(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の薄型化を図る。【解決手段】本半導体装置は、上面及び上面の反対面となる下面とを有し、上面及び下面を含み配線を有する配線基板（モジュール基板）２と、配線基板２の上面に固定され、配線に所定部が接続手段によって電気的に接続される半導体チップと、配線基板２の上面に固定され、配線に電極が導電性接着剤によって電気的に接続されるチップ部品２５とを有し、一部のチップ部品２５は他のチップ部品２５上に重なる状態で配線基板に固定されている。前記重なる上層のチップ部品２５の電極２６を配線に接続する接着剤の厚さは、他のチップ部品の電極２６を配線に接続する接着剤の厚さよりも厚くなり、重なる下層のチップ部品２５の厚さ以上の厚さに相当している。チップ部品２５は受動素子である。半導体装置は高周波電力増幅装置を構成している。【選択図】図１
2005302928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面及び前記上面の反対面となる下面とを有し、前記上面及び下面を含み配線を有する配線基板と、
前記配線基板の前記上面に固定され、前記配線に所定部が接続手段によって電気的に接続される半導体チップと、
前記配線基板の前記上面に固定され、前記配線に電極が導電性接着剤によって電気的に接続されるチップ部品とを有し、
一部の前記チップ部品は他のチップ部品上に重なる状態で前記配線基板に固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記重なる上層のチップ部品の電極を前記配線に接続する接着剤の厚さは、他の前記チップ部品の電極を前記配線に接続する接着剤の厚さよりも厚くなり、前記重なる下層のチップ部品の厚さ以上の厚さに相当することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記重なる下層のチップ部品は前記配線基板の前記上面に設けられた窪みの底上に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記チップ部品は受動素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は高周波電力増幅装置を構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は混成集積回路装置（ハイブリッドＩＣ）等の半導体装置に係わり、例えば、携帯電話機に組み込む高周波電力増幅装置（ＲＦ増幅モジュール）に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種機器に組み込まれる混成集積回路装置は、配線基板を構成するセラミック基板等からなる配線基板上にトランジスタやＩＣ（Integrated Circuit）を形成した半導体チップを１乃至複数搭載するとともに、抵抗，コンデンサ，インダクタ等の受動素子（受動部品）を形成するチップ部品を搭載し、かつこれらの部品を絶縁性の樹脂で覆う構造になっている。
【０００３】
混成集積回路装置等の半導体装置の製造方法の一つとして、例えば、多数個取りされるパッケージ用ベース基板の単位区画にベアーチップや他の部品を搭載し、その後前記ベアーチップや他の部品を絶縁性の樹脂で覆って封止樹脂を形成し、ついで前記パッケージ用ベース基板を樹脂と共に切断して前記単位区画部分による半導体装置を製造する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
一方、通信システムにおいては、一台の携帯電話機で複数の通信システムの通話が可能になっている（例えば、特許文献２）。
特許文献２には、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）方式とＰＣＮ（Personal Communications Network）方式の通話が可能な携帯電話機に組み込む高周波電力増幅装置が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３１７０４号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯電話機の多機能化に伴い携帯電話機に搭載する回路素子もより多くなる傾向にある。また、携帯電話機の小型・軽量化に伴い回路素子を多数含む半導体モジュール（半導体装置）もより一層小型・軽量化が図られている。携帯電話機に組み込む高周波電力増幅装置（ＲＦ増幅モジュール）も小型化が急速に進んでおり、回路素子等の部品実装面積の確保が困難になってきている。
【０００６】
図７は本発明に先立って検討した高周波電力増幅装置（ＲＦ増幅モジュール）の一部を示す模式的平面図である。この高周波電力増幅装置８０は、第１の増幅系としてＤＣＳ（Digital Cellular System）方式用の増幅系と、第２の増幅系としてＧＳＭ方式用の増幅系を有している。図７はモジュール基板（配線基板）８１上に搭載（固定）された半導体チップ８２と各種チップ部品を搭載（固定）した状態を示す模式的レイアウト図であり、ＧＳＭ及びＤＣＳ用増幅器の出力部分の図である。
【０００７】
図７において、モジュール基板８１には半導体チップ８２が固定（搭載）されている。この半導体チップ８２にはＧＳＭ用及びＤＣＳ用の出力段トランジスタが組み込まれている。また、半導体チップ８２の上面には縁に沿って電極８３が設けられている。
【０００８】
モジュール基板８１には表面及び内部に亘って所定の配線パターンが形成されている。そして、例えば、上面には半導体チップを搭載するチップ搭載部、チップ部品を接続する電極接続部，ワイヤを接続するワイヤ接続部等が設けられ、下面には外部電極端子が設けられている。
【０００９】
図７に示すように、半導体チップ８２の周囲のモジュール基板８１の上面には配線８４が設けられている。これら配線８４は図示しない絶縁膜で覆われている。また、配線８４は部分的に露出してワイヤ接続部８５及び電極接続部８６を形成している。ワイヤ接続部８５と半導体チップ８２の電極８３は導電性のワイヤ８７によって電気的に接続されている。
【００１０】
チップ部品９０はその両端にそれぞれ電極９１を有する。電極接続部８６は搭載するチップ部品９０の両端の電極９１に対応して配置されている。チップ部品の実装においては、前記一対の電極接続部８６上にチップ部品９０の電極９１を位置決めして載せる。その後、予め電極接続部８６上に設けておいた図示しない半田等の導電性接着剤のリフローによって電極接続部８６に電極９１を電気的に接続することによって、チップ部品９０をモジュール基板８１に固定（搭載）する。
【００１１】
図７において、チップ部品９０に記号を付してある。この記号において、最初の文字がＣと記載された部品はチップコンデンサ（容量素子）であり、最初の文字がＲと記載された部品はチップ抵抗（抵抗素子）であり、最初の文字がＬと記載された部品はチップインダクタである。また、記号の２文字目がＧのものはＧＳＭ増幅系を構成するチップ部品であり、記号の２文字目がＰのものはＤＣＳ増幅系を構成するチップ部品である。
【００１２】
ＣＧ，ＣＢ，ＣＡで示すチップコンデンサに比較して、Ｒ１，Ｒ６等のチップ抵抗は小さく、ＬＰ１，ＬＰ２で示すチップインダクタは大きい。例えば、チップインダクタは、長辺１．０ｍｍ、短辺０．５ｍｍ、厚さ０．４ｍｍである１００５ＣＬと呼称される寸法のものが使用されている。
【００１３】
チップ抵抗は、長辺０．４ｍｍ、短辺０．２ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍとなる０４０２ＣＲと呼称されるもの、または長辺０．６ｍｍ、短辺０．３ｍｍ、厚さ０．２ｍｍとなる０６０３ＣＲと呼称されるものが使用されている。
【００１４】
チップコンデンサは、長辺０．４ｍｍ、短辺０．２ｍｍ、厚さ０．２ｍｍとなる０４０２ＣＣと呼称されるもの、または長辺０．６ｍｍ、短辺０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍとなる０６０３ＣＣと呼称されるものが使用されている。
【００１５】
そこで、本発明者は、大きな寸法のチップインダクタの下にチップ抵抗やチップコンデンサを全部あるいは一部が位置するように配置することによって、部品搭載面積の縮小化が可能になることに気がつき本発明をなした。
本発明の一つの目的はチップ部品を内蔵する半導体装置の小型化を図ることにある。
本発明の一つの目的はチップ部品の搭載面積の縮小化が可能な半導体装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１８】
（１）上面及び前記上面の反対面となる下面とを有し前記上面及び下面を含み配線を有する配線基板（モジュール基板）と、前記配線基板の前記上面に固定され前記配線に所定部が接続手段によって電気的に接続される半導体チップと、前記配線基板の前記上面に固定され前記配線に電極が導電性接着剤によって電気的に接続されるチップ部品とを有し、一部の前記チップ部品は他のチップ部品上に重なる状態（積層状態）で前記配線基板に固定されていることを特徴とする。
【００１９】
前記重なる上層のチップ部品の電極を前記配線に接続する接着剤（例えば、半田であり、電極はハンダフィレットによって支持される。）の厚さは、他の前記チップ部品の電極を前記配線に接続する接着剤の厚さよりも厚くなり、前記重なる下層のチップ部品の厚さ以上の厚さに相当している。下層のチップ部品の厚さは、例えば、０．１２ｍｍである。前記チップ部品は受動素子である。前記半導体装置は高周波電力増幅装置を構成している。
【発明の効果】
【００２０】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００２１】
前記（１）の手段によれば、（ａ）チップ部品をモジュール基板に積層状態で搭載することによって部品実装面積の縮小化が図れる。これにより、チップ部品を搭載するモジュール基板の縮小化が可能になり、半導体モジュールの小型化が可能になる。
【００２２】
（ｂ）チップ部品をモジュール基板に積層状態で搭載することにより、部品実装面積の縮小化が図れ、その分モジュール基板には空き領域が発生する。従って、この空き領域に他の部品を搭載することができ、部品実装面積の拡大が可能になる。この結果、モジュール基板により多くの部品の搭載が可能になり、半導体モジュールの多機能化に伴う搭載部品の増大にも対処することができる。
【００２３】
（ｃ）チップ部品をモジュール基板に積層状態で搭載することから、積層状態の関係にあるチップ部品間での配線距離の短縮も可能になり、配線抵抗の低減が可能になる。この結果、半導体モジュールの特性の向上を図ることができる。
【００２４】
（ｄ）上層のチップ部品は両端の電極がハンダフィレットによって支持された状態でモジュール基板に搭載され、この支持された状態にある上層のチップ部品の下面とモジュール基板上面間の隙間に下層のチップ部品が配置される。従って、チップ部品の寸法によっても異なるが、厚さ（高さ）が０．１ｍｍ程度のチップ部品を下層のチップ部品として選択することによって積層搭載状態であっても実装高さは大きく変化しない。この結果、半導体モジュールの薄型化も達成できる。
【００２５】
（ｅ）モジュール基板の縮小化が可能となることから、１枚のシートを縦横に切断して多数のモジュール基板とする半導体モジュールの製造においては、１枚のシート当りの取得モジュール個数が増加し、製造コストの低減が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２７】
本実施例１では、携帯電話機に組み込む高周波電力増幅装置（ＲＦ増幅モジュール）に本発明を適用した例について説明する。
本発明の実施例１による半導体装置（半導体モジュール）１は、図２に示すように、外観的には、四角形状のモジュール基板２と、このモジュール基板２の上面側を覆う絶縁性樹脂からなる封止体３とからなっている。また、図示はしないが、モジュール基板２の下面には外部電極端子が配列されている。半導体モジュール１は、例えば、デュアルバンド用の高周波電力増幅装置（ＲＦ増幅モジュール）が形成されている。即ち、半導体モジュール１には、第１の増幅系としてＧＳＭ方式用の増幅系と、第２の増幅系としてＤＣＳ方式用の増幅系を有している。
【００２８】
図３は半導体モジュール（高周波電力増幅装置）１を簡略化した一部の回路図である。高周波電力増幅装置１は、増幅部１０を有する。増幅部１０にはＧＳＭ方式用の増幅系として複数のトランジスタが多段に接続されて配置され、所定の増幅率を得るようになっている。また、同様に増幅部１０にはＤＣＳ方式用の増幅系として複数のトランジスタが多段に接続されて配置され、所定の増幅率を得るようになっている。増幅部１０は端子ａ〜ｈを有している。
【００２９】
高周波電力増幅装置１は、図３に示すように、外部電極端子として、入力端子Ｐin１（ＧＳＭ），入力端子Ｐin２（ＤＣＳ），出力端子Ｐout１（ＧＳＭ），出力端子Ｐout２（ＤＣＳ），電源電位Ｖdd１（ＧＳＭ），電源電位Ｖdd２（ＤＣＳ），バイアス端子Ｂias１（ＧＳＭ），バイアス端子Ｂias２（ＤＣＳ）及び基準電位ＧＮＤ（グランド）端子等を有する。
【００３０】
高周波電力増幅装置１の外部電極端子と増幅部１０の各端子との接続は以下のとおりである。
入力端子Ｐin１（ＧＳＭ）は端子ａに接続され、入力端子Ｐin２（ＤＣＳ）は端子ｂに接続されている。
【００３１】
出力端子Ｐout１（ＧＳＭ）と端子ｃとの間にはチップコンデンサＣＧ５が接続されている。このチップコンデンサＣＧ５と出力端子Ｐout１との間には、一端がグランドに接続されるチップコンデンサＣＧ６が接続されている。チップコンデンサＣＧ５と端子ｃとの間には、細長四角形部分で示すマイクロストリップライン１１が形成されている。このマイクロストリップライン１１には、いずれも一端がグランドに接続されるチップコンデンサＣＧ４，ＣＧ７が接続されている。端子ｃと電源電位Ｖdd１（ＧＳＭ）との間にはチップインダクタＬＰ２が接続されるとともに、チップインダクタＬＰ２と電源電位Ｖdd１（ＧＳＭ）との間には、一端がグランドに接続されるチップコンデンサＣＡ３が接続されている。
【００３２】
出力端子Ｐout２（ＤＣＳ）と端子ｈとの間にはチップコンデンサＣＰ５が接続されている。このチップコンデンサＣＰ５と端子ｈとの間には、細長四角形部分で示すマイクロストリップライン１２が形成されている。このマイクロストリップライン１２には、いずれも一端がグランドに接続されるチップコンデンサＣＰ４，ＣＰ６が接続されている。端子ｈと電源電位Ｖdd２（ＤＣＳ）との間にはチップインダクタＬＰ１が接続されるとともに、チップインダクタＬＰ１には一端がグランドに接続されるチップコンデンサＣＢ３が接続されている。
【００３３】
バイアス端子Ｂias１は端子ｄに接続され、この間には一端がグランドに接続されるチップ抵抗Ｒ６が接続されている。また、このバイアス端子Ｂias１に接続されるバイアス回路を構成する外付け部品としてチップ抵抗Ｒ１が端子ｆに接続されている。
バイアス端子Ｂias２は端子ｅに接続され、この間には一端がグランドに接続されるチップ抵抗Ｒ７が接続されている。また、このバイアス端子Ｂias２に接続されるバイアス回路を構成する外付け部品としてチップ抵抗Ｒ２が端子ｇに接続されている。
【００３４】
図４は図７と同様に、高周波電力増幅装置１のＧＳＭ及びＤＣＳ用増幅器の出力部分の図であり、モジュール基板（配線基板）２上に搭載（固定）された半導体チップ１５と各種チップ部品を搭載（固定）した状態を示す模式的レイアウト図である。
【００３５】
図４において、モジュール基板２には半導体チップ１５が固定（搭載）されている。この半導体チップ１５にはＧＳＭ用及びＤＣＳ用の出力段トランジスタが組み込まれている。また、半導体チップ１５の上面には縁に沿って電極１６が設けられている。
【００３６】
モジュール基板２には表面及び内部に亘って所定の配線パターンが形成されている。そして、例えば、上面には半導体チップを搭載するチップ搭載部、チップ部品を接続する電極接続部，ワイヤを接続するワイヤ接続部等が設けられ、下面には外部電極端子が設けられている。
【００３７】
図４に示すように、半導体チップ１５の周囲のモジュール基板２の上面には配線１７が設けられている。これら配線１７は図示しない絶縁膜で覆われている。また、配線１７は部分的に露出してワイヤ接続部１８及び電極接続部１９を形成している。ワイヤ接続部１８と半導体チップ１５の電極１６は導電性のワイヤ２０によって電気的に接続されている。
【００３８】
チップ部品２５はその両端にそれぞれ電極２６を有する。電極接続部１９は搭載するチップ部品２５の両端の電極２６に対応して配置されている。チップ部品の実装においては、前記一対の電極接続部１９上にチップ部品２５の電極２６を位置決めして載せる。その後、予め電極接続部１９上に設けておいた図示しない導電性接着剤（半田）のリフローによって電極接続部１９に電極２６を電気的に接続することによって、チップ部品２５をモジュール基板２に固定（搭載）する。
【００３９】
図４において、図７の場合と同様にチップ部品２５に記号を付してある。この記号において、最初の文字がＣと記載された部品はチップコンデンサ（容量素子）であり、最初の文字がＲと記載された部品はチップ抵抗（抵抗素子）であり、最初の文字がＬと記載された部品はチップインダクタである。また、記号の２文字目がＧのものはＧＳＭ増幅系を構成するチップ部品であり、記号の２文字目がＰのものはＤＣＳ増幅系を構成するチップ部品である。
【００４０】
本実施例１では、チップインダクタＬＰ１の下にチップ抵抗Ｒ２を配置し、チップインダクタＬＰ２の下にチップコンデンサＣＧ７を配置した構造になっている。図７では各チップ部品が重なることがないように配置されているが、本実施例１の場合は二箇所で二段積層構造にしてある。この二段積層構造にするため、一部では配線パターンが異なる。
【００４１】
チップインダクタＬＰ１，ＬＰ２は、長辺１．０ｍｍ、短辺０．５ｍｍ、厚さ０．４ｍｍである１００５ＣＬと呼称される寸法のものを使用している。チップインダクタＬＰ１の下に配置するチップ抵抗Ｒ２は長辺０．４ｍｍ、短辺０．２ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍとなる０４０２ＣＲと呼称されるものを配置した構造になっている。また、チップインダクタＬＰ２の下に配置するチップコンデンサＣＧ７は長辺０．６ｍｍ、短辺０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍとなる０６０３ＣＣと呼称されるものを配置した構造になっている。
【００４２】
１００５ＣＬと呼称されるチップ部品は、両端の電極と電極との間の間隔は０．６ｍｍとなり、０４０２ＣＲと呼称されるチップ部品及び０６０３ＣＣと呼称されるチップ部品は、１００５ＣＬと呼称されるチップ部品の電極に接触することなく、また電気的絶縁を有する間隔を有してモジュール基板２の上面に固定することができる。
【００４３】
図１は、１００５ＣＬと呼称される寸法構成品であるチップインダクタＬＰ１の下に、０４０２ＣＲと呼称される寸法構成品であるチップ抵抗Ｒ２を配置した模式図である。モジュール基板２の上面には厚さが１０〜２０μｍの電極接続部１９が所定パターンに形成され、所定の電極接続部１９にそれぞれ半田３０によってチップ部品２５の電極２６が接続されている。半田の硬化によってハンダフィレット３０ａが形成されている。
【００４４】
下層のチップ部品２５（チップ抵抗Ｒ２）の厚さ（高さ）ｊは０４０２ＣＲであり、その厚さは０．１２ｍｍと薄い。上層のチップ部品２５（チップインダクタＬＰ１）の厚さ（高さ）ｋは１００５ＣＬであり、その厚さは０．５ｍｍである。
【００４５】
チップインダクタＬＰ１及びチップ抵抗Ｒ２をモジュール基板２に搭載する際、チップインダクタＬＰ１及びチップ抵抗Ｒ２の電極２６を所定の電極接続部１９上に位置決め載置した後、リフロー処理して電極接続部１９に設けておいた半田を再溶融させて接続を行う。この際、チップインダクタＬＰ１はチップ抵抗Ｒ２上に載った状態でリフローされる。従って、チップインダクタＬＰ１の電極２６の下端と電極接続部１９の上面との間の距離は、チップ抵抗Ｒ２の厚さ分程度の０．１２ｍｍとなり、その間隔は狭いことから、半田は途切れることなくチップインダクタＬＰ１の電極２６と所定の電極接続部１９間に位置し、過不足のない接続が可能になる。半田の硬化によってチップ部品２５を支持接続するハンダフィレット３０ａが形成される。
【００４６】
なお、このような半田実装によれば、上層のチップ部品２５は下層のチップ部品２５上に載る構造となって半田実装されることから、上層のチップ部品２５の電極２６を電極接続部１９に接続する半田３０の厚さは、他のチップ部品２５の電極２６を電極接続部１９に接続する半田３０の厚さよりも厚くなり、下層のチップ部品２５の厚さ以上の厚さに相当するようになる。
【００４７】
図４に示すように、チップ抵抗Ｒ２はその一部、即ち一方の電極２６を含むおよそ半分程度がチップインダクタＬＰ１の下に位置するように積層配置される。また、チップコンデンサＣＧ７は全部が完全にチップインダクタＬＰ２の下に位置するように積層配置される。図４では、２箇所の積層配置部分では、上層下層のチップ部品の位置関係が明瞭になるように透視して輪郭線等を示してある。
【００４８】
このようなチップ部品の積層配置を採用することによってモジュール基板２の縮小化が可能になる。図４において、右側のｓなる幅に相当する部分の縮小化が達成できる。モジュール基板２を縮小しなければ、その空き領域を他の部品の搭載領域として使用することができる。
【００４９】
チップ部品は各種の呼称で示される寸法構成があることから、それら寸法構成のチップ部品を選択することによって種々の積層配置が可能になる。
本実施例１の半導体モジュール（高周波電力増幅装置）１は、１枚のシートを縦横に切断して多数のモジュール基板２とする製造方法で製造する。即ち、１枚のシートは縦横に製品形成部を有する。そして、製造においては、各製品形成部に半導体チップ１５及びチップ部品２５を搭載し、必要箇所をワイヤ２０で接続し、その後絶縁性樹脂でシートの上面全体を覆い、ついで製品形成部の縁に沿うようにシート及び樹脂を縦横に切断分割して半導体モジュール１を製造する。従って、モジュール基板２の縮小化から、１枚のシートからより多くの半導体モジュール１を製造することができる。
【００５０】
本実施例１の半導体モジュール（高周波電力増幅装置）によれば以下の効果を有する。  （１）チップ部品２５をモジュール基板２に積層状態で搭載することによって部品実装面積の縮小化が図れる。これにより、チップ部品２５を搭載するモジュール基板２の縮小化が可能になり、半導体モジュール１の小型化が可能になる。
【００５１】
（２）チップ部品２５をモジュール基板２に積層状態で搭載することにより、部品実装面積の縮小化が図れ、その分モジュール基板２には空き領域が発生する。従って、この空き領域に他の部品を搭載することができ、部品実装面積の拡大が可能になる。この結果、モジュール基板２により多くの部品の搭載が可能になり、半導体モジュール１の多機能化に伴う搭載部品の増大にも対処することができる。
【００５２】
（３）チップ部品２５をモジュール基板２に積層状態で搭載することから、積層状態の関係にあるチップ部品間での配線距離の短縮も可能になり、配線抵抗の低減が可能になる。この結果、半導体モジュール（高周波電力増幅装置）１の特性の向上を図ることができる。
【００５３】
（４）上層のチップ部品２５は両端の電極２６がハンダフィレット３０ａによって支持された状態でモジュール基板２に搭載され、この支持された状態にある上層のチップ部品２５の下面とモジュール基板２上面間の隙間に下層のチップ部品２５が配置される。従って、チップ部品２５の寸法によっても異なるが、厚さ（高さ）が０．１ｍｍ程度のチップ部品２５を下層のチップ部品２５として選択することによって積層搭載状態であっても実装高さは大きく変化しない。この結果、半導体モジュール１の薄型化も達成できる。
【００５４】
（５）モジュール基板２の縮小化が可能となることから、１枚のシートを縦横に切断して多数のモジュール基板２とする半導体モジュール１の製造においては、１枚のシート当りの取得モジュール個数が増加し、製造コストの低減が可能になる。
【実施例２】
【００５５】
図５は本発明の実施例２である半導体装置（半導体モジュール）１の一部を模式的に示す拡大断面図である。本実施例２は、図４に示す実施例１の構造において、下層のチップ部品２５をその長手方向を上層のチップ部品２５の長手方向に直交する方向とし、かつ２列並べて配列したものである。
【００５６】
図５の上層のチップ部品２５は１００５ＣＬと呼称される寸法構成品である。また、下層のチップ部品２５は０４０２ＣＲと呼称される寸法構成品である。これにより、２個分のチップ部品２５の実装面積が他のチップ部品２５の実装領域に確保でき、モジュール基板２の更なる小型化が達成でき、半導体モジュール１の更なる小型化が達成できる。
【実施例３】
【００５７】
図６は本発明の実施例３である半導体装置（半導体モジュール）１の一部を模式的に示す拡大断面図である。本実施例３は、図４に示す実施例１の構造において、下層のチップ部品２５をモジュール基板２の上面に設けた窪み３５の底上に固定するものである。
従って、窪み３５の深さｔに相当する分更に積層構造のチップ部品２５の高さを低くでき、半導体モジュール１の薄型化が達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の一部を模式的に示す拡大断面図である。
【図２】実施例１の半導体装置の外観を示す模式的斜視図である。
【図３】実施例１の半導体装置の回路構成を示す模式図である。
【図４】実施例１の半導体装置におけるチップ部品のレイアウトを示す一部の模式図である。
【図５】本発明の実施例２である半導体装置の一部を模式的に示す拡大断面図である。
【図６】本発明の実施例３である半導体装置の一部を模式的に示す拡大断面図である。
【図７】本発明に先立って検討した半導体装置におけるチップ部品のレイアウトを示す一部の模式図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…半導体装置（半導体モジュール，高周波電力増幅装置）、２…配線基板（モジュール基板）、３…封止体、１０…増幅部、１１，１２…マイクロストリップライン、１５…半導体チップ、１６…電極、１７…配線、１８…ワイヤ接続部、１９…電極接続部、２０ワイヤ、２５…チップ部品、２６…電極、３０…半田、３０ａ…ハンダフィレット、３５…窪み、８０…高周波電力増幅装置、８１…モジュール基板（配線基板）、８２…半導体チップ、８３…電極、８４…配線、８５…ワイヤ接続部、８６…電極接続部、８７…ワイヤ、９０…チップ部品、９１…電極。
【図１】
2005302928.tif 000003
【図２】
2005302928.tif 000004
【図３】
2005302928.tif 000005
【図４】
2005302928.tif 000006
【図５】
2005302928.tif 000007
【図６】
2005302928.tif 000008
【図７】
2005302928.tif 000009