(57)【要約】【課題】  本発明の目的はＴＡＢリペア工程を容易くできる液晶表示装置及びその製造方法を提供するのにある。【解決手段】  本発明に係る液晶表示装置は、多数の信号ラインと、前記多数の信号ラインのそれぞれと接続された多数のパッド電極と、前記パッド電極を露出させる多数個の接触ホールを含む少なくとも一層の絶縁膜を具備して、前記パッド電極は前記接触ホールを通じて導電性フィルムと直接接触されることを特徴とする。【選択図】  図５
2005010775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の信号ラインと、前記多数の信号ラインのそれぞれと接続された多数のパッド電極と、前記パッド電極を露出させる多数個の接触ホールを含む少なくとも一層の絶縁膜とを具備して、前記パッド電極は前記接触ホールを通じて導電性フィルムと直接接触されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記多数の信号ラインは、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてデータ信号が印加されるデータラインと、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてゲート信号が印加されるゲートラインと、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じて基準電圧信号が印加される共通ラインの中から少なくともいずれかを具備することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に形成される反射電極をさらに具備することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に形成される画素電極と、前記交差領域に前記画素電極と並行するように形成されて前記画素電極と水平電界を成す共通電極をさらに具備することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に形成される画素電極と、前記少なくとも一層の絶縁膜と同一のパターンに形成される透明導電膜をさらに具備することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、円型、楕円形及び多角形の中からいずれかの形態に形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｕ”字形接触ホールと、前記“Ｕ”字形接触ホールとかみ合って形成される逆“Ｕ”字形接触ホールを含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記多数個の接触ホールそれぞれは、“Ｃ”字形接触ホールと、前記“Ｃ”字形接触ホールとかみ合って形成される逆“Ｃ”字形接触ホールを含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記多数個の接触ホールは、お互いに連結されて屈曲部を持つライン形態に形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記多数個の接触ホールは、５〜５０μｍの幅を持つように形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
多数の信号ラインのそれぞれと接続された多数のパッド電極を形成する工程と、前記多数のパッド電極のそれぞれを露出させる多数個の接触ホールを含む少なくとも一層の絶縁膜を形成する工程と、前記接触ホールを通じて露出した前記パッド電極に導電性フィルムと直接接触させる工程とを具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてデータ信号が印加されるデータラインを形成する工程と、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてゲート信号が印加されるゲートラインを形成する工程とをさらに具備することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に反射電極を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じて基準電圧信号が印加される共通ラインと、前記共通ラインと接続される共通電極とを形成する工程と、前記共通電極と水平電界を成す画素電極を形成する工程とをさらに具備することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記データラインとゲートラインの交差領域に画素電極を形成して、前記少なくとも一層の絶縁膜と同一のパターンに透明導電膜を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記多数個の接触ホールは、円型、楕円形及び多角形の中からいずれかの形態に形成されることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｕ”字形接触ホールと、前記“Ｕ”字形接触ホールとかみ合って形成される逆“Ｕ”字形接触ホールを含むことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｃ”字形接触ホールと、前記“Ｃ”字形接触ホールとかみ合って形成される逆“Ｃ”字形接触ホールを含むことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記多数個の接触ホールは、お互いに連結されて屈曲部を持つライン形態に形成されることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関することで、特にＴＡＢ工程を容易くできる液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、液晶表示素子（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ；ＬＣＤ）はマトリックス形態に配列された液晶セルがビデオ信号によって光透過率を調節することで液晶パネルにビデオ信号にあたる画像を表示するようになる。これのために、液晶表示素子は液晶セルがアクティブ・マトリックス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）形態に配列された液晶パネルと、液晶セルを駆動するための駆動集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ；以下、ＩＣという）を具備する。 駆動ＩＣは通常チップ（Ｃｈｉｐ）形態に製作されて、タブ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ；以下、ＴＡＢという)方式である場合、テープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ；以下、ＴＣＰという）に実裝されるとか、チップオンガラス（Ｃｈｉｐｓ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ；ＣＯＧ）方式である場合、液晶パネルの表面に実裝されるようになる。ＴＡＢ方式である場合、駆動ＩＣはＴＣＰによって液晶パネルに用意されたパッドと電気的に接続されている。
【０００３】
図１は従来の液晶表示素子を示す平面図である。
【０００４】
図１を参照すれば、従来の液晶表示素子は、薄膜トランジスタ・アレイ基板４８とカラーフィルター・アレイ基板４６が対向して接着された構造で、マトリックス液晶セルが位置する画像表示部４０と、駆動ＩＣと画像表示部４０の間に接続されるゲートパッド４２及びデータパッド４４を含むようになる。
【０００５】
画像表示部４０において、薄膜トランジスタ・アレイ基板４８は、データ信号が供給されるデータラインと、ゲート信号が供給されるゲートラインと、データラインとゲートラインの交差部に液晶セルをスイッチングするための薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されて液晶セルを駆動する画素電極と、それらの上に液晶配向のために塗布された下部配向膜とで構成される。
【０００６】
カラーフィルター・アレイ基板４６は、カラー具現のためのカラーフィルターと、光漏れを防止するためのブラック・マットリックスと、画素電極と垂直電界を成す共通電極と、それの上に液晶配向のために塗布された上部配向膜とから構成される。
【０００７】
このような薄膜トランジスタ・アレイ基板４８とカラーフィルター・アレイ基板４６は、スペーサーによって離隔されてセルギャップを一定に維持されて、スペーサーによって用意された空間には、液晶が満たされるようになる。
【０００８】
ゲートパッド４２はゲート駆動ＩＣからのゲート信号を画像表示部４０のゲートラインに供給する。このようなゲートパッド４２は、図２に示すところのように、ゲートラインから伸長されたゲートパッド下部電極３０と、ゲート絶縁膜１２及び保護膜１８を貫くゲート接触ホール３８を通じてゲートパッド下部電極３０と接続されたゲートパッド上部電極３２とから構成される。
【０００９】
データパッド４４はデータ駆動ＩＣからのデータ信号を画像表示部４０のデータラインに供給する。このようなデータパッド４４は、データラインから延長されるデータパッド下部電極３４と、保護膜１８を貫くデータ接触ホール２８を通じてデータパッド下部電極３４と接続されたデータパッド上部電極３６とから構成される。
【００１０】
ゲートパッド４２及びデータパッド４４はＴＡＢ方式で駆動ＩＣが実裝されたＴＣＰと接触される。
【００１１】
すなわち、ゲートラインと連結されたゲートパッド下部電極３０はゲートパッド上部電極３２を通じてゲート駆動ＩＣが実裝されたゲートＴＣＰと電気的に接続されて、データラインと連結されたデータパッド下部電極３４はデータパッド上部電極３６を通じてデータ駆動ＩＣが実裝されたデータＴＣＰと電気的に接続される。ここで、ゲートパッド上部電極３２とデータパッド上部電極３６はＴＡＢ方式において要求される、ＴＣＰの接着過程の反復の時、ゲートパッド下部電極３０及びデータパッド下部電極３４の損傷を防止するようになる。
【００１２】
従来の、透明導電膜が不必要な、液晶表示装置（例えば、反射型液晶表示装置、水平電界印加型液晶表示装置）と、マスク工程数を減らして製造費用を減らすために、ゲートパッド４２及びデータパッド４４に透明導電膜を使わない透過型液晶表示装置は、図３または図４に示すところのようにゲートパッド上部電極３２とデータパッド上部電極３６なしにゲートパッド４２及びデータパッド４４が構成される。
【００１３】
すなわち、図３ａ及び図３ｂに示すパッド構造はゲートパッド４２及びデータパッド４４にそれぞれ含まれたゲートパッド下部電極３０とデータパッド下部電極３４が全面露出するように形成される。
【００１４】
図４ａ及び図４ｂに示すパッド構造は、日本特開平１-２８７６２４号に提案された構造として、ゲートパッド下部電極３０とデータパッド下部電極３４がそれぞれ一つのゲート接触ホール２８及びデータ接触ホール３８を通じて一部露出するように形成される。
【００１５】
このような図３及び図４に示すパッド構造はゲートパッド下部電極３０とデータパッド下部電極３４が全面または一部露出してＴＡＢ方式で駆動ＩＣが実裝されたＴＣＰと直接接触される。
【００１６】
しかし、ゲートパッド下部電極３０とデータパッド下部電極３４にＴＣＰを接着する場合、誤整列（Ｍｉｓａｌｉｇｎ）による不良が発生するようになれば、ＴＣＰの接着及び分離過程であるリペア（Ｒｅｐａｉｒ）工程を数回繰り返さなければならない。このリペア工程の時、露出したゲートパッド下部電極３０とデータパッド下部電極３４はＴＣＰに沿って一緒にかまれられる場合がたまに発生される。これによってゲートパッド下部電極３０とデータパッド下部電極３４の断線が発生してリペア工程が不可能になる問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
したがって、本発明の目的はＴＡＢリペア工程を容易くできる液晶表示装置及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、多数の信号ラインと、前記多数の信号ラインのそれぞれと接続された多数のパッド電極と、前記パッド電極を露出させる多数個の接触ホールを含む少なくとも一層の絶縁膜とを具備して、前記パッド電極は前記接触ホールを通じて導電性フィルムと直接接触されることを特徴とする。
【００１９】
前記多数の信号ラインは、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてデータ信号が印加されるデータラインと、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてゲート信号が印加されるゲートラインと、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じて基準電圧信号が印加される共通ラインの中から少なくともどの一つを具備することを特徴とする。
【００２０】
前記液晶表示装置は、前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に形成される反射電極をさらに具備することを特徴とする。
【００２１】
前記液晶表示装置は、前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に形成される画素電極と、前記交差領域に前記画素電極と並行するように形成されて前記画素電極と水平電界を成す共通電極をさらに具備することを特徴とする。
【００２２】
前記液晶表示装置は、前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に形成される画素電極と、前記少なくとも一層の絶縁膜と同一のパターンに形成される透明導電膜をさらに具備することを特徴とする。
【００２３】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、円型、楕円形及び多角形の中からいずれかの形態に形成されることを特徴とする。
【００２４】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｕ”字形接触ホールと、前記“Ｕ”字形接触ホールとかみ合って交番されるように形成される逆“Ｕ”字形接触ホールを含むことを特徴とする。
【００２５】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｃ”字形接触ホールと、前記“Ｃ”字形接触ホールとかみ合って交番されるように形成される逆“Ｃ”字形接触ホールを含むことを特徴とする。
【００２６】
前記多数個の接触ホールはお互いに連結されて屈曲部を持つライン形態に形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記多数個の接触ホールは５〜５０μｍの幅を持つように形成されることを特徴とする。
【００２８】
前記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、多数の信号ラインのそれぞれと接続された多数のパッド電極を形成する工程と、前記多数のパッド電極のそれぞれを露出させる多数個の接触ホールを含む少なくとも一層の絶縁膜を形成する工程と、前記接触ホールを通じて露出した前記パッド電極に導電性フィルムと直接接触させる工程とを具備することを特徴とする。
【００２９】
前記液晶表示装置の製造方法は前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてデータ信号が印加されるデータラインを形成する工程と、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じてゲート信号が印加されるゲートラインを形成する工程とをさらに具備することを特徴とする。
【００３０】
前記液晶表示装置の製造方法は、前記データラインとゲートラインの交差領域に反射電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
【００３１】
前記液晶表示装置の製造方法は、前記多数のパッド電極の中からいずれかを通じて基準電圧信号が印加される共通ラインと、前記共通ラインと接続される共通電極とを形成する工程と、前記共通電極と水平電界を成す画素電極を形成する工程とをさらに具備することを特徴とする。
【００３２】
前記液晶表示装置の製造方法は、前記データラインと前記ゲートラインの交差領域に画素電極を形成して、前記少なくとも一層の絶縁膜と同一のパターンに透明導電膜を形成する工程をさらに具備することを特徴とする。
【００３３】
前記多数個の接触ホールは、円型、楕円形及び多角形の中からいずれかの形態に形成されることを特徴とする。
【００３４】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｕ”字形接触ホールと、前記“Ｕ”字形接触ホールとかみ合って交番されるように形成される逆“Ｕ”字形接触ホールを含むことを特徴とする。
【００３５】
前記多数個の接触ホールのそれぞれは、“Ｃ”字形接触ホールと、前記“Ｃ”字形接触ホールとかみ合って交番されるように形成される逆“Ｃ”字形接触ホールを含むことを特徴とする。
【００３６】
前記多数個の接触ホールはお互いに連結されて屈曲部を持つライン形態に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
上述したところのように、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法は、多数個の接触ホールを通じてゲートパッド電極、データパッド電極及び共通パッド電極の中から少なくともいずれかを含むパッド電極が露出した構造に形成される。これに従ってＴＣＰの付着工程を繰り返してパッド電極が一部かまれられて行っても、他の接触ホールを通じてＴＣＰとパッド電極が電気的に接続されるようになる。これによって本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法は、パッド電極の断線不良を防止するでき、ＴＣＰ接着及び分離するＴＡＢリペア工程を容易く実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
［実施例］
以下、本発明の望ましい実施例を図５乃至図１９ｂを参照して詳細に説明する事にする。
【００３９】
図５は本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す平面図で、図６は図５の線VI-VI’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【００４０】
図５乃至図６を参照すれば、本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板は、下部基板５１上にゲート絶縁膜６２を間に置いて交差するように形成されたゲートライン５２及びデータライン５４と、その交差部毎に形成された薄膜トランジスタ５５と、その交差構造に形成された画素領域５７に形成された反射電極７２と、ゲートライン５２と反射電極７２の重畳部に形成されたストレージ・キャパシター９６と、ゲートライン５２と接続されたゲートパッド９２と、データライン５４と接続されたデータパッド９４とを具備する。
【００４１】
ゲート信号を供給するゲートライン５２とデータ信号を供給するデータライン５４は交差構造に形成されて画素領域５７を定義する。
【００４２】
薄膜トランジスタ５５はゲートライン５２のゲート信号に応答してデータライン５４の画素信号が反射電極７２に充電されて維持されるようにする。これのために、薄膜トランジスタ５５は、ゲートライン５２に接続されたゲート電極５６と、データライン５４に接続されたソース電極５８と、反射電極７２と接続されたドレーン電極６０を具備する。また、薄膜トランジスタ５５はゲート電極５６とゲート絶縁膜６２を間に置いて重畳されながら、ソース電極５８とドレーン電極６０の間にチャンネルを形成する活性層６４をさらに具備する。このような活性層６４上にはソース電極５８及びドレーン電極６０とオーミック接触のためのオーミック接触層６６がさらに形成される。
【００４３】
反射電極７２は薄膜トランジスタ５５のドレーン電極６０と一体化されて画素領域５７に形成される。
【００４４】
これによって、薄膜トランジスタ５５を通じて画素信号が供給された反射電極７２と基準電圧が供給された共通電極（図示しない）との間には電界が形成される。このような電界によって薄膜トランジスタ・アレイ基板とカラーフィルター・アレイ基板の間の液晶分子が誘電異方性によって回転するようになる。及び、液晶分子の回転程度によって画素領域５７を反射する光反射率が変わることで階調を具現するようになる。
【００４５】
ストレージ・キャパシター９６はゲートライン５２と、そのゲートライン５２とゲート絶縁膜６２を間に置いて重畳される反射電極７２から構成される。このようなストレージ・キャパシター９６は反射電極７２に充電された画素信号が次の画素信号が充電されるまで安定的に維持されるようにする。
【００４６】
ゲートパッド９２はゲート駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてゲートライン５２にゲート信号を供給する。このようなゲートパッド９２はゲートライン５２から延長されるゲートパッド電極８０と、ゲート絶縁膜６２及び保護膜６８を貫いてゲートパッド電極８０を露出させる多数個のゲート接触ホール８８から構成される。
【００４７】
ゲート接触ホール８８は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個のゲート接触ホール８８中から少なくともいずれかを通じて露出したゲートパッド電極８０の一部がかまれられて行っても、残りゲート接触ホール８８を通じて露出したゲートパッド電極８０とゲート駆動ＩＣが実裝されたゲートＴＣＰが電気的に接続される。これによって、ゲート駆動ＩＣからのゲート信号がゲートパッド電極８０を通じてゲートライン５２に供給される。
【００４８】
データパッド９４はデータ駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてデータライン５４にデータ信号を供給する。このようなデータパッド９４はデータライン５４から延長されるデータパッド電極８４と、保護膜６８を貫いてデータパッド電極８４を露出させる多数個のデータ接触ホール７８から構成される。
【００４９】
データ接触ホール７８は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個のデータ接触ホール７８中から少なくともいずれかを通じて露出したデータパッド電極８４の一部がかまれられて行っても、残りデータ接触ホール７８を通じて露出したデータパッド電極８４とデータ駆動ＩＣが実裝されたデータＴＣＰが電気的に接続される。これによって、データ駆動ＩＣからのデータ信号がデータパッド電極８４を通じてデータライン５４に供給される。
【００５０】
図７ａ乃至図７ｄは本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【００５１】
図７ａを参照すれば、下部基板５１上にゲートライン５２、ゲート電極５６及びゲートパッド電極８０を含む第１導電パターン群が形成される。
【００５２】
これを詳細に説明すれば、下部基板５１上にスパッタリング方法などの蒸着方法を通じてゲート金属層が形成される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程でゲート金属層がパターニングされることで、ゲートライン５２、ゲート電極５６及びゲートパッド電極８０を含む第１導電パターン群が形成される。ここで、ゲート金属層としては、アルミニウム系金属または銅などが利用される。
【００５３】
図７ｂを参照すれば、第１導電パターン群が形成された下部基板５１上にゲート絶縁膜６２と、そのゲート絶縁膜６２上に活性層６４及びオーミック接触層６６を含む半導体パターンが形成される。
【００５４】
これを詳細に説明すれば、第１導電パターン群が形成された下部基板５１上にＰＥＣＶＤ、スパッタリングなどの蒸着方法を通じてゲート絶縁膜６２、第１及び第２半導体層が順次的に形成される。ここで、ゲート絶縁膜６２の材料としては酸化シリコーン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコーン（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質が利用されて、第１半導体層は不純物がドーピングされない非晶質シリコーンが利用されて、第２半導体層はＮ型またはＰ型の不純物がドーピングされた非晶質シリコーンが利用される。
【００５５】
引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で第１及び第２半導体層が同時にパターニングされることで、活性層６４及びオーミック接触層６６を含む半導体パターンが形成される。
【００５６】
図７ｃを参照すれば、半導体パターンが形成された下部基板５１上にソース電極５８、ドレーン電極６０、反射電極７２、データライン５４、データパッド電極８４を含む第２導電パターン群が形成される。
【００５７】
これを詳細に説明すれば、半導体パターンが形成された下部基板５１上にデータ金属層が蒸着される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程でデータ金属層がパターニングされることで、データライン５４、ソース電極５８、ドレーン電極６０、ドレーン電極６０と一体化された反射電極７２、データパッド電極８４を含む第２導電パターン群が形成される。
【００５８】
その次、ソース電極５８及びドレーン電極６０をマスクと利用した乾式食刻工程でオーミック接触層６６が食刻されて、薄膜トランジスタチャンネル部の活性層６４が露出する。
【００５９】
図７ｄを参照すれば、第２導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜６２上に多数個のゲート接触ホール８８及びデータ接触ホール７８を含む保護膜６８が形成される。
【００６０】
これを詳細に説明すれば、第２導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜６２上にＰＥＣＶＤなどの蒸着方法で保護膜６８が全面形成される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で保護膜６８がパターニングされることで、ゲート接触ホール８８及びデータ接触ホール７８が多数個形成される。ゲート接触ホール８８は保護膜６８及びゲート絶縁膜６２を貫いてゲートパッド電極８０の多数領域を露出させて、データ接触ホール７８は保護膜６８を貫いてデータパッド電極８４の多数領域を露出させる。ここで、保護膜６８の材料としてはゲート絶縁膜６２のような無機絶縁物質や誘電常数が小さなアクリル（ａｃｒｙｌ）系有機化合物、ＢＣＢまたはＰＦＣＢなどのような有機絶縁物質が利用される。
【００６１】
図８は本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【００６２】
図８を参照すれば、本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板は、図５及び図６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板と比べて活性層及びオーミック接触層を含む半導体パターンがソース電極、ドレーン電極、データパッド電極、データラインを含む第２導電パターン群下部に第２導電パターン群に沿って形成されることを除きしては、同一な構成要素を具備する。
【００６３】
本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板はソース電極５８、ドレーン電極６０、データパッド電極８４を半導体パターンと同一パターンに形成される。
【００６４】
反射電極７２は、ドレーン電極６０と異なる金属から、データライン５４とゲートライン５２によって用意された画素領域に形成される。
【００６５】
ゲートパッド９２はゲート駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてゲートライン５２にゲート信号を供給する。このようなゲートパッド９２はゲートライン５２から延長されるゲートパッド電極８０と、ゲート絶縁膜６２及び保護膜６８を貫いてゲートパッド電極８０を露出させる多数個のゲート接触ホール８８から構成される。
【００６６】
ゲート接触ホール８８は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個のゲート接触ホール８８中から少なくともいずれかを通じて露出したゲートパッド電極８０の一部がかまれられて行っても、残りゲート接触ホール８８を通じて露出したゲートパッド電極８０とゲート駆動ＩＣが実裝されたゲートＴＣＰが電気的に接続される。これによって、ゲート駆動ＩＣからのゲート信号がゲートパッド電極８０を通じてゲートライン５２に供給される。
【００６７】
データパッド９４はデータ駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてデータライン５４にデータ信号を供給する。このようなデータパッド９４は活性層６４及びオーミック接触層６６を含む半導体パターンと、半導体パターンと同一パターンに形成されてデータライン５４から延長されるデータパッド電極８４と、保護膜６８を貫いてデータパッド電極８４を露出させる多数個のデータ接触ホール７８から構成される。
【００６８】
データ接触ホール７８は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個のデータ接触ホール７８中から少なくともいずれかを通じて露出したデータパッド電極８４の一部がかまれられて行っても残りデータ接触ホール７８を通じて露出したデータパッド電極８４とデータ駆動ＩＣが実装されたデータＴＣＰが電気的に接続される。これによって、データ駆動ＩＣからのデータ信号がデータパッド電極８４を通じてデータライン５４に供給される。
【００６９】
図９ａ乃至図９ｄは本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【００７０】
先に、下部基板５１上にアルミニウム系金属を含むゲート金属層が全面蒸着された後、フォトリソグラフィ工程と食刻工程でゲート金属層がパターニングされることで、図９ａに図示されたところのように、ゲートライン５２、ゲート電極５６及びゲートパッド電極８０を含む第１導電パターン群が形成される。
【００７１】
第１導電パターン群が形成された下部基板５１上にＰＥＣＶＤ、スパッタリングなどの蒸着方法を通じてゲート絶縁膜６２、第１及び第２半導体層、及びデータ金属層が順次的に形成される。引き継いで、データ金属層上に第２マスクを利用したフォトリソグラフィ工程でチャンネル部の高さが異なるフォトレジストパターンを形成するようになる。チャンネル部の高さが異なるフォトレジストパターンを利用した湿式食刻工程でデータ金属層がパターニングされることで、図９ｂに図示されたところのように、データライン５４、ソース電極５８、そのソース電極５８と一体化されたドレーン電極６０、及びデータパッド電極８４を含む第２導電パターン群が形成される。その次、同一のフォトレジストパターンを利用した乾式食刻工程で第１及び第２半導体層が同時にパターニングされることで、オーミック接触層６４と活性層６６が形成される。及び、アッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程でチャンネル部において相対的に低い高さを持つフォトレジストパターンが除去された後、乾式食刻工程でチャンネル部の一体化されたソース電極及びドレーン電極とオーミック接触層６６が食刻される。これによって、チャンネル部の活性層６４が露出してソース電極５８とドレーン電極６０が分離する。引き継いで、ストリップ工程で第２導電パターン群上に残っていたフォトレジストパターンが除去される。
【００７２】
第２導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜６２上にアルミニウム系金属を含む反射金属層が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で反射金属層がパターニングされることで、図９ｃに図示されたところのように、反射電極７２を含む第３導電パターン群が形成される。
【００７３】
第３導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜６２上に有機絶縁物質または無機絶縁物質が蒸着されることで、図９ｄに図示されたところのように、保護膜６８が全面形成される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で保護膜６８がパターニングされることで、ゲート接触ホール８８及びデータ接触ホール７８が多数個形成される。ゲート接触ホール８８は保護膜６８及びゲート絶縁膜６２を貫いてゲートパッド電極８０の多数領域を露出させて、データ接触ホール７８は保護膜６８を貫いてデータパッド電極８４の多数領域を露出させる。
【００７４】
図１０は本発明の第３の実施例に係る水平電界印加型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す平面図で、図１１は図１０の線XI−XI’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【００７５】
図１０及び図１１を参照すれば、本発明の第３の実施例に係る水平電界印加型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板は、下部基板１５１上に交差されるように形成されたゲートライン１５２及びデータライン１５４と、その交差部毎に形成された薄膜トランジスタ１２０と、その交差構造に用意された画素領域に水平電界を成すように形成された画素電極１７２及び共通電極１４０と、共通電極１４０と接続された共通ライン１４２とを具備する。また、薄膜トランジスタ・アレイ基板は、画素電極１７２と共通ライン１４２の重畳部に形成されたストレージ・キャパシター１３０と、ゲートライン１５２と接続されたゲートパッド１９２と、データライン１５４と接続されたデータパッド１９４と、共通ライン１４２と接続された共通パッド１４８をさらに具備する。
【００７６】
ゲートライン１５２は薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１５６にゲート信号を供給する。データライン１５４は薄膜トランジスタ１２０のドレーン電極１６０を通じて画素電極１７２に画素信号を供給する。ゲートライン１５２とデータライン１５４は交差構造に形成されて画素領域１２８を定義する。
【００７７】
共通ライン１４２は画素領域１２８を間に置いてゲートライン１５２と並行するように形成されて液晶駆動のための基準電圧を共通電極１４０に供給する。
【００７８】
薄膜トランジスタ１２０はゲートライン１５２のゲート信号に応答してデータライン１５４の画素信号が画素電極１７２に充電されて維持されるようにする。これのために、薄膜トランジスタ１２０はゲートライン１５２に接続されたゲート電極１５６と、データライン１５４に接続されたソース電極１５８と、画素電極１７２に接続されたドレーン電極１６０を具備する。なお、薄膜トランジスタ１２０はゲート電極１５６とゲート絶縁膜１６２を間に置いて重畳されながらソース電極１５８とドレーン電極１６０の間にチャンネルを形成する活性層１６４をさらに具備する。このような活性層１６４上にはソース電極１５８、ドレーン電極１６０とオーミック接触のためのオーミック接触層１６６がさらに形成される。
【００７９】
画素電極１７２は、薄膜トランジスタ１２０のドレーン電極１６０と一体化されることと同時に、ストレージ電極１５０と一体化されて画素領域１２８に形成される。特に、画素電極１７２はドレーン電極１６０と接続されて、燐接したゲートライン１５２と並行するように形成された水平部１７２Ａと、水平部１７２Ａで垂直方向に伸長されて共通電極１４０と並行するように形成されたフィンガー部１７２Ｂを具備する。
【００８０】
共通電極１４０は共通ライン１４２と接続されて画素領域１２８に形成される。特に、共通電極１４０は画素領域１２８において画素電極１７２のフィンガー部１７２Ｂと並行するように形成される。
【００８１】
これによって、薄膜トランジスタ１２０を通じて画素信号が供給された画素電極１７２と共通ライン１４２を通じて基準電圧が供給された共通電極１４０との間には水平電界が形成される。特に、画素電極１７２のフィンガー部１７２Ｂと共通電極１４０の間には水平電界が形成される。このような水平電界によって薄膜トランジスタ・アレイ基板とカラーフィルター・アレイ基板の間から水平方向に配列された液晶分子が誘電異方性によって回転するようになる。液晶分子の回転程度によって画素領域１２８を透過する光透過率が変わることで画像を具現するようになる。
【００８２】
ストレージ・キャパシター１３０は、共通ライン１４２と、その共通ライン１４２とゲート絶縁膜１６２を間に置いて重畳されて画素電極１７２と一体化されて形成されたストレージ電極１５０から構成される。このようなストレージ・キャパシター１３０は、画素電極１７２に充電された画素信号が次の画素信号が充電されるまで安定的に維持されるようにする。
【００８３】
ゲートライン１５２はゲートパッド１９２を通じてゲート駆動ＩＣ（図示しない）と接続される。ゲートパッド１９２は、ゲートライン１５２から伸長されたゲートパッド電極１８０と、ゲートパッド電極１８０の多数領域を露出させるようにゲート絶縁膜１６２及び保護膜１６８を貫く多数個のゲート接触ホール１８８から構成される。
【００８４】
データライン１５４はデータパッド１９４を通じてデータ駆動ＩＣ（図示しない）と接続される。データパッド１９４は、データライン１５４から延長されるデータパッド電極１８４と、データパッド電極１８４の多数領域を露出させるように保護膜１６８を貫く多数個のデータ接触ホール１７８から構成される。
【００８５】
共通ライン１４２は共通パッド１４８を通じて外部の基準電圧原（図示しない）から基準電圧を供給受けるようになる。共通パッド１４８は、共通ライン１４２から延長される共通パッド電極１４４と、共通パッド電極１４４の多数領域を露出させるようにゲート絶縁膜１６２及び保護膜１６８を貫く多数個の共通接触ホール１４６から構成される。
【００８６】
図１２ａ乃至図１２ｄは図１１に示す薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【００８７】
図１２ａを参照すれば、下部基板１５１上に共通ライン１４２、共通電極１４０、共通パッド電極１４４、ゲートライン（図示しない）、ゲート電極１５６及びゲートパッド電極１８０を含む第１導電パターン群が形成される。
【００８８】
これを詳細に説明すれば、下部基板１５１上にスパッタリング方法などの蒸着方法を通じてゲート金属層が形成される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程でゲート金属層がパターニングされることで、共通ライン１４２、共通電極１４０、共通パッド電極１４４、ゲートライン、ゲート電極１５６及びゲートパッド電極１８０を含む第１導電パターン群が形成される。ここで、ゲート金属層としてはアルミニウム系金属などが利用される。
【００８９】
図１２ｂを参照すれば、第１導電パターン群が形成された下部基板１５１上にゲート絶縁膜１６２と、そのゲート縁切り膜１６２上に活性層１６４及びオーミック接触層１６６を含む半導体パターンが形成される。
【００９０】
これを詳細に説明すれば、第１導電パターン群が形成された下部基板１５１上にＰＥＣＶＤ、スパッタリングなどの蒸着方法を通じてゲート絶縁膜１６２、第１及び第２半導体層が順次的に形成される。ここで、ゲート絶縁膜１６２の材料としてはは酸化シリコーン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコーン（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質が利用されて、第１半導体層は不純物がドーピングされない非晶質シリコーンが利用されて、第２半導体層はＮ型またはＰ型の不純物がドーピングされた非晶質シリコーンが利用される。
【００９１】
引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で第１及び第２半導体層が同時にパターニングされることで、活性層１６４及びオーミック接触層１６６を含む半導体パターンが形成される。
【００９２】
図１２ｃを参照すれば、半導体パターンが形成された下部基板１５１上にソース電極１５８、ドレーン電極１６０、画素電極１７２、データライン１５４、データパッド電極１８４を含む第２導電パターン群が形成される。
【００９３】
これを詳細に説明すれば、半導体パターンが形成された下部基板１５１上にデータ金属層が蒸着される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程でデータ金属層がパターニングされることで、データライン１５４、ソース電極１５８、ドレーン電極１６０、ドレーン電極１６０と一体化された画素電極１７２、データパッド電極１８４を含む第２導電パターン群が形成される。
【００９４】
その次、ソース電極１５８及びドレーン電極１６０をマスクと利用した乾式食刻工程でオーミック接触層１６６が食刻されて薄膜トランジスタチャンネル部の活性層１６４が露出する。
【００９５】
図１２ｄを参照すれば、第２導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜１６２上に多数個の共通接触ホール１４６、ゲート接触ホール１８８及びデータ接触ホール１７８を含む保護膜１６８が形成される。
【００９６】
これを詳細に説明すれば、第２導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜１６２上にＰＥＣＶＤなどの蒸着方法で保護膜１６８が全面形成される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で保護膜１６８がパターニングされることで、共通接触ホール１４６、ゲート接触ホール１８８及びデータ接触ホール１７８が多数個形成される。 共通接触ホール１４６は保護膜１６８及びゲート絶縁膜１６２を貫いて共通パッド電極１４４の多数領域を露出させて、ゲート接触ホール１８８は保護膜１６８及びゲート絶縁膜１６２を貫いてゲートパッド電極１８０の多数領域を露出させて、データ接触ホール１７８は保護膜１６８を貫いてデータパッド電極１８４の多数領域を露出させる。ここで、保護膜１６８の材料としては、ゲート絶縁膜１６２のような無機絶縁物質や誘電常数が小さなアクリル（ａｃｒｙｌ）系有機化合物、ＢＣＢまたはＰＦＣＢなどのような有機絶縁物質が利用される。
【００９７】
図１３は本発明の第４の実施例に係る水平電界印加型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【００９８】
図１３を参照すれば、本発明の第４の実施例に係る水平電界印加型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板は、図１０及び図１１に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板と比べて活性層及びオーミック接触層がソース電極、ドレーン電極、データパッド電極、データラインを含む第２導電パターン群下部に第２導電パターン群に沿って形成されることを除きしては、同一な構成要素を具備する。
【００９９】
本発明の第４の実施例に係る水平電界印加型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板はソース電極１５８、ドレーン電極１６０、データパッド電極１８４を半導体パターンと同一パターンに形成される。
【０１００】
ストレージ・キャパシター１３０は、共通ライン１４２と、その共通ライン１４２とゲート絶縁膜１６２を間に置いて重畳されて画素電極１７２と一体化されて形成されたストレージ電極１５０と、そのストレージ電極１５０と同一パターンに形成された半導体パターン１６４、１６６から構成される。このようなストレージ・キャパシター１３０は、画素電極１７２に充電された画素信号が次の画素信号が充電されるまで安定的に維持されるようにする。
【０１０１】
ゲートパッド１９２はゲート駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてゲートライン１５２にゲート信号を供給する。このようなゲートパッド１９２はゲートライン１５２から延長されるゲートパッド電極１８０と、ゲート絶縁膜１６２及び保護膜１６８を貫いてゲートパッド電極１８０を露出させる多数個のゲート接触ホール１８８から構成される。
【０１０２】
ゲート接触ホール１８８は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個のゲート接触ホール１８８中から少なくともいずれかを通じて露出したゲートパッド電極１８０の一部がかまれられて行っても、残りゲート接触ホール１８８を通じて露出したゲートパッド電極１８０とゲート駆動ＩＣが実裝されたゲートＴＣＰが電気的に接続される。これによって、ゲート駆動ＩＣからのゲート信号がゲートパッド電極１８０を通じてゲートラインに供給される。
【０１０３】
データパッド１９４はデータ駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてデータライン１５４にデータ信号を供給する。このようなデータパッド１９４は、活性層１６４及びオーミック接触層１６６を含む半導体パターンと、半導体パターンと同一パターンに形成されてデータライン１５４から延長されるデータパッド電極１８４と、保護膜１６８を貫いてデータパッド電極１８４を露出させる多数個のデータ接触ホール１７８から構成される。
【０１０４】
データ接触ホール１７８は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個のデータ接触ホール１７８中から少なくともいずれかを通じて露出したデータパッド電極１８４の一部がかまれられて行っても、残りデータ接触ホール１７８を通じて露出したデータパッド電極１８４とデータ駆動ＩＣが実裝されたデータＴＣＰが電気的に接続される。これによって、データ駆動ＩＣからのデータ信号がデータパッド電極１８４を通じてデータライン１５４に供給される。
【０１０５】
共通パッド１４８は外部基準電圧原と接続されて共通ライン１４２に基準電圧を供給する。このような共通パッド１４８は、共通ライン１４２から延長される共通パッド電極１４４と、ゲート絶縁膜１６２及び保護膜１６８を貫いて共通パッド電極１４４を露出させる多数個の共通接触ホール１４６から構成される。
【０１０６】
共通接触ホール１４６は、ＴＡＢリペア工程の時、多数個の共通接触ホール１８８中から少なくともいずれかを通じて露出した共通パッド電極１４４の一部がかまれられて行っても、残り共通接触ホール１４６を通じて露出した共通パッド電極１４４と外部接続されたＴＣＰが電気的に接続される。これによって、外部基準電圧原からの基準電圧が共通パッド電極１４４を通じて共通ライン１４２に供給される。
【０１０７】
図１４ａ乃至図１４ｃは本発明の第４の実施例に係る水平電界印加型液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【０１０８】
先に、下部基板上にアルミニウム系金属を含むゲート金属層が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程と食刻工程でゲート金属層がパターニングされることで、図１４ａに示すところのように、共通ライン１４２、共通電極１４０、共通パッド電極１４４、ゲートライン１５２、ゲート電極１５６及びゲートパッド電極１８０を含む第１導電パターン群が形成される。
【０１０９】
第１導電パターン群が形成された下部基板１５１上にＰＥＣＶＤ、スパッタリングなどの蒸着方法を通じてゲート絶縁膜１６２、第１及び第２半導体層、及びデータ金属層が順次的に形成される。引き継いで、データ金属層上に第２マスクを利用したフォトリソグラフィ工程でフォトレジストパターンを形成するようになる。チャンネル部の高さが異なるフォトレジストパターンを利用した湿式食刻工程でデータ金属層がパターニングされることで、図１４ｂに示すところのように、データライン１５４、ソース電極１５８、ドレーン電極１６０、データパッド電極１８４、ストレージ電極１５０を含むデータパターンが形成される。その次、同一なフォトレジストパターンを利用した乾式食刻工程で第１及び第２半導体層が同時にパターニングされることで、オーミック接触層１６４と活性層１６６が形成される。および、アッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程でチャンネル部で相対的に低い高さを持つフォトレジストパターンが除去された後、乾式食刻工程でチャンネル部の一体化されたソース電極及びドレーン電極とオーミック接触層１６６が食刻される。これによって、チャンネル部の活性層１６４が露出してソース電極１５８とドレーン電極１６０が分離する。引き継いで、ストリップ工程で第２導電パターン群上に残っていたフォトレジストパターンが除去される。
【０１１０】
第２導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜１６２上に有機絶縁物質または無機絶縁物質が全面蒸着されることで、図１４ｃに示すところのように、保護膜１６８が全面形成される。引き継いで、フォトリソグラフィ工程と食刻工程で保護膜１６８がパターニングされることで、共通接触ホール１４６、ゲート接触ホール１８８及びデータ接触ホール１７８が多数個形成される。共通接触ホール１４６は保護膜１６８及びゲート絶縁膜１６２を貫いて共通パッド電極１４４を露出させて、ゲート接触ホール１８８は保護膜１６８及びゲート絶縁膜１６２を貫いてゲートパッド電極１８０を露出させて、データ接触ホール１７８は保護膜１６８を貫いてデータパッド電極１８４の多数領域を露出させる。
【０１１１】
図１５は本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す平面図で、図１６は図１５の線ＸVI-ＸVI’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【０１１２】
図１５及び図１６を参照すれば、本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板は、薄膜トランジスタ・アレイ基板２４８とカラーフィルター・アレイ基板２４６が対向して接着された構造でマトリックス液晶セルが位する画像表示部２４０と、駆動ＩＣと画像表示部２４０の間に接続されるゲートパッド２４２及びデータパッド２４４を含むようになる。
【０１１３】
ゲートパッド２４２はゲート駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてゲートラインにゲート信号を供給する。このようなゲートパッド２４２は、ゲートラインから伸長されたゲートパッド下部電極２３０と、ゲートパッド下部電極２３０の多数領域を露出させるようにゲート絶縁膜２１２及び保護膜２１８を貫く多数個のゲート接触ホール２３８と、ゲート絶縁膜２１２及び保護膜２１８と同一パターンに形成されたゲートパッド上部電極２３２から構成される。
【０１１４】
データパッド２４４はデータ駆動ＩＣ（図示しない）と接続されてデータラインにデータ信号を供給する。データパッド２４４はデータラインから延長されるデータパッド下部電極２３４と、データパッド下部電極２３４の多数領域を露出させるように保護膜２１８を貫く多数個のデータ接触ホール２２８と、保護膜２１８と同一のパターンに形成されたデータパッド上部電極２３６から構成される。
【０１１５】
このような薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を図１７ａ乃至図１７ｄを結付して詳細に説明する事にする。
【０１１６】
先に、下部基板２０１上にゲート金属層が全面蒸着された後、パターニングされることで、図１７ａに示すところのように、薄膜トランジスタのゲート電極、ゲートラインと一緒にゲートパッド下部電極２３０が形成される。ゲートパッド下部電極２３０が形成された下部基板２０１上に有機絶縁物質または無機絶縁物質が全面蒸着されることで、図１７ｂに示すところのように、ゲート絶縁膜２１２が形成される。ゲート絶縁膜２１２が形成された下部基板２０１上に薄膜トランジスタのチャンネル部を成す活性層及びオーミック接触層を含む半導体パターンが形成される。半導体パターンが形成された下部基板２０１上にデータ金属層が全面蒸着された後、パターニングされることで、図１７ｃに示すところのように、薄膜トランジスタのソース／ドレーン電極及びデータラインと一緒にデータパッド下部電極２３４が形成される。データパッド下部電極２３４が形成された下部基板２０１上に有機絶縁物質または無機絶縁物質が全面蒸着されることで、図１７ｄに示すところのように、保護膜２１８が形成される。この後、保護膜２１８上に透明電導性物質が全面蒸着された後、パターニングされることで、ゲートパッド上部電極２３２とデータパッド上部電極２３６が形成される。このゲートパッド上部電極２３２とデータパッド上部電極２３６をマスクとしてゲート絶縁膜２１２及び保護膜２１８が乾式食刻されることで、多数個のゲート接触ホール２３８及び多数個のデータ接触ホール２２８が形成される。
【０１１７】
図１８ａ乃至図１８ｆは本発明の第１乃至第５実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板の接触ホールを示す平面図である。
【０１１８】
本発明に係る、ゲート接触ホール、データ接触ホール及び共通接触ホールの中から少なくともいずれかを含む接触ホール２９２は、図１８ａに示すところのように、四角形を含む多角形形態に形成されるとか、図１８ｂに示すところのように、相対的に直径が大きい円形形に形成されるとか、または、図１８ｃに示すところのように、相対的に直径が小さな円形形に形成されて、共通パッド電極、ゲートパッド電極及びデータパッド電極を含むパッド電極２９０の多数領域を露出させるようになる。または、接触ホール２９２が、図１８ｄに示すところのように、屈曲部を持つライン形態に形成されてパッド電極２９０を曲線形態に露出させるようになる。また、多数の接触ホール２９２のそれぞれは、図１８ｅに示すところのように、“Ｃ”字形態の第１接触ホール２９２ａと、“Ｃ”字形態の第１第１接触ホール２９２ａとお互いにかみ合って形成される逆“Ｃ”字形態の第２接触ホール２９２ｂを含む。なお、多数の接触ホール２９２のそれぞれは、図１８ｆに示すところのように、“Ｕ”字形態の第１接触ホール２９２ａと、“Ｕ”字形態の第１接触ホール２９２ａとお互いにかみ合って形成される逆“Ｕ”字形態の第２接触ホール２９２ｂを含む。
【０１１９】
一方、図１８ａ乃至図１８ｆに示す接触ホール２９２は約５〜５０μｍの幅を持つように形成される。
【０１２０】
図１９ａは本発明の第１乃至第４実施例に係る液晶表示装置のゲートＴＣＰ及びデータＴＣＰを示す図面で、図１９ｂは本発明の第５実施例に係る液晶表示装置のゲートＴＣＰ及びデータＴＣＰを示す断面図である。
【０１２１】
図１９ａ及び図１９ｂを参照すれば、本発明の第１乃至第５実施例に係るパッド電極は導電ボルが含まれたＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）２７０、２８０を通じて駆動ＩＣが実裝されたＴＣＰ２７８、２８８と接触される。これによって、ＴＣＰ２７８、２８８に形成された出力パッド２７２、２８２はＡＣＦ２７０、２８０の導電ボル２７６、２８６を通じてゲートパッド電極２７４、２３０、データパッド電極２８４、２３４及び共通パッド電極の中から少なくともいずれかとそれぞれ電気的に接続される。具体的に、ゲートＴＣＰ２７８のベースフィルム上に形成された第１出力パッド２７２はゲートパッド電極２７４、２３０と、データＴＣＰ２８８のベースフィルム上に形成された第２出力パッド２８２はデータパッド電極２８４、２３４と、データＴＣＰ２８８のベースフィルム上に形成された第３出力パッド（図示しない）は共通パッド電極（図示しない）とＡＣＦ２７６、２８６を通じて電気的に接続される。
【０１２２】
この場合、ゲートパッド、データパッド及び共通パッドの中から少なくともいずれかは多数の接触ホールを通じてゲートパッド電極２７４、２３０、データパッド電極２８４、２３４及び共通パッド電極の中から少なくともいずれかが露出した構造を持っているのでＴＣＰ２７８、２８８の付着工程を繰り返しても、パッド下部電極の断線不良が防止される。
【０１２３】
以上説明した内容を通じて当業者であれば本発明の技術思想を一脱しない範囲内で多様な変更及び修正ができる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲により決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】従来の液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１の線II−II’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【図３ａ】従来のパッド構造の形態を示す平面図及び断面図である。
【図３ｂ】従来のパッド構造の形態を示す平面図及び断面図である。
【図４ａ】従来のパッド構造の他の形態を示す平面図及び断面図である。
【図４ｂ】従来のパッド構造の他の形態を示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す平面図である。
【図６】図５の線VI１-VI１’、VI２-VI２’、VI３-VI３’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【図７ａ】図６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図７ｂ】図６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図７ｃ】図６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図７ｄ】図６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は本発明の第２実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【図９ａ】図８に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図９ｂ】図８に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図９ｃ】図８に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図９ｄ】図８に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第３実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す平面図である。
【図１１】図１０の線XI−XI’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【図１２ａ】図１１に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１２ｂ】図１１に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１２ｃ】図１１に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１２ｄ】図１１に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第４実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【図１４ａ】図１３に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１４ｂ】図１３に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１４ｃ】図１３に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の第５実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す平面図である。
【図１６】図１０の線ＸVI−ＸVI’に沿って切り取った薄膜トランジスタ・アレイ基板を示す断面図である。
【図１７ａ】図１６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１７ｂ】図１６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１７ｃ】図１６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１７ｄ】図１６に図示された薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１８ａ】本発明に係るゲート接触ホール及びデータ接触ホールを含む接触ホールの多様な形態を示す平面図である。
【図１８ｂ】本発明に係るゲート接触ホール及びデータ接触ホールを含む接触ホールの多様な形態を示す平面図である。
【図１８ｃ】本発明に係るゲート接触ホール及びデータ接触ホールを含む接触ホールの多様な形態を示す平面図である。
【図１８ｄ】本発明に係るゲート接触ホール及びデータ接触ホールを含む接触ホールの多様な形態を示す平面図である。
【図１８ｅ】本発明に係るゲート接触ホール及びデータ接触ホールを含む接触ホールの多様な形態を示す平面図である。
【図１８ｆ】本発明に係るゲート接触ホール及びデータ接触ホールを含む接触ホールの多様な形態を示す平面図である。
【図１９ａ】本発明の第１乃至第５実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板のパッド下部電極と接続されるＴＣＰを詳細に示す断面図である。
【図１９ｂ】本発明の第１乃至第５実施例に係る薄膜トランジスタ・アレイ基板のパッド下部電極と接続されるＴＣＰを詳細に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２５】
５１、１５１、２０１…基板
６２、１６２、２１２…ゲート絶縁膜
６８、１６８、２１８…保護膜
７２…反射電極
７８、８８、１４６、１７８、１８８、２２８、２３８…接触ホール
８０、１８０、２３０、２７４…ゲート下部電極
８４、１８４、２３４、２８４…データ下部電極
９２、１９２、２４２…ゲートパッド
９４、１９４、２４４…データパッド
９６…ストレージ・キャパシター
１４０…共通電極
１４２…共通ライン
１４４…共通下部電極
１４８…共通パッド
１５２…ゲートライン
１５４…データライン
１５６…ゲート電極
１５８…ソース電極
１６０…ドレーン電極
１７２…画素電極
２３２…ゲート上部電極
２３６…データ上部電極
２４０…画像表示部
２４６…カラーフィルター・アレイ基板
２４８…薄膜トランジスタ・アレイ基板
２７０、２８０…ＡＣＦ
２７２、２８２…ＴＣＰ出力パッド
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図８】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図９ｃ】
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【図９ｄ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２ａ】
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【図１２ｂ】
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【図１２ｃ】
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【図１２ｄ】
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【図１３】
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【図１４ａ】
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【図１４ｂ】
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【図１４ｃ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７ａ】
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【図１７ｂ】
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【図１７ｃ】
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【図１７ｄ】
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【図１８ａ】
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【図１８ｂ】
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【図１８ｃ】
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【図１８ｄ】
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【図１８ｅ】
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【図１８ｆ】
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【図１９ａ】
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【図１９ｂ】
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