(57)【要約】【課題】  熱硬化型の高分子を用いることにより、余分なマスク工程が不要であると共に、他の活性物質を破損せず、または不純物の混入しないレーザ転写用ドナー基板、及びこれを用いる有機電界発光素子を供給する。【解決手段】  基材フィルム、前記基材フィルム上に形成される光熱変換層、および該光熱変換層上に形成される有機物質からなる転写層を含み、該転写層が熱硬化性の電場発光物質を含むことを特徴とするレーザ転写用ドナー基板、およびこれを用いて製造される有機電界発光素子を供給する。これによって、レーザ転写後に熱硬化工程によって簡便に微細パターンによりＲ、Ｇ、Ｂ発光層を形成し、このため発光層の破損がなく、マスク工程を低減させることで、フルカラー有機電界発光素子の製造費用を節減でき、特に大型の有機電界発光素子の製造にメリットがある。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、
該基材フィルム上に形成されている光熱変換層と、
該光熱変換層上に形成されている転写層
を含み、該転写層が熱硬化性電場発光物質を含むことを特徴とする、レーザ転写用ドナー基板。
【請求項２】
前記熱硬化性電場発光物質は、熱硬化性官能基を含む熱硬化性電場発光高分子である、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項３】
前記熱硬化性電場発光高分子は、ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリチオフェン（ＰＴ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、シラン基を含むトリアリールアミン、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択されることを特徴とする、請求項２に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項４】
前記熱硬化性電場発光高分子は、前記転写層に１０〜７０％が含まれることを特徴とする、請求項２に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項５】
前記熱硬化性電場発光物質は、熱硬化性非発光低分子と熱硬化性官能基がない電場発光高分子を含む化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項６】
前記熱硬化性非発光低分子は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子、またはダウコーニングＳｉＬＫ（登録商標）などを含む低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物であることを特徴とする、請求項５に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項７】
前記電場発光高分子は、前記転写層に１０〜７０％が含まれることを特徴とする、請求項５に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項８】
前記熱硬化性電場発光物質は、５０〜３５０℃で１時間以内に６０％以上の硬化度を有することを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項９】
前記転写層は、前記光熱変換層上に湿式法によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ転写用ドナー基板。
【請求項１０】
レーザ転写用ドナー基板を用いて製造されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
基板を供給する段階と、
前記基板上に第１電極層をパタ−ニングして形成する段階と、
前記第１電極層上に第１、第２及び第３のピクセル領域を定義するための絶縁膜層を形成する段階と、
前記第１ピクセル領域上に熱硬化性物質を含むドナー基板を配置し、第１電場発光物質をレーザによって転写して形成する段階と、
前記第２ピクセル領域上に熱硬化性物質を含むドナー基板を配置し、第２電場発光物質をレーザによって転写して形成する段階と、
前記第３ピクセル領域上に熱硬化性物質を含むドナー基板を配置し、第３電場発光物質をレーザによって転写して形成する段階と、
前記第１、第２及び第３電場発光物質を熱硬化して、前記第１、第２及び第３ピクセル領域にそれぞれ第１、第２及び第３発光層を形成する段階と、
前記第１、第２及び第３発光層上に、基板全面に掛けて第２電極を形成する段階
を含むことを特徴とする、フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１、第２及び第３電場発光物質は、それぞれ互いに異なる色で赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色の内のいずれか一色であることを特徴とする、請求項１１に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記それぞれの転写段階は、真空または不活性大気中で実施されることを特徴とする、請求項１１に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記熱硬化性電場発光物質は、熱硬化性官能基を含む熱硬化性電場発光高分子であることを特徴とする、請求項１１に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記熱硬化性電場発光高分子は、ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリチオフェン（ＰＴ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、シラン基を含むトリアリールアミン、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１４に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記熱硬化性電場発光高分子は、前記転写層に１０〜７０％が含まれることを特徴とする、請求項１４に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記熱硬化性電場発光物質は、熱硬化性非発光低分子と熱硬化性官能基がない電場発光高分子を含む化合物であることを、特徴とする請求項１１に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記熱硬化性非発光低分子は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子、またはダウコーニングＳｉＬＫ（登録商標）などを含む低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物であることを特徴とする、請求項１７に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記電場発光高分子は、前記転写層に１０〜７０％が含まれることを特徴とする、請求項１７に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記熱硬化性電場発光物質は、５０〜３５０℃で１時間以内に６０％以上の硬化度を有することを特徴とする、請求項１１に記載のフルカラー有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１１に記載の製造方法を用いて製造されることを特徴とする、フルカラー有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ転写用ドナー基板および該基板を用いて製造される有機電界発光素子に関するもので、さらに詳しく説明すれば、有機電界発光素子の有機層を形成するために使用されるドナー基板、およびこれを用いる有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機電界発光素子は、陽極および陰極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの多様な層で構成される。有機電界発光素子は、使用する材料によって高分子と低分子で分けられるが、低分子有機ＥＬデバイスの場合は真空蒸着によって各層を導入し、高分子有機ＥＬデバイスの場合はスピンコーティング工程を用いて発光素子を製造する。
【０００３】
単色素子の場合、高分子を用いた有機電界発光素子は、スピンコーディング工程を用いて簡便に素子を製造することができるが、低分子を用いたものより駆動電圧が低くなり、効率および寿命が落ちると言う弱点を有する。また、フルカラー素子を製造する際は、それぞれ赤色、緑色、青色の高分子をパターニングしなければならないが、インクジェット技術やレーザ転写法を用いた場合には、効率や寿命などの発光特性が悪くなるという問題がある。
【０００４】
特にレーザ転写法を用いてパターニングをする場合は、単一高分子材料では転写ができない材料が殆どである。レーザ熱転写法による高分子有機電界発光素子のパターン形成方法は特許文献１に開示されており、また特許文献２、特許文献３および特許文献４にも開示されている。
【０００５】
前記熱転写法を適用するためには、少なくとも光源、転写基板、そして基板を必要とし、光源から出る光が転写基板の光の吸収層により吸収されて熱エネルギーに変換され、この熱エネルギーにより転写基板の転写層の形成物質が基板に転写されて、必要とするイメージを形成することになる（特許文献５、特許文献６、特許文献７および特許文献８参照）。
【０００６】
このような熱転写法は、液晶表示素子用のカラーフィルタの製造に用いられることもあり、また発光物質のパターンを形成するために用いられる場合もある（特許文献２参照）。
【０００７】
特許文献９は、フルカラー有機電界発光素子で高度にパターン化された有機層を形成する方法に関するもので、この方法は有機電場発光物質が転写可能なコーティング物質でコーティングされたドナー支持体を用いる。該ドナー支持体は加熱され、これによって有機電場発光物質が目的とする下部ピクセルの、着色された有機電界発光媒介体を形成する基板のリセス（凹部）面上へと転写される。このとき、該転写はドナー基板に熱または光が加わり、発光物質が気化（ｖａｐｏｒｉｚｅ）されてピクセルに転写される。
【０００８】
特許文献１０では、それぞれのピクセル領域内に形成されるサブピクセルが、ドナーシートから受容体（ｒｅｃｅｉｖｅｒ）シートに転写されることによって形成される。この転写工程では、低温（約４００℃以下）で昇華性がある有機電場発光物質をドナーシートから受容体シートに転写し、サブピクセルを形成することを開示している。
【０００９】
図１は、従来のフルカラー有機電界発光素子の構造を示す断面図である。
【００１０】
図１を参照すると、絶縁基板１００上に第１電極２００がパターニングされて形成されている。前記第１電極２００は、背面発光構造の場合は透明電極で形成され、前面発光構造の場合には反射膜を含む導電性金属で形成される。
【００１１】
前記第１電極２００上にはピクセル領域が定義され、発光層間を絶縁するために、絶縁物質としてピクセル定義膜（ＰＤＬ）３００を形成する。
【００１２】
該ピクセル定義膜（ＰＤＬ）３００で定義されたピクセル領域に、有機発光層を含む有機膜層３３０を形成し、該有機膜層３３０は前記有機発光層の以外にも、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層および電子注入層のうち、一つ以上の層をさらに含むことができる。前記有機発光層としては、高分子物質および低分子物質の両方とも利用できる。
【００１３】
その後、前記有機膜層３３０上に第２電極４００を形成する。該第２電極４００は、第１電極２００が透明電極である場合は反射膜を含む導電性金属層で形成され、前記第１電極２００が反射膜を含む導電性金属層である場合は、透明電極で形成される。次いで有機電界発光素子を封入することにより、有機電界発光素子が完成する。
【００１４】
一方、発光層を形成する高分子の場合は分子量が大きいので、レーザ転写後の基板の接着力が大きく、このようなレーザを用いてパターニングを実施すると転写特性を悪くする。
【００１５】
結果として、近年フルカラー有機電界発光素子の赤色、緑色および青色の、Ｒ、Ｇ、Ｂパターニングには、殆どシャドーマスクの技術が用いられてきている。このため、これは大面積のディスプレイ素子のパターニングには適さないとされている。
【００１６】
最近、フォト工程に適した構造の高分子が開発され、赤色、緑色および青色の発光層をパターニングすることでフルカラー有機電界発光素子を製造した。しかしながらこの方法は、露光された部分を硬化するために光酸発生剤（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）が混合されるので不純物が混入し易く、硬化の際に発生する超強酸（ｓｕｐｅｒ  ａｃｉｄ）によって他の活性物質が破損されたり、不純物が混入されたりする可能性が高く、素子の安全性や寿命に好ましくない影響を与える。
【００１７】
【特許文献１】大韓民国特許１９９８−５１８４４号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９９８，０８５号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２１４，５２０号明細書
【特許文献４】米国特許第６，１１４，０８８号明細書
【特許文献５】米国特許第５，２２０，３４８号明細書
【特許文献６】米国特許第５，２５６，５０６号明細書
【特許文献７】米国特許第５，２７８，０２３号明細書
【特許文献８】米国特許第５，３０８，７３７号明細書
【特許文献９】米国特許第５，９３７，２７２号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，６８８，５５１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、上記の問題点を解決するために案出されたもので、その発明の目的は、有機電界発光素子の製造中、レーザ熱転写法を用いて発光層を形成する際に、熱硬化型の高分子を含むことによって追加のマスク工程が不要であると共に、硬化時に発生する超強酸により他の活性物質を破損したり、または不純物が混入したりすることを防いだレーザ転写用ドナー基板、及びこれを用いる有機電界発光素子を供給することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、上述の目的を達成するために、
基材フィルムと、
該基材フィルム上に形成されている光熱変換層と、
該光熱変換層上に形成され、有機物質からなる転写層
を含み、該転写層が熱硬化性の物質を含むことを特徴とする、レーザ転写用ドナー基板を供給する。
【００２０】
また本発明は、前記レーザ転写用ドナー基板を用いて製造される有機電界発光素子を供給する。
【００２１】
また本発明は
基板を供給する段階と、
前記基板上に第１電極層をパターニングして形成する段階と、
前記第１電極層上に第１、第２及び第３のピクセル領域を定義するための絶縁膜層を形成する段階と、
前記第１ピクセル領域上に、熱硬化性物質を含むドナー基板を配置し、第１電場発光物質をレーザによって転写して形成する段階と、
前記第２ピクセル領域上に、熱硬化性物質を含むドナー基板を配置して、第２電場発光物質をレーザによって転写して形成する段階と、
前記第３ピクセル領域上に、熱硬化性物質を含むドナー基板を配置して、第３電場発光物質をレーザによって転写して形成する段階と、
前記第１、第２及び第３電場発光物質を熱硬化して、前記第１、第２及び第３ピクセル領域にそれぞれ第１、第２及び第３発光層を形成する段階と、
前記第１、第２及び第３発光層上の基板全面にかけて第２電極を形成する段階
を含む、フルカラー有機電界発光素子の製造方法を供給する。
【００２２】
また、本発明は、上述の製造方法を使用して製造されるフルカラー有機電界発光素子を供給する。
【発明の効果】
【００２３】
上述のように本発明は、レーザ転写用ドナー基板において、転写層に熱硬化性電場発光物質を含むことによって、レーザ転写の後に熱硬化工程により簡便に微細パターンでＲ、Ｇ、Ｂ発光層を形成することで発光層の破損を防ぎ、マスク工程が低減できるため、フルカラー有機電界発光素子の製造費用を節減でき、大型の有機電界発光素子の製造にメリットがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
【実施例】
【００２５】
図２は、本発明に係るレーザを用いて有機電界発光素子に用いられる発光有機膜を転写パターニングする際の、転写メカニズムを示す図である。
【００２６】
通常のレーザを用いて有機膜３３を転写パターニングする際のメカニズムでは、図２に示されるように、基板Ｓ１についていた有機膜Ｓ２が、レーザの作用でＳ１から離れ、基板Ｓ３に転写されると同時に、レーザを受けない部分と分離現象が起きなければならない。
【００２７】
転写特性を決める因子は、基板Ｓ１と層Ｓ２との第１接着力（Ｗ１２）と、層間の粘着力（Ｗ２２）、そして層Ｓ２と基板Ｓ３との第２接着力（Ｗ２３）の三つである。
【００２８】
このような第１、第２接着力と粘着力を各層の表面張力（γ１、γ２、γ３）と界面張力（γ１２、γ２３）で表現すると下記の式のように示される。
【００２９】
Ｗ１２＝γ１+γ２−γ１２
Ｗ２２＝２γ２
Ｗ２３＝γ２+γ３−γ２３
【００３０】
レーザ転写特性を向上させるためには、層間の粘着力が、各基板と層との間の接着力よりも弱くなければならない。
【００３１】
一般に有機電界発光素子では、各層を成す物質として有機物質を用いており、低分子物質を使用する場合は前記第１及び第２接着力が粘着力よりも強いため、ドナー基板３４から電場発光物質３３を有機電界発光素子で転写させることによって物質転移（ｍａｓｓ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）が起こり、発光層の微細なパターンを形成することができる。このように転写することによって微細な発光層のパターンまでも形成することができ、ミスアライメント（ｍｉｓ−ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）が発生する可能性は低くなる。
【００３２】
図３は、本発明の実施例１に係るレーザ転写用ドナー基板３４の構造を示す図である。
【００３３】
図３を参照すると、前記ドナー基板３４は、基材フィルム３１、該基材フィルム３１上に形成される光熱変換層３２、基材フィルム３１の全面にかけて前記光熱変換層３２上に形成され、有機物質からなる転写層３３が積層されている構造を有する。
【００３４】
図３のドナー基板３４は、用途によって基板構造を変形して使用することができる。例えば、基板の感度（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を向上させるために、光熱変換層３２の下部にガス生成層（図示せず）、または光熱変換層３２を保護するためバッファ層（図示せず）をさらに形成することもできる。
【００３５】
前記基材フィルム３１は、ガラスまたは透明性高分子からなるフィルムからなるが、このような高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル樹脂、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどが使われる。その中でもポリエチレンテレフタレートフィルムを主に使用する。基材フィルム３１の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、この基材フィルム３１は支持基板としての役割をし、複合的な多重系も使用可能である。
【００３６】
前記光熱変換層３２は赤外線−可視光線領域の光を吸収する性質を有している光吸収性物質で形成する。このような特性を有している膜としてアルミニウム、その酸化物及び硫化物からなる金属膜、そしてカーボンブラック、黒鉛や赤外線染料が添加された高分子からなる有機膜がある。このとき、金属膜は真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、またはスパッタリングを用いて１００〜５０００Åの厚さで形成し、有機膜の場合は一般的なフィルムコーティング方法である押出（ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ）、スピン（ｓｐｉｎ）及びナイフ（ｋｎｉｆｅ）コーティング法を用いて、０．１〜１０μｍの厚さで形成することが好ましい。
【００３７】
前記転写層３３は、前記光熱変換層３２上に形成され、熱硬化性電場発光物質を含んでいる。
【００３８】
前記熱硬化性電場発光物質は、熱によって硬化反応を実施できる熱硬化性電場発光物質で、熱硬化性官能基を含む熱硬化性電場発光高分子か、または熱硬化が可能である非発光低分子と熱硬化官能基を含まない電場発光高分子との混合物を用いることができる。
【００３９】
前記熱硬化性電場発光高分子は、分子構造内の熱硬化反応を起こす場合がある多重結合などが含まれた電場発光高分子、及び主鎖または側鎖に熱硬化性官能基を含む電場発光高分子からなるグループの中で選択された単独またはこれら２種類以上の混合物の中から選択される。
【００４０】
具体例を挙げると、前記熱硬化性電場発光高分子は、ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリチオフェン（ＰＴ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、シラン基を含むトリアリールアミン、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンからなる群から選択されたオリゴマー、または高分子単独、またはこれらの二種類以上の混合物が使用できる。前記熱硬化性電場発光物質には、前記記載された電場発光物質が単独で使用されるほかに、蛍光またはリン光ドーピング物質をドーピングして使用することができる。
【００４１】
前記熱硬化性電場発光高分子は、５０〜３５０℃で一時間以内に６０％以上の硬化度を有するものであり、このような硬化度を考慮して前記転写層に１０〜７０％程度含まれることが望ましい。
【００４２】
一方、前記非発光低分子は、熱硬化反応を実施することのできる二重結合が含まれたベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子、またはダウコーニングＳｉＬＫ（登録商標）などを含む低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物が使用される。このような非発光低分子は、熱硬化官能基を含まない電場発光高分子と混合して使用される。前記熱硬化官能基を含まない電場発光高分子は、上述した熱硬化官能基を含む電場発光高分子の誘導体形態が使用される。
【００４３】
前記電場発光高分子は、硬化度を反映して前記転写層に１０〜７０％を含まれることが好ましい。
【００４４】
前記転写層３３は前記光熱変換層上３２に、押出、スピン、ナイフコーティング方法などのような湿式法のコーティング方法によって形成されることが好ましい。
【００４５】
一方、前記ガス生成層（図示せず）は、光または熱を吸収すると分解反応を起こし、窒素ガスや水素ガスなどを放出することによって、転写エネルギーを供給する役割を果たし、ペンタエリスリトールテトラニトレート（ＰＥＴＮ）、トリニトロトルエン（ＴＮＴ）等から選択される物質からなる。
【００４６】
一方、前記転写層３３としては、製造しようとする有機電界発光素子の特性に合わせるように、高分子または低分子有機電場発光物質、ホール伝達性有機物質及び電子伝達性有機物質の中から選択される、少なくとも一つの物質で形成する。
【００４７】
本発明で開示したレーザ転写用ドナー基板、特に発光素子が有機物質からなる有機電界発光素子は、微細パターンを形成することが容易である。
【００４８】
以下、図４を参照して本発明に係るドナー基板を用いて有機電界発光素子の有機薄膜の微細パターンを形成する方法を詳細に説明する。以下の説明では、説明の便宜を計るために本発明のドナー基板が適用される一つの例として、有機電界発光素子を挙げているが、本発明のドナー基板に適用されるものは有機電界発光素子だけに限らない。
【００４９】
図４は、本発明に係るドナー基板３４を用いて転写する方法を説明するための図面で、先は透明基板１００上に透明電極層２００を形成する。これとは別に、基材フィルム３１上に光熱変換層３２、転写層３３を順に塗布し、ドナー基板３４を調製する。
【００５０】
ここで転写層３３は、熱硬化性電場発光物質を含む有機薄膜形成用の湿式方法によりコーティングすることによって製造される。この場合、多様な特性に改善するために所定含量の添加物質を添加してもよい。例えば、発光層の効率を高めるためにドーパント（ｄｏｐａｎｔ）を添加してもよい。そして、転写層３３を形成する方法としては、上述したように、一般的なフィルムコーティング方法である押出、スピン及びナイフコーティング方法を用いる。
【００５１】
前記転写層３３には、上述のように、熱により硬化反応を実施できる熱硬化性電場発光物質として、熱硬化性官能基を含む熱硬化性電場発光高分子、または熱硬化が可能な非発光低分子と熱硬化官能基を含まない電場発光高分子との混合物が使用でき、２以上の層を必要によって積層することができる。
【００５２】
その次に、透明電極層２００がパターニングされて形成される基板１００と所定の間隔分隔離された位置に、前記ドナー基板３４を配置した後、該ドナー基板３４にエネルギー源３７を照射する。
【００５３】
前記エネルギー源３７は、転写装置を通り基材フィルム３１を通過して光熱変換層３２を活性化させ、該光熱変換層３２に含まれている光吸収性物質による熱分解反応によって熱を放出する。
【００５４】
このように放出された熱により、前記ドナー基板３４の光熱変換層３２は、膨張しながら前記転写層３３がドナー基板３４から分離され、第１ピクセル（Ｒ）が有機電界発光素子の基板１００上にピクセル定義膜３００により定義される上へと、転写物質である第１電場発光物質を転写させ、第１電場発光物質が好ましいパターンと厚さに転写される。
【００５５】
続いて、前記第２ピクセル領域（Ｇ）上に、熱硬化性物質を含むドナー基板を配置し、第２電場発光物質をレーザによって転写させ、第３ピクセル領域（Ｂ）上に、熱硬化性電場発光物質を含むドナー基板を配置し、第３電場発光物質をレーザにより転写し、第３電場発光物質を転写させる。
【００５６】
続いて、前記第１、第２及び第３電場発光物質を熱硬化して、前記第１、第２及び第３ピクセル領域にそれぞれ第１、第２及び第３発光層を形成する。
【００５７】
前記第１、第２、第３電場発光物質はそれぞれ互いに異なる色で、Ｒ、Ｇ、Ｂ色の内のいずれか一色であり、それぞれの転写段階は、真空または不活性大気で実施されることが好ましい。
【００５８】
こうすることにより、従来のようにフォト工程により発光層を形成する場合、熱硬化形高分子を含むことによって発光層形成の際に追加のマスク工程を必要とせず、硬化時に発生する超強酸により他の活性物質を破損したり、不純物が混入したりする可能性が排除され、また、フォト工程時に使用されるマスクが低減される。
【００５９】
一方、本発明に使われるエネルギー源は、レーザ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、そしてフラッシュ（ｆｌａｓｈ）ランプなどである。その中でもレーザが一番優れる転写効果を得られる。この場合、レーザとしては、固体、ガス、半導体、染料などの殆どの汎用レーザを使用することができ、レーザビームの形も円形ビーム、あるいは他の形のビームも使用が可能である。
【００６０】
上述したような転写過程を経た後には、転写された物質を固形化、固着化させるために熱処理を行う工程を経ることになる。
【００６１】
ここで、転写物質の転写は、一回または多段階の経過から成る。即ち、転写しようとする有機薄膜層の厚さによって、一回で必要な厚さを転写することもあり、何回も繰り返して転写を行うこともある。しかし、工程の便宜及び安定性を考慮すれば、一回で転写物質を転写することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、従来のフルカラー有機電界発光素子の構造を示す断面図である。
【図２】図２は、レーザにより有機電界発光素子に使用される発光有機膜を転写パターニングする時の転写メカニズムを示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施例１に係るレーザ転写用ドナー基板の構造を示す図である。
【図４】図４は、本発明に係るドナー基板を用いてレーザ転写してフルカラー有機電界発光素子を製造する方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００６３】
３１  基材フィルム
３２  光熱変換層
３３  転写層
３４  ドナー基板
３７  エネルギー源
１００  基板
２００  第１電極
３００  ピクセル定義膜
３３０  有機膜層
４００  第２電極
【図１】
2005166661.tif 000003
【図２】
2005166661.tif 000004
【図３】
2005166661.tif 000005
【図４】
2005166661.tif 000006