(57)【要約】【課題】分子線エピタキシャル成長装置のクリーニングを効率良く行うことで稼働率を向上させる。【解決手段】チャンバー１１に設けられ、チャンバーの壁面をクリーニングするためのラジカルを導入する入力部１３と、チャンバーに設けられ、チャンバー内のガスを排気する排気ポート１４と、入力部に設けられ、ガスをプラズマ化してラジカルを発生して、ラジカルをチャンバーに供給するラジカル供給装置２０と、排気ポートに接続された排気装置１２とから成る分子線エピタキシャル成長装置である。Ｈラジカル、Ｎラジカルがラジカル発生装置で発生されて、チャンバー１１に供給される。このラジカルの化学反応によりチャンバー１１の内壁に付着した汚染分子や汚染原子が効率良く除去される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ）のチャンバーの内壁をクリーニングする方法において、
前記チャンバーの外部において、前記チャンバー内に導入するガスに対してプラズマを発生させて、ラジカルを生成して、前記チャンバー内に導入することを特徴とする分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
【請求項２】
前記ガスは、水素ガス又は／及び窒素ガスであり、前記ラジカルは水素ラジカル、窒素ラジカルであることを特徴とする請求項１に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
【請求項３】
前記ガスは、アンモニア（ＮＨ3 ）、または、水素原子（Ｈ）と窒素原子（Ｎ）とを少なくとも含むガス、または、水素原子（Ｈ）を含むガス又は／及び窒素原子（Ｎ）を含むガスであることを特徴とする請求項１に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
【請求項４】
前記ガスは、不活性ガスであり、前記ラジカルは不活性原子のラジカルであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
【請求項５】
前記チャンバー内のガスの成分を測定して、その測定値に基づいて、クリーニングの開始及び終了を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
【請求項６】
プロセスを行うチャンバーを有した分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ）において、
前記チャンバーに設けられ、チャンバーの壁面をクリーニングするためのラジカルを導入する入力部と、
前記チャンバーに設けられ、前記チャンバー内のガスを排気する排気ポートと、
前記入力部に設けられ、ガスをプラズマ化してラジカルを発生して、ラジカルを前記チャンバーに供給するラジカル供給装置と、
前記排気ポートに接続された排気装置と
から成る分子線エピタキシャル成長装置。
【請求項７】
前記ガスは、水素ガス又は／及び窒素ガスであり、前記ラジカルは水素ラジカル、窒素ラジカルであることを特徴とする請求項６に記載の分子線エピタキシャル成長装置。
【請求項８】
前記ガスは、アンモニア（ＮＨ3 ）、または、水素原子（Ｈ）と窒素原子（Ｎ）とを少なくとも含むガス、または、水素原子（Ｈ）を含むガス又は／及び窒素原子（Ｎ）を含むガスであることを特徴とする請求項６に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
【請求項９】
前記ガスは、不活性ガスであり、前記ラジカルは不活性原子のラジカルであることを特徴とする請求項６乃至請求項８の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置。
【請求項１０】
前記チャンバー内のガスの成分量を測定する測定装置と、
前記測定装置の測定値に基づいて、クリーニングの開始及び終了を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クリーニング機能を有した分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ）と、分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体における結晶成長装置に分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ）が、盛んに、使用されている。しかしながら、ＭＢＥ装置などの真空装置は、超真空状態に密閉した状態で結晶成長やその他のプロセスを行うことから、チャンバーの内壁へ原料分子や不純物原子が付着し、この付着した原子を除去するためのクリーニングを行う必要がある。
【０００３】
結晶成長以外のプロセスを行うチャンバーの内部をクリーニングする技術としては、以下の特許文献に記載されている技術が知られている。下記の特許文献１には、絶縁膜をプラズマで成膜する装置において、チャンバー内部で発生させたプラズマにより生じたフッ素ラジカルイオンでクリーニングする技術が開示されている。
【０００４】
また、下記特許文献２は、プラズマエッチング装置において、プロセスチャンバー内でプラズマを発生させて、定期的にチャンバー内をプラズマクリーニングする方法が開示されている。また、下記特許文献３には、反応性イオンエッチング装置において、チャンバーの内壁に原料分子や原子の付着を防止する防着板に付着した原料分子や原子を除去するために、プラズマクリーニングする方法を開示している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３４４８８号公報
【特許文献２】特開２００３−２２４０７６号公報
【特許文献３】特開平１１−１２１４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１〜３は、いずれも、目的のプロセスがプラズマを用いた成膜やエッチングであり、定期的に、処理ウエハを除去して、ウエハを処理する時と同様に、その装置によりプラズマを生成して、チャンバーをクリーニングする方法である。また、特許文献２、３はチャンバー内でプラズマを発生させてプラズマによりチャンバー内をクリーニングすることを開示しているが、ラジカルのみによってチャンバー内をクリーニングすることは開示していない。
【０００７】
また、特許文献１は、フッ素ラジカルイオンによりチャンバー内をクリーニングすることを開示しているが、ラジカルイオンはチャンバー内部でプラズマを発生する時に含まれるものである。したがって、特許文献１には、ラジカルイオンによるクリーニングとあるが、実際には、中性原子、中性分子、電子、イオン、ラジカルが含まれている。
【０００８】
一方、プラズマ処理を用いない分子線エピタキシャル成長装置においては、そのチャンバーをクリーニングするには、チャンバー内でプラズマを発生させることはできない。また、分子線エピタキシャル成長装置の保守などを行う際には、チャンバーの内壁のクリーニング、構成部品の修理、材料の補充、その他、機構部品の調整などを行った後、装置全体を真空ポンプなどで排気している。しかし、チャンバーを大気に開放すること自体により、チャンバー内壁が大気に曝され内壁が汚染される。このため、チャンバーにおいて所望の真空度を得るためには、汚染された内壁をクリーニングする必要がある。
【０００９】
仮に、チャンバーの内壁をクリーニングをしないと、真空排気に伴って、内壁に付着した汚染原子や分子が徐々に内壁から離脱してチャンバー内に排出されるために、何時までも高真空度が得られないという問題がある。
【００１０】
このチャンバーの内壁に付着している汚染物質の主たるものは、Ｈ2Ｏ、ＨＣ化合物である。通常、これらの物質を除去するためには、真空排気と同時に、チャンバー自体を外部から加熱して、チャンバーをベーキングしている。通常、１週間程度、１５０℃でチャンバーをベーキングすることが行われている。この際に、チャンバーの内壁に付着したＨ2Ｏ、ＨＣ化合物は、加熱により内壁から分離エネルギーを得て、チャンバー内に放出されて、付着物の分子が真空排気に伴って、チャンバーの外部に排出されることになる。
【００１１】
この際、チャンバーの内壁から離脱した汚染物質の分子を効率良く排出するためにガスを流して、ベーキングを行っている。しかしながら、チャンバーの表面の温度がガスの流れにより冷却されるために、剥離した分子や原子が再度、チャンバーの内壁に付着することになり、効率的なクリーニングが実行できなかった。このために、分子線エピタキシャル成長装置を、一度、大気開放すると、１週間程度のベーキングを必要とするために、分子線エピタキシャル成長装置の稼働率は、極めて低い値、例えば、２０％〜３０％に過ぎなかった。
【００１２】
この稼働率は、有機金属ガス気相成長装置に比べて、極めて低く、より良質な結晶が得られる分子線エピタキシャル成長装置が、量産化工程においては用いられていない理由がここにあった。
【００１３】
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、分子線エピタキシャル成長装置の稼働率を向上させることである。
また、発明の他の目的は、分子線エピタキシャル成長装置の稼働率を向上させるために、チャンバーの効率的なクリーニングを行えるようにすることである。
また、発明の他の目的は、分子線エピタキシャル成長装置のチャンバーのクリーニングの開始時期、終了時期を適切に制御することで、短時間のクリーニングを実行することである。
【００１４】
上記の発明の目的は、各発明がそれぞれ解決すべき目的であって、全ての発明が上記の全ての発明の目的を達成するものと解釈すべきではない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明はクリーニング方法とそのクリーニング方法を実施する分子線エピタキシャル成長装置であるから、以下、クリーニング方法の発明と対応する分子線エピタキシャル成長装置の発明とを対にして説明する。
【００１６】
上記の課題を解決するための請求項１に記載の発明は、分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ）のチャンバーの内壁をクリーニングする方法において、チャンバーの外部において、チャンバー内に導入するガスに対してプラズマを発生させて、ラジカルを生成して、チャンバー内に導入することを特徴とする分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法である。
【００１７】
また、請求項６の発明は、プロセスを行うチャンバーを有した分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ）において、チャンバーに設けられ、チャンバーの壁面をクリーニングするためのラジカルを導入する入力部と、チャンバーに設けられ、チャンバー内のガスを排気する排気ポートと、入力部に設けられ、ガスをプラズマ化してラジカルを発生して、ラジカルをチャンバーに供給するラジカル供給装置と、排気ポートに接続された排気装置とから成る分子線エピタキシャル成長装置である。
【００１８】
すなわち、本発明の方法は、分子線エピタキシャル成長装置の結晶成長をさせるチャンバーの外部において、プラズマを生成して、高濃度のラジカルをチャンバー内に供給するようにしたものである。また、本発明の装置は、チャンバーの入力部においてガスをプラズマ化してラジカルを発生して、ラジカルをチャンバーに供給するようにして、チャンバーをクリーニングするようにした装置である。
【００１９】
本発明を実施するに際して、通常、チャンバーは加熱されるのが望ましい。しかし、ラジカルの強度の化学反応性を用いるために、チャンバーは加熱されなくとも、クリーニングは可能である。加熱した状態で、ラジカルはチャンバー内に導入される。ラジカルの供給は、チャンバー内を排気して、上流からガスをチャンバー内に流すことにより実行される。ガス流の上流においてプラズマを生成して、ラジカル流を生成することにより、ラジカル流をチャンバー内に生じさせる。
【００２０】
これにより、チャンバーの内壁に付着した汚染分子や原子とラジカルが化学反応して、それらの汚染分子や原子を内壁から乖離させることができる。ラジカルの作用で汚染分子や原子を内壁から乖離させるために、ラジカルの持つエネルギーが内壁に放出されるので、ガス流があっても内壁の温度は低下しない。乖離した汚染分子や原子は、チャンバーの内壁の温度が低下しないので、再付着が防止され、ガス流に乗って、排気口からチャンバーの外に排出される。これにより、クリーニング時間を短縮することが可能となる。
【００２１】
分子線エピタキシャル成長装置では、排気ポートに接続された排気装置の排気作用により、ガスは入力部から導入されて、排気ポートから排気される。入力部（チャンバーから突出した筒状部材を含む）に、ガスをプラズマ化してラジカルを発生してラジカルをチャンバーに供給するラジカル供給装置が設けられている。
【００２２】
プラズマには、電子、陽イオン、ラジカル、中性分子、中性原子が含まれる。チャンバーの内壁のクリーニングには、ラジカル以外の粒子が存在していても、ラジカルの粒子が多く存在しさえすれば、あまり不都合はないと考えられる。しかしながら、本発明では、できるだけ高密度のラジカルをチャンバー内に供給するのが望ましいと考えられる。よって、請求項のラジカル供給装置は、ラジカルを供給する機能を有していれば、他の中性粒子や陽イオン、電子などをともに供給するものであっても良いし、ラジカルだけを抽出してラジカルだけをチャンバーに供給する装置であっても良い。プラズマからラジカルのみを抽出することは、電界により電子と陽イオンをガス流と直交する方向に曲げて、電子と陽イオンを導電性材料に吸収し、電荷を電源に回収するなどの方法により、可能である。プラズマからラジカルだけを抽出してラジカルを放出する装置は、ラジカルガンとして知られているので、これらをチャンバーの上流の入力部付近に設ければ良い。この場合には、請求項のラジカル発生装置はラジカルだけを抽出する装置も含む意味となる。
【００２３】
プラズマを発生する箇所は、チャンバーのガス導入口とするのが良い。すなわち、チャンバーに開放される直近とするのが望ましい。これは、ラジカルを消滅させないためである。すなわち、ラジカルが発生して、直ぐに、大きな空間に開放されるとラジカルは消滅し難いので、望ましい。しかし、チャンバーにラジカルが効率良く供給されるのであれば、チャンバーから離れたところにラジカル供給装置が設けられていても良い。この場合には、ラジカル供給装置が設けられている箇所からチャンバーに至るまでの経路が、請求項の入力部と定義される。
【００２４】
また、分子線エピタキシャル成長装置が本来の結晶成長に用いられている間は、プラズマ発生箇所とチャンバーとの間にシャッターなどを設けて、チャンーバーを遮蔽するのが望ましい。
【００２５】
また、請求項２、請求項７の発明は、ガスは、水素ガス又は／及び窒素ガスであり、ラジカルは水素ラジカル、窒素ラジカルであることを特徴とする請求項１に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法、請求項６に記載の分子線エピタキシャル成長装置である。
水素ガス又は窒素ガス、または、水素ガス及び窒素ガスとして、ラジカルを水素ラジカル又は窒素ラジカル、または、水素ラジカル及び窒素ラジカルとすることで、チャンバーの内壁に付着した汚染分子や原子を効率良く除去することができる。一方のラジカルだけでも良いが、両方のラジカルが存在するとクリーニングの効率が向上する。特に、水素ラジカルが混在することにより、クリーニングの効率が向上する。
【００２６】
また、請求項３、請求項８の発明は、ガスは、アンモニア（ＮＨ3 ）、または、水素原子（Ｈ）と窒素原子（Ｎ）とを少なくとも含むガス、または、水素原子（Ｈ）を含むガス又は／及び窒素原子（Ｎ）を含むガスであることを特徴とする請求項１に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法、請求項６に記載の分子線エピタキシャル成長装置である。
【００２７】
このように、アンモニアガスのプラズマ化により水素ラジカル及び窒素ラジカルが生成される。また、水素原子（Ｈ）と窒素原子（Ｎ）とを少なくとも含むガス、すなわち、ＨとＮを構成元素とする分子ガスのプラズマ化により水素ラジカル及び窒素ラジカルが生成される。さらに、水素原子（Ｈ）を含むガスはプラズマ化により水素ラジカルが生成され、窒素原子（Ｎ）を含むガスはプラズマ化により窒素ラジカルが生成される。このように水素ラジカルまたは窒素ラジカルが生成されるガスを導入することが本請求項の発明の特徴である。
【００２８】
また、請求項４、請求項９の発明は、不活性ガスであり、ラジカルは不活性原子のラジカルであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法、請求項６乃至請求項８の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置である。
請求項１を引用する請求項４、請求項６を引用する請求項９の発明では、ガスが不活性ガスであり、請求項２又は３を引用する請求項４、請求項７又は８を引用する請求項９の発明では、ガスは、さらに、不活性ガスを含んでいるという意味である。
【００２９】
不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンなどの希ガスを含む。不活性原子のラジカルだけでもクリーニング効果はあるが、特に、水素ラジカル、窒素ラジカルと共に、これらの不活性原子のラジカルと共に用いると、より、クリーニング効果が高い。
【００３０】
また、請求項５の発明は、チャンバー内のガスの成分を測定して、その測定値に基づいて、クリーニングの開始及び終了を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法である。
また、請求項１０の発明は、チャンバー内のガスの成分量を測定する測定装置と、測定装置の測定値に基づいて、クリーニングの開始及び終了を制御する制御装置とを有することを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れか１項に記載の分子線エピタキシャル成長装置である。
【００３１】
これらの発明では、チャンバー内におけるガス成分量が測定される。ガス成分量は例えば光吸収スペクトルを測定することにより実施できる。特に、レーザ、グロー放電光、アーク放電光をプローブとして、この光の吸収スペクトルを測定することで、ガス成分や成分量を測定することができる。分子線エピタキシャル成長装置において、成長を停止させて、分子線供給源を遮蔽した状態で、チャンバー内のガス成分量を測定する。これが所定値以上を示せば、クリーニング開始時期と判断することができる。次に、ラジカル供給装置と排気装置を起動して、ガスをチャンバー内に供給して、入力部からラジカルをチャンバーに供給してクリーニングを行う。そして、測定装置により検出されるガス成分量が所定値よりも低くなると、クリーニングを完了したと判断して、クリーニングを停止する。
【００３２】
本発明の分子線エピタキシャル成長装置のクリーニング方法及び分子線エピタキシャル成長装置によれば、クリーニングの開始時期と終了時期を自動的に決定することが可能となる。したがって、本装置により成長される結晶の品質を高く保持しつつ、稼働効率を極めて高くすることができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、ラジカルの有する高い化学反応性によって、分子線エピタキシャル成長装置のチャンバーの内壁に付着した汚染分子や原子を離脱させて、クリーニングしていることから、チャンバーの壁面が冷却されることがないので、効率の良いクリーニングが可能となる。この結果として、短時間のクリーニングが可能となり、分子線エピタキシャル成長装置の稼働効率を向上させることができる。
【００３４】
また、請求項５、１０の発明によれば、自動的にクリーニング開始時期と終了時期を決定できることから、最適時期にクリーニングを介してして、最短時間でクリーニングを終了することができる。よって、分子線エピタキシャル成長装置の稼働効率を向上させることができる。
【００３５】
このように、従来は、量産には、有機金属ガス気相成長装置が有利であったが、本発明によれば、分子線エピタキシャル成長装置を量産に用いることが可能となり、高い品質を有したデバイスや結晶の量産化が可能となり、本発明の工業的の意義は大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明を実施するための最良の形態について説明する。実施の形態は、発明概念の理解を容易にするために、具体的に説明するのであって、本発明は、以下の実施例に限定して解釈されるべきではない。
【実施例１】
【００３７】
図１は本発明の具体的な実施例に係る分子線エピタキシャル成長装置１０を示している。チャンバー１１には入力部１３と排気ポート１４が設けられている。その排気ポート１４には、高真空排気装置１２が接続されて、この装置によりチャンバー１１内は高真空に排気される。また、円筒状の金属体である入力部１３の内部には、ラジカル発生装置２０と電子／イオン除去装置４０とが設けられており、入力部１３には、窒素ガスボンベ３１から窒素ガスと、水素ガスボンベ３２から水素ガスが供給されるように構成されている。また、入力部１３のチャンバー１１に開口する部分には入力部１３とチャンバー１１とを遮断するシャッター１５が設けられている。分子線エピタキシャル成長装置１０が結晶成長を行っている場合には、このシャッター１５は閉状態となっている。
【００３８】
図２はラジカル発生装置２０の構成を示した断面図である。平板状の陽極２１、平板状の絶縁体から成るスペーサ２２、平板状の陰極２３を１組として、多数積層されている。図では４組積層されている。そして、直径０．１ｍｍの貫通孔２４（マイクロホロー）を多数設ける。Ｎ2 とＨ2 との混合ガスを貫通孔２４に流し、陽極２１と陰極２３との間に直流電圧を印加する。この時、各陰極２３の貫通孔２４の部分２５にグロー放電によりプラズマが生成される。プラズマにより電子、陽イオン、中性粒子、ラジカルが生成される。
【００３９】
そして、このプラズマ流は、電子／イオン除去装置４０に流入する。この電子／イオン除去装置４０は、プラズマから電子とイオンを除去して、ラジカルと中性粒子を抽出する装置である。本装置は、電界により電子と陽イオンをガス流と直交する方向に曲げて、電子と陽イオンを導電性材料に吸収し、電荷を電源に回収するなどの方法により、可能である。プラズマからラジカルだけを抽出してラジカルを放出する装置である。
【００４０】
通常、チャンバー１１をクリーニングする場合には、チャンバー１１を図示しない炉の中に入れて加熱しながら、高真空排気装置１２により真空排気しながらＮ2 とＨ2 をラジカル発生装置２０に供給する。ラジカル発生装置２０で生成されたＮラジカルとＨラジカルは、チャンバー１１内に導入され、その壁面に付着した汚染分子や汚染原子と化学反応して、壁面から離脱し、高真空排気装置１２により排気流に乗って外部に排出される。ラジカルによる化学反応により汚染分子および汚染原子を剥離させ、その時にラジカルの持つ励起エネルギーが放出されるので壁面は冷却されない。よって、クリーニング効果は高く維持され、短時間でのクリーニング可能となる。
【００４１】
なお、通常、上記のクリーニングは、分子線エピタキシャル成長装置をオープンして大気に開放して、修理などをした後に、行われる。しかし、分子線エピタキシャル成長装置をオープンにすることなく、通常の結晶成長の合間に、上記のクリーニングを行っても良い。また、クリーニング時のチャンバー１１の加熱は必ずしも必要ではない。
【００４２】
また、次のように、クリーニングの開始時期と終了時期とを制御することができる。チャンバー１１内にはガス分析装置５１が設けられている。グロー放電光、アーク放電光、レーザを照射して、これらの光の吸収スペクトルを測定するものである。チャンバー１１の中には、光源と受光素子とが配置されており、受光素子からの出力信号が制御装置５０に入力するように構成されている。結晶成長を完全に停止させた状態で、この制御装置により、所定のガス成分量が所定値を超えた場合には、クリーニング開始時期と判断され、上記の手順によりクリーニングが開始される。その後、ガス分析装置５１の測定するガス成分量が所定値以下となった場合には、上記のクリーニングが停止される。これにより、クリーニングを開始すべき適正な時期を知ることができると共に最小時間でクリーニングを完了することができる。
【００４３】
図３は、別構成のラジカル発生装置６０を示す。内径０．１ｍｍ〜０．５ｍｍの多数のガラス管６１がマトリックス配置されている。このガラス管６１の内部をＮ2 とＨ2 との混合ガスが通過する。このガラス管６１の長手方向に直交する方向に平板状の第１電極６３と平板状の第２電極６４とが対向して配置されている。第２電極６４はグランドに接続されている。第１電極６３と第２電極６４との間に高周波が印加される。この高周波の電力によりガラス管６１の内部ではプラズマが発生し、Ｈラジカル、Ｎラジカルが生成される。これらのラジカルがチャンバー１１に供給されて、チャンバー１１の内壁がクリーニングされる。
【００４４】
上記実施例では、Ｎ2 ガスとＨ2 ガスを用いたが、ＮＨ3 ガスを用いても良い。また、Ｎ原子とＨ原子を含む分子のガスを用いても良い。さらに、Ｎを含むガスとＨを含むガスとの混合ガスを用いても良い。さらに、これに不活性ガスを混入しても良い。こらのプラズマからＮラジカル、Ｈラジカル、Ａｒラジカルなどの０族元素のラジカルなど、これらのラジカルの混合体をチャンバーのエッチングに用いることができる。
【００４５】
また、ラジカル発生装置は、上記の実施例に限らず任意である。例えば、導波管にて伝搬されたマイクロ波を同軸モードに変換して、リング状のギャップに供給することで、このギャップに上記ガスを通過させて放電させることによりプラズマを生成してラジカルを供給するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、分子線エピタキシャル成長装置の稼働率の向上に絶大な効果をもたらす。したがって、本発明は、分子線エピタキシャル成長装置が半導体の量産に用いられるために解決すべき主要技術となる。工業化において極めて有効な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の具体的な実施例に係る分子線エピタキシャル成長装置を示した構成図。
【図２】同実施例装置で用いられたラジカル発生装置の構成図。
【図３】他のラジカル発生装置の構成図。
【図４】図３の装置のラジカルの発生の様子を示した説明図。
【符号の説明】
【００４８】
１０…分子線エピタキシャル成長装置
１１…チャンバー
２０…ラジカル発生装置
４０…電子／イオン除去装置
２１…陽極
２２…スペーサ（絶縁体）
２３…陰極
２４…貫通孔（マイクロホロー）
６１…管
６３…第１電極
６４…第２電極
【図１】
2005285949.tif 000003
【図２】
2005285949.tif 000004
【図３】
2005285949.tif 000005
【図４】
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