(57)【要約】【課題】效率の低下なしに安定したサステイン放電を可能にし、また電圧の変化量によるノイズによる效率の減少及び誤動作を防止し得るようにしたプラズマディスプレイのエネルギー回収装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置は、サステイン電圧を共振させて前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路と、前記共振回路で生成される電圧が前記サステイン電圧を超えないように制限するダイオードと、前記ダイオードの制御下に前記共振回路から前記サステイン電圧を供給されるパネルと、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サステイン電圧を共振させて前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路と、
前記共振回路で生成される電圧が前記サステイン電圧を超えないように制限するダイオードと、
前記ダイオードの制御下に前記共振回路から前記サステイン電圧を供給されるパネルと、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２】
前記エネルギー回収装置は、
前記共振回路に接続されると共に前記サステイン電圧が保存されるソースキャパシタと、
前記ソースキャパシタに並列に接続されるサステイン電圧源と、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項３】
前記共振回路は、
前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、
前記パネルキャパシタと前記ソースキャパシタとの間に接続されるインダクタと、を備えることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項４】
前記エネルギー回収装置は、
前記ソースキャパシタと前記インダクタの一側との間に設置され、前記ソースキャパシタの充電された前記サステイン電圧が前記インダクタに供給されるときにターンオンされる第１スィッチと、
前記ソースキャパシタと前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記サステイン電圧が供給されるときにターンオンされる第２スィッチと、
基底電圧源と前記インダクタの一側との間に設置され、前記パネルに充電された電圧が放電するときにターンオンされる第３スィッチと、
前記基底電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記基底電圧源の電圧が供給されるときにターンオンされる第４スィッチと、をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項５】
前記ダイオードは前記第２スィッチの内部ダイオードであることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項６】
前記第１スィッチがターンオンされると、前記インダクタにエネルギーが充電され、前記第１スィッチがターンオフされたとき、前記インダクタの充電されたエネルギーは、前記ダイオード及び第２スィッチのうち少なくとも一つ以上を経由して前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする請求項４又は５記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項７】
前記第３スィッチがターンオンされると、パネルに充電された電圧は、前記インダクタを経由して正弦波的に降下しながら前記基底電圧源に供給されることを特徴とする請求項４乃至５の何れか記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項８】
前記第３スィッチがターンオンされたとき、前記インダクタに充電されたエネルギーは、前記第３スィッチがターンオフされた後に前記第１スィッチの内部ダイオードを経由して前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項９】
前記エネルギー回収装置は、
前記共振回路に接続されると共に前記サステイン電圧の半分にあたる電圧値を持つ基準電圧源と、
前記基準電圧源と基底電圧源との間に設置され、前記サステイン電圧の半分にあたる電圧が充電されるソースキャパシタと、を備えることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１０】
前記共振回路は、
前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、
前記ソースキャパシタ及び基準電圧源の間の共通端子と前記パネルキャパシタとの間に接続されるインダクタと、を備えることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１１】
前記基準電圧源の電圧値と前記ソースキャパシタの電圧値とが加算されて生成される前記サステイン電圧が、前記共振回路に供給されることを特徴とする請求項９又は１０記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１２】
前記エネルギー回収装置は、
前記基準電圧源と前記インダクタの一側との間に設置され、前記サステイン電圧が前記インダクタに供給されるときにターンオンされる第１スィッチと、
前記基準電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記サステイン電圧が前記パネルに供給されるときにターンオンされる第２スィッチと、
前記ソースキャパシタと前記インダクタの一側との間に設置され、前記パネルに充電された電圧が前記ソースキャパシタに回収されるときにターンオンされる第３スィッチと、
前記基底電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記基底電圧源の電圧が供給されるときにターンオンされる第４スィッチと、をさらに備えることを特徴とする請求項９乃至１１の何れか記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１３】
前記ダイオードは前記第２スィッチの内部ダイオードであることを特徴とする請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１４】
前記第３スィッチがターンオンされると、パネルに充電された電圧は、前記インダクタを経由して正弦波的に降下しながら前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする 請求項１２又は１３記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１５】
前記エネルギー回収装置は、
前記第１スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第１ダイオードと、
前記第２スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第２ダイオードと、
前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子と前記基底電圧源との間に設置され、前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子の電圧を前記基底電圧以上に維持するための第３ダイオードと、
前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子と前記基準電圧源との間に設置され、前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子の電圧を前記サステイン電圧以下に維持するための第４ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項１６】
サステイン電圧を共振させて前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生する第１段階と、
前記第１段階で生成される電圧が、前記サステイン電圧を超えないように制御されながら、放電セルに等価的に形成されたパネルキャパシタに供給される第２段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法。
【請求項１７】
前記エネルギー回収方法は、
前記パネルキャパシタの電圧を前記サステイン電圧で維持させる第３段階と、
前記パネルキャパシタに充電された電圧が正弦波的に降下できるようにインダクタを経由して放電させる第４段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法。
【請求項１８】
前記第２段階では、前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路とサステイン電圧源との間に形成されたダイオードを利用して、前記第１段階で生成される電圧が前記サステイン電圧を超えないように制御することを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法。
【請求項１９】
正極性の第１電圧と負極性の第２電圧とを供給してサステイン放電を起こすためのプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置において、
前記第１電圧を共振させて前記第１電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路と、
前記共振回路で生成される電圧が前記第１電圧を超えないように制限するダイオードと、
前記ダイオードの制御下に前記共振回路から前記第１電圧を供給されて前記第２電圧から前記第１電圧に上昇するパネルと、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２０】
前記エネルギー回収装置は、
前記共振回路に前記第１電圧を供給すると共に、負極性端子が基底電圧源に接続される基準電圧源と、
前記基準電圧源の負極性端子に正極性端子が接続されると共に、前記パネルに充電された第１電圧を回収して充電することで前記第２電圧を生成するソースキャパシタと、をさらに備えることを特徴とする請求項１９記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２１】
前記第１電圧及び第２電圧は同一の絶対値の電圧値に設定されることを特徴とする請求項１９又は２０記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２２】
前記共振回路は、
前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、
前記パネルキャパシタと前記基準電圧源との間に接続されるインダクタと、を備えることを特徴とする請求項２０又は２１記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２３】
前記エネルギー回収装置は、
前記基準電圧源と前記インダクタの一側との間に設置され、前記第１電圧が前記インダクタに供給されるときにターンオンされる第１スィッチと、
前記基準電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記第１電圧が供給されるときにターンオンされる第２スィッチと、
前記ソースキャパシタの正極性端子と前記インダクタの一側との間に設置され、前記パネルに充電された電圧が前記ソースキャパシタに供給されるときにターンオンされる第３スィッチと、
前記ソースキャパシタの負極性端子と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記第２電圧が供給されるときにターンオンされる第４スィッチと、をさらに備えることを特徴とする請求項２２記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２４】
前記ダイオードは前記第２スィッチの内部ダイオードであることを特徴とする請求項２３記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２５】
前記第３スィッチがターンオンされると、パネルに充電された電圧は、前記インダクタを経由して正弦波的に降下しながら前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする 請求項２３記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２６】
前記エネルギー回収装置は、
前記第１スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第１ダイオードと、
前記第２スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第２ダイオードと、
前記第１スィッチ及び前記第１ダイオードの共通端子と前記ソースキャパシタの負極性端子との間に設置され、前記第１スィッチ及び前記第１ダイオードの共通端子の電圧が前記第２電圧以下に降下することを防止するための第３ダイオードと、
前記インダクタ及び前記第１ダイオードの共通端子と前記基準電圧源との間に設置され、前記インダクタ及び前記第１ダイオードの共通端子の電圧が前記第１電圧以上に上昇することを防止するための第４ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする請求項２３記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置。
【請求項２７】
正極性の第１電圧と負極性の第２電圧とを供給してサステイン放電を起こすためのプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法において、
前記第１電圧を共振させて前記第１電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる段階と、
前記共振した電圧が前記第１電圧を超えないように制御する段階と、
前記共振した電圧が前記パネルに供給されて前記パネルの電圧を前記第２電圧から前記第１電圧まで上昇させる段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法。
【請求項２８】
前記エネルギー回収方法は、
前記パネルの電圧が前記第１電圧まで上昇した後に前記第１電圧を維持させる段階と、
前記パネルの電圧が前記正弦波的に降下できるようにインダクタを経由して前記パネルの電圧を第２電圧まで降下させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２７記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法。
【請求項２９】
前記第１電圧及び第２電圧は同一の絶対値の電圧値に設定されることを特徴とする請求項２７記載のプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法。
【請求項３０】
パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスと、
前記第１パスに接続され、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２パスと、
前記パスされた前記サステイン電圧を基底電圧源に放電させる第３パスと、
前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する第１遮断素子と、
前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する第２遮断素子と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３１】
前記エネルギー回収装置は、
前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、
前記サステイン電圧を発生するサステイン電圧源と、
前記サステイン電圧源からの前記サステイン電圧が供給されると共に、前記第２パスを介して供給される前記電圧が保存されるソースキャパシタと、をさらに備えることを特徴とする請求項３０記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３２】
前記第１パスは、
前記ソースキャパシタに接続された第１ノードと、
前記第１ノードと前記パネルキャパシタとの間に接続されるインダクタと、
前記第１ノードと前記インダクタとの間に接続され、前記ソースキャパシタと前記インダクタとの間のパスを形成する第１スィッチと、を備えることを特徴とする請求項３１記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３３】
前記第２パスは、
前記インダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードと前記第１ノードとの間に接続される第２スィッチと、
前記インダクタと前記第１スィッチとの間の第２ノードと前記基底電圧源との間に接続される第１ダイオードと、を備えることを特徴とする請求項３２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３４】
前記第１ダイオードは前記第２ノード上の電圧が基底電圧以下に降下することを防止することを特徴とする請求項３３記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３５】
前記第２スィッチは前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２ダイオードを備えることを特徴とする請求項３３記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３６】
前記第３パスは、
前記第２ノードと前記基底電圧源との間に接続された第３スィッチを備えることを特徴とする請求項３３記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３７】
第１遮断素子は、
前記第１スィッチと前記第１ノードとの間に接続される第１補助スィッチであることを特徴とする請求項３２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３８】
第２遮断素子は、
前記第３スィッチと前記基底電圧源との間に接続される第２補助スィッチであることを特徴とする請求項３６記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項３９】
前記エネルギー回収装置は、
前記パネルに前記基底電圧源からの基底電圧を供給する第４パスをさらに備えることを特徴とする請求項３２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項４０】
前記第４パスは、
前記パネルキャパシタと前記インダクタとの間のノードと前記基底電圧源との間に接続される第４スィッチを備えることを特徴とする請求項３９記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項４１】
前記エネルギー回収装置は、
前記第１スィッチと前記第２ノードとの間の逆電流を防止する第３ダイオードと、
前記第２ノードと前記第３スィッチとの間の逆電流を防止する第４ダイオードと、
前記第２ノードと前記第１ノードとの間に接続され、前記第２ノード上の電圧が前記サステイン電圧以上に上昇することを防止する第５ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする請求項３６記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項４２】
パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスを形成する段階と、
前記第１パスに接続される第２パスを形成し、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする段階と、
前記パネルに供給された前記サステイン電圧を基底電圧源に放電させる第３パスを形成する段階と、
前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する段階と、
前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【請求項４３】
前記エネルギー回収方法は、
前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタの電圧を前記サステイン電圧で維持させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項４２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【請求項４４】
前記クリップする段階は、
前記第１パス上のインダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードに接続されたダイオードを利用して、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧をソースキャパシタに保存して前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧で維持させることを特徴とする請求項４２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【請求項４５】
前記第３パスを形成する段階は、
前記パネルキャパシタに充電された電圧が正弦波的に降下するように、前記インダクタを経由して前記パネルキャパシタに充電された電圧を前記基底電圧源に放電させることを特徴とする請求項４４記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収方法
【請求項４６】
パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスと、
前記第１パスに接続され、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２パスと、
前記パネルに供給された前記サステイン電圧を第１ソースキャパシタに保存する第３パスと、
前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する第１遮断素子と、
前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する第２遮断素子と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項４７】
前記エネルギー回収装置は、
前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、
前記サステイン電圧より低い電圧を発生するサステイン電圧源と、
前記サステイン電圧源に並列に接続されると共に前記第１ソースキャパシタに接続される第２ソースキャパシタと、をさらに備えることを特徴とする請求項４６記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項４８】
前記第１パスは、
前記第２ソースキャパシタに接続された第２ノードと前記パネルキャパシタとの間に接続されるインダクタと、
前記第２ノードと前記インダクタとの間に接続され、前記第２ノードと前記インダクタとの間のパスを形成する第１スィッチと、を備えることを特徴とする請求項４７記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項４９】
前記第２パスは、
前記インダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードと前記第２ノードとの間に接続される第２スィッチと、
前記インダクタと前記第１スィッチとの間の第３ノードと前記基底電圧源との間に接続される第１ダイオードと、を備えることを特徴とする請求項４８記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５０】
前記第１ダイオードは前記第３ノード上の電圧が基底電圧以下に降下することを防止することを特徴とする請求項４９記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５１】
前記第２スィッチは、前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２ダイオードを備えることを特徴とする請求項４９記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５２】
前記第３パスは、
前記第３ノードと前記第１ソースキャパシタとの間に接続された第３スィッチを備えることを特徴とする請求項４８記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５３】
前記第１遮断素子は、
前記第１スィッチと前記第２ノードとの間に接続される第１補助スィッチであることを特徴とする請求項４８記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５４】
前記第２遮断素子は、
前記第３スィッチと前記第１ソースキャパシタとの間に接続される第２補助スィッチであることを特徴とする請求項５２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５５】
前記エネルギー回収装置は、
前記パネルに、前記基底電圧源からの基底電圧を供給する第４パスをさらに備えることを特徴とする請求項４８記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５６】
前記第４パスは、
前記パネルキャパシタと前記インダクタとの間のノードと前記基底電圧源との間に接続される第４スィッチを備えることを特徴とする請求項５５記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５７】
前記エネルギー回収装置は、
前記第１スィッチと前記第３ノードとの間の逆電流を防止する第３ダイオードと、
前記第３ノードと前記第３スィッチとの間の逆電流を防止する第４ダイオードと、
前記第３ノードと前記第２ノードとの間に接続され、前記第３ノード上の電圧が前記サステイン電圧以上に上昇することを防止する第５ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする請求項５２記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置。
【請求項５８】
パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスを形成する段階と、
前記第１パスに接続される第２パスを形成し、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする段階と、
前記パネルに供給された前記サステイン電圧を第１ソースキャパシタに保存する第３パスを形成する段階と、
前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する段階と、
前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【請求項５９】
前記エネルギー回収方法は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタの電圧を前記サステイン電圧で維持させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項５８記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【請求項６０】
前記クリップする段階は、
前記第１パス上のインダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードに接続されたダイオードを利用して、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を第１ソースキャパシタに接続された第２ソースキャパシタに保存して前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧で維持させることを特徴とする請求項５８記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【請求項６１】
前記第３パスを形成する段階は、
前記パネルキャパシタに充電された電圧が正弦波的に降下するように、前記インダクタを経由して前記パネルキャパシタに充電された電圧を前記第１ソースキャパシタに保存する段階を含むことを特徴とする請求項６０記載のプラズマディスプレイのエネルギー回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに係り、より詳細には、プラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：以下、「ＰＤＰ」という）は、デジタルビデオデータによって各画素のそれぞれのガス放電期間を調節することにより、画像を表示する。かかるＰＤＰの代表的なものとしては、図１に示したような３電極を備えて交流電圧によって駆動される交流型ＰＤＰが知られている。
【０００３】
図１を参照すると、３電極交流面放電型ＰＤＰの放電セルは、上部基板１０上に形成された走査電極２８Ｙおよび維持電極２９Ｚと、下部基板１８上に形成されたアドレス電極２０Ｘと、を備える。
【０００４】
走査電極２８Ｙおよび維持電極２９Ｚのそれぞれは、透明電極１２Ｙ、１２Ｚと、透明電極１２Ｙ、１２Ｚの線幅より小さな線幅を有し、透明電極の一側縁に形成される金属バス電極１３Ｙ、１３Ｚと、を含む。透明電極１２Ｙ、１２Ｚは、通常インジウムスズ酸化物（Indium-Tin-Oxide：以下、「ＩＴＯ」という）で上部基板１０上に形成される。金属バス電極１３Ｙ、１３Ｚは、通常クロム（Ｃｒ）などの金属によって透明電極１２Ｙ、１２Ｚ上に形成され、高抵抗の透明電極１２Ｙ、１２Ｚによる電圧降下を抑制する。走査電極２８Ｙと維持電極２９Ｚとが形成された上部基板１０には、上部誘電体層１４および保護膜１６が積層される。上部誘電体層１４にはプラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜１６は、プラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層１４の損傷を防止すると共に２次電子の放出效率を高める。保護膜１６としては、通常、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が用いられる。
【０００５】
アドレス電極２０Ｘは、走査電極２８Ｙおよび維持電極２９Ｚと交差する方向に形成される。アドレス電極２０Ｘの形成された下部基板１８上には、下部誘電体層２２と隔壁２４とが形成され、該下部誘電体層２２および隔壁２４の表面には、蛍光体層２６が形成される。隔壁２４はアドレス電極Ｘに並んで形成され、放電セルを物理的に区分し、放電によって生成された紫外線および可視光が隣接した放電セルに漏洩することを防止する。蛍光体層２６はプラズマ放電時に発生した紫外線によって励起・発光され、赤色、緑色または青色のいずれか一つの可視光線を発生するようになる。上／下部基板１０、１８と隔壁２４との間に設けられた放電セルの放電空間には、放電のためのＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋ＸｅおよびＨｅ＋Ｎｅ＋Ｘｅなどの不活性混合ガスが注入される。
【０００６】
このように駆動される交流面放電型ＰＤＰのアドレス放電およびサステイン放電には、数百Ｖ以上の高圧が必要となる。したがって、アドレス放電およびサステイン放電に必要な駆動電力を最小化するためにエネルギー回収装置が用いられる。エネルギー回収装置は放電セルに印加された電圧を回収し、該回収された電圧を次回の放電時の駆動電圧として用いる。
【０００７】
図２は、従来ＰＤＰのエネルギー回収装置を示す図である。
【０００８】
図２を参照すると、従来のエネルギー回収装置３０，３２は、パネルキャパシタＣｐを挟んで互いに対称的に設けられている。ここで、パネルキャパシタＣｐは、走査電極Ｙと維持電極Ｚとの間に形成される静電容量を等価的に表したものである。第１エネルギー回収装置３０は走査電極Ｙにサステインパルスを供給する。第２エネルギー回収装置３２は、第１エネルギー回収装置３０と交互に動作しながら維持電極Ｚにサステインパルスを供給する。
【０００９】
従来のＰＤＰのエネルギー回収装置３０、３２の構成を、第１エネルギー回収装置３０を参照して説明する。第１エネルギー回収装置３０は、パネルキャパシタＣｐとソースキャパシタＣｓとの間に接続されたインダクタＬと、ソースキャパシタＣｓとインダクタＬとの間に並列に接続された第１および第３スイッチＳ１、Ｓ３と、パネルキャパシタＣｐとインダクタＬとの間に並列に接続された第２および第４スイッチＳ２、Ｓ４と、を備える。
【００１０】
第２スイッチＳ２はサステイン電圧源Ｖｓに接続され、第４スイッチＳ４は基底電圧源ＧＮＤに接続される。ソースキャパシタＣｓは、サステイン放電時にパネルキャパシタＣｐに充電される電圧を回収して充電すると共に、充電された電圧をパネルキャパシタＣｐに再供給する。このようなソースキャパシタＣｓにはサステイン電圧源Ｖｓの半分値にあたるＶｓ／２の電圧が充電される。インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに共振回路を形成する。第１〜第４スイッチＳ１〜Ｓ４は電流の流れを制御する。
【００１１】
第１および第２スイッチＳ１、Ｓ２とインダクタＬとの間にそれぞれ設けられた第５および第６ダイオードＤ５、Ｄ６は、電流が逆方向に流れることを防止する。
【００１２】
図３は、第１エネルギー回収装置の各スイッチのオン／オフタイミングとパネルキャパシタの出力波形とを示すタイミング図および波形図である。
【００１３】
Ｔ１期間の以前にパネルキャパシタＣｐには０Ｖの電圧が充電されると共に、ソースキャパシタＣｓにはＶｓ／２の電圧が充電されていると仮定し、その動作過程を詳しく説明する。
【００１４】
Ｔ１期間では、第１スイッチＳ１がターンオン（Turn-on）されてソースキャパシタＣｓから第１スイッチＳ１、インダクタＬおよびパネルキャパシタＣｐに繋がる電流パスが形成される。電流パスが形成されると、ソースキャパシタＣｓに充電された電圧がパネルキャパシタＣｐに供給される。このとき、インダクタＬとパネルキャパシタＣｐとが直列共振回路を形成するので、パネルキャパシタＣｐにはＶｓ電圧が充電される。
【００１５】
Ｔ２期間では、第１スイッチＳ１がターンオンされると共に第２スィッチＳ２がターンオンされる。第２スイッチＳ２がターンオンされると、サステイン電圧源Ｖｓの電圧が走査電極Ｙに供給される。走査電極Ｙに供給されるサステイン電圧源Ｖｓの電圧は、パネルキャパシタＣｐの電圧がサステイン電圧源Ｖｓ以下に落ちることを防止し、サステイン放電が正常に起こるようにする。一方、パネルキャパシタＣｐの電圧はＴ１期間中にＶｓまで上昇したので、サステイン放電を起こすために外部から供給される駆動電力は最小化される。
【００１６】
Ｔ３期間では、第２スイッチＳ２のターンオン状態を所定時間維持する。したがって、Ｔ３の期間中に走査電極Ｙにはサステイン電圧源Ｖｓの電圧が供給される。
【００１７】
Ｔ４期間では、第２スイッチＳ２がターンオフされると共に第３スイッチＳ３がターンオンされる。第３スイッチＳ３がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐからインダクタＬおよび第３スイッチＳ３を介してソースキャパシタＣｓに繋がる電流パスが形成され、パネルキャパシタＣｐに充電された電圧がソースキャパシタＣｓに回収される。このとき、ソースキャパシタＣｓにはＶｓ／２の電圧が充電される。
【００１８】
Ｔ５期間では、第３スイッチＳ３がターンオフされると共に第４スイッチＳ４がターンオンされる。第４スイッチＳ４がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐと基底電圧源ＧＮＤとの間に電流パスが形成され、パネルキャパシタＣｐの電圧が０Ｖに降下する。Ｔ６期間では、Ｔ５状態を一定の時間維持する。実際に、走査電極Ｙおよび維持電極Ｚに供給される交流駆動パルスは、Ｔ１〜Ｔ６期間が周期的に繰り返されながら得られる。
【００１９】
一方、第２エネルギー回収装置３２は、第１エネルギー回収装置３０と交互に動作しながらパネルキャパシタＣｐに駆動電圧を供給するようになる。したがって、パネルキャパシタＣｐには交互にサステインパルス電圧Ｖｓが供給されるようになる。このように、パネルキャパシタＣｐに交互にサステインパルス電圧Ｖｓが供給されることにより、各放電セルにおいてサステイン放電が起こるようになる。
【００２０】
一方、このような従来のエネルギー回収装置は、ＬＣ共振を用いてパネルキャパシタＣｐに電圧を供給するので、パネルキャパシタＣｐに供給される波形は上昇及び降下時に正弦波形を示す。したがって、パネルキャパシタＣｐに供給される波形は、図４のようにサステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配が減少する。言い換えれば、エネルギー回収装置３０、３２から供給されるパルスは高い勾配で上昇するが、サステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配が減少する。このようにパネルキャパシタＣｐに供給されるパルスの勾配がサステイン電圧Ｖｓに達する直前に減少すると、弱いサステイン放電が行われ十分な輝度を表現できなくなる。
【００２１】
また、サステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配が減少するパルスがパネルキャパシタＣｐに印加される場合、パネルキャパシタＣｐで誤放電（miswriting）が起きてしまう恐れがある（パネルキャパシタＣｐ内に少量の荷電粒子が含まれた場合）。また、パネルキャパシタＣｐに多量のプライミング荷電粒子が含まれている場合、パルスの勾配が徐々に上昇する期間にサステイン放電が発生する可能性がある。ここで、パルスがサステイン電圧Ｖｓに上昇する期間（低い勾配で上昇する期間）中にサステイン放電が発生すると、すなわちパネルキャパシタＣｐにサステイン電圧Ｖｓが供給される前に放電が発生すると、壁電荷が充分に形成されなくてサステイン放電が消滅してしまう場合が発生する。
【００２２】
一方、このような問題点を乗り越えるために図５のような駆動波形をパネルキャパシタＣｐに印加する方法がよく使用されている。すなわち、図５のようにＬＣ共振によってパネルキャパシタＣｐに所定電圧が供給された後、第２スィッチＳ２を強制ターンオンさせることにより、パネルキャパシタＣｐにＶｓの電圧を強制印加する。このようにパネルキャパシタＣｐの電圧がＶｓに達する前に第２スィッチＳ２をターンオンさせると、パネルキャパシタＣｐの電圧が急激にＶｓに上昇するので、正弦波を供給することで発生する問題点を解決することができる。しかし、このように第２スィッチＳ２を強制ターンオンすれば追加的に電圧損失が発生して效率が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本発明は、かかる従来の問題点を解決するためのもので、その目的は、效率の低下なしに安定したサステイン放電を可能にしたエネルギー回収装置及び方法を提供することにある。
【００２４】
本発明の他の目的は、電圧の変化量から生じるノイズによる效率の減少及び誤動作を防止し得るようにしたプラズマディスプレイのエネルギー回収装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置は、サステイン電圧を共振させて前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路と、前記共振回路で生成される電圧が前記サステイン電圧を超えないように制限するダイオードと、前記ダイオードの制御下に前記共振回路から前記サステイン電圧を供給されるパネルと、を備えることを特徴とする。
【００２６】
前記エネルギー回収装置は、前記共振回路に接続されると共に前記サステイン電圧が保存されるソースキャパシタと、前記ソースキャパシタに並列に接続されるサステイン電圧源と、をさらに含むことを特徴とする。
【００２７】
前記共振回路は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、前記パネルキャパシタと前記ソースキャパシタとの間に接続されるインダクタと、を備えることを特徴とする。
【００２８】
前記エネルギー回収装置は、前記ソースキャパシタと前記インダクタの一側との間に設置され、前記ソースキャパシタの充電された前記サステイン電圧が前記インダクタに供給されるときにターンオンされる第１スィッチと、前記ソースキャパシタと前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記サステイン電圧が供給されるときにターンオンされる第２スィッチと、基底電圧源と前記インダクタの一側との間に設置され、前記パネルに充電された電圧が放電するときにターンオンされる第３スィッチと、前記基底電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記基底電圧源の電圧が供給されるときにターンオンされる第４スィッチと、をさらに備えることを特徴とする。
【００２９】
前記ダイオードは前記第２スィッチの内部ダイオードであることを特徴とする。
【００３０】
前記第１スィッチがターンオンされると、前記インダクタにエネルギーが充電され、前記第１スィッチがターンオフされたとき、前記インダクタの充電されたエネルギーは、前記ダイオード及び第２スィッチのうち少なくとも一つ以上を経由して前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする。
【００３１】
前記第３スィッチがターンオンされると、パネルに充電された電圧は、前記インダクタを経由して正弦波的に降下しながら前記基底電圧源に供給されることを特徴とする。
【００３２】
前記第３スィッチがターンオンされたとき、前記インダクタに充電されたエネルギーは、前記第３スィッチがターンオフされた後に前記第１スィッチの内部ダイオードを経由して前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする。
【００３３】
前記エネルギー回収装置は、前記共振回路に接続されると共に前記サステイン電圧の半分にあたる電圧値を持つ基準電圧源と、前記基準電圧源と基底電圧源との間に設置され、前記サステイン電圧の半分にあたる電圧が充電されるソースキャパシタと、を備えることを特徴とする。
【００３４】
前記共振回路は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、前記ソースキャパシタ及び基準電圧源の間の共通端子と前記パネルキャパシタとの間に接続されるインダクタと、を備えることを特徴とする。
【００３５】
前記基準電圧源の電圧値と前記ソースキャパシタの電圧値とが加算されて生成される前記サステイン電圧が、前記共振回路に供給されることを特徴とする。
【００３６】
前記エネルギー回収装置は、前記基準電圧源と前記インダクタの一側との間に設置され、前記サステイン電圧が前記インダクタに供給されるときにターンオンされる第１スィッチと、前記基準電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記サステイン電圧が前記パネルに供給されるときにターンオンされる第２スィッチと、前記ソースキャパシタと前記インダクタの一側との間に設置され、前記パネルに充電された電圧が前記ソースキャパシタに回収されるときにターンオンされる第３スィッチと、前記基底電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記基底電圧源の電圧が供給されるときにターンオンされる第４スィッチと、をさらに備えることを特徴とする。
【００３７】
前記ダイオードは前記第２スィッチの内部ダイオードであることを特徴とする。
【００３８】
前記第３スィッチがターンオンされると、パネルに充電された電圧は、前記インダクタを経由して正弦波的に降下しながら前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする。
【００３９】
前記エネルギー回収装置は、前記第１スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第１ダイオードと、前記第２スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第２ダイオードと、前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子と前記基底電圧源との間に設置され、前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子の電圧を前記基底電圧以上に維持するための第３ダイオードと、前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子と前記基準電圧源との間に設置され、前記第１ダイオード、第２ダイオード及びインダクタの共通端子の電圧を前記サステイン電圧以下に維持するための第４ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする。
【００４０】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法は、サステイン電圧を共振させて前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生する第１段階と、前記第１段階で生成される電圧が、前記サステイン電圧を超えないように制御されながら、放電セルに等価的に形成されたパネルキャパシタに供給される第２段階と、を含むことを特徴とする。
【００４１】
前記エネルギー回収方法は、前記パネルキャパシタの電圧を前記サステイン電圧で維持させる第３段階と、前記パネルキャパシタに充電された電圧が正弦波的に降下できるようにインダクタを経由して放電させる第４段階と、をさらに含むことを特徴とする。
【００４２】
前記第２段階では、前記サステイン電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路とサステイン電圧源との間に形成されたダイオードを利用して、前記第１段階で生成される電圧が前記サステイン電圧を超えないように制御することを特徴とする。
【００４３】
本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置は、正極性の第１電圧と負極性の第２電圧とを供給してサステイン放電を起こすためのプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置において、前記第１電圧を共振させて前記第１電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる共振回路と、前記共振回路で生成される電圧が前記第１電圧を超えないように制限するダイオードと、前記ダイオードの制御下に前記共振回路から前記第１電圧を供給されて前記第２電圧から前記第１電圧に上昇するパネルと、を備えることを特徴とする。
【００４４】
前記エネルギー回収装置は、前記共振回路に前記第１電圧を供給すると共に、負極性端子が基底電圧源に接続される基準電圧源と、前記基準電圧源の負極性端子に正極性端子が接続されると共に、前記パネルに充電された第１電圧を回収して充電することで前記第２電圧を生成するソースキャパシタと、をさらに備えることを特徴とする。
【００４５】
前記第１電圧及び第２電圧は同一の絶対値の電圧値に設定されることを特徴とする。
【００４６】
前記共振回路は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、前記パネルキャパシタと前記基準電圧源との間に接続されるインダクタと、を備えることを特徴とする。
【００４７】
前記エネルギー回収装置は、前記基準電圧源と前記インダクタの一側との間に設置され、前記第１電圧が前記インダクタに供給されるときにターンオンされる第１スィッチと、前記基準電圧源と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記第１電圧が供給されるときにターンオンされる第２スィッチと、前記ソースキャパシタの正極性端子と前記インダクタの一側との間に設置され、前記パネルに充電された電圧が前記ソースキャパシタに供給されるときにターンオンされる第３スィッチと、前記ソースキャパシタの負極性端子と前記インダクタの他側との間に設置され、前記パネルに前記第２電圧が供給されるときにターンオンされる第４スィッチと、をさらに備えることを特徴とする。
【００４８】
前記ダイオードは前記第２スィッチの内部ダイオードであることを特徴とする。
【００４９】
前記第３スィッチがターンオンされると、パネルに充電された電圧は、前記インダクタを経由して正弦波的に降下しながら前記ソースキャパシタに供給されることを特徴とする。
【００５０】
前記エネルギー回収装置は、前記第１スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第１ダイオードと、前記第２スィッチと前記インダクタとの間に逆電流を防止するために設置される第２ダイオードと、前記第１スィッチ及び前記第１ダイオードの共通端子と前記ソースキャパシタの負極性端子との間に設置され、前記第１スィッチ及び前記第１ダイオードの共通端子の電圧が前記第２電圧以下に降下することを防止するための第３ダイオードと、前記インダクタ及び前記第１ダイオードの共通端子と前記基準電圧源との間に設置され、前記インダクタ及び前記第１ダイオードの共通端子の電圧が前記第１電圧以上に上昇することを防止するための第４ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする。
【００５１】
本発明の第２実施形態に係るエネルギー回収方法は、正極性の第１電圧と負極性の第２電圧とを供給してサステイン放電を起こすためのプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法において、前記第１電圧を共振させて前記第１電圧の２倍の電圧まで上昇する電圧を発生させる段階と、前記共振した電圧が前記第１電圧を超えないように制御する段階と、前記共振した電圧が前記パネルに供給されて前記パネルの電圧を前記第２電圧から前記第１電圧まで上昇させる段階と、を含むことを特徴とする。
【００５２】
前記エネルギー回収方法は、前記パネルの電圧が前記第１電圧まで上昇した後に前記第１電圧を維持させる段階と、前記パネルの電圧が前記正弦波的に降下し得るように、インダクタを経由して前記パネルの電圧を第２電圧まで降下させる段階と、を含むことを特徴とする。
【００５３】
前記第１電圧及び第２電圧は同一の絶対値の電圧値に設定されることを特徴とする。
【００５４】
本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置は、パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスと、前記第１パスに接続され、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に達するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２パスと、前記パネルに供給された前記サステイン電圧を基底電圧源に放電させる第３パスと、前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する第１遮断素子と、前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する第２遮断素子と、を備えることを特徴とする。
【００５５】
前記エネルギー回収装置は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、前記サステイン電圧を発生するサステイン電圧源と、前記サステイン電圧源からの前記サステイン電圧が供給されると共に、前記第２パスを介して供給される前記電圧が保存されるソースキャパシタと、をさらに備えることを特徴とする。
【００５６】
前記第１パスは、前記ソースキャパシタに接続された第１ノードと、前記第１ノードと前記パネルキャパシタとの間に接続されるインダクタと、前記第１ノードと前記インダクタとの間に接続され、前記ソースキャパシタと前記インダクタとの間のパスを形成する第１スィッチと、を備えることを特徴とする。
【００５７】
前記第２パスは、前記インダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードと前記第１ノードとの間に接続される第２スィッチと、前記インダクタと前記第１スィッチとの間の第２ノードと前記基底電圧源との間に接続される第１ダイオードと、を備えることを特徴とする。
【００５８】
前記第１ダイオードは前記第２ノード上の電圧が基底電圧以下に降下することを防止することを特徴とする。
【００５９】
前記第２スィッチは前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２ダイオードを備えることを特徴とする。
【００６０】
前記第３パスは、前記第２ノードと前記基底電圧源との間に接続された第３スィッチを備えることを特徴とする。
【００６１】
第１遮断素子は、前記第１スィッチと前記第１ノードとの間に接続される第１補助スィッチであることを特徴とする。
【００６２】
第２遮断素子は、前記第３スィッチと前記基底電圧源との間に接続される第２補助スィッチであることを特徴とする。
【００６３】
前記エネルギー回収装置は、前記パネルに前記基底電圧源からの基底電圧を供給する第４パスをさらに備えることを特徴とする。
【００６４】
前記第４パスは、前記パネルキャパシタと前記インダクタとの間のノードと前記基底電圧源との間に接続される第４スィッチを備えることを特徴とする。
【００６５】
前記エネルギー回収装置は、前記第１スィッチと前記第２ノードとの間の逆電流を防止する第３ダイオードと、前記第２ノードと前記第３スィッチとの間の逆電流を防止する第４ダイオードと、前記第２ノードと前記第１ノードとの間に接続され、前記第２ノード上の電圧が前記サステイン電圧以上に上昇することを防止する第５ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする。
【００６６】
本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法は、パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスを形成する段階と、前記第１パスに接続される第２パスを形成して前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする段階と、前記パネルに供給された前記サステイン電圧を基底電圧源に放電させる第３パスを形成する段階と、前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する段階と、前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する段階と、を含むことを特徴とする。
【００６７】
前記エネルギー回収方法は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタの電圧を前記サステイン電圧で維持させる段階をさらに含むことを特徴とする。
【００６８】
前記クリップする段階は、前記第１パス上のインダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードに接続されたダイオードを利用して、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧をソースキャパシタに保存して前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧で維持させることを特徴とする。
【００６９】
前記第３パスを形成する段階は、前記パネルキャパシタに充電された電圧が正弦波的に降下するように、前記インダクタを経由して前記パネルキャパシタに充電された電圧を前記基底電圧源に放電させることを特徴とする。
【００７０】
本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収装置は、パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスと、前記第１パスに接続され、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２パスと、前記パネルに供給された前記サステイン電圧を第１ソースキャパシタに保存する第３パスと、前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する第１遮断素子と、前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する第２遮断素子と、を備えることを特徴とする。
【００７１】
前記エネルギー回収装置は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、前記サステイン電圧より低い電圧を発生するサステイン電圧源と、前記サステイン電圧源に並列に接続されると共に前記第１ソースキャパシタに接続される第２ソースキャパシタと、をさらに備えることを特徴とする。
【００７２】
前記第１パスは、前記第２ソースキャパシタに接続された第２ノードと前記パネルキャパシタとの間に接続されるインダクタと、前記第２ノードと前記インダクタとの間に接続され、前記第２ノードと前記インダクタとの間のパスを形成する第１スィッチと、を備えることを特徴とする。
【００７３】
前記第２パスは、前記インダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードと前記第２ノードとの間に接続される第２スィッチと、前記インダクタと前記第１スィッチとの間の第３ノードと前記基底電圧源との間に接続される第１ダイオードと、を備えることを特徴とする。
【００７４】
前記第１ダイオードは前記第３ノード上の電圧が基底電圧以下に降下することを防止することを特徴とする。
【００７５】
前記第２スィッチは、前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする第２ダイオードを備えることを特徴とする。
【００７６】
前記第３パスは、前記第３ノードと前記第１ソースキャパシタとの間に接続された第３スィッチを備えることを特徴とする。
【００７７】
前記第１遮断素子は、前記第１スィッチと前記第２ノードとの間に接続される第１補助スィッチであることを特徴とする。
【００７８】
前記第２遮断素子は、前記第３スィッチと前記第１ソースキャパシタとの間に接続される第２補助スィッチであることを特徴とする。
【００７９】
前記エネルギー回収装置は、前記パネルに、前記基底電圧源からの基底電圧を供給する第４パスをさらに備えることを特徴とする。
【００８０】
前記第４パスは、前記パネルキャパシタと前記インダクタとの間のノードと前記基底電圧源との間に接続される第４スィッチを備えることを特徴とする。
【００８１】
前記エネルギー回収装置は、前記第１スィッチと前記第３ノードとの間の逆電流を防止する第３ダイオードと、前記第３ノードと前記第３スィッチとの間の逆電流を防止する第４ダイオードと、前記第３ノードと前記第２ノードとの間に接続され、前記第３ノード上の電圧が前記サステイン電圧以上に上昇することを防止する第５ダイオードと、をさらに備えることを特徴とする。
【００８２】
本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのエネルギー回収方法は、パネルに接続され、サステイン電圧より高い電圧が供給される第１パスを形成する段階と、前記第１パスに接続される第２パスを形成し、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧にクリップする段階と、前記パネルに供給された前記サステイン電圧を第１ソースキャパシタに保存する第３パスを形成する段階と、前記第１パスを介して前記パネルに供給される電圧が前記第３パスに供給されることを遮断する段階と、前記第３パスを介して前記パネルから放電する電圧が前記第１パスに供給されることを遮断する段階と、を含むことを特徴とする。
【００８３】
前記エネルギー回収方法は、前記パネルにマトリックス状に配置される放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタの電圧を前記サステイン電圧で維持させる段階をさらに含むことを特徴とする。
【００８４】
前記クリップする段階は、前記第１パス上のインダクタと前記パネルキャパシタとの間のノードに接続されたダイオードを利用して、前記第１パス上の電圧が前記サステイン電圧に逹するときに前記第１パス上の電圧を第１ソースキャパシタに接続された第２ソースキャパシタに保存して前記第１パス上の電圧を前記サステイン電圧で維持させることを特徴とする。
【００８５】
前記第３パスを形成する段階は、前記パネルキャパシタに充電された電圧が正弦波的に降下するように、前記インダクタを経由して前記パネルキャパシタに充電された電圧を前記第１ソースキャパシタに保存する段階を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００８６】
本発明のエネルギー回収装置及び方法によれば、效率の低下なしに安定したサステイン放電が可能になり、電圧の変化量によるノイズによる效率の減少及び誤動作を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８７】
＜第１実施形態＞
以下、添付図を参照して本発明の第１実施形態を具体的に説明する。
【００８８】
図６は、本発明の第１実施形態に係るエネルギー回収装置を示す図である。図６ではパネルキャパシタＣｐの一側（例えば、走査電極Ｙ側）に形成されたエネルギー回収装置のみを示した。実際には、パネルキャパシタＣｐの他側にも同一の形態のエネルギー回収装置が設置されている。
【００８９】
図６を参照すると、本発明の第１実施形態に係るエネルギー回収装置は、サステイン電圧源Ｖｓと、サステイン電圧源Ｖｓに並列に接続されるソースキャパシタＣｓと、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタＣｐと、ソースキャパシタＣｓとパネルキャパシタＣｐとの間に設置されるインダクタＬと、インダクタＬとパネルキャパシタＣｐとの間に並列に接続される第２及び第４スィッチＳ２、Ｓ４と、インダクタＬとソースキャパシタＣｓとの間に並列に接続される第１及び第３スィッチＳ１、Ｓ３と、を備える。
【００９０】
第１及び第２スィッチＳ１、Ｓ２はサステイン電圧源Ｖｓ（すなわち、ソースキャパシタＣｓ）に接続され、第３及び第４スィッチＳ３、Ｓ４は基底電圧源ＧＮＤに接続される。ソースキャパシタＣｓにはサステイン電圧Ｖｓが充電される。インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに共振回路を形成する。第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４がターンオンまたはターンオフされると共に、パネルキャパシタＣｐにサステイン電圧Ｖｓが供給される。このような第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４のそれぞれには電流の流れを制御するための内部ダイオードＤ１〜Ｄ４が設置される。
【００９１】
図７は、図６に示したエネルギー回収装置の各スィッチのオン／オフタイミングを示す図である。
【００９２】
Ｔ１期間の以前にパネルキャパシタＣｐには０Ｖの電圧が充電されると共に、ソースキャパシタＣｓにはＶｓの電圧が充電されていると仮定し、その動作過程を詳しく説明する。
【００９３】
Ｔ１期間では、第１スィッチＳ１がターンオンされる。第１スィッチＳ１がターンオンされると、ソースキャパシタＣｓに充電されたサステイン電圧Ｖｓが第１スィッチＳ１及びインダクタＬを経由してパネルキャパシタＣｐに供給される（インダクタＬに所定のエネルギーが充電）。このとき、インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに直列共振回路を形成する。したがって、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は図８の点線のように２Ｖｓの電圧まで上昇することができる。しかし、実際にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってサステイン電圧Ｖｓに制限される（ここで、第１スィッチのターンオフ時点は、パネルキャパシタＣｐに所望の電圧が充電されたときとすることができる）。
【００９４】
言い換えれば、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってパネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、サステイン電圧Ｖｓを超えないように制御される。
【００９５】
一方、Ｔ１期間中にパネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、共振によって急激に上昇する。すなわち、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は共振によってサステイン電圧Ｖｓまで急激な勾配（すなわち、サステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配は減少しない）で上昇し、これにより本発明では安定したサステイン放電を行うことができる。
【００９６】
Ｔ２期間では、第１スィッチＳ１がターンオフされると共に第２スィッチＳ２がターンオンされる。第２スィッチＳ２がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐの電圧がサステイン電圧Ｖｓを維持する。
【００９７】
一方、第１スィッチＳ１がターンオフされると、Ｔ１期間中にインダクタＬに充電されたエネルギーの極性が反転する。言い換えれば、第１スィッチＳ１がターンオフされると、インダクタＬには図９のような逆電圧が誘起される。そして、インダクタＬに誘起された逆電圧（逆エネルギー）は、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２を経由してソースキャパシタＣｓに回収される。
【００９８】
Ｔ３期間では、第２スィッチＳ２がターンオフされると共に第３スィッチＳ３がターンオンされる。第３スィッチＳ３がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐに充電された電圧がインダクタＬを経由して基底電圧源ＧＮＤに供給される（このとき、インダクタＬに所定のエネルギーが充電される）。ここで、パネルキャパシタＣｐの電圧がインダクタＬを経由して基底電圧源ＧＮＤに供給されるので、パネルキャパシタＣｐの電位は図８のように正弦波的に降下する。言い換えれば、Ｔ３期間中にパネルキャパシタＣｐの電位は急激に降下せず正弦波的に（すなわち、降下開始点と降下終了点で勾配が減少）徐々に降下する。このように、パネルキャパシタＣｐの電位が正弦波的に降下するとＥＭＩの低減が可能になる。
【００９９】
Ｔ４期間では、第３スィッチＳ３がターンオフされる。すなわち、Ｔ４期間では、第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４のすべてがターンオフ状態を維持する。第３スィッチＳ３がターンオフされると、Ｔ３期間中にインダクタＬに充電されたエネルギーの極性が反転する。言い換えれば、第３スィッチＳ３がターンオフされると、インダクタＬには図１０のような逆電圧が誘起される。ここで、インダクタＬに誘起された逆エネルギーは第１スィッチＳ１の内部ダイオードを経由してソースキャパシタＣｓに回収される。
【０１００】
Ｔ５期間では、第４スィッチＳ４がターンオンされる。第４スィッチＳ４がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐに基底電圧ＧＮＤが供給される。すなわち、Ｔ５期間中にパネルキャパシタＣｐは基底電位ＧＮＤを維持する。実際に、本発明の第１実施形態に係るエネルギー回収装置は、Ｔ１〜Ｔ５の期間を周期的に繰り返しながらサステインパルスをパネルキャパシタＣｐに供給する。
【０１０１】
図１１は、本発明の第１実施形態の変形例に係るエネルギー回収装置を示す図である。図１１ではパネルキャパシタＣｐの一側（例えば、走査電極Ｙ側）に形成されたエネルギー回収装置のみを示した。実際に、パネルキャパシタＣｐの他側にも同一の形態のエネルギー回収装置が設置される。
【０１０２】
図１１を参照すると、本発明の第１実施形態の変形例に係るエネルギー回収装置は、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタＣｐと、サステイン電圧Ｖｓの半分にあたる電圧を持つ基準電圧源Ｖｓ／２と、基準電圧源Ｖｓ／２と基底電圧源ＧＮＤとの間に設置されるソースキャパシタＣｓと、ソースキャパシタＣｓと基準電圧源Ｖｓ／２との共通端子とパネルキャパシタＣｐとの間に接続されたインダクタＬと、インダクタＬと基準電圧源Ｖｓ／２との間に並列に接続された第１及び第３スィッチＳ１、Ｓ３と、パネルキャパシタＣｐとインダクタＬとの間に並列に接続された第２及び第４スィッチＳ２、Ｓ４と、を備える。
【０１０３】
第１スィッチＳ１及び第２スィッチＳ２は基準電圧源Ｖｓ／２に接続され、第４スィッチＳ４は基底電圧源ＧＮＤに接続される。そして、第３スィッチＳ３はソースキャパシタＣｓ及び基準電圧源Ｖｓ／２の共通端子に接続される。ソースキャパシタＣｓは、サステイン放電時にパネルキャパシタＣｐに充電される電圧を回収して充電すると共に、充電された電圧をパネルキャパシタＣｐに再供給する。このようなソースキャパシタＣｓにはサステイン電圧源Ｖｓの半分値にあたるＶｓ／２の電圧が充電される。インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに共振回路を形成する。第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４がターンオンまたはターンオフされると共に、パネルキャパシタＣｐにサステイン電圧Ｖｓが供給される。このような第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４のそれぞれには、電流の流れを制御するための内部ダイオードＤ１〜Ｄ４が設置される。
【０１０４】
一方、基準電圧源Ｖｓ／２に接続された第１及び第２スィッチＳ２には、実質的にサステイン電圧Ｖｓが印加される。言い換えれば、第１ノードｎ１には、ソースキャパシタＣｓに充電されたＶｓ／２の電圧と基準電圧源Ｖｓ／２との電圧の和Ｖｓが印加される。すなわち、本発明の第２実施形態では、サステイン電圧Ｖｓの半分にあたる基準電圧源Vｓ／２の電圧を用いてサステイン電圧Ｖｓを生成することにより、電力消費を低減することができる。
【０１０５】
一方、本発明の第１実施形態の変形例に係るエネルギー回収装置は、インダクタＬと第１スィッチＳ１との間に設置される第５ダイオードＤ５と、インダクタＬと第３スィッチＳ３との間に設置される第６ダイオードＤ６と、インダクタＬ及び第５ダイオードＤ５の共通端子と第１ノードｎ１との間に設置される第７ダイオードＤ７と、インダクタＬ及び第６ダイオードＤ６の共通端子と基底電圧源ＧＮＤとの間に設置される第８ダイオードＤ８と、をさらに備える。
【０１０６】
第５ダイオードＤ５及び第６ダイオードＤ６は逆電流が流れることを防止する。第７ダイオードＤ７は、インダクタＬ及び第５ダイオードＤ５の間の電圧がサステイン電圧Ｖｓ以上に上昇することを防止する。第８ダイオードＤ８は、インダクタＬ及び第６ダイオードＤ６の間の電圧が基底電位ＧＮＤ以下に降下することを防止する。
【０１０７】
図１２は、図１１に示したエネルギー回収装置の各スィッチのオン／オフタイミングを示す図である。Ｔ１期間の以前にパネルキャパシタＣｐには０Ｖの電圧が充電されると共に、ソースキャパシタＣｓにはＶｓ／２の電圧が充電されていると仮定し、その動作過程を詳しく説明する。
【０１０８】
Ｔ１期間では、第１スィッチＳ１がターンオンされる。第１スィッチＳ１がターンオンされると、第１ノードｎ１に印加されたサステイン電圧Ｖｓ（Ｖｓ／２＋Ｃｓ電圧）が、第１スィッチＳ１、第５ダイオードＤ５及びインダクタＬを経由してパネルキャパシタＣｐに供給される（インダクタＬに所定のエネルギー充電）。このとき、インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに直列共振回路を形成する。そして、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は図８の点線のように２Ｖｓの電圧まで上昇する。しかし、実際にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってサステイン電圧Ｖｓに制限される。言い換えれば、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってパネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、サステイン電圧Ｖｓを超えないように制御される。
【０１０９】
一方、Ｔ１期間中にパネルキャパシタＣｐに供給される電圧は共振によって急激に上昇する。すなわち、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は共振によってサステイン電圧Ｖｓまで急激な勾配（すなわち、サステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配が減少しない）で上昇し、これにより本発明では安定したサステイン放電を行うことができる。
【０１１０】
Ｔ２期間では、第１スィッチＳ１がターンオフされると共に第２スィッチＳ２がターンオンされる。第２スィッチＳ２がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐの電圧がサステイン電圧Ｖｓを維持する。一方、第１スィッチＳ１がターンオフされると、Ｔ１期間中にインダクタＬに充電されたエネルギーの極性が反転する。言い換えれば、第１スィッチＳ１がターンオフされると、インダクタＬには図１３のような逆電圧が誘起される。そして、インダクタＬに誘起された逆電圧（逆エネルギー）は、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２を経由して基準電圧源Ｖｓ／２に供給される。
【０１１１】
Ｔ３期間では、第２スィッチＳ２がターンオフされると共に第３スィッチＳ３がターンオンされる。第３スィッチＳ３がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐに充電された電圧がインダクタＬを経由してソースキャパシタＣｓに供給される。このとき、ソースキャパシタＣｓにはＶｓ／２の電圧が充電される。一方、パネルキャパシタＣｐの電圧はインダクタＬを経由してソースキャパシタＣｓに供給されるので、パネルキャパシタＣｐの電位は図８のように正弦波的に降下する。言い換えれば、Ｔ３期間中にパネルキャパシタＣｐの電位は急激に降下せず、正弦波的に（すなわち、降下開始点と降下終了点で勾配が減少）徐々に降下する。このように、パネルキャパシタＣｐの電位が正弦波的に降下するとＥＭＩの低減が可能になる。
【０１１２】
Ｔ４期間では、第３スィッチＳ３がターンオフされると共に第４スィッチＳ４がターンオンされる。第４スィッチＳ４がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐに基底電圧ＧＮＤが供給される。すなわち、Ｔ４期間中にパネルキャパシタＣｐは基底電位ＧＮＤを維持する。実際に、本発明の第１実施形態の変形例に係るエネルギー回収装置は、Ｔ１〜Ｔ４の期間を周期的に繰り返しながらサステインパルスをパネルキャパシタＣｐに供給する。
【０１１３】
＜第２実施形態＞
以下、添付図を参照して本発明の第２実施形態を具体的に説明する。
【０１１４】
図１４は、本発明の第２実施形態に係るエネルギー回収装置を示す図である。本発明の第２実施形態に係るエネルギー回収装置の動作過程は、図１１に示した本発明の第１実施形態の変形例に係るエネルギー回収装置の動作過程と同一である。ただし、本発明の第１実施形態の変形例ではパネルキャパシタＣｐにサステイン電圧Ｖｓ〜基底電位ＧＮＤを供給するが、第２実施形態ではパネルキャパシタＣｐに１／２サステイン電圧Ｖｓ／２〜−１／２サステイン電圧−Ｖｓ／２を供給する（すなわち、第２及び第３実施形態で供給される絶対値の電圧値は同一である）。
【０１１５】
図１４を参照すると、本発明の第２実施形態に係るエネルギー回収装置は、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタＣｐと、サステイン電圧Ｖｓの半分にあたる電圧を持つ基準電圧源Ｖｓ／２と、基準電圧源Ｖｓ／２とパネルキャパシタＣｐとの間に接続されたインダクタＬと、インダクタＬと基準電圧源Ｖｓ／２との間に並列に接続された第１及び第３スィッチＳ１、Ｓ３と、インダクタＬとパネルキャパシタＣｐとの間に並列に接続された第２及び第４スィッチＳ２、Ｓ４と、第４スィッチＳ４と基準電圧源Ｖｓ／２の負極性端子との間に接続されたソースキャパシタＣｓと、を備える。
【０１１６】
第１スィッチＳ１及び第２スィッチＳ２は基準電圧源Ｖｓ／２に接続される。第３スィッチＳ３は基底電圧源ＧＮＤに接続される。そして、基準電圧源Ｖｓ／２の負極性端子及びソースキャパシタＣｓの正極性端子も基底電圧源ＧＮＤに接続される。このように基準電圧源Ｖｓ／２の負極性端子及びソースキャパシタＣｓの正極性端子が基底電圧源ＧＮＤに接続されると、第１ノードｎ１は１／２Ｖｓの電位を有し、第２ノードｎ２は−１／２Ｖｓの電位を有する。第４スィッチＳ４は第２ノードｎ２（すなわち、ソースキャパシタＣｓの負極性端子）に接続される。
【０１１７】
ソースキャパシタＣｓにはサステイン電圧Ｖｓの半分値にあたるＶｓ／２の電圧が充電される。インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに共振回路を形成する。第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４がターンオンまたはターンオフされると共に、パネルキャパシタＣｐの電位が−１／２Ｖｓ〜１／２Ｖｓに変動される。このような第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４のそれぞれには電流の流れを制御するための内部ダイオードＤ１〜Ｄ４が設置される。
【０１１８】
一方、本発明の第２実施形態に係るエネルギー回収装置は、インダクタＬと第１スィッチＳ１との間に設置される第５ダイオードＤ５と、インダクタＬと第３スィッチＳ３との間に設置される第６ダイオードＤ６と、インダクタＬ及び第５ダイオードＤ５の共通端子と第１ノードｎ１との間に設置される第７ダイオードＤ７と、インダクタＬ及び第６ダイオードＤ６の共通端子とノードｎ２との間に設置される第８ダイオードＤ８と、をさらに備える。
【０１１９】
第５ダイオードＤ５及び第６ダイオードＤ６は逆電流が流れることを防止する。第７ダイオードＤ７は、インダクタＬ及び第５ダイオードＤ５の間の電圧がサステイン電圧Ｖｓ以上に上昇することを防止する。第８ダイオードＤ８は、インダクタＬ及び第６ダイオードＤ６の間の電圧が基底電位ＧＮＤ以下に降下することを防止する。
【０１２０】
このような第２実施形態に係るエネルギー回収装置の動作過程について、図１２を参照して説明する。
【０１２１】
Ｔ１期間の以前にパネルキャパシタＣｐには−１／２Ｖｓの電圧が充電されていると仮定し、その動作過程を詳しく説明する（実際パネルキャパシタＣｐの他側は−１／２Ｖｓ電位に接地される）。
【０１２２】
Ｔ１期間では、第１スィッチＳ１がターンオンされる。第１スィッチＳ１がターンオンされると、第１ノードｎ１に印加された１／２Ｖｓの電圧が、第１スィッチＳ１、第５ダイオードＤ５及びインダクタＬを経由してパネルキャパシタＣｐに供給される（インダクタＬに所定のエネルギー充電）。このとき、インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに直列共振回路を形成する。したがって、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は図１５の点線のようにＶｓの電圧まで上昇することができる。しかし、実際にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によって１／２Ｖｓ電圧に制限される。言い換えれば、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってパネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、１／２Ｖｓを超えないように制御される。
【０１２３】
一方、Ｔ１期間中にパネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、共振によって急激に上昇する。すなわち、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は、共振によって１／２Ｖｓ電圧まで急激な勾配（すなわち、１／２Ｖｓ電圧に達する直前にその勾配が減少しない）で上昇するので、安定したサステイン放電を行うことができる。
【０１２４】
Ｔ２期間では、第１スィッチＳ１がターンオフされると共に第２スィッチＳ２がターンオンされる。第２スィッチＳ２がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐの電圧が１／２Ｖｓ電圧を維持する。一方、第１スィッチＳ１がターンオフされると、Ｔ１期間中にインダクタＬに充電されたエネルギーの極性が反転する。このとき、インダクタＬに誘起された逆エネルギーは、第２スィッチＳ２及び／または内部ダイオードＤ２を経由して基準電圧源Ｖｓ／２に供給される。
【０１２５】
Ｔ３期間では、第２スィッチＳ２がターンオフされると共に第３スィッチＳ３がターンオンされる。第３スィッチＳ３がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐに充電された電圧がインダクタＬを経由してソースキャパシタＣｓに供給される。一方、パネルキャパシタＣｐの電圧はインダクタＬを経由してソースキャパシタＣｓに供給されるので、パネルキャパシタＣｐの電位は図１５のように正弦波的に降下する。言い換えれば、Ｔ３期間中にパネルキャパシタＣｐの電位は急激に降下せず、正弦波的に（すなわち、降下開始点と降下終了点で勾配が減少）徐々に降下する。このように、パネルキャパシタＣｐの電位が正弦波的に降下するとＥＭＩの低減が可能になる。
【０１２６】
Ｔ４期間では、第３スィッチＳ３がターンオフされると共に第４スィッチＳ４がターンオンされる。第４スィッチＳ４がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐに第２ノードｎ２の電圧（すなわち、−Ｖｓ／２が供給される。すなわち、Ｔ４期間中にパネルキャパシタＣｐは−Ｖｓ／２の電位を維持する。実際に、本発明の第３実施形態に係るエネルギー回収装置はＴ１〜Ｔ４の期間を周期的に繰り返しながらパネルキャパシタＣｐに電圧を供給する。
【０１２７】
上述した如く、本発明の第１及び第２実施形態に係るエネルギー回収装置及び方法によれば、パネルキャパシタに供給されなければならない電圧より高い電圧が生成できるように共振回路を構成し、このうち所望の電圧のみがパネルキャパシタに供給されるように制御することにより、安定したサステイン放電を行うことができる。言い換えれば、パネルキャパシタに供給される電圧は急激な勾配で上昇するので、パネルキャパシタ内部に含まれた荷電粒子の量と関係なく安定したサステイン放電を行うことができる。そして、パネルキャパシタに充電された電圧はインダクタを経由して放電するので、パネルキャパシタの電圧は正弦波的に降下し、これによってＥＭＩを最小化することができる。
【０１２８】
＜第３実施形態＞
以下、添付図を参照して本発明の第３実施形態を具体的に説明する。
【０１２９】
図１６は、本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置を示す図である。図１６ではパネルキャパシタＣｐの一側（例えば、走査電極Ｙ側）に形成されたエネルギー回収装置のみを示した。実際には、パネルキャパシタＣｐの他側にも同一の形態のエネルギー回収装置が設置されている。
【０１３０】
図１６を参照すると、本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置は、サステイン電圧源Ｖｓと、サステイン電圧源Ｖｓに並列に接続されるソースキャパシタＣｓと、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタＣｐと、ソースキャパシタＣｓとパネルキャパシタＣｐとの間に設置されるインダクタＬと、インダクタＬとソースキャパシタＣｓとの間に並列に接続される第１及び第３スィッチＳ１、Ｓ３と、インダクタＬとパネルキャパシタＣｐとの間に並列に接続される第２及び第４スィッチＳ２、Ｓ４と、を備える。
【０１３１】
第１及び第２スィッチＳ１、Ｓ２はサステイン電圧源Ｖｓ（すなわち、ソースキャパシタＣｓ）に接続され、第３及び第４スィッチＳ３、Ｓ４は基底電圧源ＧＮＤに接続される。ソースキャパシタＣｓにはサステイン電圧Ｖｓが充電される。インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに共振回路を形成する。第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４はターンオンまたはターンオフされながら、パネルキャパシタＣｐにサステイン電圧Ｖｓが供給されるように電流のパスを形成する。このような第１〜第４スィッチＳ１〜Ｓ４のそれぞれには、電流の流れを制御するための内部ダイオードＤ１〜Ｄ４が設置される。
【０１３２】
一方、本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置は、第１スィッチＳ１とソースキャパシタＣｓとの間に設置される第１補助スィッチＳＢ１と；第３スィッチＳ３と基底電圧源ＧＮＤとの間に設置される第２補助スィッチＳＢ２と；インダクタＬと第１スィッチＳ１との間に設置される第５ダイオードＤ５と；インダクタＬと第３スィッチＳ３との間に設置される第６ダイオードＤ６と；サステイン電圧源Ｖｓに接続された第１ノードＮ１と、インダクタＬの第１端子、第５及び第６ダイオードＤ５、Ｄ６に接続された第２ノードＮ２との間に設置される第７ダイオードＤ７と；第２ノードＮ２と基底電圧源ＧＮＤとの間に設置される第８ダイオードＤ８と；をさらに備える。
【０１３３】
パネルキャパシタＣｐに供給されるサステイン電圧Ｖｓの上昇勾配区間Ｐ１及び降下勾配区間Ｐ２では、図１７に示すように、インダクタＬに流れる電流の急激な流れにより、インダクタＬの第１端子に接続された第２ノードＮ２上の電圧ＶＬの変化量ｄｖ／ｄｔが大きいため、ルーノイズ（Noise）が誘発される。このようなノイズ（Noise）のために第１及び第３スィッチＳ１、Ｓ３が望まぬ時間（期間）に瞬間的にショート（Short）される。これにより、第１及び第２補助スィッチＳＢ１、ＳＢ２のそれぞれは、第１及び第３スィッチＳ１、Ｓ３が望まぬ時間に瞬間的にショートされて電圧が損失されることを防止する。
【０１３４】
具体的に、第１スィッチＳ１は、インダクタＬの電流の流れにより、第２ノードＮ２上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔが負極性（−）であるとき、ゲート端子とソース端子との間の寄生キャパシタＣｇｓを介してゲート端子とソース端子間の電圧Ｖｇｓが増加するノイズが誘発されて瞬間的にショートされる。これにより、第１補助スィッチＳＢ１は、望まぬ時間にショートされる第１スィッチＳ１を経由して供給される電圧が第１ノードＮ１上に供給されることを遮断する。
【０１３５】
同様に、第３スィッチＳ３は、インダクタＬの電流の流れにより、第２ノードＮ２上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔが正極性（＋）であるとき、ゲート端子とドレイン端子との間の寄生キャパシタＣｇｄを介してゲート端子とソース間の電圧Ｖｇｓの増加するノイズが誘発されて瞬間的にショートされる。これにより、第２補助スィッチＳＢ２は、望まぬ時間にショートされる第３スィッチＳ３を経由して供給される電圧が基底電圧源ＧＮＤに供給されることを遮断する。
【０１３６】
このように第１及び第２補助スィッチＳＢ１、ＳＢ２のそれぞれは、インダクタＬに流れる電流の方向によって第２ノードＮ２上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔによって誘発されるノイズのために望まぬ時間に第１及び第２スィッチＳ１、Ｓ３がショートされて電圧が損失されることを防止する。
【０１３７】
第５ダイオードＤ５及び第６ダイオードＤ６は逆電流が流れることを防止する。第７ダイオードＤ７は、インダクタＬ及び第５ダイオードＤ５の間の電圧、すなわち第２ノードＮ２上の電圧がサステイン電圧Ｖｓ以上に上昇することを防止する。第８ダイオードＤ８は、インダクタＬ及び第６ダイオードＤ６の間の電圧、すなわち第２ノードＮ２上の電圧が基底電位ＧＮＤ以下に降下することを防止する。
【０１３８】
図１８は、図１６に示したエネルギー回収装置の各スィッチのオン／オフタイミングを示す図である。
【０１３９】
図１８を図１６と結びつけて本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置及び方法を説明すれば、次のようである。まず、Ｔ１期間の以前にパネルキャパシタＣｐには０Ｖ（ボルト）の電圧が充電されると共に、ソースキャパシタＣｓにはＶｓの電圧が充電されていると仮定し、その動作過程を詳しく説明する。
【０１４０】
Ｔ１期間では、第１スィッチＳ１及び第１補助スィッチＳＢ１がターンオンされる。第１スィッチＳ１及び第１補助スィッチＳＢ１がターンオンされると、図１９に示すように、ソースキャパシタＣｓに充電されたサステイン電圧Ｖｓが第１補助スィッチＳＢ１、第１スィッチＳ１及びインダクタＬを経由してパネルキャパシタＣｐに供給される（インダクタＬに所定のエネルギーが充電）。このとき、インダクタＬはパネルキャパシタＣｐとともに直列共振回路を形成する。したがって、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は図２０の点線のように２Ｖｓの電圧まで上昇することができる。しかし、実際にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってサステイン電圧Ｖｓに制限される（ここで、第１スィッチＳ１及び第１補助スィッチＳＢ１のターンオフ時点は、パネルキャパシタＣｐに所望の電圧が充電されたときとすることができる）。言い換えれば、パネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２によってサステイン電圧Ｖｓを超えないようにクリップ（Clipping）される。
【０１４１】
このようにＴ１期間でインダクタＬに流れる電流の流れにより、第２ノードＮ２上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔが正極性（＋）であるとき、ゲート端子とドレイン端子との間の寄生キャパシタＣｇｄを介してゲート端子とソース間の電圧Ｖｇｓの増加するノイズが誘発されて第３スィッチＳ３が瞬間的にショートされる。これにより、第２補助スィッチＳＢ２は、望まぬ時間にショートされる第３スィッチＳ３を経由して供給される電圧が基底電圧源ＧＮＤに供給されることを遮断することにより、ソースキャパシタＣｓからパネルキャパシタＣｐに供給される電圧の損失を防止する。
【０１４２】
よって、Ｔ１期間中にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は、共振によってサステイン電圧Ｖｓまで急激な勾配（すなわち、サステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配が減少しない）で上昇し、これにより本発明では安定したサステイン放電を行うことができる。
【０１４３】
Ｔ２期間では、第１スィッチＳ１及び第１補助スィッチＳＢ１がターンオフされると共に第２スィッチＳ２がターンオンされる。第２スィッチＳ２がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐの電圧はサステイン電圧Ｖｓを維持する。このとき、第１スィッチＳ１及び第１補助スィッチＳＢ１がターンオフされると、Ｔ１期間中にインダクタＬに充電されたエネルギーの極性が反転する。言い換えれば、第１スィッチＳ１及び第１補助スィッチＳＢ１がターンオフされると、インダクタＬには図２１のような逆電圧が誘起されることにより、第２ノードＮ２上の電圧は図８に示したＴ２'期間のように負極性（−）電圧、基底電位ＧＮＤに急激に低くなり、第８ダイオードＤ８が導通状態になる。これにより、インダクタＬに誘起された逆電圧（逆エネルギー）は、第８ダイオードＤ８、インダクタＬ、第２スィッチＳ２の内部ダイオードＤ２を経由して電流パスを介してソースキャパシタＣｓに回収される。
【０１４４】
Ｔ３期間では、第２スィッチＳ２がターンオフされると共に第３スィッチＳ３及び第２補助スィッチＳＢ２をターンオンさせて（ａ区間）パネルキャパシタＣｐの電圧を基底電圧ＧＮＤに放電させ、その上第３スィッチＳ３及び第２補助スィッチＳＢ２をターンオフ（ｂ区間）させる。先ず、Ｔ３のａ区間のように第３スィッチＳ３及び第２補助スィッチＳＢ２がターンオンされると、図２２に示すように、パネルキャパシタＣｐに充電された電圧がインダクタＬを経由して基底電圧源ＧＮＤに供給される。これにより、インダクタＬに所定のエネルギーが充電される。
【０１４５】
このようにＴ３のａ区間でインダクタＬに十分なエネルギーが保存されると、Ｔ３のｂ区間のように第３スィッチＳ３及び第２補助スィッチＳＢ２がターンオフされる。これにより、インダクタＬに保存されたエネルギーは、図２３に示すように第７ダイオードＤ７を経由してソースキャパシタＣｓに回収される。
【０１４６】
このようにＴ３期間ではパネルキャパシタＣｐの電圧がインダクタＬを経由して基底電圧源ＧＮＤに供給されるので、パネルキャパシタＣｐの電圧は図１０のように正弦波的に降下する。言い換えれば、Ｔ３期間中にパネルキャパシタＣｐの電圧は急激に降下せず、正弦波的に（すなわち、降下開始点と降下終了点で勾配が減少）徐々に降下する。このように、パネルキャパシタＣｐの電位が正弦波的に降下すると電磁気的干渉ＥＭＩの低減が可能になる。
【０１４７】
このようにＴ３期間のａ区間でインダクタＬに流れる電流の流れにより、第２ノードＮ２上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔが負極性（−）であるとき、ゲート端子とソース端子との間の寄生キャパシタＣｇｓを介してゲート端子とソース端子間の電圧Ｖｇｓの増加するノイズが誘発されて、第１スィッチＳ１が瞬間的にショートされる。これにより、第１補助スィッチＳＢ１は、第２ノードＮ２上の電圧変化量ｄｖ／ｄｔによるノイズのために望まぬ時間に瞬間的にショートされる第１スィッチＳ１を経由して供給される電圧が第１ノードＮ１に供給されることを遮断する。これによりパネルキャパシタＣｓから基底電圧源ＧＮＤに供給される電圧の損失を防止する。
【０１４８】
Ｔ４期間では、第３スィッチＳ３及び第２補助スィッチＳＢ２がターンオフされると共に第４スィッチＳ４がターンオンされる。第４スィッチＳ４がターンオンされると、図２４に示すように、パネルキャパシタＣｐは基底電圧源ＧＮＤに接続され、基底電圧ＧＮＤが供給される。すなわち、Ｔ４期間中にパネルキャパシタＣｐは基底電位ＧＮＤを維持する。実際に、本発明の第３実施形態に係るエネルギー回収装置は、Ｔ１〜Ｔ４の期間を周期的に繰り返しながらサステインパルスをパネルキャパシタＣｐに供給する。
【０１４９】
＜第４実施形態＞
以下、添付図を参照して本発明の第４実施形態を具体的に説明する。
【０１５０】
図２５は、本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置を示す図である。図２５ではパネルキャパシタＣｐの一側（例えば、走査電極Ｙ側）に形成されたエネルギー回収装置のみを示した。実際には、パネルキャパシタＣｐの他側にも同一の形態のエネルギー回収装置が設置されている。
【０１５１】
図２５を参照すると、本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置は、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタＣｐと、サステイン電圧Ｖｓの半分にあたる電圧を持つ基準電圧源Ｖｓ／２と、基準電圧源Ｖｓ／２に並列に接続された第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２と、第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２の間の第１ノード２Ｎ１と基準電圧源Ｖｓ／２に接続された第２ノード２Ｎ２との間に並列に接続された第１及び第３スィッチ２Ｓ１、２Ｓ３と、第１及び第３スィッチ２Ｓ１、２Ｓ３の間の第３ノード２Ｎ３とパネルキャパシタＣｐとの間に接続されたインダクタ２Ｌと、パネルキャパシタＣｐとインダクタ２Ｌとの間に並列に接続された第２及び第４スィッチ２Ｓ２、２Ｓ４と、を備える。
【０１５２】
第１スィッチ２Ｓ１及び第２スィッチ２Ｓ２は基準電圧源Ｖｓ／２に接続され、第４スィッチ２Ｓ４は基底電圧源ＧＮＤに接続される。そして、第３スィッチ２Ｓ３は、基準電圧源Ｖｓ／２、第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２が接続された第１ノード２Ｎ１に接続される。第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２は、サステイン放電時にパネルキャパシタＣｐに充電される電圧を回収して充電すると共に、充電された電圧をパネルキャパシタＣｐに再供給する。このような第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２にはサステイン電圧源Ｖｓの半分値にあたるＶｓ／２の電圧が充電される。インダクタ２ＬはパネルキャパシタＣｐとともに共振回路を形成する。第１〜第４スィッチ２Ｓ１〜２Ｓ４はターンオンまたはターンオフされながら、パネルキャパシタＣｐにサステイン電圧Ｖｓが供給されるように電流のパスを形成する。このような第１〜第４スィッチ２Ｓ１〜２Ｓ４のそれぞれには、電流の流れを制御するための内部ダイオード２Ｄ１〜２Ｄ４が設置される。
【０１５３】
一方、本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置は、第１スィッチ２Ｓ１と第１ソースキャパシタ２Ｃｓ１との間に設置される第１補助スィッチ２ＳＢ１と、第３スィッチ２Ｓ３と第１ノード２Ｎ１との間に設置される第２補助スィッチ２ＳＢ２と、インダクタ２Ｌと第１スィッチ２Ｓ１との間に設置される第５ダイオード２Ｄ５と、インダクタ２Ｌと第３スィッチ２Ｓ３との間に設置される第６ダイオード２Ｄ５と、第２ノード２Ｎ２と第３ノード２Ｎ２との間に設置される第７ダイオード２Ｄ７と、第３ノード２Ｎ３と基底電圧源ＧＮＤとの間に設置される第８ダイオード２Ｄ８と、をさらに備える。
【０１５４】
パネルキャパシタＣｐに供給されるサステイン電圧Ｖｓの上昇勾配区間Ｐ１及び降下勾配区間Ｐ２では、図１７に示すように、インダクタ２Ｌに流れる電流の急激な流れにより、インダクタ２Ｌの第１端子に接続された第３ノード２Ｎ３上の電圧ＶＬの変化量ｄｖ／ｄｔが大きいため、ノイズ（Noise）が誘発される。このようなノイズ（Noise）のために第１及び第３スィッチ２Ｓ１、２Ｓ３が望まぬ時間に瞬間的にショート（Short）される。これにより、第１及び第２補助スィッチ２ＳＢ１、２ＳＢ２のそれぞれは、第１及び第３スィッチ２Ｓ１、２Ｓ３が望まぬ時間に瞬間的にショートされて電圧が損失されることを防止する。このような第１及び第２補助スィッチ２ＳＢ１、２ＳＢ２のそれぞれには、電流の流れを制御するための内部ダイオード２ＤＢ１、２ＤＢ２が設置される。
【０１５５】
具体的に、第１スィッチ２Ｓ１は、インダクタ２Ｌの電流の流れにより、第３ノード２Ｎ３上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔによるノイズが負極性（−）であるとき、ゲート端子とソース端子との間の寄生キャパシタＣｇｓのためにショートされる。これにより、第１補助スィッチ２ＳＢ１は、望まぬ時間にショートされる第１スィッチ２Ｓ１を経由して供給される電圧が第２ノード２Ｎ２上に供給されることを遮断する。
【０１５６】
同様に、第３スィッチ２Ｓ３は、インダクタ２Ｌの電流の流れにより、第３ノード２Ｎ３上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔによるノイズが正極性（＋）であるとき、ゲート端子とドレイン端子との間の寄生キャパシタＣｇｄのためにショートされる。これにより、第２補助スィッチ２ＳＢ２は、望まぬ時間にショートされる第３スィッチ２Ｓ３を経由して供給される電圧が第１ノード２Ｎ１に供給されることを遮断する。
【０１５７】
このように第１及び第２補助スィッチ２ＳＢ１、２ＳＢ２のそれぞれは、インダクタ２Ｌに流れる電流の方向により、第３ノード２Ｎ３上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔによって誘発されるノイズのために望まぬ時間に第１及び第２スィッチ２Ｓ１、２Ｓ３がショートされて電圧が損失されることを防止する。
【０１５８】
第５ダイオード２Ｄ５及び第６ダイオード２Ｄ６は逆電流が流れることを防止する。第７ダイオード２Ｄ７は、インダクタ２Ｌ及び第５ダイオード２Ｄ５の間の電圧、すなわち第３ノード２Ｎ３上の電圧がサステイン電圧Ｖｓ以上に上昇することを防止する。第８ダイオード２Ｄ８は、インダクタ２Ｌ及び第６ダイオード２Ｄ６の間の電圧、すなわち第３ノード２Ｎ３上の電圧が基底電位ＧＮＤ以下に降下することを防止する。
【０１５９】
図２６は、図２５に示した本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置の各スィッチのオン／オフタイミングを示す図である。
【０１６０】
図２６を図２５と結びつけて本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置及び方法を説明すれば、次のようである。まず、Ｔ１期間の以前にパネルキャパシタＣｐには０Ｖの電圧が充電されると共に、第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２にはＶｓ／２の電圧が充電されていると仮定し、その動作過程を詳しく説明する。すなわち、第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２のそれぞれの電圧は、Ｔ１〜Ｔ４期間で充放電を繰り返しながらＶｓ／２になる。
【０１６１】
Ｔ１期間では、第１スィッチ２Ｓ１及び第１補助スィッチ２ＳＢ１がターンオンされる。第１スィッチ２Ｓ１及び第１補助スィッチ２ＳＢ１がターンオンされると、図２７に示すように、第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２から第２ノード２Ｎ２に印加されたサステイン電圧Ｖｓが、第１補助スィッチ２ＳＢ１、第１スィッチ２Ｓ１及びインダクタ２Ｌを経由してパネルキャパシタＣｐに供給される（インダクタ２Ｌに所定のエネルギーが充電）。このとき、インダクタ２ＬはパネルキャパシタＣｐとともに直列共振回路を形成する。したがって、パネルキャパシタＣｐに印加される電圧は図１０の点線のように２Ｖｓの電圧まで上昇することができる。しかし、実際にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は、第２スィッチ２Ｓ２の内部ダイオード２Ｄ２によってサステイン電圧Ｖｓに制限される（ここで、第１スィッチ２Ｓ１及び第１補助スィッチ２ＳＢ１のターンオフ時点は、パネルキャパシタＣｐに所望の電圧が充電されたときとすることができる）。言い換えれば、パネルキャパシタＣｐに供給される電圧は、第２スィッチ２Ｓ２の内部ダイオード２Ｄ２によってサステイン電圧Ｖｓを超えないようにクリップ（Clipping）される。
【０１６２】
このようにＴ１期間でインダクタ２Ｌに流れる電流の流れにより、第３ノード２Ｎ３上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔが正極性（＋）であるとき、ゲート端子とドレイン端子との間の寄生キャパシタＣｇｄを介してゲート端子とソース間の電圧Ｖｇｓの増加するノイズが誘発されて、第３スィッチ２Ｓ３が瞬間的にショートされる。これにより、第２補助スィッチ２ＳＢ２は、望まぬ時間にショートされる第３スィッチ２Ｓ３を経由して供給される電圧が基底電圧源ＧＮＤに供給されることを遮断することにより、第１及び第２ソースキャパシタ２Ｃｓ１、２Ｃｓ２からパネルキャパシタＣｐに供給される電圧の損失を防止する。
【０１６３】
よって、Ｔ１期間中にパネルキャパシタＣｐに印加される電圧は、共振によってサステイン電圧Ｖｓまで急激な勾配（すなわち、サステイン電圧Ｖｓに達する直前にその勾配が減少しない）で上昇し、これにより本発明では安定したサステイン放電を行うことができる。
【０１６４】
Ｔ２期間では、第１スィッチ２Ｓ１及び第１補助スィッチ２ＳＢ１がターンオフされると共に第２スィッチ２Ｓ２がターンオンされる。第２スィッチ２Ｓ２がターンオンされると、パネルキャパシタＣｐの電圧はサステイン電圧Ｖｓを維持する。このとき、第１スィッチ２Ｓ１及び第１補助スィッチ２ＳＢ１がターンオフされると、Ｔ１期間中にインダクタ２Ｌに充電されたエネルギーの極性が反転する。言い換えれば、第１スィッチ２Ｓ１及び第１補助スィッチ２ＳＢ１がターンオフされると、インダクタ２Ｌには図２８のような逆電圧が誘起されることにより、第３ノード２Ｎ３上の電圧は図２６に示したＴ２'期間のように負極性（−）電圧、すなわち基底電位ＧＮＤに急激に低くなり、第８ダイオード２Ｄ８が導通状態になる。これにより、インダクタ２Ｌに誘起された逆電圧（逆エネルギー）は、第８ダイオード２Ｄ８、インダクタ２Ｌ、第２スィッチ２Ｓ２の内部ダイオード２Ｄ２を経由する電流パスを介して第１ソースキャパシタ２Ｃｓ１に回収される。
【０１６５】
Ｔ３期間では、第２スィッチ２Ｓ２がターンオフされると共に第３スィッチ２Ｓ３及び第２補助スィッチ２ＳＢ２がターンオンされる。第３スィッチ２Ｓ３及び第２補助スィッチ２ＳＢ２がターンオンされると、図２９に示すように、パネルキャパシタＣｐに充電されて残っていた電圧はインダクタ２Ｌ、第６ダイオード２Ｄ６、第３スィッチ２Ｓ３及び第２補助スィッチ２ＳＢ２を経由して第２ソースキャパシタ２Ｃｓ２に回収される（このとき、インダクタ２Ｌに所定のエネルギーが充電される）。ここで、パネルキャパシタＣｐの電圧がインダクタ２Ｌを経由して第２ソースキャパシタ２Ｃｓ２に供給されるので、パネルキャパシタＣｐの電圧は図１０のように正弦波的に降下する。言い換えれば、Ｔ３期間中にパネルキャパシタＣｐの電圧は急激に降下せず、正弦波的に（すなわち、降下開始点と降下終了点で勾配が減少）徐々に降下する。このように、パネルキャパシタＣｐの電位が正弦波的に降下すると電磁気的干渉ＥＭＩの低減が可能になる。
【０１６６】
このようにＴ３期間でインダクタ２Ｌに流れる電流の流れにより、第３ノード２Ｎ３上に供給される電圧の変化量ｄｖ／ｄｔが負極性（−）であるとき、ゲート端子とソース端子との間の寄生キャパシタＣｇｓを介してゲート端子とソース端子間の電圧Ｖｇｓの増加するノイズが誘発されて、第１スィッチ２Ｓ１が瞬間的にショートされる。これにより、第１補助スィッチ２ＳＢ１は、第３ノード２Ｎ３上の電圧変化量ｄｖ／ｄｔによるノイズのために望まぬ時間に瞬間的にショートされる第１スィッチ２Ｓ１を経由して供給される電圧が第２ノード２Ｎ２に供給されることを遮断することにより、パネルキャパシタＣｐから第２ソースキャパシタ２Ｃｓ２に回収される電圧の損失を防止する。
【０１６７】
Ｔ４期間では、第３スィッチ２Ｓ３及び第２補助スィッチ２ＳＢ２がターンオフされると共に第４スィッチ２Ｓ４がターンオンされる。第４スィッチ２Ｓ４がターンオンされると、図３０に示すように、パネルキャパシタＣｐは基底電圧源ＧＮＤに接続され、基底電圧ＧＮＤが供給される。すなわち、Ｔ４期間中にパネルキャパシタＣｐは基底電位ＧＮＤを維持する。実際に、本発明の第４実施形態に係る一エネルギー回収装置は、Ｔ１〜Ｔ４の期間を周期的に繰り返しながらサステインパルスをパネルキャパシタＣｐに供給する。
【０１６８】
上述した如く、本発明の第３及び第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置及び方法によれば、パネルキャパシタに供給されなければならない電圧より高い電圧が生成できるように共振回路を構成し、このうち所望の電圧のみがパネルキャパシタに供給されるように制御することにより、安定したサステイン放電を行うことができる。言い換えれば、パネルキャパシタに供給される電圧は急激な勾配で上昇するので、パネルキャパシタ内部に含まれた荷電粒子の量と関係なく安定したサステイン放電を行うことができる。また、パネルキャパシタに充電された電圧はインダクタを経由して放電するので、パネルキャパシタの電圧は正弦波的に降下し、これによりＥＭＩを最小化することができる。
【０１６９】
また、本発明の共振回路によるノイズによって前記サステイン電圧が基底電圧源とサステイン電圧源のいずれかに供給されることを遮断する遮断回路を構成し、ノイズによるサステイン電圧の損失を防止する。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの放電セル構造を示す斜視図である。
【図２】従来のエネルギー回収装置を示す回路図である。
【図３】図２に示したエネルギー回収装置の動作過程を示すスイチング図である。
【図４】図２に示したエネルギー回収装置によって生成されるサステインパルスを示す図である。
【図５】従来の他の実施形態によって生成されるサステインパルスを示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るエネルギー回収装置を示す回路図である。
【図７】図６に示したエネルギー回収装置の動作過程を示すスイチング図である。
【図８】図６に示したエネルギー回収装置によって生成されるサステインパルスを示す図である。
【図９】図６に示したエネルギー回収装置の動作過程を示す回路図である。
【図１０】図６に示したエネルギー回収装置の動作過程を示す回路図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の変形例に係るエネルギー回収装置を示す回路図である。
【図１２】図１１に示したエネルギー回収装置の動作過程を示すスイチング図である。
【図１３】図１１に示したエネルギー回収装置の動作過程を示す回路図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係るエネルギー回収装置を示す回路図である。
【図１５】図１４に示したエネルギー回収装置によってパネルキャパシタに供給されるパルスを示す図である
【図１６】本発明の第３実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置を示す回路図である。
【図１７】図１６に示したインダクタに流れる電流の方向による第２ノード上の電圧の変化量を示す波形図である。
【図１８】図１６に示した本発明のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置の各スィッチのオン／オフタイミングを示す波形図である。
【図１９】図１８に示したＴ１期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２０】図１６に示したパネルキャパシタに供給されるサステイン電圧の波形を示す波形図である。
【図２１】図１８に示したＴ２期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２２】図１８に示したＴ３期間のａ区間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２３】図１８に示したＴ３期間のｂ区間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２４】図１８に示したＴ４期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２５】本発明の第４実施形態に係るプラズマディスプレイのエネルギー回収装置を示す回路図である。
【図２６】図２５に示した本発明のプラズマディスプレイのエネルギー回収装置の各スィッチのオン／オフタイミングを示す波形図である。
【図２７】図２６に示したＴ１期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２８】図２６に示したＴ２期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図２９】図２６に示したＴ３期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図３０】図２６に示したＴ４期間での各スィッチのオン／オフ状態及び電流パスを示す回路図である。
【図１】
2005115390.tif 000003
【図２】
2005115390.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005115390.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005115390.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005115390.tif 000011
【図１０】
2005115390.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2005115390.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2005115390.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2005115390.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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