(57)【要約】【課題】  洗浄効果を維持しつつ、微細パターンにダメージを与えることなく所定の洗浄処理を施すことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  二流体ノズル２に対して処理液および気体が導入される。そして、二流体ノズル２の液体吐出口３９ａから処理液が吐出されるとともに、その処理液に気体が吹き付けられて処理液の液滴が生成される。また、その液滴は基板Ｗの表面に向けて供給される。ここでは、二流体ノズル２から供給される液滴の基板表面上での洗浄幅Ｄを、５．０ｍｍないし１５．０ｍｍの範囲内となるように基板Ｗからノズル２までの高さＨが調整されている。これによって、除去率を従来技術と同程度以上に維持しつつ、基板Ｗに形成された微細パターンへのダメージを防止することができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その表面に微細パターンが形成された基板に対して所定の洗浄処理を施す基板処理装置において、
液体吐出口から前記処理液を吐出するとともに、該液体吐出口から吐出された処理液に気体を吹き付けて前記処理液の液滴を生成し、該液滴を回転する前記基板表面に向けて供給する二流体ノズルと、
前記基板表面の径方向に前記二流体ノズルを前記基板に対して相対移動させる移動機構とを備え、
前記二流体ノズルから供給される液滴による前記基板表面上での洗浄幅が５．０ｍｍないし１５．０ｍｍであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄幅が７．０ｍｍである請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記洗浄幅を調整する洗浄幅調整機構をさらに備えた請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記二流体ノズルから前記基板に供給される液滴のボリュームミーディアン径が５μｍないし４０μｍである請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記二流体ノズルから前記基板に供給される液滴のボリュームミーディアン径を調整する粒径調整機構をさらに備えた請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板への前記液滴の供給方向が前記基板表面の法線方向とほぼ一致するように、前記二流体ノズルが配置されるとともに、その配置姿勢のまま前記移動機構は前記二流体ノズルを前記基板表面とほぼ平行に相対移動させる請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記液体吐出口から吐出された処理液に吹き付けられる気体の供給流速を所定値に調整する流速調整機構をさらに備える請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理液と気体とを混合して生成した前記処理液の液滴を、回転する基板の表面に供給することで、該基板表面に対して所定の洗浄処理を施す基板処理装置に関するものである。ここで、基板としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に付着したパーティクルなどを除去するために、基板表面に処理液の液滴を供給している。例えば特許文献１には、処理液と気体とを混合して生成した処理液の液滴を生成し、この液滴を処理対象の基板表面に供給して基板洗浄を行う技術が記載されている。すなわち、処理液の液滴が基板表面に供給された際、基板表面への液滴の衝突による運動エネルギーによって、基板表面に付着したパーティクルなどを物理的に除去している。また、この特許文献１では、パーティクルなどの汚染物が基板表面から除去される割合（以下「除去率」という）を安定化させる上で、液滴の粒径を１μｍないし１００μｍに設定することが効果的である旨が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３１８１８１号公報（[００４３]、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、基板の表面に形成される配線パターンなどは微細化され、その結果、上記粒径を有する液滴を用いて除去率の安定化を図ったとしても、微細パターンを倒壊させてしまうという別の問題が発生することがあった。すなわち、微細パターンを倒壊させることなく一定の洗浄効果を発揮させるためには、液滴の粒径ではなく、別の因子を調整することが重要となっている。
【０００５】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、洗浄効果を維持しつつ、微細パターンにダメージを与えることなく所定の洗浄処理を施すことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、その表面に微細パターンが形成された基板に対して所定の洗浄処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、液体吐出口から処理液を吐出するとともに、該液体吐出口から吐出された処理液に気体を吹き付けて処理液の液滴を生成し、該液滴を回転する基板表面に向けて供給する二流体ノズルと、基板表面の径方向に二流体ノズルを基板に対して相対移動させる移動機構とを備え、二流体ノズルから供給される液滴の基板表面上での洗浄幅が５．０ｍｍないし１５．０ｍｍであることを特徴としている。
【０００７】
このように構成された発明では、後述するように二流体ノズルから供給される液滴による基板表面上での洗浄幅が洗浄効果と微細パターンへのダメージ低減とに大きく関連しているという知見に基づき、該洗浄幅を５．０ｍｍないし１５．０ｍｍの範囲に設定している。例えば、洗浄幅が５．０ｍｍ未満であるときには、二流体ノズルから供給される液滴が基板表面の微小領域に集中的に与えられることとなり、優れた除去率が得られるものの、微細パターンに大きなダメージを与えてしまう。また逆に、洗浄幅が１５．０ｍｍを超えると、二流体ノズルから供給される液滴が基板表面の比較的広い領域に与えられることとなり、微細パターンへのダメージを低減することができるものの、除去率が急激に低下してしまう。これに対し、洗浄幅が５．０ｍｍないし１５．０ｍｍの範囲内であるときには、除去率を従来技術と同程度以上に維持しつつ、微細パターンへのダメージを防止することができる。
【０００８】
ここで、高い除去率と、より良好なダメージ防止との観点から見ると、後述する実施例が示すように洗浄幅を７．０ｍｍに設定するのが望ましい。
【０００９】
また、洗浄幅を調整する洗浄幅調整機構をさらに設けてもよく、洗浄幅調整機構による洗浄幅調整によって洗浄幅を常に上記範囲（５．０ｍｍないし１５．０ｍｍ）に設定することができる。したがって、洗浄処理条件（例えば処理液や気体の吐出量、処理液の種類など）が変更したり、変動したとしても、その洗浄処理条件に応じて洗浄幅を調整して常に適切な液滴供給状態で洗浄処理を行うことができる。すなわち、種々の洗浄処理条件に対応することができ、基板処理装置の汎用性を高めることができる。
【００１０】
また、二流体ノズルから基板に供給される液滴のボリュームミーディアン径が５μｍないし４０μｍの範囲内となるように構成してもよい。ここで、「ボリュームミーディアン径」とは、液滴の粒径であって、観測されたすべての液滴の体積に対するその粒径より大きな（または、小さな）液滴の体積の合計が占める割合が５０％であるような粒径をいう。例えば処理液の液滴のボリュームミーディアン径がこのような範囲より大きい場合、二液体ノズルに導入される気体の流量を少なくして、処理液の液滴の運動エネルギーを小さくしなければ、処理液の液滴が基板表面に衝突することによる微細パターンのダメージを少なくすることができない。ところが、これにより除去率が低下してしまう。これに対して、処理液のボリュームミーディアン径が５μｍないし４０μｍの範囲内となるように調整することにより、二液体ノズルに導入される気体の流量を少なくしても、基板の表面に形成された微細パターンに与える損傷を少なくすることができる。これにより、基板の処理を良好に行うことができる。
【００１１】
また、二流体ノズルから基板に供給される液滴のボリュームミーディアン径を調整する粒径調整機構をさらに設けてもよく、この場合、粒径調整機構によるボリュームミーディアン径の調整によって液滴のボリュームミーディアン径を常に上記範囲（５μｍないし４０μｍ）に設定することができる。したがって、洗浄処理条件（例えば洗浄幅、処理液の種類など）が変更したり、変動したとしても、その洗浄処理条件に応じて液滴のボリュームミーディアン径を調整して常に適切な液滴供給状態で洗浄処理を行うことができる。すなわち、種々の洗浄処理条件に対応することができ、基板処理装置の汎用性を高めることができる。
【００１２】
また、基板に対する二流体ノズルの配設状態は任意であるが、例えば基板への液滴の供給方向が基板表面の法線方向とほぼ一致するように、二流体ノズルを配置してもよい。そして、このような配置姿勢を保ったまま、移動機構は二流体ノズルを基板表面とほぼ平行に相対移動させてもよい。これによって、二流体ノズルからの液滴を基板表面に対して所定の液滴供給状態で供給することができ、基板表面全体を均一に処理することができる。
【００１３】
さらに、液体吐出口からの処理液に吹き付けられる気体の供給流速を調整する流速調整機構を設け、この流速調整機構により気体の供給流速を所定値に調整するように構成してもよい。この場合、気体の供給流速を安定化させることができ、その結果、処理液の液滴の洗浄幅やボリュームミーディアン径などが変動するのを抑えることができ、液滴供給状態をさらに安定化させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
上記のように、二流体ノズルから供給される液滴の基板表面上での洗浄幅が５．０ｍｍないし１５．０ｍｍであるため、除去率を従来技術と同程度以上に維持するという要求と、微細パターンへのダメージを防止するという要望とを同時に達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略図である。また、図２は図１の平面図である。この基板処理装置１は、半導体ウエハなどの基板Ｗの表面を洗浄するためのものであり、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１０と、本発明の「処理液」に相当する脱イオン水と本発明の「気体」に相当する窒素ガスとを混合させて脱イオン水の液滴を生成し、該液滴をスピンチャック１０に保持された基板Ｗに向けて供給する二流体ノズル２と、スピンチャック１０を取り囲むように配置されたカップ５０とを備えている。
【００１６】
スピンチャック１０は、鉛直方向に沿って配置された回転軸１１と、その回転軸１１の上端に取り付けられた円板状のスピンベース１２とを備えている。また、このスピンベース１２の上面端縁部には、スピンベース１２の周方向に適当な間隔をあけて、複数本のチャックピン１３が立設されている。そして、これらのチャックピン１３が基板Ｗの下面端縁部を支持しつつ、基板Ｗの端面（周面）に当接することで、基板Ｗをスピンベース１２から上方に離間させた状態で保持可能となっている。
【００１７】
また、スピンチャック１０の回転軸１１は回転駆動機構１４のモータ（図示省略）と連結されており、装置全体を制御するコントローラ２０によるモータ駆動に応じて回転駆動機構１４が作動するのに伴って回転する。これによって、スピンベース１２の上方でチャックピン１３により保持されている基板Ｗはスピンベース１２とともに回転軸心Ｐa回りに回転する。
【００１８】
こうして回転駆動される基板Ｗの表面に対して脱イオン水の液滴を供給すべく、二流体ノズル２がスピンベース１２の上方位置に配置されている。より具体的には、二流体ノズル２から基板Ｗに向けて供給される脱イオン水が基板Ｗの法線方向（図１の上下方向）とほぼ平行となる配置姿勢で、二流体ノズル２は１本のアーム２１の先端側に固着されている。一方、アーム２１の基端部には、ノズル移動機構２３が連結されている。そして、コントローラ２０からの制御指令に応じてノズル移動機構２３が作動することでアーム２１を回転軸心Ｐb回りに揺動駆動する。したがって、配置姿勢のままノズル移動機構２３は二流体ノズル２を基板表面とほぼ平行に相対移動させる。より具体的には、ノズル移動機構２３を作動させてアーム２１を揺動させると、ノズル２は図２の移動軌跡Ｔa、つまり基板の端縁位置Ｋaから回転中心Ｐaを通って別の端縁位置Ｆbに向かう軌跡Ｔaに沿って移動可能となっている。
【００１９】
また、この実施形態では、ノズル移動機構２３は単にアーム２１を揺動駆動してノズル２を基板Ｗに対して相対移動させるのみならず、アーム２１を上下方向に昇降移動させて基板Ｗからノズル２までの高さＨ（図３参照）を変更可能となっている。このように高さＨを変更することで、後述するようにノズル２から基板Ｗに向けて供給される液滴による基板表面での洗浄幅Ｄを調整可能となっている。つまり、この実施形態では、ノズル移動機構２３は本発明の「移動機構」として機能するのみならず、本発明の「洗浄幅調整機構」としても機能する。
【００２０】
ノズル２は図１に示すように処理液配管２４を介して脱イオン水供給源と接続されており、脱イオン水供給源から脱イオン水（deionized Water；ＤＩＷ）の供給を受けている。この処理液配管２４には、開度調整が可能なバルブ２４Ｖが介装されており、コントローラ２０からの指令に応じて、二流体ノズル２に供給される脱イオン水の流路の開閉、および脱イオン水の流量・流速の調節を行うことができるようになっている。また、処理液配管２４において、バルブ２４Ｖより下流側（バルブ２４Ｖと二流体ノズル２との間）には、流量計２４Ｆが介装されており、この流量計２４Ｆにより二流体ノズル２に導入される処理液の流量を測定可能となっている。
【００２１】
また、二流体ノズル２は、窒素ガス配管２５を介して窒素ガス供給源から高圧の窒素ガスの供給を受けている。この窒素ガス配管２５には開度調整が可能なバルブ２５Ｖが介装されており、コントローラ２０からの指令に応じて、二流体ノズル２に供給される窒素ガスの流路の開閉、および窒素ガスの流量・流速の調節を行うことができるようになっている。なお、窒素ガス配管２５において、バルブ２５Ｖより下流側（バルブ２５Ｖと二流体ノズル２との間）には、圧力計２５Ｐおよび流量計２５Ｆが介装されており、二流体ノズル２に導入される窒素ガスの圧力および流量。流速を測定できるようになっている。
【００２２】
このように、コントローラ２０がバルブ２４Ｖ、２５Ｖを制御することでノズル２に供給される脱イオン水および窒素ガスの流量・流速を調整可能となっている。そして、ノズル２は流量調整された脱イオン水および窒素ガスの供給を受けて脱イオン水の液滴を生成し、該液滴を基板Ｗに向けて供給可能となっている。
【００２３】
図３は図１の基板処理装置で採用された二流体ノズルの構成を示す図である。この実施形態では、ノズル２は、いわゆる外部混合型のものであり、ケーシング外で脱イオン水に窒素ガスを衝突させて処理液（脱イオン水）の液滴を生成することができる。二流体ノズル２は、ケーシングを構成する外管３４と、その内部に嵌め込まれた内管３９とを含んでおり、ほぼ円柱状の外形を有している。内管３９と外管３４とは、中心軸Ｑを共有する同軸状に配置されている。これらの要素のうち内管３９の内部は液体供給孔３９ｂとなっている。また、内管３９と外管３４との間は中心軸Ｑを有する環状間隙となっており、気体供給孔３４ｂとなっている。
【００２４】
この気体供給孔３４ｂは、二流体ノズル２の一方の端部では、環状の気体吐出口３４ａとして開口しており、二流体ノズル２の他方の端部では、内管３９と外管３４とが接しており開口は形成されていない。気体供給孔３４ｂは、二流体ノズル２の軸方向中央部では径がほぼ一定であるが、気体吐出口３４ａ近傍では、気体吐出口３４ａから一定距離離れた点に収束するように、端部に向かって径が小さくなっている。
【００２５】
一方、液体供給孔３９ｂは、気体吐出口３４ａの中心部近傍に液体吐出口３９ａとして開口している。基板処理装置１において、二流体ノズル２は、液体吐出口３９ａおよび気体吐出口３４ａが下方に向くように取り付けられている。
【００２６】
また、二流体ノズル２の液体吐出口３９ａ側とは反対側の端部には、処理液配管２４が接続されている。この処理液配管２４の内部空間は液体供給孔３９ｂと連通しており、液体供給孔３９ｂに処理液を導入できるようになっている。また、二流体ノズル２の側面で中心軸Ｑ方向のほぼ中間部には、窒素ガス配管２５が接続されている。窒素ガス配管２５の内部空間と気体供給孔３９ｂとは連通しており、気体供給孔３４ｂに窒素ガスを導入できるようになっている。
【００２７】
そして、処理液配管２４から二流体ノズル２に処理液を供給すると、処理液は液体吐出口３９ａから吐出される。また、窒素ガス配管２５から二流体ノズル２に窒素ガスを供給すると、窒素ガスは気体吐出口３４ａから吐出される。このため、吐出された処理液はほぼ直進するが、環状に吐出された窒素ガスはケーシング（外管３４）外の収束点に向かって収束するように進む。このため、処理液と窒素ガスとが同時に供給されると、窒素ガスと処理液とは収束点で衝突して混合され、処理液は液滴にされて進む。すなわち、処理液の液滴の噴流が形成される。
【００２８】
図１を参照して、基板Ｗの表面を洗浄するときは、回転駆動機構１４によりスピンチャック１０に保持された基板Ｗを回転させ、ノズル移動機構２３により二流体ノズル２を基板Ｗの上で移動させながら、二流体ノズル２から基板Ｗの上面に向かって処理液の液滴を噴射させる。また、こうして処理液の液滴を基板Ｗの表面に供給しながら、二流体ノズル２は基板Ｗの中心に対向する位置と基板Ｗの周縁部に対向する位置との間で移動される。これにより、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。すなわち、二流体ノズル２に高圧の窒素ガスを導入することにより、基板Ｗの表面に大きな運動エネルギーを持つ処理液の液滴を衝突させることができる。このとき、処理液の液滴の運動エネルギーにより、基板Ｗの表面に付着したパーティクルが物理的に除去される。
【００２９】
ところで、すでに「発明が解決しようとする課題」の項で説明したように、基板Ｗには、その表面に微細な配線パターンなどが形成されたものがあり、微細パターンに対してダメージを与えることなく、優れた除去率で洗浄処理を実行する必要がある。この実施形態では、二流体ノズル２から供給される液滴の基板表面上での洗浄幅Ｄ（図３）を、５．０ｍｍないし１５．０ｍｍの範囲に設定している。これは、後で説明する実施例により得られた知見に基づくものである。すなわち、洗浄幅が５．０ｍｍ未満であるときには、二流体ノズル２から供給される液滴が基板表面の微小領域に集中的に与えられるため、微細パターンに大きなダメージを与えてしまい、実使用に耐えられない。逆に、洗浄幅が１５．０ｍｍを超えると、二流体ノズル２から供給される液滴が基板表面の比較的広い領域に与えられることとなり、微細パターンへのダメージを低減することができるものの、除去率が急激に低下してしまう。これに対し、洗浄幅Ｄを上記範囲に収めると、除去率を従来技術と同程度以上に維持しつつ、微細パターンへのダメージを防止することができる。なお、これらの点については、後の実施例に基づき詳述する。
【００３０】
また、この実施形態では、ノズル移動機構２３によりアーム２１を上下方向に昇降移動させて基板Ｗからノズル２までの高さＨ（図３参照）を変更可能となっている。このように高さＨを変更することで、洗浄幅Ｄを調整することが可能となっている。そのため、洗浄処理条件（例えば処理液や気体の吐出量、処理液の種類など）が変更したり、変動したとしても、その洗浄処理条件に応じてノズル移動機構２３がアーム２１を昇降移動させて基板Ｗからノズル２までの高さＨを調整して洗浄幅Ｄを上記範囲に収めることができる。その結果、常に適切な液滴供給状態で洗浄処理を行うことができ、基板処理装置の汎用性を高めることができる。
【００３１】
また、この実施形態では、洗浄幅Ｄに加えて液滴のボリュームミーディアン径が５μｍないし４０μｍの範囲内となるように設定しているので、より確実に本発明の目的（洗浄効果を維持しつつ、微細パターンにダメージを与えることなく所定の洗浄処理を施す）を達成することができる。ここで、「ボリュームミーディアン径」とは、液滴の粒径であって、観測されたすべての液滴の体積に対するその粒径より大きな（または、小さな）液滴の体積の合計が占める割合が５０％であるような粒径をいう。このようなボリュームミーディアン径を有する処理液の液滴を基板Ｗに衝突させることにより、基板Ｗ表面に形成された微細パターンをほとんど破壊することなく、基板Ｗに付着したパーティクルを効果的に除去できる。
【００３２】
ここで、二流体ノズル２により生成される液滴のボリュームミーディアン径は、二流体ノズル２に導入される窒素ガスの流量（バルブ２５Ｖ）や処理液の流量（バルブ２４Ｖ）により調整できる。すなわち、この実施形態では、バルブ２４Ｖ，２５Ｖが本発明の「粒径調整機構」に相当し、コントローラ２０によるバルブ２４Ｖ，２５Ｖの開度や開閉調整によって二流体ノズル２から噴射される液滴のボリュームミーディアン径が５μｍないし４０μｍとなるように、調整することが可能となっている。
【００３３】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板Ｗからノズル２までの高さＨを調整して洗浄幅Ｄを所定範囲に設定しているが、他の方法（例えば吐出口３４ａ，３９ａの形状や大きさなど）によって洗浄幅Ｄが所定範囲となるように構成してもよい。また、ノズル移動機構２３によって洗浄幅Ｄを可変調整することができるように構成しているが、可変調整すること自体は本発明の必須構成要件ではなく、洗浄幅Ｄが所定範囲内となるように予め固定的に設定しておいてもよい。
【００３４】
また、上記実施形態では、バルブ２４Ｖ，２５Ｖによって液滴のボリュームミーディアン径を調整しているが、一方のみによりボリュームミーディアン径を調整するようにしてもよい。すなわち、外部混合型の二液体ノズルでは、開放された空間で内管３９から吐出される液体（処理液）に外管３４から吐出される気体（窒素ガス）を吹き付けて液滴を生成しているため、二流体ノズル２に導入される気体の圧力と液体の圧力とは互いに影響を及ぼさない。したがって、二流体ノズル２に導入される気体の流量と液体の流量とを独立に調整できる。
【実施例】
【００３５】
次に本発明の実施例を示すが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３６】
この実施例では、図１に示す基板処理装置を用いて、基板Ｗの洗浄試験を行った。より具体的には、脱イオン水を「処理液」とし、その流量を１００（ｍｌ/ｍｉｎ）に設定するとともに、窒素ガスを「気体」とし、その流量を１００（ｌ／ｍｉｎ）に設定して処理液の液滴を生成し、５００ｒｐｍで回転する基板Ｗの表面に供給した。なお、ここでは、基板Ｗとして、その表面に０．２５μｍ幅の配線パターンが形成され、しかも径が０．１μｍ以上のシリコン（Ｓｉ）粒子がおよそ１００００個付着されたものを用いた。
【００３７】
また、基板Ｗからノズル２までの高さＨを多段階で変更設定して基板表面での液滴の洗浄幅Ｄを「３．５ｍｍ」、「５．０ｍｍ」、「７．０ｍｍ」、「１５．０ｍｍ」、「２０．０ｍｍ」にそれぞれ設定し、各洗浄幅Ｄにおけるパーティクルの除去率および微細パターンへのダメージを評価した。なお、「パーティクルの除去率」については、洗浄試験前後の基板Ｗに付着しているシリコンの粒子の数をそれぞれ測定することにより求めた。
【００３８】
図４は、二流体ノズルから供給される液滴の基板表面上での洗浄幅と、除去率との関係を示すグラフである。同グラフから明らかなように、洗浄幅Ｄが１５ｍｍ以下となっている場合には、従来技術と同程度（除去率＝９７％）以上の洗浄効果が得られるが、それを超えると急激に除去率が低下してしまう。これは、二流体ノズル２から供給される液滴が基板表面の比較的広い領域に分散してしまうためと考えられる。
【００３９】
また、微細パターンへのダメージについては、表１にまとめているように、洗浄幅が５．０ｍｍで実使用に耐える程度にダメージを抑えることができるものの、それ未満では、実使用に耐えることができない程度まで微細パターンが損壊してしまう。これは、洗浄幅Ｄが狭まることで二流体ノズル２から供給される液滴が基板表面の微小領域に集中してしまうためと考えられる。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
これらの結果から、二流体ノズル２から供給される液滴による基板表面上での洗浄幅Ｄが洗浄効果と微細パターンへのダメージ低減との大きく関連していることがわかるとともに、該洗浄幅を５．０ｍｍないし１５．０ｍｍの範囲に設定することで除去率を従来技術と同程度以上に維持しつつ、微細パターンへのダメージを防止することができることがわかる。また、より高い除去率と、より良好なダメージ防止との観点から見ると、洗浄幅Ｄを７．０ｍｍに設定するのが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、上記実施形態では、「処理液」として脱イオン水を用いて「所定の処理」として洗浄処理を実行しているが、処理液の種類はこれに限定されず、例えばエッチング液を「処理液」として用いて「所定の処理」としてエッチング処理を行う基板処理装置に対して本発明を適用することができる。また、「処理液」としては、アンモニア、過酸化水素水、および水の混合溶液などの薬液であってもよい。また、「気体」としては窒素ガスに限定されず、不活性ガスや空気などの気体成分を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の基板処理装置で採用された二流体ノズルの構成を示す図である。
【図４】二流体ノズルから供給される液滴による基板表面上での洗浄幅と、除去率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１…基板処理装置
２…二流体ノズル
２３…ノズル移動機構（移動機構、洗浄幅調整機構）
２４Ｖ，２５Ｖ…バルブ（粒径調整機構）
３９ａ…液体吐出口
Ｄ…（液滴による）洗浄幅
Ｗ…基板
【図１】
2005166792.tif 000004
【図２】
2005166792.tif 000005
【図３】
2005166792.tif 000006
【図４】
2005166792.tif 000007