(57)【要約】【課題】  被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。【解決手段】  本発明に係るイオン注入装置は、シリコンウェーハ２に不純物イオンを注入する装置において、前記ウェーハ２を保持するプラテン１と、プラテン１を動かすゴニオメータと、プラテン１に保持された前記ウェーハ２にＸ線を照射するＸ線照射機構３と、機構３によって照射されたＸ線４が前記ウェーハ２で反射する反射Ｘ線５を検出するシンチュレーションカウンター６と、を具備する。前記イオン注入装置は、不純物ガスをイオン化するイオン源７と、イオン化された不純物のうちウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器８と、抽出された不純物イオンを加速させる加速管９と、加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズ１０とを更に具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に不純物イオンを注入するイオン注入装置において、
前記被処理基板の面方位をＸ線によって測定する機構と、
前記機構によって測定された前記被処理基板の面方位を基にアライメントを行う機構と、
を具備するイオン注入装置。
【請求項２】
被処理基板に不純物イオンを注入するイオン注入装置において、
前記被処理基板を保持する保持台と、
前記保持台を動かすゴニオメータと、
前記保持台に保持された前記被処理基板にＸ線を照射するＸ線照射機構と、
前記Ｘ線照射機構によって照射されたＸ線が前記被処理基板で反射する反射Ｘ線を検出するＸ線検出部と、
を具備するイオン注入装置。
【請求項３】
前記Ｘ線照射機構は、Ｘ線を発射するＸ線管と、前記Ｘ線管から発射されたＸ線を通すスリットと、を具備する請求項２に記載のイオン注入装置。
【請求項４】
不純物ガスをイオン化するイオン源と、前記イオン源によってイオン化された不純物のうち前記被処理基板に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器と、前記質量分析器によって抽出された不純物イオンを加速させる加速管と、前記加速管によって加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズとをさらに具備する請求項１乃至３のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項５】
Ｘ線によって被処理基板の面方位を測定し、前記測定の結果を基に前記被処理基板をアライメントした後に、前記被処理基板に不純物イオンを注入する工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
被処理基板をゴニオメータ付き保持台に保持し、前記被処理基板にＸ線を照射し、該Ｘ線を前記被処理基板で反射させ、該反射したＸ線をＸ線検出部で検出することにより、前記被処理基板の面方位を測定し、該測定の結果を基に前記保持台を前記ゴニオメータによって動かして前記被処理基板をアライメントした後に、前記被処理基板に不純物イオンを注入する工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記被処理基板の面方位を測定する際は、前記被処理基板の複数箇所で面方位を測定し、前記複数箇所の測定の結果を基に前記被処理基板をアライメントする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記被処理基板に不純物イオンを注入する工程は、シリコン基板にチャネルドープのイオン注入を行う工程である請求項５乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板をゴニオメータ付き保持台に保持し、前記半導体基板にＸ線を照射し、該Ｘ線を前記半導体基板で反射させ、該反射したＸ線をＸ線検出部で検出することにより、前記半導体基板の面方位を測定し、該測定の結果を基に前記保持台を前記ゴニオメータによって動かして前記半導体基板をアライメントする工程と、
前記半導体基板に、前記シリコン膜及び前記ゲート絶縁膜を介してチャネルドープの不純物イオンを注入する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置及び半導体装置の製造方法に係わり、特に、被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のイオン注入装置を用いてイオン注入する方法について説明する。
まず、イオン源において不純物ガスをイオン化し、このイオン化された不純物を引出し電極により引き出す。引き出された不純物イオンは、分析電磁石などを用いた質量分析器に引き込まれ、質量分析器においてシリコンウェーハに打ち込む不純物イオンを抽出する。尚、上記質量分析器は、通常、イオン源では例えば４９ＢＦ２＋、１１Ｂ＋、１０Ｂ＋のような複数種類のイオンが発生するので、これらのイオンのうちウェーハに打ち込むイオン（例えば１１Ｂ＋）を質量の違いを利用して分離するためのものである。また、質量分析器は曲線状に曲げられたＡｌ製の分析管を有している。
【０００３】
次いで、抽出された不純物イオンは加速管で加速される。そして、所定の加速電圧に加速された不純物イオンはレンズによって所望のビーム形状にされる。そして、スキャナ部によってウェーハ面内均一性の良いイオンビームが形成され、このイオンビームがウェーハ処理室内に流れ、このウェーハ処理室内の載置台に載置された被処理体であるウェーハに打ち込まれる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−８５８０号公報（第２〜第３段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、シリコンウェーハのような単結晶にイオン注入を行う場合、ウェーハ表面の結晶方位が予定していた方位と違うと適切な深さで所望の不純物濃度が得られなくなることがある。これはチャネリングにより生じることが広く知られており、単結晶のシリコンウェーハにイオン注入する場合には不可避の問題である。
しかしながら、イオン注入時に一定のチャネリングが生じても、そのチャネリングという現象を制御できればチャネリングの影響を少なくすることが可能である。
【０００６】
上記のチャネリングを制御する方法としては例えば次のようなものがある。
ウェーハが所定の面方位によって作製されている場合、例えばウェーハ表面に対して９０°から７°傾けた方向からイオン注入することにより、チャネリングの効果を常に一定にしてチャネリングによる影響を抑制することが可能である。
【０００７】
しかし、ウェーハの結晶方位は完全に正確な精度で製造されているわけではなく、通常、ウェーハの結晶方位は±１°程度の範囲で分布するように製造されている。このようなウェーハの結晶方位のばらつきによってウェーハ毎にチャネリングの効果もばらつくことがある。また、イオン注入装置におけるウェーハの保持部によるウェーハの設置誤差によってもチャネリングの効果がばらつくことがある。
【０００８】
上述したようなチャネリングの効果のばらつきによって適切な深さで所望の不純物濃度が得られなくなることを防止する方法として、ラザフォード後方散乱等を用いてウェーハの面方位を測定してイオンビーム方向をコントロールすることが提案されている（特表２００３−５１１８４５号公報参照）。
しかし、上記のラザフォード後方散乱を用いるには、ウェーハに何らかの元素を打ち込む必要があるため、製品ウェーハ毎に面方位を測定することはできない。従って、製品ウェーハ毎にイオンビームの方向をコントロールすることは不可能である。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係るイオン注入装置は、被処理基板に不純物イオンを注入するイオン注入装置において、
前記被処理基板の面方位をＸ線によって測定する機構と、
前記機構によって測定された前記被処理基板の面方位を基にアライメントを行う機構と、
を具備する。
【００１１】
上記イオン注入装置によれば、被処理基板の面方位をＸ線によって測定し、この測定結果を基に被処理基板のアライメントを行うことができる。このため、被処理基板の面方位のずれを抑制し、チャネリングの効果をほぼ一定にして不純物イオンの注入を行うことが可能となる。つまり、被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うことが可能となる。
【００１２】
本発明に係るイオン注入装置は、被処理基板に不純物イオンを注入するイオン注入装置において、
前記被処理基板を保持する保持台と、
前記保持台を動かすゴニオメータと、
前記保持台に保持された前記被処理基板にＸ線を照射するＸ線照射機構と、
前記Ｘ線照射機構によって照射されたＸ線が前記被処理基板で反射する反射Ｘ線を検出するＸ線検出部と、
を具備する。
【００１３】
上記イオン注入装置によれば、被処理基板を保持台に保持した後に、Ｘ線照射機構によって被処理基板にＸ線を照射し、該被処理基板で反射したＸ線をＸ線検出部で検出することにより該被処理基板の面方位を測定し、これをゴニオメータで保持台を動かしながら行うことで被処理基板のアライメントを行い、その後、被処理基板にイオン注入を行うものである。このため、被処理基板間でのチャネリングの効果のばらつきを抑えることができ、チャネリングの効果をほぼ一定にして不純物イオンの注入を行うことが可能となる。つまり、被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うことが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係るイオン注入装置において、前記Ｘ線照射機構は、Ｘ線を発射するＸ線管と、前記Ｘ線管から発射されたＸ線を通すスリットと、を具備するものであっても良い。
また、本発明に係るイオン注入装置においては、不純物ガスをイオン化するイオン源と、前記イオン源によってイオン化された不純物のうち前記被処理基板に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器と、前記質量分析器によって抽出された不純物イオンを加速させる加速管と、前記加速管によって加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズとをさらに具備することが好ましい。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、Ｘ線によって被処理基板の面方位を測定し、前記測定の結果を基に前記被処理基板をアライメントした後に、前記被処理基板に不純物イオンを注入する工程を具備する。このように被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うことが可能となる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、被処理基板をゴニオメータ付き保持台に保持し、前記被処理基板にＸ線を照射し、該Ｘ線を前記被処理基板で反射させ、該反射したＸ線をＸ線検出部で検出することにより、前記被処理基板の面方位を測定し、該測定の結果を基に前記保持台を前記ゴニオメータによって動かして前記被処理基板をアライメントした後に、前記被処理基板に不純物イオンを注入する工程を具備する。
【００１７】
上記半導体装置の製造方法によれば、被処理基板を保持台に保持した後に、被処理基板の面方位をＸ線により測定し、この測定結果を基に被処理基板をアライメントしてイオン注入を行っている。このため、チャネリングの効果をほぼ一定にして不純物イオンの注入を行うことが可能となる。つまり、被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うことが可能となる。
【００１８】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記被処理基板の面方位を測定する際は、前記被処理基板の複数箇所で面方位を測定し、前記複数箇所の測定の結果を基に前記被処理基板をアライメントすることも可能である。これにより、より精度良く面方位を測定することが可能となり、アライメントの精度もより向上させることができる。
【００１９】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記被処理基板に不純物イオンを注入する工程は、シリコン基板にチャネルドープのイオン注入を行う工程であっても良い。チャネルドープのイオン注入はデバイス特性を決める上で重要なイオン注入工程であるから、この工程においてチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入することにより、デバイス特性のばらつきを効果的に小さくすることができる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板をゴニオメータ付き保持台に保持し、前記半導体基板にＸ線を照射し、該Ｘ線を前記半導体基板で反射させ、該反射したＸ線をＸ線検出部で検出することにより、前記半導体基板の面方位を測定し、該測定の結果を基に前記保持台を前記ゴニオメータによって動かして前記半導体基板をアライメントする工程と、
前記半導体基板に、前記シリコン膜及び前記ゲート絶縁膜を介してチャネルドープの不純物イオンを注入する工程と、
を具備する。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるイオン注入装置を示す構成図である。このイオン注入装置は、被処理基板であるシリコンウェーハの結晶方位をＸ線によって測定する機構を備え、シリコンウェーハ毎に結晶方位を測定し、その測定結果に基づいてシリコンウェーハのアライメントを行ってイオン注入するものである。
【００２２】
図１に示すイオン注入装置は、被処理基板であるシリコンウェーハ２にイオン注入するイオン注入機構と、シリコンウェーハ２の面方位をＸ線によって測定する面方位測定機構と、を備えている。イオン注入機構は、イオン源７、引出し電極（図示せず）、質量分析器８、ビームライン部１３、処理室１２及びゴニオメータ付きウェーハ保持台（プラテン）１を有している。
【００２３】
イオン源７は不純物ガスをイオン化するものである。また、引出し電極はイオン化された不純物を引き出して質量分析器８に引き込むものである。また、質量分析器８は、シリコンウェーハに打ち込む不純物イオンを抽出するものであって、曲線状に曲げられたＡｌ製の分析管（図示せず）を有している。また、ビームライン部１３は加速管９、レンズ１０及びスキャン電極１１を有している。
【００２４】
加速管９は質量分析器８で抽出された不純物イオンを加速するものである。また、レンズ１０及びスキャン電極１１は、不純物イオンを所望のビーム形状に成形し、ウェーハ面内均一性の良いイオンビームに形成するものである。
ビームライン部１３には処理室１２が連結されており、この処理室１２内にはゴニオメータ付きプラテン１が配置されている。このプラテン１は、シリコンウェーハを保持するものであり、ゴニオメータによって精度良く動かすことができるようになっている。
【００２５】
面方位測定機構は、Ｘ線源（Ｘ線照射機構）３及びＸ線検出部であるシンチュレーションカウンター６を有している。Ｘ線源３は、Ｘ線を照射するものであって、Ｘ線管３ａ及びスリット３ｂを有している。シンチュレーションカウンター６は、Ｘ線源から照射されたＸ線がシリコンウェーハの表面で反射した反射Ｘ線を検出するものである。
【００２６】
次に、上記イオン注入装置を用いてイオン注入する方法について説明する。
まず、ゴニオメータ付きプラテン１にシリコンウェーハを保持する。このシリコンウェーハ２は所定の面方位を有するものであるが、その面方位は±１°程度の範囲で分布するように製造されている。つまり、シリコンウェーハ間には±１°程度の面方位のばらつきが存在する。
【００２７】
この後、シリコンウェーハ２の面方位を以下の方法で測定する。
Ｘ線源３からＸ線をシリコンウェーハ２の表面に照射する。この際、Ｘ線管３ａから入射Ｘ線４はスリット３ｂを通りシリコンウェーハ２の表面で反射し、反射Ｘ線５としてＸ線検出部であるシンチュレーションカウンター６に入る。ここでのＸ線の反射は、ブラッグの法則で反射角θがあらかじめわかっているので、その反射角に対応した位置にシンチュレーションカウンター６を配置しておく。つまり、シリコンウェーハ２が所定の面方位（誤差の無い面方位）を有する場合は、反射Ｘ線５が予定した通りにシンチュレーションカウンター６に入り、シリコンウェーハ２はそのままの位置でイオン注入されれば、チャネリングの効果を一定に制御できるような位置に、シンチュレーションカウンター６が配置されているわけである。従って、シリコンウェーハ２が所望の面方位を有する場合は、それが反射Ｘ線５によって確認され、シリコンウェーハ２はそのままの状態でイオン注入の工程に進むことになる。
【００２８】
しかし、シリコンウェーハ２の面方位にばらつきがあった場合は、シリコンウェーハ２が乗せられたプラテン１をそのばらつきが±１°の範囲でゴニオメータによって動かし、その際に反射Ｘ線５をシンチュレーションカウンター６で検出する。そして、シンチュレーションカウンター６に予定した通りの反射Ｘ線５が検出されたところで、プラテン１を動かすのを停止する。これにより、チャネリングの効果を一定に制御できるような位置にシリコンウェーハ２が再びアライメントされる。
【００２９】
次に、イオン源７において不純物ガスをイオン化し、このイオン化された不純物を引出し電極により引き出す。引き出された不純物イオンは、分析電磁石などを用いた質量分析器８に引き込まれ、質量分析器８においてシリコンウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する。尚、上記質量分析器８は、通常、イオン源では例えば４９ＢＦ２＋、１１Ｂ＋、１０Ｂ＋のような複数種類のイオンが発生するので、これらのイオンのうちウェーハに打ち込むイオン（例えば１１Ｂ＋）を質量の違いを利用して分離するためのものである。
【００３０】
次いで、抽出された不純物イオンは加速管９で加速される。そして、所定の加速電圧に加速された不純物イオンはレンズ１０によって所望のビーム形状にされる。そして、スキャン電極１１によってウェーハ面内均一性の良いイオンビームが形成され、このイオンビームが処理室１２内に流れ、この処理室内のプラテン１に載置された被処理体であるシリコンウェーハ２に打ち込まれる。
【００３１】
尚、上記実施の形態１では、Ｘ線によるシリコンウェーハ２の面方位の測定をシリコンウェーハ上の１点で行っているが、シリコンウェーハ上の複数の点で面方位の測定を行うことも可能である。この場合は、これら複数の測定結果の平均値をとり、この平均値を基にシリコンウェーハを再度アライメントする。これにより、チャネリングの効果による面内ばらつきを抑制することができる。
【００３２】
上記実施の形態１によれば、シリコンウェーハ２をプラテン１に保持した後に、Ｘ線によるシリコンウェーハ２の面方位を測定し、この測定結果を基にシリコンウェーハ２を再度アライメントしてイオン注入を行っている。このため、ウェーハ間でのチャネリングの効果のばらつきを抑えることができ、チャネリングの効果をほぼ一定にして不純物イオンの注入を行うことが可能となる。つまり、シリコンウェーハ毎に面方位を測定することにより、シリコンウェーハ毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うことが可能となる。従って、イオン注入に起因するウェーハ間でのデバイス特性のばらつきを小さくすることができる。
【００３３】
また、本実施の形態では、シリコンウェーハ２の面方位を測定して再度アライメントしているため、プラテン１によるシリコンウェーハ２の設置誤差に起因するチャネリングの効果のばらつきも抑えることができる。
【００３４】
（実施の形態２）
図２（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図である。この半導体装置の製造方法は、実施の形態１によるイオン注入装置を用いてイオン注入する工程を含むものである。
【００３５】
まず、図２（Ａ）に示すように、シリコン基板（シリコンウェーハ）２にＬＯＣＯＳ素子分離膜１５を形成し、このＬＯＣＯＳ素子分離膜１５の相互間のシリコン基板上に熱酸化法により厚さ１５ｎｍ程度のゲート酸化膜１６を形成する。
【００３６】
次いで、シリコン基板２を図１に示すイオン注入装置のゴニオメータ付プラテン１に設置して保持させる。
次に、シリコン基板２の面方位を以下の方法で測定し、この測定の結果を基にプラテン１をゴニオメータによって動かしてシリコン基板２をアライメントする。
【００３７】
Ｘ線源３からＸ線をシリコン基板２の表面に照射する。この際、Ｘ線管３ａから入射Ｘ線４はスリット３ｂを通りシリコン基板２の表面で反射し、反射Ｘ線５としてＸ線検出部であるシンチュレーションカウンター６に入る。ここでのＸ線の反射は、ブラッグの法則で反射角θがあらかじめわかっているので、その反射角に対応した位置にシンチュレーションカウンター６を配置しておく。
【００３８】
ここで、シリコン基板２の面方位にばらつきがある場合、シリコン基板２が乗せられたプラテン１をゴニオメータによって動かし、その際に反射Ｘ線５をシンチュレーションカウンター６で検出する。そして、シンチュレーションカウンター６に予定した通りの反射Ｘ線５が検出されたところで、プラテン１を動かすのを停止する。これにより、チャネリングの効果を一定に制御できるような位置にシリコンウェーハ２が再びアライメントされる。
【００３９】
この後、図２（Ｂ）に示すように、シリコン基板２にチャネルドープのイオン注入を以下の方法で行う。
図１に示すイオン源７において不純物ガスをイオン化し、このイオン化された不純物を引出し電極により引き出す。引き出された不純物イオンは、分析電磁石などを用いた質量分析器８に引き込まれ、質量分析器８においてシリコン基板２に打ち込む不純物イオンを抽出する。
【００４０】
次いで、抽出された不純物イオンは加速管９で加速される。そして、所定の加速電圧に加速された不純物イオンはレンズ１０によって所望のビーム形状にされる。そして、スキャン電極１１によってウェーハ面内均一性の良いイオンビームが形成され、このイオンビームが処理室１２内に流れ、この処理室内のプラテン１に載置されたシリコン基板２に打ち込まれる。この際のイオン注入条件は、例えば加速エネルギーが１２０ＫｅＶ、ドーズ量が３．５×１０１２ｃｍ−２の条件を用いる。このようにしてシリコン基板２にはチャネルドープ層１８が形成される。
【００４１】
この後、図２（Ｃ）に示すように、ゲート酸化膜１６及びＬＯＣＯＳ素子分離膜１５の上にＣＶＤ(chemical vapor deposition)法によりポリシリコン膜１８を堆積する。
次に、図２（Ｄ）に示すように、ポリシリコン膜１８をパターニングすることにより、シリコン基板２の上にはゲート酸化膜１６を介してゲート電極が形成される。ポリシリコン膜１８のパターニングは、例えば、ポリシリコン膜１８上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜１８をエッチング加工することにより行う。
【００４２】
次いで、ゲート電極をマスクとしてシリコン基板２に不純物イオンをイオン注入することにより、該シリコン基板２にはソース及びドレイン領域の不純物層２０が形成される。次いで、ゲート電極を含む全面上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜２１を形成する。次いで、この層間絶縁膜２１にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内及び層間絶縁膜２１上にＡｌ合金膜をスパッタリングにより形成する。次いで、このＡｌ合金膜をパターニングすることにより、コンタクトホール内及び層間絶縁膜２１上にはＡｌ合金配線２２が形成され、Ａｌ合金配線２２は不純物層２０に電気的に接続される。
【００４３】
上記実施の形態２においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
すなわち、シリコン基板２をプラテン１に保持した後に、シリコン基板２の面方位をＸ線により測定し、この測定結果を基にシリコン基板２を再度アライメントしてチャネルドープのイオン注入を行っている。このため、チャネリングの効果をほぼ一定にして不純物イオンの注入を行うことが可能となる。つまり、シリコン基板毎に面方位を測定することにより、シリコン基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらチャネルドープのイオン注入を行うことが可能となる。従って、チャネルドープのイオン注入に起因するシリコン基板間でのトランジスタ特性のばらつきを小さくすることができる。また、シリコン基板２の面方位を測定して再度アライメントしているため、プラテン１によるシリコン基板２の設置誤差に起因するチャネリングの効果のばらつきも抑えることができる。
【００４４】
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態２では、シリコン基板にチャネルドープのイオン注入を行う際に本発明を適用した代表的な具体例を挙げているが、これに限定されるものではなく、本発明はチャネルドープ以外の種々の領域にイオン注入を行う場合にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態１によるイオン注入装置を示す構成図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１…ゴニオメータ付きウェーハ保持台、２…シリコンウェーハ（シリコン基板）、３…Ｘ線源（Ｘ線照射機構）、３ａ…Ｘ線管、３ｂ…スリット、４…入射Ｘ線、５…反射Ｘ線、６…シンチュレーションカウンター、７…イオン源、８…質量分析器、９…加速管、１０…レンズ、１１…スキャン電極、１２…処理室、１３…ビームライン部、１５…ＬＯＣＯＳ素子分離膜、１６…ゲート酸化膜、１７…チャネルドープ層、１８…ポリシリコン膜、１９…ソース及びドレイン領域の不純物層、２０…層間絶縁膜、２１…Ａｌ合金配線
【図１】
2005149944.tif 000003
【図２】
2005149944.tif 000004