(57)【要約】【課題】  反応性の高い薬液を使用した湿式処理を、比較的簡便な方法で、処理の面内均一性をより高めつつ行うことができるようにする。【解決手段】  内部に薬液を保持する処理槽の上方に表面を下向きにして基板を配置し、基板の表面が処理槽内の薬液の液面に近接するまで基板と薬液の液面とを第１の速度で相対的に移動させ、第１の速度よりも低速な第２の速度で基板と薬液の液面と相対的に移動させ基板を薬液に浸漬させて基板の表面を該薬液で処理する。【選択図】  図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に薬液を保持する処理槽の上方に表面を下向きにして基板を配置し、
基板の表面が前記処理槽内の薬液の液面に近接するまで基板と薬液の液面とを第１の速度で相対的に移動させ、
前記第１の速度よりも低速な第２の速度で基板と薬液の液面と相対的に移動させ基板を薬液に浸漬させて基板の表面を該薬液で処理することを特徴とする基板の湿式処理方法。
【請求項２】
前記薬液処理後の基板を薬液から引き上げて該基板に付着した薬液を振り切った後、前記基板を直ちに洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板の湿式処理方法。
【請求項３】
前記薬液による処理時間の５％以内に、基板表面の全面を薬液に接触させることを特徴とする請求項１または２記載の基板の湿式処理方法。
【請求項４】
表面を水平面に対して１．５〜１５゜の角度で傾斜させた状態で、基板を薬液に浸漬させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
【請求項５】
基板を薬液に浸漬させつつ回転させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
【請求項６】
基板を薬液に浸漬させつつ該薬液に対して相対的に上下動させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
【請求項７】
基板を薬液に浸漬させる際、処理槽内に薬液を連続的に供給して、所定の流速を持つ薬液の流れを形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
【請求項８】
基板表面の薬液に対する濡れ性を事前に調整することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
【請求項９】
基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する濡れ性改善剤を薬液に添加することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
【請求項１０】
表面を下向きにして基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダの下方に配置され、内部に薬液を連続的に供給し該薬液の流れを形成して薬液を保持する処理槽と、
前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、
前記昇降機構による前記基板ホルダの移動速度を制御する制御部を有することを特徴とする基板の湿式処理装置。
【請求項１１】
前記基板ホルダを、傾斜角度を前記制御部で制御して傾斜させる傾斜機構を更に有することを特徴とする請求項１０記載の基板の湿式処理装置。
【請求項１２】
前記処理槽の内部に供給する薬液の流量を、前記制御部で制御して調整する流量調整部を更に有することを特徴とする請求項１０または１１記載の基板の湿式処理装置。
【請求項１３】
前記基板ホルダで保持した基板を、回転速度を前記制御部で制御して回転させる回転機構を更に有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の湿式処理方法及び処理装置に関し、特に表面（被処理面）を下方に向けて保持した基板を、処理槽内に貯留した薬液に浸漬させて基板表面の薬液処理を行うようにした基板の湿式処理方法及び処理装置に関する。湿式処理には、電解めっき、無電解めっき、エッチング及び洗浄等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線形成プロセスとして、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を埋込むようにした配線形成プロセス（いわゆる、ダマシンプロセス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では銅や銀等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化するプロセス技術である。
【０００３】
また、この種の配線、例えば配線材料として銅を使用した銅配線にあっては、平坦化後、銅からなる配線の表面が外部に露出しており、配線（銅）の熱拡散を防止したり、例えばその後の酸化性雰囲気の絶縁膜（酸化膜）を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合等に、配線（銅）の酸化を防止したりするため、Ｃｏ合金やＮｉ合金等からなる配線保護層（蓋材）で露出配線の表面を選択的に覆って、配線の熱拡散及び酸化を防止することが検討されている。
【０００４】
以上のプロセスは、例えば、図１に示すように、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に堆積したＳｉＯ２等からなる絶縁膜２の内部に配線用の微細な凹部４を形成し、表面にＴａＮ等からなるバリア層６を形成した後、例えば、銅めっきを施し、基板Ｗの表面に銅膜を成膜して凹部４の内部に銅を埋め込む。しかる後、基板Ｗの表面にＣＭＰ（化学機械的研磨）を施して平坦化することで、絶縁膜２の内部に銅からなる配線８を形成し、この配線（銅膜）８の露出表面に、例えば無電解めっきによって得られる、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護層（蓋材）９を選択的に形成して配線８を保護する。
【０００５】
湿式処理の例として、一般的な無電解めっきによって、このようなＣｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護層（蓋材）９を配線８の表面に選択的に形成する工程を説明する。先ず、ＣＭＰ処理を施した半導体ウエハ等の基板Ｗを、例えば液温が２５℃で、０．５ＭのＨ２ＳＯ４等の酸溶液中に、例えば１分程度浸漬させて、絶縁膜２の表面に残った銅等のＣＭＰ残さ等を除去する。そして、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄した後、例えば、液温が２５℃で、０．００５ｇ／ＬのＰｄＣｌ２と０．２ｍｌ／ＬのＨＣｌ等の混合溶液中に基板Ｗを、例えば１分間浸漬させ、これにより、配線８の表面に触媒としてのＰｄを付着させて配線８の露出表面を活性化させる。次に、基板Ｗの表面を超純水で水洗いした後、例えば液温が８０℃のＣｏ−Ｗ−Ｐめっき液中に基板Ｗを、例えば１２０秒程度浸漬させて、活性化させた配線８の表面に選択的な無電解めっき（無電解Ｃｏ−Ｗ−Ｐ蓋めっき）を施し、しかる後、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄する。これによって、配線８の表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護層９を選択的に形成して配線８を保護する。
【０００６】
めっき処理や触媒付与等の前処理には、表面（被処理面）を下向きにして保持した基板を、処理槽内に貯留した薬液に浸漬させて基板表面の処理を行う、いわゆるディップ方式が一般に採用されている。このディップ方式を採用した湿式処理にあっては、基板の裏面や端面が薬液によって汚染されるのを防止しつつ、基板表面の必要箇所のみを薬液で処理するため、基板表面の周縁部をシール材でシールして基板を保持し、基板表面のシール材で囲まれた領域のみに薬液を接触させることが広く行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体装置の製造においては、デザインルールが厳しくなるにつれて、表面の形状寸法を益々厳しく管理することが要求されている。例えば、６５ｎｍノードにおいては、成膜やエッチングにおける面内均一性の要求値が５％以内であり、４５ｎｍノードにおいては、成膜やエッチングにおける面内均一性を３％以内とすることが求められている。表面（被処理面）を下方に向けた基板を薬液に浸漬させて処理する湿式処理においては、酸性やアルカリ性の反応性の高い薬液を使うケースが多く、このような要求に答えることが一般に困難である。
【０００８】
例えば、塩酸、フッ酸、酢酸あるいはアンモニアやＴＭＡＨのような揮発性を有する薬液で基板の表面を処理する場合には、薬液面上の蒸気が表面に当るような位置に基板を配置するだけで基板表面に反応が起きることがある。また、硫酸のように揮発性の少ない薬液であっても、処理槽内で基板に付着した薬液の振り切り等を行うことで、処理槽内の雰囲気中に薬液のミストを含む場合があり、同様な懸念がある。特に、アンモニアやＴＭＡＨでｐＨをアルカリ性に維持した無電解めっき液で銅表面（被処理面）にＮｉまたはＣｏ系の合金膜等を形成するような場合には、一般にめっき液を７０℃前後に加熱するため、アンモニアやＴＭＡＨの揮発が著しく、その蒸気を当てることで銅表面を変質させることがある。
【０００９】
また、反応性の高い薬液を使用した浸漬処理の場合、基板の表面（被処理面）と薬液とが接触するのとほぼ同時に反応が始まる。このため、基板表面の全面に亘る均一な処理を実現することが一般に困難となる。
【００１０】
例えば、銅シードを形成した半導体基板の表面（被処理面）に、硫酸銅めっき液を使用した電解銅めっきにより銅を成膜する場合、めっき液は酸性であり、銅シードやめっき後の銅に対するエッチング作用を持っている。このため、特に、デザインルールが厳しくなり、スパッタリングによって成膜できる銅シードの膜厚が薄くなるにつれて、基板をめっき液に浸漬させるだけで銅シードが溶解して消失してしまうことがある。これを防止するため、銅シードとアノードとの間に電圧を印加したまま基板をめっき液に浸漬させる、いわゆるホットエントリー方式が一般に採用されるが、この場合、基板表面に形成された銅シードがめっき液と接触すると同時にめっき反応が始まり、先にめっき液と接触した部分のめっき膜の膜厚が他の部分より厚くなってしまう。
【００１１】
同様に、銅表面（被処理面）にパラジウムシードを形成して無電解めっきによりＮｉまたはＣｏ系の合金膜等を形成するような場合においても、基板をめっき液に浸漬させると同時に、銅表面に無電解めっき反応が開始するので、先にめっき液と接触した部分のめっき膜の膜厚が他の部分より厚くなってしまう。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、反応性の高い薬液を使用した湿式処理を、比較的簡便な方法で、処理の面内均一性をより高めつつ行うことができるようにした基板の湿式処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、内部に薬液を保持する処理槽の上方に表面を下向きにして基板を配置し、基板の表面が前記処理槽内の薬液の液面に近接するまで基板と薬液の液面とを第１の速度で相対的に移動させ、前記第１の速度よりも低速な第２の速度で基板と薬液の液面と相対的に移動させ基板を薬液に浸漬させて基板の表面を該薬液で処理することを特徴とする基板の湿式処理方法である。
【００１４】
例えば、基板側を移動させる場合にあっては、処理槽の上方に配置した基板を、例えば３００ｍｍ／ｓｅｃ程度の高速（第１の速度）で、かつ好ましくは２秒以内に、薬液の液面に近接した位置、例えば基板の最下部が液面上１０ｍｍ以下に達する位置まで急降下させ、しかる後、基板を、薬液の液流を乱すことがない程度の、例えば１０ｍｍ／ｓｅｃ或いはそれ以下の適正な速度（第２の速度）で下降させて処理槽内の薬液に浸漬させる。これにより、基板表面が処理槽内の薬液の液面上に存在する蒸気やミスト等に接触して、これらに含まれる薬液成分の影響を受ける時間を極力短くなるように管理し、しかも処理の均一性を阻害する薬液の液流の乱れを生じさせることなく、基板を薬液に浸漬させることで、処理の面内均一性を高めることができる。
なお、基板を昇降させる代わりに、薬液の液面を上下動させたり、両者を組合せたりするようにしてもよい。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、前記薬液処理後の基板を薬液から引き上げて該基板に付着した薬液を振り切った後、前記基板を直ちに洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板の湿式処理方法である。
基板の保持方法によっては、基板の表面（被処理面）のみならず、基板の端面や裏面にも薬液が付着することがあるが、基板に付着した薬液を、薬液処理後に速かに洗浄し除去することで、基板に付着した薬液によって反応が継続したり、その後の工程での汚染の原因となったりすることを防止することができる。基板の保持方法としては、例えば基板表面の周縁部をシールして保持する方法や、基板裏面を真空吸着して保持する方法などが採用される。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記薬液による処理時間の５％以内に、基板表面の全面を薬液に接触させることを特徴とする請求項１または２記載の基板の湿式処理方法である。
表面を下向きにした基板を薬液に浸漬させて基板表面を該薬液で処理する場合、薬液には、一般に上向流が形成されていて液面に多少の揺らぎも有るため、スプレー法のように表面全体を完全に同時に薬液と接触させることは技術的に困難である。この発明によれば、表面の一部が薬液に接触してから基板表面の全面が薬液に接触するまでの時間を管理するといった比較的簡便な手段によって、表面をほぼ同時に薬液に接触させた、基板表面の全面に亘る均一な処理を実現できる。
【００１７】
例えば、半導体装置の製造においては、デザインルールが厳しくなるにつれて、表面の形状寸法を益々厳しく管理することが要求されている。例えば、６５ｎｍノードにおいては、成膜やエッチングにおける面内均一性の要求値が５％以内であり、４５ｎｍノードにおいては、成膜やエッチングにおける面内均一性を３％以内とすることが求められている。このような要求に応じた均一な処理を実現するために基板表面の全面を薬液に接触させる時間は、薬液による処理時間の５％以内であることが好ましく、３％以内であることがより好ましい。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、表面を水平面に対して１．５〜１５゜の角度で傾斜させた状態で、基板を薬液に浸漬させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
【００１９】
表面を下方に向けた浸漬方式の湿式処理においては、薬液の性質により接液時に同伴する空気や反応に伴って発生する気体の気泡が基板表面に付着乃至滞留することがある。この気泡は、基板表面での薬液との接触あるいは温度の不均一等を引き起こし、処理における面内均一性を妨げる大きな要因となる。この発明によれば、基板を傾斜させて薬液に浸漬させることにより、接液時に基板に同伴する気泡を基板表面に沿って基板の外側へ液流によって移送させて排除することができる。この場合、基板表面の水平面に対する角度があまりに大きいと、基板表面の一部が薬液に接触してから全面が接触するまでの時間が長くなる。一方でこの角度があまりに小さいと、気泡の排除が困難となる。このため、基板表面の水平面に対する角度を、好ましくは１．５〜１５゜、より好ましくは１．５〜１０゜とし、少なくともその角度を維持した状態で基板表面を薬液と接触させることで、実質的に上記要件を両立できる。
【００２０】
なお、反応に伴って気泡が発生する場合には、基板を薬液に浸漬させている間中、基板を傾斜させていた方が気泡を排除する上で好ましい。しかしながら、基板を傾斜させたまま処理することは、基板に対する不均一な薬液の流れの中で基板を処理することにもなり、薬液処理における基板表面の面内均一性を妨げる要因にもなり得る。そこで、反応に伴って気泡が発生する懸念がない場合には、薬液中で基板を水平に戻して処理することが好ましい。この場合には、基板表面の一部が薬液に接触してから全面が薬液に接触するまでの間に基板の角度を徐々に水平に戻しても良いし、全面が薬液に接触してから基板を水平に戻しても良い。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、基板を薬液に浸漬させつつ回転させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
このように、基板を薬液に浸漬させつつ回転させることにより、基板表面の特定部位に気泡が付着して反応が阻害されることを回避するとともに、気泡の基板表面からの離脱をより促進して、処理の面内均一性をより高めることができる。また、薬液と基板表面との接触をより均一化することができ、この点からも処理の面内均一性の向上を図ることができる。基板の回転速度は、高くなりすぎると薬液の上向流速の不均一化をもたらすので、
３００ｒｐｍ以下であることが好ましく、１００ｒｐｍ以下であるこが更に好ましい。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、基板を薬液に浸漬させつつ該薬液に対して相対的に上下動させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
基板表面に付着する気泡の量を考えると、反応に伴って発生して付着する気泡の量よりも、基板表面の薬液との接触の際に同伴して付着する気泡の量の方が多いのが通例である。この発明によれば、基板を薬液に浸漬させつつ該薬液に対して相対的に上下動させることにより、気泡の基板表面からの離脱を促進させ、特に基板表面の薬液との接触の際に同伴して基板表面に付着する気泡を効率的に排除することができる。
【００２３】
また、場合によっては、薬液との接触に先立って、基板表面に何らかの前処理を施すことがあり、その場合には、前処理液やその後の洗浄液が基板表面に付着していることがある。この状態で基板表面を薬液と接触させると、接触直後で基板表面での薬液の濃度が薄い状態となり、少なくともある時間は、処理が十分に行われないことになり、複数の基板間で処理状況に相違を生じるおそれもある。この点についても、例えば基板を上下する操作を加えることにより、前処理液やその後の洗浄液等を基板表面から効果的に排除して、基板表面で薬液の濃度が薄い状態が長引くことを回避することができる。なお、この場合も、薬液の液面を上下させることによっても、同様の効果を実現することができる。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、基板を薬液に浸漬させる際、処理槽内に薬液を連続的に供給して、所定の流速をもつ薬液の流れを形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
このように、基板を薬液に浸漬させる際、処理槽内に薬液を連続的に供給して、所定の流速をもつ薬液の流れを形成することにより、基板表面を薬液に接触させる際に同伴して基板表面に付着する気泡の離脱を薬液の流れで促進することができる。また、前述と同様に、接触直後で基板表面の薬液の濃度が薄い状態があったとしても、薬液の流れで前処理液やその後の洗浄液等を薬液に置換することで、この状態が長引くことを回避することができる。なお、目的の処理に際しては、面内均一性などの点から薬液の流速をむやみに高くすることはできないので、例えば気泡の離脱や液置換に必要な時間だけ流速を上げた後に、所定の流速に戻して処理する等の方法をとることが好ましい。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、基板表面の薬液に対する濡れ性を事前に調整することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
このように、薬液に対する基板表面の濡れ性を事前に調整しておくことにより、基板表面の薬液との接触に際して同伴する気泡を基板表面で吸着することを防止して、基板表面に薬液を急速に展開させることができる。基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する方法としては、プラズマ処理のような乾式処理、水洗乃至薬液処理やＣＭＰのような湿式処理がある。湿式処理により濡れ性を改善する場合には、乾燥に伴って表面の濡れ性が変わる可能性があるので、処理後の表面を乾燥させることなく、薬液による処理を連続して行うことが好ましい。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する濡れ性改善剤を薬液に添加することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する濡れ性改善剤としては、基板表面の物性によっても異なるが、酸、アルカリ、キレート剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００２７】
請求項１０に記載の発明は、表面を下向きにして基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダの下方に配置され、内部に薬液を連続的に供給し該薬液の流れを形成して薬液を保持する処理槽と、前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、前記昇降機構による前記基板ホルダの移動速度を制御する制御部を有することを特徴とする基板の湿式処理装置である。
【００２８】
請求項１１に記載の発明は、前記基板ホルダを、傾斜角度を前記制御部で制御して傾斜させる傾斜機構を更に有することを特徴とする請求項１０記載の基板の湿式処理装置である。
請求項１２に記載の発明は、前記処理槽の内部に供給する薬液の流量を、前記制御部で制御して調整する流量調整部を更に有することを特徴とする請求項１０または１１記載の基板の湿式処理装置である。
【００２９】
請求項１３に記載の発明は、前記基板ホルダで保持した基板を、回転速度を前記制御部で制御して回転させる回転機構を更に有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、比較的簡便な方法で、薬液の液面上に存在する蒸気やミスト等に含まれる薬液成分の基板表面に及ぼす影響を極力なくして、反応性の高い薬液を使用した湿式処理を、処理の面内均一性をより高めつつ行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図２は、本発明の実施の形態における湿式処理装置を備えた基板処理装置１の全体概略平面図である。図２に示すように、この基板処理装置１は、ロード・アンロードエリア１００と、洗浄エリア２００と、めっき処理エリア３００の３つの処理エリアを具備している。そしてロード・アンロードエリア１００には、２つのロードポート１１０、第１基板搬送ロボット１３０及び第１反転機１５０が設置されている。洗浄エリア２００には、基板仮置台２１０、第２基板搬送ロボット２３０、前洗浄ユニット２４０、第２反転機２５０及び２つの後洗浄ユニット２６０が設置されている。めっき処理エリア３００には、第３基板搬送ロボット３１０、４つの前処理ユニット３２０、４つの無電解めっきユニット３６０及び薬液供給ユニット３９０が設置されている。
【００３２】
ここで、前洗浄ユニット２４０、前処理ユニット（触媒付与処理ユニット）３２０、及び無電解めっきユニット３６０として、使用する薬液がそれぞれ異なるだけで、同じ構成の、本発明の実施の形態における湿式処理装置４００が使用されている。
【００３３】
図３（ａ）は、湿式処理装置４００を示す側面図で、図３（ｂ）は、図３（ａ）の概略側断面図である。図３に示すように、湿式処理装置４００は、内部に薬液Ｑを溜めて基板Ｗのディップ処理を行う処理槽７１０と、処理槽７１０の開口部７１１を塞ぐ蓋部材７４０と、蓋部材７４０の上面に取付けられる噴霧ノズル７６０と、蓋部材７４０を駆動（旋回）する駆動機構７７０と、基板Ｗを保持する基板ホルダ７８０と、基板ホルダ７８０全体を駆動する基板ホルダ駆動機構８１０とを具備している。
【００３４】
処理槽７１０は、内部に５リットル以上の薬液Ｑを貯留できる容積を有する容器形状の処理槽本体７１３と、処理槽本体７１３の上端外周部分に設置され処理槽本体７１３からオーバーフローする薬液Ｑを回収する外周溝７１５と、外周溝７１５の外周側を囲んで筒状に上方に突出する覆い部７１７とを有している。処理槽本体７１３の底面中央には、薬液供給口７２１が設けられている。
【００３５】
薬液処理における所定の面内均一性を確保するためには、薬液の精密な温度制御が必要である。そのためには、処理槽７１０内に保持される薬液Ｑの量は、処理される基板Ｗの大きさにもよるが、少なくとも５リットル以上とすることが望ましく、これにより、基板Ｗに対して薬液Ｑの容量を多くとり、その熱容量により、基板Ｗの表面の各部位での温度の違いを最小限に抑えることができる。また、薬液Ｑ中の溶存酸素が基板Ｗの処理の反応に好ましくない影響を持つ場合には、予め脱気した薬液Ｑで処理することが広く行われているが、この場合、薬液Ｑの量が少ないと、空気中の酸素の溶解により溶存酸素を低いままに維持することが困難となる。この点からも、処理槽７１０内の薬液Ｑの量は、少なくとも５リットル以上とすることが望ましい。
【００３６】
また、下記のように、処理槽７１０内の薬液Ｑに基板を浸漬させて基板Ｗの表面の薬液処理する際、この基板Ｗと薬液貯槽３９１から処理槽７１０内に供給される薬液Ｑの供給位置との距離Ｄ（図９（ｂ）参照）が５０ｍｍ以上（Ｄ≧５０ｍｍ）となるように構成されている。薬液貯槽３９１から処理槽７１０に薬液Ｑを連続的に供給する際に、処理槽７１０内の薬液Ｑに浸漬させた基板Ｗの位置と薬液Ｑの導入位置との距離Ｄが近すぎると、薬液Ｑの基板Ｗの面に対して垂直な線速度を基板全面に亘って均一にすることが困難となる。このため、基板Ｗの位置と薬液Ｑの導入位置との距離Ｄを、少なくとも５０ｍｍ以上とすることが望ましく、これにより、基板Ｗの表面への薬液Ｑの供給が、基板Ｗの表面に対してできるだけ垂直でかつ均一になるようにすることができる。
【００３７】
薬液供給ユニット３９０は、処理槽７１０の外周溝７１５にオーバーフローした薬液Ｑを、配管によって薬液貯槽３９１に戻し、薬液貯槽３９１内に溜まった薬液Ｑを、薬液供給用ポンプ４０４によって処理槽本体７１３の薬液供給口７２１に供給する。これにより、この薬液貯槽３９１の内部に所定の濃度範囲に調製した薬液Ｑを準備しておき、少なくとも基板の薬液処理時に、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを処理槽７１０に連続的に供給し循環させることができる。この薬液供給用ポンプ４０４は、制御部９００で該薬液供給用ポンプ４０４の吐出流量を制御することで、処理槽７１０内に供給する薬液Ｑの流量を調整する流量調整部としての役割を果たす。
【００３８】
薬液処理における基板Ｗの面内均一性を妨げる様々な要素を排除するためには、気体の基板Ｗの表面への付着、基板Ｗの全表面での薬液Ｑの組成並びにその温度の不均一性等を排除する必要がある。そこで別途設けた薬液貯槽３９１内に薬液Ｑを準備し、少なくとも基板を処理する間は、薬液貯槽３９１から処理槽７１０中の基板Ｗの表面に向けて、例えば上向流で薬液Ｑを連続的に供給して、処理槽７１０での薬液Ｑの流れを作ることで、基板Ｗの表面の気体の排除をより確実なものとし、しかも基板Ｗの全面における薬液Ｑの組成並びにその温度の不均一性を排除して、反応の基板面内における均一性の向上を図ることができる。
【００３９】
更に、薬液Ｑの流れを安定させるために、処理槽本体７１３の内部に整流板７１４を設置している。整流板７１４は、円形の平板中に薬液が流通する多数の貫通する小孔を設けることで構成されている。
蓋部材７４０は、処理槽７１０の開口部７１１を塞ぐ大きさの板材によって構成されており、蓋部材７４０の両側面には、板状のアーム部７４５が取付けられ、その先端近傍部分が処理槽７１０の略中央両側部分に設置した軸支部７４７に回動自在に軸支されている。アーム部７４５の先端は、駆動機構７７０の連結アーム７７５の先端に固定されている。
【００４０】
噴霧ノズル７６０は、面状に複数個（例えば、１９個）のノズル７６３を上向きに配置して構成されている。複数個のノズル７６３は、基板ホルダ７８０に保持した基板Ｗを、処理槽７１０を塞いだ蓋部材７４０の上部に位置させた状態で、これら複数個のノズル７６３から同時に洗浄液を噴霧することで、基板Ｗの被処理面（下面）全域に洗浄液が均等に噴霧され基板Ｗの被処理面への噴霧圧も極力均等になる位置に、上向きに取付けられている。これにより、基板Ｗの洗浄処理において、ばらつきのない均等な処理が可能となる。
【００４１】
駆動機構７７０は、蓋部材旋回用シリンダ７７１と、蓋部材旋回用シリンダ７７１のピストンに連結されるロッド７７３と、ロッド７７３の先端に回動自在に連結される連結アーム７７５とを具備している。蓋部材旋回用シリンダ７７１の下端部は、固定側部材に回動自在に支承されている。
【００４２】
図４（ａ）は、基板ホルダ７８０の概略側断面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＧ部拡大図である。図４（ａ）に示すように、基板ホルダ７８０は、基板保持部７８１と基板保持部駆動部８００とを具備している。基板保持部７８１は、下面が開放された略円筒状の基板受け７８３の内部に、略円形の吸着ヘッド７８９を収納して構成されている。基板受け７８３は、その下端面から内側に向けて基板Ｗを仮置きする仮置き部７８５を突出して設け、またその外周側面に基板挿入口７８７を設けている。吸着ヘッド７８９は、内部に真空供給ライン７９３を設けた略円板状の基部７９１と、基部７９１の下面外周にリング状に取付けられる基板吸着部７９５とを具備している。
【００４３】
基部７９１には、基板吸着部７９５に吸着した基板Ｗと該基部７９１との間の空間を開放する複数個（図では１ヶ所のみ示す）の空気抜き用の開口部７９０を設けている。基板吸着部７９５は、シール材（例えばゴム材料等）で構成され、その先端を基部７９１の下面から突出することで該基部７９１の下面に当接する基板Ｗの裏面を吸着するとともに、基板Ｗの裏面の真空吸着した部分の内側への薬液の浸入を防止するシールの役目を果たす。
【００４４】
基板吸着部７９５の形状については、図４（ｂ）に示す形状のみならず、円周幅にて吸着するものであればどのような形状でもかまわない。また基板吸着部７９５の基板Ｗに接触する部分には、基板吸着溝（吸着兼引き離し用孔）７９７を設け、これに前記真空供給ライン７９３を接続することで、基板吸着溝７９７への基板Ｗの吸着及び引き離しを行わせるように構成している。なお真空供給ライン７９３には、真空の他に不活性ガスまたは洗浄液を供給できるように構成されている。
【００４５】
一方、基板保持部駆動部８００は、前記吸着ヘッド７８９を回転駆動する回転機構としての基板回転モータ８０１と、前記基板受け７８３を上下の所定位置（少なくとも３ヶ所）に駆動する基板受け駆動用シリンダ８０３とを具備している。基板回転モータ８０１の回転速度は、制御部９００からの信号により制御される。そして吸着ヘッド７８９は、基板回転モータ８０１によって回転駆動され、また基板受け７８３は、基板受け駆動用シリンダ８０３によって上下動される。つまり吸着ヘッド７８９は、回転のみで上下動せず、基板受け７８３は上下動のみで回転しない。
【００４６】
基板ホルダ７８０の動作を説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、吸着ヘッド７８９を回転しない状態で、基板受け７８３を最も下の位置（基板受渡し位置）に移動し、基板挿入口７８７を介して、第３基板搬送ロボット３１０の真空ハンドに吸着されて保持された基板Ｗを基板受け７８３の内部に挿入し、真空ハンドの吸着を解除することで、基板Ｗを仮置き部７８５の上に載置する。このとき基板Ｗは、表面（被処理面）を下向きにしたフェースダウンで保持される。そして真空ハンドを基板挿入口７８７から抜き出す。
【００４７】
次に、図５に示すように、基板受け７８３を上昇させ基板Ｗの裏面（上面）の周縁部に基板吸着部７９５の先端を当接させて押付け、基板吸着溝７９７から真空引きすることで、基板Ｗを基板吸着部７９５に吸着させて保持する。この際、真空力は、基板吸着部７９５の基板Ｗに接触する部分の内部の基板吸着溝７９７内に発生する。このときの基板受け７８３の位置を基板固定位置とする。これによって、基板Ｗの裏側の部分（被処理面と反対側の面）は、基板吸着部７９５によるシールによって表面側から遮断される。
【００４８】
この例では、基板Ｗの裏面周縁部を、リング状の小さな幅（径方向）の基板吸着部７９５によるシールにて吸着することにより、吸着幅を極力小さく抑えることで、基板Ｗへの影響（撓み等）をなくすようにしている。また基板Ｗの裏面の外周部のみが基板吸着部７９５と接触するので、基板処理時に薬液の温度が不必要に基板吸着部７９５との接触面を伝達して逃げる恐れがない。
【００４９】
吸着ヘッド７８９の基板吸着部７９５による基板Ｗの吸着位置は、基板Ｗの外周近傍の、その表面（下面）にデバイスを形成していない部分の裏面、具体的には、基板Ｗの裏面（上面）の外周幅５ｍｍ以内の領域である。このように構成すれば、基板Ｗに接触する部分が基板Ｗのデバイス範囲外の裏面となり、例えば加熱して基板Ｗの薬液処理を行う際の吸着による影響を最小限に抑えることができる。
【００５０】
次に、図６に示すように、基板受け７８３を少し（例えば数ｍｍ）下降させて基板Ｗを仮置き部７８５から引き離す。このときの基板受け７８３の位置を基板処理位置とする。この状態で、基板ホルダ７８０全体を下降させて、図３に示す処理槽７１０の薬液Ｑ中に浸漬させる。すると、基板Ｗは、その裏面が吸着された保持されているだけなので、基板Ｗの表面全域及び端面も薬液Ｑに接触する。
【００５１】
更に、基板受け７８３が下降して基板Ｗから離れ、基板Ｗは、その裏面のみが吸着された保持されているだけなので、薬液Ｑに浸漬しても、基板Ｗに対する薬液Ｑの流れＬ（図６（ｂ）参照）が阻害されることがなく、基板Ｗの表面全域において均一な薬液Ｑの流れＬが形成される。そして、この薬液Ｑの流れＬと共に、基板Ｗの表面上に巻き込まれた気体や薬液処理によって発生した気体は、基板Ｗの表面上から処理槽７１０内の他の部分へ排出される。また薬液Ｑの流れの状態を均一にして、薬液Ｑの組成並びにその温度を基板Ｗの全面に亘ってより均一にすることができる。
【００５２】
これによって、薬液処理に悪影響を及ぼす薬液Ｑの不均一な流れ或いは気体の影響を解決することができる。また基板Ｗの裏面のリング状に真空吸着した部分の内側は、基板吸着部７９５によるシールによって表面側から遮断されるので、薬液が基板Ｗの裏面の基板吸着部７９５の内側へ浸入することを防ぐことができる。
【００５３】
この例においては、吸着ヘッド７８９の基部７９１に開口部７９０を設けているので、基部７９１と基板吸着部７９５と基板Ｗとで形成される空間が密閉状態とはならず、この空間内での熱による空気膨張を防止することで、基板Ｗへの悪影響（撓み等）を回避することができる。更に、開口部７９０があるため、吸着ヘッド７８９の軽量化にもつながり、基板吸着部７９５による吸着のみにて、基板回転モータ８０１による基板Ｗの高速回転（例えば１０００ｒｐｍ）も可能となる。基板Ｗを高速回転させることで、薬液処理後の基板Ｗの表面に残留している薬液及び洗浄液を極力飛散させることができる。これによって、使用する薬液や洗浄液等の無駄な排出がなくなる。
【００５４】
次に、基板Ｗの処理が終了した後、基板受け７８３を、図５に示す基板固定位置まで上昇させ、基板Ｗを仮置き部７８５の上に載置し、基板吸着溝７９７から気体（不活性ガス、例えば窒素ガス）を噴出させて、基板Ｗを基板吸着部７９５から引き離す。同時に、基板受け７８３を、図４に示す基板受渡し位置まで下降させ、基板挿入口７８７から第３基板搬送ロボット３１０の真空ハンドを挿入して基板Ｗを外部に引き出す。
【００５５】
この例においては、前述のように、真空供給ライン７９３に、真空の他に不活性ガスまたは洗浄液を供給するように構成しているが、さらに基板吸着部７９５の外側近傍（吸着ヘッド７８９の外周近傍）に洗浄用噴霧ノズル８０５を設置している。そして必要に応じて、洗浄用噴霧ノズル８０５によって基板吸着部７９５先端の外側と吸着ヘッド７８９の外周側面とを洗浄するとともに、真空供給ライン７９３から基板吸着溝７９７に不活性ガスまたは洗浄液を供給することで真空供給ライン７９３及び基板吸着溝７９７の内部を洗浄するようにしている。
【００５６】
これは以下の理由による。即ち、薬液の種類によっては、時間の経過と共に、通常薬液に接液している箇所に薬液成分が結晶化し析出してしまう。基板吸着部７９５の特に基板Ｗとの接触部において、薬液成分の析出が起こると、適切な基板Ｗの吸着ができなくなる他、析出物が基板Ｗへ付着する等、基板処理に悪影響を与えてしまう。
【００５７】
そこでこの例では、処理槽７１０の開口部７１１を塞ぐ蓋部材７４０の上部に取付けた噴霧ノズル７６０によって、基板吸着部７９５の下面を洗浄する他に、前記洗浄用噴霧ノズル８０５により基板吸着部７９５の外周側面を洗浄することができるように構成し、更に基板Ｗを吸着する真空供給ライン７９３及び基板吸着溝７９７には、吸着用の真空以外に、不活性ガスや洗浄液（例えば純水）等も注入できるように構成して、真空供給ライン７９３及び基板吸着溝７９７内部を全て洗浄できるように構成している。
【００５８】
図７は、基板ホルダ駆動機構８１０の内部構造の概略側面図である。図７に示すように、基板ホルダ駆動機構８１０は、基板ホルダ７８０全体を揺動して傾斜させる傾斜機構８１１と、基板ホルダ７８０及び傾斜機構８１１全体を旋回させる旋回機構８２１と、基板ホルダ７８０、傾斜機構８１１及び旋回機構８２１全体を昇降させる昇降機構８３１とを具備している。図８（ａ）は、傾斜機構８１１を示す概略側面図（但し基板ホルダ７８０も記載されている）で、図８（ｂ）は、図８（ａ）の右側面図（但し基板ホルダ７８０は省略されている）である。
【００５９】
図８に示すように、傾斜機構８１１は、基板ホルダ７８０に固定されたブラケット８１３と、ブラケット８１３に固定されるとともに固定側の傾斜軸用軸受８１４に回動自在に軸支される傾斜軸８１５と、ヘッド傾斜用シリンダ８１７と、一端をヘッド傾斜用シリンダ８１７の駆動軸８１８の側部に回動自在に取付け、他端を傾斜軸８１５に固定されるリンクプレート８１９とを具備している。そしてヘッド傾斜用シリンダ８１７を駆動して、その駆動軸８１８を、図８（ｂ）に示す矢印Ｈ方向に移動すれば、リンクプレート８１９によって傾斜軸８１５が所定角度回動し、これによって、基板ホルダ７８０が揺動し、基板ホルダ７８０に保持した基板Ｗを水平位置と水平位置から所定角度傾斜させた傾斜位置とに変更できるようにしている。基板ホルダ７８０で保持した基板Ｗの傾斜角度θ（図１２参照）は、制御部９００から傾動機構８１１のヘッド傾斜用シリンダ８１７の制御機構９０２に送られる信号で制御される。
【００６０】
一方、旋回機構８２１は、図７に示すように、ヘッド旋回用サーボモータ８２３とこのヘッド旋回用サーボモータ８２３によって回動される旋回軸８２５とを具備しており、旋回軸８２５の上端に前記傾斜機構８１１が固定されている。このヘッド旋回用サーボモータ８２３の旋回角は、制御部９００からの信号で制御される。
【００６１】
昇降機構８３１は、ヘッド昇降用シリンダ８３３とヘッド昇降用シリンダ８３３によって昇降されるロッド８３５とを具備しており、ロッド８３５の先端に取付けたステー８３７に前記旋回機構８２１が固定されている。これによって、ヘッド昇降用シリンダ８３３の作動に伴って、基板ホルダ７８０、傾斜機構８１１及び旋回機構８２１全体が昇降する。この昇降速度は、制御部９００から昇降機構８３１の昇降用シリンダ８３３の制御機構９０４に送られる信号で制御される。
【００６２】
図１１は、薬液供給ユニット３９０の詳細を示す。処理槽７１０は、底部において、薬液貯槽３９１から延び、途中に薬液供給用ポンプ４０４と三方弁４０６とを介装した薬液供給管４０８に接続されている。これにより、薬液処理中にあっては、処理槽７１０の内部に、この底部から薬液Ｑを供給し、溢れる薬液Ｑを外周溝７１５から薬液貯槽３９１へ回収することで、薬液Ｑが循環できるようになっている。また、三方弁４０６の一つの出口ポートには、薬液貯槽３９１に戻る薬液戻り管４１２が接続されている。これにより、待機時にあっても、薬液Ｑを循環させることができる薬液循環系が構成されている。このように、薬液循環系を介して、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを常時循環させることにより、単純に薬液Ｑを貯めておく場合に比べて薬液Ｑの濃度の低下率を減少させ、基板Ｗの処理可能数を増大させることができる。
【００６３】
特に、この例では、薬液供給用ポンプ４０４の吐出流量を制御部９００で制御することで、待機時及び薬液処理時に循環する薬液Ｑの流量を個別に設定できるようになっている。これにより、待機時に薬液Ｑの大きな循環流量を確保して、薬液貯槽３９１の薬液Ｑの液温を一定に維持し、薬液処理時には、必要に応じて、薬液Ｑの循環流量を小さくして、より均一な薬液処理を行うことができる。
処理槽７１０の底部付近に設けられた温度測定器４６６は、処理槽７１０の内部に導入される薬液の液温を測定して、この測定結果を元に、下記のヒータ４１６及び流量計４１８を制御する。
【００６４】
つまり、この例では、別置きのヒータ４１６を使用して昇温させ流量計４１８を通過させた水を熱媒体に使用し、熱交換器４２０を薬液貯槽３９１内の薬液Ｑ中に設置して該薬液Ｑを間接的に加熱する加熱部３９３と、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを循環させて攪拌する攪拌ポンプ４２４が備えられている。これは、例えば、めっき液にあっては、これを高温（約８０℃程度）にして使用することがあり、これと対応するためであり、この方法によれば、インライン・ヒーティング方式に比べ、非常にデリケートなめっき液に不要物等が混入するのを防止することができる。
【００６５】
この薬液供給ユニット３９０には、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑの液面を検知する液面センサ４４２と、例えば吸光光度法、滴定法、電気化学的測定などで薬液Ｑの組成を分析し、薬液Ｑ中の不足する成分を補給する薬液管理ユニット４３０が備えられている。そして、これらの分析結果を信号処理し、薬液Ｑ中の不足する成分を、補給部４３４を通して、図示しない補給槽から定量ポンプなどを使って薬液貯槽３９１へ補給して、薬液Ｑの液量と組成を管理するようになっている。
【００６６】
なお、この例では、フィードバック制御により、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを所定の容量範囲及び濃度範囲に調製するようにしている。薬液貯槽３９１内の薬液Ｑの消費状況や濃度変化を、基板の処理枚数、薬液の温度条件及び処理時間等を基に事前に予測し、その結果を基に、薬液を構成する成分を個別ないし混合状態で追加するフィードフォワード制御、更には両者を併用して薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを所定の容量範囲及び濃度範囲に調製するようにしてもよい。
【００６７】
また、処理槽７１０に供給される薬液Ｑの温度を所定の範囲に調整することで、例えば、薬液Ｑの濃度を所定範囲に維持し、かつ供給時における薬液の処理槽７１０内での流れの状態を均一にすることと併せて、反応の基板面内における均一性をより高めることができる。薬液Ｑの温度は、室温以下の場合もあれば室温以上の場合もある。
【００６８】
薬液管理ユニット４３０は、薬液Ｑの溶存酸素を、例えば電気化学的方法等により測定する溶存酸素濃度計４３２を有しており、この溶存酸素濃度計４３２の指示により、例えば脱気、窒素吹き込みその他の方法で、薬液Ｑ中の溶存酸素濃度を一定に管理することができるようになっている。このように、薬液Ｑ中の溶存酸素濃度を一定に管理することで、例えば溶存酸素が基板Ｗの処理の反応に好ましくない影響を持つ場合等に対処することができる。
【００６９】
次に、この湿式処理装置４００の全体の動作を説明する。図３は、蓋部材７４０を旋回させて処理槽７１０の開口部７１１を開き、且つ基板ホルダ７８０を上昇させた状態を示している。即ち、蓋部材７４０は、処理槽７１０の側部に位置する待避位置に移動している。このとき、薬液供給ユニット３９０は駆動されており、薬液Ｑは、処理槽７１０と薬液貯槽３９１間を所定温度に維持されながら循環している。
【００７０】
この状態において、まず未処理の基板Ｗを、前記図４乃至図６に示す方法で、基板ホルダ７８０の吸着ヘッド７８９に吸着して保持し、しかる後、吸着ヘッド７９８で保持した基板Ｗを処理槽７１０の直上方に位置させる。次に、図１２に示すように、傾斜機構８１１によって、基板ホルダ７８０全体を揺動させて、吸着ヘッド７９８で保持した基板Ｗを水平位置から所定の傾斜角度θだけ傾斜させる。この基板Ｗの傾斜角度θは、水平面に対して１．５〜１５゜、好ましくは、１．５〜１０゜である。
【００７１】
表面（被処理面）を下方に向けた浸漬方式の湿式処理においては、薬液の性質により接液時に同伴する空気や反応に伴って発生する気体の気泡が基板表面に付着乃至滞留することがある。この気泡は、基板Ｗの表面での薬液との接触あるいは温度の不均一等を引き起こし、処理における面内均一性を妨げる大きな要因となる。この例によれば、下記のように、基板Ｗを傾斜角度θだけ傾斜させて薬液Ｑに浸漬させることにより、接液時に基板に同伴する気泡を基板表面に沿って基板の外側へ液流によって移送させて排除することができる。この場合、基板Ｗの水平面に対する傾斜角度を１．５〜１５゜、好ましくは１．５〜１０゜とし、少なくともその角度を維持した状態で基板Ｗの表面を薬液Ｑと接触させることで、基板Ｗの表面の一部が薬液Ｑに接触してから全面が接触するまでの時間が長くなったり、気泡の排除が困難となることを防止することができる。
【００７２】
次に、昇降機構８３１を駆動して、基板ホルダ７８０を、図１２に仮想線で示すように、基板Ｗの表面が処理槽７１０内の薬液Ｑの液面に近接するまで、第１の速度で急速に下降させて、一旦停止させる。つまり、例えば、３００ｍｍ／ｓｅｃ程度の高速（第１の速度）で、かつ好ましくは２秒以内に、薬液Ｑの液面に近接した位置、例えば基板Ｗの最下部と薬液Ｑの液面との距離ｄが１０ｍｍ以下に達する位置まで基板ホルダ７８０を急降下させて停止させる。しかる後、図１３に示すように、第１の速度よりも低速な第２の速度で基板ホルダ７８０を更に下降させ、図１３に仮想線で示すように、基板ホルダ７８０の吸着ヘッド７８９で保持した基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させる。つまり、基板Ｗを、薬液の液流を乱すことがない程度の、例えば１０ｍｍ／ｓｅｃ或いはそれ以下の適正な速度（第２の速度）で下降させて処理槽７１０内の薬液Ｑに浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を薬液Ｑで処理する。
【００７３】
これにより、基板Ｗの表面が処理槽７１０内の薬液Ｑの液面上に存在する蒸気やミスト等に接触して、これらに含まれる薬液成分の影響を受ける時間を極力短くなるように管理し、しかも処理の均一性を阻害する薬液Ｑの液流の乱れを生じさせることなく、基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させることで、処理の面内均一性を高めることができる。
なお、基板Ｗを昇降させる代わりに、薬液Ｑの液面を上下動させたり、両者を組合せたりするようにしてもよい。
【００７４】
前記基板Ｗの傾斜角度θ及び基板ホルダ７３０の第２の速度は、薬液による処理時間の５％以内、好ましくは３％以内に基板Ｗの表面全面を薬液Ｑに接触させることができるように設定されている。
表面を下向きにした基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させて基板Ｗの表面を該薬液Ｑで処理する場合、前述のように、処理槽７１０内に薬液Ｑを連続的に供給することで、処理槽７１０内の薬液Ｑには、上向流が形成されていて液面に多少の揺らぎも有る。このため、スプレー法のように表面全体を完全に同時に薬液と接触させることは技術的に困難である。この例では、表面の一部が薬液に接触してから基板表面の全面が薬液に接触するまでの時間を、薬液による処理時間の５％以内、好ましくは３％以内に管理するといった、比較的簡便な手段によって、表面をほぼ同時に薬液に接触させた、基板表面に全面に亘る均一な処理を実現できる。
【００７５】
ここで、反応に伴って気泡が発生する場合には、基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させている間中、基板Ｗを傾斜させていた方が気泡を排除する上で好ましい。しかしながら、基板を傾斜させたまま処理することは、基板Ｗに対する不均一な薬液Ｑの流れの中で基板Ｗを処理することにもなり、薬液処理における基板表面の面内均一性を妨げることにもなり得る。そこで、反応に伴って気泡が発生する懸念がない場合には、傾斜機構８１１によって、基板ホルダ７８０全体を元の位置に揺動させて基板Ｗを水平位置に戻して処理を行う。この場合には、基板Ｗの表面の一部が薬液Ｑに接触してから全面が薬液に接触するまでの間に基板Ｗの角度を徐々に水平に戻しても良いし、基板Ｗの表面の全面が薬液Ｑに接触してから基板Ｗを水平に戻しても良い。
【００７６】
基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させて処理を行う際に、必要に応じて基板Ｗを回転させる。このように、基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させつつ回転させることにより、基板Ｗの表面の特定部位に気泡が付着して反応が阻害されることを回避するとともに、気泡の基板Ｗの表面からの離脱をより促進して、処理の面内均一性をより高めることができる。また、薬液Ｑと基板Ｗの表面との接触をより均一化することができ、この点からも処理の面内均一性の向上を図ることができる。基板Ｗの回転速度は、高くなりすぎると薬液の上向流速の不均一化をもたらすので、３００ｒｐｍ以下であることが好ましく、１００ｒｐｍ以下であることが更に好ましい。
【００７７】
基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させて処理を行う際に、昇降機構８３１を介して、基板ホルダ７８０で保持した基板Ｗを薬液Ｑの中で上下動させてもよい。基板Ｗの表面に付着する気泡の量を考えると、反応に伴って発生して付着する気泡の量よりも、基板Ｗの表面の薬液Ｑとの接触の際に同伴して付着する気泡の量の方が多いのが通例である。このように、基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させつつ該薬液Ｑに対して相対的に上下動させることにより、気泡の基板Ｗの表面からの離脱を促進させ、特に基板Ｗの表面の薬液Ｑとの接触の際に同伴して基板Ｗの表面に付着する気泡を効率的に排除することができる。
【００７８】
また、場合によっては、薬液Ｑとの接触に先立って、基板Ｗの表面に何らかの前処理を施すことがあり、その場合には、前処理液やその後の洗浄液が基板Ｗの表面に付着していることがある。この状態で基板Ｗの表面を薬液Ｑと接触させると、接触直後で基板Ｗの表面での薬液の濃度が薄い状態となり、少なくともある時間は、処理が十分に行われないことになり、場合によっては、複数の基板間で処理状況に相違を生じるおそれもある。この点についても、例えば基板Ｗを上下する操作を加えることにより、前処理液やその後の洗浄液等を基板Ｗの表面から効果的に排除して、基板Ｗの表面で薬液Ｑの濃度が薄い状態が長引くことを回避することができる。なお、この場合も、薬液の液面を上下させるようにしてもよい。
【００７９】
ここで、前述のように、薬液供給ユニット３９０は駆動されており、薬液Ｑは、処理槽７１０と薬液貯槽３９１間を所定温度に維持されながら循環している。つまり、処理槽７１０内の薬液Ｑには、上向流が形成されている。目的の処理に際しては、面内均一性などの点から薬液Ｑの流速をむやみに高くすることはできないが、基板を薬液に浸漬させる際に、処理槽７１０内に供給される薬液Ｑの量を増やして、処理槽７１０内の薬液Ｑの流速を高めるようにしてもよい。このように、基板Ｗを薬液Ｑに浸漬させる際、処理槽７１０内に薬液Ｑのより速い流れを形成することにより、基板Ｗの表面を薬液Ｑに接触させる際に同伴して基板Ｗの表面に付着する気泡の離脱を薬液Ｑの流れで促進することができる。また、前述と同様に、接触直後で基板Ｗの表面の薬液Ｑの濃度が薄い状態があったとしても、薬液Ｑの流れで前処理液やその後の洗浄液等を薬液に置換することで、この状態が長引くことを回避することができる。そして、気泡の離脱や液置換に必要な時間だけ流速を上げた後に、所定の流速に戻して処理する。
【００８０】
以上のようにして、基板Ｗの表面（被処理面）の薬液処理を所定時間行った後、昇降機構８３１を駆動して基板ホルダ７８０を、図３に示す位置まで上昇させる。次に、駆動機構７７０を駆動することで、蓋部材７４０を旋回させ、図１０示すように、処理槽７１０の開口部７１１を蓋部材７４０で塞ぐ。
【００８１】
次に、蓋部材７４０上の噴霧ノズル７６０の各ノズル７６３から真上に向けて洗浄液（純水）を噴霧し基板Ｗの処理面に接液させて洗浄する。このとき処理槽７１０の開口部７１１は、蓋部材７４０によって覆われているので、洗浄液が処理槽７１０内に入り込むことはなく、処理槽７１０内部の薬液Ｑが希釈されることはなく、薬液Ｑの循環使用が可能になる。基板Ｗを洗浄した後の洗浄液は、図示しない排水口から排水される。洗浄が終了した基板Ｗは、前述のように、基板ホルダ７８０から第３基板搬送ロボット３１０の真空ハンドによって外部に取り出され、次の未処理の基板Ｗが基板ホルダ７８０に装着され、再びめっき及び洗浄工程が行われていく。
【００８２】
図１４は、後洗浄ユニット２６０を示す外観図である。後洗浄ユニット２６０は、第１洗浄部（洗浄ユニット）２７０と第２洗浄乾燥部（乾燥ユニット）２９０とを併設した一つのユニットとして構成されている。第１洗浄部２７０及び第２洗浄乾燥部２９０には、それぞれ基板挿入窓２７１，２９１が設けられ、これら基板挿入窓２７１，２９１は、シャッター２７３，２９３によって開閉されるように構成されている。
【００８３】
第１洗浄部２７０は、ロールブラシユニットによる洗浄装置（洗浄ユニット）である。図１５は、ロールブラシによる洗浄装置の基本構成を示す概略図である。即ち、第１洗浄部２７０は、複数のローラ２７９によって基板Ｗの外周部を把持し、ローラ２７９を回転駆動することで基板Ｗを回転する。一方、基板Ｗの表裏面には、それぞれロール状ブラシ（例えばロールスポンジ）２７５，２７７が設置され、図示しない駆動機構によって、両ロール状ブラシ２７５，２７７を上下方向に離れる方向と近づく方向に移動させるようにしている。そしてローラ２７９によって把持した基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの表裏面に設置した薬液用ノズル２８１，２８３や純水用ノズル２８５，２８７から、必要に応じてそれぞれ処理液を供給し、処理液供給中に前記駆動機構によって両ロール状ブラシ２７５，２７７を接近させて基板Ｗを挟持し、基板Ｗを適度な圧力にて挟み込みながら洗浄する。このとき両ロール状ブラシ２７５，２７７を独立に回転させることで、洗浄効果はより増大する。
【００８４】
図１６は、第２洗浄乾燥部２９０の側断面図である。図１６に示すように、第２洗浄乾燥部２９０は、スピンドライユニットによる洗浄乾燥装置（乾燥ユニット）であり、基板Ｗの外周部を把持するクランプ機構２９１と、クランプ機構２９１に固定されるスピンドル２９２と、スピンドル２９２を回転駆動するスピンドル駆動用モータ２９３と、クランプ機構２９１の外周に設置されて処理液が飛び散るのを防止する洗浄カップ２９４と、洗浄カップ２９４をクランプ機構２９１の周囲の位置とそれよりも下方の位置とに移動する洗浄カップ昇降用シリンダ２９５と、基板Ｗの上部に設置されるペンシル洗浄ユニット２９６とを具備している。ペンシル洗浄ユニット２９６は、アーム２９７の先端から下方に向けて洗浄スポンジ（洗浄ポイント）２９８を突出して構成されており、洗浄スポンジ２９８は回転駆動され、またアーム２９７及び洗浄スポンジ２９８は、昇降動作と基板Ｗ面に水平な面内での揺動動作ができるように構成されている。
【００８５】
そして、クランプ機構２９１に保持された基板Ｗは、スピンドル駆動用モータ２９３により回転され、基板Ｗの表裏面から薬液や純水を供給しながら、基板Ｗ上に回転する洗浄スポンジ２９８を当接させて洗浄を行う。薬液による化学洗浄及び純水による純水洗浄完了後、クランプ機構２９１を高速回転することで基板Ｗの完全乾燥を行う。なおこの第２洗浄乾燥部２９０には、超音波発振器により特殊ノズルを通過する純水に超音波が伝達されて洗浄効果を高めるメガジェットノズル２９９がアーム２９７の先端近傍に搭載されている。このメガジェットノズル２９９から噴射された純水は、洗浄スポンジ２９８に供給される。またこの第２洗浄乾燥部２９０には、キャビテーションを利用したキャビジェット機能を搭載することもできる。
【００８６】
次に、図２に示す基板処理装置１全体の動作を説明する。先ず、ロードポート１１０に装着された基板カセットから第１基板搬送ロボット１３０によって基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、第１反転機１５０に渡されて反転されてその表面（被処理面）が下側にされた後、第１基板搬送ロボット１３０によって基板仮置台２１０の下段仮置台に載置される。
【００８７】
次に、この基板Ｗは、第２基板搬送ロボット２３０によって前洗浄ユニット２４０に搬送され、前洗浄ユニット２４０において前洗浄される（前洗浄処理プロセス）。前洗浄が完了した基板Ｗは、第３基板搬送ロボット３１０によって、前処理ユニット３２０に移送される。ここで前洗浄ユニット２４０は、洗浄エリア２００とめっき処理エリア３００とにそれぞれ配置した基板搬送ロボット２３０，３１０のハンドがその左右からアクセスして基板Ｗの受け渡しができる位置に配置されている。そして前処理ユニット３２０に移送された基板Ｗは、前処理ユニット３２０において前処理が行われる（前処理プロセス）。
前処理が完了した基板Ｗは、第３基板搬送ロボット３１０によって無電解めっきユニット３６０に移送され、めっき処理される。
【００８８】
めっき処理が完了した基板Ｗは、第３基板搬送ロボット３１０によって第２反転機２５０に移送されて反転された後、第２基板搬送ロボット２３０によって後洗浄ユニット２６０の第１洗浄部２７０に移送され、洗浄された後、第２基板搬送ロボット２３０によって第２洗浄乾燥部２９０に移送されて洗浄・乾燥される。そしてこの洗浄・乾燥が完了した基板Ｗは、第２基板搬送ロボット２３０によって基板仮置台２１０の上段仮置台に仮置きされた後、第１基板搬送ロボット１３０によってロードポート１１０に装着された基板カセットに収納される。
【００８９】
なお、上記の例では、前洗浄ユニット２４０、前処理ユニット（触媒付与処理ユニット）３２０、及び無電解めっきユニット３６０として、使用する薬液がそれぞれ異なるだけで、同じ構成の湿式処理装置４００を使用した例を示しているが、前洗浄ユニット２４０、前処理ユニット（触媒付与処理ユニット）３２０、及び無電解めっきユニット３６０の内の１つのユニットのみに湿式処理装置４００を使用するようにしてもよい。
【００９０】
なお、基板表面の薬液に対する濡れ性を事前に調整するようにしてもよい。このように、薬液に対する基板表面の濡れ性を事前に調整しておくことにより、基板表面の薬液との接触に際して同伴する気泡を基板表面で吸着することを防止して、基板表面に薬液を急速に展開させることができる。基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する方法としては、プラズマ処理のような乾式処理、水洗乃至薬液処理やＣＭＰのような湿式処理がある。湿式処理の場合には、乾燥に伴って表面の濡れ性が変わる可能性があるので、処理後の表面を乾燥させることなく、薬液による処理を連続して行うことが好ましい。
【００９１】
更に、基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する濡れ性改善剤を薬液に添加するようにしてもよい。基板表面の薬液に対する濡れ性を改善する濡れ性改善剤としては、基板表面の物性によって異なるが、酸、アルカリ、キレート剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００９２】
図１７は、電解めっき装置に適用した本発明の他の実施の形態の湿式処理装置を示す。この電解めっき装置は、上方に開口し内部にめっき液（薬液）９１０を保持する円筒状のめっき槽（処理槽）９１２と、基板Ｗを着脱自在に下向きで保持する基板ホルダ９１４とを有しており、めっき槽９１２の内部に、めっき液９１０中に浸積され、電源９６０の陽極に接続される平板状の陽極板９１６が水平に配置されている。
【００９３】
めっき槽９１２の底部中央には、上方に向けためっき液９１０の噴流を形成するめっき液噴射管９１８が接続され、このめっき液噴射管９１８は、めっき槽９１２の内部を上方に延び、陽極板９１６に形成された中央口９１６ａ内を貫通している。めっき槽９１２の上部外側には、めっき液受け９２０が配置されている。めっき液噴射管９１８は、めっき液貯槽９２２から延び内部にめっき液供給用ポンプ９２４とフィルタ９２６を設置しためっき液供給管９２８に接続され、めっき液受け９２０から延びるめっき液戻り管９３０にめっき液貯槽９２２が接続されている。
【００９４】
めっき槽９１２の下部には、めっき液噴射管９１８に沿って下方に延出するめっき液流出孔９１２ａが設けられ、このめっき液流出孔９１２ａには、内部に開閉弁９３２とフィルタ９３４を設置しためっき液流出管９３６の一端が接続され、このめっき液流出管９３６の他端は、めっき液貯槽９２２に接続されている。
【００９５】
これにより、めっき液供給用ポンプ９２４の駆動に伴って、めっき液９１０がめっき液供給管９２８を通ってめっき液噴射管９１８から上方に噴射されてめっき槽９１２内のめっき液９１０中にめっき液の噴流が形成され、めっき槽９１２をオーバーフローしためっき液９１０は、めっき液受け９２０で回収されてめっき液貯槽９２２内に流入し、また開閉弁９３２を開くことで、めっき槽９１２の底部のめっき液９１０が自重によってフィルタ９３４に運ばれ、ここで濾過されてめっき液貯槽９２２内に流入する。
【００９６】
基板ホルダ９１４は、基板ホルダ９１４で保持した基板Ｗを回転させる回転機構としてのモータ９３８と押え板昇降機構９４０とを収納し上端に基板ホルダ昇降機構９４２を備えた駆動部９４４から下方に延びる回転軸９４６の下端に連結され、この駆動部９４４は、水平方向に延びる支持アーム９４８の自由端部に連結されている。これにより、基板ホルダ９１４で保持した基板Ｗは、モータ９３８の駆動に伴って水平方向に回転（自転）し、基板ホルダ昇降機構９４２の作動によって上下に昇降する。
【００９７】
基板ホルダ９１４は、内部に収容する基板Ｗの直径よりやや大きい径の円筒状の基板保持ケース９５０と、この基板保持ケース９５０の内部に配置され基板Ｗの直径とほぼ同じ径の円板状の基板押え板９５２とから主に構成されている。この基板保持ケース９５０は、絶縁材で構成されており、この下面には基板Ｗの直径より若干小さい径の下部開口が形成され、上部は閉じられている。更に、側面のやや上方のめっき液９１０の浸入を防止した位置には、例えばロボットアームを介して基板Ｗを出し入れするためのスリット状の基板取出し開口が形成されている。基板押え板９５２も絶縁材で構成され、回転軸９４６の内部を挿通して延び押え板昇降機構９４０の作動に伴って上下動する基板押え軸９５６の下端に連結されている。
【００９８】
これにより、基板保持ケース９５０の内部に基板Ｗを挿入し、基板押え板９５２を下降させて基板Ｗを下方に押圧することで、基板Ｗを基板ホルダ９１４で保持する。この時、基板Ｗの表面（下面）の周縁部は、基板保持ケース９５０に取付けたシールリング（図示せず）でシールされ、接点（図示せず）を介して電源９６０の陰極に接続される。
【００９９】
めっき液供給用ポンプ９２４の吐出流量は、制御部９６２からの信号で制御され、めっき槽９１２内に流入するめっき液９１０の流量が調整されて、めっき槽９１２内を流れるめっき液９１０の流速が調整される。また、基板ホルダ昇降機構９４２は、制御部９６２からの信号で制御され、基板ホルダ９１４で保持した基板Ｗの移動速度が調整される。更に、モータ９３８の回転速度も、制御部９６２からの信号で制御され、基板ホルダ９１４で保持した基板Ｗの回転速度が調整される。
【０１００】
この例によれば、めっき槽９１２内のめっき液９１０中に基板Ｗを浸漬させた状態で、陽極板９１６と基板Ｗ（陰極）との間に電源９６０から所定の電圧を印加することで、めっき処理が行われる。このめっき処理に際して、めっき液供給用ポンプ９２４、基板ホルダ昇降機構９４２及びモータ９３８等を、例えば前述のように、制御部９６２からの信号で任意に制御するのであり、これによって、処理の面内均一性を高めためっき処理を行うことができる。
【０１０１】
図１８乃至図２０は、例えば、前述の図４乃至図７に示す基板ホルダ７８０の代わりに使用される基板ホルダの他の例を示す。基板ホルダは、基板固定ヘッド５６０とヘッド回転用モータ５８０とを有している。基板固定ヘッド５６０は、下方に開口するとともに側壁に開口５６１を有するハウジング５６３の内部に、押圧部材５６５を配置して構成されている。ハウジング５６３は、ヘッド回転用モータ５８０の中空の出力軸５６７に連結されている。押圧部材５６５は、その中央において、軸５６９に連結され、この軸５６９は、出力軸５６７の内部の中空部分を通過して上方に突出しており、この突出端は、軸受部５７１を介して回転自在に支承されている。出力軸５６７の中空部分と軸５６９との間は、スプライン嵌合によって同時に回転するが出力軸５６７に対して軸５６９が独立して上下動できるように構成されている。
【０１０２】
またハウジング５６３の下端には、内方に突出するリング状の基板保持部５７３が設けられ、基板保持部５７３の内周側上部には、基板Ｗを載置してシールするリング状のシール部材５７５が取付けられている。ハウジング５６３の外径は、前記容器５１０の内径よりも少し小さく、容器５１０の開口をほぼ塞ぐ寸法形状に構成されている。
押圧部材５６５は、図１８（ｂ）に詳細に示すように、円板状のホルダ５９１の外周下面に内部に収納部５９５を有する基板固定リング５９３を取付け、収納部５９５内にスプリング５９７を介してその下にリング状のプッシャ５９９を収納し、基板固定リング５９３の下面に設けた孔からプッシャ５９９の押圧部５９９ａを突出して構成されている。
【０１０３】
軸受部５７１は、この軸受部５７１を上下動させるシリンダ機構５７７（図１９（ａ）参照）のロッド５７８に固定されており、またシリンダ機構５７７自体は、前記ヘッド回転用モータ５８０等を載置する取付台５７９に固定されている。図１９（ａ）は、ヘッド（取付台）昇降機構６００を示す側面図、図１９（ｂ）は、ヘッド昇降機構６００を後側から見た斜視図である。図１９に示すように、ヘッド昇降機構６００は、取付台５７９をヘッド昇降用摺動部６０１によって支柱（固定側部材）６５０，６５０に上下動自在に取付けるとともに、この取付台５７９を昇降機構６６０によって昇降するように構成されている。
【０１０４】
即ち、昇降機構６６０は、両支柱６５０，６５０間に渡された取付板６５１に固定したヘッド昇降用モータ６６１と、ボールねじナット６６５ａ及びねじ軸６６５ｂによって構成されるヘッド昇降用ボールネジ６６５とを具備し、ヘッド昇降用モータ６６１の駆動軸に取付けたプーリー６６３とねじ軸６６５ｂの端部に取付けたプーリー６６７間にベルト６７０を巻き掛けることで構成される。そして、基板固定ヘッド５６０やヘッド回転用モータ５８０等を取付けた取付台５７９全体（即ち、基板保持装置）は、ヘッド昇降機構６００のヘッド昇降用モータ６６１を駆動することで上下動する。上下方向への移動量は、ヘッド昇降用モータ６６１で制御され、これによって、基板Ｗの被処理面と噴霧ノズル５２０，５４０の位置関係（離間距離）を任意に設定することが可能となっている。一方押圧部材５６５は、シリンダ機構５７７を駆動することによってハウジング５６３等に対して単独で上下動でき、またハウジング５６３は、ヘッド回転用モータ５８０によって回転駆動される。
【０１０５】
次に、この基板ホルダの動作を説明する。先ず、図１９に示すように、押圧部材５６５を上昇させた状態で、フェースダウンの状態で保持した基板Ｗを、ハウジング５６３の側壁の開口５６１からハウジング５６３内に挿入し、その真空吸着を解除して、基板Ｗを基板Ｗの外径よりも数ｍｍ小さい径を有するリング状のシール部材５７５の上に載せる。次に、シリンダ機構５７７を駆動することで押圧部材５６５を下降させ、図２０に示すように、押圧部材５６５の基板固定リング５９３の下面とプッシャ５９９の押圧部５９９ａとで基板Ｗの上面外周を押圧し、基板Ｗの下面（被処理面）の外周をシール部材５７５に押付けて、基板Ｗを固定する。同時にシール部材５７５は、処理液が基板Ｗの裏面に回り込むことを防止するシールとしても機能する。
【０１０６】
そして、基板Ｗを固定した基板固定ヘッド５６０を、ヘッド昇降用モータ６６１を駆動することで下降させ、前述と同様に、例えば処理槽内に保持した薬液に基板を浸漬させて、基板を処理する。
【０１０７】
図２１は、基板ホルダの更に他の例を示す。この基板ホルダ１０８４は、下端に保持部１０８２を有するハウジング１０８３と、このハウジング１０８３の内部に、上下動自在に配置された基板押え部１０８５を有している。この基板押え部１０８５は、前述の例とほぼ同様に、ハウジング１０８３の回転に伴って該ハウジング１０８３と一体に回転し、ハウジング１０８３と独立に上下動するようになっている。
【０１０８】
基板ホルダ１０８４の保持部１０８２には、リング状で、内周面に基板Ｗの端面に当接して該基板Ｗを案内する案内面１０９１ａを有する支持体１０９１が備えられ、この支持体１０９１の下面に、内方に突出し、基板Ｗの表面（被処理面）の周縁部に当接して該基板Ｗを支持するリング状の第１のシール部材１０９２がボルト１０９３を介して取付けられている。この第１のシール部材１０９２は、例えばシリコンゴム等からなる弾性体を、内部に埋設したチタン等からなる補強材で補強して構成され、更に薄肉で、補強材で補強されて内方に平板状に延出するシール部１０９２ａを有している。
【０１０９】
基板押付け部１０８５は、固定リング１１６０と被覆板１１６１を有しており、この固定リング１１６０の下面に、中間リング１１６２を介在させた状態で、基板押圧リング１１６３が取付けられている。この基板押圧リング１１６３の円周方向に沿った所定の位置には、スプリング等の弾性体を介して下方に付勢した押付けピン１１６５がその下端を外部に露出させた状態で収納されている。
【０１１０】
これにより、第１のシール部材１０９２の上面に周縁部を当接させて基板Ｗを支持した状態で、基板押え部１０８５を下降させ、弾性体の弾性力を介して、基板押え部１０８５の複数の押付けピン１１６５で基板Ｗを下方に押圧することで、第１のシール部材１０９２を基板Ｗの周縁部に圧接させ、ここを第１のシール部材１０９２でシールして基板Ｗを保持する。このとき、弾性体の弾性力を介して、押付けピン１１６５で基板Ｗを下方に押付けることで、第１のシール部材１０９２に撓みが生じても、この撓み量に合わせて押付けピン１１６５の押付け量（縮み量）を弾性体で調整して、シール面に隙間が生じることを防止し、しかも、処理終了後に基板Ｗを基板押圧リング１１６３から引き離す際、例え基板Ｗが基板押圧リング１１６３に引っ付いていても、弾性体の弾性力によって、基板Ｗを基板押圧リング１１６３から確実に引き離すことができる。
【０１１１】
固定リング１１６０と中間リング１１６２との間に挟持されて、リング状の第２のシール部材１１７０が固定されている。この第２のシール部材１１７０は、横断面矩形状の堰部１１７０ａと、この堰部１１７０ａの外周面に一体に連接されて固定リング１１６０の外方に延出し、外方に向けて徐々に薄肉となって下方に傾斜するシール部１１７０ｂを有している。そして、基板押え部１０８５を下降させ、基板ホルダ１０８４との間で基板Ｗを保持した時、第２のシール部材１１７０のシール部１１７０ｂが基板ホルダ１０８４の保持部１０８２における支持体１０９１の上面に圧接して、基板押え部１０８５の外周部をシールするようになっている。
【０１１２】
このように、基板押え部１０８５にリング状の第２のシール部材１１７０を取付け、基板保持時に該第２のシール部材１１７０を基板ホルダ１０８４の保持部１０８２の上面に圧接させて基板押え部１０８５の外周部をシールすることで、基板ホルダ１０８４で保持した基板Ｗを薬液（処理液）に浸漬させて処理を行う時に、薬液の流れを第２のシール部材１１７０で堰止めて薬液の基板Ｗの裏面側への入り込みを防止して、基板ホルダ１０８４で保持した基板Ｗの薬液中への十分な浸漬深さを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】保護膜を形成した基板の要部拡大断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の湿式処理装置を備えた基板処理装置の全体を示す平面図である。
【図３】（ａ）は、湿式処理装置の蓋部材を旋回させて処理槽の開口部を開き、且つ基板ホルダを上昇させた状態の側面図で、（ｂ）は、（ａ）の側断面図である。
【図４】（ａ）は、基板ホルダの基板受渡し位置における側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＧ部拡大図である。
【図５】（ａ）は、基板ホルダの基板固定位置における側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＧ部拡大図である。
【図６】（ａ）は、基板ホルダの基板処理位置における側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＧ部拡大図である。
【図７】基板ホルダ駆動機構の内部構造の概略側面図である。
【図８】（ａ）は、傾斜機構を基板ホルダと共に示す概略側面図で、（ｂ）は、（ａ）の基板ホルダを省略した右側面図である。
【図９】（ａ）は、湿式処理装置の薬液処理時における側面図で、（ｂ）は、（ａ）の側断面図である。
【図１０】（ａ）は、湿式処理装置の基板Ｗの処理面の洗浄時における側面図で、（ｂ）は、（ａ）の側断面図である。
【図１１】湿式処理装置の系統図である。
【図１２】基板ホルダで保持した基板を処理槽の上方から該処理槽内の薬液の液面に近接した位置まで下降させる状態を示す図である。
【図１３】基板ホルダで保持した基板を処理槽内の薬液の液面に近接した位置から下降させて薬液に浸漬させる状態を示す図である。
【図１４】後洗浄ユニットの外観図である。
【図１５】第１洗浄部の洗浄装置の概要図である。
【図１６】第２洗浄乾燥部の側断面図である。
【図１７】電解めっき装置に適用した本発明の他の実施の形態の湿式処理装置を示す断面図である。
【図１８】（ａ）は、基板ホルダの他の例の基板固定ヘッド及びヘッド回転用モータを示す概略側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＤ部分の拡大図である。
【図１９】（ａ）は、図１８に示す基板ホルダを昇降させるヘッド（取付台）昇降機構を示す側面図で、（ｂ）は、ヘッド（取付台）昇降機構を後側から見た斜視図である。
【図２０】基板を保持した状態の図１８（ｂ）相当図である。
【図２１】（ａ）は、基板を保持する前の状態における基板ホルダの更に他の例の要部を示す要部拡大図で、（ｂ）は、基板を保持した時の状態における基板ホルダの更に他の例の要部を示す要部拡大図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  基板処理装置
１００  ロード・アンロードエリア
１５０，２５０  反転機
２００  洗浄エリア
２１０  基板仮置台
２４０  前洗浄ユニット（湿式処理装置）
２６０  後洗浄ユニット
２７０  第１洗浄部（洗浄ユニット）
２７５，２７７  ロール状ブラシ
２７９  ローラ
２９０  第２洗浄乾燥部（乾燥ユニット）
２９１  クランプ機構
２９２  スピンドル
２９４  洗浄カップ
２９６  ペンシル洗浄ユニット
２９８  洗浄スポンジ
２９９  メガジェットノズル
３００  めっき処理エリア
３２０  前処理ユニット（湿式処理装置）
３６０  無電解めっきユニット（湿式処理装置）
３９０  薬液供給ユニット
３９１  薬液貯槽
４００  湿式処理装置
４０４  薬液供給ポンプ
４１６  ヒータ
４１８  流量計
４２０  熱交換器
４３０  薬液管理ユニット
４３２  溶存酸素濃度計
４４２  液面センサ
７１０  処理槽
７１１  開口部
７１３  処理槽本体
７４０  蓋部材
７８０  基板ホルダ
７８１  基板保持部
７８７  基板挿入口
７８９  吸着ヘッド
７９３  真空供給ライン
７９５  基板吸着部
７９７  基板吸着溝
８００  基板保持部駆動部
８１０  基板ホルダ駆動機構
８１１  傾斜機構
８２１  旋回機構
８３１  昇降機構
９００，９６２  制御部
９０２，９０４  制御機構
９１０  めっき液（薬液）
９１２  めっき槽（処理槽）
９１４  基板ホルダ
９１６  陽極板
９２２  めっき液貯槽
９２４  めっき液供給用ポンプ
９３８  モータ
９４０  押え板昇降機構
９４２  基板ホルダ昇降機構
９４４  駆動部
９５０  基板保持ケース
９５２  基板押え板
Ｑ  薬液
【図１】
2005264245.tif 000003
【図２】
2005264245.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005264245.tif 000009
【図８】
2005264245.tif 000010
【図９】
2005264245.tif 000011
【図１０】
2005264245.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2005264245.tif 000018
【図１７】
2005264245.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2005264245.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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