(57)【要約】【課題】  発光層や電子注入層などの機能層を劣化させることなく、寿命の長い有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の有機ＥＬ装置は、画素電極１１１と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層１１０と陰極１２とが基板２上にこの順に配置され、陰極１２が光透過性を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置であって、陰極１２が少なくとも窒化チタン層を含むことを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第２の電極とが基板上にこの順に配置され、前記第２の電極が光透過性を有し、前記発光層からの光が前記第２の電極の上方に射出される有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第２の電極が少なくとも窒化チタン層を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第２の電極が２層以上の層からなり、前記機能層側に前記窒化チタン層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
第１の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第２の電極とが基板上にこの順に配置され、前記第２の電極が光透過性を有し、前記発光層からの光が前記第２の電極の上方に射出される有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第１の電極を形成する工程と、前記機能層を形成する工程と、少なくとも窒化チタン層を含む前記第２の電極を形成する工程とを有し、
前記窒化チタン層の形成を、プラズマ発生領域の外部に被処理基板を配置する形態のイオンプレーティング方式の成膜装置を用いて行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記窒化チタン層の形成に引き続いて、透明導電層を同一成膜装置内で連続して形成することを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Electro-Luminescence, 以下、ＥＬと略記する）装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ耐衝撃性に優れるなどの優れた特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。特にＥＬ素子の中でもトップエミッション型の有機ＥＬ素子を用いたパネルは、基板上面より光が取り出せるため、回路の設計自由度が高く、大型、高輝度、高精細パネルを製造する基本構造として開発が進められている。
【０００３】
トップエミッション型有機ＥＬ素子は、透明導電膜よりなる第１の電極層と、超薄膜の電子注入金属層およびその上面に形成される透明導電膜よりなる第２の電極層と、を設けた構造が知られている。これらの透明導電膜を構成する材料としては、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）や酸化錫（ＳｎＯ２）等が知られている。しかし、有機層を介して基板上に透明電極層を成膜するに際して、有機層の損傷を防ぐために基板温度を室温から１００℃近くと低く設定して蒸着するため、比抵抗値が高い透明電極となり、透明導電層の配線ラインで電圧降下が発生し、不均一な発光が生じていた。そのため、上述した不具合を生じさせないような様々な技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１６２９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１においては、透明導電膜をスパッタリング法により形成し、スパッタリング出力を２０Ｗ程度と著しく低い電力に抑えている。つまり、スパッタリング出力を抑えることにより、スパッタリング時に発生するプラズマにより有機層が損傷を受けないようにしている。しかしながら、スパッタリング出力を抑えたことによって、透明導電膜の積層効率が低下し、透明導電膜を形成するのに要する時間が長くなり、生産性が低下するという問題があった。また、上述のようにスパッタリング出力を抑えても有機層にはプラズマによるダメージが与えられ、非発光点などの不具合が発生するという問題があった。
【０００５】
また、本発明者らは上述した有機層に対するスパッタのダメージを回避するために、イオンプレーティング方式による透明導電膜の積層方法を見い出した。イオンプレーティング方式の中でも、ある種の成膜装置を用いると、プラズマが成膜対象の基板表面に接することが少なくなり、成膜ダメージに起因する非発光点の発生が少なかった。
しかしながら、この方式においても有機層に対する何らかのダメージがあり、有機層が発光できる期間が短くなるという問題があった。さらに、ＩＴＯ等の透明導電膜は、内部に含有する酸素が外的要因、例えば熱によって着脱しやすいため、発光時に電子注入層が酸化されることで寿命が極端に短くなるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、発光層や電子注入層などの機能層を劣化させることなく、寿命の長い有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ装置は、第１の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第２の電極とが基板上にこの順に配置され、前記第２の電極が光透過性を有し、前記発光層からの光が前記第２の電極の上方に射出される有機ＥＬ装置であって、前記第２の電極が少なくとも窒化チタン層を含むことを特徴とする。なお、機能層は、例えば発光層と、この発光層に電子や正孔を輸送／注入するための電子輸送／注入層や正孔輸送／注入層等との積層体として構成されるものを含む。また、発光層単体で機能層を構成してもよい。
【０００８】
本発明者は、トップエミッション型有機ＥＬ装置の上部透明共通電極（本発明で言う「第２の電極」）の材料について検討した結果、窒化チタンが優れた特性を有することを見い出した。すなわち、窒化チタン層は若干黄色に着色しているものの、光透過性に優れており、上部透明共通電極としての機能を十分に果たすことができる。また、窒化チタン層は酸化バリア層となり、その下層側に位置する有機発光層や電子注入層を酸化させることがないため、ＩＴＯ等の透明導電膜を単層で用いた従来の構成に比べて発光寿命を向上することができる。
【０００９】
前記第２の電極は、窒化チタン単層でも良いが、２層以上の層からなり、前記機能層側に前記窒化チタン層を配置した構成でも良い。
第２の電極を２層以上の層で構成する場合、例えば窒化チタン層とＩＴＯ等の透明導電膜の積層構造を採用することができる。この場合、窒化チタン層を単層で用いた場合に比べて光透過率を向上させることができ、高輝度の有機ＥＬ装置を得ることができる。さらに、窒化チタン層を単層で用いた場合に比べて電気抵抗が低くなるため、上部透明共通電極としての機能をより十分に発揮することができる。また、ＩＴＯを用いた場合でも機能層側に窒化チタン層を配置すれば、窒化チタン層がバリアとなってＩＴＯ等の内部に含有する酸素が悪影響を及ぼすのを防止するため、発光寿命を向上することができる。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、第１の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第２の電極とが基板上にこの順に配置され、前記第２の電極が光透過性を有し、前記発光層からの光が前記第２の電極の上方に射出される有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の電極を形成する工程と、前記機能層を形成する工程と、少なくとも窒化チタン層を含む前記第２の電極を形成する工程とを有し、前記窒化チタン層の形成を、プラズマ発生領域の外部に被処理基板を配置する形態のイオンプレーティング方式の成膜装置を用いて行うことを特徴とする。
上記の方法によれば、窒化チタン層の形成時に被処理基板がプラズマに直接晒されないため、有機発光層や電子注入層にダメージを与えることなく、高輝度で信頼性に高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１１】
前記窒化チタン層の形成に引き続いて、透明導電層を同一成膜装置内で連続して形成しても良い。
例えばＩＴＯ等の透明導電層も上記のイオンプレーティング法で成膜することができ、その場合、窒化チタン層、透明導電層を同一成膜装置内で連続成膜すれば、窒化チタン層表面が汚染したり、酸化される等の不具合がなく、膜質が向上するとともに、製造ＴＡＴが短くなり、生産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図１〜図１３を参照して説明する。なお、図１から図１４において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものと異なるように表している。
【００１３】
図１は本実施形態のエレクトロルミネッセンス表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す平面模式図である。
図１に示すように、本実施形態のエレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ装置）１には、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００１４】
各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、この画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により発光部Ａが構成され、表示装置１は、この発光部Ａをマトリクス状に複数備えて構成されている。
【００１５】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１６】
図２は本表示装置の平面模式図である。図３に、本表示装置における表示領域２ａの断面構造を拡大した図を示す。
図３に示すように、本実施形態の表示装置１は、基板２上に回路素子部１４と表示素子部１０が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部（図示略）によって封止された構造を有する。表示素子部１０は、発光層１１０ｂを含む発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極（第２の電極）１２とからなる。この陰極１２及び封止部は透光性を有しており、本表示装置１は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の表示装置として構成されている。
【００１７】
基板２には、透明基板、半透明基板、不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。
また、基板２は、図２に示すように、中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光部Ａによって形成される領域であり、表示領域２ａの外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして、非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域が形成されている。
【００１８】
回路素子部１４には、図２および図３に示すように、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられており、表示領域２ａに配置された各発光部Ａを駆動するようになっている。
陰極１２は、その一端が発光素子部１１上から基板２上に形成された陰極用配線１２０に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００１９】
また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域の下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。さらに表示領域２ａの図２中上側には検査回路１０６が配置されている。
【００２０】
より詳細には、この表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、画素電極（第１の電極）１１１と、発光層１１０ｂを含む機能層１１０が形成された発光素子部１１と、陰極１２とが順次積層されて構成されている。
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。また、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
また、回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆うゲート絶縁膜１４２が形成されている。そして、このゲート絶縁膜１４２上には、半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成されている。そして、半導体膜１４１、ゲート絶縁膜１４２、ゲート電極１４３により薄膜トランジスタ１２３が構成されている。
【００２１】
また、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されており、この第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されている。コンタクトホール１４５は画素電極に接続されており、このコンタクトホール１４５を介して画素電極１１１と半導体のソース領域１４１ａが電気的に接続されている。また、コンタクトホール１４６は電源線１０３に接続されており、このコンタクトホール１４６を介して、電源線１０３から画素信号が供給されるようになっている。
以上により駆動用の回路が構成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００２２】
画素電極１１１は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上に平面視略矩形にパターニングされて形成されており、表示領域２ａ内にマトリクス状に複数配置されている。
この画素電極１１１には、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜や銀（Ａｇ）膜等の高反射率の金属膜が用いられており、基板２側に発した光を上方の封止部側に効率的に出射させるようになっている。
なお、画素電極１１１は、例えばＡｌ膜の層厚が１００ｎｍから５００ｎｍの範囲となるように形成され、Ａｌ膜の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化膜）を層厚が５０ｎｍから２００ｎｍの範囲となるように積層して形成してもよい。
【００２３】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を仕切るバンク層１１２とを主体として構成されている。機能層１１０上には窒化チタン層からなる陰極１２が配置されており、これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光部Ａが構成されている。
なお、バンク層１１２と第２層間絶縁膜１４４ｂとの間に、隣り合う画素電極１１１を絶縁するとともに、これを保護するために、絶縁保護膜を配置してもよい。絶縁保護膜としては、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法によりシリコン酸化膜を１μｍの厚さに形成することができる。
【００２４】
バンク層１１２は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストからなり、画素電極１１１の形成位置に対応して開口部１１２ｄが形成されている。
なお、バンク層１１２に仕切られた各領域において、画素電極１１１の電極面１１１ａは酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、開口部１１２ｄの壁面及びバンク層１１２の上面１１２ｆは、４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液処理）されており、撥液性を示す。
なお、蒸着法により正孔注入／輸送層１１０ａおよび発光層１１０ｂを形成する場合にはバンク層１１２の形成を省略してもよい。バンク層１１２は、インクジェット法により正孔注入／輸送層１１０ａおよび発光層１１０ｂを形成する場合に必要なものであり、蒸着法でこれらの層を形成する場合には必要とならない。
【００２５】
機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂと、この発光層１１０ｂ上に隣接して形成された電子注入層１１０ｃとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは例えば５ｎｍから５０ｎｍの層厚に形成され、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。この正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。
また、電子注入層１１０ｃは例えば５ｎｍから２０ｎｍの層厚に形成され、電子を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、電子を電子注入層１１０ｃ内部において輸送する機能を有する。層厚が５ｎｍよりも小さくなると電子注入効率を向上させる効果がなくなり、層厚が２０ｎｍよりも厚くなると内部抵抗が高くなり発光電圧が高くなってしまう。この電子注入層１１０ｃとしては、例えばバソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜やＭｇとＡｇの共蒸着、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどを好適に用いることができる。
【００２６】
このような正孔注入／輸送層１１０ａ、電子注入層１１０ｃを、それぞれ画素電極１１１と発光層１１０ｂの間、及び、陰極１２と発光層１１０ｂとの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。なお、正孔注入／輸送材料は、各色の発光層１１０ｂ毎に異ならせてもよく、また、特定の色の発光層１１０ｂに対して正孔注入／輸送層１１０ａを設けない構成とすることも可能である。
【００２７】
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１から１１０ｂ３がストライプ配置されている。この発光層１１０ｂの材料としては、赤色発光層１１０ｂ１としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層１１０ｂ２およびとして青色発光層１１０ｂ３ポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。なお、上述した有機化合物以外の有機化合物を発光層１１０ｂの材料として用いることができる。
【００２８】
陰極１２の材料には窒化チタンからなる透光性の導電層が用いられており、陰極１２は発光素子部１１の全面に形成されている。そして、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。
本実施形態の構成によれば、陰極１２を構成する窒化チタンは若干黄色に着色しているものの、光透過性に優れており、上部透明共通陰極としての機能を十分に果たすことができる。また、窒化チタン層が酸化バリアとなり、その下層側に位置する発光層１１０ｂや電子注入層１１０ｃの酸化を抑制するため、ＩＴＯ等の透明導電膜を単層で用いた従来の上部透明共通陰極の構成に比べて発光寿命を向上することができる。
【００２９】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）回路素子部形成工程、（２）バンク部形成工程、（３）プラズマ処理工程、（４）正孔注入／輸送層形成工程、（５）発光層形成工程、（６）電子注入層形成工程、（７）陰極形成工程を具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく、必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００３０】
（１）      回路素子部形成工程
例えばガラス等の基板２上に、図４に示すように、周知の方法によって下地保護膜２ｃを介して薄膜トランジスタ１２３を形成する。次に、薄膜トランジスタ１２３が形成された基板２の上面側を平坦化するために、例えばポリイミド、アクリル等の平坦性に優れた材料をスピンコート法により滴下し、平坦化絶縁膜となる第２層間絶縁膜１４４ｂを形成する。次に、各画素の薄膜トランジスタ１２３と画素電極１１１とを接続するためのスルーホールを第２層間絶縁膜１４４ｂ、第１層間絶縁膜１４４ａに形成する。スルーホールは、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターニングした後、現像処理で露光部分を除去して形成する。その後、本焼成し、第２層間絶縁膜１４４ｂ等を平坦化膜とする。そして、例えばＡｌを膜厚１００〜５００ｎｍとなるようにスパッタ法、蒸着法等により成膜する。さらにＩＴＯを積層して画素電極とする場合には、ＩＴＯを膜厚５０〜２００ｎｍとなるようにスパッタ法、蒸着法等により成膜する。その後、フォトリソグラフィー法によってこれらＩＴＯ、Ａｌ膜をパターニングして、画素電極１１１を形成する。ＩＴＯは例えば王水によるウェットエッチングにより、Ａｌは例えば塩素系ガスを含むガスのプラズマを用いたドライエッチングによりエッチングすることができる。
【００３１】
（２）バンク層形成工程
バンク層形成工程は、基板２の所定の位置に開口部１１２ｄを有するバンク層１１２を形成する工程である。層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂの上に画素電極１１１を形成した後、図５に示すように、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料を塗布し、フォトリソグラフィー技術により、画素電極１１１の配置された領域に開口部１１２ｄを有するバンク層１１２を形成する。なお、バンク層は、以下の正孔注入／輸送層、発光層等をインクジェット等の液滴吐出法で形成する場合に必要となるものであって、蒸着法等により形成する場合には不要である。
【００３２】
（３）プラズマ処理工程
プラズマ処理工程は、画素電極１１１の表面を活性化すること、さらにバンク層１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１上の洗浄、さらに仕事関数の調整を主な目的として行っている。さらに、画素電極１１１の表面の親液化処理、バンク層１１２表面の撥液化処理を行う。
【００３３】
（４）正孔注入／輸送層形成工程
発光素子形成工程では、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出法として、例えばインクジェット装置を用いて、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面１１１ａ上に吐出する（第１液滴吐出工程）。そして、その後、乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００３４】
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
図６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む組成物１１０ｄを吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各開口部１１２ｄ内に組成物１１０ｄを充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。さらに、インクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対的に移動させることによっても組成物１１０ｄを充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドＨ１を用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００３５】
次に、図７に示すような乾燥工程を行い、組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させて正孔注入／輸送層形成材料を例えば５〜５０ｎｍの層厚に析出させる。このように形成された正孔注入／輸送層１１０ａの大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存する。これにより、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
【００３６】
（５）発光層形成工程
発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程および乾燥工程とからなる。
表面改質工程は、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの密着性や、成膜の均一性を高めるために行っている。次に、発光層形成工程として、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出し、その後乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に層厚が例えば５〜５０ｎｍ程度の発光層１１０ｂを形成する。
図８に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドＨ５に形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物１１０ｅを吐出する。
【００３７】
次に、組成物を所定の位置に吐出し終わったら、吐出後の組成物液滴１１０ｅを乾燥処理し、組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させる。これにより、発光層形成材料が析出し、図９に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。
続けて、図１０に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２を形成する。なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００３８】
（６）電子注入層形成工程
電子注入層形成工程では、図１１に示すように、発光層１１０ｂ及びバンク層１１２の全面に、バソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜からなる電子注入層１１０ｃを形成する。
電子注入層１１０ｃには、他にも例えばＭｇとＡｇの共蒸着や、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどを用いることができ、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
【００３９】
（７）陰極形成工程
陰極形成工程では、図１３に示すように、成膜装置２００を用いたイオンプレーティング法により、電子注入層１１０ｃの全面に窒化チタンからなる陰極材料層を成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして陰極１２を形成する。
図１２は、本実施の形態に係るイオンプレーティング方式の成膜装置の概略図である。  成膜装置２００は、図１２に示すように、アルゴンプラズマを発生させるプラズマ生成部２１０と、成膜を行う成膜部２２０と、電子注入層１１０ｃまで積層された基板２を搬送する基板搬送部２３０と、成膜部２２０内の気体を排気する排気部（図示せず）とから概略形成されている。
【００４０】
そして成膜部２２０には、機能層保護膜１２ａまたは陰極１２の材料である蒸着材料２２３（窒化チタン）を載置する台部２２１が配置され、台部２２１と対向する位置に電子注入層１１０ｃまで積層された基板２が搬送され、配置されている。プラズマ生成部２１０で生成されたアルゴンプラズマを台部２２１の窒化チタンに導入して、窒化チタンを蒸発させて電子注入層１１０ｃ上の全面に堆積させている。
本装置は、プラズマ発生領域の外部に基板２を配置する形態のものであり、窒化チタン層の成膜時に基板２がプラズマに直接晒されないため、発光層１１０ｂや電子注入層１１０ｃにダメージを与えることなく、高輝度で信頼性に高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００４１】
以下、詳細な説明は省略するが、陰極１２上、または陰極１２の上方に空間を隔てて封止樹脂膜、封止基板等からなる封止部材を配置する。さらに、図２、図３に例示した基板２の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。
【００４２】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図１４を用いて説明する。
本実施の形態の有機ＥＬ装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、陰極の構成が異なるのみである。
図１４は本実施の形態の有機ＥＬ装置の断面構造を示す図であり、第１の実施の形態の図３に相当する図である。図１４において図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４３】
第１の実施の形態の場合、陰極１２が窒化チタンの単層で構成されていたのに対し、本実施の形態の場合、図１４に示すように、陰極１２が窒化チタン層１２ａとＩＴＯ層１２ｂの２層構造となっている。そして、窒化チタン層１２ａが下層側、ＩＴＯ層１２ｂが上層側、すなわち窒化チタン層１２ａが機能層１１０側に接するように配置されている。
本実施形態の陰極１２の形成工程では、図１２に示すイオンプレーティング方式の成膜装置２００において、第１の実施形態と同様に窒化チタン層１２ａを成膜した後、台部２２１上の蒸着材料２２３をＴｉＮからＩＴＯに代えて、引き続きアルゴンガスを含む窒素ガス雰囲気により窒化チタン層１２ａ上にＩＴＯ層１２ｂを積層させて陰極材料層を成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして陰極１２を形成する。
【００４４】
本実施の形態の場合、陰極１２を窒化チタン層１２ａとＩＴＯ層１２ｂの２層構造としているため、窒化チタン層を単層で用いた場合に比べて光透過率を向上させることができ、高輝度の有機ＥＬ装置を得ることができる。また、窒化チタン層を単層で用いた場合に比べて電気抵抗が低くなるため、上部共通電極としての機能をより十分に発揮することができる。また、ＩＴＯ層１２ｂを用いていても機能層１１０側に窒化チタン層１２ａが配置されているので、窒化チタン層１２ａがバリアとなってＩＴＯ層１２ｂの内部に含有する酸素が機能層１１０に悪影響を及ぼすのを防止するため、発光寿命を向上することができる。さらに、陰極材料の成膜に上記のイオンプレーティング方式の成膜装置を用いているため、基板がプラズマに直接晒されず、機能層１１０にダメージを与えることなく、高輝度で信頼性に高い有機ＥＬ装置を得ることができる。また、ＩＴＯ層１２ｂを連続成膜すれば、窒化チタン層１２ａ表面が汚染したり、酸化される等の不具合がなく、膜質が向上するとともに、製造ＴＡＴが短くなり、生産性が向上する。
【００４５】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記第２の実施の形態では、陰極を窒化チタン層とＩＴＯ層で構成する例を示したが、ＩＴＯ以外の透明導電膜を積層しても良い。また、上記実施の形態における膜構成、膜厚等の具体的な構成は適宜変更が可能である。さらに、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、さまざまな配置構造を採用することができる。例えばストライプ配置の他、モザイク配置や、デルタ配置とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造を示す図である。
【図２】同、表示装置の平面図である。
【図３】同、表示装置の要部を示す断面図である。
【図４】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１１】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１２】本実施の形態に係る成膜装置の概略図である。
【図１３】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態の表示装置の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ装置）、２…基板、１２…陰極（第２の電極）、１２ａ…窒化チタン層、１２ｂ…ＩＴＯ層、１１０…機能層、１１０ｂ…発光層、１１１…画素電極（第１の電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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