(57)【要約】【課題】  簡単な工程で、吸湿性や絶縁特性に優れた低誘電率膜を形成できる低誘電率膜の形成方法を提供する。【解決手段】  少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合しており、他の有機基は酸素原子を介してケイ素原子に結合している、および／または窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機シラン化合物を第１処理用ガスとして有機シラン化合物ガス供給源３から供給し、第２処理用ガスとしてＨ２ＯガスをＨ２Ｏガス供給源４から供給し、大気圧近傍の圧力下でのＣＶＤ法により、膜中に有機基を有する低誘電率の酸化ケイ素膜を被処理物である基板２の表面に形成する。必要に応じて第３処理用ガスとしてＯ２ガス供給源５からＯ２ガス等の酸素含有ガスを供給し、Ｏ２ガスを放電しているＯ２ガス導入部２０に通して供給する。Ｏ２ガス導入部２０は放電していなくてもよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理用ガスおよび該第１処理用ガスと反応する第２処理用ガスを供給し、大気圧近傍の圧力下での化学気相成長法により被処理物の表面に低誘電率膜を形成する方法であって、
前記第１処理用ガスは、少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合しており、他の有機基は酸素原子を介してケイ素原子に結合している、および／または窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機シラン化合物であり、
前記形成される低誘電率膜は、膜中に有機基を有する酸化ケイ素膜であることを特徴とする低誘電率膜の形成方法。
【請求項２】
前記第２処理用ガスは、Ｈ２Ｏガスであることを特徴とする請求項１に記載の低誘電率膜の形成方法。
【請求項３】
Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２等の酸素含有ガスを、前記第１処理用ガスと反応する第３処理用ガスとして供給することを特徴とする請求項１または２に記載の低誘電率膜の形成方法。
【請求項４】
前記酸素含有ガスを放電処理して供給することを特徴とする請求項３に記載の低誘電率膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大規模集積回路等の多層配線において、例えば配線間寄生容量を低減するために使用される低誘電率膜の形成方法に係り、特に、誘電率が低く絶縁特性に優れ、スループットを向上させることができる低誘電率膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、デバイスの配線間遅延の克服のために、層間絶縁材料として種々の材料が提案されている。スピンオンにより形成した層間絶縁材料では、ＨＳＱ（水素シルセスキオキサン）やＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）等の無機ＳＯＧあるいは有機ＳＯＧ、さらに有機系のポリマー材料がある。化学気相成長（以下、ＣＶＤ）により形成した層間絶縁材料としては、減圧プラズマＣＶＤによる、ＳｉＯＣ系材料がある。
【０００３】
また、従来の、この種の低誘電率膜の形成方法としては、ＣＶＤ法によりシリコン系絶縁膜を基板に堆積する方法で、シアネート基を有するシリコン系原料、メチル基以外のアルキル基を少なくとも有するシリコン系原料、および第３種アミンを原料とするガスを反応室中に導入して反応させてシリコン系絶縁膜を堆積し、このシリコン系絶縁膜を熱処理してメチル基よりも脱離温度の低いアルキル基を絶縁膜から除去する低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２６９２０８号公報（段落［０００８］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
層間絶縁材料をスピンオンにより形成する場合、工程が、スピンコートからベークと２段階になり煩雑となるデメリットが合った。また、コーティングに使用する溶剤が残存する等の問題があった。減圧プラズマＣＶＤによりＳｉＯＣ系材料で低誘電率膜を形成する場合、真空プロセスであるため真空引き等の時間を要し、また装置コストも高いという問題点がある。大気圧近傍の圧力（常圧）下のＣＶＤは、反応を進行させるためにＯ３を用いるが、有機シランを用いてもほぼＳｉＯ２の構造となり、低誘電率膜を得るのが困難であった。Ｏ３量で酸化を制御して有機基を残存させると、吸湿性や絶縁特性が非常に劣る膜質となる。
【０００６】
また、前記特許文献１に記載の低誘電率膜の形成方法は、常圧でのＣＶＤにより低誘電率多孔質シリカ膜を形成することができるが、結局成膜後のアニール処理でフェニル基を脱離させて低誘電率化を達成しており、工程が煩雑となっていた。
【０００７】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、工程が単純で、すなわち１段階の成膜工程のみで、吸湿性や絶縁特性に優れた低誘電率膜を形成できる低誘電率膜の形成方法を提供することにある。また、装置構成が単純であり、真空引き等の前処理が不要であり、スループットを向上させることができる低誘電率膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成すべく、本発明に係る低誘電率膜の形成方法は、第１処理用ガスおよび該第１処理用ガスと反応する第２処理用ガスを供給し、大気圧近傍の圧力下での化学気相成長法（ＣＶＤ法）により被処理物の表面に低誘電率膜を形成する方法であって、第１処理用ガスは、少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合しており、他の有機基は酸
素原子を介してケイ素原子に結合している、および／または窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機シラン化合物であり、形成される低誘電率膜は、膜中に有機基を有する低誘電率の酸化ケイ素膜であることを特徴とするものであり、１つの成膜工程で低誘電率膜を形成できることを特徴とする。第１処理用ガスとしては、アルキルアルコキシシラン（例えばメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン等）や、シラザン（例えばヘキサメチルジシラザン等）を好適に使用できる。第２処理用ガスとして、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２等のガスを使用することができる。
【０００９】
前記のごとく構成された本発明の低誘電率膜の形成方法は、例えばガス混合器等を通して有機シラン化合物等の第１処理用ガスを、第２処理用ガスと反応させて大気圧近傍の圧力下で被処理物に吹き付ける工程のみで、ケイ素原子に直接結合している一つの有機基と、酸素原子や窒素原子を介してケイ素原子に結合している他の有機基との反応性の相異を利用して、被処理物の表面に低誘電率膜を所定の厚さで形成することができる。このようにして形成された低誘電率膜は膜中に有機基を有する酸化ケイ素膜（以下ＳｉＯＣ膜という）で形成され、比誘電率が低く、分子レベルでの空孔が形成されていると考えられる。
【００１０】
前記の第２処理用ガスはＨ２Ｏガスであると好適である。第１処理用ガスと反応させる第２処理用ガスにＨ２Ｏガスを用いると、第１処理用ガスとの反応性が良好であり、コスト的にも優れており好ましい。Ｈ２Ｏガスは、１００％Ｈ２Ｏのガスでなくてもよい。また、不活性ガス等のキャリアガスでバブリングしたり、気化器で水を気化してキャリアガスに投入してもよい。
【００１１】
また、本発明に係る低誘電率膜の形成方法の好ましい具体的な態様としては、Ｏ２、Ｎ２Ｏ（亜酸化窒素）、ＣＯ２等の酸素含有ガスを、前記の第１処理用ガスと反応する第３処理用ガスとして供給することを特徴としている。この酸素含有ガスを放電処理して供給すると好適であるが、放電処理しなくてもよい。このように構成すると、低誘電率膜のスループットを向上させることができると共に、膜質を良好とすることができる。
【００１２】
本発明に係る低誘電率膜の形成方法の好ましい具体的な他の態様としては、前記酸素含有ガスを放電処理して供給することを特徴とする。酸素含有ガスを、例えば高周波パルス電圧を印加してグロー放電している空間に通して供給すると好適であり、オゾナイザーを使用してオゾンを供給するようにしてもよい。このように構成することにより、低誘電率膜のスループットをさらに向上させることができると共に、膜質をより良好とすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、真空引き等の前処理等が不要で、簡単な工程により、吸湿性や絶縁特性に優れた低誘電率膜を形成することができる。また、低誘電率膜のスループットを向上させることができ、半導体素子の製造の効率を高めることができる。さらに、本発明の形成方法を用いることで、半導体素子の浮遊容量の影響を少なくすることができ、品質を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る低誘電率膜の形成方法の一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る低誘電率膜の形成方法を実施する装置の概略構成図、図２は図１の処理用ガス供給源を示す概略構成図である。図１，２において、低誘電率膜形成装置１は、シリコンウェハ、電子基板等の被処理物である基板２に低誘電率膜を形成する装置であり、第１処理用ガスとして有機シラン化合物ガスを供給する有機シラン化合物ガス供給源３と、第２処理用ガスとしてＨ２Ｏガスを供給するＨ２Ｏガス供給源４と、第３処理用ガスとして酸素含有ガスを供給するＯ２ガス供給源５とを備えている。Ｏ２ガス供給
源５は、必要に応じて設置される。
【００１５】
有機シラン化合物ガス供給源３およびＨ２Ｏガス供給源４は、図２に示すように貯留槽内に液体の有機シラン化合物３Ａおよび超純水４Ａが貯留されており、希釈用ガスボンベ７から供給される希釈ガスと共に、バブリングにより気化した処理用ガスがガス混合器６に供給される構成となっている。第１処理用ガスと第２処理用ガスを希釈する希釈ガスとしては、窒素や、希ガス（アルゴン、ヘリウム等）等の不活性ガスが好ましい。第３処理用ガスも第１処理用ガスと反応するガスであり、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２等のガスを使用することができる。第１処理用ガスと第２処理用ガスはガス混合器６で混合され、後述するガス導入部に供給される。
【００１６】
また、この低誘電率形成装置１は、後述するシランガスを基本とする第１処理用ガスを通過させる処理用ガス導入部１０と、Ｏ２ガスを通過させるＯ２ガス導入部２０，２０とを備えており、Ｏ２ガス導入部２０，２０は放電処理部となっている。処理用ガス導入部１０は有機シラン化合物ガス供給源３から供給された有機シラン化合物ガスを被処理物である基板２の表面に吹き出し、Ｏ２ガス導入部２０はＯ２ガス供給源５から供給されたＯ２ガスを放電により活性化（プラズマ化、オゾン化）して基板２の表面に吹き出すものである。そして、前記のガス導入部１０，２０，２０は、この隙間内でガス流れが整えられた状態で下方のガス噴出口から基板２に向けて吹き出すものであり、基板２の表面に低誘電率膜を形成するものである。
【００１７】
処理用ガス導入部１０、Ｏ２ガス導入部２０，２０は、間隔を有して設置された４つの棒状に電極の隙間で形成される。処理用ガス導入部１０を構成する２つの電極１１，１２の外側に電極２１，２２が平行状態に設置され、電極１１と２１との間の隙間、および電極１２と２２との間の隙間であるＯ２ガス導入部２０，２０が放電処理部となる。４つの電極は、紙面垂直方向に長い四角柱状をしており、その長さは基板２の処理幅より大きく設定されている。４つの電極およびこれらの電極により形成されるガス導入部は、ヘッド部を構成する。処理用ガス導入部１０の両側に、すなわち後述する搬送機構による搬送方向の前後に、Ｏ２ガス導入部２０，２０とを備えていると、処理用ガスの反応が安定して好適である。
【００１８】
本実施形態では、処理用ガス導入部１０を構成する電極１１，１２はＧＮＤ８ａに接地され、外側の電極２１，２２には電源８から例えば高周波のパルス電圧が供給される。４つの電極の少なくとも放電面には固体誘電体膜（図示せず）が形成され、アーク放電を防止して安定したグロー放電を可能としている。Ｏ２ガス導入部２０，２０はＯ２ガス供給源５から供給されたＯ２ガスを、酸素プラズマおよび／またはオゾン（Ｏ３）ガスとして、基板２に吹き付ける。なお、Ｏ２ガス導入部２０，２０を放電させない場合は電源８が不要であると共に、Ｏ２ガス導入部を電極で構成せずに単なる板材やノズルで構成してもよい。この場合は、ガス導入部からはＯ２ガスが直接吹き出される。
【００１９】
Ｏ２ガス導入部２０，２０を放電空間とする電源８は、例えばインパルス型のパルス電圧を電極に供給するものである。パルス状の電圧波形は、インパルス型の他に、方形波型、変調型、あるいは前記の波形を組み合わせた波形等の適宜の波形を用いることができる。また、電圧波形は、電圧印加が正負の繰り返しであるものの他に、正又は負のいずれかの極性側に電圧を印加する、いわゆる片波状の波形や一般的なサイン波である交流波形を用いてもよい。また、バイポーラ型の波形等を用いてもよい。
【００２０】
被処理物であるシリコンウェハ等の基板２は搬送機構９によりヘッド部に対して搬送される構成となっている。搬送機構９により基板２を載置固定した搬送台２ａが直線移動される構成である。搬送機構９は、例えば機械的な直動機構や、エアーシリンダ、油圧シリ
ンダ等により搬送台２ａを移動させてシリコン基板２等の被処理物をヘッド部の下方に搬送するものであり、一定の搬送速度で基板２を搬送することにより低誘電率膜の形成を均一に行うことができる。搬送機構９は基板２を搬送する構成であるが、基板を固定しておき処理用ガスやＨ２Ｏガスを吹き付けるヘッド部を搬送するように構成することもできる。搬送手段は前記の構成の他に、ベルトコンベアや、複数のローラで被処理物を搬送するローラコンベア等の他の搬送手段で構成してもよい。
【００２１】
低誘電率膜を形成する際に供給される第１処理用ガスは、少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合しており、他の有機基は酸素原子もしくは窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機シラン化合物を使用している。ケイ素原子に直接結合している一つの有機基は、アルキル基、フェニル基等の有機基が好ましく、酸素原子もしくは窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機基は、アルコキシ基もしくはアミノ基であると好適である。第１処理用ガスとしては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン等の有機含有アルコキシシランや、メチル−トリス（ｎ，ｎ−ジメチル）アミノシラン等の有機含有アミノシランを使用する。
【００２２】
前記の処理用ガスのうち、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）の化学式は、
ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３であり、１つのメチル基がケイ素原子に直接結合しており、３つのメチル基がケイ素原子に酸素原子を介して結合している。これは、見方を変えると、１つのアルキル基（メチル基）がケイ素原子に結合し、アルコキシ基（メトキシ基）がケイ素原子に結合している。
【００２３】
また、他の処理用ガスとして、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＳ）の化学式は、（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２であり、２つのメチル基がケイ素原子に直接結合しており、２つのメチル基がケイ素原子に酸素原子を介して結合している。前記のメチル−トリス（ｎ，ｎ−ジメチル）アミノシランの化学式は、ＣＨ３Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３であり、１つのメチル基がケイ素原子に直接結合しており、２つのメチル基が窒素原子を介してケイ素原子に結合している。なお、第１処理用ガスは、少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合し、他の有機基が酸素原子を介してケイ素原子に結合するとともに、窒素原子を介してケイ素原子に結合する有機シラン化合物でもよい。
【００２４】
本実施形態では、低誘電率膜は大気圧近傍の圧力下でのＣＶＤ法により形成され、基板２上に成膜される。大気圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔｏｒｒ（約１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａ）の圧力であり、実際には圧力調整が容易で、かつ放電プラズマ処理に使用される装置が簡便となる、７００〜７８０Ｔｏｒｒ（約９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａ）の圧力が好ましい。また、低誘電率膜が形成される基板２の表面は加熱されていても、冷却されていてもよく、室温に保たれていてもよい。膜質や成膜速度を上げるには、基板２の表面を１００℃〜４００℃程度にするのが好ましい。
【００２５】
前記の如く構成された本実施形態の低誘電率膜の形成方法について以下に説明する。有機シラン化合物ガス供給源３から有機シラン化合物の第１処理用ガスを供給し、Ｈ２Ｏガス供給源４から第２処理用ガスとしてＨ２Ｏガスを供給し、必要に応じてＯ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２等の酸素含有ガスを第３処理用ガスとしてＯ２ガス供給源５から供給し、大気圧近傍の圧力下でシリコンウェハ等の基板２に吹き付ける。基板２は搬送機構９により所定の均一速度で搬送される。有機シラン化合物ガスとＨ２Ｏガスの混合ガスは放電処理をせず、そのまま吹き付け、Ｏ２ガスは放電処理してそれぞれ吹き付ける。
【００２６】
基板２の表面には、第１および第２の処理用ガスと、必要に応じて第３の処理用ガスが吹き付けられた部分に、膜中に有機基を有する酸化ケイ素膜系のＳｉＯＣ膜が形成される。このように形成された薄膜は、ケイ素原子に直接結合した１つの有機基と、酸素原子ま
たは窒素原子を介してケイ素原子に結合している他の有機基との反応性の相異を利用して形成されるため、比誘電率が小さく膜質は良質で均質である。なお、前記のＳｉＯＣ膜は、ケイ素原子と、酸素原子と、メチル基、エチル基等のアルキル基を有する分子構造を示しており、膜中にアルキル基等の有機基が存在している。
【００２７】
このように形成された低誘電率膜は、膜中に有機基を残存させたままアルコキシ基の縮合を促進し、低誘電率で絶縁特性に優れた薄膜となる。すなわち、成膜プロセスにおいて、Ｈ２Ｏガスを添加することにより、Ｏ３によるメチル基等の有機基の酸化反応が抑制されると共に、アルコキシ基の縮合反応が促進され、膜中に選択的にＳｉ−ＣＨ３を残存させることができるのである。このため、この低誘電率膜を半導体素子等の電気回路に使用するとリーク電流を小さくでき、絶縁被膜として有効に使用できると共に、キャパシタ等の誘電率を安定させることができ、半導体素子として電気回路を形成したときに浮遊容量の影響を減らすことができ、電気回路の安定性を高めることができる。
【００２８】
本発明の他の実施形態を図３に基づき詳細に説明する。図３は本発明に係る低誘電率膜形成装置の他の実施形態を示す概略構成図である。なお、この実施形態は前記した実施形態に対し、ガス導入部は第３処理用ガスとして供給されるＯ２ガスを放電処理する放電処理部を備えず、代わりに第３処理用ガスとしてオゾンガスを発生するオゾナイザーを備えると共に、第１処理用ガス、第２処理用ガスおよび第３処理用ガスを混合させるガス混合器を備えることを特徴とする。そして、他の実質的に同等の構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２９】
図３において、低誘電率膜形成装置１Ａは、前記の実施形態と同様に基板２の表面に低誘電率膜を形成する装置であり、第１処理用ガスを供給する有機シラン化合物ガス供給源３と、第２処理用ガスとしてＨ２Ｏガスを供給するＨ２Ｏガス供給源４とを備えており、有機シラン化合物ガスとＨ２Ｏガスとをガス導入部３０を通して基板２に吹き付けている。ガス導入部３０は２枚の平行平板３１，３２から形成される。そして、オゾンガスを供給するオゾナイザー３３をさらに備えており、ガス混合器３４で第１〜第３の処理用ガスを混合して反応させて均一な状態とした後、ガス導入部３０を通して基板２に吹き付けて、基板の表面に低誘電率膜を形成する。
【００３０】
この実施形態においては、ガス導入部３０は放電させないため、電極ではなく単なる平行平板３１，３２で構成され、ガス流れを整える機能を備えている。有機シラン化合物ガス、Ｈ２Ｏガス、およびオゾンガスをガス混合器３４で混合して基板２に向けて均一に吹き出させ、ガス導入部３０を通してガス流を整えた状態で基板２に吹き付けることにより、基板２の表面に低誘電率膜を効率良く形成することができる。また、図示していないが、この実施形態の有機シラン化合物ガス供給源３およびＨ２Ｏガス供給源４も図２と同等の構成であり、希釈ガス供給源である希釈用ガスボンベ７から希釈ガスを供給して処理用ガスを気化させ、ガス混合器３４に導入している。なお、ガス混合器は必要に応じて設置すればよく、均一に混合した状態にできれば必ずしも必要ではない。
【００３１】
このように構成された図３に示す低誘電率膜形成装置１Ａは、前記の実施形態と同様に、第１処理用ガスである有機シラン化合物と第２処理用ガスであるＨ２Ｏガス、および第３処理用ガスであるオゾンガスがガス混合器３４で均一化され、ガス導入部３０を通して基板２に吹き付けられ、化学気相成長により基板の表面に低誘電率膜が形成される。そして、搬送機構９により搬送台２ａが搬送され、基板２の表面全域に低誘電率膜が均一に形成される。このように形成された低誘電率膜も、前記と同様な分子構造をしており、低誘電率で絶縁特性に優れた薄膜を得ることができ、半導体素子等に用いると種々の効果を得ることができる。
【実施例】
【００３２】
第１処理用ガスとして、メチルトリメトキシシランを０．２ｇ／ｍｉｎで供給し、第３処理用ガスとして酸素ガスを６ｓｌｍの流量で供給し、オゾナイザーで放電処理してオゾン濃度が１０ｇ／ｍ３となるように供給した。また、第２処理用ガスとしてＨ２Ｏガスを０．５ｇ／ｍｉｎで供給した。そして、希釈ガスとして窒素ガスを１５ｓｌｍで供給した。なお、オゾナイザーで処理する酸素ガスは、少量の窒素を含んでいてもよい。
【００３３】
その結果、シリコンウェハ上に２００ｎｍの膜厚のＳｉＯＣ（膜中にメチル基等の有機基を有する酸化ケイ素膜）系薄膜である低誘電率膜が形成された。この低誘電率膜をＦＴ−ＩＲにより波長を測定して膜構造を評価したところ、Ｓｉ−ＣＨ３に由来するピークが１２８０ｃｍ−１付近に観察された。これにより、形成された低誘電率膜は酸化ケイ素膜系の薄膜であり、膜中に有機基があることが推定される。
【００３４】
また、この低誘電率膜を使用して、ＭＩＳ（金属−絶縁膜−半導体）構造のキャパシタを作製して電気特性を評価したところ、電界強度１ＭＶ／ｃｍにおけるリーク電流密度は１．０×１０−９Ａ／ｃｍ２であり、１ＭＨｚでの比誘電率は２．６であった。このような性能から言えることは、形成された低誘電率膜は分子レベルでの空孔が形成され、誘電率が低く保たれているものと考えられる。
【００３５】
以上、本発明の一実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、成膜する前処理として、洗浄処理や、後処理としてアニール処理等を行うようにしてもよい。洗浄処理としては、水やアルコール、有機溶剤を用いた洗浄の他に、エッチングガスを使用して被処理物の表面を洗浄してもよい。
【００３６】
また、前処理として基板を予加熱することや、後処理として加熱された基板を冷却するように構成してもよい。前記の実施形態では、処理用ガス導入部１０とＯ２ガス導入部２０とを備えるヘッド部に対して基板を支持する搬送台２ａを移動する構成としたが、基板２を支持する搬送台２ａに対してヘッド部を移動するように構成してもよい。また、被処理物である基板に対して、１つのヘッド部を設置した例を示したが、２つ以上のヘッド部を多段配置するように構成し、低誘電率膜形成をさらに効率良く行うようにすることもできる。
【００３７】
酸素含有ガスを放電処理する放電処理部は、対向する平行平板型の電極を用いた例を示したが、この形態に限られるものでなく例えば円筒型の電極を用いてもよい。この場合、２つの円筒を同心円状に重ね、中心の円筒の内部を処理用ガスの流路として使用し、中心の円筒と外側の円筒との間を放電空間とし、プロセスガスの流路として使用すると好ましい。この他に、適宜の形態の放電処理部を用いるようにしてもよい。
【００３８】
第１処理用ガスは、前記したものの他に、化学式が（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２であるジエチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）等のエトキシ基を有するものを使用してもよい。また、メチル基の代わりにエチル基を結合したものを使用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明の活用例として、前記した低誘電率膜の形成方法を用いて半導体製造装置に適用することができ、低誘電率で絶縁特性に優れた抵抗やキャパシタに形成できることによって、電気特性の優れた半導体の製造の用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る低誘電率膜の形成方法の一実施形態を実施する低誘電率膜形成装置の概略構成図。
【図２】図１の処理用ガス供給源を示す概略構成図。
【図３】低誘電率膜形成装置の他の実施形態の概略構成図。
【符号の説明】
【００４１】
１，１Ａ：低誘電率膜形成装置、２：基板（被処理物）、２ａ：搬送台、３：有機シラン化合物ガス（第１処理用ガス）供給源、４：Ｈ２Ｏガス（第２処理用ガス）供給源、５：Ｏ２ガス（第３処理用ガス）供給源、６：ガス混合器、８：電源、９：搬送機構、１０：処理用ガス導入部、１１，１２：電極（接地電極）、２０：Ｏ２ガス導入部（放電処理部）、２１，２２：電極（電圧印加電極）、３０：ガス導入部、３１，３２：平行平板、３３：オゾナイザー（第３処理用ガス供給源）、３４：ガス混合器
【図１】
2005302786.tif 000003
【図２】
2005302786.tif 000004
【図３】
2005302786.tif 000005