(57)【要約】【課題】発光輝度および発光効率をより高めることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも一方が透明または半透明である陽極および陰極よりなる一対の電極と、該―対の電極間に挟持された２以上の層からなる有機化合物層と、を含み、前記有機化合物層が、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成される有機電界発光素子の製造方法において、少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を、熱処理温度Ｘ℃以上で熱処理する熱処理工程を含み、前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低い融点Ｔｍ（ｌ）−１０から選択されるいずれか低い温度であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明または半透明である陽極および陰極よりなる一対の電極と、該―対の電極間に挟持された２以上の層からなる有機化合物層と、を含み、
前記有機化合物層が、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成される有機電界発光素子の製造方法において、
少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を、熱処理温度Ｘ℃以上で熱処理する熱処理工程を含み、
前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低い融点Ｔｍ（ｌ）−１０から選択されるいずれか低い温度であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高いガラス転移温度Ｔｇ（ｈ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高い融点Ｔｍ（ｈ）−１０から選択されるいずれか高い温度であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理工程が、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高いガラス転移温度Ｔｇ（ｈ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高い融点Ｔｍ（ｈ）−１０から選択されるいずれか高い温度に５０℃を加算した温度以下で行われることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理工程が、非酸化雰囲気で行われることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
少なくとも一方が透明または半透明である陽極および陰極よりなる一対の電極と、該―対の電極間に挟持された２以上の層からなる有機化合物層と、を含み、
前記有機化合物層が、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成される有機電界発光素子において、
少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を、熱処理温度Ｘ℃以上で熱処理する熱処理工程を含み、
前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低い融点Ｔｍ（ｌ）−１０から選択されるいずれか低い温度であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項６】
前記有機化合物層が、少なくとも正孔輸送層と発光層とを含み、前記正孔輸送層が高分子正孔輸送材料を含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記有機化合物層が、電子輸送層を含み、且つ、前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層の順に積層された層構成を有することを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記発光層が、有機低分子材料を含むことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記高分子正孔輸送材料が、下記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で表される構造から選択される少なくとも１種以上を、繰り返し単位構造に含むことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【化１】
2005166651.tif 000059
［但し、一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の芳香環数１〜１０の１価の多核芳香環、または、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香環を表し、Ｘは置換または未置換の２価の芳香族基を示し、ｋ、ｌはそれぞれ０又は１を示し、Ｔは炭素数１〜１０の直鎖状の２価の炭化水素基または炭素数１〜１０の分枝状の２価の炭化水素基を示す。］
【請求項１０】
前記高分子正孔輸送材料が、下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で表される繰り返し構造から選択されるいずれかを含むことを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2005166651.tif 000060
［但し、一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）中、Ａは、前記一般式（Ｉ一ｌ）又は（Ｉ−２）を表し、Ｂは、−Ｏ−（Ｙ’−Ｏ）ｍ’−、又は、Ｚ’を示し、Ｙ、Ｙ’、Ｚ、Ｚ’は２価の炭化水素基を表し、ｍ、ｍ’は１〜５の整数を表し、ｎは０又は１を表し、ｐは５〜５００の整数を表し、ｑは１〜５０００の整数を表し、ｒは１〜３５００の整数を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の製造方法、および、これを利用して作製された有機電界発光素子に開する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光素子（以下、「ＥＬ素子」と記述する）は、自発光性の全固体素子であり、視認性が高く衝撃にも強いため、広く応用が期待されている。しかし、従来のＥＬ素子としては無機螢光体を用いたものが主流である。例えば無機材料のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＺｎ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎやＥｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｎ等の希土類元素をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料を利用して作製したＥＬ素子は、駆動に２００Ｖ以上の交流電圧が必要なため製造コストが高く、フルカラー化が困難であり、輝度も不十分である等の問題点を有している。
【０００３】
しかし、近年、タン（Ｔａｎｇ）らは、陽極と陰極との間に２つの極めて薄い層（電荷輸送層および発光層）を真空蒸着で積層したＥＬ素子を考案し、低い駆動電圧で高輝度を実現した（非特許文献１参照）。この種の積層型有機ＥＬデバイスはその後も活発に研究されている。
またさらに、電荷輸送および発光の機能を分離した３層構造のＥＬ素子も報告されている。このようなＥＬ素子においては、発光色を決める発光層の色素の選定に際しても電荷輸送性能の制約が緩和されるため色素選択の自由度が増し、さらには中央の発光層に正孔と電子（あるいは励起子）とを有効に閉じ込めて発光の向上を図る可能性も示唆される。
【０００４】
このような研究開発の経過を経て、有機ＥＬ素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流低電圧で、発光が可能となり、また蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能となってきた。
また、ＥＬ素子の熱安定性に関する問題の解決のために、正孔輸送材料として安定なアモルファスガラス状態が得られるスターバーストアミンを用いることや（例えば、非特許文献２参照）、ポリフォスファゼンの側鎖にトリフェニルアミンを導入したポリマーを用いること（例えば、非特許文献３参照）が報告されている。
以上のような特徴を有する有機ＥＬ素子は、種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。
【非特許文献１】Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）
【非特許文献２】第４０回応用物理学関係連合講演会予稿集３０ａ−ＳＺＫ−１４（１９９３）
【非特許文献３】第４２回高分子討論会予稿集２０Ｊ２１（１９９３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の有機ＥＬ素子においては、発光輝度や発光効率の点では、未だ不充分な場合が多く、更なる改良が求められていた。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、発光輝度および発光効率をより高めることができる有機ＥＬ素子の製造方法、および、これを利用して作製された有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を達成するために、有機ＥＬ素子の構成に着目し以下に説明するような検討を行った。
すなわち、一般的な有機ＥＬ素子は、正孔輸送層および発光層、さらに、これらの層に電子輸送層が積層された有機化合物層を有している。一方、有機ＥＬ素子の駆動に際しては、有機化合物層を構成する各々の層間の電荷の移動が重要となってくる。
【０００７】
ここで、本発明者らは、有機化合物層を構成する各々の層間の電荷の移動は、各々の層を構成する材料のエネルギー的な準位以外にも、物理的な層と層との接触状態、すなわち、互いに接して設けられる層同士の親和性が重要であると考えた。さらに、互いに接して設けられる層と層との親和性が悪いと電荷の蓄積等が生じ、有機ＥＬ素子の電気的特性に非常に大きな影響を及ぼし、最終的に発光特性に悪影響を与える可能性があるものと考えた。
本発明者らは以上に説明したような推測に基づき、以下の本発明を見出した。すなわち、本発明は、
【０００８】
＜１＞
少なくとも一方が透明または半透明である陽極および陰極よりなる一対の電極と、該―対の電極間に挟持された２以上の層からなる有機化合物層と、を含み、
前記有機化合物層が、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成される有機電界発光素子の製造方法において、
少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を、熱処理温度Ｘ℃以上で熱処理する熱処理工程を含み、
前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低い融点Ｔｍ（ｌ）−１０から選択されるいずれか低い温度であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
【０００９】
＜２＞
前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高いガラス転移温度Ｔｇ（ｈ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高い融点Ｔｍ（ｈ）−１０から選択されるいずれか高い温度であることを特徴とする＜１＞に記載の有機電界発光素子の製造方法である。
【００１０】
＜３＞
前記熱処理工程が、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高いガラス転移温度Ｔｇ（ｈ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も高い融点Ｔｍ（ｈ）−１０から選択されるいずれか高い温度に５０℃を加算した温度以下で行われることを特徴とする＜１＞に記載の有機電界発光素子の製造方法である。
【００１１】
＜４＞
前記熱処理工程が、非酸化雰囲気で行われることを特徴とする＜１＞に記載の有機電界発光素子の製造方法である。
【００１２】
＜５＞
少なくとも一方が透明または半透明である陽極および陰極よりなる一対の電極と、該―対の電極間に挟持された２以上の層からなる有機化合物層と、を含み、
前記有機化合物層が、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成される有機電界発光素子において、
少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を、熱処理温度Ｘ℃以上で熱処理する熱処理工程を含み、
前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低い融点Ｔｍ（ｌ）−１０から選択されるいずれか低い温度であることを特徴とする有機電界発光素子である。
【００１３】
＜６＞
前記有機化合物層が、少なくとも正孔輸送層と発光層とを含み、前記正孔輸送層が高分子正孔輸送材料を含むことを特徴とする＜５＞に記載の有機電界発光素子である。
【００１４】
＜７＞
前記有機化合物層が、電子輸送層を含み、且つ、前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層の順に積層された層構成を有することを特徴とする＜６＞に記載の有機電界発光素子である。
【００１５】
＜８＞
前記発光層が、有機低分子材料を含むことを特徴とする＜６＞に記載の有機電界発光素子である。
【００１６】
＜９＞
前記高分子正孔輸送材料が、下記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で表される構造から選択される少なくとも１種以上を、繰り返し単位構造に含むことを特徴とする＜６＞に記載の有機電界発光素子である。
【化１】
2005166651.tif 000002
［但し、一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の芳香環数１〜１０の１価の多核芳香環、または、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香環を表し、Ｘは置換または未置換の２価の芳香族基を示し、ｋ、ｌはそれぞれ０又は１を示し、Ｔは炭素数１〜１０の直鎖状の２価の炭化水素基または炭素数１〜１０の分枝状の２価の炭化水素基を示す。］
【００１７】
＜１０＞
前記高分子正孔輸送材料が、下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で表される繰り返し構造から選択されるいずれかを含むことを特徴とする＜９＞に記載の有機電界発光素子である。
【化２】
2005166651.tif 000003
［但し、一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）中、Ａは、前記一般式（Ｉ一ｌ）又は（Ｉ−２）を表し、Ｂは、一Ｏ―（Ｙ’一Ｏ）ｍ’一、又は、Ｚ’を示し、Ｙ、Ｙ’、Ｚ、Ｚ’は２価の炭化水素基を表し、ｍ、ｍ’は１〜５の整数を表し、ｎは０又は１を表し、ｐは５〜５００の整数を表し、ｑは１〜５０００の整数を表し、ｒは１〜３５００の整数を表す。］
【発明の効果】
【００１８】
以上に説明したように本発明によれば、発光輝度および発光効率をより高めることができる有機ＥＬ素子の製造方法、および、これを利用して作製された有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、少なくとも一方が透明または半透明である陽極および陰極よりなる一対の電極と、該―対の電極間に挟持された２以上の層からなる有機化合物層と、を含み、前記有機化合物層が、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成される有機電界発光素子の製造方法において、少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を、熱処理温度Ｘ℃以上で熱処理する熱処理工程を含み、前記熱処理温度Ｘが、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、および、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の最も低い融点Ｔｍ（ｌ）−１０から選択されるいずれか低い温度であることを特徴とする。
【００２０】
従って、本発明の有機電界発光素子の製造方法を利用して作製された有機ＥＬ素子は、有機化合物層の層構成が同じ有機電界発光素子と比較して、より優れた発光輝度および発光効率を得ることができる。
なお、本発明の有機電界発光素子の製造方法は、上記に説明したように一対の電極間に挟持された有機化合物層を有し、この有機化合物層が、２以上の層（すなわち、単一の層ではなく２層以上の層構成を有する）からなる有機電界発光素子であれば、特に制限なく適用することができる。
【００２１】
また、有機化合物層は、有機薄膜を積層する有機薄膜積層工程を少なくとも経て形成されるが、有機化合物層を構成する個々の層（有機薄膜）の形成方法は特に限定されず、公知の成膜法を利用して形成することができる。さらに、有機薄膜を積層する方法は特に限定されないが、例えば、基板上に形成された電極層上に、有機薄膜を気相成膜法や液相成膜法を利用して順次積層してもよく、基材の上に予めフィルム状に形成しておいた有機薄膜（２層以上の積層体も含む）を、電極層上や、電極層上に既に成膜された有機薄膜上に転写することにより積層することもできる。
【００２２】
―方、熱処理工程は、少なくとも２層の有機薄膜を積層することにより形成された有機薄膜積層体を熱処理することにより行なわれる。
但し、「有機薄膜積層体」とは、有機化合物層を構成する各層（有機薄膜）のうち、少なくとも２層の有機薄膜を積層したものを意味し、必ずしも、有機化合物層を構成する層の数と同じである必要はない。言い換えれば、有機薄膜積層工程の途中で、熱処理工程を実施することもできる。
例えば、有機化合物層が３層構成からなる場合において、２層目までを積層した時点で（すなわち、２層の有機薄膜を積層した有機薄膜積層体に対して）、熱処理工程を実施し、その後、３層目を形成して有機化合物層を形成することができる。勿論、３層目を形成した後に更に熱処理工程を実施することも可能である。なお、作業効率の点では、有機化合物層を構成する全ての層を積層した後（すなわち、有機化合物層と同一の層構成を有する有機薄膜積層体に対して）に、熱処理工程を実施することが好ましい。
【００２３】
なお、本発明において、熱処理工程における熱処理温度Ｘの値は、有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料のガラス転移温度、あるいは、前記有機薄膜積層体に含まれる主な有機材料の融点を基準にして決定される。
ここで、「有機材料」とは、有機化合物層を構成する材料を意味し、低分子であるか高分子であるかは特に限定されず、また、高分子の場合には、通常はガラス転移温度を有するものを意味するが、結晶性を有しガラス転移温度を有さないものも含まれる。
また、「主な有機材料」とは、有機薄膜積層体を構成する各層において、１つの層を構成する有機材料が１種類の場合は、その有機材料を意味し、１つの層を構成する有機材料が２種類以上の場合は、その含有量が少なくとも４０重量％以上を占める有機材料を意味する。なお、１つの層に占める主な有機材料の含有量は、より好ましくは８０重量％以上である。
よって、有機薄膜積層体は２以上の層からなるため、主な有機材料として選択される有機材料は、各々の層が異なる有機材料を用いて形成されているのであれば、通常、２種類以上存在することになる。
【００２４】
なお、１つの層を構成する有機材料が２種類以上の場合において、含有量が２０重量％未満の有機材料については、熱処理温度Ｘを決定する上での基準とはしない。これは、１つの層において含有量が２０重量％未満の有機材料は、その含有量が少なすぎるために、仮に、この有機材料ガラス転移温度や融点近傍あるいはこれを超える温度で熱処理を行ったとしても、この層と界面を成す層との親和性の向上にはあまり大きく寄与しないと考えられるためである。
【００２５】
本発明においては、主な有機材料のガラス転移温度の値、あるいは、主な有機材料の融点から１０℃引いた値のうち、最も低い温度、すなわち、最も低いガラス転移温度Ｔｇ（ｌ）、あるいは、最も低い融点Ｔｍ（ｌ）―１０のいずれか低い温度（Ｔｌ）を示す有機材料に着目して、この温度Ｔｌ以上で有機薄膜積層体の熱処理を行うことを特徴とする。
なお、同一の有機材料において、ガラス転移温度および融点の両方が存在する場合には、ガラス転移温度に着目し、融点しか存在しない場合には融点に着目する。
【００２６】
また、Ｔｌの値の選定の際に、Ｔｇ（ｌ）の比較対象としてＴｍ（ｌ）−１０という値を挙げるのは、ガラス転移温度を有さず、かつ、分子量量分布を有する高分子を用いる場合を考慮したものである。すなわち、このような高分子では、低分子量成分が、融点よりも低い温度域から溶解し始めるためである。一方、分子量分布が実質的に存在しない低分子や、分子量分布が極めて狭いガラス転移温度を有さない高分子においては、Ｔｌの値の選定の際に、Ｔｇ（ｌ）の比較対象としてＴｍ（ｌ）を考慮する方が望ましい。なお、この考え方は、後述する温度Ｔｈの値の選定に際しても同様である。
【００２７】
このような熱処理により、有機薄膜積層体のいずれか１つの層にある程度の量以上含まれる少なくとも１種の有機材料が、そのガラス転移温度以上、あるいは、融点より若干低めの温度以上に加熱されるため、少なくともこの層と界面を成す層との親和性が向上し、最終的により優れた発光輝度や発光効率を得ることができるものと考えられる。
なお、このような層間での親和性の向上や、親和性の向上による発光輝度や発光効率の向上については、現時点では十分に把握できていないが、本発明者らは、以下のように推測している。
【００２８】
すなわち、温度Ｔｌ以上に加熱されることにより層中で一定以上の量で存在する有機材料分子の分子運動が活発になり、この有機材料分子の移動や拡散、配列の変更等が起こり、界面での層と層とのなじみ具合が促進されるためであると考えられる。また、このようななじみ具合の促進により各々の層と層との間を電荷が行き来し易くなるため、結果的に発光効率が向上するものと推定される。
【００２９】
但し、熱処理が、温度ＴｌあるいはＴｌをやや超える程度である場合には、温度ＴｌあるいはＴｌをやや超える温度域で分子運動が活発になる有機材料の存在量は、限られているため、界面での層と層とのなじみ具合の促進にも限界があるものと考えられる。
従って、界面での層と層とのなじみ具合をより一層促進するためには、有機薄膜積層体を構成する主な有機材料すべてにおいて、有機材料分子の分子運動を活発にすることが好ましいものと考えられる。このような観点からは、主な有機材料のガラス転移温度の値、あるいは、主な有機材料の融点から１０℃引いた値のうち、最も高い温度、すなわち、最も高いガラス転移温度Ｔｇ（ｈ）、あるいは、最も高い融点Ｔｍ（ｌ）−１０のいずれか高い温度（Ｔｈ）を示す有機材料に着目して、この温度Ｔｈ以上で有機薄膜積層体の熱処理を行うことが好ましい。このような条件で熱処理を行うことにより、より一層、層と層との親和性を向上させることができる。
【００３０】
―方、より一層、層と層との親和性を向上させるという観点では、熱処理温度は高ければ高い方が好ましいが、あまり高すぎる場合には、有機薄膜積層体を構成する有機材料が熱分解してしまうなどの問題が発生してしまう場合がある。このような観点からは、熱処理温度の上限値は、Ｔｈ＋５０℃以下であることが好ましく、Ｔｈ＋２０℃以下であることがより好ましい。
以上に説明したような熱処理を実施した場合、層を構成する有機材料の結晶性や分子量等にもよるものの、このような親和性の向上が、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡で層を観察した場合に表面状態の変化として間接的に確認できる場合がある。
【００３１】
なお、有機材料のガラス転移温度や融点の測定はセイコーインスツルメント社製、示差走査熱量計ＤＳＣ６２００を用い、窒素雰囲気下で０℃から昇温速度１０℃／ｍｉｎで掃引して測定を行い求めた。測定に際しては、試料（有機材料）を密封型アルミ製容器に約４ｍｇを封入し、参照としてＡ１2０3約４ｍｇを同様に封入して用いた。一度目の掃引で３００℃まで昇温した後、試料を液体窒素中で急冷し、基本的に、２度目の掃引でガラス転移温度を検出した。また、融点については、基本的に、１度目の掃引で検出した。
【００３２】
以上に説明したような熱処理工程は、非酸化雰囲気で行うことが好ましい。これは、加熱された状態の有機薄膜積層体は、雰囲気中に存在する酸素等の酸化性ガスと反応しやすくなり、結果的に、有機化合物層を構成する有機材料の劣化（酸化）を招いて有機ＥＬ素子の諸特性が劣化してしまい易くなるためである。
なお、非酸化雰囲気とは、酸素等の酸化性のガスを実質的に殆ど含まない状態を意味し、例えば、窒素ガス等の非酸化性ガスで置換した雰囲気や、１／１００気圧以下程度の減圧状態等が挙げられる。
【００３３】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成について図面を用いて具体的に説明する。
図１および図２は、本発明の有機ＥＬ素子の構成の一例を示す複式的断面図であり、図１および２中、１は透明絶縁体基板、２は透明電極、３は正孔輸送層、４は発光層、５は電子輸送層、６は背面電極である。
ここで、図１に示す有機ＥＬ素子は、透明絶縁体基板１上に透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、背面電極６を順次積層した構成を有するものであり、図２に示す有機ＥＬ素子は、透明絶縁体基板１上に透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、背面電極６を順次積層した構成を有するものである。
【００３４】
以下に、図１や図２に示すような構成からなるような有機ＥＬ素子において用いられる各層の材料の詳細や、各層の形成方法等について詳細に説明する。
まず、有機化合物層を構成する各層の電荷輸送に用いられる電荷輸送材料（正孔輸送材料、電子輸送材料）について説明する。本発明に用いられる電荷輸送性材料としては、高分子電荷輸送材料を用いることができる。
このような高分子電荷輸送材料としては、下記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で表される構造から選択される少なくとも１種以上を、繰り返し単位構造に含むものが好適であるが、これに限定されるものではない。なお、下記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で表される構造から選択される少なくとも１種以上を、繰り返し単位構造に含む高分子電荷輸送材料は、正孔輸送性（高分子正孔輸送材料）であることがより好ましい。
【００３５】
【化３】
2005166651.tif 000004
【００３６】
但し、一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の芳香環数１〜１０の１価の多核芳香環、または、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香環を表し、Ｘは置換または未置換の２価の芳香族基を示し、ｋ、ｌはそれぞれ０又は
１を示し、Ｔは炭素数１〜１０の直鎖状の２価の炭化水素基または炭素数１〜１０の分枝
状の２価の炭化水素基を示す。
【００３７】
なお、当該多核芳香環及び縮合芳香環とは、本発明においては、具体的には以下に定義される芳香族炭化水素であることを意味する。
すなわち、「多核芳香環」とは、炭素と水素とから構成される芳香環が２個以上存在し、芳香環同士が炭素一炭素結合によって結合している炭化水素を表す。具体的には、ビフェニル、ターフェニル等が挙げられる。また、「縮合芳香環」とは、炭素と水素とから構成される芳香環が２個以上存在し、芳香環同士が１対の炭素原子を共有している炭化水素を表す。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン等が挙げられる。
【００３８】
多核芳香環または縮合芳香環の置換基としては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。アルコキシル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。
【００３９】
アリール基としては、炭素数６〜２０のものが好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基等が挙げられる、アラルキル基としては、炭素数７〜２０のものが好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、具体例は前述の通りである。
また、置換アリール基、置換アラルキル基の置換基としては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる
【００４０】
一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）中、Ｘは置換または未置換の２価の芳香族基を表し、具体的には下記の式（１）〜（７）から選択された基が挙げられる。
【００４１】
【化４】
2005166651.tif 000005
【００４２】
但し、式（１）〜（７）中、Ｒ1は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニル基、または置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、Ｒ2〜Ｒ8は、それぞれ水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換のアラルキル基、またはハロゲン原子を表し、ａは０または１を意味し、Ｖは下記の式（８）〜（１７）から選択された基を表す。
【００４３】
【化５】
2005166651.tif 000006
【００４４】
但し、式（８）〜（１７）中、ｂは１〜１０の整数を意味し、ｃは１〜３の整数を意味する。
【００４５】
また、一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）中、Ｔは、炭素数１〜１０の直鎖状の２価の炭化水素基または炭素数１〜１０の分枝状の２価の炭化水素基を示す。なお、Ｔが、直鎖状である場合は、炭素数は１〜６の範囲が好ましく、２〜６の範囲がより好ましく、分枝状である場合には、炭素数は２〜１０の範囲が好ましく、３〜７の範囲がより好ましい。以下に、Ｔで示される基の具体的な構造の例（炭化水素基Ｔ−１〜炭化水素基Ｔ−３２）を示す。
【００４６】
【化６】
2005166651.tif 000007
【００４７】
以下に、一般式（Ｉ−１）で示される部分構造の具体例を表１〜９（部分構造１−１〜部分構造１−５６）に、また、一般式（Ｉ−２）で示される部分構造の具体例を表１０〜１５（部分構造２−１〜部分構造２−４２）に示す。
なお、表１〜１５の「Ｔ」の欄に示される記号は、上記に具体的に示した炭化水素基の構造式に付した番号（Ｔ−１〜Ｔ−３２）を意味する。
【００４８】
【表１】
2005166651.tif 000008
【００４９】
【表２】
2005166651.tif 000009
【００５０】
【表３】
2005166651.tif 000010
【００５１】
【表４】
2005166651.tif 000011
【００５２】
【表５】
2005166651.tif 000012
【００５３】
【表６】
2005166651.tif 000013
【００５４】
【表７】
2005166651.tif 000014
【００５５】
【表８】
2005166651.tif 000015
【００５６】
【表９】
2005166651.tif 000016
【００５７】
【表１０】
2005166651.tif 000017
【００５８】
【表１１】
2005166651.tif 000018
【００５９】
【表１２】
2005166651.tif 000019
【００６０】
【表１３】
2005166651.tif 000020
【００６１】
【表１４】
2005166651.tif 000021
【００６２】
【表１５】
2005166651.tif 000022
【００６３】
なお、以上に説明したような一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で表される構造から選択される少なくとも１種以上を、繰り返し単位構造に含む高分子電荷輸送材料は、下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）のいずれかで表わされるよな繰り返し構造を有する電荷輸送性ポリエステル又は電荷輸送性ポリカーボネートであることが更に好ましい。
【００６４】
【化７】
2005166651.tif 000023
【００６５】
但し、一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）中、Ａは、前記一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）を表し、Ｂは、−Ｏ−（Ｙ’−Ｏ）ｍ’−、又は、Ｚ’を示し、Ｙ、Ｙ’、Ｚ、Ｚ’は２価の炭化水素基を表し、ｍ、ｍ’は１〜５の整数を表し、ｎは０又は１を表し、ｐは５〜５００の整数を表し、ｑは１〜５０００の整数を表し、ｒは１〜３５００の整数を表す。
【００６６】
なお、Ｙ、Ｙ’、Ｚ、Ｚ’は２価の炭化水素基を表すが、具体的には、以下の式（１８）〜（２４）で示される炭化水素基を挙げることができる。
【００６７】
【化８】
2005166651.tif 000024
【００６８】
但し、式（１８）〜（２４）中、Ｒ13およびＲ14はそれぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換のアルキル基、または、ハロゲン原子を表し、ｄ、ｅは１〜１０の整数を示し、ｆ、ｇは０、１又は２を示し、ｈ、ｉは０又は１を示す。
【００６９】
以下に、一般式（ＩＩ）で示される高分子電荷輸送材料の具体例を表１６（化合物ＣＰＴ−１〜化合物ＣＰＴ２２）に、一般式（ＩＩＩ）で示される高分子電荷輸送材料の具体例を表１７（化合物ＣＰＴ−２３〜化合物ＣＰＴ−２８）に、一般式（ＩＶ）で示される高分子電荷輸送材料の具体例を表１８（化合物ＣＰＴ−２９〜化合物ＣＰＴ−３５）に、一般式（Ｖ）で示される高分子電荷輸送材料の具体例を表１９〜２２（化合物ＣＰＴ−３６〜化合物ＣＰＴ−１０７）に示す。
なお、表１６〜２２の「部分構造」の欄は、一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）に示される構造Ａを示したものであり、この欄に記載されている番号は、表１〜１５の「部分構造」の欄に示される番号を意味する。
【００７０】
【表１６】
2005166651.tif 000025
【００７１】
【表１７】
2005166651.tif 000026
【００７２】
【表１８】
2005166651.tif 000027
【００７３】
【表１９】
2005166651.tif 000028
【００７４】
【表２０】
2005166651.tif 000029
【００７５】
【表２１】
2005166651.tif 000030
【００７６】
【表２２】
2005166651.tif 000031
【００７７】
また、本発明に用いられる高分子電荷輸送材料が電子輸送性（高分子電子輸送材料）である場合には、下記一般式（Ｘ）で表わされる部分構造の１種以上をくり返し単位構造として含む高分子を好適に挙げることができる。
【００７８】
【化９】
2005166651.tif 000032
【００７９】
但し、一般式（Ｘ）中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3はそれぞれ独立に置換あるいは未置換のアリーレン基、２価のヘテロ環基、または、これらの組合せからなる基を表し、Ｔ１、Ｔ２は、炭素数１〜１０の直鎖状の２価の炭化水素基または炭素数１〜１０の分枝状の２価の炭化水素基を表し、ｎは０〜５の整数を表す。
【００８０】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3を構成するアリーレン基として好ましくは炭素数６〜６０の単環または縮環のアリーレン基であり、より好ましくは炭素数６〜４０、更に好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基が挙げられる。
【００８１】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3を構成するアリーレン基の具体例としては、フェニレン、ビフェニレン、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレンジイル、アントラセンジイル、フェナントロリンジイル、ピレンジイル、トリフェニレンジイル、ベンゾフェナントロリンジイル、ペリレンジイル、ペンタフェニレンジイル、ペンタセンジイルなどが挙げられ、好ましくはフェニレン、ビフェニレン、ナフタレンジイル、アンラセンジイル、ピレンジイル、ペリレンジイルであり、特に好ましくはフェニレン、ビフェニレン、トリフェニレンである。
【００８２】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3を構成する２価のヘテロ環基としては、好ましくは炭素数４〜６０の単環または縮環のヘテロ環基であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子または硫黄原子の少なくとも一つを含有する炭素数４〜６０の単環または縮環のヘテロ服基であり、更に好ましくは炭素数４〜３０の５員または６員のヘテロ環基である。
【００８３】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3を構成する２価のヘテロ環基の具体例としてはピロールジイル、フランジイル、チエニレン、ピリジンジイル、ピリダジンジイル、ピリミジンジイル、ピラジンジイル、キノリンジイル、イソキノリンジイル、シンノリンジイル、キナゾリンジイル、キノキサリンジイル、フタラジンジイル、プテリジンジイル、アクリジンジイル、フェナジンジイル、フェナントロリンジイルなどが挙げられ、好ましくはフランジイル、チエニレン、ピリジンジイル、ピリダジンジイル、ピリミジンジイル、ピラジンジイル、キノリンジイル、キノキサリンジイル、フタラジンジイルであり、より好ましくはテエニレン、ピリジンジイルである。
【００８４】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3を構成するアリーレン基またはヘテロ環基は置換基を有してもよく、置換基としては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０
、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズテアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。
【００８５】
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
上述したヘテロ環基の置換基を更に置換する置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアリール基、芳香族ヘテロ環基である。
【００８６】
なお、Ａｒ２で表されるヘテロ環基は、更にＮ、ＯまたはＳ原子の少なくとも一つを含む３〜１０員の飽和もしくは不飽和のヘテロ環であることが好ましく、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
【００８７】
このようなヘテロ環の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフオリン、チオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。
【００８８】
Ａｒ２で表されるより好ましいヘテロ環基としては、５〜６員の芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはチオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピリミジン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾールであり、更に好ましくはチオフェン、フラン、ピリジン、ピリミジン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリンである。
【００８９】
Ｔ1、Ｔ2は、炭素数１〜１０の直鎖状の２価の炭化水素基または炭素数１〜１０の分枝状の２価の炭化水素基を表し、炭素数が１〜４の範囲内であることがより好ましい。具体例としては例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等を挙げること
ができる。
【００９０】
以下に、一般式（Ｘ）で示される高分子電子輸送材料の具体例を表２３〜３９（化合物
Ｎｏ．（１）〜化合物Ｎｏ．（１１９））に示す。
【００９１】
【表２３】
2005166651.tif 000033
【００９２】
【表２４】
2005166651.tif 000034
【００９３】
【表２５】
2005166651.tif 000035
【００９４】
【表２６】
2005166651.tif 000036
【００９５】
【表２７】
2005166651.tif 000037
【００９６】
【表２８】
2005166651.tif 000038
【００９７】
【表２９】
2005166651.tif 000039
【００９８】
【表３０】
2005166651.tif 000040
【００９９】
【表３１】
2005166651.tif 000041
【０１００】
【表３２】
2005166651.tif 000042
【０１０１】
【表３３】
2005166651.tif 000043
【０１０２】
【表３４】
2005166651.tif 000044
【０１０３】
【表３５】
2005166651.tif 000045
【０１０４】
【表３６】
2005166651.tif 000046
【０１０５】
【表３７】
2005166651.tif 000047
【０１０６】
【表３８】
2005166651.tif 000048
【０１０７】
【表３９】
2005166651.tif 000049
【０１０８】
次に、図１や図２に示す有機ＥＬ素子の各部材や各層の構成材料やその形成方法等についてより詳細に説明する。
透明絶縁体基板１は、発光を取り出すため透明なものが好ましく、ガラス、プラスチックフィルム等が用いられる。透明電極２は、透明絶縁体基板と同様に発光を取り出すため透明であって、かつ正孔の注入を行うため仕事関数が大きなものが好ましく、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の酸化膜、および蒸着或いはスパッタされた金、白金、パラジウム等が用いられる。
【０１０９】
図１に示すような有機ＥＬ素子においては、発光層４には、固体状態で高い蛍光量子収率を示す化合物が発光材料として用いられる。発光材料が有機低分子の場合、真空蒸着法もしくは低分子と結着樹脂を含む溶液または分散液を塗布・乾燥することにより良好な薄膜形成が可能であることが条件である。また、発光材料が高分子の場合、それ自身を含む溶液または分散液を塗布・乾燥することにより良好な薄膜形成が可能であることが条件である。
【０１１０】
発光材料が有機低分子の場合、好適には、キレート型有機金属錯体、多核または縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体等が、発光材料が有機低分子の場合、好適には、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体等が用いられる。好適な具体例として、下記の化合物（ＶＩ−１）〜化合物（ＶＩ−１５）が用いられるが、これらに限られるものではない。
【０１１１】
【化１０】
2005166651.tif 000050
【０１１２】
【化１１】
2005166651.tif 000051
【０１１３】
また、有機ＥＬ素子の耐久性向上或いは発光効率の向上を目的として、上記の発光材料中にゲスト材料として発光材料と異なる色素化合物をドーピングしてもよい。真空蒸着によって発光層４を形成する場合、共蒸着によってドーピングを行い、溶液または分散液を塗布・乾燥することで発光層４を形成する場合、溶液または分散液中に混合することでドーピングを行う。
【０１１４】
発光層４中における色素化合物のドーピングの割合としては０．００１重量％〜４０重量％程度、好ましくは０．００１重量％〜１０重量％程度である。このようなドーピングに用いられる色素化合物としては、発光材料との相容性が良く、かつ発光層４の良好な薄膜形成を妨げない有機化合物が用いられ、好適にはＤＣＭ誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、ポルフィリン等が用いられる。このような化合物の好適な具体例としては、下記の化合物（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−４）があげられるが、これらに限られるものではない。
【０１１５】
【化１２】
2005166651.tif 000052
【０１１６】
また、発光材料として、真空蒸着や溶液または分散液を塗布・乾燥することが可能であるが良好な薄膜とならないものや、明確な電子輸送性を示さないものを用いる場合には、有機ＥＬ素子の耐久性向上或いは発光効率の向上を目的として、図２に示す有機ＥＬ素子のように発光層４と背面電極６の間に電子輸送層５を挿入してもよい。
【０１１７】
このような電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、真空蒸着法により良好な薄膜形成が可能な有機化合物が用いられ、好適にはオキサジアゾール誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体等が用いられる。好適な具体例としては、下記の化合物（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−３）、（ＩＸ）があげられるが、これらに限られるものではない。
【０１１８】
【化１３】
2005166651.tif 000053
【０１１９】
背面電極６には、真空蒸着可能で、電子注入を行うため仕事関数の小さな金属が使用されるが、特に好ましくはマグネシウム、アルミニウム、銀、インジウムおよびこれらの合金が利用できる。
【実施例】
【０１２０】
以下、実施例によって本発明を説明する。なお、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
下記に示す例示化合物（１）〔正孔輸送性ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ＝５．０×１０4〕の５重量％ジタロロエタン溶液を調製し、目開き０．ｌμｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターで濾過した。この溶液を用いて、２ｍｍ幅の短冊型ＩＴＯ電極をエッチングにより形成したガラス基板上に、スピンコート法により塗布し、膜厚約０．１μｍの正孔輸送層を形成した。
【０１２１】
十分乾燥させた後、発光材料として昇華精製した前記化合物（ＶＩ−１）をタングステンボードに入れ、真空蒸着法により蒸着して、正孔輸送層上に膜厚０．０５μｍの発光層を形成した。この時の真空度は１０-5Ｔｏｒｒ、ボート温度は８００℃であった。この正孔輸送層を構成する例示化合物（１）のガラス転移温度は１１５℃、発光層を構成する化合物（ＶＩ−１）のガラス転移温度は１８３℃である。
【０１２２】
次に、作製された積層膜を１９０℃で３０分間保持後、冷却する熱処理を行った。続いて真空蒸着法によりＭｇ−Ａｇ合金を共蒸着により蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚の背面電極をＩＴＯと交差するように形成した。形成された有機ＥＬ素子の有効面積は０．０４ｃｍ2でぁった。
【０１２３】
【化１４】
2005166651.tif 000054
【０１２４】
（実施例２）
正孔輸送性ポリマーとして下記に示す例示化合物（２）（重量平均分子量Ｍｗ＝８×１０4）を用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。なお、例示化合物（２）として示される正孔輸送性ポリマーのガラス転移温度は１４６℃である
【０１２５】
【化１５】
2005166651.tif 000055
【０１２６】
（実施例３）
正孔輸送性ポリマーとして下記に示す例示化合物（３）（重量平均分子量Ｍｗ＝５×１０4）を用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。なお、例示化合物（３）として示される正孔輸送性ポリマーのガラス転移温度は１２７℃である
【０１２７】
【化１６】
2005166651.tif 000056
【０１２８】
（実施例４）
例示化合物（１）〔正孔輸送性ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ＝５．０×１０4〕の５重量％ジタロロエタン溶液を調製し、目開き０．ｌμｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターで濾過した。この溶液を用いて、２ｍｍ幅の短冊型ＩＴＯ電極をエッチングにより形成したガラス基板上に、スピンコート法により塗布し、膜厚約０．ｌμ曲の正孔輸送層を形成した。
【０１２９】
十分乾燥させた後、発光材料として下記に示す例示化合物（４）の５重量％キシレン溶液を調製し、同様にスピンコート法により正孔輸送層上に膜厚０．１μｍの発光層を形成した。この時の真空度は１０-5Ｔｏｒｒ、ボート温度は３００℃であった。この正孔輸送層を構成する例示化合物（１）のガラス転移温度は１１５℃、発光層を構成する例示化合物（４）のガラス転移温度は８０℃である。
【０１３０】
次に、作製された積層膜を１２０℃で３０分間保持後、冷却する熱処理を行った。続いて真空蒸着法によりＭｇ−Ａｇ合金を共蒸着により蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚の背面電極をＩＴＯと交差するように形成した。形成された有機ＥＬ素子の有効面積は０．０４ｃｍ2でぁった。
【０１３１】
【化１７】
2005166651.tif 000057
【０１３２】
（実施例５）
正孔輸送性ポリマーとして例示化合物（２）を用いた。この正孔輸送性ポリマーのガラス転移温度は１４６℃で、熱処理を１５０℃で行った以外は実施例４と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３３】
（実施例６）
正孔輸送性ポリマーとして例示化合物（３）を用いた。この正孔輸送性ポリマーのガラス転移温度は１２７℃で、熱処理を１３０℃で行った以外は実施例４と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３４】
（実施例７）
例示化合物（１）〔正孔輸送性ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ＝５．０×１０4〕の５重量％ジタロロエタン溶液を調製し、目開き０．ｌμｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターで濾過した。この溶液を用いて、２ｍｍ幅の短冊型ＩＴＯ電極をエッチングにより形成したガラス基板上に、スピンコート法により塗布し、膜厚約０．１μｍの正孔輸送層を形成した。
十分乾燥させた後、発光材料として昇華精製した前記化合物（ＶＩ−１）をタングステンボードに入れ、真空蒸着法により蒸着して、正孔輸送層上に膜厚０．０５μｍの発光層を形成した。この時の真空度は１０-5Ｔｏｒｒ、ボート温度は８００℃であった。この正孔輸送層を構成する例示化合物（１）のガラス転移温度は１１５℃、発光層を構成する化合物（ＶＩ−１）のガラス転移温度は１８３℃である。
次に、作製された積層膜を１２０℃で３０分間保持後、冷却する熱処理を行った。続いて真空蒸着法によりＭｇ−Ａｇ合金を共蒸着により蒸着して、２ｍｍ幅、０．１５μｍ厚の背面電極をＩＴＯと交差するように形成した。形成された有機ＥＬ素子の有効面積は０．０４ｃｍ2であった。
【０１３５】
（実施例８）
正孔輸送性ポリマーとして例示化合物（２）を用いた。この正孔輸送性ポリマーのガラス転移温度は１４６℃で、熱処理を１５０℃で行った以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３６】
（実施例９）
正孔輸送性ポリマーとして例示化合物（３）を用いた。この正孔輸送性ポリマーのガラス転移温度は１２７℃で、熱処理を１３０℃で行った以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３７】
（比較例１）
熱処理を施さなかった以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３８】
（比較例２）
正孔輸送性ポリマーとして例示化合物（２）を用いた以外は比較例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３９】
（比較例３）
正孔輸送性ポリマーとして例示化合物（３）を用いた以外は比較例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４０】
（比較例４）
熱処理を施さなかった以外は実施例４と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４１】
（比較例５）
熱処理を施さなかった以外は実施例５と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４２】
（比較例６）
熱処理を施さなかった以外は実施例６と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４３】
（比較例７）
熱処理を１００℃で行った以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４４】
（比較例８）
熱処理を１３１℃で行った以外が実施例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４５】
（比較例９）
熱処理を１１２℃で以外は実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４６】
上記の実施例１〜９、比較例１〜９の結果を表４０に示す。表４０からわかるように、比較例と比べると、主な有機材料のうち、最も低いガラス転移温度を有する有機材料のガラス転移温度をやや超える程度の温度で熱処理した実施例７〜９の有機ＥＬ素子では、発光効率および発光輝度が向上した。
さらに、主な有機材料のうち、最も高いガラス転移温度を有する有機材料のガラス転移温度をやや超える程度の温度で熱処理した実施例１〜６の各有機電界発光素子では、さらに発光効率および発光輝度が大きく向上し、良好な発光特性を示した。
【０１４７】
【表４０】
2005166651.tif 000058
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の構成の一例を示す複式的断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の構成の他の例を示す複式的断面図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１  透明絶縁体基板
２  透明電極
３  正孔輸送層
４  発光層
５  電子輸送層
６  背面電極
【図１】
2005166651.tif 000061
【図２】
2005166651.tif 000062