(57)【要約】【課題】本発明は、電気的特性を犠牲にすることなく大幅に球状突起の発生を減らすことを可能とし、さらに、堆積膜形成時間の短縮、原料ガス利用効率の向上が達成され、生産コストの低下が実現可能となる堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供することを目的としている。【解決手段】複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、高周波電力導入手段を反応容器の外部に配置して高周波電力を導入することで、複数の基体上に良好な特性を有する堆積膜を形成する堆積膜形成装置及び方法において、同一円周上に配置された円筒状基体に囲まれた領域の内部に、導電性部材と絶縁性部材とを組み合せた構成の円筒状部材を設置することを特徴とするものである。【選択図】  図１
2005163164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、該反応容器内部に同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電力導入手段とを有し、該高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該円筒状基体が配置される配置円内に導電性部材と絶縁性部材とを組み合せた構成の円筒状部材を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記円筒状部材の下部側は導電性部材、上部側は絶縁性部材で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記上部側の絶縁性部材の長さは、前記下部側の導電性部材の長さの0.1〜8.5倍であることを特徴とする請求項１乃至２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記円筒状部材の下部側の導電性部材で構成された部分は接地されていることを特徴とする請求項１乃至３に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記円筒状部材の直径が、前記複数の円筒状基体に囲まれた空間の内接円の直径の0.1倍〜0.8倍であることを特徴とする請求項１乃至４に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記円筒状部材の全長が前記反応容器の高さの0.5倍〜0.98倍であることを特徴とする請求項１乃至５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記円筒状部材の表面の少なくとも一部は、算術平均粗さ(Ｒa)が１μｍ以上20μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記円筒状部材の表面の少なくとも一部は、平均傾斜角(θa)が９度以上20度以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記円筒状部材の表面の少なくとも一部は、局部山頂の平均間隔(Ｓ)が30μｍ以上100μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記円筒状部材の表面粗さが、ブラスト加工によって調整されていることを特徴とする請求項８乃至９に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記円筒状部材の表面粗さが、溶射加工によって調整されていることを特徴とする請求項８乃至９に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記円筒状部材の導電性部材の溶射加工に用いられる溶射材が、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、二酸化チタンの少なくとも１つ以上の材料であることを特徴とする請求項11に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
前記円筒状部材の絶縁性部材の溶射加工に用いられる溶射材が、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コンジェラート、ジルコン-コンジェラート、酸化珪素酸化ベリリウムマイカ系セラミック等を用いることを特徴とする請求項11に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１４】
前記高周波電力導入手段が、前記複数の円筒状基体の配置円と中心を同じくする同心円上に等間隔で設置されていることを特徴とする請求項１乃至13に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１５】
前記高周波電力の周波数が50〜450ＭＨzの範囲であることを特徴とする請求項１乃至14に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１６】
前記複数の円筒状基体上に形成される堆積膜が、シリコン原子を母材とした非単結晶材料であることを特徴とする請求項１乃至15に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１７】
電子写真感光体の製造に用いられることを特徴とする請求項１乃至16に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１８】
請求項１乃至17記載の堆積膜形成装置を用いた堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜を形成する装置および方法に関する。とりわけ機能性膜、特に半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用いる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等の形成に用いる堆積膜形成方法として、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力によって生起されたプラズマを用いた方法が多数知られており、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
例えばプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波グロー放電により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は好適な堆積膜形成手段として実用化されており、例えば電子写真用アモルファスシリコン(以下、「a-Ｓi」と表記する)堆積膜の形成等に利用され、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
特に、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ(以下、「ＶＨＦ-ＰＣＶＤ」と略記する。)法が注目を浴びており、このＶＨＦ-ＰＣＶＤ法を用いた各種堆積膜の開発が積極的に進められている。これは、ＶＨＦ-ＰＣＶＤ法では堆積膜の堆積速度が比較的速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。そして、複数のa-Ｓi系電子写真用の感光体を同時に形成できて、生産性が高い堆積膜形成装置の開発が進められている。
【０００５】
例えば、反応容器の一部を誘電体部材とし、カソード電極を反応容器の外側に複数配置することで、大面積で均質な高周波放電が容易に達成され、大面積基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うことが可能になる装置が開示されている。(例えば、特許文献１参照)
このような堆積膜形成装置の一例として、図２に模式的な構成図を示す。
【０００６】
図２(a)は概略断面図、図２(b)は図２(a)の切断線Ａ-Ａ’に沿う概略断面図である。反応容器201は誘電体部材201(a)と上蓋201(b)から成る。反応容器201の下部には排気配管209が接続され、排気配管209の他端は不図示の排気装置(例えば真空ポンプ)に接続されている。反応容器201の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される複数の円筒状基体205が互いに平行になるように同一円周上に配置されている。複数の円筒状基体205は基体加熱用ヒーター207を内蔵した基体支持体206によって各々保持されている。そして、反応容器201内にはSiH4、GeH4、H2、CH4、B2H6、PH3、Ar、He等のガスボンベからなる不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段210があり、反応容器201の外には高周波電力導入手段202が設置されている。高周波電力導入手段202には、高周波電源203がマッチングボックス204と高周波電力分岐手段212を介して接続されている。さらに、円筒状基体205は各々の回転機構208によって、回転可能になっている。
【特許文献１】特開平９-310181号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来の堆積膜形成装置及び方法により、膜堆積速度の向上による基体処理時間の短縮、同時処理可能基体数の増加、堆積膜特性の均一性・再現性の向上が達成され、生産コストの安い、実用的な特性と均一性を持つ電子写真感光体を得ることが可能になった。また真空反応容器内の清掃を厳格に行えばある程度欠陥の少ない電子写真感光体を得ることは可能である。
【０００８】
しかしながら、これらの堆積膜を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められるようになっている。
【０００９】
すなわち、近年、急激に需要が広がっているカラー複写機においては、これまで以上に画像欠陥に対する要求が厳しい。ところが、電子写真感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品においては、その感光体の製造工程が長時間に渡るために製造工程中にダストが発生しやすく、且つ、堆積面の面積が広いため、自ずとダストが付着する確率も高まる傾向がある。このダスト起因の堆積膜の異常成長は画像欠陥に直結するため、極力なくすことが必要となってきた。
【００１０】
従って、膜堆積速度が速く、光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスによる画像形成時に画像欠陥が少ない堆積膜を高収率で得るためには、改善すべき問題が残存していた。
【００１１】
上記の感光体の製造工程で発生する堆積膜の異常成長とは次のようなものである。
【００１２】
a-Ｓi膜は基体表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」が成長してしまうという性質を持っている。球状突起はダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って基体側に抜けてしまう。このため、球状突起のある部分は、画像上ではべた黒画像で白い点となって現れる(反転現像の場合はべた白画像に黒い点となって現れる)。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機に搭載される場合にはさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【００１３】
この球状突起は、ダストを起点としているため、使用する基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。このようにして、成膜開始前に基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。しかし、球状突起の発生原因は基体上に付着したダストのみではない。すなわち、a-Ｓi感光体を製造する場合、要求される膜厚が数μｍから数10μｍと非常に厚いため、成膜時間は数時間から数十時間に及び、この間にa-Ｓi膜は基体のみではなく、反応炉壁や反応炉内の構造物にも堆積する。これらの炉壁、構造物は基体のように管理された表面や温度を有していないため、場合によっては密着力が弱く、長時間に渡る成膜中に膜剥がれを起こす場合があった。成膜中に僅かでも剥がれが発生すると、それがダストとなり、堆積中の感光体表面に付着し、これが起点となって球状突起の異常成長が発生してしまう。従って、高い歩留まりを維持していくためには、成膜前の基体の管理のみならず、成膜中における成膜炉内の膜剥がれの防止についても慎重な管理が必要とされ、a-Ｓi感光体の製造を難しいものにしていた。
【００１４】
[発明の目的]
本発明の目的は、上述のごとき従来の電子写真感光体における諸問題、具体的には球状突起に起因する画像欠陥を、電気的特性を犠牲にすることなく克服して、安価に安定して歩留まり良く製造し得る、高画質の使いやすい電子写真感光体の製造を可能にする堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、高周波電力導入手段を反応容器の外部に配置して高周波電力を導入することで、基体上に良好な特性を有する堆積膜を形成することが可能となる堆積膜形成装置及び方法において、同一円周上に配置された円筒状基体に囲まれた領域の内部に、導電性部材と絶縁性部材とを組み合せた構成の円筒状部材を設置することによって大幅に球状突起の発生を減らすことが可能であることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
【００１６】
即ち、本発明は、少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、該反応容器内部に同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電力導入手段とを有し、該高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、該円筒状基体が配置される配置円内に導電性部材と絶縁性部材とを組み合せた構成の円筒状部材を有することを特徴とする堆積膜形成装置及び方法に関する。
【００１７】
本発明によれば、複数の基体上に、良好な特性を有する堆積膜を均一に再現性良く、高い膜堆積速度で形成できると同時に、球状突起に起因する画像欠陥を極めて少なくすることが可能である。
【００１８】
上記の効果が得られる本発明の形態について、以下、詳述する。
【００１９】
本発明者らは、複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、高周波電力導入手段を反応容器の外部に配置した堆積膜形成装置において、堆積膜の密着性を向上させてダストの発生を低減する方法を検討したところ、円筒状基体の周りの構成が非対称となっていることに気がついた。この非対称性は、大雑把に言って、円筒状基体の配置円の内側と外側に分けて考えることができ、内側と外側で膜の密着性や応力などが異なっている可能性が考えられた。
【００２０】
そこで、この非対称性がどのような影響を及ぼしているかを確認するために、円筒状基体を静止状態にして成膜を行い、円筒状基体の周方向の球状突起分布を調べた。すると、やはり球状突起数は周方向に均等に発生しているのではなく、円筒状基体の配置円の内側に多く発生していることが判明した。つまり、このような形態の堆積膜形成装置において球状突起を改善し、カラー複写機での使用にも耐えるレベルまで画像欠陥を低減するためには、主に、この内側の球状突起を低減する必要があることが判明した。
【００２１】
円筒状基体の配置円の内側で球状突起が多く発生する理由は、現在不明だが、堆積膜形成装置の構造を見たとき、円筒状基体が並んだ円周の外側は堆積膜形成装置の炉壁が面しているのに対して、内部側には炉壁はなく、このような空間の形状の違いが原因となって付着した堆積膜の膜応力の差を発生させ、密着性に影響を与えているのだろうと想像している。
【００２２】
これに対して、複数の円筒状基体の内部空間に接地された導電性部材(例えば金属部材)からなる円筒状部材を設置した堆積膜形成装置において円筒状基体の周方向の球状突起数分布を調べたところ、内側で球状突起の発生率が低減しており、周方向で球状突起分布はほぼ均等になっていることが判明した。これは、複数の円筒状基体の内部空間に設置した円筒状部材が内部側の炉壁に相当する機能を持ち、擬似的ながら内部と外部の構造が対称になったためではないかと考えている。
しかしながら、円筒状基体の軸方向でみると内側は良化傾向があるものの下部側の方が球状突起の発生率は若干高い傾向が見られた。
また、複数の円筒状基体の内部空間に絶縁性部材からなる円筒状部材を、炉壁〜円筒状基体間の距離と円筒状基体〜円筒状部材の距離をほぼ等しくして設置した堆積膜形成装置において、円筒状基体の周方向の球状突起数分布を調べたところ、同様に内側の球状突起の発生率が低減し周方向で球状突起分布が良化する傾向はあるものの、導電性部材からなる円筒状部材を用いた場合よりは球状突起の発生率は高かった。
また、このときの副作用として、円筒状部材にも堆積膜が付着するため、円筒状基体に堆積する膜の堆積速度が若干低下してしまう現象が現れた。
さらに、複数の円筒状基体の内部空間に下部側が導電性部材、上部側が絶縁性部材と２等分の組み合せからなる円筒状部材を設置した堆積膜形成装置において、同様に円筒状基体の周方向の球状突起数分布を調べたところ、導電性部材で構成された円筒状部材のものより円筒状基体下部側で球状突起の発生率は低減した結果が得られた。
これらの結果から、複数の円筒状基体の内部空間に円筒状部材を配置することで、内部側の炉壁に相当する機能を持ち、擬似的ながら内部と外部の構造が対称となり、空間の形状の違いが原因となって付着した堆積膜の膜応力の差を緩和し膜の密着性を向上した効果により膜剥がれ等による球状突起の発生が抑えられていると推測している。
又、円筒状基体の内部空間はＶＨＦパワーが上部側は高く、電気特性及び画像特性を得るために十分なパワーが投入されており、反面、下部側はパワーが低いと考えられる。
円筒状基体の内部空間に導電性部材からなる円筒状部材にした場合は、アンテナ効果によりＶＨＦパワーの広がりをもたせる装置形態になり、下部側のＶＨＦパワーが高くなったものと考えられる。
さらに、複数の円筒状基体の内部空間に下部側が導電性部材、上部側が絶縁性部材と２等分の組み合せからなる円筒状部材を設置した場合は、下部側によりＶＨＦパワーを集中させるような装置形態となり、円筒状基体下部側で球状突起の発生率が更に低減したものと想像する。
【００２３】
すなわち、上部側はＶＨＦパワーが十分入っている為、空間を埋める効果が得られればよく、下部側はＶＨＦパワーを高くする必要がある。このことから、本発明のように、複数の円筒状基体の内部空間に、下部側を導電性部材、上部側を絶縁性部材とした組み合せの円筒状部材を設置することで、円筒状基体に堆積する膜の堆積速度を低下させること無く、円筒状基体の球状突起を低減させることが可能となり、球状突起に起因する画像欠陥を極めて少なくすることが達成されるものである。
【００２４】
又、複数の円筒状基体の内部空間設けられた円筒状部材の上部側の絶縁性部材の長さは、下部側の導電性部材の長さの0.1〜8.5倍にすることが本発明には適している。
また、円筒状部材の下部側の導電性部材で構成された部分は接地されているものである。
又、本発明の検討の中で、球状突起低減効果を維持しながら円筒状部材の直径を小さくすることが可能であることが判明した。一方、堆積速度は円筒状部材の直径を小さくすることで大幅に向上することが確認され、ある程度以下の大きさにすれば、実質、堆積速度の低下は無視しうる程度にまで改善することが確認された。
【００２５】
上記のように、本発明において堆積速度を低下させずに、かつ、球状突起改善効果を維持するためには、円筒状部材の直径をある特定の範囲にする必要がある。すなわち、円筒状部材の直径を、複数の円筒状基体に囲まれた空間に内接する内接円の直径(すなわち複数の円筒状基体の中心軸を結ぶ円の直径から円筒状基体の直径を引いた値)に対して0.1倍〜0.8倍、更に好ましくは0.2倍〜0.5倍とするときに限って、球状突起改善効果と堆積速度維持が両立することが判明した。
【００２６】
また、下部側を導電性部材、上部側を絶縁性部材とした組み合せの円筒状部材の全長は、堆積膜形成装置の反応容器の高さに対して、0.5倍〜0.98倍が最適であった。
【００２７】
本発明は、以上の経緯によって完成されたものである。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように本発明によれば、少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、該反応容器内部に同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、該反応容器の外部に配置された複数の高周波電力導入手段とを有し、該高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、該反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該円筒状基体が配置される配置円内に導電性部材と絶縁性部材とを組み合せた構成の円筒状部材を有することによって、電気的特性を低下させることなく大幅に球状突起の発生を減らすことが可能となった。さらに、堆積膜形成時間の短縮、原料ガス利用効率の向上が達成され、生産コストの低下が実現可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を用いて本発明の堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法について詳細に説明する。
【００３０】
図１は本発明の堆積膜形成装置及び方法で、複数の電子写真感光体を同時に形成できる生産性の極めて高い装置の一例を模式的に示したものである。
【００３１】
図１(a)は概略断面図、図１(b)は図１(a)の切断線Ａ-Ａ’に沿う概略断面図である。図１に示す堆積膜製造装置は、原料ガスが分解される成膜空間を誘電体部材101(a)と上蓋101(b)から成る反応容器101により円柱状領域に制限し、円柱状成膜空間の中心軸が円筒状基体105配置円の中心を通る構成とし、さらに、円筒状基体105の配置円外に設置された高周波電力導入手段102を誘電体部材101(a)の外部に位置させることにより、原料ガスの利用効率が向上し、同時に、形成される堆積膜中の欠陥を減少させることが可能となる。
【００３２】
反応容器101の下部には排気配管109が接続され、排気配管109の他端は不図示の排気装置(例えば真空ポンプ)に接続されている。反応容器101の中心部を取り囲むように、堆積膜を形成される複数の円筒状基体105が互いに平行になるように同一円周上に配置されている。複数の円筒状基体105は基体加熱用ヒーター107を内蔵した基体支持体106によって各々保持されている。そして、反応容器101内には概略中央に、上部側を絶縁性部材111(a)、下部側を導電性部材111(b)
とした組み合せの円筒状部材111、SiH4、GeH4、H2、CH4、B2H6、PH3、Ar、He等のガスボンベからなる不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段110があり、反応容器101の外には高周波電力導入手段102が設置されている。高周波電力導入手段102には、高周波電源103がマッチングボックス104と高周波電力分岐手段112を介して接続されている。さらに、円筒状基体105は各々の回転機構108によって、回転可能になっている。
【００３３】
ここで、円筒状部材111の上部側の絶縁性部材111(a)は絶縁性材料なら何でも使用できるが、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コンジェラート、ジルコン-コンジェラート、酸化珪素酸化ベリリウムマイカ系セラミック等を用いることが好ましい。また、これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００３４】
また、円筒状部材111の下部側の導電性部材111(b)は導電性材料なら何でも使用できるが、アルミニウム、鉄、ステンレス、金、銀、銅、ニッケル、クロム、チタンなど金属材料の場合、加工が容易で耐久性が高く、また再利用の利便性などの点でも好ましい。また、これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００３５】
円筒状部材111の表面の少なくとも一部は、算術平均粗さ(Ｒa)が１μｍ以上20μｍ以下の範囲であることが好ましい。これは、Ｒaを１μｍ以上とすることでa-Ｓi堆積膜との接触面積が増加し、密着性に良好な影響を及ぼすからである。一方、Ｒaが大き過ぎると逆にダストを取り込みやすくなり、これが吐き出された際に球状突起の原因になってしまうことがある。よって、Ｒaは１μｍ以上20μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００３６】
さらに、円筒状部材111の表面は、Ｒaを上記の範囲内にすると同時に平均傾斜角(θa)を９度以上20度以下の範囲に制御することが好ましい。θaとは、表面粗さの傾きに相当する指標であり、これを９〜20度の範囲とすることにより表面の凹凸が深くなり、より密着性が向上する。なお、平均傾斜角(θa)とは図３に示すように測定曲線の局部傾斜の絶対値を合計し、平均した値(Δa)の逆正接(θa＝tan-1Δa)で表される。
【００３７】
また、Ｒaを上記の範囲内にすると同時に局部山頂の平均間隔(Ｓ)を30μｍ以上100μｍ以下の範囲にすることも好ましい。Ｓとは、凹凸の凸部の間隔に相当する指標であり、この値を30〜100μｍとすることにより、やはり表面の凹凸が深くなり、より密着性が向上する。
【００３８】
更に、Ｒaとθa、Ｓをすべて上記の範囲内にすることで、特に密着性の向上が顕著になることが本発明者の実験によって明らかとなった。これは、Ｒa、θa、Ｓを一定の範囲にすることで部材と堆積膜との接触面積をより最適な範囲にでき、部材に堆積する膜の応力が緩和されやすい状態になって密着性が増したためであると考えている。
【００３９】
本発明で用いた表面粗さの測定はＪIＳ  Ｂ0601-1994に基づき、Ｓurftest  ＳＪ-400(株式会社ミツトヨ)を用いカットオフ0.8ｍｍ、基準長さ0.8ｍｍ、評価長さ４ｍｍとして測定を行った。
【００４０】
円筒状部材111の表面粗さを上記の範囲に制御するためには、ブラスト加工を行ったり、溶射材で被覆すれば良い。ブラスト加工や溶射は、コスト面から、あるいは表面粗さの制御性の高さや、コーティング対象物の大きさ・形状の制限を受けにくいため好ましい。
【００４１】
溶射の具体的手段に特に制限はないが、例えばプラズマ溶射、減圧プラズマ溶射、高速フレーム溶射、低温溶射などのコーティング法により表面をコーティングしてもよい。具体的な溶射材料としては、円筒状部材111の上部側の絶縁性部材111(a)は、セラミックス材料が好ましく、具体的には、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コンジェラート、ジルコン-コンジェラート、酸化珪素酸化ベリリウムマイカ系セラミック等の少なくとも一つ以上を含む材料によって構成されていると堆積膜の密着性が高く、球状突起発生防止のために有効であるので好ましい。これらの中でも、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミは誘電正接や絶縁抵抗等の電気特性にすぐれ、高周波電力の吸収が少ないことからより好ましい。また、円筒状部材111の下部側の導電性部材111(b)はアルミニウム、ニッケル、ステンレス、二酸化チタン、鉄等が挙げられる。
【００４２】
円筒状部材111の表面を被覆する溶射材の厚さは特に制限はないが、耐久性および均一性を増すため、また、製造コストの面から１μｍ〜１ｍｍが好ましく、10μｍ〜500μｍがより好ましい。
【００４３】
本発明の堆積膜形成装置101では、円筒状部材111の下部側の導電性部材111(b)は電気的に接地することが必要である。接地することによって、高周波電力導入手段102に対して擬似的な対向電極的な作用をしているものと推測される。逆に、円筒状部材111の下部側の導電性部材111(b)は、接地するだけで充分に本発明の効果を得ることができるため、例えば円筒状部材111の下部側の導電性部材111(b)用に別の高周波電源を用意したり、１台の高周波電源103から高周波電力導入手段102と円筒状部材111の下部側の導電性部材111(b)に出力を分岐して整合を取る、といったコストや手間が一切掛からないため、堆積膜形成装置101自体のコストを低減することができ、ひいては電子写真感光体の製造コスト低減にも結びつくことになる。
【００４４】
本発明においては高周波電力の周波数が50〜450ＭＨzの範囲において、画像欠陥の低減効果が特に高くなる。これは、50ＭＨzよりも低い周波数領域においては、プラズマが安定して生成可能な圧力が急激に高まることに起因していると思われる。本発明者らの検討によれば、例えば周波数が13.56ＭＨzの場合には、プラズマが安定して生成可能な圧力は、周波数が50ＭＨz以上の場合と比べ約１桁から半桁高いことが確認されている。このような高い圧力においては、成膜空間中においてポリシラン等のパーティクルが生じ易く、このパーティクルが堆積膜中に取り込まれると球状突起を発生させやすくなる。本発明において、高周波電力の周波数を50ＭＨz以上とすることにより、プラズマ生成圧力を充分低くすることができるため、パーティクルの発生確率は激減し、円筒状基体全周にわたって良好な堆積膜が形成されるものと考えられる。
【００４５】
また、450ＭＨzよりも高い周波数領域においては、プラズマの均一性の低下により450ＭＨz以下の場合と比べて膜特性の均一性に差が生じてしまう。このような膜特性の均一性に差ができると、同時に膜の応力にも差が生じ、その境界付近で膜剥がれが生じやすくなる。このため、画像欠陥が悪化しやすい。周波数が450ＭＨzよりも高い周波数領域においては、電力導入手段近傍での電力の吸収が大きく、ここで電子の生成が最も頻繁に為されるため、プラズマ不均一を生じ易く、堆積膜の特性むらにつながりやすい。450ＭＨz以下の周波数においては、電力導入手段近傍での極端な電力吸収が生じにくいため、プラズマ均一性、さらには膜特性の均一性が高くなる。
【００４６】
また、高周波電源103は、装置に適した高周波電力を発生することが出来ればいかなるものでも好適に使用出来る。さらに、高周波電源103の出力変動率には特に制限は無い。
【００４７】
本発明で使用されるマッチングボックス104は高周波電源103と負荷の整合を取ることができるものであればいかなる構成のものでも好適に使用出来る。また、整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが製造時の煩雑さを避けるために好適であるが、手動で調整されるものであっても本発明の効果に全く影響は無い。また、マッチングボックス104が配置される位置に関しては整合が取れる範囲においてどこに設置してもなんら問題はないが、マッチングボックス104から高周波電力導入手段102までの配線のインダクタンスを出来るだけ小さくするような配置とした方が広い負荷条件で整合を取ることが可能になるため望ましい。
【００４８】
高周波電力導入手段102及び高周波電力分岐手段112の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスなどは熱伝導が良く、電気伝導も良いので好適である。これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００４９】
高周波電力導入手段102の数としては、円筒状基体105と同数もしくは円筒状基体105の１/２とすることが更に好ましい。円筒状基体105の１/２とする場合には、近接する２つの円筒状基体105との距離が等しくなるよう配置することが最適である。複数の高周波電力導入手段102への電力の供給は、例えば、１つの高周波電源103からマッチングボックス104を介した後、電力供給路を高周波電力分岐手段112で分岐させて行うことができる。また例えば、１つの高周波電源103から電力供給路を高周波電力分岐手段112で分岐させた後、複数のマッチングボックスを介して電力供給を行ってもよく、さらには例えば、個々の高周波電力導入手段102ごとに別個の高周波電源およびマッチングボックスを設けてもよいが、全ての高周波電力導入手段102から導入される高周波電力の周波数が完全に一致するという点、装置コストの点、装置の大きさの点から、１つの高周波電源から全ての高周波電力導入手段102に電力供給されることが好ましい。
【００５０】
高周波電力導入手段102としては棒状、筒状、板状等のカソード電極や、同軸構造体の外部導体に開口部を設けそこから電力供給する手段等が用いることができる。
【００５１】
本発明で使用される反応容器101の誘電体部材101(a)の材料としては、セラミックス材料が好ましく、具体的には、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コンジェラート、ジルコン-コンジェラート、酸化珪素酸化ベリリウムマイカ系セラミック等の少なくとも一つ以上を含む材料によって構成されていると堆積膜の密着性が高く、球状突起発生防止のために有効であるので好ましい。これらの中でも、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミは誘電正接や絶縁抵抗等の電気特性にすぐれ、高周波電力の吸収が少ないことからより好ましい。
【００５２】
また、加工の容易さから電子写真感光体を作製する際には、反応容器101の誘電体部材101(a)の形状は円筒形状が好ましいが、必要に応じて楕円形、多角形形状を用いても良く、作製する部材に応じて形状を選択すれば良い。
【００５３】
反応容器101の誘電体部材101(a)表面の少なくとも一部は、球状突起低減効果を増すために算術平均粗さ(Ｒa)が１μｍ以上20μｍ以下の範囲であることが好ましい。また、Ｒaを上記の範囲内にすると同時に平均傾斜角(θa)を９度以上20度以下の範囲に制御する、或いはＲaを上記の範囲内にすると同時に局部山頂の平均間隔(Ｓ)を30μｍ以上100μｍ以下の範囲にすることがより好ましい。さらに、Ｒa、θa、Ｓを全て上記の範囲内にすることで画像欠陥改善効果が特に顕著になる。
【００５４】
反応容器101の上蓋101(b)の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスなどの材料を用いると導電性で熱伝導が良いので好適である。これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００５５】
円筒状基体105は、使用目的に応じた材質を有するものであれば良い。材質においては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスは電気伝導が良好のため好適である。さらに、これらの材料中の２種以上からなる複合材料も耐熱性が向上するために望ましい。
【００５６】
基体加熱用ヒーター107は真空仕様である発熱体であればよく、具体的にはシース状ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター、カーボンヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。基体加熱用ヒーター107の表面材料としてはステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００５７】
図１の堆積膜形成装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００５８】
まず、基体ホルダー106に保持した円筒状基体105を反応容器101内に設置し、不図示の排気装置により排気口109を通して反応容器101内を排気する。続いて、発熱体107により円筒状基体105を所定の温度に加熱・制御する。
【００５９】
円筒状基体105が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段110を介して、原料ガスを反応容器101内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器101内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源103からマッチングボックス104を介して高周波電力導入手段102へ所定の高周波電力を供給する。供給された高周波電力によって、反応容器101内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒状基体105上に堆積膜が形成される。
【００６０】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように１つの層の形成が終了した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成を行なってもよいし、あるいは、１つの層の形成終了後一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形成してもよい。また、各層の間で一旦、反応容器101内の残留ガスを充分真空引きすることで、層と層の間で異なるガス種を使う場合の汚染の心配がなくなるため好ましい。
【００６１】
堆積膜の形成中、必要に応じて円筒状基体105を回転機構108により所定の速度で回転させてもよい。
【００６２】
本発明を用いることにより、例えば図４に示すようなa-Ｓi系電子写真感光体が形成可能である。
【００６３】
図４(a)に示す電子写真感光体1200は、支持体1201の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン(以下「a-Ｓi:Ｈ,Ｘ」と表記する。)を有する光導電性を有する光導電層1202が設けられている。
【００６４】
図４(b)に示す電子写真感光体1200は、支持体1201の上に、a-Ｓi:Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する光導電層1202と、アモルファスシリコン系(又はアモルファス炭素系)表面層1203が設けられて構成されている。
【００６５】
図４(c)に示す電子写真感光体1200は、支持体1201の上に、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層1204と、a-Ｓi:Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する光導電層1202と、アモルファスシリコン系(又はアモルファス炭素系)表面層1203が設けられて構成されている。
【００６６】
図４(d)に示す電子写真感光体1200は、支持体1201の上に、光導電層1202が設けられている。この光導電層1202はa-Ｓi:Ｈ,Ｘからなる電荷発生層1205及び電荷輸送層1206とからなり、その上にアモルファスシリコン系(又はアモルファス炭素系)表面層1203が設けられている。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。
(実施例１)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径80ｍｍ、長さ358ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー105上に、高周波電源103の発振周波数を105ＭＨzとして表１に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でa-Ｓi堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。
【００６８】
円筒状部材は、上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質はステンレス製に２等分した物を用い、直径は、円筒状基体に囲まれた領域の直径の0.3倍、長さは、反応容器の高さの0.95倍とした。円筒状部材の表面は、上部側及び下部側共にブラスト加工により、Ｒa＝７±１μｍ、θa＝15±２度、Ｓ＝50±10μｍとした。
【００６９】
【表１】
2005163164.tif 000003
【００７０】
(比較例１)
図２に示す堆積膜形成装置を用い、実施例１と同様にして表１の条件でa-Ｓi感光体の形成を行った。本比較例では円筒状部材は設けなかったが、その他の成膜条件は実施例１と全く同様とした。
【００７１】
実施例１、比較例１で作成したa-Ｓi電子写真感光体は、下記の方法で評価を行った。
(球状突起数)
得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察した。そして、10μｍ以上の大きさの球状突起の数を数え、10cｍ2当たりの個数を調べた。
【００７２】
得られた結果は、比較例１での値を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００７３】
◎  …      30％未満
○〜◎  …  30％以上50％未満
○  …      50％以上70％未満
△〜○  …  70％以上95％未満
△  …      95％以上105％未満
×  …      105％以上に増加
(画像欠陥)
本テスト用に改造したキヤノン製複写機iＲ5000に本実施例で作製した電子写真感光体を設置し、プロセススピード265ｍｍ/sec、前露光(波長660nｍのＬＥＤ)光量４lx・s、主帯電器の電流値1000μＡの条件にて画像形成を行い、Ａ３サイズの黒原稿を複写した。こうして得られた画像全域を観察し、直径0.2ｍｍ以上の球状突起に起因する白ポチの個数を数えた。
【００７４】
得られた結果は、比較例１での値を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００７５】
◎  …      30％未満
○〜◎  …  30％以上50％未満
○  …      50％以上70％未満
△〜○  …  70％以上95％未満
△  …      95％以上105％未満
×  …      105％以上に増加
(帯電能)
電子写真装置の主帯電器に一定の電流(例えば1000μＡ)を流し、現像器位置にセットした表面電位計(ＴＲＥＫ社Ｍodel344)の電位センサーにより暗部電位を測定した。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域に渡って行い、その平均値とした。帯電能の評価結果は、比較例１の結果を基準とした。
【００７６】
◎      …  10％以上の良化
○      …  ５％以上10％未満の良化
△      …  ５％未満の良化
×      …  悪化
(感度)
現像器位置での暗部電位が一定値(例えば450Ｖ)となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度0.1以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光(波長655nｍの半導体レーザー)を調整した際の像露光量により評価する。したがって、像露光量が少ないほど感度が良好であることを示す。感度測定は感光体母線方向全領域に渡って行い、その平均値とした。したがって、数値が小さいほど良好である。感度の評価結果は、比較例１の結果を基準とした。
【００７７】
◎      …  10％以上の良化
○      …  ５％以上10％未満の良化
△      …  ５％未満の良化
×      …  悪化
(光メモリー)
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴーストテストチャート(部品番号:ＦＹ９-9040)に反射濃度1.1、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定することにより行った。光メモリーの測定は、感光体母線方向全領域に渡って行い、その平均値とした。したがって、数値が小さいほど良好である。光メモリーの評価結果は、比較例１の結果を基準とした。
【００７８】
◎      …  10％以上の良化
○      …  ５％以上10％未満の良化
△      …  ５％未満の良化
×      …  悪化
実施例１、比較例１の評価結果を表２に示す。表２から分かるように、複数の円筒状基体に囲まれた領域の中央に円筒状部材を設けることによって球状突起、画像欠陥が大幅に改善されることが分かる。また、予期しなかった効果であるが、帯電能、感度、光メモリーといった電子写真感光体の特性に関しても改善が見られることが判明した。
【００７９】
【表２】
2005163164.tif 000004
【００８０】
(比較例２-a)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、実施例１と同様にして表１の条件でa-Ｓi感光体の形成を行った。本比較例では円筒状部材は全てステンレス製のものを用いたこと以外は実施例１と全く同様とした。
(比較例２-b)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、実施例１と同様にして表１の条件でa-Ｓi感光体の形成を行った。本比較例では円筒状部材は全てアルミナ製のものを用いたこと以外は実施例１と全く同様とした。
【００８１】
実施例１、比較例１、比較例２(a、b)で作成したa-Ｓi電子写真感光体は、下記の方法で評価を行った。
(球状突起軸方向分布)
得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察した。そして、10μｍ以上の大きさの球状突起の数を軸方向３箇所数え、10cｍ2当たりの個数を調べた。
【００８２】
得られた結果は、比較例１での下部の測定値を100％とした場合の相対比較でランク付けを行い軸方向の球状突起の分布を確認した。
【００８３】
５  …  かなり良好
４  …  やや良好
３  …  同等
２  …  やや悪化
１  …  かなり悪化
(画像欠陥)
実施例１と同様に画像欠陥の評価を比較例１での値を100％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００８４】
５  …  かなり良好
４  …  やや良好
３  …  同等
２  …  やや悪化
１  …  かなり悪化
実施例１、比較例２の評価結果を表３に示す。表３から分かるように、実施例１のように、複数の円筒状基体に囲まれた領域の中央に上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質をステンレス製に２等分した円筒状部材を設けることによって、球状突起、画像欠陥が改善されたことが分かる。
特に、円筒状基体下部側で球状突起の発生率は低減した結果が得られた。
【００８５】
【表３】
2005163164.tif 000005
【００８６】
(実施例２)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径80ｍｍ、長さ358ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー105上に、高周波電源103の発振周波数を50ＭＨzとして表１に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でa-Ｓi堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。
【００８７】
円筒状部材の直径は、円筒状基体に囲まれた領域の直径の0.3倍、長さは、反応容器の高さの0.95倍、円筒状部材の上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質はステンレス製とし、上部側の絶縁性部材部と下部側導電性部材の長さの比を変化させた。
【００８８】
円筒状部材の表面は、上部側及び下部側共にブラスト加工により、Ｒa＝７±１μｍ、θa＝15±２度、Ｓ＝50±10μｍとした。
実施例２で作成したa-Ｓi電子写真感光体の球状突起軸分布、画像欠陥について、実施例１と同様の方法で評価を行った。
実施例２の評価結果を表４に示す。表４から分かるように、絶縁性部材と導電性部材とを組合せた円筒状部材は、上部側の絶縁性部材の長さを下部側の導電性部材の長さに対して0.1〜8.5倍とすることが本発明には適している。
絶縁性部材と導電性部材とを組合せた円筒状部材は、上部側の絶縁性部材の長さを下部側の導電性部材の長さに対して0.05倍または9.0倍にしたときは円筒状基体下部側で0.1~0.85倍にしたときより球状突起の悪化が若干見られた。
【００８９】
【表４】
2005163164.tif 000006
【００９０】
(実施例３)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径80ｍｍ、長さ358ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー105上に、高周波電源103の発振周波数を105ＭＨzと60ＭＨzの重畳周波数として表５に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でa-Ｓi堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。
【００９１】
円筒状部材の直径は、円筒状基体に囲まれた領域の直径の0.3倍、長さは、反応容器の高さの0.95倍、円筒状部材の上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質はアルミニウム製とし、上部側の絶縁性部材部を下部側導電性部材の長さに対して0.7倍とした。
【００９２】
円筒状部材の表面は、ブラスト加工により、Ｒa＝７±１μｍ、θa＝15±２度、Ｓ＝50±10μｍとした。
実施例３で作成したa-Ｓi電子写真感光体を実施例１と同様の評価を行ったところ、実施例１同様に良好な結果が得られた。
【００９３】
【表５】
2005163164.tif 000007
【００９４】
(実施例４)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径80ｍｍ、長さ358ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー105上に、高周波電源103の発振周波数を50ＭＨzとして表１に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でa-Ｓi堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。  円筒状部材の直径は、円筒状基体に囲まれた領域の直径の0.3倍、長さは、反応容器の高さの0.9倍、円筒状部材の上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質はニッケル製とし、上部側の絶縁性部材部を下部側導電性部材の長さに対して0.7倍とした。
【００９５】
円筒状部材の表面は、ブラスト加工により、Ｒa＝７±１μｍ、θa＝15±２度、Ｓ＝50±10μｍとしたとした。
実施例４で作成したa-Ｓi電子写真感光体を実施例１と同様の評価を行ったところ、実施例１同様に良好な結果が得られた。
(実施例５)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径80ｍｍ、長さ358ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー105上に、表５に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でa-Ｓi堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。円筒状部材は上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質はステンレス製とし上部側の絶縁性部材部を下部側導電性部材の長さに対して1.0倍とした。
円筒状部材の直径は、円筒状基体の内部空間の直径の0.5倍、高さは、反応容器の高さの0.6倍とした。高周波電源103の発振周波数は60ＭＨzと105ＭＨzの重畳周波数とした。
【００９６】
本実施例では、円筒状部材下部側の導電性部材の表面をアルミニウム材、ニッケル材、ステンレス材、二酸化チタン材の４種類の材料を用いた溶射により、Ｒa＝６±１μｍ、θa＝15±２度、Ｓ＝60±10μｍの範囲になるように溶射加工を施し、各々材料を用いて４回の成膜を行った。
なお、溶射加工を行わなかった上部側のアルミナ製の円筒状部材も同様の表面状態になるようブラスト加工を施している。
実施例５で作成したa-Ｓi電子写真感光体を実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれのa-Ｓi電子写真感光体も実施例１同様に良好な結果が得られた。
【００９７】
(実施例６)
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径80ｍｍ、長さ358ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー105上に、表５に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法でa-Ｓi堆積膜から成る電子写真感光体を形成した。円筒状部材は上部側の材質をアルミナ製、下部側の材質はニッケル製とし上部側の絶縁性部材部を下部側導電性部材の長さに対して1.0倍とした。
円筒状部材の直径は、円筒状基体の内部空間の直径の0.5倍、高さは、反応容器の高さの0.6倍とした。高周波電源103の発振周波数は60ＭＨzと105ＭＨzの重畳周波数とした。
【００９８】
本実施例では、円筒状部材上部側の絶縁性部材の表面をアルミナ、ジルコニアの材料の２種類、及び双方の混合材料を用いた溶射により、Ｒa＝６±１μｍ、θa＝15±２度、Ｓ＝60±10μｍの範囲になるように溶射加工を施し、各々材料を用いて３回の成膜を行った。
なお、溶射加工を行わなかった下部側のニッケル製の円筒状部材も同様の表面状態になるようブラスト加工を施している。
実施例６で作成したa-Ｓi電子写真感光体を実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれのa-Ｓi電子写真感光体も実施例１同様に良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図２】従来のＶＨＦ帯の周波数を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の一例を示した模式的な構成図である。
【図３】平均傾斜角(θa)の定義を説明するための模式図である。
【図４】本発明により形成可能な電子写真感光体の層構成の一例を示した図である。
【符号の説明】
【０１００】
101  反応容器
101(a)誘電体部材
101(b)上蓋
102  高周波電力導入手段
103  高周波電源
104  マッチングボックス
105  円筒状基体
106  基体支持体
107  基体加熱用ヒーター
108  回転機構
109  排気配管
110  ガス供給手段
111  円筒状部材
111(a)上部側絶縁性部材
111(b)下部側導電性部材
201  反応容器
201(a)誘電体部材
201(b)上蓋
202  高周波電力導入手段
203  高周波電源
204  マッチングボックス
205  円筒状基体
206  基体支持体
207  基体加熱用ヒーター
208  回転機構
209  排気配管
210  ガス供給手段
1200  電子写真感光体
1201  支持体
1202  光導電層
1203  表面層
1204  電荷注入阻止層
1205  電荷発生層
1206  電荷輸送層
【図１】
2005163164.tif 000008
【図２】
2005163164.tif 000009
【図３】
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【図４】
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