(57)【要約】      （修正有）【課題】データ記憶装置に使用されるデジタル記憶媒体の磁気劣化の防止と同時に面密度を高める。【解決手段】２つの磁気層を有し、これら２つの層における磁気モーメントの各容易軸は互いに対して垂直とする。【効果】２つの磁気層における磁気モーメントの交換カップリングによって、デジタル記憶媒体の平面から傾斜した合成磁気モーメントが発生し、この媒体の合成磁気モーメントによって、リングヘッド、単極ヘッド、または書き込み動作に合わせた角度で傾斜したヘッドのいずれかを使用することが可能となる。磁気モーメントの傾斜のために熱安定性を高めることができる。また、傾斜した遷移の切り換え磁場の減少によってより急激な磁気遷移を可能にし、その結果、媒体のリニアピット密度が高くなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル記憶媒体であって、
基板と、
前記基板の上に配置された第１の磁気層と、前記第１の磁気層は傾斜した容易軸を有する第１の磁気モーメントを有し、
前記第１の磁気層の上に配置された第２の磁気層と、前記第２の磁気層は傾斜した容易軸を有する第２の磁気モーメントを有し、
前記第２の磁気層の上に配置されたオーバーコート層とを具備してなる、デジタル記憶媒体。
【請求項２】
前記傾斜した各容易軸は前記デジタル記憶媒体の垂直平面と鋭角を成す、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項３】
前記各鋭角は異なる大きさである、請求項２に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項４】
前記各鋭角は同一の大きさである、請求項２に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項５】
前記傾斜した各容易軸は二軸性である、請求項２に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項６】
前記第１および第２の磁気層の間に交換カップリングが発生する、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項７】
前記第１の磁気層は垂直方向の磁気異方性を有し、前記第２の磁気層は水平方向の磁気異方性を有する、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項８】
前記第１の磁気層は水平方向の磁気異方性を有し、前記第２の磁気層は垂直方向の磁気異方性を有する、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項９】
前記水平方向の異方性を有する磁気層は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）またはそれらの合金からなるグループからのいずれかによって形成される、請求項７または８に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１０】
前記垂直方向の異方性を有する磁気層は、コバルト、鉄およびそれらの合金からなるグループから選択される強磁性体によって形成される、請求項７に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１１】
前記垂直方向の異方性を有する磁気層は、コバルト、鉄およびそれらの合金からなるグループから選択される強磁性体によって形成される、請求項８に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１２】
前記磁気層は、コバルト‐プラチナ（ＣｏＰｔ）、コバルト‐パラジウム（ＣｏＰｄ）、コバルト‐クロム‐プラチナ（ＣｏＣｒＰｔ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ニオブ（ＣｏＣｒＰｔＮｂ）および鉄‐プラチナ（ＦｅＰｔ）からなるグループから選択される合金の単一層から形成される、請求項１０に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１３】
前記磁気層は、コバルト‐プラチナ（ＣｏＰｔ）、コバルト‐パラジウム（ＣｏＰｄ）、コバルト‐クロム‐プラチナ（ＣｏＣｒＰｔ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ニオブ（ＣｏＣｒＰｔＮｂ）および鉄‐プラチナ（ＦｅＰｔ）からなるグループから選択される合金の単一層から形成される、請求項１１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１４】
前記磁気層は、パラジウムをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｄ）、プラチナをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｔ）、パラジウムをスペーサ層とするコバルト合金およびプラチナをスペーサ層とするコバルト合金からなるグループから選択される強磁性体の多層から形成される、請求項１０に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１５】
前記磁気層は、パラジウムをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｄ）、プラチナをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｔ）、パラジウムをスペーサ層とするコバルト合金およびプラチナをスペーサ層とするコバルト合金からなるグループから選択される強磁性体の多層から形成される、請求項１１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１６】
前記合金は、シリコン酸化物およびシリコン窒化物からなるグループから選択される非磁性体でドーピングされる、請求項１２に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１７】
前記合金は、シリコン酸化物およびシリコン窒化物からなるグループから選択される非磁性体でドーピングされる、請求項１３に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１８】
前記第１の磁気層と前記第２の磁気層との間に配置された中間層をさらに備える、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項１９】
前記中間層は、コバルト、ニッケル、鉄、コバルトの合金、ニッケルの合金および鉄の合金からなるグループから選択される高飽和磁化材料から形成される、請求項１８に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項２０】
前記中間層は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、およびこれらの合金からなるグループのうちの１つから選択される非磁性体から形成される、請求項１８に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項２１】
データは変換器を通して伝送され、前記変換器はリングヘッド、単極ヘッド、および前記デジタル記憶媒体に対して角度を成して磁場を印加するヘッドからなるグループのうちの１つである、請求項２に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項２２】
前記第１および第２の磁気モーメントの傾斜した容易軸を有する磁気モーメントは逆平行である、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項２３】
前記第１および第２の磁気モーメントの傾斜した容易軸を有する磁気モーメントは平行である、請求項１に記載のデジタル記憶媒体。
【請求項２４】
デジタル記憶媒体を製造する方法であって、
基板表面の上に第１の磁気層を蒸着し、前記第１の磁気層は第１の容易軸を有する第１の磁気モーメントを有し、
前記第１の磁気層の上に第２の磁気層を蒸着し、前記第２の磁気層は第２の容易軸を有する第２の磁気モーメントを有し、前記第２の容易軸は前記第１の容易軸に対して垂直であり、
前記第１の磁気モーメントおよび前記第２の磁気モーメントを交換カップリングすることによって前記第１および第２の磁気層内に傾斜した容易軸を形成する、方法。
【請求項２５】
前記第１の磁気層は垂直方向の異方性を有し、前記第２の磁気層は水平方向の異方性を有する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の磁気層は水平方向の異方性を有し、前記第２の磁気層は垂直方向の異方性を有する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記垂直方向の異方性を有する磁気層は、コバルト、鉄およびそれらの合金からなるグループから選択される強磁性体によって形成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記垂直方向の異方性を有する磁気層は、コバルト、鉄およびそれらの合金からなるグループから選択される強磁性体によって形成される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記磁気層は、コバルト‐プラチナ（ＣｏＰｔ）、コバルト‐パラジウム（ＣｏＰｄ）、コバルト‐クロム‐プラチナ（ＣｏＣｒＰｔ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ニオブ（ＣｏＣｒＰｔＮｂ）および鉄‐プラチナ（ＦｅＰｔ）からなるグループから選択される合金の単一層から形成される、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記磁気層は、コバルト‐プラチナ（ＣｏＰｔ）、コバルト‐パラジウム（ＣｏＰｄ）、コバルト‐クロム‐プラチナ（ＣｏＣｒＰｔ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ニオブ（ＣｏＣｒＰｔＮｂ）および鉄‐プラチナ（ＦｅＰｔ）からなるグループから選択される合金の単一層から形成される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記磁気層は、パラジウムをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｄ）、プラチナをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｔ）、パラジウムをスペーサ層とするコバルト合金およびプラチナをスペーサ層とするコバルト合金からなるグループから選択される強磁性体の多層から形成される、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記磁気層は、パラジウムをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｄ）、プラチナをスペーサ層とするコバルト（Ｃｏ／Ｐｔ）、パラジウムをスペーサ層とするコバルト合金およびプラチナをスペーサ層とするコバルト合金からなるグループから選択される強磁性体の多層から形成される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
前記合金は、シリコン酸化物およびシリコン窒化物からなるグループから選択される非磁性体でドーピングされる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記前記合金は、シリコン酸化物およびシリコン窒化物からなるグループから選択される非磁性体でドーピングされる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１の磁気層および前記第２の磁気層はそれぞれ変更可能な厚さを有している、請求項２４に記載の方法。
【請求項３６】
前記傾斜した容易軸と前記デジタル記憶媒体の垂直平面との間に角度が形成される、請求項２４に記載の方法。
【請求項３７】
前記角度は、前記第１および第２の磁気層における強磁性体の種類を変化させることによって調節可能である、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記角度は、前記第１および第２の磁気層の間の交換カップリングを変化させることによって調節可能である、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
前記角度は、前記第１および第２の磁気層の厚さを変化させることによって調節可能である、請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１および第２の磁気層の間に中間層が配置される、請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、データ記憶装置に使用される磁気媒体に関し、より詳細には、書き込み動作のためのリングヘッドまたはポールヘッドのいずれかを有する磁気媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁気記憶媒体は、オーバーコーティング層によって保護された磁気層の下に配置された下層を支持する基板を含んでいる。これらの層は通常スパッタリング過程を利用して蒸着される。磁気層は通常コバルト合金等の粒状の強磁性体から形成され、ここにデータビットが記憶される。磁気層の細かい粒子における磁化の遷移を利用してデータを記憶して信号を生成し、その後この信号は読み出し／書き込みヘッドによって読み出しまたは書き込みがなされる。
【０００３】
磁気層は通常、水平方向または垂直方向のいずれかに分類される。水平方向磁気記憶媒体においては、粒子の磁気モーメントが記憶媒体の基板表面の平面に対して平行に合わせられる。垂直方向磁気媒体においては、粒子の磁気モーメントが同平面に対して垂直に合わせられる。水平方向記録システムでは書き込み動作にリングヘッドを使用し、垂直方向記録システムでは書き込み動作に単極ヘッドを使用する。
【０００４】
記憶空間に対する要求が高まる中、磁気記憶媒体の面密度を高める必要性が常に存在している。このため、磁気粒子の大きさを減少させることによって媒体中の粒子の数を増加させている。このように粒子の大きさを減少させることによって遷移がより急激となると共に信号対雑音比（ＳＮＲ）が高くなり、データの記録が向上する。残念ながら、粒子の大きさを減少させることは、熱安定性が低下するという重大な問題を引き起こす。
【０００５】
磁気粒子の熱的安定性を維持することは、特に長期間に渡ってデータを保持する場合には重要である。粒子が不安定であると、磁気劣化によってデータが失われる可能性がある。データの書き込まれたビットを記憶しかつその安定性を維持するのに必要とされるエネルギーは磁気異方性エネルギーＫｕＶとして知られており、ここでＫｕは異方性定数であり、Ｖは粒子の体積である。粒子が一定の大きさ以下であると、磁気層は、この磁気異方性エネルギーの減少によっていわゆる超常磁性効果を受ける。
【０００６】
粒子の熱的安定性を確保し且つ磁気劣化の傾向を最小限にするため、熱安定性係数を基準として媒体の寿命に関連する粒子の安定性を決定する。この熱安定性係数は、磁気異方性エネルギーを磁気媒体の熱エネルギーで割った
【数１】
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によって定義され、ここでＴは温度であり、ｋＢはボルツマン定数である。
【０００７】
例えば、業界基準の６０の熱安定性係数を有する媒体は、およそ３．６×１０９年の寿命を有する。熱安定性係数が低下すると、媒体の寿命が縮まる（例えば、４０の熱安定性係数では、寿命はおよそ７．５年であり、２５では、媒体の寿命はおよそ７２秒である）。従って、この係数を少なくとも４０以上にして媒体に記憶されたデータが十分な長期間で磁気劣化の影響を受けないことを確実とすることが重要である。
【０００８】
より大きなＫｕを有する材料を使用してＶを減少させながら熱安定性係数を維持することが理想的であるが、従来の水平方向記録システムには使用されるリングヘッドにより制約がある。現在、リングヘッドは２テスラの最大ヘッド磁場を有する。このヘッド磁場はデジタル記憶媒体のＫｕにおよそ２．１×１０６ｅｒｇ／ｃｍ３までの最大限度を設定する。従って、この限度は粒子の大きさに非常に望ましくない最小閾値を設定して熱安定性係数を維持する。対照的に、単極ヘッドを使用する垂直方向記録システムは、リングヘッドと比較してより強い磁場を発生させることができる。残念ながら、垂直方向記録システムは、この技術がより広く受け入れられることを妨げてきた制約および問題に直面している。詳細には、垂直媒体において使用される柔らかい下層によって過剰なノイズ干渉が引き起こされる。垂直媒体は水平媒体と比較して高い熱安定性を有しているが、垂直媒体の保磁力は極めて高い。高い保磁力は書き込み動作を行う際により大きな切換え磁場エネルギーを要し、それによってさらなるノイズ干渉が引き起こされる場合がある。このため、垂直方向記録システムは商業的に実行可能な選択肢ではない。
【０００９】
以上に鑑みて、磁気劣化を防止すると同時に、面密度を高めることを可能とする磁気記録ディスク媒体を有することが望ましい。既存の磁気記録システムの制約を克服するためには、ノイズによる過剰な干渉を防止する一方で粒子の大きさを継続的に減少させることを可能とする磁気記録媒体を有する必要がある。加えて、粒子の大きさを減少させた際に熱安定性を維持する磁気記録媒体を有することも望ましい。
【発明の開示】
【００１０】
本発明は、基板を有し、そこに２つの磁気層が配置され且つオーバーコートにより保護されているデジタル記憶媒体を提供する。第１の磁気層は基板上に配置され、第２の磁気層は前記第１の磁気層の上に配置される。前記２つの磁気層のうちの第１は傾斜した容易軸を持つ第１の磁気モーメントを有し、第２の磁気層は同様に傾斜した容易軸を持つ第２の磁気モーメントを有している。傾斜した軸は、第１および第２の磁気層の間の交換カップリングの影響下で形成される。二軸である傾斜軸は、デジタル記憶媒体の表面に対して垂直な平面と鋭角を成す。前記２つの磁気層における傾斜した容易軸の角度は、同一または異なる大きさを有するようにしてもよい。本発明における磁気モーメントの傾斜した容易軸では、水平方向リングヘッド、垂直方向単極ヘッドまたは何らかの新たに開発された傾斜した磁場ヘッドのいずれかを有するデジタル記憶媒体にデータを書き込むという利点がある。
【００１１】
第１の層が配置される基板上はニッケルリンシード層で被膜され、その上部に下層が配置される。第１の磁気層を配置する前に、中間層が前記下層の上に配置される。前記下層と前記中間層との間には柔らかい下層を配置してもよい。
【００１２】
一実施の形態において、第１および第２の磁気層の間に中間層が配置される。この中間層はコバルト、コバルト合金、またはルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、およびこれらの合金のような非磁性体が可能である。非磁性体を中間層とする場合は、第１および第２の磁気モーメントの傾斜した容易軸は逆平行となり、コバルトまたはコバルト合金を中間層とする場合は、第１および第２の磁気層の容易軸は平行となる。デジタル記憶媒体の磁気厚みは、第１および第２の磁気層の組み合わせられた厚さに加えて、前記２つの層の間に中間層が配置された場合はその中間層の厚さである。
【００１３】
本発明の一実施の形態において、第１の磁気層は垂直方向の磁気異方性を有し、第１の磁気層の磁気モーメントの容易軸はデジタル記憶媒体の平面に対して垂直となり、第２の磁気層は水平方向の異方性を有し、第２の磁気層の磁気モーメントの容易軸はデジタル記憶媒体の平面に対して平行となる。または、第１の磁気層が水平方向の磁気異方性を有し、第２の磁気層がデジタル記憶媒体の平面に対して垂直方向の磁気異方性を有する。水平方向の異方性を有する磁気層は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびこれらの強磁性体の合金からなるグループより選択される強磁性体で形成され、垂直方向の異方性を有する磁気層は、コバルト、鉄およびこれらの合金等の強磁性体で形成される。垂直方向の異方性を有する磁気層はコバルト‐クロム‐プラチナ（ＣｏＣｒＰｔ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ニオブ（ＣｏＣｒＰｔＮｂ）および鉄‐プラチナ（ＦｅＰｔ）等の合金の単一層である。シリコン酸化物およびシリコン窒化物のような非磁性体でドーピングされたコバルトの合金から前記単一の層を形成することもできる。
【００１４】
または、同一の強磁性体の多層から、これらの強磁性体の多層の間にスペーサ層を配して垂直方向の磁気層を形成する。多層を形成する強磁性体は、コバルト、コバルト酸化物およびコバルト合金とすることができ、スペーサ層はパラジウムおよびプラチナを含む。コバルト合金は、コバルト‐銀（Ｃｏ−Ａｇ）、コバルト‐ホウ素（Ｃｏ−Ｂ）、コバルト‐クロム（Ｃｏ−Ｃｒ）、コバルト‐銅（Ｃｏ−Ｃｕ）、コバルト‐パラジウム（Ｃｏ−Ｐｄ）およびコバルト‐タンタル（Ｃｏ−Ｔａ）を含む。
【００１５】
他の態様において、本発明のデジタル記憶媒体の製造方法が提供される。この方法においては、基板上に第１の磁気層を蒸着した後に第２の磁気層を蒸着し、第１の磁気層は第１の容易軸を有する第１の磁気モーメントを有し、第２の磁気層は第２の容易軸を持つ第２の磁気モーメントを有し、前記２つの軸は互いに対して垂直である。２つの磁気層の磁気モーメントを交換カップリングする結果、容易軸がデジタル記憶媒体の平面から効果的に傾斜する。本方法の傾斜した容易軸は、デジタル記憶媒体の平面に対して垂直な平面と鋭角を成す。鋭角の大きさは交換カップリングの強度、および各磁気層の異方性エネルギーに依存する。各磁気層の異方性エネルギーは競って容易軸の安定した傾斜構造を達成する。異方性エネルギーの競争は交換カップリング定数、磁気層の強磁性体の種類および各磁気層の厚さを変更することによって変化させることができる異方性定数に影響される。第１および第２の磁気層の厚さは変更可能である。第１および第２の磁気層の間の交換カップリングは２つの磁気層の組み合わせられた厚さによって活性化体積Ｖを増加させ、従って熱安定性係数
【数２】
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に応じてデジタル記録または記憶媒体の熱安定性を高めるが、第１および第２の磁気層間の交換カップリング定数は変更可能である。
【００１６】
本発明の方法においては、水平方向の異方性を有する１つの磁気層が提供され、この磁気層の磁気モーメントの容易軸はデジタル記憶媒体の平面に対して平行であり、垂直方向の異方性を有する他の磁気層が提供され、この磁気モーメントの容易軸はデジタル記憶媒体の平面に対して垂直である。垂直方向の異方性を有する他の磁気層が水平方向の異方性を有する磁気層の上に配置されるか、または水平方向の異方性を有する磁気層が垂直方向の異方性を有する磁気層の上に配置される。水平方向の異方性を有する磁気層は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびこれらの強磁性体の合金からなるグループより選択される強磁性体で形成され、垂直方向の異方性を有する磁気層は、コバルト、鉄およびこれらの合金等の強磁性体で形成される。垂直方向の異方性を有する磁気層はコバルト‐クロム‐プラチナ（ＣｏＣｒＰｔ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト‐クロム‐プラチナ‐ニオブ（ＣｏＣｒＰｔＮｂ）および鉄‐プラチナ（ＦｅＰｔ）等の強磁性体の合金の単一層の形態を取ることができる。シリコン酸化物およびシリコン窒化物のような非磁性体でドーピングされたコバルトの合金から前記単一の層を形成することもできる。または、同一の強磁性体の多層から、これらの強磁性体の多層の間にスペーサ層を配して垂直方向の磁気層を形成する。この強磁性体は、コバルト、コバルト酸化物およびコバルト合金とすることができ、スペーサ層はパラジウムおよびプラチナを含む。コバルト合金は、コバルト‐銀（Ｃｏ−Ａｇ）、コバルト‐ホウ素（Ｃｏ−Ｂ）、コバルト‐クロム（Ｃｏ−Ｃｒ）、コバルト‐銅（Ｃｏ−Ｃｕ）、コバルト‐パラジウム（Ｃｏ−Ｐｄ）およびコバルト‐タンタル（Ｃｏ−Ｔａ）を含む。
【００１７】
本方法においては、基板と第１の磁気層との間に下層を配置し、前記下層を配置する前にシード層を基板上に配置する。下層の上に付加的な柔らかい下層を配置してもよい。次に、下層と第１の磁気層との間に中間の層を配置する。第１の磁気層上に中間層を配置する。この中間層は、第１および第２の磁気層の中間層での交換カップリングを向上させるため、純粋コバルト、コバルトの合金および化合物、ニッケル、鉄、ニッケルの合金、および鉄の合金等の高飽和強磁性体のグループから選択される。または、この中間層はルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、およびこれらの合金からなる非磁性体のグループから選択され、第１の磁気層は第２の磁気層に反強磁性的に交換カップリングされる。この中間層は１ｎｍよりも小さな変更可能な厚さである。
【００１８】
本発明は、システム内に二軸容易軸が自然に形成されるために、書き込み動作に用いられるヘッドの種類に依存しない記録方向を有する。従って、本発明は、読み出し／書き込みヘッドの磁場方向に関係なく、どのような読み出し／書き込みヘッドでも使用することができる記録媒体の製造方法を提供する。
【００１９】
さらに、リングヘッドまたは単極ヘッドのいずれかの書き込み磁場に磁気モーメントの方向が傾斜しているために、書き込み可能な切換え磁場値を維持しながら、さらに大きな異方性定数Ｋｕを用いて熱安定性を高めることができる。また、この磁気媒体は傾斜した遷移の切換え磁場の減少によってより急激な磁気遷移を可能にする。その結果、媒体のリニアビット密度が高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、平面１１に配置されたディスクの形態のデジタル記憶媒体１０を示している。デジタル媒体の断面が示されている図２に示されるように、デジタル記憶媒体１０は通常、基板１２を備えており、その上にシード層１３を配置した後に下層１４が配置される。下層の上部には、通常のディスク記憶媒体と同様に中間層１６が配置される。次に、第１の磁気層１８が中間層１６の上に蒸着される。シード層１３、下層１４および中間層１６は、後の図においては１００として示された層で表す。この第１の磁気層１８は下部磁気層を形成し、その上に第２の磁気層２０が蒸着される。第２の磁気層は一連の強磁性体とスペーサ層との交互の層を含んでいる。次に、保護オーバーコート２２が第２の磁気層２０の上に蒸着される。
【００２１】
第２の磁気層２０を第１の磁気層１８と入れ替えることができ、図３に示すように、下部層が第２の磁気層２０となり、上部層が第１の磁気層１８となる。図２および図３に示された両配列において、第１および第２の磁気層の間に、中間層２０ａを含んでもよい。この中間層については図１２および図１３を参照して詳細に説明する。
【００２２】
図２の実施の形態に示された配列の第１の磁気層１８と第２の磁気層２０との関係について、図４を参照してさらに説明する。第１の磁気層１８は第１の容易軸１９を有する第１の磁気モーメントを含む。同様に、第２の磁気層２０は第２の容易軸２１を有する第２の磁気モーメントを含む。これらの容易軸は、磁気粒子のモーメントが容易軸の１方向に向いている点で一軸ではない。図４において、第１の容易軸１９はデジタル記憶媒体１０の表面の平面１１に平行であり、第２の容易軸２１は第１の容易軸１９に対して垂直である。図３の実施の形態から、図５に示されるように、上部磁気層１８はデジタル記憶媒体１０の表面に平行な第１の容易軸１９を有し、下部磁気層２０は第１の容易軸１９に対して垂直な第２の容易軸２１を有している。
【００２３】
この発明において、各磁気層の容易軸は、両者が互いに対して垂直な方向となるように意図的に設計されている。これら２つの磁気層が磁気的に隔離され且つ交換カップリングされていない場合、各層での残留モーメントが各層の容易軸の方向に揃い、従って、一方の層では、容易軸が磁気層の平面に対して垂直となり、他方の容易軸は磁気層と同一の平面に配置される。２つの磁気層間の接点に交換カップリングが導入された場合、新たなエネルギーが導入され、磁気モーメントが共に一直線となる傾向がある。２つの交換カップリングモーメントは互いに引き合うが、この引き合いは各磁気層に存在する異方性エネルギーによって抑制される。図４および図５に示されているように、互いに対して垂直な２つの容易軸は２つの磁気層からの磁気モーメントを共に結合する交換カップリングを有している。しかし、同時に、各磁気層からの異方性エネルギーの間に競争が生じる。競争する異方性エネルギーの均衡を取った場合、異なる構成を有する新たな容易軸が発生する。新たな容易軸は、磁気層１８および２０が配置された平面１１から角度を成して傾斜する。磁気層の接点でのこの交換カップリングの現象は図６および図７から明らかであろう。
【００２４】
図６は第１の磁気層２０および第２の磁気層１８の磁気モーメント間の相互作用を示している。磁気モーメントの相互作用の結果、残留磁気モーメントＭ１（１５）およびＭ２（１７）が生じる。各残留磁気モーメントはＭ１＝Ｍｒ１Ｔ１およびＭ２＝Ｍｒ２Ｔ２であり、ここでＭｒ１およびＭｒ２は２つの磁気層の接点での交換カップリングによる各磁気層からの残留磁化であり、ｔ１およびｔ２は磁気層の各厚さである。本設計における交換カップリングを利用して、平面１１に対して鋭角で傾斜する残留磁気モーメント１５および１７を形成する。鋭角での磁気モーメントの傾斜によって既存の従来技術と比較して利点が得られ、これらの磁気モーメントは媒体の平面に対して水平または垂直な方向になる。残留磁気モーメントが傾斜する鋭角θ１およびθ２の大きさは、２つの磁気層からの磁気モーメントの間の交換カップリング強度に依存する。図７のグラフは、残留磁気モーメントＭ１およびＭ２の角度θ１およびθ２に対する交換カップリング定数の影響を示している。この例において、両方の磁気層は同一の異方性定数および厚さを有している。交換カップリング定数が大きくなるに従って、第２の容易軸２１の角度θ２が小さくなり、第１の容易軸１９の角度θ１が大きくなる。従って、所望の角度で残留磁気モーメントを傾斜させるように交換カップリング定数を選択しなければならない。交換カップリング強度に応じて、２つの磁気層における容易軸の角度が異なる角度（即ち、θ１≠θ２）で傾斜する。この傾斜角は、交換カップリングシステムにおける磁気層間の異方性エネルギーの競争に影響される。各磁気層の異方性エネルギーを変化させて各傾斜角を調節することができる。各磁気層における異方性エネルギーの強度または異方性密度は、磁気層の厚さおよび異方性定数によって決定される。この設計の原理は、互いに対して垂直な方向の異方性エネルギー間における、両者が交換カップリングされた際に競争するエネルギーを制御することである。従って、各磁気層の異方性定数Ｋｕ１およびＫｕ２を変化させることは、交換カップリングシステムにおける異方性エネルギーの競争に影響を及ぼし、モーメントが優勢な異方性の方向に傾斜する。従って、傾斜角は第１の磁気層１８の異方性定数Ｋｕ１および第２の磁気層２０Ｋｕ２にも依存する。これは、２つの磁気層の磁気特性を変化させることによって達成される。各磁気層の磁性材料が選択されたら、各磁気層の異方性定数は一定となる。しかし、各磁気層１８および２０の異方性定数Ｋｕ１およびＫｕ２は変化せず、２つの磁気層の交換カップリングによる相互作用により、結合された磁気層に対する実効異方性定数Ｋｕ、effが生じる。このようにして、２つの磁気層間の交換カップリングによってデジタル記憶媒体１０の新たな磁気特性が生じる。従って、デジタル記憶媒体１０の全体的な磁気特性は各磁気層の選択された磁気特性の交換カップリングによって決定される。そして、全体的な実効異方性定数Ｋｕ、effは、各磁気層の異方性定数Ｋｕ１およびＫｕ２とは異なる新たな値を取る。
【００２５】
厚さを変化させることは各層の異方性エネルギーを変化させるため、各磁気層の厚さを調節することによって傾斜角の傾斜の度合いを制御することもできる。交換カップリングシステムにおいて２つの磁気層からのエネルギーが競争していることを考慮して、全体的な磁気特性を強い方の磁気特性を有する磁気層に傾けるようにしてもよい。
【００２６】
全体的な残留磁気モーメントは、Ｍｒ＝Ｍ１＋Ｍ２である。以上より、一方の磁気層の残留磁気モーメントが他方よりも優勢である場合、全体的な残留磁気モーメントは交換カップリングシステムにおいて競争しているエネルギーの影響の下で優勢な磁気モーメントに傾く。交換カップリングシステムは、デジタル記憶媒体内の磁気層を形成する強磁性体を選択することにより特定の磁気特性を有する媒体を設計することが可能となる点において柔軟性を与える。
【００２７】
２つの磁気層間の磁気モーメントの交換カップリングでは、デジタル記憶磁気媒体１０の活性化体積Ｖを増加させることによって利点が得られる。活性化体積はＶ＝Ｄ・ｔであり、Ｄは粒子の直径であり、ｔはデジタル記憶媒体の磁気厚みである。交換カップリングされたシステムの磁気厚みは、ｔ＝ｔ１＋ｔ２であり、図２および図３に示されているように、ｔ１は磁気層１８の厚さであり、ｔ２は磁気層２０の厚さである。この関係から、Ｖ＝Ｄ・ｔとなり、磁気層の厚さの増大は、交換カップリングされたデジタル記憶媒体１０の実効活性化体積Ｖに直接的に比例する。本交換カップリングされたシステムでは、媒体の実効的な厚さは２つの磁気層の合わせられた厚さであるため、全体的な活性化体積を増大させながら各磁気層における粒子の大きさを減少させることが可能となる。媒体の厚さを増大させることによって、媒体の縦方向の拡大が達成され、デジタル記憶磁気媒体１０の熱安定性が向上する。
【００２８】
この結合された磁気活性化体積Ｖの増大は、交換カップリングされたシステムの熱安定性を決定する場合に重要である。交換カップリングされたシステムの磁気異方性エネルギーはＫｕ、effＶであり、熱エネルギーはＫＢＴである。従って、交換カップリングされたシステムの熱安定性係数は
【数３】
2005056555.tif 000005
である。交換カップリングされたシステムの磁気異方性エネルギーＫｕ、effＶの増大によって、交換カップリングされていない従来技術の磁気媒体と比較して熱安定性がより大きなものとなる。本発明における傾斜した媒体の熱安定性は磁気異方性エネルギーを増大させることによって高まり、これは全体的な実効異方性定数Ｋｕ、effまたは活性化体積Ｖを増大させることによって達成することができる。縦方向に増大した場合の活性化体積Ｖは、傾斜した媒体の熱安定性を高めることに貢献する。しかし、活性化体積を水平方向の拡大によって増大させた場合、Ｖ＝Ｄ．ｔの関係より、媒体の水平方向の拡大はＤの増大を示し、これは磁区の大きさの水平方向の増大を意味することは容易に理解できる。これは面密度を低下させることとなり、望ましくはない。従って、各層に強磁性体を選択することは、媒体の厚さｔによって縦方向にのみ活性化体積を確実に増大させるためには重要である。
【００２９】
図８は、印加磁場５０と、容易軸５２と、磁気媒体が配置されている平面１１との方向の関係を示している。容易軸は平面１１と角度θを成し、印加磁場は容易軸と角度αを成す。これら２つの角度の合計は、β（即ち、β＝α＋θ）である。この図から、角度θで傾斜した磁気モーメントの媒体を有することの効果を図９を参照して説明する。
【００３０】
図９は、傾斜した容易軸と印加磁場の方向との角度αに関係する切換え磁場および異方性磁場（Ｈｓ／Ｈｋ）の比率を示している。傾斜した容易軸の角度αが０°から４５°に広がった場合は、切換え磁場および異方性磁場の比率が小さくなり、αがさらに９０°に広がった場合はこれらの磁場の比率が大きくなる。異方性磁場Ｈｋを定数に維持した場合、印加磁場の方向に対してα＝４５°の角度で磁気モーメントを傾斜させた時に切換え磁場Ｈｓが最小限に達する。即ち、印加磁場が同一の大きさの場合、媒体の書き込み可能性を維持しながら傾斜した磁気媒体の異方性定数Ｋｕを小さくすることができる。従って、異方性定数Ｋｕの大きな材料を使用することによって、傾斜した媒体の熱安定性をさらに向上させることができる。媒体の容易軸がα＝０°からα＝９０°の間の角度にある限り、変換器ヘッドが書き込み動作を行うのに必要な切換え磁場Ｈｓが水平方向または垂直方向記録媒体における書き込み動作に必要とされるものよりも小さくなることが分かる。このことから、本発明においては、書き込み動作の場合、リングヘッドまたは単極ヘッドまたは傾斜したヘッドのいずれかと傾斜した媒体を組み合わせることができる点で利点が得られることが分かる。異方性定数Ｋｕは異方性磁場と
【数４】
2005056555.tif 000006
のような関係にあり、ここでＭｓは定数に維持された飽和磁化である。図９から、Ｈｓ／Ｈｋ＝Ｘの関係が明らかとなり、ここでＸ＝ｆ（α）であり、αは容易軸と印加磁場との角度であり、従ってＫｕは切換え磁場Ｈｓとの関係において
【数５】
2005056555.tif 000007
のように表すこともできる。書き込み動作を最適にするためには、外部書き込み磁場はＨｇ＝１．５Ｈｓとなるため、
【数６】
2005056555.tif 000008
となる。磁気モーメントが鋭角で（即ち、α＝０°または９０°の時）傾斜していない水平方向または垂直方向システムにおいては、Ｘ＝ｆ（α）＝１となる結果、
【数７】
2005056555.tif 000009
となる。磁気モーメントがα＝４５°のような角度の場合、Ｘ＝ｆ（α）＝０．５となって、
【数８】
2005056555.tif 000010
となる。同一の書き込み磁場Ｈｇおよび飽和磁化Ｍｓであると仮定すると、磁気モーメントが４５°の角度で傾斜している場合、異方性定数Ｋｕは磁気モーメントを０°または９０°とする場合と比較して２倍となる。従って、切換え磁場を低くすることによっても、同一の書き込み磁場の場合の異方性定数を大きくさせることができる。これを明らかにするため、飽和磁化をＭｓ＝４００ｅｍｕ／ｃｍ３および書き込みギャップ磁場Ｈｇ＝１６ｋＯｅと仮定し、ここでヘッド磁場はＢｏ＝２テスラであり、最適書き込み磁場はＢｏの８０％である。以上の関係を利用して、Ｘ＝１の時（即ち角度α＝０°または９０°の時）、Ｋｕ＝２．１×１０６ｅｒｇ／ｃｍ３の値となり、Ｘ＝０．５の時（即ち角度α＝４５°の時）、Ｋｕ＝４．３×１０６ｅｒｇ／ｃｍ３の値となる。この例においては、磁気モーメントが同一の印加磁場において０°から９０°の角度θで傾斜する場合、異方性定数Ｋｕが増大することがわかる。
【００３１】
さらに図１０より、差動切換え磁場を角度で割ると、１０°から８０°の範囲の角度で最小となることが分かる。このことは、この範囲内で切換わる傾斜した容易軸を有する磁気モーメントは印加磁場の拡散にあまり影響されないことを示している。従って、この範囲内の角度で傾斜した容易軸を有する磁気モーメントは、水平方向（０°）または垂直方向（９０°）システムにおける磁気モーメントと比較して、より均一に反転し且つノイズの発生を少なくすることができる。傾斜した媒体を実際に応用する際、リングヘッドを使用する場合は磁気モーメントが１０°から４５°の範囲の角度で傾斜し、単極ヘッドを使用する場合は４５°から−８０°の範囲の角度で傾斜することが好ましい。これは、磁気媒体がこれらの範囲に含まれる角度で傾斜した容易軸を有している場合、媒体は印加磁場の拡散にあまり影響されないため、媒体の性能が向上することを示している。
【００３２】
交換カップリングされたシステムの１つの特徴は、残留磁気モーメントＭ１およびＭ２が図１１に示されているように特性において二軸である実効容易軸１０２を有していることである。残留磁気モーメント１５および１７の方向を有する傾斜した残留磁気モーメントＭ１およびＭ２は、二軸容易軸のいずれかの方向に入ることができる。残留磁気モーメントＭ１およびＭ２の実効容易軸の二軸特性では、既存の従来技術と比較して、磁気モーメントが特性において一軸である実効容易軸に配置されるという利点が得られる。磁気モーメントの方向を制限する傾斜した一軸容易軸を有する従来技術の記憶媒体と比較すると、二軸特性はでは、品質を落とすことなく磁気媒体へのデータの書き込みに柔軟性が与えられる。一軸の傾斜した容易軸を有する磁気媒体の粒子はトラック下向方向またはトラック横断方向のいずれかに傾斜するため、高配向傾斜媒体が提供される。このような高配向媒体、特にトラック下降方向に傾斜した容易軸を有する粒子を有する媒体を、データ記憶への応用に許容することはできるが、現在のスパッタ蒸着法では達成不可能である。このような制約に加えて、トラックの縁部に磁気モーメントが集中することによってトラック幅が拡大し、このような媒体のトラック密度および面密度が制限される。二軸容易軸を有する本発明の磁気媒体においては、データビットを他の方向に向けることができるため、トラックの縁部に二極電荷が集中することが回避される。これによって隣接するデータビットとの干渉が減少して、全体的な遷移およびトラック縁部のノイズが減少し、一軸の容易軸を有する磁気媒体と比較して利点が得られる。
【００３３】
他の実施の形態
別の実施の形態において、高飽和磁化材料２７の薄い中間層を第１の磁気層１８と第２の磁気層２０との間に挿入することによって交換カップリング定数を変化させることができる。図１２は、純粋コバルトおよびコバルトの合金を含むコバルト化合物のグループから選択された薄い中間層２７を有する本発明の１つの好ましい実施の形態の構造を示している。中間層２７の機能は、第１の磁気層１８と第２の磁気層２０との間の接点における交換カップリングを向上させることである。従って、各層の傾斜角を特定の記録システムヘッドに合わせて必要に応じて変化させることができる。中間層２７ａが存在する場合、強力な交換カップリングを達成することができ、第１および第２の磁気層からの両方の磁気モーメントはコヒーレントに切換わり、同一の磁化残留状態で傾斜角を成す。これらの磁気層の容易軸が図３に示されるように入れ替わる実施の形態に中間層２７を使用してもよい。可能な限り中間層を薄くして（１ｎｍ以下）記録性能を維持することが好ましい。中間層２７の厚さが１ｎｍ以下である場合、中間層が磁気媒体の磁区の大きさを水平方向に拡大することに貢献する可能性がある。１ｎｍよりも大きな中間層の厚さとした場合も全体的な記録に信号を追加することになり、それによって高記録密度媒体における遷移ノイズが増加する。
【００３４】
本発明の他の実施の形態において、中間層４４およびその厚さに合った種類の非磁性体を選択することを利用して、図１３に示されるような互いに逆平行な合成磁気モーメントＭ１４０およびＭ２４２を有するデジタル記憶媒体を製造しており、残留磁気モーメントは小さいが非ゼロとなっている。これを達成するのに使用することができるような種類の材料の一例として、ルテニウム（Ｒｕ）を中間層の一部とすることである。第１の磁気層１８と第２の磁気層２０との間に配置された２つのコバルトの層の間にルテニウムを配置することができる。交換カップリングの相互作用の結果、デジタル記憶媒体の平面１１に対して角度を成して傾斜した逆平行磁気モーメントが生じる。反強磁性交換カップリングに使用することができる他の種類の非磁性体としては、ロジウム（Ｒｈ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、およびこれらの合金等が挙げられる。
【００３５】
図１４では、２つの異なる正規化された印加磁場Ｈｚ／Ｈｋ＝２およびＨｚ／Ｈｋ＝３における様々な角度で傾斜したモーメントで必要とされる切換え時間を比較しており、ここでＨｚは、ゼーマン磁場としても知られる印加外部磁場である。θ＝０°では反転または切換え時間は同様に２２０ｐｓ（ピコ秒）であることがプロットより分かり、θ＝９０°の場合は切換え時間は同程度に高いことがプロットの流れより分かる。角度θが０°から９０°の範囲にある場合、切換え時間は、Ｈｚ／Ｈｋ＝３の印加磁場の場合は１２０ｐｓ以下、およびＨｚ／Ｈｋ＝２の印加磁場の場合は１６０ｐｓ以下と極めて短い。この結果から、磁気モーメントが鋭角で傾斜している場合、磁気モーメントを切換えるのに要する時間は短くなることが分かる。より短い遷移時間によっても、水平方向または垂直方向記録媒体と比較して書き込み動作の速度をさらに速くすることができる。従って、より早い遷移により極めて記録密度の高い媒体となり、非常に速い書き込み動作が必要とされる。
【００３６】
例
本発明の例において、基板１２はアルミマグネシウム（ＡｌＭｇ）またはガラスディスクから形成される。シード層１３は基板１２の上に配置される。下層は、シード層１３の上に蒸着されたクロム合金であってよい。中間層１６は、コバルト、クロムおよびタンタル（ＣｏＣｒＴａ）を含んでもよい。中間層１６の上に配置された第１の磁気層１８は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）およびホウ素（Ｂ）を含んで、合金ＣｏＣｒＰｔＢを形成する。第２の磁気層２０内は一連の交互のコバルト／パラジウム（Ｃｏ／Ｐｄ）の層であり、第１の磁気層を有する第１の接触層２０ａはパラジウムまたはコバルトとすることができる。ＣｏＣｒＰｔＢで接合されたＰｄ中間層２０ａの厚さが異なる３つのサンプルを比較し、磁場角度に関連した保磁力を各サンプルについて常温で測定した。これらの測定結果は１５に示されている。０°の磁場角度βは、測定の間にサンプル平面の方向に外部磁場が印加されたことを示している。磁場角度β＝９０°の場合、磁場は測定の間に平面に対して直角な方向に印加される。第１のＰｄ層２０ａの厚さを変化させることによって、２つの強磁性層１８および２０の間の交換カップリング強度が変化する。
【００３７】
図１５における２つのピークの対称性は、パラジウム厚さが０．６ｎｍ、１．２ｎｍおよび２．５ｎｍである３つのすべての例において二軸容易軸が形成されていることを示している。これらのピークは、磁気平面に対して（０°）から（９０°）の間で発生する角度で観察されている。パラジウムの厚さが０．６ｎｍであるサンプルにおいては、角度θ＝±６０°で２つのピークが発生し、パラジウム層の厚さがさらに増大するに従って、１．２ｎｍの厚さではθ＝±４５°、２．５ｎｍの厚さではθ＝±３０°にピークがシフトし、保磁力を観察してパラジウム層の厚さを増大させる。図１６に示された３つのサンプルに対する残留磁気モーメントおよび飽和磁化の比率
【数９】
2005056555.tif 000011
によって与えられる磁化の直角度の測定では、同様の角度依存傾向が観察された。この観察から、２つの磁気層１８および２０の間の中間層の厚さを調節することによって、交換カップリング定数を高めることができるという結論が強調される。
【００３８】
書き込み動作に影響を及ぼすことなくより高い異方性定数Ｋｕを磁気粒子内で達成することができるため、本発明においては熱安定性が向上する。本発明は、記録目的に合った角度で書き込み磁場を印加することができる水平方向のリングヘッド、垂直方向の単極ヘッドまたは変換器ヘッドの使用を可能にする。これによって、熱安定性を高めると同時に、結合された磁気活性化体積の増大によって面密度を高めることができる。
【００３９】
尚、上記説明は本発明の一例に過ぎない。本開示の範囲および趣旨から逸脱しない範囲で上記例を変形させて本発明の異なる形態を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
本発明の詳細は、以下の説明および添付された図面を参照することによって明らかとなるであろう。
【図１】図１は、平面に配置された本発明のディスクの斜視図である。
【図２】図２は、本発明のデジタル媒体の実施の形態の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のデジタル媒体の他の実施の形態の構造を示す他の断面図である。
【図４】図４は、図２の実施の形態の２つの磁気層の容易軸の方向を示す概略図である。
【図５】図５は、図３の実施の形態の２つの磁気層の容易軸の他の方向を示す概略図である。
【図６】図６は、本発明の２つの磁気層の磁気モーメントの相互作用を示す概略断面図である。
【図７】図７は、傾斜角と結合定数との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、印加磁場と、容易軸と、磁気媒体の平面との関係を示す斜視図である。
【図９】図９は、単一の磁気層を有する磁気媒体における傾斜した磁気モーメントの角度との関係における正規化された切換え磁場のＳｔｏｎｅｒ−Ｗｏｌｆａｒｔｈモデルに基づいたグラフである。
【図１０】図１０は、単一の磁気層を有する磁気媒体における傾斜した磁気モーメントの角度との関係における差動切換えのグラフである。
【図１１】図１１は、本発明における各磁気層における交換カップリングによる効果的な二軸容易軸の図である。
【図１２】図１２は、２つの層の間に中間層が配置された場合における、２つの磁気層の磁気モーメントの相互作用を示す、概略断面図である。
【図１３】図１３は、上部および下部磁気層の間に中間層を配置した結果、各層に逆平行磁気モーメントが生じた場合の、本発明の記録された磁気の遷移時の合成磁気モーメントの概略断面図である。
【図１４】図１４は、媒体上に磁場を印加した際の傾斜した磁気モーメントを有する磁気媒体における磁気モーメントの切換えに要する時間を示すグラフである。
【図１５】図１５は、Ｐｄ中間層の厚さが０．６ｎｍ、１．２ｎｍおよび２．５ｎｍの場合の図２の構造の角度依存に関連した保磁力磁場を示すグラフである。
【図１６】図１６は、Ｐｄ中間層の厚さが０．６ｎｍ、１．２ｎｍおよび２．５ｎｍの場合の図２の構造の磁化の直角度と角度依存を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４１】
１０  デジタル記憶媒体
１１  平面
１２  基板
１３  シード層
１４  下層
１６  中間層
１８  第１の磁気層
２０  第２の磁気層
２０ａ  中間層
２２  保護オーバーコート
【図１】
2005056555.tif 000012
【図２】
2005056555.tif 000013
【図３】
2005056555.tif 000014
【図４】
2005056555.tif 000015
【図５】
2005056555.tif 000016
【図６】
2005056555.tif 000017
【図７】
2005056555.tif 000018
【図８】
2005056555.tif 000019
【図９】
2005056555.tif 000020
【図１０】
2005056555.tif 000021
【図１１】
2005056555.tif 000022
【図１２】
2005056555.tif 000023
【図１３】
2005056555.tif 000024
【図１４】
2005056555.tif 000025
【図１５】
2005056555.tif 000026
【図１６】
2005056555.tif 000027
【外国語明細書】
2005056555000001.pdf