(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエーハの変形を最小にする半導体ウエーハのグリップフィンガを提供する。【解決手段】ウエーハ１０４を所定の位置に保持する為の複数のウエーハグリップフィンガ１０２を含む。各フィンガ１０２はウエーハ１０４のエッジと接触する溝１０１を含む。溝１０１とウエーハエッジは各々曲率半径ｒｅ、ｒｆを有し、溝の曲率半径ｒｆはウエーハエッジの曲率半径ｒｅよりも大きい。各フィンガ１０２は、その一端の中央位置に形成される窪みを備え、固体部材、及び、溝１０１が形成され窪み内に配置されるＰＥＥＫのような適合性材料を含む。適合性材料は、溝１０１の中央位置では第一の距離だけ固体部材から突出し、中央位置の両側ではより短い第二の距離だけ固体部材から突出する。中央領域の両側の溝領域は中央溝領域より強固であるから、フィンガ１０２はウエーハ１０４の変形を軽減する一方、高精度でウエーハ１０４を保持する事が出来る。【選択図】図６ｂ
2005051213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハを所定の位置に保持するように構成された複数のウエーハグリップフィンガを備え、該ウエーハはエッジを有し、各々のウエーハグリップフィンガは固体部材と該固体部材の一端に渡って配置された適合性部分を含み、該適合性部分は溝が形成され、該溝は中央区域及び相対向する両端に各々末端区域を有し、該溝の該中央区域は該ウエーハのエッジと接触するように構成され、
前記各々のウエーハグリップフィンガの該適合性部分は該溝の中央区域において第一の予め決められた厚さを有し、そして該溝の末端区域では第二の予め決められた厚さを有し、該第一の予め決められた厚さは第二の予め決められた厚さよりも大きい、
半導体ウエーハ取り扱い装置。
【請求項２】
前記溝が予め決められた曲率半径を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ウエーハエッジは予め決められた曲率半径を有し、前記溝の曲率半径が該ウエーハエッジの曲率半径よりも大きい、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記溝の中央区域が、中央化された一小領域で前記ウエーハと接触するように構成された、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記各々のウエーハグリップフィンガの固体部材が金属製である、
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記各々のウエーハグリップフィンガの適合性部分がポリエチルエテルケトン(PEEK)でできている、
請求項１に記載の装置。
【請求項７】
複数のウエーハグリップフィンガによって前記半導体ウエーハを所定の位置に保持し、前記ウエーハがエッジを有し、各々のウエーハグリップフィンガが固体部材と該固体部材の一端に渡って配置された適合性部分を含み、該適合性部分がその上に形成された溝を有し、該溝が中央区域及び該溝の相対向する両端において各々末端区域を有する、ステップを有し、
そこにおいて該溝の中央区域が該ウエーハのエッジと接触し、そして
そこにおいて各々のウエーハグリップフィンガの該適合性部分が該溝の該中央区域において第一の予め決められた厚さを有し、そして該溝の末端区域では第二の予め決められた厚さを有し、該第一の予め決められた厚さが第二の予め決められた厚さよりも大きい、
半導体ウエーハを取り扱う方法。
【請求項８】
前記溝が所定の曲率半径を有する、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ウエーハエッジが所定の曲率半径を有し、前記溝の曲率半径が該ウエーハエッジの曲率半径よりも大きい、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記溝の中央区域の中央化された一小領域で前記ウエーハと接触するステップを更に含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記各々のウエーハグリップフィンガの固体部材が金属製である、
請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記各々のウエーハグリップフィンガの適合性部分がポリエチルエテルケトン(PEEK)でできている、
請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
＜関連出願について＞
この出願は２０００年１１月６日出願のウエーハグリップフィンガと称する米国出願09/674,814の一部継続出願である。この出願は２００３年６月２７日出願の歪を最小にするウエーハグリップフィンガと称する米国仮出願60/483,426の優先権を主張する。
＜連邦政府の後援による研究開発に関する宣明＞
なし
【背景技術】
【０００２】
＜発明の背景＞
本発明は一般的に半導体ウエーハの形状を計測する装置と方法に関し、特に、精度を向上させた半導体ウエーハの形状計測装置と方法に関する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置の製造では、ウエーハが所定の基準又は標準に適合しているかを判定する為に、典型的に半導体ウエーハの形状を計測する。そのような標準は、平坦さ、バウ（bow）、ワープ（warp）などのような様々なウエーハ形状パラメータに関係する。半導体ウエーハが所定のウエーハ形状標準に適合しないと判定された場合は、そのウエーハは使用不可能とみなされる可能性があり、従って廃棄される。
【０００４】
例えば半導体の製造中にウエーハをテスト及び、又は計測する際、半導体ウエーハはウエーハ取り扱い装置によって水平又は垂直位置に保持されるかも知れない。そのようなウエーハは多くの場合水平位置に保持されることによって、重力によるウエーハの弛みを軽減するとともに、外気中の分子が漂着する可能性がある水平表面を最小にすることによってウエーハ汚染を軽減する。しかし、もし半導体ウエーハが過剰にそっていたりゆがんでいたら、ウエーハテストや計測で求めた結果は精確ではないかも知れない。それに加えて、半導体ウエーハのそのような過剰なバウやワープは、それ以前にそのウエーハ表面に定着させてあるかも知れない薄膜層に望ましくないストレスを引き起こすかも知れない。
【０００５】
半導体ウエーハに過剰なバウやワープの可能性があるばかりでなく、ウエーハ取り扱い装置自体がそのウエーハのバウやワープを悪化させるかも知れない。例えば、従来のウエーハ取り扱い装置は典型的に、ウエーハのエッジ（edge）を保持するように構成されたＶ形状の溝を有するウエーハグリップフィンガを含む。ウエーハグリップフィンガの溝は典型的に、半導体業界で様々なアプリケーションに使われている非汚染材料のポリエチルエテルケトン（polyetheretherketone (PEEK)）で作られている。Ｖ形状の溝はウエーハを過剰に束縛し、溝・ウエーハ接点表面に不確定な負荷を与えるかも知れないため、ウエーハグリップフィンガの溝はウエーハの形状を歪めるかも知れない。例えば、Ｖ形状の溝で半導体ウエーハを垂直位置に保持するとトルクが生じてウエーハを捻じ曲げるかも知れなく、そうなるとウエーハ形状計測の誤差が増す。更に、そのような負荷によって誘発された計測誤差は、計測されるウエーハの元来の形状の関数（function）であることがよくある。このような理由から、計測するウエーハ形状パラメータから負荷によって誘発される誤差を分離する事は、不可能ではないにしても困難である。
【０００６】
従って、ウエーハ形状中のいかなる歪も最小にするとともに半導体ウエーハを精確に配置及び保持する装置と方法をウエーハのテスト又は計測ステーション内に有することが望ましい。そのような装置は、ウエーハ形状パラメータの範囲に渡って計測装置の領域内にウエーハが納まるように、ウエーハをウエーハテスト・計測ステーション内に配置するであろう。また、ウエーハの歪を最小にするばかりでなく、確実なウエーハグリップ力も起こすことが出来るようにウエーハをウエーハテスト・計測ステーション内に保持する装置と方法を有することも望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
＜発明の簡単なまとめ＞
本発明に従って、計測するウエーハの歪を最小にする半導体ウエーハ形状計測装置及び方法を開示する。一実施例では、該装置は、ウエーハのテストや計測時に半導体ウエーハを所定の位置に保持するように構成された、複数のウエーハグリップフィンガを含む。各々のウエーハグリップフィンガは、ウエーハのエッジと接触するように構成された溝を含む。溝とウエーハエッジは各々曲率半径を有し、該ウエーハグリップフィンガが該溝の一点か、一小領域（patch）か、一区域だけと接触することを確実にするために、該溝の曲率半径をウエーハエッジのものより大きくする。好適な実施例では、該接触点、小領域又は区域は、該溝の中央領域に位置する。更に、個々のウエーハグリップフィンガはその一端の中央位置に、実質的に蹄鉄形状の窪み（recess）を有するステンレススチール製のブランク（blank）を含むことが好ましい。個々のウエーハグリップフィンガは更に、該スチール製ブランクの端の全長から突出する該窪みに配置された、適合性（compliant）非汚染材料を含む。好適な実施例では、適合性非汚染材料はポリエチルエテルケトン（polyetheretherketone (PEEK)）である。該溝は、該スチール製ブランクから突出するPEEKの部分内に形成される。該PEEKは該スチール製ブランクの端の全長に沿って配置され、該中央に位置する窪みを満たしているので、該PEEKは、先ず中央位置で該スチール製ブランクから第一の所定距離だけ突出し、次に該窪みの両側で該スチール製ブランクから第二の所定距離だけ突出する。ここで、該第一の所定距離は第二の所定距離よりも大きい。
【０００８】
その結果、ウエーハエッジに接触する該溝の中央領域はその中央領域の各サイドの溝部分よりも適合的であり、それによって該ウエーハエッジに接触する時に半導体ウエーハの歪を軽減する。更に、該中央領域の両側の溝部分は該溝の中央領域よりも固いため、該複数のウエーハグリップフィンガは高精度で半導体ウエーハを保持することができる。
本発明のその他の特徴や機能や局面は、以下に述べる本発明の詳細な説明から明瞭である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜発明の詳細な説明＞
２０００年１１月６日出願09/674,814（ウエーハグリップフィンガ）を引用を以ってここに組み込む。２００３年６月２７日出願60/483,426（歪を最小にするグリップフィンガ）を引用を以ってここに組み込む。
【００１０】
計測するウエーハの歪を最小にする半導体形状の計測装置と方法を開示する。ここに開示する装置と方法は、被験半導体ウエーハを保持する為に複数のウエーハグリップフィンガを採用し、その各々のウエーハグリップフィンガは中央部分の一点、一小領域（patch）、又は一区域で該ウエーハの一端と接触する一つの溝を有する。該溝はその中央区域ではより適合的であるがその中央区域の両側の末端区域ではより固いので、該複数のウエーハグリップフィンガは歪を軽減しながらも精度を増してウエーハを保持する事が出来る。
【００１１】
図１は、典型的にシリコンなどの半導体材料からなるウエーハ１２を描写する。ウエーハ１２は三つのウエーハグリップフィンガ１４、１６、１８によって支持される。従来技術のウエーハグリップフィンガ１４、１６、１８を図２ａ−２ｃに示す。図２ａ−２ｃに示すように、該フィンガはその一端の区域２２に、ウエーハ１２を保持する為の溝２４を有する本体２０を有する。図２ｂに示すように、溝２４は、物理的に分離されている二点２６と２８でウエーハ１２と接触する。三つの該フィンガを用いる事によって六つの接触点が該ウエーハを保持する事になるが、それらのどれか一点で力、トルク、又はストレスを精確に制御できないほどの過剰なウエーハ束縛が起こる場合がある。また、該力はウエーハ平面を逸脱する方向に起こる事もある。その結果、ウエーハは寸法計測誤差を引き起こす可能性のある変形力とトルクを経験するかも知れない。
【００１２】
図３ａ−３ｃは、曲率半径がウエーハのエッジのものより大きい湾曲形状の溝３４を有する、ウエーハグリップフィンガ３２を描写する。該ウエーハは中央の一点のみで接触する。その接点は有限の大きさの小領域か区域でよい。一点又は一区域に限定された接触はウエーハへの変形力を最小にし、計測の精度を向上する。
【００１３】
例えば、ウエーハグリップフィンガ３２は、摩擦によって誘発される力、特にウエーハの平面から逸脱する力を緩和する為に、テフロン（Teflon）やその他適当な低摩擦特性の材料でコーティングされた溝を有しても良い。フィンガ自体もそのような材料にしても良い。
【００１４】
図４はウエーハの接触小領域（patch）３６と溝３４を更に詳細に描写する。図４に示すように、ウエーハに掛かる力は全てウエーハの平面内に納まるため、ウエーハを変形するような力は殆んど発生しないか、ゼロに等しい。図２ａ−２ｃに示したようなＶ形状の溝を用いると、接点の応力はウエーハの平面を逸脱し、ウエーハを変形させる力の原因になる。
【００１５】
図５は該溝の曲率半径に相対する剪断変形と平面内力の影響を示すグラフであり、ウエーハ端の曲率半径（即ち、re）からその二倍以上の範囲にわたって示されている。図５に示すように、溝の曲率半径を拡大すると該剪断変形力は実質的に減少する。
【００１６】
図６ａは、本発明による、半導体ウエーハ１０４を保持する為の装置１００のもう一つの実施例を示す。そこに図解した実施例では、ウエーハ保持装置１００は、シリコンウエーハなどのウエーハ１０４を水平位置から垂直位置の範囲で選定された位置に保持するように操作できる、複数のウエーハグリップフィンガ１０２を含む。図６ａに示すように、ウエーハ保持装置１００は、三つのウエーハグリップフィンガ１０２を用いてウエーハ１０４を実質的に垂直の位置に保持する。ウエーハ保持装置１００はウエーハ運搬ハンドル（handle）の一部であっても良いし、ウエーハ１０４をウエーハテスト・計測ステーションに保持する支持固定物であっても良いし、その他半導体ウエーハを取り扱うのに適切な装置又はシステムならば何でも良い。例えば、ウエーハ保持装置１００は米国マサチューセッツ州ウェストウッド市のエーディーイー社（ADE Corporation）が製造する適当な寸法計測機の一部であっても良い。
【００１７】
図６ｂは図６ａの複数のウエーハグリップフィンガ１０２の一つの側面図である。図６ｂに示すように、ウエーハグリップフィンガ１０２は、所定の曲率半径がrfの、実質的に円形の断面を有する溝１０１を含む。更に、半導体ウエーハ１０４のエッジは所定の曲率半径reを有する。好適な実施例では、溝１０１の曲率半径rfはウエーハ１０４のエッジの曲率半径reよりも大きい。その結果ウエーハグリップフィンガ１０２は、実質的に溝１０１の一点か、一小領域か、一区域１０３だけでウエーハエッジと接触し、装填時にウエーハ１０４上に掛かるねじれやトルクの量の軽減を誘発する。
【００１８】
好適な実施例では、各々のウエーハグリップフィンガ１０２は実質的に溝１０１の中央領域で半導体ウエーハ１０４のエッジに接触し、それによって、複数のウエーハグリップフィンガ１０２がウエーハ１０４に与える全ての力がウエーハ１０４の平面内に収まることが保証される。ウエーハ１０４の平面内に納まったそのような応力は本質的にウエーハ１０４を変形できない。その結果、一つ又はそれ以上の従来の計測プローブ１１０（例えば、図６ｂのプローブ１と２を参照）を採用して装填時に誘発される計測エラーを軽減しながら、平坦さや、バウや、ワープなどのウエーハ形状パラメータを計測する事が出来る。
【００１９】
図７はウエーハグリップフィンガ１０２の一つの詳細図である（図６ａも参照）。そこに図解した実施例では、ウエーハグリップフィンガ１０２は、固体部材１０２ａと、内部に湾曲した溝１０１が形成された該固体部材１０２ａ上に配置された適合性非汚染材料２０２を含む。例えば、固体部材１０２ａはステンレススチール又はその他の適切な材料で作られた金属ブランクにで良い。更に、該適合性非汚染材料２０２はポリエチルエテルケトン(PEEK)又はその他の適切な材料で良い。そして更に、注入モールド（molding）処理又はその他適切な製造処理によってPEEK材料２０２を金属ブランク１０２ａ上に配置し、PEEK材料２０２内に溝１０１を形成しても良い。好適実施例では注入モールド処理を採用して、ウエーハ保持装置１００内に含まれる全てのウエーハグリップフィンガ１０２が実質的に同一であることを確実にする。図７に示すように、PEEK２０２は、溝１０１の中央位置では第一に所定した距離２０６だけ、そして溝１０１の相対向する両端では第二に所定した距離２０８だけ、金属ブランク１０２ａの端から突出する。ここで、距離２０６は距離２０８よりも大きい。
【００２０】
従って、所定の距離２０６で示すようにPEEK材料２０２の中央位置では厚さが増している為、溝１０１の中央領域は溝１０１の相対向する末端部分よりも適合的である。更に、所定の距離２０８で示すようにPEEK材料２０２は末端位置では厚さが小さい為、溝１０１の末端部分は溝１０１の中央領域よりも強固である。
【００２１】
各々のウエーハグリップフィンガ１０２は溝１０１のより適合的な中央領域で半導体ウエーハ１０４のエッジと接触する為（図６ａ参照）、ウエーハの変形と消耗は軽減される。それに加えて、溝１０１はその中央領域の両側、特に溝の末端部分でより強固な為、複数のウエーハグリップフィンガ１０２はウエーハを高精度で保持し配置する事が出来る。溝１０１の末端区域のPEEK材料２０２の厚みを減らすとウエーハグリップフィンガ１０２の構造強度が増すことは注意に値する。
【００２２】
図８は、半導体ウエーハ１０４をテスト又の計測の為に保持している時のウエーハグリップフィンガ１０２内の応力集中のシミュレーションを示す（図６ａも参照）。例えば、ウエーハグリップフィンガ内のそのような応力集中のシミュレーションは、アンシス（ANSYSTM）有限エレメント分析ソフトウェア又はその他適切なソフトウェア分析ツール（tool）を用いて求める事ができる。図８に描写した複数の区域の応力集中シミュレーションはウエーハグリップフィンガによるウエーハへの装填応力約３.５kgに対応し、参照番号３０２で示すように、適合的中央領域における約２５nmの偏向の原因になる。応力集中は溝の中央領域３０２で最高であり、参照番号３０４で示すように、溝の中央領域３０２から末端部分に向かって徐々に減少する。
【００２３】
図１０はウエーハグリップフィンガ１０２内に含まれるステンレススチールブランク１０２ａの詳細図である（図６ａも参照）。そこに図解した実施例では、スチールブランク１０２ａは、スチールブランク１０２ａの相対向面に形成された実質的に蹄鉄形状の窪み５０４を含む。図１０に示すように、複数の穴５０２はスチールブランク１０２ａを通して窪み部分５０４内に形成される。その結果、PEEK材料２０２をスチールブランク１０２ａの窪み５０４に配置すると、PEEK材料２０２は複数の穴５０２を流れ抜けスチールブランク１０２ａと結合する。こうすると、実質的に閉じたフレーム（frame）のPEEK材料が、より良い構造的付着力でスチールブランク１０２ａに形成される。スチールブランク１０２ａは更に、ウエーハグリップフィンガ１０２がウエーハと接触する溝１０１の中央領域の付近に、PEEK材料２０２の蓄積を可能にする空洞２０６ａを含む（図７参照）。例えば、ウエーハグリップフィンガがウエーハに与える所定の応力に基づいてPEEK材料２０２の所定の厚さ２０６（図７参照）を達成するために、空洞２０６ａの適切な寸法を判定することが出来る。好適実施例では、スチールブランク１０２ａ内に形成された窪み５０４と空洞２０６ａは、PEEK材料２０２内（図７参照）の応力集中の強度を減らす作用をする複数の円形の角５０６を有し（図１０参照）、それによってウエーハグリップフィンガの早計な仕損じを防止する。図９と１１は、テストや計測の為に半導体ウエーハを保持する時のウエーハグリップフィンガ１０２内の応力集中のシミュレーションの解図である。図８に参照して上に述べたように、そのようなウエーハグリップフィンガ内の応力集中のシミュレーションは、アンシス（ANSYSTM）有限エレメント分析ソフトウェア又はその他の適切なソフトウェア分析ツールを用いて求められる。図９の黒いシェード（shading）で示すように、PEEK材料２０２内の応力集中の強度は、窪み５０４の丸まった角に隣接した領域（参照番号４０２と４０４参照）と空洞２０６ａの丸まった角に近接した領域（参照番号４０６参照）で減衰している。
【００２４】
PEEK材料２０２の好適厚さ２０６と２０８は（図７参照）、ウエーハグリップフィンガ１０２が半導体ウエーハに与える所定の応力に基づいて判定できる（図６ａ参照）。例えば、PEEK材料２０２の好適な厚さ２０８は大体０.８mmと判定して良い。図１１はウエーハを保持している時のウエーハグリップフィンガ１０２内の応力集中のシミュレーションを示し、この時PEEK材料の厚さ２０８は模範厚さ０.８mmの約半分、即ち、約０.４mmである。図１１に描出した複数の応力集中のシミュレーションの区域は、ウエーハグリップフィンガ１０２がウエーハに与える約２kgの負荷力に対応する。
【００２５】
該応力集中は溝の中央領域６０２で最高であり、そして参照番号６０４で示すように、溝の末端部分で減少している。更にこの図解例では、参照番号６０６で示すように、最適でないPEEK厚さ２０８によるスチールブランク１０２ａ（図１０参照）の兆候（indications）が観察される。例えば、該溝の中央区域６０２内のPEEK材料はスチールブランク部分６０６を横切って変形し、望ましくないウエーハの変形及び／又は汚染の原因になるかも知れない。しかし、もしPEEK材料厚さ２０８が模範好適厚さ０.８mmの約二倍、即ち約１.６mm、であったならば、ウエーハの変形や汚染や消耗が軽減されたとしても、ウエーハはウエーハグリップフィンガに保持されている時不安定になる。従って、ウエーハグリップフィンガ１０２に採用されるPEEK材料の厚さは、少なくとも部分的に、ウエーハの装填条件と寸法計測機の必要条件に基づいて最適化して良い。
【００２６】
本開示のウエーハグリップフィンガ１０２（図６ａ参照）は、計測しようとする半導体ウエーハを低変形及び高装填精度で精確に保持しようとする時に採用できる。個々のウエーハグリップフィンガとウエーハエッジとの間の接触領域の減少と、フィンガの溝の形成に用いる材料の選択により、ウエーハ汚染は最小になる。更に、該フィンガの溝の曲率半径はウエーハエッジのものより大きい為、ウエーハのねじれや変形は軽減される。好適にはモールド（molded）製のPEEK材料でできた該ウエーハグリップフィンガの湾曲した溝は、ウエーハグリップフィンガの製造性、信頼性、及び装填精度を向上させる。
【００２７】
普通の技術能力を有する者ならば、上に説明した変形を最小にするウエーハグリップフィンガの変更や変化は、ここに開示した発明概念から逸脱する事なくできる。従って、添付するクレームの範囲と趣旨による以外は、本発明が限定されると見るべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
本発明は下記詳細な説明を図面と関連付ける中で充分に理解される。それらの図面は：
【図１】複数のウエーハグリップフィンガに保持された半導体ウエーハの斜視図；
【図２ａ】従来技術のウエーハグリップフィンガの図
【図２ｂ】従来技術のウエーハグリップフィンガの図
【図２ｃ】従来技術のウエーハグリップフィンガの図
【図３ａ】図１の半導体ウエーハのエッジと接触する為の、湾曲した溝を有するウエーハグリップフィンガの図
【図３ｂ】図１の半導体ウエーハのエッジと接触する為の、湾曲した溝を有するウエーハグリップフィンガの図
【図３ｃ】図１の半導体ウエーハのエッジと接触する為の、湾曲した溝を有するウエーハグリップフィンガの図
【図４】本発明によるウエーハグリップフィンガのデザインをする場合の考慮の説明図
【図５】本発明によるウエーハグリップフィンガのデザインをする場合の考慮の説明図
【図６ａ】本発明による、半導体ウエーハを保持するための装置の斜視図;
【図６ｂ】図６ａの装置に含まれる、半導体ウエーハをテスト又は計測する時に保持する為に用いられるウエーハグリップフィンガの側面図;
【図７】図６ｂのウエーハグリップフィンガの斜視図;
【図８】半導体ウエーハをテスト又は計測する為に保持する時の、図６ｂのウエーハグリップフィンガ内の応力集中をシミュレートした描画図
【図９】半導体ウエーハをテスト又は計測する為に保持する時の、図６ｂのウエーハグリップフィンガ内の応力集中をシミュレートした描画図
【図１０】図６ｂのウエーハグリップフィンガ内に含まれるステンレススチールブランクの斜視図
【図１１】PEEK材料の代表的厚さがウエーハグリップフィンガに採用される時の、図６ｂのウエーハグリップフィンガ内の応力集中をシミュレートした描画図。
【図１】
2005051213.tif 000003
【図２ａ】
2005051213.tif 000004
【図２ｂ】
2005051213.tif 000005
【図２ｃ】
2005051213.tif 000006
【図３ａ】
2005051213.tif 000007
【図３ｂ】
2005051213.tif 000008
【図３ｃ】
2005051213.tif 000009
【図４】
2005051213.tif 000010
【図５】
2005051213.tif 000011
【図６ａ】
2005051213.tif 000012
【図６ｂ】
2005051213.tif 000013
【図７】
2005051213.tif 000014
【図８】
2005051213.tif 000015
【図９】
2005051213.tif 000016
【図１０】
2005051213.tif 000017
【図１１】
2005051213.tif 000018
【外国語明細書】
2005051213.tif 000019
2005051213.tif 000020
2005051213.tif 000021
2005051213.tif 000022
2005051213.tif 000023
2005051213.tif 000024
2005051213.tif 000025
2005051213.tif 000026
2005051213.tif 000027
2005051213.tif 000028
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2005051213.tif 000032
2005051213.tif 000033
2005051213.tif 000034
2005051213.tif 000035
2005051213.tif 000036
【図１】
2005051213.tif 000037
【図２ａ】
2005051213.tif 000038
【図２ｂ】
2005051213.tif 000039
【図２ｃ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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