(57)【要約】【課題】複数のマスターマスクからマスクを作成する場合に、マスターマスク全体のパターン描画時間を短縮する。【解決手段】各マスターマスクを描画する際にそれぞれ、複数のパターン投影装置１０ａ、１０ｂ、および１０ｃを用いて同時並列描画を行う。【選択図】        図３
2005010430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元配列の光制御素子を有するパターン投影装置を複数台一括に用いて複数枚のマスターマスク基板にパターン描画して複数枚のマスターマスクを作成し、
縮小投影光学系を用いて前記複数枚のマスターマスクを縮小投影することによってマスク基板にパターン描画を行いマスクを作成することを特徴とするマスク作成方法。
【請求項２】
前記パターン投影装置における二次元配列状の前記光制御素子として、複数のマイクロミラーが二次元配列されて成るデジタルマイクロミラーデバイスを用いると共に、
前記デジタルマイクロミラーデバイスにおける前記複数のマイクロミラーで反射するレーザ光をそれぞれ、前記パターン投影装置に設けた、複数のマイクロレンズが該複数のマイクロミラーに対応するように二次元配列されて成るマイクロレンズアレイの該複数のマイクロレンズに通す請求項１に記載のマスク作成方法。
【請求項３】
前記パターン投影装置によるミラーデバイス投影領域を、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置する請求項１または２に記載のマスク作成方法。
【請求項４】
前記複数のパターン投影装置による各ミラーデバイス投影領域を、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置する請求項１乃至３のいずれかに記載のマスク作成方法。
【請求項５】
複数枚のマスターマスク基板を連続して一方向ステージ上に載置し、各マスターマスク基板を一括に当該一方向に搬送し、先のマスターマスク基板に対する描画が終了した前記パターン投影装置で次のマスターマスク基板に対する描画をインターバルを置かずに連続的に行う請求項１乃至４のいずれかに記載のマスク作成方法。
【請求項６】
複数枚のマスターマスク基板のそれぞれに対して複数台ずつ前記複数のパターン投影装置を用い、
複数枚のマスターマスク基板を同一のＸＹステージ上に載置し、各マスターマスク基板を一括にＹ方向にスキャンし、かつ、各マスターマスク基板を一括にＸ方向にステップすることで、各マスターマスク基板の全面を描画して複数枚のマスターマスクを一括に作成する請求項１乃至４のいずれかに記載のマスク作成方法。
【請求項７】
前記縮小投影光学系を構成する複数のレンズのうちの最も該基板マスクに近いレンズと該マスク基板との間を液体で満たす請求項１乃至６のいずれかに記載のマスク作成方法。
【請求項８】
複数枚のマスターマスクによる各パターンを繋ぎ合わせるように前記縮小投影光学系によってマスク基板上で露光する際に、各マスターマスクにおける前記ミラーデバイス投影領域によって描画される画素から成るラインの最も端のラインを互いに共有するように露光する請求項１乃至７のいずれかに記載のマスク作成方法。
【請求項９】
一括に用いて複数枚のマスターマスク基板にパターン描画して複数枚のマスターマスクを作成するための、二次元配列の光制御素子を有するパターン投影装置と、
前記複数枚のマスターマスクを縮小投影することによってマスク基板にパターン描画を行いマスクを作成するための縮小投影光学系とを有することを特徴とするマスク作成装置。
【請求項１０】
前記パターン投影装置は、二次元配列状の前記光制御素子として、複数のマイクロミラーが二次元配列されて成るデジタルマイクロミラーデバイスを有し、
前記パターン投影装置はさらに、前記デジタルマイクロミラーデバイスにおける前記複数のマイクロミラーで反射するレーザ光をそれぞれ通すように該複数のマイクロミラーに対応するように二次元配列された複数のマイクロレンズから成るマイクロレンズアレイを有する請求項９に記載のマスク作成装置。
【請求項１１】
前記パターン投影装置によるミラーデバイス投影領域は、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置される請求項９または１０に記載のマスク作成装置。
【請求項１２】
前記複数のパターン投影装置による各ミラーデバイス投影領域は、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置される請求項９乃至１１のいずれかに記載のマスク作成装置。
【請求項１３】
複数枚のマスターマスク基板を連続して載置し、各マスターマスク基板を一括に当該一方向に搬送するための一方向ステージを有し、
先のマスターマスク基板に対する描画が終了した前記パターン投影装置で次のマスターマスク基板に対する描画をインターバルを置かずに連続的に行う請求項９乃至１２のいずれかに記載のマスク作成装置。
【請求項１４】
複数枚のマスターマスク基板のそれぞれに対して複数台ずつ前記複数のパターン投影装置を有すると共に、
複数枚のマスターマスク基板を載置し、各マスターマスク基板を一括にＹ方向にスキャンし、かつ、各マスターマスク基板を一括にＸ方向にステップするための同一のＸＹステージを有し、
各マスターマスク基板の全面を描画することで複数枚のマスターマスクを一括に作成する請求項９乃至１２のいずれかに記載のマスク作成装置。
【請求項１５】
前記縮小投影光学系を構成する複数のレンズのうちの最も該基板マスクに近いレンズと該マスク基板との間を液体で満たされている請求項９乃至１４のいずれかに記載のマスク作成装置。
【請求項１６】
前記縮小投影光学系は、複数枚のマスターマスクによる各パターンを繋ぎ合わせるようにマスク基板上で露光する際に、各マスターマスクにおける前記ミラーデバイス投影領域によって描画される画素から成るラインの最も端のラインを互いに共有するように露光する請求項９乃至１５のいずれかに記載のマスク作成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造時の露光工程（リソグラフィ工程）で用いられるフォトマスク（あるいはレチクルとも呼ばれるが、ここでは、以下、マスクと呼ぶ。）の作成方法および作成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造時に用いられるマスクを作成するには、マスクの基板となる石英板などの表面に、目的とする回路パターンに相当するパターン状に露光光を遮光するクロム膜などを付ける必要がある。このクロム膜などは、パターン露光によって形成され、そのパターン状に描画して露光する一般的な手法は、電子ビームを用いた電子ビーム描画である。これは電子ビーム直接描画と呼ばれるように、細く絞った電子ビームをパターンに沿って描画するものであり、装置としては通常ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）描画装置と呼ばれている。
【０００３】
マスク製造における課題としては、半導体が年々高集積化および微細化していくため、マスクパターンの情報量が膨大になっていく。そのため、ＥＢ描画装置による描画時間は、マスク１枚当たり数十時間から数百時間にも達することから、描画速度の速い装置が強く望まれていた。
【０００４】
これに対して、マスク製造装置として、電子ビームではなく、紫外域のレーザ光（以下、紫外レーザ光と略す）を用いてパターン描画（即ち、レジストが塗布されたマスク基板に対して、パターン状に露光）する手法に基づくもの（レーザビーム描画装置と呼ばれることがある）も、製品化されている。その装置の構成として、例えば、微小なミラーを二次元配列状に多数並べた反射鏡表示素子（デジタルマイクロミラーなどと呼ばれるデバイス）を用いて、これに紫外レーザ光を照射し、反射光をパターン的に制御して、マスク基板上にパターン描画するものである。このレーザビーム描画装置では、回路パターンの中の一部のパターンを一括して露光できることから、ＥＢ描画装置に比べて処理速度が速い特徴がある。また、ＥＢ描画装置とは異なり、描画エリアを真空にする必要もないため、装置構造が単純化でき、装置価格を低くできる特徴がある。尚、これに関しては、例えば、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００１年７月号、第１４０〜１４２頁において示されている。
【０００５】
一方、年々微細化していくマスクパターンの要求に対応させるために、縮小投影光学系によって、マスクパターンを縮小させたものをマスクとして露光に用いる方法が提案されている。これはフォトマスクリピータと呼ばれるものであり、最初のマスクはマスターマスクと呼ばれることがある。これによると、通常の露光機では縮小倍率が１／４であるため、マスクパターンを１／４に微細化できる。また、逆に、マスターマスクのパターン線幅を大きくできるため、要求される描画精度を低くできる特微かある。フォトマスクリピータに関しては、例えば、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ４１８６，  ｐｐ．  ３４−４５、あるいは、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ４５６２，  ｐｐ．  ５２２−５２９において示されている。
【０００６】
【非特許文献１】
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００１年７月号、第１４０〜１４２頁
【０００７】
【非特許文献２】
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ４１８６，  ｐｐ．  ３４−４５
【０００８】
【非特許文献３】
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ４５６２，  ｐｐ．  ５２２−５２９
【０００９】
【非特許文献４】
ＳＥＭＩＣＯＮ  Ｊａｐａｎ  ２００２、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  ｐｒｏｇｒａｍｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ａｎｄ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、第３−１５〜３−１６
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフォトマスクリピータにおいては、マスターマスクの描画手法に関しては特に言及されていないが、通常のＥＢ描画装置を用いるならば、描画時間は従来と同様に長く掛かってしまう。即ち、複数枚のマスターマスク全てに関しては、これらを用いて作成するマスクと同等のデータ容量であるため、描画時間を短くすることはできないからである。
【００１１】
それ故、本発明の目的は、複数のマスターマスクからマスクを作成する場合に、マスターマスク全体のパターン描画時間を短縮させる方法と、そのための装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、二次元配列の光制御素子を有するパターン投影装置を複数台一括に用いて複数枚のマスターマスク基板にパターン描画して複数枚のマスターマスクを作成し、縮小投影光学系を用いて前記複数枚のマスターマスクを縮小投影することによってマスク基板にパターン描画を行いマスクを作成することを特徴とするマスク作成方法が得られる。
【００１３】
本発明によればまた、前記パターン投影装置における二次元配列状の前記光制御素子として、複数のマイクロミラーが二次元配列されて成るデジタルマイクロミラーデバイスを用いると共に、前記デジタルマイクロミラーデバイスにおける前記複数のマイクロミラーで反射するレーザ光をそれぞれ、前記パターン投影装置に設けた、複数のマイクロレンズが該複数のマイクロミラーに対応するように二次元配列されて成るマイクロレンズアレイの該複数のマイクロレンズに通す前記マスク作成方法が得られる。
【００１４】
本発明によればさらに、前記パターン投影装置によるミラーデバイス投影領域を、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置する前記マスク作成方法が得られる。
【００１５】
また、本発明によれば、前記複数のパターン投影装置による各ミラーデバイス投影領域を、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置する前記マスク作成方法が得られる。
【００１６】
さらに、本発明によれば、複数枚のマスターマスク基板を連続して一方向ステージ上に載置し、各マスターマスク基板を一括に当該一方向に搬送し、先のマスターマスク基板に対する描画が終了した前記パターン投影装置で次のマスターマスク基板に対する描画をインターバルを置かずに連続的に行う前記マスク作成方法が得られる。
【００１７】
本発明によればまた、複数枚のマスターマスク基板のそれぞれに対して複数台ずつ前記複数のパターン投影装置を用い、複数枚のマスターマスク基板を同一のＸＹステージ上に載置し、各マスターマスク基板を一括にＹ方向にスキャンし、かつ、各マスターマスク基板を一括にＸ方向にステップすることで、各マスターマスク基板の全面を描画して複数枚のマスターマスクを一括に作成する前記マスク作成方法が得られる。
【００１８】
本発明によればさらに、前記縮小投影光学系を構成する複数のレンズのうちの最も該基板マスクに近いレンズと該マスク基板との間を液体で満たす前記マスク作成方法が得られる。
【００１９】
また、本発明によれば、複数枚のマスターマスクによる各パターンを繋ぎ合わせるように前記縮小投影光学系によってマスク基板上で露光する際に、各マスターマスクにおける前記ミラーデバイス投影領域によって描画される画素から成るラインの最も端のラインを互いに共有するように露光する前記マスク作成方法が得られる。
【００２０】
さらに、本発明によれば、一括に用いて複数枚のマスターマスク基板にパターン描画して複数枚のマスターマスクを作成するための、二次元配列の光制御素子を有するパターン投影装置と、前記複数枚のマスターマスクを縮小投影することによってマスク基板にパターン描画を行いマスクを作成するための縮小投影光学系とを有することを特徴とするマスク作成装置が得られる。
【００２１】
本発明によればまた、前記パターン投影装置は、二次元配列状の前記光制御素子として、複数のマイクロミラーが二次元配列されて成るデジタルマイクロミラーデバイスを有し、前記パターン投影装置はさらに、前記デジタルマイクロミラーデバイスにおける前記複数のマイクロミラーで反射するレーザ光をそれぞれ通すように該複数のマイクロミラーに対応するように二次元配列された複数のマイクロレンズから成るマイクロレンズアレイを有する前記マスク作成装置が得られる。
【００２２】
本発明によればさらに、前記パターン投影装置によるミラーデバイス投影領域は、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置される前記マスク作成装置が得られる。
【００２３】
また、本発明によれば、前記複数のパターン投影装置による各ミラーデバイス投影領域は、マスターマスク基板上のスキャン方向に対して斜めに配置される前記マスク作成装置が得られる。
【００２４】
さらに、本発明によれば、複数枚のマスターマスク基板を連続して載置し、各マスターマスク基板を一括に当該一方向に搬送するための一方向ステージを有し、先のマスターマスク基板に対する描画が終了した前記パターン投影装置で次のマスターマスク基板に対する描画をインターバルを置かずに連続的に行う前記マスク作成装置が得られる。
【００２５】
本発明によればまた、複数枚のマスターマスク基板のそれぞれに対して複数台ずつ前記複数のパターン投影装置を有すると共に、複数枚のマスターマスク基板を載置し、各マスターマスク基板を一括にＹ方向にスキャンし、かつ、各マスターマスク基板を一括にＸ方向にステップするための同一のＸＹステージを有し、各マスターマスク基板の全面を描画することで複数枚のマスターマスクを一括に作成する前記マスク作成装置が得られる。
【００２６】
本発明によればさらに、前記縮小投影光学系を構成する複数のレンズのうちの最も該基板マスクに近いレンズと該マスク基板との間を液体で満たされている前記マスク作成装置が得られる。
【００２７】
また、本発明によれば、前記縮小投影光学系は、複数枚のマスターマスクによる各パターンを繋ぎ合わせるようにマスク基板上で露光する際に、各マスターマスクにおける前記ミラーデバイス投影領域によって描画される画素から成るラインの最も端のラインを互いに共有するように露光する前記マスク作成装置が得られる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２９】
図１は、本発明のマスク作成方法で用いられるパターン投影装置１０の構成図である。図１を参照して、パターン投影装置１０には、二次元配列状の光制御素子として、複数のマイクロミラーが二次元配列されて成るミラーデバイス６が用いられている。
【００３０】
ミラーデバイス６における各マイクロミラーから進むレーザ光Ｌ１は、マイクロレンズアレイ７を通ることで各ビームは集光され、ピンホール板８の穴に入る。ピンホール板８を出射するレーザ光Ｌ２は、レンズ９ａ、９ｂを通ることで、マスターマスク基板１上におけるミラーデバイス投影領域２のように、ドットの集合体としてパターン描画される。即ち、レンズ９ａおよび９ｂは投影光学系を構成しており、ピンホール板８における光学像をマスターマスク基板１上に投影するようになっている。
【００３１】
また、本発明では、ミラーデバイス投影領域２を、図２に示したように、マスターマスク基板１に対して、斜めに投影している。これによって、ミラーデバイス投影領域２を図中のスキャン方向にスキャンすることで、一度に多くの画素で描画できるようになり、スキャン幅を広くとれるようになる。
【００３２】
以上のように、パターン投影装置１０では、ミラーデバイス６におけるマイクロミラーでマスターマスク基板１に投影する際にマイクロレンズアレイ７で画素を縮小しているため、レンズ９ａ、９ｂで構成される投影光学系に関しては、特に高い縮小倍率は必要ない。したがって、パターン投影装置１０は直径４、５ｃｍと小型にでき、しかも１台１００万円前後と低価格で構成できる。
【００３３】
本発明のマスク作成方法には、図３に示したように、以上に説明したようなパターン投影装置１０ａ、１０ｂ、および１０ｃを複数台用いてマスターマスクを描画することが大きな特徴であり、これによって作成されるマスターマスク基板１１ａ、１１ｂ、および１１ｃを用いて、これらを縮小投影光学系１２によって、マスク基板１３に縮小投影することでマスクが描画される。このように、複数枚のマスターマスクを描画するために、ミラーデバイス等を用いたパターン投影装置を用いることが大きな特徴であり、パターン投影装置は小型で低価格に入手できるため、多数並べて、複数枚のマスターマスクを同時並列描画を行うことが可能になる。したがって、全てのマスターマスクの描画時間が長くなることはない。
【００３４】
例えば、マスターマスクのサイズがマスクの１６倍の場合は、図４に示したように、各マスターマスク基板２１に対して、パターン投影装置２０を３台づつ用いて同時並列描画を行うことが可能である。尚、図４は上から見た配置図である。この場合は、各マスターマスク基板２１が同一のＸＹステージ２２上に載せられており、各マスターマスク基板２１をＹ方向にスキャンする際にパターン投影装置２０によってスキャン幅だけ描画し、Ｘ方向にステップすることで、各マスターマスク基板２１の全面が描画される。
【００３５】
ところで、図３に示した本発明のマスク作成方法において、縮小投影光学系１２とマスク基板１３との間を純水等の液体で満たしてもよい。これによると、縮小投影光学系１２は液浸光学系と呼ばれる光学系となって、解像度が向上する。解像度は露光光の空気中の波長に対して、その波長における液体の屈折率で割った値の波長で露光するのと同程度に短波長化した効果がある。
【００３６】
尚、液浸光学系に関しては、半導体デバイスを露光する通常の露光被においては、解像度を上げるために、縮小投影光学装置における最もウエハに近いレンズと、ウエハとの間を純水で満たして、事実上の露光波長を短波長化する手法であり、例えば、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを光源とした露光装置（以下、ＡｒＦ露光機と呼ぶ。）に適用したものはＡｒＦ液浸光学系と呼ばれ、通常の半導体チップを露光するＡｒＦ露光機の解像度向上手法として知られており、例えば、ＳＥＭＩＣＯＮ  Ｊａｐａｎ  ２００２、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  ｐｒｏｇｒａｍｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ａｎｄ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、第３−１５〜３−１６において示されている。
【００３７】
ところが、液浸光学系を通常の露光機に適用する場合には以下の課題があった。即ち、ウエハの露光では、１つのチップを露光する度に、ウエハを移動させる必要があり、ウエハは高速で高精度のステージ上に載せられている。このステージは特に高速に移動できるように、通常エア浮上の機構になっている。ところが、液浸光学系を適用するには、このような高速ステージを耐水構造にする必要があり、これの実現が極めて困難であった。
【００３８】
これに対して、本発明のマスク描画方法では、マスターマスクを縮小投影光学系によって縮小投影させてマスクを描画するため、マスクのパターン描画時にマスク基板を高速に移動する必要はない。したがって、マスク基板をエア浮上の高速ステージ等に載せる必要がないことから、液浸光学系の適用が容易になる。
【００３９】
また、図５（ａ）に示したように、パターン投影装置３０を８台並べることで、マスターマスク基板３１を１回のスキャンで描画することが可能である。即ち、各パターン投影装置３０からのそれぞれのミラーデバイス投影領域を繋げることができるからである。ただし、図５（ａ）に示したように、マスターマスク基板３１の描画の度に、オーバースキャン３２の長さだけ、無駄にスキャンすることになる。そこで、図５（ｂ）に示したように、各マスターマスク３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅのように、連続的に一方向ステージ３３に載せて描画することで、実質的にオーバースキャン３２の発生による無駄な描画時間を１回だけに減らすことができる。
【００４０】
ところで、図３に示したように、各マスターマスクからのパターンをマスク基板１３上に繋げる際の繋ぎ合わせ露光に関しては、ミラーデバイス投影領域によって描画される画素のラインの最も端のラインを互いに共有するように露光するのが好ましい。
【００４１】
尚、本発明のように複数のマスターマスクからマスクを作成する場合に、マスクが完成した後、マスターマスクは保管しておいてもよいし、あるいは、次のマスクを作成するためにエッチングによってクロム等のパターン膜を除去して再利用してもよい。再利用することで、マスターマスクの製作費用を下げることが可能である。
【００４２】
また、マスターマスクを保管しておくことで、例えば、ペリクルガが利用できない電子ビーム露光装置（例えば、ＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅ−Ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ））用のマスクや、ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）用のマスクにおいて、除去不可能なパーティクルが着いた場合やダメージが生じた場合などに、マスクを直ぐに再製することが可能になる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、二次元配列状の光制御素子を用いたパターン投影装置は、瞬時に大量のパターンを発生できるため、パターン描画速度を高くできる。しかも、通常のＥＢとは異なり、小型化、低価格化が容易に行えるため、複数台並べて同時処理することが容易であることから、複数枚のマスターマスクにおける複数枚を同時に描画できる。したがって、マスターマスクの全てにおけるパターン描画時間を、１枚のマスターマスクのパターン描画時間と同じに短縮できる。
【００４４】
尚、通常のＥＢ描画装置は１台１５億円程度もすると言われており、これを複数台用いて複数枚のマスターマスクを一括して描画することは、金額的に極めて困難である。
【００４５】
また、二次元配列状の光制御素子として、特にデジタルマイクロミラーデバイスを用い、かつ、デジタルマイクロミラーデバイスにおける各マイクロミラーで反射するレーザ光をマイクロレンズアレイに通すことで、高縮小率を有する投影レンズが不用になるため、パターン投影装置を大幅に小型化、低価格化か可能になる。したがって、マスターマスクの枚数が多くなっても、マスターマスクの枚数分だけパターン投影装置を揃えることも金額的に容易であり、描画時間が長くなることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマスク作成方法で用いられるパターン投影装置の構成図である。
【図２】パターン投影装置によるパターン描画手法を示した説明図である。
【図３】本発明のマスク作成方法を示した説明図である。
【図４】本発明のマスク作成方法を示した説明図である。
【図５】本発明のマスク作成方法で用いられるパターン投影装置によるパターン描画の説明図である。
【符号の説明】
１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、２１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ    マスターマスク基板
２    ミラーデバイス投影領域
６    ミラーデバイス
７    マイクロレンズアレイ
８    ピンホール板
９ａ、９ｂ    レンズ
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、２０、３０    パターン投影装置
３３    一方向ステージ
Ｌ１、Ｌ２    レーザ光
【図１】
2005010430.tif 000003
【図２】
2005010430.tif 000004
【図３】
2005010430.tif 000005
【図４】
2005010430.tif 000006
【図５】
2005010430.tif 000007