(57)【要約】【課題】  低コストで作業効率に優れた製造方法により、磁性層を構成する微細な磁性結晶粒の均一化を図り、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整し、Ｓ／Ｎの向上を図ることが可能な磁気記録媒体を作製すること。【解決手段】  ＮｉＰ等の金属めっきされた基板１と銅部材２との距離を適切に設定して、基板１上にＣｕ析出物４を均等間隔ｒで析出させ、Ｃｕ析出物４を磁性粒子１０に置き換えることにより、均一な粒径と均等間隔ｒとをもつ結晶粒を形成し、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属めっきを施された基板を用いて、磁気記録媒体を製造する方法であって、
酸性溶液中に、前記基板と銅を含有する部材とを近接対向配置させた状態において、前記部材から銅微粒子を析出させ、該銅微粒子を前記基板の表面上に均等間隔で堆積することにより、一定径の銅析出物を生成する工程
を具えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記一定径の銅析出物が均等間隔で形成された前記基板上に、酸化物を該一定径の銅析出物の高さよりも厚く成膜させた後、該酸化物を該銅析出物が露出する高さまで研磨することにより、該一定径の銅析出物と同等の高さの酸化膜を形成する工程と、
前記一定径の銅析出物と同等の高さの酸化膜が形成された前記基板において、該一定径の銅析出物のみを酸により選択的にエッチングして、該エッチングされる銅析出物の一定径に対応した一定孔径のエッチング孔を形成することにより、該各エッチング孔の周囲に酸化膜粒子を形成する工程と、
前記一定孔径のエッチング孔と該各エッチング孔の周囲に形成された酸化膜粒子とを有する前記基板上に、磁性材を該エッチング孔の深さよりも厚く成膜させた後、該磁性材を該酸化膜粒子が露出する高さまで研磨することにより、該各エッチング孔の一定孔径および前記銅析出物の一定径と同等な径の磁性粒子を形成して磁性層として構成する工程と
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記磁性粒子によって構成される磁気ビット間の粒界幅として定義される磁化遷移領域幅Ｗは、銅イオン濃度、および、前記基板と前記部材との基板間距離に依存して決定されることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁性粒子は、平均粒径が２０ｎｍで均一化され、平均粒子間隔が１０ｎｍで均等粒子間隔で統一されたことを特徴とする請求項２又は３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
磁気ビット長を４０ｎｍとしたとき、磁化遷移領域幅Ｗが６ｎｍ、有効磁化幅は２８ｎｍであることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記基板に施された金属めっきは、ＮｉＰめっき又はＮｉめっきであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記金属めっきを施された基板は、金属、セラミック、又は有機物からなる基板であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の製造方法によって作成された磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化膜中に埋め込まれた磁性結晶粒を磁性層として構成する高記録密度な磁気記録媒体、および、その製造方法に係り、特に、磁性層を構成する微細な磁性結晶粒の均一化を図ると共に、結晶粒間の粒界幅（すなわち、磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気記録媒体は、記録密度の増加に対して、磁性層を構成する磁性結晶粒の微細化により対応している。この際、磁性結晶粒の結晶粒間の交換相互作用により記録した磁気情報が磁化反転してしまうという問題がある。
【０００３】
この問題に対して、磁性結晶粒を物理的に孤立化させるために、非磁性材料を粒界に析出させる手法が適用されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９８３３７号公報
【特許文献２】特開２００２−３６１６００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の析出手法では、磁性結晶粒の結晶粒間の粒界幅（すなわち、磁化遷移領域幅Ｗ）を精度よく調整するのは困難である。
【０００６】
これらの問題点に対して、何らかの手法で磁性体を面内に埋め込んだパタードメディアが提案されている。例えば、特許文献１は、リソグラフィーを用いた提案であるが、Ｘ線露光などの装置が別途必要となり、コストがかかり、設備的に難易度が高い。また、特許文献２は、原子間力顕微鏡を手段として用いることにより、ナノスケールの微粒子をパターニング可能である。しかし、この方法では、パターンニングの作業処理に多大な時間かかり、作業効率の面で問題がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、Ｃｕ析出物から置き換えられた磁性粒子を均一な粒径でかつ均一な粒子間隔をもって形成することによって、安価で簡単な製造方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、上記製造方法によって結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整して、有効磁化幅の拡大化を図ることによって、高密度な磁気記録媒体を作製することにある。
【０００９】
さらに、本発明の他の目的は、磁性粒子の粒径の均一化と粒子間隔の大幅な拡大を図り、結晶粒界での磁化反転ムラを無くし、Ｓ／Ｎの精度を格段に向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、金属めっきを施された基板を用いて、磁気記録媒体を製造する方法であって、酸性溶液中に、前記基板と銅を含有する部材とを近接対向配置させた状態において、前記部材から銅微粒子を析出させ、該銅微粒子を前記基板の表面上に均等間隔で堆積することにより、一定径の銅析出物を生成する工程を具えることによって、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００１１】
前記一定径の銅析出物が均等間隔で形成された前記基板上に、酸化物を該一定径の銅析出物の高さよりも厚く成膜させた後、該酸化物を該銅析出物が露出する高さまで研磨することにより、該一定径の銅析出物と同等の高さの酸化膜を形成する工程と、前記一定径の銅析出物と同等の高さの酸化膜が形成された前記基板において、該一定径の銅析出物のみを酸により選択的にエッチングして、該エッチングされる銅析出物の一定径に対応した一定孔径のエッチング孔を形成することにより、該各エッチング孔の周囲に酸化膜粒子を形成する工程と、前記一定孔径のエッチング孔と該各エッチング孔の周囲に形成された酸化膜粒子とを有する前記基板上に、磁性材を該エッチング孔の深さよりも厚く成膜させた後、該磁性材を該酸化膜粒子が露出する高さまで研磨することにより、該各エッチング孔の一定孔径および前記銅析出物の一定径と同等な径の磁性粒子を形成して磁性層として構成する工程とをさらに具えてもよい。
【００１２】
前記磁性粒子によって構成される磁気ビット間の粒界幅として定義される磁化遷移領域幅Ｗは、銅イオン濃度、および、前記基板と前記部材との基板間距離に依存して決定してもよい。
【００１３】
前記磁性粒子は、平均粒径が２０ｎｍで均一化され、平均粒子間隔が１０ｎｍで均等粒子間隔で統一してもよい。
【００１４】
磁気ビット長を４０ｎｍとしたとき、磁化遷移領域幅Ｗが６ｎｍ、有効磁化幅は２８ｎｍとしてもよい。
【００１５】
前記基板に施された金属めっきは、ＮｉＰめっき又はＮｉめっきとしてもよい。  
前記金属めっきを施された基板は、金属、セラミック、又は有機物からなる基板としてもよい。
【００１６】
本発明は、上記製造方法に基づいて磁気記録媒体を作製することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、金属めっきされた基板と銅を含有する部材との距離を適切に設定することにより、基板上にＣｕ析出物を均一な粒径でかつ均等間隔に析出させ、Ｃｕ析出物を磁性粒子に置き換えることにより、磁性結晶粒の均一化を図ると共に、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整することができる。
【００１８】
また、本発明によれば、上記製造方法を用いて結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整できるので、有効磁化幅の拡大化を図り、低コストで作業効率に優れた高記録密度な磁気記録媒体を作製することができる。
【００１９】
さらに、本発明によれば、均一な粒径と幅広な粒子間隔とをもつ磁性粒子を形成するので、結晶粒界での磁化反転ムラを無くし、Ｓ／Ｎの精度を格段に向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。  
［概要］
本発明においては、ＮｉＰめっきの基板１と銅部材２とを酸溶液中で近接配置し、銅部材２から基板１上に均等間隔で複数の銅微粒子３からなる銅析出物４を析出させ、この析出された銅析出物４をシリコン等の酸化物で孤立化させ、その後、銅析出物４を磁性粒子１０に置き換えるための処理（エッチング・成膜等）を行うことによって、高記録密度な磁気記録媒体２０を作成する。
【００２１】
（原理）
ここで、高記録密度な磁気記録媒体２０を作成する原理について説明する。  
＜Ｃｕ析出物＞
Ｃｕ析出物４について説明する。  
図１に示すように酸溶液中でＣｕを含有するＣｕ部材２を、ＮｉＰめっきが施された基板１に接近させることにより、図２に示すようにＣｕイオンとしてのＣｕ微粒子３が基板１上に均等間隔ｒを置いて堆積され、Ｃｕ析出物４が生成される。
【００２２】
このＣｕ析出物４は、オージェ分析の結果から、金属Ｃｕであることが判明した。ＮｉＰのうちＰは溶解せずに、ＮｉＰ表面にＰの高濃度層を形成する。この析出時の化学反応は、主に、
Ｃｕ２＋＋ＳＯ４２−＋Ｎｉ  →  Ｃｕ＋Ｎｉ２＋＋ＳＯ４２−        …（１）
として表される。この金属ＣｕのＣｕ微粒子３が析出した後は、その析出の開始点が核になってＣｕ微粒子３が堆積されていき、最終的に複数のＣｕ微粒子３からなる一定径をもつＣｕ析出物４として構成される。
【００２３】
このような析出が生じる原因としては、酸性溶液中でＮｉＰめっきの基板１にＣｕイオンが移動して接触したとき、その接触点を中心にいてＣｕ微粒子３が析出し始め、核になったＣｕ微粒子３を中心にして島状成長をすることが考えられる。その成長する物理的理由としては、表面エネルギー的にＣｕイオンが、Ｐの高濃度層のＮｉＰ表面上に移動するよりも、堆積されたＣｕの方へ移動していきＣｕの結晶として構成する方が化学的に安定しているためだと考えられる。
【００２４】
図３は、Ｃｕ析出物４の析出堆積Ｖｃと析出時間Ｆ（ｔ）との関係を示す。  
曲線１００は、析出反応が進むにつれてＣｕ微粒子３がＮｉＰ表面を全般に渡って覆っていくため、Ｃｕ析出物４の析出堆積Ｖｃは時間の経過と共に飽和する傾向にある。  
これにより、析出堆積Ｖｃは、
Ｖｃ∝Ｆ（ｔ）／ｄ            …（２）
の関係がある。
【００２５】
そして、このようにして析出された互いに一定径をもつＣｕ析出物４間の距離を、均一な距離（磁化遷移領域幅Ｗ）として定義する。
【００２６】
＜磁化遷移領域幅＞
磁化遷移領域幅Ｗについて説明する。  
図４は、磁化遷移領域幅Ｗと、基板間距離ｄとの関係を示す。  
磁化遷移領域幅Ｗは、Ｃｕ析出物４と書き換えられた磁性粒子１０が複数個集まって構成される各磁気ビット間の結晶粒界幅（後述する図８（ａ）参照）として定義される。
【００２７】
曲線１０１は、ＮｉＰめっきの基板１とＣｕ部材２との基板間距離ｄに反比例して、析出されるＣｕ微粒子３の粒子密度が下がる傾向にある。この曲線の傾きは、銅イオン濃度Ｃ（ｄ）に左右され、濃度が薄いほどなだらかな曲線となる。
これにより、磁化遷移領域幅Ｗは、
Ｗ∝１／Ｃ（ｄ）            …（３）
の関係がある。このようにして均一な磁化遷移領域幅Ｗは、銅イオン濃度と基板間距離ｄとの関係によって決定される。
【００２８】
また、この磁化遷移領域幅Ｗを置いて配列される各Ｃｕ析出物４は、ＮｉＰめっきの基板１とＣｕ部材２との基板間距離ｄによって、粒子サイズおよび分布密度が決定される。
【００２９】
従って、その基板間距離ｄを適宜設定することにより、堆積されるＣｕ微粒子３の粒子サイズおよび分布密度を任意に調節することが可能となり、結果として、複数のＣｕ微粒子３からなるＣｕ析出物４の径およびそのＣｕ析出物４間の磁化遷移領域幅Ｗを精度良く決定することができる。
【００３０】
［具体例］
以下、具体例を挙げて説明する。  
（製造方法）
高密度磁気記録媒体の製造方法を、図５〜図７に基づいて説明する。  
図５は、Ｃｕ析出物４を析出させる前の基板配置関係を示す。  
ＮｉＰめっきが施された基板１は、金属基板としての円盤状のアルミニウム基板を使用する。アルミニウム基板１の表面には、ＮｉＰめっきが施されている。
【００３１】
この基板１を使用するに当たり、前段のポリッシュ工程などの加工の汚れを超音波などで洗浄した後、最終工程として洗浄槽で純水により浸漬洗浄を行った。
【００３２】
なお、基板１のめっき材料としては、ＮｉＰめっきに限らず、Ｎｉめっきでもよい。また、この下地となる基板１の材質は、金属に限らず、セラミックス等の無機系材料、有機系材料のいずれでもよい。
【００３３】
図６は、基板１を酸性溶液５中に浸漬して、ＮｉＰめっき上にＣｕ析出物４を析出させた状態を示す。この析出の原理については、前述した図２で説明した例と同様にして行われる。
【００３４】
ここでは、図５の洗浄後、ＮｉＰめっきの基板１とＣｕ部材２とを、各対向面が平行になるように設定し、酸性溶液５中でさらに接近させる。
【００３５】
このときの設定条件は、基板１とＣｕ部材２との基板間距離をｄ＝０．５μｍ、酸はｐＨを２〜３に調整したリンゴ酸を使用し、浸漬時間は１分間とした。
【００３６】
このとき析出される複数のＣｕ微粒子３からなるＣｕ析出物４は、その平均粒径が２５ｎｍ、平均粒子の粒子間隔が１０ｎｍとなる。このＣｕ析出物４は、最終的には磁性粒子１０に置き換えられる。
【００３７】
以下、Ｃｕ析出物４を析出後の各工程について説明する。  
図７（ａ）の工程では、Ｃｕ析出物４が析出された基板１を洗浄した後、スパッタ装置によって、ＳｉＯ２膜６を、Ｃｕ析出物４のＣｕ粒子高さよりも厚く成膜する。
【００３８】
図７（ｂ）の工程では、その成膜されたＳｉＯ２膜６を、Ｃｕ析出物４が露出する高さまで研磨する。これにより、一定径のＣｕ析出物４と同等の高さをもつ酸化膜６が形成される。
【００３９】
図７（ｃ）の工程では、Ｃｕ析出物４と同等の高さをもつ酸化膜６が形成された基板１において、エッチング溶液を用いてＣｕ析出物４のみを選択的にエッチングすることにより、エッチング孔７を形成する。このエッチング孔７の孔径は、Ｃｕ析出物４の径に対応した同等の孔径をもつ。そして、このエッチングにより、各エッチング孔７の周囲には、酸化膜６からなる酸化膜粒子８が形成される。
【００４０】
エッチング溶液としては、Ｃｕを溶解する液を任意に選択可能であり、例えば塩化第二鉄などの銅溶解剤が適している。
【００４１】
図７（ｄ）の工程では、Ｃｕを溶解除去しエッチング孔７と酸化膜粒子８とが形成された基板１を洗浄して、溶解剤などの不純物が無い洗浄表面とした後、スパッタ装置によって、磁性材９をエッチング孔７の凹部深さよりも厚く成膜する。
【００４２】
図７（ｅ）の工程では、その基板１上に成膜された磁性材９を、下層の酸化膜粒子８が露出する高さまで研磨する。その研磨された磁性材９からなる磁性粒子１０が磁性層として構成される。
【００４３】
この磁性粒子１０は、Ｃｕ析出物４が置き換えられものであり、エッチング孔７の一定孔径およびＣｕ析出物４の一定径に同等な径を有している。これにより、微小磁性材料である均一な粒径をもつ磁性粒子１０が均等な粒子間隔でかつ高密度な状態で埋め込まれたパターンドメディアを作製することができた。
【００４４】
この磁性粒子１０は、成膜可能な材料から任意に選択可能であるが、通常に使用されているＣｏ合金が適している。
【００４５】
そして、このようにして作製された基板１上に、腐食やヘッドによる磨耗を防ぐためダイヤモンドカーボン保護膜を成膜することにより、高密度な磁気記録媒体２０として構成した。
【００４６】
（磁化遷移領域幅Ｗ）
次に、磁化遷移領域幅Ｗの調整方法について説明する。  
図８（ａ）は、図８（ｂ）に示す上記製造方法によって作製された高密度な磁気記録媒体２０を磁化したときの状態を示す。
【００４７】
高密度な磁気記録媒体２０に対して、磁気ビットＡ，Ｂ，Ｃを磁気ヘッドにより書き込んだ。この場合、磁化方向は、トラック方向Ｙ、すなわち、媒体半径方向Ｘに直交する円周方向に相当する。  
【００４８】
磁気ビットＡの領域と磁気ビットＢの領域との結晶粒間、又は、磁気ビットＢの領域と磁気ビットＣの領域との結晶粒間は、磁化遷移領域幅Ｗとして定義される。磁気ビットＡ，Ｂ，Ｃの各領域内には、図７（ｅ）の工程によって形成された磁性粒子１０がそれぞれ多数個存在している。この場合、各磁気ビット内の磁性粒子１０は、全て、均一な形状とされ、かつ、均一な粒子間隔をもって配列されている。
【００４９】
図９は、従来の磁気記録媒体３０との比較例を示す。  
書き込まれた磁気ビットＡ，Ｂ，Ｃを磁気力顕微鏡によって観察し、磁化遷移領域幅Ｗ１，Ｗ２、磁性粒子１０の平均粒径および平均間隔、磁気ビットＡ，Ｂ，Ｃのビット幅等を測定した。
【００５０】
図９（ａ）に示す本発明の高密度な磁気記録媒体２０では、磁性粒子１０の平均粒径は２０ｎｍ、磁化遷移領域幅Ｗ１は６ｎｍ、磁気ビットＡ，Ｂ，Ｃのビット幅は３９ｎｍ、磁性粒子１０の平均粒子間隔は１０ｎｍであった。
【００５１】
図９（ｂ）に示す従来の磁気記録媒体２０では、磁性粒子１０の平均粒径は１０ｎｍ、磁化遷移領域幅Ｗ２は１０ｎｍ、磁気ビットＡ，Ｂ，Ｃのビット幅は４０ｎｍ、磁性粒子１０の平均粒子間隔は１〜２ｎｍ又はほとんど接触した状態であった。
【００５２】
ここで、磁化遷移領域幅Ｗ１とＷ２を比較する。この比較のため、Ｗ１／Ｗ２を計算すると、
Ｗ１／Ｗ２＝０．６      …（４）
となった。
【００５３】
以上の測定結果から、磁性粒子１０は２倍の粒径に拡大（１０ｎｍ→２０ｎｍ）され、磁化遷移領域幅Ｗは約１／２に縮小（１０ｎｍ→６ｎｍ）される。
【００５４】
さらに、平均粒子間隔は、従来の接触に近い状態（１ｎｍ〜２ｎｍ）から平均粒子間隔として均等な１０ｎｍに設定できる。
【００５５】
上記比較結果から、本発明の高密度な磁気記録媒体２０の方が、『磁化遷移領域幅Ｗを精度良く調整』することが可能となる。
【００５６】
（有効磁化幅Ｐ、Ｓ／Ｎ）
次に、磁化遷移領域幅Ｗを精度良く調整することによって、有効磁化幅Ｐの拡大を図り、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる理由について説明する。
【００５７】
図１０は、本発明の磁化遷移領域幅Ｗ１（＝６ｎｍ）と、従来の磁化遷移領域幅Ｗ２（＝１０ｎｍ）とを比較して示したものである。
【００５８】
図９（ｂ）に示した従来の磁性粒子１５の場合、粒径自体は本発明よりも小さい（約１０ｎｍ）が、その平均粒子間隔は、粒子同士が接触又は接触に近い１ｎｍ〜２ｎｍの“狭い”間隔で配列されている。従って、図８（ａ）のように磁化を行った場合、隣接する磁性粒子１５の磁化の反転作用の影響を受けやすくなり、結果として、図１０に示すように磁化遷移領域幅Ｗ２は、１０ｎｍの幅広でジグザグ形状になってしまう。しかも、磁性粒子１５は、全て均一な形状とはなっていない。
【００５９】
これに対して、本発明の磁性粒子１０の場合、粒径は従来よりも大きく（約２０ｎｍ）、その平均粒子間隔は、従来よりも１０ｎｍと“広い”間隔で配列されている。従って、図８（ａ）のように磁化を行った場合でも、隣接する磁性粒子１０の磁化の反転作用の影響を受けにくくなり、結果として、図１０に示すように磁化遷移領域幅Ｗ１は、Ｗ２よりも狭い６ｎｍとなる。さらに、磁性粒子１０は、全て均一な形状に統一されている。
【００６０】
また、図９において、ビット幅Ｌ、有効磁化幅Ｐ、磁化遷移領域幅Ｗの間には、
Ｐ＝Ｌ−Ｗ×２        …（５）
の関係がある。６０（Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２）の記録密度で、Ｌ＝４０ｎｍとすると、本発明では、磁化遷移領域幅Ｗ１＝６ｎｍであるから、有効磁化幅はＰ＝４０−６×２＝２８ｎｍとなる。一方、従来例では、磁化遷移領域幅Ｗ２＝１０ｎｍであるから、有効磁化幅はＰ＝４０−１０×２＝２０ｎｍとなる。従って、ノイズが従来と同じ値と仮定すると、Ｓ／Ｎは、２８／２０＝１．４となり、従来よりも１．４倍向上させることができる。
【００６１】
以上より、従来の”不均一な”粒径でかつ”狭い”粒子間隔から、本発明のように均一な”粒径でかつ”広い”粒子間隔に変わることによって、磁化遷移領域幅は、幅広でジグザグ形状のＷ２から、幅狭で直線状のＷ１に設定することができる。
【００６２】
このように磁化遷移領域幅Ｗ１が狭く直線状になると、結晶粒界に位置する磁性粒子１０が磁化反転したり又は磁化反転しなかったりする、いわゆる磁化反転ムラ（このムラが、ノイズに相当する）の発生割合を完全に無くすことが可能となり、これにより、Ｓ／Ｎの精度を格段に向上させることができる。
【００６３】
以上より本発明の特徴をまとめてみる。  
第１の特徴として、Ｃｕ析出物４を磁性粒子１０に置き換えて磁性層を作成することによって、安価で簡単な製造方法を提供することができる。
【００６４】
第２の特徴として、磁化遷移領域幅ＷをＷ２からＷ１に縮小して、有効磁化幅を２０ｎｍから２８ｎｍに拡大することができ、高密度な磁気記録媒体２０を作製できる。
【００６５】
第３の特徴として、磁性粒子１０の粒径の均一化と粒子間隔の大幅な拡大を図ることにより、磁化遷移領域幅Ｗ１での磁化反転ムラを無くし、Ｓ／Ｎの精度を格段に向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、安価でかつ簡単な製造方法で、微細な磁性粒子が磁性層として埋め込まれた高密度なパターンドメディアを作製することが可能な、磁気ディスク等の磁気記録媒体の製造分野に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】磁気記録媒体の製造方法の原理を示す説明図である。
【図２】基板上にＣｕ微粒子が析出される製造方法の原理を示す説明図である。
【図３】Ｃｕ析出物の析出堆積と析出時間との関係を示すグラフである。
【図４】磁化遷移領域幅と基板間距離との関係を示すグラフである。
【図５】Ｃｕ析出物を析出させる前の基板配置関係を示す断面図である。
【図６】基板を酸性溶液中に浸漬して、ＮｉＰめっき上にＣｕ析出物を析出させる製造処理を示す工程図である。
【図７】Ｃｕ析出物を析出した後の各製造処理を示す工程図である。
【図８】磁性粒子と磁化遷移領域幅とビット幅との関係を示す説明図である。
【図９】磁化遷移領域幅を従来例と比較して示す説明図である。
【図１０】本発明の磁化遷移領域幅と、従来の磁化遷移領域幅とを比較して示す説明図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  ＮｉＰめっきの基板
２  Ｃｕ部材
３  Ｃｕ微粒子
４  Ｃｕ析出物
５  酸性溶液
６  酸化膜
７  エッチング孔
８  酸化膜粒子
９  磁性材
１０  磁性粒子
１５  従来の磁性粒子
２０  高密度な磁気記録媒体
３０  従来の磁気記録媒体
【図１】
2005149552.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005149552.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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