(57)【要約】【課題】従来の多層化技術によって容易に作製可能で、変換損失の低い誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造を提供することを目的とするものであり、さらに変換損失の低い結合構造を有するフィルタ基板あるいはアンテナ基板を提供する。【課題】誘電体層を挟み平行に形成された一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール群とを具備する誘電体導波管６と、マイクロストリップ線路７とを結合するための構造であって、マイクロストリップ線路７の端部から伝送用ビアホール１１を誘電体導波管６の主導体層に設けられた開口１４を通じて、誘電体導波管６内に延設するとともに、伝送用ビアホール１１の他端部に、主導体層に平行な導体パターン１２を形成してなることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を挟み平行に形成された一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で前記導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール群とを具備する誘電体導波管と、マイクロストリップ線路とを結合するための構造であって、前記マイクロストリップ線路の端部から伝送用ビアホールを前記誘電体導波管の主導体層に設けられた開口を通じて、前記誘電体導波管内に延設するとともに、該伝送用ビアホールの他端部に、前記主導体層に平行な導体パターンを形成してなることを特徴とする誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
【請求項２】
前記導体パターンが円状または楕円状パターンからなることを特徴とする請求項１記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
【請求項３】
前記導体パターンが方状パターンからなることを特徴とする請求項１記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
【請求項４】
前記導体パターンの中心が前記伝送用ビアホールの中心とずれていることを特徴とする請求項２または請求項３記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
【請求項５】
前記マイクロストリップ線路の開放端に整合用のスタブを設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
【請求項６】
前記誘電体が低温焼成セラミックスからなることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造を具備するフィルタ基板。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５記載の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造を具備するアンテナ基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波及びミリ波等の高周波の信号を伝達するための誘電体導波管とマイクロストリップ線路を結合するための構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来より、マイクロ波やミリ波の高周波の信号を伝達するための線路として、同軸線路、導波管、誘電体導波管、マイクロストリップ線路等が知られている。
そのため最近では、配線回路内には、種類の異なる線路が複数配設され、これら相互間の結合技術が必要となっており、結合方法としても様々な方法が報告されている。
【０００３】
その中でマイクロストリップ線路などの平面線路と導波管の接続方法として、特許文献１には、図１３（ａ）に示されるように、導波管３１に対して、平行にストリップ線路３２を配置し、その線路３２の開放端から、導波管３１の導体壁に形成した開口３３を貫通する導体柱３４を延設した構造が提案されている。また、特許文献２では、図１３（ｂ）に示されるように、上記導体柱３４に代えて、導波管３１の導体壁にスロット線路３５を設けることによって、導波管３１とストリップ線路３２とを電磁的に結合した構造が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−１５０４０３号
【０００５】
【特許文献２】
特開平１５−７８３１０号
【０００６】
【特許文献３】
特開平１０−７５１０８号
【０００７】
【特許文献４】
特開平１５−７８３１０号
【０００８】
【特許文献５】
特開平１１−１５０４０３号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１３の構造は、導波管にストリップ線路を接続する方法であり、導波管の欠点であるサイズが大きく設計柔軟性が無いことや加工が困難なことなどの問題を伴い、システム全体のサイズ縮小が困難であった。
【００１０】
最近に至り、多層構造の配線基板内に、誘電体導波管を積層技術によって形成することが提案されており、例えば、特許文献３では、誘電体基板を一対の主導体層で挟み、さらに導体層間を接続する二列に配設されたバイアホール群によって、側壁を形成した誘電体導波管が記載されている。
【００１１】
この誘電体導波管は、誘電体材料の４方を一対の主導体層とビアホール導体群による疑似的な導体壁で囲むことによって導体壁内領域を信号伝達用の誘電体導波管としたものであり、従来のセラミックスあるいは有機基板の多層技術を持って形成可能なため、従来の導波管に比べてシステムに組み込みやすく、また１／（εｒ）１／２でサイズの縮小が図れる利点がある。
【００１２】
また、この構造は高周波信号、特に３０ＧＨｚ以上の周波数を有するミリ波において、平面回路に比べて低い損失で信号伝送を可能にし、またさらに平面回路と異なりパワーデバイダやカップラ、信号の垂直伝送などを電磁界放射無し低損失で実現可能である。
【００１３】
しかし、このような配線基板の内部に配設される誘電体導波管は、主にマイクロ波及びミリ波用の多層配線基板あるいは半導体パッケージの伝送線路として用い、半導体素子あるいは高周波素子と接続する構造を考えた場合、それらと接続しやすいマイクロストリップ線路へ誘電体導波管を変換することが望まれる。これを実現する方法として、本出願人は、先に特許文献４、５を提案した。
【００１４】
しかし、これらの構造では反射が大きく変換損失が高いということが問題であった。また、特許文献５は、スロット線路を介してマイクロストリップ線路と誘電体導波管を接続する構造であり、スロットから漏れ出る電磁界がアンテナ特性や他の半導体素子などの回路に悪影響を及ぼすことがあった。
【００１５】
従って、本発明は、上記課題を鑑みて考案されたものであり、従来の多層化技術によって容易に作製可能で、変換損失の低い誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造を提供することを目的とするものであり、さらに変換損失の低い結合構造を有するフィルタ基板あるいはアンテナ基板を提供することが目的である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロストリップ線路と誘電体導波管との結合構造は、誘電体層を挟み平行に形成された一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で前記導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール群とを具備する誘電体導波管と、マイクロストリップ線路とを結合するための構造であって、前記マイクロストリップ線路の端部から伝送用ビアホールを前記誘電体導波管の主導体層に設けられた開口を通じて、前記誘電体導波管内に延設するとともに、該伝送用ビアホールの他端部に、前記主導体層に平行な導体パターンを形成してなることを特徴とするものである。
【００１７】
かかる本発明によれば、誘電体導波管とマイクロストリップ線路を、低い変換損失で容易に接続可能となる。また、従来から用いられていた多層化技術を用いて作製可能なため、低コストで信頼性の高い結合構造を形成することができる。
【００１８】
特に、前記導体パターンが円状、楕円状あるいは方状のパターンであることを特徴とする。これによって、伝送用ビアホールから効率的に電磁界を放射し、誘電体導波管の電磁界伝搬モードと整合をとることができる。
【００１９】
さらに、前記導体パターンの中心が前記ビアホールの中心からずれていることが望ましい。これによって、伝送用ビアホールでの電磁界モードと誘電体導波管電磁界モードを、より効率的にかつ反射を抑えつつ結合することができる。
【００２０】
さらに前記マイクロストリップ線路の開放端に整合用のスタブを設けることが望ましい。これによって、マイクロストリップ線路での電磁界伝搬モードを伝送用ビアホールのモードに効率的に変換することができる。
【００２１】
また、前記誘電体が低温焼成セラミックスからなることが望ましい。これによって、マイクロストリップ線路、誘電体導波管を構成する導体層やビアホール導体を低抵抗の銅、金、銀などで形成できるために、さらに損失を低減することができる。
【００２２】
本発明によれば、前記誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造をフィルタ基板やアンテナ基板に具備させることによって、効率よく簡便な構造で信号を伝搬させることができ、損失を低減するとともに基板の小型化を図ることできる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の誘電体導波管と方形導波管との接続構造について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に用いる誘電体導波管の基本構造を説明するための概略斜視図である。
【００２４】
図１に示すように、所定の厚みａの誘電体基板１を挟持するように一対の導体層２、３が形成されており、導体層２、３は誘電体基板１の少なくとも伝送線路形成位置を挟む上下面に形成されている。
【００２５】
また、導体層２、３間には導体層２と３とを電気的に接続するスルーホール導体やビアホール導体等の貫通導体４が多数設けられている。
【００２６】
２列の貫通導体群４は、図示するように、高周波信号の伝送方向すなわち線路形成方向に信号波長の２分の１未満の所定の繰り返し間隔ｃで、かつ伝送方向と直交する方向に所定の一定の間隔（幅）ｂをもって形成されている。これにより、この誘電体導波管６における電気的な側壁を形成している。また、貫通導体４には、貫通導体群４の各列を形成する貫通導体同士を電気的に接続し、導体層２、３と平行に形成された補助導体層５が設けられている。
【００２７】
このように一対の導体層２、３と貫通導体群４とで囲まれた領域に対してさらに補助導体層５を形成することにより、誘電体導波管６の内部から見るとその側壁は貫通導体群４と補助導体層５とによって細かな格子状になり、様々な方向の電磁波が遮蔽され、損失の小さい誘電体導波管６が形成される。
【００２８】
ここで、誘電体基板１の厚みａすなわち一対の導体層２、３間の間隔に対する制限は特にないが、シングルモードで用いる場合には間隔ｂに対して２分の１程度または２倍程度とすることがよく、図１の例では誘電体導波管６のＨ面に当たる部分が導体層２、３で、Ｅ面に当たる部分が貫通導体群４および補助導体層５でそれぞれ形成される。また、間隔ｂに対して厚みａを２倍程度とすれば、誘電体導波管６のＥ面に当たる部分が導体層２、３で、Ｈ面に当たる部分が貫通導体群４および補助導体層５でそれぞれ形成されることとなる。
【００２９】
また、間隔ｃが信号波長の２分の１未満の間隔に設定されることで貫通導体群４により電気的な壁が形成できる。この間隔ｃは、望ましくは信号波長の４分の１未満である。
【００３０】
平行に配置された一対の導体層２、３間にはＴＥＭ波が伝播できるため、貫通導体群４の各列における貫通導体の間隔ｃが信号波長λの２分の１（λ／２）よりも大きいと、この誘電体導波管６に電磁波を給電しても電磁波は貫通導体群４の間から漏れてしまい、ここで作られる疑似的な導波管線路に沿って伝播しない。しかし、貫通導体群４の間隔ｃがλ／２よりも小さいと、電気的な側壁を形成することになり、電磁波は誘電体導波管６に対して垂直方向に伝播することができず、反射しながら誘電体導波管６の信号伝送方向に伝播される。
【００３１】
その結果、図１のような構成によれば、一対の導体層２、３と２列の貫通導体群４および補助導体層５とによって囲まれる断面積がａ×ｂのサイズの領域が誘電体導波管６となる。
【００３２】
図１に示した構造例では、貫通導体群４は２列に形成したが、この貫通導体群４を４列あるいは６列に配設して、貫通導体群４による疑似的な導体壁を２重、３重に形成することにより導体壁からの電磁波の漏れをより効果的に防止することもできる。
【００３３】
このような誘電体導波管６は、誘電体基板１の比誘電率をεｒとするとその導波管サイズは通常の導波管の１／（εｒ）１／２の大きさになる。従って、誘電体基板１を構成する材料として比誘電率εｒの大きいものを用いるほど、導波管サイズを小さくすることができ、高周波回路の小型化を図ることができ、高密度に配線が形成される多層配線基板または半導体素子収納用パッケージあるいは車間レーダの伝送線路としても利用可能な大きさの誘電体導波管６とすることができる。
【００３４】
なお、貫通導体群４を構成する貫通導体は、前述のように信号波長の２分の１未満の繰り返し間隔ｃで配設されており、この間隔ｃは良好な伝送特性を実現するためには一定の繰り返し間隔とすることが望ましいが、信号波長の２分の１未満の間隔であれば、適宜変化させたりいくつかの値を組み合わせたりしてもよい。
【００３５】
このような誘電体導波管６を構成する誘電体基板１としては、誘電体として機能し高周波信号の伝送を妨げることのない特性を有するものであればとりわけ限定するものではないが、伝送線路を形成する際の精度および製造の容易性の点から、誘電体基板１の一例としてセラミックスが挙げられる。
【００３６】
このようなセラミックスとしてはこれまで様々な比誘電率を持つセラミックスが知られているが、本発明に係る誘電体導波管によって高周波信号を伝送するためには常誘電体であることが望ましい。これは、一般に強誘電体セラミックスは高周波領域では誘電損失が大きく伝送損失が大きくなるためである。従って、誘電体基板１の比誘電率εｒは４〜１００程度が適当である。
【００３７】
また、一般に多層配線基板や半導体素子収納用パッケージあるいは車間レーダに形成される配線層の線幅は最大でも１ｍｍ程度であることから、比誘電率が１００の材料を用い、上部がＨ面すなわち磁界が上側の面に平行に巻く電磁界分布になるように用いた場合は、用いることのできる最小の周波数は１５ＧＨｚと算出され、マイクロ波帯の領域でも利用可能となる。
【００３８】
このような誘電体基板１としては、例えばアルミナセラミックスや窒化アルミニウムセラミックス、低温焼成セラミックス等がある。これらによる誘電体基板１は、例えばセラミックス原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して泥漿状になすとともに、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用してシート状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシートを得て、しかる後、これらセラミックグリーンシートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとともにこれらを積層する。その後、アルミナセラミックスの場合は１５００〜１７００℃、低温焼成セラミックスの場合は８５０〜１０００℃、窒化アルミニウムセラミックスの場合は１６００〜１９００℃の温度でそれぞれの最適な焼成温度で焼成することによって製作される。
【００３９】
また、一対の導体層２、３は、例えば誘電体基板１がアルミナや窒化アルミニムなどのセラミックスから成る場合には、タングステン、モリブデン等の金属粉末に適当なアルミナ、シリカ、マグネシア等の酸化物や有機溶剤・溶媒等を添加混合してペースト状にしたものを用いて厚膜印刷法により少なくとも伝送線路を完全に覆うようにセラミックグリーンシート上に印刷し、しかる後、約１６００℃の高温で焼成し、厚み１０〜１５μｍ以上となるようにして形成する。
【００４０】
また、低温焼成セラミックスの場合には、金属粉末としては、銅、金、銀の群から選ばれる少なくとも１種が好適である。また、導体層２、３の厚みは一般的に５〜５０μｍが適当である。
【００４１】
また、貫通導体群４を構成する貫通導体は、例えばビアホール導体やスルーホール導体等により形成すればよい。その断面形状は製作が容易な円形の他、矩形や菱形等の多角形であってもよい。これら貫通導体は、例えばセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して作製した貫通孔に導体層２、３と同様の金属ペーストを埋め込み、しかる後、誘電体基板１と同時に焼成して形成する。なお、貫通導体は直径５０〜３００μｍが適当である。
【００４２】
また誘電体基板１としては、上記のセラミックスに限らず、樹脂系基板も用いることができる。例えば、フッ素樹脂系基板やガラスーエポキシ系基板など公知の樹脂系基板が挙げられる。ビアホール導体やスルーホール導体はメッキ法や金属粉末のペースト埋め込みにより形成でき、焼成処理の代わりに、熱硬化処理する以外は、前記セラミックス基板と同様にして誘電体導波管を形成可能である。
【００４３】
図２および図３は本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の一例を示すものであり、図２は、斜視図、図３は図２のｘ−ｘ断面図であって、グランドパターン１３上に誘電体層１ｃを介して形成されたマイクロストリップ線路７が、貫通導体群４と上下グランド主導体層８、９で構成する誘電体導波管６に接続される構造である。なお、図２では誘電体導波管の側面を形成する貫通導体群４および補助導体層５は省略し誘電体導波管６を箱体で描いている。
【００４４】
本発明の接続構造においては、マイクロストリップ線路７の開放端７ａから、誘電体導波管６の主導体層８に形成した開口１４（導体を形成していない部分）を貫通して、伝送用ビアホール１１を誘電体導波管６内に延設している。
【００４５】
そして、この伝送用ビアホール１１の誘電体導波管６内に延設した他端部には、主導体層８、９に平行な導体パターン１２が形成されている。
【００４６】
伝送用ビアホール１１端部に設けられた導体パターン１２は、信号を効果的に誘電体導波管６内に伝送するために必要であり、これにより電磁界整合がなされ反射を低減できる。ここで伝送用ビアホール１１を形成する位置、特に誘電体導波管６の終端導体１０からの距離、伝送用ビアホール１１の長さは、信号周波数、誘電体導波管形状、誘電体厚み、主導体パターンに形成した穴１４の形状に応じて適宜調整され、それはシミュレーション等によって容易に最適化できる。
【００４７】
また、この導体パターン１２は、図４の平面図に示すように、（ａ）円形、（ｂ）楕円形、（ｃ）方形のいずれでもよいが、特に、円形、楕円形であることが誘電体導波管における信号伝搬モードとの電磁界整合性を高める上で望ましい。
【００４８】
またさらに、図５のように導体パターン１２の中心を伝送用ビアホール１１の中心をずらすことにより、電磁界整合がより容易となり反射を低減でき低損失で信号伝送可能となる。特に、導体パターン１２の中心を伝送用ビアホール１１の中心から、導波管の終端とは反対側の方向にずらすことが望ましい。
【００４９】
また、図６のように、マイクロストリップ線路７の開放端にスタブ１５を形成することによりインピーダンス整合が図れ信号伝送損を低減できる。特に、このスタブ長は信号波長λに対してλ／２以下であることが望ましい。
【００５０】
また、上述した本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の接続構造は、低温焼成セラミックスを用いて作製されることが望ましい。低温焼成セラミックスは、導体として、導電率の高い銅、金、銀を用いることができるため、導体損を低減できる利点があり、また一般的な有機基板に比べて誘電率が高く構造をコンパクトにできるメリットもある。さらに、信頼性の観点から有機基板と異なり耐水蒸気性が高いため高信頼性が得られる。
【００５１】
また、上で詳述した本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路の接続構造を図７に示すようなアンテナ基板内に内蔵させることができる。このアンテナ基板２１は、誘電体基板２２内に、誘電体導波管２３からなる線路が内蔵されており、誘電体線路２３の主導体層２４に放射スロット２５が形成されている。かかる放射スロット２５に対して、給電を行なう場合、マイクロストリップ線路７から誘電体線路２３に給電する場合に、本発明の接続構造が適用される。これにより、マイクロストリップ線路７から誘電体導波管２３を介して放射用スロット２５への給電を行うことが可能であり、給電方法の汎用性が増え損失の少ないアンテナ基板を作成できる。なお図７では誘電体導波管２３の下面のマイクロストリップ線路７から給電したものである。また、この図７では誘電体導波管２３の片側の主導体層２４に放射スロット２５を設けるスロットアンテナを示したが、アンテナの形式は、これに限定されるものではなく、給電線路の一部に誘電体導波管を用い、マイクロストリップ線路との接続が必要なアンテナ基板であれば、放射パッチを用いたパッチアンテナなどあらゆるアンテナ基板に適用できる。
【００５２】
また、図８のように、フィルタ基板３１に、本発明の誘電体導波管３２とマイクロストリップ線路３３の接続構造を内蔵しても、低損失のフィルターを得ることができる。図８のフィルタは、誘電体導波管３２の側壁を形成するビアホール導体の間隔を狭くした部分を設けて共振器３４を形成してフィルタを形成している。本発明によれば、このフィルタに対して信号の入力または出力するために、本発明の接続構造が用いられる。なお、フィルタ基板におけるフィルタ回路としては図８に限られるものではなく、ストリップ線路などを用いたフィルタを備えたものであればよい。
【００５３】
【実施例】
実施例として図２、３に示した構造の伝送特性を確認した。εｒ＝４．９の誘電体を用い誘電体導波管６、マイクロストリップ線路７、そしてそれらを接続する変換構造を形成した。貫通導体群４を形成するビア導体は直径０．２ｍｍ、ビアピッチｂは１．５ｍｍ、ｃは０．５２ｍｍ、誘電体導波管厚ａは０．５ｍｍ、導波管終端面から伝送用ビアホール１１までの距離は０．４７５ｍｍ、伝送用ビア１１は直径０．１５ｍｍ、開口１４は直径０．３ｍｍ、導体パターン１２は直径０．５ｍｍの円である。マイクロストリップ線路の幅は０．１６ｍｍ、マイクロストリップ線路を形成する誘電体層１ｃの厚みは０．１ｍｍである。なお、この構造で導体パターン１２の中心は伝送ビア１１の中心と同じである。
【００５４】
図９は５０ＧＨｚから９０ＧＨｚのＳパラメーターであり、実線がＳ２１、破線がＳ１１となっている。これからわかるように６４ＧＨｚ付近で最も低い損失で信号伝送できている。
【００５５】
なお、比較のために、図１３（ａ）のように、導体パターンを形成しないことを除き、全く同じ寸法で接続構造を形成し、同様に伝送特性の評価を行なった。
その結果を図１０に示した。
【００５６】
図１１は導体パターン１２を０．１ｍｍ、導波管端面１０と反対方向に０．１ｍｍずらしたときの結果である。これからわかるようにＳ１１が改善され、Ｓ１１＜−１０ｄＢとなる帯域は、１６．４ＧＨｚから１９．８ＧＨｚに広くなっている。
【００５７】
図１２は７７ＧＨｚ用の構造であり、伝送用ビアの直径を０．１ｍｍ、導体パターン１２を直径０．４ｍｍの円とし、導体パターン１２の中心から導波管端面を形成するビア導体の中心までの距離は０．５２５ｍｍ、また伝送用ビアホール中心から導体パターン１２を導波管端面と反対の方向に０．０５ｍｍずらした位置に形成した。この結果からわかるように、Ｓ２１は７０ＧＨｚ〜８４ＧＨｚでほぼ０ｄＢ、Ｓ１１も−２０ｄＢ以下が得られている。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明は、マイクロストリップ線路から誘電体導波管への伝送用ビアホール端部に導体パターンを形成することにより、電磁界整合が可能となり、低損失でマイクロストリップ線路と誘電体導波管を接続可能となる。また導体パターン１２を伝送用ビア１１中心からシフトすることにより、電磁界をより整合することができ損失低減を図れる。またマイクロストリップ線路端部にスタブを形成することも電磁界整合に効果的であり、変換を低損失で行える。
【００５９】
また誘電体基板に低温焼成セラミックスを用いることにより、導電率の高い銀や銅導体層を用いることができるため電気特性の向上が図れる。
【００６０】
またさらに、本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造によれば、マイクロストリップ線路から伝送用ビアホールを誘電体導波管内に延設し、該伝送用ビアホールの他端部を、前記誘電体導波管内に挿入しその端部に主導体層に平行な導体パターンを形成することにより、電磁界整合を得ることができるため、低損失のアンテナ基板およびフィルタ基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いる誘電体導波管の例を示すための概略斜視図である。
【図２】本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造の実施形態の一例の組立図を示す。
【図３】図２のｘ−ｘ断面図である。
【図４】本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造の実施形態の他の例の平面図を示す。
【図５】本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造の実施形態のさらに他の例の平面図を示す。
【図６】本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造の実施形態のさらに他の例の平面図を示す。
【図７】本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造を内蔵するアンテナ基板の実施形態の例を示す斜視図である。
【図８】本発明の誘電体導波管とマイクロストリップ線路との接続構造を内蔵するフィルター基板の実施形態の例を示す斜視図である。
【図９】本発明の接続構造の一例の伝送特性を示す図である。
【図１０】従来の接続構造の伝送特性を示す図である。
【図１１】本発明の接続構造の一例の伝送特性を示す図である。
【図１２】本発明のさらに他の一例の伝送特性を示す図である。
【図１３】従来の接続構造の一例の伝送特性を示す図である。
【符号の説明】
１    誘電体
２，３    主導体層
４    ビアホール群
５    副導体層
６    誘電体導波管
７  マイクロストリップ線路
８、９  主導体層
１０    誘電体導波管側面終端導体
１１    伝送用ビアホール
１２    導体パターン
１３    グランドパターン
１４    開口
１５  スタブ
【図１】
2005051331.tif 000003
【図２】
2005051331.tif 000004
【図３】
2005051331.tif 000005
【図４】
2005051331.tif 000006
【図５】
2005051331.tif 000007
【図６】
2005051331.tif 000008
【図７】
2005051331.tif 000009
【図８】
2005051331.tif 000010
【図９】
2005051331.tif 000011
【図１０】
2005051331.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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