(57)【要約】【課題】ガスをウエハの全面にわたって均一に供給する。【解決手段】ウエハ１群を保持するボート２５を収容して処理する処理室３２を形成したプロセスチューブ３１と、処理室３２に処理ガス６１を供給するガス供給管３５と、処理室３２を排気する排気管３６と、処理室３２の内周面にプラズマ室４０を形成するように敷設された隔壁４１と、隔壁４１に開設された吹出口４２とを備えたバッチ式リモートプラズマＣＶＤ装置において、処理室３２には上下端板５１、５２と四本の支柱５３と一対の仕切板５４、５４を備えた仕切板アッシー５０がボート２５と同心円に設置されており、両仕切板５４、５４の間はガス供給管側流通口５５と排気管側流通口５６とを構成している。【効果】吹出口から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口からウエハ間に流れ込んでウエハ全面に行き渡るので、ガス処理は均一に施される。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置され前記ガス供給管側と前記排気管側とに各流通口をそれぞれ有する仕切板とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、ガスの整流技術に関し、例えば、半導体装置の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜を堆積（デポジション）するのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｒｙ  ）のキャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ  ）の静電容量部（絶縁膜）を形成するための五酸化タンタル（Ｔａ２  Ｏ５  ）膜の表面近傍に付着したカーボン（Ｃ）を除去する基板処理装置として、バッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。その一例として、複数枚の被処理基板が搬入される処理室を備えたプロセスチューブの前記処理室には互いに近接した一対の電極が配置されているとともに、両電極間には高周波電力を印加する電源が接続されており、前記処理室には前記両電極間を含み前記処理室と独立した放電室が形成されており、この放電室には処理ガスを前記処理室に供給するガス吹出口が開設されているバッチ式リモートプラズマ処理装置、がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２８０３７８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、次のような問題点がある。被処理基板の表面に処理ガスを供給したいが、被処理基板の全面に処理ガスが行き渡る前に排気されてしまう。ガス吹出口から吹き出した処理ガスの一部が被処理基板の間を流れずに側方を流れて排気されてしまう。
【０００５】
本発明の目的は、ガスを被処理基板の表面に供給することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置され前記ガス供給管側と前記排気管側とに各流通口をそれぞれ有する仕切板とを備えていることを特徴とする。
【０００７】
前記手段によれば、ガス供給管から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口から仕切板が囲んだ空間に流れ込み、流れ込んだガスは基板の全面に行き渡った後に、仕切板の排気管側の流通口から排気口によって排気される。したがって、ガスは基板の全面に接触するので、ガスによる処理は基板の全面にわたって均一に施されることになる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されている。図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は筐体１１を備えており、筐体１１の前面にはカセット授受ユニット１２が設備されている。カセット授受ユニット１２はウエハ１のキャリアであるカセット２を二台載置することができるカセットステージ１３を備えており、カセットステージ１３の下方にはウエハ姿勢整合装置１４が二組設備されている。外部搬送装置（図示せず）によって搬送されて来たカセット２がカセットステージ１３に垂直姿勢（カセット２に収納されたウエハ１が垂直になる状態）で載置されると、ウエハ姿勢整合装置１４がカセット２に収納されたウエハ１のノッチやオリエンテーションフラットが同一になるようにウエハ１の姿勢を整合する。カセットステージ１３は９０度回転することにより、カセット２を水平姿勢にさせるようになっている。筐体１１の内部にはカセット授受ユニット１２に対向してカセット棚１５が設備されており、カセット授受ユニット１２の上方には予備カセット棚１６が設備されている。カセット授受ユニット１２とカセット棚１５との間には、カセット移載装置１７が設備されている。カセット移載装置１７は前後方向に進退可能なロボットアーム１８を備えており、ロボットアーム１８は横行および昇降可能に構成されている。ロボットアーム１８は進退、昇降および横行の協働により、カセットステージ１３の上の水平姿勢となったカセット２をカセット棚１５または予備カセット棚１６へ搬送して移載するようになっている。カセット棚１５の後方にはウエハ１を複数枚一括して、または、一枚宛移載することができるウエハ移載装置１９が回転および昇降可能に設備されている。ウエハ移載装置１９は進退可能なウエハ保持部２０を備えており、ウエハ保持部２０には複数枚のウエハ保持プレート２１が水平に取り付けられている。ウエハ移載装置１９の後方にはボートエレベータ２２が設備されており、ボートエレベータ２２のアーム２３には基板保持具としてのシールキャップ２４が水平に設置されている。
【００１０】
図２〜図５に示されているように、ＣＶＤ装置１０は石英ガラス等の耐熱性の高い材料が用いられて一端が開口で他端が閉塞の円筒形状に形成されたプロセスチューブ３１を備えており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３３を形成している。プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３４が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３４はＣＶＤ装置１０の筐体１１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１１】
プロセスチューブ３１の炉口３３の付近における側壁の一部には、処理ガスを供給するためのガス供給管３５の一端が接続されており、ガス供給管３５の他端は処理ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。プロセスチューブ３１の炉口３３の付近における側壁のガス供給管３５と１８０度反対側の部位には、排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。プロセスチューブ３１の下端面には炉口３３を閉塞するシールキャップ２４が、垂直方向下側からシールリング３８を挟んで当接されるようになっている。シールキャップ２４は炉口３３の内径よりも大径の外径を有する円盤形状に形成されており、プロセスチューブ３１の外部に垂直に設備されたボートエレベータ２２によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２４の中心線上には回転軸３９が挿通されており、回転軸３９はシールキャップ２４と共に昇降し、かつ、回転駆動装置（図示せず）によって回転されるようになっている。回転軸３９の上端には被処理基板としてのウエハ１を保持するためのボート２５が、断熱キャップ部３７を介して垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート２５は上下で一対の端板２６、２７と、両端板２６、２７間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２８とを備えており、各保持部材２８には多数条の保持溝２９が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。そして、ウエハ１の外周縁辺が各保持部材２８の多数条の保持溝２９間にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１がボート２５に水平にかつ互いに中心を揃えられて整列されて保持されるようになっている。ボート２５の下側端板２７の下面には断熱キャップ部３７が形成されており、断熱キャップ部３７の下端面が回転軸３９に支持されている。
【００１２】
プロセスチューブ３１におけるガス供給管３５と対向する部分には、樋形状の隔壁４１がプロセスチューブ３１の内周面と平行で上下方向に延在するように敷設されており、隔壁４１は気密のプラズマ室４０を形成するように構成されている。隔壁４１には複数個の吹出口４２がボート２５の上下で隣り合う保持溝２９、２９に保持された上下段のウエハ１、１間に対向するように配列されて開設されており、各吹出口４２はプラズマ室４０に供給されたガスを均等に吹き出させるように設定されている。プラズマ室４０の内部には一対の保護管４３、４３がガス供給管３５の延長線を挟んで互いに反対側に対称形にそれぞれ配置されて、上下方向に延在するように敷設されている。各保護管４３は誘電体が使用されて上端が閉塞した細長い円形のパイプ形状に形成されており、各保護管４３の下端部は適度に屈曲されて、プロセスチューブ３１の側壁を貫通して外部に突き出されている。各保護管４３の中空部内は処理室３２の外部（大気圧）に連通されている。両保護管４３、４３の中空部内には導電材料が使用されて細長い棒状に形成された一対の電極４４、４４がそれぞれ同心的に敷設されており、両電極４４、４４間には高周波電力を印加する高周波電源４５が整合器４６を介して電気的に接続されている。
【００１３】
処理室３２内には図６に示された仕切板アッシー５０がボート２５と同心円になるように設置されている。図６に示されているように、仕切板アッシー５０は上側端板５１、下側端板５２、四本の支柱５３および一対の仕切板５４、５４を備えており、これらはいずれも透明石英（ＳｉＯ２  ）が使用されて形成され溶接によって連結されている。ちなみに、仕切板アッシー５０を透明石英（ＳｉＯ２  ）によって構成すると、次のような利点を得ることができる。透明部材であるために、熱線（赤外線等の高い熱を持つ光線）を遮断しない。熱膨張率や熱伝導率等の特性がプロセスチューブ３１や隔壁４１等の他の構成物と同じであるために、熱による影響を制御し易い。高い耐熱性を得ることができる。上側端板５１はボート２５の外径よりも大きめの内径を有する円形リング形状に形成されている。下側端板５２は内径が上側端板５１の内径と等しく外径がプロセスチューブ３１の炉口３３の内径よりも大きめのドーナツ形の平板に形成されている。四本の支柱５３はボート２５と断熱キャップ部３７との総全高よりも幾分長い丸棒形状に形成されており、上側端板５１と下側端板５２との間に周方向に互いに間隔を置いて配され、上下端において上側端板５１と下側端板５２とにそれぞれ溶接されている。一対の仕切板５４、５４は内径が上側端板５１の内径と等しく長さがボート２５の全高と略等しい円弧形の彎曲板形状にそれぞれ形成されており、四本の支柱５３の互いに対となるもの同士の間に互いに対称形になるように配置され、周方向の両端において各支柱５３にそれぞれ溶接されている。四本の支柱５３における一対の仕切板５４、５４が架設されていない側の一対の空間は、ガス供給管側流通口５５と排気管側流通口５６とを構成している。
【００１４】
以上のように構成された仕切板アッシー５０は図３〜図５に示されているように、取付フランジ５７によって筐体１１に固定される。すなわち、仕切板アッシー５０はプロセスチューブ３１の炉口３３に挿入されて、下側端板５２の外周縁辺部がプロセスチューブ３１の下端面に没設された取付穴５８に嵌入される。続いて、取付フランジ５７が下側端板５２の下面に当接されて締結具５９によって筐体１１に締結される。これにより、仕切板アッシー５０はプロセスチューブ３１と共に筐体１１に固定された状態になる。
【００１５】
図２に示されているように、仕切板アッシー５０がボート２５と同心円に設置された状態において、隔壁４１の吹出口４２から吹き出したガスが両仕切板５４、５４の外側に漏洩するのを防止するために、両仕切板５４、５４のガス供給管側流通口５５と隔壁４１の側端との隙間Ｓは、１０ｍｍ以下に設定することが好ましい。また、ガスをウエハ１の表面へ流通させることができるので、仕切板５４とウエハ１との間隔は少ない程よい。しかしながら、仕切板アッシー５０はプロセスチューブ３１に固定されており、ボート２５は両仕切板５４、５４の間を昇降する状態になるために、図２に示された仕切板５４の内周面とボート２５の外周面との間隔Ｄは最小限、ボート２５が仕切板５４、５４に接触するのを回避し得る寸法に設定する必要がある。そして、仕切板５４の内周面とボート２５の外周面との間隔Ｄの最大値は、ボート２５の保持溝２９、２９のピッチの値以下に設定する。なぜならば、間隔Ｄが保持溝のピッチ値を超えると、隔壁４１の各吹出口４２から吹き出したガスは流路抵抗が上下のウエハ１、１間よりも小さくなる仕切板５４の内周面とボート２５の外周面との間隔Ｄの空間に漏洩されしまうので、この漏洩を防止する必要があるためである。各仕切板５４の上下方向の位置（上下方向の長さ）は、隔壁４１における吹出口４２が有る部分に仕切板５４が有るように設定すればよい。なぜならば、この長さが確保されている場合には、各吹出口４２から吹き出されたガスを両仕切板５４、５４によって上下のウエハ１、１間のそれぞれに送り込むことができるためである。さらに、両仕切板５４、５４の排気管側流通口５６の図２に示された開度（両仕切板の中心と排気管側流通口５６の開口縁辺とを結んだ線分がなす角度）Θは、１８０度以下、１０度以上に設定する。ガスが上下のウエハ１、１間に導入されると、ガスは排気管側流通口５６の方向に自然に流れるので、排気管側流通口の開度Θはある程度大きな値でもよい。逆に、排気管側流通口５６の開度Θが小さいと、上下のウエハ１、１間に導入されたガスが周辺部に拡散するのを妨げられるので、１０度以上に設定する。例えば、仕切板５４の内周面とボート２５の外周面との間隔Ｄが１０ｍｍで、開度Θが１０度の場合には、排気管側流通口５６の間口幅は約２８ｍｍになる。
【００１６】
次に、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を使用して、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量部のためのＴａ２  Ｏ５  膜の表面近傍に存在したカーボンを除去する方法を説明する。すなわち、本実施の形態においては、ＣＶＤ装置１０に供給されるウエハ１にはキャパシタの静電容量部を形成するためのＴａ２  Ｏ５  膜（図示せず）が前のＭＯＣＶＤ工程において被着されており、Ｔａ２  Ｏ５  膜の表面近傍にはカーボン（図示せず）が存在しているものとし、このカーボンをＣＶＤ装置１０によって除去するものとする。
【００１７】
ＣＶＤ装置１０の被処理基板としてのウエハ１は複数枚がボート２５にウエハ移載装置１９によって装填（チャージング）される。図２〜図５に示されているように、複数枚のウエハ１が装填されたボート２５はシールキャップ２４および回転軸３９と共にボートエレベータ２２によって上昇されて、プロセスチューブ３１の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
【００１８】
ウエハ１群を保持したボート２５が処理室３２に搬入されると、処理室３２は排気管３６に接続された排気装置によって所定の圧力以下に排気され、ヒータ３４への供給電力が上昇されることにより、処理室３２の温度が所定の温度に上昇される。ヒータ３４がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になり、その結果、ボート２５に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００１９】
処理室３２の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス６１として酸素（Ｏ２  ）ガスが導入される。圧力が予め設定された値に達すると、ボート２５が回転軸３９によって回転されながら、高周波電力が一対の電極４４、４４間に高周波電源４５および整合器４６によって印加される。処理ガス６１である酸素ガスがガス供給管３５に供給され、両電極４４、４４間に高周波電力が印加されると、図２〜図４に示されているように、ガス供給管３５の内部にプラズマ６０が形成され、処理ガス６１は反応が活性な状態になる。図２および図３に破線矢印で示されているように、処理ガス６１の活性化した粒子（酸素ラジカル）６２は隔壁４１の各吹出口４２から処理室３２にそれぞれ吹き出す。
【００２０】
活性化した粒子（以下、活性粒子という。）６２は各吹出口４２からそれぞれ吹き出すことにより、それぞれが対向するウエハ１、１間に流れ込んで各ウエハ１に接触する。この際、仕切板アッシー５０がボート２５の外側に同心円に設置されているので、各吹出口４２から吹き出した活性粒子６２は両仕切板５４、５４に案内されることにより側方に漏洩することなく、対向するウエハ１、１間に確実に流れ込み、かつ、両仕切板５４、５４に囲まれた空間において全面にわたって拡散して行く。このため、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハ１のウエハ面内の径方向の接触分布が均一になり、また、活性粒子６２のウエハ１群の全体に対する接触分布もボート２５の全長にわたって均一になる。しかも、ウエハ１はボート２５の回転によって回転されているため、ウエハ１、１間に流れ込んだ活性粒子６２のウエハ面内の接触分布は周方向においても均一になる。
【００２１】
ウエハ１に接触した活性粒子（酸素ラジカル）６２はウエハ１のＴａ２  Ｏ５  膜の表面近傍に存在するカーボンと熱反応してＣＯ（一酸化炭素）を生成することにより、カーボンをＴａ２  Ｏ５  膜から除去する。この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート２５の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、活性粒子６２のウエハ１との接触分布がボート２５の全位置かつウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子６２の熱反応によるウエハ１におけるカーボンの除去作用はボート２５の全位置かつウエハ面内において均一の状態になる。ちなみに、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量部を形成するためのＴａ２  Ｏ５  膜のカーボンを除去する場合の処理条件は、次の通りである。処理ガスとして使用される酸素ガスの供給流量は８．４５×１０−１〜３．３８Ｐａ・ｍ３  ／ｓ、処理室の圧力は１０〜１００Ｐａ、温度は５００〜７００℃である。
【００２２】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス６１の供給、回転軸３９の回転、高周波電力の印加、ヒータ３４の加熱および排気管３６の排気等が停止される。次いで、シールキャップ２４がボートエレベータ２２によって下降されることにより炉口３３が開口されるとともに、ボート２５に保持された状態でウエハ１群が炉口３３から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。処理室３２の外部に搬出されたウエハ１群はボート２５からウエハ移載装置１９によってディスチャージングされる（降ろされる）。以降、前記した作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１が一括してバッチ処理される。
【００２３】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００２４】
１）  仕切板アッシーをボートの外側に同心円に設置することにより、各吹出口から吹き出した活性粒子を両仕切板によって案内して対向するウエハ間に確実に流れ込ませ、かつ、両仕切板によって囲んだ空間において全面にわたって拡散させることができるので、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、活性粒子のウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることができる。
【００２５】
２）  活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、活性粒子のウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることにより、活性粒子によるウエハの処理状況すなわちＴａ２  Ｏ５  膜のカーボンの除去分布をウエハ面内およびウエハ群内（各ウエハ相互間）で均一化させることができる。
【００２６】
３）  両仕切板のガス供給管側流通口と隔壁の側端との隙間Ｓを１０ｍｍ以下に設定することにより、隔壁の吹出口から吹き出した活性粒子が両仕切板の外側に漏洩するのを確実に防止することができる。
【００２７】
４）  仕切板の内周面とボートの外周面との間隔Ｄをボートが仕切板に接触するのを回避し得る範囲内で、ボートの保持溝のピッチ値以下に設定することにより、ボートが仕切板に接触するのを防止しつつ、隔壁の各吹出口から吹き出した活性粒子を上下のウエハ間に確実に送り込むことができる。
【００２８】
５）  各仕切板の上下方向の位置（上下方向の長さ）を隔壁における吹出口が有る部分に仕切板５４が有るように設定することにより、各吹出口から吹き出されたガスを両仕切板によって上下のウエハ間のそれぞれに確実に送り込むことができる。
【００２９】
６）  両仕切板の排気管側流通口の開度Θを１８０度以下１０度以上に設定することにより、各吹出口から吹き出してウエハ間に流れ混んだ活性粒子を仕切板によって囲んだ空間において全面にわたって拡散させることができるので、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、活性粒子のウエハ群の全体に対する接触分布を確実に均一化させることができる。
【００３０】
７）  仕切板アッシーをプロセスチューブの炉口から挿入して筐体に取付フランジによってプロセスチューブに共締めすることにより、仕切板をプロセスチューブに溶接する場合に比べて、プロセスチューブの強度の低下等の弊害を回避することができる。
【００３１】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３２】
例えば、仕切板は筐体に固定するに限らず、プロセスチューブに溶接等によって直接的に固定してもよい。
【００３３】
ガス供給管の吹出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、吹出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【００３４】
前記実施の形態では、キャパシタの静電容量部のＴａ２  Ｏ５  膜に介在したカーボンを除去する場合について説明したが、バッチ式リモートプラズマ処理装置は、その他の膜種に介在した異物（その膜種以外の分子や原子等）を除去する場合、ウエハにＣＶＤ膜を形成する場合、拡散する場合、熱処理する場合等に適用することができる。例えば、ＤＲＡＭのゲート電極用の酸化膜を窒化する処理において、ガス供給管に窒素（Ｎ２  ）ガスまたはアンモニア（ＮＨ３  ）または一酸化窒素（Ｎ２  Ｏ）を供給し、処理室を室温〜７５０℃に加熱することにより、酸化膜の表面を窒化することができた。また、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜が形成される前のシリコンウエハの表面を水素（Ｈ２  ）ガスの活性粒子によってプラズマ処理したところ、自然酸化膜を除去することができ、所望のＳｉＧｅ膜を形成することができた。また、低温での窒素膜の形成において、ＤＣＳ（ジクロロシラン）とＮＨ３  （アンモニア）とを交互に供給してＳｉ（シリコン）とＮ（窒素）とを一層ずつ形成するＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  原子層成膜）を行う場合、ＮＨ３  の供給時にＮＨ３  をプラズマで活性化して供給したところ、高品質の窒化膜が得られた。
【００３５】
また、前記実施の形態ではバッチ式リモートプラズマ処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、他のＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００３６】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ガスを被処理基板の表面に全体にわたって均一に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す斜視図である。
【図２】その主要部を示す平面断面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ  線に沿う縦断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う縦断面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿う縦断面図である。
【図６】仕切板アッシーを示す斜視図である。
【符号の説明】
１…ウエハ（被処理基板）、２…カセット、１０…ＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマＣＶＤ装置）、１１…筐体、１２…カセット授受ユニット、１３…カセットステージ、１４…ウエハ姿勢整合装置、１５…カセット棚、１６…予備カセット棚、１７…カセット移載装置、１８…ロボットアーム、１９…ウエハ移載装置、２０…ウエハ保持部、２１…ウエハ保持プレート、２２…ボートエレベータ、２３…アーム、２４…シールキャップ、２５…ボート、２６、２７…端板、２８…保持部材、２９…保持溝、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…炉口、３４…ヒータ、３５…ガス供給管、３６…排気管、３７…断熱キャップ部、３８…シールリング、３９…回転軸、４０…プラズマ室、４１…隔壁、４２…吹出口、４３…保護管、４４…電極、４５…高周波電源、４６…整合器、５０…仕切板アッシー、５１…上側端板、５２…下側端板、５３…支柱、５４…仕切板、５５…ガス供給管側流通口、５６…排気管側流通口、５７…取付フランジ、５８…取付穴、５９…締結具、６０…プラズマ、６１…処理ガス、６２…活性粒子（処理ガス）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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