(57)【要約】【課題】  量産が容易であり、導体パターンのずれが少なく、狭公差のインダクタンス値が得られる積層電子部品の歩留まりを高める。【解決手段】  導電性シート１１０’と絶縁シート１３１’，１３２’を交互に積層することによって積層母材１６５を形成するステップと、積層母材１６５を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板１８０を形成するステップと、基板１８０をあて板１９０に貼り付けることによって固定するステップと、基板１８０をあて板１９０に貼り付けた状態で加工するステップとを備える。本発明では、基板１８０に対する加工をあて板１９０に貼り付けた状態で行っていることから、加工時に基板に熱や大きな力が加わったとしても、基板の変形が効果的に防止されるので、製品の歩留まりを大幅に高めることが可能となる。【選択図】          図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも導電性シートと絶縁シートを交互に積層することによって積層母材を形成する第１のステップと、前記積層母材を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板を形成する第２のステップと、前記基板をあて板に貼り付けることによって固定する第３のステップと、前記基板を前記あて板に貼り付けた状態で加工する第４のステップとを備えることを特徴とする積層電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第３のステップは、前記基板の切断面を前記あて板に貼り付けることによって前記基板を固定するものであることを特徴とする請求項１に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第４のステップには、前記基板の表面を研削することにより溝を形成する第１のサブステップが少なくとも含まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第４のステップには、前記第１のサブステップを行った後、前記基板の表面に導体パターンを形成する第２のサブステップがさらに含まれていることを特徴とする請求項３に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記第１のサブステップは、前記基板の表面を前記積層面に対して実質的に垂直な方向に研削することにより溝を形成する工程であることを特徴とする請求項３又は４に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１のサブステップにて加工された前記導電性シートの少なくとも一部が、コイルの導体を構成していることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１のサブステップにて加工された前記導電性シートの少なくとも一部が、コンデンサの電極を構成していることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の積層電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層電子部品の製造方法に関し、特に、ヘリカル状のコイル又はコンデンサ等を含む積層電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コイル部品としては、薄膜型のコイル部品や、積層型のコイル部品、さらには、巻線型のコイル部品が知られている。
【０００３】
薄膜型のコイル部品の例としては、例えば特許文献１に記載されているように、コア基板の表面及び裏面にフォトリソグラフィ工法を用いてスパイラル状のコイルを形成したものが知られている。また、積層型のコイル部品の例としては、例えば特許文献２に記載されているように、１／２〜３／４ターンの内部導体パターンを厚み方向に多層積層して内部にヘリカル状のコイルを形成したものが知られている。さらに、巻線型のコイル部品としては、例えば特許文献３に記載されているように、ボビンに巻線となるワイヤをヘリカル状に巻いたものが知られている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されているような薄膜型のコイル部品においては、導体パターンに高度な微細加工が必要とされるのみならず、高いインダクタンス値を得ることが難しいという問題がある。また、特許文献２に記載されているような積層型のコイル部品においては、内部導体が印刷法により多層積層されるため、印刷ばらつきと積層ばらつきが発生する上、素子を焼成することから、焼成時の収縮や収縮ばらつき等によりインダクタンス精度が低下し、狭公差のコイル部品を得ることが難しいという問題がある。さらに、特許文献３に記載されているような巻線型のコイル部品は、ボビン１個ずつにワイヤを巻線することから、小型化や生産性に難があり、低コストでコイル部品を得ることが難しいという問題がある。
【特許文献１】特許２７１４３４３号公報
【特許文献２】特開平１１−１０３２２９号公報
【特許文献３】特開平１１−２０４３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような背景から、本発明者らは、量産が容易であり、導体パターンのずれが少なく、狭公差のインダクタンス値が得られるコイル部品を開発した。このコイル部品は、導電層と絶縁層を交互に積層した積層母材を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板を作製し、この基板を加工することによって作製される。
【０００６】
しかしながら、このような基板は、主に加工が施される主面と積層面とが実質的に垂直であることから、加工時に伸縮が生じやすいことが明らかとなった。このような伸縮が大きいと、フォトリソグラフィ法により形成される導体パターンのずれによって接続不良やショート不良が発生し、製品の歩留まりが低下するおそれが生じる。このような問題は、コイル部品のみならず、コンデンサ部品等の他の積層電子部品においても生じる問題である。
【０００７】
したがって、本発明は、量産が容易であり、導体パターンのずれが少なく、狭公差のインダクタンス値が得られる積層電子部品の歩留まりを高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による積層電子部品の製造方法は、少なくとも導電性シートと絶縁シートを交互に積層することによって積層母材を形成する第１のステップと、前記積層母材を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板を形成する第２のステップと、前記基板をあて板に貼り付けることによって固定する第３のステップと、前記基板を前記あて板に貼り付けた状態で加工する第４のステップとを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、導電性シートと絶縁シートの積層体からなる基板に対する加工をあて板に貼り付けた状態で行っていることから、加工時に基板に熱や大きな力が加わったとしても、基板の変形が効果的に防止されるので、製品の歩留まりを大幅に高めることが可能となる。
【００１０】
本発明において第３のステップは、基板の切断面をあて板に貼り付けることによって基板を固定することが好ましい。これは、基板の変形が積層方向に対して最も生じやすいからである。
【００１１】
また、第４のステップには、基板の表面を研削することにより溝を形成する第１のサブステップが少なくとも含まれていることが好ましい。溝の形成においては、基板に大きな力が加わることから変形が生じやすく、本発明の適用が効果的となるからである。また、第４のステップには、第１のサブステップを行った後、基板の表面に導体パターンを形成する第２のサブステップがさらに含まれていることが好ましい。導体パターンの形成は最も高い精度が要求される工程であることから、溝を形成した後に導体パターンを形成する場合には本発明の適用が特に効果的となるからである。さらに、第１のサブステップは、基板の表面を積層面に対して実質的に垂直な方向に研削することにより溝を形成する工程であることが好ましい。このような方向に溝を形成する場合、基板は非常に変形しやすくなるため、本発明の適用が特に効果的となるからである。
【００１２】
第１のサブステップにて加工された導電性シートの少なくとも一部がコイルの導体を構成すれば、最終的にコイル部品を作製することが可能となり、第１のサブステップにて加工された導電性シートの少なくとも一部がコンデンサの電極を構成すれば、最終的にコンデンサ部品を作製することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
このように、本発明では、導電性シートと絶縁シートの積層体からなる基板に対する加工をあて板に貼り付けた状態で行っていることから、加工時に基板に熱や大きな力が加わったとしても、基板の変形が効果的に防止される。これにより、基板に導体パターンを形成する場合であっても位置ずれが生じにくく、接続不良やショート不良が発生する可能性が非常に少なくなる。これにより、製品の歩留まりを大幅に高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の好ましい実施形態による製造方法により製造されるべき積層電子部品１００の構造を示す略斜視図であり、図２は、図１に示すＡ方向から見た略透視平面図であり、図３は、積層電子部品１００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。さらに、図４は図１に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した場合の略断面図であり、図５は図１に示すＣ−Ｃ線に沿って切断した場合の略断面図であり、図６は図１に示すＤ−Ｄ線に沿って切断した場合の略断面図である。
【００１６】
本実施形態による製造方法により製造されるべき積層電子部品１００は、ヘリカル状のコイルを内蔵するコイル部品である。図１に示すように、その外形は略直方体形であり、その一つの面には外部電極１４１及び１４２が設けられている。外部電極１４１はコイルの一端を構成し、外部電極１４２はコイルの他端を構成している。図２乃至図６に示すように、積層電子部品１００にはコの字状の複数の主導体１１０と、これら主導体１１０同士を接続する橋架導体（導体パターン）１２０とが内蔵されており、これら主導体１１０及び橋架導体１２０を取り囲むように、絶縁層１３１〜１３６が設けられている。
【００１７】
図２及び図３に示すように、本例では、コの字状の主導体１１０は互いに平行に配置された６つの主導体１１１〜１１６によって構成されており、橋架導体１２０は７つの橋架導体１２１〜１２７によって構成されている。これら７つの橋架導体１２１〜１２７のうち、橋架導体１２１は主導体１１１の一端と外部電極１４１とを接続し、橋架導体１２２は主導体１１１の他端と主導体１１２の一端とを接続し、橋架導体１２３は主導体１１２の他端と主導体１１３の一端とを接続し、橋架導体１２４は主導体１１３の他端と主導体１１４の一端とを接続し、橋架導体１２５は主導体１１４の他端と主導体１１５の一端とを接続し、橋架導体１２６は主導体１１５の他端と主導体１１６の一端とを接続し、橋架導体１２７は主導体１１６の他端と外部電極１４２とを接続している。これにより、外部電極１４１と外部電極１４２とは、主導体１１１〜１１６及び橋架導体１２１〜１２７からなる一続きのコイルを介して接続されることになる。但し、図５に示すように、橋架導体１２１と外部電極１４１との接続及び橋架導体１２７と外部電極１４２との接続は、下地導体層１４４を介して行われる。
【００１８】
主導体１１０（１１１〜１１６）の材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）もしくはこれらの合金等を用いることが好ましく、導電性やコストを考慮すれば、銅（Ｃｕ）又はその合金を用いることが最も好ましい。主導体１００（１１１〜１１６）の厚みとしては、５μｍ以上、７５μｍ未満に設定することが好ましい。一方、橋架導体１２０（１２１〜１２７）の材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）又はその合金（銀パラジウム、銀白金等）を用いることが好ましい。
【００１９】
また、図４乃至図６に示すように、コの字状の主導体１１１〜１１６の間には絶縁層１３１が設けられ、端部に位置する主導体１１１及び主導体１１６からみて他の主導体とは反対側には絶縁層１３２が設けられている。さらに、コの字状の主導体１１１〜１１６の内側には絶縁層１３３が設けられており、コの字状の主導体１１１〜１１６の外側のうち図４における左右方向（図６における上下方向）には絶縁層１３４が設けられ、コの字状の主導体１１１〜１１６の外側のうち図４における上下方向には絶縁層１３５，１３６が設けられている。
【００２０】
絶縁層１３１〜１３３の材料としては、樹脂又は樹脂にセラミック等の機能性材料粉末（磁性体粉末又は誘電体粉末）を混合した複合材料を用いることが好ましい。樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。
【００２１】
具体的には、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ホリフェニレレンエテール（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂等を用いることができる。
【００２２】
また、熱可塑性樹脂としては、ポリブタジエン樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリフェニレレンエテール（オキサイド）樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルテーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエーテルテーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂グラフト樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、ビニルベンジル樹脂等を用いることができ、この中でも、特に、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、ビニルベンジル樹脂等をベースレジンとして用いることが好ましい。これらの樹脂は単独で使用しても良いし、２種類以上混合して使用してもよい。２種類以上混合して用いる場合の混合比は任意である。
【００２３】
また、複合材料を構成する場合の無機材料としては、比較的高い誘電率を得るためには、チタン−バリウム−ネオジム系セラミックス、チタン−バリウム−錫系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、ＣａＷＯ４系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックスを用いることが好ましい。
【００２４】
なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するものの他、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に二酸化チタン系セラミックスはルチル構造を有するものが好ましい。
【００２５】
また、誘電率をあまり高くせず、高いＱを持たせるためには、樹脂材料に混合する誘電体粉末としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）等を用いることが好ましい。これらの樹脂は単独で使用しても良いし２種類以上混合して使用してもよい。２種類以上混合して用いる場合の混合比は任意である。
【００２６】
また、樹脂材料に混合する無機材料に磁性体を用いる場合は、フェライトとしてはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系等が好ましい。また、磁性体としては強磁性金属を用いることができる。この場合、カーボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミニウム−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）。アモルファス系（鉄系、コバルト系）等を用いることが好ましい。
【００２７】
次に、積層電子部品１００の製造方法について、図７乃至図２１を用いて説明する。
【００２８】
まず、樹脂又は樹脂に機能性材料粉末を混合した材料を溶剤及びバインダに分散させてペースト状とし、これを図７に示すようにドクターブレード法等により主導体１１０（１１１〜１１６）の母材である導電性シート１１０’上に塗布して薄膜絶縁シート１３１’を形成する。形成された薄膜絶縁シート１３１’は、最終的に絶縁層１３１となる。これにより、導電性シート１１０’と薄膜絶縁シート１３１’からなる積層シート１５０が形成される。
【００２９】
次に、積層シート１５０を所定の大きさに切断し、これを図８に示すように複数枚（本例では６枚）重ね合わせて、熱圧着または必要な場合には接着層を介して一体化し、積層体１６０を作製する。
【００３０】
次に、図９に示すように、積層体１６０と厚膜絶縁シート１３２’を熱圧着または必要な場合には接着層を介して交互に重ね合わせ、積層母材１６５を作製する。
【００３１】
次に、図１０に示すように、積層母材１６５を積層面に対して実質的に垂直な方向に切断（スライス）し、基板１８０を作製する。切断面の一方は主に加工が施される主面１８１となり、切断面の他方は裏面１８２となる。
【００３２】
次に、図１１に示すように、この基板１８０の裏面１８２をあて板１９０の主面１９１に貼り付け、これによって基板１８０をあて板１９０に固定する。あて板１９０の主面１９１は、図１１に示すように基板１８０の主面１８１及び裏面１８２よりも大面積である必要があり、その材料としては、十分な機械的強度を持ち、熱による伸縮が少なく、且つ、耐熱性及び耐溶剤性の高い材料を用いることが好ましい。耐熱性としては３００℃以上有していることが好ましく、耐溶剤性としては、トルエンやアルコール、ブチルカルビトール等の有機溶剤に溶解しないことが好ましく、耐酸性、耐アルカリ性が高いことが特に好ましい。このような材料としては、セラミックやガラス、金属、フェライト等を挙げることができる。また、基板１８０とあて板１９０との接着には、接着剤や熱可塑性接着樹脂シートなどの接着シート等を用いることができるが、これについても、熱による伸縮が少なく、且つ、耐熱性及び耐溶剤性の高い材料を用いることが好ましい。また、その後の工程において基板１８０とあて板１９０を剥がす必要があることから、この点を考慮すれば、基板１８０とあて板１９０とを接着する接着剤や接着シート等としては、接着性が強すぎないものを用いることが好ましい。
【００３３】
また、あて板１９０の材料として、多孔質材料や表面が粗面化された材料を用いれば、基板１８０とあて板１９０を簡単に剥がすことが可能となる。多孔質材料としては、多孔質セラミックや多孔質フェライト等を挙げることができ、特に、多孔質セラミックに樹脂を含浸させた材料を用いることが最も好ましい。多孔質セラミックに樹脂を含浸させた材料は、十分な機械的強度を持つとともに、熱による伸縮が少なく、且つ、耐熱性及び耐溶剤性が高いのみならず、含浸させる樹脂の選択によって、基板１８０との密着性、剥離性、剛性、たわみ強度等を調節することが可能であるからである。
【００３４】
次に、図１２に示すように、あて板１９０に貼り付けられた基板１８０の主面１８１を積層面に対して実質的に垂直な方向にダイシングにより研削し、複数の溝１８３を形成する。このとき、基板１８０には積層面に対して実質的に垂直な方向に比較的大きな力が加わるが、基板１８０があて板１９０に貼り付けられていることから、これが変形することはほとんど無い。
【００３５】
次に、図１３に示すように、溝１８３が形成された基板１８０の主面１８１の全面に絶縁層１３３’を形成し、絶縁層１３３’によって溝１８３を完全に埋める。絶縁層１３３’を形成する方法としては、真空印刷、真空プレス、真空ラミネート等の方法を用いることができる。そして、図１４に示すように、基板１８０の主面１８１が露出するまで絶縁層１３３’の表面を研磨する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。これにより、溝１８３には絶縁層１３３が埋め込まれた状態となる。
【００３６】
次に、図１５に示すように、基板１８０の主面１８１を溝１８３に対して平行にダイシングにより研削し、複数の溝１８４を形成する。このときも、基板１８０には積層面に対して実質的に垂直な方向に比較的大きな力が加わるが、基板１８０があて板１９０に貼り付けられていることから、これが変形することはほとんど無い。これにより、積層体１６０及び厚膜絶縁シート１３２’は端部を除いてコの字状となり、積層体１６０を構成する導電性シート１１０’及び薄膜絶縁シート１３１’はそれぞれ主導体１１０及び絶縁層１３１となる。また、厚膜絶縁シート１３２’は絶縁層１３２となる。溝１８３の深さとしては、図１５に示すように、溝１８３によって基板１８０が完全に分離しないよう、基板１８０の厚みよりもやや浅く設定することが好ましい。このようにして、溝１８３の底部において基板１８０が残るようにすれば、基板１８０をあて板１９０に安定的に保持することが可能となる。但し、基板１８０を安定的に保持可能である限りにおいて、溝１８３によって基板１８０を完全に分離しても構わない。この場合、その後溝１８３の底部を除去する工程が不要となることから、工程数を減らすことが可能となる。
【００３７】
次に、図１６に示すように、溝１８４が形成された基板１８０の主面１８１の全面に絶縁層１３４’を形成し、絶縁層１３４’によって溝１８４を完全に埋める。絶縁層１３４’の形成についても、真空印刷、真空プレス、真空ラミネート等の方法を用いることができる。そして、図１７に示すように、基板１８０の主面１８１が露出するまで絶縁層１３４’の表面を研磨し、整面（平滑化）する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。これにより、溝１８４には絶縁層１３４が埋め込まれた状態となる。
【００３８】
次に、コの字状となっている主導体１１０及び絶縁層１３１の表面に、橋架導体１２０を形成する。橋架導体１２０の形成は、整面された基板１８０の主面１８１の全面にメッキ法等により下地導体（図示せず）を形成し、さらに、下地導体の全面にフォトレジストを形成した後、橋架導体１２０を形成すべき領域の下地層を露光により露出させ、露出した下地層の表面にメッキ法により橋架導体１２０を形成すればよい。その後、フォトレジストを剥離し、酸などを用いて不要な下地導体を除去すれば、所望のパターンの橋架導体１２０を形成することができる。但し、橋架導体１２０の形成方法としてはこれに限定されず、他の方法を用いても構わない。例えば、整面された基板１８０の主面１８１の全面にフォトレジストを形成し、橋架導体１２０を形成すべき領域の主面１８１を露光により露出させ、露出した主面１８１にメッキ法により橋架導体１２０を形成した後、フォトレジストを剥離することにより形成しても構わない。さらに、整面された基板１８０の主面１８１の全面に橋架導体１２０の材料となる金属をメッキ法、蒸着法、スパッタリング法等により形成した後、これをパターニングすることにより形成しても構わない。
【００３９】
図１８は橋架導体１２０の形状を示す略平面図であり、図１７に示す領域１８５内における形状を示している。図１８に示すように、橋架導体１２０は７つの橋架導体１２１〜１２７を一組とする複数組（領域１８５内では２組）の導体によって構成される。既に説明したとおり、橋架導体１２２〜１２６は、対応する２つの主導体の端部同士を接続する導体であり、橋架導体１２１及び１２７は、対応する主導体の一端と外部電極１４１及び外部電極１４２とをそれぞれ接続する導体である。
【００４０】
橋架導体１２０の形成が完了すると、図１９に示すように、基板１８０の主面１８１の全面を覆う絶縁層１３５を形成し、橋架導体１２１及び１２７が形成されている領域の絶縁層１３５を削除してこれらを露出させた後、露出した橋架導体１２１及び１２７の表面に下地導体層１４４を形成し、メッキ法により外部電極１４３を形成する。外部電極１４３の形成方法としては、他の方法を用いても構わない。
【００４１】
次に、図２０に示すように、基板１８０をあて板１９０から剥離した後、基板１８０の裏面１８２を研磨することにより、溝１８３の底部を除去する。そして、基板１８０の裏面１８２の全面に絶縁層１３６を形成した後、図２１に示すＥ−Ｅ線に沿って基板１８０をダイシングにより分割し、複数個（本例では９個）の積層電子部品１００を取り出す。このダイシングによって外部電極１４３は２つに分割され、それぞれ外部電極１４１，１４２となる。以上により、積層電子部品１００が完成する。
【００４２】
以上説明した製造方法においては、積層母材１６５を切断（スライス）して基板１８０を作製してから（図１０）、基板１８０の裏面１８２の加工を行うまで（図２０）の工程中、基板１８０をあて板１９０に貼り付けて固定し、この状態で各工程を流している点が特に重要である。これにより、図１２に示す溝１８３を形成する工程や図１５に示す溝１８４を形成する工程において基板１８０に熱や大きな力が加わったとしても、基板１８０の変形が効果的に防止されることから、図１８に示す橋架導体１２０の形成工程において橋架導体１２０と主導体１１０との相対的な位置関係にずれが生じにくくなる。このため、接続不良やショート不良が発生する可能性は非常に少なく、製品の歩留まりを大幅に高めることが可能となる。
【００４３】
しかも、本実施形態においては、基板１８０に溝１８３を形成することによりコの字状の主導体１１０を形成していることから、量産が容易であり、主導体のずれが少なく、狭公差のインダクタンス値を得ることが可能である。
【００４４】
尚、上記実施形態においては、あて板１９０を剥離してから基板１８０の裏面１８２に絶縁層１３６を形成しているが、基板１８０をあて板１９０に貼り付ける（図１１）前に絶縁層１３６を形成しておいても構わない。
【００４５】
以上、本発明による製造方法について積層電子部品１００を製造する場合を例に説明したが、本発明による製造方法の適用がこれに限定されるものではなく、他の積層電子部品を製造する場合にも本発明を適用することが可能である。
【００４６】
図２２は、本発明の好ましい他の実施形態による製造方法により製造されるべき積層電子部品２００の構造を示す略斜視図であり、図２３は、積層電子部品２００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。
【００４７】
本実施形態による製造方法により製造されるべき積層電子部品２００も、ヘリカル状のコイルを内蔵するコイル部品であり、多くの点で上述した積層電子部品１００と類似している。図２２に示すように、積層電子部品２００の外形は略直方体形であり、その一つの面には外部電極２４１及び２４２が設けられている。外部電極２４１はコイルの一端を構成し、外部電極２４２はコイルの他端を構成している。図２２に示すように、積層電子部品２００には主導体２１０と、これら主導体２１０同士を接続する橋架導体２２０及び２７０とが内蔵されており、これら主導体２１０、橋架導体２２０及び２７０を取り囲むように、絶縁層２３１〜２３６が設けられている。絶縁層２３１〜２３６は、それぞれ積層電子部品１００における絶縁層１３１〜１３６に対応する要素である。
【００４８】
図２３に示すように、本例では、橋架導体１２０に対応する橋架導体２２０が備えられている他、コの字状の主導体１１０の代わりに、棒状の主導体２１０−１及び２１０−２からなる複数対の主導体２１０と、橋架導体２７０が備えられている。棒状の主導体２１０−１は、平行に配置された６つの主導体２１１−１〜２１６−１によって構成され、棒状の主導体２１０−２は、平行に配置された６つの主導体２１１−２〜２１６−２によって構成されている。また、橋架導体２７０は６つの橋架導体２７１〜２７６によって構成されている。これら６つの橋架導体２７１〜２７６のうち、橋架導体２７１は主導体２１１−１の一端と主導体２１１−２の一端とを接続し、橋架導体２７２は主導体２１２−１の一端と主導体２１２−２の一端とを接続し、橋架導体２７３は主導体２１３−１の一端と主導体２１３−２の一端とを接続し、橋架導体２７４は主導体２１４−１の一端と主導体２１４−２の一端とを接続し、橋架導体２７５は主導体２１５−１の一端と主導体２１５−２の一端とを接続し、橋架導体２７６は主導体２１６−１の一端と主導体２１６−２の一端とを接続している。これにより、一対の主導体とこれに対応する橋架導体は、上述したコの字状の主導体と同じ役割を果たすことになる。
【００４９】
次に、積層電子部品２００の製造方法について、図２４乃至図２６を用いて説明する。
【００５０】
まず、上述した図７から図１７までの工程と同じ工程を実行した後、図２４に示すように、あて板（１９０）を剥離し、絶縁層２３３が露出するまで基板２８０の裏面２８２を研磨して整面（平滑化）する。研磨は、スライサーやグラインダーを用いることができる。これにより、コの字状であった主導体２１０は、主導体２１０−１と２１０−２に分離されることになる。
【００５１】
次に、基板２８０の表面２８１に橋架導体２２０を形成するとともに、基板２８０の裏面２８２に橋架導体２７０を形成する。橋架導体２２０、２７０の形成は、上述した橋架導体１２０の形成と同様の方法を用いることができる。ここで、橋架導体２２０の平面的なパターン形状は図１８に示した橋架導体１２０のパターン形状と同様であり、橋架導体２７０の平面的なパターン形状は図２５に示すとおりである。
【００５２】
橋架導体２２０、２７０の形成が完了すると、図２６に示すように、基板２８０の主面２８１の全面を覆う絶縁層２３５を形成するとともに、基板２８０の裏面２８２の全面を覆う絶縁層２３５を形成し、図２０を用いて説明したように、橋架導体２２１及び２２７が形成されている領域の絶縁層２３５を削除してこれらを露出させた後、露出した橋架導体２２１及び２２７の表面に下地導体層を形成し、メッキ法により外部電極を形成する。
【００５３】
そして、図２１を用いて説明したように基板２８０をダイシングにより分割し、複数個の積層電子部品２００を取り出す。以上により、積層電子部品２００が完成する。
【００５４】
このように、本実施形態においても多くの工程、特に、基板２８０に溝を形成する工程においてあて板（１９０）を用いていることから、橋架導体２２０と主導体２１０との相対的な位置関係及び橋架導体２７０と主導体２１０との相対的な位置関係にずれが生じにくくなる。このため、接続不良やショート不良が発生する可能性は非常に少なく、製品の歩留まりを大幅に高めることが可能となる。
【００５５】
さらに、本実施形態により作製される積層電子部品２００は、上述した積層電子部品１００の効果に加え、コの字状の主導体１１０の代わりに棒状の主導体２１０−１及び２１０−２からなる複数対の主導体２１０を用いていることから、仮に、基板２８０に多少の反りが生じていたとしても、あて板１９０を剥離した後、基板２８０の裏面２８２を研磨する際に、反りに起因する表面２８１の不均一な研磨状態を相殺することができる。これにより、特性のばらつきをよりいっそう抑制することが可能となる。
【００５６】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５７】
つまり、本発明は、導電層と絶縁層を交互に積層した積層母材を積層面とは実質的に垂直な方向に切断することによって基板を作製し、この基板を加工することによって作製されるべき積層電子部品であればどのようなタイプの積層電子部品に対しても適用が可能である。例えば、橋架導体によってある主導体の一端と、この主導体から見て２つ離れた主導体の一端とを接続することにより同軸に巻回された２つのコイルを形成し、これによってコモンモードチョークを構成することも可能であるし、コイルとともにコンデンサを内蔵することによって、ＬＣフィルタを構成することも可能である。この場合、主導体の少なくとも一部がコンデンサの電極を構成することになる。また、コイルを内蔵することなくコンデンサを内蔵することによって、チップコンデンサを構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の好ましい実施形態による製造方法により製造されるべき積層電子部品１００の構造を示す略斜視図である。
【図２】図１に示すＡ方向から積層電子部品１００を見た略透視平面図である。
【図３】積層電子部品１００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。
【図４】図１に示すＢ−Ｂ線に沿って積層電子部品１００を切断した場合の略断面図である。
【図５】図１に示すＣ−Ｃ線に沿って積層電子部品１００を切断した場合の略断面図である。
【図６】図１に示すＤ−Ｄ線に沿って積層電子部品１００を切断した場合の略断面図である。
【図７】積層電子部品１００の製造工程の一部（積層シート１５０の形成）を示す図である。
【図８】積層電子部品１００の製造工程の一部（積層体１６０の形成）を示す図である。
【図９】積層電子部品１００の製造工程の一部（積層母材１６５の形成）を示す図である。
【図１０】積層電子部品１００の製造工程の一部（基板１８０の形成）を示す図である。
【図１１】積層電子部品１００の製造工程の一部（あて板１９０への基板１８０の貼り付け）を示す図である。
【図１２】積層電子部品１００の製造工程の一部（溝１８３の形成）を示す図である。
【図１３】積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３３’の形成）を示す図である。
【図１４】積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３３’の研磨）を示す図である。
【図１５】積層電子部品１００の製造工程の一部（溝１８４の形成）を示す図である。
【図１６】積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３４’の形成）を示す図である。
【図１７】積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３４’の研磨）を示す図である。
【図１８】橋架導体１２０（１２１〜１２７）の形状を示す略平面図である。
【図１９】積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３５及び外部電極１４３の形成）を示す図である。
【図２０】積層電子部品１００の製造工程の一部（絶縁層１３６の形成）を示す図である。
【図２１】積層電子部品１００の製造工程の一部（ダイシングによる分割）を示す図である。
【図２２】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法により製造されるべき積層電子部品２００の構造を示す略斜視図である。
【図２３】積層電子部品２００に内蔵された導電性材料のみを抜き出して示す略斜視図である。
【図２４】積層電子部品２００の製造工程の一部（基板２８０の裏面２８２の研磨）を示す図である。
【図２５】橋架導体２７０（２７１〜２７６）の形状を示す略平面図である。
【図２６】積層電子部品２００の製造工程の一部（絶縁層２３５及び絶縁層２３６の形成）を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００，２００    積層電子部品
１１０（１１１〜１１６），２１０（２１１−１〜２１６−１，２１１−２〜２１６−２）    主導体
１１０’    導電性シート
１２０（１２１〜１２７），２２０（２２１〜２２７），２７０（２７１〜２７６）    橋架導体
１３１〜１３６，２３１〜２３６    絶縁層
１３１’    薄膜絶縁シート
１３２’    厚膜絶縁シート
１４１〜１４３，２４１，２４２    外部電極
１４４    下地導体層
１５０    積層シート
１６０    積層体
１６５    積層母材
１８０，２８０    基板
１８１，２８１    基板の主面
１８２，２８２    基板の裏面
１８３，１８４    溝
１８５    領域
１９０    あて板
１９１    あて板の主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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