(57)【要約】【課題】  ボールボンディングにおける接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性のバラツキや差を抑制する。【解決手段】  ボンディングキャピラリ１の先端部から突出するテール部を放電電極により加熱してイニシャルボールを形成した後、ボンディングキャピラリを半導体チップ７側に移動させて、ボンディングキャピラリでボンディングウィワイヤを半導体チップの電極パッド８に接合する半導体装置のボンディング方法において、放電電極が電極パッドから所定距離だけ離れた位置に配置される様に、ボンディング毎に放電電極位置を調整する【選択図】    図２
2005166964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングキャピラリに形成された挿通孔に挿通され、前記ボンディングキャピラリの先端部から突出するボンディングワイヤの先端部を加熱装置により加熱する工程と、
該加熱後に前記ボンディングキャピラリを被接合物側に移動させて、前記ボンディングキャピラリで前記ボンディングワイヤを前記被接合物の被接合領域に接合する工程を有する半導体装置のボンディング方法において、
前記加熱装置が前記被接合領域から略所定距離だけ離れた位置に配置される様に、ボンディング毎に前記加熱装置の位置調整を行う
ことを特徴とする半導体装置のボンディング方法。
【請求項２】
前記加熱装置は、予め設定された前記被接合領域の位置情報に基づいて位置調整を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のボンディング方法。
【請求項３】
前記加熱装置は、直前にボンディングを行った被接合領域の位置情報に基づいて位置調整を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のボンディング方法。
【請求項４】
ボンディングキャピラリに形成された挿通孔に挿通され、前記ボンディングキャピラリの先端部から突出するボンディングワイヤの先端部を加熱装置により加熱する工程と、
該加熱後に前記ボンディングキャピラリを被接合物側に移動させて、前記ボンディングキャピラリで前記ボンディングワイヤを前記被接合物の被接合領域に接合する工程を有する半導体装置のボンディング方法において、
前記加熱装置による加熱から前記ボンディングワイヤの先端部が前記被接合領域に接地するまでの時間が略所定時間となる様に、ボンディング毎に前記ボンディングキャピラリの移動速度を調整する
ことを特徴とする半導体装置のボンディング方法。
【請求項５】
前記ボンディングキャピラリは、予め設定された前記被接合領域の位置情報に基づいて移動速度を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置のボンディング方法。
【請求項６】
前記ボンディングキャピラリは、直前にボンディングを行った被接合領域の位置情報に基づいて移動速度を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置のボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のボンディング方法に関する。詳しくは、ボンディングワイヤの加熱時からボンディングワイヤの先端部が被接合領域に接触するまでの時間の均一化を図り、ボンディング毎の圧着ボール、或いはバンプの変形量や接合性の差やバラツキを抑制しようとした半導体装置のボンディング方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、各種電化製品の小型化、高性能化に伴い、その内部に使用される半導体パッケージの高密度化が進み、従来の１つのチップで１つのパッケージを構成する様な単純な半導体パッケージではなく、ＳＩＰ（System in Package）やＭＣＭ（Multi Chip Module）と呼ばれる１つのパッケージに複数個のチップを搭載し、且つ立体的に搭載するスタックドパッケージと呼ばれるもの等の要求が多くなってきている。
この様なスタックドパッケージ等の場合、チップ上にチップを更に積層することが一般的であり、ボンディングされるチップ表面の平坦度や基板に対するチップの平行度は１つのチップで１つのパッケージを構成する場合に比べて交差が累積されたり、反りが大きくなったりするために悪化する傾向にある。
【０００３】
また、半導体パッケージの高密度化に伴い、チップは高集積化、高密度化の傾向にあり、これに伴いボンディングを行うチップ上の電極パッドのピッチもより狭ピッチ化されており、これにより圧着ボールの小径化、ひいてはイニシャルボールの小径化に繋がっている。
【０００４】
ところで、半導体素子等のボンディング対象の上にバンプ（突起電極）を形成する技術として、ボールボンディング方式がある（例えば、特許文献１参照。）。
以下、図面を参照しながら、このボールボンディング方式について説明する。
【０００５】
ボールボンディング方式では、図５（ａ）に示す様に、ボンディングキャピラリ１０１に形成された挿通孔１０２に挿通されたボンディングワイヤ１０３をボンディングキャピラリの先端部から突出した状態にし、ボールボンディングの開始によってボンディングキャピラリを下降させて、図５（ｂ）に示す様にボンディングワイヤの先端部であるテール部１０４が放電電極１０５の位置に至った時に高圧発生回路である放電電源（図示せず）の出力電圧によって、テール部と放電電極との間に高電圧を印加して放電させ、この放電エネルギーによって図５（ｃ）で示す様にテール部を溶融させてボール状のイニシャルボール１０６を形成する。
【０００６】
更にボンディングキャピラリの下降動作を続け、図５（ｄ）で示す様にボンディングワイヤを半導体チップ１０７上の電極パッド１０８に接地し、超音波や荷重、温度を印加することによってボンディングワイヤと電極パッドの接合を行う。
【０００７】
続いて、次のボールボンディングにおけるイニシャルボールを形成するために必要なボンディングワイヤがボンディングキャピラリの先端部から突出した状態となるまでボンディングキャピラリを上方に移動し、所定のテール部を形成した状態でボンディングワイヤを、ボンディングキャピラリの上方に形成されたワイヤクランプ（図示せず）によって把持する。
【０００８】
その後、ボンディングワイヤをワイヤクランプで把持した状態でボンディングキャピラリを上方に移動し、この移動動作によって図５（ｅ）で示す様にボンディングワイヤを切断するテールカットを行う。
【０００９】
以上の方式がボールボンディング方式であり、上記した様に、このボールボンディング方式を用いてバンプ電極等が形成されている。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−２６４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、上記した従来のボールボンディング方法は、被接合物の状態とは無関係に予め機械的に定められている放電電極位置と称される放電電極が取り付けられた位置でテール部を溶融してイニシャルボールを形成し、更に、被接合物の状態とは無関係にイニシャルボール形成後のボンディングキャピラリの下降動作の制御を行っている。
【００１２】
しかしながら、上記した様に、半導体パッケージの複雑化が急激に進む昨今では、１つの半導体パッケージのボンディングを行う中で、イニシャルボールの形成から被接合領域である電極パッドに接地するまでの時間にバラツキが生じることがある。そして、このバラツキに起因して接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性に差やバラツキが生じてしまう。
即ち、放電から接地までの時間が短い場合には、イニシャルボールの温度が高い状態で接地するために接地時のイニシャルボールの硬度は低くなり、一方、放電から接地までの時間が長い場合には、イニシャルボールの温度が低い状態で接地するために接地時のイニシャルボールの硬度は高くなる。この接地時のイニシャルボールの硬度のバラツキによって、接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性に差やバラツキが生じてしまう。
以下、この点について図面を用いて説明を行う。
【００１３】
図６は従来のボールボンディングにおける圧着ボール、或いはバンプの変形量や接合性の差やバラツキの発生を説明するための図である。また、図７は、図６中符号Ｚで示す方向におけるボンディングキャピラリの動作を表す位置波形２０２（２０２ａは図６（１）の場合の位置波形、２０２ｂは図６（２）の場合の位置波形、２０２ｃは図６（３）の場合の位置波形を示す。）、イニシャルボールを形成するために放電電極に印加する放電波形２０３、イニシャルボールが半導体チップに接地したことを検出する接地検出波形２０４（２０４ａは図６（１）の場合の接地検出点、２０４ｂは図６（２）の場合の接地検出点、２０４ｃは図６（３）の場合の接地検出点を示す。）、ボンディングキャピラリの速度波形２０５を示している。
【００１４】
ここで示すボールボンディングを実施する半導体チップ１０７は斜めに搭載されているために、同一チップ中において、図６（１）で示す半導体チップが平行に搭載された場合におけるボンディング位置と比較して、図６（２）で示す様なボンディング位置が低い状態や図６（３）で示すボンディング位置が高い状態が存在する。
この様に、ボンディング位置が同一チップ中で様々であるにもかかわらず、放電電極位置が図６中符号Ｈで示す高さに固定されているために、ボンディング位置が低い状態の場合（図６（２）の場合）は、半導体チップが平行に搭載された場合（図６（１）の場合）の接地検出位置２０１ａとボンディング位置が低い場合の接地検出位置２０１ｂとの差ｂだけ、半導体チップが平行に搭載された場合と比較して放電から接地までの距離が長くなる。即ち、ボンディング位置が低い状態の場合（図６（２）の場合）の放電電極位置から接地検出位置までの距離Ｂは、半導体チップが平行に搭載された場合（図６（１）の場合）の放電電極位置から接地検出位置までの距離Ａと比較してｂだけ長いこととなる。一方、ボンディング位置が高い状態の場合（図６（３）の場合）は、半導体チップが平行に搭載された場合（図６（１）の場合）の接地検出位置２０１ａとボンディング位置が高い場合の接地検出位置２０１ｃとの差ｃだけ、半導体チップが平行に搭載された場合と比較して放電から接地までの距離が短くなる。即ち、ボンディング位置が高い状態の場合（図６（３））の放電電極位置から接地検出位置までの距離Ｃは、半導体チップが平行に搭載された場合（図６（１）の場合）の放電電極位置から接地検出位置までの距離Ａと比較してｃだけ短いこととなる。
【００１５】
そして、この放電電極位置から接地検出位置までの距離のバラツキに起因して、図７中符号２０６ａで示す図６（１）の場合における放電から接地までの時間、図７中符号２０６ｂで示す図６（２）の場合における放電から接地までの時間、図７中符号２０６ｃで示す図６（３）の場合における放電から接地までの時間がそれぞれ異なっており、この放電から接地までの時間の差によって接地時のイニシャルボールの硬度にバラツキが生じて、圧着ボールやバンプの変形量に差やバラツキが生じる。
【００１６】
ここで、ボンディングワイヤと電極パッドは、図８で示す様に、金等から成るボンディングワイヤとアルミニウム等から成る電極パッドが合金１０９を形成することによって接合するのであるが、上記した様にイニシャルボールの硬度にバラツキがある場合には、電極パッド表面に形成された酸化膜１１０を充分に破壊することができずにボンディングワイヤと電極パッドとの合金化が充分に行われない場合が生じるなど、接合性に差やバラツキが生じる。
【００１７】
従って、上記した様に、イニシャルボールの形成から電極パッドに接地するまでの時間のバラツキに起因して、接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性に差やバラツキが生じるのである。
【００１８】
なお、接地時のイニシャルボールの硬度のバラツキに起因する変形量や接合性の差やバラツキの発生は、ボンディング装置の更なる高速化やチップの高密度化に起因する電極パッドの狭ピッチ化に伴うボール、或いはバンプの小径化が進むにつれて更に深刻な問題に発展する可能性が高いものであると考えられる。
【００１９】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、ボールボンディングにおける接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性の差やバラツキを抑制することができる半導体装置のボンディング方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置のボンディング方法は、ボンディングキャピラリに形成された挿通孔に挿通され、前記ボンディングキャピラリの先端部から突出するボンディングワイヤの先端部を加熱装置により加熱する工程と、該加熱後に前記ボンディングキャピラリを被接合物側に移動させて、前記ボンディングキャピラリで前記ボンディングワイヤを前記被接合物の被接合領域に接合する工程を有する半導体装置のボンディング方法において、前記加熱装置が前記被接合領域から略所定距離だけ離れた位置に配置される様に、ボンディング毎に前記加熱装置の位置調整を行う。
【００２１】
ここで、加熱装置が被接合領域から略所定距離だけ離れた位置に配置される様に、ボンディング毎に加熱装置の位置調整を行うことによって、各ボンディングにおける加熱装置によってテール部の加熱を行う位置から接地検出位置までの距離が略等しくなり、各ボンディングにおけるイニシャルボールの形成から接地までの時間のバラツキを抑制することができ、接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性の差やバラツキを抑制することができる。
【００２２】
なお、加熱装置は、半導体パッケージのボンディング開始前に予め設定した被接合領域の位置情報に基づいて位置調整を行っても良いし、直前にボンディングを行った被接合領域の位置情報に基づいて位置調整を行っても良い。
【００２３】
また、本発明に係る半導体装置のボンディング方法は、ボンディングキャピラリに形成された挿通孔に挿通され、前記ボンディングキャピラリの先端部から突出するボンディングワイヤの先端部を加熱装置により加熱する工程と、該加熱後に前記ボンディングキャピラリを被接合物側に移動させて、前記ボンディングキャピラリで前記ボンディングワイヤを前記被接合物の被接合領域に接合する工程を有する半導体装置のボンディング方法において、前記加熱装置による加熱から前記ボンディングワイヤの先端部が前記被接合領域に接地するまでの時間が略所定時間となる様に、ボンディング毎に前記ボンディングキャピラリの移動速度を調整する。
【００２４】
ここで、加熱装置による加熱からボンディングワイヤの先端部が被接合領域に接地するまでの時間が略所定時間となる様に、ボンディング毎にボンディングキャピラリの移動速度を調整することによって、各ボンディングにおけるイニシャルボールの形成から接地までの時間のバラツキを抑制することができ、接地時の圧着ボールの変形量や接合性の差やバラツキを抑制することができる。
【００２５】
なお、ボンディングキャピラリは、半導体パッケージのボンディング開始前に予め設定した被接合領域の位置情報に基づいて移動速度を調整しても良いし、直前にボンディングを行った被接合領域の位置情報に基づいて位置調整を行っても良い。
【発明の効果】
【００２６】
上記した本発明を適用した半導体装置のボンディング方法では、被接合領域の状態の如何にかかわらず、即ち、接地検出位置の如何にかかわらず、イニシャルボールの形成から接地までの時間を略一定に保つことが可能となり、接地時のイニシャルボールの温度を略一定に保つことができ、イニシャルボールが被接合領域に接触する際の硬度を積極的に制御することが可能となり、イニシャルボールの初期変形量をより安定して制御でき、接地時の圧着ボールやバンプの変形量や接合性の差やバラツキを抑制することができる。
【００２７】
また、初期変形量を安定して制御することが可能であるために、初期変形量を考慮して各種印加エネルギーの調整を行うことが可能になり、より安定した接合を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。なお、以下の実施例においては、図１に示す様にボールボンディングを実施する半導体チップ７が斜めに搭載されており、上記した図６と同様に、同一チップ中において、図１（１）で示す半導体チップが平行に搭載された場合におけるボンディング位置と比較して、図１（２）で示す様なボンディング位置が低い状態や図１（３）で示すボンディング位置が高い状態が存在する場合を例に挙げて説明を行う。
【００２９】
図２は、本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の一例において、図１中符号Ｚで示す方向におけるボンディングキャピラリの動作を表す位置波形２２（２２ａは図１（１）の場合の位置波形、２２ｂは図１（２）の場合の位置波形、２２ｃは図１（３）の場合の位置波形を示す。）、イニシャルボールを形成するために放電電極に印加する放電波形２３、イニシャルボールが半導体チップに接地したことを検出する検出波形２４、ボンディングキャピラリの速度波形２５を示している。
【００３０】
さて、本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の一例では、先ず、放電電極位置を電極パッドの状態に基づいて、放電電極位置から電極パッドまでの距離が所定の距離Ａとなる様に放電電極位置の調整を行う。
即ち、半導体チップが平行に搭載された場合（図１（１）の場合）におけるボンディング位置と比較して、図１（２）で示す様なボンディング位置が低い状態や図１（３）で示す様なボンディング位置が高い状態であったとしても、放電電極位置から電極パッドまでの距離が所定の距離Ａとなる様に、ボンディング位置が低い状態の場合（図１（２）の場合）には図１中符号２１ａで示す図１（１）の場合におけるボンディング位置と図１中符号２１ｂで示す図１（２）の場合におけるボンディング位置との差分ｂだけ半導体チップが平行に搭載された場合（図１（１）の場合）の放電電極位置２０ａよりも低い位置２０ｂに放電電極位置を調整する。一方、ボンディング位置が高い状態の場合（図１（３）の場合）には図１中符号２１ａで示す図１（１）の場合におけるボンディング位置と図１中符号２１ｃで示す図１（３）の場合におけるボンディング位置との差分ｃだけ半導体チップが平行に搭載された場合（図１（１）の場合）の放電電極位置２０ａよりも高い位置２０ｃに放電電極位置を調整する。
【００３１】
ここで、本実施例では放電電極位置から電極パッドまでの距離が、半導体チップが平行に搭載された場合（図1（１）の場合）における放電電極位置から電極パッドまでの距離Ａとなる様に放電電極位置の調整を行っているが、各ボンディングにおける放電電極位置から電極パッドまでの距離が等しくなる様に調整を行えば充分であり、必ずしも放電電極位置から電極パッドまでが距離Ａとなる様に調整を行う必要は無い。
【００３２】
なお、放電電極位置の制御は、ボンディング装置に備わっている、直前にボンディングを行った半導体チップ上の電極パッドの位置を記憶し、次のボンディングにフィードバックさせるレベルトラック機能を利用することで、より高精度で確実な制御を行うことができる。
【００３３】
次に、ボンディングキャピラリ１に形成された挿通孔２に挿通されたボンディングワイヤ３をボンディングキャピラリの先端部から突出した状態にし、ボールボンディングの開始によってボンディングキャピラリを下降させて、テール部が位置調整を行った放電電極の位置２０ａ、２０ｂ、２０ｃに至った時に高圧発生回路である放電電源（図示せず）の出力電圧によって、テール部と放電電極との間に高電圧を印加して放電させ、この放電エネルギーによってテール部を溶融してボール状のイニシャルボール６を形成する。
その後、上記した従来のボールボンディング方法と同様してボンディングワイヤと電極パッドとの接合を行い、テールカットを行う。
【００３４】
上記した本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の一例では、放電電極位置から電極パッドまでの距離が所定の距離Ａとなる様に、放電電極位置の調整を行っているために、図２中符号２６で示す放電から接地までの時間が、図１（１）の場合、図１（２）の場合、図１（３）の場合で等しくなり、即ち、接地検出位置が変化したとしても放電電極位置の調整を行うことによって放電から接地までの時間を常に略一定に保つことができ、ボンディング時の圧着ボール、或いはバンプの変形量の差やバラツキを抑えることができ、より均一な圧着ボール、或いはバンプの形状を実現することができる。
また、圧着ボールやバンプの変形量の差やバラツキを抑えることができるので、図３に示す様に、電極パッド表面に形成された酸化膜１０を充分に破壊して接合性の差やバラツキを抑えることができる。
【００３５】
なお、ボンディングワイヤと電極パッド８が接合するにあたって、単に電極パッド表面に形成された酸化膜を破壊することのみを考慮すると、ボンディングキャピラリに印加する荷重を増大する等の方法によって実現可能であるが、半導体チップに必要以上の荷重を印加することによって半導体チップに悪影響を及ぼすことも考えられ、印加する荷重を増大させるだけでは接合性の差やバラツキを低減する方法として充分であるとは言い難い。
更に、ボンディング時の圧着ボール、或いはバンプの変形量や接合性の差やバラツキを低減する方法として、ボンディング毎に印加する超音波や荷重、温度等の調整を行うことによって、接地時のイニシャルボールの硬度の均一化を図るという方法も考え得るが、ボンディング毎に印加する超音波や荷重、温度等の調整を行うことは極めて困難である。
従って、半導体チップに悪影響を及ぼすことなく、容易に接地時のイニシャルボールの硬度の均一化を図ることができる様に、本実施例では電極パッドの位置情報に基づいて放電電極位置の調整を行っているのである。
【００３６】
図４は本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の他の一例において、図１中符号Ｚで示す方向におけるボンディングキャピラリの動作を表す位置波形２２（２２ａは図１（１）の場合の位置波形、２２ｂは図１（２）の場合の位置波形、２２ｃは図１（３）の場合の位置波形を示す。）、イニシャルボールを形成するために放電電極に印加する放電波形２３、イニシャルボールが半導体チップに接地したことを検出する検出波形２４、ボンディングキャピラリの速度波形２５（２５ａは図１（１）の場合の速度波形、２５ｂは図１（２）の場合の速度波形、２５ｃは図１（３）の場合の速度波形を示す。）を示している。
【００３７】
さて、本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の他の一例では、ボンディングキャピラリ１に形成された挿通孔２に挿通されたボンディングワイヤ３をボンディングキャピラリの先端部から突出した状態にし、ボールボンディングの開始によってボンディングキャピラリを下降させて、テール部が放電電極位置２０に至った時に高圧発生回路である放電電源（図示せず）の出力電圧によって、テール部と放電電極との間に高電圧を印加して放電させ、この放電エネルギーによってテール部を溶融してボール状のイニシャルボール６を形成する。
【００３８】
次に、電極パッドの状態に基づいて、放電から接地までが所定時間となる様に速度を制御しながらボンディングキャピラリを下降する。
即ち、半導体チップが平行に搭載された場合（図１（１）の場合）におけるボンディング位置と比較して、図１（２）で示す様なボンディング位置が低い状態や図１（３）で示すボンディング位置が高い状態であったとしても、放電から接地までが所定の時間２６となる様に、ボンディング位置が低い状態の場合（図１（２）の場合）には、図４中符号２５ａで示す図１（１）の場合における下降速度よりも大きな下降速度２５ｂとなるように速度を制御する。一方、ボンディング位置が高い状態の場合（図１（３）の場合）には図４中符号２５ａで示す図１（１）の場合における下降速度よりも小さな下降速度２５ｃとなるように速度を制御する。
【００３９】
ここで、本実施例では放電から接地までの時間が、半導体チップが平行に搭載された場合（図1（１）の場合）における放電から接地までの時間２６となる様にボンディングキャピラリの下降速度の制御を行っているが、各ボンディングにおける放電から接地までの時間が等しくなる様に制御を行えば充分であり、必ずしも放電から接地までの時間が図1（１）の場合における放電から接地までの時間２６となる様に制御を行う必要は無い。
【００４０】
なお、ボンディングキャピラリの下降速度の制御は、ボンディング装置に備わっている前述のレベルトラック機能を利用することで、より高精度で確実な制御を行うことができる。
【００４１】
その後、上記した本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の一例と同様にテールカットを行う。
【００４２】
上記した本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の他の一例では、放電から接地までが所定時間２６となる様に、ボンディングキャピラリの下降速度の制御を行っているために、ボンディング時の圧着ボール、或いはバンプの変形量やバラツキを抑えることができ、より均一な圧着ボール、或いはバンプの形状を実現することができると共に、ボンディングワイヤと電極パッドとの接合性の差やバラツキを抑えることができる。
【００４３】
なお、上記した様に、単にボンディングキャピラリに印加する荷重を増大する等の方法で電極パッド表面に形成された酸化膜を破壊しようとすると、半導体チップに必要以上の荷重を印加することによって半導体チップに悪影響を及ぼすことが考えられ、また、ボンディング毎に印加する超音波や荷重、温度等の調整を行うことは極めて困難である。
従って、半導体チップに悪影響を及ぼすことなく、容易に接地時のイニシャルボールの硬度の均一化を図ることができる様に、本実施例では電極パッドの位置情報に基づいてボンディングキャピラリの移動速度の調整を行っているのである。
【００４４】
なお、上記した実施例では、ボールボンディングを実施する半導体チップが斜めに搭載された場合を例に挙げて説明を行ったが、１つのパッケージにそれぞれ厚みの異なる複数のチップが搭載された場合のボンディング等にも本発明を適用することができるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明を適用した半導体装置のボンディング方法を説明するための模式的な断面図である。
【図２】本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の一例におけるタイミングチャートである。
【図３】本発明を適用した半導体装置のボンディング方法によるボンディングワイヤと電極パッドとの接合状態を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明を適用した半導体装置のボンディング方法の他の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】従来のボールボンディング方法を説明するための模式的な断面図である。
【図６】従来のボールボンディング方法における圧着ボール、或いはバンプの変形量や接合性の差やバラツキの発生を説明するための模式的な図である。
【図７】従来のボールボンディング方法におけるタイミングチャートである。
【図８】従来の半導体装置のボンディング方法によるボンディングワイヤと電極パッドとの接合状態を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１    ボンディングキャピラリ
２    挿通孔
３    ボンディングワイヤ
６    イニシャルボール
７    半導体チップ
８    電極パッド
１０    酸化膜
２０    放電電極位置
２１    ボンディング位置
２２    ボンディングキャピラリの動作を表す位置波形
２３    イニシャルボールを形成するための放電波形
２４    イニシャルボールが半導体チップに接地したことを検出する検出波形
２５    ボンディングキャピラリの速度波形
２６    放電から接地までの時間
【図１】
2005166964.tif 000003
【図２】
2005166964.tif 000004
【図３】
2005166964.tif 000005
【図４】
2005166964.tif 000006
【図５】
2005166964.tif 000007
【図６】
2005166964.tif 000008
【図７】
2005166964.tif 000009
【図８】
2005166964.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
現在、各種電化製品の小型化、高性能化に伴い、その内部に使用される半導体パッケージの高密度化が進み、従来の１つのチップで１つのパッケージを構成する様な単純な半導体パッケージではなく、ＳＩＰ（System in Package）やＭＣＭ（Multi Chip Module）と呼ばれる１つのパッケージに複数個のチップを搭載し、且つ立体的に搭載するスタックドパッケージと呼ばれるもの等の要求が多くなってきている。
この様なスタックドパッケージ等の場合、チップ上にチップを更に積層することが一般的であり、ボンディングされるチップ表面の平坦度や基板に対するチップの平行度は１つのチップで１つのパッケージを構成する場合に比べて公差が累積されたり、反りが大きくなったりするために悪化する傾向にある。