(57)【要約】  【課題】  原版上の各サブフィールドの変形を精度よく補正して、露光時の重ね合わせ誤差やスティッチング誤差を一層少なくすることができる原版検査方法等を提供する。  【解決手段】  レチクルのＳｉ基板５０上において、隣り合う位置検出用サブフィールド５３の間の部分５３′には、Ｌ字型の位置検出用マーク（計測用マーク）５５が形成されている。本方法では、このマーク５５をサブフィールド５３の周辺に３個以上設けておき、マーク５５の位置を計測し、この位置とデバイスパターン設計データとを比較して、サブフィールド５３ごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求める。この方法によれば、サブフィールド５３ごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求めることで、サブフィールド５３ごとの変形（歪み）補正値を求めることができるので、補正精度を向上することができる。【選択図】    図３
2005285893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンが複数のサブフィールドに分割して形成された原版を検査する方法であって、
原版の各サブフィールドの周辺に３個以上のマークを設けておき、
該マークの位置を計測し、
該位置とデバイスパターン設計データとを比較して、前記サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求めることを特徴とする原版検査方法。
【請求項２】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンを、複数のサブフィールドに分割して原版上に形成し、
該サブフィールドごとにエネルギビームで順次照射し、
各サブフィールドの像を前記感応基板上でつなぎ合わせることにより、前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、
前記原版の各サブフィールドの周辺に３個以上のマークを設けておき、
該マークの位置を計測し、
該位置とデバイスパターン設計データとを比較して、前記サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求め、
これらの誤差を補正しながら露光、転写を行うことを特徴とする露光方法。
【請求項３】
電子線を発生し加速させる電子線源と、
デバイスパターンが複数のサブフィールドに分割されて形成された原版と、
電子線を前記原版の所望の位置に照明するための光学系と、
前記原版に照射される電子線を制限する照明ビーム制限開口と、
前記原版を保持する原版ステージと、
電子線が前記原版の所望の位置に照射されるように前記原版ステージを移動させる原版ステージ駆動機構と、
前記原版上のデバイスパターンを感応基板上の所望の位置に転写してつなぎ合わせるための光学系と、
前記感応基板を保持する感応基板ステージと、
前記サブフィールドの像が前記感応基板の所望の位置に結像されるように前記感応基板ステージを移動させる感応基板ステージ駆動機構と、
を具備し、
前記原版の各サブフィールド周辺に配置された３つ以上のマークの位置の測定及び該位置とデバイスパターン設計データとの比較により求められた、前記サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を補正しながら露光、転写を行うことを特徴とする電子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線を用いたリソグラフィーに使用される原版（レチクル、マスク）を検査する方法、原版の像を感応基板上でつなぎ合わせること等によりデバイスパターン全体を転写する露光方法、及び、そのような方法が適用される電子線露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体リソグラフィー技術においては、高解像化や大露光フィールド化等の要求が高まっている。そして、高解像化の要求に応えるものとして、電子線を用いた露光装置の開発が行われている。分割転写方式の電子線露光においては、転写すべき設計パターンを多数の小パターン領域（サブフィールド）に分割して原版（レチクル）上に形成し、これらサブフィールドごとに電子ビームを透過させて感応基板（ウェハ）上にサブフィールドを一括的に投影露光し、ウェハ上で各サブフィールドの像をつなぎ合わせて設計パターン全体を転写する。
【０００３】
ウェハ上で各サブフィールドの像を高精度につなぎ合わせるためには、レチクルを載置して移動・位置決めするレチクルステージと、ウェハを載置して移動・位置決めするウェハステージと、レチクル上のパターンをウェハ上に投影する投影レンズとは、高精度に位置決めされる必要がある。あるいは、ウェハ上に既に形成されている下層パターンに上層パターンを重ね合わせる際にも、ステージとレンズとの高精度の位置決めが要求される。もしこのようなつなぎ合わせや重ね合わせに誤差が生じると、ウェハ上に転写されるパターンに微小な形状変化が生じ、微細パターン（例えばトランジスタ回路のゲート部等）にとっては極めて大きな欠陥となり得るからである。
【０００４】
ところで、このような分割転写方式の電子線露光では、原版として、電子ビームを透過する孔が微細加工されたメンブレン又は薄膜と、それを支えるストラットとで構成されるステンシルレチクルが広く用いられつつある。ステンシル膜はシリコンウェハが薄膜状に形成されたものであって、この薄膜上にサブフィールドのパターンが形成される。この種のレチクルは、（１）シリコンウェハの薄膜化→（２）レジストの塗布→（３）描画装置のチャック→（４）パターンエッチング→（５）レジストの剥離等のプロセスで製作されるが、その製作過程でレチクルに歪み等の変形が生じる場合がある。そして、変形したレチクルを用いて露光を行うと、ウェハ上には歪んだパターンが投影されることになり、パターンの重ね合わせ精度やつなぎ合わせ精度の低下を招くという問題が起こり得る。そのため、レチクルの変形を管理することが、精度維持の点で極めて重要となる。
【０００５】
そこで、レチクルの変形量を計測し、その計測データに基づいて変形を補正しながら露光することが提案されている。例えば、レチクルのストラットの部分（各薄膜領域の間の部分）に位置計測マークを設けて、座標測定装置等の検査装置で位置計測マークを計測し、その計測データを用いて歪を補正する手法がある（特許文献１等参照）。この手法では、得られた計測データからレチクル全域の各サブフィールドの中心位置誤差を求め、レチクルのアライメント結果と合わせて補正することで、レチクルの変形による重ね合わせ誤差やスティッチング誤差を少なくすることができる。あるいは、サブフィールドの内部の変形量を計測できる場合は、前述した中心位置誤差の補正の他に、投影光学系の倍率・回転・位置等のパラメータを調節して補正することも可能である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７７８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、レチクルのサブフィールドの内部は通常のパターン領域であるため、全てのサブフィールドに位置計測マークを設けることは不可能である。そこで、レチクル上の非露光領域（露光には直接関与しない部分）に計測専用のサブフィールドを形成し、この計測用サブフィールドを用いてパターン解像性や歪み等を計測し、この歪み量を代表値として全サブフィールドの歪みを補正する手法や、レチクルアライメントから得られる結果を用いてサブフィールドの倍率等を補正する手法も提案されている。
しかしながら、レチクルの変形は等方的ではなく、各サブフィールドの場所によって歪み量が異なる可能性も想定されるため、これらのような手法では充分に変形を補正しきれないことも考えられる。
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、原版上の各サブフィールドの変形を精度よく補正して、露光時の重ね合わせ誤差やスティッチング誤差を一層少なくすることができる原版検査方法を提供することを目的とする。さらに、そのような検査方法が適用される露光方法、電子線露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の原版検査方法は、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが複数のサブフィールドに分割して形成された原版を検査する方法であって、  原版の各サブフィールドの周辺に３個以上のマークを設けておき、  該マークの位置を計測し、  該位置とデバイスパターン設計データとを比較して、前記サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求めることを特徴とする。
この検査方法によれば、サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求めることで、サブフィールドごとの変形（歪み）補正値を求めることができるので、補正精度を向上することができる。
【００１０】
本発明の露光方法は、感応基板上に転写すべきデバイスパターンを、複数のサブフィールドに分割して原版上に形成し、  該サブフィールドごとにエネルギビームで順次照射し、  各サブフィールドの像を前記感応基板上でつなぎ合わせることにより、前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、  前記原版の各サブフィールドの周辺に３個以上のマークを設けておき、  該マークの位置を計測し、  該位置とデバイスパターン設計データとを比較して、前記サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を求め、  これらの誤差を補正しながら露光、転写を行うことを特徴とする。
この露光方法によれば、サブフィールドごとの変形（歪み）補正値を求めることができ、補正精度を向上することができるので、描画されたパターンの重ね合わせ誤差やスティッチング誤差を一層少なくすることができる。
【００１１】
本発明の電子線露光装置は、電子線を発生し加速させる電子線源と、  デバイスパターンが複数のサブフィールドに分割されて形成された原版と、  電子線を前記原版の所望の位置に照明するための光学系と、  前記原版に照射される電子線を制限する照明ビーム制限開口と、  前記原版を保持する原版ステージと、  電子線が前記原版の所望の位置に照射されるように前記原版ステージを移動させる原版ステージ駆動機構と、  前記原版上のデバイスパターンを感応基板上の所望の位置に転写してつなぎ合わせるための光学系と、  前記感応基板を保持する感応基板ステージと、  前記サブフィールドの像が前記感応基板の所望の位置に結像されるように前記感応基板ステージを移動させる感応基板ステージ駆動機構と、を具備し、  前記原版の各サブフィールド周辺に配置された３つ以上のマークの位置の測定及び該位置とデバイスパターン設計データとの比較により求められた、前記サブフィールドごとの回転、倍率、直交度、位置の誤差を補正しながら露光、転写を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、原版上の各サブフィールドの変形を精度よく補正して、露光時の重ね合わせ誤差やスティッチング誤差を一層少なくすることができる原版検査方法等を提供することができる。
【発明の実施の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、分割転写方式の電子線投影露光技術の概要を図面を参照しつつ説明する。
図１は、分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。
光学系の最上流に配置されている電子銃１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には２段のコンデンサレンズ２、３が設けられている。電子銃１から放射された電子線は、コンデンサレンズ２、３によって収束され、ブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００１４】
二段目のコンデンサレンズ３の下には、矩形開口４が備えられている。この矩形開口（照明ビーム成形開口）４は、レチクル１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照明する照明ビームのみを通過させる。この照明ビーム成形開口４の像は、レンズ９によってレチクル１０に結像される。照明ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。このブランキング偏向器５は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、ビームがレチクル１０に当たらないようにする。
【００１５】
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、主に照明ビームを図１の横方向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチクル１０の各サブフィールドの照明を行う。照明ビーム偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。この照明レンズ９は、レチクル１０上に照明ビーム成形開口４を結像させる。
【００１６】
本実施例のレチクル１０は、実際には（図２を参照しつつ後述）光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっており、多数のサブフィールドを有する。レチクル１０上には、全体として一個の半導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が形成されている。もちろん、複数のレチクルに１個の半導体デバイスチップをなすパターンを分割して配置することもできる。
【００１７】
レチクル１０は、移動・位置決め可能なレチクルステージ１１上に載置されている。このレチクルステージ１１上でレチクル１０を光軸垂直方向（図１中ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル１０上の各サブフィールドを照明することができる。レチクルステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、レチクルステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
【００１８】
レチクル１０の下方には、投影レンズ１５、１９、及び偏向器１６が設けられている。レチクル１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器１６によってウェハ２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。レチクル１０とウェハ２３の間を縮小率比で内分する点には、クロスオーバーＣ．Ｏ．が形成される。このクロスオーバーＣ．Ｏ．位置には、コントラスト開口１８が設けられている。このコントラスト開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないよう遮断する。
【００１９】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の被露光面やステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、レチクル１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際のマークからの反射電子を検出することにより、レチクル１０とウェハ２３の相対的位置関係を知ることができる。
【００２０】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されず）を介して、ＸＹ方向に移動・位置決め可能なウェハステージ２４上に載置されている。前述のレチクルステージ１１とこのウェハステージ２４とを互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４にも、前述のレチクルステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００２１】
前記各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ（制御部）３１につながっている。さらに、レチクルステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１につながっている。ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェース１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフェース２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。
【００２２】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これにより、レチクル１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体がウェハ上に転写される。
【００２３】
次に、分割転写方式の電子線投影露光に用いられるレチクルの詳細例について、図２を参照しつつ説明する。
図２は、電子線投影露光用のレチクルの構成例を模式的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレイン領域の平面図である。
このようなレチクルは、例えばシリコンウェハに電子線描画・エッチングを行うことにより製作できる。
【００２４】
図２（Ａ）には、レチクル１０における全体のパターン分割配置状態が示されている。図中に多数の正方形４１で示されている領域が、一つのサブフィールドに対応したパターン領域を含む小メンブレイン領域（厚さ０．１μｍ〜数μｍ）である。図２（Ｃ）に示すように、小メンブレイン領域４１は、中央部のパターン領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁状の非パターン領域（スカート４３）とからなる。サブフィールド４２は、転写すべきパターンの形成された部分である。スカート４３はパターンの形成されてない部分であり、照明ビームの縁の部分が当たる。パターン形成の形態としては、メンブレインに孔開き部を設けるステンシルタイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメンブレイン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。
【００２５】
一つのサブフィールド４２は、現在検討されているところでは、レチクル上で０．５〜５ｍｍ角程度の大きさを有する。投影の縮小率を１／５とすると、サブフィールドがウェハ上に縮小投影された投影像の大きさは、０．１〜１ｍｍ角である。小メンブレイン領域４１の周囲の直交する格子状のグリレージと呼ばれる部分４５は、レチクルの機械強度を保つための、例えば厚さ０．５〜１ｍｍ程度の梁である。グリレージ４５の幅は、例えば０．１ｍｍ程度である。なお、スカート４３の幅は、例えば０．０５ｍｍ程度である。
【００２６】
図２（Ａ）に示すように、図２の横方向（Ｘ方向）に多数の小メンブレイン領域４１が並んで一つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレクトリカルストライプ４４が図２の縦方向（Ｙ方向）に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は照明光学系の偏向可能視野の大きさによって制限される。なお、一つのエレクトリカルストライプ４４内における隣り合うサブフィールド間に、スカートやグリレージのような非パターン領域を設けない方式も検討されている。
【００２７】
メカニカルストライプ４９は、Ｘ方向に並列に複数存在する。隣り合うメカニカルストライプ４９の間にストラット４７として示されている幅の太い梁は、レチクル全体のたわみを小さく保つためのものである。ストラット４７はグリレージ４５と一体である。現在有力と考えられている方式によれば、１つのメカニカルストライプ（以下単にストライプと呼ぶ）４９内のＸ方向のサブフィールド４２の列（エレクトリカルストライプ４４）は、電子線偏向により順次露光される。一方、ストライプ４９内のＹ方向の列は、連続ステージ走査により順次露光される。
【００２８】
次に、本発明に係るレチクルの誤差補正方法を、現状の方法と対比しつつ説明する。
図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ本実施例に係るレチクルの１つのサブフィールド周囲における位置検出用マーク配置例を模式的に示す平面図である。
図４は、現状のレチクルの位置検出用マーク配置例を模式的に示す平面図である。
本方法で用いるレチクルのＳｉ基板５０は円形であって、２つの長方形状のパターン領域５１が形成されているものである。各パターン領域５１は、サブフィールドを含む多数の小メンブレイン領域５３が縦横に配列されてなる。なお、小メンブレイン領域のことをサブフィールドともいう。Ｓｉ基板５０の径は一例で２００ｍｍであり、各パターン領域５１の寸法は一例で縦１３２．５７ｍｍ×横５４．４３ｍｍである。
【００２９】
パターン領域５１において、最外周の各サブフィールド（位置検出用サブフィールド）５３ａは、位置検出用マークの専用領域として形成されている。位置検出用サブフィールド５３ａは、デバイス形成用のパターンを有せず、アライメントマーク（図示されず）のみが形成されている。アライメントマークの位置は、露光装置内で、電子線を用いて検出される。一方、位置検出用サブフィールド５３ａを除く内側のサブフィールド５３ｂは、通常のデバイス形成用のパターンを有する。
【００３０】
図４の下側に拡大して示すように、隣り合う位置検出用サブフィールド５３の間の部分５３′には、別の位置検出用マーク（計測用マーク）５５が形成されている。この計測用マーク５５は、Ｌ字形をしており、Ｓｉ基板５０の表面にＣｒやＴａ等を蒸着することにより形成されている。計測用マーク５５の位置は、検査装置（例えばニコン社製の光波干渉式座標測定機６ｉ型等）を使用して露光装置外で検出される。なお、図示はしないが、Ｓｉ基板５０の中心にも原点を規定するための計測用マークが形成されている。
【００３１】
位置検出用サブフィールド５３ａの中心（Ｐn、Ｑn）（但しｎ＝Ｎsf−１、Ｎsfは露光されるサブフィールドの数）は、左右の計測用マーク５５で計測される座標（ｘm、ｙm）、（ｘm+1、ｙm+1）（但しｍ＝Ｎ−１、Ｎは計測マークの総数）の中点（Ｐn＝（ｘm＋ｘm+1）／２、Ｑn＝（ｙm＋ｙm+1）／２）で与えられる。この座標の原点は、前述したＳｉ基板５０の中心に形成された計測用マーク（図示されず）である。
【００３２】
現状のレチクル誤差補正方法では、Ｓｉ基板５０の回転誤差、直交度誤差、倍率誤差に伴って生じるサブフィールドの歪みを補正するため、計測されたマーク位置（ｘm、ｙm）と歪みのない理想的なマーク位置（Ｘm、Ｙm）から、これらの誤差を次式（１）の変換式で表し、さらに最小二乗法を用いて次式（２）により線形歪み成分を算出している：
【数１】
2005285893.tif 000003
ただし、「数１」において、Ｓx、Ｓyは縦・横方向の倍率誤差のパラメータであり、θ、ωはそれぞれサブフィールド配列の回転、直交度誤差のパラメータであり、Ｏx、Ｏyはサブフィールド中心位置のずれのパラメータである。
【００３３】
前記「数１」を用いる現状の方法は、近接する複数のサブフィールドの中でほぼ等しい向き・大きさを有する線形歪み成分と、各点ごとに向き・大きさの異なる非線形歪み成分（誤差量（設計データからのずれ）から線形歪み成分を差し引いた量）と、レチクルアライメントで得られたレチクルの歪み量データとから各サブフィールドの位置を算出し、露光時に補正を行うものである。しかし、この方法では、サブフィールドのつなぎ精度や重ね合わせ精度を充分に確保できないことも考えられるため、本実施例では、以下に述べるような補正を行う。
【００３４】
図３は、本実施例に係るレチクルの位置検出用マーク配置例を模式的に示す平面図である。（Ａ）は位置検出用マークを各サブフィールド周りに４つ配置した例を示す図であり、（Ｂ）は位置検出用マークを各サブフィールド周りに６つ配置した例を示す図である。
図３（Ｂ）に示すような、６つのＬ型マーク（位置検出用マーク）を配置した場合は、３箇所のＬ型マークをＸ、Ｙ方向に計測することで６つの測定データを得ることができる。この場合、（ｕj、ｖj）（但しｊ＝１、２、３）を各Ｌ型マークの計測された位置座標とし、（Ｕj、Ｖj）（但しｊ＝１、２、３）を各Ｌ型マークの理想位置座標とすると、次の各式によりｎ番目のサブフィールドの回転θn、倍率Ｓｘn、Ｓｙn、直交度ωn、位置誤差Ｏｘn、Ｏｙnを得ることができる（但し、測定値、理想値ともサフィックスｎを省略してある）：
θn＝（ｖ3−ｖ1）／（ｕ3−ｕ1）
ωn＝（ｕ2−ｕ1）／（ｖ2−ｖ1）−θn
Ｓｘn＝（ｕ3−ｕ1）／（Ｕ3−Ｕ1）−１
Ｓｙn＝（ｖ2−ｖ1）／（Ｖ2−Ｖ1）−１
Ｏｘn＝（ｕ3＋ｕ1）／２−（Ｕ3＋Ｕ1）／２
Ｏｙn＝（ｖ1＋ｖ2）／２−（Ｖ1＋Ｖ2）／２
【００３５】
あるいは、前述と同様に、Ｊ個（Ｊ＞３：図３（Ａ）ではＪ＝４、図３（Ｂ）ではＪ＝６）の位置検出用マークを用いて線形誤差成分を算出することもできる（Ｊは１つのサブフィールド当たりのＬ型マーク数）。この場合は、計測されたマーク位置（ｕm、ｖm）と歪みのない理想的なマーク位置（Ｕm、Ｖm）から、これらの誤差を次式（３）の変換式で表し、さらに最小二乗法を用いて次式（４）により線形歪み成分を算出する：
【数２】
2005285893.tif 000004
そして、得られた線形誤差成分を電子光学系にてサブフィールドごとに補正して、ウェハ上に露光する。
【００３６】
これらの方法によれば、サブフィールドごとの変形（歪み）補正値を求めることができ、補正精度を向上することができるので、描画されたパターンの重ね合わせ誤差やスティッチング誤差を一層少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。
【図２】電子線投影露光用のレチクルの構成例を模式的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレイン領域の平面図である。
【図３】それぞれ本実施例に係るレチクルの１つのサブフィールド周囲における位置検出用マーク配置例を模式的に示す平面図である。
【図４】現状のレチクルの位置検出用マーク配置例を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  電子銃                                  ２、３  コンデンサレンズ
４  矩形開口（照明ビーム成形開口）          ５、８、１６  偏向器
７  ブランキング開口                        ９  レンズ
１０  レチクル                              １１  レチクルステージ
１５、１９  投影レンズ                      １８  コントラスト開口
２３  ウェハ                                ２４  ウェハステージ
３１  コントローラ（制御部）                ５０  Ｓｉ基板
５１  パターン領域                          ５３  小メンブレイン領域
５３ａ  位置検出用サブフィールド
５５  位置検出用マーク（計測用マーク）
【図１】
2005285893.tif 000005
【図２】
2005285893.tif 000006
【図３】
2005285893.tif 000007
【図４】
2005285893.tif 000008