(57)【要約】【課題】反射面のばらつきを小さくした微小ミラーデバイスの形成方法を提供する。【解決手段】    微小ミラーデバイスを形成する方法は、導電材料（２２４）を下部構造（２００）上に堆積させること、犠牲材料の第１の層（２３０）を前記導電材料を覆って形成すること、犠牲材料の前記第１の層を通して、ヒンジ素子（１４１）を前記導電材料とつなげることを含んで、犠牲材料の前記第１の層を覆って前記ヒンジ素子（１４１）を形成すること、前記ヒンジ素子（１４１）を覆って犠牲材料の前記第２の層（２７０）を形成すること、犠牲材料の前記第２の層を形成した後、犠牲材料の前記第２の層（２７０）を貫通して前記ヒンジ素子まで差し込み式バイア（２９０）を形成すること、前記差し込み式バイアおよび犠牲材料の前記第２の層を覆って反射素子（１４２）を形成すること、および前記差し込み式バイアを用いて前記ヒンジ素子に対して前記反射素子を支持することを含んで、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層を実質的に除去することを含むことを特徴とする方法。【選択図】  図５Ｎ
2005115370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小ミラーデバイスを形成する方法であって、
導電材料を下部構造上に堆積させること、
犠牲材料の第１の層を前記導電材料を覆って形成すること、
犠牲材料の前記第１の層を通して、ヒンジ素子を前記導電材料とつなげることを含んで、犠牲材料の前記第１の層を覆って前記ヒンジ素子を形成すること、
前記ヒンジ素子を覆って犠牲材料の前記第２の層を形成すること、
犠牲材料の前記第２の層を形成した後、犠牲材料の前記第２の層を貫通して前記ヒンジ素子まで差し込み式バイアを形成すること、
前記差し込み式バイアおよび犠牲材料の前記第２の層を覆って反射素子を形成すること、および
前記差し込み式バイアを用いて前記ヒンジ素子に対して前記反射素子を支持することを含んで、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層を実質的に除去することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記反射素子を形成することは、該反射素子の全体を覆ってほぼ平坦な表面を有する前記反射素子を形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項３】
前記ヒンジ素子を形成することは、犠牲材料の前記第１の層において前記導電材料までの開口部を形成すること、前記開口部内で、かつ犠牲材料の前記第１の層を覆って第１の材料を堆積させること、前記第１の材料上に保護材料を堆積させ、パターン形成すること、および前記保護材料および前記第１の材料を覆って第２の材料を堆積させることを含み、前記第１の材料の一部を露出させるように前記第２の材料および前記保護材料の一部を除去することを含むことを特徴とする請求項１に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項４】
前記差し込み式バイアを形成することは、犠牲材料の前記第２の層を貫通して前記ヒンジ素子までの開口部を形成すること、前記開口部内に保護材料を堆積させること、および前記開口部を充填材料で充填することを含むことを特徴とする請求項１に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項５】
前記反射素子を形成することは、前記差し込み式バイアの前記充填材料を前記反射素子と接触させることを含むことを特徴とする請求項４に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項６】
前記差し込み式バイアの充填材料は、シリコン、酸化物、金属、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする請求項４に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項７】
犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層を実質的に除去することは、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項１に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項８】
犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層をエッチングすることは、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層をドライエッチングすることを含むことを特徴とする請求項７に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項９】
犠牲材料は、シリコン、酸化物、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【請求項１０】
下部構造と、
前記下部構造上にパターン形成された導電材料と、
前記下部構造を覆って支持され、前記導電材料とつながったヒンジ素子と、
前記ヒンジ素子を覆って支持される反射素子と、
前記ヒンジ素子と前記反射素子との間に延びる支持部とを備え、
前記支持部には、充填材料が充填され、前記反射素子は、前記充填材料と接触することを特徴とする微小ミラーデバイス。
【請求項１１】
前記反射素子は、該反射要素の全体を覆ってほぼ平坦な表面を有することを特徴とする請求項１０に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１２】
前記導電材料を覆って形成される第１の犠牲層であって、前記ヒンジ素子は、前記第１の犠牲層を覆って形成されるようになっている第１の犠牲層と、
前記ヒンジ素子を覆って形成される第２の犠牲層であって、前記反射素子は、前記第２の犠牲層を覆って形成されるようになっている第２の犠牲層とをさらに有し、
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層は、前記ヒンジ素子および前記反射素子が形成された後に、エッチプロセスによって除去されるようになっていることを特徴とする請求項１０に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１３】
前記第２の犠牲層は、前記ヒンジ素子まで該第２の犠牲層の中で開口部を形成されるようになっており、前記支持部は、前記反射素子が前記第２の犠牲層を覆って形成される前に、前記開口部内に形成され、前記充填材料で充填されるようになっており、前記反射素子は、前記第２の犠牲層および前記充填材料に覆って形成されるようになっていることを特徴とする請求項１２に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１４】
前記充填材料は、前記反射素子が前記第２の犠牲層および前記充填材料を覆って形成される前に平坦化されるようになっていることを特徴とする請求項１３に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１５】
前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層は、シリコン、酸化物、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１６】
前記充填材料は、シリコン、酸化物、金属、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１７】
前記支持部は、前記ヒンジ素子と前記反射素子との間に延びる導電バイアを構成することを特徴とする請求項１０に記載の微小ミラーデバイス。
【請求項１８】
前記下部構造は、基材および該基材上に形成された少なくとも１つの導電層を含み、前記導電材料は、前記下部構造の少なくとも１つの導電層とつながっていることを特徴とする請求項１０に記載の微小ミラーデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小電気機械システム及びその形成方法に関し、特に微小ミラーデバイス（マイクロ−ミラーデバイス）及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（すなわち、ＭＥＭＳ）デバイスは、微小電子回路と一体化された微細加工基板を含む。このようなデバイスは、たとえば、電磁、電歪、熱電気、圧電、または圧電抵抗効果に基づいて動作する、たとえば、微小センサまたは微小アクチュエータを形成することができる。ＭＥＭＳデバイスは、フォトリソグラフィー、蒸着、およびエッチングなどの微小電子技法を用いて絶縁体または他の基板上に形成されている。
【０００３】
ＭＥＭＳデバイスの例としては、微小ミラーデバイスが挙げられる。微小ミラーデバイスは、入射光の振幅および／または位相調節（phase modulation）用の光調節器として動作することができる。微小ミラーデバイスの１つの用途は、ディスプレイシステムにある。したがって、複数の微小ミラーデバイスは、各微小ミラーデバイスがディスプレイの１つのセルまたは画素を提供するようなアレイ（配列）で配列されている。
【０００４】
従来の微小ミラーデバイスには、ミラーの軸を中心に回転するように支持された静電駆動されるミラーが含まれる。したがって、軸を中心としたミラーの回転を用いて入射光を調節して、入射光を異なる方向に送ることができる。入射光を異なる方向に送るために、ミラーは、入射光を反射する反射面を含むことができる。残念なことに、反射面のばらつきや起伏によって、ミラーの反射率は低下し、かつ／または光の干渉が生じ、それによって、ミラーのコントラスト比は低下または減少する可能性がある。
【０００５】
上記および他の理由により、本発明が必要とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
反射面のばらつきを小さくしたＭＥＭＳデバイス（例えば微小ミラーデバイス）の形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの態様は、ＭＥＭＳデバイスを形成する方法を提供する。この方法は、下部構造上に導電材料を堆積させること、第１の犠牲層のほぼ平坦な表面を形成することを含んで、前記導電材料を覆って前記第１の犠牲層を形成すること、および前記第１の犠牲層を通して第１の素子を前記導電材料とつなぐことを含んで、前記第１の犠牲層の前記ほぼ平坦な表面を覆って前記第１の素子を形成することを含む。さらに、この方法は、第２の犠牲層のほぼ平坦な表面を形成することを含んで、前記第１の素子を覆って前記第２の犠牲層を形成すること、支持部を充填かつ形成することを含む、前記第２の犠牲層を形成した後、前記第２の犠牲層を通して前記第１の素子に支持部を形成すること、および前記支持部および前記第２の犠牲層の前記ほぼ平坦な表面を覆って第２の素子を形成することを含む。したがって、この方法はさらに、前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を実質的に除去し、それによって、前記支持部を用いて前記第１の素子に対して前記第２の素子を支持することをさらに含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下の詳細な説明では、説明の一部を構成し、本発明を実施することができる具体的な実施形態を例として示す添付の図面を参照する。この点において、「頂部」、「底部」、「前部」、「後部」、「先端」、「後端」等の方向に関する用語は、説明される図の向きを参照して用いられる。本発明の実施形態の構成要素は、複数の異なる向きで位置することができるため、これらの方向に関する用語は、例示を目的として用いられ、限定するものではない。他の実施形態が利用され、構造または論理的な変更を、本発明の範囲から逸脱せずに行うことができることを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は限定を意味するものではなく、本発明の範囲は、添付の請求項によって規定される。
【０００９】
図１は、微小ミラーデバイス１０（微小反射鏡素子）の１つの実施形態を示す。微小ミラーデバイス１０は、電気−機械変換によって力を生成し、本体または素子を移動または駆動させる微小アクチュエータである。１つの実施形態では、以下に述べるように、複数の微小ミラーデバイス１０が、微小ミラーデバイスのアレイを形成するように配列される。したがって、微小ミラーデバイスのアレイは、ディスプレイを形成するように用いられることができることができる。したがって、各微小ミラーデバイス１０は、入射光を調節するための光調節器を構成し、ディスプレイの１つのセルまたは画素を提供する。さらに、微小ミラーデバイス１０はまた、プロジェクタ等の他のイメージングシステムにおいても用いられ、光学アドレッシング用にも用いられることができる。
【００１０】
１つの実施形態では、以下に述べるように、微小ミラーデバイス１０は、デバイスの反射面のばらつきを最小にするか、または減らすように形成される。たとえば、１つの実施形態では、微小ミラーデバイス１０の反射素子は、その全体を覆ってほぼ平坦な表面で形成されている。したがって、微小ミラーデバイス１０の反射率は、向上するかつ／または微小ミラーデバイス１０からの光の干渉は低減され得る。このように、微小ミラーデバイス１０のコントラスト比は改善されることができる。
【００１１】
１つの実施形態では、図１に示されるように、微小ミラーデバイス１０は、基板２０、プレート（又は板）３０、および駆動素子４０を含む。好ましくは、プレート３０は、基板２０の表面２２とほぼ平行な向きにされ、表面２２から間隔を置いて、その間に空洞５０を画定する。駆動素子４０は、基板２０の表面２２とプレート３０との間に挿入される（interposed）。したがって、駆動素子４０は、空洞５０内に位置する。１つの実施形態では、駆動素子４０は、基板２０の表面２２から延びる支持部、すなわち、ポスト２４によって基板２０に対して支持されている。
【００１２】
１つの実施形態では、駆動素子４０は、基板２０およびプレート３０に対して、第１の位置４７と第２の位置４８との間で移動するように駆動される。好ましくは、駆動素子４０は、回転軸を中心にある角度だけ移動または傾斜する。したがって、駆動素子４０の第１の位置４７は、基板２０とほぼ水平かつほぼ平行になるように示され、駆動素子４０の第２の位置４８は、第１の位置４７に対してある角度をもった向きにされるように示されている。基板２０およびプレート３０に対する駆動素子４０の移動または駆動については、以下に詳細に記載される。
【００１３】
好ましくは、プレート３０は、透明プレート３２であり、駆動素子４０は、反射素子４２である。１つの実施形態では、透明プレート３２は、ガラスプレートである。しかし、他の適切な平坦な半透明または透明な材料を用いてもよい。このような材料の例としては、石英およびプラスチックが挙げられる。
【００１４】
反射素子４２は、反射面４４を含む。１つの実施形態では、反射素子４２は、反射面４４を形成するように、適当な反射率を有する均一な材料で形成される。このような材料の例としては、ポリシリコンまたはアルミニウム等の金属が挙げられる。他の実施形態では、反射素子４２は、１つまたは複数の側にアルミニウムまたは銀等の反射材料が配置されたポリシリコン等の基材で形成されている。さらに、反射素子４２は、非導電材料で形成されるか、または導電材料で形成されるかもしくはこれを含んでよい。
【００１５】
図１の実施形態に示されているように、微小ミラーデバイス１０は、基板２０と対向する透明プレート３２の片側に設けられた光源（図示せず）によって生成される光を調節する。光源は、たとえば、周囲光および／または人工光を含み得る。したがって、透明プレート３２に入射する入力光１２は、透明プレート３２を通過して空洞５０に至り、反射素子４２の反射面４４によって出力光１４として反射される。このように、出力光１４は、空洞５０から出て、透明プレート３２を通って戻る。
【００１６】
出力光１４の方向は、反射素子４２の位置によって決まるかまたは制御される。たとえば、反射素子４２が第１の位置４７にあるとき、出力光１４は、第１の方向１４ａに方向づけられる。しかし、反射素子４２が第２の位置４８にあるとき、出力光１４は、第２の方向１４ｂに方向づけられる。このように、微小ミラーデバイス１０は、入力光１２によって生成される出力光１４の方向を調節するすなわち変更する。したがって、反射素子４２は、光学イメージングシステム（光学画像形成システム）に入る、かつ／または光学イメージングシステムから出るように光を操作するために用いられることができる。
【００１７】
１つの実施形態では、第１の位置４７は、反射素子４２の中立な位置であり、以下に述べるように、光が、たとえば、ビューアまたは表示画面に反射される微小ミラーデバイス１０の「ＯＮ」状態を示す。このように、第２の位置４８は、反射素子４２の駆動位置であり、光が、たとえば、ビューアまたは表示画面に反射されない微小ミラーデバイス１０の「ＯＦＦ」状態を示す。
【００１８】
１つの実施形態では、反射素子４２は、電気信号を基板２０上に形成された電極６０に印加することによって、第１の位置４７と第２の位置４８との間で移動する。１つの実施形態では、電極６０は、反射素子４２の端部または縁部に隣接した基板２０の表面２２上に形成されている。電極６０に電気信号を印加することによって、電極６０と反射素子４２との間に電界が生じ、それによって、反射素子４２は、第１の位置４７と第２の位置４８との間で移動する。好ましくは、電気信号が電極６０から取り除かれると、反射素子４２は、ある期間だけ、第２の位置４８を持続または保持する。その後、反射素子４２の回復力は、反射素子４２を第１の位置４７まで引っ張るすなわち戻す。
【００１９】
１つの実施形態では、導電バイア（又はスルーホール）２６は、ポスト２４内に形成され、ポスト中に延びている。導電バイア２６は、反射素子４２と電気接続し、さらに具体的には、反射素子４２の導電材料と電気接続している。したがって、反射素子４２は、電気信号を電極６０および反射素子４２に印加することによって、第１の位置４７と第２の位置４８との間で移動する。さらに具体的には、電極６０は、１つの極性に電圧を印加され、反射素子４２の導電材料は、反対の極性に電圧を印加される。このように、１つの極性の電気信号を電極６０に印加し、反対の極性の電気信号を反射素子４２に印加することにより、電極６０と反射素子４２との間に電界が生じ、反射素子４２は、第１の位置４７と第２の位置４８との間で移動する。
【００２０】
他の実施形態では、反射素子４２は、電気信号を反射素子４２に印加することによって、第１の位置４７と第２の位置４８との間で移動する。さらに具体的には、電気信号は、ポスト２４を通して導電バイア２６によって反射素子４２の導電材料に印加される。したがって、反射素子４２に電気信号を印加することによって、第１の位置４７と第２の位置４８との間で反射素子４２を移動させる電界が生じる。
【００２１】
微小ミラーデバイス１０の駆動のさらなる実施形態は、２００２年４月３０日に出願された「微小ミラーデバイス（Micro-Mirror Device）」という名称の米国特許出願第１０／１３６，７１９号に記載されている。
【００２２】
図２は、駆動素子４０の例としての反射素子４２の１つの実施形態を示す。反射素子４２は、反射面４４を有し、ほぼ矩形（又は長方形）の外側部分８０およびほぼ矩形の内側部分８４を含む。１つの実施形態では、反射面４４は、外側部分８０および内側部分８４の両方に形成されている。外側部分８０は、ほぼ矩形（又は長方形）の開口部８２を形成するように配置された４つの連続した側部８１を有する。したがって、内側部分８４は、開口部８２内に位置する。好ましくは、内側部分８４は、開口部８２内に対称に位置する。
【００２３】
１つの実施形態では、一対のヒンジ８６（又は捩れ素子）は、内側部分８４と外側部分８０との間に延びる。ヒンジ８６は、内側部分８４の対向し合う側または縁部から、隣接する外側部分８０の対向する側または縁部へと延びる。好ましくは、外側部分８０は、対称軸に沿ってヒンジ８６によって支持されている。さらに具体的には、外側部分８０は、その対向する縁部の真中を通って延びる軸を中心に支持されている。したがって、ヒンジ８６は、上記のように（図１）、第１の位置４７と第２の位置４８との間での反射素子４２の移動（回転または捩れ）を容易にする。さらに具体的には、ヒンジ８６は、内側部分８４に対する第１の位置４７と第２の位置４８との間の外側部分８０の移動を容易にする。
【００２４】
１つの実施形態では、ヒンジ８６は、反射面４４とほぼ平行な向きにされた長手方向軸８９を有するねじり部材８８を有する。長手方向軸８９は、同一線上にあり、反射素子４２の対称軸と一致する。したがって、ねじり部材８８は、長手方向軸８９をねじるかまたはそれ中心に回転し、内側部分８４に対する、第１の位置４７と第２の位置４８との間での外側部分８０の移動に対応する。
【００２５】
１つの実施形態では、反射素子４２は、基板２０の表面２２から延びる支持部すなわちポスト２４によって、基板２０に対して支持されている。さらに具体的には、ポスト２４には、反射素子４２の内側部分８４を支持し、反射素子４２の外側部分８０は、内側部分８４から延びるヒンジ８６によって支持される。１つの実施形態では、ポスト２４には、内側部分８４を通って基板２０の導電層まで延びる導電バイア２６が形成されている。
【００２６】
図３および図４は、微小ミラーデバイス１００の他の実施形態を示す。微小ミラーデバイス１００は、微小ミラーデバイス１０と同様であり、基板２０、プレート３０、および基板２０とプレート３０との間に画定される空洞５０を含む。１つの実施形態では、上記のように、プレート３０は、透明プレート３２を含み、基板２０は、基板２０の表面２２上に形成された１つまたは複数の電極６０を含む。
【００２７】
図３および図４の実施形態において示すように、微小ミラーデバイス１００は、基板２０と、プレート３０との間に支持された駆動素子１４０を含む。１つの実施形態では、駆動素子１４０は、ヒンジ素子１４１および反射素子１４２を含む。したがって、反射素子１４２は、反射面１４４を含む。このように、上記のように、入力光１２（図１）は、入力光１２が反射素子４２の反射面４４によって反射される方法と同様に、反射素子１４２の反射面１４４によって反射される。
【００２８】
１つの実施形態では、反射素子１４２は、ヒンジ素子１４１を覆って延び、支持部１２４によってヒンジ素子１４１から支持され、ヒンジ素子１４１は、基板２０を覆って延び、支持部１２５によって基板２０から支持される。１つの実施形態では、支持部１２４および１２５は、反射素子１４２とヒンジ素子１４１との間、およびヒンジ素子１４１と基板２０との間でそれぞれ延びる導電バイアを構成する。
【００２９】
図３に示す１つの実施形態では、ヒンジ素子１４１は、一対の支持部１２５によって支持され、ヒンジ１８６（又は捩れ素子）によって支持部１２５から支持される接続部またはヨーク１８２を含む。１つの実施形態では、ヨーク１８２は、支持部１２４したがって、反射素子１４２を支持する。したがって、以下に述べるように、ヒンジ１８６は、ヨーク１８２の支持部１２５に対する移動に適合し、反射素子１４２の移動（回転）が容易になる。
【００３０】
微小ミラーデバイス１００の駆動は、駆動素子１４０のヒンジ素子１４１および反射素子１４２の両方が駆動されることを除いて、上記のように、微小ミラーデバイス１０の駆動と同様である。したがって、ヒンジ素子１４１および反射素子１４２はともに、電気信号を基板２０上に形成された電極６０に印加することによって第１の位置１４７と第２の位置１４８との間で移動する。電極６０に電気信号を印加することによって、電極６０と、ヒンジ素子１４１および／または反射素子１４２との間に電界が生じ、ヒンジ素子１４１および反射素子１４２を第１の位置１４７と第２の位置１４８との間で移動させる。
【００３１】
図５Ａ〜図５Ｎは、微小ミラーデバイス１００の駆動素子１４０を含む、微小ミラーデバイス１００を形成する１つの実施形態を示す。１つの実施形態では、上記のように、微小ミラーデバイス１００の駆動素子１４０は、ヒンジ素子１４１および反射素子１４２を含む。したがって、図５Ａ〜図５Ｎは、ヒンジ素子１４１および反射素子１４２を形成する１つの実施形態を含む。
【００３２】
図５Ａに示す１つの実施形態では、微小ミラーデバイス１００は、下部構造２００上に形成される。１つの実施形態では、下部構造２００は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）構造を含む。したがって、下部構造２００は、基材２１０および基材２１０の第１の側２１２に形成された少なくとも１つの導電層を含む。導電層２２０は、たとえば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含む。導電層２２０は、たとえば、堆積によって形成され、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパターン形成（パターニング）される。
【００３３】
１つの実施形態では、下部構造２００は、基材２１０の第１の側２１２に形成された誘電体層２１４を含む。したがって、下部構造２００の導電層２２０は、誘電体層２１４を覆って形成される。誘電体層２１４は、たとえば、テトラエチルオルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）等の酸化シリコンを含む。１つの実施形態では、たとえば、誘電体層２１４を含む下部構造２００の堆積層は、下部基板２００の形成中に平坦化され、微小ミラーデバイス１０用のほぼ平坦な基板を作成する。
【００３４】
１つの実施形態では、導電層２２０の導電材料は、下部構造２００の電気接触領域２０２、および下部構造２００の駆動領域２０４を形成する。以下に述べるように、電気接触領域２０２は、微小ミラーデバイス１００への電気接続がなされる領域を画定し、駆動領域２０４は、微小ミラーデバイス１００の駆動素子１４０が形成される領域を画定する。したがって、下部構造２００の導電層２２０は、ＣＭＯＳ回路の内部接続レベル（interconnect level）を構成する。
【００３５】
図５Ａの実施形態に示すように、下部構造２００上に微小ミラーデバイス１００を形成するために、誘電体層２２２は、下部構造２００の導電層２２０を覆って形成される。したがって、誘電体層２２２は、上記のように、基板２０の表面２２を形成する。１つの実施形態では、誘電体層２２２は、誘電材料を導電層２２０を覆って堆積させることによって形成される。誘電材料は、たとえば、ＴＥＯＳまたは他の形態の酸化シリコンを含む。１つの実施形態では、以下に述べるように、誘電体層２２２の誘電材料は、平坦化され、電極６０が形成されるほぼ平坦な表面を作成する。
【００３６】
誘電体層２２２が導電層２２０を覆って形成された後、導電材料２２４は、誘電体層２２２上に堆積され、パターン形成される。１つの実施形態では、導電材料２２４は、下部構造２００の駆動領域２０４内に堆積され、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパターン形成される。したがって、導電材料２２４は、誘電体層２２２上に電極２２５を画定する。１つの実施形態では、導電材料２２４は、アルミニウム、またはアルミニウムシリコン合金等のアルミニウム合金を含む。
【００３７】
１つの実施形態では、導電材料２２４は、誘電体層２２２を通して形成された導電バイア２２６によって下部構造２００の導電層２２０とつながっている。図５Ａは、下部構造２００を概略的に示すものであり、導電層および導電層間に形成された導電バイアの実際の構造は、示されるものよりもさらに複雑であってよいことを理解されたい。
【００３８】
１つの実施形態では、図５Ａに示されるように、導電層２２０の導電材料は、パターン形成され、微小ミラーデバイス１００用の電気接触パッド２２１を形成する。電気接触パッド２２１は、たとえば、下部構造２００の電気接触領域２０２内に形成される。したがって、開口部２２３は、誘電体層２２２を通して電気接触パッド２２１上に形成される。このように、電気接触パッド２２１は、微小ミラーデバイス１００用の電気接続点を提供する。
【００３９】
図５Ｂの実施形態に示すように、微小ミラーデバイス１００の駆動素子１４０を形成するため、犠牲層２３０は、開口部２２３内を含む、導電材料２２４および誘電体層２２２を覆って形成される。１つの実施形態では、犠牲層２３０は、犠牲材料を導電材料２２４および誘電体層２２２を覆って堆積させることによって形成される。犠牲層２３０を形成する材料は、たとえば、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ促進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）によって堆積されるか、またはスピンオン（spin on、回転塗布）される。１つの実施形態では、犠牲層２３０を形成する材料としては、たとえば、シリコン、ＴＥＯＳ等の酸化物、またはフォトレジストが挙げられる。犠牲層２３０は、以下に述べるように、犠牲層２３０を形成する材料が、駆動素子１４０を形成しながら、次の処理中に実質的に除去される点で犠牲にされる。つまり、犠牲層とは、次の処理中に実質的に除去される層のことであり、犠牲材料とは、次の処理中に実質的に除去される材料のことである。
【００４０】
犠牲層２３０の材料が導電材料２２４および誘電体層２２２を覆って堆積された後、材料は平坦化されて、犠牲層２３０のほぼ平坦な表面２３２を形成する。１つの実施形態では、犠牲層２３０の材料は、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスによって平坦化される。
【００４１】
次に、図５Ｃの実施形態に示すように、マスク層２４０は、犠牲層２３０を覆って形成される。１つの実施形態では、マスク層２４０は、堆積によって形成され、たとえば、フォトリソグラフィーまたはエッチングによってパターン形成され、犠牲層２３０の領域を露出し、犠牲層２３０を貫通して開口部２３４を導電材料２２４上に画定する。
【００４２】
１つの実施形態では、犠牲層２３０を貫通した開口部２３４は、化学エッチングによって形成される。このように、マスク層２４０は、開口部２３４をエッチングするために用いられるエッチング剤に耐性のある材料で形成される。マスク層２４０に適した材料の例としては、二酸化シリコンまたは窒化シリコン等のハードマスク材料、あるいはフォトレジスト等の光撮像可能な（photoimageble）材料が挙げられる。開口部２３４が形成された後、マスク層２４０は、剥されるかまたは除去される。
【００４３】
図５Ｄ〜図５Ｆの実施形態に示すように、開口部２３４が犠牲層２３０を貫通して形成され、マスク層２４０が除去された後、駆動素子１４０のヒンジ素子１４１が形成される。ヒンジ素子１４１は、たとえば、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を犠牲層２３０を覆って堆積させ、その材料をヒンジ素子１４１を画定するようにパターン形成することによって形成される。材料は、たとえば、物理蒸着法（ＰＶＤ）、ＣＶＤ、またはＰＥＣＶＤによって堆積され、たとえば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパターン形成される。
【００４４】
図５Ｄの実施形態に示すように、駆動素子１４０のヒンジ素子１４１は、第１の材料２５０を犠牲層２３０を覆って、かつ犠牲層２３０の開口部２３４内に堆積させることによって形成される。１つの実施形態では、開口部２３４内に堆積された材料２５０は、犠牲層２３０を貫通して導電材料２２４までの導電バイア２５１を形成する。このように、材料２５０は、導電材料を含む。１つの実施形態では、たとえば、材料２５０は、アルミニウムまたはアルミニウムシリコン合金等のアルミニウム合金を含む。
【００４５】
１つの実施形態では、導電バイア２５１は、微小ミラーデバイス１００のポスト１２５（図３および図４）を形成する。したがって、導電バイア２５１は、以下に述べるように、ヒンジ素子１４１を下部構造２００に対して支持する。さらに、１つの実施形態では、材料２５０は、ヒンジ素子１４１のヒンジ材料を構成し、微小ミラーデバイス１００のヒンジ１８６（図３）を形成する。
【００４６】
図５Ｄに示す１つの実施形態では、材料２５０が犠牲層２３０を覆って堆積された後、保護材料２５２は、材料２５０上に堆積され、パターン形成される。１つの実施形態では、保護材料２５２は、堆積によって堆積され、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパターン形成され、微小デバイス１００のヒンジ１８６（図３）が形成される位置を画定する。さらに具体的には、保護材料２５２は、以下に述べるように、ヒンジ１８６を形成する材料２５０の領域を保護するようにパターン形成される。１つの実施形態では、保護材料２５２は、ＴＥＯＳまたは他の形態の酸化シリコンを含む。
【００４７】
次に、図５Ｅの実施形態に示すように、ヒンジ素子１４１は、さらに、保護材料２５２および材料２５０を覆って第２の材料２５４を堆積することによって形成される。１つの実施形態では、材料２５４は、ヒンジ素子１４１のヨーク材料を構成し、微小ミラーデバイス１００のヨーク１８２（図３）を形成する。１つの実施形態では、たとえば、材料２５４は、アルミニウム、またはアルミニウムシリコン合金等のアルミニウム合金を含む。
【００４８】
図５Ｅに示す１つの実施形態では、材料２５４が保護材料２５２および材料２５０を覆って堆積された後、マスク層２６０は、材料２５４を覆って形成される。１つの実施形態では、マスク層２６０は、堆積によって形成され、たとえば、フォトリソグラフィーまたはエッチングによってパターン形成され、マスク層２６０内に開口部２６２を形成し、材料２５４の領域を露出する。したがって、材料２５４の露出領域には、材料２５４および保護材料２５２が除去され、ヒンジ素子１４１のヒンジ１８６（図３）を形成する位置を画定する領域が含まれる。１つの実施形態では、開口部２６２の寸法Ｄ１は、保護材料２５２の寸法Ｄ２よりも小さい。したがって、保護材料２５２は、以下に述べるように、ヒンジ１８６を形成している間、材料２５０を保護する。
【００４９】
図５Ｆの実施形態に示すように、ヒンジ１８６は、材料２５４および保護材料２５２を貫通して、材料２５０まで開口部２５６を形成することによって形成される。１つの実施形態では、開口部２５６は、マスク層２６０の開口部２６２を通して化学エッチングによって形成される。したがって、保護材料２５２は、材料２５０へのエッチングを防ぎ／または制御する。開口部２５６が形成された後、マスク層２６０が剥されるかまたは除去される。
【００５０】
次に、図５Ｇの実施形態に示すように、ヒンジ素子１４１が形成された後、犠牲層２７０は、開口部２５６内を含む、ヒンジ素子１４１を覆って形成される。１つの実施形態では、犠牲層２７０は、ヒンジ素子１４１を覆って犠牲材料を堆積させることによって形成される。犠牲層２７０を形成する材料は、たとえば、ＣＶＤもしくはＰＥＣＶＤによって堆積されるか、またはスピンオンされる。１つの実施形態では、犠牲層２７０を形成する材料には、たとえば、シリコン、ＴＥＯＳ等の酸化物、またはフォトレジストが含まれる。犠牲層２７０は、以下に述べるように、犠牲層２７０を形成する材料が、駆動素子１４０を形成しながら、次の処理中に実質的に除去されるという点で犠牲にされている。
【００５１】
犠牲層２７０の材料がヒンジ素子１４１を覆って堆積された後、材料は、平坦化され、犠牲層２７０のほぼ平坦な表面２７２を形成する。１つの実施形態では、犠牲層２７０の材料は、ＣＭＰプロセスによって平坦化される。
【００５２】
次に、図５Ｈの実施形態に示すように、マスク層２８０は、犠牲層２７０を覆って形成される。１つの実施形態では、マスク層２８０は、堆積によって形成され、たとえば、フォトリソグラフィーによってパターン形成され、犠牲層２７０の領域を露出した後、開口部２７４が犠牲層２７０を貫通してヒンジ素子１４１に形成される位置を画定する。
【００５３】
１つの実施形態では、犠牲層２７０を貫通した開口部２７４は、化学エッチングによって形成される。このように、マスク層２８０は、開口部２７４をエッチングするために用いられるエッチング剤に耐性のある材料で形成される。マスク層２８０に適した材料の例としては、二酸化シリコンまたは窒化シリコン等のハードマスク材料、あるいはフォトレジスト等の光撮像可能な材料が挙げられる。開口部２７４が形成された後、マスク層２８０は、剥されるかまたは除去される。
【００５４】
図５ｌおよび図５Ｊの実施形態に示されているように、開口部２７４が犠牲層２７０を貫通して形成され、マスク層２８０が除去された後、犠牲層２７０には差し込み式バイア（plugged via）２９０が形成される。１つの実施形態では、差し込み式バイア２９０は、導電性があり、微小ミラーデバイス１００のポスト１２４（図３および図４）を形成する。したがって、差し込み式バイア２９０は、以下に述べるように、ヒンジ素子１４１と反射素子１４２との間に導電性を提供し、ヒンジ素子１４１に対して反射素子１４２を支持する。
【００５５】
図５ｌに示す１つの実施形態では、差し込み式バイア２９０は、犠牲層２７０の表面２７２を覆って、かつ犠牲層２７０の開口部２７４内に、保護材料２９２を堆積することによって形成される。したがって、保護材料２９２は、ヒンジ素子１４１と接触し、１つの実施形態では、犠牲層２７０を貫通してヒンジ素子１４１まで導電バイア２９３を形成する。このように、１つの実施形態では、保護材料２９２は、導電材料を含む。１つの実施形態では、たとえば、保護材料２９２は、アルミニウムを含む。
【００５６】
図５ｌの実施形態に示すように、表面２７２を覆って、かつ犠牲層２７０の開口部２７４（図５Ｈ）内に保護材料２９２を堆積した後、充填材料２９４は、開口部２７４内を含む、保護材料２９２を覆って堆積される。したがって、充填材料（plug material、詰込み材料）２９４は、導電バイア２９３を充填する。さらに、保護材料２９２は、以下に述べるように、駆動素子１４０を形成しながら、次の処理中に充填材料２９４を保護する。
【００５７】
１つの実施形態では、充填材料２９４は、たとえば、シリコン、ＴＥＯＳ等の酸化物、アルミニウム、銅、チタンもしくはタングステン等の金属、またはフォトレジストを含む。１つの例示的な実施形態では、犠牲層２３０および２７０がシリコンで形成される場合、充填材料２９４に適した材料としては、シリコン、酸化物、金属、またはフォトレジストが含まれる。他の例示的な実施形態では、犠牲層２３０および２７０がフォトレジストで形成される場合、充填材料２９４に適した材料としては、フォトレジストが含まれる。
【００５８】
次に、図５Ｊの実施形態に示すように、充填材料２９４および保護材料２９２は平坦化される。１つの実施形態では、充填材料２９４および保護材料２９２は、犠牲層２７０に対して平坦化され、充填材料２９４のほぼ平坦な表面２９５を形成し、犠牲層２７０のほぼ平坦な表面２７２を再形成または再確立する。１つの実施形態では、充填材料２９４および保護材料２９２は、ＣＭＰプロセスによって平坦化される。
【００５９】
図５Ｋ〜図５Ｍの実施形態に示すように、犠牲層２７０のほぼ平坦な表面２７２が形成された後、駆動素子１４０の反射素子１４２が形成される。反射素子１４２は、たとえば、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を犠牲層２７０および差し込み式バイア２９０を覆って堆積させ、材料をパターン形成して反射素子１４２を画定することによって形成される。材料は、たとえば、ＰＶＤ、ＣＶＤ、またはＰＥＣＶＤによって堆積され、たとえば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパターン形成される。
【００６０】
１つの実施形態では、図５Ｋに示されるように、駆動素子１４０の反射素子１４２は、犠牲層２７０および差し込み式バイア２９０を覆って材料３００を堆積させることによって形成される。さらに具体的には、材料３００は、犠牲層２７０のほぼ平坦な表面２７２、および充填材料２９４のほぼ平坦な表面２９５に堆積される。したがって、反射素子１４２は、ほぼ平坦な表面で形成される。さらに具体的には、反射素子１４２の表面全体は、ほぼ平坦である。
【００６１】
１つの実施形態では、材料３００は、反射素子１４２の反射材料を構成し、反射素子１４２の反射表面１４４を形成する。このように、材料３００は、反射材料を含む。１つの実施形態では、たとえば、材料３００はアルミニウムを含む。
【００６２】
図５Ｋの実施形態に示すように、反射素子１４２は、差し込み式バイア２９０の充填材料２９４と接触するように形成される。したがって、差し込み式バイア２９０の充填材料２９４は、反射素子１４２の材料３００、および差し込み式バイア２９０の保護材料２９２で封入される。したがって、充填材料２９４は、以下に述べるように、駆動素子１４０を形成しながら、次の処理中に保護される。
【００６３】
図５Ｌに示す１つの実施形態では、材料３００が犠牲層２７０および差し込み式バイア２９０を覆って堆積された後、マスク層３１０は、材料３００を覆って形成される。１つの実施形態では、マスク層３１０は、堆積によって形成され、たとえば、フォトリソグラフィーによってパターン形成されて、材料３００の領域を露出し、反射素子１４２を画定する。マスク層３１０に適した材料の例としては、二酸化シリコンまたは窒化シリコン等のハードマスク材料、もしくはフォトレジスト等の光撮像可能な材料が挙げられる。
【００６４】
図５Ｍの実施形態に示すように、材料３００の露出した領域は、除去され、反射素子１４２が画定される。１つの実施形態では、材料３００の露出領域は、化学エッチングによって除去される。したがって、マスク層３１０は、反射素子１４２の反射表面１４４を保護する。材料３００の露出領域が除去された後、マスク層３１０は剥されるかまたは除去される。
【００６５】
次に、図５Ｎの実施形態に示すように、犠牲層２３０および２７０は、実質的に除去される。さらに具体的には、犠牲層２３０の材料は、ヒンジ素子１４１と、導電材料２２４および誘電体層２２２との間から除去され、犠牲層２７０の材料は、反射素子１４２とヒンジ素子１４１との間から除去される。このように、ヒンジ素子１４１および反射素子１４２を含む駆動素子１４０は、解放される。したがって、ヨーク１８２およびヒンジ１８６を含むヒンジ素子１４１は、導電バイア２５１によって下部構造２００から支持され、反射表面１４４を含む反射素子１４２は、差し込み式バイア２９０によってヒンジ素子１４１から支持される。さらに、電気接触領域２０２の電気接触パッド２２１が露出される。
【００６６】
１つの実施形態では、犠牲層２３０および２７０は、化学エッチプロセスによって除去される。したがって、導電層２２０、誘電体層２２２、導電材料２２４、および駆動素子１４０の材料は、犠牲層２３０および２７０を除去するために用いられる特定のエッチング剤に耐性のあるように選択される。１つの実施形態では、犠牲層２３０および２７０を除去するためのエッチプロセスは、たとえば、ＣＦ6、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、または気体の組み合わせを用いる、プラズマをベースとしたフッ化エッチ等のドライエッチである。
【００６７】
上記の説明は、微小ミラーデバイスの形成に言及しているが、上記のプロセスはまた、多層ＭＥＭＳデバイスを含む他のＭＥＭＳデバイスの形成に適用可能であることを理解されたい。さらに、図５Ａ〜図５Ｎは、本発明に従って、微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態の概略図であり、微小ミラーデバイスの層およびバイアの実際の構成は、示されるものよりもさらに複雑であってよいことを理解されたい。
【００６８】
図６に示す１つの実施形態では、（微小ミラーデバイス１００を含む）微小ミラーデバイス１０は、表示システム５００に導入されている。表示システム５００は、光源５１０、ソース光学部品５１２、光プロセッサまたはコントローラ５１４、および投射光学部品５１６を含む。光プロセッサ５１４は、各微小ミラーデバイス１０が、ディスプレイの１つのセルまたは画素を構成するように、アレイに配列されている。
【００６９】
１つの実施形態では、光プロセッサ５１４は、表示される画像を示す画像データ５１８を受け取る。したがって、光プロセッサ５１４は、画像データ５１８に基づいて、微小ミラーデバイス１０の駆動および光源５１０から受け取った光の調節を制御する。次に、調節された光は、ビューアまたは表示画面５２０に投射される。
【００７０】
本明細書中に具体的な実施形態を示しかつ記載したが、当業者には理解されるように、本発明の範囲から逸脱せずに、様々な代替および／または等価の実施態様を、示され記載される具体的な実施形態の代わりに用いてもよい。本願は、本明細書に記載される具体的な実施形態の適応または変形をすべて網羅するものとする。したがって、本発明は、請求項およびその等価物によってのみ限定されるものとする。
【００７１】
本発明は、以下の実施態様を含んでいる。
【００７２】
＜１＞  微小ミラーデバイスを形成する方法であって、導電材料（２２４）を下部構造（２００）上に堆積させること、犠牲材料の第１の層（２３０）を前記導電材料を覆って形成すること、犠牲材料の前記第１の層を通して、ヒンジ素子（１４１）を前記導電材料とつなげることを含んで、犠牲材料の前記第１の層を覆って前記ヒンジ素子（１４１）を形成すること、前記ヒンジ素子（１４１）を覆って犠牲材料の前記第２の層（２７０）を形成すること、犠牲材料の前記第２の層を形成した後、犠牲材料の前記第２の層（２７０）を貫通して前記ヒンジ素子まで差し込み式バイア（２９０）を形成すること、前記差し込み式バイアおよび犠牲材料の前記第２の層を覆って反射素子（１４２）を形成すること、および前記差し込み式バイアを用いて前記ヒンジ素子に対して前記反射素子を支持することを含んで、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層を実質的に除去することを含むことを特徴とする方法。
【００７３】
＜２＞  前記反射素子を形成することは、該反射素子の全体を覆ってほぼ平坦な表面（１４４）を有する前記反射素子を形成することを含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００７４】
＜３＞  前記ヒンジ素子を形成することは、犠牲材料の前記第１の層において前記導電材料までの開口部（２３４）を形成すること、前記開口部内で、かつ犠牲材料の前記第１の層を覆って第１の材料（２５０）を堆積させること、前記第１の材料上に保護材料（２５２）を堆積させ、パターン形成すること、および前記保護材料および前記第１の材料を覆って第２の材料（２５４）を堆積させることを含み、前記第１の材料の一部を露出させるように前記第２の材料および前記保護材料の一部を除去することを含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００７５】
＜４＞  前記差し込み式バイアを形成することは、犠牲材料の前記第２の層を貫通して前記ヒンジ素子までの開口部（２７４）を形成すること、前記開口部内に保護材料（２９２）を堆積させること、および前記開口部を充填材料（２９４）で充填することを含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００７６】
＜５＞  前記反射素子を形成することは、前記差し込み式バイアの前記充填材料を前記反射素子と接触させることを含むことを特徴とする上記＜４＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００７７】
＜６＞  前記差し込み式バイアの充填材料は、シリコン、酸化物、金属、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする上記＜４＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００７８】
＜７＞  犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層を実質的に除去することは、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層をエッチングすることを含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００７９】
＜８＞  犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層をエッチングすることは、犠牲材料の前記第１の層および前記第２の層をドライエッチングすることを含むことを特徴とする上記＜７＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００８０】
＜９＞  犠牲材料は、シリコン、酸化物、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の微小ミラーデバイスを形成する方法。
【００８１】
＜１０＞  下部構造（２００）と、前記下部構造上にパターン形成された導電材料（２２４）と、前記下部構造を覆って支持され、前記導電材料とつながったヒンジ素子（１４１）と、前記ヒンジ素子を覆って支持される反射素子（１４２）と、前記ヒンジ素子と前記反射素子との間に延びる支持部（２９０）とを備え、前記支持部には、充填材料（２９４）が充填され、前記反射素子は、前記充填材料と接触することを特徴とする微小ミラーデバイス。
【００８２】
＜１１＞  前記反射素子は、該反射要素の全体を覆ってほぼ平坦な表面（１４４）を有することを特徴とする上記＜１０＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８３】
＜１２＞  前記導電材料を覆って形成される第１の犠牲層（２３０）であって、前記ヒンジ素子は、前記第１の犠牲層を覆って形成されるようになっている第１の犠牲層と、前記ヒンジ素子を覆って形成される第２の犠牲層（２７０）であって、前記反射素子は、前記第２の犠牲層を覆って形成されるようになっている第２の犠牲層とをさらに有し、前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層は、前記ヒンジ素子および前記反射素子が形成された後に、エッチプロセスによって除去されるようになっていることを特徴とする上記＜１０＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８４】
＜１３＞  前記第２の犠牲層は、前記ヒンジ素子まで該第２の犠牲層の中で開口部（２７４）を形成されるようになっており、前記支持部は、前記反射素子が前記第２の犠牲層を覆って形成される前に、前記開口部内に形成され、前記充填材料で充填されるようになっており、前記反射素子は、前記第２の犠牲層および前記充填材料に覆って形成されるようになっていることを特徴とする上記＜１２＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８５】
＜１４＞  前記充填材料は、前記反射素子が前記第２の犠牲層および前記充填材料を覆って形成される前に平坦化されるようになっていることを特徴とする上記＜１３＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８６】
＜１５＞  前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層は、シリコン、酸化物、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする上記＜１２＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８７】
＜１６＞  前記充填材料は、シリコン、酸化物、金属、およびフォトレジストのうちの１つを含むことを特徴とする上記＜１０＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８８】
＜１７＞  前記支持部は、前記ヒンジ素子と前記反射素子との間に延びる導電バイアを構成することを特徴とする上記＜１０＞に記載の微小ミラーデバイス。
【００８９】
＜１８＞  前記下部構造は、基材（２１０）および該基材上に形成された少なくとも１つの導電層（２２０）を含み、前記導電材料は、前記下部構造の少なくとも１つの導電層とつながっていることを特徴とする上記＜１０＞に記載の微小ミラーデバイス。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、例えば、表示システムで使用される微小ミラーデバイスの作製に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明による微小ミラーデバイスの一部の１つの実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明による微小ミラーデバイスの一部の１つの実施形態を示す斜視図である。
【図３】本発明による微小ミラーデバイスの一部の他の実施形態を示す斜視図である。
【図４】本発明による微小ミラーデバイスの駆動の１つの実施形態を示す図３の線４−４に沿って取った概略断面図である。
【図５Ａ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｂ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｃ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｄ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｅ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｆ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｇ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｈ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｉ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｊ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｋ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｌ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｍ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図５Ｎ】本発明による微小ミラーデバイスを形成する１つの実施形態を示す図である。
【図６】本発明による微小ミラーデバイスを含むディスプレイシステムの１つの実施形態を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９２】
１４１  ヒンジ素子
１４２  反射素子
２００  下部構造
２２４  導電材料
２３０  犠牲材料の第１の層
２７０  犠牲材料の前記第２の層
２９０  差し込み式バイア
【図１】
2005115370.tif 000003
【図２】
2005115370.tif 000004
【図３】
2005115370.tif 000005
【図４】
2005115370.tif 000006
【図５Ａ】
2005115370.tif 000007
【図５Ｂ】
2005115370.tif 000008
【図５Ｃ】
2005115370.tif 000009
【図５Ｄ】
2005115370.tif 000010
【図５Ｅ】
2005115370.tif 000011
【図５Ｆ】
2005115370.tif 000012
【図５Ｇ】
2005115370.tif 000013
【図５Ｈ】
2005115370.tif 000014
【図５Ｉ】
2005115370.tif 000015
【図５Ｊ】
2005115370.tif 000016
【図５Ｋ】
2005115370.tif 000017
【図５Ｌ】
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【図５Ｍ】
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【図５Ｎ】
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【図６】
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