(57)【要約】【課題】  ウエハの研削加工時の物理的衝撃や静電気による電気的衝撃により破損が発生しにくく、厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップであっても高い歩留りで製造することができるＩＣチップの製造方法、及び、該ＩＣチップの製造方法を用いてなる厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップを提供する。【解決手段】  ウエハの一方の面を研削する研削工程を有するＩＣチップの製造方法であって、前記研削工程に供するウエハは、その外周面が両面に対して垂直であるＩＣチップの製造方法。【選択図】    図１
2005051069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの一方の面を研削する研削工程を有するＩＣチップの製造方法であって、
前記研削工程に供するウエハは、その外周面が両面に対して垂直である
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【請求項２】
半導体単結晶インゴットをスライスして平板状の生ウエハを作製する工程と、
前記平板状の生ウエハの周辺部に面取り加工を施す工程と、
前記面取り加工を施した生ウエハの一方の面に所定の回路パターンを形成する工程と、
前記面取り加工により形成した面取り部を切除して、その外周面が両面に対して垂直なウ
エハを作製する工程と、
前記ウエハの一方の面を研削する研削工程とを有する
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のＩＣチップの製造方法により製造されてなることを特徴とするＩＣ
チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハの研削加工時の物理的衝撃や静電気による電気的衝撃により破損が発生
しにくく、特に厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップであっても高い歩留りで製造
することができるＩＣチップの製造方法、及び、該ＩＣチップの製造方法により製造され
てなるＩＣチップに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常棒状の純度の高い半導体単結晶インゴットをスラ
イスして平板状の生ウエハとする工程、生ウエハの周辺部に面取り加工を施す工程、フォ
トレジストを利用して表面に所定の回路パターンを形成する工程、ウエハ裏面を研削機に
より研削して厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くする工程、及び、ダイシングしてチ
ップ化する工程により製造されている。
【０００３】
このうち、生ウエハの周辺部に面取り加工を施す工程は、例えば、特許文献１に開示され
ているように、ウエハに回路パターンを形成する工程やウエハの運搬時において、ウエハ
が容易に破損しないようにするためのものであり、高い歩留りでＩＣチップを製造するた
めには必須の工程である。
本工程により得られるウエハは、図２（ａ）に示すウエハ２０のように、その周辺部に面
取り部２１が形成されている。図２（ａ）は、生ウエハの周辺部に面取り加工を施す工程
により得られるウエハの一例を示す断面図である。
【０００４】
近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用した
りすることができるＩＣチップを製造するために、厚さ５０μｍ以下の極めて薄い半導体
ウエハが要求されるようになってきた。このとき、図２（ａ）に示したような周辺部に面
取り加工が施されたウエハ２０の一方の面に研削加工を施して厚さが５０μｍ以下にまで
研削すると、研削後の半導体ウエハは、図２（ｂ）に示す半導体ウエハ２のように、外周
面に面取り部２１の一部が残ってナイフエッジ状に鋭く尖ったエッジ部３が形成されるこ
とになる。図２（ｂ）は、従来の半導体ウエハの一例を模式的に示す断面図である。
【０００５】
しかしながら、このような半導体ウエハの外周面に形成されたナイフエッジ状に鋭く尖っ
たエッジ部は、ウエハに研削加工を施す際の物理的衝撃や静電気による電気的衝撃によっ
て破損してしまうことが多く、特に厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップを高い歩
留りで製造することが困難であるという問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−５８０６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記現状に鑑み、ウエハの研削加工時の物理的衝撃や静電気による電気的衝撃
により破損が発生しにくく、特に厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップであっても
高い歩留りで製造することができるＩＣチップの製造方法、及び、該ＩＣチップの製造方
法により製造されてなるＩＣチップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ウエハの一方の面を研削する研削工程を有するＩＣチップの製造方法であって
、前記研削工程に供するウエハは、その外周面が両面に対して垂直であるＩＣチップの製
造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明のＩＣチップの製造方法は、ウエハの一方の面を研削する研削工程を有する。
上記研削工程では、ウエハを５０μｍ以下の厚さまで研削することが好ましい。本発明の
ＩＣチップの製造方法により製造されるＩＣチップの厚さを５０μｍ以下と極めて薄いも
のとすることができ、本発明により製造されるＩＣチップは、ＩＣカード類に用いたり、
積層して使用したりすることができる。
【００１０】
上記研削工程において、上記ウエハの一方の面（以下、研削面ともいう）を研削する方法
としては特に限定されず、通常の半導体ウエハを用いてＩＣチップを製造する際において
用いられる方法を用いることができ、例えば、高速回転する研削用砥石を用いて切削水を
かけながら所定の厚さになるまで上記ウエハの研削面を研削する方法等が挙げられる。
【００１１】
本発明のＩＣチップの製造方法において、上記研削工程に供するウエハは、その外周面が
両面に対して垂直である。上記ウエハの外周面が両面に対して垂直であると、上記研削工
程を行うことで得られる半導体ウエハは、その厚さが５０μｍ以下と極めて薄いものであ
っても、図２（ｂ）に示した半導体ウエハ２のように、その外周面にナイフエッジ状の鋭
く尖ったエッジ部が形成されたものとなることがないため、研削時の物理的衝撃や静電気
による電気的衝撃により破損が発生しにくく、高い歩留りで製造することができる。
【００１２】
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＩＣチップの製造方法における研削工程の一例を示す断
面図である。
図１（ａ）に示すように、上記研削工程を行うには、まず、周辺部に面取り部１１が形成
され、その一方の面に所定の回路パターン（図示せず）が形成された厚膜ウエハ１０を作
製する。
【００１３】
このような厚膜ウエハ１０は、従来法に従って作製することができる。即ち、まず、半導
体単結晶インゴットをスライスして平板状の生ウエハを作製する工程を行う。
上記半導体単結晶インゴットを構成する材料としては特に限定されず、例えば、シリコン
、ガリウム砒素等の従来公知の半導体材料が挙げられる。
また、上記半導体単結晶インゴットをスライスして平板状の生ウエハを作製する方法とし
ては特に限定されず、従来公知のスライシングマシン等を用いて行う方法等が挙げられる
。
【００１４】
上記生ウエハの厚さとしては特に限定されないが、上記研削加工の加工時間を短くすると
ともに、研削除去する半導体材料の量を少なくするために、可能な限り目的とするＩＣチ
ップの厚さに近いことが好ましい。
【００１５】
上記生ウエハは、平板状であればその形状は特に限定されず、例えば、オリエンテーショ
ンフラットが形成された形状であってもよく、Ｖノッチが形成された形状であってもよい
。また、上記生ウエハの表裏面は、必要に応じて鏡面研磨してもよい。上記生ウエハの表
裏面を鏡面研磨する方法としては特に限定されず、例えば、研磨クロスを用いて行う等従
来公知の方法により行うことができる。
【００１６】
次に、上記平板状の生ウエハの周辺部に面取り加工を施す工程を行う。上記面取り加工の
方法としては特に限定されず、例えば、形成される面取り部が曲面となるＲ面取り方法、
平面となる平面取り方法の他、従来公知の面取り方法及びこれらを組み合わせた面取り方
法が挙げられる。このような面取り加工を施すことにより、作製する厚膜ウエハに、後述
する回路パターン形成時や運搬時の衝撃により破損しにくくなる。
【００１７】
次に、上記面取り加工を施した生ウエハの一方の面に所定の回路パターンを形成する工程
を行う。この工程を行うことで、その周辺部に面取り部１１と一方の面に所定の回路パタ
ーンとが形成された厚膜ウエハ１０を作製することができる。
上記回路パターンは、従来公知のフォトレジスト等を利用して形成する方法等により形成
することができる。なお、上記回路パターンは、製造するウエハの研削面の反対側となる
面に形成する必要がある。
【００１８】
次に、上記面取り加工により形成した面取り部を切除して、その外周面が両面に対して垂
直であるウエハを作製する工程を行う。即ち、図１（ｂ）に示すように、厚膜ウエハ１０
の面取り部１１を切除することで、その外周面がその両面に対して垂直となっているウエ
ハ１３を製造する。
厚膜ウエハ１０の面取り部１１を切除する方法としては特に限定されず、例えば、高速回
転する研削用砥石を用いて切削水をかけながら面取り部１１を研削する方法等が挙げられ
る。
【００１９】
次に、上記ウエハの一方の面を研削する研削工程を行う。即ち、ウエハ１３の回路パター
ンを形成した面の反対面を研削面１２とし、上述した研削加工を施して所定の厚さにまで
ウエハ１３を研削することにより、図１（ｃ）に示すような外周面にナイフエッジ状の鋭
く尖ったエッジ部の存在しない半導体ウエハ１を作製する。
【００２０】
このような、半導体単結晶インゴットをスライスして平板状の生ウエハを作製する工程と
、上記平板状の生ウエハの周辺部に面取り加工を施す工程と、上記面取り加工を施した生
ウエハの一方の面に所定の回路パターンを形成する工程と、上記面取り加工により形成し
た面取り部を切除して、その外周面が両面に対して垂直なウエハを作製する工程と、上記
ウエハの一方の面を研削する研削工程とを有するＩＣチップの製造方法もまた、本発明の
１つである。
【００２１】
なお、本発明のＩＣチップの製造方法において、上述した従来法により厚膜ウエハを作製
する工程のうち、面取り加工を施す工程を省略することによっても、上記研削工程に供す
るウエハ、即ち、その外周面が両面に対して垂直なウエハを作製することができる。しか
し、この場合、得られる厚膜ウエハが回路パターン形成時や運搬時の振動等により割れ等
が生じる可能性があり、かえって歩留りを落とすことがあるため、上記ウエハの原料とし
て割れの心配が少ないものを使用した場合や、厚膜ウエハが非常に厚い場合等にのみ有効
である。
【００２２】
上記研削工程においては、上記ウエハの研削面とは反対側の面に粘着剤や両面粘着テープ
を介してガラス板等の支持板を接着しておくことが好ましい。このようにウエハを支持板
に固定した状態で研削することにより、よりウエハが破損しにくく、歩留りが向上する。
更に、上記粘着剤又は両面粘着テープの粘着層には、アゾ化合物又はアジド化合物等の刺
激により気体を発生する気体発生剤が配合されていることが好ましい。このような粘着剤
又は両面粘着テープを用いた場合には、研削終了後に刺激を与えることにより、容易に支
持板を半導体ウエハから剥離することができる。
【００２３】
上記研削工程により作製した半導体ウエハにダイシングテープを貼り付け、ダイヤモンド
カッター等を用いた従来公知の方法によりダイシングすることで、ＩＣチップを製造する
ことができる。なお、その大きさは、通常、一辺約１００μｍ〜数１０ｍｍである。
上記ダイシングテープとしては特に限定されないが、公知の光硬化性粘着テープを用いる
ことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のＩＣチップの製造方法は、ウエハの一方の面を研削する研削工程において、上記
ウエハは、その外周面が両面に対して垂直である。
即ち、上記研削工程を行うことで得られる半導体ウエハは、その厚さが５０μｍ以下と極
めて薄いものであっても、その外周面にはナイフエッジ状に鋭く尖ったエッジ部が形成さ
れることがない。従って、研削時の物理的衝撃や静電気による電気的衝撃により破損が発
生しにくく、厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップであっても高い歩留りで製造す
ることができる。
このような本発明のＩＣチップの製造方法により製造されたＩＣチップもまた、本発明の
１つである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定
されるものではない。
【００２６】
（実施例１）
まず、単結晶シリコンインゴットから厚さ７００μｍの生ウエハをスライスした。
次に、この生ウエハの周辺部にＲ面取り加工を施して、曲面状の面取り部を形成し、厚膜
ウエハを作製した。
次に、研削装置を用いて厚膜ウエハの外周面に形成した面取り部を切除し、その外周面を
両面に対して垂直な平面として研削工程に供するウエハを作製した。
【００２７】
次に、作製したウエハの研削面とは反対側の面に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）フィルムの一方の面に気体発生剤として２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチ
ルプロピオンアミド）を含有する接着剤層が形成された両面粘着テープを貼り付け、両面
粘着テープの他方の面にガラス板を貼り付けてウエハをガラス板に固定した。この状態の
ウエハを研削装置に取り付け、厚さが約４０μｍになるまでその研削面を研削した。研削
完了後、ガラス面側から紫外線を照射したところ、ガラス板が剥離して、シリコンウエハ
が得られた。
この方法により１００枚のシリコンウエハを製造し、得られたシリコンウエハを目視によ
り検査したところ、割れや欠けが認められたものはなかった。
【００２８】
（比較例１）
厚膜ウエハの作製において、周辺部に形成した面取り部を切除する工程を行わなかった以
外は実施例１と同様の方法により、シリコンウエハを作製した。
この方法により１００枚のシリコンウエハを製造し、得られたシリコンウエハを目視によ
り検査したところ、割れや欠けが認められたものがあった。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明によれば、ウエハの研削加工時の物理的衝撃や静電気による電気的衝撃により破損
が発生しにくく、厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップを高い歩留りで製造するこ
とができるＩＣチップの製造方法、及び、該ＩＣチップの製造方法により製造されてなる
厚さが５０μｍ以下と極めて薄いＩＣチップを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、周辺部に面取り部が形成された生ウエハの研削面に研削加工を施して半導体ウエハを製造する様子を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、周辺部に面取り部が形成された生ウエハの一例を示す断面図であり、（ｂ）は、従来の半導体ウエハの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１、２  半導体ウエハ
３  エッジ部
１０、２０  厚膜ウエハ
１１、２１  面取り部
１２  研削面
１３  ウエハ
【図１】
2005051069.tif 000003
【図２】
2005051069.tif 000004