(57)【要約】      （修正有）【課題】キャビティと底面との界面に発生するクラックを抑制するキャビティを有した積層セラミック基板の製造方法および誘電体積層デバイスを提供する。【解決手段】焼成済みセラミック基板の少なくとも一方の主面にベースフィルムより転写されて配置された接着層と、キャビティ２１を形成した複数の第１のセラミックグリーンシート層と、第１のセラミックグリーンシート層が焼結する温度では焼結しない第２のセラミックグリーンシート層とからなるグリーンシート積層体を作製する工程と、前記第１のセラミックグリーンシート層が焼結しかつ第２のセラミックグリーンシート層が焼結しない温度で再焼成する工程からなる。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成済みセラミック基板と、この焼成済みセラミック基板の少なくとも一方の主面にベースフィルムより転写されて配置された接着層と、この接着層の上に配置されたキャビティを形成した複数の第１のセラミックグリーンシート層と、この第１のセラミックグリーンシート層の上に配置された第１のセラミックグリーンシート層が焼結する温度では焼結しない第２のセラミックグリーンシート層とからなるグリーンシート積層体を作製する工程と、前記第１のセラミックグリーンシート層が焼結しかつ第２のセラミックグリーンシート層が焼結しない温度で再焼成する工程を少なくとも含む積層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
接着層の厚みを０．５〜５．０μｍとした請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
接着層にブチラール樹脂、アクリル樹脂のいずれかを用いる請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
ベースフィルムの熱変形温度が１００℃以下である請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
接着層にガラス軟化点が６００℃以下のガラス粉末を分散させる請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
ガラス粉末の含有量が５〜３０重量％である請求項５に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
第２のセラミックグリーンシート層のグリーンシート積層体に空洞を形成する請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
再焼成の焼成温度を焼成済みセラミック基板の焼成温度よりも高温で焼成する請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
再焼成の昇温速度は焼成済みセラミック基板の焼成時の昇温速度よりも遅くした請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９に記載の製造方法により作製した誘電体積層デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品、半導体デバイス等を実装する積層セラミック基板であって、特にキャビティ付きの積層セラミック基板の製造方法および誘電体積層デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック基板は半導体デバイスを高密度に実装するための重要な電子部品として実用化されてきている。特に最近ではこの積層セラミック基板にキャビティを設けてそのキャビティの中にベアチップの半導体デバイスを実装することにより、さらなる高密度実装を実現する技術が実用化され始めている。
【０００３】
一般的な積層セラミック基板の製造方法はセラミックグリーンシートを積層する方法で製造されることが多い。この方法は複数のセラミックグリーンシートにビアホールを形成した後、電極ペーストを用いて電極パターンおよびビアホール電極を印刷形成し、その後これらのセラミックグリーンシートを熱圧着により積層した後所定の焼成条件で焼成することによって積層セラミック基板とするものである。
【０００４】
次に、キャビティを有する積層セラミック基板の製造方法について説明する。まず第１の方法として、キャビティ層となる貫通孔に焼結工程後に除去できる収縮抑制材料により穴埋め印刷を行う方法が提案されている。
【０００５】
この方法は、複雑な形状の焼結体を寸法精度を確保しながら生産性を高めるため、セラミック又はガラスで形成された複数枚のグリーンシートを最終的に製造しようとする焼結体の各部の断面形状に合致した形状に打ち抜き加工した後、各グリーンシートの打ち抜き穴に焼結工程後にブラスト処理又は湿式処理で除去できる厚膜ペースト等の穴埋め材料をスクリーン印刷等で充填する。次に、各グリーンシートを積層して熱圧着した後、この積層体を加圧しながら焼結して穴埋め材料付きの焼結体を作製する。
【０００６】
その後、この焼結体から穴埋め材料をブラスト処理又は湿式処理で除去することにより、複雑な形状の積層体の焼結体を穴埋め材料によって寸法精度を確保しながら製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
次に第二の方法は、キャビティ付きのセラミック多層基板のキャビティの底面部が凸状に反ることがなく、寸法精度良く製造できるようにするため、予め焼成した焼成済み基板の上にキャビティ形成用の開口部が形成された１枚又は複数枚の未焼成の低温焼成セラミックグリーンシートを積層・熱圧着して積層体を作製する。
【０００８】
その後、この積層体の両面に低温焼成セラミックグリーンシートの焼結温度では焼結しないセラミック材料で形成した拘束用セラミックグリーンシートを積層熱圧着する。次にこの状態で、低温焼成セラミックグリーンシートの焼結温度である８００〜１０００℃で焼成した後、焼成基板の両面に付着した拘束用セラミックグリーンシートの残存物（セラミック粉体）をブラスト処理、バフ研磨等により除去する方法が提案されている。この製造方法により、層間剥離や反り等のないキャビティ付きのセラミック多層基板を製造することができる方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−１２１０７８号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１の工法ではキャビティの深さが深くなった場合、アスペクト比が大きくなることからキャビティ内部の収縮抑制材料を除去するブラスト条件では圧力等研削条件を厳しく管理する必要性があり、少なからずキャビティ上面の基板層に研削による損傷を与えるという問題点を有していた。
【００１０】
また、特許文献２の工法では低温焼成セラミックグリーンシート層に焼成温度よりも５０℃〜１００℃低い軟化点を持つガラスを使用した低温焼成セラミック材料を用いた場合、焼成温度付近で急激な厚み方向への焼成収縮が起こるために剥離、クラックを抑制できないという問題点を有していた。
【００１１】
本発明は上記課題を解決して、焼成済みセラミック基板とセラミックグリーンシート層との剥離を抑制する積層セラミック基板の製造方法を実現するものであり、特にキャビティと底面との界面に発生するクラックを抑制するキャビティを有した積層セラミック基板の製造方法および誘電体積層デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１３】
本発明の請求項１に記載の発明は、焼成済みセラミック基板と、この焼成済みセラミック基板の少なくとも一方の主面にベースフィルムより転写されて配置された接着層と、この接着層の上に配置されたキャビティを形成した複数の第１のセラミックグリーンシート層と、この第１のセラミックグリーンシート層の上に配置された第１のセラミックグリーンシート層が焼結する温度では焼結しない第２のセラミックグリーンシート層とからなるグリーンシート積層体を作製する工程と、前記第１のセラミックグリーンシート層が焼結しかつ第２のセラミックグリーンシート層が焼結しない温度で再焼成する工程を少なくとも含む積層セラミック基板の製造方法であり、焼成済みセラミック基板とセラミックグリーンシート層との剥離を抑制し、かつキャビティを設けた場合に底面との界面に発生するクラックを抑制することができる積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００１４】
本発明の請求項２に記載の発明は、接着層の厚みを０．５〜５．０μｍとした請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、焼成済みセラミック基板とセラミックグリーンシート層との剥離を確実に抑制することができる積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００１５】
本発明の請求項３に記載の発明は、接着層にブチラール樹脂、アクリル樹脂のいずれかを用いる請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、転写性、接着性に優れた積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００１６】
本発明の請求項４に記載の発明は、ベースフィルムの熱変形温度が１００℃以下である請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、プレスなどにより転写時に熱を加えながら行うことによって、焼成済みセラミック基板の上の電極の凹凸に追従することが容易にできることから、より転写性に優れたベースフィルムを実現することができる。
【００１７】
本発明の請求項５に記載の発明は、接着層にガラス軟化点が６００℃以下のガラス粉末を分散させる請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、接着剤中に有機バインダ成分が焼成中焼失直後から軟化するガラスを添加することにより、第１のセラミックグリーンシート層が焼成収縮開始するまでの接着成分として働くことにより、セラミックグリーンシート層との剥離を抑制することができる積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００１８】
本発明の請求項６に記載の発明は、ガラス粉末の含有量が５〜３０重量％である請求項５に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、転写性を損なわずに、よりセラミックグリーンシート層との剥離を抑制することができる積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００１９】
本発明の請求項７に記載の発明は、第２のセラミックグリーンシート層のグリーンシート積層体に空洞を形成する請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、積層したときにふくれの発生しない生産性に優れたキャビティを有した積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００２０】
本発明の請求項８に記載の発明は、再焼成の焼成温度を焼成済みセラミック基板の焼成温度よりも高温で焼成する請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、焼成済み基板とセラミックグリーンシート層との接合性を高めることができる積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００２１】
本発明の請求項９に記載の発明は、再焼成の昇温速度は焼成済みセラミック基板の焼成時の昇温速度よりも遅くした請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法であり、貼り合わせたグリーンシート積層体の焼成収縮の速度を低下させることができるため、剥離を抑制することができる積層セラミック基板の製造方法を提供することができる。
【００２２】
本発明の請求項１０に記載の発明は、請求項１〜請求項９に記載の製造方法により作製した誘電体積層デバイスであり、平面精度、平坦性に優れたキャビティ付きの積層セラミック基板を得ることができるため、半導体ベアチップ実装、チップ部品等を高密度実装を行った誘電体積層デバイスを実現することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように本発明によると、予め焼成済みセラミック基板を作製し、この焼成済みセラミック基板の上に接着層を介して第１のセラミックグリーンシート層を積層し、さらにその上に第２のセラミックグリーンシート層を積層した後再焼成を行うことにより、第１のセラミックグリーンシート層と焼成済みセラミック基板間で剥離することなく、クラック等のないキャビティ付きの積層セラミック基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて本発明の請求項１〜３，７，８，１０について図面を参照して説明する。
【００２５】
図１〜図１１は、本実施の形態１における積層セラミック基板の製造方法を説明するための工程の断面図である。
【００２６】
図１〜図４は焼成済みセラミック基板の製造方法を示しており、図１〜図４において、１１は酸化アルミニウムなどの無機粉末にガラス成分を含有する第１のセラミックグリーンシート層であり、１２は酸化アルミニウムなどの無機粉末を含有する第２のセラミックグリーンシート層であり、１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｉ等であり第１のセラミックグリーンシート層１１を焼結する温度で焼結する電極である。また１４は第１のセラミックグリーンシート層１１を構成している材料と同じ材料を使用して印刷形成した絶縁体である。
【００２７】
図１は焼成済みセラミック基板を構成する各層を説明するためのセラミックグリーンシートの積層構成を説明するための図である。
【００２８】
まず始めに、酸化アルミニウムなどの無機粉末にガラス成分を添加し、有機バインダ、可塑剤を混合してセラミックスラリーを作製した後、グリーンシート成型法を用いて所定の厚みを有する第１のセラミックグリーンシート層１１を作製する。この第１のセラミックグリーンシート層１１はガラス成分を含むために低抵抗な導体材料と同時焼結できるように焼結温度が低いものとなっている。またその厚みは５〜３００μｍ程度の範囲で適宜選択することができる。
【００２９】
次に、この第１のセラミックグリーンシート層１１にパンチングもしくはレーザー加工等によりビアホールを形成し、このビアホールに電極ペーストを埋め込むことにより電極（ビア）１３ｃを形成する。さらにこの第１のセラミックグリーンシート層１１の表面にはスクリーン印刷等により配線、コンデンサ、インダクタ等を形成する電極１３ｂを形成する。
【００３０】
次に、酸化アルミニウムなどの無機粉末に有機バインダ、可塑剤を混合して第２のセラミックグリーンシート層１２を作製する。この第２のセラミックグリーンシート層１２の焼結温度は第１のセラミックグリーンシート層１１の焼結温度より高く、第１のセラミックグリーンシート層１１の焼結温度においてはほとんど収縮しないものである。
【００３１】
次に、少なくとも一方の第２のセラミックグリーンシート層１２の一面にスクリーン印刷などにより２０〜５０μｍの厚みで必要な箇所に絶縁ペーストを塗布して絶縁体１４を作製する。
【００３２】
次に、この絶縁体１４の端部を覆うように第２のセラミックグリーンシート層１２の上に電極１３ａを形成する。
【００３３】
その後、これらの材料を図１に示すように絶縁体１４および電極１３ａを形成した第２のセラミックグリーンシート層１２の上に電極１３ａと電極１３ｂ，１３ｃが確実に接続するように位置合わせを行いながら第１のセラミックグリーンシート層１１を積層し、その後熱圧着を行い一体化させる。そして最表層に電極１３ａを印刷形成する。
【００３４】
そして、この最表層に形成した電極１３ａの上に絶縁体１４および電極１３ａを形成していない第２のセラミックグリーンシート層１２を積層し、その後熱圧着を行って一体化して、図２に示すような積層体ブロックを作製する。
【００３５】
次に、この積層体ブロックを第２のセラミックグリーンシート層１２は焼結しない温度で、かつ第１のセラミックグリーンシート層１１および電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃが焼結する温度（第１のセラミックグリーンシート層１１が焼結する温度より１０〜５０℃低い温度が好ましい）で焼成することにより図３に示した焼結体１５を得る。この焼成条件では第２のセラミックグリーンシート層１２はほとんど焼成収縮しないので、焼結により収縮しようとする第１のセラミックグリーンシート層１１を平面方向への収縮を拘束することになる。従って、第１のセラミックグリーンシート層１１の平面方向の収縮は抑制されることによって寸法の精度を高精度に維持することができる。
【００３６】
その後、焼結していない第２のセラミックグリーンシート層１２のみを除去することにより、図４に示すような平面の寸法精度、平坦性に優れた焼成済みセラミック基板１６を得ることができる。
【００３７】
これまでのプロセスは一例として無収縮の焼成プロセスを用いて説明したが、焼成済みセラミック基板１６は無収縮焼成に限るものではない。
【００３８】
次に、図５〜図１０を用いてキャビティを有する積層セラミック基板の製造方法について説明する。
【００３９】
図５〜図１０において、１７は接着層であり、１８は接着層１７を均一に転写するためのシリコンゴムである。１９はキャビティを設けた焼結体であり、２０はキャビティ付きの積層セラミック基板であり、２１はキャビティである。
【００４０】
図５は接着層１７を転写する方法を説明するための断面図であり、まずこの接着層１７の作製方法について説明する。
【００４１】
この接着層１７に用いる接着剤には接着性、熱分解性の観点からポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂が最適であり、これらの樹脂成分を有機溶媒中に溶解させて作製することができ、適宜フタル酸ベンジルブチル等の可塑剤を添加しても良い。この接着層１７の成分をベースフィルム（図示せず）として厚み５０μｍ程度のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムの上にグラビア印刷などの方法により厚みを制御しながら塗工を行うことにより、接着層１７を作製する。この接着層１７が焼成済みセラミック基板１６とその上に積層する第１のセラミックグリーンシート層１１との間に介在することで接着性を高める役割を果たすことになり、焼成後は分解して無くなるものである。
【００４２】
この接着層１７は粘着性を有するとともに、非常に薄いものであるのでこのままでは取り扱いが煩雑である。そのため、一定の厚みを有するフィルム状のベースフィルムの上に接着層１７を形成することにより、取り扱いを容易にすることができる。このときベースフィルムには離型性を付与しておくことにより、転写後容易に接着層１７から剥がすことができる。
【００４３】
この接着層１７の最適な厚みについて検討した結果、この接着層１７の厚みは０．５〜５．０μｍの範囲が最適であることが分かった。０．５μｍより薄い場合には凹凸への追随性が低下するために接着性が不十分であり、５．０μｍより厚い場合には接着性は十分であるが焼成済みセラミック基板１６と第１のセラミックグリーンシート層１１との界面に隙間が発生して接合性が低下することが分かった。
【００４４】
また、焼成済みセラミック基板１６と第１のセラミックグリーンシート層１１との焼成過程における接合性をより高めるために、前記接着層１７の中にガラス成分を添加することが有効であることが分かった。さらにこのガラス成分の添加量は平均粒径１〜２μｍ程度のものを樹脂成分に対して５〜３０重量％を添加することが好ましく、より好ましくは１０〜２０重量％の範囲であった。
【００４５】
次に、焼成済みセラミック基板１６の上に接着層１７を転写する方法について図５を用いて説明する。図５に示すように弾力性を有するシリコンゴム１８を両面に配置している。これは接着層１７を焼成済みセラミック基板１６の破損を防止したり、むらなく高精度に接着層１７を形成するためである。
【００４６】
焼成済みセラミック基板１６のキャビティ２１を形成する一面に接着層１７を対面させるように配置させた後、この両側にシリコンゴム１８を配置し、転写条件：圧力；１０〜５０ｋｇ／ｃｍ2、温度；７０〜１５０℃で転写プレスする。その後接着層１７からベースフィルムを剥がすことにより、むらなく接着層１７を焼成済みセラミック基板１６の上に転写することができる。
【００４７】
次に、図６に示すようにキャビティ２１を形成するための未焼成のグリーンシート積層体を作製する。
【００４８】
まず、第１のセラミックグリーンシート層１１の各層にメカニカルパンチングもしくはレーザー加工等によりキャビティ２１を設けるための穴を形成し、メタルマスク等を介してビアホールのみ電極ペーストを埋め込み印刷を行うことによりビアの電極１３ｃを形成したものができる。さらに必要に応じて所定の箇所の第１のセラミックグリーンシート層１１の表面にスクリーン印刷等により配線、コンデンサ素子２３、インダクタ素子２４等を形成する電極１３ｂを形成する。
【００４９】
次に、第２のセラミックグリーンシート層１２を第１のセラミックグリーンシート層１１の最表層に位置合わせを行いながら積層し、加熱および加圧を行い一体化させることにより、グリーンシート積層体を作製することができる。このとき、キャビティ２１の形状によっては第２のセラミックグリーンシート層１２を積層することによりキャビティ２１を完全に塞ぐことになり、後工程での処理においてふくれを発生することがある。この対策として、第２のセラミックグリーンシート層１２にはキャビティ２１用の穴と同形状もしくは焼成後のキャビティ２１の形状よりも小さい空洞２２をメカニカルパンチングもしくはレーザー加工等により形成し、電極１３ａおよび絶縁体１４を形成した第１のセラミックグリーンシート層１１の最表層に位置合わせを行いながら積層し、加熱および加圧を行い一体化させることにより、図７に示すようなふくれの発生しないグリーンシート積層体を作製することができる。
【００５０】
次に、図８に示すように図７で形成したグリーンシート積層体を表面に接着層１７（図示せず）を形成した焼成済みセラミック基板１６の上に位置合わせをしながら積層することにより積層体ブロックを作製する。
【００５１】
次に、図８に示すところの積層体ブロックを第２のセラミックグリーンシート層１２が焼結しない温度、焼成済みセラミック基板１６よりも高い温度でかつ第１のセラミックグリーンシート層１１および電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃが焼結する温度で焼成することにより図９に示す焼結体１９を得る。
【００５２】
その後、焼結していない第２のセラミックグリーンシート層１２をサンドブラスト等により除去することにより図１０に示すキャビティ２１が形成されたキャビティ付きの積層セラミック基板２０を作製することができる。ここで、２３はコンデンサ素子であり、２４はコイル素子となることによって受動部品を内蔵したキャビティ付きの積層セラミック基板２０を作製することができる。
【００５３】
また、図１０に示すキャビティ付きの積層セラミック基板２０の第１のセラミックグリーンシート層１１に誘電体セラミック材料を用いて構成することによりキャビティ付きの積層セラミック基板２０の応用例である優れた誘電体積層デバイスとすることができる。
【００５４】
また、焼成済みセラミック基板１６の片面のみに第１のセラミックグリーンシート層１１を貼り合わせたが、両面に第１のセラミックグリーンシート層１１を貼り合わせることにより、焼成済みセラミック基板１６の両面にキャビティ２１を形成してもよい。さらにキャビティ２１を１段で構成したが、第１のセラミックグリーンシート層１１の積層体を貼り合わせて再焼成を繰り返すことにより、多段のキャビティを形成することも可能である。
【００５５】
なお、表裏面の電極１３ａは半田濡れ性を確保するためにＮｉ−Ａｕめっき等を施すことが一般的である。
【００５６】
次に、図１１に示すように前記の製造方法にて作製されたキャビティ付きの積層セラミック基板２０のキャビティ２１内に半導体チップ２５をベアチップ実装し、場合によっては表面にＳＡＷフィルタ、チップ部品、ダイオードなどの半導体を実装した後ダイシング等により個片に分割し、回路基板などに実装することによりキャビティ付きの積層セラミック基板２０の応用例である小型で優れた特性を有する誘電体積層デバイスを得ることができる。
【００５７】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて本発明の請求項４，５，６について説明する。
【００５８】
焼成済みセラミック基板１６として厚み０．６ｍｍのセラミック積層基板を用意し、様々な条件により接着層１７を塗布形成したベースフィルムを作製したときの焼成済みセラミック基板１６への転写性、再焼成を行ったときの接合性などを調べた結果を（表１）に示す。
【００５９】
また、接着層１７の成分としてブチラール樹脂成分のみでは一部の再焼成後に貼り合わせた第１のセラミックグリーンシート層１１において接合せずに剥離する材料も見受けられた。その対策として、接着層１７に焼成時の接合性を高めるために接着層１７の主成分であるブチラール樹脂に各種のガラス軟化点を有するガラスを添加した時の効果を確認した。それらの検討結果を（表１）に示す。
【００６０】
【表１】
2005056977.tif 000003
【００６１】
（表１）の結果より、ＰＥＴを用いたベースフィルムでは転写温度を１００℃ではうまく転写せず（比較例１）、さらに１４０℃まで上げた場合においても一部は転写するものの、焼成済みセラミック基板１６の全体に確実に転写することはできなかった（比較例２）。また焼成済みセラミック基板１６の表面に電極を形成した試料に対しても同様に転写を行ったが、この電極の凹凸にベースフィルムがうまく追従することができないために転写が不十分な状態であった（比較例１、比較例２）。
【００６２】
一方、ベースフィルムにポリエチレンを使用した場合には１００℃程度で容易にポリエチレンが熱変形を起こすために焼成済みセラミック基板１６の平面性への追従性がよくなり、転写性は大変良好であった（実施例１）。これと同じ効果を得ることができるベースフィルムとしてはポリプロピレンも同様の転写性を得ることができた。
【００６３】
また、接着層１７の中にガラスを添加することを検討し、ガラス軟化点が６００℃以上のガラスを添加した場合には剥離が起こり（比較例３）、６００℃以下のガラスを添加することにより焼成済みセラミック基板１６と第１のセラミックグリーンシート層１１の接合性に関して大きな改善効果が得られた（実施例２および実施例３）。
【００６４】
次に、このガラス軟化点が６００℃以下のガラス粉末量を検討した結果、ガラス粉末の含有量が５〜３０重量％の範囲において転写性および接合性の良好な結果が得られた。ガラス粉末の含有量が５％より少ない場合は接合性を高める効果が期待できず、含有量が３０％を超えると転写性と接着性が劣化することがわかった。
【００６５】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて本発明の請求項９について説明する。
【００６６】
焼成済みセラミック基板１６として厚み０．６ｍｍの積層セラミック基板を用意し、厚み１．０ｍｍになるように複数の第１のセラミックグリーンシート層１１を接着層１７を介して貼り合わせ、再焼成時の焼成昇温速度を検討して接合性、クラックの有無を確認した。この焼成済みセラミック基板１６の焼成時の昇温速度はそれぞれ３，５，７℃／ｍｉｎで行い、再焼成時も同様に焼成昇温速度をそれぞれ３，５，７℃／ｍｉｎで再焼成を行った。しかしながら、この条件にて再焼成を行うと、貼り合わせた第１のセラミックグリーンシート層１１にも大きなクラックが発生するとともに剥離が発生した。
【００６７】
そこで、再焼成時の焼成昇温速度を前記焼成済みセラミック基板１６の焼成昇温温度よりも低い１．５，２．５，３．５℃／ｍｉｎで行った場合にはクラック、剥離ともに発生することはなく接合性に対して大きな効果が得られた。検討の結果、再焼成の昇温速度は焼成済みセラミック基板１６の焼成時の昇温速度よりも遅くすることによりクラック、剥離が発生しない積層セラミック基板を製造することができ、より好ましくは再焼成の昇温速度を焼成済みセラミック基板１６の焼成時の昇温速度の１／２以下にすると良い。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明にかかる積層セラミック基板の製造方法および誘電体積層デバイスは、予め焼成済みの積層セラミック基板を作製し、積層セラミック基板上にガラスを添加した接着剤を介してグリーンシートを積層、再焼成を行うことにより、グリーンシート、焼成済みセラミック基板間で剥離することなく、クラック等のない積層セラミック基板の製造方法および誘電体積層デバイスを提供することができるという効果を有し、半導体等を実装する高密度実装のモジュール基板等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施の形態１における積層セラミック基板の製造方法を説明するための工程の断面図
【図２】同断面図
【図３】同断面図
【図４】同断面図
【図５】同断面図
【図６】同断面図
【図７】同断面図
【図８】同断面図
【図９】同断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるキャビティ付きの積層セラミック基板の断面図
【図１１】同誘電体積層デバイスの断面図
【符号の説明】
【００７０】
１１  第１のセラミックグリーンシート層
１２  第２のセラミックグリーンシート層
１３ａ  電極
１３ｂ  電極
１３ｃ  電極（ビア）
１４  絶縁体
１５  焼結体
１６  焼成済みセラミック基板
１７  接着層
１８  シリコンゴム
１９  焼結体
２０  キャビティ付きの積層セラミック基板
２１  キャビティ
２２  空洞
２３  コンデンサ素子
２４  コイル素子
２５  半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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