(57)【要約】【課題】  樹脂モールドされた半導体装置を回転刃物で個片化する際、金属バリや樹脂バリの発生しない半導体装置の製造方法及びこれに使用するリードフレームを提供する。【解決手段】  素子搭載部１２の裏面及びその周囲に配置された複数のリード１３の裏面端子部１７を除いて、裏面側からハーフエッチングされた複数の単位リードフレーム１１が並べて配置され、各リード１３と素子搭載部１２に搭載された半導体素子との間の電気的連結後、裏面端子部１７と素子搭載部１２の裏面を露出して全体が樹脂封止された複数の半導体装置１０を、リード１３の端部を連結するタイバー１４の部分で切断して、各半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法において、回転刃物が、裏面端子部１７のタイバー側端部にハーフエッチングによって形成した凹凸１９を含むように切断する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載部及びその周囲に配置された複数のリードを備え、前記素子搭載部の裏面及び前記リードの裏面端子部を除いて、裏面側からハーフエッチングされた複数の単位リードフレームが平面状に並べて配置され、前記裏面端子部及び前記素子搭載部の裏面が露出するようにして形成されたマトリクス型のリードフレームにおいて、
前記裏面端子部のタイバー側端部にハーフエッチングによって形成した凹凸を備えることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１記載のリードフレームにおいて、前記凹凸は前記裏面端子部の幅方向両側に形成された突出部と、該両突出部の中間に形成された溝底部によって形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
素子搭載部及びその周囲に配置された複数のリードを備え、前記素子搭載部の裏面及び前記リードの裏面端子部を除いて、裏面側からハーフエッチングされた複数の単位リードフレームが平面状に並べて配置され、前記各素子搭載部には半導体素子がそれぞれ搭載されて、前記各リードと前記半導体素子との間の電気的連結が行われた後、前記裏面端子部及び前記素子搭載部の裏面が露出するようにして、全体が樹脂封止された複数の半導体装置を、前記リードの端部を連結するタイバーの部分で回転刃物で切断して、前記各半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法において、
前記回転刃物が、前記裏面端子部のタイバー側端部にハーフエッチングによって形成した凹凸を含むように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体装置を一括して樹脂モールドするＭＡＰ（Mold Alley Process) 型の半導体装置の製造方法に係り、特に、樹脂モールドした後に隣り合う半導体装置を回転刃物によってシンギュレーションする際に発生する金属バリや樹脂バリの発生を最小に抑える半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に記載のように、複数の半導体装置を一つの平面板に同時に製造し、最終工程で回転刃物によるシンギュレーションを行って、半導体装置を製造することが行われている。
図２に、製造過程にあるこのような半導体装置の部分底面を示すが、複数の半導体装置５０が同時に並べて製造され、それぞれの半導体装置５０の底部中央に配置される素子搭載部５１が裏面から露出し、その周囲に複数のリード５２が配置され、リード５２の裏面端子部５３は封止樹脂５４ａから露出している。なお、リード５２は周囲の枠を形成する所定幅のタイバー５４で連結されていると共に、素子搭載部５１もサポートバー５５で周囲の枠に連結されている。
このような半導体装置５０の回転刃物６０（図３参照）による個片化（シンギュレーション）を行う場合には、図に示すように、回転刃物６０の切断端面５６、５７が底面に露出した裏面端子部５３の一部を切り込むように、裏面端子部５３を形成していた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２７４３０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このように回転刃物６０で裏面端子部５３を形成すると、図３（Ａ）に示すように、裏面端子部５３の長さが長く形成される場合に、回転刃物６０が切断する金属の体積が増えることになり、その結果リード５２の切断面に金属バリ５８、５９が発生するという問題がある。
そこで、図３（Ｂ）に示すように、裏面端子部５３の長さを短く形成して回転刃物６０が切断する金属の体積を減らすことも考えられるが、裏面端子部５３の長さを短く形成すると、裏面端子部５３のタイバー５４側端面と回転刃物６０の切断面５６、５７の間にモールド樹脂が位置することになり、回転刃物６０はこのモールド樹脂部分を切断することになるため、樹脂バリ６１、６２が発生するという問題があった。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、一括して樹脂モールドされた半導体装置を回転刃物で個片化をするに当たって、金属バリや樹脂バリの発生しない半導体装置の製造方法及びこれに使用するリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的に沿う請求項１記載のリードフレームは、素子搭載部及びその周囲に配置された複数のリードを備え、前記素子搭載部の裏面及び前記リードの裏面端子部を除いて、裏面側からハーフエッチングされた複数の単位リードフレームが平面状に並べて配置され、前記裏面端子部及び前記素子搭載部の裏面が露出するようにして形成されたマトリクス型のリードフレームにおいて、前記裏面端子部のタイバー側端部にハーフエッチングによって形成した凹凸を備えている。
これによって、回転刃物による切断時に、回転刃物が切断する裏面端子部の金属の体積が減少することにより、金属バリの発生を防止することができる。また、回転刃物が切断する裏面端子部は全て金属部分であり、モールド樹脂部分を切断することがないことから、樹脂バリの発生もない。
【０００７】
そして、請求項２記載のリードフレームは、請求項１記載のリードフレームにおいて、前記凹凸は前記裏面端子部の幅方向両側に形成された突出部と、該両突出部の中間に形成された溝底部によって形成されている。このリードフレームにおいては、回転刃物によるリードの切断の際に、裏面端子部のタイバー側端部で回転刃物がリードに切り込む部分及び切り離す部分に樹脂が位置しないようにするため、裏面端子部の幅方向両側に突出部を形成し、金属のストレート部を確保している。さらに回転刃物により切断される金属の体積を減らすため、前記両突出部の中間に溝底部を形成している。これにより金属バリの発生を防止することができると共に、回転刃物が切断する裏面端子部は全て金属部分となり、モールド樹脂部分を切断することがないことから、樹脂バリの発生がなくなる。
【０００８】
そして、請求項３記載の半導体装置の製造方法は、素子搭載部及びその周囲に配置された複数のリードを備え、前記素子搭載部の裏面及び前記リードの裏面端子部を除いて、裏面側からハーフエッチングされた複数の単位リードフレームが平面状に並べて配置され、前記各素子搭載部には半導体素子がそれぞれ搭載されて、前記各リードと前記半導体素子との間の電気的連結が行われた後、前記裏面端子部及び前記素子搭載部の裏面が露出するようにして、全体が樹脂封止された複数の半導体装置を、前記リードの端部を連結するタイバーの部分で回転刃物で切断して、前記各半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法において、前記回転刃物が、前記裏面端子部のタイバー側端部にハーフエッチングによって形成した凹凸を含むように切断する。
これによって、回転刃物による切断時に、回転刃物が切断する裏面端子部の金属の体積が減少することにより、金属バリの発生を防止することができる。また、回転刃物が切断する裏面端子部は全て金属部分であり、モールド樹脂部分を切断することがないことから、樹脂バリの発生もない。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１及び２記載のリードフレームにおいては、回転刃物による切断時に、回転刃物が切断する裏面端子部の金属の体積が減少することにより、金属バリの発生を防止することができる。また、回転刃物が切断する裏面端子部は全て金属部分であり、モールド樹脂部分を切断することがないことから、樹脂バリの発生もない。
【００１０】
また請求項３記載の半導体装置の製造方法においては、回転刃物による切断時に、回転刃物が切断する裏面端子部の金属の体積が減少することにより、金属バリの発生を防止することができる。また、回転刃物が切断する裏面端子部は全て金属部分であり、モールド樹脂部分を切断することがないことから、樹脂バリの発生もない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【００１２】
図１に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造しようとする半導体装置１０は、単位リードフレーム１１を備えている。この単位リードフレーム１１は、中央に素子搭載部１２を、その周囲に隙間を有して複数のリード１３を備えている。この単位リードフレーム１１の製造過程にあっては、平面状に並べて配置された各単位リードフレーム１１がリード１３の外側にあるタイバー（連結枠）１４を介して連結されている。素子搭載部１２もサポートバー１５を介してこのタイバー１４に連結されている。
【００１３】
素子搭載部１２の裏面と、各リード１３の裏面側に形成される裏面端子部１７を除くリードフレームは、裏面側からハーフエッチングされて、ハーフエッチングされた部分が封止樹脂（例えば、熱硬化性エポキシ樹脂）１８内に埋設される構造となっている。
各リード１３のタイバー側はハーフエッチングされ、裏面端子部１７のタイバー側端部には凹凸１９が設けられている。ここで、凹凸１９は溝状となって、裏面端子部１７の幅方向両側に形成された長方形状の突出部２０、２１とこの突出部２０、２１の中間部に形成されている溝底部２２とを有している。この突出部２０、２１の高さはリード１３の幅の０．２〜０．５倍程度となっている。
【００１４】
素子搭載部１２の表面（上面）側には、図示しない半導体素子が搭載され、半導体素子の電極端子部は、リード１３の表側にある接続端子部（通常、貴金属めっきがされている）とワイヤボンディングされて電気的連結が行なわれ、このような状態で、裏面端子部１７及び素子搭載部１２の底面を露出するようにして、リードフレーム及び各半導体素子の全体が樹脂封止されている。
このマトリクス型の半導体装置の個片化にあっては、そのカット幅がタイバー１４の幅より１．２〜１．５倍程度の広い回転刃物を用い、回転刃物の切断中心を、タイバー１４の中心に一致させて切断する。
そして、回転刃物の切断幅は、ダイバー１４を挟んで隣り合うリード１３の溝底部２２の間隔より広く設定されており、突出部２０、２１及び溝底部２２を含むように切断している。なお、切断位置は溝底部２２からリード１３の先端側に０．０５ｍｍの範囲にあればよい。
【００１５】
従って、回転刃物による切断端面２４、２５が溝底部２２よりリード１３の先端側に位置することになる。これによって、リード１３の切断の際に、裏面端子部１７のタイバー側端部で回転刃物がリード１３に切り込む部分及び切り離す部分は樹脂が存在しない金属のストレート部となり、且つ裏面端子部１７の幅方向両側に形成された長方形状の突出部２０、２１とこの突出部２０、２１の中間部に形成されている溝底部２２とで構成されているため、回転刃物により切断される金属の体積を減らすことができ、金属バリの発生を防止することができる。また、回転刃物が切断する裏面端子部１７は全て金属部分であり、モールド樹脂部分を切断することがないことから、樹脂バリの発生もない。
このようにして、回転刃物によるサイジングを縦横に行って、各半導体装置１０を個片化して製品が完成する。
【００１６】
本発明は前記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲での形状や寸法変更を有するリードフレーム及び半導体装置であっても本発明の技術的範囲に属する。例えば、前記実施の形態においては、リード１３のタイバー側の凹凸１９を溝型形状によって構成したが、鋸状、四角形の凸部と凹部が交互に直線状に並ぶ形状であってもよく、その場合の底部は歯底になる。樹脂の種類も熱硬化性エポキシ樹脂には限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【図２】従来例に係る半導体装置の裏面側の説明図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来例に係る半導体装置の回転刃物による切断状況の説明図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０：半導体装置、１１：単位リードフレーム、１２：素子搭載部、１３：リード、１４：タイバー、１５：サポートバー、１７：裏面端子部、１８：封止樹脂、１９：凹凸、２０、２１：突出部、２２：溝底部、２４、２５：切断端面
【図１】
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【図２】
2005166695.tif 000004
【図３】
2005166695.tif 000005