(57)【要約】【課題】  磁極層を可能な限り容易に形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  フッ素系（ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ）または塩素系（Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ）のガスを利用したＲＩＥを使用して下側絶縁層１１および上側絶縁層１２をエッチングして掘り下げることにより、上側絶縁層１２に一定幅Ｗ１を有するように磁極形成空間Ｒ１を形成すると共に下側絶縁層１１に磁極形成空間Ｒ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まるように磁極形成空間Ｒ２を形成したのち、これらの磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内にめっき膜を成長させることにより主磁極層１３を形成する。磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２の構造的特徴を利用して主磁極層１３が一工程において一括して形成されるため、主磁極層１３の形成工程が簡略化すると共に、その主磁極層１３を形成するために要する工程数が減少する。【選択図】    図１４
2005166090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁極層のうちの前記磁極部分を形成する工程が、
前記媒体進行方向側に第１の絶縁層を形成すると共に前記媒体進行方向側と反対側に第２の絶縁層を形成することにより、これらの第１および第２の絶縁層を積層させる第１の工程と、
前記第１の絶縁層に、前記磁極部分の平面形状に対応した開口を有するマスクをパターン形成する第２の工程と、
反応性イオンエッチングを使用し、前記マスクのうちの前記開口を通じて前記第２の絶縁層が露出するまで前記第１の絶縁層を選択的にエッチングして掘り下げることにより、その第１の絶縁層に、一定幅を有するように第１の磁極形成空間を形成する第３の工程と、
反応性イオンエッチングを使用し、前記第１の絶縁層に形成された前記第１の磁極形成空間を通じて前記第２の絶縁層を選択的にエッチングして掘り下げることにより、その第２の絶縁層に、前記第１の磁極形成空間から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まるように第２の磁極形成空間を形成する第４の工程と、
前記第１および第２の磁極形成空間内に、前記磁極部分をパターン形成する第５の工程と、を含み、
前記媒体進行方向側に位置すると共に前記媒体進行方向において一定幅を有する第１の磁極部分と、前記媒体進行方向側と反対側に位置して前記第１の磁極部分に磁気的に連結されると共に前記第１の磁極部分から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まる第２の磁極部分とを含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された構成を有するように、前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、反応性イオンエッチングによるエッチング速度が相対的に速い材料を使用して前記第１の絶縁層を形成すると共に、反応性イオンエッチングによるエッチング速度が相対的に遅い材料を使用して前記第２の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を使用して前記第１の絶縁層を形成すると共に、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）を使用して前記第２の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第３および第４の工程において、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）およびトリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）のうちの少なくとも一方、あるいは塩素（Ｃｌ2 ）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）のうちの少なくとも一方を含むガスを使用して、反応性イオンエッチングを行う
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第３および第４の工程において、互いに同一のガスを使用して反応性イオンエッチングを行う
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
さらに、前記第１の絶縁層と共に前記磁極部分を研磨することにより、その磁極部分の前記媒体進行方向側の端面を平坦化する第６の工程を含む
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
さらに、前記磁極部分の平面形状に対応する領域を含む領域に、非磁性金属材料を使用してストッパ層を形成する第７の工程を含み、
前記第１の工程において、前記ストッパ層を覆うように前記第１および第２の絶縁層を形成し、
前記第４の工程において、前記ストッパ層が露出するまで前記第２の絶縁層をエッチングして掘り下げる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ベリリウム（Ｂｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはこれらの合金を使用して、前記ストッパ層を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第５の工程において、前記ストッパ層をシード層として使用してめっき膜を成長させることにより、前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程が、
前記第１の絶縁層上に、シード層を形成する工程と、
前記シード層上に、前記磁極部分の平面形状に対応する平面形状を有するようにフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記シード層を使用して、前記フォトレジストパターンおよびその周辺の前記シード層を覆うようにめっき膜を成長させる工程と、
前記フォトレジストパターンをリフトオフして前記めっき膜を部分的に残存させることにより、前記フォトレジストパターンが配置されていた箇所に前記開口を有するように前記マスクを形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記磁極部分に対応する部分が第１の幅を有するように前記フォトレジストパターンを形成したのち、そのフォトレジストパターンをアッシングすることにより、前記磁極部分に対応する部分の幅を前記第１の幅からその第１の幅よりも小さい第２の幅まで狭める
ことを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記めっき膜の成長に伴う圧力を利用して、前記フォトレジストパターンのうちの前記磁極部分に対応する部分の幅を前記第２の幅からその第２の幅よりも小さい第３の幅まで狭めることにより、前記開口が前記第３の幅を有するように前記マスクを形成する
ことを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように、前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層と、
前記磁極層の周囲を埋設する絶縁層と、備え、
前記磁極層のうちの前記磁極部分が、前記媒体進行方向側に位置すると共に前記媒体進行方向において一定幅を有する第１の磁極部分と、前記媒体進行方向側と反対側に位置して前記第１の磁極部分に磁気的に連結されると共に前記第１の磁極部分から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まる第２の磁極部分とを含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された構成を有し、
前記絶縁層が、前記磁極部分のうちの前記第１の磁極部分の周囲を埋設する第１の絶縁層と、前記第２の磁極部分の周囲を埋設する第２の絶縁層とが積層された構成を有している
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
媒体進行方向に移動する記録媒体と、この記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドと、を搭載し、
この薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層と、前記磁極層の周囲を埋設する絶縁層と、を備え、
前記磁極層のうちの前記磁極部分が、前記媒体進行方向側に位置すると共に前記媒体進行方向において一定幅を有する第１の磁極部分と、前記媒体進行方向側と反対側に位置して前記第１の磁極部分に磁気的に連結されると共に前記第１の磁極部分から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まる第２の磁極部分とを含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された構成を有し、
前記絶縁層が、前記磁極部分のうちの前記第１の磁極部分の周囲を埋設する第１の絶縁層と、前記第２の磁極部分の周囲を埋設する第２の絶縁層とが積層された構成を有している
ことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体（例えばハードディスク）の面記録密度の向上に伴い、磁気記録装置（例えばハードディスクドライブ）に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きをハードディスクの面内方向（長手方向）にする長手記録方式や、信号磁界の向きをハードディスクの面と直交する方向にする垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、ハードディスクの面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みのハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルにおいて発生した磁束をハードディスクに向けて放出することにより記録処理を実行する磁極層とを備えている。この磁極層は、エアベアリング面に露出した露出面（以下、「磁極端面」という。）を有しており、この磁極端面は、例えば、矩形状を有している。この薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルに電流が流れると、その薄膜コイルにおいて記録用の磁束が発生する。そして、磁極層からハードディスクに向けて磁束が放出されると、その磁束に基づいて発生した記録用の磁界（垂直磁界）によりハードディスクが磁化されるため、そのハードディスクに情報が磁気的に記録される。この際、磁極層のうちの実質的な記録箇所であるトレーリングエッジ、すなわち磁極端面のトレーリング側の端縁に基づいて記録パターンが決定され、この記録パターンに沿ってハードディスクに情報が書き込まれる。すなわち、ハードディスクに情報が記録される際の記録トラック幅は、トレーリングエッジの幅に基づいて規定される。
【０００４】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの記録性能を向上させるためには、例えば、薄膜磁気ヘッドのスキューに起因する不具合の影響を可能な限り抑制する必要がある。このスキューとは、ハードディスクドライブの動作中に、ハードディスクの円周接線方向に対して薄膜磁気ヘッドが傾く現象である。磁極層の磁極端面が矩形状を有している場合には、薄膜磁気ヘッドがスキューすると、その磁極端面の形状的要因に起因して記録パターンが拡大または屈曲しやすくなる。記録パターンが拡大または屈曲した状態でハードディスクに情報が記録されると、その情報の再生時にクロストークが発生してエラーレート（誤り率）が増大し、すなわち記録性能が低下してしまう。
【０００５】
そこで、従来より、上記したスキューに起因する記録パターンの拡大または屈曲を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドの構成や製造方法に関して、既にいくつかの技術が提案されている。
【０００６】
具体的には、例えば、磁極端面が矩形状に代えて逆台形状を有する磁極層を形成するために、エッチング技術やリフトオフ技術を使用して逆台形状の溝を有するように絶縁層を形成したのち、その絶縁層の溝内に磁極層を形成する手法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この手法において、エッチング技術を使用する場合には、絶縁層を形成したのち、マスクを使用して絶縁層を選択的にエッチングして掘り下げることにより、その絶縁層に逆台形状の溝を形成している。一方、リフトオフ法を使用する場合には、リフトオフ用のマスクを形成し、引き続きマスクおよびその周辺を覆うように絶縁層を成膜したのち、そのマスクをリフトオフすることにより、逆台形状の溝を有する絶縁層を形成している。
【特許文献１】特開２００２−１９７６１３号公報
【０００７】
また、例えば、磁極層の磁極端面の形状としては、上記した逆台形状に代えて、矩形（矩形領域）と逆台形（逆台形領域）とを組み合わせた形状も知られており、具体的には、矩形領域の幅と逆台形領域の最大幅とが互いに等しい六角形状（例えば、特許文献２参照。）や、矩形領域の幅が逆台形領域の最大幅よりも大きい略Ｔ字型形状（例えば、特許文献３参照。）などが知られている。これらの六角形状や略Ｔ字型形状の磁極端面を有する磁極層を形成する場合には、例えば、上記した逆台形状の磁極端面を有する磁極層の形成手法を利用して逆台形領域に対応する下層部分を形成したのち、この下層部分上に矩形領域に対応する上層部分を形成することにより、２段階の工程を経て磁極層を形成している。この種の磁極端面を有する磁極層は、例えば、トレーリングエッジを平坦化するために研磨処理を使用して磁極層を形成する場合において、その磁極層の形成精度の観点において利点を有している。すなわち、研磨処理を使用して矩形と逆台形とを組み合わせた形状の磁極端面を有する磁極層を形成する場合には、研磨処理を使用して逆台形状の磁極端面を有する磁極層を形成する場合とは異なり、磁極層の研磨量を矩形領域の高さの範囲内に留める限り、トレーリングエッジの幅が常に矩形領域の幅に基づいて決定されるため、その磁極層の研磨量のばらつきに起因してトレーリングエッジの幅がばらつきにくくなる。
【特許文献２】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献３】特開２００３−２４２６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの普及を図るためには、例えば、高性能な薄膜磁気ヘッドを高精度に製造することが可能な製造技術の確立が重要である。この点に関して、上記した矩形と逆台形とを組み合わせた形状の磁極端面を有する磁極層を形成することが可能な従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、高性能な薄膜磁気ヘッドを高精度に製造するための製造技術として有用である。しかしながら、薄膜磁気ヘッドの普及を図る上で、上記した性能や製造精度に加えて、量産性を考慮して製造容易性も加味すると、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁極層を形成する際に、逆台形領域に対応する下層部分と矩形領域に対応する上層部分とを別個に形成し、すなわち２段階の工程を経て磁極層を形成しているため、磁極層の形成工程が煩雑化すると共に、その磁極層を形成するために要する工程数が多くなってしまう。したがって、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関しては、磁極層を可能な限り容易に形成する観点において、未だ改善の余地がある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、磁極層を可能な限り容易に形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の第２の目的は、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造された薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【００１１】
さらに、本発明の第３の目的は、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、磁極層のうちの磁極部分を形成する工程が、媒体進行方向側に第１の絶縁層を形成すると共に媒体進行方向側と反対側に第２の絶縁層を形成することにより、これらの第１および第２の絶縁層を積層させる第１の工程と、第１の絶縁層に磁極部分の平面形状に対応した開口を有するマスクをパターン形成する第２の工程と、反応性イオンエッチングを使用し、マスクのうちの開口を通じて第２の絶縁層が露出するまで第１の絶縁層を選択的にエッチングして掘り下げることにより、その第１の絶縁層に一定幅を有するように第１の磁極形成空間を形成する第３の工程と、反応性イオンエッチングを使用し、第１の絶縁層に形成された第１の磁極形成空間を通じて第２の絶縁層を選択的にエッチングして掘り下げることにより、その第２の絶縁層に第１の磁極形成空間から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まるように第２の磁極形成空間を形成する第４の工程と、第１および第２の磁極形成空間内に磁極部分をパターン形成する第５の工程とを含み、媒体進行方向側に位置すると共に媒体進行方向において一定幅を有する第１の磁極部分と、媒体進行方向側と反対側に位置して第１の磁極部分に磁気的に連結されると共に第１の磁極部分から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まる第２の磁極部分とを含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された構成を有するように磁極部分を形成したものである。
【００１３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、反応性イオンエッチングを使用してマスクの開口を通じて第１および第２の絶縁層がエッチングされて掘り下げられることにより、第１の絶縁層に一定幅を有するように第１の磁極形成空間が形成されると共に第２の絶縁層に第１の磁極形成空間から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まるように第２の磁極形成空間が形成されたのち、それらの第１および第２の磁極形成空間内に磁極部分が形成される。これにより、第１および第２の絶縁層に形成された第１および第２の磁極形成空間を利用して、第１および第２の磁極部分が一体化された構造を有する磁極部分が一工程において一括して形成されるため、第１および第２の磁極部分をそれぞれ別個に形成することにより２工程を経て磁極部分を形成する場合と比較して、磁極部分の形成工程が簡略化すると共に、その磁極部分を形成するために要する工程数が減少する。
【００１４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層と、磁極層の周囲を埋設する絶縁層と備え、磁極層のうちの磁極部分が、媒体進行方向側に位置すると共に媒体進行方向において一定幅を有する第１の磁極部分と、媒体進行方向側と反対側に位置して第１の磁極部分に磁気的に連結されると共に第１の磁極部分から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まる第２の磁極部分とを含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された構成を有し、絶縁層が、磁極部分のうちの第１の磁極部分の周囲を埋設する第１の絶縁層と、第２の磁極部分の周囲を埋設する第２の絶縁層とが積層された構成を有しているものである。
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極層のうちの磁極部分が、第１および第２の磁極部分を含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された特徴的な構成を有すると共に、絶縁層が、第１および第２の絶縁層が積層された特徴的な構成を有する。
【００１６】
本発明に係る磁気記録装置は、媒体進行方向に移動する記録媒体と、この記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドとを搭載し、この薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層と、磁極層の周囲を埋設する絶縁層とを備え、磁極層のうちの磁極部分が、媒体進行方向側に位置すると共に媒体進行方向において一定幅を有する第１の磁極部分と、媒体進行方向側と反対側に位置して第１の磁極部分に磁気的に連結されると共に第１の磁極部分から遠ざかるにしたがって次第に幅が狭まる第２の磁極部分とを含み、これらの第１および第２の磁極部分が一体化された構成を有し、絶縁層が、磁極部分のうちの第１の磁極部分の周囲を埋設する第１の絶縁層と、第２の磁極部分の周囲を埋設する第２の絶縁層とが積層された構成を有しているものである。
【００１７】
本発明に係る磁気記録装置では、上記した特徴的な構成を有する本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載して構成される。
【００１８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の工程において、反応性イオンエッチングによるエッチング速度が相対的に速い材料を使用して第１の絶縁層を形成すると共に、反応性イオンエッチングによるエッチング速度が相対的に遅い材料を使用して第２の絶縁層を形成し、具体的にはケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を使用して第１の絶縁層を形成すると共に、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）を使用して第２の絶縁層を形成するのが好ましい。この場合には、第３および第４の工程において、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）およびトリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）のうちの少なくとも一方、あるいは塩素（Ｃｌ2 ）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）のうちの少なくとも一方を含むガスを使用し、具体的には互いに同一のガスを使用して反応性イオンエッチングを行うのが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、さらに、磁極部分の平面形状に対応する領域を含む領域に、非磁性金属材料を使用してストッパ層を形成する第７の工程を含み、第１の工程において、ストッパ層を覆うように第１および第２の絶縁層を形成し、第４の工程において、ストッパ層が露出するまで第２の絶縁層をエッチングして掘り下げるようにしてもよい。この場合には、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ベリリウム（Ｂｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはこれらの合金を使用してストッパ層を形成すると共に、第５の工程において、ストッパ層をシード層として使用してめっき膜を成長させることにより磁極部分を形成するのが好ましい。
【００２０】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の工程が、第１の絶縁層上にシード層を形成する工程と、シード層上に磁極部分の平面形状に対応する平面形状を有するようにフォトレジストパターンを形成する工程と、シード層を使用してフォトレジストパターンおよびその周辺のシード層を覆うようにめっき膜を成長させる工程と、フォトレジストパターンをリフトオフしてめっき膜を部分的に残存させることにより、フォトレジストパターンが配置されていた箇所に開口を有するようにマスクを形成する工程とを含むようにしてもよい。この場合には、磁極部分に対応する部分が第１の幅を有するようにフォトレジストパターンを形成したのち、そのフォトレジストパターンをアッシングすることにより、磁極部分に対応する部分の幅を第１の幅からその第１の幅よりも小さい第２の幅まで狭めると共に、めっき膜の成長に伴う圧力を利用して、フォトレジストパターンのうちの磁極部分に対応する部分の幅を第２の幅からその第２の幅よりも小さい第３の幅まで狭めることにより、開口が第３の幅を有するようにマスクを形成するのが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１および第２の磁極部分が一体化された構造を有する磁極層が一工程において一括して形成されることに基づき、磁極層の形成工程が簡略化すると共にその磁極層を形成するために要する工程数が減少するため、磁極層を可能な限り容易に形成することができる。
【００２２】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、磁極層のうちの磁極部分ならびに絶縁層の双方が特徴的な構成を有することに基づき、これらの特徴的な構成を有する磁極層や絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドを製造するために、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を適用することができる。
【００２３】
さらに、本発明に係る磁気記録装置によれば、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載していることに基づき、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置を製造するために、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】
まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１〜図４は薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１は断面構成を示し、図２は主要部の平面構成を示し、図３は主要部の斜視構成を示し、図４は磁極端面の平面構成を示している。図１のうち、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面（ＸＺ面に沿った断面）を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面（ＹＺ面に沿った断面）を示している。なお、図１および図３に示した上向きの矢印Ｄは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
【００２６】
以下の説明では、図１〜図４に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さまたは高さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図５以降においても同様とする。
【００２７】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、媒体進行方向Ｄに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-resistive ）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１９とがこの順に積層された構成を有している。
【００２８】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）５０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００２９】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面５０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００３０】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００３１】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものである。
【００３２】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層９，２０により周囲を埋設された磁極層３０と、磁気連結用の開口（バックギャップ１４ＢＧ）が設けられたギャップ層１４と、絶縁層１６により埋設された薄膜コイル１５と、ライトシールド層４０とがこの順に積層された構成を有している。
【００３３】
磁極層３０は、薄膜コイル１５において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより磁気的処理（記録処理）を実行するものであり、エアベアリング面５０から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１４に設けられたバックギャップ１４ＢＧに対応する位置まで延在している。
【００３４】
この磁極層３０は、例えば、図１〜図３に示したように、絶縁層９により周囲を埋設された補助磁極層８と、ストッパ層１０と、絶縁層２０により周囲を埋設された主磁極層１３とがこの順に積層され、すなわちストッパ層１０を挟んでリーディング側に補助磁極層８が配置されると共にトレーリング側に主磁極層１３が配置された３層構造を有している。上記した「リーディング側」とは、図１および図３に示した媒体進行方向Ｄに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｄ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｄ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上側をいう。なお、図２および図３では、薄膜磁気ヘッドのうち、主磁極層１３およびその周辺部分の構成を示している。
【００３５】
主磁極層１３は、主要な磁束の放出部分として機能するものであり、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されている。この鉄コバルト系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。この主磁極層１３は、エアベアリング面５０からバックギャップ１４ＢＧに対応する位置まで延在しており、そのトレーリング側の端面ＥＰは平坦化されている。
【００３６】
この主磁極層１３は、図２および図３に示したように、エアベアリング面５０から後方に向かって延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１（Ｗ１＝約０．１３μｍ〜０．１７μｍ）を有する先端部１３Ａ（磁極部分）と、この先端部１３Ａの後方に磁気的に連結されてバックギャップ１４ＢＧに対応する位置まで延在すると共に先端部１３Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１３Ｂとを含んで構成されている。この後端部１３Ｂの幅は、例えば、後方において一定幅Ｗ２であると共に、前方において先端部１３Ａに近づくにしたがって幅Ｗ２から幅Ｗ１へ連続的に狭まっている。主磁極層１３の幅が先端部１３Ａ（幅Ｗ１）から後端部１３Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つであるフレアポイントＦＰである。
【００３７】
先端部１３Ａは、薄膜コイル１５において発生した磁束を記録媒体に向けて実質的に放出する部分であり、エアベアリング面５０に露出した露出面（磁極端面）ＸＰを有している。この磁極端面ＸＰは、図４に示したように、トレーリング側に位置して矩形状（幅Ｗ１，高さＨ１）を有する上側領域ＸＰ１と、リーディング側に位置して逆台形状（高さＨ２）を有する下側領域ＸＰ２とが組み合わされた形状を有しており、すなわち上端縁Ｅ１が幅Ｗ１を有すると共に下端縁Ｅ２が幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ４（Ｗ４＜Ｗ１）を有する六角形状を有している。上側領域ＸＰ１の幅は高さ方向（Ｚ軸方向）において一定（幅Ｗ１）であり、下側領域ＸＰ２の幅は上側領域ＸＰ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に狭まっている。この下側領域ＸＰ２の側端縁Ｅ３，Ｅ４が幅方向（Ｘ軸方向）に対してなす角度（テーパ角度）θ１は、下側領域ＸＰ２が逆台形状を有する限りにおいて自由に設定可能であり、具体的には約７７°〜８９°である。上記した上端縁Ｅ１は、主磁極層１３の実質的な記録箇所であるトレーリングエッジＴＥである。
【００３８】
特に、先端部１３Ａは、長さ方向（Ｙ軸方向）において位置によらずに磁極端面ＸＰの形状と同様の断面形状を有しており、すなわちトレーリング側に位置すると共に厚さ方向において一定幅Ｗ１を有する上側先端部１３Ａ１（第１の磁極部分）と、リーディング側に位置して上側先端部１３Ａ１に磁気的に連結されると共にその上側先端部１３Ａ１から遠ざかるにしたがって幅が幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に狭まる下側先端部１３Ａ２（第２の磁極部分）とを含み、これらの上側先端部１３Ａ１と下側先端部１３Ａ２とが一体化された構成を有している。この「一体化された構成」とは、上側先端部１３Ａ１と下側先端部１３Ａ２との間に継目がなく、両者が連続的に構成されており、すなわち上側先端部１３Ａと下側先端部１３Ａ２とが別個に形成されたものではなく、両者が一体として一括形成されたものであることを意味している。
【００３９】
補助磁極層８は、主磁極層１３に対して補助的な磁束の収容部分として機能するものであり、エアベアリング面５０よりも後退した位置からバックギャップ１４ＢＧに対応する位置まで延在している。この補助磁極層８は、例えば、図２に示したように、幅Ｗ２を有する矩形状の平面形状を有している。
【００４０】
ストッパ層１０は、エッチング技術を使用して主磁極層１３を形成する際に、そのエッチング処理の進行を制御するために使用されるものである。このストッパ層１０は、例えば、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ベリリウム（Ｂｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはこれらの合金などの非磁性金属材料により構成されており、その厚さは約０．０１５μｍ〜０．３μｍである。この「合金」としては、例えば、金銅合金（ＡｕＣｕ）などが挙げられる。なお、ストッパ層１０による具体的なエッチング処理の進行制御作用に関しては、後述する。
【００４１】
絶縁層９は、補助磁極層８を周囲から電気的に分離するためのものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００４２】
絶縁層２０は、主磁極層１３を周囲から電気的に分離するものである。この絶縁層２０は、主磁極層１３のうち、下側先端部１３Ａ２と共にその下側先端部１３Ａ２に対応する部分（後端部１３Ｂのうちの下方部分）の周囲を埋設する下側絶縁層１１（第２の絶縁層）と、上側先端部１３Ａ１と共にその上側先端部１３Ａ１に対応する部分（後端部１３Ｂのうちの上方部分）の周囲を埋設する上側絶縁層１２（第１の絶縁層）とが積層された構成を有している。これらの下側絶縁層１１および上側絶縁層１２は、いずれも非磁性絶縁材料により構成されており、具体的には、例えば、下側絶縁層１１はアルミナにより構成され、上側絶縁層１２はケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）により構成されている。
【００４３】
ギャップ層１４は、磁極層３０とライトシールド層４０とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１４は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
【００４４】
薄膜コイル１５は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１５は、例えば、図２に示したように、バックギャップ１４ＢＧを中心として巻回する巻回構造を有している。なお、図１および図２では、薄膜コイル１５を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００４５】
絶縁層１６は、薄膜コイル１５を覆って周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ１４ＢＧを塞がないようにギャップ層１４上に配設されている。この絶縁層１６は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成されており、その端縁近傍部分は丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層１６の前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。このスロートハイトゼロ位置ＴＰとエアベアリング面５０との間の距離は「スロートハイトＴＨ」であり、このスロートハイトＴＨは、約０．３μｍ以下である。なお、図１および図２では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。
【００４６】
ライトシールド層４０は、磁極層３０から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。このライトシールド層４０は、エアベアリング面５０から後方に向かって延在し、より具体的にはエアベアリング面５０に近い側においてギャップ層１４により磁極層３０から隔てられると共にエアベアリング面５０から遠い側においてバックギャップ１４ＢＧを通じて磁極層３０に隣接して磁気的に連結されるように延在している。特に、ライトシールド層４０は、例えば、互いに別体をなす２つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するＴＨ規定層１７と、このＴＨ規定層１７から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層１８とを含んで構成されている。
【００４７】
ＴＨ規定層１７は、ギャップ層１４に隣接し、エアベアリング面５０からこのエアベアリング面５０とバックギャップ１４ＢＧとの間の位置、より具体的にはエアベアリング面５０と薄膜コイル１５との間の位置まで延在している。このＴＨ規定層１７は、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されており、例えば、図２に示したように、磁極層３０の幅Ｗ２よりも大きい幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状を有している。このＴＨ規定層１７には薄膜コイル１５を埋設している絶縁層１６が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１７は絶縁層１６の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定し、より具体的にはスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
【００４８】
ヨーク層１８は、絶縁層１６を覆うようにエアベアリング面５０からバックギャップ１４ＢＧに対応する位置まで延在しており、前方においてＴＨ規定層１７に乗り上げて磁気的に連結されていると共に後方においてバックギャップ１４ＢＧを通じて磁極層３０に隣接して磁気的に連結されている。このヨーク層１８は、例えば、ＴＨ規定層１７と同様の磁性材料により構成されており、図２に示したように、ＴＨ規定層１７と同様に幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。
【００４９】
次に、図１〜図４を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００５０】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂの薄膜コイル１５に電流が流れると、その薄膜コイル１５において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層３０に収容されたのち、主に主磁極層１３内を後端部１３Ｂから先端部１３Ａへ向けて流れる。この際、主磁極層１３内を流れる磁束は、その主磁極層１３の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部１３Ａの磁極端面ＸＰのうちのトレーリングエッジＴＥ近傍に集中する。このトレーリングエッジＴＥ近傍に集中した磁束が先端部１３Ａの磁極端面ＸＰから外部に放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界が発生し、この記録磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に磁気的に情報が記録される。なお、情報の記録時には、先端部１３Ａの磁極端面ＸＰから放出された磁束の広がり成分がライトシールド層４０に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。このライトシールド層４０に取り込まれた磁束は、バックギャップ１４ＢＧを通じて磁極層３０に環流される。
【００５１】
一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００５２】
次に、図１〜図１５を参照して、図１〜図４に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図５〜図１５は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。
【００５３】
以下では、まず、図１を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図１５を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（磁極層３０）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴等に関して既に詳述した事項については、その説明を随時省略するものとする。
【００５４】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングやウェットエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６を埋設したシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、この分離層７上に、絶縁層９，２０（下側絶縁層１１，上側絶縁層１２）により周囲を埋設された磁極層３０（補助磁極層８，ストッパ層１０，主磁極層１３）と、バックギャップ１４ＢＧが設けられたギャップ層１４と、薄膜コイル１５を埋設した絶縁層１６と、ライトシールド層４０（ＴＨ規定層１７，ヨーク層１８）とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１９を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面５０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５５】
薄膜磁気ヘッドの主要部を形成する際には、まず、図５に示したように、補助磁極層８の周囲を埋設するように絶縁層９を形成し、この絶縁層９と共に補助磁極層８により平坦面ＳＰを構成したのち、この平坦面ＳＰ上のうち、後工程において形成される主磁極層１３の平面形状に対応する領域を含む領域に、非磁性金属材料を使用してストッパ層１０をパターン形成する。このストッパ層１０は、上記したように、エッチング技術を使用して主磁極層１３を形成する際に、そのエッチング処理の進行を制御するために使用するものであり、例えば、めっき膜を成長させることにより主磁極層１３を形成する場合には、そのめっき膜を成長させるためのシード層としての機能も兼ねるものである。この非磁性金属材料としては、例えば、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ベリリウム（Ｂｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはこれらの合金（例えば金銅合金（ＡｕＣｕ））などを使用し、具体的にはルテニウムを使用する。このストッパ層１０を形成する際には、例えば、図２に示したように、主磁極層１３の平面形状に対応する平面形状を有し、その輪郭が主磁極層１３の輪郭よりも大きくなるようにする。なお、ストッパ層１０の具体的な形成手順としては、例えば、スパッタリングを使用して平坦面ＳＰを覆うようにストッパ層１０を形成したのち、イオンミリングなどのエッチング技術を使用してストッパ層１０を選択的にエッチングすることによりパターニングするようにする。
【００５６】
続いて、図６に示したように、例えばスパッタリングを使用して、ストッパ層１０およびその周辺を覆うように下側絶縁層１１を形成したのち、その下側絶縁層１１上に上側絶縁層１２を形成することにより、下側絶縁層１１と上側絶縁層１２とが積層された絶縁層２０を形成する。これらの下側絶縁層１１および上側絶縁層１２を形成する際には、例えば、反応性イオンエッチング（以下、単に「ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）」という。）によるエッチング速度が相対的に遅い材料を使用して下側絶縁層１１を形成すると共に、ＲＩＥによるエッチング速度が相対的に速い材料を使用して上側絶縁層１２を形成する。一例を挙げれば、下側絶縁層１１の形成材料としてアルミナを使用すると共に、上側絶縁層１２の形成材料としてケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、具体的には酸化ケイ素を使用する。上記した「エッチング速度が相対的に遅い」とは、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングした場合のエッチング速度が、同様にＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングした場合のエッチング速度よりも遅いことを意味し、一方、「エッチング速度が相対的に速い」とは、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングした場合のエッチング速度が、同様にＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングした場合のエッチング速度よりも速いことを意味している。特に、下側絶縁層１１および上側絶縁層１２を形成する際には、例えば、図４に示した磁極端面ＸＰの寸法（高さＨ１，Ｈ２）に対応するように下側絶縁層１１および上側絶縁層１２の形成厚さＴ１，Ｔ２を設定し、具体的には、下側絶縁層１１の形成厚さＴ１が下側領域ＸＰ２の高さＨ２に一致すると共に（Ｔ１＝Ｈ２）、上側絶縁層１２の形成厚さＴ２が上側領域ＸＰ１の高さＨ１よりも大きくなるようにする（Ｔ２＞Ｈ１）。
【００５７】
続いて、図６に示したように、例えばスパッタリングを使用して、上側絶縁層１２上にシード層６１を形成する。このシード層６１を形成する際には、例えば、後工程において形成するマスク６４（めっき膜６３）と同様の形成材料を使用する。
【００５８】
続いて、シード層６１上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、図７に示したように、フォトレジストパターン６２を形成する。このフォトレジストパターン６２を形成する際には、例えば、後工程において形成される主磁極層１３の平面形状に対応する平面形状を有するようにし、特に、主磁極層１３のうちの先端部１３Ａに対応する部分（対応部分）６２Ａがその先端部１３Ａの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ０１（Ｗ０１＞Ｗ１；第１の幅）を有するようにする。
【００５９】
続いて、フォトレジストパターン６２をアッシングすることにより、図８に示したように、対応部分６２Ａの幅を幅Ｗ０１からその幅Ｗ０１よりも小さい幅Ｗ０２（Ｗ０２＜Ｗ０１；第２の幅）まで狭める。
【００６０】
続いて、図９に示したように、シード層６１を使用して、フォトレジストパターン６２およびその周辺のシード層６１を覆うようにめっき膜６３を成長させたのち、そのフォトレジストパターン６２を一部のめっき膜６３（めっき膜６３のうち、フォトレジストパターン６２上に形成された部分）と共にリフトオフすることにより、図１０に示したように、めっき膜６３の残存部分として、フォトレジストパターン６２が設けられていた箇所に開口６４Ｋを有するエッチング用のマスク６４をパターン形成する。このマスク６４の形成材料（すなわちめっき膜６３の形成材料）としては、例えば、パーマロイなどのめっき成長可能な材料を使用する。このマスク６４が形成される際には、図８および図９に示したように、フォトレジストパターン６２の周囲を覆うようにめっき膜６３が成長した際に、そのめっき膜６３の成長に伴う圧力（膨張圧）に起因してフォトレジストパターン６２が両幅方向から圧迫され、すなわちめっき膜６３の膨張圧を利用して対応部分６２Ａの幅が幅Ｗ０２からその幅Ｗ０２よりも小さい幅Ｗ１（Ｗ１＜Ｗ０２；第３の幅）まで狭まるため、図１０に示したように、開口６４Ｋのうちの対応部分６２Ａに対応する箇所の幅は、対応部分６２Ａの幅に対応して幅Ｗ１となる。なお、上記した原理を経てマスク６４が形成される際には、めっき膜６３の等方的な成長現象に基づいて対応部分６２Ａの幅が厚さ方向（Ｚ軸方向）においてほぼ一律に狭まるため、開口６４Ｋのうちの対応部分６２Ａに対応する箇所の幅Ｗ１は厚さ方向においてほぼ一定となる。なお、対応部分６２Ａの幅Ｗ０２と開口６４Ｋのうちの対応部分６２Ａに対応する箇所の幅Ｗ１との間の関係について一例を挙げれば、マスク６４（めっき膜６３）の厚さ＝約０．５μｍの場合には、Ｗ０２＝約０．２μｍのときにＷ１＝約０．１７μｍとなり、Ｗ０２＝約０．１６μｍのときにＷ１＝約０．１３μｍとなる。
【００６１】
続いて、例えばイオンミリングを使用し、マスク６４の開口６４Ｋを通じてシード層６１をエッチングして掘り下げることにより、図１１に示したように、シード層６１のうちのマスク６４により覆われていない部分を選択的に除去し、開口６４Ｋに上側絶縁層１２を露出させる。
【００６２】
続いて、ＲＩＥを使用し、マスク６４のうちの開口６４Ｋを通じて下側絶縁層１１が露出するまで上側絶縁層１２を選択的にエッチングして掘り下げることにより、図１２に示したように、上側絶縁層１２に、一定幅Ｗ１を有するように磁極形成空間Ｒ１（第１の磁極形成空間）を形成する。ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングする際には、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）およびトリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）のうちの少なくとも一方、あるいは塩素（Ｃｌ2 ）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）のうちの少なくとも一方を含むガスをエッチング用のガスとして使用し、具体的には四フッ化炭素とトリフルオロメタンとの混合ガス、あるいは塩素と三塩化ホウ素との混合ガスを使用する。なお、エッチング用のガスとして四フッ化炭素を含むガスを使用する場合には、例えば、その四フッ化炭素にアルゴン（Ａｒ）や酸素（Ｏ2 ）を加えるようにしてもよい。この種のガスをエッチング用のガスとして使用した上で、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングした場合には、比較的エッチングされやすい（エッチング速度が速い）上側絶縁層１２の被エッチング特性に基づき、その上側絶縁層１２に対してエッチング処理がほぼ等速で進行するため、上側絶縁層１２に形成される磁極形成空間Ｒ１の幅は、上記したように、厚さ方向においてほぼ一定（幅Ｗ１）となる。
【００６３】
続いて、例えばウェットエッチングを使用してシード層６１およびマスク６４を除去したのち、引き続きＲＩＥを使用し、上側絶縁層１２に形成された磁極層形成空間Ｒ１を通じてストッパ層１０が露出するまで下側絶縁層１１を選択的にエッチングして掘り下げることにより、図１３に示したように、下側絶縁層１１に、磁極形成空間Ｒ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まるように磁極形成空間Ｒ２（第２の磁極形成空間）を形成する。ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングする際には、例えば、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングした場合に使用したガスと同種のガス、すなわち四フッ化炭素（ＣＦ4 ）およびトリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）のうちの少なくとも一方、あるいは塩素（Ｃｌ2 ）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）のうちの少なくとも一方を含むガスをエッチング用のガスとして使用し、具体的には上側絶縁層１２をエッチングした場合に使用したガスと同一のガスを使用する。この種のガスをエッチング用のガスとして使用した上で、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングした場合には、比較的エッチングされやすい被エッチング特性を有する上側絶縁層１２の場合とは異なり、比較的エッチングされにくい（エッチング速度が遅い）下側絶縁層１１の被エッチング特性に基づき、その下側絶縁層１１に対するエッチング処理の進行速度（見かけ上の進行速度）が次第に遅くなるため、下側絶縁層１１に形成される磁極形成空間Ｒ２の幅は、上記したように、磁極形成空間Ｒ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に狭まる。特に、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングした場合には、上記したエッチング用のガスに対して極めてエッチングされにくい（エッチング速度が極めて遅い）ストッパ層１０の被エッチング特性に基づき、そのストッパ層１０がエッチング処理の進行を停止させる機能を果たすため、下側絶縁層１１に対するエッチング処理は、その下側絶縁層１１に磁極形成空間Ｒ２が形成されることによりストッパ層１０が露出した時点で自動的に停止する。なお、磁極形成空間Ｒ２を構成する下側絶縁層１１の内面（テーパ面）が幅方向（Ｘ軸方向）に対してなす角度（テーパ角度）θ２は、主磁極層１３のテーパ角度θ１（図４参照）を決定するものであり、このテーパ角度θ２は、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングする際のエッチング条件に基づいて適宜設定可能である。このエッチング条件とは、例えば、ガス種、ガス流量、ソースパワー、印加バイアスまたは時間（オーバーエッチング量）などが挙げられる。
【００６４】
続いて、例えば、ストッパ層１０をシード層として使用して磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内にめっき膜を成長させることにより、図１４に示したように、それらの磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内に主磁極層１３をパターン形成する。この主磁極層１３の形成材料としては、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などを使用し、具体的には鉄コバルト系合金として鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などを使用する。主磁極層１３を形成する際には、例えば、磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内に主磁極層１３を完全に埋設させず、すなわち主磁極層１３の表面位置が上側絶縁層１２の表面位置よりも低くなるようにする。
【００６５】
最後に、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用して上側絶縁層１２と共に主磁極層１３を研磨することにより、図１５に示したように、その主磁極層１３のトレーリング側の端面ＥＰを平坦化する。この研磨処理により、平坦化された端面ＥＰに基づいてトレーリングエッジＴＥが規定されるため、図１〜図４に示したように、補助磁極層８、ストッパ層１０および主磁極層１３がこの順に積層された構成を有する磁極層３０が完成する。この主磁極層１３は、下側絶縁層１１および上側絶縁層１２に形成された磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２の構造的特徴を反映し、図３に示したように、先端部１３Ａが、トレーリング側に位置すると共に厚さ方向において一定幅Ｗ１を有する上側先端部１３Ａ１と、リーディング側に位置して上側先端部１３Ａ１に磁気的に連結されると共にその上側先端部１３Ａ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まる下側先端部１３Ａ２とを含み、これらの上側先端部１３Ａ１と下側先端部１３Ａ２とが一体化された構成するように形成される。
【００６６】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１１〜図１５に示したように、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１および上側絶縁層１２をエッチングして掘り下げることにより、上側絶縁層１２に一定幅Ｗ１を有するように磁極形成空間Ｒ１を形成すると共に下側絶縁層１１に磁極形成空間Ｒ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まるように磁極形成空間Ｒ２を形成したのち、それらの磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内に主磁極層１３を形成するようにしたので、トレーリング側に位置すると共に厚さ方向において一定幅Ｗ１を有する上側先端部１３Ａ１と、リーディング側に位置して上側先端部１３Ａ１に磁気的に連結されると共にその上側先端部１３Ａ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まる下側先端部１３Ａ２とを含み、これらの上側先端部１３Ａ１と下側先端部１３Ａ２とが一体化された特徴的な構成を有する先端部１３Ａを含むように主磁極層１３が一工程において一括して形成される。この場合には、上記「背景技術」の項において説明した従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法、すなわち下層部分と上層部分とに分割して別個に形成することにより２工程を経て主磁極層を形成する場合とは異なり、主磁極層１３の形成工程が簡略化すると共に、その主磁極層１３を形成するために要する工程数が減少する。したがって、本実施の形態では、主磁極層１３を可能な限り容易に形成することができる。
【００６７】
特に、本実施の形態では、ＲＩＥによるエッチング速度が互いに異なる材料を使用して下側絶縁層１１および上側絶縁層１２を形成し、具体的にはエッチング速度が相対的に遅いアルミナなどの材料を使用して下側絶縁層１１を形成すると共にエッチング速度が相対的に速い酸化ケイ素などの材料を使用して上側絶縁層１２を形成したのち、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１および上側絶縁層１２を選択的にエッチングして掘り下げることにより磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２を形成するようにしたので、上記したように、下側絶縁層１１と上側絶縁層１２との間の互いに異なる被エッチング特性（エッチング処理の進行速度の差異）を利用して、一定幅Ｗ１を有するように磁極形成空間Ｒ１が形成されると共にその磁極形成空間Ｒ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まるように磁極形成空間Ｒ２が形成され、すなわち主磁極層１３を形成することが可能な特徴的な構成を有するように磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２が下側絶縁層１１および上側絶縁層１２に形成される。しかも、この場合には、ＲＩＥによるエッチング処理の進行安定性に基づき、磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２の寸法（幅Ｗ１，Ｗ４）を高精度に制御可能であると共に、ＲＩＥのエッチング条件を調整することにより、主磁極層１３のテーパ角度θ１を決定することとなるテーパ角度θ２を自由に設定可能である。したがって、本実施の形態では、下側絶縁層１１および上側絶縁層１２に形成された磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２を使用して主磁極層１３を高精度に形成することができる。
【００６８】
この場合には、特に、上記したように、幅Ｗ１，Ｗ４を高精度に制御可能であると共にテーパ角度θ１を自由に設定可能である点に基づき、主磁極層１３の磁極端面ＸＰの形状を高精度に制御することが可能となる。したがって、主磁極層１３の磁極端面ＸＰの面積のばらつきが抑制されるため、結果として薄膜磁気ヘッドの作動時に記録磁界強度がばらつくことを抑制することができる。
【００６９】
また、本実施の形態では、図１２および図１３に示したように、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ２を形成する際に、ストッパ層１０を利用してエッチング処理の進行を停止させるようにしたので、下側絶縁層１１に磁極形成空間Ｒ２が形成された時点においてエッチング処理の進行が自動的に停止する。したがって、ストッパ層１０を利用しない場合とは異なり、エッチング処理が過剰に進行して絶縁層９まで達することを防止することができる。
【００７０】
この場合には、特に、図１４に示したように、めっき膜を成長させることにより主磁極層１３を形成する際に、そのめっき膜を成長させるためのシード層としてストッパ層１０を流用するようにしたので、主磁極層１３を形成するためにシード層を新たに形成する必要がない。したがって、この観点においても薄膜磁気ヘッドの製造容易化に寄与することができる。
【００７１】
また、本実施の形態では、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ１を形成する工程と、同様にＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ２を形成する工程とにおいて、エッチング用のガスとして互いに同一のガスを使用するようにしたので、互いに異なるガスを使用する場合と比較して、ＲＩＥによるエッチング処理を行う際にガスの準備に要する手間が省ける。したがって、この観点においても薄膜磁気ヘッドの製造容易化に寄与することができる。
【００７２】
また、本実施の形態では、図１４および図１５に示したように、下側絶縁層１１および上側絶縁層１２に形成された磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内に主磁極層１３を形成したのち、上側絶縁層１２と共に主磁極層１３を研磨することにより、その主磁極層１３のトレーリング側の端面ＥＰを平坦化するようにしたので、その平坦化後の端面ＥＰに基づいて主磁極層１３のトレーリングエッジＴＥが規定される。したがって、主磁極層１３の実質的な記録箇所であるトレーリングエッチＴＥを高精度に平坦化することができる。
【００７３】
この場合には、特に、上記したように、主磁極層１３の先端部１３Ａがトレーリング側に位置すると共に一定幅Ｗ１を有する上側先端部１３Ａ１とリーディング側に位置すると共に上側先端部１３Ａ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まる下側先端部１３Ａ２とを含み、すなわち図４に示したように、主磁極層１３の磁極端面ＸＰが全体としてトレーリング側に位置する矩形領域ＸＰ１とリーディング側に位置する逆台形領域ＸＰ２とを組み合わせた六角形状を有しているため、その磁極端面ＸＰが全体として逆台形状を有している場合とは異なり、主磁極層１３の研磨量を矩形領域ＸＰ１の高さＨ１の範囲内に留める限り、記録トラック幅を規定するトレーリングエッジＴＥの幅が常に矩形領域ＸＰ１の幅Ｗ１に基づいて決定される。したがって、主磁極層１３の研磨量のばらつきに起因してトレーリングエッジＴＥの幅がばらつきにくくなるため、この観点においても薄膜磁気ヘッドの製造高精度化に寄与することができる。
【００７４】
また、本実施の形態では、図４、図６および図１５に示したように、極微小なストッパ層１０の厚さ（＝約０．０１５μｍ〜０．３μｍ）を考慮しなければ、主磁極層１３の磁極端面ＸＰのうちの下側領域ＸＰ２の高さＨ２が下側絶縁層１１の形成厚さＴ１に基づいて決定される。したがって、下側絶縁層１１の形成厚さＴ１に基づいて下側領域ＸＰ２の高さＨ２を制御することができる。
【００７５】
また、本実施の形態では、図７および図８に示したように、フォトリソグラフィ処理を使用して対応部分６２Ａ（幅Ｗ０１）を有するフォトレジストパターン６２を形成したのち、そのフォトレジストパターン６２をアッシングすることにより対応部分６２Ａの幅を幅Ｗ０１から幅Ｗ０２（Ｗ０２＜Ｗ０１）まで狭めるようにしたので、対応部分６２Ａがフォトリソグラフィ処理では再現し得ない微小幅Ｗ０２を有するようにフォトレジストパターン６２を形成することができる。
【００７６】
この場合には、さらに、図８〜図１０に示したように、対応部分６２Ａ（幅Ｗ０２）を有するフォトレジストパターン６２を形成し、引き続きフォトレジストパターン６２およびその周辺のシード層６１を覆うようにめっき膜６３を形成したのち、そのフォトレジストパターン６２をリフトオフすることにより開口６４Ｋを有するマスク６４を形成するようにしたので、上記したように、めっき膜６３の成長に伴う圧力を利用して対応部分６２Ａの幅が幅Ｗ０２から幅Ｗ１（Ｗ１＜Ｗ０２）まで狭まる結果、最終的に形成されるマスク６４では、開口６４Ｋのうちの対応部分６２Ａに対応する箇所の幅がその対応部分６２Ａの幅に対応して極微小な幅Ｗ１となる。しかも、上記したように、めっき膜６３の等方的な成長現象を利用して対応部分６２Ａの幅がほぼ一律に狭まるため、開口６４Ｋの幅Ｗ１は厚さ方向においてほぼ一定となる。したがって、開口６４Ｋのうちの対応部分６２Ａに対応する箇所がフォトリソグラフィ処理では再現し得ない極微小幅Ｗ１を有するようにマスク６４を高精度に形成することができる。
【００７７】
また、本実施の形態では、図５および図１５に示したように、補助磁極層８および絶縁層９の平坦面ＳＰ上にストッパ層１０を介して主磁極層１３を形成するようにしたので、その平坦面ＳＰの平坦性を反映して主磁極層１３のリーディング側の端面も平坦化される。したがって、上記した主磁極層１３のトレーリング側の端面ＥＰに加えて、リーディング側の端面も平坦化することができる。この場合には、特に、主磁極層１３のトレーリング側の端面ＥＰおよびリーディング側の端面の双方が平坦化されるため、その主磁極層１３の厚さを高精度に制御することができる。
【００７８】
特に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層１３のうちの先端部１３Ａが、トレーリング側に位置すると共に厚さ方向において一定幅Ｗ１を有する上側先端部１３Ａ１と、リーディング側に位置して上側先端部１３Ａ１に磁気的に連結されると共にその上側先端部１３Ａ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まる下側先端部１３Ａ２とを含み、これらの上側先端部１３Ａ１と下側先端部１３Ａ２とが一体化された構成を有すると共に、その主磁極層１３の周囲を埋設する絶縁層２０が、上側先端部１３Ａ１の周囲を埋設する上側絶縁層１２と、下側先端部１３Ａ２の周囲を埋設する下側絶縁層１１とが積層された構成を有するようにしたので、これらの特徴的な構造を有する主磁極層１３や絶縁層２０を備えた薄膜磁気ヘッドを製造するために、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を適用することができる。
【００７９】
また、本実施の形態では、上記した先端部１３Ａの特徴的な構成に基づき、図４に示したように、磁極端面ＸＰが、トレーリング側に位置して一定幅Ｗ１を有する矩形領域ＸＰ１と、リーディング側に位置して矩形領域ＸＰ１から遠ざかるにしたがって幅Ｗ１から幅Ｗ４へ次第に幅が狭まる逆台形領域ＸＰ２とを含み、すなわち全体として矩形領域ＸＰ１と逆台形領域ＸＰ２とが組み合わされた六角形状を有するように主磁極層１３を構成したので、逆台形領域ＸＰ２を含む磁極端面ＸＰの特徴的な構成に基づき、磁極端面ＸＰが全体として矩形状を有する場合とは異なり、情報の記録時に薄膜磁気ヘッドがスキューした際に、記録パターンが拡大または屈曲しにくくなる。したがって、情報の再生時にクロストークに起因してエラーレートが増大しにくくなるため、薄膜磁気ヘッドの記録性能を向上させることができる。
【００８０】
なお、本実施の形態では、下側絶縁層１１および上側絶縁層１２に設けられた磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２内に主磁極層１３を形成する際に、めっき膜を成長させることにより主磁極層１３を形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、スパッタリングを使用して主磁極層１３を形成するようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８１】
また、本実施の形態では、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ１を形成する工程と、同様にＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ２を形成する工程とにおいて、エッチング用のガスとして互いに同一のガスを使用するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、互いに異なるガスを使用するようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態とほぼ同様の効果を得ることができる。ただし、上記したように、薄膜磁気ヘッドの製造工程を容易化する観点にいては、エッチング用のガスとして互いに同一のガスを使用するのが好ましい。
【００８２】
また、本実施の形態では、下側絶縁層１１および上側絶縁層１２に磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２を形成する際に、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ１を形成したのち、ウェットエッチングを使用してマスク６４を除去してから、ＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ２を形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、ＲＩＥを使用して上側絶縁層１２をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ１を形成し、引き続きＲＩＥを使用して下側絶縁層１１をエッチングすることにより磁極形成空間Ｒ２を形成したのち、ウェットエッチングを使用してマスク６４を除去するようにしてもよい。この場合には、上側絶縁層１２のエッチング処理と下側絶縁層１１のエッチング処理との間にマスク６４の除去処理を挟むために、２つのエッチング処理の間でエッチング対象物をエッチング用のチャンバから大気圧中に取り出す必要がある上記実施の形態の場合とは異なり、それらの上側絶縁層１２のエッチング処理と下側絶縁層１１のエッチング処理とをエッチング用のチャンバ内で連続的に行うことが可能であり、２つのエッチング処理の間でエッチング対象物をエッチング用のチャンバから取り出す必要がない。したがって、エッチング用のガスの準備などを含む準備作業が簡略化されるため、主磁極層１３をより容易に形成することができる。ただし、磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２を形成したのちにマスク６４を除去する場合には、例えば、ウェットエッチングを使用してマスク６４を除去する際に、磁極形成空間Ｒ１，Ｒ２を通じて露出しているストッパ層１０がマスク６４と共に除去されないように、ストッパ層１０とマスク６４との間で材質を異ならせたり、あるいはエッチャントの種類を適性に選択する必要がある。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明を終了する。
【００８４】
次に、図１６および図１７を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図１６は磁気記録装置の切り欠き概観構成を表し、図１７は磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
【００８５】
この磁気記録装置は、図１６に示したように、例えば、筐体２００の内部に、情報が記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク（ハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、先端にヘッドスライダ２１０が取り付けられた複数のアーム２０２とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０３を中心として回転可能になっている。アーム２０２は、動力源としての駆動部２０４に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０５を中心として、ベアリング２０６を介して旋回可能になっている。駆動部２０４は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。なお、図１６では、例えば、固定軸２０５を中心として複数のアーム２０２が一体的に旋回するモデルを示している。
【００８６】
ヘッドスライダ２１０は、図１７に示したように、アーム２０２の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が一面（エアベアリング面２２０）に設けられた略直方体状の基体２１１のうち、そのエアベアリング面２２０と直交する一側面（図１７中、右手前側の面）に、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた構成を有している。この薄膜磁気ヘッド２１２は、例えば、上記実施の形態において説明した構成を有するものである。なお、図１７では、ヘッドスライダ２１０のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図１６に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００８７】
なお、薄膜磁気ヘッド２１２の詳細な構成については、上記実施の形態において既に詳細に説明したので、その説明を省略する。
【００８８】
この磁気記録装置では、情報の記録時においてアーム２０２が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）までヘッドスライダ２１０が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記各実施の形態において説明したように動作することにより、薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に情報を記録する。
【００８９】
この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッド２１２を備えるようにしたので、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置を製造するために本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を適用することができる。
【００９０】
なお、この磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド２１２に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例等は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００９１】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明をシールド型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、単磁極型ヘッドに適用してもよい。また、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【００９２】
また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置は、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を表す斜視図である。
【図４】磁極端面の平面構成を表す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程における一工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の切り欠き外観構成を表す斜視図である。
【図１７】図１６に示した磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表す斜視図である。
【符号の説明】
【００９５】
１…基板、２，９，１６，２０…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、１０…ストッパ層、１１…下側絶縁層、１２…上側絶縁層、１３…主磁極層、１３Ａ…先端部、１３Ａ１…上側先端部、１３Ａ２…下側先端部、１３Ｂ…後端部、１４…ギャップ層、１４ＢＧ…バックギャップ、１５…薄膜コイル、１７…ＴＨ規定層、１８…ヨーク層、１９…オーバーコート層、３０…磁極層、４０…ライトシールド層、５０，２２０…エアベアリング面、６１…シード層、６２…フォトレジストパターン、６２Ａ…対応部分、６３…めっき膜、６４…マスク、６４Ｋ…開口、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…アーム、２０３…スピンドルモータ、２０４…駆動部、２０５…固定軸、２０６…ベアリング、２１０…ヘッドスライダ、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、Ｅ１…上端縁、Ｅ２…下端縁、Ｅ３，Ｅ４…側端縁、ＥＰ…端面、ＦＰ…フレアポイント、Ｒ１，Ｒ２…磁極形成空間、ＳＰ…平坦面、ＴＥ…トレーリングエッジ、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置、ＸＰ…磁極端面、ＸＰ１…上側領域、ＸＰ２…下側領域、θ１，θ２…テーパ角度。
【図１】
2005166090.tif 000003
【図２】
2005166090.tif 000004
【図３】
2005166090.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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