(57)【要約】【課題】  ＳＲＡＭを搭載した携帯端末装置及びそのＳＲＡＭを制御するメモリ制御方法に関し、ＳＲＡＭの異常を確実に検出する。【解決手段】  無線部１及び制御部２を備え、制御部１は、プロセッサ１２と共にフラッシュＲＯＭ１７と、バックアップ電池１５付きのＳＲＡＭ１４とを備え、電源投入時に、ＳＲＡＭ１４に格納したチェックワードを読み出して正常性を確認する携帯端末装置及びメモリ制御方法であって、ＳＲＡＭ１４は、チェックワードを、ＳＲＡＭ１４全体の破壊率に対して、このＳＲＡＭ１４の破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数に設定した構成を有するものである。又異常発生と判定した時に、ＳＲＡＭ１４を初期化する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュＲＯＭと、バックアップ電池付きのＳＲＡＭとを備え、電源投入時に前記ＳＲＡＭに格納したチェックワードを読み出して正常性を確認する構成を有する携帯端末装置に於いて、
前記ＳＲＡＭは、前記チェックワードを、該ＳＲＡＭ全体の破壊率に対して該ＳＲＡＭの破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数に設定した構成を有する
ことを特徴とする携帯端末装置。
【請求項２】
フラッシュＲＯＭと、バックアップ電池付きのＳＲＡＭとを備えた携帯端末装置の前記ＳＲＡＭの正常性を確認するメモリ制御方法に於いて、
前記ＳＲＡＭに、該ＳＲＡＭ全体の破壊率に対して該ＳＲＡＭの破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数としたチェックワードを格納し、
前記携帯端末装置の電源投入時に、前記チェックワードを読み出して該チェックワードの正常性を判定し、異常発生と判定した時に、該ＳＲＡＭの初期化を行う過程を含む
ことを特徴とするメモリ制御方法。
【請求項３】
前記ＳＲＡＭに前記チェックワードと、管理データと該管理データのチェックサムと該管理データ対応のチェックワードとを格納し、前記携帯端末装置の電源投入時に前記チェックワードを読み出して正常性を判定し、異常発生と判定した時に、前記管理データのチェックサム又は前記管理データ対応のチェックワードを破壊する過程を含むことを特徴とする請求項２記載のメモリ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックアップ電池付きのスターテック・ランダム・アクセス・メモリを備えた携帯電話機等の携帯端末装置及びメモリ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の携帯端末装置は、プログラムや各種データを格納する為のメモリを備えており、そのメモリは、一般的に、スターテック・ランダム・アクセス・メモリ（以下ＳＲＡＭと略称する）と、フラッシュＥＥＰＲＯＭ（以下フラッシュＲＯＭと略称する）とを組み合わせて用いている。ＳＲＡＭは高速アクセスが可能である利点があり、ユーザデータ等を格納する為に用いる場合が多いが、電源オフの場合もデータを保持できる不揮発性メモリの特性とする為には、バックアップ電池を必要とするものであり、且つ比較的高価である。このＳＲＡＭに対して、フラッシュＲＯＭは、アクセス速度は遅いが、バックアップ電池を必要とせずに不揮発性メモリの特性を備えており、且つ比較的廉価であり、管理データ等を格納する為に用いる場合が多いものである。
【０００３】
バックアップ電池を設けて不揮発性メモリの特性としたＳＲＡＭは、そのバックアップ電池の消耗によりデータを保持できなくなる場合がある。そこで、図１２に示すように、ＳＲＡＭ１０１のバックアップ電池１０２の電圧を、電圧監視回路１０３により監視し、電池電圧が所定の値以下に低下した場合に、ＳＲＡＭに保持していたデータは、信頼性がなくなったものとして、ＳＲＡＭの初期化等を行う方法が知られている。又は、ＳＲＡＭ１０１にチェックワード１０４を書き込んでおき、携帯端末装置の電源オン時に、そのチェックワードを読み出して、正常か否かを判定し、正常でない場合は、バックアップ電池の消耗による電池電圧の低下によって、保持していたデータの信頼性がなくなったものと判定して、ＳＲＡＭの初期化等を行う方法も知られている。
【０００４】
図１３は、ＳＲＡＭに格納したデータの一例を示すもので、フラッシュメモリ（フラッシュＲＯＭ）管理情報００〜０２と、システム情報０１〜２０とを、マスタ／スレーブの二重化構成として格納し、又アプリケーションデータ１〜２０を格納すると共に、数ワードの前述のチェックワード１〜３を格納し、又チェックサムについても格納する。尚、アプリケーションデータによっては、チェックサムを格納しないものも含まれる。
【０００５】
図１４は、前述のシステム情報の読み出し処理フローチャートを示し、ＳＲＡＭのシステム情報を読み出し（Ｃ１）、読み出し異常か否かを判定する（Ｃ２）。この場合、図１３に示すシステム情報のように、マスタ／スレーブの二重化構成で、マスタ／スレーブ共に異常の場合、読み出し異常として（Ｃ３）、終了する。又マスタ／スレーブの何れか一方が異常の場合は、正常側から異常側を上書き処理等により復旧させる（Ｃ４）。そして、ＳＲＡＭから読み出したデータ（システム情報）をアプリ（アプリケーション）に通知し（Ｃ５）、読み出し正常として（Ｃ６）、終了する。
【０００６】
又バックアップ電池付きのＳＲＡＭを搭載した携帯用の端末装置の電源を投入した時、例えば、図１５に示すように、先ず、システム初期化のハードウェアドライバの初期化処理が開始され、チェックワードを読み出して、正常か否かを判定する。正常でない（ＮＧ検出）場合は、ハードウェア関連の各種データ初期化処理を実行する。又正常（ＯＫ）の場合は、アプリケーション初期化処理を行う。
【０００７】
このアプリケーション初期化処理に於いては、システム情報と各種管理テーブルのチェックサムについて正常か否かを判定し、正常でない（ＮＧ検出）場合は、アプリケーション関連の各種初期化処理を実行する。又正常（ＯＫ）の場合は、システム初期化処理を終了とし、アプリケーション動作までアイドル状態となる。
【０００８】
アプリケーション動作に於いては、携帯用の端末装置内の各種アプリケーションが動作することになる。その場合、僅かなバイト数のチェックワードによる正常性の確認が得られても、バックアップ電池の電圧低下により、チェックワード格納領域以外の領域に於いてビット異常を生じている部分がある場合があり、又はチェックサムを付加しないアプリケーションデータが正常でない場合の検出ができないことにより、例えば、無限ループに入って正常な動作ができなくなる場合がある。
【０００９】
又バックアップ電池付きのＳＲＡＭを備えたシステムの初期化時に、アプリケーションプログラムが、ＳＲＡＭかＲＯＭの何れに格納されているか判定し、ＳＲＡＭに格納されている場合は、バックアップ電池の異常の有無を判定し、バックアップ電池異常の場合、システムダウンを実行する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。又前述のＳＲＡＭにチェックワードを書き込む方法と類似して、バックアップ電池付きのＳＲＡＭにキーワードを書き込み、又制御データとそれを反転させたデータとを書き込み、読み出したキーワードによるチェックと、読み出した制御データと反転データとの比較により、ＳＲＡＭの正常性をチェックする方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
又制御用データと、複数のチェック用データとをメモリに格納し、制御用データと複数のチェック用データとを照合し、照合不一致の場合は多数決判定により、正常なデータと判定し、制御用データが異常と判定された場合に、多数決判定によるデータによって制御用データを修正する方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平６−４４１７号公報
【特許文献２】特開平６−７４０８７号公報
【特許文献３】特開平８−９５８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
バックアップ電池付きのＳＲＡＭを備えた携帯端末装置は、小型化と共に軽量化も図る必要があり、又コストダウンを図る必要がある。又ＳＲＡＭの動作の信頼性を向上することも必要である。その為、バックアップ電池の電圧を監視し、ＳＲＡＭの動作を保証する電圧以上であるか否かを判定する電圧監視回路を前述のように設けることが考えられているが、この電圧監視回路を組み込むことによりコストアップとなる問題がある。更に、ＳＲＡＭの動作を保証する為のバックアップ電池の電圧を厳密に設定することは容易ではない問題がある。
【００１２】
又電圧監視回路を設けることなく、ＳＲＡＭの動作を保証する為に、チェックワードを書き込んでおき、そのチェックワードを読み出して、チェックワードが正常であれば、ＳＲＡＭ全体の正常性が保証されると判定する手段に於いては、僅か数ワードのチェックワードにより、ＳＲＡＭ全体の領域が正常か異常かを判定することになり、バックアップ電池の電圧が時間の経過に従って低下する過程で、ＳＲＡＭの一部のメモリ素子が異常となり、バックアップ電池の電圧の低下に従って異常状態のメモリ素子が増加するものであるから、このような異常状態の進行過程では、チェックワードが正常であるとしても、ＳＲＡＭに保持していたデータが異常となり、前述のように、無限ループに入った状態となる可能性もある。
【００１３】
又ＳＲＡＭに格納した各種データに、正常性を確認する為のチェックサムを付加する場合が多いものであるが、例えば、図１３にも示すように、チェックサムを付加しないアプリケーションデータ等も存在するから、その場合には、正常性を確認することができないので、ＳＲＡＭの信頼性が充分でない問題もある。
【００１４】
本発明は、バックアップ電池付きのＳＲＡＭの異常の有無の検出確率を向上して、信頼性を確実なものとすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の携帯端末装置は、フラッシュＲＯＭと、バックアップ電池付きのＳＲＡＭとを備え、電源投入時に前記ＳＲＡＭに格納したチェックワードを読み出して正常性を確認する構成を有する携帯端末装置であって、前記ＳＲＡＭは、前記チェックワードを、該ＳＲＡＭ全体の破壊率に対して該ＳＲＡＭの破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数に設定した構成を有するものである。
【００１６】
又本発明のメモリ制御方法は、フラッシュＲＯＭと、バックアップ電池付きのＳＲＡＭとを備えた携帯端末装置の前記ＳＲＡＭの正常性を確認するメモリ制御方法であって、前記ＳＲＡＭに、該ＳＲＡＭ全体の破壊率に対して該ＳＲＡＭの破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数としたチェックワードを格納し、携帯端末装置の電源投入時に、前記チェックワードを読み出して該チェックワードの正常性を判定し、異常発生と判定した時に、該ＳＲＡＭの初期化を行う過程を含むものである。
【００１７】
又前記ＳＲＡＭに前記チェックワードと、管理データと該管理データのチェックサムと該管理データ対応のチェックワードとを格納し、前記携帯端末装置の電源投入時に前記チェックワードを読み出して正常性を判定し、異常発生と判定した時に、前記管理データのチェックサム又は前記管理データ対応のチェックワードを破壊する過程を含むことができる。
【発明の効果】
【００１８】
チェックワードを、ＳＲＡＭ全体の破壊率が低い段階でも検出できるビット数としてＳＲＡＭに格納したものであり、バックアップ電池の消耗によるＳＲＡＭに格納したデータの一部が破壊された場合でも、確実に検出することができるから、携帯端末装置の誤動作を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の携帯端末装置は、図１を参照すると、フラッシュＲＯＭ１７と、バックアップ電池１５付きのＳＲＡＭ１４とを備え、電源投入時に、ＳＲＡＭ１４に格納したチェックワードを読み出して正常性を確認する構成を有し、ＳＲＡＭ１４は、チェックワードを、ＳＲＡＭ１４の破壊率に対して、該ＳＲＡＭ１４の破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数に設定した構成を有するものである。
【００２０】
又本発明のメモリ制御方法は、フラッシュＲＯＭ１７と、バックアップ電池１５付きのＳＲＡＭ１４とを備えた携帯端末装置のＳＲＡＭ１４の正常性を確認するメモリ制御方法であって、ＳＲＡＭ１４に、該ＳＲＡＭ１４の破壊率に対して該ＳＲＡＭ１４の破壊を検出できない確率が許容値以下となるビット数としたチェックワードを格納し、携帯端末装置の電源投入時に、ＳＲＡＭ１４からチェックワードを読み出して、該チェックワードの正常性を判定し、異常発生と判定した時に、該ＳＲＡＭ１４の初期化を行う過程を含むものである。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明の実施例１の説明図であり、１は無線部、２は制御部、３は無線送受信部（ＲＦ）、４は中間周波数部（ＩＦ）、５は変復調を行うモデム部（ＭＯＤＥＭ）、６はアンテナ、７はスピーカ、８はマイクロホン、９は音声処理部（ＡＩＵ）、１０はディジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）、１１は時分割多重処理部（ＴＤＭＡ）、１２はプロセッサ（ＣＰＵ）、１３は表示部（ＬＣＤ）、１４はＳＲＡＭ、１５はバックアップ電池、１６は電源制御部、１７はフラッシュＲＯＭ、１８はプログラム格納用のＲＯＭを示す。
【００２２】
無線部１は、携帯端末装置としての通信方式に適合した構成の無線送受信部３、中間周波数部４、モデム部５を備えている。又音声の送受信用として、スピーカ７、マイクロホン８、音声処理部９、符号化復号化処理等を行うディジタル・シグナル・プロセッサ１０等を備えている。又各種メッセージや送受信データ等を表示する表示部１３を備えている。この表示部１３は、液晶表示パネルを用いる場合が一般的であるが、例えば、有機ＥＬパネル等の他の構成の表示パネルを用いることも可能である。又プロセッサ１２は、ＳＲＡＭ１４とフラッシュＲＯＭ１７とＲＯＭ１８とに対するアクセス制御や、表示部１３の表示制御を含めて他の各部を制御する。
【００２３】
又電源制御部１６は、図示を省略した電源スイッチをオンとすることにより、プロセッサ１２、表示部１３、バックアップ電池１５等を含む各部に動作電力を供給するものであり、電源スイッチをオフとすると、バックアップ電池１５からＳＲＡＭ１４にデータ保持用の電圧を継続して印加する。従って、長時間継続して電源スイッチをオフとすると、前述のように、バックアップ電池１５の電圧が低下する。このバックアップ電池１５によりデータ保持用の電圧を印加されるＳＲＡＭ１４は、チェックワードを書き込んでおくものであるが、本発明は、ＳＲＡＭ１４のデータ破壊等の異常発生の検出確率を充分に高くできるように、チェックワードを書き込むものである。
【００２４】
尚、ＳＲＡＭ１４は、数１０ｋバイト〜数Ｍバイトの記憶領域を有し、フラッシュＲＯＭ１７は、数１００ｋバイト〜数１００Ｍバイトの記憶領域を有するもので、図２に示すように、アプリケーションにより、例えば、ユーザデータ保存要求に従ってＳＲＡＭ１４にユーザデータを書き込み、又そのユーザデータの読み出しを行い、又フラッシュＲＯＭに対してはドライバソフトによりアクセスすることになる。又ＳＲＡＭ１４には、チェックワードを書き込んでおき、電源スイッチをオンとした時に、そのチェックワードを読み出して、正常か否かを判定するものである。
【００２５】
そのチェックワードは、例えば、従来は、図３の（Ａ）に示すように、それぞれ１バイトのチェックワードＣ１〜Ｃ３をＳＲＡＭに書き込んでおき、電源スイッチをオンとした時に、合計３バイトのチェックワードＣ１〜Ｃ３を読み出して、正常か否かを判定するものである。これに対して、本発明は、図３の（Ｂ）に示すように、更にチェックワードＣ４を書き込むものである。その場合、チェックワードＣ１〜Ｃ４を極端に増加すれば、ＳＲＡＭ１４の正常性の確認は確実となるが、有効メモリ領域が減少することになる。
【００２６】
そこで、本発明に於いては、チェックワードのサイズをｘ（ビット）、ＳＲＡＭの破壊率をｚ（ｔ）とし、バックアップ電池１５の電圧低下によりＳＲＡＭの保持データが破壊された時に、チェックワードが総て破壊されない確率ｙを、
ｙ＝（１−ｚ）ｘ                          ・・・（１）
とする。即ち、電源スイッチのオン時にｘビットのチェックワードを読み出して判定した場合に、データの一部が破壊されても、チェックワードについては、総て破壊されないことにより、ＳＲＡＭの破壊が検出できない確率は、（１）式で示すｙとなる。
【００２７】
ＳＲＡＭの破壊率は、電源スイッチのオフ時の時間の関数となるもので、実験結果によると、電源スイッチのオフから２５００時間で破壊が始まり、２６００時間では、破壊率は０．２０％となった。その間は直線的に増加すると見做すことができる。
【００２８】
例えば、ＳＲＡＭに印加する通常の電圧より低い一定の電圧として、０．３０Ｖ，０．２７Ｖ，０．２５Ｖ，０．２２Ｖ，０．２０Ｖを印加し、それぞれ１０時間経過後の破壊率を、サンプルＡ，Ｂについて実験した結果は、図４に示すものとなった。即ち、バックアップ電池の電圧が、例えば、０．２２Ｖ等のある電圧以下となると、急速にＳＲＡＭの破壊が進行するものである。
【００２９】
そこで、チェックワードのビット数ｘを、８１９２ビット（１ｋバイト）にした場合及び３２７６８ビット（４ｋバイト）にした場合のＳＲＡＭの破壊率ｚと、検出できない確率ｙとについて求めると、図５に示す関係が得られた。即ち、曲線ａは、チェックワードを４ｋバイトとした場合、曲線ｂは、チェックワードを１ｋバイトとした場合を示し、ＳＲＡＭの破壊率が０．０２０％を超えると、４ｋバイトのチェックワードを用いた場合は、確実にＳＲＡＭの破壊を検出できるが、１ｋバイトのチェックワードを用いた場合は、ＳＲＡＭの破壊率が０．１０％〜０．１２％を超えないと、確実にＳＲＡＭの破壊を検出できないことが判る。
【００３０】
前述の（１）式に於いて、ｚは時間（ｔ）の関数であり、従って、ｙも時間（ｔ）の関数となる。そして、電源スイッチをオフとしてから２５００時間経過でＳＲＡＭの破壊が始まり、２６００時間経過時点に於けるＳＲＡＭの破壊率が０．０２０％となり、その間は直線的に破壊率が増加するとし、前述の（１）式の破壊率ｚは、２５００時間経過までは０であり、２６００時間経過時に０．０２０％であるから、
ｚ＝０．０００２ｔ−０．５        ［％］
とすることができる。但し、ｔ＜２５００に於いては、ｚ＝０とする。
【００３１】
この破壊率ｚを用いた場合に於いて、４３２０時間後のＳＲＡＭの破壊を検出できない確率ｙは、チェックワードを３２７６８ビット（４ｋバイト）とした場合、０．０８％以下となる。これに対して、チェックワードを８１９２ビット（１ｋバイト）とした場合、０．３２％以下となる。従って、ＳＲＡＭの電源スイッチのオフ後の時間経過による破壊率ｚと、所望のＳＲＡＭ破壊検出ができない確率ｙとを基に、チェックワードのビット数ｘを求めることにより、バックアップ電池付きのＳＲＡＭの信頼性を向上することができる。
【００３２】
図６は、メモリ構成として、フラッシュＲＯＭとＳＲＡＭとの管理データについて示すものであり、ファイルシステムの管理データは、マスタデータとしてフラッシュＲＯＭに格納し、高速処理のＳＲＡＭにも格納して、常時は、ＳＲＡＭに格納した管理データを基にファイル管理等を実行するものである。電源スイッチのオフ時に、このＳＲＡＭのバックアップ電池が消耗して、ＳＲＡＭに格納した管理データが破壊されたことを、電源スイッチのオン時に、前述のチェックワードを読み出してＳＲＡＭの破壊の有無を判定し、破壊されていると判定した場合は、フラッシュＲＯＭに格納してある管理データをＳＲＡＭに書き込むことにより、管理データの信頼性を確保するものである。
【００３３】
図７は、ＳＲＡＭに格納した管理情報の説明図であり、管理情報は、管理データ０１，管理データ０２，・・・として示すように、複数のブロックにより構成されて、各ブロック毎に、チェックサム０１，チェックサム０２，・・・とチェックワード０１，チェックワード０３，・・・とを格納した場合を示す。チェックサムは、管理データの更新の度に変化するものであるが、チェックワードは変化しないように格納されている。又チェックサムは、管理データの更新中に電源スイッチのオフ等を行った場合、次の電源スイッチのオン時には、チェックサムについてのチェック異常となる場合が想定されるが、その場合の管理データの正常性は、チェックワードにより判定することができる。
【００３４】
図８は、前述の管理データの異常時の説明図であり、フラッシュＲＯＭとＳＲＡＭとチェックワード監視との手段について、電源スイッチをオンとした時に、チェックワード監視の手段（図１に於けるプロセッサ１２の処理機能）により、ＳＲＡＭのチェックワードを読み出してチェックし、チェックワードの異常を検出すると、図７に示すＳＲＡＭの各ブロックの管理データのチェックワードを破壊する。それにより、管理データを読み出した時にチェックワード異常を検出できるから、図６に示すように、フラッシュＲＯＭから管理データを読み出して、ＳＲＡＭの管理データの再構築を行う。
【００３５】
図９は、管理データのチェック処理のフローチャートであり、ＳＲＡＭに、管理データのブロック対応のチェックワードと共に、前述の（１）式に従った検出できない確率ｙが小さい値となるように設定したビット数の追加チェックワードとを用いてチェックする場合を示し、電源投入（電源スイッチをオンとする）（Ａ１）により、追加チェックワードを読み出して正常性を判定し（Ａ２）、正常の場合は、管理データのブロック対応のチェックワードを読み出して正常性を判定し（Ａ３）、正常の場合は、電源投入時の処理を終了する。又新チェックワードの異常の場合は、管理データのブロック対応のチェックワードを破壊する（Ａ４）。そして管理データのブロック対応のチェックワードの正常性を判定する時に、確実に異常判定となり、管理データの再構築を実行する（Ａ５）ことになる。それにより、管理データの信頼性を向上することができる。
【００３６】
図１０は、チェックワードの設定処理の説明図であり、携帯電話機等の携帯端末装置の工場出荷時に、フラッシュＲＯＭの初期化（ａ）が行われ、従来例の図１４に示す合計３バイトのチェックワード（１）〜（３）（＝ＡＡｈ）と、本発明の実施例による例えば４バイトの追加のチェックワード（４）（＝５５ＡＡｈ）とを設定する。次のＳＲＡＭ展開（ｂ）に於いて、チェックワード（１）〜（３）は、チェックワード（４）と同一値の５５ｈが設定される。次のオートモード（ｃ）に於いて、チェックワード（１）＝４４ｈ、チェックワード（２）＝１１ｈ、チェックワード（３）＝４１ｈ、チェックワード（４）＝５５ＡＡｈを設定する。この状態のチェックワード（１）〜（４）をＳＲＡＭに設定してユーザに渡されることになる。尚、ｈは１６進数を示す。
【００３７】
ユーザが携帯端末装置の電源オン（ｄ）の度に、チェックワード（１）〜（４）を読み出して、ビット誤りの有無等の正常性をチェックする。これは、電源オンの度毎に繰り返される。そして、チェックワード異常の検出時は、フラッシュＲＯＭに格納されている管理データの再構築が行われる。
【００３８】
図１１は、電源投入時（電源スイッチをオンとした時）のチェックワードの判定処理のフローチャートを示し、電源投入により（Ｂ１）、ＳＲＡＭから前述の既存の合計３バイトの構成のチェックワード（１），（２），（３）（＝４４ｈ，１１ｈ，４１ｈ）を読み出して正常性を判定し（Ｂ２）、正常の場合は、前述の追加の例えばｘビットのチェックワード（４）（＝５５ＡＡｈ）を読み出して正常性を判定する（Ｂ３）。この場合、正常と判定すると、電源投入時のＳＲＡＭの正常性判定の処理を終了する。
【００３９】
又既存チェックワード判定（Ｂ２）に於いて、読み出した既存チェックワード（１）〜（３）が０ｘＡＡの場合は、ＳＲＡＭを初期化し（Ｂ４）、そして、追加／既存チェックワードを初期化する（Ｂ５）。又読み出した既存チェックワード（１）〜（３）が０ｘ５５の場合は、ＳＲＡＭを初期化し（Ｂ６）、テストモードに設定し（Ｂ７）、メーカモードに設定し（Ｂ８）、追加／既存チェックワード（１）〜（４）を初期化し（Ｂ９）、完了シリアルを送出する（Ｂ１０）。
【００４０】
又既存チェックワード判定（Ｂ２）に於いて、前述の状態以外の場合、及び追加チェックワード判定（Ｂ３）に於いて異常判定の場合は、管理情報チェックワード（図７に於ける管理データのブロック対応のチェックワード）を破壊する（Ｂ１１）。それにより、管理データの読み出しを行ったとしても、確実にデータ破壊が発生していることを検出することができる。この場合、管理データの読み出し処理に移行することなく、ＳＲＡＭの初期化を行い（Ｂ１２）、追加／既存チェックワードの初期化を行う（Ｂ１３）。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例１の説明図である。
【図２】ソフトウェア要部構成説明図である。
【図３】チェックワードの説明図である。
【図４】ＳＲＡＭの破壊率の説明図である。
【図５】ＳＲＡＭの破壊率と検出できない確率との関係説明図である。
【図６】メモリ構成の説明図である。
【図７】管理情報の説明図である。
【図８】管理データ異常時の説明図である。
【図９】管理データのチェック処理のフローチャートである。
【図１０】チェックワード設定処理の説明図である。
【図１１】電源投入時の処理フローチャートである。
【図１２】従来例のＳＲＡＭの監視手段の説明図である。
【図１３】ＳＲＡＭの格納データの説明図である。
【図１４】システム情報読み出し処理フローチャートである。
【図１５】アプリケーション異常動作の説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  無線部
２  制御部
３  無線送受信部（ＲＦ）
４  中間周波数部（ＩＦ）
５  モデム部（ＭＯＤＥＭ）
６  アンテナ
７  スピーカ
８  マイクロホン
９  音声処理部（ＡＩＵ）
１０  ディジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）
１１  時分割多重処理部（ＴＤＭＡ）
１２  プロセッサ（ＣＰＵ）
１３  表示部（ＬＣＤ）
１４  ＳＲＡＭ
１５  バックアップ電池
１６  電源制御部
１７  フラッシュＲＯＭ
１８  プログラム格納用ＲＯＭ
【図１】
2005149435.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2005149435.tif 000013
【図１２】
2005149435.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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