(57)【要約】【課題】  サーボ信号の読み取り信号のＳＮ比を向上させることができ、しかも、データバンドに記録されるデータ信号の品質の劣化を回避することができる複合型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  サーボバンドの磁化の方向が一方向に向くように直流消去するＤＣ消去ヘッド１０と、前記一方向と逆の方向に向くようにサーボ信号をサーボバンドに書き込むサーボライトヘッド２０と、データバンドの磁化を交流消去するＡＣ消去ヘッド３０とを備える。【選択図】      図１
2005166193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行する磁気テープに摺接して当該磁気テープのサーボバンドの磁化の方向が前記磁気テープの長手方向の一方向に向くようにサーボバンドを直流消去するＤＣ消去ヘッドと、
前記磁気テープに摺接して前記サーボバンドの磁化の方向を前記一方向と逆の方向に向くようにサーボ信号をサーボバンドに書き込むサーボライトヘッドと、
前記磁気テープに摺接して当該磁気テープのデータバンドの磁化を交流消去するＡＣ消去ヘッドとを備える複合型磁気ヘッドであって、
前記ＡＣ消去ヘッド及び前記サーボライトヘッドが、前記ＤＣ消去ヘッドよりも走行する前記磁気テープの下流側に配置されるとともに、前記ＤＣ消去ヘッド、前記サーボライトヘッド及び前記ＡＣ消去ヘッドが一体となっていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ＤＣ消去ヘッドのＤＣ消去ギャップ及び前記サーボライトヘッドのサーボライトギャップが、単一のマスクを使用したフォトリソグラフィ法により同時にパターニングされて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の複合型磁気ヘッド。
【請求項３】
ＤＣ消去ヘッドを構成するコアを形成する工程と、
サーボライトヘッドを構成するコアを形成する工程と、
ＡＣ消去ヘッドを構成するコアを形成するとともに、このコアに磁気テープの磁化を交流消去するＡＣ消去ギャップを形成する工程と、
前記ＤＣ消去ヘッドのコア、前記サーボライトヘッドのコア、及び前記ＡＣ消去ヘッドのコアを一体に接合する工程と、
前記ＤＣ消去ヘッドのコアに磁気テープの磁化を直流消去するＤＣ消去ギャップを形成する工程と、
前記サーボライトヘッドのコアに、磁気テープにサーボ信号を書き込むサーボライトギャップを形成する工程とを備える複合型磁気ヘッドの製造方法であって、
前記ＤＣ消去ギャップ及び前記サーボライトギャップが、単一のマスクを使用したフォトリソグラフィ法により同時にパターニングして形成されることを特徴とする複合型磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気テープにサーボ信号を書き込むサーボライトヘッドを備えた複合型磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気テープは、高密度記録化が進んでおり、コンピュータのバックアップ用では１００ギガバイト程度の記憶容量を有するものがある。そのために、磁気テープには幅方向に数百本のデータトラックが形成されている。したがって、データトラックの幅は非常に狭くなっており、隣接するデータトラック間も非常に狭くなっている。そのため、磁気ヘッドの記録／再生素子をデータトラックにトレースさせるため、予め磁気テープにサーボ信号を書き込んでおき、磁気ヘッドでこのサーボ信号を読み取りつつ、磁気ヘッドの位置（磁気テープの幅方向の位置）をサーボ制御している（特許文献１参照）。
【０００３】
そして、前記したサーボ信号は、磁化されていない磁気テープ上のサーボバンドに、一方向に磁化するように、サーボライトヘッドに記録電流を付与することで記録されていた。つまり、図１４（ａ）に示すように、従来のサーボ信号ＳＳ"では、サーボ信号読み取り素子（ＭＲ素子）の飽和現象を回避するために、磁化されていないサーボバンドＳＢ"上に、記録電流としてゼロ電流とプラスパルス電流とからなるパルス電流ＰＣ"（以下「パルス電流」と略称する）を流して形成していた。このようなパルス電流ＰＣ"を用いると、図１４（ｂ）に示すように、磁気テープＭＴ"には、パルス電流ＰＣ"のゼロ電流の時にはサーボパターンＳＰ"以外の領域が磁化されず、パルス電流ＰＣ"のプラスパルス電流が流れた時にはサーボライトギャップからの漏れ磁束によってサーボパターンＳＰ"が一方向に磁化され、結果としてサーボ信号ＳＳ"が書き込まれる。一方、磁気テープ記録再生装置では、サーボ信号読み取り素子によってサーボ信号ＳＳ"における磁化の変化点を電気抵抗の変化で検出しており、読み取り信号として磁化の変化点を微分波形（電圧値）で出力している。そのため、サーボ信号読み取り素子の電気抵抗の変化が大きくなるほど、サーボ信号ＳＳ"の読み取り信号のピーク電圧値が大きくなり、読み取り信号のＳＮ比が向上する。したがって、サーボ信号ＳＳ"自体の磁気の変化が大きい場合やサーボ信号読み取り素子の幅が広いために読み取る領域が大きい場合、図１４（ｃ）に示すように、サーボ信号ＳＳ"の読み取り信号ＲＳＬ"のピーク電圧値は大きくなる。
【０００４】
ところが、今後、磁気テープは、数十テラバイト程度まで高密度記録化が進むことが予測される。そのため、磁気テープは、データトラック数が増え、データトラックの幅及び隣接するデータトラック間は一層狭くなるとともに、磁気テープ自体も薄層化する。これに伴い、サーボ信号ＳＳ"を読み取るときに検出できる磁気の量は減少し、サーボ信号読み取り素子で検出できるサーボ信号ＳＳ"の磁化量の変化も小さくなる。したがって、図１４（ｄ）に示すように、サーボ信号ＳＳ"の読み取り信号ＲＳＳ"のピーク電圧値は小さくなり、読み取り信号ＲＳＳ"のＳＮ比が劣化する。その結果、磁気テープ記録再生装置において、サーボ信号ＳＳ"を正確に読み取ることができなくなり、高精度な磁気ヘッドの位置制御を行えなくなる。
【０００５】
そこで、出願人は、先の出願（未公開）において、磁気テープのサーボバンドの磁化の方向を磁気テープの長手方向の一方向に向くように直流消去するＤＣ消去ヘッドと、サーボバンドの磁化の方向を前記一方向と逆の方向に向くようにサーボ信号をサーボバンドに書き込むサーボライトヘッドとが一体になった複合型磁気ヘッドを提案した（特願２００３−１１０３９６）。
【０００６】
この複合型磁気ヘッドによれば、サーボバンドの磁化が逆向きになるようにサーボ信号が書き込まれるので、サーボバンドの磁化の方向が一方向に向く部分に対する、サーボ信号部分の磁界の変化率及び変化量は大きくなる。したがって、この複合型磁気ヘッドによれば、サーボ信号の読み取り信号のＳＮ比を向上させることができる。
【特許文献１】特開平８−３０９４２号公報（段落００２１、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、このような複合型磁気ヘッドでサーボバンドにサーボ信号を書き込む際に、複合型磁気ヘッドに対する磁気テープの掛かり具合等によって、サーボバンドに隣接するデータバンドにＤＣ消去ヘッドによる直流消去が行われる恐れがある。そして、直流消去が行われたデータバンドにデータ信号が記録されると、記録されたデータ信号にはこの直流消去に起因する高周波歪みが生じるため、データ信号の品質が劣化するという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、サーボ信号の読み取り信号のＳＮ比を向上させることができ、しかも、データバンドに記録されるデータ信号の品質の劣化を回避することができる複合型磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、走行する磁気テープに摺接して当該磁気テープのサーボバンドの磁化の方向が前記磁気テープの長手方向の一方向に向くようにサーボバンドを直流消去するＤＣ消去ヘッドと、前記磁気テープに摺接して前記サーボバンドの磁化の方向を前記一方向と逆の方向に向くようにサーボ信号をサーボバンドに書き込むサーボライトヘッドと、前記磁気テープに摺接して当該磁気テープのデータバンドの磁化を交流消去するＡＣ消去ヘッドとを備える複合型磁気ヘッドであって、前記ＡＣ消去ヘッド及び前記サーボライトヘッドが、前記ＤＣ消去ヘッドよりも走行する前記磁気テープの下流側に配置されるとともに、前記ＤＣ消去ヘッド、前記サーボライトヘッド及び前記ＡＣ消去ヘッドが一体となっていることを特徴とする。
【００１０】
このような複合型磁気ヘッドでは、サーボライトヘッドがＤＣ消去ヘッドよりも走行する磁気テープの下流側に配置されており、ＤＣ消去ヘッドによってその磁化の方向が磁気テープの長手方向の一方向に向くように直流消去されたサーボバンドに、サーボライトヘッドによってサーボ信号が書き込まれる。そして、サーボ信号は、サーボバンドの磁化の方向が前記一方向と逆の方向に向くようにサーボバンドに書き込まれる。したがって、この複合型磁気ヘッドによれば、サーボバンドの磁化の方向が一方向に向く部分に対する、サーボ信号部分の磁界の変化率及び変化量は大きくなる。したがって、この複合型磁気ヘッドによれば、サーボ信号の読み取り信号のＳＮ比を向上させることができる。
【００１１】
また、この複合型磁気ヘッドでは、ＡＣ消去ヘッドがＤＣ消去ヘッドよりも走行する磁気テープの下流側に配置されている。そのため、この複合型磁気ヘッドでは、サーボバンドにサーボ信号を書き込む際に、複合型磁気ヘッドに対する磁気テープの掛かり具合等によって、たとえデータバンドの磁化がＤＣ消去ヘッドによって直流消去されたとしても、ＡＣ消去ヘッドによってデータバンドの磁化が交流消去される。したがって、この複合型磁気ヘッドによれば、データバンドの直流消去が交流消去によって解消されるため、データバンドに記録されるデータ信号の品質の劣化を回避することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の複合型磁気ヘッドにおいて、前記ＤＣ消去ヘッドのＤＣ消去ギャップ及び前記サーボライトヘッドのサーボライトギャップが、単一のマスクを使用したフォトリソグラフィ法により同時にパターニングされて形成されたことを特徴とする。
【００１３】
この複合型磁気ヘッドでは、ＤＣ消去ギャップ及びサーボライトギャップが、単一のマスクを使用してパターニングされているので、サーボライトギャップ及びＡＣ消去ギャップの相互の配置位置が精度よく位置決めされている。したがって、この複合型磁気ヘッドによれば、ＤＣ消去ヘッドが、サーボバンドの磁化のみを精度よく直流消去することができるとともに、サーボライトヘッドが、ＤＣ消去ヘッドでその磁化が直流消去されたサーボバンドに精度よくサーボ信号を書き込むことができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、ＤＣ消去ヘッドを構成するコアを形成する工程と、サーボライトヘッドを構成するコアを形成する工程と、ＡＣ消去ヘッドを構成するコアを形成するとともに、このコアに磁気テープの磁化を交流消去するＡＣ消去ギャップを形成する工程と、前記ＤＣ消去ヘッドのコア、前記サーボライトヘッドのコア、及び前記ＡＣ消去ヘッドのコアを一体に接合する工程と、前記ＤＣ消去ヘッドのコアに磁気テープの磁化を直流消去するＤＣ消去ギャップを形成する工程と、前記サーボライトヘッドのコアに、磁気テープにサーボ信号を書き込むサーボライトギャップを形成する工程とを備える複合型磁気ヘッドの製造方法であって、前記ＤＣ消去ギャップ及び前記サーボライトギャップが、単一のマスクを使用したフォトリソグラフィ法により同時にパターニングして形成されることを特徴とする。
【００１５】
このような複合型磁気ヘッドの製造方法では、ＤＣ消去ギャップ及びサーボライトギャップが、単一のマスクを使用してパターニングされるので、ＤＣ消去ギャップ、サーボライトギャップ及びＡＣ消去ギャップの相互の配置位置が、精度よく位置決めされる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の複合型磁気ヘッドによれば、サーボ信号の読み取り信号のＳＮ比を向上させることができ、しかも、データバンドに記録されるデータ信号の品質の劣化を回避することができる。
【００１７】
また、本発明の複合型磁気ヘッドの製造方法によれば、ＤＣ消去ギャップ、サーボライトギャップ及びＡＣ消去ギャップの相互の配置位置が、精度よく位置決めされた複合型磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［複合型磁気ヘッド］
以下、本発明における複合型磁気ヘッドの実施の形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。参照する図面において、図１は、本実施の形態に係る複合型磁気ヘッドの全体斜視図、図２は、図１の複合型磁気ヘッドの上端面図、図３（ａ）は、図２のＡ−Ａ線における断面図、図３（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線における断面図である。
【００１９】
図１に示すように、複合型磁気ヘッドＨ１は、走行する磁気テープＭＴ１に摺接して、この磁気テープＭＴ１のサーボバンドＳＢ（図４参照）の磁化Ｍ（図４参照）の方向が磁気テープＭＴ１の走行方向（以下、順方向という）に向くようにサーボバンドＳＢを直流消去するＤＣ消去ヘッド１０と、磁気テープＭＴ１に摺接して、サーボバンドＳＢの磁化Ｍの方向を前記一方向と逆の方向（以下、逆方向という）に向くようにサーボ信号ＳＳ（図４参照）をサーボバンドＳＢに書き込むサーボライトヘッド２０と、磁気テープＭＴ１に摺接して、この磁気テープＭＴ１のデータバンドＤＢ（図４参照）の磁化（図示せず）を交流消去するＡＣ消去ヘッド３０とを備えている。
【００２０】
この複合型磁気ヘッドＨ１は、複数のサーボライトヘッド２０と複数のＡＣ消去ヘッド３０とを有しており、サーボライトヘッド２０とＡＣ消去ヘッド３０とが磁気テープＭＴ１の幅方向に交互に並ぶように配置されている。そして、これらサーボライトヘッド２０及びＡＣ消去ヘッド３０は、ＤＣ消去ヘッド１０よりも走行する磁気テープＭＴ１の下流側（以下、単に「下流側」という）に配置されるとともに、これらサーボライトヘッド２０及びＡＣ消去ヘッド３０は、ＤＣ消去ヘッド１０と非磁性体５０を介して接合されて一体となっている。
【００２１】
このようにＤＣ消去ヘッド１０、サーボライトヘッド２０及びＡＣ消去ヘッド３０が一体化された複合型磁気ヘッドＨ１は、磁気テープ摺動面ＭＳ１にＤＣ消去ギャップ１０Ｇ、サーボライトギャップ２０Ｇ及びＡＣ消去ギャップ３０Ｇが形成されている。そして、図２に示すように、サーボライトギャップ２０Ｇは、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇの下流側にＤＣ消去ギャップ１０Ｇと一列に並ぶように形成され、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇのそれぞれは、サーボライトギャップ２０Ｇに挟み込まれるように形成されている。これらＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇは、後記するように単一のマスクを使用したフォトリソグラフィ法により同時にパターニングされて形成されたものである。
【００２２】
このような複合型磁気ヘッドＨ１は、送りリール、巻き取りリール及びガイドローラ等のテープ走行系（図示ぜず）、複合型磁気ヘッドＨ１に直流電流及びパルス電流を付与する電流発生回路（図示せず）、電流の発生を制御する電流発生制御装置等と共に、磁気テープＭＴ１のサーボバンドＳＢにサーボ信号ＳＳを書き込むサーボライタ（図示せず）を構成している。以下に、ＤＣ消去ヘッド１０、サーボライトヘッド２０及びＡＣ消去ヘッド３０について具体的に説明する。
【００２３】
（ＤＣ消去ヘッド）
ＤＣ消去ヘッド１０は、図１に示すように、磁気テープＭＴ１のサーボバンドＳＢ（図４参照）に相当する部分の磁化Ｍ（図４参照）の方向が順方向に向くようにサーボバンドＳＢを直流消去するヘッドであり、第１ベース部材１１と、この第１ベース部材１１及び非磁性体５０の間に配置されて非磁性体５０の一面に沿って広がる磁性膜１２と、表面磁性膜１３と、コイル１０ｃとで主に構成されている
【００２４】
第１ベース部材１１は、コイル１０ｃが巻回されるコイル溝１１ａを有しており、このコイル溝１１ａは、磁気テープＭＴ１の幅方向に延びている。そして、第１ベース部材１１は、非磁性部１１ｃと、この第１ベース部材１１のコイル溝１１ａ側の内壁面に形成された磁性層１１ｂとを備えている。この磁性層１１ｂは、一方の端縁が磁性膜１２と接続されるとともに、他方の端縁が次に説明する表面磁性膜１３と接続されている。
【００２５】
表面磁性膜１３は、第１ベース部材１１上で広がって、磁性層１１ｂ及び磁性膜１２と磁気的に接続されている。この表面磁性膜１３には、磁気テープＭＴ１のサーボバンドＳＢ（図４参照）部分に対応した位置で、その表面を露出するようにＤＣ消去ギャップ１０Ｇが形成されている。
【００２６】
このようなＤＣ消去ヘッド１０では、磁性層１１ｂ、磁性膜１２及び表面磁性膜１３が、コアＡを構成している。つまり、このＤＣ消去ヘッド１０は、コイル１０ｃに付与した直流電流によってコア１０Ａで磁束流が誘起されるとともに、磁気テープ摺動面ＭＳ１でこの磁束流がＤＣ消去ギャップ１０Ｇを迂回する漏れ磁束ＭＦDC（図１参照）を生じさせるようになっている。
【００２７】
なお、第１ベース１１の非磁性部１１ｃの材質としては、非磁性材料であればよく、例えば、アルミナチタンカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）、非磁性のフェライト、チタン酸カルシウム（ＣａＯ・ｎＴｉＯ2）、シリカ（ＳｉＯ2）等が挙げられる。また、磁性層１１ｂ、磁性膜１２及び表面磁性膜１３の材質としては、軟磁性材料であればよく、例えば、パーマロイと称される軟磁性のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）合金、センダスト、アルパーム、アモルファス（非晶質）合金等が挙げられる。また、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇの材質としては、非磁性部材１１ｃと同様のものが挙げられる。
【００２８】
（サーボライトヘッド）
サーボライトヘッド２０は、磁気テープＭＴ１のサーボバンドＳＢ（図４参照）に相当する部分に、サーボバンドＳＢの磁化Ｍ（図４参照）の方向が逆方向に向くようにサーボ信号ＳＳ（図４参照）を書き込むヘッドであり、図３（ａ）に示すように、第２ベース部材２１と、この第２ベース部材２１と接合された第３ベース部材２２と、これら第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２の磁気テープ摺動面ＭＳ１側に形成された表面磁性膜２３とを備えている。
【００２９】
第２ベース部材２１は、非磁性部２１ａと、この非磁性部２１ａに埋め込まれた磁性部２１ｂとを備えている。この磁性部２１ｂは、非磁性部２１ａ内でＬ字状に延びてその一端が磁気テープ摺動面ＭＳ１側に露出して表面磁性膜２３に接続されるとともに、その他端が第３ベース部材２２との接合面に露出している。
【００３０】
そして、この第２ベース部材２１には、磁性部２１ｂを巻回するように非磁性部２１ａに埋め込まれたコイル２１ｃを備えている。また、第２ベース部材２１には、コイル２１ｃと電気的に接続されてコイル２１ｃに記録電流を供給するための端子となる電極パッド２１ｄが配設されている。この電極パッド２１ｄには、図示しない電流発生装置（図示せず）から記録電流としてのパルス電流が供給されるようになっている。
【００３１】
第３ベース部材２２は、非磁性部２２ａと、この非磁性部２２ａに埋め込まれた磁性部２２ｂとを備えている。この磁性部２２ｂは、非磁性部２２ａ内でＬ字状に延びてその一端が磁気テープ摺動面ＭＳ１側に露出して表面磁性膜２３に接続されるとともに、その他端が第２ベース部材２１との接合面に露出して第２ベース部材２１の磁性部２１ｂと接続されている。
【００３２】
表面磁性膜２３には、磁気テープＭＴ１のサーボバンドＳＢ（図４参照）部分に対応した位置で、その表面を露出するようにサーボライトギャップ２０Ｇが形成されている。このサーボライトギャップ２０Ｇは、図２に示すように、平面視で略「ハ」の字形を呈している。
【００３３】
このようなサーボライトヘッド２０は、再び図３（ａ）を参照すると明らかなように、第２ベース部材２１の磁性部２１ｂと、第２ベース部材２２の磁性部２２ｂと、表面磁性膜２３とがコア２０Ａを構成している。つまり、サーボライトヘッド２０は、コイル２１ｃに付与したパルス電流によってコア２０Ａで磁束流が誘起されるとともに、磁気テープ摺動面ＭＳ１でこの磁束流がサーボライドギャップ２０Ｇを迂回する漏れ磁束ＭＦS（図１参照）を生じさせるようになっている。
【００３４】
なお、第２ベース部材２１の非磁性部２１ａ及び第２ベース部材２２の非磁性部２２ａの材質としては、前記した第１ベース部材１１の非磁性部１１ｃと同様のものが挙げられる。また、第２ベース部材２１の磁性部２１ｂ、第２ベース部材２２の磁性部２２ｂ、及び表面磁性膜２３の材質としては、前記したＤＣ消去ヘッド１０の磁性層１１ｂ、磁性膜１２及び表面磁性膜１３の材質と同様のものが挙げられる。また、サーボライドギャップ２０Ｇの材質としては、前記したＤＣ消去ヘッド１０のＤＣ消去ギャップ１０Ｇと同様のものが挙げられる。
【００３５】
（ＡＣ消去ヘッド）
ＡＣ消去ヘッド３０は、磁気テープＭＴ１のデータバンドＤＢ（図４参照）に相当する部分の磁化Ｍ（図４参照）を交流消去するヘッドであり、図３（ｂ）に示すように、第４ベース部材３１と、この第４ベース部材３１と接合された第５ベース部材３２とを備えている。
【００３６】
第４ベース部材３１は、磁性部３１ａと、この磁性部３１ａ及び第５ベース部材３２を接合する磁性接合部３１ｅと、この磁性接合部３１ｅの上方で第５ベース部材３２と向き合う面に形成されたＡＣ消去ギャップ３０Ｇとを備えている。
【００３７】
この第４ベース部材３１には、磁性接合部３１ｅを巻回するコイル３１ｃが配設されている。また、第４ベース部材３１には、コイル３１ｃを取り囲んで第４ベース部材３１にこのコイル３１ｃを埋め込む絶縁部３１ｂが配設されている。また、第４ベース部材３１には、コイル３１ｃと電気的に接続されてコイル３１ｃに交番電流を供給するための端子となる電極パッド３１ｄが配設されている。この電極パッド３１ｄには、図示しない電流発生装置（図示せず）から交番電流が供給されるようになっている。
【００３８】
第５ベース部材３２は、前記したように磁性接合部３１ｅで第４ベース部材３１の磁性部３１ａと接合されるとともに、磁気テープ摺動面ＭＳ１では、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇを介して第４ベース部材３１と向き合っている。
【００３９】
ＡＣ消去ギャップ３０Ｇは、磁気テープＭＴ１のデータバンドＤＢ（図４参照）部分に対応するように磁気テープ摺動面ＭＳ１に露出している。このようなＡＣ消去ヘッド３０は、第４ベース部材３１の磁性部３１ａと、第４ベース部材３１の磁性接合部３１ｅと、第５ベース部材３２とがコア３０Ａを構成している。つまり、ＡＣ消去ヘッド３０は、コイル３１ｃに付与した交番電流によってコア３０Ａで磁束流が誘起されるとともに、磁気テープ摺動面ＭＳ１でこの磁束流がＡＣ消去ギャップ３０Ｇを迂回する漏れ磁束ＭＦAC（図１参照）を生じさせるようになっている。
【００４０】
なお、第４ベース部材３１の磁性部３１ａ、第４ベース部材３１の磁性接合部３１ｅ及び第５ベース部材３２の材質としては、前記したＤＣ消去ヘッド１０の磁性層１１ｂ、磁性膜１２及び表面磁性膜１３の材質と同様のものが挙げられる。また、第４ベース部材の絶縁部３１ｂの材質としては、前記した第１ベース部材１１の非磁性部１１ｃと同様のものが挙げられる。また、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇの材質としては、前記したＤＣ消去ヘッド１０のＤＣ消去ギャップ１０Ｇと同様のものが挙げられる。
【００４１】
（非磁性体）
非磁性体５０は、非磁性材料から形成されており、ＤＣ消去ヘッド１０と、サーボライトヘッド２０及びＡＣ消去ヘッド３０とを磁気的に絶縁させる役割を果たす。そして、この非磁性体５０の一面には、ＤＣ消去ヘッド１０のコアＡ（図１参照）を構成する磁性膜１２が形成されている。
【００４２】
非磁性体５０の材質としては、前記した第１ベース部材１１の非磁性部１１ｃと同様のものが挙げられる。
【００４３】
次に、本実施の形態に係る複合型磁気ヘッドの動作について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図４は、本実施の形態に係る複合型磁気ヘッドによる磁気テープの磁化状況を示す図である。なお、図４は、磁気テープの幅方向の上端部のみを部分的に示している。
【００４４】
図４に示すように、磁気テープＭＴ１は、サーボライトギャップ２０Ｇ及びＡＣ消去ギャップ３０ＧがＤＣ消去ギャップ１０Ｇの下流側となるよう複合型磁気ヘッドＨ１の磁気テープ摺動面ＭＳ１（図１参照）を走行する。
【００４５】
まず、上流側のＤＣ消去ギャップ１０Ｇが、サーボバンドＳＢの磁化Ｍの方向を順方向に向くようにサーボバンドＳＢを直流消去する工程について、主に図４を参照しながら説明する。
【００４６】
電流発生装置（図示せず）からコイル１０ｃ（図１参照）に直流電流が付与されると、コイル１０ｃは、図１に示すコア１０Ａを伝わる磁束流を誘起する。この磁束流は、表面磁性膜１３（図１参照）に部分的に形成されたＤＣ消去ギャップ１０Ｇ（図１参照）を迂回し、磁気テープ摺動面ＭＳ１（図１参照）上に漏れ磁束ＭＦDC（図１参照）を生起する。この漏れ磁束ＭＦDCの向きは、コイル１０ｃに流れる直流電流の極性に応じて反転するが、本実施形態では漏れ磁束ＭＦDCが順方向に向かうように直流電流が付与される。
【００４７】
そして、サーボバンドＳＢは、その磁化Ｍの方向が順方向に向くように、この漏れ磁束ＭＦDCによって直流消去される。
【００４８】
次に、下流側のサーボライトヘッド２０が、サーボ信号ＳＳを書き込む工程について、主に図４を参照しながら説明する。
【００４９】
電流発生装置（図示せず）からコイル２１ｃ（図３（ａ）参照）にパルス電流が付与されると、コイル２１ｃは、図３（ａ）に示すコア２０Ａを伝わる磁束流を誘起する。この磁束流は、表面磁性膜２３（図３（ａ）参照）に部分的に形成されたサーボライトギャップ２０Ｇ（図３（ａ）参照）を迂回し、磁気テープ摺動面ＭＳ１上に漏れ磁束ＭＦS（図１参照）を生起する。漏れ磁束ＭＦSは、コイル２０ｃに流れるパルス電流の向きに応じて反転するが、本実施形態では、漏れ磁束ＭＦSが逆方向となるようにパルス電流が付与される。そして、サーボバンドＳＢには、この漏れ磁束ＭＦSによって、サーボバンドＳＢの磁化Ｍの方向が逆方向に向くようにサーボ信号ＳＳが書き込まれる。
【００５０】
この際、サーボライトギャップ２０Ｇは、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇの下流側に配置されるとともに、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇとサーボライトギャップ２０ＧとがサーボバンドＳＢ上で横一列に並ぶように配置されているため、サーボライトギャップ２０Ｇは、直流消去されたサーボバンドＳＢにサーボ信号ＳＳをずれることなく書き込む。また、この複合型磁気ヘッドＨ１では、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇとサーボライトギャップ２０Ｇとが単一のマスクを使用したフォトリソグラフィ法により同時にパターニングされて形成されていることから、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇとサーボライトギャップ２０Ｇの位置決め精度が高くなっており、サーボライトギャップ２０Ｇは、サーボバンドＳＢに精度よくサーボ信号ＳＳを書き込んでいく。
【００５１】
そして、サーボ信号ＳＳは、略「ハ」の字形を呈するサーボライトギャップ２０Ｇにより、磁気テープＭＴ１の走行方向に対し正の傾斜角をなす磁化部分であるバーストＢａと、走行方向に対し負の傾斜角をなす磁化部分であるバーストＢｂとを形成する。そして、１つのバーストＢａと１つのバーストＢｂとの１組で、１つのサーボパターンＳＰは構成される。さらに、所定間隔でパルス電流を付与することで、サーボパターンＳＰは、磁気テープＭＴ１の長手方向に繰り返される。
【００５２】
次に、ＡＣ消去ギャップ２０Ｇが、データバンドＤＢの磁化を交流消去する工程について、主に図４を参照しながら説明する。
【００５３】
電流発生装置（図示せず）からコイル３１ｃ（図３（ｂ）参照）に交番電流が付与されると、コイル３１ｃは、図３（ｂ）に示すコア３０Ａを伝わる磁束流を誘起する。この磁束流は、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇ（図３（ｂ）参照）を迂回し、磁気テープ摺動面ＭＳ１上に漏れ磁束ＭＦAC（図１参照）を生起する。そして、データバンドＤＢの磁化（図示せず）は、この漏れ磁束ＭＦACによって交流消去される。
【００５４】
この際、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇは、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇの下流側に配置されているため、例えば複合型磁気ヘッドＨ１に対する磁気テープＭＴ１の掛かり具合によって、たとえデータバンドＤＢがＤＣ消去ギャップ１０Ｇによって直流消去されたとしても、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇは、データバンドＤＢを交流消去する。その結果、データバンドＤＢの直流消去が解消されるため、後に、この磁気テープＭＴ１のデータバンドＤＢにデータ信号が記録されたとしても、記録されたデータ信号には、データバンドＤＢの直流消去に起因する高周波歪が生じることがない。したがって、この複合型磁気ヘッドによれば、データバンドに記録されるデータ信号の品質の劣化を回避することができる。
【００５５】
［複合型磁気ヘッドの製造方法］
次に、本実施の形態に係る複合型磁気ヘッドの製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図５は、ＤＣ消去ヘッドを構成する第１ベース部材の製造工程を示す図、図６は、サーボライトヘッドを構成する第２ベース部材の製造工程を示す図、図７は、サーボライトヘッドを構成する第３ベース部材の製造工程を示す図、図８は、ＡＣ消去ヘッドを構成する第４ベース部材の製造工程を示す図、図９は、ＡＣ消去ヘッドを構成する第５ベース部材の製造工程を示す図、図１０は、第２ベース部材、第３ベース部材、第４ベース部材及び第５ベース部材を組み合わせた一体化ブロックの上端面図、図１１は、第１ベース部材、第２ベース部材、第３ベース部材、第４ベース部材及び第５ベース部材の接合工程を示す図、図１２は、ＤＣ消去ヘッド、サーボライトギャップ及びＡＣ消去ギャップの配置を示す図、図１３は、複合型磁気ヘッドＨ１の保護膜を形成した際の模式図である。
【００５６】
この複合型磁気ヘッドＨ１の製造方法では、まず、ＤＣ消去ヘッド１０を構成する第１ベース部材１１（図３（ａ）参照）、サーボライトヘッド２０を構成する第２ベース部材２１（図３（ａ）参照）及び第３ベース部材２２（図３（ａ）参照）、並びにＡＣ消去ヘッド３０を構成する第４ベース部材３１（図３（ｂ）参照）及び第５ベース部材３２（図３（ｂ）参照）が個別に製造される。
【００５７】
（第１ベース部材の製造工程）
第１ベース部材１１（図３（ａ）参照）の製造工程では、まず、第１ベース部材１１の非磁性部１１ｃ（図３（ａ）参照）が製造される。この非磁性部１１ｃは、図５に示すように、前記した非磁性材料で構成される直方体材料６０（図５（ａ）参照）から、コイル溝１１ａ（図５（ｂ）参照）に対応する部分が削り取られて製造される。このコイル溝１１ａに対応する部分は、例えば機械切削等によって削り取ればよい。次に、この非磁性部１１ｃには、削り取られた部分にＤＣ消去ヘッド１０のコア１０Ａ（図１参照）を構成する磁性層１１ｂ（図５（ｃ）参照）が形成される。この磁性層１１ｂには、スパッタリング法等の公知の薄膜形成法が採用されればよい。このように磁性層１１ｂが非磁性部１１ｃに形成されて、第１ベース部材１１の製造工程は終了する。
【００５８】
（第２ベース部材の製造工程）
第２ベース部材２１（図３（ａ）参照）の製造工程では、まず、第２ベース部材２１の非磁性部２１ａ（図３（ａ）参照）が製造される。この非磁性部２１ａは、図６に示すように、前記した非磁性材料で構成される直方体材料６１（図６（ａ）参照）から、溝６１ａ（図６（ｂ）参照）と、磁性部２１ａ（図３（ａ）参照）の一部を埋め込むための溝６１ｂ（図６（ｂ）参照）とが削り取られて製造される。
【００５９】
溝６１ａは、後記するように非磁性体５０と非磁性部２１ａとのガラスＧＬ（図３（ａ）参照）による接合作業を容易にするためのものであり、直方体材料６１の一側面が水平方向に削り取られて形成される。溝６１ｂは、溝６１ａが形成された直方体材料６１の一側面の反対側の面に形成されるとともに、直方体材料６１の中程から延びて直方体材料６１の上端面に臨むように形成される。この溝６１ａ及び溝６１ｂは、例えば機械切削等で直方体材料６１を削り取ることによって形成されればよい。
【００６０】
次に、溝６１ｂに磁性材料６１ｃ（図６（ｃ）参照）が埋め込まれて磁性部２１ｂ（図３（ａ）参照）の一部が形成される。この磁性材料６１ｃには、前記した軟磁性材料が使用されている。この磁性材料６１ｃの埋め込みには、軟磁性材料をターゲットとするスパッタリング法等が採用されればよい。この磁性材料６１ｃには、その下端に軟磁性材料からなる突出部６１ｄ（図６（ｄ）参照）が形成される。この突出部６１ｄは、スパッタリング法等の薄膜形成法を採用して形成されて、前記磁性材料６１ｃと一体化して磁性部２１ｂを構成する。この磁性部２１ｂは、サーボライトヘッド２０のコア２０Ａ（図３（ａ）参照）を構成する
【００６１】
次に、直方体材料６１には、磁性材料６１ｃを被覆するように前記非磁性材料からなる非磁性膜６１ｅ（図６（ｅ）参照）が形成される。そして、この非磁性膜６１ｅ上には、突出部６１ｄを巻回するようにコイル２１ｃ（図６（ｅ）参照）が形成されるとともに、このコイル２１ｃと電気的に接続された電極パッド２１ｄ（図６（ｅ）参照）が形成される。これらコイル２１ｃ及び電極パッド２１ｄの形成方法としては、銅等の導電性金属の薄膜を形成する方法であれば特に制限はなく、例えば、スパッタリング法、電解めっき法等が挙げられる。そして、これらコイル２１ｃ及び電極パッド２１ｄを前記非磁性膜６１ｅ上で埋め込むように非磁性膜６１ｆ（図６（ｆ）参照）が形成されることによって、第２ベース部材２１の製造工程は終了する。
【００６２】
（第３ベース部材の製造工程）
第３ベース部材２２（図３（ａ）参照）の製造工程では、図７に示すように、まず、前記した非磁性材料で構成される直方体材料６２（図７（ａ）参照）から、磁性部２２ｂ（図３（ａ）参照）を埋め込むための溝６２ａ（図７（ｂ）参照）が削り取られて製造される。この溝６２ａは、直方体材料６２の内部でＬ字状に延びて、その一端が直方体材料６２の上端面に臨むとともに、その他端が、直方体材料６２の一側面に臨むように形成される。この溝６２ａは、例えば機械切削等で直方体材料６２を削り取ることによって形成されればよい。
【００６３】
次に、溝６２ａに磁性材料６２ｂ（図７（ｃ）参照）が充填されて磁性部２２ｂ（図３（ａ）参照）が形成される。つまり、磁性部２２ｂは、直方体材料６２の内部でＬ字状に延びて、その一端が直方体材料６２の上端面に臨むとともに、その他端が、直方体材料６２の一側面に臨むように形成される。この磁性部２２ｂは、サーボライトヘッド２０のコア２０Ａ（図３（ａ）参照）を構成する。この磁性材料６２ｂには、前記した軟磁性材料が使用されている。この溝６２ａへの磁性材料６２ｂの充填には、軟磁性材料をターゲットとするスパッタリング法等が採用されればよい。
【００６４】
次に、直方体材料６２には、溝６２ａ内の磁性材料６２ｂを被覆するように非磁性膜６２ｃ（図７（ｄ）参照）が形成される。この非磁性膜６２ｃの形成には、前記した非磁性材料をターゲットとするスパッタリング法等が採用されればよい。
【００６５】
次に、磁性部２２ｂが臨む直方体材料６２の一側面側には、溝６２ｄが形成される。この溝６２ｄは、後記するように非磁性部２２ａ（図３（ａ））と第２ベース部材２１の非磁性部２１ａとのガラスＧＬ（図３（ａ）参照）による接合作業を容易にするためのものであり、直方体材料６２の前記一側面が水平方向に削り取られて形成される。このような溝６２ｄが形成されて、第３ベース部材２２の製造工程は終了する。なお、この溝６２ｄは、例えば機械切削等で直方体材料６２を削り取ることによって形成されればよい。
【００６６】
（第４ベース部材の製造工程）
第４ベース部材３１（図３（ｂ）参照）の製造工程では、まず、第４ベース部材３１の磁性部３１ａ（図３（ｂ）参照）が製造される。この磁性部３１ａは、図８に示すように、前記した軟磁性材料で構成される直方体材料６３（図８（ａ）参照）から、溝６３ａ（図８（ｂ）参照）が削り取られるとともに、磁性接合部３１ｅ（図３（ｂ）参照）に相当する部分の周囲で絶縁部３１ｂが形成される部分（図８（ｂ）参照）が削り取られて製造される。そして、削り出した磁性接合部３１ｅの上方では、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇが形成される部分（図８（ｂ）参照）が削り取られる。溝６３ａは、後記するように非磁性体５０と非磁性部２１ａとのガラスＧＬ（図３（ａ）参照）による接合作業を容易にするためのものである。この溝６３ａは、後に第２ベース部材２１と第４ベース部材３１とが組み合わせられた際に（図１０参照）、第２ベース部材２１の溝６１ａの水平高さとその水平高さが一致するように直方体材料６３の一側面が水平方向に削り取られて形成される。この溝６３ａは、例えば機械切削等によって直方体材料６３を削り取ることによって形成されればよい。このようにして不要な部分が削り取られた直方体材料６３は、ＡＣ消去ヘッド３０のコア３０Ａ（図３（ｂ）参照）を構成する。
【００６７】
次に、絶縁部３１ｂが形成される部分３１ｂが削り取られた直方体材料６３の表面には、前記した非磁性材料からなる非磁性膜６３ｂ（図８（ｃ）参照）が形成される。そして、この磁性膜６３ｂ上には、磁性接合部３１ｅを巻回するようにコイル３１ｃ（図８（ｃ）参照）が形成されるとともに、このコイル３１ｃと電気的に接続された電極パッド３１ｄ（図８（ｃ）参照）が形成される。これらコイル３１ｃ及び電極パッド３１ｄの形成方法としては、第２ベース部材２１のコイル２１ｃ及び電極パッド２１ｄの形成方法と同様の方法が採用されればよい。そして、これらコイル３１ｃ及び電極パッド３１ｄを前記非磁性膜６３ｂ上で埋め込む非磁性膜６３ｃ（図８（ｄ）参照）が形成されるとともに、ＡＣ消去ギャップ３０Ｇ（図８（ｄ）参照）が形成されることによって、第４ベース部材３１の製造工程は終了する。
【００６８】
（第５ベース部材の製造工程）
第５ベース部材３２（図３（ｂ）参照）は、図９に示すように、前記した軟磁性材料で構成される直方体材料６４（図９（ａ）参照）から溝６４ａ（図９（ｂ）参照）が削り取られて製造される。この溝６４ａは、後記するように第４ベース部材３１の磁性部３１ａ（図３（ｂ）参照）と第５ベース部材３２とのガラスＧＬ（図３（ａ）参照）による接合作業を容易にするためのものである。この溝６３ａは、後に第３ベース部材２２と第５ベース部材３２とが組み合わせられた際に（図１０参照）、第３ベース部材２２の溝６２ｄの水平高さとその水平高さが一致するように直方体材料６４の一側面が水平方向に削り取られて形成される。この溝６３ａは、例えば機械切削等によって直方体材料６４を削り取ることによって形成されればよい。このようにして不要な部分が削り取られた直方体材料６４は、ＡＣ消去ヘッド３０のコア３０Ａ（図３（ｂ）参照）を構成する。
【００６９】
（第１乃至第５ベース部材の接合工程）
この接合工程では、まず、第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２がそれぞれ３つと、第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２がそれぞれ２つ準備される。次に、図１０に示すように、第２ベース部材２１と第３ベース部材２２とは、第２ベース部材２１の溝６１ａの反対側と第３ベース部材２２の溝６２ｄ側とが相互に向き合うように配置される。また、第４ベース部材３１と第５ベース部材３２とは、第４ベース部材３１の溝６３ａの反対側と第５ベース部材３２の溝６４ａ側とが相互に向き合うように配置される。そして、第４ベース部材３１は、第２ベース部材２１の間に挟み込まれるように配置され、第５ベース部材３２は、第３ベース部材２２の間に挟み込まれるように配置される。このように第２ベース部材２１、第３ベース部材２２、第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２が配置されることによって、溝６１ａ及び溝６３ａが横並びに連通し合うようになるとともに、溝６２ｄ及び溝６４ａが横並びに連通し合うようになる。
【００７０】
次に、連通し合う溝６２ｄ及び溝６４ａ（図１０参照）の上端部には、溶融したガラスが付与される。そして溶融したガラスが固化すると、図３（ａ）に示すように、溝６２ｄの上端部で固化したガラスＧＬによって第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２が相互に接合されるとともに、図３（ｂ）に示すように、溝６４ａの上端部で固化したガラスＧＬによって第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２が相互に接合される。そして、相互に連通した溝６２ｄ及び溝６４ａの上端部で固化したガラスＧＬは、第２ベース部材２１と第４ベース部材３１とを接合するとともに、第３ベース部材２２と第５ベース部材３２とを接合する。つまり、第２ベース部材２１、第３ベース部材２２、第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２は、一体に接合される。
【００７１】
なお、第２ベース部材２１と第３ベース部材２２とが接合された際に、図３（ａ）に示すように、第２ベース部材２１の磁性部２１ｂと、第３ベース部材２２の磁性部２２ｂとは接合される。また、第４ベース部材３１と第３ベース部材３２とが接合された際に、図３（ｂ）に示すように、第４ベース部材３１の磁性部３１ａと、第５ベース部材２２とは接合される。
【００７２】
そして、前記したように磁性部２１ｂは、それぞれ非磁性部２１ｂに埋め込まれるとともに（図６参照）、磁性部２２ｂは、非磁性部２２ａに埋め込まれる（図７参照）。したがって、第２ベース部材２１、第３ベース部材２２、第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２が一体に接合された際に、磁性部２１ｂ及び磁性部２２ｂは、磁性部３１ｂ及び第５ベース部材２２と磁気的に絶縁される。
【００７３】
次に、図１１（ａ）に示すように、第１ベース部材１１と、磁性膜１２を有する非磁性体５０とはガラスＧＬで接合される。この際、非磁性体５０及び磁性膜１２は、第１ベース部材１１の上端から突出するように第１ベース部材１１と接合される。
【００７４】
次に、第１ベース部材１１と接合された非磁性体５０には、第２ベース部材２１、第３ベース部材２２、第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２が一体となった一体化ブロック６５（図１１（ｂ）参照）が組み合わせられる。そして、相互に連通する溝６１ａ及び溝６３ａ（図１０参照）の上端部には、溶融したガラスが付与される。溶融したガラスが固化すると、図１１（ｃ）に示すように、溝６１ａ及び溝６３ａの上端部で固化したガラスＧＬによって一体化ブロック６５は、非磁性体５０に接合される。つまり、第１ベース部材１１、第２ベース部材２１、第４ベース部材３１及び第５ベース部材３２が一体に接合されて、この接合工程は終了する。
【００７５】
なお、第１ベース部材１１と、磁性膜１２を有する非磁性体５０とが接合された際に、図３（ａ）に示すように、第１ベース部材１１の磁性層１１ｂと磁性膜１２とは接合される。そして、図６（ｃ）に示すように、磁性層１１ｂ及び磁性膜１２は、非磁性体５０によって一体化ブロック６５と磁気的に絶縁される。つまり、磁性層１１ｂ及び磁性膜１２は、図３（ａ）に示すように、磁性部２１ｂ及び磁性部２２ｂと磁気的に絶縁されるとともに、図３（ｂ）に示すように、磁性部３１ｂ及び第５ベース部材３２と磁気的に絶縁される。
【００７６】
（表面磁性膜の形成工程）
一体化された第１ベース部材１１、第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２の上端面には、表面磁性膜１３（図３（ａ）参照）及び表面磁性膜２３（図３（ａ））が形成される。
【００７７】
これら表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３が形成されるに先立って、図１２に示すように、第１ベース部材１１の上端面には、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇが形成され、第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２の上端面には、磁性部２１ａと磁性部２２ｂの間にサーボライトギャップ２０Ｇが形成される。
【００７８】
これらＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇは、１つのマスクを使用したフォトリソグラフィ法によりパターニングされて同時に形成される。
【００７９】
これらＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇの形成工程について、さらに詳細に説明すると、まず、第１ベース部材１１、第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２の上端面を覆うように、前記非磁性材料、例えばシリカ膜（以下、ＳｉＯ2膜とする）が形成される。そして、このＳｉＯ2膜上には、薄膜状でフォトレジスト（感光性樹脂）が塗布される。その後、図１２に示すような配置でＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇのそれぞれの平面形状が象られた単一のマスクと、水銀ランプ等の光源とを使用して、薄膜状で形成した前記フォトレジストが露光される。このようにフォトレジストが露光されることによって、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇはフォトレジスト上にパターニングされる。その後、不要なフォトレジストは現像液により現像されて除去される。そして、ＨＦ（フッ酸）等でフォトレジストの付着していないＳｉＯ2膜の部分が除去されて、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇが形成される。
【００８０】
次に、第１ベース部材１１、第２ベース部材２１及び第３ベース部材２２の上端面には、形成されたＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇの周囲を充填するように、表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３が形成される。この際、表面磁性膜２３及びＡＣ消去ヘッド３０は、図１に示すように、相互に離隔するように形成される。このように表面磁性膜２３及びＡＣ消去ヘッド３０が離隔することによって、サーボライトヘッド２０のコア２０Ａ（図３（ａ）参照）と、ＡＣ消去ヘッド３０のコア３０Ａ（図３（ｂ）参照）は相互に磁気的に遮断される。なお、表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３の形成には、前記した軟磁性材料をターゲットとするスパッタリング法等が採用されればよい。
【００８１】
そして、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ、サーボライトギャップ２０Ｇ、ＡＣ消去ヘッド３０、磁性膜１２、非磁性体５０、表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３の上端面が研磨される。次いで、図１３に示すように、この上端面には、これを被覆するように、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等からなる保護膜Ｐｒが形成される。そして、図１に示すように、コイル溝１１ａにコイル１０ｃが巻回されることによって、本実施の形態に係る複合型磁気ヘッドＨ１の製造工程は終了する。
【００８２】
このような複合型磁気ヘッドの製造方法では、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇ（図１２参照）が、単一のマスクを使用してパターニングされるので、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇの相互の配置位置が、精度よく位置決めされる。したがって、このような複合型磁気ヘッドの製造方法によれば、ＤＣ消去ヘッド１０（図１参照）が、サーボバンドＳＢの磁化Ｍ（図４参照）のみを精度よく直流消去することができるとともに、サーボライトヘッド２０（図１参照）が、ＤＣ消去ヘッド１０でその磁化Ｍが直流消去されたサーボバンドＳＢに精度よくサーボ信号ＳＳ（図４参照）を書き込むことができる複合型磁気ヘッドＨ１（図１参照）を製造することができる。また、このような複合型磁気ヘッドの製造方法によれば、たとえデータバンドＤＢ（図４参照）の磁化（図示せず）がＤＣ消去ヘッド１０によって直流消去されたとしても、ＡＣ消去ヘッド３０（図１参照）がデータバンドＤＢの磁化（図示せず）を精度よく交流消去することができる複合型磁気ヘッドＨ１（図１参照）を製造することができる。
【００８３】
以上、本発明の好適な実施の形態について一例を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではない。
【００８４】
例えば、前記実施の形態では、サーボバンドＳＢの地の部分を順方向に磁化し、サーボ信号ＳＳの部分を逆方向に磁化する複合型磁気ヘッドＨ１を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これとは逆に、サーボバンドの地の部分を逆方向に磁化し、サーボ信号の部分を順方向に磁化する複合型磁気ヘッドであってもよい。
【００８５】
また、前記実施の形態では、１本のバーストＢａと１本のバーストＢｂとで構成されるサーボパターンＳＰを書き込む複合型磁気ヘッドＨ１を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、サーボライトヘッド２０のコイル２１ｃに供給するパルス電流の間隔を変更し、複数のバーストＢａと複数のバーストＢｂとでサーボパターンＳＰを書き込むようにした複合型磁気ヘッドであってもよい。
【００８６】
また、前記実施の形態では、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇを形成した後に、表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３を形成する複合型磁気ヘッドの製造方法を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、本発明の複合型磁気ヘッドの製造方法は、表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３を形成した後に、この表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３の上面に、ＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇの平面形状を単一のマスクでパターニングする工程と、表面磁性膜１３及び表面磁性膜２３のパターニングした部分を取り除く工程と、取り除かれた、パターニングした部分に前記非磁性材料を充填してＤＣ消去ギャップ１０Ｇ及びサーボライトギャップ２０Ｇを形成する工程とを備えるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の実施の形態に係る複合型磁気ヘッドの全体斜視図である。
【図２】図１の複合型磁気ヘッドの上端面図である。
【図３】（ａ）は、図２のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る複合型磁気ヘッドによる磁気テープの磁化状況を示す図である。
【図５】ＤＣ消去ヘッドを構成する第１ベース部材の製造工程を示す図である。
【図６】サーボライトヘッドを構成する第２ベース部材の製造工程を示す図である。
【図７】サーボライトヘッドを構成する第３ベース部材の製造工程を示す図である。
【図８】ＡＣ消去ヘッドを構成する第４ベース部材の製造工程を示す図である。
【図９】ＡＣ消去ヘッドを構成する第５ベース部材の製造工程を示す図である。
【図１０】第２ベース部材、第３ベース部材、第４ベース部材及び第５ベース部材を組み合わせた一体化ブロックの上端面図である。
【図１１】第１ベース部材、第２ベース部材、第３ベース部材、第４ベース部材及び第５ベース部材の接合工程を示す図である。
【図１２】ＤＣ消去ヘッド、サーボライトギャップ及びＡＣ消去ギャップの配置を示す図である。
【図１３】複合型磁気ヘッドの保護膜を形成した際の模式図である。
【図１４】従来のサーボ信号が書き込まれた磁気テープを説明する図であり、（ａ）は、サーボ信号を書き込むときの記録電流を示す図、（ｂ）は、磁気テープの平面図、（ｃ）は、記録素子の幅が広いときのサーボ信号の読み取り信号を示す図、（ｄ）は、記録素子の幅が狭いときのサーボ信号の読み取り信号である。
【符号の説明】
【００８８】
１０    ＤＣ消去ヘッド
１０Ｇ  ＤＣ消去ギャップ
２０    サーボライトヘッド
２０Ｇ  サーボライトギャップ
３０    ＡＣ消去ヘッド
３０Ｇ  ＡＣ消去ギャップ
ＤＢ    データバンド
Ｈ１  複合型磁気ヘッド
ＭＴ１  磁気テープ
ＳＢ    サーボバンド
ＳＳ    サーボ信号
【図１】
2005166193.tif 000003
【図２】
2005166193.tif 000004
【図３】
2005166193.tif 000005
【図４】
2005166193.tif 000006
【図５】
2005166193.tif 000007
【図６】
2005166193.tif 000008
【図７】
2005166193.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005166193.tif 000011
【図１０】
2005166193.tif 000012
【図１１】
2005166193.tif 000013
【図１２】
2005166193.tif 000014
【図１３】
2005166193.tif 000015
【図１４】
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