(57)【要約】【課題】  ウェハバーンイン中に、バーンインモニタ出力が常時ＯＮになる動作不良チップが発生した場合であっても、他の半導体チップの内部状態のモニタが可能なウェハバーンインモニタ装置を提供する。【解決手段】  外部より供給される制御信号に従い、半導体チップ自身の内部状態をモニタ信号１３として電流出力する半導体チップ１０と、列方向に存在する全半導体チップ１０に対して、半導体チップ１０のモニタ信号１３の出力を制御する列選択信号１４を供給する列選択信号線１６と、前記列選択信号１４の出力を制御する列制御回路１７と、行方向に存在する全半導体チップ１０のモニタ信号出力線が接続された行モニタ信号線１５と、前記行モニタ信号線上１５の電流を測定し、該測定値に基づき半導体チップ１０の内部状態の良否を判定する判定回路１２とを備え、判定回路１２が測定した電流値に基づいて半導体チップ１０の内部状態をモニタすることとした。【選択図】  図１
2005302841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に格子状に形成され、自身の内部状態をモニタ信号として出力可能な半導体チップのウェハバーンインテスト中の内部状態をモニタするためのウェハバーンインモニタ装置において、
外部より供給される制御信号に従い、半導体チップ自身の内部状態を前記モニタ信号として電流出力する半導体チップと、
列方向に存在する全半導体チップに対して、半導体チップの前記モニタ信号の出力を制御する列選択信号を供給する列選択信号線と、
前記列選択信号の出力を制御する列制御回路と、
行方向に存在する全半導体チップのモニタ信号出力線が接続された行モニタ信号線と、
前記行モニタ信号線上の電流を測定し、該測定値に基づき半導体チップの内部状態の良否を判定する判定回路とを備える、
ことを特徴とするウェハバーンインモニタ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のウェハバーンインモニタ装置において、
前記半導体チップは、一定電流を出力する定電流源と、
半導体チップ自身の不良検出を行なう不良検出回路と、
前記列選択信号、前記不良検出回路の出力、及び前記定電流源の電流出力を入力とし、前記列選択信号の出力値と前記不良検出回路の出力値とが所定の値をとる場合に、前記定電流源の出力を前記モニタ信号として前記行モニタ信号線へ出力するモニタ制御回路とを備える、
ことを特徴とするウェハバーンインモニタ装置。
【請求項３】
請求項１に記載のウェハバーンインモニタ装置において、
前記半導体チップは、前記列選択信号を入力とし、該列選択信号の電流値を制御して電流出力する電流ミラー回路と、
前記電流ミラー回路の出力と前記不良検出回路の出力とを入力とし、前記列選択信号の出力値と前記不良検出回路の出力値とが所定の値をとる場合に、前記電流ミラー回路の出力を前記モニタ信号として前記行モニタ信号線へ出力するモニタ制御回路とを備える、
ことを特徴とするウェハバーンインモニタ装置。
【請求項４】
請求項２に記載のウェハバーンインモニタ装置において、
前記列制御回路は、前記列選択信号としてハイ、ロー、及びハイインピーダンスの３値を出力するものであり、
前記モニタ制御回路は、前記列選択信号がハイインピーダンスの時には、前記定電流源からの出力を強制的に前記行モニタ信号線に出力するものである、
ことを特徴とするウェハバーンインモニタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ上に形成された全チップに対し、ウェハ状態のまま一括でストレスを印加するウェハバーンイン装置において、ストレス印加中にリアルタイムでストレス印加状態の半導体チップのモニタを行うための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハ状態にある半導体チップのバーンインテスト中に特定の半導体チップの内部状態をモニタするためのウェハバーンインモニタ装置としては、半導体ウェハ上に格子状に形成された半導体チップ群の内から任意の座標（ｘ，ｙ）に位置する半導体チップの内部状態をモニタするために、ｘ列目に存在する各チップの自己診断結果のＯＮ／ＯＦＦを制御する列選択信号と、ｙ行目に存在する全チップの内部状態を表すモニタ信号が接続された行モニタ信号との組み合わせに基づき半導体チップの座標を特定し、任意のチップ状態をモニタするものがある。
【０００３】
図５は、従来のウェハバーンインモニタ装置の構成を示すブロック図である。
図５において、１００は、半導体ウェハ上に形成されたチップである。１１０は、半導体チップ１００がウェハ上に格子状に配置されたチップ群である。１２０は、半導体チップの内部状態の良否を判定する判定回路である。１３０は、半導体チップの内部状態を表すモニタ信号であり電圧値により出力される。１４０は、各半導体チップ１００のモニタ信号の出力を制御する列選択信号であり、ハイ（活性）とロー（非活性）の２値をとる。１５０は、半導体チップ群の行方向に存在する全てのチップのモニタ信号１３０を判定回路１２０に出力するための行モニタ信号線であり、各行毎に設けられている。１６０は、半導体チップ群の列方向に存在する全ての半導体チップに対して列選択信号１４０を出力するための列選択信号線であり、各列毎に設けられている。なお、以下においては、全ての列選択信号線１６０をまとめて列選択信号線群という。１７０は、列選択信号の出力を制御する列制御回路である。なお、半導体チップ１００は、チップ自身の不良検出を行なう不良検出回路と、該不良検出回路の検出結果を列選択信号１４０による制御のもとモニタ信号１３０として出力するモニタ制御回路とを備えるが、図上には描画していない。
【０００４】
次に、上記のように構成されたウェハバーンインモニタ装置の動作について説明する。
【０００５】
列制御回路１７０は、列選択信号線群から任意の１本を選択し、該列選択信号線１６０上の列選択信号１４０を活性化させる。半導体チップ１００内の図示しないモニタ検出回路は、活性化した列選択信号１６０を受けると、図示しない不良検出回路の不良検出結果をモニタ信号１３０として出力する。判定回路１２０は、選択された列選択信号線１６０と行モニタ信号線１５０とを組み合わせることにより、内部状態をモニタする半導体チップの座標を特定し、電圧出力値により示される前記モニタ信号１３０に基づき該半導体チップ１００の内部状態の良否を判定する。
【特許文献１】特開２００１−１５３９２９号公報（第８頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来のウェハバーンインモニタ装置では、指定した半導体チップと同一の行に属するいずれかの半導体チップにおいて、ストレス印加によりモニタ制御回路の出力が常時ＯＮになってしまうような動作不良が生じると、該動作不良半導体チップ自身の正しいモニタができなくなるばかりでなく、動作不良を起こした半導体チップが属する一行全ての半導体チップが不良と判定されてしまうといった課題が生じていた。特に、昨今はウェハの大口径化によって一行あたりに設ける半導体チップ数が増加しているため、良品であるにもかかわらず不良判定されてしまう半導体チップ数がより多く発生するといった問題が生じている。また、コンタクト不良などで半導体チップのモニタ制御が不能となってしまうと、不良品を良品と判定してその後の工程に流してしまうといった課題も生じていた。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、ウェハバーンインテスト中のストレスの印加により、モニタ信号の出力が常時ＯＮになる動作不良半導体チップが発生した場合に、該動作不良半導体チップの座標位置を特定し、該動作不良半導体チップの出力異常の影響を受けることなく、他の半導体チップの内部状態のモニタを行なうことが可能なバーンインモニタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に係るバーンインモニタ装置は、半導体ウェハ上に格子状に形成され、自身の内部状態をモニタ信号として出力可能な半導体チップのウェハバーンインテスト中の内部状態をモニタするためのウェハバーンインモニタ装置において、外部より供給される制御信号に従い、半導体チップ自身の内部状態を前記モニタ信号として電流出力する半導体チップと、列方向に存在する全半導体チップに対して、半導体チップの前記モニタ信号の出力を制御する列選択信号を供給する列選択信号線と、前記列選択信号の出力を制御する列制御回路と、行方向に存在する全半導体チップのモニタ信号出力線が接続された行モニタ信号線と、前記行モニタ信号線上の電流を測定し、該測定値に基づき半導体チップの内部状態の良否を判定する判定回路とを備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の請求項２に係るバーンインモニタ装置は、請求項１に記載のウェハバーンインモニタ装置において、前記半導体チップは、一定電流を出力する定電流源と、半導体チップ自身の不良検出を行なう不良検出回路と、前記列選択信号、前記不良検出回路の出力、及び前記定電流源の電流出力を入力とし、前記列選択信号の出力値と前記不良検出回路の出力値とが所定の値をとる場合に、前記定電流源の出力を前記モニタ信号として前記行モニタ信号線へ出力するモニタ制御回路とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の請求項３に係るバーンインモニタ装置は、請求項１に記載のウェハバーンインモニタ装置において、前記半導体チップは、前記列選択信号を入力とし、該列選択信号の電流値を制御して電流出力する電流ミラー回路と、前記電流ミラー回路の出力と前記不良検出回路の出力とを入力とし、前記列選択信号の出力値と前記不良検出回路の出力値とが所定の値をとる場合に、前記電流ミラー回路の出力を前記モニタ信号として前記行モニタ信号線へ出力するモニタ制御回路とを備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項４に係るバーンインモニタ装置は、請求項２に記載のウェハバーンインモニタ装置において、前記列制御回路は、前記列選択信号としてハイ、ロー、及びハイインピーダンスの３値を出力するものであり、前記モニタ制御回路は、前記列選択信号がハイインピーダンスの時には、前記定電流源からの出力を強制的に前記行モニタ信号線に出力するものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のウェハバーンインモニタ装置によれば、半導体チップが出力するモニタ信号を定電流源が出力する電流出力とし、列選択信号を活性化することによりモニタ信号の外部出力を不良検出回路の出力結果に依存させた状態において、モニタ信号を一定のタイミングで強制的に出力させ、該モニタ信号の電流値を判定回路で測定し、該測定値とモニタ信号の強制ＯＮのタイミングとの関係に基づき半導体チップの不良判定を行なうこととしたので、行モニタ信号線に接続されている半導体チップのいずれかにおいて、モニタ信号の出力が常時ＯＮになるような不良が生じている場合であっても、該不良半導体チップの出力するモニタ信号の影響を受けることなく、該行上に存在する他の半導体チップの内部状態をモニタすることが可能となる。
【００１３】
また、半導体チップが出力するモニタ信号を電流ミラー回路が出力する電流出力とし、列選択信号を活性化することによりモニタ信号の外部出力を不良検出回路の出力結果に依存させた状態において、モニタ信号を一定のタイミングで強制的に出力させ、該モニタ信号の電流値を判定回路で測定し、該測定値とモニタ信号の強制ＯＮのタイミングとの関係に基づき半導体チップの不良判定を行なうこととしたので、行モニタ信号線に接続されている半導体チップのいずれかにおいて、モニタ信号の出力が常時ＯＮになるような不良が生じている場合であっても、該不良半導体チップの出力するモニタ信号の影響を受けることなく、該行上に存在する他の半導体チップの内部状態をモニタすることが可能となる。
【００１４】
また、列選択信号の出力をハイ、ロー、及びハイインピーダンスの３値とし、ハイインピーダンスの列選択信号が入力された場合には、定電流源の出力を強制的にモニタ信号として出力させることとしたので、半導体チップに入力する信号数を増やすことなくストレス印加中の半導体チップのコンタクトテストを実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１に係るウェハバーンインモニタ装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態１に係るウェハバーンインモニタ装置の構成を表すブロック図である。図１において、１０は、半導体チップであり、半導体ウェハ上にＭ行×Ｎ列の格子状に配置されてチップ群１１を構成する。１２は、半導体チップ１０の内部状態の良否を判定する判定回路である。１３は、半導体チップ１０の内部状態を表すモニタ信号であり、電流値により出力される。１４は、半導体チップ１０がモニタ信号１３を出力するか否かを制御する列選択信号であり、ハイ（活性）とロー（非活性）の２値をとる。１５は、チップ群１１の行方向に存在するＮ個の半導体チップ１０と判定回路１２とを接続する行モニタ信号線であり、チップ群１１の各行毎に設けられる。１６は、列制御回路１４とチップ群１１の列方向に存在するＭ個のチップとを接続する列選択信号線であり、該信号線を介して列選択信号１４が各半導体チップ１０に供給される。列選択信号線１６は、チップ群１１の各列毎に１本ずつ設けられている。また、各列選択信号線１６のそれぞれは、判定回路１２にも接続される。なお、以下においては、Ｎ本の列選択信号の全てをまとめて列選択信号線群という。１７は、列選択信号１４の出力を制御する列制御回路である。
【００１７】
次に、本実施の形態１における半導体チップ１０の内部構造を、図２を用いて説明する。図２は、半導体チップ１０の内部構造を示すブロック図である。なお、図２において図１と同じ構成要素については同じ符号を用い、その説明を省略する。
【００１８】
図２において、２０は、ストレス印加による半導体チップ１０自身の動作不良を検出する不良検出回路である。２１は、一定電流を出力する定電流源である。２２は、不良検出回路２０からの出力、定電流源２１からの出力、及び列選択信号１４を入力とし、列選択信号１４が活性化状態であり、且つ不良検出回路２０からの出力が不良を示すものである場合に、定電流源２１から出力される電流値をモニタ信号１３として行モニタ信号線１５に出力するモニタ制御回路である。
【００１９】
次に、以上のように構成されたウェハバーンインモニタ装置の動作について説明する。
まず、列制御回路１７は、全ての列選択信号１４を非活性化させる。ここで、チップ群１１の全ての半導体チップ１０のモニタ制御回路２２が正常であれば、各半導体チップ１０のモニタ制御回路２２はモニタ信号１３の出力を停止する。
【００２０】
判定回路１２は、すべての行モニタ信号線１５について、各行モニタ信号線１５上を電流が流れているか否かを検出し、電流が検出されない行モニタ信号線１５については、該行モニタ信号線１５に接続されている半導体チップ１０のモニタ制御回路２２は正常であると判断する。一方、判定回路１２は、電流が検出された行モニタ信号線１５については、該行モニタ信号線１５に接続されているいずれかの半導体チップ１０のモニタ制御回路２２に異常が生じ、モニタ信号１３が常時出力されているものと判断する。この時、該行モニタ信号線１５上の電流値を測定することにより、モニタ制御回路２２に異常が生じている半導体チップ１０が該行モニタ信号線１５上に幾つ存在するかを検出することができる。なお、以下においては、モニタ制御回路２２に異常が生じ、モニタ信号１３が常時出力される異常を示す半導体チップを異常半導体チップと称する。
【００２１】
次に、異常半導体チップが存在する行モニタ信号線１５を特定した後、列制御回路１７は列選択信号線群の中から任意の１本を選択し、該列選択信号線１６を流れる列選択信号１４を活性化させる。更に、該列選択信号線１６に接続されている半導体チップ１０のモニタ信号１３の出力を、一定のタイミングで強制的にＯＮとなるように制御する。
【００２２】
判定回路１２は、該当する行モニタ信号線１５上を流れる電流値を測定する。ここで、判定回路１２は、選択された半導体チップ１０が正常であれば、モニタ出力が強制ＯＮ時には、該正常半導体チップ１０から強制的に出力される電流値に異常半導体チップから常時出力される電流値を加えた電流値を検出し、モニタ出力の強制ＯＮが解除されている場合には、異常半導体チップから出力される電流値のみを検出する。すなわち、判定回路１２は、モニタ出力の強制ＯＮ／ＯＦＦのタイミングに合わせて２つの電流値を交互に検出することになる。
【００２３】
一方、判定回路１２は、選択された半導体チップ１０が異常半導体チップである場合には、モニタ出力の強制ＯＮ／ＯＦＦに関わらず、該異常半導体チップ１０が出力する一定の電流値を検出する。
【００２４】
また、選択された半導体チップ１０がモニタ制御回路２２以外の部分に異常を生じているものである場合は、モニタ出力が強制ＯＮ時には、該半導体チップから強制的に出力される電流値に、異常半導体チップから出力される電流値を加えた値を検出し、モニタ出力の強制ＯＮが解除されている場合であっても、列選択信号が活性化されているため、該当する半導体チップからは所定の電流値が出力され、更には異常半導体チップからも所定の電流値が出力されているため、モニタ出力の強制ＯＮ時と同じ値の電流値を検出することになり、モニタ出力の強制ＯＮ／ＯＦＦに関わらず一定の電流値を検出することになる。
【００２５】
判定回路１２は、異常半導体チップが属する行モニタ信号線１５上を流れる電流値を測定し、上記判断基準に基づき、該測定値が列制御回路１７から出力される強制ＯＮ／ＯＦＦタイミングに合わせて２つの値を交互にとる場合には、該半導体チップ１０は正常であると判断する。また、計測した電流値が強制ＯＮ／ＯＦＦタイミングに関わらず一定の値をとる場合には、該半導体チップ１０は異常であると判断する。
【００２６】
以上のように、本実施の形態１に係るウェハバーンインモニタ装置は、半導体チップが出力するモニタ信号を定電流源が出力する一定の電流出力とし、列選択信号を活性化することによりモニタ信号の外部出力を不良検出回路の出力結果に依存させた状態において、モニタ信号を一定のタイミングで強制的に出力させ、該モニタ信号の電流値を判定回路で測定し、該測定値とモニタ信号の強制ＯＮのタイミングとの関係に基づき半導体チップの不良判定を行なうこととしたので、行モニタ信号線に接続されている半導体チップのいずれかにおいて、モニタ信号の出力が常時ＯＮになるような不良が生じている場合であっても、該不良半導体チップの出力するモニタ信号の影響を受けることなく、該行上に存在する他の半導体チップの内部状態をモニタすることが可能となる。
【００２７】
なお、モニタ信号の出力が常時ＯＮになるような不良半導体チップが存在しない行の半導体チップについても上述の動作により不良半導体チップの検出を行うことが可能である。
【００２８】
また、本実施の形態１においては、半導体ウェハ上のチップの配置をＭ列×Ｎ行として説明しているが、通常用いられる円形のウェハのように、Ｍ列×Ｎ行上の全てに半導体チップが存在しない場合であってもよい。
【００２９】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係るウェハバーンインモニタ装置を構成する半導体チップ１０の内部構造を示すブロック図である。なお、図３において図１、および図２と同じ構成要素については同じ符号を用い、その説明を省略する。また、本実施の形態２に係るウェハバーンインモニタ装置の基本構成は、実施の形態１において説明した図１と同様の構成である。
【００３０】
図３において、３０は列選択信号１４の電流値をミラーする電流ミラー回路であり、常に列選択信号１４がとる電流値をモニタ制御回路３１へと出力する。３１は、不良検出回路２０からの出力、及び電流ミラー回路３０からの出力を入力とし、列選択信号１４が活性化状態であり、且つ不良検出回路２０から不良を示す信号を受けた場合に、電流ミラー回路３０からの電流出力をモニタ信号１３として行モニタ信号線１５に出力するモニタ制御回路である。
【００３１】
次に、以上のように構成されたウェハバーンインモニタ装置の動作について説明する。
列制御回路１２は、全ての列選択信号線１６に流す電流値を０Ａにする。ここで、半導体チップ１０が正常である場合には、すべての行モニタ信号線１５上のモニタ信号１３の電流値は０Ａとなる。
【００３２】
判定回路１２は、すべての行モニタ信号線１５上の電流値を測定し、電流値が０Ａを示す場合は、該行モニタ信号線１５に接続されている半導体チップ１０は正常であると判断する。一方で、判定回路１２は、いずれかの行モニタ信号線１５上に電流を検出した場合は、該行モニタ信号線１５に接続されているいずれかの半導体チップ１０は異常半導体チップであると判断する。この時、判定回路１２において、行モニタ信号線１５上の電流値を測定することにより、異常半導体チップが該行モニタ信号線１５上に幾つ存在するかを検出することができる。
【００３３】
次に、モニタ制御回路３１に異常が生じている半導体チップ１０が存在する行モニタ信号線１５を特定した後、列制御回路１７は列選択信号線群の中から任意の１本を選択し、該列選択信号線１６を流れる列選択信号１４を活性化し、更に、該列選択信号線１６に接続されている半導体チップ１０のモニタ信号１３の出力を、一定のタイミングで強制的にＯＮとなるように制御する。
【００３４】
判定回路１２は、該当する行モニタ信号線１５上の電流値を測定する。ここで、判定回路１２は、該列選択信号線１６に接続されている半導体チップ１０が正常であれば、実施の形態１における説明と同様にモニタ出力の強制ＯＮ／ＯＦＦのタイミングに合わせて２つの電流値を検出することになる。また、該列選択信号線１６に接続されている半導体チップ１０が異常半導体チップである場合には、モニタ出力の強制ＯＮ／ＯＦＦに関わらず、該異常半導体チップ１０が出力する一定の電流値を検出する。また、選択された半導体チップ１０がモニタ制御回路３１以外の部分に異常を生じているものである場合は、実施の形態１における説明と同様に一定の電流値を検出することになる。
【００３５】
判定回路１２は、モニタ制御回路３１に異常が生じている半導体チップが属する行モニタ信号線１５を流れる電流値を測定し、列制御回路１７から出力される強制ＯＮ／ＯＦＦタイミングに合わせて測定した電流値が２つの値をとる場合には、該半導体チップ１０は正常であると判断する。また、計測した電流値が強制ＯＮ／ＯＦＦタイミングに関わらず一定の値をとる場合には、該半導体チップ１０は異常であると判断する。
【００３６】
以上のように、本実施の形態２に係るウェハバーンインモニタ装置は、半導体チップが出力するモニタ信号を電流ミラー回路が出力する電流出力とし、列選択信号を活性化することによりモニタ信号の外部出力を不良検出回路の出力結果に依存させた状態において、モニタ信号を一定のタイミングで強制的に出力させ、該モニタ信号の電流値を判定回路で測定し、該測定値とモニタ信号の強制ＯＮのタイミングとの関係に基づき半導体チップの不良判定を行なうこととしたので、行モニタ信号線に接続されている半導体チップのいずれかにおいて、モニタ信号の出力が常時ＯＮになるような不良が生じている場合であっても、該不良半導体チップの出力するモニタ信号の影響を受けることなく、該行上に存在する他の半導体チップの内部状態をモニタすることが可能となる。
【００３７】
なお、異常半導体チップが存在しない行の半導体チップについても上述の動作により不良半導体チップの検出を行うことができる。
【００３８】
また、本実施の形態２においては、半導体ウェハ上のチップの配置をＭ列×Ｎ行として説明しているが、通常用いられる円形のウェハのように、Ｍ列×Ｎ行上の全てに半導体チップが存在しない場合であってもよい。
【００３９】
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３に係るウェハバーンインモニタ装置を構成する半導体チップ１０の内部構造を示すブロック図である。なお、図４において図１、図２、および図３と同じ構成要素については同じ符号を用い、その説明を省略する。
【００４０】
図４は、本発明の実施の形態３に係るウェハバーンインモニタ装置を構成する半導体チップ１０の内部構造を示すブロック図である。なお、図４において図１、図２、及び図３と同じ構成要素については同じ符号を用い、その説明を省略する。また、本実施の形態３に係るウェハバーンインモニタ装置の基本構成は、実施の形態１において説明した図１と同様の構成である。
【００４１】
図４において、列選択信号１４はハイ、ロー、及びハイインピーダンスの３値をとる。ハイ又はロー状態の場合は、上述した実施の形態１、及び実施の形態２と同様に列選択信号１４の活性／非活性を表す符号として用いるが、ハイインピーダンス状態の場合は、半導体チップ１０のモニタ信号１３の出力を強制的にＯＮさせるための符号として用いる。
【００４２】
次に、以上のように構成されたウェハバーンインモニタ装置を用いて、半導体チップ１０のコンタクト不良を検出する場合の動作について説明する。
【００４３】
まず、列制御回路１７は、コンタクト不良の検出を行いたい半導体チップ１０が接続されている列選択信号線１６に対して、ハイとローとが交互に現れる列選択信号１４を出力する。
【００４４】
ここで該半導体チップ１０のコンタクトが正常であり且つ半導体チップ１０自身も正常である場合は、該半導体チップ１０が行モニタ信号線１５に出力する電流値は常にゼロとなる。
【００４５】
また、該半導体チップ１０のコンタクトが正常であり且つチップが異常である場合は、該半導体チップ１０はゼロと一定値を交互に出力する。また、該半導体チップ１０にコンタクト異常が生じている場合は、チップが正常か異常かに関わらず常にゼロもしくは一定値を出力する。
【００４６】
判定回路１２は該当する行モニタ信号線１５上を流れる電流値を測定し、測定した電流値がゼロと一定値を交互にとるものである場合は、該半導体チップ１０は、コンタクトは正常であるが、半導体チップ１０自身は異常であると判断する。また、測定した電流値が一定値である場合は、該半導体チップ１０はコンタクト異常が生じていると判断する。
【００４７】
判定回路１２において電流値がゼロである場合は、該半導体チップ１０のコンタクトが正常であり且つ半導体チップ１０自身も正常であるか、あるいは該半導体チップ１０にコンタクト異常が生じているかのいずれかであり、該判断を行なうために、列制御回路１７は、列選択信号１４の出力をハイインピーダンスにする。すなわち、列選択信号１４の出力をハイインピーダンスにすることにより、コンタクトが正常であり且つ半導体チップ１０も正常であれば、定電流源２１の出力は強制的にＯＮになり、行モニタ信号１５に一定の電流が流れることになる。
【００４８】
判定回路１２は、列選択信号１４の出力がハイインピーダンスの状態における、該当する行モニタ信号線上の電流値を測定し、一定の電流値を測定した場合は、該半導体チップ１０は正常であると判断し、電流値を検出しない場合は、該半導体チップ１０にコンタクト異常が生じていると判断する。
【００４９】
以上のように、本実施の形態３のウェハバーンインモニタ装置によれば、列選択信号の出力をハイ、ロー、及びハイインピーダンスの３値とし、ハイインピーダンスの列選択信号が入力された場合には、定電流源の出力を強制的にモニタ信号として出力させることとしたので、半導体チップに入力する信号数を増やすことなくストレス印加中の半導体チップのコンタクトテストを実現することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明にかかるウェハバーンインモニタ装置は、ウェハバーンインテストのストレス印加中にリアルタイムに故障チップの特定を行うことができる点において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態１におけるウェハバーンインモニタ装置の基本構成を表すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるウェハバーンインモニタ装置のチップ内部を表すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態２におけるウェハバーンインモニタ装置のチップ内部を表すブロック図である。
【図４】本発明の実施の形態３におけるウェハバーンインモニタ装置のチップ内部を表すブロック図である。
【図５】従来のウェハバーンインモニタ装置の基本構成を表すブロック図である
【符号の説明】
【００５２】
１０、１００  半導体チップ
１１、１１０  チップ群
１２、１２０  判定回路
１３、１３０  モニタ信号
１４、１４０  列選択信号
１５、１５０  モニタ信号線
１６、１６０  列選択信号線
１７、１７０  列制御回路
２０  不良検出回路
２１  定電流源
２２、３１  モニタ制御回路
３０  電流ミラー回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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