(57)【要約】  【課題】  後加工を必要とすることなく、導体板と誘電体線路との密着性を良好なものとした、より低損失な非放射性誘電体線路を提供する。  【解決手段】  上下に配置した平行平板状の導体板１，２間に誘電体線路４を配置するとともに、上下の導体板１，２がスペーサ３を介して所定の間隔に保持されており、誘電体線路４は、その高さが前記所定の間隔よりも小さく、下部導体板１に、その隙間を接着剤５で充填して接着されている非放射性誘電体線路である。誘電体線路４を下部導体板１に接着剤５にて隙間を充填して接着させた構造としているため、誘電体線路４および接着剤５との合計高さを所定の間隔に合わせて、誘電体線路４と下部および上部導体板１，２との密着性を良好なものとすることができる。【選択図】  図１
2005073178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下に配置した平行平板状の導体板間に誘電体線路を配置するとともに、上下の前記導体板がスペーサもしくは前記導体板に一体的に設けられた導体壁を介して所定の間隔に保持されており、前記誘電体線路は、その高さが前記所定の間隔よりも小さく、前記導体板の少なくとも一方に、その隙間を接着剤で充填して接着されていることを特徴とする非放射性誘電体線路。
【請求項２】
上下の平行平板状の導体板間に該導体板との間に接着剤を付与した誘電体線路を配置し、上下の前記導体板を所定の間隔に保持するスペーサもしくは前記導体板に一体的に設けられた導体壁を介して一体化する非放射性誘電体線路の製造方法であって、上下の前記導体板間に前記所定の間隔よりも高さが小さい前記誘電体線路を前記接着剤を付与して合計高さを前記所定の間隔より大きくして配置する工程と、次いで上下の前記導体板を前記所定の間隔で一体化する工程と、しかる後、前記接着剤を硬化させて前記誘電体線路を前記導体板に接着する工程とを具備することを特徴とする非放射性誘電体線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は車間レーダーや高速無線通信等に使用されるミリ波モジュールに使用される非放射性誘電体線路に関し、特に誘電体線路と上下の導体板との密着性を良好なものとした非放射性誘電体線路およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、車間レーダーや高速無線通信等に使用されるミリ波モジュール等を構成する高周波要の回路素子として、上下導体板間に誘電体線路を挟持して構成される非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）が知られている。
【０００３】
また、その製造方法については、例えば、上下の導体板の間に、それら導体板を所定の間隔に保持するためのスペーサとともに誘電体線路を配置し、上下の導体板をネジ止め等によって一体化することによって誘電体線路を挟み込んで固定するということが行なわれていた。
【０００４】
あるいは、誘電体線路を樹脂で構成する場合には、誘電体線路の一部の断面を構成する樹脂フィルムを予め上側導体板に固着するとともに、同じく誘電体線路の一部の断面を構成する樹脂ブロックを予め下側導体板に固着し、この樹脂ブロックを誘電体線路の形状にする切削加工等を加えた後、これら上側導体板と下側導体板とをスペーサを介して一体化することにより行なうものが開示されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特許第3280776号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の非放射性誘電体線路においては、上下の導体板間に誘電体線路を挟み込んで一体化しているため、導体板と誘電体線路との間には、両者の平面度が悪い場合には隙間ができることとなり、その結果、非放射性誘電体線路の放射損が増大してしてしまうという問題点があった。
【０００６】
また、特許文献１に記載された方法によっても、誘電体線路と導体板との間に隙間を発生させないようにするには、誘電体線路の寸法精度を高めるために誘電体線路となる樹脂ブロックに対して精密な切削加工が必要であり、不必要な工数がかかってしまうという問題点があった。
【０００７】
本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、誘電体線路と導体板との間に隙間ができることがない、低損失の非放射性誘電体線路を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、誘電体線路と導体板との間に隙間ができることがない、低損失の非放射性誘電体線路を得ることができる、非放射性誘電体線路の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の非放射性誘電体線路は、上下に配置した平行平板状の導体板間に誘電体線路を配置するとともに、上下の前記導体板がスペーサもしくは前記導体板に一体的に設けられた導体壁を介して所定の間隔に保持されており、前記誘電体線路は、その高さが前記所定の間隔よりも小さく、前記導体板の少なくとも一方に、その隙間を接着剤で充填して接着されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の非放射性誘電体線路の製造方法は、上下の平行平板状の導体板間に該導体板との間に接着剤を付与した誘電体線路を配置し、上下の前記導体板を所定の間隔に保持するスペーサもしくは前記導体板に一体的に設けられた導体壁を介して一体化する非放射性誘電体線路の製造方法であって、上下の前記導体板間に前記所定の間隔よりも高さが小さい前記誘電体線路を前記接着剤を付与して合計高さを前記所定の間隔より大きくして配置する工程と、次いで上下の前記導体板を前記所定の間隔で一体化する工程と、しかる後、前記接着剤を硬化させて前記誘電体線路を前記導体板に接着する工程とを具備することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の非放射性誘電体線路によれば、上下に配置した平行平板状の導体板間に誘電体線路を配置するとともに、上下の前記導体板がスペーサもしくは前記導体板に一体的に設けられた導体壁を介して所定の間隔に保持されており、前記誘電体線路は、その高さが前記所定の間隔よりも小さく、前記導体板の少なくとも一方に、その隙間を接着剤で充填して接着されていることから、誘電体線路の高さやスペーサあるいは導体壁の高さのバラツキがある場合であっても、誘電体線路およびこれと接触する導体板の平面度が必ずしも良好なものでなくとも、それらによる導体板と誘電体線路との間の隙間は、予め高さを所定の間隔とした誘電体線路と所定の間隔の導体板との間の隙間に充填した接着剤により吸収され、両者の間に隙間が発生してしまうようなことがないので、また、誘電体線路に対する精密な後加工を必要とすることもないので、誘電体線路と上下の導体板との密着性が良好であり、低損失な誘電体線路を安定して得ることができる。
【００１２】
また、本発明の非放射性誘電体線路の製造方法によれば、上下の導体板間にスペーサもしくは導体板に一体的に設けられた導体壁による所定の間隔よりも高さが小さい誘電体線路を接着剤を付与して合計高さを所定の間隔より大きくして配置する工程と、次いで上下の導体板を所定の間隔で一体化する工程と、しかる後、接着剤を硬化させて誘電体線路を導体板に接着する工程とを具備することから、所定の間隔よりも高さが小さい誘電体線路と接着剤との合計高さがスペーサもしくは導体壁の高さよりも大きいために、その次に上下の導体板を所定の間隔で一体化する際に、接着剤は圧迫されて容易に変形するとともに、誘電体線路は直接にあるいは接着剤を介して導体板と全面的に隙間なく接することとなる。そして、その後に上下の導体板を所定の間隔で一体化した状態で接着剤を硬化させて誘電体線路を導体板に接着させるので、誘電体線路は導体板と全面的に隙間なく接している状態を保ったまま導体板に接着されることとなる。その結果、導体板と誘電体線路との間の隙間をなくすことが容易に可能となり、少ない工数でしかも容易に、誘電体線路と導体板との間に隙間ができることがない、低損失な非放射性誘電体線路を安定して得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明の非放射性誘電体線路およびその製造方法を詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の非放射性誘電体線路の実施の形態の一例を示す断面図である。
【００１５】
図１において、１は下部導体板、２は上部導体板、３はスペーサ、４は誘電体線路、５は接着剤である。この例においては、誘電体線路４は下部導体板１に接着剤５により接着されており、同時に上部導体板２と隙間なく密着している。
【００１６】
このような非放射性誘電体線路は、使用周波数において空気中を伝搬する電磁波（高周波信号）の空気中での波長λに対して、λ／２以下である所定の間隔で平行平板状の下部導体板１と上部導体板２との間に誘電体線路４を介装することにより、その誘電体線路４に沿って高周波信号の電磁波が伝搬でき、放射波は下部導体板１および上部導体板２による遮断効果によって抑制されるという動作原理に基づいて構成されている。なお、この誘電体線路４は、例えば複数の線路部分を用いて、それらの端面同士を所定間隔で対向配置して構成したものであってもよい。なお、本発明の非放射性誘電体線路が好適に使用される使用周波数は、数10〜数100ＧＨｚ帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域である。
【００１７】
この非放射性誘電体線路の電磁波伝搬モードとしては、ＬＳＭモードおよびＬＳＥモードの２種類があることが知られているが、一般的には損失の小さいＬＳＭモードが使用されている。また、誘電体線路４は、直線状に配設される他に、曲線状に配設される場合もあり、これにより高周波信号の電磁波を容易に曲線的に伝搬させることができ、ミリ波集積回路の小型化に有利で、自由度の高い回路設計ができるという利点を持っている。
【００１８】
下部導体板１および上部導体板２は、高い電気伝導度および加工性等の点からは、銅，アルミニウム，鉄，ＳＵＳ（ステンレススチール），銀，金，白金等の金属から成り、鍛造法，鋳造法，ダイカスト法，研削法等で加工された平板状の金属板を用いるとよい。あるいは、セラミックスや樹脂等から成る平板状の絶縁板の表面に、これらの金属から成る導体層を形成したものでもよい。
【００１９】
本発明の非放射性誘電体線路においては、下部導体板１および上部導体板２は、誘電体線路４に対向する面（平行に配置される内面）の算術平均粗さＲａが0.1μｍ≦Ｒａ≦50μｍを満足するものであることが好ましい。
【００２０】
Ｒａが0.1μｍよりも小さな値になると、誘電体線路４を下部導体板１あるいは上部導体板２に接着剤５で接着したときに、アンカー効果が小さいため長期にわたって強固な接着状態を保持することが困難となり、時間が経過すると誘電体線路４が下部導体板１あるいは上部導体板２から剥離しやすくなる傾向があり、耐久性に劣るものとなる傾向がある。したがって、内面に適当な凹凸があることにより接着剤５によってアンカー効果でその内面に誘電体線路４を強固に接着することができることになることから、算術平均粗さＲａを0.1μｍ以上とすることが好ましい。
【００２１】
他方、Ｒａを50μｍ以下とするとよいのは、高周波信号により下部導体板１および上部導体板２に生じる電流は、表皮効果のために下部導体板１および上部導体板２の内面の表面に集中することになるが、その内面のＲａが50μｍよりも大きな値になると、内面の表面における電流経路が長くなって表面抵抗が大きくなるため、高周波信号の導体損失が増大して伝送損失が大きくなる傾向がある。従って、伝送損失を効果的に抑制するために、Ｒａを50μｍ以下とすることが好ましい。なお、Ｒａはより好ましくは0.1μｍ≦Ｒａ≦10μｍを満足するのがよく、さらに好ましくは0.2μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、最適には0.3μｍ≦Ｒａ≦３μｍを満足するのがよい。
【００２２】
スペーサ３は、下部導体板１および上部導体板２の間に位置してこれらを所定の間隔で配置するためのものであり、下部導体板１および上部導体板２と同様の金属あるいは導電率の高い複合材料あるいは表面を金属で被覆した成形部品から成る部材である。また、下部導体板１および上部導体板２を所定の間隔で配置するには、このような別個の部材としてのスペーサ３の他に、下部導体板１および上部導体板２の一方に、相手側の対向する内面に当接する同様の形状の導体壁を一体に形成して、あるいは導体壁部材を取着して、導体壁を一体的に設けておき、これによって下部導体板１および上部導体板２を所定の間隔に保持するようにしてもよい。さらに、導体壁は、下部導体板１および上部導体板２の両方に形成してもよく、これら導体壁同士を互いに当接させて下部導体板１および上部導体板２を所定の間隔に保持するようにしてもよい。このようなスペーサ３や導体壁は、下部導体板１および上部導体板２の適当な部位に複数配置しておけばよい。
【００２３】
これらスペーサ３や導体壁を介して下部導体板１および上部導体板２を一体化するには、ネジ等の締結手段を用いてもよく、接着剤やろう材等等の接着手段を用いてもよく、金属部材同士の溶接等の融着によってもよい。
【００２４】
誘電体線路４は、その下部導体板１および上部導体板２間における高さが、上下の導体板１，２間の所定の間隔よりも小さいものである。これによりその高さと所定の間隔との差により隙間が生じ、その隙間に後述する接着剤５が充填されることによって、誘電体線路４が接着剤５により強固に接着され、下部導体板１および上部導体板２間に隙間なく保持さて良好に配設される。
【００２５】
誘電体線路４の高さは、スペーサ３や導体壁の高さにより決められる上下の導体板１，２間の所定の間隔よりも、５μｍ〜100μｍ小さいことが好ましい。誘電体線路４の高さの所定の間隔に対する小ささが５μｍ未満では、上下の導体板１，２や導体壁の反り等の加工精度を同じく５μｍ未満としなければ接着剤５充填用の適切な隙間を作ることができず、極めて精密な加工を行なう必要があり、そのため高価な部品を使用しなければならなくなる傾向がある。他方、誘電体線路４の高さが所定の間隔よりも100μｍを超えて小さいものとなると、接着剤５の厚みが100μｍを超えるものとなるが、一般的に接着剤５は誘電体線路４用の材料とは比誘電率が異なり、またミリ波に対する損失が大きいため、線路の挿入損失が大きくなる傾向がある。従って、誘電体線路４の高さを所定の間隔よりも５μｍ〜100μｍ小さいものとしておくことによって、適切な加工精度で作製できるとともにミリ波に対する損失も低く抑えることができ、この非放射性誘電体線路を用いて安価で量産可能な部品を使用しながら高性能のミリ波モジュールを製造することが可能となる。
【００２６】
誘電体線路４は、四フッ化エチレンやポリスチレン等の誘電体樹脂材料、あるいはセラミックス等の誘電体無機材料から成る線路形状の部材である。誘電体線路４は、セラミックスから成る場合であれば、例えば、使用周波数60ＧＨｚでのＱ値が1000以上である、マグネシウム，アルミニウム，シリコンの複合酸化物を主成分とし、焼結温度範囲の制御や機械的特性向上を目的に必要に応じて、希土類元素化合物や、バリウム，ストロンチウム，カルシウム，ニッケル，コバルト，インジウム，ガリウム，チタン等の酸化物、ならびに窒化ケイ素等の窒化物等の非酸化物といった他の成分を含有させたセラミックスを用いるのがよい。このセラミックスは比誘電率が4.5〜８程度であり、比誘電率をこの範囲とすると、ＬＳＭモードの電磁波のＬＳＥモードへの変換が大きくなることがなく、また、50ＧＨｚ以上の周波数で使用する場合にも誘電体線路４の幅を強度の点で問題が生じる程に細くする必要もなくて、加工が容易で良好な形状精度を維持することができるからである。また、このセラミックスは、近年におけるマイクロ波帯域，ミリ波帯に含まれる60ＧＨｚで使用される誘電体線路４として、十分な低損失性を実現することができるものである。
【００２７】
また、誘電体線路４のその他の材料としては、その要求特性に応じて、四フッ化エチレン，ポリスチレン，ガラスエポキシ樹脂等の樹脂系のものを用いても、アルミナセラミックス，ガラスセラミックス，フォルステライトセラミックス等のセラミックスを用いてもよい。
【００２８】
接着剤５は、ディスペンサーや印刷法等の手法を用いて誘電体線路４または下部導体板１，上部導体板２の接着箇所に必要な量を塗布でき、かつ組立終了後に最終的な硬化を行なえるものであればよく、具体的には１Ｐａｓ〜200Ｐａｓ程度の粘度を持つ熱硬化性樹脂から成るものが好ましい。そのような熱硬化性樹脂の材料としては、エポキシ樹脂，アクリル樹脂，シリコーン樹脂等が使用可能である。
【００２９】
次に、このような本発明の非放射性誘電体線路の製造方法の実施の形態の例について説明する。
【００３０】
まず、上下の平行平板状の導体板となる下部導体板１および上部導体板２を用意する。また、これとともに、下部導体板１および上部導体板２を所定の間隔に保持するためのスペーサ３を用意するか、下部導体板１および上部導体板２の少なくとも一方に導体壁を設けておくかしておき、さらに所定の間隔よりも高さが小さい誘電体線路４を用意する。
【００３１】
次に、誘電体線路４の下面もしくは上面または上下の両面に接着剤５を付与し、誘電体線路４の高さと接着剤５の厚みとの合計高さを所定の間隔よりも大きくしておく。
【００３２】
このとき、接着剤５の厚みは10μｍ乃至200μｍとしておき、この接着剤５と誘電体線路４との合計高さを所定の間隔よりも５μｍ乃至195μｍ大きくしておくとよい。接着剤５の厚みが10μｍ未満であると、スペーサー３の厚みが誘電体線路４の厚みより５μｍ大きい場合を想定すると上下の導体板１，２の平面度によっては上部導体板２あるいは下部導体板１と誘電体線路４との間に空隙が生じる場合があり、線路の挿入損失が著しく増加する結果となる傾向がある。他方、接着剤５の厚みが200μｍを超えると、誘電体線路４の周辺に形成される接着剤５のメニスカスが大きくなり、やはり挿入損失が増加する結果となる傾向がある。また、接着剤５と誘電体線路４との合計高さの所定の間隔より大きい大きさが５μｍ未満であると、やはり上下の導体板１，２の平面度によっては上部導体板２あるいは下部導体板１と誘電体線路４との間に空隙が生じる場合があり、線路の挿入損失が著しく増加する結果となる傾向がある。他方、接着剤５と誘電体線路４との合計高さが所定の間隔よりも195μｍを超えて大きくなると、同様に誘電体線路４の周辺に形成される接着剤５のメニスカスが大きくなり、やはり挿入損失が増加する結果となる傾向がある。従って、接着剤５の厚みは10μｍ乃至200μｍとしておき、この接着剤５と誘電体線路４との合計高さを所定の間隔よりも５μｍ乃至195μｍ大きくしておくことにより、非放射性誘電体線路の挿入損失を低く抑えることができるようになる。
【００３３】
そして、このように接着剤５を付与した誘電体線路４を、下部導体板１および上部導体板２間に配置する。
【００３４】
このとき、例えば図１に示すように、下部導体板１に誘電体線路４を接着剤５を介して配置する場合であれば、誘電体線路４を熱硬化性樹脂から成る未硬化の接着剤５を介して下部導体板１に載置し、次にこの接着剤５をいわゆるＢステージの温度に加熱して半硬化させて、接着剤５が変形可能であり誘電体線路４の位置の修正が可能な状態で仮固定しておく。あるいは、誘電体線路４を熱硬化性樹脂から成る粘度の高い接着剤５を介して下部導体板１に載置し、同様に接着剤５が変形可能であり誘電体線路４の位置の修正が可能な状態で仮固定しておく。これにより、誘電体線路４を精度よく位置決めして上下の導体板１，２間に配置させることができる。
【００３５】
次いで、下部導体板１および上部導体板２をスペーサ３または導体壁を介して所定の間隔で一体化する。この一体化は、前述のように、締結手段を用いても、接着手段を用いても、融着によってもよい。これにより、接着剤５の厚みが、接着剤５と誘電体線路４との合計高さが所定の間隔と同じになるまで減少させられることとなり、一体化した下部導体板１および上部導体板２の間に、誘電体線路４がそれら導体板１，２との間に隙間を生ずることなく配置されることとなる。
【００３６】
しかる後、接着剤５を熱硬化温度以上の温度に加熱することによって硬化させて、誘電体線路４を下部導体板１に接着剤５により接着する。これにより、誘電体線路４が上下の導体板１，２間にそれら導体板１，２との間に隙間のない状態で精度よく固定されて、低損失な本発明の非放射性誘電体線路が得られる。
【００３７】
なお、この例では誘電体線路４を熱硬化性の接着剤５を用いて。下部導体板１に接着する場合を示したが、誘電体線路４は接着剤５を上面に付与して上部導体板２に接着してもよく、上下面に付与して下部導体板１と上部導体板２の両方に接着してもよい。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明の非放射性誘電体線路について具体例を説明する。
【００３９】
まず、比誘電率が5.0で、誘電損失が４×10−４（60ＧＨｚ）のコージェライトセラミックスよりなる誘電体磁器から成る誘電体線路４を用いて、図２に平面図で示す本発明の非放射性誘電体線路の実施の形態の他の例としての、90°ベンドの非放射性誘電体線路を作製した。なお、図２において図１と同様の箇所には同じ符号を付してあり、１は下部導体板、３はスペーサである。また、41は誘電体線路４のベンド部、42は誘電体線路４の直線部、６は誘電体線路４とこれに接続される外部の導波管とを接続するための変換ポートである。
【００４０】
本例では、下部導体板１および上部導体板２として５ｍｍｔ×100ｍｍ□の大きさで平面度が５μｍ以下の銅板を用いた。この銅板には４隅にネジ止め用の穴を開けてある。またスペーサ３として1.8ｍｍｔ×10ｍｍ□の大きさで同じく平面度が５μｍ以下の銅板を４枚用いて、下部導体板１の４隅に配置した。このスペーサには中央に上下の導体板１，２のネジ止め用の穴に合わせてネジ止め用の穴（図２のスペーサ３の中に○印で示している。）を開けてある。
【００４１】
また、上記の誘電体磁器を用いて、誘電体線路４として、0.8ｍｍｗ×1.8ｍｍｈ×40ｍｍｌに成形された直線部41を２本、0.8ｍｍｗ×1.8ｍｍｈ×3.25ｍｍＲのベンド部42として成形されたものを１個、誘電体線路４の直線部41と導波管とを接続するための変換ポート６として成形されたものを２個、それぞれ作製した。なお、スペーサ３の高さは1.8±0.001ｍｍとし、誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）の高さは1.795ｍｍ〜1.790ｍｍとした。
【００４２】
これらの部材を用いて、図２に示すように配置するために、下部導体板１の誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）が配置される部位にエポキシ製の熱硬化性樹脂から成る接着剤５を20〜30μｍの厚さで塗布し、その場所に誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）を配置して誘電体線路４に接着剤５を付与し、スペーサ３を配置した後、上部導体板２をネジ止めして下部導体板１と一体化した。その後、接着剤５を熱硬化し、誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）を下部導体板１に接着して、本発明の非放射性誘電体線路Ａを作製した。
【００４３】
また、非放射性誘電体線路Ａと同じ部材を用い、下部導体板１の誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）が配置される部位にエポキシ製の熱硬化性樹脂から成る接着剤５を20〜30μｍの厚さで塗布し、その部位に誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）を配置し、次いで、上部導体板２を載置したときと同じ大きさの荷重を誘電体線路４（直線部41，ベンド部42）に加えながら加熱して、接着剤５を硬化させた。その後、スペーサ３を配置し、上部導体板２をネジ止めして下部導体板１と一体化して、本発明の非放射性誘電体線路Ｂを作製した。
【００４４】
また、比較例として、上記と同じ上部導体板および下部導体板を用いて、四フッ化エチレン製の2.0ｍｍｗ×1.8ｍｍｈ×33.5ｍｍｌの誘電体線路（直線部）２本と、2.0ｍｍｗ×1.8ｍｍｈ×20.0ｍｍＲのベンド部１個と、変換ポート２個とを、あらかじめ下部導体板に接着剤にて固着し、その後、上記と同様のスペーサを配置して上部導体板をネジ止めして下部導体板と一体化し、比較例の非放射性誘電体線路Ｃを作製した。この場合の誘電体線路の高さについては1.8±0.005ｍｍとした。
【００４５】
また同様に、比較例として、非放射性誘電体線路Ｃと幅および長さが同じで、高さが1.9ｍｍの四フッ化エチレン製の誘電体線路を下部導体板に接着剤にて固着し、その後、高さが1.8ｍｍになるように精密切削加工を行ない、その後、上部導体板とスペーサとをネジ止めし、非放射性誘電体線路Ｄを作製した。
【００４６】
そして、これら非放射性誘電体線路Ａ，B，Ｃ，Ｄの各10個について、76.5ＧＨｚにおける挿入損失をネットワークアナライザを用いて測定した。これらの結果を表１に示す。表１には、各例の挿入損失について、最大値と最小値と平均値とを示した。単位はいずれもｄＢである。
【表１】
2005073178.tif 000003
【００４７】
表１に示す結果から明らかなように非放射性誘電体線路ＡおよびＢは、挿入損失の最大値および挿入損失の平均値において非放射性誘電体線路Ｃよりも優れている。特に、非放射性誘電体線路Ａは、精密切削加工等の後加工を必要としないにもかかわらず、非放射性誘電体線路Ｄとほぼ同等の特性を有している。
【００４８】
これにより、本発明の非放射性誘電体線路は、低伝送損失特性を有する非放射性誘電体線路であることが確認できた。
【００４９】
なお、以上はあくまで本発明の実施の形態の例示であって、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。例えば、誘電体線路には他のセラミックスを用いてもよく、また四フッ化エチレン等の樹脂を用いてもよい。また、下部導体板１および上部導体板２に用いる金属板には、銅以外にアルミニウム等を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の非放射性誘電体線路の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の非放射性誘電体線路の実施の形態の他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・・・下部導体板
２・・・・・上部導体板
３・・・・・スペーサ
４・・・・・誘電体線路
41・・・・・ベンド部（誘電体線路）
42・・・・・直線部（誘電体線路）
５・・・・・接着剤
６・・・・・変換ポート
【図１】
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【図２】
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