(57)【要約】【課題】  積層されるインターポーザー間の層間隙間を適正且つ安定なものとし、層間接続部の機械的強度を高め、製造品質及び商品信頼性の向上が図れる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】  半導体チップ６及び電子部品７を実装させたインターポーザー２を、各インターポーザー２に形成した層間接続ランド３上の層間接続端子８を導通接続させて複数段に積層した半導体集積回路装置であって、層間接続端子８を各インターポーザー２の層間接続ランド３上に設け、互いに導電接合される層間接続端子８、８の少なくとも接合部を覆って補強用樹脂層９を設けた。この補強用樹脂層９によって、層間接続端子８、８の接合部の機械的強度を高めると共に電気的接続信頼性を向上させる。【選択図】  図１
2005051146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体チップを実装させたインターポーザーを、該インターポーザーに形成した層間接続ランド上の層間接続端子同士を導通接続させて複数段に積層した半導体集積回路装置であって、
前記層間接続端子を各インターポーザーの層間接続ランド上に設け、互いに導電接続される層間接続端子の少なくとも接合部を覆って補強用樹脂層を形成した
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置であって、
前記補強用樹脂層は、前記層間接続端子を覆って設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体集積回路装置であって、
前記補強用樹脂層の軟化点を、前記層間接続端子の軟化点よりも低くしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体集積回路装置であって、
前記層間接続端子は、リフロー温度で溶融しない高融点導電性金属と、リフロー温度で溶融するハンダからなり、高融点導電性金属の外表面にハンダが被覆されて形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体集積回路装置であって、
前記層間接続端子は、耐熱樹脂、導電性金属及びハンダからなり、耐熱樹脂の外表面に導電性金属が被覆され且つこの導電性金属の外表面にハンダが被覆されて形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体集積回路装置であって、
前記層間接続端子は、リフロー温度で溶融しない高融点非導電性金属、導電性金属及びハンダからなり、高融点非導電性金属の外表面に導電性金属が被覆され且つこの導電性金属の外表面にハンダが被覆されて形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
少なくとも半導体チップを実装させたインターポーザーの層間接続ランド上に、該インターポーザーを複数段に積層するためのスペーサ及び回路導通接続を図る層間接続端子を接合する工程と、
前記層間接続端子の上に、該層間接続端子の軟化点よりも低い軟化点とされた補強用樹脂シートを配置する工程と、
各インターポーザーに形成した層間接続端子同士を位置合わせし、前記補強用樹脂シートを挟んでインターポーザーを積層する工程と、
積層したインターポーザーをリフローし、補強用樹脂シートを軟化させて少なくとも層間接続端子の接合部を補強用樹脂層で被覆する工程とからなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体チップ及び電子部品を実装したインターポーザーを、層間接続端子を介して複数段に積層してなる半導体集積回路装置及びその製造方法に関する。詳しくは、各インターポーザーの層間を適正に確保すると同時に、層間接続端子を補強用樹脂層で被覆して半導体集積回路装置の信頼性向上を図ったものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップや電子部品などのベアチップを実装したインターポーザーを、層間接続端子を介して複数段に積層してなる半導体集積回路装置が知られている（例えば、特許文献１など参照）。
【０００３】
図１３は、その半導体集積回路装置の一例を示す。この半導体集積回路装置は、基板１０１上に複数のインターポーザー１０２を所定間隔を置いて積層した構造である。インターポーザー１０２の一面には、半導体チップ１０３または半導体チップ１０３及び電子部品１０４が実装されている。最上層に積層されるインターポーザー１０２を除いては、その両面に層間接続ランド１０５が形成されている。そして、最上層のインターポーザー１０２には、下層のインターポーザー１０２と対向する面にのみ層間接続ランド１０５が形成されている。
【０００４】
前記した半導体集積回路装置は、最下層のインターポーザー１０２に形成された層間接続ランド１０５と基板１０１に形成された基板ランド１０６とを外部端子１０７によって導通接続させ、各インターポーザー１０２に形成された相対向する層間接続ランド１０５同士を層間接続端子１０８によって導電接続させることにより、当該層間接続端子１０８によって各インターポーザー１０２の層間間隔を確保した積層構造となっている。
【０００５】
図１４は、最下層のインターポーザー１０２を除く各インターポーザー１０２の両面に、半導体チップ１０３及び電子部品１０４を実装した、半導体集積回路装置の一例である。この半導体集積回路装置では、インターポーザー１０２の両面に半導体チップ１０３及び電子部品１０４を実装しているため、各インターポーザー１０２の層間間隔を広くする必要性から、図１３の層間接続端子１０８よりも背の高い層間接続端子１０９を使用している。
【０００６】
図１５は、図１４の半導体集積回路装置における背の高い層間接続端子１０９の代わりに、体積の大きい層間接続端子１１０を使用した、半導体集積回路装置の一例である。この半導体集積回路装置では、体積の大きい層間接続端子１１０を使用することで、層間間隔を確保すると同時に安定した層間接続を得ることができるようにしたものである。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−６８４４３号公報（第３頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１４の背の高い層間接続端子１０９を使用した半導体集積回路装置では、層間接続端子１０９の姿勢が不安定なため、層間接続端子１０９への搭載及び接合、さらにはインターポーザー１０２の積層工程で層間接続端子１０９が傾いて接合されやすくなるため、製造の品質が悪くなる。
【０００９】
図１５の体積の大きい層間接続端子１１０を使用した半導体集積回路装置では、層間接続端子１１０で占められる（ロスする）スペースが大きくなり、接続端子のファインピッチ配置及び多ピン化が難しい。
【００１０】
そこで、本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、積層されるインターポーザー間の層間隙間を適正且つ安定なものとし、層間接続部の機械的強度を高め、製造品質及び商品信頼性の向上が図れる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体集積回路装置は、半導体チップを実装させたインターポーザーを、該インターポーザーに形成した層間接続ランド上の層間接続端子を導通接続させて複数段に積層した半導体集積回路装置であり、層間接続端子を各インターポーザーの層間接続ランド上に設け、互いに導電接続される層間接続端子の少なくとも接合部を覆って補強用樹脂層を形成した構造としている。
【００１２】
この半導体集積回路装置では、層間接続端子の少なくとも接合部を覆って補強用樹脂層を形成したので、この補強用樹脂層が補強部材となってインターポーザーの層間接続の機械的強度を増強し、インターポーザー層間の電気的接続を安定なものとする。
【００１３】
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、インターポーザーを複数段に積層する層間接続端子の上に、層間接続端子の軟化点よりも低い軟化点とされた補強用樹脂シートを配置し、その補強用樹脂シートを挟んでインターポーザーを積層した後、リフローする。そして、そのリフローにより、補強用樹脂シートを軟化させて少なくとも層間接続端子の接合部を補強用樹脂層で被覆する。
【００１４】
この製造方法では、層間接続端子の軟化点よりも低い軟化点とした補強用樹脂シートを使用し、その補強用樹脂シートを層間接続端子間に挟んでいるので、リフローすると、層間接続端子よりも先に補強用樹脂シートが軟化して層間接続端子の接合部が、軟化した樹脂によって覆われる。これにより、層間接続端子の接合は、大気に汚染されることなく導通接合可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
「半導体集積回路装置の構成」
本実施の形態の半導体集積回路装置は、図１に示すように、例えばマザーボードなどの基板１上に複数のインターポーザー２を所望の層間間隔を置いて複数段に積層した積層構造とされている。
【００１７】
基板１には、複数段に積層されるインターポーザー２のうち最下段のインターポーザー２に形成された層間接続ランド３に対し、外部端子４を介して導電接続される基板ランド５が複数形成されている。そして、この複数の基板ランド５上に、外部端子４を介して複数段に積層されたインターポーザー２が実装されている。
【００１８】
インターポーザー２には、半導体チップ６または電子部品７、或いは半導体チップ６及び電子部品７が表裏両面に実装されている。また、このインターポーザー２には、各インターポーザー２の積層間隔を所定の高さに保持するスペーサとしての機能とインターポーザー２に形成される配線パターン同士を導電接続する回路接続機能としての層間接続端子８が設けられている。
【００１９】
層間接続端子８は、例えば図２（ａ）に示すように、リフロー温度で溶融しない高融点導電性金属８ａとリフロー温度で溶融するハンダ８ｂからなり、高融点導電性金属８ａの外表面にハンダ８ｂが被覆されて形成された、いわゆる球形状（ボール形状）とされている。コア（核）となる高融点導電性金属８ａは、各インターポーザー２の層間隙間を所定の隙間とするスペーサとして機能する。また、この高融点導電性金属８ａの表面に形成されるハンダ８ｂは、各インターポーザー２の回路を導電接続する回路接続として機能をする。
【００２０】
高融点導電性金属８ａとしては、例えば融点が１０８３℃の銅や高融点ハンダ或いは４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）などが使用される。ハンダ８ｂとしては、例えば融点が１７０〜１９０℃のＰｂＳｎ共晶系ものや、２１０〜２３０℃のＳｎＡｇ系、ＳｎＣｕ系ハンダ、１９０〜２００℃のＳｎＺｎ系ハンダ、２００〜２２０℃のＳｎＩｎ系ハンダなどが使用される。
【００２１】
また、層間接続端子８は、この他、図２（ｂ）に示すように、耐熱樹脂８ｃ、導電性金属８ｄ及びハンダ８ｂからなり、コアとなる耐熱樹脂８ｃの外表面に導電性金属８ｄが被覆され且つこの導電性金属８ｄの外表面にハンダ８ｂが被覆されて形成された球形状とされている。耐熱樹脂８ｃとしては、例えば熱分解温度が４５０℃程度のジビニルベンゼン架橋共重合体が使用される。導電性金属８ｄとしては、例えば融点が１０８３℃の銅や１４５３℃のニッケルをめっき被覆する。耐熱樹脂８ｃの代わりに、例えば転移温度が５００〜６００℃のガラス、さらにセラミックなどの高融点非導電性物質も使用することができる。
【００２２】
層間接続端子８は、上下に積層配置される各インターポーザー２の層間接続ランド３上にそれぞれ導通接続されている。上下に積層配置されるインターポーザー２の層間では、各インターポーザー２の層間接続ランド３上に導通接続された層間接続端子８同士が溶融接合されている。これら２つの層間接続端子８の接合により、相対向するインターポーザー２の層間距離Ｈは、半導体チップ６や電子部品７同士が接触しない充分な距離であると共に製品高さを抑えた距離とされている。また、これら２つの層間接続端子８の接合により、インターポーザー２に形成された配線回路が導通接続される。
【００２３】
そして、互いに導通接合された層間接続端子８のうち、少なくとも接合部を覆って一方の層間接続端子８を被覆して補強用樹脂層９が形成されている。補強用樹脂層９は、半導体集積回路装置の使用環境下での熱ストレスや落下衝撃、振動などの機械的ストレスが発生して層間接続端子８の接合部に集中応力が掛かった場合、その応力を打ち消すように機能する。また、補強用樹脂層９は、層間接続端子８の接合部を覆うため、当該接合部の再酸化を防止する働きもする。
【００２４】
なお、インターポーザー２の保管条件により、保管中の層間接続端子８の酸化・接合性劣化が懸念される場合（濡れ性が不安定な場合）、補強用樹脂層９に活性化成分（酸化防止剤）を入れておくようにしてもよい。もちろん、接合部の濡れ性が良好な場合（酸化又は汚染されていない状態）は、特に活性化作用は不要である。この他、保管による接合性劣化の回復手法として、層間接続端子８及び層間接続ランド３の表面をプラズマ処理する方法もある。
【００２５】
この補強用樹脂層９の樹脂は、例えば８０〜１２０℃で粘度が下がる粘度特性を有し、層間接続端子８ハンダ部の融点よりも低い温度で軟化する。この補強用樹脂層９を形成する樹脂としては、例えばナガセケムテック株式会社製の商品名Ｔ６９３／Ｒ３９０１やデクスター株式会社製の商品名ＣＮＢ８３７−４４或いはケスター株式会社製の商品名ＲＥ９１０１が使用できる。例えばＴ６９３／Ｒ３９０１の樹脂は、ナフタレンジグリシジルエーテルを主剤とし、テトラヒドロ無水フタル酸を硬化剤とした樹脂である。
【００２６】
このような樹脂を使用することから、層間接続端子８の接合時には、補強用樹脂層９の方が層間接続端子８よりも早く軟化することになり、層間接続端子８の接合部が、この溶融した補強用樹脂で覆われる。かかる補強用樹脂層９で層間接続端子８の接合部が覆われることで、接合部が大気と遮断されることから接合部の再酸化が回避される。この補強樹脂の硬化開始温度は（１２０〜２００）℃程度で、上記接合後ベーキング等で硬化反応を進める。
【００２７】
図３は、補強用樹脂層９が形成されていない例を示す半導体集積回路装置の要部拡大断面図である。この図３では、半導体集積回路装置の使用環境下で熱ストレスや落下衝撃、振動などの機械的ストレスが発生した場合には、各インターポーザー２に図中矢印で示す左右方向に応力が生じ、層間接続端子８の接合部にその応力が集中する。この応力により、層間接続端子８の接合部には、クラックが発生し、破断することがある。
【００２８】
しかしながら、本実施の形態の半導体集積回路装置では、少なくとも層間接続端子８の接合部を覆って補強用樹脂層９が被覆されているので、この補強用樹脂層９が補強部材として機能し、前記接合部に集中する応力に影響されない。したがって、本実施の形態の半導体集積回路装置によれば、層間接続端子８の接合部にクラックや破断が生じることはない。
【００２９】
また、接合硬化後の補強用樹脂層９の弾性率を半導体集積回路装置の使用環境に合わせて調整することによって、この層間接続端子８の接合部に作用する応力に柔軟に対応させることが可能となる。例えば、耐落下衝撃性を重視する場合は、高弾性で硬い接合とし、温度変化環境下での信頼性の場合は、高低温・常温時における層間接続系全体（接続端子/基板、接続端子/ＩＰ、接続端子/接続端子）の応力バランスを考慮して、つまり応力が分散するように、適正な弾性率を選定する。
【００３０】
また、本実施の形態の半導体集積回路装置では、特に図２（ｂ）に示す構造の層間接続端子８を使用すれば、コアとなる耐熱樹脂８ｃによる柔軟性によって接合部に集中する応力を緩和させることができる。この構造の層間接続端子８を使用した場合には、その耐熱樹脂８ｃの弾性率を考慮して、補強用樹脂層９の弾性率を調整することが好ましい。例えば、高弾性の補強樹脂で接続周辺部を広範囲で覆うことで、耐熱樹脂８ｃの応力緩和性能が殺される可能性があり得る。
【００３１】
［半導体集積回路装置の製造方法］
次に、前記した半導体集積回路装置の製造方法を、以下に示す工程図を参照しながら詳細に説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、最下層のインターポーザー２に半導体チップ６を実装する。半導体チップ６は、インターポーザー２のほぼ中央位置に実装する。次に、図４（ｂ）に示すように、インターポーザー２に形成した層間接続ランド３に外部端子４を搭載し加熱接合する。外部端子４は、基板１と対向する裏面の層間接続ランド３上に形成する。
【００３２】
次いで、図５に示すように、基板１の表面に形成された層間接続ランド３上に層間接続端子８を実装しリフローする。すると、層間接続端子８は、コアとなる部分がリフロー温度で溶融しない高融点導電性金属８ａで、その表面がリフロー温度で溶融するハンダ８ｂからなるため、表面のハンダ８ｂのみが溶融し、層間接続端子８は前記層間接続ランド３と導通接続される。
【００３３】
次に、この最下層のインターポーザー２上に積層されるインターポーザー２の層間接続ランド３上にも同様に層間接続端子８を実装しリフローする。最上層のインターポーザー２を除く中間層に配置されるインターポーザー２には、その両面の層間接続ランド３上に層間接続端子８を実装し接合する。
【００３４】
次に、図６に示すように、補強用樹脂シート１０を層間接続端子８の上に配置する。本実施の形態では、層間接続端子８の配置形状に応じて中央を開口した矩形状の補強用樹脂シート１０を、層間接続端子８上に被せるようにして配置した。この他、図７に示すように、補強用樹脂シート１０ではなく、層間接続端子８を覆うようにして補強樹脂ペースト１１を供給するようにしてもよい。補強樹脂ペースト１１は、例えばペースト状の樹脂を層間接続端子８上に印刷するか、ディスペンスするか、或いは転写法で供給するようにする。
【００３５】
次に、図８に示すように、最下層のインターポーザー２上に、このインターポーザー２上に積層すべきインターポーザー２を配置する。これらインターポーザー２、２を積層させるに際しては、各インターポーザー２、２に形成した各層間接続端子８、８の位置を合わせて積層する。そして、インターポーザー２、２を積層させた後、次の接合工程までの間、それらの相対位置がずれないようにインターポーザー２、２を仮保持をする。
【００３６】
仮保持には、補強用樹脂シート１０に粘着性を持たせ、その粘着力によってインターポーザー２、２を仮保持させる。または、補強用樹脂シート１０に粘着力を持たせずに、専用治具によってこれらインターポーザー２、２を仮保持させてもよい。そして、前記した積層工程を順次繰り返して所定段数となるようにインターポーザー２を積層する。
【００３７】
次に、図９に示すように、積層したインターポーザー２をリフローする。すると、補強用樹脂シート１０の軟化点は層間接続端子８の軟化点よりも低いため、層間接続端子８が溶融する前に補強用樹脂シート１０が軟化（低粘度化）する。そして、この補強用樹脂シート１０は、軟化して下層のインターポーザー２に形成された層間接続端子８全体を覆うと共に接合部を覆う。接合部では、樹脂は接合状態を阻害することなく外周に押し出され、その接合部周縁を覆って当該接合部を大気（酸素）から遮断してハンダ接合中の再酸化を回避する。
【００３８】
そして、前記層間接続端子８、８の接合部が軟化した補強用樹脂シート１０で覆われると、各層間接続端子８、８が溶融し導通接続される。ここでは、高融点導電性金属８ａは溶融せず、ハンダ８ｂのみが溶融する。このため、高融点導電性金属８ａによって、各インターポーザー２の層間隙間が適正な隙間とされる。なお、図２（ｂ）に示す層間接続端子８を使用した場合には、ハンダ８ｂのみが溶融し、導電性金属８ｄ及び中央の高融点非導電性金属８ｃは溶融せず、導電性金属８ｄと層間接続ランド３とが導通接続される。
【００３９】
このように、層間接続端子８、８の接合部が大気と遮断されることで、接合金属溶融から接合高温下の金属酸化を抑制することができ、良好な接合品質を得ることができる。なお、加熱雰囲気を大気の代わりに窒素にして接合中の金属酸化を回避する方法もあるが、樹脂が接合部を覆い無酸素状態が確保されれば、敢えて、窒素インフラ（高価設備）や窒素費用を投入する必要性はない。また、前記した補強用樹脂シート１０に活性化成分（酸化防止剤）が入っている場合には、この活性化機能で酸化物を除去して良好な接合性を回復することが可能となる。
【００４０】
そして最後に、積層したインターポーザー２をオーブンなどに入れ、例えば１２０℃〜２００℃の雰囲気中で軟化した補強用樹脂シート１０を硬化させる。すると、図１０に示すように、層間接続端子８、８の接合部を含む一方の層間接続端子８を覆って補強用樹脂層９が形成される。この補強用樹脂層９が接合部を覆って設けられることで、インターポーザー２の層間接続が機械的に増強されると共に電気的接続が安定確保される。また、インターポーザー２間の層間隙間が適正且つ安定になる。
【００４１】
以上の工程を経て製造されることにより、積層モジュールとされた半導体集積回路装置の製造品質が向上すると共に、この半導体集積回路装置を搭載した商品の市場環境下（温度環境、落下衝撃、振動など）のストレスに対する商品の信頼性を向上させることができる。
【００４２】
「その他の実施の形態」
上述した実施の形態は、層間接続端子８の接合部及び一方の層間接続端子８を覆って補強用樹脂層９を形成したが、図１１に示すように、両方の層間接続端子８、８を覆って補強用樹脂層９を形成するようにしてもよい。
【００４３】
この他、図１の半導体集積回路装置では、各インターポーザー２に形成した層間接続端子８を球形状としたが、図１２に示すように、層間接続端子８を円柱形状としても構わない。円柱形状の層間接続端子８としては、例えば銅や４２アロイなどが使用できる。
【００４４】
以上、本発明を適用した具体的な実施の形態について説明したが、本発明は、上述の実施の形態に制限されることなく種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、半導体チップや電子部品が実装されたインターポーザーを、所定の隙間を空けて複数段に積層してなる半導体集積回路装置の積層技術に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施の形態の半導体集積回路装置の一例を示す断面図である。
【図２】本実施の形態の半導体集積回路装置で使用される層間接続端子を示す断面図であり、（ａ）は高融点導電性金属の表面にハンダを被覆した層間接続端子、（ｂ）は耐熱樹脂または高融点非導電性金属の表面に導電性金属及びハンダを被覆した層間接続端子を示す。
【図３】補強用樹脂層を形成せずに層間接続端子同士を導通接続した場合に、熱ストレスや機械的ストレスが発生し、層間接続端子の接合部に集中応力が掛かる様子を示す要部拡大断面図である。
【図４】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、層間接続ランド及び外部端子をインターポーザーに形成する工程を示す。
【図５】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、層間接続ランド上に層間接続端子を実装接合する工程を示す。
【図６】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、層間接続端子上に補強用樹脂シートを載せる工程を示す。
【図７】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、層間接続端子上に補強用樹脂ペーストを供給する工程を示す。
【図８】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、インターポーザーを積層する工程を示す。
【図９】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、補強用樹脂シートを軟化させて層間接続端子の接合部及び一方の層間接続端子を補強用樹脂で被覆する工程を示す。
【図１０】本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す工程図であり、補強用樹脂を硬化させて補強用樹脂層を形成する工程を示す。
【図１１】本実施の形態の半導体集積回路装置の他の例を示す断面図であり、層間接続端子全体を補強用樹脂層で被覆した一例を示す。
【図１２】本実施の形態の半導体集積回路装置の他の例を示す断面図であり、円柱形の層間接続端子を使用した一例を示す。
【図１３】従来の半導体集積回路装置の一例を示す断面図である。
【図１４】従来の半導体集積回路装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１５】従来の半導体集積回路装置のさらに他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…基板
２…インターポーザー
３…層間接続ランド
６…半導体チップ
７…電子部品
８…層間接続端子
８ａ…高融点導電性金属
８ｂ…ハンダ
８ｃ…耐熱樹脂または高融点非導電性金属
８ｄ…導電性金属
９…補強用樹脂層
１０…補強用樹脂シート
【図１】
2005051146.tif 000003
【図２】
2005051146.tif 000004
【図３】
2005051146.tif 000005
【図４】
2005051146.tif 000006
【図５】
2005051146.tif 000007
【図６】
2005051146.tif 000008
【図７】
2005051146.tif 000009
【図８】
2005051146.tif 000010
【図９】
2005051146.tif 000011
【図１０】
2005051146.tif 000012
【図１１】
2005051146.tif 000013
【図１２】
2005051146.tif 000014
【図１３】
2005051146.tif 000015
【図１４】
2005051146.tif 000016
【図１５】
2005051146.tif 000017