(57)【要約】【課題】  本発明は、共振周波数におけるレゾネータ特性をより向上させることができる安価なレゾネータ用Ｆｅ−Ｎｉ系アモルファス合金薄帯を提供することである。【解決手段】  本発明は、原子％で元素Ｎｉが３０から５０％、元素Ｍｏが１から６％、元素Ｂが１０から２０％、元素Ｓｉが０から３％、残部に元素Ｆｅ及び不可避的不純物を含む組成を有するアモルファス合金薄帯であって、薄帯厚さが２３から３０μｍであり、薄帯が磁気飽和状態にあるとき、薄帯のヤング率が１６０から１７０ＧＰａ、ヤング率と薄帯の密度との比が２．０５×１０−２から２．１４×１０−２ＧＰａ／（ｋｇ／ｍ３）であるレゾネータ用アモルファス合金薄帯である。好ましくは原子％で元素Ｍｏが４から６％かつ元素Ｂが１４から２０％であり、また、好ましくは原子％で元素Ｎｉが３５から４５％かつ薄帯の磁区幅が１００から３００μｍである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子％で元素Ｎｉが３０から５０％、元素Ｍｏが１から６％、元素Ｂが１０から２０％、元素Ｓｉが０から３％、残部に元素Ｆｅ及び不可避的不純物を含む組成を有するアモルファス合金薄帯であって、前記薄帯の厚さが２３から３０μｍであり、前記薄帯が磁気飽和状態にあるとき、前記薄帯のヤング率ＥＨが１６０から１７０ＧＰａ、前記ヤング率ＥＨと前記薄帯の密度ρとの比ＥＨ／ρが２．０５×１０−２から２．１４×１０−２ＧＰａ／（ｋｇ／ｍ３）であることを特徴とするレゾネータ用アモルファス合金薄帯。
【請求項２】
前記薄帯の組成において、原子％で元素Ｍｏが４から６％、かつ元素Ｂが１４から２０％であることを特徴とする請求項１に記載のレゾネータ用アモルファス合金薄帯。
【請求項３】
前記薄帯の組成において、原子％で元素Ｎｉが３５から４５％、かつ前記薄帯の磁区幅が１００から３００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のレゾネータ用アモルファス合金薄帯。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁歪振動を利用する防犯センサ等のレゾネータとして用いられるレゾネータ用アモルファス合金薄帯に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
スーパーマーケット等で商品の不正な持ち出しの防止等に用いられる防犯センサとして、例えば、磁歪材料を用いた防犯センサがある。この防犯センサについては、例えば特許文献１に提案されている。
特許文献１に記載の方式の防犯センサは、商品等に取り付けるマーカが検出ゲートを通過するときに、前記マーカの通過を発振回路と受信回路とを具備する防犯センサシステムにより検出する仕組みである。
【０００３】
このマーカは軟磁気特性を有するレゾネータと、このレゾネータと隣接して配置された半硬質の磁気特性を有するバイアス部材から構成されている。一般にレゾネータにはアモルファス合金材料、バイアス部材には結晶材料が用いられていることが多い。このレゾネータとバイアス部材とが隣接した状態でバイアス部材を磁化すると、レゾネータは活性状態となり、すなわちマーカが活性状態となり、逆にバイアス部材を消磁するとレゾネータは不活性状態となり、すなわちマーカが不活性状態となる。仮に商品を不正に持ち出そうとした場合、前記商品に取り付けられたマーカは活性状態にあって、すなわち、レゾネータが活性状態にあって、出入り口に設置された検出ゲートにおいて、活性状態のレゾネータの通過を検出することにより、商品の不正な持ち出しを検出することが可能となる。
【０００４】
発信器と受信器はゲートの内部に隣接して設置されており、発信器は特定周波数の微弱な交流磁場をある時間毎に繰り返し発信している。また、受信器は発信器の非発振期間毎に動作するように設定されている。活性状態のレゾネータは、発信器から発生する前記特定周波数の微弱な交流磁場を受けて共振するが、このときの共振振幅をレゾネータからの出力信号として検出する。次に、発信器からの発振が休止すると、前記レゾネータの共振による出力信号は指数関数的に減衰して行くが、この減衰特性は、レゾネータに用いる材料、熱処理条件等により決まる特性である。検出ゲート内の受信回路では、発信器の休止期間にレゾネータから発信される出力信号を、時間差をもって検出するが、この時間差により、レゾネータに特有の減衰曲線で有るか否かを判別し、レゾネータの状態を識別できるのである。この方式は、レゾネータ以外の物体から発生される、例えば、減衰特性の異なる出力信号との区別が可能となるため、検出誤動作を抑制することができる点で優れた方式である。
【０００５】
上述した諸特性が要求されるレゾネータには、例えば、アモルファス合金薄帯が用いられているが、前記薄帯は、単ロールによる超急冷法に代表される方法により製造された薄帯を、必要な形状に切断して用いられ、また、超急冷法により製造された薄帯の磁気特性向上のために、磁場中で熱処理した後、レゾネータとして用いられることが多い。また、上述したレゾネータの諸特性を満足するためには、少なくとも６４０Ａ／ｍまで線形なＢ−Ｈ曲線が必要であることが特許文献２に開示されている。前記Ｂ−Ｈ曲線を得る方法には、例えば、薄帯の熱処理時に幅方向に磁場を印加しながら熱処理をする磁場中熱処理と薄帯長手方向に張力を印加する張力下熱処理がある。非特許文献１及び非特許文献２によれば、張力下熱処理によって得られる誘導磁気異方性の大きさは、熱処理温度及び熱処理時間、薄帯に印加する張力の大きさ、及び合金組成で制御できることが知られており、一般的には、キュリー温度以上の温度で張力下熱処理を行うと大きな誘導磁気異方性が得られる。
【０００６】
従来、レゾネータ用の材料としては、例えば、特許文献３に記載のＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系アモルファス合金薄帯が用いられることが多い。このＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系アモルファス合金薄帯は、レゾネータの諸特性、すなわち、活性状態における信号出力の大きさ及び不活性状態に移行するときの減衰特性を向上する方法として、アモルファス合金薄帯面に対して所定の角度を持たせた磁場中で熱処理をすることが開示されている。この熱処理によって，磁区構造を４０μｍ以下または薄帯の板厚の１．５倍以下に微細化して形成することで渦電流損失を低減し、前記レゾネータ特性を向上させている。また特許文献４では、原料コストが安価なＦｅ−Ｎｉ系アモルファス合金薄帯を用い、アモルファス合金薄帯長手方向に張力を印加しながら連続熱処理を行う熱処理方法が開示されている。この熱処理方法は、熱処理炉内に磁場を印加するための磁石を必要とせず、熱処理装置を安価に作製することができる点で優れている。
【特許文献１】米国特許第４５１０４８９号公報
【特許文献２】米国特許５８４１３４号
【特許文献３】米国特許６２９９７０２号公報
【特許文献４】ＷＯ  ０２／２９８３２公報
【非特許文献１】Ｎｉｅｌｓｅｎ  Ｏ  Ｖ著「Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ  ａｎｄ  Ｔｏｒｓｉｏｎａｌ  Ｓｔｒｅｓｓ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  ｉｎ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｒｉｂｂｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ出版  ｖｏｌ．ＭＡＧ−２１，Ｎｏ．５    １９８５年
【非特許文献２】Ｈｉｌｚｉｎｇｅｒ  Ｈ  Ｒ著「Ｓｔｒｅｓｓ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  ｉｎ  ａ  Ｎｏｎ−Ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ａｌｌｏｙ」Ｐｒｏｃ．４ｔｈ  Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ．ｏｎ  Ｒａｐｉｄｌｙ  Ｑｕｅｎｃｈｅｄ  Ｍｅｔａｌｓ  出版  １９８１年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
レゾネータ用アモルファス合金薄帯は、前記薄帯が活性状態にあるときに、防犯センサの発信器から発振される特定周波数の微弱な交流磁場を受けて共振するように製造される。例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｂの各元素を主とする組成のアモルファス合金薄帯を超急冷法で製造し、バイアス部材より受ける直流バイアス磁界強度Ｈの磁場中においてレゾネータとして所定の共振周波数ｆｒを得るために、前記薄帯を張力を印加しながら熱処理してなされる。
【０００８】
防犯センサのマーカとして機能するためには、例えば、防犯センサのマーカからの信号が他所からの信号やノイズと明確に区別できることが重要で、すなわち、レゾネータからの出力信号がレゾネータ特有の信号であることが重要で、そのためには出力信号強度Ａ０及びＡ１が所定値以上であること、また、出力信号の減衰特性Ｑが所定の範囲であることが必要になる。出力信号強度Ａ０とは活性状態にあるレゾネータからの出力信号値であり、出力信号強度Ａ１とはレゾネータが活性状態から不活性状態へ移行した直後から所定時間経過後のレゾネータからの出力信号値である。また、減衰特性Ｑとは共振周波数ｆｒ及び出力信号強度の比Ａ０／Ａ１で決まり、レゾネータの出力信号が所定時間に減衰する程度を表す値である。更にまた、他所からの信号やノイズといった外乱に対してレゾネータの応答が変動し難いことが重要で、そのためにはレゾネータの共振周波数ｆｒが周囲の磁界変動に対して影響され難いこと、すなわち耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜ができるだけ小さいことが望まれる。
【０００９】
上述のレゾネータとして所定の共振周波数ｆｒを得るように製造する場合に問題となるのは、共振周波数ｆｒに着目して製造するために、レゾネータ用アモルファス合金薄帯の共振周波数ｆｒ以外のレゾネータ特性を所定範囲に安定して得られない場合があることである。本発明の目的は、共振周波数ｆｒにおけるレゾネータ特性をより向上させることができる安価なレゾネータ用Ｆｅ−Ｎｉ系アモルファス合金薄帯を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、出力信号強度、減衰特性、及び耐外乱性の問題を検討し、Ｆｅ−Ｎｉ系アモルファス合金薄帯の組成と厚さ、前記薄帯が磁気飽和状態にあるときのヤング率、前記ヤング率と前記薄帯の密度との比を最適化することにより、レゾネータに要求される諸特性をより向上できることを見出し本発明に到達した。すなわち、本発明は、原子％で元素Ｎｉが３０から５０％、元素Ｍｏが１から６％、元素Ｂが１０から２０％、元素Ｓｉが０から３％、残部に元素Ｆｅ及び不可避的不純物を含む組成を有するアモルファス合金薄帯であって、前記薄帯の厚さが２３から３０μｍであり、前記薄帯が磁気飽和状態にあるとき、前記薄帯のヤング率ＥＨが１６０から１７０ＧＰａ、前記ヤング率ＥＨと前記薄帯の密度ρとの比ＥＨ／ρが２．０５×１０−２から２．１４×１０−２ＧＰａ／（ｋｇ／ｍ３）であることを特徴とするレゾネータ用アモルファス合金薄帯である。前記薄帯の組成において、好ましくは原子％で元素Ｍｏが４から６％、かつ元素Ｂが１４から２０％である。また、前記薄帯の組成において、好ましくは原子％で元素Ｎｉが３５から４５％、かつ前記薄帯の磁区幅が１００から３００μｍである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、出力信号強度、減衰特性、及び耐外乱性を飛躍的に改善することができ、コバルトを含まない安価なレゾネータ用アモルファス合金薄帯の実用化にとって欠くことのできない技術となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
レゾネータ用アモルファス合金薄帯としては、磁気飽和状態にある前記薄帯のヤング率ＥＨが１６０から１７０ＧＰａ、前記ヤング率ＥＨと前記薄帯の密度ρとの比ＥＨ／ρが２．０５×１０−２から２．１４×１０−２ｋｇ／ｍ３であることがよい。ヤング率ＥＨ及びヤング率ＥＨと薄帯の密度との比ＥＨ／ρを大きくすることは、レゾネータとしての出力信号強度Ａ０及びＡ１をより大きくするために極めて有効である。また、ヤング率ＥＨを１７０ＧＰａより大きくすること、あるいはヤング率ＥＨと薄帯の密度との比ＥＨ／ρを２．１４×１０−２より大きくすることは、レゾネータの耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が大きくなり特性を劣化させてしまう。更にまた、ヤング率ＥＨを１６０ＧＰａより小さくすること、あるいはヤング率ＥＨと薄帯の密度との比ＥＨ／ρを２．０５×１０−２より小さくすることは、レゾネータとしての所定の出力信号強度Ａ０及びＡ１が得られない。
【００１３】
また、レゾネータ用薄帯の厚さは２３から３０μｍであることがよい。薄帯の厚さを２３μｍより小さくすると出力信号の減衰速度が小さくなり過ぎ、また、薄帯の厚さを３０μｍより大きくすると出力信号の減衰速度が大きくなり過ぎて、レゾネータとしての減衰特性Ｑを劣化させてしまう。
【００１４】
レゾネータ用薄帯の組成における各元素に関して以下に説明する。
元素Ｍｏの含有量は原子％で１から６％であることがよい。レゾネータとしての出力信号強度Ａ０及びＡ１をより大きくするためには、元素Ｍｏの含有量を６％以下にすることが有効である。また、元素Ｍｏの含有量を１％よりも少なくし過ぎることは、レゾネータの耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が大きくなり特性を劣化させてしまう。また、元素Ｂの含有量との関係において、元素Ｍｏの含有量はレゾネータの諸特性をより改善できる４から６％であることが好ましい。
【００１５】
元素Ｂ及びＳｉは、超急冷法によりアモルファス合金薄帯を製造する場合のアモルファス形成能に影響する元素である。アモルファス合金薄帯を形成するためには、元素Ｂの含有量は原子％で１０から２０％、元素Ｓｉの含有量は原子％で０から３％であることがよい。また、元素Ｍｏの含有量との関係において、元素Ｂの含有量はレゾネータの諸特性をより改善できる１４から２０％であることが好ましく、含有量を１４％以上にすることで出力信号強度Ａ０及びＡ１をより大きくでき、含有量を２０％以下にすることでよりよい耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜を得ることができるのである。
【００１６】
元素Ｎｉは、元素Ｆｅとの関係において薄帯の磁歪定数に影響する元素であり、レゾネータ用アモルファス合金薄帯としてなすためには、元素Ｎｉの含有量を原子％で３０から５０％であることがよい。また、前記薄帯の磁区幅の大きさとの関係において、元素Ｎｉの含有量はレゾネータの諸特性をより改善できる３５から４５％であることが出力信号強度Ａ１をより大きくできるので好ましい。
【００１７】
元素Ｆｅは、元素Ｎｉとの関係において薄帯の磁歪定数に影響する元素であり、レゾネータ用アモルファス合金薄帯としてなすためには、上述した各元素以外の残部を実質的に元素Ｆｅで占める必要がある。ただし、薄帯の製造上、所望元素以外の不純物を含有することは不可避である。
【００１８】
更に、レゾネータ用アモルファス合金薄帯としては、元素Ｎｉの含有量との関係において、前記薄帯の磁区幅を１００から３００μｍとすることが好ましい。レゾネータとしての出力信号の減衰特性Ｑを好適な値とするためには、磁区幅を３００μｍ以下にすることが好ましく、磁区幅を１００μｍより小さくし過ぎるとレゾネータとしての出力信号が減衰しにくくなり好ましくない。
【００１９】
上述した本発明によれば、例えば、スーパーマーケット等での商品の不正な持ち出しの防止等に用いられる磁歪材料を用いた防犯センサのマーカに採用されるレゾネータ用アモルファス合金薄帯として優れた特性を得ることができる。
【実施例】
【００２０】
本発明の実施例及び比較例においては、レゾネータ用アモルファス合金薄帯の共振周波数ｆｒの製造目標値を前記発信器の中心周波数に相当する５８ｋＨｚとし、また、前記薄帯のレゾネータ特性の測定を前記バイアス部材が有する直流バイアス磁界強度に相当する５２０Ａ／ｍにおいて実施し、前記薄帯のレゾネータ特性の製造目標値を出力信号特性Ａ１が２．９ｎＷｂ以上、減衰特性Ｑが４００以上７５０以下、耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が９．５Ｈｚ・ｍ／Ａ以下とし、レゾネータ用アモルファス合金薄帯を以下の手順で製造した。尚、本実施例は本発明の一例であって、これに限定されるものではない。
【００２１】
単ロールによる超急冷法により表１の各合金番号で示す組成及び板厚でアモルファス合金薄帯を５ｋｇずつ作製し、作製した前記薄帯を幅６ｍｍで長手方向に切断後、切断した前記薄帯の長手方向に表１に示す張力を印加しながら地磁気以外の磁場は作用させずに炉内温度４００℃、炉内通過時間６秒で連続熱処理を行った。尚、熱処理における印加張力の決め方は後述する。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
上述した工程で作製したレゾネータ用アモルファス合金薄帯から長さ３８ｍｍ幅６ｍｍの試験片を採取し、前記試験片を２枚１組として薄帯の板厚方向に重ねた状態で直流バイアス磁界中に静置し、静置した前記試験片に作用させる直流バイアス磁界の強度Ｈを８０Ａ／ｍから４０Ａ／ｍ毎に１４００Ａ／ｍまで付加した。前記試験片に直流バイアス磁界強度Ｈを付加しながら、更に微弱な交流磁場を磁界強度１．４Ａ／ｍで周波数５０ｋＨｚから６５ｋＨｚまで連続的に付加し、前記試験片の共振周波数ｆｒを測定した。更にまた、測定した前記共振周波数ｆｒと同じ周波数で交流磁場を前記試験片に付加した後、前記交流磁場を遮断し、遮断直後の出力信号強度Ａ０と遮断直後から１ｍｓ後の出力信号強度Ａ１を測定した。その後、（１）式により減衰特性Ｑを算出し、また、上述のように測定した共振周波数ｆｒと付加した直流バイアス磁界強度Ｈとの関係曲線において、直流バイアス磁界強度５２０Ａ／ｍにおける前記曲線の傾きから耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜を算出した。
Ｑ＝π×ｆｒ／ｌｎ（Ａ０／Ａ１）×１０−３      （１）
【００２４】
試験片の共振周波数ｆｒを決定する条件のひとつに、薄帯の熱処理における印加張力があり、例えば合金番号６の場合は表１に示すように７８ＭＰａとした。前記印加張力は、表２に示すように薄帯への印加張力を幾つか変えて熱処理した後に上述した試験片を採取し、直流バイアス磁界強度が５２０Ａ／ｍにおける前記試験片の共振周波数ｆｒを測定し、測定した共振周波数ｆｒが製造目標値である５８ｋＨｚとなる印加張力値を選択したのである。尚、表１に示す合金番号６以外の各合金についても同様の決め方で薄帯への印加張力を決定した。
【００２５】
【表２】
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【００２６】
本実施例及び比較例では、上述の試験片が磁気飽和状態にある直流バイアス磁界強度１４００Ａ／ｍにおける共振周波数ｆｒと長さ３８ｍｍの前記試験片の密度ρを用い、（２）式により前記試験片のヤング率ＥＨ及びヤング率ＥＨと前記試験片の密度ρとの比ＥＨ／ρを算出した。尚、前記試験片の密度ρは、島津製作所製のガス置換式密度計アキュビック１３３０により測定した。
ｆｒ＝（１／２Ｌ）（ＥＨ／ρ）０．５  （２）
ここで、Ｌは試験片の長さである。
【００２７】
上述のように測定した結果を製造目標と伴に表３に示すが、共振周波数ｆｒ、出力信号強度Ａ０及びＡ１、減衰特性Ｑ、及び耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜については直流バイアス磁界強度５２０Ａ／ｍにおける測定値、またヤング率ＥＨ及びヤング率ＥＨ／密度ρについては直流バイアス磁界１４００Ａ／ｍにおける測定値である。また、表３に示す本発明の実施例である合金番号６と比較例である合金番号１２について、共振周波数ｆｒと付加した直流バイアス磁界強度Ｈとの関係曲線を図１に、更にまた、直流バイアス磁界強度１４００Ａ／ｍにおけるヤング率ＥＨと耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜との関係を図２に、ヤング率ＥＨと減衰特性Ｑとの関係を図３に、ヤング率ＥＨと密度ρとの比ＥＨ／ρと耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜との関係を図４に、前記比ＥＨ／ρと減衰特性Ｑとの関係を図５に示す。
【００２８】
【表３】
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【００２９】
表３に示す合金番号１から１０は本発明の実施例であり合金番号１１から１３は比較例である。合金番号１１では減衰特性Ｑ及び耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が、合金番号１２では耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が、合金番号１３では出力信号強度Ａ１が、いずれも製造目標値に対して満足しなかったが、本発明の実施例ではすべての製造目標値を満足していた。図１から図５及び表３に示す結果より、良好なレゾネータ特性を得るために本発明者が見出したヤング率ＥＨ及びヤング率ＥＨと密度ρとの比ＥＨ／ρが極めて重要であることが明白にできた。また、ヤング率ＥＨ及びヤング率ＥＨと密度ρとの比ＥＨ／ρが大きくなると出力信号強度Ａ０及びＡ１が大きくなることがわかったが、このとき減衰特性Ｑが小さくなって、かつ耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜も大きくなってレゾネータ特性が劣化する傾向があることがわかった。
【００３０】
表３に示す合金番号６、４、８はいずれも本発明の実施例であり、前記合金番号の順に元素Ｍｏ含有量が原子％で５％、４％、３％と減少しているが、前記元素Ｍｏ含有量の減少に伴って出力信号強度Ａ０及びＡ１と、耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜は大きくなっており、元素Ｍｏ含有量が少なすぎると耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が増大していくことは明白で、好ましい元素Ｍｏ含有量は４％から６％であった。また、合金番号１から４はいずれも本発明の実施例であり、前記合金番号の順に元素Ｎｉ含有量が減少しているが、前記元素Ｎｉ含有量の減少に伴って出力信号強度Ａ０及びＡ１は大きくなっており、好ましい元素Ｎｉ含有量は３５％から４５％であった。
【００３１】
単ロール法による超急冷法によりアモルファス合金薄帯を作製したとき、元素Ｂを原子％で１０％未満にしたときにはアモルファス合金薄帯が形成できず、元素Ｂを２０％を超えて含有させたとき、また、元素Ｓｉを３％を超えて含有させたときは、作製したアモルファス合金薄帯の延性が損なわれて脆くなっており、前記薄帯の切断ができなかった。更に、元素Ｎｉを５０％超えて含有させたとき、すなわち、元素Ｆｅ含有量が元素Ｎｉ含有量に対して相対的に少なくなったときには、作製した合金薄帯の磁気特性が劣化した。
【００３２】
また、合金番号６の組成で表４に示すように薄帯の板厚を変え、上述した手順でアモルファス合金薄帯を作製し、試験片を採取し、直流バイアス磁界強度５２０Ａ／ｍにおけるレゾネータ特性を測定した。表４に示すように、薄帯の板厚が厚くなるに伴って、出力信号強度Ａ０は大きくなる傾向が、出力信号強度Ａ１及び減衰特性Ｑは小さくなる傾向が見られ、出力信号強度Ａ０及びＡ１はいずれも製造目標値を満足していたが、減衰特性Ｑは薄帯の板厚が２３μｍから３０μｍでなければ製造目標値を満足しないことが明白で、本発明の薄帯の板厚が有効であることがわかった。尚、耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜については薄帯の板厚を変えても大きな変化はなかった。
【００３３】
【表４】
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【００３４】
更にまた、本発明の比較例として、合金番号６の組成で上述した手順でアモルファス合金薄帯を作製するときに、熱処理において上述の特許文献４に示される磁場中熱処理を適用して薄帯を作製し、試験片を採取し、直流バイアス磁界強度５２０Ａ／ｍにおけるレゾネータ特性を測定した。尚、前記磁場中熱処理は、アモルファス合金薄帯の長手方向に張力７８ＭＰａを印加しながら、かつ磁界強度１２７ｋＡ／ｍの磁場を前記薄帯面に対して垂直方向から印加し、炉内温度４００℃、炉内通過時間６秒で連続熱処理を行った。
図６に、本発明の実施例として、張力を印加し、かつ磁場を印加せずに熱処理を行ったアモルファス合金薄帯の磁区構造の顕微鏡写真を示す。表５に示すように、磁場印加なしで熱処理した場合に比べ磁場印加して熱処理した場合には磁区幅が小さくなり、出力信号強度Ａ０及びＡ１、減衰特性Ｑが大きくなり、耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜は同等であった。レゾネータ特性としてはいずれも製造目標値を満足していたももの、好ましいのは減衰特性Ｑが製造目標値の中心値により近い磁場印加なしで熱処理した場合、すなわち、本発明の実施例であった。
上述のように本発明を適用した場合、製造コストの掛かる磁場中熱処理を行うことなく好ましいレゾネータ特性を有するレゾネータ用アモルファス合金薄帯が作製できたので、本発明の材のアモルファス合金薄帯に対しては、前記特許文献４で開示される磁区幅の狭幅化を行うメリットは認められない。
【００３５】
【表５】
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【００３６】
本発明の実施例で示したレゾネータ用アモルファス合金薄帯を、例えば、発信器から５８ｋＨｚを中心周波数とする微弱な交流磁場がある時間毎に繰り返し発信され、マーカのバイアス部材が約５２０Ａ／ｍの直流バイアス磁界強度を有している防犯センサのマーカのレゾネータとして実用した場合、出力信号強度Ａ１が２．９ｎＷｂ以上で、減衰特性Ｑが４００から７５０の間で、耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜が９．５Ｈｚ・ｍ／Ａ以下の優れたレゾネータ特性を示すのである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施例及び比較例における薄帯試験片の共振周波数ｆｒと直流バイアス磁界強度Ｈとの関係を示す図である。
【図２】直流バイアス磁界強度１４００Ａ／ｍにおける薄帯試験片のヤング率ＥＨと耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜との関係を示す図である。
【図３】直流バイアス磁界強度１４００Ａ／ｍにおける薄帯試験片のヤング率ＥＨと減衰特性Ｑとの関係を示す図である。
【図４】直流バイアス磁界強度１４００Ａ／ｍにおける薄帯試験片のヤング率ＥＨと密度ρとの比ＥＨ／ρと耐外乱性｜ｄｆｒ／ｄＨ｜との関係を示す図である。
【図５】直流バイアス磁界強度１４００Ａ／ｍにおける薄帯試験片のヤング率ＥＨと密度ρとの比ＥＨ／ρと減衰特性Ｑとの関係を示す図である。
【図６】本発明の実施例（合金番号６）における薄帯の磁区構造の顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００３８】
１．本発明の実施例（合金番号６）、２．比較例（合金番号１２）３．直流バイアス磁界強度５２０Ａ／ｍ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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