(57)【要約】【課題】  磁極層などの構成部材の厚み寸法を一定の範囲に容易におさめて精度良く製造することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  磁極層である主磁極１１０の上部にある第１絶縁性材料層１１１に盛り上がり部１１１ｂを形成し、この盛り上がり部１１１ｂの周囲に平坦部１１１ｃを形成する。平坦部１１１ｃ上には第２絶縁性材料層１３１を形成する。前記盛り上がり部１１１ｂで第１絶縁性材料層１１１を削り、主磁極１１０の上面１１０ｃを露出させ、主磁極１１０の上面１１０ｃと前記第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａを平坦化して同一面とする。研磨加工を、第２絶縁性材料層１３１をマーカとして終了させることにより、研磨量の正確な制御が可能になる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程、
（ｂ）前記磁極層の両側部及び上部に第１絶縁性材料層を設け、このとき前記磁極層を覆う盛り上がり部を形成するとともに、前記盛り上がり部の周囲に平坦部を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁性材料層に形成された前記平坦部の上に第２絶縁性材料層を積層する工程、
（ｄ）前記第１絶縁性材料層および前記第２絶縁材料層の上に、第３絶縁性材料層を積層する工程、
（ｅ）前記第３絶縁性材料層を削ると共に、前記第１絶縁性材料層に形成された前記盛り上がり部を削って前記磁極層の上面を露出させ、前記磁極層の上面と前記第２絶縁性材料層の上面を同一面とする工程、
（ｆ）前記磁極層の上または下にコイル層を形成する工程、
【請求項２】
前記（ａ）工程の前、あるいは、前記（ｅ）工程の後に、（ｆ）前記磁極層とギャップ層を介して重なる、磁性材料からなるリターンパス層を形成する工程、を有する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記（ｅ）工程の後、（ｇ）前記第２絶縁性材料層を除去する工程、を有する請求項１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁性材料層と前記第３絶縁性材料層、および前記第２絶縁性材料層を、同一条件下で研磨したときの前記第２絶縁性材料層の研磨速度が、前記第１絶縁性材料層と前記第３絶縁性材料層の研磨速度より小さい請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁性材料層および前記第３絶縁性材料層はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成され、前記第２絶縁性材料層はＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、ＳｉＮ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁性材料層および前記第３絶縁性材料層はＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成され、前記第２絶縁性材料層はＷ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハード膜を有するディスクなどの記録媒体に対して磁界を与えて記録を行う磁気ヘッドの製造方法に係り、特に構成部材を精度良く形成できる磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【背景技術】
【０００２】
以下に示す特許文献１には、磁気ヘッドの製造工程が開示されている。この特許文献１の図２には、基板の上にギャップを構成するアルミナ膜を突起するように形成した後、このアルミナ膜の周囲を覆うようにパーマロイ膜が形成され（図２（ａ））、さらにパーマロイ膜の上にＳｉＯ2膜が形成された状態（図２（ｂ））の磁気ヘッド製造工程図が開示されている。
【０００３】
この特許文献１に開示された前記図２（ｂ）を書き写したのが図１８である。図１８に示すように、基板１の上にアルミナ膜２が突起するように形成され、このアルミナ膜の周囲を覆うように形成されたパーマロイ膜３は、前記アルミナ膜２の上部付近が盛り上がって盛り上がり部３ａが形成されている。また、前記盛り上がり部３ａの側方は平坦部３ｂが形成されている。
【０００４】
したがって、前記パーマロイ膜３の上に形成されたＳｉＯ2膜４には、前記パーマロイ膜３の形状に依拠するように、前記パーマロイ膜３の前記平坦部３ｂ上に形成された平坦部４ｂと、前記平坦部４ｂの上面４ｂ１から上方に突出するように前記盛り上がり部３ａ上に形成された凸部４ａとが形成されている。
【０００５】
前記特許文献１によると、図１８（前記特許文献１での図２（ｂ））に示す状態で前記ＳｉＯ2膜４の上面からＣＭＰにより研磨し、前記凸部４ａおよび前記盛り上がり部３ａを削って行く。このとき、ＳｉＯ2膜４がストッパの機能を有し、前記前記平坦部４ｂの上面４ｂ１で研磨が終了され、前記ＳｉＯ2膜４、パーマロイ膜３、および前記アルミナ膜２の上面が同一の平坦化面として形成される。この研磨終了時点の状態は前記特許文献１の図２（ｃ）に開示されており、この特許文献１の図２（ｃ）を書き直したのが図１９である。
【０００６】
また、以下に示す特許文献２にも、前記特許文献１に開示された発明と同様の思想に基づく磁気ヘッドの製造工程が開示されている。この特許文献１の図１には、基板の上に第１絶縁層を介して磁気コアを形成し、さらにこの磁気コアの側方と上方を覆うように形成された第２絶縁層が形成され、さらに前記第２絶縁層の上に研磨ストッパ層として機能する硬質金属膜が形成された状態（図１（ａ））の磁気ヘッド製造工程図が開示されている。
【０００７】
この特許文献２に開示された前記図１（ａ）を書き写したのが図２０である。図２０に示すように、基板１１の上に第１絶縁膜１２が形成され、この第１絶縁膜１２の上に、磁気コア１３が突起するように形成されている。この磁気コア１３の周囲と上方を覆うように形成された第２絶縁膜１４は、前記磁気コア１３の上部付近が盛り上がって盛り上がり部１４ａが形成されている。また、前記盛り上がり部１４ａの側方は平坦部１４ｂが形成されている。したがって、前記第２絶縁膜１４の上に形成された硬質金属膜１５には、前記第２絶縁膜１４の形状に依拠するように、  前記第２絶縁膜１４の前記平坦部１４ｂ上に形成された平坦部１５ｂと、前記平坦部１５ｂの上面１５ｂ１から上方に突出するように前記盛り上がり部１４ａ上に形成された凸部１５ａとが形成されている。
【０００８】
前記特許文献２によると、図２０（前記特許文献２での図１（ａ））に示す状態で前記硬質金属膜１５の上面から弾性体からなるポリシングパッドを用いて研磨し、前記凸部１５ａおよび前記盛り上がり部１４ａを削って行く。このとき、前記硬質金属膜１５がストッパの機能を有し、前記前記平坦部１５ｂの上面１５ｂ１で研磨が終了され、前記硬質金属１５、および前記磁気コア１３の上面が同一の平坦化面として形成される。この研磨終了時点の状態は前記特許文献１の図１（ｄ）に開示されており、この特許文献１の図２（ｃ）を書き直したのが図２１である。
【特許文献１】特開平１１−２３２６０９号公報
【特許文献２】特開平７−２７２２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、前記特許文献１に開示された発明では、前記凸部４ａおよび前記盛り上がり部３ａをＣＭＰにより研磨した際に、前記凸部４ａを構成している前記ＳｉＯ2膜４のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートと、前記盛り上がり部３ａを構成している前記パーマロイ膜３のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが異なる場合には、以下のような問題が生じる。
【００１０】
すなわち、図１８に示すような前記特許文献１に開示された磁気ヘッドの製造方法の場合、前記ＳｉＯ2膜４は前記平坦部４ｂの上面４ｂ１から上方に突出するように前記凸部４ａが形成されている。したがって、図１８に示す状態から前記研磨を開始してから図１９に示す研磨終了までの間には、図１８のＤ−Ｄ線で削られる状態のように、前記盛り上がり部３ａと、その側方に位置する前記前記凸部４ａとの双方が削られる状態が存在することになる。
【００１１】
このように前記盛り上がり部３ａと前記凸部４ａの双方が削られる状態のときに、前記盛り上がり部３ａを構成する前記パーマロイ膜３のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが、前記凸部４ａを構成する前記ＳｉＯ2膜４のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートよりも早い場合には、前記パーマロイ膜３の方が早く削られるのに対して、前記ＳｉＯ2膜４のほうが遅く削られる。したがって、前記ＳｉＯ2膜４に形成された前記平坦部４ｂの上面４ｂ１まで前記ＳｉＯ2膜４を研磨し終えたときに、前記パーマロイ膜３が前記平坦部４ｂの上面４ｂ１よりも下方位置まで研磨され過ぎてしまい、平坦化面を形成することができないといった問題が有った。このように平坦化面を形成できないと、リードライトギャップとなる前記アルミナ膜２の膜厚を制御できず、精度良く磁気ヘッドを製造することができない。
【００１２】
逆に、前記盛り上がり部３ａを構成する前記パーマロイ膜３のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが、前記凸部４ａを構成する前記ＳｉＯ2膜４のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートよりも遅い場合には、前記パーマロイ膜３の方が遅く削られるのに対して、前記ＳｉＯ2膜４の方が早く削られる。したがって、前記ＳｉＯ2膜４に形成された前記平坦部４ｂの上面４ｂ１まで前記ＳｉＯ2膜４を研磨し終えたときに、前記パーマロイ膜３が前記平坦部４ｂの上面４ｂ１よりも上方位置までしか研磨されずに、平坦化面を形成することができず、高精度な製造が行えないといった問題が有った。
【００１３】
一方、図２０に示すような前記特許文献２に開示された発明でも、前記硬質金属膜１５は前記平坦部１５ｂの上面１５ｂ１から上方に突出するように前記凸部１５ａが形成されているため、図２０のＤ−Ｄ線で削られる状態のように、前記盛り上がり部１４ａと、その側方に位置する前記前記凸部１５ａとの双方が削られる状態が存在することになる。したがって、前記第２絶縁膜１４のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートと前記硬質金属膜１５のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートとが異なる場合には、前記硬質金属膜１５の前記平坦部１５ｂの上面１５ｂ１で研磨を終了した時点で、前記特許文献１に開示された発明と同様に平坦化面が形成されず、精度良く磁気ヘッドを製造することができないといった問題がある。
【００１４】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが異なる材料を使用した場合でも平坦化面を形成でき、磁極層などの構成部材の厚み寸法を一定の範囲に容易におさめて精度良く製造することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程、
（ｂ）前記磁極層の両側部及び上部に第１絶縁性材料層を設け、このとき前記磁極層を覆う盛り上がり部を形成するとともに、前記盛り上がり部の周囲に平坦部を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁性材料層に形成された前記平坦部の上に第２絶縁性材料層を積層する工程、
（ｄ）前記第１絶縁性材料層および前記第２絶縁材料層の上に、第３絶縁性材料層を積層する工程、
（ｅ）前記第３絶縁性材料層を削ると共に、前記第１絶縁性材料層に形成された前記盛り上がり部を削って前記磁極層の上面を露出させ、前記磁極層の上面と前記第２絶縁性材料層の上面を同一面とする工程、
（ｆ）前記磁極層の上または下にコイル層を形成する工程、
この場合、前記（ａ）工程の前、あるいは、前記（ｅ）工程の後に、（ｆ）前記磁極層とギャップ層を介して重なる、磁性材料からなるリターンパス層を形成する工程、を有するものとして構成することができる。
【００１６】
また、前記（ｅ）工程の後、（ｇ）前記第２絶縁性材料層を除去する工程、を有するものとして構成しても良い。
【００１７】
この場合、前記第１絶縁性材料層と前記第３絶縁性材料層、および前記第２絶縁性材料層を、同一条件下で研磨したときの前記第２絶縁性材料層の研磨速度が、前記第１絶縁性材料層と前記第３絶縁性材料層の研磨速度より小さいものとして構成することが好ましい。
【００１８】
また、前記第１絶縁性材料層および前記第３絶縁性材料層はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成され、前記第２絶縁性材料層はＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、ＳｉＮ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成されるものとして構成できる。
【００１９】
また、前記第１絶縁性材料層および前記第３絶縁性材料層はＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成され、前記第２絶縁性材料層はＷ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成されるものとして構成することもできる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、第２絶縁性材料層は、第１絶縁性材料層の平坦部上に形成され、前記第１絶縁性材料層の盛り上がり部の上には形成されていない。したがって、ＣＭＰを行って平坦化面を形成するまでの工程で、前記第１絶縁性材料層と前記第３絶縁性材料層のみを削ることができる。したがって、ストッパ層として機能し、前記第１絶縁性材料層及び前記第３絶縁性材料層よりもエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層をＣＭＰの際に削らなくても良い。
【００２１】
したがって本願発明では、精度良く、しかも容易に主磁極の上面を平坦化面として形成することができ、主磁極の厚み寸法を正確に制御できることとなる。
【００２２】
従って、オーバーライト特性など磁気ヘッドの記録特性を均一化することが容易である。また、主磁極の厚み寸法を正確に制御できるため、例えばスキュー角が発生しても、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを示す縦断面図である。
図１に示す磁気ヘッドＨ１は、記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させる、いわゆる垂直記録磁気ヘッドと呼ばれるものである。
【００２４】
記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００２５】
スライダ１０１はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１０１の対向面１０１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１０１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１０１が記録媒体Ｍに摺動する。図１においてスライダ１０１に対する記録媒体Ｍの移動方向はＡ方向である。
【００２６】
スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１０２が形成されて、この非磁性絶縁層１０２の上に読取り部ＨRが形成されている。
【００２７】
読取り部ＨRは下部シールド層１０３と上部シールド層１０６と、下部シールド層１０３と上部シールド層１０６との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０５内に位置する読み取り素子１０４とを有している。読み取り素子１０４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００２８】
前記上部シールド層１０６の上には、コイル絶縁下地層１０７を介して、導電性材料で形成された複数本の第１コイル層１０８が形成されている。前記第１コイル層１０８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００２９】
前記第１コイル層１０８の周囲は、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１０９が形成されている。
【００３０】
前記コイル絶縁層１０９の上面１０９ａは平坦化面に形成され、この上面１０９ａの上に、メッキ下地層１３０が形成され、このメッキ下地層１３０の上に、対向面Ｈ1ａからハイト方向に所定長さで形成されトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成され所定長さＬ２で延びている主磁極１１０が形成されている。前記主磁極１１０は本願発明の磁極層であり、強磁性材料で例えばメッキ形成されたものであり、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【００３１】
また、前記主磁極１１０の基端部１１０ｂから前記主磁極１１０と一体となり、ハイト方向（図示Ｙ方向）へトラック幅方向への幅寸法Ｗ１が前記トラック幅Ｔｗよりも広がって延びるヨーク部１２１が形成されている。この主磁極１１０とヨーク部１２１とで第１の磁性部１６０が構成される（図３参照）。ただし、前記主磁極１１０と前記ヨーク部１２１とが別体で構成されるものとして構成しても良い。図１に示す前記磁気ヘッドＨ１では、前記主磁極１１０と前記ヨーク部１２１とで構成される第１の磁性部１６０が、読取り部側に位置する磁性部となる。
【００３２】
前記トラック幅Ｔｗは具体的には０．０５μｍ〜１．０μｍ、前記長さＬ２は具体的には０．０５μｍ〜１．０μｍの範囲内で形成される。
【００３３】
また、前記ヨーク部１２１は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｗ１が最も広い部分で１μｍ〜１００μｍ程度であり、また前記ヨーク部１２１のハイト方向への長さ寸法Ｌ３は１μｍ〜１００μｍ程度である。
【００３４】
図２は図１の磁気ヘッドＨ１の正面図である。なお、図１は、磁気ヘッドを図２に示される一点鎖線で切断し、矢印方向からみた断面図である。
【００３５】
図２に示すように、対向面Ｈ１ａに現れている前記主磁極１１０は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がＷｔとなるように形成されている。なお、図示はしないが、前記ヨーク部１２１のトラック幅方向寸法は、主磁極１１０のトラック幅方向への幅寸法Ｗｔより大きくなっている（図３参照）。
【００３６】
図１および図２に示されるように、前記主磁極１１０の周囲には、第１絶縁性材料層１１１が設けられており、第１絶縁性材料層１１１の上には、第２絶縁性材料層１３１および第３絶縁性材料層１３２が形成されている。前記主磁極１１０の上面１１０ｃと、前記主磁極１１０の両側部に位置する第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａ、および第３絶縁性材料層１３２の上面１３２ａは同一面をなしている。
【００３７】
前記第１絶縁性材料層１１１および前記第３絶縁性材料層１３２が、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏで形成することができる。
【００３８】
前記第１絶縁性材料層１１１および前記第３絶縁性材料層１３２が、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成された場合、前記第２絶縁性材料層１３１は、例えばＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、ＳｉＮ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００３９】
また、前記第１絶縁性材料層および前記第３絶縁性材料層がＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成された場合、前記第２絶縁性材料層はＷ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００４０】
第１絶縁性材料層１１１、第２絶縁性材料層１３１、および第３絶縁性材料層１３２の構造的特徴は本発明の製造方法に由来するものである。この点については、後にくわしく説明する。
【００４１】
前記主磁極１１０およびヨーク部１２１の上と前記第１絶縁性材料層１１１、第２絶縁性材料層１３１および第３絶縁性材料層１３２の上には、アルミナまたはＳｉＯ2などの無機材料によって、ギャップ層１１２が設けられている。
【００４２】
図１に示すように、前記ギャップ層１１２上には、コイル絶縁下地層１１３を介して第２コイル層１１４が形成されている。前記第２コイル層は前記第１コイル層１０８と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。前記第２コイル層１１４は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００４３】
図３に示すように、前記第１コイル層１０８と前記第２コイル層１１４とは、それぞれのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部１０８ａおよび１１４ａ同士と、１０８ｂおよび１１４ｂ同士が電気的に接続されており、前記第１コイル層１０８と前記第２コイル層１１４とで、前記主磁極１１０および前記ヨーク部１２１とを軸にして巻回形成されたトロイダルコイル層１２０が形成されている。
【００４４】
前記第２コイル層１１４の周囲は、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１１５が形成され、このコイル絶縁層１１５の上から前記ギャップ層１１２上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料によって、本発明の第２の磁性部１６１であるリターンパス層１１６が形成されている。
【００４５】
図２に示すように、主磁極１１０の前端面１１０ａの厚み寸法Ｈｔは、リターンパス層１１６の前端面１１６ａの厚みＨｒよりも小さく、主磁極１１０の前端面１１０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｗｔは、リターンパス層１１６の前端面１１６ａの同方向での幅寸法Ｗｒよりも十分に短くなっている。その結果、対向面Ｈ１ａでは、主磁極１１０の前端面１１０ａの面積が、リターンパス層１１６の前端面１１６ａでの面積よりも十分に小さい。従って、主磁極１１０の前端面１１０ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【００４６】
前記リターンパス層１１６の前端面１１６ａは、記録媒体との対向面Ｈ１ａに露出している。また、対向面Ｈ１ａよりも奥側で、リターンパス層１１６の接続部１１６ｂと前記主磁極１１０とが接続されている。これにより、主磁極１１０からリターンパス層１１６を通る磁路が形成される。
【００４７】
なお、前記ギャップ層１１２上であって、記録媒体との対向面Ｈ１ａから所定距離離れた位置に、無機または有機材料によってＧｄ決め層１１７が形成されている。記録媒体との対向面Ｈ１ａからＧｄ決め層１１７の前端縁までの距離で、磁気ヘッドＨ１のギャップデプス長が規定される。
【００４８】
前記リターンパス層１１６の前記接続部１１６ｂのハイト方向（図示Ｙ方向）側には、前記第２コイル層１１４から延出されたリード層１１８が、コイル絶縁下地層１１３を介して形成されている。そして、リターンパス層１１６およびリード層１１８が、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１１９に覆われている。
【００４９】
前記磁気ヘッドＨ１では、リード層１１８を介して前記第１コイル層１０８および第２コイル層１１４に記録電流が与えられると、前記第１コイル層１０８および前記第２コイル層１１４を流れる電流の電流磁界によって前記主磁極１１０および前記リターンパス層１１６に記録磁界が誘導され、前記対向面Ｈ１ａにおいて、主磁極１１０の前端面１１０ａから記録磁界の磁束φ１が飛び出し、この記録磁界の磁束φ１が記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過し、これにより、記録媒体Ｍに記録信号が書き込まれた後、リターンパス層１１６の前端面１１６ａへ前記磁束φ１が戻る。
【００５０】
なお、図２に示すように、前記磁気ヘッドＨ１では、前記第１絶縁性材料層１１１の上に第２絶縁性材料層１３１が形成されているが、例えば図４に示すように、前記第１絶縁性材料層１１１の上に第２絶縁性材料層１３１が形成されていない構成である磁気ヘッドＨ１´としても良い。
【００５１】
図１ないし図３に示された前記磁気ヘッドＨ１の製造方法について以下に説明する。
図５ないし図９は前記磁気ヘッドＨ１の製造方法を工程別に示したものであるが、各図において左側の図は対向面Ｈ１ａ側から見た部分正面図、右側の図は縦断面図を示している。
【００５２】
図５に示す工程では、読取り部ＨR上に、コイル絶縁下地層１０７を介して、導電性材料で複数本の第１コイル層１０８を形成し、前記第１コイル層１０８の周囲を、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１０９を形成する。そして、このコイル絶縁層１０９の上面１０９ａをＣＭＰなどの公知の方法により研磨し、前記上面１０９ａを平坦化面とする。
【００５３】
次に、平坦化された前記コイル絶縁層１０９の上面１０９ａに、メッキ下地層１３０をスパッタにて成膜する。メッキ下地層１３０は、ＮｉＦｅなどの磁性材料によって形成することができる他、非磁性材料で形成することもできる。
【００５４】
次に、図６に示すように、前記メッキ下地層１３０の上にレジスト層Ｒを形成し、前記レジスト層Ｒをパターン露光して現像することにより、溝Ｒａを形成する。この溝Ｒａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の内幅寸法Ｗ２を有し、また対向面Ｈ１ａからの奥方向（ハイト方向；図示Ｙ方向）へ所定の奥行き寸法Ｌ１を有するように形成する。
【００５５】
ここで、図５に示すように、前記コイル絶縁層１０９の上面１０９ａはＣＭＰなどの方法により平坦に加工されているため、レジスト層Ｒを均一な膜厚に形成できる。よって、溝Ｒａの露光・現像処理の際に、溝Ｒａの内幅寸法を高精度に、すなわちばらつきを生じることなく形成できる。
【００５６】
そして、溝Ｒａ内において、前記メッキ下地層１３０を電極として使用し、主磁極１１０をメッキ形成する。その後レジスト層Ｒを除去する。
【００５７】
ここで、図６に示される主磁極１１０をメッキ形成する工程では、前記主磁極１１０の膜厚を、完成時の膜厚より大きくしておく必要がある。レジスト層Ｒを除去したあと、主磁極１１０の周囲に露出しているメッキ下地層１３０をイオンミリングなどによって除去する。また、イオンミリングによって主磁極１１０をトラック幅方向にけずり、主磁極１１０のトラック幅方向寸法を小さくしてもよい。
【００５８】
次に、図７に示される工程では、主磁極１１０の両側部、後方部、及び上部に第１絶縁性材料層１１１を設ける。主磁極１１０の両側部における第１絶縁性材料層１１１の膜厚Ｔ１を主磁極１１０の膜厚Ｔ２より小さくする。
【００５９】
前記第１絶縁性材料層１１１は、前記主磁極１１０の近傍で上方に盛り上がって形成される盛り上がり部１１１ｂと、この盛り上がり部１１１ｂの周囲に平坦化された平坦部１１１ｃが形成される。
【００６０】
さらに、第１絶縁性材料層１１１の上に第２絶縁性材料層１３１を積層する。図７に示すように、前記第２絶縁性材料層１３１は、前記第１絶縁性材料層１１１の前記平坦部１１１ｃ上に、前記主磁極１１０の両側面１１０ｄ、１１０ｄから所定間隔Ｗ３を空けて形成され、前記第１絶縁性材料層１１１の前記盛り上がり部１１１ｂの上には形成されていない。
【００６１】
後に主磁極１１０の上面を研磨する工程があるが、この研磨工程後の前記主磁極１１０の上面１１０ｃの位置が、前記第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａと下面１３１ｂの間の位置になるように、第２絶縁性材料層１３１を成膜する。
【００６２】
前記磁極層１１０、前記第１絶縁性材料層１１１、および前記第２絶縁性材料層１３１を、上面（図７における図示Ｚ方向）から見た状態を示した平面図が図８である。図８でハッチングを付した部分が前記第２絶縁性材料層１３１である。図８に示すように、前記第２絶縁性材料層１３１は前記主磁極１１０の周囲を囲むように、前記平坦部１１１ｃ上に形成されているが、前記対向面Ｈ１ａには前記第２絶縁性材料層１３１は現われないように形成されることが好ましい。これは、前記第２絶縁性材料層１３１が前記対向面Ｈ１ａから突出して形成されてしまう場合があるが、このように前記第２絶縁性材料層１３１が前記対向面Ｈ１ａから突出してしまうと、後に突出した部分の前記第２絶縁性材料層１３１を除去しなければならないため、製造工程が複雑になる。本願発明では、前記対向面Ｈ１ａには前記第２絶縁性材料層１３１は現われないように形成することによって、製造工程を少なくし、製造の容易性を与えている。
【００６３】
また、前記主磁極１１０の周縁１１０ｅから前記所定間隔Ｗ３を空けて前記第２絶縁性材料層１３１が形成される。このように、前記第２絶縁性材料層１３１を、前記主磁極１１０の周囲に所定間隔Ｗ３を空けて形成すると、前記第２絶縁性材料層１３１を多量に形成する必要がないため、製造コストの低廉化や製造工程の迅速化を図ることができる。
【００６４】
このように、前記第２絶縁性材料層１３１を、前記主磁極１１０の周囲に所定間隔Ｗ３を空けて形成しても、後記するＣＭＰの際に、前記第２絶縁性材料層１３１をストッパとして機能させることが可能である。ここで、前記間隔Ｗ３は、後記するＣＭＰ後における前記主磁極１１０の膜厚よりも大きくすることが好ましい。このように前記間隔Ｗ３を形成すると、前記第２絶縁性材料層１３１を確実に、前記平坦部１１１ｃの上に形成することが可能となる。
【００６５】
ただし本発明では、前記第２絶縁性材料層１３１が前記対向面Ｈ１ａに現われるように形成することを排除するものではない。
【００６６】
そして、第２絶縁性材料層１３１の上に、第３絶縁性材料層１３２を積層する。この第３絶縁性材料層１３２は、後記するＣＭＰの際に補助研磨層として機能するものである。
【００６７】
次に、図７に示すＤ−Ｄ線まで、前記主磁極１１０の上部にある、第３絶縁性材料層１３２、第１絶縁性材料層１１１をＣＭＰ研磨加工を施して削り、主磁極１１０の上面１１０ｃを露出させ、前記主磁極１１０の上面１１０ｃと前記第１絶縁性材料層１１１の上面１１１ａ、前記第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａ、および前記第３絶縁性材料層１３２の上面１３２ａを同一の平坦化面１４０とする。このＣＭＰを終了した時の状態を示したのが図９である。
【００６８】
このＣＭＰ研磨加工を、酸性スラリーを用いて加工加圧２５ｋｇｆで行うと、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成された第１絶縁性材料層１１１及び第３絶縁性材料層１３２の研磨速度と、ＳｉＯ2で形成された第２絶縁性材料層１３１の研磨速度の比は、２０：１になる。また、ＣＭＰ研磨加工を、アルカリ性スラリーを用いて行うとアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成された第１絶縁性材料層１１１及び第３絶縁性材料層１３２の研磨速度は、ＳｉＯ2で形成された第２絶縁性材料層１３１の研磨速度より大きくなる。
【００６９】
本発明では、図９に示す工程の研磨加工を、第２絶縁性材料層１３１をマーカ、すなわちストッパとして終了させる。
【００７０】
図９に示される工程の後、ギャップ層１１２、Ｇｄ決め層１１７、コイル絶縁下地層１１３、第２コイル層１１４、リード層１１８、コイル絶縁層１１５、リターンパス層１１６、保護層１１９を形成すると、図１ないし図３に示される磁気ヘッドＨ１を得ることができる。前記ギャップ層１１２、前記Ｇｄ決め層１１７、コイル絶縁下地層１１３、前記第２コイル層１１４、前記リード層１１８、前記コイル絶縁層１１５、前記リターンパス層１１６、前記保護層１１９の材料は、既に図１ないし図３を用いて説明しているので、ここでの説明は省略する。
【００７１】
本発明では、前記したように、図９に示す工程の研磨加工を、第２絶縁性材料層１３１をマーカ、すなわちストッパとして終了させる。ここで、第１絶縁性材料層１１１及び第２絶縁性材料層１３１の成膜は、スパッタ法などの薄膜技術を用いて行うので、第１絶縁性材料層１１１及び第２絶縁性材料層１３１の成膜膜厚は正確に制御できる。すなわち、第２絶縁性材料層１３１の厚み方向の位置は、正確に決めることができるので、第２絶縁性材料層１３１の位置まで研磨することにより、研磨量の正確な制御が可能になる。
【００７２】
そして、主磁極１１０の上面１１０ｃと第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａは同一面とされるので、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔも正確に制御することができる。
【００７３】
本発明では、同一条件下で研磨したときの、第２絶縁性材料層１３１の研磨速度が前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２の研磨速度より小さくなるように、前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２の材料と第２絶縁性材料層１３１の材料を選択している。即ち、同一条件下において、第２絶縁性材料層１３１のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートを、前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートよりも小さくなるように材料の選択を行っているのである。
【００７４】
例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用いて形成された第１絶縁性材料層１１１および第３絶縁性材料層１３２と、ＳｉＯ2を用いて形成された第２絶縁性材料層１３１とを同一条件下で研磨したとき、第２絶縁性材料層１３１の研磨速度は、第１絶縁性材料層１１１や第３絶縁性材料層１３２の研磨速度の２０分の１程度となり、図９に示される工程における研磨工程を、第２絶縁性材料層１３１の位置で確実に終了させることが容易になる。
【００７５】
なお、前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２の材料として、同一条件下で研磨したときの研磨速度が、第２絶縁性材料層１３１の研磨速度より大きくなる材料を用いると、研磨工程にかかる時間を短くできる。
【００７６】
このような理由から、前記第１絶縁性材料層１１１および前記第３絶縁性材料層１３２が、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成された場合、前記第２絶縁性材料層１３１は、例えばＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、ＳｉＮ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００７７】
また、前記第１絶縁性材料層および前記第３絶縁性材料層がＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成された場合、前記第２絶縁性材料層はＷ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００７８】
本発明では、図７に示すように、前記第２絶縁性材料層１３１は、前記第１絶縁性材料層１１１の前記平坦部１１１ｃ上に形成され、前記第１絶縁性材料層１１１の前記盛り上がり部１１１ｂの上には形成されていない。したがって、図７に示す工程でＣＭＰを行って図１０に示すような平坦化面１４０を形成するまでの工程で、前記第１絶縁性材料層１１１と前記第３絶縁性材料層１３２のみを削ることができる。したがって、ストッパ層として機能し、前記第１絶縁性材料層１１１及び前記第３絶縁性材料層１３２よりもエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層１３１は、ＣＭＰの際に削らない。
【００７９】
仮に、第２絶縁性材料層１３１と、前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２を同時に削った場合には、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが大きい前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２が、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層１３１よりも先に削れてしまうため、第２絶縁性材料層１３１と、前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２とで、同一の平坦化面を形成することは非常に困難となる。
【００８０】
しかし本願発明では、前記第１絶縁性材料層１１１や前記第３絶縁性材料層１３２と一緒に、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層１３１を削らなくて良いため、精度良く、しかも容易に平坦化面１４０を形成することができ、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できることとなる。
【００８１】
従って、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できるので、オーバーライト特性など磁気ヘッドの記録特性を均一化することが容易である。
【００８２】
また、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できるため、例えばスキュー角が発生しても、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。
【００８３】
図４に示すように、前記第１絶縁性材料層１１１の上に第２絶縁性材料層１３１が形成されていない構成である磁気ヘッドＨ１´を製造するには、図９に示す工程の後、前記第２絶縁性材料層１３１を除去し、図１０に示す状態とした後、ギャップ層１１２、Ｇｄ決め層１１７、コイル絶縁下地層１１３、第２コイル層１１４、リード層１１８、コイル絶縁層１１５、リターンパス層１１６、保護層１１９を形成すれば良い。
【００８４】
図１１は本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドを示す縦断面図、図１２は図１１に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面側からみた正面図である。図１１および図１２に示す磁気ヘッドＨ２も、記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させる、いわゆる垂直記録磁気ヘッドと呼ばれるものである。
【００８５】
図１１および図１２に示す磁気ヘッドＨ２は、図１および図２に示す前記磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分を有しているため、図１１および図１２に示す磁気ヘッドＨ２でも、図１および図２に示す前記磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分には同じ符号を付し、その詳しい説明を省略する。
【００８６】
図１１に示すように、スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂに形成された非磁性絶縁層１０２の上に読取り部ＨRが形成されている。
【００８７】
下部シールド層１０３と上部シールド層１０６と、下部シールド層１０３と上部シールド層１０６との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０５内に位置する読み取り素子１０４とで構成される読取り部ＨRの上に、記録用の磁気ヘッドＨ２が設けられている。磁気ヘッドＨ２の記録媒体との対向面Ｈ２ａは、スライダ１０１の対向面１０１ａとほぼ同一面である。
【００８８】
なお、読取り部ＨRを設けず、スライダ１０１のトレーリング側端部に垂直磁気記録用の磁気ヘッドＨ２のみを搭載してもよい。
【００８９】
前記上部シールド層１０６の上には、コイル絶縁下地層１０７を介して、導電性材料で形成された複数本の第１コイル層１０８が形成され、前記第１コイル層１０８の周囲は、コイル絶縁層１０９が形成されている。
【００９０】
前記コイル絶縁層１０９の上面１０９ａの上に、対向面Ｈ２ａからハイト方向に形成されたリターンパス層２１６が形成されている。このリターンパス層２１６は本発明の第２の磁性部２６１であり、パーマロイなどの強磁性材料によって形成されている。図１１に示す磁気ヘッドＨ２では、このリターンパス層２１６によって構成される第２の磁性部２６１が読取り部側に位置する磁性部となる。
【００９１】
前記リターンパス層２１６の上面のハイト方向後方（図示Ｙ方向）には、Ｎｉ−Ｆｅなどからなる接続層２２５が形成されている。
【００９２】
前記リターンパス層２１６の上に、コイル絶縁下地層１１３が形成されて、このコイル絶縁下地層１１３の上に第２コイル層１１４が形成されている。
【００９３】
そして、図１４に示すように、前記第１コイル層１０８と前記第２コイル層１１４とは、それぞれのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部１０８ａおよび１１４ａ同士と、１０８ｂおよび１１４ｂ同士が電気的に接続されており、前記第１コイル層１０８と前記第２コイル層１１４とで、前記リターンパス層２１６を軸にして巻回形成されたトロイダルコイル層１２０が形成されている。
【００９４】
前記第２コイル層１１４の周囲は、コイル絶縁層１１５が形成され、さらに絶縁層２３０で覆われている。前記絶縁層２３０は無機絶縁材料で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上を選択できる。この絶縁層２３０の上面２３０ａは平坦化面となるように加工されている。このような平坦化加工はＣＭＰ技術などを用いて行なわれる。
【００９５】
前記絶縁層２３０の上面２３０ａ上には、ギャップ層１１２、メッキ下地層１３０、主磁極１１０、およびヨーク部１２１が形成されている。この主磁極１１０とヨーク部１２１とで第１の磁性部１６０が構成される。ただし、前記主磁極１１０と前記ヨーク部１２１とが別体で構成されるものとして構成しても良い。
【００９６】
図１３は図１１および図１２に示す磁気ヘッドＨ２の前記リターンパス層２１６、前記接続層２２５および前記主磁極１１０を模式図的に示した部分斜視図である。図１１に示すように前記主磁極１１０は、前記対向面Ｈ２ａと同一面を成す前端面１１０ａからハイト方向（図示Ｙ方向）にトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで規定されて所定長さで延びている。前記トラック幅Ｔｗは具体的には０．０５μｍ〜１．０μｍ、前記長さＬ２は具体的には０．０５μｍ〜１．０μｍの範囲内で形成される。
【００９７】
図１２に示されるように、前記主磁極１１０の周囲には、第１絶縁性材料層１１１が設けられており、第１絶縁性材料層１１１１の上には、第２絶縁性材料層１３１および第３絶縁性材料層１３２が形成されている。前記主磁極１１０の上面１１０ｃと、前記主磁極１１０の両側部に位置する第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａ、および第３絶縁性材料層１３２の上面１３２ａは同一面をなしている。前記第１絶縁性材料層１１１は例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成され、前記第２絶縁性材料層１３１は、例えばＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、ＳｉＮ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＴｉ、Ｍｏ、ＣｒＮ、ＢＮ、Ｂ4Ｃ、ＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン）のいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【００９８】
前記第３絶縁性材料層１３２は、前記第１絶縁性材料層１１１と同じ材料、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成することができる。
【００９９】
図１３に示すように前記主磁極１１０の両側の基端部１１０ｂから前記主磁極１１０と一体となりトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｗ１が前記トラック幅Ｔｗよりも広がりながらハイト方向へ延びるヨーク部１２１が形成されている。前記ヨーク部１２１は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｗ１が最も広い部分で１μｍ〜１００μｍ程度であり、また前記ヨーク部１２１のハイト方向への長さ寸法Ｌ３は１μｍ〜１００μｍ程度である。
【０１００】
図１１及び図１３に示すように前記ヨーク部１２１の基端部１２１ａは、前記接続層２２５上に形成され、前記ヨーク部１２１と前記接続層２２５の上面２２５ａとが磁気的に接続されている。この結果、主磁極１１０、ヨーク部１２１、接続層２２５、リターンパス層２１６を経る磁気回路が形成される。
【０１０１】
前記接続層２２５のハイト方向（図示Ｙ方向）側には、前記第２コイル層１１４から延出されたリード層１１８が、コイル絶縁下地層１１３を介して形成されている。このリード層１１８の上には、前記コイル絶縁層１１５、および絶縁層２３０が形成され、主磁極１１０および前記絶縁層２３０が、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１１９に覆われている。
【０１０２】
前記磁気ヘッドＨ２では、リード層１１８を介して前記第１コイル層１０８および第２コイル層１１４に記録電流が与えられると、前記第１コイル層１０８および前記第２コイル層１１４を流れる電流の電流磁界によって前記主磁極１１０および前記リターンパス層２１６に記録磁界が誘導され、前記対向面Ｈ２ａにおいて、主磁極１１０の前端面１１０ａから記録磁界の磁束φ２が飛び出し、この記録磁界の磁束φ２が記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過し、これにより、記録媒体Ｍに記録信号が書き込まれた後、リターンパス層２１６の前端面２１６ａへ前記磁束φ２が戻る。
【０１０３】
図１１ないし図１４に示される磁気ヘッドＨ２の前記主磁極１１０を形成するときにも、図５ないし図９に示される工程と同様にして形成できる。図７に示される工程と同様に、メッキ形成された主磁極１１０の上部と両側部に第１絶縁性材料層１１１を積層した後、この第１絶縁性材料層１１１の平坦部１１１ｃの上に第２絶縁性材料層１３１を形成し、さらに第１絶縁性材料層１１１および第２絶縁性材料層１３１の上に第３絶縁性材料層１３２を積層して、ＣＭＰ研磨工程によって、図９に示すように平坦化面１４０を形成し、主磁極１１０の上面１１０ｃを露出させるのである。
【０１０４】
図１５は本発明の第３の実施形態の磁気ヘッドＨ３を、記録媒体との対向面側からみた部分正面図である。なお、図１５において、図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分には同じ符号を付し、その詳しい説明を省略する。
【０１０５】
図１５に示す磁気ヘッドＨ３では、主磁極１１０の両側面１１０ｄ、１１０ｄ側から、コイル絶縁層１０９の上面１０９ａにかけて、第１絶縁性材料層１１１が薄く形成されている。このときの第１絶縁性材料層１１１の膜厚は０．０５〜０．１μｍである。また、前記主磁極１１０の周囲には、第２絶縁性材料層１３１が設けられている。そして、前記第１絶縁性材料層１１１の上から前記第２絶縁性材料層１３１の前記主磁極１１０側の側面にかけて、第３絶縁性材料層１３２が形成されている。そして、前記主磁極１１０の上面１１０ｃと、前記主磁極１１０の両側部に位置する第２絶縁性材料層１３１の上面１３１ａ、および第１絶縁性材料層１１１の上面１１１ａは同一面をなしている。
【０１０６】
図１５に示す磁気ヘッドＨ３の主磁極１１０を製造するには、図１ないし図３に示す磁気ヘッドＨ１の製造工程を示す図７の工程で、図１６に示すように、前記主磁極１１０の上面１１０ｃ、および両側面１１０ｄ，１１０ｄから前記コイル絶縁層１０９の上面１０９ａにかけて前記第１絶縁性材料層１１１を形成する。このときの前記第１絶縁性材料層１１１の膜厚ｔ１は０．０５〜０．１μｍである。このとき、前記第１絶縁性材料層１１１には、前記主磁極１１０の形状に依拠した盛り上がり部１１１ｂが形成される。そして、盛り上がり部１１１ｂの周囲には、平坦化された平坦部１１１ｃが形成される。
【０１０７】
次に、前記平坦部１１１ｃ上に前記第２絶縁性材料層１３１を形成する。この第２絶縁性材料層１３１は前記平坦部１１１ｃ上にベタ膜状に形成した後、主磁極１１０の周囲に位置する部分をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）などの方法によって除去し、図１６に示す状態とする。このＲＩＥ工程のとき、前記主磁極１１０は前記第１絶縁性材料層１１１に覆われているため、ＲＩＥ工程によって損傷や腐食することを防止できる。また、後の工程で前記主磁極１１０の周囲にレジストを形成したり、このレジストを剥離（除去）する際、前記主磁極１１０が折れたり、または倒れたりすることを防止することができる。
【０１０８】
このときの前記第２絶縁性材料層１３１の膜厚ｔ２は、後記ＣＭＰ研磨加工後の主磁極１１０の膜厚と同じであり、例えば０．１〜０．５μｍである。そして、前記第１絶縁性材料層１１１および前記第２絶縁性材料層１３１の上に、前記第３絶縁性材料層１３２を積層する。
【０１０９】
次に、図１６に示すＤ−Ｄ線まで、前記主磁極１１０の上部にある、第３絶縁性材料層１３２と前記第１絶縁性材料層１１１をＣＭＰ研磨加工を施して削り、主磁極１１０の上面１１０ｃを露出させ、前記主磁極１１０の上面１１０ｃ、前記第３絶縁性材料層１３２の上面１３２ａ、前記第１絶縁性材料層１１１の上面を同一の平坦化面３４０とする。このＣＭＰを終了した時の状態を示したのが図１７である。
【０１１０】
本発明では、図１６に示す工程の研磨加工を、第２絶縁性材料層１３１をマーカ、すなわちストッパとして終了させる。ここで、第２絶縁性材料層１３１の成膜は、スパッタ法などの薄膜技術を用いて行うので、第２絶縁性材料層１３１の成膜膜厚は正確に制御できる。すなわち、第２絶縁性材料層１３１の厚み方向の位置は、正確に決めることができるので、第２絶縁性材料層１３１の位置まで研磨することにより、研磨量の正確な制御が可能になる。
【０１１１】
そして、主磁極１１０の上面１１０ｃと第３絶縁性材料層１３２の上面１３２ａは同一面とされるので、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔも正確に制御することができる。
【０１１２】
本発明では、同一条件下で研磨したときの、第２絶縁性材料層１３１の研磨速度が前記第３絶縁性材料層１３２の研磨速度より小さくなるように、前記第２絶縁性材料層１３１や前記第３絶縁性材料層１３２の材料を選択している。即ち、同一条件下において、第２絶縁性材料層１３１のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートを、前記第３絶縁性材料層１３２のＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートよりも小さくなるように材料の選択を行っているのである。
【０１１３】
例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用いて形成された第３絶縁性材料層１３２と、ＳｉＯ2を用いて形成された第２絶縁性材料層１３１とを同一条件下で研磨したとき、第２絶縁性材料層１３１の研磨速度は、第３絶縁性材料層１３２の研磨速度の２０分の１程度となり、図１６に示される工程における研磨工程を、第２絶縁性材料層１３１の位置で確実に終了させることが容易になる。
【０１１４】
なお、前記第３絶縁性材料層１３２の材料として、同一条件下で研磨したときの研磨速度が、第２絶縁性材料層１３１の研磨速度より大きくなる材料を用いると、研磨工程にかかる時間を短くできる。
【０１１５】
本発明では、図１６に示すように、前記第２絶縁性材料層１３１は、前記第３絶縁性材料層１３２の前記盛り上がり部１３２ｂの上には形成されていない。したがって、図１６に示す工程でＣＭＰを行って図１７に示すような平坦化面３４０を形成するまでの工程で、前記第３絶縁性材料層１３２のみを削ることができる。したがって、ストッパ層として機能し、前記第３絶縁性材料層１３２よりもＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層１３１は、ＣＭＰの際に削られない。
【０１１６】
仮に、第２絶縁性材料層１３１と、前記第３絶縁性材料層１３２を同時に削った場合には、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが大きい前記第３絶縁性材料層１３２が、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層１３１よりも先に削れてしまうため、第２絶縁性材料層１３１と前記第３絶縁性材料層１３２とで、同一の平坦化面を形成することは非常に困難となる。
【０１１７】
しかし本願発明では、前記第３絶縁性材料層１３２と一緒に、ＣＭＰ加工レートまたはエッチングレートが小さい前記第２絶縁性材料層１３１を削らなくて良いため、精度良く、しかも容易に平坦化面３４０を形成することができ、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できることとなる。
【０１１８】
従って、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できるので、オーバーライト特性など磁気ヘッドの記録特性を均一化することが容易である。
【０１１９】
また、主磁極１１０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できるため、例えばスキュー角が発生しても、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。
【０１２０】
なお、図１６および図１７に示した主磁極１１０の製造方法は、図１１ないし図１４に示した前記磁気はヘッドＨ２の主磁極を製造する際にも適用できる。
【０１２１】
なお、本発明では、主磁極１１０とリターンパス層１１６、２１６を接続している接続部１１６ｂや、接続層２２５を軸として、これら接続部１１６ｂや接続層２２５の周囲をスパイラル状に巻回されたコイル層を形成してもよい。
【０１２２】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０１２３】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを示す縦断面図。
【図２】図１に示す磁気ヘッドの部分正面図。
【図３】図１に示す磁気ヘッドの部分平面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態の他の例の磁気ヘッドを示す部分正面図。
【図５】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図。
【図６】図５に示す工程の次に行われる一工程図。
【図７】図６に示す工程の次に行われる一工程図。
【図８】図６に示す工程の次に行われる一工程図。
【図９】図７に示す工程の次に行われる一工程図。
【図１０】図４に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドを示す縦断面図。
【図１２】図１１に示す磁気ヘッドの部分正面図。
【図１３】図１１に示す磁気ヘッドの部分斜視図。
【図１４】図１１に示す磁気ヘッドの部分平面図。
【図１５】本発明の第３の実施の形態の磁気ヘッドを示す縦断面図。
【図１６】図１５に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図。
【図１７】図１６に示す工程の次に行われる一工程図。
【図１８】従来の磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図。
【図１９】図１８に示す工程の次に行われる一工程図。
【図２０】従来の磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図。
【図２１】図２０に示す工程の次に行われる一工程図。
【符号の説明】
【０１２５】
１１０  主磁極
１１０ｃ  上面
１１０ｄ  側面
１１１  第１絶縁性材料層
１１１ａ  上面
１１１ｂ  盛り上がり部
１１１ｃ  平坦部
１３１  第２絶縁性材料層
１３１ａ  上面
１３１ｂ  下面
１３２  第３絶縁性材料層
１４０  平坦化面
３４０  平坦化面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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