(57)【要約】【課題】  輝度の低下及び色調のむらを低減することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】  基板２１と、基板２１上に形成された第１導電型の第１の半導体層２２，２３と、第１の半導体層２２，２３上に形成された活性層２４と、活性層２４上に形成された第２導電型の第２の半導体層２５，２６と、第１の半導体層２２，２３にコンタクトする第１の電極２８ａ，２８ｂと、第２の半導体層２５，２６上に形成された第２の電極２７ａ，２７ｂと、基板２１上に第１の半導体層２２，２３、活性層２４及び第２の半導体層２５，２６を距離をおいて囲むとともに、その上端が、第２の半導体層２５，２６の上端よりも高くなるように形成された、半導体層を有する外周部２０ｃとを具備した半導体発光素子である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、
前記第１の半導体層にコンタクトする第１の電極と、
前記第２の半導体層上に形成された第２の電極と、
前記基板上に前記第１の半導体層、前記活性層及び前記第２の半導体層を距離をおいて囲むとともに、半導体層を有する外周部と、
を具備したことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
少なくとも前記外周部内に、蛍光体を含有した樹脂が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記外周部の内側の側周面は、前記外周部の高さ方向に開口幅が大きくなるようなテーパー形状で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記外周部の高さは、前記第２の半導体層の上端面の高さよりも、高くなるように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記外周部は、前記基板上に、第１導電型の第３の半導体層、活性層及び第２導電型の第４の半導体層が積層された層であり、前記外周部の前記第４の半導体層の厚さは、前記第２の半導体層の厚さよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記蛍光体は、異なる発光色を有する複数の蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、
前記第１の半導体層にコンタクトする第１の電極と、
前記第２の半導体層上に形成された第２の電極と、
前記基板上に前記第１の半導体層、前記活性層及び前記第２の半導体層を距離をおいて囲むように形成された外周部と、
内部の底部に前記基板を固定した、断面が凹状の支持部と、
を具備したことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
少なくとも前記外周部内に、蛍光体を含有した樹脂が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記外周部の内側の側周面は、前記外周部の高さ方向に開口幅が大きくなるようなテーパー形状で形成されていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記外周部の高さは、前記第２の半導体層の上端面の高さよりも、高くなるように形成されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記外周部は、前記基板上に、第１導電型の第３の半導体層、活性層及び第２導電型の第４の半導体層が積層された層であり、前記外周部の前記第４の半導体層の厚さは、前記第２の半導体層の厚さよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記蛍光体は、異なる発光色を有する複数の蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
基板上に第１導電型の第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に第２導電型の第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層、活性層、及び第１の半導体層を順に選択的にエッチングし、前記各層の一部からなる発光部と、この発光部を距離をおいて囲み、かつ前記各層の残りの一部からなる外周部を形成する工程と、
前記発光部の前記第１の半導体層とコンタクトする第１の電極を形成する工程と、
前記発光部の前記前記第２の半導体層とコンタクトする第２の電極を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の半導体層に凹部を形成する工程をさらに具備し、前記発光部は前記凹部内の領域に形成され、前記外周部は、前記凹部のくぼんだ領域外の領域の前記第２の半導体層を含んでいることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体を有する半導体発光装置、半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、新しい光源として、半導体発光素子（ＬＥＤ）から発光される光を蛍光体に入射させて、発光色を変換することによって、所望の発光色を得る技術が知られている。ＩｎＧａＮ系の材料を有する半導体発光素子を搭載した従来の半導体発光装置では、図１５に示すように、素子の支持部７１には、凹部７１ａが形成されており、支持部７１の凹部７１ａ内に、半導体発光素子７０が搭載されている。半導体発光素子７０は、基板８１上にｎ−ＧａＮバッファ層８２、ｎ−ＧａＮ層８３、ＩｎＧａＮ活性層８４、ｐ−ＧａＮ層８５、ｐ+−ＧａＮ層８６が下から順に積層されて形成されている。また、半導体発光素子７０上には、絶縁膜８７等が形成されている。ｎ−ＧａＮ層８３の上に発光層として形成されたＩｎＧａＮ活性層８４は、ｎ−ＧａＮ層８３の表面の一部が露出するように形成され、ｎ−ＧａＮ層８３の表面上には、ｎ型電極８８が形成されている。また、ｐ+−ＧａＮ層８６の表面上には、ｐ型電極８９が形成されている。素子の支持部７１の凹部内７１ａの底面の端部には、第１及び第２の端子９０ａ，９０ｂが形成されている。ｎ型電極８８及びｐ型電極８９は、図示しないワイヤを介して、第１及び第２の端子９０ａ，９０ｂに接続されている。この種の半導体装置は、特許文献１に記載されている。
【０００３】
半導体発光素子７０を搭載した支持部７１の凹部７１ａには、蛍光体９４を含有した図示しない樹脂が充填されている。半導体発光素子７０から発光される発光色が紫外光の場合、紫外光を吸収して赤色の光を放出する赤色蛍光体、緑色の光を放出する緑色蛍光体、青色の光を放出する青色蛍光体を混合した蛍光体を用いることによって、白色光の発光を実現することができる。図１５に示された矢印のように、半導体発光素子から発光される光は、その上面及び側面から発光される。
【０００４】
図１５に示すように、素子の支持部７１の凹部７１ａに、蛍光体９４を含有した樹脂を充填しているが、蛍光体９４は、樹脂よりも比重が大きいため、製造工程中に溶解した樹脂内に、不均一に分散して硬化する。この場合、実際に発光に寄与している蛍光体は、半導体発光素子の上部に形成された蛍光体と、半導体発光素子の側面の近傍に形成された蛍光体のみである。素子の支持部７１の凹部７１ａの底面などに溜まった蛍光体９４は、発光に寄与していないことになる。
【０００５】
半導体発光素子７０から発光される光のうち、側面から発光した光は、素子の支持部７１の凹部７１ａの側面で反射され、上方向に発光される。しかし、半導体発光素子７０の側面から、支持部７１の凹部７１ａの側面までの距離は長く、散乱が多いため、支持部７１の凹部７１ａの側面に達するまでに、光が大幅に減少してしまう。よって、半導体発光素子７０の側面からの漏れ光が多く、輝度が低下するという問題があった。
【０００６】
また、図１６に示すように、蛍光体９１〜９３は、赤色、緑色、青色などの色によって、比重及び粒径が異なる。例えば、比重は、赤色、青色、緑色の順で小さくなる。図１６に示したように、異なる発光色を有する蛍光体を、同時に樹脂９５に混合した場合には、樹脂９５内で沈降する早さが異なる。半導体発光素子の上部に形成された蛍光体と側面の近傍に形成された蛍光体では、組成が異なるため、場所によって蛍光体の組成にばらつきが生じ、色調にむらが生じるという問題があった。
【特許文献１】特開平１０−２６１８２１号公報（第８頁，図１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記した問題点を解決すべくなされたもので、輝度の低下及び色調のむらを低減することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するための本発明の半導体発光素子の一態様は、基板と、
前記基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、
前記第１の半導体層にコンタクトする第１の電極と、
前記第２の半導体層上に形成された第２の電極と、
前記基板上に前記第１の半導体層、前記活性層及び前記第２の半導体層を距離をおいて囲むとともに、その上端が、前記第２の半導体層の上端よりも高くなるように形成された、半導体層を有する外周部と、
を具備したことを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の半導体発光装置の一態様は、基板と、
前記基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２導電型の第２の半導体層と、
前記第１の半導体層にコンタクトする第１の電極と、
前記第２の半導体層上に形成された第２の電極と、
前記基板上に前記第１の半導体層、前記活性層及び前記第２の半導体層を距離をおいて囲むとともに、その上端が、前記第２の半導体層の上端よりも高くなるように形成された外周部と、
内部の底部に前記基板を固定した、断面が凹状の支持部と、
を具備したことを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の半導体発光素子の製造方法の一態様は、基板上に第１導電型の第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に第２導電型の第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層、活性層、及び第１の半導体層を順に選択的にエッチングし、前記各層の一部からなる発光部と、この発光部を距離をおいて囲み、かつ前記各層の残りの一部からなる外周部を形成する工程と、
前記発光部の前記第１の半導体層とコンタクトする第１の電極を形成する工程と、
前記発光部の前記前記第２の半導体層とコンタクトする第２の電極を形成する工程と、
を具備したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、輝度の低下及び色調のむらを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１乃至図１４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置について、説明する。図１に示すように、半導体発光素子１０として発光ダイオード（ＬＥＤ）が、断面が凹状の支持部１１の凹部１１ａ内に、固定されている。半導体発光素子１０は、サファイア基板２１上に形成されており、発光領域となる発光部２０を有している。発光部２０の周りには、外周部２０ｃが形成され、外周部２０ｃと発光部２０の間には、凹部２０ａが形成されている。この凹部２０ａ及び外周部２０ｃは、発光部２０を取り囲むように形成されており、外周部２０ｃは、サファイア基板２１上に発光部２０を距離をおいて囲むように形成されている。外周部２０ｃの高さは、発光部２０の上端よりも高くなるように形成されている。また、外周部２０ｃの内側の側周面は、外周部２０ｃの高さ方向に開口幅が大きくなるようなテーパー形状で形成されている。
【００１３】
図２に示すように、発光部２０は、サファイア基板２１上に、ｎ−ＧａＮバッファ層２２、ｎ−ＧａＮ層２３、発光層であるＩｎＧａＮ活性層２４、ｐ−ＧａＮ層２５、ｐ+−ＧａＮ層２６を下から順に積層した層である。ｐ+−ＧａＮ層２６上には、ｐ型電極２７ａ及びｐ型オーバーコート電極２７ｂが形成され、ｐ+−ＧａＮ層２６とコンタクトしている。ｎ−ＧａＮ層２３の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層２４は、ｎ−ＧａＮ層２３の表面が一部露出するように形成されている。ｎ−ＧａＮ層２３上には、ｎ型電極２８ａ及びｎ型オーバーコート電極２８ｂが形成され、ｎ−ＧａＮ層２３とコンタクトしている。さらに、ｎ−ＧａＮ層２３上及びｐ+−ＧａＮ層２６上に、ｎ型オーバーコート電極２８ｂ及びｐ型オーバーコート電極２７ｂの表面が露出するように、シリコン酸化膜３１，３２が形成されている。
【００１４】
この半導体発光素子１０は、図１に示すように、支持部１１の凹部１１ａに、図示しない導電性ペースト等によって接着されることによって、固定されている。支持部１１の凹部１１ａの底面の端部には、第１及び第２の端子１２，１３が形成されている。ｎ型電極２８ａ及びｐ型電極２７ａは、ワイヤ１４を介して、第１及び第２の端子１２，１３に接続されている。半導体発光素子１０の凹部２０ａ及び半導体発光素子１０が搭載された支持部１１の凹部１１ａに、蛍光体を含有した樹脂が充填されている。
【００１５】
なお、支持部１１の厚さは、およそ１５０μｍである。半導体発光素子１０の凹部２０ａの深さは、およそ２０μｍであり、半導体発光素子１０の凹部２０ａの幅は、それぞれおよそ５０〜６０μｍである。
【００１６】
半導体発光素子から発光される発光色が紫外光の場合、紫外光を吸収して赤色の光を放出する赤色蛍光体、緑色の光を放出する緑色蛍光体、青色の光を放出する青色蛍光体を混合した蛍光体を用いることによって、白色光の発光を実現することができる。また、半導体発光素子から発光される発光色が青色光の場合、青色光を吸収して黄色の光を放出する黄色蛍光体を用いることによって、白色光の発光を実現することができる。
【００１７】
次に、図３乃至図１３を用いて、支持部１１の凹部１１ａ内に搭載された半導体発光素子１０の製造方法について、説明する。まず、図３に示すように、サファイア基板２１上にｎ−ＧａＮバッファ層２２、ｎ−ＧａＮ層２３、活性層としてＩｎＧａＮ活性層２４、ｐ−ＧａＮ層２５及びｐ+−ＧａＮ層２６を形成する。これらは、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）などを用いて形成される。続いて、熱ＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜４１ａを形成し、レジスト４２ａを塗布する。
【００１８】
次に、図４に示すように、ｐ+−ＧａＮ層２６上に形成されたシリコン酸化膜４１ａ及びレジスト４２ａに、リソグラフィ技術によってパターン露光してエッチングし、パターンを形成する。このシリコン酸化膜パターン及びレジストパターンをマスクとして、図４に示すように、ｐ+−ＧａＮ層２６をエッチングすることによって、ｐ+−ＧａＮ層２６に厚さＬの凹部２６ａを形成する。続いて、図示しないシリコン酸化膜パターン及びレジストパターンを除去する。
【００１９】
次に、図５に示すように、ｐ+−ＧａＮ層２６上にシリコン酸化膜パターン４１ｂ及びレジストパターン４２ｂを形成する。続いて、シリコン酸化膜パターン４１ｂ及びレジストパターン４２ｂをマスクとしてｐ+−ＧａＮ層２６、ｐ−ＧａＮ層２５、ＩｎＧａＮ活性層２４及びｎ−ＧａＮ層２３の一部をエッチングし、凹部２３ａを形成する。この凹部２３ａは、ｎ−ＧａＮ層２３の表面が露出するように形成され、ｐ+−ＧａＮ層に設けられた厚さＬの凹部２６ａ内に形成されている。
【００２０】
次に、図６に示すように、シリコン酸化膜パターン４１ｂ及びレジストパターン４２ｂを除去し、再び、ｐ+−ＧａＮ層２６上及びｎ−ＧａＮ層２３上にシリコン酸化膜パターン４１ｃ及びレジストパターン４２ｃを形成する。このシリコン酸化膜パターン４１ｃ及びレジストパターン４２ｃは、凹部２３ａのｎ−ＧａＮ層２３の一部が露出するように形成されている。続いて、ｎ型電極２８ａを蒸着する。ｎ型電極２８ａは、透明電極であり、例えば、ＮｉとＡｕで形成される。
【００２１】
次に、図７に示すように、レジストパターン４２ｃを除去して、不要なｎ型電極をリフトオフさせ、所定の領域にｎ型電極２８ａを形成する。
【００２２】
次に、図８に示すように、ｐ+−ＧａＮ層２６上に、シリコン酸化膜パターン４１ｄ及びレジストパターン４２ｄを形成する。このシリコン酸化膜パターン４１ｄ及びレジストパターン４２ｄは、ｐ+−ＧａＮ層２６の表面の一部が露出するように形成されている。続いて、ｐ型電極２７ａを蒸着する。ｐ型電極２７ａは、透明電極であり、例えば、ＮｉとＡｕを用いて形成される。
【００２３】
次に、図９に示すように、レジストパターン４２ｄを除去して、不要なｐ型電極をリフトオフさせ、所定の領域にｐ型電極２７ａを形成する。
【００２４】
次に、図１０に示すように、ｎ型電極２８ａ及びｐ型電極２７ａの表面が露出するように、シリコン酸化膜パターン４１ｅ及びレジストパターン４２ｅを形成する。
【００２５】
続いて、図１１に示すように、ｎ型電極２８ａ及びｐ型電極２７ａ上に、それぞれ、ｎ型オーバーコート電極２８ｂ及びｐ型オーバーコート電極２７ｂを蒸着する。ｎ型オーバーコート電極２８ｂ及びｐ型オーバーコート電極２７ｂは、例えば、Ａｕを用いて形成されており、ボンディングワイヤ等が接続しやすいように形成されている。続いて、レジストパターン４２ｅを除去し、不要なｎ型オーバーコート電極及びｐ型オーバーコート電極をリフトオフさせ、所定の領域にｎ型オーバーコート電極２８ｂ及びｐ型オーバーコート電極２７ｂを形成する。
【００２６】
次に、図１２に示すように、シリコン酸化膜パターン４１ｅ上に、シリコン酸化膜パターン４１ｆ及びレジストパターン４２ｆを形成する。このシリコン酸化膜パターン４１ｆ及びレジストパターン４２ｆは、凹部２６ａ内のｐ+−ＧａＮ層２６の一部が露出するように形成されている。このようにして、発光部２０の周縁に、凹部２０ａを形成する。
【００２７】
続いて、図１３に示すように、凹部２０ａの外周縁に設けられたシリコン酸化膜パターン４１ｄ〜ｆ及びレジストパターン４２ｆをマスクとして、凹部２０ａをさらにエッチングする。エッチングは、例えば、塩素系のガスを用いて行う。凹部２０ａは、サファイア基板２１に達するように形成され、サファイア基板２１の表面を露出させるように形成されている。半導体発光素子１０の発光層であるＩｎＧａＮ活性層２４と、その上及び下の半導体層及びサファイア基板が露出するように凹部２０ａを形成している。シリコン酸化膜パターン４１ｆ及びレジストパターン４２ｆを除去して、ｎ型オーバーコート電極２８ｂ及びｐ型オーバーコート電極２７ｂの表面を露出させる。このようにして形成された半導体発光素子１０は、発光部２０の周縁に凹部２０ａ及び外周部２０ｃが形成されている。つまり、外周部２０ｃは、サファイア基板２１上に発光部２０を距離をおいて囲むように形成されている。
【００２８】
本実施の形態では、発光部２０及び外周部２０ｃは、積層された半導体層を有している。また、図４において、ｐ+−ＧａＮ層２６に厚さＬの凹部２６ａを形成し、図１２及び図１３において、凹部２６ａ内に発光部を形成するとともに、凹部２６ａのくぼんだ領域外の領域に外周部２０ｃを形成することによって、外周部２０ｃの上端が、発光部２０の半導体層の最上層であるｐ+−ＧａＮ層２６の上端よりも高くなるように形成されている。よって、半導体発光素子１０を支持部１１に搭載して、蛍光体を含有した樹脂を充填したとき、半導体発光素子１０の側面の近傍に設けられた蛍光体が、横方向に流れ、支持部１１の凹部１１ａの底面に落下することを抑制することができる。したがって、発光に寄与しない蛍光体を低減することができる。図１３に示すように、外周部２０ｃの高さは、発光部２０の半導体層の最上層であるｐ+−ＧａＮ層２６の上端面の高さよりも、３μｍ以上程度高くなるよう形成されていることが好ましい。３μｍよりも薄いと、凹部２０ａの蛍光体が横方向に流れ、支持部の凹部の底面に落下しやすくなるため、好ましくない。
【００２９】
また、図１の半導体発光素子１０の上面及び側面から発光されたとき、側面から発光した光は、テーパー状に形成された半導体発光素子１０の外周部２０ｃの側面で反射され、上方向に発光される。半導体発光素子１０から、半導体発光素子１０の凹部２０ａの外周部２０ｃの側面までの距離（数十μｍ程度）は、背景技術に記載した図１５の支持部７１の凹部７１ａまでの距離（数百μｍ程度）よりも短いため、散乱は少ない。よって、図１の半導体発光素子１０から、半導体発光素子１０の凹部２０ａの外周部２０ｃの側面に達するまでの光の減少は少ないため、半導体発光素子１０の側面からの漏れ光が低減し、輝度の低下を抑制することができる。
【００３０】
また、複数の蛍光体を用いる場合、蛍光体は、赤色、緑色、青色などの色によって、比重及び粒径が異なるため、異なる発光色を有する蛍光体を、同時に樹脂に混合した場合には、樹脂内で沈降する早さが異なる。半導体発光素子１０の凹部２０ａの深さ（２０μｍ程度）は、半導体発光素子１０の上端からの支持部１１の凹部１１ａの深さ（１００μｍ程度）よりも浅いため、蛍光体の組成のばらつきを少なくすることができる。つまり、発光に寄与する半導体発光素子の上部及び側面の近傍に形成された蛍光体の組成のばらつきを低減し、色調に生じるむらを低減することができる。
【００３１】
また、凹部２０ａは、半導体発光素子１０の活性層であるＩｎＧａＮ活性層２４と、その上及び下に形成された半導体層及びサファイア基板を露出させるように形成されているが、ＩｎＧａＮ活性層及び上に形成された半導体層のみを露出させるように形成してもよい。しかし、半導体発光素子１０の活性層であるＩｎＧａＮ活性層２４と、その上及び下に形成された半導体層及びサファイア基板を露出させるように形成することによって、半導体発光素子１０からの光を効率よく、発光させることができるため、好ましい。
【００３２】
さらに、この半導体発光素子の製造方法は、半導体発光素子の半導体層を外周部として用いており、従来の半導体発光素子の製造方法に対して、凹部を形成するためのエッチング工程を追加することで実現できる。よって、凹部を形成するための張り合わせ等の他の組立工程を追加することないため、比較的容易に形成することができる。
【００３３】
また、図１４に示すように、半導体発光素子１０の外周部２０ｃの側周面の角度は、エッチング時に用いた塩素系のガスの濃度及び圧力を制御することによって、所望の角度に制御して形成することができる。図１４（ａ）に示すように、外周部２０ｃの側面の角度が小さくなるように形成し、傾きが緩やかにように形成すると、半導体発光素子１０から発光する光の幅を広げることができる。一方、図１４（ｂ）に示すように、外周部２０ｃの側面の角度が大きくなるように形成し、傾きが急峻にように形成すると、半導体発光素子１０から発光する光の幅を狭めることができる。このようにして、用途に応じて、任意に集光度を調整することができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、サファイア基板を用いたが、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ基板、ＧａＮ等を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の例を示す断面図である。
【図１５】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
【図１６】従来の半導体発光装置に用いられる、樹脂に含有される蛍光体を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０，７０  半導体発光素子
１１，７１  支持部
１１ａ，７１ａ  支持部の凹部
１２，９０ａ  第１の端子
１３，９０ｂ  第２の端子
１４  ワイヤ
２０  発光部
２０ａ  半導体発光素子の凹部
２０ｃ  外周部
２１，８１  サファイア基板
２２，８２  ｎ−ＧａＮバッファ層
２３，８３  ｎ−ＧａＮ層
２３ａ  ｎ−ＧａＮ層の凹部
２４，８４  ＩｎＧａＮ活性層
２５，８５  ｐ−ＧａＮ層
２６，８６  ｐ+−ＧａＮ層
２６ａ  ｐ+−ＧａＮ層の凹部
２７ａ，８９  ｐ型電極
２７ｂ  ｐ型オーバーコート電極
２８ａ，８８  ｎ型電極
２８ｂ  ｎ型オーバーコート電極
３１，３２  シリコン酸化膜
４１ａ〜ｆ  シリコン酸化膜パターン
４２ａ〜ｆ  レジストパターン
８７  絶縁膜
９１〜９４  蛍光体
９５  樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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