(57)【要約】【課題】  本発明は、信頼性の高いエミッタを有し、発光特性に優れ、さらにドライブ電圧を小さくしかつフォーカス特性の向上を可能にした冷陰極電界電子放出素子、及びこの冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置とその製造方法を提供するものである。【解決手段】  本発明の冷陰極電界電子放出表示素子２６は、基板３上にカソード電極６と、ゲート電極４と、カソード電極６に接続された電子放出部となるエミッタ７からなる３極構造を備えた冷陰極電界電子放出装置１であって、基板３上に下部ゲート電極１３と絶縁層５を介してカソード電極６とエミッタ７が順次形成され、エミッタ７に対向する柱状のゲート電極１２が形成され、ゲート電極４が、下部ゲート電極１３と柱状のゲート電極１２から成ることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にカソード電極と、ゲート電極と、前記カソード電極に接続された電子放出部となるエミッタからなる３極構造を備えた冷陰極電界電子放出装置であって、
前記基板上に下部ゲート電極と絶縁層を介して前記カソード電極と前記エミッタが形成され、
前記カソード電極と前記下部ゲート電極との交叉部に、前記エミッタに対向する柱状のゲート電極が形成され、
前記ゲート電極が、前記下部ゲート電極と前記柱状のゲート電極から成る
ことを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
【請求項２】
前記柱状のゲート電極は、前記エミッタの表面より高く形成されて成る
ことを特徴とする請求項１記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項３】
基板上にカソード電極と、ゲート電極と、前記カソード電極に接続された電子放出部となるエミッタからなる３極構造を成し、
前記エミッタを有するカソード電極の下に絶縁層を介して下部ゲート電極が形成され、
前記カソード電極と前記下部ゲート電極との交叉部に、前記エミッタに対向する柱状のゲート電極が形成され、
前記ゲート電極が前記下部ゲート電極とこれに一体の前記柱状のゲート電極からなる冷陰極電界電子放出素子を、備えて成る
ことを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項４】
前記冷陰極電界電子放出表示装置における前記柱状のゲート電極は、前記エミッタの表面より高く形成されて成る
ことを特徴とする請求項３記載の冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項５】
基板上にストライプ状の下部ゲート電極を形成する工程と、
前記下部ゲート電極上に絶縁層を介してカソード電極を形成し、該カソード電極上にエミッタを形成する工程と、
前記エミッタと前記カソード電極を、前記下部ゲート電極との交叉部に第１の開口を有するようにストライプ状にパターニングする工程と、
前記レジストをマスクに前記絶縁層の前記第１の開口に対応する部分に、前記下部ゲート電極に達する第２の開口を形成する工程と、
前記下部ゲート電極に接続し、前記第１及び第２の開口に植立する柱状のゲート電極を形成する工程とを有する、
ことを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記柱状のゲート電極をメッキ法で形成する
ことを特徴とする請求項５記載の冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷陰極電界電子放出表示装置（いわゆるフィールド・エミッション・ディスプレイ：ＦＥＤ）とその製造方法、並びにこの表示装置に用いる冷陰極電界電子放出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）は、図５に示すように、一方の平板ガラス基板、いわゆる背面基板４１の内面にカソード電極４２と、ゲート電極４４と、カソード電極４２と、カソード電極に接続された電子放出部となるエミッタ４６とからなる３極構造のカソード基板４７と、他方の平板ガラス基板、いわゆる前面基板５１の内面に蛍光面５2を形成したアノード基板５５とを真空空間を挟んで配置して構成される。カソード基板４７は、背面基板４１の内面に複数のストライプ状のカソード電極４２を形成し、カソード電極４２を覆って絶縁層４３を形成し、この絶縁層４３の上面にカソード電極４２と直交する複数のストライプ状のゲート電極４４を形成し、カソード電極４２とゲート電極４４との交叉部分に形成された開口（所謂ゲートホール）４５の底面に臨むカソード電極４２上にエミッタ４６を形成して構成される。アノード基板５５は、前面基板５１の内面にエミッタ４６に対向するように例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色蛍光体ストライプ５２［５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ］を形成すると共に、隣り合う各色蛍光体ストライプ５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ間にブラックマトリクスパターン、例えばカーボンストライプ（ＣＳ）５３を形成し、前面にメタルバック層５４を被着形成して構成される。なお、上記開口４５は、各色蛍光体ストライプ５２に対応して複数設けられるが、図５では、１つの開口で代表している。
【０００３】
このフィールド・エミッション・ディスプレイでは、ゲート電極によりエミッタ４６から電子ｅの電界放出が制御され、電界放出された電子ｅがアノード電位に引かれてアノード基板５５に達し蛍光体ストライプ５２を励起発光して所要の画像を表示するようになされる。電子ｅの電界放出には、アノード電位による引き出し方式と、ゲート電位による引き出し方式、アノード電位で加速する方式がある。
【０００４】
このようなフィールド・エミッション・ディスプレイの製造に際し、エミッタを形成するプロセスとしては、２種類あり、絶縁層４３を形成する前にエミッタ４６を形成する「先入れプロセス」と、ゲートホール４５を形成した後にエミッタ４６を形成する「後入れプロセス」が考えられている。
特許文献１には、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備えた第１パネルと有効領域に蛍光体層とアノード電極とを備えた第２パネルとが真空層ＶＡＣを挟んで対向配置されて、冷陰極電界電子放出素子が、カソードとその上の絶縁層を介して形成されたゲートと、開口部底面のカソード上に形成されたピント型電子放出素子とから構成されてなる平面型表示装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２１０２２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のエミッタ４６の先入れプロセスでは、絶縁層４３及びゲート電極４４の積層プロセスやエッチング等の複数のプロセスにより、エミッタ材料がプロセス時の熱や薬品等で物理的又は化学的にダメージを受ける。また、各層の層間密着性を考慮に入れた設計も必要であり、さらに、エミッタ特性の向上を目的とする材料変更時や物理的な特性面などからの様々な制約を受ける。
【０００６】
そこでプロセス上エミッタ材料の受けるダメージを低減するには、エミッタ４６の後入れプロセスが有効であると考えられる。しかしこの場合、エミッタ材料をゲートホール４５の１つ１つの底部に直接注入していく方式では、位置合わせの精度が問題となる。また、エミッタ材料を注入しているとき、ゲートホール４５の壁面にエミッタ材料４６が付着すると、ゲート−カソード間での電流リークが発生する。電流リークが発生すると、所望の電界をエミッタ４６に印加することが困難になるなどの不具合を発生する。
また、上述の構造では、ゲート電極４４とエミッタ４６の距離が発光特性に影響を与えるため、均一な絶縁層４３を形成するには真空装置を使用したドライプロセスが必要であり、ウェットプロセスに比べコストが高くなる。
【０００７】
本発明は、上述の点に鑑み、信頼性の高いエミッタを有し、発光特性に優れ、さらにドライブ電圧を小さくしかつフォーカス特性の向上を可能にした冷陰極電界電子放出素子、及びこの冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置とその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の冷陰極電界電子放出表示素子は、基板上にカソード電極と、ゲート電極と、カソード電極に接続された電子放出部となるエミッタからなる３極構造を備えた冷陰極電界電子放出装置であって、基板上に下部ゲート電極と絶縁層を介してカソード電極とエミッタが順次形成され、エミッタに対向する柱状のゲート電極が形成され、ゲート電極が、下部ゲート電極と柱状のゲート電極から成ることを特徴とする。
【０００９】
本発明の冷陰極電界電子放出素子は、さらに柱状のゲート電極を、エミッタの表面より高く形成することが好ましい。
【００１０】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置は、基板上にカソード電極と、ゲート電極と、カソード電極に接続された電子放出部となるエミッタからなる３極構造を成し、エミッタを有するカソード電極の下に絶縁層を介して下部ゲート電極が形成され、カソード電極と下部ゲート電極との交叉部にエミッタに対向する柱状のゲート電極が形成され、ゲート電極が下部ゲート電極とこれに一体の柱状のゲート電極からなる冷陰極電界電子放出素子を、備えて成ることを特徴とする。
【００１１】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置は、さらに冷陰極電界電子放出素子における柱状のゲート電極を、エミッタの表面より高く形成することが好ましい。
【００１２】
本発明の冷陰極電界電子放出装置の製造方法は、基板上にストライプ状の下部ゲート電極を形成する工程と、下部ゲート電極上に絶縁層を介してカソード電極を形成し、このカソード電極上にエミッタを形成する工程と、エミッタとカソード電極を、下部ゲート電極との交叉部に第１の開口を有するようにストライプ状にパターニングする工程と、レジストをマスクに絶縁層の第１の開口に対応する部分に下部ゲート電極に達する第２の開口を形成する工程と、下部ゲート電極に接続し、第１及び第２の開口に植立する柱状のゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の冷陰極電界電子放出装置の製造方法は、柱状のゲート電極をメッキ法で積層形成することが好ましい。
【００１４】
本発明の冷陰極電界電子放出素子では、ゲート電極をカソード電極の下に形成された下部ゲート電極とエミッタと対向に植立する柱状のゲート電極とで形成した３極構造により、エミッタが基板最上面に形成されエミッタ材料へのプロセスダメージの影響を少なくすることができる。エミッタが絶縁層を介さないで柱状のゲート電極に対向するので、絶縁層の厚みが発光特性に影響を与えない。エミッタが最上面に形成されるので、エミッタの有効領域が広がり、電子放出量が多くなる。
【００１５】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置では、上記冷陰極電界電子放出素子を備えるので、発光特性がカソード電極とゲート電極間の絶縁層の厚みに依存することがない。電子放出量が多くなるので、発光効率が向上する。エミッタと柱状のゲート電極との間隔を小さくできるので、ゲート電極に印加する制御電圧を下げることができる。柱状ゲート電極の側面にエミッタが対向する形になり、エミッタから放出される電子の広がりが抑制される。
【００１６】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法では、エミッタが最上層に形成され、エミッタ上に他の層を積層するプロセスがないので、エミッタ材料がプロセスダメージを受けることがない。先にエミッタを形成してエミッタ及びカソード電極に第１の開口を形成し、レジストをマスクにした絶縁層に第２の開口を形成した後、下部ゲート電極に接続する柱状のゲート電極を形成するので、エミッタと柱状のゲート電極との位置合わせは正確になり、エミッタ後入れプロセス方式のようなゲートとカソード間の短絡事故は発生しない。エミッタと柱状のゲート電極間の間隔は、柱状のゲート電極の形成時のレジストマスクの膜厚で決まり、小さくできる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の冷陰極電界電子放出素子によれば、エミッタに対するプロセスダメージの影響が少ないので、電子放出の劣化が少なく、エミッタの信頼性が高くなる。また、エミッタの有効領域が広くなるため、例えば、エミッタをカーボンナノチューブ等の電子放出材を含む層で形成した場合、発光サイト数、すなわち電流を流して電子放出するエミッタ数を多くすることができる。したがって、この発光サイト数が多くなること、エミッタに対するプロセスダメージの影響が少ないことで、冷陰極電界電子放出表示装置に適用した場合、発光特性を向上することができる。柱状のゲート電極とカソード電極との距離を小さくすることができる。
柱状のゲート電極をエミッタ表面より高く伸ばすことにより、発光特性が絶縁層の厚みに影響しない３極構造を形成することができる。発光特性が絶縁層の厚みに依存しないので、３極構造の冷陰極電界電子放出素子の設計の自由度を上げることができる。このため製造に際して、印刷プロセス等が使用可能になるなど、製造プロセスの簡素化を可能にする。
【００１８】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置によれば、上述の冷陰極電界電子放出素子を備えるので、発光特性を向上することができる。アノード電界によって電子を取り出す場合（アノード引っ張りのとき）、柱状のゲート電極によって、エミッタから放出される電子の広がりが抑制されるので、フォーカス特性が良くなる。
カソード電極とゲート電極との距離を小さくしやすいため、発光のためのドライブ電圧、すなわち、ゲートカソード間電圧を下げることができる。
【００１９】
本発明の冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法によれば、プロセスから受けるエミッタへのダメージを少なくすることができる。エミッタを基板の最上面に形成するので、先入れプロセスと比較した場合、それほど層間密着性を高める必要が無い。そのため物理的制約を受けない分、層間密着性が取れなくても発光状態の良いエミッタ材料が使用できるなどエミッタ材料設計の自由度が高くなる。柱状のゲート電極をメッキ法で形成することにより、従来のようなスパッタ等の真空装置を使用しないため、安価にゲート電極を作製することができる。そして、本発明の製造工程をとることによって、エミッタの信頼性を高め、発光特性に優れ、ドライブ電圧を小さくし、フォーカス特性を向上した冷陰極電界電子放出表示装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明に係る冷陰極電界電子放出表示装置の一実施の形態を示し、図２はその要部、すなわち冷陰極電界電子放出素子の斜視図を示す。
本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出表示装置１は、一方の平板ガラス基板いわゆる背面基板３の内面に、カソード電極６と、ゲート電極４，１２，１３と、カソード電極６に接続された電子放出部となるエミッタ７とからなる３極構造の冷陰極電界電子放出素子２６と冷陰極電界電子放出素子２６を形成したカソード基板２７と、他方の平板ガラス基板いわゆる前面基板２１の内面に、蛍光面２８（図示せず）を形成したアノード基板２５とを真空空間を挟んで配置して構成される。
【００２１】
冷陰極電界電子放出素子２６は、図１及び図２に示すように、背面基板３の内面にゲート電極４を構成する複数のストライプ状の下部ゲート電極１３が形成され、この下部ゲート電極１３上に絶縁層５を介してストライプ状の下部ゲート電極１３と直交するように複数のストライプ状のカソード電極６が形成され、さらにカソード電極６の上面にエミッタ７が形成されて成る。さらに、下部ゲート電極１３とカソード電極６との交叉部分には、エミッタ７、カソード電極６及び絶縁層５を通して形成した開口１１を貫通するように下部ゲート電極１３と一体の植立した複数の柱状のゲート電極１２が形成される。この柱状のゲート電極１２は、エミッタ７及びカソード電極６の内壁から所要の距離（空隙）Ｄを置いて形成される。ゲート電極４は、下部ゲート電極１３と柱状のゲート電極１２とにより構成される。柱状のゲート電極１２は、エミッタ７の上面より高くなるように形成される。すなわち、柱状のゲート電極１２は、基板３の上面から柱状のゲート電極１２の上面までの高さＨ１が、基板３の上面からエミッタ７の上面までの高さＨ２より大きくなるように形成される。
【００２２】
一方、図１のアノード基板２５は、前面基板２１の内面に、ゲート電極４とカソード電極６との各交叉領域のエミッタ７に対向するように、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色蛍光体ストライプ２２［２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ］を形成すると共に、隣り合う各色蛍光体ストライプ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ間にブラックマトリックスパターン、例えばカーボンストライプ（ＣＳ）２３を形成し、前面にメタルバック層２４を被着形成して構成される。なお、図１では図２のＡ−Ａ線上の断面であるために、赤色蛍光体ストライプ２２Ｒのみが表われる。
【００２３】
図３Ａ〜図３Ｅ及び図４Ｆ〜図４Ｉは、上述の冷陰極電界電子放出表示装置１、特にその３極構造の冷陰極電界電子放出素子２６を有するカソード基板２７の製造方法を示す。
本実施の形態においては、先ず、図３Ａに示すように、ガラス基板３上に下部ゲート電極１３となる導電層をスパッタや蒸着等により成膜する。その後フォトリソグラフィ法にてストライプ状のレジストマスクを形成し、選択エッチングして、所要間隔をおいて平行配列されるように複数のストライプ状の下部ゲート電極１３を形成する。または、金属ペーストのパターン印刷によって複数のストライプ状の下部ゲート電極１３を形成してもよい。例えば、下部ゲート電極１３の膜厚は、約０．１〜１０μm、ストライプ幅は、約８５〜１００μm、ストライプピッチは、約１２０〜１５０μmとすることができる。
【００２４】
次に、図３Ｂに示すように、スパッタやＣＶＤ（化学気相成長）、印刷などにより絶縁層５を下部ゲート電極１３上を含む基板全面に形成する。絶縁層５の厚みの一例としては、約３〜１０μmとすることができる。絶縁層５は平坦化膜である。
【００２５】
次に、図３Ｃに示すように、絶縁層５上にカソード電極６およびエミッタ７を所要の膜厚で順次積層するようにスパッタやＣＶＤなどにより全面に形成する。カソード電極６の厚みの一例としては、約０．２〜１μmとすることができる。
【００２６】
次に、図３Ｄに示すように、エミッタ上にフォトリソグラフィ法によりレジストマスク（図示せず）を形成し、選択エッチングによりストライプ状の下部ゲート電極１３と直交するように平行配列する複数のストライプ状のカソードストライプ（カソード電極６とエミッタ７の積層体）８を形成する。この選択エッチングのときに、下部ゲート電極１３とカソード電極６の交叉部分に絶縁層５に達する複数の第１の開口１５が形成される。カソードストライプ幅の一例は、約３５０μｍ〜約４００μm、ストライプピッチの一例は、約４２０μmとすることができる。
【００２７】
次に、図３Ｅに示すように、レジスト膜９をカソードストライプ８上を含む基板全面に塗布する。すなわち、レジスト膜９を、その厚みＨ４がカソードストライプの厚みＨ３より厚くなるように塗布する。このレジスト膜９の厚みＨ４は、後で形成される。ゲート電極柱の高さＨ１と同一となるように形成する。
【００２８】
次に、図４Ｆに示すように、レジスト膜９をパターニングしてカソードストライプ８の第１の開口１５に対応する位置に、第１の開口幅ｄ１より狭い開口幅ｄ２の開口を有した柱状ゲート用ホールのレジストパターン１０を形成する。本例の開口幅ｄ１の一例としては、約２０〜７０μｍ、開口幅ｄ２の一例としては、約１０〜４０μmとすることができる。
【００２９】
次に、図４Ｇに示すように、レジストパターン１０をマスクにして、ケミカルドライエッチング(ＣＤＥ)やリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、サンドブラスト等により絶縁層５をエッチングして絶縁層５に第２の開口１６を形成し、下部ゲート電極１３に達する柱状ゲート用の開口１１を形成する。
【００３０】
次に、図４Ｈに示すように、レジストパターン１０を残した状態で電界メッキや無電界メッキ等によりゲート用開口１１をゲート電極用金属で埋め、下部ゲート電極１３と一体化された柱状のゲート電極１２を形成する。すなわち、ゲート電極４は、下部ゲート電極１３と柱状のゲート電極１２から形成されている。柱状のゲート電極１２の高さの一例としては、約３．５〜４μmとすることができる。
【００３１】
次に、図４Ｉに示すように、レジスト膜９を剥離して基板３上に目的とする冷陰極電界電子放出素子２６を形成したカソード基板２７が完成する。
【００３２】
一方、図示せざるも、他方のガラス基板２１上にカーボンストライプＣＳ２３と赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）の各色蛍光体ストライプ２２［２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ］から成る蛍光面２８を形成し、さらにメタルバック層２４を形成して、アノード基板２５を作製する。そして、上記カソード基板２７とアノード基板２５を真空空間を挟んで気密封止して、図２に示す目的の冷陰極電界電子放出表示装置１を得る。
【００３３】
本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出表示装置１によれば、３極構造の冷陰極電界電子放出素子２６のエミッタ７がカソード基板２７の最上面に形成されるので、エミッタ材料への物理的及び化学的ダメージが少なくなり、エミッタ７の電界電子放出特性の劣化が少なくなり、エミッタ材料の品質低下を防ぐことができる。
エミッタ７がカソード基板２７の最上面に形成されるので、エミッタ有効領域が大きくなり、例えばエミッタ７をカーボンナノチューブなどの電子放出材を含むペーストで形成した場合、発光サイト数、いわゆる電子放出するエミッタ数が多くなり、大きい電子放出量が得られる。
アノード電界によってエミッタ７から電子を取り出す方式（アノード引張りのとき）の場合、エミッタ７が柱状ゲート電極１２より低い位置にあるので、エミッタ７から放出された電子の広がりが抑えられ、フォーカス特性を良好にする。
カソード電極６と柱状ゲート電極１２との距離を小さくできるので、発光のためのドライブ電圧、特にゲートカソード間電圧を下げることができる。
ゲート電極４を、カソード電極６の下の下部ゲート電極１３から柱状ゲート電極１２を植立してエミッタ７の表面上まで伸ばす構成としたので、発光特性が絶縁層５の膜厚に依存せず、構造設計の自由度を上げることができる。
エミッタ７がカソード基板２７の最上面に形成されるので、従来の先入れプロセス方式と比較した場合、それほど層間密着性を高める必要がない。そのため物理的制約を受けない分、層間密着性が取れなくても発光状態の良いエミッタ材料を使用することができる等、エミッタ材料設計の自由度が高くなる。
【００３４】
本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法によれば、エミッタ７が形成されたカソード電極６の下層から、ゲート電極４をカソード面上まで柱状に伸ばすことにより、発光特性が絶縁層５の厚みに影響しない構造をとる。柱状のゲート電極１２をメッキで形成することで、従来のようなスパッタ等の真空装置を使用しないため、安価に電極を作製することができる。
エミッタ７が基板の最上面にあるため、物理的制約を受けない分、材料設計の自由度が高くなる。この製造方法自体は、基板サイズを選ばないため、電極や絶縁層の成膜装置およびエッチング装置の大型化が進めば、容易に大型化を実現することができる。本例では、装置の都合上、３．５インチサイズのガラス基板上に作製している。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出装置の断面図である。
【図２】本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出装置の斜視図である。
【図３】Ａ〜Ｅ  本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出装置の製造方法を示す工程図である。
【図４】Ｆ〜Ｉ  本実施の形態に係る冷陰極電界電子放出装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】従来の冷陰極電界電子放出装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１・・冷陰極電界電子放出装置、３・・背面基板、４・・ゲート電極、５・・絶縁層、６・・カソード電極、７・・エミッタ、８・・カソードストライプ、１０・・レジストパターン、１１・・柱状ゲート用の開口、１２・・柱状のゲート電極、１３・・下部ゲート電極、１５・・第１の開口、１６・・第２の開口、２１・前面基板、２２［２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ］・・各色蛍光体ストライプ、２３・・カーボンストライプ（ＣＳ）、２５・・アノード基板、２６・・冷陰極電界電子放出素子、２７・・カソード基板、２８・・蛍光面、４１・・背面基板、４２・・カソード電極、４３・・絶縁層、４４・ゲート電極、４５・・開口、４６・・エミッタ材料、４７・・カソード基板、５１・・前面基板、５２［５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ］・・各色蛍光体ストライプ、５３・・カーボンストライプ（ＣＳ）、５４・・メタルバック層、５５・・アノード基板
【図１】
2005149850.tif 000003
【図２】
2005149850.tif 000004
【図３】
2005149850.tif 000005
【図４】
2005149850.tif 000006
【図５】
2005149850.tif 000007