(57)【要約】【課題】  薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少にすることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】  薄膜磁気ヘッドは、ＧＭＲ素子４０を有する再生ヘッド部３０と、記録ヘッド部６０と、記録ヘッド部６０上に設けられ下層２１ａ及び上層２１ｂからなるオーバーコート層２１とを備える。オーバーコート層２１中には、ヒータ８０が設けられる。ヒータ８０は、一本のラインを層内で蛇行させた発熱部８１と、この発熱部８１の両端に各々接続された引出電極８５ａ，８５ｂとを有する。このようなヒータ８０は、オーバーコート下層２１ａ上に形成された後、アニール処理が施される。アニール処理におけるヒータ８０に対する加熱温度は、好ましくは２００〜３００℃である。【選択図】  図５
2005056508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子の少なくとも一方を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
通電されることで発熱するヒータを形成するヒータ形成工程と、
前記ヒータ形成工程で形成された前記ヒータにアニール処理を施すアニール処理工程と、を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記アニール処理工程における前記ヒータに対する加熱温度は、２００〜３００℃であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書込用の誘導型電磁変換素子や再生用の磁気抵抗効果素子が設けられた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
書込用の誘導型電磁変換素子や再生用の磁気抵抗効果素子が設けられた薄膜磁気ヘッドは、ハードディスク装置での記録再生時に、記録媒体であるハードディスクから浮上するように構成されている。具体的には、薄膜磁気ヘッドをジンバルに搭載し、該ジンバルを可撓性のサスペンションアームの先端部に取り付けることでヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を構成する。そして、ハードディスクの回転に伴う空気流が薄膜磁気ヘッドの下方に流れることでサスペンションアームが撓み、該ヘッドが浮上する。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッドでは、ハードディスクの高密度化に伴い、ハードディスクとの空隙すなわちヘッド浮上量が、２０ｎｍから１５ｎｍ、更には１０ｎｍと極限まで小さくなってきている。
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
さらなる高密度化のためには、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間の距離を従来よりも微少な状態にすることが求められている。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少にすることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは鋭意検討を進めた結果、通電されることで発熱するヒータを薄膜磁気ヘッドに設け、ヒータを発熱させて薄膜磁気ヘッドを熱膨張させることにより、磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、これら磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と対向する記録媒体と、の距離を低減させることができることを見出した。
【０００７】
本発明者らは、更に、ヒータに通電して発熱させる動作を繰り返していくに従って、徐々にヒータ自身の抵抗値が変化（下降）してしまい、当該ヒータの発熱状態を所望の状態に調整することが困難となり、上述した磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、これら磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と対向する記録媒体と、の距離を所望な値に管理することができなくなる虞があるという事実を見出した。
【０００８】
本発明は、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子の少なくとも一方を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、通電されることで発熱するヒータを形成するヒータ形成工程と、ヒータ形成工程で形成されたヒータにアニール処理を施すアニール処理工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明に係る製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドは、通電によりヒータが発熱し、薄膜磁気ヘッドが熱膨張するので、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、記録媒体と、の距離が低減される。
【００１０】
また、薄膜磁気ヘッドの製造に際し、形成したヒータにアニール処理（Annealing；焼き鈍し）を施すことによって、ヒータの抵抗値が予め変化され、ヒータを構成する材料の結晶性が改善される。このため、ヒータに通電して発熱させる回数を重ねた場合であっても、ヒータの抵抗値の変化が抑制される。これにより、ヒータの発熱状態を所望の状態に維持することが比較的容易に行うことができ、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、記録媒体と、の距離を所望な値に管理することができる。
【００１１】
上記アニール処理工程におけるヒータに対する加熱温度は、２００〜３００℃であることが好ましい。ここでいう加熱温度とは、加熱したときのヒータ自身の温度のことを指す。このように、ヒータを２００〜３００℃に加熱することにより、ヒータの抵抗値の変化を確実に小さくすることができると共に、薄膜磁気ヘッドに備えられた、磁気抵抗効果素子などの各素子や磁気抵抗効果素子の近傍に配されるシールド部材などに対する悪影響を防止することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少にすることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る製造方法が適用される薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す図である。ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）１５を作動させて、高速回転するハードディスク（記録媒体）２の記録面（図１の上面）に、薄膜磁気ヘッド１０によって磁気情報を記録及び再生するものである。ヘッドジンバルアセンブリ１５は、薄膜磁気ヘッド１０が形成されたヘッドスライダ１１を搭載したジンバル１２と、これが接続されたサスペンションアーム１３とを備え、支軸１４周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１５を回転させると、ヘッドスライダ１１は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【００１５】
図２は、図１に示すヘッドスライダ１１の拡大斜視図である。ヘッドスライダ１１は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）を主とする基台１１ａ上に、薄膜磁気ヘッド１０が形成されている。同図における手前側の面は、ハードディスク（記録媒体）２の記録面に対向する記録媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド１０には、薄膜磁気ヘッド１０を保護するために、図中破線で示したオーバーコート層２１（詳細は後述する）が設けられている。オーバーコート層２１上には、記録用パッド１８ａ，１８ｂ、再生用パッド１９ａ，１９ｂ、及び、後述するヒータ用パッド８６ａ、８６ｂが取り付けられており、図１に示したサスペンションアーム１３には、各パットに接続される、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けられている。尚、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等のコーティングを施してもよい。
【００１６】
図３は、薄膜磁気ヘッド１０におけるエアベアリング面Ｓに対して垂直かつトラックラインに垂直な方向の断面図である。図４は、薄膜磁気ヘッド１０におけるヒータ部材の平面図であり、図中下側に、エアベアリング面Ｓが位置する。図５は、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面Ｓに平行な断面図であり、図３及び図４のＶ−Ｖ破断線に対応する図である。薄膜磁気ヘッド１０は、基台１１ａ上に形成されており、図３に示すように、基台１１ａ側から順に、磁気抵抗効果素子としてＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子４０を有する再生ヘッド部３０と、誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部６０と、記録ヘッド部６０上に設けられたオーバーコート層２１と、を主として有する複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００１７】
基台１１ａは、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなるウエハ状の基板である。そして、この基台１１ａ上には、アルミナ等の絶縁材料からなるアンダーコート層１１３が厚さ約１μｍ〜約１０μｍで形成されている。
【００１８】
再生ヘッド部３０は、アンダーコート層１１３上に設けられており、アンダーコート層１１３側から順に、下部シールド層３２、ＧＭＲ素子４０を含みこのＧＭＲ素子４０を上下から挟む絶縁層３６、及び、上部シールド層３８、が積層されることにより構成されている。ＧＭＲ素子４０は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものであり、多層構造（図示は省略）を有してＡＢＳ面側に露出している。下部シールド層３２及び上部シールド層３８は、不要な外部磁界をＧＭＲ素子４０が感知するのを防止する機能を有し、磁性材料を含む。下部シールド層３２の厚さは約１μｍ〜約３μｍ程度で、上部シールド層の厚さは厚さ約１μｍ〜約４μｍ程度である。また、絶縁層３６の厚みは、約０．０５μｍ〜１．０μｍ程度である。尚、本明細書において、シールド層のように「上部」及び「下部」という語を用いる場合があるが、「下部」とは基台１１ａに近い側であることを意味し、「上部」とは基台１１ａから遠い側であることを意味する。
【００１９】
記録ヘッド部６０は、再生ヘッド部３０上に絶縁層３９を介して形成され、長手記録方式の誘導型磁気変換素子である。尚、絶縁層３９としては厚さ約０．１μｍ〜約２．０μｍ程度のアルミナ等を利用できるが、必ずしも設ける必要はない。そして、記録ヘッド部６０は、絶縁層３９側から順に、軟磁性材料からなる下部磁極６１、非磁性の絶縁材料からなるギャップ層６３を有している。また、ギャップ層６３上には、ＡＢＳ面側に磁極部分層６４ａが、ＡＢＳ面から離れた側に上下２段の薄膜コイル７０を含む絶縁層７２が積層されている。さらに、磁極部分層６４ａ上及び絶縁層７２上には、薄膜コイル７０の一部を下部磁極６１との間に挟むと共に、エアベアリング面Ｓから離れた側で下部磁極６１と磁気的に連結するヨーク部分層６４ｂを有している。そして、下部磁極６１、ギャップ層６３、薄膜コイル７０、絶縁層７２、上部磁極６４が記録ヘッド部６０を構成している。
【００２０】
下部磁極６１は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料であり、例えば、厚さ約１μｍ〜約３μｍ程度で形成される。
【００２１】
ギャップ層６３は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の非磁性絶縁体あるいは非磁性導電体と非磁性絶縁体との組合せであり、例えば、厚さ約０．０５μｍ〜約０．５μｍ程度に形成される。
【００２２】
磁極部分層６４ａは、ヨーク部分層６４ｂとともに上部磁極６４を構成するものであり、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）の他、(1)鉄及び窒素原子を含む材料、(2)鉄、ジルコニア、及び酸素原子を含む材料、並びに、(3)鉄及びニッケル元素を含む材料等で形成することができる。磁極部分層６４ａの厚みは、例えば約０．５μｍ〜約３．５μｍ程度であり、好ましくは１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００２３】
ヨーク部分層６４ｂの材質は磁極部分層６４ａと同様であり、例えば、厚さ約１μｍ〜約５μｍ程度である。
【００２４】
また、薄膜コイル７０は、Ｃｕ等の導体で、例えば、各厚みは約１μｍ〜約３μｍ程度である。
【００２５】
また、絶縁層７２は、アルミナやレジスト等の絶縁体で、例えば、厚さ約０．１μｍ〜約３μｍ程度である。
【００２６】
そして、薄膜コイル７０に記録電流を流すと、磁極部分層６４ａと下部磁極６１との間に磁束が発生し、ハードディスク等の記録媒体２に情報を記録することができる。
【００２７】
オーバーコート層２１は、薄膜磁気ヘッド１０の記録ヘッド部６０を保護するためのアルミナ等の絶縁材料からなる層であり、記録ヘッド部６０上に厚さ約５．０μｍ〜約３０μｍで設けられている。また、オーバーコート層２１において、ＡＢＳ面と、基台１１ａから一番遠い上面と、によって形成される稜部には、切欠部１００が形成されている。
【００２８】
そして、特に、本実施形態では、図３〜図５に示すように、このオーバーコート層２１中に、ヒータ８０が設けられている。このヒータ８０は、ＡＢＳ面Ｓから所定距離離間されて、オーバーコート層２１内に上部シールド層３８等と平行に形成されている。
【００２９】
ヒータ８０は、図４に示すように、一本のラインを層内で蛇行させた発熱部８１と、この発熱部８１の両端に各々接続された引出電極８５ａ，８５ｂとを有し、所定の長さの通電路を形成している。
【００３０】
より具体的には、発熱部８１は、所定の始点１８０から折返点１８１まで矩形波状に蛇行するように形成された上り部１８６と、折返点１８１から始点１８０の近傍の終点１８２まで上り部１８６に沿って蛇行しながら戻るように形成された下り部１８７と、始点１８０と引出電極８５ｂとを接続する接続部１７０と、終点１８２と引出電極８５ａとを接続する接続部１７２とを有している。また、互いに沿うように形成された上り部１８６と下り部１８７との間隔１９０は、互いに面する上り部１８６同士の間隔１９２や、互いに面する下り部１８７同士の間隔１９３よりも狭くされている。
【００３１】
ヒータ８０の厚みは、例えば、１００〜２００ｎｍ程度である。
【００３２】
ヒータ８０の引出電極８５ａ、８５ｂは、発熱部８１と同じ材質である。引出電極８５ａ、８５ｂ上には、図３及び図５に示すように、各々導電性の電極膜部材８７ａ、８７ｂが形成されている。電極膜部材８７ａ、８７ｂ上には、この電極膜部材８７ａ、８７ｂを電極として電解メッキにより形成された、上方に伸びるバンプ８４ａ、８４ｂが各々設けられている。電極膜部材８７ａ、８７ｂ及びバンプ８４ａ、８４ｂは、Ｃｕ等の導電材料からなり、電極膜部材８７ａ、８７ｂの厚みは、１０〜２００ｎｍ程度、バンプ８４ａ、８４ｂの厚みは、１０〜３０μｍ程度である。
【００３３】
バンプ８４ａ，８４ｂの上端はオーバーコート層２１から露出しており、この露出面にはそれぞれヒータ用パッド８６ａ，８６ｂが各々取り付けられている。ヒータ用パッド８６ａ、８６ｂを介してヒータ８０に電流が供給されることとなる。なお、同様にして、記録ヘッド部６０は記録用パッド１８ａ，１８ｂ（図２参照）と、再生ヘッド部３０の磁気抵抗効果素子４０は再生用パッド１９ａ，１９ｂと、各々接続されているが、図３及び図５においては簡単のため図示を省略している。
【００３４】
次に、このような構成の薄膜磁気ヘッド１０、ヘッドジンバルアセンブリ１５、及びハードディスク装置１の作用を説明する。図６に示すように、ハードディスク２が図中矢印方向に回転すると、空気流によって薄膜磁気ヘッド１０は浮上し、記録ヘッド部６０の上部磁極６４側がハードディスク２に近づくようにうつむく姿勢（前傾姿勢）となる。この際、ヒータ８０に通電すると、当該ヒータ８０から発生する熱によって薄膜磁気ヘッド１０におけるヒータ８０の周囲が熱膨張し、薄膜磁気ヘッド１０及び基台１１ａのＡＢＳ面Ｓが、記録媒体２側に向かって二点鎖線で示すように突出する。これにより、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０とハードディスク２との間隔が低減され、高い再生出力が得られると共に、より高密度の書込等を行うことができる。ここで、ヒータ８０への通電量を制御することにより、突出量を調節でき、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０と記録媒体２との間の距離を制御できる。
【００３５】
本実施形態によれば、ヒータ８０が、オーバーコート層２１中に設けられているので、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０より下の部分、あるいは、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０と同一の高さの部分にヒータを設けるのに比して構造が簡素化されて薄膜磁気ヘッドの製造が容易となる。
【００３６】
また、ヒータ８０が、オーバーコート層２１中に設けられると共に、記録ヘッド部６０が、オーバーコート層２１とＧＭＲ素子４０との間に設けられているので、ＧＭＲ素子４０とヒータ８０との間隔は、記録ヘッド部６０とヒータ８０との間隔よりも広くなっている。このため、特に発熱による影響を比較的受けやすいＧＭＲ素子４０が高温による悪影響を受けにくくされ、信頼性を向上できる。
【００３７】
また、薄膜磁気ヘッド１０のオーバーコート層２１には切欠部１００が形成されているので、薄膜磁気ヘッド１０のＡＢＳ面Ｓが熱膨張によりハードディスク２に突出しても、記録媒体２と接触しにくくなっている。なお、この切欠部１００の形状は、本実施形態のような１段の逆Ｌ字状のものに限られず、多段の切欠としてもよいし傾斜面を有する切欠等としてもよい。
【００３８】
さらに、ヒータ８０においては、図４に示すように、上り部１８６と下り部１８７とが互いに寄り添うようにして蛇行しているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、始点１８０及び終点１８２と、折返点１８１との間において上り部１８６と下り部１８７とから発生する磁界が、互いにうち消し合う。このため、磁界の漏洩が少なくなって記録ヘッド部６０や磁気抵抗効果素子４０に悪影響を及ぼしにくくなる。また、間隔１９０が間隔１９３や間隔１９２よりも狭くされているので、互いに近接するように設けられた上り部１８６と下り部１８７とが、この上り部１８６と下り部１８６とから遠く離された他の上り部１８６と下り部１８７とから磁界の影響を受けにくくされ、通電により発生する磁界がより好適にキャンセルされる。このため、特に、ヒータ８０の最外側で互いに沿うように配置される下り部１８６Ａや上り部１８７Ａからの磁界の漏洩が少なくされる。
【００３９】
次に、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を図７〜図１１を参照して説明する。ここで、図７は、薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリング面Ｓに対して垂直かつトラックラインに垂直な方向の断面図であり、図８は、図７の状態での薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面Ｓに平行な断面図でありＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ破断線に対応する図である。尚、公知の製造過程については、説明を簡略化する。
【００４０】
まず、図７及び図８に示すように、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる基板である基台１１ａに、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料からなるアンダーコート層１１３を形成する。
【００４１】
次に、アンダーコート層１１３の上に、例えばめっき法によって、パーマロイ等の磁性材料からなる下部シールド層３２を形成する。さらに、下部シールド層３２上に、公知の手法によってＧＭＲ素子４０と、これを上下左右から挟むＡｌ2Ｏ3等の絶縁層３６を形成する。ＧＭＲ素子４０は、実際は複数の膜から構成されるが、図においては単層で示している。また、このＧＭＲ素子４０は、ＡＢＳ面側に形成される。続いて、絶縁層３６上に、例えばめっき法によって上部シールド層３８を形成する。以上により、再生ヘッド部３０が得られる。
【００４２】
次に、上部シールド層３８上に、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる絶縁層３９を形成する。
【００４３】
次いで、絶縁層３９上に、パーマロイからなる下部磁極６１を例えばスパッタリング法で形成する。次に、下部磁極６１上に例えばスパッタリング法で非磁性絶縁体あるいは非磁性導電体と非磁性絶縁体とを組み合わせたものからなるギャップ層６３を形成する。さらに、ギャップ層６３上に、フォトリソグラフィやドライエッチング等を用いた公知の方法で、２段の薄膜コイル７０を有する絶縁層７２と、上部磁極６４の磁極部分層６４ａと、上部磁極６４のヨーク部分層６４ｂと、を形成する。ここで、薄膜コイル７０の一部が、下部磁極６１と上部磁極６４との間に挟まれるようにこれらを形成する。本実施形態では２段の薄膜コイル７０を形成するが、段数はこれに限られず、また、ヘリカルコイルのようなものを形成してもよい。これにより、記録ヘッド部６０が完成する。
【００４４】
次に、記録ヘッド部６０を覆うように、非磁性のオーバーコート下層２１ａを形成する。そして、オーバーコート下層２１ａ上に、例えばめっき法によってＣｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等の導電性材料からなる膜状（層状）のヒータ８０を形成する（ヒータ形成工程）。
【００４５】
次に、本発明の特徴の一つであるアニール処理工程を行う。すなわち、上記形成されたヒータ８０に対しアニール処理を施す。アニール処理は、ヒータ８０の膜の酸化等を防止する観点から、真空中で実施するのが好ましい。アニール処理におけるヒータ８０に対する加熱温度は、例えば、２００〜３００℃の範囲とするが、２００〜２５０℃の範囲とするのが好ましい。加熱温度が２００℃に満たない場合は、ヒータ８０自身の抵抗値の変化が抑制されるという本発明の効果を十分に得ることができず、加熱温度が３００℃を超える場合には、ＧＭＲ素子４０等の素子や上部シールド層３８等のシールド材料などを始めとする薄膜磁気ヘッド１０の構成部材が損傷してしまうといった悪影響が生じる虞がある。また、アニール処理におけるヒータ８０に対する加熱時間は、例えば、３０分〜３時間程度とする。
【００４６】
上記アニール処理工程を経た後、イオンミリング等により、ヒータ８０の一部をオーバーコート下層２１ａの上面まで除去することにより、図９に示すような、引出電極８５ａ，８５ｂを形成する。また、これと同時に、イオンミリング等により、ヒータ８０の一部をオーバーコート下層２１ａの上面まで除去して、図９に示すような、蛇行する発熱部８１を形成する。
【００４７】
次に、図１０に示すように、ヒータ８０の発熱部８１、ヒータ８０の引出電極８５ａ、８５ｂ、及び、オーバーコート下層２１ａにおける表面に露出する部分に、Ｃｕ等の導電材料からなるめっき用の電極膜１２０を所定の厚み、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍでスパッタリング等により形成する。
【００４８】
次に、電極膜１２０で引出電極８５ａ，８５ｂに各々接触する部分の上に、電極膜１２０を電極としてめっき法によって上方に伸びるバンプ８４ａ，８４ｂを各々形成する。
【００４９】
次に、図１１に示すように、バンプ８４ａ，８４ｂをマスクとして、表面に露出する電極膜１２０を、ミリング等により除去する。また、このとき、バンプ８４ａ，８４ｂの下の電極膜１２０は除去されずに残存し、電極膜部材８７ａ、８７ｂとなる。
【００５０】
その後、スパッタ法等によって、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料を上層として積層し、例えば、ポリッシング法によってバンプ８４ａ、８４ｂが上面に露出する所望の高さまで絶縁材料をけずり、オーバーコート上層２１ｂとする。その後、バンプ８４ａ，８４ｂの上端部の露出部分にヒータ用パッド８６ａ、８６ｂを配設する。ここで、オーバーコート下層２１ａ及びオーバーコート上層２１ｂがオーバーコート層２１に対応する。なお、図示は省略するが、このとき、図示しない記録用パッドや再生用パッドも形成する。さらに、図示は省略するが、オーバーコート層２１の稜を切削して、切欠部１００を形成する。
【００５１】
以上により、図３〜図５に示した、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１０が完成する。
【００５２】
本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ヒータ８０にアニール処理を施すことによって、ヒータ８０の抵抗値が強制的に変化される。そして、ヒータ８０を構成する材料の結晶性が改善され、ヒータ８０の抵抗値は変化しにくい状態となる。これにより、ヒータ８０に通電して発熱させる回数を重ねた場合であっても、ヒータ８０の抵抗値はあまり変化しないようになる。従って、ヒータ８０の発熱状態を所望の状態に維持することが比較的容易に行うことができ、薄膜磁気ヘッド１０の再生ヘッド部３０や記録ヘッド部６０と、ハードディスク２と、の距離を所望な値に管理することができる。
【００５３】
また、アニール処理工程におけるヒータ８０に対する加熱温度を、２００〜３００℃とすることにより、ヒータ８０の抵抗値の変化を確実に小さくすることができると共に、薄膜磁気ヘッド１０に備えられた、各素子やシールド部材などの構成部材に対する悪影響を防止することができる。
【００５４】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、膜状（層状）のヒータ８０を形成するところまでをヒータ形成工程とし、この膜状のヒータ８０に対してアニール処理を施しているが、一本のラインを層内で蛇行させた発熱部８１と、引出電極８５ａ，８５ｂと、を形成するところまでをヒータ形成工程とし、この状態のヒータ８０に対してアニール処理を施すようにしてもよい。
【００５５】
また、ヒータ８０をオーバーコート層２１内に形成しているが、電磁変換素子としての記録ヘッド部６０と基台１１ａとの間に形成するようにしてもよい。更には、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッド部３０と基台１１ａとの間に形成するようにしてもよい。この場合、ヒータ８０は、再生ヘッド部３０や記録ヘッド部６０よりも先に形成されることになるため、記録ヘッド部６０や再生ヘッド部３０への影響を考慮することなくヒータ８０に対してアニール処理を施すことができる。これにより、アニール処理におけるヒータ８０に対する加熱温度を３００℃程度まで上昇させることができる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例及び比較例を挙げ、図１２〜図１４及び表１〜表３を参照して本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の内容をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
本実施例では、ＮｉＦｅからなるヒータを備えた薄膜磁気ヘッドを製造した。そして、この薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータにアニール処理を施さない場合と、本発明に係る製造方法を用い、加熱温度を変えてヒータにアニール処理を施した場合と、について、ヒータに通電して発熱させる動作を１００回行ったときのヒータの抵抗値を測定した。なお、ヒータにアニール処理を施した場合の加熱温度は２５℃間隔とし、それぞれ、１２５℃，１５０℃，１７５℃，２００℃，２２５℃，２５０℃，２７５℃，３００℃とした。また、加熱時間は、すべて２時間とした。ヒータの通電動作前の抵抗値は、すべて１００Ωである。
【００５７】
測定の結果を表１及び図１２に示す。図１２は、上記各ヒータにおける、通電動作前のヒータの抵抗値（１００Ω）と、通電動作を１００回行った後のヒータの抵抗値との変化率を示す図である。
【００５８】
表１及び図１２に示すように、ヒータの抵抗変化率は、アニール処理の加熱温度が上昇するに従って低下した。そして、加熱温度が３００℃のときでは、ヒータの抵抗値が１００回動作後であっても１００Ωとなり、抵抗変化率が０となった。また、抵抗変化率は、加熱温度が１７５℃の場合と２００℃の場合とにおいて大きく差があり、図１２に示すように、２００℃では２％を下回り、２００℃を超えると緩やかに低下することが確認された。
【００５９】
【表１】
2005056508.tif 000003
（実施例２）
本実施例では、ヒータの材料をＣｏＦｅとしたこと以外は、実施例１の方法と同様の手順及び条件により薄膜磁気ヘッドを作製し、実施例１と同様にヒータの抵抗値の測定を行った。その結果を表２及び図１３に示す。
【００６０】
本実施例においても、ヒータの抵抗変化率は、アニール処理の加熱温度が上昇するに従って低下し、加熱温度が３００℃のときでは、ヒータの抵抗値が１００回動作後であっても１００Ωとなり、抵抗変化率が０となった。また、抵抗変化率も、加熱温度が１７５℃の場合と２００℃の場合とにおいて大きく差があり、図１３に示すように、２００℃では２％を下回り、２００℃を超えると緩やかに低下することが確認された。
【００６１】
【表２】
2005056508.tif 000004
（実施例３）
本実施例は、ヒータの材料をＮｉＣｕとしたこと以外は、実施例１の方法と同様の手順及び条件により薄膜磁気ヘッドを作製し、実施例１と同様にヒータの抵抗値の測定を行った。その結果を表３及び図１４に示す。
【００６２】
本実施例では、ヒータの抵抗変化率は、アニール処理の加熱温度が上昇するに従って低下し、加熱温度が２７５℃のときすでにヒータの抵抗値が１００回動作後であっても１００Ωとなり、抵抗変化率が０となった。また、抵抗変化率については、実施例１，２と同様に、加熱温度が１７５℃の場合と２００℃の場合とにおいて大きく差があり、図１４に示すように、２００℃では２％を下回り、２００℃を超えると緩やかに低下することが確認された。
【００６３】
【表３】
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上記実施例１〜３の結果により、アニール処理におけるヒータに対する加熱温度は、２００℃以下で抵抗変化率が２％以下に推移することから、２００〜３００℃とするのが好適であることが確認された。なお、薄膜磁気ヘッドにおけるヒータ以外の構成部材への影響を考慮した場合、加熱温度は２５０℃程度までとするのが好ましいため、アニール処理におけるヒータに対する加熱温度は、２００℃〜２５０℃とするのがより好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施形態に係るハードディスク装置を示す斜視図である。
【図２】ヘッドスライダを示す斜視図である。
【図３】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドのヒータを示す平面図である。
【図５】図３の薄膜磁気ヘッドのＶ−Ｖ断面図である。
【図６】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドが熱膨張している様子を示す模式図である。
【図７】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図である。
【図９】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図８に続く図である。
【図１０】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図９に続く図である。
【図１１】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図１０に続く図である。
【図１２】実施例１の測定結果を示す図である。
【図１３】実施例２の測定結果を示す図である。
【図１４】実施例３の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…ハードディスク装置、２…ハードディスク（記録媒体）、１０…薄膜磁気ヘッド、１１…ヘッドスライダ、１１ａ…基台、１２…ジンバル、１３…サスペンションアーム、１５…ヘッドジンバルアセンブリ、２１…オーバーコート層、３０…再生ヘッド部、４０…ＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）、６０…記録ヘッド部（電磁変換素子）、８０…ヒータ、８１…発熱部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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