(57)【要約】【課題】  リードフレームに複数の回路基板を固定してから封止を行うことができる混成集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の製造方法は、複数のリード１１から成るユニット５１を有するリードフレーム５０を用意する工程と、回路基板１６の表面に形成されたパッド１３をリード１１に固着することによりリードフレーム５０の各ユニット５１に回路基板１６を固定する工程とを具備し、回路基板１６の端部に形成される第1のパッド１３Ａと、第1のパッド１３Ａに隣接する第２のパッド１３Ｂとの間隔を、前記パッド１３同士の間隔よりも狭くすることで、混成集積回路装置を製造する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードから成るユニットを有するリードフレームを用意する工程と、
回路基板の表面に形成されたパッドを前記リードに固着することにより前記リードフレームの各前記ユニットに前記回路基板を固定する工程とを具備し、
前記回路基板の端部に形成される第1のパッドと、前記第1のパッドに隣接する第２のパッドとの間隔を、他の前記パッド同士の間隔よりも狭くすることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記パッドは、前記回路基板の側辺部に沿って配置されることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記パッドは、前記回路基板の相対向する側辺部に沿って配置されることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記第1のパッドまたは前記第２のパッドは、ダミーパッドであることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードと前記パッドとの固着は、ロウ材を介して行うことを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記回路基板の表面に導電パターンおよび回路素子から成る電気回路を形成してから、前記回路基板を前記リードフレームに固定することを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記回路基板を前記リードフレームに固定してから、前記回路基板の表面に形成された電気回路を封止することを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は混成集積回路装置の製造方法に関し、特に、リードフレームに複数個の回路基板を固定してから封止の工程を行う混成集積回路装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１２から図１４を参照して、従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する。
【０００３】
図１２を参照して、先ず、大判の金属基板１１６Ａを細長に分割する工程を説明する。同図に於いて、図１２（Ａ）は大判の金属基板１１６Ａの平面図である。図１２（Ｂ）は大判の金属基板１１６Ａの断面図である。
【０００４】
図１２（Ａ）を参照して、大判の金属基板１１６Ａを、ダイシングラインＤ１０により細長に分割する。この分割は、剪断力によるシャーリングにより行う。さらに細長に分割された金属基板は、その後のボンディン工程等の作業性が考慮されて、２つまたはそれ以上に分割されても良い。ここでは、細長に分割された金属基板は、長さの異なる２つの金属基板１１６Ｂに分割される。
【０００５】
図１２（Ｂ）を参照して、金属基板１１６Ａの構成を説明する。ここでは、基板１１６Ａはアルミから成る基板であり、両面はアルマイト処理されている。また、混成集積回路が形成される面に於いては、金属基板１１６Ａと導電パターンとの絶縁を行うために、絶縁層１０７が設けられている。そして、絶縁層１０７の上部には、導電パターンとなる銅箔１１８が設けられ、ともにアルミに圧着されている。
【０００６】
図１３を参照して、細長に分割された金属基板１１６Ｂの表面に混成集積回路１１７を形成する工程を説明する。この図に於いて、図１３（Ａ）は、複数の混成集積回路１１７が形成された細長の金属基板１１６Ｂの平面図である。そして、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）の断面図である。
【０００７】
先ず、絶縁層１０７上に圧着された銅箔をエッチングすることにより、導電パターン１０８を形成する。ここでは、細長の金属基板１１６Ｂに、複数の混成集積回路を形成するように導電パターン１０８をパターニングする。
【０００８】
次に、半田等のロウ材を用いて、導電パターン１０８上の所定の箇所に回路素子１０４を固着する。回路素子１０４としては、受動素子や能動素子を全般的に採用することができる。また、パワー系の素子を実装する場合には、導電パターン上に固着されたヒートシンク上に素子が実装される場合もある。
【０００９】
図１４を参照して、複数の混成集積回路１１７が形成された金属基板１１６Ｂを個々の回路基板１０６に分割する方法を説明する。表面に混成集積回路１１７が形成された個々の回路基板１０６は、プレス機を用いて回路基板１０６の部分を打ち抜くことにより、金属基板１１６Ｂから分割される。ここで、プレス機は、混成集積回路１１７が形成される面から金属基板１１６Ｂを打ち抜く。従って、回路基板１０６の周端部は、導電パターンや回路素子が形成されないマージンとなっている。
【００１０】
以上の工程で個々に分離された回路基板１０６は、混成集積回路１１７を封止する工程等を経て、製品として完成する。
【特許文献１】特開平６−１７７２９５号公報（第４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した混成集積回路装置の製造方法は以下に示すような問題を有していた。
【００１２】
打ち抜きにより各回路基板１０６がバラバラに分離されてしまうので、その後の工程で各回路基板の取り扱いが複雑になってしまう問題があった。具体的には、封止の工程等で各回路基板を個別にモールド金型にセットしなければならないので、回路基板毎の位置決めに手間がかかってしまう問題があった。
【００１３】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、リードフレームに複数の回路基板を固定してから封止を行うことができる混成集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の混成集積回路装置の製造方法は、複数のリードから成るユニットを有するリードフレームを用意する工程と、回路基板の表面に形成されたパッドを前記リードに固着することにより前記リードフレームの各前記ユニットに前記回路基板を固定する工程とを具備し、前記回路基板の端部に形成される第1のパッドと、前記第1のパッドに隣接する第２のパッドとの間隔を、他の前記パッド同士の間隔よりも狭くすることを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、前記パッドは、前記回路基板の側辺部に沿って配置されることを特徴とする。
【００１６】
更に、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、前記パッドは、前記回路基板の相対向する側辺部に沿って配置されることを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、前記第1のパッドまたは前記第２のパッドは、ダミーパッドであることを特徴とする。
【００１８】
更に、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、前記リードと前記パッドとの固着は、ロウ材を介して行うことを特徴とする。
【００１９】
更に、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、前記回路基板の表面に導電パターンおよび回路素子から成る電気回路を形成してから、前記回路基板を前記リードフレームに固定することを特徴とする。
【００２０】
更に、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、前記回路基板を前記リードフレームに固定してから、前記回路基板の表面に形成された電気回路を封止することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の混成集積回路装置の製造方法によれば、電気回路が表面に形成された回路基板を分離した後に、複数個の回路基板をリードフレームに固定した状態でその後の工程を行うことができる。従って、複数個の回路基板をリードフレームで固定した状態で樹脂封止の工程等を行うことができる。このことから、回路基板の搬送や位置決めにかかる手間を省力化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１を参照して、本発明の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ’断面での断面図である。
【００２３】
本発明の混成集積回路装置１０は、導電パターン１８と回路素子１４とから成る電気回路が表面に形成された回路基板１６と、この電気回路を封止して、少なくとも回路基板１６の表面を被覆する封止樹脂１２とを有する。このような各構成要素を以下にて説明する。
【００２４】
回路基板１６は、アルミや銅等の金属から成る基板である。１例として回路基板１６としてアルミより成る基板を採用した場合、回路基板１６とその表面に形成される導電パターン１８とを絶縁させる方法は２つの方法がある。１つは、アルミ基板の表面をアルマイト処理する方法である。もう１つの方法は、アルミ基板の表面に絶縁層１７を形成して、絶縁層１７の表面に導電パターン１８を形成する方法である。回路基板１６の表面に載置された回路素子１４から発生する熱を好適に外部に逃がすために、回路基板１６の裏面は封止樹脂１２から外部に露出させる場合もある。また、装置全体の耐湿性を向上させるために、回路基板１６の裏面も含めて封止樹脂１２により全体を封止することもできる。
【００２５】
更に、回路基板１６の側面部は、外側に突出するような傾斜部を有する形状になっている。このように回路基板１６の側面に傾斜部を設けることにより、回路基板１６の側面を封止樹脂１２との密着強度を向上させることができる。
【００２６】
回路素子１４は導電パターン１８上に固着され、回路素子１４と導電パターン１８とで所定の電気回路が構成されている。回路素子１４としては、トランジスタやダイオード等の能動素子や、コンデンサや抵抗等の受動素子が採用される。また、パワー系の半導体素子等の発熱量が大きいものは、金属より成るヒートシンクを介して回路基板１６に固着されても良い。ここで、フェイスアップで実装される能動素子等は、金属細線１５を介して、導電パターン１８と電気的に接続される。
【００２７】
導電パターン１８は銅等の金属から成り、回路基板１６と絶縁して形成される。また、リード１１が導出する辺に、導電パターン１８からなるパッド１３が形成される。ここでは、回路基板１６の対向する二つの辺付近に、整列したパッド１３が複数個設けられる。更に、導電パターン１８は、絶縁層１７を接着剤として、回路基板１６の表面に接着されている。
【００２８】
リード１１は、回路基板１６の周辺部に設けられたパッド１３に固着され、例えば外部との入力・出力を行う働きを有する。ここでは、対向する二つの周辺部に多数個のリード１１が設けられている。リード１１とパッド１３との接着は、半田（ロウ材）等の導電性接着剤を介して行われている。また、一つの側辺のみからリード１１を導出させることもできる。更にまた、４つの側辺からリード１１を導出させることもできる。
【００２９】
封止樹脂１２は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールド、または、熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。ここでは、回路基板１６およびその表面に形成された電気回路を封止するように封止樹脂１２が形成され、回路基板１６の裏面の裏面も含めて封止樹脂１２により封止されている。また、放熱性の向上のために、回路基板１６の裏面を封止樹脂１２から外部に露出させる場合もある。
【００３０】
図２以降を参照して、混成集積回路装置の製造方法を説明する。本発明の製造方法は、複数のリード１１から成るユニット５１を有するリードフレーム５０を用意する工程と、回路基板１６の表面に形成されたパッド１３をリード１１に固着することによりリードフレーム５０の各ユニット５１に回路基板１６を固定する工程とを具備し、回路基板１６の端部に形成される第1のパッド１３Ａと、第1のパッド１３Ａに隣接する第２のパッド１３Ｂとの間隔を、前記パッド１３同士の間隔よりも狭くすることで、混成集積回路装置を製造する。この様な各工程の詳細を以下に説明する。
【００３１】
第１工程：図２および図３参照
本工程では、大判の金属基板１９Ｂの表面に複数の導電パターン１８を形成して、各導電パターン１８の境界に溝２０を形成する。図２（Ａ）は金属基板１９Ｂの平面図であり、図２（Ｂ）はＶカットソー３５を用いて金属基板１９Ａに溝を形成する状態を示す斜視図であり、図２（Ｃ）は刃先３５Ａの拡大図である。
【００３２】
先ず図２（Ａ）を参照して、所望の大きさの金属基板１９Ｂを用意する。この金属基板１９Ｂの表面には絶縁層を介して導電箔は圧着されている。そして、この導電箔を所望の形状にパターニングすることにより、複数の導電パターン１８を構成している。形成される導電パターン１８の個数は、金属基板１９Ｂの大きさや混成集積回路の大きさにもよるが、数十個から数百個の混成集積回路を形成する導電パターンを１枚の金属基板１９Ｂに形成することができる。
【００３３】
次に、金属基板１９Ｂの表面および裏面に格子状に第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂを形成する。図２（Ｂ）を参照して、Ｖカットソー３５を高速で回転させて、ダイシングラインＤ２に沿って金属基板の表面および裏面に第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂを形成する。ダイシングラインＤ２は格子状に設けられている。そして、ダイシングラインＤ２は、絶縁層１１上に形成された個々のユニット３２の境界線に対応している。
【００３４】
図２（Ｃ）を参照して、Ｖカットソー３５の形状について説明する。Ｖカットソー３５には、同図に示すような形状を有する刃先３５Ａが多数設けられている。ここで、刃先３５Ａの形状は、金属基板１９Ａに設けられる溝の形状に対応している。ここでは、Ｖ型の断面を有する溝が、金属基板の両面に形成される。従って、刃先３５Ａの形状もまたＶ型となっている。なお、刃先３５Ａにはダイヤモンドが埋め込まれている。
【００３５】
次に、図３を参照して、溝２０が形成された金属基板１９Ｂの形状を説明する。図３（Ａ）はカットソー３１により溝２０が形成された金属基板１９Ｂの斜視図であり、図３（Ｂ）は金属基板１９Ｂの断面図である。
【００３６】
図３（Ａ）を参照して、金属基板１９Ｂの表面および裏面には、第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂが格子状に形成されている。ここで、第１の溝２０Ａと第２の溝２０Ｂとの平面的な位置は対応している。本実施の形態では、Ｖ型の形状の刃先３５Ａを有するＶカットソー３５を用いて溝を形成するので、溝２０はＶ型の断面となる。また、溝２０の中心線は、絶縁層１１上に形成された個々の導電パターン１８の境界線に対応している。ここでは、樹脂層１１が形成された面に第１の溝２０Ａが形成され、その反対面に第２の溝２０Ｂが形成されている。
【００３７】
図３（Ｂ）を参照して、溝２０の形状等を説明する。ここでは、溝２０はほぼＶ型の断面に形成されている。そして、第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂの深さは、金属基板１９Ｂの厚さの半分よりも浅く成っている。従って、本工程では個々の回路基板１６に分割されない。即ち、個々の回路基板１６は、溝２０の部分に対応する金属基板１９Ｂの残りの厚み部分で連結されている。従って、個々の回路基板１６として分割するまでは、金属基板１９Ｂは１枚のシートとして扱うことができる。
【００３８】
ここで、第１および第２の溝２０Ａ、２０Ｂの広さや深さは、調節することができる。具体的には、第１の溝２０Ａが開口する角度を小さくすることにより、導電パターン１８が形成可能な有効面積を大きくすることができる。また、第1の溝２０Ａの深さを浅くすることでも、同様の効果を奏することができる。
【００３９】
第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂの大きさを同様にすることもできる。このことにより、格子状に溝２０が形成された金属基板１６Ｂに反りが発生してしまうのを抑止することができる。
【００４０】
第２工程：図４および図５参照
本工程は、導電パターン１８上に回路素子１４を実装し、回路素子１４と導電パターン１８との電気的接続を行う工程である。
【００４１】
先ず、図４（Ａ）を参照して、回路素子１４は、半田等のロウ材を介して導電パターン１８の所定の箇所に実装される。回路素子１４としては、トランジスタやダイオード等の能動素子や、コンデンサや抵抗等の受動素子が採用される。また、パワー系の半導体素子等の発熱量が大きいものは、金属より成るヒートシンクを介して回路基板１６に固着されても良い。ここで、図４（Ｂ）を参照して、フェイスアップで実装される能動素子等は、金属細線１５を介して、１枚の金属基板１９Ｂに形成された数十から数百個の各導電パターン１８について、一括してワイヤボンドを行い電気的に接続される。
【００４２】
次に、図４（Ｂ）を参照して、回路素子１４と導電パターン１８との電気的接続を行う。ここでは、１枚の金属基板１９Ｂに形成された数十から数百個の各導電パターン１８について、一括してワイヤボンドを行う。
【００４３】
図５を参照して、金属基板１９Ｂに形成された各混成集積回路を説明する。図５は金属基板１９Ｂに形成された混成集積回路１７の１部分の平面図であり、実際は更に多数個の混成集積回路１７が形成される。また、金属基板１９Ｂを個々の回路基板１６に分割するダイシングラインＤ３を、同図では点線で示している。同図から明らかなように、個々の混成集積回路を形成する導電パターン１８とダイシングラインＤ３は、極めて接近している。このことから、金属基板１９Ｂの表面には全面的に導電パターン１８が形成されることが分かる。
【００４４】
上記の説明では、細長の形状を有する基板１０Ｂの表面に一括して混成集積回路を形成した。ここで、ダイボンドやワイヤボンドを行う製造装置に制約が有る場合は、本工程の前の工程で金属基板１９Ｂを所望のサイズに分割することもできる。
【００４５】
第３工程：図６および図７を参照
本工程は、金属基板１６Ｂを溝２０が形成された箇所で分割することにより個々の回路基板１６を分離する。各回路基板１６を分離数方法としては数々の方法があるが、ここでは、折り曲げにより分離する方法と、カッターを用いて分離を行う方法を説明する。
【００４６】
図６を参照して、金属基板１９Ｂを折り曲げることにより、個々の回路基板１６に分割する方法を説明する。図６（Ａ）は分離を行う前の金属基板１９Ｂの斜視図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＸ−Ｘ’線での断面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＹ−Ｙ’線での断面図である。この方法では、第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂが形成された箇所が折り曲がるように、金属基板１９Ｂを部分的に折り曲げる。第１の溝２０Ａおよび第２の溝２０Ｂが形成された箇所は、溝２０が形成されていない厚み部分のみで連結されているので、この箇所で折り曲げることにより、この連結部分から容易に分離することができる。また、金属基板１９Ｂがアルミニウムから成る基板である場合は、アルミニウムは粘りのある金属であることから、分離されるまで複数回の曲折を行う。
【００４７】
図６（Ａ）を参照して、金属基板１９Ｂの表面にはマトリックス状に複数個の電気回路が各回路基板１６に形成されている。各電気回路の境界には第１および第２の溝２０Ａ、２０Ｂが形成されている。本工程では、先ず分割線Ｄ３に沿って分割を行い、その後に、分割線Ｄ４に沿って分割を行う。換言すると、複数枚の混成集積回路がマトリックス状に連結された金属基板１９Ｂを一方方向に分割することで、複数枚の回路基板１６が一つの方向に連なった短冊状の金属基板を得る。その後に、短冊形の金属基板を他方の方向に分割することで個々の回路基板１６を得る。ここでは、分割線Ｄ３の方向にすべての分割を行うことで３つの短冊形の金属基板に分割される。実際には更に多数この回路基板１６が形成されている。金属基板１９Ｂの曲折は、図示する固定方向Ｆ１から金属基板１９Ｂを固定しつつ行われる。
【００４８】
図６（Ｂ）を参照して、分割線Ｄ３に沿って分割を行っている状態のＸ−Ｘ’での断面を説明する。ここでは、最も左側に位置する回路基板１６と、それに隣接する回路基板１６との間の境界で曲折が行われている。この曲折は、図６（Ａ）に示す曲折方向Ｂ１の方向に連続して行う。金属基板１６Ｂの材料であるアルミニウムは、粘りを有する材料であるので、複数回の曲折を行うことにより分離を行っている。
【００４９】
図６（Ｃ）を参照して、金属基板１９Ｂの曲折は、金属基板１９Ｂの側面部を固定部３６で固定してから行われる。本工程では、回路基板１６の側面が外側に凸状に傾斜している。このことから、この凸状の側面を固定部３６Ａで横方向から押圧することで、金属基板１９Ｂの固定を行うことができる。従って、金属基板１９Ｂの表面に固定部３６Ａは接触しないことから、金属基板１９Ｂの表面の全域に導電パターンや回路素子１４を形成することが可能となる。
【００５０】
図７を参照して、丸カッター４１により、金属基板１９Ｂの分割を行う方法を説明する。図７（Ａ）を参照して、丸カッター４１を用いて第1の溝２０Ａ沿いに金属基板１９Ｂを押し切る。このことにより金属基板１９Ｂは個々の回路基板１６に分割される。丸カッター４１は、金属基板１９Ｂの溝２０が形成されていない厚み部分の、溝２０の中心線に対応する部分を押し切る。
【００５１】
図７（Ｂ）を参照して、丸カッター４１の詳細について説明する。丸カッター４１は円板状の形状を有しており、その周端部は鋭角に形成してある。丸カッター４１の中心部は、丸カッター４１が自由回転できるように支持部４２に固定してある。丸カッター４１は駆動力を有さない。即ち、丸カッター４１の一部を金属基板１９Ｂに押し当てながら、ダイシングラインＤ３に沿って移動させることで、丸カッター４１は回転する。
【００５２】
また、上述した方法の他にも、レーザーを用いて、第１および第２の溝２０Ａ、２０Ｂが設けられた箇所の、基板の残りの厚み部分を削除して個々の回路基板に分離する方法も考えられる。更に、高速で回転するカットソーを用いて、基板の残りの厚み部分を削除することも可能である。
【００５３】
第４工程：図８および図９参照
本工程は、全行程で分割を行った回路基板１６をリードフレーム５０に固定する工程である。
【００５４】
先ず、図８の平面図を参照して、リードフレーム５０の構成を説明する。リードフレーム５０は、短冊形の外形形状を呈し、厚さが１ｍｍから０．５ｍｍ程度の金属板を加工することにより得られる。この金属板の加工は、エッチングまたはプレスが考えられる。
【００５５】
リードフレーム５０には、複数個のユニット５１が所定の距離を離間されて配置されている。ここで、ユニット５１とは、回路基板１６に接続予定のリード１１の集合体を指す。従って、回路基板１６の相対向する周辺部にリード１１を接続する場合は、ユニット５１の相対向する周辺部から中央部に延在する複数個のリード１１が、各ユニット５１に形成されている。また、回路基板の一側片にリード１１が固着される場合では、各ユニット５１は、一つの側辺から内部に延在するリード１１から成る。
【００５６】
また、各ユニット５１のリード１１は、第1の連結部５３および第２の連結部５４により連結されて、この位置が固定されている。更に、リード１１の先端部は、回路基板１６が配置予定の領域Ａ１まで延在している。
【００５７】
各ユニット５１の間には、スリット５５が設けられて、加熱工程における熱応力を吸収する作用を有する。スリット５１は、ユニット５１の幅と同程度あるいはそれ以上に形成され、連続した開口部のごとき形状を有する。
【００５８】
ガイド孔５２は、リードフレーム５０の長手方向の周辺部に設けられた孔であり、各工程でリードフレーム５０の位置決めを行う際に用いられる。従って、ガイド孔５２を用いてリードフレーム５０の位置を固定することにより、間接的に各ユニット５１に固定される回路基板１６の位置決めも行えることになる。
【００５９】
図９を参照して、リードフレーム５０の各ユニット５１に回路基板１６を固定する工程の詳細を説明する。図９（Ａ）は回路基板１６の表面に形成された混成集積回路装置の状態を示す平面図である。図９（Ｂ）はユニット５１のリード１１に回路基板１６を固着させた状態をしめす平面図である。図９（Ｃ）は図９（Ｂ）のＸ−Ｘ’線での断面図である。
【００６０】
図９（Ａ）を参照して、回路基板１６の表面に形成されるパッド１３の構成を説明する。回路基板１６の表面には、所望の電気回路を形成するようにパターンニングされた導電パターン１８が形成されている。そして、導電パターン１８の所望の箇所に回路素子１４が電気的に接続されることで、所定の混成集積回路が形成されている。また、導電パターン１８の一部分から成るパッド１３が、回路基板１６の周辺部付近に形成されている。ここでは、細長に形成される回路基板１６の長手方向の周辺部付近に整列したパッド１３が形成されている。
【００６１】
また、パッド１３同士の間隔は、１．５ｍｍ程度に狭くすることができるので、回路基板１６の長手方向には多数個のパッド１３を形成することが可能である。一方、回路基板１６の表面に形成される電気回路の種類により、必要とされる出力・入力端子の個数は変化する。本形態では、必要とされる出力・入力端子の数がパッド１３の数よりも少ない場合には、図９（Ａ）に示すように、パッド１３の配列を歯抜けにすることにより対応している。すなわち、基本的にはパッド１３同士の間隔は同一であり、部分的にその間隔を長くしている。このように離間しているパッド１３同士の間隔をＤ２と表現している。
【００６２】
回路基板１６の角部には、最も終端部に位置するパッド１３である第1のパッド１３Ａが設けられている。そして、第２のパッド１３Ｂは、この第1のパッド１３Ａに隣接されるパッドである。本形態では、第1のパッド１３Ａと第２のパッド１３Ｂとの間隔Ｄ１は、他のパッド１３同士の間隔Ｄ２と同等程度またはそれ以下に設定されている。このことにより、第1のパッド１３Ａとリード１１との接続信頼性を向上させることができる。その詳細は後述する。
【００６３】
第1のパッド１３Ａの近傍に電気的端子となるパッド１３が必要とされない場合は、ダミーパッド１３Ｄを設けても良い。これは、第２のパッド１３Ｂの近傍に電気的端子となるパッド１３が無い場合でも同様である。ここでダミーパッド１３Ｄとは、電気回路を構成しないパッド１３を指す。従って、ダミーパッド１３Ｄとリード１１とは、機械的にのみ接続されている。第1のパッド１３Ａまたは第２のパッド１３Ｂの近傍にダミーパッド１３Ｄを設けることにより、パッド１３同士の間隔を小さくすることができる。従って、パッド１３とリード１１との接続箇所の生じる熱応力を小さくすることができる。
【００６４】
図９（Ｂ）および図（Ｃ）を参照して、パッド１３とリード１１とをロウ材等の導電性接着剤を介して接続することにより、回路基板１６をリードフレーム５０に固定する。各ユニット５１のリード１１の本数および位置は、回路基板１６の表面に対応している。
【００６５】
上記したように、第1のパッド１３Ａと第２のパッド１３Ｂとの間隔を小さくすることによる利点を説明する。本形態では、回路基板１６はアルミニウムを主体とする金属から成り、リードフレーム５０は銅を主体とする金属から成る。銅とアルミニウムとでは熱膨張係数が相違するので、両者を機械的に結合したまま加熱を行うと、リードフレーム５０と回路基板１６との接合部に熱応力が発生する。本形態では、リード１１と回路基板１６との接合箇所に熱応力が作用する。この熱応力の大きさは、パッド１３同士の距離が大きいほど大きくなり、回路基板１６の中央部付近よりも周辺部に位置するパッド１３に大きな熱応力が作用する。従って、最も周辺部に位置する第1のパッド１３Ａとそれに隣接する第２のパッド１３Ｂとの間隔が大きくなったら、第1のパッド１３Ａとリード１１との接続箇所に大きな熱応力が作用してしまう。
【００６６】
上記のことから、本形態では、第1のパッド１３Ａと第２のパッド１３Ｂとの間隔を、他のパッド１３同士の間隔よりも小さくしている。図９（Ａ）を参照して、距離Ｄ１の長さは、距離Ｄ２と同等以下に設定されている。このことで、第1のパッド１３Ａとリード１１との接続箇所に多大な応力が作用することを抑止することができる。
【００６７】
第５工程：図１０および図１１参照
図１０を参照して、回路基板１６を封止樹脂１２で封止する工程を説明する。図１０は、金型５０を用いて回路基板１６を封止樹脂１２で封止する工程を示す断面図である。
【００６８】
先ず、下金型６０Ｂに回路基板１６を載置する。次に、ゲート５３より封止樹脂１２を注入する。封止を行う手法としては、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールド、若しくは熱硬化性樹脂を用いるインジェクションモールドを採用することができる。そして、ゲート５３から注入される封止樹脂１２の量に応じたキャビティ内部の気体がエアベント５４を介して外部に放出される。尚、図１０のゲート、エアベント位置は一例であり、製品の形状・構造等により任意に設定される。
【００６９】
上述したように、回路基板１６の側面部には傾斜部が設けられている。従って、絶縁性樹脂で封止することにより、傾斜部に封止樹脂１２が回り込む。このことから、封止樹脂１２と傾斜部との間にアンカー効果が発生し、封止樹脂１２と回路基板１６との接合が強化される。
【００７０】
図１１の平面図は、樹脂封止を行った後のリードフレーム５０の状態を示している。各ユニット５１に固定された回路基板１６は封止樹脂１２により封止されている。本工程により樹脂封止が行われた回路基板１６は、リードカットの工程や、テストを行う工程等を経て製品として完成する。また、封止された各回路基板１６の分離は、リード１１をカットしてから行う。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の混成集積回路装置の斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図２】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、斜視図（Ｂ）、拡大図（Ｃ）である。
【図３】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図４】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図６】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である。
【図７】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図８】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図９】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である。
【図１０】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１２】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図１３】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図１４】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）である。
【符号の説明】
【００７２】
１０    混成集積回路装置
１１    リード
１２    封止樹脂
１４    回路素子
１５    金属細線
１６    回路基板
１７    絶縁層
【図１】
2005285909.tif 000003
【図２】
2005285909.tif 000004
【図３】
2005285909.tif 000005
【図４】
2005285909.tif 000006
【図５】
2005285909.tif 000007
【図６】
2005285909.tif 000008
【図７】
2005285909.tif 000009
【図８】
2005285909.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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