(57)【要約】【課題】  シリコン基板の表面に、膜質を改善して密着性を向上させた酸化シリコン膜を成膜するウエットエッチングマスクの成膜方法などを提供する。【解決手段】  シリコン基板２００の表面に、ＣＶＤにより、成膜工程とプラズマ表面改質工程とを繰り返して、酸化シリコン膜を形成するようにした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の表面に、ＣＶＤにより、成膜工程とプラズマ表面改質工程とを繰り返して、酸化シリコン膜を形成するようにしたことを特徴とするウエットエッチングマスクの成膜方法。
【請求項２】
前記酸化シリコン膜の成膜工程にＴＥＯＳを使用することを特徴とする請求項１記載のウエットエッチングマスクの成膜方法。
【請求項３】
前記酸化シリコン膜のプラズマ表面改質工程にＯ2 プラズマを使用することを特徴とする請求項１記載のウエットエッチングマスクの成膜方法。
【請求項４】
前記酸化シリコン膜の成膜工程とプラズマ表面改質工程とを同一チャンバー内で行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のウエットエッチングマスクの成膜方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とするウエットエッチングマスク。
【請求項６】
請求項５記載のウエットエッチングマスクによりエッチングが施されて形成された基板を有することを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項７】
請求項５記載のウエットエッチングマスクによりエッチングが施されて形成されたシリコン基板を有することを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項８】
請求項５記載のウエットエッチングマスクによりエッチングが施されて形成された回路基板を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６記載の静電アクチュエータを搭載したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
請求項７記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエットエッチングマスクの成膜方法、ウエットエッチングマスク、ウエットエッチングマスクにより形成された基板を有する静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、半導体装置、及びこれらを搭載した画像形成装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のインクジェットヘッドに、振動板を形成した振動板基板（シリコン基板）に電極を加工したガラス電極基板を接合し、振動板基板の厚みを減らしたのちにノズル基板を振動板基板に接合するようにしたものがある（例えば特許文献１参照）。この場合、振動板基板にホウ素（Ｂ）拡散を施してから電極基板を接合するため、接合後に１０００℃以上の高温がかかる熱酸化工程では、拡散済みのホウ素がドライブインしてしまう。そのため、振動板が形成されたのちの振動板基板のウエットエッチングのマスクには、ＣＶＤ（化学気相成長法）で用いるＴＥＯＳ（テトラ・テチル・オルソ・シリケート）により形成される酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 膜）を用いている。しかし、振動板基板の下に電極ガラス基板が接合されているため、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の緻密性が低下するという問題があった。
【０００３】
これに対し、緻密性の低い絶縁膜（ＬｏｗＯ3 ／ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜）の表面をプラズマガス（ＮＨ3 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｏ2 、Ｎ2 ０等）に晒して絶縁膜の表面改質をした後に、緻密性の高い絶縁膜（ＨｉｇｈＯ3 ／ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜）を成膜する技術が開示されている（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
また、緻密性の高い絶縁膜（ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜）の表面をシリコン含有ガスに晒してこの絶縁膜の表面改質をした後に、緻密性の高い絶縁膜（ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜）を成膜する技術が開示されている（例えば特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−９９３号公報（図１）
【特許文献２】特開平１１−２３３５１２号公報（図１）
【特許文献３】特開平１１−２５１３１３号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の従来方法（特許文献２）によれば、常圧ＣＶＤ装置とプラズマＣＶＤ装置の両方が必要であり、一連の処理を同一チャンバー内で行うことができない。
また、上記の従来方法（特許文献３）によれば、表面改質中に緻密性の低い膜が成膜されてしまうことがある。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、シリコン基板の表面の膜質を改善して密着性を向上させた酸化シリコン膜（二酸化ケイ素膜）を成膜するウエットエッチングマスクの成膜方法、ウエットエッチングマスク、ウエットエッチングマスクにより形成された基板を有する静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、半導体装置、及びこれらを搭載した画像形成装置、電子機器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るウエットエッチングマスクの成膜方法は、シリコン基板の表面に、ＣＶＤにより、成膜工程とプラズマ表面改質工程とを繰り返して、酸化シリコン膜を形成するようにしたものである。プラズマ表面処理により酸化シリコン膜の緻密性が増し、ウエットエッチングマスクとして用いたときのエッチング寸法精度が向上し、また、耐薬品性が向上するので、長時間のエッチングにも耐えることができ、さらに、厚い基板への成膜も安定して行うことができる。
【０００９】
本発明に係るウエットエッチングマスクの成膜方法は、前記酸化シリコン膜の成膜工程にＴＥＯＳを使用するものである。このため、膜質が改善されて密着性を向上させた酸化シリコン膜を容易に得ることができる。この成膜工程においては、例えば電極間距離を狭めてギャップを小さくし（概ね８ｍｍ）、成膜圧力を下げる（概ね６０Ｐａ）ことで、プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の面内均一性が向上する。また、ＴＥＯＳ流量を減らし（概ね４０ｓｃｃｍ）、Ｏ2 流量増やす（概ね２．０ｓｌｍ）ことで、プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の耐薬品性が向上する。
【００１０】
本発明に係るウエットエッチングマスクの成膜方法は、前記酸化シリコン膜のプラズマ表面改質工程にＯ2 プラズマを使用するものである。このため、プラズマ表面処理によりエッチングマスクの緻密性が向上し、シリコン基板のエッチング寸法精度が向上する。
【００１１】
本発明に係るウエットエッチングマスクの成膜方法は、前記酸化シリコン膜の成膜工程とプラズマ表面改質工程を同一チャンバー内で行うものである。このため、同一のチャンバー内で一連の処理を効率的に行うことができる。
【００１２】
また、本発明に係るウエットエッチングマスクは、シリコン基板の表面に、上記いずれかの成膜方法により成膜されたものである。プラズマ表面処理により酸化シリコン膜の緻密性が増し、ウエットエッチングマスクとして用いたときのエッチング寸法精度が向上し、また、耐薬品性が向上するので、長時間のエッチングにも耐えることができ、さらに、厚い基板への成膜も安定して行うことができる。
【００１３】
また、本発明に係る静電アクチュエータは、上記のウエットエッチングマスクによりエッチングが施されて形成された基板を備えたものである。プラズマ表面処理により酸化シリコン膜の緻密性が増し、ウエットエッチングマスクとして用いたときのエッチング寸法精度が向上するので、良好な機能を有する静電アクチュエータが得られる。
【００１４】
また、本発明に係る液吐出ヘッドは、上記のウエットエッチングマスクによりエッチングが施されて形成されたシリコン基板を備えたものである。プラズマ表面処理により酸化シリコン膜の緻密性が増し、ウエットエッチングマスクとして用いたときのエッチング寸法精度が向上するので、良好な吐出特性を有する液吐出ヘッドが得られる。
【００１５】
また、本発明に係る半導体装置は、上記のウエットエッチングマスクによりエッチングが施されて形成された回路基板を備えたものである。プラズマ表面処理により酸化シリコン膜の緻密性が増し、ウエットエッチングマスクとして用いたときのエッチング寸法精度が向上するので、良好な機能を有する半導体装置が得られる。
【００１６】
また、本発明に係る画像形成装置は、上記の静電アクチュエータを搭載したものである。これにより良好な機能を有する静電アクチュエータを備えた画像形成装置を得ることができる。
【００１７】
また、本発明に係る画像形成装置は、上記の液滴吐出ヘッドを搭載したものである。これにより良好な機能を有する液滴吐出ヘッドを備えた画像形成装置を得ることができる。
【００１８】
また、本発明に係る電子機器は、上記の半導体装置を搭載したものである。これにより良好な機能を有する半導体装置を備えた電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［実施の形態１］
図１は本発明の実施の形態１にかかる液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドの縦断面図であり、図２は図１の平面図、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。図において、インクジェットヘッドは、電極ガラス基板１００、振動板基板（シリコン基板）２００及びノズル基板３００を重ねて接合した積層構造となっている。電極ガラス基板１００にはインク供給口１０４が設けられており、そのインク供給口１０４からリサーバ２０４に供給されたインク４００は、オリフィス３０２を介して複数のキャビティ（吐出室）２０３に均等に分配される。キャビティ２０３の下面は変形可能な振動板２０１を構成しており、短絡防止用の絶縁膜２０２を挟んで個別電極１０１と対向している。なお、上記の振動板２０１と個別電極１０１は、本発明に係る静電アクチュエータを構成するものとする。
図１のインクジェットヘッドにおいては、振動板２０１と個別電極１０１との間に電圧を印加し、静電引力を発生させ、振動板２０１を下方に変形させた後に、その印加電圧を除去したときに発生する振動板２０１のバネ力による圧力によって、インク滴４０１をノズル３０１より吐出する。
【００２０】
上記のインクジェットヘッドにおいて、キャビティ２０３の隔壁２０６の高さの下限値は、インクの供給能力の点から定められる。壁が低いとインクが流れにくくなる。また、隔壁２０６の高さの上限値は、クロストークの抑制と生産性の向上という観点から定められる。背が高いと、隔壁２０６の剛性が低くなりクロストークを効果的に抑制しにくくなる。上記のようにしてキャビティ２０３の隔壁２０６の高さを設定することにより、キャビティ２０３の隔壁２０６の横方向の振動が抑制されて、その振動が原因となるクロストークの発生が阻止される。
【００２１】
キャビティ２０３の隔壁２０６の横方向の振動を抑制してその振動が原因となるクロストークの発生を阻止するためには、キャビティ２０３の隔壁２０６の高さを設定する必要がある。このためには、振動板２０１を構成する振動板基板２００と、個別電極１０１を備えた電極板基板１００とを接合した後に、振動板基板２００の厚みを減らして振動板２０１を形成する。すなわち、振動板基板２００の厚みを減らして、振動板２０１及びキャビティ室２０３の隔壁２０６をそれぞれ形成し、その上にノズル基板３００を接合してキャビティ室２０３を形成する。
【００２２】
図４は、図１に係るインクジェットヘッドの製造工程を示した工程図である。
（ａ）電極ガラス基板１００としてホウケイ酸ガラス基板を用い、そのホウケイ酸ガラス基板の上に段差を、個別電極１０１が形成される分のスペースを囲むようにエッチングによって形成する。そして、スパッタまたは蒸着によりＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）膜を形成した後に、フォトリソグラフィにより個別電極をパターンニングする（図４（ａ））。
【００２３】
（ｂ）次に、シリコン単結晶からなる振動板基板２００の下面に高濃度にホウ素（Ｂ）を拡散する。ホウ素を拡散したのち、絶縁膜２０２となる熱酸化膜を形成する（図４（ｂ））。
【００２４】
（ｃ）電極ガラス基板１００と振動板基板２００を加熱した後に、電極ガラス基板１００に負極、振動板基板２００に正極を接続し、電圧を印加して陽極接合する（図４（ｃ））。
（ｄ）陽極接合後、基板全体をＫＯＨ水溶液に浸漬して振動板基板２００を所定の厚さまでエッチングする（図４（ｄ））。この処理は、通常のシリコン基板の研削、研磨と同じように、ダイヤホイールを用いて研削した後、ラッピングマシンによって研磨してもよい。
【００２５】
（ｅ）上記のエッチングを行った後、振動板基板２００にエッチングマスクとなる酸化シリコン膜（二酸化ケイ素膜）を、ＣＶＤ（化学気相成長法）により成膜する（以下、この成膜を、プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜という）（図４（ｅ））。すなわち、ＣＶＤにより、二酸化ケイ素の成膜工程［Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 （ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート））＋１２Ｏ2 →ＳｉＯ2 ＋８ＣＯ2 ＋１０Ｈ2 Ｏ）］と、Ｏ2 プラズマを使用したプラズマ表面改質工程を複数回繰り返して、酸化シリコン膜であるプラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜を形成する。
【００２６】
これは、１０００℃以上の高温がかかる熱酸化工程では、拡散済みのホウ素（Ｂ）がドライブインしてしまうので、１０００℃以下の熱酸化工程で処理できるプラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜を用いたものである。
なお、上記の処理工程は、成膜工程とプラズマ表面改質工程を同一チャンバー内で行う。その詳細を図５に基づいて説明する。
【００２７】
図５はＴＥＯＳ・ＣＶＤによる成膜方法の説明図である。電極ガラス基板１００と振動板基板２００を陽極接合して形成した接合基板５００をチャンバー（反応室）５１０に投入する。このチャンバー５１０内の上部には電極６００が配置されており、電源（13.56MHz）５１１の出力と電源（430ｋHz）５１２の出力とを混合器５１３で混合して電極６００に供給する。なお、この電極６００は、絶縁材５１４を介してチャンバー５１０内に挿入されており、また、反応ガス（ＴＥＯＳ、Ｏ2）をチャンバー５１０内に供給するためのノズルとしても機能するものであり、ガスシャワー５１５を発生させる。また、このチャンバー５１０内には後述のようにプラズマ５１５が発生する。チャンバー５１０内の下部にはヒーター５１６が配置されており、接合基板５００を加熱する。所定の条件で接合基板５００の昇温を行い、ＴＥＯＳとＯ2 を所定の時間だけ流して膜を形成し、次に、同一チャンバー内においてＴＥＯＳ流量をゼロにして成膜直後の膜をＯ2 プラズマに晒してＯ2 プラズマ処理を行い、膜表面の緻密性を向上させる。この「成膜処理」→「プラズマ表面処理」の工程を複数回、例えば４回繰り返して、所望の厚さのプラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜を形成する。この際、接合基板５００と電極間の距離を小さくし、成膜圧力を下げてプラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の面内均一性を向上させ、またＴＥＯＳ流量を下げ、Ｏ2 流量を上げて、耐薬品性を向上させる。なお、ＴＥＯＳ・ＣＶＤによる成膜方法の条件の詳細は実施例１として後述する。
【００２８】
こうして、振動板基板２００にプラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜を形成したのち、フォトリソグラフィーによりキャビティパターンとリザーバパターンを形成する。次に、ＫＯＨ水溶液に基板全体を浸漬し、キャビティ２０３とリザーバ２０４、電極取り出し口２０５をそれぞれ形成する。さらに、ダイヤモンドドリルにより電極ガラス基板１００とリザーバ２０４の下面を穿孔してそれをインク供給口とする。キャビティ２０３の底面がボロンドープ層に達するとエッチング速度が急激に低下するために、振動板２０が容易に形成できる。ここで再び図４に戻って、図４（ｆ）の工程について説明する。
【００２９】
（ｆ）ノズル３０１とオリフィス３０２を有するノズル基板３００をエポキシ系接着剤によって振動板基板２００に接着する（図４（ｆ））。
（ｇ）振動板基板１００にノズル基板３００を接着した後、個別電極配線１０２を取り出すために、ドライエッチングを行って電極取り出し口２０５の下面のシリコンを除去する。電極取り出し口２０５を開口した後、アクチュエータ内に水分や異物が浸入するのを防止する目的で、エポキシ樹脂によるシール１０３で電極取り出し口２０５の縁を封止する（図４（ｇ））。
（ｈ）最後にダイシングにより個々のヘッドに切断する（図４（ｈ））。
【００３０】
本実施の形態においては、インクジェットヘッドの製造工程において、振動板基板の表面に、ＣＶＤにより、二酸化ケイ素の成膜工程とＯ2 プラズマを使用したプラズマ表面改質工程を同一装置内で複数回繰り返して、プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜を形成するようにしたので、１０００℃以下の熱酸化工程であっても、膜質が改善されて密着性を向上させた酸化シリコン膜を容易に得ることができる。こうして、酸化シリコン膜の面内均一性が向上し、表面のみならず膜内部の緻密性も増すので、ウエットエッチングマスクとして用いたときの耐薬品性が向上し、長時間のエッチングにも耐えられるため、エッチング寸法精度が向上し、良好な吐出特性を得ることができる。そして、従来困難であった厚い基板への成膜も、安定して行うことが可能となった。なお、上記の説明では、液滴吐出ヘッドについて説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、静電アクチュエータ、あるいは半導体装置の回路基板においても同様に適用される。
【００３１】
［実施例１］
次に、本実施の形態の具体例を実施例１として説明する。
（１）ＡＳＭ製ＥＡＧＬＥ−１０を使用して、プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜を形成した。
図６に示すように、上部電極６００と下部電極６０１の電極間距離を１２ｍｍとし、下部電極６０１の上に８インチのカーボントレー６０２を載置し、カーボントレー６０２上に、電極ガラス基板である４インチの電極基板１００と、シリコン基板である４インチの振動板基板２００を接合したものを載置し、上部電極６００と振動板基板２００との距離が８ｍｍになるにした。なお、本実施の形態では８インチ仕様の装置なので、カーボントレー６０２を用いて４インチの振動板基板２００を支持した。
【００３２】
本発明に係るプラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の成膜条件では、ＴＥＯＳ流量は４０ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量は２．０ｓｌｍ、基板温度は４５０℃、チャンバ内圧力は５９．９Ｐａ、ＬＲＦパワーは４５０Ｗ、ＨＲＦパワーは２８５Ｗ、温度保持時間は３ｍｉｎ、上部電極６００と振動板基板２００との距離は８ｍｍであった。なお、Ｏ2 プラズマの処理条件は、上記の条件において、ＴＥＯＳ流量をゼロにしたものである。
【００３３】
成膜プロセスでは、目標膜厚を３μｍとした。本発明に係る成膜においては、図７に示すように、まず、基板を投入し、５分間、基板を昇温した。次に、１分間、ＴＥＯＳ成膜処理を行い、そののち、３秒間、ＴＥＯＳ流量のみゼロにしてＯ2 プラズマ処理を行ない、この工程をさらに３回繰り返した。その後、基板の取り出しを行った。
一方、従来の成膜プロセスでは、まず、基板を投入して５分間、基板を昇温し、次に、４分間、ＴＥＯＳ成膜処理を行い、その後、３秒間、Ｏ2 プラズマ処理を行った後、基板の取り出しを行った。
【００３４】
（２）本発明に係る成膜法と、従来の成膜法における寸法精度を比較した。
本発明に係るキャビティ幅の狙い値は、５０μｍとした。
フォトリソによるパターン幅の比較は、表１に示す通りであった。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
表１に示すように、本発明に係る成膜法では、測定点数が１６ポイントであり、平均値が５０．７２μｍ、３σが１．５０であった。
一方、従来の成膜法では、測定点数が４８ポイントであり、平均値が５９．６９μｍ、３σが７．４４であった。
その結果、本発明に係る成膜法によれば、規格寸法（狙い値±２μｍ）をクリアしており、寸法精度が向上していることが分かった。
【００３７】
（３）基板と電極間の距離を変えた場合の膜圧を比較した。
電極間距離を、１１ｍｍ、１０ｍｍ、９ｍｍ、８ｍｍ、７ｍｍにして、それぞれの場合の膜圧を測定した結果は、表２に示す通りであった。
【００３８】
【表２】
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【００３９】
電極間距離が８ｍｍのときに、膜圧が、平均９６１７．５２９Å、３σが２７７．８０７、膜圧のＭａｘ９７５５Å、Ｍｉｎ９４６７Åであり、Ｍａｘ−Ｍｉｎの差が２８８Åであった。すなわち、電極間距離が８ｍｍであるときに、Ｍａｘ−Ｍｉｎの差が他の電極間距離の場合に比べて小さく好ましい数値となった。従来の電極間距離が１２ｍｍである場合に比べて、距離を４ｍｍ狭めると、すなわち、基板と電極間のギャップを狭めることにより、面内均一性が著しく向上した。
【００４０】
（４）チャンバ内の圧力を変えた場合の面内均一性を比較した。
基板１〜５を用いて、それぞれの膜圧データを比較した結果は、表３に示す通りであった。
【００４１】
【表３】
2005163119.tif 000005
【００４２】
ヒート時間は２０ｍｉｎ、ＴＥＯＳ流量９５ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量０．８ｓｌｍという同一条件下で、圧力が最も低い１６０．２Ｐａのときに、ａｖｅ８３５８．０５９で、３σが６６０．８２９３であった。
従って、圧力を下げる程、面内均一性が向上することが分かった。
【００４３】
（５）薬液耐性について、すなわち、振動板基板２００と電極ガラス基板１００を接合した場合のＢＨＦに対するエッチンググレートについて比較した。
振動板基板２００と電極ガラス基板１００を接合して振動板基板にマスクとなるＳｉＯ2 を成膜した接合済み基板に対して、ＢＨＦに対する従来のエッチングレートは４１０ｎｍ／ｍｉｎであり、振動板基板にのみマスクとなるＳｉＯ2 を成膜した非接合基板に対して、ＢＨＦに対する従来のエッチングレートは１８０ｎｍ／ｍｉｎであった。このため、接合済み基板のエッチングレートを非接合基板並に下げる必要があった。
本実施例では、圧力を６０Ｐａ、ＴＥＯＳ流量を４０ｓｃｃｍ、０２流量を２．０ｓｌｍに下げたので、接合済み基板でもＢＨＦに対するエッチングレートを１９７ｎｍ／ｍｉｎに下げることができ、薬液耐性を向上させることができた。
【００４４】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドを搭載した画像形成装置の説明図である。図８において、画像形成装置は、プリント紙７００を支持するドラム７０１と、プリント紙７００にインクを吐出して記録を行うインクジェットヘッド７０３を備え、インクジェットヘッド７０３には液体を供給するための液体タンク（図示せず）が設けられている。そして、送りネジ７０４がドラム７０１の軸方向にほぼ並行に設けられてインクジェットヘッド７０３を保持しており、送りネジ７０４が回転すると、インクジェットヘッド７０３がドラム７０１の軸方向に移動するようになっている。なお、プリント紙７００は、ドラム７０１の軸方向にほぼ並行に設けられた紙圧着ローラ７０８により、ドラム７０１に圧着して保持される。
【００４５】
ドラム７０１は、ベルト７０６を介してモータ７０５に連結され、モータ７０５によって回転駆動される。プリント制御手段７０７は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ７０４、モータ７０５を駆動させ、また、インクジェットヘッド７０３に接続された発振回路（図示せず）を駆動させて振動板を振動させながら画像形成を行わせる。
【００４６】
本実施の形態２によれば、良好な吐出特性を有するインクジェットヘッド７０３を備えた画像形成装置を得ることができる。
【００４７】
［実施の形態３］
実施の形態２では、液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッド７０３を備えた画像形成装置によってインクを吐出して画像形成する液滴吐出装置の例を示したが、本発明はこれに限定するものではない。例えば、液滴吐出ヘッドを電光発光表示パネル製造装置に設け、電界発光素子となる材料を含んだ液体を液滴吐出ヘッドにより表示パネル上に吐出させて定着させることにより、電界発光表示パネルを製造することができる。高分子の材料では蒸着法を用いることができないので、液滴吐出による製造が特に有効である。
【００４８】
また、マイクロバルブやマイクロポンプ等を集積したマイクロ流体制御システムが考えられる。これらの装置は、業務用途として使われることが多いため、特に吐出ヘッドが良好な吐出特性を有することが要求されるが、本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えた装置は、上記の要件を満たすことができる。さらに、染料の吐出等の工業用途、家庭用途に、上述の液滴吐出ヘッドを備えた装置を用いることができる。
また、本発明では、実施の形態１で述べた静電アクチュエータを搭載して画像形成装置として用いることもでき、あるいは、半導体装置を搭載して電子機器（例えば、ＰＤＡ、携帯電話等）として用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッドの縦断面図。
【図２】図１のインクジェットヘッドの平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図。
【図４】図１のインクジェットヘッドの製造工程を示す工程図。
【図５】ＴＥＯＳ・ＣＶＤによる成膜方法の説明図。
【図６】プラズマＣＶＤ装置の説明図。
【図７】プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の製造工程を示す説明図。
【図８】本発明の実施の形態２に係るインクジェットヘッドを搭載した画像形成装置の説明図。
【符号の説明】
【００５０】
１００  電極ガラス基板、２００  振動板基板（シリコン基板）、２０３  吐出室（キャビティ）、３０１  ノズル、６００、６０１  電極、７０３  液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）。
【図１】
2005163119.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005163119.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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