(57)【要約】【課題】  本発明は、光の外部取り出し効率が高く、また、歩留まり良くチップ分割を行なうことができるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体１３０の一方の主面には電極１１９が形成され、他方の主面に部分的に形成された第１の金属膜層１４０に、部分的に形成された第２の金属膜層１５０を有する導電性基板電極１７０が、前記第１の金属膜層１４０と前記第２の金属膜層１５０が接するように貼り合わされていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１９０。【選択図】        図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体の一方の主面には電極が形成され、他方の主面に部分的に形成された第１の金属膜層に、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極が、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わされていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極が、導電性基板に形成された溝に第２の金属膜層が埋め込まれている導電性基板電極である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
積層半導体の他方の主面に部分的に形成され第１の金属膜層の幅Ｌと、導電性基板に形成された溝の溝幅Ｍとが、Ｌ≦Ｍの関係にある請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
積層半導体の他方の主面に形成される金属膜層がスペーサによって仕切られた構造を有する請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
スペーサが、ＳｉＮまたはＳｉＯ2で形成されている請求項４に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
導電性基板が、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、Ｎｉ金属基板、Ｃｕ金属基板およびＣｕ−Ｗ合金基板からなる群から選ばれる１の基板である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
金属膜層が、２以上の金属膜からなり、接触する他の金属膜に対しオーミック接触性と光反射性とを有する１以上の金属膜を含む請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
接触する他の金属膜に対しオーミック接触性と光反射性とを有する１以上の金属膜が、Ａｌ金属膜、Ａｇ金属膜、Ｐｔ金属膜、Ｃｕ金属膜およびＲｈ金属膜からなる群から選ばれる１以上の金属膜である請求項７に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
貼り合わされる最表面に位置する金属膜が、Ａｕ金属膜またはＳｎ金属膜である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
基板上に、少なくとも１の発光層を含有するようにＩＩＩ族窒化物半導体層を積層するする工程と、前記積層半導体の基板と反対側の主面に部分的に第１の金属膜層を形成する工程と、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わせる工程と、前記基板を除去し電極を形成する工程とを含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
基板が、導電性基板である請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
基板が、絶縁性基板である請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を得るための、導電性基板に溝を形成する工程と、前記溝に第２の金属膜層を埋め込む工程とをさらに含む請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
積層半導体の基板と反対側の主面に部分的に第１の金属膜層を形成する工程において、スペーサを形成し、前記スペーサによって金属膜層が仕切られるように金属膜層を形成する請求項１３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
積層半導体の基板と反対側の主面に部分的に第１の金属膜層を形成する工程において第１の金属膜層を凸状に形成し、第１の金属膜層に対応するように、部分的に凹状に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わせる工程を含む請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
基板を除去し電極を形成する工程の後に、第１および第２の金属膜層が形成されていない領域に分割ラインを入れてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を分割する工程をさらに含む請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に、光の外部取り出し効率のよいＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、主としてサファイアなどの基板が使用されており、現在、これが商品化に到っている。しかし、サファイア基板を用いた発光素子は、基板が絶縁性であるために基板側に電極を設けた構造にすることが困難であり、電極の両極をＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の発光素子面側に作製しなければならないことから、電極を基板側に設けるより構造と比べて、発光層から外部へ取り出される光が電極により遮られてしまい、発光面積が小さくなる。
【０００３】
このため、導電性を有した基板上にＩＩＩ族窒化物であるＧａＮ系化合物を成長させたＧａＮ系素子が提案されている（たとえば、特許文献１参照。）。かかるＧａＮ系素子は、たとえば、図２９に示すように、シリコン基板５０８上に金属Ａｌ層５０７を蒸着し、前記金属Ａｌ層５０７上に、ｎ型ＧａＮ層５０６、ｎ型ＡｌＧａＮ層５０５、ＩｎＧａＮ層５０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層５０３およびｐ型ＧａＮ層５０２を順次成長した後に、前記ｐ型ＧａＮ層５０２上にｐ側電極５０１、前記シリコン基板５０８上にｎ側電極５０９を形成することで、基板両面で電極を形成している。
【０００４】
上記ＧａＮ系素子は、導電性を持ったシリコン基板を用いることにより、基板側と発光素子面側の両面に電極を形成して、発光の外部への取り出し効率を高めようとしている。しかし、Ｓｉ基板は、光の吸収係数が高いため、実際のサファイア基板上と同程度の発光効率を持ったＧａＮ系半導体発光素子をＳｉ基板上に作製しても、光の外部への取り出し効率は悪くなる。更に、金属膜層を基板側の主面前面に設けているため、チップ分割を行う際に、歩留まり良く素子を作製出来ないという問題があった。
【特許文献１】特開平１０−１０７３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、光の外部取り出し効率が高く、また、歩留まり良くチップ分割を行なうことができるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明にかかるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体の一方の主面には電極が形成され、他方の主面に部分的に形成された第１の金属膜層に、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極が、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わされていることを特徴とする。ここで、ＩＩＩ族窒化物半導体とは、ＩＩＩ族元素であるＡｌ、Ｇａ、ＩｎなどとＮとによって構成される半導体をいい、たとえば、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ、０＜ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体が挙げられる。また、金属膜層は、１以上の金属膜からなる層をいう。
【０００７】
本発明にかかるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子においては、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を、導電性基板に形成された溝に第２の金属膜層が埋め込まれている導電性基板電極とすることができ、さらに、積層半導体の他方の主面に部分的に形成された金属膜層の幅Ｌと、導電性基板に形成された溝の幅Ｍとの関係を、Ｌ≦Ｍとすることができる。また、積層半導体の他方の主面に形成される金属膜層をスペーサによって仕切られた構造とすることができる。ここで、スペーサをＳｉＮまたはＳｉＯ2で形成することができる。
【０００８】
また、本発明にかかるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子においては、導電性基板を、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、Ｎｉ金属基板、Ｃｕ金属基板およびＣｕ−Ｗ合金基板からなる群から選ばれる１の基板とすることができ、金属膜層を２以上の金属膜からなり、接触する他の金属膜に対しオーミック接触性と光反射性とを有する１以上の金属膜を含むことができる。ここで、前記１以上の金属膜をＡｌ金属膜、Ａｇ金属膜、Ｐｔ金属膜、Ｃｕ金属膜およびＲｈ金属膜からなる群から選ばれる１以上の金属膜とすることができる。また、貼り合わされる最表面に位置する金属膜をＡｕ金属膜またはＳｎ金属膜とすることができる。
【０００９】
本発明にかかるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上に、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体を形成する工程と、前記積層半導体の基板と反対側の主面に部分的に第１の金属膜層を形成する工程と、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わせる工程と、前記基板を除去し電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。ここで、基板を導電性基板とすることができる。導電性基板としては、Ｓｉ基板などが挙げられる。また、基板を絶縁性基板とすることができる。絶縁性基板をしては、サファイア基板などが挙げられる。
【００１０】
本発明にかかるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法において、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を得るための、導電性基板に溝を形成する工程と、前記溝に第２の金属膜層を埋め込む工程とをさらに含むことができる。ここで、さらに、積層半導体の基板と反対側の主面に部分的に第１の金属膜層を形成する工程において、スペーサを形成し、前記スペーサによって金属膜層が仕切られるように金属膜層を形成することができる。また、積層半導体の基板と反対側の主面に部分的に第１の金属膜層を形成する工程において第１の金属膜層を凸状に形成し、第１の金属膜層に対応するように、部分的に凹状に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極を、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わせる工程を含むことができる。さらに、基板を除去し電極を形成する工程の後に、第１および第２の金属膜層が形成されていない領域に分割ラインを入れてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を分割する工程をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体の一方の主面には電極が形成され、他方の主面に部分的に形成された第１の金属膜層に、部分的に形成された第２の金属膜層を有する導電性基板電極が、前記第１の金属膜層と前記第２の金属膜層が接するように貼り合わされているため、光の外部への取り出し効率が高く、チップ分割の際の歩留まりが高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
【００１３】
（実施形態１）
本発明にかかる一のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、図１０に示すように、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体１３０の一方の主面には電極１１９が形成されており、他方の主面には部分的にスペーサ１０７によって仕切られて形成された第１の金属膜層１４０に、部分的に形成された第２の金属膜層１５０を有する導電性基板電極１７０が、前記第１の金属膜層１４０と前記第２の金属膜層１５０が接するように貼り合わされている。
【００１４】
本実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、以下の様にして製造される。まず、図３に示すような、積層体１６０を作製する。積層体１６０は、基板として導電性基板であるＳｉ（１１１）基板１０１上に、ＡｌＮ中間層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、発光層としてＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層とＧａＮ層とが４対組合わされたＭＱＷ（Multiple Quantum Well；多重量子井戸）活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５およびｐ型ＧａＮ層１０６が順次形成されており、ｐ型ＧａＮ層１０６上に金属膜の付着を防止するためのスペーサ１０７としてＳｉＯ2層が形成され、そのスペーサ１０７によってｐ型ＧａＮ層１０６とのコンタクト電極にあたるＰｄ金属膜１０８、高い光反射性を有するＡｇ金属膜１０９、拡散防止膜としてのＭｏ金属膜１１０、貼り合わせるためのＳｎ金属膜１１１から構成される第１の金属膜層１４０が仕切られている。ここで、Ｓｉ（１１１）基板とは、基板の主面の面指数が（１１１）であるＳｉ基板をいい、硬度が低いことからへき開が比較的容易である。
【００１５】
上記図３の積層体１６０は、以下の様にして作製される。図１に示すように、５％のフッ酸（ＨＦ）水溶液を用いて洗浄し、乾燥させたＳｉ（１１１）基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；有機金属気相成長）法を用いて、以下のＩＩＩ族窒化物半導体層を積層した。Ｓｉ（１１１）基板１０１を反応室内のサセプターに装着した後、１２００℃でＨ2雰囲気にてベーキングを行った。その後、同じ温度にてキャリアガスとしてＨ2を用い、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニア（ＮＨ3）を用いて、ＡｌＮ中間層１０２を５０ｎｍ積層させ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ＮＨ3そして、ドーパントにモノシラン（ＳｉＨ4）を用いて、ｎ型の導電性を持ったｎ型ＧａＮ層１０３を１μｍになるように順に積層した。その後、７５０℃で、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）とＴＭＧ、ＮＨ3を用いて、井戸層としての３ｎｍのＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層と障壁層として９９０ｎｍのＧａＮ層とを４対相互に積層させてＭＱＷ活性層１０４を形成した。次に、１１００℃で、ＴＭＧ、ＮＨ3、ドーパントにシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を用いて、Ｍｇをドープしたｐ型Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ層１０５を３０ｎｍ積層した。最後に、同じ温度でＴＭＧ、ＮＨ3、Ｃｐ2Ｍｇを用いて、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層１０６を１２０ｎｍ積層し、常温まで降温した後に大気にとりだした。その後、ｐ型化を行うために、熱処理炉を用いて、Ｎ2雰囲気中で８００℃にて１５分間熱処理を行った。
【００１６】
その後、ｐ型ＧａＮ層１０６表面上にレジスト（図示せず）を塗布して、フォトリソグラフィを行った後、図２に示すように、スペーサ１０７として幅５０μｍ、厚さ１１６０ｎｍのＳｉＯ2層を、ｐ型ＧａＮ層１０６表面上に部分的に形成した。これは、後に形成される第１の金属膜層がｐ型ＧａＮ層の表面全体を覆わないように、前記スペーサ１０７によって後に形成される第１の金属膜層が仕切られる形としてある。このとき、図２中のスペーサ１０７間の間隔Ｌは所望のチップサイズより小さければよいため、本実施形態においては１５０μｍとした。その後、再度フォトレジスト（図示せず）を塗布して、フォトリソグラフィをし、スペーサ１０７であるＳｉＯ2層上にフォトレジスト（図示せず）が覆うようにした。
【００１７】
次に、図３に示すように、真空蒸着法により上記積層体を１００℃まで加熱して、光透過性がありかつｐ型ＧａＮ層１０６に対してｐ型のコンタクト電極となる金属膜としてＰｄ金属膜１０８を厚さが２ｎｍになるように形成した。その後、速やかに、ｐ型電極側に放出された光を反射するための光反射性を有し、かつ、ｐ型ＧａＮ層１０６および光透過性電極としてのＰｄ金属膜１０８に対しオーミック接触特性をもつ金属膜としてＡｇ金属膜１０９を１５０ｎｍ蒸着した。その後、速やかに、Ｐｄ金属膜１０８およびＡｇ金属膜１０９の拡散を防止するための金属膜としてＭｏ金属膜１１０を８ｎｍ蒸着した。その後、速やかに、後に導電性基板電極との接着を容易にするための金属膜として、Ｓｎ金属膜１１１を１μｍ蒸着した。その後、大気に取り出し、有機洗浄を行い、フォトレジスト（図示せず）を除去して、積層体１６０を作製した。
【００１８】
次に、図８に示すように、上記積層体１６０に貼り合わされる第２の金属膜層１５０を有する導電性基板電極１７０を作製する。図８の導電性基板電極１７０は、導電性基板であるｎ型のＳｉ（１１１)基板１１２に、部分的に溝が形成され、前記溝にＴｉ金属膜１１５、Ａｌ金属膜１１６、Ｍｏ金属膜１１７およびＡｕ金属膜１１８からなる第２の金属膜層１５０が形成されている。
【００１９】
上記図８の導電性金属基板１７０は、以下の様にして作製される。図４に示すＳｉ（１１１）基板１１２にフォトレジスト（図示せず）を塗布して、フォトリソグラフィを行った後、図５に示すように、スパッタ法または真空蒸着法により、後に形成される第２の金属膜層を仕切る形になるようにスペーサ１１３としてのＳｉＯ2層を形成した。スペーサ１１３の形成位置およびパターンは、図２のスペーサ１０７の形成位置およびパターンとが同一であることが好ましい。すなわち、本実施形態において、図３に示す第１の金属膜層の幅Ｌと、Ｓｉ（１１１）基板１１２に形成された図６に示す溝１２２の溝幅Ｍとが同じ長さ（Ｌ＝Ｍ）であることが好ましい。
【００２０】
次に、図５および図６に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）を用いて、Ｓｉ（１１１）基板１１２においてスペーサ１１３としてのＳｉＯ2層に覆われていない部分をエッチングして、溝幅Ｍ、溝深さＮの溝１２２を形成した。このときの溝深さＮは、１３２３ｎｍとした。この溝深さＮは、後に埋め込む第２金属膜層の厚さと同じになるように設計した。次に、５％のＨＦ水溶液をを用いてスペーサ１１３を取り除いた後、再度フォトレジスト１１４を塗布して、フォトリソグラフィをし、スペーサ１１３としてのＳｉＯ2層があった部分にフォトレジスト１１４形成した。
【００２１】
次に、図７に示すように、真空蒸着法によりＳｉ（１１１）基板１１２を８０℃に加熱して、前記Ｓｉ（１１１）基板１１２の溝１２２部分に、Ｓｉ（１１１）基板１１２に対しオーミック接触を持ったＴｉ金属膜１１５を１５ｎｍ、Ａｌ金属膜１１６を３００ｎｍ、前記金属膜の拡散を防止するためのＭｏ金属膜１１７を８ｎｍ蒸着した後、図３の積層体１６０に形成された第１の金属膜層１４０との貼り合わせを容易にするための金属膜であるＡｕ金属膜１１８を１μｍ蒸着により形成した。その後、大気に取り出し、有機洗浄を行い、フォトレジスト１１４を除去して、図８に示す導電性基板電極１７０を得た。
【００２２】
次に、図９に示すように、積層体１６０と、第２の金属膜層１５０を有する導電性基板電極１７０とを、第１の金属膜層１４０のＳｎ金属膜１１１と第２の金属膜層１５０のＡｕ金属膜１１８とが接するように、貼り合わせた。貼り合わせは、これら金属の共晶結合の温度にあたる２８０℃で、１００Ｎ／ｃｍ2の圧力で行なった。
【００２３】
その後、ＩＩＩ族窒化物半導体層を成長したＳｉ（１１１）基板１０１を剥離するために、耐酸性の基板(図示せず)にＳｉ（１１１）基板１１２が接するように耐酸性のワックスで貼り付けた。その後、ＨＦ：硝酸（ＨＮＯ3）：酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）＝５:２:２の組成を有する溶液で、Ｓｉ（１１１）基板１０１を剥離した。このとき、ＡｌＮ中間層１０２がエッチングストップの役割を果たした。その後、有機洗浄を行い、Ｓｉ（１１１）基板１１２から耐酸性の基板（図示せず）を取り除いた後、共晶温度より低く温度条件で、ＲＩＥ法によってＡｌＮ中間層１０２を除去し、ｎ型ＧａＮ層１０３を露出させた。その後、大気に取り出し、スパッタ法により、ｎ型ＧａＮ層１０３上に、電極１１９として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）電極を形成した。
【００２４】
その後、大気に取り出し、再度フォトレジスト（図示せず）を塗布してフォトリソグラフィをし、図１０に示すように、電極１１９の一部を塩化第二鉄（ＦｅＣｌ3）を用いて除去し、チップ化を行うための分割ライン形成領域１８８を、分割ライン１８９が第１および第２の金属膜層１４０、１５０に接触しないように作製し、チップ化前のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１８０を得た。その後、図１１に示すように、分割ライン形成領域１８８に、スクライブ装置またはダイシング装置により、分割ライン１８９を引き、チップの大きさが２００μｍ□になるように分割を行ない、図１２に示すようなチップ化されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１９０を得た。
【００２５】
上記のように、本実施形態においては、第１の金属膜層１４０を有する積層体１６０と、第２の金属膜層１５０を有する導電性基板電極１７０を、第１の金属膜層１４０と第２の金属膜層１５０とが接するように、貼り合わせることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の両方の主面で電極を取れるような構造を形成することができ、さらには、第１の金属膜層１４０内に、発光層より出される光の波長に対し反射率の高い金属層を挿入することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の外部光取り出し効率が向上する。
【００２６】
また、本実施形態においては、チップに分割する際、分割ライン１８９が第１および第２の金属膜層１４０、１５０に接触しないようにすることにより、分割刃に金属膜層がまとわりつくことがなく、生産性が向上するとともに、チップの歩留まりが向上する。
【００２７】
また、スクライブまたはダイシング、およびブレイキングによるチップ化のための構造としては、図１３に示すように、電極１１９が分割する際に用いられる第１および第２の金属膜層１４０，１５０が形成されていない領域を複数またぐように作製し、矢印の部分で分割を行い、図１４に示すような構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作製してもよい。このような構造にすることで、外部への光取出しもさらに改善できる。
【００２８】
さらに、本実施形態においては、金属膜層を仕切るためのスペーサ１０７としてＳｉＯ2層を用いたが、ＳｉＮ層を用いてもよい。また、エッチングしたＳｉ（１１２）基板１１２の溝深さＮは、Ｓｉ（１１１）基板１１２中に埋め込む第２の金属膜層の厚さと等しくなるようにしたが、溝深さＮが、前記第２の金属膜層の厚さより大きくても、貼り付けが可能であった。
【００２９】
（実施形態２）
本発明にかかる別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、図２４に示すように、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体２３０の一方の主面には電極２１９が形成されており、他方の主面には部分的に凸状に形成された第１の金属膜層２４０に、部分的に凹状に形成された第２の金属膜層２５０を有する導電性基板電極２７０が、前記第１の金属膜層２４０と前記第２の金属膜層２５０が接するように貼り合わされている。
【００３０】
本実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、以下の様にして製造される。まず、図１７に示すような、積層体２６０を作製する。積層体２６０は、基板として導電性基板であるＳｉ（１１１）基板２０１上に、ＡｌＮ中間層２０２、ｎ型ＧａＮ層２０３、発光層としてＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層とＧａＮ層とが４対組合わされたＭＱＷ活性層２０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層２０５およびｐ型ＧａＮ層２０６が順次形成されており、ｐ型ＧａＮ層２０６上に、金属膜の付着を防止するためのスペース２７７を開けて部分的に、ｐ型ＧａＮ層２０６とのコンタクト電極にあたるＰｄ金属膜２０８、高い光反射性を有するＡｇ金属膜２０９、拡散防止膜としてのＭｏ金属膜２１０、貼り合わせるためのＳｎ金属膜２１１から構成される第１の金属膜層２４０が凸状に形成されている。
【００３１】
上記図１７の積層体２６０は、以下の様にして作製される。図１５に示すように、基板として導電性基板であるＳｉ（１１１）基板２０１上に、実施形態１と同様にして、ＡｌＮ中間層２０２、ｎ型ＧａＮ層２０３、Ｉｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層とＧａＮ層とが４対組合わされたＭＱＷ活性層２０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層２０５およびｐ型ＧａＮ層２０６を順次積層した。その後、ｐ型化を行うために、熱処理炉を用いて、Ｎ2雰囲気中で８００℃にて１５分間熱処理を行った。
【００３２】
その後、ｐ型ＧａＮ層２０６表面上にレジスト（図示せず）を塗布して、フォトリソグラフィを行った後、図１６に示すように、スペーサ２０７としてＳｉＯ2層を、ｐ型ＧａＮ層２０６表面上に部分的に形成した。ここで、前記スペーサ２０７は、後で形成される第１の金属膜層２４０が仕切られる形に形成した。ここで、スペーサ２０７として幅５０μｍ、厚さ１１６０ｎｍのＳｉＯ2層を用い、スペーサ２０７の間隔Ｌは、１５０μｍとした。
【００３３】
次に、真空蒸着法により上記積層体を１００℃まで加熱して、光透過性がありかつｐ型ＧａＮ層２０６に対しコンタクト電極となる金属膜としてＰｄ金属膜２０８を厚さが２ｎｍになるように形成した。その後、速やかに、ｐ型電極側に放出された光を反射するための光反射性を有し、かつ、ｐ型ＧａＮ層２０６とＰｄ金属膜２０８に対しオーミック接触特性をもつ金属膜としてＡｇ金属膜２０９を１５０ｎｍ蒸着した。その後、速やかに、Ｐｄ金属膜２０８およびＡｇ金属膜２０９の拡散を防止するための金属膜としてＭｏ金属膜２１０を８ｎｍ蒸着した。その後、速やかに、後に導電性基板電極との接着を容易にするための金属膜としてＳｎ金属膜２１１を１μｍ蒸着した。その後、大気に取り出し、図１７に示すように、５％のＨＦ水溶液によりスペーサ２０７であるＳｉＯ2層を除去して、積層体２６０を作製した。
【００３４】
次に、図２２に示すように、上記積層体２６０に貼り合わされる第２の金属膜層２５０を有する導電性基板電極２７０を作製する。図２２の導電性基板電極２７０は、導電性基板であるｎ型のＳｉ（１１１)基板２１２に、部分的に溝２２２が形成され、前記溝にＴｉ金属膜２１５、Ａｌ金属膜２１６、Ｍｏ金属膜２１７およびＡｕ金属膜２１８からなる第２の金属膜層２５０が形成されている。
【００３５】
上記図２２の導電性金属基板２７０は、以下の様にして作製される。図１８に示すＳｉ（１１１）基板１１２にフォトレジスト（図示せず）を塗布して、フォトリソグラフィを行った後、図１９に示すように、スパッタ法または真空蒸着法により、後に形成される第２の金属膜層を仕切る形になるようにスペーサ２１３としてＳｉＯ2層を形成した。スペーサ２１３の形成位置およびパターンは、図１６のスペーサ２０７の形成位置およびパターンとが同一であることが好ましい。すなわち、本実施形態において、図１７に示す第１の金属膜層２４０の幅Ｌと、Ｓｉ（１１１）基板２１２に形成された図２０に示す溝２２２の溝幅Ｍとが同じ長さ（Ｌ＝Ｍ）であることが好ましい。
【００３６】
次に、図１９および図２０に示すように、ＲＩＥ法を用いて、Ｓｉ（１１１）基板２１２においてスペーサ２１３としてのＳｉＯ2層に覆われていない部分をエッチングして、溝幅Ｍ、溝深さＮの溝２２２を形成した。このときの溝深さＮは、２４８３ｎｍとした。この溝深さＮは、積層体２６０に形成された第１の金属膜層２４０の厚さと、後に埋め込む第２の金属膜層２５０の厚さとの和と同じになるように設計した。次に、５％のＨＦ水溶液をを用いてスペーサ２１３を取り除いた後、再度フォトレジスト２１４を塗布して、フォトリソグラフィをし、スペーサ２１３があった部分にフォトレジスト２１４を形成した。
【００３７】
次に、図２１に示すように、真空蒸着法によりＳｉ（１１１）基板２１２を８０℃に加熱して、前記Ｓｉ（１１１）基板２１２の溝２２２部分に、Ｓｉ（１１１）基板２１２に対しオーミック接触を持ったＴｉ金属膜２１５を１５ｎｍ、Ａｌ金属膜２１６を３００ｎｍ、前記金属膜の拡散を防止するためのＭｏ金属膜２１７を８ｎｍ蒸着した後、図１７の積層体２６０に形成された第１の金属膜層２４０との貼り合わせを容易にするための金属膜であるＡｕ金属膜２１８を１μｍ蒸着により形成した。その後、大気に取り出し、有機洗浄を行い、フォトレジスト２１４を除去して、図２２に示すような導電性基板電極２７０を得た。
【００３８】
次に、図２３に示すように、積層体２６０と、第２の金属膜層２５０を有する導電性基板電極２７０とを、第１の金属膜層２４０のＳｎ金属膜２１１と第２の金属膜層２５０のＡｕ金属膜２１８とが接するように、貼り合わせた。貼り合わせは、これら金属の共晶結合の温度にあたる２８０℃で、１００Ｎ／ｃｍ2の圧力で行なった。
【００３９】
その後、ＩＩＩ族窒化物半導体層を成長したＳｉ（１１１）基板２０１を剥離するために、耐酸性の基板(図示せず)にＳｉ（１１１）基板２１２が接するように耐酸性のワックスで貼り付けた。その後、ＨＦ：硝酸（ＨＮＯ3）：酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）＝５:２:２の組成を有する溶液で、Ｓｉ（１１１）基板２０１を剥離した。このとき、ＡｌＮ中間層２０２がエッチングストップの役割を果たした。その後、有機洗浄を行い、Ｓｉ（１１１）基板２１２から耐酸性の基板（図示せず）を取り除いた後、共晶温度より低く温度条件で、ＲＩＥ法によってＡｌＮ中間層２０２を除去し、ｎ型ＧａＮ層２０３を露出させた。その後、大気に取り出し、スパッタ法により、ｎ型ＧａＮ層２０３上に、電極２１９として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）電極を形成した。
【００４０】
その後、大気に取り出し、再度フォトレジスト（図示せず）を塗布してフォトリソグラフィをし、図２４に示すように、電極２１９の一部をＦｅＣｌ3を用いてチップ化を行うための分割ライン形成領域２８８を、分割ライン２８９が第１および第２の金属膜層１４０、１５０に接触しないように作製し、チップ化前のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子２８０を得た。その後、分割ライン形成領域２８８に、スクライブ装置またはダイシング装置により、分割ライン２８９を引き、チップの大きさが２００μｍ□になるように分割を行ない、チップ化されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得た。
【００４１】
上記のように、本実施形態においては、分割ライン２８９上にスペーサとしてのＳｉＯ2層をなくした構造としたため、チップへの分割の際に、へき開性の悪いＳｉＯ2層ではなく、へき開性のよいＳｉ（１１１）基板２１２を分割することになり、チップの歩留まりがさらに向上する。
【００４２】
上記の実施形態１および実施形態２においては、Ｓｉ（１１１）基板１０１，２０１とｎ型ＧａＮ層１０３，２０３との中間層としてＡｌＮ中間層１０２，２０２を用いたが、ＡｌＮ中間層に限定されず、ＡｌＮ中間層に替えてＩＩＩ族元素の主成分がＧａ以外のＩＩＩ族元素であるＩＩＩ族窒化物半導体層を中間層として用いることも可能である。また、それぞれのＩＩＩ族窒化物半導体層にＳｉをドーパントとして用いることも可能である。また、貼り合わせ用の導電性基板電極１７０，２７０を作製するための導電性基板として、Ｓｉ（１１１）基板１１２，２１２に替えて、ＧａＡｓ基板、ＺｎＯ基板またはＧａＰ基板を用いても同様の効果が得られる。
【００４３】
(実施形態３)
本発明にかかるまた別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、図２６に示すように、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体３３０の一方の主面には電極３１９が形成されており、他方の主面には部分的にスペーサ３０７によって仕切られて形成された第１の金属膜層３４０に、部分的に形成された第２の金属膜層３５０を有する導電性基板電極３７０が、前記第１の金属膜層３４０と前記第２の金属膜層３５０が接するように貼り合わされている。
【００４４】
本実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、発光素子としての最終構造は実施形態１の発光素子と同様であるが、その製造方法において、図９および図２５を参照して、実施形態１の発光素子が積層半導体１３０を積層させる最初の基板として導電性基板であるＳｉ（１１１）基板１０１を用いているのに対し、実施形態３の発光素子は積層半導体３３０を積層させる最初の基板として絶縁性基板であるサファイア基板３０１を用いている点で異なる。
【００４５】
本実施例におけるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、以下の様にして製造される。まず、図２５に示すような、積層体３６０を作製する。積層体３６０は、基板として絶縁性基板であるサファイア基板３０１上に、ＧａＮバッファ層３０２、ｎ型ＧａＮ層３０３、発光層としてＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層とＧａＮ層とが４対組合わされたＭＱＷ活性層３０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層３０５およびｐ型ＧａＮ層３０６が順次形成されており、ｐ型ＧａＮ層３０６上に金属膜の付着を防止するためのスペーサ３０７としてＳｉＯ2層が形成され、そのスペーサ３０７によってｐ型ＧａＮ層３０６とのコンタクト電極にあたるＰｄ金属膜３０８、高い光反射性を有するＡｇ金属膜３０９、拡散防止膜としてのＭｏ金属膜３１０、貼り合わせるためのＳｎ金属膜３１１から構成される第１の金属膜層３４０が仕切られている。
【００４６】
上記図２５の積層体３６０は、以下の様にして作製される。基板として絶縁性基板であるサファイア基板３０１上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ＩＩＩ族窒化物半導体層を積層した。サファイア基板３０１を反応室内のサセプターに装着の後、１２００℃でＮＨ3とＮ2とＨ2との混合ガス雰囲気にてベーキングを行った。その後、５５０℃に速やかに降温し、キャリアガスとしてＨ2用い、ＴＭＧ、ＮＨ3を用いて、ＧａＮバッファ層３０２を３０ｎｍ積層させた。その後、Ｎ2とＮＨ3とＨ2との混合ガス中で速やかに１１００℃まで昇温した後に、ＴＭＧ、ＮＨ3、およびドーパントにＳｉＨ4を用いて、ｎ型の導電性を持ったｎ型ＧａＮ層３０３を１０μｍになるように積層した。
【００４７】
その後、７５０℃で、ＴＭＩ、ＴＭＧおよびＮＨ3を用いて、井戸層としての３ｎｍのＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層と、障壁層としての９０ｎｍのＧａＮとを４対相互に積層させてＭＱＷ活性層３０４を形成した。次に、１１００℃で、ＴＭＧ、ＮＨ3、ドーパントにＣｐ2Ｍｇを用いて、Ｍｇをドープしたｐ型Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ層３０５を３０ｎｍ積層した。最後に、同じ温度でＴＭＧ、ＮＨ3、Ｃｐ2Ｍｇを用いて、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層３０６を１２０ｎｍになるように順に積層し、常温まで降温した後に大気中にとりだした。その後、ｐ型化を行うために、熱処理炉を用いて、Ｎ2雰囲気中で８００℃にて１５分間熱処理を行った。
【００４８】
その後、スペーサ３０７および第１の金属膜層３４０を、実施形態１におけるスペーサ１０７および第１の金属膜層１４０と同様に作製し、積層体３６０を得た。また、部分的に第２の金属膜層３５０が形成された導電性基板電極３７０は、実施形態１における部分的に第２の金属膜層１５０が形成された導電性基板電極１７０と同様に作成した。
【００４９】
その後、図２５に示すように、積層体３６０と、第２の金属膜層３５０を有する導電性基板電極３７０とを、第１の金属膜層３４０のＳｎ金属膜３１１と第２の金属膜層のＡｕ金属膜３１８とが接するように合わせて、これら金属の共晶結合の温度にあたる２８０℃で１００Ｎ／ｃｍ2の圧力で貼り合わせた。
【００５０】
次に、図２５および図２６を参照して、ＧａＮに吸収される波長に変換された固体レーザ光を、５Ｗ〜２０Ｗのパルス状にして、サファイア基板３０１面から入射して、サファイア基板３０１およびＧａＮバッファ層３０２を除去した。その後、表面に露出したｎ型ＧａＮ層３０３にレーザ光による欠陥が発生したので、エレクトロンワックスを用いて台に貼り付け、ｎ型ＧａＮ層３０３を１μｍ〜２μｍ程度研磨した。この研磨厚さは、ｎ型ＧａＮ層が残る程度で、活性層に研削および研磨によるダメージが入らない程度の厚さである。その後、上記積層体を台よりを剥がし、エレクトロンワックスを有機洗浄にて除去した。
【００５１】
その後、大気に取り出し、スパッタ法により、ｎ型ＧａＮ層３０３上に電極３１９として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極を形成した。次に、フォトレジスト（図示せず）を塗布してフォトリソグラフィをし、図２６に示すように、電極３１９の一部をＦｅＣｌ3を用いて除去し、チップ化を行なうための分割ライン形成領域３８８を作製した。その後、スクライブ装置またはダイシング法装置を用いて、分割ライン形成領域３８８に分割ライン３８９を入れ、チップの大きさが２００μｍ□になるように分割を行った。
【００５２】
上記のように、本実施形態においては、積層半導体３３０の両方の主面に電極形成ができる。また、従来のサファイア基板上に形成された積層半導体３３０より分割が容易に行えチッピングの際の歩留まりが向上する。
【００５３】
（実施形態４）
本発明にかかるさらに別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、図２８に示すように、少なくとも１の発光層を含有するＩＩＩ族窒化物半導体層からなる積層半導体４３０の一方の主面には電極４１９が形成されており、他方の主面には部分的に凸状に形成された第１の金属膜層４４０に、部分的に凹状に形成された第２の金属膜層４５０を有する導電性基板電極４７０が、前記第１の金属膜層４４０と前記第２の金属膜層４５０が接するように貼り合わされている。
【００５４】
本実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、発光素子としての最終構造は実施形態２の発光素子と同様であるが、その製造方法において、図２３および図２７を参照して、実施形態２の発光素子が積層半導体２３０を積層させる最初の基板として導電性基板であるＳｉ（１１１）基板２０１を用いているのに対し、本実施形態の発光素子は積層半導体４３０を積層させる最初の基板として絶縁性基板であるサファイア基板４０１を用いている点で異なる。
【００５５】
本実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造においては、図２７に示すように、積層体４６０と第２の金属膜層４５０を有する導電性基板電極４７０を作製する。ここで、積層体４６０の作製において、サファイア基板４０１上へのＧａＮバッファ層４０２、ｎ型ＧａＮ層４０３、発光層としてＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎ層とＧａＮ層とが４対組合わされたＭＱＷ活性層４０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層４０５およびｐ型ＧａＮ層４０６の積層については、実施形態３と同様に行なった。また、ｐ型ＧａＮ層４０６上への部分的な凸状の第１の金属膜層４４０であるＰｄ金属膜４０８、Ａｇ金属膜４０９、Ｍｏ金属膜４１０およびＳｎ金属膜４１１の形成は、実施形態２におけるｐ型ＧａＮ層２０６上への部分的な凸状の第１の金属膜層２４０であるＰｄ金属膜２０８、Ａｇ金属膜２０９、Ｍｏ金属膜２１０およびＳｎ金属膜２１１の形成と同様に行なった。また、第２の金属膜層４５０を有する導電性基板電極４７０の作製は、実施形態２における第２の金属膜層２５０を有する導電性基板電極２７０の作製と同様に行なった。導電性基板電極４７０における第２の金属膜層４５０は、Ｓｉ（１１１）基板４１２側から順に、Ｔｉ金属膜４１５、Ａｌ金属膜４１６、Ｍｏ金属膜４１７およびＡｕ金属膜４１８で構成されている。
【００５６】
上記のようにして作製した積層体４６０と、第２の金属膜層４５０を有する導電性基板電極４７０とを、第１の金属膜層４４０のＳｎ金属膜４１１と第２の金属膜層４５０のＡｕ金属膜４１８とが接するようにして、これら金属の共晶結合の温度にあたる２８０℃で１００Ｎ／ｃｍ2の圧力で貼り合わせた。
【００５７】
次に、図２７および図２８を参照して、積層体４６０からのサファイア基板４０１およびＧａＮバッファ層４０２の除去を、実施形態３と同様に行なった。その後、実施形態３と同様にして、ｎ型ＧａＮ層３０３の研磨を行ない、その上に電極４１９を形成し、前記電極４１９の一部をＦｅＣｌ3を用いて除去し、チップ化を行なうための分割ライン形成領域４８８を作製した。その後、スクライブ装置またはダイシング装置を用いて、分割ライン形成領域４８８に分割ライン４８９を入れ、チップの大きさが２００μｍ□になるように分割を行った。
【００５８】
上記により、本実施形態においては、分割ライン４８９上にスペーサとしてのＳｉＯ2層をなくした構造としたため、チップへの分割の際に、へき開性の悪いＳｉＯ2層ではなく、へき開性のよいＳｉ（１１１）基板４１２を分割することになり、チップの歩留まりがさらに向上する。
【００５９】
実施形態３または実施形態４において、絶縁性基板として用いたサファイア基板に替えて、スピネル基板、ＳｉＣ基板などを用いることができる。また、固体レーザ光照射後のｎ型ＧａＮ層の研削および研磨は、前記ｎ型ＧａＮ層に欠陥が発生したこと、および、ＧａＮバッファ層の一部がｎ型ＧａＮ層上に残留しているために行ったが、ＧａＮバッファ層の替りにＡｌＮバッファ層を使用したものや、ｎ型ＧａＮ層の替りにＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）層を積層した場合や、ドーピングを行っていない絶縁層を積層した場合でも、上記研削および研磨によって取り除くことができる。さらに、ｎ型ＧａＮ層の研磨は、ＲＩＥ法によっても行うことができる。
【００６０】
実施形態１〜実施形態４において、光反射膜としてのＡｇ金属膜に替えて、Ａｌ金属膜、Ｐｔ金属膜、Ｃｕ金属膜またはＲｈ金属膜を用いることができる。また、オーミック接触膜としてのＴｉ金属膜またはＡｌ金属膜に替えて、Ａｕ金属膜、ＡｕＳｂ合金膜を用いることができる。また、活性層は、単一及び多重量子井戸層で構成されていてもよく、ノンドープでも、Ｓｉ、Ａｓ、Ｐなどがドープされていてもよい。また、多重量子井戸層の井戸層と障壁層はＩｎＧａＮ層のみからなってもＩｎＧａＮ層およびＧａＮ層からなってもよい。また、ｐ型電極を作製した後にｎ型電極を作製したが、ｎ型電極を作製した後にｐ型電極を作製してもよい。さらに、チップ分割方法としてスクライブ装置または、ダイシングにより行ったが、レーザを集光し、スクライブライン上を照射させて分割してもよい。なお、チップの大きさは２００μｍ□に限られず、１００μｍ□、１ｍｍ□などでもよく、チップを電極上から見た場合に正方形である必要はなく、長方形、菱形などであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびそのその製造方法において、発光の外部取り出し効率を向上させるため、およびチップ化の際の歩留まりを向上させるために広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明にかかる一のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子における積層体の製造工程図である。
【図２】図１に続く製造工程図である。
【図３】図２に続く製造工程図である。
【図４】本発明にかかる一のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子における導電性基板電極の製造工程図である。
【図５】図４に続く製造工程図である。
【図６】図５に続く製造工程図である。
【図７】図６に続く製造工程図である。
【図８】図７に続く製造工程図である。
【図９】本発明にかかる一のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造工程図である。
【図１０】図９に続く製造工程図である。
【図１１】図１０に続く製造工程図である。
【図１２】図１１に続く製造工程図である。
【図１３】図９に続く製造工程図である。
【図１４】図１３に続く製造工程図である。
【図１５】本発明にかかる別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子における積層体の製造工程図である
【図１６】図１５に続く製造工程図である。
【図１７】図１６に続く製造工程図である。
【図１８】本発明にかかる別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子における導電性基板電極の製造工程図である。
【図１９】図１８に続く製造工程図である。
【図２０】図１９に続く製造工程図である。
【図２１】図２０に続く製造工程図である。
【図２２】図２１に続く製造工程図である。
【図２３】本発明にかかる別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造工程図である。
【図２４】図２３に続く製造工程図である。
【図２５】本発明にかかるまた別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造工程図である。
【図２６】図２５に続く製造工程図である。
【図２７】本発明にかかるさらに別のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造工程図である。
【図２８】図２７に続く製造工程図である。
【図２９】従来のＧａＮ系半導体発光素子の概略図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０１，１１２，２０１，２１２，３１２，４１２  Ｓｉ（１１１）基板、１０２，２０２  ＡｌＮ中間層、１０３，２０３，３０３，４０３，５０６  ｎ型ＧａＮ層、１０４，２０４，３０４，４０４  ＭＱＷ活性層、１０５，２０５，３０５，４０５，５０３  ｐ型ＡｌＧａＮ層、１０６，２０６，３０６，４０６  ｐ型ＧａＮ層、１０７，１１３，２０７，２１３，３０７  スペーサ、１０８，２０８，３０８，４０８  Ｐｄ金属膜、１０９，２０９，３０９，４０９  Ａｇ金属膜、１１０，１１７，２１０，２１７，３１０，３１７，４１０，４１７  Ｍｏ金属膜、１１１，２１１，３１１，４１１  Ｓｎ金属膜、１１４，２１４  フォトレジスト、１１５，２１５，３１５，４１５  Ｔｉ金属膜、１１６，２１６，３１６，４１６  Ａｌ金属膜、１１８，２１８，３１８，４１８  Ａｕ金属膜、１１９，２１９，３１９，４１９  電極、１２２，２２２  溝、１３０，２３０，３３０，４３０  積層半導体、１４０，２４０，３４０，４４０  第１の金属膜層、１５０，２５０，３５０，４５０  第２の金属膜層、１６０，２６０，３６０，４６０  積層体、１７０，２７０，３７０，４７０  導電性基板電極、１８０，１８１，１９０，１９１，２８０，３８０，４８０  ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、１８８，２８８，３８８，４８８  分割ライン形成領域、１８９，２８９，３８９，４８９  分割ライン、２７７  スペース、３０１，４０１  サファイア基板、３０２，４０２  ＧａＮバッファ層、５０１  ｐ側電極、５０２  ｐ型ＧａＮ層、５０４  ＩｎＧａＮ層、５０５  ｎ型ＡｌＧａＮ層、５０７  金属Ａｌ層、５０８  シリコン基板、５０９  ｎ側電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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