(57)【要約】      （修正有）【課題】脱型する際に、導通部の先端を破損することを無くし、かつ狭い間隔で高い導通部を有する異方導電性コネクタを製造できる方法。【解決手段】弾性高分子よりなる基材中に導電性粒子を一方向に並ぶように配向した多数の導電性粒子の連鎖により導通部を形成した異方導電性コネクタの製造方法であって、導通部を形成する位置に磁性部材を貫装した非磁性材からなる上金型４と下金型５とを用意し、硬化性の液状高分子材料中に磁性を示す導電性粒子を分散させた成形材料と、導通部を形成する位置に貫通孔２を穿設したフレーム板１とを、前記上金型と前記下金型でなるキャビティ内に装入し、磁場によって導電性粒子を配向して導通部７を形成した後に液状高分子材料を硬化し、上下面が平坦な異方導電体を成形した後、導通部間にレーザ光８を走査することで導通部間の基材を除去する異方導電性コネクタの製造方法【選択図】図１−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性高分子よりなる基材中に導電性粒子を一方向に並ぶよう配向した多数の導電性粒子の連鎖により導通部を形成した異方導電性コネクタの製造方法であって、
導通部を形成する位置に磁性部材を貫装した非磁性材からなる上金型と下金型とを用意し、
硬化性の液状高分子材料中に磁性を示す導電性粒子を分散させた成形材料と、導通部を形成する位置に貫通孔を穿設したフレーム板とを、前記上金型と前記下金型でなるキャビティ内に装入し、磁場によって導電性粒子を配向して導通部を形成した後に液状高分子材料を硬化し、上下面が平坦な異方導電体を成形した後、導通部間にレーザ光を走査することで導通部間の基材を除去することを特徴とした異方導電性コネクタの製造方法。
【請求項２】
レーザ光が、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とした請求項１に記載の異方導電性コネクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機器やパーソナルコンピュータ等の電子機器に内臓されている半導体用の電気接続部品、ＩＣソケット、ウエハプローブ用電極、基板間接続用コネクタ等に用いる異方導電性コネクタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器に内臓されている電気接続部品、電極間接続コネクタ等に、一方向にのみ導電性を示す異方導電性コネクタが用いられている。この異方導電性コネクタの一つには、特許文献１に記載されているように、弾性高分子よりなる基材中に導電性粒子を一方向に並ぶように配向した状態で含有し、多数の導電性粒子の連鎖によって導通部を形成したものがある。
【０００３】
この異方導電性コネクタの製造は、図６（１）に示すように、強磁性体基板２４に、目的とする異方導電性コネクタの異方導電素子の導通部のパターンを形成する強磁性体層２５と、この強磁性体層以外の個所に、強磁性体層より厚い非磁性体層２６が対称に形成されている上型２１、上型と対となる下型２２と
を用いて、硬化性の高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子を分散させて調製した流動性の成形材料を、図６（２）に示すように、金型のキャビティ内に充填して成形材料層２７を形成すると共に、貫通孔２９を有するフレーム板２８を、上下型の強磁性体層の対応する中間位置に埋設し、次いで、上下型の強磁性体基板２４の外方より、大きい強度を有する平行磁場を成形材料層の厚み方向に作用させ、図６（３）に示すように、成形材料層中に分散されていた導電性粒子を、上下型の強磁性体部分の間に集合させ、当該成形材料層の厚み方向に並ぶように配向し、成形材料層を硬化処理することにより、導通部２９である異方導電素子が、フレーム板の貫通孔の各々に保持された状態で形成されると共に、フレーム板の表面を覆うよう絶縁部３０が形成され、図６（４）に示すように、金型の非磁性体層と磁性体との厚みの差の分、突出した導通部２９の先端を有する異方導電性コネクタが製造される。
【特許文献１】特開２００１−７６５４１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来の金型で異方導電性コネクタを製造すると、金型の凹部に導通部の先端を成形するため、成形後に金型から異方導電性コネクタを脱型する際に、導通部の先端が破損し易いという問題点があった。
さらに、導通部の先端が破損し易いことから、導通部を狭い間隔で高く形成することはできなかった。
以上より、本発明は、狭い間隔で高い導通部を有する異方導電性コネクタを製造することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するものであり、金型内では上下両面とも平坦に成形し、脱型後レーザ光を用いて絶縁部を除去するようにすることで、脱型する際に、導通部の先端を破損することを無くし、かつ狭い間隔で高い導通部を有する異方導電性コネクタを製造できる方法を提供するものである。
【０００６】
すなわち、弾性高分子よりなる基材中に導電性粒子を一方向に並ぶように配向した多数の導電性粒子の連鎖により導通部を形成した異方導電性コネクタの製造方法であって、導通部を形成する位置に磁性部材を貫装した非磁性材からなる上金型と下金型とを用意し、硬化性の液状高分子材料中に磁性を示す導電性粒子を分散させた成形材料と、導通部を形成する位置に貫通孔を穿設したフレーム板とを、前記上金型と前記下金型でなるキャビティ内に装入し、磁場によって導電性粒子を配向して導通部を形成した後に液状高分子材料を硬化し、上下面が平坦な異方導電体を成形した後、導通部間にレーザ光を走査することで導通部間の基材を除去する異方導電性コネクタの製造方法である。
【０００７】
本発明は、金型内では上下両面とも平坦に成形し、脱型後レーザ光を用いて基材の絶縁部を除去することで、狭い間隔で高い導通部を有する異方導電性コネクタを製造するものである。
さらに、レーザ光が、炭酸ガスレーザ光である異方導電性コネクタの製造方法である。本発明は、レーザ光で弾性高分子よりなる基材を除去するため、レーザ光には炭酸ガスレーザ光が好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、金型内では上下両面とも平坦に成形し、脱型後レーザ光を用いて基材の絶縁部を除去することで、狭い間隔で高い導通部を有する異方導電性コネクタを製造できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態を図を用いて説明する。
本発明の異方導電性コネクタの製造方法を図１に示す。フレーム板１を用意し（図１（１））、導通部を形成する位置に貫通孔２を設ける（図１(２)）。導通部を形成する位置に磁性部材３を貫装した非磁性材からなる上金型４と下金型５とを用意し（図１(３)）、硬化性の液状高分子材料中に磁性を示す導電性粒子を分散させた成形材料６と、導通部を形成する位置に貫通孔２を穿設したフレーム板１とを、前記上金型４と前記下金型５でなるキャビティ内に装入し（図１(４)）、磁場によって導電性粒子を配向して導通部７を形成した後に液状高分子材料を硬化し（図１(５)）、上下面が平坦な異方導電体を成形した後（図１(６)）、導通部間にレーザ光８を走査することで導通部間の基材を除去し（図１(７)）、異方導電性コネクタを製造した。
【００１０】
本発明は、金型内では上下両面とも平坦に成形し、脱型後にレーザ光を用いて基材の絶縁部を除去することで、狭い間隔で高い導通部を有する異方導電性コネクタを製造するものである。
【００１１】
本発明のフレーム板は、耐熱性の材料が好ましい。例えば、フッ素樹脂、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等のプラスチック、ガラスエポキシ材等の複合プラスチック、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、オーステイナイト系合金等の非磁性金属が挙げられる。
【００１２】
本発明のフレーム板に穿孔する装置は、高精度装置が好ましい。例えば、ＮＣドリル、ＮＣパンチ、ＮＣレーザが挙げられる。
本発明のレーザ光は、弾性高分子を除去することから、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、半導体レーザが挙げられる。なかでも除去効率を考慮すると炭酸ガスレーザが好ましい。
【００１３】
本発明の変形例として、レーザ光の焦点をフレーム板に向って移動させながら段階的に絶縁部９の基材を除去すると、図２に示すような側面が傾斜面１０の異方導電性コネクタを製造することができる。
また、レーザ光を複数回数繰り返し絶縁部の基材を除去すると、図３に示すような上下面が段差面１１の異方導電性コネクタを製造することができる。
また、レーザ光で除去する際に絶縁部の基材を若干残すと、図４に示すようなフレーム板上に薄膜１２の基材を有する異方導電性コネクタを製造することができる。
また、前記レーザ光の走査を組み合わせると、図５に示すようなフレーム板１上に薄膜１２の基材を有し導通部間に凸部１３を形成する異方導電性コネクタを製造することができる。
以下に、本発明の実施例を挙げて説明する。
【実施例１】
【００１４】
本実施例１の異方導電性コネクタの製造方法を図１に示す。ガラスエポキシ材製フレーム板１を用意し（図１(１)）、導通部を形成する位置にＮＣレーザにて貫通孔２を穿設し（図１(２)）。前記貫通孔２に鉄製ピン３を貫装したアルミニウム合金からなる上金型４と下金型５とを用意し（図１(３)）、硬化性の液状シリコーンゴム材料中にニッケル粒子を分散させた成形材料６と、貫通孔を設けたガラスエポキシ材製フレーム板１とを、前記上金型４と前記下金型５でなるキャビティ内に装入し（図１(４)）、電磁石の磁場によってニッケル粒子を配向して導通部７を形成した後に液状シリコーンゴム材料を熱硬化し（図１(５)）、上下面が平坦な異方導電体を成形した後（図１(６)）、導通部間に出力３０Ｗ、波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザ光８を走査することで導通部間の基材を除去し（図１(７)）、異方導電性コネクタを製造した。本発明は、金型内では上下両面とも平坦に成形し、脱型後レーザ光を用いて基材の絶縁部を除去することで、導通部のピッチ０.０５ｍｍの狭い間隔で高さ０.１ｍｍの導通部を有する異方導電性コネクタを製造した。導通部のピッチは、０．５ｍｍである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の異方導電性コネクタの製造工程概略図
【図２】本発明で製造した異方導電性コネクタの縦断面図
【図３】本発明で製造した異方導電性コネクタの縦断面図
【図４】本発明で製造した異方導電性コネクタの縦断面図
【図５】本発明で製造した異方導電性コネクタの縦断面図
【図６】従来の異方導電性コネクタの製造工程概略図
【符号の説明】
【００１６】
１  フレーム板
２  貫通孔
３  磁性部材
４  上金型
５  下金型
６  成形材料
７  導通部
８  レーザ光
９  絶縁部
１０  傾斜面
１１  段差面
１２  薄膜
１３  凸部
１４  磁石
２１  上型
２２  下型
２３  スペーサー
２４  強磁性体基板
２５  強磁性体層
２６  非磁性体層
２７  成形材料層
２８  フレーム板
２９  導通部
３０  絶縁部
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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