(57)【要約】【課題】ボンディングパッド下に下層側パッドを形成しても層間絶縁層の平坦性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁層９，１７と金属配線層１５，２１が交互に形成された多層配線構造をもち、最上層の層間絶縁層１７上に金属材料からなるボンディングパッド２１ａが形成され、ボンディングパッド２１ａよりも下層の金属配線層１５においてボンディングパッド２１ａ下の領域に下層側パッド１５ａを備え、ボンディングパッド２１ａと下層側パッド１５ａは層間絶縁層１７に形成された接続孔１９を介して電気的に接続されており、下層側パッド１５ａは接続孔１９の形成領域とは異なる領域に開口部１５ｂを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁層と金属配線層が交互に形成された多層配線構造をもち、最上層の層間絶縁層上に金属材料からなるボンディングパッドが形成され、ボンディングパッドよりも下層の金属配線層においてボンディングパッド下の領域に下層側パッドを備え、ボンディングパッドと下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されている半導体装置において、
前記下層側パッドは前記接続孔の形成領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記下層側パッドよりも下層の金属配線層において開口部又は前記切欠き溝をもつ１層又は複数層の下層側パッドをさらに備え、上下層の下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記開口部又は前記切欠き溝の最小平面寸法は５μｍ以上である請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記最上層の層間絶縁層を含む前記層間絶縁層は下層側堆積絶縁膜、ＳＯＧ膜、上層側堆積絶縁膜の積層構造により形成されている請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
層間絶縁層と金属配線層が交互に形成された多層配線構造をもち、最上層の層間絶縁層上に金属材料からなるボンディングパッドが形成され、ボンディングパッドよりも下層の金属配線層においてボンディングパッド下の領域に下層側パッドを備え、ボンディングパッドと下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されている半導体装置の製造方法において、以下の工程（Ａ）から（Ｄ）を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（Ａ）半導体基板上に層間絶縁層を形成した後、前記層間絶縁層上に、ボンディングパッドの形成予定領域で接続孔の形成予定領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝をもつ下層側パッドを含む下層側の金属配線層を形成する工程、
（Ｂ）前記下層側金属配線層上に最上層の層間絶縁層を形成し、前記最上層の層間絶縁層の上面をＣＭＰ法により平坦化する工程、
（Ｃ）前記下層側パッドの形成領域で前記開口部又は前記切欠き溝の形成領域とは異なる領域の前記最上層の層間絶縁層に接続孔を形成する工程、
（Ｄ）前記最上層の層間絶縁層上に、ボンディングパッドを含む最上層の金属配線層を形成する工程。
【請求項６】
前記工程（Ａ）での前記層間絶縁層の形成前に、下層側の層間絶縁層と、ボンディングパッドの形成予定領域で接続孔の形成予定領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝をもつ下層側パッドを含む下層側の金属配線層を形成する工程を１回又は複数回含む請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記下層側パッドに形成する前記開口部又は前記切欠き溝の最小平面寸法は５μｍ以上である請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記最上層の層間絶縁層を含む前記層間絶縁層として、下層側堆積絶縁膜を形成し、その上に回転塗布法及びエッチバック法によりＳＯＧ膜を形成し、さらにその上に上層側堆積絶縁膜を形成し、前記上層側堆積絶縁膜をＣＭＰ法により平坦化処理する請求項５から７のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、層間絶縁層と金属配線層が交互に形成された多層配線構造をもち、最上層の層間絶縁層上に金属材料からなるボンディングパッドが形成され、ボンディングパッドよりも下層の金属配線層においてボンディングパッド下の領域に下層側パッドを備え、ボンディングパッドと下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されている半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層配線構造をもつ半導体装置において、ボンディングパッドよりも下層の金属配線層においてボンディングパッド下の領域に下層側パッドを備え、ボンディングパッドと下層側パッドが層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されているものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図７は従来の半導体装置のボンディングパッド形成領域及び金属配線層形成領域を示す断面図である。
半導体基板４１上にＢＰＳＧ（boro-phospho silicate glass）膜からなる第１層間絶縁層４３が形成されている。第１層間絶縁層４３上に第１金属配線層４５が形成されている。第１金属配線層４５の一部はボンディングパッド形成領域に対応して形成された下層側パッド４５ａを構成する。
【０００４】
第１金属配線層４５上及び下層側パッド４５ａ上を含んで第１層間絶縁層４３上にＢＰＳＧ膜からなる第２層間絶縁層４７が形成されている。第２層間絶縁層４７には第１金属配線層４５の所定の位置及び下層側パッド４５ａに対応してスルーホール４９が形成されている。
スルーホール４９内を含む第２層間絶縁層４７上に最上層金属配線層５１及びボンディングパッド５１ａが形成されている。最上層金属配線層５１上及びボンディングパッド５１ａ上を含んで第２層間絶縁層４７上に最終保護膜５３が形成されている。最終保護膜５３にはボンディングパッド５１ａに対応してパッド開口部５５が形成されている。
下層側パッド４５ａ及びボンディングパッド５１ａの平面寸法は例えば８０×８０μｍ（マイクロメートル）〜１００×１００μｍである。
【０００５】
一方、プロセスの微細化により、層間絶縁層の平坦化処理にＣＭＰ（化学機械研磨）法が適用されている。例えば図７に示した半導体装置の製造工程では第２層間絶縁層４７の平坦化処理にＣＭＰ法が適用される。ＣＭＰ法の特徴として研磨速度のパターン密度依存がある。
【特許文献１】特開平８−１６７６３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
第２層間絶縁層Ｉの平坦化処理にＣＭＰ法を用いる場合、第２層間絶縁層Ｉ下に下層側パッド４５ａのような大きな構造物（凸部）があると、下層側パッド４５ａ上の第２層間絶縁層Ｉの研磨速度が遅くなり、これに伴って下層側パッド４５ａ上の第２層間絶縁層Ｉが他の領域に比べて厚く残り、平坦性が損なわれるという問題があった。
【０００７】
そこで本発明は、ボンディングパッド下に下層側パッドを形成しても層間絶縁層の平坦性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる半導体装置は、層間絶縁層と金属配線層が交互に形成された多層配線構造をもち、最上層の層間絶縁層上に金属材料からなるボンディングパッドが形成され、ボンディングパッドよりも下層の金属配線層においてボンディングパッド下の領域に下層側パッドを備え、ボンディングパッドと下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されている半導体装置であって、上記下層側パッドは上記接続孔の形成領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝を備えているものである。
【０００９】
本発明の半導体装置において、上記下層側パッドよりも下層の金属配線層において開口部又は上記切欠き溝をもつ１層又は複数層の下層側パッドをさらに備え、上下層の下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されているようにしてもよい。
【００１０】
また、上記開口部又は上記切欠き溝の最小平面寸法は５μｍ以上である例を挙げることができる。
また、上記最上層の層間絶縁層を含む上記層間絶縁層は下層側堆積絶縁膜、ＳＯＧ（spin on glass）膜、上層側堆積絶縁膜の積層構造により形成されている例を挙げることができる。
【００１１】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、本発明の半導体装置を製造するための方法であって、以下の工程（Ａ）から（Ｄ）を含む。
（Ａ）半導体基板上に層間絶縁層を形成した後、上記層間絶縁層上に、ボンディングパッドの形成予定領域で接続孔の形成予定領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝をもつ下層側パッドを含む下層側の金属配線層を形成する工程、
（Ｂ）上記下層側金属配線層上に最上層の層間絶縁層を形成し、上記最上層の層間絶縁層の上面をＣＭＰ法により平坦化する工程、
（Ｃ）上記下層側パッドの形成領域で上記開口部又は上記切欠き溝の形成領域とは異なる領域の上記最上層の層間絶縁層に接続孔を形成する工程、
（Ｄ）上記最上層の層間絶縁層上に、ボンディングパッドを含む最上層の金属配線層を形成する工程。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法において、上記工程（Ａ）での上記層間絶縁層の形成前に、下層側の層間絶縁層と、ボンディングパッドの形成予定領域で接続孔の形成予定領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝をもつ下層側パッドを含む下層側の金属配線層を形成する工程を１回又は複数回含むようにしてもよい。
【００１３】
また、上記下層側パッドに形成する上記開口部又は上記切欠き溝の最小平面寸法は５μｍ以上である例を挙げることができる。
また、上記最上層の層間絶縁層を含む上記層間絶縁層として、下層側堆積絶縁膜を形成し、その上に回転塗布法及びエッチバック法によりＳＯＧ膜を形成し、さらにその上に上層側堆積絶縁膜を形成し、上記上層側堆積絶縁膜をＣＭＰ法により平坦化処理する例を挙げることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置ではボンディングパッド下に形成された下層側パッドは接続孔の形成領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝を備えているようにし、本発明の製造方法では、層間絶縁層上に、ボンディングパッドの形成予定領域で接続孔の形成予定領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝をもつ下層側パッドを含む下層側の金属配線層を形成し（Ａ）、下層側金属配線層上に最上層の層間絶縁層を形成し、その最上層の層間絶縁層の上面をＣＭＰ法により平坦化する（Ｂ）ようにしたので、下層側パッドのパターン密度を平面形状に比べて小さくすることができ、ＣＭＰ法による最上層の層間絶縁層に対する平坦化処理において下層側パッド周辺の研磨速度を向上させて平坦性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の半導体装置において下層側パッドよりも下層の金属配線層において開口部又は切欠き溝をもつ１層又は複数層の下層側パッドをさらに備え、上下層の下層側パッドは層間絶縁層に形成された接続孔を介して電気的に接続されているようにし、本発明の製造方法において工程（Ａ）での層間絶縁層の形成前に、下層側の層間絶縁層と、ボンディングパッドの形成予定領域で接続孔の形成予定領域とは異なる領域に開口部又は切欠き溝をもつ下層側パッドを含む下層側の金属配線層を形成する工程を１回又は複数回含むようにすれば、すべての層の金属配線層についてボンディングパッドとの電気的接続をとることができる。さらに、すべての層の下層側パッドについて開口部又は切欠き溝を備えているので、下層側パッド、下層側パッド間の層間絶縁層についても平坦性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置において開口部又は切欠き溝の最小平面寸法は５μｍ以上であるようにし、本発明の製造方法において下層側パッドに形成する開口部又は切欠き溝の最小平面寸法は５μｍ以上であるようにすれば、平坦化処理前の下層側パッド上の層間絶縁層に段差を形成することができ、平坦化処理後の層間絶縁層の平坦性を向上させることができる。
【００１７】
本発明の半導体装置において最上層の層間絶縁層を含む層間絶縁層は下層側堆積絶縁膜、ＳＯＧ膜、上層側堆積絶縁膜の積層構造により形成されているようにし、本発明の製造方法において最上層の層間絶縁層を含む層間絶縁層として、下層側堆積絶縁膜を形成し、その上に回転塗布法及びエッチバック法によりＳＯＧ膜を形成し、さらにその上に上層側堆積絶縁膜を形成し、上層側堆積絶縁膜をＣＭＰ法により平坦化処理するようにすれば、パッド上部のＣＭＰ研磨速度が向上し、平坦化処理後の層間絶縁膜の平坦性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は半導体装置の一実施例を示す側断面図である。図２はこの実施例の下層側パッドを示す概略平面図である。図１の下層側パッド断面は図２のＸ−Ｘ位置に対応している。
半導体基板１の表面にソース領域及びドレイン領域を構成する拡散領域３，３が形成され、拡散領域３，３間の半導体基板１上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極７が形成されてトランジスタが形成されている。トランジスタの形成領域を含む半導体基板１上に第１層間絶縁層９が形成されている。第１層間絶縁層９には拡散領域３，３及びゲート電極７に対応してコンタクトホール１１が形成され、コンタクトホール１１内に導電材料、例えばタングステン１３が埋め込まれている。コンタクトホール１１の形成領域を含んで第１層間絶縁層９上に例えばアルミニウムからなる第１金属配線層１５が形成されている。第１金属配線層１５の一部はボンディングパッド形成領域に対応して形成された下層側パッド１５ａを構成する。
【００１９】
第１金属配線層１５及び下層側パッド１５ａの厚みは例えば７５００Å（オングストローム）である。下層側パッド１５ａの外形寸法は例えば８５×８５μｍである。下層側パッド１５ａに例えば平面形状が５×５μｍの開口部１５ｂがマトリクス状に形成され、下層側パッド１５ａのパターン寸法幅は５μｍに形成されている。図１では開口部１５ｂの個数を省略している。
【００２０】
第１金属配線層１５上及び下層側パッド１５ａ上を含んで第１層間絶縁層９上に最上層の層間絶縁層１７が形成されている。最上層の層間絶縁層１７は下層側から順にＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）膜（下層側堆積絶縁膜）１７ａ、ＳＯＧ膜１７ｂ、ＴＥＯＳ膜（上層側堆積絶縁膜）１７ｃからなる積層構造をもつ。最上層の層間絶縁層１７には第１金属配線層１５及び下層側パッド１５ａの所定の位置に対応してスルーホール１９が形成されている。スルーホール１９の平面寸法は例えば０.５×０.５μｍである。下層側パッド１５ａ上には複数のスルーホール１９が形成されている。この実施例ではスルーホール１９は下層側パッド１５ａの開口部１５ｂ，１５ｂ間のパターン上に対応して形成されているが、スルーホール１９は下層側パッド１５ａの周縁パターン上に形成されていてもよいし、下層側パッド１５ａのパターン交差部上に形成されていてもよい。
【００２１】
スルーホール１９内を含む最上層の層間絶縁層１７上に例えばアルミニウムからなる最上層金属配線層２１及びボンディングパッド２１ａが形成されている。ボンディングパッド２１ａはスルーホール１９を介して下層側パッド１５ａと電気的に接続されている。最上層金属配線層２１上及びボンディングパッド２１ａ上を含んで最上層の層間絶縁層１７上に最終保護膜２３が形成されている。最終保護膜２３にはボンディングパッド２１ａに対応してパッド開口部２５が形成されている。ボンディングパッド２１ａの平面寸法は例えば下層側パッド１５ａの外形寸法と同じであり、８５×８５μｍである。
【００２２】
図３及び図４は製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。図１から図４を参照してこの実施例を説明する。
（１）半導体基板１に拡散領域３，３及び素子分離膜（図示は省略）を形成し、半導体基板１上にゲート絶縁膜５及びゲート電極７を形成してトランジスタを形成した後、トランジスタ形成領域を含む半導体基板１上全面に第１層間絶縁層９を形成する（図３（ａ）参照）。
【００２３】
（２）写真製版技術及びエッチング技術により第１層間絶縁層９の所定の領域にコンタクトホール１１を形成する。コンタクトホール１１にタングステン１３を埋め込んだ後、第１層間絶縁層９上全面にスパッタ法によりアルミニウム層を７５００Åの膜厚に形成する。そのアルミニウム層を写真製版技術及びエッチング技術によりパターニングして、第１金属配線層１５、及び開口部１５ｂをもつ下層側パッド１５ａを形成する（図２及び図３（ｂ）参照）。
【００２４】
（３）例えばＣＶＤ法により、第１金属配線層１５上及び下層側パッド１５ａ上を含む第１層間絶縁層９上全面にＴＥＯＳ膜１７ａを３５００Åの膜厚に形成する（図３（ｃ）参照）。
【００２５】
（４）回転塗布法によりＴＥＯＳ膜１７ａ上にＳＯＧ膜１７ｂを形成した後、エッチバック処理を施して余分なＳＯＧ膜１７ｂを除去する。このとき、下層側パッド１５ａの開口部１５ｂ上のＴＥＯＳ膜１７ａに形成された凹部にはＳＯＧ膜１７ｂは残存していない（図３（ｄ）参照）。
【００２６】
（５）ＳＯＧ膜１７ｂ上を含むＴＥＯＳ膜１７ａ上全面にＴＥＯＳ膜１７ｃを３５００Åの膜厚に形成する。このとき、下層側パッド１５ａ上のＴＥＯＳ膜１７ｃには開口部１５ｂに起因して形成された凹部により段差が形成されている（図４（ｅ）参照）。
【００２７】
（６）ＣＭＰ法により、ＴＥＯＳ膜１７ｃの上面側を研磨してＴＥＯＳ膜１７ｃの表面を平坦化して、ＴＥＯＳ膜１７ａ、ＳＯＧ膜１７ｂ及びＴＥＯＳ膜１７ｃからなる第２層間絶縁層１７の形成を完了する。ＴＥＯＳ膜１７ｃの平坦化処理時に、下層側パッド１５ａの形成領域において、ＴＥＯＳ膜１７ｃには段差が形成されているので、他の領域に比べて研磨速度が極端に遅くなることはなく、ＴＥＯＳ膜１７ｃの上面を平坦に形成することができる（図４（ｆ）参照）。
【００２８】
（７）写真製版技術及びエッチング技術により最上層の層間絶縁層１７の所定の領域にスルーホール１９を形成する。スルーホール１９の形成領域を含む第１層間絶縁層９上全面にスパッタ法によりアルミニウム層を７５００Åの膜厚に形成する。そのアルミニウム層を写真製版技術及びエッチング技術によりパターニングして、最上層金属配線層２１及びボンディングパッド２１ａを形成する（図４（ｇ）参照）。
【００２９】
（８）最上層金属配線層２１上及びボンディングパッド２１ａ上を含む最上層の層間絶縁層１７上全面に例えば窒化膜と酸化膜の積層膜からなる最終保護膜２３を形成する。写真製版技術及びエッチング技術により、ボンディングパッド２１ａ上の最終保護膜２３にパッド開口部２５を形成する（図１参照）。
【００３０】
上記の実施例では２層の金属配線構造をもつ半導体装置に本発明を適用しているが、本発明が適用される半導体装置はこれに限定されるものではなく、３層以上の金属配線構造をもつ発明にも本発明を適用することができる。
【００３１】
図５は半導体装置の他の実施例を示す側断面図である。この実施例は本発明を３層の金属配線構造をもつ半導体装置に適用したものである。図５において図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【００３２】
半導体基板１に拡散領域３，３が形成され、半導体基板１上にゲート絶縁膜５、ゲート電極７及び第１層間絶縁層９が形成されている。第１層間絶縁層９には所定の領域にコンタクトホール１１が形成され、コンタクトホール１１内にタングステン１３が埋め込まれている。第１層間絶縁層９上の所定の領域に第１金属配線層１５及び下層側パッド１５ａが形成されている。下層側パッド１５ａの平面形状は図２と同じである。図５では開口部１５ｂの個数を省略している。
【００３３】
第１金属配線層１５上及び下層側パッド１５ａ上を含んで第１層間絶縁層９上に第２層間絶縁層２７が形成されている。第層間絶縁層は下層側から順にＴＥＯＳ膜２７ａ、ＳＯＧ膜２７ｂ、ＴＥＯＳ膜２７ｃからなる積層構造をもつ。第２層間絶縁層２７には第１金属配線層１５及び下層側パッド１５ａの所定の位置に対応してスルーホール２９が形成されている。スルーホール２９の平面寸法は例えば０.５×０.５μｍである。下層側パッド１５ａ上には複数のスルーホール２９が形成されている。
【００３４】
スルーホール２９の形成領域を含んで第２層間絶縁層２７上に例えばアルミニウムからなる第２金属配線層３１が形成されている。第２金属配線層３１の一部はボンディングパッド形成領域に対応して形成された下層側パッド３１ａを構成する。下層側パッド３１ａはスルーホール２９を介して下層側パッド１５ａと電気的に接続されている。
【００３５】
第２金属配線層３１及び下層側パッド３１ａの厚みは例えば７５００Åである。下層側パッド３１ａの平面形状は例えば下層側パッド１５ａと同じであり、外形寸法は８５×８５μｍであり、平面形状が５×５μｍの開口部３１ｂがマトリクス状に形成されている。図５では開口部３１ｂの個数を省略している。
【００３６】
第２金属配線層３１上及び下層側パッド３１ａ上を含んで第２層間絶縁層２７上に、層側から順にＴＥＯＳ膜１７ａ、ＳＯＧ膜１７ｂ、ＴＥＯＳ膜１７ｃからなる積層構造の最上層の層間絶縁層１７が形成されている。最上層の層間絶縁層１７には第２金属配線層３１及び下層側パッド３１ａの所定の位置に対応してスルーホール１９が形成されている。下層側パッド３１ａ上には複数のスルーホール１９が形成されている。
【００３７】
スルーホール１９内を含む最上層の層間絶縁層１７上に最上層金属配線層２１及びボンディングパッド２１ａが形成されている。ボンディングパッド２１ａはスルーホール１９を介して下層側パッド３１ａと電気的に接続されており、さらにスルーホール２９を介して下層側パッド１５ａとも電気的に接続されている。最上層の層間絶縁層１７上に、ボンディングパッド２１ａに対応してパッド開口部２５をもつ最終保護膜２３が形成されている。
【００３８】
この実施例を製造するための製造方法において、ＴＥＯＳ膜２７ａ、ＳＯＧ膜２７ｂ、ＴＥＯＳ膜２７ｃからなる第２層間絶縁層２７の形成は、図３（ｄ）から図４（ｆ）を参照して説明した上記工程（４）から工程（６）と同様にして行なうことができる。第２層間絶縁層２７の形成工程において、下層側パッド１５ａに複数の開口部１５ａが形成されているので、上記工程（４）から工程（６）の場合と同様に、第２層間絶縁層２７を平坦に形成することができる。
【００３９】
また、ＴＥＯＳ膜１７ａ、ＳＯＧ膜１７ｂ、ＴＥＯＳ膜１７ｃからなる第１層間絶縁層１７の形成も上記工程（４）から工程（６）と同様にして行なうことができる。第１層間絶縁層１７の形成工程においても、下層側パッド３１ａに複数の開口部３１ａが形成されているので、上記工程（４）から工程（６）の場合と同様に、第２層間絶縁層１７を平坦に形成することができる。
【００４０】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は実施例に限定されるものではなく、材料、寸法、形状及び配置などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【００４１】
例えば、ボンディングパッド下に形成される下層側パッドは、図６に示すように、下層側パッド３３ａの周縁部から矩形の切欠き溝３３ｂが形成されているものであってもよい。図６において、例えば下層側パッド３３ａの平面寸法は８５×８５μｍ、パターン寸法幅は５μｍであり、切欠き溝３３ｂの幅寸法は５μｍである。また、下層側パッドの平面形状や開口部又は切欠き溝の形状は上記に示した実施例に限定されるものではない。
【００４２】
また、上記の実施例では下層側パッド上に形成される層間絶縁層として３層構造の層間絶縁層を備えているが、本発明はこれに限定されるものではなく、層間絶縁層は１層構造、２層構造又は４層構造以上であってもよい。
また、上記の実施例ではスルーホール１９，２９に金属配線層２１，３１と同じ材料を埋め込んでいるが、本発明はこれに限定されるものではなく、スルーホール１９，２９に導電材料、例えばタングステンを埋め込んだ後、金属配線層２１，３１を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】半導体装置の一実施例を示す側断面図である。
【図２】同実施例の下層側パッドを示す平面図である。
【図３】製造方法の一実施例の前半を説明するための工程断面図である。
【図４】同実施例の後半を説明するための工程断面図である。
【図５】半導体装置の他の実施例を示す側断面図である。
【図６】下層側パッドの他の例を示す概略平面図である。
【図７】従来の半導体装置のボンディングパッド形成領域及び金属配線層形成領域を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    半導体基板
３    拡散領域
５    ゲート絶縁膜
７    ゲート電極
９    第１層間絶縁膜
１１    コンタクトホール
１３    タングステン
１５    第１金属配線層
１５ａ  下層側パッド
１５ｂ  開口部
１７    第１層間絶縁層
１７ａ  ＴＥＯＳ膜
１７ｂ  ＳＯＧ膜
１７ｃ  ＴＥＯＳ膜
１９    スルーホール
２１    最上層金属配線層
２１ａ  ボンディングパッド
２３    最終保護膜
２５    パッド開口部
２７    第２層間絶縁層
２７ａ  ＴＥＯＳ膜
２７ｂ  ＳＯＧ膜
２７ｃ  ＴＥＯＳ膜
２９    スルーホール
３１    第２金属配線層
３１ａ  下層側パッド
３１ｂ  開口部
３３ａ  下層側パッド
３３ｂ  切欠き溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005166953.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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