(57)【要約】【課題】  DVDの６〜８倍速相当以上のような高速記録時にも、上書き時にマークの消し残りを生ずることがなく、かつ、繰返し記録による熱的なダメージも少なくでき、良好な繰返し記録を可能にする。【解決手段】  ２Ｔ周期の記録ストラテジのような高速仕様の条件下に、マーク形成からスペース形成への移行時には、ピークパワーＰｐから消去パワーＰｅへ変調し、当該消去パワーＰｅへの変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、消去パワーＰｅより高く、ピークパワーＰｐより低くてマークの消去可能なレベルの高消去パワーＰｅ（ｈ）を、少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いることで、消去パワーＰｅ自体はマーク全てを消去できるほど高いパワー値にする必要がなく、ジッタ特性の劣化を防止でき、かつ、繰返し記録耐久性へ及ぼす影響を少なくでき、消去可能な高消去パワーＰｅ（ｈ）で上書き時のマークの消し残りを防止できる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録マークの時間的長さが基本クロック周期Ｔのｎ倍（ｎは自然数）なるｎＴで表されるマーク長記録方式により情報を光情報記録媒体に対して記録する光情報記録方法において、
相対的に高いパワー値のピークパワー光と相対的に低いパワー値のバイアスパワー光との繰返しによるｎ／２以下なる整数個のパルス照射により長さｎＴの非晶質マークを形成し、前記ピークパワー光と前記バイアスパワー光との中間レベルのパワー値の消去パワー光の照射により非晶質マーク間の長さｎＴの結晶スペースを形成する際、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から消去パワー光へ変調し、当該消去パワー光への変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、前記消去パワー光より高く、前記ピークパワー光より低くて前記非晶質マークの消去可能なレベルのパワー値の高消去パワー光を、少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いるようにしたことを特徴とする光情報記録方法。
【請求項２】
非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光への変調過程を経て消去パワー光へ変調することを特徴とする請求項１記載の光情報記録方法。
【請求項３】
前記高消去パワー光の照射時間は、０．２Ｔ以上、２Ｔ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の光情報記録方法。
【請求項４】
前記高消去パワー光のパルスの数を、結晶スペース長が３Ｔ以上増加する度に１つ増やすことを特徴とする請求項１ないし３の何れか一記載の光情報記録方法。
【請求項５】
前記高消去パワー光のパワー値のレベルは、前記消去パワー光の１．１倍以上、２倍以下であることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一記載の光情報記録方法。
【請求項６】
前記光情報記録媒体として相変化型光情報記録媒体を対象とすることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一記載の光情報記録方法。
【請求項７】
前記相変化型光記録媒体は、基板上に少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層及び反射層が積層形成され、前記記録層は、少なくともＳｂとＧｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃａ，Ａｇ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｔｅの中から選ばれる一種以上の元素を含むことを特徴とする請求項６記載の光情報記録方法。
【請求項８】
前記記録層のＳｂの含有量が５０〜９０原子％であることを特徴とする請求項７記載の光情報記録方法。
【請求項９】
前記反射層は、Ａｇ又はＡｇ合金であることを特徴とする請求項７又は８記載の光情報記録方法。
【請求項１０】
前記第１保護層及び第２保護層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であることを特徴とする請求項７ないし９の何れか一記載の光情報記録方法。
【請求項１１】
前記第２保護層と前記反射層との間に硫化防止層を有する相変化型光情報記録媒体であることを特徴とする請求項９又は１０記載の光情報記録方法。
【請求項１２】
前記硫化防止層は、Ｓｉ又はＳｉＣを主成分とすることを特徴とする請求項１１記載の光情報記録方法。
【請求項１３】
記録マークの時間的長さが基本クロック周期Ｔのｎ倍（ｎは自然数）なるｎＴで表されるマーク長記録方式により情報を光情報記録媒体に対して記録する情報記録装置において、
前記光情報記録媒体に対して照射するレーザ光を発するレーザ光源と、
このレーザ光源を発光させる光源駆動手段と、
前記レーザ光源が発する光ビームの発光波形に関する記録ストラテジが設定されて前記光源駆動手段を制御する発光波形制御手段と、
を備え、
前記発光波形制御手段は、相対的に高いパワー値のピークパワー光と相対的に低いパワー値のバイアスパワー光との繰返しによるｎ／２以下なる整数個のパルス照射により長さｎＴの非晶質マークを形成し、前記ピークパワー光と前記バイアスパワー光との中間レベルのパワー値の消去パワー光の照射により非晶質マーク間の長さｎＴの結晶スペースを形成する際、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から消去パワー光へ変調し、当該消去パワー光への変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、前記消去パワー光より高く、前記ピークパワー光より低くて前記非晶質マークの消去可能なレベルのパワー値の高消去パワー光を、少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いるようにしたことを特徴とする光情報記録装置。
【請求項１４】
前記発光波形制御手段は、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光への変調過程を経て消去パワー光へ変調することを特徴とする請求項１３記載の光情報記録装置。
【請求項１５】
前記発光波形制御手段は、前記高消去パワー光の照射時間を、０．２Ｔ以上、２Ｔ以下とすることを特徴とする請求項１３又は１４記載の光情報記録装置。
【請求項１６】
前記発光波形制御手段は、前記高消去パワー光のパルスの数を、結晶スペース長が３Ｔ以上増加する度に１つ増やすことを特徴とする請求項１３ないし１５の何れか一記載の光情報記録装置。
【請求項１７】
前記発光波形制御手段は、前記高消去パワー光のパワー値のレベルを、前記消去パワー光の１．１倍以上、２倍以下とすることを特徴とする請求項１３ないし１６の何れか一記載の光情報記録装置。
【請求項１８】
前記光情報記録媒体として相変化型光情報記録媒体を対象とすることを特徴とする請求項１３ないし１７の何れか一記載の光情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録可能な光情報記録媒体、特にＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ等の相変化型の光情報記録媒体であって高速記録に適した光情報記録方法及び光情報記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光情報記録媒体の高速記録の需要が高まっている。特に、ディスク状の光情報記録媒体の場合、回転速度を高くすることで記録・再生速度を上げることが可能なため、高速化が進んでいる。光ディスクの中でも記録時に照射する光の強度変調のみで記録が可能である光情報記録媒体は、その記録機構の単純さから、媒体と記録装置の低価格化が可能であると同時に、再生も強度変調された光を用いているため、再生専用装置との高い互換性が確保できることから普及が進み、近年の電子情報の大容量化により、さらに高密度化・高速記録化の需要が高くなっている。
【０００３】
このような光ディスクのうち、多数回の書換えが可能であることから、相変化材料を用いたものが主流となってきている。相変化材料を用いた光ディスクの場合、照射する光ビームの強度変調により、記録層材料を急冷状態と徐冷状態を作ることによって記録を行う。急冷状態になると、記録層材料は非晶質（アモルファス）となり、徐冷状態になると結晶となる。非晶質と結晶では光学的な物性が異なるため、光情報を記録することができる。
【０００４】
即ち、相変化型の光情報記録媒体は基板上の記録層薄膜にレーザ光を照射して記録層を加熱し、記録層構造を結晶と非晶質間で相変化させることによりディスク反射率を変えて情報を記録・消去するものである。通常は未記録状態を高反射率の結晶相とし、これに低反射率の非晶質相からなるマークと高反射率の結晶相からなるスペースを形成することにより情報を記録する。
【０００５】
記録原理が、このような記録層材料の「急冷」と「徐冷」という複雑な機構を用いているため、高速での記録には周知のようにパルス分割され、３値に強度変調された記録光を媒体に照射することで行う。
【０００６】
マークとスペースとからなるデータを繰返し記録するための波形発光パターン（記録ストラテジ）としては、図１２に示すような、ＤＶＤ＋ＲＷ等で使用されているものがある。非晶質からなるマークはピークパワー（Ｐｗ＝Ｐｐ）光とバイアスパワー（Ｐｂ）光との交互繰返しによるパルス照射によって形成され、結晶からなるスペースはこれらの中間レベルのイレースパワー（Ｐｅ）光を連続的に照射することにより形成される。
【０００７】
ピークパワー光とバイアスパワー光とからなるパルス列が照射されると、記録層は溶融と急冷を繰返し非晶質マークが形成される。消去パワー光が照射されると記録層は溶融後徐冷、或いは、固相状態のままアニールされて結晶化し、スペースが形成される。ピークパワー光とバイアスパワー光とからなるパルス列は通常、先頭パルス、中間パルス、最終パルスとに分けられ、最短の３Ｔマークは先頭パルスと最終パルスのみで記録され、４Ｔ以上のマークを形成するときは中間パルスも使用される。中間パルスはマルチパルスとも呼ばれ、１Ｔ周期で設けられ、マーク長が１Ｔ長くなる毎にパルスの数を１つずつ増やす。即ち、パルス列の数は長さｎＴに対して（ｎ−１）個となる。また、３Ｔマークを先頭パルスの１パルスのみで記録し、４Ｔを先頭パルスと最終パルスの２パルスで形成し、５Ｔ以上のマークを形成する時に１Ｔ周期で設けられた中間パルスを使用する、パルス列の数は長さｎＴに対して（ｎ−２）個とする場合もある。
【０００８】
ところで、ＤＶＤの４倍速を超えるような高速記録時は、基本クロック周期Ｔの時間が短くなるために、光源駆動部への負荷が大きくなる。また、図１２に示すような１Ｔ周期のパルス列を照射すると、加熱時間、冷却時間ともに短くなってしまい、充分な大きさの非晶質マークが形成できないという問題を生じる。これを回避するために、パルスの周期を１Ｔより長くして非晶質マークを形成するパルスの数を減らし、加熱、冷却ともに充分な時間を確保して、充分な大きさの非晶質マークを形成できるようにした提案が各種なされている（例えば、特許文献１〜４参照、他多数）。
【０００９】
このうち、特許文献４では、マーク長が２Ｔ増加する毎に加熱パルスと冷却パルスを１個増加させ、最終尾の冷却パルスの後の消去領域先頭部分にスペースデータ用の消去パワーのレベルの増減変更により記録マーク長を規定する記録マーク用消去パルスを付加する記録方法を提案している。図１３に、４Ｔマークと５Ｔマークを形成する場合のパルス列の例を示した。４Ｔマークの場合は、消去領域先頭部分の消去パワーレベルを増大することにより、非晶質の後端部分を再結晶化させてマーク長を短くし、５Ｔマークの場合には、消去パワーレベルを低減させることにより非晶質の後端部分をあまり再結晶化させないようにしてマーク長を長く調整している。
【００１０】
これにより、マルチパルス列での加熱パルスと冷却パルスの実質的な周期を記録チャンネルクロック周期より長くして充分な加熱時間と冷却時間を確保することを基本として高速記録対応とし、かつ、マルチパルス列の各々の加熱パルスを変化させることなく最後尾の冷却パルスとその直後の消去パルスとで高精度に記録マークの後エッジ位置を制御できるとしている。
【００１１】
さらに特許文献５によれば、高速記録時の特にマーク後端のジッターを良くする記録方法として、図１４に示すように、非晶質マークを形成するための最終ピークパワーの後に、消去パワーレベルより高いトレーリングパワーレベルを持つ記録方法が提案されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００２−２３７０５１公報
【特許文献２】特開２００２−２８８８３７公報
【特許文献３】特開２００１−３３１９３６公報
【特許文献４】特開２００２−３３４４３３公報
【特許文献５】特表２００３−５０４７８３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献４によれば、比較的簡便な制御によりマーク後エッジ位置を制御可能であり、初回記録時には良好な記録ができるものの、繰返し記録のことは考慮されておらず、特に、消去パワーレベルを減じてマーク長を調整する場合には、上書きする場合に、前のマークの消し残りが生じる恐れがある。
【００１４】
また、特許文献５の場合、消去パワーレベルとしては、消去パワーレベルの照射によりマークが消去可能であると規定している。また、マルチパルスの周期に関しては特に明言されていないが、図の説明等からは１Ｔ周期の場合であることがわかる。１Ｔ周期のマルチパルスではＤＶＤ４倍速を超えるような高速記録の場合には、前述したように、加熱、冷却時間ともに短いため、充分な大きさの非晶質マークが形成できないのは言うまでもないが、これを１Ｔより長い周期にして充分な大きさの非晶質マークを形成したとしても、消去パワーレベルで全てのマークが消去され、さらにそれより高いパワーのトレーリングパワーを導入すると、熱的な負荷が大きくなってしまうため、記録層材料の種類によっては、繰返し記録耐久性が劣化してしまう場合がある。
【００１５】
本発明の目的は、DVDの４倍速を超え、６〜８倍速相当以上のような高速記録時にも、上書き時に前の非晶質マークの消し残りを生ずることがなく、かつ、繰返し記録による熱的なダメージも少なくすることができ、良好な繰返し記録が行えるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１記載の発明は、記録マークの時間的長さが基本クロック周期Ｔのｎ倍（ｎは自然数）なるｎＴで表されるマーク長記録方式により情報を光情報記録媒体に対して記録する光情報記録方法において、相対的に高いパワー値のピークパワー光と相対的に低いパワー値のバイアスパワー光との繰返しによるｎ／２以下なる整数個のパルス照射により長さｎＴの非晶質マークを形成し、前記ピークパワー光と前記バイアスパワー光との中間レベルのパワー値の消去パワー光の照射により非晶質マーク間の長さｎＴの結晶スペースを形成する際、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から消去パワー光へ変調し、当該消去パワー光への変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、前記消去パワー光より高く、前記ピークパワー光より低くて前記非晶質マークの消去可能なレベルのパワー値の高消去パワー光を、少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いるようにした。
【００１７】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光情報記録方法において、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光への変調過程を経て消去パワー光へ変調する。
【００１８】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の光情報記録方法において、前記高消去パワー光の照射時間は、０．２Ｔ以上、２Ｔ以下である。
【００１９】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３の何れか一記載の光情報記録方法において、前記高消去パワー光のパルスの数を、結晶スペース長が３Ｔ以上増加する度に１つ増やす。
【００２０】
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４の何れか一記載の光情報記録方法において、前記高消去パワー光のパワー値のレベルは、前記消去パワー光の１．１倍以上、２倍以下である。
【００２１】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし５の何れか一記載の光情報記録方法において、前記光情報記録媒体として相変化型光情報記録媒体を対象とする。
【００２２】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の光情報記録方法において、前記相変化型光記録媒体は、基板上に少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層及び反射層が積層形成され、前記記録層は、少なくともＳｂとＧｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃａ，Ａｇ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｔｅの中から選ばれる一種以上の元素を含む。
【００２３】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の光情報記録方法において、前記記録層のＳｂの含有量が５０〜９０原子％である。
【００２４】
請求項９記載の発明は、請求項７又は８記載の光情報記録方法において、前記反射層は、Ａｇ又はＡｇ合金である。
【００２５】
請求項１０記載の発明は、請求項７ないし９の何れか一記載の光情報記録方法において、前記第１保護層及び第２保護層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物である。
【００２６】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載の光情報記録方法において、前記第２保護層と前記反射層との間に硫化防止層を有する相変化型光情報記録媒体である。
【００２７】
請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の光情報記録方法において、前記硫化防止層は、Ｓｉ又はＳｉＣを主成分とする。
【００２８】
請求項１３記載の発明は、記録マークの時間的長さが基本クロック周期Ｔのｎ倍（ｎは自然数）なるｎＴで表されるマーク長記録方式により情報を光情報記録媒体に対して記録する情報記録装置において、前記光情報記録媒体に対して照射するレーザ光を発するレーザ光源と、このレーザ光源を発光させる光源駆動手段と、前記レーザ光源が発する光ビームの発光波形に関する記録ストラテジが設定されて前記光源駆動手段を制御する発光波形制御手段と、を備え、前記発光波形制御手段は、相対的に高いパワー値のピークパワー光と相対的に低いパワー値のバイアスパワー光との繰返しによるｎ／２以下なる整数個のパルス照射により長さｎＴの非晶質マークを形成し、前記ピークパワー光と前記バイアスパワー光との中間レベルのパワー値の消去パワー光の照射により非晶質マーク間の長さｎＴの結晶スペースを形成する際、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から消去パワー光へ変調し、当該消去パワー光への変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、前記消去パワー光より高く、前記ピークパワー光より低くて前記非晶質マークの消去可能なレベルのパワー値の高消去パワー光を、少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いるようにした。
【００２９】
請求項１４記載の発明は、請求項１３記載の光情報記録装置において、前記発光波形制御手段は、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光への変調過程を経て消去パワー光へ変調する。
【００３０】
請求項１５記載の発明は、請求項１３又は１４記載の光情報記録装置において、前記発光波形制御手段は、前記高消去パワー光の照射時間を、０．２Ｔ以上、２Ｔ以下とする。
【００３１】
請求項１６記載の発明は、請求項１３ないし１５の何れか一記載の光情報記録装置において、前記発光波形制御手段は、前記高消去パワー光のパルスの数を、結晶スペース長が３Ｔ以上増加する度に１つ増やす。
【００３２】
請求項１７記載の発明は、請求項１３ないし１６の何れか一記載の光情報記録装置において、前記発光波形制御手段は、前記高消去パワー光のパワー値のレベルを、前記消去パワー光の１．１倍以上、２倍以下とする。
【００３３】
請求項１８記載の発明は、請求項１３ないし１７の何れか一記載の光情報記録装置において、前記光情報記録媒体として相変化型光情報記録媒体を対象とする。
【発明の効果】
【００３４】
請求項１，１３記載の発明によれば、例えば２Ｔ周期の記録ストラテジのように、ｎＴマークの形成にｎ／２以下なる整数個のパルス照射を利用する高速仕様の条件下に、非晶質マークの形成から結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から消去パワー光へ変調し、当該消去パワー光への変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、消去パワー光より高く、ピークパワー光より低くて前記非晶質マークの消去可能なレベルのパワー値の高消去パワー光を、少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いることにより、消去パワー光自体は記録線速で照射したときに必ずしも以前に記録されている非晶質マーク全てを消去できるほど高いパワー値にする必要がなく、これにより、ジッタ特性の劣化を生ずることもなく、かつ、繰返し記録耐久性へ及ぼす影響を少なくすることができるとともに確実に消去可能なパルス的な高消去パワーにより上書き時のマークの消し残りを防止でき、良好なる繰返し記録を実現することができる。また、高消去パワー光を、消去パワーＰｅ光の照射が開始されてから１Ｔ以内に開始させることにより、上書き時に前のマークの消去が良好に行えるばかりでなく、初回記録の場合でもマーク後端のジッタを低減させることができる。
【００３５】
請求項２，１４記載の発明によれば、非晶質マークの形成から当該結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光への変調過程を経て消去パワー光へ変調することにより、消去パワー光照射への移行時の温度条件が均一化され、マーク先端の位置のばらつきが生じにくくなり、より一層の低ジッタ化を図ることができる。
【００３６】
請求項３，１５記載の発明によれば、高消去パワー光の１パルス当りの照射時間を０．２Ｔ以上、２Ｔ以下とすることにより、部分的に太くなっているようなマークを確実に消去できるとともに、マーク先頭のジッタが高くなってしまうような不具合を回避して繰返し記録耐久性の劣化を防止することができる。
【００３７】
請求項４，１６記載の発明によれば、スペース長が３Ｔ以上増加する度に高消去パワー光のパルスの数を１つ増やすようにしているので、高消去パワー光のパルスがスペース形成の最初に照射されるだけでは、長いスペースを形成する途中に部分的に太くなっている部分がある場合などは、消去しきれない場合があるが、このような不具合を回避して確実に消去することができる。
【００３８】
請求項５，１７記載の発明によれば、高消去パワー光のレベルを消去パワーＰｅの１．１倍以上、２倍以下とすることにより、高消去パワー光によるマーク消去機能を確実に発揮させることができるとともに、パワー値が高すぎないので、温度が上がりすぎて、マーク長の制御が難しくなりジッタが悪くなってしまうような不具合や、必要以上に温度が上がりすぎることによる繰返し記録耐久性の劣化を回避することができる。
【００３９】
請求項６ないし１２，１８記載の発明によれば、高速仕様の相変化型光情報記録媒体について好適に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して以下に説明する。本実施の形態は、照射光の強度変調によって記録、消去或いは書換えが可能な光情報記録媒体、特に相変化型光情報記録媒体に対して、例えばＤＶＤの６〜８倍速相当以上の高速にて記録を行う光情報記録方法及び光情報記録装置（光情報再生装置を含む）に適用される。
【００４１】
[光情報記録媒体]
まず、本実施の形態の光情報記録方法に適したＤＶＤ仕様かつ高速仕様の相変化型の光情報記録媒体の一例について図１を参照して説明する。
【００４２】
本実施の形態では、案内溝を有する透明基板１上に、少なくとも第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５が積層形成された相変化型の光情報記録媒体６を対象とする。
【００４３】
透明基板１は、耐熱性、耐衝撃性、低吸水性などの点から、ポリカーボネートが良い。屈折率は１．５〜１．６５が良く、これより高い場合はディスク全体の反射率低下が起こり、低い場合には反射率の増加により変調度が不足してしまう。厚さに関しては、０．５９〜０．６２ｍｍが良く、この範囲を超えるとピックアップのフォーカス性能に問題を生じる。また、薄すぎると記録再生装置のクランプの甘さから回転数が不安定になる問題も生じる。さらには、円周方向の厚さムラがこの範囲を超える場合には、信号強度が周内で変動してしまう問題も生じる。
【００４４】
記録層３は、少なくともＳｂとＧｅ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃａ，Ａｇ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｔｅの中から選ばれる一種以上の元素を含む材料を用いる。Ｓｂをベースとし、Ｓｂとの２元系で融点が約６００℃以下の共晶点、或いは、固溶体を有するような元素と組合せると、アモルファスと結晶の繰返し記録を行うのに適した記録層３を形成することができる。組合せる元素の種類や量によって、結晶化速度、記録特性、保存安定性、初期化の容易性等の特性を調整する。Ｓｂと組合せる元素は１種類以上で、必要に応じて何種類でもよい。また、上述した元素とＳｂとの２元以上の合金にさらに別な元素を添加してもよい。
【００４５】
高速で繰返し記録を行う場合、非晶質マークを高速結晶化する必要があるため、特に、本実施の形態のようにＤＶＤの６〜８倍速相当以上の記録を行う場合には、Ｓｂは５０〜９０原子％、より好ましくは６０〜８０原子％とする。これより少ないと、結晶化速度が遅すぎて繰返し記録の際にアモルファスマークの消し残りを生じ、ジッタやエラーの上昇を招く。これより多いと、アモルファスの形成が困難となる。
【００４６】
記録層３の膜厚は、８ｎｍより薄いと変調度が小さく、また、再生光安定性も低下してしまうため８ｎｍ以上とし、２２ｎｍより厚いと繰返し記録によるジッタの上昇が大きいため、２２ｎｍ以下とする。より、好ましくは１１〜１６ｎｍとすると、特に繰返し記録耐久性が向上する。
【００４７】
反射層５としては従来Ａｌを主成分とした合金が使用されている。Ａｌは反射率が高く、熱伝導率も高いことに加え、ディスク化した場合の経時安定性にも優れている。しかし、記録層３材料の結晶化速度が速い場合には、反射層５として従来よく使用されているＡｌ合金を用いたディスクでは、記録マークが細くなりやすく、十分な変調度を有する記録を行うことは困難な場合がある。この理由としては、結晶化速度が速いと記録時に溶融領域の再結晶化領域が大きくなってしまい、形成される非晶質領域が小さくなってしまうことが挙げられる。再結晶化領域を小さくするためには、第２保護層４を薄くして急冷構造とすればよいが、単純に第２保護層４を薄くしただけでは、記録層３が十分に昇温されず、溶融領域が小さくなってしまうため、再結晶化領域を小さくできたとしても、結局、形成される非晶質領域は小さくなってしまう。しかし、波長６５０〜６７０ｎｍにおける屈折率(ｎ＋ｉｋ)のｎ，ｋ共にＡｌより小さい金属を反射層５に用いると、記録層３の吸収率は向上し、変調度も大きくすることができる。ｎ，ｋ共にＡｌより小さい金属としてはＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ、及びそれらを主成分とした合金が挙げられる。ここで、主成分とするとは、９０原子％以上含有することを意味し、好ましくは９５原子％以上である。
【００４８】
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕは同時に何れもＡｌより熱伝導率が高く、これらを反射層５として用いると、記録層３の光吸収率を向上させて、記録層３の温度を上昇させて溶融領域を大きくする効果があるのと同時に、冷却速度も向上させるため冷却時の再結晶化領域が小さくなり、Ａｌ合金を用いた場合よりも大きな非晶質領域を形成することが可能になる。記録マークの変調度は光学的な変調度とマークの大きさによって決まり、光学的な変調度が大きく、マークが大きい程大きくなる。従って、記録層３として、結晶化速度が速い材料を用いて、高線速記録を行う場合でもこのような反射層５を用いれば、吸収率が大きく冷却速度が速いことから大きな記録マークが形成でき、また、結晶と非晶質の反射率差も大きいことから変調度の大きい記録が可能になる。
【００４９】
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ、及びそれらを主成分とする合金の中でも、特に、Ａｇ、及び、Ａｇ合金は比較的安価であり、また、同様に安価なＣｕ、及び、Ｃｕ合金に比べて酸化しにくいため、経時安定性に優れた媒体を形成することができ、反射層として好ましい。
【００５０】
反射層５の膜厚は９０ｎｍ以上であれば透過光がほとんどなくなり、光を効率的に利用できるので、９０ｎｍ以上とする。膜厚は厚い程冷却速度が速くなり、結晶化速度の速い記録層３を使用する場合には有利であるが、２００ｎｍ以下で冷却速度は飽和し、２００ｎｍより厚くしても記録特性に変化がなく、成膜に時間がかかるだけなので、２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５１】
反射層５としてＡｇ又はＡｇ合金を用いた場合には、第２保護層４にＳを含むような材料を用いる場合には、硫化防止層７が必要となる。硫化防止層７に要求される性質としては、Ｓを含まないこと、Ｓを透過しないこと等が挙げられる。本発明者らは、種々の酸化膜や窒化膜等を硫化防止層７として形成し、記録特性や保存信頼性の評価を行ったところ、ＳｉＣ，Ｓｉ、又はそれらの何れかを主成分とする材料が優れた機能を持つことが判った。ここで、主成分とするとは、材料中にＳｉＣ又はＳｉを９０ｍｏｌ％以上含有することを意味し、好ましくは９５ｍｏｌ％以上である。
【００５２】
硫化防止層７の膜厚は３〜２２ｎｍとすることが好ましい。３ｎｍ以上あれば、スパッタにより形成された膜がほぼ均一になるので硫化防止機能を発揮するが、これよりも薄いと、部分的に欠陥を生じる確率が急に高くなってしまう。また、２２ｎｍを超えると膜厚の増加と共に反射率が低下してしまうし、成膜速度は大きく見積もっても記録層３と同程度であるため、記録層３よりも膜厚が厚いと生産効率が落ちてしまうことから、最大でも記録層３の膜厚を超えないようにすることが望ましく、結局好ましい上限は２２ｎｍとなる。
【００５３】
第１保護層２及び第２保護層４としては耐熱性等の保護膜としての機能の他、屈折率が高いこと、断熱性が高いことから、膜厚の調整により入射光を効率的に利用できるモル比が８：２近傍のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を用いる。
【００５４】
第１保護層２の膜厚は４０〜２２０ｎｍ、より好ましくは４０〜８０ｎｍとする。これは、主として反射率から決められる値である。この範囲内で、十分な反射率と記録感度を両立できる膜厚を選ぶ。これより薄い場合には耐熱性が悪く、基板１へ与えるダメージが大きくなってしまい、繰返し記録によるジッタ上昇が大きくなってしまう。厚いと反射率が高くなり過ぎて記録感度が低下してしまう。
【００５５】
第２保護層４の膜厚は２〜２０ｎｍ、より好ましくは６〜１４ｎｍとする。これは主として熱伝導から決められる値である。第２保護層４の上にさらに反射層５が設けられているため、記録層３で吸収された熱は第２保護層４を通じて反射層５へ拡散して冷却される。従って、薄すぎると熱拡散が速過ぎて記録層３は充分昇温されず、記録感度が低下してしまう。厚すぎると冷却速度が不足するため非晶質マークが形成されにくくなる。
【００５６】
上述のような膜を基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層４、硫化防止層７、反射層５の順にスパッタにより形成した後、反射層５上に有機保護膜８をスピンコートにより形成する。この状態で、或いはさらに貼合せ工程を経た後、初期化工程を経て光情報記録媒体６として使用される。貼合せは、有機保護膜８を介して基板と同じ大きさで通常は材質も同じである板を接着する工程である。
【００５７】
初期化は１×(数１０〜数１００)μｍ程度に成形された１〜２Ｗ程度のレーザ光を照射して、成膜直後は非晶質状態である記録層３を結晶化する工程である。
【００５８】
［光情報記録方法］
次に、上述したような高速仕様の光情報記録媒体６に対する本実施の形態による光情報記録方法、特にその記録ストラテジについて図２を参照して説明する。
【００５９】
ここでは、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）を光情報記録媒体６に応用した記録マーク長、マーク間長変調方式で情報を記録するものとする。この記録方式では記録マークの長さとマーク間の長さとを基本クロック周期Ｔを単位として制御することにより情報を記録することができる。光情報記録媒体の記録方法の一つであるマーク位置変調方式よりも記録密度を高くすることが可能なため、高密度化できることが特徴であり、ＣＤ，ＤＤ（Double Density）ＣＤで採用されるＥＦＭ，ＤＶＤで採用されるＥＦＭ＋などの光ディスクに採用されている変調方式である。記録マーク長、マーク間長変調方式は記録マーク長とマーク間長（以下、スペース長）とを正確に制御することが重要である。これらの変調方式では記録マーク長、スペース長ともに基本クロック周期Ｔに対してｎＴ（ｎは３以上の自然数）の時間的長さとする。
【００６０】
ここに、本実施の形態では、ピークパワーＰｐ（＝Ｐｗ）、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂの３値を用いる記録ストラテジに関しても、高速仕様として、充分な加熱と冷却を行えるようにパルス数を減らす方式、即ち、ピークパワーＰｐ光とバイアスパワーＰｂ光との繰返しによるｎ／２以下なる整数個のパルス照射により長さｎＴの非晶質マークを形成し、消去パワーＰｅ光の照射により非晶質マーク間の長さｎＴの結晶スペースを形成する方式を前提とする。従って、ＥＦＭ＋変調方式に従って形成される最小マークである３Ｔは１パルスで形成する。最短の３Ｔマークを２パルス以上で形成すると、パルス間に充分な冷却時間をとれないため、後続のパルスによってマーク先端部が再結晶化し、所定の大きさのマークを形成できなくなってしまう。４Ｔ以上のマークは３Ｔと同様に１パルスで形成しても、２つ以上のパルスで形成しても良い。パルスの数は主に記録線速によって決まり、記録線速が速い程パルスの数を減らしたほうがよい。
【００６１】
このような高速仕様条件下に、本実施の形態の光情報記録方法としては、非晶質マークの形成から結晶スペースの形成への移行時には、ピークパワーＰｐ光からボトムパワーＰｂ光を経て消去パワーＰｅ光へ変調し、或いは、ピークパワーＰｐ光から直接消去パワーＰｅ光へ変調し、ピークパワーＰｐ光から消去パワー光Ｐｅへの変調開始後基本クロック周期Ｔ以内に、消去パワーＰｅより高く、ピークパワーＰｐより低くて非晶質マークの消去可能なレベルの高消去パワーＰｅ（ｈ）光を少なくとも１パルス照射する記録ストラテジを用いるようにしたものである。図２にはピークパワーＰｐ光から一旦ボトムパワーＰｂ光への変調を経て消去パワーＰｅへ変調する場合の例を示した。
【００６２】
このときの消去パワーＰｅ光は、記録線速で照射したときに必ずしも前に記録したマークが全て消去されないパワー値でよい。図３に示すように、記録マーク（非晶質マーク）は、全て均一な太さではなく、部分的に太くなってしまうことが多い。特に、図３のようにマークの後端部が太くなっている場合がしばしば見られる。Ｓｂを主成分とした記録層のように、結晶相との界面からの結晶成長によって結晶化が進行する場合には、結晶相との界面の温度が重要である。図４には、結晶成長速度と温度との関係を示した。結晶成長速度は一般的に融点直下の温度で最大となり、温度が低い場合には結晶成長はほとんど起こらない。結晶相との界面が結晶成長が速く進行できる温度、即ち、融点近傍まで上がっていないと、非晶質マークが全て結晶化できずに残ってしまう。
【００６３】
この様子を図５に示した。図５（ａ）は、非晶質マークにある消去パワーを一定線速で照射した時に結晶化する様子を模式的に示したものである。高速で結晶成長速度が進行する温度以上になっている領域を薄いグレーで示した。非晶質と結晶との界面がこの領域に入っていれば、高速で結晶化するため中心部まで結晶化できるが、非晶質マークが部分的に太くなって部分がこの領域からはみ出してしまった場合には、結晶成長速度が遅く、図５（ｂ）のような形に非晶質マークが残ってしまう。
【００６４】
このような消し残りを防ぐためには、消去パワーのレベルを高くして、高速で結晶成長速度が進行する温度領域を広くする必要がある。即ち、部分的に太くなってしまった非晶質マークを全て消去するためには、消去パワーも高めに設定せざるをえない。しかし、記録速度が高速になってくると、消去パワーを高めに設定すると特にマーク先頭のジッタが高くなってしまうという問題を生じる。これは、高速であるため、スペース形成のための消去パワーの照射により温度が定常状態になる前に非晶質マーク形成のためのピークパワーが照射されることになってしまい、最初のピークパワーが照射されるときの温度にばらつきが生じるため、マーク先頭部の位置もばらついてしまうためであると考えられる。最初のピークパワーが照射されるときの温度のばらつきは消去パワーが高い程大きくなってしまうため、マーク先頭のジッタが大きくなってしまう。また、消去パワーが高い場合には、媒体にかかる熱による負荷も大きくなってしまうので、繰返し記録による膜質の劣化も進行しやすくなり、繰り返し記録耐久性が劣化してしまう。
【００６５】
しかし、本実施の形態の場合、消去パワーＰｅ光のパワー値は必ずしもマーク全てが消去される程高く設定する必要はない。確実に消去可能な高消去パワーＰｅ（ｈ）光をパルス照射することにより、部分的に太くなっているマークも消去し、かつ、熱による負荷も小さいため繰返し記録耐久性へ及ぼす影響も少なく、良好な繰返し記録を達成できる。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルス照射のタイミングは、消去パワーＰｅ光の照射が開始されてから１Ｔ以内に開始する。これにより、上書き時に前のマークの消去が良好に行えるばかりでなく、初回記録の場合でもマーク後端のジッタが低減できる効果がある。
【００６６】
高消去パワーＰｅ（ｈ）光の１パルス当りの照射時間は０．２Ｔ以上、２Ｔ以下とする。これより短いと充分昇温されないため、部分的に太くなっているようなマークを消去する効果は期待できない。また、これより長いと、消去パワーＰｅの値を全て高消去パワーにするのと等価的となってしまい、マーク先頭のジッタが高くなってしまったり、繰返し記録耐久性が劣化してしまったりする。
【００６７】
また、高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスがスペース形成の最初に照射されるだけでは、長いスペースを形成する途中に部分的に太くなっている部分がある場合などは、消去しきれない場合があるので、スペース長が３Ｔ以上増加する度に高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスの数を一つ増やすようにする。スペース長が３Ｔ増加する毎に１つ増やすようにしてもよいし、４Ｔ或いは５Ｔ増加する毎に一つ増やしても良い。それらを組合せても良い。高消去パワーＰｅ（ｈ）のパルスの増やし方は、記録線速と前に記録されてたマークの形状がどういう特徴を持っているかによって変わってくる。ただし、３Ｔ〜５Ｔスペースの形成には、１パルスで充分であるし、パルスの数が必要以上に多いと繰返し記録耐久性の劣化を招くので、注意が必要である。
【００６８】
高消去パワーＰｅ（ｈ）光のレベルは消去パワーＰｅの１．１倍以上、２倍以下とする。これより低いと充分昇温されないため、部分的に太くなっているようなマークを消去する効果は期待できない。これより高いと、温度が上がりすぎて、マーク長の制御が難しくなりジッタが悪くなってしまったり、必要以上に温度が上がりすぎることにより繰返し記録耐久性の劣化を招いてしまう。また、このとき、消去パワーＰｅの２倍以下であっても、ピークパワーＰｐ光のパワー値を超えてはならない。
【００６９】
[光情報記録装置]
次に、前述した記録ストラテジによる光情報記録方法を実現するための光情報記録装置の構成例ついて、図６を参照して説明する。
【００７０】
まず、ＤＶＤ＋ＲＷなる光情報記録媒体６に対して、この光情報記録媒体６を回転駆動させるスピンドルモータ２１を含む回転制御機構２２が設けられているとともに、光情報記録媒体６に対してレーザ光を集光照射させる対物レンズや半導体レーザＬＤ２３等のレーザ光源を備えた光ヘッド２４がディスク半径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッド２４の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはアクチュエータ制御機構２５が接続されている。このアクチュエータ制御機構２５にはプログラマブルＢＰＦ２６を含むウォブル検出部２７が接続されている。ウォブル検出部２７には検出されたウォブル信号からアドレスを復調するアドレス復調回路２８が接続されている。このアドレス復調回路２８にはＰＬＬシンセサイザ回路２９を含む記録クロック生成部３０が接続されている。ＰＬＬシンセサイザ回路２９にはドライブコントローラ３１が接続されている。
【００７１】
システムコントローラ３２に接続されたこのドライブコントローラ３１には、回転制御機構２２、アクチュエータ制御機構２５、ウォブル検出部２７及びアドレス復調回路２８も接続されている。
【００７２】
また、システムコントローラ３２はＣＰＵ等を備えた、いわゆるマイコン構成のものである。また、このシステムコントローラ３２には、ＥＦＭエンコーダ３４、マーク長カウンタ３５、パルス数制御部３６が接続されている。これらのＥＦＭエンコーダ３４、マーク長カウンタ３５、パルス数制御部３６及びシステムコントローラ３２には、発光波形制御手段となる記録パルス列制御部３７が接続されている。この記録パルス列制御部３７は、予め設定された記録ストラテジにより規定されるマルチパルス（ピークパワーＰｐ用のオンパルス、バイアスパワーＰｂ用のオフパルス）及び消去パワーＰｅ又はＰｅ（ｈ）の消去パルスを生成するマルチパルス生成部３８と、エッジセレクタ３９と、パルスエッジ生成部４０とが含まれている。
【００７３】
この記録パルス列制御部３７の出力側には、記録パワーＰｗ（ピークパワーＰｐ），消去パワーＰｅ（Ｐｅ（ｈ）を含む）、バイアスパワーＰｂの各々の駆動電流源４１をスイッチングすることで光ヘッド２４中の半導体レーザＬＤ２３を駆動させる光源駆動手段としてのＬＤドライバ部４２が接続されている。
【００７４】
このような構成において、光情報記録媒体６に記録するためには、目的の記録速度に対応する記録線速度となるようにスピンドルモータ２１の回転数をドライブコントローラ３１による制御の下、回転制御機構２２により制御した後に、光ヘッド２４から得られるプッシュプル信号からプログラマブルＢＰＦ２６によって分離検出されたウォブル信号からアドレス復調するとともに、ＰＬＬシンセサイザ回路２９によって記録チャネルクロックを生成する。次に、半導体レーザＬＤ２３による記録パルス列を発生させるため、記録パルス列制御部３７には記録チャネルクロックと記録情報であるＥＦＭ＋データが入力され、記録パルス列制御部３７中のマルチパルス生成部３８により図５に示したような記録ストラテジに従うマルチパルスを生成し、ＬＤドライバ部４２で前述のＰｗ，Ｐｅ（Ｐｅ（ｈ）を含む），Ｐｂなる各々の照射パワーとなるように設定された駆動電流源４１をスイッチングすることで、記録パルス列に従うＬＤ発光波形を得ることができる。
【００７５】
また、本実施の形態のような構成の記録パルス列制御部３７では、ＥＦＭエンコーダ３４から得られるＥＦＭ＋信号のマーク長を計数するためのマーク長カウンタ３５が配置されており、そのマークカウント値が２Ｔ増加する毎に１組のパルス（記録パワーＰｗ（ピークパワーＰｐ）によるオンパルスとバイアスパワーＰｂによるオフパルス）とが生成されるようにパルス数制御部３６を介してマルチパルスを生成するようにしている。
【００７６】
別のマルチパルス生成部の構成としては、記録チャネルクロックを２分周した記録分周クロックを生成し、これを多段遅延回路を用いてエッジパルスを生成し、エッジセレクタで前後のエッジを選択することで記録チャネルクロックが２Ｔ増加する毎に１組のパルス（記録パワーＰｗ（ピークパワーＰｐ）によるオンパルスとバイアスパワーＰｂによるオフパルス）を生成することもできる。この構成の場合、マルチパルス生成部の実質的な動作周波数は１／２となり、さらに高速記録動作が可能となる。
【実施例】
【００７７】
以下、上述の実施の形態に準ずる実施例を説明する。
【００７８】
[実施例１]
図７に本実施例の記録ストラテジの例を示す。マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワーＰｐ光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワーＰｐ光から一旦ボトムパワーＰｂ光へ変調した後に、消去パワーＰｅ光へと変調し、消去パワーＰｅ光へ変調を開始すると同時に高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスを照射している。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスはスペース長に依らず、１パルスのみとした。
【００７９】
このとき用いた光情報記録媒体６は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝付きポリカーボネートディスク基板１上に下部保護層２としてＺｎＳ-ＳｉＯ２を厚さ６０ｎｍ、記録層３としてＩｎ-Ｓｂ-Ｇｅを厚さ１５ｎｍ、上部保護層４としてＺｎＳ-ＳｉＯ２を厚さ１２ｎｍ、硫化防止層７としてＳｉＣを厚さ４ｎｍ、反射層５としてＡｇを厚さ１４０ｎｍに順次スパッタにより形成し、有機保護膜８でオーバーコートし、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを貼り合わせ、大口径ＬＤにより初期結晶化したものである。
【００８０】
これに、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５の光ヘッド２４を用いてＥＦＭ＋変調方式で記録ビット長０．２６７μm／ｂｉｔのランダムパターンをＤＶＤ８倍速に相当する２８ｍ/sで繰返し記録した。このときの各パワーの設定値は、Ｐｗ（＝Ｐｐ）＝２６ｍＷ、Ｐｂ＝０．１ｍＷ、Ｐｅ＝６ｍＷ、Ｐｅ（ｈ）＝７．５ｍＷである。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルス照射時間は１Ｔとした。このときの繰返し記録回数とジッタの関係を図１１に示す。
【００８１】
[実施例２]
図８に本実施例の記録ストラテジの例を示す。マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワーＰｐ光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワーＰｐ光から一旦ボトムパワーＰｂ光へ変調した後に、消去パワーＰｅ光へと変調し、消去パワーＰｅへ変調を開始してから０．８Ｔ後に高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスを照射している。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスはスペース長に依らず、１パルスのみとした。
【００８２】
このとき用いた光情報記録媒体６、記録条件は全て実施例１と同じで、高消去パワーＰｅ（ｈ）の照射開始時間のみを変えた。このときの繰返し記録回数とジッタの関係を図１１に示す。
【００８３】
[実施例３]
図９に本実施例の記録ストラテジの例を示す。マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワーＰｐ光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワーＰｐ光から一旦ボトムパワーＰｂ光へ変調した後に、消去パワーＰｅ光へと変調し、消去パワーＰｅへ変調を開始すると同時に高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスを照射している。高消去パワーＰｅ（ｈ）のパルスはスペース長が３Ｔ増えるごとに１つ増やした。
【００８４】
このとき用いた光情報記録媒体６、記録条件は全て実施例１と同じで、スペース長が長い場合の高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスの数のみを変えた。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスの数は具体的には、３Ｔ〜５Ｔスペースは１個、６Ｔ〜８Ｔスペースは２個、９Ｔ〜１１Ｔスペースは３個、１４Ｔスペースは４個とした。結果を図１１に示す。
【００８５】
[比較例１]
マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワー光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光へ変調した後に、消去パワー光へと変調し、高消去パワーパルス光は照射しなかった。
【００８６】
このとき用いた相変化記録媒体、記録条件、高消去パワーのパルスを用いなかった以外は全て実施例１と同じである。結果を図１１に示す。
【００８７】
[比較例２]
マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワー光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光へ変調した後に、消去パワー光へと変調し、高消去パワーパルス光は照射しなかった。
【００８８】
このとき用いた相変化記録媒体、記録条件は、Ｐｅ＝７ｍＷとし、高消去パワー光のパルスを用いなかった以外は全て実施例１と同じである。結果を図１１に示す。
【００８９】
[比較例３]
マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワー光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワー光から一旦ボトムパワー光へ変調した後に、消去パワー光へと変調し、消去パワー光への変調を開始してから１．２Ｔ後に高消去パワー光のパルスを照射するようにした。高消去パワー光のパルスはスペース長に依らず、１パルスのみとした。
【００９０】
このとき用いた相変化記録媒体、記録条件は全て実施例１と同じで、高消去パワーの開始時間のみを変えた。結果を図１１に示す。
【００９１】
[実施例４]
図１０に本実施の形態の記録ストラテジの例を示す。マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワーＰｐ光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワーＰｐ光から直接消去パワーＰｅ光へと変調し、消去パワーＰｅ光へ変調を開始すると同時に高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスを照射するようにした。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスはスペース長に依らず、１パルスのみとした。
【００９２】
このとき用いた光情報記録媒体６、記録条件は、Ｐｅ＝５．５ｍＷとし、マーク形成時のピークパワーＰｐ光のパルス幅を最適化した以外は全て実施例１と同じである。結果を図１１に示す。
【００９３】
[実施例５]
マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワーＰｐ光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワーＰｐ光から直接消去パワーＰｅ光へと変調し、消去パワーＰｅ光へ変調を開始してから０．８Ｔ後に高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスを照射している。高消去パワーＰｅ（ｈ）光のパルスはスペース長に依らず、１パルスのみとした。
【００９４】
このとき用いた光情報記録媒体６、記録条件は全て実施例４と同じで、高消去パワーＰｅ（ｈ）光の照射開始時間のみを変えた。結果を図１１に示す。
【００９５】
[比較例４]
マーク形成は、マーク長が２Ｔ増える毎にピークパワー光のパルスを１つ増やし、マーク形成からスペース形成へ移る時には、ピークパワー光から直接消去パワー光へと変調し、消去パワー光への変調を開始してから１．２Ｔ後に高消去パワー光のパルスを照射している。高消去パワー光のパルスはスペース長に依らず、１パルスのみとした。
【００９６】
このとき用いた相変化記録媒体、記録条件は全て実施例４と同じで、高消去パワーの開始時間のみを変えた。結果を図１１に示す。
【００９７】
このような結果によれば、実施例１〜５の場合が比較例１〜４の場合に比べて、何れも繰返し記録回数とジッタの関係が良好であることがわかる。また、実施例中でも、一旦ボトムパワーＰｂに変調する過程を経て消去パワーＰｅに変調する方式（実施例４，５）の方が、トップパワーＰｐから直接消去パワーＰｅに変調する方式（実施例１，２，３）よりも、より低ジッタ化を図れることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の一実施の形態の光情報記録媒体の層構成例を示す原理的断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の記録ストラテジを示す波形図である。
【図３】形成されるマーク形状の一例を示す説明図である。
【図４】結晶成長速度と温度との関係を示す特性図である。
【図５】消し残りの生ずる様子を示す説明図である。
【図６】光情報記録装置の制御系構成例を示す概略ブロック図である。
【図７】実施例１の記録ストラテジを示す波形図である。
【図８】実施例２の記録ストラテジを示す波形図である。
【図９】実施例３の記録ストラテジを示す波形図である。
【図１０】実施例４の記録ストラテジを示す波形図である。
【図１１】記録回数とジッタとの関係を示す測定結果の特性図である。
【図１２】従来一般の記録ストラテジを示す波形図である。
【図１３】特許文献４方式の記録ストラテジを示す波形図である。
【図１４】特許文献５方式の記録ストラテジを示す波形図である。
【符号の説明】
【００９９】
１      透明基板
２      第１保護層
３      記録層
４      第２保護層
５      反射層
６      光情報記録媒体
２３      レーザ光源
３７      発光波形制御手段
４２      光源駆動手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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