(57)【要約】【課題】熱放散性および耐湿性に優れ、変形のない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】アウター部１ｂとインナー部１ａからなるリード１と、放熱板２と、前記放熱板２上に少なくとも１個が搭載された半導体素子５１，５２と、半導体素子５１，５２の電極パッドと前記リード１のインナー部１ａとを接続する金属細線７とを有し、前記半導体素子５１，５２と金属細線７と放熱板２とリード１のインナー部１ａとが樹脂封止４された半導体装置であって、複数のリード１のインナー部１ａの先端に形成された凸部１１が、放熱板２に形成された凹部２１に嵌合され連結固定された。【選択図】        図１
2005302905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードと、放熱板と、前記放熱板上に少なくとも１個が搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを接続する金属細線とを有し、前記半導体素子と金属細線と放熱板とリードのインナー部とが樹脂封止された半導体装置であって、
前記複数のリードのインナー部の先端に形成された凸部が、放熱板に形成された凹部に嵌合されてリードと放熱板が連結固定された
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
リードと、放熱板と、前記放熱板上に少なくとも１個が搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを接続する金属細線とを有し、前記半導体素子と金属細線と放熱板とリードのインナー部とが樹脂封止された半導体装置であって、
前記放熱板の周縁部から内側に形成された溝部に、前記リードのインナー部先端側が嵌合されてリードと放熱板が連結固定された
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
リードのインナー部と放熱板との間に絶縁材が介在された
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
フレーム枠に複数のリードおよび複数の吊りリードとが連結されたリードフレームと、放熱板と、前記放熱板上に少なくとも１個が搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを接続する金属細線とを有し、前記半導体素子と金属細線と放熱板とリードのインナー部と吊リードの先端側が樹脂封止された半導体装置であって、
前記吊りリードの先端部に形成された凸部が、前記放熱板に形成された凹部に嵌合されて、放熱板がリードフレームに連結固定され、
樹脂封止された封止樹脂体から前記フレーム枠および吊リードの基端側が分離された
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
フレーム枠にが連結された複数のリードのインナー部を、放熱板に重なるように形成するとともに、前記インナー部の先端に凸部を形成し、前記放熱板に形成された凹部に前記インナー部の凸部を嵌合して前記リードと放熱板とを連結固定する工程と、
前記放熱板上に１個以上の半導体素子を接着剤を介して積層し搭載する工程と、
前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを金属細線で接続する工程と、
前記半導体素子、金属細線、放熱板およびリードのインナー部とを樹脂封止する工程と、
樹脂封止された封止樹脂体からフレーム枠を分離する工程からなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数のリードが連結されたフレーム枠に、先端側が放熱板に重なる複数の吊リードを設けるとともに、前記吊りリードの先端に凸部を形成し、前記放熱板に形成された凹部に前記吊りリードの凸部を嵌合して吊りリードと放熱板とを連結固定する工程と、
前記放熱板上に１個以上の半導体素子を、絶縁性接着剤を介して積層し搭載する工程と、
前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを金属細線で接続する工程と、
前記半導体素子、金属細線、放熱板およびリードのインナー部とを樹脂封止する工程と、
樹脂封止型半導体装置部分をフレーム枠および吊りリードの基端側から分離する工程からなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
吊りリードと放熱板とを連結固定する工程で、
リードのインナー部の凸部と放熱板の凹部とを締まり嵌めにより嵌合連結する
ことを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
吊りリードと放熱板とを連結固定する工程で、
放熱板とインナー部の間に絶縁材を介在させる
ことを特徴とする請求項５乃至７の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
フレーム枠の内側に連結された複数のリードのインナー部先端側を、放熱板に重なるように形成するとともに、前記放熱板の周縁から内部に形成された溝部に、前記インナー部先端側を嵌合して前記吊りリードと放熱板とを連結固定する工程と、
前記放熱板上に１個以上の半導体素子を、絶縁性接着剤を介して積層し搭載する工程と、
前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを金属細線で接続する工程と、
前記半導体素子、金属細線、放熱板およびリードのインナー部とを樹脂封止する工程と、
樹脂封止された半導体装置部分からフレーム枠を分離する工程からなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
吊りリードと放熱板とを連結固定する工程で、
前記吊りリードのインナー部先端側と放熱板の溝部とを締まり嵌めにより連結する
ことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型の半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止型の半導体装置を図１０に示す。この樹脂封止型の半導体装置はＰ−ＱＦＰ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｑａｕｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼称されるものである。
【０００３】
図１０において、５４はインナー部５４Ａとアウター部５４Ｂを有するリード、５５は封止樹脂体、５１は第１の半導体素子、５２は第２の半導体素子、６１は接着ペースト、６２は接着シート、５３は金属細線、５０はダイパットである。
【０００４】
ダイパット５０上に第１の半導体素子５１と第２の半導体５２が積層されている。すなわち、ダイパット５０上に接着ペースト６１により第１の半導体素子５１が固着され、この第１の半導体素子５１上に絶縁性の接着シート６２により第２の半導体素子５２が固着されている。これら半導体素子５１、５２の複数の電極パッド（図示せず）は、金属細線５３により複数のリード５４のインナー部５４Ａにそれぞれ電気的に導通されている。そして半導体素子５１、５２、金属細線５３、インナー部５４Ａ、ダイパット５０をエポキシ樹脂により覆って封止樹脂体５５が形成され、この樹脂封止体５５の周縁で４方向にそれぞれ複数のリード５４のアウター部５４Ｂを突出されている。
【０００５】
また、図示しないが、ダイパットに代わって、放熱板をリードのインナー部の裏面に絶縁性の接着テープを介して貼り付け、半導体装置からの放熱性を向上する方法も採用されている。
【０００６】
さらに、放熱板とリードとを連結する別の方法として、特許文献１がある。これは、放熱板に両辺から突出されたアーム部に凸部を設け、リードフレームに設けられた固定部に孔を設け、前記凸部を固定部の孔に嵌合してかしめ、放熱板とリードフレームとを一体化するものである。
【特許文献１】特開２００１−１４４２４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１０の従来例のように、ダイパットに複数の半導体素子を搭載した場合、放熱エネルギーの放散は倍々に増加することになる。しかしながら、従来構造の半導体装置では熱放散性が限られる。
【０００８】
また図１０の半導体装置でダイパットのみで半導体素子を保持している構成では樹脂封止時にダイパットがシフト（変位）し、パッケージ（樹脂封止型半導体装置）本体が反るという課題があった。
【０００９】
さらに特許文献１のように、放熱板のアーム部が残置されて外部に露出する場合、封止樹脂と放熱板の間から水分が浸入するため、耐湿性が低いという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するために、熱放散性および耐湿性に優れ、変形のない半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の半導体装置は、リードと、放熱板と、前記放熱板上に少なくとも１個が搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを接続する金属細線とを有し、前記半導体素子と金属細線と放熱板とリードのインナー部とが樹脂封止された半導体装置であって、前記複数のリードのインナー部の先端に形成された凸部が、放熱板に形成された凹部に嵌合されてリードと放熱板が連結固定されたものである。
【００１１】
請求項２記載の半導体装置は、リードと、放熱板と、前記放熱板上に少なくとも１個が搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを接続する金属細線とを有し、前記半導体素子と金属細線と放熱板とリードのインナー部とが樹脂封止された半導体装置であって、前記放熱板の周縁部から内側に形成された溝部に、前記リードのインナー部先端側が嵌合されてリードと放熱板が連結固定されたものである。
【００１２】
請求項４記載の半導体装置は、フレーム枠に複数のリードおよび複数の吊りリードとが連結されたリードフレームと、放熱板と、前記放熱板上に少なくとも１個が搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを接続する金属細線とを有し、前記半導体素子と金属細線と放熱板とリードのインナー部と吊リードの先端側が樹脂封止された半導体装置であって、前記吊りリードの先端部に形成された凸部が、前記放熱板に形成された凹部に嵌合されて、放熱板がリードフレームに連結固定され、樹脂封止された封止樹脂体から前記フレーム枠および吊リードの基端側が分離されたものである。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、フレーム枠にが連結された複数のリードのインナー部を、放熱板に重なるように形成するとともに、前記インナー部の先端に凸部を形成し、前記放熱板に形成された凹部に前記インナー部の凸部を嵌合して前記リードと放熱板とを連結固定する工程と、前記放熱板上に１個以上の半導体素子を接着剤を介して積層し搭載する工程と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子、金属細線、放熱板およびリードのインナー部とを樹脂封止する工程と、樹脂封止された封止樹脂体からフレーム枠を分離する工程からなるものである。
【００１４】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、複数のリードが連結されたフレーム枠に、先端側が放熱板に重なる複数の吊リードを設けるとともに、前記吊りリードの先端に凸部を形成し、前記放熱板に形成された凹部に前記吊りリードの凸部を嵌合して吊りリードと放熱板とを連結固定する工程と、前記放熱板上に１個以上の半導体素子を、絶縁性接着剤を介して積層し搭載する工程と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子、金属細線、放熱板およびリードのインナー部とを樹脂封止する工程と、樹脂封止型半導体装置部分をフレーム枠および吊りリードの基端側から分離する工程からなるものである。
【００１５】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、フレーム枠の内側に連結された複数のリードのインナー部先端側を、放熱板に重なるように形成するとともに、前記放熱板の周縁から内部に形成された溝部に、前記インナー部先端側を嵌合して前記リードと放熱板とを連結固定する工程と、前記放熱板上に１個以上の半導体素子を、絶縁性接着剤を介して積層し搭載する工程と、前記半導体素子の電極パッドと前記リードのインナー部とを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子、金属細線、放熱板およびリードのインナー部とを樹脂封止する工程と、樹脂封止された半導体装置部分からフレーム枠を分離する工程からなるものである。
【発明の効果】
【００１６】
上記構成によれば、放熱性を向上させると同時に樹脂封止時にダイパットのシフト（変位）および半導体装置本体の変形を防止でき、放熱板が外部に露出しないので防湿性に優れているという効果を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る半導体装置およびその製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
本発明に係る第１の実施の形態を図１〜図３に基いて説明する。
【００１８】
図１（ａ１）〜（ａ３）に示すように、リード１のインナー部１ａの先端裏面には、たとえば円柱状の凸部１１が形状されている。この凸部１１は、インナーリード１と同一材料から一体成形することが好ましい。凸部１１を形成する方法としては、例えばハーフエッチングやポンチ、半剪断などが採用される。この凸部１１の高さは数十μｍ〜百数十μｍ程度である。また凸部１１の形状は円形の他に、長円形や四角形などでもよく、そのサイズはインナー部１ａの幅に制限される。しかしながら、インナー部１ａの先端が非常に狭幅（たとえば２００μｍ以下）の場合には適していない。前記リード１はそれぞれアウター部１ｂが、樹脂封止後に除去される外枠部１ｃに連結されて一体に形成されている。
【００１９】
図１（ｂ）（ｅ）に示すように、ダイパットに代って設けられた放熱板２は略四角形の板状で、その表面で中央部には、半導体素子の搭載領域２０を備え、この搭載領域２０は所定の高さＨだけ高くなっており、搭載領域２０より半導体素子が広い面積を有する場合には、少なくとも取り付けられたリード１のインナー部１ａの厚みより所定量ｈだけ高く形成され、搭載領域２０に配置される半導体素子とインナー部１ａとの干渉が防止されている。
【００２０】
また放熱板２の表面の周縁部には、前記凸部１１が嵌合可能な複数の凹部２１が形成されている。これら凹部２１は、たとえば化学加工（ケミカルエッチング）、機械加工（ポンチ加工、ドリル加工）によって形成される。また放熱板２の材質はＣｕ系合金、Ａｌ系などから成る。
【００２１】
さらに放熱板２の表面で少なくとも複数の凹部２１を含む領域には、絶縁性薄膜（絶縁性薄膜）２２がコートされており、インナー部１ａと放熱板２との電気的絶縁が確保されている。
【００２２】
図１（ｄ１）（ｄ２）に示すように、押圧力によりリード１のインナー部１ａが放熱板２の凹部２１に嵌め込まれ、放熱板２とリード１のインナー部１ａとがしっかり一体化されている。ここで、凸部１１を底面が開口部より広くした逆テーパ形状に形成し、加圧してかしめることでしっかりと保持できるようにしてもよい。ここで、凸部１１と凹部２１の嵌め合いが締り嵌めになるようにしておくことが重要である。
【００２３】
図２は、封止樹脂体４とリード１のアウター部１ｂと具備した樹脂封止型半導体装置で、Ｐ−ＱＦＰ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｑａｕｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼称されるものである。５１は第１の半導体素子、５２は第２の半導体素子、６１は接着ペースト、６２は接着シート、７は金属細線である。
【００２４】
すなわち、放熱板２上に２個の半導体素子５１、５２が積層されており、放熱板２の周縁部に形成された凹部２１に、リード１のインナー部１ａの先端裏面の凸部１１が嵌合されて連結固定されている。ここで、放熱板２の凹部２１を含む領域に絶縁コート２２をコーティングしたり、絶縁材を間隙に挟み込まれる。さらに、半導体素子５１、５２の電極パッド領域とリード１のインナー部１ａとは金属細線７により電気的接合に接合されている。これら２個の半導体素子５１、５２と、金属細線７と、放熱板２と、リード１のインナー部１ａが封止樹脂により覆われて封止樹脂体４が形成されている。
【００２５】
図３を参照して第１の実施形態にかかる樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する。
図３（ａ）に示すように、リードフレームは、前記放熱板２と、放熱板２の周囲を囲む複数のリード１とで構成されてる。リード１は、封止樹脂体４（半導体装置本体・ボディ部）の外面を境界として、内側のインナー部１ａと外側のアウター部１ｂとからなる。そして、リード１のアウター部１ｂはそれぞれの外端部が、閉じられた外枠１ｃに連結されており、インナー部１ａとアウター部１ｂと外枠１ｃからなる構成体が１つの半導体装置となる。実際のリードフレームは製造効率を上げるため、この部分が縦横に複数並んだ構成となっている。
【００２６】
前記リードフレーム（リード１のインナー部１ａおよびアウター部１ｂ、放熱板２）の表面には、ニッケル（Ｎｉ）めっき層、パラジウム（Ｐｄ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層の３層でめっき層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のはんだめっきが部分的に施されているものである。これらめっきの厚みはＡｕめっき、Ｐｄめっきで１μｍ以下、Ａｇめっきで数μｍ以下である。
【００２７】
図３（ｂ），（ｃ）に示すように、ペースト状の接着材料６１として、たとえばＡｇ粉を含んだエポキシ樹脂を使用すると、約１００℃から２５０℃、数十秒で硬化する。またシート状の接着材料６２として、たとえば絶縁テープの両面に接着剤が薄く塗布されたものを使用すると、約１００℃から２５０℃、数十秒で硬化する。
【００２８】
図３（ｄ）は示すように、下段の第１の半導体素子５１の電極パッドと複数のリード１のインナー部１ａとを金属細線７で電気的に接続（ワイヤーボンディング）するとともに、上段となる第２の半導体素子５２の電極パッドと複数のリード１のインナー部１ａとを金属細線７で電気的に接続（ワイヤーボンディング）する。金属細線７は金（Ａｕ）純度、９９．９９％以上、直径１５μｍから３０μｍの範囲が主となり、ワイヤーボンダーによる超音波・熱圧着方法で接合する。図示していないが、第１の半導体素子５１と第２の半導体素子５２とインナーリード１と放熱板２の領域を１５０℃から２５０℃のヒータープレート（図示せず）上で熱しながら、キャピラリーツール（図示せず）に金属細線７を通しておき、超音波振動と荷重を付加しながら、半導体素子５１、５２の電極パッドに予め形成した金属ボールを押し付けて接合し、キャピラリーツールを、リード１のインナー部１ａまで移動して金属細線７を圧着した後、金属細線７をちぎって分離する。このとき金属細線７が任意のループ形状（ループ高さ）となるようにキャピラリーツールの動きをワイヤーボンダー側でコントロールする。
【００２９】
図３（ｅ）に示すように、前工程までの半完成品の半導体装置を封止金型（図示せず）内に載置して挟み込み、半導体装置のボディ部に液状の熱硬化性のエポキシ樹脂を注入して封止樹脂体体４を形成する。エポキシ樹脂は１５０℃から２００℃に熱せられた封止金型の熱により液状に溶融する。溶融したエポキシ樹脂は同じ温度下において数十秒〜百数十秒で硬化（キュア）する。
【００３０】
図３（ｆ）に示すように、リード１のアウター部１ｂが加工されてガルウィング形状（２段曲げ）に形成する。
上記構成によれば、リード１のインナー部１ａの先端裏面に凸部１１を形成し、これら凸部１１を放熱板２の表面周縁部に形成された凹部２１に嵌合して、凸部１ａと凹部２１の締り嵌めの嵌め合い構造によりリード１と放熱板２とを連結固定したので、放熱板２とインナーリード１とは、凸部１１および凹部２１の接触部と、放熱板２の表面およびインナー部１ａの裏面の接触部とで、大きな接触面積を確保することができ、放熱板２からインナーリード１への伝熱特性および熱放散性を向上することができる。また放熱源である２つの半導体素子５１、５２から金属細線７を介してリード１にも熱拡散することができる。さらに凸部１ａと凹部２１の締り嵌めによる嵌め合い構造により、放熱板２とインナーリード１とを強固に固定することによって、放熱板２とリード１が強固に接続されるため、樹脂封止時に放熱板２がシフト（変位）することを防止できるとともに、エポキシ樹脂により封止して封止樹脂体４を形成する時の充填バランスにより発生する半導体装置のボディ部（封止樹脂体４）の反りを小さくすることができる。また放熱板２が外部に露出されないので、耐湿性を向上することができる。
【００３１】
［第２の実施の形態］
本発明に係る第２の実施の形態を図４〜図６に基いて説明する。なお、実施の形態１と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００３２】
この第２の実施の形態は、リード１のインナー部１ａの先端部の幅が非常に狭い場合（２００μｍ以下）に適したものである。すなわち、図４に示すように、放熱板２の周縁部には、リード１のインナー部１ａの先端側が嵌め込み可能な複数の溝部２３が、放熱板２の四辺と略直交する方向に端縁部に開口して形成されている。また放熱板２の外周部表面で溝部２２を含む領域には、絶縁コート（絶縁性薄膜）２２が施されており、インナー部１ａと放熱板２との電気的絶縁が確保されている。
【００３３】
さらに図４に示すように、リード１は放熱板２にしっかり一体化するように所定の押圧力により嵌め込みまれ、かしめられることによりリード１と放熱板２とが強固に連結固定されている。また図示するように、溝部２２を上面開口面よりも底面が大きい逆テーパ形状（あり溝）に形成することで、連結強度をさらに向上させることができる。ここで、インナー部１ａの先端側と溝部２２の嵌め合いが締り嵌めになるようにしておくことが重要である。
【００３４】
図６に示す製造方法は、第１実施の形態（図３）とほとんど変わるところはないため説明を省略する。
上記第２の実施の形態によれば、リード１のインナー部１ａの先端側を放熱板２の周縁部に形成された溝部２２に嵌合して、インナー部１ａと溝部２２との締り嵌めによる嵌め合い構造によりリード１と放熱板２とを連結したので、溝部２２の内面とインナー部１ａの底面および側面の一部の接触部とで大きな接触面積を確保することができ、放熱板２からインナーリード１への伝熱特性および熱放散性をより向上させることができる。
【００３５】
また上記製造方法によれば、締り嵌めされた溝部２２とリード１のインナー部１ａの嵌め合い箇所は複数あり、リード１のインナー部１ａにより放熱板２を十分な力でに保持することができ、樹脂封止時に放熱板２がシフト（変位）することを防止できるとともに、封止樹脂（エポキシ樹脂）の充填バランスにより発生する半導体装置のボディ部（封止樹脂体４）の反りを小さくすることができる。
【００３６】
さらにインナー部１ａが溝部２２に埋め込まれた分、リード１と放熱板２の総厚が薄くなるので、半導体装置の薄型化に寄与することができる。またリード１は特に加工する必要はなく、放熱板２の溝部２２の加工のみで良いため、製造コストを低減することができる。さらにリード１の先端部の幅が狭い場合（２００μｍ以下）であっても、インナー部１ａへの加工が不要であるため、リード１と放熱板２とを連結固定することができる。
【００３７】
なお、図ではすべてのリード１のインナー部１ａを放熱板２の溝部２２に嵌め込む構造となっているが、選択されたリード１のインナー部１ａのみを溝部２２に嵌め込む構造としても、十分な放熱効果を得られることは言うまでもない。
【００３８】
［第３の実施の形態］
本発明に係る第３の実施の形態を図７〜図９を参照して説明する。なお、先の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
図７に示すように、放熱板２の四隅コーナー部に４本の吊りリード８が連結されて保持されるもので、製造中の吊りリード８は外枠部１ｃに連結されている。
前記各吊りリード８には先端部裏面に凸部８１が形成されている。凸部８１は当然ながら吊りリード８の同一材料から形成することが好ましく、この凸部８１を形成する方法として、例えばハーフエッチングやポンチ、半剪断などがある。凸部８１の高さは数十μｍ〜１数十μｍ程度である。また凸部８１の形状は円形や長円形、四角形などでもよくサイズは吊りリード８の幅に制限される。
【００４０】
放熱板２の四隅コーナー部にそれぞれ前記凸部８１が嵌合可能な凹部２４が形成されている。放熱板２の各凹部２４は、吊りリード８の先端裏面の凸部８１が嵌め込まれ、放熱板２とリード１とは吊りリード８と外枠部１ｃを介して連結されている。
【００４１】
図７に示すように、放熱板２の凹部２４の断面は、吊りリード８先端裏面の凸部８１をしっかりと保持するように、底面より表面開口部が大きい逆テーパ形状しておいてもよい。ここで、吊りリード８の凸部８１と放熱板２の凹部２４の嵌め合いは、締り嵌めになるようにしておくことが重要である。
【００４２】
図８に示すように、放熱板２の四隅コーナー部それぞれ形成された凹部２３に、吊りリード８の凸部８１が嵌め合わされて放熱板２が吊りリード８に保持される。したがって、吊りリード８に放熱板２が連結固定されるので、リード１のインナー部１ａと放熱板２は所定の隙間をあけて配置されるため、放熱板２とインナー部１ａの間に絶縁薄膜２２は不要である。またインナー部１ａは特に加工する必要がない。第１の実施の形態では、インナー部１ａの配置が狭ピッチ化（例えば２００μｍ以下）した場合、インナー部１ａ先端の面積が矮小となって凸部の加工が困難になるため、先の実施の形態は適さない。また第２の実施の形態でも狭幅のインナー部１ａに押圧力をかける作業があり、特に狭ピッチ化や狭幅の場合に、この第３の実施の形態では有効である。また吊りリード８の先端裏面の凸部８１を放熱板２の４隅コーナー部の凹部２３に位置合わせするだけで嵌め込みが可能で組立作業を簡易化することができる。
【００４３】
図９は同半導体装置の製造方法を示し、吊りリード８が封止樹脂体４の外面で半導体装置本体から切断除去される他は、第１の実施の形態とほとんど変わるところはないため省略する。
【００４４】
上記第３の実施の形態によれば、外枠部１ｃに設けられた吊りリード８の凸部８１を、放熱板２の四隅コーナー部近傍に形成された凹部２４に嵌合して、この嵌め合い構造により放熱板２を支持するように構成したので、伝熱性能と熱放散性を向上させることができる。また吊りリード８の封止樹脂体４の外側が削除されて外部に露出されないので、高耐湿性とすることができる。
【００４５】
また上記製造方法によれば、締り嵌めされた溝部２２とリード１のインナー部１ａの嵌め合い箇所は複数あり、放熱板２を十分な力で保持することができ、樹脂封止時に放熱板２がシフト（変位）することを防止できるとともに、封止樹脂の充填バランスにより発生する半導体装置のボディ部の反りを小さくすることができる。またリード１が狭ピッチで配設されていても、また狭幅であっても、リード１に対する加工や作業がないので有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る第１の実施形態の半導体装置のリードフレームを示し、（ａ１）はリードのインナー部を示す平面図、（ａ２）はリードのインナー部を示す側面図、（ａ３）はリードのインナー部を示す底面図、（ｂ）は放熱板の平面図、（ｃ）はリード連結状態を示す放熱板の平面図、（ｄ１）は放熱板の凹部にインナー部の凸部を嵌め込む前の断面図、（ｄ２）は放熱板の凹部にインナー部の凸部を嵌め込んだ断面図、（ｅ）は（ｃ）に示すＩ−Ｉ断面図である。
【図２】同半導体装置の全体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すII−II断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ同半導体装置の製造方法を示す側面断面図である。
【図４】本発明に係る第２の実施形態の半導体装置のリードフレームを示し、（ａ１）はリードのインナー部を示す平面図、（ａ２）はリードのインナー部を示す側面図、（ａ３）はリードのインナー部を示す底面図、（ｂ）は放熱板の平面図、（ｃ）はリード連結状態を示す放熱板の平面図、（ｄ１）は放熱板の凹部にインナー部の凸部を嵌め込む前の断面図、（ｄ２）は放熱板の凹部にインナー部の凸部を嵌め込んだ断面図、（ｅ）は（ｃ）に示すIII−III断面図である。
【図５】同半導体装置の全体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すIV−IV断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ同半導体装置の製造方法を示す側面断面図である。
【図７】本発明に係る第２の実施形態の半導体装置のリードフレームを示し、（ａ１）はリードのインナー部を示す平面図、（ａ２）はリードのインナー部を示す側面図、（ａ３）はリードのインナー部を示す底面図、（ｂ）は放熱板の平面図、（ｃ）はリード連結状態を示す放熱板の平面図、（ｄ１）は放熱板の凹部にインナー部の凸部を嵌め込む前の断面図、（ｄ２）は放熱板の凹部にインナー部の凸部を嵌め込んだ断面図、（ｅ１）は（ｃ）に示すＶ−Ｖ断面図、（ｅ２）は（ｃ）に示すVI−VI断面図である。
【図８】同半導体装置の全体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すVII−VII断面図、（ｃ）は（ａ）に示すVIII−VIII断面図である。
【図９】（ａ１）〜（ｆ１）はそれぞれ同半導体装置の製造方法を示し、図８（ａ）に示すVII−VII断面図、（ａ２）〜（ｆ２）はそれぞれ同半導体装置の製造方法を示し、図８（ａ）に示すVIII−VIII断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の全体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すIX−IX断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    リード
１ａ  インナー部
１ｂ  アウター部
１ｃ  外枠
１ｄ
１１  凸部
２    放熱板
２０  搭載領域
２１  凹部
２２  絶縁コート
４    封止樹脂体
５１  第１の半導体素子
５２  第２の半導体素子
６１  接着材料
６２  接着材料
７    金属細線
【図１】
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【図２】
2005302905.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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