(57)【要約】【課題】磁界強度が均一にできかつ容易に製造できるボイスコイルを提供することを目的とするものである。【解決手段】絶縁性基板上に少なくとも２つの環状導電体１０〜１３を等間隔かつ同心となるように形成し、各環状導電体１０〜１３に環状導電体を切断するスリット２１〜２４を設け、隣接する環状導電体１０〜１３の間を接続する接続導電体１４〜１８を形成して同一方向の渦巻き状に構成したボイスコイルであり、渦巻き状の環状導電体１０〜１３を等間隔かつ同心となるように形成するため磁界強度が均一にできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に少なくとも２つの環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成し、前記各環状導電体に環状導電体を切断するスリットを設け、隣接する環状導電体間を接続する接続導電体を形成して同一方向の渦巻き状に構成したボイスコイル。
【請求項２】
隣接する環状導電体間を接続する接続導電体を環状方向に均等に分散するように形成した請求項１に記載のボイスコイル。
【請求項３】
絶縁性基板上に抵抗値確認用の導電体パターンを設けた請求項１に記載のボイスコイル。
【請求項４】
絶縁性基板上に少なくとも２つの等間隔かつ同心となる環状導電体とこの環状導電体間を接続する少なくとも２つの接続導電体とを同時に形成する工程と、前記環状導電体および接続導電体とに横断するスリットを設けて同一方向の渦巻き状に構成する工程とからなるボイスコイルの製造方法。
【請求項５】
絶縁性基板上に環状導電体の抵抗値確認用の導電体パターンを形成し、この導電体パターンの抵抗値の測定結果に基づき前記環状導電体および接続導電体とに横断するスリットを設けて同一方向の渦巻き状に構成する工程とからなる請求項４に記載のボイスコイルの製造方法。
【請求項６】
絶縁性基板上に導電体層を形成し、この導電体層をエッチングして環状導電体と接続導電体および導電体パターンとを形成する請求項４に記載のボイスコイルの製造方法。
【請求項７】
絶縁性基板上に導電体層を形成し、この導電体層上に前記環状導電体と接続導電体および導電体パターンとを除く領域に絶縁層を形成し、この絶縁層を除く領域にめっきにより金属からなる環状導電体と接続導電体および導電体パターンとを形成し、絶縁層およびこの絶縁層の下部の導体層を除去して形成する請求項４に記載のボイスコイルの製造方法。
【請求項８】
環状導電体と接続導電体または導電体パターンとを絶縁性基板上に前記環状導電体と接続導電体および導電体パターンの領域を除くマスクを用いてめっきにより形成する請求項４に記載のボイスコイルの製造方法。
【請求項９】
環状導電体と接続導電体の幅方向にスリットを設けて環状導電体の抵抗値を制御するようにした請求項４に記載のボイスコイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器等に用いられるボイスコイルとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のボイスコイルとしては、図８（ａ）、（ｂ）に示すものがある。
【０００３】
図８（ａ）は従来のボイスコイルの構成を示す斜視図、図８（ｂ）は従来のボイスコイルの構成を示す断面図である。図８（ａ）に示すように１は絶縁性基板、２はこの絶縁性基板１の両表面上に形成したコイルパターン、３は絶縁性基板１の両表面上に形成したコイルパターンを電気的に接続するスルーホール、４および５は絶縁性基板１の側面に設けた外部接続用の端子である。
【０００４】
図８（ｂ）に示すようにコイルパターン２およびスルーホール３の断面において、６はプリント配線技術により形成したオリジナルのコイルパターンあるいはスルーホールランド、７はこのオリジナルのコイルパターンあるいはスルーホールランド６の上に電気めっきにより形成しためっき層、このめっき層７によりオリジナルパターンを補強し、パターン全体として導体の厚さが大きくなるような構成となっている。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平７−１４２２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記従来の構成では、単に方法を開示しているに過ぎず具体的な寸法や条件の開示は一切無く、一般的にフォトエッチングによる場合にはエッチング液や圧力さらにエッチング時間などのばらつきによってコイルパターンの寸法がばらつくためボイスコイル全体の抵抗値もばらついてしまう。またこれらのボイスコイルの製造においてはコイルパターンが渦巻き状であり、ボイスコイルとして用いられる場合には磁石の磁界強度が周回に沿うように環状に均一となっており中心方向には比較的変化することが多いもので、渦巻き状では場所によって磁界強度が不均一になりボイスコイル間での位置ずれによって特性が異なるものであった。
【０００７】
本発明は磁界強度が均一にできかつ容易に製造できるボイスコイルを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【０００９】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁性基板上に少なくとも２つの環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成し、前記各環状導電体に環状導電体を切断するスリットを設け、隣接する環状導電体間を接続する接続導電体を形成して同一方向の渦巻き状に構成したボイスコイルであり、渦巻き状の環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成するため磁界強度が均一にできる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、隣接する環状導電体間を接続する接続導電体を環状方向に均等に分散するように形成した請求項１に記載のボイスコイルであり、渦巻き状の環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成しかつ環状導電体間を接続する導電体を全体に均等に分散させるためより磁界強度が均一にできる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、絶縁性基板上に抵抗値確認用の導電体パターンを設けた請求項１に記載のボイスコイルであり、渦巻き状の環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成するため磁界強度が均一にできると共に導体パターンにより抵抗値が精度良く推測できるため高精度の抵抗値を有するボイスコイルが実現できる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、絶縁性基板上に少なくとも２つの等間隔かつ同心となる環状導電体とこの環状導電体間を接続する少なくとも２つの接続導電体とを同時に形成する工程と、前記環状導電体および接続導電体とに横断するスリットを設けて同一方向の渦巻き状に構成する工程とからなるボイスコイルの製造方法であり、渦巻き状の環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成することにより容易に製造できる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、絶縁性基板上に環状導電体の抵抗値確認用の導電体パターンを形成し、この導電体パターンの抵抗値の測定結果に基づき前記環状導電体および接続導電体とに横断するスリットを設けて同一方向の渦巻き状に構成する工程とからなる請求項４に記載のボイスコイルの製造方法であり、導体パターンにより抵抗値が精度良く推測できるため高精度の抵抗値の調整ができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、絶縁性基板上に導電体層を形成し、この導電体層をエッチングして環状導電体と接続導電体および導電体パターンとを形成する請求項４に記載のボイスコイルの製造方法であり、導体パターンにより抵抗値が精度良く推測できるため高精度の抵抗値の調整ができる。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、絶縁性基板上に導電体層を形成し、この導電体層上に前記環状導電体と接続導電体および導電体パターンとを除く領域に絶縁層を形成し、この絶縁層を除く領域にめっきにより金属からなる環状導電体と接続導電体および導電体パターンとを形成し、絶縁層およびこの絶縁層の下部の導体層を除去して形成する請求項４に記載のボイスコイルの製造方法であり、導体パターンにより抵抗値が精度良く推測できるため高精度の抵抗値の調整ができる。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、環状導電体と接続導電体または導電体パターンとを絶縁性基板上に前記環状導電体と接続導電体および導電体パターンの領域を除くマスクを用いてめっきにより形成する請求項４に記載のボイスコイルの製造方法であり、導体パターンにより抵抗値が精度良く推測できるため高精度の抵抗値の調整ができる。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、環状導電体と接続導電体の幅方向にスリットを設けて環状導電体の抵抗値を制御するようにした請求項４に記載のボイスコイルの製造方法であり、導体パターンにより抵抗値が精度良く推測でき、スリットにより高精度の抵抗値の調整ができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように本発明は、絶縁性基板上に少なくとも２つの環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成し、前記各環状導電体に環状導電体を切断するスリットを設け、隣接する環状導電体間を接続する接続導電体を形成して同一方向の渦巻き状に構成したボイスコイルであり、渦巻き状の環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成するため磁界強度が均一にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるボイスコイルの構成を示す上面図である。
【００２１】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように１０〜１３は絶縁性基板２８の上に等間隔かつ同心に形成された環状導電体、１４〜１７は隣接する環状導電体１０〜１３の間を接続する接続導電体、１９，２０は外部に取出すための電極端子、２１〜２４は環状導電体１０〜１３の幅方向を切断するスリットである。
【００２２】
絶縁性基板２８の上に長方形に形成され同心かつ等間隔となるように設置された多重の環状導電体１０〜１３と、外部に取り出すための電極端子１９と環状導電体１０とを接続する接続導電体１４、隣接する環状導電体１０，１１を接続する接続導電体１５、隣接する環状導電体１１，１２を接続する接続導電体１６、隣接する環状導電体１２，１３を接続する接続導電体１７、外部に取り出すための電極端子２０と環状導電体１３とを接続する接続導電体１８が設けられている。なお絶縁性基板（図示せず）の一方の面と貫通するスルーホールによって反対面にめっきでの銅箔や導電ペーストの充填によって電気的に接続していてもよい。
【００２３】
次に図１（ｂ）に示すように例えば時計回りの渦巻き状のボイスコイルを構成する場合、接続導電体１４，１５の間の環状導電体１０を幅方向に切断するスリット２１、接続導電体１５，１６の間の環状導電体１１を幅方向に切断するスリット２２、接続導電体１６，１７の間の環状導電体１２を幅方向に切断するスリット２３、接続導電体１７，１８の間の環状導電体１３を幅方向に切断するスリット２４を設けてボイスコイルが形成される。しかも同心の同一回転方向となっているため通電によって発生する磁界がそれぞれの環状導電体１０〜１３で同一方向となりコイルとしての機能を有する。
【００２４】
以上の構成により同心かつ等間隔な環状導電体１０〜１３を形成することにより磁界強度が均一にできる。
【００２５】
なお本発明の実施の形態１では環状導電体１０〜１３を長方形としたが円形はもちろん楕円形やそれらの変形したものでも環状となっていれば同様の効果が得られる。
【００２６】
（実施の形態２）
図２（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態２におけるボイスコイルの構成を示す上面図である。
【００２７】
図２（ａ）に示すように絶縁性基板２８の上に長方形に形成され、同心かつ等間隔となるように設置された多重の環状導電体１０〜１３と、外部に取り出すための電極端子１９，２０と、多重の環状導電体１０〜１３の間を接続しかつ長方形の環状導電体１０〜１３の辺に分散する接続導電体１４〜１８とからなり、電極端子１９は接続導電体１４を介して環状導電体１０に、この環状導電体１０は接続導電体１５を介して環状導電体１１に、この環状導電体１１は接続導電体１６を介して環状導電体１２に、この環状導電体１２は接続導電体１７を介して環状導電体１３に、この環状導電体１３は接続導電体１８を介して外部に取り出すための電極端子２０に接続されている。
【００２８】
そして、図２（ｂ）に示すように、同一方向の渦巻き状のボイスコイルになるように環状導電体１０にこの環状導電体１０を幅方向に切断するスリット２１ａ，２１ｂ、環状導電体１１にこの環状導電体１１を幅方向に切断するスリット２２ａ，２２ｂ、環状導電体１２にこの環状導電体１２を幅方向に切断するスリット２３ａ，２３ｂ、環状導電体１３にこの環状導電体１３を幅方向に切断するスリット２４ａ，２４ｂを設けている。
【００２９】
以上の構成により同心かつ等間隔な環状導電体１０〜１３を形成し、接続導電体１４〜１８を環状方向に均一に分散させるためより磁界強度が均一にできる。
【００３０】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３について図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００３１】
実施の形態３については実施の形態１と異なる点について説明する。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３におけるボイスコイルの構成を示す上面図である。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、図１（ａ）と同様の環状導電体１０〜１３、外部に取り出すための電極端子１９，２０が設けられている。そして抵抗値確認用の導電体パターン２５とこの導電体パターン２５の両端に外部に接続するための電極端子２６，２７が設けられている。
【００３４】
そして環状導電体１０〜１３の抵抗値確認のための導電体パターン２５を電極端子２６，２７を用いて抵抗値を測定し、形成した環状導電体１０〜１３の抵抗値を予測計算することにより電気的に切断すべき場所を設定し、図３（ｂ）に示すように環状導電体１０〜１３の間を接続する接続導電体１４〜１８を形成し、同一の回転方向となった１本のボイスコイルを形成する。また切断しない環状導電体（図示せず）を形成してリング状の電流ループを設けることによりＱ値を変化させることができる。
【００３５】
以上の構成により抵抗値確認用の導電体パターン２５により環状導電体１０〜１３の抵抗値が高精度に予測できるためボイスコイルとして全体の導体抵抗値のばらつきが小さくできる。さらに導体抵抗値の目標値に対する絶対精度が向上できる。
【００３６】
（実施の形態４）
図４（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態４におけるボイスコイルの構成を示す上面図である。以下、実施の形態２と異なる点について説明する。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、長方形に形成された同心かつ等間隔に設けられた環状導電体１１〜１３、外部に接続するための電極端子１９，２０と環状導電体１１，１３とを接続する少なくとも２つの接続導電体１５ａ，１５ｂ，１８ａ，１８ｂおよび隣接する環状導電体１１〜１３の間を接続する少なくとも２つの接続導電体１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ、抵抗値確認用の導電体パターン２５とこの導電体パターン２５両端に設けた外部に接続するための電極端子２６，２７から構成される。
【００３８】
そして、図４（ｂ）に示すように環状導電体１１〜１３の抵抗値を確認するための導電体パターン２５と電極端子２６，２７により抵抗値を測定し、形成した環状導電体１１〜１３の抵抗値を計算することにより電気的に切断すべき場所にスリット２２〜２４を設けて切断し、同時に必要のない接続導電体も切断して同一の回転方向となった１本のボイスコイルが形成される。
【００３９】
以上の構成により抵抗値確認用の導電体パターン２５により環状導電体１１〜１３の抵抗値が高精度に予測できるためボイスコイルとして全体の導体抵抗値のばらつきが小さくでき、さらにボイスコイルとしての抵抗値の目標値に対する絶対精度が向上できる。
【００４０】
（実施の形態５）
図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態５におけるボイスコイルの製造工程を示す断面図である。
【００４１】
以下、本発明の実施の形態５におけるボイスコイルの製造方法について説明する。
【００４２】
図５（ａ）に示すように、２８はイミド系のポリイミドやエチレン系のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂フィルムやガラスエポキシなどからなる絶縁性基板、２９は接着やめっきによって形成した導電体層、３０はドライフィルムレジストパターンである。
【００４３】
例えばポリイミドフィルムからなる絶縁性基板２８の表面に厚さ０．１〜５０μｍ程度の導電体層２９を形成し、エッチングのマスクとなるドライフィルムレジスト３０による所定の環状導電体のパターンを形成する。このドライフィルムレジスト３０の所定の環状導電体のパターンはドライフィルムレジストを加熱しながらラミネートし、マスクを介して露光して現像する一般的な方法によって形成できる。ここでこのドライフィルムレジスト３０の環状導電体のパターンは実施の形態１〜３で説明した長方形の同心かつ等間隔に複数本設置された環状導電体と隣接する環状導電体間を接続する接続導電体と、さらに環状導電体の抵抗値確認用のために導電体パターンとが設けられている。
【００４４】
そして、図５（ｂ）に示すようにエッチング液によって露出した導電体層２９の一部を除去する。ここでエッチングに際しては厚さ方向のエッチングに対して横方向のエッチングすなわちサイドエッチが小さいエッチング液がドライフィルムレジスト３０の環状導電体のパターンに近い導電体幅が得られるので好ましく、このためにはエッチング液の比重が小さく粘度の小さい例えばアンモニア系のエッチング液が好ましい。
【００４５】
なお、このエッチング液の組成や温度、時間などのばらつきによって導電体幅がばらつき、ボイスコイルとしての目標抵抗値とならない場合がある。
【００４６】
次に、図５（ｃ）に示すように、ドライフィルムレジスト３０を水酸化ナトリウム溶液によって除去する。そして環状導電体の抵抗値確認用のために導電体パターンの抵抗値を測定する。そしてこの抵抗値から設計した環状導電体のパターンの抵抗値を計算して所望の抵抗値になるように、環状導電体と互いに隣接する環状導電体を接続する接続導電体との必要な場所をカッターによる機械的な方法やＹＡＧや炭酸ガスなどのレーザーや電子ビームなどの熱エネルギーによる方法を用いて導電体層２９を溶融や昇華させることによってスリットを設け切断する。この場合レーザーや電子ビームでは微細な加工が容易にできるため好ましい。
【００４７】
以上の製造方法により高精度に所定の抵抗値を有するボイスコイルを得ることができる。
【００４８】
（実施の形態６）
図６（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態６におけるボイスコイルの製造工程を示す断面図である。
【００４９】
以下、本発明のボイスコイルの製造方法について説明する。
【００５０】
図６（ａ）に示すように、２８はイミド系のポリイミドやエチレン系のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂フィルムやガラスエポキシなどからなる絶縁性基板、２９は接着やめっきによって形成した導電体層、３０はドライフィルムレジストパターン、３１はめっき層である。
【００５１】
例えばポリイミドフィルムからなる絶縁性基板２８の表面に接着やめっきにより厚さ５μｍ以下の薄い導電体層２９を形成し、この導電体層２９の上にめっき層３１のマスクとなるドライフィルムレジスト３０を形成する。このドライフィルムレジスト３０はめっき層３１の厚さの１．２倍以上が望ましい。これはめっき層３１の形成後の剥離や除去をし易くするためである。ここでドライフィルムレジスト３０のパターンは長方形に形成される同心かつ等間隔の環状導電体、隣接する環状導電体を接続する接続導電体、さらに環状導電体の抵抗値測定のために形成される抵抗値確認用の導電体パターンとを除く反転したパターンとなっている。
【００５２】
そして図６（ｂ）に示すように、薄い導電体層２９に給電し、電気めっきによりめっき層３１の環状導電体と、隣接する環状導電体間を接続する接続導電体と、さらに環状導電体の抵抗値確認用のための導電体パターンとを形成する。ここでめっき層３１の厚さが厚い場合、横方向にもめっき層３１が成長してドライフィルムレジスト３０を圧迫するためドライフィルムレジスト３０が剥離し難くなる。まためっきでも電気めっきの場合、給電のために薄い導電体層２９が必要ではあるが比較的厚さの制御が容易で成長速度が速いが環状導電体のパターンの広さや形状によって部分的に厚さが異なり均一にするにはかなり困難である。したがってボイスコイルとして所定の抵抗値を得ることができない。
【００５３】
次に、図６（ｃ）に示すように、ドライフィルムレジスト３０を水酸化ナトリウム溶液によって除去する。このドライフィルムレジスト３０の厚さがめっき層３１より１．２倍以上であれば、ドライフィルムレジスト３０の表面部分で両側の側面から作用するため順次反応が進行して剥離が容易となる。
【００５４】
また、アンモニア系や塩化鉄系や塩化銅系のエッチング液に比べてエッチング速度が適度に遅く５μｍ以下の薄い導電体層２９をエッチングするために適度なエッチング速度でしかも微細なパターンでもエッチングできるように粘度や比重が小さい硫酸とか酸化水素の混合水溶液のエッチング液でエッチングし、図６（ｄ）に示すようにドライフィルムレジスト３０の剥離によって露出した薄い導電体層２９をエッチングする。そして環状導電体の抵抗値確認用のための導電体パターンの抵抗値を高精度に測定ができる。そしてこの測定した抵抗値から環状導電体の抵抗値を計算して所定の抵抗値となるように環状導電体の必要な場所をカッターによる機械的な方法やＹＡＧや炭酸ガスなどのレーザーや電子ビームなどの熱エネルギーによる方法を用いて導電体層２９を溶融や昇華させることによって電気的にスリットを設けて切断する。この場合レーザーや電子ビームでは微細な加工が容易にできるため好ましい。
【００５５】
なお、この環状導電体の電極端子１９，２０の間の抵抗値をモニターしながら、環状導電体の一部分の切断や環状導電体の一部にスリットを設けることにより高精度に所望の抵抗値のボイスコイルを得ることができる。
【００５６】
（実施の形態７）
図７（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態７におけるボイスコイルの製造工程を示す断面図である。
【００５７】
以下、本発明のボイスコイルの製造方法について説明する。
【００５８】
図７（ａ）に示すように、２８はイミド系のポリイミドやエチレン系のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂フィルムやガラスエポキシなどからなる絶縁性基板、２９は接着やめっきによって形成した導電体層、３０はドライフィルムレジストパターン、３２は成長のための無電解めっきの核、３３は無電解めっき層である。
【００５９】
図７（ａ）に示すように、例えばポリイミドフィルムからなる絶縁性基板２８の表面に後の工程で無電解めっきの核３２となる例えばパラジウムを付着する。これは無電解めっきで一般的に知られているパラジウム処理でパラジウムは表面に層を形成するほどの量は必要無い。
【００６０】
次に図７（ｂ）に示すように、ドライフィルムレジスト３０による環状導電体などのパターンを形成する。ここでこのドライフィルムレジスト３０のパターンは実施の形態１〜３で説明した長方形の環状に形成された環状導電体が同心状に複数本設置された多重の環状導電体、さらに環状導電体の抵抗値測定のため抵抗値測定用の導電体パターンとが設けられるようにこれらのパターンと反転して設置される。
【００６１】
そして図７（ｃ）に示すように、無電解めっきにより多重の環状導電体と互いに隣接する環状導電体を接続する接続導電体と、さらに環状導電体の抵抗値測定のために抵抗値測定用の導電体パターンとの無電解銅めっき層３３を形成する。この無電解めっきではパラジウムを付着した領域すなわち無電解めっきの核３２にしか成長しないためドライフィルムレジスト３０でマスクされた領域には全く付着しない。無電解めっきでは電気めっきと比較してめっき領域の広さによって成長速度が均一であるため場所による厚さのばらつきが小さくドライフィルムレジスト３０のパターンと反転してめっき成長するもので寸法精度が良いためパターン形成がマスクの解像限界、すなわちドライフィルムレジスト３０の解像限界まで微細なパターン形成が可能である。しかし温度や時間によってめっき厚さが制御され、特に温度が成長速度に大きく影響するためこれによって全体の厚さがばらつき、その結果別の絶縁性基板間のばらつきが生じる。
【００６２】
次に、図７（ｄ）に示すように、ドライフィルムレジスト３０を水酸化ナトリウム溶液によって除去するとともにこれによって露出した絶縁性基板２８の表面に付着したパラジウムを選択的に溶解する希塩酸等に浸漬することによって除去する。そして実施の形態３で説明した環状導電体の抵抗値測定のために形成された抵抗値測定用の導電体パターンの抵抗値を高精度に測定ができる４探針等によって抵抗値を測定する。そしてこの抵抗値から設計した環状導電体のパターンの抵抗値を計算して所望の抵抗値に形成するように実施の形態３で説明したように無電解めっき層３３で形成された環状導電体と互いに隣接する環状導電体を接続する接続導電体との必要な場所にカッターによる機械的な方法やＹＡＧや炭酸ガスなどのレーザーや電子ビームなどの熱エネルギーによる方法で銅箔を溶融や昇華させることによって切断する。この場合レーザーや電子ビームでは微細な加工が容易にできるため好ましい。
【００６３】
なお、この場合環状導電体の一方の電極１９ともう一方の電極２０との間の抵抗値をモニターしながら環状導電体やこれらを接続する接続導電体を切断したり環状導電体の一部の幅を細くしたり厚さを薄くするなどをレーザーや電子ビームですることによってより高精度に所望の抵抗値の平面コイルを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明にかかるボイスコイルとその製造方法は、絶縁性基板上に少なくとも２つの環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成し、前記各環状導電体に環状導電体を切断するスリットを設け、隣接する環状導電体間を接続する接続導電体を形成して同一方向の渦巻き状に構成したボイスコイルであり、渦巻き状の環状導電体を等間隔かつ同心となるように形成するため磁界強度が均一にできる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）、（ｂ）本発明のボイスコイルを示す上面図
【図２】（ａ）、（ｂ）本発明の実施の形態２におけるボイスコイルを示す上面図
【図３】（ａ）、（ｂ）本発明の実施の形態３におけるボイスコイルを示す上面図
【図４】（ａ）、（ｂ）本発明の実施の形態４におけるボイスコイルを示す上面図
【図５】本発明の実施の形態５のボイスコイルの製造方法を説明するための断面図
【図６】本発明の実施の形態６のボイスコイルの製造方法を説明するための断面図
【図７】本発明の実施の形態７のボイスコイルの製造方法を説明するための断面図
【図８】（ａ）従来のボイスコイルの構成を示す斜視図、（ｂ）従来のボイスコイルの構成を示す断面図
【符号の説明】
【００６６】
１０  環状導電体
１１  環状導電体
１２  環状導電体
１３  環状導電体
１４  接続導電体
１５  接続導電体
１６  接続導電体
１６ａ  接続導電体
１６ｂ  接続導電体
１７  接続導電体
１７ａ  接続導電体
１７ｂ  接続導電体
１７ｃ  接続導電体
１８  接続導電体
１８ａ  接続導電体
１８ｂ  接続導電体
１９  電極端子
２０  電極端子
２１  スリット
２１ａ  スリット
２１ｂ  スリット
２２  スリット
２２ａ  スリット
２２ｂ  スリット
２３  スリット
２３ａ  スリット
２３ｂ  スリット
２４  スリット
２４ａ  スリット
２４ｂ  スリット
２５  導電体パターン
２６  電極端子
２７  電極端子
２８  絶縁性基板
２９  導電体層
３０  ドライフィルムレジスト
３１  電気めっき層
３２  無電解めっきの核
３３  無電解めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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