(57)【要約】【課題】  反応性の機能性分子を有するスルフィド又はジスルフィド反応性の自己組織化膜において、他の機能性分子と反応させて利用するに際して、他の機能性分子との反応が阻害されることなく進行させる事ができる組織化膜の提供。【解決手段】  構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィド。  （１）  Ｒ１―Ａ―Ｒ―Ｓ―Ｈ  （２）［Ｒ１―Ａ―Ｒ―Ｓ］２  （式中、Ａは、パラカルボラン化合物で、Ｒ１は、機能性置換基である。Ｒは、フエノキシエチレングリコキシンゼン基を表す。）で表されるジスルフィドを基板上に固定されていることを特徴とする自己組織化膜。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィド。
【化１】
2005272402.tif 000007
【化２】
2005272402.tif 000008
（式中、Ａは、パラカルボラン化合物である。カルボラン化合物の１２位にある置換基Ｒ１は、機能性置換基であり、水素原子、アルキル基、又カルボン酸基、アルデヒド基、アミノ基、水酸基、フエニル基、エーテル基から選ばれる原子又は基を表す。カルボランの３〜１１位は、水素原子又はアルキル基、トルフロロメチル基で選ばれる原子又基で置換されていてもよい。
Ｒは、アルキル基、アルキルベンゼン基、フエノキシエチレングリコキシンゼン、又はポリエチレングリコキシベンゼンを表す。アルキル基は炭素数が１〜２０のアルキル基、ポリエチレングリコール基をあらわす。）
【請求項２】
前記請求項1記載の構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィドを基板上に固定されていることを特徴とする自己組織化膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルボラン誘導体新規化合物及びそれからなる自己組織化膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アルキル基を有するジスルフィドもしくはチオール誘導体は、金またはその他、貴金属表面上に金（その他、貴金属）− 硫黄結合を介して選択的に吸着され、その表面に密な構造を作り出すことが知られている(非特許文献１)。また、長鎖アルキルジスルフィドもしくはチオール誘導体を用いて作製された薄膜が、金を基板とした結晶構表面に選択的に吸着され、凝集状態を示すことが知られている(非特許文献２)。
これらの膜は、いずれも自己組織化膜と呼ばれる。これらはチオール類とジスルフィド類を用いて作られるが、どちらも、膜を構成する分子は密に詰まった構造となっていることが確認されている。これらの内で、チオール類は反応中に空気酸化を受けジスルフィドになりやすいので、あらかじめジスルフィド類を原料として合成した方が、目的物質はより安定な化合物として得ることができる。
【０００３】
これらの自己組織化膜は、その膜の厚みが分子１個分に相当する程度のものであり、超薄膜であること知られている。従って、これらジスルフィドもしくはチオール化合物を用いることにより得られる誘導体は、極微量用いるだけで貴金属表面の改質剤としての目的を達成することができる。このような特性を生かすことにより、バイオセンサーの検出表面（特許文献１）、表面プラズモン測定との組み合わせによるバイオセンサー（特許文献２）、電気化学センサー（特許文献３）への応用等の発明が知られている。又、金属表面同士の接着を行う金属表面処理剤（特許文献４）の発明が知られている。
【０００４】
この種の自己組織化膜は非常に密な構造をとっている。従って、膜に機能を発現させるために、分子構造を変化させようとしても、膜構造中に変化のための必要な自由空間が存在しないために、分子構造を変化させることができないとされていた（特許文献５）。
例えば、アゾベンゼン基を有するアルカンチオール類を金表面に吸着させてなる自己組織化膜は、紫外光を照射したところでトランス体からシス体への構造変化を起こそうとしても、起こらない。これは、上述したようにアゾベンゼン部位がトランス体からシス体へ異性化するための十分な自由空間が確保されていない事によるものである。
【０００５】
非対称ジスルフィドをユニット分子として用いることによって、これらの問題を解決して、高い光応答性を確保することが提案されている。吸着後の自己組織化膜は、二成分分子から構成されているため、時間や熱とともに相分離を起こして光応答性を示さなくなる。相分離を抑制して安定な光応答性を確保するために、アゾベンゼン基側面にメチル基を導入した分子を自己組織化膜のユニット分子として用いる方法が報告されている。この場合には、メチル基の立体反発によって、隣接分子間に異性化可能な自由空間が形成される。しかしながら、自己組織化膜のユニット分子によっては制限が生じるために、一般性は高くないことが指摘されている。
【０００６】
本発明者らは、自己組織化膜を構成するアルキル基、アルキルベンゼン基を主鎖に有するスルフィド又はジスルフィド、エチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつスルフィド又はジスルフィドの集合体からなる自己組織化膜を新たに作り出た。エチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつスルフィド又はジスルフィドの集合体の構造であれば、水溶性であることにより、自己組織化膜の能力について従来以上のものとなり、かつ自由度についても、問題がなくなるのではないかと考えた。
しかしながら、自己組織化膜に導入した機能性の基を有する自己組織化膜において、これに機能性分子を反応させて、その反応を利用する自己組織化膜を考える場合には、自己組織化膜上の分子は密に凝集した状態となっており、自己組織化膜を機能性分子と結合させて利用する場合には機能性分子が近づくことできず、反応に支障が生ずることがわかった。
【０００７】
【特許文献１】特開平１−５１１４０５号公報
【特許文献２】特開平７−２４６３１号公報
【特許文献３】特開平８−２３３７３３号公報
【特許文献４】特開平９−７１７５３号公報
【特許文献５】特開２０００−２６４８７４号公報
【特許文献６】特開２００２−２０３６８号公報
【非特許文献１】R. G. Nuzzo, B. R. Zegarski, L. H. Dubois,J. Am. Chem. Soc., 109, 733-740 (1987)
【非特許文献２】L.Strong, G. M. Whitesides, Langmuir, 4,546-558 (1988)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、反応性の機能性分子を有するアルキル基、アルキルアゾベンゼン基、フエノキシエチレングリコキシベンゼン、又はエチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつスルフィド又はジスルフィド反応性の自己組織化膜において、他の機能性分子と反応させて利用するに際して、他の機能性分子との反応が阻害されることなく進行させる事ができる組織化膜を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記課題について鋭意検討し、アルキル基、アルキルアゾベンゼン基、フエノキシエチレングリコキシベンゼン、又はエチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつスルフィド又はジスルフィドにおいて、スルフィド又はジスルフィド基からもっとも離れた末端部位に、反応性の機能性分子を有するカルボラン又はその誘導体を前記主鎖の部分に取り込んだ自己組織化膜は、カルボランの作用により、自己組織化膜を構成する分子相互では、凝集する状態を離れて、自由に機能性分子が近づくことができるようになるために、自己組織化膜と反応しようとする機能性分子との反応を阻害することなく、反応を進行させることができることを見出した。
すなわち、本発明によれば、以下の発明が提供される。  
【００１０】
（１）構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィド。
【化１】
2005272402.tif 000002
【化２】
2005272402.tif 000003
（式中、Ａは、パラカルボラン化合物である。カルボラン化合物の１２位にある置換基Ｒ１は、機能性置換基であり、水素原子、アルキル基、又カルボン酸基、アルデヒド基、アミノ基、水酸基、フエニル基、エーテル基から選ばれる原子又は基を表す。カルボランの３〜１１位は、水素原子又はアルキル基、トルフロロメチル基で選ばれる原子又基で置換されていてもよい。
Ｒは、アルキル基、アルキルベンゼン基、フエノキシエチレングリコキシンゼン、又はポリエチレングリコキシベンゼンを表す。アルキル基は炭素数が１〜２０のアルキル基、ポリエチレングリコール基をあらわす。）
（２）前記（１）記載の構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィドを基板上に固定されていることを特徴とする自己組織化膜。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、アルキル基、アルキルベンゼン基、フエノキシエチレングリコキシベンゼン、又はエチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつスルフィド又はジスルフィドにおいて、スルフィド又はジスルフィド基からもっとも離れた末端部位に、反応性の機能性置換基を有するカルボラン又はその誘導体を前記主鎖の部分に取り込んだ自己組織化膜は、カルボランの作用により、自己組織化膜を構成する分子相互では、凝集する状態を離れて、自由に機能性分子が近づくことができるようになるために、自己組織化膜と反応しようとする機能性分子との反応を阻害することなく、反応を進行させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のカルボラン誘導体化合物は、以下の構造式（１）で表されるスルフィド、構造式（２）で表されるジスルフィドである。
【化１】
2005272402.tif 000004
【化２】
2005272402.tif 000005
上記式中、Ａは、パラカルボラン化合物である。カルボラン化合物の置換基以下の通りである。
カルボランの１２位にある置換基Ｒ１は、機能性置換基であり、水素原子、アルキル基、又カルボン酸基、アルデヒド基、アミノ基、水酸基、フエニル基、エーテル基から選ばれる原子又は基を表す。
カルボランの３〜１１位は、水素原子又はアルキル基、トルフロロメチル基で選ばれる原子又基で置換されていてもよい。
前記アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎプロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
Ｒは、アルキル基、アルキルベンゼン基、フエノキシエチレングリコキシンゼン、又はポリエチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつスルフィド又はジスルフィドである。ここで、アルキル基は炭素数が１〜２０のアルキル基、ポリエチレングリコール基をあらわす。
【００１３】
前記カルボラン化合物誘導体の製造方法は、Ｒを構成している基によって相違する。
（１）Ｒが、アルキルスルフィドの場合
カルボランを、ｎ-ブチルリチウムの存在下にクロロギ酸メチルと反応させてカルボランンの１位にメチルエステル基を導入する。炭酸カリウムの存在下にジブロモアルカンと反応させてブロモアルキルカルボランを合成し、水酸化カリウムにより１位のメチルエステルを加水分解して、ギ酸に変え、次にチオ尿素と反応させて、メルカプトアルキルカルボランを製造する。
（２）Ｒが、ベンジルアルキルスルフィドの場合
カルボランを、ｎ-ブチルリチウムの存在下にクロロギ酸メチルと反応させてカルボランンの１位にメチルエステル基を導入する。４−ヨードアルキルベンゼンと反応させて１２位に臭化アルキルベンゼン基を導入し、水酸化カリウムにより１位のメチルエステルを加水分解して、ギ酸に変え、次にチオ尿素と反応させて、メルカプトアルキルベンゼンカルボランを製造する。
（３）Ｒが、ｎエチレングリコール−ジスルフィドの場合
カルボランを、ｎ-ブチルリチウムの存在下にクロロギ酸メチルと反応させてカルボランンの１位にメチルエステル基を導入する。炭酸カリウムの存在下にジブロモアルカンと反応させてブロモアルキルカルボランを合成し、水酸化カリウムにより１位のメチルエステルを加水分解して、ギ酸に変え、次にチオ尿素と反応させて、メルカプトエチレングリコールカルボランを製造する。
（４）Ｒが、フェノキシ−ｎエチレングリコール−ジスルフィドの場合
ｎがテトラの場合について説明する。
パラカルボランと４−ヨードアニソールとを反応させて、１−（４−メトキシフェニル）−１，１２−カルボランを得る工程（２を製造する工程）、１−（４−メトキシフェニル）−１，１２−カルボランの１２位にメチルエステルを導入して、１−（４−メトキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボランを得る工程（３を製造する工程）、１−（４−メトキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボランと三臭化ホウ素とを反応させて、１−（４−ヒドロキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボランを得る工程（４を製造する工程）、１−（４−ヒドロキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボランと１、１１−ジブロモテトラエチレングリコールを反応させて１−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼンを得る工程（５を製造する工程）、１−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼンを加水分解して、１−（１２−ギ酸−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼンを得る工程（６を製造する工程）、１−（１２−ギ酸−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼンとチオ尿素を反応させて、１２−（４−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−フェノキシ）−テトラエチレングリコール−ジスルフィドを得る工程（７を製造する工程）
【化３】
2005272402.tif 000006
【００１４】
本発明の自己組織化膜は、前記構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィドを基板上に固定されているものである。
基板には、ガラスなどの板に金属を蒸着して得られるものが用いられる。
金属には、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、鉄、コバルト、インジウムなどの金属を挙げることができる。
構造式（１）で表されるスルフィド、又は構造式（２）で表されるジスルフィドを溶剤に溶解させて、希薄溶液を作り、前記基板と接触させて、室温下に数時間に渡り放置する。その後、基板に過剰に付着した前記化合物を除去する。
このようにして金属基板の表面に吸着させた自己組織化膜を得ることができる。
具体的には、前記の工程により得られる１２−（４−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２―カルボラン）フェノキシ）−テトラエチレングリコール−ジスルフィドを、金属と共存させた状態に保つことによって、金属基板の表面に吸着させて自己組織化膜を形成する。
前記工程で得られた１２−（４−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２―カルボラン）フェノキシ）−テトラエチレングリコール−ジスルフィドを、溶剤に溶解させて、希薄溶液を作り、前記基板と接触させて、室温下に数時間に渡り放置する。その後、基板に過剰に付着した前記化合物を除去する。
このようにして自己組織化膜が得られる。
溶媒は、適宜選択して使用することができる。具体的には、ジクロロメタンなどに溶解させて１ｍＭの溶液とし、室温で、２から１２時間程度放置する。
【００１５】
前記工程で得られた機能性置換基を有するカルボラン化合物誘導体を有する生成物を基板に固定した自己組織化膜を、機能性分子と反応させる際にカルボラン化合物誘導体の作用により実際に反応を阻害されることがないかを確認する。
本発明では機能性分子に核酸、特にＤＮＡを用いて確認を行なう。本発明では、機能性置換基を有するカルボラン化合物誘導体を有する生成物を基板に固定した自己組織化膜を、アミノ化ＤＮＡと縮合剤を用いて反応させることにより、ＤＮＡを導入することができる。この縮合剤には４−（４，６−ジメトキシー１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−メチルモルホリニウムクロライド（ＤＭＴ−ＭＭ）、ＤＣＣ（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（ＥＤＣ）などが用いられる。
このようにして得られた基板上にＤＮＡが固定された状態で水溶液に溶解させた状態で、ターゲットＤＮＡをハイブリダーゼーションさせて、自由に反応させることができるかどうかを確認する。具体的には、ハイブリダイゼーションが生起していれば反応を阻害していないというとことがわかる。これには、ハイブリダイゼーションの確認には、表面プラズモン共鳴法、水晶振動子法などが適宜採用される。本発明では、表面プラズモン法によりハイブリダイゼーションが生起していることを確認している。
具体的には、特開２００２−２２６５３に記載されているような表面プラズモン共鳴分光法により、自己組織化膜の反射率の変化をモニターすることによって観察することができる。
本発明では、後で述べるように比較例としては、同じく末端に機能性置換基を有するものの、カルボラン化合物誘導体を有していない、従来から用いられてきた自己組織化膜を用いて同じく基板上にＤＮＡが固定された状態で水溶液に溶解させた状態で、ターゲットＤＮＡをハイブリダーゼーションさせて得られた結果を調べたものである。
【実施例１】
【００１６】
１−（４−メトキシフェニル）−１，１２−カルボラン（化合物２）の合成方法
窒素雰囲気下、パラカルボラン(1.44 g, 10 mmol)に100 mlの無水１，２−ジメトキシエタンを加えた後、0℃で1.57 mM、n-ブチルリチウム(7.0 ml, 11 mmol)をゆっくり滴下し、室温で１時間撹拌した。その後、ヨウ化銅（I）(1.1 g, 11 mmol)を加えて２時間、さらにピリジン(6 ml)を加えて３０分間室温で撹拌することで、銅（I）−パラカルボラン溶液を調整した。この溶液に４−ヨードアニソール(2.34 g, 10 mmol)を加えて110℃で４日間加熱還流させた。その後溶媒を減圧留去し、粗生成物をジエチルエーテルで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した後、ヘキサンとジエチルエーテル(15 : 1)を展開溶媒にしてシリカゲルカラムクロマト分離により単離精製し、化合物２番を４０％の収率で得た。以下の分析結果から、表記の化合物１−（４−メトキシフェニル）−１，１２−カルボランであることを確認した。
1H NMR (500 MHz, CDCl3)δ 7.09 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 6.66 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 3.72 (s, 3H), 2.72 (s, 1H) ; ; IR (KBr)2837, 2613, 1614, 1515, 1302, 1263, 1184, 1140, 1086, 1040, 1024, 843, 808, 737cm-1; HRMS (EI) Calcd for C9H18B10O: 250.2362. Found: 250.2449.
【実施例２】
【００１７】
１−（４−メトキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン（化合物３）の合成方法
続いて窒素雰囲気下、化合物２番(0.75 g, 3.0 mmol)に50 mlの無水テトラヒドロフランを加えた後、0℃で1.57mM、n-ブチルリチウム(2.3 ml, 3.6 mmol)をゆっくり滴下し、室温で１時間撹拌した。その後、クロロギ酸メチル(0.28 ml, 3.6mmol)を加え、室温で５時間撹拌させた。その後溶媒を減圧留去し、粗生成物をジエチルエーテルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した後、ヘキサンと酢酸エチル(10 : 1) を展開溶媒にしてフラッシュシリカゲルカラムクロマト分離により単離精製し、化合物３番を８９％の収率で得た。以下の分析結果から、表記の化合物１−（４−メトキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボランであることを確認した。
1H NMR (500 MHz, CDCl3)  δ 7.06(d, J = 9.0 Hz, 2H), 6.66 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 3.72 (s, 3H),3.63 (s, 3H); HRMS (EI) Calcd for C11H20B10O3:308.3880. Found: 308.3821.
【実施例３】
【００１８】
１−（４−ヒドロキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン（化合物４）の合成方法
続いて窒素雰囲気下、化合物３番(0.62 g, 2.0 mmol)に40 mlの無水ジクロロメタンを加えた後、0℃で三臭化ホウ素(0.38 ml, 4.0 mmol)をゆっくり滴下し、0℃で５時間撹拌した。その後溶媒を減圧留去し、粗生成物をジエチルエーテルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した後、ヘキサンと酢酸エチル(10 : 1) を展開溶媒にしてフラッシュシリカゲルカラムクロマト分離により単離精製し、化合物４番を１００％の収率で得た。以下の分析結果から、表記の化合物１−（４−ヒドロキシフェニル）−１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボランであることを確認した。
1H NMR (500 MHz, CDCl3)  δ 7.06(d, J = 9.0 Hz, 2H), 6.66 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 3.63 (s, 3H); HRMS(EI) Calcd for C10H18B10O3:294.3611. Found: 294.3610.
【実施例４】
【００１９】
１−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼン（化合物５）の合成方法
続いて化合物４番(0.44 g, 1.5 mmol)と１、１１−ジブロモテトラエチレングリコール(0.72g, 2.25 mmol)と炭酸カリウム(0.63 g, 4.5 mmol)に20 mlのアセトンを加えて１日加熱還流した。その後溶媒を減圧留去し、粗生成物をジエチルエーテルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した後、ヘキサンと酢酸エチル(2 : 1) を展開溶媒にしてフラッシュシリカゲルカラムクロマト分離により単離精製し、化合物５番を５５％の収率で得た。以下の分析結果から、表記の化合物１−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼンであることを確認した。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.06 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 6.66(d, J = 9.0 Hz, 2H), 4.04 (t, J = 4.9 Hz, 2H), 3.76-3.80 (m, 4H),3.63 (s, 3H), 3.63-3.67 (m, 8H), 3.43 (t, J = 6.4 Hz, 2H); 13C NMR (500MHz, CDCl3)  δ 159.0, 128.1, 114.0, 71.2, 70.8, 70.7, 70.6, 70.5, 69.6, 67.4, 54.1, 30.3; HRMS (EI) Calcd for C18H33B10O6Br: 533.4704. Found: 533.4701.
【実施例５】
【００２０】
１−（１２−ギ酸−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼン（化合物６）の合成方法
続いて化合物５番(0.37 g, 0.7 mmol)と水酸化カリウム(0.2 g, 3.5 mmol)に 20 mlのテトラヒドロフランと水(1 : 1)を加えて１日攪拌した。その後溶媒を減圧留去し、粗生成物を酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した後、酢酸エチルを展開溶媒にしてフラッシュシリカゲルカラムクロマト分離により単離精製し、化合物６番を１００％の収率で得た。以下の分析結果から、表記の化合物１−（１２−ギ酸−１，１２−カルボラン）−４−（１−ブロモ）−テトラエチレングリコキシベンゼンであることを確認した。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.05 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 6.67(d, J = 9.0 Hz, 2H), 4.04 (t, J = 4.9 Hz, 2H), 3.76-3.80 (m, 4H),3.63-3.67 (m, 8H), 3.43 (t, J = 6.4 Hz, 2H); HRMS (EI) Calcd for C17H31B10O6Br:519.4435. Found: 519.4433.
【実施例６】
【００２１】
１２−（４−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−フェノキシ）−テトラエチレングリコール−ジスルフィド（化合物７）の合成方法
続いて化合物６番(0.1 g, 0.2 mmol)とチオ尿素(0.06 g, 0.8 mmol)に20 mlのエタノールを加えて、６時間加熱還流する。その後、3 mlの１０％水酸化ナトリウム水溶液を滴下し、３時間過熱還流する。その後、反応溶液を中和させ、粗生成物を酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、化合物7番を１００％の収率で得た。以下の分析結果から、表記の化合物１２−（４−（１２−ギ酸メチルエステル−１，１２−カルボラン）−フェノキシ）−テトラエチレングリコール−ジスルフィドであることを確認した。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.05 (d, J = 9.0 Hz, 4H), 6.67 (d, J = 9.0 Hz, 4H), 4.04 (t, J = 4.9 Hz, 4H), 3.76-3.78 (m, 4H), 3.56-3.70 (m, 20H), 2.83 (t, J = 4.0 Hz, 4H); HRMS (EI) Calcd for C17H31B10O6Br: 943.2110. Found: 943.2104. 
【実施例７】
【００２２】
金基板上に自己組織化膜を形成させた。この自己組織化膜にアミノ修飾したDNAと縮合剤として4-(4,6-Dimethoxy-1,3,5-triazin-2-yl)-4-methylmorpholinium chloride (DMT-MM)  を用いて金基板上でアミド反応を行った。カルボン酸と縮合剤（DMT-MM）により形成される中間体を考慮すると、カルボランの立体効果により、DNAの一級アミン部位が中間体に近づくのに有利であると考えられる。このプローブDNAに相補する塩基配列を持ったターゲットDNAが20 mM MgCl2水溶液中で相補対を形成することを表面プラズモン共鳴法により観察した（図１）。この結果により前記化合物が金表面に固定化されたことが確認された。
（比較例１）
【００２３】
比較例に従来から自己組織化膜として用いられていたカルボンラン化合物を有していないＣＯＯＨ基を置換基として有するテトラエチレングリコキシベンゼンを主鎖にもつ化合物の自己組織化膜を用いて同様の実験を行なった。その結果、前記実施例１の結果に比較して反射率が低い結果となっている（図２）。両者の結果を対比すると、本発明のカルボラン化合物を有する自己組織化膜の効果が確認できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の自己組織化膜のプローブによるプラズモン共鳴法の結果を示す図
【図２】本発明の自己組織化膜のプローブと比較例のプローブによるプラズモン共鳴法の結果を示す図
【図１】
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【図２】
2005272402.tif 000010