(57)【要約】【課題】半導体ウエハのプロービング時において、反りのある半導体ウエハを確実且つ容易に吸着ステージ上に吸着固定できるようにする。【解決手段】半導体ウエハ３０を、半導体ウエハ３０の外径よりも大きな径を有し且つその表面に真空吸着用の孔１１が複数設けられている吸着ステージ１０に載置し、該載置した半導体ウエハ３０を真空吸着用孔１１から吸引して吸着ステージ１０上に吸着固定させる半導体ウエハの吸着固定方法であって、半導体ウエハ３０を吸着ステージ１０上に載置して真空吸着した後に、吸着ステージ１０上に設けた真空吸着用孔１１のうちで半導体ウエハ３０により覆われていない孔と、半導体ウエハ３０の外周部とを両方覆うようにリング状部材３２を吸着ステージ１０上に載置して吸着する。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを、当該半導体ウエハの外径よりも大きな径を有し且つその表面に真空吸着用の孔が複数設けられている吸着ステージに載置し、該載置した半導体ウエハを前記孔から吸引して前記吸着ステージ上に吸着固定させる半導体ウエハの吸着固定方法であって、前記半導体ウエハを前記吸着ステージに載置した後に、前記吸着ステージ上に設けられた孔のうちで前記半導体ウエハにより覆われていない孔と、前記半導体ウエハの外周部とを両方覆うように吸着部材を前記吸着ステージに載置して吸着することを特徴とする半導体ウエハの吸着固定方法。
【請求項２】
前記吸着部材はリング形状である請求項１の吸着固定方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハの裏面は、研削処理が施されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの吸着固定方法。
【請求項４】
前記リング状部材は、プラスチック又はゴムからなることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体ウエハの吸着固定方法。
【請求項５】
前記リング状部材のプラスチックは、フッ素化合物であることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウエハの吸着固定方法。
【請求項６】
前記吸着ステージの中心位置と、前記半導体ウエハの略中心位置とを合致させて真空吸着した後に、前記吸着部材を前記吸着ステージに載置することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ウエハの吸着固定方法。
【請求項７】
前記半導体ウエハにより覆われていない前記吸着ステージ上の孔のうち前記半導体ウエハ外周部近傍に設けられた孔と、前記半導体ウエハの外周部とを少なくとも覆うように前記吸着部材を前記吸着ステージに載置することを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハの吸着固定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの吸着固定方法、より詳細には、ＩＣのプロービング時においてプロセス上工程を終了した半導体ウエハを吸着ステージ上に吸着固定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの作製時において、プロセス上工程と下工程に分離して考えるのが一般的である。すなわち、プロセス上工程は、半導体ウエハ内にＴｒ等のアクティブデバイスを作り込み、これらを配線するまでの処理のことをいい、また、プロセス下工程は、上記プロセス上工程で作り込まれたＩＣをチップ毎に分割し、個々にパッケージングして市販の形態にすることを指すというのが一般的である。これら両工程の中間において、ウエハ段階でＩＣの中間検査、すなわちプロービングを行わなければならない。これは、半導体ウエハには数百〜数千のチップがプロセス上工程で作製されるが、その個々のチップにおいて電気的な試験を行いチップの良否を判断し、プロセス下工程に回すチップを決定するものである。
【０００３】
以下、上記プロービング方法の一例について説明する。
まず、ウエハステージ上に半導体ウエハを載せ、そのウエハステージに設けられている微小孔を真空引きすることで、半導体ウエハ裏面をウエハステージ上に密着固定させる。その後、ウエハステージの周囲に設けられている触針プローブをチップの所定箇所に接触させ、半導体ウエハ外部からバイアスを供給し、任意のチップ内からの出力信号を外部に取り出し、これをチェックすることで良否を判断する。１つのチップの良否を判断した後に、ウエハステージを下降させて触針をとき、チップサイズに等しい距離だけ当該ウエハステージを平行移動し、再度ウエハステージを上昇させて次のチップの良否判定を行う。
【０００４】
近年、Ｓｉ系ＩＣではＴｒの集積化が進み、あるいは、化合物系半導体を主材料とするデバイスでは高速化が進み、ＩＣ／デバイス（ここでデバイスはＩＣに対する意味として、例えばディスクリートデバイスを想定している）の発熱がますます大きくなってきている。その放熱対策としてウエハ厚（すなわち、チップ厚）を薄くすることが一般的に行われている。このようにウエハ厚を薄くすることは放熱の面だけでなく、電気的特性を確保するためでもある。また、ウエハ厚を薄くすることには、ウエハ裏面の全面をＧＮＤとする実装形態が一般的であるが、その際、表面側に形成されている配線のインピーダンスをより整合条件に近づける目的もある。
【０００５】
一例として、化合物半導体であるＧａＡｓをウエハ（基板）材料として用いるμ波用のデバイスでは、φ４インチのウエハ出荷段階の厚さが約５００μｍ〜７００μｍである。この厚さのウエハに対してプロセス上工程を行う。ところが、上記放熱対策等のため、プロセス上工程の最後の段階でウエハ厚を約７０μｍ〜１００μｍにまで薄くする。
【０００６】
ところで、ＧａＡｓに限らずＳｉでもウエハの出荷段階ではその反り量は厳密に仕様化されている。反りはウエハを平坦面に置いた時にその平坦面から最も浮き上がった部分が平坦面からどの程度の高さになるかで規定される。出荷段階ではこの反り量が、例えば「１０μｍ以内」というように規定されるが、プロセス上工程でウエハ表面側を順次加工することにより表面側に形成される絶縁膜との間の熱膨張率との関係で反りが生じる。さらに、プロセス上工程の最終段階で裏面側を削って（研削）ウエハ厚を薄くする段階でさらに反りが大きくなる。一般に、表面側の加工による反りと、裏面研削による反りとは相殺されずに重畳される場合が多い。
【０００７】
従来、上記したような反りを生じたウエハをプロービングする方法として、ステージ上に設けられている真空チャック用の吸着孔の径、密度をステージ中央と周囲とで異ならせ（周囲で大きく粗くする）、ステージ周辺部に生じるウエハの反りを抑制するようにしたものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、ステージを複数に分割し、分割した個々の部分でウエハを独立に吸着するようにしたものが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−１３２３８７号公報
【特許文献２】
特開平７−３０２８３０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に記載の発明では、Ｓｉ系ＩＣの大口径ウエハの使用を前提とする。すなわち、ステージ径がウエハ径よりも小さい場合が対象であるために、ウエハ周辺部はステージよりはみ出すことになる。従って、化合物系材料に適用すると、ステージからはみ出した部分のチップをプロービングすることは困難である。これは、化合物系材料の脆性はＳｉよりも大きく、簡単に壊れて（割れて）しまうため、中空に張り出した部分をプロービングすると、ウエハが割れてしまう。また、上記特許文献２に記載の発明では、ステージの駆動機構が複雑になるために装置の高価格化を招き好ましくない。
【００１１】
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハのプロービング時において、反りのある半導体ウエハを確実且つ容易に吸着ステージ上に吸着固定できるようにすること、を目的としてなされたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体ウエハの吸着固定方法は、半導体ウエハを、その半導体ウエハの外径よりも大きな径を有し且つその表面に真空吸着用の孔が複数設けられている吸着ステージに載置し、載置した半導体ウエハを真空吸着用の孔から吸引して吸着ステージ上に吸着固定させる半導体ウエハの吸着固定方法であって、半導体ウエハを吸着ステージに載置した後に、吸着ステージ上に設けた孔のうちで半導体ウエハにより覆われていない孔と、半導体ウエハの外周部とを両方覆うように吸着部材を吸着ステージに載置して吸着することを特徴としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態に係わる吸着ステージの概要を示す図である。図１（Ａ）は、吸着ステージを正面から見た正面図で、図１（Ｂ）は、吸着ステージを側面から見た側面図で、図中、１０は円形状の吸着ステージで、該吸着ステージ１０は、複数の真空吸着用孔１１，溝１２〜１４を有している。本実施形態に示す吸着ステージ１０は、例えば、ＳＵＳ，真鍮などの金属製で、その外径は１３０ｍｍ程度とする。尚、プロービング装置の仕様により吸着ステージの外径は異なり、例えば、Ｓｉ用のプロービング装置の場合、その外径は２００ｍｍを超える場合もある。本発明は、吸着ステージ１０上に載置する半導体ウエハの外径よりも大きな径を有する吸着ステージであれば、その外径寸法によらず適用することができる。また、吸着ステージ１０の形状は、本例に示すように円形状に限らず、例えば楕円形状、矩形状等としてもよい。
【００１４】
図１に示すように、吸着ステージ１０の表面には同心円状に沿って配置されている複数の微小な真空吸着用孔１１と、複数の同心円状の溝１２，１３，１４が形成されており、この溝１２，１３，１４内にも微小孔が形成されている。本実施形態の場合、溝１２，１３，１４内に形成されている微小孔の径は、例えばφ８ｍｍとし、溝１２，１３，１４の外側に同心円状に配置された真空吸着用孔１１の径は、例えばφ１．２ｍｍとする。
【００１５】
図２は、本発明に係わる吸着ステージ１０の概要を示す図で、図２（Ａ）は、吸着ステージ１０を裏面から見た裏面図で、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す吸着ステージ１０のＡＡ′断面を示す断面図である。図２（Ａ）に示すように、吸着ステージ１０の裏面には、裏面溝１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１を有し、吸着ステージ１０の側面には、開口部２２，２３を有している。この開口部２２のＢＢ′断面を図３に示し、開口部２３のＣＣ′断面を図４に示す。
【００１６】
図３は、図２に示したＢＢ′断面の開口部２２を含む左半分を示す図である。
図４（Ａ）は，図２に示したＣＣ′断面の開口部２３の右半分を示す図で、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示すＤ部の拡大図で、図４（Ｃ）は、図４（Ａ）に示すＥ部の拡大図である。
【００１７】
ここで、真空引きは吸着ステージ１０の側面から行う。以下、真空引きの具体的な方法の一例について図２乃至図４に示した吸着ステージ１０の裏面図を参照しながら説明する。
吸着ステージ１０の側面には開口部が２ヶ所（開口部２２，２３）設けられており、そのうちの一方は空気漏れが無くなるようにゴムブッシュ等でシールされている（本例では図４（Ａ）に示した開口部２３）。そして、他方の開口部（本例では図３に示した開口部２２）から真空引きを行う。これら開口部２２，２３にはそれぞれステージ内部に、例えばφ２ｍｍの真空引き経路２４，２５が吸着ステージ１０の中心に向けて穿たれている。図２（Ａ）に示すように、真空引きを行っている開口部２２に接続される真空引き経路２４は、吸着ステージ１０の裏面に設けられ且つ同心円状に配置された裏面溝１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１のうち、最も中心に近い裏面溝１５を介して他方の真空引き経路２５と接続される。
【００１８】
図４（Ａ）に示したように、上記他方の真空引き経路２５には、吸着ステージ１０の表面に対して内側から、例えばφ０．６ｍｍの孔１２′，１３′，１４′があり、これらの孔１２′，１３′，１４′は、吸着ステージ１０の表面中央部に同心円状に設けた溝１２，１３，１４内に繋がる。これにより、溝１２，１３，１４が真空引き経路２４，２５に繋がることになる。
【００１９】
一方、他方の真空引き経路２５は、吸着ステージ１０の裏面に設けた、例えば幅２ｍｍの溝１６，１８，２０に対しても、例えばφ０．３ｍｍの孔を介して接続される。また、吸着ステージ１０の裏面溝１７，１９，２１は、裏面でそれぞれ裏面溝１６，１８，２０と接続されている。これにより、裏面溝１６，１７，１８，１９，２０，２１は全て真空引き経路２４，２５に接続される。そして、これらの裏面溝１６乃至２１内には吸着ステージ１０の表面側と接続される、例えばφ１．２ｍｍの真空吸着用孔１１が設けられている。
【００２０】
上記したような複雑な経路を経て吸着ステージ１０上に載置された半導体ウエハを真空吸着するのは、真空引きポートが単一のため、真空引きの圧力を吸着ステージ１０上に均一に分散させるためである。尚、吸着ステージ１０の材質及び形状や、真空吸着用孔１１の配置及び個数等は、上記実施形態に限定されるものではなく、また、裏面溝１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１や、開口部２２，２３、真空引き経路２４，２５等の配設構成も上記実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
このように構成された吸着ステージ１０上に半導体ウエハを載置する場合に、本例のように吸着ステージ１０の外径を１３０ｍｍとして、半導体ウエハの外径をφ４インチ（約１００ｍｍ）とすると、吸着ステージ１０上の最外周部に設けた微小孔群（本例では裏面の径φ１１２ｍｍの裏面溝２１に対応する）、及びその内側の微小孔群（本例では裏面の径φ１００ｍｍの裏面溝２０に対応する）は、半導体ウエハにより覆われないことになる。また、半導体ウエハを視点として考えた場合、半導体ウエハ外周部に近い箇所で真空吸着されない箇所が存在することになる。
【００２２】
上記のように、半導体ウエハが真空吸着されないと、半導体ウエハの周囲が反り上がり、この部分にプロービング針が当接された場合には予期しない応力が半導体ウエハに及ぼされることとなり、半導体ウエハ割れに結びつく。また、プロービング針と、チップ内の所定箇所は常に同じ応力を及ぼされた状態で電気的接触が果たされない場合には、測定値のバラツキを招いてしまう。従って、半導体ウエハ周辺部も適切に吸着されていることが必要である。
【００２３】
図５及び図６は、吸着ステージ１０上に半導体ウエハを載置し、その上にリング状部材を載置する様子の一例を示した図である。図５（Ａ）は、半導体ウエハを載置した吸着ステージ１０上にリング状部材を載置する様子を示した斜視図で、図５（Ｂ）は、半導体ウエハを載置した吸着ステージ１０上にリング状部材を載置する様子を示した正面図で、図中、３０は半導体ウエハ，３１はＩＣチップ，３２はリング状部材である。
また、図６（Ａ）は、吸着ステージ１０上に半導体ウエハ３０を載置する様子の一例を示した断面図である。図６（Ｂ）は、吸着ステージ１０上に半導体ウエハ３０を載置した状態を示す左側断面図である。図６（Ｃ）は、半導体ウエハ３０を載置した吸着ステージ１０上にリング状部材３２を載置した様子を示した左側断面図である。
【００２４】
図５（Ａ）及び図６（Ａ）において、半導体ウエハ３０の外径は、吸着ステージ１０の外径よりも小さいために、吸着ステージ１０上において最外周部に設けられている真空吸着用孔１１は半導体ウエハ３０により覆われていない。図６（Ｂ）に示すように、この部分の半導体ウエハ３０は吸着されないので、上方に高さｄだけ反り上がることとなる。これを避けるために、図６（Ｃ）に示すように、半導体ウエハ３０を吸着ステージ１０上に載置した後に、リング状部材３２を半導体ウエハ３０の周辺と、真空吸着用孔１１との両方を覆うように被せる。ここで、リング状部材３２としては、腰があり且つ柔軟性を有し（半導体ウエハ３０を押さえ付けるため）、更には、半導体ウエハ３０を傷つけない材料が好ましく、各種のプラスチックシート又はゴムシートなどが好適である。
【００２５】
上記プラスチックシートとしては、例えば、テフロン（Ｒ）シート等のフッ素化合物、あるいはフッ素化合物を両面又は片面にコーティングしたものが好適である。上記テフロン（Ｒ）シートの厚みは、例えば、２００〜３００μｍ程度が理想的であるが、一般に市販されている５００μｍ程度としてもよい。また、その幅（径方向）は、少なくとも半導体ウエハ３０の周囲約５ｍｍ程度を覆い且つ吸着ステージ１０上の半導体ウエハ３０により覆われていない真空吸着用孔１１を覆う幅が必要となる。
【００２６】
また、リング状部材３２にゴムシートを用いる場合、長時間にわたって吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０と密着させた後では、リング状部材３２が吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０に固着してしまい、リング状部材３２を吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０から剥がす際に裏面研削した脆弱な半導体ウエハ３０を破壊する危険がある。そこで、上記ゴムシートの両面又は片面にテフロン（Ｒ）等のフッ素化合物をコーティングしておく。これにより、リング状部材３２を吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０から剥がす際の剥離性を向上させることができるため、脆弱な半導体ウエハ３０を破壊することなく、リング状部材３２を、吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０から簡単に分離することができる。
【００２７】
ここで、例えば、吸着ステージ１０の外径１３０ｍｍに対して半導体ウエハ３０の外径が、例えばφ３インチ（約７５ｍｍ）の場合には、吸着ステージ１０上の真空吸着用孔１１の中で、半導体ウエハ３０により覆われていないものが多数存在することになる。この場合、その覆われていない全ての真空吸着用孔１１をリング状部材３２で覆う必要はない。すなわち、半導体ウエハ３０の外周エッジの最も近くで同心円状に配置された真空吸着用孔１１を少なくとも覆うことができればよい。このようにリング状部材３２が真空吸着されることにより、半導体ウエハ３０の周辺部は確実且つ容易に吸着ステージ１０上に真空吸着される。
【００２８】
図７は、本発明が適用されるリング状部材３２を用いた半導体ウエハ３０のプロービング方法の一例について説明するためのフロー図である。本例は、図８及び図９に基づいて説明するものとする。まず、半導体ウエハプロービング装置の吸着ステージ１０上に、プロービングする半導体ウエハ３０を載置する（ステップＳ１）。この際、裏面研削していない半導体ウエハ３０の場合、図示しないキャリアカセットに半導体ウエハ３０をセットし、そのキャリアカセットを上記プロービング装置の所定位置に置いた後、そのプロービング装置の半導体ウエハ自動搬送機能によって吸着ステージ１０上に載置するのが一般的である。
【００２９】
図８は、プロービング装置の半導体ウエハ自動搬送アームの概要を示す図である。図８（Ａ）は搬送アーム３３の斜視図で、図８（Ｂ）は搬送アーム３３の側面図で、図８（Ｃ）は搬送アーム３３上に半導体ウエハ３０を載せた状態を示す斜視図で、図中、３３は搬送アームで、該搬送アーム３３は、先端部に矩形状の孔３４を有している。
図８（Ａ）及び（Ｂ）において、搬送アーム３３は、例えば、幅約２０ｍｍ程度，長さ約１５０ｍｍ程度，厚さ約２ｍｍ程度の直方形状の金属製アームとする。図８（Ｃ）において、この搬送アーム３３の先端には、例えば１０ｍｍ×５ｍｍ程度の孔３４が開いており、搬送アーム３３の内部を介してアーム先端に載せた半導体ウエハ３０を真空吸着する。
【００３０】
この際、半導体ウエハ３０の中心部、もしくは端部を搬送アーム３３で受け止めるため、それ以外の部分は中空に浮いた状態となる。裏面研削した脆弱な半導体ウエハ３０に対して上記のような方法を適用すると、真空吸着によってウエハ割れを生じることがある。従って、通常の半導体ウエハプロービング装置には自動搬送機能以外に、半導体ウエハ手載せ機能が装備されており、この手載せ機能を使用することで吸着ステージ１０上に半導体ウエハ３０を直接載置することができる。この方法では、半導体ウエハ３０の真空吸着工程が不要となるため、脆弱な半導体ウエハ３０のウエハ割れを防止することができる。
【００３１】
上記のように手載せの場合、吸着ステージ１０はプロービング装置内の適当な位置、すなわち外部から半導体ウエハ３０をセットするのに容易な位置（例えば、プロービング装置前面など）に移送されて待機状態となる。その後、半導体ウエハ３０の中心と、吸着ステージ１０の中心とが合致するように半導体ウエハ３０を吸着ステージ１０上に載置する。尚、自動搬送の場合、自動で半導体ウエハ３０中心と吸着ステージ１０中心とを合致させる。この時点で半導体ウエハ３０を吸着ステージ１０に真空吸着する（ステップＳ２）。
【００３２】
次に、リング状部材３２を吸着ステージ１０上に載置する（ステップＳ３）。
図９は、リング状部材３２を吸着ステージ１０上に載置した状態を示す図である。図９（Ａ）はリング状部材３２を吸着ステージ１０上に載置した状態を示す斜視図で、図９（Ｂ）はリング状部材３２を吸着ステージ１０上に載置した状態を示す断面図である。
【００３３】
図９に示すように、真空吸着した半導体ウエハ３０上に、半導体ウエハ３０の外周と、それよりも外側にある吸着ステージ１０の真空吸着用孔１１との両方を覆うようにリング状部材３２を載置する。この際、半導体ウエハ３０は真空吸着されているために、リング状部材３２を載置することで吸着ステージ１０に対する半導体ウエハ３０の位置がずれることはない。ここで、リング状部材３２の載置位置が不適切であった場合でも、前述したテフロン（Ｒ）シート等をリング状部材３２に利用することで、真空吸着を解除することなくリング状部材３２のみを取り外すことができる。すなわち、リング状部材３２に柔軟性のある材質を選択することにより、真空吸着している部分の端部から徐々に剥がしていくことが可能となる。このように、半導体ウエハ３０、真空吸着用孔１１に対するリング状部材３２の載置位置が適切かどうか判断し（ステップＳ４）、載置位置が適切でない場合（ＮＯの場合）、ステップＳ３に戻り処理を繰り返し、また、載置位置が適切な場合（ＹＥＳの場合）、次のステップＳ５に移行する。
【００３４】
次にステップＳ５において、吸着ステージ１０への半導体ウエハ３０及びリング状部材３２の載置が完了した後に、プロービング装置の半導体ウエハ３０のウエハロード機能で、半導体ウエハ３０をロードする。まず、半導体ウエハ３０のアライメントをとる。これは半導体ウエハ３０の回転方向のずれを補正する処理で、ＩＣチップ３１の縦横の辺と、吸着ステージ１０のＸ方向及びＹ方向の移動方向をそろえる。このアライメント作業は自動、もしくは手動で行う。次に、吸着ステージ１０はプロービングエリアに移送され、例えば、電気特性測定処理を行う場合はＩＣチップ３１の適切な位置に測定針が当たるようにセットし、ＩＣチップ３１のスタート位置をプロービング装置に登録する。尚、詳細はプロービング装置によって異なるものとし、本例に示す方法に限定されるものではない。
その後、プロービング装置、もしくは外部制御ソフトウェアの機能によって自動プロービングを開始する。
【００３５】
吸着ステージ１０は、まず上昇し、測定針がＩＣチップ３１に接触する。その状態で電気特性の測定を行い、測定が完了すれば吸着ステージ１０は降下する（ステップＳ５）。
【００３６】
次に、降下した状態で吸着ステージ１０は移動し、次の測定対象とするＩＣチップが測定針の下に移動する。その後、吸着ステージ１０の上昇、測定、吸着ステージ１０の降下、吸着ステージ１０の移動を繰り返し、全てのＩＣチップの測定が完了したか、すなわち吸着ステージ１０の移動が完了したかどうか判断し（ステップＳ６）、吸着ステージ１０の移動が完了していない場合（ＮＯの場合）、上記ステップＳ５に戻り処理を繰り返す。また、上記ステップＳ６において、吸着ステージ１０の移動が完了した場合（ＹＥＳの場合）、吸着ステージ１０が降下した状態となる。
【００３７】
引き続き自動制御で吸着ステージ１０は、アンロード位置まで移送される。裏面研削していない厚ウエハの自動搬送の場合、ウエハキャリアカセットまで自動的に搬送されるが、本例の場合、手載せ機能による制御を行うことができるので、吸着ステージ１０は、半導体ウエハ３０を当該ステージに載置したときと同じ場所に移送されて待機状態となる。吸着ステージ１０の移動が完了した時点で、通常は自動で真空吸着が解除される（ステップＳ７）。自動で解除されない場合には、手動で真空吸着を解除する。
【００３８】
次に、リング状部材３２を取り外す（ステップＳ８）。半導体ウエハ３０を吸着ステージ１０から落とさないようにしながら、リング状部材３２のみをピンセットなどを利用して取り外す。この際、リング状部材３２の材質として、例えば、前述したテフロン（Ｒ）シート等を用いることによって、長時間にわたって、吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０と密着させた後でも脆弱な半導体ウエハ３０を破壊することなく容易にリング状部材３２と、吸着ステージ１０及び半導体ウエハ３０と分離することができる。最後に、半導体ウエハ３０を吸着ステージ１０から取り外す（ステップＳ９）。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によると、半導体ウエハのプロービング時において、反りのある半導体ウエハを確実且つ容易に吸着ステージ上に吸着固定できるようにすることができるため、特に、Ｚ方向の測定精度が向上し、安定したプロービングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係わる吸着ステージの概要を示す図である。
【図２】本発明に係わる吸着ステージの概要を示す図である。
【図３】図２に示したＢＢ′断面の開口部を含む左半分を示す図である。
【図４】図２に示したＣＣ′断面の開口部の右半分を示す図である。
【図５】吸着ステージ上に半導体ウエハを載置し、その上にリング状部材を載置する様子の一例を示した図である。
【図６】吸着ステージ上に半導体ウエハを載置し、その上にリング状部材を載置する様子の一例を示した図である。
【図７】本発明が適用されるリング状部材を用いた半導体ウエハのプロービング方法の一例について説明するためのフロー図である。
【図８】プロービング装置の半導体ウエハ自動搬送アームの概要を示す図である。
【図９】リング状部材を吸着ステージ上に載置した状態を示す図である。
【符号の説明】
１０…吸着ステージ、１１…真空吸着用孔、１２，１３，１４…溝、１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１…裏面溝、２２，２３…開口部、２４，２５…真空引き経路、１２′，１３′，１４′，３４…孔、３０…半導体ウエハ、３１…ＩＣチップ、３２…リング状部材、３３…搬送アーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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