(57)【要約】【課題】  工程を単純化することができる全面発光形有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、基板全面に形成されている第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜に形成される前記ソース／ドレーン電極のうち、一つを露出させるビアホールと、前記第２絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち、一つに連結される画素電極と、前記画素電極の下部に形成されている分離パターンと、第１絶縁膜上に全面的に形成され、前記分離パターンによって前記ビアホールと分離される光遮断膜とを備える。【選択図】  図５
2005056821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成され、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、
前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結され、少なくとも反射膜を備える画素電極と、
前記画素電極に対応する部分を除外した基板全面に形成される光遮断膜と、
を備える有機電界発光表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜は、透明絶縁物質と金属物質または、透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層から成っていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜は、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、カーボンブラックから成っていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜の上、下部にそれぞれ形成されている保護膜と平坦化膜をさらに含み、前記光遮断膜は、前記平坦化膜上に形成される画素電極とは独立的に保護膜上に全面形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項５】
絶縁基板上に形成され、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、
前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結され、少なくとも反射膜を備える下部電極と、有機薄膜層及び上部電極を含むＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子と薄膜トランジスターとの間に全面形成されている光遮断膜と、
を備える有機電界発光表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜は、透明絶縁物質と金属物質または、透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層から成っていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項７】
請求項５記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜は、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、カーボンブラックから成っていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項８】
請求項５記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜と薄膜トランジスターとの間に形成されている保護膜と、
前記光遮断膜とＥＬ素子の下部電極との間に形成されている平坦化膜とをさらに含み、
前記光遮断膜は、前記平坦化膜上に形成される下部電極とは独立的に保護膜上に全面形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の有機電界発光表示装置において、
前記保護膜、光遮断膜及び平坦化膜に形成されているホーム形態の分離パターンをさらに含み、
前記光遮断膜は、前記分離パターンによって下部電極とは分離されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
請求項５記載の有機電界発光表示装置において、
前記有機薄膜層から発光される光は、前記絶縁基板と反対方向に放出されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、
基板全面に形成されている第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜に形成されて前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールと、
前記第２絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通ってソース／ドレーン電極のうち一つに連結されている下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備えるＥＬ素子と、
前記下部電極の下部に形成されている分離パターンと、
第１絶縁膜上に全面的に形成され、前記分離パターンによって前記ビアホールと分離される光遮断膜と、
を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
前記分離パターンは、光遮断膜に形成されるかまたは、前記保護膜及び光遮断膜によって形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の有機電界発光表示装置において、
前記分離パターンは、ビアホール内に形成される下部電極と光遮断膜を分離させるためのホームパターンを有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の有機電界発光表示装置において、
前記分離パターンは、前記下部電極の下部に前記ビアホールを囲むように形成されているホームパターンであることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜は、透明絶縁物質と金属物質または、透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層から成っていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
前記光遮断膜は、Ｃｒ／ＣｒＯｘまた、カーボンブラックから成っていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
前記第１絶縁膜は保護膜であり、第２絶縁膜は平坦化膜であることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
前記有機薄膜層から発光される光は、前記絶縁基板とは反対方向に放出されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、
基板全面に形成されている保護膜と、
前記保護膜上に形成されている光遮断膜と、
前記保護膜及び光遮断膜に形成されているホーム形態の分離パターンと、
前記分離パターンと光遮断膜上に形成されている平坦化膜と、
前記保護膜、光遮断膜及び平坦化膜に形成されて前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールと、
前記平坦化膜上に形成されて前記ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、
前記下部電極上に形成されている有機薄膜層と、
前記有機薄膜層に形成されている上部電極とを含み、
前記分離パターンは、前記ビアホールを囲むように形成され、前記分離パターンによって前記光遮断膜と下部電極が電気的に絶縁されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、
基板全面に形成されている保護膜と、
前記保護膜上に形成されている光遮断膜と、
前記光遮断膜に形成されているホーム形態の分離パターンと、
前記分離パターンと光遮断膜上に形成されている平坦化膜と、
前記保護膜、光遮断膜及び平坦化膜に形成されて前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールと、
前記平坦化膜上に形成されて前記ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、
前記下部電極上に形成されている有機薄膜層と、
前記有機薄膜層上に形成されている上部電極とを含み、
前記分離パターンは、前記ビアホールを囲むように形成され、前記分離パターンによって前記光遮断膜と下部電極が電気的に絶縁されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板を提供する段階と、
基板全面に第１絶縁膜と光遮断膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜と光遮断膜を食刻して前記第１絶縁膜と光遮断膜にわたって分離パターンを形成すると同時に１次ビアホールを形成する段階と、
分離パターンとビアホールを含む第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する段階と、
１次ビアホールに対応される前記第２絶縁膜を食刻して前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させる２次ビアホールを形成する段階と、
前記２次ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板を提供する段階と、
基板全面に第１絶縁膜と光遮断膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜と光遮断膜を食刻して光遮断膜に分離パターンを形成すると同時に前記第１絶縁膜と光遮断膜に１次ビアホールを形成する段階と、
分離パターンとビアホールを含む第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する段階と、
１次ビアホールに対応される前記第２絶縁膜を食刻して前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させる２次ビアホールを形成する段階と、
前記２次ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置に関する。更に詳しく説明すると、ＴＦＴとＥＬ素子との間に独立的に光遮断膜を全面形成してコントラストを改選させた有機電界発光表示装置及びその製造方法（ＦＰＤ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ  ｔｈｅ  ｓａｍｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、通常のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）の平面構造を示す図で、Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素で構成されている一つの画素に限定して示したものである。図２は、従来の有機電界発光表示装置において、一つの単位画素に対する平面構造を示す図である。
【０００３】
図１及び図２を参照すると、従来のＡＭＯＬＥＤは、互いに絶縁されて一方向に配列されている多数のゲートライン１１０と、互いに絶縁されて前記ゲートライン１１０と交差する方向に配列されている多数のデータライン１２０と、互いに絶縁されて前記ゲートライン１１０と交差し前記データラインに平行するように配列されている多数の電源ライン１３０と、前記ゲートライン１１０及びデータライン１２０と電源ライン１３０によって形成される複数の画素領域１４０と、それぞれ画素領域１４０ごとに配列されて開口部１５５を有する複数の画素電極１５０を備える。
【０００４】
各画素領域１４０には、Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素が配列され、各単位画素は二つのトランジスター１６０、１８０、一つのキャパシター１７０及び前記画素電極１５０を有するＥＬ素子を備える。この時、図面符号１８９は前記駆動トランジスター１８０のドレーン電極１８５と画素電極１５０を連結するためのビアホールを示す。
【０００５】
二つのトランジスター１６０、１8０のうちスイッチングトランジスター１６０は、ソース／ドレーン領域を備えた半導体１６１と、前記ゲート１１０に連結されるゲート電極１６３及び前記半導体層１６１のソース／ドレーン領域（図示せず）にコンタクトホール１６４、１６６を通じてそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極１６５、１６７を備える。また、駆動トランジスター１８０は、ソース／ドレーン領域を備えている半導体層１８１と、ゲート電極１８３及び前記半導体層１８１のソース／ドレーン領域（図示せず）にコンタクトホール１８４、１８６を通じてそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極１８５、１８７を備える。
【０００６】
一方、キャパシター１７０は、前記駆動トランジスター１８０のゲート１８３及びコンタクトホール１６８を通じてスイッチングトランジスター１６０のドレーン１６７に連結される下部電極１７１と、駆動トランジスター１８０のソース１８５が連結される電源線１３０に連結される上部電極１７３を備える。前記画素電極１５０は、ビアホール１８９を通じて前記駆動トランジスター１８０のドレーン１８７に連結される。
【０００７】
図３は、従来の有機電界発光装置の断面構造を示す図として、図２で駆動トランジスター１８０及び画素電極１５０とキャパシター１７０に対応される部分に限定して示したものである。
【０００８】
図３を参照すると、絶縁基板２００上にバッファー層２１０が形成され、バッファー層２１０上にソース／ドレーン領域２２１、２２５を備えている半導体層２２０が形成され、ゲート絶縁膜２３０上にゲート電極２３１及びキャパシターの下部電極２３７が形成される。層間絶縁膜２４０上には、コンタクトホール２４１、２４５を通じて前記ソース／ドレーン領域２２１、２２５と連結されるソース／ドレーン電極２５１、２５５と前記ソース／ドレーン電極２５１、２５５のうちの一つ、例えばソース電極２５１に連結されるキャパシターの上部電極２５７が形成される。
【０００９】
基板全面に保護膜２６０と平坦化膜２６５が形成され、前記平坦化膜２６５上にビアホール２６９を通じて前記ソース／ドレーン電極２５１、２５５のうちの一つ、例えばドレーン電極２５５に連結される画素電極であるＥＬ素子の下部電極２７０が形成される。前記下部電極２７０を一部分露出させる画素分離層２７５が形成され、開口部２７９内の下部電極２７０上に有機発光層２８０が形成され、基板全面に上部電極２８５が形成された構造を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したような構造を有する従来の有機電界発光表示装置は、ポリシリコン膜ＴＦＴを採用し、トランジスター、キャパシター及び配線等の金属物質によって外部光が反射されてＥＬ素子が発光する時、コントラストを低下させる問題点があった。特に、外部光に対して露出が激しいモバイル用表示装置の場合には、外部光の高い反射率によるコントラスト低下が深刻な問題として台頭されている。このような外部光の反射によるコントラスト低下を防ぐために、従来は表示装置の全面に高価な偏光版を付着したが、これは高価な偏光版使用による製造原価の上昇を招くものだけではなく偏光版自体が有機電界発光層から放出される光を遮断するために透過度を低下させて輝度を低下させるという問題点があった。
【００１１】
一方、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、有機膜等でできているブラックマトリックスを、ＴＦＴとキャパシターが形成される領域に別途で形成させる方法があったが、このような方法はブラックマトリックスを形成するため別途のマスク工程が要求されて工程が複雑になる問題点があった。
【００１２】
また、ＡＭＯＬＥＤで、透明導電膜の透過度変形方法を利用してブラックマトリックスを形成する方法が第２００１−００７５０７５号に開始された。しかし、前記特許は、背面発光構造のＡＭＯＬＥＤで透明導電膜の透過度変形方法を利用してブラックマトリックスを形成することによって、外部光の反射によるコントラストは改選させることができたが、前面発光構造のＡＭＯＬＥＤでは外部光の反射を解決することができなかった。特に、前面発光形ＡＭＯＬＥＤの場合は、キャパシターの上部電極として使用され、ソース／ドレーン電極に使用される金属膜の反射率が特に問題とされている。
【００１３】
また、前面発光構造でＭＩＨＬを利用してブラックマトリックスを形成する場合は、ＭＩＨＬの金属物質によりブラックマトリックスが画素間分離されるように形成されなければならない。従って、ブラックマトリックスにより外部光を完全に遮断できないだけではなく、ブラックマトリックスが画素間に分離されるように追加のマスク工程が必要とされる問題点があった。
【００１４】
従って、本発明は前述のような従来技術の問題点を解決するものとして、外部光の反射率を最小化してコントラストが改選できる前面発光形有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００１５】
本発明の目的は、反射形画素電極が分離できるように基板全面に独立的に全面形成されて外部光を完全に遮断することのできる前面発光有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明のもう一つの目的は、追加マスク工程なしで光遮断膜を形成し、工程を単純化する前面発光形有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前述のような目的を達成するために、本発明は絶縁基板上に形成され、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結され、少なくとも反射膜を備える画素電極と、前記画素電極に対応する部分を除外した基板全面に形成される光遮断膜を備える有機電界発光表示装置とを提供する。
【００１８】
また、本発明は、絶縁基板上に形成され、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結され、少なくとも反射膜を備える下部電極、有機薄膜層及び上部電極を含むＥＬ素子と、前記ＥＬ素子と薄膜トランジスターとの間に全面形成された光遮断膜を備える有機電界発光表示装置を提供する。
【００１９】
また、本発明は、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、基板全面に形成されている第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜に形成されて前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールと、前記第２絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備えるＥＬ素子と、前記下部電極の下部に形成されているホーム形態の分離パターンと、第１絶縁膜上に全面的に形成され、前記分離パターンにより前記ビアホールと分離される光遮断膜とを備える有機電界発光表示装置を提供する。
【００２０】
前記分離パターンは、光遮断膜に形成されるかまたは、保護膜及び光遮断膜にわたって形成され、前記ビアホールを囲むように形成されたホームパターンを備える。前記光遮断膜は、透明絶縁物質と金属物質または、透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層または、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、カーボンブラックから成っている。前記第１絶縁膜は保護膜であり、第２絶縁膜は平坦化膜である。
【００２１】
また、本発明は、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、基板全面に形成されている保護膜と、前記保護膜上に形成されている光遮断膜と、前記保護膜及び光遮断膜に形成されているホーム形態の分離パターンと、前記分離パターンと光遮断膜上に形成されている平坦化膜と、前記保護膜、光遮断膜及び平坦化膜に形成されて前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールと、前記平坦化膜上に形成されて前記ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、前記下部電極上に形成されている有機薄膜層と、前記有機薄膜層上に形成されている上部電極とを含み、前記分離パターンは前記ビアホールを囲むように形成され、前記分離パターンにより前記光遮断膜と下部電極が電気的に絶縁される有機電界発光表示装置を提供する。
【００２２】
また、本発明は、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板と、基板全面に形成されている保護膜と、前記保護膜上に形成されている光遮断膜と、前記光遮断膜に形成されているホーム形態の分離パターンと、前記分離パターンと光遮断膜上に形成されている平坦化膜と、前記保護膜、光遮断膜及び平坦化膜に形成されて前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールと、前記平坦化膜上に形成されて前記ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、前記下部電極上に形成されている有機薄膜層と、前記有機薄膜層上に形成されている上部電極とを含み、前記分離パターンは前記ビアホールを囲むように形成され、前記分離パターンにより前記光遮断膜と下部電極が電気的に絶縁される有機電界発光装置を提供する。
【００２３】
また、本発明は、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板を提供する段階と、基板全面に第１絶縁膜と光遮断膜を形成する段階と、前記第１絶縁膜と光遮断膜を食刻して前記第１絶縁膜と光遮断膜にわたって分離パターンを形成すると同時に１次ビアホールを形成する段階と、分離パターンとビアホールを含む第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する段階と、１次ビアホールに対応される前記第２絶縁膜を食刻して、前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させる２次ビアホールを形成する段階と、前記２次ビアホールを通ってソース／ドレーン電極のうち一つに連結される画素電極を形成する段階とを含む平板表示装置の製造方法を提供する。
【００２４】
また、本発明は、少なくともソース／ドレーン電極を備える薄膜トランジスターが形成されている絶縁基板を提供する段階と、基板全面に第１絶縁膜と光遮断膜を形成する段階と、前記第１絶縁膜と光遮断膜を食刻して光遮断膜に分離パターンを形成すると同時に前記第１絶縁膜と光遮断膜に１次ビアホールを形成する段階と、分離パターンとビアホールを含む第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する段階と、１次ビアホールに対応される前記第２絶縁膜を食刻して前記ソース／ドレーン電極のうち一つを露出させる２次ビアホールを形成する段階と、前記２次ビアホールを通って前記ソース／ドレーン電極のうち一つに連結される画素電極を形成する段階とを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
前述したように本発明の実施例によると、光遮断膜を保護膜と平坦化膜上に全面的に形成されることで、外部光を完全に遮断することができるメリットがある。また、保護膜と平坦化膜にビアホールを形成する時、分離パターンを形成して画素電極と光遮断膜との間のショット発生を防ぐことでき、追加のマスク工程を必要としない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施例を添付されている図面を参照して説明すると次のようである。
図４は、本発明の実施例による有機電界発光表示装置の概略的な平面構造を示す図として、Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素に局限させて示したものである。
図４を参照すると、本発明の実施例によるＡＭＯＬＥＤは、互いに絶縁されて一方向に配列される多数のゲートライン３１０と、互いに絶縁されて前記ゲートライン３１０と交差する方向に配列される多数のデータライン３２０と、互いに絶縁されて前記ゲートライン３１０と交差し、前記データライン３２０と平行に配列される多数の電源ライン３３０と、前記ゲートライン３１０及びデータライン３２０と電源ライン３３０によって形成される複数の画素領域３４０と、それぞれ画素領域３４０ごと配列されて開口部３５５を有する複数の画素電極３５０を備える。
【００２７】
各画素領域３４０には、Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素が配列され、各単位画素は図２に示されたように二つのトランジスター、一つのキャパシター及び前記画素電極を備えたＥＬ素子で構成されるかまたは、多様な形態で構成されることもある。前記画素電極３５０は、Ａｌ、Ｔｉのような高い反射率を有する反射膜とＩＴＯのような透明導電膜を含む積層膜で形成される。このとき、図面符号３８９は、駆動トランジスターと前記画素電極３５０を連結するためのビアホールを示す。
【００２８】
本発明の実施例では、基板全面に全面形成されている光遮断膜３６０をさらに含む。前記光遮断膜３６０は、各画素領域３４０に形成される反射膜を備える下部電極に対応される部分を除外した基板全面に形成されるので、外部光を完全に遮断させる。即ち、前記光遮断膜３６０は、平坦化膜下部に前記平坦化膜に形成されるビアホールと分離されて基板全面に形成され、反射膜を備えた画素電極３５０は、ビアホールを含む平坦化膜上に形成されるので、外部光が完璧に遮断できる。
【００２９】
図５は、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の断面構造を示す図として、キャパシターと一つのトランジスター及び前記トランジスターに連結されるＥＬ素子に限定して示したものである。
【００３０】
図５を参照すると、絶縁基板４００上にバッファー層４１０が形成され、前記バッファー層４１０上にソース／ドレーン領域４２１、４２５を備えた半導体層４２０が形成され、ゲート絶縁膜４３０上にゲート電極４３１及びキャパシターの下部電極４３７が形成される。層間絶縁膜４４０上には、コンタクトホール４４１、４４５を通って前記ソース／ドレーン領域４２１、４２５と連結されるソース／ドレーン電極４５１、４５５と前記ソース／ドレーン電極４５１、４５５のうち一つ、例えばソース電極４５１に連結されるキャパシターの上部電極４５７が形成される。
【００３１】
基板全面に保護膜４６０が形成され、保護膜４６０上に光遮断膜４９０が形成され、光遮断膜４９０上に平坦化膜４６５が形成される。前記保護膜４６０及び光遮断膜４９０と平坦化膜４６５に前記ソース／ドレーン電極４５１、４５５のうち一つ、例えば、ドレーン電極４５５を露出させるビアホール４６９が形成され、前記保護膜４６０と光遮断膜４９０には、前記ビアホール４６９と前記光遮断膜４９０を分離させるための分離パターン４６７が形成される。
【００３２】
前記平坦化膜４６５上にビアホール４６９を通って前記ドレーン電極４５５と連結されるＥＬ素子の画素電極である下部電極４７０を形成する。前記下部電極４７０上に前記下部電極４７０を一部分露出させる画素分離層４７５が形成され、開口部４７９内の下部電極４７０上に有機発光層４８０が形成され、基板全面に上部電極４８５が形成されている構造を有する。
【００３３】
この場合、光遮断膜４９０は、透明物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層（ＭＩＨＬ、ｍｅｔａｌ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｈｙｂｒｉｄ  ｌａｙｅｒ）または、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、カーボンブラックのような有機絶縁膜が使用される。前記薄膜層は、窒化膜または、酸化膜のような透明絶縁物質と金属物質の濃度勾配を有するＭＩＨＬ層または、ＩＴＯのような透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有するＭＩＨＬ層からなり、前記薄膜層は保護膜４６０に隣接するほど金属物質の濃度が増加し、平坦化膜４６５に隣接するほど透明物質の濃度が増加するように形成される。
【００３４】
分離パターン４６７は、光遮断膜４９０と保護膜４６０にわたってホーム形態に形成され前記平坦化膜４６５が満たされるので、光遮断膜４９０が導電性物質からなる場合にも前記光遮断膜４９０が前記分離パターン４６７によってビアホール４６９と分離される。結果的に、光遮断膜４９０は、ビアホール４６９に形成される画素電極、即ち、下部電極４７０と分離パターン４６７により分離されるので、光遮断膜４９０が基板全面に形成されるにしても画素電極４７０とのショットは防げられる。
【００３５】
従って、本発明の一実施例では、前記分離パターン４６９を除外した基板全面に光遮断膜４９０が形成され、前記分離パターン４６９上部には反射膜を備えた画素電極４７０が形成されるので、基板全面にわたって外部光をすべて遮断することができる。
【００３６】
図６は、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の断面構造を示す図として、キャパシターと一つのトランジスター及び前記トランジスターに連結されるＥＬ素子に限定して示したものである。
【００３７】
図６を参照すると、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置は、ビアホールと光遮断膜を分離させるための分離パターン４６７が光遮断膜４９０に形成されるということだけが異なり、光遮断膜４９０の基板上に全面形成するということによる効果は、一実施例と同一である。
【００３８】
図７、図８、図９及び図１０は、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造工程のうち、ソース／ドレーン電極を形成する工程までは通常的な有機電界発光表示装置の製造工程と同一であるため、保護膜を形成する工程から説明することにする。
【００３９】
図７を参照すると、絶縁基板５００の層間絶縁膜５１０上にソース／ドレーン電極５２０を形成したあと、保護膜５３０と光遮断膜５４０を順に形成し、ビアホール及び分離パターンが形成される部分の光遮断膜５４０が露出されるように感光膜パターン５５０を形成する。
【００４０】
前記光遮断膜５４０としては、ＭＩＨＬ層、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、カーボンブッラク等が使用される。ＭＩＨＬ層として光遮断膜５４０を形成する場合には、酸化膜または、窒化膜のような透明絶縁物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層または、ＩＴＯ、ＩＺＯ等のような透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層が使用される。
【００４１】
図８を参照すると、前記感光膜パターン５５０をマスクにして露出されている光遮断膜５４０を食刻して前記ソース／ドレーン電極５２０を露出させるビアホール５６１を１次で形成すると同時に光遮断膜５４０と保護膜５３０にわたって分離パターン５６５を形成する。前記感光膜パターン５５０を除去する。
【００４２】
図９を参照すると、基板全面に平坦化膜５７０を形成した後、前記１次で形成されているビアホール５６１に対応する平坦化膜５７０を露出させる感光膜パターン５５５を形成する。
【００４３】
図１０を参照すると、前記感光膜パターン５５５をマスクにして前記露出されている平坦化膜５７０を食刻して最終的に前記ソース／ドレーン電極５２０を露出させるビアホール５７１を保護膜５３０、光遮断膜５４０及び平坦化膜５７０にわたって形成する。前記感光膜パターン５５５を除去した後、前記ビアホール５７１を通って前記ソース／ドレーン電極５２０に連結される下部電極５８０を形成する。
【００４４】
前記のように光遮断膜５４０が基板全面に形成される場合に、分離パターンがないと下部電極５８０と光遮断膜５４０がビアホール５７１を通って電気的に連結されてショットを誘発するようになるが、本発明では分離パターン５６５によってビアホール５７１と光遮断膜４９０が互いに分離されて結果的に下部電極と光遮断膜とのショットは発生しない。
【００４５】
また、本発明の一実施例では、保護膜５３０と平坦化膜５４０にビアホール４６１を形成する時、分離パターン４６５を形成させることで、追加のマスク工程は必要としない。平坦化膜を使用する前面発光形有機電界発光表示装置の場合、ＴＦＴが形成される基板５００、すなわちＴＦＴ基板の段差を克服するため保護膜５３０上に平坦化膜を形成し、前記ＴＦＴ基板と袋紙基板（図示せず）との接着力を向上させるためＴＦＴ基板と袋紙基板が接着されるシーリング部では平坦化膜を除去する。従って、平坦化膜を使用する場合、ビアホールを形成するためのマスク工程とシーリング部に対応する平坦化膜を除去するためのマスク工程が２回実施される。
【００４６】
それで、本発明では、保護膜にビアホールを形成する工程で光遮断膜と保護膜を食刻して、１次ビアホールと分離パターンを形成させた後、シーリングの平坦化膜を除去する工程で、前記形成されているビアホールが露出されるように平坦化膜を食刻することで、分離パターンを形成するための追加のマスク工程は必要としない。
【００４７】
図１１、図１２、図１３、及び図１４は、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造工程のうち、ソース／ドレーン電極を形成する工程までは通常的な有機電界発光表示装置の製造工程と同一であるため、保護膜を形成する工程から説明をする。
【００４８】
図１１を参照すると、絶縁基板６００の層間絶縁膜６１０上にソース／ドレーン電極６２０を形成した後、保護膜６３０と光遮断膜６４０を順に形成し、前記光遮断膜６４０上に感光膜パターン６５０を形成する。この時、ビアホールが形成される部分には透過パターン６９５が形成され分離パターンが形成される部分には反透過パターン６９３が形成され、残り部分に遮断パターン６９１が形成されているハーフトーンマスク６９０を利用してビアホールが形成される部分の光遮断膜６４０が露出され、分離パターンが形成される部分が他の部分と比べて薄い厚さを有する感光膜パターン６５０を形成する。
【００４９】
前記光遮断膜６４０としては、ＭＩＨＬ層、Ｃｒ／ＣｒＯｘまたは、カーボンブラックなどが使われる。ＭＩＨＬ層で光遮断膜６４０を形成する場合には、酸化膜または、窒化膜のような透明絶縁物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層または、ＩＴＯ、ＩＺＯなどのような透明導電物質と金属物質の濃度勾配を有する薄膜層が使われる。
【００５０】
図１２を参照すると、前記感光膜パターン６５０をマスクにして露出されている光遮断膜６４０を食刻して前記ソース／ドレーン電極６２０を露出させるビアホール６６１を光遮断膜６４０と保護膜６３０にわたって１次で形成すると同時に光遮断膜６４０に分離パターン６６５を形成する。前記感光膜パターン６５０を除去する。
【００５１】
図１３を参照すると、基板全面に平坦化膜６７０を形成した後、前記１次で形成されているビアホール６６１に対応する平坦化膜６７０を露出させる感光膜パターン６６５を形成する。
【００５２】
図１４を参照すると、前記感光膜パターン６６５をマスクにして前記露出されている平坦化膜６７０を食刻して最終的に前記ソース／ドレーン電極６２０を露出させるビアホール６６１を保護膜６３０、光遮断膜６４０及び平坦化膜６７０にわたって形成する。前記感光膜パターン６５５を除去した後、前記ビアホール６７１を通って前記ソース／ドレーン電極６２０に連結される下部電極６８０を形成する。
【００５３】
他の実施例によると、光遮断膜６４０に形成されている分離パターンによりビアホール６７１と光遮断膜６９０とが互いに分離されて下部電極と光遮断膜とのショットは発生しない。また、ビアホールを形成する時、分離パターンを形成させることで、追加のマスク工程を排除することができる。
【００５４】
図１５及び図１６は、本発明の実施例による光遮断膜と分離パターンとの関係を示す図である。
図１５及び図１６を参照すると、光遮断膜７６０が基板全面にビアホールを除外した画素領域８４０にホーム形態で形成されるか、またはビアホール７８９を囲むホーム形態で形成される。前述したような分離パターン以外に光遮断膜とビアホールとを分離させることができる構造は、すべて適用可能である。
【００５５】
前述では、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、前記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させられることが理解できるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来の有機電界発光表示装置を示す平面図である。
【図２】従来の有機電界発光表示装置において、一つの単位画素を示す平面図である。
【図３】従来の有機電界発光表示装置において、一つの単位画素を示す断面構造図である。
【図４】本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置を示す断面構造図である。
【図６】本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置を示す断面構造図である。
【図７】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１１】本発明の他の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１２】本発明の他の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１３】本発明の他の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１４】本発明の他の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１５】本発明の有機電界発光表示装置において、光遮断膜の形成例を示す図である。
【図１６】本発明の有機電界発光表示装置において、光遮断膜の形成例を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
３１０    ゲートライン
３２０    データライン
３３０    電源ライン
３４０    画素領域
３５０    画素電極
３５５、４７９    開口部
３６０、４９０    光遮断膜
４００    絶縁基板
４１０    バッファー層
４２０    半導体層
４２１、４２５    ソース/ドレーン電極
４３０    ゲート絶縁層
４３１    ゲート電極
４３７、４７０    下部電極
４５１    ソース電極
４５５    ドレーン電極
４６０    保護膜
４６５    平坦化膜
４６９    ビアホール
４８０    有機発光層
４８５    上部電極
【図１】
2005056821.tif 000003
【図２】
2005056821.tif 000004
【図３】
2005056821.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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