(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造におけるウェハの識別を改善する。【解決手段】  ウェハ１の裏面に識別パターンを形成し、ウェハの表面に半導体装置を形成する。これにより、半導体装置の形成を妨げることなくウェハを識別することが可能になる。識別パターンは、読み取り可能なパターンの鏡像である。このため、識別パターンの読み取りは、ウェハの表面側からウェハを透かして識別パターンを直接観察し、あるいは鏡によって反射された識別パターンの光学像をウェハの表面側から観察することにより容易に行うことができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの裏面に識別パターンを形成する工程と、
前記半導体ウェハの表面に半導体装置を形成する工程と
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記識別パターンは、前記ウェハに割り当てられた所定の識別パターンを鏡面反転させた形状を有している、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハの表面側から前記半導体ウェハを透かして前記識別パターンを観察する工程をさらに備える請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
鏡によって反射された前記識別パターンの光学像を前記ウェハの表面側から観察する工程をさらに備える請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ウェハ上に半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハをナンバリングする様々な技術が開示されている（例えば、特許文献１〜８を参照）。
【特許文献１】特開平９−１０２４７６号公報
【特許文献２】特開平５−２５９０１１号公報
【特許文献３】特開平７−４５４８４号公報
【特許文献４】特開平７−３０７２５５号公報
【特許文献５】特開平１０−２６１５５９号公報
【特許文献６】特開２００１−１３５５８８号公報
【特許文献７】特開２００２−７５８１２号公報
【特許文献８】特開２００３−２８８０２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ウェハの表面をナンバリングする場合、識別番号を形成するためにウェハの表面が削られるため、識別番号上またはその近傍に半導体装置を形成することは困難である。このため、ウェハから採取できるチップの数が減少する。また、ウェハの表面にはデバイス、配線、絶縁膜などが形成されるため、半導体装置の製造工程が進むにつれて識別番号の認識が困難になる。このため、識別番号の再形成が必要となることもある。さらに、ナンバリングによってウェハの外周部に凹凸が発生するため、その凹凸を消去する工程が必要となる。凹凸が残ったままだと、ウェハに化学機械研磨（ＣＭＰ）を施したときに、外周部の研磨不足または中央部での異常研磨が生じる可能性がある。
【０００４】
本発明は、上記に鑑みなされたもので、半導体装置の製造におけるウェハの識別を改善することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置製造方法は、ウェハの裏面に識別パターンを形成する工程と、ウェハの表面に半導体装置を形成する工程とを備えている。ここで、識別パターンは、ウェハに割り当てられた所定の識別パターンを鏡面反転させた形状を有している。
【０００６】
半導体装置と識別パターンをウェハの表面と裏面とに分けて形成するので、半導体装置の形成に使用可能なウェハ上の領域を縮小することなくウェハを識別することができる。また、半導体装置の製造工程によって識別パターンの認識が困難になることもないので、識別パターンの再形成が不要である。さらに、ウェハの表面に識別パターンを形成しないので、ウェハの表面に化学機械研磨を施したときに、ウェハの外周部の研磨不足や中央部での異常研磨を防止できる。
【０００７】
ウェハの表面側からウェハを透かして識別パターンを観察し、あるいは鏡によって反射された識別パターンの光学像をウェハの表面側から観察すれば、識別パターンを容易に確認できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の方法によれば、半導体装置の製造効率を損なうことなくウェハを識別することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１０】
（第１実施形態）本実施形態では、透明なウェハ上に識別パターンを形成し、次いで、そのウェハ上に半導体装置を形成し、その後、識別パターンを読み取ってウェハを識別する。図１は、ウェハ１上の識別パターン１０を示す平面図である。識別パターン１０は、ウェハ１の裏面１ｂの外周部にレーザマーカーを用いて刻印される。裏面１ｂ側から見た識別パターン１０は、ウェハ１に割り当てられた所定の読み取り可能な識別番号（本実施形態では「７３２４６」）のパターンを鏡面反転させた形状を有している。より具体的に述べると、識別パターン１０は、読み取り可能な正規の数字列を構成する個々の数字を左右反転し、さらにそれらの数字を正規の数字列と逆の順序に並べることにより得られる鏡文字を表している。
【００１１】
識別パターン１０の形成後、ウェハ１の表面１ａに半導体装置が形成される。識別パターン１０は裏面１ａに設けられているので、識別パターン１０によって半導体装置の製造が妨げられることはない。
【００１２】
この後、ウェハ１の表面側から識別パターン１０を観察してウェハ１の識別番号を読み取り、それによりウェハ１を識別する。図２は、ウェハ１を識別する工程を示す側面図である。ウェハ１は透明なので、識別パターン１０の光学像１６はウェハ１を透過して表面１ａから出射する。したがって、光学像１６はウェハ１の表面側からウェハ１を透かして直接観察することができる。光学像１６は識別パターン１０の鏡像である。上述のように、識別パターン１０はウェハ１の識別番号を鏡面反転させたパターンであるから、識別パターン１０の鏡像１６はそのまま識別番号として読み取ることができる。これにより、ウェハ１の識別番号を容易に確認することができる。
【００１３】
このように、半導体装置と識別パターン１０をウェハ１の表面１ａと裏面１ｂとに分けて形成するので、表面１ａにおいて半導体装置の製造に使用可能な領域は縮小されない。また、半導体装置の製造工程によって識別パターン１０の認識が困難になることもなく、したがって、識別パターン１０の再形成が不要である。さらに、半導体装置が形成される表面１ａに識別パターン１０がないので、表面１ａに化学機械研磨を施したときに、ウェハ１の外周部の研磨不足や中央部での異常研磨を防止できる。識別パターン１０の読み取りは、識別パターン１０の鏡像１６を透明なウェハ１を透かして直接観察することにより容易に行うことができる。
【００１４】
（第２実施形態）第１実施形態と異なり、本実施形態では、ウェハ１が非透明である。第１実施形態と同様に、ウェハ１の裏面１ｂの外周部にレーザマーカーを用いて識別パターン１０が形成される。その後、ウェハ１の表面１ａに半導体装置が形成される。
【００１５】
この後、ウェハ１の表面側から識別パターン１０を観察してウェハ１の識別番号を読み取り、ウェハ１を識別する。図３は、ウェハ１を識別する工程を示す側面図である。本実施形態ではウェハ１は非透明なので、ウェハ１を透かして識別パターン１０を直接読み取ることはできない。そこで、鏡２を識別パターン１０に対向させて配置し、鏡２によって反射された識別パターン１０の光学像２０を観察する。光学像２０は識別パターン１０の鏡像であり、識別パターン１０はウェハ１の識別番号を鏡面反転させたパターンであるから、識別パターン１０の鏡像２０はそのまま識別番号として読み取ることができる。
【００１６】
第１実施形態と同様に半導体装置と識別パターン１０をウェハ１の表面１ａと裏面１ｂとに分けて形成するので、本実施形態でも第１実施形態と同様の利点が得られる。識別パターン１０の読み取りは、鏡２によって反射された識別パターン１０の鏡像２０をウェハの表面側から観察することにより容易に行うことができる。
【００１７】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００１８】
上記実施形態では、識別番号（数字列）の鏡面反転パターンが識別パターンとしてウェハの裏面に形成される。しかし、数字列に代えて他のパターン、例えば文字列や記号、の鏡面反転パターンを識別パターンとしてウェハの裏面に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】ウェハ上の識別パターンを示す平面図である。
【図２】第１実施形態においてウェハを識別する工程を示す側面図である。
【図３】第２実施形態においてウェハを識別する工程を示す側面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１…ウェハ、１ａ…表面、１ｂ…裏面、２…鏡、１０…識別パターン、１６および２０…識別パターンの鏡像。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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