(57)【要約】【課題】  ベースフィルムに成膜した磁性膜の静磁気特性を向上させる。【解決手段】  ベースフィルムＦ上に非磁性下地膜と、磁性膜とを順次積層する際、非磁性下地膜の成長粒子の方向と磁性膜の成長粒子の方向とがベースフィルムＦ面に対する平面内で異なり、かつ磁性膜の厚さは、２００〜１０００Åである。また、非磁性下地膜の成長粒子は、ベースフィルムＦ側から表面に向って連続的に変化して、密から粗になり、磁性膜の成長粒子は、非磁性下地膜側から表面に向って連続的に変化して、粗から密になっている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルム上に非磁性下地膜と、磁性膜とを順次積層した薄膜磁気テープにおいて、
前記非磁性下地膜の成長粒子の方向と前記磁性膜の成長粒子の方向とが前記ベースフィルム面に対する平面内で異なり、かつ前記磁性膜の厚さは、２００〜１０００オングストロームであることを特徴とする薄膜磁気テープ。
【請求項２】
ベースフィルム上に非磁性下地膜と、磁性膜とを順次積層した薄膜磁気テープにおいて、
前記非磁性下地膜の成長粒子は、前記ベースフィルム側から表面に向って連続的に変化して、密から粗になり、前記磁性膜の成長粒子は、前記非磁性下地膜側から表面に向って連続的に変化して、粗から密になり、かつ前記磁性膜の厚さは、２００〜１０００オングストロームであることを特徴とする薄膜磁気テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、斜方蒸着法を適用した薄膜磁気テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディジタル・ビデオ／オーディオ・テープレコーダなどに適用される磁気テープは、高密度及び薄膜化を達成するために、とくに、斜方蒸着法を適用した薄膜磁気テープが注目されている。
【０００３】
図５は斜方蒸着法を適用した従来の薄膜磁気テープ成膜装置の構成を示した構成図、図６は図５に示した冷却キャンロールの近傍を示した斜視図である。
【０００４】
まず、上記した薄膜磁気テープは、一般的に、磁性膜が斜方蒸着法により薄膜に成膜されている。
【０００５】
即ち、図５に示した如く、斜方蒸着法を適用した従来の薄膜磁気テープ成膜装置１Ａは、真空槽２内が図示しない真空ポンプによりは真空状態に保たれている。この真空槽２内には、一対のフィルム巻回用ロール３Ａ，３Ｂと、一対のテープガイドロール４Ａ，４Ｂと、冷却キャンロール５とが回転自在に配置されている。そして、ベースフィルムＦへの通常の成膜時には、一対のフィルム巻回用ロール３Ａ，３Ｂのうちで一方（供給側）のフィルム巻回用ロール３Ａに巻回したベースフィルムＦを、テープガイドロール４Ａ，冷却キャンロール５，テープガイドロール４Ｂに沿って他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ｂに向かって矢印Ｓ１方向に順走行させている。
【０００６】
この際、薄膜磁気テープの媒体素材となるベースフィルムＦは、一般的に厚さが略６．４μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いている。また、冷却キャンロール５の内部には、冷却器（図示せず）が設置され、蒸着時にベースフィルムＦの温度上昇による変形などを抑制している。
【０００７】
また、真空槽２内で冷却キャンロール５の斜め右下方には、ルツボ材料としてＭｇＯ（マグネシア）を用いて箱状に形成したルツボ６が設置されている。このルツボ６内には、Ｃｏなどの磁性金属材７が収容されている。
【０００８】
また、真空槽２の右側壁２ａには、ルツボ６内に収容したＣｏなどの磁性金属材７を溶融蒸発させるための蒸発用熱源となるピアス型電子銃８が斜め下方のルツボ６に向かって取り付けられている。このピアス型電子銃８は、ルツボ６内の磁性金属材７に向かって電子ビーム８ａが出射されており、磁性金属材７を溶融して冷却キャンロール５に沿って走行しているベースフィルムＦに蒸着させている。
【０００９】
また、ベースフィルムＦの走行時に、ルツボ６から蒸発した磁性金属材蒸気７ａが冷却キャンロール５に付着しない様にベースフィルムＦのエッジ部分を覆う必要がある。更に、薄膜磁気テープを作製する場合には電磁変換特性上の要求から、ベースフィルムＦの面に対して蒸発したＣｏなどの磁性金属材蒸気７ａの付着入射角度を制限（これを一般に斜方蒸着と呼ぶ。）する必要があり、不適切な部分での蒸着を防ぐために、図６にも示した如くの入射角規制マスク９を冷却キャンロール５とルツボ６との間に設けている。
【００１０】
ここでは、冷却キャンロール５の幅よりもベースフィルムＦの幅が狭く、ベースフィルムＦのエッジ部分の冷却キャンロール５への磁性金属材蒸気７ａの付着・回り込みを防ぐため、冷却キャンロール５の端部からベースフィルムＦのエッジ部分数ｃｍまで入射角規制マスク９で覆っている。また、蒸発したＣｏなどの磁性金属材蒸気７ａのベースフィルムＦの面への入射・膜内粒子成長角度を規制するために、入射角規制マスク９の開口部９ａはかなり狭い。
【００１１】
再び図５に戻り、上記した入射角規制マスク９の開口部９ａは、ベースフィルムＦの法線に対する蒸発したＣｏなどの磁性金属材蒸気７ａの付着入射角を最大入射角θｍａｘと、最小入射角θｍｉｎとの間に設定している。
【００１２】
また、冷却キャンロール５と入射角規制マスク９との間で最小入射角θｍｉｎ側の内側には、酸素ガス導入パイプ１０が取り付けられており、この酸素ガス導入パイプ１０に設けられた複数の孔から酸素ガスＯ2がルツボ６内から蒸発したＣｏなどの磁性金属材蒸気７ａに向かって射出されている。
【００１３】
また、ピアス型電子銃８から出射される電子ビーム８ａは、軌道に偏向磁界を印加するための偏向マグネット１１と、ルツボ６に近設した偏向マグネット１２とにより制御されている。従って、ルツボ６の長手方向に電子ビーム８ａを走査することにより、蒸発したＣｏなどの磁性金属材蒸気７ａがベースフィルムＦの幅方向にＣｏ−ＣｏＯなどの部分酸化磁性膜として極薄く膜付けされ、この部分酸化磁性膜をベースフィルムＦの長さ方向に成膜することにより長尺な薄膜磁気テープが他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ｂに巻き取れている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、上記したように、薄膜磁気テープを製造する場合、入射角規制マスク９の開口部９ａはかなり狭く制限が加えられるため、ルツボ６内から蒸発したＣｏなどの磁性金属材蒸気７ａの利用効率は１０〜１５％程度で残りの大部分は不要な付着物となっていた。このため、入射角規制マスク９の開口部９ａを少しでも広げて蒸発した磁性金属材蒸気７ａの利用効率を向上させるには、静磁気特性の更なる向上が必要となっていた。
【００１５】
一方、ＧＭＲ又はＭＲなどの磁気抵抗型ヘッドの出現により、この磁気抵抗型ヘッドをデジタルビデオテープレコーダなどに搭載する動きもあり、薄膜磁気テープへのＳＮ比を向上するために更に薄膜磁気テープの磁性膜の膜厚を極薄膜化する必要が急務とされている。しかしながら、従来の延長上で薄膜磁気テープの磁性膜の膜厚を極薄膜化すると静磁気特性が劣化し、問題となっている。
【００１６】
そこで、薄膜磁気テープの磁性膜の下にＣｏＯ非磁性下地膜を設けることが提案されている。この方法は後述する比較例２で詳述するものの、孤立化したＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）上にＣｏ−ＣｏＯ磁性膜を成膜した時に、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）にならってＣｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）も孤立化することにより、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の粒子間の磁気的相互作用が少なくなることによって極薄のＣｏ−ＣｏＯ磁性膜においても静磁気特性の劣化を防ぐものである。
【００１７】
ところが、薄膜磁気テープの磁性膜の下に非磁性下地膜を設ける際に、磁性膜をより一層孤立化させて磁性膜の粒子間の磁気的相互作用をより効果的に少なくさせるように非磁性下地膜を良好に成膜する方法が見いだされていないのが現状である。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、第１の発明は、ベースフィルム上に非磁性下地膜と、磁性膜とを順次積層した薄膜磁気テープにおいて、前記非磁性下地膜の成長粒子の方向と前記磁性膜の成長粒子の方向とが前記ベースフィルム面に対する平面内で異なり、かつ前記磁性膜の厚さは、２００〜１０００オングストロームであることを特徴とする薄膜磁気テープを提供する。
【００１９】
第２の発明は、ベースフィルム上に非磁性下地膜と、磁性膜とを順次積層した薄膜磁気テープにおいて、前記非磁性下地膜の成長粒子は、前記ベースフィルム側から表面に向って連続的に変化して、密から粗になり、前記磁性膜の成長粒子は、前記非磁性下地膜側から表面に向って連続的に変化して、粗から密になり、かつ前記磁性膜の厚さは、２００〜１０００オングストロームであることを特徴とする薄膜磁気テープを提供する。
【発明の効果】
【００２０】
以上詳述した本発明に係る薄膜磁気テープによると、磁性膜の膜厚が薄膜化するにつれて静磁気特性のうちの保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓが従来例に比べて大幅に向上するため、薄膜磁気テープヘの高密度記録再生時に要求される磁性膜のより一層の極薄膜化に対応でき、良好な薄膜磁気テープが得られると共に、最終的には薄膜磁気テープの製品の低コスト化に大きくつながるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明に係る薄膜磁気テープの一実施例を図１乃至図４を参照して詳細に説明する。
【００２２】
図１は一般的な薄膜磁気テープの製造方法を説明するための図であり、（ａ）は薄膜磁気テープのベースフィルム上に非磁性下地膜を成膜する第１成膜工程を示し、（ｂ）はベースフィルム上に成膜した非磁性下地膜の上に更に磁性膜を成膜する第２成膜工程を示した図、図２は本発明に係る薄膜磁気テープにおいて、非磁性下地膜及び磁性膜の成長粒
子の成長過程を模式的に示した模式図、図３は本発明に係る薄膜磁気テープに対する比較例の薄膜磁気テープにおいて、（ａ）は比較例１の薄膜磁気テープの磁性膜の成長粒子の成長過程を模式的に示し、（ｂ）は比較例２の薄膜磁気テープの磁性下地膜及び磁性膜の成長粒子の成長過程を模式的に示した模式図、図４は本発明に係る実施例の薄膜磁気テープと、比較例１，２の薄膜磁気テープとの静磁気特性を比較した図であり、（ａ）は磁性膜の膜厚に対する保磁力Ｈｃを示し、（ｂ）は磁性膜の膜厚に対する角形比Ｒｓを示した図である。
【００２３】
尚、説明の便宜上、先に従来例で示した構成部材と同一構成部材に対しては同一の符号を付して適宜説明する。
【００２４】
一般的な薄膜磁気テープの製造方法では、図１（ａ）に示したように斜方蒸着法を適用してベースフィルムＦ上に非磁性下地膜を成膜する第１成膜工程と、図１（ｂ）に示したように斜方蒸着法を適用してベースフィルムＦ上に成膜した非磁性下地膜の上に更に磁性膜を成膜する第２成膜工程とを同じ薄膜磁気テープ成膜装置１Ｂで行う際に、第１成膜工程ではベースフィルムＦを通常成膜時の順方向の走行に対して逆方向に走行させて非磁性下地膜を成膜する一方、第２成膜工程ではベースフィルムＦを通常成膜時の順方向に走行させて非磁性下地膜上に磁性膜を成膜するために、一対のフィルム巻回用ロール３Ａ，３Ｂ、一対のテープガイドロール４Ａ，４Ｂと、冷却キャンロール５とが正転及び逆転可能に設けられている点が図５を用いて説明した従来例の薄膜磁気テープ成膜装置１Ａと異なっている。
【００２５】
尚、冷却キャンロール５の右下方に磁性金属材７を収容したルツボ６が設置され、且つ、ルツボ６内に収納したＣｏなどの磁性金属材７を蒸発させるための蒸発用熱源となるピアス型電子銃８が真空槽２の右側壁２ａに取り付けられ、且つ、冷却キャンロール５とルツボ６との間に磁性金属材蒸気７ａのベースフィルムＦの法線に対する最大入射角θｍａｘと最小入射角θｍｉｎとを規制する入射角規制マスク９が設けられ、更に、冷却キャンロール５と入射角規制マスク９との間に酸素ガスＯ2を導入する酸素ガス導入パイプ１０が設けられている点は従来と同様である。
【００２６】
更に、ベースフィルムＦへの通常の成膜時には、一対のフィルム巻回用ロール３Ａ，３Ｂのうちで一方（供給側）のフィルム巻回用ロール３Ａに巻回したベースフィルムＦを、テープガイドロール４Ａ，冷却キャンロール５，テープガイドロール４Ｂに沿って他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ｂに向かって矢印Ｓ１方向に順走行させる点も従来と同様である。
【００２７】
この際、図１（ａ），（ｂ）に示したように斜方蒸着法を適用して冷却キャンロール５に沿ったベースフィルムＦ上に成膜する時には、一般的に、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側では、膜成長粒子の自己陰影効果が大きいため、磁性金属材蒸気７ａのベースフィルムＦへの付着が粗な付着状態となり、一方、入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側では、膜成長粒子の自己陰影効果が小さいため、磁性金属材蒸気７ａのベースフィルムＦへの付着が密な付着状態となる。
【００２８】
ここで、まず、図１（ａ）に示し如く、バージンのベースフィルムＦ上に非磁性下地膜を成膜する第１成膜工程では、一対のフィルム巻回用ロール３Ａ，３Ｂのうちで他方（供給側）のフィルム巻回用ロール３Ｂに巻回させたベースフィルムＦを冷却キャンロール５に沿って入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側から最大入射角θｍａｘ側（矢印Ｓ２方向）に逆走行させながら一方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ａに向かう途中で、酸素ガス導入パイプ１０により導入した所定量の酸素ガスＯ2をルツボ６内の磁性金属材７から蒸発した磁性金属材蒸気７ａに向けて射出して、ここで完全酸化してベースフィルムＦ上に非磁性下地膜として成膜している。そして、非磁性下地膜を成膜したベースフィルムＦは一方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ａに巻き取られている。
【００２９】
この際、ルツボ６内にはＣｏなどの磁性金属材７が収納されており、このルツボ６内から蒸発したＣｏ蒸気をベースフィルムＦ上にＣｏＯ非磁性下地膜として成膜するためには、酸素ガスＯ2の導入量を後述するように所定量以上に設定することで非磁性であることを予備実験により確認する必要がある。そこで、酸素ガスＯ2の導入量を変化させて、振動型磁力計（ＶＳＭ）によりＣｏＯ下地膜が磁化しない酸素ガスＯ2の所定量を予め設定している。
【００３０】
そして、第１成膜工程でベースフィルムＦを逆走行させることにより、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態から最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態に移行しながらベースフィルムＦ上に成膜される。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示した如く、ベースフィルムＦ上に成膜した非磁性下地膜の上に更に磁性膜を成膜する第２成膜工程では、非磁性下地膜を成膜した後に一方（供給側）のフィルム巻回用ロール３Ａに巻回させたベースフィルムＦを冷却キャンロール５に沿って入射角規制マスク９の最大入射角側から最小入射角側（矢印Ｓ１方向）に順走行させながら他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ｂに向かう途中で、酸素ガスＯ2の導入量を第１成膜工程時よりも大幅に減らして酸素ガスＯ2をＣｏ蒸気に向けて射出して、ここで部分酸化して非磁性下地膜上に磁性膜として成膜している。
【００３２】
この際、ルツボ６内には第１成膜工程時と同じＣｏなどの磁性金属材７が収納されており、このルツボ６内から蒸発した第１成膜工程時と同じＣｏ蒸気をベースフィルムＦ上にＣｏ−ＣｏＯ磁性膜として成膜するためには、酸素ガスＯ2の導入量を後述するように第１成膜工程時の所定量よりも半分以下に設定することで磁性があることを予備実験により確認している。そして、非磁性下地膜上に磁性膜を成膜したベースフィルムＦは他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３Ｂに巻き取られている。
【００３３】
そして、ベースフィルムＦを順走行させることにより、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながらＣｏＯ非磁性下地膜上に成膜される。
【００３４】
これにより、ベースフィルムＦを逆走行させながら成膜したＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の方向と、ベースフィルムＦを順走行させながら成膜したＣｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）の方向とがベースフィルムＦ面に対して直交する平面内で互いに異なっている。
【００３５】
この後、ＣｏＯ非磁性下地膜上にＣｏ−ＣｏＯ磁性膜を成膜したベースフィルムＦを真空槽２内から取り出して、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）膜などを磁性膜上に保護膜として成膜して、この保護膜上に潤滑剤を塗布し、且つ、ベースフィルムＦ側の裏面にバックコート層を成膜してベースフィルムＦを所定幅に裁断すれば薄膜磁気テープが完成する。
【００３６】
本発明の非磁性下地膜形成の為に使用される金属酸化物・金属窒化物あるいは非磁性金属は、例えば酸化コバルト・窒化コバルト、酸化鉄・窒化鉄、酸化ニッケル・窒化ニッケル、及び少なくともそれらのうち一つを含んでいる合金等で、さらにＭｇ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びそれらの酸化物・窒化物等が挙げられる。
【００３７】
本発明の磁性膜（強磁性金属薄膜）形成の為に使用される強磁性金属としては、例えばコバルト、鉄、ニッケル等の金属及びそれらの部分酸化物・部分窒化物、あるいは少なくともそれらのうち一つを含んでいる合金Ｃｏ−Ｘ、Ｆｅ−Ｘ、Ｎｉ−Ｘ、ＣｏＦｅ−Ｘ、ＣｏＮｉ−Ｘ、ＦｅＮｉ−Ｘ、ＣｏＦｅＮｉ−Ｘ（Ｘは単数及び複数の非磁性元素）等の強磁性合金が用いられる。磁性膜（強磁性金属薄膜）の厚さは、一般には、本発明の効果が顕在化する０．１μｍ以下であり、好ましくは０．０５μｍ以下である。また、ベースフィルムとしては、高分子フィルム等の帯状の非磁性基材なら材質を問わず用いることができる。
【００３８】
次に、本発明に係る実施例の薄膜磁気テープと、比較例１，２の薄膜磁気テープとを以下の仕様で作製して、各薄膜磁気テープについて検討を行った。
【００３９】
この際、冷却キャンロール５は、円筒の直径が３００ｍｍで幅は２６０ｍｍであり、この冷却キャンロール５に沿って走行するベースフィルムＦは厚さが６．４μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムで幅は２００ｍｍであり、ベースフィルムＦへの成膜エリアの幅は１５０ｍｍである。
また、ＭｇＯ（マグネシア）を用いて形成したルツボ６内の磁性金属材（純Ｃｏ）７を溶融蒸発させるための蒸発用熱源は最大出力３０ｋＷのピアス型電子銃８を用いた。
【００４０】
また、入射角規制マスク９は４〜７ｍｍ厚さのステンレス製で水冷しながらベースフィルムＦへの成膜エリア外周を囲んでいる。この際、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘを略９０°、最小入射角θｍｉｎを略４５°に設定した。
また、ルツボ６の片端部分からは連続的に磁性金属材（純Ｃｏ）７が一定量供給されるように供給機（図示せず）を設置した。
更に、酸素ガス導入パイプ１０は、酸素ガス導入口が１カ所のループ状のもので、φ１／４”のステンレス管にφ０．５ｍｍのガス吹き出し微細孔を３ｍｍピッチで複数穿設したものを使用し、吹き出し微細孔部分がＣｏ蒸気に向かってベースフィルムＦの幅方向に平行になるように設置した。
【００４１】
＜実施例（本発明）＞
第１成膜工程では、入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側に配置した酸素ガス導入パイプ１０から高純度酸素ガスＯ2を略２００ｃｃｍ導入し、通常の成膜時のフィルム走行方向とは異なってベースフィルムＦを入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側から最大入射角θｍａｘ側に逆走行させながら、ベースフィルムＦ上にＣｏＯ非磁性下地膜（以下、逆走行下地膜とも記す）を膜厚略０．０７μｍ（７００オングストローム）で成膜した。この際、高純度酸素ガスＯ2の導入時の所定量を略２００ｃｃｍに設定した時、ＣｏＯ下地膜は磁化が生じないことを予備実験で振動型磁力計（ＶＳＭ）により確認している。
【００４２】
この後、第２成膜工程では、酸素ガス導入パイプ１０から高純度酸素ガスＯ2を第１成膜工程時よりも半分以下に減らして４０ｃｃｍ導入し、逆走行下地膜を成膜したベースフィルムＦを通常の成膜時のフィルム走行方向と同様に入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側から最小入射角θｍｉｎ側に順走行させながら、逆走行下地膜上にＣｏ−ＣｏＯ磁性膜を成膜した。
【００４３】
また、この第２成膜工程では、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の膜厚を略０．０２μｍ（２００オングストローム）〜略０．２μｍ（２０００オングストローム）の間で数段回ふらして、図２に示した構造形態を有する実施例の薄膜磁気テープＴ１を各膜厚に対してサンプルをそれぞれ作製した。尚、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の膜厚の測定は、希硝酸にてＣｏ−ＣｏＯ磁性膜の一部分をエッチング後、接触型段差計（タリステップ）により成膜幅センター部の膜厚が所定の膜厚になっていることを確かめた。
【００４４】
この後、複数のサンプルのそれぞれに対して、各サンプルのエッチングしていない残り部分の静磁気特性を振動型磁力計（ＶＳＭ）により測定し、より具体的には図４（ａ）に示したように磁性膜の膜厚に対する保磁力Ｈｃと、図４（ｂ）に示したように磁性膜の膜厚に対する角形比Ｒｓとを測定した。
尚、図４（ａ），（ｂ）の結果については、実施例、比較例１，比較例２についてまとめて後述する。
【００４５】
また、磁性膜の膜厚を略０．０４μｍ（４００オングストローム）で成膜した時のベースフィルムＦの走行方向の断面及び最表面を透過型及び走査型電子顕微鏡（ＴＥＭ及びＳＥＭ）で観察した。
【００４６】
ここでは、前述したように、第１成膜工程でベースフィルムＦを逆走行させることにより、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態から最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態に移行しながらベースフィルムＦ上に成膜されるので、図２に模式的に示したように、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の方向はベースフィルムＦの面から離れるに従い膜面法線方向から膜面平行方向に湾曲すると想定され、しかも、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の表層部位は粗な付着状態であるので孤立化が増す。
【００４７】
この後、第２成膜工程でベースフィルムＦを順走行させることにより、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながら孤立化が増したＣｏＯ非磁性下地膜上に成膜されるので、これに伴ってＣｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）もより一層孤立化が増し且つ同時に微細化する。この結果、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の粒子間の磁気的相互作用がより効果的に少なくなると共に、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の磁化容易軸も膜面平行方向にそろい易くなるため、保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓの大幅な向上をもたらすことが判った。
【００４８】
＜比較例１（従来）＞
酸素ガス導入パイプ１０から高純度酸素ガスＯ2を４０ｃｃｍ導入し、通常の成膜時のフィルム走行方向と同様にベースフィルムＦを入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側から最小入射角θｍｉｎ側に順走行させながら、ベースフィルムＦ上にＣｏ−ＣｏＯ磁性膜を直接成膜した。ここでも、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の膜厚を上記実施例と同様に数段回ふらして、図３（ａ）に示した構造形態を有する比較例１の薄膜磁気テープＴ２を各膜厚に対してサンプルをそれぞれ作製し、これら複数のサンプルに対して図４（ａ），（ｂ）に示したように、磁性膜の膜厚に対する保磁力Ｈｃと、磁性膜の膜厚に対する角形比Ｒｓとを測定した。
【００４９】
また、磁性膜の膜厚を略０．０４μｍ（４００オングストローム）で成膜した時のベースフィルムＦの走行方向の断面及び最表面を透過型及び走査型電子顕微鏡（ＴＥＭ及びＳＥＭ）で観察した。
【００５０】
ここでは、ベースフィルムＦを順走行させることにより、図３（ａ）に模式的に示したように、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながらベースフィルムＦ上に直接成膜されるにすぎない。
【００５１】
＜比較例２（従来）＞
酸素ガス導入パイプから高純度酸素ガスＯ2を上記実施例と同様に２００ｃｃｍ導入し、且つ、通常の成膜時のフィルム走行方向と同様にベースフィルムＦを入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側から最小入射角θｍｉｎ側に順走行させながら、ＣｏＯ非磁性下地膜（以下、順走行下地膜とも記す）を膜厚略０．０７μｍ（７００オングストローム）で成膜した。
【００５２】
この後、実施例と同様に、酸素ガス導入パイプ１０から高純度酸素ガスＯ2を第１成膜工程時よりも半分以下に減らして４０ｃｃｍ導入し、順走行下地膜を成膜したベースフィルムＦを入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側から最小入射角θｍｉｎ側に順走行させながら、順走行下地膜上にＣｏ−ＣｏＯ磁性膜を成膜した。ここでも、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の膜厚を実施例と同様に数段回ふらして、図３（ｂ）に示した構造形態を有する比較例２の薄膜磁気テープＴ３を各膜厚に対してサンプルをそれぞれ作製し、これら複数のサンプルに対して図４（ａ），（ｂ）に示したように、磁性膜の膜厚に対する保磁力Ｈｃと、磁性膜の膜厚に対する角形比Ｒｓとを測定した。
【００５３】
また、磁性膜の膜厚を略０．０４μｍ（４００オングストローム）で成膜した時のベースフィルムＦの走行方向の断面及び最表面を透過型及び走査型電子顕微鏡（ＴＥＭ及びＳＥＭ）で観察した。
【００５４】
ここでは、第１成膜工程でベースフィルムＦを順走行させることにより、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながらベースフィルムＦ上に成膜されるので、図３（ｂ）に模式的に示したように、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の方向はベースフィルムＦの面から離れるに従い膜面平行方向から膜面法線方向に湾曲すると想定され、しかも、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の表層部位は密な付着状態であるので多少の孤立化があるものの、その程度は少ない。
【００５５】
この後、第２成膜工程でベースフィルムＦを順走行させることにより、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）は、入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながら孤立化の少ないＣｏＯ非磁性下地膜上に成膜されるので、これに伴ってＣｏ−ＣｏＯ磁性膜の成長粒子（コラム）も孤立化が少ない。この結果、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜の粒子間の磁気的相互作用が多少残っているため、保磁力Ｈｃは多少向上するものの角形比Ｒｓの向上には至らないことが判った。
【００５６】
次に、上記した実施例、比較例１，２について、図４（ａ），（ｂ）に示した結果を見ると明らかなように、実施例では、逆走行下地膜付きの場合、磁性膜の膜厚が薄膜化するにつれて保磁力Ｈｃが比較例１，２よりも向上し、とくに、０．０５μｍ（５００オングストローム）以下で良好な値を示すことが判る。また、磁性膜の膜厚が薄膜化するにつれて角形比Ｒｓも比較例１，２よりも向上し、とくに、０．０５μｍ（５００オングストローム）以下で良好な値を示すことが判った。
【００５７】
比較例１では、非磁性下地膜のないＣｏ−ＣｏＯ磁性膜のみの場合、磁性膜の膜厚が０．０５μｍ（５００オングストローム）以下では保磁力Ｈｃが大幅に劣化し、角形比Ｒｓも減少することが判った。
【００５８】
比較例２では、順走行下地膜付きの場合、磁性膜の膜厚が０．０５μｍ（５００オングストローム）でも保磁力Ｈｃは使用に耐える値を示しているものの、劣化する傾向が０．０２μｍ（２００オングストローム）以下であることが判る。
また、角形比Ｒｓは非磁性下地膜のない磁性膜のみの場合と略同様な傾向である
ことが判った。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】一般的な薄膜磁気テープの製造方法を説明するための図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気テープにおいて、非磁性下地膜及び磁性膜の成長粒子の成長過程を模式的に示した模式図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気テープに対する比較例の薄膜磁気テープにおいて、（ａ）は比較例１の薄膜磁気テープの磁性膜の成長粒子の成長過程を模式的に示し、（ｂ）は比較例２の薄膜磁気テープの磁性下地膜及び磁性膜の成長粒子の成長過程を模式的に示した模式図である。
【図４】本発明に係る実施例１の薄膜磁気テープと、比較例１，２の薄膜磁気テープとの静磁気特性を比較した図である。
【図５】斜方蒸着法を適用した従来の薄膜磁気テープ製造用蒸着装置の構成を示した構成図である。
【図６】図５に示した冷却キャンロールの近傍を示した斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１Ｂ…薄膜磁気テープ成膜装置、２…真空槽、
３Ａ，３Ｂ…一対のフィルム巻回用ロール、
５…冷却キャンロール、６…ルツボ、
７…磁性金属材（純Ｃｏ）、７ａ…磁性金属材蒸気（Ｃｏ蒸気）、
８…蒸発用熱源（ピアス型電子銃）、
９…入射角規制マスク、
θｍａｘ…最大入射角、θｍｉｎ…最小入射角、
１０…酸素ガス導入手段（酸素ガス導入パイプ）、
Ｆ…ベースフィルム、
ＣｏＯ…非磁性下地膜、Ｃｏ−ＣｏＯ…磁性膜
Ｔ１…本発明の薄膜磁気テープ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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