(57)【要約】【課題】高温用バルブの寿命を大幅に延ばすことで、高温用バルブの頻繁な交換を防止して基板処理装置のダウンタイム間隔を延長し、装置の稼働率を向上させて、優れた作業効率、製造効率、低コスト性を達成すると共にパーティクルの発生を防止する。【解決手段】基板１２を処理する処理室３と、処理室３に処理ガスを供給する処理ガスライン４と、処理ガスライン４に直列に複数設けられたバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４と、該バルブのうち、処理ガスライン４の最も下流にあるバルブＶ１を閉じ、その他のバルブを開いた状態で処理ガスライン４に処理ガスを供給し、その後全てのバルブを閉じることにより処理ガスライン４の隣り合うバルブ間にそれぞれ処理ガスを充填し、その後バルブを処理ガスライン４の最も下流にあるバルブから順に開くことにより処理ガスを間欠的に処理室３へ供給するよう制御する制御手段とを有する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガスラインと、
前記処理ガスラインに直列に複数設けられたバルブと、
前記バルブのうち、前記処理ガスラインの最も下流にあるバルブを閉じ、その他のバルブを開いた状態で前記処理ガスラインに処理ガスを供給し、その後全てのバルブを閉じることにより前記処理ガスラインの隣り合うバルブ間にそれぞれ前記処理ガスを充填し、その後バルブを前記処理ガスラインの最も下流にあるバルブから順に開くことにより前記処理ガスを間欠的に前記処理室へ供給するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関するものであり、詳しくは、パーティクルの発生が抑制されるとともに、優れた作業効率、製造効率、低コスト性を達成することのできる基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体プロセスの薄膜化が進められている。それによりＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような膜厚均一性を向上させるのに有効な手法が積極的に研究・開発が行われている。ＡＬＤ法による薄膜成長は原子層堆積として知られ、レイヤー毎にセルフリミットがかかるように、反応ガスとその余剰反応ガスおよび気体反応物を一掃する保護ガスの交互供給によって行われる。またＭＯＣＶＤ法においても薄膜中の不純物除去や膜の組成を所望の品質に調整するために、反応ガスとプラズマや他の類似した活性物質との交互供給を行うことがある。上記のような成膜を行う場合、１サイクル当たりの成膜は数Åとなり、とくに１枚ずつ成膜する枚葉式の場合、スループットが問題となる。現状の量産現場におけるスループット１５〜２０枚／時相当を実現するには、各ガスの切替時間が数秒もしくは１秒以下であることが必要となる。
他方、液体原料または固体原料を用いる場合、気化器を使用して原料をガス化するため、気化器から処理室にかけては各原料が再液化しない温度以上に加熱する必要がある。そのためガス種によるが、一般に１５０〜２５０℃程度の配管加熱が必要なものが多い。したがって、気化器から処理室間の処理ガスの切替に使用するバルブは高温用のバルブでなければならない。一般に１００℃以上に耐えうるような高温用バルブは通常のバルブに比べ寿命が短く、使用条件により異なるが数万回程度と通常耐久能力の１／１０以下程度と予想される。加えて、高温用バルブは一般的にオールメタル製のバルブである場合が多く、シール部劣化により金属汚染の問題も生じ、パーティクル問題が懸念される。
【０００３】
図２は、従来の基板処理装置の一例を説明するための概略図である。
図２において、従来の基板処理装置２０は、液体原料を収容する原料タンク２１と、液体原料を気化し処理ガスを調製するための気化器２２と、この気化した処理ガスを処理室２３に供給するための処理ガスライン２４と、処理ガスライン２４から分岐するとともに処理ガスを処理室２３へ供給することなく排気するベントライン２５と、処理室２３およびベントライン２５に接続するとともに、処理ガスまたはその他のガスを吸引するためのポンプ２６とを備えてなる。また、処理室２３内には、処理される基板３１と、これを支持する支持台３３が設置されている。なお、Ｖ６１およびＶ６２は高温用バルブであり、処理ガスライン２４およびベントライン２５にそれぞれ設けられている。また、処理ガスライン２４およびベントライン２５は、処理ガスの再液化を防止するためにヒータ（図示せず）によって加温されている。
【０００４】
基板処理時、原料タンク２１内の液体原料は、圧送Ｎ２またはＨｅによって、液体マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２７を経由して気化器２２に導入される。これとは別に、キャリアガスライン２８からＭＦＣ２９、熱交換器３０を経由してキャリアガス（例えばＮ２）が気化器２２に導入される。気化した処理ガスおよびキャリアガスは、処理ガスライン２４を経て処理室２３内に供給され、基板３１が処理される。続いて、２次処理ガスの処理室２３内への供給が必要な場合、２次処理ガス導入部３５から２次原料ライン３６を通じて２次原料ガスが処理室２３に供給されるが、この場合はバルブＶ６１を閉鎖し、バルブＶ６２を開放することにより、処理ガスの処理室２３内への供給を停止し、処理ガスが処理室２３を経由することなくベントライン２５から排気するようにする（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００３−７６９７
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高温用バルブであるＶ６１，６２を用いて処理ガスの流れ方向の切替を行うと、前記のように高温用バルブは耐久性に劣るため、特に処理ガスの供給と、２次処理ガスの供給を複数回繰り返す処理を行う場合、バルブの寿命が短くなり、頻繁にバルブを交換する必要があり、基板処理装置のダウンタイム間隔が短くなり、稼働率が低下しトータルでみるとスループットが悪化するという問題点がある。また、高温用バルブがオールメタル製のバルブである場合は、シール部劣化により金属汚染やパーティクル発生の恐れがある。
【０００７】
したがって本発明の目的は、パーティクルの発生が抑制されるとともに、優れた作業効率、製造効率、低コスト性を達成することのできる基板処理装置の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題は、下記の構成によって解決される。
（１）基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガスラインと、
前記処理ガスラインに直列に複数設けられたバルブと、
前記バルブのうち、前記処理ガスラインの最も下流にあるバルブを閉じ、その他のバルブを開いた状態で前記処理ガスラインに処理ガスを供給し、その後全てのバルブを閉じることにより前記処理ガスラインの隣り合うバルブ間にそれぞれ前記処理ガスを充填し、その後バルブを前記処理ガスラインの最も下流にあるバルブから順に開くことにより前記処理ガスを間欠的に前記処理室へ供給するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。
この構成によれば、バルブの寿命を延ばすことができ、基板処理装置のダウンタイムの間隔を延長することができ、優れた作業効率、製造効率、低コスト性を達成することができるとともに、パーティクルの発生を抑制することのできる基板処理装置が提供される。
【０００９】
また、次に示す態様も本発明に好ましいものである。
（２）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記バルブは等間隔に配置される。
（３）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、一定量の処理ガスを間欠的に処理室へ供給するよう制御する。
（４）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、処理ガスを間欠的に供給する際、一つのバルブを開けてから次のバルブを開けるまでの時間を一定とするよう制御する。
（５）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記処理ガスラインの、最も上流にある（最も処理室から遠い側にある）バルブの上流側に、他の部分より内径が小さい配管もしくはポーラス状の配管（コンダクタンスを小さくした部分）を設ける。
（６）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記処理ガスラインの、最も上流にある（最も処理室から遠い側にある）バルブの上流側に、処理室をバイパスするよう処理ガスを排気するベントラインを設ける。
（７）前記（１）に記載の基板処理装置において、さらに前記処理室内に２次原料を供給する２次原料ラインを有し、前記制御手段は処理室内に処理ガスと２次原料とを交互に供給するよう制御する。
（８）  基板を処理室内に搬入する工程と、
複数のバルブが直列に設けられた処理ガスラインより、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記処理室から搬出する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理工程では、前記処理ガスラインの最も下流にあるバルブを閉じ、その他のバルブを開いた状態で前記処理ガスラインに処理ガスを供給し、その後全てのバルブを閉じることにより前記処理ガスラインの隣り合うバルブ間にそれぞれ前記処理ガスを充填し、その後バルブを前記処理ガスラインの最も下流にあるバルブから順に開くことにより前記処理ガスを間欠的に前記処理室へ供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明をさらに説明する。
図１は、本発明の基板処理装置の一例を説明するための概略図である。
図１において、本発明の基板処理装置１０は、液体原料を収容する原料タンク１と、原料タンク１内に収容された液体原料を気化器２に供給する供給ライン１８と、供給ライン１８に設けられ液体原料の供給流量を制御する液体マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７と、液体原料を気化し処理ガスを調製するための気化器２と、この気化した処理ガスを処理室３に供給するための処理ガスライン４と、ポーラス状の配管１４と、処理ガスライン４に直列に複数設けられた高温用バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４と、この処理ガスライン４の最も上流にある（最も処理室から遠い側にある）バルブＶ４のさらに上流側に、処理室３をバイパスするよう処理ガスを排気するベントライン５と、ベントライン５に設けられた高温用バルブＶ５と、処理室３内を排気する排気管１７と、排気管１７およびベントライン５に接続するとともに、処理ガスまたはその他のガスを吸引するためのポンプ６とを備えてなる。また、キャリアガスライン８と、液体マスフローコントローラ（ＭＦＣ）９と、熱交換器１１とを備えている。また、２次原料を収容する２次原料タンク１５と、２次原料を２次原料タンク１５から処理室３へ供給する２次原料ライン１６とを備えている。なお、処理ガスライン４およびベントライン５は、処理ガスの再液化を防止するためにヒータ（図示せず）によって例えば１５０〜２５０℃に加温されている。また、処理室３内には、処理される基板１２と、これを支持する支持台１３が設置されている。
【００１１】
次に、半導体装置の製造工程の一工程として本発明の基板処理装置を用いて基本を処理する方法について説明する。
まず、基板２を処理室３内に搬入し、支持台１３の上に載置する。高温用バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５はすべて全開状態としておく。（Ｖ５は、処理中は、常に開いた状態としておく。）原料タンク１内の液体原料を、圧送Ｎ２またはＨｅによって供給ライン１８に押し出し、液体マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７を経由して気化器２に導入する。これとは別に、キャリアガスライン８からＭＦＣ９、熱交換器１１を経由してキャリアガス（例えばＮ２）を気化器２に導入する。続いて、気化器２によって気化した処理ガスおよびキャリアガスを、処理ガスライン４を経て処理室３内に供給するのであるが、ここで本発明によれば、気化器２によって気化した処理ガスをキャリアガスとともに処理室３内に供給するときに、処理ガスライン４に直列に複数設けられたバルブを用いて処理ガスを間欠的に処理室３へ供給することを特徴としている。具体的に説明すると、まず、気化器２によって気化した処理ガスを処理室３内に供給するときに、処理ガスライン４の処理ガス流の最も下流にあるバルブＶ１を閉じ、その他のバルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５を開いた状態で処理ガスライン４に処理ガスを供給する。処理ガスの供給完了後、バルブＶ５以外の全てのバルブを閉じることにより処理ガスライン４の隣り合うバルブ間にそれぞれ処理ガスを充填する。その後バルブを処理ガスライン４の最も下流にある（最も処理室に近い側にある）バルブから順に開くことにより処理ガスを間欠的に処理室３へ供給し、支持台１３上に載置された基板１２を間欠的に処理する。ここでは、ＣＶＤによる表面反応を利用して基板上に薄膜を間欠的に成長させる処理を行う。この場合、処理ガスの１回の供給における供給流量を一定とするため（１回の供給により形成される膜の膜厚を一定とするため）、前記バルブを等間隔に配置し、一定量の処理ガスが間欠的に処理室３へ供給できるようにしておくのが好ましい。また、一つのバルブを開けてから次のバルブを開けるまでの時間を一定とするよう制御するのがさらに好ましい。また、前記処理ガスの処理室３への間欠的供給を、複数回繰り返すようにするのが好ましい。また、処理ガス供給後、次の処理ガスを供給するまでの間に形成した薄膜に対する改質処理（薄膜中に取り込まれた不純物を除去する等の処理）を行うために２次原料タンク１５より２次原料ライン１６を介して、処理室３内へ２次原料を供給するようにし、処理ガスの供給と、２次原料の供給を複数回繰り返すようにするのが好ましい。これにより薄膜の形成と、薄膜の改質処理を複数回繰り返すサイクル処理を行うとができ、効率的に薄膜の改質を行うことができる。また、処理ガスの供給と２次原料の供給の間に、ガス置換（真空引き、または／および不活性ガスパージ）を行うようにするのが好ましい。これにより、処理ガスと２次原料とが処理室３内で同時に存在することがなくなるためパーティクルの発生を防止できる。
処理後は、基板１２を処理室３から搬出する。
【００１２】
高温用バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４の開閉は、具体的には例えば下記表１に示されるシーケンスによって動作することができる。
【００１３】
【表１】
2005056918.tif 000003
【００１４】
表１において、「開始１」とあるのは、気化器２によって気化した処理ガスをキャリアガスとともに処理室３に供給する前の、処理ガスの排気状態を意味している（スタンバイ状態）。すなわち、バルブＶ４を閉じ、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３を開き、さらにバルブＶ５を開いた状態とすることにより、処理ガスをベントライン５を介して処理室３をバイパスするよう排気している状態を示している。
なお、バルブＶ５は、スタンバイ状態以降、常に開いた状態とする。これにより、バルブＶ５の寿命を延ばすことができる。次に、表１の「処理ガスライン４への処理ガス供給（充填）」の欄に示したように、バルブＶ１を閉じ、その他のバルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４を開いた状態で処理ガスライン４に処理ガスを供給して、処理ガスライン４に処理ガスを充填する。その後、バルブ区間に処理ガスを充填するためにバルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４を閉鎖するがバルブを閉鎖する時期（タイミング）は、表１の「バルブ区間への処理ガス充填」の欄に示したように、バルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４の順番で段階的に閉鎖していく。すなわち、まず、バルブＶ２を閉じることにより、バルブＶ１〜Ｖ２間に処理ガスを充填し、その後、バルブＶ１，Ｖ２を閉じたままバルブＶ３を閉じることにより、バルブＶ２〜Ｖ３間に処理ガスを充填し、更にその後、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じたままバルブＶ４を閉じることにより、バルブＶ３〜Ｖ４間に処理ガスを充填する。バルブ閉鎖時期は、バルブ間に充填された処理ガス量および圧力を考慮して判断すればよい。すなわち、処理ガスライン４内の圧力と基板処理時の処理室３内の圧力（例えば１０−３Ｐａ〜１０３Ｐａ）との圧力差によって、バルブ間に充填された処理ガスが十分に処理室３内に供給されると判断したときにバルブを閉鎖すればよい。
なお、前記表１ではバルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４の順番で段階的に閉鎖していく場合について説明したが、処理ガスライン４内に処理ガスを供給（充填）した後、一斉にバルブＶ２，Ｖ３，Ｖ４を閉鎖してもよい。
続いて、バルブ間に充填された処理ガスを処理室３内に供給する。この場合は、表１の「処理室３への処理ガス供給」の欄に示したように、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３の順番で段階的にバルブを開放する。このことにより、処理ガスを間欠的に処理室３へ供給することができ間欠的に成膜を行うことができる。すなわち、まず、バルブＶ１を開けることにより、バルブＶ１〜Ｖ２間に充填された処理ガスを処理室３へ供給する。これにより、最終的に形成したい膜厚よりも薄い膜（第１薄膜層）を形成できる。その後にバルブＶ１を開いたまま、バルブＶ２を開けることにより、バルブＶ２〜Ｖ３間に充填された処理ガスを処理室３へ供給する。これにより第１薄膜層上に、最終的に形成したい膜厚よりも薄い第２薄膜層を形成できる。その後バルブＶ１，Ｖ２を開いたままバルブＶ３を開けることにより、バルブＶ３〜Ｖ４間に充填された処理ガスを処理室３に供給する。これにより第２薄膜層上に、最終的に形成したい膜厚よりも薄い第３薄膜層を形成できる。バルブＶ３を開放し、処理ガスライン４内のバルブＶ３〜Ｖ４間に充填された処理ガスを処理室３に供給した後は、表１の「開始２」の欄で示したように、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３を開とし、バルブＶ４を閉とした状態を維持し、基板処理装置を前記「開始１」と同様な排気状態とする。これらの工程を繰り返すことにより、基板上に最終的に得たい膜厚よりも薄い膜を複数層形成することにより所望の膜厚を得る処理を行うことができる。なお、前述のように、あるバルブ区間の処理ガスを処理室３へ供給後、次のバルブ区間の処理ガスを処理室３へ供給するまでの間に、形成したばかりの薄膜に対する改質処理（膜中の不純物除去処理等）を行うために２次原料タンク１５より２次原料ライン１６を介して処理室３内へ２次原料を供給するのが好ましい。これにより最終的に形成したい膜の膜厚よりも薄い膜に対して、成膜の度に改質処理を行うことができるので、効率よく改質処理を行うことができる。また、処理ガスの処理室３への供給と、２次原料の処理室３への供給との間にガス置換（真空引きまたは／および不活性ガスによるパージ）を行い、処理室３内で処理ガスと２次原料が同時に存在することがないようにするのが好ましい。これにより処理室３内で処理ガスと２次原料とが反応することによりパーティクルが発生するのを防止できる。すなわち、本実施形態では、処理ガス供給（成膜）→ガス置換→２次原料供給（形成した膜の改質）→ガス置換というサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うのが好ましい。本実施形態の場合、１回の処理ガス充填・供給動作あたり３サイクルの処理を行うことができる。よって、３サイクル以上の処理を行う場合は、処理ガス充填・供給動作を複数回繰り返すようにするとよい。例えば、３０サイクルの処理を行う場合は、処理ガス充填・供給動作を１０回行えばよいこととなる。
【００１５】
前記実施形態によれば、処理ガスライン４に高温用バルブを直列に４箇所設け前述のような開閉動作を行うため、高温用バルブを頻繁に開閉動作する必要がなくなる。すなわち、前記実施形態では、バルブＶ１からＶ２、Ｖ２からＶ３、Ｖ３からＶ４の間にそれぞれ充填された処理ガスでもって３サイクル分の処理（処理ガス供給→ガス置換→２次原料供給→ガス置換）×３サイクル）が可能となり、その場合、前記表１にも示したように、３サイクル分の処理を行う場合における各バルブの開閉動作は２回となる。従来の技術の欄で示した図２の基板処理装置では、同様に３サイクル分の処理を行うにはバルブＶ６１の開閉動作は３回となる。すなわち、本発明によれば、１つのバルブあたりの開閉動作回数を従来の２／３とすることができ高温用バルブの寿命を大幅に改善することができる。なお、本実施形態では処理ガスラインに４つのバルブを設けた場合について説明したが、バルブの数を５つとすると、１回の処理ガス充填・供給動作あたり４サイクルの処理を行うことができる。この場合も４サイクル分の処理を行う場合における各バブルの開閉動作回数は２回となる。すなわち、１つのバルブあたりの開閉動作回数を従来技術の２／４倍とすることができる。このようにバルブの数をｎ個とすることにより、１回の処理ガス充填・供給動作あたり（ｎ−１）サイクルの処理を行うことができることとなり、１つのバルブあたりの開閉動作回数を従来技術の２／（ｎ−１）倍とすることができることとなる。このようにバルブの数を増やすことで、バルブ一つあたりの使用頻度をより一層減らすことができる。したがって、高温用バルブの頻繁な交換が防止され、基板処理装置のダウンタイム間隔を延長することができ、装置の稼働率が向上し、トータルでみるとスループットが向上する。なお、気化器２を一度停止させると再び処理ガスを安定に気化・供給するのに時間がかかることから、前述のように基板処理工程時は、バルブＶ５を常に全開状態として、処理ガスを処理室３に供給することなく排気している。これにより、基板成膜時に気化器２を停止させる必要がなくなり、気化器２の停止による処理ガスの不安定な供給を避けることができる。また、バルブＶ５の寿命も延ばすことができる。
【００１６】
なお、本実施形態では、「処理ガス供給によるＣＶＤ薄膜の形成」と、「２次原料供給による形成した薄膜の改質」とを複数回繰り返す方法について説明したが、ＡＬＤ法により薄膜を形成する場合に適用してもよい。すなわち「原料ガス供給による基板上への原料吸着」と、「２次原料供給による吸着した原料との反応による薄膜の形成」を繰り返す場合に適用してもよい。この場合、処理温度は本実施形態よりも低くすることとなるが、処理ガス供給、改質ガス供給、ガス置換のタイミングは本実施形態と同じである。なお、本発明における処理ガスとしては、Ｈｆ（ＭＭＰ）４、ＴＤＥＡＨ、ＴＤＭＡＨ、ＴＭＡ、Ｓｉ（ＭＭＰ）４等が挙げられる。なお、バブリング等によって処理室３に処理ガスを供給可能な原料、例えばトリメチルアルミニウム、ジメチルアミノハフニウム等蒸気圧の高い原料を用いる場合は、気化器２を用いなくてもよい。
【００１７】
また、２次原料としては、例えばＭＯＣＶＤの場合は、プラズマ等で活性化されたＯ、Ｎ、Ｈ、Ａｒなどであり、ＡＬＤの場合は、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｏ２などが挙げられる。
【００１８】
また、処理ガスライン４におけるバルブＶ１〜Ｖ４までの区間の容積が、気化器２〜バルブＶ１〜Ｖ４までの区間の容積に比べて顕著に小さい場合、バルブＶ１〜Ｖ４までの各バルブ区間の圧力が過加圧状態となり、処理ガスが再液化するのを避けるために、処理ガスライン４の最も上流にある（最も処理室から遠い側にある）バルブＶ４の上流側に、コンダクタンスを十分小さくできるような処理ガスライン４の他の部分より内径が小さい配管もしくはポーラス状の配管１４（コンダクタンスを小さくした部分）を設けるのが好ましい。ここでポーラス状の配管は、例えば配管内にフィルターを設けたもの等が例示される。
【００１９】
本発明の基板処理装置は、とくに半導体デバイスの製造に好適に用いられ、またディスプレイユニットなどの薄膜形成が必要な装置にも用いられ得る。
【００２０】
【発明の効果】
本発明の基板処理装置によれば、高温用バルブの寿命が大幅に延びるため、高温用バルブの頻繁な交換が防止され基板処理装置のダウンタイム間隔を延長することができ、装置の稼働率を向上させることができて、優れた作業効率、製造効率、低コスト性が達成される。また、シール部劣化による金属汚染に基づくパーティクルの発生が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の一例を説明するための概略図である。
【図２】従来の基板処理装置の一例を説明するための概略図である。
【符号の説明】
１  原料タンク、２  気化器、３  処理室、４  処理ガスライン、５  ベントライン、６  ポンプ、７，９  マスフローコントローラ、８  キャリアガスライン、１０  基板処理装置、１１  熱交換器、１２  基板、１５  ２次原料タンク、１６  ２次原料ライン、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５  高温用バルブ。
【図１】
2005056918.tif 000004
【図２】
2005056918.tif 000005