(57)【要約】  【課題】ウエハやボートの保持溝からのパーティクルによる歩留り低下を防止する。  【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４と、処理室１４でウエハ１を支持するボート２１とを有し、ウエハ１にＣＶＤ膜を堆積させるＣＶＤ装置において、ボート２１はウエハ１と接触する支持部２８と、支持部２８の下方に設けられて支持部２８の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部２６とを有し、支持部２８にはウエハ１の外周縁との接触を避けるための逃げ溝２７が設けられている。ウエハ下面の被膜剥離によるパーティクルを受け皿部で受けて、パーティクルのウエハのＩＣ作り込み面への付着を防止する。ウエハの外周縁が支持部に接触するのを逃げ溝で回避することで、ウエハの外周縁と支持部との擦れによるパーティクルの発生やパーティクルのウエハ上への巻き上げを未然に防止する。よって、ウエハや保持溝からのパーティクルによる歩留り低下を防止できる。  【選択図】図２
2005285819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、前記基板を支持する基板支持体と、この基板支持体を収容する待機室と、前記基板を支持した前記基板支持体を前記待機室から前記処理室へ搬入する際の前記待機室および前記処理室の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する制御装置と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、この処理室で前記基板を支持する基板支持体とを有し、ＣＶＤ法によって前記基板に薄膜を堆積させる処理を実施する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法であって、例えば、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にドープドポリシリコン（Doped-Poly Si ）膜やノンドープドポリシリコン（NonDoped-Poly Si）膜や窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜等の膜を熱ＣＶＤ装置を使用して堆積（デポジション）させる工程に利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においては、ウエハにドープドポリシリコン膜やノンドープドポリシリコン膜や窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等のＣＶＤ膜を形成する工程にバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが収容されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に成膜ガス等を供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えており、待機室において複数枚のウエハがボートに装填（ウエハチャージング）された後に、待機室から予熱された処理室に搬入（ボートローディング）され、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
従来のこの種のＣＶＤ装置においてボートローディングする方法としては、処理室および待機室が共に大気圧の状態でボートローディングする方法と、処理室および待機室を窒素（Ｎ2 ）ガスに置換（パージ）してボートローディングする方法と、処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする方法とがある。
処理室および待機室が共に大気圧の状態でボートローディングする方法においては、ボートローディング時に自然酸化膜が生成し易いため、ＩＣの製造方法の歩留りに悪影響が及ぶという問題点がある。
処理室および待機室を窒素ガスに置換してボートローディングする方法においては、大気圧の状態でボートローディングする場合に比べて自然酸化膜の生成を抑制することができるが、置換された窒素ガスから完全に酸素（Ｏ2 ）を除去することはできないために、ある程度の自然酸化膜は増加してしまう。
処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする方法においては、酸素を略完全に除去することができるため、窒素ガス雰囲気下でボートローディングする方法に比べて、自然酸化膜の増加をさらに抑制することができる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１７１９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、処理室および待機室を真空に排気してボートローディングする場合には、パーティクルが発生することが究明された。すなわち、ウエハが予熱された処理室にボートローディングされる際には、ウエハの温度がヒータに近い側である周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇することによるウエハ面内の温度差とウエハの自重との関係により、ウエハは凹形状に反ることが知られている。このウエハの反りに伴って、ボートのウエハ保持溝の保持面とウエハの下面における周辺部の被保持面とが擦れ合う。この際、処理室および待機室が真空に排気されていると、ウエハの被保持面とボートの保持面との摩擦力が大きくなるため、前の工程でウエハの下面に被着された被膜が剥離される。剥離された被膜はパーティクルとなって保持溝の保持面から溢れ落ちて、直下のウエハにおけるＩＣが作り込まれる面である上面に付着するため、ＩＣの製造方法の歩留りを低下させる。
【０００５】
本発明の目的は、減圧下での基板の被保持面からのパーティクルによる歩留りの低下を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、前記基板を支持する基板支持体と、この基板支持体を収容する待機室と、前記基板を支持した前記基板支持体を前記待機室から前記処理室へ搬入する際の前記待機室および前記処理室の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する制御装置と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を処理する処理室と、この処理室で前記基板を支持する基板支持体とを有し、ＣＶＤ法によって前記基板に薄膜を堆積させる処理を実施する基板処理装置であって、
前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記（１）において、前記支持部と前記基板とが接触する角部にＲ面取り部またはＣ面取り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（４）前記（２）において、前記支持部と前記基板とが接触する角部にＲ面取り部またはＣ面取り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（５）基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられている基板支持体に前記基板を支持するステップと、
前記基板を支持した前記基板支持体を大気圧よりも低い圧力で処理室に搬入するステップと、
前記処理室において前記基板支持体によって支持された前記基板を処理するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（６）基板と接触する支持部と、この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有し、前記支持部には前記基板の外周縁との接触を避けるための逃げ溝が設けられている基板支持体により前記基板を支持するステップと、
前記基板を前記基板支持体によって支持した状態でＣＶＤ法によって前記基板に薄膜を堆積させるステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、減圧下での基板の被保持面からのパーティクルによる歩留りの低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、本発明に係る半導体装置の製造方法における成膜工程は、図１および図２に示されたＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）によって実施される。
図１および図２に示されたＣＶＤ装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えており、プロセスチューブ１１はインナチューブ１２とアウタチューブ１３とから構成されている。インナチューブ１２は石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ１３は石英または炭化シリコンが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ１２は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１２の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１４を形成している。インナチューブ１２の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口１５を構成している。したがって、インナチューブ１２の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ１３は内径がインナチューブ１２の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１２にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ１２の下端とアウタチューブ１３の下端との間は円形リング形状に形成されたマニホールド１６によって気密封止されており、マニホールド１６がＣＶＤ装置の筐体３１によって支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられている。マニホールド１６の下端開口は炉口ゲートバルブ２９によって開閉されるようになっている。
【０００９】
マニホールド１６の側壁の上部には真空ポンプ等からなる排気装置４１に排気ライン４２を介して接続された排気管１７が接続されており、排気ライン４２には流量制御弁４３および圧力計４４が設備されている。流量制御弁４３は制御装置４０によって制御されるように構成されており、圧力計４４は計測結果を制御装置４０に送信するように構成されている。排気管１７はインナチューブ１２とアウタチューブ１３との間に形成された隙間からなる排気路１８に連通した状態になっている。排気路１８はインナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気管１７はマニホールド１６に接続されているため、排気路１８の最下端部に配置された状態になっている。マニホールド１６の側壁の下部にはガス供給管１９がインナチューブ１２の炉口１５に連通するように接続されており、ガス供給管１９には成膜ガス供給源５０と窒素ガス供給源６０とが、成膜ガス供給ライン５１と窒素ガス供給ライン６１とを介してそれぞれ接続されている。成膜ガス供給ライン５１と窒素ガス供給ライン６１とには、制御装置４０によってそれぞれ制御される成膜ガス流量制御弁５２と窒素ガス流量制御弁６２とがそれぞれ設けられている。ガス供給管１９によって炉口１５に供給されたガスは、インナチューブ１２の処理室１４を流通して排気路１８を通って排気管１７によって排気される。マニホールド１６の下端面には処理室１４を閉塞するシールキャップ２０が下側から当接されるようになっている。シールキャップ２０はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
【００１０】
シールキャップ２０の中心線上には被処理基板としてのウエハ１を保持するためのボート２１が垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート２１は全体的に石英または炭化シリコンが使用されて構成されており、上下で一対の端板２２、２３と、上側端板２２と下側端版２３との間に架設されて垂直に配設された複数本（図示例では三本）の保持部材２４とを備えている。各保持部材２４には多数条の保持溝２５が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。
【００１１】
図３に示されているように、ボート２１の保持部材２４は円柱形状に形成されており、保持溝２５は保持部材２４の外周面におけるウエハ１の中心に向いた部分に切削加工によって形成されている。保持溝２５にはウエハ１の下面に接触して支持する支持部２８がウエハ１の径方向内向きに水平に形成されているとともに、支持部２８で発生するパーティクルを受け止める受け皿部２６が支持部２８よりも低い位置（支持部２８の下方）に支持部２８のエッジ全体にわたって形成されている。支持部２８の外側端部すなわち、図３（ｂ）にハッチングで示された保持部材２４の支柱側にはウエハ１の外周縁すなわちウエハ１の下面のエッジとの接触を避けるための逃げ溝２７が、ウエハ１の周方向に倣うように切削加工によって没設されている。すなわち、逃げ溝２７は支持部２８と保持部材２４の支柱との間のウエハ１の下面のエッジに対応する部分（エッジ下方）に設けられている。逃げ溝２７は支持部２８よりも低い位置であって受け皿部２６よりも高い位置に設けられている。逃げ溝２７はウエハ１の外周縁と支持部２８との接触を防止することにより、ウエハ１の外周縁が支持部２８に接触することによる擦れ（ウエハがずれたり熱膨張したりすることによる擦れ）によってパーティクルを発生したり、パーティクルをウエハ１の上に巻き上げたりするのを未然に防止する役目を果たす。
【００１２】
支持部２８は平面視の形状が山形、正確には台形の平板形状に形成されており、山の頂部すなわち台形の上底（短い方の辺）がウエハ１の中心を向き、山の底部すなわち台形の下底（長い方の辺）がウエハ１の中心側と反対側を向いた形状に形成されている。すなわち、支持部２８は平面視において図３（ｂ）にハッチングで示された保持部材２４の支柱の部分側からウエハ１の中心方向に向かうに従い、その幅が狭くなる形状に形成されている。台形形状の支持部２８は保持溝２５の切削加工に際して同時に形成することができる。支持部２８の台形の上底部のウエハを載置する部分には、Ｒ面取り部２８ａが形成されている。Ｒ面取り部２８ａは支持部２８のウエハ１の接触する各角部にもそれぞれ形成されており、ウエハ１が接触する角部に切削加工によって形成された突起等を除去することにより、それら突起等がウエハ１を損傷させてパーティクルを発生するのを未然に防止している。
【００１３】
受け皿部２６の平面視の形状は保持部材２４の受け皿部２６の部分の円形断面から保持部材２４の図３（ｂ）のハッチングで示された支柱の部分の断面形状と支持部２８の台形形状とを切り欠いた形状になっており、受け皿部２６は保持部材２４の支柱の部分から支持部２８のエッジ（台形の二つの斜辺と上底）にかけてこれらに沿うように連続的に設けられる。受け皿部２６は保持部材２４に保持溝２５と支持部２８とを切削加工する際に、同時に形成することができる。つまり、受け皿部２６は支持部２８と同質の材料が使用されている。受け皿部２６の支持部２８の外周縁の保持部材２４の支柱部分と接していない部分の三方から外方への延び出し量Ｌ（図３（ｃ）に示された支持部２８のエッジから受け皿部２６のエッジまでの距離Ｌ）は、６ｍｍ以上、好ましくは６ｍｍ〜１５ｍｍに設定することが望ましい。
【００１４】
アウタチューブ１３の外部にはプロセスチューブ１１内を加熱するヒータユニット３０が、アウタチューブ１３の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット３０はプロセスチューブ１１内を全体にわたって均一または予め設定された温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット３０はＣＶＤ装置の筐体３１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。図１に示されているように、筐体３１はヒータユニット設置室３２と、ボート２１が処理室１４に対しての搬入搬出に待機する待機室３３とを備えており、待機室３３はロードロック方式（ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式）に構築されている。筐体３１の待機室３３の側壁には待機室３３を排気する排気管３４と、待機室３３にパージガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管３５とがそれぞれ接続されている。排気管３４は流量制御弁４６および圧力計４７が設備された排気ライン４５を介して排気装置４１に接続されている。流量制御弁４６は制御装置４０によって制御されるように構成されており、圧力計４７は計測結果を制御装置４０に送信するように構成されている。窒素ガス供給管３５は窒素ガス流量制御弁６４が設備された窒素ガス供給ライン６３を介して窒素ガス供給源６０に接続されており、窒素ガス流量制御弁６４は制御装置４０によって制御されるように構成されている。なお、待機室３３の他の側壁にはゲートバルブによって開閉されるウエハ搬入搬出口が開設されている。待機室３３の内部にはシールキャップ２０を昇降させるボートエレベータ（図示せず）が設置されている。
【００１５】
次に、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用した本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程を、ウエハにドープドポリシリコン膜を形成する場合について説明する。
【００１６】
複数枚のウエハ１がボート２１に装填されるウエハチャージングステップにおいては、図１に示されているように、ボート２１が待機室３３に待機された状態で、複数枚のウエハ１がボート２１にウエハ移載装置（wafer transfer equipment )によって装填されて行く。この際、待機室３３は窒素ガス供給管３５によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６４を制御することによって窒素ガス供給源６０の窒素ガスを窒素ガス供給ライン６３を通じて窒素ガス供給管３５から待機室３３に供給させ、図４（ａ）に示されているように、待機室３３の圧力を大気圧（約１０１３ｈＰａ）に維持する。この待機室３３の窒素ガスパージによって、ウエハ１における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハチャージング作業を実施することができる。この際、炉口ゲートバルブ２９は閉じられている。
【００１７】
所定の枚数のウエハ１が装填されたボート２１が処理室１４にボートローディングされるボートローディングステップにおいては、炉口ゲートバルブ２９が開けられ炉口１５が開口された後に、ボート２１はボートエレベータによって差し上げられてインナチューブ１２の炉口１５から処理室１４にボートローディングされて行き、図２に示されているように、炉口１５を気密シールしたシールキャップ２０に支持されたままの状態で、処理室１４に存置される。このボートローディングに際して、待機室３３および処理室１４はそれぞれ２００Ｐａとなるように窒素ガス供給管３５およびガス供給管１９から窒素ガスを供給しつつ、排気管３４および排気管１７によってそれぞれ排気される。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６４を制御することによって窒素ガス供給管３５から待機室３３への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４６を制御することによって待機室３３を排気し、図４（ａ）に示されているように、待機室３３を２００Ｐａまで減圧して維持する。また、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６２を制御することによってガス供給管１９から処理室１４への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４３を制御することによって処理室１４を排気し、図４（ｂ）に示されているように、処理室１４の圧力を２００Ｐａに維持する。この際、炉口ゲートバルブ２９は閉じられており、炉口１５が気密にシールされている。また、処理室１４の温度は熱処理温度（例えば、５３０℃）を維持するように制御されている。この状態すなわち待機室３３と処理室１４との圧力が略等しくなった状態で、炉口ゲートバルブ２９が開けられることにより、処理室１４と待機室３３が連通し、２００Ｐａの圧力のもとボートローディングが行われる。
【００１８】
処理室１４においてボート２１によって保持されたウエハ１を処理する処理ステップにおいては、処理室１４の内部が所定の真空度（１１０Ｐａ）となるようにガス供給管１９から窒素ガスを流しつつ、排気管１７によって排気される。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６２を制御することによってガス供給管１９から処理室１４への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４３を制御することによって処理室１４を排気し、図４（ｂ）に示されているように、処理室１４の圧力を１１０Ｐａに減圧する。次いで、処理ガス３６が処理室１４にガス供給管１９によって供給され、ウエハ１の表面に所望の成膜としてのドープドポリシリコン膜２が熱ＣＶＤ法により堆積（デポジション）される。すなわち、制御装置４０は成膜ガス流量制御弁５２を制御することによって処理ガス３６としてのモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガスおよびホスフィン（ＰＨ3 ）ガスを処理室１４へガス供給管１９によって供給する。供給された処理ガス３６はインナチューブ１２の処理室１４を上昇し、上端開口からインナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって形成された排気路１８に流出して排気管１７から排気される。
【００１９】
予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ２０が下降されて処理室１４の炉口１５が開口されるとともに、ボート２１に保持された状態でウエハ１群が炉口１５からプロセスチューブ１１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。このボートアンローディングステップにおいては、図４に示されているように、処理室１４の圧力は２００Ｐａに増圧され、２００Ｐａに維持されている待機室３３の圧力と略同一となる。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６２を制御することによってガス供給管１９から処理室１４への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁４３を制御することによって、図４（ｂ）に示されているように、処理室１４の圧力を２００Ｐａに増圧し維持する。このようにして、ボートアンローディングステップが２００Ｐａのような低圧下において実施されると、処理済のウエハ１の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に防止することができる。
【００２０】
待機室３３にボートアンローディングされたボート２１から処理済のウエハ１が脱装されるウエハディスチャージングステップにおいては、図４（ａ）に示されているように、待機室３３は窒素ガス供給管３５によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置４０は窒素ガス流量制御弁６４を制御することによって窒素ガス供給源６０の窒素ガスを窒素ガス供給ライン６３を通じて窒素ガス供給管３５から待機室３３に供給させ、図４（ａ）に示されているように、待機室３３の圧力を大気圧まで増圧して維持する。この待機室３３の窒素ガスパージによって、高温になった処理済のウエハ１を強制的に冷却することができる。処理済のウエハ１の温度がウエハ移載装置の取扱可能温度まで低下すると、処理済のウエハ１群がボート２１からウエハ移載装置によって脱装される。この際、待機室３３は窒素ガスパージされているので、処理済のウエハ１における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハディスチャージング作業を実施することができる。
【００２１】
以降、前述した各ステップが反復されることにより、成膜工程が繰り返し実施されて行く。
【００２２】
以上の成膜工程において、ウエハ１が処理温度に維持された処理室１４にボートローディングされる際には、ウエハ１の温度はヒータユニット３０に近い側である周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇する状態になり、このウエハ１の面内の温度差とウエハ１の自重との関係により、ウエハ１は凹形状（中央部が下がり周辺部が上がった形状）に反る現象が起こる。このウエハ１の反りに伴って、ボート２１の保持溝２５の受け皿部２６とウエハ１の下面における周辺部の被保持面とが擦れ合うため、前の成膜工程でボート２１に被着された脆弱な膜が剥離する。剥離した膜はパーティクルとなって保持溝２５の受け皿部２６から溢れ落ちて、直下のウエハ１におけるＩＣが作り込まれる面である上面に付着するため、ＩＣの製造方法の歩留りを低下させる原因になる。
【００２３】
しかし、本実施の形態においては、ウエハ１は保持溝２５に突設された支持部２８によって受け皿部２６から浮き上げられた状態で保持されているために、ボート２１の支持部２８とウエハ１の被保持面との間に摩擦が発生して膜が剥離したとしても、剥離によるパーティクルはボート２１の受け皿部２６に落下して受け止められることにより、ウエハに落下するのを防止される。つまり、ボート２１の支持部２８とウエハ１の被保持面との間に摩擦が発生して膜が剥離したとしても、剥離によるパーティクルは直下のウエハ１におけるＩＣが作り込まれる面である上面に付着するのを防止することができるため、パーティクルの発生によるＩＣの製造方法の歩留りの低下を防止することができる。したがって、受け皿部２６はウエハ１を支持する支持部２８によって発生するパーティクルを受け止める受け皿を構成している。
また、支持部２８の外側端部には、ウエハ１の外周縁との接触を避けるための逃げ溝２７が設けられているので、特に、ウエハ１の外周部についてはウエハ１の外周縁と支持部２８の擦れによるパーティクルの発生自体を防止することができる。
【００２４】
本実施の形態に係る受け皿部２６および支持部２８は保持溝２５の保持部材２４への切削加工のみにより同時に形成することができるので、加工工数を低減することができる。また、支持部２８と受け皿部２６と保持部材２４とを一体ものとして形成することができるので、部品点数を減らすことができる。したがって、本実施の形態によれば、ボートひいてはＣＶＤ装置の製造コストを低減することができる。
【００２５】
本実施の形態に係る支持部２８は、平面視が台形の平板形状に形成されており、ウエハ１の中心に向かう方向に行くに従って幅が狭くなるように形成されているので、保持部材２４の切削加工が容易となり、さらに、保持部材２４の機械的強度を維持しつつウエハとの接触面積を小さくすることができる。すなわち、ボートの加工が容易となるだけでなく、ボートがウエハの重量を支持する際の構造強度を充分に確保すると同時に、ウエハとの接触面積を小さくしてウエハの裏面に対する接触による汚染（コンタミネーション）の度合いを低減することができる。
【００２６】
支持部２８の外側端部にはウエハ１の外周縁との接触を避けるための逃げ溝２７が、ウエハ１の周方向に倣うように切削加工によって没設されているので、ウエハ１の外周縁が支持部２８に接触することによる擦れによってパーティクルを発生したり、パーティクルをウエハ１の上に巻き上げたりするのを未然に防止することができる。
【００２７】
支持部２８のウエハ１の接触する各角部にはＲ面取り部２８ａがそれぞれ形成されているので、ウエハ１の角部に切削加工によって形成されることがある突起等がウエハ１を損傷させてパーティクルを発生するのを未然に防止することができる。
【００２８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００２９】
例えば、支持部のウエハの接触する角部に形成される面取り部は、Ｒ面取り部に限らず、Ｃ面取り部であってもよい。
【００３０】
ＣＶＤ装置はドープドポリシリコン膜や窒化シリコン膜の成膜工程に限らず、ノンドープドポリシリコン膜、ノンドープドアモルファスシリコン膜、ドープドアモルファスシリコン膜、酸化シリコン膜、さらには、酸化タンタル膜、酸化ジルコニウム膜等の金属酸化膜等、ＣＶＤによる成膜工程全般に適用することができる。特に、ＣＶＤによる成膜工程の場合には前の工程で、ボートに被着した膜の支持部における剥離による影響を防止できるので、優れた効果が奏される。
【００３１】
アウタチューブとインナチューブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に限らず、本発明はアウタチューブだけのプロセスチューブを備えたものや枚葉式ＣＶＤ装置等の他のＣＶＤ装置、さらには、各種の熱処理工程を実施する熱処理装置（furnace ）等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００３２】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第一の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す正面断面図である。
【図２】ボートローディングステップ後の主要部を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ部の拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の形態であるＣＶＤ装置のボートの保持溝の部分を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面断面図、（ｃ）は正面断面図、（ｄ）は（ｃ）のｄ部の拡大図である。
【図４】ＩＣの製造方法の成膜工程における圧力に関するタイムチャートである。
【符号の説明】
【００３４】
１…ウエハ（基板）、２…ドープドポリシリコン膜（被膜）、１１…プロセスチューブ、１２…インナチューブ、１３…アウタチューブ、１４…処理室、１５…炉口、１６…マニホールド、１７…排気管、１８…排気路、１９…ガス供給管、２０…シールキャップ、２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…受け皿部、２７…逃げ溝、２８…支持部、２８ａ…Ｒ面取り部、２９…炉口ゲートバルブ、３０…ヒータユニット、３１…筐体、３２…ヒータユニット設置室、３３…待機室、３４…排気管、３５…窒素ガス供給管、３６…処理ガス、４０…制御装置、４１…排気装置、４２…排気ライン、４３…流量制御弁、４４…圧力計、４５…排気ライン、４６…流量制御弁、４７…圧力計、５０…成膜ガス供給源、５１…成膜ガス供給ライン、５２…成膜ガス流量制御弁、６０…窒素ガス供給源、６１、６３…窒素ガス供給ライン、６２、６４…窒素ガス流量制御弁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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