(57)【要約】      （修正有）【課題】  記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることのできる光情報記録媒体及び該光情報記録媒体を用いた記録再生方法の提供。【解決手段】  凹状案内溝が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなる光情報記録媒体であって、前記反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状であり、かつ前記光情報記録媒体におけるプッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号が０．２５〜０．６０であることを特徴とする光情報記録媒体である。該反射層が、アルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有する態様が好ましい。【選択図】図２
2005302272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹状案内溝が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなる光情報記録媒体であって、前記反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状であり、かつ前記光情報記録媒体におけるプッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号が０．２５〜０．６０であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより記録及び再生の少なくともいずれかを行う請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の上底の長さ（ＣＬ）が９０〜２００ｎｍである請求項１から２のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ（ＢＬ）が２５ｎｍ以上である請求項１から３のいずれか記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
略逆台形状の下底の長さ（ＢＬ）が、次式、ＢＬ≧ＴＰ／１３（ただし、ＴＰはトラックピッチ（ｎｍ）を表す）の関係を満たす請求項４に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
反射層と記録層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ（ＵＬ）が１０ｎｍ以上である請求項１から５のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
略逆台形状の下底の長さ（ＵＬ）が、次式、ＵＬ≧ＴＰ／３２（ただし、ＴＰはトラックピッチ（ｎｍ）を表す）の関係を満たす請求項６に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
反射層の凹部の台形部における上底と下底を結ぶ面と上底及び下底とのなす角度θが、６０°以下である請求項１から７のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
反射層が、アルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有する請求項１から８のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
反射層の厚みが、２０〜２００ｎｍである請求項１から９のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１１】
記録層における有機色素の反射率が、記録及び再生の少なくともいずれかに用いる光の波長において８％以上である請求項１から１０のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１２】
有機色素がフタロシアニン系色素である請求項１から１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１３】
フタロシアニン系色素が、下記構造式で表される化合物である請求項１２に記載の光情報記録媒体。
【化１】
2005302272.tif 000081
ただし、前記構造式中、中心金属Ｍは、Ｃｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、及びＦｅから選択されるいずれかを表す。Ｒは、有機置換基を表す。
【請求項１４】
中心金属Ｍは、ＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、及びＣｏから選択されるいずれかを表し、Ｒは、Ｃ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−を表す請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１５】
中心金属Ｍは、Ｃｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、及びＦｅから選択されるいずれかを表し、Ｒは、下記構造式から選択されるいずれかを表す請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【化２】
2005302272.tif 000082
【請求項１６】
中心金属Ｍは、下記構造式で表される置換基であり、Ｒは、−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｈである請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【化３】
2005302272.tif 000083
ただし、前記構造式中、Ｃｐは、Ｆｅ（Ｃ５Ｈ５）２を表す。
【請求項１７】
中心金属Ｍは、Ｃｕを表し、Ｒは、−ＳＯ２Ｃ４Ｈ９を表す請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１８】
有機色素がアゾ系色素である請求項１から１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１９】
アゾ系色素が下記構造式で表される請求項１８に記載の光情報記録媒体。
【化４】
2005302272.tif 000084
【請求項２０】
有機色素が下記一般式（Ｉ）から（Ｖ）の少なくともいずれかで表される請求項１から１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【化５】
2005302272.tif 000085
【化６】
2005302272.tif 000086
ただし、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ａは置換基を有していてもよい芳香環を表し、ＢはＯＨ以外の置換基を有していてもよい芳香環を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは２〜６の整数を表す。Ｌは置換されてもよい２価の連結基または単結合を表す。ＶはＬ以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【化７】
2005302272.tif 000087
【化８】
2005302272.tif 000088
ただし、前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、ｐ及びｑは０乃至３の整数を表す。ｍは２〜６の整数を表す。Ｌは置換されてもよい２価の連結基または単結合を表す。ＶはＬ以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【化９】
2005302272.tif 000089
ただし、前記一般式（Ｖ）中、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、ｐ及びｑは０乃至３の整数を表す。ｍは２または３の整数を表す。Ｖは置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【請求項２１】
基板におけるトラックピッチが２００〜４００ｎｍ、案内溝の溝深さが１０〜１５０ｎｍ、及び案内溝の半値幅が５０〜２５０ｎｍである請求項１から２０のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２２】
表面保護層の透過率が、記録及び再生の少なくともいずれかに使用される光に対し８０％以上である請求項１から２１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２３】
請求項１から２２のいずれかに記載の光情報記録媒体における表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことを特徴とする記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことができるヒートモードによる追記型の光情報記録媒体（以下、「光記録媒体」、「情報記録媒体」と称することもある）及び該光情報記録媒体を用いた記録再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光により一回限りの情報の記録が可能な追記型の光情報記録媒体（追記型光ディスク、所謂ＣＤ−Ｒ）が知られている。その代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素を含有する記録層、反射層、及び表面保護層がこの順に積層されたものである。このＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）を照射することによって行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的又は化学的変化（例えば、ピットの生成）によりその部分の光学的特性が変化することにより情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）も記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化していない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することで行われている。
【０００３】
近年、記録密度のより高い光情報記録媒体が求められている。このような要望に対し、追記型デジタル・ヴァーサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが提案されている（非特許文献１参照）。このＤＶＤ−Ｒは、照射するレーザ光のトラッキングのための案内溝（プレグルーブ）がＣＤ−Ｒの半分以下という狭い溝幅（０．７４〜０．８μｍ）で形成された透明な円盤状基板上に、少なくとも有機色素を含有する記録層、反射層、及び表面保護層をこの順に積層したディスクを２枚、記録層を内側にして貼り合わせた構造、或いはこのディスクと同じ形状の円盤状保護基板とを記録層を内側にして貼り合わせた構造を有している。このＤＶＤ−Ｒへの情報の記録及び再生は、可視レーザ光（通常は、６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲の波長のレーザ光）を照射することにより行われており、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能である。
【０００４】
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も開始された。このような状況の下、画像情報を安価にかつ簡便に記録することができる大容量の記録媒体が必要とされている。前記ＤＶＤ−Ｒは、現状では大容量の記録媒体としての役割を十分に果たしているが、更に大容量化、高密度化の要求は高まる一方であり、これらの要求に対応できる記録媒体の開発が必要である。このため、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長の光で高密度の記録を行うことができる、より大容量の記録媒体の開発が進められている。
【０００５】
そこで、基板上に少なくとも反射層、有機色素を含む記録層を有する光情報記録媒体において、記録層側から反射層側に向けて波長５３０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、情報の記録及び再生を行う記録再生方法が数多く提案されている（特許文献１〜１５参照）。これらの方法では、ポルフィリン化合物、アゾ系色素、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素、トリメチンシアニン色素、ジシアノビニルフェニル骨格色素、クマリン化合物、ナフタロシアニン化合物等の有機色素を含有する記録層を備えた光ディスクに、青色（波長４３０ｎｍ、４８８ｎｍ）又は青緑色（波長５１５ｎｍ）のレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生を行っている。
【０００６】
ところで、追記可能なタイプや消去の可能な光情報記録媒体は、一般に情報の記録、消去、及び再生のためのトラック溝やデータ管理のための番地、同期信号等のフォーマットのための情報がプリピットとして基板上に形成されている（以下、これらトラック溝やプリピットを含む基板上に予め形成された情報を「プリフォーマット」と称することがある）。
前記光情報記録媒体における記録層の形成方法としては、例えば、蒸着やスパッタリング等の気相堆積法を用いる方法や湿式塗布法が知られている。これらの中でも、湿式塗布法は、記録層の形成ステップの低コスト化を図ることができるため、注目されている方法である。しかし、プリフォーマットが形成されている基板上に湿式塗布法によって記録層を設ける場合、基板の凹部に塗布液が溜るため塗布膜の膜厚を均一に形成することが困難である。例えば、有機色素を含有する記録層を湿式塗布法によって設けると、基板表面と基板凹部とで記録層の厚さが異なり、その結果、基板表面と基板凹部とで反射率が異なってしまうという問題がある。
【０００７】
また現在、前記従来技術に記載された光ディスクにおいては、反射層に銀（Ａｇ）を用いることで更なる反射率の向上が検討されているが、反射層に銀（Ａｇ）を用いると、銀（Ａｇ）が高価であるためコスト高になり、このような光ディスクを量産する場合に大きな課題となっている。また、形成条件によっては、銀（Ａｇ）からなる反射層は腐食に対して耐性が低いという問題もある。
【０００８】
したがって、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることができる安価でかつ高容量な光情報記録媒体は未だ得られておらず、その速やかな提供が望まれているのが現状である。
【０００９】
【特許文献１】特開平４−７４６９０号公報
【特許文献２】特開平７−３０４２５６号公報
【特許文献３】特開平７−３０４２５７号公報
【特許文献４】特開平８−１２７１７４号公報
【特許文献５】特開平１１−５３７５８号公報
【特許文献６】特開平１１−３３４２０４号公報
【特許文献７】特開平１１−３３４２０５号公報
【特許文献８】特開平１１−３３４２０６号公報
【特許文献９】特開平１１−３３４２０７号公報
【特許文献１０】特開２０００−４３４２３号公報
【特許文献１１】特開２０００−１０８５１３号公報
【特許文献１２】特開２０００−１１３５０４号公報
【特許文献１３】特開２０００−１４９３２０号公報
【特許文献１４】特開２０００−１５８８１８号公報
【特許文献１５】特開２０００−２２８０２８号公報
【非特許文献１】「日経ニューメディア」別冊「ＤＶＤ」、１９９５年発行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることができ、より高い記録密度を達成できる光情報記録媒体及び該光情報記録媒体を用いた記録再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  凹状案内溝が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなる光情報記録媒体であって、前記反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状であり、かつ前記光情報記録媒体におけるプッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号が０．２５〜０．６０であることを特徴とする光情報記録媒体である。該＜１＞に記載の光情報記録媒体においては、反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状とすることにより、乱れた信号波形の発生が抑えられる。すなわち、これまでのＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ―Ｒでは、反射層は、基板上に積層した色素層上に、反射層を積層することとしており、略台形状を成さずに、不定形な形状となっていたことから、プッシュプル信号にムラが生じていた。それに対して本発明では、基板上に反射層を成膜するため、略逆台形状とすることができる。その結果、乱れた信号波形の発生が抑えられ、優れたコントラストの信号を得ることができ、また、光情報記録媒体の記録領域の中央部と周辺部での再生信号のコントラストの不均一を抑えることができる。
【００１２】
＜２＞  表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより記録及び再生の少なくともいずれかを行う前記＜１＞に記載の光情報記録媒体である。
＜３＞  基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の上底の長さ（ＣＬ）が９０〜２００ｎｍである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
＜４＞  基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ（ＢＬ）が２５ｎｍ以上である前記＜１＞から＜３＞のいずれか記載の光情報記録媒体である。
＜５＞  略逆台形状の下底の長さ（ＢＬ）が、次式、ＢＬ≧ＴＰ／１３（ただし、ＴＰはトラックピッチ（ｎｍ）を表す）の関係を満たす前記＜４＞に記載の光情報記録媒体である。
＜６＞  反射層と記録層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ（ＵＬ）が１０ｎｍ以上である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
＜７＞  略逆台形状の下底の長さ（ＵＬ）が、次式、ＵＬ≧ＴＰ／３２（ただし、ＴＰはトラックピッチ（ｎｍ）を表す）の関係を満たす前記＜６＞に記載の光情報記録媒体である。
＜８＞  反射層の凹部の台形部における上底と下底を結ぶ面と上底及び下底とのなす角度θが、６０°以下である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
前記＜３＞から＜８＞のいずれかに記載の光情報記録媒体においては、光ビームで該プリフォーマットを走査したときに反射層の凸部と凹部での膜厚差によって得られる反射率差と該凹部と凸部との段差により得られる位相差、更に凹部斜面での光の回折等の要因が総合的に作用した結果として得られる反射率変化ができるだけ大きくかつそれが安定して得られる。
【００１３】
＜９＞  反射層が、アルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有する前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。該＜９＞に記載の光情報記録媒体においては、反射層がアルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有し、良好なコントラストが得られる反射層の断面形状を選択することによってコストの低減を図れると共に、優れた記録特性を有する。
【００１４】
＜１０＞  反射層の厚みが、２０〜２００ｎｍである前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
＜１１＞  記録層における有機色素の反射率が、記録及び再生の少なくともいずれかに用いる光の波長において８％以上である前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
【００１５】
＜１２＞  有機色素がフタロシアニン系色素である前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
＜１３＞  フタロシアニン系色素が、下記構造式で表される化合物である前記＜１２＞に記載の光情報記録媒体である。
【化１０】
2005302272.tif 000003
ただし、前記構造式中、中心金属Ｍは、Ｃｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、及びＦｅから選択されるいずれかを表す。Ｒは、有機置換基を表す。
＜１４＞  中心金属Ｍは、ＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、及びＣｏから選択されるいずれかを表し、Ｒは、Ｃ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−を表す前記＜１３＞に記載の光情報記録媒体である。
＜１５＞  中心金属Ｍは、Ｃｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、及びＦｅから選択されるいずれかを表し、Ｒは、下記構造式から選択されるいずれかを表す前記＜１３＞に記載の光情報記録媒体である。
【化１１】
2005302272.tif 000004
＜１６＞  中心金属Ｍは、下記構造式で表される置換基であり、Ｒは、−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｈである前記＜１３＞に記載の光情報記録媒体である。
【化１２】
2005302272.tif 000005
ただし、前記構造式中、Ｃｐは、Ｆｅ（Ｃ５Ｈ５）２を表す。
＜１７＞  中心金属Ｍは、Ｃｕを表し、Ｒは、−ＳＯ２Ｃ４Ｈ９を表す前記＜１３＞に記載の光情報記録媒体である。
【００１６】
＜１８＞  有機色素がアゾ系色素である前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
＜１９＞  アゾ系色素が下記構造式で表される前記＜１８＞に記載の光情報記録媒体である。
【化１３】
2005302272.tif 000006
【００１７】
＜２０＞  有機色素が下記構造式（Ｉ）から（Ｖ）の少なくともいずれかで表される前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
【化１４】
2005302272.tif 000007
【化１５】
2005302272.tif 000008
ただし、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ａは置換基を有していてもよい芳香環を表し、ＢはＯＨ以外の置換基を有していてもよい芳香環を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは２〜６の整数を表す。Ｌは置換されてもよい２価の連結基または単結合を表す。ＶはＬ以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【化１６】
2005302272.tif 000009
【化１７】
2005302272.tif 000010
ただし、前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、ｐ及びｑは０乃至３の整数を表す。ｍは２〜６の整数を表す。Ｌは置換されてもよい２価の連結基または単結合を表す。ＶはＬ以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【化１８】
2005302272.tif 000011
ただし、前記一般式（Ｖ）中、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、ｐ及びｑは０乃至３の整数を表す。ｍは２または３の整数を表す。Ｖは置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【００１８】
＜２１＞  基板におけるトラックピッチが２００〜４００ｎｍ、案内溝の溝深さが１０〜１５０ｎｍ、及び案内溝の半値幅が５０〜２５０ｎｍである前記＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
＜２２＞  表面保護層の透過率が、記録及び再生の少なくともいずれかに使用されるレーザー光に対し８０％以上である前記＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
【００１９】
＜２３＞  前記＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の光情報記録媒体における表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことを特徴とする記録再生方法である。該＜２３＞に記載の記録再生方法においては、前記本発明の光情報記録媒体における表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射する。その結果、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号が得られ、より高い記録密度を達成できる。ここで、コントラストとは、レーザ光の反射が少なく暗部となっている凹状案内溝と、該レーザ光の反射の多く明部となっているランドとの関係を意味し、優れたコントラストとは、良好にトラッキングがかかることを意味する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、反射層がアルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有し、良好なコントラストが得られる反射層の断面形状を選択することによってコストの低減を図れると共に、優れた記録特性を有する光情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（光情報記録媒体）
本発明の光情報記録媒体は、凹状案内溝（グルーブ）が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなり、バリア層、接着層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
この場合、前記光情報記録媒体は、表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより記録及び再生の少なくともいずれかを行うものである。
【００２２】
前記光情報記録媒体は、プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号が０．２５〜０．６０であることが必要であり、０．５〜０．６が好ましい。前記プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号が０．２５未満であると、グルーブから得られる信号とランドから得られる信号の比が小さいため、その位置が正確にわからずトラッキングをかけることができないことがあり、０．６０を超えると、ディテクターが感知できる電圧値を超えてしまい、きれいな正弦波が得られないため、トラッキングがかけられないことがある。
ここで、前記プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号は、例えば、光情報記録媒体にフォーカスをかけた状態でトラックをクロスするシグナルの山ｌ１と谷ｌ２の信号を光ディスク評価機（ＤＤＵ１０００、パルステック工業社製）で測定し、次式、プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号＝（ｌ１−ｌ２）／（ｌ１＋ｌ２）から算出することができる。
【００２３】
前記反射層は、前記基板における凹状案内溝（プリグルーブ）に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が、上底が下底よりも長い略逆台形状である。
ここで、図１及び図２は、本発明の一実施態様に係る光情報記録媒体のトラック横断方向の模式的断面図を示す。図１中、１は光情報記録媒体、２は基板でありその表面には凹形状のプリフォーマット、例えば、トラッキングトラック７が形成されている。基板２のプリフォーマットが形成されている表面にはスパッタ法又は蒸着法によって反射層３が形成され、反射層上に湿式塗布法によって、記録層４が形成され、更に、バリア層５及び接着層６を介して表面保護層８がこの順に積層されている。
【００２４】
図２は、図１の光情報記録媒体の部分断面拡大図である。光情報記録媒体１の凹状の反射層３は、図２に示すようにトラック横断方向の断面形状が、台形部であり、該台形部は基板／反射層界面の下底の長さ（ＢＬ）、基板／反射層界面の上底の長さ（ＣＬ）、及び反射層／記録層界面の台形部の下底（ＵＬ）に関して、下底の長さが上底よりも短い、所謂略逆台形状である。このような略逆台形状とすることにより乱れた信号波形の発生が抑えられ、その結果、優れたコントラストの信号を得ることができ、また、光情報記録媒体の記録領域の中央部と周辺部での再生信号のコントラストの不均一を抑えることができる。
【００２５】
前記プリフォーマット凹部の形状は台形部の斜面の角度（θ）、該凹部の深さ（ｄ）、即ち、基板／反射層界面の深さ（ｄ１）及び反射層／記録膜界面の深さ（ｄ２）、更には該凹部の下底の長さ（ＵＬ）、下底の長さ（ＢＬ）、上底の長さ（ＣＬ）によって規定される。これらはプリフォーマット再生信号のコントラストを制御するものである。即ち、例えば、台形部の斜面上に形成された反射層の再生光ビームがプリフォーマット凹部を横断する際に該再生光を回折させる。因って角度（θ）はその回折の程度を規定する。
【００２６】
更にまた、該凹部の幅ＢＬに対する該矩形部の幅ＵＬの割合は、該プリフォーマット凹部内で反射層が最も低い反射率を示す領域の割合を規定するものであり、この割合もまたプリフォーマット再生信号のコントラストに影響を与えるものである。
【００２７】
従って、該凹部の角度（θ）、深さ（ｄ）、及び幅（ＵＬ、ＢＬ、ＣＬ）は、光ビームで該プリフォーマットを走査したときに反射層の凸部と凹部での膜厚差によって得られる反射率差と該凹部と凸部との段差により得られる位相差、更に凹部斜面での光の回折等の要因が総合的に作用した結果として得られる反射率変化ができるだけ大きくかつそれが安定して得られるような値とすることが好ましい。そして、例えば、プリフォーマット凹部の幅ＢＬ、ＵＬ、及びＣＬは、以下の条件を満たすことが高品質の光情報記録媒体を得る上で好適である。
【００２８】
前記基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の上底の長さ（ＣＬ）は９０〜２００ｎｍが好ましく、１４０〜１８０ｎｍがより好ましい。
前記基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ（ＢＬ）は２５ｎｍ以上が好ましく、８５〜１５０ｎｍがより好ましい。
前記略逆台形状の下底の長さ（ＢＬ）は、次式、ＢＬ≧ＴＰ／１３（ただし、ＴＰはトラックピッチ（ｎｍ）を表し、２００〜４００ｎｍが好ましい）の関係を満たすことが好ましく、ＢＬ≧ＴＰ／３．７がより好ましい。
前記反射層と記録層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ（ＵＬ）は１０ｎｍ以上が好ましく、８５〜１２０ｎｍがより好ましい。
前記略逆台形状の下底の長さ（ＵＬ）は、次式、ＵＬ≧ＴＰ／３２（ただし、ＴＰはトラックピッチ（ｎｍ）を表し、２００〜４００ｎｍが好ましい）の関係を満たすことが好ましく、ＵＬ≧ＴＰ／３．７がより好ましい。
【００２９】
また、前記プリフォーマット凹部の幅（ＣＬ）は、記録再生システムの構成、例えば、トラッキングシステムの構成等によって異なるが通常、記録再生に用いる装置の光学系、具体的には光情報記録媒体上での記録再生光ビームのスポット径（φ）との間で下記数式１の関係を満たすことが好ましい。
＜数式１＞
０．２３＜（ＣＬ／スポット径（φ））＜０．５２
例えば、光ビームの光情報記録媒体上でのスポット径（φ）が４００±１５ｎｍの場合、プリフォーマット凹部の幅（ＣＬ）は８８．５５〜２１５．８ｎｍが好ましく、１００〜２００ｎｍがより好ましく、１４０〜１８０ｎｍが更に好ましい。
【００３０】
前記反射層の凹部の台形部における上底と下底を結ぶ面と上底及び下底とのなす角度（θ）（前記台形部の斜面と該基板の表面とがなす角度（θ））は、６０°以下が好ましく、１５〜６０°がより好ましく、３０〜６０°が更に好ましく、４０〜６０°が特に好ましい。前記角度（θ）が、上記範囲内とすることにより光ビームでプリフォーマットを走査した場合、前記記録層との干渉により異なり一概に規定できないが、前記反射層が実質的に最も低い反射率を示す膜厚を安定して形成することができ、また、該台形部の斜面に形成される反射層の形状も該プリフォーマットからの該光ビームの反射率を急峻に低下させることができるような形状とすることができる。その結果、高いコントラストを安定的に確保することができ、また、トラックの引き込みの際に有利となる。なお、前記なす角度（θ）は、図２において、上底と下底を結ぶ面と上底との接点を結んだ線とのなす角度（θ２）、上底と下底を結ぶ面と下底との接点を結んだ線とのなす角度（θ１）を意味する。
【００３１】
また、前記台形部の斜辺の角度（θ）によるが、例えば、角度（θ）が１５〜６０°の場合には深さ（ｄ）は５〜８０ｎｍ、更には角度（θ）が３０〜６０°の場合には２０〜６０ｎｍとし、特に角度（θ）が４０〜６０°の場合には４０〜６０ｎｍとし、かつ角度（θ）を上記の範囲とした場合、コントラストを向上させることができる。
【００３２】
ここで、図１は、本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体は、透明な基板２の表面には凹形状のプリフォーマット、例えば、トラッキングトラック７が形成されている。この基板２上に反射層３、記録層４、バリア層５、及び接着層６を備え、最後に表面保護層８を貼り合わせた層構成となっている。
以下、各層について具体的に説明する。
【００３３】
−基板−
前記基板２としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；ポリメチルペンテン、非晶質ポリオレフィン等の透明樹脂材料（好ましくはガラス転移温度（Ｔｇ）が１００〜２００℃）、アルミニウム等の金属；等が挙げられ、所望によりこれらを併用してもよい。また、これらを所望の形状に成形し、その片面にアドレス情報等の所望のプリフォーマットパターンを転写したものや、所望の形状に形成されたガラス等の透明セラミックス板の片面にアドレス情報等の所望のプリフォーマットパターンが転写された透明樹脂層を密着したものなど、公知に属する任意の透明基板を用いることができる。
これらの中でも、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンが好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
前記基板の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．８〜１．４ｍｍが好ましい。
【００３４】
前記基板は、中心部にセンタ孔を有する円盤状に形成される。なお、前記基板は、射出成形又は押出成形などの公知の方法で成形することができる。
【００３５】
前記プリフォーマットパターンは、少なくとも再生用レーザビームを記録トラックに追従させるためのビーム案内部を含んで構成される。そのための形態としては、凹又は凸形状のエンボスピット方式、或いは、情報に応じてグルーブ部やランド部の幅を変調するウォーブル方式が可能である。ウォーブル方式としては、グルーブ部の内周側又は外周側の一方又は両方の側面を蛇行させる方式を採用することができる。
図１及び図２では、ビーム案内部が、センタ孔と同心の渦巻状又は同心円状に形成された案内溝をもって構成されており、該案内溝に沿って、アドレスピットやクロックピット等のプリピットが形成されている。
前記プリピットが案内溝上に重ねて形成される場合には、両者を光学的に識別できるようにするため、案内溝とプリピットとをそれぞれ異なる深さに形成する。プリピットが相隣接する案内溝の間に形成される場合には、両者を同じ深さに形成することもできる。
【００３６】
前記プレグルーブは、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材料を射出成形又は押出成形する際に、直接基板上に形成されることが好ましい。また、前記プレグルーブの形成を、プレグルーブ層を設けることにより行ってもよい。前記プレグルーブ層の材料としては、例えば、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのうちの少なくとも一種のモノマー（又はオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。
前記プレグルーブ層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパ）上に上記のアクリル酸エステル及び重合開始剤からなる混合液を塗布し、更に、この塗布液層上に基板を載せた後、基板又は母型を介して紫外線を照射するにより塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。次いで、基板を母型から剥離することにより得ることができる。
前記プレグルーブ層の層厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．０１〜１００μｍが好ましく、０．０５〜５０μｍがより好ましい。
【００３７】
前記基板２は、より高い記録密度を達成するためにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べて、より狭いトラックピッチのプレグルーブが形成された基板を用いることが好ましい。前記基板のプレグルーブのトラックピッチは、２００〜４００ｎｍが好ましく、２５０〜３５０ｎｍがより好ましい。また、案内溝の溝深さは１０〜１５０ｎｍが好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ましく、３０〜８０ｎｍが更に好ましい。また、案内溝の半値幅は、５０〜２５０ｎｍが好ましく、１００〜２００ｎｍがより好ましい。
【００３８】
−反射層−
前記反射層３に用いる材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、銀、銅などの金属又はこれらを主成分とする合金を使用することができる。従来の反射層は、銀、金又はこれらの合金を主成分とする合金を用いることが一般的であったが、本発明においては、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）に比べて安価であるアルミニウム又はアルミニウム合金を使用することが好ましい。
前記アルミニウム又はアルミニウム合金からなる反射層は、レーザ光に対する反射率が５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、８０％以上が更に好ましい。
【００３９】
前記反射層に用いられるアルミニウム又はアルミニウム合金としては、工業用アルミニウムとして用いられる純度９９．０％以上の純アルミニウム、又はアルミニウムを主成分として微量の異元素を含む合金が好適であり、特に反射率の観点から純アルミニウムであることが好ましい。
前記アルミニウム合金に含まれる微量の異元素としては、元素周期表に記載されているものの中から選択される１種以上の元素を０．１〜１０質量％の範囲で含有することが好ましい。前記アルミニウム合金に含まれる異元素としては、例えば、珪素（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などが挙げられる。これらの中でも、反射率を低減させることのない１質量％以下のＳｉ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕなどが好適である。更に反射層材料として、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＴｌから選択される少なくとも１種の元素、又はこれらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化物を含有することが好ましい。前記酸化物などの具体例としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＺｎＯ２、などが挙げられる。
【００４０】
前記アルミニウム及びアルミニウム合金は、蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングにより基板上に反射層として形成することができる。これらの中でも、前記反射層はスパッタリングにより形成されることが好ましい。
【００４１】
以下、スパッタリングを用いた本発明の光情報記録媒体の反射層の形成方法について、詳細に説明する。
前記スパッタリングに用いる放電用ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）が好ましく用いられる。スパッタリングの条件としては、Ａｒ流量１〜５０ｓｃｃｍ、パワー０．５〜１０ｋＷ、成膜時間０．１〜３０秒の範囲が好ましく、Ａｒ流量３〜２０ｓｃｃｍ、パワー１〜７ｋＷ、成膜時間０．５〜１５秒の範囲がより好ましく、Ａｒ流量４〜１０ｓｃｃｍ、パワー２〜６ｋＷ、成膜時間１〜５秒の範囲が更に好ましい。なお、前記スパッタリングの条件は、Ａｒ流量、パワー、及び成膜時間の少なくとも１つが上記範囲にあることが好ましく、２つ以上が上記範囲にあることがより好ましく、すべての条件が上記範囲にあることが特に好ましい。このようなスパッタリング条件で反射層を形成することで、反射率の向上や耐腐食性の更なる向上が図られ、優れた記録特性を有する光情報記録媒体を得ることができる。
前記反射層の成膜速度は、６〜９５ｎｍ／ｓが好ましく、７〜９０ｎｍ／ｓがより好ましく、８〜８０ｎｍ／ｓが更に好ましい。前記成膜速度が、６ｎｍ／ｓ未満であると、スパッタ中に酸素が入りやすくなり、酸化により反射率が低下したり、反射層の耐腐食性が低下することがあり、９５ｎｍ／ｓを超えると、温度上昇が大きくなり、基板に反りが発生することがある。
なお、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、密度又は結晶化の状態の違う膜を形成して反射層の反射率を高くする技術を適用することもできる。
【００４２】
前記反射層の層厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０〜２００ｎｍが好ましく、３０〜１８０ｎｍがより好ましく、３５〜１６０ｎｍが更に好ましい。前記層厚が２０ｎｍ未満であると、所望の反射率が得られない問題や保存時に反射率が低下する問題、更に、記録振幅が十分にとれない問題を生じることがある。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、面状が粗れ、反射率が低下することがある。
【００４３】
−記録層−
前記記録層４は、記録再生用レーザ光波長における反射率が４％以上、特に８％以上となるように材料や膜厚を選択することが好ましい。前記反射率が４％未満であると、トラッキング等に不具合が発生して良好な記録が困難となることがある。ここで、前記反射率とは、石英基板上に記録層をスピンコート法で成膜し、例えば、株式会社島津製作所製ＵＶ−２５００（ＰＣ）ＳＧＬＰを用いて測定した、絶対反射率を意味する。
【００４４】
前記記録層は、有機色素を少なくとも含有し、該有機色素を分散可能な樹脂、結合剤、及び褐色防止剤、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【００４５】
前記有機色素としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、色素ハンドブック（講談社、１９８６年３月２０日発行、第１刷、編者：大河原信、他）第５４７〜５５０頁記載の波長３８１〜４３５ｎｍの範囲に吸収を示す材料及びその誘導体などが挙げられ、例えば、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ダイオキシディン系色素、トリフェノジチアジン系色素、フェナントレン系色素、シアニン系色素、ジカルボシアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム系色素、ポルフィリン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染料、アゾ染料、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ポリエン系色素、ベーススチリル系色素、ホルマザンキレート系色素、クロコニウム系色素、インジゴイド系色素、メチン系色素、スルファイド系色素、メタンジチオールレート系色素、又はこれらの誘導体、等が挙げられ、これらの中でも、シアニン系色素又はその誘導体、ジカルボシアニン系色素又はその誘導体、フタロシアニン色素又はその誘導体、ナフタロシアニン系色素又はその誘導体、アゾ染料又はその誘導体が特に好適に用いられる。なお、アミニウム系色素などの各種クエンチャを添加した色素材料を用いることもできる。
【００４６】
前記フタロシアニン色素又はその誘導体としては、次のようなメタルフタロシアニン色素（以下、「ＭＰｃ」と称することがある）が挙げられる。なお、多数の式中に使用される同一の符号は同一の置換基を表すので、一度だけ記載することにした。
ＭＰｃ−Ｒｎ（Ｒ＝アルキル基、シクロアルキル基、オキサアルキル基）、ＭＰｃ−（ＸＲ）ｎ（Ｘ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）、ＭＰｃ−（Ａｒ）ｎ（Ａｒ＝アリール基）、ＭＰｃ−（ＹＡｒ）ｎ（Ｙ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ）、ＭＰｃ−（ＳＯ３Ｍ）ｎ（Ｍ＝Ｈ、金属イオン）、ＭＰｃ−（ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２）ｎ（Ｒ１、Ｒ２＝Ｈ、アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＣＯＯＭ）ｎ（Ｍ＝金属イオン）、ＭＰｃ−（ＣＯＺ）ｎ（Ｚ＝Ｒ、ＯＲ、ＮＲ１Ｒ２）、ＭＰｃ−（ＮＲ１Ｒ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＮＲ１−ＣＯＲ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＳｉＮＲ１Ｒ２Ｒ３）ｎ（Ｒ３＝アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＮＯ２）ｎ、ＭＰｃ−Ｆｎなどが挙げられる。
【００４７】
前記色素の中心金属Ｍとしては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、ＶＯ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、などが挙げられる。
【００４８】
これらの中でも、下記構造式で表されるものが好適である。
【化１９】
2005302272.tif 000012
【００４９】
前記構造式中、中心金属Ｍは、Ｃｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｆｅのいずれかが好適である。Ｒは、下記表１〜表７に示すものが挙げられる。但し、表７に示した化合物のＭは、表に記載した通りの有機置換基を有するものである。また、表１〜表７中、（１／４）とあるのは、４個のＲのうち１個がその置換基であることを意味し、同様に（２／４）（３／４）（４／４）とあるのは、２〜４個がその置換基であることを意味する。また（１／３）とあるのは、４個のＲのうち一個は水素であり、残りの３個のＲのうち１個がその置換基であることを意味し、同様に（２／３）とあるのは、２個がその置換基であることを意味する。また、上記のような表示がないものは、４個のＲが全てその置換基であることを意味する。
【００５０】
【表１】
2005302272.tif 000013
【００５１】
【表２】
2005302272.tif 000014
【００５２】
【表３】
2005302272.tif 000015
【００５３】
【表４】
2005302272.tif 000016
【００５４】
【表５】
2005302272.tif 000017
【００５５】
【表６】
2005302272.tif 000018
【００５６】
【表７】
2005302272.tif 000019
【００５７】
これらの中でも、特に上記フタロシアニン中でも下記のフタロシアニンは変調度が大きく、良好な記録を達成できる。
中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲがＣ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。
中心金属ＭがＣｕ、ＶＯ、Ｎｉ、Ｈ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｆｅの何れかであり、４個のＲが下記構造式から選択されるいずれかで表されるものである。
【００５８】
【化２０】
2005302272.tif 000020
中心金属Ｍが下記構造式で表れる置換基であり、４個のＲが−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｈである。
【００５９】
【化２１】
2005302272.tif 000021
ただし、前記構造式中、Ｃｐは、Ｆｅ（Ｃ５Ｈ５）２を表す。
【００６０】
中心金属がＭであり、４個のＲが−ＳＯ２Ｃ４Ｈ９である。
中心金属ＭがＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲが下記構造式で表されるものである。
【００６１】
【化２２】
2005302272.tif 000022
【００６２】
また、下記式に示すポルフィリン系色素も変調度が大きく、良好な記録が達成できる。膜厚は１０〜１００ｎｍが好適であり、１０ｎｍより薄いと吸収率が少なくなり問題である。また、膜厚が１００ｎｍを超えると、良好な記録を達成できないことがある。
【００６３】
【化２３】
2005302272.tif 000023
ただし、各式中、Ｘ１〜Ｘ２はそれぞれ独立に窒素原子又はＣＨ基を示し、Ｒ１からＲ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の置換又は無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換又は無置換のアリール基、水酸基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、アミノ基又はアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、置換又は無置換のカルボン酸エステル基、置換及び無置換のカルボン酸アミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン酸基、置換又は無置換のスルホン酸エステル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又は無置換のシリル基及びシロキシ基から選択される。また中心金属Ｍは、遷移金属を示し、電荷を有してカチオン塩構造をとっても良い。
【００６４】
特に、下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有していると優れた効果を発揮する。そして、波長３００ｎｍ〜５００ｎｍ及び／又は５００ｎｍ〜７００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して記録再生が可能である。中でも、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍ及び／又は６００ｎｍ〜７００ｎｍ、更には波長３３９ｎｍ〜４３５ｎｍ及び／又は６３５ｎｍ〜６７０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られる追記型光記録媒体である。
【００６５】
【化２４】
2005302272.tif 000024
ただし、前記一般式（１）中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいピロール環骨格を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つが置換基を有していてもよいメチン基である。Ｍは、２個の水素原子、置換基又は配位子を有していてもよい２〜４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。
【００６６】
前記一般式（１）で表される化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な有機色素である。
また、前記一般式（１）における置換基を有していてもよいピロール環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基又はヘテロアリール基等が挙げられる。
【００６７】
また、前記一般式（１）のアザポルフィリン骨格のメソ位に位置する置換基を有していてもよいメチン基Ｘ、Ｙ、Ｚの置換基の具体例としては、それぞれ式（１４）、式（１５）、式（１６）で示される置換していてもよいメチン基等が挙げられる。
【００６８】
【化２５】
2005302272.tif 000025
ただし、式中、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを示す。
【００６９】
また、上記ピロール環の置換基、及びＸ、Ｙ、Ｚで表されるメチン基上の置換基は、連結基を介してピロール環上の各置換基同士で、或いはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上の置換基とで連結していてもよく、具体的には脂肪族縮合又は芳香族縮合による環の形成、或いは連結基としてヘテロ原子又は金属錯体残基等のヘテロ原子を含む複素環の形成等が挙げられる。
更に、前記一般式（１）のＭの具体例としては、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子等が挙げられる。
【００７０】
前記一般式（１）で表される化合物の好ましい例としては、次の一般式（２）〜（８）で表される化合物が挙げられる。
【化２６】
2005302272.tif 000026
ただし、式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基」、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、置換又は無置換の「アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基」、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、置換又は無置換の「アシルオキシ基、ヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｌ１は窒素原子又はＣ−Ｒ９（Ｒ９は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ２は窒素原子又はＣ−Ｒ１０（Ｒ１０は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ３は、窒素原子又はＣ−Ｒ１１（Ｒ１１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ１〜Ｌ３のうち、少なくとも１つはメチン基を表し、Ｒ１〜Ｒ１１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ１は２個の水素原子、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。
【００７１】
【化２７】
2005302272.tif 000027
ただし、式中、Ｒ１２〜Ｒ１９はそれぞれ独立に、前記一般式（２）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ２０、Ｒ２１はそれぞれ独立に、前記一般式（２）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ１２〜Ｒ２１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ２は前記一般式（２）のＭ１と同一の物質を表す。これらの中でも、Ｒ２０、Ｒ２１が置換又は無置換のフェニル基のものが好ましい。
【００７２】
【化２８】
2005302272.tif 000028
ただし、式中、Ｒ２２〜Ｒ２９はそれぞれ独立に、前記一般式（２）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ３０〜Ｒ３２はそれぞれ独立に、前記一般式（２）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ２２〜Ｒ３２の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ３は前記一般式（２）のＭ１と同一の物質を表す。これらの中でも、Ｒ３０〜Ｒ３２が置換又は無置換のフェニル基も好ましく用いられる。
【００７３】
【化２９】
2005302272.tif 000029
ただし、式中、Ｒ３３〜Ｒ４４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３５とＲ３６は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１はそれぞれ独立にメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１のうち少なくとも２つが窒素原子であり、Ｍ４は前記一般式（２）のＭ１と同一の物質を表す。
【００７４】
【化３０】
2005302272.tif 000030
ただし、式中、Ｒ４５〜Ｒ５６はそれぞれ独立に、前記一般式（５）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４７とＲ４８は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ５は前記一般式（２）のＭ１と同一の物質を表す。
【００７５】
【化３１】
2005302272.tif 000031
ただし、式中、Ｒ５７〜Ｒ６８はそれぞれ独立に、前記一般式（５）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ５７とＲ５８、Ｒ５９とＲ６０は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ６は前記一般式（２）のＭ１と同一の物質を表す。
【００７６】
【化３２】
2005302272.tif 000032
ただし、式中、Ｒ６９〜Ｒ８０はそれぞれ独立に、前記一般式（５）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ６９とＲ７０、Ｒ７１とＲ７２は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ７は前記一般式（２）のＭ１と同一の物質を表す。
【００７７】
下記一般式（９）で表されるマレオニトリルと下記一般式（１０）で表されるアセトフェノンとハロゲン化金属及び／又は金属誘導体と反応させることにより製造される下記一般式（１１）で表されるアザポルフィリン化合物の混合物（ここでいう混合物とは、原料のマレオニトリル及びアセトフェノンの結合の仕方により生成する構造異性体の混合物のことである）。
【００７８】
【化３３】
2005302272.tif 000033
ただし、式中、Ｒ８１〜Ｒ８６はそれぞれ独立に、前記一般式（５）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ８１とＲ８２は連結基を介して、置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｑはハロゲン原子又はシアノ基を表す。
【００７９】
前記一般式（２）で表されるアザポルフィリン化合物において、Ｒ１〜Ｒ８がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキル基である場合の具体例としては、次の（イ）〜（オ）の基が挙げられる。
【００８０】
（１）  メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの炭素数１〜１５の無置換の直鎖、分岐又は環状のアルキル基。
【００８１】
（２）  クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した炭素数１〜１０のアルキル基。
【００８２】
（３）  ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒドロキシル基で置換した炭素数１〜１０のアルキル基。
【００８３】
（４）  ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基。
【００８４】
（５）  ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基。
【００８５】
（６）  シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基。
【００８６】
（７）  メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基。
【００８７】
（８）  メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基。
【００８８】
（９）  メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基。
【００８９】
（１０）  ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基。
【００９０】
（１１）  ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基。
【００９１】
（１２）  ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基。
【００９２】
（１３）  アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基。
【００９３】
（１４）  メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基。
【００９４】
（１５）  フェノキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアルキル基。
【００９５】
（１６）  ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基などのアラルキルオキシカルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアルキル基。
【００９６】
（１７）  ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０のアルキル基。
【００９７】
（１８）  メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基などのアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基。
【００９８】
（１９）  メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基。
【００９９】
（２０）  ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換した炭素数３〜２０のアルキル基。
【０１００】
（２１）  アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基。
【０１０１】
（２２）  メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基。
【０１０２】
（２３）  メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基。
【０１０３】
（２４）  ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数７〜１２のアルキル基。
【０１０４】
（２５）  チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアルキル基。
【０１０５】
（２６）  フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基。
【０１０６】
（２７）  コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル−ｎ−デシル基。
【０１０７】
（２８）  ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基。
【０１０８】
（２９）  ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルキル基。
【０１０９】
（３０）  フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基。
【０１１０】
（３１）  コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基。
【０１１１】
（３２）  ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基。
【０１１２】
（３３）  ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニルアルキルオキシ基で置換した素数１２〜３０のアルキル基。
【０１１３】
（３４）  フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基。
【０１１４】
（３５）  コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基。
【０１１５】
（３６）  ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基。
【０１１６】
（３７）  ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基。
【０１１７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等である。
【０１１８】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシ基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基などの炭素数６〜１８のアリールオキシ基である。
【０１１９】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−ブテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基である。
【０１２０】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキルチオ基である。
【０１２１】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等である。
【０１２２】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールチオ基が挙げられ、好ましいのは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などである。
【０１２３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基などである。
【０１２４】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（１）〜（５）の基である。
（１）  メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、（２−エチルヘキシル）アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基。
【０１２５】
（２）  ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、（３−フェニルプロピル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−イソプロピルベンジル）アミノ基、（４−メチルベンジル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−アリルベンジル）アミノ基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノ基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基。
【０１２６】
（３）  アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、４−メチルアニリノ基、４−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オクタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジルコノセニルアミノ基など、素数６〜１０のモノアリールアミノ基。
【０１２７】
（４）  ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニルアミノ基。
【０１２８】
（５）  ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオペンチルカルボニルアミノ基、２−メチルブチルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイルアミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルアミノ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニルアミノ基、コバルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニルアミノ基などの炭素数１〜１６のアシルアミノ基等のアミノ基。
【０１２９】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（１）〜（６）の基である。
【０１３０】
（１）  ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）アミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基。
【０１３１】
（２）  ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基。
【０１３２】
（３）  ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基。
【０１３３】
（４）  ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス（シクロペンタジエニル）アミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノ基などの炭素数４〜１２のジアルケニルアミノ基。
【０１３４】
（５）  ジホルミルアミノ基、ジ（メチルカルボニル）アミノ基、ジ（エチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｓｅｃ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ネオペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（２−メチルブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ベンゾイル）アミノ基、ジ（メチルベンゾイル）アミノ基、ジ（エチルベンゾイル）アミノ基、ジ（トリルカルボニル）アミノ基、ジ（プロピルベンゾイル）アミノ基、ジ（４−ｔ−ブチルベンゾイル）アミノ基、ジ（ニトロベンジルカルボニル）アミノ基、ジ（３−ブトキシ−２−ナフトイル）アミノ基、ジ（シンナモイル）アミノ基、コハク酸イミノ基などの炭素数２〜３０のジアシルアミノ基。
【０１３５】
（６）  Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−メチル−フェロセニルアミノ基、Ｎ−エチル−コバルトセニルアミノ基、Ｎ−ブチル−ニッケロセニルアミノ基、Ｎ−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基など等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数３〜２４のジ置換アミノ基。
【０１３６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基などの炭素数１〜１６のアシル基である。
【０１３７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（１）〜（７）の基である。
【０１３８】
（１）  メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基。
【０１３９】
（２）  メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基。
【０１４０】
（３）  メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニル基。
【０１４１】
（４）  フェロセニルメトキシカルボニル基、フェロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキシカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチルオキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカルボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フェロセニルデシルオキシカルボニル基。
【０１４２】
（５）  コバルトセニルメトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペンチルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセニルデシルオキシカルボニル基。
【０１４３】
（６）  ニッケロセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロセニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルデシルオキシカルボニル基。
【０１４４】
（７）  ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカルボニル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシカルボニル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルコキシカルボニル基。
【０１４５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基などの炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等である。
【０１４６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシカルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オクタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチルニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジルコノセニルオキシカルボニル基などの炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基である。
【０１４７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキシカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル−２−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニルオキシカルボニル基である。
【０１４８】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（１）〜（４）の基である。
【０１４９】
（１）  メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、（２−エチルヘキシル）アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数２〜１１のモノアルキルアミノカルボニル基。
【０１５０】
（２）  ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミノカルボニル基、（３−フェニルプロピルアミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基、（４−メチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−アリルベンジル）アミノカルボニル基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルアミノカルボニル基。
【０１５１】
（３）  アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノカルボニル基、４−メチルアニリノカルボニル基、４−エチルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモノアリールアミノカルボニル基。
【０１５２】
（４）  ビニルアミノカルボニル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカルボニル基、などの炭素数３〜１１のモノアルケニルアミノカルボニル基。
【０１５３】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（１）〜（５）の基である。
【０１５４】
（１）  ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス（メトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（エトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（プロポキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（ブトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノカルボニル基などの炭素数３〜１７のジアルキルアミノカルボニル基。
【０１５５】
（２）  ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１のジアラルキルアミノカルボニル基。
【０１５６】
（３）  ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５のジアリールアミノカルボニル基。
【０１５７】
（４）  ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアルケニルアミノカルボニル基。
【０１５８】
（５）  Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数４〜１１のジ置換アミノカルボニル基。
【０１５９】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、２−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキシ基、プロピルベンゾイルオキシ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、１−メチルフェロセン−１’−カルボニルオキシ基、コバルトセンカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキシ基などの炭素数２〜１６のアシルオキシ基である。
【０１６０】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のヘテロアリール基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するヘテロアリール基が挙げられ、好ましいのは、次の（ａ）に示す無置換ヘテロアリール基、或いは（ｂ）に示す置換基により置換したヘテロアリール基である。
（ａ）  フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−２−イル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基などの無置換ヘテロアリール基。
【０１６１】
（ｂ）ヘテロアリール基の置換基
（ｂ−１）フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；
（ｂ−２）シアノ基；
（ｂ−３）メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基；
（ｂ−４）ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；
（ｂ−５）フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリール基；
（ｂ−６）メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアルコキシ基；
【０１６２】
（ｂ−７）ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ基；
（ｂ−８）フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基；
（ｂ−９）ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル基、オクテニル基等のアルケニル基；
（ｂ−１０）ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；
（ｂ−１１）メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基；
（ｂ−１２）ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのアラルキルチオ基；
（ｂ−１３）フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチオ基；
【０１６３】
（ｂ−１４）ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；
（ｂ−１５）アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基等のアシル基；
（ｂ−１６）メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカルボニル基、１−メチルフェロセン−１’−イルメトキシカルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；
（ｂ−１７）ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；
（ｂ−１８）フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；
【０１６４】
（ｂ−１９）ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；
（ｂ−２０）メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基；
（ｂ−２１）ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基。
【０１６５】
（ｂ−２２）フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複素環基；
（ｂ−２３）フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセニル基などのメタロセニル基。
【０１６６】
Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３で表される置換されていてもよいメチン基の置換基Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１の例としては、シアノ基；前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。
【０１６７】
Ｒ１〜Ｒ１１が連結基を介して、それぞれ環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子などのヘテロ原子及び炭素原子の中から適宜選択して組み合わせてなる基であり、好ましい連結基の例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、又は置換されていてもよいメチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基により形成する環としては、連結基により連結した鎖状、面状又は立体状の環が挙げられる。
【０１６８】
連結した骨格の好適な例としては、次の（１）〜（３）のものが挙げられる。
（１）  −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２（ＮＯ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、等（脂肪族縮合環を形成する）。
【０１６９】
（２）  −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＮＯ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−、−Ｃ（ＯＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＣＨ３）−、−Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−（ＯＣＨ３））＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−（ＯＣＨ３））−、−Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝Ｃ（Ｂｒ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−Ｃ（Ｂｒ）＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｂｒ）−等（芳香族縮合環を形成する）。
【０１７０】
（３）  −Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−等（複素環を形成する）。
【０１７１】
【化３４】
2005302272.tif 000034
ただし、式中、Ｍ′は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ又はＭ″Ｒ′２（ただし、Ｍ″は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖの何れかを表す。Ｒ′は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、前述のＲ１〜Ｒ８と同様の置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基の何れかを表す。）の何れかを表す（金属錯体残基を含む複素環を形成する）。
【０１７２】
Ｒ１〜Ｒ１１が各々隣接する置換基と連結基を介して連結する際に好適な連結の組合せは、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、Ｒ２とＲ９、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１１、Ｒ５とＲ１１、Ｒ６とＲ１０、Ｒ７とＲ１０等が挙げられる。
【０１７３】
Ｍ１が２価の無置換金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ等が挙げられる。
Ｍ１が配位子を有する２価の金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２等の含窒素化合物が配位した２価の金属原子が挙げられる。
【０１７４】
Ｍ１が置換基を有する３価の金属原子である場合の具体例としては、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｉ、Ａｌ−Ｃ６Ｈ５、Ａｌ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＣ６Ｈ５）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、Ｒｕ−Ｆ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｂｒ、Ｒｕ−Ｉ等の１置換の３価の金属原子が挙げられる。
【０１７５】
Ｍ１が置換基を有する４価の金属原子である場合の具体例としては、ＣｒＣｌ２、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＴｉＦ２、ＴｉＣｌ２、ＴｉＢｒ２、ＴｉＩ２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ（ＯＨ）２、Ｚｒ（ＯＨ）２、Ｍｎ（ＯＨ）２、ＴｉＡ２、ＣｒＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＧｅＡ２、Ｔｉ（ＯＡ）２、Ｃｒ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｔｉ（ＳＡ）２、Ｃｒ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔ただし、Ａは、前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様の置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基」を表す。〕等の２置換の４価の金属原子が挙げられる。
【０１７６】
Ｍ１が置換基を有する３価又は４価の半金属原子である場合の具体例としては、Ｂ−Ｆ、Ｂ−Ｃｌ、Ｂ−Ｂｒ、Ｂ−Ｉ、Ｂ−Ａ、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（ＯＡ）、Ｂ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の１置換の３価の半金属原子や、ＳｉＦ２、ＳｉＣｌ２、ＳｉＢｒ２、ＳｉＩ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の２置換の４価の半金属原子が挙げられる。
Ｍ１がオキシ金属原子である場合の具体例としては、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。
【０１７７】
上記の中でもＭ１として好ましいのは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、ＶＯ、ＴｉＯ、ＴｉＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＲｕＡ２、ＲｈＡ２、ＧｅＡ２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕である。
【０１７８】
前記一般式（３）で表されるジアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ１２〜Ｒ１９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８で示されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０１７９】
また、Ｒ２０、Ｒ２１で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。特に、溶解性向上並びに光学特性向上のため、置換基Ｒ２０、Ｒ２１は置換又は無置換の炭素数１以上の基が好ましく、置換又は無置換のフェニル基がより好ましい。
また、Ｒ１２〜Ｒ１９が連結基を介して、それぞれ形成する環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
また、Ｍ２で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１８０】
前記一般式（４）で表されるモノアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ２２〜Ｒ２９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０１８１】
また、Ｒ３０〜Ｒ３２で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。
Ｒ２２〜Ｒ３２が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ３で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１８２】
前記一般式（５）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ３３〜Ｒ４４の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ３３〜Ｒ４４が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ４で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１８３】
前記一般式（６）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ４５〜Ｒ５６の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ４５〜Ｒ５６が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ５で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１８４】
前記一般式（７）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ５７〜Ｒ６８の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ５７〜Ｒ６８が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ６で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１８５】
前記一般式（８）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ６９〜Ｒ８０の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ６９〜Ｒ８０が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ７で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１８６】
前述したようなアザポルフィリン系化合物の製造方法は特に限定されないが、例えば、前記化合物（３）の場合、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ｃ），２２−２９（１９９６）、Ｊ．Ｂｉｏｃｈｅｍ．，１２１，６５４−６６０（１９９７）、Ｚ．Ｐｈｙｓｉｏｌ．Ｃｈｅｍ，２１４，１４５（１９３３）、Ｄｉｅ  Ｃｈｅｍｉｅ  ｄｅｓ  Ｐｙｒｒｏｌｓ，Ｂａｎｄ  ＩＩ，Ｈａｌｆｔｅ  ２，ｐｐ．４１１−４１４，Ａｋａｄｅｍｉｓｃｈｅ  Ｖｅｒｌａｇｅｓｅｌｌｓｃｈｕｆｔ，Ｌｅｉｐｚｉｇ（１９４０）等に記載の方法に準じて製造される。
【０１８７】
代表的には、以下のような三段階の反応にて製造することができる。
まず、第一段階では、下記一般式（Ａ）及び下記一般式（Ｂ）で表されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢酸等のカルボン酸系溶媒あるいは塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒中で、臭素、ヨウ素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イミド等のハロゲン化剤によりハロゲン化し、各々下記一般式（Ｃ）及び下記一般式（Ｄ）で示されるジピロメテン化合物を得る。
【０１８８】
【化３５】
2005302272.tif 000035
ただし、式中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、前記一般式（３）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ｒは水素原子又はカルボキシル基を表す。
【化３６】
2005302272.tif 000036
ただし、式中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、前記一般式（３）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。
【化３７】
2005302272.tif 000037
【化３８】
2005302272.tif 000038
ただし、前記一般式（Ｃ）及び（Ｄ）中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、前記一般式（３）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。
【０１８９】
次いで、第二段階では、前記一般式（Ｃ）及び一般式（Ｄ）で表されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等の金属又は半金属化合物を用い、空気などの酸化剤の存在下或いは非存在下で反応させることにより、一般式（Ｅ）で表されるジピロメテン金属錯体を得る。
【０１９０】
【化３９】
2005302272.tif 000039
ただし、式中、Ｒ１２〜Ｒ２１及びａは、前記一般式（３）のＲ１２〜Ｒ２１及びａとそれぞれ同一の基を表す。Ｍ２は、前記一般式（３）のＭ２と同一の意味を表す。
【０１９１】
次いで、第三段階では、上記ジピロメテン金属錯体（一般式（Ｅ））をエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（３）で示される本発明のジアザポルフィリン化合物を得ることができる。
ここで、第一段階で得られた一般式（Ｃ）及び一般式（Ｄ）で示されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等を用い、空気などの酸化剤の存在下又は非存在下で、アジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（３）の化合物を得ることもできる。
更に、無金属の一般式（３）で表されるジアザポルフィリン化合物〔Ｍが２個の水素原子〕は、一般式（７）及び（８）で表されるジピロメテン化合物をメタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させるか、或いは、金属錯体化した一般式（２）の化合物をクロロホルム等の溶媒中で、トリフルオロ酢酸等の有機酸と反応させることにより得ることができる。
【０１９２】
前記一般式（３）で表されるジアザポルフィリン化合物の具体例としては、例えば、表８〜表１２に記載する置換基を有する化合物（１−１）〜（１−６５）等が挙げられる。
【０１９３】
【表８】
2005302272.tif 000040
【０１９４】
【表９】
2005302272.tif 000041
【０１９５】
【表１０】
2005302272.tif 000042
【０１９６】
【表１１】
2005302272.tif 000043
【０１９７】
【表１２】
2005302272.tif 000044
【０１９８】
また、好ましいポルフィリンとしては、下記一般式（１７）で表される化合物が挙げられる。
【化４０】
2005302272.tif 000045
ただし、前記一般式（１７）中、Ａ１〜Ａ４、及びＢ１〜Ｂ８は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。ＢｎとＢｎ＋１（ただしｎ＝１、３、５、７）は、Ｃ４Ｈ４残基を介して環状に結合してもよい。Ｍは２個又は４個のプロトン或いは１個の金属原子を表す。
これらの中でも、下記一般式（１８）で表される化合物が好ましく、特に下記一般式（１９）で表される化合物が好ましい。
【０１９９】
【化４１】
2005302272.tif 000046
ただし、前記一般式（１８）中、Ｒ１は水素原子、メチル基、アリル基、又はフェニル基を表す。Ｒ２は水素原子、メチル基、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Ｒ３は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン或いはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＺｎから選択される２価の金属を表す。
【０２００】
【化４２】
2005302272.tif 000047
ただし、前記一般式（１９）中、Ａ１〜Ａ４は、水素原子又はフェニル基を表す。Ｍは、２個又は４個のプロトン或いはＺｎを表す。
【０２０１】
その他、例えば、下記一般式で表されるアゾ系色素や、下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される有機色素、なども変調度が大きく、良好な記録が達成できる。
【０２０２】
【化４３】
2005302272.tif 000048
【０２０３】
【化４４】
2005302272.tif 000049
【０２０４】
【化４５】
2005302272.tif 000050
ただし、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ａは置換基を有していてもよい芳香環を表し、ＢはＯＨ以外の置換基を有していてもよい芳香環を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは２〜６の整数を表す。Ｌは置換されてもよい２価の連結基または単結合を表す。ＶはＬ以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【０２０５】
【化４６】
2005302272.tif 000051
【０２０６】
【化４７】
2005302272.tif 000052
ただし、前記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、ｐ及びｑは０乃至３の整数を表す。ｍは２〜６の整数を表す。Ｌは置換されてもよい２価の連結基または単結合を表す。ＶはＬ以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【０２０７】
【化４８】
2005302272.tif 000053
ただし、前記一般式（Ｖ）中、Ｒ１及びＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、ｐ及びｑは０乃至３の整数を表す。ｍは２または３の整数を表す。Ｖは置換基を有していてもよい芳香環を表す。
【０２０８】
前記一般式（Ｉ）で表される有機色素としては、例えば、下記構造式で表される化合物１〜２０が好適に挙げられる。
【０２０９】
【化４９】
2005302272.tif 000054
【０２１０】
【化５０】
2005302272.tif 000055
【０２１１】
【化５１】
2005302272.tif 000056
【０２１２】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される有機色素としては、例えば、下記構造式で表される化合物２１〜３４が好適に挙げられる。
【０２１３】
【化５２】
2005302272.tif 000057
【０２１４】
【化５３】
2005302272.tif 000058
【０２１５】
【化５４】
2005302272.tif 000059
【０２１６】
前記一般式（ＩＩ）又は(ＩＶ)で表される有機色素としては、例えば、下記構造式で表される化合物３５〜４０が好適に挙げられる。
【０２１７】
【化５５】
2005302272.tif 000060
【０２１８】
また、前記有機色素群から選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。
前記有機色素を分散可能な樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル／ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、などが挙げられる。
前記樹脂の使用量は、前記有機色素に対し０．０１〜５０倍量（質量比）が好ましく、０．１〜５倍量がより好ましい。前記樹脂を前記記録層に含有させることにより記録層の保存安定性を改良することも可能である。
【０２１９】
前記記録層には、該記録層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。前記褪色防止剤としては、例えば、一重項酸素クエンチャー、などが好適である。該一重項酸素クエンチャーとしては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、及び同６−２６０２８号公報等の各公報、独国特許発明第３５０３９９号明細書、日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁、等に記載のものが挙げられる。
【０２２０】
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の含有量は、前記記録層の全固形分中、通常、０．１〜５０質量％が好ましく、０．５〜４５質量％がより好ましく、３〜４０質量％が更に好ましく、５〜２５質量％が特に好ましい。
【０２２１】
前記記録層は、前記有機色素と、更に必要に応じて結合剤、褪色防止剤などを適当な溶剤に溶解して記録層用塗布液を調製し、次いで、この塗布液を上述の反射層の表面に塗布して塗膜を形成した後、乾燥させることにより形成できる。更に、前記記録層用塗布液中には、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤などの各種添加剤を目的に応じて適宜添加してもよい。なお、有機色素や結合剤を溶解処理する方法としては、超音波処理、ホモジナイザー処理、ディスパー処理、サンドミル処理、スターラー攪拌処理等の方法を適用することができる。
【０２２２】
前記記録層における塗布液の溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；シクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、等が挙げられる。前記溶剤は使用する有機色素及び結合剤の溶解性を考慮して単独で用いてもよいし、２種以上を適宜併用することもできる。
【０２２３】
前記記録層塗布液中の前記有機色素の濃度は、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．１〜５質量％がより好ましい。
【０２２４】
前記記録層要塗布液の塗布方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などが挙げられる。また、前記塗布温度としては、１８〜４０℃が好ましく、２０〜４０℃がより好ましく、２０〜３０℃が更に好ましい。
【０２２５】
前記記録層は単層でも重層でもよく、前記記録層の層厚は、２０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜１５０ｎｍがより好ましい。前記層厚が２０ｎｍ未満であると、記録層が薄いため欠陥が発生して不適当であり、５００ｎｍを超えると、体積が大きくなりすぎて良好な記録ができなくなることがある。
【０２２６】
前記記録層の表面には、表面保護層との密着性と、色素の保存性を高めるために、バリア層を形成してもよい。前記バリア層の材料としては、例えば、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｍ、Ｍｏ、Ｇｅ等のいずれか１原子以上からなる酸化物、窒化物、炭化物、硫化物等の無機材料、光硬化性樹脂などの有機材料を用いて形成することができる。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のようにハイブリッド化しても良い。
前記無機材料からなる保護層は、真空成膜法によって形成することができる。前記有機材料からなる保護層は、光硬化性樹脂膜（例えば、大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００、ＳＤ３１８、ＳＤ３０１）をスピンコートした後、樹脂硬化光を照射することによって形成できる。
前記バリア層の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１〜１００ｎｍが好ましい。
また、高密度化を図るために、高ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ：開口数）のレンズを用いる場合、バリア層を光透過性とする必要がある。
高ＮＡ化した場合には、再生用レーザ光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。
従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする必要がある。
【０２２７】
−表面保護層−
前記表面保護層８は、接着剤又は粘着剤を使用して（接着層又は粘着層を介して）記録層側の表面に形成される。前記表面保護層は、記録及び再生に使用されるレーザー光に対して、透過率８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。また、前記表面保護層は、その表面粗さＲａが５ｎｍ以下である樹脂シートが好ましく、前記表面保護層の表面粗さＲａは、樹脂の種類、成膜方法、含有するフィラーの有無や有無などによって決まる。ここで、前記表面保護層の表面粗さＲａは、例えば、ＷＹＫＯ社製ＨＤ２０００によって測定される。
前記樹脂シートとしては、例えば、ポリカーボネート（帝人株式会社製、ピュアエース、帝人化成株式会社製、パンライト）、３酢酸セルロース、（富士フイルム株式会社製、フジタック）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（東レ株式会社製、ルミラー）、などが挙げられ、これらの中でも、ポリカーボネート、３酢酸セルロースがより好ましい。
【０２２８】
前記表面保護層の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長やＮＡにより、適宜規定されるが、０．０３〜０．１５ｍｍが好ましく、０．０５〜０．１２ｍｍがより好ましい。また、前記表面保護層と、接着層及び粘着層を合せた合計厚さは、０．０９〜０．１１ｍｍが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍがより好ましい。
【０２２９】
前記接着剤は、例えば、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特に、ＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。前記接着剤は、例えば、積層体の貼り合わせ面（記録層等）上に所定量塗布し、樹脂シートを貼り合わせた後、スピンコートにより接着剤を、積層体と樹脂シートとの間に均一になるように広げて、硬化させることが好ましい。最終的に形成される接着層の厚さは、０．１〜１００μｍが好ましく、０．５〜５０μｍがより好ましく、１０〜３０μｍが更に好ましい。
【０２３０】
前記接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサから積層体表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。前記ＵＶ硬化樹脂としては、例えば、「ＳＤ−６４０」（大日本インキ化学工業株式会社製）、等が挙げられる。
【０２３１】
また、これらのＵＶ硬化樹脂を硬化させるために使用するＵＶ照射機としては、如何なるものでも用いることができるが、例えば、パルス型ＵＶ照射機が好適である。ここで、ＵＶ照射条件としては、前記パルスの間隔は、１ｍｓｅｃ以下が好ましく、１μｓｅｃ以下がより好ましい。また、１パルスの照射ワットは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選定することができ、３ｋＷ／ｃｍ２以下が好ましく、２ｋＷ／ｃｍ２以下がより好ましい。更に、ＵＶ照射回数は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、２０回以下が好ましく、１０回以下がより好ましい。
【０２３２】
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
【０２３３】
前記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。該イソシアネート系架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。
【０２３４】
これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン株式会社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品工業株式会社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル株式会社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等が挙げられる。
【０２３５】
なお、前記反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。該下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン／ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；などが挙げられる。
【０２３６】
前記下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布方法により基板表面に塗布することにより形成することができる。前記下塗層の層厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．００５〜２０μｍが好ましく、０．０１〜１０μｍがより好ましい。
【０２３７】
本発明の光情報記録媒体は、上述の任意の層に加えて、更に、種々の中間層を設けてもよい。例えば、反射層と記録層との間には、反射率や密着性を向上させるための中間層を設けてもよい。該中間層の材料はこれまでに挙げた材料を目的に応じて適宜使用することができる。
【０２３８】
本発明の光情報記録媒体のレーザ光が入射する側の表面粗さは、使用する表面保護層の表面粗さ、基板の表面粗さ、反射層の作成条件、記録層の種類、成膜条件、接着層の種類、塗布条件、表面保護層の種類塗布条件等で、適宜選定される。
【０２３９】
（記録再生方法）
本発明の記録再生方法は、本発明の前記光情報記録媒体における表面保護層側から５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。
具体的には、光情報記録媒体を所定の線速度（０．５〜１０ｍ／秒）、又は、所定の定角速度にて回転させながら、表面保護層側から対物レンズを介して青紫色レーザ（例えば、波長４０５ｎｍ）などの記録用の光を照射する。この照射光により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性を変えることにより情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を所定の定線速度で回転させながら青紫色レーザ光を表面保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【０２４０】
前記５００ｎｍ以下の発振波長を有するレーザ光源としては、例えば、３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ、中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ等を挙げることができる。また、記録密度を高めるために、ピックアップに使用される対物レンズのＮＡ（開口数）は０．７以上が好ましく、０．８０以上がより好ましく、０．８５以上が更に好ましい。
【実施例】
【０２４１】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【０２４２】
以下の実施例において、反射層のプリフォーマットの断面形状、反射層の膜厚及び記録層の膜厚は、作製した光情報記録媒体をラック横断方向に割断してその断面及び形状について、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名ＪＥＭ２０１０、日本電子株式会社製）及び原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（商品名ＳＰＩ３８００Ｎ型、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用いて測定した。
【０２４３】
（実施例１）
−光情報記録媒体の作製−
まず、厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のグルーブ（溝深さ４５ｎｍ、半値幅１５０ｎｍ、トラックピッチ３２０ｎｍ）を有するポリカーボネート樹脂製の基板を射出成形により作製した。
前記基板のグルーブを有する面上に、Ａｒ雰囲気中でＤＣスパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ：純度９９．９質量％以上）からなる反射層を厚みが９５ｎｍとなるように成膜した。スパッタリング条件はＡｒ流量５ｓｃｃｍ、スパッターパワー１．６ｋＷ、成膜時間は４秒であった。
【０２４４】
得られた反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２４５】
次に、反射層上に下記構造式で表されるフタロシアニン色素をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、エチルシクロヘキサン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、及び１−メトキシ−２−プロパノールを混合比１７：３９：１５：２９（質量％）の混合溶媒で溶解し、スピンコート法で厚みが６０ｎｍとなるように記録層を成膜した。
なお、このフタロシアニン色素は波長λ＝４０５±２０ｎｍにおいて反射率８％以上を示す色素材料であり、記録層の膜厚５〜１５０ｎｍの範囲で反射率４％以上が得られた。
【０２４６】
前記色素の成膜後のλ＝５００ｎｍ以下における反射極大の位置はλ＝４０５ｎｍであった。また、レーザ光波長は温度などの環境条件及び製造上のばらつきにより、λ＝４０５±２０ｎｍという幅を持つので、これらの波長範囲での反射率を４％以上とする必要がある。４％より小さいと反射率が減少し、良好にトラッキングできないことがある。
【０２４７】
【化５６】
2005302272.tif 000061
ただし、前記構造式中、中心金属Ｍは、ＶＯを表す。４個のＲは、Ｃ６Ｈ５−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−を表す。
【０２４８】
前記記録層を形成した後、１００℃にて１５分間のアニール処理を施した。その後、記録層上に、ＲＦスパッタリングによりＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８：２（質量比））からなるバリア層を厚みが５０ｎｍとなるように成膜した。なお、バリア層の形成条件は、パワーは４ｋＷ、圧力は２×１０−２Ｐａ、時間は１０秒間で行った。
【０２４９】
次に、バリア層上に、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ株式会社製、ＳＤ−６６１）を、スピンコート法により回転速度１００〜３００ｒｐｍで塗布し接着層を形成し、該接着層上にポリカーボネートシート（帝人株式会社製、ピュアエース、膜厚８０μｍ）を重ね合せて、３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら、接着剤を広げた後、ＵＶ照射ランプにより紫外線を照射して接着剤を硬化させた。この際、接着層の厚さは２０μｍであり、ポリカーボネートシート（表面保護層）と接着層とを合せた合計厚みは１００μｍであった。以上により、実施例１の光情報記録媒体を作製した。
【０２５０】
（実施例２〜６及び比較例１〜５）
実施例２〜６及び比較例１〜５については、実施例１における反射層が設けられる側の基板表面に下塗層を適宜条件を変えて形成し、該下塗層上に反射層を形成して異なる反射層のトラック横断方向の断面形状を調製した。具体的には、２．５質量％のポリビニルアルコール水溶液を回転数を変えてスピンコートし、凹部の形状を種々変えて、該凹部の上に反射層を成膜した。得られた反射層のトラック横断方向の断面形状は表１３に示す通りである。
【０２５１】
（実施例７）
−光情報記録媒体の作製−
実施例１において、アルミニウム合金〔（Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｃｒ）のＴａ、Ｃｒの含有率はどちらも２原子％〕からなる反射層を厚み１００ｎｍになるように成膜した以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝５０°であった。
【０２５２】
（実施例８）
−光情報記録媒体の作製−
実施例１において、色素を、アゾ系色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２５３】
【化５７】
2005302272.tif 000062
【０２５４】
（実施例９）
実施例１において、色素を、下記一般式（Ｉ）で表される色素としての〔化４９〕で示した化合物１に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２５５】
【化５８】
2005302272.tif 000063
【０２５６】
（実施例１０）
実施例１において、色素を、上記一般式（Ｉ）で表される色素としての〔化４９〕で示した化合物６に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２５７】
（実施例１１）
実施例１において、色素を、上記一般式（Ｉ）で表される色素としての〔化５０〕で示した化合物１７に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２５８】
（実施例１２）
実施例１において、色素を、下記一般式（ＩＩＩ）で表される色素としての〔化５２〕で示した化合物２１に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２５９】
【化５９】
2005302272.tif 000064
【０２６０】
（実施例１３）
実施例１において、色素を、下記一般式（ＩＩ）及び（ＩＶ）で表される色素としての〔化５５〕で示した化合物３８に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【化６０】
2005302272.tif 000065
【化６１】
2005302272.tif 000066
【０２６１】
（実施例１４）
実施例１において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２６２】
【化６２】
2005302272.tif 000067
ただし、前記構造式中、中心金属ＭはＶＯを表す。Ｒは下記構造式を表す。
【０２６３】
【化６３】
2005302272.tif 000068
【０２６４】
（実施例１５）
実施例１において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２６５】
【化６４】
2005302272.tif 000069
ただし、前記構造式中、中心金属ＭはＶＯを表す。Ｒは下記構造式を表す。
【０２６６】
【化６５】
2005302272.tif 000070
【０２６７】
（実施例１６）
実施例１において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２６８】
【化６６】
2005302272.tif 000071
ただし、前記構造式中、中心金属ＭはＶＯを表す。Ｒは下記構造式を表す。
【０２６９】
【化６７】
2005302272.tif 000072
【０２７０】
（実施例１７）
実施例１において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２７１】
【化６８】
2005302272.tif 000073
ただし、前記構造式中、中心金属ＭはＶＯを表す。Ｒは下記構造式を表す。
【０２７２】
【化６９】
2005302272.tif 000074
【０２７３】
（実施例１８）
実施例１において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２７４】
【化７０】
2005302272.tif 000075
ただし、前記構造式中、中心金属ＭはＶＯを表す。Ｒは下記構造式を表す。
【０２７５】
【化７１】
2005302272.tif 000076
【０２７６】
（実施例１９）
実施例１において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２７７】
【化７２】
2005302272.tif 000077
ただし、前記構造式中、中心金属ＭはＣｕを表す。Ｒは−ＳＯ２Ｃ４Ｈ９を表す。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図２に示すように、ＣＬ＝１８０ｎｍ、ＢＬ＝１１２ｎｍ、ＵＬ＝８５ｎｍ、深さ（ｄ１）＝４５ｎｍ、深さ（ｄ２）＝４０ｎｍ、角度（θ１）＝５５°、角度（θ２）＝４９°であった。
【０２７８】
得られた各光情報記録媒体において、以下のようにして、プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号を測定した。結果を表１３〜表１５に示す。
【０２７９】
＜プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号の測定方法＞
各光情報記録媒体にフォーカスをかけた状態でトラックをクロスするシグナルの山ｌ１と谷ｌ２の信号を光ディスク評価機（ＤＤＵ１０００、パルステック工業社製）で測定し、次式、プッシュプル（ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）信号＝（ｌ１−ｌ２）／（ｌ１＋ｌ２）から算出した。
【０２８０】
【表１３】
2005302272.tif 000078
【０２８１】
【表１４】
2005302272.tif 000079
【０２８２】
【表１５】
2005302272.tif 000080
【０２８３】
＜記録特性の測定方法＞
実施例１において得られた光情報記録媒体について、発振波長４０５ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながら（線速３．５ｍ／ｓｅｃ）記録し、発振波長４０５ｎｍの半導体連続レーザ光（再生パワー０．７ｍＷ）で再生し、再生波形を測定し、記録パワーとジッタとの関係を調べた。その結果を図３のグラフに示す。
図３からも明らかなように、実施例１の光情報記録媒体は、記録パワー６．７ｍＷでジッタが８％以下の優れた記録特性を有することが判る。
【産業上の利用可能性】
【０２８４】
本発明の光情報記録媒体は、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることができ、追記型ディスクシステムなどに好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０２８５】
【図１】図１は、本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１の光情報記録媒体の拡大概略断面図である。
【図３】図３は、光情報記録媒体の記録パワーとジッタとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０２８６】
１      光情報記録媒体
２      基板
３      反射層
４      記録層
５      バリア層
６      接着層
７      トラッキングトラック
８      表面保護層
【図１】
2005302272.tif 000090
【図２】
2005302272.tif 000091
【図３】
2005302272.tif 000092