(57)【要約】【課題】  厚さ、組成および不純物濃度等の均一な結晶を容易に多数の基板上に同時に成長させることができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。【解決手段】  気相成長炉１と、気相成長炉１内に、円周状に配列されそれぞれ基板６を保持し得る複数の基板保持部２と、基板保持部２の配列によって構成される円の中心に基板６の表面に対して垂直方向にガス流を導入するガス導入管１３と、ガス導入管１３のガス流の下流側の端部に連結されガス導入管１３から導入されたガス流の方向を基板６の表面に対して水平方向に転換するガス流方向転換部材１１と、を有する気相成長装置であって、ガス流方向転換部材１１の周囲を取り巻く回転可能な平板１４を有し、平板１４には平板１４の表面から突出した複数の突出部材１７が備えられている気相成長装置である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長炉と、
前記気相成長炉内に、円周状に配列されそれぞれ基板を保持し得る複数の基板保持部と、
前記基板保持部の配列によって構成される円の中心に前記基板の表面に対して垂直方向にガス流を導入するガス導入管と、
前記ガス導入管の前記ガス流の下流側の端部に連結され前記ガス導入管から導入された前記ガス流の方向を前記基板の表面に対して水平方向に転換するガス流方向転換部材と、を有する気相成長装置であって、
前記ガス流方向転換部材の周囲を取り巻く回転可能な平板を有し、
前記平板には前記平板の表面から突出した複数の突出部材が備えられていることを特徴とする、気相成長装置。
【請求項２】
前記平板が複数枚重ねられており、前記平板が前記突出部材の少なくとも一部によって連結されていることを特徴とする、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記突出部材が前記平板の表面上に放射状に配列されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記突出部材の形状が板状であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記突出部材が前記ガス流の上流側から下流側にかけて曲がりまたは傾斜を有しており、その曲がりまたは傾斜方向が前記平板の回転方向と逆方向であることを特徴とする、請求項４に記載の気相成長装置。
【請求項６】
前記突出部材の端面の形状が球面となっていることを特徴とする、請求項５に記載の気相成長装置。
【請求項７】
前記平板を通過した後の前記ガス流の方向を拘束するガス流路が、前記複数の基板保持部のそれぞれの間に設置されたガス流路側面構成部材と、ガス流路下側構成部材と、ガス流路上側構成部材とによって構成され、前記ガス流の方向と直交する方向における前記ガス流路の断面積が、少なくとも前記基板における前記ガス流の上流側端部から下流側端部まで一定であることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の気相成長装置。
【請求項８】
基板を保持し得る複数の基板保持部が設置された気相成長炉を含む気相成長装置において結晶を成長させる気相成長方法であって、
前記基板の表面に対して垂直方向にガス流を前記気相成長炉に導入する工程と、
前記垂直方向に導入された前記ガス流の方向を前記基板の表面に対して水平方向に転換する工程と、
前記基板の表面に対して水平方向に流れる前記ガス流の方向をさらに変化させる工程と、を含み、
前記ガス流が前記複数の基板保持部のそれぞれに保持され得る前記基板の表面に沿って流れることによって、前記基板の表面上に結晶が形成される、気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は気相成長装置と気相成長方法に関し、特に、厚さ、組成および不純物濃度等の均一な結晶を容易に多数枚の基板上に同時に成長させることが可能な気相成長装置および気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から気相成長装置には、成長ガス流が基板表面に対し垂直となる縦型成長炉を用いた気相成長装置と、成長ガス流が基板表面に対し平行となる横型成長炉を用いた気相成長装置とがある。
【０００３】
縦型成長炉を用いた気相成長装置においては、ガス流が乱流として流れるためガス流のコントロールが難しく、また、基板の内周部を通過したガス流が基板の外周部を通過して排気されるため、基板を回転させた場合であっても基板の外周部のガス流量はその内周部のガス流量に比べて大きくなることから、基板の表面上に成長する結晶内における厚さ、組成および不純物濃度等のバラツキが大きくなる。
【０００４】
一方、横型成長炉を用いた気相成長装置においては、ガス流は層流として流れるためガス流のコントロールが容易であり、また、基板を回転させることによって基板の表面上に成長する結晶の厚さ、組成および不純物濃度等のバラツキを小さくすることができる。
【０００５】
図７の模式的上面透視図に従来の円形横型の気相成長炉の一例を示す。この気相成長炉１において、気相成長炉１の中心にあるガス導入管１３からサセプタ２に設置された基板６の表面に対して垂直な方向に導入された原料ガス流は、ガス流方向転換ノズル１１によってガス流の方向を変えられた後に吹出口３を通って、矢印２５の方向に基板６の表面に対して平行に気相成長炉１内を放射状に流れ、基板６の表面上に結晶を気相成長させる。そして、気相成長に用いられなかったガス流は、気相成長炉１の外周部に配置された排気口４から排出される。
【０００６】
しかしながら、この気相成長炉１においては、気相成長炉１の外周部に行くにしたがってガス流路の断面積が増加することから、ガス流の流速が落ちる。それゆえ、基板６のガス流の上流部で成長した結晶と下流部で成長した結晶とで厚さ、組成および不純物濃度等のバラツキが大きくなるため、均一で良質な結晶が得られないという問題があった。この問題は、図７に示すように、基板６を矢印２６の方向に回転させた場合でもいまだ十分に解決されていない。
【０００７】
このような問題を解決するため、例えば、特許文献１には、図８の模式的断面図に示すように、基板６を保持したサセプタ２を回転させることによって基板６自体を回転させると共に、基板６およびサセプタ２を保持した支持体２２を回転させる方法が開示されている。この方法においては、基板６自体を回転させることによって、基板６の表面内におけるガス流の上流部および下流部となる箇所を随時変化させ、発熱体２３によって加熱された基板６の表面上に成長する結晶の厚さ、組成および不純物濃度等のバラツキを解消することができる。また、支持体２２を回転させることによって、気相成長炉１の構造的な不均一性に起因する複数の基板６間における気相成長条件のバラツキを少なくし、複数の基板６の表面上にそれぞれ成長する結晶の厚さ、組成および不純物濃度等のバラツキを解消することができる。
【０００８】
しかしながら、この方法においては、複数の基板６を保持するサセプタ２を回転させる機構に加えて、支持体２２を回転させる機構も必要となり、サセプタ２の回転と支持体２２の回転とを連携させるために、これらの回転軸の位置および取り付けにおいて高い精度が必要であった。また、これらの回転機構について多数の部品が存在することから、定期的なメンテナンスを行う際、特にサセプタ２を取り外す際の作業が複雑となってしまい、長いメンテナンス時間を要することがあった。
【０００９】
また、特許文献２にも、図９の模式的断面斜視図に示すような、基板６を保持したサセプタ２を回転させる方法が開示されているが、この方法についても特許文献１に開示された方法と同様の問題があった。
【００１０】
また、図１０（Ａ）に従来の筒状横型の気相成長炉の一部の模式的な上面透視図を示し、図１０（Ｂ）にその模式的な断面図を示す。図１０において、筒状横型の気相成長炉１の一方の側面に設置された吹出口３から吹き出されたガス流１８は、気相成長炉１の中央部に設置された基板６の表面に対して平行に流れ、基板６の表面上を通過する際に反応して、反応生成物を基板６の表面上に堆積させる。反応せずに基板６上を通過したガス流１８ｄは、吹出口３の対向面に設置された排気口４から排出される。
【００１１】
ここで、吹出口３から吹き出されたガス流１８は、石英ガラス製の管形状でありガス流を拘束するためのフローチャネルといわれる流路構成部材７によって整流される。
【特許文献１】特許第３３７６８０９号公報
【特許文献２】特開平９−２４６１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、厚さ、組成および不純物濃度等の均一な結晶を容易に多数枚の基板上に同時に成長させることができ、メンテナンスの容易な気相成長装置および気相成長方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、気相成長炉と、気相成長炉内に、円周状に配列されそれぞれ基板を保持し得る複数の基板保持部と、基板保持部の配列によって構成される円の中心に基板の表面に対して垂直方向にガス流を導入するガス導入管と、ガス導入管のガス流の下流側の端部に連結されガス導入管から導入されたガス流の方向を基板の表面に対して水平方向に転換するガス流方向転換部材とを有する気相成長装置であって、ガス流方向転換部材の周囲を取り巻く回転可能な平板を有し、平板には平板の表面から突出した複数の突出部材が備えられている気相成長装置である。
【００１４】
ここで、本発明の気相成長装置においては、平板が複数枚重ねられており、平板が突出部材の少なくとも一部によって連結されていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の気相成長装置においては、突出部材が平板の表面上に放射状に配列されていることが好ましい。ここで、「放射状」には略放射状も含まれる。略放射状としては、たとえば突出部材が放射方向に配列されているが、突出部材がその放射方向に対して傾いている状態などがある。
【００１６】
また、本発明の気相成長装置においては、突出部材の形状が板状であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の気相成長装置においては、突出部材がガス流の上流側から下流側にかけて曲がりまたは傾斜を有しており、その曲がりまたは傾斜方向が平板の回転方向と逆方向であることが好ましい。ここで、「曲がり」とは屈曲または湾曲を含む。また、「傾斜」とは突出部材の突出方向が、例えば、板状の場合は主面の方向、例えば、複数の突起の列からなる場合は並ぶ列の方向が、円の中心に対して斜め向きであることをいう。
【００１８】
また、本発明の気相成長装置においては、突出部材の端面の形状が球面となっていることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の気相成長装置においては、平板を通過した後のガス流の方向を拘束するガス流路が、複数の基板保持部のそれぞれの間に設置されたガス流路側面構成部材と、ガス流路下側構成部材と、ガス流路上側構成部材とによって構成され、ガス流の方向と直交する方向におけるガス流路の断面積が、少なくとも基板におけるガス流の上流側端部から下流側端部まで一定であることが好ましい。
【００２０】
さらに、本発明は、基板を保持し得る複数の基板保持部が設置された気相成長炉を含む気相成長装置において結晶を成長させる気相成長方法であって、基板の表面に対して垂直方向にガス流を気相成長炉に導入する工程と、垂直方向に導入されたガス流の方向を基板の表面に対して水平方向に転換する工程と、基板の表面に対して水平方向に流れるガス流の方向をさらに変化させる工程とを含み、ガス流が複数の基板保持部のそれぞれに保持され得る基板の表面に沿って流れることによって、基板の表面上に結晶が形成される、気相成長方法である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明においては、複雑な回転機構を有することなく、厚さ、組成および不純物濃度等の均一な結晶を容易に多数枚の基板上に同時に成長させることが可能で、メンテナンスの容易な気相成長装置および気相成長方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２３】
図１に本発明の気相成長装置に用いられる気相成長炉の好ましい一例の模式的な断面斜視図を示す。この円形状の気相成長炉１は、基板保持部であるサセプタ２と、ガス流の排気口４と、サセプタ回転軸５と、ガス流路上側構成部材８と、ガス流路下側構成部材９と、導入されたガス流の方向を転換するガス流方向転換ノズル１１と、原料ガス流が導入されるガス導入管１３と、平板である鍔状の仕切り板１４と、鍔状仕切り板回転軸１５と、鍔状仕切り板回転軸１５を駆動させるモータ１６と、鍔状仕切り板１４の表面上に放射状に設置されており、鍔状仕切り板１４の表面から上方に向けて突出し、ガス流の上流側から下流側にかけて湾曲している板状の突出部材１７とを含む。
【００２４】
ここで、ガス導入管１３から気相成長炉１に対して垂直方向に導入されたガス流は、ガス流方向転換ノズル１１によってその方向を気相成長炉１に対して水平方向に転換させられた後にガス流の吹出口３近傍から吹き出され、気相成長炉１内に円周状に配列されている複数のサセプタ２の各々に１枚ずつ設置されている基板６の表面上方を流れて、基板６の表面上に結晶を気相成長させる。
【００２５】
図２に、図１に示したガス導入管１３の近傍の模式的な拡大断面図を示す。図２を参照して、ガス導入管１３に導入され、ガス流方向転換ノズル１１によってその方向を変えられたガス流１８ａ、１８ｂ、１８ｃは通気口２４ａ、２４ｂ、２４ｃをそれぞれ流れ、突出部材１７が設置され３枚重ねられている鍔状仕切り板１４が連結された鍔状仕切り板回転軸１５が矢印２７の方向に回転することによって、ガス流１８ａ、１８ｂ、１８ｃの流れ方向が鍔状仕切り板１４の回転方向に変化させられる。
【００２６】
ここで、本発明においては、２枚の突出部材１７による側面と鍔状仕切り板１４等による上下面とで閉じられた通気口を複数有する鍔状仕切り板１４を回転させることによって、通気口２４ａ、２４ｂ、２４ｃの出口からガス流１８ａ、１８ｂ、１８ｃが吹き出されてきた位置に、通気口２４ａ、２４ｂ、２４ｃの隣の通気口を流れてきたガス流が吹き出されて、これらのガス流が合流する。この現象が鍔状仕切り板１４の回転により連続して行われることによって、鍔状仕切り板１４の表面上の複数の通気口のそれぞれの出口から吹き出されるガス流のすべてがこれらの通気口の出口近傍において混ざり合うため、気相成長炉１内を流れるガス流の組成および流量等を均一にすることができる。例えば、ガス導入管１３においてガス流が導入されやすい箇所と導入されにくい箇所とがあって、通気口の出口の１つからはガス流がほとんど吹き出されない場合であっても、この鍔状仕切り板１４の回転によって、気相成長炉１内の全周にわたって流れるガス流の流量を均一にすることができる。
【００２７】
その後、図３の模式的断面図を参照して、ガス流１８ａ、１８ｂ、１８ｃは、ガス流路上側構成部材８とガス流路下側構成部材９とによって形成されるガス流路１０を流れ、サセプタ回転軸５によって回転している加熱されたサセプタ２に保持されている基板６の表面上方を通過する際に反応して、基板６の表面上に反応生成物である結晶を成長させる。未反応のガス流は、そのままガス流路１０を流れて、排気口４から排出される。
【００２８】
図４に、図１に示した気相成長炉１の上面透視図を示す。図４を参照して、突出部材１７の形状は、鍔状仕切り板１４の回転成分がガス流に残ることなく、ガス流の方向が鍔状仕切り板１４の径方向のみとなる形状であることが好ましい。
【００２９】
突出部材１７の形状は、例えば、気相成長炉１の中心点Ｃと突出部材１７の湾曲している側の最も端にある点Ｔとを結ぶ線α（点Ｔにおける法線）と、突出部材１７の湾曲している側の最も端にある点Ｔにおける湾曲の接線βとが為す角θが、θ＝ｔａｎ-1｛Ｑ／（Ａ・πＤＮ）｝の式で規定される。突出部材１７の形状は、上記のθを満たす形状であれば、円弧形状、渦巻き形状、２円弧形状または平板の屈曲形状などであってもよい。
【００３０】
ここで、Ｑは一対の突出部材１７の間から吹き出されるガス流量であり、Ａは一対の突出部材１７によって構成される通気口の出口の１面当たりの断面積であり、Ｄは鍔状仕切り板１４の直径であり、Ｎは鍔状仕切り板１４の回転数である。
【００３１】
すなわち、ＱをＡで割った値（Ｑ／Ａ）はガス流の速度Ｖ１を表わし、πＤＮは鍔状仕切り板１４の周縁速度Ｖ２を表わす。そして、ｔａｎθ＝Ｖ１／Ｖ２＝Ｑ／（Ａ・πＤＮ）の式を満たすθであれば、上記出口から吹き出されるガス流における鍔状仕切り板１４の回転成分が打ち消され、鍔状仕切り板１４の径方向成分のみが存在することから、ガス流路１０の全周にわたって流れ方向が均一なガス流が吹き出されるものと考えられる。
【００３２】
なお、突出部材１７の形状は、上記形状に限られるものではなく、突出部材１７の作製しやすさの観点からは湾曲していない平板状であってもよい。ただし、この場合にも気相成長炉１の中心点Ｃと突出部材１７の最も端にある点Ｔとを結ぶ線α（点Ｔにおける法線）と、突出部材１７と平行な線βとが為す角θが、θ＝ｔａｎ-1｛Ｑ／（Ａ・πＤＮ）｝の式で規定されることが好ましい。また、点Ｔは、点Ｔのみに限定されるものではなく、その近傍も含む。
【００３３】
また、突出部材１７の形状は、成長させる結晶の種類、成長させる結晶の厚さ、原料ガスの組み合わせ、流量比、流速、温度等のプロセス条件により、種々に変更可能である。
【００３４】
図１１の模式的平面図に、突出部材１７の形状および配列の一例を示す。図１１（Ａ）では、平板で構成される突出部材１７の主面を放射方向に沿わせて周方向に均等に配列したものである。この場合には、各方向に均一なガス流の吹き出しを可能とする。また、強制的に全周に渡ってガス流を吹き出させるため、たとえば排気口の配置の仕方によるガス流路のガス流に対するコンダクタンス（抵抗）によってガス流が流れやすい場所と流れにくい場所があっても、突出部材１７を回転させることによってその影響を低減することができる。図１１（Ｂ）と図１１（Ｃ）においては、上述したθを満たす形状の突出部材１７が示されている。図１１（Ｂ）においては、平板で構成される突出部材１７はその主面を略放射状、具体的には、放射方向に対して傾けた状態で周方向に配列されている。図１１（Ｃ）においては、突出部材１７は屈曲平板状であり、鍔状仕切り板１４の中心側の平面は放射方向であるが、鍔状仕切り板１４の周縁側の平面は上述のθを満たすような角度にした状態で配列されている。この傾きによって回転成分の打消または低減が起こり、全周にわたって流れ方向が均一なガス流が吹き出される。図１１（Ｃ）では、ガス流の条件や突出部材１７の表面材質などによって、直線的に折れ曲がった屈曲部に渦流が発生する危険性があるが、図４に示すように突出部材１７の曲がりを滑らかに湾曲させている場合には、こうした不具合が発生しにくくなる。
【００３５】
なお、基板は、同心であるが径の異なる複数の円周上に配列されていてもよく、成長させる結晶の種類、成長させる結晶の厚さ、原料ガスの組み合わせ、流量比、流速、温度などのプロセス条件などによって種々変更することもできる。
【００３６】
図５に本発明の気相成長装置に用いられる気相成長炉の他の好ましい一例の模式的な断面斜視透視図を示す。この気相成長炉１は、ガス流路下側構成部材９上にガス流路側面構成部材１９を複数個設置していることに特徴がある。
【００３７】
図５を参照して、ガス流路側面構成部材１９とガス流路下側構成部材９とガス流路上側構成部材８とによって仕切られているガス流路であるガス流路開口部２０は、円形状である基板６の直径よりも少し広い幅を有している。そして、ガス流路開口部２０の幅の中心と基板６の中心とが合致するように基板６が設置され、ガス流方向と直交する方向におけるガス流路開口部２０の断面積が少なくとも基板６のガス上流側端部Ｕからガス下流側端部Ｄまで一定である。それゆえ、鍔状仕切り板１４の回転による攪拌後のガス流は、ガス流の下流側においても、ガス流路側面構成部材１９とガス流路下側構成部材９とガス流路上側構成部材８とによって拘束されており、ガス流路開口部２０の幅方向に拡散することがなくその流速が落ちないため、基板６の表面上に成長した結晶において、ガス流の上流部で成長した部分と下流部で成長した部分とで厚さ、組成および不純物濃度等のバラツキがなくなるため、均一で良質な結晶を得ることができる。ここで、ガス流路開口部２０の断面積および断面形状が少なくとも基板６のガス上流側端部Ｕからガス下流側端部Ｄまで一定である場合には、さらにガス流の流速が落ちにくくなることから、より均一で良質な結晶を得ることができるようになる。
【００３８】
また、基板６を回転させながら結晶成長を行った場合には、さらに均一で良質な結晶を得ることができるようになる。また、鍔状仕切り板１４を回転させることによって、組成および流量等が均一なガス流がガス流路開口部２０に吹き出されることから、複数枚の基板６の表面上において成長する結晶の厚さ、組成および不純物濃度等を均一にすることができる。
【００３９】
なお、ガス流路側面構成部材１９の形状は、成長させる結晶の種類、成長させる結晶の厚さ、原料ガスの組み合わせ、流量比、流速、温度等のプロセス条件により、種々に変更可能である。また、ガス流路側面構成部材１９を別部品として、気相成長炉１に嵌め込み可能とすることにより、メンテナンス時の作業効率が高くなるだけでなく、ガス流路側面構成部材１９の変更を部品の変更だけで行うことができるようになる。また、ガス流路側面構成部材１９は、ガス流路下側構成部材９上に設置されることに限定されず、ガス流路上側構成部材８側に設置されることによっても同一の効果が得られる。
【００４０】
図６に、本発明に用いられる鍔状仕切り板１４の他の好ましい一例の模式的な断面斜視図を示す。この鍔状仕切り板１４においては、鍔状仕切り板１４の表面から上方に向けて突出した複数の突出部材である突起２１の列が放射状に配列されており、突起２１の一部が重ねられている鍔状仕切り板１４と連結されていることに特徴がある。
【００４１】
ガス導入管１３から導入されたガス流は、ガス流方向転換ノズル１１によってその方向を転換させられた後、回転している鍔状仕切り板１４上に形成された突起２１によって攪拌されて、ガス流の組成および流量等が均一化される。ここで、突起２１の間には間隔が開いていることから、鍔状仕切り板１４の回転によってガス流の方向に与える影響が少なくなるため、気相成長炉１内の全周にわたって組成および流量等が均一なガス流が吹き出されることとなる。
【００４２】
また、突起２１は、その端面の形状が球面となっている。突起２１に衝突した後のガス流は突起２１が配列されている鍔状仕切り板１４の対面側へ流れる傾向があるため、突起２１の上方の形状を半球状にすることによって、ガス流は突起２１の回転方向の影響を受けにくくなる。それゆえ、突起２１がこのような形状を有している場合には、気相成長炉１内の全周にわたって組成および流量等がより均一なガス流が吹き出される。また、突起２１の配列は、放射状としているが、配列の仕方を特に制限するものではない。
【００４３】
なお、突起２１の形状は、平板状、流線径、稜部のない形状などであってもよく、突起２１の突出の向きは鍔状仕切り板１４に対して下方向き、斜め向きなどであってもよく、成長させる結晶の種類、成長させる結晶の厚さ、原料ガスの組み合わせ、流量比、流速、温度等のプロセス条件により、種々に変更することもできる。
【００４４】
また、本発明においては、図１１（Ｄ）に示すように、鍔状仕切り板１４の中心側には突起２１が配列され、周縁側には平板が設置された混合型の突出部材を用いてもよい。
【００４５】
また、本発明においては、気相成長装置全体を上下に反転させてもよい。この場合には、基板はその主面を下向きにして保持され、ガス導入管に下方からガス流を導入し、ガス流を方向転換させた後、突出部材により周方向に均一に吹き出させ、基板の主面に沿った下方にガス流が流れるようになる。なお、基板はその主面を下向きにして保持し、ガス導入管とガス流方向転換ノズルと鍔状仕切り板を上下に反転させずに、上方からガスを導入してもよい。また、鍔状仕切り板回転軸を中空状にして、その内部にガス導入管を通すことにより、鍔状仕切り板回転軸とガス導入管の基板に対する設置方向を同方向にしてもよい。
【００４６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
上述したように本発明によれば、厚さ、組成および不純物濃度等の均一な結晶を容易に多数枚の基板上に同時に成長させることができることから、本発明の気相成長装置および気相成長方法は、様々な種類の材料の結晶成長に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の気相成長装置に用いられる気相成長炉の好ましい一例の模式的な断面斜視図である。
【図２】図１に示したガス導入管の近傍の模式的な拡大断面図である。
【図３】本発明の気相成長装置に用いられる気相成長炉のガス流路の好ましい一例の模式的な断面図である。
【図４】図１に示した気相成長炉の模式的な上面透視図である。
【図５】本発明の気相成長装置に用いられる気相成長炉の他の好ましい一例の模式的な断面斜視透視図である。
【図６】本発明に用いられる鍔状の仕切り板の他の好ましい一例の模式的な断面斜視図である。
【図７】従来の円形横型の気相成長炉の一例の模式的な上面透視図である。
【図８】従来の円形横型の気相成長炉の一例の模式的な断面図である。
【図９】従来の円形横型の気相成長炉の一例の模式的な断面斜視図である。
【図１０】（Ａ）は従来の筒状横型の気相成長炉の一部の模式的な上面透視図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示した従来の筒状横型の気相成長炉の一部の模式的な断面図である。
【図１１】本発明に用いられる突出部材の形状および配列の一例を示した模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  気相成長炉、２  サセプタ、３  吹出口、４  排気口、５  サセプタ回転軸、６  基板、７  流路構成部材、８  ガス流路上側構成部材、９  ガス流路下側構成部材、１０  ガス流路、１１  ガス流方向転換ノズル、１３  ガス導入管、１４  鍔状仕切り板、１５  鍔状仕切り板回転軸、１６  モータ、１７  突出部材、１８，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ  ガス流、１９  ガス流路側面構成部材、２０  ガス流路開口部、２１  突起、２２  支持体、２３  発熱体、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ  通気口、２５，２６，２７  矢印。
【図１】
2005285939.tif 000003
【図２】
2005285939.tif 000004
【図３】
2005285939.tif 000005
【図４】
2005285939.tif 000006
【図５】
2005285939.tif 000007
【図６】
2005285939.tif 000008
【図７】
2005285939.tif 000009
【図８】
2005285939.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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