(57)【要約】【課題】  耐蝕性材料の上に低抵抗材料を積層する構造において両者の間に安定した電気的接続を得ることができる電気光学装置を提供する。【解決手段】  電気光学物質を支持する基板と、基板上に設けられた配線とを有する電気光学装置である。配線は、耐蝕性材料である第１層４２の上に絶縁材料である第２層４３を形成しその上に低抵抗材料である第３層４１を形成して成る積層構造を有し、配線には、第２層４３が無いことにより第１層４２と第３層４１とが直接に接触する接触面５１が設けられ、第１層４２と第３層４１とが直接に接触する接触面５１はテーパ面であり、さらに前記テーパ面における第１層４２のテーパ角θは０°＜θ＜９０°である。【選択図】        図１１
2005309303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を支持する基板と、
該基板上に設けられた配線とを有し、
該配線は、耐蝕性材料の上に絶縁材料を形成しその上に低抵抗材料を形成して成る積層構造を有し、
前記配線には、前記絶縁材料が無いことにより前記耐蝕性材料と前記低抵抗材料とが直接に接触する面が設けられ、
前記耐蝕性材料と前記低抵抗材料とが直接に接触する前記面はテーパ面であり、さらに
前記テーパ面における前記耐蝕性材料のテーパ角θは０°＜θ＜９０°である
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記耐蝕性材料はＴａ（タンタル）またはＴａ（タンタル）合金であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の電気光学装置において、前記低抵抗材料はＣｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）またはそれらの１つを主成分とする合金、のうちから選択される１つであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
基板上に配線を形成する工程を有し、
前記配線を形成する工程は、
耐蝕性材料から成る第１層を形成する工程と、
該第１層の上に絶縁材料から成る第２層を形成する工程と、
前記第２層を除去し前記第１層の表面をテーパ形状に残すことをドライエッチングによって行うエッチング工程と、
前記第２層の上に低抵抗材料によって第３層を形成する工程とを有し、
前記エッチング工程では前記ドライエッチングにおけるエッチングガス流量に対する酸素流量の比である酸素流量比を調節することにより、前記第１層のテーパ角θを０°＜θ＜９０°にする
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の電気光学装置の製造方法において、前記酸素流量比は０．１８以上であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の電気光学装置の製造方法において、前記酸素流量比は０．２７以上であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、液晶表示装置、ＥＬ装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。また、電気光学物質としてＥＬ（Electro Luminescence）を用いたＥＬ装置も知られている。
【０００３】
液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶層は、前記一対の基板の間にシール材によって囲まれた空間を形成し、この空間の内側に液晶を封止することにより形成される。液晶表示装置は、液晶層に光を供給すると共に、該液晶層に印加される電圧を表示ドットごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を表示ドットごとに制御する。液晶層へ供給された光は液晶分子の配向状態に従って変調され、この変調された偏光が偏光板を通過するか、あるいは通過しないかに応じて、外部に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【０００４】
この液晶表示装置においては、各電極に信号を伝送するために、一対の基板の一方または両方に複数の配線が形成される。これらの配線の多くは、液晶を封止しているシール材の内側と、その外側とに渡って配設される。この配線用の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）またはＴｉ（チタン）等が用いられる。これらは低抵抗の材料であり、配線用材料として好適に用いられる。しかし、これらの低抵抗材料は水分やよごれによって腐蝕し易く、腐蝕した場合には液晶表示部の表示に障害が起こるおそれがある。
【０００５】
この問題を解決するため、従来、シール材の外側に配設された配線、すなわち外側配線を構成する材料に耐蝕性材料、例えば、Ｔａ（タンタル）やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用い、さらに、その上に酸化膜を積層することにより外側配線を腐蝕し難くした構造の液晶表示装置が知られている。また、この液晶表示装置において、シール材の内側に配設された内側配線は、外側配線と同じ材料の上に、さらに低抵抗材料を積層した構造を有している（例えば、特許文献１参照）。この従来の配線構造によれば、腐蝕し易い環境にある外側配線を耐蝕性材料で形成し、シール材の内側にあって腐蝕する心配のない内側配線を低抵抗材料によって形成したので、耐蝕性および低抵抗性の両方に優れた配線構造が得られることが期待されていた。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−７５１１８号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された従来の耐蝕性材料を用いた配線構造においては、耐蝕性材料の上に積極的に設けた酸化膜、または液晶表示装置基板の製造工程において必然的に生じた酸化膜により、内側配線における耐蝕性材料と低抵抗材料の間の接続抵抗が大きくなるおそれがある。その結果、液晶表示装置の表示部に表示むらが生じたり、液晶表示装置の消費電力が増えたりするおそれがある。
【０００８】
この問題を解決するためには、耐蝕性材料の層の上に酸化膜が形成された後、エッチング処理によって酸化膜の一部を除去し、耐蝕性材料と低抵抗材料が直接に接触する部分を設けることが有効であると考えられる。しかしながら、エッチング処理における処理条件の設定によっては、耐蝕性材料と低抵抗材料との間において良好な導通を得ることができないおそれがある。
【０００９】
この問題を解消するため、本発明者は種々の実験を行った。そしてその結果、低抵抗材料と接触する耐蝕性材料の面のテーパ角度を適切に管理することが良好な導通を得る上できわめて重要であることを知見した。また、耐蝕性材料のテーパ角度を管理するのに際しては、ドライエッチングによって耐蝕性材料の表面を除去すること、およびドライエッチングにおける酸素の流量比を適切に選定することがきわめて重要であることを知見した。
【００１０】
本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、耐蝕性材料の上に低抵抗材料を積層する構造において両者の間に安定した電気的接続を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板と、該基板上に設けられた配線とを有し、該配線は、耐蝕性材料の上に絶縁材料を形成しその上に低抵抗材料を形成して成る積層構造を有し、前記配線には、前記絶縁材料が無いことにより前記耐蝕性材料と前記低抵抗材料とが直接に接触する面が設けられ、前記耐蝕性材料と前記低抵抗材料とが直接に接触する前記面はテーパ面であり、さらに前記テーパ面における前記耐蝕性材料のテーパ角θは０°＜θ＜９０°であることを特徴とする。
【００１２】
上記の電気光学装置によれば、配線に耐蝕性材料を用いたので、水分やよごれの付着による配線の腐蝕を防ぐことができる。また、耐蝕性材料と低抵抗材料とが直接に接触する部分を配線に設けたので、配線抵抗を確実に低くすることができる。これらにより、電気光学装置において、表示むらの無い安定した表示を行うことができる。
【００１３】
また、耐蝕性材料と低抵抗材料とが直接に接触する面をテーパ面にした。これにより、耐蝕性材料と低抵抗材料との接触面積を大きくすることができるので、配線抵抗をより低くすることができる。さらに、上記テーパ面における耐蝕性材料のテーパ角θ、すなわち耐蝕性材料が形成される面に対するその耐蝕性材料のテーパ面のテーパ角θは、０°＜θ＜９０°の範囲に設けるようにした。このテーパ角θは、基板上において配線を形成する面と平行の場合が０°であり、直交の場合が９０°である。テーパ角θを０°＜θ＜９０°の範囲に設けることにより、耐蝕性材料と低抵抗材料とが直接に接触する部分は、耐蝕性材料がその上層にある絶縁材料に対して張り出す構造になる。従って、テーパ面において、低抵抗材料と耐蝕性材料とが確実に接触する。
【００１４】
本発明の電気光学装置において、前記耐蝕性材料はＴａ（タンタル）またはＴａ（タンタル）合金であることが望ましい。これらの材料は、低抵抗材料に比べて耐蝕性に優れており、より腐蝕し難い配線を構成することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置において、前記低抵抗材料はＣｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）またはそれらの１つを主成分とする合金、のうちから選択される１つであることが望ましい。これらの材料は導電性に優れており、配線抵抗を低くすることができる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に配線を形成する工程を有し、前記配線を形成する工程は、耐蝕性材料から成る第１層を形成する工程と、該第１層の上に絶縁材料から成る第２層を形成する工程と、前記第２層を除去し前記第１層の表面をテーパ形状に残すことをドライエッチングによって行うエッチング工程と、前記第２層の上に低抵抗材料によって第３層を形成する工程とを有し、前記エッチング工程では前記ドライエッチングにおける酸素流量比を調節することにより、前記第１層のテーパ角θを０°＜θ＜９０°にすることを特徴とする。
【００１７】
ここで、上記の酸素流量比とは、エッチングガス流量に対する酸素流量の比のことであり、具体的には、酸素流量比＝酸素流量／エッチングガス流量によって定義される値である。また、前記第２層は、陽極酸化処理等によって絶縁材料を積極的に積層することによって形成される場合や、電気光学装置の製造工程において酸化膜等が必然的に生じることによって形成される場合がある。
【００１８】
上記の電気光学装置の製造方法によれば、配線を耐蝕性材料を用いて形成することにより、水分やよごれの付着による配線の腐蝕を防ぐことができる。また、本発明では、耐蝕性材料によって第１層を形成し、絶縁材料によって第２層を形成した後、第２層または第１層および第２層の両方をエッチングによって除去することにより、耐蝕性材料である第１層の表面を露出させる。さらに、第２層の上に低抵抗材料からなる第３層を形成する。これにより、エッチングで露出した耐蝕性材料と低抵抗材料とが、絶縁材料を介さずに直接に接触することができる。従って、配線の抵抗を確実に低くすることができるので、電気光学装置において、表示むらのない安定した表示を行うことができる。
【００１９】
また、第１層と第３層とが直接に接触する部分をテーパ面にした。これにより、耐蝕性材料と低抵抗材料との接触面積を大きくすることができるので、配線抵抗をより低くすることができる。
【００２０】
本発明において、第１層および第２層を除去するためのエッチングはドライエッチングである。ドライエッチングはガスを用いて行う異方性のエッチングであり、使用するガスの流量に対する酸素の流量の比率である酸素流量比を変えることにより、材料間のエッチングの速度比、すなわちエッチングレートを変えることができる。このエッチングレートを調節することにより、第１層におけるテーパ面のテーパ角θを調節することができる。
【００２１】
その場合、酸素流量比を調節してテーパ角θを０°＜θ＜９０°の範囲に設けることにより、エッチングによって除去した部分において、耐蝕性材料がその上層にある絶縁材料に対して張り出す構造になる。従って、テーパ面において、絶縁材料の上にある低抵抗材料を耐蝕性材料に確実に接触させることができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記酸素流量比は０．１８以上であることが望ましい。こうすれば、テーパ角θが確実に０°＜θ＜９０°の範囲になるように第２層をエッチングすることができる。その結果、テーパ面において絶縁材料の上にある低抵抗材料を耐蝕性材料に確実に接触させることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記酸素流量比は０．２７以上であることが望ましい。こうすれば、テーパ角θがより一層確実に０°＜θ＜９０°の範囲になるようにエッチング処理を行うことができる。その結果、テーパ面において絶縁材料の上にある低抵抗材料を耐蝕性材料に、より一層確実に接触させることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、耐蝕性および低抵抗性を兼ね備えた配線構造を有するので、表示むらがなく安定した表示を行うことができる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても表示むらがなく安定した表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（電気光学装置の実施形態）
以下、本発明を電気光学装置の一例である液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００２６】
図１は、本発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶表示装置を示している。また、図２は、図１における１つの表示ドット近傍を拡大して示している。ここに挙げられた液晶表示装置は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。
【００２７】
図１において、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装された駆動用ＩＣ３と、照明装置４とを有する。照明装置４は、観察側（すなわち、図の上側）から見て液晶パネル２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。照明装置４は、液晶パネル２の観察側に配設してフロントライトとして機能させても良い。
【００２８】
照明装置４は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極管等といった線状光源等によって構成された光源６と、透光性の樹脂によって形成された導光体７とを有する。観察側から見て導光体７の背面側には、必要に応じて、反射層８が設けられる。また、導光体７の観察側には、必要に応じて、拡散層９が設けられる。導光体７の光導入口７ａは図１の紙面垂直方向に延びており、光源６から発生した光はこの光導入口７ａを通して導光体７の内部へ導入される。
【００２９】
液晶パネル２は、素子基板１２と、それに対向するカラーフィルタ基板１１と、それらの基板を貼り合わせている矢印Ａ方向から見て正方形または長方形の枠状のシール材１３とを有する。カラーフィルタ基板１１と、素子基板１２と、シール材１３とによって囲まれる間隙、いわゆるセルギャップＧ（図２参照）内に電気光学物質としての液晶１４が封入されて液晶層を構成している。
【００３０】
カラーフィルタ基板１１は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１基材１６ａを有し、その第１基材１６ａの内側表面には、凹凸すなわち凹部と非凹部との組み合わせを有する樹脂層１７が形成され、その上に反射層１８が形成され、その上に複数の着色要素１９およびそれらを取り囲む遮光部材２１が形成され、その上にオーバーコート層２２が形成され、その上に紙面垂直方向へ直線的に延びる複数の電極２３ａが形成され、さらに、その上に配向膜２４ａが形成される。
【００３１】
配向膜２４ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１１の近傍の液晶分子の配向が決められる。また、第１基材１６ａの外側表面には、位相差板２６ａ及び偏光板２７ａが貼着等によって装着される。第１基材１６ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。
【００３２】
図２において、樹脂層１７は、第１層１７ａ及び第２層１７ｂから成る２層構造によって形成されており、第２層１７ｂの表面には、細かい凹凸、すなわち細かい凹部及び非凹部が形成されている。反射層１８は、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金等によって形成される。この反射層１８の表面は、その下地層である樹脂層１７に着けられた凹凸に対応して凹凸形状となっている。この凹凸形状により、反射層１８で反射する光は拡散する。
【００３３】
着色要素１９は、例えば、矢印Ａ方向から見て１つ１つが長方形のドット状に形成され、１つの着色要素１９は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色のいずれか１つの光を通過させる。これら各色の着色要素１９は、矢印Ａ方向から見てストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べられている。なお、着色要素１９は、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色によって形成することもできる。
【００３４】
遮光部材２１は、例えばＣｒ等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素１９の間を埋める状態に形成される。この遮光部材２１は、ブラックマトリクスとして機能して着色要素１９を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材２１は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素１９を構成するＲ，Ｇ，Ｂの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
【００３５】
オーバーコート層２２は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図２の紙面垂直方向に線状に延びる複数の電極２３ａは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２４ａは、例えばポリイミド等によって形成される。
【００３６】
図１において、カラーフィルタ基板１１に対向する素子基板１２は第２基材１６ｂを有する。この第２基材１６ｂは、張出し部２９が形成される１辺が第１基材１６ａの外側へ張り出している。この第２基材１６ｂの内側表面には、図２に示すように、ライン配線３３が形成され、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ素子３１がそのライン配線３３に接続して形成される。そしてさらに、それらのＴＦＤ素子３１に接続するように複数のドット電極２３ｂが形成される。ライン配線３３は、カラーフィルタ基板１１上の線状電極２３ａに対して直角方向、すなわち図２の左右方向に延びている。
【００３７】
各ドット電極２３ｂの間に複数のフォトスペーサ１５が形成され、それらの上に配向膜２４ｂが形成される。これらのフォトスペーサ１５は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。フォトスペーサ１５は、立った状態の円柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。フォトスペーサ１５はギャップ材と呼ばれることがある。配向膜２４ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１２の近傍の液晶分子の配向が決められる。第２基材１６ｂの外側表面には、位相差板２６ｂ及び偏光板２７ｂが貼着等によって装着される。
【００３８】
第２基材１６ｂは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、ドット電極２３ｂはＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、配向膜２４ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。
【００３９】
個々のＴＦＤ素子３１は、カラーフィルタ基板１１側の遮光部材２１に対応する位置に設けられ、さらに、図３に示すように、第１ＴＦＤ要素３２ａと第２ＴＦＤ要素３２ｂとを直列に接続することによって形成されている。
【００４０】
図３において、ＴＦＤ素子３１は、例えば、次のようにして形成される。すなわち、まず、ＴａＷによってライン配線３３の第１層４２及びＴＦＤ素子３１の第１金属３６を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線３３の第２層４３及びＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７を形成する。次に、例えばＣｒによってライン配線３３の第３層４１及びＴＦＤ素子３１の第２金属３８を形成する。
【００４１】
第１ＴＦＤ要素３２ａの第２金属３８はライン配線３３の第３層４１から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３２ｂの第２金属３８の先端に重なるように、ドット電極２３ｂが形成される。ライン配線３３からドット電極２３ｂへ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素３２ａでは第２電極３８→絶縁膜３７→第１金属３６の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素３２ｂでは第１金属３６→絶縁膜３７→第２金属３８の順に電気信号が流れる。
【００４２】
つまり、第１ＴＦＤ要素３２ａと第２ＴＦＤ要素３２ｂとの間では電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した特性を得られることが知られている。なお、第１金属３６等の第２基材１６ｂからの剥れを防止したり、第２基材１６ｂから第１金属３６等へ不純物が拡散しないようにする等のために、ＴＦＤ素子３１と基材１６ｂとの間及びライン配線３３と基材１６ｂとの間に下地層（図示せず）を設けることもできる。
【００４３】
図４は、図１の液晶表示装置１を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２基材１６ｂの図示を省略した状態の液晶表示装置１の平面構造を示している。また、図５は、図１の素子基板１２を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２基材１６ｂの図示を省略した状態の素子基板１２の平面構造を示している。また、図６は、図１のカラーフィルタ基板１１を矢印Ａ方向から見た場合のそのカラーフィルタ基板１１の平面構造を示している。なお、図４、図５および図６は、主に電極及び配線を示しており、それ以外の要素は図示を省略している。
【００４４】
図５に示すように、素子基板１２に設けられる複数の直線状のライン配線３３は全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子３１は個々のライン配線３３に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子３１にドット電極２３ｂが接続されている。図５では、ライン配線３３を少ない本数で模式的に描いてあるが、実際には多数本、例えば２４０本程度が形成される。また、ＴＦＤ素子３１及びドット電極２３ｂはシール材１３の四隅部分に対応するものだけを部分的に示してあるが、実際には、シール材１３によって囲まれる領域内の全域に設けられる。また、ＴＦＤ素子３１及びドット電極２３ｂは、模式的に大きく描かれているため、数が少ないように描かれているが、実際には図５の縦方向、すなわち上下方向の１列に、それぞれ、例えば３２０個程度形成されている。つまり、ドット電極２３ｂは、例えば、縦×横＝３２０×２４０個の数だけ設けられている。
【００４５】
図１において、素子基板１２に対向するカラーフィルタ基板１１に設けられる複数の線状電極２３ａは、図６に示すように、全体としてストライプ状に形成されている。これらの線状電極２３ａは、図４に示すように、カラーフィルタ基板１１と素子基板１２とをシール材１３によって貼り合わせたとき、ライン配線３３と直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数のドット電極２３ｂに平面的に重なり合う。このように、線状電極２３ａとドット電極２３ｂとが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示ドット領域を構成する。この表示ドット領域は図１および図２において符号Ｄで示す領域である。複数の表示ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が表示領域Ｖである。この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００４６】
図５において、素子基板１２を構成する第２基材１６ｂの張出し部２９上に実装される駆動用ＩＣ３は、走査信号を出力する駆動用ＩＣ３ａと、データ信号を出力する駆動用ＩＣ３ｂとによって構成されている。第２基材１６ｂの第１辺１６ｃすなわち入力側の辺には外部接続用端子４４が形成され、これらの端子４４は駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力用端子、例えば入力用バンプにつながる。
【００４７】
外部接続端子４４には、図示しない配線基板、例えば可撓性配線基板が、ハンダ付け、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）、ヒートシール等といった導電接続手法によって接続される。この配線基板を介して、電子機器、例えば携帯電話機、携帯情報端末機から液晶表示装置１へ信号、電力等が供給される。
【００４８】
また、この第１辺１６ｃに隣接する２つの辺１６ｄ及び１６ｅの近傍に、それらの辺に沿って複数の配線４９が形成されている。これらの配線４９は、駆動用ＩＣ３ａの出力用端子、例えば出力用バンプからシール材１３を横切り、さらに、第１辺１６ｃに対向する第２辺１６ｆへ向かって延びている連続した配線である。各配線４９は、２つの辺１６ｄ及び１６ｅのそれぞれに平行な本線部分４９ａと、それに対してシール材１３の外側へ向けてほぼ９０°で折れ曲がる部分４９ｂとによって構成されている。また、素子基板１２上に形成されたライン配線３３は、シール材１３を横切って駆動用ＩＣ３ｂの出力端子、例えば出力バンプに接続される。
【００４９】
図２において、反射層１８には個々の表示ドット領域Ｄに対応して開口４６が設けられる。これらの開口４６は、矢印Ａの方向から平面的に見て長方形状に形成されている。本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色要素１９を用いてカラー表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色要素１９に対応する３つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５０】
図２において、個々の表示ドット領域Ｄの中で反射層１８が設けられた部分Ｒが反射部であり、開口４６が形成された部分Ｔが透過部である。観察側から入射した外部光、すなわち素子基板１２側から入射した外部光Ｌ０は、反射部Ｒで反射する。一方、図１の照明装置４の導光体７から出射した光Ｌ１は、透過部Ｔを透過する。
【００５１】
以下、本実施形態の液晶表示装置１について、その動作を説明する。図２において、太陽光、室内光等といった外部光が強い場合は、外部光Ｌ０が反射部Ｒで反射して液晶層１４へ供給される。これにより、反射型表示が行われる。一方、図１の照明装置４が点灯した場合は、導光体７から出射する平面状の光が、図２の透過部Ｔを通して液晶層１４へ供給される。これにより、透過型表示が行われる。このような反射型表示及び透過型表示を希望に応じて選択して実行することにより、半透過反射型の表示が行われる。
【００５２】
液晶層１４を挟持する線状電極２３ａ及びドット電極２３ｂの一方、本実施形態では線状電極２３ａに走査信号が印加される。一方、線状電極２３ａ及びドット電極２３ｂの他方、本実施形態ではドット電極２３ｂにデータ信号が印加される。走査信号とデータ信号が印加された表示ドット領域Ｄに付属するＴＦＤ素子３１はＯＮ状態となり、当該表示ドット領域Ｄにおける液晶分子の配向状態が該表示ドット領域Ｄを通過する光を変調するように維持される。そして、この変調された光が図１の偏光板２７ｂを通過するか、しないかによって、素子基板１２の外側に、文字、数字、図形等といった希望の像が表示される。外部光Ｌ０を用いて表示が行われる場合が反射型表示であり、透過光Ｌ１を用いて表示が行われる場合が透過型表示である。
【００５３】
本実施形態に係る液晶表示装置においては、図５において、配線４９は、シール材１３の内側に位置する部分、すなわち内側配線４９ｃとシール材１３の外側に位置する部分、すなわち外側配線４９ｄとを有する。また、ライン配線３３も、シール材１３の内側に位置する部分である内側配線３３ｃと、シール材１３の外側に位置する部分である外側配線３３ｄとを有する。なお、シール材１３と重なる部分の配線は内側配線である。
【００５４】
外側配線３３ｄ、４９ｄと内側配線３３ｃ、４９ｃとは継ぎ目のない連続した１本の配線を形成している。仮に、外側配線と内側配線とが別々の配線であって、それらが導通材によって導電接続されるような構成を考えると、その導電接続部分において接続不良が発生する可能性がある。これに対し、外側配線と内側配線とが１本の配線となっていれば、そのような接続不良の心配がない。
【００５５】
図７は、図５において矢印Ｂで示す領域を拡大して示している。図７に示すように、内側配線４９ｃの折れ曲がり部４９ｂの先端には導通用パッド４８が形成されている。本線部分４９ａにおいては線幅及び配線間隔は比較的狭い。他方、折れ曲がり部４９ｂおよび導通用パッド部４８においては、本線部分４９ａに比べて線幅は広くなっている。
【００５６】
図４において、シール材１３の内部には、球形又は円筒形の導通材５４が不規則な分散状態で含まれている。図５に示す素子基板１２と図６に示すカラーフィルタ基板１１とを図４に示すように貼り合わせたとき、素子基板１２側の導通パッド４８（図７参照）と、カラーフィルタ基板１１側の線状電極２３ａの端部とが導通材５４によって導通される。これにより、カラーフィルタ基板１１側の電極２３ａが素子基板１２側の配線４９を通して駆動用ＩＣ３ａに電気的に接続される。
【００５７】
なお、線状電極２３ａと配線４９との導通は、図４の左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。しかしながら、これに代えて、表示領域Ｖの上半分に関しては左辺側又は右辺側の一方で導通を行い、表示領域Ｖの下半分に関しては左辺側又は右辺側の他方で導通を行うという駆動方法を採用することもできる。
【００５８】
図８は、図５において矢印Ｃで示す領域を拡大して示している。つまり、図８は、図７に示した配線構造の他端側の構造を示している。図８に示すように、シール材１３の外側に配設される複数の外側配線４９ｄのそれぞれの端部にはＩＣ接続用端子４７が形成されている。これらのＩＣ接続用端子４７には、図１の素子基板１２の張出し部２９上において、駆動用ＩＣ３が、例えば、ＡＣＦ５３によって実装される。
【００５９】
ＡＣＦ５３は、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂の内部に導電粒子を分散することによって形成されている。駆動用ＩＣ３の本体部分は熱硬化性樹脂等によって基板の張出し部２９上に固着される。また、駆動用ＩＣ３の出力バンプとＩＣ接続用端子４７とが、さらには、駆動用ＩＣ３の入力バンプと外部接続用端子４４とが、ＡＣＦ５３に含まれる導電粒子によって導電接続される。
【００６０】
図９（ａ）は、図８のＥ−Ｅ線に沿った配線４９の断面、すなわち、図５の外側配線４９ｄの断面を示している。この外側配線４９ｄは、第２基材１６ｂの上に耐蝕性材料としてのＴａＷによって第１層４２を形成し、その上に絶縁材料としてのＴａＯｘ（酸化タンタル）によって第２層４３を形成した積層構造を有している。外側配線４９ｄは、シール材１３の外側に位置しているので、内側配線４９ｃに比べて水分やよごれが付着し易い。つまり、外側配線４９ｄは内側配線４９ｃに比べて腐蝕し易い環境下にある。
【００６１】
ところで、配線抵抗を下げることを念頭に置くと、配線の材料としては、低抵抗材料、例えばＣｒが好適に用いられる。しかし、Ｃｒは水分や汚れによって腐蝕を生じ易い。配線に腐蝕が生じた場合、配線の抵抗値が変化したり配線が断線したりすることにより、液晶表示装置の表示部に表示むらが生じるおそれがある。このことに関連して、本実施形態においては、外側配線４９ｄを耐蝕性材料であるＴａＷおよび同じく耐蝕性材料であるＴａＯｘの積層構造にした。これにより、外側配線４９ｄはＣｒ等といった低抵抗材料を用いた場合に比べて腐蝕し難くなる。その結果、液晶表示装置の表示部に表示むらが生じることを抑えることができる。
【００６２】
次に、図８において、内側配線４９ｃは、その側面に、第２層４３がある部分と第２層４３が無い部分Ｘとを有する。Ｆ−Ｆ線で示す部分は第２層４３がある部分であり、Ｈ−Ｈ線で示す部分は第２層４３が無い部分Ｘである。第２層４３が無い部分Ｘは図７にＩ−Ｉ線で示す折れ曲り部分４９ｂにも形成されている。
【００６３】
図９（ｂ）は、図８のＦ−Ｆ線に沿って内側配線４９ｃの第２層４３がある部分の断面を示している。この部分の内側配線４９ｃは、外側配線と同じ積層構造、すなわち、第１層４２および第２層４３の上に、さらに低抵抗材料としてのＣｒによって第３層４１を形成した積層構造である。内側配線４９ｃは、シール材１３の内側にあるので水分や汚れの影響を受けない。そのため、内側配線４９ｃは、低抵抗材料であるＣｒを用いて配線を形成しても腐蝕し難い。そして、このようにＣｒを用いれば、内側配線４９ｃの、ひいては、配線４９全体の抵抗を低くすることができる。
【００６４】
上記内側配線４９ｃおよび外側配線４９ｄは、素子基板１２上に図３のＴＦＤ素子３１を形成する際に同時に形成することができる。すなわち、図３において、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６を形成するのと同時に第１層４２を形成し、ＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７を形成するのと同時に第２層４３を形成する。さらに、ＴＦＤ素子３１の第２金属３８を形成するのと同時に第３層４１を形成することができる。
【００６５】
図１０（ａ）は図８のＨ−Ｈ線および図７のＩ−Ｉ線に沿って第２層４３が無い部分Ｘの断面を示している。内側配線４９ｃのこれらの部分においては、配線の側面にある第２層４３をエッチングによって除去する。このときのエッチングは、第２層４３を除去して第１層４２の表面を露出させるようなエッチングであっても良いし、あるいは、第２層４３と共に第１層４２の表面部分を掘り下げるようなエッチングであっても良い。第１層４２の表面部分も掘り下げるようなエッチングを行った場合には、図１０（ａ）に破線Ｑで示すように、第１層４２にその他の部分の側面よりもテーパ角θが小さい緩やかなテーパ面が第１層４２の側面に形成される。
【００６６】
エッチングによって露出した第１層４２の側面部分は、第３層４１に対する接触面５１を構成する。この接触面５１において第１層４２と第３層４１とが直接に接触する。その結果、配線抵抗を確実に低くすることができ、液晶表示装置の表示部に表示むらが生じるのを防止できる。また、接触面５１をテーパ面とすることにより、接触面積を大きくとることができ、この場合には配線抵抗を低くできる確実性をより一層高めることができる。
【００６７】
図１０（ｂ）は図８のＬ−Ｌ線および図７のＫ−Ｋ線に沿ってＩＣ接続用端子４７および導通用パッド４８の断面構造を示している。これらのＩＣ接続用端子４７および導通用パッド４８においては、第３層４１を形成する前にエッチングによって導電用の穴、すなわち、コンタクトホール５２を形成する。図１０（ｂ）において、コンタクトホール５２の内周面においては第１層４２が外部へ露出しており、この露出面が第３層４１に対する接触面５１を構成する。このようにして形成された接触面５１において、第３層４１と第１層４２とが直接に接触する。その結果、配線抵抗を低くすることができ、液晶表示部に表示むらが生じ難くなる。また、接触面５１をテーパ面とすることにより、接触面積を大きくとることができ、配線抵抗をより低くすることができる。
【００６８】
図５に示す配線４９の本線部分４９ａおよび折曲り部分４９ｂに関しては、その配線の幅が非常に狭い。そのため、配線の内部領域にコンタクトホールを形成することが非常に難しい。しかし、図８のＩＣ接続用端子４７および図７の導通パッド４８は、他の配線部分に比べて配線幅が広くなっている。従って、複数のコンタクトホール５２または大きなコンタクトホール５２を無理なく設けることができる。これにより、第３層４１と第１層４２との接触部５１の面積を大きくとることができ、その結果、配線抵抗をより低くすることができる。
【００６９】
図１に示すように、ＩＣ接続用端子４７は第２基材１６ｂと駆動用ＩＣ３によって両側から挟まれている。また、図７から理解されるように、導通用パッド４８は第２基材１６ｂとシール材１３によって両側から挟まれている。これらのため、ＩＣ接続用端子４７および導通用パッド４８にコンタクトホール５２を設けるようにすれば、両側から挟まれたときの挟持力の作用により、第１層４２と第３層４１とを確実に接触させることができる。
【００７０】
図８のＩＣ接続用端子４７および図７の導通パッド４８は、図１０（ｂ）に示すように、第３層４１の上にＩＴＯ膜４５をさらに有する。ＩＴＯ膜４５を設けることにより、駆動用ＩＣ３の接続に用いるＡＣＦ５３に含まれる導通材との間において、良好な電気的接続を得ることができる。また同様に、図４において素子基板１２とカラーフィルタ基板１１との間で電気的な導通をとるための導通材５４との間においても、良好な電気的接続を得ることができる。
【００７１】
図１０（ａ）において配線側面に施されるエッチングおよび図１０（ｂ）に示すコンタクトホール５２を形成するためのエッチングは、素子基板１２上に図３のＴＦＤ素子３１を形成する際に同時に行うことができる。図３のＴＦＤ素子３１を形成する際には、例えば、第１金属３６を、当初、ライン配線３３の第１層４２につながる形状に形成しておいて、第１層４２を通して第１金属３６へ電流を流して陽極酸化処理を行って第１層４２上および第１金属３６上に陽極酸化膜、すなわち絶縁膜３７を形成する。
【００７２】
そしてその後、ライン配線３３の第１層４２および第２層４３の積層部分と、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６および絶縁膜３７の積層部分とをエッチングによって分離する。そして、分離した絶縁膜３７の上に第２金属３８を積層する。図１０（ｂ）のコンタクトホール５２のためのエッチングや、図１０（ａ）の配線側面に施すエッチングは、上記のＴＦＤ素子３１を形成する際に行う、第１金属３６および絶縁膜３７を分離するためのエッチングと同時に行うことができる。
【００７３】
本実施形態においては、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、第１層４２と第３層４１とが直接に接触する接触面５１はテーパ面とした。この接触面５１におけるテーパ角θは、基材１６ｂの上面、すなわち、基材１６ｂにおいて配線を形成する面と第２層４２の接触面５１とがなす角度である。図１１（ａ）は、テーパ角θが９０°以上である場合における図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す接触面５１付近の断面を示している。また、図１１（ｂ）は、テーパ角θが０°＜θ＜９０°である場合における図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す接触面５１付近の断面を示している。
【００７４】
なお、図１１（ａ）および（ｂ）には、第１層４２が第２基材１６ｂから剥れるのを防止する等のために下地層４０を設けても良い。ただし、この下地層４０は場合によっては設けなくても良いので、図９および図１０ではその図示を省略している。この下地層４０は、例えば第２層４３と同じＴａＯｘを用いて形成する。
【００７５】
本実施形態において、テーパ角θは０°＜θ＜９０°の範囲内に設けるようにした。図１１（ａ）に示すように、仮に、内側配線４９ｃにおいてテーパ角θが９０°以上であった場合、第１層４２に対して第２層４３が張り出す形状になる。このような形状の第２層４３上に第３層４１を形成すると、図１１（ａ）に矢印Ｎで示した部分、すなわち第２層４３が張り出している部分の角部において、第３層４１が切れてしまうおそれがある。こうなると、第２層４２と第３層４１との間で電気的な導通が得られなくなるおそれがある。
【００７６】
一方、テーパ角θが０°＜θ＜９０°であれば、図１１（ｂ）に示すように第２層４３に対して第１層４２が張り出す形状になる。つまり、接触面５１における第１層４２はなだらかなテーパ形状になる。このような形状であれば、第１層４２と第２層４３との間において連続した第３層４１を形成できるので、第１層の耐蝕性材料と第３層の低抵抗材料とが確実に接触できる。従って、第１層４２と第３層４１とが電気的に良好に導通する。
【００７７】
以上、図５、図７、図８、図９、図１０、および図１１を用いて説明した配線４９についての構造は、図５のライン配線３３に対しても適用できる。すなわち、ライン配線３３の外側配線３３ｄは、図９（ａ）に示すように、耐蝕性材料である第１層４２の上に、同じく耐蝕性材料である第２層４３を積層して構成できる。外側配線３３ｄを耐蝕性材料で形成すれば、配線が腐蝕することを防止できる。
【００７８】
また、図５のライン配線３３の内側配線３３ｃについては、図９（ｂ）および図１０（ａ）に示すように、第１層４２および第２層４３の上に、低抵抗材料である第３層４１を積層する。これにより、配線抵抗を低くすることができる。
【００７９】
また、ライン配線３３の内側配線３３ｃについては、図９（ｂ）に示すように第１層４２の表面全部に第２層４３が有る部分と、図１０（ａ）に示すように、第１層４２の側面に第２層４３が無くて、第１層４２と第３層４１とが直接に接触する部分との、２つの部分が設けられる。第２層４３が無くて第１層４２と第３層４１とが直接に接触する部分を設けたことにより、第１層４２と第３層４１との電気的な接続を確実に確保することができる。
【００８０】
さらに、ライン配線３３に関しても、図８に示すように、その先端にＩＣ接続用端子４７を設けることができ、さらに、そのＩＣ接続用端子４７の内部にコンタクトホール５２を設けることができる。そして、図１０（ｂ）に示すように、そのコンタクトホール５２を通して第１層４２と第３層４１との間の導通を達成することができる。こうすれば、第１層４２と第３層４１との電気的な接続を、より一層、確実に確保することができる。
【００８１】
また、内側配線３３ｃにおいても、第１層４２と第３層４１とが直接に接触する部分のテーパ角θは０°＜θ＜９０°の範囲内に設けるようにした。このテーパ角θの範囲は、ＩＣ接続用端子４７およびコンタクトホール５２においても同じである。テーパ角θが０°＜θ＜９０°であれば、図１１（ｂ）に示すように第２層４３に対して第１層４２が張り出す形状になる。このような形状であれば、第１層４２と第２層４３との間において連続した第３層４１を形成できる。従って、第１層４２と第３層４１との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００８２】
（変形例）
上記の実施形態では、図１０（ａ）に示す配線側面の接触面５１は、図５に示す配線３３および４９の両側面の互いに対向する位置にそれぞれ設けた（図７および図８の符号Ｘ参照）。しかしながら、この配線側面の接触面５１は、配線の片側面だけに設けたり、配線の両側面であって配線の延在方向に沿って互い違いの位置に設けることができる。
【００８３】
また、上記の実施形態では、図９において、配線３３および４９の第１層４２をＴａＷを用いて形成した。これに代え、第１層４２は、耐蝕性を有する他の材料、例えば、ＴａまたはＴａＷ以外のＴａ合金等を用いることもできる。
【００８４】
また、上記の実施形態では、図９（ｂ）において、内側配線３３ｃ、４９ｃの第３層４１にＣｒを用いた。これに代え、第３層４１は、低抵抗である他の材料、例えば、Ｍｏ、ＡｌまたはＴｉ等を用いて形成できる。
【００８５】
また、上記実施形態では、ＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明は、ＴＦＤ素子以外の２端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、スイッチング素子を用いない単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。
【００８６】
また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display：電界放出表示装置）にも適用できる。
【００８７】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図１に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図１２は、液晶表示装置の製造方法の一例を工程図として示している。図１２において、工程Ｐ１から工程Ｐ５が図１の素子基板１２を形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図１のカラーフィルタ基板１１を形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。
【００８８】
なお、本実施形態の製造方法では、図１に示す素子基板１２およびカラーフィルタ基板１１を１つずつ形成するのではなく、素子基板１２に関しては、複数の素子基板１２を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー基材を用いて複数の素子基板１２を同時に形成する。また、カラーフィルタ基板１１に関しては、複数のカラーフィルタ基板１１を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー基材を用いて複数のカラーフィルタ基板１１を同時に形成する。素子側マザー基材およびカラーフィルタ側マザー基材は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００８９】
まず、図１２の工程Ｐ１において、素子側マザー基材の表面に図３のＴＦＤ素子３１、図５の配線３３および配線４９、ならびに電極２３ｂを形成する。次に、工程Ｐ２において、図２のフォトスペーサ１５をフォトリソグラフィ処理によって形成する。このフォトスペーサ１５は図２の表示用ドット領域Ｄ以外の領域に形成することが望ましい。さらに工程Ｐ３において、配向膜２４ｂを塗布や印刷等によって形成し、工程Ｐ４において、その配向膜２６ｂに配向処理、例えばラビング処理を施す。次に、工程Ｐ５において、例えばエポキシ系の樹脂を材料として印刷等によって図１のシール材１３を形成する。以上により、素子側マザー基材の上に複数の素子基板１２が形成されて素子側マザー基板が形成される。
【００９０】
次に図１２の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー基材の表面上に図２の樹脂層１７の第１層１７ａを、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。この処理の際に、ランダムに分散した多数の凹凸によって形成される凹凸パターンが第１層１７ａの表面に形成される。
【００９１】
その後、図２において、第１層１７ａの上に同じ材料の第２層１７ｂを薄く塗布して、樹脂層１７を形成する。第２層１７ｂを積層するのは、凹部または凸部の表面を滑らかにするためである。次に、図１２の工程Ｐ１２において、図２の反射膜１８を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口４６を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層１７の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された反射膜１８に光が当たって反射する場合には、その反射光は散乱光となる。
【００９２】
次に、工程Ｐ１３において、図２の遮光部材２１を、例えばＣｒを材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１４において、図２の着色要素１９を形成する。着色要素１９については、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図２のオーバーコート層２２を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００９３】
次に、図１２の工程Ｐ１６において、図２の線状電極２３ａをＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図２の配向膜２４ａを形成し、さらに工程Ｐ１８において、配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー基材の上に複数のカラーフィルタ基板１１が形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００９４】
その後、図１２の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００９５】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、工程Ｐ２２において硬化させて両マザー基板を接着する。次に、工程Ｐ２３において、パネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口が外部に露出する。
【００９６】
次に、図１２の工程Ｐ２４において、上記のシール材１３の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００９７】
次に、図１２の工程Ｐ２６において、図１の駆動用ＩＣ３を実装する。次に、工程Ｐ２７において、図１の液晶パネル２に偏光板２７ａおよび２７ｂを貼着によって装着する。さらに工程Ｐ２８において、図１の照明装置４を取り付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００９８】
図１３は、図１２におけるＴＦＤ素子、電極および配線の形成工程Ｐ１の一実施形態を示している。この工程は、図３に示すＴＦＤ素子３１と、図５に示す配線３３および配線４９、ならびに電極２３ｂを製造するための工程である。つまり、本実施形態においては、ＴＦＤ素子３１と配線３３および配線４９は同じ形成工程にて行うこととする。
【００９９】
このＴＦＤ素子、配線および電極の形成工程Ｐ１は、大きく分けて、下地層形成工程Ｑ１、第１金属等の形成工程Ｑ２、絶縁膜等の形成工程Ｑ３、いわゆる素子部分離工程Ｑ４、第２金属等の形成工程Ｑ５、そして電極等の形成工程Ｑ６、の各工程を有している。
【０１００】
下地層形成工程Ｑ１は、図３のＴＦＤ素子３１と基材１６ｂとの間に下地層を形成するための工程であるが、図３では下地層の図示は省略されている。また、第１金属等の形成工程Ｑ２では、図３のＴＦＤ素子３１の第１金属３６を形成すると共に、ライン配線３３および配線４９の第１層４２（すなわち、耐蝕性材料の層）を形成する。また、絶縁膜等の形成工程Ｑ３では、ＴＦＤ素子３１の絶縁膜３７を形成すると共に、ライン配線３３および配線４９の第２層４３（すなわち、絶縁材料の層）を形成する。
【０１０１】
また、素子部分離工程Ｑ４では、ＴＦＤ素子３１の第１金属３６および絶縁膜３７の積層構造をＴＦＤ素子３１の１個分の大きさの島状に分離する。そして同時に、ライン配線３３の内側配線３３ｃの側面の一部または全部および配線４９の内側配線４９ｃの側面の一部または全部をエッチングによって適宜の深さで除去する。さらに、同時に、ライン配線３３および配線４９の内部領域にコンタクトホール５２を形成する。
【０１０２】
また、第２金属等の形成工程Ｑ５では、ＴＦＤ素子３１の第２金属３８を形成すると共に、ライン配線３３および配線４９の第３層４１（すなわち、低抵抗材料の層）を形成する。そして、電極等の形成工程Ｑ６では、ドット電極２３ｂを形成すると共に、ライン配線３３の端子部４７（図８参照）のＩＴＯ膜４５（図１０（ｂ）参照）、配線４９の端子部４７（図８参照）のＩＴＯ膜４５（図１０（ｂ）参照）、および配線４９の導通パッド部４８（図７参照）のＩＴＯ膜４５（図１０（ｂ）参照）を形成する。
【０１０３】
以下、ＴＦＤ素子、配線および電極の形成工程をより具体的に説明する。まず、工程Ｐ３１において、Ｔａ２Ｏ５（五酸化タンタル）をスパッタ処理によって成膜して下地層を形成する。次に、工程Ｐ３２において、ＴａＷをスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３３において、フォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を行う。これにより、非パッド状の第１金属３６を形成する。このとき、図５の配線３３および４９の第１層４２（図９参照）を同時に形成する。なお、レジスト剥離はＨ２ＳＯ４溶液を用いて行う。
【０１０４】
非パッド状の第１金属３６とは、島状でない連続した状態の第１金属３６ということである。図３に示す第１金属３６は個々のドット電極２３ｂに対して１つずつ島状に独立している。このように島状に独立する状態を本明細書ではパッド状という。図１３の第１金属等の形成工程Ｑ２では、パッド状の第１金属３６をいきなり形成するのではなく、複数の島状の第１金属３６が互いに連続する状態の第１金属３６や、ライン配線３３の第１層４２に繋がる状態の第１金属３６が形成される。このとき、互いに連続して線状に延びる第１金属３６や、第１層４２に繋がる第１金属３６が非パッド状の第１金属３６ということである。
【０１０５】
次に、工程Ｐ３４において、陽極酸化処理を行って、図３の絶縁膜３７を形成する。このとき同時に、配線３３および４９の第２層４３（図９参照）を形成する。次に、工程Ｐ３５において、ドライエッチング処理により不要な部分の絶縁膜３７及び第１金属３６を除去し、さらにＨ２ＳＯ４溶液でレジスト膜を剥離して、パッド状の第１金属３６及び絶縁膜３７を形成する。このとき同時に、図８および図７に示す内側配線４９ｃの側面をドライエッチング処理により除去する。また同時に、図８の導通用パッド４８および図７のＩＣ接続用端子４７に、コンタクトホール５２を形成する。
【０１０６】
なお、内側配線３３ｃ、４９ｃの側面およびコンタクトホール５２の内周面は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すようなテーパ形状、すなわちテーパ角θが０°＜θ＜９０°であるような形状とする。これにより、第３層４１との接触面５１を大きくすることができ、配線抵抗を確実に低くすることができる。
【０１０７】
次に、図１３の工程Ｐ３６において、Ｃｒをスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３７において、Ｃｒ膜をフォトエッチング処理によってパターニングして、図３に示す第２金属３８を形成する。また、このとき同時に、配線３３および４９の第３層４１をフォトエッチング処理によって形成する。
【０１０８】
なお、工程Ｐ３６において、第３層４１は配線３３および４９の全体に成膜される。すなわち、シール材１３の外側に位置する外側配線３３ｄおよび４９ｄにも成膜される。しかし、工程Ｐ３７のフォトエッチング処理において、第３層４１をパターニングする際に、シール材１３の外側の第３層４１は除去する。これにより、外側配線３３ｄ、４９ｄは第１層４２と第２層４３から成る２層構造の耐蝕性の配線となる。その結果、仮に外側配線３３ｄおよび４９ｄの上に異物が載った場合であっても、基板上に設けられた複数の配線の間で短絡を起こすことがなく安全である。
【０１０９】
次に、工程Ｐ３８において、ドット電極２３ｂの材料であるＩＴＯをスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３９において、ＩＴＯに対してフォトエッチング処理を行うことにより、電極２３ｂを所定のドット形状に形成する。このとき、導通用パッド４８およびＩＣ接続用端子４７の上にもＩＴＯ膜４５を同時に成形する。
【０１１０】
本実施形態において、工程Ｐ３５で実施するドライエッチング処理においては、エッチングガスとして、例えばＳＦ６（六フッ化硫黄）を使用する。このＳＦ６の流量に対する酸素流量の比（以下、これを酸素流量比という）をパラメータにした場合に、酸素流量比の増加に対して配線３３および４９の第１層４２であるＴａＷは、エッチング速度が遅くなるのでテーパ角θは小さくなる。これに対して、第２層４３であるＴａ２Ｏ５は、エッチング速度が速くなるのでテーパ角θは大きくなる。
【０１１１】
例えば、酸素流量比を小さくした場合、第１層４２であるＴａＷはエッチング速度が速くなり、他方、第２層４３であるＴａ２Ｏ５はエッチング速度が遅くなる。このようなエッチング処理を行うと、図１１（ａ）に示すように、第１層４２のテーパ角θは大きくなるので第２層４３が第１層４２に対して張り出した形状になる。この上に、図１３の工程３６において第３層４１であるＣｒをスパッタ処理によって成膜すると、図１１（ａ）に矢印Ｎで示した部分、すなわち第２層４３が張り出している部分の角部において、第３層４１が切れてしまうおそれがある。このように、角部Ｎにおいて第３層４１が切れてしまうと、第２層４２と第３層４１との間に良好な電気的導通が得られなくなるおそれがある。
【０１１２】
そこで、本実施例では、第１層４２のテーパ角θが０°＜θ＜９０°の範囲内になるように酸素流量比を調節する。すなわち、第２層４３に比べて第１層４２のエッチング速度が遅くなるように、酸素流量比を選択する。こうすることにより、図１１（ｂ）に示すようにテーパ角θが小さくなるので、第１層４２になだらかなテーパ形状が得られる。この上に、図１３の工程３６において第３層４１の材料であるＣｒをスパッタ処理によって成膜すると、第１層４２の端面と第２層４３の端面との間にわたって連続した第３層４１を形成できる。これにより、図１１（ａ）に示すような第３層４１（すなわちＣｒ層）のカバレッジ不良および切れを防ぎ、第１層４２と第３層４１との間に良好な電気的導通を得ることができる。
【０１１３】
（変形例）
上記の実施形態において、図１０（ａ）に示す配線側面の接触面５１は、図５に示す内側配線３３ｃおよび４９ｃの第２層４３をエッチングにより除去することで形成した。そして接触面５１は、内側配線３３ｃおよび４９ｃの両側面の互いに対向する位置に形成した。しかしながら、この接触面５１は、内側配線３３ｃおよび４９ｃの片側面だけに形成したり、内側配線３３ｃおよび４９ｃの両側面であって配線の延在方向に沿って互い違いの位置に形成することもできる。
【０１１４】
また、上記の実施形態では、配線３３および４９の第１層４２をＴａＷを用いて形成した。これに代え、第１層４２は、耐蝕性を有する他の材料、例えば、ＴａまたはＴａＷ以外のＴａ合金等を用いることもできる。
【０１１５】
また、上記の実施形態では、内側配線３３ｃおよび４９ｃの第３層４１としてＣｒを用いた。これに代え、第３層４１は、低抵抗である他の材料、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、またはＴｉ等を用いることもできる。
【０１１６】
（電子機器の実施形態）
次に、本発明に係る電子機器の実施形態を図面を用いて説明する。図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態のブロック図を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１と、これを制御する制御回路８０とを有する。液晶表示装置１は、液晶パネル８１と、半導体ＩＣ等で構成される駆動回路８２とを有する。この液晶表示装置１は、図１に示した液晶表示装置１によって構成される。また、制御回路８０は、表示情報出力源８３と、表示情報処理回路８４と、電源回路８６と、タイミングジェネレータ８７とを有する。
【０１１７】
表示情報出力源８３は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等から成るメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等から成るストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを有する。この表示情報出力源８３は、タイミングジェネレータ８７によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路８４に供給する。
【０１１８】
表示情報処理回路８４は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路８２へ供給する。駆動回路８２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路８６は、上記の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１１９】
図１６は、本発明を電子機器の一例である携帯電話機に適用した場合の一実施形態を示している。ここに示す携帯電話機７０は、本体部７１と、これに開閉可能に設けられた表示体部７２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置７３は、表示体部７２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部７２にて表示画面７４によって視認できる。本実施形態では、表示装置７３を図１の液晶表示装置１によって構成する。本体部７１には操作ボタン７６が配列されている。
【０１２０】
表示体部７２の一端部からアンテナ７７が伸縮自在に取付けられている。表示体部７２の上部に設けられた受話部７８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部７１の下端部に設けられた送話部７９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置７３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部７１又は表示体部７２の内部に格納される。
【０１２１】
図１７は、電子機器の他の一例である携帯情報機器に本発明を適用した場合の実施形態を示している。ここに示す携帯情報機器９０は、タッチパネルを備えた情報機器であり、電気光学装置としての液晶表示装置９１を搭載している。この液晶表示装置９１は図１の液晶表示装置１によって構成される。この情報機器９０は、液晶表示装置９１の表示面によって構成される表示領域Ｖと、その表示領域Ｖの下方に位置する第１入力領域Ｗ１とを有する。第１入力領域Ｗ１には入力用シート９２が配置されている。
【０１２２】
液晶表示装置９１は、長方形状又は正方形状の液晶パネルと、同じく長方形状又は正方形状のタッチパネルとが平面的に重なり合う構造を有する。タッチパネルは入力用パネルとして機能する。タッチパネルは、液晶パネルよりも大きく、この液晶パネルの一端部から突き出した形状となっている。
【０１２３】
表示領域Ｖ及び第１入力領域Ｗ１にはタッチパネルが配置されており、表示領域Ｖに対応する領域も、第１入力領域Ｗ１と同様に入力操作可能な第２入力領域Ｗ２として機能する。タッチパネルは、液晶パネル側に位置する第２面とこれと対向する第１面とを有しており、第１面の第１入力領域Ｗ１に相当する位置に入力用シート９２が貼られている。
【０１２４】
入力用シート９２にはアイコン９３及び手書き文字認識領域Ｗ３を識別するための枠が印刷されている。第１入力領域Ｗ１においては、入力用シート９２を介してタッチパネルの第１面に指やペン等といった入力器具で荷重をかけることにより、アイコン９３の選択や文字認識領域Ｗ３での文字入力等といったデータ入力を行うことができる。
【０１２５】
一方、第２入力領域Ｗ２においては、液晶パネルの像を観察することができるほか、液晶パネルに例えば入力モード画面を表示させ、タッチパネルの第１面に指やペンで荷重をかけることにより、その入力モード画面内の適宜の位置を指定することができ、これにより、データ入力等を行うことができる。
【０１２６】
（変形例）
本発明に係る電子機器としては、以上に説明した携帯電話機や携帯情報機器の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、デジタルスチルカメラ、腕時計、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、その他各種の機器が考えられる。
【実施例１】
【０１２７】
図１３の工程Ｐ３５において、酸素流量比が０．１１になるようにエッチングガスの流量に対する酸素の流量を調節してドライエッチング処理を行い、図１０（ａ）に示すように、第２層４３の両側面部分を除去し、さらに第１層４２の両側面部分をテーパ角θのテーパ形状に残した。その後、工程Ｐ３６において第３層４１の材料をスパッタ処理によって一様な厚さで成膜し、さらに工程Ｐ３７でパターニングして第３層４１を形成した。このときの第３層４１の形成状態と、第１層４２と第３層４１との間の電気的導通の状態との関係を調べた。なお、第１層４２にはＴａＷを、第２層４３にはＴａ２Ｏ５を、そして第３層４１にはＣｒをそれぞれ用いた。また、エッチングガスにはＳＦ６を用いた。
【０１２８】
以上の実験から次の結果が得られた。
（１）図１１（ａ）に示すように第１層４２のテーパ角θが大きくなり、第２層４３が第１層４２に対して張り出した形状になった。
（２）図１１（ａ）に矢印Ｎで示した部分（すなわち、第１層４２の端面と第２層４３の端面との接合部分）において、第３層４１が切れてしまった。
（３）第１層４２と第３層４１との間で良好な電気的導通が得られなかった。
【実施例２】
【０１２９】
図１３の工程Ｐ３５において、酸素流量比が０．２７になるようにエッチングガスの流量に対する酸素の流量を調節してドライエッチング処理を行い、図１０（ａ）に示すように、第２層４３の両側面部分を除去し、さらに第１層４２の両側面部分をテーパ形状に残した。その後、工程Ｐ３６において第３層４１の材料をスパッタ処理によって一様な厚さで成膜し、さらに工程Ｐ３７でパターニングして第３層４１を形成した。このときの第３層４１の形成状態と、第１層４２と第３層４１との間の電気的導通の状態との関係を調べた。なお、第１層４２にはＴａＷを、第２層４３にはＴａ２Ｏ５を、そして第３層４１にはＣｒをそれぞれ用いた。また、エッチングガスにはＳＦ６を用いた。
【０１３０】
以上の実験から次の結果が得られた。
（１）図１１（ｂ）に示すように、第１層４２のテーパ角θが小さくなり、第１層４２が第２層４３に対して張り出した形状になった。
（２）図１１（ｂ）に示したように、第１層４２と第２層４３とにわたって連続した第３層４１が形成できた。
（３）第１層４２と第３層４１との間で良好な電気的導通が得られた。
【実施例３】
【０１３１】
図１３の工程Ｐ３５において、酸素流量比を変化させてドライエッチング処理を行った。このときの、酸素流量比と第１層４２のテーパ角θとの関係、および酸素流量比と第２層４３のテーパ角θ０との関係を調べた。なお、第１層４２にはＴａＷを、第２層４３にはＴａ２Ｏ５をそれぞれ用いた。また、エッチングガスにはＳＦ６を用いた。
【０１３２】
その結果、図１４のグラフが得られた。以上の実験結果から次のことがわかった。
（１）酸素流量比０．１１においては、第１層４２のテーパ角θの方が第２層４３のテーパ角θ０よりも大きくなった。そして、実施例１と同様に第１層４２の端面と第２層４３の端面との接合部分において第３層４１が切れてしまった。その結果、第１層４２と第３層４１との間で良好な電気的導通が得られなかった。
（２）酸素流量比０．２７においては、第１層４２のテーパ角θの方が第２層４３のテーパ角θ０よりも小さくなった。そして、実施例２と同様に第１層４２と第２層４３とにわたって連続した第３層４１が形成できた。その結果、第１層４２と第３層４１との間で良好な電気的導通が得られた。
（３）図１４のグラフから判断して、酸素流量比は、第１層４２のテーパ角θの変化を示す線と第２層４３のテーパ角θ０の変化を示す線とが交わる点の値以上、すなわち、約０．１８以上にすることが望ましいと思われる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】図１の要部を拡大して示す断面図である。
【図３】図１の装置で用いられるスイッチング素子の一例を示す斜視図である。
【図４】図１の矢印Ａに従った液晶表示装置の平面図である。
【図５】図１の矢印Ａに従って素子基板を示す平面図である。
【図６】図１の矢印Ａに従ってカラーフィルタ基板を示す平面図である。
【図７】図５の矢印Ｂで示す部分を拡大して示す平面図である。
【図８】図５の矢印Ｃで示す部分を拡大して示す平面図である。
【図９】（ａ）は図８のＥ−Ｅ線に従った断面図であり、（ｂ）は図８のＦ−Ｆ線に従った断面図である。
【図１０】（ａ）は図８のＨ−Ｈ線および図７のＩ−Ｉ線に従った断面図であり、（ｂ）は図８のＬ−Ｌ線および図７のＫ−Ｋ線に従った断面図である。
【図１１】内側配線の断面形状の一例を示す断面図であって、（ａ）はθ≧９０°の場合を示し、（ｂ）は０°＜θ＜９０°の場合を示している。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１３】図１２の主要工程の内容の一例を示す工程図である。
【図１４】本発明に係る電気光学装置に用いる配線に関する実験結果を示すグラフである。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル、  ３ａ，３ｂ．駆動用ＩＣ、  ４．照明装置、  ６．光源、  ７．導光体、  １１．カラーフィルタ基板、  
１２．素子基板、  １３．シール材、１４．液晶、  １５．フォトスペーサ、  
１６ａ、１６ｂ．基材  １７ａ、１７ｂ．樹脂層、  １８．反射層  １９．着色要素、
２１．遮光部材  ２２．オーバーコート層、  ２３ａ．線状電極、  
２３ｂ．ドット電極、  ２４ａ，２４ｂ．配向膜、  ２６ａ，２６ｂ．位相差板、
２７ａ，２７ｂ．偏光板、  ２９．張り出し部  ３１．ＴＦＤ素子、
３３．ライン配線、  ３３ｃ．ライン配線の内側配線、  
３３ｄ．ライン配線の外側配線、  ３６．第１金属、  ３７．絶縁膜、  
３８．第２金属、  ４９、配線、  ４９ｃ．内側配線、  ４９ｄ．外側配線、  
４１．第３層（低抵抗材料）、  ４２．第１層（耐蝕性材料）、  
４３．第２層（絶縁材料）、  ４４．外部接続用端子、  
４５．ＩＴＯ膜、  ４７．ＩＣ接続用端子、  ４８．導通用パッド、  
４９ａ、本線部分、  ４９ｂ．折れ曲り部、  ５１．接触面（テーパ面）、
５２．コンタクトホール、  ５３．異方性導電膜、  ５４．導通材、  
７０．携帯電話機（電子機器）、  ７３．液晶表示装置、  
９０．携帯情報機器（電子機器）、  ９１．液晶表示装置、  
Ｄ．表示ドット領域、Ｌ０．外部光、  Ｌ１．透過光、  Ｒ．反射部、  Ｔ．透過部、  
Ｖ．表示領域、  θ．テーパ角
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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