(57)【要約】 【課題】  光の干渉を低減して検出される信号に含まれるノイズ成分を低減することができる光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】  半導体レーザ素子２１の一表面部２８に接続される接続配線２７の接続位置を、第２方向Ｙで、回折格子２３から離反する端部寄りとしている。このような構成とすることによって、回折格子２３から接続配線２７が半導体レーザ素子２１に接続される接続位置までの距離を可及的長くすることができる。±ｎ次の回折光は、回折格子２３から離反するほど、０次の回折光から離反するので、半導体レーザ素子２１から出射され、ディスク状記録媒体２２によって反射され、再び半導体レーザ素子の近傍に戻ってくる予め定める反射回折光が、接続配線２７によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止することができ受光部２５で生成される電気信号に含まれるノイズ成分を低減させることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子から出射された光をディスク状記録媒体に照射し、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する光ピックアップ装置であって、
複数の半導体層を積層して形成され、半導体層の積層方向の一表面部に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から光を出射する半導体レーザ素子と、
半導体層の積層方向の一表面部に接続され、半導体レーザ素子に所定の電流を供給するための接続配線と、
半導体レーザ素子の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される透過型の回折格子と、
半導体レーザ素子から出射された光が回折格子を透過することによって生成される回折光の一部を、ディスク状記録媒体に集光する対物レンズと、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を生成する受光部と、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光部に導くビームスプリッタとを含み、
ディスク状記録媒体で反射される回折光が、再び回折格子を透過することによって生成される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射され、
接続配線は、出射方向で回折格子から離反する半導体レーザ素子の端部寄りで、半導体レーザ素子に接続されることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
半導体レーザ素子から出射された光をディスク状記録媒体に照射し、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する光ピックアップ装置であって、
複数の半導体層を積層して形成され、半導体層の積層方向の一表面部に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から光を出射する半導体レーザ素子と、
半導体層の積層方向の一表面部に接続され、半導体レーザ素子に所定の電流を供給するための接続配線と、
半導体レーザ素子の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される透過型の回折格子と、
半導体レーザ素子から出射された光が回折格子を透過することによって生成される０次回折光および±１次回折光を、ディスク状記録媒体に集光する対物レンズと、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を生成する受光部と、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光部に導くビームスプリッタとを含み、
ディスク状記録媒体で反射される回折光が、再び回折格子を透過することによって生成される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射され、
接続配線は、半導体レーザ素子の出射端面を含む軸線よりも、前記積層方向および出射方向に垂直な方向の一端部および他端部のいずれか一方寄りで、半導体レーザ素子に接続されることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
半導体レーザ素子から出射された光をディスク状記録媒体に照射し、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する光ピックアップ装置であって、
複数の半導体層を積層して形成され、半導体層の積層方向の一表面部に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から光を出射する半導体レーザ素子と、
半導体層の積層方向の一表面部に接続され、半導体レーザ素子に所定の電流を供給するための接続配線と、
半導体レーザ素子の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される透過型の回折格子と、
半導体レーザ素子から出射された光が回折格子を透過することによって生成される回折光を、ディスク状記録媒体に集光する対物レンズと、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を生成する受光部と、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光部に導くビームスプリッタとを含み、
ディスク状記録媒体で反射される回折光が、再び回折格子を透過することによって生成される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射され、
前記予め定める反射回折光が接続配線によって回折格子側に反射することを防止する反射防止手段を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記反射防止手段は、接続配線を被覆し、光の反射を防止する反射防止材によって形成されることを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行し、トラッキングエラーの検出に３ビーム法を用いる光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、第１の従来の技術の光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置１の構成を模式的に示す図である。トラッキング誤差検出装置１は、半導体レーザ素子２と、回折格子３と、ビームスプリッタ４と、対物レンズ５と、ディスク状記録媒体６からの反射光を受光する受光部７とを含む。トラッキング誤差検出装置１では、このディスク状記録媒体６に記憶される所定の情報を読み出す、またはディスク記録媒体６に所定の情報を記録させるための光ビームをディスク状記録媒体６の記録トラックに正確に追従させるため、具体的にはトラッキングサーボ用のエラー信号を検出するために、３ビーム法が用いられている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
前記３ビーム法では、半導体レーザ素子２から出射される光、具体的には光束から回折格子３によってメインビーム８および２つのサブビーム９Ａ，９Ｂを生成し、ビームスプリッタ４を介して、それぞれの光を対物レンズ４によって、ディスク状記録媒体６の記録面上に集光させる。光ビームである前記メインビーム８は、半導体レーザ素子２から出射される光の０次の回折光であり、光ビームである第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂは、それぞれ半導体レーザ素子２から出射される光の±１次の回折光である。メインビーム８は、対物レンズ５によってディスク状記録媒体６の記録トラック上に集光される。第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂは、対物レンズ５によって、記録トラックの延びる方向でメインビーム８の両側に集光される。第１サブビーム９Ａは、ディスク状記録媒体６のラジアル方向で、メインビーム８が集光される位置から、記録トラックの一方にわずかにずれて集光される。第２サブビーム９Ｂは、ディスク状記録媒体６のラジアル方向で、メインビーム８が集光される位置から、記録トラックの他方にわずかにずれて集光される。前記第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂは、ディスク状記録媒体６のラジアル方向で、メインビーム８が集光される位置から、たとえば記録トラックの１／２だけずらして集光される。ディスク状記録媒体によって反射されるメインビーム８および第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂは、対物レンズ５を介してビームスプリッタ４によって、受光部７に導かれる。メインビーム８が対物レンズ５によって集光される位置が、記録トラック上で所望の位置にある場合、受光部７で受光する第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂの光量は等しくなり、メインビーム８が集光される位置が記録トラック上からラジアル方向にずれると、第１および第２サブビーム９Ａ、９Ｂの反射光の光量が変化する。受光部７によって、この第１および第２の反射光の光量を電気信号に変換することによって、メインビーム８のトラッキング方向のずれを表わすトラッキングサーボ用のエラー信号、いわゆるトラッキング誤差信号を得ることができる。
【０００４】
前述した３ビーム法を用いる第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１では、ディスク状記録媒体６からの反射光の一部がビームスプリッタ４を透過して、半導体レーザ素子２側に戻ってしまうという問題がある。このため光学系の横倍率にならい、第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂが半導体レーザ素子２の出射端面２Ａおよびその近傍に到達し、反射光の到達部位の反射率、および面精度に左右されながら、再度半導体レーザ素子２の出射端面２Ａおよびその近傍で反射する。この半導体レーザ素子２の出射端面２Ａおよびその近傍で反射した光が、半導体レーザ素子２から出射された光が受光部７に到達するまでの光路中へ紛れ込むことによって、半導体レーザ素子２から出射された光が受光部７に到達するまでの光路中で光が干渉してしまう。これによって受光部７によって生成される電気信号にノイズ成分が重畳され、信号が劣化するという問題がある。
【０００５】
図１４〜図１６は、第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１において、受光部７によって得られる信号が劣化する原理を説明する図である。図１４〜図１６は、トラッキング誤差検出装置１の構成を簡略化して示す図である。なお図１４〜図１６に示すトラッキング誤差検出装置１において、ビームスプリッタ４、対物レンズ５および受光部７を省略して示している。またここでは、第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂのうち第１サブビーム９Ａについてのみ説明する。まず図１４に示すように、半導体レーザ素子２から出射される光は、回折格子３によって、透過の０次の回折光、つまりメインビーム８と、透過の−１次の回折光、および図示しない透過の＋１次の回折光、つまり第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂに分岐される。
【０００６】
透過の０次の回折光は、ディスク状記録媒体６の記録面６Ａで反射され、ディスク状記録媒体６に記録される所定の情報を表わすＲＦ信号、およびフォーカシング方向の誤差を表わすフォーカスエラー信号（Focus Error Signal：略称ＦＥＳ）成分を伴なって反射される。透過の−１次の回折光である第１サブビーム９Ａは、ディスク状記録媒体６上にて、トラッキングエラー信号成分を伴なって反射され、対物レンズ５およびビームスプリッタ４を透過した第１および第２サブビーム９Ａは、元の経路を通って回折格子３に再び入射する。回折格子３に入射する第１サブビーム９Ａは、さらに回折されるが、光量の大半は、０次の回折光として半導体レーザ素子２の出射端面２Ａに到達する。半導体レーザ素子２の出射端面２Ａは、良好な面精度を有する、言い換えれば光の反射率の高いハーフミラーと等価であり、半導体レーザ素子２の出射端面２Ａで反射した光は、また元の経路をたどって回折格子３に到達する。結果として、表１に示すような様々な経路による光が、ディスク状記録媒体６の記録面６Ａで合成されることとなり、半導体レーザ素子２が出射する光の波長の整数倍の関係で光の干渉が生じ、単に半導体レーザ素子２から出射された光は、単にディスク状記録媒体６で反射される場合とは全く異なった変調を受ける。
表１は、半導体レーザ素子２から出射される光束の経路の例を示す。
【０００７】
【表１】
2005149578.tif 000003
【０００８】
表１においてＬＴ０は、半導体レーザ素子２の出射端面２Ａで光束が出射される部位を表す。また表１においてＧは、回折格子３を表わす。また表１においてＤ−１は、透過の−１次の回折光がディスク状記記録媒体６の表面に照射される部位を表わす。また表１においてＬＴ−１は、ディスク状記録媒体６で反射した第１サブビーム９Ａが回折格子３によって回折される０次の回折光が到達する半導体レーザ素子２の出射端面２Ａの部位を表す。また表１においてＤ０は、透過の０次の回折光がディスク状記録媒体６の表面に照射される部位を表わす。
【０００９】
図１５および図１６は、ディスク状記録媒体６が傾斜したときの様子を示す図である。図１５は、半導体レーザ素子２の出射端面２Ａからディスク状記録媒体６上で第１サブビーム９Ａが集光される部位までの光路がΔＬだけ長くなる場合を示し、図１６は半導体レーザ素子２の出射端面２Ａからディスク状記録媒体６上で第１サブビーム９Ａが集光される部位までの光路がΔＬだけ短くなる場合を示している。ディスク状記録媒体６が面振れ成分を持つ場合、つまりディスク状記録媒体６がラジアル方向に延びる軸線まわりに傾斜すると、タンジェンシャル方向、すなわち図１５および図１６の左右方向でサブビームの光路長が変化するため、半導体レーザ素子２から出射される光の波長の整数倍の光路差となるごとに、光が干渉してノイズ成分が発生する。
【００１０】
たとえばディスク状記録媒体６の記録面６Ａ上のメインビーム８と第１サブビーム９Ａとの間隔を２０マイクロメートル（μｍ）とし、ディスク状記録媒体６の記録面６Ａの水平面からの傾斜角度をθとすると、たとえばコンパクトディスク（Co mpact Disk：略称ＣＤ）用の半導体レーザ素子２では、出射される光の波長が約０．７８マイクロメートル（μｍ）であり、光路差は往復経路となるため、
θ＝ｔａｎ−１（０．７８／２／２０）
となり、約１．１度（°）ごとに干渉が増大するディスク傾き条件が存在することになる。つまり、ディスク状記録媒体６が約１．１°傾斜するごとに、受光部７によって生成される電気信号の含まれるノイズ成分が増大する。
【００１１】
図１７および図１８は、第２の従来の技術の光ピックアップ装置１０の構成を模式的に示す図であり、図１７は半導体レーザ素子２の厚み方向Ｘおよび光の出射方向Ｙに垂直な方向Ｚの一方から見た光ピックアップ装置１０を示す図であり、図１８は半導体レーザ素子２の厚み方向Ｚの一方から見た光ピックアップ装置１０を示す図である。前記第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１の問題点に鑑み、図１３に示す光ピックアップ装置１０が実用化されている。図１７に示す光ピックアップ装置１０は、前述した図１３に示すトラッキング誤差検出装置１と同様な構成を有する。図面が煩雑となることを防止するため、光ピックアップ装置１０では、前記図１３に示すビームスプリッタ４、対物レンズ５および受光部７を省略して示している。図１７に示す光ピックアップ装置１０において、図１３に示すトラッキング誤差検出装置１と同様な構成には同様の参照符号を付してその説明を省略する。光ピックアップ装置１０は、半導体レーザ素子１２の厚みを小さく形成する、言い換えれば回折格子３の溝の延びる方向Ｚと、半導体レーザ素子２の光の出射方向Ｙとに垂直な厚み方向Ｘの半導体レーザ素子１２の寸法を小さくすることによって、ディスク状記録媒体６によって反射される第１および第２サブビーム９Ａ，９Ｂが半導体レーザ素子１２の出射端面１２Ａで反射することを防止している。半導体レーザ素子１２は、チップマウント用ステム１１に固定される。光ピックアップ装置１０では、半導体レーザ素子１２が固定されるチップマウント用ステム１１の回折格子３に臨む一表面１１Ａを、粗面に形成することによって、回折格子３側から到来する光が回折格子３側に反射することを防止している。
【００１２】
半導体レーザ素子１２の厚み方向Ｘの一表面部１３には、ボンディングワイヤ１４が接続される。ボンディングワイヤ１４は、出射端面１２Ａの近傍で、かつ半導体レーザ素子１２の厚み方向Ｘおよび出射方向Ｙに垂直な方向Ｚの中央に接続される。言い換えれば、半導体レーザ素子１２の出射端面１２Ａを含む軸線Ｌ１を含み、半導体レーザ素子１２の厚み方向Ｘに平行な仮想一平面と、半導体レーザ素子１２の厚み方向Ｘの一表面１５とが交わる交線上に、接続部の中心が配置されるようにボンディングワイヤ１４が接続される。
【００１３】
また第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１の問題点に鑑み、第３の従来の技術では、第１および第２のピッチを広げる、つまり回折格子による±１次の回折光の回折角度を大きくして、回折格子によって生成されるサブビームを相互に離反させることによって、各サブビームがディスク状記録媒体に集光される位置の間の距離、つまりビームスポット間の距離を大きくしている。これによって、ディスク状記録媒体によって反射した回折光が、回折格子に到達し、再び回折格子によって回折されると、回折格子による±１次の回折光の回折角度が大きくなるので、この光が半導体レーザ素子２に照射されることを防止することができる。
【００１４】
【特許文献１】特公平５−８５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
図１９は、第２の従来の技術の光ピックアップ装置１０の受光部７が生成する電気信号と、トラッキングエラー信号の波形を示す図である。ここで、ディスク状記録媒体６は、このディスク状記録媒体６の厚み方向に平行な回転軸線まわりに所定の速度で回転している。図１９において横軸は、時刻を示し、縦軸は信号の強さ、ここでは電圧を示す。信号の強さは、受光素子によって受光される光量に対応する。＋１次の回折光、つまり第２サブビーム９Ｂがディスク状記録媒体６によって反射され受光部７で受光されることによって、受光部７が生成する電気信号を第１信号Ｓ１とし、−１次の回折光、つまり第１サブビーム９Ａがディスク状記録媒体６によって反射され受光部７で受光されることによって、受光部７が生成する電気信号を第２信号Ｓ２とする。トラッキングエラー信号ＴＥＳは、第１信号Ｓ１と、第２信号Ｓ２との差分で表わされる。具体的にはＴＥＳは、以下の式１によって表わされる。
ＴＥＳ＝Ｓ２−Ｓ１                                              …（１）
【００１６】
光ピックアップ装置１０では、半導体レーザ素子１２の厚みを薄くしているが、図１９に示すように、第１サブビーム９Ａを受光することによって受光部７が生成する電気信号にノイズ成分が重畳されるという問題がある。前記第１サブビーム９Ａは、メインビーム８の軸線を含み、回折格子３の溝の延びる方向Ｚに平行な仮想一平面に関して、ボンディングワイヤ１４の接続部と反対側に回折する光である。
【００１７】
前記第２信号Ｓ２に、ノイズ成分が重畳される原因について説明する。
図２０は、半導体レーザ素子１２の近傍を拡大して示す斜視図である。ボンディングワイヤ１４は、たとえば金によって形成される。このようなボンディングワイヤ１４の表面の光の反射率は、１００パーセント（％）に近い。ボンディングワイヤ１４は、ボンディングワイヤ本体１７と、ボンディングワイヤ本体１７の端部で、半導体レーザ素子１２の一表面部１３に接続されるボンディングワイヤ接続部１８とを含む。ボンディングワイヤ接続部１８は、ボンディングワイヤ本体１４に同軸に連なり、ボンディングワイヤ本体１４の直径よりも大きな円柱形状を有する。ボンディングワイヤ接続部１８は、ワイヤボールと呼ばれる。図２に示すように、ディスク状記録媒体６によって反射された第１サブビーム９Ａのうち回折格子３によって回折される０次の回折光は、ボンディングワイヤ接続部１８で反射され、その一部は、再び回折格子３側に向かう。これによって、第１の従来の技術と同様に光の干渉が発生する。このように第２の従来の技術の光ピックアップ装置１０では、半導体レーザ素子２に電流を供給するためのボンディングワイヤ１４による反射光については考慮されていない。したがって、ボンディングワイヤ１４で、反射した光が光路に再び紛れ込み、受光部７で受光される光量を変化させ、受光部７によって生成される電気信号にノイズが重畳され、これによって信号が劣化している。したがって、検出される電気信号に含まれるノイズ成分が低減された光ピックアップ装置が望まれている。
【００１８】
第３の従来の技術では、回折格子によるサブビームの回折角度を大きくする必要があるので、これに対応して対物レンズを大形化する必要があり、装置が大形化するという問題がある。またサブブームのビームスポットが相互に離反することによって、ディスク状記録媒体の記録面から対物レンズおよびビームスプリッタを経て受光素子に到達するまでの光路をより長くする、またはサブビームを受光する受光素子を離反させることによって受光部自体を大形化する必要があるという問題がある。したがって、装置を大形化することなく、検出される電気信号に含まれるノイズ成分が低減された光ピックアップ装置が望まれている。
【００１９】
本発明の目的は、半導体レーザ素子の近傍で、ディスク状記録媒体によって反射された光が再び反射されることを防止し、光の干渉を低減して検出される信号に含まれるノイズ成分を低減することができる光ピックアップ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、半導体レーザ素子から出射された光をディスク状記録媒体に照射し、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する光ピックアップ装置であって、
複数の半導体層を積層して形成され、半導体層の積層方向の一表面部に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から光を出射する半導体レーザ素子と、
半導体層の積層方向の一表面部に接続され、半導体レーザ素子に所定の電流を供給するための接続配線と、
半導体レーザ素子の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される透過型の回折格子と、
半導体レーザ素子から出射された光が回折格子を透過することによって生成される回折光の一部を、ディスク状記録媒体に集光する対物レンズと、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を生成する受光部と、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光部に導くビームスプリッタとを含み、
ディスク状記録媒体で反射される回折光が、再び回折格子を透過することによって生成される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射され、
接続配線は、出射方向で回折格子から離反する半導体レーザ素子の端部寄りで、半導体レーザ素子に接続されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００２１】
本発明に従えば、接続配線を介して半導体レーザ素子の一表面部に所定の電流を供給することによって、半導体レーザ素子は所定の半導体層から光を出射する。半導体レーザ素子から出射される光は、透過型の回折格子を透過し、この回折格子によって回折される。回折格子によって回折された回折光の一部、具体的には０次の回折光である第１回折光、および±１次の回折光である第２および第３回折光は、対物レンズによってディスク状記録媒体に集光される。ディスク状記録媒体によって反射された第１〜第３回折光は、ビームスプリッタによって受光部に導かれ、受光部によって受光される。本発明では、第１〜第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって回折される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射されるので、半導体レーザの出射端で前記予め定める反射回折光が反射されることがない。前記予め定める反射回折光は、たとえば第１回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって生成される±１次の回折光、および第２および第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって生成される０次の回折光である。
【００２２】
本発明では、半導体レーザ素子の一表面部に接続される接続配線の接続位置を、半導体レーザ素子が光を出射する出射方向で、回折格子から離反する端部寄りとしている。このような構成とすることによって、回折格子から接続配線が半導体レーザ素子に接続される接続位置までの距離を可及的長くすることができる。たとえば予め定める反射回折光のうち、第２および第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され再び回折格子によって回折される反射回折光の大部分は０次の回折光として直進し、回折格子から離反するほど、半導体レーザ素子から離反する位置に照射されることになる。前述した位置で接続配線を半導体レーザ素子に接続することによって、前記予め定める反射回折光が、この接続配線に照射されることを防止することができる、または接続配線に照射される光量を低減することができる。前記接続配線は、たとえばボンディングワイヤなどの光の反射率の高い金属材料によって形成されるが、前記予め定める反射回折光が、この接続配線に照射されることを防止することができる、または接続配線に照射される光量を低減することができるので、前記接続配線によって予め定める反射回折光が反射することを防止することができる、または接続配線によって予め定める反射回折光の反射される光量を小さくすることができる。
【００２３】
これによって、半導体レーザ素子から出射され、ディスク状記録媒体によって反射され、再び半導体レーザ素子の近傍に戻ってくる予め定める反射回折光が、接続配線によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止する、または接続配線によって再度反射されたとしても光路中に紛れ込む光量を低減することができる。光路中での光の干渉が防止されるので、受光部で受光される光量が不所望に変化することが防止される。これによって、受光部で生成される電気信号に含まれるノイズ成分を低減させることができる。
【００２４】
また本発明は、半導体レーザ素子から出射された光をディスク状記録媒体に照射し、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する光ピックアップ装置であって、
複数の半導体層を積層して形成され、半導体層の積層方向の一表面部に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から光を出射する半導体レーザ素子と、
半導体層の積層方向の一表面部に接続され、半導体レーザ素子に所定の電流を供給するための接続配線と、
半導体レーザ素子の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される透過型の回折格子と、
半導体レーザ素子から出射された光が回折格子を透過することによって生成される０次回折光および±１次回折光を、ディスク状記録媒体に集光する対物レンズと、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を生成する受光部と、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光部に導くビームスプリッタとを含み、
ディスク状記録媒体で反射される回折光が、再び回折格子を透過することによって生成される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射され、
接続配線は、半導体レーザ素子の出射端面を含む軸線よりも、前記積層方向および出射方向に垂直な方向の一端部および他端部のいずれか一方寄りで、半導体レーザ素子に接続されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００２５】
本発明に従えば、接続配線を介して半導体レーザ素子の一表面部に所定の電流を供給することによって、半導体レーザ素子は所定の半導体層から光を出射する。半導体レーザ素子から出射される光は、透過型の回折格子を透過し、この回折格子によって回折される。回折格子によって回折された回折光の一部、具体的には０次の回折光である第１回折光、および±１次の回折光である第２および第３回折光は、対物レンズによってディスク状記録媒体に集光される。ディスク状記録媒体によって反射された第１〜第３回折光は、ビームスプリッタによって受光部に導かれ、受光部によって受光される。本発明では、第１〜第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって回折される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射されるので、半導体レーザの出射端で前記予め定める反射回折光が反射されることがない。前記予め定める反射回折光は、たとえば第１回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって生成される±１次の回折光、および第２および第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって生成される０次の回折光である。
【００２６】
本発明では、半導体レーザ素子の一表面部に接続される接続配線の接続位置を、半導体レーザ素子の出射端面を含む軸線よりも、積層方向および出射方向に垂直な方向の一端部および他端部のいずれか一方寄りとしている。予め定める反射回折光は、半導体レーザ素子の出射端面を含む軸線を含み、積層方向に平行な仮想一平面に沿って進むので、前記接続位置で接続配線を接続することによって、前記予め定める反射回折光が、この接続配線に照射されることを防止することができる、または接続配線に照射される光量を低減することができる。前記接続配線は、たとえばボンディングワイヤなどの光の反射率の高い金属材料によって形成されるが、前記予め定める反射回折光が、この接続配線に照射されることを防止することができる、または接続配線に照射される光量を低減することができるので、前記接続配線によって予め定める反射回折光が反射することを防止することができる、または接続配線によって予め定める反射回折光の反射される光量を小さくすることができる。
【００２７】
これによって、半導体レーザ素子から出射され、ディスク状記録媒体によって反射され、再び半導体レーザ素子の近傍に戻ってくる予め定める反射回折光が、接続配線によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止する、または接続配線によって再度反射されたとしても光路中に紛れ込む光量を低減することができる。光路中での光の干渉が防止されるので、受光部で受光される光量が不所望に変化することが防止される。これによって、受光部で生成される電気信号に含まれるノイズ成分を低減させることができる。
【００２８】
また本発明は、半導体レーザ素子から出射された光をディスク状記録媒体に照射し、ディスク状記録媒体に記録される所定の情報の読出し、およびディスク状記録媒体への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する光ピックアップ装置であって、
複数の半導体層を積層して形成され、半導体層の積層方向の一表面部に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から光を出射する半導体レーザ素子と、
半導体層の積層方向の一表面部に接続され、半導体レーザ素子に所定の電流を供給するための接続配線と、
半導体レーザ素子の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される透過型の回折格子と、
半導体レーザ素子から出射された光が回折格子を透過することによって生成される回折光を、ディスク状記録媒体に集光する対物レンズと、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光し、受光した光量に応じた電気信号を生成する受光部と、
ディスク状記録媒体によって反射される回折光を受光部に導くビームスプリッタとを含み、
ディスク状記録媒体で反射される回折光が、再び回折格子を透過することによって生成される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射され、
前記予め定める反射回折光が接続配線によって回折格子側に反射することを防止する反射防止手段を有することを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００２９】
本発明に従えば、接続配線を介して半導体レーザ素子の一表面部に所定の電流を供給することによって、半導体レーザ素子は所定の半導体層から光を出射する。半導体レーザ素子から出射される光は、透過型の回折格子を透過し、この回折格子によって回折される。回折格子によって回折された回折光の一部、具体的には０次の回折光である第１回折光、および±１次の回折光である第２および第３回折光は、対物レンズによってディスク状記録媒体に集光される。ディスク状記録媒体によって反射された第１〜第３回折光は、ビームスプリッタによって受光部に導かれ、受光部によって受光される。本発明では、第１〜第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって回折される反射回折光のうち、予め定める反射回折光が、半導体レーザ素子の積層方向両端部から離反する領域に照射されるので、半導体レーザの出射端で前記予め定める反射回折光が反射されることがない。前記予め定める反射回折光は、たとえば第１回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって生成される±１次の回折光、および第２および第３回折光がディスク状記録媒体によって反射され、再び回折格子によって生成される０次の回折光である。
【００３０】
前記接続配線は、たとえばボンディングワイヤなどの光の反射率の高い金属材料によって形成されるが、本発明では、反射防止手段によって予め定める回折反射光が回折格子側に反射することを防止することができる。これによって、半導体レーザ素子から出射され、ディスク状記録媒体によって反射され、再び半導体レーザ素子の近傍に戻ってくる予め定める反射回折光が、接続配線によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止することができる。
【００３１】
これによって、半導体レーザ素子から出射され、ディスク状記録媒体によって反射され、再び半導体レーザ素子の近傍に戻ってくる予め定める反射回折光が、接続配線によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止する、または接続配線によって再度反射されたとしても光路中に紛れ込む光量を低減することができる。光路中での光の干渉が防止されるので、受光部で受光される光量が不所望に変化することが防止される。これによって、受光部で生成される電気信号に含まれるノイズ成分を低減させることができる。
【００３２】
また本発明は、前記反射防止手段は、接続配線を被覆し、光の反射を防止する反射防止材によって形成されることを特徴とする。
【００３３】
本発明に従えば、光の反射を防止する反射防止材によって接続配線を被覆して反射防止手段が形成されるので、接続配線によって予め定める反射回折光が反射されることを確実に防止することができる。また反射防止手段を、たとえば半導体レーザ素子に設けたり、他の部材に設けたりする場合と比較して、形成が容易である。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、半導体レーザ素子から出射され、ディスク状記録媒体によって反射され、再び半導体レーザ素子の近傍に戻ってくる予め定める反射回折光が、接続配線によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止する、または接続配線によって再度反射されたとしても光路中に紛れ込む光量を低減することができる。光路中での光の干渉が防止されるので、受光部で受光される光量が不所望に変化することが防止される。これによって、受光部で生成される電気信号に含まれるノイズ成分を低減させることができる。このような光ピックアップ装置を用いることによって、読出しおよび書込みを高精度に実行することができる光ディスク装置を提供することができる。
【００３５】
また本発明によれば、光の反射を防止する反射防止材によって接続配線を被覆して反射防止手段が形成されるので、接続配線によって予め定める反射回折光が反射されることを確実に防止することができる。また反射防止手段を、たとえば半導体レーザ素子に設けたり、他の部材に設けたりする場合と比較して、形成が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は、本発明の実施の一形態の光ピックアップ装置２０の構成を模式的に示す図であり、図２は半導体レーザ素子２１の近傍を拡大して示す図である。本実施の形態の光ピックアップ装置２０は、半導体レーザ素子２１を含み、この半導体レーザ素子２１から出射された光を、ディスク状記録媒体２２に照射し、ディスク状記録媒体２２に記録される所定の情報を読出し、およびディスク状記録媒体２２への所定の情報の書込みの少なくともいずれか一方を実行する。ディスク状記録媒体２２は、たとえば光ディスク、光磁気ディスクを含む。光ディスクは、たとえばコンパクトディスク（Compact Disk：略称ＣＤ）、ＣＤＲ（CD Recordable）、ＣＤＲＷ（CD ReWritable）およびデジタルバーサタイルディスク（Digital Versatile Disｋ：略称ＤＶＤ）などを含む。
【００３７】
光ピックアップ装置２０は、半導体レーザ素子２１と、回折格子２３と、対物レンズ２４と、受光部２５と、ビームスプリッタ２６と、接続配線２７とを含む。半導体レーザ素子２１は、複数の半導体層を積層して形成され、略直方体形状を有する半導体レーザチップである。半導体レーザ素子２１は、半導体層の積層方向の一表面部２８に電極を有し、この電極に所定の電流を供給することによって、所定の半導体層から予め定める波長λ１の光を出射する。前記光は、半導体レーザ素子２１の半導体層の積層方向に平行な出射端面２１Ａから出射される。前記予め定める波長λ１は、たとえば４００ナノメートル（ｎｍ）〜７８０ナノメートル（ｎｍ）に選ばれ、たとえばディスク状記録媒体２２がＣＤである場合には、７８０ナノメートル（ｎｍ）に選ばれ、ディスク状記録媒体２２がＤＶＤである場合には、６５０ナノメートル（ｎｍ）に選ばれる。前記半導体レーザ素子２１は、光束を出射するが、以下単に光を出射すると記載する。
【００３８】
半導体レーザ素子２１は、たとえば半導体によって形成されるｎ形クラッド層、活性層およびｐ形クラッド層と、電極層とをこの順番で積層して形成される。前記電極層は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）によって形成される。前記所定の半導体層は、活性層である。前記各半導体層は、たとえば窒化ガリウム（ＧａＮ）系およびアルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）系の半導体によって形成される。半導体レーザ素子２１は、積層方向の他表面部が他方の電極を兼ねるチップマウント用ステム２９に固定される。半導体レーザ素子２１は、積層方向で予め定める厚みＴ１を有する。前記予め定める厚みＴ１は、たとえば６０ナノメートル（ｎｍ）〜１２０ナノメートル（ｎｍ）に選ばれる。
【００３９】
チップマウント用ステム２９は、導電性を有する金属材料によって形成され、たとえば銅（Ｃｕ）および鉄（Ｆｅ）などによって形成される。チップマウント用ステム２９は、ヒートシンクとしても機能し、半導体レーザ素子２１の発熱を抑制する。半導体レーザ素子２１は、前記半導体レーザ素子２１が光を出射する出射方向で、チップマウント用ステム２９の一端部３０に設けられる。チップマウント用ステム２９は、略直方体状の半導体レーザ素子接続部３１と、基部５２とを含む。半導体レーザ素子接続部３１に、前記半導体レーザ素子２１が接続される。基部５２は、前記出射方向で半導体レーザ素子接続部３１の他端部３３に接続される。半導体レーザ素子２１の前記出射方向の出射端面２１Ａとは反板側の端面２１Ｂは、基部５２から予め定める距離Ｈ１離間する。前記予め定める距離Ｈ１は、たとえば１ミリメートル（ｍｍ）〜３ミリメートル（ｍｍ）に選ばれる。
【００４０】
チップマウント用ステム２９の前記出射方向の一端面、つまり半導体レーザ素子接続部３１の前記出射方向の一端面３１Ａは、粗面に形成される。前記粗面とは、鏡面ではなく、入射した光が乱反射するような面である。本発明の実施の他の形態において、前記半導体レーザ素子接続部３１の前記出射方向の一端面３１Ａに非反射素材を塗布することによって、この一端面３１Ａでの光の反射を防止してもよく、また前記一端面３１Ａを出射方向に対して傾斜させることによって、一端面３１Ａで反射した光が元の経路に戻らないようにしてもよい。前記半導体レーザ素子接続部３１の前記出射方向の一端面３１Ａよりも、半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａは、前記出射方向の一方にわずかに突出する。チップマウント用ステム２９は、半導体レーザ素子２１が接続される接続部位から離反した部位、具体的には基部５２が、光ピックアップ装置２０の基台に固定される。
【００４１】
回折格子２３は、透過型の回折格子であって、厚み方向の一表面３２側および他表面側から入射する光を回折させる。本実施の形態では回折格子２３は、半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａに一表面３２を臨ませて配置される。回折格子２３には、半導体レーザ素子２１の半導体層の積層方向および半導体レーザ素子２１が光を出射する出射方向に垂直な方向に延びるスリットが形成される。半導体レーザ素子２１の半導体層の積層方向を、第１方向Ｘとし、半導体レーザ素子２１が光を出射する出射方向を第２方向Ｙとし、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに垂直な方向を、第３方向Ｚとする。前記スリットは、溝であってもよいし、孔であってもよい。各スリットの幅および各スリットの間隔は、予め定められ、予め定めるスリット幅は、たとえば１０マイクロメートル（μｍ）〜３０マイクロメートル（μｍ）に選ばれ、また半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａと、回折格子２３の一表面３２との距離Ｈ２は、たとえば１ミリメートル（ｍｍ）〜１０ミリメートル（ｍｍ）に選ばれる。
【００４２】
半導体レーザ素子２１から出射される光を、回折格子２３に照射することによって、回折格子２３は回折光を生成する。回折格子２３によって生成される回折光のうち、０次の回折光を第１回折光３４とし、−１次の回折光を第２回折光３５とし、＋１次の回折光を第３回折光３６とする。第１回折光３４は、メインビームであり、第２および第３回折光３５，３６は、サブビームである。
【００４３】
対物レンズ２４は、回折格子２３によって生成される回折光の一部、具体的には前記第１〜第３回折光３４，３５，３６を、ディスク状記録媒体２２の記録面３７上に集光させる。対物レンズ２４は、凸レンズによって実現される。対物レンズ２４の光軸は、ディスク状記録媒体２２の一表面に略垂直に設けられる。ディスク状記録媒体２２の記録面部には、ディスク状記録媒体２２の回転軸線を中心とする渦巻き状の記録トラックが形成されている。
【００４４】
第１回折光３４は、対物レンズ２４によって記録トラック上に集光され、記録トラック上にメインスポットが形成される。第２および第３回折光３５，３６は、対物レンズ２４によって、記録トラックの延びる方向で、メインスポットの両側に集光される。また第２回折光３５は、ディスク状記録媒体２２のラジアル方向で、第１回折光３４が集光されるメインスポットから、記録トラックの一方にわずかにずれて集光される。第２回折光３５は、ディスク状記録媒体２２のラジアル方向で、第１回折光３４が集光されるメインスポットから、記録トラックの他方にわずかにずれて集光される。第２および第３回折光３５，３６は、ディスク状記録媒体２２のラジアル方向で、第１回折光３４が集光されるメインスポットから、たとえば記録トラックの１／２だけずらして集光され、サブスポットを形成する。
【００４５】
対物レンズ２４は、この対物レンズ２４を保持するレンズホルダに固定される。レンズホルダ２４は、ディスク状記録媒体２２のラジアル方向であるトラッキング方向、およびディスク状記録媒体２２の記録面３７に垂直な方向であるフォーカシング方向に移動可能に、光ピックアップ装置２０の基台に支持される。光ピックアップ装置２０は、レンズホルダを移動させるレンズホルダ移動手段を含む。レンズホルダ移動手段は、レンズホルダに巻回されるコイルと、基台に設けられる永久磁石とを含む磁気回路によって形成される。前記コイルに所定の電流を与えることによって、レンズホルダをトラッキング方向およびフォーカシング方向に移動させることができる。これによって、対物レンズ２４をトラッキング方向およびフォーカシング方向に移動させることができる。
【００４６】
受光部２５は、複数の受光素子を含んで形成される。前記受光素子は、たとえばフォトダイオードによって実現される。受光部２５は、ディスク状記録媒体２２によって反射される第１〜第３回折光３４，３５，３６を受光して、受光した各回折光の光量に応じた電気信号を生成する。受光部２５は、ディスク状記録媒体２２によって反射された第１回折光３４を受光する第１受光部分と、第２回折光３５を受光する第２受光部分と、第３回折光３６を受光する第３受光部分とを含む。第１受光部分は１つの受光素子を含み、この受光素子によって受光した光量に応じた電気信号を生成する。第１受光部分によって生成される電気信号は、ディスク状記録媒体２２に記録された所定の情報を表わすアールエフ（ＲＦ）信号である。
【００４７】
第２および第３受光部分は、それぞれ１つの受光素子を含み、この受光素子によって受光した光量に応じた電気信号を生成する。第１回折光３４が対物レンズ２４によって集光される位置が、記録トラック上で所望の位置にある場合、第２および第３受光部分でそれぞれ受光される第２および第３回折光３５，３６の光量は等しくなり、第１回折光３４が集光される位置が記録トラック上からラジアル方向にずれると、ディスク状記録媒体２２によって反射される第２および第３回折光３５，３６の光量が変化する。第２および第３受光部分によって、この第２および第３回折光３５，３６の反射光の光量を電気信号に変換することによって、この電気信号から第１回折光３４のトラッキング方向のずれを表わすトラッキングサーボ用のエラー信号、いわゆるトラッキング誤差信号（Traking Erorr
Signal：略称ＴＥＳ）を生成することができる。
【００４８】
ビームスプリッタ２６は、回折格子２３と対物レンズ２４との間に配置され、回折格子２３側から入射する光を対物レンズ２４側に透過させ、対物レンズ２４側から入射する光の大部分を受光部２５に導く。本実施の形態では、半導体レーザ素子２１、回折格子２３、ビームスプリッタ２６、および対物レンズ２４は、仮想一直線に沿って配置される。ビームスプリッタ２６は、たとえばハーフミラーによって実現される。ハーフミラーの反射面３８は、回折格子２３の一表面３２に対して予め定める第１角度θ１傾斜して配置される。前記予め定める第１角度θ１は、たとえば４５度（°）に選ばれる。ディスク状記録媒体２２によって反射された第１〜第３回折光３４，３５，３６の大部分は、ビームスプリッタ２６によって、受光部２５に導かれるが、ディスク状記録媒体２２によって反射された第１〜第３回折光３４，３５，３６の一部は、前記反射面３８を透過して回折格子２３側に進む。
【００４９】
接続配線２７は、ボンディングワイヤによって実現される。接続配線２７は、導電性を有する金属材料によって形成される。前記金属材料は、たとえば金（Ａｕ）を含む。このようなボンディングワイヤの表面における光の反射率は、１００パーセント（％）に近い。接続配線２７は、接続配線本体４１と、接続配線本体４１の端部で、半導体レーザ素子２１の一表面部２８に接続される配線接続部４２とを含む。配線接続部４２は、接続配線本体４１に同軸に連なり、接続配線本体４１の直径よりも大きな直径を有する略円柱形状に形成される。配線接続部４２は、円柱の延びる方向に沿う中心軸線Ｌ１の一端部が半導体レーザ素子２１の一表面部２８に接続される。配線接続部４２は、中心軸線Ｌ１に垂直な仮想一平面における直径が、たとえば３０マイクロメートル（μｍ）〜１００マイクロメートル（μｍ）に選ばれ、中心軸線Ｌ１の延びる方向の長さが、たとえば５マイクロメートル（μｍ）〜２０マイクロメートル（μｍ）に選ばれる。配線接続部４２は、ワイヤボールと呼ばれる。接続配線２７は、電気溶接によって半導体レーザ素子２１の一表面部２８の電極層に接続される。前記電極層は、半導体レーザ素子２１の一表面部２８の全領域にわたって形成されている。前記電極層は、たとえば蒸着法を用いて形成される。
【００５０】
図３は、半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。接続配線２７は、第２方向Ｙの回折格子２３から離反する半導体レーザ素子２１の端部５４寄りで、半導体レーザ素子２１の第１方向Ｘの一表面部２８に接続される。接続配線２７が半導体レーザ素子２１に接触する接触面の第２および第３方向Ｙ，Ｚの寸法は、それぞれ半導体レーザ素子２１の第２および第３方向Ｙ，Ｚの寸法Ｔ２，Ｔ３よりも小さく形成される。前記半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの予める寸法Ｔ２は、３００マイクロメートル（μｍ）〜４００マイクロメートル（μｍ）に選ばれる。また半導体レーザ素子２１の第３方向Ｚの予め定める寸法Ｔ３は、５０マイクロメートル（μｍ）〜２００マイクロメートル（μｍ）に選ばれる。
【００５１】
接続配線２７は、配線接続部４２の中心軸線Ｌ１が、半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの中央４４よりも、回折格子２３から離反するように形成される。本実施の形態では、配線接続部４２は、その全てが半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの中央４４よりも、回折格子２３から離反するように形成される。また接続配線２７は、配線接続部４２の中心軸線Ｌ１が、半導体レーザ素子２１の第３方向Ｚの中央を通るように、言い換えれば出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２を通り、第１方向Ｘに平行な仮想一平面に含まれるように形成される。
【００５２】
光ピックアップ装置２０では、半導体レーザ素子２１から出射された光が、回折格子２３によって回折され、回折格子２３によって回折された光のうち第１〜第３回折光３４，３５，３６がビームスプリッタ２６を介して対物レンズ２４によってディスク状記録媒体２２の記録面３７上に集光される。ディスク状記録媒体２２の記録面３７によって反射された第１〜第３回折光３４，３５，３６の大半は、ビームスプリッタ２６によって受光部２５に導かれるが、第１〜第３回折光３４，３５，３６の一部は、ビームスプリッタ２６を透過して回折格子２３に到達する。回折格子２３に到達した第１〜第３回折光３４，３５，３６は、回折格子２３によって回折され、反射回折光が生成される。光ピックアップ装置２０では、前述した構成とすることによって、回折格子２３によって生成される反射回折光のうち、第２および第３回折光３５，３６の０次の回折光である反射回折光が、半導体レーザ素子２１の第１方向Ｘの両側に照射される。本実施の形態では、第３回折光３６の０次の回折光である反射回折光、および第１回折光３４の±１次の回折光のいずれか一方である反射回折光は、半導体レーザ素子接続部３１の第２方向Ｙの一表面３１Ａに照射される。前記半導体レーザ素子接続部３１の第２方向Ｙの一端面３１Ａは、前述したように粗面に形成されるので、この一端面３１Ａに照射される回折反射光は、拡散され、前記一端面３１Ａで反射した回折反射光が、元の経路を戻って回折格子２３に到達することが防止される。
【００５３】
また接続配線２７を前述したように半導体レーザ素子２１に接続することによって、回折格子２３から接続配線２７が半導体レーザ素子２１に接続される接続位置までの距離を可及的長くすることができる。前記第２および第３回折光３５，３６がディスク状記録媒体２２によって反射され、再び回折格子２３によって回折される反射回折光の大部分は、０次の回折光として直進するので、回折格子２３から離反するほど、半導体レーザ素子２１から離反する位置に照射されることになる。また第１回折光３４がディスク状記録媒体２２によって反射され、再び回折格子２３によって回折される反射回折光のうち、±ｎ（ｎは正の整数）次の回折光は、回折格子２３から離反するほど、半導体レーザ素子２１から離反する位置に照射されることになる。
【００５４】
前述した位置で接続配線２７を半導体レーザ素子に接続することによって、本実施の形態では、第２回折光３５の０次の回折光である反射回折光、および第１回折光３４の±１次の回折光のいずれか他方である反射回折光が、接続配線２７に照射されることを防止することができる。前記接続配線２７は、たとえば光の反射率の高い金属材料によって形成されるが、前記反射回折光が、この接続配線２７に照射されることを防止することができるので、前記接続配線２７によって前記反射回折光が反射することを防止することができる。これによって、半導体レーザ素子２１から出射され、ディスク状記録媒体２２によって反射され、再び半導体レーザ素子２１の近傍に到達する光が、接続配線２７によって反射されることを防止することができる。
【００５５】
図４は、光ピックアップ装置２０の受光部２５によって生成される電気信号と、トラッキング誤差信号の波形を示す図である。ここでディスク状記録媒体２２は、このディスク状記録媒体２２の厚み方向に平行な回転軸線まわりに所定の速度で回転している。図４に示す波形を示す図において、横軸は時刻を示し、縦軸は信号の強さ、ここでは電圧を示す。前記時刻の単位は、ミリ秒（ｍｓ）であり、電圧の単位は、ミリボルト（ｍＶ）である。
【００５６】
ここで、＋１次の回折光、つまり第３回折光３６がディスク状記録媒体２２によって反射され、受光部２５で受光されることによって、第２受光部分の受光素子が生成する電気信号を第１信号Ｓ１とし、−１次の回折光、つまり第２回折光３５がディスク状記録媒体２２によって反射され、受光部２５で受光されることによって、第３受光部分の受光素子が生成する電気信号を第２信号Ｓ２とし、またトラッキング誤差信号をＴＥＳとする。トラッキング誤差信号は、第１信号Ｓ１と、第２信号Ｓ２との差分で表わされる。ＴＥＳは、前述した式１によって表される。
【００５７】
本発明の光ピックアップ装置２０では、図４に示すように第２信号Ｓ２の波形が乱れていない、つまり正弦波に近いことから、第２信号Ｓ２に含まれるノイズ成分が消滅し、ＴＥＳもノイズのない良好な信号が得られることがわかる。このように光ピックアップ装置２０では、半導体レーザ素子２１から出射され、ディスク状記録媒体２２によって反射され、再び半導体レーザ素子２１の近傍に戻ってくる反射回折光が、接続配線２７によって再度反射され、光路中に紛れ込むことを防止することができる。光路中での光の干渉が防止されるので、受光部２５で受光される光量が不所望に変化することが防止される。これによって、受光部２５で生成される電気信号に含まれるノイズ成分を低減させることができる。このような光ピックアップ装置２０を用いることによって、読出しおよび書込みを高精度に実行することができる光ディスク装置を実現することができる。また本実施の形態の光ピックアップ装置２０では、第３の従来の技術の光ピックアップ装置のように、第２回折光３５および第３回折光３６のビームスポットを離反させ、対物レンズ２４を大形化する必要がないので、装置を大形化することがない。
【００５８】
図５は、本発明の他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。本実施の形態の光ピックアップ装置では、前述した図１〜図３に示す光ピックアップ装置２０の構成と同様であり、半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部のみが異なるので、構成の異なる部分についてのみ説明し、同様の構成には同様の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００５９】
本実施の形態の光ピックアップ装置では、接続配線２７は、配線接続部４２の中心軸線Ｌ１が、半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの中央４４よりも、回折格子２３から離反するように形成され、配線接続部４２は、その一部が半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの中央４４よりも、回折格子２３に近接する方向に配置される。
【００６０】
半導体レーザ素子２１は、第２方向Ｙの寸法を変えることによって、共振器の長さを変えて、半導体レーザ素子２１に接続配線２７を介して流れ込む電流密度を制限することによって出射される光量を調整することができる。配線接続部４２の第２方向Ｙの寸法Ｔ４が、半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの寸法Ｔ２の１／２よりも大きい場合であっても、前述の実施の形態の光ピックアップ装置２０と同様な効果を達成することができる。したがって、半導体レーザ素子２１の選択の自由度が向上する。
【００６１】
図６は、本発明の他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。本実施の形態の光ピックアップ装置では、前述した図１〜図３に示す光ピックアップ装置２０の構成と同様であり、半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部のみが異なるので、構成の異なる部分についてのみ説明し、同様の構成には同様の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００６２】
本実施の形態における半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの寸法Ｔ５および第３方向Ｚの寸法Ｔ６は、前記実施の形態の半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの寸法Ｔ５および第３方向Ｚの寸法Ｔ６よりもそれぞれが大きく選ばれる。本実施の形態の光ピックアップ装置では、接続配線２７は、配線接続部４２の中心軸線Ｌ１が、半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの中央４４よりも、回折格子２３から離反するように形成され、配線接続部４２は、その全部が半導体レーザ素子２１の第２方向Ｙの中央４４よりも、回折格子２３から離反する方向に配置される。このような構成とすると、前述した光ピックアップ装置２０よりも回折格子２３と、半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を離反させることができるので、前述の実施の形態の光ピックアップ装置２０と同様な効果を達成することができる。
【００６３】
半導体レーザ素子２１は、第２方向Ｙの寸法を変えることによって、共振器の長さを変えて、半導体レーザ素子２１に接続配線２７を介して流れ込む電流密度を制限し、出射される光量を調整することができる。したがって、半導体レーザ素子２１の選択の自由度が向上する。
【００６４】
図７、図８および図９は、本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。図７、図８および図９に示す半導体レーザ素子２１は、それぞれ第２方向Ｙの予め定める寸法Ｔ２および第３方向Ｚの予め定める寸法Ｔ３が異なる。本実施の形態の光ピックアップ装置は、前述した図１〜図３に示す光ピックアップ装置２０とは、接続配線２７の接続位置が異なるのみであり、前述の実施の形態の光ピックアップ装置２０と同様な構成を有するので、異なる構成についてだけ説明し、同様な構成には同様の参照符号を付して同様の構成についてはその説明を省略する。
【００６５】
本実施の形態の光ピックアップ装置では、半導体レーザ素子２１の一表面部２８に接続される接続配線２７の接続位置を、具体的には配線接続部４２の中心軸線Ｌ１が、半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２よりも、第３方向Ｚの一端部５５および他端部５６のいずれか一方寄りとし、ここでは、第３方向Ｚの一端部５５寄りとしている。
【００６６】
図７に示す半導体レーザ素子２１では、配線接続部４２の一部が半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２を含み、第１方向Ｘに平行な仮想一平面と交わる。図８および図９に示す半導体レーザ素子２１では、配線接続部４２の全てが半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２よりも、第３方向Ｚの一端部５５寄りに配置される。
【００６７】
第２および第３回折光３５，３６がディスク状記録媒体２２によって反射され、再び回折格子２３によって回折される０次の回折光である反射回折光、および第１回折光３４がディスク状記録媒体２２によって反射され、再び回折格子によって回折される±１次の回折光である反射回折光は、半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２を含み、第１方向Ｘに平行な仮想一平面に沿って進む。前記接続位置で接続配線２７を接続することによって、前記反射回折光が、この接続配線２７に照射されることを防止することができる、または接続配線２７に照射される光量を低減することができる。前記接続配線２７は、光の反射率の高い金属材料によって形成されるが、前記反射回折光が、この接続配線２７に照射されることを防止することができる、または接続配線２７に照射される光量を低減することができるので、図８および図９に示す構成とすることによって前記接続配線２７によって予め定める反射回折光が反射することを防止することができ、また図７に示す構成とすることによって接続配線２７によって予め定める反射回折光の反射される光量を小さくすることができる。したがって、前述した実施の形態の光ピックアップ装置２０と同様な効果を達成することができる。
【００６８】
また図７および図８に示すように半導体レーザ素子２１と接続配線２７とは、出射端面２１Ａの近傍で接続される。半導体レーザ素子２１と接続配線２７とを、出射端面２１Ａの近傍で接続する場合、寸法の異なる半導体レーザ素子２１を用いて光ピックアップ装置を製造する場合であっても、半導体レーザ素子２１の端部からの接続位置の距離を同じとすることができるので、同じ生産設備によって製造することができる。
【００６９】
図１０、図１１および図１２は、本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。図１０、図１１および図１２に示す半導体レーザ素子２１は、それぞれ第２方向Ｙの予め定める寸法Ｔ２および第３方向Ｚの予め定める寸法Ｔ３が異なる。本実施の形態の光ピックアップ装置は、前述した図１〜図３に示す光ピックアップ装置２０に反射防止手段５１を付加し、その他の構成では光ピックアップ装置２０とは接続配線２７の接続位置が異なるのみであり、前述の実施の形態の光ピックアップ装置２０と同様な構成を有するので、異なる構成についてだけ説明し、同様な構成には同様の参照符号を付して同様の構成についてはその説明を省略する。
【００７０】
反射防止手段５１は、接続配線２７を被覆する。反射防止手段５１は、光の反射を防止する反射防止材によって形成される。反射防止材は、たとえば黒色の塗料によって実現され、反射防止手段５１は、接続配線２７に黒めっき処理を行うことによって形成してもよい。本実施の形態において、反射防止材は、たとえばクロメート処理によって形成される。
【００７１】
本実施の形態では、図１０〜図１２に示すように接続配線２７は、配線接続部４２の中心軸線Ｌ１が、半導体レーザ素子２１の第３方向Ｚの中央を通るように、言い換えれば出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２を通り、第１方向Ｘに平行な仮想一平面に含まれるように半導体レーザ素子２１に接続される。また接続配線２７は、半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａの近傍で半導体レーザ素子２１に接続される。第２および第３回折光３５，３６がディスク状記録媒体２２によって反射され、再び回折格子２３によって回折される０次の回折光である反射回折光、および第１回折光３４がディスク状記録媒体２２によって反射され、再び回折格子によって回折される±１次の回折光である反射回折光は、半導体レーザ素子２１の出射端面２１Ａを含む軸線Ｌ２を含み、第１方向Ｘに平行な仮想一平面に沿って進むので、前記接続配線２７に照射されるおそれがあるが、反射防止手段５１が形成されるので、接続配線２７に直接前記反射回折光が照射されることを確実に防止し、また反射防止手段５１に前記反射回折光が照射されても、この反射回折光が反射して、元の経路を戻って回折格子２３に到達することが防止される。したがって、前述した実施の形態の光ピックアップ装置２０と同様の効果を達成することができる。本実施の形態の光ピックアップ装置では、反射防止手段５１を設けることによって、接続配線２７を半導体レーザ素子２１の一表面部２８のいずれの領域に接続したとしても、同様の効果を得ることができるので、接続配線２７の接続の自由度が向上する。
【００７２】
また本発明のさらに他の実施の形態において、前述した実施の形態の光ピックアップ装置の各構成を組み合わせてもよい。
【００７３】
本実施の形態の各光ピックアップ装置では、半導体レーザ素子と、回折格子と、ビームスプリッタと、対物レンズとは、仮想一直線上に沿って配置されるが、本発明の他の実施の形態において、回折格子とビームスプリッタとの間、またはビームスプリッタと対物レンズとの間に、光の進む方向を変更するための反射部材を配置してもよい。反射部材は、たとえばミラーによって実現される。このような構成としても光学的には同一であり、同様の効果を達成することができるとともに、半導体レーザ素子と、回折格子と、ビームスプリッタと、対物レンズとは、仮想一直線上に沿って配置する必要がないので、各構成部の配置の自由同が向上される。
【００７４】
本発明の他の実施の形態において、半導体レーザ素子２１と回折格子２３との間に半導体レーザ素子２１から出射される光を平行光に変換する平行光生成手段を設けてもよい。前記平行光生成手段は、たとえばコリメートレンズによって実現される。このような構成であっても、前述した構成と同様な効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の一形態の光ピックアップ装置２０の構成を模式的に示す図である。
【図２】半導体レーザ素子２１の近傍を拡大して示す図である。
【図３】半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図４】光ピックアップ装置２０の受光部２５によって生成される電気信号と、トラッキング誤差信号の波形を示す図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施の形態の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子２１と接続配線２７との接続部を拡大して、第１方向Ｘの一方側から見た平面図である。
【図１３】第１の従来の技術の光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置１の構成を模式的に示す図である。
【図１４】第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１において、受光部７によって得られる信号が劣化する原理を説明する図である。
【図１５】第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１において、受光部７によって得られる信号が劣化する原理を説明する図である。
【図１６】第１の従来の技術のトラッキング誤差検出装置１において、受光部７によって得られる信号が劣化する原理を説明する図である。
【図１７】第２の従来の技術の光ピックアップ装置１０の構成を模式的に示す図である。
【図１８】第２の従来の技術の光ピックアップ装置１０の構成を模式的に示す図である。
【図１９】第２の従来の技術の光ピックアップ装置１０の受光部７が生成する電気信号と、トラッキングエラー信号の波形を示す図である。
【図２０】半導体レーザ素子１２の近傍を拡大して示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
２０  光ピックアップ装置
２１  半導体レーザ素子
２２  ディスク状記録媒体
２３  回折格子
２４  対物レンズ
２５  受光部
２６  ビームスプリッタ
２７  接続配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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