(57)【要約】      （修正有）【課題】摩耗状態にあるＭＲヘッドに最適なバイアス電流を設定可能とする。【解決手段】マイコン１０１により、磁気テープ走行開始時からテープ走行終了時迄の各種磁気テープの走行時間が測定、記憶される。現時点での走行時間と単位時間当りのＭＲヘッド１０７の摩耗量とから、使用初期からのヘッド１０７の摩耗量、更には、電流密度の増加割合が推定され得る。この増加割合で事前設定バイアス電流可変範囲内のバイアス電流値を除算すれば、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定される。更新設定後のバイアス電流可変範囲内でのバイアス電流調整処理により、ＭＲヘッド１０７でのバイアス電流が最適に設定される。【選択図】図１
2005056506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲヘッドが再生ヘッドとして具備され、事前設定バイアス電流可変範囲内、あるいは更新設定後のバイアス電流可変範囲内で上記ＭＲヘッドでのバイアス電流が最適に選択設定可能とされてなる、ヘリカルスキャン方式の磁気テープ記録再生装置であって、
磁気テープの走行時間を初期値、あるいは途中積算結果から積算する走行時間積算手段と、
該走行時間積算手段に磁気テープ走行開始時に読出し可能として、該走行時間積算手段からの途中積算結果が磁気テープ走行終了時に退避記憶される不揮発性記憶手段と、
ＭＲヘッドでのバイアス電流が最適に選択設定されるに際し、上記不揮発性記憶手段から読み出される途中積算結果に基づき、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲を更新設定する演算手段と、
該演算手段により更新設定されたバイアス電流可変範囲内でＭＲヘッドでのバイアス電流を最適に選択設定するバイアス電流選択設定手段と
を含む磁気テープ記録再生装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気テープ記録再生装置において、
上記走行時間積算手段により走行時間が積算されるに際し、ＭＲヘッド周囲の温度、ＭＲヘッド周囲の湿度、磁気テープ種別のうち、少なくとも、何れか１つが重み付けパラメータとして、走行時間の積算に反映されるようにした磁気テープ記録再生装置。
【請求項３】
請求項１記載の磁気テープ記録再生装置において、
上記演算手段により事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されるに際しては、途中積算結果と単位時間当りの摩耗量とによりＭＲヘッドの高さ方向での摩耗量が推定された上、推定摩耗量とＭＲヘッドの初期高さとから電流密度の増加割合が求められ、該増加割合にバイアス電流値が反比例するように、事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されるようにした磁気テープ記録再生装置。
【請求項４】
ＭＲヘッドが再生ヘッドとして具備され、事前設定バイアス電流可変範囲内、あるいは更新設定後のバイアス電流可変範囲内で上記ＭＲヘッドでのバイアス電流が最適に選択設定可能とされてなる、ヘリカルスキャン方式の磁気テープ記録再生装置であって、
磁気テープの走行に先立って、ＭＲヘッドでの直流抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、
ＭＲヘッドの初期直流抵抗値と計測された直流抵抗値とから、ＭＲヘッドの摩耗量を推定した上、推定摩耗量と初期摩耗量とに基づき、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲を更新設定する演算手段と、
該演算手段により更新設定されたバイアス電流可変範囲内でＭＲヘッドでのバイアス電流を最適に選択設定するバイアス電流選択設定手段と
を含む磁気テープ記録再生装置。
【請求項５】
請求項４記載の磁気テープ記憶再生装置において、
上記演算手段により事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されるに際し、ＭＲヘッドの摩耗量は断面積の減少率として推定された上、該減少率に基づき、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されるようにした磁気テープ記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘリカルスキャン方式の磁気テープ記録再生装置に係り、特に再生ヘッドとして具備されているＭＲヘッド自体の磨耗状態が随時、推定された上、推定された摩耗状態に応じて、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されるようにし、この更新設定後のバイアス電流可変範囲内でＭＲヘッドに対し最適なバイアス電流が設定されるようにした磁気テープ記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気テープ記録再生装置、例えばテープストリーマ装置（コンピュータデータ記録保存用）には、磁気テープに対し情報を記録するための記録ヘッドの他、その磁気テープから情報を読取り・再生するための再生ヘッドが具備されており、再生ヘッドは情報再生の際には情報再生用として、また、情報記録の際にはエラーチェック用として使用されるようになっている。これまでに、磁気記録媒体から情報を再生するのに使用される再生ヘッドとしては、いわゆる、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、いわゆる、ＭＲ（Magneto Resistive：磁気抵抗）ヘッドが知られている。このＭＲヘッドは、その感磁部が磁気抵抗効果を有する磁性薄膜（ＭＲ素子）として構成されており、この磁性薄膜自体の抵抗率が磁気記録媒体からの信号磁界により変化することを利用し、その磁性薄膜に電流（センス電流、あるいはバイアス電流等と称される）を流すようにして、その磁性薄膜自体の抵抗変化が再生出力電圧として検出されるようにしたものである。
【０００３】
したがって、ＭＲヘッドが再生ヘッドとして使用される際には、バイアス電流値が最適に設定される必要がある。ＭＲヘッドの動作曲線の例が図６に示されているが、これから判るように、最適バイアスポイントＢＰ，したがって、バイアス電流値が最適バイアスポイントＢＰに設定されない場合には、再生出力電圧波形に歪が生じるようになり、復号が正しく行われない結果として、エラーが増加することになる。因みに、ＭＲヘッドが具備されている装置一般が工場から出荷される際には、そのバイアス電流値は最適に設定された状態として出荷されるようになっている。
【０００４】
ところで、そのＭＲヘッドはＨＤＤ（Hard Disk Drive：ハードディスク装置）や固定ヘッドテープ装置、ヘリカルスキャン方式磁気テープ記録再生装置で使用されているが、ＭＲヘッド自体が如何程、磨耗されるか否かは、それら装置の間で大きく異なっている。図７（Ａ），（Ｂ）それぞれに、ＨＤＤにおけるＭＲヘッドとその周辺の平面、正面の概要を示すが、アーム７０１先端に取付けされているＭＲヘッド７０２は磁気ディスク７０３と直接接触することはなく、磁気ディスク７０３面から浮上された状態として使用されていることから、殆ど磨耗しないことが判る。また、図８（Ａ），（Ｂ）それぞれに、固定ヘッドテープ装置におけるＭＲヘッドの概観斜視状態、平面を示す。ヘッド支持部材８０１には多数のＭＲヘッド８０２が列設されているが、磁気テープ８０３との接触面積が大であるが故に、これまた、殆ど磨耗しないようになっている。しかしながら、ヘリカルスキャン方式磁気テープ記録再生装置におけるＭＲヘッドでは、ＭＲヘッドとその周辺の概観斜視状態、平面がそれぞれ、図９（Ａ），（Ｂ）として示されているが、固定ドラム９０１上の回転ドラム９０２外周面に取付けされているＭＲヘッド９０３は、それ自体が大きく磨耗する状態におかれるようになっている。これは、ＭＲヘッド９０３自体が小さく、また、磁気テープ９０４との接触面がせいぜい、０.１mm×２mm程度しかなく、比較的摩擦力大として磁気テープ９０４と擦れる走行状態におかれるからである。
【０００５】
そのヘリカルスキャン方式磁気テープ記録再生装置におけるＭＲヘッドの磨耗状態を図１０（Ａ），（Ｂ）に示す。図１０（Ａ）は使用初期での状態を、また、図１０（Ｂ）はその使用初期から相当な期間経過後での状態を示すが、磁気テープ１００２とＭＲ素子１００１は互いに擦れ合う状態におかれるから、時間経過とともに、ＭＲ素子１００１自体は徐々に磨耗するものであることが判る。このように、ＭＲ素子１００１自体が大きく磨耗すれば、その再生特性もまた大きく変化することになり、工場出荷時での最適バイアス値から非可逆的にずれてしまうことになる。バイアス値がずれれば、再生エラーが多発するようになり、最悪の場合、再生不能状態に陥ってしまうことになる。因みに、図１０（Ａ），（Ｂ）中、１０６、１０９はそれぞれ、後述のバイアス回路、再生アンプを示す。
【０００６】
したがって、これまでにも、ヘリカルスキャン方式磁気テープ記録再生装置においては、再生エラーが多発し、再生状態が悪化するような場合には、バイアス電流値を最適化することが考えられている。ここで、従来技術に係るバイアス調整処理フローの例を図１１に、また、このバイアス調整処理フローによりバイアス電流が最適にＭＲヘッドに設定され得る磁気テープ記録再生装置における要部構成を図１２に示す。そのバイアス調整処理フローによって、図１３に示すようなバイアス対エラー個数テーブル１３０１が作成されるが、このバイアス対エラー個数テーブル１３０１からエラー個数が最小となるバイアス電流を求めた上、ＭＲヘッドに設定しようというものである。因みに、そのバイアス対エラー個数テーブル１３０１によれば、バイアス電流は事前設定バイアス電流可変範囲内のものとされ、例えば最小値（６mA）〜最大値（１６mA）の範囲内で２mA単位にステップ状に更新されており、その更新の度に、そのバイアス電流でのエラー個数が記録されるようになっている。本例では、バイアス電流が１０mAに更新された際でのエラー個数が最小の１個として得られていることから、ＭＲヘッドへのバイアス電流は、１０mAとして設定されるようになっている。
【０００７】
ここで、そのバイアス調整処理フローについて、図１１により簡単ながら説明すれば、先ず１トラックを再生するための処理が実行された上、エラー訂正が完了（結果がＯＫ）したか否かの判定が行われる（処理１１０１，１１０２）。この判定で、肯定結果が得られた場合には、次トラックを再生するための処理に移行するが、否定結果が得られた場合には、バイアス電流は最小値に設定される（処理１１０２，１１０３）。その後、磁気テープの巻き戻しが行われた上、再び同一トラックが再生される（処理１１０４）。この再生の際に、再生されたトラックについての発生エラー数がカウントされた上、カウントされたエラー数は既述のバイアス対エラー個数テーブル１３０１に格納される（処理１１０５，１１０６）。例えばバイアス電流の最小値が６mAであって、エラー数が８であれば、バイアス対エラー個数テーブル１３０１の最上段には、６mAに対応しては、「８」という値が格納されるものである。
【０００８】
その後は、バイアス電流がΔ（例えば、２mA）分、増加された上、バイアス電流が最大値に達したか否かが判定される（処理１１０７，１１０８）。まだ、最大値に達していない限りにおいては、バイアス電流の更新設定と同一トラックについての再生とが繰返し行われることで、設定バイアス電流それぞれに対するエラー数が求められた上、バイアス対エラー個数テーブル１３０１に格納されるようになっている（処理１１０８、１１０４〜１１０７）。このような処理が繰返されているうちに、やがて、更新設定されたバイアス電流が最大値に達すれば、バイアス対エラー個数テーブル１３０１がサーチされることで、エラー数が最小となるバイアス電流が最適バイアス電流として選択された後、ＭＲヘッドに設定された上、その電流値は不揮発性メモリに格納される（処理１１０８〜１１１１）。これにより、磁気テープ記録再生装置が起動される度に、最適バイアス電流が不揮発性メモリより読み出された上、ＭＲヘッドに設定可能とされる。その後は、磁気テープが巻戻され、最適バイアス電流がＭＲヘッドに設定された状態で、同一トラックについての再生が行われた上、エラー訂正が完了（結果がＯＫ）したか否かの判定が行われる（処理１１１２，１１１３）。この判定で、もしも、肯定結果が得られたならば、次トラックが再生されるが、そうでない場合は、磁気テープ記録再生装置は停止されるようになっている。
【０００９】
引続き、そのバイアス調整処理フローに関連して、図１２に示す磁気テープ記録再生装置について説明すれば、マイコン（マイクロコンピュータ）１０１では、バイアス調整処理が行われており、そのバイアス調整処理に際しては、バイアス電流がステップ状に更新設定されるようになっている。このバイアス電流の更新設定の度に、その電流値がＤ／Ａ変換器１０２、ＶＣＯ（電圧制御発振器）１０３、ロータリトランス１０４、Ｆ／Ｖ（周波数―電圧）変換器１０５を介し、その電流値に応じた直流電圧としてバイアス回路１０６に設定される。バイアス回路１０６では、その直流電圧に応じたバイアス電流が発生された上、ＭＲヘッド１０７に供給される。即ち、ＭＲヘッド１０７でのバイアス電流は、マイコン１０１により随時、事前設定バイアス電流可変範囲内で任意に設定可能とされている。
【００１０】
一方、ＭＲヘッド１０７にバイアス電流が更新設定される度に、そのＭＲヘッド１０７により磁気テープ上のトラックからは情報が電圧信号として読取られているが、この電圧信号はキャパシタ１０８を介し再生ＲＦ信号として再生アンプ１０９で増幅された上、ロータリートランス１１０を介し検出回路１１１で検出処理される。例えば記録変調方式や信号伝送特性に対応した検出処理が行われることで、再生ＲＦ信号は波形整形されたディジタル信号として得られるようになっている。このディジタル信号は、その後、エラー訂正回路１１２によりエラー訂正処理等が施されることで、最終的な再生データが得られるが、エラー訂正処理前に検出されたエラーの個数はマイコン１０１に報告されることによって、バイアス対エラー個数テーブル１３０１が作成可能となっている。なお、図中、１１３は、既述の最適バイアス電流値が格納されるための不揮発性メモリを示す。
【００１１】
因みに、特許文献１では、磁気記録再生装置の使用中に、磁気記録媒体から再生された単一周波数の再生波形の偶数次高調波歪みが最小となるように、随時、ＭＲヘッドのバイアス調整が行われている。また、特許文献２では、ＭＲヘッド搭載のテープドライブ装置において、リトライ時に最適バイアス電流が決定された上、この最適バイアス電流がＭＲヘッドに設定されるようになっている。
【特許文献１】特開平７−１２９９０４号公報
【特許文献２】特開２００２−１５０５１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
以上のように、これまでにあっては、事前設定バイアス電流可変範囲内でバイアス電流が最適に設定されるようになっているが、このような設定方法による場合には、ＭＲ素子自体が焼損されてしまう虞があるものとなっている。これは、ＭＲ素子自体は時間経過とともに徐々に磨耗するが、磨耗によりＭＲ素子の断面積が減少すれば、ＭＲ素子での電流密度はその断面積に反比例して増加してしまうからである。例えば工場出荷時に３μmあったＭＲ素子の高さが１μmまで摩耗すれば、単位面積当りの電流密度は工場出荷時でのそれに比し３倍になることが判る。したがって、例えば事前設定バイアス電流可変範囲が６mA〜１６mAであったとすれば、工場出荷時換算では、１８mA〜４８mAの範囲内でバイアス電流が可変設定されるのと等価となり、もはや、このような高電流密度では、ＭＲ素子自体が焼損されてしまう虞があるというものである。
【００１３】
本発明の目的は、摩耗状態にあるＭＲヘッドにバイアス電流が設定されるに際し、ＭＲヘッドが焼損されることなく、そのＭＲヘッドに最適なバイアス電流が設定可能とされている、ヘリカルスキャン方式の磁気テープ記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の磁気テープ記録再生装置は、磁気テープの走行時間を初期値、あるいは途中積算結果から積算する走行時間積算手段と、この走行時間積算手段に磁気テープ走行開始時に読出し可能として、走行時間積算手段からの途中積算結果が磁気テープ走行終了時に退避記憶される不揮発性記憶手段と、ＭＲヘッドでのバイアス電流が最適に選択設定されるに際し、不揮発性記憶手段から読み出される途中積算結果に基づき、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲を更新設定する演算手段と、この演算手段により更新設定されたバイアス電流可変範囲内でＭＲヘッドでのバイアス電流を最適に選択設定するバイアス電流選択設定手段とが含まれる状態として、構成されるようにしたものである。
【００１５】
単位走行時間当りのＭＲヘッドの摩耗量が既知であるとすれば、それまでの磁気テープ走行時間からは、現時点でのＭＲヘッドの摩耗量は、例えばＭＲヘッドの高さ方向での摩耗量として容易に推定可能となる。したがって、この推定摩耗量とＭＲヘッドの初期高さとからは電流密度の増加割合が求められることになるが、この増加割合にバイアス電流値が反比例するように、事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されるようにしたものである。その更新設定されたバイアス電流可変範囲内での試行錯誤により、ＭＲヘッドでのバイアス電流が最適に選択設定されるに際しては、その上限バイアス電流の値は小さく抑制されていることから、ＭＲヘッドが焼損されることなく、そのＭＲヘッドに最適なバイアス電流が設定可能となる。
【００１６】
また、本発明の他の磁気テープ記録再生装置は、磁気テープの走行に先立って、ＭＲヘッドでの直流抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、ＭＲヘッドの初期直流抵抗値と計測された直流抵抗値とから、ＭＲヘッドの摩耗量を推定した上、推定摩耗量と初期摩耗量とに基づき、上限バイアス電流値が小さく抑えられるべく、事前設定バイアス電流可変範囲を更新設定する演算手段と、この演算手段により更新設定されたバイアス電流可変範囲内でＭＲヘッドでのバイアス電流を最適に選択設定するバイアス電流選択設定手段とが含まれる状態として、構成されるようにしたものである。このように構成された場合にも、ＭＲヘッドの初期直流抵抗値と計測された直流抵抗値とから、先の構成の磁気テープ記録再生装置と同様に、ＭＲヘッドの摩耗量が推定可能とされた上、事前設定バイアス電流可変範囲が更新設定されていることから、同様な効果が得られることになる。
【発明の効果】
【００１７】
摩耗状態にあるＭＲヘッドにバイアス電流が設定されるに際し、ＭＲヘッドが焼損されることなく、そのＭＲヘッドに最適なバイアス電流が設定可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について、図１から図５により説明する。
先ず磁気テープの走行時間積算に係る、本発明の磁気テープ記録再生装置について説明すれば、その一例での構成を図１に示す。図示のように、その磁気テープ記録再生装置は、既述の図１２に示す、従来技術に係る磁気テープ記録再生装置をベースとして構成されており、これに、温度センサ１１４や湿度センサ１１５、テープ種別検出回路１１６が追加配置されている一方、最適バイアス電流値格納用の不揮発性メモリ１１３に代わって、途中積算結果退避記憶用の不揮発性メモリ１１７が設けられており、不揮発性メモリ１１７にはまた、事前設定バイアス電流可変範囲も記憶可能とされている。それら追加配置されたもののうち、温度センサ１１４や湿度センサ１１５はＭＲヘッド１０７周囲の温度や湿度（相対湿度）を検出するためのものであり、回転ドラムか固定ドラム近傍に配置される。また、テープ種別検出回路１１６は、磁気テープ記録再生装置にローディングされる磁気テープの種別を自動的に検出するためのものであり、その検出原理は公知となっている。このように、磁気テープの走行時間以外に、温度や湿度、磁気テープ種別が検出されているのは、ＭＲヘッド１０７の摩耗速度に密接に関連していると考えられているからである。
【００１９】
ここで、確認の意味も含め、改めて従来技術に係る磁気テープ記録再生装置での動作について説明すれば、マイコン（マイクロコンピュータ）１０１では、バイアス調整処理が行われており、そのバイアス調整処理に際しては、バイアス電流がステップ状に更新設定される。このバイアス電流の更新設定の度に、その電流値がＤ／Ａ変換器１０２、ＶＣＯ１０３、ロータリトランス１０４、Ｆ／Ｖ（周波数―電圧）変換器１０５を介し、その電流値に応じた直流電圧としてバイアス回路１０６に設定される。バイアス回路１０６では、その直流電圧に応じたバイアス電流が発生された上、ＭＲヘッド１０７に供給されるようになっている。即ち、ＭＲヘッド１０７でのバイアス電流は、マイコン１０１により随時、事前設定バイアス電流可変範囲内で任意に設定可能とされる。
【００２０】
一方、ＭＲヘッド１０７にバイアス電流が更新設定される度に、そのＭＲヘッド１０７により磁気テープ上のトラックからは情報が電圧信号として読取られているが、この電圧信号はキャパシタ１０８を介し再生ＲＦ信号として再生アンプ１０９で増幅された上、ロータリートランス１１０を介し検出回路１１１で検出処理される。例えば記録変調方式や信号伝送特性に対応した検出処理が行われることで、再生ＲＦ信号は波形整形されたディジタル信号として得られるようになっている。このディジタル信号は、その後、エラー訂正回路１１２によりエラー訂正処理等が施されることで、最終的な再生データが得られるが、エラー訂正処理前に検出されたエラーの個数はマイコン１０１に報告されることによって、バイアス対エラー個数テーブルが作成可能となっている。
【００２１】
さて、本発明について具体的に説明すれば、本発明の磁気テープ記録再生装置は、既述のように、走行時間積算手段、不揮発性記憶手段、演算手段及びバイアス電流選択設定手段を含む状態として構成されるが、これら手段のうち、不揮発性記憶手段は不揮発性メモリ１１７に相当するとして、これ以外の手段はその機能がマイコン１０１上で実行されるソフトウェアにより実現されるようになっている。
【００２２】
ここで、主パラメータとしての、磁気テープの走行時間のみに着目して、事前設定バイアス電流可変範囲を更新設定する場合について説明すれば、一般に、電源が投入された状態の磁気テープ記録再生装置上で磁気テープは走行可能とされているが、その磁気テープ記録再生装置の使用初期（具体的には、工場からの出荷時点）からの、各種磁気テープの走行時間が累積積算される。マイコン１０１では、初期値、あるいは途中積算結果から磁気テープの走行時間が積算されている一方、不揮発性メモリ１１７では、そのマイコン１０１に磁気テープ走行開始時に読出し可能として、そのマイコン１０１からの途中積算結果が磁気テープ走行終了時に退避記憶されていることから、磁気テープ記録再生装置の使用初期からの、各種磁気テープの走行時間が累積積算可能とされているものである。尤も、磁気テープ走行が必要な時間帯のみ、磁気テープ記録再生装置に電源が投入される場合は、磁気テープの走行時間に代わって、装置の電源投入時間が累積積算されるようにしてもよい。
【００２３】
以上のようにして、磁気テープの走行時間が累積積算される場合、現時点でのその走行時間Ｔ[H]は途中積算結果としてマイコン１０１で得られることになる。ここで、予め実験的に測定された単位時間当りのＭＲヘッド（実際には、ＭＲ素子）の摩耗量をＫ[μm／H]とすれば、推定摩耗量Ｄ[μm]は以下のように求められる。
【００２４】
（数１）
Ｄ[μm]＝Ｔ[H]×Ｋ[μm／H]
【００２５】
また、使用初期でのＭＲヘッドの高さをＨ[μm]とすれば、電流密度の増加割合Ｒは以下のように求められる。
【００２６】
（数２）
Ｒ＝Ｈ[μm]／（Ｈ[μm]−Ｄ[μm]）
【００２７】
したがって、事前設定バイアス電流可変範囲が６〜１６[mA]であったとすれば、その事前設定バイアス電流可変範囲は、６／Ｒ〜１６／Ｒとして更新設定されるようにすればよい。例えばＨ[μm]が３μm、Ｄが２μmとすれば、Ｒは３として得られることから、更新設定後のバイアス電流可変範囲は、２〜５.３[mA]として得られることになる。よって、バイアス調整処理に際しては、２〜５.３[mA]の範囲内で最適バイアス電流がＭＲヘッドに設定されるようにすればよく、この範囲内であれば、ＭＲ素子自体の焼損は防止されるものである。
【００２８】
ところで、ＭＲヘッドを摩耗させる要因としては、他にＭＲヘッド周囲の温度や湿度、磁気テープ種別が考えられ、必要ならば、それら要因のうち、少なくとも、何れか１つを重み付けパラメータとして、走行時間の積算に反映させることも可能となっている。図２、図３、図４それぞれに、そのための温度補正テーブル２０１、湿度補正テーブル３０１、テープ補正テーブル４０１の例を示す。これらテーブルは必要に応じて、不揮発性メモリ１１７に記憶されるようにすればよい。因みに、図４に示すテープテーブル４０１おいては、テープストリーマフォーマットの１種であるＡＩＴ種別（ＡＩＴ１〜ＡＩＴ４）対応にテープ補正係数ＫFが設定されているが、これは、磁気テープ種別とＡＩＴ種別とがほぼ１対１の関係として対応しているからに他ならない。
【００２９】
ここで、走行時間の積算に、ＭＲヘッド周囲の温度を反映させる場合について説明すれば、その積算が１分単位に行われるとして、１分単位毎の積算量は、温度補正係数をＫTとして、ＫT×（１／６０）時間として求められることになる。より具体的に、例えば磁気テープを１時間走行させたとして、その際でのＭＲヘッド周囲の温度が常時、０〜１０℃の範囲内にあったとすれば、その温度範囲に対する温度補正係数ＫTは０.８であることから、その走行時間は、実質、０.８時間として積算されるものである。これに加え、更に、湿度を反映させるとして、その際での湿度が常時、６０〜８０％の範囲内にあったとすれば、その湿度範囲に対する湿度補正係数ＫHは１.１であることから、０.８８（＝０.８×１.１）時間として積算されることになる。このような事情は、テープ種別が考慮される場合も同様となっている。
【００３０】
以上、磁気テープの走行時間積算に係る、本発明の磁気テープ記録再生装置について説明した。次に、抵抗値計測に係る、本発明の磁気テープ記録再生装置について説明すれば、図５（Ａ）にその一例での構成を示す。また、図５（Ｂ）に、ＭＲ素子１２３と磁気テープ１２４との間の摺動状態や、そのＭＲ素子１２３周辺の回路配置の模式的概要を示す。図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、図１に示すものとの相違は、温度センサ１１４や湿度センサ１１５、テープ種別検出回路１１６が不要とされている代わりに、適当なバイアス電流（その電流値ＩMRは既知）下でのＭＲヘッド１０７両端電圧がマイコン１０１に取込まれた上、ＭＲヘッド１０７、即ち、ＭＲ素子１２３での直流抵抗値が測定可能となっている。具体的には、ＭＲヘッド１０７両端電圧ＶMRはＤＣアンプ１１８、ＶＣＯ１１９、ロータリトランス１２０、Ｆ／Ｖ変換器１２１、Ａ／Ｄ変換器１２２を介しマイコン１０１に取込まれた上、そのＭＲヘッド１０７での直流抵抗値Ｒ2が、ＶMR／ＩMRとして測定され得るものとなっている。ところで、この磁気テープ記録再生装置は、既述のように、抵抗値測定手段や演算手段、バイアス電流選択設定手段を含むようにして構成されているが、これら手段はその機能がマイコン１０１上で実行されるソフトウェアにより実現されるようになっている。
【００３１】
ここで、その直流抵抗値測定により、事前設定バイアス電流可変範囲を更新設定する場合について説明すれば、ＭＲ素子１２３自体が磁気テープ１２４との接触摺動により摩耗すれば、その断面積は小さくなり、その直流抵抗値はまた、その断面積に反比例することから、その直流抵抗値が使用初期でのそれから如何程、増加したかが判れば、ＭＲ素子１２３自体の摩耗量が推定されることになる。例えば、より具体的に、使用初期時での直流抵抗値をＲ1，現時点でのそれをＲ2とすれば、断面積の減少率はＲ1／Ｒ2として求められることになる。ＭＲ素子１２３での電流密度が過大とならないように、その断面積に比例してバイアス電流を小さく設定する必要があることから、事前設定バイアス電流可変範囲が６〜１６[mA]であったとすれば、その事前設定バイアス電流可変範囲は、６×（断面積の減少率）〜１６／（断面積の減少率）[mA]として更新設定されるようにすればよい。例えば、Ｒ1が３０Ω、Ｒ2が５０Ωとすれば、断面積の減少率は０.６となることから、事前設定バイアス電流可変範囲は、３.６〜９.６[mA]として更新設定されることになる。
【００３２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき、具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々変更可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】磁気テープの走行時間積算に係る、本発明の磁気テープ記録再生装置の一例での構成を示す図である。
【図２】その走行時間積算にＭＲヘッド周囲の温度を反映させるための温度補正テーブルの例を示す図である。
【図３】同じく、その走行時間積算にＭＲヘッド周囲の湿度を反映させるための湿度補正テーブルの例を示す図である。
【図４】同じく、その走行時間積算に磁気テープ種別を反映させるためのテープ種別補正テーブルの例を示す図である。
【図５】抵抗値計測に係る、本発明の磁気テープ記録再生装置の一例での構成と、ＭＲヘッド周辺の回路配置の模式的概要とを示す図である。
【図６】ＭＲヘッドの動作曲線の例を示す図である。
【図７】ハードディスク装置におけるＭＲヘッドとその周辺の平面、正面の概要を示す図である。
【図８】固定ヘッドテープ装置におけるＭＲヘッドの概観斜視状態、平面を示す図である。
【図９】ヘリカルスキャン方式磁気テープ記録再生装置におけるＭＲヘッドとその周辺の概観斜視状態、平面を示す図である。
【図１０】ヘリカルスキャン方式磁気テープ記録再生装置におけるＭＲヘッドの磨耗状態を使用初期での状態、その使用初期から相当な期間経過後での状態として示す図である。
【図１１】従来技術に係るバイアス調整処理フローの例を示す図である。
【図１２】そのバイアス調整処理フローによりバイアス電流が最適にＭＲヘッドに設定され得る磁気テープ記録再生装置における要部構成を示す図である。
【図１３】バイアス調整処理に際し、エラー個数が最小となるバイアス電流を求めるべく、作成されるバイアス対エラー個数テーブルの例を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０１…マイコン、１０７…ＭＲヘッド、１１４…温度センサ、１１５…湿度センサ、１１６…テープ種別検出回路、１１７…不揮発性メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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