(57)【要約】【課題】  ヒューズの切断により管理情報を表すことができる半導体集積回路の管理方法を提供すること。特に、ヒューズの切断によって表すことができる管理情報の情報量を増加させること。個体識別に適した半導体集積回路の管理方法を提供すること。【解決手段】  本発明にかかる半導体集積回路の管理方法では、まず、半導体集積回路上に形成されたヒューズ２、３の切断位置及び切断数を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定する。続いて、決定されたヒューズ２、３上の切断位置及び切断数に応じてレーザトリミングによりヒューズを切断する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路上に形成されたヒューズのヒューズ内における切断位置を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定するステップと、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置をレーザトリミングにより切断するステップとを備えた半導体集積回路の管理方法。
【請求項２】
半導体集積回路上に形成されたヒューズのヒューズ内における切断数を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定するステップと、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断数分レーザトリミングにより切断するステップとを備えた半導体集積回路の管理方法。
【請求項３】
半導体集積回路上に形成されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定するステップと、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数に応じてレーザトリミングによりヒューズを切断するステップとを備えた半導体集積回路の管理方法。
【請求項４】
前記ヒューズは、回路調整のためのヒューズであることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の半導体集積回路の管理方法。
【請求項５】
前記管理情報は、半導体集積回路の個体識別のための情報であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の半導体集積回路の管理方法。
【請求項６】
半導体集積回路と管理情報を対応付ける手段と、
前記管理情報に基づいて当該管理情報と対応付けられた半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数を決定する手段と、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数に基づいて前記ヒューズの切断座標情報を算出する手段とを備えた半導体集積回路のテスト装置。
【請求項７】
半導体集積回路と管理番号を対応付ける手段と、
前記半導体集積回路の特性をテストする手段と、
前記管理番号及びテスト結果に基づいて前記半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数を決定する手段と、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数に基づいて前記ヒューズの切断座標情報を算出する手段とを備えた半導体集積回路のテスト装置。
【請求項８】
半導体集積回路上にヒューズを形成するステップと、
前記半導体集積回路の管理情報に基づいて前記ヒューズのヒューズ内における切断位置を決定するステップと、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置をレーザトリミングにより切断するステップとを備えた半導体集積回路の製造方法。
【請求項９】
半導体集積回路上にヒューズを形成するステップと、
前記半導体集積回路の管理情報に基づいて前記ヒューズのヒューズ内における切断数を決定するステップと、
決定された切断数に基づいてレーザトリミングにより切断するステップとを備えた半導体集積回路の製造方法。
【請求項１０】
半導体集積回路上にヒューズを形成するステップと、
前記半導体集積回路の管理情報に基づいて前記ヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数を決定するステップと、
決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数をレーザトリミングにより切断するステップとを備えた半導体集積回路の製造方法。
【請求項１１】
半導体集積回路の管理情報に基づいて決定された半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置に応じて当該ヒューズがレーザトリミングにより切断された半導体集積回路。
【請求項１２】
半導体集積回路の管理情報に基づいて決定された半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断数に応じて当該ヒューズがレーザトリミングにより切断された半導体集積回路。
【請求項１３】
半導体集積回路の管理情報に基づいて決定された半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数に応じてヒューズがレーザトリミングにより切断された半導体集積回路。
【請求項１４】
前記ヒューズは、回路調整のためのヒューズであることを特徴とする請求項１１乃至１３いずれかに記載の半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の管理方法及び半導体集積回路に関するものであり、より詳細には、ヒューズが設けられた半導体集積回路の管理方法及び半導体集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からプルアップ／プルダウン設定可能な出力バッファ回路や出力電圧調整用の抵抗ラダー回路が提案されている。前者の回路では、プルアップ側のヒューズを切断するか、若しくはプルダウン側のヒューズを切断するかによって、プルアップ又はプルダウンを設定することができる。後者の回路では、ヒューズ切断の組み合わせにより合成抵抗値を変化させることができ、出力電圧を調整することができる。このようにして、ヒューズ切断により回路特性を調整することが行なわれてきた。
【０００３】
このような回路におけるヒューズの切断は、一般にトリミングと呼ばれ、レーザを用いたトリミングは、一般的な技術として用いられている。一般的なトリミング技術においては、まず、いわゆる前工程においてヒューズ切断により回路特性を調整したい項目と関連する特性テストを行う。そして、かかる特性テストの結果に基づいて、切断すべきヒューズの座標を算出し、ヒューズ切断装置に対する切断座標情報とする。
【０００４】
このとき、切断すべきヒューズの組み合わせは、各ＬＳＩ（Large Scale Integration）個体で任意のものとなるが、各ヒューズに対する切断位置は、少なくとも同種のＬＳＩであれば全てのＬＳＩ個体に対して同一となる。ヒューズ切断座標が得られた後、ヒューズ切断装置により当該切断座標情報に基いてヒューズ切断を実行する。
【０００５】
図４にトリミング後のヒューズの様子を示す。図においては、二つのヒューズ２、３が直列に接続され、一方のヒューズ２がプルアップ電源１に接続され、他方のヒューズ３がプルダウン電源４に接続されている。このような回路構成を有するヒューズが複数組設けられている。この例では、回路特性を調整するために、図の左側からヒューズ２ａ、３ｂ、２ｃ、３ｄ、３ｅ、２ｆが切断位置５において切断されている。ヒューズの切断後の状態を（２進数に見立て）数値として表すとすれば、プルアップ側のヒューズが切断されてプルダウン状態にある部分を「０」、プルダウン側のヒューズが切断されてプルアップ状態にある部分を「１」とすると、この例では、図上左側から「０１０１１０」即ち「１６ｈ」を表わしている。
【０００６】
尚、ヒューズ切断によりＬＳＩの個体管理を行なう方法としては、個体管理番号専用にヒューズを設ける方法（特許文献１、特許文献２）がある。また、特許文献３では、不要となった回路の端子パッドに切断されている保護素子をロット番号或いはウエハ番号に応じた組み合わせにて切り離すことによって、ウエハ単位での識別を可能にしている。
【特許文献１】特開２０００−６８４５８号公報
【特許文献２】特開平４−１１１４３８号公報
【特許文献３】特開平３−２０３３４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来は、いわゆる前工程の特性テスト結果から切断が必要と判断された各ヒューズに対し、決められた位置でそれぞれ一箇所切断している。一般に一度に製造されるＬＳＩのうち、切断されるべきヒューズの組み合わせが同一となる可能性は十分に高く、単に切断すべきヒューズの組み合わせと特性テスト結果との対を前工程で記録するだけではＬＳＩの個体管理はできない。従って、いわゆる前工程から後工程へ進む際に、ＬＳＩ個体の一対一対応が失われる。そのため、トリミング前と後工程後の間での特性変化を追跡することが不可能である。
【０００８】
特許文献１、特許文献２による方法では、ヒューズの切断位置は基本的に同一としているため、ＬＳＩの個体管理のためには専用のトリミング領域を設ける必要がある。また、特許文献１、特許文献２による方法では、ヒューズ単位で一箇所を切断するものであるため、切断により保有させる情報量が少ない。
【０００９】
特許文献３による方法では、少なくともウエハ単位での識別しかできず、ＬＳＩ単位の個体識別は不可能である。特許文献３では、ウエハ中のＦＡＩＬサンプルの端子パッドに切断されている保護素子の切断の組み合わせにより識別を行なうため、良品の個体識別は原理的に不可能だからである。
【００１０】
本発明の目的は、かかる問題を解消し、ヒューズの切断により管理情報を表すことができる半導体集積回路の管理方法を提供することである。特に、本発明は、ヒューズの切断によって表すことができる管理情報の情報量を増加させることを目的としている。さらに、本発明は、個体識別に適した半導体集積回路の管理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる半導体集積回路の管理方法は、半導体集積回路上に形成されたヒューズのヒューズ内における切断位置を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定するステップと、決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置をレーザトリミングにより切断するステップとを備えている。
【００１２】
本発明にかかる他の半導体集積回路の管理方法は、半導体集積回路上に形成されたヒューズのヒューズ内における切断数を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定するステップと、決定されたヒューズのヒューズ内における切断数分レーザトリミングにより切断するステップとを備えている。
【００１３】
また、本発明にかかる他の半導体集積回路の管理方法は、半導体集積回路上に形成されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数を当該半導体集積回路の管理情報に基づいて決定するステップと、決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数に応じてレーザトリミングによりヒューズを切断するステップとを備えている。
【００１４】
ここで、ヒューズは、回路調整のためのヒューズであることが望ましい。
【００１５】
好適には、管理情報は、半導体集積回路の個体識別のための情報である。
【００１６】
本発明にかかる半導体集積回路のテスト装置は、半導体集積回路と管理情報を対応付ける手段と、前記管理情報に基づいて当該管理情報と対応付けられた半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数を決定する手段と、決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数に基づいて前記ヒューズの切断座標情報を算出する手段とを備えている。
【００１７】
本発明にかかる他の半導体集積回路のテスト装置は、半導体集積回路と管理番号を対応付ける手段と、前記半導体集積回路の特性をテストする手段と、前記管理番号及びテスト結果に基づいて前記半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数を決定する手段と、決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び／又は切断数に基づいて前記ヒューズの切断座標情報を算出する手段とを備えている。
【００１８】
本発明にかかる半導体集積回路の製造方法は、半導体集積回路上にヒューズを形成するステップと、前記半導体集積回路の管理情報に基づいて前記ヒューズのヒューズ内における切断位置を決定するステップと、決定されたヒューズ上の切断位置をレーザトリミングにより切断するステップとを備えている。
【００１９】
本発明にかかる他の半導体集積回路の製造方法は、半導体集積回路上にヒューズを形成するステップと、前記半導体集積回路の管理情報に基づいて前記ヒューズのヒューズ内における切断数を決定するステップと、決定された切断数に基づいてレーザトリミングにより切断するステップとを備えている。
【００２０】
本発明にかかる他の半導体集積回路の製造方法は、半導体集積回路上にヒューズを形成するステップと、前記半導体集積回路の管理情報に基づいて前記ヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数を決定するステップと、決定されたヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数をレーザトリミングにより切断するステップとを備えている。
【００２１】
本発明にかかる半導体集積回路は、半導体集積回路の管理情報に基づいて決定された半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置に応じて当該ヒューズがレーザトリミングにより切断されたものである。
【００２２】
本発明にかかる他の半導体集積回路は、半導体集積回路の管理情報に基づいて決定された半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断数に応じて当該ヒューズがレーザトリミングにより切断されたものである。
【００２３】
本発明にかかる他の半導体集積回路は、半導体集積回路の管理情報に基づいて決定された半導体集積回路上のヒューズのヒューズ内における切断位置及び切断数に応じてヒューズがレーザトリミングにより切断されたものである。
【００２４】
ここで、前記半導体集積回路におけるヒューズは、回路調整のためのヒューズであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ヒューズの切断により管理情報を表すことができる半導体集積回路の管理方法を提供することができる。特に、本発明は、ヒューズの切断によって表すことができる管理情報の情報量を増加させるができる。さらに、本発明は、個体識別に適した半導体集積回路の管理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施の形態にかかる半導体集積回路の管理方法においては、各ヒューズにおける切断位置或いは切断数、或いはその双方によって半導体集積回路の管理情報としている。ここで、管理情報には、ＬＳＩ個体の識別情報を含んでいる。即ち、管理情報によりＬＳＩのそれぞれを識別することができる。好適には、管理情報は、管理番号である。管理番号は、ウエハ番号、又はウエハ上のＬＳＩ座標、又はテスト回数、又はそれらの組み合わせにより構成することができる。
【００２７】
ヒューズは、例えばポリシリコン抵抗が用いられる。ヒューズの切断は、レーザトリミングによって実行される。過電流によってヒューズを溶断する方法もあるが、切断位置を制御するためには、レーザを用いた方法が最適である。
【００２８】
ヒューズは、回路調整用のヒューズであり、例えば、出力電圧調整用の抵抗ラダー回路において用いられる。この回路では、ヒューズ切断の組み合わせにより合成抵抗値を変化させることができ、出力電圧を調整することができる。かかるヒューズは、例えば、シリコンペレットの内側に設けられる。ＬＳＩの入力に関係なく、一定の電圧で固定される。例えばレギュレータ回路の出力電圧を正確に決めなくてはならないとき、一般に製造ばらつき等によりこれが実現できないことがある。そのような場合、回路内部に出力電圧調整用の抵抗ラダー回路等を作りこんでおき、ヒューズ切断の組み合わせによりその合成抵抗値を変化させることで、ＬＳＩ個別に出力電圧を調整できるようにしている。こうすることで、ＬＳＩに対する入力状態に関係なく調整値が一意に決まるため、ヒューズトリミングが用いられている。
【００２９】
また、ヒューズは、例えば、ＬＳＩ内部で特定の出力状態に固定しようとするバッファ回路のプルアップ／プルダウン入力としても用いられる。この回路では、プルアップ側のヒューズを切断するか、若しくはプルダウン側のヒューズを切断するかによって、プルダウン又はプルアップを設定することができる。なお、レギュレータ回路やバッファ回路以外にもヒューズトリミングを必要とする回路種類、目的等はいくつも存在しており、本例に限定されるものではない。
【００３０】
以下に各発明の実施の形態について説明する。
【００３１】
発明の実施の形態１．
図１にトリミング後のヒューズの様子を示す。図においては、二つのヒューズ２、３が直列に接続され、一方のヒューズ２がプルアップ電源１に接続され、他方のヒューズ３がプルダウン電源４に接続されている。ヒューズ２とヒューズ３を接続するノードにトリミングビット出力ノードが設けられている。この例では、回路特性を調整するために、図上左側からヒューズ２ａ、３ｂ、２ｃ、３ｄ、３ｅ、２ｆが切断位置５において切断されている。従来技術と同様にして、ヒューズの切断後の状態を（２進数に見立て）数値として表し、プルアップ側のヒューズが切断されてプルダウン状態にある部分を「０」、プルダウン側のヒューズが切断されてプルアップ状態にある部分を「１」とすると、この例では、図の左側から「０１０１１０」即ち「１６ｈ」を表している。
【００３２】
さらに、本発明の実施の形態１においては、ヒューズの切断位置によって管理情報（管理番号）を表わしている。図１において、Ａ−Ａ’で示す線が管理番号用ビット境界線である。この管理番号用ビット境界線のどちら側（図では上若しくは下のどちら側）にあるかによって情報が表される。この例では、管理番号用ビット境界線の上側を「１」、下側を「０」としている。図の左側から「上下上上下上」と並んでいるから、これを「１」、「０」に置き換えると、「１０１１０１」となる。この「１０１１０１」を１６進数で表記すると２Ｄｈである。
【００３３】
ここで、一ウエハ上で形成されるＬＳＩ数は２００〜３０００個程度であるので、ウエハ単位での識別を別とすれば個体を識別するためのビット数は１２ビット程度で十分である。この場合、１ロット当りのウエハ枚数が２０〜３０枚程度であれば、ウエハ別の管理を行なった場合でも１７ビットあれば十分である。
【００３４】
続いて、前工程におけるヒューズの切断フローについて図２に示すフローチャートを用いて説明する。以下のステップＳ１０１乃至Ｓ１０７は、半導体集積回路のテスト装置であるＬＳＩテスタにおいて実行する。
【００３５】
まず、特性テストを開始するときに管理番号の初期化を行なう（Ｓ１０１）。次に、特性テストを実行する（Ｓ１０２）。この特性テストの結果に基づいて切断すべきヒューズの座標を算出する（Ｓ１０３）。
【００３６】
さらに、予めＬＳＩ毎に決定された管理番号に基づいて、各ヒューズにおける座標オフセットを算出し、ステップＳ１０３において算出されたヒューズ座標に対して加算する（Ｓ１０４）。加算することによって得られたヒューズ切断座標情報を所定の記憶媒体に記録する（Ｓ１０５）。
【００３７】
次に管理番号を更新する（Ｓ１０６）。例えば、直前の管理番号に対して１を加えて更新後の管理番号を生成する。管理番号を更新した後、更新前の管理番号に対応するＬＳＩが最後のＬＳＩかどうかを判定する（Ｓ１０７）。判定の結果、最後のＬＳＩでないと判定された場合には、ウエハ上のＬＳＩ座標を更新してステップＳ１０２を実行する。判定の結果、最後のＬＳＩであると判定された場合には、ステップＳ１０８に移行する。ステップＳ１０８においては、全てのＬＳＩについてヒューズ切断座標の算出が完了したことになるから、ＬＳＩをヒューズ切断装置へ搬送する。そして、ヒューズ切断装置においては、算出されたヒューズ切断座標に基づいてヒューズの切断を実行する。
【００３８】
続いて、切断処理が行われたヒューズの切断位置の確認について説明する。ダイシング及びパッケージ組立工程後、各ＬＳＩ個体に対し開封処理を行う。この処理によりＬＳＩの表面が露出する。そして露出したＬＳＩ表面におけるヒューズの切断座標を確認することによって管理番号を読み取る。これにより、後工程における特性テスト結果と前工程において記録したヒューズ切断座標情報との対応を求めることができる。
【００３９】
以上説明したように、本発明の実施の形態１では、回路特性の調整のための情報のみならず、ヒューズの切断位置によってさらに管理情報を表すことができるようにしたため、ヒューズ及びヒューズ切断の量を増加させずに、情報量を増加させることが可能となる。特に、この例では、ＬＳＩの個体識別を可能とする管理番号をヒューズの切断位置によって表すようにしているため、ヒューズを観察することにより個々のＬＳＩを識別することができる。
【００４０】
また、ＬＳＩの個体管理が可能となることに伴って、ヒューズ切断による回路調整を最適化するための解析がスムーズになる。さらに、ＬＳＩ個体の一般的なトレース管理にも用いることができる。
【００４１】
発明の実施の形態２．
本発明の実施の形態２では、ヒューズの切断位置及び切断数の双方によって、さらに情報を表わすことができるようにしている。ここでは、ヒューズの切断位置及び切断数により４進数による管理番号をそれぞれのＬＳＩに対して付与している。
【００４２】
図３にトリミング後のヒューズの様子を示す。各ヒューズの接続形態については、発明の実施の形態１と同様のため、説明を省略する。この例では、回路特性を調整するために、図上左側からヒューズ２ａ、３ｂ、２ｃ、３ｄ、３ｅ、２ｆが切断位置５において切断されている。従来技術と同様にして、ヒューズの切断後の状態を（２進数に見立て）数値として表し、プルアップ側のヒューズが切断されてプルダウン状態にある部分を「０」、プルダウン側のヒューズが切断されてプルアップ状態にある部分を「１」とすると、この例では、図の左側から「０１０１１０」即ち「１６ｈ」を表わしている。
【００４３】
さらに、本発明の実施の形態２においては、ヒューズの切断位置及び切断数によって管理情報（管理番号）を表わしている。図３において、Ａ−Ａ’で示す線が管理番号用ビット境界線である。この管理番号用ビット境界線のどちら側（図では上若しくは下のどちら側）にあるかによって情報が表される。さらに、切断数が１つか又は２つかによっても情報が表わされる。この例では、管理番号用ビット境界線の下側が切断されている場合には「０」又は「１」を表わしている。この場合において、切断数が一つの場合には「０」を、切断数が二つの場合には「１」を表わしている。また、管理番号用ビット境界線の上側が切断されている場合には「２」又は「３」を表わしている。この場合において、切断数が一つの場合には「２」を、切断数が二つの場合には「３」を表わしている。
【００４４】
そうすると、管理番号は「３１２１０３」となる。この「３１２１０３」を１０進数で表記すると「３４７５」である。
【００４５】
以上説明したように、本発明の実施の形態２では、回路特性の調整のための情報のみならず、ヒューズの切断位置及び切断数によってさらに管理情報を表すことができるようにしたため、情報量を増加させることが可能となる。特に、この例では、ＬＳＩの個体識別を可能とする管理番号をヒューズの切断位置によって表すようにしているため、ヒューズを観察することにより個々のＬＳＩを識別することができる。
【００４６】
その他の実施の形態．
管理情報は、切断数のみによって表わすことも可能である。例えば、切断数が１の場合に「０」を、切断数が２の場合に「１」を、切断数が３の場合に「２」を表わすようにしてもよい。
【００４７】
上述の発明の実施の形態においては、切断位置は境界線を一本設けて、境界線のいずれ側かによって情報を表わすようにしたが、これに限らず、境界線を二本以上設けることにより３以上の領域に分けて、どの領域に切断位置があるかに応じて情報を表わすようにしてもよい。
【００４８】
上述の例では、管理情報はＬＳＩ個体の識別情報であったが、これに限らない。例えば、管理情報には、ロットの識別情報、ウエハの識別情報、フォーマットコード、配線着工年度、配線ロット月コード、配線ロット番号サフィックス、チップアドレス、トリミング情報等が含まれる。
【００４９】
なお、上述の例では、回路特性の調整のために用いられるヒューズを切断する位置及び／又は切断数によって管理情報を表わすようにしたが、回路特性の調整のために用いられるヒューズとは独立して設けられた専用のヒューズを切断する位置及び／又は切断数によって管理情報を表わすようにしてもよい。なお、ヒューズの切断は、完全な切断のみを意味するものではなく、例えばレーザによってヒューズに穴を設ける場合もこの概念に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明を適用したＬＳＩのヒューズ部分を示す模式図である。
【図２】本発明にかかるヒューズの切断処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明を適用したＬＳＩのヒューズ部分を示す模式図である。
【図４】従来のＬＳＩのヒューズ部分を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  プルアップ電源
２  ヒューズ
３  ヒューズ
４  プルダウン電源
【図１】
2005302755.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005302755.tif 000005
【図４】
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