(57)【要約】    【課題】切断工程でのチッピングまたはチップどうしの再付着や、個々のチップへのミス付着を防止することができると共に、バレル研磨後の乾燥工程において、チップどうしの付着やチッピングを防止し、生産性を向上しうる積層型電子部品の製造方法を提供する。    【解決手段】切断前のグリーン状態の積層基板を、バインダが分解しない温度と時間で乾燥することにより、積層基板の残留溶剤を２．０〜２．５重量％以内とする。これにより、切断工程でのチッピングやチップどうしの再付着や、個々のチップへのミスト付着を防止することができる。その後、切断により得られたチップをバインダが分解しない温度と時間で乾燥することにより、積層基板の残留溶剤を０．２〜１．５重量％以内とする。これによりその後のバレル研磨後の乾燥工程におけるチップどうしの付着やチッピングを防止できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体または非磁性体からなる粉末と、バインダと、溶剤とを混合してグリーンシートを作製する工程と、
グリーンシートに導体パターンを形成する工程と、
複数枚のグリーンシートを積層し圧着してグリ−ン状態の積層基板を得る工程と、
前記グリーン状態の積層基板を、前記バインダが分解しない温度と時間で乾燥することにより、前記積層基板の残留溶剤を２．０〜２．５重量％以内とする工程と、
前記積層基板を個々のチップに切断する工程と、
前記切断により得られたチップをバインダが分解しない温度と時間で乾燥することにより、前記積層基板の残留溶剤を０．２〜１．５重量％以内とする工程と、
その後バレル研磨を行なう工程とを含む
ことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法において、
前記積層基板を切断する前の積層基板の乾燥を１７０℃以下で行ない、切断後の乾燥を２００℃以下で行う
ことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法において、
前記積層基板を切断する前および後の積層基板の乾燥を１２０℃以下の温度により、気圧が１３３Ｐａ以下の環境下で行う
ことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として磁性体もしくは非磁性体により構成される積層体の内部にコイル、コンデンサもしくはコイルとコンデンサを有する表面実装構造の積層型電子部品を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の積層型電子部品は、図１２に示す工程により製造される。まず、グリーンシートの作製工程（Ｓ１）では、磁性体または非磁性体粉に樹脂バインダと溶剤等を加えたスラリーを所定の厚みに塗布して乾燥することによりグリーンシートを作製する。次のパンチング工程（Ｓ２）は、積層体内を導通させるスルーホールを形成する工程であり、この工程はコンデンサの場合には必要としない。次の導体パターンの形成工程（Ｓ３）ではコイル形成用あるいはコンデンサ電極形成用の導体ペーストを印刷等によりグリーンシート上に所定の形状および配列で形成する。続く積層工程（Ｓ４）では、導体パターンが形成されたグリーンシートを所定の寸法に切断し、所定の順番に積み重ねながら仮圧着してベースフィルムを剥離し、所定枚数積層する。
【０００３】
次にプレス工程（Ｓ５）では、積層されたグリーン状態の積層基板を所定の圧力で圧着する。次に切断工程（Ｓ６）では、図１３に示すように、固定用フィルム１上に圧着したグリーン状態の積層基板２を固定して昇降ブレードまたは図示のような回転ブレード３によって所定形状の個々のチップに切断する。次にバレル研磨工程（Ｓ７）では、個々のチップをバレル研磨機等のバレルに水等の液体を入れ、さらに場合によってはメディア等を入れ、バレル研磨機を作動させて所定時間研磨する。図１４はチップ５をバレル研磨することにより、コーナー部５ａに丸みを待たせた状態を示す。
【０００４】
次に乾燥工程（Ｓ８）では、バレル研磨で水分を含んだチップを乾燥する。そして焼成工程（Ｓ９）では、所定の温度プロファイルにより個々のチップを焼成し、積層体を完成する。その後、プリント基板に実装するための端子電極を形成するため、焼成された積層体に銀ペースト等を塗布した後、焼き付けし、さらに銀電極表面に電気めっきを行なう。
【０００５】
このような従来の積層型電子部品の製造方法においては、グリーン状態の積層基板を昇降ブレードにより切断する場合、切断状態のグリーン状態でのチップどうしが再付着するという問題点がある。また、図１３に示すように、グリーン状態の積層基板２の切断を回転ブレード３により行なう場合、切断時にミスト（切断カス）４がチップに付着し、次のバレル研磨工程（Ｓ７）でもそのミスト４が取りきれず、頻繁に形状不良が発生するという問題点がある。また、バレル研磨を行なった後の乾燥工程（Ｓ８）にて、チップ５どうしの付着が発生するという問題点がある。
【０００６】
このような問題点を解決するため、特許文献１においては、圧着したグリーン状態の積層基板２の切断前に３５０℃で３時間熱処理して、積層基板２内のバインダの一部を除去する例が示されている。また他の例として、積層基板を２８０℃で４時間熱処理して可塑剤を全部除去する製造方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２６０９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし前記特許文献に記載のように、グリーン状態の積層基板２内のバインダの一部を除去したり、溶剤の全部を除去する方法を実施するには、熱処理温度を前記のように２００℃を超える温度とする必要がある。例えば前記特許文献に記載のように、グリーン状態の積層基板２を３５０℃で３時間あるいは２８０℃で４時間熱処理した場合、積層基板内の残留溶剤（可塑剤を含む）はほぼ０％となり、基板強度が上がるため、昇降ブレードでは切断が不可能となり、一方、回転ブレードでは切断は可能であるが、チッピングが多発する上、基板が大きいことから、変形しやすくなる等の問題点がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑み、切断工程でのチッピングまたはチップどうしの再付着、あるいは個々のチップへのミスト付着を防止することができると共に、バレル研磨後の乾燥工程において、チップどうしの付着やチッピングを防止し、生産性を向上しうる積層型電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明による積層型電子部品の製造方法は、磁性体または非磁性体からなる粉末と、バインダと、溶剤とを混合してグリーンシートを作製する工程と、
グリーンシートに導体パターンを形成する工程と、
複数枚のグリーンシートを積層し圧着してグリ−ン状態の積層基板を得る工程と、
前記グリーン状態の積層基板を、前記バインダが分解しない温度と時間で乾燥することにより、前記積層基板の残留溶剤を２．０〜２．５重量％以内とする工程と、
前記積層基板を個々のチップに切断する工程と、
前記切断により得られたチップをバインダが分解しない温度と時間で乾燥することにより、前記積層基板の残留溶剤を０．２〜１．５重量％以内とする工程と、
その後バレル研磨を行なう工程とを含む
ことを特徴とする。
【００１１】
本発明において、グリーン状態の積層基板内の残留溶剤量を乾燥により調整するには、乾燥機の能力や積層基板の体積、投入量、積層基板内の乾燥前の残留溶剤量に応じて乾燥時間や温度を調整する。
【００１２】
切断前の乾燥後の前記残留溶剤量が２．０重量％未満であると、切断を昇降ブレード、回転ブレードのいずれにより行なう場合もチッピングが発生しやすくなり、２．５重量％を超えると、昇降ブレードによる場合にはチップ付着による分離不良が発生しやすくなり、回転ブレードによる場合にはミストが発生しやすくなる。
【００１３】
さらに、本発明においては、チップを切断した後に、チップからバインダが分解（以下これを脱バイと称す。）しない温度で所定時間乾燥を行ない、該チップの残留溶剤量を０．２〜１．５重量％（より好ましくは０．５〜１．０重量％）とした後、バレル研磨を行なうことにより、バレル研磨後の乾燥工程でのチップどうしの付着の発生と、チッピングを防止できる。これはチップ表面の可塑剤の可塑性を乾燥により適度に低下させたことによる。この切断後の乾燥において、残留溶剤量が０．２重量％未満であるとチッピングが発生し易くなり、１．５重量％を超えるとチップどうしの付着が生じやすくなる。
【００１４】
（２）また、本発明による積層型電子部品の製造方法は、前記（１）において、
前記積層基板を切断する前の積層基板の乾燥を１７０℃以下で行ない、切断後の加熱を２００℃以下で行う
ことを特徴とする。
【００１５】
本発明を実施する場合、切断前の好ましい乾燥温度は１７０℃以下であり、常圧におけるより好ましい乾燥温度は１４０〜１７０℃である。この乾燥温度の上限は、脱バイにも関係している。すなわち積層型電子部品におけるグリーン状態での脱バイ温度は、使用しているバインダや可塑剤の種類によっても若干異なるが、一般的には２００〜２４０℃から脱バイが開始される。
【００１６】
したがって切断前の乾燥温度は脱バイしない２００℃以下であることが好ましいわけであるが、切断前の乾燥工程では２００℃で乾燥しようとすると、時間あたりの残留溶剤の減少度合が急激であって、ロットによる乾燥時間のばらつきによる残留溶剤量のばらつきが生じ易い上、脱バイ防止を考慮すると、１７０℃以下として単位乾燥時間当たりの残留溶剤量の減少度合を小さくすることが好ましい。しかし１４０℃未満、例えば１３０℃になると、乾燥時間が例えば３時間以上と長くなり、積層型電子部品の製造には不向きとなる。
【００１７】
一方、切断前にすでに溶剤を一部除去しているので、切断後の乾燥では、単位時間当たりの残留溶剤の減少率が小さくなるので、前記範囲内に残留溶剤量を収めるには、切断前の乾燥温度より高い温度で乾燥することが好ましい。具体的には、２００℃以下とすることが、脱バイを防止し、かつ乾燥時間が長時間となることを防止する上で好ましい。切断後における好ましい乾燥温度は１５０〜２００℃である。切断後の乾燥温度が１５０℃未満になると、乾燥時間が長くなり、積層型電子部品の製造には不向きとなる。
【００１８】
（３）また、本発明による積層型電子部品の製造方法は、前記（１）において、
前記積層基板を切断する前および後の積層基板の乾燥を１２０℃以下の温度により、気圧が１３３Ｐａ（１．０ｍｍＨｇ）以下の環境下で行う
ことを特徴とする。
【００１９】
このように減圧状態で乾燥を行なうのは、乾燥時間を短縮し、かつ低温での乾燥を可能とする上で有利である。特に、使用している溶剤がＤＯＡ（アジピン酸ジオクチル）や、ＢＢＰ（フタル酸ブチルベンジル）等は高沸点のため、グリーン状態であまり乾燥温度を上げることが好ましくない場合に有効な方法である。このような減圧状態で乾燥を行う場合の気圧は１３３Ｈｇ以下、好ましくは１３〜１３３Ｐａである。また、乾燥温度は切断前、切断後ともに脱バイしない温度の１２０℃以下、好ましくは８０〜１２０℃である。８０℃未満の乾燥温度であると、乾燥時間が長くなるという問題点がある。また、１３０℃以上になると溶液の急激は沸騰により層間剥離が発生しやすくなるので、このような層間剥離を防止する上において乾燥温度を８０〜１２０℃の範囲内に設定することが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
（１）本発明においては、圧着したグリーン状態の積層基板を切断する前に、積層基板内のバインダが分解しない温度で所定時間乾燥を行ない、積層基板内の可塑剤を含む残留溶剤量を２．０〜２．５重量％とすることにより、切断を昇降ブレードにより行なう場合のチッピングやチップどうしの付着はなく、回転ブレードではチッピングと個々のチップへのミスト付着を防止できる。
【００２１】
また、切断後の乾燥を、積層基板内の可塑剤を含む残留溶剤量が０．２〜１．５重量％となるように行なうので、バレル研磨後の乾燥工程でのチップどうしの付着の発生と、チッピングを防止できる。
【００２２】
（２）本発明において、切断前の常圧における乾燥温度を１７０℃以下とすることにより、脱バイのおそれなく、かつロットによる残留溶剤量のばらつきが少ない均質な積層基板が得られる。また、切断後の乾燥温度を２００℃以下とすることにより、乾燥時間を長時間化することなく、所望の残留溶剤量が得られる。
【００２３】
（３）本発明において、切断前のほぼ真空（１３．３〜１３３Ｐａ）となる減圧状態における乾燥温度を１２０℃以下とすることにより、脱バイのおそれなく、かつ低温で乾燥することができる。また、乾燥温度を上げることができない溶剤を使用する場合に好適に乾燥することができる。また、減圧状態でかつ１２０℃以下の温度で乾燥することにより、層間剥離を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の製造方法により得られる積層型電子部品の一例を示す斜視図であり、本例では、積層体６の両端に端子電極７が設けられたチップインダクタである場合について示す。図２は本発明による積層型電子部品の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。図２に示す製造方法では、図１２に示した従来方法の工程図に、鎖線の枠で示す切断前乾燥と切断後乾燥の工程が加えられる。以下本発明による一実施の形態による製造工程を説明する。
【００２５】
（１）グリーンシート作製工程（Ｓ１）：Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト粉末に、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、溶剤としてトルエン、アルコールおよびフタル酸エステルを加えて混練してスラリーを作製し、このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法にて塗布し、乾燥後の厚みが２０μｍとなるようなグリーンシートを作製した。なお、このグリーンシートには、分散剤を加える場合もある。また、溶剤の一部のフタル酸エステル等は可塑剤と呼ばれることもある。
【００２６】
（２）パンチング工程（Ｓ２）：前述のように作製したグリーンシートにレーザーにより所定の位置にスルーホールを形成した。
【００２７】
（３）導体パターン形成工程（Ｓ３）：銀を主成分とするペーストをスクリーン印刷により、後の積層工程でコイルが形成できるように、１／２ターンのパターンを形成した。このとき、前記スルーホールがコイルパターンの端部となり、スルーホールに銀ペーストが充填されるように印刷した。その後、この導体パターンを印刷したグリーンシートを乾燥し、所定の大きさ（本実施の形態では約１３０ｍｍ×１５０ｍｍ）に切断した。
【００２８】
（４）積層工程（Ｓ４）：積層工程では、上記各グリーンシート上の導体パターンがスルーホールに充填された銀ペーストにおいて導通してコイルを形成するように、導体パターン形成済のグリーンシートを所定の順番に編集し、導体パターンを形成しないグリーンシートと共に積層した後、仮圧着してＰＥＴフィルムを剥離し、１８枚積層した。この１８枚はインダクタの種々の設計の中で標準的な枚数である。
【００２９】
（５）プレス工程（Ｓ５）：積層されたグリーンシートを７４ＭＰａ（７５０ｋｇ／ｃｍ２）の圧力で圧着し、積層基板を形成した。
【００３０】
（６）切断前乾燥工程（Ｓ６）：圧着したグリーン状態の積層基板の残留溶剤量を測定した結果、その含有率は３．５重量％であった。この積層基板を、常圧において、１００〜２００℃の範囲の種々の温度と１０〜３００分の時間で乾燥した。また、別の乾燥方法として、減圧状態（１１９．７Ｐａ）で５０〜１４０℃の範囲の種々の温度と１８０分以内の種々の時間で乾燥を行なった。
【００３１】
（７）切断工程（Ｓ７）：切断はダイサーを使用し、回転ブレードにより切断を行なった。また、同じ積層基板ロットに対し、昇降ブレードによる切断も行なった。切断により得られるチップのサイズは完成品で２０１０（長さ：２ｍｍ、幅：１．０ｍｍ、高さ：０．５ｍｍ）となるようにし、チップの取り個数は約１７００／１積層基板とした。
【００３２】
（８）切断後乾燥工程（Ｓ８）：切断後の乾燥は、常圧にて、１５０〜２００℃の範囲内の種々の温度と、１０〜３００分の範囲内の種々の時間で乾燥を行なった。また、減圧状態（１１９．７Ｐａ）で５０〜１４０℃の範囲の種々の温度と１８０分以内の種々の時間で乾燥を行なった。
【００３３】
（９）バレル研磨工程（Ｓ９）：バレル研磨は、バレル機のバレルに、３万個の乾燥済みチップと水とメディアとを入れ、回転周波数を４０Ｈｚとして２０分研磨を行ない、終了後に純水で洗浄した。
【００３４】
（１０）乾燥工程（Ｓ１０）：バレル研磨後のチップを乾燥機にて温度を８５℃に設定し、６０分間乾燥した。乾燥後にチップとメディアとを分離した。
【００３５】
（１１）焼成工程（Ｓ１１）：専用の焼成炉にて８７０℃ピークの温度プロファイルにより焼成を行ない、積層体６を完成した。その後、端子電極７を形成するため、積層体６の両端に銀ペーストを塗布して焼き付けし、その後、さらに銀電極の表面にプリント基板への半田付け性を良好にするための電気めっきを行なった。
【００３６】
（評価）
（切断前乾燥による残留溶剤量と昇降ブレードによる切断時の不良率との関係）
前述の切断前乾燥を常圧で行ない、乾燥温度を１４０〜１７０℃とし、かつ乾燥時間を種々に変化させて残留溶剤量を１．５〜３．５重量％（ただし３．５重量％は乾燥しない場合である。）とした場合の乾燥後の残留溶剤量とチッピングまたは分離不良（チップ間付着）の関係を調べた。その結果を図３に示す。図３から分かるように、前記残留溶剤量が２．０重量％未満であると、切断を昇降ブレードにより行なう場合、チッピングが発生しやすくなり、２．５重量％を超えると、チップ付着による分離不良が発生しやすくなるので、残留溶剤量は２．０〜２．５重量％であることが好ましい。
【００３７】
（切断前乾燥による残留溶剤量と回転ブレードによる切断時の不良率との関係）
上述した昇降ブレードの代わりに回転ブレードを使用した場合、同じ乾燥方法で残留溶剤量を１．５〜３．５重量％に変化させた場合の乾燥後の残留溶剤量とチッピングまたは図１３で説明した切断時のミスト４の発生量との関係を調べた結果を図４に示す。図４から分かるように、前記残留溶剤量が２．０重量％未満であると、切断を回転ブレードにより行なう場合も、チッピングが発生しやすくなり、２．５重量％を超えると、切断においてミストが発生しやすくなるので、回転ブレードによる場合も残留溶剤量は２．０〜２．５重量％とすることが好ましい。
【００３８】
（切断前乾燥における乾燥温度と乾燥時間の検討）
図５は上述の工程により作製した試料を、常圧でかつ１００〜２００℃の温度で６０分乾燥した場合の、時間経過に伴う減量率の変化を示す。また、図６は３００分乾燥した場合の時間経過に伴う減量率の変化を示す。図５、図６から分かるように、２００℃で乾燥すると、約６０分で溶剤の全量が積層基板から揮発し、１７０℃で乾燥すると、約３００分で溶剤の全量が積層基板から揮発する。図５から分かるように、１４０〜１７０℃であれば、１０分から６０分の間で減量率を１〜１．５重量％（これは残留溶剤量は２．０〜２．５重量％に相当する。）とすることができるから、この温度範囲で乾燥することが好ましい。
【００３９】
切断前の乾燥工程において、２００℃で乾燥しようとすると、時間あたりの残留溶剤の減少度合が急激であるため、ロットによる乾燥時間のばらつきによる残留溶剤量のばらつきが大きくなるおそれがある。このため、このばらつきを小さくし、また後述のように脱バイを防止しようとするため、乾燥温度を１７０℃以下とすることが好ましい。しかし１４０℃未満、例えば１３０℃になると、乾燥時間が例えば３時間以上と長くなり、積層型電子部品の製造には不向きとなる。このため、常圧での乾燥温度は１４０〜１７０℃とすることが好ましい。
【００４０】
（切断前の減圧下での乾燥における乾燥温度と乾燥時間の検討）
図７は切断前の乾燥を１１９．７Ｐａの減圧下で行なう場合において、乾燥温度を５０〜１４０℃内の種々の温度で１８０分間乾燥した場合の時間経過に伴う減量率の変化を示す。図７から分かるように、ほぼ真空となる減圧状態においては、乾燥温度を８０℃程度の低温にしても、約１５分程度で１．０重量％の減量率、すなわち２．５重量％程度の残留溶剤量を得ることができ、１３０℃では５分程度の乾燥で２．５重量％以下の残留溶剤量を得ることができる。このようなことから、減圧下で乾燥を行なうことが、低温かつ短時間で乾燥を可能とする点で有効である。特に前述した加熱が好ましくない溶剤を用いる場合には有効となる。
【００４１】
ただし、図８に１４０℃で乾燥した場合について示すように、１３０℃で乾燥した場合、乾燥の度合が過度になってしまうために層間剥離を生じてしまうおそれがあるので、減圧下での乾燥は１２０℃以下の温度で行なうことが好ましい。また、乾燥時間の短縮による能率化の意味で、８０℃以上の温度で乾燥することが好ましい。
【００４２】
また、市販の真空乾燥機の到達気圧は１３．３〜１３３Ｐａ程度であるから、このような真空乾燥機を使用することにより、前記のような乾燥時間の短縮と乾燥温度の低下が図れる。
【００４３】
（切断後乾燥による残留溶剤量と不良率との関係）
上記試料について、切断前乾燥を１５０℃で３０分行ない、切断前の残留溶剤量を２．４重量％としたものについて、常圧でかつ１５０〜２００℃の乾燥温度で乾燥を行ない、残留溶剤量を０〜３．５重量％（ただし３．５重量％は切断前乾燥しないもの）とし、各含有率に対するバレル研磨後の付着不良、チッピング不良を調べた。その結果を図９に示す。図９から分かるように、切断後の残留溶剤量が０．２〜１．５重量％の範囲内では付着不良、チッピング不良は共に０．１％以下になり、生産性の面で差し支えない程度の結果が得られた。より好ましい残留溶剤量は、これらの不良がさらに小さくなる０．５〜１．０重量％である。
【００４４】
（切断後乾燥における乾燥温度と乾燥時間）
切断後の乾燥は、切断前より乾燥による減量率が小さくなることから、切断前より乾燥温度を高くすることが好ましく、乾燥温度は常圧で２００℃以下、より好ましくは１５０〜２００℃の範囲内で時間は１０〜３００分とすることが好ましい。この範囲内の温度、時間の乾燥であれば、切断後の残留溶剤量を、バレル研磨後の不良率が少ない０．２〜１．５重量％の範囲内に収めることができる。
【００４５】
また、切断後の乾燥を前記減圧下で行なう場合、切断前の乾燥と同様に、８０〜１２０℃の温度で乾燥することが好ましい。
【００４６】
（脱バイの防止について）
図１０は切断後のチップを１００〜２００℃で３００分加熱した場合の示差熱分析の結果を示す。図から分かるように１７０℃以下では発熱の徴候はみられないが、２００℃の場合には、３０分から発熱が観察され、脱バイしていることが示唆されるので、２００℃で乾燥する場合には、３０以下の時間で乾燥することが好ましい。
【００４７】
（乾燥機へ投入する積層基板の層数や投入量と乾燥温度、時間との関係）
積層基板の層数が多い場合には溶剤が乾燥しにくい傾向があり、また投入量が多いとやはり乾燥しにくい傾向があるので、積層基板の層数や投入量に応じて好適な乾燥温度や時間を選択することが好ましい。
【００４８】
（他の積層型電子部品）
本発明の製造方法は、表面実装型コンデンサやフィルタあるいは図１１に示すように積層体９の両側にそれぞれ複数の端子電極１０を有するアレイ型積層型電子部品の製造にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明による製造方法により得られる積層型電子部品の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明による製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【図３】積層基板の切断前乾燥による残留溶剤量と昇降ブレードによる切断時の不良率との関係図である。
【図４】積層基板の切断前乾燥による残留溶剤量と回転ブレードによる切断時の不良率との関係図である。
【図５】積層基板の切断前乾燥における乾燥温度および乾燥時間と減量率の関係を、乾燥時間６０分の範囲で示す図である。
【図６】積層基板の切断前乾燥における乾燥温度および乾燥時間と減量率の関係を、乾燥時間３００分の範囲で示す図である。
【図７】積層基板の切断前乾燥における減圧下での乾燥温度および乾燥時間と減量率との関係を示す図である。
【図８】積層基板の切断前乾燥における減圧下での１４０℃における乾燥時間と層間剥離率との関係を示す図である。
【図９】積層基板を切断した後、乾燥した場合の残留溶剤量とバレル研磨後の不良率との関係を示す図である。
【図１０】積層基板を切断して得られたチップを種々の温度で乾燥した場合の示差熱分析の結果を示す図である。
【図１１】本発明の製造方法を適用する別の積層型電子部品の例を示す斜視図である。
【図１２】従来の積層型電子部品の製造方法を示す工程図である。
【図１３】回転ブレードによる積層基板の切断における問題点を説明する図である。
【図１４】バレル研磨によりコーナー部に丸みを与える工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００５０】
１：固定用フィルム、２：積層基板、３：回転ブレード、４：ミスト、５：チップ、５ａ：コーナー部、６：積層体、７：端子電極、９：積層体、１０：端子電極
【図１】
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【図１１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2005166759.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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