(57)【要約】      （修正有）【課題】  メモリカードの信頼度と使用寿命を増し、且つ製造に便利な小型メモリカードの提供。【解決手段】  第１基板２０、ヒートシンク、第２基板２４、少なくとも一つの上層メモリチップ２６、少なくとも一つの下層メモリチップ２８、及び封止樹脂層３０を具え、第１基板と第２基板に複数の貫通孔が設けられ、該複数の貫通孔内に金属が充填され、該ヒートシンクが第１基板と第２基板の間に設置され、並びに複数の貫通孔内の金属と接触し、該上層メモリチップ２６及び該下層メモリチップ２８がそれぞれ第１基板及び第２基板に設置され、該上、下層メモリチップ２８の熱量が複数の貫通孔内の金属を介してヒートシンクに伝えられ、該ヒートシンクにより熱量が放出される。【選択図】図４
2005166891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置内に取り付けられる小型メモリカードであり、該小型メモリカードは、第１基板、ヒートシンク、第２基板、少なくとも一つの上層メモリチップ、少なくとも一つの下層メモリチップ、封止樹脂層を具え、
該第１基板は、上表面と下表面を具え、該上表面に複数の接点、該接点に電気的に接続された複数のゴールドフィンガー、及び該上表面から該下表面に貫通する複数の貫通孔が設けられ、該貫通孔内に金属が充填され、
該ヒートシンクは上表面と下表面を具え、該ヒートシンクの上表面が第１基板の下表面に設置され、且つ該第１基板の複数の貫通孔内の金属と接触し、
該第２基板は、上表面と下表面を具え、該下表面に複数の接点、及び、該第２基板の上表面から下表面に貫通する複数の貫通孔が設けられ、該第２基板の貫通孔に金属が充填され、該第２基板の上表面が該ヒートシンクの下表面に設けられ、且つ第２基板の貫通孔内の金属が該ヒートシンクと接触し、
該少なくとも一つの上層メモリチップは、該第１基板の上表面に設置され、フリップチップ方式で該第１基板の接点と電気的に接続され、
該少なくとも一つの下層メモリチップは第２基板の下表面に設置され、フリップチップ方式で第２基板の接点と電気的に接続され、
該封止樹脂層は、第１基板の上表面と第２基板の下表面に設けられて、少なくとも一つの上層メモリチップを同時に被覆し、及び少なくとも一つの下層メモリチップを同時に被覆することを特徴とする、小型メモリカード。
【請求項２】
請求項１記載の小型メモリカードにおいて、第１基板の複数の貫通孔内の金属、及び第２基板の複数の貫通孔内の金属が銅とされたことを特徴とする、小型メモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の小型メモリカードに係り、特に、高い放熱機能を具えてその信頼度と使用寿命が増された小型メモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のメモリカードの製造方法は、一般に、先ずチップをパッケージして単一集積回路を形成し、その後、表面実装技術（ＳＭＴ）により、集積回路をプリント基板上にはんだ付けし、集積回路はメモリ、例えばフラッシュメモリ等のアクティブ素子とされる。プリント基板にはコンピュータに保留されたスロットに挿入するためのゴールドフィンガーがあるほか、コンデンサ、インダクタ、抵抗等のパッシブ素子がありうる。
【０００３】
図１は周知のメモリカードの側面図である。ゴールドフィンガー１５はコンピュータのスロットに挿入される。モジュールカードにはアクティブ素子とパッシブ素子（図示せず）があり、アクティブ素子は通常パッケージされて集積回路１１とされ、集積回路１１内部にチップ１２がパッケージされ、このチップ１２はメモリチップ、例えばフラッシュメモリでありうる。集積回路１１のピン１３は、表面実装技術によりメモリカードの回路基板１４にはんだ付けされ、回路基板１４にはピン１３との接続に供されるソルダポイント１７が設けられている。
【０００４】
周知の方法には以下のような欠点がある。
１．先ずチップ１２をパッケージしてから回路基板１４にはんだ付けするため、工程が煩瑣であり、この方法によると、パッケージと製造コストが増す。
２．一般にメモリカードの集積回路は通常一つだけではなく、数個がある場合があり、このため、モジュールカードを製作する時、一つずつ集積回路１１を回路基板１４にはんだ付けしなければならない。
３．表面実装技術（ＳＭＴ）を利用して回路基板１４にはんだ付けするコストは高く、更に炉に入れなければならず、ＳＭＴの設備コストが多くかかる。
４．メモリカードは一つずつ製造され、バッチ製造されず、ゆえに生産効率が低い。
５．集積回路１１の有効な放熱が行なえず、このため信頼度と使用寿命に影響が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上を鑑み、本発明は製造上、従来の技術よりも便利で、且つ信頼度と使用寿命を効果的に高めることのできる小型メモリカードの構造を提供するものである。
【０００６】
本発明の主要な目的は、一種の小型メモリカードを提供することにあり、それは、製造に便利な効果を有して、生産コストを下げるのに有効であるものとする。
【０００７】
本発明の次の目的は、一種の小型メモリカードを提供することにあり、それは、放熱効果を高める機能を具え、その信頼度と使用寿命の延長を達成するものとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、電子装置内に取り付けられる小型メモリカードであり、該小型メモリカードは、第１基板、ヒートシンク、第２基板、少なくとも一つの上層メモリチップ、少なくとも一つの下層メモリチップ、封止樹脂層を具え、
該第１基板は、上表面と下表面を具え、該上表面に複数の接点、該接点に電気的に接続された複数のゴールドフィンガー、及び該上表面から該下表面に貫通する複数の貫通孔が設けられ、該貫通孔内に金属が充填され、
該ヒートシンクは上表面と下表面を具え、該ヒートシンクの上表面が第１基板の下表面に設置され、且つ該第１基板の複数の貫通孔内の金属と接触し、
該第２基板は、上表面と下表面を具え、該下表面に複数の接点、及び、該第２基板の上表面から下表面に貫通する複数の貫通孔が設けられ、該第２基板の貫通孔に金属が充填され、該第２基板の上表面が該ヒートシンクの下表面に設けられ、且つ第２基板の貫通孔内の金属が該ヒートシンクと接触し、
該少なくとも一つの上層メモリチップは、該第１基板の上表面に設置され、フリップチップ方式で該第１基板の接点と電気的に接続され、
該少なくとも一つの下層メモリチップは第２基板の下表面に設置され、フリップチップ方式で第２基板の接点と電気的に接続され、
該封止樹脂層は、第１基板の上表面と第２基板の下表面に設けられて、少なくとも一つの上層メモリチップを同時に被覆し、及び少なくとも一つの下層メモリチップを同時に被覆することを特徴とする、小型メモリカードとしている。
請求項２の発明は、請求項１記載の小型メモリカードにおいて、第１基板の複数の貫通孔内の金属、及び第２基板の複数の貫通孔内の金属が銅とされたことを特徴とする、小型メモリカードとしている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の小型メモリカードは、第１基板、ヒートシンク、第２基板、少なくとも一つの上層メモリチップ、少なくとも一つの下層メモリチップ、及び封止樹脂層を具え、第１基板と第２基板に複数の貫通孔が設けられ、該複数の貫通孔内に金属が充填され、該ヒートシンクが第１基板と第２基板の間に設置され、並びに複数の貫通孔内の金属と接触し、該上層メモリチップ及び該下層メモリチップがそれぞれ第１基板及び第２基板に設置され、該上、下層メモリチップの熱量が複数の貫通孔内の金属を介してヒートシンクに伝えられ、該ヒートシンクにより熱量が放出される第１基板と第２基板、及び第１封止樹脂層を具え、メモリカードの信頼度と使用寿命を増し、且つ製造に便利とされている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は第１基板、ヒートシンク、第２基板、少なくとも一つの上層メモリチップ、少なくとも一つの下層メモリチップ、及び封止樹脂層を具え、該第１基板は上表面と下表面を具え、該上表面に複数の接点、該接点に電気的に接続された複数のゴールドフィンガー、及び該上表面から該下表面に貫通する複数の貫通孔が設けられ、該貫通孔内に金属が充填される。該ヒートシンクは上表面と下表面を具え、該ヒートシンクの上表面が第１基板の下表面に設置され、且つ該第１基板の複数の貫通孔内の金属と接触する。該第２基板は、上表面と下表面を具え、該下表面に複数の接点、及び、該第２基板の上表面から下表面に貫通する複数の貫通孔が設けられ、該第２基板の貫通孔に金属が充填され、該第２基板の上表面が該ヒートシンクの下表面に設けられ、且つ第２基板の貫通孔内の金属が該ヒートシンクと接触する。該上層メモリチップは該第１基板の上表面に設置され、フリップチップ方式で該第１基板の接点と電気的に接続され、該下層メモリチップは第２基板の下表面に設置され、フリップチップ方式で第２基板の接点と電気的に接続される。該封止樹脂層は、第１基板の上表面と第２基板の下表面に設けられて、少なくとも一つの上層メモリチップを同時に被覆し、及び少なくとも一つの下層メモリチップを同時に被覆する。
【００１１】
該上層メモリチップ及び下層メモリチップの熱量は第１基板及び第２基板の貫通孔内の金属を介してヒートシンクに伝えられ、該ヒートシンクにより放出され、こうして本発明の目的及び機能が達成される。
【実施例１】
【００１２】
図２、３及び図４を参照されたい。本発明の小型メモリカードは、第１基板２０、ヒートシンク２２、第２基板２４、少なくとも一つの上層メモリチップ２６、少なくとも一つの下層メモリチップ２８及び封止樹脂層３０を具えている。
【００１３】
該第１基板２０に上表面３２と下表面３４が形成され、上表面３２に複数の接点３６、該接点３６に電気的に接続された複数のゴールドフィンガー３８、及び該上表面３２から下表面３４に貫通する貫通孔４０が設けられ、該貫通孔４０内に金属４２が充填され、該金属４２は銅とされうる。第１基板２０電子装置（図示せず）内に取り付けられ、ゴールドフィンガー３８が電子装置と電気的に接続される。
【００１４】
ヒートシンクは、銅片或いはアルミ片とされ、上表面４４と下表面４６が形成され、上表面４４が第１基板２０の下表面３４に設置され、且つ第１基板２０の複数の貫通孔４０内の金属４２と接触する。
【００１５】
第２基板２４は、上表面４８と下表面５０が形成され、下表面５０に複数の接点５２、及び上表面４８から下表面５０に貫通する複数の貫通孔５４が設けられ、且つ貫通孔５４内に金属４２が充填され、第２基板２４の上表面４８はヒートシンク２２の下表面４６に設けられ、且つその貫通孔５４内の金属がヒートシンク２２と接触する。
【００１６】
二つの上層メモリチップ２６が第１基板２０の上表面３２に設置され、フリップチップ方式でバンプ５６で第１基板２０の接点３６と電気的に接続される。
【００１７】
二つの下層メモリチップ２８が第２基板２４の下表面５０に設置され、フリップチップ方式でバンプ５８で第２基板２４の接点５２と電気的に接続される。
封止樹脂層３０は、第１基板２０の上表面３２及び第２基板２４の下表面３４に設けられ、二つの上層メモリチップ２６を同時に被覆し、また二つの下層メモリチップ２８を同時に被覆する。
【００１８】
本発明は以下のような優れた点を有している。
１．上層メモリチップ２６の熱量が第１基板２０の貫通孔４０内の金属４２を介してヒートシンク２２に伝えられ、該熱量が急速にヒートシンク２２より放出され、下層メモリチップ２８の熱量が第２基板２４の貫通孔５４内の金属４２を介してヒートシンク２２に伝えられ、熱量が急速にヒートシンク２２より放出され、これによりメモリカードの信頼度とメモリチップの使用寿命を増して、メモリカードの使用期限を延長する。
２．上層メモリチップ２６が先に第１基板２０の上表面３２に設置され、下層メモリチップ２８が先に第２基板２４の下表面５０の上に設置され、さらに封止樹脂層３０で各上層メモリチップ２６と下層メモリチップ２８が被覆され、これにより製造上、便利とされ、有効に生産コストを下げられる。
【００１９】
以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】周知のメモリカードの側面図である。
【図２】本発明の小型メモリカードの第１表示図である。
【図３】本発明の小型メモリカードの第２表示図である。
【図４】本発明の小型メモリカードの第２表示図である。
【符号の説明】
【００２１】
２０  第１基板                      ２２  ヒートシンク
２４  第２基板                      ２６  上層メモリチップ
２８  下層メモリチップ              ３０  封止樹脂層
３２  上表面                        ３４  下表面
３６  接点                          ３８  ゴールドフィンガー
４０  貫通孔                        ４２  金属
４４  上表面                        ４６  下表面
４８  上表面                        ５０  下表面
５２  接点                          ５４  貫通孔
５６  バンプ                        ５８  バンプ
【図１】
2005166891.tif 000003
【図２】
2005166891.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005166891.tif 000006