(57)【要約】【課題】ＴＡＢテープの銅配線パターンを、５μｍ〜３０μｍの微細ピッチとすることを目標としてエッチング加工する際、銅配線幅の細りを抑制した直線性の優れた加工制御を可能とする。【解決手段】二層テープ又は三層テープを用い、その銅層の上にフォトレジストを塗布したのち、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の各工程を経て配線パターンを形成し、これに半導体素子をフリップチップ接合するためのＳｎめっきを施す工程を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記エッチング工程で、配線ピッチが５μｍ〜３０μｍの微細ピッチの配線パターンを形成すべく、上記二層テープ又は三層テープのフォトレジストパターン面を、エッチング槽７内に満たされたテープ搬送方向とは逆向きに流動するエッチング液４中に通過させる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ基材に接着剤層なしで銅層を設けた二層テープ又は少量の接着剤層を介して銅層を設けた三層テープを用い、その銅層の上にフォトレジストを塗布したのち、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の各工程を経て配線パターンを形成し、これに半導体素子をフリップチップ接合するためのめっきを施す工程を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記エッチング工程で、配線ピッチが５μｍ〜３０μｍの微細ピッチの配線パターンを形成すべく、上記二層テープ又は三層テープのフォトレジストパターン面を、エッチング槽内に満たされたテープ搬送方向とは逆向きに流動するエッチング液中に通過させることを特徴とする半導体装置テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記テープ搬送方向とは逆向きの流動を、エッチング液中に配設した上記テープ搬送方向とは逆向きのスリットノズルにより生じさせることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記エッチング槽内を搬送される上記二層テープ又は三層テープの上方に配設したスプレーノズルからエッチング液を上記フォトレジストパターン面に吹き付けることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記スリットノズルの噴出し圧力を２．０ｋｇｆ／cm2以下とすることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記二層テープ又は三層テープの銅層の厚さが０．２μｍ〜１２μｍであることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記三層テープを構成する接着材が、ガラス転移温度１８０℃以上の耐熱性を有し、且つ４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上であることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法におけるエッチング工程を実施するためのエッチング処理装置において、
エッチング槽内のテープ搬送方向下流側にテープ搬送方向とは逆向きの流動を生じさせるスリットノズルを配設し、エッチング槽内を搬送されるテープの上方に、搬送されるテープのフォトレジストパターン面にエッチング液を吹き付けるスプレーノズルを配設したことを特徴とするエッチング処理装置。
【請求項８】
請求項７記載のエッチング処理装置において、
エッチング槽内のテープ搬送方向上流側に、エッチング液排出口を設け、ここから排出されるエッチング液を戻り配管を経由して上記スリットノズルに循環させたことを特徴とするエッチング処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性テープ基材上に設けた導体層をエッチングして配線パターンを形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法及びエッチング装置、特にＣＯＦと称する折り曲げ性を有するテープキャリアの製造方法およびそのエッチング処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、テープ状絶縁フィルム上に所望の配線パターンを形成し、めっき後チップと接合するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  ＦｉｌｍまたはＣｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｌｅｘ）と称される折り曲げ性を有するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープキャリアが注目されている。
【０００３】
このＣＯＦテープは、ポリイミドテープから成るテープ基材に銅箔をメタライジング法（ＰＩテープ上にニッケル合金をスパッタリングしてシード層とし、その後銅めっきを施す製法）又はキャスティング法（銅箔にＰＩワニスを塗布しキュアにより硬化させる方法）で接合した二層基板材料（二層ＣＯＦテープ）を用い、その銅箔をエッチングすることにより銅リードを含む配線パターンを形成した後、銅リードの表面の一部をソルダーレジストにより被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリードに錫めっきを施して製造される。この錫めっきはＩＣチップ及び液晶ガラスとの接続の為に施され、またソルダーレジストは絶縁と機械的強度向上の為に設けられる。
【０００４】
ＣＯＦテープでは、デバイスホールやフライングリードがなく、銅箔による銅リード及びインナーリードを含む微細配線（配線パターン）はポリイミドフィルム（テープ基材）に接合された状態で形成される。従って、インナーリードの変形は無く、また銅箔は薄いので４０μｍピッチ以下の超微細配線が可能になる。
【０００５】
上記配線パターンの形成は、通常次のようにして行われる。すなわち銅箔の上面にフォトレジストを全面に塗布して、このフォトレジストをフォトレジストマスクを使用して所望のパターン形状に紫外線により露光し、この露光されたフォトレジスト部分を現像液によって溶解除去する。このフォトレジストで覆われていない銅箔部分を、ノズルによるシャワーエッチングにより酸で化学的に溶解（エッチング）して除去するとともに、フォトレジストをアルカリ液にて溶解除去することによって絶縁フィルム上に残った銅箔により所望の配線パターンを形成する。
【０００６】
ところが、キャリアテープのパターンは、最近ますます微細化が要求される。このため、キャリアテープ加工用のエッチング装置では、より狭いリード間隔をより深くエッチングできる能力、すなわち、より向上したエッチングファクターを有する装置が必要とされる。
【０００７】
エッチング装置のエッチングファクターは、エッチング液温度、エッチング液供給量、スプレー圧、スプレーノズル間隔や高さ及びフィルムキャリアテープ搬送速度等の条件に依存する。これらのエッチングファクターを最適に調整することにより微細エッチングが可能となる。
【０００８】
しかし、銅箔をエッチングする部分が窪みとなっていることから、従来行われて来たエッチング方法では、エッチングの微細化に限界が見えはじめている。すなわち、エッチング処理槽において、フィルムキャリアテープのエッチング部分の窪みにエッチング液が溜まると、上部からエッチング液をスプレーしても、新しいエッチング液はこの窪みの底のエッチングされるべき銅箔部分に到達せず、エッチング部分におけるエッチング液の物質移動が円滑に行われない。このエッチング部分の窪みの形状は、パターンが微細化するほど、開口が狭く底が深い急峻なものとなるので、エッチング液の物質移動はますます行われ難くなり、エッチングに時間がかかり、不均一エッチングが起こったり、サイドエッチングが起こったりするトラブルの原因となる。
【０００９】
そこで、エッチング処理槽の上部に設けられたスプレーノズルからエッチング液をフィルムキャリアテープの表面に吹き付けながら搬送する構成において、フィルムキャリアテープを回転状に横振動させることにより、エッチング部分の窪みにあるエッチング液が流出し、窪み内のエッチング液が攪拌され液成分の物質移動が活発に行われるようにすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−２７３１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来のＣＯＦと称する折り曲げ性を有するＴＡＢ用テープキャリアの製造工程では、次のような課題がある。すなわち、二層構造のＣｕ付き絶縁フィルムにおいて、絶縁フィルムが４０μｍ厚さ程度に薄くなり、しかも銅層も１２μｍ〜８μｍ厚さと薄くなり、銅配線のピッチが３０μｍと微細になると、従来のスプレーノズルによるシャワーエッチングでは、配線形成が非常に高速になる。このためエッチング性を制御することが困難で配線幅が細り、容易に製造することが難しくなってきた。特許文献１のようにフィルムキャリアテープを回転状に横振動させることも有効な方法であるが、より簡易に超微細配線のエッチング性を制御する手段の提供が望まれている。
【００１１】
現在のところ、マスク設計よりフォトレジストパターンの開口幅を工夫することで、絶縁フィルム上に施された銅層の導体パターン層の銅配線ピッチが３０μｍまでは適正なエッチングが可能で、その上にＳｎめっき層を形成し、ＴＡＢテープが製造されている。
【００１２】
しかし、それよりも微細ピッチになると、フォトレジストパターンの開口幅を工夫することだけでは、適正なエッチングが不可能となる。図８は、従来の接着剤レスの二層銅被覆ポリイミド絶縁フィルムテープ（二層ＣＯＦテープ）の構造例である。ＴＡＢテープである場合、この二層テープ構造のＣｕ付き絶縁フィルムの銅配線ピッチが２０μｍと微細になると、エッチング前の銅層厚さは５μｍ〜３μｍとする必要があり、従来のシャワーエッチングでは非常に高速なエッチングになる。つまり、シャワーエッチングを施したとき短時間で配線幅の細りが発生し、エッチングファクターを最適に調整することが困難となって配線幅が細り、超微細配線の製造が難しくなる。このため製品の歩留まりは、急激に低下してしまう。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ＴＡＢテープの銅配線パターンを、５μｍ〜３０μｍの微細ピッチとすることを目標としてエッチング加工する際、銅配線幅の細りを抑制した直線性の優れた加工制御を可能とする半導体装置用テープキャリアの製造方法およびそのエッチング処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１５】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、テープ基材に接着剤層なしで銅層を設けた二層テープ又は少量の接着剤層を介して銅層を設けた三層テープを用い、その銅層の上にフォトレジストを塗布したのち、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の各工程を経て配線パターンを形成し、これに半導体素子をフリップチップ接合するためのめっき（例えばＳｎめっき）を施す工程を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記エッチング工程で、配線ピッチが５μｍ〜３０μｍの微細ピッチの配線パターンを形成すべく、上記二層テープ又は三層テープのフォトレジストパターン面を、エッチング槽内に満たされたテープ搬送方向とは逆向きに流動するエッチング液（例えば市販の塩化第二鉄水溶液）中に通過させることを特徴とする。
【００１６】
請求項２の発明は、請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記テープ搬送方向とは逆向きの流動を、エッチング液中に配設した上記テープ搬送方向とは逆向きのスリットノズルにより生じさせることを特徴とする。
【００１７】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記エッチング槽内に配設したスプレーノズルからエッチング液を上記フォトレジストパターン面に吹き付けることを特徴とする。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記スリットノズルの噴出し圧力を、２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下であることを特徴とする。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記二層テープ又は三層テープの銅層の厚さが０．２μｍ〜１２μｍであることを特徴とする。
【００２０】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記三層テープを構成する接着剤が、ガラス転移温度１８０℃以上の耐熱性を有し、且つ４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上であることを特徴とする。
【００２１】
請求項７の発明に係るエッチング処理装置は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法におけるエッチング工程を実施するためのエッチング処理装置において、エッチング槽内のテープ搬送方向下流側にテープ搬送方向とは逆向きの流動を生じさせるスリットノズルを配設し、エッチング槽内を搬送されるテープの上方に、搬送されるテープのフォトレジストパターン面にエッチング液を吹き付けるスプレーノズルを配設したことを特徴とする。
【００２２】
請求項８の発明は、請求項７記載のエッチング処理装置において、エッチング槽内のテープ搬送方向上流側に、エッチング液排出口を設け、ここから排出されるエッチング液を戻り配管を経由して上記スリットノズルに循環させたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、テープの搬送方向とは逆向きに液中にセットしてあるスリットノズルによりエッチング液を流動させ、この流動するエッチング液中に、テープのフォトレジストパターン面を逆方向に通過させるようにしているため、配線ピッチが５μｍ〜３０μｍの微細ピッチの配線パターンの形成において、緩やかな速度でエッチングを実施することができる。このため、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を例えば１００秒以上に延ばし、緩やかな速度でエッチングを実施し、エッチングの寸法精度を制御することが可能になる。
【００２４】
また本発明によれば、スリットノズルからの噴流において、エッチング液の噴射の圧力を制御し、当該スリットノズルの噴出し圧力が、２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下でるので、良好なエッチングファクターを保持しつつ、微細配線の細隙における適正なスペース幅とトップ幅を得ることができる。
【００２５】
よって、歩留まり良く所望するＣＯＦテープを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００２７】
本実施形態では、接着剤レスのＣｕめっきテープ（二層テープ）あるいは接着剤を有する三層テープを用いたＴＡＢテープにおいて、配線ピッチが２０〜１０μｍという微細エッチングを可能とするエッチング装置及び製法を対象とする。銅配線ピッチが２０μｍと微細になると、銅層厚さは５μｍ〜３μｍとなる。配線ピッチが５μｍ〜３０μｍの微細ピッチの場合、銅層の厚さが０．２μｍ〜１２μｍである。
【００２８】
ここで扱う二層テープは、具体的には、図７の如くテープ基材たる厚さ２５μｍ程度のポリイミドフィルム１に厚さ８μｍ程度の銅層２をメタライジング法で接合した二層テープ１４、又は図８の如く厚さ２５μｍ程度のポリイミドフィルム１に厚さ９μｍ程度の銅層２をキャスティング法で接合した二層テープ１３（ロールあるいはポリイミドのワニスのキャスト品）を用い、その銅層２をエッチングすることにより、図２の如く銅リード２ａを含む配線パターンを形成する。
【００２９】
これらの二層テープ１３、１４の代わりに、図１０に示すような三層テープ１８を用いることも可能である。この三層テープ１８は、例えば厚さが２５μｍ程度のポリイミドフィルム１に、３〜６μｍと極めて少量の薄い接着剤層１１を介して、９μｍ程度の厚さの銅層２を設けた構成のものであり、ベース材の価格が安い等の長所をもち、新規開発されたフリップチップボンダでは接合が可能であることから、Ｔ−ＣＯＦ（ＴＡＢ−Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）として今後多用されるものと思われる。本実施形態の場合、三層テープ１８の接着剤には、ガラス転移温度Ｔｇが１８０℃以上の耐熱性を有し、且つ４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上であるものを用いる。
【００３０】
上記配線パターンの形成は、銅層２の上面にフォトレジスト３を全面に塗布し、所望のパターン形状に紫外線により露光し、この露光されたフォトレジスト部分を現像液によって溶解除去する。このフォトレジスト３で覆われていない銅箔部分を、本発明のエッチング装置により酸で化学的に溶解（エッチング）して図２の如く除去する。なお、フォトレジスト３はアルカリ液にて溶解除去する。かくして絶縁フィルム上に残った銅層２により所望の配線パターンを形成する。 その後、銅リード２ａの表面の一部をソルダーレジスト（図示せず）により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリードに錫めっき（図示せず）を施してＣＯＦテープとする。
【００３１】
図１にエッチング装置の構成の概要を示す。ここに、図１（ａ）は、エッチング処理装置の断面図を示したものであり、図１（ｂ）は、スリットノズルを下面側からみた斜視図を示すものである。このエッチング装置は、テープ２４の両側に穿設されたパーフォレーションという送り穴により、エッチング工程内を搬送ロール２３を経由しながら搬送することを可能としている。エッチング槽７内のテープ搬送方向６の下流側には、スリットノズル１５が配設され、テープ搬送方向６とは逆向きの流動を生じさせる構成となっている。つまり、図１（ｂ）にあるように、スリットノズル１５には、エッチング液を噴き出すためのスリット部２５が形成されており、スリット部２５はテープの搬送方向６の上流側に向かって開口している。そして、スリットノズル１５は、テープ２４と所定の距離を置き、エッチング槽７内のエッチング液４に一部浸漬している。また、エッチング槽７内のテープ搬送方向６の上流側には、エッチング液排出口１６が設けてあり、ここから排出されるエッチング液を戻り配管１７を経由してエッチング液貯蔵タンク２２に一旦貯留し、ポンプ２１によってスリットノズル１５に循環される構成となっている。８は配管の液の戻り方向を示す。
【００３２】
エッチング槽７内のテープ２４の上方には、スプレーノズル（図示せず）を配設してもよい。このスプレーノズルは、そのノズルが、そのエッチング液吐出口がエッチング槽７のエッチング液中に浸漬し、且つエッチング槽７内でフォトレジスト３のパターン面より高く位置されており、これらのノズルから噴出するエッチング液が、搬送されるテープのフォトレジストパターン面に吹き付けられるように構成されている。一方、スリットノズル１５のエッチング液の噴射の圧力は制御されており、スリットノズルからの噴出し圧力は２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下であり、テープのフォトレジストパターン面上のエッチング液の層が吹き飛ばされない程度に調整されている。図３に、
次に、本実施形態における要点について述べる。
【００３３】
（ａ）［三層テープ構造あるいは接着剤レスのＣｕめっきテープ構造を採用する理由］
本発明は、半導体チップを搭載して半導体パッケージを構成するための半導体装置用テープキャリア、特にＣＯＦと称する折り曲げ性を有するテープキャリアのテープ構造及び微細ピッチのエッチング装置及び製法に関するものである。三層テープ構造あるいはＣｕめっきテープ構造により、銅層の厚さを０．２μｍから１２μｍ厚さに調整することが可能になる。特に三層テープ構造では、厚めの銅箔を張り合わせた後に、ソフトエッチングで銅層の厚さを２μｍから１２μｍに調整可能である。また接着剤の有無に関わらず、銅めっき構造は、薄い銅層をスパッタリングで形成後、電気銅めっきするため、銅層の厚さを０．２μｍから１２μｍの厚さに調整可能になるため採用した。
【００３４】
（ｂ）［銅層の厚さを０．２μｍ〜１０μｍとする理由］
二層構造のＣｕ付き絶縁フィルムにおいて、銅層の厚さ０．２μｍを下限とするのは、厚さ０．２μｍがスパッタリングあるいは追加の電気銅めっきによる安定して作成できる最小の成膜厚さであるためである。また銅層の厚さ１２μｍを上限とするのは、厚さ１２μｍが微細配線のピッチ３０μｍ（銅配線幅：１５μｍ、スペース：１５μｍ）を形成する上での限界で、それ以上厚いと、微細配線の直線性がなくなり、欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり歩留まりが悪く製造不可能になるためである。
【００３５】
（ｃ）［エッチング液の噴射の圧力を制御し、スリットノズルは、その噴出し圧力が２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下とする理由］
図５は、銅層（箔）の厚さが１２μｍを越える場合の従来のエッチングモデルである。（ａ）は静止液中のリードのエッチング形状を、また（ｂ）は噴流９によるリードのエッチング形状を示している。図中、ａはエッチング前の表面、ｂはエッチング種ソースの仮想対流フロントエンドである。
【００３６】
銅層（箔）２が１２μｍ厚さ以下という条件下で、本発明に従ってエッチング液の噴射の圧力を制御し、スリットノズルは、「噴出し圧力が２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下」とすることで、緩やかな速度でエッチングを実施し、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を６０秒より長く延ばし、エッチングの寸法精度の制御を可能にすることができる。
【００３７】
本発明では、さらに、図１で説明したように、ＴＡＢ用テープのフォトレジストパターン面上のエッチング液の層が搬送方向とは逆方向に流動するように、スリットノズル１５をＴＡＢ用テープの搬送方向とは逆向きに液中にセットしてある。このスリットノズル１５によりエッチング液４をテープ搬送方向と逆方向に流動させることを採用することで、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を１００秒以上に延ばし、緩やかな速度でエッチングを実施し、エッチングの寸法精度の制御が可能になった。
【００３８】
（ｄ）［三層テープの接着剤は、Ｔｇ：ガラス転移温度が１８０℃以上の耐熱性を有すること及び４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上とする理由］
三層テープは僅かではあるが接着剤を使用している。そこで熱硬化型の接着剤の硬化工程の熱処理で、熱によるゆがみの発生不良を無くす工夫が要請され、そのために使用する接着剤には耐熱性が必要となる。
【００３９】
ここで、１８０度×２時間以上の耐熱性が限界の数値であると考えられるが、本発明の構造である三層構造において、接着剤の厚さを２〜８μｍとすることで、この要請を満足させることができる。また、１８０度×２時間以上の耐熱性が限界の数値で熱硬化型の接着剤の硬化工程の熱処理で熱によるゆがみの発生があったとしても、本発明の構造である三層テープの構造において、ベースフィルムの厚さを５０μｍ〜６．５μｍの範囲で選定すれば、これにより熱によるゆがみの発生が無くなり解決できるからである。
【００４０】
次に、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上とする理由は、フリップチップ接続する際の圧力による接着層の凹み変形を少なくするためである。
【００４１】
［実施例１］
住友金属鉱山製の商品名「カプトンＥＮ」、すなわち厚さ３８μｍで幅１０５ｍｍのポリイミド樹脂に、銅厚さ８μｍのＣｕめっきを施してなる二層テープに、フォトレジストをロールコータで塗布し予備硬化し、投影露光機で光反応させた後、アルカリ現像を行い本硬化した。そして、比較例１として、従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング法でエッチング（配線ピッチ２５μｍ）したところ、エッチング時間が６０秒以下で配線の直線性がなく、配線幅の欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり、歩留まりが悪く製造不可能であった。
【００４２】
一方、実施例１として、図１のように、長さ１ｍのエッチング槽のエッチング液（塩化第二鉄水溶液）中に、スリットノズル１５をテープの搬送方向とは逆向きにセットし、テープ搬送方向とは逆向きにエッチング液を流動させ、このエッチング液中に通すことによりエッチング（配線ピッチ２５μｍ）を行った。全エッチング時間は６０分、エッチング液の流量は、圧力１．５ｋｇｆ／ｃｍ2で２．０リットル／分とした。このような条件でエッチングしたところ、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を１００秒以上に延ばし、緩やかな速度でエッチングを実施することができ、エッチングの寸法精度の制御が可能になった。
【００４３】
銅層をエッチングした後、更に配線パターンに対し、半導体素子をフリップチップ接合するためのＳｎめっきを施した。Ｓｎめっきをベークし熱硬化型のソルダーレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良く製品のＴＡＢ用テープを製造することが可能であった。
【００４４】
［実施例２］
実施例２として、巴川製紙所製の三層テープを用いた。この三層材は、宇部興産製の「ユーピレックスＳ」すなわち厚さ２５μｍで幅１０５ｍｍのポリイミド樹脂に、接着剤ＭＫの５μｍ厚さを塗付した上に、圧延材９μｍ厚さの銅箔をロールラミネータで張り合わせしたものである。
【００４５】
この三層テープに対し、フォトレジストをロールコータで塗布予備硬化し、投影露光機で光反応させた後、アルカリ現像を行い、本硬化した。そして、比較例２として、従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング法でエッチング（配線ピッチ２５μｍ）したところ、エッチング時間が６０秒以下で配線の直線性がなく、配線幅の欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり、歩留まりが悪く製造不可能であった。
【００４６】
一方、実施例２として、スリットノズルにおけるエッチング液の噴射の圧力を制御し、「スリットノズルは、噴出し圧力が、２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下」とすることと、実施例１と同じく「エッチング液の層を、ＴＡＢ用テープの搬送方向とは逆向きに、液中にセットしてあるスリットノズル１５により流動させること」を採用することで、緩やかな速度でエッチングを実施し、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を１２０秒以上に延ばし、エッチングの寸法精度の制御を可能にすることができた。
【００４７】
銅層をエッチングした後、更に配線パターンに対し、半導体素子をフリップチップ接合するためのＳｎめっきを施した。Ｓｎめっきをベークし、熱硬化型のソルダーレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良く製品のＴＡＢ用テープを製造することが可能であった。
【００４８】
上記実施例１、２では、接着剤の厚さが３〜６μｍの三層材及び接着剤レスの銅めっき材を使用した場合について説明したが、図９に示すように、接着剤の厚さが１２μｍの銅めっき材（三層テープ）の場合にも十分応用可能である。勿論、図９のロールあるいはポリイミドのワニスのキャスト品にも、十分に応用可能である。
【００４９】
＜実施例の効果＞
（１）従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング法では、銅層（箔）が８μｍ厚さの場合の配線幅の細りの説明図（図６）にあるように、エッチング時間が６０秒以下で配線の直線性がなく配線幅の欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり、歩留まりが悪く製造不可能であった。
【００５０】
しかし、本発明に従い、スリットノズルからのエッチング液の噴射の圧力を制御し、「スリットノズルは、噴出し圧力が２．０ｋｇｆ／ｃｍ2以下」とすることと、「エッチング液の層を、ＴＡＢの搬送方向とは逆向きに、液中にセットしてあるスリットノズルにより流動させること」を採用することで、緩やかな速度でエッチングを実施し、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を１２０秒以上に延ばし、エッチングの寸法精度の制御を可能にできた。
【００５１】
（２）本発明に従い、図１のように「エッチング液を、ＴＡＢ用テープのフォトレジストパターン面上のエッチング液の層について、ＴＡＢ用テープの搬送方向とは逆向きに、液中にセットしてあるスリットノズルにより流動させること」を採用することで、配線幅の細りとエッチング終点までの時間を１００秒以上に延ばし、緩やかな速度でエッチングを実施し、エッチングの寸法精度の制御が可能にできた。
【００５２】
（３）銅層をエッチングした後、更にＳｎめっきを実施した。Ｓｎめっきベークし熱硬化型のソルダーレジストを印刷版で塗布し硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良く製品の製造が可能であった。
【００５３】
（４）以上の結果テープの反りの発生を抑制し、歩留まりの向上したＣＯＦテープの提供が可能となった。
【００５４】
次に、エッチングファクター、トップ幅、ボトム幅、スペースの関係について調べた。ここでは、Ｃｕ層の厚さが５μｍで、配線ピッチが２０μｍであるとした。エッチングファクター（Ｅｆ）の定義は、Ｅｆ＝２×銅層の厚さ／（ボトム幅−トップ幅）である。また、スペースの定義は、スペース＝（２０μｍ−ボトム幅）とした。
【００５５】
表１に、（ａ）スリットノズル無しの場合、（ｂ）スリットノズル設置して噴出し圧力を２．０未満とした場合、（ｃ）スリットノズル設置して噴出し圧力を２．０以上とした場合、（ｄ）従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング方式の場合を示す。これをまとめたのが、図３及び図４である。
【表１】
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図４に示すように、従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング方式（ｄ）の場合は、レジスト開口幅８．０μｍでトップ幅が１．０μｍ〜２．０μｍと過小で、不適当である。すなわち、従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング方式では、エッチングファクターは良好であるが、エッチングが銅の厚さの５μｍに対して過酷に早くトップ幅が１．０から２．０μｍとなり、目標の５．０μｍより過小で、チップとの接合あるいはガラスパネルとのＡＣＦ接合は不可能となる。
【００５６】
一方、図３に示すように、スリットノズル無し（ａ）の場合、スリットノズル設置で噴出し圧力２．０未満（ｂ）の場合、スリットノズル設置で噴出し圧力２．０以上（ｃ）の場合には、レジスト開口幅８．０μｍでトップ幅が２．０μｍ〜８．０μｍである。
【００５７】
このうち、表１にあるように、スリットノズル無し（ａ）の場合には、トップ幅が過大（８．０μｍ）となり不適切となる。また、スリットノズル設置で噴出し圧力２．０以上（ｃ）の場合には、トップ幅が過小（２．０μｍ）となり、やはり不適切となる。
【００５８】
そこで、最も適切な範囲としては、適正なトップ幅４．８μｍ〜６．０μｍが得られる（ｂ）のスリットノズル設置で噴出し圧力２．０未満の場合となる。
【００５９】
上記から分かるように、スリットノズルを設置すると、エッチングファクターが良好になる。すなわち、ディップ方式では、流速がないためにトップ幅が広くしかもエッチングの速度が緩やかであるため、ボトム幅も広く、スペースが過小となり不適正になる。スリットノズルを設置し噴出圧力を２．０未満と適正にすることで、トップ幅とボトム幅を適正に近づけることが可能になる。
【００６０】
なお、図３を見ると、スリットノズルの噴出圧力を２．０未満とすると、２．０以上とするよりもエッチングファクターが良好になっている。ディップ方式では、流速がないためにトップ幅が広くしかもエッチングの速度が緩やかであるため、ボトム幅も広くスペースが過小となり不適正になる。そこで、スリットノズルの噴出圧力を２．０以上とすると、ディップ方式より流速が速くなりその分トップ幅が狭くなる。一方、噴出圧力を２．０未満とするとディップ方式より流速が適正になりその分トップ幅が広くなる。よって、上記（ｂ）の場合が最良である、という結論となる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明のエッチング処理装置を示した略図であり、図１（ａ）は、エッチング処理装置の断面図を示したものであり、図１（ｂ）は、スリットノズルの下面側斜視図を示すものである。
【図２】本発明のエッチング液中を搬送されるＴＡＢテープを示した略図である。
【図３】スリットノズルの噴出圧力とエッチングファクターとトップ幅の関係を示したもので、（ａ）はスリットノズル無しの場合、（ｂ）はスリットノズル設置して噴出し圧力を２．０未満とした場合（本発明）を、（ｃ）はスリットノズル設置して噴出し圧力を２．０以上とした場合を示す図である。
【図４】従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング方式（ｄ）の場合のエッチングファクターとの関係を示した図である。
【図５】従来の銅層が１２μｍ厚さ以上ある場合のエッチングモデルであり、（ａ）は静止液中のリードのエッチング形状を、また（ｂ）は噴流エッチング液によるリードのエッチング形状を示す。
【図６】従来のスプレーノズルによるシャワーエッチング法による噴流のエッチング作用を示したもので、銅層が１２μｍ厚さ以下の場合で配線幅の細りを生ずる説明図である。
【図７】本発明を適用可能な接着剤レスの二層銅被覆ポリイミド絶縁フィルムからなる二層テープの構造例を示した図である。
【図８】本発明を適用可能なロールあるいはポリイミドのワニスのキャスト品である二層テープの構造例を示した図である。
【図９】本発明を適用可能な接着剤ありの銅めっき三層テープの構造例を示した図である。
【図１０】本発明を適用可能な他の三層テープの構造例を示した図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  ポリイミドフィルム
２  銅層
２ａ  銅リード
３  フォトレジスト
４  エッチング液
５  エッチング液の流れ
６  テープの搬送方向
７  エッチング槽
１０  スリットノズルからの噴流
１３、１４  二層テープ
１５  スリットノズル
１６  エッチング液排出口
１８  三層テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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