(57)【要約】【課題】  洗浄工程における洗浄むらが少ないばかりか、配向膜の下地層の損傷についても少ない基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、および基板の洗浄装置を提供する。【解決手段】  配向膜を備えた基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、あるいはおよびそのような基板を洗浄するための洗浄装置であって、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）あるいはそれらを実施するための装置を含むことを特徴とする。（Ａ）基板の表面に配向膜を形成する工程（Ｂ）配向膜の表面に、ラビング処理を施す工程（Ｃ）配向膜を備えた基板を、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させる工程（Ｄ）配向膜を備えた基板に、シャワー洗浄および超音波洗浄、あるいはいずれか一方の洗浄処理を施す工程。【選択図】  図１
2005309180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向膜を備えた基板の洗浄方法であって、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含むことを特徴とする基板の洗浄方法。
（Ａ）基板の表面に配向膜を形成する工程
（Ｂ）配向膜の表面に、ラビング処理を施す工程
（Ｃ）配向膜を備えた基板を、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させる工程
（Ｄ）配向膜を備えた基板に、シャワー洗浄および超音波洗浄、あるいはいずれか一方の洗浄処理を施す工程
【請求項２】
前記工程（Ａ）において、前記配向膜を形成する基板として、下地層としてのＳｉＯ2層を備えた基板を使用することを特徴とする請求項１に記載の基板の洗浄方法。
【請求項３】
前記工程（Ａ）において、前記配向膜を形成する際に、当該配向膜をパターニング形成し、下地層としてのＳｉＯ2層を一部露出させてあることを特徴とする請求項１に記載の基板の洗浄方法。
【請求項４】
前記工程（Ｃ）において、前記配向膜を備えた基板を水平方向に移動させながら、あるいは、前記配向膜を備えた基板を水中に浸漬することにより、前記水槽中の水と全体的に接触させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の洗浄方法。
【請求項５】
前記工程（Ｃ）において、前記水槽中の水を下方から上方に流動させるとともに、当該水槽から水を溢れさせながら、前記水槽中の水量を所定量に保持することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板の洗浄方法。
【請求項６】
前記工程（Ｃ）において、前記水槽中の水の温度を１０〜５０℃の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板の洗浄方法。
【請求項７】
配向膜を備えた基板の製造工程中に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板の洗浄方法を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
ラビング処理を施した後の配向膜を備えた基板の洗浄装置であって、シャワー洗浄装置および超音波洗浄装置、あるいはいずれか一方の洗浄装置とともに、所定量の水を収容するための水槽と、水槽中の水量を所定量に保持するための水量調整手段と、配向膜を備えた基板を移送するための移送手段と、を含む前処理装置を備えたことを特徴とする基板の洗浄装置。
【請求項９】
前記前処理装置において、前記水量調整手段により、前記水槽中の水を下方から上方に流動させ、かつ、当該水槽から水を溢れさせて、前記水槽中の水量を所定量に保持するとともに、前記移送手段によって、前記配向膜を備えた基板を水平方向に移動させながら、前記水槽中の水と全体的に接触させることを特徴とする請求項８に記載の基板の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の洗浄方法、基板の製造方法および基板の洗浄装置に関する。特に、洗浄工程における洗浄むらが少ないとともに、配向膜における下地層の損傷が少ない配向膜を備えた基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、およびそのような基板の洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、対向する二枚の透明基板間に液晶材料を充填し、選択的に電界を与えて特定の図形や文字等の情報を表示するための液晶表示装置が多用されている。
このような液晶表示装置に用いられる各透明基板の対向面には、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）等からなる透明電極が形成されており、さらに、その表面には、透明基板上に形成された透明電極を被覆するように、ポリイミド樹脂等からなる配向膜が形成されている。そして、液晶材料が所定方向に配向しやすいように、その配向膜の表面を、ポリアミドやポリエステル等からなる布やローラで一定方向に擦って、ラビング処理を施していた。
しかしながら、このようなラビング処理を施すと、配向膜の削りかす等が発生し、それが配向不良の原因となるために、基板表面を洗浄して、これらの削りかす等を除去しなければならなかった。
【０００３】
そこで、このようなラビング処理後の基板を洗浄する場合、図８〜図１０に示すように、水やアルコールを用いて配向膜の表面を加圧洗浄する方法や、水やアルコールに浸漬した状態で、超音波洗浄する方法が提案されている。
より具体的には、図８に示すように、液晶用あるいはカラーフィルタ用基板７０１の表面に形成した配向膜（図示せず）にラビング処理した後、配向膜の表面を洗浄する洗浄方法において、超音波や高圧の純水を噴出して洗浄を行う前に、基板７０１の表面に対して、イソプロピルアルコール又はイソプロピルアルコール水溶液７０５を、ポンプ７０７によって吹き付ける洗浄方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、図９に示すように、配向膜をラビング処理した後に、二流体ノズル８０８を用いて発生させた霧状粒子を基板８０２の表面に付着させて、基板８０２の表面全体に流れを持たない水の膜を形成する工程８０３と、当該流れを持たない水の膜が形成された基板８０２を超音波処理や高圧スプレーによりウェット洗浄する工程８０４と、を含む液晶表示パネルの製造方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、図１０に示すように、ラビング処理された後の透明基板９０１を洗浄するための透明基板の洗浄装置であって、透明基板９０１を洗浄する前に、噴霧液を霧状に噴霧するための噴霧ノズル９０７が配設されたミスト部９０２が設けられ、その後に、透明基板９０１の表面に対して、超音波が付与された洗浄水をシャワー噴出させるための超音波洗浄装置９１０が配設された超音波洗浄部９０３と、透明基板９０１の表面に洗浄水を噴出させる高圧スプレーノズル９１４が配設されたスプレー洗浄部９０４と、シャワーノズル９１７が配設されたリンス室９０５と、が設けられている。そして、ラビング処理された後の透明基板９０１をこのように洗浄した後に、透明基板９０１の表面に加圧空気を噴出させるエアノズル９１８が配設された乾燥部９０６が設けられている透明基板の洗浄装置が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平９−３３９２７号公報（特許請求の範囲、図１等）
【特許文献２】特開平１１−３０５１８４号公報（特許請求の範囲、図１等）
【特許文献３】特開２００２−３５０８０５号公報（特許請求の範囲、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の洗浄方法では、イソプロピルアルコール又はイソプロピルアルコール水溶液７０５が基板７０１の表面の配向膜に対して、不均一に接触したり、配向膜中に過度に浸透したりするために、配向膜の削りかす等を十分に除去することができないという問題が見られた。また、イソプロピルアルコール又はイソプロピルアルコール水溶液７０５を用いると、洗浄コストが高くなるばかりか、局所的に洗浄されやすく、電気光学装置を構成した場合に、液晶材料等の配向むらが生じたり、プレチルト角が低下したりするという問題が見られた。
【０００７】
また、特許文献２に記載の液晶表示パネルの製造方法によれば、霧状粒子を発生させるために二流体ノズル８０８等の特殊装置を用いる必要があるばかりか、かかる霧状粒子を用いても、水の膜を安定的かつ全体的に形成することは困難であった。したがって、洗浄むらが発生しやすく、均一に洗浄することは未だ困難であった。
【０００８】
また、特許文献３に記載の透明基板の洗浄装置においても、噴霧液を霧状に噴霧するための噴霧ノズル９０７が配設されたミスト部９０２を設けなければならない一方、かかる噴霧ノズル９０７を用いても、水膜を安定的かつ全体的に形成することは困難であった。したがって、洗浄むらが発生しやすく、均一に洗浄することは未だ困難であった。
【０００９】
さらに言えば、特許文献１〜３に記載の従来の洗浄方法や洗浄装置によっては、いずれも配向膜をパターニング形成し、段差部を備えて隣接する配向膜間に露出している下地層の保護については不十分であった。したがって、かかる下地層が、洗浄工程で著しく損傷してしまい、それが配向膜上に飛散して、電気光学材料等の配向不良の原因となりやすいという問題が見られた。
【００１０】
そこで、本発明の発明者らは、これらの点を鋭意検討した結果、ラビング処理後の配向膜を備えた基板を、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させる前処理工程を設けることにより、次工程の洗浄工程において、洗浄むらが発生しないように、均一に洗浄できることを見出した。また、配向膜の下地層が、段差部としての配向膜の間に露出している場合であっても、所定の前処理工程を設けることにより、下地層の表面に安定的に水膜を形成し、洗浄中に、かかる下地層を損傷することが少なくなり、結果として、電気光学材料等の配向不良が著しく低下することを見出したものである。
すなわち、本発明は、簡易な洗浄方法および洗浄装置であっても、洗浄むらが発生せずに、均一に洗浄することができるとともに、配向膜の下地層が露出している場合であっても、当該下地層を損傷するおそれが少ない基板の洗浄方法、そのような基板の洗浄方法を製造工程中に含む基板の製造方法、およびそのような基板の洗浄装置をそれぞれ提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、配向膜を備えた基板の洗浄方法であって、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含むことを特徴とする基板の洗浄方法が提供され、上述した問題点を解決することができる。
（Ａ）基板の表面に配向膜を形成する工程
（Ｂ）配向膜の表面に、ラビング処理を施す工程
（Ｃ）配向膜を備えた基板を、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させる工程
（Ｄ）配向膜を備えた基板をシャワー洗浄および超音波洗浄、あるいはいずれか一方の洗浄を施す工程
すなわち、本発明の基板の洗浄方法によれば、所定の前処理工程（工程Ｃ）を設けて、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させることにより、次工程（工程Ｄ）において、ラビング処理後の配向膜を備えた基板を、洗浄むらが発生しないように、均一に洗浄することができる。
また、本発明の基板の洗浄方法によれば、配向膜の下地層として、ＳｉＯ2層やＳｎＯ層等の無機物層が露出している場合であっても、所定の前処理工程（工程Ｃ）を設けることにより、下地層の表面に安定的に水膜を形成し、次工程（工程Ｄ）における下地層の損傷を著しく低下させることができる。したがって、損傷した下地層が原因となって生じる電気光学材料等の配向不良を、著しく低下させることができる。
【００１２】
また、本発明の基板の洗浄方法を実施するにあたり、工程（Ａ）において、配向膜を形成する基板として、下地層としてのＳｉＯ2層を備えた基板を使用することが好ましい。
すなわち、配向膜を形成する基板上に、当該配向膜の密着性を高めるために、下地層としてのＳｉＯ2層を形成する場合があるが、本発明の基板の洗浄方法によれば、このようなＳｉＯ2層を設けた場合であっても、当該ＳｉＯ2層の損傷を著しく低下することができる。
なお、かかるＳｉＯ2層の下方に、カラーフィルタ等の有機層が形成してある場合には、基板に対する配向膜の密着性がさらに低下して、剥離しやすくなる場合がある。それに対して、本発明の洗浄方法によれば、このような有機層の上に形成されたＳｉＯ2層であっても、その密着性を向上させ、損傷や剥離を著しく抑制することができる。
【００１３】
また、本発明の基板の洗浄方法を実施するにあたり、工程（Ａ）において、配向膜を形成する際に、当該配向膜をパターニング形成し、下地層としてのＳｉＯ2層を一部露出させてあることが好ましい。
すなわち、配向膜を備えた基板の生産効率を高めるために、複数個の基板を連結したままの状態で、ラビング処理後に洗浄する場合があるが、その場合、後工程で切断しやすいように、配向膜をパターニング形成するのが通常である。したがって、本発明の基板の洗浄方法によれば、このような配向膜がパターニング形成され、下地層としてのＳｉＯ2層が一部露出している場合であっても、ＳｉＯ2層の損傷を著しく低下することができる。
なお、本発明の基板の洗浄方法によれば、歩留りが向上するため、所定の前処理工程（工程Ｃ）を設けたとしても、配向膜を備えた基板の生産効率を従来通り維持することができる。
【００１４】
また、本発明の基板の洗浄方法を実施するにあたり、工程（Ｃ）において、配向膜を備えた基板を水平方向に移動させながら、あるいは、配向膜を備えた基板を水中に浸漬することにより、水槽中の水と全体的に接触させることが好ましい。
すなわち、いきなり加圧水やアルコール等を使用すると、配向膜を備えた基板と不均一に接触したり、配向膜中に過度に浸透したりするために、洗浄むらが発生しやすくなるが、本発明の基板の洗浄方法によれば、これらの問題が発生せず、均一に洗浄することができる。
また、本発明の基板の洗浄方法によれば、配向膜の下地層として、ＳｉＯ2層等の無機物層が露出している場合であっても、所定の前処理工程（工程Ｃ）を設けることにより、次工程（工程Ｄ）における下地層の損傷を著しく低下させることができる。したがって、損傷した下地層が原因となって生じる電気光学材料等の配向不良を、著しく低下させることができる。
【００１５】
また、本発明の基板の洗浄方法を実施するにあたり、工程（Ｃ）において、水槽中の水を下方から上方に流動させるとともに、当該水槽から溢れさせながら所定量に保持することが好ましい。
すなわち、本発明の基板の洗浄方法によれば、水槽中の水量や水の汚染状態を容易に管理することができる。また、本発明の基板の洗浄方法によれば、配向膜や露出した下地層等に対して、垂直方向に水が吹き付けられないため、配向膜や下地層等の損傷を著しく低下することができる。
【００１６】
また、本発明の基板の洗浄方法を実施するにあたり、工程（Ｃ）において、水槽中の水の温度を１０〜５０℃の範囲内の値とすることが好ましい。
すなわち、本発明の基板の洗浄方法によれば、過剰な加熱装置や冷却装置が不要となるとともに、水槽中における腐敗菌等の発生についても、有効に防止することができる。
【００１７】
また、本発明の別の態様は、配向膜を備えた基板の製造工程中に、上述したいずれかの基板の洗浄方法を含むことを特徴とする基板の製造方法である。
すなわち、本発明の基板の製造方法によれば、所定の洗浄方法を含むことにより、下地層として、ＳｉＯ2層等の無機物層が露出している場合であっても、かかる下地層を損傷することなく洗浄し、クリーン度の高い基板を効率的に製造することができる。したがって、損傷した下地層が原因となって生じる電気光学材料等の配向不良が著しく低下可能な基板を効率的に提供することができる。
【００１８】
また、本発明の別の態様は、ラビング処理を施した後の配向膜を備えた基板の洗浄装置であって、シャワー洗浄装置および超音波洗浄装置、あるいはいずれか一方の洗浄装置とともに、所定量の水を収容するための水槽と、水槽中の水量を所定量に保持するための水量調整手段と、配向膜を備えた基板を移送するための移送手段と、を含む前処理装置を備えたことを特徴とする基板の洗浄装置である。
すなわち、本発明の基板の洗浄装置によれば、簡易な構成であっても、洗浄むらが発生せずに、均一に洗浄することができるとともに、配向膜の下地層が露出等している場合であっても、当該下地層を損傷することが少ない基板の洗浄装置を提供することができる。
【００１９】
また、本発明の基板の洗浄装置を構成するにあたり、前処理装置において、水量調整手段により、水槽中の水を下方から上方に流動させ、かつ、当該水槽から水を溢れさせて、水槽中の水量を所定量に保持するとともに、移送手段によって、配向膜を備えた基板を水平方向に移動させながら、水槽中の水と全体的に接触させることが好ましい。
すなわち、本発明の基板の洗浄装置によれば、簡易な構成であっても、水槽中の水量や水の汚染状態を容易に管理することができ、従来の洗浄装置との組み合わせも極めて容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、およびそのような基板の洗浄方法を実施するための洗浄装置に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、これらの実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００２１】
［第１実施形態］
第１実施形態は、配向膜を備えた基板の洗浄方法およびそのような洗浄方法を含む基板の製造方法であって、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を順次に含むことを特徴とする基板の洗浄方法およびそのような洗浄方法を含む基板の製造方法である。
（Ａ）基板の表面に配向膜を形成する工程
（Ｂ）配向膜の表面に、ラビング処理を施す工程
（Ｃ）配向膜を備えた基板を、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させる工程
（Ｄ）配向膜を備えた基板に、シャワー洗浄および超音波洗浄、あるいはいずれか一方の洗浄処理を施す工程
【００２２】
以下、図１〜図７を適宜参照しながら、第１実施形態の配向膜を備えた基板の洗浄方法およびそのような洗浄方法を含む基板の製造方法について、液晶表示装置を構成するための第１の基板（カラーフィルタ基板と称する場合がある。）および第２の基板（素子基板と称する場合がある。）を洗浄する工程を含んで、当該基板を製造する場合を例に採って説明する。
なお、図１〜図２は、配向膜２８６を備えた基板３０１の洗浄方法を説明するために供する図であり、図３は、配向膜２８６を備えた基板３０１の一連の洗浄方法を説明するためのフロー図であり、図４は、配向膜２８６を備えた基板３０１のラビング方法を含む製造方法を説明するために供する図である。また、図５は、第１の基板３０および第２の基板６０を利用して構成した液晶表示装置に使用される液晶パネル２０の概略構成を説明するために供する図であり、図６は、その断面図である。さらに、図７は、シャワー洗浄装置４００の概略構成を説明するために供する図である。
【００２３】
１．工程（Ａ）
工程（Ａ）は、図３のフロー図にＳ１として示すように、基板の表面に、所定の配向膜を形成する工程であり、基板の製造方法に含まれる工程であるが、本発明においては広義に解して、洗浄方法の前処理工程として、基板の洗浄方法にも含むものである。
より具体的には、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、基板２８０、例えば、ガラス基板等の表面に電極（図示せず）や、カラーフィルタ２８２、さらには下地層としての無機物層（ＳｉＯ2層）２８４を形成した後、ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂等からなる配向膜用塗布液を塗布し、さらに加熱硬化して、配向膜２８６を形成することができる。
なお、言うまでもなく、かかる工程（Ａ）に関しては、基板２８０の処理方法や、電極（図示せず）やカラーフィルタ２８２の形成方法等を含めて、従来の配向膜の態様や形成方法を適宜採用することができる。したがって、従来公知の内容に準じて、上述した内容の変更や追加が可能である。
【００２４】
また、工程（Ａ）において、図４（ａ）に示すように、配向膜２８６を形成するための基板２８０、例えば、ガラス基板を準備して、図４（ｂ）〜（ｃ）に示すように、カラーフィルタ２８２や下地層２８４としてのＳｉＯ2層を順次形成し、その基板３０１´を、配向膜２８６を形成するために使用することが好ましい。
この理由は、配向膜２８６を形成するための基板２８０上に、当該配向膜２８６の密着性を高めるために、下地層２８４としての無機物層を形成する場合があるが、中でもＳｉＯ2層を形成することにより、緻密で、透明な膜が得られるとともに、配向膜２８６の密着性をさらに高めることができるためである。
そして、第１実施形態の洗浄方法によれば、所定の前処理工程を含むことにより、配向膜２８６の下地層２８４としてのＳｉＯ2層を形成したとしても、洗浄工程におけるＳｉＯ2層の損傷を著しく低下することができる。
なお、図４（ｃ）に示すように、かかる下地層２８４としてのＳｉＯ2層の下方に、カラーフィルタ等の有機層２８２が形成してある場合には、配向膜２８６を形成するための基板２８０等に対する配向膜２８６の密着性がさらに低下する場合がある。それに対して、第１実施形態の洗浄方法によれば、このような有機層２８２の上に形成された下地層２８４としてのＳｉＯ2層であっても、所定の前処理工程を含むことにより、その密着性を向上させ、洗浄工程におけるＳｉＯ2層の損傷や剥離を著しく抑制することができる。
【００２５】
また、工程（Ａ）において、図４（ｄ）に示すように、配向膜２８６を形成する際に、当該配向膜２８６をパターニング形成し、下地層２８４としてのＳｉＯ2層を一部露出させてあることが好ましい。
この理由は、配向膜２８６を備えた基板３０１の生産効率を高めるために、複数個の基板を連結したままの状態で、ラビング処理後に基板を洗浄する場合があるが、下地層２８４としてのＳｉＯ2層を一部露出させて、後工程で切断しやすいようにするためである。
逆に言えば、第１実施形態の洗浄方法によれば、このような配向膜２８６がパターニング形成され、所定段差を構成するとともに、下地層２８４としてのＳｉＯ2層が一部露出している場合であっても、かかるＳｉＯ2層の表面に全面的かつ安定的に水膜を形成することができる。したがって、表面に全面的に形成した水膜により、洗浄工程におけるＳｉＯ2層の損傷を著しく低下させることができる。
なお、かかる下地層２８４としてのＳｉＯ2層の露出に関して、後述する前処理工程（工程Ｃ）を設けない場合には、ＳｉＯ2層の露出面積を１００％としたときに、９０〜１００％のＳｉＯ2層が剥離することが判明している。さらに、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して、二流体ノズルや噴霧ノズルにより、霧状粒子を吹き付けても、ＳｉＯ2層の剥離面積は未だ９０〜１００％の範囲であって、保護効果が得られないことが判明している。
それに対して、後述する前処理工程（工程Ｃ）を設けることにより、ＳｉＯ2層の剥離面積が、ＳｉＯ2層の露出面積の０〜１％程度まで著しく低減できることが判明している。すなわち、第１実施形態の洗浄方法によれば、所定の前処理を含むことにより、配向膜２８６や下地層２８４としてのＳｉＯ2層に対して、全面的かつ安定的に水膜を形成することができるため、著しい保護効果を発揮できることが理解される。
【００２６】
２．工程（Ｂ）
工程（Ｂ）は、図３のフロー図にＳ２として示すように、基板上に直接的または間接的に形成した配向膜の表面に、ラビング処理を施す工程である。
より具体的には、図４（ｅ）に示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して、ポリアミドやポリエステル等からなるラビング布やラビングローラ２８８を適用し、配向膜２８６の表面を所定圧力で擦って、いわゆるラビング処理を行い、配向膜２８６に所定の配向性を付与する工程である。
なお、工程（Ｂ）に関しても、従来のラビング処理の態様や方法を適宜採用することができ、従来公知の内容に準じて、上述した内容の変更や追加が可能である。
【００２７】
３．工程（Ｃ）
工程（Ｃ）は、図３のフロー図にＳ３として示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１を、所定量の水を収容した水槽中の水と全体的に接触させる工程である。
より具体的には、洗浄工程の前処理として、図１（ａ）に示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１を水平方向に移動させながら、あるいは、図１（ｂ）に示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１を水中に浸漬することにより、水槽３０２中の水３０４と、全体的に接触させることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２８６を備えた基板３０１と、水３０４と、を全体的に接触させることにより、次工程（工程Ｄ）において、ラビング処理後の配向膜２８６を備えた基板３０１を、洗浄むらが発生しないように、均一に洗浄することができるためである。逆に言うと、いきなり加圧水やアルコール等を適用すると、不均一に基板と接触したり、配向膜中に過度に浸透したりするために、洗浄むらが発生しやすくなるためである。
また、配向膜２８６の下地層２８４として、ＳｉＯ2層等の無機物層が露出している場合であっても、所定量の水を収容した水槽３０２中の水３０４と予め全体的に接触させることにより、上述したように、次工程（工程Ｄ）における洗浄工程での下地層２８４の損傷を著しく低下させることができるためである。したがって、損傷した下地層２８４が原因となって生じる電気光学物質等の配向不良を、著しく低下させることができる。
【００２８】
なお、工程（Ｃ）において、あくまで、配向膜２８６を備えた基板３０１と、所定量の水を収容した水槽３０２中の水３０４とを、全体的に接触させることが必要である。言い換えれば、従来技術のように、二流体ノズルや噴霧ノズルにより、霧状粒子を単に吹き付けたとしても、安定的に水膜を形成することができないことが判明している。
すなわち、霧状粒子を吹き付けたとしても、次工程（工程Ｄ）における配向膜や下地層の損傷を防止することは困難であるとともに、損傷した配向膜や下地層が原因となって生じる電気光学材料等の配向不良を有効に防止することは困難である。
【００２９】
また、工程（Ｃ）において、図２に示すように、水槽３０２中の水３０４を下方から上方に流動させるとともに、当該水槽３０２から溢れさせながら所定量に保持することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、平均滞留時間を制御して、水槽３０２中の水量や水の汚染状態を容易に管理することができるためである。また、このように実施することにより、配向膜２８６や露出した下地層２８４の膜面に対して、垂直方向に水が吹き付けられないため、安定的かつ全面的に水膜が形成され、洗浄工程における配向膜２８６や露出した下地層２８４の損傷を著しく抑制することができるためである。
なお、水槽３０２中の水３０４の所定量は、水槽３０２の大きさによって基本的に定まるが、かかる水槽３０２の大きさ自体は、配向膜２８６を備えた基板３０１が全体的に接触できるか否か等を考慮して定めることが好ましい。したがって、配向膜２８６を備えた基板３０１の大きさが、一例として、３７０ｍｍ×４００ｍｍ×２ｍｍである場合、水槽３０２に収容する水量をその体積の２〜１００倍とすることが好ましい。
【００３０】
また、工程（Ｃ）において、水槽３０２中の水３０４の温度を１０〜５０℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、安定的かつ全面的に水膜を形成することができるとともに、過剰な加熱装置や冷却装置が不要となり、さらには、水槽３０２中の水３０４における腐敗菌等の発生についても、有効に防止することができるためである。逆に言うと、水３０４の温度が１０℃未満となったり、５０℃を超えたりすると、安定的かつ全面的に水膜を形成することが困難になったり、過剰な加熱装置や冷却装置が必要となったりする場合があるためである。
したがって、さらに安定的かつ全面的に水膜を形成できることから、水槽３０２中の水３０４の温度を１５〜４５℃の範囲内の値とすることがより好ましく、２０〜４０℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３１】
また、水槽３０２中の水３０４としては、通常、体積抵抗が１×１０10〜１×１０17Ω・ｃｍの蒸留水やイオン交換水、あるいは限外ろ過水等を使用するが、これら水槽３０２中の水３０４の温度を所定範囲内に管理するとともに、これら蒸留水等の供給段階の温度についても管理することが好ましい。
この理由は、このように温度管理をすることにより、水槽における過剰な加熱装置や冷却装置が不要となるとともに、次工程（工程Ｄ）における洗浄性をより安定化することができるためである。
なお、水槽３０２中の水３０４として、一旦沸騰させて凝縮させた蒸留水、あるいはその蒸留水をさらにイオン交換樹脂により処理したイオン交換水や、限外ろ過膜により処理した限外ろ過水を使用することにより、ＳｉＯ2層等の無機物層の保護性を高めることができる。すなわち、これらの水であれば、アルカリ成分や酸成分、および残存空気量等が、所定範囲以下に低下しているために、ＳｉＯ2層等の無機物層を浸食するおそれが少なくなるとともに、安定的かつ全面的に水膜を形成することができる。
【００３２】
また、工程（Ｃ）において、配向膜２８６を備えた基板３０１の水槽３０２中の水３０４への浸漬時間（配向膜２８６を備えた基板３０１を水平方向に移動させる場合は、水への接触時間に相当する。）は、洗浄工程のタクト時間や基板の大きさ、あるいは基板の生産効率等を考慮して定めることが好ましいが、より具体的には、５〜１２０秒／基板の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、基板の生産効率を低下させずに、所定の洗浄効果や下地層に対する損傷防止効果が発揮できるためである。
したがって、配向膜２８６を備えた基板３０１の水槽３０２中の水３０４への浸漬時間を１０〜８０秒／基板の範囲内の値とすることがより好ましく、１５〜６０秒／基板の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３３】
４．工程（Ｄ）
工程（Ｄ）は、図３のフロー図にＳ４およびＳ５としてそれぞれ示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１に、シャワー洗浄および超音波洗浄、あるいはいずれか一方の洗浄処理を施す工程である。
すなわち、超音波洗浄や高圧水流洗浄等のウェット洗浄を行い、配向膜２８６を備えた基板３０１に付着した異物を除去する工程である。
より具体的には、図２に示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１が、搬送ローラ３０３によりスプレー洗浄装置４００に搬送されると、スプレーノズル４１４により、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して、洗浄水が噴出される。これにより、配向膜２８６を備えた基板３０１のスプレー洗浄が行なわれる。
【００３４】
次いで、配向膜２８６を備えた基板３０１が、搬送ローラ３０３により超音波洗浄装置５００に搬送されると、ポンプ５０８を動作させて洗浄水タンク５１８から超音波洗浄装置５１４に洗浄水５１５を送給し、この洗浄水５１５に対して、超音波振動板５１２ａ〜５１２ｃから所定振動が付与される。これにより、配向膜２８６を備えた基板３０１の表面に対して、超音波洗浄が行なわれる。
そして、前工程の工程（Ｃ）において、配向膜２８６や露出した下地層２８４等に対して既に、安定的かつ全面的に水膜が形成されているため、工程（Ｄ）において、シャワー洗浄および超音波洗浄を加圧的かつ衝撃的に行ったとしても、これらの損傷を確実に防止することができる。
なお、図３のフロー図にＳ６として示すように、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して、シャワー洗浄や超音波洗浄を施した後、乾燥工程を設けることにより、配向膜２８６の特性等を十分に発揮させることができる。すなわち、フロー図には示さないものの、乾燥した第１の基板および第２の基板を利用して、所定特性を有する液晶表示装置を構成することができる。
【００３５】
５．洗浄対象としての第１の基板および第２の基板
次いで、洗浄対象であって、かつ液晶表示装置を構成する第１の配向膜４５を備えた第１の基板３０と、第２の配向膜７５を備えた第２の基板６０の概要をそれぞれ説明する。
すなわち、洗浄対象としての第１の基板３０および第２の基板６０を用いて、例えば、図５および図６にそれぞれ示すように、液晶表示装置に使用される液晶パネル２０を構成することができる。具体的には、上側に配置された第１のガラス基板３１を基体とする第１の基板３０と、これに対向配置され、下側に配置された第２のガラス基板６１を基体とする第２の基板６０とを、接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせる。そして、第１の基板３０と、第２の基板６０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部２３ａを介して液晶を注入した後、封止材２５にて封止する。
すなわち、図６の断面図に示すように、第１の基板３０と、第２の基板６０との間に液晶材料２１を所定方法によって、充填するとともに、シール材２３および封止材２５により周囲を密封して、液晶パネル２０を構成することができる。
【００３６】
（１）第１の基板
そこでまず、第１の配向膜４５を備えた第１の基板３０の構成について、より詳細に説明する。図６に示すように、基本的に、第１のガラス基板３１と、着色層３７と、遮光層３９と、第１の電極３３と、第１の配向膜４５と、から構成してある。
そして、第１の基板３０において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、第１のガラス基板３０と、着色層３７との間に、反射層（半透過反射板）３５を設ける。
さらに、第１の基板３０において、図６に示すように、画素毎に着色層３７が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層あるいはオーバーコート層）４１により被覆する。このようにして、着色層３７と平坦化層（表面保護層）４１とを含むカラーフィルタ４３が形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層や下地層（図示せず。）を所定位置に設けることもできる。
なお、この液晶パネル２０の例では、カラーフィルタ４３が第１のガラス基板３１上に設けてあるが、かかるカラーフィルタ４３を、後述する第２の基板６０側に設けることもできる。
【００３７】
また、図６に示す着色層３７は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組み合わせからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層３７は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを形成する。そして、複数の色調の着色層３７を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００３８】
また、図６に示すように、画素毎に形成された着色層３７の間の画素間領域に、遮光層（ブラックマトリクスと称する場合もある。）３９を形成することができる。
このような遮光層３９としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。また、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることもできる。さらに、遮光性を高めるためには、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用することもできる。
【００３９】
また、図６に示すように、第１のガラス基板３１の表面には、反射層３５を形成することができる。この反射層３５は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜から構成してある。また、かかる反射層３５には、画素毎に、反射面を有する反射部３５ｒと、開口部３５ａとが設けられている。すなわち、反射半透過型の液晶表示装置として構成し、開口部３５ａを介して、透過モードで画像表示するとともに、反射層３５ｒを利用して、反射モードで画像表示することができる。
【００４０】
また、図６に示すように、平坦化層４１の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電材料からなる第１の電極３３を形成することができる。すなわち、かかる第１の電極３３は、複数の透明電極を並列させ、ストライプ状に構成することができる。
なお、かかる第１の電極３３の高さ（厚さ）を１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、第１の電極３３の高さ（厚さ）が１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなってしまう場合があるためである。一方、第１の電極３３の高さ（厚さ）が２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、液晶表示装置の薄型化を図ることが困難になったりする場合があるためである。
【００４１】
また、隣接する第１の電極３３間の距離を２０〜５０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２２〜４５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。すなわち、通常、シール材に含まれる導電性粒子の粒径が１０μｍ程度であることを考慮して、隣接する第１の電極３３間の距離を定めることができる。
そして、図６に示すように、第１の電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜４５を形成することができる。
すなわち、このような第１の配向膜４５を設けることにより、第１の基板（カラーフィルタ基板）３０を液晶表示装置等に使用した場合に、液晶材料２１の配向性を電圧印加によって容易に制御することができる。
なお、図示しないものの、第１の配向膜４５の、第１の電極３３等を形成した第１のガラス基板３１に対する密着性を向上させるためには、第１の配向膜４５を形成する前に下地層として、ＳｉＯ2層、ＳｎＯ層、ＩＴＯ層、ＩＺＯ層等の無機物層を予め形成することが好ましい。
【００４２】
（２）第２の基板
次いで、第２の配向膜７５を備えた第２の基板６０の概要について説明する。すなわち、図５および図６に示すように、第２の基板６０は、基本的に、第２のガラス基板６１と、第２の電極６３と、データ線としての電気配線６５と、当該電気配線６５を介して第２の電極６３に電気的に接続されたＴＦＤ素子（図示せず）に対して、電圧を印加する構成としてある。
そして、図６に示すように、第２の電極６３等の上には、ポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜７５が形成されており、液晶材料２１の配向性の制御がなされている。
【００４３】
また、第２の基板６０には、ＴＦＤ素子（図示せず）を含んで、複数の画素電極としての第２の電極６３および電気配線６５を並列させることにより、実質的にストライプ状に構成してある。
そして、電気配線６５は、図６に示すように、シール材２３の外側であって、第２のガラス基板６１における基板張出し部６０Ｔまで延設されており、回路基板９３と電気接続されている。
なお、スイッチング素子として、ＴＦＤ素子のかわりに、ＴＦＴ素子等の三端子型非線形素子を用いることもできる。
【００４４】
［第２実施形態］
第２実施形態は、図２に示すように、ラビング処理を施した後の配向膜２８６を備えた基板３０１の洗浄装置６００であって、シャワー洗浄装置４００および超音波洗浄装置５００、あるいはいずれか一方の洗浄装置とともに、所定量の水３０４を収容するための水槽３０２と、水槽３０２中の水量を所定量に保持するための水量調整手段３０８，３１０と、配向膜２８６を備えた基板３０１を移送するための移送手段３０３と、を含む前処理装置３００を備えたことを特徴とする基板の洗浄装置６００である。
以下、前処理装置３００と、それ以外の洗浄装置部分（シャワー洗浄装置４００および超音波洗浄装置５００）と、に分けて説明する。
【００４５】
１．前処理装置
（１）水槽
水槽３０２は、配向膜２８６を備えた基板３０１およびそれを浸漬するための水３０４が収容できる構成であれば、特に制限されるものではないが、例えば、後述する水量調整手段３０８，３１０を備えた箱型容器であることが好ましい。
この理由は、水槽３０２が、水量調整手段３０８，３１０を備えた箱型容器であれば、配向膜２８６を備えた基板３０１が水槽３０２内に移動する際に、配向膜を備えた基板３０１を収容しやすいためである。そればかりでなく、水槽３０２が箱型容器であれば、その底部から所定量の水を導入するととともに、所定量の水を壁から溢れさせることにより、水槽３０２の内部の水量を調整しやすくなるためである。
したがって、このような水槽３０２とすることにより、配向膜２８６を備えた基板３０１と、水３０４とが全体的に接触できるとともに、接触する際の衝撃がさらに少なくなって、安定的かつ全体的に水膜を形成することができる。
【００４６】
また、図示しないものの、かかる水槽３０２の壁の一部が、上下方向に昇降できる構造であることが好ましい。
この理由は、水槽の壁が昇降できれば、かかる基板を水槽内に移送する際には、壁を一時的に降下させることによって、基板の移動方向における障害物がなくなり、基板を同一高さで移動することができるためである。
そして、配向膜を備えた基板を一旦収容した後には、降下させた壁を再び上昇させることにより、所定水位に保持した状態で、配向膜を備えた基板を浸漬することができるためである。したがって、このように配向膜を備えた基板を浸漬することにより、配向膜等に対する水の衝撃をさらに少なくすることができる。
【００４７】
（２）水量調整手段
また、水量調整手段の構成は特に制限されるものでないが、例えば、水位計（図示せず）と連動した給水機能および排水機能が一体化されたポンプ３０８，３１０を使用することが好ましい。
この理由は、給水機能および排水機能が一体化されたポンプ３０８，３１０を使用することにより、効率よく水を循環することができ、経済的に水が利用できるためである。
また、水量調整手段の構成を簡略化するためには、給水機能を主として備えたポンプを使用することも好ましい。この理由は、水槽の外壁の高さを適宜調節し、それから溢れた水を水槽の外に自然落下させることによって、所定量の水槽内に保持することできるためである。
なお、給水機能を主として備えたポンプを使用する場合であっても、環境問題の発生が少ないことから、水槽の外周縁に沿って溝等を設け、当該溝等に溢れて流入した水を集中管理して、それを他用途にリサイクルすることもできる。
【００４８】
また、水量調整手段３０８，３１０により、水槽３０２中の水３０４を下方から上方に流動させ、かつ、当該水槽３０２から水３０４を溢れさせて、水槽３０２中の水量を所定量に保持することが好ましい。
この理由は、このような構成とすることにより、平均滞留時間を制御して、水槽３０２中の水３０４の量や水３０４の汚染状態を容易に管理することができるためである。すなわち、水量調整手段３０８，３１０により、水位を所定高さに調整することにより、配向膜２８６を備えた基板３０１と、水３０４との接触がソフトになって、接触する水による衝撃が少なくなり、所定の水膜を安定的に形成することができるためである。また、このように水位を所定高さに調整することにより、所定量の水と常に置換されるため、水槽３０２中の水の汚染状態を容易に管理することができるためである。
【００４９】
（３）移送手段
また、移動手段としては、配向膜を備える基板３０１を移動できるものであれば、その構成については特に限定されるものではないが、例えば、図１（ａ）に示すようなローラ３０３やレール、あるいは図１（ｂ）に示すようなクランプ機構が付いたクレーン３０６、さらには配向膜を備える基板３０１を複数収容できるマガジンを備えることが好ましい。
この理由は、これらの移動手段３０３、３０６は、構成が簡易であるばかりか、基板３０１の配向膜に対する損傷のおそれが少ないためである。
そして、図１（ａ）に示すように、かかる移動手段３０３により、配向膜２８６を備えた基板３０１を水平方向に移動させながら、水槽３０２中の水３０４と全体的に接触させることが好ましい。
この理由は、このように移動手段３０３、３０６を構成することにより、配向膜２８６や露出した下地層２８４に対して、垂直方向に水を吹き付けることを防止するためである。すなわち、配向膜２８６を備えた基板３０１と、水３０４との接触がソフトになって、全体的に接触する水による衝撃が少なくなり、配向膜２８６や露出した下地層２８４の表面に対して、所定の水膜を安定的に形成することができるためである。
したがって、次工程である洗浄工程における配向膜２８６や下地層２８４等の損傷を著しく低下することができる。
【００５０】
また、配向膜を備えた基板３０１の移送速度は、洗浄工程のタクト時間や配向膜２８６を備えた基板３０１の大きさ、あるいは配向膜２８６を備えた基板３０１の生産効率等を考慮して定めることが好ましいが、より具体的には、０．１〜１００ｍ／分の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような移送速度に設定することにより、配向膜２８６を備えた基板３０１の生産効率を低下させずに、所定の洗浄効果や下地層に対する損傷防止効果が発揮できるためである。
したがって、配向膜２８６を備えた基板３０１の移送速度を０．５〜８０ｍ／分の範囲内の値とすることがより好ましく、１〜５０ｍ／分の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００５１】
２．洗浄装置の概要
前処理装置を備える洗浄装置としては、従来公知の内容とすることができるが、それらの概要としては以下の通りである。
【００５２】
（１）シャワー洗浄装置
また、図２に示すシャワー洗浄装置４００は、水を均一かつ高圧的に吐出して、異物等を洗浄可能な装置であれば、その構成は特に限定されるものではないが、例えば、配向膜２８６を備えた基板３０１の幅よりも大きなカーテン状の洗浄液４１８ａを噴出できるシャワー洗浄装置４００´とすることが好ましい。より具体的には、図７に示すように、パイプ状のシャワー洗浄装置４００´の微小口４１４１ａから、移動ローラ４１３により配向膜２８６を備えた基板３０１を水平方向に移動させながら、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して垂直方向に洗浄液４１８ａを噴出させ、その表面を所定圧によりシャワー洗浄することが好ましい。
この理由は、シャワー洗浄装置４００´をこのように構成することにより、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して、漏れなく、かつ均一にシャワー洗浄することができるためである。
そして、前処理装置３００により、配向膜２８６や露出した下地層２８４の表面に対して、所定の水膜が安定的かつ全面的に形成されているため、シャワー洗浄によって、配向膜２８６や下地層２８４等が損傷することを効果的に抑制することができる。
【００５３】
（２）超音波洗浄装置
また、超音波洗浄装置５００の構成についても特に制限されるものではないが、例えば、図２に示すように、側面および底面に沿って、３つの超音波振動子５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃが設けてある。したがって、配向膜２８６を備えた基板３０１が、搬送ローラ５１３により超音波洗浄装置５００に搬送されると、洗浄水タンク５１８からポンプ５０８により送給された洗浄水５１５に対して、超音波振動板５１２ａ〜５１２ｃから所定振動が付与される。これにより、配向膜２８６を備えた基板３０１に対して、効率的に超音波洗浄が行なわれる。
また、超音波洗浄装置５００に取り付ける超音波振動子５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃの周波数を、例えば、０．１ＭＨｚ〜５．０ＭＨｚ範囲内の値にするとともに、超音波振動子の振動が常に最適、かつ効率的になるように検出回路を設けてある。したがって、振動検出回路によって出された周波数の信号が発振回路にフィードバックされ、発振回路はそのフィードバックの信号に応じて、常に周波数が最適な振動を付与することができる。
そして、前処理装置３００により、配向膜２８６や露出した下地層２８４の表面に対して、所定の水膜が安定的かつ全面的に形成されているため、超音波洗浄によっても、配向膜２８６や下地層２８４が損傷することを効果的に抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、所定の前処理工程を設けることにより、洗浄工程における洗浄むらが少ないばかりか、配向膜の下地層が形成してある場合に、その下地層を損傷することが少ない基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、およびそのような基板の洗浄装置を提供することができる。
したがって、本発明の基板の洗浄方法、基板の製造方法、あるいは洗浄装置によって得られた配向膜を備えた基板を、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器等に、適切に使用することができる。
【００５５】
また、本発明の配向膜を備えた基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、および基板の洗浄装置によれば、配向膜を備えた基板の生産効率の歩留りが向上するばかりか、得られる電気光学装置、ひいては電子機器等の不良率も低下するため、所定の前処理工程や前処理装置を含むものの、全体としてみれば、安価で洗浄効率に優れた基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む基板の製造方法、および洗浄装置を提供することができる。
したがって、本発明の洗浄方法、基板の製造方法、あるいは洗浄装置によって得られた配向膜を備えた基板を、携帯電話機等に使用した場合、携帯電話機等の耐久性や電気特性等が向上するばかりか、製造コストを安価とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、配向膜を備えた基板の洗浄方法を説明するために供する概略図である（その１）。
【図２】配向膜を備えた基板の洗浄方法を説明するために供する概略図である（その２）。
【図３】配向膜を備えた基板の洗浄方法を説明するために供するフロー図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、配向膜を備えた基板の製造方法を説明するために供する図である。
【図５】液晶表示装置の概略斜視図である。
【図６】液晶表示装置の概略断面図である。
【図７】シャワー洗浄装置の概略を説明するために供する図である。
【図８】従来の配向膜を備えた基板の洗浄方法を説明するために供する図である。
【図９】従来の洗浄方法を含む液晶表示パネルの製造方法を説明するために供する図である。
【図１０】従来の透明基板の洗浄装置を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００５７】
２０：液晶パネル、２１：液晶材料、２３：シール材、３０：第１の基板、３１：第１のガラス基板、３３：第１の電極、３５：反射層、４３：カラーフィルタ、４５：第１の配向膜、６０：第２の基板、６１：第２のガラス基板、６３：第２の電極、６５：電気配線、７５：第２の配向膜、３０１：配向膜を備えた基板、３０２：水槽、３０３：移送手段、３０４：水、３０８・３１０：水量調整手段（ポンプ等）、４００：シャワー洗浄装置、５００：超音波洗浄装置、６００：洗浄装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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