(57)【要約】【課題】低温焼成で所定の物性を有する透明電極、この透明電極の形成に使用される透明導電膜形成用塗布液および透明電極の形成方法、【解決手段】インジウムと錫とを必須成分とするＩＴＯ複合酸化物を３５０〜８００℃で焼成して結晶粒界を成長させたＩＴＯ超微粒子粉末を有機溶媒に溶解してなる塗布液。透明基板上にＩＴＯ超微粒子粉末から成る透明導電膜を形成し、その上にオーバーコート膜を形成し、この２層構造の透明導電性膜を３００℃以下で焼成してなるＦＰＤ用透明電極およびその形成方法。【選択図】図２
2005166350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットパネルディスプレイの画素電極に使用される透明電極であって、透明基板上に形成されたＩＴＯ超微粒子粉末から成る透明導電膜と、その上に形成されたオーバーコート膜との２層構造の膜を３００℃以下で焼成し、表面抵抗値が３，０００Ω／□以下、可視光透過率が９０％以上の特性を有するものであることを特徴とする透明電極。
【請求項２】
前記オーバーコート膜がアルコキシシランの加水分解物を含有するオーバーコート膜形成用塗布液により形成されものであることを特徴とする請求項１記載の透明電極。
【請求項３】
インジウムと錫とを必須成分とするＩＴＯ複合酸化物を３５０〜８００℃で焼成して結晶粒界を成長させたＩＴＯ超微粒子粉末を有機溶媒に分散させてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイの画素透明電極形成に使用される透明導電膜形成用塗布液。
【請求項４】
前記有機溶媒が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、およびブタノールから選ばれたアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、および４−ヒドロキシ−４メチル−２ペンタノンから選ばれたケトン類、トルエン、キシレン、ヘキサン、およびシクロヘキサンから選ばれた炭化水素類、Ｎ, Ｎ−ジメチルホルムアミド、およびＮ, Ｎ−ジメチルアセトアミドから選ばれたアミド類、メチルカルビトール、およびブチルカルビトールから選ばれたアルキルエーテル類、またはジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類であることを特徴とする請求項３記載の透明導電膜形成用塗布液。
【請求項５】
請求項３または４記載の透明導電膜形成用塗布液を透明基板上に塗布した後、請求項２記載のオーバーコート膜形成用塗布液を塗布し、次いで２００〜３００℃で焼成してフラットパネルディスプレイの画素電極に使用される透明電極を形成することを特徴とする透明電極の形成方法。
【請求項６】
前記透明電極が、表面抵抗値が３，０００Ω／□以下、可視光透過率が９０％以上の特性を有するものであることを特徴とする請求項５記載の透明電極の形成方法。
【請求項７】
前記塗布が、ディップ法、印刷法、スプレー法、スピンコート法またはインクジェット法により行われることを特徴とする請求項５または６記載の透明電極の形成方法。
【請求項８】
前記透明基板が、ガラスまたは合成樹脂からなる基板であることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の透明電極の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子や有機ＥＬ、無機ＥＬ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の画素電極に使用される透明導電性膜である透明電極およびその形成方法、ならびにこの透明電極を形成するための透明導電膜形成用塗布液に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、透明導電膜は、液晶表示素子、タッチパネル、電磁波シールド材、赤外線反射膜等の分野で広く使用されている。この透明導電膜としては、錫をドープした酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）が、優れた透明性と電気特性から最も広く使用されている。このＩＴＯ膜は、蒸着法やスパッタ法、塗布法により形成されている。
【０００３】
ＩＴＯ透明導電膜を例えば液晶表示装置に使用する場合、この導電膜は、例えば図１に示す画素電極として用いられる。この画素電極に要求される透明導電膜の仕様は、塗膜の導電性能が３，０００Ω／□以下、膜の可視光透過率が９０％以上、基板が有機素材である場合は、塗膜形成時の焼成温度が３００℃以下である。
【０００４】
上記ＩＴＯ透明導電膜形成方法のうち、乾式法の成膜法である蒸着法およびスパッタ法は、気相中で目的物質を基板に堆積させて膜を成長させるものである。これらの方法では、成膜時に真空容器を使用するため、装置が大がかりで高価なうえ原料の使用効率が悪くて生産性が低いという問題点はある。しかし、低抵抗の透明導電膜を３００℃以下の低温で形成することができるという利点があるので、例えば液晶表示装置で透明導電膜を形成するためには、有用な成膜技術である。
【０００５】
また、塗布法によるＩＴＯ透明導電膜形成方法は、スピンコート法、スプレー法、ディップコート法等により被処理基板に目的物質を塗布し、これを焼成することで膜を形成するものである。この方法の場合、装置が簡単で生産性に優れ、大面積の成膜が容易であるという利点はある。しかし、フラットパネルディスプレイ用の透明導電膜として使用可能な特性を得るには、高温での焼成処理が必要であり、他の部材の耐熱性の問題から利用されてこなかったのが現状である。
【０００６】
よって、液晶表示装置の分野では、スパッタ法が、これらの要求性能を満たすＩＴＯ透明導電膜の形成方法として現行の主流の手法となっている。このスパッタ法を用いる場合、液晶表示装置用ＩＴＯ透明導電膜は次のようにして形成される。
【０００７】
例えば、図１に示すように、ガラス等からなる透明絶縁性基板１上に、スパッタ法等によりＣｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａの何れかを成膜し、フォトリソグラフィ法によりゲート電極２を形成する。次いで、プラズマＣＶＤ法等により酸化シリコンや窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜３を全面を覆って形成する。その後、ゲート電極２に対応してゲート絶縁膜３上に分離独立してアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す。）からなる膜４である動作層を形成し、このａ−Ｓｉ膜上に不純物をドープした低抵抗アモルファスシリコン（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉと称す。）からなる膜５であるソース／ドレイン電極コンタクト層を形成する。このようにして順次成膜されたａ−Ｓｉ膜４、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜５を、フォトリソグラフィ法によりパターニングする。
【０００８】
その後、スパッタ法等により、上記ソース電極コンタクト層およびドレイン電極コンタクト層のそれぞれにコンタクトするソース電極およびドレイン電極を、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａの何れかを成膜することにより形成し、フォトリソグラフィ法により、ソース電極６、ドレイン電極７およびチャンネル部８を形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。
【０００９】
さらに、ＴＦＴによる段差部を無くし、表面が平坦化されるように、感光性のアクリル系透明樹脂等をスピンコート法等により塗布・焼成して層間絶縁膜９である平坦化膜を形成した後、フォトリソグラフィ法にてドレイン電極７の表面の一部が露出するようにコンタクトホール部１０を形成する。
【００１０】
最後に、スパッタ法を用い、基板表面温度を所定温度（例えば、２００℃）に設定して酸化インジウムと酸化スズからなるＩＴＯ透明導電膜を所定の膜厚（例えば、１０００Å）に成膜し、所定の温度（例えば、２３０℃）に一定時間（例えば、６０分）保持して熱処理を行う。次いで、フォトリソグラフィ法によりパターニングして画素電極１１を形成し、液晶表示装置ＴＦＴアレイ基板を得る。画素電極１１はコンタクトホール部１０のコンタクト面で、ドレイン電極７と電気的に接続されている。
【００１１】
従来技術では、以上のようにして液晶表示装置用薄膜トランジスタを製造し、これと対向基板とを組み合わせ、両基板で液晶材料を挟持して液晶表示装置を得ている。
【００１２】
従来、２００℃程度の低温で導電性能を確保した塗膜を形成する手法として、例えば、インジウムの有機酸化合物および有機錫化合物を溶解した有機溶媒を使用した技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、２００℃程度の焼成温度で、密着性能に優れた塗膜が得られるが、焼成温度が２００℃程度という低温で得られた透明導電膜の導電性能はシート抵抗値として４，６００Ω／□以上であり、画素電極として必要な３，０００Ω／□以下の導電性能を確保した塗膜を得ることができないという問題がある。また、この導電膜の透過率も９０％未満であり、画素電極として使用可能な透明性に劣るという問題もある。
【００１３】
また、焼成法により表面抵抗値が１０Ω／□〜１０，０００Ω／□を発現する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この場合、１０％Ｈ２−Ｎ２還元性ガス雰囲気などの特殊な環境で、しかも４５０℃という高温の焼成で２２Ω／□という低抵抗が発現しているが、焼成温度が３００℃以下では３，０００Ω／□以下の導電性能を有した塗膜は得られていないという問題がある。
【特許文献１】特開２００１−２９５４号公報（特許請求の範囲、４頁４欄、５頁表１）
【特許文献１】特開平８−１０２２２７号公報（４頁５欄９−１０行、９頁１６欄４５−４６行、１０頁表１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
液晶表示装置用途において現行の主流の透明導電膜形成方法となっているスパッタ法には、上記したように、装置が大がかりで高価なうえ原料の使用効率が悪くて生産性が低いという問題点がある。そのため、装置が簡単で生産性に優れ、大面積の成膜が容易であるという塗布法の利点を活かすべく、塗布法によるＩＴＯ透明導電膜形成方法について種々の提案がなされている。
【００１５】
しかし、塗布法の場合、所望の導電性能を確保するためには、焼成時に４００℃から５００℃の高温処理を必要とするので、耐熱性能が無い液晶表示装置用途には使用できないという問題点がある。
【００１６】
本発明の課題は、以上のような従来技術の問題点を解消することにあり、広範な種類の基板を使用することができると共に、３００℃程度以下の低温での焼成でも所望の物性を有する透明導電性膜である透明電極および透明電極形成方法、ならびにこの透明電極を形成するために用いる透明導電膜形成用塗布液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記したように、液晶表示装置等の画素電極として使用可能なＩＴＯ透明導電性膜には、形成された膜の導電性能が３，０００Ω／□以下であること、その膜の可視光透過率が９０％以上であること、さらに、膜形成時の焼成温度が３００℃以下であることが必要である。
【００１８】
本発明者らは、これらの要求性能を達成するには、要求導電性能を発現する十分な大きさの結晶粒界を確保したＩＴＯ透明導電薄膜を作製すればよいとの発想から、従来技術の問題点の解決を図るべく、鋭意、研究開発を行ってきた。その結果、所望の導電性能を確保するためには、特定のＩＴＯ超微粒子粉末、すなわち、インジウムと錫とより形成されるＩＴＯ複合酸化物の超微粒子粉末として、３５０℃以上、望ましくは５００℃〜８００℃で焼成して十分に結晶粒界を成長させたＩＴＯ超微粒子粉末を用い、そしてＩＴＯを成膜後にアルコキシシラン加水分解物を含有した液でオーバーコート膜を成膜することにより、従来技術の問題点の解決が図れるという新たな知見を得、本発明を完成させるに至った。
【００１９】
本発明の透明電極は、フラットパネルディスプレイの画素電極に使用される透明電極であって、透明基板上に形成されたＩＴＯ超微粒子粉末から成る透明導電膜と、その上に形成されたオーバーコート膜との２層構造の膜を３００℃以下で焼成してなる透明導電性膜であることを特徴とする。
【００２０】
上記透明導電性膜は、表面抵抗値が３，０００Ω／□以下、可視光透過率が９０％以上の特性を有するものであることを特徴とし、その基板への密着性能も十分確保されている。
【００２１】
上記オーバーコート膜はアルコキシシランの加水分解物を含有するオーバーコート膜形成用塗布液により形成されものであることを特徴とする。
【００２２】
本発明の透明導電膜形成用塗布液は、インジウムと錫とを必須成分とするＩＴＯ複合酸化物を３５０〜８００℃で焼成して結晶粒界を成長させたＩＴＯ超微粒子粉末を有機溶媒に分散してなることを特徴とする。
【００２３】
一般に、ＩＴＯ材料の製造時の焼成温度が高いほど、高い導電性が発現されることが知られている。高温になるにつれて結晶粒界が十分に成長し、粒子自体の結晶性も向上することから高い導電性が得られると推察される。本発明の透明導電膜形成用塗布液に用いられる超微粒子粉末は、ＩＴＯ複合酸化物を３５０〜８００℃で焼成して結晶粒界を成長させたＩＴＯ超微粒子粉末である。３５０℃未満だと、粒子径は小さくなるが、十分な結晶化が行われず、また、８００℃を超えると粒子の成長が著しくなり、粒径が大きくなりすぎ、粒子の分散が困難になる。
【００２４】
上記有機溶媒としては、アルコール類、ケトン類、炭化水素類、アミド類、アルキルエーテル類、またはスルホキシド類が挙げられる。
【００２５】
本発明の透明電極形成方法は、上記透明導電膜形成用塗布液を透明基板上に塗布して成膜した後、上記オーバーコート膜形成用塗布液を塗布して成膜し、次いで２００〜３００℃で焼成して透明導電性膜を得ることを特徴とする。３００℃を超えると、例えば、液晶表示装置用薄膜トランジスタを製造する際に、層間絶縁膜が熱分解されて、熱分解生成物が生じたり、熱分解により層間絶縁膜に変色が生じて透過率の低下を招く等の問題が生じる。また、２００℃未満だと透明導電膜の所望の導電性能が発揮できない。得られた透明導電性膜の表面抵抗値、可視光透過率の特性は上記の通りである。
【００２６】
上記塗布は、ディップ法、印刷法、スプレー法、スピンコート法またはインクジェット法により行われることが好ましい。
【００２７】
本発明で用いる透明基板は、ガラスまたは合成樹脂からなる基板であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の透明電極は、２層構造の膜を３００℃以下という低温で焼成してなる透明導電性膜であり、所望の表面抵抗性および可視光透過率を発現することができるので、フラットパネルディスプレイ用の透明電極として使用することができるという効果を奏する。
【００２９】
本発明の透明導電膜形成用塗布液によれば種々の用途に対応できる広範な濃度範囲で容易に調製することができる。
【００３０】
本発明の透明電極形成方法によれば、上記塗布液を用いるので、スプレー法、スピンコート法またはインクジェット法等により塗布でき、２００〜３００℃の低温での焼成で表面抵抗値が３，０００Ω／□以下、可視光透過率が９０％以上の物性を有する透明導電性膜を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態についてさらに詳細に説明する。
【００３２】
最初に、本発明の透明導電膜形成用塗布液および透明導電性膜である透明電極の形成方法について説明する。
【００３３】
本発明の透明導電膜形成用塗布液は、以下述べるように、必須成分としてインジウムと錫とから形成されるＩＴＯ複合酸化物の超微粒子粉末を以下述べる有機溶媒中に溶解したものである。
【００３４】
本発明の塗布液中に配合されるインジウムと錫とから形成される複合酸化物のＩＴＯ超微粒子粉末は、例えば、以下のようにして調製される。
【００３５】
塩化インジウム、硝酸インジウム、硫酸インジウム、酢酸インジウム、シュウ酸インジウム等のインジウム塩の水溶液と、塩化錫、硝酸錫、硫酸錫、酢酸錫、シュウ酸錫等の錫塩の水溶液とからなる混合水溶液を所定の温度に保持し、この混合水溶液と所定温度に保持されたアンモニウム化合物やアルカリ金属化合物等のアルカリ水溶液とを混合し、所定のｐＨで所定時間共沈反応を行い、水酸化物を沈殿させる。この時の錫の添加量は、インジウムと錫との元素含有比率で１００：１〜１０：１となるような量であればよい。その後、所望により沈殿物をイオン交換水により繰返し傾斜洗浄し、上澄み液の電気伝導度が所定の値以下になった時点で、沈殿したインジウム、錫の共沈水酸化物を濾別する。次いで、この共沈水酸化物ケーキを大気中で３５０〜８００℃、好ましくは５００〜８００℃の温度で焼成処理し、ＩＴＯ超微粒子粉末を調製する。焼成後の粒子は凝集しているので、粉砕してその凝集粒子をほぐすことが好ましい。
【００３６】
上記共沈反応において、反応温度は一般に２５〜７０℃であり、反応時間は反応温度に依存するが、一般に３０〜１２０分間であり、反応終了時のｐＨは５〜１１である。
【００３７】
かくして得られたＩＴＯ超微粒子粉末を塗布液にする際には、超微粒子粉末以外の成分を溶解することのできる(あるいは、液体成分については、これと相溶性を有する)任意の有機溶媒を使用できる。
【００３８】
使用可能な有機溶媒の例には、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、４−ヒドロキシ−４メチル−２ペンタノン等のケトン類、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素類、Ｎ, Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ, Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、メチルカルビトール、ブチルカルビトールなどのアルキルエーテル類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類などが挙げられ、使用する成分に応じて、それら成分を溶解するように１種もしくは２種以上の溶媒を選択する。
【００３９】
本発明で用いられるオーバーコート膜形成用塗布液は、アルコキシシランを酸触媒、水の存在下で有機溶媒中で加水分解および縮合させることによって得られる。
【００４０】
アルコキシシランの具体例としては、テトラメトキシシラン(メチルシリケート)、テトラエトキシシラン(エチルシリケート)、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【００４１】
また、一般にシランカップリング剤と呼ばれる官能基を有するアルコキシシラン類も使用でき、このアルコキシシラン類と上記アルコキシシランとの任意の組成での混合でも使用できる。そのような化合物の例としては、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシシラン、Ｎ−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、β−(３，４エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００４２】
酸触媒の種類は特に限定されず、塩酸、硝酸などの無機酸、酢酸などの有機酸いずれもが使用できる。
【００４３】
アルコキシシランの加水分解に使用する有機溶剤は、好ましくはメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノールなどのアルコール類であるが、アルコキシシランを溶解しうる他の有機溶媒（ケトン類、炭化水素類、アミド類、スルホキシド類など）も、アルコ−ルとの混合溶媒として、あるいは単独で使用できる。
【００４４】
また、反応は２０℃〜８０℃で行い、アルコキシル基が実質的に完全に遊離するまで加水分解を続けても良いが、一部のアルコキシル基がまだ結合したままであってもよい。
【００４５】
本発明の透明導電性膜である透明電極の形成方法によれば、まず、上記のようにして調製した透明導電膜形成用塗布液を、無アルカリガラス等のガラスや、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリアリールスルホン、ポリアリーレンスルフィド等の透明な合成樹脂等からなる透明絶縁性基板上に、スプレー法やスピンコート法やインクジェット法等の公知の塗布方法により、焼成後の膜厚が所定の厚さになるように塗布して成膜し、ついで上記の方法で作製したオーバーコート膜形成用塗布液をスプレー法やスピンコート法やインクジェット法等の公知の塗布方法により、焼成後の膜厚が所定の厚さになるように塗布して成膜する。その後、好ましくは大気中で所定の温度（３００℃以下）で所定の時間焼成し、２層構造の透明導電性膜を得る。かくして得られた透明導電性膜の表面抵抗値は３，０００Ω／□以下であり、膜の正味の可視光透過率は９０％以上であり、膜の基板に対する密着性能も十分確保されている。
【００４６】
以下、実施例および比較例により本発明の透明導電膜形成用塗布液、透明導電性膜である透明電極の形成方法についてさらに詳細に説明する。
【実施例１】
【００４７】
透明導電膜形成用塗布液およびオーバーコート膜形成用塗布液の調製法の一例を下記に示す。
【００４８】
まず、透明導電膜形成用塗布液を次の条件により調製した。
【００４９】
ＩｎＣｌ３水溶液（ＩｎＣｌ３として２１７．００ｇ含有）５９０．０ｇと、ＳｎＣｌ４水溶液（ＳｎＣｌ４として２．６０５ｇ含有）３．１５７ｇとを混合し、温度２５℃に保持した。このとき、Ｓｎの添加量はＩｎ、Ｓｎの総モル数に対して０．５モル％であった。次いで、この混合水溶液を温度２５℃に保持した６．２５％のＮＨ３ａｑ１リットル中に滴下し、最終ｐＨが９となるように混合し、４０分間共沈反応させた。その後、沈殿物をイオン交換水により繰返し傾斜洗浄を行った。次に、上澄み液の電気伝導度が０．５ｍＳ／ｃｍ以下になったところで、沈殿したＩｎ、Ｓｎの共沈水酸化物を濾別した。更に、この共沈水酸化物ケーキを５００℃で２時間焼成し、導電性ＩＴＯ超微粒子凝集体を得た。この導電性ＩＴＯ超微粒子凝集体を粉砕してほぐすことにより、導電性ＩＴＯ超微粒子粉末を得た。
【００５０】
かくして得られた導電性ＩＴＯ超微粒子粉末を、ＩＴＯ微粒子濃度３０重量％になるように先に述べた有機溶媒１種もしくは２種以上の混合液（例えば、エタノールとブチルカルビトールとを１：１で混合した液）中で凝集をほぐすことにより透明導電膜形成用塗布液を調製した（透明導電膜形成用塗布液１）。
【００５１】
次に、オーバーコート用塗布液の調製法の一例を下記に示す。
【００５２】
５００ｍｌの４つ口フラスコに水冷コンデンサー、攪拌プロペラ、およびマントルヒーターを取り付け、ＳｉＯ２換算で１０重量％となるようテトラエトキシシラン、イオン交換水、酸触媒（硝酸）、溶媒（エタノール）を加え、２００ｒｐｍの攪拌下、６０℃で１時間反応させてシリカゾルを合成した。
【００５３】
このシリカゾルに先に述べた有機溶媒１種もしくは２種以上の混合液（イソプロパノールとブチルカルビトールとを１：１で混合した液）を添加し、オーバーコート膜形成用塗布液を調製した(オーバーコート液１)。
【００５４】
本実施例で用いた透明導電膜形成用塗布液中の有機溶媒や、オーバーコート用塗布液中の酸触媒、有機溶媒の替わりに上記した別の溶媒や酸触媒を用いても、同様に所望の塗布液が得られる。
【実施例２】
【００５５】
実施例１で示したオーバーコート膜形成用塗布液の調製法のテトラエトキシシランに加えてγ−アミノプロピルトリメトキシシランをＳｉＯ２換算で１．０重量％加えて、実施例１と同様の操作でオーバーコート膜形成用塗布液を調製した(オーバーコート液２)。
【実施例３】
【００５６】
実施例１で示したオーバーコート膜形成用塗布液の調製法のテトラエトキシシランに加えてビニルトリエトキシシランをＳｉＯ２換算で１．０重量％加えて、実施例１と同様の操作でオーバーコート膜形成用塗布液を調製した(オーバーコート液３)。
【００５７】
上記実施例１〜３で調製した透明導電膜形成用塗布液およびオーバーコート膜形成用塗布液を用いた成膜実験の結果について説明する。
【００５８】
成膜方法は、洗浄した無アルカリガラス基板上に、スピンコート法により、焼成後の膜厚が約５００ｎｍになるような条件で透明導電膜形成用塗布液を塗布し、６０℃程度のヒーターに投入し、一分から数分保持した。その後、スピンコート法によりオーバーコート層の膜厚が約１００ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍになる条件でオーバーコート膜形成用塗布液を塗布し、大気中で、２００℃、２５０℃、３００℃の各温度条件で３０分間熱処理して透明電極となる２層構造の透明導電性膜を得た。得られた導電性膜の物性を評価した。導電性膜の評価のうち、導電性能は四探針法（ロレスターEP MCP-T360）により、可視光透過率は分光光度計(日立製作所  U-3500)により評価した。評価結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
2005166350.tif 000003
【００６０】
表１から明らかなように、本発明の透明導電膜形成用塗布液およびオーバーコート膜形成用塗布液を用いた場合は、ＩＴＯ粉末のみの場合と比較して、導電性能の大幅な向上が確認できた（表面抵抗値３,０００Ω／□以下）。また、波長５５０ｎｍでの透過率も９０％以上であり、透過率も問題ないことが確認できた。この透明導電性膜の膜厚を走査型電子顕微鏡像により評価したところ、約５００ｎｍであった。なお、図２に、表１に示した焼成温度と導電性能（表面抵抗値）との関係を比較例と共にプロットして示す。
このことから、本発明の透明導電膜形成用塗布液およびオーバーコート膜形成用塗布液を用いれば、導電性、透過率も十分確保された透明導電性膜である透明電極が得られていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の透明導電膜形成用塗布液およびオーバーコート膜形成用塗布液を用いて形成された透明導電性膜は、液晶表示素子や有機ＥＬ、無機ＥＬ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイで画素電極として使用される透明電極に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】画素電極を設けた薄膜トランジスタの構造を説明するための模式的断面図。
【図２】本発明の方法に従って得られた導電性薄膜についての、焼成温度と導電性能との関係を比較例と共に示すグラフ。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板                            ２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜                    ４  ａ−Ｓｉ膜
５  ｎ＋ａ−Ｓｉ膜                  ６  ソース電極
７  ドレイン電極                    ８  チャンネル部
９  層間絶縁膜（平坦化膜）        １０  コンタクトホール部
１１  画素電極
【図１】
2005166350.tif 000004
【図２】
2005166350.tif 000005