(57)【要約】【課題】導体配線との間の充分な密着強度を確保しつつ、光電変換素子から発せられる光を高効率に反射して発光効率を向上することができる光電変換素子実装用セラミックス基板を提供する。【解決手段】アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１の表面に、この基材１よりもアルミナ含有率が高い材質からなる被覆層２を形成する。この被覆層２の表面に金属導体層３を形成する。これにより、被覆層２と金属導体層３との間で高い密着性が得られて、金属導体層３のピール強度を向上することができ、且つ基材１表面においては高い光反射性が維持される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材の表面に、この基材よりもアルミナ含有率が高い材質からなる被覆層を形成し、この被覆層の表面に金属導体層を形成して成ることを特徴とする光電変換素子実装用セラミックス基板。
【請求項２】
アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材の表面に、電磁波を部分的に照射することによりこの電磁波が照射された部位に、基材よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質からなる被覆層を形成し、この被覆層の表面に金属導体層を形成して成ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子実装用セラミックス基板。
【請求項３】
下記の（ａ）から（ｃ）の工程を含むことを特徴とする光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法。
（ａ）アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１を形成する基材形成工程。
（ｂ）上記基材形成工程によって形成された基材の表層におけるシリカを除去すると共にアルミナを残存させることで、基材の表面に基材よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質からなる被覆層を形成するシリカ除去工程。
（ｃ）上記シリカ除去工程により形成された被覆層の表面に金属導体層を形成する金属導体層形成工程。
【請求項４】
上記シリカ除去工程において、基材をアルカリ溶液に浸漬することにより基材の表層におけるシリカを除去することを特徴とする請求項３に記載の光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法。
【請求項５】
上記シリカ除去工程において、基材をシリカの融点以上の温度で熱処理することにより基材の表層におけるシリカを除去することを特徴とする請求項３に記載の光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法。
【請求項６】
上記シリカ除去工程において、基材の表面に電磁波を照射することによりこの電磁波が照射された部位のシリカを除去することを特徴とする請求項３に記載の光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の光電変換素子が実装される光電変換素子実装用セラミックス基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光電変換素子、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）等は、電子機器のインジケータ等の用途に用いられてきたものであるが、近年、その発光効率や輝度が向上し、単位入力あたりの輝度が白熱ランプに優るようなＬＥＤが開発され、このＬＥＤを複数個まとめることにより、照明用途への応用が可能となってきた。
【０００３】
また、ＬＥＤは長寿命であることからランプの取り替えの省力化等のメンテナンス性のメリットがあり、発光波長レンジが狭いことにより生鮮食物にダメージを与える赤外線が出ない照明（例えば、鮮魚店のショウケース用照明）として使用できるというメリット、美術品を退色劣化させる紫外線が出ない照明（例えば、美術館、博物館の照明）等に使用できるというメリット等がある。
【０００４】
また、ＬＥＤ等の光電変換素子は、光交換機や光インターコネクション装置等にも活用され、通信の大容量化、高速化の実現に寄与している。
【０００５】
このような光電変換素子は、電気配線と結合させるために基板に実装して使用される場合が多い。光電変換素子を実装するための基板としては、例えば特許文献１に開示されているように、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化シリコン、酸化ベリリウム等からなるセラミックス基板を用いることが提案されている。
【特許文献１】特開２０００−３５７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のようなセラミックス基板は、光電変換素子を実装する場合、この光電変換素子から発せられる光を吸収する材質を用いると、基板に実装された光電変換素子から発せられる光の、実際に観測される発光輝度が小さくなってしまうものである。またセラミックス基板には、光電変換素子と電気配線とを接続するための金属等からなる導体配線を設ける必要があり、このためセラミックス基板と金属膜との間に優れた密着強度を具備させる必要がある。
【０００７】
しかし、従来、セラミックス基板と金属との間に高い密着性を付与しつつ、同時にセラミックス基板に高い光反射性をも付与したものは、見出されてはいなかった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、導体配線との間の充分な密着強度を確保しつつ、光電変換素子から発せられる光を高効率に反射して発光効率を向上することができる光電変換素子実装用セラミックス基板及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る光電変換素子実装用セラミックス基板は、アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１の表面に、この基材１よりもアルミナ含有率が高い材質からなる被覆層２を形成し、この被覆層２の表面に金属導体層３を形成して成ることを特徴とするものである。これにより、被覆層２と金属導体層３との間で高い密着性が得られて、金属導体層３の密着強度を向上することができ、且つ基材１表面においては高い光反射性が維持される。
【００１０】
上記光電変換素子実装用セラミックス基板においては、アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１の表面に、電磁波を部分的に照射することによりこの電磁波が照射された部位に、基材１よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質からなる被覆層２を形成し、この被覆層２の表面に金属導体層３を形成しても良い。この場合、金属導体層３は被覆層２の表面に形成されることから、金属導体層３のピール強度を向上することができ、且つ金属導体層３が形成されていない部位に被覆層２が形成されていない基材１が露出して、この露出する基材１表面により、更に高い光反射性が維持される。
【００１１】
また、本発明に係る光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法は、下記の（ａ）から（ｃ）の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１を形成する基材形成工程。
（ｂ）基材形成工程によって形成された基材１の表層におけるシリカを除去すると共にアルミナを残存させることで、基材１の表面に基材１よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質からなる被覆層２を形成するシリカ除去工程。
（ｃ）上記シリカ除去工程により形成された被覆層２の表面に金属導体層３を形成する金属導体層形成工程。
【００１２】
このような工程を経ることで、上記のような、アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１の表面に、この基材１よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質からなる被覆層２が形成され、この被覆層２の表面に金属導体層３が形成された光電変換素子実装用セラミックス基板を製造することができる。また、基材１の表層からシリカを除去することで被覆層２を形成することから、基材１の表面に付加的に被覆層２を形成する場合よりも被覆層２を密着性良く形成することができ、また工程数を削減することもできる。
【００１３】
この光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法においては、上記シリカ除去工程において、基材１をアルカリ溶液に浸漬することにより基材１の表層におけるシリカを除去することができる。このようにすると、複雑な立体形状を有する基材１の表面にも容易に被覆層２を形成することができ、また、アルカリ溶液の濃度、温度、浸漬時間等を制御することにより、容易に被覆層２の厚みを制御することができるものである。
【００１４】
また、上記シリカ除去工程において、基材１をシリカの融点以上の温度で熱処理することにより基材１の表層におけるシリカを除去することもできる。このようにすると、熱処理によるシリカの溶出によりシリカを除去して被覆層２を形成することができ、またシリカが溶出したあとの溶出痕は加熱に伴うアルミナ結晶粒の成長により埋められて被覆層２の表面は平滑に形成され、これにより金属導体層３を精度良く形成することができるものである。
【００１５】
また、上記シリカ除去工程において、基材１の表面に電磁波を照射することによりこの電磁波が照射された部位のシリカを除去することもできる。この場合、電磁波による加熱処理により表層部分のみを効率的に加熱することができて処理時間の短縮とコスト削減が可能であり、また所望の部位のみに被覆層２を形成することが容易なものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、金属導体層の充分な密着強度を確保しつつ、光電変換素子から発せられる光を高効率に反射して発光効率を向上することができる光電変換素子実装用セラミックス基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１８】
本発明に係るセラミックス基板は、セラミックス製の基材１の表面に、基材１よりもアルミナ含有率が高いセラミックス製の被覆層２を形成した基板（母基板４）における、被覆層２の表面に、金属導体層３を形成したものである。
【００１９】
上記基材１は、光電変換素子から発せられる光を反射する機能を有するものであり、アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上となる材質から形成されることで、高い光反射性を有するものである。このシリカの含有率の上限は特に制限されないが、十分な密着強度を確保するという観点からはシリカ含有率の上限を８質量％とすることが好ましい。また、基材１中にはシリカとアルミナ以外の成分が含有されないことが好ましいが、少量の添加成分及び不可避的に混入する成分は許容されるものであり、このような場合のシリカとアルミナ以外の成分の含有率は１質量％以下であることが好ましい。
【００２０】
被覆層２は、その表面に金属導体層３が形成されることで金属導体層３を密着性良く形成する機能を有するものであり、上記基材１よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質にて形成することで、基材１の表面に直接金属導体層３を形成する場合よりも、金属導体層３が高い密着強度で形成されるものである。
【００２１】
この被覆層２のアルミナ含有率は高いほど導体配線との間に高い密着強度が得られるものであり、特にこの含有率が９９質量％以上であることが望ましい。この被覆層２中のアルミナ含有率は、上記のように高いほど好ましく、理想的には１００質量％となるようにするものである。
【００２２】
上記被覆層２は、図１（ｃ）のように基材１の表面の全面に形成しても良いが、基材１の表面に部分的に形成することができる（図２（ｂ）参照）。
【００２３】
この被覆層２は、その厚みを１〜２５０μｍの範囲となるように形成することが好ましい。この場合、被覆層２が形成されている部位において光電変換素子から発せられる光を反射する場合、この光は被覆層２を透過して被覆層２と基材１との界面で高い反射率にて反射するものであり、またこのような厚みの被覆層２の表面に金属導体層３を形成する場合に非常に高い密着強度が得られるものである。
【００２４】
被覆層２を基材１に対して部分的に形成する場合には、図２（ｂ）に示すように、被覆層２を金属導体層３が形成される部位に形成し、この被覆層２の表面に金属導体層３を形成することが好ましい。この場合、金属導体層３は被覆層２を介して形成されるので高い密着強度を有する。また被覆層２を基材１の全面に形成する場合などには、光電変換素子から発せられる光Ｌは図２（ａ）に示すように、一旦被覆層２を透過した後、基材１と被覆層２との界面において反射するものであり、被覆層２の透過時に若干の光損失を生じるが、被覆層２を金属導体層３が形成される部位に部分的に形成すると、図２（ｂ）に示すように、光電変換素子実装用セラミックス基板の表面には、金属導体層３が形成されていない部位において広い範囲に亘って光の反射率が高い基材１の表面が露出することから、光電変換素子から発せられる光Ｌを基材１の表面で直接反射させて高い発光効率を得ることができるものである。
【００２５】
このような光電変換素子実装用セラミックス基板の製造方法について説明する。
【００２６】
光電変換素子実装用セラミックス基板の製造にあたっては、まずアルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１を形成する（基材形成工程；図１（ａ）参照）。
【００２７】
この基材形成工程においては、適宜の手法が用いられるが、例えばセラミックス粉末と適宜のバインダーとを加熱ニーダ等の混練機などで混合し、得られた成形材料を、ＣＩＭ（セラミックス射出成形）を適用するなどして所望の形状に成形し、これを加熱脱脂した後、焼成することで、基材１を形成することができる。バインダーの組成は特に制限されず、前記成形材料を成形可能なものとし、且つ加熱脱脂により分解揮発させることができるものを適宜選択して使用することができるが、例えばポリスチレン６０質量％、パラフィンワックス２０質量％、ステアリン酸２０質量％の組成を有するものを用いることができる。またバインダーの使用量も適宜調整されるが、セラミックス粉末１００質量部に対してバインダーを１５〜２５質量部の範囲とすることが好ましい。
【００２８】
次に、得られた基材１の表面に、被覆層２を形成して、母基板４を得る（図１（ｂ）参照）。被覆層２は、適宜の手法にて形成することができるが、例えば基材１の表面に被覆層２の形成のためのセラミックス粉末を成形し、焼成することにより形成しても良い。
【００２９】
また、上記の基材形成工程によって形成された基材１の表層におけるシリカを除去すると共にアルミナを残存させることで、基材１の表面に基材１よりもアルミナ含有率が高く且つシリカ含有率が低い材質からなる被覆層２を形成するようにしても良い（シリカ除去工程）。特にこのようなシリカ除去工程によって被覆層２を形成すると、基材１の表面に付加的に被覆層２を形成する場合よりも被覆層２を密着性良く形成することができ、また工程数を削減することもできる。
【００３０】
次いで、母基板４における、被覆層２の表面の所定の位置に、金属導体層３を形成するものである（金属導体層形成工程；図１（ｃ）参照）。
【００３１】
金属導体層３を形成するにあたっては、適宜の手法を採ることができる。
【００３２】
金属導体層３の形成方法の好ましい一例を図３に示す。まず、母基板４の表面に銅等による導体薄膜５を、物理蒸着等により形成し、この導体薄膜５に、レーザ光等の電磁波を照射して、導体薄膜５を部分的に除去する。このとき、導体薄膜５が除去された部分に囲まれた領域６が、所望の導体パターン状になるようにする（図３（ａ）参照）。
【００３３】
次に、上記の導体パターン状の領域６に対して電解めっき処理を施すことにより厚膜化して、金属導体層３を形成する。このとき厚膜化されていない導体薄膜５が残存する（図３（ｂ）参照）。
【００３４】
この残存した導体薄膜５は、前記金属導体層３とは電気的に絶縁されているので、そのまま残存させても良いが、ソフトエッチング処理を施すなどして除去するようにしても良い（図３（ｃ）参照）。
【００３５】
上記のように金属導体層３を形成するにあたっては、導体薄膜５を形成する際に、予め母基板４の表面に加熱処理を施すなどして、その表面を清浄化しておくことが好ましい。また、金属導体層３と母基板４との間の密着性を向上するため、予めプラズマ処理等の表面処理を施しておくことも好ましい。導体薄膜５の形成は適宜の手法を採用して行うことができるが、例えば銅等をターゲットとしたＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成することができる。このとき導体薄膜５の厚みは１００〜１０００ｎｍの範囲に形成することが望ましい。
【００３６】
また、電磁波による導体薄膜５の部分的な除去にあたっては、例えばＹＡＧレーザの第３高調波（ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ）を使用することができる。
【００３７】
また、電解めっきによる金属導体層３の形成時には、例えば電解銅めっき処理を実施して銅製の金属導体層３を形成することができる。また、この金属導体層３の厚みは５〜２０μｍの範囲であることが好ましい。
【００３８】
上記のセラミック基板の製造工程における、シリカ除去工程でのシリカ除去の方法は、適宜の手法が採用できるが、例えば基材１をアルカリ溶液に浸漬することにより基材１の表層におけるシリカを除去することができる。このアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液など、適宜のものが用いられる。このようにして被覆層２を形成すると、複雑な立体形状を有する基材１の表面にも容易に被覆層２を形成することができるものであり、また、アルカリ溶液の濃度、温度、浸漬時間等を制御することにより、被覆層２の厚みを容易に制御することもできる。
【００３９】
また、基材１をシリカの融点以上の温度で熱処理することにより基材１の表層におけるシリカを除去することで、被覆層２を形成することもできる。例えば、基材形成工程における基材１の焼成時に、シリカの融点（１６１０℃）未満の温度で焼成を行って基材１を作製し、続いて、加熱温度をシリカの融点以上まで上昇させることにより、基材１の表層からシリカを溶出させて、被覆層２を形成するものである。このとき、基材１の表層においては、シリカが溶出することで溶出痕が形成されるが、同時に加熱によりアルミナの結晶粒の成長が起こって溶出痕を埋めることとなり、このため形成される被覆層２の表面が粗化されることがなく平滑に形成され、この被覆層２の表面に金属導体層３を形成する際に精度良く形成することが可能となる。
【００４０】
このシリカ溶出のための加熱処理条件は、適宜調整されるものであるが、シリカを確実に溶出させるためには加熱温度を１６２０℃以上とすることが好ましく、また過大な温度による加熱処理装置の損傷を防ぐためにはこの加熱温度を１７００℃以下とすることが好まし。
【００４１】
また、基材形成工程にて得られた基材１の表面に、レーザ光等の電磁波を照射することで、この電磁波が照射された部位における基材１の表層からシリカを溶出させ、これにより基材１の表面の任意の箇所に被覆層２を形成することもできる。図４，５に示す例では、被覆層２を任意の箇所に形成した後、図３に示すものと同様にして金属導体層３を形成した例を示すものであり、まず図４（ａ）に示すように、基材形成工程にて得られた基材１の表面に、レーザ光等の電磁波ｗを照射することで、被覆層２を部分的に形成し、母基板４を得る。この電磁波ｗの照射によるシリカの溶出にあたっては、例えばＹＡＧレーザの第３高調波（ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ）を使用することができる。電磁波ｗの照射条件は、適宜調整されるものであるが、例えばＴＨＧ−ＹＡＧレーザの場合には、平均出力４〜７Ｗ、スポット径２０〜１００μｍ、走査速度５０〜４００ｍｍ／ｓｅｃの条件で照射を行うことにより、基材１の任意の箇所に被覆層２を形成することができる。
【００４２】
次に、母基板４の、被覆層２の表面を含む面に、銅等による導体薄膜５を、物理蒸着等により形成し（図４（ｂ）参照）、この導体薄膜５に、レーザ光等の電磁波を照射して、導体薄膜５を部分的に除去する（図４（ｃ）参照）。このとき、導体薄膜５が除去された部分に囲まれた領域６が、所望の導体パターン状になるようにする。この領域６は、被覆層３の表面上に形成されるようにする。
【００４３】
次に、上記の導体パターン状の部分に対して電解めっき処理を施すことにより厚膜化して、金属導体層３を形成する。このとき厚膜化されていない導体薄膜５が残存する（図５（ａ）参照）。
【００４４】
この残存した導体薄膜５は、前記金属導体層３とは電気的に絶縁されているので、そのまま残存させても良いが、ソフトエッチング処理を施すなどして除去するようにしても良い（図５（ｂ）参照）。
【実施例】
【００４５】
〔実施例１〕
以下の材料を、質量比が粉末原料：バインダ＝１００：２０となるように加熱ニーダに入れて混練し、ペレットを作製した。
【００４６】
粉末原料組成
・アルミナ粉末（住友化学工業製、「ＡＥＳ−１１」、平均粒径φ０．５μｍ、純度９９．０％）…９６質量部
・シリカ粉末（アドマテックス社製、「ＳＯ−Ｃ２」、粒径０．４〜０．６μｍ）…４質量部
バインダー組成
・ポリスチレン…６０質量％
・パラフィンワックス…２０質量％
・ステアリン酸…２０質量％。
【００４７】
上記ペレットを用い、射出成形機（ＦＡＮＵＣ社製、「ＲＯＢＯＳＨＯＴ−α５０ｉＡｐ」）にて、材料温度１８０℃、金型温度２０℃、射出率４０ｃｍ3／ｓの条件で射出成形することで、４０ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍの寸法の矩形平板状の成形品を得た。
【００４８】
この成形品を７２時間かけて室温から５５０℃まで加熱することで脱脂した。
【００４９】
次いで、炉内温度を室温から１０時間かけて１６００℃まで昇温し、続いて１６００℃で１時間保持することで、焼結した。
【００５０】
得られた基材１を、濃度２０％、温度３０℃の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬することにより、表層部のシリカを溶出させ、被覆層２を形成した。このとき水酸化ナトリウム水溶液への浸漬時間を変更することにより、各種厚みの被覆層２を有する複数の母基板４を作製した。
【００５１】
（反射率測定）
得られた母基板４について、紫外・可視分光光度計（島津製作所製、「ＵＶ３１００ＰＣ」）を使用し、波長４７０ｎｍの光に対する反射率を測定した。
【００５２】
（表面粗さ）
得られた母基板４について、非接触三次元計測機（三鷹光器製、「ＮＨ−３Ｎ」）を使用して、算術平均粗さ（Ｒａ）を計測した。
【００５３】
（ピール強度）
得られた母基板４を、１０００℃で１時間加熱することで表面を清浄化した後、表面をプラズマ処理し、更にＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて導体薄膜５を形成した。すなわち、まず母基板４をプラズマ処理装置のチャンバ内にセットし、このチャンバ内を１０-4Ｐａ程度まで減圧した後、１５０℃で３分間予備加熱した。その後、チャンバ内に酸素ガスを流通させると共に、チャンバ内のガス圧を１０Ｐａ程度に制御し、この状態で電極間に１ｋＷの高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を印加して発生させたプラズマ中に３００秒間曝露することで、プラズマ処理を行った。次いで、チャンバ内の圧力を１０-4Ｐａ以下にし、この状態でチャンバ内にアルゴンガスを０．６Ｐａのガス圧となるように導入した後、更に５００Ｖの直流電圧を印加して銅ターゲットをボンバードして、厚み３００ｎｍの銅による導体薄膜５を形成した。
【００５４】
次に、大気中でＹＡＧレーザの第３高調波（ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ）を使用し、平均出力６Ｗ、スポット径４０μｍ、走査速度２００ｍｍ／ｓで、導体薄膜５の表面にレーザを直線状に５ｍｍ間隔で走査した。
【００５５】
このようにレーザによるパターンを形成した後、電解銅めっき処理を施して、厚み１５μｍの銅膜からなる金属導体層３を形成した。
【００５６】
このように母基板４に形成した金属導体層３に対して剥離強度試験（９０度ピール試験）を行った。このとき、万能材料試験機（島津製作所製、「オートグラフ  ＡＧ１０ＴＤ」）を用いて、室温・大気圧雰囲気下で、試験速度５０ｍｍ／ｓの一定速度で試験を行い、ＪＩＳ  Ｃ６４８１に準拠して単位幅あたりの引き剥がし強度（９０度ピール強度）を算出した。
【００５７】
（評価結果）
実施例１における、被覆層２の厚みを変更した各サンプルについての、反射率とピール強度の測定結果を、図６に示す。図示のように被覆層２の厚みが厚くなるほどピール強度は向上するが、一定の値に近づくとその上昇度合いは飽和してしまうものであり、また被覆層２の厚みが厚くなるほど、反射率は低下してしまうものであった。これにより、十分なピール強度と反射率とを同時に備えるためには、被覆層２の厚みは１〜２５０μｍの範囲となるようにすることが好ましいと、判断される。
【００５８】
また、表面粗さの測定結果は、被覆層２の厚みによらず、いずれも約０．６μｍであった。
【００５９】
〔実施例２〕
実施例１と同様にして基材１を作製し、濃度を変更した水酸化ナトリウムに浸漬することで被覆層２のシリカ濃度が異なる複数の母基板４を得た。
【００６０】
この母基板４に対して、実施例１の場合と同様のピール強度測定を行った。この結果を図７に示す。
【００６１】
図示の結果のように、被覆層２中のアルミナ含有率が高いほど、ピール強度が高くなるものであり、高いピール強度を達成するためには、被覆層２中のアルミナ含有率は９９質量％以上であることが好ましいと判断される。
【００６２】
〔実施例３〕
実施例１と同様にして基材１を作製し、この基材１の表面に、大気中でＹＡＧレーザの第３高調波（ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ）を使用し、平均出力５Ｗ、スポット径４０μｍ、走査速度２００ｍｍ／ｓで、基材１の表面にレーザを直線状に５ｍｍ間隔で平行に走査した。これにより、レーザの照射箇所におけるシリカを溶出させて、被覆層２を形成した。
【００６３】
そして、上記のピール強度測定と同一の手法により、被覆層２を形成した箇所のみに金属導体層３を形成し、この金属導体層３のピール強度を測定したところ、１．２Ｎ／ｍｍであった。
【００６４】
また、実施例１と同様に反射率を測定したところ、反射率は７８％であった。
【００６５】
〔実施例４〕
実施例１における焼成時に、炉内温度を室温から１０時間かけて１６００℃まで昇温し、続いて１６００℃で１時間保持することで、焼結した後、更に続けて昇温速度１００℃／ｈで一時間かけて１７００℃まで昇温して加熱し、これにより基材１の表層からシリカを溶出させて、被覆層２を形成した（図８参照）。
【００６６】
この母基板４に対して、実施例１と同様の評価試験を行ったところ、ピール強度は１．３Ｎ／ｍｍ、反射率は７３％、表面粗さは０．３μｍであった。
【００６７】
〔比較例１〕
実施例１と同様にして作製した基材１に、被覆層２の形成を行わずに、ピール強度と反射率の測定を行ったところ、ピール強度は０．２Ｎ／ｍｍ、反射率は８０％であった。
【００６８】
この比較例１では、反射率は高いものの、ピール強度は極端に低く、実用に適さないものであり、これに対して上記の実施例１〜３ではピール強度と反射率が共に優れたものとなった。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】（ａ）から（ｃ）は本発明に係るセラミックス基板の製造工程の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態の一例を示す一部の断面図である。
【図３】本発明に係るセラミックス基板における導体配線の製造工程の一例を示すものであり、（ａ）から（ｃ）は破断した斜視図である。
【図４】（ａ）から（ｃ）は本発明に係るセラミックス基板の製造工程の他例を示す破断した斜視図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は図４に示す工程に続く工程を示す、破断した斜視図である。
【図６】実施例１における、被覆層の厚みを変更したサンプルについての、反射率とピール強度の測定結果をグラフである。
【図７】実施例２における、被覆層中のアルミナ含有率を変更したサンプルについての、ピール強度の測定結果を示すグラフである。
【図８】実施例４における焼成時の加熱条件を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７０】
１  基材
２  被覆層
３  金属導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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