(57)【要約】【課題】内部ロジック電源電圧によらずバッテリを選定することが可能なデータバックアップ機能を備えた電子機器を提供する。【解決手段】本発明は電子機器内の回路動作電源となる内部ロジック電源２と、電子機器が電源ＯＮ時に充電され、電源ＯＦＦ直後から該データバックアップ用ＳＲＡＭ１に電源を供給するスーパーキャパシタンス５と、電子機器が電源ＯＮ時及びスーパーキャパシタンス５が十分充電されている間に電流を消費しないように、内部ロジック電源２の電圧及びスーパーキャパシタンス５の＋端子電圧より高い電圧のバックアップ用バッテリ６と、スーパーキャパシタンス５の電圧低下を検出する電圧監視ＩＣ８と、電圧監視ＩＣ８から出力されるスーパーキャパシタンス５の電圧低下検出信号により、バックアップ用バッテリ６からＳＲＡＭ１に電源を供給するバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路１４を有する。【選択図】    図１
2005010972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データバックアップを必要とし、電源ＯＦＦ時に電源保持されるデータバックアップ用ＳＲＡＭ（１）を有する電子機器であって、
該電子機器内の回路動作電源となる内部ロジック電源（２）と、
該電子機器が電源ＯＮ時に充電され、電源ＯＦＦ直後から該データバックアップ用ＳＲＡＭ（１）に電源を供給し、バッテリの消耗防止及びバッテリ交換時の該ＳＲＡＭのデータバックアップのために使用されるスーパーキャパシタンス（５）と、
該電子機器が電源ＯＮ時及び前記スーパーキャパシタンス（５）が十分充電されている間に電流を消費しないように、前記内部ロジック電源（２）の電圧及び前記スーパーキャパシタンス（５）の＋端子電圧より高い電圧のバックアップ用バッテリ（６）とから構成されるデータバックアップ機能を備えた電子機器において、
前記スーパーキャパシタンス（５）の電圧低下を検出する電圧監視ＩＣ（８）と、
前記電圧監視ＩＣ（８）から出力されるスーパーキャパシタンス（５）の電圧低下検出信号により、前記バックアップ用バッテリ（６）から前記ＳＲＡＭ（１）に電源を供給するためのバックアップ用バッテリ出力を制御するバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路（１４）とを有することを特徴とするデータバックアップ機能を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、データバックアップ機能を備えた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、データバックアップ機能を備えた電子機器は図２に示すようになっている（例えば、特許文献１および特許文献２を参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１５５７２０号公報（明細書３頁、第１図）
【特許文献２】
特開平９−１５２９１９号公報（明細書３頁、第１図）
【０００４】
図２は従来のデータバックアップ機能を備えた電子機器を示す回路図である。
図２において、１はデータバックアップ用ＳＲＡＭ、１ａは該ＳＲＡＭ１の電源端子である。データバックアップ用ＳＲＡＭ１は電源端子１ａに電源が供給されている間はデータを保持し続け、電源供給が停止されるとデータが消失する。２は内部ロジック電源で、電子機器内の回路動作電源である。５はスーパーキャパシタンスであり電子機器が電源ＯＮ時に充電され、電源ＯＦＦ直後からデータバックアップ用ＳＲＡＭ１に電源を供給し、バッテリの消耗防止及びバッテリ交換時のＳＲＡＭ１のデータバックアップのために使用される。６はバックアップ用バッテリであり、電子機器が電源ＯＮ時及びスーパーキャパシタンス５が十分充電されている間に電流を消費しないように、内部ロジック電源電圧及びスーパーキャパシタンスの＋端子電圧より低い電圧である必要がある。３、４、７はダイオードであり、ダイオード３はスーパーキャパシタンス５から内部ロジック電源への電流を防止するために使用される。ダイオード４及び７はスーパーキャパシタンス５とバックアップ用バッテリの電源短絡を防止するのに使用される。
【０００５】
次に、動作について説明する。
内部ロジック電源２の電圧をＶＣＣ、スーパーキャパシタンス５の＋端子の電圧をＶＣＡＰ、バックアップ用バッテリ６の電圧をＶＢＡＴとすると、内部ロジック電源２がＯＮの時はＶＣＣ≧ＶＣＡＰ＞ＶＢＡＴとなるため、内部ロジック電源２がダイオード３、４を経由してデータバックアップ用ＳＲＡＭ１の電源端子１ａに電源を供給する（図２のＡの経路）。この時スーパーキャパシタンス５は、ダイオード３を経由して内部ロジック電源２により充電される（図２のＢの経路）。内部ロジック電源２がＯＦＦした直後はＶＣＣ＝０、ＶＣＡＰ＞ＶＢＡＴであるため、スーパーキャパシタンス５がダイオード４を経由してデータバックアップ用ＳＲＡＭ１の電源端子１ａに電源を供給する（図２のＣの経路）。スーパーキャパシタンス５の出力電圧ＶＣＡＰが低下しＶＣＡＰ＜ＶＢＡＴとなると、ダイオード７を経由してデータバックアップ用ＳＲＡＭ１の電源端子１ａにバックアップ用バッテリ６から電源が供給される（図２のＤの経路）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、電子機器の内部ロジック電圧は低下傾向にある。従来技術では、ＶＣＣ＜ＶＢＡＴの場合バックアップ用バッテリ６からデータバックアップ用ＳＲＡＭ１に常に電源が供給されてしまうため、ＶＣＣ＞ＶＢＡＴとなるようバッテリを新たに選定する必要があり、従来のバッテリが使用できなくなるという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、ＶＣＣ＜ＶＢＡＴの場合においても、電源ＯＮ時は内部ロジック電源から、電源ＯＦＦ時はまずスーパーキャパシタンスからその後バッテリに切り替えてＳＲＡＭに電源が供給できると共に、内部ロジック電源電圧によらずバッテリを選定することが可能なデータバックアップ機能を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は、データバックアップを必要とし、電源ＯＦＦ時に電源保持されるデータバックアップ用ＳＲＡＭを有する電子機器であって、該電子機器内の回路動作電源となる内部ロジック電源と、該電子機器が電源ＯＮ時に充電され、電源ＯＦＦ直後から該データバックアップ用ＳＲＡＭに電源を供給し、バッテリの消耗防止及びバッテリ交換時の該ＳＲＡＭのデータバックアップのために使用されるスーパーキャパシタンスと、該電子機器が電源ＯＮ時及び前記スーパーキャパシタンスが十分充電されている間に電流を消費しないように、前記内部ロジック電源の電圧及び前記スーパーキャパシタンスの＋端子電圧より高い電圧のバックアップ用バッテリとから構成されるデータバックアップ機能を備えた電子機器において、前記スーパーキャパシタンスの電圧低下を検出する電圧監視ＩＣと、前記電圧監視ＩＣから出力されるスーパーキャパシタンスの電圧低下検出信号により、前記バックアップ用バッテリから前記ＳＲＡＭに電源を供給するためのバックアップ用バッテリ出力を制御するバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路とを有するものである。
上記手段により、本発明はバックアップ用バッテリ電圧ＶＢＡＴが内部ロジック電源電圧ＶＣＣよりも高い場合でも、電子機器の電源がＯＮの場合内部ロジック電源から、電子機器の電源がＯＦＦの場合まずスーパーキャパシタンスから、その後バックアップ用バッテリからＳＲＡＭの電源を供給することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
図１は本発明の実施例を示すデータバックアップ機能を備えた電子機器の回路図である。なお、本発明の構成要素が従来と同じものについては説明を省略し、異なる点のみ説明する。
図１において、８は電圧監視ＩＣ、９、１０、１１は電界効果トランジスタ（以降ＦＥＴと略す）、１２、１３はＦＥＴを動作させるためのバイアス用抵抗、１４はバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路である。
本発明の特徴は以下のとおりである。
すなわち、スーパーキャパシタンス５の電圧低下を検出する電圧監視ＩＣ８と、電圧監視ＩＣ８から出力されるスーパーキャパシタンス５の電圧低下検出信号により、バックアップ用バッテリ６から前記ＳＲＡＭ１に電源を供給するためのバックアップ用バッテリ出力を制御するバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路１４とを有した点である。
【０００９】
次に、動作について説明する。
内部ロジック電源２の電圧をＶＣＣ、スーパーキャパシタンス５の＋端子の電圧をＶＣＡＰ、バックアップ用バッテリ６の電圧をＶＢＡＴ、電圧監視ＩＣ８の電圧低下検出電圧をＶＴＨとすると、図１において、内部ロジック電源２がＯＮの時、ＶＣＡＰ＞ＶＴＨとなり、電圧監視ＩＣ８はＨＩＧＨを出力する。この電圧監視ＩＣ８の出力がＨＩＧＨの場合バッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路１４のＦＥＴ１１がＯＦＦとなり、バックアップ用バッテリ６が遮断されることから図１のＡの経路で内部ロジック電源がＳＲＡＭ１に供給される。
内部ロジック電源をＯＦＦした直後はＶＣＣ＝０、ＶＣＡＰ＞ＶＴＨであり電圧監視ＩＣ８の出力がＨＩＧＨのままであることからＦＥＴ１１はＯＦＦのままであり図１のＣの経路でスーパーキャパシンタンス５の電源がＳＲＡＭ１に供給される。スーパーキャパシタンス５が放電し、ＶＣＣ＝０、ＶＣＡＰ＜ＶＴＨとなると電圧監視ＩＣ８はＬＯＷを出力する。この電圧監視ＩＣ８の出力がＬＯＷの場合ＦＥＴ１１がＯＮとなり、バックアップ用バッテリ６が図１のＤの経路でＳＲＡＭ１に供給される。さらにスーパーキャパシタンス５が放電し電圧監視ＩＣ８の出力がハイインピーダンスになった場合も同様な動作となる。
【００１０】
したがって、本発明に係るデータバックアップ機能を備えた電子機器は、スーパーキャパシタンス５の電圧低下を検出する電圧監視ＩＣ８と、電圧監視ＩＣ８から出力されるスーパーキャパシタンス５の電圧低下検出信号により、バックアップ用バッテリ６から前記ＳＲＡＭ１に電源を供給するためのバックアップ用バッテリ出力を制御するバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路１４とを備えたので、バックアップ用バッテリ電圧ＶＢＡＴが内部ロジック電源電圧ＶＣＣよりも高い場合でも、電子機器の電源がＯＮの場合内部ロジック電源から、電子機器の電源がＯＦＦの場合まずスーパーキャパシタンスから、その後バックアップ用バッテリ６からＳＲＡＭ１の電源を供給することができ、内部ロジック電源電圧によらずバッテリを選定することができる。
【００１１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のデータバックアップ機能を備えた電子機器によれば、スーパーキャパシタンスの電圧低下を検出する電圧監視ＩＣと、該電圧監視ＩＣから出力されるスーパーキャパシタンスの電圧低下検出信号により、バックアップ用バッテリからＳＲＡＭに電源を供給するためのバックアップ用バッテリ出力を制御するバッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路とを備えるので、バックアップ用バッテリ電圧ＶＢＡＴが内部ロジック電源電圧ＶＣＣよりも高い場合でも、電子機器の電源がＯＮの場合内部ロジック電源から、電子機器の電源がＯＦＦの場合まずスーパーキャパシタンスから、その後バックアップ用バッテリからＳＲＡＭの電源を供給することができ、内部ロジック電源電圧によらずバッテリを選定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すデータバックアップ機能を備えた電子機器の回路図
【図２】従来のデータバックアップ機能を備えた電子機器の回路図
【符号の説明】
１  データバックアップ用ＳＲＡＭ
１ａ  ＳＲＡＭ電源端子
２  内部ロジック電源（ＶＣＣ）
３  ダイオード
４  ダイオード
５  スーパーキャパシタンス
６  バックアップ用バッテリ（ＶＢＡＴ）
７  ダイオード
８  電圧監視ＩＣ
９  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
１０  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
１１  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
１２  抵抗
１３  抵抗
１４  バッテリ電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路
Ａ  内部ロジック電源からＳＲＡＭへの電源供給経路
Ｂ  内部ロジック電源からスーパーキャパシタンスへの電源供給経路
Ｃ  スーパーキャパシタンスからＳＲＡＭへの電源供給経路
Ｄ  バックアップバッテリからＳＲＡＭへの電源供給経路路
【図１】
2005010972.tif 000003
【図２】
2005010972.tif 000004