(57)【要約】【課題】  高硬度、長寿命及び低コストを実現するダイヤモンドスクライバ及びそのポイント部の使用方法を提供する。【解決手段】  正八面体ダイヤモンド結晶の頂点近傍に１又は複数のカッティングポイントを形成したポイント部を設けてウェハ等の切断に使用するダイヤモンドスクライバにおけるポイント部の使用方法であって、正八面体ダイヤモンド結晶の一の頂点に設けた第一のポイント部を用いてダイヤモンドスクライバとして使用する第一工程と、前記一の頂点とは別の頂点に設けた第二のポイント部を用いてダイヤモンドスクライバとして使用する第二工程とを少なくとも有する。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正八面体ダイヤモンド結晶の頂点近傍に１又は複数のカッティングポイントを形成したポイント部を設けてウェハ等の切断に使用するダイヤモンドスクライバにおける前記ポイント部の使用方法であって、
正八面体ダイヤモンド結晶の一の頂点に設けた第一のポイント部を用いてダイヤモンドスクライバとして使用する第一工程と、
前記正八面体ダイヤモンド結晶の前記一の頂点とは別の頂点に設けた第二のポイント部を用いてダイヤモンドスクライバとして使用する第二工程とを少なくとも有することを特徴とする
ダイヤモンドスクライバにおけるポイント部使用方法。
【請求項２】
前記ポイント部がいずれも前記正八面体ダイヤモンド結晶の表面層である無窒素層に形成されることを特徴とする
請求項１に記載のダイヤモンドスクライバにおけるポイント部使用方法。
【請求項３】
１又は複数のカッティングポイントからなるポイント部を頂点近傍に設けた正八面体ダイヤモンド結晶を装着したダイヤモンドスクライバにおいて、該正八面体ダイヤモンド結晶の各頂点を取り替え可能に装着すべく、
筒体、該筒体の前端近傍内部にて前記正八面体ダイヤモンド結晶を載置させる支持座を形成した支持体、及び該筒体の前端近傍外周面上に形成された第一の螺子山を具備するシャンク部と、
前記筒体前端面上方に設置されるリング枠、及び該リング枠上面から中央へと延びて前記支持座上に載置された前記正八面体ダイヤモンド結晶に対し上方から当接する複数の押さえ爪を具備する押さえ部と、
中央開口を穿設し前記押さえ爪に対し上方から当接する円板、及び該円板周縁から下方に延びかつその内周面上に第二の螺子山を形成した側壁を具備するキャップ部とを有し、
前記正八面体ダイヤモンド結晶を前記支持座に載置しその上に前記押さえ部を重ねた状態にて前記キャップ部の第二の螺子山を前記シャンク部の第一の螺子山に締結させたことを特徴とする
ダイヤモンドスクライバ。
【請求項４】
前記支持座の位置を前記筒体の軸方向に調整可能とすべく、
前記シャンク部が前記筒体の内周面上に形成された第三の螺子山と、前記支持体の外周面上に形成され該第三の螺子山と螺合する第四の螺子山とを具備し、
前記支持体を前記筒体の軸周り回動させることにより該支持体が該筒体の軸方向に移動することを特徴とする
請求項３に記載のダイヤモンドスクライバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハやサファイア基板の分割に用いられるダイヤモンドスクライバに関し、特に、その先端に取り付けられた、正八面体ダイヤモンド結晶の頂点に１又は複数のカッティングポイントを形成してなるポイント部の使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等をチップ状に分割すべく対象とするウェハ上に罫書き線をけがくスクライビング装置が知られている。スクライビング装置においては、例えば、対象ウェハをステージに吸着固定する一方、ダイヤモンド結晶チップを先端に具備するダイヤモンドスクライバを所定の位置に固定した後、ステージをＸ軸及びＹ軸に沿って移動させることにより、ダイヤモンドスクライバの先端でウェハをけがき、罫書き線（スクライブ溝）を形成する。
【０００３】
図４(Ａ)は、従来の一般的なダイヤモンドスクライバ１００の一例の外観図である。ダイヤモンドスクライバ１００は、通常、柱状のシャンク部１０１と、シャンク部１０１の一方の端部に設けたポイント部Ｐとから構成される。シャンク部１０１は、スクライビングツールをスクライビング装置に固定するために把持される部分であり超硬合金等から形成される。ポイント部Ｐは、正八面体ダイヤモンド結晶チップの頂点を切削及び／又は研磨することにより１又は複数のカッティングポイントを形成した部分である。
【０００４】
図４(Ｂ)は、正八面体ダイヤモンド結晶の一つの頂点に形成したポイント部Ｐの外観を示す前方斜視図である。図示の例は、ダイヤモンド結晶１の正八面体チップの片半分である四角錐部分（破線で示す）の頂点２から距離Ｄ１に角錐底面に平行なテーブル面Ｔが形成され、この四角形のテーブル面Ｔの各頂点がカッティングポイントとなる４ポイントツールである。４ポイントツールの他に、カッティングポイントの数に応じて１ポイント、３ポイント、８ポイントツール等がある。
【０００５】
図４(Ｃ)は、図４(Ａ)の従来のダイヤモンドスクライバを所定期間使用した後に再研磨することにより、新たなテーブル面Ｔとその各頂点のカッティングポイントを形成したポイント部Ｐ’を示す前方斜視図である。通常、ダイヤモンドスクライバは使用し続けると、カッティングポイントの摩耗、損傷等により機能を果たさなくなる。その場合に再研磨を行い、新たなカッティングポイントを形成する。再研磨すると、当初のダイヤモンド結晶１の頂点２からテーブル面Ｔまでの距離Ｄ２は、図４(Ｂ)の距離Ｄ１よりさらに大きくなる。すなわち、当初のダイヤモンド結晶１の表面からさらに深い位置にカッティングポイントが形成されることとなる。
【非特許文献１】ビー・ハルテら著、「南アフリカ、カープバール州産出ダイヤモンドのカソードルミネセンス特性に関係する炭素同位体比及び窒素含有量」、ミネラロジカル・マガジン、英国鉱物学会刊行、１９９９年１２月、６３巻、６号、ｐ.８２９−８５６(B. Harte et al., "Carbon isotope ratio and nitrogen abundances in ralation to cathodoluminescence characteristecs for some diamonds from the Kaapvaal Province, S. Africa",  Mineralogical Magazine, December 1999, Vol. 63(6), pp829-856)、（Fig.2, Fig.5)
【非特許文献２】エイチ・スミヤら著、「合成IIa型ダイヤモンド結晶の機械的特性」、ダイヤモンド及び関連材料、エルスビア・サイエンス・エス・エー刊行、１９９７年、６巻、ｐ．１８４１−１８４６(H. Sumiya et al.,  "Mechanical properties of synthetic type IIa diamond crystal", Diamond and Related Materials 6, Elsevier Science S. A., 1997, 1841-1846) 、(1842頁右欄)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図４(Ｃ)のように再研磨したダイヤモンドスクライバのポイント部Ｐ’は、当初のポイント部Ｐと同じ寿命と性能をもつことが期待されるが、実際には当初のポイント部Ｐよりも寿命が短く、スクライビング性能も劣ることがしばしば発生するという問題点があった。
【０００７】
ここで、図４(Ｄ)は、正八面体に加工されたダイヤモンド結晶１の断面を模式的に示した断面図である。ダイヤモンド結晶は、正八面体結晶形が最も多く存在するが、正十二面体結晶及び正六面体結晶も存在する。また、ダイヤモンド原石は、窒素の量によってＩ型とII型に大別され、Ｉ型は六面体結晶を多く含み窒素含有量が大きい、II型は八面体結晶を多く含みほとんど窒素を含まない。実際のダイヤモンド原石は、種結晶からの結晶成長過程の途中の条件変化によりＩ型とII型が複雑に組み合わさったものがほとんどである。ダイヤモンド原石は、正八面体の結晶面に沿った劈開性をもっており、これを利用して正八面体ダイヤモンド結晶に分割する。ここで、図４(Ｃ)に模式的に示すように、ほとんどの正八面体ダイヤモンド結晶１には、表面層である窒素をほとんど含まない無窒素層１２１と、その内部の窒素含有量の多い窒素含有層１２２とが存在するという知見が得られている。非特許文献１には、正八面体ダイヤモンド結晶の表面層は、窒素をほとんど含まない無窒素層であるが、その内部には窒素を多く含む窒素含有層が存在する可能性が高いことが開示されている。また、非特許文献２には、窒素をほとんど含まないIIａ型ダイヤモンド結晶が極めて高い硬度（ヌープ硬度約10000〜13000kg/mm2）を呈し、窒素含有量の多いＩｂ型は硬度が低い（同9000kg/mm2前後）ことが開示されている。
【０００８】
本発明は、図４(Ｃ)に示す再研磨したダイヤモンドスクライバのポイント部が、当初のポイント部よりも寿命が短く、スクライビング性能も劣ることがしばしば発生するという問題点を解決すべく、上記の非特許文献１及び２に記載されたダイヤモンド結晶の構造と機械的性質との関係に着目して検討を行った結果、再研磨後のポイント部Ｐ’のカッティングポイントが硬度の低い窒素含有層１２２内に形成されることが原因であるとの結論を得た。すなわち、図４(Ｃ)のテーブル面Ｔの頂点２からの距離Ｄ２が、当初のダイヤモンド結晶１の表面層である無窒素層１２１の厚さよりも大きくなっているためと考えられる。従って、正八面体ダイヤモンド結晶の一つの頂点のポイント部を消耗した場合には、同じ頂点を再研磨しても有効ではない。
【０００９】
尚、正八面体には本来６個の同等の頂点があるので、一つの頂点を消耗した場合は、他の頂点にポイント部を形成して使用すればよく、このように各頂点を全て利用することが理想的である。しかしながら、従来、このような使用方法は採られていない。図４(Ａ)に示す通り、ポイント部Ｐを設けたダイヤモンド結晶のチップは、シャンク部１０１に対してろう付けすなわち超硬合金に対して溶着されているため、容易に取り外すことが困難だからである。従って、従来は、正八面体ダイヤモンド結晶の６個の頂点のうち一つしか利用されていなかった。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑み、高硬度、長寿命及び低コストを実現するダイヤモンドスクライバ及びそのポイント部の使用方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成すべく、本発明は以下の構成を提供する。
（１）請求項１に係るダイヤモンドスクライバにおけるポイント部使用方法は、正八面体ダイヤモンド結晶の頂点近傍に１又は複数のカッティングポイントを形成したポイント部を設けてウェハ等の切断に使用する方法であって、
正八面体ダイヤモンド結晶の一の頂点に設けた第一のポイント部を用いてダイヤモンドスクライバとして使用する第一工程と、
前記正八面体ダイヤモンド結晶の前記一の頂点とは別の頂点に設けた第二のポイント部を用いてダイヤモンドスクライバとして使用する第二工程とを少なくとも有することを特徴とする。
【００１２】
（２）請求項２に係るダイヤモンドスクライバにおけるポイント部の使用方法は、請求項１において、前記ポイント部がいずれも前記正八面体ダイヤモンド結晶の表面層である無窒素層に形成されることを特徴とする。
【００１３】
（３）請求項３に係るダイヤモンドスクライバは、１又は複数のカッティングポイントからなるポイント部を頂点近傍に設けた正八面体ダイヤモンド結晶を装着したダイヤモンドスクライバにおいて、該正八面体ダイヤモンド結晶の各頂点を取り替え可能に装着すべく、
筒体、該筒体の前端近傍内部にて前記正八面体ダイヤモンド結晶を載置させる支持座を形成した支持体、及び該筒体の前端近傍外周面上に形成された第一の螺子山を具備するシャンク部と、
前記筒体前端面上方に設置されるリング枠、及び該リング枠上面から中央へと延びて前記支持座上に載置された前記正八面体ダイヤモンド結晶に対し上方から当接する複数の押さえ爪を具備する押さえ部と、
中央開口を穿設し前記押さえ爪に対し上方から当接する円板、及び該円板周縁から下方に延びかつその内周面上に第二の螺子山を形成した側壁を具備するキャップ部とを有し、
前記正八面体ダイヤモンド結晶を前記支持座に載置しその上に前記押さえ部を重ねた状態にて前記キャップ部の第二の螺子山を前記シャンク部の第一の螺子山に締結させたことを特徴とする。
【００１４】
（４）請求項４に係るダイヤモンドスクライバは、請求項３において、前記支持座の位置を前記筒体の軸方向に調整可能とすべく、
前記シャンク部が前記筒体の内周面上に形成された第三の螺子山と、前記支持体の外周面上に形成され該第三の螺子山と螺合する第四の螺子山とを具備し、
前記支持体を前記筒体の軸周り回動させることにより該支持体が該筒体の軸方向に移動することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に係るダイヤモンドスクライバのポイント部使用方法は、正八面体ダイヤモンド結晶の一つの頂点にポイント部を設けて使用し、当該ポイント部を消耗した後、同じダイヤモンド結晶の別の頂点に新たにポイント部を設けて使用する。１つのダイヤモンド結晶について２つの頂点を利用すれば、従来の２倍の寿命となる。最大で６個全ての頂点を次々に利用すれば、従来の６倍の寿命が得られる。これにより、ダイヤモンド結晶チップのコストを格段に軽減することができる。
【００１６】
請求項２に係る方法はさらに、ポイント部が常にダイヤモンド結晶の表面層である無窒素層に設けられることから、十分な硬度を確保でき、高いスクライビング性能を確実に実現できる。
【００１７】
請求項３に係るダイヤモンドスクライバは、正八面体ダイヤモンド結晶の各頂点に設けたポイント部を次々に取り替えて使用可能なチップ取り付け構造を有する。筒体のシャンク部の内部にダイヤモンド結晶を支持する支持体を設け、ダイヤモンド結晶を上方から押さえ部で係止し、キャップ部をシャンク部に締結することにより固定する。ポイント部を取り替える場合は、キャップ部をシャンク部から取り外し、押さえ部を取り除き、ダイヤモンド結晶の向きを変えて新たなポイント部を前面に突出させた状態で再び押さえ部とキャップ部で固定する。このようにして、１つのダイヤモンド結晶について最大６個の頂点をポイント部として利用することができる。
【００１８】
請求項４に係るダイヤモンドスクライバは、請求項３においてさらに支持座の軸方向位置を調整可能としたので、研磨によりダイヤモンド結晶の形状が変化してもダイヤモンド結晶チップをがたつきなく安定に支持固定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
図１(Ａ)〜(Ｃ)は、本発明によるダイヤモンドスクライバにおけるポイント部使用方法の流れを模式的に示した図である。図示の例は、４ポイントツールの場合を示す。図１(Ａ)は、当初の正八面体ダイヤモンド結晶１の全体形状を示す前方斜視図である。ダイヤモンド原石は劈開性を利用してこのような正八面体結晶に加工される。頂点２〜７の６個の頂点が存在する。
【００２０】
続いて、正八面体ダイヤモンド結晶１の一つの頂点２に対して第一のポイント部を形成する。図１（Ｂ）は、第一のポイント部Ｐ１を形成した後のダイヤモンド結晶の形状を示す前方斜視図である。頂点２が角錐底面に平行に切削されテーブル面Ｔ１が形成されている。角錐側辺に沿って研磨面Ｓ１１とＳ１２を研磨することにより稜線Ｌ１が形成され、研磨面Ｓ１１とＳ１２とテーブル面Ｔ１の交点にカッティングポイントＣ１が形成される。カッティングポイントＣ１は稜線Ｌ１の端点でもある。同様にテーブル面Ｔ１の他の頂点にもカッティングポイントが形成され、４ポイントツールのポイント部Ｐ１が設けられる。このようにして設けた第一のポイント部Ｐ１をシャンク部に取り付け、ダイヤモンドスクライバとして使用する。
【００２１】
その後、第一のポイント部Ｐ１が消耗したとき、正八面体ダイヤモンド結晶の別の頂点に第二のポイント部を設けて、ポイント部の位置を交換する。図１(Ｃ)は、第二のポイント部Ｐ２を形成した後のダイヤモンド結晶の形状を示す前方斜視図である。図１(Ａ)の頂点３に第二のポイント部Ｐ２が設けられている。すなわち、第二のポイント部Ｐ２を使用するためには、ダイヤモンド結晶を上下逆転する必要がある。こうして第二のポイント部Ｐ２をシャンク部に取り付け、ダイヤモンドスクライバとして使用する。
【００２２】
そして、第二のポイント部Ｐ２も消耗したならば、図１(Ａ)に示す残りの頂点４〜７のうちのいずれかに対して同様に新たなポイント部を設け、シャンク部に取り付けてダイヤモンドスクライバとして使用する。これを繰り返すことにより、最大６個の頂点全てをポイント部として使用することができる。
【００２３】
上記の例では、一つのポイント部を消耗する毎に別の一つの頂点に新たなポイント部を設けているが、変形例として、例えば最初に頂点１と頂点２の二つのポイント部を同時に設けておいてもよい。このようにすると、第一のポイント部を消耗した後、直ちに第二のポイント部に取り替えて使用することができる。最も極端な例として、最初に第一〜六の全てのポイント部を設けておけば、一つのダイヤモンド結晶チップを完全に消耗し切るまでにポイント部形成工程を介在させることなく、ポイント部の位置を交換するのみでダイヤモンドスクライバを使用し続けることができる。本発明によれば、原理的には、一つのダイヤモンド結晶チップの寿命が従来の６倍に延びる。
【００２４】
好適には、一つの頂点に設けられるポイント部は、いずれも正八面体ダイヤモンド結晶の表面層である無窒素層に形成される。これにより、全てのポイント部の高い硬度が確保され、良好なスクライビング性能を発揮できる。
【００２５】
図２は、本発明によるダイヤモンドスクライバの実施形態の一例を示す図である。このダイヤモンドスクライバは、前述の図１に示した方法を実施するために好適に用いることができる。すなわち、各頂点近傍にポイント部を設けた正八面体ダイヤモンド結晶チップの各頂点位置を取り替え可能に装着することができる。
【００２６】
図２(Ａ)は、本発明によるダイヤモンドスクライバ１０の部分展開斜視図である。ダイヤモンドスクライバ１０は、前端を含む部分のみを示すシャンク部３０と、押さえ部４０と、キャップ部５０の各構成要素を有する。図２では、図面上方をダイヤモンドスクライバ１０の前方とし、図面下方を後方と称することとする。
【００２７】
シャンク部３０の本体は筒体３１である。筒体３１の前端近傍における外周面上には第一の螺子山（おねじ）３１ｂが形成されている。この第一の螺子山の部分を除いて筒体３１は、円筒であっても角筒であってもよい。図示の例では円筒である。筒体３１の内部には、破線で概略的に示す支持体３２が収容されている。筒体３１の前端近傍において支持体３２の前面側には、ダイヤモンド結晶を載置させる支持座が形成されている。これについては、後述する図３において詳細に示す。
【００２８】
押さえ部４０は、リング枠４１と、このリング枠４１の上面から中央へと延びる複数の押さえ爪４１とを具備する。リング枠４１は、筒体前端面３１ａの上方に設置される。すなわち、リング枠４１の下面は、筒体前端面３１ａと対向する。複数の押さえ爪４１は、支持体３２の支持座上に載置された正八面体ダイヤモンド結晶１に対し上方から当接する。各押さえ爪４１は、好適にはダイヤモンド結晶１の適宜の側面に当接するように配置される。
【００２９】
キャップ部５０は、円板５２を具備し、円板５２の中央には円形の開口５２ａが穿設されている。この中央開口５２ａからダイヤモンド結晶１のポイント部Ｐ１が突出することとなる。円板５２は、上記押さえ部４０の押さえ爪４１に対し上方から当接する。押さえ爪４１の傾斜に沿うように、好適には、円板５２は図示の通り中央から周縁に向かって降る傾斜面となっている。円板５２の周縁から下方に延びる筒状の側壁５１の内周面上には第二の螺子山５１ａ（めねじ）が形成されている。
【００３０】
図２(Ｂ)は、ダイヤモンド結晶１を支持体３２上に載置し、押さえ部４０をその上に重ねて設置した状態を示す図である。キャップ部５０は未だ取り付けられていない。押さえ部４０の押さえ爪４２は、ダイヤモンド結晶１の側面に上方から当接している。
【００３１】
図２(Ｃ)は、キャップ部５０の第二の螺子山５１ａをシャンク部３０の第一の螺子山３１ｂに締結させた状態を示す図である。ポイント部Ｐ１がダイヤモンドスクライバ１０の前面から突出している。押さえ部４０とキャップ部５０によりダイヤモンド結晶１は安定に固定される。ダイヤモンドスクライバ１０は、キャップ部５０を取り外すことにより、容易に各構成要素を分解することができ、ダイヤモンド結晶１の頂点位置を変更した後、再び組み立てることができる。
【００３２】
図３(Ａ)は、図２(Ａ)のＡ−Ａ断面図である。図示の例では、支持体３２は、筒体３１の内周面に嵌合するような外周面を具備する柱状体である。支持体３２の前端面中央部には、筒体３１の軸Ｘと同軸に円筒形状の空洞部３２ｂが穿設されている。空洞部３２ｂの開口周縁には、ダイヤモンド結晶１を安定に載置するための支持座３２ａが設けられ、好適にはテーパ面が形成されている。空洞部３２ｂの深さは、ダイヤモンド結晶１を載置した際に、空洞部３２ｂの底面に当たらない程度とする。
【００３３】
図３(Ｂ)は、図３(Ａ)に示す支持座３２ａの位置を筒体３１の軸Ｘ方向に調整するための手段の一例を模式的に示す、シャンク部３０の後端近傍の断面図である。シャンク部３０の筒体３１の内周面上には、第三の螺子山（めねじ）３１ｃが形成される一方、支持体３２の外周面上には第三の螺子山３１ｃと螺合する第四の螺子山（おねじ）３２ｃが形成される。斯かる構成において、支持体３２の後端に設けた調整端部３２ｂを把持して軸Ｘ周りに回動させることにより、支持体３２が筒体３１の軸方向に移動する。これにより、支持座３２ａの位置を調整することができる。これは、ダイヤモンド結晶１の各頂点にポイント部を形成する際の研磨の程度によって、載置して固定した際に緩みやがたつきを生じないように支持座３２ａの位置を変更するためである。尚、図３(Ａ)に模式的に示す通り、ダイヤモンド結晶１のポイント部Ｐ１は、当該結晶チップの表面層である無窒素層２１内に形成されることが好ましい。
【００３４】
尚、無窒素層２１は、窒素含有量が例えば３ppm未満であり、好適には０．５ppm未満である。これに対し、窒素含有層２２は、窒素含有量が数十〜数百ppm又はそれ以上である。尚、窒素含有層２２内に部分的に無窒素層が存在することもある（非特許文献１参照）。
【００３５】
無窒素層２１の厚さは、個々のダイヤモンド結晶により異なり、また１個のダイヤモンド結晶においても場所によって全く同じではない。従って、正確にはそのダイヤモンド結晶を切断しなければ計測できない。しかしながら、次の方法により無窒素層２１の厚さを推定することができる。例えば、ダイヤモンドスクライバ製造に用いる多数のダイヤモンド結晶の一部を試料として抽出し切断検査を行って無窒素層の厚さを判断したり、カッティングポイント形成距離を漸次変化させて複数のポイント部を作製しそれらの性能試験（硬度試験等）／寿命試験により無窒素層の厚さを判断したりすることが可能である。
【００３６】
これらの試験結果並びに非特許文献１の知見を併せ考慮すると、無窒素層の厚さを薄くとも１００μmと見積もり、カッティングポイントを頂点から１００μmの距離の範囲内に形成すれば、ほぼ確実に実際の無窒素層内にカッティングポイントを形成できることが判明した。従って、無窒素層の厚さを１００μmと考えて、この厚さ範囲内にカッティングポイントを形成することが好適である。
【００３７】
図２及び図３を参照して述べたダイヤモンド結晶チップの保持手段は一例であって、これに限定するものではない。保持手段は、ダイヤモンド結晶チップの各頂点位置を取り替え可能に装着することができ、スクライビング作業時にチップを確実に固定できる手段であれば、いずれの構成も適用できる。例えば、使い捨てのかしめ爪（一つの頂点を使用する毎に使い捨てる）、接着剤、ろう付け等でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明によるダイヤモンドスクライバにおけるポイント部使用方法の流れを模式的に示した図である。
【図２】本発明によるダイヤモンドスクライバの実施形態の一例を示す図である。(Ａ)は、本発明によるダイヤモンドスクライバ１０の部分展開斜視図である。(Ｂ)は、ダイヤモンド結晶１を支持体３２上に載置し、押さえ部４１をシャンク部の筒体前端面３１ａの上方に設置した状態を示す図である。(Ｃ)は、キャップ部５０の第二の螺子山５１ａをシャンク部３０の第一の螺子山３１ｂに締結させた状態を示す図である。
【図３】(Ａ)は、図２(Ａ)のＡ−Ａ断面図である。（Ｂ)は、図３(Ａ)に示す支持座３２ａの位置を筒体３１の軸Ｘ方向に調整するための手段の一例を模式的に示す、シャンク部３０の後端近傍の断面図である。
【図４】(Ａ)は、従来の一般的なダイヤモンドスクライバ１００の一例の外観図である。(Ｂ)は、正八面体ダイヤモンド結晶の一つの頂点に形成したポイント部Ｐの外観を示す前方斜視図である。(Ｃ)は、再研磨後の新たなポイント部Ｐ’を示す前方斜視図である。(Ｄ)は、正八面体に加工されたダイヤモンド結晶１の断面を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  正八面体ダイヤモンド結晶（チップ）
２、３、４、５、６、７  正八面体頂点
１０  ダイヤモンドスクライバ
３０  シャンク部
３１  筒体
３１ａ  筒体端面
３１ｂ  第一の螺子山（おねじ）
３１ｃ  第三の螺子山（めめじ）
３２  支持体
３２ａ  支持座
３２ｂ  調整端部
３２ｃ  第四の螺子山（おねじ）
４０  押さえ具
４１  リング枠
４２  押さえ爪
５０  キャップ部
５１  側壁
５１ａ  第二の螺子山（めねじ）
５２  押圧板
５２ａ  中央開口
１００  ダイヤモンドスクライバ
１０１  シャンク部
１２１  無窒素層
１２２  窒素含有層
Ｄ１、Ｄ２  カッティングポイント形成距離
Ｃ１  カッティングポイント
Ｌ１  稜線
Ｓ１１、Ｓ１２  研磨面
Ｔ  テーブル面
Ｐ、Ｐ１  ポイント部
【図１】
2005302782.tif 000003
【図２】
2005302782.tif 000004
【図３】
2005302782.tif 000005
【図４】
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