(57)【要約】【課題】高密度かつ高転送レートである情報記録媒体においても、記録感度が良好で、再生光による記録信号の劣化を抑制し、安定に再生することができる信頼性の高い低コストな情報記録媒体を提供すること。【解決手段】基板１上に、少なくとも反射層１０１と記録層１０４とを備えた情報記録媒体であって、反射層１０１は少なくとも、Ｃｕと、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ、Ａｌ、ＣおよびＢから選ばれる少なくとも一つの元素）と、Ｍ２（但し、Ｍ２はＣ、Ｎ、ＯおよびＰから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む材料で構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも反射層と記録層とを備えた情報記録媒体であって、
前記反射層は少なくとも、Ｃｕと、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ、Ａｌ、ＣおよびＢから選ばれる少なくとも一つの元素）と、Ｍ２（但し、Ｍ２はＣ、Ｎ、ＯおよびＰから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記反射層は少なくとも、Ｃｕと、Ｍ３（但し、Ｍ３はＳｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎ、Ｃ、Ｂ−ＮおよびＢ−Ｐから選ばれる少なくとも一つ）とを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記反射層は少なくとも、Ｃｕと、Ｍ４（但し、Ｍ４はＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮ及びＢＰから選ばれる少なくとも一つ）とを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
Ｍ４が、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮおよびＢＮから選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項３に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記反射層が、Ｃｕを９０原子％以上含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記反射層が、Ｃｕを９５原子％以上含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記反射層の膜厚が、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記基板上に、少なくとも、前記反射層、第２誘電体層、前記記録層、第１誘電体層がこの順で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記基板上に、少なくとも、第１誘電体層、前記記録層、第２誘電体層、前記反射層がこの順で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記基板上に、少なくとも２つの前記記録層を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
基板上に、反射層と記録層とを成膜する工程を少なくとも備えた情報記録媒体の製造方法であって、
前記反射層を成膜する工程が、少なくとも、Ｃｕと、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ、Ａｌ、ＣおよびＢから選ばれる少なくとも一つの元素）と、Ｍ２（但し、Ｍ２はＣ、Ｎ、ＯおよびＰから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むスパッタリングターゲットを用いることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記スパッタリングターゲットが、少なくとも、Ｃｕと、Ｍ３（但し、Ｍ３はＳｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎ、Ｃ、Ｂ−ＮおよびＢ−Ｐから選ばれる少なくとも一つ）とを含むことを特徴とする請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記スパッタリングターゲットが、少なくとも、Ｃｕと、Ｍ４（但し、Ｍ４はＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮ及びＢＰから選ばれる少なくとも一つ）とを含むことを特徴とする請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
Ｍ４が、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮおよびＢＮから選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記スパッタリングターゲットが、Ｃｕを９０原子％以上含むことを特徴とする請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記スパッタリングターゲットを用いて、Ｃｕを９０原子％以上含む反射層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記スパッタリングターゲットを用いて、Ｃｕを９５原子％以上含む反射層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記反射層を成膜する工程は、アルゴンガスもしくはクリプトンガスを用いるか、または、アルゴンガスもしくはクリプトンガスと、窒素ガスもしくは酸素ガスのうち少なくともいずれか一方を含む混合ガスを用いることを特徴とする請求項１１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的に情報を記録、消去、書き換え、再生する情報記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体には、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書き換え、再生する相変化型光学的情報記録媒体がある。相変化型光学的情報記録媒体では、情報の記録、消去、書き換えにおいて、その記録層が結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化を生じる現象を利用する。一般に、情報を記録する場合は、記録層に高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して照射部を融点より高い温度まで加熱して溶融させたのち急冷することにより、照射部に非晶質相を形成して情報を記録する。一方、情報を消去する場合は、記録時より低パワー（消去パワー）のレーザビームを照射して、記録層の結晶化温度より十分に高く融点よりは低い温度まで照射部を加熱して昇温したのち徐冷することにより、照射部に結晶相を形成して前の情報を消去する。また、情報の再生時においては、記録媒体に対して消去パワーよりも低パワー（再生パワー）のレーザビームを照射し、非晶質部と結晶部との反射率の相違により情報を読み出す。
【０００３】
光学的情報記録媒体では、一般的に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層の少なくとも４つの層から構成されている。誘電体層は、光の行路長を調節して記録層への光吸収効率を高める役割を担っている。反射層は光を反射させ、記録層に吸収される光量を増大させる働きと、レーザビームにより記録層で生じた熱を速やかに拡散させる働きとを兼ねており、放熱層として利用される。反射層の材料としては熱伝導率や反射率の大きな材料として、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等が主に用いられてきた。
【０００４】
Ａｇは、元素の中で熱伝導率が最も高い。このため、ＡｕおよびＡｌに比べて、膜厚がより薄くても非晶質マーク形成時に必要とされる冷却条件を満足させることができ、Ａｇ系合金は反射層として適している（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
Ａｕは比較的大きな熱伝導率を有しており、Ａｇ系合金およびＡｌ系合金に比べて非常に耐食性に優れている。
【０００６】
Ａｌは非常に安価なため、上記元素ＡｇおよびＡｕに比べて生産コストを大幅に下げることができる。また、耐食性を上げるため、ＡｌにＴａまたはＴｉまたはＣｒを少量添加したＡｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金の反射層材料への検討が行われてきた（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特表２００２−５１８５９６号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述の反射層材料Ａｇ系合金、Ａｕ系合金およびＡｌ系合金では、次のような課題を有している。
【０００８】
Ａｇ反射層は、膜を形成する際Ａｇは柱状晶に成長するため、粒径が大きく、表面粗さが大きくなる。このため、粒径が大きいＡｇ反射層が形成されることになり、反射面の平坦性が悪く、光ノイズが高くなるという問題が生じる。また、粒界に不純物が析出しやすく、腐食・剥離などの問題も引き起こす可能性がある。特に、記録密度の向上のために、光ヘッドに用いる対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．８５にまで高める技術においては、基板とは反対側に形成された光透過層を通してレーザビームを記録層に照射するため、基板上に反射層を形成した後、記録層を形成することとなり、Ａｇ反射層の平坦性は非常に重要である。また、耐食性を向上させるため、Ａｇへの金属元素の添加したＡｇ系反射層の検討が広く行われてきた。しかし、Ａｇは貴金属であり、コストが高くなるという大きな問題をかかえている。反射層は放熱層の役割を果たすため、多層の情報記録媒体で反射層が占める膜厚の割合は大きく、情報記録媒体のコストに与える影響は大きい。このため、反射層のコストは、情報記録媒体の製造において重要な要素であり、反射層の生産コストを下げることは大きな課題であった。
【０００９】
Ａｇ−Ｐｄ系反射層においては、Ａｇに微量のＰｄを添加することにより、耐食性を改善できるが、膜の十分な平坦性は得られていない。また、ＰｄもＡｇと同様に貴金属であり、コストの課題も有している。
【００１０】
同様に、Ａｕ系反射層においても、Ａｕの熱伝導率は大きいが、コストが大きな問題である。
【００１１】
Ａｌ系反射層では、ＡｇおよびＡｕよりもＡｌのコストが安いが、熱伝導率が小さいという問題がある。特に、情報記録媒体の高密度化・高転送レート化においては、反射層の熱伝導率がより重要な要素とされる。高速では線速度が速いため、記録時には非晶質マーク形成に必要な冷却条件を十分得ることができるが、消去時には非晶質相から結晶相への相変化に必要な徐冷条件を十分満足することができない。このため、記録層の結晶化速度を向上させることで、消去率の改善が図られてきた。しかしながら、記録層の結晶化速度を高めると、低速では線速度が遅いため、記録時に非晶質マーク形成に必要な冷却条件を十分得ることができない。従って、低速での課題である冷却条件の改善に対して、記録層で生じた熱をより速やかに拡散させ、記録層の冷却能を高める必要があることから、反射層の熱伝導率は高いことが望まれる。また、Ａｌ系反射層においても、Ａｇ系反射層と同様に、表面粗さの大きな反射層が形成されてしまうことから、ノイズによる信号品質の劣化も生じるという課題があった。
【００１２】
以上のように、Ａｇ系反射層ではノイズが大きくコストがかかる、Ａｕ系反射層も大きなコストがかかる、Ａｌ系反射層は低コストであるがノイズが大きく熱伝導率が不足する、といった課題を有している。
【００１３】
そこで、本発明は、高密度・高転送レート可能な高倍速対応の情報記録媒体において、記録層で生じた熱をより速やかに拡散させる反射層を採用することにより、良好な記録感度で安定な信号を記録できる、信号品質の良い低コストな情報記録媒体を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の情報記録媒体は、基板上に少なくとも反射層と記録層とを備えた情報記録媒体であって、前記反射層は少なくとも、Ｃｕと、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ、Ａｌ、ＣおよびＢから選ばれる少なくとも一つの元素）と、Ｍ２（但し、Ｍ２はＣ、Ｎ、ＯおよびＰから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むことを特徴とする。
【００１５】
また、上記目的を達成するため、本発明の情報記録媒体の製造方法は、基板上に反射層と記録層とを成膜する工程を少なくとも備えた情報記録媒体の製造方法であって、前記反射層を成膜する工程が、少なくとも、Ｃｕと、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ、Ａｌ、ＣおよびＢから選ばれる少なくとも一つの元素）と、Ｍ２（但し、Ｍ２はＣ、Ｎ、ＯおよびＰから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含むスパッタリングターゲットを用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の情報記録媒体では、記録層で生じた熱をより速やかに拡散させる高熱伝導率の反射層を有することにより、さらなる高密度化・高転送レート化に対しても、良好な記録感度で安定な信号を記録でき、信号品質・信頼性の良い、低コストの情報記録媒体を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、本発明の情報記録媒体を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明の情報記録媒体はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、光磁気記録媒体などへも適用できる。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【００１９】
（実施の形態１）
実施の形態１では、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。図１に、本実施の形態における情報記録媒体１１の一部断面図を示す。情報記録媒体１１は、書き換え可能な記録層を１層有する相変化型光学的情報記録媒体の一つである。
【００２０】
情報記録媒体１１は、基板１上に、反射層１０１、第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６を順次積層し、さらにその上に透明層２を備える。
【００２１】
情報記録媒体１１は、レーザビーム３の波長λが４０５ｎｍ付近のレーザビーム３での記録・再生に用いることができる。情報記録媒体１１における情報の記録・再生・消去・書き換えには、情報記録媒体１１の透明層２側からレーザビーム３を照射し、記録層１０４からの反射光を利用する。集光したレーザビーム３のスポット径は、レーザビーム３の波長λによって決まり、レーザビーム３の波長λが短いほど、スポット径はより小さくなる。
【００２２】
前述のように、レーザビーム３は透明層２側から照射され、再生信号として記録層１０４からの反射光を利用するため、透明層２は光吸収が小さいことが好ましく、短波長域においては光学的に複屈折が小さいことが好ましい。透明層２の材料は、樹脂や誘電体層を利用することができる。透明層２として樹脂を用いる場合は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂などを第１誘電体層１０６上に塗布して形成することができる。または、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂などの樹脂を接着層として、さらにその上に、透明な円盤状のポリカーボネートやアモルファスポリオレフィン、ＰＭＭＡなどの樹脂、またはガラスを貼り合わせて、複数の層から形成することもできる。透明層２に誘電体層を用いる場合は、スパッタリングなどにより形成することができる。この場合も、透明層２を複数の層から形成してもよい。
【００２３】
基板１の反射層１０１と反対側の表面は、情報記録媒体１１の表面であり、平滑であることが好ましい。逆に、基板１の反射層１０１側の表面には、必要に応じてレーザビーム３を導くための案内溝を形成してもよい。そこで、基板１の材料には、転写性・量産性に優れ、低コストな材料が好ましく、ポリカーボネートが特に有用である。基板１の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体１１の厚さが１２００μｍ程度となるよう、５００μｍ〜１２００μｍの範囲内であることが好ましい。なお、ＮＡ≒０．６で良好な記録再生を行う場合、５５０μｍ〜６５０μｍの範囲内であることが好ましい。また、ＮＡ≒０．８５で良好な記録再生を行う場合、１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２４】
第１誘電体層１０６は、記録層１０４の酸化、腐食、変形などを防止する働きと、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働き、および記録前後の反射光量の変化を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第１誘電体層１０６の材料には、誘電体として、例えばＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３などの酸化物を用いることができる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳなどの硫化物やＳｉＣなどの炭化物、ＬａＦ３などの弗化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、第１誘電体層１０６の材料として特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ２は、非晶質材料で、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性および耐湿性が良好である。
【００２５】
第１誘電体層１０６の膜厚は、マトリクス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章を参照）に基づく計算により、厳密に決定することができる。第１誘電体層１０６は、記録層１０４の結晶部と非晶質部の反射光量の変化が大きく、且つ記録層１０４での光吸収が大きくなる条件を満足する膜厚に設計される。従って、第１誘電体層１０６の膜厚は、２ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましく、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第１誘電体層１０６の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、記録層１０４に対して熱を効果的に伝えることができる。これにより、記録パワーを低下させ、記録感度を向上できる。
【００２６】
第１界面層１０５は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０６と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きを有する。特に、第１誘電体層１０６がＳを含む材料からなる場合には、第１誘電体層１０６と記録層１０４との間でＳの物質移動が顕著に見られるため、第１界面層１０５がより効果的な役割を果たす。情報の再生では、情報記録媒体１１に対して再生パワーのレーザビーム３を照射し、結晶部と非晶質部との反射率の相違により情報を読み出す。従って、再生信号の振幅を大きくするためには、結晶相と非晶質相との反射率変化が大きいことが必要となる。このことから、記録層１０４と界面を接している第１界面層１０５は、光吸収が少なく記録の際に記録パワー（高パワー）レーザビームの照射に対しても溶けない高融点な材料で、且つ第１誘電体層１０６および記録層１０４との密着性が良い材料であることが好ましい。記録の際に溶けない高融点な材料であることは、高パワーのレーザビーム３を照射した際に、溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。混入すると記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、第１誘電体層１０６および記録層１０４と密着性が良い材料であることは信頼性確保に必要な特性である。
【００２７】
第２界面層１０３は、第１界面層１０５と同様の役割を担う。第２界面層１０３は、繰り返し記録によって第２誘電体層１０２と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きがあり、特に第２誘電体層１０２がＳを含む場合には、第２界面層１０３がより効果的な働きを担う。再生信号の振幅として用いる結晶相と非晶質相との反射率変化を大きくするには、記録層１０４と界面を接している第２界面層１０３は、光吸収が少なく記録の際に記録パワー（高パワー）レーザビームの照射に対しても溶けない高融点な材料で、且つ第２誘電体層１０２および記録層１０４との密着性が良い材料であることが好ましい。
【００２８】
第１界面層１０５および第２界面層１０３には、第１誘電体層１０６と同様の系の材料を用いることができる。例えば、誘電体であるＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３などの酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物、ＳｉＣなどの炭化物、ＬａＦ３などの弗化物を用いることができる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。
【００２９】
例えば、ＺｒＯ２とＳｉＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合物であるＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３は、第１界面層１０５および第２界面層１０３として優れている。この３種類の酸化物を混合することによって、記録層１０４と接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い情報記録媒体１１が得られる。ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３中のＳｉＯ２の含有量は５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。また、良好な記録書き換え性能を確保するためには、ＳｉＯ２とＣｒ２Ｏ３の含有量の和は９５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【００３０】
第１界面層１０５および第２界面層１０３は、光吸収によって記録層１０４における反射光量の記録前後での変化が小さくならないよう、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが望ましく、２ｎｍ〜７ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００３１】
第１界面層１０５および第２界面層１０３には、Ｃを含む材料を用いてもよい。Ｃを含ませることにより、記録層１０４の結晶化速度が低下し、再生光劣化を抑制できる。第１界面層１０５および第２界面層１０３としてＣを用いる場合、Ｃの膜厚は繰り返し特性が悪化しないように５ｎｍ以下が望ましく、３ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３２】
第２誘電体層１０２は、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働き、および記録前後の反射光量の変化を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第２誘電体層１０２には、第１誘電体層１０６と同様の系の材料を用いることができ、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、第２誘電体層１０２としても優れた材料である。
【００３３】
第２誘電体層１０２の膜厚は、２ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内であることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第２誘電体層１０２の膜厚をこの範囲内で選ぶことによって、記録層１０４で発生した熱を効果的に反射層１０１側に拡散させることができる。これにより、記録層１０４に記録を行う際に、急冷しやすくなり、非晶質相を安定に形成することができる。
【００３４】
記録層１０４は、レーザビーム３の照射によって、結晶部と非晶質部との間で可逆的な相変化を起こす材料を用いることができる。記録層１０４は相変化材料として、Ｇｅと、Ｔｅと、Ｍ５（但し、Ｍ５はＳｂ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む材料を用いることができ、Ｓｎを含んでもよい。つまり、記録層１０４は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅなどを用いてもよい。
【００３５】
具体的には、記録層１０４は、（Ｇｅ１−ｙＳｎｙ）ＡＭ５２＋ＢＴｅＡ＋３で表される材料で形成してもよい。この時、非晶質相が安定で信号振幅を大きくできるように、２≦Ａ≦６０を満たすことが望ましく、４≦Ａ≦３１であることがより好ましい。Ａ＜２においては、結晶化速度が速くなり、非晶質部である記録マークの保存性が低下する。Ａ＞６０においては、融点が上昇し結晶化速度が低下するため、記録パワーが高パワーとなり、記録層の記録感度が低下する。また、０≦Ｂ≦５を満たすことが好ましい。Ｂ＞５において、Ｍ５がＢｉでは、結晶化速度が速すぎ、非晶質マークの形成に必要な冷却条件を満たすには、記録パワーをより高く設定しなければならず、記録感度の低下を引き起こす。また、Ｂ＞５において、Ｍ５がＳｂでは、結晶化速度が低すぎ、非晶質マークを消去する際に必要な徐冷条件を満たすことができず、消去・書き換え性能が悪化する。また、０≦ｙ≦０．５を満たすことが好ましい。ｙ＞０．５では、Ｓｎ量が多いために結晶化速度が速すぎ、消去・書き換え性能が悪化する。
【００３６】
記録層１０４の膜厚は、情報記録媒体１１の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。記録層１０４が１４ｎｍより厚い場合には、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層１０４が６ｎｍより薄い場合には、情報記録媒体１１の反射率が小さくなる。
【００３７】
反射層１０１は、記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１０１は、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１０４の急冷を促し非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層１０１は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
【００３８】
本発明の反射層１０１の材料には、Ｃｕ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ、Ａｌ、ＣおよびＢから選ばれる少なくとも一つの元素）およびＭ２（但し、Ｍ２はＣ、Ｎ、ＯおよびＰから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む材料を用いることができる。本発明の反射層１０１の材料は安価であり、低コストな情報記録媒体１１を提供できる。
【００３９】
さらに、Ｍ１とＭ２が化合物Ｍ３を形成してもよく、反射層１０１はＣｕと、Ｍ３（但し、Ｍ３はＳｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎ、Ｃ、Ｂ−ＮおよびＢ−Ｐから選ばれる少なくとも一つ）とを含んでもよい。
【００４０】
さらに、Ｍ３が化学量論組成の化合物であるＭ４を形成してもよく、反射層１０１は、Ｃｕと、Ｍ４（但し、Ｍ４はＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＢＮ及びＢＰから選ばれる少なくとも一つの化合物）とを含んでよく、Ｍ４が、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮおよびＢＮから選ばれる少なくとも一つであってよい。Ｍ４は、熱伝導率が比較的高く、ＣｕにＭ４を添加することで信頼性を向上できる。
【００４１】
反射層１０１は、Ｃｕを９０原子％以上含むことが好ましく、Ｃｕを９５原子％以上含むことがより好ましい。Ｃｕが９０原子％未満においては、熱伝導率が低く、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させることができなくなるため、非晶質マーク形成に必要な冷却条件を満足することができない。
【００４２】
反射層１０１の膜厚が、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。反射層１０１の膜厚が３０ｎｍ未満では、十分な熱拡散機能を得ることができず、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させることができない。反射層１０１が２００ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて、記録層１０４で生じた熱を必要以上に拡散させてしまい、記録層１０４が十分に加熱されない。このため、記録層１０４の照射部の温度を非晶質マーク形成に必要な温度である融点以上に高めるためには、記録パワーを大きくすることが必要となる。しかし、これでは情報記録媒体１１の記録感度が低下する。従って、反射層１０１の膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００４３】
反射層１０１に含まれるＣｕは、第２誘電体層１０２にＳが含まれる材料を用いる場合、第２誘電体層１０２のＳと反射層１０１のＣｕとが反応して信頼性の悪化を引き起こし、記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を果たすことができない。従って、Ｓの拡散を防ぐためには、第２誘電体層１０２と反射層１０１との間に第３界面層を設けてもよい。この場合、第３界面層には、金属、半金属、半導体および誘電体を用いることができる。第３界面層は、金属としてはＡｌ、Ｎｉ、Ｃｒなどの元素、またはそれらを主成分とする合金、半金属としてはＣまたはＳｂなどの元素、半導体としてはＧｅ、Ｓｉなどの元素またはそれらの化合物などを用いてもよい。また、第３界面層が誘電体である場合は、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３などの酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物、ＳｉＣなどの炭化物またはＬａＦ３などの弗化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。また、膜厚は３ｎｍ〜１００ｎｍ（より好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍ）の範囲内であることが好ましい。
【００４４】
なお、第１界面層１０５がなくてもよく、図２の情報記録媒体１２に示すように、基板１上に順次積層した、反射層１０１、第２誘電体層１０２、第２界面層１０３、記録層１０４、第１誘電体層１０７、および透明層２より構成される。この場合、第１誘電体層１０７と記録層１０４との間で物質移動が生じて、記録層１０４の組成が変化しないように、第１誘電体層１０７にはＳを含まないことが好ましい。また、第２界面層１０３がなくてもよく、図３の情報記録媒体１３に示すように、基板１上に順次積層した、反射層１０１、第２誘電体層１０８、記録層１０４、第１界面層１０５、第１誘電体層１０６、および透明層２より構成される。この時もまた、第２誘電体層１０８と記録層１０４との間で物質移動が生じて、記録層１０４の組成が変化しないように、第２誘電体層１０８にはＳを含まないことが好ましい。
【００４５】
図１の情報記録媒体１１、図２の情報記録媒体１２、および図３の情報記録媒体１３は、以下で説明する方法によって製造できる。
【００４６】
初めに、図１の情報記録媒体１１の製造方法について説明する。
【００４７】
まず、基板１（厚さが例えば１１００μｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
【００４８】
続いて、基板１上に反射層１０１を成膜する。このとき、基板１にレーザビーム３を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に反射層１０１を成膜する。反射層１０１は、Ｃｕ−Ｍ１−Ｍ２からなる混合物スパッタリングターゲットを、一つの電源を用いて、スパッタリングすることによって形成できる。スパッタリングの雰囲気ガスには、Ａｒガス雰囲気中、または、Ａｒガスと反応性ガス（酸素ガスおよび窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガスを用いることができる。また、反射層１０１は、Ｃｕ、Ｍ１またはＭ２の各々のスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングして、形成することもできる。また、反射層１０１は、Ｃｕのスパッタリングターゲットと、Ｍ３の２元系スパッタリングターゲットを、複数の電源を用いて同時にスパッタリングして、形成してもよい。これらの場合でも、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中、またはＫｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。
【００４９】
続いて、反射層１０１上に、第２誘電体層１０２を成膜する。第２誘電体層１０２は、第２誘電体層１０２を構成する化合物からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、または、Ａｒガスと反応性ガス（酸素ガスおよび窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。第２誘電体層１０２は、第２誘電体層１０２を構成する金属からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガスと反応性ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすることによって形成できる。
【００５０】
続いて、第２誘電体層１０２上に、第２界面層１０３を成膜する。第２界面層１０３は、第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
【００５１】
続いて、第２界面層１０３上に、記録層１０４を成膜する。記録層１０４は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｍ５−Ｔｅを含む合金からなるスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いて、スパッタリングすることによって形成できる。スパッタリングの雰囲気ガスには、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス、またはＫｒガスと反応ガスとの混合ガスを用いることができる。また、記録層１０４は、Ｇｅ、Ｍ５またはＴｅの各々のスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。また、記録層１０４は、Ｇｅ、Ｍ５またはＴｅのうちいずれかの元素を組み合わせた２元系スパッタリングターゲットや３元系スパッタリングターゲットなどを、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらの場合でも、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中、またはＫｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。
【００５２】
続いて、記録層１０４上に、第１界面層１０５を成膜する。第１界面層１０５は、第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
【００５３】
続いて、第１界面層１０５上に、第１誘電体層１０６を成膜する。第１誘電体層１０６は、第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
【００５４】
最後に、第１誘電体層１０６上に透明層２を形成する。透明層２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂などの樹脂を第１誘電体層１０６上に塗布して、透明層２を第１誘電体層１０６上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２には、透明な円盤状のポリカーボネートまたはアモリファスポリオレフィンやＰＭＭＡなどの樹脂またはガラスなどの基板を用いてもよい。この場合、透明層２として用いる基板に予め粘着性の樹脂を均一に塗布し、それを第１誘電体層１０６上に密着させることも可能である。また、透明層２をすべてスピンコートで形成しても良い。
【００５５】
なお、第１誘電体層１０６を成膜したのち、または透明層２を形成したのち、必要に応じて記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。初期化工程は、非晶質状態にある記録層１０４を、例えば半導体レーザを照射して、結晶化温度以上に昇温して結晶化させる工程である。
【００５６】
以上のようにして、図１の情報記録媒体１１を製造できる。
【００５７】
次に、図２の情報記録媒体１２の製造方法を説明する。基板１上に図１の情報記録媒体１１の製造方法と同様の方法で記録層１０４まで形成したあと、記録層１０４上に第１誘電体層１０７を成膜する。第１誘電体層１０７は、Ｓを含まない材料のターゲットを用いて成膜することが好ましく、図１の第１誘電体層１０６と同条件で形成することができる。続いて、第１誘電体層１０７上に透明層２を形成する。なお、図１の情報記録媒体１１と符号が重複する層の工程は説明を省略する。このようにして、図２の情報記録媒体１２を製造できる。
【００５８】
次に、図３の情報記録媒体１３の製造方法について説明する。基板１上に図１の情報記録媒体１１の製造方法と同様の方法で反射層１０１まで形成したあと、反射層１０１上に第２誘電体層１０８を成膜する。第２誘電体層１０８は、Ｓを含まない材料のターゲットを用いて成膜することが好ましく、図１の第２誘電体層１０２と同条件で形成することができる。続いて、第２誘電体層１０８上に記録層１０４を形成する。続いて、記録層１０４上に第１界面層１０５、第１誘電体層１０６の順で成膜した後、第１誘電体層１０６上に透明層２を形成する。なお、図１の情報記録媒体１１と符号が重複する層の製造工程は説明を省略する。このようにして、図３の情報記録媒体１３を製造できる。
【００５９】
（実施の形態２）
実施の形態２では、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態２で用いる情報記録媒体１４の一部断面図を図４に示す。情報記録媒体１４は、片面からのレーザビーム３の照射によって情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
【００６０】
情報記録媒体１４では、基板１上に光学分離層３５、３３、３２などを介して、順次積層されたＮ組（ＮはＮ≧２を満たす自然数）の第Ｎ情報層３６、第（Ｎ−１）情報層３４、第１情報層３１、および透明層２により構成されている。ここで、レーザビーム３の入射側から数えて（Ｎ−１）組目までの情報層、第１情報層３１から第（Ｎ−１）情報層３４（以下、レーザビーム３の入射側から数えてＮ組目の情報層を「第Ｎ情報層」と記す。）は、光透過型の情報層である。
【００６１】
基板１、および透明層２の材料には、実施の形態１で説明したものと同様の材料を用いることができる。また、それらの形状および機能についても、実施の形態１で説明した形状および機能と同様である。
【００６２】
光学分離層３５、３３、３２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂などの樹脂、あるいは誘電体層などからなり、レーザビーム３に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に屈折率が小さいことが好ましい。
【００６３】
また、光学分離層３５、３３、３２は、情報記録媒体１４の第１情報層３１、第（Ｎ−１）情報層３４、第Ｎ情報層３６などのそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。光学分離層３５、３３、３２などの厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザビーム３の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。λ＝４００ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の時、ΔＺ＝０．２２７μｍとなり、±０．２５μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、光学分離層３５、３３、３２などの厚さは、０．５μｍ以上であることが必要となる。第１情報層３１、第（Ｎ−１）情報層３４、第Ｎ情報層３６などとの間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム３を集光可能な範囲となるようにすることが望ましい。従って、光学分離層３５、３３、３２などの厚さの合計は、対物レンズが許容できる交差内（例えば５０μｍ以下）にすることが好ましい。
【００６４】
基板１および光学分離層３５、３３、３２などにおいて、レーザビーム３の入射側の表面には、必要に応じてレーザビーム３を導くための案内溝が形成されていてもよい。この場合、片側からのレーザビーム３の照射のみにより、第Ｋ情報層（Ｋは１≦Ｋ≦Ｎの自然数）は第１情報層〜第（Ｋ−１）情報層を透過したレーザビーム３によって記録再生することが可能である。
【００６５】
なお、第１情報層３１から第Ｎ情報層３６の少なくともいずれか１層を、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ））、あるいは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（ＷＯ（Ｗｒｉｔｅ  Ｏｎｃｅ））としてもよい。
【００６６】
以下、第１情報層３１の構成について詳細に説明する。
【００６７】
第１情報層３１は、レーザビーム３の入射側から順に配置された第１誘電体層２０６、第１界面層２０５、第１記録層２０４、第２界面層２０３、第２誘電体層２０２、第１反射層２０１、および透過率調整層２０９を備える。
【００６８】
第１誘電体層２０６には、実施の形態１の第１誘電体層１０６と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能についても、実施の形態１での第１誘電体層１０６の機能と同様である。
【００６９】
第１誘電体層２０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、第１記録層２０４での結晶部と非晶質部の反射光量の変化が大きく、且つ第１情報層３１の透過率が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
【００７０】
第１界面層２０５には、実施の形態１の第１界面層１０５と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能および形状についても、実施の形態１での第１界面層１０５と同様である。
【００７１】
第１記録層２０４には、実施の形態１の記録層１０４と同様の材料を用いることができる。レーザビーム３の入射側から第１情報層３１より遠い側にある情報層は、記録再生の際に必要なレーザ光量を第１情報層３１を透過してきたレーザから得て情報を読み出すため、第１情報層３１の透過率が高いことが要求される。このことから、第１記録層２０４の膜厚は、１５ｎｍより薄いことが好ましい。
【００７２】
第２界面層２０３には、実施の形態１の第２界面層１０３と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能および形状についても、実施の形態１の第２界面層１０３と同様である。
【００７３】
第２誘電体層２０２には、実施の形態１の第２誘電体層１０２と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能および形状についても、実施の形態１の第２誘電体層１０２と同様である。
【００７４】
第１反射層２０１には、実施の形態１の反射層１０１と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能についても、実施の形態１での反射層１０１の機能と同様である。第１反射層２０１の膜厚は、第１情報層３１の透過率を高くするためには、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第１反射層２０１の膜厚がこの範囲内にあることにより、その熱拡散機能が十分で、且つ第１情報層３１の反射率が確保でき、さらに第１情報層３１の透過率も十分となる。
【００７５】
透過率調整層２０９は誘電体からなり、第１情報層３１の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層２０９によって、第１記録層２０４の結晶部における第１情報層３１の透過率Ｔｃ（％）と、第１記録層２０４の非晶質部における第１情報層３１の透過率Ｔａ（％）とをともに高くすることができる。具体的には、透過率調整層２０９を備える第１情報層３１では、透過率調整層２０９がない場合に比べて、２％〜１０％程度透過率が上昇する。また、透過率調整層２０９は、第１記録層２０４で発生した熱を効果的に拡散させる効果も有する。
【００７６】
透過率調整層２０９の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、第１情報層３１の透過率ＴｃおよびＴａを高める作用をより大きくするため、２．０≦ｎ且つｋ≦０．１を満たすことが好ましく、２．３≦ｎ≦３．０且つｋ≦０．０５を満たしてもよい。
【００７７】
透過率調整層２０９の膜厚ｄは、（１／３２）λ／ｎ≦ｄ≦（３／１６）λ／ｎ、または、（１７／３２）λ／ｎ≦ｄ≦（１１／１６）λ／ｎの範囲内であることが好ましく、（１／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（５／３２）λ／ｎ、（９／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（２１／３２）λ／ｎの範囲内であることがより好ましい。この範囲では、第１記録層２０４の結晶部での反射率Ｒｃ１と非晶質部での反射率Ｒａ１はＲｃ１＞Ｒａ１を満足し、安定に記録再生の動作を行え、結晶部での反射率Ｒｃ１が２≦Ｒｃ１≦８を満たす。なお、上記の範囲は、レーザビーム３の波長λと透過率調整層２０９の屈折率ｎとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．３≦ｎ≦３．０に選ぶことによって、３ｎｍ≦ｄ≦４０ｎｍまたは６０ｎｍ≦ｄ≦１３０ｎｍの範囲内であることが好ましく、７ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍまたは６５ｎｍ≦ｄ≦１２０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。ｄをこの範囲内で選ぶことによって、第１情報層３１の透過率ＴｃおよびＴａを共に高くすることができる。
【００７８】
透過率調整層２０９には、例えばＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３などの酸化物を用いることができる。また、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物を用いることができる。また、ＺｎＳなどの硫化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。これらの中でも、特にＴｉＯ２、およびＴｉＯ２を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（ｎ＝２．５〜２．８）、消衰係数も小さい（ｋ＝０．０〜０．０５）ため、第１情報層３１の透過率を高める作用が大きくなる。
【００７９】
第１情報層３１の透過率ＴｃおよびＴａは、記録再生の際に必要なレーザ光量を、レーザビーム３の入射側に対して第１情報層３１の反対側になる情報層に到達させるため、４０＜Ｔｃ且つ４０＜Ｔａを満たすことが好ましく、４６＜Ｔｃ且つ４６＜Ｔａを満たすことがより好ましい。
【００８０】
第１情報層３１の透過率ＴｃおよびＴａは、−５≦（Ｔｃ−Ｔａ）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔｃ−Ｔａ）≦３を満たすことがより好ましい。ＴｃおよびＴａがこの条件を満たすことにより、レーザビーム３の入射側から第１情報層３１より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１記録層２０４の状態による第１情報層３１における透過率変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
【００８１】
第１記録層２０４の反射率Ｒｃ１およびＲａ１は、Ｒａ１＜Ｒｃ１を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生の動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒｃ１−Ｒａ１）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒｃ１、Ｒａ１は、０．１≦Ｒａ１≦５且つ４≦Ｒｃ１≦１５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒａ１≦３且つ４≦Ｒｃ１≦１０を満たすことがより好ましい。
【００８２】
なお、第１界面層２０５がなくてもよく、図５の情報記録媒体１５に示すように、第１情報層３７は、レーザビーム３の入射側から順に配置された第１誘電体層２０７、第１記録層２０４、第２界面層２０３、第２誘電体層２０２、第１反射層２０１、および透過率調整層２０９より構成される。この場合、第１誘電体層２０７には、実施の形態１の第１誘電体層１０７と同様の材料を用いることができ、その機能も同様である。また、第２界面層２０３がなくてもよく、図６の情報記録媒体１６に示すように、第１情報層３８は、レーザビーム３の入射側から順に配置された第１誘電体層２０６、第１界面層２０５、第１記録層２０４、第２誘電体層２０８、第１反射層２０１、および透過率調整層２０９より構成される。この時もまた、第２誘電体層２０８には、実施の形態１の第２誘電体層１０８と同様の材料を用いることができ、その機能も同様である。
【００８３】
図４の情報記録媒体１４、図５の情報記録媒体１５、および図６の情報記録媒体１６は、以下で説明する方法によって製造できる。
【００８４】
初めに、図４の情報記録媒体１４の製造方法について説明する。
【００８５】
まず、基板１（厚さが例えば１１００μｍ）上に、（Ｎ−１）層の情報層を光学分離層を介して順次積層する。情報層は、単層膜または多層膜から形成され、それらの各層は成膜装置内で材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、光学分離層３５は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂を第Ｎ情報層３６上に塗布して、その後基板１を回転させて樹脂を均一に延ばし（スピンコート）、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、光学分離層３５がレーザビーム３の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた後、基板１とかぶせた基板（型）を回転させてスピンコートし、樹脂を硬化させた後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。
【００８６】
このようにして、光学分離層を介して、基板１上に（Ｎ−１）層の情報層を積層したのち、光学分離層３２を形成したものを用意する。
【００８７】
続いて、光学分離層３２上に第１情報層３１を形成する。具体的には、まず光学分離層を介して（Ｎ−１）層の情報層を積層したのち、光学分離層３２を形成した基板１を成膜装置内に配置し、光学分離層３２上に透過率調整層２０９を成膜する。透過率調整層２０９は、透過率調整層２０９を構成する化合物からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。また、透過率調整層２０９は、透過率調整層２０９を構成する金属からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングすることによっても形成可能である。
【００８８】
続いて、透過率調整層２０９上に、第１反射層２０１を成膜する。第１反射層２０１は、実施の形態１で説明した図１の反射層１０１と同様の方法で形成できる。
【００８９】
続いて、第１反射層２０１上に、第２誘電体層２０２を成膜する。第２誘電体層２０２は、実施の形態１で説明した図１の第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
【００９０】
続いて、第２誘電体層２０２の上に、第２界面層２０３を成膜する。第２界面層２０３は、実施の形態１で説明した図１の第２界面層１０３と同様の方法で形成できる。
【００９１】
続いて、第２界面層２０３上に、第１記録層２０４を成膜する。第１記録層２０４は、実施の形態１で説明した図１の記録層１０４と同様の方法で形成できる。
【００９２】
続いて、第１記録層２０４上に、第１界面層２０５を成膜する。第１界面層２０５は、実施の形態１で説明した図１の第１界面層１０５と同様の方法で形成できる。
【００９３】
続いて、第１界面層２０５上に、第１誘電体層２０６を成膜する。第１誘電体層２０６は、実施の形態１で説明した図１の第１誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
【００９４】
続いて、第１誘電体層２０６上に、透明層２を形成する。透明層２は実施の形態１で説明した図１の透明層２と同様の方法で形成できる。
【００９５】
なお、第１誘電体層２０６を成膜した後、または透明層２を形成した後、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
【００９６】
以上のようにして、図４の情報記録媒体１４を製造できる。
【００９７】
次に、図５の情報記録媒体１５の製造方法について説明する。基板１上に図４の情報記録媒体１４の製造方法と同様の方法で記録層２０４まで形成したあと、記録層２０４上に第１誘電体層２０７成膜する。第１誘電体層２０７は、Ｓを含まない材料のターゲットを用いて成膜することが好ましく、図４の第１誘電体層２０６の製造方法と同条件で形成することができる。このようにして、第１情報層３７を形成する。続いて、第１情報層３７上に透明層２を形成する。なお、図４の情報記録媒体１４と符号が重複する層の工程は説明を省略する。このようにして、図５の情報記録媒体１５を製造できる。
【００９８】
次に、図６の情報記録媒体１６の製造方法について説明する。基板１上に図４の情報記録媒体１４の製造方法と同様の方法で第１反射層２０１まで形成したあと、第１反射層２０１上に第２誘電体層２０８を成膜する。第２誘電体層２０８は、Ｓを含まない材料のターゲットを用いて成膜することが好ましく、図４の第２誘電体層２０８の製造方法と同条件で形成することができる。続いて、第２誘電体層２０８上に記録層２０４を形成する。続いて、記録層２０４上に第１界面層２０５、第１誘電体層２０６の順で成膜する。このようにして、第１情報層３８を形成する。続いて、第１情報層３８上に透明層２を形成する。なお、図４の情報記録媒体１４と符号が重複する層の製造工程は説明を省略する。このようにして、図６の情報記録媒体１６を製造できる。
【００９９】
（実施の形態３）
実施の形態３では、実施の形態２における本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３で用いる情報記録媒体１７の一部断面図を図７に示す。情報記録媒体１７は、片面からのレーザビーム３の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
【０１００】
情報記録媒体１７は、基板１上に順次積層した、第２情報層４１、光学分離層３２、第１情報層３１、および透明層２により構成されている。基板１、光学分離層３２、第１情報層３１、および透明層２には、実施の形態２で説明したものと同様の材料を用いることができる。また、それらの形状および機能についても、実施の形態２で説明した形状および機能と同様である。
【０１０１】
以下、第２情報層４１の構成について詳細に説明する。
【０１０２】
第２情報層４１は、レーザビーム３の入射側から順に配置された第３誘電体層３０６、第３界面層３０５、第２記録層３０４、第４界面層３０３、第４誘電体層３０２、および第２反射層３０１を備える。第２情報層４１は、透明層２、第１情報層３１、および光学分離層３２を透過したレーザビーム３によって記録再生が行われる。
【０１０３】
第３誘電体層３０６および第４誘電体層３０２には、それぞれ実施の形態１での第１誘電体層１０６および第２誘電体層１０２と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能についても、それぞれ実施の形態１での第１誘電体層１０６および第２誘電体層１０２の機能と同様である。第３誘電体層３０６および第４誘電体層３０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、第２記録層３０４の結晶部と非晶質部の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
【０１０４】
第３界面層３０５および第４界面層３０３には、それぞれ実施の形態１での第１界面層１０５および第２界面層１０３と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能および形状についても、それぞれ実施の形態１の第１界面層１０５および第２界面層１０３と同様である。
【０１０５】
第２記録層３０４には、実施の形態１の記録層１０４と同様の材料を用いることができる。また、それらの膜厚についても、実施の形態１での記録層１０４の膜厚と同様である。
【０１０６】
第２反射層３０１には、実施の形態１の反射層１０１と同様の材料を用いることができる。また、それらの機能および形状についても、実施の形態１での反射層１０１の機能と同様である。
【０１０７】
なお、第３界面層３０５がなくてもよく、図８の情報記録媒体１８に示すように、第２情報層４２は、レーザビーム３の入射側から順に配置された第３誘電体層３０７、第２記録層３０４、第４界面層３０３、第４誘電体層３０２、および第２反射層３０１より構成される。このように第３誘電体層３０７と第２記録層３０４の間に第３界面層３０５がない場合、第３誘電体層３０７と第２記録層３０４との間で物質移動が生じて第２記録層３０４の組成が変化しないように、第３誘電体層３０７の材料にはＳを含まないことが望まれる。このとき、第１情報層３１は、図５の情報記録媒体１５で説明した第１情報層３７および図６の情報記録媒体１６で説明した第１情報層３８を用いてもよい、つまり、第１界面層２０５と第２界面層２０３の少なくともいずれか一方がなくてもよい。
【０１０８】
また、第４界面層３０３がなくてもよく、図９の情報記録媒体１９に示すように、第２情報層４３は、レーザビーム３の入射側から順に配置された第３誘電体層３０６、第３界面層３０５、第２記録層３０４、第４誘電体層３０８、および第２反射層３０１より構成される。この時もまた、第４誘電体層３０８と第２記録層３０４との間で物質移動が生じて第２記録層３０４の組成が変化しないように、第４誘電体層３０８にはＳを含まないことが望まれる。このとき、第１情報層３１は、図５の情報記録媒体１５で説明した第１情報層３７および図６の情報記録媒体１６で説明した第１情報層３８を用いてもよい、つまり、第１界面層２０５と第２界面層２０３の少なくともいずれか一方がなくてもよい。
【０１０９】
また、第３界面層３０５と第４界面層３０３がなくてもよい。この場合、第３誘電体層３０６と第２記録層３０４および第４誘電体層３０２と第２記録層３０４との間で物質移動が生じて第２記録層３０４の組成が変化しないように、第３誘電体層３０６および第４誘電体層３０２はＳを含まない材料で構成させることが望ましい。
【０１１０】
図７の情報記録媒体１７、図８の情報記録媒体１８、および、図９の情報記録媒体１９は、以下で説明する方法によって製造できる。
【０１１１】
はじめに、図７の情報記録媒体１７の製造方法を説明する。
【０１１２】
まず、基板１上に第２情報層４１を形成する。具体的には、まず基板１（厚さが例えば１１００μｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
【０１１３】
続いて、基板１上に第２反射層３０１を成膜する。このとき、基板１にレーザビーム３を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２反射層３０１を成膜する。第２反射層３０１は、実施の形態１で説明した図１の反射層１０１と同様の方法で形成できる。
【０１１４】
続いて、第２反射層３０１上に、第４誘電体層３０２を成膜する。第４誘電体層３０２は、実施の形態１で説明した図１の第２誘電体層１０２と同様の方法で形成できる。
【０１１５】
続いて、第４誘電体層３０２上に、第４界面層３０３を成膜する。第４界面層３０３は、実施の形態１で説明した図１の第４界面層１０３と同様の方法で形成できる。
【０１１６】
続いて、第４界面層３０３上に、第２記録層３０４を成膜する。第２記録層３０４は、実施の形態１で説明した図１の記録層１０４と同様の方法で形成できる。
【０１１７】
続いて、第２記録層３０４上に、第３界面層３０５を成膜する。第３界面層３０５は、実施の形態１で説明した図１の第１界面層１０５と同様の方法で形成できる。
【０１１８】
続いて、第３界面層３０５上に、第３誘電体層３０６を成膜する。第３誘電体層３０６は、実施の形態１で説明した図１の第１誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。
【０１１９】
このようにして、第２情報層４１を形成する。
【０１２０】
続いて、第２情報層４１の第３誘電体層３０６上に光学分離層３２を形成する。光学分離層３２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂を第３誘電体層３０６上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層３２がレーザビーム３の案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。
【０１２１】
なお、第３誘電体層３０６を成膜した後、または光学分離層３２を形成した後、必要に応じて、第２記録層３０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
【０１２２】
続いて、光学分離層３２上に第１情報層３１を形成する。具体的には、光学分離層３２上に、透過率調整層２０９、第１反射層２０１、第２誘電体層２０２、第２界面層２０３、第１記録層２０４、第１界面層２０５、第１誘電体層２０６をこの順序で成膜する。ここで、図４の情報記録媒体１４と符号が重複する層の製造工程は、それぞれ実施の形態２で説明した方法で形成できる。
【０１２３】
最後に、第１誘電体層２０６上に透明層２を形成する。透明層２は、実施の形態１で説明した図１の方法で形成できる。
【０１２４】
なお、第１誘電体層２０６を成膜した後、または透明層２を形成した後、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第１誘電体層２０６を成膜した後、または透明層２と形成した後、必要に応じて、第２記録層３０４と第１記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この場合、第１記録層２０４の結晶化を先に行うと、第１記録層２０４の透過率が減少するため、第２記録層３０４を結晶化するために必要なレーザパワーが大きくなる傾向にある。特に、初期化に赤色レーザを使用する場合、結晶化に伴う透過率の減少が大きい。このため、第２記録層３０４を先に結晶化させることが好ましい。
【０１２５】
以上のようにして、図７の情報記録媒体１７を製造できる。なお、情報記録媒体１７の第１情報層３１は、第１情報層３１の代わりに、図５の第１情報層３７または図６の第１情報層３８を用いてもよい。
【０１２６】
次に、図８の情報記録媒体１８の製造方法を説明する。基板１上に、図７の情報記録媒体１７の製造方法と同様の方法で第２記録層３０４まで製造する。続いて、第２記録層３０４上に第３誘電体層３０７を成膜する。第３誘電体層３０７は、Ｓを含まない材料のターゲットを用いて成膜することが好ましく、実施の形態１で説明した図１の第１誘電体層１０６と同条件で形成することができる。このようにして、第２情報層４２を形成する。続いて、第２情報層４２上に光学分離層３２を形成する。続いて、光学分離層３２上に第１情報層３１を形成する。なお、図４の情報記録媒体１４と符号が重複する層の工程は説明を省略する。このようにして、図８の情報記録媒体１８を製造できる。なお、情報記録媒体１８の第１情報層３１には、図５の第１情報層３７または図６の第１情報層３８を用いてもよい。
【０１２７】
次に、図９の情報記録媒体１９の製造方法を説明する。基板１上に、図７の情報記録媒体１７の製造方法と同様の方法で第２反射層３０１まで形成したあと、第２反射層３０１上に第４誘電体層３０８を成膜する。第４誘電体層３０８は、Ｓを含まない材料のターゲットを用いて成膜することが好ましく、実施の形態１で説明した図１の第２誘電体層１０２と同条件で形成することができる。続いて、第４誘電体層３０８上に第２記録層３０４を形成する。続いて、第２記録層３０４上に第３界面層３０５、第３誘電体層３０６の順で成膜する。このようにして、第２情報層４３を形成する。続いて、第２情報層４３上に光学分離層３２を形成し、光学分離層３２上に第１情報層３１を形成する。なお、図４の情報記録媒体１４と符号が重複する層の製造工程は説明を省略する。このようにして、図９の情報記録媒体１９を製造できる。なお、情報記録媒体１９の第１情報層３１には、図５の第１情報層３７または図６の第１情報層３８を用いてもよい。
【０１２８】
（実施の形態４）
実施の形態４では、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態４での情報記録媒体２０の一部断面図を図１０に示す。情報記録媒体２０は、実施の形態２の情報記録媒体１４と同様、片面からのレーザビーム３の照射によって情報記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
【０１２９】
情報記録媒体２０では、基板４上に光学分離層３２、３３、３５などを介して順次積層された第１情報層３１、第（Ｎ−１）情報層３４、および第Ｎ情報層３６などのＮ組の情報層と、その上に接着層５を介して密着されたダミー基板６により構成されている。
【０１３０】
基板４、およびダミー基板６は、図１の基板１と同様に、透明で円盤状の基板である。基板４およびダミー基板６には、例えば、ポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンやＰＭＭＡなどの樹脂、またはガラスを用いることができる。
【０１３１】
基板４の第１誘電体層２０６側の表面には、必要に応じてレーザビーム３を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板４の第１誘電体層２０６と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板４およびダミー基板６の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。なお、基板４の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体２０の厚さが１２００μｍ程度となるよう、５００μｍ〜１２００μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１３２】
なお、基板４上に形成された第１情報層３１は、図４の情報記録媒体１４と同一の符号を付しており、その説明を省略する。
【０１３３】
接着層５は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂などの樹脂からなり、使用するレーザビーム３に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。
【０１３４】
なお、第１界面層２０５がなくてもよく、図１１の情報記録媒体２１に示すように、第１情報層３１は図５の第１情報層３７を用いてもよい。また、第２界面層２０３がなくてもよく、図１２の情報記録媒体２２に示すように、第１情報層３１は図６の第１情報層３８を用いてもよい。
【０１３５】
図１０の情報記録媒体２０、図１１の情報記録媒体２１、および図１２の情報記録媒体２２の製造方法について以下で説明する。
【０１３６】
初めに、図１０の情報記録媒体２０の製造方法を説明する。
【０１３７】
まず、基板４（厚さが例えば６００μｍ）上に、第１情報層３１を形成する。このとき、基板４にレーザビーム３を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成されている側に第１情報層３１を形成する。具体的には、基板４を成膜装置内に配置し、実施の形態２で説明した図４の情報記録媒体１４と逆の順序で形成する。基板４上に、第１情報層３１として第１誘電体層２０６、第１界面層２０５、第１記録層２０４、第２界面層２０３、第２誘電体層２０２、第１反射層２０１、透過率調整層２０９を順次積層し、第１情報層３１を形成する。その後、光学分離層を介して（Ｎ−１）層の情報層を順次積層する。情報層は、単層膜または多層膜からなり、それらの各層は、図４の製造方法と同様に、成膜装置内で材料となるスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。
【０１３８】
最後に、接着層５を用いて、第Ｎ情報層３６とダミー基板６を貼り合せる。具体的には、接着層５として光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂などの樹脂を情報層３６上に塗布して、ダミー基板６を情報層３６上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、ダミー基板６に予め接着層５として粘着性の樹脂を均一に塗布し、それを情報層３６に密着させることもできる。
【０１３９】
なお、ダミー基板６を密着させた後、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
【０１４０】
このようにして、図１０の情報記録媒体２０を製造できる。
【０１４１】
なお、図１１の情報記録媒体２１に示すように、図１０の第１情報層３１は図５の第１情報層３７と置き換えてもよい。また、図１２の情報記録媒体２２に示すように、図１０の第１情報層３１は図６の第１情報層３８と置き換えてもよい。
【０１４２】
（実施の形態５）
実施形態５では、実施の形態１、２、３および４で説明した本発明の情報記録媒体の記録再生方法について説明する。
【０１４３】
本発明の記録再生方法に用いられる記録再生装置２３の一部の構成を図１３に模式的に示す。図１３を参照して、記録再生装置２３は、情報記録媒体５０を回転させるためのスピンドルモータ５１と、半導体レーザ５３を備える光学ヘッド５２と、半導体レーザ５３から出射されるレーザビーム３を集光する対物レンズ５４とを備える。情報記録媒体５０は、実施の形態１、２、３および４で説明した情報記録媒体であり、一つの情報層、または複数の情報層（例えば、第１情報層３１、第２情報層４１）を備える。対物レンズ５４は、レーザビーム３を情報層上に集光する。
【０１４４】
光学的情報記録媒体への情報の記録、消去、および書き換えは、レーザビーム３のパワーを高パワーのピークパワーＰｐ（ｍＷ）と低パワーのバイアスパワーＰｂ（ｍＷ）とに変調させることによって行う。記録層にピークパワーＰｐのレーザビーム３を照射することによって、照射部に記録マークが形成される。記録マーク間では、バイアスパワーＰｂのレーザビーム３が照射され、結晶相となり、消去部分（マーク間）が形成される。なお、ピークパワーＰｐのレーザビーム３を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスはピークパワーＰｐ、バイアスパワーＰｂのパワーレベルだけで変調されてもよいし、０ｍＷ〜ピークパワーＰｐの範囲のパワーレベルによって変調されてもよい。
【０１４５】
また、ピークパワーＰｐ、バイアスパワーＰｂのいずれのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビーム３の照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ光学的情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるパワーを再生パワーＰｒ（ｍＷ）とし、再生パワーＰｒのレーザビーム３を照射することによって得られる光学的情報記録媒体からの信号を検出器で読みとることにより、情報信号の再生が行われる。
【０１４６】
レーザビーム３の波長は、ＤＶＤ−ＲＡＭは６６０ｎｍ付近、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃでは４０５ｎｍ付近を用いることができる。対物レンズ５４の開口数ＮＡは、青紫色レーザを用いる場合には、０．５〜１．１の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．６〜１．０の範囲内である。例えば、青紫色レーザを用いて記録再生を行う２５ＧＢ密度の情報記録媒体において、情報を記録する際の光学的情報記録媒体の線速度は、１０ｍ／秒程度で記録再生を行ってもよい。これにより、転送レート７０Ｍｂｐｓが可能である。
【０１４７】
２つの情報層を備えた情報記録媒体１７、情報記録媒体１８、および情報記録媒体１９において、第１情報層３１に対して記録を行う際には、レーザビーム３の焦点を第１記録層２０４に合わせ、透明層２を透過したレーザビーム３によって第１記録層２０４に情報を記録する。再生は、第１記録層２０４によって反射され、透明層２を透過してきたレーザビームを用いて行う。第２情報層４１、４２、４３に対して記録を行う際には、レーザビーム３の焦点を第２記録層４１、４２、４３に合わせ、透明層２、第１情報層３１、および光学分離層３２を透過してレーザビーム３によって情報を記録する。再生は、第２記録層３０４によって反射され、光学分離層３２、第１情報層３１、および透明層３を透過してきたレーザビームを用いて行う。
【０１４８】
なお、例えば図４の情報記録媒体１４において、基板１、光学分離層３２、３３、および３５にレーザビーム３を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム３に近い方の溝間（グルーブ）に行われてもよいし、レーザビーム３から遠い方の溝上（ランド）に行われてもよい。また、グルーブとランドの両方に情報を記録してもよい。
【０１４９】
記録性能は、レーザビーム３をこのＰｐとＰｂの間でパワーを変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、前端間および後端間のジッターをタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価した。
【実施例】
【０１５０】
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【０１５１】
（実施例１）
実施例１では、図３の情報記録媒体１３を作成し、反射層１０１の材料と、情報記録媒体１３の信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅ、記録パワーＰｗおよびジッターＪｉｔ１Ｘとの関係を調べた。具体的には、反射層１０１の材料が異なる材料および組成を有する情報記録媒体１３のサンプルを作成した。反射層１０１はＣｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘ［ｍｏｌ％］で表され、Ｍ１とＭ２の化合物であるＭ４を用いたＣｕ１００−ｘＭ４ｘにおいて、ｘ＝３［ｍｏｌ％］のＭ４＝ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰの７種類を用いて実験を行った。ここで、本発明の反射層１０１と比較するため、反射層としてＣｕ、Ａｇ、Ｃｕ９７（ＬａＦ３）３［ｍｏｌ％］、Ｃｕ９７（ＺｒＯ２）３［ｍｏｌ％］およびＣｕ９７（Ｂｉ２Ｏ３）３［ｍｏｌ％］の５種類の材料も用いて、各反射層材料を有するサンプルを１２種類作成した。以上の１２サンプルについて、情報記録媒体１３の信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅ、記録パワーＰｗおよび再生パワーの限界値ｍａｘＰｒを測定した。反射層１０１を有する１２種類のサンプルはサンプルディスクとして、以下の方法で製造した。
【０１５２】
まず、サンプルディスクの基板１として、レーザビーム３を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、グルーブ−グルーブ間０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意し、その基板１をスパッタ装置に配置した。１２サンプルには、基板１のグルーブ形成側に反射層１０１（８０ｎｍ）、第２誘電体層１０８として（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０［ｍｏｌ％］層（厚さ１８ｎｍ）、記録層１０４としてＧｅ２２Ｂｉ２Ｔｅ２５層（厚さ１０ｎｍ）、第１界面層１０５として（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０［ｍｏｌ％］層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層１０６として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０［ｍｏｌ％］層（厚さ５３ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０１５３】
最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０６上に塗布し、ポリカーボネートシート（直径１２０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を第１誘電体層１０６に密着し回転させることによって均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂層を硬化させることによって、透明層２を形成した。その後、記録層１０４を半導体レーザで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、反射層１０１の材料が異なるサンプルディスクを１２サンプル作成した。
【０１５４】
ここで、第１誘電体層１０６および第２誘電体層１０８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、厳密に決定した。具体的は、これらの厚さは、波長４０５ｎｍを用いて、記録層１０４の結晶部における情報記録媒体１３の基板１の鏡面部での反射率Ｒｃ（％）が２０％程度になるように、また、記録層１０４の非晶質部における情報記録媒体１３の基板鏡面部での反射率Ｒａ（％）が２％程度以下になるように決定した。
【０１５５】
以上のように作成した１２種類のサンプルディスクに対して、まず図１３の記録再生装置２３を用いて、情報記録媒体１３の記録パワーＰｗおよび再生パワーの限界値ｍａｘＰｒを測定した。このとき、レーザビーム３の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ５４の開口数ＮＡは０．８５、最短マーク長は０．１４９μｍとした。測定時のサンプルの線速度は、４．９２ｍ／ｓとした。また、情報は初期化した領域内のグルーブに記録した。
【０１５６】
記録パワーＰｗは、以下の方法により測定した。まず、レーザビーム３を実施形態５で説明したようにピークパワーＰｐとバイアスパワーＰｂの間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を同じグルーブに書き換え回数１０回の連続記録をした。その記録信号を線速度４．９２ｍ／ｓ、再生パワーＰｒ＝０．３０ｍＷで再生し、前端ジッターおよび後端ジッターをタイムインターバルアナライザーで測定し、前端ジッターと後端ジッターの平均値をジッターＪｉｔと定義した。ほぼ最適なバイアスパワーＰｂの値を固定して、ピークパワーＰｐを０．２５ｍＷ刻みで自動測定により、ジッターＪｉｔが最小値となるピークパワーＰｐの値を測定した。このピークパワーＰｐを固定して、バイアスパワーＰｂを０．１ｍＷ刻みで自動測定により、ジッターＪｉｔが最小値となるバイアスパワーＰｂの値を測定した。最後に、このバイアスパワーＰｂを固定して、連続した５トラックを記録し、真ん中のトラックのジッターＪｉｔを測定し、ジッターＪｉｔが最小値となるピークパワーＰｐおよびバイアスパワーＰｂを求め、このピークパワーＰｐの値を記録パワーＰｗとした。サンプルの線速が４．９２ｍ／ｓの場合の記録パワーＰｗを記録パワーＰｗ１ｘとし、Ｐｗ１ｘ≦５．２ｍＷは○、５．２ｍＷ＜Ｐｗ１ｘは×とした。
【０１５７】
前述の方法により求めた、最小値となるジッターＪｉｔが得られる記録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂを用いて同一グルーブにランダム１０回記録した時のジッターＪｉｔをジッターＪｉｔ１Ｘとした。ジッターＪｉｔ１Ｘが、Ｊｉｔ１Ｘ≦６．０％は○、６．０％＜Ｊｉｔ１Ｘ≦６．５％は△、６．５％＜Ｊｉｔ１Ｘは×とした。
【０１５８】
信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価は、次のように行った。サンプルを温度９０℃、相対湿度８０％の条件で恒温恒湿槽に２００時間放置した。２００時間放置後のサンプルに対して、光学顕微鏡を用いて観察を行った。このとき、サンプルに腐食および剥離が確認される場合は×、腐食および剥離が観察されない場合は○とした。
【０１５９】
表１には、情報記録媒体１３の反射層１０１における材料と、情報記録媒体１３の記録パワーＰｗと、再生パワーの限界値ｍａｘＰｒの評価結果、および信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価結果を示した。
【０１６０】
【表１】
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【０１６１】
表１の結果から、反射層１０１としてＣｕを用いたサンプル１−１の場合には、記録パワーＰｗ１Ｘが５．２ｍＷ以下、ジッターＪｉｔ１Ｘが６．０％以下と十分満足しているが、長期保存後において腐食および剥離が確認されたことから、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅが不十分であることがわかった。Ａｇを反射層１０１に用いたサンプル１−２では、記録パワーＰｗ１Ｘが５．２ｍＷ以下、ジッターＪｉｔ１Ｘが６．０％より大きく６．５％以下で満足しているが、長期保存後において腐食および剥離が確認され、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅが不十分であることがわかった。また、Ｃｕに３ｍｏｌ％のＬａＦ３、ＺｒＯ２およびＢｉ２Ｏ３を添加したサンプル１−３、１−４および１−５では、記録パワーＰｗ１Ｘが５．２ｍＷ以下で、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅも満足しているが、ジッターＪｉｔ１Ｘが６．５％以上と不十分であることがわかった。
【０１６２】
一方、反射層１０１がＣｕに３ｍｏｌ％のＭ４として、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを添加したサンプル１−６、１−７、１−８、１−９、１−１０、１−１１および１−１２の場合には、記録パワーＰｗ１Ｘが５．２ｍＷ以下、ジッターＪｉｔ１Ｘが６．０％以下と十分であり、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅも満足していることがわかった。
【０１６３】
以上をまとめると、反射層１０１としてＣｕおよびＡｇを用いた場合、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅが不十分であることがわかった。また、ＣｕにＬａＦ３、ＺｒＯ２およびＢｉ２Ｏ３を用いた場合には、ジッターＪｉｔ１Ｘが不十分であることがわかった。これらと比較し、本発明の反射層１０１であるＣｕにＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを添加した反射層１０１を用いた場合には、記録パワーＰｗ１Ｘ、ジッターＪｉｔ１Ｘおよび信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅを満足することがわかった。
【０１６４】
つまり、ＣｕおよびＡｇでは長期保存後に腐食および剥離が確認されたが、ＣｕにＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを添加すると信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅを確保できたことから、本発明の反射層１０１が信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅを満足させるのに十分であることがわかった。
【０１６５】
また、Ｃｕへの添加物がＬａＦ３、ＺｒＯ２およびＢｉ２Ｏ３である反射層１０１では、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅが確保できるもののジッターＪｉｔ１Ｘが不十分であるが、添加物がＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰである反射層１０１では、ジッターＪｉｔ１Ｘも信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅも満足したことから、本発明の反射層１０１を用いることで十分なジッターＪｉｔ１Ｘが得られることがわかった。Ｃｕへの添加物として、十分なジッターＪｉｔ１Ｘが得られなかったＬａＦ３、ＺｒＯ２およびＢｉ２Ｏ３は熱伝導率が低く、十分なジッターＪｉｔ１Ｘが得られたＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰは熱伝導率が比較的高い。つまり、Ｃｕに熱伝導率の低いＬａＦ３、ＺｒＯ２およびＢｉ２Ｏ３を添加することで反射層１０１の熱伝導率は低下してしまい、非晶質マークをきれいに形成できるだけの冷却条件を得ることができない。従って、記録時の記録層１０４は徐冷気味となるため、非晶質よりも結晶を形成しやすい状態となり、非晶質マークが小さいまたは不安定な非晶質のマークを形成するため、ジッターＪｉｔ１Ｘが不十分となることがわかった。
【０１６６】
本実施例から、反射層１０１の材料として、Ｃｕに添加物を入れることにより信頼性（腐食・剥離）を確保でき、添加物としてＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを用いることにより、十分なジッター１Ｘが得られることがわかった。
【０１６７】
（実施例２）
実施例２では、図３の情報記録媒体１３を作成し、反射層１０１材料の組成と、情報記録媒体１３のジッターＪｉｔ１Ｘとの関係を調べた。具体的には、以下のサンプルを作成した。
【０１６８】
本実施例の情報記録媒体１３は、反射層１０１以外は実施例１と同じ材料、同じ膜厚を用いた。反射層１０１はＣｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘ［ｍｏｌ％］で表され、Ｍ１としてＡｌ、Ｍ２としてＯを用いたＣｕ１００−ｘ（Ａｌ２Ｏ３）ｘにおいて、ｘ＝０．１、０．５、１、３、５、７、１０、２０の８種類の組成を用いて実験を行った。これらの８サンプルは実施例１のサンプルディスクと同様の方法により作成し、実施例１と同様の方法を用いてジッターＪｉｔ１Ｘを測定し、評価した。
【０１６９】
表２に、情報記録媒体１３の反射層１０１の材料に対して、情報記録媒体１１のジッターＪｉｔ１Ｘの評価結果を示した。なお、ジッターＪｉｔ１Ｘの評価は本実施例では、Ｊｉｔ１Ｘ≦５．８％は◎、５．８％＜Ｊｉｔ１Ｘ≦６．０％は○、６．０％＜Ｊｉｔ１Ｘ≦６．５％は△、６．５％＜Ｊｉｔ１Ｘは×とした。
【０１７０】
【表２】
2005149588.tif 000004
【０１７１】
表２の結果から、反射層１０１としてＣｕ１００−Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｘを用いた場合、組成Ｘが０．１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％であるサンプル２−１〜２−５では、ジッターＪｉｔ１Ｘが５．８％以下と非常に良好な結果が得られた。また、Ｃｕ１００−Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｘの組成Ｘが７ｍｏｌ％および１０ｍｏｌ％であるサンプル２−６および２−７では、ジッターＪｉｔ１Ｘが５．８％より大きく６．０％以下と良好なジッターＪｉｔ１Ｘが得られた。また、Ｃｕ１００−Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｘの組成Ｘが２０ｍｏｌ％であるサンプル２−８では、ジッターＪｉｔ１Ｘが６．０％より大きく６．５％以下と良いジッターＪｉｔ１Ｘが得られた。
【０１７２】
以上の結果から、良好なジッターＪｉｔ１Ｘを得るには、Ｃｕに対する添加物の割合は０ｍｏｌ％より多く１０ｍｏｌ％以下が好ましく、０ｍｏｌ％より多く５ｍｏｌ％以下がより好ましい。つまり、反射層１０１は、Ｃｕを９０原子％以上含むことが好ましく、９５原子％以上含むことがより好ましいことがわかった。
【０１７３】
なお、Ａｌ２Ｏ３の変わりに、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを用いた反射層１０１を有する情報記録媒体１３においても、表２と同様の結果が得られた。
【０１７４】
（実施例３）
実施例３では、図３の情報記録媒体１３を作成し、反射層１０１の膜厚に対して、情報記録媒体１３の記録パワーＰｗ１ＸよびジッターＪｉｔ１Ｘを調べた。
【０１７５】
本実施例の情報記録媒体１３は、反射層１０１以外は実施例１と同じ材料、同じ膜厚を用いた。具体的には、反射層１０１はＣｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘ［ｍｏｌ％］で表され、Ｍ１としてＳｉ、Ｍ２としてＣ、ｘ＝１としたＣｕ９９（ＳｉＣ）１を用いて実験を行った。反射層１０１であるＣｕ９９（ＳｉＣ）１の膜厚は、１ｎｍ、２ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍおよび３００ｎｍの９種を用いて、実施例１と同様の方法により９種のサンプルディスクを作成し、記録パワーＰｗ１ＸおよびジッターＪｉｔ１Ｘを測定し、評価を行った。本実施例の評価では、記録パワーＰｗ１ＸはＰｗ１Ｘ≦５．０ｍＷは○、５．０ｍＷ＜Ｐｗ１Ｘ≦５．２ｍＷは△、そして５．２ｍＷ＜Ｐｗ１Ｘは×とした。ジッターＪｉｔ１Ｘの評価は、Ｊｉｔ１Ｘ≦６．０％は○、６．０％＜Ｊｉｔ１Ｘ≦６．５％は△、６．５％＜Ｊｉｔ１Ｘは×とした。
【０１７６】
表３に情報記録媒体１３の反射層１０１の膜厚に対する、記録パワーＰｗ１ＸおよびジッターＪｉｔ１Ｘの評価結果を示した。
【０１７７】
【表３】
2005149588.tif 000005
【０１７８】
表３より、情報記録媒体１３において記録層１０４が反射層１０１Ｃｕ９９（ＳｉＣ）１の膜厚が１ｎｍであるサンプル３−１では、記録パワーＰｗ１Ｘが５．０ｍＷ以下と非常に良好で、ジッターＪｉｔ１Ｘが６．０％より大きく６．５％以下と良いジッターＪｉｔ１Ｘが得られた。反射層１０１の膜厚が２ｎｍ〜２００ｎｍであるサンプル３−２〜３−８では、記録パワーＰｗ１Ｘが５．０ｍＷ以下、ジッターＪｉｔ１Ｘが５．８％以下と、十分な記録パワーＰｗ１ＸとジッターＪｉｔ１Ｘが得られた。反射層１０１の膜厚が３００ｎｍであるサンプル３−９では、記録パワーＰｗ１Ｘが５．０ｍＷより大きく５．２ｍＷ以下と良い記録パワーＰｗ１Ｘであり、ジッターＪｉｔ１Ｘが５．８％以下と非常に良好なジッターＪｉｔ１Ｘが得られた。
【０１７９】
以上の結果から、本発明の反射層１０１において、膜厚が１ｎｍと薄くなるとジッターＪｉｔ１Ｘがやや悪くなり、膜厚が３００ｎｍと厚くなると記録パワーＰｗ１Ｘがやや悪くなることがわかった。反射層１０１が１ｎｍまで薄くなると、記録層１０４で生じた熱の拡散を速やかに行うことができず、記録層１０４での非晶質マーク形成に必要な冷却条件を十分に満足できないため、ジッターＪｉｔ１Ｘがやや悪くなったことがわかった。また、反射層１０１の膜厚が３００ｎｍまで厚くなると、記録層１０４で生じた熱を必要以上に拡散させてしまい、記録層１０４にきれいな非晶質マークをしっかり形成する前に記録層１０４の熱を拡散させるため、より大きな記録パワーＰｗ１Ｘが必要となることがわかった。
【０１８０】
従って、十分な記録パワーＰｗ１ＸとジッターＪｉｔ１Ｘを得るには、本発明の反射層１０１は、膜厚２ｎｍ〜２００ｎｍが好ましいことがわかった。
【０１８１】
なお、ＳｉＣの変わりに、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを用いた反射層１０１を有する情報記録媒体１３においても、表３と同様の結果が得られた。
【０１８２】
（実施例４）
実施例４では、図３の情報記録媒体１３を作成し、反射層１０１の材料に対して、情報記録媒体１３のコスト、長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘおよび書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘを調べた。
【０１８３】
本実施例の情報記録媒体１３は、反射層１０１以外は実施例１と同じ材料、同じ膜厚を用いた。具体的に、反射層１０１はＣｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘ［ｍｏｌ％］で表され、Ｍ１としてＡｌ、Ｍ２としてＮ、ｘ＝０．５としたＣｕ９９．５（ＡｌＮ）０．５を用いて実験を行った。本発明の反射層１０１と比較するため、反射層１０１として、Ａｇ−Ｐｄ−ＣｕおよびＡｌ−Ｃｒも用いた。これらの３サンプルは実施例１のサンプルディスクと同様の方法により作成したが、本実施例では記録層１０４の材料として、（Ｇｅ０．９０２Ｓｎ０．０９８）３１Ｍ５２Ｔｅ３４を用いたサンプルとし、このサンプルに対して長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘおよび書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘを測定し、評価した。
【０１８４】
長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘおよび書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘの測定は、以下の方法で行った。まず、情報記録媒体１３の線速４．９２ｍ／ｓにおいて、ランダム信号を同一グルーブに書き換え回数１０回の連続記録をした。この記録信号を記録信号Ｓ１として、情報記録媒体１３の線速４．９２ｍ／ｓで長期保存前のジッターＪｉｔａを測定した。また、別のグルーブに、記録信号Ｓ２として、今度は線速９．８４ｍ／ｓにおいてランダム信号を１０回連続記録した。この記録信号Ｓ２において、線速４．９２ｍ／ｓでジッターＪｉｔｂを測定した。その後、記録信号Ｓ１と記録信号Ｓ２を記録したサンプルディスクを温度８０℃、相対湿度２０％の条件で恒温恒湿槽に１００時間放置した。１００時間放置後のサンプルにおいて、放置前の記録信号Ｓ１に対して１００時間放置後のジッターＪｉｔｃを情報記録媒体１３の線速４．９２ｍ／ｓで測定した。また、１００時間放置後のサンプルでの放置前の記録信号Ｓ２に対して、情報記録媒体１３の線速９．８４ｍ／ｓでその記録信号Ｓ２に１回書き換えた後、線速４．９２ｍ／ｓでのジッターＪｉｔｄを測定した。長期保存後のジッターＪｉｔｃおよびＪｉｔｄを、各記録信号に対する長期保存前のジッターＪｉｔａおよびＪｉｔｂと比較することにより、（Ｊｉｔｃ−Ｊｉｔａ）として長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘ、および（Ｊｉｔｄ−Ｊｉｔｂ）として書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘを評価した。この場合、長期保存前後のジッターの増加分である（Ｊｉｔｃ−Ｊｉｔａ）および（Ｊｉｔｄ−Ｊｉｔｂ）が小さいほど、長期保存後の性能が優れている。そこで、ジッターの増加分をΔＪｉｔと定義し、長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘの評価ではΔＪｉｔ＝Ｊｉｔｃ−Ｊｉｔａ、長期保存後の書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘの評価ではΔＪｉｔ＝Ｊｉｔｄ−Ｊｉｔｂとし、ΔＪｉｔ≦２％は○、２％＜ΔＪｉｔは×とした。
【０１８５】
表４に情報記録媒体１３の反射層１０１の材料に対する、情報記録媒体１３のコスト、長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘおよび書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘの評価を示し、これらの総評を記した。
【０１８６】
【表４】
2005149588.tif 000006
【０１８７】
表４より、本発明の反射層１０１であるＣｕ９９．５（ＡｌＮ）０．５を用いたサンプル４−１では、コストが安く、長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘおよび書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘに優れていることがわかった。一方、従来の反射層材料であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕを反射層１０１に用いたサンプル４−２では、長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘおよび書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘは優れているものもコストが高いという課題があり、また、Ａｌ−Ｃｒを反射層１０１に用いたサンプル４−３では、コストが安く長期保存後の書き換え性能ＡｒｃＯＷ２Ｘは優れているものの長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘが不十分であることがわかった。従って、長期保存後の記録保持性能Ａｒｃ１Ｘが不十分なＡｌ−Ｃｒの反射層１０１では、反射層１０１の熱伝導率が低いために記録マークである非晶質マークの形成に必要な冷却条件が不十分となり、記録が不安定な非晶質マークとなったため、長期保存により不安定な非晶質マークの結晶化が進んだことがわかった。
【０１８８】
以上のことから、情報記録媒体１３に高速記録および低速記録のどちらにおいても、長期保存後の性能を確保するには、反射層の熱伝導率が高いことがよいことがわかった。また、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ反射層１０１は長期保存後の性能は十分であるが、コストを考慮すると、よりコストのかからない反射層１０１が求められる。そこで、本発明の反射層１０１であるＣｕ９９．５（ＡｌＮ）０．５は、高速記録および低速記録のどちらにおいても長期保存後の性能を確保しており、コストも安いことから、反射層１０１として有用であることがわかった。
【０１８９】
なお、ＡｌＮの変わりに、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰを用いた反射層１０１を有する情報記録媒体１３においても、表４と同様の結果が得られた。
【０１９０】
（実施例５）
図２の情報記録媒体１２のように、記録層１０４の第２誘電体層１０２側のみに第２界面層１０３がある場合について、実施例１と同様に記録パワーＰｗ１ＸおよびジッターＪｉｔ１Ｘの測定、そして信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価を行った。
【０１９１】
情報記録媒体１２は、反射層１０１として実施例１と同様の１２種類を用い、第２誘電体層１０２として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０［ｍｏｌ％］層（厚さ１７ｎｍ）、第２界面層として（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０［ｍｏｌ％］層（厚さ５ｎｍ）、記録層１０４としてＧｅ２２Ｂｉ２Ｔｅ２５層（厚さ１０ｎｍ）、第１誘電体層１０７として（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０［ｍｏｌ％］層（厚さ６９ｎｍ）を用いて構成した。また、第２誘電体層１０２にＳを有する材料を用いたため、第２誘電体層１０２と反射層１０１との間で生じる物質移動を防止するため、間にＡｌＮｉ層（１０ｎｍ）を形成した。１２種類の情報記録媒体１２について実施例１と同様の測定を行ったところ、本実施例でも実施例１と同様の結果が得られた。
【０１９２】
（実施例６）
実施例６では、図７の情報記録媒体１７において、第１情報層３１、および第２情報層４１について記録パワーＰｗ１Ｘ、再生パワーの限界値ｍａｘＰｒ、およびジッターＪｉｔ１Ｘを測定し、評価を行った。具体的は、第１反射層２０１および第２反射層３０１の材料が異なるサンプルを作成した。
【０１９３】
第１反射層２０１は、Ｃｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘ［ｍｏｌ％］で表され、Ｍ１としてＡｌ、Ｍ２としてＮとし、ｘ＝０．３、０．５であるＣｕ１００−ｘ（ＡｌＮ）ｘおよびＣｕ１００−ｘ（ＢＮ）ｘ、ｘ＝０．３であるＣｕ１００−ｘ（ＢＰ）ｘを用いた。また、第２反射層３０１は、Ｃｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘで表され、Ｍ１としてＳｉ、Ｍ２としてＮとし、ｘ＝０．２、０．４であるＣｕ１００−ｘ（Ｓｉ３Ｎ４）ｘおよびｘ＝０．８であるＣｕ１００−ｘＣｘを用いた。
【０１９４】
作成したサンプルについて、情報記録媒体１７の第１情報層３１、および第２情報層４１における記録パワーＰｗ１Ｘ、再生パワーの限界値ｍａｘＰｒ、および信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価を行った。
【０１９５】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１として、レーザビーム３を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意し、スパッタ装置内に配置した。そして、その基板１のグルーブ形成側上に、第２反射層３０１（厚さ８０ｎｍ）、第４誘電体層３０２として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層（厚さ２０ｎｍ）、第４界面層３０３として（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ５ｎｍ）、第２記録層３０４として（Ｇｅ０．９０２Ｓｎ０．０９８）３１Ｂｉ２Ｔｅ３４（厚さ１０ｎｍ）、第３界面層３０５として（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ５ｎｍ）、第３誘電体層３０６として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層（厚さ５４ｎｍ）を順次スパッタリング法により積層した。第２反射層３０１にはＣｕ、第４誘電体層３０２にはＳを含んでいることから、第２反射層３０１と第４誘電体層３０２との間に界面層として、ＡｌＮｉ層（厚さ１０ｎｍ）を第２反射層３０１上に順次成膜した。第４誘電体層３０２および第３誘電体層３０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、波長４０５ｎｍにおいて、第２記録層３０４の結晶部での反射光量が非晶質部での反射光量よりも大きく、且つ第２記録層３０４の結晶部と非晶質部との反射率の変化が大きく、且つ、第２記録層３０４の光吸収効率が大きくなるように厳密に決定した。以上のように、基板１上に第２情報層４１を作成し、情報記録媒体１７の第２情報層４１は、第２記録層３０４の結晶部の反射率Ｒｃが２０．９％、非晶質部の反射率Ｒａが１．５％を確保できた。
【０１９６】
次に、第３誘電体層３０６上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、グルーブ−グルーブ間０．３２μｍ）を形成した基板（型）をかぶせて密着させ、回転させることによって均一な樹脂層を形成し、樹脂を硬化させた後に基板（型）をはがした。この工程によって、レーザビームを導く案内溝が第１情報層３１側に形成された光学分離層３２を形成した。
【０１９７】
その後、光学分離層３２の上に、透過率調整層２０９としてＴｉＯ２層（厚さ１８ｎｍ）、第１反射層２０１（厚さ６ｎｍ）、第２誘電体層２０２として（ＺｒＯ２）５６（ＳｉＯ２）１４（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ２０ｎｍ）、第１記録層２０４として（Ｇｅ０．９０２Ｓｎ０．０９８）３１Ｂｉ２Ｔｅ３４（厚さ６ｎｍ）、第１界面層２０５として（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層２０６として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層（厚さ３０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層し、第１情報層３１を形成した。その後、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層２０６上に塗布し、ポリカーボネートシート（直径１２０ｍｍ、厚さ９０μｍ）を第１誘電体層２０６に密着させ回転させることによって、透明層２を形成した。
【０１９８】
ここで、第２誘電体層２０２および第１誘電体層２０６の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、厳密に決定した。具体的は、第２誘電体層２０２および第１誘電体層２０６の厚さは、波長４０５ｎｍを用いて、第１記録層２０４の結晶部での反射光量が非晶質部での反射光量よりも大きく、且つ第１記録層２０３の結晶部と非晶質部との反射率の変化が大きく、且つ、第１記録層２０４の結晶部における透過率Ｔｃが５０％程度となるように厳密に決定した。これにより、第１記録層２０４の結晶部における透過率Ｔｃ≒５０％、結晶部での反射率Ｒｃが５．５％、非晶質部での反射率Ｒａが１．３％を有する情報記録媒体１７が得られた。
【０１９９】
最後に、第２記録層３０４を結晶化させる初期化工程、および第１記録層２０４を結晶化させる初期化工程をこの順に行った。以上のようにして、第２記録層３０４および第１記録層２０４の材料が異なる複数のサンプルを製造した。
【０２００】
情報記録媒体１７の第１反射層２０１および第２反射層３０１の材料に対して、線速４．９２ｍ／ｓにおける記録パワーＰｗ１Ｘおよび再生パワーの限界値ｍａｘＰｒの評価結果、および信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価結果を表４に示した。サンプルの線速が４．９２ｍ／ｓの場合の記録パワーＰｗを記録パワーＰｗ１ｘとし、Ｐｗ１ｘ≦１０．４ｍＷは○、１０．４ｍＷ＜Ｐｗ１ｘは×とした。また、ある再生パワーで記録直後にジッターを測定し、その４分後に再度ジッターを測定してジッターの増加分ΔＪｉｔ．≧０．２％が確認された場合には、その再生パワーＰｒにおいて再生光劣化が発生していると判断し、再生光劣化が生じない再生パワーの限界値ｍａｘＰｒがｍａｘＰｒ＜０．６ｍＷは×、０．６ｍＷ≦ｍａｘＰｒ＜０．７ｍＷは△、０．７ｍＷ≦ｍａｘＰｒは○とした。サンプルの線速が４．９２ｍ／ｓの場合のジッターＪｉｔ１Ｘは、Ｊｉｔ１Ｘ≦８．０％は○、８．０％＜Ｊｉｔ１Ｘ≦８．５％は△、８．５％＜Ｊｉｔ１Ｘは×とした。
【０２０１】
【表５】
2005149588.tif 000007
【０２０２】
表５より、第１情報層と第２情報層に、第１反射層としてＣｕ９９．７（ＡｌＮ）０．３、第２反射層としてＣｕ９９．８（Ｓｉ３Ｎ４）０．２およびＣｕ９９．６（Ｓｉ３Ｎ４）０．４を用いたサンプル５−１およびサンプル５−２、第１反射層としてＣｕ９９．５（ＡｌＮ）０．５、第２反射層としてＣｕ９９．８（Ｓｉ３Ｎ４）０．２およびＣｕ９９．６（Ｓｉ３Ｎ４）０．４を用いたサンプル５−３およびサンプル５−４、第１反射層としてＣｕ９９．７（ＢＮ）０．３およびＣｕ９９．５（ＢＮ）０．５、第２反射層としてＣｕ９９．２Ｃ０．８を用いたサンプル５−５およびサンプル５−６、第１反射層としてＣｕ９９．８（Ｓｉ３Ｎ４）０．２および第２反射層としてＣｕ９９．７（ＢＰ）０．３を用いたサンプル５−７のいずれのサンプルにおいても、記録パワーＰＷ１Ｘが１０．４ｍＷ以下、かつ再生パワーの限界値ｍａｘＰｒが０．７ｍＷ以上、ジッターＪｉｔ１Ｘが８．０％以下と満足していることがわかった。
【０２０３】
従って、実施例５で用いた第１反射層２０１および第２反射層３０１を有するサンプルにおいては、記録パワーが１０．４ｍＷ以下と良好で、再生パワーの限界値ｍａｘＰｒが０．７ｍＷ以上であることから、再生光に対して記録マークである非晶質部が安定に存在しうることがわかった。また、ジッターＪｉｔ１Ｘも良好であることがわかった。
【０２０４】
以上のことから、２層の記録層を有する情報記録媒体においても、反射層としてＣｕ−（Ｍ１−Ｍ２）を用いた場合、記録感度が良好で、再生光劣化を引き起こさず、良好なジッターＪｉｔ１Ｘを有する情報記録媒体が得られることがわかった。
【０２０５】
（実施例７）
図８の情報記録媒体１８のように、第１界面層２０５、第２界面層２０３、および第４界面層３０３を、それぞれ第１誘電体層２０６と第１記録層２０４の界面、第１記録層２０４と第２誘電体層２０２の界面、および第２記録層３０４と第４誘電体層３０２の界面に形成した場合について、実施例６と同様の測定を行った。なお、情報記録媒体１８の第１情報層３１は実施例６と同様の材料および膜厚を用いた。第２情報層４２は、第２反射層３０１には実施例６と同様の材料および膜厚を用い、第４誘電体層３０２に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層（厚さ１７ｎｍ）、第４界面層３０３に（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ５ｎｍ）、第２記録層３０４に（Ｇｅ０．９０２Ｓｎ０．０９８）３１Ｂｉ２Ｔｅ３４（厚さ１０ｎｍ）、第３誘電体層３０７は記録層３０４と接しているため、（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ６９ｎｍ）を用いた。第１反射層２０１と第２反射層３０１に、実施例６と同様の組み合わせを用いた７サンプルにおいて、実施例６と同様に、記録パワーＰｗ１Ｘ、再生パワーの限界値ｍａｘＰｒ、およびジッターＪｉｔ１Ｘの測定を行ったところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０２０６】
また、図９の情報記録媒体１９のように、第１界面層２０５、第２界面層２０３、および第３界面層３０５を、それぞれ第１誘電体層２０６と第１記録層２０４の界面、第１記録層２０４と第２誘電体層２０２の界面、および第３誘電体層３０６と第２記録層３０４の界面に形成した。なお、情報記録媒体１９の第１情報層３１は実施例６と同様の材料および膜厚を用いた。第２情報層４３は、第２反射層３０１には実施例６と同様の材料および膜厚を用い、第４誘電体層がＳフリーの材料として第４誘電体層３０８には（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ１５ｎｍ）、第２記録層３０４に（Ｇｅ０．９０２Ｓｎ０．０９８）３１Ｂｉ２Ｔｅ３４（厚さ１０ｎｍ）、第３界面層３０５に（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ５ｎｍ）、第３誘電体層３０６に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層（厚さ４８ｎｍ）を用いた。情報記録媒体１９では第４界面層３０３がなく、第４誘電体層がＳフリーの材料として第４誘電体層３０８には（ＺｒＯ２）３５（ＳｉＯ２）３５（Ｃｒ２Ｏ３）３０層（厚さ１５ｎｍ）を用いたため、実施例６のＡｌＮｉ層は形成しなかった。第１反射層２０１と第２反射層３０１に、実施例６と同様の組み合わせを用いた７サンプルにおいて、実施例６と同様の方法で情報記録媒体１９を作成し、実施例６と同様の測定を行ったところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０２０７】
（実施例８）
実施例８では、図１４の情報記録媒体２４のサンプルを作成し、反射層２０１の材料と、情報記録媒体２４の信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅ、記録パワーＰｗおよびジッターＪｉｔ１Ｘとの関係を調べた。具体的には、反射層１０１はＣｕ１００−ｘ−（Ｍ１−Ｍ２）ｘ［ｍｏｌ％］で表され、Ｍ１とＭ２の化合物であるＭ４を用いたＣｕ１００−ｘＭ４ｘにおいて、ｘ＝３ｍｏｌ％のＭ４＝ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｃ、ＢＮおよびＢＰの７種類を用いて実験を行った。これらのサンプルについて、情報記録媒体２４の信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅ、記録パワーＰｗおよび再生パワーの限界値ｍａｘＰｒを測定した。反射層１０１を有するサンプルはサンプルディスクとして、以下の方法で製造した。
【０２０８】
まず、サンプルディスクの基板４として、レーザビーム３を導くための案内溝（深さ５６ｎｍ、グルーブ−ランド間０．６１５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意し、その基板４をスパッタ装置に配置した。サンプルには、基板４のグルーブ形成側に反射層２０１（８０ｎｍ）、吸収補正層２１０としてＧｅＣｒ層（厚さ４０ｎｍ）、第２誘電体層２０２として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０［ｍｏｌ％］層（厚さ４０ｎｍ）、第２界面層２０３として（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０［ｍｏｌ％］層（厚さ３ｎｍ）、記録層２０４として（Ｇｅ０．８１５−Ｓｎ０．１８５）６Ｓｂ２Ｔｅ９層（厚さ８ｎｍ）、第１界面層２０５として（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０［ｍｏｌ％］層（厚さ５ｎｍ）、第１誘電体層１０６として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０［ｍｏｌ％］層（厚さ１４５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０２０９】
最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層２０６上に塗布して接着層５を形成し、接着層５を介してダミー基板６を（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を第１誘電体層２０６に密着し回転させることによって均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂層を硬化させた。その後、記録層１０４をレーザで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、反射層２０１の材料が異なるサンプルディスクを作成した。
【０２１０】
ここで、第１誘電体層２０６および第２誘電体層２０２の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により、厳密に決定した。具体的は、これらの厚さは、波長６６０ｎｍを用いて、記録層１０４の結晶部における情報記録媒体２４の基板４の鏡面部での反射率Ｒｃ（％）が１５％以上になるように、また、記録層２０４の非晶質部における情報記録媒体２４の基板鏡面部での反射率Ｒａ（％）が２％程度以下になるように決定した。
【０２１１】
以上のように作成した７種類のサンプルディスクに対して、まず図１３の記録再生装置２３を用いて、情報記録媒体２４の記録パワーＰｗおよび再生パワーの限界値ｍａｘＰｒを測定した。このとき、レーザビーム３の波長は６６０ｎｍ、対物レンズ５４の開口数ＮＡは０．６０、最短マーク長は０．４２μｍとした。測定時のサンプルの線速度は、８．２ｍ／ｓとした。また、情報は初期化した領域内のグルーブおよびランドに記録した。
【０２１２】
記録パワーＰｗは、以下の方法により測定した。まず、レーザビーム３を実施形態５で説明したようにピークパワーＰｐとバイアスパワーＰｂの間でパワー変調し、（８−１５）変調方式でマーク長０．４２μｍ（３Ｔ）から１．５４μｍ（１１Ｔ）までのランダム信号を一つのグルーブまたはランドに書き換え回数１０回の連続記録をした。その記録信号を線速度８．２ｍ／ｓ、再生パワーＰｒ＝１．０ｍＷで再生し、前端ジッターおよび後端ジッターをタイムインターバルアナライザーで測定し、前端ジッターと後端ジッターの平均値をジッターＪｉｔと定義した。ほぼ最適なバイアスパワーＰｂの値を固定して、ピークパワーＰｐを０．５ｍＷ刻みで自動測定により、ジッターＪｉｔが１３％となるピークパワーＰｐの値を測定した。このピークパワーＰｐを１．３倍した値を固定して、バイアスパワーＰｂを０．５ｍＷ刻みで自動測定を行った。このとき、ジッターＪｉｔが１３％となるバイアスパワーＰｂの値として、ジッターＪｉｔが最小となるパワーより低パワー側のパワーと高パワー側のパワーを測定し、それらの中間の値をバイアスパワーＰｂとした。最後に、このバイアスパワーＰｂを固定して記録してジッターＪｉｔを測定し、ジッターＪｉｔが１３％となるピークパワーＰｐを求め、このピークパワーＰｐの１．３倍の値を記録パワーＰｗとした。サンプルの線速が８．２ｍ／ｓの場合の記録パワーＰｗを記録パワーＰｗ２ｘとし、Ｐｗ２ｘ≦１４ｍＷは○、１４ｍＷ＜Ｐｗ２ｘは×とした。
【０２１３】
前述の方法により求めた、記録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂを用いて同一グルーブにランダム１０回記録をしたトラックを連続して５トラック作成し、真ん中のトラックのジッターＪｉｔをジッターＪｉｔ２Ｘとした。ジッターＪｉｔ２Ｘが、Ｊｉｔ２Ｘ≦８．５％は○、８．５％＜Ｊｉｔ２Ｘ≦９．０％は△、９．０％＜Ｊｉｔ２Ｘは×とした。
【０２１４】
信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価は、次のように行った。サンプルを温度９０℃、相対湿度８０％の条件で恒温恒湿槽に２００時間放置した。２００時間放置後のサンプルに対して、光学顕微鏡を用いて観察を行った。このとき、サンプルに腐食および剥離が確認される場合は×、腐食および剥離が観察されない場合は○とした。
【０２１５】
表６には、情報記録媒体２４の反射層１０１における材料と、情報記録媒体１３の記録パワーＰｗ２ＸとジッターＪｉｔ２Ｘの評価結果、および信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅの評価結果を示した。
【０２１６】
【表６】
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【０２１７】
表６より、本発明の反射層２０１を用いたサンプル６−１〜６−７の情報記録媒体２４では、記録パワーＰｗ２Ｘが１４ｍＷ以下、ジッターＪｉｔ２Ｘが８．５％以下と十分満足し、信頼性（腐食・剥離）Ｌｉｆｅにおいても良好な結果が得られた。
【０２１８】
従って、情報記録媒体２４の構成を有する場合においても、本発明の反射層２０１を用いることにより、良好な記録感度で十分なジッターが得られ、信頼性（腐食・剥離）を確保できることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０２１９】
本発明の情報記録媒体は、低コストで高熱伝導率を有する反射層を有し、相変化型情報記録媒体等として有用である。具体的には、書き換え型Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ、追記型Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、または光磁気情報記録媒体等の用途にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】本発明の１層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図２】本発明の１層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図３】本発明の１層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図４】本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図５】本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図６】本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図７】本発明の２層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図８】本発明の２層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図９】本発明の２層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図１０】本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図１１】本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図１２】本発明のＮ層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【図１３】本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置について構成の一部を模式的に示す図
【図１４】本発明の１層の情報層を備えた情報記録媒体について層構成の一例を示す一部断面図
【符号の説明】
【０２２１】
1，４    基板
２    透明層
３    レーザビーム
５    接着層
６    ダミー基板
１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２４，５０    情報記録媒体
２３    記録再生装置
３１，３７，３８    第１情報層
３２，３３，３５    光学分離層
３４    第（Ｎ−１）情報層
３６    第Ｎ情報層
４１，４２，４３    第２情報層
５１    スピンドルモータ
５２    光学ヘッド
５３    半導体レーザ
５４    対物レンズ
１０１    反射層
１０２，１０８，２０２，２０８    第２誘電体層
１０３，２０３    第２界面層
１０４    記録層
１０５，２０５    第１界面層
１０６，１０７，２０６，２０７    第１誘電体層
２０１    第１反射層
２０４    第１記録層
２０９    透過率調整層
２１０    吸収補正層
３０１    第２反射層
３０２，３０８    第４誘電体層
３０３    第４界面層
３０４    第２記録層
３０５    第３界面層
３０６，３０７    第３誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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