(57)【要約】【課題】  相対的に幅の広い幅広配線と幅の狭い微細配線とが同一面内に混在する場合であっても、基板の表面に、ボイドがなく、しかも比抵抗値の小さい高品質の配線を容易に形成できるようにする。【解決手段】  配線金属を埋込んで配線を形成する配線溝４を有する基板の表面に第１のめっきによる第１のめっき膜６ａを形成し、第１のめっき膜６ａの熱処理を行い、熱処理後の第１のめっき膜６ａの表面に第２のめっきによる第２のめっき膜６ｂを形成し、第２のめっき膜６ｂの熱処理を行う。【選択図】図４
2005166804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線金属を埋込んで配線を形成する配線溝を有する基板の表面に第１のめっきによる第１のめっき膜を形成し、
前記第１のめっき膜の熱処理を行い、
前記熱処理後の第１のめっき膜の表面に第２のめっきによる第２のめっき膜を形成し、
前記第２のめっき膜の熱処理を行うことを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記第２のめっきによる第２のめっき膜の形成と、該第２のめっき膜の熱処理を複数回繰り返すことを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記めっき膜の熱処理に先立って、前記めっき膜を形成した基板の表面を洗浄及び／または乾燥することを特徴とする請求項１または２記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記めっき膜は、銅または銅合金からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記第１のめっきで形成する第１のめっき膜で、相対的に幅の狭い微細配線を形成する微細配線用配線溝の内部をほぼ埋込むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項６】
配線金属を埋込んで配線を形成する配線溝を有する基板の表面に第１のめっき膜を、該第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜をそれぞれ形成するめっきセルと、
前記第１のめっき膜の熱処理と、前記第２のめっき膜の熱処理をそれぞれ行う熱処理ユニットと、
前記めっきセルと前記熱処理ユニットの間で基板を搬送する搬送ロボットを有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項７】
前記めっき膜を形成した基板の表面を洗浄及び／または乾燥する洗浄・乾燥ユニットを更に有することを特徴とする請求項６記載の配線形成装置。
【請求項８】
前記めっきセルで使用するめっき液を分析するめっき液分析部及び／または前記めっきセルにめっき液を供給するめっき液供給部を更に有することを特徴とする請求項６または７記載の配線形成装置。
【請求項９】
前記洗浄・乾燥ユニットで使用する洗浄液を分析する洗浄液分析部及び／または前記洗浄・乾燥ユニットに洗浄液を供給する洗浄液供給部を更に有することを特徴とする請求項７記載の配線形成装置。
【請求項１０】
前記熱処理ユニットは、枚葉式の熱処理ユニットであることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の配線形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成方法及び装置に関し、特に半導体ウェーハやプリント配線板などの基板の表面に設けた微細な配線溝を有する回路パターン（配線用凹部）内に、銅や銀等の配線金属を埋込んで埋込み配線を形成するのに使用される配線形成方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハやプリント配線板などの微細な回路パターンが設けられた基板上の配線は、主にアルミニウムで形成されていたが、近年は、回路パターンの微細化に対応して、アルミニウムより電気抵抗の低く、エレクトロマイグレーション耐性が高い銅も利用されるようになってきている。
【０００３】
この種の配線形成プロセスとして、配線溝やコンタクトホール内に配線金属を埋込むようにした、いわゆるダマシンプロセスが使用されている。これは、具体的には、絶縁膜（層間絶縁膜）に予め形成した配線溝やコンタクトホールに、配線金属の絶縁膜への拡散を防止するためのバリア層（ＴｉＮ，ＴａＮ，ＷＮなど）をスパッタリング法ないしはＣＶＤ法によって形成し、このバリア層の表面に、給電層としてのシード層を形成し、次いで銅や銀等の配線金属を、めっき法等の方法により埋込んだ後、絶縁膜上に形成された余分な金属並びにバリア層を化学機械的研磨（ＣＭＰ）などの方法によって除去し平坦化することにより埋込み配線を形成する方法である。
【０００４】
半導体装置の配線には、一般に、相対的に幅の広い幅広配線と幅の狭い微細配線とが同一面内に混在する。このような場合に、めっきによって、配線溝の内部に配線金属を埋込む際には、微細配線用の配線溝の内部を中心に先に配線金属が埋込まれ、引き続いて、幅広配線用の配線溝の内部に配線金属が埋込まれることが、めっき液の性質上、一般的に知られている。この結果、微細配線上に堆積されるめっき膜の膜厚は、幅広配線上に堆積されるめっき膜の膜厚よりかなり厚くなり、例えば、配線溝の深さと同程度の膜厚に達することもある。
【０００５】
また、配線金属をめっきにより堆積させた後、めっき膜に熱処理（アニール）を施して配線金属の再結晶を促すことが行われている。このように、めっき膜に熱処理を施すことで、配線金属の比抵抗値をバルクの値近くまで改善して、安定した状態に維持することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のように微細配線の上にめっき膜が厚く堆積した状態で、めっき膜に配線金属の結晶化のための熱処理を施すと、所謂“吸い上げ現象”により、微細配線の内部にボイドと呼ばれる空洞欠陥が生じることがある。このように、配線の内部にボイドが生じると、配線の信頼性や製造の歩留りに大きな支障を来すことになる。
【０００７】
これは、めっきにより堆積した銅等の配線金属が熱処理により結晶化する際に凝縮することが一因と考えられる。特に、微細配線にあっては、その上に堆積した厚いめっき膜の凝縮力によって、狭く細い配線溝の内部に埋込まれた配線金属を吸い上げてしまい、配線の底部毎に空洞（ボイド）が発生してしまうと考えられている。
更に、微細配線の上に堆積した厚いめっき膜が、熱処理や再結晶化に伴ってめっき膜の内部より発生する不純物の逃げ場を塞ぐことや、バリア層とめっき膜との密着性の影響も、その要因の一部である考えられる。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、相対的に幅の広い幅広配線と幅の狭い微細配線とが同一面内に混在する場合であっても、基板の表面に、ボイドがなく、しかも比抵抗値の小さい高品質の配線を容易に形成できるようにした配線形成方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、配線金属を埋込んで配線を形成する配線溝を有する基板の表面に第１のめっきによる第１のめっき膜を形成し、前記第１のめっき膜の熱処理を行い、前記熱処理後の第１のめっき膜の表面に第２のめっきによる第２のめっき膜を形成し、前記第２のめっき膜の熱処理を行うことを特徴とする配線形成方法である。
【００１０】
このように、微細配線の上部に厚くめっき膜を堆積する前段階の、該めっき膜の制約を除去した状態で、少なくとも一度、めっき膜の熱処理（アニール）を施すことで、主に配線溝の内部に埋込まれて微細配線を形成する配線金属の結晶化をボイドが発生しないようにして確実に行い、めっき膜を更に積み上げた後、再びめっき膜に熱処理を施して、配線溝の内部に埋め込まれて幅広配線を形成する配線金属を含めた配線金属の結晶化を行うことで、熱処理の際に、所謂“吸い上げ現象”等によって、微細配線の内部にボイドが生じることを防止し、しかも、比抵抗値の小さい高品質の配線を形成することができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記第２のめっきによる第２のめっき膜の形成と、該第２のめっき膜の熱処理を複数回繰り返すことを特徴とする請求項１記載の配線形成方法である。このように、第２のめっき膜の形成と、該第２のめっき膜の熱処理を複数回繰り返すことにより、配線の品質を更に向上させることができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記めっき膜の熱処理に先立って、前記めっき膜を形成した基板の表面を洗浄及び／または乾燥することを特徴とする請求項１または２記載の配線形成方法である。
請求項４に記載の発明は、前記めっき膜は、銅または銅合金からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法である。これにより、アルミニウムより低い電気抵抗で、エレクトロンマイグレーション耐性を高めた銅または銅合金からなる配線を形成することができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記第１のめっきで形成する第１のめっき膜で、相対的に幅の狭い微細配線を形成する微細配線用配線溝の内部をほぼ埋込むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線形成方法である。これにより、内部にボイドが発生することを防止した配線を効率的に形成することができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、配線金属を埋込んで配線を形成する配線溝を有する基板の表面に第１のめっき膜を、該第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜をそれぞれ形成するめっきセルと、前記第１のめっき膜の熱処理と、前記第２のめっき膜の熱処理をそれぞれ行う熱処理ユニットと前記めっきセルの間で基板を搬送する搬送ロボットとを有することを特徴とする配線形成装置である。
第１のめっき膜及び第２のめっき膜を同一めっきセルで形成してもよく、また第１のめっき膜の熱処理及び第２のめっき膜の熱処理を同一の熱処理ユニットで行うようにしてもよい。
請求項７に記載の発明は、前記めっき膜を形成した基板の表面を洗浄及び／または乾燥する洗浄・乾燥ユニットを更に有することを特徴とする請求項６記載の配線形成装置である。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、前記めっきセルで使用するめっき液を分析するめっき液分析部及び／または前記めっきセルにめっき液を供給するめっき液供給部を更に有することを特徴とする請求項６または７記載の配線形成装置である。
請求項９に記載の発明は、前記洗浄・乾燥ユニットで使用する洗浄液を分析する洗浄液分析部及び／または前記洗浄・乾燥ユニットに洗浄液を供給する洗浄液供給部を更に有することを特徴とする請求項７記載の配線形成装置である。
【００１６】
請求項１０に記載の発明は、前記熱処理ユニットは、枚葉式の熱処理ユニットであることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の配線形成装置である。この熱処理ユニットとして、短時間アニール（Rapid Thermal Annealing: RTA）を行うのに有用な、例えばハロゲンランプアニール装置を使用することで、アニール処理をより短時間で行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体装置の配線形成の信頼性が向上でき、内部にボイドがなく、しかも比抵抗値の小さい高品質な埋込み配線を持つ半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、銅配線基板Ｗの製造例を工程順に示す。先ず、図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる酸化膜やＬｏｗ−ｋ材膜等の絶縁膜（層間絶縁膜）２を堆積し、リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線溝４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてシード層７を形成する。
【００１９】
そして、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、基板Ｗのコンタクトホール３及び配線溝４内に銅を充填するとともに、絶縁膜２上に銅めっき膜６を堆積する。その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅めっき膜６、シード層７及びバリア層５を除去して、コンタクトホール３及び配線溝４に充填させた銅めっき膜６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、銅めっき膜６からなる配線が形成される。
【００２０】
図２は、本発明の実施の形態の配線形成装置の全体配置図を示す。この配線形成装置は、メインフレーム１０内への基板の搬入及び搬出を行うロード・アンロードステーション１２を備えている。メインフレーム１０の内部には、基板の表面に形成しためっき膜に熱処理（アニール）を行う熱処理ユニット１４と、基板の表面を薬液や純水等の洗浄液で洗浄しスピン乾燥させる２基の洗浄・乾燥ユニット１６と、基板を仮置きする基板ステージ１８及び４基のめっきセル２０が配置されている。また、メインフレーム１０の内部には、ロード・アンロードステーション１２と基板ステージ１８との間で基板の受渡しを行う走行自在な第１搬送ロボット２２と、基板ステージ１８、熱処理ユニット１４、洗浄・乾燥ユニット１６及びめっきセル２０の間で基板の受渡しを行う走行自在な第２搬送ロボット２４と、吸気または排気を行う吸気または排気ダクト２６が備えられている。
【００２１】
ここで、メインフレーム１０には遮光処理が施され、これによって、このメインフレーム１０内での以下の各工程を遮光状態で、つまり、配線に照明光等の光が当たることなく行えるようになっている。このように、配線に光を当たることを防止することで、例えば銅からなる配線に光が当たって光電位差が生じ、この光電位差によって配線が腐食してしまうことを防止することができる。
【００２２】
更に、メインフレーム１０の側方に位置して、めっきセル２０で使用するめっき液の成分を分析するめっき液分析部２８、めっきセル２０にめっき液を供給するめっき液供給部３０、電装制御部３２、洗浄・乾燥ユニット１６で使用する薬液等の洗浄液の成分を分析する洗浄液分析部（図示せず）及び洗浄・乾燥ユニット１６に洗浄液を供給する洗浄液供給部（図示せず）が付設されている。
【００２３】
ここで、熱処理ユニット１４として、この例では、枚葉式の熱処理ユニットが使用されている。この熱処理ユニット１４として、短時間アニール（Rapid Thermal Annealing: RTA）を行うのに有用な、例えばハロゲンランプアニール装置を使用することで、この熱処理ユニット１４による熱処理（アニール処理）をより短時間で行うことができる。
なお、めっき液分析部２８、めっき液供給部３０及び電装制御部３２等をメインフレーム１０上に内蔵するようにしてもよい。
【００２４】
次に、この配線形成装置で銅配線を形成する例を、図３及び図４を更に参照して説明する。
先ず、図１（ａ）に示す、表面に堆積した絶縁膜２にコンタクトホール３と配線溝４を形成し、その上にバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてシード層７を形成した基板Ｗを用意し、この基板Ｗを収納した基板カセットをロード・アンロードステーション１２に搭載する。ここで、例えば半導体装置の配線には、一般に、相対的に幅の広い幅広配線と幅の狭い微細配線とが同一面内に多数混在しており、このため、図４（ａ）に示すように、基板Ｗの表面に堆積した絶縁膜２には、内部に配線金属を埋込んで幅広配線を形成する幅広配線用配線溝４ａと、微細配線を形成する微細配線用配線溝４ｂとが混在しており、この上にバリア層５とシード層７が形成される。
【００２５】
そして、ロード・アンロードステーション１２に搭載した基板カセットから１枚の基板を第１搬送ロボット２２で取り出してメインフレーム１０内に搬入し、基板ステージ１８に搬送して載置保持する（ステップ１）。第２搬送ロボット２２は、基板ステージ１８に載置保持された基板を、いずれかのめっきセル２０に搬送する。
【００２６】
このめっきセル２０では、基板Ｗの表面に、例えば第１のめっき液を使用した第１のめっきを行い（ステップ２）、これによって、図４（ｂ）に示すように、シード層７の表面に、銅からなる第１のめっき膜６ａを形成する。そして、この第１のめっき膜６ａで微細配線用配線溝４ｂの内部をほぼ充填した時点で、第１のめっきを終了する。この時、第１のめっき液として、例えば下記の第２のめっきを行う第２のめっき液と異なる組成の硫酸銅めっき液を使用する場合には、硫酸銅濃度が低く、硫酸濃度が高い、均一電着性及び被覆性の優れた組成のめっき液を使用し、下記の第２のめっきを行う第２のめっき液と同じ組成の硫酸銅めっき液を使用する場合には、電流密度を下げてめっきを行う。これによって、特にアスペクト比の高い微細配線用配線溝４ｂ（図４参照）の内部に銅を確実に充填することができる。
【００２７】
この時、めっきセル２０に供給してめっきに使用するめっき液の組成をめっき液分析部２８で分析し、不足する成分を補給することで、めっき液供給部３０から一定の組成のめっき液をめっきセル２０に供給する。このことは、めっきセル２０にめっき液を供給して下記の第２のめっきを行う場合も同様である。
【００２８】
次に、第１のめっき膜６ａを形成した基板Ｗを、第２搬送ロボット２４で洗浄・乾燥ユニット１６に搬送して、基板Ｗの表面の薬液や純水等の洗浄水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはめっきセル２０にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このめっきセル２０で基板Ｗのスピン乾燥（液切り）を行い（ステップ３）、この乾燥後の基板Ｗを熱処理ユニット１４に搬送する。
【００２９】
この時、洗浄・乾燥ユニット１６で薬液等の洗浄液を使用した洗浄を行う場合には、洗浄・乾燥ユニット１６に供給して洗浄に使用する洗浄液の組成を洗浄液分析部（図示せず）で分析し、不足する成分を補給することで、洗浄液供給部（図示せず）から一定の組成の洗浄液を洗浄・乾燥ユニット１６に供給する。このことは、洗浄・乾燥ユニット１６に洗浄液を供給して、下記の第２のめっき膜を形成した基板表面の洗浄を行う場合も同様である。
【００３０】
この熱処理ユニット１４では、基板Ｗの表面に形成した第１のめっき膜６ａの熱処理（アニール）を行い（ステップ４）、これによって、主に微細配線用配線溝４ｂの内部に埋込まれて微細配線を形成する配線金属（銅）を結晶化させる。この熱処理（アニール）は、基板を、例えば４００℃となるように加熱し、例えば数十秒〜６０秒程度、加熱を継続して終了する。同時に、必要に応じて、熱処理ユニット１４の内部に酸化防止用のガスを導入し、このガスを基板Ｗの表面に沿って流すことで、第１のめっき膜６ａの酸化を防止する。基板の加熱温度は、一般的には、１００〜６００℃、好ましくは３００〜４００℃である。
【００３１】
このように、微細配線の上部に厚くめっき膜を堆積する前段階の、該めっき膜の制約を除去した状態で、つまり、下記のように、第２のめっき膜６ｂを成膜して銅の埋込みを完了する前の、第１のめっき膜６ａで微細配線用配線溝４ｂの内部をほぼ充填した時点で、少なくとも一度、めっき膜６ａの熱処理（アニール）を施すことで、主に微細配線用配線溝４ｂの内部に埋込まれて微細配線を形成する配線金属の結晶化をボイドが発生しないようにして確実に行うことができる。
【００３２】
この熱処理を行った基板Ｗを、第２搬送ロボット２４で、いずれかのめっきセル２０に搬送し、このめっきセル２０で、基板Ｗの表面に、例えば第２のめっき液を使用した第２のめっきを行う（ステップ５）。これによって、図４（ｃ）に示すように、第１のめっき膜６ａの表面に、銅からなる第２のめっき膜６ｂを形成し、この第２のめっき膜６ｂの膜厚が所定の値に達したときに、めっき（銅の埋込み）を完了する。この時、第２のめっき液として、例えば上記の第１のめっきを行う第１のめっき液と異なる組成の硫酸銅めっき液を使用する場合には、硫酸銅濃度が高く、硫酸濃度が低い、レベリング性の優れた組成のめっき液を使用し、上記の第１のめっきを行う第１のめっき液と同じ組成の硫酸銅めっき液を使用する場合には、電流密度を上げてめっきを行う。これによって、特に幅広配線用配線溝４ａ（図４参照）の内部により短い時間で、しかもより平坦に銅を充填することができる。
【００３３】
この時、めっきセル２０に供給するめっき液の組成をめっき液分析部２８で分析し、めっき液供給部３０から一定の組成のめっき液をめっきセル２０に供給することは前述と同様である。
【００３４】
次に、第２のめっき膜６ｂを形成して銅の埋込みを完了した基板Ｗを、第２搬送ロボット２４で洗浄・乾燥ユニット１６に搬送して、基板Ｗの表面の薬液や純水等の洗浄水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはめっきセル２０にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このめっきセル２０で基板Ｗのスピン乾燥（液切り）を行い（ステップ６）、この乾燥後の基板Ｗを熱処理ユニット１４に搬送する。
【００３５】
この時、洗浄・乾燥ユニット１６で薬液等の洗浄液を使用した洗浄を行う場合には、洗浄・乾燥ユニット１６に供給する洗浄液の組成を洗浄液分析部（図示せず）で分析し、洗浄液供給部（図示せず）から一定の組成の洗浄液を洗浄・乾燥ユニットに供給することは前述と同様である。
【００３６】
この熱処理ユニット１４では、基板Ｗの表面に形成した第２のめっき膜６ｂの熱処理（アニール）を行い（ステップ７）、これによって、主に幅広配線用配線溝４ａの内部に埋込まれ、更に基板Ｗの表面に堆積させた配線金属（銅）を結晶化させる。この熱処理（アニール）は、前述と同様に、基板を、例えば４００℃となるように加熱し、例えば数十秒〜６０秒程度、加熱を継続して終了し、同時に、必要に応じて、熱処理ユニット１４の内部に酸化防止用のガスを導入して、第２のめっき膜６ｂの酸化を防止する。基板の加熱温度は、一般的には、１００〜６００℃、好ましくは３００〜４００℃である。
【００３７】
このように、第１のめっき膜６ａを形成し、この第１のめっき膜６ａに熱処理（アニール）を施して、主に微細配線用配線溝４ｂの内部に埋込まれて微細配線を形成する配線金属を結晶化させた後、この結晶化した第１のめっき膜（配線金属）６ａの表面に第２のめっき膜６ｂを形成し、この第２のめっき膜６ｂに再び熱処理を施して、幅広配線用配線溝４ａの内部に埋め込まれて幅広配線を形成する配線金属を含めた配線金属の結晶化を行うことで、所謂“吸い上げ現象”等によって、微細配線の内部にボイドが生じることを防止し、しかも、比抵抗値の小さい高品質の配線を形成することができる。
【００３８】
次に、この熱処理後の基板Ｗを第２搬送ロボット２４で基板ステージ１８に搬送して保持し、この基板ステージ１８で保持した基板Ｗを第１搬送ロボット２２でロード・アンロードステーション１２のカセットに戻す（ステップ８）。
しかる後、絶縁膜２上に形成された余分な金属並びにバリア層を化学機械的研磨（ＣＭＰ）などの方法によって除去し平坦化することにより、図１（ｃ）に示すように、銅めっき膜（第１のめっき膜６ａと第２のめっき膜６ｂ）６からなる配線を形成する。
【００３９】
なお、上記の例では、めっき膜の形成、基板の洗浄・乾燥、及びめっき膜の熱処理を２回繰り返した例を示している。図３に波線で示すように、第２のめっきによって形成した第２のめっき膜を第１のめっき膜として、この第１のめっき膜（第２のめっき膜）の表面に第２のめっき膜（第３のめっき膜）を形成して、基板の表面を洗浄・乾燥し、しかる後、第２のめっき膜（第３のめっき膜）を熱処理する工程を、必要に応じて、１回以上繰り返すようにしてもよい。このように、めっき膜の形成、基板の洗浄・乾燥、及びめっき膜の熱処理を３回繰り返すことで、より高品質な配線を得るようにすることができる。
また、配線金属として、銅を使用した例を示しているが、銅の他に、銅合金を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】銅配線の形成例を工程順に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の配線形成装置の平面配置図である。
【図３】図２に示す配線形成装置で配線を形成する時の配線形成方法を工程順に示すブロック図である。
【図４】配線溝を有する基板の表面に第１のめっき膜と第２のめっき膜を順に形成する状態を工程順に示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
２  絶縁膜
３  コンタクトホール
４  配線溝
４ａ  幅広配線用配線溝
４ｂ  微細配線用配線溝
５  バリア層
６  銅めっき膜
６ａ  第１のめっき膜
６ｂ  第２のめっき膜
７  シード層
１０  メインフレーム
１２  ロード・アンロードステーション
１４  熱処理ユニット
１６  洗浄・乾燥ユニット
１８  基板ステージ
２０  めっきセル
２２，２４  搬送ロボット
２８  めっき液分析部
３０  めっき液供給部
【図１】
2005166804.tif 000003
【図２】
2005166804.tif 000004
【図３】
2005166804.tif 000005
【図４】
2005166804.tif 000006