(57)【要約】【課題】半導体ウェハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施できる半導体素子の検査方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ１１に形成された複数の半導体素子のうち不良半導体素子の検査用電極１５に絶縁被膜を形成し、残りの半導体素子の検査用電極に電圧または信号を印加して一括検査する際に、不良半導体素子の検査用電極１５に絶縁被膜を形成する工程は、検査用電極１５の上面に凹部形成工具２１を用いて凹部１５ａを形成し、凹部１５ａに絶縁被膜を形成するものである。絶縁被膜は絶縁性樹脂塗布ノズル２５により塗布する。【選択図】図１  
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子のうち不良半導体素子の検査用電極に絶縁被膜を形成し、残りの半導体素子の検査用電極に電圧または信号を印加して一括検査する半導体素子の検査方法であって、
前記不良半導体素子の検査用電極に絶縁被膜を形成する工程は、前記検査用電極の上面に凹部を形成し、前記凹部に絶縁被膜を形成することを特徴とする半導体素子の検査方法。
【請求項２】
凹部を、絶縁樹脂塗布ノズルを不良半導体素子の検査用電極に押し付けることにより形成し、前記凹部に前記絶縁樹脂塗布ノズルより絶縁樹脂を塗布する請求項１記載の半導体素子の検査方法。
【請求項３】
凹部を、不良半導体素子の該当する検査用電極の全てに対して一括して形成した後、前記凹部に一括して絶縁被膜を形成する請求項１記載の半導体素子の検査方法。
【請求項４】
複数の半導体素子のうち不良半導体素子を絶縁し、残りの半導体素子に電圧または信号を印加して一括検査する半導体素子の検査方法であって、
前記不良半導体素子の絶縁は、前記不良半導体素子に接着剤を塗布し、前記不良半導体素子と同じサイズに切断した絶縁シートを、前記不良半導体素子に貼り付けることにより行うことを特徴とする半導体素子の検査方法。
【請求項５】
複数の半導体素子のうち不良半導体素子を絶縁し、残りの半導体素子に電圧または信号を印加して一括検査する半導体素子の検査方法であって、
前記不良半導体素子の絶縁は、前記不良半導体素子の電気的特性の検査に関連する素子内部回路をレーザにより切断することにより行うことを特徴とする半導体素子の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハの不良半導体素子に形成されている検査用電極に絶縁被膜を形成して残りの半導体素子を一括検査する半導体素子の検査方法に関し、とくに不良半導体素子の検査用電極の絶縁被膜形成および不良半導体素子の絶縁方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハに形成された複数の半導体素子の電気的特性を一括して検査する場合、共通の電源線、接地線、信号線により複数の半導体素子の検査用電極に電圧または信号を印加して検査する方式が採用されている。
【０００３】
しかし、複数の半導体素子の中に不良の半導体素子があったとき、不良半導体素子の内部の電源線と接地線が短絡することにより、他の半導体素子の検査が正しく行われなくなることがあった。
【０００４】
そこで、これを防止するために、不良半導体素子の検査用電極に絶縁被膜を形成し、不良半導体素子に電圧等が印加されないようにしていた。
【０００５】
不良半導体素子の検査用電極に絶縁被膜を形成する従来の技術を、図９および図１０により説明する。１はＸＹＺテーブル、２はＸ方向移動手段、３はＹ方向移動手段、４はＺ方向移動手段、５は絶縁性樹脂塗布用ノズル、６はＸＹＺテーブル制御部、７はディスペンサ、１１は半導体ウェハである。
【０００６】
従来の装置は、半導体ウェハ１１を所定の位置に位置決めするＸＹＺテーブル１と、半導体ウェハ面に対して垂直に設けられた絶縁性樹脂塗布用ノズル５と、制御部６より構成され、半導体ウェハ１１を載せたＸＹＺテーブル１を移動させながら不良半導体素子の検査用のアルミ電極１４に絶縁性樹脂を塗布して絶縁被膜を形成する。
【０００７】
この場合の絶縁被膜の形成方法は次の２種類の方法がある。図１０（ａ）で示すように、ＸＹＺテーブル１を移動させながら半導体ウェハ１１上に連続して絶縁性樹脂１２を塗布して絶縁被膜を形成する。図１０（ｂ）で示すように不良半導体素子の検査用電極１４の位置に個々に位置決めして絶縁性樹脂１２を塗布して絶縁被膜を形成する。１３は保護膜である。
【０００８】
以上のような方法で、従来は不良半導体素子の検査用電極に対して絶縁被膜を形成してきた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２８４５５５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の技術には次のような課題がある。従来の技術で絶縁被膜を形成する対象の電極１４は図１１（ａ）で示すように電極面に対して保護膜１３が盛り上がっており、この保護膜１３がダムのはたらきをして、電極面に塗布された絶縁樹脂が周囲に流れ出るのを防ぎ電極面の上に適正な厚みの絶縁保護膜を形成することができた。一方今回の発明で絶縁被膜を形成する対象の電極は図１１（ｂ）で示すように従来のアルミ電極面の上に金めっきした金電極１５の構造であり、この電極１５に従来の技術で図１１（ｃ）で示すように絶縁性樹脂１２を塗布した場合、時間の経過とともに、塗布された絶縁樹脂１２が電極１５の上部から流れて図１１（ｄ）のようになり、電極面上に適正な厚みの絶縁被膜を形成できない。その結果、複数の半導体素子の電気的特性の一括検査ができない。
【００１０】
したがって、この発明の目的は、不良半導体素子の絶縁を確保でき、半導体ウェハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる半導体素子の検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の半導体素子の検査方法は、複数の半導体素子のうち不良半導体素子の検査用電極に絶縁被膜を形成し、残りの半導体素子の検査用電極に電圧または信号を印加して一括検査する半導体素子の検査方法であって、
不良半導体素子の検査用電極に絶縁被膜を形成する工程は、検査用電極の上面に凹部を形成し、凹部に絶縁被膜を形成することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項１記載の半導体素子の検査方法によれば、例えば専用工具を電極面上部に押しつけることにより検査用電極の表面に凹部を形成し、そこに絶縁性樹脂を塗布して絶縁被膜を形成するため、不良半導体素子の該当する検査用電極に対する絶縁被膜を形成する工程において、必要な絶縁被膜の厚みを形成することができる。このため、不良半導体素子の絶縁を確保でき、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる。
【００１３】
請求項２記載の半導体素子の検査方法は、請求項１において、凹部を、絶縁樹脂塗布ノズルを不良半導体素子の検査用電極に押し付けることにより形成し、凹部に絶縁樹脂塗布ノズルより絶縁樹脂を塗布するものである。
【００１４】
請求項２記載の半導体素子の検査方法によれば、絶縁性樹脂を塗布するノズルヘッドを電極面上部に押しつけることにより凹部を形成し、そこに絶縁性樹脂を塗布して絶縁被膜を形成するため、凹部を形成する専用工具が不要になるほか、請求項１と同様な効果がある。
【００１５】
請求項３記載の半導体素子の検査方法は、請求項１において、凹部を、不良半導体素子の該当する検査用電極の全てに対して一括して形成した後、凹部に一括して絶縁被膜を形成する請求項１記載の半導体素子の検査方法。
【００１６】
請求項３記載の半導体素子の検査方法によれば、不良半導体素子の検査電極全部に対して例えば専用工具を不良半導体素子の検査電極全体に押しつけることにより一括して凹部を形成したあと、この凹部に例えば別の専用工具により一括して絶縁性樹脂を塗布し絶縁被膜を形成するため、請求項１と同様な効果のほか、検査効率が向上する。
【００１７】
請求項４記載の半導体素子の検査方法は、複数の半導体素子のうち不良半導体素子を絶縁し、残りの半導体素子に電圧または信号を印加して一括検査する半導体素子の検査方法であって、
不良半導体素子の絶縁は、不良半導体素子に接着剤を塗布し、不良半導体素子と同じサイズに切断した絶縁シートを、不良半導体素子に貼り付けることにより行うことを特徴とするものである。
【００１８】
請求項４記載の半導体素子の検査方法によれば、半導体の素子と同じサイズの絶縁シートを、不良半導体素子の全面に貼り付けることにより不良半導体素子の全面を覆い絶縁することができ、不良半導体素子全体を他の半導体素子から絶縁することができ、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる。
【００１９】
請求項５記載の半導体素子の検査方法は、複数の半導体素子のうち不良半導体素子を絶縁し、残りの半導体素子に電圧または信号を印加して一括検査する半導体素子の検査方法であって、
不良半導体素子の絶縁は、不良半導体素子の電気的特性の検査に関連する素子内部回路をレーザにより切断することにより行うことを特徴とするものである。
【００２０】
請求項５記載の半導体素子の検査方法によれば、レーザにより不良半導体素子内部に形成されている検査用電極に関係する回路を切断して、不良半導体素子の全体を他の素子から絶縁することができ、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１記載の半導体素子の検査方法によれば、例えば専用工具を電極面上部に押しつけることにより検査用電極の表面に凹部を形成し、そこに絶縁性樹脂を塗布して絶縁被膜を形成するため、不良半導体素子の該当する検査用電極に対する絶縁被膜を形成する工程において、必要な絶縁被膜の厚みを形成することができる。このため、不良半導体素子の絶縁を確保でき、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる。
【００２２】
請求項２記載の半導体素子の検査方法によれば、絶縁性樹脂を塗布するノズルヘッドを電極面上部に押しつけることにより凹部を形成し、そこに絶縁性樹脂を塗布して絶縁被膜を形成するため、凹部を形成する専用工具が不要になるほか、請求項１と同様な効果がある。
【００２３】
請求項３記載の半導体素子の検査方法によれば、不良半導体素子の検査電極全部に対して例えば専用工具を不良半導体素子の検査電極全体に押しつけることにより一括して凹部を形成したあと、この凹部に例えば別の専用工具により一括して絶縁性樹脂を塗布し絶縁被膜を形成するため、請求項１と同様な効果のほか、検査効率が向上する。
【００２４】
請求項４記載の半導体素子の検査方法によれば、半導体の素子と同じサイズの絶縁シートを、不良半導体素子の全面に貼り付けることにより不良半導体素子の全面を覆い絶縁することができ、不良半導体素子全体を他の半導体素子から絶縁することができ、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる。
【００２５】
請求項５記載の半導体素子の検査方法によれば、レーザにより不良半導体素子内部に形成されている検査用電極に関係する回路を切断して、不良半導体素子の全体を他の素子から絶縁することができ、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
本発明の第１の実施の形態は、不良半導体素子の検査用電極面に絶縁被膜を形成する方法であって、図１で示すように検査用電極１５の平らな電極上面に凹部１５ａを形成し、この凹部１５ａに絶縁性樹脂を塗布し、絶縁被膜を形成する方法である。１１は半導体ウェハ、１３は保護膜、１４はアルミ電極、１５は金電極である。
【００２８】
図１は加工ユニットを示し、絶縁性樹脂塗布ノズル２５と、電極面に凹部１５ａを形成する時に使用する凹部形成工具２１を備えた専用加工ユニットを使用する。専用加工ユニットは、図２で示す製造装置の加工ユニット取付部８に取り付けた装置を使用して実施する。１はＸＹＺテーブル、２はＸ方向移動手段、３はＹ方向移動手段、４はＺ方向移動手段、６はＸＹＺテーブル制御部、９は加工ユニット制御部である。まずＸＹＺテーブル１により不良半導体素子の1番目の検査用電極１５を凹部形成工具２１の位置に位置決めする。次にＺ方向移動手段４によりＺ軸に沿って上昇させて凹部形成工具２１の先端と電極面を接触させた後さらに５μm上昇させることにより電極面に３μmの凹部１５ａが形成できる（図３）。その後Ｚ軸方向に下降させＸＹＺテーブル１を移動し、絶縁性樹脂塗布ノズル２５の位置に凹部１５ａを形成した電極を位置決めした後、絶縁性樹脂を塗布することにより電極面に３μmの厚みの絶縁被膜を形成することができる。この動作を不良半導体素子の該当する検査用電極の全てについて実施することにより一つの不良半導体素子に対する絶縁被膜形成処理を完了する。この後不良でない半導体素子の検査が行われる。
【００２９】
この発明の第２の実施の形態を図４により説明する。すなわち、第１の実施の形態において、例えば従来の技術の製造装置で使用している絶縁性樹脂塗布ノズル２２を４５度に傾けて取付けた装置を使用する。まず図１に示すようにＸＹＺテーブル１を移動して、図４に示すように不良半導体素子の１番目の検査用電極１５を絶縁性樹脂塗布ノズル２２の位置に位置決めした後、ＸＹＺテーブル１をＺ方向移動手段４によりＺ軸に沿って上昇させて検査電極面と絶縁性樹脂塗布ノズル２２の先端を接触させた後、さらに５μm上昇させ押しつける。この時、絶縁性樹脂塗布ノズル２２の取付けはばね（図示せず）を介して可動できるようになっているので検査電極面を移動することにより３μmの深さの凹部１５ａを形成することができる。この後ＸＹＺテーブル１をＺ軸に沿って下降させ、ＸＹＺテーブル１を移動させて、絶縁樹脂塗布ノズル２２のノズル口を凹部１５ａに位置決めした後、絶縁性樹脂を塗布することにより絶縁被膜を形成する。この動作を不良半導体素子の該当する検査用電極全てについて実施することにより一つの不良半導体素子に対する絶縁被膜形成処理を完了する。
【００３０】
この発明の第３の実施の形態を図５により説明する。すなわち、第１の実施の形態において、図２に示す製造装置の加工ユニット取付部８に、図５（ａ）に示すように半導体素子の一素子当たりの検査電極数と同数の凹部形成工具２１を備えた一括凹部形成ユニット２３と、図５に示すように半導体素子の一素子当たりの検査電極数と同数の絶縁性樹脂塗布ノズル２５を備えた一括絶縁性樹脂塗布ユニット２４で構成されるユニットを取付けた装置を使用して実施する。まずＸＹＺテーブル１により不良半導体素子２６を一括凹部形成ユニット２３の位置に位置決めした後、Ｚ軸に沿って上昇させて複数の凹部形成工具２１の先端と複数の検査電極面を接触させた後、さらに５μm上昇させることにより複数の電極面に深さ３μmの凹部１５ａを形成させる。その後ＸＹＺテーブル１をＺ軸に沿って下降させ、ＸＹＺテーブル１を移動し、複数の絶縁性樹脂塗布ノズル２５の位置に複数の凹部１５ａを形成した検査用電極１５を位置決めした後、絶縁性樹脂を塗布することにより複数の電極面に３μmの絶縁被膜を同時に形成することができる。
【００３１】
この発明の第４の実施の形態を図６および図７により説明する。すなわち、図  ２で示す製造装置の加工ユニット取付部８に、図６に示すようなシート受渡し部３０、シート貼り付けヘッド３１、接着剤塗布ノズル３２および回転部３３で構成される加工ユニットを取付けた装置を使用して実施する。まず回転部３３を回転中心の回りに回転して接着剤塗布ノズル３２を半導体素子面に対して垂直位置に移動させた後、不良半導体素子２６の中央部に接着剤２８を塗布する。次に回転部３３を回転させて、金型で素子と同じ大きさに切断した絶縁シート２７をシート受渡し部３０より、シート貼り付けヘッド３１に吸引しその後シート貼り付け位置まで回転部３３を回転させる。次にＺ軸に沿ってＸＹＺテーブル１を上昇させて不良半導体素子２６の電極１５を含む全面に貼り付けることにより不良全体を絶縁させる。
【００３２】
この発明の第５の実施の形態を図８により説明する。すなわち、図２で示す製造装置の加工ユニット取付部８に、図８に示すようなレーザ照射ヘッド２９を取付けた装置を使用して実施する。まずＸＹＺテーブル１を移動させて不良半導体素子２６の位置に位置決めした後、ＸＹＺテーブル１を移動させながらレーザを照射することにより不良半導体素子２６の内部に形成されている回路とくに電気的特性の検査に関連する素子内部回路を切断し、これにより不良半導体素子２６を他の素子から絶縁する。
【００３３】
上記のように、半導体ウェハ１１内の不良半導体素子２６に対する絶縁方法により他の素子と電気的に絶縁することにより、半導体ウェハ１１に形成された複数の半導体素子の電気的特性を一括して検査できるようになった。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
この発明にかかる半導体素子の検査方法は、不良半導体素子の絶縁を確保でき、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性の一括検査を確実に実施することができる等の効果を有し、半導体素子の検査方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施の形態における凹部を形成する加工ユニットを説明する説明図である。
【図２】半導体製造装置を説明する説明図である。
【図３】（ａ）は検査用電極上の凹部を説明する説明図、（ｂ）は凹部形成工具による凹部の加工を示す説明図である。
【図４】第２の実施の形態における凹部の形成を示す説明図である。
【図５】（ａ）は第３の実施の形態における一括凹部形成ユニットを用いた凹部形成の説明図、（ｂ）は一括樹脂塗布ユニットを用いた樹脂塗布の説明図である。
【図６】第４の実施の形態における不良半導体素子全体を絶縁する加工ユニットを説明する説明図である。
【図７】絶縁シートを不良半導体素子の全体に接着して不良半導体素子の全体を絶縁する状態を説明する説明図である。
【図８】絶縁シートを不良半導体素子の全体に接着して不良半導体素子の全体を絶縁する状態を説明する説明図である。
【図９】従来の半導体製造装置を説明する説明図である。
【図１０】従来の塗布方法を説明するもので、（ａ）は連続塗布方法の説明図、（ｂ）は個別塗布方法の説明図である。
【図１１】発明の課題を説明するもので、（ａ）は従来の技術が対象とする電極構造を説明する説明図、（ｂ）は発明が対象とする電極構造を説明する説明図、（ｃ）は発明が対象とする電極構造で絶縁樹脂の塗布直後の状態の説明図、（ｄ）は時間経過後の絶縁樹脂の状態の説明図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  ＸＹＺテーブル
２  Ｘ方向移動手段
３  Ｙ方向移動手段
４  Ｚ方向移動手段
５  絶縁性樹脂塗布ノズル
６  ＸＹＺテーブル制御部
７  ディスペンサー
８  加工ユニット取付け部
９  加工ユニット制御部
１１  半導体ウェハ
１２  絶縁樹脂
１３  保護膜
１４  アルミ電極
１５  金電極
２１  凹部形成工具
２２  絶縁性樹脂塗布ノズル
２３  一括凹部形成ユニット
２４  一括絶縁樹脂塗布ユニット
２５  絶縁性樹脂塗布ノズル
２６  不良半導体素子
２７  絶縁シート
２８  接着剤
２９  レーザー照射ヘッド
３０  シート受渡し部
３１  シート貼り付けヘッド
３２  接着剤塗布ノズル
３３  回転部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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