(57)【要約】【目的】  感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法を提供する。【構成】  基板上に配置したブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊することで、二次元パターンを形成する。【選択図】図１
2005051081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置したブリスターを電子照射により破壊することで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項２】
基板上に配置したブリスターをイオン照射により破壊することで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項３】
基板上に配置したブリスターの上から成膜を行い、成膜した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去することで、未成膜の清浄表面の二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項４】
基板上に配置したブリスターの上から表面反応を施し、反応を施した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去することで、未反応の清浄表面の二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項５】
基板上に配置したブリスターの上から成膜を行い、成膜した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去した後、さらにブリスターにより保護されていた基板表面と保護されていなかった表面との吸着確率の違いを利用して、当該ブリスターを破壊し除去した表面に成膜を行うことで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項６】
基板上に配置したブリスターの上から表面反応を施し、反応を施した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去した後、さらにブリスターにより保護されていた基板表面と保護されていなかった表面との反応性の違いを利用して、当該ブリスターを破壊し除去した表面に化学反応を施すことで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項７】
基板が、シリコン基板または金属基板であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項８】
水素イオン照射、重水素イオン照射、またはヘリウムイオン照射により、ブリスターを形成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項９】
マスクを介してイオン照射することにより、パターン化された配置を持つブリスターを形成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項１０】
収束イオンビームを用いて、パターン化された配置を持つブリスターを形成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項１１】
照射イオンが、Ａｒ+、Ｋｒ+、Ｘｅ+のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の二次元パターニング方法。
【請求項１２】
二次元パターンが、表面構成原子の原子種のパターンであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項１３】
二次元パターンが、表面より下層の成膜の違いのパターンであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項１４】
二次元パターンが、電気特性のパターンであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項１５】
二次元パターンが、反応性のパターンであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の二次元パターニング方法。
【請求項１６】
二次元パターンが、親和性のパターンであることを特徴とする請求項１５に記載の二次元パターニング方法。
【請求項１７】
二次元パターンが、親水性または疎水性のパターンであることを特徴とする請求項１６に記載の二次元パターニング方法。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれかに記載の二次元パターニング方法を用いることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１７のいずれかに記載の二次元パターニング方法を用いることを特徴とする磁気デバイスの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願の発明は、二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、微細加工技術や、電気デバイス、半導体デバイス、磁気デバイス等の作製に有用な、感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法、ならびにそれを用いた新しい電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、二次元パターニング技術として、リソグラフィとエッチングの組み合わせが広く知られている。リソグラフィ技術については、感光剤を塗布したのちマスクを利用して光や電子などで感光剤を露光する手法や、収束電子線により感光剤を直接露光する手法が考案されており（たとえば非特許文献１，２参照）、これらのリソグラフィ技術により形成したフォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを施し、ウェハ表面に微細な電極や配線などの回路パターンを作製することができる。
【０００３】
また、ＦＩＢ（Focused Ion Beam：収束イオンビーム）を利用し、直接基板を微細に彫るイオンミリングと呼ばれる手法も存在する（たとえば非特許文献３，４，５参照）。
【非特許文献１】M. Rothschild and D. J. Ehrlich, J. Vac. Sci. Tech. B 6, 1 (1988)
【非特許文献２】A. Heuberger, J. Vac. Sci. Tech. B 6, 107 (1988)
【非特許文献３】R. L. Kubena et al., J. Vac. Sci. Tech. 19, 916 (1981)
【非特許文献４】T. Ishitani et al., Jpn. J. Appl. Phys. 24, L133 (1985)
【非特許文献５】P. Sudraud et al., J. Vac. Sci. Tech. B 6, 234 (1988)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、リソグラフィ技術およびエッチング技術においては、感光剤、現像液、エッチング液の塗布や、剥離液による感光剤の除去が不可欠であり、これらの工程が加わることによって、感光剤や除去剤などの不純物原子がデバイスに介入し、それによる汚染を避けることが難しいといった問題があった。これに関わる基板表面のクリーニング作業は、パターニングの工程を複雑なものとしている。
【０００５】
また、ＦＩＢによるイオンミリングにおいても、使用されるＧａなどのイオンによる汚染が避けられない。
【０００６】
そこで、以上のとおりの事情に鑑み、この出願の発明は、感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法、ならびにそれを用いた新しい電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、第１には、基板上に配置したブリスターを電子照射により破壊することで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【０００８】
第２には、基板上に配置したブリスターをイオン照射により破壊することで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【０００９】
第３には、基板上に配置したブリスターの上から成膜を行い、成膜した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去することで、未成膜の清浄表面の二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１０】
第４には、基板上に配置したブリスターの上から表面反応を施し、反応を施した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去することで、未反応の清浄表面の二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１１】
第５には、基板上に配置したブリスターの上から成膜を行い、成膜した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去した後、さらにブリスターにより保護されていた基板表面と保護されていなかった表面との吸着確率の違いを利用して、当該ブリスターを破壊し除去した表面に成膜を行うことで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１２】
第６には、基板上に配置したブリスターの上から表面反応を施し、反応を施した膜ごとブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊し除去した後、さらにブリスターにより保護されていた基板表面と保護されていなかった表面との反応性の違いを利用して、当該ブリスターを破壊し除去した表面に化学反応を施すことで、二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１３】
第７には、前記基板が、シリコン基板または金属基板であることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１４】
第８には、水素イオン照射、重水素イオン照射、またはヘリウムイオン照射により、前記ブリスターを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１５】
第９には、マスクを介してイオン照射することにより、パターン化された配置を持つ前記ブリスターを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１６】
第１０には、収束イオンビームを用いて、パターン化された配置を持つ前記ブリスターを形成することを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１７】
第１１には、前記照射イオンが、Ａｒ+、Ｋｒ+、Ｘｅ+のいずれかであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１８】
第１２には、前記二次元パターンが、表面構成原子の原子種のパターンであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００１９】
第１３には、前記二次元パターンが、表面より下層の成膜の違いのパターンであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００２０】
第１４には、前記二次元パターンが、電気特性のパターンであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００２１】
第１５には、前記二次元パターンが、反応性のパターンであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００２２】
第１６には、前記二次元パターンが、親和性のパターンであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００２３】
第１７には、前記二次元パターンが、親水性または疎水性のパターンであることを特徴とする二次元パターニング方法を提供する。
【００２４】
第１８には、前記二次元パターニング方法を用いることを特徴とする電子デバイスの作製方法を提供する。
【００２５】
第１９には、前記二次元パターニング方法を用いることを特徴とする磁気デバイスの作製方法を提供する。
【発明の効果】
【００２６】
上記二次元パターニング方法によれば、感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを実現することができ、基板材質と成膜の材質、不溶性気体のイオンと電子のみにより、パターン化された微細加工が可能で、異種原子の介入がないため、不純物による汚染の影響を無くすことができる。
【００２７】
また、イオンエネルギーを調節することにより、エッチングされる深さも調整でき、非常に薄くエッチングを行うことも可能であり、限りなく平面に近い、凹凸の値で０．１ミクロン以下のパターン作製も可能である。
【００２８】
そして、上記電子デバイスの作製方法および磁気デバイスの作製方法によれば、上記のとおりに優れたパターニングを施した良好な電子デバイスおよび磁気デバイスを作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１（ａ）〜（ｄ）は、この出願の発明に従ったブリスターを用いた二次元パターニングを説明するための図である。この図１では便宜上縦方向のスケールを強調して図示している。
【００３０】
まず、シリコン基板や金属基板等の基板（１）に対し、水素イオンや重水素イオン、ヘリウムイオン等の溶解度の低い気体イオン（２）を注入すると（図１（ａ）参照）、基板（１）内の決まった深さ範囲に気体イオン（２）が溜まり、ブリスター（３）と呼ばれるドーム状の膨れが形成される（図１（ｂ）参照）。この基板（１）を酸素雰囲気に曝すと、表面に酸化膜（４）が形成される（図１（ｃ）参照）。酸素を廃棄し、酸化膜（４）の上からブリスター（３）に対して電子線またはイオン（５）（以下、電子線・イオン（５）と略する）を照射すると、そのエネルギーを受けたブリスター（３）が酸化膜（４）とともに破壊されて剥離する（図１（ｄ）参照）。ブリスター（３）が剥離したところには、清浄な基板（１）の表面が現れる。
【００３１】
以上の一連の作業により、基板表面に酸化表面（６）と局所的な清浄表面（７）の二次元パターンが形成される。
【００３２】
このときの非剥離部の表面つまり酸化表面（６）と剥離部の表面つまり清浄表面（７）との段差は、照射する電子線・イオン（５）の電子種・イオン種、電子エネルギー・イオンエネルギー、および入射角により決まる。剥離部の面積および剥離部の数密度は、電子線・イオン（５）の照射量によって調節できる。
【００３３】
また、マスクを利用して領域を選択してイオン照射を行う、あるいは収束イオンビーム照射を行うことにより、パターン化された配置を持つブリスター（３）を形成し、且つその規則的な剥離を行うことも可能である。
【００３４】
照射するイオン（５）としては、たとえばＡｒ+、Ｋｒ+、Ｘｅ+などを考慮することができる。
【００３５】
次に、実際に行った一観察例について説明する。Ｓｉ（１００）基板に、表面法線から３０°の方向から水素イオンＨ+を１×１０22ｉｏｎｓ／ｍ2照射し、その後、酸素気体雰囲気に曝してから、走査型オージェ顕微鏡（アルバック・ファイ製ＳＡＭ６８０）による観察を行った。図２（ａ）〜（ｃ）は、その観察された象を例示したものである。
【００３６】
まず、Ｈ+照射により、数ミクロン程度の大きさのブリスターが形成された。その後、５ｋｅＶのエネルギーの電子線を４ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で１分ほど照射すると、そのエネルギーを受けたブリスターが図２（ａ）に示すように剥離することが観察された（図中「剥離部」参照）。剥離部の大きさはブリスターの大きさと等しく、数ミクロン程度である。ＴＲＩＭ９８シミュレーションコードによる計算から、注入されたＨ+は０．１ミクロン程度の深さに分布していることが見積もられる。そのため、基板表面と剥離部との段差も０．１ミクロン程度と見積もることができる。
【００３７】
図２（ｂ）にＯ（ＫＬＬ）オージェピーク（５１０ｅＶ）強度を可視化した元素マッピングを、図２（ｃ）にＳｉ（ＬＶＶ）オージェピーク（９６ｅＶ）によるマッピングを示す。基板表面と比べ、剥離部ではＯのオージェピークが見られず、強いＳｉのオージェピークが観察された。基板表面上が均一に酸化されている中に、剥離された部分で、Ｏと結合していない清浄なＳｉ基板表現が現れていることを示している。基板中のシリコンの不飽和結合を水素終端化が均一な厚さの剥離を可能にすることから、この剥離された表面も水素終端化されている。基板との反応性のないイオンを用いれば、活性なシリコン基板表面を出すことも可能である。このようにして、清浄な環境下で、限りなく平面に近い、つまり凹凸の値で０．１ミクロン程度のＳｉとＳｉＯ2の二次元パターンが作製されるのである。
【００３８】
応用例として、シリコン基板で二次元パターンを作製し、その表面に蒸着を施すことにより、局所的に３次元の積層構造をもつデバイスの作製も可能である。
【００３９】
たとえば図３に示すように、ブリスターを剥離した後にＳｉ（８）を蒸着すると、電気絶縁層であるＳｉＯ2を局所的にＳｉで挟み込んだ構造を作製することができる。これによれば、ＳＯＩ（Silicon-on-Insulator）構造中に、シリコン薄膜と基板シリコンの電気伝導路を作ることが可能になる。
【００４０】
また、たとえば図４に示すように、蒸着種を金属（９）にすると、ＭＯＳ（Metal-Oxide-Silicon）トランジスタにおける金属電極のパターンとなる。
【００４１】
さらに、吸着・反応の選択性を利用すれば、つまりブリスターにより保護されていた基板表面と保護されていなかった基板表面との吸着確率または反応性を利用すれば、たとえば図５に示すように、剥離部のみに蒸着（１０）を行うことも可能であり、表面上の直接パターニングの有力な手法となり得る。
【００４２】
またさらに、以上のようなシリコン酸化膜の二次元パターニングだけでなく、たとえば図６に示すように、異種原子（１１）を蒸着した後に、イオンまたは電子照射を行い、二次元パターンを作製することもできる。
【００４３】
さらには、たとえば図７に示すように、酸化膜（４）を作製した後に異種原子（１１）の蒸着を行い、二次元パターンを作製することもできる。
【００４４】
これらのとき（図６および図７）の凹凸も、０．１ミクロン以下に抑えて、限りなく平面に近いパターニングが可能である。
【００４５】
そして、以上のとおりの二次元パターニング方法を利用することで、良好なパターンを持つ電子デバイスや磁気デバイスを作製することができるのである。
【００４６】
もちろん、この出願の発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能である。たとえば、形成できる二次元パターンとしては、上述のとおり表面構成原子の原子種のパターンや表面より下層の成膜の違いのパターン、電気特性のパターン、さらには親水性や疎水性等の親和性を代表とする反応性のパターンなどが挙げられる。特に親水性や疎水性のパターンには、不純物の残らないこの出願の発明は有用であると言える。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上詳しく説明した通り、この出願の発明によって、感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法、ならびにそれを用いた新しい電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法が提供される。
【００４８】
従来のリソグラフィ技術において不可欠であった薬品などの不純物なしに二次元パターニングを実現することができ、不純物の混入を防ぎ、清浄な環境でのデバイス作製が可能になる。また、感光剤の塗布と除去、およびエッチング工程が省けることから、製造の簡略化によるコスト削減を図ることもできる。工程が減ることにより、全ての作業を一つの真空容器内で済ますことができるようになり、省スペース化にも繋がる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、各々、この出願の発明に従ったブリスターを用いた二次元パターニングを説明するための図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、各々、実際に観測したＳＥＭ画像を例示した図である。
【図３】この出願の発明の別の一実施形態を例示した模式図である。
【図４】この出願の発明の別の一実施形態を例示した模式図である。
【図５】この出願の発明の別の一実施形態を例示した模式図である。
【図６】この出願の発明の別の一実施形態を例示した模式図である。
【図７】この出願の発明の別の一実施形態を例示した模式図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  基板
２  気体イオン
３  ブリスター
４  酸化膜
５  電子線・イオン
６  酸化表面
７  清浄表面
８  Ｓｉ
９  金属
１０  蒸着
１１  異種原子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2005051081.tif 000006
【図５】
2005051081.tif 000007
【図６】
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【図７】
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