(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイシングされた薄くて大判の半導体ダイをピックアップするに際し、ダイシング後の半導体ダイの反回路面に、ピックアップテープと接着するための薄くて均一な接合材層を形成する方法を提供する。【解決手段】ウェハの回路面に多数の溝を切削したのち、グラインダ８によってウェハの反回路面を研磨すると、複数個の半導体ダイ３，３，…が得られる。次いで、各半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃに吹付け手段１６によって液状の接合材原料４ｃを吹付ける。液状の接合材原料４ｃを変性手段１７によって変性させると、半導体ダイ３上に接合材４が形成される。半導体ダイ３から表面保護テープ７を剥がし取ると、所望の半導体ダイ３，３，…が得られる。半導体ダイ３，３，…の相互間から露出した表面保護テープ７上に形成された接合材４は、表面保護テープ７を剥がし取る際に、表面保護テープ７と一緒に取り除かれる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの回路面側にダイシングソーによって多数の溝を切削する工程と、ウェハの回路面側に表面保護テープを貼り付けると共に、ウェハの反回路面側をグラインダによって研磨して前記溝を境にしてウェハを複数個の半導体ダイに分割する工程と、各半導体ダイの反回路面側から液状の接合材原料を噴霧して半導体ダイに薄膜状に吹き付ける工程と、各半導体ダイに吹き付けた液状の接合材原料を所望の接合材組成に変性させて各半導体ダイの反回路面側に接合材を形成する工程と、前記接合材を介して半導体ダイにピックアップテープを貼り付けた状態で各半導体ダイの回路面側から表面保護テープを剥がし取る工程とを含むダイ成形方法。
【請求項２】
前記液状の接合材原料を半導体ダイと共にその相互間から露出した表面保護テープにも吹き付けて表面保護テープ上に接合材を形成し、この表面保護テープ上に形成された接合材を、半導体ダイから表面保護テープを剥がし取る際に、表面保護テープと一緒に取り除くようにした請求項１に記載のダイ成形方法。
【請求項３】
前記液状の接合材原料をインクジェット機構によって噴霧する請求項１又は２に記載のダイ成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハを細分化して半導体ダイ（半導体チップ）を成形するダイ成形方法に関し、より詳しくは、ウェハの回路面側に多数の溝を切削（ダイシング）したのちウェハの反回路面側を研磨してウェハを分割し、複数個の半導体ダイを成形する先ダイシング製法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３は、スタック型半導体装置１を例示している。スタック型半導体装置１は、基板２上に複数個の半導体ダイ３，３，…を接合材４，４，…を介して積層したものである。なお、図３において、５，５，…は、基板２及び半導体ダイ３，３，…間に設けた配線である。また、６は、配線５，５，…の接続スペースを確保するために、半導体ダイ３，３，…の相互間に介在させたスペーサ部材（例えば、不良ダイ、厚硬フィルム又はボール入りペーストなど）である。
【０００３】
半導体ダイ３，３，…を成形する従来の方法としては、接合材４と一体にして半導体ダイ３，３，…を成形する第１の方法と、接合材４と別体に半導体ダイ３，３，…を成形する第２の方法とがある。以下、第１及び第２の方法並びに各々の方法に基づいて成形された半導体ダイ３，３，…を積層して半導体装置１を製造する工程について説明する。
【０００４】
図４(Ａ)〜(Ｃ)は、半導体ダイ３，３，…を成形する第１の方法を示すフロー図である。図４(Ａ)の工程は、ウェハ３ａの回路面３ｂ側に表面保護テープ７を貼り付けた状態で、グラインダ８によってウェハ３ａの反回路面３ｃを研磨し、ウェハ３ａを薄片状に加工する工程である。図４(Ｂ)の工程は、ウェハ３ａから表面保護テープ７を剥がしたのち、フィルム状の接合材４ａを介してウェハ３ａの反回路面３ｃ側にダイシングテープ９を貼着し、ウェハ３ａを上下反転させる工程である。フィルム状の接合材４ａは、図３に示す半導体装置１の接合材４となる部材である。図４(Ｃ)の工程は、ダイシングソー１０によってウェハ３ａをフィルム状の接合材４ａと共に切断して、所定寸法の半導体ダイ３，３，…を成形する工程である。以上の工程により反回路面３ｃにフィルム状の接合材４ａを有する半導体ダイ３，３，…が成形される。
【０００５】
図５(Ａ)(Ｂ)は、図４(Ａ)〜(Ｄ)に示す第１の方法によって成形された半導体ダイ３，３，…を積層して半導体装置１を製造する工程を示すフロー図である。図５(Ａ)の工程は、半導体ダイ３の下方からピン１１を突き上げてフィルム状の接合材４ａと一緒に半導体ダイ３をダイシングテープ９から剥がし、かつ、コレット１２によって半導体ダイ３を吸着してピックアップする工程である。図５（Ｂ）の工程は、半導体ダイ３を作業台１３に載置された基板２上へ搬送して、半導体ダイ３を基板２に圧着する工程である。半導体ダイ３は、作業台１３に内蔵された加熱ヒータ１３ａによってフィルム状の接合材４ａが溶融され、この状態でコレット１２によって加圧されることにより基板２に圧着される。以下、図５(Ａ)及び(Ｂ)の工程を繰り返して基板２上に半導体ダイ３，３，…を積層して、図３に示す半導体装置１が得られる。このように、図５(Ａ)(Ｂ)に示す半導体装置１の製造工程は、半導体ダイ３の積層を容易に行なえるものである。
【０００６】
近年、半導体装置１の性能を向上させるために、半導体ダイ３，３，…の多層化・大判化が進められている。半導体ダイ３，３，…の多層化には、その積層高さが変わらないように、半導体ダイ３の薄片化、即ちウェハ３ａの薄片化（概ね２５μｍ程度）が要求される。また、半導体ダイ３，３，…の大判化には、ひとつのウェハ３ａから採れる半導体ダイ３，３，…の個数が変わらないように、ウェハ３ａの大判化（概ね３００ｍｍφ程度）が要求される。しかし、図４(Ａ)〜(Ｃ)に示す第１の方法では、大きなウェハ３ａを薄く加工してから表面保護テープ７の剥離を行なっているので、ウェハ３ａが破損し易く、歩留りが低下する。このため、大判のウェハ３ａから所望の半導体ダイ３，３，…を成形する場合には、歩留りの高い第２の方法、いわゆる先ダイシング製法（例えば特許文献１参照）が採用されている。
【０００７】
図６(Ａ)〜(Ｃ)は、従来の先ダイシング製法を示すフロー図である。図６(Ａ)の工程は、ダイシングソー１０によってウェハ３ａの回路面３ｂを切削して多数の溝３ｄ，３ｄ，…を設ける工程である。図６(Ｂ)の工程は、ウェハ３ａの回路面３ｂ側に表面保護テープ７を貼り付けたのちウェハ３ａを上下反転させた状態で、グラインダ８によってウェハ３ａの反回路面３ｃを研磨し、ウェハ３ａを図６(Ｃ)に示す所定寸法の半導体ダイ３，３，…に分割する工程である。図６(Ｃ)の工程は、半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃ側にピックアップテープ１４を貼着したのち、これらを上下反転させ、半導体ダイ３，３，…から表面保護テープ７を剥がし取る工程である。このように従来の先ダイシング製法では、ウェハ３ａを細分化して半導体ダイ３を成形してから表面保護テープ７の剥離を行なっているので、ウェハ３ａよりも小さな半導体ダイ３，３，…に対して過大な負荷がかからず、歩留りが高くなる。しかしながら、従来の先ダイシング製法では、半導体ダイ３，３，…が接合材４とは別体に成形されるので、図７(Ａ)〜(Ｃ)に示す工程により半導体ダイ３，３，…を積層して半導体装置１を製造している。
【０００８】
図７(Ａ)の工程は、半導体ダイ３の下方からピン１１を突き上げてピックアップテープ１４から剥がした半導体ダイ３を、コレット１２で吸着してピックアップする工程である。この図７(Ａ)の工程と並行して、図７（Ｂ）の工程を行なう。図７(Ｂ)の工程は、ディスペンサ１５によって、作業台１３に載置された基板２上にペースト状の接合材４ｂを供給する工程である。ペースト状の接合材４ｂは、図３に示す半導体装置１の接合材４となる部材である。図７(Ｃ)の工程は、基板２上に搬送された半導体ダイ３をコレット１２によって加圧して、ペースト状の接合材４ｂを押し広げつつ半導体ダイ３を基板２に圧着する工程である。以下、図７(Ａ)乃至(Ｃ)の工程を繰り返して図３に示す半導体装置１が得られる。
【０００９】
従来の先ダイシング製法では、半導体ダイ３，３，…を接合材４とは別体に成形しているので、図７(Ｂ)の如く、半導体ダイ３，３，…を基板２上に積層する度にペースト状の接合材４ｂを供給する必要がある。ペースト状の接合材４ｂは、基板２及び半導体ダイ３の間又は半導体ダイ３，３，…の積層方向相互間にボイド（気泡）が発生しないように、均一に塗布することが要求される。しかし、図７(Ｂ)(Ｃ)の如く、基板２上に一点供給されたペースト状の接合材４ｂをコレット１２による半導体ダイ３の加圧時に押し広げる手法では、ペースト状の接合材４ｂが均一に広がらない。特に、大判の半導体ダイ３を接合する場合は、ペースト状の接合材４ｂを半導体ダイ３の全域に均一に広げることが困難である。
【００１０】
ペースト状の接合材４ｂを均一に塗布するために、例えばペースト状の接合材４ｂを基板２上の複数箇所に供給する多点供給法（例えば特許文献２参照）や、ライティング装置による一筆書き供給法（例えば特許文献２参照）、スクリーン印刷装置による印刷供給法（例えば特許文献３参照）など、ペースト状の接合材４ｂを供給する種々の方法が提案されている。これらの種々の供給方法によれば、一点供給の場合と比較してペースト状の接合材４ｂを均一に塗布できる。しかし、図７(Ｂ)の工程で多点供給や一筆書き供給を行なうと、ペースト状の接合材４ｂの塗布に要する時間が長くなり、図５(Ａ)(Ｂ)の半導体装置１の製造工程と比較して半導体装置１の生産効率が低下する。特に、大判の半導体ダイ３に対して多点供給や一筆書き供給を行なう場合は、ペースト状の接合材４ｂの供給範囲が広くなるので、余計に時間がかかる。また、スクリーン印刷装置によるペースト状の接合材４ｂの供給は、大判の半導体ダイ３であっても短時間で行なえる反面、塗布対象エリアからペースト状の接合材４ｂがはみ出し易い。したがって、スクリーン印刷装置による供給は、主として基板２上に供給する場合に採用され、基板２に実装された半導体ダイ３上に供給する場合には殆ど採用されていない。
【００１１】
また、半導体ダイ３と同程度又はそれ以上の厚さでペースト状の接合材４ｂを塗布すると、ペースト状の接合材４ｂが硬化する際に収縮して、半導体ダイ３に反りが発生する。このため、半導体ダイ３，３，…を薄く成形するのと同時に、ペースト状の接合材４ｂも薄く塗布することが要求される。しかし、上記のいずれの供給方法であっても、基板２上又は基板２に実装された半導体ダイ３上に、ペースト状の接合材４ｂが厚塗りされ、ペースト状の接合材４ｂを薄く塗布できない。
【００１２】
他方、図７(Ｂ)の工程では、ペースト状の接合材４ｂに換えて、半導体ダイ３と同じ大きさに裁断したフィルム状の接合材４ａを個別供給することも行なわれている。しかし、フィルム状の接合材４ａは、薄く形成するほど、その供給時にしわが寄って均一に貼り付けられず、ボイドが発生し易くなる。供給時にしわが寄らないように比較的厚めのフィルム状の接合材４ａを使用すると、ペースト状の接合材４ｂと同様に、半導体ダイ３の接合時にフィルム状の接合材４ａの収縮力が大きくなり、半導体ダイ３に反りが発生する。
【００１３】
また、従来の先ダイシング製法において、図６(Ｂ)に示す研磨工程の後、半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃに、フィルム状又はペースト状の接合材４ａ，４ｂを供給して、半導体ダイ３，３，…をフィルム状又はペースト状の接合材４ａ，４ｂと一体に成形すると、図５(Ａ)(Ｂ)の工程により半導体ダイ３，３，…の積層を短時間で行なえる。しかし、個々の半導体ダイ３に接合材４を形成するのに時間がかかるため、半導体ダイ３，３，…の成形から積層までに要する時間が図６及び図７の工程とあまり変わらない。
【００１４】
図６(Ｂ)に示す研磨工程の後、図８(Ａ)の如く、半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃ側にペースト状の接合材４ｂをべた塗りすると、ペースト状の接合材４ｂを短時間で塗布できる。仮に、ペースト状の接合材４ｂを半導体ダイ３の反回路面３ｃ側に薄く塗布したとしても、ペースト状の接合材４ｂが半導体ダイ３，３，…の相互間に流入して、半導体ダイ３，３，…同士が再度繋がってしまう。この状態では、図８(Ｂ)の如く、半導体ダイ３，３，…の下方からピン１１を突き上げても、ピックアップテープ１４から半導体ダイ３を個別にピックアップできない。
【００１５】
【特許文献１】特開２００１−１１０７５７号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７０９号公報
【特許文献３】特開平８−３１６４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、斯かる実情に鑑み創案されたものであって、その目的は、先ダイシング製法を改良して、反回路面側に薄くかつ均一な厚さの接合材を有する半導体ダイの成形方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るダイ成形方法は、ウェハの回路面側にダイシングソーによって多数の溝を切削する工程と、ウェハの回路面側に表面保護テープを貼り付けると共に、ウェハの反回路面側をグラインダによって研磨して前記溝を境にしてウェハを複数個の半導体ダイに分割する工程と、各半導体ダイの反回路面側から液状の接合材原料を噴霧して半導体ダイに薄膜状に吹き付ける工程と、各半導体ダイに吹き付けた液状の接合材原料を所望の接合材組成に変性させて各半導体ダイの反回路面側に接合材を形成する工程と、前記接合材を介して半導体ダイにピックアップテープを貼り付けた状態で各半導体ダイの回路面側から表面保護テープを剥がし取る工程とを含むことを特徴としている。
【００１８】
ウェハの切削工程及び研磨工程を行なって、ウェハを複数個の半導体ダイに分割したのち、表面保護テープに貼着された半導体ダイに対して、その反回路面側から液状の接合材原料を噴霧すると、半導体ダイの反回路面上に、液状の接合材原料が微小な粒状（略球状）の状態で吹き付けられる。液状の接合材原料は、半導体ダイに吹き付けたのち、粒状から薄く広がりつつ隣接するもの同士で結合する。これにより、半導体ダイの反回路面側に、液状の接合材原料からなる薄くかつ均一な液膜が形成される。この状態で、液状の接合材原料を、加熱、乾燥又は光照射等の適宜な手段により所望の接合材組成に変性させると、半導体ダイの反回路面に半導体ダイよりも十分に薄く、かつ、均一な厚さの接合材が形成される。そして、この接合材を介して半導体ダイにピックアップテープを貼り付け、半導体ダイの回路面側から表面保護テープを剥がし取ると、反回路面側に薄くて均一な厚さの接合材を有する複数個の半導体ダイが得られる。また、本方法によれば、半導体ダイの大きさに関係なく、反回路面側に薄くて均一な厚さの接合材を有する複数個の半導体ダイが得られる。したがって、大判の半導体ダイに対しても、薄くかつ均一な厚さの接合材を形成できる。なお、液状の接合材原料の吹き付けは、半導体ダイのみに行なっても、半導体ダイの相互間から露出した表面保護テープの貼着面を含めて行なっても構わない。
【００１９】
また、本発明に係るダイ成形方法は、前記液状の接合材原料を半導体ダイと共にその相互間から露出した表面保護テープにも吹き付けて表面保護テープ上に接合材を形成し、この表面保護テープ上に形成された接合材を、半導体ダイから表面保護テープを剥がし取る際に、表面保護テープと一緒に取り除くようにしたことを特徴としている。
【００２０】
本方法は、液状の接合剤原料の吹き付けを半導体ダイのほか、表面保護テープにも行なうようにしたものである。具体的には、半導体ダイの近接位置で液状の接合材原料を噴霧しつつ表面保護テープの一端側から他端側に向かって液状の接合材原料の吹き付け箇所をずらしていき、各半導体ダイ及びその相互間から露出した表面保護テープに対して液状の接合材原料を連続的に吹き付けたり、或いは半導体ダイから離れた位置で液状の接合材原料を噴霧して、表面保護テープに貼着された全ての半導体ダイに対して一斉に液状の接合材原料を吹き付けることが挙げられる。これらの場合、半導体ダイのみならず、表面保護テープ上にも接合材が形成される。表面保護テープ上に形成された接合材は、半導体ダイよりも薄くて脆いので、半導体ダイから表面保護テープを剥がし取る際に、表面保護テープに付着したまま取り除かれる。これにより、液状の接合剤原料の吹き付けを半導体ダイ及び表面保護テープに対して行なっても、隣接する半導体ダイ同士が接合材によって繋がることなく分離した状態で得られる。このように、液状の接合剤原料の吹き付けを半導体ダイ及び表面保護テープに対して行なうと、半導体ダイのみに吹き付けを行なう場合と比較して、液状の接合剤原料の吹き付けを簡易な制御で行なえ、吹き付け作業に要する時間を大幅に短縮できる。さらに、半導体ダイに対する液状の接合材原料の吹き付けを、単位時間当たりの吹き付け量を変えることなく行なえるので、半導体ダイの中心部と周縁部とで液状の接合材原料の吹き付け量が変わらず、より一層均一な厚さの接合材を形成できる。
【００２１】
また、本発明に係るダイ成形方法は、前記液状の接合材原料をインクジェット機構によって噴霧することを特徴としている。液状の接合材原料の吹付け手段としては、インクジェット機構や霧吹きなどが挙げられる。これらの場合、半導体ダイの反回路面側に従来例に示すフィルム状の接合材４ａやペースト状の接合材４ｂからなる接合材（概ね２０〜３０μｍ）よりも薄くかつ均一な厚さの接合材を形成できる。特に、インクジェット機構の場合は、その制御が容易であると共に、液状の接合材原料を概ね２〜１０μｍ程度の薄さで均一に塗布できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のダイ成形方法によれば、先ダイシング製法により薄い半導体ダイを成形するに際し、半導体ダイの大きさに関係なく、その反回路面側に半導体ダイよりも十分に薄くかつ均一な厚さの接合材を短時間で形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明のダイ成形方法を実施するための最良の形態について説明する。
【００２４】
図１(Ａ)〜(Ｄ)は、本発明のダイ成形方法を例示するフロー図である。なお、図１では、図６(Ａ)〜(Ｃ)に示す従来の先ダイシング製法と重複する工程については、図示を省略している。また、従来例で示した部材については、同一符号を付して説明を省略する。
【００２５】
図１(Ａ)は、図６(Ａ)に示す切削工程を行なったのち、図６(Ｂ)に示す研磨工程を行ない、表面保護テープ７上に複数個の半導体ダイ３，３，…が貼着されている状態を示している。
【００２６】
図１(Ｂ)の工程は、インクジェット機構１６によって、液状の接合材原料４ｃを噴霧して半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃに吹き付ける工程である。インクジェット機構１６は、インクジェット式プリンタ等に利用されるインク等の噴出機構であって、半導体ダイ３の近接位置で液状の接合材原料４ｃを微小な粒子状に噴霧しつつ、表面保護テープ７の一端側から他端側に向かって所定の速度で移動する。この工程により、各半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃ及び半導体ダイ３，３，…の相互間から露出された表面保護テープ７上に液状の接合材原料４ｃが概ね２〜１０μｍ程度の薄さで均一に吹き付けられる。液状の接合材原料４ｃは、図２(Ａ)の如く、微小な粒状態で半導体ダイ３等に吹き付けられる。半導体ダイ３等に吹き付けられた液状の接合材原料４ｃは、図３(Ｂ)の如く、粒状態から薄く広がりつつ隣接するもの同士で結合する。そして、図３(Ｃ)の如く、半導体ダイ３等の表面に液状の接合材原料４ｃからなる薄くて均一な厚さの液膜が形成される。
【００２７】
図１(Ｃ)の工程は、各半導体ダイ３，３，…及び表面保護テープ７上に吹き付けられた接合材原料４ｃを変性させて各半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃ等に接合材４を形成する工程である。図１(Ｃ)において、１７は変性手段である。変性手段１７は、加熱、乾燥又は光照射等の適宜の手段により、液状の接合材原料４ｃを所望の接合材組成に変性させるものであって、いずれの手段によるかは、液状の接合材原料４ｃの性質に応じて適宜選択する。この変性手段１７により各半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃ及び表面保護テープ７上に吹き付けられた液状の接合材原料４ｃは、フィルム状の接合材４になる。この状態で、半導体ダイ３，３，…は、その相互間であって表面保護テープ７上に形成された接合材４により繋がれている。
【００２８】
図１(Ｄ)の工程は、接合材４を介して各半導体ダイ３，３，…の回路面３ｂ側にピックアップテープ１４を貼り付け、これを上下反転させて、半導体ダイ３，３，…の回路面３ｂ側から表面保護テープ７を剥がし取る工程である。この工程により、表面保護テープ７上に形成された接合材４は、表面保護テープ７と一緒に取り除かれ、反回路面３ｃ側に接合材４を有する半導体ダイ３，３，…が相互に分離した状態でピックアップテープ１４上に残る。
【００２９】
以上の各工程を経て成形された半導体ダイ３，３，…は、従来例で説明した図５(Ａ)(Ｂ)の如く基板２上に積層され、図３に示す半導体装置１が得られる。
【００３０】
このように本発明によれば、先ダイシング製法で半導体ダイ３，３，…を成形しても、その反回路面３ｃ側に薄くて均一な厚さの接合材４を形成できるから、半導体装置１を製造するに際して図５(Ａ)(Ｂ)の工程を採用できる。すなわち、先ダイシング製法で成形された半導体ダイ３，３，…であっても、これを基板２上に積層する度に、フィルム状又はペースト状の接合材４ａ，４ｂを供給する手間が省けるから、半導体装置１の製造に要する時間を短縮できる。
【００３１】
また、本発明では、従来例に示すフィルム状又はペースト状の接合材４ａ，４ｂからなる接合材よりも薄い接合材４、より詳しくは従前よりも薄い半導体ダイ３と比較してさらに薄い接合材４を形成できるので、基板２上に半導体ダイ３，３，…を多層に積み重ねても嵩張らず、半導体装置１の性能向上に伴う大型化を抑制できる。また、半導体ダイ３の積層時に接合材４が収縮しても、その影響が小さく、半導体ダイ３に反りが発生しない。さらに、接合材４を均一な厚さに形成できるから、半導体ダイ３の積層時に空気を取り込み難く、ボイドが発生しない。また、本発明は、半導体ダイ３の大きさに関係なく、薄くかつ均一な接合材４を形成できるので、薄くて大きい所望の半導体ダイ３を接合材４と一体に成形する場合に、特に好適である。
【００３２】
以上、本発明のダイ成形方法の一実施形態につき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の変更が可能であって、例えばインクジェット機構１６の制御を変更することで、図１(Ｂ)の工程で、半導体ダイ３，３，…の反回路面３ｃにのみ液状の接合材原料４ｃを塗布して、半導体ダイ３，３，…の相互間から露出した表面保護テープ７上には塗布しないようにしても構わない。この場合、液状の接合材原料４ｃの塗布量を低減できるから、半導体ダイ３，３，…の成形コストを低減できる。また、インクジェット機構１６に換えて、液状の接合材原料４ｃを粒径の細かい霧状に噴霧する霧吹き（図示略）を使用しても構わない。この場合、図１(Ｂ)の工程で、半導体ダイ３から離れた位置で液状の接合材原料４ｃを噴霧し、表面保護テープ７上の全ての半導体ダイ３，３，…に対して一斉に液状の接合材原料４ｃの吹き付けを行なっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】(Ａ)〜(Ｄ)は、本発明のダイ成形方法を例示するフロー図である。
【図２】(Ａ)〜(Ｃ)は、液状の接合材原料からなる液膜の形成過程を例示するフロー図である。
【図３】半導体装置を例示する側面図である。
【図４】(Ａ)〜(Ｃ)は、第１の従来方法を例示するフロー図である。
【図５】(Ａ)(Ｂ)は、第１の従来方法及び本発明方法により成形された半導体ダイを基板上に積層して半導体装置を製造する工程を例示するフロー図である。
【図６】(Ａ)〜(Ｃ)は、第２の従来方法（従来の先ダイシング製法）を例示するフロー図である。
【図７】(Ａ)〜(Ｃ)は、第２の従来方法及び本発明方法により成形された半導体ダイを基板上に積層して半導体装置を製造する工程を例示するフロー図である。
【図８】(Ａ)(Ｂ)は、第２の従来方法の変形例を例示するフロー図である。
【符号の説明】
【００３４】
１     半導体装置
２     基板
３，３，…    半導体ダイ
３ｂ   回路面
３ｃ   反回路面
４，４，…    接合材
４ｃ   液状の接合材原料
７     表面保護テープ
８     グラインダ
１４   ピックアップテープ
１６   インクジェット機構
１７   変性手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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