(57)【要約】【課題】基板の表裏および向きを容易に検出する。【解決手段】基板Ｓに所定径の第１基準マークＰ１、第３基準マークＰ３および第４基準マークＰ４とこれら基準マークＰ１、Ｐ３、Ｐ４より大きい径の第２基準マークＰ２とを形成する。描画装置１０の描画テーブル１２に基板Ｓを固定し、ＣＣＤカメラ２２、２４を用いて第１〜第４基準マークＰ１〜Ｐ４の相対位置を測定する。測定された第２基準マークＰ２の相対位置に基づいて、基板Ｓの表裏および向きを検出する。基板Ｓの表裏および向きが適正な場合には、第１〜第４基準マークＰ１〜Ｐ４の相対位置に基づいて基板Ｓに対する回路パターンの描画位置を調整し、光学ユニット１８によって基板Ｓに回路パターンを描画する。【選択図】        図１
2005010702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画テーブルに載置された基板に所定パターンを描画する前に、前記所定パターンの位置決めのために前記基板に形成された４個の基準マークの前記描画テーブルに対する相対位置を検出し、検出された４個の基準マークに含まれる寸法または形状の異なる１個の基準マークの相対位置に基づいて、前記描画テーブルに対する前記基板の表裏および向きを検出することを特徴とする基板方向検出方法。
【請求項２】
前記基板が長方形の板状を呈し、前記基板の長辺の一方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離は、前記基板の長辺の他方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離に等しく、前記基板の短辺の一方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離は、前記基板の短辺の他方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離に等しいことを特徴とする請求項１に記載の基板方向検出方法。
【請求項３】
前記基板に形成される４個の基準マークのうち、３個の基準マークが所定の直経を有する単一の円形穴であり、残りの１個の基準マークが他の基準マークの直径と異なる直径を有する単一の円形穴であることを特徴とする請求項１に記載の基板方向検出方法。
【請求項４】
基板を所定位置で支持する描画テーブルと、
前記描画テーブルに支持された前記基板に所定パターンを描画する描画手段と、
前記基板に形成された４個の基準マークの前記描画テーブルに対する相対位置を検出する基準マーク位置検出手段と、
前記基準マーク検出手段によって検出され４個の基準マークに含まれる寸法または形状の異なる１個の基準マークの相対位置に基づいて、前記描画テーブルに対する前記基板の表裏および向きを検出する基板方向検出手段と
を備えることを特徴とする描画システム。
【請求項５】
前記検出手段によって検出された前記基板の表裏および向きが前記所定パターンに対応する場合に、前記基準マーク位置検出手段によって検出された４個の基準マークに基づいて前記描画手段によって前記所定パターンの描画位置を調整する調整手段を備えることを特徴とする請求項４に記載の描画システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、描画装置を用いて基板にパターンを直接描画する際に、描画テーブル上の基板の方向を検出する基板方向検出方法、および基板の方向が検出できる描画システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板にパターンを描画する描画装置としては、例えばプリント配線板に使用されるダイレクトイメージャが挙げられる。このような描画装置は基板、例えば表面にフォトレジスト層を設けた銅張積層板のパターンに相当する部分にレーザビームを照射してフォトレジストを硬化させることによって、微細なパターンを積層板の表面に直接描画するものである。描画装置でパターンが描画された積層板は、さらに現像、エッチング、フォトレジスト除去等の処理が施され、これにより銅箔から成るパターンを積層板上に形成することができる。そして上記一連の処理を積層板の片面あるいは両面に対して施し、さらに積層板を積層することによってプリント配線板が得られる。
【０００３】
プリント配線板における各層のパターン同士を整合させるために、各基板にはパターンの座標基準となるべき複数の基準マークが形成されており、描画装置の描画テーブルに固定された基板の基準マークの位置が描画前にＣＣＤカメラ等を用いて計測され、得られた基準マークの位置に基づいてパターンの描画位置が調整される。例えば、特許文献１には２つのＣＣＤカメラ（５０）によって位置決めマーク（基準マークに相当）の位置を計測するレーザー描画装置が示されている（図４を参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−９５４５２号公報
【０００５】
従来では、基準マークの計測を迅速に行うために、例えば長方形の基板の４隅にそれぞれ同一寸法形状の基準マークを形成し、描画テーブル上に基板を固定するとともに描画テーブルの上方に２個のＣＣＤカメラを基板の１辺に沿って並ぶ２個の基準マークに対応した位置に配置し、これらＣＣＤカメラによって２個の基準マークを同時撮影し、描画テーブルを基板長さに応じて移動させた後に、残り２個の基準マークを同時撮影していた。即ち、２回の計測動作で４個の基準マークの位置を得ていた。
【０００６】
ところで、上記基準マークは描画テーブルに置くべき基板の向きや表裏を目視によって検出するのにも利用され、例えば基準マークを１箇所だけ省いたり、４個の基準マークのうちの１個だけ基板端からの位置をずらしたりして、作業者が描画テーブルに基板を載置する際に基板の表裏および向きを検出し易くする工夫が成されていた。
【０００７】
しかしながら、基準マークの数を減らすとパターンの位置合せ精度が低下し、基準マークの位置を１個だけずらすとＣＣＤカメラによる計測回数が３回以上に増え、処理時間も増えるという問題が生じる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みて成されたものであり、基板に対するパターンの位置合せ精度を維持しつつ、基板の向きや表裏を容易に検出することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板方向検出方法は、描画テーブルに載置された基板に所定パターンを描画する前に、所定パターンの位置決めのために基板に形成された４個の基準マークの描画テーブルに対する相対位置を検出し、検出された４個の基準マークに含まれる寸法または形状の異なる１個の基準マークの相対位置に基づいて、描画テーブルに対する基板の表裏および向きを検出することを特徴とする。これにより、基板にパターンを描画する際にパターンの位置決め精度を維持するとともに基板の表裏および向きを容易に検出できる。
【００１０】
上記基板方向検出方法において用いられる基板は、長方形の板状を呈していることが好ましく、さらに基板の長辺の一方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離は、基板の長辺の他方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離に等しく、基板の短辺の一方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離は、基板の短辺の他方に沿って並ぶ２個の基準マークの中心間の距離に等しいことが好ましい。これにより、基準マークの計測処理が単純化でき処理時間が短縮できる。基板に形成される４個の基準マークについて、例えば３個の基準マークが所定の直径を有する単一の円形穴であり、残りの１個の基準マークが他の基準マークの直径と異なる直径を有する単一の円形穴である。
【００１１】
また、本発明に係る描画システムは、基板を所定位置で支持する描画テーブルと、描画テーブルに支持された基板に所定パターンを描画する描画手段と、基板に形成された４個の基準マークの描画テーブルに対する相対位置を検出する基準マーク位置検出手段と、基準マーク検出手段によって検出され４個の基準マークに含まれる寸法または形状の異なる１個の基準マークの相対位置に基づいて、描画テーブルに対する基板の表裏および向きを検出する基板方向検出手段とを備えることを特徴とする。これにより、基板にパターンを描画する際にパターンの位置決め精度を維持するとともに基板の表裏および向きを容易に検出できる。
【００１２】
上記描画システムにおいて、基板方向検出手段によって検出された基板の表裏および向きが所定パターンに対応する場合に、基準マーク位置検出手段によって検出された４個の基準マークに基づいて描画手段によって所定パターンの描画位置を調整する調整手段を備えていてもよい。これにより基準マークを、基板方向検出と描画位置調整との双方に利用できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態である描画システムの主要構成を示す図である。この描画システムは、描画装置１０と、この描画装置１０を制御する制御装置３０と、描画装置１０で描画すべき回路パターンのデータを作成、編集するための回路パターン作成編集装置３２とを備える。
【００１５】
描画装置１０は、基板Ｓのフォトレジスト層をレーザビームによって所定の回路パターンに対応する部位だけ露光することにより、基板Ｓに回路パターンを直接描画するものである。図１では描画装置１０の輪郭が破線で示される。基板Ｓは、例えばプリント基板の内層板となるべき銅張積層板であり、長方形の板状に形成される。基板Ｓの表面には例えばドライフィルムレジストを加熱加圧によって基板Ｓに密着させるラミネート処理によりフォトレジスト層が形成される。
【００１６】
描画装置１０は、描画テーブル１２と、描画テーブル１２を移動自在に支持する基台１４と、この基台１４の上半分を覆う箱状のカバー部材１６とを備え、カバー部材１６の内部の所定位置には光学ユニット１８が固定される。描画テーブル１２の上面には基板Ｓが載置され、基板Ｓは図示しないクランプ部材によって所定位置に支持固定される。光学ユニット１８は、描画テーブル１２に支持された基板Ｓに所定の回路パターンを描画する描画手段として機能する。光学ユニット１８は図示しないレーザ光源と光学系とを備え、描画テーブル１２上の基板Ｓに向かって回路パターンに応じて変調したレーザビームＬＢを主走査方向に沿って出射する。基板Ｓのフォトレジスト層はレーザビームＬＢが照射された部位だけが光硬化させられる。
【００１７】
描画テーブル１２は、光学ユニット１８の略鉛直下方に位置する描画開始位置（一点鎖線で示す）と、基板を搬入または搬出するために外部に引き出されて露出した準備位置（実線で示す）との間で、副走査方向に沿って相対移動自在であり、カバー部材１６の側面の下方に形成された開口２０を通って進退する。
【００１８】
描画装置１０は、光学ユニット１８による主走査方向に沿うレーザビームＬＢの走査と、描画テーブル１２の副走査方向に沿う相対移動とを繰り返し行い、これにより基板Ｓに回路パターンが順次描画される。描画装置１０はμｍ単位の精度で描画することが可能である。描画テーブル１２の載置面上には基台１４に対して不動となったＸＹ２次元直交座標系が設定され、この座標系のＸ軸は副走査方向に延び、Ｙ軸は主走査方向に延び、座標原点は描画テーブル１２の図１中左下角に設けられる。
【００１９】
描画装置１０の動作は別体の制御装置３０によって制御される。詳述すると、描画テーブル１２は、Ｘ軸に沿って延びるレール（図示せず）上をモータ駆動により平行移動するＸテーブル（図示せず）およびＸテーブル上を水平面内でモータ駆動により回転するθテーブル（図示せず）の上に設けられ、制御装置３０によって２つのモータの駆動量即ち描画テーブル１２のＸ位置およびθ位置が制御される。回転方向θの回転中心は描画テーブル１２の中心に設定される。また、光学ユニット１８は、基板Ｓの描画すべき範囲を含みかつその描画幅よりも広い範囲を走査することが可能であり、主走査方向Ｙにおける走査開始位置は制御装置３０によって制御される。
【００２０】
制御装置３０には、エンジニアリングワークステーション（ＥＷＳ）等に代表される回路パターン作成編集装置３２が接続されており、描画装置１０による描画処理に先だって、回路パターン作成編集装置３２から描画すべき回路パターンの設計データ（ベクタデータ）が制御装置３０に与えられ、図示しないメモリに保存される。基板Ｓを描画する際には、制御装置３０は回路パターンのベクタデータをメモリから読み出してラスタデータに変換し、順次描画装置１０の光学ユニット１８に転送する。光学ユニット１８は転送されたラスタデータに基づいてレーザビームＬＢを変調する。
【００２１】
描画装置１０および制御装置３０の動作を説明する。まず描画テーブル１２が実線の準備位置に位置決めされ、手動または適当な移送機構によって基板Ｓが描画テーブル１２上に供給されると、基板Ｓは図示しないクランプ部材によって描画テーブル１２の所定位置、例えば基板Ｓの図１中最も座標原点に近い角部が常に同位置になるように固定される。
【００２２】
次に、描画処理に先立って基板方向検出処理が行われる。この基板方向検出処理では、基板Ｓは描画テーブル１２によって準備位置から描画開始位置まで副走査方向Ｘに移動させられ、そのとき描画テーブル１２に支持された基板Ｓの表裏および向きが検出される。描画テーブル１２は描画開始位置で一時停止させられる。そして、基板方向検出処理により検出された基板Ｓの表裏および向きが回路パターンに対応する場合、即ち描画テーブル１２に支持されている基板Ｓについて、回路パターンを描画すべき面が上方に向けられて光学ユニット１８に対向しており、なおかつその描画すべき面の水平面における向きが主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘの双方について描画すべき回路パターンの向きと合致する場合には、基板Ｓと回路パターンとを整合させるための調整処理が行われた後、描画処理が行われる。
【００２３】
描画処理においては、基板Ｓは光学ユニット１８で変調されたレーザビームＬＢによって主走査方向Ｙに走査されるとともに、図１の一点差線で示す描画開始位置から実線で示す準備位置に向かって、副走査方向Ｘに所定の速度で連続的に移動させられる。これにより基板Ｓのフォトレジスト層に回路パターンが順次描画され、描画テーブル１２が再び準備位置に戻ったときには、基板Ｓのフォトレジスト層のうち回路パターンに対応する部分だけが光硬化させられることになる。
【００２４】
描画処理が終了すると、描画済みの基板Ｓがクランプ部材から開放されて、図示しない移送機構により準備位置に戻された描画テーブル１２から排出される。なお、上記基板方向検出処理により検出された基板Ｓの表裏および向きが回路パターンに対応していない場合、即ち表裏または向きのいずれか一方でも合っていない場合には、描画テーブル１２は直ちに準備位置に戻され、基板Ｓは描画されずに排出される。
【００２５】
図２は基板Ｓを載置した描画テーブル１２を鉛直上方から見た平面図である。基板Ｓは、長さＸ０の長辺、長さＹ０の短辺を有する長方形の板部材であり、その厚みはｔ（図１）である。基板Ｓの４隅には、第１基準マークＰ１、第２基準マークＰ２、第３基準マークＰ３および第４基準マークＰ４がそれぞれ形成される。基板Ｓに形成すべき回路パターンの領域はこれら４個の基準マークＰ１〜Ｐ４の内側に配される。３個の基準マークＰ１、Ｐ３およびＰ４は直径Ｄ１の円形穴であり、残りの第２基準マークＰ２は直径Ｄ１より大きい直径Ｄ２の円形穴である。直径Ｄ１が例えば２ｍｍの場合、直径Ｄ２は２．５〜３ｍｍに設定される。第１〜第４基準マークＰ１〜Ｐ４は、ドリル加工あるいはパンチ加工等により形成される。
【００２６】
４個の基準マークＰ１〜Ｐ４は、それぞれの中心が短辺に対して距離Ｘ３だけ離れ、かつ長辺に対して距離Ｙ３だけ離れた位置に一致するように配される。また、基板Ｓの長辺の一方に沿って並ぶ２個の基準マークＰ１、Ｐ３の中心間の距離と、長辺の他方に沿って並ぶ２個の基準マークＰ２、Ｐ４の中心間の距離とは、共に長さＸ２（＝Ｘ０−Ｘ３×２）に等しい。また、基板Ｓの短辺の一方に沿って並ぶ２個の基準マークＰ１、Ｐ２の中心間の距離と、短辺の他方に沿って並ぶ２個の基準マークＰ３、Ｐ４の中心間の距離とは、共に長さＹ２（＝Ｙ０−Ｙ３×２）に等しい。
【００２７】
描画テーブル１２に対する基板Ｓの位置は、これら４個の基準マークＰ１〜Ｐ４の相対位置、詳しくはＸＹ２次元直交座標系における基準マークＰ１〜Ｐ４の中心のＸ座標およびＹ座標により示される。例えば、図１、２で示すように第１基準マークＰ１が最も座標原点に近くなるように描画テーブル１２に載置された基板Ｓに回路パターンを描画する場合、第１基準マークＰ１の座標を（Ｘ１，Ｙ１）とすると、第２基準マークＰ２の座標は（Ｘ１、Ｙ１＋Ｙ２）、第３基準マークＰ３の座標は（Ｘ１＋Ｘ２、Ｙ１）、第４基準マークＰ４の座標は（Ｘ１＋Ｘ２、Ｙ１＋Ｙ２）で表される。
【００２８】
上述した基板Ｓの外径寸法（Ｘ０、Ｙ０、ｔ）、基準マークＰ１〜Ｐ４の形状（円）と寸法（Ｄ１、Ｄ２）と描画テーブル１２上に配されるべき位置の座標｛Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）、Ｐ２（Ｘ１、Ｙ１＋Ｙ２）、Ｐ３（Ｘ１＋Ｘ２、Ｙ１）、Ｐ４（Ｘ１＋Ｘ２、Ｙ１＋Ｙ２）｝のデータは、回路パターン作成編集装置３２によって作成された設計データであり、制御装置３０には、描画すべき回路パターンのベクタデータにこれら設計データが組合わされて回路パターン作成編集装置３２から転送され、一時的にメモリ（図示せず）に格納されている。
【００２９】
描画テーブル１２に対する基板Ｓの表裏および向きが適正であるか否かは、２つのＣＣＤカメラ２２および２４を用いて測定された基準マークＰ１〜Ｐ４の相対位置と、制御装置３０に与えられた設計データとを比較することによって判定される。特に、４個の内、唯一寸法の異なる第２基準マークＰ２が描画テーブル１２に対してどの位置に配されているかによって、基板Ｓの表裏および水平面内での向きが判定される。
【００３０】
２つのＣＣＤカメラ２２および２４は、カバー部材１６の側面に設けられた固定焦点カメラであり、開口２０を通る鉛直下方の描画テーブル１２に対向している。ＣＣＤカメラ２２および２４は主走査方向Ｙに沿って延びる２本のレール２６および２８に沿って移動自在であり、そのＹ位置はそれぞれ制御装置３０によって制御されると共に常に監視されている。これらＣＣＤカメラ２２および２４の撮影動作は制御装置３０により制御される。
【００３１】
２つのＣＣＤカメラ２２、２４の視野は相対的に狭く、その撮像範囲は寸法の大きい方の第２基準マークＰ２が確実に撮影できる程度、具体的には第２基準マークＰ２の大きさに許容加工誤差や位置決め誤差を加味した程度に設定される。例えば第２基準マークＰ２の直径Ｄ２が３ｍｍ、許容加工誤差や位置決め誤差等を含む許容誤差が１ｍｍである場合には、ＣＣＤカメラ２２、２４における基板Ｓの撮像範囲は５ｍｍ四方程度の大きさに設定される。
【００３２】
基板方向検出処理では、まず制御装置３０は主走査方向Ｙに並ぶ２個の基準マークＰ１−Ｐ２間の距離Ｙ２の設計データをメモリから読み出し、ＣＣＤカメラ２２および２４間の距離が距離Ｙ２に一致するようにＣＣＤカメラ２２および２４を位置決めする。そして、準備位置に位置決めされた描画テーブル１２に基板Ｓが固定された後、制御装置３０はＣＣＤカメラ２２および２４の視野に基準マークＰ１、Ｐ２がそれぞれ収まるように描画テーブル１２のＸ位置を調整し、ＣＣＤカメラ２２および２４により基準マークＰ１、Ｐ２を撮影する。この撮影により得られた映像信号は制御装置３０に送られ、ここで画像処理により基準マークＰ１、Ｐ２のそれぞれの直径と中心座標が求められる。
【００３３】
続いて、基準マークＰ３およびＰ４を撮影するために、描画テーブル１２が描画開始位置に向かって移動させられる。その移動距離は副走査方向Ｘに沿って並ぶ２個の基準マークＰ１およびＰ３間の距離Ｘ２（または基準マークＰ２およびＰ４間の距離）に一致し、この距離Ｘ２はメモリから読み出される設計データである。そして、制御装置３０はＣＣＤカメラ２２および２４により基準マークＰ３、Ｐ４を撮影し、その直径および中心座標を求める。撮影が終了すると描画テーブル１２を描画開始位置で停止させる。
【００３４】
以上の動作により、４個の基準マークＰ１〜Ｐ４の直径および中心座標が得られる。制御装置３０は、直径Ｄ２を有する基準マークの中心座標が設計データである第２基準マークＰ２の中心座標（Ｘ１、Ｙ１＋Ｙ２）に一致するか否かを判定し、設計データに一致しない場合には基板Ｓの表裏または水平面内の向きが不適であると見做して、直ちに描画テーブル１２を準備位置に戻し、描画処理を行わない。基板Ｓの向きが異なって、直径Ｄ２を有する基準マークの中心座標が得られなかった場合も、基板Ｓの表裏または水平面内の向きが不適であると見做す。
【００３５】
直径Ｄ２を有する基準マークの座標が（Ｘ１、Ｙ１＋Ｙ２）に一致する場合には、基板Ｓの表裏および水平面内の向きが双方とも適正であると見做される。このとき、制御装置３０は、ＣＣＤカメラ２２および２４によって撮影された画像に基づいて求められた４個の基準マークＰ１〜Ｐ４の中心座標に基づいて、描画テーブル１２において基板Ｓが本来固定されるべき位置と実際に固定された位置とのずれ量、具体的には副走査方向Ｘに関するずれ量Ｘ’、主走査方向Ｙに関するずれ量Ｙ’および回転方向θに関するずれ量θ’を算出する調整処理を行った後、描画処理に進む、即ち描画テーブル１２を準備位置に向かって所定の速度で連続的に移動させつつ、光学ユニット１８でレーザビームＬＢによる走査を行う。
【００３６】
このように、描画装置１０は、描画テーブル１２に実際に載置された基板Ｓの表裏および向きが適正であるか否かを描画処理前に判別するため、基板Ｓの表裏または向きが間違えられて描画テーブル１２に置かれたとしても、誤った描画処理を自動的に停止させることができる。従って、例えば回路パターンが本来描画されるべき向きに対して９０度または１８０度回転して基板Ｓに描画されたり、基板Ｓの表面に描画されるべき回路パターンが裏面に描画される、という事態が回避できる。
【００３７】
また、基板Ｓに形成する４個の基準マークの内、１個だけ寸法を異ならせているので、作業者が基板Ｓの表裏および向きを視認しやすく、描画テーブル１２への投入位置の間違いが少なくなる。
【００３８】
なお、基板Ｓの表裏または水平面内の向きが適正であるか否かは、中心座標が（Ｘ１、Ｙ１＋Ｙ２）である基準マークの直径がＤ２であるか否かによって判定してもよい。また、基板Ｓの表裏および向きが不適である場合には、図示しないランプや表示装置によりエラーである旨を操作者に報知するように構成してもよい。
【００３９】
描画処理においては、基板Ｓに対する描画すべき回路パターンの位置ずれが相殺されるように、調整処理により求められたずれ量Ｘ’、Ｙ’およびθ’に基づいて、描画テーブル１２の描画開始位置（Ｘ位置、θ位置）が調整され、光学ユニット１８の主走査方向Ｙに関する走査開始位置（Ｙ位置）が調整される。即ち、描画テーブル１２は設計上定められた描画開始位置よりもＸ軸に沿って調整量（−Ｘ’）だけ移動し、さらに回転中心周りに調整量（−θ’）だけ回転した位置から相対移動を開始し、光学ユニット１８は設計上定められた走査開始位置よりも調整量（−Ｙ’）だけ移動した位置から走査を開始することになる。
【００４０】
従って、個々の基板Ｓの外形寸法誤差や基準マークＰ１〜Ｐ４の穴加工誤差あるいは基板Ｓの位置ずれ等の複合的な要因により、描画テーブル１２に対する基準マークＰ１〜Ｐ４の位置が個々の基板Ｓで異なることがあっても、ずれ量（Ｘ’、Ｙ’、θ’）が個々の基板Ｓ毎に求められ、位置ずれを解消するように描画テーブル１２および光学ユニット１８が調整されるので、基板Ｓに対して回路パターンを常に高精度に描画できる。
【００４１】
また、測定された基準マークＰ１〜Ｐ４の相対位置と設計データとに基づいて、基板Ｓの歪みや伸縮に応じて回路パターンを歪ませたり伸縮させる。基板Ｓは、研磨やメッキ等の整面処理や、ドライフィルムレジストのラミネート処理等の工程で、加熱または加圧による歪みや伸縮が生じたり、外形加工（裁断等）により外形寸法誤差が発生することがある。制御装置３０は、調整処理において基準マークＰ１〜Ｐ４の中心座標の測定値と設計データとを比較し、描画処理時の描画テーブル１２の移動速度や光学ユニット１８の走査タイミング等を基板Ｓの歪みや伸縮に応じて調整する。これにより、基板Ｓに対する回路パターンの位置決め精度を向上させることができる。なお、基板Ｓの歪みや伸縮が均一に生じないことを考慮すれば、基板Ｓと回路パターンとの位置決め精度を向上させるためには基準マークの数は４点以上が必要である。
【００４２】
以上のように、本実施形態の描画装置１０は、基準マークＰ１〜Ｐ４の中心座標データを、基板Ｓに対する回路パターンとの描画位置調整と、基板Ｓの方向検出との双方に用いている。即ち、基板Ｓに形成された４個の基準マークＰ１〜Ｐ４の描画テーブル１２に対する相対位置を検出して基板Ｓと回路パターンとを高精度に整合させるだけでなく、４個の基準マークＰ１〜Ｐ４に含まれる寸法の異なる１個の基準マークＰ２の相対位置に基づいて描画テーブル１２に対する基板Ｓの表裏および向きを検出して、描画エラーを未然に防止することができる。また、基板Ｓに形成する４個の基準マークの内、１個だけ寸法を異ならせているので、作業者が基板Ｓの表裏および向きを視認しやすく、描画テーブル１２への投入位置の間違いが少なくなる。
【００４３】
４個の基準マークＰ１〜Ｐ４の内、主走査方向Ｙに並ぶ２個の基準マークＰ１およびＰ２（または基準マークＰ３およびＰ４）のＸ座標は等しく、２つのＣＣＤカメラ２２、２４によって２個の基準マークが同時に撮影できるので、撮影動作は２回で済む。また、副走査方向Ｘに並ぶ２個の基準マークＰ１およびＰ３（または基準マークＰ２およびＰ４）のＹ座標は等しいので、ＣＣＤカメラ２２、２４の間隔を変更することなく２回の撮影動作を連続して行うことができる。
【００４４】
従来では、基板Ｓの表裏および向きを検出するために例えば基準マークのうちの１つのＸ位置またはＹ位置をずらしていたが、そのずらし量が少ない場合には作業者が表裏や向きを間違え易く、ずらし量が多い場合には視認は容易になる一方、固定された基準マーク検出用のＣＣＤカメラの視野から外れることがある。Ｘ位置をずらした場合には撮影回数が３回以上となり、またＹ位置をずらした場合にはさらにＣＣＤカメラ２２、２４の間隔を変更する必要があり、基準マークの計測全体に要する時間が長くなる。撮影回数を２回に留めるためにはＣＣＤカメラの視野を相対的に広く設定すればよいが、この場合ＣＣＤの１画素に結像される面積が広くなり、計測精度は低下する。しかしながら、本実施形態においては基板Ｓの基準マークＰ１およびＰ２（または基準マークＰ３およびＰ４）が同じＸ位置にあり、かつ基準マークＰ１およびＰ３（または基準マークＰ２およびＰ４）が同じＹ位置にあるため、２回の撮影動作で４個の基準マークＰ１〜Ｐ４が撮影でき、かつＣＣＤカメラ２２、２４の間隔を変更する必要がないので、従来の基準マークの１つの位置をずらす場合に比べて計測精度を低下させることなく計測時間を短縮できる。
【００４５】
なお、本実施形態の描画システムにおいて使用される基板Ｓには、１個だけ直径の異なる４個の円形穴を基準マークＰ１〜Ｐ４として用いているが、基準マークの形状は円形に限定されず、また第２基準マークＰ２の寸法だけではなく図３および図４のように形状を異ならせるように形成してもよい。また、寸法を異ならせる第２基準マークＰ２の位置も図２に示す基板Ｓの左上隅に限定されない。
【００４６】
図３は基板Ｓに形成する第２基準マークＰ２の他の例を示す図である。基板Ｓには、第１基準マークＰ１、第３基準マークＰ３および第４基準マークＰ４として直径Ｄ１の単一の円形穴が形成され、残りの１個の第２基準マークＰ２として直径Ｄ１より相対的に小さい直径Ｄ３を有する複数個（図３では４個）の円形穴が形成される。３個の基準マークＰ１、Ｐ３およびＰ４の直径Ｄ１が２ｍｍとすると、第２基準マークＰ２の大きさ、即ち４個の円形穴を含む領域の大きさは２．５ｍｍ〜３ｍｍ四方程度である。このとき、第２基準マークＰ２の中心は４個の円形穴から成る図形の中心に一致し、中心のＸ座標は第１基準マークＰ１のＸ座標（Ｘ１）に一致し、中心のＹ座標は第４基準マークＰ４のＹ座標（Ｙ１＋Ｙ２）に一致する。
【００４７】
図４は基板Ｓに形成する第２基準マークＰ２のさらに他の例を示す図である。本実施形態の描画システムは、プラズマディスプレイパネルを構成する透明のガラス基板に電極パターンを形成するために使用することもできる。このとき、基準マークＰ１〜Ｐ４として、基板Ｓを貫通する穴ではなく、一方の面に形成された不透明の図形（図４で黒塗りで示す十字形）が用いられる。ここで、基板Ｓの一方の面に形成された４個の基準マークのうち、３個の基準マークＰ１、Ｐ３およびＰ４は縦および横の長さが共にＬ１の十字形を呈し、残りの第２基準マークＰ２は縦および横の長さが共にＬ２（Ｌ２＞Ｌ１）の十字形を呈する。なお、形状は十字形に限定されないことはいうまでもない。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の描画システムは、基板に対するパターンの位置合せ精度を維持しつつ、基板の向きや表裏を容易に検出できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態である描画システムの概略を示す図である。
【図２】図２は描画テーブルに載置された基板を鉛直上方から見た平面図である。
【図３】基板に形成する基準マークの他の例を示す図である。
【図４】基板に形成する基準マークのさらに他の例を示す図である。
【符号の説明】
１０  描画装置
１２  描画テーブル
１８  光学ユニット
２２、２４  ＣＣＤカメラ
３０  制御装置
Ｓ  基板
Ｐ１  第１基準マーク
Ｐ２  第２基準マーク
Ｐ３  第３基準マーク
Ｐ４  第４基準マーク
【図１】
2005010702.tif 000003
【図２】
2005010702.tif 000004
【図３】
2005010702.tif 000005
【図４】
2005010702.tif 000006