(57)【要約】【課題】  少ない工程で圧電基板の焦電対策が可能となる弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。【解決手段】  抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板１０上に、それぞれ電気的に独立した励振電極２１及び反射電極１７を含む１層目の電極パターンを形成する工程と、１層目の電極パターンが形成された圧電基板上にフォトレジスト４０を塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスク４０ａを形成する工程と、レジストマスク４０ａが形成された圧電基板１０上に導電膜４３，４４を形成し、レジストマスク４０ａを介して２層目の電極パターン４３を形成する工程と、レジストマスク４０ａ及びレジストマスク４０ａ上に形成された導電膜４４を剥離する工程とを備える。【選択図】図２
2005269262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む１層目の電極パターンを形成する工程と、
前記１層目の電極パターンが形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクが形成された前記圧電基板上に導電膜を形成し、前記レジストマスクを介して２層目の電極パターンを形成する工程と、
前記レジストマスク及び前記レジストマスク上に形成された前記導電膜を剥離する工程とを備えたことを特徴とする、弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項２】
抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、
前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクを介して前記絶縁膜をエッチングする工程と、
前記レジストマスクを剥離する工程とを備えたことを特徴とする、弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項３】
抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、
前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂に所定パターンを露光する工程と、
前記感光性樹脂の非露光部分を除去する工程とを備えたことを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項４】
前記圧電基板がタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項５】
圧電基板上に、該圧電基板より小さな抵抗率を有する薄膜を形成し、該薄膜の上に形成された励振電極から見た該圧電基板の抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍにする工程と、
前記薄膜が形成された前記圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む１層目の電極パターンを形成する工程と、
前記１層目の電極パターンが形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクが形成された前記圧電基板上に導電膜を形成し、前記レジストマスクを介して２層目の電極パターンを形成する工程と、
前記レジストマスク及び前記レジストマスク上に形成された前記導電膜を剥離する工程とを備えたことを特徴とする、弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項６】
圧電基板上に、該圧電基板より小さな抵抗率を有する薄膜を形成し、該薄膜の上に形成された励振電極から見た該圧電基板の抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下にする工程と、
前記薄膜が形成された前記圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、
前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクを介して前記絶縁膜をエッチングする工程と、
前記レジストマスクを剥離する工程とを備えたことを特徴とする、弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項７】
圧電基板上に、該圧電基板より小さな抵抗率を有する薄膜を形成し、該薄膜の上に形成された励振電極から見た該圧電基板の抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下にする工程と、
前記薄膜が形成された前記圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、
前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂に所定パターンを露光する工程と、
前記感光性樹脂の非露光部分を除去する工程とを備えたことを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法。
【請求項８】
前記圧電基板がタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、
前記薄膜が、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ及びＺｎの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの酸化物により構成されたことを特徴とする、請求項５、６又は７に記載の弾性表面波フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波フィルタの製造方法に関し、詳しくは、焦電性を有する圧電基板を用いた弾性表面波フィルタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波フィルタの圧電基板に用いるＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３は、焦電性を有する。そのため、従来、製造工程において、基板上に焦電対策のためのショートラインを設けている。
【０００３】
例えば図７に示すように、ウエハ段階において、圧電基板には、ダイシングライン８，９により区切られたそれぞれの矩形領域内に電極パターン１が形成される。電極パターン１は、励振電極２、反射器６、励振電極２の電極指３，４に接続されたボンディングパッド５以外に、ショートパターン７を含む。このショートパターン７は、製造工程中の加熱により発生した焦電荷を短絡させるためのものであり、ダイシングライン８，９に沿って個々のチップを切断する前に、エッチング等により除去又は切断される。
【０００４】
例えば、既に電極パターンが形成されている圧電基板上に、さらにフォトリソグラフィ工程を用いてパッド５の電極パターンや絶縁膜（保護膜）などを形成する場合、既に形成された電極パターンに、電気的に独立した励振電極や反射電極などの浮き電極が存在すると、フォトリソグラフィ工程において、レジストのプリベーク処理や現像後のポストベーク処理のときの加熱によって、圧電基板の焦電性により発生した焦電荷が浮き電極に帯電する。浮き電極が帯電すると、浮き電極上に形成されたレジストは現像液に溶け出さないで残る。この残ったレジストは、例えば、その後の工程の熱プロセスによって溶解して励振電極などに付着すると、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化や信顧性の低下を引き起こす原因となる。ショートパターン７は、浮き電極をなくし、焦電荷が帯電しないようにするために設けられている。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１３１６５号公報（第２頁、図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ショートパターン７は、最終製品には不要であるので、ショートパターン７を除去又は切断するための余分な工程が増え、製造コストの増大を招いている。
【０００６】
本発明は、かかる実情に鑑み、少ない工程で圧電基板の焦電対策が可能となる弾性表面波フィルタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。
【０００８】
弾性表面波フィルタの製造方法は、抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む１層目の電極パターンを形成する工程と、前記１層目の電極パターンが形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクが形成された前記圧電基板上に導電膜を形成し、前記レジストマスクを介して２層目の電極パターンを形成する工程と、前記レジストマスク及び前記レジストマスク上に形成された前記導電膜を剥離する工程とを備える。
【０００９】
上記方法において、１層目の電極パターンの励振電極と反射電極とは、それぞれ電気的に独立して形成されており、浮き電極となる。しかし、圧電基板の抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であると、焦電荷は浮き電極に帯電しない。したがって、ショートラインを設けることなく、焦電対策を行うことができる。
【００１０】
すなわち、圧電基板の抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であり、従来に比べて圧電基板の抵抗率が小さいと、製造工程中の加熱により圧電基板に焦電荷が発生しても、短時間で基板全体が同電位となり、焦電荷が消失する。したがって、浮き電極があっても、焦電荷は帯電しない。
【００１１】
一方、圧電基板の抵抗率が小さくなると、電気的損失が大きくなり、弾性表面波フィルタの特性が劣化する。しかし、圧電基板の抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化は、問題とならない。
【００１２】
また、本発明は、以下の弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。
【００１３】
弾性表面波フィルタの製造方法は、抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜が形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介して前記絶縁膜をエッチングする工程と、前記レジストマスクを剥離する工程とを備える。
【００１４】
上記方法において、電極パターンの励振電極と反射電極とは、それぞれ電気的に独立して形成されており、浮き電極となる。しかし、圧電基板の抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であると、焦電荷は浮き電極に帯電しない。したがって、ショートラインを設けることなく、焦電対策を行うことができる。
【００１５】
すなわち、圧電基板の抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であり、従来に比べて圧電基板の抵抗率が小さいと、製造工程中の加熱により圧電基板に焦電荷が発生しても、短時間で基板全体が同電位となり、焦電荷が消失する。したがって、浮き電極があっても、焦電荷は帯電しない。
【００１６】
一方、圧電基板の抵抗率が小さくなると、電気的損失が大きくなり、弾性表面波フィルタの特性が劣化する。しかし、圧電基板の抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化は、問題とならない。
【００１７】
また、本発明は、以下の弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。
【００１８】
弾性表面波フィルタの製造方法は、抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下である圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、前記感光性樹脂に所定パターンを露光する工程と、前記感光性樹脂の非露光部分を除去する工程とを備える。
【００１９】
上記方法において、電極パターンの励振電極と反射電極とは、それぞれ電気的に独立して形成されており、浮き電極となる。しかし、圧電基板の抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であると、焦電荷は浮き電極に帯電しない。したがって、ショートラインを設けることなく、焦電対策を行うことができる。
【００２０】
すなわち、圧電基板の抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であり、従来に比べて圧電基板の抵抗率が小さいと、製造工程中の加熱により圧電基板に焦電荷が発生しても、短時間で基板全体が同電位となり、焦電荷が消失する。したがって、浮き電極があっても、焦電荷は帯電しない。
【００２１】
一方、圧電基板の抵抗率が小さくなると、電気的損失が大きくなり、弾性表面波フィルタの特性が劣化する。しかし、圧電基板の抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化は、問題とならない。
【００２２】
好ましくは、上記各弾性表面波フィルタの製造方法において、前記圧電基板がタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である。
【００２３】
圧電材料であるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）は、還元処理により、抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下とすることができる。
【００２４】
圧電基板の抵抗率を下げる代わりに、圧電基板よりも抵抗率が低い薄膜を設けてもよい。
【００２５】
すなわち、本発明は、以下の弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。
【００２６】
弾性表面波フィルタの製造方法は、圧電基板上に、圧電基板より低い抵抗率を有する薄膜を形成し、この薄膜の上に形成された励振電極から見た圧電基板の抵抗率（これを見かけの抵抗率と定義する）を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下にする工程と、前記薄膜が形成された前記圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む１層目の電極パターンを形成する工程と、前記１層目の電極パターンが形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクが形成された前記圧電基板上に導電膜を形成し、前記レジストマスクを介して２層目の電極パターンを形成する工程と、前記レジストマスク及び前記レジストマスク上に形成された前記導電膜を剥離する工程とを備える。
【００２７】
上記方法において、１層目の電極パターンの励振電極と反射電極とは、それぞれ電気的に独立して形成されており、浮き電極となる。しかし、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であると、焦電荷は浮き電極に帯電しない。したがって、ショートラインを設けることなく、焦電対策を行うことができる。
【００２８】
すなわち、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であり、従来の圧電基板に比べて表面の抵抗率が小さいと、製造工程中の加熱により圧電基板に焦電荷が発生しても、短時間で基板全体が同電位となり、焦電荷が消失する。したがって、浮き電極があっても、焦電荷は帯電しない。
【００２９】
一方、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が小さくなると、電気的損失が大きくなり、弾性表面波フィルタの特性が劣化する。しかし、圧電基板上に形成された薄膜の抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化は、問題とならない。
【００３０】
また、本発明は、以下の弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。
【００３１】
弾性表面波フィルタの製造方法は、圧電基板上に、圧電基板より低い抵抗率を有する薄膜を形成し、この薄膜の上に形成された励振電極から見た圧電基板の抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下にする工程と、前記薄膜が形成された前記圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜が形成された前記圧電基板上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことにより、レジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介して前記絶縁膜をエッチングする工程と、前記レジストマスクを剥離する工程とを備える。
【００３２】
上記方法において、電極パターンの励振電極と反射電極とは、それぞれ電気的に独立して形成されており、浮き電極となる。しかし、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であると、焦電荷は浮き電極に帯電しない。したがって、ショートラインを設けることなく、焦電対策を行うことができる。
【００３３】
すなわち、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であり、従来の圧電基板に比べて表面の抵抗率が小さいと、製造工程中の加熱により圧電基板に焦電荷が発生しても、短時間で基板全体が同電位となり、焦電荷が消失する。したがって、浮き電極があっても、焦電荷は帯電しない。
【００３４】
一方、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が小さくなると、電気的損失が大きくなり、弾性表面波フィルタの特性が劣化する。しかし、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化は、問題とならない。
【００３５】
また、本発明は、以下の弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。
【００３６】
弾性表面波フィルタの製造方法は、圧電基板上に、圧電基板より低い抵抗率を有する薄膜を形成し、この薄膜の上に形成された励振電極から見た圧電基板の抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下にする工程と、前記薄膜が形成された前記圧電基板上に、それぞれ電気的に独立した励振電極及び反射電極を含む電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンが形成された前記圧電基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、前記感光性樹脂に所定パターンを露光する工程と、前記感光性樹脂の非露光部分を除去する工程とを備える。
【００３７】
上記方法において、電極パターンの励振電極と反射電極とは、それぞれ電気的に独立して形成されており、浮き電極となる。しかし、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であると、焦電荷は浮き電極に帯電しない。したがって、ショートラインを設けることなく、焦電対策を行うことができる。
【００３８】
すなわち、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であり、従来の圧電基板に比べて表面の抵抗率が小さいと、製造工程中の加熱により圧電基板に焦電荷が発生しても、短時間で基板全体が同電位となり、焦電荷が消失する。したがって、浮き電極があっても、焦電荷は帯電しない。
【００３９】
一方、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が小さくなると、電気的損失が大きくなり、弾性表面波フィルタの特性が劣化する。しかし、表面に薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、弾性表面波フィルタの電気的特性の劣化は、問題とならない。
【００４０】
好ましくは、上記各弾性表面波フィルタの製造方法において、前記圧電基板がタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である。前記薄膜が、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ及びＺｎの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの酸化物により構成される。
【００４１】
この場合、表面に酸化物の薄膜が形成された圧電基板の見かけの抵抗率を１．０×１０７Ω・ｃｍ以上１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下とすることができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明の弾性表面波フィルタの製造方法によれば、少ない工程で焦電対策が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態として実施例を図１〜図６に基づいて説明する。
【００４４】
まず、第１実施例の弾性表面波装置の製造方法について、図１および図２を参照しながら説明する。
【００４５】
図１は、弾性表面波装置で用いるチップを製造するためのウエハの要部構成図である。図２は、図１のII−II線に沿って切断した断面における製造工程図である。
【００４６】
図１に模式的に示すように、ウエハ段階の圧電基板１０上には、格子状のダイシングライン１２，１３が形成され、ダイシングライン１２，１３に沿って切断することにより、個々のチップに分離・切断される。ダイシングライン１２，１３で区切られたそれぞれの矩形領域内には、電極パターン１４が形成される。ダイシングライン１２，１３及び電極パターン１４は、ドライエッチング、ウエットエッチング、リフトオフなど、適宜な方法で形成することができる。
【００４７】
電極パターン１４は、図７の従来例と同様に、励振電極２０，２３，２６と、反射電極１７及びバスバー１８からなる反射器１６と、励振電極２０，２３，２６の電極指２１，２２，２４，２５，２７，２８にそれぞれ接続されたボンディングパッド３０，３１，３２，３３，３４，３５とからなる。
【００４８】
ただし、図７の従来例とは異なり、電極パターン１４とダイシングライン１２，１３とを接続するショートパターンは形成されていない。そのため、反射器１６や励振電極２０，２３，２６は、浮き電極となっている。
【００４９】
次に、ウエハ段階における製造方法について説明する。電極パターン１４は、ボンディングパッド３０〜３５以外は１層のみからなり、ボンディングパッド３０〜３５は、リフトオフ法によって２層で構成される場合について、図２を参照しながら説明する。
【００５０】
図２（ａ）に示すように、圧電基板１０上に、まず、１層目の電極パターン１７、２１、３１ａと、ダイシングライン１２，１３（図１参照）を、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などにより形成する。
【００５１】
次に、図２（ｂ）に示すように、電極パターン１７、２１，３１ａを覆うように、圧電基板１０上に、ネガ型のレジスト４０を塗布する。このレジスト４０に、矢印４１で示すように、２層目の電極パターンを形成したい部分を遮光するフォトマスクを用い、露光する。
【００５２】
その後、レジスト４０を現像し、図２（ｃ）のように、露光されなかった部分４２を除去し、レジストマスク４０ａを形成する。
【００５３】
次に、図２（ｄ）に示すように、導電膜４３、４４を基板全体に成膜する。これにより、ボンディングパッド３１の１層目の電極パターン３１ａの上に、２層目の電極パターンとして導電膜４３が形成される。
【００５４】
最後に、レジストマスク４０ａおよびレジストマスク４０ａ上に形成されている導電膜４４を除去することで、図２（ｅ）に示すように、チップに必要な電極パターンを形成する。
【００５５】
１層目と２層目の電極パターンに用いる電極材料としては、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなどが挙げられる。１層目と２層目で異なる電極材料を用いてもよい。また、１層目と２層目との間に、ＴｉやＮｉＣｒなどの層を形成して、層間の接合強度を向上させてもよい。
【００５６】
圧電基板１０には、従来の圧電基板より抵抗率が小さい圧電材料、例えば、還元処理したニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、あるいは還元処理したタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用いる。圧電基板１０の抵抗率は、１．０×１０７Ω・ｃｍ〜１．０×１０１３Ω・ｃｍの範囲が好ましい。
【００５７】
圧電基板１０の抵抗率を小さくするほど、焦電荷の発生が小さくなる。圧電基板１０の抵抗率は、従来の一般的なものでは１．０×１０１５Ω・ｃｍ程度であったが、これより２桁小さい１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下であれば、焦電荷が発生しても消失するまで時間が短くなり、焦電荷の発生が問題とならない。
【００５８】
一方、圧電基板１０の抵抗率を小さくしすぎると、弾性表面波フィルタとしての電気的特性が劣化する。しかし、圧電基板１０の抵抗率が１．０×１０７Ω・ｃｍ以上であれば、電気的特性についても問題とならない。
【００５９】
したがって、圧電基板１０の抵抗率は、１．０×１０１３Ω・ｃｍ以下、１．０×１０７Ω・ｃｍ以上の範囲内が好ましい。
【００６０】
なお、圧電基板１０の抵抗率は、圧電基板１０の表裏に測定用の電極パッドを付け、その電極パッド間の抵抗値を測定し、その結果に基づいて算出した値をいう（ＪＩＳ  Ｃ  ２１４１）。つまり、厚み方向の抵抗率を見ていることになる。
【００６１】
第１実施例の製造方法では、抵抗率を下げた圧電基板１０を用いるため、既に形成されている１層目の電極パターン１７、２１、３１ａが浮き電極となっても、焦電荷は帯電しない。そのため、従来例のようなショートパターンを設ける必要がない。
【００６２】
次に、第２実施例の弾性表面波装置の製造方法について、図３を参照ながら説明する。
【００６３】
図３に示すように、圧電基板１１上に、圧電基板１１より抵抗率が低い薄膜１２を形成する。この薄膜１２が形成された圧電基板１１の見かけの抵抗率は、１．０×１０７Ω・ｃｍ〜１．０×１０１３Ω・ｃｍが好ましい。なお、薄膜１２が形成された圧電基板１１の見かけの抵抗率は、薄膜１２の表面にのみ測定用の電極パッドを付け、その電極パッド間の抵抗値を測定し、その結果に基づいて算出した値をいう。厚み方向には測定できないためである。
【００６４】
圧電基板１１には、従来の圧電材料、例えば、還元処理していないニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）やタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用いることができる。薄膜１２は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ及びＺｎの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの酸化物薄膜であり、例えば、ＴｉＯ薄膜である。薄膜１２は、スパッタリング、蒸着などの方法で、圧電基板１１上に形成することができる。
【００６５】
薄膜１２の上に１層目の電極パターン１７，２１，３１ａを形成された圧電基板１１は、第１実施例と同様に、２層目の電極パターンを形成することができる。
【００６６】
第２実施例の製造方法では、抵抗率を下げた薄膜１２が形成された圧電基板１１を用いるため、既に形成されている１層目の電極パターン１７、２１、３１ａが浮き電極となっても、焦電荷は帯電しない。そのため、従来例のようなショートパターンを設ける必要がない。
【００６７】
次に、第３実施例の製造方法について、図４を参照しながら説明する。
【００６８】
第３実施例は、既に圧電基板１０に電極パターン５０，５２，５４が形成されている場合において、圧電基板上にＳｉＮ，ＳｉＯ２などの絶縁膜５６を形成し、ワイヤボンド、又はバンプボンド用の電極パッド５４の部分の絶縁膜５６ａをエッチングにより除去する場合の例である。圧電基板１０や電極材料については、第１実施例と同じである。
【００６９】
図４（ａ）に示すように、圧電基板１０上に、電極パターン５０，５２，５４及び不図示のダイシングラインを形成する。
【００７０】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板上に絶縁膜５６を形成する。
【００７１】
次に、図４（ｃ）に示すように、基板上にポジ型のレジスト５８を塗布する。このレジスト５８に、矢印５７で示すように、絶縁膜５６を除去したい部分が開口部とされているフォトマスクを用いて露光する。
【００７２】
次に、レジスト５８を現像し、図４（ｄ）に示したように、露光部分のレジスト５８を除去し、レジストマスク５８ａを形成する。
【００７３】
次に、ドライエッチングにより、レジストマスク５８ａで覆われていない部分の絶縁膜５６ａを、図４（ｅ）に示すように除去する。
【００７４】
最後に、レジストマスク５８ａを除去することで、図４（ｆ）で示すように、必要な箇所のみに絶縁膜５６が残る。
【００７５】
第３実施例の製造方法では、抵抗率を下げた圧電基板１０を用いるため、既に形成されている１層目の電極パターン５０、５２、５４が浮き電極となっても、焦電荷は帯電しない。そのため、従来例のようなショートパターンを設ける必要がない。圧電基板１０の代わりに、第２実施例で説明した抵抗率の低い薄膜１２を形成した圧電基板１１を用いても、同様の効果が得られ、従来例のようなショートパターンを設ける必要がない。
【００７６】
次に、第４実施例について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００７７】
第４実施例の製造方法は、既に圧電基板１０に電極パターン６０，６２が形成されている場合において、圧電基板１０上に感光性樹脂を用いて絶縁層６４を形成する場合の例である。
【００７８】
感光性樹脂による絶縁層６４は、種々の目的で設けられる。例えば図６に示すように、弾性表面波フィルタが、セラミック基板７０上に圧電基板１０を金バンプ７２で接続し、全体を樹脂７４で覆って封止する構造の場合において、樹脂７４が圧電基板１０上に形成された励振電極や反射電極の部分に流入することを防止するためのダム６５として設ける。あるいは、電極パターン上に絶縁層６４を形成し、その絶縁層６４の上にさらに電極パターンを形成することにより、電極パターンを立体交差させるために設ける。
【００７９】
図５（ａ）に示すように、圧電基板１０に電極パターン６０，６２を形成する。圧電基板１０や電極材料については、第１実施例と同じである。
【００８０】
次に、図５（ｂ）に示すように、圧電基板１０に感光性樹脂６４を塗布する。この感光性樹脂６４に、矢印６３で示すように、感光性樹脂６４を残したい部分が開口部とされているフォトマスクを用いて露光する。
【００８１】
露光後、現像し、感光性樹脂６４の露光されなかった部分（非露光部分）を除去することで、図５（ｃ）に示すように、感光性樹脂６４がパターンニングされる。
【００８２】
感光性樹脂の材質は、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン、ビスマレイミドトリアジン、アクリル、環状オレフィン樹脂など、いずれもネガ型であり、現像液に有機溶剤を用いるタイプのものが好ましい。ポジ型は現像液にアルカリを用いるため、アルミ電極などの場合には現像液で電極パターンが溶けるからである。
【００８３】
第４実施例の製造方法では、抵抗率を下げた圧電基板１０を用いるため、既に形成されている１層目の電極パターン６０，６２が浮き電極となっても、焦電荷は帯電しない。そのため、従来例のようなショートパターンを設ける必要がない。圧電基板１０の代わりに、第２実施例で説明した抵抗率の低い薄膜１２を形成した圧電基板１１を用いても、同様の効果が得られ、従来例のようなショートパターンを設ける必要がない。
【００８４】
以上に説明した各実施例によれば、焦電対策のためのショートパターンを設けなくてもよいので、ショートパターンを除去又は切断する工程が不要となる。したがって、従来の製造方法よりも工数を削減し、製造コストを下げることができる。
【００８５】
例えば、２層目形成、保護膜形成、ポリイミドパターン形成が入った弾性表面波フィルタについて、従来は、次のように大きく５つの工程によりチップを形成している。
（１）１層目形成（リフトオフの場合、レジスト塗布、露光、現像、成膜、リフトオフ）
（２）２層目形成（レジスト塗布、露光、現像、成膜、リフトオフ）
（３）保護膜形成（成膜、レジスト塗布、露光、現像、ドライエッチング、レジスト剥離）
（４）感光性ポリイミドパターン形成（ポリイミド塗布、仮硬化、露光、現像、ポリイミド本硬化）
（５）ショートラインカット工程（レジスト塗布、露光、現像、ドライエッチング又はウエットエッチング、レジスト剥離）
【００８６】
これに対し、実施例の製造方法では、最後の（５）ショートラインカット工程が不要となる。
【００８７】
なお、本発明は、上記各実施例に限定されるものではなく、その他種々の変更を加えて実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】ウエハの要部平面図である。（実施例１）
【図２】製造工程の説明である。（実施例１）
【図３】ウエハの要部平面図である。（実施例２）
【図４】製造工程の説明である。（実施例３）
【図５】製造工程の説明である。（実施例４）
【図６】弾性表面波フィルタの構成図である。（実施例４）
【図７】ウエハの要部平面図である。（従来例１）
【符号の説明】
【００８９】
１０，１１  圧電基板
１２  薄膜
１６  反射器
２０  励振電極
４０  フォトレジスト
４０ａ  レジストマスク
４３，４４  導電膜
５６  絶縁膜
５８  フォトレジスト
５８ａ  レジストマスク
６４  感光性樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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