(57)【要約】【課題】  シール材に含まれる導電性粒子の凝集による、隣接する電極同士のショート等の発生が少ない電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】  導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、第１の基板に形成された電極及び第２の基板に形成された電気配線を電気的に接続するために、第１の基板は第１の基板間導通用端子を備えるとともに、第２の基板は第２の基板間導通用端子を備え、導電性シール材は、絶縁性接着剤と、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを電気的に接続するための導電性針状粒子と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子と、を含む。【選択図】  図８
2005309152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、
前記第１の基板に形成された電極及び前記第２の基板に形成された電気配線を電気的に接続するために、前記第１の基板は第１の基板間導通用端子を備えるとともに、前記第２の基板は第２の基板間導通用端子を備え、
前記導電性シール材は、絶縁性接着剤と、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とを電気的に接続するための導電性針状粒子と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記導電性針状粒子の長径：短径の比率であるアスペクト比を２：１〜１００：１の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電性針状粒子の硬さを、前記絶縁性接着剤よりも硬くすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記導電性針状粒子の添加量を、前記導電性シール材の全体量に対して、１０〜５０重量％の範囲内の値とするとともに、前記スペーサ粒子の添加量を１〜２０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記導電性針状粒子が前記第１の基板及び第２の基板の基板面に対して実質的に垂直方向に配向していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記導電性針状粒子の長径を、前記スペーサ粒子の直径よりも大きくすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記導電性針状粒子の長径を、前記シール材の形成領域におけるセルギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置の製造方法において、
前記第１の基板に形成された電極及び前記第２の基板に形成された電極を電気的に接続するために、前記第１の基板に第１の基板間導通用端子を形成するとともに、前記第２の基板に第２の基板間導通用端子を形成する工程と、
前記第１の基板及び第２の基板、あるいはいずれか一方の基板に、絶縁性接着剤と、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とを電気的に接続するための導電性針状粒子と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子と、を含む導電性シール材を塗布した後、当該導電性シール材を介して前記第１の基板と第２の基板とを接合する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記導電性針状粒子を前記第１の基板及び第２の基板の基板面に対して垂直方向に磁場配向させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。特に、異方導電性のシール材を介して、一対の基板を貼り合わせた場合に、上下基板を確実に電気的に接続させた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及びこのような電気光学装置を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶表示装置は、第１の電極を備えた第１の基板と、第２の電極及び電気配線を備えた第２の基板とを、シール材を介して貼り合わせるとともに、当該第１の基板及び第２の基板間に液晶材料を封入して構成されている。
そして、例えば三辺フリーの液晶パネル等においては、第１の基板上の第１の電極と、第２の基板上の電気配線との電気的導通を確保するために、導電性粒子を混合、分散させたシール材を用いて、それらの基板を貼り合わせている。より詳細には、図１７に示すように、対向電極は、ＴＦＴアレイ基板上に形成された導通用パッドと導通材を介して電気的に接続される電気光学装置であって、導通材は、樹脂中に、グラスボール表面に金属被膜が形成されてなる導電性粒子が分散されて構成された電気光学装置である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、このようなシール材に混合される導電性粒子として、母体粒子全面に大きさの揃った突起物が強固に結着したシリカ系粒子をコアとする導電性粒子、及びその外周に絶縁性被覆層を設けた粒子が知られている。より詳細には、図１８に示すように、母体粒子表面に、化学結合により結着してなる実質上球状及び／又は球冠状の突起物をもつシリカ系粒子と、その表面に形成された導電性被覆層とを有する導電性シリカ系粒子、及びその外周に絶縁性被覆層を設けた粒子である（例えば、特許分文献２参照）。
【０００４】
さらに、一対の基板を貼り合わせるシール材に係る構成及び一対の基板間の上下導通に係る構成の簡略化を図った電気光学装置が知られている。より詳細には、例えば、熱硬化性のシール材中に、ニッケル金メッキが施されたビーズ状あるいはファイバー状のＳｉＯ2粒子からなる導通性微粒子を混合したシール材を備えた電気光学装置である（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００２−２３６６２号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００３−４３９４７号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００２−２１４６２７号公報（特許請求の範囲、段落００５５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された電気光学装置に使用される導電性粒子や、特許文献２に記載された導電性シリカ粒子は、実質的に球状であるために、シール材を用いて第１の基板及び第２の基板を貼り合わせる際の温度条件等によっては、確実に上下導通を確保することができない場合があった。すなわち、第１の基板及び第２の基板を貼り合わせる際には、いずれか一方の基板上にシール材を塗布した後、本圧着前に、シール材が所定位置から流出することを防止するために、プリベークすることによりある程度硬化させている。このとき、シール材の表面に硬化膜が形成される場合があり、導通性粒子の形状が球状である場合には、当該硬化膜を貫通することができず、上下基板の導通用端子を電気的に接続させることができないという問題が見られた。
また、特許文献３に記載された電気光学装置に使用される導通性微粒子は、ファイバー状のものも含まれているが、かかる導通性微粒子によっても、その硬度との関係で、シール材表面に硬化膜が形成された場合には、上下基板の導通端子を電気的に接続できない場合が見られた。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、電気光学装置に使用されるシール材中に、針状の導電性粒子と、セルギャップを確保するためのスペーサ粒子と、を含んだ構成とすることにより、基板間のシール部分において、所定のセルギャップを確保しつつ、上下導通を確保することができることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、電気光学装置において、シール材に含まれる導電性粒子の形状を針状とすることにより、プリベークによってシール材表面に膜が形成された場合であっても、確実に上下導通を採ることが可能な電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、このような電気光学装置の効率的な製造方法を提供するとともに、このような電気光学装置を含む電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置であって、第１の基板に形成された電極及び第２の基板に形成された電気配線を電気的に接続するために、第１の基板は第１の基板間導通用端子を備えるとともに、第２の基板は第２の基板間導通用端子を備え、導電性シール材は、絶縁性接着剤と、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを電気的に接続するための導電性針状粒子と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子と、を含む電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、シール材中に針状の導電性粒子を含むことにより、プリベーク工程において、シール材表面に硬化膜が形成された場合であっても、当該膜を貫通させて、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させた電気光学装置を提供することができる。また、所定のスペーサ粒子をさらに含むことにより、シール部分においてもセルギャップを確保して、表示される画像のムラを防止することができる。
なお、導電性針状粒子とは、単体としての導電性針状粒子だけでなく、図１０に示すように、導電性の針状あるいは棒状物２６が折れた状態の針状粒子も含まれる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性針状粒子の長径：短径の比率であるアスペクト比を２：１〜１００：１の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、プリベーク工程においてシール材表面に形成された硬化膜を確実に貫通させることができ、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性針状粒子の硬さを、絶縁性接着材よりも硬くすることが好ましい。
このように構成することにより、プリベーク工程においてシール材の表面に形成された硬化膜をより確実に貫通させることができ、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とをさらに確実に電気的に接続させることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性針状粒子の添加量を、導電性シール材の全体量に対して、１０〜５０重量％の範囲内の値とするとともに、スペーサ粒子の添加量を１〜２０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、シール材の粘着力を低下させることなく、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させるとともに、シール部分におけるセルギャップを確保することができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性針状粒子が第１の基板及び第２の基板の基板面に対して垂直方向に配向していることが好ましい。
このように構成することにより、製造段階においては、プリベーク工程においてシール材の表面に形成された硬化膜を確実に貫通させることができるとともに、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させた電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性針状粒子の長径を、スペーサ粒子の直径よりも大きくすることが好ましい。
このように構成することにより、シール部分におけるセルギャップを確保するとともに、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させることができる。
なお、スペーサ粒子の直径とは、スペーサ粒子における、第１の基板及び第２の基板の基板面に対して垂直方向の径又は高さを意味する。
【００１３】
また、導電性針状粒子の長径を、シール材の形成領域におけるセルギャップよりも大きくすることが好ましい。
このように構成することにより、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させることができる。
【００１４】
また、本発明の別の態様は、導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置の製造方法であって、第１の基板に形成された電極及び第２の基板に形成された電極を電気的に接続するために、第１の基板に第１の基板間導通用端子を形成するとともに、第２の基板に第２の基板間導通用端子を形成する工程と、第１の基板及び第２の基板、あるいはいずれか一方の基板に、絶縁性接着剤と、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを電気的に接続するための導電性針状粒子と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子と、を含む導電性シール材を塗布した後、当該導電性シール材を介して前記第１の基板と第２の基板とを接合する工程と、を含む電気光学装置の製造方法である。
すなわち、針状の導電性粒子を含むシール材を用いて第１の基板及び第２の基板を貼り合わせることにより、例えば、プリベーク工程を実施して、シール材の表面に硬化膜が形成された場合であっても、当該硬化膜を確実に貫通させて、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子との導通を確保することができる。また、スペーサ粒子をさらに含むことにより、シール部分のセルギャップにバラつきが生じることを防止することができる。したがって、接続不良や、表示ムラ等の発生の少ない電気光学装置を効率的に製造することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、導電性針状粒子を第１の基板及び第２の基板の基板面に対して垂直方向に磁場配向させる工程をさらに含むことが好ましい。
このように実施することにより、針状の導電性粒子を、シール材の表面に対して垂直方向に制御して、より確実にシール材表面に形成された硬化膜を貫通させることができる。
【００１６】
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器である。
すなわち、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させた電気光学装置を備えることにより、表示不良の少ない電子機器を効率的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１８】
［第１実施形態］
第１実施形態は、導電性シール材２３を介して対向配置される第１の基板３０及び第２の基板６０と、当該第１の基板３０及び第２の基板６０の間に狭持された電気光学物質２１と、を含む電気光学装置である。そして、第１の基板３０に形成された電極３３及び第２の基板６０に形成された電気配線（引回し配線）６６を電気的に接続するために、第１の基板３０は第１の基板間導通用端子３４を備えるとともに、第２の基板６０は第２の基板間導通用端子６４を備え、導電性シール材２３は、絶縁性接着剤２７と、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを電気的に接続するための導電性針状粒子２９と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子２８と、を含むことを特徴とする。
以下、図１〜図１０を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、第１の基板（カラーフィルタ基板と称する場合がある。）３０、及び第２の基板（素子基板と称する場合がある。）６０を用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
【００１９】
１．電気光学装置の基本構造
まず、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線等について具体的に説明する。ここで、図１は液晶表示装置に使用される液晶パネル２０の概略斜視図であり、図２は当該液晶パネル２０の概略断面図である。
図１及び図２に示される液晶パネル２０は、二端子型非線形素子としてのスイッチング素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを必要に応じて適宜取付けることにより電気光学装置となる。
なお、液晶パネル２０は、アクティブマトリクス型構造の液晶パネルに限られず、パッシブマトリクス型構造の液晶パネルであっても構わない。
【００２０】
また、図１及び図２に示すように、液晶パネル２０は、透明な第１のガラス基板３１を基体とする第１の基板３０と、透明な第２のガラス基板６１を基体とする第２の基板６０とが、対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。また、第１の基板３０と、第２の基板６０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部２３ａを介して液晶材料２１を注入した後、封止材２５にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、第１の基板３０と第２の基板６０との間に液晶材料２１が充填されている。
【００２１】
また、第２のガラス基板６１の内面、すなわち、第１のガラス基板３１に対向する表面上に、第２の電極（画素電極と称する場合がある。）６３をマトリクス状に形成し、第１のガラス基板３１の内面、すなわち、第２のガラス基板６１に対向する表面上には、第１の電極（走査電極と称する場合がある。）３３が形成されている。また、第２の電極６３は、スイッチング素子６９を介して電気配線（データ線と称する場合がある。）６５に対して電気的に接続されるとともに、もう一方の第１の電極３３は、導電性粒子を含むシール材２３を介して第２の基板６０上の引回し配線６６に対して電気的に接続されている。このように構成された第２の電極６３と第１の電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
なお、図１中、それぞれの画素領域に対応する第２の電極６３やスイッチング素子６９については、一部のみ図示してあるが、その他の画素領域についても同様に存在する。
【００２２】
また、第２のガラス基板６１は、第１のガラス基板３１の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、電気配線６５、引回し配線６６及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子６７が形成されている。
そして、これら電気配線６５、引回し配線６６及び外部接続用端子６７に対して電気的に接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）９１が実装されている。さらに、基板張出部６０Ｔの端部には、外部接続用端子６７に導電接続されるように、回路基板９３が実装されている。
【００２３】
２．第１の基板
液晶パネル２０を構成する第１の基板３０は、一例として、図２に示すように、基本的に、第１のガラス基板３１と、反射層３５と、着色層３７と、遮光層３９と、第１の電極３３と、から構成されている。そして、第１のガラス基板３１の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
【００２４】
ここで、反射層３５は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜から構成することができる。そして、図２に示すように、画素毎に、反射領域と透過領域を形成するための反射部３５ｒ及び開口部３５ａを備えた半透過反射層３５である。
【００２５】
また、カラーフィルタを構成する着色層３７は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層３７の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層３７は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層３７を形成することができる。そして、複数の色調の着色層３７を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００２６】
また、画素毎に形成された着色層３７の間の画素間領域に、遮光部（ブラックマトリクスと称する場合がある。）３９が形成されている。すなわち、隣接する画素間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
このような遮光部３９としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。ただし、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも、着色層３７と同時に形成することができるとともに、優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることも好ましい。さらに、遮光性を高めるためには、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光部３９として使用することも好ましい。
このように、着色層３７と遮光層３９とによってカラーフィルタが形成されることになる。
【００２７】
また、着色層３７や遮光層３９の上に、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる表面保護層４１を設けて、被覆している。
さらに、表面保護層４１の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の電極３３が形成されている。かかる第１の電極３３は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されている。また、第１の電極３３は、その端部に、第２の基板６０上の電気配線６５と電気的に接続するための第１の基板間導通用端子３４を備えている。
そして、この第１の電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜４５が形成されている。
【００２８】
３．第２の基板
第１の基板３０と対向する第２の基板６０は、図２に示すように、第２のガラス基板６１と、電気配線６５と、スイッチング素子（図示せず）と、第２の電極（図示せず）と、から構成されている。
また、電気配線６５や第２の電極（図示せず）等の上には、第１の基板３０における第１の配向膜４５と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜４が形成されている。さらに、第２のガラス基板６１の外面においても、位相差板（１／４波長板）７７及び偏光板７９が配置されている。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層３７を第１のガラス基板３１上に設けてあるが、第２のガラス基板６１上に設けることもできる。
【００２９】
ここで、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、第２の基板６０の構成、及び第２の基板６０上の電気配線６５、第２の電極６３等と、第１の基板３０上の第１の電極３３と、の配置関係について説明する。なお、図３（ａ）は第１の基板３０の平面図であり、図３（ｂ）は第２の基板６０の平面図であり、図３（ｃ）は第１の基板３０及び第２の基板６０を重ね合わせた状態での平面図である。
この図３（ｂ）に示すように、第２の基板６０には、電気配線６５として、複数の配線が並列したストライプ状に構成されている。また、この電気配線６５には、スイッチング素子６９を介して、複数の画素電極をなす第２の電極６３が電気的に接続されている。
また、ドライバＩＣ９１等が実装される領域の両側には、導電性粒子を含むシール材（図示せず。）を介して第１の基板３０上の第１の電極３３と電気的に接続される引回し配線（電気配線）６６が設けられている。かかる引回し配線６６は、その端部に、第１の基板３０における第１の基板間導通用端子３４と電気的に接続するための、第２の基板間導通用端子６４を備えている。
【００３０】
そして、図３（ｃ）に示すように、第１の基板３０と、第２の基板６０とを対向配置した場合に、第１の電極３３と電気配線６５とが交差するとともに、第２の基板６０上の第２の電極６３が第１の基板３０上の第１の電極３３と重なっている。このように配置することにより、第１の基板３０上の第１の電極３３と、第２の基板６０上の第２の電極６３との交差領域が画素として構成することができる。したがって、所望の画素に対して電圧を印加することにより、当該画素領域の液晶材料２１に電界を発生させ、表示領域Ａ全体として文字、図形等の画像を表示させることができる。
【００３１】
なお、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを電気的に接続させる位置については、特に制限されるものではなく、例えば、図４（ａ）〜（ｃ）に示すような位置において、接続させることが可能である。すなわち、図４（ａ）及び（ｂ）は、第２の基板６０における、外部接続用端子６７が存在する辺と垂直な二辺まで引回し配線としての電気配線６６を配設して、第１の基板３０上の第１の電極３３における第１の基板間導通用端子３４と電気的に接続している例を示している。また、図４（ｃ）は、第２の基板６０における、外部接続用端子６７が存在する辺側であって、データ線としての電気配線６５が存在しない部分を利用して、第１の基板３０上の第１の電極３３における第１の基板間導通用端子３４と電気的に接続している例を示している。
【００３２】
また、かかる電気配線６５及び引回し配線６６は、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等から構成することができる。また、第２の電極６３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体から構成することができる。そして、かかる第２の電極６３は、スイッチング素子６９を介して電気配線６５に接続される。
【００３３】
このスイッチング素子６９としては、図５（ａ）〜（ｂ）に例示するように、ニ端子型非線形素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子６９ａ、６９ｂとすることができる。ここで、図５（ａ）は、第２の基板６０における一画素領域の拡大平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＥＥ´断面を矢印方向に見た断面図である。
かかるＴＦＤ素子６９ａ、６９ｂは、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜７１及び第２金属膜７３、７４の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。また、かかるスイッチング素子６９は、バックトゥバック構造を持つため、極性に関して正負対称な電圧−電流特性を持ち、例えば、電気光学装置においてライン毎に印加電圧の極性を反転させる交流駆動回路に適している。
【００３４】
また、ＴＦＤ素子６９ａ、６９ｂは、素子第１電極（第１金属膜）７１、絶縁膜７２、及び素子第２電極（第２金属膜）７３、７４からなるサンドイッチ構成を有している。すなわち、第１のＴＦＤ素子６９ｂは、図５（ｂ）に示すように、第１金属膜７１と、絶縁膜７２と、電気配線６５から分岐した部分に相当する第２金属膜７４と、がこの順に積層されて構成されている。一方、第２のＴＦＤ素子６９ａは、同様に、第１金属膜７１と、絶縁膜７２と、第２の電極６３に電気接続された第２金属膜７３と、がこの順に積層されて構成されている。
さらに、第１のＴＦＤ素子６９ｂ及び第２のＴＦＤ素子６９ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜７３、７４が設けてあるが、絶縁膜７２及び第１金属膜７１は、それぞれ共通している。
ここで、第１金属膜７１や第２金属膜７３、７４、としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜７２としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
【００３５】
なお、図６に、ドライバＩＣ及びＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な回路図の一例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の電気配線６５と、Ｘ方向に延在する複数の第１の電極３３とから構成されており、各交差部分において画素領域１１０が構成されている。また、各画素領域１１０において、液晶表示要素１１１と、ＴＦＤ素子６９とが直列接続されている。
また、ＴＦＤ素子以外にも、図７にその回路図の一例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような三端子型非線形素子２６９を使用することもできる。
【００３６】
４．導電性シール材
（１）基本的構成
導電性シール材は、第１の基板３０と、第２の基板６０とを貼り合わせるとともに、第２の基板６０上の引回し配線としての電気配線６６における第２の基板間導通用端子６４と、第１の基板３０上の第１の電極３３における第１の基板間導通用端子３４と、を電気的に接続させるための部材である。そして、第１実施形態の電気光学装置に使用される導電性シール材２３は、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、絶縁性接着剤２７と、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを電気的に接続するための導電性針状粒子２９と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子２８と、を含むことを特徴としている。
なお、図８（ａ）は、導電性針状粒子２９等を含むシール材２３を介して貼り合わせた第１の基板３０及び第２の基板６０を示す概略平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）中のＸＸ断面を矢印方向に見た概略断面図である。
【００３７】
すなわち、導電性粒子を針状にすることにより、電気光学装置の製造段階においてシール材２３をプリベークした際に、シール材２３の表面に形成される硬化膜２４によって、第１の基板間導通用端子３４と、第２の基板間導通用端子６４と、が電気的に接続されなくなることを防止することができる。より具体的には、図９（ａ）に示すように、シール材中に含まれる導電性粒子が、球状又はアスペクト比の低いファイバー状の導電性粒子１２５である場合には、プリベーク工程において形成されたシール材２３表面の硬化膜２４を貫通させることができない場合がある。かかる場合には、第１の基板間導通用端子３４と、第２の基板間導通用端子６４と、が電気的に接続されなくなる。一方、導電性粒子を針状とした場合には、図９（ｂ）に示すように、そのような硬化膜２４が形成された場合であっても、導電性針状粒子２９の先端に圧力が集中するために、当該硬化膜２４を貫通させることができる。したがって、第１の基板間導通用端子３４と、第２の基板間導通用端子６４と、を確実に電気的に接続させることができる。
【００３８】
（２）絶縁性接着剤
絶縁性接着剤２７の種類としては、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が使用できるが、より具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂等を使用することができる。ただし、耐熱性や耐湿性、さらには透明性に優れることからエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
【００３９】
また、絶縁性接着剤２７の添加量に関し、シール材２３の全体量を１００重量％としたときに、絶縁性接着剤２７の添加量を５０〜９８重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる添加量が５０重量％未満の値となると、シール材の接着性が低下する場合があるためである。一方、かかる添加量が９８重量％を超えると、導通性が確保できない場合があるためである。
したがって、シール材２３の全体量を１００重量％としたときに、絶縁性接着剤２７の添加量を５５〜９３重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、６０〜８８重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４０】
（３）導電性針状粒子
導電性針状粒子２９は、基材としての絶縁性接着剤２７中に含まれ、第２の基板６０上の引回し配線としての電気配線６６における第２の基板間導通用端子６４及び第１の基板３０上の第１の電極３３における第１の基板間導通用端子３４の双方に接することにより、それらの間を電気的に接続させるための部材である。
なお、導電性針状粒子２９とは、単体としての導電性針状粒子２９だけでなく、図１０に示すように、導電性の針状あるいは棒状物２６が折れた状態の針状粒子２９´も含まれる。
【００４１】
また、かかる導電性針状粒子２９は、絶縁性接着剤２７よりも硬い材料からなることが好ましい。この理由は、電気光学装置の製造段階におけるプリベーク工程において、シール材２３表面の絶縁性接着剤２７が硬化した場合であっても、当該硬化膜２４を貫通させて、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを確実に電気的に接続させることができるためである。
かかる導電性針状粒子２９の材料としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等の金属材料、又はプラスチック粒子の表面にＡｕ等で金属メッキしたもの等を、好適に使用することができる。ただし、後述するように、第１の基板３０と、第２の基板６０と、を貼り合わせる際に、磁場をかけて、導電性針状粒子２９をシール材２３の表面に対して垂直方向に配向させることができることから、強磁性材料であるＦｅ、Ｎｉ等、又はこれらにＡｕ等をコーティングしたものを使用することが好ましい。
なお、導電性針状粒子２９及び絶縁性接着剤２７の硬度は、ビッカース硬度計や、ロックウェル硬度計を用いて測定することができる。
【００４２】
また、導電性針状粒子２９の長径：短径の比率であるアスペクト比を２：１〜１００：１の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、導電性針状粒子２９のアスペクト比が２：１未満の値となると、導電性針状粒子２９の先端にかかる圧力が分散してしまい、プリベーク工程において形成されたシール材２３表面の硬化膜２４を貫通させることができない場合があるためである。一方、導電性針状粒子２９のアスペクト比が１００：１を超えると、導電性針状粒子２９の強度が低下して折れやすくなり、やはり、かかる硬化膜２４を貫通させることができない場合があるためである。
したがって、導電性針状粒子２９のアスペクト比を３：１〜８０：１の範囲内の値とすることがより好ましく、５：１〜５０：１の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４３】
また、導電性針状粒子２９の長径を、スペーサ粒子２８の直径よりも大きくすることが好ましい。
この理由は、かかる導電性針状粒子２９の長径が、スペーサ粒子２８の直径よりも小さい場合には、第１の基板３０と第２の基板６０とを貼り合わせた際に、第１の基板３０における第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４との双方に接触させることができないために、それらの端子間を電気的に接続させることができない場合があるためである。
したがって、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを確実に電気的に接続させるために、導電性針状粒子２９の長径を、スペーサ粒子２８の直径を１ｓとしたときに、１〜１．３ｓの範囲内の値とすることが好ましく、１〜１．２ｓの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、スペーサ粒子２８の直径とは、スペーサ粒子２８における、第１の基板３０及び第２の基板６０の基板面に対して垂直方向の径又は高さを意味する。
【００４４】
また、導電性針状粒子２９の長径をシール材２３の形成領域におけるセルギャップの幅以上の長さとすることが好ましい。
この理由は、導電性針状粒子２９の長径の長さがかかるセルギャップの幅未満の値となると、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを電気的に接続できない場合があるためである。一方、かかる長さがセルギャップの幅以上であれば、第１の基板３０と第２の基板６０とを貼り合わせた際に傾斜状態になったりしても、確実に電気的に接続させることができるためである。
ただし、導電性針状粒子２９の長径の長さが過度に長い場合には、隣接する第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４との間でショートが発生してしまう場合がある。したがって、導電性針状粒子２９の長径の長さに関し、シール材の形成領域におけるセルギャップの幅を１ｔとしたときに、１〜１．３ｔの範囲内の値とすることが好ましく、１〜１．２ｔの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４５】
また、かかる導電性針状粒子２９は、第１の基板３０及び第２の基板６０の基板面に対して実質的に垂直方向に配向していることが好ましい。
この理由は、導電性針状粒子２９が実質的に垂直方向に配向した状態で、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを電気的に接続させることにより、隣接する基板間導通用端子との間でショートが発生することを有効に防止することができるためである。
【００４６】
また、導電性針状粒子２９の添加量に関し、シール材２３の全体量を１００重量％としたときに、導電性針状粒子２９の添加量を１０〜５０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる添加量が１０重量％未満の値となると、第２の基板６０上の引回し配線としての電気配線６６における第２の基板間導通用端子６４と、第１の基板３０上の第１の電極３３における第１の基板間導通用端子３４と、の導通性の確保が困難になる場合があるためである。一方、かかる添加量が５０重量％を超えると、シール材２３の接着性が低下する場合があるためである。
したがって、シール材２３の全体量を１００重量％としたときに、導電性針状粒子２９の添加量を１２〜４５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、１５〜４０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４７】
（４）スペーサ粒子
スペーサ粒子２８は、シール材２３中に含まれ、セルギャップを調整するための部材である。すなわち、かかるスペーサ粒子２８を含むことにより、シール材２３の接着領域全体におけるセルギャップを、均一に保持することができるためである。
かかるスペーサ粒子２８の材料としては、プラスチックファイバー、グラスファイバー、シリカ粒子等を好適に使用することができるが、比較的軽量で分散させやすく、かつ、優れた圧縮特性を有することから、プラスチックファイバーを使用することが好ましい。
【００４８】
また、スペーサ粒子２８としては、粒子状物を使用することもできるが、長径及び短径を有する棒状物を使用することも好ましい。その場合、スペーサにおけるアスペクト比（長径：短径）を２：１〜６：１の範囲内とすることが好ましい。
この理由は、かかるアスペクト比が２：１未満となると、グリップ力が低下して、移動しやすくなり、均一に分散させることが困難になる場合があるためであり、一方、かかるアスペクト比が６：１を超えると、スペーサ粒子２８の長軸方向からの圧力に対する強度が低下して、セルギャップを均一に保持することが困難になる場合があるためである。
したがって、スペーサ粒子２８のアスペクト比を２：１〜５：１の範囲内の値とすることがより好ましく、２：１〜３：１の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４９】
また、スペーサ粒子２８の添加量に関し、シール材２３の全体量を１００重量％としたときに、スペーサ粒子２８の添加量を１〜２０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるスペーサ粒子２８の添加量が１重量％未満の値となると、セルギャップにバラつきが生じる場合があるためである。一方、かかるスペーサ粒子２８の添加量が２０重量％を超えると、シール材２３の接着性が低下する場合があるためである。
したがって、シール材２３の全体量を１００重量％としたときに、スペーサ粒子２８の添加量を２〜１８重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、３〜１６重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００５０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、シール材２３を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を備えるとともに、第１の基板は、基板としての第１のガラス基板上に第１の電極を有し、第２の基板は、基板としての第２のガラス基板上に第２の電極及び外部接続用端子を有する電気光学装置の製造方法である。
そして、基材としての絶縁性接着剤と、導電性粒子と、当該導電性粒子を分散させるための分散性粒子と、セルギャップを調整するためのスペーサと、を含むシール材を使用して、第１の基板と、第２の基板とを、接合する電気光学装置の製造方法である。
以下、図１１〜図１４を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態について、パッシブマトリクス型構造の液晶表示装置の製造方法を例に採って、詳細に説明する。
【００５１】
１．第１の基板製造工程
まず、図１１（ａ）に示すように、第１のガラス基板３１上の画像表示領域に相当する箇所に、反射層３５及び着色層３７、遮光層３９を順次形成する。
ここで、反射部３５ｒ及び開口部３５ａを備えた半透過反射層３５は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより形成される。
また、着色層３７は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、第１のガラス基板３１上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。なお、複数の色の着色層３７を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
さらに、遮光部３９についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成する。
【００５２】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、第１の基板３０上に全面的に透光保護層４１Ｘを形成する。この透光保護層４１Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層４１Ｘに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、図１１（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された保護層４１を形成する。この工程によって、透光保護層４１Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、後にシール材（図示せず。）が印刷される領域及びその外側領域となる領域上の透光性素材が欠落される。
【００５３】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、表面保護層４１上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層Ｘを形成する。この透明導電層Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。そして、透明導電層Ｘに対して、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、図１１（ｅ）に示すように第１の電極３３を形成する。
【００５４】
２．第２の基板製造工程
次いで、図１２（ａ）〜図１３（ｂ）に示すように、第２の基板６０の第２のガラス基板６１上に、第１の金属膜７１´を形成する。この第１の金属膜７１´は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この第１の金属膜７１´の厚さはＴＦＤ素子６９の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、２０〜５００ｎｍの範囲内の値である。
また、図１２（ａ）に示すように、第１の金属膜７１´の形成前に、第２のガラス基板６１に対する第１の金属膜７１´の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板６１から第１の金属膜７１´への不純物の拡散を効率的に抑制することができることから、第２の基板６０の第２のガラス基板６１上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜８１を形成することも好ましい。
【００５５】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、第１の金属膜７１´の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜７２を形成する。より具体的には、第１の金属膜７１´が形成された第２のガラス基板６１を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、第１の金属膜７１´との間に所定電圧を印加して、第１の金属膜７１´の表面を酸化させることができる。
さらに、酸化膜７２が形成された第１の金属膜７１´を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして、その一部を素子第１電極７１とする。
なお、酸化膜７２の厚さはＴＦＤ素子６９の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値である。
【００５６】
次いで、再び、スパッタリング法等により、第１金属膜７１を含む基板上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることにより、図１３（ｄ）に示すように、第２金属膜７３、７４及び電気配線（図示せず。）を形成する。
【００５７】
次いで、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、図１３（ｅ）に示すように、第２の電極６３を形成する。
【００５８】
（３）貼り合わせ工程
（３）−１  シール材の印刷
図１４（ａ）に示すように、第１の基板３０上において、基材としての絶縁性接着剤２７と、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを電気的に接続するための導電性針状粒子２９と、セルギャップを調整するためのスペーサ粒子２８と、を含むシール材２３を、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域Ａを囲むようにパターニングして形成する。かかるシール材２３を用いて貼り合わせることにより、後述するプリベーク工程においてシール材２３の表面に硬化膜２４が形成された場合であっても、導電性針状粒子２９が当該硬化膜２４を貫通し、第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを確実に電気的に接続させることができるためである。
このとき使用するシール材２３は、第１実施形態で説明したように、基材としての絶縁性接着剤２７中に、所定の導電性針状粒子２９及びスペーサ粒子２８を混合させたものや、あるいは、単体の導電性針状粒子２９の代わりに、所定の長さの導電性の針状又は棒状物を混合させるとともにかき混ぜて、所定の長さの針状粒子２９´としたものであっても構わない。
なお、本実施形態においては、第１の基板３０上にシール材２３を形成しているが、第２の基板６０上に印刷することも好ましい。
【００５９】
（３）−２  プリベーク
次いで、図１４（ｂ）に示すように、所定形状にパターニングされたシール材２３が印刷された第１の基板３０を低温処理（プリベーク）することが好ましい。第１の基板３０と第２の基板６０とをシール材２３を介して本圧着する前に、シール材２３の粘度を高くして、シール材２３が所定位置以外に流れ出すことを防止するためである。
かかるプリベーク工程は、シール材２３の硬化温度よりも低い温度条件で、減圧しながら、例えば、３５〜４５℃程度の温度条件、５０〜９０ｋＰａの圧力条件の下で実施することが好ましい。このような条件でプリベーク工程を実施することにより、シール材２３中に残留する溶剤を効率よく蒸発させるとともに、シール材２３から十分に脱気することができるためである。
【００６０】
（３）−３  本圧着
次いで、図１４（ｃ）に示すように、シール材２３が積層された第１の基板３０に対して、第２の基板６０を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、第１の基板３０と第２の基板６０とを貼り合せることが好ましい。
このとき、上述のプリベーク工程において、図１４（ｂ）に示すように、シール材２３表面に硬化膜２４が形成されている場合であっても、シール材２３中に含まれる導電性粒子２９が針状であるために当該硬化膜２４を貫通させることができ、第１の基板３０における第１の基板間導通用端子３４と、第２の基板６０における第２の基板間導通用端子６４と、を確実に電気的に接続させることができる。
【００６１】
（３）−４  磁場配向
また、上述のプリベーク、又は本圧着を実施する際に、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、導電性針状粒子２９を第１の基板３０及び第２の基板６０の基板面に対して垂直方向に磁場配向させることが好ましい。すなわち、導電性針状粒子２９を磁性材料から構成するとともに、重ね合わせた第１の基板３０及び第２の基板６０の上下方向に磁場３２を発生させることにより、導電性針状粒子２９を基板面に対して垂直方向に配向させながら、シール材２３を硬化させることが好ましい。
この理由は、導電性針状粒子２９を第１の基板３０及び第２の基板６０の基板面に垂直方向に配向させた状態で、第１の基板３０と第２の基板６０とを貼り合わせることができ、プリベークによってシール材２３表面の絶縁性接着剤２７が硬化した場合であっても、導電性針状粒子２９を貫通させやすくなるためである。したがって、確実に第１の基板間導通用端子３４と第２の基板間導通用端子６４とを、電気的に接続させることができる。
【００６２】
３．後工程
次いで、第１の基板３０及び第２の基板６０が形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、電気光学物質（液晶材料）２１を注入した後、封止材２５等にて封止する。
次いで、第１の基板３０及び第２の基板６０のそれぞれの外面に、所定の偏光板４９、７９を配置する。
なお、本実施形態においては、第１の基板６０上にシール材２３を塗布しているが、第２の基板６０上に印刷しても構わない。
【００６３】
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
【００６４】
図１６は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。また、図１６中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２０４とを有している。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されている。
【００６５】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０Ｂへ供給する。さらに、駆動回路２０Ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含んでいる。また、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるためのシール材中に、針状の導電性粒子を含む電気光学装置を使用している。そのために、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させて、長期信頼性に優れた電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の電気光学装置及び電子機器によれば、第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子とを確実に電気的に接続させることができ、液晶表示装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに適用することができる。
【００６７】
また、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】電気光学装置に使用される液晶パネルの概略斜視図である。
【図２】電気光学装置に使用される液晶パネルの概略断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ第１の基板の構成を示す平面図、第２の基板の構成を示す平面図、第１の基板及び第２の基板を重ね合わせた状態での平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ第１の基板間導通用端子と第２の基板間導通用端子との導通位置について説明するために供する図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はスイッチング素子としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を説明するために供する平面図及び断面図である。
【図６】ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルの回路図である。
【図７】ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルの回路図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ導電性針状粒子を含むシール材により第１の基板及び第２の基板の導通をとっている状態を示す図である。
【図９】（ａ）は、球状の導電性粒子を含むシール材を示す図であり、（ｂ）は、導電性針状粒子を含むシール材を示す図である。
【図１０】棒状物からなる導電性針状粒子を説明するために供する図である。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、第１の基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、第２の基板の製造工程を説明するために供する図である（その１）。
【図１３】（ａ）〜（ｅ）は、第２の基板の製造工程を説明するために供する図である（その２）。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、貼り合わせ工程を説明するために供する図である。
【図１５】（ａ）は、磁場配向を伴うプリベーク工程を示す図であり、（ｂ）は、磁場配向を伴う本圧着工程を示す図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の実施形態の概略構成を示すブロック図である。
【図１７】従来の液晶表示装置の構成を説明する図である（その１）。
【図１８】従来の液晶表示装置の構成を説明する図である（その２）。
【符号の説明】
【００６９】
２０：液晶パネル、２１：電気光学物質（液晶材料）、２３：シール材、２３ａ：開口部、２７：絶縁性接着剤、２８：スペーサ粒子、２９・２９´：導電性針状粒子、３０：第１の基板（カラーフィルタ基板）、３１：第１のガラス基板、３３：第１の電極（走査電極）、６０：第２の基板（素子基板）、６１：第２のガラス基板、６３：第２の電極（走査電極）、６５：電気配線（データ線）、６８：電気配線（引回し配線）、６９：スイッチング素子（ＴＦＤ素子）、１０５：スペーサ粒子、１２１：パターンマスク、１２３：レジスト材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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