(57)【要約】【課題】  リード端子のワイヤボンディングのための領域に熱硬化性樹脂が流動（ブリード）せず信頼性の高いワイヤボンディングが可能な電子部品収納用パッケージを提供すること。【解決手段】  電子部品収納用パッケージは、上面の中央部に電子部品４が搭載される搭載部が形成された四角平板状のセラミックスから成る基板３と、基板３の上面の外周部の対向する一対の辺部にそれぞれ取着された複数のリード端子５と、複数のリード端子５を挟んで基板３の上面の外周部の全周にわたって熱硬化性樹脂２で接合されたセラミックスから成る枠体１とを具備しており、リード端子５は、表面にニッケルめっき層および金めっき層が順次形成されており、金めっき層の表面の光沢度が0.8以上1.3以下である。【選択図】  図１
2005285965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に電子部品が搭載される搭載部が形成されたセラミックスから成る基板と、該基板の上面の外周部にそれぞれ取着された複数のリード端子と、該複数のリード端子を挟んで前記基板の上面の外周部の全周にわたって熱硬化性樹脂で接合されたセラミックスから成る枠体とを具備している電子部品収納用パッケージにおいて、前記リード端子は、表面にニッケルめっき層および金めっき層が順次形成されており、該金めっき層の表面の光沢度が0.8以上1.3以下であることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主にＣＣＤ、Ｃ−ＭＯＳ等の半導体素子で成る素子や電子部品を収納するための、リード端子を有する電子部品収納用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球環境問題への取り組みは必要不可欠な課題となっており、電子部品に使用されている鉛の使用量を削減または廃止することは環境負荷物質の使用量を削減する対策として必須課題となっている。
【０００３】
従来、電子部品収納用パッケージとしては、リード端子を電子部品搭載用の基板および枠体で挟んで酸化鉛を主成分とする低融点ガラスを介してこれらを接合したサーディップタイプの電子部品収納用パッケージが主に使用されていた。しかし、最近では環境負荷物質である鉛の使用を廃止するために低融点ガラスを熱硬化性樹脂に置き換えた構造の電子部品収納用パッケージが検討されつつある。
【０００４】
この熱硬化性樹脂を用いた鉛フリーの電子部品収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）を図２に示す。図２において11はセラミックスから成る枠体、12は熱硬化性樹脂、13はセラミックスから成る電子部品搭載用の基板、14は電子素子、15はリード端子を示す。
【０００５】
このパッケージは従来低融点ガラスを使用していた部位に熱硬化性樹脂12を使用したもので、次の方法によって作製される。基板13の上面の枠体11と接合する部位に予めペースト状の熱硬化性樹脂12をスクリーン印刷法またはディスペンス法等の方法で塗布し、その上面にリード端子15を載置後、オーブン等で加熱することで熱硬化性樹脂12を仮硬化し、基板13にリード端子15を仮固定する。次に、リード端子15の上面に熱硬化性樹脂12をスクリーン印刷法またはディスペンス法等の方法で塗布し、その上面に枠体11を載置後、リード端子15を基板13と枠体11とで挟み込んだ状態でトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させることにより熱硬化性樹脂12を完全に硬化させ、基板13，枠体11およびリード端子15を強固に接合してパッケージを作製する。
【０００６】
なお、予めリード端子15には表面の下層に電解ニッケルめっき層、上層に電解金めっき層が施されている。この電解ニッケルめっき層は、従来、光沢剤の添加されない無光沢めっきが使用されている。光沢めっきの場合は、一般的に、ニッケルめっき層の光沢剤に高分子の有機物や硫黄が用いられ、この有機物や硫黄がニッケルめっき層の粒成長を阻害することで、被着するニッケル結晶粒を細かく緻密にすることが可能になり、光沢のあるめっき層が得られる。しかしながら、同時にめっき層中に有機物や硫黄を微量に共析することがあり、この不純物がリード端子に接続するワイヤボンディングによる接合の信頼性を劣化させる要因となる。反対に、光沢剤を添加しない無光沢めっきではこれらの不純物が共析することはなくワイヤボンディングによる接合の信頼性の高いめっき層が得られる。
【特許文献１】特開平９−45804号公報
【特許文献２】特開平２−54249号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、無光沢電解ニッケルめっきにおいて、同一電流密度のめっき条件下ではニッケルめっき層の結晶粒の成長を妨げるものがないため、光沢電解ニッケルめっき層に比較してニッケルの結晶粒が大きく粗くなり、この結晶粒の上面に被着する金めっき層の結晶粒は連動して粗くなるので、熱硬化性樹脂を塗布した後に熱硬化させる過程において熱硬化性樹脂の低分子成分が結晶粒の粒界に沿って毛細管現象等で不規則に流動（ブリード）してリード端子のワイヤボンディングのための領域に到達し、ワイヤボンディングができなくなる場合があるという問題点があった。
【０００８】
従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、リード端子のワイヤボンディングのための領域に熱硬化性樹脂が流動（ブリード）せず信頼性の高いワイヤボンディングが可能な鉛フリーの電子部品収納用パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上面の中央部に電子部品が搭載される搭載部が形成されたセラミックスから成る基板と、該基板の上面の外周部にそれぞれ取着された複数のリード端子と、該複数のリード端子を挟んで前記基板の上面の外周部の全周にわたって熱硬化性樹脂で接合されたセラミックスから成る枠体とを具備している電子部品収納用パッケージにおいて、前記リード端子は、表面にニッケルめっき層および金めっき層が順次形成されており、該金めっき層の表面の光沢度が0.8以上1.3以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、金めっき層の結晶粒を細かく緻密にしてその光沢度を0.8以上1.3以下にすることにより、金めっき層の結晶粒の大きさが小さく緻密になり熱硬化性樹脂が金めっき結晶粒の粒界に沿ってリード端子のワイヤボンディングのための領域に流動（ブリード）してワイヤボンディングによる接合を妨げることがないとともに、金めっき層に共析される不純物もなくボンディング接合の劣化を生じることがないことから信頼性の高いワイヤボンディングによる接合をすることができる。すなわち、これによって収納された電子部品を長期間にわたって安定して動作させることができる信頼性の高い電子部品収納用パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の電子部品収納用パッケージを添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）はパッケージの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００１２】
本発明の電子部品収納用パッケージは、CCD（Charge Coupled Device）やC-MOS（Complementary Metal Oxide Semicondactor）センサー，発光ダイオード，受光ダイオード等の半導体素子や圧電素子等の電子部品のパッケージに採用可能であるが、以下、具体的な電子部品としてCCDまたはC-MOS等の撮像素子に採用した場合を代表例として説明する。
【００１３】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上面の中央部にCCDまたはC-MOS等の半導体素子による撮像素子としての電子部品４が搭載される搭載部が形成された四角平板状等のセラミックスから成る基板３と、この基板３の上面の外周部の対向する一対の辺部にそれぞれ取着された金属から成るリード端子５と、リード端子５を挟んで基板３の上面の外周部の全周にわたって熱硬化性樹脂２で接合されたセラミックスから成る枠体１とを具備している。
【００１４】
図１において、リード端子５は表面の下層にニッケルめっき層、上層に金めっき層が被着されており、その金めっき層の表面の光沢度が0.8以上であることで、金めっき層表面が緻密で平滑になり、その結果、熱硬化性樹脂２の低分子成分が金めっき層の結晶粒の粒界に沿ってリード端子５のワイヤボンディングのための領域（枠体１の内側のリード端子５の端部）に流動（ブリード）することがないとともに、めっき層にワイヤボンディングによる接合の強度劣化を生じさせる不純物が共析することもないことから、ワイヤボンディングによる接合の強度や信頼性の高いワイヤボンディングが可能な電子部品収納用パッケージを提供することができる。
【００１５】
なお、上記光沢度はJIS規格（JISZ8741）に従って定義され、屈折率1.567であるガラス表面において可視光の全波長領域の光が60°の入射角で入射された場合に、ガラス表面で反射される反射率が10%の場合を光沢度１と定義しこの原理指標を用いて光沢度が測定可能な光沢度計にて測定することができる。この光沢度の値が高いことは光が乱反射しにくいことを意味し、すなわち表面の粒子が緻密で平滑であることを意味する。一般的にめっきの光沢度の場合は、光沢度1.2以上を光沢めっき、光沢度0.8を超えて1.2未満を半光沢めっき、光沢度0.8以下を無光沢めっきと呼ばれる。また、ニッケルめっきの光沢度の制御は添加する光沢剤の量や成分の調整により可能である。
【００１６】
また、本発明を為すにおいて種々試験の結果、熱硬化性樹脂２のブリードと金めっき層の表面の光沢度との間で良好な関連があることが見られ、光沢度が0.8以上のときにブリードが良好に抑制されることが見い出された。また、この際の金めっき表面の状態を1000倍の電子顕微鏡にて観察のところ、光沢度が0.8未満の場合には、金めっき層の表面に粒径が１〜５μｍ程度の粗い結晶粒の凹凸が観察されるが、光沢度が0.8以上の場合は、緻密かつ平滑であり認識出来る結晶粒の凹凸が存在しないことが確認された。
【００１７】
枠体１および基板３は絶縁体であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）やムライト質焼結体，ステアタイト焼結体，窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤および可塑剤，分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のスプレイドライ法を用いて顆粒化し、この顆粒を所定の形状のプレス金型によりプレス成形した後、約1500℃の高温で焼成することにより作製される。
【００１８】
熱硬化性樹脂２は熱硬化性のエポキシ樹脂であり、例えばビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂，フェノールノボラック型液状樹脂等から成る主剤に、球状の酸化珪素等から成る充填材，テトラヒドロメチル無水フタル酸等の酸無水物などを主とする硬化剤および着色剤としてカーボン紛末等を添加し遠心攪拌機等を用いて混合，混練してペースト状とする。次にこのペースト状の熱硬化性樹脂２をスクリーン印刷法やディスペンス法等で基板３等の必要部分に塗布した後に150℃の雰囲気で90分程度加熱することで硬化させる。
【００１９】
熱硬化性樹脂２としては、この他にも例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，特殊ノボラック型エポキシ樹脂，フェノール誘導体エポキシ樹脂，ビスフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系やアミン系，リン系，ヒドラジン系，イミダゾールアダクト系，アミンアダクト系，カチオン重合系，ジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもの等を使用することができる。
【００２０】
リード端子５は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や42アロイ（Ｆｅ58−Ｎｉ42合金），銅（Ｃｕ），銅合金等の金属から成る。リード端子５は、これらの金属の一種から成る板材を、従来周知のスタンピング金型を用いた打ち抜き加工により、外周部に枠を有するとともにその枠の内周から内側に延出するようにリード端子５が展開された形状のリードフレームを形成後、この展開されたリード端子５を曲げ金型を用いた曲げ加工により、所望のＬ字状に曲げて形成され、しかる後、その表面にニッケルめっき層および金めっき層が被着される。
【００２１】
そして、このリード端子５が形成されているリードフレームをペースト状の熱硬化性樹脂２が塗布された基板３に載置後、オーブン等で加熱して仮硬化することでリードフレームを基板３に仮固定する。しかる後、その上にさらにペースト状の熱硬化性樹脂２をスクリーン印刷法またはディスペンス法等の方法で塗布し、この熱硬化性樹脂２の上に枠体１を載置してリードフレームに形成されたリード端子５を挟み込み、組み上げた状態でトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させて熱硬化性樹脂２を完全に硬化させる。これにより、基板３，枠体１およびリード端子５は熱硬化性樹脂２を介して強固かつ一体に接合されてパッケージが完成する。
【００２２】
リード端子５には、打ち抜きされ曲げ加工された後に、さらに、リード端子５の表面に、下層に２乃至15μm程度の厚みのニッケルめっき層およびその上層に0.03乃至0.3μmの厚みの金めっき層が被着される。これらめっき層が被着されることにより、撮像素子としての電子部品４とリード端子５とを金線やアルミニウム線によるボンディングワイヤ（図示せず）によって電気的に接続することが容易となり、また、パッケージの外部に延出されたリード端子５の部位と外部電子回路基板の配線導体（図示せず）とを半田接合することが容易となる。
【００２３】
ニッケルめっき層の厚みが２μm未満の場合、外部電子回路基板の配線導体との半田接合強度の劣化の原因となりやすく、15μmを超える場合、ワイヤボンディングによる接合部の接合性が悪くなる原因となりやすい。
【００２４】
また、金めっき層の厚みが0.03μm未満の場合、ワイヤボンディングによる接合部の接合強度が劣化し易くなり、0.3μmを超える場合、外部電子回路基板の配線導体との半田接合強度の劣化の原因となりやすい。
【００２５】
そして、下層のニッケルめっき層には半光沢性のめっきが施されるのがよい。半光沢めっきではニッケルめっき液中に、めっき層に共析しにくい有機性高分子や硫黄を主成分とした光沢剤を添加することができるので、電解めっきで被着されるニッケルめっき層の結晶粒の成長を抑制することが可能になり、ニッケルめっき層の結晶粒が細かく緻密になる。めっき層に共析しにくい有機性高分子の光沢剤としては、例えば、ベンゼン、ナフタレンスルフホン酸，アクリルアルデヒドのスルフォン化物等が挙げられ、硫黄が共析しにくい光沢剤としては、サッカリン，カドミニウム等の金属塩等が挙げられる。
【００２６】
なお、ニッケルめっき層の光沢度は主に光沢剤の成分やめっきの電流密度の条件に依存し、これら条件を金めっき層の光沢度が0.8以上1.3以下となるような条件の組合せによってニッケルめっき層および金めっき層が順次形成される。具体的には、例えば、H2SO4（265ｇ／Ｌ（リットル）），NiCl2（57.5ｇ／Ｌ），H2BO4(42.5ｇ／Ｌ)からなる電解ニッケルめっき液に対して荏原ユージライト株式会社製のニッケル光沢剤キャリアレベラー（1ｍＬ／Ｌ），NL-DL（４ｍｇ／Ｌ）、湿潤剤として荏原ユージライト株式会社製♯82（２ｍｇ／Ｌ）を添加しためっき液を用い電流密度4.67Ａ／ｄｍ２でニッケル電解めっきを施すことによりニッケルめっき層の光沢度が0.9から1.0となる半光沢性のニッケルめっき層が形成される。さらに、ニッケルめっき層の上層に電解めっき法等により厚み0.03〜0.3μｍの金めっき層を形成することで、金めっき層の光沢度を0.8以上1.3以下にすることができる。
【００２７】
さらに、金めっき層の表面には界面活性剤の塗布を施さない方が好ましい。界面活性剤を塗布することにより金めっきと熱硬化樹脂との密着が劣化し接合信頼性が悪くなりやすい。
【００２８】
つまり、ニッケルめっき層の上に金めっき層を施すことにより金めっき層の結晶粒がニッケルめっき層の結晶粒の細かさと緻密さに倣って緻密になることで表面が平滑になり、熱硬化性樹脂２が硬化する過程において金めっき層の結晶粒の粒界に沿って熱硬化性樹脂２の低分子成分が流動（ブリード）することを防止できる。
【００２９】
ニッケルめっき液に添加する光沢剤の量や内容を調整しその上に被着される金めっき層の光沢度を0.8未満にすると、金めっき層の結晶粒の大きさは粗くなり、熱硬化性樹脂２が金めっき層の結晶粒の粒界に沿って不規則に流動すると考えられ、リード端子５のワイヤボンディングのための領域が熱硬化性樹脂２で覆われてしまい、良好なワイヤボンディングができない場合がある。また、ニッケルめっき液に添加する光沢剤の量や内容を調整しその上に被着される金めっき層の光沢度が1.3を超える場合、すなわち、金めっき層の光沢度を1.3を超えるようにするためには半光沢めっきに使用する有機性高分子や硫黄の共析しにくい光沢剤を選択することができず、その結果、電解ニッケルめっき液に光沢剤として添加された有機性高分子成分や硫黄がニッケルめっき層の被着と同時に共析してニッケルめっき層と金めっき層との間の密着不良を引き起こしワイヤボンディングによる接合の強度劣化を引き起こす。従って、金めっき層の光沢度を0.8以上1.3以下とすることが重要である。
【実施例】
【００３０】
本発明のパッケージの実施例を以下に説明する。  
酸化アルミニウム質焼結体から成る基板３および枠体１を、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウムの原料粉末に、有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物をスプレイドライ法を用いて顆粒化し、この顆粒を所定形状のプレス金型によりプレス成形した後、約1500℃で焼成することによって作製した。基板３は縦56ｍｍ×横9.65ｍｍ×厚さ1.02ｍｍの直方体形状、枠体１は縦57ｍｍ×横9.65ｍｍ×厚さ0.9ｍｍの外形寸法とし、対向する一対の長辺の枠部（図１（ａ）では横方向の枠部）の幅が2.75ｍｍ、これと隣接する一対の短辺の枠部（図１（ａ）では縦方向の枠部）の幅が2.68ｍｍである四角枠状の物とした。
【００３１】
リード端子５を有するリードフレームは、厚み0.25ｍｍの42アロイの薄板を従来周知のスタンピング金型で打ち抜いた後に、曲げ金型でＬ字状に折り曲げ加工する連続金型を用いて加工した。このリードフレームに形成されたリード端子５の表面には電気めっきにより下層に厚み２〜３μｍのニッケルめっき層を形成し、このニッケルめっき層の光沢度を光沢剤の添加量等を変化させることで、このニッケルめっき層の上層に施された厚み0.07〜0.09μｍの金めっき層の表面の光沢度を0.6から1.4まで0.1ずつ段階的に変化させたものを各40パッケージ準備した。
【００３２】
熱硬化性樹脂２となる樹脂ペーストは、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂が3.3質量％，ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂が5.9質量％およびフェノールノボラック型液状樹脂が9.9質量％から成る主剤に球状の酸化珪素からなる充填材を72.1質量％，テトラヒドロメチル無水フタル酸を主とする硬化剤を7.9質量％，イミダゾール系硬化剤を0.5質量％、着色剤としてカーボン紛を0.4質量％添加し遠心攪拌機を用いて混合、混練して作製した。
【００３３】
この樹脂ペーストをスクリーン印刷法を用いて基板３の外周部全周に厚み0.03ｍｍで、長辺側は外周から内側へ幅2.25ｍｍ、短辺側は外周から内側へ幅4.03ｍｍに印刷塗布した後にリード端子５のリードフレームを所定の位置に載置した後、150℃の雰囲気のオーブン中で10分間、仮硬化させた。その後、樹脂ペーストをディスペンサー法を用いて基板３の上部に載置されたリード端子５の上部から先の仮硬化した樹脂ペーストに重なるように基板３の外周部に沿ってφ（直径）1.4ｍｍのノズルから環状に塗布し、その後に枠体１を塗布した樹脂ペーストの上に載置した。
【００３４】
しかる後、熱硬化性樹脂２を介して基板３，リード端子５，および枠体１が組み上げられた状態のものを150℃のオーブン中で90分加熱することで熱硬化性樹脂２を完全に硬化させて一体に接合させ、この得られたパッケージの試料について下記の各評価を行なった。
【００３５】
まず、得られたパッケージの試料を、500倍の電子顕微鏡を用いて観察し、リード端子５の金めっき層の表面の熱硬化性樹脂２の流動（ブリード）の有無、および基板３と枠体１との間の空隙が熱硬化性樹脂２で完全に充填されていることの確認を行なった。
【００３６】
また、これによって作製されたパッケージの任意の隣接リード端子５間において、リード端子５の撮像素子搭載面側の端部から0.5ｍｍの部位に直径30μｍのアルミワイヤを超音波ボンディング法により、パッケージ１個に対して４箇所×20個のパッケージ、計80本のボンディングワイヤを結線し、このうち10個のパッケージは、結線後に全40本のボンディングワイヤについてMIL STD 883E METHOOD2011.5の２点ボンドの引っ張り試験の方法に従いワイヤーのループの中心部を任意の鉤型構造の針金で引っかけ支持し接合部間を結ぶ直線に対して垂直上方側に引っ張りあげることでワイヤーが破断または接合部が剥離する状態を実体顕微鏡によって観察した。
【００３７】
また残る10個のパッケージは、雰囲気温度150度のオーブン中に1.5時間放置し、その後前述の10個のサンプルと同様に40本のボンディングワイヤに同様の引っ張り試験を行なった後に、ボンディングワイヤの接合部のめっきの剥離の有無を観察した。
【００３８】
金めっき層の表面の光沢度を変化させた各々の場合における熱硬化性樹脂２の流動（ブリード）の発生率およびボンディング接合部の強度比較を表１に示す。
【表１】
2005285965.tif 000003
【００３９】
表１に示すように、電子顕微鏡を用いた観察の結果、金めっき層の表面の光沢度が0.8以上のサンプルは、熱硬化性樹脂２の硬化の過程で樹脂ペーストがゲル化し粘度が低下してリード端子５の金めっき層の表面を流動（ブリード）することなく基板３と枠体１との間の空隙が熱硬化性樹脂２で完全に充填されていることが確認された。そして、このサンプルでは熱硬化性樹脂２の硬化が完了し基板３と枠体１とが隙間なく接合固定されたことを確認できた。
【００４０】
ボンディングワイヤの引っ張り試験においては、金めっき層の光沢度が1.4以上であるとボンディング接合部に剥がれが確認されボンディング接合部の強度劣化を引き起こすことが分かった。またその剥がれ部をオージェ分析で解析したところ硫黄および炭素が確認され、光沢剤の成分が共析していることが確認された。
【００４１】
なお、金めっき層の光沢度が1.3以下ではすべてアルミワイヤの破断のみでありボンディング接合部の剥がれの発生はないことが確認された。
【００４２】
また、金めっき層の光沢度が0.7以下ではワイヤボンディングのための領域に熱硬化性樹脂２が存在したためワイヤボンディングができなかった。
【００４３】
以上の結果により金めっき層の光沢度が0.8以上1.3以下であると、金めっき層の結晶粒の粒界に沿ってワイヤボンディングのための領域に至る熱硬化性樹脂２の流動（ブリード）がないとともに、光沢剤の成分が共析することによるボンディング接合部の強度劣化がない、ボンディング接合強度に優れるパッケージを形成することが可能なことが分かった。
【００４４】
なお、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等差し支えない。例えば、リード端子５は基板の上面の外周部の周囲のすべてに取着されていてもよいし、任意の１辺にのみ取着されていてもよい。また、基体１は四角平板状を例としたが、多角形状や円盤状等でも構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示し、（ａ）は電子部品収納用パッケージの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（c）は（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図２】従来の電子部品収納用パッケージの例を示し、（ａ）は電子部品収納用パッケージの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（c）は（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１：枠体
２：熱硬化性樹脂
３：基板
４：電子部品
５：リード端子
【図１】
2005285965.tif 000004
【図２】
2005285965.tif 000005