(57)【要約】【課題】高Ｓ／Ｎ比で高記録密度を実現する。【解決手段】垂直磁気記録ディスク１０は、基体１１上に、密着層１２、軟磁性層１３、シード層１４、下地層１５、垂直磁気記録層１６、媒体保護層１７、潤滑層１８をこの順に備える。下地層１５はＲｕとＡｒとを含有する層を含み、垂直磁気記録層１６は、グラニュラー構造のＣｏを含有する強磁性層である。【選択図】図１
2005285275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に下地層と垂直磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録媒体であって、
前記下地層は、ＲｕとＡｒとを含有する層を含み、
前記垂直磁気記録層は、Ｃｏを含有するグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記下地層を、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で分析したときに、質量数が１７３のイオンの検出強度をＡとし、質量数が２３５のイオンの検出強度をＢとした場合、Ａに対するＢの検出強度比（Ａ／Ｂ）が、０．０１〜０．０５であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記垂直磁気記録層は、Ｃｏを含有する結晶粒子の間に非磁性の酸化物体を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記基体と下地層との間に、アモルファスのシード層を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記基体と下地層との間に、アモルファスの軟磁性層を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記基体は、アモルファスガラスであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を製造する方法であって、  成膜速度を毎秒Ｃｎｍ、成膜雰囲気のアルゴンガスの圧力をＤＰａとしたときに、前記下地層は、Ｃに対するＤの比（Ｃ／Ｄ）が０．４以上２以下で成膜されることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気ディスクとして利用される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクを垂直磁気記録方式に対応させるためには、現在普及している面内磁気記録方式用磁気ディスクとは大幅に異なる設計思想が要求される。垂直磁気記録方式で用いられる記録媒体として、基体上に軟磁性体からなる下地層（軟磁性下地層）を形成し、その上に直接もしくは非磁性の中間層（非磁性下地層）を介して垂直磁気記録層を形成した二層膜構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
二層膜構造の垂直磁気記録媒体は、磁気記録時に、磁気ヘッド−垂直磁気記録層−軟磁性下地層の間に好適な磁気回路を形成することができる。その際、軟磁性下地層が、垂直磁気記録層への記録を助ける働きをする。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−７７１２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎ比を向上させ、記録密度を向上させるためには、記録層の磁化遷移領域ノイズを低減することが肝要である。この磁化遷移領域ノイズは、通常、記録層を構成する磁性グレインの配向性や粒径及び磁気的相互作用の大きさなどに起因して発生することが知られている。磁性グレイン間に介在する磁気的相互作用の影響が大きい場合、記録ビット間の磁化反転が阻害される場合があり、特に情報記録密度が高くなるほど、好ましい記録再生が阻害されてしまう。
【０００６】
このような磁気的相互作用を抑制するために、通常の面内磁気記録媒体では、磁性グレイン間に粒界部分を形成して、磁気的相互作用を遮断するようにしている。例えば、磁気記録層を高記録密度化に好適なＣｏ系合金の硬磁性層とする場合では、Ｃｏ系合金のｈｃｐ結晶構造に粒界を形成することが望ましい。しかしながら、垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ系合金を垂直磁気記録層として用いようとした場合には、好ましい粒界が形成され難いという問題があった。
【０００７】
本発明者らの考察によれば、この原因は次のように考えられる。即ち面内磁気記録ディスクにおいては、Ｃｏ系合金のｈｃｐ結晶構造がディスク面内に配向しているため、粒界部を形成する材料が磁気記録層の外へ流出しないよう抑制されていて、粒界が形成されやすく、グレインも小さくなりやすいが、一方、垂直磁気記録媒体においては、ｈｃｐ結晶構造がディスク面に垂直に配向しているため、粒界部を形成する材料が磁気記録層の垂直方向つまり磁気記録層の下側の層（例えば、軟磁性下地層や非磁性下地層）や上側の層（例えば保護層）内に拡散流出しやすく、好適な粒界が形成され難いからであると考えられる。
【０００８】
このため、現状では、垂直磁気記録媒体を更に高Ｓ／Ｎ比化することには限界があり、高記録密度化対応が不十分であった。また、そのため、高Ｓ／Ｎ比が得られる垂直磁気記録ディスクを安定的に量産することは困難であって、出荷製品に高度の品質保証を付与することができなかった。
【０００９】
本発明は、上記事情を考慮し、高Ｓ／Ｎ比で高記録密度を実現し得る垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は以下の構成を有するものである。
構成１の発明は、基体上に下地層と垂直磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は、ＲｕとＡｒとを含有する層を含み、前記垂直磁気記録層は、Ｃｏを含有するグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする。
【００１１】
構成２の発明は、構成１に記載の垂直磁気記録媒体であって、前記下地層を、次の条件の２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で分析したときに、質量数が１７３のイオンの検出強度をＡとし、質量数が２３５のイオンの検出強度をＢとした場合、Ａに対するＢの検出強度比（Ａ／Ｂ）が、０．０１〜０．０５であることを特徴とする。
但し、２次イオン質量分析法において、１次イオンは質量数が１３３のＣｓイオンとし、前記１次イオンを１ｋＶの加速電圧で加速して前記下地層に照射し、前記１次イオンの前記下地層への照射角度は前記下地層に対して３０°とする。
【００１２】
構成３の発明は、構成１又は２に記載の垂直磁気記録媒体であって、前記垂直磁気記録層は、Ｃｏを含有する結晶粒子の間に非磁性の酸化物体を備えることを特徴とする。
【００１３】
構成４の発明は、構成１〜３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体であって、前記基体と下地層との間に、アモルファスのシード層を備えることを特徴とする。
【００１４】
構成５の発明は、構成１〜４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体であって、前記基体と下地層との間に、アモルファスの軟磁性層を備えることを特徴とする。
【００１５】
構成６の発明は、構成１〜５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体であって、前記基体は、アモルファスガラスであることを特徴とする。
【００１６】
構成７の発明は、構成１〜６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を製造する方法であって、成膜速度を毎秒Ｃｎｍ、成膜雰囲気のアルゴンガスの圧力をＤＰａとしたときに、前記下地層は、Ｃに対するＤの比（Ｃ／Ｄ）が０．４以上２以下で成膜されることを特徴とする。なお、Ｃ／Ｄについては、０．４〜１．５が好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、下地層をＲｕとＡｒを含有する層で構成し、垂直磁気記録層をグラニュラー構造のＣｏを含有する強磁性層で構成したので、高Ｓ／Ｎ比と高記録密度を実現し得る垂直磁気記録ディスクを安定品質で提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は実施形態の垂直磁気記録ディスク（垂直磁気記録媒体）１０の縦断面の膜構成を示す模式図である。
この垂直磁気記録ディスク１０は、化学強化されたアモルファスのアルミノシリケートガラスよりなるディスク基体１１の上に、密着層１２を介して軟磁性層１３を積層し、その上にシード層１４、下地層１５を積層し、その上に垂直磁気記録層１６を設け、更にその上に媒体保護層１７と潤滑層１８を積層したものである。
【００１９】
密着層１２は、軟磁性層１３のディスク基体１１に対する付着力を補強する役目を果たす層である。軟磁性層１３は、軟磁性特性を備える軟磁性体からなる。シード層１４は、軟磁性層１３を防護する作用と、下地層１５の結晶粒の微細化を促進する作用を備える。下地層１５は、垂直磁気記録層１６の垂直配向を促進する作用と垂直磁気記録層１６の結晶粒の微細化を促進する作用を果たす層である。
【００２０】
また、垂直磁気記録層１６は、ｈｃｐ結晶構造の合金硬磁性磁気記録層であり強磁性層である。磁化容易軸（ｃ軸）はディスク面に対して垂直に配向されている。媒体保護層１７は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録ディスク１０を防護するための層である。潤滑層１８は、磁気ヘッドの衝撃を緩和するための層である。
【実施例１】
【００２１】
実施例１では、まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型してガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ディスク基体１１を得た。
【００２２】
このディスク基体１１の主表面の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定したところ、最大高さＲｍａｘが４．８ｎｍ、算術平均粗さＲａが０．４２ｎｍという平滑な表面形状であった。なお、Ｒｍａｘ及びＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。
【００２３】
得られたガラスディスク基体１１上に、真空引きを行なった枚葉・静止対向型成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、Ａｒ雰囲気中で、密着層１２、軟磁性層１３、シード層１４、下地層１５、垂直磁気記録層１６、媒体保護層１７を順次成膜した。
【００２４】
その際、まず密着層１２は、膜厚２０ｎｍのＴｉ層となるように、Ｔｉターゲットを用いて成膜した。
また、軟磁性層１３は、膜厚２００ｎｍのアモルファスＣｏＴａＺｒ（Ｃｏ：８８ａｔ％、Ｔａ：７aｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）層となるように、ＣｏＴａＺｒターゲットを用いて成膜した。
【００２５】
軟磁性層１３までの成膜を終えて得られた膜の表面粗さを、上記と同様にＡＦＭで測定したところ、Ｒｍａｘが５．１ｎｍ、Ｒａが０．４８ｎｍという平滑な表面形状であった。
また、ＶＳＭ（振動試料型磁化測定装置）を用いて磁気特性を測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は２エルステッド（Ｏｅ）、飽和磁束密度は９００ｅｍｕ／ｃｃであり、好適な軟磁性特性を示していた。
【００２６】
軟磁性層１３の上には、アモルファスのＮｉＴａ（Ｎｉ：４５ａｔ%、Ｔａ：５５ａｔ％）からなるシード層１４が膜厚１５ｎｍ形成されるように、ＮｉＴａターゲットを用いて成膜した。
【００２７】
次に、膜厚が２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造である下地層１５を成膜した。具体的には、下地層１５が、ＲｕとＡｒとを含有する層（以下、Ｒｕ−Ａｒ層と呼ぶ）となるように、成膜雰囲気の圧力（アルゴンガスの分圧）を３パスカル（３Ｐａ）とし、Ｒｕ金属のスパッタリングタターゲットを用いてスパッタリング成膜を行った。また、下地層１５の組成が、ＲｕとＡｒを含有するものとなるように、スパッタリング成膜を行うときの前記ターゲットに印加する電力（以下、成膜電力と呼ぶ）を調整し、成膜速度が毎秒４ｎｍとなるようにして成膜を行った。従って、この実施例においては、成膜速度を毎秒Ｃｎｍ（ナノメートル）、成膜雰囲気のアルゴンガスの圧力をＤＰａ（パスカル）としたときに、前記下地層１５は、Ｃに対するＤの比（Ｃ／Ｄ）は１．３で成膜される。
【００２８】
ここで、Ｒｕ−Ａｒ層中のＡｒ含有量を反映する値となるＡ／Ｂの測定は、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で行った。この分析で得られる質量数が１７３のイオンの検出強度をＡとし、質量数が２３５のイオンの検出強度をＢとし、Ａに対するＢの検出強度比（Ａ／Ｂ）を求めた。なお、質量数１７３はＣｓの質量数とＡｒの質量数との合計であり、質量数２３５とはＣｓの質量数とＲｕの質量数との合計である。
【００２９】
この実施例において下地層１５の前記Ａ／Ｂを測定したところ、０．０１４であった。２次イオン質量分析法の詳細を記載すると、動的２次イオン質量分析法（ダイナミックＳＩＭＳ）を利用した。具体的には、ＰＨＹＳＩＣＡＬ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴ社製のＡＤＥＰＴ１０１０を利用した。測定条件は、１次イオンをＣｓ＋（質量数１３３）とし、１次イオンの加速電圧を１ｋＶ、加速電流を７５ｎＡとした。イオンガンアパーチャーは５０ｍｉｌとし、試料（下地層１５）のイオン照射は短辺が４５０μｍ、長辺が９００μｍの短形領域とした。試料（下地層１５）に対する１次イオンの照射角度は、試料面（下地層１５）に対して３０°とした。
【００３０】
次に、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２の焼結体からなる強磁性体である硬磁性体ターゲットを用いて、成膜ガス６Ｐａ、膜厚１５ｎｍのｈｃｐ結晶構造を含む垂直磁気記録層１６が形成されるように成膜した。該垂直磁気記録層の組成は、［Ｃｏ：７３．５ａｔ%、Ｃｒ：９．５ａｔ%、Ｐｔ：１７ａｔ%］−ＳｉＯ２：８ｍｏｌ％である。
【００３１】
この垂直磁気記録層１６を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を利用して詳細に分析したところ、グラニュラー構造を備えていた。具体的にはＣｏを含有するｈｃｐ（六方細密充填）結晶構造の結晶粒子の間に、非磁性の酸化物体からなる粒界部分が形成されていることを確認した。
【００３２】
次に、Ａｒに水素を２０％含有させた混合ガスを用いて、カーボンターゲットをスパッタリングすることにより、膜厚５ｎｍの水素化カーボンからなる媒体保護層１７を形成した。
水素化炭素とすることで、膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対して垂直磁気記録層を防護することができる。
【００３３】
この後、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層１８をディップコート法により形成した。潤滑層１８の膜厚は１．２ｎｍである。
【００３４】
以上の製造工程により、垂直磁気記録ディスク１０が得られた。
得られた垂直磁気記録ディスク１０の垂直磁気記録層１６の配向性をＸ線回折法にて分析したところ、ｈｃｐ結晶構造のｃ軸がディスク面に対して垂直方向に配向していた。
【００３５】
また、垂直磁気記録ディスク１０の磁気特性をＶＳＭで評価したところ、保磁力（Ｈｃ）は３９５０エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−１０００エルステッドという、好適な磁気特性を示した。
【００３６】
なお、垂直磁気記録ディスク１０の保磁力、角型比は数値が高ければ高いほど好ましく、磁化反転核生成磁界は０未満のなるべく小さい値であるほど好ましい。
垂直磁気記録ディスク１０の電磁変換特性を測定したところ、Ｓ／Ｎ比は２０ｄB、分解能５０％であり、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の垂直磁気記録ディスクにとって好適な結果が得られた。
【００３７】
また、電磁変換特性は以下のようにして測定した。
Ｒ／Ｗアナライザー（ＧＵＺＩＫ）と、記録側がＳＰＴ素子、再生側がＧＭＲ素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドとを用いて、Ｓ／Ｎ比の信号Ｓは６５ｋｆｃｉの記録密度で測定し、ノイズＮは０から７８０ｋｆｃｉ間の記録密度で測定した波形面積を積分したものである。
また、分解能は３９０ｋｆｃｉで測定した信号と６５ｋｆｃｉで測定した信号との強度比である。このとき、磁気ヘッドの浮上量は１２ｎｍであった。
【実施例２】
【００３８】
実施例２では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．０２７になるように、Ｒｕターゲットを用い、６Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：４ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００３９】
得られた垂直磁気記録ディスク１０を実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は４７００エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−６００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は２１．５ｄＢ、分解能５２％であった。下地層１５のＡ／Ｂの測定結果及び成膜条件と合わせて表１に掲げる。
【実施例３】
【００４０】
実施例３では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．０５になるように、Ｒｕターゲットを用い、１０Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：４ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００４１】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は４９００エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−９００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は２１．７ｄＢ、分解能５３％であった。
【実施例４】
【００４２】
実施例４では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．０１４になるように、Ｒｕターゲットを用い、１．５Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：２ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００４３】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は３９００エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−１０００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は２０．１ｄＢ、分解能５０％であった。
【実施例５】
【００４４】
実施例５では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．０２７になるように、Ｒｕターゲットを用い、３Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：２ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００４５】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は４７５０エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−６００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は２１．４ｄＢ、分解能５２％であった。
【実施例６】
【００４６】
実施例６では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．０５になるように、Ｒｕターゲットを用い、５Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：２ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００４７】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は４８５０エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−９００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は２１．８ｄＢ、分解能５３％であった。
【００４８】
〔比較例１〕
比較例１では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．００１になるように、Ｒｕターゲットを用い、０．５Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：４ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００４９】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は３１００エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−７００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は１８ｄＢ、分解能４０％であった。
【００５０】
〔比較例２〕
比較例２では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．００２になるように、Ｒｕターゲットを用い、１Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：４ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００５１】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は３５００エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−８００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は１８．５ｄＢ、分解能４２％であった。
【００５２】
〔比較例３〕
比較例３は、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．００１になるように、Ｒｕターゲットを用い、０．２５Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：２ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００５３】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は３０００エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−７００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は１８．２ｄＢ、分解能４０％であった。
【００５４】
〔比較例４〕
比較例４では、膜厚２０ｎｍのｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ａｒ層のＡ／Ｂが０．００２になるよに、Ｒｕターゲットを用い、０．５Ｐａの成膜雰囲気ガス圧、成膜速度：２ｎｍ／秒の成膜条件で下地層１５を形成した。それ以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録ディスクの作製を行った。
【００５５】
得られた垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は３４５０エルステッド、角型比〔残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｂｓ）〕は１．０、磁化反転核生成磁界（Ｈｎ）は−８００エルステッドであった。また、電磁変換特性を実施例１と同様に測定したところ、Ｓ／Ｎ比は１８．６ｄＢ、分解能４２％であった。
【００５６】
以上の結果を表１に示す。
【表１】
2005285275.tif 000003
【００５７】
なお、上記比較例１〜比較例４の垂直磁気記録ディスク又は垂直磁気記録ディスクの製造方法は、本発明の構成２の発明または構成７の発明についての比較となる。
表１の結果に基づくと、前記Ａ／Ｂが０．００２以下の場合、Ｓ／Ｎと分解能が劣化することが分かる。従って、Ａ／Ｂは０．００２を越えることが好ましく、特に０．０１以上とすることが好適である。また、Ｃ／Ｄに関しては、４以上の場合、Ｓ／Ｎ、分解能が劣化することが分かる。従って、Ｃ／Ｄは４未満とすることが好ましく、特に、２以下とする事が好適である。
【００５８】
〔比較例５〕
次に、比較例５の垂直磁気記録ディスクを製造した。具体的には、垂直磁気記録層１６をＣｏＣｒＰｔの強磁性層とした。組成は、Ｃｏ：７３．５ａｔ％、Ｃｒ：９．５ａｔ％、Ｐｔ：１７ａｔ％とし、ＳｉＯ２を含有しない組成とした。この点以外は実施例１と同様に製造した、同様の垂直磁気記録ディスクである。
【００５９】
この比較例５の垂直磁気記録ディスクの垂直磁気記録層１６を観察したところ、酸化物体の粒界部分の形成は確認されなかった。すなわち、グラニュラー構造であるとは言えない。この比較例５の垂直磁気記録ディスクを実施例１と同様に評価したところ、Ｓ／Ｎは１７．０ｄＢ、分解能は３８％であった。
なお、この比較例５の垂直磁気記録ディスク又は垂直磁気記録ディスクの製造方法は、本発明の構成１の発明についての比較となる。
【００６０】
本発明は更に以下の付記の発明を含む。
（付記１）
構成１に記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記下地層を、２次イオン質量分析法で分析したときに、質量数が１７３のイオンの検出強度をＡとし、質量数が２３５のイオンの検出強度をＢとした場合、Ａに対するＢの検出強度比（Ａ／Ｂ）が０．００２を越えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【００６１】
（付記２）
構成１〜６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を製造する方法であって、
成膜速度を毎秒Ｃｎｍ、成膜雰囲気のアルゴンガスの圧力をＤＰａとしたときに、前記下地層は、Ｃに対するＤの比（Ｃ／Ｄ）が４未満で成膜されることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態の垂直磁気記録ディスクの膜構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  垂直磁気記録ディスク（垂直磁気記録媒体）
１１  ディスク基体
１２  密着層
１３  軟磁性層
１４  シード層
１５  下地層
１６  垂直磁気記録層
１７  媒体保護層
１８  潤滑層
【図１】
2005285275.tif 000004