(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ発光処理時の異常状態を逸早く且つ簡単な仕組みで容易に発見する。【解決手段】反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値３１を取得し、この電圧値３１を時間軸に沿って非変化の所定の固定値Ｔｈ１と大小比較するなどして、異常状態の有無を判断する。時間軸に沿って変化する一対の特性曲線を用いて判断する従来の技術に比べると、判断が単純且つ容易であり、複雑なシステムが必要なくなることから、ソフトウェアプログラムの開発設計が容易に済む。【選択図】図２
2005057122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値を取得する第１の工程と、
前記第１の工程で変換された電圧値を時間軸に沿って非変化の所定の固定値と大小比較して異常状態の有無を判断する第２の工程と
を備えるプラズマ発光強度による異常検出方法。
【請求項２】
反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値を取得する第１の工程と、
前記第１の工程で変換された電圧値を時間軸に沿って非変化の所定の固定値と大小比較し、当該比較の結果、前記電圧値の前記固定値に対する所定の状態が一定時間維持されたと判断した場合に異常状態と判断する第２の工程と
を備えるプラズマ発光強度による異常検出方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ発光強度による異常検出方法であって、
前記第２の工程において、前記第１の工程で変換された電圧値を時間軸に沿って非変化の所定の他の固定値と大小比較し、当該比較の結果、前記電圧値の前記他の固定値に対する所定の状態が一定時間維持されたと判断した場合にも、異常状態と判断する、プラズマ発光強度による異常検出方法。
【請求項４】
反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値を取得する第１の工程と、
前記第１の工程で変換された電圧値のそれぞれの時刻における所定の単位時間当たりの電圧変化量をそれぞれ対応する時刻における所定の基準変化量と比較し、前記電圧変化量と前記基準変化量とのそれぞれ対応する時刻における差が所定の閾値の範囲を超えた場合に異常状態と判断する第２の工程と
を備えるプラズマ発光強度による異常検出方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマ発光強度による異常検出方法であって、
前記第２の工程において、前記第１の工程で変換された電圧値のそれぞれの時刻における所定の単位時間当たりの電圧変化量をそれぞれ対応する時刻における所定の基準変化量と比較し、前記電圧変化量と前記基準変化量とのそれぞれ対応する時刻における差が所定の閾値の範囲を超えた場合にも、異常状態と判断する、プラズマ発光強度による異常検出方法。
【請求項６】
反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値を取得する第１の工程と、
前記第１の工程で変換された電圧値を時間軸に沿って非変化の所定の固定値と大小比較し、当該比較の結果、前記電圧値が前記固定値に対して所定の状態である場合に、前記第１の工程で変換された電圧値のそれぞれの時刻における所定の単位時間当たりの電圧変化量をそれぞれ対応する時刻における所定の基準変化量と比較し、前記電圧変化量と前記基準変化量とのそれぞれ対応する時刻における差が所定の閾値の範囲を超えた場合に、異常状態と判断する第２の工程と
を備えるプラズマ発光強度による異常検出方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ発光強度による異常検出方法であって、
前記第２の工程において、前記第１の工程で変換された電圧値を時間軸に沿って非変化の所定のさらに他の固定値と大小比較し、当該比較の結果、前記電圧値がさらに前記さらに他の固定値に対して所定の状態である場合に、前記第１の工程で変換された電圧値のそれぞれの時刻における所定の単位時間当たりの電圧変化量をそれぞれ対応する時刻における所定の基準変化量と比較し、前記電圧変化量と前記基準変化量とのそれぞれ対応する時刻における差が所定の閾値の範囲を超えた場合にも、異常状態と判断する、プラズマ発光強度による異常検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ発光強度による異常検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばプラズマエッチング装置において、プラズマ発光処理における発光強度の電圧換算値を予め記憶しておき、プラズマ発光処理中の発光強度を検出してモニタリングすることにより、プロセスパラメータの変動を逸早く発見し、半導体素子の損失を軽減する技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１においては、正常なエッチング特性曲線に、所定の幅を持たせた上下一対の仮想曲線を設定し、エッチングによって得られた特性曲線が、一対の仮想曲線で挟まれる範囲内に収まるように監視を行っている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１５４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、一対の仮想曲線を作成する必要があり、特に、各仮想曲線は時間とともに変化する曲線として設定されているため、複雑なシステムが必要であった。
【０００６】
そこで、この発明の課題は、プラズマ発光処理時の異常状態を逸早く且つ簡単な仕組みで容易に発見することの可能なプラズマ発光強度による異常検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決すべく、請求項１に係る発明は、反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値を取得する第１の工程と、前記第１の工程で変換された電圧値を時間軸に沿って非変化の所定の固定値と大小比較して異常状態の有無を判断する第２の工程とを備えるものである。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値を取得し、この電圧値を時間軸に沿って非変化の所定の固定値と大小比較して異常状態の有無を判断するので、時間軸に沿って変化する一対の特性曲線を用いて判断する従来の技術に比べると、判断が単純且つ容易であり、複雑なシステムが必要なくなることから、ソフトウェアプログラムの開発設計が容易に済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法が適用される一例として示したエッチング装置及びその周辺装置を示すブロック図である。
【００１０】
図１において、エッチング装置１にて発生したプラズマ中の発光強度を、プラズマモニタ２によって電圧値に変換し、その電圧値を経時的に変化する特性曲線としてモニタリング装置３で取得して、この特性曲線を表示部４に表示するとともに、その特性曲線に基づいてプロセス異常及び装置異常を検出するようになっている。
【００１１】
図１に示したエッチング装置１は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置であって、ガス源１１からエッチングガスを室内に送り込む導入管１２と、真空ポンプ１３によって室内から排ガスを排出させる排出管１４とを備えた反応室１５を有しており、その内部には、一対のＲＦ電源１６，１７のそれぞれに一対の電極１８，１９のそれぞれが電気的に接続されている。このうち、一方の電極１８は、反応室１５内の最上部に配置され、他方の電極１９は反応室１５内の最下部に配置され、これにより両電極１８，１９が上下方向に対向される。下側の電極１９はステージとして機能し、その上面に、被エッチング対象物である半導体ウェハ２１が載置される。
【００１２】
反応室１５には、エッチング処理時に発生する電磁波の発光に対して透明な窓２２が設けられ、この窓２２に隣接してプラズマモニタ２が設置される。
【００１３】
プラズマモニタ２は、反応室１５の窓２２の外側に隣接配置される光学フィルタ２３と、この光学フィルタ２３と僅かな距離を隔てて設置される光電変換器２４とを備える。
【００１４】
光学フィルタ２３は、エッチング処理時に発生する特定波長の電磁波発光を光電変換器２４側に通過させる。
【００１５】
光電変換器２４は、例えばフォトダイオードやフォトトランジスタ等が使用され、光学フィルタ２３を通過した電磁波発光を電圧値（以下「光電変換値」と称す）に変換する。
【００１６】
モニタリング装置３は、ＣＰＵ（マイクプロセッサ）を備える一般的なコンピュータ３ａが使用されており、このコンピュータ３ａ内でＲＯＭおよびＲＡＭ等が接続されたＣＰＵ（マイクプロセッサ）において、所定のソフトウェアプログラムによって動作するものである。そして、モニタリング装置３は、次の（１）〜（７）の７通りの条件設定のうち、操作者より任意に選択された組み合わせで判断処理を行い、この判断処理によりプロセス異常及び装置異常を検出する。
（１）図２の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３１が所定の上限値Ｔｈ１を超えた場合（第１の異常判断条件）、異常と判断する。
（２）図３の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３２が所定の下限値Ｔｈ２を下回った場合（第２の異常判断条件）、異常と判断する。
（３）図４の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３３が所定の上限値Ｔｈ３を超え、その後に一定時間ｔ１が経過しても、光電変換値３３が上限値Ｔｈ３を超えた状態が持続した場合（第３の異常判断条件）、異常と判断する。
（４）図５の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３４が所定の下限値Ｔｈ４を下回り、その後に一定時間ｔ２が経過しても、光電変換値３４が下限値Ｔｈ４を下回る状態が持続した場合（第４の異常判断条件）、異常と判断する。
（５）図６及び図７の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３５のそれぞれの時刻における単位時間当たりの変化量（以下「電圧変化量」と称す）３６と、それぞれ対応する時刻における正常時の光電変換値３７の電圧変化量（以下「基準変化量」と称す）３８とを比較し、電圧変化量３６と基準変化量３８とのそれぞれ対応する時刻における差が一定の閾値を超えた場合（第５の異常判断条件）に、異常と判断する。
（６）図８及び図９の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３９が固定値としての所定の上限値Ｔｈ５を超えた場合に、それぞれの時刻における光電変換値３９の単位時間当たりの電圧変化量４１と、それぞれ対応する時刻における正常時の光電変換値４２の基準変化量４３とを比較し、電圧変化量４１と基準変化量４３とのそれぞれ対応する時刻における差が一定の閾値Ｄ１を超えた場合（第６の異常判断条件）に、異常と判断する。
（７）光電変換器２４から与えられた光電変換値が固定値としての所定の基準値Ｔｈ６を下回った場合に、それぞれの時刻における光電変換値の単位時間当たりの電圧変化量と、それぞれ対応する時刻における正常時の光電変換値の基準変化量とを比較し、電圧変化量と基準変化量とのそれぞれ対応する時刻における差が一定の閾値Ｄ２を超えた場合（第７の異常判断条件）に、異常と判断する（図示省略）。
【００１７】
そして、上記の第１〜第７の異常判断条件を、キーボードまたはマウス等の所定の入力装置を用いて任意の組合せで設定することができるようになっている。また、上記の各固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６、Ｄ１，Ｄ２は、入力装置を用いて０．０１ボルト単位で自由に設定できるようになっている。さらに、上記の一定時間ｔ１，ｔ２についても、入力装置を用いて０．０１秒単位で自由に設定できるようになっている。
【００１８】
表示部４は、一般的なＣＲＴディスプレイまたは液晶表示パネル等が使用され、モニタリング装置３に接続される。そして、図２〜図９に示したように、表示部４は、モニタリング装置３から与えられる信号に基づいて、光電変換器２４から与えられた光電変換値３１〜３５，３９を実時間で表示するとともに、入力装置でその組合せを選択した第１〜第７の異常判断条件における各固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６、ｔ１，ｔ２、Ｄ１，Ｄ２を、光電変換値３１〜３５，３９とともに表示するようになっている。
【００１９】
次に、上記したエッチング装置１、プラズマモニタ２及びモニタリング装置３を用いたプラズマ発光強度による異常検出方法を説明する。
【００２０】
まず操作者は、モニタリング装置３に接続されているキーボードまたはマウス等の所定の入力装置を用いて、第１〜第７の異常判断条件を任意の組合せで選択して設定する。この際、選択した第１〜第７の異常判断条件に必要とされる固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６、ｔ１，ｔ２、Ｄ１，Ｄ２を、入力装置を用いて設定入力する。この場合、固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６、Ｄ１，Ｄ２は、０．０１ボルト単位で設定入力を行い、また一定時間ｔ１，ｔ２についても０．０１秒単位で設定入力を行う。
【００２１】
また、選択された異常判断条件に適用される各固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６については、モニタリング装置３に接続されている表示部４にグラフとして表示される（図２〜図９参照）。
【００２２】
次に、操作者は、図１に示したエッチング装置１の反応室１５内のステージ（下側の電極１９）上に半導体ウェハ２１を載置し、エッチング装置１を操作して各ＲＦ電源１６，１７から両電極１８，１９に電源を供給するとともに、ガス源１１から導入管１２を通じてエッチングガスを送り込む。そうすると、反応室１５でのエッチング処理が行われる。
【００２３】
この際、両電極１８，１９から発生する電磁波により発光がなされ、この光が窓２２を通じてプラズマモニタ２に照射される。この光のうち、特定波長の電磁波発光のみが光学フィルタ２３によって透過され、この特定波長の電磁波発光が光電変換器２４側に入射されて、電圧値としての光電変換値に変換される。かかる光電変換値はモニタリング装置３に入力される。
【００２４】
モニタリング装置３では、光電変換器２４から与えられた光電変換値３１，３２，３３，３４，３５，３９を一旦メモリ内に格納した後、その電圧値を反映するように、図２〜図９の如く表示部４に描写表示する。尚、この時点で、既に選択されている異常判断条件に対応した各固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６が表示部４に表示されているため、操作者は、実時間で刻々と変化して表示部４に表示される光電変換値３１，３２，３３，３４，３５，３９を、常に各固定値Ｔｈ１〜Ｔｈ６と目視で比較することが可能となる。
【００２５】
ここで、最初に第１の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、図２の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３１と予め保有している上限値Ｔｈ１とを比較する。例えば、プラズマ発光強度の安定時の電圧値が８．２０ボルトである場合は、上限値Ｔｈ１として例えば、８．７５ボルトに予め設定入力しておき、モニタリング装置３は、光電変換器２４から与えられた光電変換値３１が上限値Ｔｈ１である８．７５ボルトを越えているか否かを常時判断する。そして、光電変換値３１が上限値Ｔｈ１を超えたと判断した時点で、モニタリング装置３は、即座にプロセス異常または装置異常と判断し、その旨を意味する信号をエッチング装置１に送信する。
【００２６】
エッチング装置１は、モニタリング装置３から与えられた信号に基づいて、例えばＲＦ電源１６，１７の動作を停止するなどしてエッチング処理を停止する。
【００２７】
また同時に、モニタリング装置３は、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。
【００２８】
また、第２の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、図３の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３２と予め保有している下限値Ｔｈ２とを比較する。そして、光電変換値３２が所定の下限値Ｔｈ２を下回った場合には、これを以て即座に異常状態と判断して、エッチング装置１を停止させると同時に、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。
【００２９】
さらに、第３の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、図４の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３３と予め保有していた所定の上限値Ｔｈ３とを比較する。そして、光電変換値３３が上限値Ｔｈ３を超えている場合には、例えばＣＰＵによって計時を行い、さらにその後に一定時間ｔ１が経過しても、光電変換値３３が上限値Ｔｈ３を超えた状態が持続するかどうかを判断する。この一定時間ｔ１としては例えば２．００秒など、上述のように予め任意の値として入力された時間が適用される。これらの判断結果が肯定的に得られた場合は、異常と判断して、モニタリング装置３からの信号によりエッチング装置１を停止させると同時に、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。
【００３０】
さらにまた、第４の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、図５の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３４と予め保有している所定の下限値Ｔｈ４とを比較する。そして、光電変換値３４が下限値Ｔｈ４を下回っている場合は、さらにその後に一定時間ｔ２が経過しても、光電変換値３４が下限値Ｔｈ４を下回る状態が持続するか否かを判断する。かかる判断結果が肯定的に得られた場合は、異常と判断して、モニタリング装置３からの信号によりエッチング装置１を停止させると同時に、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。
【００３１】
また、第５の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、図６及び図７の如く、それぞれの時刻において光電変換器２４から与えられた光電変換値３５の単位時間当たりの変化量（以下「電圧変化量」と称す）３６と、それぞれ対応する時刻における正常時の光電変換値３７の電圧変化量（以下「基準変化量」と称す）３８とを比較する。そして、電圧変化量３６と基準変化量３８とのそれぞれ対応する時刻における差が一定の閾値を超えた場合（第５の異常判断条件）に、異常状態と判断する。例えば、ある時刻における基準変化量（正常時の単位時間当たりの電圧変化量）が１．００ボルトであり、対応する時刻における閾値が０．５０ボルトである場合には、許容範囲は０．５０〜１．５０ボルトである。このため、例えば光電変換器２４から与えられた光電変換値３７の単位時間当たりの電圧変化量３６が１．５０ボルトを超過するような場合には、これを以て異常状態と判断する。このように異常状態と判断された場合は、モニタリング装置３からの信号によりエッチング装置１を停止させると同時に、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。
【００３２】
さらに、第６の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、図８及び図９の如く、光電変換器２４から与えられた光電変換値３９と予め保有している所定の上限値Ｔｈ５とを比較する。例えば、上限値Ｔｈ５を５．０ボルトとし、この５．０ボルトを越えたか否かを比較する。そして、光電変換値３９が上限値Ｔｈ５を超えた場合には、モニタリング装置３は、それぞれの時刻における光電変換値３９の単位時間当たりの電圧変化量４１と、それぞれ対応する時刻における正常時の光電変換値４２の基準変化量４３とを比較する。そして、電圧変化量４１と基準変化量４３とのそれぞれ対応する時刻における差が一定の閾値Ｄ１を超えた場合には、異常状態と判断する。基準変化量４３（正常時の単位時間当たりの電圧変化量）が１．００ボルトであり、閾値が０．５０ボルトである場合に、例えば光電変換器２４から与えられた光電変換値３９の単位時間当たりの電圧変化量４１が１．５０ボルトを超過するような場合には、これを以て異常状態と判断する。このように異常状態と判断した場合は、モニタリング装置３からの信号に基づいてエッチング装置１を停止させると同時に、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。ただし、この第６の異常判断条件では、光電変換値３９が上限値Ｔｈ５を超えた場合にのみ、電圧変化量４１と基準変化量４３との差の大小判断を行うため、例えば図１０のように、光電変換値３９が上限値Ｔｈ５以下である場合には、たとえ電圧変化量４１と基準変化量４３との差が一定の閾値Ｄ１を超えていても、これを以て異常状態と判断するわけではない。
【００３３】
さらにまた、第７の異常判断条件を選択していた場合は、モニタリング装置３は、光電変換器２４から与えられた光電変換値と固定値としての所定の基準値Ｔｈ６とを比較する。そして、光電変換値が基準値Ｔｈ６を下回った場合には、モニタリング装置３は、さらにそれぞれの時刻における光電変換値の単位時間当たりの電圧変化量と、それぞれ対応する時刻における正常時の光電変換値の基準変化量とを比較する。そして、電圧変化量と基準変化量とのそれぞれ対応する時刻における差が一定の閾値Ｄ２を超えた場合には、モニタリング装置３により異常と判断して、エッチング装置１を停止させると同時に、表示部４に警告表示を行ったり、あるいはブザー音を吹鳴するなどして、操作者に異常状態を報知する。ただし、この第７の異常判断条件では、光電変換値が下限値Ｔｈ６を下回った場合にのみ、電圧変化量と基準変化量との差の大小判断を行うため、光電変換値が上限値Ｔｈ６以上である場合には、たとえ電圧変化量と基準変化量との差が一定の閾値Ｄ２を越えていても、これを以て異常状態と判断するわけではない。
【００３４】
尚、第５〜第７の異常判断条件では、単位時間当たりの電圧変化量を以て異常判断の因子としているが、この単位時間を短く設定しておけば、光電変換値の微分値に近い値を以て異常判断を行うことができる。
【００３５】
これらの異常判断条件は、最初に操作者によって複数組み合わせて選択でき、この場合に、選択されたうちのいずれかひとつ以上の異常判断条件が満たされた段階で、異常状態と判断される。
【００３６】
ここで、例えば図１１のように、プラズマ発光強度の電圧変換値５１が所定の設定時間Ｔａを超過したことを以て異常状態と判断したり、あるいは図１２のように、プロセス終了時間Ｔｂ〜Ｔｄのばらつきを以て異常状態と判断するなどの、プラズマ発光の終了時間の如何によって異常状態を判断する場合に比べて、この実施の形態によると、異常発生時にプロセスの途中で即座に異常状態を検出判断することができる。したがって、半導体素子の損失を最小限に抑制することが可能である。
【００３７】
また、この実施の形態では、各異常判断条件に必要とされる判断基準としての値Ｔｈ１〜Ｔｈ６、ｔ１，ｔ２、Ｄ１，Ｄ２を、全て時間軸に沿って非変化の固定値として設定するので、時間軸に沿って変化する一対の特性曲線を用いて判断する上記の特許文献１に比べると、判断が単純且つ容易であり、複雑なシステムが必要なくなることから、ソフトウェアプログラムの開発設計が容易に済む利点がある。しかも、様々な異常判断条件を組み合わせて異常判断を行うことが可能であるため、精度の良い異常判断を実行することができる。
【００３８】
さらに、特に第３及び第４の異常判断条件においては、ある電圧値との大小比較の結果、即座に異常状態と判断するのではなく、その電圧値を越えたか、または下回った状態が一定時間ｔ１，ｔ２以上経過した場合に始めて異常状態を判断するので、ノイズによる誤判断を防止することができる。
【００３９】
したがって、ノイズが少ない状況下では、第１及び／または第２の異常判断条件で判断できる一方、ノイズが多く発生するような状況下では、第３及び／または第４の異常判断条件で判断できる。このように、この実施の形態では、その状況に応じて複数の異常判断条件を任意に組み合わせることができるので便利である。
【００４０】
さらに、第５の異常判断条件では、所定の単位時間当たりの電圧変化量を以て異常判断の因子としているので、電圧値の絶対基準を以て異常判断する第１〜第４の異常判断条件では検知できない異常状態をも検知することができる。特に、エッチング圧力等のエッチング条件が正常時よりばらついていないかどうか、あるいは、エッチング膜種の切り替わりめにエッチングしている残膜が正常時より薄くなっていないか、などといった細かい監視を行う場合には、この第５の異常判断条件を選択しておけばよい。
【００４１】
したがって、第１〜第４の異常判断条件と第５の異常判断条件とを適宜組み合わせて併行判断することで、精度良い異常判断を行うことができる。
【００４２】
さらにまた、第６及び第７の異常判断条件では、電圧値の絶対基準を以て異常状態の可能性を判断し、その判断結果に応じて、さらに所定の単位時間当たりの電圧変化量を以て異常判断しているので、第１〜第５の異常判断条件では検知できない複雑な異常状態をも検知することができる。
【００４３】
したがって、第１〜第５の異常判断条件と第６及び第７の異常判断条件とを適宜組み合わせて併行判断することで、精度良い異常判断を行うことができる。
【００４４】
尚、上記実施の形態では、異常状態を判断検知した場合に、ＲＦ電源１６，１７の動作を停止するなどしてエッチング処理を停止するよう説明したが、例えばインターロックを作動させてエッチング装置１にフィードバックをかけて、適切な制御を行うようにしてもよい。
【００４５】
尚、上記実施の形態では、プラズマ発光強度による異常検出方法が適用される一例としてエッチング装置及びその周辺装置を示したが、このエッチング処理に限定されるものではなく、例えばアッシング処理やＣＶＤ装置のプラズマクリーニング処理等、プラズマ発光処理をプラズマモニタでモニタする処理全般に亘って広く適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法に使用されるエッチング装置及びその周辺装置を示すブロック図である。
【図２】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第１の異常判断条件を示す図である。
【図３】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第２の異常判断条件を示す図である。
【図４】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第３の異常判断条件を示す図である。
【図５】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第４の異常判断条件を示す図である。
【図６】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第５の異常判断条件を示す図である。
【図７】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第５の異常判断条件を示す図である。
【図８】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第６の異常判断条件を示す図である。
【図９】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第７の異常判断条件を示す図である。
【図１０】この発明の一の実施の形態に係るプラズマ発光強度による異常検出方法の第７の異常判断条件を説明するための図である。
【図１１】プラズマ発光強度による異常検出方法の一の参考例を示す図である。
【図１２】プラズマ発光強度による異常検出方法の他の参考例を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  エッチング装置、２  プラズマモニタ、３  モニタリング装置、４  表示部、１１  ガス源、１２  導入管、１３  真空ポンプ、１４  排出管、１５  反応室、１６  ＲＦ電源、１８，１９  電極、２１  半導体ウェハ、２２  窓、２３  光学フィルタ、２４  光電変換器。
【図１】
2005057122.tif 000003
【図２】
2005057122.tif 000004
【図３】
2005057122.tif 000005
【図４】
2005057122.tif 000006
【図５】
2005057122.tif 000007
【図６】
2005057122.tif 000008
【図７】
2005057122.tif 000009
【図８】
2005057122.tif 000010
【図９】
2005057122.tif 000011
【図１０】
2005057122.tif 000012
【図１１】
2005057122.tif 000013
【図１２】
2005057122.tif 000014