(57)【要約】【課題】  優れた耐衝撃性及び耐振動性能を有し、高速ランプロード・アンロード動作が可能な記憶装置及びアクチュエータの移動制御方法を提供する。【解決手段】  ＶＣＭ逆起電力検出回路からアクチュエータの移動速度に比例するＢＥＭＦ値を位置検出器４８により磁気ヘッドの位置を求め、位置判定器４９により磁気ヘッドがランプに衝突する位置に相当する位置閾値Ｔｈ１と一致するか否かを判定し、一致する場合は帯域切換え器４７によりアクチュエータのフィードバック制御系のＰＩ制御器４６によるＰＩ制御の帯域を広帯域側に切換える等の制御操作量を増加等する処理を行う。位置判定器４９では速度変化が生じ始める位置や速度変化が小となり始める位置についても位置判定を行い帯域切換え器４７によりＰＩ制御の帯域を切換える等を行う。【選択図】  図７
2005149656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク媒体と、
前記ディスク媒体上を浮上してディスク媒体に情報を記録再生するヘッドと、
前記ヘッドを支持すると共に前記ディスク媒体の半径方向に移動するアクチュエータと、
前記アクチュエータを駆動する駆動手段と、
前記アクチュエータの移動速度を検出する速度検出手段と、
前記速度検出手段により検出された移動速度と所定の目標速度とのずれ量に基づいてフィードバック制御により速度制御を実行する速度制御手段と、
前記ディスクの領域外に配置され、前記ヘッドのアンロード及びロードを行うランプと、を備えた記憶装置であって、
前記ヘッドの位置を検出する位置検出手段を備え、
前記ヘッドのロードまたはアンロード動作時に前記位置検出手段により検出された位置が所定の位置に達したかどうかの位置判定を行う位置判定手段と、
前記速度制御手段が、前記位置判定に基づいて、フィードバック制御の帯域を広帯域側に切換える帯域切換え手段、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に付加するフィードフォワード補償手段を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
前記位置判定により前記所定の位置に達した場合に、前記帯域切換え手段が広帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量を付加することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項３】
前記位置判定により前記所定の位置に達した場合は、前記ずれ量が所定量を超えるかどうかを判定する速度変化判定手段を更に備え、
前記判定により前記所定量を超えた場合に、前記帯域切換え手段が広帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量を付加することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項４】
前記ヘッドのアンロード動作時において、前記所定の位置は、前記ヘッドがランプに略当たる位置であることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の記憶装置。
【請求項５】
ディスク媒体上を浮上してディスク媒体に情報を記録再生するヘッドを支持すると共に、前記ディスク媒体の半径方向に回動し、前記ディスクの領域外に配置されたランプにより前記ヘッドのアンロード及びロード行うアクチュエータの移動速度を検出し、該移動速度と所定の目標速度とのずれ量に基づいてフィードバック制御により速度制御を実行するアクチュエータの移動制御方法であって、
前記ヘッドのロードまたはアンロード動作時にヘッドの位置を検出する第１のステップと、
前記ヘッドが所定の位置に達したかどうかの位置判定を行う第２のステップと、
前記第２のステップの位置判定に基づいて、速度制御の帯域を広帯域側に切換え、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に加える第３のステップと、を備えることを特徴とするアクチュエータの移動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランプロード・アンロード方式のアクチュエータを備えた記憶装置とアクチュエータ移動制御方法に係り、特にロード及びアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記憶装置、例えばハードディスク装置では、近年記録密度を向上するための技術開発が加速され、１００％の年率で単位面積当たりの記録密度が向上している。記録密度を向上するための一つの技術課題としては、再生特性の向上が挙げられる。磁気ヘッドは磁気ディスク上を一定の浮上量を保持して浮上し記録再生を行っている。再生特性は浮上量が小さい程特性が向上するため、現在の最新技術では１０ｎｍ程度まで低減されている。
【０００３】
このような微小な浮上量を実現するためには、磁気ヘッドや磁気ディスクの表面を平滑にする必要が生じた。従来はＣＳＳ（コンタクト・アンド・ストップ）方式が採用されていたため、非動作時に磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着を防止するために磁気ディスク表面にテクスチャ（表面に形成された凹凸）加工が施されていた。しかし、表面の平滑性を向上するために、表面の凹凸を低減すると磁気ヘッド−磁気ディスク間の吸着が顕著となった。そこで、非動作時は磁気ヘッドが磁気ディスクの領域から移動し、ランプと呼ばれる部材に退避するランプロード・アンロード方式が採用されるようになってきた。
【０００４】
ランプロード・アンロード方式は、磁気ディスク表面の平滑性向上と共に、非動作時に磁気ヘッドと磁気ディスクとが接触することがないため耐衝撃性の向上を図れるので、ノートパソコンの携帯時の衝撃等による障害の発生を防止することができ、記憶装置に盛んに採用されている。
【０００５】
図１は、ランプロード・アンロード方式を説明するための図である。図１に示すように、磁気ヘッド１００のアンロード動作は、位置Ａに示す磁気ディスク１０１上を浮上する磁気ヘッド１００を支持するアクチュエータ１０２が図の右方向に移動し、アクチュエータ１０２に形成されたリフトタブ１０３が、磁気ディスク１０１に近接して配置されたランプ１０４に接触し（位置Ｂに示す。）、ランプのスロープ部に掛かりながら上方に引き上げられ、さらに右方向へ移動し磁気ディスク１０１の領域から磁気ヘッド１００が退避される（位置Ｃに示す。）、一連の動作からなる。位置Ｃでは、磁気ヘッド１００は磁気ディスク１０１に接触することがないので、衝撃等の外力が付加されても磁気ヘッド１００と磁気ディスク１０１の破損等が回避される。
【０００６】
また、ロード動作はアンロード動作と逆の動作であり、位置Ｃ→位置Ｂ→位置Ａの順に移動する。位置Ｂでは、磁気ヘッド１００と磁気ディスク１０１との間に形成されるエアベアリング（空気流）により、安定して磁気ディスク１０１上を浮上することができる。
【０００７】
アンロード動作時における磁気ヘッド１００−磁気ディスク間にエアベアリングが形成されている状態から引き上げられる際や、ロード動作時における磁気ヘッド１００が下降してエアベアリングが形成される際は、ランプ１０４からリフトタブ１０３が受ける上方向の力に対して、リフトタブ１０３が設けられているアクチュエータ１０２にはバネ性のサスペンションが設けられているので下方向に力が働くので、例えばアンロード動作時は磁気ヘッド１００の上方向の速度が低下すると磁気ヘッド１００が磁気ディスク１０１表面に接触する懸念がある。また、ロード動作時に磁気ヘッド１００の下方向の速度が過度に増加しても同様のおそれがある。
【０００８】
したがって、アクチュエータ１０２の移動速度を一定の範囲の速度に制御することにより、磁気ヘッド１００の磁気ディスク１０１に垂直方向の速度を一定の範囲に制御して、磁気ディスク１０１表面に接触することを回避することが提案されている。
【０００９】
すなわち、垂直方向の速度は、ランプ１０４の形状とアクチュエータ１０２の水平方向の移動速度により決まってくる。水平方向の速度は、アクチュエータ１０２を駆動するＶＣＭの制御に依存する。図２は、アクチュエータ１０２の従来のフィードバック制御を実行した場合の速度変化を示す図であり、フィードバック制御の帯域を固定して行ったものである。なお、アンロード方向（図２の右方向）のアクチュエータの速度を負値として表す。例えばアンロード動作時の速度が増加した場合、図２では負側（下側）に変化するように示す。
【００１０】
リフトタブ１０３がランプ１０４に衝突すると（位置Ｂ）、アクチュエータ１０２の移動速度が著しく低下し、図２に示す実線のように変化する。このような場合、磁気ヘッド１００の垂直方向の速度が低下し、磁気ヘッド１００が磁気ディスク表面に接触するおそれが大となる。
【００１１】
かかる問題を解決する手法として、リフトタブ１０３がランプ１０４に衝突する際の移動速度の低下やＶＣＭ制御操作量の増加を検出し、フィードバック制御のゲインを増加し、あるいはフィードフォワード操作量を付加して速度低下を抑制する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−０５２４５８号公報
【特許文献２】特開２００１−１５５４５５号公報
【特許文献３】特開２００３−１９６９３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した手法では、図２に示すように移動速度低下を検出するための速度の閾値は、目標速度に対して、外部から加わる振動や衝撃による生じる速度変化に影響を受けない程度の閾値を設ける必要がある。このような場合、衝突後から移動速度低下等により衝突を検出するまでの検出時間Δｔが増加し、検出時間Δｔの間は速度低下に対して何ら対応することができず、図２に破線で示す速度低下を抑制することができないという問題がある。
【００１３】
さらに、使用上の快適性に関連する磁気ヘッドのアンロード動作及びロード動作の更なる高速化の要求がある。検出時間Δｔを短縮し、かつアクチュエータの移動速度を増加させる必要がある。しかしながら、検出時間Δｔを短縮するため閾値を目標速度に近い値とすると誤検出が発生しかえって大きな速度変化が発生する。また、フィードバック制御の高ゲイン化では発振を誘発し易くなる等の移動速度制御の安定性が劣化するという問題がある。例えば携帯時あるいは電車の車中などの振動の多い環境における動作の安定性に問題がある。
【００１４】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、優れた耐衝撃性及び耐振動性能を有し、高速で安定性の優れたロード・アンロード動作が可能な記憶装置及びアクチュエータの移動制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一観点によれば、ディスク媒体と、前記ディスク媒体上を浮上してディスク媒体に情報を記録再生するヘッドと、前記ヘッドを支持すると共に前記ディスク媒体の半径方向に移動するアクチュエータと、前記アクチュエータを駆動する駆動手段と、前記アクチュエータの移動速度を検出する速度検出手段と、前記速度検出手段により検出された移動速度と所定の目標速度とのずれ量に基づいてフィードバック制御により速度制御を実行する速度制御手段と、前記ディスクの領域外に配置され、前記ヘッドのアンロード及びロードを行うランプと、を備えた記憶装置であって、前記ヘッドの位置を検出する位置検出手段を備え、前記ヘッドのロードまたはアンロード動作時に前記位置検出手段により検出された位置が所定の位置に達したかどうかの位置判定を行う位置判定手段と、前記速度制御手段が、前記位置判定に基づいて、フィードバック制御の帯域を広帯域側に切換える帯域切換え手段、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に付加するフィードフォワード補償手段を有する記憶装置が提供される。
【００１６】
本発明によれば、ヘッドのロード又はアンロード動作時に、位置検出手段により検出されたヘッドの位置を位置判定手段により所定の位置に達したか否かを判定し、その判定結果に基づいてフィードバック制御の帯域を広帯域側に切換え、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に付加している。したがって、所定の位置、例えばアンロード動作時のランプに衝突する位置や、ロード動作時のランプのスロープを下降する位置において、急速な速度低下等の速度変化が発生する前あるいは発生と同時に、迅速で確実に制御操作量を増減することができる。また、位置に基づいて広帯域化あるいはフィードフォワード制御操作量の付加をしているので、外部からの衝撃や振動の影響を受けることがなく、従来の制御方法のようなアクチュエータの速度変化の少ない位置での誤動作を起こすことがなく安定性の優れたロード・アンロード動作が可能となる。
【００１７】
前記位置判定により前記所定の位置に達した場合に、前記帯域切換え手段が広帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量を付加してもよい。位置判定により直接、広帯域化／フィードフォワード制御操作量付加を行うので、アクチュエータの移動制御が迅速、容易でかつ簡易化される。
【００１８】
前記位置判定により前記所定の位置に達した場合は、前記ずれ量が所定量を超えるかどうかを判定する速度変化判定手段を更に備え、前記判定により前記所定量を超えた場合に、前記帯域切換え手段が広帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量を付加してもよい。位置判定により所定の位置に達した場合にのみアクチュエータの速度変化判定を行い、判定に応じて広帯域化／フィードフォワード制御操作量付加を行うので、速度変化判定の検出感度を高く、例えば目標速度からのずれ量の閾値を小さくすることができる。また、速度変化の少ない通常の位置においては速度変化判定を行わないので外部からの衝撃や振動の影響を受けて誤動作することもなく、制御が不安定になることもない。
【００１９】
本発明の他の観点によれば、ディスク媒体上を浮上してディスク媒体に情報を記録再生するヘッドを支持すると共に、前記ディスク媒体の半径方向に回動し、前記ディスクの領域外に配置されたランプにより前記ヘッドのアンロード及びロード行うアクチュエータの移動速度を検出し、該移動速度と所定の目標速度とのずれ量に基づいてフィードバック制御により速度制御を実行するアクチュエータの移動制御方法であって、前記ヘッドのロードまたはアンロード動作時にヘッドの位置を検出する第１のステップと、前記ヘッドが所定の位置に達したかどうかの位置判定を行う第２のステップと、前記第２のステップの位置判定に基づいて、速度制御の帯域を広帯域側に切換え、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に加える第３のステップと、を備えることを特徴とするアクチュエータの移動制御方法が提供される。
【００２０】
本発明によれば、ヘッドのロード又はアンロード動作時にヘッドの位置を検出して位置判定を行い、位置判定に基づいて広帯域化／フィードフォワード制御操作量付加を行うので、迅速かつ安定性よくアクチュエータの移動速度を制御することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ヘッドの位置に基づいてアクチュエータの移動速度制御を行っているので、外部からの衝撃や振動による移動速度制御の誤動作を防止するとともに、迅速かつ安定な帯域切換え等によりヘッドの目標速度からの速度変化を低減することができ、高速で安定性の優れたロード・アンロード動作が可能な記憶装置及びアクチュエータの移動制御方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の平面図である。図３を参照するに、磁気ディスク装置１０は、大略して、磁気ディスク１１と、磁気ディスク１１に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、これらを格納するディスクエンクロージャ１３などから構成されている。
【００２４】
磁気ディスク１１は強化ガラスなどの円盤状の基板に、情報が磁化の方向として保持される磁性層や、磁性層表面に設けられ磁性層の機械的な損傷や酸化などを防止するための保護膜や、保護膜上に形成された潤滑層などから構成される。磁性層は、磁化が基板と平行となる面内記録方式であってもよく、磁化が基板と垂直に形成される垂直磁化膜であってもよい。磁性層の材料は、例えばＣｏＣｒＰｔＢなどのＣｏＣｒＰｔ系合金などの公知の強磁性材料が挙げられる。磁気ディスク１１は、ハブ１７により固定されスピンドルモータ（ＳＰＭ）（不図示）により駆動回転される。磁気ディスク１１は、１枚でもよく、複数枚が離隔して上下方向に積層されていてもよい。
【００２５】
磁気ディスク１１には、磁気ヘッド１２がシリンダ（不図示）に対してトラッキングするためのサーボ情報（不図示）が記録されている。磁気ヘッド１２がサーボ情報を読み取りながらトラッキングを行い、シリンダに記録されたデータを読みとることができる。
【００２６】
磁気ヘッド１２は、磁気ディスク１１に対向して設けられ、アクチュエータ１４の先端に接続されたサスペンション１５に支持されている。磁気ヘッド１２には記録再生を行う例えば記録用の誘導型記録素子と再生用の磁気抵抗効果型素子が設けられている。誘導型記録素子は、面内記録方式では例えばリング型素子、垂直記録では単磁極素子が用いられる。磁気抵抗効果型素子は、例えばＧＭＲ（スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子）、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果型素子）、ＢＭＲ（バリスティック磁気抵抗効果型素子）などを用いることができる。磁気ヘッド１２は、磁気ディスク１１の一面毎に１個設けられている。ただし、総ての磁気ディスク１１に磁気ヘッド１２が設けられる必要はない。
【００２７】
アクチュエータ１４は、その基部に設けられているＶＣＭ１６がその上下に設けられた永久磁石１８から受ける磁界との作用力により回転軸１９を中心として、磁気ディスク１１面に平行で磁気ディスク１１の半径方向（以下、「面内方向」という。）に回動する。アクチュエータ１４の先端には、サスペンション１５が設けられ、ＳＵＳなどの薄板により形成されている。さらにサスペンション１５の先端にランプ２０に掛かり磁気ヘッド１２を、磁気ディスク１１面に垂直方向（以下、単に「垂直方向」という。）に引き上げるためのリフトタブ２１が設けられている。なお、リフトタブは図３に示すようにサスペンション１５の先端中央部に一端が固着され、他端がサスペンション１５の長手方向外側に延在しているものに限られず、サスペンション先端側部に一端が固着されていてもよい。
【００２８】
ランプ２０は、磁気ディスク１１の外周側に近接して、アクチュエータ１４の回動に伴ってリフトタブ２１が通過する周上に設けられ、アクチュエータ１４の面内方向の動作に対して、垂直方向の動作を加えるように設けられている。また、磁気ヘッド１２の移動範囲を制限するために、アクチュエータ１４の基部１４ａ、１４ｂが回動する領域にはアウターストッパ２２とインナーストッパ２３が設けられ、基部１４ａ、１４ｂが接触してアクチュエータ１４が停止するようになっている。
【００２９】
磁気ヘッド１２の記録再生信号は、磁気ヘッド１２とフレキシブルプリント回路板（ＦＰＣ）２４などを介してプリアンプ２５を経て、筐体の下側に設けられた電子基板（図示されず）に配置されるＨＤＣのＩＣ等と接続されている。スピンドルモータやＶＣＭ１６を駆動制御するドライバのＩＣ等も同様に電子基板に配置されている。なお、図示されていない上蓋によりディスクエンクロージャ１３が封止され外部雰囲気からのダスト等の混入が防止されるようになっている。
【００３０】
図４は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。図４を参照するに、磁気ディスク装置１０は、上述した磁気ディスク１１、磁気ヘッド１２、アクチュエータ１４、ＳＰＭ２６、ＶＣＭ１６、ランプ２０及びプリアンプ２５と、ＶＣＭ・ＳＰＭドライバ３０、コントローラ３１、ＲＤＣ（リード・ライト・チャネルＩＣ）３２、ＨＤＣ（ハードディスク・コントローラ）３３などから構成されている。
【００３１】
ＳＰＭ２６は、磁気ディスク１１にハブ１７を介して機械的に接続され、ＶＣＭ・ＳＰＭドライバ３０のＳＰＭ駆動回路３４から供給されたＳＰＭ駆動電流（ＳＰＭ  Ｄｒｉｖｅ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）により磁気ディスク１１を高速回転させる。
【００３２】
ＶＣＭ１６は、ＶＣＭ・ＳＰＭドライバ３０のＶＣＭ駆動回路３５から供給されたＶＣＭ駆動電流により、アクチュエータ１４を面内方向に駆動すると共に、ＶＣＭ駆動電流の大きさ及び方向により移動速度が制御される。ＶＣＭ１６には、アクチュエータ１４が移動すると、その移動速度に比例する逆起電力が発生する。ＶＣＭ・ＳＰＭドライバ３０のＶＣＭ逆起電力検出回路３６はＶＣＭ１６の逆起電力の大きさを検出し、ＡＤ変換後、逆起電力の大きさをＢＥＭＦ値としてコントローラ３１に送出する。
【００３３】
コントローラ３１は、ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）３８、メモリ３９、ＭＰＵ３８とＶＣＭ・ＳＰＭドライバ３０やＲＤＣ３２、ＨＤＣ３３と接続するＩ／Ｏ回路（説明の便宜のため図示を省略する。）などから構成されている。メモリ３９には、後述するフローチャートに示すプログラムやパラメータ、フィードフォワード（以下、「ＦＦ」と略称する。）制御操作量のテーブルなどが格納されている。ＭＰＵ３８は、メモリ３９に格納されたプログラム等と、ＶＣＭ駆動回路３５から供給されたＢＥＭＦ値に基づいて、ＶＣＭ駆動回路３５等に制御信号を送出し制御を行う。
【００３４】
また、コントローラ３１はＨＤＣ３３により発行されたロード命令及びアンロード命令を受信して、ＭＰＵ３８により後述する処理を行うと共にＭＰＵ３８からＶＣＭ駆動回路３５にＶＣＭ制御信号が送出される。
【００３５】
プリアンプ２５は、記録信号を記録電流に変換し、また磁気ヘッド１２が磁気ディスク１１から再生した再生信号及びサーボ信号を増幅しＲＤＣ３２に送出する。
【００３６】
ＲＤＣ３２は、増幅された再生信号を信号処理回路４０によりリードデータを復調し、ＨＤＣ３３に送出する。また、ＲＤＣ３２は、サーボ復調器４１によりサーボ信号から磁気ヘッドの位置を示すヘッド位置信号に復調し、コントローラ３１のＭＰＵ３８に送出する。
【００３７】
図５は、アクチュエータのリフトタブとランプとの位置関係を拡大して示す平面図である。図６は、図５のＸ−Ｘ矢視図である。なお、Ｘ−Ｘ線はアクチュエータ１４が回動する軌跡に沿ったものである。
【００３８】
図５及び図６を参照するに、アクチュエータ１４は、磁気ディスク装置１０が動作時から非動作時に移行する場合はアンロード動作を行い、磁気ヘッド１２を、磁気ディスク１１上に浮上している状態から磁気ディスク１１の領域以外に位置する退避位置Ｐ５まで退避させる。ここで、磁気ヘッド１２が最アウター（最外周）のシリンダ４５にオントラック状態で位置しているとする（位置Ｐ０）。図４に示すＨＤＣ３３からアンロード命令がコントローラ３１に送出されると、コントローラ３１のＭＰＵ３８よりアクチュエータ１４を磁気ディスク１１の外側方向に移動するためのＶＣＭ制御信号が送出され、アクチュエータ１４が図５及び図６に示す矢印Ｘ１方向に移動し、リフトタブ２１がランプ２０のスロープ部ＳＬ１に衝突する（位置Ｐ１）。さらに、ＶＣＭ制御信号が送出されリフトタブ２１はスロープ部ＳＬ１に沿って上昇し、平坦部ＦＬ１及び下降のスロープ部ＳＬ２を通過し、退避位置Ｐ５において停止する。退避位置Ｐ５は例えば、図３に示すＶＣＭ１６がアウターストッパ２２に接触した位置とする。なお、スロープ部ＳＬ１と平坦部ＦＬ１との境界の位置をＰ２、平坦部ＦＬ１とスロープ部ＳＬ２との境界の位置をＰ３、スロープ部ＳＬ２と平坦部ＦＬ２との境界の位置をＰ４とする。
【００３９】
図７は、本実施の形態の図４に示す磁気ディスク装置１０に適用される、速度フィードバック（以下、「ＦＢ」と略称する。）制御系を構成する帯域を変更するタイプの速度制御ブロック図である。
【００４０】
図７を参照するに、本制御方法は、ＶＣＭ１６に接続したＶＣＭ逆起電力検出器３６から得られるアクチュエータの移動速度に比例するＢＥＭＦ値と目標速度（図４に示すメモリ３９に保持される。）とのずれ量をコンパレータ４５により求め、ＰＩ制御器４６により制御操作量をＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６に送出する。そして、本制御方法は、ＶＣＭ逆起電力検出器３６から受信したＢＥＭＦ値に基づいて位置検出器４８がリフトタブ２１の位置を求め、その位置に応じて位置判定器４９から帯域切換え信号を送出して帯域切換え器４７によりＰＩ制御器４６によるＰＩ制御の帯域を切換えるようになっていることに主な特徴がある。
【００４１】
より具体的に説明すると、ＶＣＭ逆起電力検出器３６は、ＶＣＭ１６に生じる逆起電力をＢＥＭＦ値として位置検出手段に送出する。位置検出器４８は基準位置からＢＥＭＦ値を加算（すなわち積分）してリフトタブ２１の現在位置を求め、リフトタブ２１の現在位置信号として位置判定器４９に送出する。位置判定器４９では、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ５（図４に示すメモリ３９に保持される）と、現在位置信号を比較し、判定結果に応じて帯域切換え信号として帯域切換え器４７に送出する。帯域切換え器４７は、帯域切換え信号に応じてＰＩ制御器４６のＰＩ制御の帯域を切換える処理を行う。ここで、基準位置は、例えば図６に示す最アウタシリンダＰ０であり、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ５は、図６に示すＰ１〜Ｐ５にそれぞれ対応するように予め決められたものである。
【００４２】
帯域切換え器４７は、ＰＩ制御器４６によるＰＩ制御の帯域を広帯域と、広帯域よりも狭い通常帯域の２つの帯域を切換えることができるようになっている。通常帯域に設定されている場合は、例えばＦＢループのゲインが低いパラメータに設定されていることを意味し、広帯域に設定されている場合は、ＦＢループのゲインが高いパラメータに設定されていることを意味する。すなわち、コンパレータ４５によって出力された制御偏差に対して、広帯域に設定されている場合は制御操作量が通常帯域の場合よりも大きくなる。ここでＰＩ制御の帯域は、比例ゲインＫｐと積分ゲインＫｉにより決まり、一般に広帯域では通常帯域よりもＫｐを高く設定し、Ｋｉは、Ｋｐの増加により発振しない範囲に適宜設定され、広帯域の場合のＫｉは通常帯域の場合のＫｉに対して高い場合もあり、低い場合もある。
【００４３】
なお、図７に示すコンパレータ４５、ＰＩ制御器４６、帯域切換え器４７、位置検出器４８、及び位置判定器４９により実行される各処理は、図４に示すコントローラ３１のＭＰＵ３８により処理が実行される。
【００４４】
［アンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法］
次に、本実施の形態のアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を説明する。
【００４５】
図８は磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャート、図９はアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図であり、（Ａ）はリフトタブの位置を模式的に示す図であり、（Ｂ）は位置閾値及びIntglBEMF値、（Ｃ）はＰＩ制御器の帯域、及び（Ｄ）は磁気ヘッドの移動速度と、それぞれリフトタブの位置との関係を示す図である。なお、図９の（Ａ）〜（Ｄ）の横軸は基準位置を基準とした位置を示している。また、図９（Ａ）において、リフトタブ２１のみを示し磁気ヘッドの図示を省略している。
【００４６】
図８を参照すると共に適宜図９を参照するに、図４に示すＨＤＣ３３からのアンロード命令によりコントローラ３１のＭＰＵ３８の基準位置からの距離を示すIntglBEMF値を０、帯域切換え器４７のＰＩ制御の帯域を通常帯域に設定する（Ｓ１０２）。ここでは、磁気ヘッドは最アウタのシリンダに位置しているとする。すなわち、基準位置Ｐ０を最アウタのシリンダとする。最アウタのシリンダは最もランプに近いシリンダであるので、以下に説明するIntglBEMF値にノイズ等による誤差が加入する可能性が低くなり、正確にリフトタブの位置を求めることができる。もちろん、基準位置は最アウタのシリンダに限定されず外周側のシリンダであってもよい。なお、アンロード命令を受信した際に磁気ヘッドが最アウタのシリンダ以外に位置している場合は、一旦最アウタのシリンダに通常のシーク動作により移動し、その後にＳ１０２を実行する。通常のシーク動作時の磁気ヘッドの移動速度はアンロード動作時よりも大幅に大きく、このようにシーク動作を行うことによりアンロード動作に要する時間を短縮することができる。
【００４７】
次いで、アクチュエータを起動するために、ＭＰＵからＶＣＭ駆動回路を介してＶＣＭに打ち出し電流を送出する（Ｓ１０４）。打ち出し電流はＦＦ制御により所定の電流量が送出される。ここでアクチュエータの移動速度制御のためのＦＢ制御が実行される。
【００４８】
アクチュエータが起動することによって発生したＶＣＭの逆起電力をＶＣＭ逆起電力検出器によりＢＥＭＦ値として検出し、ＭＰＵのＶbemf値に取り込む（Ｓ１０６）。次いで、Ｖbemf値をIntglBEMF値に加算する（Ｓ１０８）。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１以上かどうかを判定する（Ｓ１１０）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１よりも小さい場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１以上になるまでＳ１０６〜Ｓ１１０を繰り返し、アクチュエータを目標速度にしたがって移動制御する。
【００４９】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１以上になった場合は、図９（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を広帯域側に切換える（Ｓ１１２）。図９（Ｂ）に示すように、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１に等しいということは、図９（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が位置Ｐ１にほぼ達し、リフトタブ２１がランプ２０にほぼ衝突したことになる。本制御方法では、従来の制御方法のようなリフトタブ２１が衝突したことを速度低下等により検出して切換えるのではなく、位置に基づいてＰＩ制御の帯域を切換えるので、切換えの時間的遅れを抑制することができ、特に図９（Ｄ）に実線で示すようにランプ２０に衝突した直後の顕著な速度低下（図９（Ｄ）に破線で示す。）を効果的に抑制することができる。次いで広帯域の設定のままリフトタブ２１はランプ２０のスロープ部ＳＬ１に沿って上方に移動する。この間もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ１１４、Ｓ１１６）。
【００５０】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上かどうかを判定する（Ｓ１１８）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２よりも小さい場合は、Ｓ１１４〜Ｓ１１８を繰り返し、広帯域のままアクチュエータを移動制御する。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上になった場合は、図９（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を通常帯域に切換える（Ｓ１２０）。図９（Ａ）に示すようにリフトタブ２１がスロープ部ＳＬ１と平坦部ＦＬ１の境界部Ｐ２に達したことになる。平坦部ＦＬ１では、ＰＩ制御を広帯域にするよりも、帯域の低い通常帯域の方が制御が安定する。
【００５１】
次いで、さらにIntglBEMF値にＶbemf値を加算を続け（Ｓ１２２、Ｓ１２４）、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上かどうかを判定する（Ｓ１２６）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３よりも小さい場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になるまでＳ１２２〜Ｓ１２６を繰り返し、アクチュエータを目標速度にしたがって移動制御する。
【００５２】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になった場合は、図９（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を広帯域に切換える（Ｓ１２８）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３に等しいということは、図９（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が平坦部ＦＬ１とスロープ部ＳＬ２の境界部Ｐ３に達したことになる。本制御方法では、スロープ部ＳＬ２を降下する際も位置に基づいてＰＩ制御を広帯域に切換えることにより、図９（Ｄ）に実線で示すように時間遅れを抑制し、破線で示す速度増加を抑制することができる。したがって、リフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２を通過する時の磁気ヘッドの速度を正確に制御することにより、位置Ｐ４を通過する時点での目標速度からの誤差を抑制することができる。このことで、最終的にリフトタブ２１が位置Ｐ５に達する際の速度制御を正確に行うことができるので、所定の位置に停止させることができ、また、アクチュエータ２１の基部１４ａをアウターストッパ２２に衝突させて停止させる場合は衝突による衝撃を緩和することができる。
【００５３】
広帯域の設定のまま、リフトタブ２１はランプ２０のスロープ部に沿って下方に移動する。この間もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ１３０、Ｓ１３２）。
【００５４】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４以上かどうかを判定する（Ｓ１３４）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４よりも小さい場合はＳ１３０〜Ｓ１３４を繰り返し、アクチュエータを広帯域のまま移動制御する。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４以上になった場合は、図９（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を通常帯域に切換える（Ｓ１３６）。図９（Ａ）に示すように、リフトタブ２１はスロープ部ＳＬ１と平坦部の境界部Ｐ４に達したことになる。平坦部ＦＬ２では、ＰＩ制御の帯域を広帯域にするよりも、帯域の低い通常帯域の方が制御が安定する。
【００５５】
次いで、ＢＥＭＦ値検出し、Ｖbemf値に取り込み（Ｓ１３８）、IntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ１４０）。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ５以上かどうかを判定し（Ｓ１４２）、位置閾値Ｔｈ５以上になったところで目標速度を０に設定しアクチュエータを停止する（Ｓ１４４）。以上によりアンロード動作が完了する。なお、位置閾値Ｔｈ５を設けずに、図３に示すアクチュエータ１４の基部１４ａをアウターストッパ２２と衝突させて機械的にアクチュエータ１４を停止させてもよい。
【００５６】
さらになお、Ｓ１２２〜Ｓ１３４は必須ではなく、行わなくてもよい。また、Ｓ１３８〜Ｓ１４２は必須ではなく、行わなくてもよい。
【００５７】
［ロード動作時のアクチュエータの移動制御方法］
次に、本実施の形態のロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を説明する。
【００５８】
図１０は、磁気ヘッドのロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャート、図１１は、ロード動作時の動作説明のためのタイミング図であり、（Ａ）はリフトタブの位置を模式的に示す図、（Ｂ）は位置閾値及びIntglBEMF値、（Ｃ）はＰＩ制御器の帯域、及び（Ｄ）は磁気ヘッドの移動速度と、それぞれリフトタブの位置との関係を示す図である。なお、図１１（Ｄ）の磁気ヘッドの移動速度はロード方向を速度の正方向として示している。
【００５９】
図１０を参照すると共に適宜図１１を参照するに、ロード動作時のアクチュエータの移動制御方法は、基準位置を磁気ヘッド１２の退避位置Ｐ５、位置閾値は上述した位置Ｐ４〜Ｐ１にそれぞれ対応するＴｈ１１〜１４とし、広帯域側に切換える位置を平坦部ＦＬ２、ＦＬ１からスロープ部ＳＬ２、ＳＬ１に移る境界部Ｐ４及びＰ２とし、これらの位置Ｐ４〜Ｐ１に相当する位置閾値Ｔｈ１１〜Ｔｈ１４を設定する。
【００６０】
まず、図４に示すＨＤＣ３３からのロード命令によりコントローラ３１のＭＰＵ３８の基準位置からの距離を示すIntglBEMF値を０、帯域切換え器４７のＰＩ制御の帯域を通常帯域に設定する（Ｓ１５２）。磁気ヘッド１２は基準位置として退避位置Ｐ５、例えば図３に示すアクチュエータ１４の基部１４ａがアウターストッパ２２に接触している状態とする。
【００６１】
次いで、アクチュエータを起動するために、ＭＰＵ３８からＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６に打ち出し電流を送出する（Ｓ１５４）。打ち出し電流はＦＦ制御により所定の電流量が送出される。ここでアクチュエータの移動速度制御のためのＦＢ制御が実行される。
【００６２】
アンロード動作時と同様にアクチュエータが起動することによって発生したＶＣＭ１６の逆起電力をＶＣＭ逆起電力検出器３６によりＢＥＭＦ値として検出し、ＭＰＵ３８のＶbemf値に取り込む（Ｓ１５６）。次いで、Ｖbemf値をIntglBEMF値に加算する（Ｓ１５８）。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１１以上かどうかを判定する（Ｓ１６０）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１１よりも小さい場合は、リフトタブ２１が位置Ｐ４に達していない、すなわちリフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２に達していないとして、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１１以上になるまでＳ１５６〜Ｓ１６０を繰り返し、アクチュエータを目標速度にしたがって移動制御する。
【００６３】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１１以上になった場合は、図１１（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を広帯域側に切換える（Ｓ１６２）。図１１（Ｂ）に示すようにIntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１１に等しいということは、図１１（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が位置Ｐ４に達し、リフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２にほぼ達したことになる。スロープ部ＳＬ２ではリフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２に沿って上方に移動するので、従来の制御方法では、図１１（Ｄ）に破線で示すような速度低下を起こすが、ＰＩ制御を広帯域側に切り換えることにより速度低下を抑制し、実線で示す速度に制御することができる。広帯域の設定のまま、リフトタブ２１はランプ２０のスロープ部ＳＬ２に沿って上方に移動する。この間もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ１６４、Ｓ１６６）。
【００６４】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１２以上かどうかを判定する（Ｓ１６８）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１２よりも小さい場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１２以上になるまでＳ１６４〜Ｓ１６８を繰り返しながら、広帯域のままアクチュエータを移動制御する。
【００６５】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１２以上になった場合は、図１１（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を通常帯域に切換える（Ｓ１７０）。平坦部ＦＬ１では、ＰＩ制御の帯域を広帯域にするよりも、帯域の狭い通常帯域の方が制御が安定する。
【００６６】
さらにＢＥＭＦ値検出し、IntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ１７２、Ｓ１７４）。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１３以上かどうかを判定する（Ｓ１７６）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１３よりも小さい場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になるまでＳ１７２〜Ｓ１７６を繰り返し、通常帯域でアクチュエータを移動制御する。
【００６７】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１３以上になった場合は、図１１（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を広帯域に切換える（Ｓ１７８）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１３に等しいということは、図１１（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が平坦部ＦＬ２とスロープ部ＳＬ１の境界部Ｐ２に達したことになる。本制御方法では、スロープ部ＳＬ１を降下する際に、位置に基づいてＰＩ制御を広帯域に切換えることにより、速度制御の時間遅れを抑制し、速度増加を迅速に抑制することができる。したがって、目標速度とほぼ同等の移動速度でリフトタブ２１はスロープ部ＳＬ１に沿って下方に移動するので、磁気ヘッド１２は磁気ディスク１１表面との間に正常なエアベアリングを形成することができ、磁気ディスクとの衝突を防止することができる。この間もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ１８０、Ｓ１８２）。
【００６８】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１４以上かどうかを判定する（Ｓ１８４）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１４以上になった場合は、図１１（Ｃ）に示すように、帯域切換え器４７の帯域を通常帯域に切換える（Ｓ１８６）。磁気ディスク上に浮上した状態では、ＰＩ制御の帯域を広帯域にするよりも、帯域の狭い通常帯域の方が制御が安定する。
【００６９】
次いで、磁気ディスクに記録されたサーボ情報を再生し最アウタシリンダにオントラックし（Ｓ１８８）、以上によりロード動作が完了する。
【００７０】
本実施の形態の磁気ヘッド１２のアンロード動作時及びロード動作時のアクチュエータ移動制御方法は、最アウタを基準位置として、ＶＣＭ逆起電力検出器３６から受信したＢＥＭＦ値に基づいて位置検出器４８がリフトタブ２１の現在位置を求め、現在位置がＰ１〜Ｐ４であるかどうかの判定を行って、その判定結果に応じて帯域切換え器４７の帯域を切換えている。したがって、急速な速度低下等の速度変化が発生する前あるいは発生と同時にＰＩ制御の帯域を切換えることができ、迅速に速度変化を抑制することができると共に、速度変化の小さいところでは帯域を通常の帯域として、速度制御の安定性を高めることができる。
【００７１】
（第１の実施の形態の変形例）
次に第１の実施の形態の変形例について説明する。本実施の形態の変形例は、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４、及びＴｈ１１〜Ｔｈ１４に相当する位置がＰ１〜Ｐ４と異なる点以外は第１の実施の形態と同様である。なお、同様な部分については説明を省略する。
【００７２】
以下、本実施の形態の変形例のアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を説明する。
【００７３】
図１２は、本実施の形態の変形例のアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図であり、（Ａ）はリフトタブの位置を模式的に示す図であり、（Ｂ）は位置閾値及びIntglBEMF値、（Ｃ）はＰＩ制御器の帯域、及び（Ｄ）は磁気ヘッドの移動速度と、それぞれリフトタブの位置との関係を示す図である。
【００７４】
図１２（Ｂ）に示すように、位置閾値Ｔｈ１ａ〜Ｔｈ４ａを上述の第１の実施の形態で示した位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４に対して、Ｔｈ１ａ＜Ｔｈ１、Ｔｈ２ａ＞Ｔｈ２、Ｔｈ３ａ＜Ｔｈ３、Ｔｈ４ａ＞Ｔｈ４の関係を有するように設定する。すなわち、図１２（Ａ）を示す位置Ｐ１〜Ｐ４に対して、図１２（Ｂ）に示すように、アンロード方向（図１２の右方向）に対して、位置閾値Ｔｈ１ａはＰ１に到達する手前の位置に、位置閾値Ｔｈ２ａはＰ２を超えた位置に、位置閾値Ｔｈ３ａはＰ３に到達する手前の位置に、位置閾値Ｔｈ４ａはＰ４を超えた位置に設定する。このようにすることで、IntglBEMF値がアクチュエータの移動速度に相当するＢＥＭＦ値の積分値であるが故に生じ易いノイズ等に起因する誤差による帯域切換えの遅れを抑制することができる。Ｔｈ１ａ〜Ｔｈ４ａとＴｈ１〜Ｔｈ４と各々の差違は長さに換算して１０μｍ〜１５０μｍの範囲とすることが好ましい。１０μｍより小さいと十分な効果が得られず、１５０μｍを超えると速度制御の安定性が劣化する。
【００７５】
このように位置閾値Ｔｈ１ａ〜Ｔｈ４ａを設定して図８に示すフローチャートと略同様にしてアクチュエータの移動速度を制御することにより、図１２（Ｄ）に実線で示すように、リフトタブがランプ２０に衝突する際の速度低下量は、図１１（Ｄ）に示す速度低下量（図１２（Ｄ）に破線で示す。）よりも一層抑制することができる。また、IntglBEMF値に誤差が混入してもＰＩ制御の帯域をＰ１〜Ｐ２及びＰ３〜Ｐ４の間で、確実に広帯域側に切換えることができる。
【００７６】
なお、ロード動作時の位置閾値Ｔｈ１１〜１４も上記のアンロード動作時と同様に変更することにより、同様の効果を得ることができる。
【００７７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る磁気ディスク装置は、ロード動作時又はアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法が、速度ＦＢ制御系の帯域切換えの換わりに、速度ＦＢ制御系の制御操作量にＦＦ制御操作量を付加する点以外は、第１の実施の形態と同様である。
【００７８】
図１３は、第２の実施の形態の速度ＦＢ制御系にＦＦ制御器を付加したタイプの速度制御ブロック図である。図１４は、アンロード動作時のＦＦ制御操作量を示し、（Ａ）はリフトタブがランプに衝突してスロープ部ＳＬ１を上方に移動する際に使用される第１テーブル、（Ｂ）はスロープ部ＳＬ２を下方に移動する際に使用される第２テーブルを示す。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００７９】
図１３を参照するに、本速度制御方法は、ＶＣＭ１６に接続したＶＣＭ逆起電力検出器３６から得られるアクチュエータの移動速度に比例するＢＥＭＦ値と目標速度との差違をコンパレータ４５により求め、ＰＩ制御器４６により制御操作量をＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６に送出する。そして本速度制御方法は、ＶＣＭ逆起電力検出器３６から受信したＢＥＭＦ値に基づいて位置検出器４８がリフトタブ２１の位置を求め、その位置に応じて位置判定器４９からＦＦ制御器５１のクロック計数器５２に計数スタート信号を送出して、ＦＦ制御操作量読出器５４がメモリ３９に保存されているＦＦ制御操作量テーブルから順次ＦＦ制御操作量を読み出し、ＰＩ制御器４６から送出されたＦＢ制御操作量と加え合わせてＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６を制御することに主な特徴がある。
【００８０】
より具体的に説明すると、ＶＣＭ逆起電力検出器３６は、ＢＥＭＦ値を位置検出手段に送出し、位置検出手段は所定の基準位置からＢＥＭＦ値を加算してリフトタブ２１の現在位置を現在位置信号として位置判定器４９に送出する。位置判定器４９では、位置閾値Ｔｈ１及びＴｈ３（図４に示すメモリ３９に保持される）と現在位置信号とを比較し、一致した場合は計数スタート信号を送出し、クロック計数器５２を作動させる。クロック計数器５２により計算された時間に基づいてＦＦ制御操作量読出器５４が図１４（Ａ）または（Ｂ）に示すＦＦ操作制御量テーブルからＦＦ制御操作量を読み出して、ＰＩ制御器４６より送出されたＦＢ制御操作量と加え合わせてＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６を制御する。
【００８１】
なお、図１３に示すコンパレータ４５、ＰＩ制御器４６、位置検出器４８、位置判定器４９、クロック計数器５２、クロック発生器５３、及びＦＦ制御操作量読出器５４により実行される各処理は、図４に示すコントローラ３１のＭＰＵ３８により処理が実行される。
【００８２】
次に、本実施の形態のアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を説明する。
【００８３】
図１５は、磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャート、図１６は、アンロード動作時の動作説明のためのタイミング図であり、（Ａ）はリフトタブの位置を模式的に示す図であり、（Ｂ）は位置閾値及びIntglBEMF値、（Ｃ）はＦＦ制御操作量、及び（Ｄ）は磁気ヘッドの移動速度と、それぞれリフトタブの位置との関係を示す図である。
【００８４】
図１５を参照すると共に適宜図１６を参照するに、ＨＤＣ３３からのアンロード命令により、図４に示すコントローラ３１のＭＰＵ３８の基準位置からの距離を示すIntglBEMF値を０とする（Ｓ２０２）。なお、ＰＩ制御器４６の帯域は通常帯域に設定されている。ここでは、磁気ヘッド１２は最アウタのシリンダに位置しているとする。すなわち、基準位置を最アウタのシリンダとする。なお、アンロード命令を受信した際に磁気ヘッドが最アウタのシリンダ以外に位置している場合は、図８において説明した通常シーク動作を行う。
【００８５】
次いで、アクチュエータを起動するために、ＭＰＵ３８からＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６に打ち出し電流を送出する（Ｓ２０４）。打ち出し電流はＦＦ制御により所定の電流量が送出される。ここでＦＢ制御が実行される。
【００８６】
アクチュエータ１４が起動することによって発生したＶＣＭ１６の逆起電力をＶＣＭ逆起電力検出器３６によりＢＥＭＦ値として検出し、ＭＰＵ３８のＶbemf値に取り込む（Ｓ２０６）。次いで、Ｖbemf値をIntglBEMF値に加算する（Ｓ２０８）。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１以上かどうかを判定する（Ｓ２１０）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１よりも小さい場合は、Ｓ２０６〜Ｓ２１０を繰り返し、アクチュエータを目標速度にしたがって移動制御する。
【００８７】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１以上になった場合は、図１３の位置判定器４９から計数スタート信号を発生し、クロック計数器５２により計算された時間に基づいてＦＦ制御操作量読出器５４が図１４（Ａ）に示す第１テーブルからＦＦ制御操作量を読み出し、ＰＩ制御器４６から送出されたＦＢ制御操作量に加え合わせる（Ｓ２１４）。
【００８８】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１に等しいということは、図１６（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が位置Ｐ１にほぼ達し、図１６（Ａ）に示すようにリフトタブ２１がランプ２０にほぼ衝突したことになる。本制御方法では、従来の制御方法のようなリフトタブ２１が衝突したことを速度低下等により検出してＦＦ制御操作量を付加するのではなく、位置に基づいて図１６（Ｃ）に示すＦＦ制御操作量を付加するので、付加開始の時間的遅れを抑制することができ、特に図１６（Ｄ）に実線で示すようにランプ２０に衝突した直後の顕著な速度低下（図１６（Ｄ）に破線で示す。）を効果的に抑制することができる。なお、ＦＦ制御操作量の第１テーブルは、予めシミュレーション等で求めた数値を用いてもよく、磁気ディスク装置を組上げた後の製品の品質検査工程において一台毎に計測して求めた数値を用いてもよい。個々の製品のランプ２０とリフトタブ２１との摩擦や寸法の誤差等の影響を含めてＦＦ制御操作量を決定することができるので、アクチュエータの動作の均一化を図ることができる。なお、図１６（Ｂ）に示す第２テーブルも第１テーブルと同様にして決定する。
【００８９】
ＦＦ制御操作量が付加されると共に、リフトタブ２１はランプ２０のスロープ部ＳＬ１に沿って上方に移動する。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上かどうかを判定する（Ｓ２１５）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上である場合は、ＦＦ制御操作量の付加を終了する（Ｓ２１６）。ＦＦ制御操作量が付加されている間及び付加終了後もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ２１８及びＳ２２０）。
【００９０】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上かどうかを判定する（Ｓ２２４）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３よりも小さい場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になるまでＳ２１８〜Ｓ２２２を繰り返し、アクチュエータを目標速度にしたがって移動制御する。
【００９１】
IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になった場合は、図１６（Ｃ）に示すように、Ｓ２１４と同様にして、図１４（Ｂ）の第２テーブルからＦＦ制御操作量を読み出し、ＰＩ制御器４６から送出されたＦＢ制御操作量に加え合わせる（Ｓ２２４）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３に等しいということは、図１６（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が位置Ｐ３にほぼ達し、図１６（Ａ）に示すようにリフトタブ２１が平坦部とスロープ部ＳＬ２の境界部Ｐ３にほぼ達したことになる。本制御方法では、図１６（Ｄ）に実線で示すように負の速度の増加に対して正のＦＦ制御操作量を付加して速度増加（図１６（Ｄ）に破線で示す。）を抑制すると共に、位置に基づいて図１６（Ｃ）に示すＦＦ制御操作量を付加するので付加開始の時間的遅れを抑制することができるので、付加開始の時間的遅れを抑制することができる。したがって、目標速度からのずれ量を一層抑制することができる。
【００９２】
ＦＦ制御操作量が付加されると共に、リフトタブ２１はランプ２０のスロープ部ＳＬ２に沿って下方に移動する。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４以上かどうかを判定する（Ｓ２２５）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上である場合は、ＦＦ制御操作量の付加を終了する（Ｓ２２６）。アクチュエータは目標速度を維持してアクチュエータの基部をアウターストッパ２２と衝突させて機械的にアクチュエータを停止させる（Ｓ２２８）。第１の実施の形態のように、IntglBEMF値と位置閾値Ｔｈ５により目標速度を０としてもよい。
【００９３】
また、ロード動作時のアクチュエータの移動制御方法は、上述したアンロード動作時とほぼ同様にして行う。具体的には、第１の実施の形態において説明したロード動作時のアクチュエータの移動制御方法において用いた位置閾値Ｔｈ１１及びＴｈ１３を開始点として、上述した本実施の形態のアンロード動作時の移動制御方法に用いたＦＦ制御操作量のテーブルの時間を逆行したものを用いてＦＦ制御操作量を付加する。
【００９４】
本実施の形態の磁気ヘッドのアンロード動作時及びロード動作時のアクチュエータの移動制御方法は、最アウタを基準位置として、ＶＣＭ逆起電力検出器３６から受信したＢＥＭＦ値に基づいて位置検出器４８がリフトタブ２１の現在位置を求め、現在位置がＰ１またはＰ３であるかどうかの判定を行って、その判定結果に応じてＦＦ制御操作量を付加している。したがって、急速な速度低下等の速度変化が発生する前あるいは発生と同時にＦＦ制御操作量を付加することができ、迅速に速度変化を抑制することができると共に、速度変化の小さいところではＦＦ制御操作量を０として、速度制御の安定性を高めることができる。
【００９５】
なお、図１３のクロック発生器はＭＰＵの外部に設けてもよく、もちろん他の回路、例えば図４に示すＨＤＣ３３から受信したクロックを用いてもよい。
【００９６】
また、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４をそれぞれ第１の実施の形態の変形例のＴｈ１ａ〜Ｔｈ４ａとしてもよい。IntglBEMF値がアクチュエータの移動速度に相当するＢＥＭＦ値の積分値であるが故に生ずる誤差によるＦＦ制御操作量付加の遅れを抑制することができる。この場合、第１及び第２テーブルのＦＦ制御操作量は、位置閾値Ｔｈ１ａ及びＴｈ３ａに合わせて決定する。
【００９７】
また、図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示すＦＦ制御操作量の第１及び第２テーブルの換わりに、基準位置を基準とした位置（すなわち基準位置からの距離）とＦＦ制御操作量との関係を表すＦＦ制御操作量テーブルを用いて、図１３に示す位置検出器４８から送出される現在位置信号をＦＦ制御器５１のＦＦ制御操作量読出回路５４が逐次参照してＦＦ制御操作量をＦＦ制御操作量テーブルから読み出して送出してもよい。ＦＦ制御操作量テーブルは、例えば、基準位置〜位置閾値Ｔｈ１：零、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ２：図１４（Ａ）のＦＦ制御操作量、位置閾値Ｔｈ２〜Ｔｈ３：零、位置閾値Ｔｈ３〜Ｔｈ４：図１４（Ｂ）のＦＦ制御操作量、位置閾値Ｔｈ４以上：零がそれぞれ格納されている。なお、第１及び第２テーブルの時間は移動速度により位置に換算して用いる。このようにすると、図１３に示す位置判定器４９、クロック発生器５３、及びクロック計数器５２を省略することができ、制御プログラムを単純化することができる。
【００９８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る磁気ディスク装置は、アクチュエータの移動制御方法が、位置に基づいて速度変化検出窓信号を生成し、速度変化検出窓信号がオープンの間の所定量以上の速度変化を判定してＰＩ制御器の帯域を切換える点以外は、第１の実施の形態と同様である。
【００９９】
図１７は、アクチュエータの位置に基づいて速度検出及び速度判定を行い、その判定に応じて速度ＦＢ制御系を構成する帯域を変更するタイプの速度制御ブロック図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【０１００】
図１７を参照するに、本速度制御方法は、第１の実施の形態の図７において示す帯域切換え器４７の帯域切換えを、ＶＣＭ逆起電力検出器３６から受信したＢＥＭＦ値に基づいて位置検出器４８がリフトタブ２１の位置を求め、その位置に応じて生成した速度検出窓信号をオープンの状態にし、オープンの状態において、目標速度からの速度変化を判定し、その判定に応じて帯域切換え信号を送出して行うことに主な特徴がある。
【０１０１】
より具体的に説明すると、ＶＣＭ逆起電力検出器３６は、ＶＣＭ１６に生じる逆起電力をＢＥＭＦ値として位置検出手段に送出する。位置検出器４８は基準位置からＢＥＭＦ値を加算（すなわち積分）してリフトタブ２１の現在位置を求め、リフトタブ２１の現在位置信号として位置判定器４９に送出する。位置判定器４９では、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４（図４に示すメモリ３９に保持される。）と、現在位置信号を比較し、判定結果に応じて速度検出窓生成器５５に速度検出窓切換え信号を送出する。ここで、基準位置は、例えば図６に示す最アウタシリンダＰ０であり、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４は、図６に示すＰ１〜Ｐ４にそれぞれ対応するものである。
【０１０２】
速度検出窓生成器５５は速度検出窓切換え信号に応じて速度検出窓信号をオープンあるいはクローズにする。速度検出窓信号がオープンの状態の間は、速度判定器５６が速度ずれ閾値（図４に示すメモリ３９に保持される。）及び目標速度と、ＶＣＭ逆起電力検出器３６から受信したＢＥＭＦ値（現在速度を示す。）とを比較して、現在速度と目標速度との速度ずれ量が速度ずれ閾値を超えた場合は、速度判定器５６は帯域切換え信号を帯域切換え器４７に送出する。帯域切換え器４７は、帯域切換え信号に応じてＰＩ制御器４６ａによるＰＩ制御の帯域を切換える処理を行う。
【０１０３】
なお、図１７に示すコンパレータ４５、ＰＩ制御器４６、帯域切換え器４７、位置検出器４８、位置判定器４９、速度検出窓生成器５５、及び速度判定器５６により実行される各処理は、図４に示すコントローラ３１のＭＰＵ３８により処理が実行される。
【０１０４】
次に、磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法について説明する。
【０１０５】
図１８は磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャート、図１９はアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図であり、（Ａ）はリフトタブの位置を模式的に示す図であり、（Ｂ）は位置閾値及びIntglBEMF値、（Ｃ）は磁気ヘッドの移動速度、（Ｄ）は速度検出窓信号、（Ｅ）は帯域切換え信号、及び（Ｆ）はＰＩ制御器の帯域と、それぞれリフトタブの位置との関係を示す図である。
【０１０６】
図１８を参照すると共に適宜図１９を参照するに、Ｓ３０２〜Ｓ３１０までは、図８のＳ１０２〜Ｓ１１０までと同様であるので説明を省略する。
【０１０７】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ１以上になった場合は、速度検出窓切換え信号を送出し、図１９（Ｄ）に示すように速度検出窓信号をオープンする（Ｓ３１２）。次いで、Ｖbemf値が目標速度Ｖｔ＋速度ずれ閾値Ｖａ以上かどうかを判定する（Ｓ３１４）。Ｖbemf値が目標速度Ｖｔ＋Ｖａよりも小さい場合は、アクチュエータを通常帯域のまま移動制御する。なお速度ずれ閾値Ｖａは正の値とする。
【０１０８】
Ｖbemf値がＶｔ＋Ｖａ以上になった場合は、図１９（Ｄ）に示すように帯域切換え器４７の帯域を広帯域に切換える（Ｓ３１６）。速度検出窓信号がオープンの状態の間だけ速度判定を行うので、速度ずれ閾値Ｖａを従来より小なる値を設定して、高感度で迅速に速度変化を判定することができる。したがって、従来より速度変化を抑制することができる。このようにして、リフトタブ２１がランプ２０に衝突した直後の顕著な速度低下を効果的に抑制することができる。この間もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する（Ｓ３１８及びＳ３２０）。
【０１０９】
次いで、Ｖbemf値がＶｔ＋Ｖａより小さいかどうかを判定する（Ｓ３２２）。Ｖbemf値がＶｔ＋Ｖａ以上の場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上かどうかを判定する（Ｓ３２４）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２よりも小さい場合は、Ｓ３２２及びＳ３２４を繰り返す。
【０１１０】
Ｓ３２２において、Ｖbemf値がＶｔ＋Ｖａよりも小さい場合は、速度検出窓切換え信号を送出し、速度検出窓信号をクローズし、帯域切換え器４７の帯域を通常帯域に切換える（Ｓ３２６）。すなわち、本制御方法では、図１９（Ｃ）〜（Ｆ）に示すように、リフトタブ２１がランプ２０に衝突すると共にスロープ部ＳＬ１を上方に移動する際に、アクチュエータの移動速度が速度ずれ閾値Ｖａより増加（負の移動速度の減少）が生じた場合にのみ帯域切換え器４７の帯域を広帯域に切換える。このようにすることにより通常帯域では対応しきれない急激な移動速度の変化の際にだけ広帯域に切換えることによって、高レスポンス性と制御安定性の高度な両立が可能となる。
【０１１１】
次いで、リフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２を下方に移動する場合も、上述した速度検出窓信号をオープンにして、オープンの状態の間は速度判定を行って帯域切換え器４７の帯域を切換える。上述したＳ３０６〜Ｓ３２６までと略同様であるので異なる点だけを簡単に説明する。
【０１１２】
Ｓ３３２においてIntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になった場合は、速度検出窓切換え信号を送出し、速度検出窓信号をオープンする（Ｓ３３４）。次いで、Ｖbemf値が目標速度Ｖｔ−速度ずれ閾値Ｖａ以下かどうかを判定する（Ｓ３３６）。Ｖbemf値がＶｔ−Ｖａよりも大きい場合は、アクチュエータを通常帯域のまま移動制御し、Ｖbemf値がＶｔ−Ｖａ以下になった場合は、図１９（Ｆ）に示すように帯域切換え器４７の帯域を広帯域に切換える（Ｓ３３８）。
【０１１３】
次いで、Ｖbemf値がＶｔ−Ｖａより大きいかどうかを判定する（Ｓ３４４）。Ｖbemf値がＶｔ−Ｖａ以下の場合は、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４以上かどうかを判定する（Ｓ３４６）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４よりも小さい場合は、Ｓ３４４及びＳ３４６を繰り返す。
【０１１４】
Ｓ３４４において、Ｖbemf値がＶｔ−Ｖａよりも大きい場合は、速度検出窓切換え信号を送出し、速度検出窓信号をクローズし、帯域切換え器４７の帯域を通常帯域に切換える（Ｓ３４８）。すなわち、本制御方法では、図１９（Ｃ）〜（Ｆ）に示すように、リフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２を下方に移動する際に、アクチュエータの移動速度が速度ずれ閾値Ｖａより減少（負の移動速度の増加）が生じた場合にのみ帯域切換え器４７の帯域を広帯域に切換える。このようにすることにより通常帯域では対応しきれない急激な移動速度の変化の際にだけ広帯域に切換えることによって、高レスポンス性と制御安定性の高度な両立が可能となる。なお、Ｓ３２８〜Ｓ３４８のスロープ部ＳＬ２における移動速度制御は、かかる制御を行わない場合に制御が不安定になる等の問題があるときに実行すればよく、必須のものではない。
【０１１５】
次いで、第１の実施の形態に述べた、位置検出による目標速度の変更やアウターストッパ２２による機械的制動によりアクチュエータを停止する（Ｓ３５０）。以上によりアンロード動作が完了する。
【０１１６】
また、ロード動作時のアクチュエータの移動制御方法は、上述したアンロード動作時とほぼ同様にして行う。具体的には、第１の実施の形態において説明したロード動作時のアクチュエータの移動制御方法に上述した本実施の形態のアンロード動作時の移動制御方法を組み合わせる。
【０１１７】
本実施の形態の磁気ヘッドのアンロード動作時及びロード動作時のアクチュエータの移動制御方法によれば、リフトタブ２１の位置に基づいて切換えられる速度検出窓信号がオープンの状態の間だけ速度判定を行い、その判定に応じて帯域切換え器４７の帯域を切換えている。リフトタブ２１の位置に基づいて速度検出窓信号をオープンの状態にするので、通常のシーク動作時や、高レスポンスが要求されない領域において、外部からの衝撃や振動により生じる速度変化によりＰＩ制御が広帯域に切り換わる速度制御の誤動作の発生を防止し、安定性の良好な速度制御を行うことができる。
【０１１８】
また、速度変化判定に用いる速度ずれ閾値を従来より小なる値を設定することができるので、速度変化を迅速に判定することができる。
【０１１９】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る磁気ディスク装置は、アクチュエータの移動制御方法が、速度変化の判定に応じてＰＩ制御器の帯域を切換える換わりに、速度ＦＢ制御系の速度制御操作量にＦＦ制御操作量を付加する点以外は、第３の実施の形態と同様である。
【０１２０】
図２０は、アクチュエータの位置に基づいて速度検出及び速度判定を行い、その判定に応じて速度ＦＢ制御系の速度制御操作量にＦＦ制御操作量を加えるタイプの速度制御ブロック図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【０１２１】
図２０を参照するに、本速度制御方法は、第３の実施の形態の移動制御方法の図１７に示すＰＩ制御の帯域切換え器４７の換わりに、第２の実施の形態のＦＦ制御器５１を設けて、ＦＢ制御系の制御操作量にＦＦ制御操作量を付加するものであり、これ以外は第３の実施の形態と同様である。したがって、本制御方法は、目標速度からの速度変化の判定に応じて速度判定器５６からＦＦ制御器５１のクロック計数器５２に計数スタート信号を送出して、ＦＦ制御操作量読み出し回路がメモリ３９に保存されているＦＦ制御操作量テーブルから順次ＦＦ制御操作量を読み出し、ＰＩ制御器４６から送出されたＦＢ制御操作量と加え合わせてＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６を制御することに主な特徴がある。
【０１２２】
より具体的に説明すると、位置検出器４８、位置判定器４９、速度検出窓生成器５５、及び速度判定器５６の動作は第３の実施の形態と同様である。現在速度と目標速度との速度ずれ量が速度ずれ閾値を超えた場合は、速度判定器５６は計数スタート信号を送出し、クロック計数器５２を作動させる。クロック計数器５２により計算された時間に基づいてＦＦ制御操作量読出器５４が例えば図１４（Ａ）または（Ｂ）に示すＦＦ操作制御量の第１テーブルまたは第２テーブルからＦＦ制御操作量を読み出して、ＰＩ制御器４６より送出されたＦＢ制御操作量と加え合わせてＶＣＭ駆動回路３５を介してＶＣＭ１６を制御する。
【０１２３】
なお、図２０に示すコンパレータ４５、ＰＩ制御器４６、位置検出器４８、位置判定器４９、クロック計数器５２、速度検出窓生成器５５、速度判定器５６、クロック発生器５３、及びＦＦ制御操作量読出器５４により実行される各処理は、図４に示すコントローラ３１のＭＰＵ３８により処理が実行される。
【０１２４】
次に、磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法について説明する。
【０１２５】
図２１は、磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャート、図２２は、アンロード動作時の動作説明のためのタイミング図であり、（Ａ）はリフトタブの位置を模式的に示す図であり、（Ｂ）は位置閾値及びIntglBEMF値、（Ｃ）は磁気ヘッドの移動速度、（Ｄ）は速度検出窓信号、（Ｅ）は計数スタート信号、及び（Ｆ）はＦＦ制御操作量と、それぞれリフトタブの位置との関係を示す図である。
【０１２６】
図２１を参照すると共に適宜図２２を参照するに、Ｓ４０２〜Ｓ４１４までは、第３の実施の形態の図１８のＳ３０２〜Ｓ３１４までと同様であるので説明を省略する。
【０１２７】
Ｓ４１４においてＶbemf値が目標速度Ｖｔ＋速度ずれ閾値Ｖａ以上になった場合は、図２０の位置判定器４９から計数スタート信号を発生し、クロック計数器５２により計算された時間に基づいてＦＦ制御操作量読出器５４が、例えば図１４（Ａ）に示す第１テーブルからＦＦ制御操作量を読み出し、ＰＩ制御器４６から送出されたＦＢ制御操作量に加え合わせる（Ｓ４１６）。
【０１２８】
本制御方法では、第３の実施の形態において述べた同様の効果を有し、すなわち、リフトタブ２１の位置に基づいて切換えられる速度検出窓信号がオープンの状態の間だけ速度判定を行い、その判定に応じてＦＦ制御操作量をＦＢ制御操作量に加えるので、通常のシーク動作時や、高レスポンスが要求されない領域において、外部からの衝撃や振動により生じる速度変化によりＦＦ制御操作量が付加される誤動作の発生を防止し、安定性の良好な速度制御を行うことができる。
【０１２９】
アクチュエータはＦＢ制御操作量にＦＦ制御操作量が付加された制御により、リフトタブ２１はランプ２０のスロープ部に沿って上方に移動する。次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上かどうかを判定する（Ｓ４１８）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ２以上である場合は、ＦＦ制御操作量の付加を終了する（Ｓ４２０）。ＦＦ制御操作量が付加されている間及び付加終了後もIntglBEMF値にＶbemf値を加算する。
【０１３０】
次いで、リフトタブ２１がスロープ部ＳＬ２を下方に移動する場合も、位置に基づいて上述した速度検出窓信号をオープンにして、速度判定を行ってＦＦ制御操作量を付加する。第３の実施の形態の図１８のＳ３２８〜Ｓ３３６と略同様であるので異なる点だけを簡単に説明する。
【０１３１】
Ｓ４２６においてIntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ３以上になった場合は、速度検出窓切換え信号を送出し、速度検出窓信号をオープンする（Ｓ４２８）。次いで、Ｖbemf値が目標速度Ｖｔ−速度ずれ閾値Ｖａ以下かどうかを判定する（Ｓ４３０）。Ｖbemf値が目標速度−速度ずれ閾値よりも大きい場合は、アクチュエータを通常帯域のまま移動制御し、Ｖbemf値がＶｔ−Ｖａ以下になった場合は、図２０の位置判定器４９から計数スタート信号を発生し、クロック計数器５２により計算された時間に基づいてＦＦ制御操作量読出器５４が、例えば図１４（Ｂ）に示す第２テーブルからＦＦ制御操作量を読み出し、ＰＩ制御器４６から送出されたＦＢ制御操作量に加え合わせる（Ｓ４３２）。
【０１３２】
次いで、IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４以上かどうかを判定する（Ｓ４３４）。IntglBEMF値が位置閾値Ｔｈ４以上である場合は、ＦＦ制御操作量の付加を終了する（Ｓ４３６）。次いで、第３の実施の形態と同様にアクチュエータを停止する（Ｓ４３８）。以上によりアンロード動作が完了する。また、ロード動作時のアクチュエータの移動制御方法は、上述したアンロード動作時とほぼ同様にして行う。
【０１３３】
本実施の形態の磁気ヘッドのアンロード動作時及びロード動作時のアクチュエータの移動制御方法によれば、リフトタブ２１の位置に基づいて切換えられる速度検出窓信号がオープンの状態の間だけ速度判定を行い、その判定に応じてＦＦ制御操作量をＦＢ制御操作量に加えている。第３の実施の形態と同様の効果を奏し、さらに、ＦＦ制御操作量を付加している間にＦＢ制御の安定性が保持されるという効果を有する。
【０１３４】
なお、位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４は第１の実施の形態の変形例におけるＴｈ１ａ〜Ｔｈ４ａに設定してもよい。
【０１３５】
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態に係る磁気ディスク装置は、上記第１の実施の形態においてリフトタブの位置検出のためにＢＥＭＦ値（アクチュエータ１４の移動速度に比例する逆起電力）を積分して算出していた換わりに、ロータリーエンコーダあるいは光学式スケールを用いる点以外は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３６】
図２３は、第５の実施の形態の、ヘッドの位置に基づいて速度ＦＢ制御系を構成する帯域を変更するタイプの速度制御ブロック図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【０１３７】
図２３を参照するに、本制御方法は、磁気ヘッドの位置を位置表示器５８を用いて位置検出器４８ａにより検出する。位置表示器５８は、図示は省略するが、例えば図３に示すアクチュエータ１４の回転軸１９に設けられたロータリーエンコーダでもよく、あるいはＶＣＭ１６の外周側のコイル１６ａあるいは内周側のコイル１６ｂ上に光学式のスケールを設けさらに永久磁石側にスケールを読みとる検出器を設けてもよい。光学式のスケールには例えば１μｍ毎に目盛が表示されている。
【０１３８】
位置検出器４８ａは、位置表示器５８により表示される基準位置（例えば図６に示す最アウタシリンダＰ０）とリフトタブの現在の位置とにより、位置判定器により図６に示すＰ１〜Ｐ４にそれぞれ対応する位置閾値Ｔｈ１〜Ｔｈ４と比較して、リフトタブの位置に応じて位置判定器４９から帯域切換え信号を送出して帯域切換え器４７によりＰＩ制御器４６の帯域を広帯域あるいは通常の帯域に切換える。本制御方法の他の部分は、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１３９】
本実施の形態によれば、リフトタブの位置を直接位置表示器５８により検出するので、ＢＥＭＦ値を積分する場合より電気的ノイズによる誤差が加入することがなく、位置判定をより正確に行うことができる。したがって、広帯域化あるいは通常帯域化を正確かつ迅速に行うことができるので、制御の時間遅れを抑制し、速度増加を抑制することができる。
【０１４０】
なお、本実施の形態は、第１の実施の形態の変形例、第２〜第４の実施の形態と組み合わせてもよい。同様の効果を奏することができる。
【０１４１】
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１４２】
例えば、上記の実施の形態ではランプを磁気ディスクの外周側に設けた場合を例に説明したが、ランプを磁気ディスクの内周側に設けてもよく、本発明のアクチュエータ移動制御方法を同様に適用することができる。
【０１４３】
また、ＰＩ制御器に換えてＰ（比例）制御器又はＰＩＤ（比例積分微分）制御器でもよい。
【０１４４】
さらに、上記の実施の形態では、記憶装置として磁気ディスク装置を例に説明したが、本発明は磁気ディスク装置に限定されず、ランプロード・アンロード方式を採用する他の記憶装置に適用することができる。
【０１４５】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  ディスク媒体と、
前記ディスク媒体上を浮上してディスク媒体に情報を記録再生するヘッドと、
前記ヘッドを支持すると共に前記ディスク媒体の半径方向に移動するアクチュエータと、
前記アクチュエータを駆動する駆動手段と、
前記アクチュエータの移動速度を検出する速度検出手段と、
前記速度検出手段により検出された移動速度と所定の目標速度とのずれ量に基づいてフィードバック制御により速度制御を実行する速度制御手段と、
前記ディスクの領域外に配置され、前記ヘッドのアンロード及びロードを行うランプと、を備えた記憶装置であって、
前記ヘッドの位置を検出する位置検出手段を備え、
前記ヘッドのロードまたはアンロード動作時に前記位置検出手段により検出された位置が所定の位置に達したかどうかの位置判定を行う位置判定手段と、
前記速度制御手段が、前記位置判定に基づいて、フィードバック制御の帯域を広帯域側に切換える帯域切換え手段、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に付加するフィードフォワード補償手段を有することを特徴とする記憶装置。
（付記２）  前記位置判定により前記所定の位置に達した場合に、前記帯域切換え手段が広帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量を付加することを特徴とする付記１記載の記憶装置。
（付記３）  前記位置判定により前記所定の位置に達した場合は、前記ずれ量が所定量を超えるかどうかを判定する速度変化判定手段を更に備え、
前記判定により前記所定量を超えた場合に、前記帯域切換え手段が広帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量を付加することを特徴とする付記１記載の記憶装置。
（付記４）  前記ヘッドのアンロード動作時において、前記所定の位置は、前記ヘッドがランプに略当たる位置であることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の記憶装置。
（付記５）  前記ランプは、ヘッドをディスク媒体から引き上げるスロープ部と、スロープ部に続く平坦部からなり、
前記ヘッドのロード動作時において、前記所定の位置は、ランプの平坦部とスロープ部との境界部であることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の記憶装置。
（付記６）  前記位置検出手段は、所定の基準位置からの距離を算出して前記ヘッドの位置を検出することを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の記憶装置。
（付記７）  前記距離は、前記速度検出手段により検出された移動速度を積分して求められることを特徴とする付記６記載の記憶装置。
（付記８）  前記アクチュエータの位置を表示する位置表示手段をさらに有し、
前記距離は位置表示手段により表示された位置に基づいて求められることを特徴とする付記６記載の記憶装置。
（付記９）  前記位置表示手段は、前記アクチュエータに設けられたロータリーエンコーダあるいは光学式スケールを用いることを特徴とする付記８記載の記憶装置。
（付記１０）  前記所定の基準位置は、回動するアクチュエータが機械的に制限されて停止する位置であることを特徴とする付記６〜９のうち、いずれか一項記載の記憶装置。
（付記１１）  前記所定の基準位置は、磁気ディスクに記録されたサーボ情報に基づく所定のシリンダ位置であることを特徴とする付記６〜９のうち、いずれか一項記載の記憶装置。
（付記１２）  前記ヘッドのアンロード動作時において、前記所定のシリンダ位置は磁気ディスクの外周側のシリンダ位置であることを特徴とする付記１１記載の記憶装置。
（付記１３）  前記外周側のシリンダ位置が最外周のシリンダであることを特徴とする付記１２記載の記憶装置。
（付記１４）  所定の他の位置を更に設け、
前記位置判定により前記ヘッドが前記所定の他の位置に達した場合に、前記帯域切換え手段が狭帯域側に切換え、あるいは、前記フィードフォワード補償手段がフィードフォワード制御操作量の付加を停止することを特徴とする付記１〜１３のうちいずれか一項記載の記憶装置。
（付記１５）  前記所定の他の位置は、
アンロード動作時は、前記ヘッドをディスク媒体から引き上げるスロープ部と、スロープ部に続く平坦部からなるランプのスロープ部と平坦部との境界部であり、
ロード動作時は、前記ヘッドがランプから略離れる位置であることを特徴とする付記１４記載の記憶装置。
（付記１６）  ディスク媒体上を浮上してディスク媒体に情報を記録再生するヘッドを支持すると共に、前記ディスク媒体の半径方向に回動し、前記ディスクの領域外に配置されたランプにより前記ヘッドのアンロード及びロード行うアクチュエータの移動速度を検出し、該移動速度と所定の目標速度とのずれ量に基づいてフィードバック制御により速度制御を実行するアクチュエータの移動制御方法であって、
前記ヘッドのロードまたはアンロード動作時にヘッドの位置を検出する第１のステップと、
前記ヘッドが所定の位置に達したかどうかの位置判定を行う第２のステップと、
前記第２のステップの位置判定に基づいて、速度制御の帯域を広帯域側に切換え、あるいは所定のフィードフォワード制御操作量を前記フィードバック制御の制御操作量に加える第３のステップと、を備えることを特徴とするアクチュエータの移動制御方法。
（付記１７）  前記第２のステップの前記位置判定により所定の位置に達した場合に、前記第３のステップを実行することを特徴とする付記１６記載のアクチュエータの移動制御方法。
（付記１８）  前記第２のステップと第３のステップとの間に、前記位置判定により所定の位置に達した場合に前記ずれ量が所定量を超えるかどうかを判定するステップを更に備え、
前記判定により前記所定量を超えた場合に第３のステップを実行することを特徴とする付記１７記載のアクチュエータの移動制御方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】ランプロード・アンロード方式を説明するための図である。
【図２】アクチュエータの従来のフィードバック制御を実行した場合の速度変化を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の平面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図５】アクチュエータのリフトタブとランプとの位置関係を拡大して示す平面図である。
【図６】図５のＸ−Ｘ矢視図である。
【図７】第１の実施の形態の速度ＦＢ制御系を構成する帯域を変更するタイプの速度制御ブロック図である。
【図８】第１の実施の形態のアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャートである。
【図９】第１の実施の形態のアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図である。
【図１０】第１の実施の形態のロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャートである。
【図１１】第１の実施の形態のロード動作時の動作説明のためのタイミング図である。
【図１２】第１の実施の形態の変形例のアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態の速度ＦＢ制御系の制御操作量にＦＦ制御操作量を付加するタイプの速度制御ブロック図である。
【図１４】（Ａ）及び（Ｂ）は第２の実施の形態のアンロード動作時の時間とＦＦ制御操作量の関係を示す図である。
【図１５】第２の実施の形態のアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャートである。
【図１６】第２の実施の形態のアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態の速度ＦＢ制御系を構成する帯域を変更するタイプの速度制御ブロック図である。
【図１８】第３の実施の形態のアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャートである。
【図１９】第３の実施の形態のアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態の速度ＦＢ制御系の速度制御操作量にＦＦ制御操作量を付加するタイプの速度制御ブロック図である。
【図２１】第４の実施の形態の磁気ヘッドのアンロード動作時のアクチュエータの移動制御方法を示すフローチャートである。
【図２２】第４の実施の形態のアンロード動作時の動作説明のためのタイミング図である。
【図２３】本発明の第５の実施の形態の速度ＦＢ制御系を構成する帯域を変更するタイプの速度制御ブロック図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１０…磁気ディスク装置、  １１…磁気ディスク、  １２…磁気ヘッド、  １３…ディスクエンクロージャ、  １４…アクチュエータ、  １５…サスペンション、  １６…ＶＣＭ、  １７…ハブ、  １８…永久磁石、  １９…回転軸、  ２０…ランプ、  ２１…リフトタブ、  ２２…アウターストッパ、  ２３…インナーストッパ、  ２４…フレキシブルプリント回路板（ＦＰＣ）、  ２５…プリアンプ、  ２６…ＳＰＭ、  ３０…ＶＣＭ・ＳＰＭドライバ、  ３１…コントローラ、  ３２…ＲＤＣ、  ３３…ＨＤＣ、  ３４…ＳＰＭ駆動回路、  ３５…ＶＣＭ駆動回路、  ３６…ＶＣＭ逆起電力検出回路、  ３８…ＭＰＵ、  ３９…メモリ、  ４０…信号処理回路、  ４１…サーボ復調器、  ４５…コンパレータ、  ４６…ＰＩ制御器、  ４７…帯域切換え器、  ４８、４８ａ…位置検出器、  ４９…位置判定器、  ５１…ＦＦ制御器、  ５２…クロック計数器、  ５３…クロック発生器、  ５４…ＦＦ制御操作量読出器、  ５５…速度検出窓生成器、  ５６…速度判定器、  ５８…位置表示器
【図１】
2005149656.tif 000003
【図２】
2005149656.tif 000004
【図３】
2005149656.tif 000005
【図４】
2005149656.tif 000006
【図５】
2005149656.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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