(57)【要約】【課題】転写搭載時に発生した残留ボールを、確実かつ効率よく除去できる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】導電性ボール４の供給部５と、複数の吸着孔に導電性ボール４を吸着保持する保持面を有する搭載ヘッド３と、導電性ボール４が搭載される被搭載物２３を支持する搭載部７と、供給部５と搭載部７の間で搭載ヘッド３を相対的に移動させる移動機構１とを備え、搭載ヘッド３により供給部５にて保持した導電性ボール４を搭載部７の被搭載物２３に搭載する導電性ボール搭載用の半導体装置の製造装置において、導電性ボール４を被搭載物２３に搭載した後の搭載ヘッド３に残された不要な導電性ボール４又は異物を除去する固着除去手段６が、供給部５と搭載部７の間の搭載ヘッド３の相対的移動経路中に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ボールの供給部と、
複数の吸着孔に導電性ボールを吸着保持する保持面を有する搭載ヘッドと、
導電性ボールが搭載される被搭載物を支持する搭載部と、
前記供給部と前記搭載部の間で搭載ヘッドを相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記搭載ヘッドにより前記供給部にて保持した導電性ボールを前記搭載部の被搭載物に搭載する導電性ボール搭載用の半導体装置の製造装置において、
導電性ボールを被搭載物に搭載した後の前記搭載ヘッドに残された不要な導電性ボール又は異物を除去する固着除去手段が、前記供給部と前記搭載部の間の前記搭載ヘッドの相対的移動経路中に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記固着除去手段が、不要な導電性ボール又は異物をフィルムに固着させて除去する手段であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記フィルムが、基材と粘着層とからなるフィルムであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記フィルムが、熱可塑性樹脂又は基材と加熱により軟化し粘着性を生じる層とからなるフィルムであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記フィルムが、布又は溶剤を含浸した布からなるフィルムであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記固着除去手段は、
前記フィルムを供給する機構と、
前記フィルムを導電性ボールが吸着保持される保持面に接触させる機構と、
前記フィルムを巻き取る機構と、
を有することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記固着除去手段は、
前記フィルムを供給する機構と、
前記フィルムを加熱しながら導電性ボールを吸着保持する保持面に接触させる機構と、
前記フィルムが冷却されるまでフィルムを保持面に接触させる機構と、
前記フィルムを巻き取る機構と、
を有することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項８】
半導体デバイス又は基板等の被搭載物の電極部に導電性ボールを搭載して、バンプを形成する半導体装置の製造方法において、
電極位置に対応して設けられた、ボール配列板のボール配列保持孔にボールを配列し、被搭載物の電極部に転写接合した後、配列板に残留する不要なボール又は異物を固着除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記固着除去する工程は、前記配列板に残留する不要なボール又は異物をフィルムに固着させて除去する工程であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記フィルムが、基材と粘着層とからなるフィルムであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記フィルムが、熱可塑性樹脂又は基材と加熱により軟化し粘着性を生じる層とからなるフィルムであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記フィルムが、布又は溶剤を含浸した布からなるフィルムであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記固着除去する工程は、
前記フィルムを供給する工程と、
前記フィルムを導電性ボールが吸着保持される保持面に接触させ、フィルムを巻き取る工程と、
を有することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記固着除去する工程は、
前記フィルムを供給する工程と、
前記フィルムを加熱しながらボール配列板に接触させる工程と、
前記フィルムが冷却されるまでフィルムを保持面に接触させる工程と、
前記フィルムを巻き取る工程と、
を有することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造装置及び製造方法に関し、特に、半田ボール等の導電性ボールを用いて半導体デバイスウェハ等の電極端子上にバンプを形成するのに好適な半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスチップの電気的接続に半田ボール等の導電性ボール（以後、半田ボールと呼称する）からなる微小金属球を使用したバンプ形成技術が用いられるようになっている。この場合、一般的には、まず、半導体デバイスウェハのバンプ形成位置となる電極上に、電気的接続の信頼性を確保するためバンプ下地金属（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）を形成し、さらにフラックスを塗布する。一方、バンプ形成位置に対応した位置に孔を設けたボール配列板に吸着配列させた多数の導電性ボールを位置合わせした後、各ＵＢＭ上に塗布されたフラックスの固着力を利用して一括して転写搭載する。その後、半田ボールをリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する。続いて、半導体デバイスウェハを個々のチップに切断するダイシング工程を経て、バンプが形成された半導体デバイスチップが完成する。
【０００３】
ところで、ボール配列板に吸着配列させた多数の半田ボールを転写搭載する際に、全ての半田ボールが半導体デバイスウェハに転写搭載されるとは限らない。例えば、半田ボールが変形していたために孔に強く食い込まれ、孔又は半田ボールに付いた汚れにより固着され、フラックスと半田ボールの接触による固着力よりも大きくなると、転写搭載動作終了後もボール配列板に残留するボールが発生する。特に、近年は半導体実装の高密度化の要求から、上記のバンプ形成に用いられる半田ボールの直径は、一般に１５０μｍ以下であるため、軽い食い込み、又は極少量の汚れであっても、残留ボールとなり易い。このような残留ボールが発生すると、次の吸着配列において、余剰ボールや欠落ボール等の不具合が生じ、ひいてはバンプ欠陥の原因となるため、残留ボールは毎回完全に除去する必要がある。
【０００４】
これに対し、簡便で、効率の良い残留ボールの除去方法は提案されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本願発明者等が検討した結果、例えば、残留ボールの位置を検出した後、気体を噴射又は吸引するノズルを残留ボールに直接近づけて除去する方法、あるいはノズル等に残留ボールを接触させて除去する方法等を考案した。しかしながら、このような方法では、まず残留ボールの位置を検出しなければならない。近年の半導体デバイスウェハでは、１枚のウェハ上に４０万箇所以上のバンプを形成することが多いため、必然的に残留ボールの検出対象位置は４０万箇所に上り、位置検出のみに多大の時間を要する。さらに、ノズルから気体を噴射して除去する方法、あるいは気体を吸引して除去する方法では、半田ボール径が小さくなるほど十分な力が加わらず、除去できないという問題がある。一方、ノズル等を直接ボールに接触させる方法では、残留ボールが近接して存在した場合、除去対象でない残留ボールに不要に接触してしまい、除去不可能な食い込みが生じる可能性もある。
【０００６】
本発明は、かかる実情に鑑み、転写搭載時に発生した残留ボールを、確実かつ効率よく除去できる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の手段を要旨とする。
（１）  導電性ボールの供給部と、複数の吸着孔に導電性ボールを吸着保持する保持面を有する搭載ヘッドと、導電性ボールが搭載される被搭載物を支持する搭載部と、前記供給部と前記搭載部の間で搭載ヘッドを相対的に移動させる移動機構とを備え、前記搭載ヘッドにより前記供給部にて保持した導電性ボールを前記搭載部の被搭載物に搭載する導電性ボール搭載用の半導体装置の製造装置において、導電性ボールを被搭載物に搭載した後の前記搭載ヘッドに残された不要な導電性ボール又は異物を除去する固着除去手段が、前記供給部と前記搭載部の間の前記搭載ヘッドの相対的移動経路中に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【０００８】
（２）  前記固着除去手段が、不要な導電性ボール又は異物をフィルムに固着させて除去する手段であることを特徴とする（１）に記載の半導体装置の製造装置。
【０００９】
（３）  前記フィルムが、基材と粘着層とからなるフィルムであることを特徴とする（２）に記載の半導体装置の製造装置。
【００１０】
（４）  前記フィルムが、熱可塑性樹脂又は基材と加熱により軟化し粘着性を生じる層とからなるフィルムであることを特徴とする（２）に記載の半導体装置の製造装置。
【００１１】
（５）  前記フィルムが、布又は溶剤を含浸した布からなるフィルムであることを特徴とする（２）に記載の半導体装置の製造装置。
【００１２】
（６）  前記固着除去手段は、前記フィルムを供給する機構と、前記フィルムを導電性ボールが吸着保持される保持面に接触させる機構と、前記フィルムを巻き取る機構と、を有することを特徴とする（２）乃至（５）のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【００１３】
（７）  前記固着除去手段は、前記フィルムを供給する機構と、前記フィルムを加熱しながら導電性ボールを吸着保持する保持面に接触させる機構と、前記フィルムが冷却されるまでフィルムを保持面に接触させる機構と、前記フィルムを巻き取る機構と、を有することを特徴とする（２）乃至（５）のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【００１４】
（８）  半導体デバイス又は基板等の被搭載物の電極部に導電性ボールを搭載して、バンプを形成する半導体装置の製造方法において、電極位置に対応して設けられた、ボール配列板のボール配列保持孔にボールを配列し、被搭載物の電極部に転写接合した後、配列板に残留する不要なボール又は異物を固着除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１５】
（９）  前記固着除去する工程は、前記配列板に残留する不要なボール又は異物をフィルムに固着させて除去する工程であることを特徴とする（８）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１６】
（１０）  前記フィルムが、基材と粘着層とからなるフィルムであることを特徴とする（９）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１７】
（１１）  前記フィルムが、熱可塑性樹脂又は基材と加熱により軟化し粘着性を生じる層とからなるフィルムであることを特徴とする（９）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１８】
（１２）  前記フィルムが、布又は溶剤を含浸した布からなるフィルムであることを特徴とする（９）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１９】
（１３）  前記固着除去する工程は、前記フィルムを供給する工程と、前記フィルムを導電性ボールが吸着保持される保持面に接触させ、フィルムを巻き取る工程と、を有することを特徴とする（８）乃至（１２）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００２０】
（１４）  前記固着除去する工程は、前記フィルムを供給する工程と、前記フィルムを加熱しながらボール配列板に接触させる工程と、前記フィルムが冷却されるまでフィルムを保持面に接触させる工程と、前記フィルムを巻き取る工程と、を有することを特徴とする（８）乃至（１２）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法によれば、転写搭載時に発生した残留半田ボール等を、確実かつ効率よく除去することができるため、高効率で安価なバンプ形成が可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置の全体像を示す模式図である。
【００２４】
第１の実施形態には、図１に示すように、搭載ヘッド３を特定の方向、例えば水平方向（Ｘ軸方向）に移動させるＸ軸移動装置（移動機構）１、及び搭載ヘッド３をＸ軸方向に垂直な方向、例えば鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させるＺ軸移動装置２が設けられている。搭載ヘッド３では、その吸着保持面（図示せず）にボール配列板２４が吸着されている。Ｘ軸移動装置１の下方には、半田ボール（導電性ボール）４を搭載ヘッド３に供給するボール供給装置（供給部）５、及びウェハ２３がその上に載置されるＹ−θテーブル（搭載部）７が配置され、更にボール供給装置５とＹ−θテーブル７との間に、残留ボール除去装置（固着除去手段）６が配置されている。
【００２５】
残留ボール除去装置６には、ポリイミド系基材とエポキシ系接着剤からなる粘着層とからなるフィルム２７が、フィルム供給部８からフィルム接触機構１０を経てフィルム巻き取り部９まで張架されている。フィルム２７の幅は、例えば２００ｍｍ程度である。
【００２６】
次に、上述のように構成された第１の実施形態に係る製造装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００２７】
先ず、ボール供給装置５に半田ボール４を搭載ヘッド３に供給させ、搭載ヘッド３にボール配列板２４を介して半田ボール４を吸着保持面（図示せず）に吸着させる。次に、Ｘ軸移動装置１を用いて搭載ヘッド３をＹ−θテーブル７上まで移動させることにより、半田ボール４のＸ方向の位置合わせを行う。なお、ボール配列板２４には、例えば直径が７０μｍ程度の孔が複数個形成されている。半田ボール４としては、例えば、その直径が１００μｍ程度であり、６３Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶からなるものを用いる。
【００２８】
次いで、ウェハ２３が載置されたＹ−θテーブル７をＹ方向（Ｘ方向及びＺ方向に垂直な方向）に平行移動させ、更にＹ−θテーブル７を回転移動させることにより、半田ボール４をウェハ２３のバンプ形成位置に位置合わせする。そして、Ｚ軸移動装置２を使用して半田ボール４をウェハ２３上に転写搭載する。なお、ウェハ２３は、例えば、３８５，０００個のバンプ形成位置が設けられた直径８インチ（約２００ｍｍ）のものを用いる。また、ウェハ２３には、予めフラックスを塗布しておくことが好ましい。
【００２９】
その後、Ｘ軸移動装置１を用いて搭載ヘッド３をボール供給装置５上まで移動させるが、半田ボール４の搭載後に吸着保持面に半田ボール４が残留している場合には、搭載ヘッド３が残留ボール除去装置６上を通過する際に、図３に示すように、残留ボール除去装置６のフィルム２７に、残留している半田ボール４（以下、残留半田ボール２２という）を接触させる。また、残留ボール除去装置６については、搭載ヘッド３が残留ボール除去装置６上を通過する以前に、フィルム巻き取り部９にフィルム２７の巻き取りを開始させておく。
【００３０】
このような操作を行うことにより、図４に示すように、残留半田ボール２２が残留ボール除去装置６によって搭載ヘッド３から除去される。
【００３１】
そして、搭載ヘッド３をボール供給装置５上まで移動させた後には、次のボール搭載のためのボール吸着を行い、所定回数だけこれらの操作を繰り返す。
【００３２】
実際に、本願発明者が１０回の半田ボール４の搭載を行って残留半田ボール２２を検出したところ、搭載直後には、平均して１６箇所で残留半田ボール２２が発生していた。ここでは、３８５，０００個のバンプ形成位置が設定されたフラックス塗布済みのウェハ２３を用い、直径が１００μｍで６３Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶からなる半田ボール４を用いた。また、ボール配列板２４に形成されている孔の直径は７０μｍとした。
【００３３】
しかし、搭載後に、フィルム接触機構１０の位置調整を行ってフィルム２７に残留半田ボール２２を接触させながら搭載ヘッド３を移動させたところ、搭載ヘッド３から残留半田ボール２２が完全に除去され、次のボール搭載のためのボール吸着に移行する際には、残留半田ボール２２は皆無であった。
【００３４】
また、上記の半田ボール４が搭載された１０枚のウェハを最高温度２３０℃でリフローした後、洗浄及び検査を行ったところ、バンプに欠陥はみられなかった。
【００３５】
なお、フィルム２７としては、幅が２００ｍｍで、厚さが５０μｍの基材に厚さが１０μｍの粘着層が設けられたものを用い、フィルム巻き取り部９により、フィルム２７の周速が搭載ヘッド３の移動速度と等しくなるように調整した。また、フィルム２７とボール配列板２４との間隔は７０μｍに設定した。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、本発明の第２の実施形態における残留ボール除去装置６を示す模式図である。
【００３７】
第２の実施形態では、図５に示すように、ポリイミド系基材と、エポキシ系熱可塑性樹脂からなり加熱により軟化し粘着性を生じる樹脂層とからなるフィルム２８が、フィルム供給部８から、加熱機能付きフィルム接触機構１１及びフィルム接触機構１０を経てフィルム巻き取り部９まで張架されている。フィルム２８の幅は、例えば２００ｍｍ程度である。その他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、その詳細は省略する。
【００３８】
次に、上述のように構成された第２の実施形態に係る製造装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００３９】
先ず、ボール供給装置５に半田ボール４を搭載ヘッド３に供給させ、搭載ヘッド３にボール配列板２４を介して半田ボール４を吸着保持面（図示せず）に吸着させる。次に、Ｘ軸移動装置１を用いて搭載ヘッド３をＹ−θテーブル７上まで移動させることにより、半田ボール４のＸ方向の位置合わせを行う。なお、ボール配列板２４には、例えば直径が７０μｍ程度の孔が複数個形成されている。半田ボール４としては、例えば、その直径が１００μｍ程度であり、６３Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶からなるものを用いる。
【００４０】
次いで、ウェハ２３が載置されたＹ−θテーブル７をＹ方向（Ｘ方向及びＺ方向に垂直な方向）に平行移動させ、更にＹ−θテーブル７を回転移動させることにより、半田ボール４をウェハ２３のバンプ形成位置に位置合わせする。そして、Ｚ軸移動装置２を使用して半田ボール４をウェハ２３上に転写搭載する。なお、ウェハ２３は、例えば、３８５，０００個のバンプ形成位置が設けられた直径８インチ（約２００ｍｍ）のものを用いる。また、ウェハ２３には、予めフラックスを塗布しておくことが好ましい。
【００４１】
その後、Ｘ軸移動装置１を用いて搭載ヘッド３をボール供給装置５上まで移動させるが、搭載ヘッド３が残留ボール除去装置６上を通過する際に、図６に示すように、残留ボール除去装置６のフィルム２８に、残留半田ボール２２を接触させる。また、残留ボール除去装置６については、搭載ヘッド３が残留ボール除去装置６上を通過する以前に、フィルム巻き取り部９にフィルム２８の巻き取りを開始させておくと共に、加熱機能付きフィルム接触機構１１の温度を、フィルム２８の樹脂層が粘着性を生じさせる温度、例えば８０℃程度まで加熱しておく。
【００４２】
このような操作を行うことにより、図７に示すように、残留半田ボール２２だけでなく、搭載ヘッド３に付着している異物もが残留ボール除去装置６によって搭載ヘッド３から除去される。
【００４３】
そして、搭載ヘッド３をボール供給装置５上まで移動させた後には、次のボール搭載のためのボール吸着を行い、所定回数だけこれらの操作を繰り返す。
【００４４】
実際に、本願発明者が１０回の半田ボール４の搭載を行って残留半田ボール２２等を検出したところ、搭載直後には、平均して２０箇所で残留半田ボール２２が発生し、３箇所で異物の付着が発生していた。ここでは、３８５，０００個のバンプ形成位置が設定されたフラックス塗布済みのウェハ２３を用い、直径が１００μｍで６３Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶からなる半田ボール４を用いた。また、ボール配列板２４に形成されている孔の直径は７０μｍとした。
【００４５】
しかし、搭載後に、フィルム接触機構１０及び加熱機能付きフィルム接触機構１１の位置調整並びに加熱機能付きフィルム接触機構１１の加熱を行ってフィルム２８に残留半田ボール２２を接触させながら搭載ヘッド３を移動させたところ、搭載ヘッド３から残留半田ボール２２及び異物が完全に除去され、次のボール搭載のためのボール吸着に移行する際には、残留半田ボール２２及び異物は皆無であった。
【００４６】
また、上記の半田ボール４が搭載された１０枚のウェハを最高温度２３０℃でリフローした後、洗浄及び検査を行ったところ、バンプに欠陥はみられなかった。
【００４７】
なお、フィルム２８としては、幅が２００ｍｍで、厚さが１００μｍの基材に厚さが１００μｍの加熱により軟化し粘着性を生じる樹脂層が設けられたものを用い、フィルム巻き取り部９により、フィルム２８の周速が搭載ヘッド３の移動速度と等しくなるように調整した。また、加熱機能付きフィルム接触機構１１の加熱部の温度を８０℃とし、フィルム２８とボール配列板２４とが直接接するよう（間隔なし）に設定した。
【００４８】
更に、加熱機能付きフィルム接触機構１１とフィルム接触機構１０との間隔を３０ｍｍとしたところ、フィルム接触機構１０におけるフィルム２８の温度は雰囲気温度と同じ２３℃であった。
【００４９】
なお、本発明は、上述の実施形態のみに限定されるものでなく、本発明の範囲内で種々の変更等が可能である。
【００５０】
例えば、搭載ヘッドに装着されたボール配列板により半田ボールを配列保持する機構の代わりに、ボールより大きい孔を設けた配列板に半田ボールを落とし込むことによりボール配列を行う方法において、配列板上部に残留したボール又は異物の除去に用いることもできる。
【００５１】
また、フィルムが、布又は溶剤を含浸した布等であっても良く、残留半田ボールや異物を固着除去できるものであれば、フィルムに限定するものではなく、その形態は特に問わない。
【００５２】
また、必ずしもフィルムをウェハに部分的に接触させる必要はなく、ウェハ全面の大きさを持つフィルムを一度に接触させて、残留半田ボールの除去を行うこともできる。この場合、連続したフィルムではなく、枚葉のシートであっても良い。
【００５３】
さらには、残留ボール除去装置を、搭載部の外側に設け、残留半田ボールを除去した後、供給部に移動させてもよい。
【００５４】
フィルムとしては、上記の実施形態で用いたものの他に、ダイシングテープ、バックグラインド用保護テープ等の名称で一般に販売されているテープ、フィルムを用いることができる。
【００５５】
なお、Ｙ−θ移動機構を搭載ヘッドに設けたり、Ｚ軸移動機構をテーブルや除去装置に設けたりしてもよい。
【００５６】
更に、導電性ボールは半田ボールに限定されず、導電性のボールであれば他のものでも良い。また、被搭載物としては、ウェハの他に、例えばプリント基板等を用いてもよい。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明に係る半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法によれば、ボール搭載時に発生する残留半田ボールを効率的かつ確実に除去することができるため、バンプ付き半導体装置の製造において、ボール搭載工程を効率的に行うことができる。従って、歩留まりの向上が図れるとともに、品質に優れたバンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置の全体像を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における残留ボール除去装置６を示す模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る製造装置を用いた半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図４】図３に引き続き、本発明の第１の実施形態に係る製造装置を用いた半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における残留ボール除去装置６を示す模式図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る製造装置を用いた半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【図７】図６に引き続き、本発明の第２の実施形態に係る製造装置を用いた半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【符号の説明】
１：Ｘ軸移動装置
２：Ｚ軸移動装置
３：搭載ヘッド
４：半田ボール
５：ボール供給装置
６：残留ボール除去装置
７：Ｙ−θテーブル
８：フィルム供給部
９：フィルム巻き取り部
１０：フィルム接触機構
１１：加熱機能付きフィルム接触機構
２２：残留半田ボール
２３：半導体ウェハ
２４：ボール配列板
２７、２８：フィルム
【図１】
2005056901.tif 000003
【図２】
2005056901.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005056901.tif 000006
【図５】
2005056901.tif 000007
【図６】
2005056901.tif 000008
【図７】
2005056901.tif 000009