(57)【要約】【課題】  高密度、或いは高速記録であっても良好なマーク長変調記録が行えるようなパルス分割法を用いた光記録方法を提供する。【解決手段】  記録媒体に光を照射することによってマーク長変調された情報を複数の記録マーク長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的な長さをｎＴとしたとき、記録マークの時間的長さｎＴを、η1Ｔ、α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・、αiＴ、βiＴ、・・・、αmＴ、βmＴ、η2Ｔの順に分割する。全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにし、ｎの異なる少なくとも２つの記録マークについて同一分割数ｍを用いる場合には、β1，βm-1、βmのうちの少なくとも一つを変更して異なるマーク長を形成する。そして、ｍが３以上の場合には、２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらず（αi＋βi）を一定とする等を行う。【選択図】  図１
2005285327.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に光を照射することによってマーク長変調された情報を複数の記録マーク長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的な長さをｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であって２５ｎｓ以下である。ｎは２以上の自然数である。）、
記録マークの時間的長さｎＴを、
η1Ｔ、α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・、
αiＴ、βiＴ、・・・、αmＴ、βmＴ、η2Ｔ
（ｍはパルス分割数である。Σi(αi＋βi)＋η1＋η2＝ｎである。αi（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βi（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βmは０以上の実数であり、η1 及びη2 はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、
αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては記録パワーＰｗiの記録光を照射し、
βiＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）の時間内においては、Ｐｂi＜ＰｗiかつＰｂi＜Ｐｗi+1 なるバイアスパワーＰｂiの記録光を照射し、
少なくとも一つの記録マークの時間的長さについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５を満たし、
ｎの異なる少なくとも２つの記録マークについて同一分割数ｍを用いる場合には、β1
，βm-1、βmのうちの少なくとも一つを変更して異なるマーク長を形成し、
そして、ｍが３以上の場合には、下記（ａ）〜（ｄ）のいずれかを満たすことを特徴と
する光記録方法。
（ａ）２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらず（αi＋βi）を一定とする。
（ｂ）２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらず（αi＋βi-1）を一定とする。
（ｃ）２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらずαiを一定にする。
（ｄ）前記同一の分割数ｍで形成する少なくとも２つの記録マークの２≦ｉ≦ｍ−１における同一のｉにおいては、αiをそれぞれ等しくする。
【請求項２】
１Ｔの記録マーク長差を有する２つの記録マークについて同一分割数ｍを用いる場合には、α1、β1、α2、βm-1、αm、βmの少なくとも２箇所を変更して、前記２つの記録マークを形成する請求項１に記載の光記録方法。
【請求項３】
すべてのｎ及び１≦ｉ≦ｍなるｉに対して、Ｐｗi、ＰｂiがそれぞれＰｗ、Ｐｂで同一である請求項１又は２に記載の光記録方法。
【請求項４】
αi＋βi（２≦ｉ≦ｍ−１）あるいは、βi-1＋αi（２≦ｉ≦ｍ−１）が、ｉによらず２である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項５】
２≦ｉ≦ｍ−１の全てのｉに対して、αi＝αｃ（一定値）である請求項１乃至４のい
ずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項６】
同一の記録媒体に対して、ｖ×Ｔを一定として複数の線速度ｖでマーク長変調方式による記録を行うに際し、
２以上のｍにおいて、２≦ｉ≦ｍ−１における（αi＋βi）を線速によらず一定に保ち、さらに各ｉにおけるＰｗi，Ｐｂi、及びＰｅも線速度によらずほぼ一定に保ち、且つ低線速度ほどαi（２≦ｉ≦ｍ）を減少させる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項７】
同一の記録媒体に対して、ｖ×Ｔを一定として複数の線速度ｖでマーク長変調方式による記録を行うに際し、
２以上のｍにおいて、２≦ｉ≦ｍにおける（βi-1＋αi）を線速によらず一定に保ち、さらに各ｉにおけるＰｗi，Ｐｂi、及びＰｅも線速度によらずほぼ一定に保ち、且つ低線速度ほどαi（２≦ｉ≦ｍ）を減少させる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光記録
方法。
【請求項８】
αiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）を線速度によらずほぼ一定とする請求項６又は７に記載の光
記録方法。
【請求項９】
前記（ｄ）における、ｍが３以上となる時間的長さを有する記録マークにおいて、全てのｉに対してαiを一定にする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１０】
前記（ｃ）又は（ｄ）において、ｍが３以上の全てのｎにおける２≦ｉ≦ｍ−１のαi
を、ｎによらず一定とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１１】
前記（ｃ）又は（ｄ）において、前記ｎの異なる少なくとも２つの記録マークにおいて、α1Ｔ及びαmＴの少なくとも１つが異なる請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１２】
前記（ａ）における、αm-1＋βm-1を他のαi＋βi（２≦ｉ≦ｍ−２）とは異なるようにする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１３】
前記（ｂ）における、β1＋α2を他のβi-1＋αi（３≦ｉ≦ｍ−１）とは異なるようにする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１４】
分割数ｍが３以上である全ての時間的長さのｎＴを有する記録マークにおいて、αi（
２≦ｉ≦ｍ−１）を一定にする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１５】
分割数ｍが３以上の全ての時間的長さｎＴを有する記録マークにおいて、αi＋βi（２≦ｉ≦ｍ−１）を一定とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１６】
分割数ｍが３以上の全ての時間的長さｎＴを有する記録マークにおいて、αi＋βi-1（２≦ｉ≦ｍ−１）を一定とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１７】
前記ｎの異なる少なくとも２つの記録マークにおいて、（α1＋β1）Ｔ及び（αm＋βm）Ｔの少なくとも１つが異なる請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１８】
前記ｎの異なる少なくとも２つの記録マークにおいて、（β1＋α2）Ｔ及び（βm-1＋
αm）Ｔの少なくとも１つが異なる請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項１９】
αi＋βi（２≦ｉ≦ｍ−１）あるいは、αi＋βi-1（２≦ｉ≦ｍ−１）が、ｉによらず、１．５、２、２．５である請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項２０】
同一の記録媒体に対して、ｖ×Ｔを一定として複数の線速度ｖでマーク長変調方式による記録を行うに際し、
２以上のｍにおいて、２≦ｉ≦ｍ−１におけるαiＴを線速によらず一定に保ち、さら
に各ｉにおけるＰｗi，Ｐｂi、及びＰｅも線速度によらずほぼ一定に保つ請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報量の増大に伴い高密度でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒体が求められているが、光ディスクはまさにこうした用途に応えるものとして期待されている。
光ディスクには一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何度でも可能な書き換え型がある。書き換え型光ディスクとしては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化に伴う反射率変化を利用した相変化型記録媒体があげられる。
【０００３】
光ディスクの記録原理は、穴あけや変形を利用したライトワンス媒体、キュリー点近傍での磁化の反転を利用した光磁気媒体、記録層の非晶質と結晶間の相転移を利用した相変化媒体のいずれにおいても、記録層を記録パワーの照射により所定の臨界温度以上に昇温させ、物理的もしくは化学的変化を生じせしめて記録を行う。
【０００４】
また、１ビームオーバーライト（消去と同時に記録を行う）可能であるという相変化型記録媒体の特徴を生かして、ＣＤ、ＤＶＤと互換性を持った書換え可能なコンパクトディスク（CD-ReWritable 、ＣＤ−ＲＷ）や、書換え可能なＤＶＤ等も開発されている。
さて、これらの光記録媒体への記録方式には近年では、ほとんどすべて、高密度化に適したマーク長記録が採用されている。
【０００５】
マーク長記録はマーク部とマーク間部の両方の長さを変化させてデータを記録する方法で、マーク間部の長さのみを変化させるマーク位置記録に比べて記録密度を上げることに適しており、１．５倍以上も高密度化できる。しかし、正確にデータを再生するためにはマークの時間的長さの検出が厳密になるため、マークエッジの形状の正確な制御が必要となる。さらに、短いマークから長いマークまで長さの異なる複数種類のマークを形成しなくてはならない困難性もある。
【０００６】
以下の説明においては、マークの空間的長さをマーク長、マークの時間的長さをマーク時間長と称する。基準クロック周期が定まれば、マーク長とマーク時間長は一対一で対応する。
マーク長記録においてｎＴマーク（ｎＴなる時間的長さを有するマーク。ただしＴはデータの基準クロック周期、ｎは自然数）を記録するときに、単に時間的長さｎＴもしくはその長さを微調節しただけの方形波状の記録パワーを照射するだけでは、マークの前端と後端で温度分布が異なり、特に、後端部に熱が蓄積してマークが広がった非対称な形状のマークが形成され、マーク長の正確な制御やマークエッジのゆらぎの抑制に支障をきたす。
【０００７】
このため短マークから長マークまで一様にマーク形状を整えるための、記録パルス分割やオフパルスの採用などの工夫がなされてきている。例えば相変化媒体で次のような技術が利用されている。
即ち、非晶質マークの形状を整えるため記録パルスを分割することが行われている（特許文献１、特許文献２など）。この考え方はオーバーライトされないライトワンス媒体にも存在する。また、マーク形状の補償方法としてオフパルスの利用が広く行われている（特許文献３など）。
【０００８】
さらに、マーク長及びマ−ク時間長を整えるために記録パルスの立ち下がり波形を故意に鈍らせて記録する（特許文献４）、記録パルスの出射時間をシフトさせる（特許文献５）、マルチパルス記録方式を用いる場合にマーク記録時のバイアスパワーの値を、マーク間記録時又は消去時のバイアスパワーの値と異ならせる（特許文献６）、線速度に応じて冷却時間を制御する（特許文献７等）なども提案されている。
【０００９】
上記のようなパルス分割方式による記録方法の考え方は、光磁気方式の光記録媒体や、ライトワンスタイプの光記録媒体でも利用されており、光磁気方式やライトワンスタイプでは、熱が一部に溜まるのを防止する効果を目的とし、相変化方式では、それに再結晶化防止という目的も加わっている。
ところで、マーク長変調記録の例としては、ＥＦＭ（Eight-Fourteen Modulation ）変調方式を用いたＣＤ互換媒体、８−１６変調方式の一種であるＥＦＭ＋（プラス）変調方式を用いたＤＶＤ互換媒体、（１、７）−ＲＬＬ−ＮＲＺＩ（Ｒｕｕ−Ｌｅｎｇｔｈ  Ｌｉｍｉｔｅｄ  Ｎｏｎ−ｒｅｔｕｒｎ  ｔｏ  ｚｅｒｏ  ｉｎｖｅｒｔｅｄ）変調方式を用いた光磁気記録媒体などが一般的である。ＥＦＭ変調では３Ｔから１１Ｔまでのマークが、ＥＦＭ＋変調では３Ｔから１４Ｔまでのマークが、（１、７）−ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調方式では２Ｔから８Ｔまでのマークが設けられる。この中で、ＥＦＭ＋変調及び（１、７）−ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調方式は、特に高密度のマーク長変調記録用の変調方式として知られている。
【００１０】
これらＣＤなどのマーク長変調記録媒体に対する記録パルス分割方式による記録方法として、次の方式が広く用いられている。
即ち、記録マークには、記録マークの時間的な長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の自然数）としたとき、時間（ｎ−η）Ｔを
【００１１】
α1 Ｔ、β1 Ｔ、α2 Ｔ、β2 Ｔ、・・・・、αm Ｔ、βm Ｔ、
（ただし、Σαi ＋Σβi ＝ｎ−ηとする。ηは０−２までの実数。ｍはｍ＝ｎ−ｋを満たす数。ｋは１または２。）と分割し、記録パルス区間としてのαi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間においては、記録パワーＰｗの記録光を照射し、オフパルス区間としてのβi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間においては、Ｐｂ＜ＰｗとなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００１２】
図２は、この記録方法における記録光のパワーパターンを示す模式図である。図２（ａ）に示す長さのマークを形成するために、図２（ｂ）に示すパターンを用いる。長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎはマーク長変調記録において取りうるマーク長であり、整数値である）にマーク長変調されたマークを形成する際、（ｎ−η）Ｔを、ｍ＝ｎ−ｋ（ｋは１又は２）個の記録パルスに分割（図２（ｂ）ではｋ＝１、η＝０．５）し、個々の記録パルス幅をαi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）とし、個々の記録パルスにβi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間のオフパルス区間が付随する。記録の際αi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）においては、記録パワーＰｗの記録光を照射し、βi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間においては、Ｐｂ＜ＰｗとなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。この際、マーク長を検出した際に、正確なｎＴマークが得られるように、Σαi ＋Σβi はｎよりも若干小さくしてもよく、Σαi ＋Σβi ＝ｎ−η（ηは０．０≦η≦２．０なる実数）とする。
【００１３】
つまり、従来技術においては、ｎＴマーク形成時に照射する記録光をパルス分割するにあたり、ｎから一律にｋを差し引いたｍ個（ｍ＝ｎ−ｋ、ただしｋは１または２）に分割（特許文献８に記載あり）し、記録パルスの分割数ｍを一定数減ずることでマーク時間長を正確に制御していた（以下ではこのようなパルス分割方式を「ｎ−ｋ分割」方式と呼ぶこととする）。
【特許文献１】特開昭６２−２５９２２９号公報
【特許文献２】特開昭６３−２６６６３２号公報
【特許文献３】特開昭６３−２２４３９号公報
【特許文献４】特開平７−３７２５２号公報
【特許文献５】特開平８−２８７４６５号公報
【特許文献６】特開平７−３７２５１号公報
【特許文献７】特開平９−７１７６号公報
【特許文献８】特開平９−２８２６６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
一般に、高密度化あるいは高速化により上記基準クロック周期Ｔは短くなる。
例えばＴは次のような時に短くなる。
（１）記録を高密度化し記録容量を上げる場合
マーク長及びマーク時間長を短縮すればより高密度になるが、この場合、クロック周波数を高周波化して基準クロック周期Ｔを小さくする必要がある。
【００１５】
（２）記録線速度を上げデータ転送レートを高める場合
記録可能ＣＤやＤＶＤの高倍速記録などでも、クロック周波数が高周波化されて基準クロック周期Ｔが短くなる。例えば書換え型コンパクトディスクなどのＣＤ系媒体では１倍速（線速１．２〜１．４ｍ／ｓ）での基準クロック周期Ｔは２３１ナノ秒であるが、１０倍速では２３．１ナノ秒と非常に短くなる。同じくＤＶＤ系媒体では１倍速（３．５ｍ／ｓ）で基準クロック周期Ｔは３８．２ナノ秒であるが、２倍速では１９．１ナノ秒となる。
【００１６】
上記（１）、（２）から分かるように、より大容量の光ディスクやデータ転送レートの高いＣＤ、ＤＶＤ等においては基準クロック周期Ｔが非常に短くなる。これに伴い、記録パルス区間αi Ｔやオフパルス区間βi Ｔも短くなる傾向にある。このとき以下のような問題が発生する。
（問題ａ）
記録パルス区間αi Ｔが短すぎて照射する光、特にレーザーの立ち上がり／立ち下がり速度が追いつかないという問題がある。立ち上がり時間とはレーザー等の光の出射パワーが設定値に達するまでの時間、立ち下がり時間とはレーザー等の光の出射パワーが設定値から落ちきるまでの時間である。現在、レーザー等の立ち上がりや立ち下がりにはそれぞれ最低２〜３ナノ秒の時間を必要とするため、例えばパルス幅が１５ナノ秒未満だと実際に所定パワーを出射する時間は数ナノ秒となる。さらにパルス幅が５ナノ秒未満になると、出射パワーが設定値に到達する前に下がり始めてしまうため、記録層の昇温が不十分で規定のマークサイズを得ることができなくなってしまう。これら信号源やレーザービームの応答速度の限界の問題は、光源波長や基板入射／膜面入射などの入射方式やその他の記録方式の改良ではカバーしきれない問題である。
（問題ｂ）
オフパルス区間βi Ｔが狭いと、記録媒体にとって十分な冷却時間が得られなくなってしまい、オフパルス区間を設けているにもかかわらずオフパルス機能（冷却速度制御機能）が働かず、マーク後端部に熱が蓄積されてしまいマーク形状が正確に形成できなくなるという問題がある。特に、この問題はマークの長さが長いほど深刻である。
【００１７】
この問題点を、相変化媒体を例に説明する。
現行の相変化媒体は通常、結晶状態の部分を未記録状態・消去状態とし非晶質の部分を記録状態とする。非晶質マークを形成する際は、記録層の微小な領域にレーザーを照射し、その微小部分を溶融させた後にこれを急冷することにより非晶質マークを形成する。
【００１８】
例えば、図３（ａ）に示すようにオフパルス区間をまったく設けない方形波上の記録パワー波形で、長いマーク（例えばＣＤフォーマットのＥＦＭ変調方式の記録マークで概ね５Ｔ以上のマーク）を記録した場合、図３（ｂ）に示すように、後端が細った非晶質マークが形成され、同図（ｃ）に示すような歪んだ再生波形が観測される。これは、長いマークでは特にマーク後端において、前方からの熱拡散で蓄熱が起こり溶融領域が太るが、一方で，冷却速度が著しく低下して、再凝固時に再結晶化してしまうためである。この傾向は、記録時の線速が低いほど著しい。低線速ほど記録層の冷却速度は低下するためである。
【００１９】
逆に、再結晶化がほとんど無視できるほど冷却速度が速い場合には、長いマークを記録した場合、図３（ｄ）に示すように、むしろ後端が太った非晶質マークが形成され、同図（ｅ）に示すような歪んだ再生波形が観測される。これは、長いマークでは特にマーク後端において、前方からの熱拡散で蓄熱されて溶融領域が太るが、全体に冷却速度が高めに維持されているためこの溶融領域の形が比較的正確に非晶質マークとなるからである。
【００２０】
マーク長全体に複数のオフパルス区間を分散させて、適正に使用しない場合には、程度の差こそあれ図３（ｂ）及び（ｄ）のように、マークのどこかで再結晶化が著しくなり、良好な非晶質の長マーク形成が阻害され、再生波形に歪を生じる。
オフパルス区間を入れることで、長マークの先端から後端までにわたって記録層の時間的な温度変化が急冷的になり、記録時の再結晶化によるマークの劣化を抑えることができる。
【００２１】
しかし、前述のように高密度化や高速化のために基準クロック周期Ｔが短くなっていくと、従来のようなオフパルス区間を設けても急冷されにくくなりマーク前半部分が再結晶化してしまうようになる。
例えば、相変化型の書換え型コンパクトディスクであるＣＤ−ＲＷで時間的長さ４Ｔのマークを従来のｎ−ｋ分割方式（ただし、ｋ＝１）で記録する場合、非晶質マークの形成時には以下のパルスが照射される。
【００２２】
α1 Ｔ、β1 Ｔ、α2 Ｔ、β2 Ｔ、α3 Ｔ、β3 Ｔ
このときマークの始端部は、記録パルスα1 Ｔ照射により溶融後、後続の記録パルスα2 Ｔ、α3 Ｔ照射による熱がマーク後方から伝導する。図４はマーク始端部での温度履歴の模式図で、図４（ａ）は低線速の場合、図４（ｂ）は高線速の場合であるが、いずれもα1 Ｔ、α2 Ｔ、α3 Ｔによる３度の昇温過程とβ1 Ｔ、β2 Ｔ、β3 Ｔによる冷却過程が見られる。
【００２３】
低線速の場合には図４（ａ）に示すようにβ1 Ｔ、β2 Ｔでの冷却時間が十分にあるため、その都度記録層の温度が結晶化温度以下にまで下がることができるが、高線速の場合には、基準クロック周期Ｔが線速に反比例して小さくなるために、図４（ｂ）のようにα1 Ｔで溶融した記録層が結晶化温度領域よりも冷却されることがないまま、次のα2 Ｔで昇温され、さらにα3 Ｔで昇温される。結晶化温度領域に保たれる時間が、低線速のＴ1 ＋Ｔ2 ＋Ｔ3 に比べて高線速のＴ4 ＋Ｔ5 ＋Ｔ6 ではずっと長くなるため、再結晶化が起こりやすくなることが分かる。なお、相変化記録層として使用されるＳｂＴｅ共晶組成付近の合金は非晶質／結晶の境界から結晶成長が起こりやすいので、マークの外側部分で再結晶化しやすい。ここで、低倍速とは例えば１０倍速未満（Ｔ＝２３．１ナノ秒未満）、高倍速とは１０倍速以上程度を言う。
【００２４】
上記のように、相変化型媒体においては、高密度化や高速化のために基準クロック周期Ｔが短くなると、従来のパルス分割法では再結晶化が起こりやすく、長マークの中央部で変調度が出なくなるという深刻な問題が発生する。
なお、結晶領域に非晶質マークをオーバーライト記録する相変化媒体においては、高線速時には一般に冷却速度は確保されやすく非晶質を形成しやすいが、一方で結晶化のための結晶化時間を確保することが難しいため、結晶化しやすい傾向にある。即ち、再結晶化しやすい組成の記録層を用いることが多い。従って、オフパルス区間をより広くとって冷却効果を大きくすることが重要になるにもかかわらず、高線速時には逆にオフパルス区間が短くなってしまう。
【００２５】
相変化媒体の高密度化のために、レーザー光源を短波長化したり開口数を大きくし、ビーム径を小さくしたときにも同じ問題が生ずる。例えば、波長７８０ｎｍ、開口数ＮＡ＝０．５０のレーザーを波長４００ｎｍ、開口数ＮＡ０．６５に変更した場合には、ビーム径は約１／２に絞られる。このときビーム内のエネルギー分布が急峻になるため加熱部分は冷却されやすくなり非晶質マークは形成されやすくなるが、逆に結晶化しにくく消去しにくくなるため、やはり冷却効果はより大きくする必要がある。
【００２６】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、高密度記録や高速記録に適した短いクロック周期でのマーク長記録においても、良好な記録が行えるような光記録方法とそれに適した光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明者らは、上記目的は、パルス分割方式における分割数ｍを従来よりも少なくすることによって達成されることを見出し、本発明を完成した。
本発明の要旨は、記録媒体に光を照射することによってマーク長変調された情報を複数の記録マーク長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的な長さをｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であって２５ｎｓ以下である。ｎは２以上の自然数である。）、
記録マークの時間的長さｎＴを、
【００２８】
η1Ｔ、α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・、
αiＴ、βiＴ、・・・、αmＴ、βmＴ、η2Ｔ
（ｍはパルス分割数である。Σi(αi＋βi)＋η1＋η2＝ｎである。αi（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βi（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βmは０以上の実数であり、η1 及びη2 はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、
αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては記録パワーＰｗiの記録光を照射し、
βiＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）の時間内においては、Ｐｂi＜ＰｗiかつＰｂi＜Ｐｗi+1 なるバイアスパワーＰｂiの記録光を照射し、
少なくとも一つの記録マークの時間的長さについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５を満たし、
ｎの異なる少なくとも２つの記録マークについて同一分割数ｍを用いる場合には、β1
，βm-1、βmのうちの少なくとも一つを変更して異なるマーク長を形成し、
そして、ｍが３以上の場合には、下記（ａ）〜（ｄ）のいずれかを満たすことを特徴と
する光記録方法に存する。
（ａ）２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらず（αi＋βi）を一定とする。
（ｂ）２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらず（αi＋βi-1）を一定とする。
（ｃ）２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらずαiを一定にする。
（ｄ）前記同一の分割数ｍで形成する少なくとも２つの記録マークの２≦ｉ≦ｍ−１における同一のｉにおいては、αiをそれぞれ等しくする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基準クロック周期が短い場合でも良好なマーク長変調記録が行え、光記録媒体の高密度化、高速記録化が可能となる。ひいては、記録可能な光ディスクの大容量化が可能となり、また光ディスクの記録速度及び転送レートを高めることができ、音楽・映像などの大量データ記録やコンピュータの外部記憶装置用としての用途を大きく広げることができる。例えば、ＣＤ線速の１２倍速以上でＥＦＭ変調マークのオーバーライトを行なう書き換え型ＣＤや、ＤＶＤ線速で４倍速以上でＥＦＭ＋変調マークのオーバーライトを行なう書き換え型ＤＶＤを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の光記録方法は、パルス分割方式による分割数ｍを少なくする、即ち記録光の各パルスを長くすることによって、光記録媒体の光照射部分の加熱時間をレーザーパルスの応答速度に対して十分長くとること、および光照射部分の冷却時間を十分長くとるものである。その結果、２５ｎｓ以下という短いクロック周期においても良好なマーク長記録が行なえる。
【００３１】
具体的には、記録マークの時間的な長さをｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり２５ｎｓ以下である。ｎは２以上の自然数である。）、
該記録マークの時間的長さｎＴを、
【００３２】
η1 Ｔ、α1 Ｔ、β1 Ｔ、α2 Ｔ、β2 Ｔ、・・・、
αi Ｔ、βi Ｔ、・・・、αm Ｔ、βm Ｔ、η2 Ｔ
（ｍはパルス分割数である。Σi （αi ＋βi ）＋η1 ＋η2 ＝ｎである。αi （１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βi （１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βm は０以上の実数である。η1 及びη2 は、それぞれ通常−２以上、好ましくは０以上、また通常２以下好ましくは１以下の実数である。）の順に分割し、αi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては記録パワーＰｗi の記録光を照射し、βi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては、Ｐｂi ＜Ｐｗi かつＰｂi ＜Ｐｗi+1 なるバイアスパワーＰｂi の記録光を照射し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５とする。
【００３３】
すなわち、従来のｎ−ｋ分割方式によればパルス分割数ｍをｎ−ｋ個（ｋは１または２）としたが、本発明ではｍを別の観点から規定する。
本発明においては、少なくとも一つの記録マークの時間的長さについては上記パルス分割数ｍを２以上とする。ただし、必ずしも全てのｎＴマーク（ｎＴなる時間的長さを有するマーク。ただしＴは基準クロック周期、ｎは２以上の自然数）についてパルス分割を行う必要はない。特に２Ｔ、３Ｔや４Ｔなどの短いマークにおいては熱の蓄積の問題が比較的小さく、パルスの応答速度が追いつかないとの問題のほうが影響が大きいため、記録パワーＰｗの記録光を１パルス照射するだけ、或いは記録パワーＰｗの記録光を１パルスとバイアスパワーＰｂの記録光を１パルス照射する方が好ましい。
【００３４】
本発明においては、全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５とする。
仮にη1 、η2 を共に０とすると、Σi （αi ＋βi ）／ｍ＝ｎ／ｍであるから、ｎ／ｍは（αi ＋βi ）の平均的な長さに対応する値であり、（ｎ／ｍ）Ｔは分割パルスの平均的な周期に対応する値となる。
【００３５】
従来のｎ−ｋ分割方式ではｍ＝ｎ−ｋであって、ｋは１または２に固定されているから、ｎ／ｍ＝ｎ／（ｎ−１）又はｎ／ｍ＝ｎ／（ｎ−２）である。この値は、ｎが大きいほど小さいから、最長のマーク時間長をｎmax Ｔとするとｎmax においてｎ／ｍは最小となる。即ち、分割パルスの平均的周期は最短マークで最も長く最長マークで最も短いから、αi Ｔ、βi Ｔは最長マークで最も短い。
【００３６】
例えば、ＥＦＭ変調方式ではｎ＝３〜１１、ｋ＝２であるから
（ｎmax ／ｍ）＝１１／（１１−２）＝１．２２、
同様にＥＦＭ＋変調方式ではｎ＝３〜１４、ｋ＝２であるから
（ｎmax ／ｍ）＝１４／（１４−２）＝１．１６、
（１、７）−ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調ではｎ＝２〜８、ｋ＝１なので
（ｎmax ／ｍ）＝８／（８−１）＝１．１４
程度となる。
【００３７】
上記から明らかなように、従来ではｎ／ｍは１．２２、１．１６、１．１４程度である。基準クロック周期Ｔがおよそ２５ナノ秒を切ると、概ね最長マークにおいて分割パルスの平均周期が２５ナノ秒を切り、記録パルス区間αi Ｔの平均値もしくはオフパルス区間βi Ｔの平均値が１２．５ナノ秒未満となる。これは少なくとも一つのｉに対して、αi Ｔもしくはβi Ｔのいずれかが１２．５ナノ秒未満になることを示す。さらに、クロック周期Ｔが約２０ナノ秒以下となると、αi Ｔもしくはβi Ｔのいずれかがさらに小さくなってしまう。
【００３８】
なお、上記の説明においてどれか特定のαi もしくはβi が平均値より長くなったとしても、それは他方別のαi もしくはβi がさらに短くなることを意味しているから、やはりαi Ｔもしくはβi Ｔのいずれかが小さくなることに変わりはない。
また正確には、ｎ−ｋ分割方式ではΣ（αi ＋βi ）は必らずしもｎと等しくなく、ｎ−η（η＝０〜２）となっていてもよいが、この場合はαi やβi の平均値はさらに短くなるので、むしろ問題は一層深刻となる。
【００３９】
本発明の光記録方法においては、短マークから長マークまで全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにｍを設定する。その結果、αi Ｔとβi Ｔの長さを十分なものとする。例えば、記録パルス区間αi Ｔ、オフパルス区間βi Ｔを概ね０．５Ｔより長めに取ることができ、記録層の加熱を十分に行う一方、後続パルスによる熱の供給を抑えて十分な冷却効果を得ることができる。
【００４０】
特にマークが長い場合には熱蓄積によるマーク形状が歪みやすいため、好ましくは時間的長さ７Ｔ以上のマークに対してはｎ／ｍは１．５以上とする。勿論、６Ｔ以下の短マークについてもｎ／ｍは１．５以上とするのが好ましい。より好ましくはｎ／ｍは１．８以上とする。
ただし、ｎ／ｍの値が大きすぎると熱蓄積が大きくなるため、ｎ／ｍは通常４以下とし、特に３以下とするのが好ましい。
【００４１】
本発明の光記録方法は基準クロック周期Ｔが短いほど効果が大きく、２５ｎｓ以下、好ましくは２０ｎｓ以下、さらに好ましくは１５ｎｓ以下とする。ただし、あまりに短いクロック周期は実用上得にくいので通常０．１ｎｓ以上、好ましくは１ｎｓ以上、さらに好ましくは３ｎｓ以上とする。クロック周期Ｔが小さいほど、ｎ／ｍの最小値を大きくするのが好ましい。
【００４２】
本発明における記録マークとは、通常、記録媒体中に連続的に形成された、他の部分と光学的に区別しうる物理的マークとして認識される。即ち、ｎ／ｍ≧１．２５を満足する、従来のｎ−ｋ分割方式の２Ｔ、３Ｔ及び４Ｔマークを再生系の処理によってつなぎ合わせて長いマークとみなすものではない。ただし、本発明においては、再生光の光学分解能以下の範囲において、記録マークが複数の物理的マークから形成されていてもよい。再生光の集束用の対物レンズの開口数をＮＡ、再生光波長をλとするとき、物理的マークが概ね０．２（λ／ＮＡ）よりも離れていると、これらの物理的マークは光学的に分離して区別できる。従って、記録マークを複数の物理的マークから形成する場合には、それらの間隔を０．２（λ／ＮＡ）よりも小さくするのが好ましい。
【００４３】
本発明において、αi、βi、η1、η2、Ｐw、Ｐb等の分割パルスに関するパラメータは、マーク長やｉに応じて適宜変化させることができる。
また、本発明においては、記録パルス区間αi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）の平均値およびオフパルス区間βi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）の平均値をともに３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上、さらに１０ナノ秒以上とするのが照射する光の追従性を確保する意味で好ましい。より好ましくは、個々のαi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）およびβi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）を３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上、さらに１０ナノ秒以上とする。なお、記録の際に通常使用するレーザー光のパワーの立ち上がり時間や立ち下がり時間は、最小のαi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）及びβi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）の５０％以下とするのが好ましい。
【００４４】
本発明においては、βm を０として最後のオフパルス区間であるβm Ｔに光を照射しなくてもよいが、マーク後端部の熱蓄積の問題が大きい場合はβm Ｔを設けるのが好ましい。その場合はβm Ｔも通常３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上とし、より好ましくは１０ナノ秒以上とする。
記録パルス区間αi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）が３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上あれば、記録光の立ち上がり／立ち下がりの問題はあるものの、記録パワーＰｗi を上げることで記録に必要な照射エネルギーを確保できる。
【００４５】
一方オフパルス区間βi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）も３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上あれば、バイアスパワーＰｂを再生光パワーＰｒと同程度、あるいはトラッキングサーボなど他に支障の無い限り０まで下げることで冷却効果が確保できる。
さらに大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてΣi （αi ）は０．６ｎよりも小さくする、特に０．５ｎよりも小さくするのが好ましい。より好ましくはΣi （αi ）は０．４ｎ以下とする。すなわち、記録パルス区間の総和Σi （αi Ｔ）をΣi （βi Ｔ）より短くして、各マーク内でオフパルス区間が長くなるようにする。特に好ましくは、ｉ＝２〜ｍ−１の全てのｉに対してαi Ｔ≦βi Ｔとし、少なくとも２番目以降の記録パルス列においてβi Ｔのほうを長くする。
【００４６】
本発明の記録方法において、αi（１≦ｉ≦ｍ）及びβi（１≦ｉ≦ｍ−１）の値は、記録パルス区間αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）やオフパルス区間βiＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）等の値によって適宜設定されるが、それぞれ通常０．０１以上、好ましくは０．０５以上であり、通常５以下、好ましくは３以下である。特に、βi（１≦ｉ≦ｍ−１）については、あまりに小さいと冷却効果が不十分になることがあるので好ましくは０．５以上、特に１以上であり、一方あまりに大きいと冷却されすぎて記録マークが光学的に分離されてしまうことがあるので、好ましくは２．５、特に２以下とする。この効果は、マーク先端の形状に大きな影響を与える最初のオフパルス区間β1Ｔにおいて特に大きい。
【００４７】
また、同様に、マーク後端の形状に大きな影響を与える最後のオフパルス区間βmＴに
ついても、上記同様のことが言えるので、βmは、通常０．１以上、好ましくは０．５以
上、特に１以上であり、好ましくは２．５、特に２以下である。先頭パルス区間α1 Ｔと最後尾パルス区間αm Ｔとの間の中間パルス区間（群）αi Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）の切り替え周期は、これを一定値とするのが、回路を簡便化する上で好ましい。具体的には、（αi ＋βi ）Ｔ（ただし２≦ｉ≦ｍ−１）または（αi ＋βi-1 ）Ｔ（ただし２≦ｉ≦ｍ−１）は、１．５Ｔ、２Ｔ又は２．５Ｔとするのが好ましい。
本発明においては、オフパルス区間βiＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）に照射する記録光のパワ
ーＰｂiは、記録パルス区間αiＴ及びαi+1Ｔに照射する記録光のパワーＰｗi及びＰｗi+1よりも小さくする。大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてＰｂi ＜Ｐｗi とするのが好ましい。より好ましくはＰｂi ／Ｐｗi ≦０．５であり、さらに好ましくはＰｂi ／Ｐｗi ≦０．２である。また、バイアスパワーＰｂは再生時に照射する光のパワーＰｒと等しくすることができる。その結果、パルス分割に必要な分割パルス回路の設定が簡便になる。
【００４８】
特定の一つの記録マークの時間的長さに対して、ｉに応じてＰｂi 及び／又はＰｗi として異なる２以上の値を用いてもよい。特に、先頭の記録パルス区間α1 Ｔ及び最後尾の記録パルス区間αm Ｔにおける記録パワーＰｗ1 及びＰｗm を、中間の記録パルス区間αi Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）における記録パワーＰｗi と異なる値とすることで、マークの始端部・終端部のマーク形状を正確に制御することができる。ただし、中間の記録パルス区間αi Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）における記録パワーＰｗi は、できるだけ全て同じパワー値にするのが、分割パルス回路の設定が簡便となり好ましい。オフパルス区間βi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）におけるバイアスパワーＰｂi についても同様に、特に理由がない限りできるだけ全て同じパワー値にするのが好ましい。また異なるｎを有する少なくとも２つの記録マークの間で、同じｉに対して異なるＰｗi 及び／又はＰｂi の値としてもよい。
【００４９】
本発明においては、記録マークを形成しないマーク間にどのようなパワーの光を照射するか限定されないが、好ましくはＰｂi ≦Ｐｅ＜Ｐｗi なるパワーＰｅの光を照射する。書換え型記録媒体であれば、パワーＰｅは記録済みマークを消去するための消去パワーとする。この場合、（ｎ−（η1 ＋η2 ））Ｔ区間には、バイアスパワーＰｂi 以上、消去パワーＰｅ以下の光を照射するのが好ましい。バイアスパワーＰｂi と同じか、消去パワーＰｅと同じとすれば、分割パルス回路の設定が簡便となる。
なお、η1Ｔなる区間においてバイアスパワーＰｂの光を照射する場合、先頭の記録パ
ルス区間α1Ｔに先行してバイアスパワーＰｂの光を照射することとなるので、先行する
記録マークからの余熱の影響を小さくすることができる。
【００５０】
記録パワーＰw及びバイアスパワーＰb、または消去パワーＰeについては、使用される
光記録媒体のタイプによって、それぞれの物理的機能は異なってくる。
例えば、光磁気媒体の場合、ＰｗあるいはＰｅは記録層の温度を少なくともキュリー温度近傍より高くし、磁化の反転を起こしやすくするための昇温に必要なパワーである。いわゆる光変調オーバーライト可能な光磁気媒体では、ＰｗはＰｅよりも大きく、キュリー点の異なる複数の磁性層のいずれかのキュリー点温度より、磁性層の温度を高めるためのパワーである。
【００５１】
相変化媒体の場合、結晶化による記録を行う場合には、Ｐｗは記録層を結晶化温度より高い温度に昇温するためのパワーである。あるいは、非晶質化よる記録を行う場合には、少なくとも記録層をその融点より高い温度まで昇温するためのパワーである。非晶質化記録、結晶化消去によってオーバーライトを行う場合には、Ｐｅは記録層を少なくとも結晶化温度以上に昇温せしめるパワーである。
【００５２】
金属や有機物記録層の穴あけや、変形により記録を行うライトワンス媒体では、Ｐｗは記録層を軟化させたり、溶融させたり、蒸発させたり、分解したり、化学反応を誘起する温度まで昇温するに必要なパワーである。
使用する記録媒体の種類によって、記録パワーＰw及びバイアスパワーＰbの値は異なるが、例えば書き換え型の相変化媒体の場合、通常記録パワーＰwは１〜１００ｍＷ程度、
バイアスパワーＰbは０．０１〜１０ｍＷ程度である。
【００５３】
いずれの媒体を使用した場合でも、記録パワーＰｗは記録層になんらかの光学的変化を誘起するに必要な温度まで記録層を昇温し、場合によってはその温度を保持するに必要なレーザー光パワーである。一方、バイアスパワーＰｂは少なくとも記録パワーＰｗより低いパワーである。通常は、記録パワーＰｗ及び消去パワーＰｅよりも低く、記録層になんら物理的変化を誘発しないような低いパワーである。
【００５４】
以上説明したような熱蓄積の問題は、相変化型、光磁気型、ライトワンス型光記録媒体など広くマーク長変調記録を行う光ディスクに共通である。
しかし中でも、オーバーライト可能な相変化媒体は記録層の昇温と冷却速度という２つの温度パラメータを正確に制御することでマーク記録とマーク消去を同時に行うため、オフパルスによる記録層の冷却機能は他のライトワンス媒体や光磁気媒体よりもいっそう重要な意味を持つ。従って、本発明は相変化型の記録媒体に対して特に有効である。
【００５５】
本発明のパルス分割による記録方法においては、パルス記録マークの時間的長さｎＴのｎの異なる少なくとも２つの記録マークについて、同一のパルス分割数ｍを用いてよい。通常は、３Ｔマークと４Ｔマークなど隣合う時間的長さをもつｎＴマークに対してｍを同一にする。ｍを同一にしたうえで、αi （１≦ｉ≦ｍ）、βi （１≦ｉ≦ｍ）、η1 、η2 、Ｐｗi （１≦ｉ≦ｍ）及びＰｂi （１≦ｉ≦ｍ）の少なくとも１つを相互に異ならせることによって同じ分割数であっても異なるマーク時間長のマークを形成し分けることができる。
【００５６】
分割数ｍはｎの値の大小とは無関係に並んでいても良いが、好ましくは長いマークほど、つまりｎが大きいほどｍを単調に大きく（等しい場合も含む）する。
以下に、本発明のパルス分割方式の具体例を示す。
（分割方式例１）
例えば、３Ｔから１１Ｔまでのマークを設けるＥＦＭ変調方式で、ｎ＝３においてはｍ＝１とし、ｎ≧４（４、５、６、７、８、９、１０、１１）においてｍを増やす。即ち、
ｎ＝３、４、５、６、７、８、９、１０、１１に対して順に
ｍ＝１、２、２、３、４、５、６、７、８のように分割する。
【００５７】
このときｎ＝１１においてｎ／ｍは最小で１．３８であり、ｎ＝３においてｎ／ｍは最大で３である。
（分割方式例２）
同じくＥＦＭ変調方式で、
ｎ＝３、４、５、６、７、８、９、１０、１１に対して、順に
ｍ＝１、２、２、３、４、５、６、６、６のように分割する。
【００５８】
このときｎ＝９においてｎ／ｍは最小で１．５、ｎ＝３においてｎ／ｍは最大で３である。
（分割方式例３）
同じくＥＦＭ変調方式で、
ｎ＝３、４、５、６、７、８、９、１０、１１に対して、順に
ｍ＝１、２、２、３、３、４、５、５、５のように分割する。
【００５９】
このときｎ＝９においてｎ／ｍは最小で１．８、ｎ＝３においてｎ／ｍは最大で３である。
ｎの異なる少なくとも２つの記録マークについて、同一のパルス分割数ｍを用いる場合には、例えば、パルス周期τi ＝αi ＋βi やデューティー比（αi ／（αi ＋βi ））を変更すればよいが、この具体例を以下に示す。。
（分割方式例４）
最も単純な分割方式は、ｍ≧２の場合にパルス周期τi をτi ＝ｎＴ／ｍとなるよう等分割することである。
【００６０】
しかしながら、単純にｎＴを等分割すれば、τi は基準クロック周期Ｔのタイミングや長さとは全く無関係の中途半端な値となることがある。
（分割方式例５）
パルス周期τi は、基準クロック周期Ｔもしくはその整数分の１（１／２Ｔ、１／４Ｔ、１／５Ｔ、１／１０Ｔ等が好ましい）に同期しているほうが、一つのベースクロックを基準にしてパルスの立ち上がり／立ち下がりを制御できて好ましい。一方で、この際、Σi （τi ）＝Σi （αi ＋βi ）は必ずしもｎと一致せず余剰の時間が発生するためパルス長を補正するが、パルス照射時間の合計はｎより小さくするのが好ましい。ｎより大きくするとマーク長さが長くなりすぎるためである。
【００６１】
そこで、Σi （αi ＋βi ）＋（η1 ＋η2 ）＝ｎ（η1 、η2 はそれぞれ０≦η1 、０≦η2 なる実数）となるような区間η1 Ｔ、η2 Ｔを設け、これらを同じ分割数ｍの２つの異なる長さの記録マークそれぞれで変化させる。η1 Ｔ、η2 Ｔの区間には例えばバイアスパワーＰｂの光を照射すればよい。このとき、０≦（η1 ＋η2 ）≦１とするのが好ましい。
【００６２】
上記η1 、η2 は、該マークに先行及び／又は後続する他のマークからの余熱効果を補正するためにも利用できる。この場合は、先行及び／又は後続するマークのマーク長及び／又はマーク間スペース長に応じて、η1 Ｔ、η2 Ｔの時間的長さを可変とする。
分割したパルスの先頭のη1 Ｔ及び最後尾のη2 Ｔはいずれか一方のみ配置し他方を０としてもよいし、０≦（η1 ＋η2 ）≦１となる範囲で、両方配置しても良い。また、区間η1 Ｔ、η2 Ｔには、バイアスパワーＰｂとは異なるパワーの光を照射して、マーク長を整えたり先行及び／又は後続するマークからの余熱効果をより厳密に制御することも可能である。
（分割方式例６）
上記分割パルス周期τi やデューティー比（αi ／（αi ＋βi ））を、ｉにより可変とする。この方法によって、マーク長記録で重要となるマークの前後端でのジッタ（ゆらぎ）を改善することもできる。
【００６３】
具体的には、先頭の記録パルス周期τ1 及び／又は最後尾の記録パルス周期τm とをそれぞれ中間部分の記録パルス周期τi （２≦ｉ≦ｍ−１）とは異なるものとする。
この際、先行及び／又は後続するマーク長もしくはスペース長に応じて、先頭及び／又は最後尾のτ1 、α1 、β1 、τm 、αm 、βm を若干調整することも可能である。
【００６４】
なお、先頭の記録パルス区間α1 Ｔは後続の記録パルス区間α2 Ｔ、・・・、αm Ｔのいずれの値よりも大きくするのが好ましい。また、記録パルス区間α1 Ｔにおける記録パワーＰｗ1 を後続の記録パルス区間α2 Ｔ、・・・、αm Ｔにおける記録パワーＰｗi より高くするのが好ましい。これらの方法は、後述する再生信号のアシンメトリー値を良好にするために有効である。
【００６５】
時間的長さ３Ｔや４Ｔのような短いマークでは熱の蓄積効果が小さいため比較的マークが短めに形成されやすい。このような場合、記録パルス区間α1 Ｔをある程度長くするか記録パルス区間α1 Ｔにおける記録パワーＰｗ1 の値を大きめにしてマーク時間長を厳密に制御することもできる。
上記のような、先頭パルス又は最後尾パルスを変化させる方法は、相変化媒体の結晶領域に非晶質マークをオーバーライト記録する場合に特に有効である。
【００６６】
先頭記録パルス区間α1 Ｔを変化させることで、相変化媒体の記録層が最初に溶融する領域の幅を制御することができる。
最後尾オフパルス区間βm Ｔは相変化媒体の記録層の再結晶化の抑制に重要であり、かつ、どの領域までを非晶質状態とするかを決める重要なパルスである。
非晶質マークが形成される場合には、マークの最も終端部においては、一旦溶融した領域が再結晶化し、溶融領域よりも実際に形成される非晶質マークは小さくなる。ここでオフパルス区間を長くする、すなわち冷却時間を長く取ることで、再結晶化を防ぎ、非晶質部分を長くすることが可能である。従って、最後尾オフパルス区間βm Ｔの長さを変えることでマーク終端部が結晶化時間に保たれる時間を変化させ、マーク長をかなり大きく変化させることが出来る。
【００６７】
なお、上記とは逆に、τ1 、α1 、β1 、τm 、αm 、βm を変化させず、間のτi 、αi 、βi （２≦ｉ≦ｍ−１）を変えることで、マークエッジに影響させずに変調度の出方を制御することもできる。
以上のような分割方式を実現する分割記録パルス発生方法について以下に述べる。
【００６８】
基本的には、各マーク時間長ｎＴに対する分割方法をプログラマブルとし、ＲＯＭチップに組み込んで記録してしまえば上記パルス分割は実現できる。しかし、あまりに多様な柔軟性を同一のパルス発生回路に付加するのは回路が複雑になるため、例えば、以下の２つのパルス発生方法を用いるのが好ましい。その結果、ほとんどすべての媒体に適応できるパルスを簡便に提供できる。
（分割記録パルス発生方法１）
図１（ａ）のようなＥＦＭ変調されたマーク長変調データ１００に対して、図１（ｂ）で示す分割方式１０１を適用する。即ち、ｎ＝３、４、５、６、７、８、９、１０、１１に対してｍ＝１、１、２、３、３、４、５、５、５のように分割する。このとき、図１（ｃ）に示すタイミングでクロックを発生する回路Ｇａｔｅ１、Ｇａｔｅ２、Ｇａｔｅ３、Ｇａｔｅ４を組み合せることで図１（ｂ）の分割方式を実現することができる。
【００６９】
図１（ｃ）において、符号１０２で示すＧａｔｅ１は先頭記録パルスα1 Ｔを遅延時間Ｔd1後に発生させる。符号１０３で示すＧａｔｅ２は２番目以降の中間記録パルス群αi Ｔを遅延時間Ｔd2後に発生させる。符号１０４で示すＧａｔｅ３は、バイアスパワーＰｂをもつパルスとパワーＰｅをもつパルスの発生を司る。即ち、Ｇａｔｅ１、Ｇａｔｅ２及びＧａｔｅ４で記録パルス群が発生していない場合、低いレベルのときにはバイアスパワーＰｂをもつオフパルス群βi Ｔを発生させ、高いレベルのときにはパワーＰｅをもつパルスを発生させる。Ｇａｔｅ３及びＴd1により（ｎ−（η1 ＋η2 ））Ｔが定まる。符号１０５で示すＧａｔｅ４は中間記録パルス群αi Ｔが発生し終わった後、遅延時間Ｔd3後に最終記録パルスαm Ｔを発生させる。Ｇｅｔｅ３が低いレベルにある区間内では、記録パルス群が高いレベルにあればオフパルスに優先する。
【００７０】
また、遅延時間Ｔd2及びα1 Ｔにより、β1 Ｔは独立に制御でき、Ｇａｔｅ３とαm Ｔにより、βm Ｔは独立に制御できる。
Ｇａｔｅ１で発生するα1 Ｔ区間では、記録パワーＰｗ1 を発生し、Ｇａｔｅ２内での中間パルス群αi Ｔでは記録パワーＰｗ2 を発生し、Ｇａｔｅ４で発生するαm Ｔ区間では、記録パワーＰｗ3 を発生させれば、先頭パルス区間と中間パルス区間群及び最後尾パルス区間とで、記録パワーを独立に制御できる。
【００７１】
先頭と最後尾の記録パルス幅及び記録パワーを独立して制御するために、中間パルス群の周期は、Ｔd2を起点としてγi ＝αi ＋βi-1 （２≦ｉ≦ｍ−１）で規定し、概ねγi ＝１〜３で一定としており、この場合βi は自動的に決まる。図１ではγi ＝１．５とした。ただし、β1 にはＴd2−（Ｔd1＋α1 Ｔ）の補正をするようＴd2を定義しており、β1 は独立したパラメータとして扱える。
【００７２】
いずれの場合においても、Ｇａｔｅのタイミングは基準クロック周期Ｔもしくはその整数分の１のベースクロックに同期しているものとし、αi やβi は該ベースクロックに対するデューティー比で規定されるものとする。
ここで、ｎが所定の値ｎc より小さければ、ｍ＝１とし、Ｇａｔｅ２における中間パルス群は発生せず、ｎがｎc 以上であれば前述の（分割方式例３）に従って所定個数を発生する。図１ではｎc を５とし、ｎが４以下ではｍ＝１とし５以上で中間パルスを発生している。ここで、中間パルス群発生個数はｎに応じて、ＲＯＭメモリに記録された分割数を発生するものとする。
【００７３】
Ｇａｔｅ４で発生される最後尾パルスαm Ｔはｎ≧ｎc ＋１の時のみ発生する。図１の９Ｔマークに示すとおりである。
ｎ＝ｎc の場合には、先頭パルス及び中間パルス一個の２個で分割する。図１では、５Ｔマークで代表している。
ここで、複数の異なる時間的長さのマークを同じ分割数にパルス分割する場合、例えば、図１で３Ｔマークと４Ｔマークをともに１組の記録パルス及びオフパルスで記録する場合には、少なくともα1 、β1 、η1 、η2 を、さらに必要ならば、Ｐｗ1 、Ｐｗ3 を３Ｔマークと４Ｔマークとで相異なる値とする必要がある。
（分割記録パルス発生方法２）
以下の方法は、基準クロック周期Ｔを分周して得られる、周期２Ｔのクロック信号をベースとする分割記録パルス発生方法であり、分割記録パルス発生方法１より制限が多いが、より規則正しいルールに基づいて論理回路の設計が可能となる利点がある。
【００７４】
パルス発生方法２は、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかにわけて考える点に特徴がある。
即ち、ｎが偶数、つまりマーク長がｎＴ＝２ＬＴ（ただし、Ｌは２以上の整数）のマークの記録に際しては、分割数ｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パルス区間αiＴ及びオフパ
ルス区間βiＴにおけるαi及びβiを下記のように定める。
【００７５】
α1＋β1＝２＋δ1
αi＋βi＝２  （２≦ｉ≦ｍ−１）
αm＋βm＝２＋δ2
（ただし、δ1及びδ2は、それぞれ順に、−０．５≦δ1≦０．５、及び−１≦δ2≦１を満足する実数である。また、Ｌ＝２の場合には、α1、β1、αm及びβmのみが存在するものとする。）
一方、ｎが奇数、つまりマーク長がｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔのマークの記録に際しては、分割数ｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パルス区間αi'Ｔ及びオフパルス区間βi'Ｔにおけるαi'及びβi'を下記のように定める。
【００７６】
α1'＋β1'＝２．５＋δ1'
αi'＋βi'＝２  （２≦ｉ≦ｍ−１）
αm'＋βm'＝２．５＋δ2'
（ただし、δ1'及びδ2'は、それぞれ順に、−０．５≦δ1'≦０．５、及び−１≦δ2'≦１を満足する実数である。また、Ｌ＝２の場合には、α1'、β1'、αm'及びβm'のみが存在するものとする。）
そして、バルス発生方法２においては、さらに下記式を満足させる。
【００７７】
α1＋β1＋αm＋βm＋Δ＝α1'＋β1'＋αm'＋βm'
（ここで、Δ＝０．８〜１．２である）
なお、上記パルス発生方法２では、αi、βi、αi'、βi'、δ1、δ2、δ1'及びδ2'は、いずれもＬの値に応じて変化していてもよい。
パルス発生方法２においては、ｎ＝２Ｌ及びｎ＝（２Ｌ＋１）の記録マークの形成に際しては、同じ分割数Ｌ個の記録パルスに分割して記録を行う。つまり、ｎが順に２，３，４，５，６，７，８，９、・・・・の場合、それぞれ、分割数ｍを順に１，１，２，２、３，３，４，４，・・・とする。具体的には、ＥＦＭ変調信号では、ｎ＝３、４，５，６，７，８，９，１０，１１に対して、分割数ｍを順にｍ＝１，２，２，３，３，４，４，５，５とする。また、ＥＦＭ＋信号では、ｎ＝１４が加わるが、その場合には分割数ｍは７とする。（１，７）ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調では、ｎ＝２の場合があるが、この場合分割数ｍは１とする。
【００７８】
パルス発生方法２においては、同じ分割数ｍ＝Ｌの２つの長さの異なる記録マークの間では、先頭のパルス周期（α1＋β1）Ｔと最後端の周期（αm＋βm）Ｔとのみが異なっている。すなわち、（α1＋β1＋αm＋βm）に対して（α1'＋β1'＋αm'＋βm'）を、Δ（ここで、Δ＝０．８〜１．２である）だけ大きくする。Δは通常１であるが、前後の記録マークとの熱干渉の影響を考慮して０．８〜１．２程度の範囲で変化させることができる。
【００７９】
δ1及びδ2並びにδ1'及びδ2'は、それぞれ、各マーク長が正確にｎＴになるため、及び、マーク端のジッタを低減するために調整され、通常−０．５≦δ1≦０．５、−０．
５≦δ1'≦０．５、−１≦δ2≦１及び−１≦δ2'≦１である。好ましくは前端と後端と
でその補正量をほぼ同程度とする、つまり、｜δ2／δ1｜、及び｜δ2'／δ1'｜がそれぞれ０．８〜１．２であることが好ましい。
【００８０】
また、同じ分割数の２つの記録マークのマーク長の差１Ｔは、前端側で約０．５Ｔ、後端側で約０．５Ｔ分それぞれ差をつけることによって形成するのが好ましい。即ち、
【００８１】
α1＋β1＋Δ1＝α1'＋β1'
（ただし、Δ1＝０．４〜０．６）
とするのが好ましい。この場合、後端側は通常、
【００８２】
αm＋βm＋Δ2＝αm'＋βm'
（ただし、Δ2＝０．４〜０．６であって、Δ1＋Δ2＝Δ）
となる。
【００８３】
この中でも、特に、δ1＝約０及びδ1'＝約０とすると、マーク前端に同期して各分割
パルスを発生させるような回路が使用できるので特に好ましい。マーク前端の位置はほぼα1Ｔにおける記録パワーレーザー光の立ち上がりで決まり、そのジッタは、α1とβ1の
デューティー比やα1'とβ1'のデューティー比で決まるので、この方法においてδ1＝０
、δ1'＝０．５としてもマーク前端位置及びそのジッタは良好に制御することができる。
【００８４】
マーク後端位置は、δ2（及びδ2'）即ち、マーク最後端の分割パルス周期（αm＋βm
）Ｔ（及び（αm'＋βm'）Ｔ）の値にも、αmとβmのデューティー比（及びαm'とβm'のデューティー比）の値にも依存する。また、マーク後端位置は、最後端の記録パルスαm
Ｔ（及びαm'Ｔ）の立下り位置や、その前後での記録層温度の冷却過程にも依存する。特に、非晶質マークを形成する相変化媒体においては、記録層の冷却速度に大きな影響を与える最後端のオフパルス区間βmＴ（及びβm'Ｔ）の値に依存する。従って、最後端の分
割パルスの周期（αm＋βm）Ｔは、必ずしも、０．５Ｔや１Ｔになる必要はなく、０．１Ｔ好ましくは０．０５Ｔより好ましくは０．０２５Ｔ程度の分解能で微調整をすることができる。
【００８５】
パルス発生方法２においては、αiとβiとのデューティー比αi／（αi＋βi）は、そ
れぞれのマーク長でそれぞれ最適化することができるが、パルス発生回路の簡便化のために、先頭のパルス及び最後尾のパルスの間にある中間のパルスにおいては、これらを一定値とするのが好ましい。即ち、中間のパルスが存在しうるＬ≧３の場合、同じ分割数ｍ＝Ｌの２種類の記録マークにおける２以上（ｍ−１）以下の全てのｉに対して、αi＝αc（一定値）及びαi'＝αc'（一定値）とするのが好ましい。さらに、Ｌが３以上の場合に、αc及びαc'をともにＬによらない一定値、特にαc＝αc'としてＬによらない一定値とすると、回路がさらに簡略化できて好ましい。
【００８６】
パルス発生方法２におけるパルス発生回路の簡便化のために、ｎが偶数の記録マークにおいて、α1及びβ1が、３以上のすべてのＬに対してそれぞれ一定の値をとるのが好ましい。特に、２以上のすべてのＬに対して、α1＋β1を２とすると、１から（ｍ−１）のすべてのｉに対して、周期（αi＋βi）Ｔが２Ｔとなるので、特に好ましい。
【００８７】
同様に、パルス発生方法２におけるパルス発生回路の簡便化のために、ｎが奇数の記録マークにおいて、α1'及びβ1'が、３以上のすべてのＬに対してそれぞれ一定の値をとるのが好ましい。特に、２以上のすべてのＬに対して、α1＋β1を２．５とすると、その後に続く分割パルス周期２Ｔと同期をとることが容易になるので特に好ましい。
【００８８】
さらに、パルス発生方法２におけるパルス発生回路の簡便化のために、αm、βm、αm'、及びβm'は、それぞれ３以上のＬ、特に２以上のすべてのＬに対して同一の値をとることが好ましい。ここで、Δ2＝（αm'＋βm'）−（αm＋βm）＝０．５とすれば、さらに回路を簡便化することができる。
なお、ｎが２又は３の場合には分割数ｍは１となるが、この場合には、α1とβ1のデューティー比とδ1（もしくは、α1'とβ1'のデューティー比とδ1'）を調節して、所望のマーク長とジッタを達成することができる。この場合、δ1'−δ1＝１であることが好ましい。
【００８９】
前述のように、パルス発生方法２においては、特にδ1＝δ1'＝０とするのが好ましい
。この場合、周期Ｔを有する第１基準クロック１と第１の基準クロックに対して０．５Ｔだけずれた同じ周期Ｔを有する第２基準クロック２とを用いて、第１基準クロック１を分周して得られる周期２Ｔの分周第１基準クロック３に同期させてαi（１≦ｉ≦ｍ）を発
生させ、第２基準クロック２を分周して得られる周期２Ｔの分周第２基準クロック４に同期させてαi'（２≦ｉ≦ｍ）を発生させるとともに、α1'をα2'の立ち上がりに２．５Ｔ先行して立ち上がるようにパルス発生回路を制御するのが好ましい。この複数の基準クロックを用いる方法によって、パルス発生回路を簡便化することができる。
【００９０】
なお、α1及びα1'の立ち上がりを、記録すべきマーク長に従って変調された方形波の
立ち上がりまたは立下りに対して、遅延あるいは先行させる必要がある場合があるが、この場合、マーク間の長さを一定にするために同一の遅延時間Ｔd1を付加することが好ましい。ここで、Ｔd1は、−２以上２以下の実数であり、負の値の場合は先進時間となる。
図１２は、上記の複数の基準クロックを用いる方法によって本発明の記録方法におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。図１２においては、α1Ｔ及びα1'ＴのｎＴマークの前端に対する遅延時間Ｔd1が０であり、記
録パルス区間αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）における記録パワーはＰwで一定であり、オフパルス区間βiＴ（１≦ｉ≦ｍ）におけるバイアスパワーはＰbで一定であり、マークの間及びαi
Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）及びβiＴ（１≦ｉ≦ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パ
ワーＰeで一定である。ここで、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗである。
【００９１】
図１２において、２００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図１２（ａ）は、長さｎＴの記録マークに対応したパルス波形であり、符号２０１が長さ２ＬＴの記録マークの長さ、符号２０２が（２Ｌ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図１２（ａ）においては、Ｌ＝５の場合が示してある。
図１２（ｂ）は、ｎ＝２Ｌ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図１２（ｃ）は、ｎ＝２Ｌ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
【００９２】
図１２（ｂ）において、周期２Ｔの分周第１基準クロック２０５は、周期Ｔを有する基準クロック２００に対して位相の遅れが０である第１基準クロック２０３を分周して得られる。α1＋β1＝２であるため、各記録パルス区間αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の立ち上がりは
、周期２Ｔの分周第１基準クロック２０５に同期している。この分周第１基準クロック２０５に同期して、αiとβiのデューティー比を調節して、記録パルス波形２０７を得る。
【００９３】
一方、図１２（ｃ）においては、周期２Ｔの分周第２基準クロック２０６は、基準クロック２００に対して０．５Ｔの位相のずれを有する周期Ｔの第２基準クロック２０４を分周して得られる。各記録パルス区間αiＴ（２≦ｉ≦ｍ）の立ち上がりは、周期２Ｔの分周第２基準クロック２０６に同期している。α1＋β1＝２．５であるため、α1Ｔのみが０．５Ｔ先行して立ち上がる。この分周第２基準クロック２０６に同期して、αiとβiのデューティー比を調節して、記録パルス波形２０８を得る。
【００９４】
ここで、図１２においては、マーク長２LＴと（２L＋１）Ｔとを、そのマーク後端がＴ２及びＴ４において一致するように描いているので、周期２Ｔの基準クロック２０５及び２０６の関係は（ｂ）及び（ｃ）の2通りしかないが、実際に２Ｔ周期の基準クロックを
用いた場合、各マーク長の前端位置は、その位相に関して１Ｔ分のずれが生じうる。また、ｎが偶数か奇数であるかに応じて、図１３（ａ）、（ｂ），（ｃ）、（ｄ）に示すように４通りの関係がありうる。そこで、これに対応するゲート発生方法として、以下のような方法を採用するのが好ましい。
【００９５】
図１３は、上記ゲート発生方法を説明するためのタイミングチャートである。図１３のゲート発生方法は、（１）記録トラック上に所定の位置に形成されたクロックマークに対応した基準時間Ｔsyncを発生させ、（２）基準時間Ｔsyncを起点として遅延時間Ｔd1をもって発生された周期２Ｔの基準クロック１ａと、該基準クロック１ａに対して０．５Ｔの先行した周期２Ｔの基準クロック２ａと、該基準クロック１ａに対して１Ｔ先行した周期２Ｔの基準クロック１ｂと、該基準クロック１ａに対して１．５Ｔ先行した周期２Ｔの基準クロック２ｂとの４種の基準クロックを発生させるとともに、（３）ｎＴ＝２ＬＴなるマークの記録に際しては、基準クロック１ａ及び１ｂのいずれかに同期させて、α1Ｔ、
αiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）、αmＴの発生区間に対応したタイミングのゲートの一群Ｇ１ａ、Ｇ１ｂを発生させ、（４）ｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔなるマークの記録に際しては、基準クロック２ａ及び２ｂのいずれかに同期させてα1'Ｔ、αi'Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）、αm'Ｔに対応したタイミングのゲートの一群Ｇ２ａ、Ｇ２ｂを発生させる方法である。
【００９６】
図１３において、符号３００は、周期Ｔの基準クロック（データの基準クロック）である。通常記録システムは、記録媒体の特定のアドレスにデータを記録するために、アドレスの最小単位ごとに媒体上に配置されたクロックマークで発生された同期信号Ｔsync（例えば、媒体上に凹凸ピット列として形成され、セクタごとに配置されたＶＦＯ等の同期信号や、媒体上に溝蛇行として形成されたＡＴＩＰフレーム（１／７５秒）ごとに配置された同期パターン）と、あらかじめ生成した周期Ｔの基準クロックとを位相比較して同期を達成する。
【００９７】
図１３に、マークの前端が、Ｔsyncを基準としてＴの偶数周期分経過した場合の例として、ｎが偶数の偶数マーク長３０１（図１３（ａ））と、ｎが奇数の奇数マーク長３０４（図１３（ｄ））とを示す。一方、Ｔsyncを基準としてＴの奇数周期分経過した場合の例として、ｎが偶数の偶数マーク長３０２（図１３（ｂ）と、ｎが奇数の奇数マーク長３０３（図１３（ｃ））とを示す
図１３の（ａ）〜（ｄ）のそれぞれの場合で、図１２の説明と同様の、位相が０．５ずつずれた基準クロックを発生させると、それぞれ、符号３０５、符号３０６、符号３０７及び符号３０８で示される４つのクロック系列が生まれる。即ち、基準クロック３０５を基準として、それから０．５Ｔずれたクロック３０７、１Ｔずれたクロック３０６、１．５Ｔずれたクロック３０８がベースとなる。これらのクロックは、すべてＴsyncを起点とする周期Ｔの基準クロックを分周した後、０．５Ｔずつ位相をずらして形成される。
【００９８】
そして、図１３（ａ）の場合には、周期Ｐ１ａ、Ｐ２ａ、Ｐ３ａ、Ｐ４ａ、及びＰ５ａのそれぞれに同期して、記録パルス区間α1Ｔ，α2Ｔ，α3Ｔ，α4Ｔ，α5Ｔに対応する
ゲート群Ｇ１ａを生成する。
図１３（ｂ）の場合には、周期Ｐ１ｂ、Ｐ２ｂ、Ｐ３ｂ、Ｐ４ｂ、及びＰ５ｂのそれぞれに同期して、記録パルスα1Ｔ，α2Ｔ，α3Ｔ，α4Ｔ，α5Ｔに対応するゲート群Ｇ１
ｂを生成する。
【００９９】
図１３（ｃ）の場合には、周期Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ、及びＲ５ａのそれぞれに同期して、記録パルスα1'Ｔ，α2'Ｔ，α3'Ｔ，α4'Ｔ，α5'Ｔに対応するゲート群Ｇ２ａを生成する。
さらに、図１３（ｄ）の場合には、周期Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ、及びＲ５ｂのそれぞれに同期して、記録パルスα1'Ｔ，α2'Ｔ，α3'Ｔ，α4'Ｔ，α5'Ｔに対応するゲート群Ｇ２ｂを生成する。
【０１００】
ここで、これらの記録パルス発生用のゲート群Ｇ１ａ、Ｇ１ｂ、Ｇ２ａ、及びＧ２ｂは、図１において、Ｇａｔｅ１、２及び４を合成したものと同等である。即ち、ゲート群Ｇ１ａ及びＧ１ｂを生成するにあたり、図１において、先頭パルスα1Ｔを生成するＧａｔｅ１、中間パルス群αiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）生成するＧａｔｅ２、および最後尾のパルスαmＴを生成するＧａｔｅ４を別々に生成し、これを合成する。また、ゲート群Ｇ２ａ及びＧ２ｂを生成するにあたり、図１において、先頭パルスα1'Ｔ、中間パルス群αi'Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）、および最後尾のパルスαm'Ｔを別々に生成し、これを合成する。
【０１０１】
このように、図１のＧａｔｅ１と同様に先頭パルスを独立に生成すれば、ｎが奇数の場合の（α1'＋β1'）が２．５である場合でも、α1'ＴなるゲートをｎＴの先端に同期して生成すると共に、周期２Ｔの中間パルス群αi'Ｔを２．５Ｔ分だけ遅延して発生することによって対応できる。これは、図１のＧａｔｅ２でＴd2を２．５Ｔとする（遅延Ｔd1がある場合にはさらにＴd1だけ遅延させる）ことに相当する。
【０１０２】
各ゲート群Ｇ１ａ、Ｇ１ｂ、Ｇ２ａ、及びＧ２ｂは、下記のように選択される。まず、Ｔsyncを基準として、周期Ｔの基準クロック３００の時間の起点を定め、周期Ｔのクロックが偶数周期あるいは奇数周期のいずれかを経過してからマーク長ｎＴが立ち上がるかを判定する。具体的には、例えば、Ｔsyncでリセットされた、１ビットの加算器を利用して、１周期ごとに１を加算し、結果が０ならば偶数周期、結果が１ならば奇数周期と判定する。即ち、基準時間ＴsyncからｎＴマークの前端までの経過時間がＴの偶数倍であれば、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じてゲート信号群Ｇ１ａもしくはＧ２ｂを選択し、基準時間ＴsyncからｎＴマークの前端までのの経過時間がＴの奇数倍であれば、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じてゲート信号群Ｇ１ｂもしくはＧ２ａを選択する。その結果、４種の０．５Ｔずつ位相の異なる周期２Ｔの基準クロック群の組み合わせで、Ｔ0を起点として生成される一連のｎＴマークのすべての記録パルスを生成できる。
【０１０３】
一方、オフパルス区間との長さと消去パワーＰｅの光を照射する区間とを決定するためには、マーク最後尾のオフパルス区間βmＴに留意する必要がある。即ち、マーク後端の周期を２Ｔではなくこれに±１Ｔ程度の範囲の任意性をもたせるのが好ましいが、この場合には、最終のオフパルスβmもしくはβm'のタイミングを、例外的に規定すればよい。
そのためには、図１のＧａｔｅ３に相当するゲート信号を発生させるのが好ましい。例えば、ｎＴマークの前端を基準として、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じて、ｎが偶数の場合にはＴd1の遅延後Σ（αi＋βi）なるゲートＧ３を発生させるか、ｎが奇数の場合にはＴd1の遅延後Σ（αi'＋βi'）なるゲートＧ４を発生させ、ｎＴマークの前端位置が、（１）Ｇ３ないしはＧ４のいずれもがオフである期間はパワーＰeの光が照射し、（２）Ｇ３ないしはＧ４のいずれかがオンである場合にはパワーＰbの光が照射され、かつ、（３）Ｇ３とＧ１ａとが同時にオンである場合には、Ｇ１ａオン区間に対応してＰｗのパワーの光を照射し、（４）Ｇ３とＧ１ｂとが同時にオンである場合には、Ｇ１ｂオン区間に対応してパワーＰwの光を照射し、（５）Ｇ４とＧ２ａとが同時にオンである場合には、Ｇ２ａオン区間に対応してパワーＰwの光を照射し、（６）Ｇ４とＧ２ｂとが同時にオンである場合には、Ｇ２ｂオン区間に対応してパワーＰｗの光が照射されるようにする。
【０１０４】
このようなゲートの優先関係は、ゲートのオン／オフを論理的な０，１レベルに対応させて、各ゲート制御の論理信号の和演算を行うことによって達成される。
なお、図１２及び１３においては、簡略化のため、最前端の記録パルスα1Ｔ、α1'Ｔ
の立ち上がりは、ｎＴマークの前端、すなわち、記録すべきｎＴマークの前端に対して同時である場合を示した。もしも遅延を有する場合は、すべてのＬのとり得る値に対して、記録パワーのパルスα1T及びα1'Tの立ち上がりが同一の遅延時間Ｔd1を有するようにす
るのが、マーク間長を所望の長さに保つ上で好ましい。
（分割記録パルス発生方法３）
以下の方法は、基準クロック周期Ｔを分周して得られる、周期２Ｔのクロック信号をベースとする分割記録パルス発生方法のもう一つの例であり、やはり分割記録パルス発生方法１より規則正しいルールに基づいて、論理回路の設計が可能となる方法である。
【０１０５】
具体的には、パルス発生方法２と同様に、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割記録パルス発生方法２においては、分割数が同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、先頭及び最後尾の記録パルス周期に分散して割り当てたが、パルス発生方法３においては、マーク長１Ｔの補正を中間分割記録パルス群のオフパルス長βiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）の調整にて行う。
【０１０６】
即ち、ｎが偶数、つまりマーク長がｎＴ＝２ＬＴ（ただし、Ｌは２以上の整数）のマークの記録に際して、分割数ｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パルス区間αiＴ及びオフパル
ス区間βiＴにおけるαi及びβiを下記のように定める。
【０１０７】
Ｔd1＋α1＝２＋ε1
βi-1＋αi＝２  （２≦ｉ≦ｍ）
一方、ｎが奇数、つまりマーク長がｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔのマークの記録に際して、分割数ｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パルス区間α'iＴ及びオフパルス区間β'iＴにおけるα'i及びβ'iを下記のように定める。
【０１０８】
Ｔd1'＋α1'＝２＋ε1'
β1'＋α2'＝２．５＋ε2'
βi-1'＋αi'＝２  （３≦ｉ≦ｍ−１）
βm-1' ＋αm'＝２．５＋ε3'
（ただし、Ｌ＝２の場合には、β1'＋α2'＝２．５＋ε2'、あるいは、β1'＋α2'＝３＋ε2'とする。）
そして、β1、α2、βm-1、αm、β1'、α2'、βm-1'、及びαm'が下記式を満足する。
【０１０９】
β1＋α2＋βm-1＋αm＋Δ2＝β1'＋α2'＋βm-1'＋αm'
（ここで、Δ2＝０．８〜１．２である。）
ここで、αi、βi、αi'、βi'、Ｔd1，Ｔd1'，ε1、ε1'、ε2'及びε3'の値は、Ｌに応じて変わりうる。
【０１１０】
Ｔd1及びＴd1'は、マーク長変調された元信号におけるｎＴマークの始端から、先頭の
記録パルスα1Ｔが立ち上がるまでの先行もしくは遅延時間であり、通常−２以上２以下
の実数である。Ｔd1及びＴd1'が正の値ならば、遅延を意味する。Ｔd1及びＴd1'は、Ｌによらずほぼ一定とするのが好ましい。
αi、βi、αi'、及びβi'は、それぞれ通常０以上２以下の実数であり、好ましくはそれぞれ０．５以上１．５以下である。
【０１１１】
ε1、ε1'、ε2'、及びε3'は、いずれも通常−１以上１以下の実数であり、より好ま
しくはいずれも−０．５以上０．５以下である。これらは、周期２Ｔを形成する分割パルス周期（βi-1＋αi）Ｔにおいて、正確なマーク長あるいはスペース長を実現するための補正値として必要に応じて用られる。
パルス発生方法３においては、Ｌが等しいｎ＝２ＬＴ及びｎ＝（２Ｌ＋１）Ｔに対応する２つのマークに対しては、等しい分割数Ｌの記録パルスに分割して記録を行う。つまり、ｎ＝２，３，４，５，６，７，８，９、・・・・、に対して、それぞれ、記録パルスの数を１，１，２，２、３，３，４，４，５，５、・・・とする。例えば、ＥＦＭ変調信号では、ｎ＝３、４，５，６，７，８，９，１０，１１に対して、分割数ｍを順に１，２，２，３，３，４，４，５，５とする。ＥＦＭ＋信号では、これにｎ＝１４が加わるが、その場合には分割数ｍを７とする。（１，７）ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調では、ｎ＝２の場合もｍ＝１とする。
【０１１２】
同一分割数でｎ＝２Ｌ及び２Ｌ＋１の２種類のマーク長を記録するために、周期（β1
＋α2）Ｔ、及び周期（βm-1＋αm）Ｔをそれぞれ０．５Tずつ増減して長さを調整する。マーク長記録において重要なのは、マーク前後端の波形で決まるマーク端の位置とジッタであり、マークの中間部分は振幅のみ得られていれば、マーク端のジッタには大きな影響がない。上記の調整方法は、マークが光学的に分割されて見えない限り、マーク中間部での記録パルス周期を０．５Ｔ伸縮させても、その分、マーク長が伸縮変化するのみで、マーク端でのジッタには大きくは影響しないことを利用している。
【０１１３】
パルス発生方法３においては、記録パルスの周期はいずれのマーク長でも２Ｔをベースとする。αiとβiのデューティー比は、各マーク長ごと或いはｉごとにそれぞれ最適化できるが、記録パルス発生回路の簡便化のために以下のような制限を設けておくことがより好ましい。
まず、マーク前端に関しては、α1、β1、α1'及びβ1'は、３以上のＬに対して、Lに
よらずそれぞれ一定とするのが好ましい。より好ましくは、α1'＝０．８α1〜１．２α1、及びβ1'＝β1＋約０．５とする。さらに好ましくは、β1'＝β1＋０．５、α1＝α1'、且つβ1＝β1'とする。マーク前端の位置はほぼ先頭の記録光の立ち上がりで決まる。
つまり、α1Ｔ＝α1'Ｔの立ち上がり位置を、マーク長ｎＴの始端に対して、一定の遅
延時間Ｔd1としておけば、実際のマークの前端の位置はほぼ一義的に決まる。一方、マーク前端のジッタは、α1Ｔがα1'Ｔとほぼ同じとしても、β1Ｔがある程度（実際上０．５Ｔ）以上の長さであれば、β1'のみβ1'＝β1＋０．５程度とすれば，ｎによらず良好な
値が得られる。
【０１１４】
ついで、マーク後端に関しては、αm、βm、αm'及びβm'は、３以上のLに対して、Lによらずそれぞれ一定とするのが好ましい。より好ましくは、βm-1'＝βm-1＋約０．５、
αm'＝０．８αm〜１．２αm、及びβm'＝０．８βm〜１．２βmとする。より好ましくは、βm-1'＝βm-1＋０．５、αm＝αm'、且つβm＝βm'とする。
【０１１５】
Ｌ＝２の場合には、β1'＝β1＋０．５〜１．５、αm'＝αm＋０〜１、且つβm'＝０．８βm〜１．２βmとするのが好ましい。しかし、いずれの場合もαmＴ及びαm'Ｔのたち下がりとマーク長ｎＴの後端は一定の時間差をもって同期することが望ましい。
マーク後端の位置は、最後端の記録パルスαmＴ（もしくはαm'Ｔ）の立下り位置のみ
ならず、その前後での記録層温度の冷却過程にも依存する。特に非晶質マークを形成する相変化媒体では、最後端のオフパルス区間βmＴ（もしくはβm'Ｔ）によって制御される
記録層温度の冷却速度に依存する。従って、αmＴ及びαm'ＴがｎＴマークの後端に対し
て、一定の時間だけずれており、βm'＝βmであれば、マーク後端位置はほぼ一義的に決
まる。
【０１１６】
一方、後端のジッタは、βm-1、βm-1'、αm、及びαm'が一定の長さ以上であれば影響は小さく、ほとんどβm'＝βmによってのみ支配され、βm'＝βmを最適化すればほぼ最良のジッタが得られる。
なお、パルス発生方法３においても、特に高密度記録の場合には、記録しようとしているマークの直前もしくは直後のマークもしくはマーク間に応じて、熱干渉を補正するために、Ｔd1、α1，α1'、β1，β1'、αm、αm'、βm、及びβm'の値を±２０％程度の範囲内で微調整することができる。上記の説明において、「約０．５」あるいは「約１」という記載は、この程度の微調整を許容することを意味する。
【０１１７】
さらなるパルス発生回路の簡便化のために、Ｌが３以上の場合には、２≦ｉ≦ｍ−１なるｉに対して、αi、αi'をそれぞれｉによらず一定値とする、つまり、
【０１１８】
α2＝α3＝・・・・＝αm-1
α2'＝α3'＝・・・・＝αm-1'
とするのが好ましい。ここで、Ｌが３以上とは、分割数が３以上であり、マーク先頭と最後尾の分割パルスを除いて、１以上の中間分割記録パルスが存在するための条件である。
【０１１９】
より好ましくは、Lが３以上の場合には、Lによらず、２≦ｉ≦ｍ−１なるｉに対して、αiとαi'とを、それぞれ順にαｃ及びαｃ'なる一定値とし、さらに好ましいくは、αｃ＝αｃ'とする。マーク長記録では、中間部のマーク形成は信号振幅さえとれれば、マー
ク端位置及びジッタに及ぼす影響は少ないから、ほとんどの場合、このように、一律にαi＝αi'＝αｃ（２≦ｉ≦ｍ−１）と設定することが可能である。
【０１２０】
なお、αm及びαm'も、それぞれ２≦ｉ≦ｍ−１におけるαi及びαi'と同じ値とするのがより好ましい。
Ｌ＝１すなわち、マーク長ｎＴが２Ｔ又は３Ｔの場合、ｍ＝１とするのが好ましい。この場合、周期（α1＋β1）Ｔとα1とβ1のデューティー比（もしくは、周期（α1'＋β1'）Ｔとα1'とβ1'のデューティー比）とを調節して、所望のマーク長とジッタを達成できる。この場合、β1又はβ1'がｎ≧４で一定ならば、βm又はβm'もそれぞれｎ≧４の場合のβ1又はβ1'と同じ値を用いることが好ましい。
【０１２１】
このような分割記録パルスは、０≦Ｔd1≦２、０≦Ｔd1'≦２の場合、例えば以下のよ
うにして生成することができる。
まず、（１）周期Ｔの第１の基準クロックに同期して、元になるマーク長変調信号が生成されているものとする。マーク長変調信号のｎＴマークの始端を基準としてＴd1（あるいはＴd1'）遅延して、先頭記録パルスα1Ｔ（あるいはα1'Ｔ）を生成し、（２）次いで、ｎＴマークの後端とε3（あるいはε3'）時間差をおいてたち下がりが一致するにように、最後尾記録パルスαmＴ（αm'Ｔ）を生成する。そして、（３）Ｌが３以上の場合に存在する中間分割記録パルスである、αiＴ、βiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）は、ｎが偶数（ｎ＝２Ｌ）の場合には、ｎＴマークの始端から、４Ｔ後にα2Ｔがたち下がり、以後、αi＋βi-1が２Ｔ周期となるように生成させ、（４）ｎが奇数（ｎ＝２Ｌ＋１）の場合には、ｎＴマークの始端から、４．５Ｔ後にα2'Ｔがたち下がり、以後αi'＋βi-1'が２Ｔ周期となるように生成する。
【０１２２】
上記の例では、ε1、ε1'、ε2'、ε3'がそれぞれ０でない場合にも、少なくとも中間
分割記録パルス群のα2Ｔあるいはα2'Ｔの立ち下がりが、正確にｎＴマークの始端から
、４Ｔあるいは４．５Ｔのいずれかの遅延時間をおいて発生させている。このため、少なくとも中間分割記録パルス群は、あらかじめ周期Ｔの基準データクロックを分周して生成された周期２Ｔの基準クロックに同期して生成できる。
【０１２３】
図２４は、かかる周期２Ｔの複数の基準クロックの組み合わせで、本記録パルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係を示した図である。
図２４では、簡便化のために、記録パルス区間に照射する光の記録パワーＰｗや、オフパルス区間に照射する光のバイアスパワーＰｂ、及びそれら以外の区間で照射する光の消去パワーＰｅは、それぞれいずれのｉでも一定として描いており、且つある。Ｐｂ＜Ｐｅ＜Ｐｗとして描いているが、これらの値は、ｎやｉに応じて異なる値にできる。特にα1
Ｔ、α1'Ｔにおける記録パワーＰｗ1、及びαmＴ、αm'Ｔにおける記録パワーＰｗmは、
他のαiＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗiとは異なる値に設定されることがある。
【０１２４】
また、図２４ではやはり、簡便化のために、ε1＝ε1'＝ε2'＝ε3'＝０とし、記録す
べきｎＴマークの前端に対して２Ｔ後に最先端の記録パルスα1Ｔ、及びα1'Ｔがたち下
がるとし、また、αmＴ，αm'Ｔの立下りがｎＴマークの後端と一致するとして描いてい
る。
図２４において、２２０は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
【０１２５】
図２４（ａ）は元になるマーク長変調信号のｎＴマークに対応した方形波の波形であり、２２１が長さ２ＬＴ、２２２が（２Ｌ＋１）Ｔのマークに対応する。ここでは、具体的にＬ＝５に対応するの２種類の場合が記載されているが、Ｌが１増減するごとに、中間の２≦ｉ≦ｍ−１に対応する、周期２Ｔを差し引きすれば、他の場合も同様に扱うことができる。
【０１２６】
図２４（ｂ）は、ｎ＝２Ｌ＝１０の場合の分割記録パルスの波形であり、図２４（ｃ）はｎ＝２Ｌ＋１＝１１の場合の分割記録パルスの波形である。
図２４（ｂ）では、周期２Ｔの基準クロック２２５は周期Ｔの基準クロック２２０に対して位相の遅れが０である周期Ｔの基準クロック２２３を分周して得られる。Ｔd1＋α1
＝２である場合、各記録パルスαiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の立ち下がりは、周期２Ｔの基準ク
ロック２２５に同期している。かかる周期２Ｔのクロック２２５に同期して、αiとβiのデューティー比を調節して、記録パルス波形２２７が得られる。
【０１２７】
図２４（ｃ）では、周期２Ｔの基準クロック２２６は周期Ｔの基準クロック２２０に対して０．５Ｔの位相のずれを有する周期Ｔの基準クロック２２４を分周して得られる。各記録パルスαi'Ｔ（２≦ｉ≦ｍ）の立ち下がりは、周期２Ｔの基準クロック２２６に同期している。基準クロック２２６に同期して、βi-1とαiのデューティー比を調節して、記録パルス波形２２８が得られる。
【０１２８】
このように、周期Ｔの第１の基準クロック１（２２３）と、及び周期Ｔで第１の基準クロックに対して０．５Ｔだけずれた周期Ｔの第２の基準クロック２（２２４）とを用いて、基準クロック１を分周して得られる周期２Ｔの基準クロック３（２２５）に同期させて、αi（１≦ｉ≦ｍ）を発生させ、基準クロック２を分周して得られる周期２Ｔの基準クロック４（２２６）に同期させて、αi'（２≦ｉ≦ｍ−１）を発生させることによって、２Ｌ及び２Ｌ＋１に対応した分割記録パルスを容易に生成できる。
【０１２９】
図２４では、マーク長２LＴと（２L＋１）Ｔとを、そのマーク後端がＴ２及びＴ４において一致するように描いているので、周期２Ｔの基準クロック２２５及び２２６の関係は（ｂ）及び（ｃ）の２通りしかないが、実際に２Ｔ周期の基準クロックを用いた場合、各マーク長の前端位置は、２Ｔ周期に同期はしていても位相に関しては、１Ｔのずれが生じうる。従って、さらにｎが偶数か奇数であるかに応じて、分割記録パルス発生方法２において図１３（ａ）、（ｂ），（ｃ）、（ｄ）に示すしたように４通りの関係がありうることを考慮しなければならないことは、分割記録発生方法３においても同様である。
【０１３０】
そして、図１３の周期２Ｔのクロック４系列を利用して、（１ａ）の場合には、周期Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａ，Ｐ４ａ，Ｐ５ａのそれぞれに同期して、記録パルス区間α1Ｔ，
α2Ｔ，α3Ｔ，α4Ｔ，α5Ｔに対応するゲート群Ｇ１ａを生成し、（１ｂ）の場合には、周期Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ｂ，Ｐ５ｂのそれぞれに同期して、記録パルスα1Ｔ
，α2Ｔ，α3Ｔ，α4Ｔ，α5Ｔに対応するゲート群Ｇ１ｂを生成し、（２ａ）の場合には、周期Ｒ１ａ，Ｒ２ａ，Ｒ３ａ，Ｒ４ａ，Ｒ５ａのそれぞれに同期して、記録パルスα1'Ｔ，α2'Ｔ，α3'Ｔ，α4'Ｔ，α5'Ｔに対応するゲート群Ｇ２ａを生成し、（２ｂ）の場合には、周期Ｑ１ｂ，Ｑ２ｂ，Ｑ３ｂ，Ｑ４ｂ，Ｑ５ｂのそれぞれに同期して、記録パルスα1'Ｔ，α2'Ｔ，α3'Ｔ，α4'Ｔ，α5'Ｔに対応するゲート群Ｇ２ｂを生成する。
【０１３１】
ここで、これらの記録パルス発生用ゲート群Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ，Ｇ２ａ，Ｇ２ｂは、図１において、Ｇａｔｅ１、２、４を合成したものと同等であることも分割記録発生方法２の場合と同様である。
つまり、Ｇ１ａ及びＧ１ｂを生成するにあたり、図１のように、先頭パルスα1Ｔを生
成するＧａｔｅ１、中間パルス群αiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）生成するＧａｔｅ２、および
最後尾のパルスαmＴを生成するＧａｔｅ４を別々に生成し、これを合成する。あるいは
、Ｇ２ａ及びＧ２ｂを生成するにあたり、図１のように、先頭パルスα1'Ｔ、中間パルス群αi'Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）、および最後尾のパルスαm'Ｔを別々に生成し、これを合成する。ε1、ε1'、ε2'、ε3'が０でない場合は、先頭記録パルスα1Ｔ，α1'Ｔに対して周期Ｐ１ａ，Ｑ１ａ，Ｐ１ｂ、Ｑ１ｂのいずれかで所定の時間差を加えて発生させ、最後尾記録パルスαmＴ，αm'Ｔに対して周期Ｐ５ａ，Ｐ５ｂ，Ｑ５ａ，Ｑ５ｂのいずれかで
所定の時間差を加えて発生させればよい。
【０１３２】
一方、オフパルス区間とＰｅ照射区間とを決定するためには、マーク最後尾のβmＴが
変則的であることに留意する必要がある。すなわちマーク後端の周期が必ずしも２Ｔとはならず、かつ、２Ｔ±１Ｔ程度の任意性をもたせる必要があるが、これは、最終のオフパルスβmもしくはβm'を例外的に規定すればよい。そのためには、図１のＧａｔｅ３に相
当するゲート信号を発生させる。
【０１３３】
すなわち、ｎが偶数である場合は、ｎＴマークの前端を基準として、遅延時間Ｔd1の経過後、Σ（αi＋βi）ＴなるゲートＧ３を発生させ、ｎが奇数である場合には、ｎＴマークの前端を基準として、遅延時間Ｔd1'の経過後、Σ（αi'＋βi'）ＴなるゲートＧ４を
発生させる。そして、Ｇ３ないしはＧ４のいずれもがオフである場合は消去パワーＰｅの光を照射し、Ｇ３ないしはＧ４のいずれかがオンである場合にはバイアスパワーＰｂの光を照射し、且つ、Ｇ３とＧ１ａが同時にオンである場合には、Ｇ１ａオン区間に対応して記録パワーＰｗの光を照射し、Ｇ３とＧ１ｂが同時にオンである場合には、Ｇ１ｂオン区間に対応して記録パワーＰｗの光を照射し、Ｇ４とＧ２ａが同時にオンである場合には、Ｇ２ａオン区間に対応して記録パワーＰｗの光を照射し、Ｇ４とＧ２ｂが同時にオンである場合には、Ｇ２ｂオン区間に対応して記録パワーＰｗの光を照射する。このようなゲートの優先関係は、ゲートのオン／オフを論理的な０，１レベルに対応させて、各ゲート制御の論理信号の和演算を行えばよい。
【０１３４】
以上をまとめると、（１）記録トラック上に所定の位置に形成されたクロックマークに対応した基準時間Ｔsyncを発生させ、（２）基準時間Ｔsyncを起点として発生された、周期２Ｔの基準クロック１ａと該基準クロック１ａに対して０．５Ｔの先行した周期２Ｔの基準クロック２ａと、該基準クロック１ａに対して１Ｔ先行した周期２Ｔの基準クロック１ｂと該基準クロック１ａに対して１．５Ｔ先行した周期２Ｔの基準クロック２ｂとの４種の基準クロックを発生させると共に、（３）ｎＴ＝２ＬＴなるマークの記録に際して、基準クロック１ａ及び１ｂのいずれかに同期させて、α1Ｔ、αiＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）、αmＴの発生区間に対応したタイミングのゲートの一群Ｇ１ａ及びＧ１ｂを発生させ、（
４）ｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔなるマークの記録に際して、基準クロック２ａ及び２ｂのいずれかに同期させてα1'Ｔ、αi'Ｔ（２≦ｉ≦ｍ−１）、αm'Ｔに対応したタイミングのゲートの一群Ｇ２ａ及びＧ２ｂを発生させることで、記録パルス区間αiＴを発生するためのゲートのすべてを生成することができる。
【０１３５】
各ゲート群Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ，Ｇ２ａ、Ｇ２ｂは下記のようにして選択することができる。まず、基準時間Ｔsyncを基準として、周期Ｔのクロックが偶数周期あるいは奇数周期のいずれかを経過してからマーク長ｎＴが立ち上がるかを判定する。具体的には、例えば、基準時間Ｔsyncでリセットされた１ビットの加算器を利用して、１周期ごとに１を加算し、結果が０ならば偶数周期、結果が１ならば奇数周期と判定できる。すなわち、基準時間ＴsyncからｎＴマークの前端までの経過時間がＴの偶数倍であれば、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じてゲート信号群Ｇ１ａもしくはＧ２ｂを選択し、基準時間ＴsyncからｎＴマークの前端までのの経過時間がＴの奇数倍であれば、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じてゲート信号群Ｇ１ｂもしくはＧ２ａを選択する、このようにすれば、４種の０．５Ｔずつ位相の異なる周期２Ｔの基準クロック群の組み合わせで、Ｔ0を起点として生成される一連のｎＴマークのすべての記録パルスを生成できることになる。
【０１３６】
以上の分割記録パルス発生方法１、２及び３に従えば、少なくとも中間のパルス群の切り替え周期（αi＋βi）Ｔ又は（αi＋βi-1）Ｔ（ただし２≦ｉ≦ｍ−１）は１Ｔ，１．５Ｔ、２Ｔ、２．５Ｔいずれかで一定とし、αiとβiのデューティー比及びαi'とβi'のデューティー比を変化させることで、異なる特性を有する媒体や、同一の媒体を異なる線速で使用した場合にも最適の分割記録パルスストラテジーを見出すことが容易になる。
【０１３７】
本発明の光記録方法は、特に結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質マークを形成することで情報のオーバーライトを行う相変化媒体において特に有効である。
本発明の光記録方法は、また、同一の媒体に対して様々な線速で記録を行う場合にも有効である。一般的に、複数の線速でクロック周期Ｔ及び線速ｖの積ｖＴを一定として、線速によらず等密度の記録を行うことは広く行われている。
【０１３８】
例えば、同一の記録媒体に対して、ｖ×Ｔが一定の複数の線速度ｖでマーク長変調方式による記録を行う場合に、前記パルス発生方法２を用いる際、少なくとも２以上のＬにおいて、２≦ｉ≦ｍ−１における（αi＋βi）Ｔ、及び（αi'＋βi'）Ｔの周期を線速によらず一定に保ち、さらに各ｉにおけるＰｗi，Ｐｂi、及びＰｅも線速度によらずほぼ一定に保ち、且つ低線速度ほどαi及びαi'（２≦ｉ≦ｍ）を減少させる（特開平９−７１７
６号公報）。その結果、広い線速度で良好なオーバーライトが可能となる。
【０１３９】
また、同一の記録媒体に対して、ｖ×Ｔが一定の複数の線速度ｖでマーク長変調方式による記録を行う場合に、前記パルス発生方法３を用いる際、少なくとも２以上のＬにおいて、２≦ｉ≦ｍにおける（βi-1＋αi）Ｔの周期及び（βi-1'＋αi'）Ｔの周期を線速によらず一定に保ち、さらに各ｉにおけるＰｗi，Ｐｂi、及びＰｅも線速によらずほぼ一定に保ち、低線速ほどαi及びαi'が単調に減少させる（特開平９−７１７６号公報）のも
有効である、この場合も、広い線速範囲で良好なオーバーライトが可能となる。
【０１４０】
上記２つの例において、Ｐｗi，Ｐｂi、及びＰｅが線速度によらずほぼ一定であるとは、最小値が最大値の概ね２０％程度以内であることをいうが、より好ましくは１０％以内である。さらに好ましくは実質的に全く線速によらず一定とすることである。
上記２つの例において、低線速ほど（αi＋βi）Ｔにおけるαiを減少させβiを増加させたり、（αi＋βi-1）Ｔにおけるαiを減少させてβi-1を増加させたりするのは、特に相変化媒体において有効である。相変化媒体では、低線速ほど記録層の冷却速度が遅くなるので、オフパルス区間βiの比率を高めて、冷却効果を促進する必要があるからである
。その場合、すべての使用線速度ｖおよびすべてのLに対して、で０．５＜βi、βi'≦２．５、より好ましくは１≦βi、βi'≦２として、非晶質化のための冷却時間を確保することがより好ましい。
【０１４１】
上記２つの例においては、さらに、すべての線速度においてαiＴとαi'Ｔ（２≦ｉ≦
ｍ−１）とを一定とする、つまり、中間記録パルス群は記録パルスの絶対時間をほぼ一定とするのが好ましい。「ほぼ一定」とは、各線速において±０．１Ｔの範囲程度の幅を有することを意味する。この場合、基準クロックＴは線速が小さいほど大きくなるので、中間パルス群のαi、αi'は必然的に単調減少する。先頭の記録パルス区間α1Ｔ、α1'Ｔは一定とできるが、好ましくは各線速で微調整する。また、βm、βm'は、各線速ごとに微
調整を行うのが好ましい。この場合、βm、βm'自体が一定であるか、あるいは低線速に
なるほど大きくするのが好ましい。
【０１４２】
なお、以上の３つのパルス発生方法１、２及び３において、記録可能ＤＶＤの１倍速（線速３．５ｍ／ｓ、基準クロック周期Ｔは３８．２ナノ秒）以上に基準クロック周期Ｔが小さい場合には、さらに、先行及び／又は後続マーク長もしくはスペース長に応じて、ｎ−（η1 ＋η2 ）や、先頭、最後尾パルスを制御するのが好ましい。
【０１４３】
本発明が特に有効な具体的な場合としては以下が挙げられる。
まず、記録時の線速度が１０ｍ／ｓ以上と高速であって、かつ最短マーク長を０．８μｍ未満と短くし、高密度に記録を行う場合である。なお、最短マーク長は線速度をＶとするとｎＴ×Ｖで表されるから、最短マーク長が短いことは基準クロック周期Ｔを短くすることに他ならない。
【０１４４】
また、記録光の波長が５００ｎｍ未満と短く、記録光を集束させるためのレンズの開口数が０．６以上と高く、記録光のビーム径が小さく、かつ、最短マーク長を０．３μｍ未満と短くし、高密度に記録を行う場合も有効である。
さらには、マーク長変調方式として、８−１６変調方式もしくは（１、７）−ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調方式といった、高密度記録用の変調方式を用いた場合も有効である。
【０１４５】
さらにまた、マーク長変調方式がＥＦＭ変調方式であり、記録時の線速度をＣＤの基準線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓの１０倍速以上と非常に高速として、記録線密度を一定としながら記録を行う場合である。。
さらにまた、マーク長変調方式をＥＦＭ＋変調方式という高密度記録用の方式とし、かつ、記録時の線速度をＤＶＤの基準線速度３．４９ｍ／ｓの２倍速以上の高速として、記録線密度を一定としながら記録を行う場合である。
【０１４６】
次に、マーク長変調信号の品質について図を用いて説明する。
図５は、ＣＤ−ＲＷをはじめとするＣＤファミリーで用いられるＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図である。ＥＦＭ変調では３Ｔから１１Ｔの長さの記録マーク長及びマーク間長をとりうるが、アイパターンには３Ｔから１１Ｔのすべての非晶質マークの再生波形が実質的にランダムに含まれている。なお、ＥＦＭ＋変調では、これにさらに１４Ｔのマーク長及びマーク間長が含まれる。
【０１４７】
アイパターンの上端Ｉtop を反射率に換算したものが反射率の上端値Ｒtop であり、アイパターンの振幅（実際上１１Ｔマークの振幅）Ｉ11をＩtop で規格化たものが下記式で表される記録信号の変調度ｍ11である。
【０１４８】
ｍ11＝Ｉ11／Ｉtop ×１００（％）                （１）
ｍ11は４０％以上８０％以下とするのが好ましいが、特に下限値４０％以上とすることがより重要である。信号振幅は大きいほうが好ましいが、大きすぎると信号再生系のアンプのゲインが極端に飽和してしまうためｍ11上限は８０％程度である。一方、小さすぎると信号体雑音比（ＳＮ比）が低下してしまうため、下限は４０％程度である。
【０１４９】
さらに、下記式
【０１５０】
Ａｓｙｍ＝（Ｉslice ／Ｉ11−１／２）（％）              （２）
で定義されるアシンメトリー値Ａｓｙｍは、できるだけ０付近にあることが望ましい。
【０１５１】
さらに再生信号の各マーク及びマーク間（スペース）のジッタが基準クロック周期Ｔのおおむね１０％以下であり、かつマーク長及びマーク間がほぼｎＴ×Ｖ（Ｔはデータの基準クロック周期、ｎは３〜１１までの整数、Ｖは再生時の線速度）の長さを有するのが好ましい。これにより、通常の市販のＣＤ−ＲＯＭドライブで低エラーレートで再生できることを意味する。
一方、ＥＦＭ＋変調方式を用いた記録可能なＤＶＤ媒体では、Ｉ11を１４Ｔマークの振幅Ｉ14に置き換えて（１）式及び（２）式を定義する。また、ジッタは、アナログ再生信号をイコライザを通して２値化した後の、いわゆるエッジ・トゥ・クロックジッタとして測定する。この場合、ジッタの値はクロック周期の１３％以下、特に９％以下とするのが好ましい。
【０１５２】
次に、上記光記録方法を用いる際に好ましい光記録媒体について述べる。
本発明による記録を行う光記録媒体としては、色素系有機記録媒体、光磁気記録媒体、相変化型記録媒体等各種の記録方式の媒体が採用できる。また、ライトワンス型及び書き換え型いずれの媒体にも採用できる。これらの中で特に顕著な効果が得られるのは、相変化型記録媒体、特に結晶状態を未記録状態として非晶質マークをオーバーライトする書き換え型相変化型記録媒体である。
【０１５３】
中でも、結晶化が結晶領域と溶融領域の境界面から始まるタイプの記録層材料が好ましい。
このような、好ましい相変化媒体としては、ＳｂＴｅ共晶組成にさらに過剰のＳｂを含有する記録層を有するものが挙げられる。特に好ましくは、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点組成を基本として過剰のＳｂを含み更にＧｅを含む組成である。この場合、特にＳｂ／Ｔｅ比は４以上とするのが好ましく、またＧｅ量は１０原子％以下とするのが好ましい。具体的な記録層としては、Ｍz Ｇｅy （Ｓｂx Ｔｅ1-x )1-y-z合金（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．３、０．８≦ｘ。Ｍは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓから選ばれる少なくとも一種）組成を有する記録層を有するものが挙げられる。
【０１５４】
上記組成は、本合金は前述のように、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点に過剰のＳｂを含む２元合金が、経時安定性やジッタの改善のためにＧｅを含有し、さらなるジッタの低減、線速依存性の改善、光学特性の改善等のためにＭで示される一群の元素のうち少なくとも１種を含有したものである。或いは、Ｔｅ量が０近傍の組成は、Ｇｅ15Ｓｂ85共晶点近傍組成にＴｅもしくはＭ元素を添加した系ともみなすこともできる。
【０１５５】
上記組成において、Ｇｅは過剰Ｓｂによる高速結晶化機能を損ねることなく、非晶質マークの経時安定性を高める作用を有する。結晶化温度を高めるとともに、結晶化の活性化エネルギーを高める効果があると考えられる。即ち、ＳｂＴｅ共晶組成をベースとした上記のようなＧｅＳｂＴｅを主成分とする合金記録層は、Ｇｅの存在により結晶核生成を抑制したまま、Ｓｂ／Ｔｅ比を高めることで結晶成長速度を速めることができる。一般に、結晶核生成は、結晶成長よりも低温で進行するため、非晶質マークを形成する際の該マークの室温付近での保存安定性にとっては好ましくない傾向にある。上記ＧｅＳｂＴｅを主成分とする合金記録層は、融点近傍での結晶成長が選択的に促進されているため、短時間での消去が可能であると共に、室温での非晶質マークの安定性に優れる。その点において、上記合金記録層は、特に高線速記録に適している。
上記組成における元素ＭとしてはＩｎやＧａ、特にＩｎがジッタ低減、対応線速マージンを拡大するのに効果が有る。より好ましい相変化媒体の記録層の組成は、Ａ1a Ａ2b Ｇｅc （Ｓｂd Ｔｅ1-d ）1-a-b-c 合金（ただし、０≦ａ≦０．１、０＜ｂ≦０．１、０．０２＜ｃ≦０．３、０．８≦ｄ。Ａ1 はＺｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｎ、Ｏ、Ｓから選ばれる少なくとも一種。Ａ2 はＩｎ及び／又はＧａ）である。
【０１５６】
これらの組成は従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ2 Ｔｅ3 擬似２元合金の近傍の組成に比べ、未記録あるいは消去状態の多結晶状態において、個々の微細結晶粒の反射率の面方位依存性が小さく、ノイズを低減できる点で好ましい。
また、上記のＳｂ／Ｔｅ比が８０／２０より高いＳｂＴｅ系組成は、特にＣＤ線速の１２倍速（約１４ｍ／ｓ）以上やＤＶＤ線速の４倍速（約１４ｍ／ｓ）以上のような高線速において高速消去が可能である点で優れている。
【０１５７】
一方で、この組成は、本発明において克服すべき、基準クロック周期が２５ｎｓ以下のような小さい場合の問題点が特に大きい。その理由は下記のとおりである。
上記組成における非晶質マークの消去は、実質的に、非晶質マーク周辺の結晶領域との境界からの結晶成長のみで支配されており、非晶質マーク内の結晶核生成と該結晶核からの結晶成長過程とは、殆ど再結晶化過程に寄与していない。線速度が高くなると（例えば線速度１０ｍ／ｓ以上）、消去パワーＰｅが照射される時間が短くなるため、結晶成長に必要な融点近傍の高温に保たれる時間が極めて短くなる。上記組成においては、非晶質マーク周辺領域からの結晶成長を促進させるためには、Ｓｂの含有量を増やせばよいが、その一方で、Ｓｂ含有量の増加は、溶融された領域の再凝固時の結晶成長速度をも増加させてしまう。従って、高線速記録において短時間で非晶質マークの消去を確実にするために、Ｓｂ含有量を増やすと、良好な非晶質マークの形成が困難になってしまう。即ち、非晶質マーク周辺からの再結晶化速度をある程度以上増加させると、一方で、非晶質マーク記録のために形成した溶融領域の再凝固時に溶融領域周辺部からの再結晶化も増加してしまうのである。
【０１５８】
このように、上記組成においては、高線速度記録に対応して高速消去しようとすると、非晶質マークの形成が困難になるというジレンマがある。これに加え、高線速度になると、クロック周期が短縮されるので、それに伴いオフパルス区間も短くなって冷却効果が損なわれるので、上記ジレンマは特に顕著となる。
なお、このような上記組成における問題は、従来一般に使用されてきたＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元合金系組成では、相対的にそれほど大きくないと考えられる。ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元合金系組成においては、非晶質マークの消去は非晶質マーク内の結晶核の生成が中心で、結晶成長はあまり寄与していない。また、結晶核の生成は結晶成長よりも低い温度で盛んとなる。従って、上記ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元合金系組成においては、多数の結晶核を生成することで、結晶成長が比較的遅くても再結晶化を達成できるのである。しかも、再凝固時に融点以下に低下する過程では、結晶核生成が起きない上に、結晶成長速度も比較的小さいので、比較的小さな臨界冷却速度で非晶質化しやすいのである。
【０１５９】
上記のような、ＳｂＴｅ共晶組成に過剰のＳｂを含有する組成、特にさらにＧｅを含有する組成の記録層は、結晶状態において、相分離を伴わない、実質的に単一相からなる結晶状態であるのが好ましい。上記結晶状態は、スパッタ等による製膜初期に得られる非晶質状態の記録層を加熱し結晶化する初期化操作を行うことで得ることができる。実質的に単一相であるとは、単一の結晶相からなっていてもよく、複数の結晶相からなっていてもよいが、複数の結晶相からなる場合、格子不整合を有しないのが好ましい。単一の結晶層からなる場合は、結晶相は同じで配向面のみが異なる多結晶層であってもよい。
【０１６０】
このような実質的に単一相からなる記録層では、ノイズを減少させる、保存安定性が向上する、高速での結晶化が容易である等、特性を向上させることができる。これは、Ｓｂ7Ｔｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3等で知られる、六方晶構造を有する結晶相やＳｂ等の立方晶ではある
が格子定数が大きく異なる結晶相、ＡｇＳｂＴｅ2等に対して知られる面心立方晶、さら
には、その他の空間群に属する他の結晶相が混在する場合、格子不整合の大きな結晶粒界が形成される結果、マークの周辺形状が乱れたり、光学的なノイズが発生したりすると考えられるのに対し、単一相からなる場合には、このような結晶粒界が生じないためと考えられる。
【０１６１】
記録層の結晶相の形態は、記録層の初期化方法に大きく依存する。即ち、本発明において好ましい上記結晶相を形成させるためには、記録層の初期化方法を下記のように工夫するのが好ましい。
記録層は通常スパッタ法等の真空中の物理蒸着法で成膜されるが、成膜直後のａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態では、通常非晶質であるため、通常はこれを結晶化させて未記録消去状態とする。この操作を初期化と称する。初期化操作としては、例えば、結晶化温度（通常１５０〜３００℃）以上融点以下での固相でのオーブンアニールや、レーザー光やフラッシュランプ光などの光エネルギー照射でのアニール、溶融初期化などの方法が挙げられるが、上記好ましい結晶状態の記録層を得るためには、溶融初期化が好ましい。固相でのアニールの場合は、熱平衡を達成するための時間的余裕があるために、他の結晶相が形成されやすい。
【０１６２】
溶融初期化においては、記録層を溶融させて再凝固時に直接再結晶化させてもよく、また、再凝固時にいったん非晶質状態とした後、融点近傍で固相再結晶化させてもよい。この際、結晶化の速度が遅すぎると熱平衡を達成するための時間的余裕があるために他の結晶相が形成されることがあるので、ある程度冷却速度を速めるのが好ましい。
【０１６３】
例えば、融点以上に保持する時間は、通常２μｓ以下、好ましくは１μｓ以下とすることが好ましい。また、溶融初期化には、レーザ光を用いるのが好ましく、特に、走査方向にほぼ平行に短軸を有する楕円型のレーザ光を用いて初期化を行う（以下この初期化方法を「バルクイレーズ」と称することがある）のが好ましい。この場合、長軸の長さは、通常１０〜１０００μｍであり、短軸の長さは、通常０．１〜１０μｍである。なお、ここでいうビームの長軸及び短軸の長さは、ビーム内の光エネルギー強度分布を測定した場合の半値幅から定義される。走査速度は、通常３〜１０ｍ／ｓ程度である。あるいは、少なくとも本発明相変化媒体のオーバーライト記録可能な最高使用線速度より高い速度で走査した場合、初期化走査で一旦溶融した領域が非晶質化してしまうことがある。また、概ね最高使用線速度より３０％以上低い速度で走査すると相分離が生じて単一相が得られにくい。特に、最高使用線速度の５０〜８０％の走査速度が好ましい。なお、最高使用線速度そのものは、その線速度でＰｅを照射したときに、消去が完全に行われるような線速度の上限として定まる。
【０１６４】
レーザ光源としては、半導体レーザ、ガスレーザ等各種のものが使用できる。レーザ光のパワーは通常１００ｍＷから２Ｗ程度である。
バルクイレーズによる初期化の際、例えば円盤状の記録媒体を使用した際、楕円ビームの短軸方向をほぼ円周方向と一致させ、円盤を回転させて短軸方向に走査するとともに、１周（１回転）ごとに長軸（半径）方向に移動させて、全面の初期化を行うことができる。１回転あたりの半径方向の移動距離は、ビーム長軸より短くしてオーバーラップさせ、同一半径が複数回レーザー光ビームで照射されるようにするのが好ましい。その結果、確実な初期化が可能となると共に、ビーム半径方向のエネルギー分布（通常１０〜２０％）に由来する初期化状態の不均一を回避することができる。一方、移動量が小さすぎると、かえって前記他の好ましくない結晶相が形成されやすいので、通常半径方向の移動量は、通常ビーム長軸の１／２以上とする。
【０１６５】
溶融初期化の際、２本のレーザビームを使用し、先行するビームで一旦記録層を溶融させ、後続する２番目のビームで再結晶化を行うことによって溶融初期化を行うこともできる。ここで、各々のビーム間の距離が長ければ、先行ビームで溶融された領域は、いったん固化してから、２番目のビームで再結晶化される。
溶融再結晶化を行ったかどうかは、実際の直径１μｍ程度の記録光で非晶質マークのオーバーライトを行った後の消去状態の反射率Ｒ１と、初期化後の未記録状態の反射率Ｒ２が実質的に等しいかどうかで判断できる。ここでＲ１の測定は、非晶質マークが断続的に記録されるような信号パターンを用いた場合、複数回のオーバーライト、通常は５から１００回程度のオーバーライト後に行う。こうすることで、一回の記録だけでは未記録状態のまま残りうるマーク間の反射率の影響を除去する。
【０１６６】
上記消去状態は、必ずしも記録用集束レーザー光を実際の記録パルス発生方法に従って変調しなくても、記録パワーを直流的に照射して記録層を溶融せしめ、再凝固させることによっても得られる。
本発明の記録用媒体の場合、Ｒ１とＲ２の差は小さい方が好ましい。
具体的には、Ｒ１とＲ２とで定義される下記値が１０（％）以下、特には５（％）以下となるようにするのが好ましい。
【０１６７】
２｜Ｒ１−Ｒ２｜／（Ｒ１＋Ｒ２）×１００（％）
例えば、Ｒ１が１７％程度の相変化媒体では、概ねＲ２が１６〜１８％の範囲にあればよい。
【０１６８】
かかる初期化状態を達成するためには、概ね実際の記録条件と等しい熱履歴を初期化によって与えるのが好ましい
このような初期化方法で得られた単一結晶相は、Ｓｂ／Ｔｅ比が４．５程度より大きな場合には、概ね六方晶となりやすく、４．５より小さい場合は面心立方晶となりやすいが、必ずしもＳｂ／Ｔｅ比だけに依存するものではない。特に、ＣＤ線速の１６倍速以上、ＤＶＤ線速の４倍速以上の記録では、六方晶の単一相からなる多結晶とするのが好ましい。
本発明の相変化媒体は、通常、基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設ける。中でも、いわゆる急冷構造として、記録層の膜厚を１０〜３０ｎｍとし、上部保護層の膜厚を１５〜５０ｎｍとし、かつ、反射層の膜厚を３０〜３００ｎｍとしたものが好ましい。なお、本発明の記録方法を上記の光記録媒体に適用する際には、全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍは１．５以上とすることが好ましい。更に、ｎ／ｍは１．８以上であるとより好ましい。ｎ／ｍの上限は、通常４程度、好ましくは３程度とするが、記録パワーＰｗやバイアスパワーＰｂなど他の条件にもより変化する。基本的には、冷却に十分な所定の時間的長さが得られる範囲であればよい。
【０１６９】
なお、ライトランス型の媒体に本発明の光記録方法を用いる場合は、Ｐｅ＝Ｐｂ＝Ｐｒ（Ｐｒは再生光パワー）とすればよい。Ｐｅ＞Ｐｒとして余熱効果を付与することもできる。
また、本発明の記録方法は、記録媒体の層構成や光入射方式にも依存せず、基板／保護層／記録層／保護層／反射層という層構成で基板を介して記録再生用レーザー光ビームを入射する場合のみならず、基板／反射層／保護層／記録層／保護層という層構成で、基板とは反対側から記録再生用レーザー光ビームを入射する、いわゆる膜面入射タイプの光記録媒体にも利用できる。さらには、これらを組み合わせて記録層を多層化したような場合にも適用可能である。
【０１７０】
反射層は、放熱を促進し、冷却速度を高める機能を有するため、本発明の記録媒体においては、その選択が重要である。具体的には、本発明においては、高い放熱効果を有する反射層を用いるのが好ましい。
反射層の熱伝導率はその体積抵抗率におおむね反比例すると考えられる一方で、反射層による放熱効果は膜厚に比例するので、結局反射層の放熱効果は概ね面積抵抗率に反比例すると考えられる。そこで、本発明においては、面積抵抗率０．５Ω／□以下、特に０．４Ω／□以下の反射層を使用するのが好ましい。また、体積抵抗率としては、２０ｎΩ・ｍ以上１００ｎΩ・ｍ以下程度が好ましい。体積抵抗率が小さすぎる材料は実用上得難い。一方、体積抵抗率が大きすぎると、放熱効果が不十分となる傾向にあるばかりでなく、記録感度が低下する傾向にある。
【０１７１】
反射層材料としては、アルミニウム、銀、及びこれらを主成分とする合金を挙げることができる。
反射層に使用できるアルミニウム合金としては、ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の添加元素を含有するＡｌ合金が挙げられる。上記添加元素の含有量は、通常０．２原子％以上１原子％以下である。含有量が少なすぎると、耐ヒロック性は不十分になる傾向にあり、多すぎると、放熱効果が不十分になる傾向にある。
【０１７２】
反射層に使用できる銀合金としては、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の添加元素を含有するＡｇ合金が挙げられる。添加元素としては、経時安定性を高める点でＴｉ、Ｍｇ、Ｐｄ及びＣｕからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属元素が好ましい。上記添加元素の含有量は、通常０．２原子％以上３原子％以下である。含有量が少なすぎると、耐腐食性は不十分になる傾向にあり、多すぎると、放熱効果が不十分になる傾向にある。
【０１７３】
なお、Ａｌ合金への添加元素の含有量やＡｇ合金への添加元素の含有量にほぼ比例して、体積抵抗率は増加する。
反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて反射層中の全不純物量は２原子％以下とするのが好ましいので、製膜時に使用するプロセスチャンバの到達真空度は１×１０-3Ｐａ以下とすることが好ましい。また、不純物の混入量を低減するには、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、特に１０ｎｍ／秒以上とするのが好ましい。なお、、不純物の混入量は、スパッタに用いる合金ターゲットの製法やスパッタガス（例えばＡｒ、Ｎｅ、及びＸｅ等の希ガスが挙げられる）にも依存する。
【０１７４】
反射層の放熱効果を高めるためには、反射層材料はできるだけアルミニウムや銀のみで構成するのが好ましい。
放熱効果や媒体の信頼性を高めるため反射層を多層化することもできる。
例えば、放熱効果が大きい銀を主体とする反射層を用い、該反射層と記録層との間に硫黄を含有する保護層を設けた場合、銀と硫黄との影響で、繰り返しオーバーライト特性や、高温高湿の加速試験環境下での耐食性に問題が生じることがあるため、これら２つの層の間に例えばアルミニウムを主体とする合金からなる界面層を設けて、アルミニウム層と銀層の２層の反射層とすることができる。この場合の界面層の厚さは、通常５ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。界面層が薄すぎると保護効果が不十分となる傾向にあり、厚すぎると放熱効果が悪化する傾向にある。
【０１７５】
なお、反射層を多層化することは、所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るためにも有効である。
【実施例】
【０１７６】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、その要旨を超えない限り適用可能である。
実施例１
１．２ｍｍ厚でトラッキング用の溝（トラックピッチ１．６μｍ、溝幅約０．５３μｍ、溝深さ約３７ｎｍ）を形成したポリカーボネイト基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ5 Ｓｂ77Ｔｅ18記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2 ）15保護層を４０ｎｍ、Ａｌ99.5Ｔａ0.5 合金を２２０ｎｍ、それぞれ真空チャンバー内でスパッタにより成膜した。その上に紫外線硬化型保護コートを４μｍ塗布し硬化して、相変化型の書き換え型光ディスクを作製した。
【０１７７】
このディスクを、レーザー波長８１０ｎｍ、ビーム径約１０８μｍ×１．５μｍのバルクイレーザで４２０ｍＷのパワーで初期結晶化を行い、さらに、レーザー波長７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡが０．５５の評価装置で、サーボをかけて、溝と溝間とを１回ずつ９．５ｍＷのＤＣ光で結晶化させ、結晶レベルのノイズを減らす作業を行った。
【０１７８】
その後、このディスクに対して、レーザー波長７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ０．５５の評価装置にて、線速１２ｍ／ｓ（ＣＤの１０倍速）、基本クロック周波数４３．１ＭＨｚ、基準クロック周期Ｔ２３．１ナノ秒の条件で溝内にＥＦＭ変調ランダムパターンのオーバーライトを試みた。ＥＦＭ変調方式では３Ｔから１１Ｔまでの時間的長さをもつマークを使用するが、これらマーク時間長の異なるマークをランダムに発生させたパターンがＥＦＭ変調ランダムパターンである。
【０１７９】
これらパターンを、前述の分割方式例３（ｎ＝３、４、５、６、７、８、９、１０、１１に対してｍ＝１、２、２、３、３、４、５、５、５のように分割する。）のパルス分割方式を用いて、記録パワーＰｗ＝１８ｍＷ、消去パワーＰｅ＝９ｍＷ、バイアスパワーＰｂ＝再生パワーＰｒ＝０．８ｍＷとしてオーバーライト記録を行った。本パルス分割方式は、図１のパルス発生回路を若干変更することで実現できた。
【０１８０】
再生は２．４ｍ／ｓ（ＣＤの２倍速）で行い、再生信号は２ｋＨｚの高周波通過フィルターを通した後、信号振幅の中心を閾値としてＤＣスライスして読みとった。
オーバーライトを行なうに当たり、まず、３Ｔから１１Ｔの各マーク時間長でのパルス分割方式の最適化をあらかじめ行った。具体的には先頭記録パルス区間α1 Ｔ、最後尾オフパルス区間βm Ｔを最適化した。
【０１８１】
例として、１１Ｔマーク（２倍速換算で１．２７マイクロ秒）を５分割して、各記録パルス幅、オフパルス幅を決めた場合を示す。
図６（ａ）に示すパルス分割方式を用い、α1 のみを変化させて記録した。線速２．４ｍ／ｓにおける再生マーク時間長のα1 依存性を図７に示す。α1 ＝１．０で、マーク時間長１．２８マイクロ秒と最も好適であった。なお、理論値は１．２７マイクロ秒である。
【０１８２】
同様に、図６（ｂ）に示すパルス分割方式を用い、βm （ｍ＝５）依存性を測定した。ＣＤ線速の２倍速に対応する線速２．４ｍ／ｓにおける再生マーク時間長のβm 依存性を図８に示す。βm ＝β5 ＝１．０でマーク時間長１．３５マイクロ秒であった。
このような実験を各マーク時間長のマークに対して行い、先頭記録パルスα1 と最後尾オフパルスβ5 を特に最適化した、図９に示すパルス分割方式を決定した。なお、８Ｔ〜１１Ｔマークの長マークについては一律にα1 ＝１．０、βm ＝１．０とした。
【０１８３】
最適化後、図９に示すパルス分割方式を用いて、結晶領域に非晶質マークをオーバーライト記録した。この時の、各ｎＴマークの入力信号に対して、再生信号のマーク時間長を測定した結果を図１０に示す。マーク長の変化が直線的であり、しかも、再生されたマーク長のずれは、３Ｔ〜１１Ｔの各マークを正確に区別して検出することができる範囲内にあった。そして、このときのジッタ値は低く、２倍速再生におけるＣＤ規格のジッタ上限値１７．５ナノ秒を十分下回り、また変調度も０．６以上となるなど好ましい記録信号を得ることができた。なお、図中、マーク長とあるのはマーク時間長、スペース長とあるのはスペース時間長のことである。
【０１８４】
次に、図９に示すパルス分割方式を用いて、ＥＦＭランダム信号のオーバーライトを行なった。ランダム信号の生成には、ソニーテクトロニクス社製のＡＷＧ５２０を用いた。この際、マーク長毎にパルス分割の最適化を行なった。その結果、ランダム信号を発生させても所望のマーク長と、２倍速再生で１７．５ｎｓ以下の良好なマーク長ジッタ及びマーク間ジッタとが得られた。
【０１８５】
なお、ランダムパターンを記録した場合、ｎＴマークは、複数の非晶質部分に分割されることなく、連続的な非晶質マークとして形成されていることを透過電子顕微鏡で確認した。
実施例２
１．２ｍｍ厚でトラッキング用の溝（トラックピッチ１．６μｍ、溝幅約０．５３μｍ、溝深さ約３７ｎｍ）を形成したポリカーボネイト基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ7 Ｓｂ79Ｔｅ14記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2 ）15保護層を４０ｎｍ、Ａｌ99.5Ｔａ0.5 合金を２２０ｎｍ、それぞれ真空チャンバー内でスパッタにより成膜した。その上に紫外線硬化型保護コートを４μｍ塗布し硬化して光ディスクを作製した。
【０１８６】
このディスクを、レーザー波長８１０ｎｍ、ビーム径約１０８μｍ×１．５μｍのバルクイレーザで４２０ｍＷのパワーで初期結晶化を行い、さらに、レーザー波長７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡが０．５５の評価装置で、サーボをかけて、溝と溝間とを１回ずつ９．５ｍＷのＤＣ光で結晶化させ、結晶レベルのノイズを減らす作業を行った。
【０１８７】
その後、このディスクに対して、レーザー波長７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ０．５５の評価装置にて、線速１９．２ｍ／ｓ（ＣＤの１６倍速）、基本クロック周波数６９．１ＭＨｚ、Ｔ＝１４．５ナノ秒の条件で図６（ｃ）に示すパルス分割方式を用いて溝内に時間的長さ１１Ｔの非晶質マークを記録した。
記録パワーＰｗ＝１８ｍＷ、消去パワーＰｅ＝９ｍＷ、バイアスパワーＰｂ＝再生パワーＰｒ＝０．８ｍＷとしてオーバーライト記録を行った。
【０１８８】
再生は２．４ｍ／ｓ（ＣＤの２倍速）で行い、再生信号は２ｋＨｚの高周波通過フィルターを通した後、信号振幅の中心を閾値としてＤＣスライスして読みとった。
その結果、マークジッタは１３．１ナノ秒、スペースジッタは１３．２ナノ秒であり、ＣＤ規格の上限値１７．５ナノ秒を十分に下回った。
【０１８９】
また、実施例１と同様にしてＥＦＭ変調ランダムパターンを記録し再生したが、これも良好な結果が得られた。
比較例１
実施例２で作製したディスクに対して、レーザー波長７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ０．５５の評価装置にて、線速１９．２ｍ／ｓ（ＣＤの１６倍速）、基本クロック周波数６９．１ＭＨｚ、Ｔ＝１４．５ナノ秒の条件で図１１に示す、現行ＣＤ−ＲＷのｎ−ｋ分割方式（ｍ＝ｎ−ｋ、ｋ＝１。ｎ／ｍの最小値は１．１）を用いて時間的長さ１１Ｔの非晶質マークと１１Ｔのスペースを交互に記録した。
【０１９０】
記録パワーＰｗ＝１８ｍＷ、消去パワーＰｅ＝９ｍＷ、バイアスパワーＰｂ＝再生パワーＰｒ＝０．８ｍＷとしてオーバーライト記録を行った。
しかしながら、線速２．４ｍ／ｓで信号を再生すると、再生信号のマーク中央部に相当する部分で反射率が落ちきらず、マークを観察したところマーク中央部がかなり再結晶化していた。ジッタは１７．５ナノ秒を大幅に越え測定不能なレベルであった。再結晶化を抑制するために、ｎ−１分割方式のまま各記録パルス幅をより細くしたが、記録レーザー光の変調が追いつかず、記録パワーＰｗの増大をもたらすだけで、冷却効果の改善は全く見られなかった。
実施例３
１．２ｍｍ厚でトラックピッチ１．６ミクロン、溝幅約０．５３μｍ、溝深さ約３７ｎｍのトラッキング用の溝を形成したポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ7Ｓｂ78Ｔｅ15記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2
）20保護層を４５ｎｍ、Ａｌ99.5Ｔａ0.5合金反射層を２２０ｎｍ（体積抵抗率約１００
ｎΩ・ｍ、面積抵抗率０．４５Ω／□）、真空チャンバー内でスパッタ法により成膜した。その上に紫外線硬化樹脂保護層を約４μｍ形成した。該トラッキング用の案内溝には周波数２２．０５ｋＨｚの搬送波に対して±１ｋＨｚで周波数（ＦＭ）変調された、振幅（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｐｅａｋ）３０ｎｍの溝蛇行が付与されており、いわゆるＡＴＩＰにより、螺旋状の溝にそってアドレス情報が付与されている。
【０１９１】
実施例１及び２と同様に、本ディスクをレーザー波長約８１０ｎｍ、ビームの長軸約１０８μｍ×短軸約１．５μｍの楕円形の集束光を長軸が半径方向にそろうように配置して、線速３〜６ｍ／ｓで操作し、４００〜６００ｍＷのパワーを照射して初期化を行った。さらに、７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ＝０．５５の評価装置で、サーボをかけて溝と溝間部を１回ずつ９．５ｍＷのＤＣ光で結晶化させ、結晶化レベルのノイズを減らす作業を行った。
【０１９２】
記録再生評価には、パルステックＤＤＵ１０００（波長７８０ｎｍ，ＮＡ＝０．５５）を用い、溝内に記録再生を行った。記録時の線速度如何にかかわらず、再生は２倍速にて行った。この場合のＣＤフォーマットとしてのジッタの許容値は１７．５ナノ秒である。ゲート信号発生用の信号源として任意波形信号源ソニーテクトロニクス社製ＡＷＧ５２０を用いた。
【０１９３】
まず、ＣＤ線速の１６倍速（１９．２ｍ／ｓ）で記録を行った。この際基準クロック周期Ｔは１４．５ナノ秒である。
（１）  まず、図１４に示す分割記録パルスを用い中間パルス群の最適条件を検討した。記録パワーＰｗi は一定で２０ｍＷ、バイアスパワーＰｂi も一定で０．８ｍＷとし、マーク間の消去パワーＰｅは１０ｍＷとした。
【０１９４】
まず、図１４（ａ）のように、αi ＝１で一定とした分割記録パルスで、βi をβｃ（一定値）として、これを変化させて非晶質マーク形成へのオフパルス区間長依存性を調べた。
オフパルス区間がおよそ１Ｔより短い場合には、図３（ｄ）に示すようなマーク前端の再結晶化により、マーク前端での信号振幅が低下しており、後端でも、まだ振幅が低めであった。マーク長全体での最大振幅を消去レベルの信号強度で除した値（×１００％）を変調度と定義し、変調度のオフパルス区間依存性を図１５（ａ）に示した。オフパルス区間が短いと、前述の波形ひずみの影響（非晶質マーク形成不良）のため、変長度が低下していることが分かる。オフパルス区間が１Ｔを超えたところでようやく変調度が飽和して、歪みのない方形波に近い波形が得られた。
【０１９５】
次に、図１４（ｂ）に示すような分割記録パルスで、オフパルス区間を１．５Ｔで一定として、変調度の記録パルス区間依存性を検討した。図１４（ｂ）において、αi はαｃ（一定値）として一律に変化させた。図１５（ｂ）に変調度のαｃ依存性を示した。αｃ＝１〜１．５程度でほぼ飽和して変調度が得られていることが分かる。
【０１９６】
（２）  そこで、次に、中間パルス群はαi ＝１、βi ＝１．５で固定して、先頭周期、最後尾の周期の制御により、マーク長及びマーク端の特性を制御することを図１６の分割記録パルスを使用して検討した。図１６において最後尾に０．５Ｔの記録パルス区間を１個追加したのは、マーク長を正確に１１Ｔに近づけるためである。こうして、マーク長とマーク間長がともに１１Ｔになり、良好なジッタが得られる条件を探した。元になる波形は１１Ｔマークと１１Ｔマーク間の繰り返しパターンで、１１Ｔマークの前端に同期して、先頭記録パルスが立ち上がるものとした。ここで、２倍速再生しているので、ジッタの許容値の上限は１７．５ナノ秒（ｎｓ）であり、１１Ｔは約１．２７マイクロ秒（μｓ）に相当する。図１７、１８及び１９には、これらの値が点線で表記されている。
【０１９７】
図１６（ａ）のような分割記録パルスを用いて、先頭の記録パルスα1 長依存性を調べた。図１７（ａ）及び（ｂ）はそれぞれマーク長とマーク間長のα1 依存性、マークとマーク間ジッタのα1 依存性である。図１７（ｂ）より、まず、ジッタを１７．５ナノ秒以下にできるα1 として０．８〜１．８が適当であることが分かる。
【０１９８】
図１７（ｂ）ではマーク長とマーク間長は所望の１１Ｔが得られていないので、次にα1 ＝１として、図１６（ｂ）に示すような分割記録パルスを用いて、先頭オフパルスβ1 Ｔ長依存性を検討した。図１８（ａ）及び（ｂ）はそれぞれマーク長とマーク間長のβ1 依存性、マークとマーク間ジッタのβ1 依存性である。β1 ＝１．３で、ほぼ所望のマーク長及びマーク間長が得られ、β1 ＝１〜１．７の範囲で良好なジッタが得られていることが分かる。ここでは、β1 ＝１．５を選択する。
【０１９９】
さらに、図１６（ｃ）に示すような分割記録パルスを用いて、α1 ＝１及びβ1 ＝１．５として、最後尾のオフパルスβm 長依存性を検討した。図１９（ａ）及び（ｂ）はそれぞれマーク長とマーク間長のβｍ 依存性、マークとマーク間ジッタのβm 依存性である。βm ＝０．７近傍で所望のマーク長とマーク間長が得られ、βm ＝０〜１．８の広い範囲で良好なジッタが得られていることが分かる。
【０２００】
以上よりα1 ＝１、β1 ＝１．５、βm ＝０．８とすれば、所望の１１Ｔマーク長と最小のジッタが得られることになる。
（３）  上記（１）及び（２）の結果を元に、αi ＝１±０．５、βi ＝１±０．５の範囲で、前記（分割記録パルス発生方法２）に基づいて、周期２Ｔをベースとしたパルス分割方法を３Ｔ〜１１Ｔマーク長からなるＥＦＭ変調信号に対して試みた。具体的な各マーク長ごとのパルス分割方法は図２０に示す通りである。
【０２０１】
すなわち、ｎが偶数、つまりマーク長がｎＴ＝２ＬＴ、ただし、Ｌは２以上の整数、のマークの記録に際して、ｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パワーＰｗi を照射すべき記録パルス区間αi 及びバイアスパワーＰｂi を照射すべき区間オフパルス区間βi を
【０２０２】
α1 ＋β1 ＝２
αi ＋βi ＝２  （２≦ｉ≦ｍ−１）
αm ＋βm ＝１．６
なるように照射し、
一方、ｎが奇数、つまりマーク長ｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔのマーク長記録の場合は、ｍ＝Ｌ個に分割し、
【０２０３】
α1 '＋β1 '＝２．５
αi '＋βi '＝２  （２≦ｉ≦ｍ−１）
αm '＋βm '＝２．１
としている。つまり、２ＬＴマークと（２Ｌ＋１）Ｔマークで分割数はｍ＝Ｌで同じであるが、先頭と最後尾の周期に０．５Ｔずつ差をつけることで区別している。
【０２０４】
図２０では、α1 ＴのｎＴマーク前端に対する遅延Ｔd1 ＝０としている。また、ｎ≧
４では、ｎによらず、中間記録パルス群は、αi ＝０．８、βi ＝１．２（２≦ｉ≦ｍ−１）で一定とした。
さらに、ｎが偶数の場合には、α1 ＝０．８、β1 ＝１．２、αm ＝０．７、βm ＝０．９であり、奇数の場合にはα1 '＝１．０、β1 '＝１．５、αm '＝１．０、βm '＝１．１とした。３Ｔの場合のみ変則的で、α1 ＝１．２、β1 ＝１．５でちょうど３Ｔマーク長を得た。なお、図２０では、記録パルス区間と、オフパルス区間を、それぞれ矩形波の上底及び下底として示している。具体的な区間長は、数字で記載されており、上底及び下底の長さ自体は、区間長に対応して表記されているわけではない。
【０２０５】
記録パワーＰｗi 、バイアスパワーＰｂi はｉによらず一定で、Ｐｗ＝２０ｍＷ，Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。消去パワーＰｅは１０ｍＷとした。
９回オーバーライト後（初回記録を０回とみなす）の、各ｎＴマーク及びｎＴマーク間のマーク長及びマーク間長、さらにジッタを測定した。マーク長及びマーク間長の結果を図２１（ａ）に、マーク及びマーク間のジッタを図２１（ｂ）に示した。マーク長及びマーク間長はほぼ正確にｎＴになっており、ジッタもオーバーライトにより、初回記録に比べ２〜３ナノ秒程度悪化するが、１７．５ナノ秒以下に収まった。なお、オーバーライトではなく、一旦、消去パワーＰｅを直流的に照射して消去を行ったところ、さらに２ナノ秒程度ジッタが改善された。
【０２０６】
（４）  同様の媒体に線速ｖとクロック周期Ｔの積が一定となるように、クロック周期を変化させて、ＣＤ１０倍速でのオーバーライトを試みた。すなわち、この場合の基準クロック周期Ｔは２３．１ナノ秒である。ｎ≧４においては、αi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）をほぼ一定となるように決めた。即ち、中間記録パルス群は、αi ＝０．５、βi ＝１．５（２≦ｉ≦ｍ−１）で一定とした。
【０２０７】
分割パルス方法は図２２に示す通りである。即ち、ｎが偶数の場合には、α1 ＝０．６、β1 ＝１．４、αm ＝０．５、βm ＝１．４であり、奇数の場合にはαi '＝０．６、βi '＝１．９、αm '＝０．６、βm '＝１．８とした。３Ｔの場合のみ変則的で、α1 ＝０．８、β1 ＝２．４でちょうど３Ｔマーク長を得た。この分割記録パルスは、ｎ＝３の場合を除いて、概ね、図２０で得られた記録パルス長を一定に保ったままクロック周期を、１６／１０倍（線速度に反比例）して変化させることに対応する。記録パワーＰｗi 、バイアスパワーＰｂi はやはりｉによらず一定で、１６倍速時と同じく、Ｐｗ＝２０ｍＷ，Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。消去パワーＰｅも１６倍速時と同じ１０ｍＷとした。
【０２０８】
９回オーバーライト後（初回記録を０回とみなす）の、各ｎＴマーク及びｎＴマーク間のマーク長及びマーク間長、さらにジッタを測定した。マーク長及びマーク間長の結果を図２３（ａ）に、マーク及びマーク間のジッタを図２３（ｂ）に示す。マーク長及びマーク間長はほぼ正確にｎＴになっており、ジッタもオーバーライトにより、初回記録より２〜３ナノ秒程度悪化するが、１７．５ナノ秒以下に収まった。
【０２０９】
なお、オーバーライトではなく、一旦、消去パワーＰｅを直流的に照射して消去を行ったところ、さらに２ナノ秒程度ジッタが改善された。
（５）  同様の媒体に、１１Ｔマーク用の分割記録パルスと１１Ｔのマーク間長からなる繰り返しパターン（１１Ｔパターン）と、３Ｔマーク用の分割記録パルスと３Ｔマーク間からなる繰り返しパターン（３Ｔパターン）とを用いてオーバーライトを行った。３Ｔパターンを９回オーバーライト後、１０回目に１１Ｔパターンをオーバーライトして、３Ｔ信号のキャリアレベルの低下率（ｄＢ単位）を消去比として測定した（オーバーライト消去比）。また、３Ｔは各線速で若干のずれが生じるが、基本的に３Ｔ、１１Ｔとも図２０の分割方式をベースにαi Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）がほぼ一定となるように変化させた。
【０２１０】
線速と基準クロック周期との積を一定としたまま、線速を変化させて、それぞれで消去比を求めたところ、ＣＤ線速の１０倍速、１２倍速、１６倍速及び１８倍速で、オーバーライト消去比２０ｄＢ以上が得られた。
なお、ランダムパターンを記録した場合、ｎＴマークは、複数の非晶質部分に分割されることなく、連続的な非晶質マークとして形成されていることを透過電子顕微鏡で確認した。
【０２１１】
なお、以上で使用したのと同様の記録層を初期化後の状態で剥離し、透過電子顕微鏡観察によって結晶性の確認を行ったところ、六方晶の単一相からなる多結晶であることがわかった。結晶相としては相分離は確認できず、単一相で、配向面が回転した多結晶構造であると推定される。さらにＸ線回折による検討も行ったところ、六方晶構造であることがわかった。
実施例４
０．６ｍｍ厚でトラックピッチ０．７４μｍ、溝幅約０．２７μm、溝深さ約３０ｎｍ
のトラッキング用の溝を形成したポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2
）20保護層を６８ｎｍ、Ｇｅ5Ｓｂ77Ｔｅ18記録層を１４ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20保護層を２５ｎｍ、Ａｌ99.5Ｔａ0.5合金反射層を２００ｎｍ（体積抵抗率約１００ｎ
Ω・ｍ、面積抵抗率０．５Ω／□）、真空チャンバー内でスパッタ法により成膜した。その上にスピンコートによって約４μｍの紫外線硬化樹脂層を設けた。これに、もう一枚同じ層構成を有する厚さ０．６ｍｍの基板を貼り合わせて相変化型ディスクとした。
【０２１２】
得られたディスクに対して、実施例３と同様に、レーザー波長約８１０ｎｍ、ビームの長軸約１０８μｍ×短軸約１．５μｍの楕円形の集束光ビームを長軸が半径方向にそろうように配置して、線速３〜６ｍ／ｓで走査し、４００〜６００ｍＷのパワーを照射して初期化を行った。さらに、波長約６６０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ＝０．６５の評価装置で、トラッキング及びフォーカスサーボをかけて溝部に１回ずつ約６ｍＷのＤＣ光を４ｍ／ｓで走査させて、結晶化レベルのノイズを減らす作業を行った。
【０２１３】
記録再生評価には、パルステックＤＤＵ１０００（波長約６６０ｎｍ，ＮＡ＝０．６５）を用い、溝内に記録再生を行った。ゲート信号発生用の信号源として任意波形信号源ソニーテクトロニクス社製ＡＷＧ６１０を用いた。この場合、３Ｔマークの長さが０．４μｍであり、DVD（３．５ｍ／ｓで、２６．１６ＭＨｚ）と同じ記録密度となるように、各
線速度におけるクロック周期を設定した。
【０２１４】
まず、記録時の線速をＤＶＤの４．８倍速に相当する１６．８ｍ／ｓ（クロック周波数１２５．９３ＭＨｚ、クロック周期７．９ｎｓｅｃ）として、図２５に示すような簡単な波形で１４Ｔ区間を分割して中間分割記録パルスについて検討した。マーク間は１４Ｔとした。記録パワーＰｗ＝１５ｍＷ、消去パワーＰｅ＝５ｍＷ，バイアスパワーＰｂ＝０．５ｍＷで一定とした。記録パワー照射区間をＴｗ，バイアスパワー照射区間をＴｂとし、Ｔｗ＋Ｔｂ＝１Ｔとして、１４周期のＰｗとＰｂを照射した場合（図２５（ａ））と、Ｔｗ＋Ｔｂ＝２Ｔとして、７周期のＰｗとＰｂを照射した場合（図２５（ｂ））の２つの場合につき、再生信号の記録マーク部分の変調度のＴｗのＴに対する比（Ｔｗ／Ｔ）依存性を評価した。２Ｔ周期のＴｗ／Ｔが１．０の場合で、ほぼ歪みのない方形波に近い信号が得られ、変調度も最大となった。０．５未満では歪んだ波形が得られており、記録パワー照射区間が不十分なため、温度上昇が不足していると考えられる。逆に、Ｔｗ／Ｔが１．０以上の範囲では、Ｔｗの増加に伴い、変調度が低下している。これは、冷却時間が不足して再結晶化により非晶質化が阻害されたためと考えられる。さらに、Ｔｗ／Ｔが１．５を越えると、変調度は５％よりも小さくなり、歪んだ波形となった（図示せず）。一方、１Ｔ周期の場合は、すべての範囲で変調度は低く、歪んだ波形しか得られなかった。この場合、１Ｔ周期では、十分な記録パワー照射時間と冷却時間とが両立する範囲が存在しないためと考えられる。
【０２１５】
以上の結果から、分割記録パルス発生方法２または３で、少なくとも２≦ｉ≦ｍ−１の中間分割記録パルス群において、αi＝αi'＝１、βi＝βi'＝１と設定することが好ましいことがわかる。
続いて、上記ディスクが、１４ｍ／ｓ及び１７．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ線速３．５ｍ／ｓの４及び５倍速に相当）の高線速で高速消去が可能であることを以下のようにして確認した。即ち、８Ｔマーク用の分割記録パルスと８Ｔのマーク間長とからなる繰り返しパターン（８Ｔパターン）と、３Ｔマーク用の分割記録パルスと３Ｔのマーク間長とからなる繰り返しパターン（３Ｔパターン）とを用いて、オーバーライトを行なった。３Ｔパターンを９回オーバーライト後、１０回目に８Ｔパターンをオーバーライトして、３Ｔ信号のキャリアレベルの低下率をオーバーライト消去比として求めた。ＤＶＤと同じ記録密度となるよう線速と基準クロック周期との積を一定として、それぞれのオーバーライト消去比を求めたところ、１４ｍ／ｓ及び１７．５ｍ／ｓそれぞれで２５ｄＢ以上の値が得られた。
【０２１６】
さらに、前記分割記録パルス発生方法３に基づいて、周期２Ｔをベースとしたパルス分割方法を３Ｔ〜１１T及び１４Ｔマーク長からなるＥＦＭ＋変調信号記録を線速１４ｍ／
ｓ及び１６．８ｍ／ｓ（ＤＶＤ線速３．５ｍ／ｓの４倍速及び４．８倍速）に対して行なった。４倍速におけるクロック周波数は１０４．９ＭＨｚ、クロック周期は９．５ｎｓｅｃであり、４．８倍速におけるクロック周波数は１２５．９ＭＨｚ、クロック周期は７．９ｎｓｅｃである。具体的なパルス分割方法は図２６に示す通りである。
ｎが偶数、つまりマーク長がｎＴ＝２ＬＴ（ただし、Ｌは２以上の整数）の場合、マークの記録に際して、マークをｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パルス区間αiＴ及びオフパ
ルス区間βiＴにおけるαi及びβiを、
【０２１７】
Ｔd1＋α1＝２（Ｔd1＝０．９５）
βi-1＋αi＝２  （２≦ｉ≦ｍ−１）
とし、
一方、ｎが奇数、つまりマーク長がｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔの場合、マークの記録に際して、マークをｍ＝Ｌ個の区間に分割し、記録パルス区間αiＴ及びオフパルス区間βiＴにおけるαi及びβiを、
【０２１８】
Ｔd1'＋α1'＝２．０５（Ｔd1'＝１）
β1'＋α2'＝２．４５
βi-1' ＋αi'＝２  （３≦ｉ≦ｍ−１）
βm-1'＋αm'＝２．４５
とした。この場合、Ｌ＝２ではβ1'＋α2'＝２．９とし、αm＝１、αm'＝αm＋０．２＝１．２とした。
【０２１９】
そして、Ｌ≧３の場合は、中間記録パルス群は、αi'＝αi＝１、βi'＝βi＝１（２≦ｉ≦ｍ−１）で一定とし、αm＝αm'＝１で一定とした。また、Ｌ≧２では、α1＝α1'＝１．０５及び、βm＝βm'＝０．４でｎによらず一定とした。
さらに３Ｔの場合は、Ｔd1＝１．１５、α1＝１．２、β1＝０．８でちょうど３Ｔマーク長を得た。なお、図２５では、記録パルス区間と、オフパルス区間を、それぞれ矩形波の上底及び下底として示している。具体的な区間長は、数字で記載されており、上底及び下底の長さ自体は、区間長に対応して表記されているわけではない。
【０２２０】
バイアスパワーＰｂiはｉによらず一定の値Ｐｂ＝０．５ｍＷとし、消去パワーＰｅは
４．５ｍＷとした。記録パワーＰｗiもｉによらず一定とし９回オーバーライト後のエッ
ジ・ツー・クロックジッタと変調度の記録パワー依存性を測定した。再生は、再生光パワーＰｒ＝０．８ｍＷ、線速度３．５ｍ／ｓで行った。いずれの記録線速においても図２７の（ａ）及び（ｂ）に示すように、記録パワー１５．０ｍＷにおいてエッジ・ツー・クロックジッタは１０％未満、変調度は６０％以上を実現している。またＲtopは約１８％であった。記録パワー１５．０ｍＷでオーバーライト依存性を測定したところ、図２７の（ｃ）に示すように１００００回後でもエッジ・ツー・クロックジッタは１１％以下であった。このときＲtop及び変調度はオーバーライトによってほとんど変化しなかった。
【０２２１】
さらに、同様のディスクに対して、前記分割記録パルス発生方法３に基づいた図２８に示すパルス分割方法を用いてＥＦＭ＋変調信号記録をＤＶＤ２倍速に相当する線速７ｍ／ｓ、クロック周波数５２．５ＭＨｚ（クロック周期１９．１ｎｓｅｃ）で記録を行なった。
４倍速及び４．８倍速記録と同様にバイアスパワーを一定Ｐｂ＝０．５ｍＷとし、消去パワーＰｅを４．５ｍＷとしたうえで、記録パワーＰｗiもｉによらず一定とし９回オー
バーライト後のエッジ・ツー・クロックジッタと変調度の記録パワー依存性を測定した。図２７（ａ）及び（ｂ）に示すように、記録パワー１３．０ｍＷでエッジ・ツー・クロックジッタは８％未満、変調度は５７％以上を実現している。Ｒtopは約１８％であった。
記録パワー１３．０ｍＷでオーバーライト依存性を測定したところ、図２７（ｃ）に示すように、１００００回後でもエッジ・ツー・クロックジッタは１１％以下であった。このときＲtop及び変調度はオーバーライトによってほとんど変化しなかった。
【０２２２】
以上より、分割記録パルス発生方法３に基づいたパルス分割方法を用いることによって、ＤＶＤ線速の２倍速から４．８倍速という広い範囲での記録が可能であることが分かる。従って、この方法を用いることによって、例えば、ＤＶＤのデータエリアである半径約２４ｍｍから約５８ｍｍの半径範囲において、回転角速度を一定とした記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０２２３】
【図１】本発明に係わる記録パルス分割方式とその発生方法の一例の説明図
【図２】従来の記録パルス分割方式の説明図
【図３】相変化型光記録媒体の記録マーク形状及び反射率変化を説明する模式図
【図４】相変化型光記録媒体の記録層に記録光を照射した際の温度履歴の例
【図５】ＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図
【図６】本発明実施例の１１Ｔマークの記録パルス分割の例
【図７】本発明実施例１における、α1 とマーク時間長の関係を示すグラフ
【図８】本発明実施例１における、βm とマーク時間長の関係を示すグラフ
【図９】本発明実施例１における、ＥＦＭランダムパターンの記録パルス分割の一例
【図１０】本発明実施例１におけるマーク時間長／スペース時間長の測定値の理論値との関係を示すグラフ
【図１１】従来の１１Ｔマーク／１１Ｔスペースの記録パルス分割の一例
【図１２】本発明におけるパルス分割方法の一例を示す説明図
【図１３】図１２のパルス分割方法におけるゲートの発生のタイミングを示す説明図
【図１４】実施例３の（１）におけるパルス分割方法を示すを示す説明図
【図１５】実施例３の（１）における変調度の依存性を示すグラフ
【図１６】実施例３の（２）におけるパルス分割方法を示すを示す説明図
【図１７】実施例３の（２）におけるマーク長及びマーク間長のα1依存性を示すグラフ
【図１８】実施例３の（２）におけるマーク長及びマーク間長のβ1依存性を示すグラフ
【図１９】実施例３の（２）におけるマーク長及びマーク間長のβm依存性を示すグラフ
【図２０】実施例３の（３）におけるパルス分割方法を示すを示す説明図
【図２１】実施例３の（３）におけるマーク長及びマーク間長、並びにそれらのジッタを示すグラフ
【図２２】実施例３の（４）におけるパルス分割方法を示すを示す説明図
【図２３】実施例３の（４）におけるマーク長及びマーク間長、並びにそれらのジッタを示すグラフ
【図２４】本発明のパルス分割方法の具体例を示す説明図
【図２５】実施例４におけるパルス分割方法及び得られた変調度のＴｗ／Ｔ依存性を示す説明図
【図２６】実施例４におけるパルス分割方法の具体例を示す説明図
【図２７】実施例４における変調度及びジッターのパワー依存性及びジッターのオーバーライト回数依存性を示す図
【図２８】実施例４におけるパルス分割方法の他の具体例を示す説明図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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