(57)【要約】【課題】  ワイヤ接続信頼性が確保された弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ＳＡＷ素子チップ１１０がフェイスアップ状態でステム１ａよりなるパッケージ内部に収納された電子部品（例えばＳＡＷデバイス１０）において、ワイヤボンディングされる電極パッド４表面の平均的な荒さＲａ10を０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下とする。このように電極パッド４表面を比較的滑らかな面とすることで、金属ワイヤ７と電極パッド４との接触面積を十分に確保することが可能となり、ボンディング時の歩留りを９４．５％以上と高い値にすることができた。また、電極パッド４表面の平均的な荒さＲａ10を０．３μｍ以下とすることで、略１００％の歩留りを得ることができた。【選択図】          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有するパッケージに設けられた第１の端子と前記パッケージ内に収納された素子の第２の端子とが金属ワイヤにより電気的に接続された弾性表面波装置であって、
前記第１の端子表面の平均的な荒さが０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記第１の端子表面が機械研磨，化学研磨又は化学機械研磨されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記第１の端子表面が金属メッキされていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記第１の端子表面にニッケル膜と金膜とが形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記ニッケル膜の厚さが３〜７μｍであることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記金膜の厚さが０．１〜２．０μｍであることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記第１の端子は４２アロイ又はコバールを含んで形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
前記第１の端子表面を形成する粒子の直径が前記金属ワイヤの直径よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項９】
前記金属ワイヤの直径よりも直径が小さい前記粒子は、前記第１の端子表面を形成する粒子のうち少なくとも８０％であることを特徴とする請求項８記載の弾性表面波装置。
【請求項１０】
キャビティを有するパッケージに設けられた第１の端子と前記パッケージ内に収納された素子の第２の端子とを金属ワイヤで電気的に接続する工程を含む弾性表面波装置の製造方法であって、
前記第１の端子表面の平均的な荒さが０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下となるように当該表面を平滑化する工程を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
前記平滑化する工程は、前記第１の端子表面を機械研磨，化学研磨又は化学機械研磨することを特徴とする請求項１０記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置及びその製造方法に関し、特に端子がワイヤボンディングされた構成を有する弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、これに搭載された電子部品にも小型化及び高性能化が要求されている。例えば、電波を送信又は受信する電子機器におけるフィルタ，遅延線，発振器等の電子部品として使用される弾性表面波（Surface Acoustic Wave：以下、ＳＡＷと略す）デバイスにも、パッケージを含めて全体的な小型化及び高性能化が要求されている。
【０００３】
一般的なＳＡＷデバイスは、例えば圧電性素子基板（以下、圧電基板という）上に形成された櫛歯型電極部のインターディジタルトランスデューサ（InterDigital Transducer：以下、ＩＤＴと略す）を有するＳＡＷ素子チップが、キャビティ内に気密封止された構成を有している。この構成において、入力側のＩＤＴに電気信号を印加し、これをＳＡＷに変換して圧電基板上を伝播させることで、出力側のＩＤＴから所定の変調がなされた電気信号を得ることができる。
【０００４】
従来技術によるＳＡＷ素子チップ１１０の概略構成斜視図を図１に示す。図１に示すように、ＳＡＷ素子チップ１１０は、圧電基板１１１の一方の主面（これを第１の主面とする）上に、１つ以上のＩＤＴ１１３と、グランド用及び信号入出力用の電極パッド１１４と、これらを電気的に接続する配線パターン１１５とを含む金属パターンが形成された構成を有する。
【０００５】
このようなＳＡＷ素子チップ１１０は、キャビティを有するパッケージ内に気密性高く封止される（例えば特許文献１参照）。図２に、ＳＡＷデバイス１００の構成を示す。尚、図２において、（ａ）はＳＡＷデバイス１００の構成を示す内部透視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【０００６】
図２に示すように、ＳＡＷデバイス１００は、パッケージの一方の面（これを上面とする）に開口部を持つキャビティ１０２を有し、これにＳＡＷ素子チップ１１０がフェイスアップ状態で実装されている。ＳＡＷ素子チップ１１０における第１の主面と反対側の面（これを第２の主面とする）は接着剤１１６等を用いてキャビティ１０２の底面に固着される。
【０００７】
また、パッケージはステム１０１ａと電極パッド１０４とシグナルフットパターン１０５ａとグランドフットパターン１０５ｂとを有する。ステム１０１ａはパッケージの主要な骨組みであり、主としてパッケージの側壁とＳＡＷ素子チップ１１０を載置するための平坦部１０１ｃとを形成する。ＳＡＷ素子チップ１１０は平坦部１０１ｃに接着剤１１６を用いてフェイスアップ状態に固着される。
【０００８】
ステム１０１ａにおける上面側の縁は折り曲げられ、鍔１０１ｂが形成される。電極パッド１０４はキャビティ１０２内部に設けられたインナ端子として機能する。電極パッド１０４は金属ワイヤ１０７を用いてＳＡＷ素子チップ１１０の電極パッド１１４と電気的に接続される。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１１０とパッケージとはワイヤボンディングされる。電極パッド１０４はコ字形状に折り曲げられ、一方の端がパッケージ裏面に露出される。パッケージ裏面に露出した電極パッド１０４はシグナルフットパターン１０５ａとして機能する。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１１０の電極パッド１１４はパッケージ裏面まで電気的に引き回されている。ＳＡＷ素子チップ１１０への信号の入出力はこのシグナルフットパターン１０５ａを介して行われる。また、ステム１０１ａにはコ字形状に折り曲げられたグランドフットパターン１０５ｂが接続される。グランドフットパターン１０５ｂを接地することで、パッケージが帯電することを防止できる。
【０００９】
更に、パッケージの裏面側はガラス部１０６により気密性高く封止される。パッケージの上面側はリッド１０３により気密性高く封止される。パッケージとリッド１０３との接合には、一般的にシーム溶接が用いられる。
【００１０】
また、以下に示す特許文献２には、同様な構成を有する電子部品が開示されている。
【特許文献１】特開平７−３３６１８６号公報
【特許文献２】特開２００１−６０８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来による電極パッド１０４は、図３のグラフに示すように、表面の平均的な荒さＲａ100が０．５５μｍ程度であった。すなわち、表面に激しい凹凸が存在した。また、電極パッド１０４表面を構成する粒子の直径が８０μｍ程度と、金属ワイヤ１０７の直径（３０μｍ程度）と比較して大きな径を有していた。これらの理由から、図４に示すように、金属ワイヤ１０７と電極パッド１０４との接触が不均一な点（図４の接続点）の分布となってしまう。すなわち、金属ワイヤ１０７と電極パッド１０４とを均一にボンディングすることが困難である。従って、従来ではワイヤ接続における信頼性を得ることができないという問題が存在した。尚、図３は電極パッド１０４表面の断面曲線を示すグラフであり、図４は図２における領域Ｂの拡大図である。
【００１２】
そこで本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、ワイヤ接続信頼性が確保された弾性表面波装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、キャビティを有するパッケージに設けられた第１の端子と前記パッケージ内に収納された素子の第２の端子とが金属ワイヤにより電気的に接続された弾性表面波装置であって、前記第１の端子表面の平均的な荒さが０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下であるように構成される。金属ワイヤがボンディングされる第１の端子に、平均的な荒さが０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下である平滑な表面を持たせることで、これらの接触面積を確保することができる。結果として、これらの接合強度を向上させることができ、ワイヤ接続信頼性を確保することができる。
【００１４】
また、上記した第１の端子表面には、例えば請求項２記載のように、機械研磨，化学研磨又は化学機械研磨が施されていてもよい。
【００１５】
また、上記した第１の端子表面には、例えば請求項３記載のように、金属メッキが施されていてもよい。
【００１６】
また、上記した第１の端子表面には、例えば請求項４記載のように、ニッケル膜と金膜とが形成されていてもよい。ニッケル膜と金膜との積層体を第１の端子表面に形成することで、第１の端子の比抵抗を低減し、また金属ワイヤの接続性を向上することができる。
【００１７】
また、上記したニッケル膜の厚さは、例えば請求項５記載のように、３〜７μｍであってもよい。更に、上記した金膜の厚さは、例えば請求項６記載のように、０．１〜２．０μｍであってもよい。
【００１８】
また、上記した第１の端子は、例えば請求項７記載のように、４２アロイ又はコバールを含んで形成されてもよい。
【００１９】
また、上記した第１の端子表面を形成する粒子の直径は、請求項８記載のように、前記金属ワイヤの直径よりも小さいことが好ましい。第１の端子表面の粒径を金属ワイヤの直径よりも小さくすることで、第１の端子と金属ワイヤとの接続面に存在する隙間を狭めることが可能となり、実質的な接続面積を確保することができる。これにより、より安定して第１の端子と金属ワイヤとを接続することができる。
【００２０】
また、上記した金属ワイヤの直径よりも直径が小さい粒子は、例えば請求項９記載のように、前記第１の端子表面を形成する粒子のうち少なくとも８０％であればよい。少なくとも８０％の粒子が金属ワイヤの直径よりも小さい粒径を持つことで、十分に接続面積を確保することが可能となる。
【００２１】
また、他の本発明は、請求項１０記載のように、キャビティを有するパッケージに設けられた第１の端子と前記パッケージ内に収納された素子の第２の端子とを金属ワイヤで電気的に接続する工程を含む弾性表面波装置の製造方法であって、前記第１の端子表面の平均的な荒さが０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下となるように当該表面を平滑化する工程を有して構成される。金属ワイヤがボンディングされる第１の端子を、平均的な荒さが０．１μｍ以上で且つ０．４μｍ以下となるように平滑化することで、これらの接触面積を確保することができる。結果として、これらの接合強度を向上させることができ、ワイヤ接続信頼性が確保された弾性表面波装置を製造できる。
【００２２】
また、上記した平滑化する工程は、例えば請求項１１記載のように、前記第１の端子表面を機械研磨，化学研磨又は化学機械研磨を用いて平滑化してもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ワイヤ接続信頼性が確保された弾性表面波装置及びその製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
まず、本発明による実施例１について図面を用いて詳細に説明する。本実施例では弾性表面波（ＳＡＷ）素子チップがパッケージに実装されたＳＡＷデバイスを例に挙げる。但し、本発明はこれに限定されず、電極パッドをワイヤボンディングする構成の電子部品であれば、如何なるものも適用することができる。
【００２６】
図５（ａ）は、本実施例による弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス１０の構成を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【００２７】
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＳＡＷデバイス１０は、パッケージの一方の面（上面）に開口部を持つキャビティ２を有し、これにＳＡＷ素子チップ１１０がフェイスアップ状態で実装されている。ＳＡＷ素子チップ１１０における第１の主面と反対側の面（第２の主面）は接着剤１１６等を用いてキャビティ２の底面に固着されている。ここで、ＳＡＷ素子チップとはチップ化したＳＡＷ素子を指し、フェイスアップ状態とはＩＤＴや配線パターンや電極パッド等の金属パターンが形成された面がパッケージとの接着面に対して上を向いた状態を指す。その構成例は、図１に示すものと同様である。
【００２８】
ＳＡＷ素子チップ１１０は、例えば切り出し角が回転Ｙカットである４２°ＹカットＸ伝搬リチウムタンタレート（ＳＡＷの伝搬方向Ｘの線膨張係数が１６．１ｐｐｍ／℃）の圧電基板（以下、ＬＴ基板という）１１１の第１の主面上に、ＩＤＴ１１３と電極パッド（第２の端子）１１４と配線パターン１１５とを含む金属パターンが形成された構成を有する。但し、圧電基板１１１には、上記したＬＴ基板の他に、例えばリチウムナイオベートの圧電基板（以下、ＬＮ基板という）や水晶等の圧電材料基板を使用することができる。また、金属パターンは例えばアルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜で形成される。但し、この他にも、例えば銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ），ルテニウム（Ｒｕ）又はロジウム（Ｒｈ）等を含む金属膜で形成することもできる。更に、金属パターンは単層膜として形成されても良いが、複数の金属膜を含んで成る多層膜として形成されても良い。多層膜として形成する場合、異なる材料の金属膜を積層しても良い。
【００２９】
また、パッケージはステム１ａと電極パッド（第１の端子）４とシグナルフットパターン５ａとグランドフットパターン５ｂとを有する。ステム１ａはパッケージの主要な骨組みであり、主としてパッケージの側面とＳＡＷ素子チップ１１０を載置するための平坦部１ｃを形成する。このステム１ａは例えば４２アロイ等の金属材料を用いて作成される。但し、この他にも力学的及び熱的に十分な強度を得ることができる導電性の材料であれば如何なるものを用いて作成しても良い。また、電極パッド４とシグナルフットパターン５ａとグランドフットパターン５ｂとを形成する金属部材は例えば４２アロイ等の金属材料を用いて形成される。但し、この他にも電極として機能することができる金属材料であれば如何なるものを適用しても良い。
【００３０】
ステム１ａにおける上面側の縁は折り曲げられ、鍔部１ｂが形成される。すなわち、キャビティ２の開口部周囲は鍔形状を成している。本実施例では鍔部１ｂの幅を例えば３００μｍとする。尚、鍔部１ｂの幅とはステム１ａとの連結部分から鍔部１ｂの縁までを指す。
【００３１】
ＳＡＷ素子チップ１１０はステム１ａの平坦部１ｃに接着剤１１６を用いてフェイスアップ状態に固着される。電極パッド４はキャビティ２内部に設けられたインナ端子として機能する。電極パッド４は金属ワイヤ７を用いてＳＡＷ素子チップ１１０の電極パッド１１４と電気的に接続される。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１１０とパッケージとはワイヤボンディングされる。電極パッド４はコ字形状に折り曲げられ、一方の端がパッケージ裏面に露出される。パッケージ裏面に露出した電極パッド４はシグナルフットパターン５ａとして機能する。すなわち、ＳＡＷ素子チップ１１０の電極パッド４はパッケージの裏面まで電気的に引き回されている。ＳＡＷ素子チップ１１０への信号の入出力はこのシグナルフットパターン５ａを介して行われる。また、ステム１ａにはコ字形状に折り曲げられたグランドフットパターン５ｂが接続される。グランドフットパターン５ｂを接地することで、パッケージが帯電することを防止でき、フィルタ特性を向上させることができる。
【００３２】
更に、パッケージの裏面側は絶縁性部材であるガラス部６により気密性高く封止される。ガラス部６は、例えばホウ素（Ｂ）を含有するホウ珪酸ガラス等を使用して形成することが可能であるが、この他にも例えばカリウム（Ｋ）やナトリウム（Ｎａ）等の何れかを含有するガラス等を用いて形成することもできる。また、ガラスに限定されず、絶縁性を有する材料であれば如何なるものも適用することができる。但し、充填時の容易性を考慮して、熱軟化性の材料を用いることが好ましい。ガラスを用いることは、これが安価な材料であり且つ熱軟化性を有することからも優位である。
【００３３】
一方、パッケージの上面側はリッド３により気密性高く封止される。パッケージとリッド３との接合には、一般的なシーム溶接を用いることが可能である。但し、この他にもプロジェクション溶接などの方法を用いることが可能である。
【００３４】
次に、本実施例による電極パッド４について図面を用いて詳細に説明する。図６は電極パッド４表面の断面曲線を示すグラフである。また、これと対比する電極パッド、すなわち従来技術による電極パッド１０４（図２参照）表面の断面曲線は図３に示した。
【００３５】
図６に示すように、本実施例による電極パッド４表面の平均的な荒さＲａ10は０．１９μｍ程度である。これは、従来による電極パッド１０４表面の平均的な荒さＲａ100（＝０．５５μｍ程度）と比較して非常に小さい。すなわち、電極パッド４は従来の電極パッド１０４と比較して非常に滑らかな表面を持つ。このため、図７に示すように、電極パッド４と金属ワイヤ７とが略面（接触面）となる状態で互いに接触する。これにより、電極パッド４表面に金属ワイヤ７を安定して接続することができる。例えば表面の平均的な荒さＲａ10を０．４μｍ以下とすることで、金属ワイヤ７と電極パッド４との接触面積を十分に確保することが可能となり、ボンディング時の歩留りを９４．５％以上と高い値にすることができた。また、電極パッド４表面の平均的な荒さＲａ10を０．３μｍ以下とすることで、略１００％の歩留りを得ることができた。尚、図７は図５における領域Ｄの拡大図である。
【００３６】
但し、電極パッド４表面が完全な鏡面である場合、金属ワイヤ７と電極パッド４との接触面積が小さく、また、引っ掛かりが無いため、ボンディングした金属ワイヤ７が外れ易くなるという可能性が存在する。このため、電極パッド４表面に微細な凹凸を残すことが好ましい。例えば表面の平均的な荒さＲａ10を０．１μｍ以上とすることで、金属ワイヤ７を電極パッド４にしっかりと固定することができた。
【００３７】
また、本実施例では電極パッド４表面を形成する４２アロイ粒子の直径（以下、粒径という）を金属ワイヤ７の直径よりも小さくすることで、更に安定したワイヤボンディングが可能となる。図８に示すように、一般的な金属ワイヤ７の直径は３０μｍ程度である。ここで、例えば図８（ａ）に示すように、４２アロイ粒子の粒径が４０μｍである場合、金属ワイヤ７と４２アロイ粒子との接触面に金属ワイヤ７の直径程度の隙間が存在してしまう。このため、実質的な接触面積が少なく、金属ワイヤ７と電極パッド４との接続強度が小さい。そこで本実施例では、４２アロイ粒子の粒径を金属ワイヤ７の直径（略３０μｍ）よりも小さくする。例えば図８（ｂ）に示すように、４２アロイ粒子の粒径を２０μｍとすることで、金属ワイヤ７との接触面に存在する隙間を狭くすることができ、金属ワイヤ７と電極パッド４との接続強度を比較的大きく保つことが可能となった。但し、電極パッド４表面を形成する全ての４２アロイ粒子が金属ワイヤ７の直径以下の粒径を有する必要はない。例えば、少なくとも８０％以上の４２アロイ粒子が金属ワイヤ７の直径以下の粒径を有することで、電極パッド４と金属ワイヤ７との接合強度を十分に得ることができる。
【００３８】
次に、本実施例によるＳＡＷデバイス１０の製造方法について図面と共に説明する。
【００３９】
図９から図１２は、ＳＡＷデバイスの製造方法を示すプロセス図である。先ず、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＳＡＷ素子チップ１１０を収納するためのキャビティ２を有するステム１ａを形成する。尚、図９（ａ）はステム１ａの上視図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。キャビティ２内には、ＳＡＷ素子チップ１１０を載置するための平坦部１ｃが形成される。また、ステム１ａの底面には、金属部材を配置するための開口部１ｄが形成される。
【００４０】
また、本製造方法では、図９（ｃ）に示すようなＬ字形状の金属部材４０を作製する。この工程では、例えばプレス／絞り加工を用いることができる。プレス／絞り加工を用いることで、金属部材４０表面の平均的な荒さＲａ10を小さくすることができる。尚、金属部材４０は、電極パッド４及びシグナルフットパターン５ａ、又はグランドフットパターン５ｂとして機能する端子を有する。
【００４１】
以上のようにステム１ａと金属部材４０とを作製すると、次に、図１０（ａ）に示すように、平坦部１ｃ下側と開口部１ｄとにそれぞれ金属部材４０を配置する。尚、平坦部１ｃ下側に設けた金属部材はグランドフットパターン５ｂとなる金属部材であり、後段のプロセスにおいてコ字状に折り曲げられる。また、開口部１ｄに設けた金属部材は電極パッド４及びシグナルフットパターン５ａとなる金属部材であり、後段のプロセスにおいてコ字形状に折り曲げられる。
【００４２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ステム１ａ下部の開口部をガラス部６により気密性高く封止する。この工程は、例えばガラス製のブロックをステム１ａ下部に配置し、これを例えば９００℃程度に加熱して融着することで行うことができる。このように加熱処理を用いた場合、金属部材４０表面が融解及び酸化し、これの平均的な荒さＲａ10が大きくなる。
【００４３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、突出した金属部材４０を折り曲げる。これにより、シグナルフットパターン５ａ及びグランドフットパターン５ｂを有するパッケージが作製される。
【００４４】
このようにパッケージを作製すると、次に、図１１（ａ）に示すように、パッケージの特に電極パッド４表面を平滑化する。この工程を図１２を用いて詳細に説明する。
【００４５】
図１０（ｂ）で示したような加熱処理を用いることで、金属部材４０の表面には、図１２（ａ）に示すように、酸化膜４ａが形成される。この酸化膜４ａは一般的に高抵抗である。そこで本実施例では、先ず、図１２（ｂ）に示すように、酸化膜エッチング液４１を用いて金属部材４０表面に形成された酸化膜４ａを除去する。これにより、図１２（ｃ）に示すように、金属部材４０の表面が露出する。尚、４ａ’は酸化膜エッチング液４１により食刻された酸化膜である。また、この工程により、ステム１ａ表面の酸化膜も除去される。
【００４６】
次に、図１２（ｄ）に示すように、金属部材４０の表面をエッチングすることで、これを大まかに平滑化する。これにより、図１２（ｅ）に示すように、金属部材４０表面の凹凸がやや解消される。本実施例では金属部材４０を４２アロイで作製したため、本工程ではアロイエッチング液４２が用いられる。尚、４’はアロイエッチング液４２により食刻された４２アロイである。また、この工程により、ステム１ａ表面も平滑化される。
【００４７】
次に、図１２（ｆ）に示すように、バレル研磨石４３を用いて金属部材４０表面を研磨する。これにより、図１２（ｇ）に示すように、平滑な表面を有する金属部材４０が作製される。すなわち、金属部材４０表面の平均的な荒さＲａ10が小さくなる。尚、４’はバレル研磨石４３により削り取られた４２アロイである。また、この工程により、ステム１ａ表面も平滑化される。更に、本説明では、バレル研磨石を用いる方法を例に挙げたが、本発明ではこのような機械研磨による方法に限定されず、化学研磨による方法や、ＣＭＰ（化学機械研磨）による方法など、種々の研磨方法を使用することができる。更にまた、上記では、ガラス部６から露出した金属部材４０（但し、ステム１ａを含んでもよい）を平滑化する場合を例に挙げたが、本発明では少なくとも電極パッド４の表面が平滑化されればよい。
【００４８】
また、本実施例では、平滑化した電極パッド４の表面に金属メッキを施すことで、電極パッド４の比抵抗を低減し、また金属ワイヤ７の接続性を向上することができる。金属ワイヤ７には例えば金を用いることができる。従って、金属メッキに例えばニッケルと金とを用いることで、金属ワイヤ７の接続強度を向上することができる。本実施例では例として、図１２（ｈ）に示すように、４２アロイ（電極パッド４）上にニッケル膜４Ａを形成し、この上に金膜４Ｂを形成する。このように、ニッケル膜４Ａと金膜４Ｂとの積層体を用いた場合、ニッケルメッキ４Ａの厚さを３〜７μｍとし、金メッキ４Ｂの厚さを０．１〜２．０μｍとするとよい。また、上記工程後、パッケージは洗浄され、付着物などが除去される。
【００４９】
以上のようにしてパッケージを作製すると、次に、図１１（ｂ）に示すように、ステム１ａにおける平坦部１ｃ上にＳＡＷ素子チップ１１０をフェイスアップ状態に固着する。この際、平坦部１ｃとＳＡＷ素子チップ１１０との接着には例えば樹脂製の接着剤１１６を使用することができる。また、ＳＡＷ素子チップ１１０の電極パッド１１４と電極パッド４とを金属ワイヤ７によりボンディングする。これにより、ＳＡＷ素子チップ１１０とパッケージとが電気的に接続される。
【００５０】
キャビティ２内にＳＡＷ素子チップ１１０が収納された後、パッケージは、図１１（ｃ）に示すように、リッド３を用いて気密性高く封止される。これには例えばシーム溶接を用いることができる。ここで本実施例では、上記工程によりステム１ａ（特に鍔部１ｂ）の表面も平滑化されているため、リッド３と鍔部１ｂとの接触部に存在する隙間をより低減することができる。すなわち、キャビティ２の気密性を高めることもできる。その後、レーザ光等を用いてマーキングされた後、所定の検査が行われる。
【００５１】
以上説明したように、本実施例によれば、金属ワイヤ７がボンディングされる電極パッド４の表面が平滑であるため、これらの接触面積を確保することができ、これらの接合強度を向上させることができる。結果として、ワイヤ接続信頼性を確保することができる。
【００５２】
尚、以上の説明では、金属部材４０、すなわち電極パッド４（但し、シグナルフットパターン５ａ，グランドフットパターン５ｂを含む）を４２アロイを用いて作製したが、本発明ではこれに限定されず、例えばコバールなどの合金を用いることも可能である。
【００５３】
また、上記した実施例１は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、これらの実施例を種々変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において、他の様々な実施例が可能であることは上記記載から自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】一般的なＳＡＷ素子チップ１１０の概略構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は従来技術によるＳＡＷデバイス１００の構成を示す内部透視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来技術による電極パッド１０４表面の断面曲線を示すグラフである。
【図４】図２における領域Ｂの拡大図である。
【図５】（ａ）は本発明の実施例１によるＳＡＷデバイス１０の構成を示す内部透視図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】本発明の実施例１による電極パッド４表面の断面曲線を示すグラフである。
【図７】図５における領域Ｄの拡大図である。
【図８】（ａ）は４２アロイ粒子の粒径を４０μｍとした場合の金属ワイヤ７と４２アロイ粒子との接触を示す概念図であり、（ｂ）は４２アロイ粒子の粒径を２０μｍとした場合の金属ワイヤ７と４２アロイ粒子との接触を示す概念図である。
【図９】本発明の実施例１によるＳＡＷデバイス１０の製造方法を示すプロセス図である（１）。
【図１０】本発明の実施例１によるＳＡＷデバイス１０の製造方法を示すプロセス図である（２）。
【図１１】本発明の実施例１によるＳＡＷデバイス１０の製造方法を示すプロセス図である（３）。
【図１２】図１１（ａ）に示す工程の詳細を示すプロセス図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ａ  ステム
１ｂ  鍔部
１ｃ  平坦部
１ｄ  開口部
２  キャビティ
３  リッド
４  電極パッド
４’  ４２アロイ
４Ａ  ニッケル膜
４Ｂ  金膜
４ａ、４ａ’  酸化膜
５ａ  シグナルフットパターン
５ｂ  グランドフットパターン
６  ガラス部
７  金属ワイヤ
１０  ＳＡＷデバイス
４０  金属部材
４１  酸化膜エッチング液
４２  アロイエッチング液
４３  バレル研磨石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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