(57)【要約】【課題】ランドの開口部を介して接続端子とハンダボールを接続することにより、ハンダボールの接続強度と接続信頼性を向上させた半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材１１の一方の面にパッド２１ｂ、開口部２２を有するランド２１ａ及びソルダーレジスト層４１が、他方の面にハンダボール形成用の開口部１３が形成されており、前記ソルダーレジスト層４１の開口部４２内のランド２１ａにはんだからなる接続端子５１が形成された半導体装置用基板にＩＣチップ７１を搭載し、ＩＣチップ７１の電極と半導体装置用基板のパッド２１ｂをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ７１を樹脂封止し、ボール状のはんだを載置し、リフローさせてはんだボール６１を形成して、半導体装置を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材（１１）の一方の面にパッド（２１ｂ）、開口部（２２）を有するランド（２１ａ）及びソルダーレジスト層（４１）が、他方の面にハンダボール形成用の開口部（１３）が形成されており、前記ソルダーレジスト層（４１）の開口部（４２）内のランド（２１ａ）にはんだからなる接続端子（５１）が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
絶縁基材（１１）の一方の面にパッド（２１ｂ）、凹部（２３）を有するランド（２１ｄ’）及びソルダーレジスト層（４１）が、他方の面にハンダボール形成用の開口部（１３）が形成されており、前記ソルダーレジスト層（４１）の開口部（４３）内のランド（２１ｄ’）上にはんだからなる接続端子（５２）が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項３】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の片面に銅箔（２１）が積層された複合材の絶縁基材（１１）の所定位置に開口部（１３）を形成する工程。
（ｂ）銅箔（２１）をパターニング処理し、所定形状の開口部（２２）を有するランド（２１ａ）及びパッド（２１ｂ）を形成する工程。
（ｃ）ランド（２１ａ）上に開口部（４２）を有するソルダーレジスト層（４１）を形成する工程。
（ｄ）ソルダーレジスト層（４１）の開口部（４２）内に錫合金ペーストを充填し、接続端子（５１）を形成する工程。
【請求項４】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用基板の製造方法。
（ａ）接着剤層（１５）が形成された絶縁基材（１１）の所定位置に開口部（１４）を形成する工程。
（ｂ）銅箔（２１）を積層する工程。
（ｃ）銅箔（２１）をパターニング処理し、ランド（２１ｄ）及びパッド（２１ｂ）を形成する工程。
（ｄ）ランド（２１ｄ）上に所定形状のレジストパターン（３３）を形成する工程。
（ｅ）レジストパターン（３３）をマスクにしてランド（２１ｄ）を所定の深さエッチングし、レジストパターン（３３）を剥離して、ランド（２１ｄ）に所定形状の凹部（２３）を形成する工程。
（ｆ）ランド（２１ｄ）の所定位置に開口部（４３）を有するソルダーレジスト層（４１）を形成する工程。
（ｇ）ソルダーレジスト層（４１）の開口部（４３）内にはんだペーストを充填し、接続端子（５２）を形成する工程。
【請求項５】
請求項１または２記載の半導体装置用基板にＩＣチップを実装し、はんだボールを形成してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器用半導体装置及びそれに使用する半導体装置用基板に関し、特にチップ・サイズ・パッケージなどの接続ピッチの狭小化したハンダボール（外部接続端子）を必要とする半導体装置用基板と半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近のＩＣの高集積化に伴い、１チップ当たりの電極パッド数が増え、半導体装置用基板においては、パッド面積の減少、パッドピッチの狭小化をもたらしている。
現在、絶縁層の開口部から導体を露出させ、そこにはんだボールを接合するタイプの半導体装置が幅広く使用されている。特に、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）タイプの半導体装置では、小型化と高性能化の要求により接続端子の狭小化が著しく進展しており、ボールピッチが０．５ｍｍ以下の製品も量産化されている。しかし、ボールピッチが狭小化していくにつれ、はんだボールの接続強度が保てない状況がクローズアップされてきた。つまり、狭ピッチ化による接続面積の減少により、ランドとはんだボールとの接合強度低下が大きな問題になっている。
上記ハンダボールの接合強度を向上させるために、ランドの表面粗さを変えたり、ランドに凹部を形成したり、ランドに施すめっきの厚さと種類を変えるなど、ランド側の表面処理方法を検討する試みがいくつか提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４参照。）。
【０００３】
特許文献１は、配線基板のランドに凹部を設けることで接続面積を増加させ、はんだによる接合強度を向上させている。
特許文献２は、パッドから引き出しパターンを設けることにより、プリント配線基板とパッド間の接合面積を増加させることにより、プリント配線基板とパッド間の接合強度を向上させている。
特許文献３は、導電性ペーストで層間接続を行う多層回路基板において、テーパー状に貫通孔を形成しランドに庇を形成することによって導電性ペーストと各層の開口部付きランドとの接触面積を増大させ、多層回路間の層間接触抵抗を低減させて、回路全体の伝送特性を向上させている。
特許文献４は、導電性ペーストで層間接続を行う多層回路基板において、絶縁層の開口部断面形状を曲面状にすることによって導電性ペースト充填時の気泡を無くし、導電性ペーストと導電層との導通性を向上させている。
【特許文献１】特開２０００−２６９２７１号公報
【特許文献２】特開２０００−３１６３０号公報
【特許文献３】特開２００３−１７９３２１号公報
【特許文献４】特開２００３−２５８４３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の場合効果は限定的で本質的な解決には至っていない。例えば、特許文献１では、ランドに凹部を形成し接続面積の向上と垂直方向の接続面を利用することで、はんだボールの接合強度を向上させようとしている。しかし、特許文献１および特許文献２を含むこれらの従来技術に共通する点は、ランドとはんだとの接合を界面の接合のみに頼っている
ことで、表面状態の異常や汚染等の不具合があった場合には、接合強度が著しく低下し、界面剥がれによる断線発生の危険性がある。
【０００５】
また、ランドに凹部を形成した場合、プロセスとその構造にもよるが、一般的には凹部の底はモールド樹脂やソルダーレジストなどと接することになる場合が多い。これらの樹脂とはんだとの接触部は金属との接触部に比べて接着力が極めて弱いことが知られており、その場合には、ランド側面で接続面積を増やしてもそれ以外の部分の実質的な接続面積が減少してしまうため、最終的にはそれほど接着力は向上しない。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、ランドの開口部を介して接続端子とハンダボールを接続することにより、ハンダボールの接続強度と接続信頼性を向上させた半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基材１１の一方の面にパッド２１ｂ、開口部２２を有するランド２１ａ及びソルダーレジスト層４１が、他方の面にハンダボール形成用の開口部１３が形成されており、前記ソルダーレジスト層４１の開口部４２内のランド２１ａにはんだからなる接続端子５１が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板としたものである。
【０００８】
また、請求項２においては、絶縁基材１１の一方の面にパッド２１ｂ、凹部２３を有するランド２１ｄ’及びソルダーレジスト層４１が、他方の面にハンダボール形成用の開口部１３が形成されており、前記ソルダーレジスト層４１の開口部４３内のランド２１ｄ’上にはんだからなる接続端子５２が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板としたものである。
【０００９】
また、請求項３においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面に銅箔２１が積層された複合材の絶縁基材１１の所定位置に開口部１３を形成する工程。
（ｂ）銅箔２１をパターニング処理し、所定形状の開口部２２を有するランド２１ａ及びパッド２１ｂを形成する工程。
（ｃ）ランド２１ａ上に開口部４２を有するソルダーレジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）ソルダーレジスト層４１の開口部４２内に錫合金ペーストを充填し、接続端子５１を形成する工程。
【００１０】
また、請求項４においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項２記載の半導体装置用基板の製造方法としたものである。
（ａ）接着剤層１５が形成された絶縁基材１１の所定位置に開口部１４を形成する工程。（ｂ）銅箔２１を積層する工程。
（ｃ）銅箔２１をパターニング処理し、ランド２１ｄを形成する工程。
（ｄ）ランド２１ｄ上に所定形状のレジストパターン３３を形成する工程。
（ｅ）レジストパターン３３をマスクにしてランド２１ｄを所定の深さエッチングし、レジストパターン３３を剥離して、ランド２１ｄに所定形状の凹部２３を形成する工程。
（ｆ）ランド２１ｄの所定位置に開口部４３を有するソルダーレジスト層４１を形成する工程。
（ｇ）ソルダーレジスト層４１の開口部４３内にはんだペーストを充填し、接続端子５２を形成する工程。
【００１１】
さらにまた、請求項５においては、請求項１または２に記載の半導体装置用基板にＩＣ
チップを実装し、はんだボールを形成してなる半導体装置としたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置用基板は、開口部もしくは凹部を有するランドにはんだをリフローすることで接続端子を形成することで、ランドとはんだの接触面積を増加させ、外部接続用のはんだボールを形成する際接続端子と一体化構造のはんだボールを形成でき、ハンダボールの接続強度と接続信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
また、本発明の半導体装置用基板に形成している接続端子は、フライングリードに代表される絶縁層の開口部近傍にパターンを形成できないリジッド基板プロセスでも接続端子に開口部を設けた場合と同じ半導体装置用基板を得ることができるようになる。
また、接続端子をＳｎを主成分とするはんだで形成することによって、現在一般的に利用されているリフロープロセスがそのまま利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）には、本発明の半導体装置用基板の一実施例を示す模式平面図を、図１（ｂ）には、図１（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した請求項１に係る半導体装置用基板の模式構成断面図を、図１（ｃ）には、図１（ａ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した請求項２に係る半導体装置用基板の模式構成断面図を、図２（ａ）には、図１（ｂ）のＡ部を拡大した部分模式構成断面図を、図２（ｂ）には、図１（ｃ）のＢ部を拡大した部分模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００１４】
請求項１に係る半導体装置用基板は、図１（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、絶縁基材１１の一方の面にパッド２１ｂ、開口部２２を有するランド２１ａ及びソルダーレジスト層４１が、他方の面にハンダボール形成用の開口部１３が形成されており、ソルダーレジスト層４１の開口部４２内のランド２１ａにはんだからなる接続端子５１が形成されたものである。
このソルダーレジスト層４１の開口部４２内に形成された接続端子５１は、後記するハンダボール接合時に一体化され、ハンダボールの接続強度と接続信頼性を向上させている。
【００１５】
請求項２に係る半導体装置用基板は、図１（ｃ）及び図２（ｂ）に示すように、絶縁基材１１の一方の面にパッド２１ｂ、凹部２３を有するランド２１ｄ’及びソルダーレジスト層４１が、他方の面にハンダボール形成用の開口部１４が形成されており、ソルダーレジスト層４１の開口部４３内のランド２１ｄ’上にはんだからなる接続端子５２が形成されたものである。
このソルダーレジスト層４１の開口部４３内に形成された接続端子５２は、後記するハンダボール接合時に一体化され、ハンダボールの接続強度と接続信頼性を向上させている。
【００１６】
以下、本発明の半導体装置用基板の作製方法及び半導体装置について説明する。
図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ｇ）〜（ｈ）は、請求項１に係る半導体装置用基板の製造方法を工程順に示す部分模式構成断面図である。
【００１７】
まず、ポリイミドフィルム等からなる絶縁基材１１の片面に銅箔２１が積層された複合材の両端を金型で打ち抜き加工してスプロケットホール１２を形成する（図１（ａ）及び図４（ａ）参照）。
【００１８】
次に、絶縁基材１１の所定位置にレーザー加工等により穴開け加工して開口部１３を形成する（図４（ｂ）参照）。さらに、開口部１３と銅箔２１表面を洗浄後ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層３１を形成し（図４（ｃ）参照）、パターン露光、現
像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３１ａを形成する（図４（ｄ）参照）。
ここで、開口部１３内の銅箔２１がエッチングされないように裏止め材３２を形成する。
【００１９】
次に、レジストパターン３１ａをマスクにして銅箔２１を塩化第２鉄溶液等のエッチング液を用いてエッチングし、専用の剥離液でレジストパターン３１ａを剥離処理し、絶縁基材１１上に開口部２２を有するランド２１ａ、パッド２１ｂ及びグラウンドベースメタル２１ｃを形成する（図４（ｅ）及び図１（ａ）参照）。
ここで、開口部２２の形状の一例として、円形状、楕円状、十字形状、多角形状の例を図１０（ａ）〜（ｄ）に示したが、ランド２１ａに庇状の形状ができるものであればあらゆる形状が使用できる。
【００２０】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートする等の方法でソルダーレジスト層４１を形成する（図４（ｆ）参照）。さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パッド２１ｂを露出し、開口部２２を有するランド２１ａ上に開口部４２を有するソルダーレジスト層４１を形成する（図５（ｇ）参照）。
【００２１】
次に、ランド２１ａ及びパッド２１ｂに金めっきを施し、銀を含む錫合金ペーストをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層４１の開口部内に錫合金ペーストを充填し、リフロー炉でリフローさせて接続端子５１を形成して、半導体装置用基板を得る（図５（ｈ）及び図１（ｂ）参照）。
ここで、錫合金からなる接続端子５１の融点は、後から形成するはんだボールの融点と同じか、若干低めに設定しておく。
【００２２】
次に、ＩＣチップ７１をグラウンドベースメタル２１ｃ上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ７２でＩＣチップ７１の電極と半導体装置用基板のパッド２１ｂをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ７１を樹脂封止する。さらに、ボール状のはんだを載置し、リフローさせてはんだボール６１を形成して、半導体装置３００を得る（図３参照）。
ここで、リフローさせてはんだボール６１を形成する際、予め形成されていた錫合金からなる接続端子５１も再溶融してはんだボール６１と一体化される。
【００２３】
図６（ａ）〜（ｆ）及び図７（ｇ）〜（ｋ）は、請求項２に係る半導体装置用基板の製造方法を工程順に示す部分模式構成断面図である。
【００２４】
まず、ポリイミドフィルム等からなる絶縁基材１１の片面に接着フィルムをラミネートする等の方法で接着剤層１５を形成し（図６（ａ）参照）、金型で打ち抜き加工して、絶縁基材１１の両端にスプロケットホール１２及び絶縁基材１１の所定位置に開口部１４を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００２５】
次に、ラミネーターにて銅箔２１を絶縁基材１１上の接着剤層１５に貼り合わせ、所定の温度で加熱して接着剤層１５を硬化させ、複合材を作製する（図６（ｃ）参照）。
さらに、銅箔２１表面を洗浄後ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層３１を形成し（図６（ｄ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３１ａを形成する（図６（ｅ）参照）。
ここで、開口部１４内の銅箔２１がエッチングされないように裏止め材３２を形成する。
【００２６】
次に、レジストパターン３１ａをマスクにして銅箔２１を塩化第２鉄溶液等のエッチング液を用いてエッチングし、専用の剥離液でレジストパターン３１ａを剥離処理し、絶縁基材１１上にランド２１ｄ及びパッド２１ｂを形成する（図６（ｆ）参照）。
【００２７】
次に、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３３を形成する（図７（ｇ）参照）。ここで、開口部１４内の銅箔２１がエッチングされないように裏止め材３２を形成する。
【００２８】
次に、レジストパターン３３をマスクにして銅箔２１を所定の深さエッチングし、専用の剥離液でレジストパターン３３及び裏止め材３２を剥離処理し、絶縁基材１１上に凹部２３を有するランド２１ｄ’、パッド２１ｂ及びグラウンドベースメタル２１ｃを形成する（図７（ｈ）及び図１（ａ）参照）。
ここで、ランド２１ｄ’の凹部２３の底部の厚みは、後記するはんだにて接続端子５２を形成する際一体化構造とするため薄く（１〜３μｍ程度）しておくことが好ましい。また、凹部２３の形状は、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すような、円形状、楕円状、十字形状、多角形状等あらゆる形状のものが使用できる。
【００２９】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートする等の方法でソルダーレジスト層４１を形成する（図７（ｉ）参照）。さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パッド２１ｂを露出し、凹部２３を有するランド２１ｄ’上に開口部４３を有するソルダーレジスト層４１を形成する（図７（ｊ）参照）。
【００３０】
次に、凹部２３を有するランド２１ｄ’及びパッド２１ｂに金めっきを施し、クリームはんだをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層４１の開口部４３内にクリームはんだを充填し、リフロー炉でリフローさせて接続端子５２を形成し、半導体装置用基板を得る（図７（ｋ）及び図１（ｃ）参照）。
ここで、クリームはんだを溶融してリフローする際、ランド２１ｄ’の凹部２３の底部の銅は薄く（１〜３μｍ厚）してあるためはんだに溶融し一体化構造になり、開口部を設けた構造と実質的に同じ形状の接続端子を得ることができるため、フライングリードに代表される絶縁層の開口部近傍にパターンを形成できないリジッド基板プロセスでも接続端子に開口部を設けた場合と同じ半導体装置用基板を得ることができるようになる。また、クリームはんだからなる接続端子５２の融点は、後から形成するはんだボールの融点と同じか、若干低めに設定しておく。
【００３１】
次に、ＩＣチップ７１をグラウンドベースメタル２１ｃ上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ７２でＩＣチップ７１の電極と半導体装置用基板のパッド２１ｂをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ７１を樹脂封止する。さらに、ボール状のはんだを載置し、リフローさせてはんだボール６１を形成して、半導体装置３００を得る（図３参照）。
ここで、リフローさせてはんだボール６１を形成する際、予め形成されていたはんだからなる接続端子５２も再溶融してはんだボール６１と一体化される。
【実施例１】
【００３２】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材１１の片面に１８μｍ厚の銅箔２１が積層された複合材（エスパネックスＫＣ（商品名）：新日鐵化学株式会社製）の両端を金型で打ち抜き加工してスプロケットホール１２を形成した（図１（ａ）及び図４（ａ）参照）。
【００３３】
次に、絶縁基材１１の所定位置に炭酸ガスレーザー加工装置を用いて穴開け加工して２７５μｍφの開口部１３を形成した（図４（ｂ）及び図８参照）。さらに、開口部１３と銅箔２１表面を洗浄後ポジ型液状レジスト（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）：東京応化工業株式
会社製）を塗布し、乾燥して３〜５μｍ厚の感光層３１を形成し（図４（ｃ）参照）、投影型露光装置にてパターン露光し、現像処理してレジストパターン３１ａを形成した（図４（ｄ）参照）。さらに、開口部１３内の銅箔２１がエッチングされないように裏止め材３２を形成した。
【００３４】
次に、レジストパターン３１ａをマスクにして銅箔２１を５０℃に加熱した塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けてエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターンと裏止め剤を同時に剥離し、絶縁基材１１上に幅１２５μｍ、長さ２５０μｍの長円形の開口部２２を有する３８０μｍφのランド２１ａ、パッド２１ｂ及びグラウンドベースメタル２１ｃを形成した（図４（ｅ）、図８及び図１（ａ）参照）。
【００３５】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートしてソルダーレジスト層４１を形成した（図４（ｆ）参照）。さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パッド２１ｂを露出し、開口部２２を有するランド２１ａ上に開口部４２を有するソルダーレジスト層４１を形成した（図５（ｇ）参照）。
ここで、ソルダーレジスト層４１の開口部４２は、長円形の開口部２２の縁から約５０μｍ外側になるように設定した。
【００３６】
次に、ランド２１ａ及びパッド２１ｂに金めっきを施し、約３％の銀を含む錫合金ペーストをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層４１の開口部内に錫合金ペーストを充填し、リフロー炉でリフローさせてはんだからなる接続端子５１を形成して、半導体装置用基板１００を得た（図５（ｈ）及び図１（ｂ）参照）。
【００３７】
次に、ＩＣチップ７１をグラウンドベースメタル２１ｃ上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ７２でＩＣチップ７１の電極と半導体装置用基板のパッド２１ｂをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ７１を樹脂封止する。さらに、ボール状のはんだを載置し、リフローさせてはんだボール６１を形成して、半導体装置３００を得た（図３参照）。
ここで、リフローさせてはんだボール６１を形成する際、予め形成されていた錫合金からなる接続端子５１も再溶融してはんだボール６１と一体化された。
【実施例２】
【００３８】
まず、５０μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産株式会社製）からなる絶縁基材１１の片面に１２μｍ厚の接着フィルム（タイプＸ（商品名）：株式会社巴川製紙所製）をラミネートして接着剤層１５を形成し（図６（ａ）参照）、金型で打ち抜き加工して、絶縁基材１１の両端にスプロケットホール１２及び絶縁基材１１の所定位置に開口部１４を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００３９】
次に、ロール温度１２０℃、ラミネートローラー圧０．２ＭＰａ、ラミネート速度１．０ｍ／分の条件に設定したラミネーターにて１８μｍ厚の銅箔２１を絶縁基材１１上の接着剤層に貼り合わせ、オーブンで段階的に加熱していき、最終的には１４０℃で６時間保持して接着剤層を硬化させた（図６（ｃ）参照）。
さらに、銅箔２１表面を洗浄後ポジ型液状レジスト（ＰＭＥＲ−Ｐ（商品名）：東京応化工業株式会社製）を塗布し、乾燥して３〜５μｍ厚の感光層３１を形成し（図６（ｄ）参照）、投影型露光装置にてパターン露光し、現像処理してレジストパターン３１ａを形成した（図６（ｅ）参照）。さらに、開口部１４内の銅箔２１がエッチングされないように裏止め材３２を形成した。
【００４０】
次に、レジストパターン３１ａをマスクにして銅箔２１を５０℃に加熱した塩化第２鉄
溶液をスプレーで吹き付けてエッチングし、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液をスプレーで吹き付けてレジストパターンと裏止め剤を同時に剥離し、絶縁基材１１上にランド２１ｄ、パッド２１ｂ及びグラウンドベースメタル２１ｃを形成した（図６（ｆ）及び図１（ａ）参照）。
【００４１】
次に、２５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＳＵＮＦＯＲＴ（商品名）：旭化成株式会社製）をロール温度１０５℃、圧力０．４ＭＰａ、ラミネート速度１．２ｍ／分の条件でラミネートして感光層を形成し、さらに、投影型露光装置で露光し、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液を約３０秒間スプレー現像することにより、ランド２１ｄ上の所定位置にレジストパターン３３を形成した（図７（ｇ）参照）。さらに、開口部１４内の銅箔２１がエッチングされないように裏止め材３３を形成した。
【００４２】
次に、レジストパターン３３をマスクにして５０℃の塩化第２鉄溶液をスプレーで吹き付けることにより銅箔２１を１５〜１６μｍの深さ（底部の厚さ：２〜３μｍ）エッチングし、専用の剥離液でレジストパターン３３を剥離処理し、絶縁基材１１上にランド２１ｄの所定位置に深さ１５〜１６μｍの十字型の凹部２３及びパッド２１ｂを形成した（図７（ｈ）及び図９参照）。
【００４３】
次に、感光性を有するドライフィルム型ソルダーレジストをラミネートしてソルダーレジスト層４１を形成した（図７（ｉ）参照）。さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パッド２１ｂを露出し、凹部２３を有するランド２１ｄ’上に開口部４３を有するソルダーレジスト層４１を形成した（図７（ｊ）参照）。
ここで、ソルダーレジスト層４１の開口部４３は、絶縁基材１１の開口部１４よりも小さく、十字型の凹部２３よりも大きくなるようにした（図９参照）。
【００４４】
次に、凹部２３を有するランド２１ｄ’及びパッド２１ｂに金めっきを施し、クリームはんだをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層４１の開口部４３内にクリームはんだを充填し、リフロー炉でリフローさせて接続端子５２を形成し、半導体装置用基板２００を得た（図７（ｋ）及び図１（ｃ）参照）。
【００４５】
次に、ＩＣチップ７１をグラウンドベースメタル２１ｃ上に導電接着剤にて貼り合わせ、ボンディングワイヤ７２でＩＣチップ７１の電極と半導体装置用基板のパッド２１ｂをワイヤボンド接続し、トランスファモールドでＩＣチップ７１を樹脂封止した。さらに、ボール状のはんだを載置し、リフローさせてはんだボール６１を形成して、半導体装置３００を得た（図３参照）。
ここで、リフローさせてはんだボール６１を形成する際、予め形成されていたはんだからなる接続端子５２も再溶融して、はんだボール６１と一体化された。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）は、本発明に係る半導体装置用基板の一実施例を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した請求項１に係る半導体装置用基板の模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した請求項２に係る半導体装置用基板の模式構成断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ｂ）の請求項１に係る半導体装置用基板の模式構成断面図のＡ部を拡大した部分模式構成断面図である。（ｂ）は、図１（ｃ）の請求項２に係る半導体装置用基板の模式構成断面図のＢ部を拡大した部分模式構成断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の請求項１に係る半導体装置用基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図５】（ｇ）〜（ｈ）は、本発明の請求項１に係る半導体装置用基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の請求項２に係る半導体装置用基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図７】（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の請求項２に係る半導体装置用基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、実施例１で用いた開口部を有するランドの実施例を示す説明図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、実施例２で用いた凹部を有するランドの実施例を示す説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、ランドに形成する開口部及び凹部の具体的形状例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１１……絶縁基材
１２……スプロケットホール
１３、１４……開口部
１５……接着剤層
２１……銅箔
２１ａ……開口部を有するランド
２１ｂ……パッド
２１ｃ……グラウンドベースメタル
２１ｄ……ランド
２１ｄ’……凹部を有するランド
２２……開口部
２３……凹部
３１……感光層
３１ａ、３３……レジストパターン
３２……裏止め材
４１……ソルダーレジスト層
４２、４３……開口部
５１、５２……接続端子
６１……はんだボール
７１……ＩＣチップ
７２……ボンディングワイヤ
８１……封止樹脂
１００、２００……半導体装置用基板
３００……半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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