもよい。また、電磁界プローブ３を被試験ＬＳＩ２の出力側の被試験端子から伸びる配線パターン上に配置し、同様の試験を行ってもよい。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態においては、被試験ＬＳＩ２にテストパターンを入力すると共に、被試験ＬＳＩ２の被試験端子に接続している配線パターン（信号線）上でノイズを発生させ、被試験ＬＳＩ２の出力パターンを期待値パターンと比較する。そして、出力パターンと期待値パターンとが異なる場合は、そのときのノイズの強度を記憶する。これにより、ノイズに対する被試験ＬＳＩ２の強度測定を端子ごとに容易に行うことができる。
【００３７】
また、第１および第２の動作例の試験により、被試験ＬＳＩ２の特定の動作モード（特定のパターン入力に対する総合的な動作や特定の機能だけの動作等）における各端子の電磁界強度を確認することができる。すなわち、
（１）被試験ＬＳＩ２のどの動作モードが電磁界に最も影響を受け易いのか、あるいは受け難いのか
（２）被試験ＬＳＩ２の各動作モードにおいて、どの端子が電磁界に対して弱いのか、あるいは強いのか
（３）各端子がテストパターンのどの状態において電磁界による影響を受け易くなるのか
等を推定することができる。したがって、ＬＳＩ単体についての電磁界強度をＬＳＩの仕様と関連させて容易に知ることができ、試験結果をＬＳＩ設計やＬＳＩを用いたシステム設計にフィードバックさせることができる。
【００３８】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、上記の実施形態においては、電磁界プローブ３を被試験ＬＳＩ２の被試験端子から伸びる配線パターン上で走査させているが、被試験ＬＳＩ２の被試験端子の直上に配置し、同様の試験を行ってもよい。また、電磁界プローブ３の先端を絶縁し、電磁界プローブ３を被試験端子に接触させて試験を行ってもよい。
【００３９】
また、上述した実施形態におけるテスター１は、その動作および機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータに読み込ませ、実行させることにより実現してもよい。
【００４０】
ここで、「コンピュータ」は、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
【００４１】
また、上述したプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。また、上述したプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、前述した機能をコンピュータにすでに記録されているプログラムとの組合せで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態による半導体装置の試験装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同実施形態における被試験ＬＳＩ２の各端子および電磁界プローブ３の位置関係を示す概略参考図である。
【図３】同実施形態における電磁界プローブ３および電磁界ノイズ生成部４による電磁界発生の原理を示す参考回路図である。
【図４】同実施形態における第１の動作例による試験結果を示す参考図である。
【図５】同実施形態における第２の動作例による試験結果を示す参考図である。
【符号の説明】
【００４３】
１・・・テスター、２・・・被試験ＬＳＩ、３・・・電磁界プローブ、４・・・電磁界ノイズ生成部、５・・・電磁界プローブ走査機、６・・・表示部、１０・・・テストパターン発生部、１１・・・期待値パターン発生部、１２・・・比較部、１３，１４・・・バッファ、１５・・・表示インタフェース部、１６・・・ユーザインタフェース部、１７・・・記憶部。
【図１】
2005207868.tif 000003
【図２】
2005207868.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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