(57)【要約】【課題】反応用プラズマのターゲット方向への侵入を防止し、成膜中のアーク放電の発生を防止すると共に膜表面にプラズマによるダメージがなく、面内分布が均一な膜が成膜できる反応性のスパッタ装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】真空容器３０の内部に配置する一対のターゲット３１と、この一対のターゲット３１に対してほぼ直交し、一対のターゲット３１で構成される空間から離間した位置に配置する基板ホルダー３３と、この基板ホルダー３３の近傍においてアフターグロープラズマにより反応用プラズマを発生させるプラズマ源３７と、このプラズマ源３７から真空容器３０とを接続する導入管３８とからなるスパッタ装置であり、基板ホルダー３３の近傍にはアフターグロープラズマからなる反応用プラズマを生成することができるため、所望の化合物膜をプラズマによるダメージがなく、所望の基板温度で成膜することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に配置する一対のターゲットと、この一対のターゲットに対してほぼ直交し、前記一対のターゲットで構成される空間から離間した位置に配置する基板ホルダーと、この基板ホルダーの近傍においてアフターグロープラズマにより反応用プラズマを発生させるプラズマ源と、このプラズマ源から前記真空容器とを接続する導入管とからなるスパッタ装置。
【請求項２】
プラズマ源と導入管とを少なくとも２つ配置した請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
プラズマ源と真空容器とを接続する導入管の周囲を磁気シールドで覆う構成とした請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
プラズマ源に導入するガスを酸素ガスまたは水素ガスとする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
基板ホルダーの基板取付け位置に対して反対側または外周領域部に前記基板取付け位置表面に対して平行な磁場を印加する磁石を設けた請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項６】
導入管を真空容器内で少なくとも２つに分岐して基板ホルダーの近傍まで延在する構成とした請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項７】
導入管の軸方向に平行な磁場を印加するコイルまたは磁石を設けた請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項８】
コイルまたは磁石の外周領域部を軟磁性体で覆う構成とした請求項７に記載のスパッタ装置。
【請求項９】
真空容器内の基板取付け位置に対して反対側の壁部に排気口を設けた請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項１０】
プラズマ源を直流プラズマ、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、サイクロトロン共鳴プラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、または誘導結合励起プラズマの少なくとも１つとする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項１１】
基板ホルダーの近傍にプラズマモニターまたはラングミュアプローブを設けた請求項１記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置としては、図４に示すものがある。
【０００３】
図４は従来の対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置の概略図である。
【０００４】
図４において、１はシールドカバー、２は酸素プラズマ発生用高周波電源、３は磁石、４はターゲット、５は基板、６は酸素ガス噴出口、７は電極、８は直流電源、９はアルゴンガス導入口である。
【０００５】
一対のターゲット４は間隔をおいて対向して設置し、ターゲット４の後方には一対のターゲット４の間に磁場空間を形成するための磁石３を設置する。基板５は一対のターゲット４の側面に磁場空間に対面するように設置する。アルゴンガス導入口９はターゲット４の側方近傍に設けられており、アルゴンガス導入口９からアルゴンガスを導入した後、一対のターゲット４に直流電源８から直流電圧を印加することにより、磁場空間に閉じ込められたアルゴンプラズマが生成される。また基板５の表面側方には酸素ガス噴出口６が設けられ、その内部に酸素プラズマ発生用高周波電源２に接続した電極７が配置されている。酸素ガス噴出口６は電極７の上部や下部に設置しても構わない。この装置によりアルゴンプラズマによりスパッタされたターゲット４から飛び出すスパッタ粒子を基板５の表面側方に設置された電極７の近傍で生成された酸素プラズマにより酸化させて基板５の上に成膜している（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
また、従来のプラズマ源としては、図５に示すものがある。
【０００７】
図５は従来のプラズマ源の概略図である。
【０００８】
図５において、１１はＥＣＲ用電磁石、１２は窓、１３は導波管、１４は第一ガス導入管、１５はプラズマ室、１６は開口部、１７は磁場整形用電磁石、１８はアフターグロー輸送室、１９はガス吹出部、２０は第二ガス導入管、２１は電子反発電極、２２はイオン反発電極、２３は排気口、２４は処理室、２５は基板、２６は基板ホルダーである。
【０００９】
プラズマ源はプラズマ室１５にてガスを放電させてプラズマＡを発生させ、このプラズマＡをアフターグローとして引き出すと共に、このプラズマアフターグローＢを輸送しながら、これに含まれるイオンを中性化して中性粒子とするアフターグロー輸送室１８と、アフターグロー輸送室１８で生成した中性粒子を導入して基板２５を表面処理する処理室２４とを備えている。プラズマ室１５は電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いたマイクロ波プラズマ発生室であり、その周囲にはＥＣＲ用電磁石１１が配設され、かつ導波管１３に伝送されてきたマイクロ波が窓１２を通して内部に導入されるようになっている。またこのプラズマ室１５には放電用ガスが第一ガス導入管１４から供給されるようになっている。
【００１０】
また、処理室２４とアフターグロー輸送室１８の境界位置には開口部１６が形成されており、開口部１６を通してプラズマ室１５で発生させたプラズマＡがプラズマアフターグローＢとしてアフターグロー輸送室１８に引き出されるようになっている。アフターグロー輸送室１８にはその外側周囲に磁場整形用電磁石１７が巻回されており、図５に示すようにプラズマ室１５から処理室２４の方向に静磁界Ｃが形成されるようになっており、またアフターグロー輸送室１８の内側周囲にはリング状のガス吹出部１９が配設され、第二ガス供給管２０から供給された電荷交換用ガスが前記吹出部１９からプラズマアフターグローＢに供給されるようになっている。
【００１１】
したがって、プラズマアフターグローＢは幅が束縛された状態で処理室２４の方向に輸送され、これに含まれる正イオンは方向が整えられてイオンビームとなり、このイオンビームはその途中で電荷交換用ガスとの電荷交換反応により中性化され、方向が揃った中性粒子ビームが形成される。アフターグロー輸送室１８と処理室２４の境界位置には電子反発電極２１とイオン反発電極２２とが隣接して配設されており、電子反発電極２１により中性粒子ビーム中の電子および負イオンは反発除去され、電子反発電極２１を通過した正イオンはイオン反発電極２２により反発除去され、処理室２４には中性粒子ビームＤのみが導入されるようになっている。処理室２４は排気口２３に接続された真空ポンプ（図示せず）により所望の真空度に調節可能となっており、またその内部には基板ホルダー２６が配設されており、基板ホルダー２６に前記基板２５が取り付けられるようになっている。
【００１２】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１、２が知られている。
【００１３】
【特許文献１】
特開平２−３８３１０号公報
【特許文献２】
特開平６−２５２０９８号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置においては、酸素プラズマ発生用高周波電源２に接続した電極７が基板５の近傍に設置されているため、基板５が高電子温度プラズマ中にさらされて膜がダメージを受けてしまう、また意図していない基板加熱がされてしまい、所望の基板温度で成膜を行うことができないという課題を有していた。
【００１５】
また、従来のプラズマ源をそのまま反応性のスパッタ装置の反応用プラズマ発生用のプラズマ源として用いた場合には、中性粒子ビームＤの径方向分布が不均一なため、成膜した膜の膜質および膜厚の面内分布が不均一になる、また中性子ビームＤがターゲット方向に侵入して、ターゲット材と反応してターゲット表面に化合物を生成してしまい、成膜中にアーク放電が発生してしまうという課題を有していた。
【００１６】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、反応用プラズマのターゲット方向への侵入を防止し、成膜中のアーク放電の発生を防止すると共に膜表面にプラズマによるダメージがなく、面内分布が均一な膜が成膜できる反応性のスパッタ装置を提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１８】
本発明の請求項１に記載の発明は、真空容器内に配置する一対のターゲットと、この一対のターゲットに対してほぼ直交し前記一対のターゲットで構成される空間から離間した位置に配置する基板ホルダーと、この基板ホルダーの近傍においてアフターグロープラズマにより反応用プラズマを発生させるプラズマ源と、このプラズマ源から前記真空容器とを接続する導入管とからなるスパッタ装置であり、基板ホルダーの近傍にはアフターグロープラズマからなる反応用プラズマを生成することができるため、所望の化合物膜をプラズマによるダメージがなく、所望の基板温度で成膜することができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、プラズマ源と導入管とを少なくとも２つ配置した請求項１に記載のスパッタ装置であり、反応用プラズマを基板表面に均一に分布することができる。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、プラズマ源と真空容器とを接続する導入管の周囲を磁気シールドで覆う構成とした請求項１に記載のスパッタ装置であり、導入管に設置されたコイルまたは磁石から発生した磁場およびプラズマ源で発生した磁場を真空容器の外側でシールドすることが可能となるため、磁場による真空容器の内部に発生している磁場並びにプラズマ分布への干渉を防止することができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、プラズマ源に導入するガスを酸素ガスまたは水素ガスとする請求項１に記載のスパッタ装置であり、アフターグロープラズマ中の励起された酸素または水素と電子が弾性衝突を繰り返し、電子温度を急激に低下させることができる。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、基板ホルダーの基板取付け位置に対して反対側または外周領域部に前記基板取付け位置表面に対して平行な磁場を印加する磁石を設けた請求項１に記載のスパッタ装置であり、基板ホルダー近傍の反応用プラズマを均一な状態とすることができるため基板表面に均一な膜を形成し、閉じ込めた状態にできる。
【００２３】
請求項６に記載の発明は、導入管を真空容器内で少なくとも２つに分岐して基板ホルダーの近傍まで延在する構成とした請求項１に記載のスパッタ装置であり、基板ホルダー近傍の反応用プラズマを均一な状態とすることができる。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、導入管の軸方向に平行な磁場を印加するコイルまたは磁石を設けた請求項１に記載のスパッタ装置であり、磁場によりアフターグロープラズマの管軸方向への拡散を抑えることができるためアフターグロープラズマの導入管の管壁での表面再結合による消滅を抑えることができ、アフターグロープラズマを高密度のまま維持することができる。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、コイルまたは磁石の外周領域部を軟磁性体で覆う構成とした請求項７に記載のスパッタ装置であり、コイルまたは磁石から発生する磁場による真空容器内の磁場分布およびプラズ分布への干渉を防止することができる。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、真空容器内の基板取付け位置に対して反対側の壁部に排気口を設けた請求項１に記載のスパッタ装置であり、反応用プラズマの一対のターゲット方向への侵入を防止することができるため成膜中のアーク放電の発生を抑制することができる。
【００２７】
請求項１０に記載の発明は、プラズマ源を直流プラズマ、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、サイクロトロン共鳴プラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、または誘導結合励起プラズマの少なくとも１つとする請求項１に記載のスパッタ装置であり、高密度プラズマを発生させることができる。
【００２８】
請求項１１に記載の発明は、基板ホルダーの近傍にプラズマモニターまたはラングミュアプローブを設けた請求項１に記載のスパッタ装置であり、基板ホルダー近傍の反応性プラズマの電子密度、電子温度等のプラズマパラメータを常にモニタリングして、直流電源、高周波電源またはマイクロ波電源の印加電力およびコイルまたは磁石から発生する導入管の軸方向の磁場の強さを制御しながら成膜を行うことにより、所定の膜質の膜を形成することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態による対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置の全体構成について図１〜図３を用いて説明する。
【００３０】
図１は本発明のスパッタ装置の構成を示す概略図、図２は本発明のスパッタ装置に形成されるプラズマ分布を示す説明図、図３（ａ）〜（ｃ）は本発明のスパッタ装置に用いる導入管の概略図である。
【００３１】
図１および図２において、３０は真空容器、３１はターゲット、３２はシールドカバー、３３は基板ホルダー、３４は基板、３５は磁石、３６は磁石、３７はプラズマ源、３８は導入管、３９は磁気シールド、４０はコイルまたは磁石、４１は導入管カバー、４２はスパッタガス導入口、４３は直流電源を、４４は排気口、４５は反応ガス導入口、４６はプラズマモニターまたはラングミュアプローブを示している。
【００３２】
真空容器３０の内部に一対のターゲット３１、３１が空間を隔ててほぼ平行に対向して配置されており、一対のターゲット３１、３１の間の空間より離間した位置に基板ホルダー３３が配置されている。一対のターゲット３１、３１の間の距離は１００ｍｍ〜１８０ｍｍ、一対のターゲット３１、３１の中心軸から基板までの距離は１００〜１８０ｍｍが望ましい。また一対のターゲット３１、３１は高い成膜速度を得るために表面の抵抗率が０．０１（Ωｃｍ）程度の導電性のあるターゲットを用いることが望ましい。基板ホルダー３３の近傍には反応用プラズマのプラズマパラメータをモニタリングするために、プラズマモニターまたはラングミュアプローブ４６が設置されている。プラズマモニターまたはラングミュアプローブ４６は基板ホルダー３３の外周部から５ｍｍ以内に配設することが望ましい。
【００３３】
基板ホルダー３３上には一対のターゲット３１、３１の間の空間に対向するように基板３４が設置されている。一対のターゲット３１、３１の背面側には一対のターゲット３１、３１の間に磁場Ｂ１を形成するためのスパッタプラズマ閉じ込め用の磁石３５が設置されており、一対のスパッタプラズマ閉じ込め用の磁石３５、３５は磁場Ｂ１が一方のターゲット３１から他方のターゲット３１の方向に走るように、対向する部分が対極をなしている。磁石３５の材質にはアルニコ磁石、フェライト磁石、サマリウム・コバルト磁石、ネオジウム・鉄・ボロン磁石等様々な公知の磁石を用いることができる。
【００３４】
基板ホルダー３３の上の基板３４の取付け位置に対して反対側または基板３４の取付け位置の外周領域部には基板３４の表面に対して平行な磁場Ｂ２を形成するための反応用プラズマ閉じ込め用の磁石３６が設置されている。反応用プラズマ閉じ込め用の磁石３６もスパッタプラズマ閉じ込め用の磁石３５と同様に、様々な公知の磁石を用いることができる。またターゲット３１の表面の外周部を覆うようにシールドカバー３２が設けられている。シールドカバー３２はアースに接続されている。
【００３５】
真空容器３０の外側にはプラズマ源３７が複数個配置されており、導入管３８によって真空容器３０とプラズマ源３７とが接続されている。複数個の導入管３８は基板３４を中心として対称な位置に配設することが望ましい。プラズマ源３７への電力投入に用いる直流電源、高周波電源またはマイクロ波電源（図示せず）はプラズマ源３７と同数用意しても良いし、一台で複数のプラズマ源３７に電力投入を行っても良い。導入管３８の材質は石英ガラスに代表されるような非磁性体であり、かつ耐熱性の高いものが望ましい。導入管３８の材質に磁性体を用いた場合、導入管３８に設置されたコイルまたは磁石４０によって発生した磁場Ｂ３が導入管３８の内部に効果的に印加されなくなってしまう。導入管３８の形状は円筒形状、矩形形状等様々な形状のものを用いることができる。円筒形状の導入管３８の断面の直径と、矩形形状の導入管３８の断面の正方形の一辺の長さが等しい場合を比較すると、矩形形状の導入管３８の方が管壁での表面再結合によるプラズマの消滅の影響が少なく、高密度のアフターグロープラズマが得られるために矩形形状の導入管３８の方が有利である。
【００３６】
導入管３８と真空容器３０の接続部領域の周囲には磁気シールド３９が設けられており、この磁気シールド３９は軟鉄、パーマロイ、フェライト等の軟磁性体の板材や他の様々な公知の磁気シールド材からなるものである。磁気シールド３９を設置することにより導入管３８に設置されたコイルまたは磁石４０から発生した磁場およびプラズマ源３７で発生した磁場を真空容器３０の外側でシールドすることが可能となるため、磁場による真空容器３０の内部に発生している磁場およびプラズマ分布への干渉を防止することができる。つまり真空容器３０の外側と内側の磁場を独立して考えることが可能になる。なお磁場Ｂ１およびＢ２の分布をガウスメーターにて測定したところ、設計通りの分布が得られており、真空容器３０の外側で発生した磁場が真空容器３０の内部に影響を及ぼしていないことが確認できた。
【００３７】
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように導入管３８は少なくとも複数に分岐し、基板３４の近傍まで延在されている。導入管３８の分岐された管はすべて等しい形状となっている。すなわち導入管３８のプラズマ導入側の端部からプラズマ吹き出し側の端部までの距離が分岐されたどのルートを通っても等しくなるようになっている。また導入管３８にはプラズマ源３７と真空容器３１の間に導入管３８の管軸方向に平行な磁場を印加するためのコイルまたは磁石４０が設置されており、コイルまたは磁石４０はその外周領域部が軟磁性体からなる導入管カバー４１で覆われている。そのためコイルまたは磁石から発生する磁場による真空容器内の磁場分布およびプラズマ分布への干渉を防止することができる。
【００３８】
導入管カバー４１の形状は図３（ａ）〜（ｃ）のように、導入管３８の周囲のコイルまたは磁石４０で覆われ、導入管３８の開口部のみが開いている形状であればどのような形でもよく、他の平面からなる多面体、自由曲面からなる構造体のような形状が考えられる。
【００３９】
以上のように構成された本発明の一実施の形態による対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置を用いた成膜プロセスについて図面を参照しながら説明する。
【００４０】
まず、図１および図２に示すように、反応ガス導入口４５から酸素ガスまたは水素ガスからなる反応ガスをプラズマ源３７に導入する。反応ガスは直流プラズマ、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、サイクロトロン共鳴プラズマ、へリコン波励起プラズマ、または誘導結合励起プラズマからなるプラズマ源３７により励起され、高密度プラズマＰ２を生成する。なお反応ガスに酸素ガスを用いた場合の高密度プラズマＰ２の電子密度をラングミュアプローブを用いて測定を行ったところ、１０１１〜１０１３ｃｍ−１程度の非常に高密度なプラズマが得られた。
【００４１】
プラズマ源３７で生成された高密度プラズマＰ２は反応ガス導入口４５から導入される反応ガスによるガス流で、導入管３８の内部にアフターグロープラズマＰ３として導かれる。導入管３８の周囲には導入管３８の管軸方向に平行な磁場Ｂ３を印加するためのコイルまたは磁石４０が設置されており、磁場Ｂ３によりアフターグロープラズマＰ３の管軸方向への拡散を抑えることができる。そのためアフターグロープラズマＰ３の導入管３８の管壁での表面再結合による消滅を抑えることができ、アフターグロープラズマＰ３は高密度のまま維持される。
【００４２】
また、本発明による反応ガスは酸素ガスまたは水素ガスからなるためアフターグロープラズマＰ３の中の励起された酸素または水素と電子が弾性衝突を繰り返し、電子温度が急激に低下する。
【００４３】
ここで、反応ガスに窒素ガスを用いた場合にはアフターグロープラズマＰ３の中には準安定準位に励起された窒素が多数存在し、準安定準位にある窒素と電子が非弾性衝突をすることにより、そのエネルギーを電子に転嫁するため電子が再加熱をされて電子温度が増加してしまう。したがって本発明に窒素ガスを用いることはできない。
【００４４】
アフターグロープラズマＰ３は反応ガスによるガス流によりさらに導入管３８の基板ホルダー３３の側端部まで導かれ、導入管３８の端部から基板ホルダー３３の方向へアフターグロープラズマＰ３が吹き出し、基板ホルダー３３の近傍に低電子温度で高密度なアフターグロープラズマからなる反応用プラズマＰ４を形成する。プラズマ源３７および導入管３８は複数個存在し、また導入管３８は真空容器３０の内部で少なくとも複数に分岐して基板ホルダー３３の近傍まで延在されていて、分岐したそれぞれの管の経路長は等しいため反応用プラズマＰ４は基板３４の表面に均一に分布する。
【００４５】
また、基板ホルダー３３の後方には反応用プラズマ閉じ込め用の磁石３６が設置してあり、反応用プラズマ閉じ込め用の磁石３６により基板３４の表面に平行な磁場Ｂ２が印加される。したがって反応用プラズマＰ４は基板３４表面に均一な面内分布が形成され、閉じ込められた状態となる。反応用プラズマＰ４は低電子温度で高密度なプラズマであるため、反応用プラズマＰ４により基板３４に成膜する膜がダメージを受けることはなく、また意図しない基板加熱もない。なお反応ガスとして酸素ガスを導入管３８として直径１０ｍｍの円筒状の導入管を用いて１５００Ｇａｕｓｓの管軸方向に平行な磁場を印加した場合、反応用プラズマＰ４として電子密度は１０１０ｃｍ−１程度、電子温度は１ｅＶ以下の低電子温度で高密度なプラズマが得られた。
【００４６】
また、基板表面の電子密度および電子温度の面内分布はほぼ一定であった。
【００４７】
このように基板３４の表面に反応用プラズマＰ４が形成された状態でスパッタガス導入口４２からアルゴンガス、クリプトンガスのような不活性ガスに代表されるスパッタガスを導入する。次に一対のターゲット３１、３１に接続された直流電源４３から一対のターゲット３１、３１を陰極とすべく電圧を印加することにより、一対のターゲット３１、３１間のスパッタガスがイオン化してスパッタプラズマＰ１を生成する。スパッタプラズマＰ１は一対のターゲット３１、３１の間を往復して一対のターゲット３１、３１をスパッタする。一対のターゲット３１、３１の背面側にはスパッタプラズマ閉じ込め用の磁石３５が設置されており、一方のターゲット３２から他方のターゲット３２の方向に走るように磁場Ｂ１が発生する。この磁場Ｂ１によりスパッタプラズマＰ１は一対のターゲット３１、３１の間に形成されるため、基板３４はスパッタプラズマＰ１にさらされてダメージを受けることはない。スパッタプラズマＰ１によってスパッタされた一対のターゲット３１、３１から飛び出したスパッタ粒子は基板３４の方向に飛散する。そしてスパッタ粒子は基板３４表面に生成された反応用プラズマＰ４と基板３４の表面で反応を起こし、基板３４の上に酸化物または水素化合物を形成する。反応用プラズマＰ４は基板３４の上に均一な面内分布で生成されているため、成膜する酸化物または水素化合物が均一な膜質で形成される。
【００４８】
また、基板ホルダー３３の基板３４の取付け位置に対して反対側に位置する真空容器３０の壁部に排気口４４が設けられていることから、一対のターゲット３１、３１方向から排気口４４の方向へのガス流Ｇが生じ、また反応用プラズマＰ４は反応用プラズマ閉じ込め用の磁石３６によって基板３４の表面に形成されているため、反応用プラズマＰ４が一対のターゲット３１、３１の間に侵入することがない。そのため反応用プラズマＰ４と反応して一対のターゲット３１、３１の表面にターゲット材の酸化物または水素化合物が生成されてしまうことがないため、成膜中のアーク放電の発生を防止することが可能となる。成膜中には基板ホルダー３３の近傍に設置されたプラズマモニターまたはラングミュアプローブ４６で反応用プラズマＰ４の各種プラズマパラメータを常にモニタリングしており、所定の組成の酸化物または水素化合物が得られるように反応ガスの流量やプラズマ源３７に投入する電力を調整して反応用プラズマのプラズマ状態を抑制している。
【００４９】
本発明のスパッタ装置において、ターゲット３１としてボロンをドーピングした導電率が０．０２Ωｃｍのシリコンターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンガスを５０〜１００ｓｃｃｍ、反応ガスとして酸素ガスを２０〜４０ｓｃｃｍ導入してＳｉ基板上にＳｉＯ２膜の作製を行った。一対のターゲット３１、３１には直流電源４３から２〜３ｋＷの電力を投入して一対のターゲット３１、３１の間の空間にアルゴンプラズマによるスパッタプラズマＰ１を発生させて一対のターゲット３１、３１をスパッタした。
【００５０】
基板３４の表面には電子密度１０１０ｃｍ−１程度、電子温度１ｅＶ以下の低電子温度で高密度な反応用酸素プラスマＰ４が生成されている。上記のような条件で基板３４の上に成膜を行った。その結果成膜中のアーク放電の発生はほとんどなく、基板温度は最高でも８０℃に抑えることができた。ここで成膜速度は４０〜６０ｎｍ／分であり、通常のマグネトロンスパッタの５倍程度の成膜速度が得られた。波長分散型ＥＰＭＡを用いて作製した膜の組成分析を行ったところ、ｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２の非常に良好な膜が得られた。またプリズムカプラを用いて膜の屈折率の測定を行ったところ１．４５７（波長６３３ｎｍ）とバルクのＳｉＯ２に等しい屈折率が得られ、屈折率の４ｉｎｃｈ基板上での面内分布は０．０５％未満となり非常に良好だった。
【００５１】
一方、従来の反応性スパッタ装置を用いてＳｉＯ２膜の成膜を行ったところ、ターゲットに２．０ｋＷ以上の電力を投入すると成膜中にアーク放電が発生し、膜中に多数の異物が混入して膜の組成の制御を行うとができなかった。またターゲットに１．５ｋＷの電力を投入して成膜を行ったところ、基板近傍の酸素プラズマによるイオン衝撃で基板が加熱されてしまい基板温度が１３０℃以上になった。成膜速度は２０ｎｍ／ｍｉｎ以下となり、屈折率の４ｉｎｃｈ基板上での面内分布は０．０８％以上となってしまった。
【００５２】
以上のように、本発明の一実施の形態による対向ターゲット式スパッタ装置における反応性のスパッタ装置は真空容器３０の外に設置されたプラズマ源３７で生成された高密度プラズマのアフターグロープラズマからなる反応用プラズマＰ４を基板３４の表面に均一な面内分布で生成することができるために、スパッタプラズマＰ１によりスパッタされた一対のターゲット３１、３１から飛び出したスパッタ粒子が基板３４の表面で反応用プラズマＰ４と反応してスパッタ粒子の酸化物または水素化合物を基板３４の上に成膜することが可能となる。また基板ホルダー３３の基板３４の取付け位置に対して反対側に位置する真空容器３０の壁部に排気口４４が設けられていることから、一対のターゲット３１、３１方向から排気口４４の方向へのガス流Ｇが生じ、反応用プラズマＰ４とターゲット材との反応による一対のターゲット３１、３１の表面への酸化物または水素化合物が生成を抑制することができ、成膜中のアーク放電の発生を防止することが可能となる。
【００５３】
なお、本発明の一実施の形態では成膜プロセスにおいて、基板３４の表面に反応用プラズマＰ４を形成した後、スパッタプラズマＰ１を発生させて成膜を行う場合について説明したが、基板３４の表面をシャッター（図示せず）で覆ってスパッタ粒子が基板３４の上に飛散しない状態にしてスパッタプラズマＰ１を発生させた後、反応用プラズマＰ４を基板３４の表面に形成してシャッター（図示せず）を開けることで成膜を行っても良い。
【００５４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、真空容器内に配置する一対のターゲットと、この一対のターゲットに対してほぼ直交し、前記一対のターゲットで構成される空間から離間した位置に配置する基板ホルダーと、この基板ホルダーの近傍においてアフターグロープラズマにより反応用プラズマを発生させるプラズマ源と、このプラズマ源から前記真空容器とを接続する導入管とからなるスパッタ装置であり、基板ホルダー近傍にはアフターグロープラズマからなる反応用プラズマを生成することができるため、所望の化合物膜をプラズマによるダメージがなく、所望の基板温度で成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスパッタ装置の構成を示す概略図
【図２】本発明のスパッタ装置に形成されるプラズマ分布を示す説明図
【図３】（ａ）〜（ｃ）本発明のスパッタ装置に用いる導入管の概略図
【図４】従来の対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置の概略図
【図５】従来のプラズマ源の概略図
【符号の説明】
３０  真空容器
３１  ターゲット
３２  シールドカバー
３３  基板ホルダー
３４  基板
３５  スパッタプラズマ閉じ込め用の磁石
３６  反応用プラズマ閉じ込め用の磁石
３７  プラズマ源
３８  導入管
３９  磁気シールド
４０  コイルまたは磁石
４１  導入管カバー
４２  スパッタガス導入口
４３  直流電源
４４  排気口
４５  反応ガス導入口
４６  プラズマモニターまたはラングミュアプローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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