(57)【要約】【課題】 センサ素子実装パッケージの配線基板に対する保護キャップの装着工程が複雑化せず、配線基板に保護キャップを容易に装着することができるセンサ素子実装パッケージを実現する。 【解決手段】  保護キャップ３は、ステンレス鋼板をプレス成型して形成されており、平面視、略長方形の頂部３０と、当該頂部３０の長手方向端面から各々頂部３０と直交するように下方に折り曲げられた垂下突起部４１，４２とから構成され、この垂下突起部４１，４２は、各々、略長方形の板状に形成されており、その下端部には、各々、嵌合突起４１Ａ，４２Ａが内側に向けてプレス成型により打ち抜かれて突出している。この嵌合突起４１Ａ，４２Ａは、配線基板２の外側面のうちの対向する２面に各々設けられた嵌合部４Ａ，４Ｂに各々嵌合して、保護キャップ３が、配線基板２に装着固定される。【選択図】  図８
2005166790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、当該配線基板の表面に搭載されるセンサ素子と、当該センサ素子を覆うように前記配線基板に装着される保護キャップとを備えたセンサ素子実装パッケージであって、
前記配線基板は、積層構造を有し、且つ、当該積層構造の外側面のうち前記配線基板の最表面となる表面最外層以外の層の外側面に窪み部を備え、
前記保護キャップは、前記配線基板の外側面に沿うように垂下突起部が形成され、且つ、当該垂下突起部には前記窪み部に嵌合する嵌合突起が形成されている
ことを特徴とするセンサ素子実装パッケージ。
【請求項２】
前記窪み部は、少なくとも前記配線基板の前記外側面のうちの対向する２面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のセンサ素子実装パッケージ。
【請求項３】
前記配線基板の前記外側面には、前記窪み部に前記嵌合突起が嵌合する位置まで前記垂下突起部を案内する案内凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセンサ素子実装パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ素子実装パッケージに関し、詳細には、配線基板に保護キャップを嵌合させたセンサ素子実装パッケージに関する。尚、本発明は、シリコンの微細加工技術を用いたマイクロガスセンサを備えたセンサ素子実装パッケージに有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来、センサ素子や半導体素子を実装するパッケージとしては、周囲又は裏面に端子を形成した配線基板の上面に半導体素子の搭載部を形成すると共にその周囲に周囲枠を形成し、その周囲枠の上面に全周にわたる円形の溝を形成し、保護キャップの垂下突起部を前記溝に嵌合した半導体素子実装パッケージが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体素子実装パッケージでは、保護キャップの垂下突起部は、接着剤により、周囲枠の溝に接着して保護キャップを封止する場合が多かった。
【特許文献１】特開昭６２−９８６４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体素子実装パッケージでは、組み立て工程において、保護キャップの垂下突起部を配線基板の周囲枠の溝に接着する場合には、まず、接着剤を周囲枠の溝に塗布し、その後、垂下突起部を周囲枠に接着して接着剤を固化させているために、保護キャップを配線基板の周囲枠に嵌合させる工程以外にも、上記接着剤の塗布工程や接着剤の固化の工程があり、組み立て工程の工数が増加するという問題点があった。このことは、センサ素子でも同様である。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、配線基板に対する保護キャップの装着工程が複雑化せず、配線基板に保護キャップを容易に装着することができるセンサ素子実装パッケージを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために請求項１に記載の発明のセンサ素子実装パッケージは、配線基板と、当該配線基板の表面に搭載されるセンサ素子と、当該センサ素子を覆うように前記配線基板に装着される保護キャップとを備えたセンサ素子実装パッケージであって、前記配線基板は、積層構造を有し、且つ、当該積層構造の外側面のうち前記配線基板の最表面となる表面最外層以外の層の外側面に窪み部を備え、前記保護キャップは、前記配線基板の外側面に沿うように垂下突起部が形成され、且つ、当該垂下突起部には前記窪み部に嵌合する嵌合突起が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
また、請求項２に記載の発明のセンサ素子実装パッケージは、請求項１に記載の発明の構成に加えて、前記窪み部は、少なくとも前記配線基板の前記外側面のうちの対向する２面に設けられていることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項３に記載の発明のセンサ素子実装パッケージは、請求項１又は２に記載の発明の構成に加えて、前記配線基板の前記外側面には、前記窪み部に前記嵌合突起が嵌合する位置まで前記垂下突起部を案内する案内凹部が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１に記載の発明のセンサ素子実装パッケージでは、センサ素子を搭載した積層構造の配線基板のうち、配線基板の最表面となる表面最上層以外の層の外側面に形成された窪み部に、保護キャップの垂下突起部に形成された嵌合突起を嵌合させて、保護キャップを配線基板に固定することができる。従って、配線基板に保護キャップを容易に装着できるので、配線基板に対する保護キャップの装着工程が複雑化しない。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明のセンサ素子実装パッケージは、請求項１に記載の発明の効果に加えて、少なくとも配線基板の外側面のうちの対向する２面に設けられている窪み部に、保護キャップの垂下突起部に形成された嵌合突起を各々嵌合させるので、確実に保護キャップを配線基板に固定することができる。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明のセンサ素子実装パッケージは、請求項１又は２に記載の発明の効果に加えて、配線基板の外側面に設けられた案内凹部により垂下突起部を窪み部に嵌合突起が嵌合する位置まで案内するので、保護キャップの配線基板への固定が容易にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明のセンサ素子実装パッケージをガスセンサ１に適用した一実施の形態について図面を参照して説明する。まず、図１〜図３を参照して、ガスセンサ１の外部形状について説明する。図１は本発明の一実施の形態のガスセンサ１の分解斜視図であり、図２はガスセンサ１の平面図であり、図３はガスセンサ１の底面図である。本発明は、各種のセンサ素子や半導体素子を実装するパッケージに適用できるが、本実施の形態のガスセンサ１は、一例として、ＣＯやＮＯ２ を検出するガスセンサを例に説明する。このガスセンサ１は、例えば、自動車のエンジンルーム内のフロントグリル近傍に設けられ、空気中のＣＯやＮＯ２ を検出して、エアコンの外気導入と内気循環を切り替える空調用センサに用いられるものである。
【００１２】
図１及び図２に示すように、このガスセンサ１は、略直方体形状に形成されており、配線基板２に形成されたキャビティの開口部を覆うように、配線基板２に保護キャップ３が、図１において、上方から装着されている。配線基板２は、積層構造となっており、キャビティ内にダイヤフラム構造に形成されたガス検出素子８，９が搭載されている。尚、このガス検出素子８，９が特許請求の範囲に記載のセンサ素子に相当する。また、保護キャップ３は、平面状の頂部３０と、頂部３０から図１において下方に延びる垂下突起部４１，４２とを有しており、一例として、ステンレス鋼板のプレス成形により形成される。頂部３０は平面視略長方形に形成されており、頂部３０には、被測定ガスがガスセンサ１の内部（キャビティ内）に入るための平面視、略円形の通気孔３１，３２，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９が設けられている。また、図３に示すように、ガスセンサ１の底面１Ａは、略長方形の平面に形成されており、その底面１Ａには、図示外の回路基板と半田付け等により接合される略長方形の外部電極５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆが設けられている。この外部電極５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆの表面には、一例としてＡｕメッキ膜が形成されている。
【００１３】
次に、図１、図３〜図５を参照して、ガスセンサ１を構成する配線基板２の構造の詳細について説明する。図４は、配線基板２の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ線断面に於ける配線基板２の矢視方向断面図である。図１及び図５に示すように、配線基板２は、図１において、下部から上部に向けて第一層４、第二層５、第三層６、第四層７の４層が積層されたＡｌ２Ｏ３（アルミナ）焼結体からなる平面視略長方形のセラミック積層構造体である。ここで、本明細書では、配線基板のうちセンサ素子が搭載される側を表面とし、その反対側を底面とする。即ち、本実施の形態のガスセンサ１の配線基板２（積層構造体）において、キャビティが形成され、ガス検知素子８，９が搭載される側を表面とし、その反対側を底面１Ａとする。尚、特許請求の範囲に記載の配線基板２の表面とは、表面から底面に向かう方向に配線基板２を見たときに目視できる部位を意味する。また、本実施の形態のガスセンサ１においては、第四層７が特許請求の範囲に記載の表面最外層となる。さらに、配線基板の最表面とは、表面最外層（本実施の形態のガスセンサ１における第四層７）の表面のことを意味する。尚、積層構造体の第一層４〜第三層６の表面には、図示外の内部配線が形成され、内部配線層を構成している。また、図１及び図４に示すように、配線基板２の長手方向外側面２Ｐ及び２Ｑには、第一層４〜第四層７を貫通して、配線基板２の積層方向に平面視、略円弧状の凹部２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ，２Ｇ，２Ｈ，２Ｉ，２Ｊ，２Ｋ，２Ｌ，２Ｍ，２Ｎが各々設けられている。また、配線基板２の短手方向の一方の側面（図１における左側面）２Ｓには、第一層４〜第四層７を貫通して、案内凹部２Ａが設けられ、側面２Ｓと対向する他方の側面（図１における右側面）２Ｒにも、第一層４〜第四層７を貫通して案内凹部２Ｂが設けられている。
【００１４】
また、図３及び図５に示すように、最下層の第一層４の短手方向の一方の側面２Ｓには、配線基板２の長手方向における前記案内凹部２Ａより深い窪みである嵌合部４Ａが設けられ、第一層４の右側の側面２Ｒにも、前記案内凹部２Ｂより深い窪みである嵌合部４Ｂが設けられている。尚、この嵌合部４Ａ，４Ｂが本発明の「窪み部」に相当し、配線基板２の外側面のうちの対向する２面に各々設けられていることになる。これらの嵌合部４Ａ，４Ｂには、後述する保護キャップ３の垂下突起部４１の嵌合突起４１Ａと、垂下突起部４２の嵌合突起４２Ａとが各々進入して嵌合するようになっている。尚、嵌合部は、配線基板２の外側面のうちの対向する対向する２面に限られず、全ての面に設けても良い。この場合には、さらに、嵌合強度が向上する。
【００１５】
さらに、図４及び図５に示すように、第二層５の短手方向中央部には、後述するダイアフラム構造内の内圧を調整する内圧調整用窪み５Ａが長手方向に延設されている。また、第三層６の中央付近には、第三層６を貫通する貫通孔が形成されており、第四層７の中央付近には、第四層７を貫通し第三層６の貫通孔よりも大きな開口の貫通孔が形成されており、これら貫通孔を形成する壁面によってキャビティが形成されている。そして、第三層６の貫通孔内には、平面視略長方形の板状のガス検出素子８，９が並列に配置されて、第二層５の上面に接着されている。尚、第三層６の貫通孔を形成する壁面とガス検出素子８，９との間、或いは、各ガス検出素子８，９の間には、内圧調整用窪み５Ａ内の気圧が高まった場合に、内圧調整用窪み５Ａ内の空気を外部に放出して、外気圧と同じにするための内圧放出孔６Ｅ，６Ｆ，６Ｇが形成されている。さらに、図１及び図５に示すように、第三層６上には第四層７が積層され、当該第四層７には、平面視、略長方形の開口部７Ａが形成され、ガス検出素子８，９が露出するようになっている。
【００１６】
次に、図１，図４〜図６を参照して、ガス検出素子８，９の構造を説明する。図６は、ガス検出素子８のガス検出部１２の平面図である。これらのガス検出素子８，９には、各々、ガスを検出する平面視略正方形のガス検出部１２，１３が形成され，その背面には、図５に示すように、各々、窪み部６Ａ，６Ｃが形成され、ダイアフラム構造部６Ｂ，６Ｄとなっている。尚、ダイアフラム構造部６Ｂ，６Ｄには、図示外のＰｔ配線から構成されたマイクロヒータが組み込まれている。また、図４に示すように、ガス検出部１２は、略縦長の長方形のガス検出素子８の上面において、後側の側面２Ｑ寄りに設けられている。ガス検出部１３もガス検出素子９の上面に同様に配置されている。ガス検出素子８のガス検出部１２は、図６に示すように、平面視、略正方形であり、その中央部には、図示外のガス感応膜に接して形成された検知電極１２Ａが設けられている。また、ガス検出部１３もガス検出部１２と同様の構造となっている。
【００１７】
さらに、図１及び図４に示すように、ガス検出素子８の上面の短手側の側面２Ｐ寄りの部分（図４における手前側の部分）には、ガス検出素子８の出力を外部に取り出すため及びガス検出素子８への電源供給のための接続電極１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄの電極パッドが形成されている。また、同様に、ガス検出素子９の上面の短手側の側面２Ｐ寄りの部分には、接続電極１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄの電極パッドが形成されている。さらに、接続電極１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ近傍の第三層６の上面には、接続電極１６Ａ，１６Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ及びコモン電極１７の電極パッドが設けられている。接続電極１４Ａ，１４Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄは、接続電極１６Ａ，１６Ｂ，１８Ａ，１８Ｂに、各々、Ａｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄによりワイヤボンディング接続され、接続電極１４Ｃ，１４Ｄ，１５Ａ，１５Ｂは、コモン電極１７に、Ａｕワイヤ２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂによりワイヤボンディング接続されている。
【００１８】
次に、上記の配線基板２の第一層４〜第四層７の製造工程を説明する。まず、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）グリーンシートを製造工程で使用する適宜の大きさに切断する。この切断されたシートは、配線基板２の各層を多数連結した状態となるものである。従って、第一層４が多数連結されたシート（以下、「第一層シート」という。）、第二層５が多数連結されたシート（以下、「第二層シート」という。）、第三層６が多数連結されたシート（以下、「第三層シート」という。）、第四層７が多数連結されたシート（以下、「第四層シート」という。）が各々製造される。次いで、第一層シート〜第三層シート上に、各々、Ｗ（タングステン）ペーストを印刷して内部配線となる配線パターンを形成する。そして、第一層シート〜第四層シートを積層し、圧着して積層シートを作成する。次いで、その圧着された積層シートを焼成後に個片分割しやすいように切断用溝を入れる。その後、その積層シートを焼成用のサイズに切断して、脱脂処理を行った後に焼成する。次いで、電極にＮｉメッキ、Ａｕメッキ等を行い、電気特性、電流のリーク特性、外観等の検査を行って、個別の配線基板２に分割する。
【００１９】
次に、ガス検出素子８，９の製造工程の概略を説明する。まず、ガス検出素子８，９の基材となるシリコンウェハの洗浄を行う。次いで、そのシリコンウェハ上に酸化ケイ素膜の形成、窒化ケイ素膜の形成を行う。次に、マイクロヒータを形成する。一例として、スパッタリングによるＴａ層の形成後、Ｐｔ層を形成し、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、エッチング処理でマイクロヒータを形成する。その後、マイクロヒータを覆うように窒化ケイ素膜を形成する。次いで、マイクロヒータの端部にマイクロヒータコンタクト部を形成する。一例としては、窒化ケイ素膜のエッチングを行い、マイクロヒータコンタクト部を形成する。次に、マイクロヒータの上部に検知電極を形成する。一例としては、スパッタリングによるＴｉ層の形成後、Ｐｔ層の形成を行い、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、エッチング処理で検知電極を形成する。次いで、検知電極及びマイクロヒータの端部にコンタクトパッド（接続電極１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ）の形成を行う。一例としては、スパッタリングによるＣｒ層の形成後、Ａｕ層の形成を行い、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、エッチング処理で接続電極１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄの形成を行う。次いで、シリコンの異方性エッチングによるダイアフラム構造部６Ｂ，６Ｄの形成、ガス感応膜の形成を行う。その後、シリコンウェハの切断を行いガス検出素子８，９を切り出す。
【００２０】
次に、図１〜図３，図７及び図８を参照して、保護キャップ３の構造を説明する。図７は、図２に示すＣ−Ｃ線断面に於けるガスセンサ１の保護キャップ３のみの矢視方向断面であり、図８は、図２に示すＣ−Ｃ線断面に於けるガスセンサ１の矢視方向断面である。図１，図２，図７及び図８に示すように、保護キャップ３は、ステンレス鋼板をプレス成型して形成されており、平面視、略長方形の頂部３０と、当該頂部３０の長手方向端面から各々頂部３０と直交し配線基板２の外側面に沿うように下方に折り曲げられた垂下突起部４１，４２から構成されている。
【００２１】
この垂下突起部４１，４２は、各々、略長方形の板状に形成されており、その下端部には、各々、嵌合突起４１Ａ，４２Ａが内側に向けてプレス成型により打ち抜かれて突出している。この嵌合突起４１Ａ，４２Ａは、図３及び図８に示すように配線基板２の外側面のうちの対向する２面に各々設けられた嵌合部４Ａ，４Ｂに各々嵌合するようになっている。尚、保護キャップ３の配線基板２への装着時には、垂下突起部４１，４２が、配線基板２の長手方向外側面に各々設けられている案内凹部２Ａ，２Ｂに案内されて、保護キャップ３の頂部３０の裏面が第四層７の上面に当接するまで押し込まれて、垂下突起部４１，４２に各々設けられている嵌合突起４１Ａ，４２Ａが嵌合部４Ａ，４Ｂに各々嵌合する。すると、保護キャップ３が、配線基板２に装着固定される。
【００２２】
次に、保護キャップ３の頂部３０に設けられた通気孔３１〜３９の配置について説明する。図１及び図２に示すように、保護キャップ３の頂部３０には、被測定ガスがガスセンサ１の内部に入るための平面視、略円形の通気孔３１〜３９が穿設されている。この通気孔３１〜３９は、無作為に設けられているのではなく、通気孔３１〜３９及びダイヤフラム構造部６Ｂ，６Ｄをガス検出素子８，９の表面を水平に延設した平面に正射影した場合に、通気孔３１〜３９の正射影像がダイヤフラム構造部６Ｂ，６Ｄの正射影像に重ならないように、ダイヤフラム構造のガス検出部１２，１３の真上を避けて通気孔３１〜３９が配置されている。即ち、保護キャップ３の頂部３０に垂直に視線を置いた場合には、通気孔３１〜３９からは、ガス検出部１２，１３を目視することができないように通気孔３１〜３９が保護キャップ３の頂部３０に配置されている。従って、異物が空気中を落下してきて、通気孔３１〜３９を通過しても、異物が直接的にガス検出部１２，１３に衝突しないようになっている。よって、ガス検出部１２，１３への異物の付着を防止でき、また、極薄いダイアフラム構造部６Ｂ，６Ｄが異物の衝突により破損することを防止できる。
【００２３】
さらに、保護キャップ３の頂部３０には、チップマウンタの吸着ノズルの当接可能な平面部３０Ａが形成されている。従って、ガスセンサ１は、保護キャップ３の頂部３０に、チップマウンタの吸着ノズルの当接可能な平面部３０Ａを有し、配線基板２の第一層４の底面１Ａは、略長方形の平面に形成されており、略長方形の外部電極５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆが設けられているので、ガスセンサ１を小型化できると共に、回路基板に電子部品を実装する際にチップマウンタを用いてガスセンサ１の表面実装が同時に可能である。
【００２４】
さらに、保護キャップ３の頂部３０に設けられた通気孔３１〜３９は、ガス検出素子８，９の表面を水平に延設した平面に、通気孔３１〜３９及び接続部であるＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを正射影した場合に、通気孔３１〜３９の正射影像が接続部であるＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの正射影像に重ならないように、配置されている。即ち、通気孔３１〜３９がＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ（接続部）の真上を避け配置されている。このようにすることにより、通気孔３１〜３９からガスセンサ１内へ進入した異物がＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄに付着しにくく、また、異物が接続部であるＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの間を短絡させることを防止できる。
【００２５】
尚、図２に示すように、通気孔３１〜３９の正射影像が接続部であるＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの正射影像及び接続電極１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ、接続電極１６Ａ，１６Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ，コモン電極１７の正射影像に重ならないように通気孔３１〜３９を配置しても良い。この場合には、通気孔３１〜３９からガスセンサ１内へ進入した異物がＡｕワイヤ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄだけでなく、接続電極１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ、接続電極１６Ａ，１６Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ，コモン電極１７に付着しにくく、また、異物がこれらの電極間を短絡させることがない。よって、電極間の短絡によるガスセンサ１の出力不良を防止できる。
【００２６】
さらに、保護キャップ３には、図２に示すように、ガスセンサ１を図示外の回路基板等にマウントする時に、ガスセンサ１の向きを確認できるように、方向性の確認用の窪み４０が設けらている。この窪み４０は、保護キャップ３を平面視した場合に、保護キャップ３の一方の長辺の中央部の左寄りに、平面視、略円弧状に形成されている。
【００２７】
以上説明したように、本実施の形態のガスセンサ１では、センサ素子を搭載した積層構造の配線基板２の第一層４に形成された窪み部である嵌合部４Ａ，４Ｂに、保護キャップ３の垂下突起部４１，４２に設けられた嵌合突起４１Ａ，４２Ａを嵌合させて、保護キャップ３を配線基板２に固定することができる。従って、配線基板２に保護キャップ３を容易に装着できるので、配線基板に対する保護キャップの装着工程が複雑化しない。また、少なくとも配線基板２の外側面のうちの対向する２面に設けられている嵌合部４Ａ，４Ｂに、保護キャップ３の垂下突起部４１，４２に設けられた嵌合突起４１Ａ，４２Ａを各々嵌合させるので、確実に保護キャップ３を配線基板２に固定することができる。さらに、配線基板２に設けられた案内凹部２Ａ，２Ｂにより、垂下突起部４１，４２を嵌合部４Ａ，４Ｂに嵌合突起４１Ａ，４２Ａが嵌合する位置まで案内するので、保護キャップ３の配線基板２への固定が容易にできる。
【００２８】
尚、本発明は、上記の実施の形態に限られず、各種の変形が可能である。例えば、嵌合部４Ａ，４Ｂは、最下層に設けたものに限られず、図９に示すように、第二層５に嵌合部５Ａ，５Ｂを設けても良い。また、図１０に示すように、第三層６に嵌合部６Ｈ，６Ｉを設けても良い。即ち、嵌合部は、配線基板２の最上層以外の層に設けることができる。
【００２９】
また、ガスセンサ１の配線基板２は４層の積層構造となっているが、必ずしも４層構造に限られず、２層、３層、５層、６層等の複数層の積層構造であれば良い。また、ガスセンサ１は、ガス検出素子を２つ組み込んでいるが、これは、１つでも、３つでも良い。さらに、配線基板２の材質は、セラミックに限られず、プラスチックでも良い。また、保護キャップ３の材質は、ステンレス鋼板に限られず、鉄、アルミ、銅等の各種の金属及びプラスチックでも良い。
【００３０】
尚、配線基板２及び保護キャップ３の材質がプラスチックの場合、配線基板２の対向する側面に突起部を形成し、保護キャップ３の垂下突起部４１，４２に窪み又は孔を設けて、前記突起部と嵌合するようにしても良い。
【００３１】
さらに、案内凹部２Ａ，２Ｂは左右で幅を異ならせ、垂下突起部４１，４２もその幅に合うように左右で幅を異ならせても良い。この場合には、保護キャップ３を左右向きを誤って配線基板２に装着させることを防止できる。
【００３２】
尚、センサ素子としては、例えば、シリコンダイアフラム構造のエアフローセンサ、シリコンダイアフラム構造の熱伝導式ガスセンサ、シリコンダイアフラム上にパラジウム等の触媒層を設けた接触燃焼式ガスセンサ、シリコンダイアフラム上に酸化スズ等の金属酸化物半導体層を設けたガスセンサ等が挙げられる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、センサ素子実装パッケージに適用でき、ガスセンサのパッケージに限られず、各種の半導体素子のパッケージに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施の形態のガスセンサ１の分解斜視図である。
【図２】ガスセンサ１の平面図である。
【図３】ガスセンサ１の底面図である。
【図４】配線基板２の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面に於ける配線基板２の矢視方向断面図である。
【図６】ガス検出素子８のガス検出部１２の平面図である。
【図７】図２に示すＣ−Ｃ線断面に於けるガスセンサ１の保護キャップ３のみの矢視方向断面である。
【図８】図２に示すＣ−Ｃ線断面に於けるガスセンサ１の矢視方向断面である。
【図９】配線基板２の嵌合部の変形例の縦断面図である。
【図１０】配線基板２の嵌合部の変形例の縦断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    ガスセンサ
２    配線基板
３    保護キャップ
４    第一層
４Ａ，４Ｂ  嵌合部
５    第二層
５Ａ，５Ｂ  嵌合部
６    第三層
６Ｂ，６Ｄ   ダイアフラム構造部
６Ｅ，６Ｆ   嵌合部
７    第四層
８，９ ガス検出素子
１２    ガス検出部
１２Ａ  検知電極
１３    ガス検出部
３０    頂部
３０Ａ  平面部
３１〜３９  通気孔
４１，４２  垂下突起部
４１Ａ，４２Ａ   嵌合突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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