(57)【要約】【課題】ウエーハ加工プロセスの安定性およびウエーハ加工プロセスの効率の向上を提供することを目的とする。【解決手段】粘着テープ１０６の端部巻き込みによる半導体ウエーハ１０２外周部のチッピング発生が抑制される。さらに、粘着テープ１０６の端部が半導体ウエーハ１０２の外周部分から離れているため、研磨加工時に生じる粘着テープ１０６の端部のバタツキが半導体ウエーハ１０２に影響を及ぼすことを抑制することができる。この結果、半導体ウエーハ１０２を研磨加工する際の工程の安定性を得ることができ、チッピング等を抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和される。【選択図】  図２
2005285878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着材を用いて支持基板上に被処理対象となる基板を固定する工程と、
固定された前記基板の一方の面を研磨して前記基板を薄化する工程と、
を含み、
基板を固定する前記工程において、
前記粘着材の外周縁が前記基板の外周縁よりも外側に位置するように前記基板を固定することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の製造方法において、
前記粘着材が、前記支持基板の全面を覆うことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板の製造方法において、
前記基板がシリコンウエーハであることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項４】
支持基板と、
該支持基板上に設けられ、被処理対象となる基板を固定する粘着材と、
を備え、
前記粘着材の外周縁が前記基板の外周縁よりも外側に位置するように前記基板が固定されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記粘着材が、前記支持基板の全面を覆うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の基板処理装置において、
前記支持基板上に配置された前記基板および前記粘着材を加圧する加圧手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記基板を固定した状態において前記基板の外周縁よりも外側に位置する前記粘着材の部分に当接する当接部材と、
前記部分に前記当接部材が当接した状態で、前記基板を前記粘着材から離れる方向に引っ張り、前記基板を前記粘着材から剥離させる剥離手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項４乃至７いずれかに記載の基板処理装置において、
前記支持基板が着脱可能に設けられた基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハに薄化加工を施す基板の製造方法および処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットやイントラネットなどの急速な普及に伴い、使用される半導体装置の軽薄短小化が進んでいる。そのため、半導体装置においても受動素子と同等の実装性が求められており、極めて薄いパッケージが求められている。ここで、半導体パッケージの薄化技術は、その構造設計とともに、ペレット厚さ自身を薄くすることが必要となり、１００μｍ以下のウエーハ加工技術が求められている。
【０００３】
しかし、ウエーハを１００μｍ以下に加工することによって、ウエーハ反り量の増加、ウエーハ強度の低下に伴うハンドリング時の撓みおよびウエーハ割れの増加などの課題が生じる。
【０００４】
特許文献１には、こうした課題を解決するために、ウエーハを薄化する際にフィルム状粘着材料を用いてウエーハ支持基板とウエーハとを貼り合わせた後に、ウエーハ裏面を研磨する技術が記載されている。こうすることで、支持基板によりウエーハ裏面研磨時にウエーハが固定され、薄化による強度低下に由来する破損やウエーハの反りが抑制される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２０３８２１号公報
【０００６】
しかし、上記公報記載の技術をはじめ、従来の技術においては、図１に示すように、フィルム状粘着材料３がウエーハ１と同一もしくは小さな寸法となっていたため、ウエーハ１の加工時にウエーハ１の外周部におけるチッピングの発生、ウエーハ１の裏面加工時にフィルム状粘着材料３の端部を巻き込むことによるウエーハ１外周部におけるチッピングの発生、ウエーハ１と支持基板４とを粘着する際にフィルム状粘着材料３に対して直接機械的に加圧できないことによるフィルム状粘着材料３端部における剥離の発生、支持基板４がフィルム状粘着材料３に覆われていないことによるウエーハ裏面加工の際における支持基板表面への異物付着のため支持基板再利用時に異物の除去が必要になるなどの改善の余地を有していた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、ウエーハ加工プロセスの安定性を向上させる技術およびウエーハ加工プロセスの効率を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、粘着材を用いて支持基板上に被処理対象となる基板を固定する工程と、固定された基板の一方の面を研磨して基板を薄化する工程とを含み、基板を固定する上記工程において、粘着材の外周縁が基板の外周縁よりも外側に位置するように基板を固定することを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明において、基板とは、シリコンウエーハ等の半導体基板や、ガラス基板等を含むものとする。
【００１０】
本発明において、支持基板とは、基板加工時および基板加工後の基板破損の発生などを抑制するために用いられるものである。
【００１１】
本発明によれば、基板が支持基板に安定的に固定されるため基板外周部におけるチッピングの発生を抑制することができる。また、粘着材の端部が基板の外周部から十分離れているため、基板の裏面加工時に粘着材の端部を巻き込むことによるチッピングの発生を抑制することができる。この結果、ウエーハ加工プロセスの安定性を得ることができる。
【００１２】
また、本発明によれば、基板裏面を加工している際、粘着材により支持基板の少なくとも一部が覆われているため、支持基板の清浄性が向上する。そのため、支持基板を再利用する際に、支持基板表面に付着した裏面加工により生じる屑などの清浄作業の一部を省略することが可能になり、ウエーハ加工プロセスの効率が向上する。
【００１３】
また、粘着材が、支持基板の全面を覆ってもよい。
【００１４】
こうすることにより、基板裏面を加工している際、粘着材料により常に支持基板が覆われているため、支持基板の清浄性がより向上し、支持基板再利用時の支持基板表面の清浄作業を省略することが可能になり、ウエーハ加工プロセスの効率がより向上する。
【００１５】
本発明によれば、支持基板と、該支持基板上に設けられ、被処理対象となる基板を固定する粘着材とを備え、粘着材の外周縁が基板の外周縁よりも外側に位置するように基板が固定されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１６】
本発明によれば、基板と支持基板とを粘着させる際に、粘着材を支持基板に安定的に固定することが可能になる。したがって、粘着材端部の剥離を抑制することができ、基板の裏面加工時に粘着材の端部を巻き込むことによるチッピングの発生を抑制することができる。この結果、ウエーハ加工プロセスの安定性を得ることができる。
【００１７】
また、粘着材が、支持基板の全面を覆ってもよい。
【００１８】
こうすることにより、粘着材のより広い面積を支持基板に固定することができるため、粘着材を支持基板により安定的に固定することが可能になる。したがって、粘着材端部の剥離をより抑制することができ、基板の裏面加工時に粘着材の端部を巻き込むことによるチッピングの発生をより抑制することができる。この結果、ウエーハ加工プロセスのよりよい安定性を得ることができる。
【００１９】
また、支持基板上に配置された基板および粘着材を加圧する加圧手段を備えていてもよい。
【００２０】
こうすることにより、基板および粘着材を直接加圧することができるため、基板および粘着材を支持基板により安定的に固定することが可能になる。したがって、粘着材端部の剥離をより抑制することができ、基板の裏面加工時に粘着材の端部を巻き込むことによるチッピングの発生をより抑制することができる。この結果、ウエーハ加工プロセスのよりよい安定性を得ることができる。
【００２１】
また、基板を固定した状態において基板の外周縁よりも外側に位置する粘着材の部分に当接する当接部材と、上記部分に当接部材が当接した状態で、基板を粘着材から離れる方向に引っ張り、基板を粘着材から剥離させる剥離手段を有していてもよい。
【００２２】
こうすることにより、基板と支持基板とを剥離させる際に、粘着材を直接固定することが可能となる。したがって、基板と粘着材との粘着力と支持基板と粘着材との粘着力との間に差異を設けたり、粘着部に前処理を施す必要がない。この結果、プロセスの範囲を拡大することが可能となり、ウエーハ加工プロセスの安定性を得ることができる。
【００２３】
また、支持基板が着脱可能に設けられていてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、粘着材の外周縁が基板の外周縁よりも外側に位置するように基板を固定することにより、ウエーハ加工プロセスの安定性を向上させる技術およびウエーハ加工プロセスの効率を向上させる技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明において詳細な説明を適宜省略する。
【００２６】
第一の実施形態
図２は、本実施形態に係る半導体ウエーハの製造工程を説明するための断面図である。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、半導体ウエーハ１０２は素子形成面１０４を有し、上記素子形成面１０４が粘着テープ１０６と接するように、支持基板１０８、粘着テープ１０６、半導体ウエーハ１０２をこの順に積み重ねる。
【００２８】
ここで、支持基板１０８は、後述する半導体ウエーハ１０２の薄化加工時および加工後の半導体ウエーハ１０２の反りや、外力による半導体ウエーハ１０２の破損を防止するために用いられる。
【００２９】
また、支持基板１０８は、薄化加工の対象である半導体ウエーハ１０２を保護するために、半導体ウエーハ１０２よりも広く作られており、支持基板１０８と半導体ウエーハ１０２を積層させた際には半導体ウエーハ１０２の周囲に余剰領域ができるものとする。支持基板１０８を構成する材料としては、たとえば、アクリル樹脂などのプラスチックス、ガラス、石英などが好ましく用いられ、半導体ウエーハ１０２の薄化加工のプロセスにおける熱、薬剤、外力などに対する耐性を備えている材料であることが好ましい。
【００３０】
粘着テープ１０６は、半導体ウエーハ１０２の素子形成面１０４と支持基板１０８とを粘着するために用いられる。粘着テープ１０６は基材と粘着層から構成されている。粘着テープ１０６を構成する基材としては、たとえば、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂などが好ましく用いられる。また、粘着テープ１０６を構成する粘着剤としては、たとえば、アクリル系エマルジョン型粘着剤、アクリル系溶剤型粘着剤、ウレタン系粘着剤などが用いられ、粘着テープ１０６の両面が粘着力を有するように基材の両面に粘着剤が塗布される。
【００３１】
ここで、粘着テープ１０６は、半導体ウエーハ１０２の素子形成面１０４と支持基板１０８とを粘着する作業の前に、あらかじめ、支持基板１０８と同一もしくはそれよりも大きな寸法に切り抜いておく。
【００３２】
粘着テープ１０６が、支持基板１０８と同一もしくはそれよりも大きな寸法であることにより、粘着テープ１０６の端部が半導体ウエーハ１０２の外周部分から離れて位置することとなる。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、切り抜かれた粘着テープ１０６を用いて、半導体ウエーハ１０２と支持基板１０８とを粘着させる。
【００３４】
粘着後、半導体ウエーハ１０２の裏面を研磨することにより、所望の厚さにまで薄化加工される。また、必要に応じて、研磨加工によるダメージを除去するために、エッチング加工または研磨加工が行われる。
【００３５】
さらに、図２（ｃ）に示すように、薄化加工後の半導体ウエーハ１０２の裏面にメタル層１５０を形成することもある。
【００３６】
次に、図２（ｄ）に示すように、半導体ウエーハ１０２の薄化加工の終了後に、半導体ウエーハ１０２は粘着テープ１０６から剥離される。
【００３７】
粘着テープ１０６の端部が半導体ウエーハ１０２の外周部分から離れて位置することの効果として、後述する半導体ウエーハ１０２の裏面研磨加工の際において、粘着テープ１０６の端部のバタツキが半導体ウエーハ１０２の外周部分に影響を及ぼすことによる、粘着テープ１０６の端部巻き込みを原因とする半導体ウエーハ１０２の外周部分におけるチッピングの発生が抑制される。この結果、従来、上述するチッピングやバタツキを抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和されつつ、半導体ウエーハ１０２の裏面を研磨加工する際のプロセスの安定性を得ることができる。
【００３８】
また、半導体ウエーハ１０２の研磨加工中も、常に粘着テープ１０６により支持基板１０８の上面が覆われている。したがって、半導体ウエーハ１０２の研磨加工時に発生するメタル屑や半導体ウエーハ１０２の切削屑などの異物が支持基板１０８の表面に付着しない。この結果、支持基板１０８の清浄性が保たれるので、支持基板１０８を再利用する際にメタル屑や半導体ウエーハ１０２の切削屑などの異物を除去する作業を省略することができ、ウエーハ加工プロセスの効率を向上させることができる。
【００３９】
第二の実施形態
図３は、本実施形態に係る半導体ウエーハ粘着装置の概略図である。
【００４０】
半導体ウエーハ粘着装置１１０は、支持基板供給部１１１、半導体ウエーハ供給部１１２、粘着済半導体ウエーハ収納部１１３、粘着テープ供給部１１４、加圧粘着機構部１１５、搬送部１１６から構成されている。
【００４１】
半導体ウエーハ粘着装置１１０を用いて、半導体ウエーハ１０２と支持基板１０８を粘着する仕組みは以下のとおりである。
【００４２】
まず、搬送部１１６を用いて支持基板１０８を支持基板供給部１１１から加圧粘着機構部１１５に搬送する。次に、搬送部１１６を用いて粘着テープ１０６を粘着テープ供給部１１４から加圧粘着機構部１１５に搬送する。次に、搬送部１１６を用いて半導体ウエーハ１０２を半導体ウエーハ供給部１１２から加圧粘着機構部１１５に搬送する。つづいて、加圧粘着機構部１１５において、支持基板１０８、粘着テープ１０６、半導体ウエーハ１０２を加圧粘着することで粘着済半導体ウエーハを製造する。次に、搬送部１１６を用いて粘着済半導体ウエーハを加圧粘着機構部１１５から粘着済半導体ウエーハ収納部１１３へ搬送する。ここで、搬送部１１６が、半導体ウエーハ１０２などを搬送する際には、たとえば、アームや吸着パッドなどを用いて半導体ウエーハ１０２などを持ち上げて搬送する。
【００４３】
図４は、本実施形態に係る半導体ウエーハ粘着装置１１０の加圧粘着機構部１１５の詳細な構成を説明するための断面図である。加圧粘着機構部１１５は、半導体ウエーハ加圧部１１７、粘着テープ加圧部１１８、支持基板加圧部１１９から構成される。
【００４４】
半導体ウエーハ粘着装置１１０は、第一の実施形態で説明した半導体ウエーハ１０２と、粘着テープ１０６と、支持基板１０８との粘着の際に、図４に示すように、加圧粘着機構部１１５が、粘着テープ加圧部１１８を用いて、従来は加圧できなかった粘着テープ１０６を直接加圧することを特徴とする。
【００４５】
加圧粘着機構部１１５は、半導体ウエーハ加圧部１１７を用いて半導体ウエーハ１０２を、粘着テープ加圧部１１８を用いて粘着テープ１０６を、支持基板加圧部１１９を用いて支持基板１０８を、それらを積み重ねた厚み方向にプレスすることにより、半導体ウエーハ１０２と、粘着テープ１０６と、支持基板１０８とを粘着する。その後、半導体ウエーハ１０２の裏面を研磨加工した後、後述する半導体ウエーハ剥離装置１２０の粘着済半導体ウエーハ供給部１２１に搬送される。
【００４６】
加圧粘着機構部１１５を備える半導体ウエーハ粘着装置１１０を用いて、半導体ウエーハ１０２と、粘着テープ１０６と、支持基板１０８とをプレスすることにより、半導体ウエーハ１０２と粘着テープ１０６との間、および支持基板１０８と粘着テープ１０６との間の、より安定した粘着力が得られる。このため、粘着テープ１０６の端部の支持基板１０８からの剥離が抑制される。したがって、半導体ウエーハ１０２の裏面加工時に粘着テープ１０６の端部を巻き込むことによるチッピングの発生を抑制することができる。この結果、従来、上述するチッピングを抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和されつつ、半導体ウエーハ１０２の裏面を研磨加工する際のプロセスの安定性を得ることができる。
【００４７】
また、従来、チッピングやバタツキを抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和される。
【００４８】
第三の実施形態
図５は、本実施形態に係る半導体ウエーハ剥離装置の概略図である。
【００４９】
半導体ウエーハ剥離装置１２０は、粘着済半導体ウエーハ供給部１２１、粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２、半導体ウエーハ収納部１２３、剥離済支持基板収納部１２４、搬送部１２５、剥離済支持基板搬送部１２６から構成されている。
【００５０】
半導体ウエーハ剥離装置１２０を用いて、裏面を研磨加工することによって薄化加工された粘着済半導体ウエーハから半導体ウエーハ１０２を剥離する仕組みは以下のとおりである。
【００５１】
まず、搬送部１２５を用いて、粘着済半導体ウエーハを粘着済半導体ウエーハ供給部１２１から粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２へ搬送する。次に、粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２において、半導体ウエーハ１０２と、粘着テープ１０６が粘着された支持基板１０８とを剥離する。次に、搬送部１２５を用いて、剥離された半導体ウエーハ１０２を粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２から半導体ウエーハ収納部１２３へ搬送する。次に、剥離済支持基板搬送部１２６を用いて、支持基板１０８を粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２から剥離済支持基板収納部１２４へ搬送する。ここで、搬送部１２５や剥離済支持基板搬送部１２６が、半導体ウエーハ１０２などを搬送する際には、たとえば、アームや吸着パッドなどを用いて半導体ウエーハ１０２などを持ち上げて搬送する。
【００５２】
図６は、半導体ウエーハ剥離装置１２０の粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２の詳細な構成を示す断面図である。粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２は、半導体ウエーハ剥離部１２７、粘着テープ固定部１２８、支持基板固定部１２９から構成される。
【００５３】
半導体ウエーハ剥離装置１２０は、半導体ウエーハ１０２の研磨加工終了後に、図６に示すように、粘着済半導体ウエーハ剥離機構部１２２が、粘着テープ固定部１２８により粘着テープ１０６を、支持基板固定部１２９により支持基板１０８を機械的に固定して、半導体ウエーハ剥離部１２７により半導体ウエーハ１０２を粘着テープ１０６から剥離する。ここで、半導体ウエーハ剥離部１２７は、たとえば、吸着パッドなどを用いて、半導体ウエーハ１０２を粘着テープ１０６から剥離する。また、支持基板１０８は、粘着テープ１０６を吸着パッドなどで剥離した後、再び上述した半導体ウエーハ粘着装置１１０の支持基板供給部１１１に搬送される。
【００５４】
この半導体ウエーハ剥離装置１２０を用いて、粘着テープ１０６、支持基板１０８を機械的に固定した状態で半導体ウエーハ１０２を剥離することが可能になるため、粘着テープ１０６と半導体ウエーハ１０２との粘着力と、粘着テープ１０６と支持基板１０８との粘着力との間に、材料設計的な相違や剥離の前処理に相違を設ける必要がなくなる。したがって、プロセス設計の許容範囲を拡大することが可能になり、剥離前処理および剥離作業を軽減することが可能になることによって剥離工程における歩留まりが向上する。この結果、半導体ウエーハ１０２の裏面を研磨加工する際のプロセスの安定性を得ることができる。
【００５５】
以上、発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されず、当業者が本発明の範囲内で上述の実施形態を変形可能なことはもちろんである。
【００５６】
たとえば、上記実施形態においては、粘着テープ１０６が、支持基板１０８と同一もしくはそれよりも大きい寸法に切り抜かれる形態について説明したが、図７に示すように、粘着テープ１０６の寸法が半導体ウエーハ１０２よりも大きな寸法であればよい。こうすることにより、半導体ウエーハ１０２と同一もしくはそれより小さい粘着テープを用いていた場合と比較して、チッピングを抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和されつつ、半導体ウエーハ１０２の裏面を研磨加工する際のプロセスの安定性を得ることができる。
【００５７】
また、チッピングやバタツキを抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和される。さらにまた、支持基板１０８の清浄性を向上させることができるので、支持基板１０８を再利用する際にメタル屑や半導体ウエーハ１０２の切削屑などの異物を除去する作業量を低減することができ、ウエーハ加工プロセスの効率を向上させることができる。
【００５８】
また、上記実施形態においては、半導体ウエーハ１０２の素子形成面１０４と支持基板１０８との粘着作業の前に、あらかじめ、支持基板１０８と実質的に同一の形状またはそれよりも大きく切り抜いておく形態について説明したが、支持基板１０８に粘着テープ１０６を粘着した後に切り抜いてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態においては、円型の粘着テープ１０６を用いた構成としたが、ウエーハ加工プロセスの安定性と、ウエーハ加工プロセスの効率とを向上させることが可能であれば、図８に示すように、四角形の粘着テープ１３０、ドーナツ型の粘着テープ１３２、半導体ウエーハ１０２を剥離しやすいように中央部に孔１３６を設けた粘着テープ１３４などを用いてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態においては、半導体ウエーハ１０２の裏面にメタル層１５０を形成する形態について説明したが、メタル層１５０を形成しなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来技術に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板の処理装置を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板の処理装置を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板の処理装置を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基板の処理装置を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る粘着テープの構造を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０２    半導体ウエーハ
１０４    素子形成面
１０６    粘着テープ
１０８    支持基板
１１０    半導体ウエーハ粘着装置
１１１    支持基板供給部
１１２    半導体ウエーハ供給部
１１３    粘着済半導体ウエーハ収納部
１１４    粘着テープ供給部
１１５    加圧粘着機構部
１１６    搬送部
１１７    半導体ウエーハ加圧部
１１８    粘着テープ加圧部
１１９    支持基板加圧部
１２０    半導体ウエーハ剥離装置
１２１    粘着済半導体ウエーハ供給部
１２２    粘着済半導体ウエーハ剥離機構部
１２３    半導体ウエーハ収納部
１２４    剥離済支持基板収納部
１２５    搬送部
１２６    剥離済支持基板搬送部
１２７    半導体ウエーハ剥離部
１２８    粘着テープ固定部
１２９    支持基板固定部
１３０    粘着テープ
１３２    粘着テープ
１３４    粘着テープ
１３６    孔
１５０    メタル層
【図１】
2005285878.tif 000003
【図２】
2005285878.tif 000004
【図３】
2005285878.tif 000005
【図４】
2005285878.tif 000006
【図５】
2005285878.tif 000007
【図６】
2005285878.tif 000008
【図７】
2005285878.tif 000009
【図８】
2005285878.tif 000010