(57)【要約】【課題】トレンチキャパシタの上部電極と、トランジスタの拡散層とを接続する際の低抵抗化が可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチ１２を埋め込むようにキャパシタ絶縁膜１４上に上部電極膜１５ａを成膜するとともに、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａのエッチングレートを内壁側から中心側に向かって低くなるように調整する工程と、上部電極膜１５ａをトレンチ下部１２ａまでエッチング除去して、上部電極１５を形成する工程と、トレンチ上部１２ｂの内壁を覆うように、基板１１上および上部電極１５上に絶縁膜を成膜した後、この絶縁膜をエッチング除去してトレンチ上部１２ｂの側壁に側壁絶縁膜１６を形成する工程と、トレンチ上部１２ｂを導電性膜で埋め込むことで、上部電極１５に接続された引き出し電極１７を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法および半導体装置である。【選択図】図１
2005051045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されたトレンチの内壁に、少なくともキャパシタ絶縁膜および上部電極を下層から順に積層してなるトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、
トレンチを埋め込むようにキャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を成膜するとともに、当該トレンチ内における当該上部電極膜のエッチングレートを内壁側から中心側に向かって低くなるように調整する第１工程と、
前記上部電極膜を前記トレンチの下部領域までエッチング除去して、上部電極を形成する第２工程と、
前記上部電極が形成された前記トレンチの内壁を覆うように、基板上および上部電極上に絶縁膜を成膜した後、基板上および上部電極上の絶縁膜をエッチング除去して、前記トレンチの上部領域の内壁に側壁絶縁膜を形成する第３工程と、
前記側壁絶縁膜が形成された前記トレンチの上部領域を導電性膜で埋め込むことで、前記上部電極に接続された引き出し電極を形成する第４工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程では、前記エッチングレートを前記トレンチの内壁側から中心側に向かって連続的に低くなるように調整する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程では、前記エッチングレートを前記トレンチの内壁側から中心側に向かって段階的に低くなるように調整する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板に形成されたトレンチの内壁に、少なくともキャパシタ絶縁膜および上部電極を下層から順に積層してなるトレンチキャパシタを備えた半導体装置であって、
トレンチ内の上部電極は内壁側から中心側に向かってエッチングレートが低くなるように形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、さらに詳しくは、ＤＲＡＭのトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイスの微細化に伴い、特にＤＲＡＭセルにおいては、キャパシタの占有面積が縮小される傾向にあり、キャパシタ容量の増加は厳しい状況にある。このような状況下において、キャパシタ構造を工夫することによるキャパシタ容量の増加の検討が行われており、基板にトレンチを形成し、そこにキャパシタを作り込むトレンチ型のキャパシタ構造が検討されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
【非特許文献１】「International Electron Devices Meeting」，（米国），１９９３年，ｐ．６２７−６３０
【０００４】
ここで、トレンチキャパシタを備えた半導体装置の従来の製造方法について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、基板１１上にマスクパターン（図示省略）を形成して、エッチングを行うことにより、基板１１にトレンチ１２を形成する。次いで、基板１１におけるトレンチ１２の下部領域（トレンチ下部１２ａ）の内壁に不純物を導入して拡散層を形成し、下部電極１３とする。その後、トレンチ１２の内壁を覆うように基板１１上にキャパシタ絶縁膜１４を形成する。
【０００５】
次に、図４（ｂ）に示すように、キャパシタ絶縁膜１４が形成されたトレンチ１２内を埋め込むように、化学的気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下、ＣＶＤと略））法により、例えばポリシリコン膜からなる上部電極膜１５ａを成膜する。成膜時には、プロセスガス中にヒ素（Ａｓ）等の不純物を添加することにより、上部電極膜１５ａ中に不純物を導入する。
【０００６】
また、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａに確実に不純物を導入するために、上部電極膜１５ａをポリシリコンの多層膜で構成する場合もあり、この場合には、トレンチ１２の内壁を覆うようにアンドープのポリシリコン層の薄膜を成膜し、その後、このポリシリコン層の表面にＡｓなどの不純物を吸着させる、という一連の工程を複数回行った後、トレンチ１２の中心側をアンドープのポリシリコン層で埋め込む。
【０００７】
この上部電極膜１５ａの成膜においては、上述したように上部電極膜１５ａが単層膜または多層膜であっても、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａの中心側にはシームＡ（合わせ目）が発生する。
【０００８】
次いで、図５（ｃ）に示すように、エッチバックを行うことにより、上部電極膜１５ａ（前記図４（ｂ）参照）を下部電極１３が設けられたトレンチ下部１２ａの深さまで後退させて、上部電極１５を形成する。
【０００９】
その後、トレンチ１２の上部領域（トレンチ上部１２ｂ）および基板１１上に露出されたキャパシタ絶縁膜１４を除去する。このようにして、トレンチ１２内にトレンチキャパシタが形成される。
【００１０】
次に、図５（ｄ）に示すように、トレンチ上部１２ｂの内壁を覆うように、上部電極１５上および基板１１上に絶縁膜を成膜した後、上部電極１５上および基板１１上の絶縁膜をエッチング除去して、トレンチ上部１２ｂの内壁に側壁絶縁膜１６を形成する。この側壁絶縁膜１６は寄生トランジスタの発生を防止するためのものであり、膜厚を十分にとる必要がある。その後、トレンチ上部１２ｂの最上部の側壁絶縁膜１６を除去することで、トレンチ１２の最上部の側壁を露出させる。
【００１１】
次に、トレンチ上部１２ｂに導電性膜を埋め込んで、上部電極１５と接続させた引き出し電極１７を形成した後、基板１１にトランジスタを形成し、このトランジスタの拡散層（図示省略）とトレンチキャパシタの上部電極１５とを引き出し電極１７を介して接続させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、上述したような半導体装置の製造方法では、図５（ｃ）に示したように、上部電極膜１５ａ（図４（ｂ）参照）をエッチバックして上部電極１５を形成する際に、下部電極１３が形成されたトレンチ下部１２ａの深さまで上部電極膜１５ａを後退させる。これにより、上部電極膜１５ａのシームＡ上部からもエッチャントが侵入し、上部電極１５表面の中央部分が過剰に除去され、上部電極１５表面に深い窪みＢが形成される。
【００１３】
また、上部電極膜１５ａを多層膜で形成する場合には、成膜工程と不純物吸着工程を繰り返すことから、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａの膜厚方向には、複数の不純物吸着層が形成される。ここで、この不純物吸着層近傍の不純物濃度は局所的に高く、一般的に不純物濃度が高いほうがエッチングレートは高くなる。このため、上部電極膜１５ａをエッチバックして上部電極１５を形成する際に、上部電極１５の表面における複数の不純物吸着層の近傍が過剰に除去されることで、上部電極１５の表面が凹凸状（図示省略）になり易い傾向があった。
【００１４】
このように、上部電極１５の表面に窪みＢが生じ、また、表面が凹凸状になることで、図５（ｄ）に示すように、トレンチ上部１２ａの内壁に膜厚の厚い側壁絶縁膜１６を形成する際、トレンチ上部１２ａの内壁を覆うように絶縁膜を上部電極１５上に成膜した後、上部電極１５上の絶縁膜をエッチング除去すると、上部電極１５表面の窪みＢや凹部に絶縁膜が残留し易い。
【００１５】
このため、上部電極１５上に引き出し電極１７を形成して接続させる場合の抵抗が高くなる傾向があった。これにより、基板１１に形成するトランジスタの拡散層とトレンチキャパシタの上部電極１５とを引き出し電極１７を介して接続させる場合の抵抗が高くなり、導通不良が発生して歩留りを低下させる、といった問題が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、基板に形成されたトレンチの内壁に、少なくともキャパシタ絶縁膜および上部電極を下層から順に積層してなるトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、トレンチを埋め込むようにキャパシタ絶縁膜上に上部電極膜を成膜するとともに、トレンチ内における上部電極膜のエッチングレートを内壁側から中心側に向かって低くなるように調整する第１工程と、上部電極膜をトレンチの下部領域までエッチング除去して、上部電極を形成する第２工程と、上部電極が形成されたトレンチの内壁を覆うように、基板上および上部電極上に絶縁膜を成膜した後、基板上および上部電極上の絶縁膜をエッチング除去して、トレンチの上部領域の内壁に側壁絶縁膜を形成する第３工程と、側壁絶縁膜が形成されたトレンチの上部領域を導電性膜で埋め込むことで、上部電極に接続された引き出し電極を形成する第４工程とを有することを特徴としている。
【００１７】
このような半導体装置の製造方法によれば、トレンチ内における上部電極膜のエッチングレートが内壁側から中心側に向かって低くなるように調整される。これにより、上部電極膜をエッチング除去して上部電極を形成する際には、上記エッチングレートに依存した状態で上部電極膜が除去されるため、トレンチの中心側、特にシーム近傍部の上部電極膜はエッチングされにくい状態となる。このため、上部電極膜のシームからエッチャントが浸入しても、従来の技術で説明した半導体装置のように、上部電極表面の中央部分が過剰に除去されることなく、深い窪みが生じるのを防ぐことができる。
【００１８】
また、トレンチ内の上部電極膜における膜厚方向の中央部には、エッチングレートが局所的に高くなる部分がないことから、上部電極膜をエッチング除去して上部電極を形成する際に、上部電極膜が局所的に過剰に除去されるのを防止することができ、上部電極の表面が凹凸状になるのを抑制することができる。
【００１９】
したがって、この後の膜厚の厚い側壁絶縁膜を形成する工程で、トレンチの上部領域の内壁を覆うように基板上および上部電極上に絶縁膜を成膜し、上部電極上の絶縁膜を除去する際に、上部電極表面に絶縁膜が残留するのを防止できる。
【００２０】
また、上記製造方法によって得られる半導体装置としては、基板に形成されたトレンチの内壁に、少なくともキャパシタ絶縁膜および上部電極を下層から順に積層してなるトレンチキャパシタを備えた半導体装置であって、トレンチ内の上部電極は内壁側から中心側に向かってエッチングレートが低くなるように形成されていることを特徴としている。
【００２１】
このような半導体装置によれば、トレンチ内における上部電極が内壁側から中心側に向かってエッチングレートが低くなるように形成されることで、上部電極の表面はエッチングによる深い窪みや凹凸が抑制された状態となり、窪みや凹部内への絶縁膜の残留が防止される。このため、この上部電極と上部電極上に設けられる引き出し電極とを接続する場合の抵抗を低くすることができる。したがって、トレンチキャパシタの上部電極と基板に設けられるトランジスタの拡散層とを、引き出し電極を介して接続する際の低抵抗化を図ることができ、導通を確実にとることができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法およびこれによって得られる半導体装置によれば、トレンチ内における上部電極膜のエッチングレートは内壁側から中心側に向かって低くなるように調整される。これにより、エッチングレートに依存した状態で、上部電極膜のエッチバックを行い、上部電極を形成する際に、上部電極膜のシームからエッチャントが浸入しても、トレンチの中心側の上部電極膜のエッチングが抑制される。このため、上部電極表面の中央部分が過剰に除去されることなく、上部電極表面に深い窪みが生じるのを防ぐことができる。また、トレンチ内の上部電極膜における膜厚方向の中央部には、エッチングレートが局所的に高くなる部分がないことから、上部電極膜をエッチング除去して上部電極を形成する際に、上部電極膜が局所的に過剰に除去されることがなく、上部電極の表面が凹凸状になるのを抑制することができる。
【００２３】
したがって、トレンチの上部領域の内壁に側壁絶縁膜を形成する工程で、上部電極表面に絶縁膜が残留するのを防止することができる。このため、上部電極上に引き出し電極を形成して接続させた場合の抵抗を低くすることができる。したがって、トレンチキャパシタの上部電極と、基板に設けられるトランジスタの拡散層とを引き出し電極を介して接続する際の、低抵抗化が図れるとともに、導通を確実にとることができ、歩留りを向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
本発明の半導体装置の製造方法に係わる実施の形態の一例を、図１〜図３の製造工程断面図によって説明する。本実施形態においては、半導体装置の構成を製造工程順に説明する。なお、従来の技術で説明したものと同様の構成には同一の番号を付して説明する。
【００２６】
まず、図１（ａ）に示すように、通常のトレンチを形成する技術と同様に、例えばシリコン基板からなる基板１１上に、マスクパターン（図示省略）を形成し、エッチングを行うことにより、基板１１にトレンチ１２を形成する。
【００２７】
次いで、例えば固相拡散法により、基板１１におけるトレンチ１２の下部（トレンチ下部１２ａ）の内壁に、例えばヒ素（Ａｓ）をドーピングして拡散層を形成し、この拡散層を下部電極１３とする。その後、トレンチ１２の内壁を覆うように基板１１上に、例えば酸窒化シリコンからなるキャパシタ絶縁膜１４を成膜する。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、例えば原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ４）を用いたＣＶＤ法により、キャパシタ絶縁膜１４が形成されたトレンチ１２を埋め込むように、ポリシリコンからなる上部電極膜１５ａを成膜する。ここで、成膜時には、プロセスガス中に例えばＡｓからなる不純物を添加し、トレンチ１２内を埋め込むまでの間、プロセスガス中への不純物の添加量を経時的に徐々に低減させる。
【００２９】
このように上部電極膜１５ａを成膜することで、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａは内壁側から中心側に向かって徐々に低濃度となるような連続的な不純物の濃度勾配を有して形成される。一般的に、膜中の不純物は低濃度である方がエッチングレートが低いため、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａのエッチングレートは内壁側から中心側に向かって連続的に低くなるように形成される。
【００３０】
ここで、上部電極膜１５ａを成膜する際のプロセスガス中への不純物の添加量は、後工程でこの上部電極膜１５ａをエッチバックする際のエッチング条件により調整し、また、トレンチキャパシタの上部電極として十分に導電性がとれる範囲で調整することとする。
【００３１】
また、本実施形態では、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａのエッチングレートを、内壁側から中心側に向かって連続的に低くなるように調整することで、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａの内壁側と中心側とのエッチングレートの差を少なくしている。この場合、後工程で上部電極膜１５ａをエッチング除去して上部電極を形成する際に、トレンチ１２内の上部電極表面の中央部分が顕著に突出した凸状となることがなく、好ましい。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、エッチングガスとして例えば六フッ化イオウ(ＳＦ6)を用いたドライエッチング法により、上記エッチングレートに依存した状態でエッチバックを行い、下部電極１３が形成されたトレンチ下部１２ａまで、上部電極膜１５ａ（前記図１（ｂ）参照）を除去して、上部電極１５を形成する。
【００３３】
なお、ここではエッチングガスとしてＳＦ6を用いたが、例えば臭化水素（ＨＢｒ）を用いてもよく、この場合には上部電極膜１５ａを成膜する際のプロセスガス中への不純物の添加量を適宜調整して、エッチングレートを調整することとする。
【００３４】
この際、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａのエッチングレートは内壁側から中心側に向かって低くなるように調整されているため、中心側がエッチングされにくい状態となる。これにより、上部電極膜１５ａのシームＡ上部からエッチャントが侵入しても、上部電極１５表面の中央部分が過剰にエッチングされて深い窪みを形成することがなく、上部電極１５表面は中央部が盛り上がった形状となる。
【００３５】
その後、トレンチ１２の上部領域（トレンチ上部１２ｂ）に露出されたキャパシタ絶縁膜１４を除去することで、トレンチ１２内にトレンチキャパシタを形成する。
【００３６】
次に、図２（ｄ）に示すように、トレンチ上部１２ｂの内壁を覆うように、基板１１上および上部電極１５上に、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）からなる、膜厚の厚い絶縁膜を成膜する。次いで、エッチバック工程を行って、基板１１上および上部電極１５上の絶縁膜を除去し、トレンチ上部１２ｂの側壁に絶縁膜を残存させることで、側壁絶縁膜（カラー酸化膜）１６を形成する。その後、通常のリソグラフィーおよびエッチングを行うことにより、トレンチ上部１２ｂの最上部の側壁絶縁膜１６を除去し、側壁を露出させる。
【００３７】
次に、図３（ｅ）に示すように、トレンチ上部１２ｂに例えばＡｓが導入されたポリシリコンからなる導電性膜を埋め込んで、上部電極１５上に引き出し電極１７を形成する。
【００３８】
以下、通常のＤＲＡＭプロセスを経てＤＲＡＭを形成する。基板１１にトランジスタを形成し、このトランジスタの拡散層（図示省略）とトレンチキャパシタの上部電極１５とを引き出し電極１７を介して接続させる。
【００３９】
このような半導体装置の製造方法および半導体装置によれば、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａのエッチングレートは内壁側から中心側に向かって低くなるように調整される。これにより、上部電極膜１５ａをエッチング除去して上部電極１５を形成する際には、上記エッチングレートに依存した状態で上部電極膜１５ａが除去され、トレンチ１２の中心側の上部電極膜１５ａはエッチングされにくい状態となる。このため、上部電極膜１５ａのシームＡからエッチャントが浸入しても、従来の技術で図５（ｃ）を用いて説明したように、上部電極１５表面の中央部分が過剰に除去されることなく、上部電極１５表面に深い窪みが生じるのを防ぐことができる。
【００４０】
また、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａには不純物が偏在する部分がなく、トレンチ１２における上部電極膜１５ａの膜厚方向の中央部には、エッチングレートが局所的に高くなる部分がないことから、上部電極膜１５ａをエッチング除去して上部電極１５を形成する際に、上部電極膜１５ａが局所的に過剰に除去されるの防止することができる。このため、上部電極１５の表面が凹凸状になるのを抑制することができる。
【００４１】
したがって、この後のトレンチ上部１２ｂの内壁に側壁絶縁膜１６を形成する工程で、トレンチ１２ｂの内壁を覆うように上部電極１５上に膜厚の厚い絶縁膜を成膜し、上部電極１５上の絶縁膜をエッチング除去する際に、上部電極１５表面に絶縁膜が残留しにくくなる。
【００４２】
このため、上部電極１５上に引き出し電極１７を形成して接続させた場合の抵抗を低くすることができる。したがって、この引き出し電極１７を介してトレンチキャパシタの上部電極１５と、基板１１に形成されたトランジスタの拡散層とを接続する場合の低抵抗化を図ることができ、導通を確実にとることができるため、歩留りを向上させることができる。
【００４３】
さらに、本実施形態では、トレンチ１２内に上部電極膜１５ａを埋め込むまでの間、プロセスガス中の不純物の添加量を徐々に少なくし、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａの不純物濃度を内壁側から中心側に向かって連続的に低くなるように調整することで、内壁側から中心側に向かってエッチングレートが連続的に低くなるように調整した。これにより、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａの内壁側と中心側とで、エッチングレートの差が少ないことから、上部電極１５表面の中央部が顕著に突出した凸状となるのを防ぎ、上部電極１５表面をより平坦に形成することができる。
【００４４】
また、上部電極膜１５ａの成膜時におけるプロセスガス中の不純物の添加量を調整することにより、上部電極膜１５ａのエッチングレートを変化させることができるため、上部電極１５の表面形状を再現性よく制御することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
また、本発明の半導体装置は、次のような方法によっても製造することができる。ここで、第２実施形態の製造方法について図１〜図２を用いて説明する。なお、トレンチ１２内に上部電極膜１５ａを成膜する工程以外は、第１実施形態と同様の工程で行うことする。
【００４６】
本実施形態では、図１（ｂ）に示す上部電極膜１５ａが、例えばシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）から構成されることとする。ここでは、例えばシリコンの原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ4）、ゲルマニウムの原料ガスとしてゲルマンガス（ＧｅＨ4）を用いたＣＶＤ法により、トレンチ１２内にＳｉＧｅ膜を埋め込む際に、プロセス雰囲気中のＧｅＨ4の添加量を徐々に低減する。このようにして、トレンチ１２の内壁側から中心側に向かってＧｅの含有率が徐々に低くなるように膜組成を連続的に変化させたＳｉＧｅ膜を成膜する。一般的に、ＳｉＧｅ膜はＧｅ含有率の低い方がエッチングレートが低いことから、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａのエッチングレートは内壁側から中心側に向かって連続的に低くなるように調整される。
【００４７】
ここではＳｉＧｅ膜のＧｅの含有率を徐々に低減することとしたが、トレンチ１２の中心側をＧｅを含有しないポリシリコン膜とすることで、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａの中心側のエッチングレートが低くなるように調整してもよい。
【００４８】
また、ＳｉＧｅ膜のＧｅの含有率を徐々に低減することで、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａのエッチングレートが内壁側から中心側に向かって連続的に低くなるように調整されることとしたが、トレンチ１２の内壁側から中心側に向かってＳｉＧｅ膜中のＧｅの含有率を段階的に低減させることで、エッチングレートが段階的に低くなるように調整してもよい。この場合にはプロセスガス中のＧｅの添加量を段階的に低くなるように調整することとする。
【００４９】
なお、上部電極膜１５ａの成膜時には、プロセスガス中に例えばＡｓからなる不純物を一定量添加して、上部電極膜１５ａに不純物を導入することとする。この後の工程は第１実施形態と同様であり、図２（ｃ）に示すように、エッチングガスとして例えば六フッ化イオウ(ＳＦ6)を用いたドライエッチング法により、上記エッチングレートに依存した状態でエッチバックを行い、上部電極膜１５ａ（前記図１（ｂ）参照）をトレンチ下部１２ａまで除去して、上部電極１５を形成する。
【００５０】
このような半導体装置の製造方法およびこれにより得られる半導体装置によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、ＳｉＧｅからなる上部電極膜１５ａを成膜する際に、Ａｓからなる不純物を一定量添加する例について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、プロセスガス中のＧｅＨ4の添加量を徐々に低減するとともに、第１実施形態と同様に、不純物の添加量を徐々に低減させてもよい。
【００５２】
これにより、トレンチ１２内の内壁側から中心側に向かって、上部電極膜１５ａのＧｅ含有率を低減させるとともに、不純物濃度も低くなるように調整することが可能である。この場合には、上部電極膜１５ａ中のＧｅ含有率の差だけでなく、不純物濃度の差によっても上部電極膜１５ａのエッチングレートを調整することができるため、上部電極膜１５ａのエッチングレートをより細かく制御することが可能である。
【００５３】
（第３実施形態）
また、本発明の半導体装置は、次のような方法によっても製造することができる。ここで、第３実施形態の製造方法について図１〜図２を用いて説明する。なお、トレンチ１２内に上部電極膜１５ａを成膜する工程以外は、第１実施形態と同様の工程で行うことする。
【００５４】
本実施形態では、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａのエッチングレートが段階的に低くなるように調整した例について説明する。ここでは、上部電極膜１５ａがポリシリコンの多層膜で構成されることとする。
【００５５】
まず、図１（ｂ）に示すように、キャパシタ絶縁膜１４が形成されたトレンチ１２の内壁を覆うように、上部電極膜１５ａを構成するポリシリコン層の薄膜を形成する成膜工程を行う。その後、例えばＡｓからなる不純物を上記ポリシリコン層の表面に吸着させる不純物吸着工程を行い、上記成膜工程と不純物吸着工程とを複数回繰り返して行うこととする。
【００５６】
この際、トレンチ１２の埋め込みが完了する前に、熱処理を行い堆積されたポリシリコン層中に不純物を均一に拡散させる。その後、アンドープのポリシリコン層でトレンチ１２の中心側を埋め込むことで、トレンチ１２の内壁側を不純物が拡散されたポリシリコン層、中心側をアンドープのポリシリコン層とし、２段階に不純物濃度が変化するように調整する。このように、トレンチ１２の中心側のポリシリコン層に不純物を導入しないで形成したとしても、上部電極形成後の工程で、例えば基板１１にトランジスタの拡散層を形成する際の熱処理により、不純物は内壁側のポリシリコン層から中心側に拡散される。
【００５７】
なお、ここでは、トレンチ１２の中心側をアンドープのポリシリコン層で埋め込むこととしたが、トレンチ１２の中心側のポリシリコン層に、トレンチ１２の内壁側のポリシリコン層よりも低濃度となるように不純物が導入されていてもよい。
【００５８】
ここで、第１実施形態で説明したように、一般的に、膜中の不純物が低濃度である方がエッチングレートが低いことから、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａのエッチングレートは内壁側から中心側に向かって段階的に低くなるように調整される。
【００５９】
この後の工程は第１実施形態と同様であり、図２（ｃ）に示すように、エッチングガスとして例えば六フッ化イオウ(ＳＦ6)を用いたドライエッチング法により、上記エッチングレートに依存した状態でエッチバックを行い、上部電極膜１５ａ（前記図１（ｂ）参照）をトレンチ下部１２ａまで除去して、上部電極１５を形成する。
【００６０】
このような半導体装置の製造方法およびこれにより得られる半導体装置によっても第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、第１実施形態では、上部電極膜１５ａがトレンチ１２の内壁側から中心側に向かって徐々に低くなるような連続的な不純物の濃度勾配を有するように調整したが、本実施形態では、トレンチ１２を上部電極膜１５ａで埋め込む際に、成膜工程と不純物吸着工程とを繰り返した後、不純物の拡散工程を行うことで、より確実に内壁側のポリシリコン層に不純物を導入し、上部電極膜１５ａが段階的な不純物の濃度勾配を有するように調整することが可能である。
【００６１】
なお、本実施形態では、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａを２段階に不純物濃度が変化するように調整したが、アンドープのポリシリコン層成膜工程、不純物吸着工程、拡散工程の一連の工程を複数回行うことで、より精密な濃度制御を行ってもよい。
【００６２】
この場合には、トレンチ１２を上部電極膜１５ａで埋め込む際に、不純物吸着工程におけるポリシリコン層の表面に吸着させる不純物の量を、トレンチ１２の内壁側から中心側に向かって層ごとに低減させる。また、不純物吸着工程の後には、各層ごとに熱処理を行うことで、下層のポリシリコン層に不純物を拡散させる。これにより、トレンチ１２内の上部電極膜１５ａの不純物濃度が内壁側から中心側に向かって層ごとに段階的に低くなるように調整され、エッチングレートが内壁側から中心側に向かって層ごとに段階的に低くなるように調整される。この際、トレンチ１２内の中心側をアンドープのポリシリコン層で埋め込むことで、中心側のエッチングレートが低くなるように調整してもよい。
【００６３】
また、ここでは、アンドープのポリシリコン層の成膜工程と、不純物吸着工程と、拡散工程の一連の工程を複数回繰り返すことで、上部電極膜１５ａが段階的な不純物の濃度勾配を有するように形成したが、成膜工程と、不純物吸着工程とをトレンチ１２の内壁側から中心側に向かって吸着させる不純物の量を層ごとに低減させた状態で繰り返すことにより、トレンチ１２内を上部電極膜１５ａで埋め込んだ後、熱処理を行うことで、段階的な不純物の濃度勾配を有するように形成してもよい。
【００６４】
さらには、上部電極膜１５ａをポリシリコンからなる単層膜で成膜し、成膜する際のプロセスガス中への不純物の添加量を、経時的に段階的に低減させることで、段階的な不純物の濃度勾配を有するように形成してもよい。
【００６５】
また、本実施形態では上部電極膜１５ａの不純物濃度をトレンチ１２の内壁側から中心側に向かって段階的に低くすることで、エッチングレートが段階的に低くなるように調整する例について説明したが、上部電極膜１５ａの結晶状態を変化させることで、エッチングレートを調整してもよい。
【００６６】
例えば、トレンチ１２内における上部電極膜１５ａの内壁側を覆うように、アモルファスシリコンを成膜し、その後中心側を埋め込むようにポリシリコンを成膜する。一般的に、アモルファスシリコンよりもポリシリコンの方がエッチングレートが低いことから、トレンチ１２における上部電極膜１５ａのエッチングレートを内壁側から中心側に向かって段階的に低くすることができる。この際、成膜時のプロセスガスに一定量の例えばＡｓからなる不純物を添加して、上部電極膜１５ａに不純物を導入する。
【００６７】
なお、ここでは、成膜時の不純物の添加量を一定としたが、トレンチ１２を埋め込むまでの間、経時的に不純物の添加量を低減することで、連続的な不純物の濃度勾配を有するように形成してもよい。この場合には、上部電極膜１５ａ中の結晶状態による差だけでなく、不純物濃度の差によっても上部電極膜１５ａのエッチングレートを調整することができるため、上部電極膜１５ａのエッチングレートをより細かく制御することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程断面図（その３）である。
【図４】従来の技術における半導体装置の製造方法を説明するための製造工程断面図（その１）である。
【図５】従来の技術における半導体装置の製造方法を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００６９】
１１…基板、１２…トレンチ、１２ａ…トレンチ下部、１２ｂ…トレンチ上部、１４…キャパシタ絶縁膜、１５…上部電極、１５ａ…上部電極膜、１６…側壁絶縁膜、１７…引き出し電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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