(57)【要約】【課題】  準ミリ波やミリ波に適した比誘電率εｒを有する誘電体磁器組成物において、温度係数τｆや比誘電率εｒを任意の値、例えば温度係数τｆをゼロ付近に制御する。【解決手段】  ＭｇとＮｂの複合酸化物を主成分とし、Ｍｇの一部がＢａで置換され、Ｎｂの一部がＶで置換された組成を有する誘電体磁器組成物である。その組成は、一般式（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9（ただし、式中、０＜ｘ＜３．０であり、０＜ｙ≦１．０である。）で表される。温度係数τｆ＝０を考慮すると、ｘは１．０≦ｘ≦２．０である。Ｂａ置換及びＶ置換によって、温度係数τｆがプラスのＢａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3相及びＢａ3（ＶＯ4）2相が生成し、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9のマイナス側の温度係数τｆをプラス側にシフトするものと推測される。【選択図】  図２
2005272249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭｇとＮｂの複合酸化物を主成分とし、Ｍｇの一部がＢａで置換され、Ｎｂの一部がＶで置換された組成を有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
組成が一般式（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9（ただし、式中、０＜ｘ＜３．０であり、０＜ｙ≦１．０である。）で表されることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記ｘが、１．０≦ｘ≦２．０であることを特徴とする請求項２記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3相及びＢａ3（ＶＯ4）2相を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
原料化合物であるＭｇ化合物、Ｂａ化合物、Ｎｂ化合物、及びＶ化合物を混合し、仮焼した後、所定の温度で焼成することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
【請求項６】
前記Ｍｇ化合物がＭｇＯであり、Ｂａ化合物がＢａＣＯ3であり、前記Ｎｂ化合物がＮｂ2Ｏ5であり、前記Ｖ化合物がＶ2Ｏ5であることを特徴とする請求項５記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
【請求項７】
前記焼成における焼成温度を１２００℃〜１３５０℃とすることを特徴とする請求項５又は６記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
【請求項８】
ＭｇとＮｂの複合酸化物を主成分とし、Ｍｇの一部がＢａで置換され、Ｎｂの一部がＶで置換された組成を有する誘電体磁器組成物を誘電体材料として用いたことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項９】
前記誘電体磁器組成物の組成が、一般式（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9（ただし、式中、０＜ｘ＜３．０であり、０＜ｙ≦１．０である。）で表されることを特徴とする請求項８記載の誘電体共振器。
【請求項１０】
準ミリ波用、またはミリ波用であることを特徴とする請求項８又は９記載の誘電体共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば準ミリ波領域やミリ波領域での特性に優れた誘電体磁器組成物及びその製造方法に関するものであり、さらには、これを用いた誘電体共振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波用誘電体材料の１つとして知られているＢａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3は、文献（例えば、非特許文献１を参照）によれば、比誘電率εｒ＝４１、Ｑｆ＝９２０００ＧＨｚ、共振周波数の温度係数τｆ＝＋３１ｐｐｍ／Ｋと示されている。高周波誘電体材料においては、例えば誘電体共振器への用途を考えた場合、温度係数τｆがなるべくゼロに近いことが求められることから、前記Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3は、この点で改良の余地があると言える。
【０００３】
温度係数τｆの改善という点では、例えば特許文献１等において、Ｓｒ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3との固溶体とすることで、前記温度係数τｆがゼロになる組成が示されている。特許文献１の第８頁の図３には、ＢＺＮ［＝Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］とＳＺＮ［＝Ｓｒ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］の比率を変えることで、温度係数τｆが変わることが示されており、ＳＺＮ０．９付近で温度係数τｆがゼロになっている。
【０００４】
その他、比誘電率εｒの値が比較的低く抑えられ、温度係数τｆが改善された誘電体磁器組成物としては、ＭｇＴｉＯ3に所定量のＣａＴｉＯ3を添加した磁器組成物も知られている（例えば、特許文献２を参照）。特許文献２記載の発明では、（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3・ｘＣａＴｉＯ3と表したときに、０．０３≦ｘ≦０．０７の範囲において、温度係数τｆ＝−１５〜＋１５ｐｐｍ／Ｋが実現されるとしている。
【非特許文献１】日本セラミックス協会編「セラミック工学ハンドブック」、第２版、技報堂出版、ｐ１０１９
【特許文献１】特開平７−５７５４１号公報
【特許文献２】特開平５−２４９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の特許文献１に示されるようなＢＺＮとＳＺＮの固溶体では、必ずしもＱｆ値が大きな値とは言えず、また、前記温度係数τｆ＝０付近での傾きが大きいという問題もある。温度係数τｆの傾きが大きいと、僅かな組成変動で温度係数τｆが敏感に変化してしまい、厳密な組成制御が要求されることから、あまり実用的ではない。
【０００６】
さらに、前記特許文献１記載の技術は、比誘電率εｒに関して、本発明とはその考えが大きく異なる。すなわち、例えば、準ミリ波及びミリ波用誘電体材料の特性としては、特に共振器材料としての利用を考えた場合、設計の容易さ等の観点から、ある程度低い比誘電率εｒを有する誘電体材料の開発が必要となる。共振現象の寸法は、誘電率をεとしたときにε-1/2に比例することから、比誘電率εｒが高い材料を使用した場合、周波数の増大に伴い共振器の寸法を極めて小さくしなければならない。したがって、共振器の設計を容易にするためには、全体の寸法や加工性等を考慮して適度な比誘電率εｒを有する誘電体材料の開発が求められる。
【０００７】
このような観点から見たときに、前記特許文献１記載の発明には、比誘電率εｒを下げるという考えはなく、逆にＴｉＯ2を加えることで、より高い比誘電率εｒを備える磁器組成物を提供することを目指している。実際、特許文献１の図２や図６に開示される比誘電率εｒは、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3が本来有する比誘電率εｒ（＝４１）近傍か、それ以上である。
【０００８】
一方、特許文献２に記載される誘電体磁器組成物は、比誘電率εｒの値に関しては、比較的低く抑えられている。ただし、先の特許文献１記載の発明と同様、僅かな組成変動で温度係数τｆが敏感に変化してしまうという不都合がある。特許文献２記載の技術では、ＣａＴｉＯ3の添加量３〜７モル％の範囲で温度係数τｆが−３９〜＋１１ｐｐｍ／Ｋと大きく変化し、実質的にゼロ付近の値に調整することは困難である。また、Ｑの低下も著しい。
【０００９】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、比誘電率εｒをある程度小さな値に調整することができ、同時に温度係数τｆをゼロ付近に制御することが可能で、且つゼロ付近での傾きも小さく、例えば準ミリ波共振器及びミリ波共振器の設計が容易な誘電体磁器組成物及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、係る誘電体磁器組成物を用いることで、準ミリ波やミリ波領域での使用に適し、製造も容易な誘電体共振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、前述の目的を達成するために、長期に亘り鋭意研究を重ねてきた。その結果、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9のＭｇサイト及びＮｂサイトを、それぞれＢａ及びＶで置換した組成とすることで、温度係数τｆをゼロ付近に設定することができ、しかも準ミリ波及びミリ波帯域に最適な比誘電率εｒに設定し得ることを見出すに至った。
【００１１】
本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明の誘電体磁器組成物は、ＭｇとＮｂの複合酸化物を主成分とし、Ｍｇの一部がＢａで置換され、Ｎｂの一部がＶで置換された組成を有することを特徴とする。具体的には、組成が一般式（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9（ただし、式中、０＜ｘ＜３．０であり、０＜ｙ≦１．０である。）で表されることを特徴とする。
【００１２】
Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9は、準ミリ波やミリ波領域での使用に適した比誘電率εｒを有するが、温度係数τｆがマイナス側に大きすぎる。Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9の比誘電率εｒは１４、温度係数τｆは−６０ｐｐｍ／Ｋである。ここで、ＭｇサイトをＢａで置換し、ＮｂサイトをＶで置換すると、温度係数τｆが改善される。具体的には、例えばＶによる置換量の増加に伴って、温度係数τｆがマイナス側からプラス側にシフトする。同様に、Ｂａによる置換量の増加によっても、温度係数τｆがマイナス側からプラス側にシフトする。したがって、Ｂａ置換量やＶ置換量を適正なものとすることで、例えば温度係数τｆがゼロ付近に調整される。
【００１３】
Ｂａ置換やＶ置換によって温度係数τｆがマイナス側からプラス側へシフトする理由について、その詳細な理由は不明であるが、本発明者は、次のように推測している。
【００１４】
Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9の温度係数τｆが−６０ｐｐｍ／Ｋであることは前述した通りである。ここで、温度係数τｆに関して言えば、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9ではマイナス側である。一方、先ず、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9のＭｇサイトをＢａで置換すると、Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3が生成する。このＢａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3は、温度係数τｆが概ね＋４０ｐｐｍである。したがって、これらが例えば複合体の形で混合されることで、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9におけるマイナス側の温度係数τｆが、Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3におけるプラス側の温度係数τｆによって相殺される。これに加えて、（Ｍｇ4-xＢａx）Ｎｂ2Ｏ9のＮｂサイトをＶで置換すると、Ｂａ3（ＶＯ4）2が生成する。Ｂａ3（ＶＯ4）2の温度係数τｆは＋５０〜６０ｐｐｍ／Ｋであり、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9におけるマイナス側の温度係数τｆをさらにプラス側にシフトさせることになる。
【００１５】
前述の誘電体磁器組成物は、通常の誘電体磁器組成物と同様、原料化合物を焼成して固相反応させることにより容易に製造される。Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9のＭｇサイトやＮｂサイトをＢａやＶによって置換した組成とするには、原料化合物としてＢａ化合物やＶ化合物を置換量に応じて添加するだけでよい。これを規定したのが本発明の製造方法であり、原料化合物であるＭｇ化合物、Ｂａ化合物、Ｎｂ化合物、及びＶ化合物を混合し、仮焼した後、所定の温度で焼成することを特徴とする。
【００１６】
一方、本発明の誘電体共振器は、前述の誘電体磁器組成物を用いたことを特徴とするものである。すなわち、ＭｇとＮｂの複合酸化物を主成分とし、Ｍｇの一部がＢａで置換され、Ｎｂの一部がＶで置換された組成を有する誘電体磁器組成物を誘電体材料として用いたことを特徴とする。前記ＢａやＶによる置換量を調整し、温度係数τｆをゼロ付近に設定し、比誘電率εｒを調整することで、準ミリ波帯域やミリ波帯域での使用に適した誘電体共振器が実現される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9のＭｇサイト及びＮｂサイトを、それぞれＢａ及びＶで置換することにより、温度係数τｆや比誘電率εｒ、さらにはＱ等を任意に、且つ高い自由度で制御することができ、例えば準ミリ波及びミリ波領域に適した比誘電率εｒを有し、温度係数τｆがゼロ近傍に制御された誘電体磁器組成物を提供することが可能である。
【００１８】
また、本発明の製造方法によれば、前記誘電体磁器組成物を容易に製造することができ、原料の配合を調整し前記Ｂａ置換量やＶ置換量を制御することにより、製造される誘電体磁器組成物の温度係数τｆや比誘電率εｒ、Ｑ等の諸特性を任意に調整することが可能である。
【００１９】
さらに、本発明によれば、前記誘電体磁器組成物を誘電体材料として用いることで、準ミリ波及びミリ波領域で使用可能な誘電体共振器を提供することが可能である。この誘電体共振器においては、誘電体磁器組成物が適度な比誘電率εｒを有することから、寸法公差が緩和され、作製に際してその設計が容易である。また、周囲の部品等の温度係数に合わせて温度係数τｆを制御することも可能である。共振器に用いる場合、誘電体材料の温度係数τｆはなるべく小さいことが望ましいとされているが、それに止まらず、例えば周囲に実装される他の部品の温度係数も考慮に入れて、ある程度任意の温度係数に設定できることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を適用した誘電体磁器組成物、その製造方法、それを用いた誘電体共振器について詳細に説明する。
【００２１】
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9をベースとし、Ｍｇサイトの一部をＢａで置換し、Ｎｂサイトの一部をＶで置換した組成を有する。したがって、本発明の誘電体磁器組成物の組成は、下記一般式（１）で表すことができる。
（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9    ・・・（１）
【００２２】
ここで、式中の置換量ｘ、ｙは、必要とする温度係数τｆ、比誘電率εｒ、Ｑｆ等に応じて設定すればよく、例えばＢａの置換量ｘは、０＜ｘ＜３．０とすることが好ましい。置換量ｘが０であるとＢａ置換による効果を得ることができない。置換量ｘが３．０以上であると、全てＢａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3相となってしまい、Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3相により温度係数τｆをプラス側にシフトするという狙いが成り立たなくなる。特に、温度係数τｆをゼロ付近で制御するという目的を考えた場合には、１．０≦ｘ≦２．０であることが好ましい。
【００２３】
一方、Ｖの置換量ｙは、０＜ｙ≦１．０であることが好ましい。Ｂａの置換量ｘの場合と同様、置換量ｙが０であると、当然のことながらＶ置換による効果を得ることができない。逆に、置換量ｙが１．０を越えると、準ミリ波及びミリ波領域で使用される誘電体材料に必要な特性を維持することが難しくなるおそれがある。
【００２４】
Ｍｇ4Ｎｂ2Ｏ9において、Ｍｇの一部をＢａで置換した場合、置換量ｘにほぼ比例して、温度係数τｆがマイナス側からプラス側へ次第にシフトする。比誘電率εｒは、前記置換量ｘにほぼ比例して高くなる。Ｑｆの値については、置換量ｘが、ある量を越えると顕著に低下する。
【００２５】
一方、（Ｍｇ4-xＢａx）Ｎｂ2Ｏ9において、Ｎｂの一部をＶで置換した場合、Ｂａ置換の場合と同様、置換量ｙにほぼ比例して、温度係数τｆがマイナス側からプラス側へ次第にシフトする。ただし、その傾きはＢａ置換の場合よりも小さく、したがって、Ｂａ置換量ｘにより温度係数τｆを大まかに調整し、Ｖ置換量により温度係数τｆを微調整する等、これら性質を生かした調整が可能である。また、比誘電率εｒについては、Ｂａ置換の場合と逆に、置換量ｙに比例して低下する。Ｑｆも同様である。これらのことから、Ｂａ置換量ｘとＶ置換量ｙとを独立に制御することにより、得られる誘電体磁器組成物において、任意の温度係数τｆ、任意の比誘電率εｒ、任意のＱｆを実現できることになる。
【００２６】
勿論、準ミリ波及びミリ波領域に適した特性とすることもでき、比誘電率εｒは１３．４〜２５．０、温度係数τｆは−２３．１〜＋３５．２ｐｐｍ／Ｋなる範囲に設定することができた。温度係数τｆ＝０近傍とすると、実際、比誘電率εｒ＝１９．７、温度係数τｆ＝−１．７ｐｐｍ／Ｋ、Ｑｆ≒１１５０００ＧＨｚの誘電体磁器組成物を得ることができた。
【００２７】
なお、前記Ｂａ置換やＶ置換によって、誘電体磁器組成物中には温度係数τｆがプラスのＢａ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3相やＢａ3（ＶＯ4）2相が存在するものと推測されるが、その詳細は不明であるため、前記一般式は、化学量論組成、あるいは仕込み組成ということになる。したがって、前記一般式（１）は、（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9 で表される単一相を意味するわけではない。
【００２８】
次に、本発明の誘電体磁器組成物の製造方法について説明する。本発明を適用した製造工程のフローチャートを図１に示す。
【００２９】
先にも説明したように、本発明の誘電体磁器組成物は、通常の誘電体磁器組成物と同様に簡単に製造することができる。原料としては、Ｍｇ化合物、Ｂａ化合物、Ｎｂ化合物、Ｖ化合物を用い、例えば、ＭｇＯ、ＢａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、及びＶ2Ｏ5を用いる。各原料化合物は、（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9の化学量論組成に応じて配合するが、このとき、仕込み組成がほぼそのまま反映されることから、仕込み組成と前記化学量論組成とを１：１の関係として各原料化合物を配合する。
【００３０】
（Ｍｇ4-xＢａx）（Ｎｂ2-yＶy）Ｏ9を合成するには、先ず、原料であるＭｇＯ、ＢａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5及びＶ2Ｏ5を混合工程１で混合する。混合には、例えばボールミル等を用いる。混合後、乾燥工程２及び成形工程３を経て、仮焼工程４で仮焼を行う。仮焼は、固相反応を進行させ、原料化合物の少なくとも一部、好ましくは大部分を固相反応させるために行う。
【００３１】
仮焼後、粉砕工程５により粉砕し、乾燥工程６で乾燥する。次いで、造粒工程７により造粒を行う。造粒に際しては、バインダーを混入するが、バインダーとしては任意の材料が使用可能であり、例えばポリビニルアルコール等が好適である。
【００３２】
最後に、成形工程８により所望の形状に成形し、焼成工程９で本焼成を行う。この本焼成の際の焼成温度は、１２００℃〜１３５０℃程度で行うことが好ましく、１２２５℃〜１３２５℃とすることがより好ましい。
【００３３】
前述の製造方法により製造される誘電体磁器組成物は、例えば準ミリ波及びミリ波領域の周波数帯域、例えば、３０〜３００ＧＨｚの周波数帯域で用いることができる。このような周波数帯域には、例えば車載用レーダー（７７ＧＨｚ：３８．５ＧＨｚを２逓倍して用いる。）等が含まれる。
【００３４】
したがって、本発明の誘電体磁器組成物は、準ミリ波及びミリ波領域において使用される共振器用材料や、ＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、各種ミリ波回路のインピーダンス整合、その他の各種電子部品等に用いることができ、特に、誘電体共振器用として好適である。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
【００３６】
誘電体磁器組成物サンプルの作製
各サンプルは、以下の手順に従って作製した。
先ず、原料であるＭｇＯ、ＢａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5及びＶ2Ｏ5を所定の配合比率となるように秤量し、これをボールミルにて１６時間混合した。混合後、１２０℃で２４時間乾燥し、成形圧力２００ｋｇｆ／ｃｍ2で直径６０ｍｍの円板状に成形した後、１１００℃で仮焼を行った。仮焼後、ボールミルにて１６時間粉砕し、さらに１２０℃で２４時間乾燥した。
【００３７】
次に、得られた粉末にポリビニルアルコールを２重量％加えて造粒し、直径１２ｍｍに成形した。この時の成形圧力は、２０００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。最後に１２２５℃〜１３２５℃で本焼成を行い、誘電体磁器組成物サンプルを得た。
【００３８】
評価
作製した各サンプルについて、温度係数τｆ、比誘電率εｒ、及びＱｆを日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法」（ＪＩＳ  Ｒ  １６２７）に従って測定した（測定周波数は、８．０〜１０．５ＧＨｚ）。測定に際して、誘電体磁器組成物サンプルは、直径１０ｍｍ、高さ５ｍｍの円柱状とした。温度係数τｆは、共振周波数の温度による変化率を、対応する温度の変化分で除した値である。Ｑｆは、損失を示すｔａｎδの逆数に共振（測定）周波数を乗じたものである。
【００３９】
測定結果を表１に示す。また、Ｂａ置換量ｘを１．０、１．５、２．０とした場合において、Ｖ置換量ｙと温度係数τｆの関係を図２に、Ｖ置換量ｙと比誘電率εｒの関係を図３に、Ｖ置換量ｙとＱｆの関係を図４に、それぞれ示す。
【００４０】
【表１】
2005272249.tif 000003
【００４１】
先ず、図２に示すように、Ｖ置換量ｙと温度係数τｆの関係を示すラインにおいて、Ｖ置換量ｙの増加に伴い温度係数τｆがマイナス側からプラス側へとシフトしており、Ｂａ置換量１．５の場合、前記ラインはＶ置換量ｙが０．３付近でτｆ＝０のラインと交差している。Ｂａ置換量ｘを変えた場合には、Ｖ置換量ｙと温度係数τｆの関係を示すラインが、Ｂａ置換量ｘが増えるにしたがってプラス側に平行移動した形になっており、これらＢａの置換量ｘやＶの置換量ｙを制御することで、温度係数τｆを任意に制御可能であることがわかる。
【００４２】
一方、図３に示すように、Ｖ置換量ｙの増加に伴い、比誘電率εｒがほぼ直線的に低下しているが、この関係を示すラインは、Ｂａ置換量ｘが増えるにしたがって上方にシフトしている。すなわち、Ｖ置換の場合と逆に、Ｂａ置換によって比誘電率εｒが上昇することがわかる。ＱｆはＶ置換量ｙの増加に伴い低下傾向にあるが、Ｂａ置換量ｘを２．０とすると、他のラインに比べてＱｆ値が急激に低下している。
【００４３】
これらの事実から、Ｂａ置換量ｘとＶ置換量ｙとをそれぞれ制御することにより、得られる誘電体磁器組成物の温度係数τｆ、比誘電率εｒ、Ｑｆを高い自由度で任意に設定できることがわかる。実際、これらＢａ置換量ｘやＶ置換量ｙを最適化した結果、Ｂａ置換量ｘ＝１．５、Ｖ置換量ｙ＝０．２５において、温度係数τｆ＝−１．７ｐｐｍ／Ｋ、比誘電率εｒ＝１９．７、Ｑｆ＝１１４９００ＧＨｚなる特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図２】Ｂａ置換量ｘ，Ｖ置換量ｙと温度係数τｆの関係を示す特性図である。
【図３】Ｂａ置換量ｘ，Ｖ置換量ｙと比誘電率εｒの関係を示す特性図である。
【図４】Ｂａ置換量ｘ，Ｖ置換量ｙとＱｆの関係を示す特性図である。
【図１】
2005272249.tif 000004
【図２】
2005272249.tif 000005
【図３】
2005272249.tif 000006
【図４】
2005272249.tif 000007