(57)【要約】【課題】  プローブの破損の確率を極力低くする。【解決手段】  プローブ３と同一面側に位置する凸部、例えば保護壁４の先端の高さがプローブ３の先端３ａの高さよりも高いので、記録媒体７表面と当該光ピックアップスライダ１表面とを接触させて記録又は再生を行っても、保護壁４の先端だけが記録媒体７に直接接触しプローブ３の先端３ａが直接接触することはなく、その損傷の確率を低減させることができる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場光を発生させるプローブを記録媒体に近接対向させ、前記近接場光を前記記録媒体に対して記録光又は再生光として照射する光ピックアップスライダにおいて、
前記プローブと同一面側に位置させてプローブ基板上に設けられた凸部を備え、
この凸部先端の高さが前記プローブ先端の高さよりも高いことを特徴とする光ピックアップスライダ。
【請求項２】
前記凸部は、前記プローブの周囲に形成された保護壁であることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップスライダ。
【請求項３】
前記凸部は、前記プローブ基板の表面側において当該プローブ基板の周囲に形成されたバンクであることを特徴とする請求項１又は２記載の光ピックアップスライダ。
【請求項４】
前記凸部先端と前記プローブ先端とは、前記プローブ先端に生ずる近接場光が到達可能な距離以下であって、当該プローブ先端が前記記録媒体に接触しない距離以上の段差を有することを特徴とする請求項１ないし３の何れか一記載の光ピックアップスライダ。
【請求項５】
前記凸部先端と前記プローブ先端とは、前記プローブ先端の近接場光を発生させる開口径以下であって、当該プローブ先端が前記記録媒体に接触しない距離以上の段差を有することを特徴とする請求項１ないし３の何れか一記載の光ピックアップスライダ。
【請求項６】
前記凸部先端と前記プローブ先端とは、前記凸部上のみに形成した被覆膜により段差を有することを特徴とする請求項１ないし４の何れか一記載の光ピックアップスライダ。
【請求項７】
前記被覆膜は、炭素膜であることを特徴とする請求項６記載の光ピックアップスライダ。
【請求項８】
前記被覆膜は、珪素膜と炭素膜との積層膜であることを特徴とする請求項６記載の光ピックアップスライダ。
【請求項９】
前記被覆膜は、窒化珪素膜であることを特徴とする請求項６記載の光ピックアップスライダ。
【請求項１０】
前記被覆膜は、金属酸化膜であることを特徴とする請求項６記載の光ピックアップスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光を利用して記録媒体に対する情報の記録又は再生を行う光ピックアップスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＣＤ(Compact Disc)やＤＶＤ(Digital Versatile Disc)等に代表される光記録媒体に対してレーザ光を照射することにより、光記録媒体にデータを記録したり、光記録媒体に記録されたデータを再生したりするようにしたデータの記録再生方法が知られている。
【０００３】
近年、光記録媒体の記録密度の超高密度化が進んでいるため、超高密度記録されたデータを上述した記録再生方法を用いて記録再生するために、例えば、使用する光の短波長化や使用するレンズの高ＮＡ化等を図ることによって、光記録媒体の記録面上に照射される光のスポットサイズの微小化が図られている。
【０００４】
しかしながら、光記録媒体の記録面上に照射されるレーザ光のスポットサイズは、レーザ光の短波長化や使用するレンズの高ＮＡ化だけでは、光の回折限界によりレーザ光の波長程度の大きさでしか得られない。このため、超高密度化記録に際して記録ビットを微小化することができない、また、超高密度化記録されたデータの再生に際してクロストークが発生してしまう、等の不都合が発生する。
【０００５】
このような光の回折限界による記録、再生の限界に対する解決策の一つとして、「近接場光」を用いる光方式が提案されている。即ち、屈折率の異なる２つの媒体の一方から全反射条件以上で光を入射すると、光が入射される一方の媒体を伝播する光はもう一方の媒体との境界面で全反射されるが、一部境界面を越えて非伝播の電場成分のみが染み出す領域（近接場）が形成される。このように非伝播の電場成分のみが染み出す領域を「近接場」という。このような領域は、例えば、近接場光顕微鏡の光ファイバプローブのように、導入される光の波長よりも微細な開口を有する光ファイバによって形成することができる。このような微小開口による近接場は、開口寸法とほぼ同じ位しか横方向の広がりを持たず、開口から離れるに従って指数関数的に強度が減少し、開口と同程度以上には染み出さない。
【０００６】
このような近接場領域に微小な散乱体を挿入すると、近接場が散乱されて伝播光の近接場光として変換される。近接場で発生する近接場光は、開口と同程度以上に染み出さないため、このような近接場光を用いることで、光の回折限界を超えた解像度を得ることができ、光記録媒体に対する超高密度記録や、超高密度記録された光記録媒体の再生を良好に行なうことが期待できる。
【０００７】
しかしながら、近接場光を用いることで光の回折限界を超えた解像度を得ることができるが、近接場光は、一般の伝播光に比べて非常に強度が弱い。このため、例えば、先端を非常に細く形成したプローブを光ディスク等の光記録媒体に対して近接して配設する等、効果的に近接場光を発生及び検出させる方法が模索されている。
【０００８】
また、近年、高密度記録と同様に、記録再生の高速化も検討されている。その一つとして、碁盤目状に複数の開口を持つアレイ状構成とした平面型プローブが提案されている。このような平面型プローブを用いることで、（目標とする記録・再生の走査速度）／（開口数）を走査速度とすることができるので、実際の走査速度が低速であっても、目標とする記録・再生の走査速度の高速化を図ることが可能である。
【０００９】
このような平面型プローブとしては、例えば、特許文献１に開示されているように、ＳＯＩ基板のシリコン結晶面を利用して異方性エッチングを施すことによって先端に開口を有する突起と、この突起の周辺に立設するバンク部とをＳＯＩ基板の一面側に形成するようにしたものがある。また、例えば、特許文献２に開示されているように、電子ビームを用いて、板状のプローブ材の一面側に感光性の樹脂によって形成される円錐状の突起パターンを設け、この突起パターンをドライエッチングしてプローブ材に転写することによって、プローブ材の一面側に円錐状の突起を形成するようにした技術がある。
【００１０】
このような平面型プローブから発生される近接場光も、上述と同様に、一般の伝播光に比べて非常に強度が弱いため、光記録媒体に近接して配置される。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−２０８６７２公報
【００１２】
【特許文献２】特開２０００−１８２２６４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところが、上述したように、平面型プローブの突起の先端は、非常に細く形成されている上に、光記録媒体に近接させて設置されるため、例えば、記録再生に際して光記録媒体が高速で回転されると、この光記録媒体に付着している異物が接触することによって破壊されてしまうことがある。
【００１４】
この点、例えば、特願２００２−１９１８６６によれば、光記録媒体に対する記録再生に平面型プローブを用いる際に、近接場光を発生させるための突起を光記録媒体に近接させた場合にも、その損傷を極力回避することを課題とし、透光性を有する基板と、この基板と同じ材料によって形成されて当該基板の表面側から突出する透光性を有する先細の突起と、を備える平面型プローブの突起に関して、根元側で頂角が大きくなるように突起途中で頂角が変化して突起根元側が太くなる多段形状、例えば、その頂角が、根元側で大きく先端側で小さくなる形状（α＜β）とすることで、単純な円錐形状や円錐台形状などの場合に比較して突起根元部をより一層太いものとしてその機械的強度が増し、突起の損傷を極力回避できるようにした提案が、本出願人によりなされている。
【００１５】
その提案例の内容の一部を図７に示す。プローブ基板１００の表面側において上述のような形状に形成された突起（プローブ）１０１の周囲近傍には保護壁１０２が設けられている。この保護壁１０２もプローブ基板１００、突起１０１と同じ材料により一体に形成され、その基板表面からの高さも同一高さとされている。保護壁１０２の高さを突起１０１と同一高さとすることにより、当該平面型プローブスライダを光ピックアップスライダとして光ピックアップ装置に適用して光記録媒体に対して記録又は再生を行う場合に、保護壁１０２が障害となることなく、突起１０１の先端を光記録媒体に接近させることができる。ここに、保護壁１０２の平面的な形状としては、例えば、図８に示すように、略コの字形状とされ、一部の開口１０２ａを除いて突起１０１の周囲を連続して囲むように立設されている。開口１０２ａは回転駆動される光記録媒体の回転方向（矢印参照）に対して下流側位置となるように平面型プローブはその配置位置・方向が位置付けられる。
【００１６】
これによって、記録再生装置における記録再生に際して、光記録媒体の回転によって突起１０１の周辺に気流が発生する。平面型プローブは、光記録媒体の回転によって発生する気流に対して、突起１０１よりも下流側に保護壁１０２の開口１０２ａが位置するように配置されているため、突起１０１と保護壁１０２との間にある異物を気流を利用して開口１０２ａから排除することができ、保護壁１０２と突起１０１との間における異物の集積を抑制することができる。
【００１７】
なお、図７に示したような平面型プローブは、実際には、図９に示すように、基板１００の表面側において突起１０１先端の平面１０１ａを除く部分、即ち、突起１０１の斜面部分や保護壁１０２の斜面部分や基板１００の底面部などをＡｌ等の金属膜による遮光膜１０３で被覆することにより、突起１０１斜面から伝搬光が漏れないように構成される。
【００１８】
このような提案例によると、保護壁１０２と突起１０１との高さが等しいため、光記録媒体表面と光ピックアップスライダ表面とを接触させるコンタクト方式で記録又は再生動作を行うと、当然、突起１０１にも機械的圧力がかかる。特に、突起１０１の先端の面積は小さいため、保護壁１０２表面よりも圧力が高くなり、突起１０１の破損の確率が高くなる。
【００１９】
しかし、上記提案例では、このような課題に関しては言及されていない。
【００２０】
本発明の目的は、突起（プローブ）の破損の確率を極力低くすることである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
請求項１記載の発明は、近接場光を発生させるプローブを記録媒体に近接対向させ、前記近接場光を前記記録媒体に対して記録光又は再生光として照射する光ピックアップスライダにおいて、前記プローブと同一面側に位置させてプローブ基板上に設けられた凸部を備え、この凸部先端の高さが前記プローブ先端の高さよりも高い。
【００２２】
従って、プローブと同一面側に位置する凸部先端の高さがプローブ先端の高さよりも高いので、記録媒体表面と当該光ピックアップスライダ表面とを接触させて記録又は再生を行っても、凸部先端だけが記録媒体に直接接触しプローブ先端が直接接触することはなく、その損傷の確率を低減させることができる。
【００２３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光ピックアップスライダにおいて、前記凸部は、前記プローブの周囲に形成された保護壁である。
【００２４】
従って、周囲から加えられる衝撃に対してプローブを保護するための保護壁によって、当該プローブ先端の損傷も低減させることができる。
【００２５】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の光ピックアップスライダにおいて、前記凸部は、前記プローブ基板の表面側において当該プローブ基板の周囲に形成されたバンクである。
【００２６】
従って、バンクによって実使用時のプローブの保護を図ることができる。
【００２７】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３の何れか一記載の光ピックアップスライダにおいて、前記凸部先端と前記プローブ先端とは、前記プローブ先端に生ずる近接場光が到達可能な距離以下であって、当該プローブ先端が前記記録媒体に接触しない距離以上の段差を有する。請求項５記載の発明は、請求項１ないし３の何れか一記載の光ピックアップスライダにおいて、前記凸部先端と前記プローブ先端とは、前記プローブ先端の近接場光を発生させる開口径以下であって、当該プローブ先端が前記記録媒体に接触しない距離以上の段差を有する。
【００２８】
従って、近接場光を利用することによる記録密度の向上が必要とされるのは、一般に、記録マークの大きさが１００ｎｍ以下の領域、即ち、プローブ開口の直径が１００ｎｍ以下の場合であり、そこから発生する近接場光の電磁界が到達する距離も１００ｎｍ程度である。よって、凸部先端とプローブ先端との間の段差としては、プローブ先端に生ずる近接場光が到達可能な距離以下であって、当該プローブ先端が記録媒体に接触しない距離以上の段差、より実際的には、プローブ先端の近接場光を発生させる開口径以下であって、当該プローブ先端が記録媒体に接触しない距離以上の段差とすればよい。具体的には、段差としては５０ｎｍ以下とすればよい。
【００２９】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし４の何れか一記載の光ピックアップスライダにおいて、前記凸部先端と前記プローブ先端とは、前記凸部上のみに形成した被覆膜により段差を有する。
【００３０】
従って、凸部上のみに被覆膜を形成して段差を持たせることにより、例えば凸部先端とプローブ先端とを同一高さに形成しておき、後は被覆膜のみの膜厚で段差を高精度に制御でき、請求項１ないし４の何れか一記載の発明を容易に実現できる。
【００３１】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の光ピックアップスライダにおいて、前記被覆膜は、炭素膜である。
【００３２】
従って、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として炭素膜を利用することで耐摺動性、耐摩耗性に優れ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができる。
【００３３】
請求項８記載の発明は、請求項６記載の光ピックアップスライダにおいて、前記被覆膜は、珪素膜と炭素膜との積層膜である。
【００３４】
従って、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として珪素膜と炭素膜との積層膜を利用することで耐摺動性、耐摩耗性に優れ、かつ、凸部上の膜剥がれが起こりにくいので段差寸法を確実に維持することができ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができる。
【００３５】
請求項９記載の発明は、請求項６記載の光ピックアップスライダにおいて、前記被覆膜は、窒化珪素膜である。
【００３６】
従って、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として窒化珪素膜を利用することで炭素膜よりも劣るものの耐摺動性、耐摩耗性に優れ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができ、かつ、石英やガラス等の基板材料との密着性がよいため、加工プロセスを簡単化させることができる。
【００３７】
請求項１０記載の発明は、請求項６記載の光ピックアップスライダにおいて、前記被覆膜は、金属酸化膜である。
【００３８】
従って、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として金属酸化膜を利用することで炭素膜よりも劣るものの耐摺動性、耐摩耗性に優れ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができ、かつ、酸素欠陥を互いに補完し合うことから、石英やガラス等の基板材料との密着強度が高いため、膜剥がれが起こりにくく加工プロセスを簡単化させることができる。
【発明の効果】
【００３９】
請求項１記載の発明によれば、プローブと同一面側に位置する凸部先端の高さがプローブ先端の高さよりも高くしたので、記録媒体表面と当該光ピックアップスライダ表面とを接触させて記録又は再生を行っても、凸部先端だけが記録媒体に直接接触しプローブ先端が直接接触することはなく、その損傷の確率を低減させることができる。
【００４０】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の光ピックアップスライダにおいて、周囲から加えられる衝撃に対してプローブを保護するための保護壁によって、当該プローブ先端の損傷も低減させることができる。
【００４１】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２記載の光ピックアップスライダにおいて、バンクによって実使用時のプローブの保護を図ることができる。
【００４２】
請求項４又は５記載の発明によれば、請求項１ないし３の何れか一記載の光ピックアップスライダにおいて、近接場光を利用することによる記録密度の向上が必要とされるのは、一般に、記録マークの大きさが１００ｎｍ以下の領域、即ち、プローブ開口の直径を１００ｎｍ以下の場合であり、そこから発生する近接場光の電磁界が到達する距離も１００ｎｍ程度であり、よって、凸部先端とプローブ先端との間の段差としては、プローブ先端に生ずる近接場光が到達可能な距離以下であって、当該プローブ先端が記録媒体に接触しない距離以上の段差、より実際的には、プローブ先端の近接場光を発生させる開口径以下であって、当該プローブ先端が記録媒体に接触しない距離以上の段差とすることにより目的を達成できる。
【００４３】
請求項６記載の発明によれば、凸部上のみに被覆膜を形成して段差を持たせることにより、例えば凸部先端とプローブ先端とを同一高さに形成しておき、後は被覆膜のみの膜厚で段差を高精度に制御でき、請求項１ないし４の何れか一記載の発明を容易に実現することができる。
【００４４】
請求項７記載の発明によれば、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として炭素膜を利用することで耐摺動性、耐摩耗性に優れ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができる。
【００４５】
請求項８記載の発明によれば、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として珪素膜と炭素膜との積層膜を利用することで耐摺動性、耐摩耗性に優れ、かつ、凸部上の膜剥がれが起こりにくいので段差寸法を確実に維持することができ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができる。
【００４６】
請求項９記載の発明によれば、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として窒化珪素膜を利用することで炭素膜よりも劣るものの耐摺動性、耐摩耗性に優れ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができ、かつ、石英やガラス等の基板材料との密着性がよいため、加工プロセスを簡単化させることができる。
【００４７】
請求項１０記載の発明によれば、凸部表面の被覆膜は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜として金属酸化膜を利用することで炭素膜よりも劣るものの耐摺動性、耐摩耗性に優れ、請求項６記載の発明を実現する上で、長期に亘って安定した動作を行わせることができ、かつ、酸素欠陥を互いに補完し合うため、石英やガラス等の基板材料との密着強度が高いため、膜剥がれが起こりにくく加工プロセスを簡単化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
本発明を実施するための最良の形態について以下に説明する。
【００４９】
まず、本発明の第一の実施の形態を図１及び図２に基づいて説明する。図１は本実施の形態の光ピックアップスライダの構成例を示す縦断側面図、図２は当該光ピックアップスライダを用いた光ピックアップの概略構成図である。
【００５０】
本実施の形態の光ピックアップスライダ１は、概略的には、例えば、石英基板２をエッチングなどで加工することにより、突起（プローブ）３と保護壁（凸部）４とを形成してなる。従って、本実施の形態にあっては、突起３と保護壁４とは石英により石英基板２と一体に形成されている。先細となるように形成された突起３の斜面とその周辺とは、例えばアルミニウムなどの金属遮光膜５により被覆されている。もっとも、これらの材料は一例であって、特にこれらに限定されるわけではない。例えば、シリコンやＧａＮなどの半導体でも良い。突起３の先端の金属遮光膜５は除去されており、この除去されている部分がプローブ・ヘッドとしての開口６となる。突起３の近傍周囲に配置された保護壁４は、基本的には、周囲から加えられる衝撃に対して突起３を保護するためのもので、例えば、図８に示したような略コ字状に形成されている。
【００５１】
このような光ピックアップスライダ１は、記録媒体（近接場光メモリ）７に対して記録又は再生を行う場合、例えば、図２に示すように、当該光ピックアップスライダ１の突起３の先端３ａと記録媒体７の表面とが近接対向させるように配置される。そして、突起３が形成されている面と反対の面に対物レンズ8及び光学系９を設け、レーザ光を入射させる。なお、光ピックアップスライダ１はサスペンション１０を介してアーム１１に接続支持されており、いわゆるコンタクトスライダ構成となっている。
【００５２】
このような構成において、本実施の形態の光ピックアップスライダ１にあっては、保護壁４の先端３ａの高さは突起３の先端の高さより高く形成されている。即ち、保護壁４の先端と突起３の先端３ａとの間は寸法ｄの段差を有する。従って、光ピックアップスライダ１の突起３の先端３ａと記録媒体７の表面とを近接対向させた場合、保護壁４の先端だけが記録媒体７に接触し、突起３の先端３ａは図２に示すようにこの段差分だけ離れており記録媒体７に直接接触することはない。
【００５３】
この段差の寸法ｄは、記録する密度に対応する突起３の先端開口６の寸法にもよるが、５〜５０ｎｍ程度とすればよい。即ち、近接場光メモリに求められる記録マークの大きさは一般に１００ｎｍ以下で、これから、近接場光が届く距離は突起３の先端３ａから１００ｎｍ程度までだからである。つまり、これ以上段差が大きいと、近接場光が記録媒体７に届かないために記録・再生ができないためである。よって、段差の寸法ｄとしては、突起３の先端３ａに生じる近接場光が到達し得る距離以下で、完全に接触しない距離以上に設定すればよい。より実際的には、近接場光は突起３の先端３ａから開口径寸法程度にしか存在しないから、段差を突起３の先端開口６の開口径以下で、かつ、完全に接触しない距離以上（通常、５ｎｍ以上）に設定すればよい。
【００５４】
従って、本実施の形態によれば、突起３と同一面側に位置する保護壁４の先端の高さが突起３の先端３ａの高さよりも高くなるように段差を有するので、記録媒体７の表面と当該光ピックアップスライダ１の表面とを接触させて記録又は再生を行っても、保護壁４の先端だけが記録媒体７に直接接触し突起３の先端３ａが直接接触することはなく、その損傷の確率を低減させることができる。特に、本実施の形態においては、周囲から加えられる衝撃に対して突起３を保護するための保護壁４によって、当該突起３の先端３ａの損傷も低減させることができる。
【００５５】
本発明の第二の実施の形態を図３及び図４に基づいて説明する。第一の実施の形態で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する（以降の実施の形態でも同様とする）。
【００５６】
本実施の形態では、例えば、突起３の先端３ａと同一高さに形成された保護壁４の表面にのみ被覆膜１２を形成することにより、当該保護壁４の先端側が突起３の先端側よりも高くなるように構成されている。従って、本実施の形態の場合、保護壁４と突起３の先端３ａとの段差の寸法ｄは被覆膜１２の膜厚となる。この膜厚は、前述したように突起３の先端３ａに生じる近接場光が到達し得る距離以下で、完全に接触しない距離以上、より実際的には、近接場光は開口径程度にしか存在しないから、被覆膜１２の膜厚を突起３の先端３ａの開口径以下、かつ、完全に接触しない距離以上（通常、５ｎｍ以上）に設定すればよい。
【００５７】
ところで、この被覆膜１２は、記録媒体７の表面に直接接触し、擦れるので、耐摺動性、耐摩耗性に優れた材料を用いる必要がある。本実施の形態では、この被覆膜１２として炭素膜が用いられている。図４にこの場合の光ピックアップスライダ１の作製プロセス例を示す。以下、順次説明する。
【００５８】
まず、ガラス基板１３上にＳＯＩシリコン基板を、その数μｍ厚の薄層シリコン層の表面をガラス基板に接合した後、ＳＯＩ基板のシリコン基板を除去することにより、ガラス基板１３上に数μｍの薄層シリコン層が載った基板を用意する。ガラス基板１３としてはコーニング社製の＃７７４０や旭テクノガラス社製のＳＷ−３などを用いる。また、これらのガラス基板１３上に、プラズマＣＶＤや熱ＣＶＤによりアモルファスシリコンや多結晶シリコンをデポジションして、シリコン／ガラス構成の基板を用意しても良い。このガラス基板１３のシリコン側表面をフォトリソ・エッチングにより加工し、突起３と保護壁４とを形成する。その後、アルミニウムなどの金属遮光膜５をデポジションする。研磨やＦＩＢ(Focused Ion Beam)により、突起３の先端３ａの金属遮光膜５を除去する。さらに、突起３以外の部分の金属遮光膜５をフォトリソ・エッチングにより除去する。これらの加工が終了した状態が図４（ａ）ある。
【００５９】
次に、図４（ｂ）に示すように、光ピックアップスライダ１全面に被覆膜１２として炭素膜をデポジションする。デポジションの方法は光ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などがある。この被覆膜１２の膜厚は、前述した通りである。
【００６０】
そして、図４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィにより保護壁４の上だけにフォトレジスト１４が残るようにする。このフォトレジスト１４の膜厚は炭素膜（被覆膜１２）よりも厚くする。具体的には１μｍ以上にするのが好ましい。
【００６１】
次いで、図４（ｄ）に示すように、酸素プラズマなどにより先の保護壁４部分以外の炭素膜（被覆膜１２）を除去する。酸素プラズマにより、炭素膜（被覆膜１２）とフォトレジスト１４はともに灰化されるが、フォトレジスト１４の膜厚が炭素膜（被覆膜１２）の膜厚よりも遙かに厚いので、フォトレジスト１４は全てが除去されることはない。従って、保護壁４上の炭素膜（被覆膜１２）はフォトレジスト１４に保護されて残ることになる。
【００６２】
最後に、図４（ｅ）に示すように、剥離液やアセトンなどにより保護壁４上のフォトレジスト１４を除去する。この状態では、突起３の先端３ａと保護壁４の先端との段差は炭素膜（被覆膜１２）の膜厚と同じになる。
【００６３】
光ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタ、蒸着などによる薄膜の形成において、その膜厚の制御は数ｎｍ単位で可能である。従って、突起３の先端３ａと保護壁４の先端との段差の寸法ｄも数ｎｍ単位で高精度に制御可能である。
【００６４】
従って、本実施の形態によれば、保護壁４上のみに被覆膜１２を形成して段差を持たせることにより、例えば保護壁４の先端と突起３の先端３ａとを同一高さに形成しておき、後は被覆膜１２のみの膜厚で段差を高精度に制御することができる。また、保護壁４表面の被覆膜１２は記録媒体表面に接触し擦られるが、この被覆膜１２として炭素膜を利用することで耐摺動性、耐摩耗性に優れるので、長期に亘って安定した動作を行わせることができる。
【００６５】
なお、本実施の形態では、被覆膜１２として炭素膜を用いたが、炭素膜に限らず、窒化珪素膜や金属酸化膜などを用いてもよい。膜厚の範囲も同じである。
【００６６】
窒化珪素膜は、炭素膜と同様に耐摺動膜、耐摩耗膜として使われるが、その特性は炭素膜に比べるといくらか劣る。しかしながら、石英やガラスなどの基板材料との密着性がよい。よって、石英やガラスで保護壁４を作製した場合には被覆膜１２として窒化珪素膜を用いれば、後述する実施の形態のように複合膜にすることなく単層の窒化珪素層のみで耐摺動性、耐摩耗性を向上させることができ、かつ、その膜厚で段差を決定することができるので、加工プロセスが簡単になる。
【００６７】
窒化珪素膜は、光ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより形成する。これらの方法による薄膜の形成においては、その膜厚の制御は数ｎｍ単位で可能である。従って、突起３の先端３ａと保護壁４の先端との間の段差の寸法ｄも数ｎｍ単位で高精度に制御可能である。
【００６８】
また、金属酸化膜は、炭素膜と同様に耐摺動膜、耐摩耗膜として使われるが、その特性は炭素膜に比べるといくらか劣る。しかしながら、石英やガラス(酸化珪素)などの基板材料との密着性がよい。その理由は、両者とも金属酸化物なので、酸素欠損を互いに補完し合うためであり、密着強度が高い。よって、石英やガラスで保護壁４を作製した場合には被覆膜１２として金属酸化膜を用いれば、後述する実施の形態のように複合膜にすることなく単層の金属酸化膜のみで耐摺動性、耐摩耗性を向上させることができ、かつ、この膜厚で段差を決定することができるので、加工プロセスが簡単になる。
【００６９】
金属酸化膜は、光ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより形成する。これらの方法による薄膜の形成においては、その膜厚の制御は数ｎｍ単位で可能である。従って、突起３の先端３ａと保護壁４の先端との間の段差の寸法ｄも数ｎｍ単位で高精度に制御可能である。
【００７０】
なお、金属酸化膜の例としては、五酸化タンタル(Ｔａ２Ｏ５)、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)、酸化チタン(ＴｉＯ２)、酸化マグネシュウム(ＭｇＯ)、酸化ジルコニュウム(ＺｒＯ２)等が挙げられる。しかし、特にこれに限定されるわけではない。
【００７１】
本発明の第三の実施の形態を図５に基づいて説明する。本実施の形態は、炭素膜が石英に対しては不活性なため、石英基板を用いた構成の場合、当該石英基板との密着性が悪く、膜剥がれが起きやすいことから、被覆膜１２に代えて、珪素膜１５と炭素膜１６との積層膜による被覆膜１７を用いるようにしたものである。
【００７２】
図５は、このような被覆膜１７を用いる場合の光ピックアップスライダ１の作製工程を順に示す工程図である。
【００７３】
まず、石英基板２をフォトリソ・エッチングにより加工し、突起３と保護壁４とを基板と一体に形成する。その後、アルミニウムなどの金属遮光膜５をデポジションする。研磨やＦＩＢ(Focused Ion Beam)により、突起３の先端３ａの金属遮光膜５を除去する。さらに突起３以外の部分の金属遮光膜５をフォトリソ・エッチングにより除去する。これらの加工が終了した状態が図５（ａ）に示す状態である。なお、基板としては石英基板２だけでなく、ガラス基板でも良い。
【００７４】
次に、図５（ｂ）に示すように、突起３部分上のみに、フォトリソ・エッチングによりフォトレジスト１８を形成する。
【００７５】
そして、図５（ｃ）に示すように、珪素膜１５を光ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりデポジションする。珪素膜１５は、石英やガラスとの密着性がよいので、膜剥がれが起きにくい。さらに、炭素膜１６を珪素膜１５上にデポジションする。炭素膜１６と珪素膜１５との界面ではＳｉ−Ｃが形成されるので、両者の密着性は良好である。また、前述した通り、表面側に位置する炭素膜１６は耐摺動性、耐摩耗性は優れている。このような珪素膜１５と炭素膜１６との積層膜による被覆膜１７の厚み（合計値）は、前述した場合と同様とする。
【００７６】
このような基板１をレジスト剥離液やアセトンに漬けて超音波洗浄機にかけると、フォトレジスト１８が除去される。いわゆるリフトオフ工程である。その結果、図５（ｄ）に示すように保護壁４上にのみ珪素膜１５と炭素膜１６との積層膜による被覆膜１７が残る。これにより両者膜厚の合計と同じ分の、突起３の先端３ａと保護壁４の先端との段差が生じる。
【００７７】
光ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによる薄膜の形成において、その膜厚の制御は数ｎｍ単位で可能である。従って、本実施の形態の場合も、突起３の先端３ａと保護壁４の先端との段差の寸法ｄを数ｎｍ単位で高精度に制御可能である。
【００７８】
なお、これらの実施の形態では、凸部として保護壁４への適用例で説明したが、保護壁に限らず、基板上に形成された凸部、例えば図６に示すようなバンク１９に関して同様に適用してもよい。図示例は、例えば、突起３の周囲に保護壁４を有し、かつ、基板２の周囲に例えば２個のバンク１９を有するアレイタイプの光ピックアップスライダ２０に関する適用例である。ここで、当該光ピックアップスライダ２０として、図６（ａ）に示す例では、例えば、基板２のサイズとしては幅３ｍｍ、長さ６ｍｍであり、サイズ０．５ｍｍ角のバンク１９を基板２端部から０．１ｍｍの位置に配設してなる。また、突起３としては、図６（ｂ）に拡大して示すように、複数個の突起３が各々保護壁４により所定個数ずつに区切られてグループ分けされたアレイ構造とされ、かつ、これらの全体を囲む形の保護壁４も設けられている。この全体を囲む形の外側の保護壁４は、その平面的形状が、一部の開口部４ａを除いて突起３の周囲を連続して囲むような形状であるとともに、突起３を間にして開口部４ａと対称となる位置に突起３から離間する方向へ向けて尖角する尖角部４ｂが設けられた形状とされている。ここに、尖角部４ｂは回転駆動される記録媒体７の回転方向に対して上流側位置となるように光ピックアップスライダ２０の配置位置・方向を位置付けられる。これによれば、記録媒体７の回転によって発生する気流は、保護壁４の位置で尖角部４ｂによって左右方向に分流されるので、この気流を利用することにより、異物が保護壁４の周囲に堆積することを防止することができ、保護壁４の内周側及び外周側において、異物が堆積してしまうことを回避することができる。
【００７９】
このような光ピックアップスライダ２０の場合、保護壁４やバンク１９を凸部として、突起３の先端高さよりも高く形成することにより、前述した実施の形態の場合と同様な効果を発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第一の実施の形態の光ピックアップスライダの構成例を示す縦断側面図である。
【図２】光ピックアップ全体を示す概略構成図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態の光ピックアップスライダの構成例を示す縦断側面図である。
【図４】その作製工程を順に示す工程図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態の光ピックアップスライダの作製工程を順に示す工程図である。
【図６】変形適用例の光ピックアップスライダ構成例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）はその一部を拡大して示す概略平面図である。
【図７】既提案例のプローブ形状を示す縦断側面図である。
【図８】その保護壁等の平面的形状例を示す平面図である。
【図９】遮光膜を含む構成例を示す縦断側面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１      光ピックアップスライダ
２      基板
３      プローブ
３ａ    先端
４      保護壁、凸部
６      開口
７      記録媒体
１２      被覆膜、炭素膜、窒化珪素膜、金属酸化膜
１３      基板
１５      珪素膜
１６      炭素膜
１７      被覆膜
１９      バンク、凸部
２０      光ピックアップスライダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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