(57)【要約】【課題】 カーボンナノチューブエミッタの形成方法及びこれを利用した電界放出表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のカーボンナノチューブエミッタの形成方法、電極が形成された基板の上面にフォトレジストを塗布し、これをパターニングして前記電極上にフォトレジストドットを形成する段階と、基板の上面にフォトレジストドットを覆うようにカーボンナノチューブペーストを塗布する段階と、乾燥工程を通じてフォトレジストドットとカーボンナノチューブペースト間で発生する相互拡散によって電極上にカーボンナノチューブエミッタを形成する段階と、カーボンナノチューブエミッタを覆っているカーボンナノチューブペーストを除去する段階と、を含む。【選択図】 図３Ｄ
2005166675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された基板の上面にフォトレジストを塗布し、これをパターニングして前記電極上にフォトレジストドットを形成する段階と、
前記基板の上面に前記フォトレジストドットを覆うようにカーボンナノチューブペーストを塗布する段階と、
乾燥工程を通じて前記フォトレジストドットと前記カーボンナノチューブペースト間で生ずる相互拡散によって前記電極上にカーボンナノチューブエミッタを形成する段階と、
前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストを除去する段階と、を含むことを特徴とするカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記フォトレジストとカーボンナノチューブペーストとの混合物よりなることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項３】
前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項４】
前記フォトレジストはベース物質としてノボラックを含むことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項５】
前記カーボンナノチューブペーストは粘性を調節する物質としてテキサノールを含むことを特徴とする請求項４に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記フォトレジストのノボラックと前記カーボンナノチューブペーストのテキサノールとが相互拡散されて形成されることを特徴とする請求項５に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記テキサノールが前記カーボンナノチューブペーストに拡散されて前記ノボラックを溶かし、溶けた前記ノボラックは前記カーボンナノチューブペーストに拡散されて形成されることを特徴とする請求項６に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項８】
前記乾燥工程は、前記カーボンナノチューブペーストを８０℃で２０分間加熱することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項９】
前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストは所定の現像液により現像されて除去されることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項１０】
前記現像液はアセトンまたは炭酸ナトリウム溶液であることを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブエミッタの形成方法。
【請求項１１】
基板の上面に陰極電極、絶縁層及びゲート電極を順次形成し、前記陰極電極の一部を露出させるエミッタホールを形成する段階と、
前記基板上にフォトレジストを塗布し、これをパターニングして前記エミッタホールの前記陰極電極上にフォトレジストドットを形成する段階と、
前記基板上に前記フォトレジストドットを覆うようにカーボンナノチューブペーストを塗布する段階と、
乾燥工程を通じて前記フォトレジストドットと前記カーボンナノチューブペースト間で発生する相互拡散によって前記陰極電極上にカーボンナノチューブエミッタを形成する段階と、
前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストを除去する段階と、を含むことを特徴とする電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１２】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記フォトレジストとカーボンナノチューブペーストとの混合物よりなることを特徴とする請求項１１に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１３】
前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであることを特徴とする請求項１１に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１４】
前記フォトレジストはベース物質としてノボラックを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記カーボンナノチューブペーストは粘性を調節する物質としてテキサノールを含むことを特徴とする請求項１４に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１６】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記フォトレジストのノボラックと前記カーボンナノチューブペーストのテキサノールとが相互拡散されて形成されることを特徴とする請求項１５に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１７】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記テキサノールが前記カーボンナノチューブペーストに拡散されて前記ノボラックを溶かし、溶けた前記ノボラックは前記カーボンナノチューブペーストに拡散されて形成されることを特徴とする請求項１６に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１８】
前記乾燥工程は、前記カーボンナノチューブペーストを８０℃で２０分間加熱することを特徴とする請求項１１に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項１９】
前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストは所定の現像液により現像されて除去されることを特徴とする請求項１１に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【請求項２０】
前記現像液はアセトンまたは炭酸ナトリウム溶液であることを特徴とする請求項１９に記載の電界放出表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はカーボンナノチューブエミッタの形成方法及びこれを利用した電界放出表示素子の製造方法に係り、より詳細にはフォトレジストとカーボンナノチューブとの相互拡散を利用して高純度のカーボンナノチューブエミッタを形成する方法及びこれを利用して電界放出表示素子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の情報伝達媒体の重要部分である表示装置の代表的な活用分野としては、パソコンのモニタおよびテレビ受像機などを挙げられる。このような表示装置は、高速熱電子放出を利用する陰極線管（ＣＲＴ；Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）と、最近に急速に発展している平板表示装置とに大別される。前記平板表示装置には、液晶表示素子（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、電界放出表示素子（ＦＥＤ；Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。
【０００３】
ＦＥＤは、陰極電極上に一定間隔をおいて配列された電界放出源にゲート電極から強い電場を印加することによって前記電界放出源から電子を放出させ、この電子を陽極電極の蛍光物質に衝突させて発光させる表示装置である。
【０００４】
ＦＥＤの電界放出源として従来にはモリブデン（Ｍｏ）のような金属よりなるマイクロチップが多く使われたが、最近にはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ；Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）エミッタが主に使われている。ＣＮＴエミッタを使用するＦＥＤは広い視野角、高い解像度、低電力及び温度安定性において長所を持つので、自動車航法装置、電子的な映像装置のビューファインダーなどの多様な分野に利用できる。特に、パソコン、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）端末機、医療機器、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）などで代替ディスプレイ装置として利用できる。一方、液晶表示素子などに使われるバックライトでも電界放出源としてＣＮＴエミッタが適用できる。
【０００５】
このようなＣＮＴエミッタは一般的にＣＮＴペーストを露光させることによって形成されるが、その形成方法が図１Ａないし図１Ｅ及び図２Ａないし図２Ｅに図示されている。
【０００６】
図１Ａないし図１Ｅは、前面露光法を利用してＦＥＤに適用されるＣＮＴエミッタを形成する方法を説明する図面である。
【０００７】
まず、図１Ａに図示されたように、基板１０上に陰極電極１２、エミッタホールが形成された絶縁層１４及びゲート電極１６を順次積層し、この基板１０上にＣＮＴペースト２０をプリント法によって塗布する。次いで、図１Ｂに図示されたように、マスク３０を利用して基板１０の前面側から紫外線（ＵＶ）を照射して前記ＣＮＴペースト２０を選択的に露光させる。この時、前記ＣＮＴペースト２０のうち紫外線に露出された部位は露光されて硬化される。次に、図１Ｃに図示されたように、アセトンなどの現像剤を使用して露光されていないＣＮＴペースト２０を除去すれば、エミッタホール内部には露光されたＣＮＴペースト２０’だけ残る。次いで、図１Ｄに図示されたように、前記ＣＮＴペースト２０’を焼成工程を通じて収縮させれば所定形状のＣＮＴエミッタ２１が形成される。最後に、図１Ｅに図示されたように、前記ＣＮＴエミッタ２１を粘着テープで表面処理すれば、ＣＮＴエミッタ２１の先端には純粋なＣＮＴ ２１ａが形成される。
【０００８】
図２Ａないし図２Ｅは、背面露光法を利用してＦＥＤに適用されるＣＮＴエミッタを形成する方法を説明する図面である。
【０００９】
まず、図２Ａに図示されたように、基板５０上に陰極電極５２、エミッタホールが形成された絶縁層５４及びゲート電極５６を順次積層し、この基板５０上にフォトレジストよりなる犠牲層４０を塗布した後、これをパターニングして前記エミッタホール下部の陰極電極５２を露出させる。次いで、図２Ｂに図示されたように、図２Ａに図示された結果物の全面にＣＮＴペースト６０をプリント法によって塗布する。そして、基板５０の背面側から紫外線（ＵＶ）を照射してＣＮＴペースト６０を選択的に露光させる。この時、前記ＣＮＴペースト６０のうち紫外線に露出された部位は露光されて硬化される。次に、図２Ｃに図示されたように、アセトンなどの現像剤を使用して露光されていないＣＮＴペースト６０を除去した後に犠牲層４０を除去すれば、エミッタホール内部には露光されたＣＮＴペースト６０’だけ残る。次いで、図２Ｄに図示されたように、前記ＣＮＴペースト６０’を焼成工程を通じて収縮させれば所定形状のＣＮＴエミッタ６１が形成される。最後に、図２Ｅに図示されたように、前記ＣＮＴエミッタ６１を粘着テープで表面処理すれば、ＣＮＴエミッタ６１の先端には純粋なＣＮＴ ６１ａが形成される。
【００１０】
しかし、前述したＣＮＴエミッタの形成方法はＣＮＴペーストの感光特性を利用するためにＣＮＴの含有量を増やすには限界がある。また、厚膜のＣＮＴペーストに露光させるために高いエネルギー（約１０００ｍＪ以上）の露光量が必要であり、露光時にＣＮＴペースト内部で発生する光の散乱により所望のパターンの形成及びアラインが困難であるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は前記のような問題点を解決するためになされたものであり、フォトレジストとＣＮＴとの相互拡散を利用して高純度のＣＮＴエミッタを形成する方法及びこれを利用したＦＥＤの製造方法を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために本発明によるＣＮＴエミッタの形成方法は、電極が形成された基板の上面にフォトレジストを塗布し、これをパターニングして前記電極上にフォトレジストドットを形成する段階と、前記基板の上面に前記フォトレジストドットを覆うようにカーボンナノチューブペーストを塗布する段階と、乾燥工程を通じて前記フォトレジストドットと前記カーボンナノチューブペースト間で発生する相互拡散によって前記電極上にカーボンナノチューブエミッタを形成する段階と、前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストを除去する段階と、を含む。
【００１３】
ここで、前記カーボンナノチューブエミッタは、前記フォトレジストとカーボンナノチューブペーストとの混合物よりなる。
【００１４】
前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであることが望ましい。
【００１５】
前記フォトレジストはベース物質としてノボラックを含み、前記カーボンナノチューブペーストは粘性を調節する物質としてテキサノールを含むことが望ましい。
【００１６】
前記カーボンナノチューブエミッタは、前記フォトレジストのノボラックと前記カーボンナノチューブペーストのテキサノールとが相互拡散されて形成される。ここで、前記カーボンナノチューブエミッタは、前記テキサノールが前記カーボンナノチューブペーストに拡散されて前記ノボラックを溶かし、溶けた前記ノボラックは前記カーボンナノチューブペーストに拡散されて形成される。
【００１７】
前記乾燥工程は、前記カーボンナノチューブペーストを８０℃で２０分間加熱することが望ましい。
【００１８】
前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストは所定の現像液により現像されて除去される。ここで、前記現像液はアセトンまたは炭酸ナトリウム溶液である。
【００１９】
一方、本発明によるＦＥＤの製造方法は、基板の上面に陰極電極、絶縁層及びゲート電極を順次形成し、前記陰極電極の一部を露出させるエミッタホールを形成する段階と、前記基板上にフォトレジストを塗布し、これをパターニングして前記エミッタホールの前記陰極電極上にフォトレジストドットを形成する段階と、前記基板上に前記フォトレジストドットを覆うようにカーボンナノチューブペーストを塗布する段階と、乾燥工程を通じて前記フォトレジストドットと前記カーボンナノチューブペースト間で発生する相互拡散によって前記陰極電極上にカーボンナノチューブエミッタを形成する段階と、前記カーボンナノチューブエミッタを覆っている前記カーボンナノチューブペーストを除去する段階と、を含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば次のような効果がある。
【００２１】
第１に、ＣＮＴペーストを利用してＣＮＴエミッタを形成する時、ＣＮＴペーストとフォトレジストとの相互拡散を利用することによって所望の形状のＣＮＴエミッタを形成できる。そして、このようなＣＮＴエミッタの形成方法を利用すればＦＥＤやバックライトなども容易に製造できる。
【００２２】
第２に、既存の露光法を使用せずにＣＮＴエミッタを形成するため、ＣＮＴペーストに対する光の透過率問題を考慮する必要がない。これにより、ＣＮＴペースト内のＣＮＴの含有量を増やして高純度のＣＮＴエミッタを形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい実施例を詳細に説明する。図面で同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
【００２４】
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の実施例によるＣＮＴエミッタの形成方法を説明するための図面である。
【００２５】
まず、電極１１２が所定形態に形成された基板１１０を備える。前記基板１１０としては一般的にガラス基板が使われ、前記電極１１２は透明な導電性材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）よりなる。このような電極１１２は基板１１０上にストライプ状またはその他の形態に形成できる。
【００２６】
次に、図３Ａに図示されたように、前記電極１１２上にフォトレジストドット１４０を形成する。前記フォトレジストドット１４０は電極１１２が形成された基板１１０の上面にフォトレジストを塗布し、これをパターニングすることによって形成される。図４Ａは、基板１１０上に形成されたフォトレジストドット１４０を撮った写真である。ここで、前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであることが望ましい。前記ポジ型フォトレジストには光に敏感な反応を見せる感光剤、樹脂のようなベース物質である基本合成物質、前記基本合成物質を溶かす有機溶剤などが含まれ、本実施例では前記基本合成物質としてノボラックが使われる。
【００２７】
次いで、図３Ｂに図示されたように、フォトレジストドット１４０が形成された基板１１０の上面にフォトレジストドット１４０を覆うようにカーボンナノチューブペースト１２０を塗布する。このようなＣＮＴペースト１２０は一般的にプリント方法によって塗布される。本実施例で、前記ＣＮＴペースト１２０には粘度を調節する物質としてテキサノールが含まれる。
【００２８】
次に、前記ＣＮＴペースト１２０を所定の条件下で乾燥させる。この乾燥過程では、前記ＣＮＴペースト１２０を約８０℃で２０分間加熱することが望ましい。このような乾燥工程によって前記フォトレジストドット１４０とＣＮＴペースト１２０間には図３Ｂに図示されたように相互拡散がなされる。詳細には、まず、ＣＮＴペースト１２０の構成成分であるテキサノールがフォトレジストドット１４０の内部に拡散されてフォトレジストの構成成分であるノボラックを溶かす。次いで、このように溶けたノボラックがＣＮＴペースト１２０の内部に拡散される。
【００２９】
このような相互拡散によって前記フォトレジストドット１４０は、図３Ｃに図示されたようにフォトレジストとＣＮＴペースト１２０との混合物よりなるＣＮＴエミッタ１５０に変わる。この過程で、ＣＮＴペースト１２０の量を調節すれば高純度のＣＮＴエミッタ１５０を形成できる。
【００３０】
最後に、図３Ｄに図示されたように、ＣＮＴエミッタ１５０を覆っているＣＮＴペースト１２０を現像液で現像して除去すれば電極１１２上にはＣＮＴエミッタ１５０だけ残る。前記現像剤としては、アセトンまたは炭酸ナトリウム溶液などが使われうる。図４Ｂは、基板１１０上に形成されたＣＮＴエミッタ１５０を撮った写真である。
【００３１】
以上のように、本発明ではカーボンナノチューブペースト１２０を利用してＣＮＴエミッタ１５０を形成する時、露光を使用せずにフォトレジストドット１４０とＣＮＴペースト１２０との相互拡散を利用することによって所望の形状のＣＮＴエミッタ１５０を容易に形成できる。
【００３２】
図５Ａないし図５Ｅは、本発明の実施例によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【００３３】
まず、図５Ａに図示されたように、基板２１０上に陰極電極２１２、絶縁層２１４及びゲート電極２１６を順次形成した後、前記陰極電極２１２の一部を露出させるエミッタホール２６０を形成する。前記基板２１０としては一般的にガラス基板が使われうる。そして、前記陰極電極２１２は導電性のある透明な物質であるＩＴＯよりなり、前記ゲート電極２１６は導電性のある金属、例えばクロム（Ｃｒ）などよりなりうる。
【００３４】
具体的には、基板２１０上にＩＴＯよりなる陰極電極層を所定厚さに蒸着した後、この陰極電極層を所定形状、例えばストライプ状にパターニングすれば陰極電極２１２が形成される。次に、陰極電極２１２及び基板２１０の全面に絶縁層２１４を所定厚さに形成する。次いで、前記絶縁層２１４上にゲート電極層を形成する。前記ゲート電極層は導電性のある金属をスパッタなどの方法により所定厚さに蒸着することにより形成され、このゲート電極層を所定形状にパターニングすればゲート電極２１６が形成される。次に、前記ゲート電極２１６を通じて露出された絶縁層２１４を蝕刻してエミッタホール２６０を形成する。この時、前記エミッタホール２６０を通じて陰極電極２１２の一部が露出される。
【００３５】
次に、図５Ｂに図示されたように、エミッタホール２６０を通じて露出された陰極電極２１２上にフォトレジストドット２４０を形成する。具体的に、前記フォトレジストドット２４０は、図５Ａに図示された結果物の全面にフォトレジストを塗布し、これをパターニングすることによって形成される。前述したように前記フォトレジストはポジ型フォトレジストであることが望ましく、このポジ型フォトレジストには基本合成物質であるノボラックが含まれている。
【００３６】
次いで、図５Ｃに図示されたように、図５Ｂの結果物全面に前記フォトレジストドット２４０を覆えるようにＣＮＴペースト２２０を塗布する。このようなＣＮＴペースト２２０はプリント方法によって塗布されうる。そして、前述したように前記ＣＮＴペースト２２０には粘度を調節する物質であるテキサノールが含まれている。
【００３７】
次に、前記ＣＮＴペースト２２０を所定の条件下で乾燥させる。この乾燥過程では、前記ＣＮＴペースト２２０を約８０℃で２０分間加熱することが望ましい。このような乾燥工程により、前記フォトレジストドット２４０とＣＮＴペースト２２０間には図５Ｃに図示されたように相互拡散がなされる。これについての詳細な説明は前述したので省略する。
【００３８】
このような相互拡散によって前記フォトレジストドット２４０は、図５Ｄに図示されたようにフォトレジストとＣＮＴペースト２２０との混合物よりなるＣＮＴエミッタ２５０に変わる。この過程で、カーボンナノチューブペースト２２０の量を調節すれば、高純度のＣＮＴエミッタ２５０を形成できる。
【００３９】
最後に、図５Ｅに図示されたように、前記ＣＮＴエミッタ２５０を覆っているＣＮＴペースト２２０を現像液で現像して除去すれば、陰極電極２１２上にはＣＮＴエミッタ２５０だけ残る。ここで、前記現像剤としてはアセトンまたは炭酸ナトリウム溶液などが使われうる。
【００４０】
図６には、本発明による製造方法によって製造されたＦＥＤの画面を撮った写真が図示されているが、この図６を参照すれば、本発明に製造方法によって製造されたＦＥＤでも従来のような画像が再現されうることが分かる。
【００４１】
そして、図７は本発明による製造方法によって製造されたＦＥＤの電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性を図示したグラフである。図７のグラフを参照すれば、本発明による製造方法によって製造されたＦＥＤでは従来より電圧（Ｖ）による電流（Ｉ）特性が向上したことが分かる。
【００４２】
以上本発明による望ましい実施例が説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は自動車航法装置、電子的な映像装置のビューファインダーなどの多様な分野に利用でき、特に、パソコン、ＰＤＡ端末機、医療機器、ＨＤＴＶなどで代替ディスプレイ装置として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１Ａ】従来のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１Ｂ】従来のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１Ｃ】従来のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１Ｄ】従来のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１Ｅ】従来のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ａ】従来の他のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｂ】従来の他のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｃ】従来の他のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｄ】従来の他のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｅ】従来の他のＣＮＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３Ａ】本発明によるＣＮＴエミッタの形成方法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】本発明によるＣＮＴエミッタの形成方法を説明するための図面である。
【図３Ｃ】本発明によるＣＮＴエミッタの形成方法を説明するための図面である。
【図３Ｄ】本発明によるＣＮＴエミッタの形成方法を説明するための図面である。
【図４Ａ】それぞれ基板上にフォトレジストドット及びＣＮＴエミッタが形成された状態を撮った写真である。
【図４Ｂ】それぞれ基板上にフォトレジストドット及びＣＮＴエミッタが形成された状態を撮った写真である。
【図５Ａ】本発明によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図５Ｂ】本発明によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図５Ｃ】本発明によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図５Ｄ】本発明によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図５Ｅ】本発明によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図６】本発明によって形成されたＣＮＴエミッタが適用されたＦＥＤの画面を撮った写真である。
【図７】本発明によって形成されたＣＮＴエミッタが適用されたＦＥＤの電流−電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１１０  基板
１１２  電極
１５０  ＣＮＴエミッタ
【図１Ａ】
2005166675.tif 000003
【図１Ｂ】
2005166675.tif 000004
【図１Ｃ】
2005166675.tif 000005
【図１Ｄ】
2005166675.tif 000006
【図１Ｅ】
2005166675.tif 000007
【図２Ａ】
2005166675.tif 000008
【図２Ｂ】
2005166675.tif 000009
【図２Ｃ】
2005166675.tif 000010
【図２Ｄ】
2005166675.tif 000011
【図２Ｅ】
2005166675.tif 000012
【図３Ａ】
2005166675.tif 000013
【図３Ｂ】
2005166675.tif 000014
【図３Ｃ】
2005166675.tif 000015
【図３Ｄ】
2005166675.tif 000016
【図４Ａ】
2005166675.tif 000017
【図４Ｂ】
2005166675.tif 000018
【図５Ａ】
2005166675.tif 000019
【図５Ｂ】
2005166675.tif 000020
【図５Ｃ】
2005166675.tif 000021
【図５Ｄ】
2005166675.tif 000022
【図５Ｅ】
2005166675.tif 000023
【図６】
2005166675.tif 000024
【図７】
2005166675.tif 000025