(57)【要約】【課題】  青色レーザーなど短波長の低出力光に対してもジッタなどのノイズが発生せず、Ｏ／Ｗ特性が優れ、アーカイバル特性も良好で高密度記録可能な相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】  基板上に、少なくとも第１の記録構成層と樹脂中間層と第２の記録構成層とが順次設けられ、第１の記録構成層は、基板側から順に少なくとも反射層、第１界面層、第１保護層、第１記録層、第２保護層から構成され、第２の記録構成層は、樹脂中間層側から順に少なくとも第３保護層、Ａｇ又はＡｇ合金層、第２界面層、第４保護層、第２記録層、第５保護層から構成された相変化型光記録媒体であって、第３保護層がＩＴＯ又はＩＺＯからなり、第１記録層と第２記録層が少なくともＳｂＴｅを含有し、第１及び第２界面層がＴｉとＳｉの酸化物と炭化物の混合物からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。【選択図】        図１
2005285303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１の記録構成層と樹脂中間層と第２の記録構成層とが順次設けられ、第１の記録構成層は、基板側から順に少なくとも反射層、第１界面層、第１保護層、第１記録層、第２保護層から構成され、第２の記録構成層は、樹脂中間層側から順に少なくとも第３保護層、Ａｇ又はＡｇ合金層、第２界面層、第４保護層、第２記録層、第５保護層から構成された相変化型光記録媒体であって、第３保護層がＩＴＯ又はＩＺＯからなり、第１記録層と第２記録層が少なくともＳｂＴｅを含有し、第１及び第２界面層がＴｉとＳｉの酸化物と炭化物の混合物からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
第１及び第２界面層の形成成分の割合（原子％）が次の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
４０≦Ｓｉ≦７０、１≦Ｔｉ≦１０、２０≦Ｃ≦４０、５≦Ｏ＜２０
【請求項３】
第１及び第２界面層が形成成分としてＺｒ、Ｖ、Ｃｒから選ばれた１種以上を５原子％未満含むことを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
第１及び第２界面層の厚みが２〜１０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
第１及び第２界面層の透過率が７０〜９５％であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書換え可能なＤＶＲ等の相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録媒体（相変化型光記録媒体）に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）やＤＶＤは、凹ピットの底部及び鏡面部からの光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号を検出することにより行われている。近年、ＣＤと再生互換性（互換性）のある媒体として、相変化型の書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ：ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）が広く使用されつつあるほか、ＤＶＤについても相変化型の書換え可能なＤＶＤが各種提案されている。また、ＤＶＤの容量が４．７ＧＢであるのに対して、記録再生波長を３５０ｎｍ〜４２０ｎｍと短波長化し、開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を上げて２０ＧＢ以上の容量とするシステム高密度ＤＶＲが提案されている（例えば非特許文献１参照）
【０００３】
これら相変化型の書換え可能なＣＤ、ＤＶＤ及びＤＶＲは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差及び位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化媒体は、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら構成層の多重干渉を利用して反射率差及び位相差を制御し、ＣＤやＤＶＤとの互換性を持たせることができる。ＣＤ−ＲＷにおいては、反射率を１５〜２５％程度に落とした範囲内ではＣＤと記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低いことをカバーする増幅系を付加したＣＤドライブでは再生が可能である。なお、相変化型光記録媒体は消去と再記録過程を１つの集束光ビームの強度変調のみによって行うことができるため、ＣＤ−ＲＷや書換え可能ＤＶＤ等の相変化型光記録媒体において、「記録」には記録と消去を同時に行うオーバーライト（Ｏ／Ｗ）記録を含む。
【０００４】
相変化を利用した情報の記録には、結晶、非晶質又はそれらの混合状態を用いることができ、複数の結晶相を用いることもできるが、現在実用化されている書き換可え可能な相変化型光記録媒体は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマークを形成して記録するのが一般的である。
相変化型記録層の材料としては、何れの媒体もカルコゲン元素、即ちＳ、Ｓｅ、Ｔｅを含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＩｎＳｂＴｅ系、Ｓｂ０．７Ｔｅ０．３共晶合金を主成分とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系などである。このうち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金に過剰のＳｂを添加した系、特にＧｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４、又はＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５などの金属間化合物近傍組成が主に実用化されている。これらの組成は、金属間化合物特有の相分離を伴わない結晶化を特徴とし、結晶成長速度が速いために初期化が容易で消去時の再結晶化速度が速い。このため従来から、実用的なオーバーライト特性を示す記録層としては、疑似二元合金系や金属間化合物近傍組成が注目されていた（非特許文献２、非特許文献３等）。
【０００５】
また、従来からＧｅＳｂＴｅ三元組成又はこの三元組成を母体として添加元素を含有する記録層組成に関して報告がなされている（特許文献１、２）。しかしながら、このような組成の材料を書換え可能なＤＶＲなどの高密度記録用の光記録媒体へ適用するにはまだ開発が始まったばかりであり、解決しなければならない問題が多々ある。
特に、青色レーザーなど短波長の光学系の場合にはビーム出力が低く、そのため記録層にノイズが出易いという欠点があり、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性と保存特性を満足できるレベルで両立させることが難しく、高速高密度記録化における課題となっている。
また特許文献３では、耐熱性保護層として、ＺｎＯ、ＺｒＯ等の金属酸化物、ＴｉＣ等の炭化物、或いはそれらの混合物が示されている。しかしながら、耐硫化物で、しかも保存性を確保しながら記録再生特性を満足させる効果はない。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−２５８７８７号公報
【特許文献２】特開昭６２−５３８８６号公報
【特許文献３】特開平６−６０４２６号公報
【非特許文献１】ＩＳＯＭ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，’００（２０００），２１０
【非特許文献２】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．６９（１９９１），ｐ２８４９
【非特許文献３】ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．２５１４（１９９５），ｐ２９４−３０１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、青色レーザーなど短波長の低出力光に対してもジッタなどのノイズが発生せず、Ｏ／Ｗ特性が優れ、アーカイバル特性も良好で高密度記録可能な相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、次の１）〜５）の発明（以下、本発明1〜５という）によって解決される。
１）  基板上に、少なくとも第１の記録構成層と樹脂中間層と第２の記録構成層とが順次設けられ、第１の記録構成層は、基板側から順に少なくとも反射層、第１界面層、第１保護層、第１記録層、第２保護層から構成され、第２の記録構成層は、樹脂中間層側から順に少なくとも第３保護層、Ａｇ又はＡｇ合金層、第２界面層、第４保護層、第２記録層、第５保護層から構成された相変化型光記録媒体であって、第３保護層がＩＴＯ又はＩＺＯからなり、第１記録層と第２記録層が少なくともＳｂＴｅを含有し、第１及び第２界面層がＴｉとＳｉの酸化物と炭化物の混合物からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）  第１及び第２界面層の形成成分の割合（原子％）が次の範囲にあることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
４０≦Ｓｉ≦７０、１≦Ｔｉ≦１０、２０≦Ｃ≦４０、５≦Ｏ＜２０
３）  第１及び第２界面層が形成成分としてＺｒ、Ｖ、Ｃｒから選ばれた１種以上を５原子％未満含むことを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
４）  第１及び第２界面層の厚みが２〜１０ｎｍの範囲にあることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５）  第１及び第２界面層の透過率が７０〜９５％であることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【０００９】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
図１は、本発明の相変化型光記録媒体の一例を示す層構成断面図を模式的に描いたものであり、基板１／反射層２／第１界面層１４／第１保護層３／第１記録層４／第２保護層５／樹脂中間層６／第３保護層７／Ａｇ又はＡｇ合金層８／第２界面層１５／第４保護層９／第２記録層１０／第５保護層１１／接着層１２／カバー基板１３の構成を有している。図１のような各層の順序は、透明カバー基板１３を介して記録再生用の集束光ビーム、例えばレーザ光を各記録層に照射する場合に適している。
基板１の材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィンなどの透明樹脂或いは透明ガラスを用いることができる。中でもポリカーボネート樹脂は、ＣＤにおいて最も広く用いられているなど実績もあり、また安価でもあるため最も好ましい材料である。基板１には通常、記録再生光を案内するピッチ０．８μｍ以下の溝を設けるが、この溝は必ずしも幾何学的に矩形又は台形状の溝である必要はなく、例えばイオン注入などによって屈折率の異なる導波路のようなものを形成した光学的な溝が形成されていてもよい。
【００１０】
第１記録層４及び第２記録層１０は、Ｓｂ及びＴｅを主な構成元素として含有する合金を主成分とする薄膜からなるものであり、このような合金としては、例えばＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを構成元素とするものがある。本発明では、２層の記録層が何れもＳｂＴｅを含むことにより、小さいマークが形成し易くなり高密度記録への対応を図ることができる。
上記各記録層には必要に応じて他の元素を、合計１０原子％程度まで添加してもよい。また、各記録層に更にＯ、Ｎ、Ｓから選ばれる少なくとも一つの元素を０．１〜５原子％添加することにより、記録層の光学定数を微調整することができる。しかし、５原子％を超えて添加することは結晶化速度を低下させ、消去性能を悪化させるので好ましくない。
またオーバーライト（Ｏ／Ｗ）時の結晶化速度を低下させずに経時安定性を増すため、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｚｒから選ばれる少なくとも一種を８原子％以下添加するのが好ましく、より好ましくは０．１〜５原子％である。ＳｂＴｅに対する、上記添加元素とＧｅの合計添加量は１５原子％以下であることが望ましい。１５原子％より過剰に含まれるとＳｂ以外の相分離を誘起してしまう。特に、Ｇｅ含有量が３〜５原子％の場合には添加効果が大きい。
【００１１】
また経時安定性の向上と屈折率の微調整のために、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも一種を５原子％以下添加するのが好ましい。これら添加元素とＧｅの合計の添加量は１５原子％以下が好ましい。なお、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂの各元素は、Ｇｅと同じく４配位ネットワークを持った元素である。
また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを８原子％以下添加すると、結晶化温度を上昇させると同時にジッタを低減させたり記録感度を改善したりする効果もあるが、偏析も生じ易いため６原子％以下とするのが好ましい。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの各添加量は、Ｇｅと合わせた合計添加量として１５原子％以下、好ましくは１３原子％以下とすることが望ましい。
また、Ａｇを８原子％以下の量で添加すると、記録感度を改善する上で効果があり、特にＧｅ添加量が５原子％を超える場合に用いれば効果が顕著である。しかし、Ａｇの添加量が８原子％を超えるとジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損ねるので好ましくない。また、Ｇｅと合わせた合計添加量が１５原子％を超えると偏析を生じ易いので好ましくない。Ａｇの含有量として最も好ましいのは５原子％以下である。
【００１２】
第１記録層４及び第２記録層１０は相変化型の記録層であり、それらの厚さは一般的に５〜１００ｎｍの範囲が好ましい。５ｎｍより薄いと十分なコントラストを得難く、また結晶化速度が遅くなる傾向があり短時間での消去が困難となり易い。一方、１００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得難くなり、またクラックが生じ易くなる。コントラストとしては、ＤＶＤなど再生専用ディスクと互換性が取れる必要がある。
また、最短マーク長が０．５μｍ以下となるような高密度記録では、上記記録層の厚さは５〜２５ｎｍが好ましい。５ｎｍ未満では反射率が低くなり過ぎ、また膜成長初期の不均一な組成や疎な膜の影響が現れ易いので好ましくない。一方、２５ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなる他、結晶成長が３次元的になるため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾向にある。更に、第１記録層４及び第２記録層１０の相変化による体積変化が顕著になり、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）耐久性が悪くなるので好ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）耐久性の観点からは２０ｎｍ以下とすることがより望ましい。
【００１３】
第１記録層４及び第２記録層１０の密度はバルク密度の８０％以上、好ましくは９０％以上であることが望ましい。
第１記録層４及び第２記録層１０の密度を高くするには、スパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス（Ａｒ等の希ガス）の圧力を低くするか、或いはターゲット正面に近接して基板を配置するなどして記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることが必要である。高エネルギーＡｒは、スパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するもの、或いはプラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものの何れかである。このような高エネルギーの希ガスの照射効果を「ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ（アトミックピーニング）効果」という。一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタでは、アトミックピーニング効果によってＡｒがスパッタ膜に混入される。この混入された膜中のＡｒ量により、アトミックピーニング効果を見積もることができる。即ち、Ａｒ量が少なければ高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成され易い。一方、Ａｒ量が多ければ高エネルギーＡｒの照射が激しく、密度は高くなるものの膜中に取り込まれたＡｒが繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）時にボイド（ｖｏｉｄ）となって析出し、繰返しの耐久性を劣化させる。記録層中の適当なＡｒ量は、０．１〜１．５原子％である。更に、直流スパッタリングよりも高周波スパッタリングを用いた方が、膜中Ａｒ量を少なくして高密度膜が得られるので好ましい。
【００１４】
第１記録層４及び第２記録層１０の成膜後の状態は通常、非晶質である。従って、成膜後に各記録層全面を結晶化して初期化された状態（未記録状態）とする必要がある。初期化方法としては、固相でのアニールによる初期化も可能であるが、一旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化させる、いわゆる溶融再結晶化による初期化が望ましい。上記各記録層は成膜直後には結晶成長の核が殆どなく、固相での結晶化は困難であるが、溶融再結晶化によれば少数の結晶核が形成された後、溶融して結晶成長が主体となって高速で再結晶化が進む。溶融再結晶化による結晶と固相でのアニールによる結晶とは反射率が異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、実際のオーバーライト（Ｏ／Ｗ）記録の際には、消去部は溶融再結晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化により行うのが好ましい。
溶融再結晶化による初期化の際、記録層の溶融は局所的かつ１ミリ秒程度以下の短時間で行うのがよい。この理由は、溶融領域が広かったり溶融時間或いは冷却時間が長過ぎると、熱によって各層が破壊されたりプラスチック基板表面が変形したりするためである。初期化に適した熱履歴を与えるには、波長６００〜１０００ｎｍ程度の高出力半導体レーザー光を長軸１００〜３００μｍ、短軸１〜３μｍに集束して照射し、短軸方向を走査軸として１〜１０ｍ／ｓの線速度で走査することが望ましい。同じ集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎて再非晶質化が起き易く、また多層構成や基板へのダメージが大きく好ましくない。
【００１５】
初期化が溶融再結晶化によって行われたことは以下のようにして確認できる。
即ち、初期化後の媒体に直径約１．５μｍより小さいスポット径に集束された記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光を、直流的に一定線速度で照射する。案内溝がある場合は、その溝又は溝間からなるトラックにトラッキングサーボ及びフォーカスサーボをかけた状態で行う。
その後、同じトラック上に消去パワーＰｅ（≦Ｐｗ）の消去光を直流的に照射して得られる消去状態の反射率が全く未記録の初期状態の反射率と殆ど同じであれば、該初期化状態は溶融再結晶状態と確認できる。何故ならば、記録光照射により記録層は一旦溶融されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからである。なお、初期化状態の反射率（Ｒｉｎｉ）と溶融再結晶化状態の反射率（Ｒｃｒｙ）がほぼ同じであるとは、（Ｒｉｎｉ−Ｒｃｒｙ）／｛（Ｒｉｎｉ＋Ｒｃｒｙ）／２｝で定義される両者の反射率差が２０％以下であることを言う。通常、アニール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は２０％より大きい。
【００１６】
図１に示すように、第１記録層４は第１保護層３と第２保護層５との間に、また第２記録層１０は第４保護層９と第５保護層１１との間に挟み込まれた状態で基板１表面（溝形成面）上に設けられている。
この第１保護層３、第２保護層５、第４保護層９、第５保護層１１について説明する。
第１保護層３は第１記録層４と反射層２の相互拡散を防止し、第１記録層４の変形を抑制しつつ、第１界面層１４及び反射層２へ効率的に熱を逃すという機能を併せ持つ。また、第２保護層５は、主として記録時の高温による樹脂中間層６の表面の変形を防止するのに有効である。
第４保護層９は、第２記録層１０から第２界面層１５、Ａｇ又はＡｇ合金層８及び第３保護層７に熱を逃がす機能と、第２記録層１０とＡｇ又はＡｇ合金層８の間の相互拡散を防止する機能を併せ持つ。また第５保護層１１は、反射率の調整と記録時の高温による接着層１２とカバー基板１３の変形を防止するのに有効である。
【００１７】
第１保護層３、第２保護層５、第４保護層９、第５保護層１１の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。これらの保護層を形成する材料としては熱伝導特性の低いものが望ましいが、その目安は１×１０−３ｐＪ／（μｍ・Ｎ・ｎｓｅｃ）である。なお、このような低熱伝導率材料の薄膜状態の熱伝導率を直接測定するのは困難であり、直接測定の代りに、熱シミュレーションと実際の記録感度の測定結果から目安を得ることができる。
好ましい結果をもたらす低熱伝導率の保護層用材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ２、希土類硫化物のうちの少なくとも一種を５０〜９０モル％含み、且つ透明性が高く融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱性化合物を含む複合誘電体が望ましい。特にＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ等の希土類の硫化物を６０〜９０モル％含むか、或いはＺｎＳ、ＺｎＯを７０〜９０モル％含むものが望ましい。
透明性が高く融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱化合物材料としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物や、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
なお、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を変えたり混合して用いてもよい。
第１保護層３、第２保護層５、第４保護層９、第５保護層１１の材料としては、上記留意点及び第１記録層４及び第２記録層１０を構成する材料との整合性を考慮すると、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合系組成が最も好ましい。また、各保護層の材料を同じ材料にすると製造上のコスト低減の面からも有利である。
【００１８】
上記各保護層の機能等について、更に詳述する。
本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属する。急冷構造は、放熱を促進して記録層再凝固時の冷却速度を高める層構成を採用することで、非晶質マーク形成の際における再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現する。
第１保護層３及び第４保護層９の膜厚は、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）における耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚は一般的に３〜３０ｎｍである。５ｎｍ未満では、上記保護層部での熱伝導の遅延効果が不十分で記録感度低下が著しくなり好ましくない。また３０ｎｍより厚いとマーク幅方向の温度分布の十分な平坦化効果が得られないほか、記録時に第１保護層３の第１記録層側と反射層２側及び第４保護層１１の第２記録層側とＡｇ又はＡｇ合金層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側における熱膨張差から保護層自体が非対称に変形し易くなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。
第１保護層３及び第４保護層９の詳細な厚さは、記録レーザー光の波長が６００〜７００ｎｍでは１５ｎｍ〜２５ｎｍが好ましく、波長が３５０〜６００ｎｍでは３〜２０ｎｍが好ましく、より好ましくは３〜１５ｎｍである。
第２の保護層５及び第５の保護層１１の膜厚は、３０〜１６０ｎｍとする必要がある。３０ｎｍより薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊され易く、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性が悪くなる。また１６０ｎｍを越えると反射率変動が大きくなり均一に記録し難い。オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性の点からは４５〜１３０ｎｍがより好ましい。
【００１９】
上記のような層構成を採用すると、最短マーク長０．３μｍ以下の高密度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者らの検討によれば高密度記録を実現するために短波長のレーザーダイオード（例えば、波長４１０ｎｍ以下）を用いる場合には、上記急冷構造の層構成についても一層の留意が必要になる。特に、波長が５００ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．５５以上の小さな集束光ビームを用いた１ビームオーバーライト特性の検討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化することが高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために重要であることが分った。上記傾向は波長３５０〜４２０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５前後の光学系を用いたＤＶＲ対応の光学系においても同様である。
そこで本発明者らは、２層記録構造の相変化型記録媒体の適切な層構成を検討し、光透過性があると共に放熱性もある第１界面層１４及び第２界面層１５を設けて記録感度を高くする設計を行った。
【００２０】
前記のような光学系を用いた高密度マーク長変調記録においては、第１保護層３、第４保護層９として特に熱伝導特性の低い材料を用い、好ましくはそれらの膜厚を３〜２０ｎｍとすることが重要である。このため第１保護層３及び第４保護層９に接して設けられる第１界面層１４、第２界面層１５は、高熱伝導率であることが必要となり、この構成によって高速記録時に熱が急激に逃げず、かつ反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８に熱が伝わり高速記録が可能となる。
また第１記録構成層に到達する光は、第２記録構成層を透過してくるため入射光の半分以下となるから、入射光を増やすか、第１記録層の感度を良くすることが望ましい。
本発明では、入射光の少ない第１記録構成層の第１記録層４を熱伝導率の低い層で挟んで記録感度を良くし、更に、第１保護層３の膜厚を薄くし、第１保護層３と反射層２の間及びＡｇ又はＡｇ合金層８と第４保護層９の間に、ＴｉとＳｉの酸化物と炭化物の混合物からなる第１界面層１４及び第２界面層１５を設けることにより、酸化物が含まれない材料を用いた場合に比べて、飛躍的に密着力を向上させ高温高湿の信頼性を向上させることができる。
【００２１】
熱伝導性のみを考えた場合には、第１保護層３又は第４保護層９の熱伝導係数を高くしても放熱効果は促進されるが、あまり放熱が促進されると記録に要する照射パワーが高くなり、記録感度が著しく低下してしまうという問題が生ずるため、低熱伝導率である必要がある。
低熱伝導率の薄膜保護層を用いることにより、記録パワー照射開始時点の数ナノ秒〜数１０ナノ秒において記録層から反射層或いはＡｇ又はＡｇ合金層への熱伝導に時間的な遅延を与え、その後に反射層或いはＡｇ又はＡｇ合金層への放熱を促進することができるため、保護層の熱伝導特性により必要以上に記録感度を低下させることがない。このような理由から、従来知られているＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ又はＳｉＮ等を主成分とする保護層材料は、それ自身の熱伝導率が高すぎるために単体で使用することは好ましくない。
【００２２】
Ｓｉ５５Ｃ３２Ｏ１０Ｔｉ３からなる厚さ３ｎｍの界面層１４、１５を設けた本発明の層構成の相変化型光記録媒体と、界面層１４、１５を設けなかった点以外は同一の層構成の相変化型光記録媒体について、第１記録層４の信頼性特性〔アーカイバル特性（８０℃８５％〕を比較した結果を下記表１に示した。
記録再生条件は、レーザ波長：４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、記録線速：５．７ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３μｍ／ｂｉｔ、記録パワー：ジッタが最小となる５．５ｍＷ、再生パワー：０．３ｍＷであり、１−７変調でランダム信号を記録した。
表１から、界面層のある本発明の方がジッタ〔σ／Ｔｗ（ウインドウ幅）〕変化が無く良好な媒体であることが分る。
【表１】
2005285303.tif 000003
【００２３】
第１界面層１４及び第２界面層１５の形成成分の好ましい組成割合（原子％）は、４０≦Ｓｉ≦７０、１≦Ｔｉ≦１０、２０≦Ｃ≦４０、５≦Ｏ＜２０である。
Ｓｉを主成分とする理由は、ＳｉＯ２が酸化物の中で熱伝導率が低く熱衝撃に強く透過率も高いので多層化に有利であることによる。Ｔｉを含有させる理由は、高温高湿等の信頼性を更に向上させるためである。
Ｓｉを添加することでＳｉを入れない材料に比べて軟らかくなり、ヤング率が高くなり弾性を持つので密着力が向上する。下記表２にガラス、Ａｇ、ＺｎＳＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＴｉＯＣ、ＳｉＴｉＯＣの硬さとヤング率を示したが、ＳｉＴｉＯＣはＡｇと同レベルの軟らかさで、ＳｉＣやＴｉＯＣの１０分の１以下の硬さであり、ＳｉＣやＴｉＯＣの約２倍の弾性率を持つ。なお、各膜厚は１００ｎｍとし、厚さ０．６ｍｍガラス基板上にスパッタにより製膜した膜について測定した。
【表２】
2005285303.tif 000004
【００２４】
酸化物は密着力の向上に寄与する。酸素量（Ｏ）が５％以上の場合と５％未満の場合を比べると、クロスカットテープ剥離テストで明らかな差が出る。酸素量については炭素量（Ｃ）の１／４〜１／２程度あれば密着力があり高温高湿環境下での信頼性が良好で剥離テストでも剥れない。
また、光透過性を良くするために光吸収の少ない酸化物（ＳｉＯ２、ＴｉＯ２）を用いるが、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２と炭化物（ＴｉＣとＳｉＣ）とを安定にＤＣスパッタできるようにするためには、炭素を２０原子％以上含ませることが望ましい。炭化物を酸化物よりも多くすればＤＣスパッタで安定に製膜できる。但し、炭素量が多くなると密着力が悪くなるので炭素量は全体の半分（５０原子％）以下とすることが望ましい。
【００２５】
また、上記界面層の形成成分として、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒから選ばれた１種以上の元素を５原子％未満の割合で添加すると、更に高温高湿環境下での信頼性を向上させることができる。
また、上記界面層の厚みを２〜１０ｎｍの範囲にすれば、透過率を高く維持できるので信頼性の高い多層構成の高密度光記録媒体に適している。１０ｎｍを超えると、透過率が下がり熱も篭り易いので、相変化記録材料を急冷して非晶質に変化させるためには好ましくない。また２ｎｍ未満では成膜が容易でない上に界面層を設ける効果が現れない。
また、多層構成に適合させるためには、界面層の透過率を７０〜９５％とする（界面層膜厚が１０ｎｍから２ｎｍに相当する）ことが望ましい。
第３保護層７には、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ）又はＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＺｎＯ）を用いる。ＩＴＯやＩＺＯは熱伝導率が高いので、第２記録層１０で記録される際に発生する熱がＡｇ又はＡｇ合金層を経由して第３保護層７で放熱される。これによってアモルファスマークを形成するために急激な冷却が必要とされるＳｂＴｅを含有する相変化材料からなる記録層は最適な急冷状態となり、小さなアモルファスマークが形成可能となる。
しかし記録構成層２００の放熱性は、第３保護層７の放熱性だけでは不十分なためＡｇ又はＡｇ合金層８を設けて放熱性を改善し、更に第２界面層１５を組み合わせた構成とすることにより、高密度記録特性とＯ／Ｗ特性と保存性を改善する。
【００２６】
次に、放熱機能を担う反射層２とＡｇ又はＡｇ合金層８について順に説明する。
反射層２はとりわけ高熱伝導率の材料を用いることにより、消去比及び消去パワーマージンを改善できる。検討の結果、広い消去パワー範囲において良好な消去特性を発揮させるには、膜厚方向の温度分布や時間変化のみならず膜面方向（記録ビーム走査方向に対して垂直方向）の温度分布をなるべく平坦化できるような層構成が好ましいことが分った。従って本発明では、非常に高熱伝導率で３００ｎｍ以下の薄い反射層２を用いて、横方向の放熱効果を促進することが望ましい。
薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり小さくなっているのが普通である。特に膜厚が４０ｎｍ未満の薄膜では成長初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合があり好ましくない。更に、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なり、同じ組成でも熱伝導率が異なる要因になる。
【００２７】
第１の記録構成層１００の放熱は、反射層２の厚みを厚くしても達成できるが、反射層２の厚みが３００ｎｍを超えると第１記録層４の膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導が顕著になり、膜面方向の温度分布改善効果が得られない。また、反射層２自体の熱容量が大きくなり、反射層２ばかりでなく、ひいては第１記録層４の冷却に時間がかかるようになって非晶質マークの形成が阻害される。最も好ましいのは、高熱伝導率の反射層２を薄く設けて横方向への放熱を選択的に促進することである。従来用いられていた急冷構造は、膜厚方向の１次元的な熱の逃げにのみ注目し、第１記録層４から反射層２に早く熱を逃すことのみを意図しており、この平面方向の温度分布の平坦化に十分な留意が払われていなかった。
【００２８】
反射層２の材料としてはＡｇ又はＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等が挙げられる。
Ａｇ合金としては、後述のＡｇ又はＡｇ合金層８に用いられるのと同様のＡｇ合金が挙げられる。Ａｇ合金を反射層２として用いる場合、好ましい膜厚は３０〜２００ｎｍである。３０ｎｍ未満では純Ａｇでも放熱効果は不十分である。２００ｎｍを超えると熱が水平方向より垂直方向に逃げて水平方向の熱分布改善に寄与しないし、不必要な厚膜は生産性を低下させる。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
Ｃｕ合金としては、例えばＣｕを０．３〜５．０重量％含有するＡｌ−Ｃｕ系合金がある。特に、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合系組成とＴａ２Ｏ５とを組み合わせた２層構成反射層とする場合には、Ｃｕを０．５〜４．０重量％含有するＡｌ−Ｃｕ系合金が、耐食性、密着性、高熱伝導率の全てをバランス良く満足する反射層として望ましい。また、Ｓｉを０．３〜０．８重量％、Ｍｇを０．３〜１．２重量％含有するＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金も有効である。
【００２９】
Ａｌ合金としては、例えばＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ又はＭｎを０．２〜２原子％含む合金などがあり、これらの元素は添加濃度に比例して体積抵抗率が増加し耐ヒロック性が改善されるので、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等を考慮して用いることができる。添加量が０．２原子％未満では成膜条件にもよるが耐ヒロック性は不十分であることが多い。また２原子％より多いと上記の低抵抗率を得難い。経時安定性をより重視する場合の添加成分としてはＴａが好ましい。
上記Ａｌ合金を反射層２として用いる場合、好ましい膜厚は１５０〜３００ｎｍである。１５０ｎｍ未満では純Ａｌでも放熱効果が不十分である。３００ｎｍを超えると熱が水平方向より垂直方向に逃げて水平方向の熱分布改善に寄与しないし、反射層そのものの熱容量が大きくなり、そのため記録層の冷却速度が遅くなってしまう。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
【００３０】
続いてＡｇ又はＡｇ合金層８について説明する。
第２記録層１０は結晶化温度（Ｔｍ）近傍での再凝固時の結晶成長が再結晶化の律速になっている。Ｔｍ近傍での冷却速度を極限まで大きくして非晶質マーク及びそのエッジの形成を確実かつ明確なものとするには超急冷構造が有効であり、かつ膜面方向の温度分布の平坦化で、元々Ｔｍ近傍で高速消去可能であったものがより高消去パワーまで確実に再結晶化による消去を確保できる。このため、いわゆる「第３保護層７での熱伝導遅延効果を考慮した超急冷構造」を本発明に係る第２の記録構成層２００に適用すると、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３記録層に比べて一層効果がある。
このような超急冷のための放熱層としてＡｇ又はＡｇ合金層８を用いる。Ａｇ又はＡｇ合金層８を形成する場合には、製膜時のデポレートを反射層２よりも遅くして膜厚の不均一性をなくすようにする。Ａｇ又はＡｇ合金層８の膜厚は、５〜２０ｎｍが望ましい。５ｎｍ未満ではデポレートを遅くしても不均一になる。また２０ｎｍよりも厚くなると光透過性が悪くなるため好ましくない。
Ａｇ合金としては、ＡｇにＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ或いはＭｎを０．２〜５原子％含む合金が好ましい。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ、Ｍｇが好ましい。
【００３１】
本発明者らは前記反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８の材料中のＡｌやＡｇへの添加元素は、その添加濃度に比例して体積抵抗率を増加させることを確認している。一方、不純物元素の添加は、一般的に結晶粒径を小さくし粒界の電子散乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。従って、添加不純物量を調節することは、結晶粒径を大きくして材料本来の高熱伝導率を得るために必要である。
なお、反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量もさることながら、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％以下とする必要がある。このためにプロセスチャンバの到達真空度は１×１０−３Ｐａ以下とすることが望ましい。また、１０−４Ｐａより悪い到達真空度で成膜する場合には、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。或いは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
【００３２】
成膜条件は不純物量とは無関係に結晶粒径に影響を及ぼす場合もある。例えば、ＡｌにＴａを２原子％程度混入した合金膜は、結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結晶相と非晶質相の割合は成膜条件に依存する。また低圧でスパッタするほど結晶部分の割合が増え、体積抵抗率が下がり、熱伝導率が増加する。膜中の不純物組成或いは結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製法やスパッタガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等）にも依存する。
このように薄膜状態の体積抵抗率は、金属材料や組成のみによっては決まらない。
高熱伝導率の薄膜を得るためには、上記のように不純物量を少なくすることが望ましいが、一方でＡｌやＡｇの純金属は耐食性や耐ヒロック性に劣る傾向があるため、両者のバランスを考慮して最適組成を決める必要がある。
【００３３】
更なる高熱伝導性と高信頼性を得るために反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全層合計膜厚の５０％以上の膜厚を有し、実質的に放熱効果に寄与する前記高熱伝導性材料（低体積抵抗率材料）からなり、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。
具体例としては、金属の中で最も高熱伝導率及び低体積抵抗率であるＡｇを用いた場合、Ａｇに隣接する保護層中にＳ（硫化物等）が含まれると、Ａｇの硫化による腐食を起こし易く、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）した場合の劣化がやや速いという傾向がある。また、高温高湿の加速試験環境下で腐食を生じ易い傾向がある。
そこで、低体積抵抗率材料としてＡｇ又はＡｇ合金を用いる際には、隣接保護層との間に硫化防止層としてＡｌを主成分とする合金層を厚さ１〜１００ｎｍ設けることも有効である。この厚さを５ｎｍ以上とすれば、層が島状構造とならず均一に形成され易い。
そこで、低体積抵抗率材料としてＡｇ又はＡｇ合金を用いる際には、隣接保護層との間に硫化防止層としてＡｌ合金層を厚さ１〜１００ｎｍ設けることも有効である。Ａｌ合金としては反射層のところで述べたのと同じ材料を用いることができる。硫化防止層の厚さは１ｎｍ未満では保護効果が不十分で、１００ｎｍを超えると放熱効果が犠牲になる。
更に、Ａｇ又はＡｇ合金からなる反射層或いはＡｇ又はＡｇ合金層とＡｌ合金からなる硫化防止層を用いる場合、ＡｇとＡｌは比較的相互拡散し易い組み合わせなので、Ａｌ合金表面を厚さ１ｎｍ以上酸化して界面酸化層を設けることが一層好ましい。なお、界面酸化層の厚さが５ｎｍ、特に１０ｎｍを越えると、それが熱抵抗となり、本来の趣旨である極めて放熱性の高い放熱層としての機能が損なわれるので好ましくない。
【００３４】
良好な特性を示す高熱伝導率の反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８を選択するために、それぞれの熱伝導率を直接測定することも可能であるが、熱伝導の良否を電気抵抗を利用して見積もることができる。金属膜のように電子が熱又は電気伝導を主として司る材料においては熱伝導率と電気伝導率との間に良好な比例関係があるためである。薄膜の電気抵抗は、その膜厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表す。体積抵抗率と面積抵抗率は、通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳ  Ｎ  ７１９４によって規定されている。本法により、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりも遥かに簡便かつ再現性の良いデータが得られる。
好ましい反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８の特性としては、体積抵抗率が２０〜１５０ｎΩ・ｍであり、より好ましくは２０〜１００ｎΩ・ｍである。薄膜状態で２０ｎΩ・ｍ未満とすることは実質的に難かしい。また１５０ｎΩ・ｍより体積抵抗率が大きい場合でも、例えば３００ｎｍを超える厚膜とすれば面積抵抗率を下げることはできるが、本発明者らの検討によれば、このような高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみを下げても十分な放熱効果は得られなかった。厚膜では単位面積当りの熱容量が増大してしまうためと考えられる。また、このような厚膜では成膜に時間がかかり材料費も増えるため、製造コストの観点から好ましくないばかりでなく、膜表面の微視的な平坦性も悪くなってしまう。膜厚３００ｎｍ以下で面積抵抗率０．２〜０．９Ω／□が得られるような低体積抵抗率材料を用いるのが好ましく、０．５Ω／□が更に好ましい。
【００３５】
反射層２或いはＡｇ又はＡｇ合金層８の前記多層化については、高体積抵抗率材料と低体積抵抗率材料を組み合わせることにより所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るためにも有効である。合金化による体積抵抗率調節は、合金ターゲットの使用によりスパッタ工程を簡素化できるが、ターゲット製造コスト、ひいては媒体の原材料比を上昇させる要因にもなる。従って、純Ａｌ、純Ａｇの薄膜と上記添加元素そのものの薄膜を多層化して所望の体積抵抗率を得ることも有効である。層数が３層程度までであれば初期の装置コストは増加するものの、媒体コストは却って抑制できる場合がある。反射層２或いはＡｇ又はＡｇ合金層８を複数の金属膜からなる全膜厚が４０〜３００ｎｍの多層構造とし、全膜厚の５０％以上が体積抵抗率２０〜１５０ｎΩ・ｍの金属薄膜層（複数の層であってもよい）とするのが好ましい。
【００３６】
次に、図１に示すようにカバー基板１３を設ける構成で、高ＮＡの対物レンズを用いる場合には、カバー基板１３の厚さは０．３ｍｍ以下、好ましくは０．０６〜０．２０ｍｍの厚さが要求されるため、シート状であることが好ましい。ＮＡが０．５０〜０．７０では、厚さ０．６ｍｍのカバー基板を用いる。
カバー基板の材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
これらの材料からなる透明シートを用いて薄型カバー基板を形成する方法としては、紫外線硬化樹脂又は透明な両面粘着シートを介して、透明シートを貼り付ける方法が挙げられる。また、紫外線硬化樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させ薄型カバー基板を形成してもよい。
樹脂中間層や接着層にも上記の樹脂を用いることができるが、紫外線硬化樹脂がコストの面で優れているので好ましい。
樹脂中間層の厚さは、ＮＡが０．６〜０．６５程度で、青色（４０５ｎｍ）ＬＤの場合には、各層からの信号の干渉を少なくすることができる２０〜５０μｍが好ましく、より好ましくは３０〜４０μｍである。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、青色レーザーなどの短波長の低出力光に対しても記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、Ｏ／Ｗ特性が優れ、アーカイバル特性も良好で、かつフォーカスやトラッキングが掛かり易く、ＲＯＭとの互換を可能とした、高密度記録可能な相変化型光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００３９】
実施例１
ポリカーボネート製基板２１上に、反射層２２（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）、第１界面層３４（Ｓｉ５５Ｃ３２Ｏ１０Ｔｉ３）、第１保護層２３（ＺｎＳＳｉＯ２）、第１記録層２４（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）、第２保護層２５（ＺｎＳＳｉＯ２）、樹脂中間層２６（ＵＶ硬化樹脂、三菱マテリアル社製ＳＤ３１８）、第３保護層２７（ＩＺＯ）、Ａｇ合金層２８（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）、第２界面層３５（Ｓｉ５５Ｃ３２Ｏ１０Ｔｉ３）、第４保護層２９（ＺｎＳＳｉＯ２）、第２記録層３０（Ｇｅ５Ａｇ２Ｓｂ７０Ｔｅ２３）、第５保護層３１（ＺｎＳＳｉＯ２）、接着層３２（アクリル系両面接着剤）、カバー基板３３（ポリカーボネート）を順次形成して、図２に示す層構成の相変化型光記録媒体を作製した。なお、各層の厚さは下記の通りであり、樹脂中間層２６はスピンコート法で形成し、カバー基板３３は透明な粘着シート（帝人の７５μｍ厚みポリカシート）を介して貼り付け、その他の層は、スパッタ法により厚さを制御しながら形成した。
基板２１：１．１ｍｍ、反射層２２：１２０ｎｍ、第１界面層３４：４ｎｍ、第１保護層２３：７ｎｍ、第１記録層２４：１０ｎｍ、第２保護層２５：１００ｎｍ、樹脂中間層２６：３０μｍ、第３保護層２７：１２０ｎｍ、Ａｇ合金層２８：１０ｎｍ、第２界面層３５：５ｎｍ、第４保護層２９：１０ｎｍ、第２記録層３０：６ｎｍ、第５保護層３１：１００ｎｍ、接着層３２：３０μｍ、カバー基板３３：６０μｍ
【００４０】
実施例２
第１、第２界面層の材質をＳｉ５５Ｃ２３Ｏ１３Ｔｉ９に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして相変化型光記録媒体を作製した。
【００４１】
実施例３
第１、第２界面層の材質をＳｉ５３Ｃ３４Ｏ１０Ｔｉ２Ｃｒ１に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして相変化型光記録媒体を作製した。
【００４２】
実施例４
第１、第２界面層の材質をＳｉ５３Ｃ３４Ｏ１０Ｔｉ２Ｖ１に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして相変化型光記録媒体を作製した。
【００４３】
実施例５
第１、第２界面層の材質をＳｉ５３Ｃ３４Ｏ１０Ｔｉ２Ｚｒ１に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして相変化型光記録媒体を作製した。
【００４４】
比較例１
第１、第２界面層を無くした点以外は、実施例１と全く同様にして相変化型光記録媒体を作製した。
【００４５】
比較例２
第１、第２界面層の材質をＳｉＮに変えた点以外は、実施例１と全く同様にして相変化型光記録媒体を作製した。
【００４６】
上記実施例１〜５及び比較例１〜２の光記録媒体の各層の構成材料を纏めて表３に示す。
【表３】
2005285303.tif 000005
【００４７】
＜評価＞
上記実施例１〜５及び比較例１〜２の各光記録媒体に対し、波長４０２ｎｍ、開口数ＮＡ０．６５の光学系を用いて集束光ビームを照射し、線速：５．７ｍ／ｓ、０．１３０μｍ／ｂｉｔの条件で、初期ジッタ、記録感度（ジッタ最小を示す記録パワー）、アーカイバル特性、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性を評価した。結果を表４に示す。
評価判断基準は次の通りである。
・アーカイバル特性（Ｈ）：８０℃、８５％（ＲＨ）の保存でジッタ上昇が２０％以上となる時間。
・Ｏ／Ｗ特性（回）：オーバーライトによるジッタ上昇が２０％に到達した回数。
・記録感度（ｍＷ）：ジッタ最小となる記録パワー
表４から分るように、実施例１〜５の光記録媒体は、何れも比較例１〜２に比べて優れた記録感度、アーカイバル特性、Ｏ／Ｗ特性を示した。
第１、第２界面層が無い比較例１は、保存特性（アーカイバル特性）が非常に悪く、記録感度も良好ではなかった。
【００４８】
【表４】
2005285303.tif 000006
【００４９】
上記実施例１〜５及び比較例１〜２においては、第１、第２界面層の材料としてＩＺＯを用いたが、ＩＺＯに代えてＩＴＯを用いてもほぼ同様の結果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の相変化型記録媒体を説明するための一例を示す層構成断面図。
【図２】本発明の実施例における評価用相変化型記録媒体の層構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１  基板
２  反射層
３  第１保護層
４  第１記録層
５  第２保護層
６  樹脂中間層
７  第３保護層
８  Ａｇ又はＡｇ合金層
９  第４保護層
１０  第２記録層
１１  第５保護層
１２  接着層
１３  カバー基板
１４  第１界面層
１５  第２界面層
２１  基板（ポリカーボネート）
２２  反射層（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）
２３  第１保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
２４  第１記録層（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）
２５  第２保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
２６  樹脂中間層（ＵＶ硬化樹脂）
２７  第３保護層（ＩＺＯ）
２８  Ａｇ又はＡｇ合金層（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）
２９  第４保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
３０  第２記録層（Ｇｅ５Ａｇ２Ｓｂ７０Ｔｅ２３）
３１  第５保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
３２  接着層（アクリル系両面接着剤）
３３  カバー基板（ポリカーボネート）
３４  第１界面層（ＳｉＴｉＯＣ）
３５  第２界面層（ＳｉＴｉＯＣ）
１００  第１の記録構成層
２００  第２の記録構成層
【図１】
2005285303.tif 000007
【図２】
2005285303.tif 000008