(57)【要約】  【課題】  発光輝度の低下を軽減することができる発光素子を提供すること。  【解決手段】  金属電極３３と透明電極３４との間に設けられた発光層３２と、透明電極３４と発光層３２との間に設けられたセラミックス基板３１とを備え、金属電極３３及び透明電極３４に接続された駆動電源によって所定の高電圧が印加されたときに生じる高電界により発光層３２を発光させ、発光層３２から発生される光を透明電極３４側から取り出す構成とすることにより、発光輝度の低下を軽減することができるようにした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光部と、前記第２の電極と前記発光部との間に設けられた基板とを備え、前記発光部から発生される光を前記第２の電極側から取り出すようにしたことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記基板はセラミックス基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記基板は積層構造を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２の電極は透光性の電極であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記基板と前記発光部との間に緩衝部を備えたことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
水分を遮断する防湿部を備え、前記防湿部は少なくとも前記発光部を覆うようにしたことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
第１の電極が設けられたガラス基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極と前記第１の電極との間に設けられた発光部と、前記第１の電極と前記発光部との間に設けられた絶縁部とを備え、前記発光部から発生される光を前記ガラス基板側から取り出すようにしたことを特徴とする発光素子。
【請求項８】
前記絶縁部は、誘電性の粉末によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記絶縁部は、透光性及び光散乱性を有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
水分を遮断する防湿部を備え、前記防湿部は少なくとも前記発光部を覆うようにしたことを特徴とする請求項７から請求項９までのいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の発光素子と、前記発光素子に電気信号を供給する電気信号供給手段とを備えたことを特徴とするディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インジケータ、メッセージボード、テレビ画像表示装置等のディスプレイに使用される発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の発光素子としては、図６及び図７に示すようなエレクトロルミネセンス素子（以下、ＥＬ素子という。）が知られている。
【０００３】
まず、図６に示された従来のＥＬ素子１０は、セラミックス基板１１と、発光層１２と、透明電極１３と、金属電極１４とを備えている。
【０００４】
従来のＥＬ素子１０は、透明電極１３及び金属電極１４に所定の電圧が印加されると、発光層１２から光が発生され、この光は透明電極１３側に出力されるようになっている。
【０００５】
ここで、発光層１２内の発光点１２ａで発生した光の挙動について説明する。なお、図６に示された矢印は、発光点１２ａにおいて発生した光の光路を単純化して示している。実際の光路は複雑であるが、本発明を理解しやすいように単純化して説明する。
【０００６】
発光点１２ａで発生した光は、透明電極１３側に進行する光とセラミックス基板１１側に進行する光とに分けられる。更に、セラミックス基板１１側に進行した光は、セラミックス基板１１の表面で反射される光とセラミックス基板１１内に進行する光とに分けられる。
【０００７】
セラミックス基板１１内に進行した光は吸収または散乱されながら進み、金属電極１４に達する。そして、金属電極１４の表面で反射され、再びセラミックス基板１１内で吸収または散乱されて透明電極１３側から出力される。
【０００８】
以上のように従来のＥＬ素子１０は、透明電極１３及び金属電極１４に所定の電圧を印加することによって発光層１２から光を発生させ、透明電極１３側から光を取り出すことができるようになっている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００９】
一方、図７に示された従来のＥＬ素子２０は、ガラス基板２１と、発光層２２と、金属電極２３と、透明電極２４と、セラミックスで形成された第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６とを備えている。
【００１０】
金属電極２３及び透明電極２４に所定の電圧が印加されると、発光層２２から光が発生され、この光は透明電極２４側に出力される。発光層２２内の発光点２２ａで発生した光の挙動は、前述した従来のＥＬ素子１０の発光点１２ａで発生した光と同様である。すなわち、セラミックスで形成された第１絶縁層２５内に進行した光は吸収または散乱されながら進み、金属電極２３に達した光は、金属電極２３の表面で反射され、再び第１絶縁層２５内で吸収または散乱されて透明電極２４側から出力される。
【００１１】
以上のように従来のＥＬ素子２０は、金属電極２３及び透明電極２４に所定の電圧を印加することによって発光層２２から光を発生させ、透明電極２４側から光を取り出すことができるようになっている（例えば、非特許文献２参照。）。
【非特許文献１】T.Minami et al. 「High-Luminance Thin-Film EL Devices Using Mn-activated Y2O3-Gd2O3 Phosphers」 International Display Workshop 2002, (P975-978)
【非特許文献２】D.Seale et al. 「Self-Alighen Phosphor Patterning Techniques for Inorganic EL Displays」 Society for Information Display 2002 Digest, (P109-111)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、このような従来のＥＬ素子１０では、発光層１２で発生した光がセラミックス基板１１に進入してから金属電極１４に反射されてセラミックス基板１１から出るまでの間、セラミックス基板１１に含まれるバインダや不純物等によって光が吸収されてしまうので、発光輝度が低下してしまうという問題があった。
【００１３】
また、従来のＥＬ素子２０においても、発光層２２で発生した光がセラミックスで形成された第１絶縁層２５に含まれるバインダや不純物等によって光が吸収されてしまうので、発光輝度が低下してしまうという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、発光輝度の低下を軽減することができる発光素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光部と、前記第２の電極と前記発光部との間に設けられた基板とを備え、前記発光部から発生される光を前記第２の電極側から取り出すようにしたことを特徴とする構成を有している。
【００１６】
この構成により、発光部から発生された光が基板内において吸収、散乱される光路長は基板の厚みと同等となり、従来の光路長の半分となるので、光が基板内において吸収、散乱される割合が従来のものよりも減少し、発光輝度の低下を軽減することができる。
【００１７】
また、本発明の発光素子は、前記基板はセラミックス基板であることを特徴とする構成を有している。
【００１８】
この構成により、セラミックス基板が有する高誘電性、電気絶縁性、体積散乱性、透光性、光散乱性等の特性を利用し、発光部から光を発生させ、発生した光を透過させることができる。
【００１９】
また、本発明の発光素子は、前記基板は積層構造を有することを特徴とする構成を有している。
【００２０】
この構成により、複数のセラミックスシート等を積層して基板を構成することができる。
【００２１】
また、本発明の発光素子は、前記第２の電極は透光性の電極であることを特徴とする構成を有している。
【００２２】
この構成により、発光部から発生された光を第２の電極に透過させて取り出すことができる。
【００２３】
また、本発明の発光素子は、前記基板と前記発光部との間に緩衝部を備えたことを特徴とする構成を有している。
【００２４】
この構成により、基板と発光部との接合を最適化することができ、品質の安定化及び長寿命化を図ることができる。
【００２５】
また、本発明の発光素子は、水分を遮断する防湿部を備え、前記防湿部は少なくとも前記発光部を覆うようにしたことを特徴とする構成を有している。
【００２６】
この構成により、水分によって発光部の光学特性が劣化するのを防止し、長寿命化を図ることができる。
【００２７】
また、本発明の発光素子は、第１の電極が設けられたガラス基板と、前記第１の電極に対向する第２の電極と前記第１の電極との間に設けられた発光部と、前記第１の電極と前記発光部との間に設けられた絶縁部とを備え、前記発光部から発生される光を前記ガラス基板側から取り出すようにしたことを特徴とする構成を有している。
【００２８】
この構成により、発光部から発生された光が絶縁部内において吸収、散乱される光路長は絶縁部の厚みと同等となり、従来の光路長の半分となるので、光が基板内において吸収、散乱される割合が従来のものよりも減少し、発光輝度の低下を軽減することができる。
【００２９】
また、本発明の発光素子は、前記絶縁部は、誘電性の粉末によって形成されることを特徴とする構成を有している。
【００３０】
この構成により、絶縁部がセラミックス等によって形成され、セラミックス等が有する高誘電性、電気絶縁性等の特性を利用し、発光部から光を発生させることができる。
【００３１】
また、本発明の発光素子は、前記絶縁部は、透光性及び光散乱性を有することを特徴とする構成を有している。
【００３２】
この構成により、絶縁部がセラミックス等によって形成され、セラミックス等が有する透光性、光散乱性等の特性を利用し、発光部から発生された光を透過させることができる。
【００３３】
また、本発明の発光素子は、水分を遮断する防湿部を備え、前記防湿部は少なくとも前記発光部を覆うようにしたことを特徴とする構成を有している。
【００３４】
この構成により、水分によって発光部の光学特性が劣化するのを防止し、長寿命化を図ることができる。
【００３５】
また、本発明のディスプレイは、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の発光素子と、前記発光素子に電気信号を供給する電気信号供給手段とを備えたことを特徴とする構成を有している。
【００３６】
この構成により、発光輝度の劣化が軽減された発光素子によって、高輝度化を図ることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明は、発光部から発生される光を第２の電極側から取り出すようにすることにより、発光部から発生された光が基板内において吸収、散乱される光路長は、従来の光路長の半分となるので、発光輝度の低下を軽減するという効果を有する発光素子を提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明の発光素子をＥＬ素子に適用した例を挙げて説明する。
【００３９】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態のＥＬ素子の構成について説明する。
【００４０】
図１に示すように、本実施の形態のＥＬ素子３０は、金属電極３３と透明電極３４との間に設けられた発光層３２と、透明電極３４と発光層３２との間に設けられたセラミックス基板３１とを備えている。
【００４１】
なお、金属電極３３及び透明電極３４は、それぞれ、第１の電極及び第２の電極を構成している。また、発光層３２は発光部を構成し、セラミックス基板３１は基板を構成している。
【００４２】
金属電極３３及び透明電極３４には発光層３２を発光させる駆動電源（図示せず）が接続されるようになっている。発光層３２は、駆動電源によって所定の高電圧が印加されたときに生じる高電界により発光するようになっている。
【００４３】
セラミックス基板３１の材料は、例えばチタン酸バリウムを主原料とする粉末とバインダとが混合されて加圧成型された後、焼結されて製作される。更に、この材料は光が透過できる程度の厚み、例えば約０．２ｍｍに研磨され、セラミックス基板３１が得られる。
【００４４】
前述の研磨の際、セラミックス基板３１の表面粗さを発光層３２の膜厚の１０％以内にするのが好ましい。発光層３２の膜厚は通常２００〜１０００ｎｍに設定される。このとき、発光層３２の膜厚の１０％は２０〜１００ｎｍに相当し、発光層３２の膜厚は最も薄い場所で１８０〜９００ｎｍになる。したがって、セラミックス基板３１の表面粗さを発光層３２の膜厚の１０％以内にすれば、発光層３２に高電界を印加しても発光層３２の静電破壊は発生せず、また、発光層３２内の電界分布にも差が認められない範囲なので輝度のばらつきが低減されることとなる。
【００４５】
図２は、本実施例で用いるセラミックス基板３１の波長に対する拡散反射率を示している。セラミックス基板３１は、可視領域の波長において、１０〜２０％の拡散反射率を有している。すなわち、可視領域の８０〜９０％の光は、セラミックス基板３１に入射し、セラミックス基板３１に吸収されたり、セラミックス基板３１を透過したりする。
【００４６】
発光層３２は、例えば、真空蒸着法によって、Ｍｎ（マンガン）が添加されたＺｎＳ（硫化亜鉛）を材料としてセラミックス基板３１に５００〜８００ｎｍの膜厚で形成される。このとき、セラミックス基板３１の温度を約１３０℃で保持するのが好ましい。
【００４７】
更に、発光層３２は、結晶性を改善するため、４００〜５００℃の真空中で約１時間の熱処理が実施される。また、セラミックス基板３１と発光層３２との化学反応及び真空中での熱処理によるセラミックス基板３１の還元反応等を防止するため、例えばＳｉＯ２（二酸化シリコン）によって形成された緩衝層をセラミックス基板３１に予めスパッタ法によって形成してもよい。この緩衝層は緩衝部を構成する。
【００４８】
発光層３２が形成された後、例えばアルミニウムの金属電極３３が真空蒸着法によって発光層３２上に形成される。金属電極３３は、例えば０．２μｍの膜厚を有し、発光層３２で発生した光を反射するようになっている。
【００４９】
一方、セラミックス基板３１には、例えば金の透明電極３４が真空蒸着法によって形成される。透明電極３４は、例えば１０ｎｍの膜厚を有する。透明電極３４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：錫ドープ酸化インジウム）や酸化亜鉛等の材料で形成してもよい。
【００５０】
なお、前述したセラミックス基板３１、発光層３２、金属電極３３、透明電極３４および緩衝層の材料、厚み、製造方法等は一例であり、前述のものに限定されない。例えば、セラミックス基板３１に代えて、高誘電性、透光性、体積散乱性等を有する材料によって基板を構成してもよい。また、製造方法については、前述の真空蒸着法に代えてスパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相蒸着）法、印刷法等を適用してもよい。
【００５１】
次に、本実施の形態のＥＬ素子３０の動作について説明する。
【００５２】
図１において、金属電極３３及び透明電極３４に所定の電圧が印加されると、発光層３２から光が発生され、この光はセラミックス基板３１を透過し、透明電極３４側に出力される。
【００５３】
ここで、発光層３２内の発光点３２ａで発生した光の挙動について説明する。なお、図１に示された矢印は、発光点３２ａにおいて発生した光の光路を単純化して示している。実際の光路は複雑であるが、本発明を理解しやすいように単純化して説明する。
【００５４】
発光点３２ａで発生した光は、金属電極３３側に進行する光とセラミックス基板３１側に進行する光とに分けられる。更に、セラミックス基板３１側に進行した光は、セラミックス基板３１の表面で反射される光とセラミックス基板３１内に進行する光とに分けられる。
【００５５】
まず、セラミックス基板３１内に進行した光は吸収または散乱されながら進み、透明電極３４から出力される。次に、発光点３２ａから金属電極３３側に進行した光及びセラミックス基板３１の表面で反射された光は、金属電極３３に達した後、金属電極３３の表面で反射される。そして、セラミックス基板３１内に進行し、セラミックス基板３１内で吸収または散乱されて透明電極３４側から出力される。
【００５６】
前述のように、発光層３２から発生された光がセラミックス基板３１内において吸収、散乱される光路長は、セラミックス基板３１の厚みと同等である。一方、図６に示された従来のＥＬ素子１０においては、前述の光路長はセラミックス基板３１の厚みの２倍となっている。したがって、本実施の形態のＥＬ素子３０において、光が基板内で吸収、散乱される光路長は、従来のものの半分になるので、ＥＬ素子３０の発光輝度は、従来のＥＬ素子１０よりも大きくなり、発光輝度の低下を軽減することができる。
【００５７】
ここで、本実施の形態のＥＬ素子３０及び従来のＥＬ素子１０の発光輝度について、図３を参照して説明する。図３は、印加電圧に対する発光輝度の実験結果を示している。本実施の形態のＥＬ素子３０の発光輝度特性Ｂは、従来のＥＬ素子１０の発光輝度特性Ａに対し、いずれの印加電圧においても高い値を示している。図３に示すように、本実施の形態のＥＬ素子３０は、従来のＥＬ素子１０に対して約１．５倍の発光輝度の改善を得ることができる。
【００５８】
次に、本実施の形態のＥＬ素子３０の他の態様について、図４を参照して説明する。
【００５９】
図４において、ＥＬ素子４０は水分を遮断する防湿部３５を備えている。防湿部３５は、例えば防湿性のフィルムで構成され、セラミックス基板３１に固定されるとともに、発光層３２及び金属電極３３を覆うようになっている。なお、防湿部３５の一部（図示せず）は開口され、電圧を金属電極３３に印加するための配線ができるようになっている。
【００６０】
図４に示されたＥＬ素子４０は、防湿部３５によって発光層３２及び金属電極３３が防湿されるので、水分による発光層３２及び金属電極３３の特性劣化を防止することができる。特に、水分による特性劣化が生じやすい発光層３２に対しては著しい効果があり、発光輝度の低下を防止することができ、長寿命化を図ることができる。なお、防湿部３５は、少なくとも発光層３２を覆うように構成してもよい。また、真空蒸着法、スパッタ法等によって防湿性の材料の薄膜を防湿部３５として形成する構成としてもよい。
【００６１】
なお、前述のセラミックス基板３１は、積層構造によって構成することも可能である。例えば、複数のセラミックスシートを用意し、各シート間にＳｉＯ２の膜を設けて基板を構成してもよい。また、透明電極３４に代えて、一部が開口された遮光性の電極を備え、開口部から光を取り出すように構成してもよい。
【００６２】
また、本実施の形態のＥＬ素子３０及びＥＬ素子４０は、文字、記号、画像等を表示する高輝度で長寿命のディスプレイとして構成することができる。例えば、Ｘ軸方向に金属電極３３を多数の細線群に平行分割して配置し、同様にＹ軸方向に透明電極３４を配置してＸ−Ｙマトリクス形状になるように構成する。Ｘ−Ｙそれぞれの電極間に所定の電圧を印加することによって、交点の部分の発光層３２が発光するので、順次交点の位置を走査させる走査手段と、文字、記号、画像等を表示するための電気信号を走査手段に供給する電気信号供給手段とを設ければよい。
【００６３】
以上のように、本実施の形態のＥＬ素子３０及びＥＬ素子４０によれば、発光層３２から発生される光を透明電極３４側から取り出す構成としたので、発光層３２から発生された光がセラミックス基板３１内において吸収、散乱される光路長は、従来の光路長の半分となるので、発光輝度の低下を軽減することができる。
【００６４】
また、本実施の形態のＥＬ素子４０によれば、防湿部３５は少なくとも発光層３２を覆うように構成したので、水分による特性劣化が生じやすい発光層３２を水分から保護することができ、長寿命化を図ることができる。
【００６５】
さらに、本実施の形態のＥＬ素子３０及びＥＬ素子４０によれば、金属電極３３及び透明電極３４をＸ−Ｙマトリクス形状に配置することによって、高輝度で長寿命のディスプレイを提供することができる。
【００６６】
（第２の実施の形態）
まず、本発明の第２の実施の形態のＥＬ素子の構成について説明する。
【００６７】
図５に示すように、本実施の形態のＥＬ素子５０は、第１の電極４４が設けられたガラス基板４１と、第１の電極４４に対向する第２の電極４３と第１の電極４４との間に設けられた発光層４２と、第１の電極４４と発光層４２との間に設けられた絶縁層４５とを備えている。
【００６８】
なお、金属電極４３及び透明電極４４は、それぞれ、第１の電極及び第２の電極を構成している。また、絶縁層４５は絶縁部を構成し、発光層４２は発光部を構成している。
【００６９】
金属電極４３及び透明電極４４には発光層４２を発光させる駆動電源（図示せず）が接続されるようになっている。発光層４２は、駆動電源によって所定の高電圧が印加されたときに生じる高電界により発光するようになっている。
【００７０】
ガラス基板４１には、例えば金の透明電極４４が真空蒸着法によって形成される。透明電極４４は、例えば１０ｎｍの膜厚を有する。透明電極４４は、ＩＴＯや酸化亜鉛等の材料で形成してもよい。ＩＴＯで透明電極４４を形成する場合、膜厚は０．２〜０．５μｍ程度が好ましい。また、ガラス基板４１の厚みは、１ｍｍ程度のものが用いられる。
【００７１】
透明電極４４が形成された後、絶縁層４５が透明電極４４上に形成される。絶縁層４５の材料は、例えばチタン酸バリウムを主原料とする粉末とバインダとが混合されて製作される。絶縁層４５は、この材料が３〜１０μｍ程度の膜厚で透明電極４４上に塗布されることによって形成される。
【００７２】
発光層４２は、例えば、真空蒸着法によって、Ｍｎが添加されたＺｎＳを材料として絶縁層４５上に５００〜８００ｎｍの膜厚で形成される。なお、発光層４２と絶縁層４５との間に、前述のＳｉＯ２等の緩衝層を構成してもよい。
【００７３】
発光層４２が形成された後、例えばアルミニウムの金属電極４３が真空蒸着法によって発光層４２上に形成される。金属電極４３は、例えば０．２μｍの膜厚を有し、発光層４２で発生した光を反射するようになっている。
【００７４】
なお、前述した発光層４２、金属電極４３、透明電極４４及び絶縁層４５の材料、厚み、製造方法等は一例であり、前述のものに限定されない。例えば、絶縁層４５のセラミックスに代えて、高誘電性、透光性、体積散乱性等を有する材料によって基板を構成してもよい。また、製造方法については、前述の真空蒸着法に代えてスパッタ法、ＣＶＤ法、印刷法等を適用してもよい。
【００７５】
次に、本実施の形態のＥＬ素子５０の動作について説明する。
【００７６】
図５において、金属電極４３及び透明電極４４に所定の電圧が印加されると、発光層４２から光が発生され、この光は絶縁層４５を透過し、ガラス基板４１側から出力される。
【００７７】
ここで、発光層４２内の発光点４２ａで発生した光の挙動について説明する。なお、図５に示された矢印は、発光点４２ａにおいて発生した光の光路を単純化して示している。実際の光路は複雑であるが、本発明を理解しやすいように単純化して説明する。
【００７８】
発光点４２ａで発生した光は、金属電極４３側に進行する光とガラス基板４１側に進行する光とに分けられる。
【００７９】
まず、ガラス基板４１側に進行した光は、絶縁層４５内で吸収または散乱されながら進み、透明電極４４を透過してガラス基板４１から出力される。次に、発光点４２ａから金属電極４３側に進行した光は、金属電極４３に達した後、金属電極４３の表面で反射される。そして、絶縁層４５内で吸収または散乱されながら進み、透明電極４４を透過してガラス基板４１から出力される。
【００８０】
前述のように、発光層４２から発生された光が絶縁層４５内において吸収、散乱される光路長は、絶縁層４５の膜厚と同等である。一方、図７に示された従来のＥＬ素子２０においては、前述の光路長は第１絶縁層２５の膜厚の２倍となっている。したがって、本実施の形態のＥＬ素子５０において、光が基板内で吸収、散乱される光路長は、従来のものの半分になるので、ＥＬ素子５０の発光輝度は、前述の従来のＥＬ素子２０よりも大きくなり、発光輝度の低下を軽減することができる。
【００８１】
なお、第１の実施の形態のＥＬ素子３０と同様に、ＥＬ素子５０に水分を遮断する防湿部３５を備える構成とすることにより、少なくとも発光層４２を水分から保護し、発光輝度の低下の防止及び長寿命化を図るようにしてもよい。
【００８２】
また、第１の実施の形態のＥＬ素子３０と同様に、本実施の形態のＥＬ素子５０は、文字、記号、画像等を表示する高輝度で長寿命のディスプレイとして構成することができる。
【００８３】
以上のように、本実施の形態のＥＬ素子５０によれば、発光層４２から発生される光をガラス基板４１側から取り出す構成としたので、発光層４２から発生された光が絶縁層４５内において吸収、散乱される光路長は、従来の光路長の半分となるので、発光輝度の低下を軽減することができる。
【００８４】
また、本実施の形態のＥＬ素子５０によれば、少なくとも発光層４２を覆う防湿部３５を備える構成とすることができるので、水分による特性劣化が生じやすい発光層４２を水分から保護することができ、長寿命化を図ることができる。
【００８５】
さらに、本実施の形態のＥＬ素子５０によれば、金属電極４３及び透明電極４４をＸ−Ｙマトリクス形状に配置することによって、高輝度で長寿命のディスプレイを提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
以上のように、本発明に係る発光素子は、発光部から発生される光を第２の電極側から取り出すようにすることにより、発光部から発生された光が基板内において吸収、散乱される光路長は、従来の光路長の半分となるので、発光輝度の低下を軽減するという効果を有し、インジケータ、メッセージボード、テレビ画像表示装置等のディスプレイに使用される発光素子等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の側面断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るセラミックス基板の拡散反射率のグラフ
【図３】印加電圧に対する発光輝度の実験結果を示すグラフ
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る他の態様の発光素子の側面断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る発光素子の側面断面図
【図６】従来の発光素子の側面断面図
【図７】従来の発光素子の側面断面図
【符号の説明】
【００８８】
３０、４０、５０  ＥＬ素子
３１  セラミックス基板
３２、４２  発光層
３２ａ、４２ａ  発光点
３３、４３  金属電極
３４、４４  透明電極
３５  防湿部
４１  ガラス基板
４５  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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