(57)【要約】【課題】    負荷のかかる微細加工を要する評価用フォトマスクを作製することなく、精度よく解像度を評価することが可能なリソグラフィの解像力判定手法を提供する。【解決手段】    本発明のリソグラフィの解像力判定手法は、評価パターンの露光処理に引き続き、この評価パターンが解像する程度の露光量で全透過露光を行うことで、バックグラウンド光を付加して、露光状態を故意的に劣化させる。そして、このバックグランド光を変化させることにより、評価パターンの解像力を判定するものである。【選択図】    図１ 
2005302800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
評価パターンが設けられたフォトマスクを用いて、リソグラフィの解像力を判定する手法であって、
パターンが設けられた第１の評価パターンを用いて、ウェーハ上の異なる位置に、露光量をそれぞれ変化させて露光を行う、第１の露光処理と、
パターンが設けられていない全透過パターンを用いて、前記ウェーハ上の前記異なる位置に、露光量をそれぞれ変化させて露光を行う、第２の露光処理と、
前記第１および第２の露光処理を重ねて行った後、現像作業を行い、形成された合成評価パターンを観察することで解像力を判定する判定処理と、
を備えたことを特徴とするリソグラフィの解像力判定手法。
【請求項２】
前記第１の露光処理を、前記第１の評価パターンが解像する露光量の近辺で露光量を変化させて行うことを特徴とする請求項１記載のリソグラフィの解像力判定手法。
【請求項３】
前記第２の露光処理を、前記第１の評価パターンが解像する露光量の０〜３０％の範囲で露光量を変化させて行うことを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィの解像力判定手法。
【請求項４】
前記第２の露光処理の後に前記第１の露光処理を実施することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のリソグラフィの解像力判定手法。
【請求項５】
前記第１の露光処理において、露光量をｎ段階変化させてｍ回行い、
前記第２の露光処理において、露光量をｍ段階変化させてｎ回行い、
ｍ×ｎ個の合成評価パターンを作成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のリソグラフィの解像力判定手法。
【請求項６】
前記判定処理において、所望の寸法となる合成評価パターン数が多いものほど、解像力が高いと判定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のリゾグラフィの解像力判定手法。
【請求項７】
前記判定処理において、解像限界のパターンの中から、前記第1の露光処理における露光量に対する前記第２の露光処理における露光量の比を解像限界パターン条件とし、前記解像限界パターン条件が大きいものほど解像力が高いと判定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のリソグラフィの解像力判定手法。
【請求項８】
前記第１の評価パターンと前記全透過パターンとが同一のフォトマスク上に設けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のリソグラフィの解像力判定手法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィの解像力判定手法に関し、微細パターンの解像度を精度よく評価することを可能とするリソグラフィの解像力判定手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高密度化にともなうパターンの微細化とともに、解像力の向上はリゾグラフィの主要課題となっている。解像力の向上のための手段としては、高解像レジストの開発と最適露光条件の探索があげられる。露光条件の主なものは、光学的な要素とフォトマスクである。  
シミュレーションによって解像力を議論する際、通常、コントラストやＮＩＬＳ（Normalized Image Log-Slope）と呼ばれる指標が用いられる。コントラストＣは以下のように定義される。  
Ｃ  ＝  （Ｉmax−Imin）／（Imax＋Imin）  ・・・（１）
ここで、Ｉmax、Iminは、それぞれ明部、暗部の光強度である。また、ＮＩＬＳは以下のように定義される。  
ＮＩＬＳ  ＝  （ｄＩ/ｄｘ）／（Ｗ×Ｉth）  ・・・（２）
ここで、Ｗは所望の寸法、ＩthはＷを与える光強度の閾値、（ｄＩ／ｄｘ）は空間像の勾配である。
【０００３】
図１０は、光学像における各パラメータの関係を表した図表である。  
図１０より、コントラストＣが大きいと、光学像の振幅は大きくなりレジストパターンの解像性は向上する。また、ＮＩＬＳ値が大きいと、光学像は急峻になりレジストパターンの寸法制御性は向上する。  
一般的に、十分な解像性を得るためには、コントラストＣは０．５以上、ＮＩＬＳは２以上が望ましい。しかし、半導体デザインルールの微細化にともない、十分なコントラストＣおよびＮＩＬＳを得ることは難しくなってきている。このために、例えばコントラストＣで０．４未満、ＮＩＬＳで１．５程度でも解像するようなレジストプロセスが求められているのが実情である。
【０００４】
解像力を評価する手法として、例えば、ピッチを段階的に変化させた繰り返しパターン（ラインアンドスペース：以下、Ｌ＆Ｓ）の解像、未解像により評価する方法がある。  
図１１、１２は、典型的なＬ＆Ｓの評価パターンを用いた露光の様子を表す模式図である。それぞれ、（ａ）はフォトマスクパターン、（ｂ）はウェーハ上での光学像、（ｃ）はレジストパターンである。
【０００５】
図１１（ａ）のフォトマスクパターンにおいて、パターンはハーフピッチ１１０１のＬ＆Ｓパターンで、遮光部１１０２と透過部１１０３が連続して形成されている。  
図１１（ｂ）の光学像において、露光光は（ａ）の遮光部１１０２によって遮光された部分は暗部１１０４に、透過部１１０３を透過した明部１１０５に相当する。  
図１１（ｃ）のレジストパターンは、ポジ型のレジストを用いているので、暗部１１０４に対してパターン部１１０６が、明部１１０５に対してスペース部１１０７が形成される。
【０００６】
図１２は、図１１よりも微細なＬ＆Ｓの評価パターンである。  
図１２（ａ）のフォトマスクパターンにおいて、パターンは図１１（ａ）より微細なハーフピッチ２０１のＬ＆Ｓパターンとなっている。  
図１２（ｂ）の光学像において、図１１（ｂ）の光学像と比較して、明部１２０３と暗部１２０２の光強差が確保できなくなるのがわかる。すなわち、先に説明したコントラストＣが不十分になるため、図１２（ｃ）に表すように、レジストパターンは解像しにくくなり、スペース部１２０４にレジストが残存してしまうといった不具合が発生する。
【０００７】
解像力評価パターンの水準はこれまで、ハーフピッチにしてウェーハ上の値で５〜１０ナノメータとなる刻み幅で変化させて、フォトマスクに設けられていた。ところが、近年の急激な半導体デザインルールの微細化にともない、評価パターンの寸法も１００ナノメータを切り始めている。１００ナノメータのパターン幅に対して、ハーフピッチを５〜１０ナノメータ刻みとすると、パターン幅の５〜１０％にもなってしまう。このため、従来の評価パターンの水準では、解像力の評価に支障をきたしつつあった。
【０００８】
図１３は、Ｌ＆Ｓパターンのハーフピッチとシミュレーションから予想されるＮＩＬＳの関係を表した、図表である。計算条件は、波長１５７．６ナノメータ（Ｆ２レーザ）、開口数０．９０、輪帯照明０．８／０．６、透過率６％のハーフトーンマスクである。  
図１３より、ハーフピッチが微細になるほどＮＩＬＳが減少していくのがわかる。特にハーフピッチ６０ナノメータから５５ナノメータにかけて、ＮＩＬＳが１．９５から１．４９と、著しく減少している。
【０００９】
このように、評価パターンのハーフピッチを従来の５ナノメータ刻みより、更に細かく変化させなければ、解像力を有効に評価できないことは明白である。しかしながら、ハーフピッチを細かく変化させることは、マスクの作成に大きな負担を与える。具体的にはフォトマスク描画時のグリッドサイズを細かくしなければならず、マスクデータおよび描画時間が膨大になる。さらに、ハーフピッチそのものや、Ｌ＆Ｓのデューティ比等のマスク製作誤差が無視できなくなる。
【００１０】
なお、解像力の評価方法とは直接的な関係はないが、特許文献１には、被照射体に２回露光する方法として、異なるレチクルをそれぞれの露光ステップで用いる２重露光方式が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１１１６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
以上、説明してきたように、微細なパターンのリソグラフィの評価手法においては、その評価パターンの作製にかなりの負荷がかかり、解像力を詳細に評価することが困難であった。
【００１２】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、負荷のかかるフォトマスクを作製することなく、精度よく解像度を評価することが可能なリソグラフィの解像力判定手法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のリソグラフィの解像力判定手法は、評価パターンの露光処理に引き続き、この評価パターンが解像する程度の露光量で全透過露光を行うことで、バックグラウンド光を付加して、露光状態を故意的に劣化させる。そして、このバックグランド光を変化させることにより、評価パターンの解像力を判定するものである。
【００１４】
すなわち、本発明によれば、評価パターンが設けられたフォトマスクを用いて、リソグラフィの解像力を判定する手法であって、パターンが設けられた第１の評価パターンを用いて、ウェーハ上の異なる位置に、露光量をそれぞれ変化させて露光を行う、第１の露光処理と、パターンが設けられていない全透過パターンを用いて、前記ウェーハ上の前記異なる位置に、露光量をそれぞれ変化させて露光を行う、第２の露光処理と、前記第１および第２の露光処理を重ねて行った後、現像作業を行い、形成された合成評価パターンを観察することで解像力を判定する判定処理と、を備えたことを特徴とするリソグラフィの解像力判定手法が提供される。
【００１５】
ここで、前記第１の露光処理を、前記第１の評価パターンが解像する露光量の近辺で露光量を変化させて行うことができる。
【００１６】
また、前記第２の露光処理を、前記第１の評価パターンが解像する露光量の０〜３０％の範囲で露光量を変化させて行うことができる。
【００１７】
また、前記第２の露光処理の後に前記第１の露光処理を実施してもよい。  
また、前記第１の露光処理において、露光量をｎ段階変化させてｍ回行い、前記第２の露光処理において、露光量をｍ段階変化させてｎ回行い、ｍ×ｎ個の合成評価パターンを作成することができる。
【００１８】
また、前記判定処理において、所望の寸法となる合成評価パターン数が多いものほど、解像力が高いと判定することができる。  
また、前記判定処理において、解像限界のパターンの中から、前記第1の露光処理における露光量に対する前記第２の露光処理における露光量の比を解像限界パターン条件とし、前記解像限界パターン条件が大きいものほど解像力が高いと判定することもできる。  
また、前記第１の評価パターンと前記全透過パターンとが同一のフォトマスク上に設けられたものとすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、評価パターンの露光処理に引き続き、この評価パターンが解像する程度の露光量で全透過露光を行うことで、バックグラウンド光を付加して、露光状態を故意的に劣化させる。そして、このバックグランド光を変化させることにより、評価パターンの解像力を判定する。このような手法を用いることにより、微細な評価パターンを作製することなく解像力を詳細に観察することが可能となる。すなわち、評価パターンのピッチを細かく刻んだ場合と同様の解像力評価が行えることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明のリソグラフィの解像力判定手法の手順を表すフローチャートである。以下、このフローチャートを参照しながら、本発明の実施の形態について説明していく。
【００２１】
まず、第１の評価パターンを用いて、第１の露光処理を行う。このとき、露光量は、評価パターンが良好に解像する値の近辺で段階的に変化させる。例えば、露光量をｎ段階に変化させてｍ回繰り返し、合計でｎ×ｍ個のショットを得る（Ｓ１０１）。
【００２２】
図２は、第１の露光処理を表す模式図であり、（ａ）は第１の露光処理におけるフォトマスク、（ｂ）はそのショットマップである。  
第１の露光処理では、図１（ａ）に表す評価パターンが設けられているフォトマスク２０１を用いて、図２（ｂ）に表すようにウェーハ２０２の水平方向のみ露光量を変化させて露光する。露光量の最大値は評価パターンの最適露光量（Ｅop）であり、露光量の刻み幅はＥopの数％程度とする。ここでは、Ｅopを２４ｍＪ／ｃｍ２として、刻み幅を２ｍＪ／ｃｍ２を７段階で変化させる。ウェーハ２０２の右端にＥopがくるように、左端を１２ｍＪ／ｃｍ２として順次露光処理を施す。図２（ｂ）に表すように、同じ露光量でのショットをウェーハ２０２の垂直方向に７回行うことで、合計７×７＝４９個のショットを得る。このとき、フォーカスはあらかじめ求めておいたベストフォーカスの状態とする。
【００２３】
再び、図１に戻って説明を続ける。第１の露光処理Ｓ１０１の露光処理に引き続き、第１の露光処理で得られたショットに重なるように、第２の評価パターンを用いて第２の露光処理を行う。このとき、露光量は第１の評価パターンが良好に解像する値の０〜３０％の範囲で段階的に変化させる。例えば、露光量をｍ段階に変化させてｎ回繰り返し、合計でｍ×ｎ個のショットを得る（Ｓ１０２）。
【００２４】
図３は、第２の露光処理を表す模式図であり、（ａ）は第２の露光処理におけるフォトマスク、（ｂ）はそのショットマップである。  
第２の露光処理では、図３（ａ）に表すパターンが設けられていない全透過型フォトマスク３０１を用いて、図３（ｂ）に表すようにウェーハ２０２の垂直方向のみ露光量を変化させて露光する。露光量の最小値は０ｍＪ／ｃｍ２であり、露光量の刻み幅は第１の露光処理におけるＥopの数％程度であればよい。ここでは、刻み幅を０．５ｍＪ／ｃｍ２として７段階で変化させる。ウェーハ２０２の上端が０ｍＪ／ｃｍ２で下端が３．０ｍＪ／ｃｍ２となるように、順次露光処理を施す。図３（ｂ）に表すように、同じ露光量でのショットをウェーハ２０２の水平方向に７回行うことで、合計７×７＝４９個のショットを得る。このとき、フォーカスは原則としてあらかじめ求めておいたベストフォーカス状態とするが、必ずしもベストフォーカスである必要はない。
【００２５】
再び、図１に戻って説明を続ける。第１の露光処理（Ｓ１０１）、第２の露光処理（Ｓ１０２）の後、ウェーハ２０２の現像処理を行う。第１、第２の露光処理の間に現像処理は行わないため、第２の露光処理は、第１の露光処理のバックグラウンド成分として作用する。すなわち、第１の露光処理のみを行った場合より、解像度が劣化したパターンが得られることになる（Ｓ１０３）。
【００２６】
現像処理（Ｓ１０３）の後、得られたｍ×ｎ個のパターンを用いて、リソグラフィの解像力評価を行う（Ｓ１０４）。
【００２７】
図４は、第１、第２の露光処理終了後でのレジストパターン解像性の傾向を表したショットマップである。ポジ型フォトレジストでＬ＆Ｓパターンを測長する場合、第１、第２の露光処理それぞれの露光量の和が大きいほどラインパターンの寸法は細くなる。したがって、ショットマップの左上ではラインパターンの寸法が太く、ショットマップの右下では細くなる傾向がある。図４に表すように、所望のパターン寸法を有するショットは、斜線の領域に現れる。一方、ショットマップの右上にいくほどＬ＆Ｓの解像性は優れており、左下ほどＬ＆Ｓの解像性が劣化する。つまり、第１の露光処理における露光量Ｅ１、および第２の露光処理における露光量Ｅ２の比である、Ｅ２／Ｅ１が大きいほど、Ｌ＆Ｓの解像性は劣化する。したがって、ショットＡ，Ｂ，・・・の順でＬ＆Ｓの解像性は劣化し、黒く塗りつぶした領域では解像していない。
【００２８】
図４においては、ショットＸがＬ＆Ｓパターンの解像限界に相当する。ショットＸにおける露光量の比Ｅ２／Ｅ１は、
２．０／１６．０＝１２．５％
と算出される。
【００２９】
本発明の実施の形態では、この解像限界における露光量比Ｅ２／Ｅ１を用いて、リソグラフィの解像力を判定する。  
例えば、２種類のレジストＡおよびＢの優劣を論ずる場合、レジストＡ、Ｂそれぞれについて解像限界ショットを求めればよい。解像限界ショットの露光量比Ｅ２／Ｅ１が、レジストＡで１０％、レジストＢで１５％であった場合、レジストＢの方が優れた解像性を有すると判定することができる。レジストＢの方が、より低いコントラストでも解像するということである。
【００３０】
また、露光機の中には仕様が同じであっても、レンズの収差等の解像性阻害要因によって解像力が異なってくることがあるが、このような場合でも、２台の露光機の優劣を論ずるのに、解像限界ショットの露光量比Ｅ２／Ｅ１を用いることができる。装置Ｘ、Ｙそれぞれについて解像限界ショットの露光量比Ｅ２／Ｅ１を求め、比較を行う。解像限界ショットの露光量比Ｅ２／Ｅ１が、装置Ｘで１０％、装置Ｙで１５％であった場合、装置Ｙの方が優れた解像性を有すると判定することができる。装置Ｙのほうが、より低いコントラストのパターンを解像させ得るということである。
【００３１】
ここまで、本発明の実施の形態の説明で、第１、第２の露光処理時に別々のフォトマスクを用いるとしてきた。しかし、２重露光時にフォトマスクを交換することによる、スループットの悪化を懸念する向きもある（特開平１１−１１１６０１）。このため、本発明においては、第１、第２の評価パターンを同じフォトマスクに設けて、位置をずらして露光処理を行ってもよい。得られる評価パターンからは、別々のフォトマスクを用いた場合と、まったく同じ効果が得られる。  
また、第１の露光処理に用いるフォトマスクおよび、フォトレジスト、評価パターンにおいて一切の制約はなく、フォトマスクとして位相シフトマスク等、フォトレジストとしてネガ型、評価パターンとして孤立パターンやホールパターン等を用いてもかまわない。
【００３２】
以降、シミュレーションの結果をもとに、本発明実施の形態における効果を説明する。
【００３３】
図５は第１の露光処理におけるＬ＆Ｓの空間像を表す図表である。  
横軸に位置、縦軸に第１の露光処理における全透過部の強度を１としたときの強度を１に規格化した場合の規格化光強度をとる。Ｉthは規格化された光強度閾値であり、パターンにも依存するが、通常０．２５から０．３の値をとる。
【００３４】
図６は第１、第２の露光処理におけるＬ＆Ｓの空間像を表す図表である。  
横軸に位置、図５と条件そろえるために、縦軸は第１、第２の露光処理における全透過部の光強度を１としたときの強度を１に規格化した場合の規格化光強度をとる。図中、縦軸上で矢印で示した位置は、図５における１に相当する値であり、斜線で示す領域はバックグラウンド成分であり、第１、第２の露光量比Ｅ２／Ｅ１で表される。パターン寸法を所望の値として、コントラストＣおよびＮＩＬＳの検討を行うため、図６の光強度閾値Ｖthは図５の光強度閾値Ithと同じ値とする。  
図６より、本発明の露光処理におけるＬ＆Ｓパターンの空間像は、図５に表す空間像を光強度閾値Ithを中心として縦軸方向に縮めたものに相当する。したがって、バックグラウンド成分は大きくなるほどＬ＆Ｓパターンの空間像の最大値は減少する。
【００３５】
バックグラウンド成分が存在する場合のコントラストＣＢおよびＮＩＬＳＢは、以下の式で表される。  
ＣＢ  ＝  Ｃ×{１−（Ｅ２/Ｅ１）／Ｉth}  ・・・（３）
ＮＩＬＳＢ  ＝  ＮＩＬＳ×{１−（Ｅ２/Ｅ１）／Ｉth}  ・・・（４）
ここで、ＣおよびＮＩＬＳはバックグラウンド成分がない場合のコントラストＣおよびＮＩＬＳであり、先に説明した数式（１）、（２）で表される。バックグラウンド成分Ｅ２／Ｅ１は光強度閾値Ｉthより大きい値をとってはならない。Ｅ２が大きくなりすぎると、パターンは消失してしまうからである。
【００３６】
図７は、シミュレーションによるＬ＆ＳパターンのハーフピッチとＮＩＬＳの関係を表す、図表である。横軸ハーフピッチ、縦軸にＮＩＬＳをとり、バックグラウンド成分は０％から１０％までを考慮に入れた。計算条件は、図１３と同様、波長１５７．６ナノメータ（Ｆ２レーザ）、開口数０．９０、輪帯照明０．８／０．６、透過率６％のハーフトーンマスクである。  
図７より、例えば、バックグラウンド光４％でハーフピッチが６５ナノメータのＬ＆Ｓパターンと、バックグラウンド光０％でハーフピッチが６０ナノメータのＬ＆Ｓパターンでは、ＮＩＬＳが同じになる。同様にして、バックグラウンド光８％でハーフピッチが６０ナノメータのＬ＆Ｓパターンと、バックグラウンド光０％でハーフピッチが５５ナノメータのＬ＆Ｓパターンでも、ＮＩＬＳは同じになる。  
したがって、この範囲内でバックグラウンド光を変化させれば、中間のハーフピッチの解像性を評価できることになる。すなわち、第１の露光処理時にハーフピッチが６５ナノメータのＬ＆Ｓパターンを用いて、第２の露光処理時にバックグラウンド成分Ｅ２／Ｅ１が０〜４％となるよう露光量を調整することで、ハーフピッチが６０〜６５ナノメータの範囲での解像性を詳細に評価することができる。同様に、第１の露光処理時にハーフピッチが６０ナノメータのＬ＆Ｓパターンを用いて、第２の露光処理時にバックグラウンド成分Ｅ２／Ｅ１が０〜８％となるよう露光量を調整することで、ハーフピッチが５５〜６０ナノメータの範囲での解像性を詳細に評価することができる。
【００３７】
このように、バックグラウンド光の水準振りは、第２の露光処理での全透過露光量を変化させるだけでよく、理論上は無限に変化可能である。通常の評価パターンを用意するだけで、細かな刻みで複数の評価パターンを用いた場合と同様の評価が行えるということである。
【００３８】
本発明の実施の形態を用いて、２種類のレジストの優劣を評価した場合の効果を以下に説明する。  
図８は、図７の図表の一部を拡大したものである。  
例えば、２種類のレジストＡ、Ｂの解像に必要なＮＩＬＳが、それぞれ１．９０、１．５５であるとする。図８によると、バックグラウンド光が０％の場合の６０ナノメータＬ＆Ｓパターンと５５ナノメータＬ＆ＳパターンのＮＩＬＳは、それぞれ１．９５、１．４９であるため、従来の評価方法でそれぞれ６０ナノメータＬ＆Ｓと５５ナノメータＬ＆Ｓが設けられた評価マスクを用いると、６０ナノメータＬ＆ＳではレジストＡ、Ｂともに解像し、５５ナノメータＬ＆ＳではレジストＡ、Ｂともに解像しないことになり、レジストの解像性の比較ができない。  
これに対して、バックグラウンド光を付加したＮＩＬＳを用いると、６０ナノメータＬ＆Ｓに６％のバックグラウンドを付加した場合のＮＩＬＳが１．５９となり、この条件下ではレジストＢのみが解像し、レジストＡは解像しないことになる。したがって、レジストＢの方が解像性が優れていると判定できる。
【００３９】
次いで、露光機の号機間差を評価した場合の効果を説明する。
【００４０】
図９は、シミュレーションによる装置Ｘと装置Ｙの、バックグラウンド光とＮＩＬＳの関係を表した図表である。  評価パターンは６０ナノメータＬ＆Ｓを用い、バックグラウンド光を０〜８％まで変化させてある。
【００４１】
６０ナノメータＬ＆Ｓパターンの理想的なＮＩＬＳは１．９５と言われているが、装置Ｘ、Ｙともにレンズ収差等の解像性阻害要因によって、ＮＩＬＳがそれぞれ１．６０、１．８５まで劣化している。この２台の装置の優劣を評価するのに、解像ＮＩＬＳが１．５５のレジストＢを用いると、装置Ｘ、Ｙともに６０ナノメータＬ＆Ｓパターンを解像してしまい、解像性の評価が行えない。  
これに対して、バックグラウンド光を付加したＮＩＬＳを用いると、バックグラウンド光４％のときのＮＩＬＳが、装置Ｘは１．３５、装置Ｙは１．６０となり、この条件下では装置Ｙのみが解像し、装置Ｘは解像しにことになる。したがって、装置Ｙの解像性の方が解像性が優れていると判定できる。
【００４２】
以上、シミュレーション結果と照合しても明らかなように、本発明のリソグラフィの解像力評価手法を用いることで、評価パターン用フォトマスクの作製に多大な負担をかけることなく、解像度をより微細な状態で評価可能とし、リソグラフィの解像度の精度は格段に向上する。  
そしてこのことは、半導体の微細加工技術に大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のリソグラフィの解像力判定手法の手順を表すフローチャートである。
【図２】第１の露光処理を表す模式図である。
【図３】第２の露光処理を表す模式図である。
【図４】第１、第２の露光処理終了後でのレジストパターン解像性の傾向を表したショットマップである。
【図５】第１の露光処理におけるＬ＆Ｓの空間像を表す図表である。
【図６】第１、第２の露光処理におけるＬ＆Ｓの空間像を表す図表である。
【図７】シミュレーションによるＬ＆ＳパターンのハーフピッチとＮＩＬＳの関係を表す図表である。
【図８】図７の図表の一部を拡大したものである。
【図９】シミュレーションによる装置Ｘと装置Ｙの、バックグラウンド光とＮＩＬＳの関係を表した図表である。
【図１０】光学像における各パラメータの関係を表した図表である。
【図１１】Ｌ＆Ｓの評価パターンを用いた露光の様子を表す模式図である。
【図１２】Ｌ＆Ｓの評価パターンを用いた露光の様子を表す模式図である。
【図１３】Ｌ＆Ｓパターンのハーフピッチとシミュレーションから予想されるＮＩＬＳの関係を表した図表である。
【符号の説明】
【００４４】
１１０１、２０１    ハーフピッチ
１１０２    遮光部
１１０３    透過部
１１０４、１２０２    暗部
１１０５、１２０３    明部
１１０６    パターン部
１１０７、１２０４    スペース部
２０１    フォトマスク
２０２    ウェーハ
３０１    全透過型フォトマスク
【図１】
2005302800.tif 000003
【図２】
2005302800.tif 000004
【図３】
2005302800.tif 000005
【図４】
2005302800.tif 000006
【図５】
2005302800.tif 000007
【図６】
2005302800.tif 000008
【図７】
2005302800.tif 000009
【図８】
2005302800.tif 000010
【図９】
2005302800.tif 000011
【図１０】
2005302800.tif 000012
【図１１】
2005302800.tif 000013
【図１２】
2005302800.tif 000014
【図１３】
2005302800.tif 000015