(57)【要約】【課題】凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンを有する原盤を高精度で製造することができる凹凸パターン転写用原盤の製造方法及びこれを用いたスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】レジスト材料よりも高い剛性を有する被エッチング体１２上に所定のパターンでマスク層１８を形成してエッチングすることにより被エッチング体１２の表面に凹凸パターンを形成し、且つ、マスク層１８の材料として、エッチングレートがレジスト材料のエッチングレートよりも低く、被エッチング体１２のエッチングレートよりも低い材料を用いるようにして凹凸パターン転写用原盤を得る。【選択図】図７
2005166105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略板状体でレジスト材料よりも高い剛性を有する被エッチング体上に所定のパターンでマスクを形成してエッチングすることにより前記被エッチング体を凹凸パターンに加工し、且つ、前記マスクの材料として、前記エッチングに対するエッチングレートがレジスト材料のエッチングレートよりも低く、前記被エッチング体のエッチングレートよりも低い材料を用いるようにして凹凸パターンを転写するための原盤を得ることを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記エッチングに対するエッチングレートが前記被エッチング体のエッチングレートよりも低い下地層上に前記被エッチング体を形成し、前記エッチングにより前記被エッチング体を前記下地層まで除去して前記凹凸パターンに加工するようにしたことを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記下地層が基板を兼ねるようにしたことを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記被エッチング体の材料として、導電性を有する材料を用いるようにしたことを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項５】
請求項２又は３において、
前記被エッチング体及び前記下地層の材料として、導電性を有する材料を用いるようにしたことを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記エッチングに対する前記被エッチング体のエッチングレートを前記マスクのエッチングレートで除したエッチング選択比が１０以上となるようにしたことを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
高さを幅で除したアスペクト比が１よりも大きい凸部を含む凹凸パターンを形成するようにしたことを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の凹凸パターン転写用原盤の製造方法により得られる凹凸パターン転写用原盤の前記凹凸パターンに沿ってスタンパ材料を形成してから該スタンパ材料を剥離することにより情報記録媒体製造用スタンパを得るようにしたことを特徴とする情報記録媒体製造用スタンパの製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記スタンパ材料をメッキ法により前記凹凸パターンに沿って形成するようにしたことを特徴とする情報記録媒体製造用スタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体の製造分野において凹凸パターンを転写するために用いられる原盤及びスタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体には、記録層等が凹凸パターンで形成されたものがあり、従来、凹凸パターンを形成するためにスタンパが用いられている。
【０００３】
例えば、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の光記録媒体の基板には、ピット、グルーブ等の情報伝達のための凹凸パターンが形成されている。光記録媒体の基板の製造方法の一例を説明すると、まずガラス基板にレジスト材料を塗布し、リソグラフィの手法で露光・現像してレジスト材料を部分的に除去することにより表面に凹凸パターンを有するガラスマスタ（凹凸パターン転写用原盤）が得られる。このガラスマスタに無電解メッキ法で導電膜を形成してから電解メッキ法でＮｉ等の薄膜を形成し、この薄膜及び導電膜をガラスマスタから剥離することによりスタンパが得られる。このスタンパを型内に配設し、ポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形することでピット、グルーブ等の情報伝達のための凹凸パターンを形成した基板が得られる。尚、生産性の向上等の目的でガラスマスタから無電解メッキ法及び電解メッキ法でメタルマスタを作製し、メタルマスタに電解メッキ法で薄膜を形成してメタルマスタから剥離することによりスタンパを作製することもある。又、電解メッキ法を更に繰返してスタンパを作製することもある。
【０００４】
光記録媒体の他、以下に説明するような事情により、ハードディスク等の磁気記録媒体の製造工程においてもこのようなスタンパを用いた凹凸パターンの転写手法を利用することが期待されている。
【０００５】
磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００６】
しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因するサイドフリンジ、クロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。このため、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層を所定の凹凸パターンで形成してなるディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
記録層を凹凸パターンに加工する加工技術としては、イオンビームエッチング、反応性イオンエッチング等のドライエッチングの手法（例えば、特許文献２参照）を利用しうる。ドライエッチングで記録層を所望の凹凸パターンに加工するためには、まずドライエッチングに対するマスク層を記録層上に一層又は複数層形成し、マスク層を凹凸パターンに加工する必要がある。マスク層を凹凸パターンに加工する手法としては、マスク層上にレジスト層を形成し、リソグラフィの手法で露光・現像してレジスト層を凹凸パターンに加工し、このレジスト層をマスクとしてマスク層をドライエッチングで加工することが考えられる。しかしながら、磁気記録媒体毎にリソグラフィの手法を用いることは生産性という点で問題がある。
【０００８】
これに対して、スタンパを当接させてレジスト層に凹凸パターンを転写することにより、生産性を大幅に向上させることができる。尚、転写しただけでは凹部底面にレジスト層が残存し、マスク層は露出しないが、凹部底面のレジスト層を除去する程度にレジスト層を一様にエッチングすることで凹部底面からマスク層を露出させることができると共に転写による段差の分だけ凸部としてレジスト層を残存させることができる。
【０００９】
ここで、マスク層を加工するためには、凸部を構成するレジスト層を比較的厚く形成するように要求されることが多い。一方、図１６に示されるように、ドライエッチングで被加工体１００（例えば磁気記録媒体の記録層）に形成される凹部１０２は側面１０２Ａが若干テーパ形状となり、マスク１０４から離れるほど（図１６における下側ほど）幅が次第に狭くなる傾向がある。このため、被加工体１００に形成しようとする所望の凹部よりも幅が広い凹部をレジスト層に転写する必要がある。言い換えれば、被加工体１００に形成しようとする所望の凸部の幅よりも凸部の幅が狭い凹凸パターンをレジスト層に転写する必要があり、例えば高さを幅で除したアスペクト比が１を超えるような、比較的凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンの転写が要求されることがある。
【００１０】
このような凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンを転写するためには、凹部の（深さを幅で除した）アスペクト比が大きい凹凸パターンのスタンパが必要であり、このような凹凸パターンのスタンパを製造するためには、凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンをガラスマスタに形成する必要がある。
【００１１】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１２―３２２７１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、ガラスマスタの凸部はレジスト材料で構成されており、凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンをガラスマスタに形成するためには剛性が低いレジスト材料をガラス基板上に厚く形成することになるため、リソグラフィの手法で露光・現像して凹凸パターンを形成する際に、凸部を構成するレジスト材料の変形や倒壊が生じやすくなり、凹凸パターンの転写精度、記録層の加工精度が低下するという問題がある。
【００１３】
又、上述のように、ガラスマスタにメッキ法等で薄膜を形成してスタンパを製造する際に、凸部を構成するレジスト材料の変形や倒壊が生じやすくなるという問題もある。
【００１４】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンを有する原盤を高精度で製造することができる凹凸パターン転写用原盤の製造方法及びこれを用いたスタンパの製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、レジスト材料よりも高い剛性を有する被エッチング体上に所定の凹凸パターンでマスクを形成してエッチングすることにより被エッチング体を凹凸パターンに加工し、且つ、マスクの材料として、エッチングレートがレジスト材料のエッチングレートよりも低く、被エッチング体のエッチングレートよりも低い材料を用いるようにしたことで上記課題を解決するに至った。即ち、マスクの材料としてエッチングレートがレジスト材料のエッチングレートよりも低く、被エッチング体のエッチングレートよりも低い材料を用いることで、それだけ薄いマスクを被エッチング体上に形成すれば足りる。従って、マスクを凹凸パターンに加工してもマスクの変形、倒壊が生じにくく、凹凸パターンの形状精度が良好なマスクが得られる。このような形状精度が良好なマスクを用いて被エッチング体をエッチングすることで被エッチング体を所望の凹凸パターンに高精度で加工することができる。更に、従来のようにレジスト材料で凸部を構成するのではなく、レジスト材料よりも高い剛性を有する被エッチング体で凸部を形成することで、凹凸パターンの変形、倒壊を著しく低減することができる。
【００１６】
即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ることができる。
【００１７】
（１）略板状体でレジスト材料よりも高い剛性を有する被エッチング体上に所定のパターンでマスクを形成してエッチングすることにより前記被エッチング体を凹凸パターンに加工し、且つ、前記マスクの材料として、前記エッチングに対するエッチングレートがレジスト材料のエッチングレートよりも低く、前記被エッチング体のエッチングレートよりも低い材料を用いるようにして凹凸パターンを転写するための原盤を得ることを特徴とする凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００１８】
（２）前記エッチングに対するエッチングレートが前記被エッチング体のエッチングレートよりも低い下地層上に前記被エッチング体を形成し、前記エッチングにより前記被エッチング体を前記下地層まで除去して前記凹凸パターンに加工するようにしたことを特徴とする前記（１）の凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００１９】
（３）前記下地層が基板を兼ねるようにしたことを特徴とする前記（２）の凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００２０】
（４）前記被エッチング体の材料として、導電性を有する材料を用いるようにしたことを特徴とする前記（１）の凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００２１】
（５）前記被エッチング体及び前記下地層の材料として、導電性を有する材料を用いるようにしたことを特徴とする前記（２）又は（３）の凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００２２】
（６）前記エッチングに対する前記被エッチング体のエッチングレートを前記マスクのエッチングレートで除したエッチング選択比が１０以上となるようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれかの凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００２３】
（７）高さを幅で除したアスペクト比が１よりも大きい凸部を含む凹凸パターンを形成するようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれかの凹凸パターン転写用原盤の製造方法。
【００２４】
（８）前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の凹凸パターン転写用原盤の製造方法により得られる凹凸パターン転写用原盤の前記凹凸パターンに沿ってスタンパ材料を形成してから該スタンパ材料を剥離することにより情報記録媒体製造用スタンパを得るようにしたことを特徴とする情報記録媒体製造用スタンパの製造方法。
【００２５】
（９）前記スタンパ材料をメッキ法により前記凹凸パターンに沿って形成するようにしたことを特徴とする前記（８）の情報記録媒体製造用スタンパの製造方法。
【００２６】
尚、本出願において凸部の「アスペクト比」という用語は、凸部における高さ方向と略直角な方向の幅のうち、最小の幅で高さを除した値という意義で用いることとする。
【００２７】
又、本出願において「エッチングレート」という用語は、エッチングによる単位時間当たりの加工量という意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、凸部のアスペクト比が大きい凹凸パターンを有する原盤を高精度で製造することができる。これにより、磁気記録媒体等の情報記録媒体を高精度で効率良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
図１に示されるように、本実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤１０は、被エッチング体１２の表面に凹凸パターンが形成された構成とされている。
【００３１】
被エッチング体１２は、材料がＳｉ（ケイ素）の略板状体でレジスト材料よりも高い剛性を有しており、被エッチング体１２の表面に形成された凹凸パターンには、アスペクト比が１よりも大きい凸部が含まれている。
【００３２】
凹凸パターン転写用原盤１０は、エッチングにより被エッチング体１２の表面に凹凸パターンを形成する加工工程に特徴を有している。図２のフローチャートに沿って、被エッチング体１２の加工方法について説明する。
【００３３】
まず、図３に示されるような被エッチング体１２の加工出発体１４を用意する（Ｓ１０２）。加工出発体１４は、表面が平坦な板状の被エッチング体１２の素材上にレジスト層１６をスピンコート法等により成膜することにより得られる。尚、ドクターブレード法等の他の成膜手法を用いてレジスト層１６を成膜してもよい。
【００３４】
レジスト層１６の材料は、ポジ型レジスト材料、ネガ型レジスト材料のいずれの材料を用いてもよい。
【００３５】
このようにして得られた加工出発体１４のレジスト層１６を所定のパターンで電子線露光装置（図示しない）を用いて露光してから現像し、図４に示されるように部分的に除去する（Ｓ１０４）。
【００３６】
次に、図５に示されるように、加工出発体１４上にマスク層１８をスパッタリング法等で成膜する（Ｓ１０６）。マスク層１８は被エッチング体１２におけるレジスト層１６の間から露出した部位及びレジスト層１６上に成膜される。マスク層１８の材料は、ＳＦ６（６フッ化硫黄）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングに対するエッチングレートがレジスト層１６のエッチングレートよりも低く、被エッチング体１２のエッチングレートよりも低いＮｉ（ニッケル）を用いている。尚、マスク層１８はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の他の成膜手法を用いて成膜してもよい。
【００３７】
被エッチング体１２に凹部側面が垂直に近い凹凸パターンを形成するためには、被エッチング体１２のエッチングレートをマスク層１８のエッチングレートで除したエッチング選択比が１０以上であることが好ましいが、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングに対するＳｉのエッチングレートをＮｉのエッチングレートで除したエッチング選択比は約４３．４であるので、本実施形態はこの条件を満たしている。マスク層１８は、被エッチング体１２に形成する凹凸パターンの段差に対して厚さが上記エッチング選択比の逆数倍程度となるように薄く形成する。
【００３８】
次に、ウェットエッチングにより、図６に示されるようにレジスト層１６を除去する（Ｓ１０８）。これにより、レジスト層１６上のマスク層１８も除去され、被エッチング体１２におけるレジスト層１６の間から露出した部位に成膜されたマスク層１８だけが凹凸パターンの凸部を構成して残存する。マスク層１８は材料がＮｉでレジスト材料よりも剛性が高く、更に、被エッチング体１２上に薄く形成されているので、変形や倒壊が生じにくい。即ち、マスク層１８はレジスト層１６の露光パターンが高精度で転写された凹凸パターン形状を保持して被エッチング体１２上に残存する。
【００３９】
次に、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、図７に示されるように被エッチング体１２におけるマスク層１８から露出した部位を加工する（Ｓ１１０）。マスク層１８はレジスト層１６の露光パターンが高精度で転写された凹凸パターン形状を保持しているので、被エッチング体１２の表面にもレジスト層１６の露光パターンが高精度で転写された凹凸パターンが形成される。更に、マスク層１８が薄く形成されているので、被エッチング体１２に形成される凹部側面はテーパが抑制された垂直に近い形状に加工され、この点でも、形状精度が良い凹凸パターンが形成される。尚、被エッチング体１２上にはマスク層１８が微小量残存する。
【００４０】
次に、例えば王水を用いたウェットエッチングにより、被エッチング体１２上に残存するマスク層１８を除去し、洗浄する（Ｓ１１２）。これにより、被エッチング体１２の加工が完了し、前記図１に示される凹凸パターン転写用原盤１０が得られる。
【００４１】
このように、マスク層１８の材料としてエッチングレートがレジスト材料のエッチングレートよりも低く、被エッチング体１２のエッチングレートよりも低い材料を用いることで、被エッチング体１２上に形成するマスク層１８の厚さをそれだけ薄くすることができる。これにより、マスク層１８を凹凸パターンに加工しても変形、倒壊が生じにくくなり、マスク層１８の凹凸パターン形状精度が向上する。このような凹凸パターンの形状精度が良いマスク層１８を用いて被エッチング体１２をエッチングすることにより被エッチング体１２に凹凸パターンを高精度で形成することができる。更に、マスク層１８が薄く形成されているので、被エッチング体１２に形成される凹部側面はテーパが抑制された垂直に近い形状に加工され、この点でも、形状精度が良い凹凸パターンが形成される。更に、レジスト材料よりも高い剛性を有する被エッチング体１２に凸部及び凹部を形成するので、凸部をレジスト材料等で構成する従来のガラスマスタに対し、凹凸パターンの変形、倒壊を著しく低減することができる。
【００４２】
次に、凹凸パターン転写用原盤１０を用いた情報記録媒体製造用スタンパの製造方法について説明する。
【００４３】
まず、図８に示されるように、凹凸パターン転写用原盤１０の表面にスパッタリング法により厚さが数十ｎｍのＮｉの導電膜２０を形成する。
【００４４】
次に、凹凸パターン転写用原盤１０をスルファミン酸ニッケル溶液中に浸漬し、導電膜２０を電極として通電することにより数百μｍの厚さまでニッケルの膜を成長させて、図９に示されるような電解メッキ層２２を形成する。更に、電解メッキ層２２における導電膜２０と反対側の面を研磨してから、図１０に示されるように、導電膜２０及び電解メッキ層２２を一体で凹凸パターン転写用原盤１０から剥離する。必要に応じて導電膜２０及び電解メッキ層２２の外周等を打抜いて形状を整え、苛性ソーダで異物を除去し、更に超純水で超音波洗浄する。これにより、情報記録媒体製造用スタンパ２４が完成する。
【００４５】
このようにして得られた情報記録媒体製造用スタンパ２４を用いて、図１１に示されるように、磁気記録媒体の加工出発体３０の表面に成膜されたレジスト層３２に凹凸パターンを当接させることで、凹凸パターン転写用原盤１０と等しい凹凸パターンをレジスト層３２に転写することができる。ここで、図１１は加工出発体の一例として基板上に各種の層を積層した例を挙げているが、これらの層は本発明とは直接関係ないので、詳細な説明は省略する。
【００４６】
尚、スタンパ２４をメタルマスタとして用いて上記と同様の電解メッキ工法で他のスタンパ（図示省略）を作製すれば、凹凸パターン転写用原盤１０と逆の凹凸パターンをレジスト層３２に転写することもできる。
【００４７】
又、スタンパ２４をメタルマスタとして用いて上記と同様の電解メッキ工法でマザー（図示省略）を作製し、マザーを用いて上記と同様の電解メッキ工法でスタンパ（図示省略）を作製すれば、凹凸パターン転写用原盤１０と等しい凹凸パターンをレジスト層３２に転写することもできる。電解メッキ工法を更に繰返してスタンパを作製することも当然可能である。
【００４８】
尚、本実施形態において、凹凸パターン転写用原盤１０の被エッチング体１２の材料はＳｉであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、ガラス、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、グラッシーカーボン、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、Ｔａ（タンタル）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｇ（銀）、ＣｏＣｒＰｔ（コバルト−クロム−白金）合金、ＦｅＰｔ（鉄−白金）合金等のレジスト材料よりも高い剛性を有する他の材料を被エッチング体１２の材料として用いてもよい。
【００４９】
又、本実施形態において、マスク層１８の材料はＮｉであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、被エッチング体１２を加工する工程（Ｓ１１０）におけるエッチングレートがレジスト材料及び被エッチング体１２よりも低い材料であれば、Ｔａ等の他の材料をマスク層１８の材料として用いてもよい。尚、側面が垂直に近い凹凸パターンを被エッチング体１２に形成するためには、被エッチング体１２のエッチングレートをマスク層１８のエッチングレートで除したエッチング選択比が１０以上になるように、エッチングの種類、被エッチング体１２の材料、マスク層１８の材料を選択することが好ましい。
【００５０】
又、本実施形態において、被エッチング体１２の表面に凹凸パターンを形成するためにＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のハロゲン系ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング、ＣＯ（一酸化炭素）を含む反応ガスによる反応性イオンエッチングや、イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて被エッチング体１２に凹凸パターンを形成してもよい。
【００５１】
上記に例示した被エッチング体１２とマスク層１８のエッチング選択比を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2005166105.tif 000003
【００５３】
又、本実施形態において、凹凸パターン転写用原盤１０は単層構造であるが、図１２に示される本発明の第２実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤５０のように、基板５２上に被エッチング体５４を例えばスパッタリング法で成膜して形成してなる２層構造とし、被エッチング体５４に凹凸パターンを形成してもよい。尚、この場合、被エッチング体５４の材料として、Ａｇ、Ｔａ等の導電性を有する材料を用いることで、凹凸パターン転写用原盤５０から情報記録媒体製造用スタンパを作製する際にスパッタリング法や無電解メッキ法で導電膜を形成することなく電解メッキを行うことが可能となり、情報記録媒体製造用スタンパの生産効率を向上させることができる。
【００５４】
又、凹凸パターン転写用原盤５０は、被エッチング体５４を厚さ方向に部分的に除去して凹凸パターンを形成した構造であるが、図１３に示される本発明の第３実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤６０のように、基板６２上に所定のエッチングに対するエッチングレートが被エッチング体６４のエッチングレートよりも低い下地層６６を形成し、下地層６６上に被エッチング体６４を形成し、エッチングにより被エッチング体６４を下地層６６まで除去して凹凸パターンを形成してもよい。
【００５５】
このようにすることで、凹凸パターン転写用原盤に形成する凹凸パターンの凹部の深さを均一にすることができ、情報記録媒体製造用スタンパにそれだけ凸部の高さが均一な凹凸パターンを形成することができる。又、凹凸パターン転写用原盤に形成する凹部底面の面粗さを小さくすることができ、それだけ先端面の粗さが小さい凸部を情報記録媒体製造用スタンパに形成することができる。
【００５６】
この場合、例えば、被エッチング体６４の材料をＡｇ等の導電性を有する材料とし、下地層６６もＴａ等の導電性を有する材料とすれば上記第２実施形態と同様にスパッタリング法や無電解メッキを省略して電解メッキを行うことができ、情報記録媒体製造用スタンパの生産効率を向上させることができる。
【００５７】
尚、本第３実施形態において、基板６２上に下地層６６を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１４に示される本発明の第４実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤７０のように、下地層７２が基板を兼ねるようにしてもよい。
【００５８】
又、前記第１実施形態において、リフトオフ法を用いてマスク層１８を凹凸パターンに加工しているが、マスク層１８を凹凸パターンで被エッチング体１２上に形成できればその手法は特に限定されず、例えば、被エッチング体１２上に一様にマスク層、レジスト層をこの順で成膜し、レジスト層を露光・現像した後、イオンビームエッチング等のドライエッチングの手法を用いてマスク層１８を凹凸パターンに加工してもよい。
【００５９】
又、前記第１実施形態において、情報記録媒体製造用スタンパ２４を用いて磁気記録媒体の加工出発体に凹凸パターンを転写する例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、光記録媒体等、製造工程において凹凸パターンの転写を要する情報記録媒体であれば、他の情報記録媒体の製造に対しても本発明を適用可能である。
【００６０】
尚、情報記録媒体製造用スタンパを用いず、磁気記録媒体の加工出発体等に凹凸パターン転写用原盤で凹凸パターンを直接転写することも可能である。
【実施例１】
【００６１】
上記第１実施形態のとおり、凹凸パターン転写用原盤１０を作製した。具体的には、被エッチング体、マスク層、レジスト層の凹凸パターンを下記の寸法で形成した。尚、レジスト層１６の材料はポジ型電子線レジストＺＥＰ５２０Ａ（日本ゼオン）を用いた。
被エッチング体
凹凸のピッチ：約１５０ｎｍ
凸部の幅    ：  約５０ｎｍ
凹部の幅    ：約１００ｎｍ
凹凸の段差  ：約１５０ｎｍ
レジスト層
膜厚        ：９０ｎｍ
凸部の幅    ：約１００ｎｍ
凹部の幅    ：約  ５０ｎｍ
マスク層
膜厚        ：１５ｎｍ
凸部の幅    ：  約５０ｎｍ
凹部の幅    ：約１００ｎｍ
【００６２】
尚、被エッチング体に形成する凹凸の段差１５０ｎｍを、被エッチング体及びマスク層のエッチングの選択比４３．４で除した値は、３．４ｎｍであり、マスク層の厚さ１５ｎｍはこれよりも厚く形成しているが、これはマスクとしてのマージン分を加味したものである。
【００６３】
このようにして得られた凹凸パターン転写用原盤１０の凹凸パターンの側断面形状を顕微鏡で観察したところ凸部の変形、倒壊等は認められず、凹凸パターンの形状は良好であった。
【実施例２】
【００６４】
被エッチング体及びマスクの材料を複数選択し、各材料の組合わせ毎にＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより被エッチング体に幅が約１００ｎｍ、深さが約１５０ｎｍの凹部を形成し、被エッチング体のエッチングレートをマスク材料のエッチングレートで除したエッチング選択比と、凹部側面の角度と、の関係を測定した。尚、いずれの材料の組合わせの加工においても反応性イオンエッチングのソースパワーを１０００Ｗ、バイアスパワーを１５０Ｗに設定したが、真空チャンバ内の圧力は、材料に応じて調節した。測定結果を表２及び図１５に示す。又、真空チャンバ内の圧力を表１に併記する。尚、凹部側面の角度は、図１６における水平面Ｈに対する角度として示す。
【００６５】
図１５より、エッチング選択比が１０以上の場合、凹部側面の角度が８５°以上となり、側面が垂直に近い良好な形状の凹部を形成できることがわかる。又、エッチング選択比の増加に伴って凹部側面の角度が増加する傾向があり、エッチング選択比が１０よりも小さい範囲では、エッチング選択比の増加に伴って凹部側面の角度が増加する度合いが大きいが、エッチング選択比が１０以上になると、エッチング選択比の増加に対する凹部側面の角度の増加が著しく鈍化している。従って、側面が垂直に近い良好な形状の凹部を形成するためには、エッチング選択比が１０以上になるように、被エッチング体及びマスクの材料を選択することが好ましい。
【００６６】
【表２】
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【００６７】
[比較例]
上記実施例１に対して基板上にレジスト材料を約１５０ｎｍの厚さで成膜し、レジスト材料が凸部となるように実施例１と等しい下記の寸法の凹凸パターンを形成することを試みたところ、凸部が倒壊し、原盤として使用することはできなかった。
【００６８】
凹凸のピッチ：約１５０ｎｍ
凸部の幅    ：  約５０ｎｍ
凹部の幅    ：約１００ｎｍ
凹凸の段差  ：約１５０ｎｍ
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体や、光記録媒体等の情報記録媒体を製造するために利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同凹凸パターン転写用原盤の製造工程の概略を示すフローチャート
【図３】同凹凸パターン転写用原盤の製造工程における加工出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図４】レジスト層が凹凸パターンに加工された同加工出発体の形状を模式的に示す側断面図
【図５】同レジスト層上にマスク層が成膜された状態を模式的に示す側断面図
【図６】同レジスト層が除去された状態を模式的に示す側断面図
【図７】被エッチング体に凹凸パターンが形成された状態を模式的に示す側断面図
【図８】前記凹凸パターン転写用原盤に導電膜が形成された状態を模式的に示す側断面図
【図９】同導電膜上に電解メッキ層が形成された状態を模式的に示す側断面図
【図１０】前記凹凸パターン転写用原盤からスタンパを剥離した状態を模式的に示す側断面図
【図１１】同スタンパによる磁気記録媒体の加工出発体への凹凸パターンの転写を模式的に示す側断面図
【図１２】本発明の第２実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤の構造を模式的に示す側断面図
【図１３】本発明の第３実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤の構造を模式的に示す側断面図
【図１４】本発明の第４実施形態に係る凹凸パターン転写用原盤の構造を模式的に示す側断面図
【図１５】本発明の実施例２におけるエッチング選択比と、凹部側面の角度と、の関係を示すグラフ
【図１６】ドライエッチングにより被エッチング体に形成される凹凸形状を模式的に示す側断面図
【符号の説明】
【００７１】
１０、５０、６０、７０…凹凸パターン転写用原盤
１２、５４、６４…被エッチング体
１４…加工出発体
１６…レジスト層
１８…マスク層
２０…導電膜
２２…電解メッキ層
２４…情報記録媒体製造用スタンパ
３０…磁気記録媒体の加工出発体
３２…レジスト層
５２、６２…基板
６６、７２…下地層
Ｓ１０２…加工出発体作製工程
Ｓ１０４…レジスト層加工工程
Ｓ１０６…マスク層成膜工程
Ｓ１０８…レジスト層除去工程
Ｓ１１０…被エッチング体加工工程
Ｓ１１２…残存マスク層除去工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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