(57)【要約】【課題】透過表示及び反射表示ともに表示性能の良好な液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸのそれぞれに反射部ＰＲ及び透過部ＰＴを有する液晶表示装置の製造方法であって、配線基板１００上に形成されたレジスト体１０３上に光反射性を有する金属材料１１１を成膜する工程と、レジスト体１０３を透過部ＰＴに対応して金属材料１１１とともに選択的に除去する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】          図４
2005010393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれに反射部及び透過部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
配線基板上に形成されたレジスト体上に光反射性を有する金属材料を成膜する工程と、
前記レジスト体を透過部に対応して前記金属材料とともに選択的に除去する工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれに反射部及び透過部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
配線基板上に反射部に対応して所定膜厚の第１レジスト層を形成する工程と、
前記配線基板上に透過部に対応して第２レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層上に光反射性を有する金属材料を成膜する工程と、
前記第２レジスト層を前記金属材料とともに除去する工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２レジスト層を形成する工程は、
前記第１レジスト層を形成した前記配線基板の第１主面側にネガ型レジスト材料を成膜する工程と、
前記配線基板の第２主面側から前記第１レジスト層をマスクとして前記ネガ型レジスト材料を露光する工程と、
前記ネガ型レジスト材料を現像して反射部に対応した未露光部分を除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれに反射部及び透過部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
配線基板上にレジスト材料を成膜する工程と、
前記レジスト材料を露光する工程と、
前記レジスト材料上に光反射性を有する金属材料を成膜する工程と、
前記レジスト材料を現像して前記レジスト材料を透過部に対応して前記金属材料とともに選択的に除去する工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト材料を露光する工程では、ネガ型の前記レジスト材料のうち、反射部に対応した部分を露光することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト材料を露光する工程では、ポジ型の前記レジスト材料のうち、透過部に対応した部分を露光することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置の製造方法に係り、特に、一画素内に外光を反射することによって画像を表示する反射部とバックライト光を透過することによって画像を表示する透過部とを有する半透過型液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半透過型液晶表示装置は、一画素内において、反射画素電極を有する反射部と、透過画素電極を有する透過部とを備えている。このような半透過型液晶表示装置は、暗所においては、画素内の透過部を利用してバックライト光を選択的に透過することによって画像を表示（透過表示）する透過型液晶表示装置として機能し、明所においては、画素内の反射部を利用して外光を選択的に反射することによって画像を表示（反射表示）する反射型液晶表示装置として機能する。このため、消費電力の大幅な低減が期待できる。
【０００３】
この半透過型液晶表示装置において、透過部と反射部とでは互いに液晶層厚（セルギャップ）が異なる。すなわち、反射部では外光が液晶層を１往復するのに対して、透過部ではバックライト光が液晶層を１回通過するのみである。このため、反射部のセルギャップは、透過部の約１／２に設定されている。
【０００４】
このようなマルチギャップ構造の半透過型液晶表示装置では、それぞれの表示状態において光の利用効率を向上することが望まれている。特に、反射表示の場合、表示性能を改善するためには、外光の利用効率を向上することが要求される。このような要求に対して、白色反射層を設けてコントラスト比の高い明るい表示を可能とする反射型液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、半透過型液晶表示装置の場合、反射表示及び透過表示ともに光利用効率を向上して表示性能を改善する必要がある。つまり、反射部は、セルギャップを制限するためのバンプを有しており、さらに、このバンプ上に反射画素電極を有している。通常のパターニング技術では、反射画素電極を精度良くバンプ上のみに配置することは困難であるため、反射画素電極をバンプよりも大きな範囲にわたって形成する必要がある。
【０００６】
このため、反射画素電極は、透過部の一部を覆ってしまうことになるため、透過部の開口率が低下（反射部が拡大）してしまう。つまり、透過部において、光利用効率を低下させてしまうことになり、良好な表示性能を得ることができないといった課題が生ずる。
【０００７】
また、反射表示については、良好な表示性能を実現するためにはセルギャップを均一化する必要があるが、透過部に及ぶ反射画素電極は、バンプ上の反射画素電極と比較してセルギャップが大幅に拡大してしまうことになる。つまり、反射部は、バンプ上のセルギャップの小さい部分と、バンプ外のセルギャップの大きい部分とで構成されてしまい、光学特性にバラツキが生じてしまう。したがって、反射部において、良好な表示性能を得ることができないといった課題が生ずる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−０９０３５１号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、透過表示及び反射表示ともに表示性能の良好な液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明の第１の様態による液晶表示装置の製造方法は、
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれに反射部及び透過部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
配線基板上に形成されたレジスト体上に光反射性を有する金属材料を成膜する工程と、
前記レジスト体を透過部に対応して前記金属材料とともに選択的に除去する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
この発明の第２の様態による液晶表示装置の製造方法は、
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれに反射部及び透過部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
配線基板上に反射部に対応して所定膜厚の第１レジスト層を形成する工程と、
前記配線基板上に透過部に対応して第２レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層上に光反射性を有する金属材料を成膜する工程と、
前記第２レジスト層を前記金属材料とともに除去する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
この発明の第３の様態による液晶表示装置の製造方法は、
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれに反射部及び透過部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
配線基板上にレジスト材料を成膜する工程と、
前記レジスト材料を露光する工程と、
前記レジスト材料上に光反射性を有する金属材料を成膜する工程と、
前記レジスト材料を現像して前記レジスト材料を透過部に対応して前記金属材料とともに選択的に除去する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１及び図２に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの半透過型カラー液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。
【００１５】
また、この液晶表示装置は、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱを保持する面とは反対の外面に設けられた第１偏光制御素子ＰＯＬ１、及び、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱを保持する面とは反対の外面に設けられた第２偏光制御素子ＰＯＬ２を備えている。さらに、この液晶表示装置は、第１偏光制御素子ＰＯＬ１側から液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライトユニットＢＬを備えている。
【００１６】
このような液晶表示装置は、画像を表示する表示領域ＤＳＰにおいて、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。各画素ＰＸは、外光を反射することによって画像を表示（反射表示）する反射部ＰＲと、バックライトユニットＢＬからのバックライト光を透過することによって画像を表示（透過表示）する透過部ＰＴと、を有している。
【００１７】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性絶縁基板１０を用いて形成される。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示領域ＤＳＰにおいて、画素毎に配置されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、これら画素電極ＥＰの行に沿ってそれぞれ形成されたｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、これら画素電極ＥＰの列に沿って形成されたｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各々対応走査線Ｙ及び対応信号線Ｘの交差位置近傍に画素毎に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子すなわち薄膜トランジスタＷ、液晶容量ＣＬＣと並列に各々補助容量ＣＳを構成するよう対応行の画素電極ＥＰに容量結合してｎ本の走査線Ｙと略平行に形成された補助容量線ＡＹなどを備えている。
【００１８】
走査線ドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本の走査線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。また、信号線ドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行の薄膜トランジスタＷが走査信号によってオンする毎にｍ本の信号線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応する薄膜トランジスタＷを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００１９】
アレイ基板ＡＲにおいて、各薄膜トランジスタＷは、Ｎチャネル薄膜トランジスタであり、絶縁基板１０上に配置されたポリシリコン半導体層１２を備えている。ポリシリコン半導体層１２は、チャネル領域１２Ｃを挟んだ両側にそれぞれソース領域１２Ｓ及びドレイン領域１２Ｄを有している。このポリシリコン半導体層１２は、ゲート絶縁膜１４によって覆われている。
【００２０】
薄膜トランジスタＷのゲート電極ＷＧは、１本の走査線Ｙに接続され、走査線Ｙ及び補助容量線ＡＹとともにゲート絶縁膜１４上に形成されている。これらゲート電極ＷＧ、走査線Ｙ、及び補助容量線ＡＹは、層間絶縁膜１６によって覆われている。
【００２１】
薄膜トランジスタＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、層間絶縁膜１６上においてゲート電極ＷＧの両側に配置されている。ソース電極ＷＳは、１個の画素電極ＥＰに接続されるとともに、ポリシリコン半導体層１２のソース領域１２Ｓにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、１本の信号線Ｘに接続されるとともに、ポリシリコン半導体層１２のドレイン領域１２Ｄにコンタクトしている。これらソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤ、及び信号線Ｘは、有機絶縁膜１８によって覆われている。
【００２２】
画素電極ＥＰは、反射部ＰＲに対応して設けられた反射画素電極ＥＰＲ及び透過部ＰＴに対応して設けられた透過画素電極ＥＰＴを有している。反射画素電極ＥＰＲは、所定膜厚のバンプとして機能する有機絶縁膜１８上に配置され、ソース電極ＷＳと電気的に接続されている。
【００２３】
反射画素電極ＥＰＲは、アルミニウムなどの光反射性を有する金属材料（第１金属材料）によって形成される。透過画素電極ＥＰＴは、層間絶縁膜１６上に配置され、反射画素電極ＥＰＲと電気的に接続されている。透過画素電極ＥＰＴは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する金属材料（第２金属材料）によって形成される。すべての画素ＰＸに対応した画素電極ＥＰは、配向膜２０によって覆われている。
【００２４】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性絶縁基板３０を用いて形成される。すなわち、この対向基板ＣＴは、表示領域ＤＳＰにおいて、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素に配置されたカラーフィルタ３４、単一の対向電極ＥＴなどを備えている。
【００２５】
ブラックマトリクス３２は、アレイ基板ＡＲに設けられた走査線Ｙや信号線Ｘなどの配線部に対向するように配置されている。カラーフィルタ３４は、互いに異なる色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。
【００２６】
対向電極ＥＴは、すべての画素ＰＸに対応して画素電極ＥＰに対向するように配置されている。この対向電極ＥＴは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する金属材料によって形成されている。また、この対向電極ＥＴは、配向膜３６によって覆われている。
【００２７】
このような対向基板ＣＴと、上述したようなアレイ基板ＡＲとをそれぞれの配向膜２０及び３６を対向して配置したとき、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。すなわち、反射部ＰＲには、透過部ＰＴのほぼ半分程度のギャップが形成される。この実施の形態では、反射部ＰＲのギャップは約２．５μｍであり、透過部ＰＴのギャップは約５．０μｍに設定した。
【００２８】
液晶層ＬＱは、これらアレイ基板ＡＲの配向膜２０と対向基板ＣＴの配向膜３６との間に形成されたギャップに封入された液晶分子４０を含む液晶組成物で構成さていれる。
【００２９】
第１偏光制御素子ＰＯＬ１及び第２偏光制御素子ＰＯＬ２は、これらを通過する光の偏光状態を制御する。すなわち、第１偏光制御素子ＰＯＬ１は、これに入射したバックライト光の偏光状態を制御し、第１偏光制御素子ＰＯＬ１を通過した光すなわち液晶表示パネルＬＰＮに入射する直前の光の偏光状態を所定の円偏光に変換する。また、第２偏光制御素子ＰＯＬ２は、これに入射した外光の偏光状態を制御し、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過した光すなわち液晶表示パネルＬＰＮに入射する直前の光の偏光状態を所定の円偏光に変換する。これら第１偏光制御素子ＰＯＬ１及び第２偏光制御素子ＰＯＬ２は、偏光板や位相差板などで構成されている。
【００３０】
次に、表示モードがノーマリーホワイトモードの半透過型液晶表示装置による反射表示及び透過表示の動作について、図２を参照してより詳細に説明する。
【００３１】
液晶表示装置における反射部ＰＲは、液晶層ＬＱに電位差を生じさせていない状態すなわち電圧無印加時において、以下のように動作する。すなわち、対向基板ＣＴ側から入射した外光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過することにより例えば時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、対向基板ＣＴを介して液晶層ＬＱに入射する。この円偏光は、液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられた後に反射画素電極ＥＰＲに達する。反射画素電極ＥＰＲにより反射された反射光は、その時点でπの位相差が与えられ、再び液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられる。これにより、液晶層ＬＱを往復した円偏光は２πの位相差が与えられることになる。つまり、反射部ＰＲによって反射された反射光は、時計回りの円偏光の偏光状態で対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過するため、カラーフィルタ３４の色に即した単色の明表示を行う。
【００３２】
一方、液晶層ＬＱに電位差を生じさせた状態すなわち電圧印加時において、反射部ＰＲは、以下のように動作する。すなわち、電圧無印加時と同様に、対向基板ＣＴ側から入射した外光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過することにより例えば時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、対向基板ＣＴを介して液晶層ＬＱに入射する。
【００３３】
この円偏光は、液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられた後に反射画素電極ＥＰＲによって反射され、再び液晶層ＬＱを通過する際にπ／２の位相差が与えられる。この円偏光は、例えば電圧印加時の液晶層の残留リタデーションが０の場合には、液晶層ＬＱを通過する際に位相差の影響を受けないので、そのままの偏光状態で反射画素電極ＥＰＲに達する。反射画素電極ＥＰＲにより反射された反射光は、前述と同様にその時点でπの位相差が与えられ、再び液晶層ＬＱを通過するが、位相差の影響を受けないので、液晶層ＬＱを往復した円偏光はπの位相差が与えられることになる。つまり、反射部ＰＲによって反射された反射光は、反時計回りの円偏光の偏光状態に変換されて対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過しない。このため、暗表示、すなわち黒表示を行う。
【００３４】
このように、反射部ＰＲでは、外光を選択的に反射することによって画像を表示する。
【００３５】
液晶表示装置における透過部ＰＴは、電圧無印加時において、以下のように動作する。すなわち、バックライトユニットＢＬから出射されたバックライト光は、第１偏光制御素子ＰＯＬ１を通過することにより例えば反時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、アレイ基板ＡＲを介して液晶層ＬＱに入射する。この円偏光は、反射部ＰＲの約２倍のギャップの透過部ＰＴにおいて液晶層ＬＱを通過する際にπの位相差が与えられる。つまり、透過部ＰＴを透過した透過光は、時計回りの円偏光の偏光状態で対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過するため、カラーフィルタ３４の色に即した単色の明表示を行う。
【００３６】
一方、電圧印加時において、透過部ＰＴは、以下のように動作する。すなわち、電圧無印加時と同様に、アレイ基板ＡＲ側から入射したバックライト光は、第１偏光制御素子ＰＯＬ１を通過することにより例えば反時計回りの円偏光の偏光状態に変換され、アレイ基板ＡＲを介して液晶層ＬＱに入射する。この円偏光は、例えば電圧印加時の液晶層の残留リタデーションが０の場合には、液晶層ＬＱを通過する際に位相差の影響を受けないので、そのままの偏光状態で対向基板ＣＴを通過する。この円偏光は、第２偏光制御素子ＰＯＬ２を通過しない。このため、暗表示、すなわち黒表示を行う。
【００３７】
このように、透過部ＰＴでは、バックライト光を選択的に透過することによって画像を表示する。
【００３８】
次に、上述したマルチギャップ構造を有する半透過型液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００３９】
（第１実施形態）
図３の（ａ）に示すように、３００ｍｍ×４００ｍｍのサイズを有する絶縁基板１０上に、金属膜及び絶縁膜の成膜とパターニングとを繰り返し、走査線Ｙや信号線Ｘなどの各種配線の他、薄膜トランジスタＷなどを形成した縦横１００画素、合計１００００画素有した配線基板１００を用意する。
【００４０】
続いて、図３の（ｂ）に示すように、配線基板１００上に反射部に対応して第１レジスト層１０１を形成する。すなわち、まず、配線基板１００の第１主面上に紫外線吸収性を有する透明な第１レジスト材料を成膜する。そして、成膜されたレジスト材料を、各画素領域ＰＸの反射部ＰＲに対応した所定のパターン形状のフォトマスクを用いて所定波長の所定露光量で露光する。そして、このレジスト材料を、所定の現像液によって所定時間現像することで、透過部ＰＴに対応して選択的に除去する。そして、残ったレジスト材料を焼成することにより、膜厚１．５μｍの第１レジスト層（バンプ）１０１を形成する。なお、この第１レジスト層１０１の形成過程において、その表面に微小な凹凸（例えば０．３μｍ程度の凹凸）を形成するとともに、薄膜トランジスタＷのソース電極ＷＳとのコンタクトをとるためのコンタクトホールも形成する。
【００４１】
続いて、図３の（ｃ）に示すように、配線基板１００上の透過部に対応して第２レジスト層１０２を形成する。すなわち、まず、配線基板１００の第１主面上に露光によって架橋して不溶化するネガ型の第２レジスト材料を成膜する。そして、成膜された第２レジスト材料を、配線基板１００の第２主面側から紫外線波長（３６５ｎｍ）の所定露光量で露光する。このとき、先に形成された第１レジスト層は、紫外線吸収性を有するため、第１レジスト層１０１上の第２レジスト材料への紫外線露光を遮蔽するフォトマスクとして機能する。そして、この第２レジスト材料を、所定の現像液によって所定時間現像することで、反射部ＰＲに対応した未露光部分を除去する。そして、残った第２レジスト材料を焼成することにより、第２レジスト層１０２を形成する。
【００４２】
続いて、図４の（ａ）に示すように、第１レジスト層１０１及び第２レジスト層１０２からなるレジスト体１０３上に、光反射性を有する第１金属材料１１１を成膜する。ここでは、第１金属材料１１１として、例えばアルミニウムをスパッタリング法などにより成膜する。このとき、第１金属材料１１１は、第１レジスト層１０１に形成されたコンタクトホールを介して、薄膜トランジスタＷのソース電極ＷＳに電気的に接続される。
【００４３】
続いて、図４の（ｂ）に示すように、レジスト体１０３を透過部ＰＴに対応して第１金属材料１１１とともに選択的に除去する。すなわち、この第１実施形態では、第２レジスト層１０２を第１金属材料１１１とともに除去する。このとき、所定条件で所定の剥離液に浸漬することにより、第１レジスト層１０１を除去することなく第２レジスト層１０２のみを選択的に除去する。これにより、第２レジスト層１０２上に成膜された第１金属材料１１１も同時に除去される。また、第１レジスト層１０１上の第１金属材料１１１のみが残り、反射画素電極ＥＰＲが形成される。
【００４４】
続いて、図４の（ｃ）に示すように、レジスト体１０３を除去した部分に光透過性を有する第２金属材料１１２を配置する。すなわち、この第１実施形態では、第２レジスト層１０２を除去した部分（透過部ＰＴに対応する部分）に第２金属材料１１２を配置する。ここでは、第２金属材料として、例えばＩＴＯをスパッタリング法などにより成膜した後、透過部ＰＴに対応してパターニングすることにより、透過部ＰＴに第２金属材料１１２が残り、透過画素電極ＥＰＴが形成される。この透過画素電極ＥＰＴは、反射画素電極ＥＰＲ及び薄膜トランジスタＷのソース電極ＷＳに電気的に接続される。
続いて、反射画素電極ＥＰＲ及び透過画素電極ＥＰＴ上に配向膜２０を形成することで、アレイ基板ＡＲを形成する。
【００４５】
一方で、絶縁基板３０上に、ブラックマトリクス３２、カラーフィルタ３４、対向電極ＥＴ、配向膜３６などを形成することで、対向基板ＣＴを形成する。
続いて、対向基板ＣＴの配向膜３６周辺に沿って、液晶注入口を除いて、シール材を印刷する。さらに、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴのそれぞれの配向膜の配向方向が互いに１８０°異なるようスペーサを介して対向配置し、加圧しつつ加熱することでシール材を硬化させ、２枚の基板を貼り合せる。
【００４６】
続いて、液晶注入口から、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に、液晶組成物を注入し、液晶注入口を封止する。注入された液晶組成物は、アレイ基板ＡＲ側の配向膜２０と、対向基板ＣＴ側の配向膜３６とによって挟持された液晶層ＬＱを構成する。
【００４７】
続いて、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの外面に、それぞれ第１偏光制御素子ＰＯＬ１及び第２偏光制御素子ＰＯＬ２を配置する。これにより、液晶表示パネルＬＰＮが製造される。
【００４８】
このようにして製造された半透過型液晶表示装置では、透過部ＰＴに反射画素電極が配置されておらず、透過部ＰＴの開口率を十分確保することができる。このため、透過部ＰＴにおいて光利用効率を向上することができ、高い透過率を有する良好な表示性能を得ることができた。
【００４９】
また、反射部ＰＲにおいては、バンプ上のみに精度良く反射画素電極を配置することができ、セルギャップの異なる部分が形成されることがない。このため、光学特性のバラツキを抑制することができ、良好な表示性能を得ることができた。
【００５０】
（第２実施形態）
図５の（ａ）に示すように、３００ｍｍ×４００ｍｍのサイズを有する絶縁基板１０上に、金属膜及び絶縁膜の成膜とパターニングとを繰り返し、走査線Ｙや信号線Ｘなどの各種配線の他、薄膜トランジスタＷなどを形成した縦横１００画素、合計１００００画素有した配線基板１００を用意する。
【００５１】
続いて、図５の（ｂ）に示すように、配線基板１００上にレジスト材料２０１を成膜する。そして、成膜されたレジスト材料２０１を露光する。このとき、レジスト材料２０１として、ネガ型レジスト材料を露光する場合には、各画素領域ＰＸの反射部ＰＲに対応した所定のパターン形状の開口部を有するフォトマスクを用いて所定波長の所定露光量で露光する。また、レジスト材料２０１として、ポジ型レジスト材料を露光する場合には、各画素領域ＰＸの透過部ＰＴに対応した所定のパターン形状の開口部を有するフォトマスクを用いて所定波長の所定露光量で露光する。
【００５２】
続いて、図５の（ｃ）に示すように、配線基板１００上に形成されたレジスト体上に光反射性を有する第１金属材料１１１を成膜する。すなわち、この第２実施形態では、成膜・露光したレジスト材料２０１がレジスト体に相当する。ここでは、第１金属材料１１１として、例えばアルミニウムをスパッタリング法などにより成膜する。
【００５３】
続いて、図６の（ａ）に示すように、レジスト体２０１を透過部ＰＴに対応して第１金属材料１１１とともに選択的に除去する。すなわち、この第２実施形態では、レジスト材料２０１を、所定の現像液によって所定時間現像することで、レジスト材料２０１を透過部ＰＴに対応して第１金属材料１１１とともに選択的に除去する。そして、残ったレジスト材料２０１を焼成することにより、膜厚１．５μｍのレジスト層（バンプ）１０１を形成する。また、レジスト層１０１上に残った第１金属材料１１１が反射画素電極ＥＰＲを形成する。
【００５４】
続いて、図６の（ｂ）に示すように、レジスト体２０１を除去した部分に光透過性を有する第２金属材料１１２を配置する。すなわち、この第２実施形態では、現像処理によってレジスト材料２０１を除去した部分（透過部ＰＴに対応する部分）に第２金属材料１１２を配置する。ここでは、第２金属材料として、例えばＩＴＯをスパッタリング法などにより成膜した後、透過部ＰＴに対応してパターニングすることにより、透過部ＰＴに第２金属材料１１２が残り、透過画素電極ＥＰＴが形成される。この透過画素電極ＥＰＴは、反射画素電極ＥＰＲ及び薄膜トランジスタＷのソース電極ＷＳに電気的に接続される。
続いて、反射画素電極ＥＰＲ及び透過画素電極ＥＰＴ上に配向膜２０を形成することで、アレイ基板ＡＲを形成する。
以下、第１実施形態と同様の工程によって液晶表示パネルＬＰＮを製造する。
【００５５】
このようにして製造された半透過型液晶表示装置では、透過部ＰＴに反射画素電極が配置されておらず、透過部ＰＴの開口率を十分確保することができる。このため、透過部ＰＴにおいて光利用効率を向上することができ、高い透過率を有する良好な表示性能を得ることができた。
【００５６】
また、反射部ＰＲにおいては、バンプ上のみに精度良く反射画素電極を配置することができ、セルギャップの異なる部分が形成されることがない。このため、光学特性のバラツキを抑制することができ、良好な表示性能を得ることができた。
【００５７】
以上説明したように、１画素内に透過部及び反射部を有する半透過型液晶表示装置の製造方法によれば、反射部のセルギャップが透過部のほぼ１／２のマルチギャップ構造を形成するとともに、反射部においてはバンプ上のみに精度良く反射画素電極を配置することができる（バンプのパターンにほぼ一致したパターンの反射画素電極を形成することができる）。
【００５８】
したがって、透過部の開口率を低減することがなく、しかも、反射部のセルギャップを精度良く形成することができる。このため、反射表示した際の光学特性を安定させることができ、しかも、透過表示した際の透過率を向上させることができる。これにより、透過表示及び反射表示ともにコントラスト比の高い明るい表示を実現できる。
【００５９】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６０】
上述した各実施形態では、ホモジニアスモードの液晶表示装置を例に説明したが、この発明では、表示モードとして、例えばＴＮ（ツイステッド  ネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパー  ツイステッド  ネマティック）モード、ＧＨ（ゲスト−ホスト）モード、ＥＣＢ（電界制御複屈折）モード、強誘電性液晶などが適用可能である。
【００６１】
また、今までは、レジストのリフトオフを利用して反射画素電極を形成した後に透過画素電極を形成しているが、透過画素電極を形成した後にレジストのリフトオフを利用して反射画素電極を形成してもよいことは言うまでもない。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、透過表示及び反射表示ともに表示性能の良好な液晶表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３の（ａ）乃至（ｃ）は、第１実施形態における液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４の（ａ）乃至（ｃ）は、第１実施形態における液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５の（ａ）乃至（ｃ）は、第２実施形態における液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６の（ａ）及び（ｂ）は、第２実施形態における液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＰＴ…透過部、ＰＲ…反射部、ＰＯＬ１…第１偏光制御素子、ＰＯＬ２…第２偏光制御素子、ＢＬ…バックライトユニット、ＰＸ…画素、１８…有機絶縁膜（バンプ）、ＥＰ…画素電極、ＥＰＲ…反射画素電極、ＥＰＴ…透過画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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