(57)【要約】【課題】  画素塗り分け用マスクを用いずに画素を形成しても、補助配線層と第２電極との電気的接続を行うことができる表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  封止基板２１のブラックマトリクス２３上にスペーサ２４が設けられ、このスペーサ２４の本体部２４Ａ上に導電性の突起部２４Ｂが形成されている。突起部２４Ｂは例えば２つの突起により構成されている。素子パネル１０と封止パネル２０を加圧封止により貼り合わせる際に、この突起部２４Ｂが第２電極１７および有機層１６を貫通し、その結果第２電極１７と補助配線層１８とが電気的に接続される。これにより、第２電極１７における電圧降下が抑制され、表示画面の周辺部と中央部との輝度のばらつきが抑制される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に複数の有機発光素子を有する素子パネルに、封止基板を含む封止パネルを貼り合わせてなる表示装置であって、  
前記素子基板上に形成された第１電極と、
前記素子基板上に前記第１電極と絶縁して形成された補助配線層と、
発光層を含むと共に、前記素子基板上において少なくとも前記第１電極と前記補助配線層の上面を覆う有機層と、
この有機層を覆う第２電極と、
前記封止基板上の前記補助配線層に対向する位置に形成された本体部、および前記本体部の先端に形成された導電性の突起部を有し、前記突起部が前記第２電極および前記有機層を貫通して前記第２電極と前記補助配線層とを電気的に接続させてなるスペーサと
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記スペーサの突起部は、アルミニウム（Ａｌ）およびモリブデン（Ｍｏ）のうち少なくとも一方の金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記スペーサの突起部の最大粗さ（Ｒｍａｘ）は、前記有機層の積層方向における膜厚よりも大きい
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記スペーサは、前記封止基板に配置されたブラックマトリクス上に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記スペーサは、フォトレジストにより構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２電極は、透明電極を含む複数の層からなる積層構造を有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。  
【請求項７】
前記透明電極は、インジウム酸化物（ＩｎＯx ）、スズ酸化物（ＳｎＯx ）および亜鉛酸化物（ＺｎＯx ）のうち少なくとも１種類により構成されている
ことを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２電極を形成する複数の層は、少なくともマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金からなる層を含む    
ことを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１電極および前記補助配線層は、金属層を透明電極で挟持してなる３層構造を有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
前記金属層は、銀（Ａｇ）から構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は、前記第１電極と前記第２電極との間に互いに積層して設けられた赤色発光層、緑色発光層および青色発光層、もしくは前記赤色発光層および前記青色発光層のうちから選択される発光層と前記選択される発光層と補色関係にある発光層とを積層して構成される
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１２】
前記有機発光素子の各々に対応する能動素子を有し、アクティブマトリクス方式により駆動される
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１３】
素子基板上に複数の有機発光素子を有する素子パネルに、封止基板を含む封止パネルを貼り合わせてなる表示装置の製造方法であって、
前記素子基板上に第１電極および前記第１電極とは絶縁された補助配線層を形成する工程と、  
前記第１電極および前記補助配線層の上面を含めた前記素子基板のほぼ全面に発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成する工程と、
前記封止基板上にスペーサの本体部を形成すると共に、前記本体部の少なくとも先端部分に導電性の突起部を形成する工程と、
加圧によって、前記素子パネルと前記封止パネルとを貼り合わせると同時に、前記スペーサの突起部を前記第２電極および前記有機層を貫通させることにより、前記第２電極と前記補助配線層とを電気的に接続させる工程と
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記有機層を、画素塗り分け用マスクを使用しないで形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２電極として、透明電極を含む複数の層からなる積層構造を形成する  
ことを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。  
【請求項１６】
前記スペーサの突起部を、抵抗加熱法により形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記スペーサの突起部を、前記封止基板を覆う面に対して垂直に形成された蒸着用孔を有する蒸着マスクを利用して真空蒸着法により形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
素子基板上に複数の有機発光素子を有する素子パネルに、封止基板を含む封止パネルを貼り合わせてなる表示装置の製造方法であって、
素子基板上に第１電極および前記第１電極とは絶縁されると共に上面に突起部を有する補助配線層を形成する工程と、  
前記素子基板上において前記第１電極の上に、発光層を含む有機層および第２電極を形成する工程と、
加圧によって、前記素子パネルと前記封止パネルとを貼り合わせると同時に、前記補助配線層の突起部を前記有機層を貫通させることにより、前記第２電極と前記補助配線層とを電気的に接続させる工程と
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記補助配線層として下地層および導電層を前記基板側から順に形成したのち、熱処理またはエッチングにより前記導電層の上面に前記突起部を形成する
ことを特徴とする請求項１８記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記補助配線層として複数の突起を有する下地層を形成したのち前記下地層を導電層で覆うことにより前記導電層の上面に前記下地層の複数の突起に対応した前記突起部を形成する
ことを特徴とする請求項１９記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板上に第１電極と共に低抵抗の補助配線層を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが注目されている。有機発光ディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。
【０００３】
表示装置としては、例えば、図３０に示したように、素子基板１１０に、第１電極１１１、発光層を含む有機層１１２および第２電極１１３が順に積層されたものが知られている。また、第２電極１１３は、電圧降下を抑制して画面内の輝度のばらつきを防止するため、低抵抗の補助配線層１１３Ａに電気的に接続される場合がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
有機層１１２の材料としては低分子系のものと高分子系のものとがあり、低分子系の有機層１１２の形成には、真空蒸着法が一般に用いられている。真空蒸着法で有機層１１２を形成する場合、図３１に示したように、有機層１１２の形成予定位置に対応して開口部１２１を有する画素塗り分け用マスク１２０を用いて、補助配線層１１３Ａが有機層１１２で覆われないようにしている。そののち、素子基板１１０のほぼ全面に第２電極１１３を形成することにより、補助配線層１１３Ａと第２電極１１３とを電気的に接続する。
【特許文献１】特開２００１−１９５００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような有機発光ディスプレイを高精細に作製すると、画素塗り分け用マスク１２０の熱膨脹の影響により、有機層１１２を精度良く形成することが困難になるという問題があった。また、画素塗り分け用マスク１２０に付着しているパーティクルが有機層１１２などに付着すると、ショートの原因となるおそれがあった。このようなことから、画素塗り分け用マスク１２０を用いずに有機層１１２を形成することが望ましいが、その場合、有機層１１２が素子基板１１０のほぼ全面に形成されるので、補助配線層１１３Ａと第２電極１１３の電気的接続が不可能になってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、補助配線層と第２電極との電気的接続を確保しつつ、画素塗り分け用マスクを用いることなく画素を形成することのできる表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による表示装置は、素子基板上に複数の有機発光素子を有する素子パネルに、封止基板を含む封止パネルを貼り合わせてなる表示装置であって、素子基板上に形成された第１電極と、素子基板上に第１電極と絶縁して形成された補助配線層と、発光層を含むと共に、素子基板上において少なくとも第１電極と補助配線層の上面を覆う有機層と、この有機層を覆う第２電極と、封止基板上の補助配線層に対向する位置に形成された本体部、および本体部の先端に形成された導電性の突起部を有し、突起部が第２電極および有機層を貫通して第２電極と補助配線層とを電気的に接続させてなるスペーサとを備えたものである。
【０００８】
本発明による第１の表示装置の製造方法は、素子基板上に複数の有機発光素子を有する素子パネルに、封止基板を含む封止パネルを貼り合わせてなる表示装置の製造方法であって、素子基板上に第１電極および第１電極とは絶縁された補助配線層を形成する工程と、第１電極および補助配線層の上面を含めた素子基板のほぼ全面に発光層を含む有機層を形成する工程と、有機層の上に第２電極を形成する工程と、封止基板上にスペーサの本体部を形成すると共に、本体部の少なくとも先端部分に導電性の突起部を形成する工程と、加圧によって、素子パネルと封止パネルとを貼り合わせると同時に、スペーサの突起部を第２電極および有機層を貫通させることにより、第２電極と補助配線層とを電気的に接続させる工程とを含むものである。
【０００９】
本発明による第２の表示装置の製造方法は、素子基板上に複数の有機発光素子を有する素子パネルに、封止基板を含む封止パネルを貼り合わせてなる表示装置の製造方法であって、素子基板上に第１電極および第１電極とは絶縁されると共に上面に突起部を有する補助配線層を形成する工程と、素子基板上において第１電極の上に、発光層を含む有機層および第２電極を形成する工程と、加圧によって、素子パネルと封止パネルとを貼り合わせると同時に、補助配線層の突起部を有機層を貫通させることにより、第２電極と補助配線層とを電気的に接続させる工程とを含むものである。
【００１０】
本発明による表示装置では、封止基板上のスペーサに設けられた導電性の突起部により、補助配線層と第２電極との電気的接続が確保される。これにより、第２電極のシート抵抗が低下し、第２電極における電圧降下が抑制され、表示画面の周辺部と中央部との輝度のばらつきが低減される。  
【００１１】
本発明による第１の表示装置の製造方法では、素子パネルと封止パネルとが貼り合わせられると同時に、スペーサの突起部が第２電極、更に有機層を貫通する。これにより第２電極と補助配線層とが電気的に接続される。一方、本発明による第２の表示装置の製造方法では、素子パネルと封止パネルとが貼り合わせられると同時に、補助配線層側の突起部が有機層を貫通し、第２電極と補助配線層とが電気的に接続される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置によれば、封止基板上のスペーサに導電性の突起部を設けるようにしたので、この突起部により補助配線層と第２電極との電気的接続が確保される。従って、補助配線層により、第２電極における電圧降下を抑制し、画面内の輝度のばらつきを低減することができると共に表示品質が向上する。
【００１３】
本発明の第１の表示装置の製造方法によれば、封止基板上のスペーサに導電性の突起部を設けた後、加圧によって、素子パネルと封止パネルとを貼り合わせると同時に、スペーサの突起部を第２電極、更に有機層を貫通させるようにしたので、これにより第２電極と補助配線層とを電気的に接続させることができる。また、本発明の第２の表示装置の製造方法によれば、素子基板上の補助配線層に突起部を設けた後、加圧によって、素子パネルと封止パネルとを貼り合わせると同時に、補助配線層の突起部を有機層を貫通させるようにしたので、これにより第２電極と補助配線層とを電気的に接続させることができる。
【００１４】
従って、いずれの方法においても、画素塗り分けマスクを使用せずに有機層を基板のほぼ全面に形成しても、補助配線層と第２電極との電気的接続を確保することができる。よって、画素塗り分けマスクの位置ずれあるいは熱膨張の影響による有機層の欠け等の成膜不良を防止して、歩留りを向上させることができ、高精細化を図ることが可能になる。また、画素塗り分けマスクに付着しているダスト等が有機層などに付着してショートの原因となることを防止することができる。更に、第２電極と補助配線層とを電気的に接続するための特別な加工を必要とせず、素子パネルの製造工程数が少なくて済むという効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機発光ディスプレイの断面構造を表すものである。この有機発光ディスプレイは、互いに対向配置された素子パネル１０と封止パネル２０とを備え、これら素子パネル１０と封止パネル２０とが例えば熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を全面に介して貼り合わせられている。素子パネル１０は、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる平坦な素子基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。
【００１７】
ＴＦＴ１２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応する能動素子であり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはアクティブマトリクス方式により駆動されるようになっている。ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金により構成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。
【００１８】
平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された素子基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。平坦化層１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１３の材料としては、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料を用いることができる。
【００１９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、素子基板１１の側から、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、陽極としての第１電極１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。また、素子基板１１には、第１電極１４とは電気的に絶縁された補助配線層１８が形成されており、この補助配線層１８と第２電極１７とが電気的に接続されており、その詳細については後述する。第２電極１７の上には、必要に応じて、保護膜１９が形成されている。
【００２０】
第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１４および補助配線層１８を構成する材料としては、例えば、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの金属元素の単体または合金が挙げられ、第１電極１４の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とされることが好ましい。第１電極１４は単層構造でもよいし複数の層の積層構造でもよい。
【００２１】
絶縁膜１５は、第１電極１４と第２電極１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。絶縁膜１５は、例えば、膜厚が６００ｎｍ程度であり、酸化シリコンあるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成されている。絶縁膜１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域に対応して開口部１５Ａが設けられると共に、補助配線層１８に対応して開口部１５Ｂが設けられている。
【００２２】
有機層１６は、素子基板１１上において第１電極１４、絶縁膜１５および補助配線層１８の上面を含めたほぼ全面に形成されている。有機層１６の構成および材料については後述する。
【００２３】
第２電極１７は、例えば、発光層で発生した光に対して半透過性を有する半透過性電極１７Ａと、発光層で発生した光に対して透過性を有する透明電極１７Ｂとが有機層１６の側からこの順に積層された構造を有している。半透過性電極１７Ａは、厚みが１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されるが、ここでは、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）により構成されている。透明電極１７Ｂは、半透過性電極１７Ａの電気抵抗を下げると共に、第２電極１７と補助配線層１８との接触面積を増加させて両者の間の接触抵抗を低減するためのものであり、発光層で発生した光に対して十分な透過性を有する導電性材料により構成されている。透明電極１７Ｂを構成する材料としては、例えば、インジウム酸化物（ＩｎＯx ），スズ酸化物（ＳｎＯx ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯx ）などがあるが、ここでは、インジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物（ＩＺＯ）が用いられている。室温で成膜しても良好な導電性および高い透過率を得ることができるからである。透明電極１７Ｂの厚みは、例えば２００ｎｍ程度である。
【００２４】
保護膜１９は、例えば、厚みが５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下の透明膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。
【００２５】
一方、封止パネル２０は、素子パネル１０の第２電極１７側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止基板２１を有している。封止基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止基板２１には、例えば、ブラックマトリクス２３が素子パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに合わせてマトリクス状にパターニングされ、この各パターン毎に、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを配色している。また、カラーフィルタ２２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００２６】
カラーフィルタ２２は、封止基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、素子パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護されるからである。
【００２７】
赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状に形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。またパターニングされたブラックマトリクス２３は、反射光吸収膜から構成されている。２２Ｒ、２２Ｇおよび２２Ｂを構成する顔料とブラックマトリクス２３を構成する反射光吸収膜の耐熱温度は２００℃程度である。また、反射光吸収膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成することができる。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００２８】
封止パネル２０には、また、柱状のスペーサ２４が設けられている。このスペーサ２４は、素子パネル１０側の補助配線層１８に対向する位置に形成されたブラックマトリクス２３上に設けられており、その本体部２４Ａの先端部分には導電性材料からなる突起部２４Ｂが一体化されている。
【００２９】
本体部２４Ａは、例えばフォトレジスト材からなり、その形状は必要に応じて直方体や円柱などに適宜調整されるが、本実施の形態では、上面が１０μｍφ、高さが５μｍのテーパ状に形成されている。この本体部２４Ａは、封止基板２１上の任意の場所に形成できるが、開口率および表示品位の低下などを防ぐために、上述のように補助配線層１８に対向するブラックマトリクス２３上に形成することが好ましい。
【００３０】
突起部２４Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの低抵抗の金属からなり、１または複数の突起により構成されている。突起の形状は任意であるが、本実施の形態では、アルミニウム（Ａｌ）からなる、高さ２００μｍの２つの円錐状突起を有している。この突起部２４Ｂは、第２電極１７、有機層１６をこの順に貫通し、その先端部分が補助配線層１８に接触しており、これにより第２電極１７と補助配線層１８が電気的に接続されている。
【００３１】
突起部２４Ｂにおける最大粗さＲｍａｘは、有機層１６が後述するように真空蒸着法で形成されるものであって被覆性がそれほど高くないことから、必ずしも有機層１６の厚みよりも大きくなくてもよいが、有機層１６の厚みよりも大きいほうがより好ましい。突起部２４Ｂの高さが有機層１６よりも大きくなり、突起部２４Ｂの先端が潰れて補助配線層１８との接触面積が増加し、電気抵抗を低下させることができるからである。更に、突起部２４Ｂにおける最大粗さＲｍａｘが等しければ、突起部２４Ｂの突起の数はなるべく多いほうがより好ましい。補助配線層１８と第２電極１７との良好な電気的接続を得ることができるからである。なお、ここでいう有機層１６の厚みとは、有機層１６が複数の層の積層構造を有する場合には、それらの複数の層の合計厚みをいう。
【００３２】
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成をそれぞれ拡大して表すものである。第１電極１４は、例えば、素子基板１１の側から、密着層１４Ａ、反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃがこの順に積層されたものである。密着層１４Ａは、反射層１４Ｂが平坦化層１３から剥離するのを防止するためのものである。また、反射層１４Ｂは、発光層で発生した光を反射させるものである。バリア層１４Ｃは、反射層１４Ｂを構成する銀あるいは銀を含む合金が空気中の酸素あるいは硫黄成分と反応することを防止すると共に、反射層１４Ｂを形成した後の製造工程において反射層１４Ｂがダメージを受けることを緩和する保護膜としての機能も有している。
【００３３】
密着層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、本実施の形態では例えば２０ｎｍであり、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）により構成されている。反射層１４Ｂは、例えば、厚みが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、本実施の形態では例えば２００ｎｍであり、光の吸収損失を小さくして反射率を高めるため、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成されている。バリア層１４Ｃは、例えば、厚みが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、ＩＴＯにより構成されている。本実施の形態では、バリア層１４Ｃの厚みは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに後述する共振器構造を導入するため、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色により異なっている。
【００３４】
有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色にかかわらず同一の構造を有しており、例えば、正孔輸送層４１，発光層４２および電子輸送層４３が第１電極１４の側からこの順に積層されている。正孔輸送層４１は、発光層４２への正孔注入効率を高めるためのものである。本実施の形態では、正孔輸送層４１が正孔注入層を兼ねている。発光層４２は、電界をかけることにより電子と正孔とが再結合して光を発生するものであり、絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応した領域で発光するようになっている。電子輸送層４３は、発光層４２への電子注入効率を高めるためのものである。
【００３５】
正孔輸送層４１は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００３６】
発光層４２は、白色発光用の発光層であり、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に互いに積層して設けられた赤色発光層４２Ｒ，緑色発光層４２Ｇおよび青色発光層４２Ｂを有している。赤色発光層４２Ｒ，緑色発光層４２Ｇおよび青色発光層４２Ｂは、陽極である第１電極１４側からこの順に積層されている。赤色発光層４２Ｒは、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔輸送層４１を介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子輸送層４３を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。緑色発光層４２Ｇは、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔輸送層４１を介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子輸送層４３を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。青色発光層４２Ｂは、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔輸送層４１を介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子輸送層４３を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。
【００３７】
赤色発光層４２Ｒは、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、赤色発光層４２Ｒは、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３８】
緑色発光層４２Ｇは、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、緑色発光層４２Ｇは、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３９】
青色発光層４２Ｂは、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、青色発光層４２Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４０】
電子輸送層４３は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）により構成されている。
【００４１】
半透過性電極１７Ａは、発光層４２で発生した光を第１電極１４の反射層１４Ｂとの間で反射させる半透過性反射層としての機能を兼ねている。すなわち、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１４の反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面を第１端部Ｐ１、半透過性電極１７Ａの発光層４２側の界面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６およびバリア層１４Ｃを共振部として、発光層４２で発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。
【００４２】
このように共振器構造を有するようにすれば、発光層４２で発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができるので好ましい。また、上述したように有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によりバリア層１４Ｃの厚みを調整して、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌを異ならせるようにすれば、赤色発光層４２Ｒで生じる赤色の光，緑色発光層４２Ｇで生じる緑色の光および青色発光層４２Ｂで生じる青色の光のうち取り出したい光のみを共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出すことができるので好ましい。
【００４３】
更に、封止パネル２０から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、図１に示したカラーフィルタ２２との組合せにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができるので好ましい。すなわち、カラーフィルタ２２における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出す光のスペクトルのピーク波長λとを一致させるようにすることにより、封止パネル２０から入射する外光のうち、取り出す光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ２２を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。
【００４４】
そのためには、共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌは数１を満たすようにし、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させることが好ましい。光学的距離Ｌは、実際には、数１を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。
【００４５】
（数１）
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌは第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬが正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬおよびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）
【００４６】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００４７】
図３ないし図１６はこの表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図３（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる素子基板１１の上に、ＴＦＴ１２，層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。次に、図３（Ｂ）に示したように、素子基板１１の全面に、例えばスピンコート法により上述した材料よりなる平坦化層１３を形成し、露光および現像により平坦化層１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。続いて、図４に示したように、平坦化層１３の上に、例えば、上述した厚みおよび材料よりなる第１電極１４および補助配線層１８を形成する。
【００４８】
第１電極１４および補助配線層１８は、例えば、密着層１４Ａ、反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃ（いずれも図２参照）を順に形成したのち、例えばリソグラフィ技術を用いて、バリア層１４Ｃ、反射層１４Ｂおよび密着層１４Ａをエッチングすることにより形成することができる。密着層１４Ａおよびバリア層１４Ｃは、例えば直流スパッタリング法により、スパッタガスとして例えばアルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ2 ）の混合ガスを用い、圧力は例えば０．４Ｐａ、出力は例えば３００Ｗとして形成する。反射層１４Ｂは、例えば直流スパッタリング法により、スパッタガスとして例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、圧力は例えば０．５Ｐａ、出力は例えば３００Ｗとして形成する。エッチングの際には、バリア層１４Ｃの厚みを、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色により異ならせる。
【００４９】
そののち、図５（Ａ）に示したように、素子基板１１の全面にわたり、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法により絶縁膜１５を上述した膜厚で成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜１５のうち発光領域に対応する部分および補助配線層１８に対応する部分を選択的に除去し開口部１５Ａ，１５Ｂを形成する。
【００５０】
次に、図５（Ｂ）に示したように、素子基板１１上において第１電極１４、絶縁膜１５および補助配線層１８の上に、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔輸送層４１，発光層４２および電子輸送層４３（いずれも図２参照）を順次成膜し、有機層１６を形成する。その際、図６に示したように、形成予定領域に対応して開口部５１Ａを有する金属性のエリアマスク５１を用い、素子基板１１の周囲および図示しない取り出し電極が形成される部分を除いて全面に有機層１６を成膜する。
【００５１】
続いて、図７に示したように、有機層１６の上に、上述した厚みおよび材料よりなる半透過性電極１７Ａおよび透明電極１７Ｂを順に形成し、第２電極１７を形成する。
【００５２】
具体的には、まず、半透過性電極１７Ａを例えば蒸着法により形成する。すなわち、例えばマグネシウムを０．１ｇおよび銀０．４ｇを、別々の抵抗加熱用のボートに充填して、これらを真空蒸着装置（図示せず）の電極に取り付け、次いで、装置内の雰囲気を例えば１．０×１０-4Ｐａまで減圧したのち、各ボートに電圧を印加し加熱して、マグネシウムと銀とを共蒸着させる。このときマグネシウムと銀との成長速度比は、例えば９：１とする。
【００５３】
そののち、半透過性電極１７Ａの上に、透明電極１７Ｂを成膜する。これにより、補助配線層１８と第２電極１７との接触面積を増加させて両者の間の接触抵抗を低減させることができる。透明電極１７Ｂは、直流スパッタリング法などのスパッタリング法により形成することが好ましい。スパッタリング法は真空蒸着法に比べて被覆性が高く、良好な膜厚で成膜が可能だからである。スパッタガスとしては例えばアルゴンと酸素との混合ガス（体積比Ａｒ：Ｏ2 ＝１０００：５）を用い、圧力は例えば０．３Ｐａ、出力は例えば４００Ｗとする。以上により、図１および図２に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００５４】
次に、図８に示したように、第２電極１７の上に、上述した厚みおよび材料よりなる保護膜１９を形成する。これにより、図１に示した素子パネル１０が形成される。
【００５５】
一方、図９（Ａ）に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止基板２１の上に、素子パネル１０上の各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに合わせてマトリクス状のブラックマトリクス２３を形成した後、有機発光素子１０Ｒに対応した封止基板上のブラックマトリクス２３のパターンに、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布して焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図９（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。
【００５６】
次に、封止基板２１上にスペーサ２４の本体部２４Ａを形成し、続いてこの本体部２４Ａの上面に、第２電極１７と補助配線層１８とを電気的に接続するための突起部２４Ｂを形成する。
【００５７】
スペーサ２４の形成位置は、図１０に示したように、画素の開口率および表示品位などの低下を防ぐためにブラックマトリクス２３上とする。このとき、単位面積記当たりの数が等しくなるように形成する。本体部２４Ａは、フォトリソグラフィ法を用いて、フォトレジストにより、図１１に示したように上面が１０μｍφ、高さが５μｍのテーパ状になるように形成する。なお、図１１は、図１０のＡ−Ａ’部の断面構成を表している。このように本体部２４Ａをアルミニウム（Ａｌ）よりも強固な樹脂により形成することによって、突起部２４Ｂを、保護膜１９および接着層３０、更に有機第２電極１７および有機層１６を合わせた膜厚を安定して貫通させることができる。なお、図１，図１１，図１３，図１４，図１５および図２５に示したスペーサ２４の形状は誇張して表しており、実寸比とは異なる。
【００５８】
続いて、図１２に示した蒸着マスク６０を用いて、図１３に示したように、本体部２４Ａ上に突起部２４Ｂを形成する。ここでは、突起部２４Ｂとして、本体部２４Ａ上に例えば２つの円錐形の突起を有するものの形成方法について説明する。
【００５９】
蒸着マスク６０は、１０μｍφ程度の複数の蒸着用孔６０Ａを有しており、その蒸着用孔６０Ａの壁面６０Ｂは、封止基板２１の表面に対して垂直に形成されている。この蒸着用孔６０Ａを採用する理由を図２８および図２９を参照して説明する。
【００６０】
まず、図２９（Ａ）に示したような蒸着用孔６０２Ａがテーパ形状の平坦蒸着用マスク６０２を用いた場合、基板２１０に形成される蒸着物７０２は均一な厚さを有する。この理由は、平坦蒸着用マスク６０２がテーパ状の形状を有しているため、蒸着量が蒸着用孔６０２Ａの中心からの距離に依存しない逆シャドウ効果を生ずるからである（図２９（Ｂ））。すなわち、突起は形成されず蒸着物７０２は平坦な形状となるため、第２電極１７および有機層１６を貫通させることはできない。一方、図２８（Ａ）に示したように、孔壁面６０１Ｂが基板２１０に対して垂直に形成された突起蒸着用マスク６０１を用いた場合には、蒸着量が蒸着用孔６０１Ａの中心からの距離に依存するシャドウ効果（図２８（Ｂ））が得られ、円錐形の突起７０１を形成することができる。以上の理由から本実施の形態では、壁面６０Ｂが垂直の蒸着用孔６０Ａを有する蒸着マスク６０を用いるものとする。以下、図１３に戻って、封止基板２１に形成された本体部１４Ａに対して突起部２４Ｂを形成する方法について具体的に説明する。
【００６１】
まず、図１３に示したように、封止基板２１をスペーサ２４の本体部２４Ａが形成されている面を下に向けて、蒸着源（図示せず）に対向させると共に、蒸着源と封止基板２１との間に蒸着マスク６０を配置する。続いて、蒸着マスク６０の蒸着用孔６０Ａが封止基板２１上の本体部２４Ａに対向する位置にくるように位置合わせを行う。本実施の形態では、本体部２４Ａの上面に２つの突起２４Ｂ１，２４Ｂ２を形成するために、蒸着マスク６０における蒸着用孔６０Ａの中心６０Ａ１を、本体部２４Ａの上面の中心２４Ａ１よりもやや外周側にずれるように配置する。
【００６２】
蒸着に際しては、抵抗加熱法を用いて、例えば蒸着レート０．２ｎｍ／ｓ〜０．３ｎｍ／ｓ，蒸着中真空度１０-5Ｐａ以下の条件下で、また、封止基板２１に対しては加熱を行なわないで、突起部２４Ｂを形成する。突起部２４Ｂを形成する際に抵抗加熱法を用い、封止基板２１に対しては加熱を行わないのは、上述したように、カラーフィルタ２２を構成する顔料およびブラックマトリクス２３を構成する樹脂の耐熱温度が２００℃程度であるため、これら２つの構成要素に対して、熱衝撃をできるだけ与えないようにするためである。
【００６３】
以上のような条件で、図１４および図１５に示したように、順に第１突起２４Ｂ１および第２突起２４Ｂ２を形成する。これにより、封止パネル２０上に、先端に導電性の突起部２４Ｂを有するスペーサ２４を形成することができる。
【００６４】
封止パネル２０および素子パネル１０を形成したのち、図１６に示したように、素子基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。塗布は、例えば、スリットノズル型ディスペンサーから樹脂を吐出させて行うようにしてもよく、ロールコートあるいはスクリーン印刷などにより行うようにしてもよい。その後、封止パネル２０のカラーフィルタ２２と素子パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させ、図１に示したように、素子パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。
【００６５】
具体的には、所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させて、素子パネル１０側または封止パネル２０側からローラなどを用いて加圧封止を行ないながら、素子パネル１０と封止パネル２０を貼り合わせる。
【００６６】
このとき本実施の形態では、加圧封止の際、封止パネル２０の押圧力によって、スペーサ２４の突起部２４Ｂの第１突起２４Ｂ１および第２突起２４Ｂ２が第２電極１７および有機層１６を突き破り、その結果、導電性の突起部２４Ｂを介して第２電極１７と補助配線層１８とが電気的に接続される。以上により、図１および図２に示した表示装置が完成する。
【００６７】
この表示装置では、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の赤色発光層４２Ｒ，緑色発光層４２Ｇおよび青色発光層４２Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、赤色発光層４２Ｒでは赤色光、緑色発光層４２Ｇでは緑色光、青色発光層４２Ｂでは青色光が発生する。これらの赤色，緑色および青色光は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌに応じて、有機発光素子１０Ｒでは赤色光ｈR のみ、有機発光素子１０Ｇでは緑色光ｈG のみ、有機発光素子１０Ｂでは青色光ｈB のみが第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で多重反射し、第２電極１７を透過して取り出される。
【００６８】
本実施の形態では、封止基板２１のブラックマトリクス２３上に本体部２４Ａの上に導電性の突起部２４Ｂを備えたスペーサ２４を形成するようにしたので、素子パネル１０と封止パネル２０を加圧封止により貼り合わせる際に、突起部２４Ｂが第２電極１７および有機層１６を貫通し、その結果第２電極１７と補助配線層１８とが電気的に接続される。これにより第２電極１７における電圧降下が抑制され、表示画面の周辺部と中央部との間での輝度のばらつきが抑制され、表示品質が向上する。
【００６９】
また、本実施の形態では、画素塗り分けマスクを使用せずに有機層１６を素子基板１１のほぼ全面に形成しても、第２電極１７と補助配線層１８とを電気的に接続させることができる。よって、画素塗り分けマスクの位置ずれあるいは熱膨張の影響による有機層１６の欠け等によって成膜不良が発生するようなことはなく、そのため歩留りが向上し、高精細化に極めて有利となる。また、画素塗り分けマスクに付着しているダスト等が有機層１６などに付着してショートの原因となることを防止することができる。更に、第２電極１７と補助配線層１８とを電気的に接続するための特別な加工を必要とせず、素子パネルの製造における工程数が少なくて済む。
【００７０】
（第２の実施の形態）
図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る有機発光ディスプレイの断面構造を表すものである。本実施の形態では、第１の実施の形態においてスペーサ２４に設けた導電性の突起部２４Ｂに代えて、補助配線層１８に突起構造１８Ａを設けたこと以外は第１の実施の形態と同一である。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。この有機発光ディスプレイは、補助配線層１８における突起構造１８Ａにより第２電極１７と補助配線層１８を電気的に接続させるものである。
【００７１】
図１８は補助配線層１８の一部を拡大したもので、下地層１８１と導電層１８２とが素子基板１１側から順に積層され、導電層１８２の上面に突起構造１８Ａが形成されている。なお、図１９に示したように、下地層１８１に複数の突起を設け、この下地層１８１を導電層１８２で覆うことにより、導電層１８２の上面に下地層１８１の突起に対応した突起構造１８Ａを形成するようにしてもよい。このような突起構造１８Ａにより、補助配線層１８の上面が有機層１６に完全に覆われることがなく、第２電極１７と補助配線層１８とが電気的に接続される。特に、図１９に示した構造の補助配線層１８は、導電層１８２の材料あるいは厚みを調整することにより第２電極１７のシート抵抗を低減する効果をより高めることができるので好ましい。
【００７２】
下地層１８１の材料は特に制限されるものではなく、アルミニウム（Ａｌ）などの導電材料により構成されていてもよいし、ポリイミドなどの絶縁材料により構成されていてもよい。下地層１８１が導電材料により構成されている場合には、下地層１８１と第１電極１４との構成および材料を同一とすればより好ましい。後述する製造工程で下地層１８１と第１電極１４とを同一工程で形成することができるからである。
【００７３】
導電層１８２は、下地層１８１との密着性のよい導電材料により構成されていることが好ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）よりなるもの、または、チタン（Ｔｉ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層とを下地層１８１側から順に積層したものが好ましい。後述する製造工程において、絶縁膜１５を形成する際のＣＶＤ法に伴う熱処理により導電層１８２の上面を凹凸化させて突起構造１８Ａを容易に形成することができ、突起構造１８Ａを形成するために工程を追加する必要がないからである。
【００７４】
補助配線層１８の上面の最大粗さＲｍａｘは、必ずしも有機層１６の厚みよりも大きくなくてもよい。有機層１６は後述するように真空蒸着法で形成されるので被覆性はそれほど高くなく、補助配線層１８の上面が有機層１６により完全に覆われてしまう可能性は小さいと考えられるからである。ただし、補助配線層１８の上面における最大粗さＲｍａｘは、有機層１６の厚みよりも大きいほうがより好ましい。突起構造１８Ａの深さが有機層１６よりも大きくなり、補助配線層１８の上面が有機層１６により完全に覆われてしまうのを確実に防止することができるからである。更に、補助配線層１８の上面における最大粗さＲｍａｘが等しければ、突起構造１８Ａの数はなるべく多いほうがより好ましい。補助配線層１８と第２電極１７との良好な電気的接続を得ることができるからである。なお、ここでいう有機層１６の厚みとは、有機層１６が複数の層の積層構造を有する場合には、それらの複数の層の合計厚みをいう。
【００７５】
突起構造１８Ａの側面の素子基板１１の平坦面１１Ａに対するテーパ角θは、有機層１６を形成する工程において補助配線層１８の上面が有機層１６により完全に覆われていない角度であることが好ましい。具体的には、補助配線層１８の材料により異なり得るが、例えば、７０°ないし９０°程度が好ましい。例えば、テーパ角θが７０°程度であれば、突起構造１８Ａは、図２０に示したような錐状の突起となり、例えばテーパ角θが９０°であれば、突起構造１８Ａは図２１に示したような柱状の突起となる。また、特に、補助配線層１８を図１９に示した構成とする場合には、下地層１８１の複数の突起は、尖ったものであることが好ましい。突起構造１８Ａの側面のテーパ角θが、下地層１８１の複数の尖った突起に対応して、有機層１６を形成する工程において補助配線層１８の上面が有機層１６により完全に覆われない程度に大きくなるからである。
【００７６】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。なお第１の実施の形態で説明した封止パネル２０において、スペーサ２４の突起部２４Ｂの形成工程が無くなり、素子パネルの製造工程において、補助配線層１８に突起構造１８Ａを形成する工程が追加されること以外は第１の実施の形態と同一である。
【００７７】
まず、図４に示したように、平坦化層１３の上に、例えば、第１の実施の形態と同様な厚みおよび材料よりなる第１電極１４を形成する。このとき、補助配線層１８の下地層１８１を第１電極１４と同一工程で形成することが好ましい。第１電極１４および補助配線層１８の下地層１８１を形成したのち、図２２（Ａ）で示したように、素子基板１１の全面にわたり、例えば直流スパッタリング法により、例えばチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の３層構造を有する導電層１８２を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて導電層１８２を選択的に除去する。これにより、下地層１８１と導電層１８２とが素子基板１１の側から順に積層された構造の補助配線層１８が形成される。直流スパッタリングの条件は、スパッタガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）を用い、圧力は例えば０．２Ｐａ、出力は例えば３００Ｗとする。
【００７８】
そののち、図２２（Ｂ）に示したように、第１の実施の形態と同様にＣＶＤ法により絶縁膜１５を成膜し、この絶縁膜１５に開口部１５Ａおよび開口部１５Ｂを形成する。このＣＶＤ法により絶縁膜１５を形成する際に、素子基板１１が高温に保持されるので、導電層１８２の上面に凹凸が生じて突起構造１８Ａが形成される。
【００７９】
次に、例えば、第１の実施の形態と同様な厚みおよび材料よりなる有機層１６を構成する各層が形成されるが、補助配線層１８の上面は完全に有機層１６に覆われず突起構造１８Ａの先端部が有機層１６から露出する。
【００８０】
続いて、有機層１６の上に第１の実施の形態と同様の第２電極１７を形成する。これにより突起構造１８Ａの先端部が第２電極の半透過性電極１７Ａと接触し、第２電極１７と補助配線層１８とが電気的に接続される。これ以降の工程は第１の実施の形態と同様である。
【００８１】
本実施の形態においては、素子パネル１０と封止パネル２０を貼り合わせる際に、加圧による封止パネル２０からの押圧力によって、補助配線層１８における突起構造１８Ａの先端が第２電極１７に食い込まれる。その結果、突起構造１８Ａと第２電極１７との接触面積が増加し、第２電極１７と補助配線層１８との間の電気抵抗がさらに低減される。以上により図１７および図１８に示した表示装置が完成する。  
【００８２】
また、この表示装置は次のようにして製造することもできる。
【００８３】
図２３は、その工程を表したものであり、補助配線層１８として例えば図１９に示した構造のものを製造する方法の一例である。
【００８４】
まず、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示したように素子基板１１の上にＴＦＴ２および平坦化層１３を形成したのち、図２３（Ａ）に示したように、平坦化層１３の上の補助配線層１８の形成予定位置に、複数の尖った突起を有する下地層１８１を形成する。下地層１８１としては、例えば、リソグラフィ技術を用いてポリイミドなどの絶縁材料よりなるものを形成してもよく、あるいは、直流スパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）などの導電材料よりなる膜を成膜したのちリソグラフィ技術を用いてパターニングしてもよい。直流スパッタリング条件としては、スパッタガスとして、例えば、アルゴン（Ａｒ）を用い、圧力を０．５Ｐａ、出力を３００Ｗとする。
【００８５】
続いて、図２３（Ｂ）に示したように、平坦化層１３の上に第１電極１４を形成する。このとき、補助配線層１８の導電層１８２を第１電極１４と同一工程で形成し、下地層１８１を導電層１８２で覆うことにより導電層１８２の上面に下地層１８１の複数の突起に対応した突起構造１８Ａを形成する。
【００８６】
そののち、図２２（Ｂ）に示した工程により、素子基板１１の全面にわたり、絶縁膜１５を成膜し、この絶縁膜１５に開口部１５Ａおよび開口部１５Ｂを形成する。以下の工程は上記実施の形態と同様である。
【００８７】
更に、この表示装置は次のようにして製造することもできる。
【００８８】
図２４は、その工程を表すもので、補助配線層１８として図１９に示した構造のものを製造する方法の他の例である。
【００８９】
まず、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示したように素子基板１１の上にＴＦＴ２および平坦化層１３を形成したのち、図２４（Ａ）に示したように、平坦化層１３の上に第１電極１４を形成する。このとき、複数の尖った突起を有する下地層１８１を第１電極１４と同一工程により形成する。
【００９０】
そののち、図２４（Ｂ）に示したように、平坦化層１３の上に、例えば、直流スパッタリング法により、クロム（Ｃｒ）などよりなる導電層１８２を成膜したのちリソグラフィ技術を用いてパターニングし、下地層１８１を導電層１８２で覆うことにより導電層１８２の上面に下地層１８１の複数の突起に対応した突起構造１８Ａを形成する。直流スパッタリング条件は上記と同様である。以下の工程は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００９１】
また、本実施の形態の作用効果は第１の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００９２】
以上実施の形態を挙げて本発明を説明をしたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記第１，２の実施の形態では、絶縁膜１５の開口部１５Ｂを、補助配線層１８の両側の側面を覆うように形成する場合について説明したが、絶縁膜１５の開口部１５Ｂは、例えば図２５に示したように、補助配線層１８の側面の少なくとも一部を露出させるように形成してもよい。これにより、有機層１６を成膜する際に補助配線層１８の側面で有機層１６が途切れ、補助配線層１８の側面が有機層１６で覆われなくなるので、第１の実施の形態における突起部２４Ｂあるいは第２の実施の形態における突起構造１８Ａに加えて、補助配線層１８の側面においても補助配線層１８と第２電極１７とが電気的に接続される。但し、上記実施の形態のように開口部１５Ｂを、補助配線層１８の両側の側面を覆うように形成するほうが、開口部１５Ｂの幅を小さくすることができ、開口率を高めることができるので望ましい。また、第１電極１４あるいは反射層１４Ｂを活性の高い金属により構成すると、補助配線層１８の両側の側面を絶縁膜１５で覆うことにより第１電極１４あるいは反射層１４Ｂが製造プロセスの途中で劣化するのを防止することができるので好ましい。
【００９３】
また、例えば、上記第２の実施の形態においては、絶縁膜１５を形成する際のＣＶＤ法に伴う熱処理によって補助配線層１８の上面に突起構造１８Ａを形成する場合について説明したが、突起構造１８Ａはウェットエッチングまたはドライエッチングにより形成するようにしてもよい。その場合、導電層１８２の材料は、下地層１８１との密着性がよく、且つ、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより表面を粗くして凹凸を形成することができるものであれば特に限定されない。また、熱処理とウェットエッチングまたはドライエッチングとを併用してもよい。
【００９４】
更に、加えて、例えば、上記第１，２の実施の形態においては、補助配線層１８が単純な線分状の平面形状を有する場合について説明したが、補助配線層１８の形状は特に制限されない。例えば、補助配線層１８の側面の面積を大きくして第２電極１６との接触面積を増大させる目的で、図２６に示したように孔１８Ｂが設けられたもの、あるいは、図２７に示したように側面に切欠き１８Ｃが設けられたものなどが考えられる。なお、孔１８Ｂまたは切欠き１８Ｃの形状、数あるいは位置などは特に限定されない。また、孔１８Ｂと切欠き１８Ｃとを併用してもよい。
【００９５】
更にまた、例えば、上記第１，２の実施の形態においては、補助配線層１８が絶縁膜１５の開口部１５Ｂに設けられている場合について説明したが、補助配線層１８は、絶縁膜１５の上に設けられていてもよい。その場合、補助配線層１８は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）のような低抵抗の導電性材料を単層あるいは積層構造としたものにより構成することが可能である。また、補助配線層１８の幅および厚みは、画面の寸法あるいは第２電極の材料および厚みなどにより異なってもよい。
【００９６】
特に、上記第１の実施の形態においては、補助配線層１８を絶縁層１５の上に設ける場合には、補助配線層１８の下地層１８１を第１電極１４と異なる構成とすることができ、第１電極１４の材料あるいは厚みに拘束されないので、例えば、下地層１８１を導電材料により構成すると共に第１電極１４よりも下地層１８１の厚みを大きくすることにより第２電極１７のシート抵抗を低減させることも可能である。
【００９７】
加えてまた、例えば、上記第１，２の実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、密着層１４Ａおよびバリア層１４Ｃの材料は、上述したＩＴＯに限定されず、例えば、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物、具体的には、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種でもよい。また、密着層１４Ａの材料は、必ずしも透明である必要はない。
【００９８】
更にまた、例えば、上記第１，２の実施の形態では、有機発光素子および表示装置の構成を具体的に挙げて説明したが、保護膜１９などの全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第２電極１７において、透明電極１７Ｂを省略して半透過性電極１７Ａのみとしてもよい。あるいは、第２電極１７において半透過性電極１７Ａを省略して透明電極１７Ｂのみとしてもよい。このように第２電極１７を透明電極１７Ｂのみにより構成した場合、バリア層１４Ｃを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで同一の厚みとし、上述した共振器構造を省略してもよい。
【００９９】
加えてまた、上記第１，２の実施の形態では、第１電極１４が密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを素子基板１１の側からこの順に形成した構成を有する場合について説明したが、密着層１４Ａおよびバリア層１４Ｃのうちいずれか一方または両方を省略してもよい。
【０１００】
更にまた、上記第１，２の実施の形態においては、有機層１６の発光層４２として白色発光用の発光層を形成し、上述した共振器構造およびカラーフィルタ２２を用いてカラー表示を行う場合について説明したが、共振器構造を用いずカラーフィルタ２２のみを用いてカラー表示を行うようにしてもよい。また、カラーフィルタ２２の代わりに特定の波長の光のみを透過させる光学フィルタ等を用いてカラー表示を行うようにしてもよい。
【０１０１】
加えてまた、上記第１，２の実施の形態においては、有機層１６の発光層４２として赤色発光層４２Ｒ，緑色発光層４２Ｇおよび青色発光層４２Ｂの３層を含む白色発光用の発光層を形成した場合について説明したが、白色発光用の発光層４２の構成は特に限定されず、橙色発光層および青色発光層、あるいは、青緑色発光層および赤色発光層など、互いに補色関係にある２色の発光層を積層した構造としてもよい。
【０１０２】
更にまた、有機層１６の発光層４２は、必ずしも白色発光用の発光層である必要はなく、本発明は、例えば緑色発光層４２Ｇのみを形成した単色の表示装置にも適用可能である。
【０１０３】
加えてまた、上記第１，２の実施の形態においては、素子パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせることにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する場合について説明したが、封止方法は特に限定されるものではなく、例えば素子パネル１０の背面に封止缶を配設することにより封止するようにしてもよい。
【０１０４】
更にまた、例えば、上記第１，２の実施の形態では、第１電極１４を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。この場合、第２電極１７の材料としては、金，銀，白金，銅などの単体または合金が好適であるが、第２電極１７の表面に上記実施の形態におけるバリア層１４Ｃと同様な層を設けることによって他の材料を用いることもできる。また、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極とした場合には、発光層４２において、赤色発光層４２Ｒ，緑色発光層４２Ｇおよび青色発光層４２Ｂが第２電極１７の側からこの順に積層されていることが好ましい。  
【０１０５】
加えてまた、上記第１の実施の形態では、封止基板２１上にブラックマトリクス２３としての反射光吸収膜を、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂの境界に沿って設ける場合について説明したが、必要に応じて封止基板２１にブラックマトリクス２３を形成せずにカラーフィルタ２２を形成し、このカラーフィルタ２２上にスペーサ２４を形成するようにしてもよい。
【０１０６】
また、上記第２の実施の形態では、封止基板２１にカラーフィルタ２２を設ける場合について説明したが（図１７参照）、必要に応じてブラックマトリクスとしての反射光吸収膜を、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂの境界に沿って設けるようにしてもよい。反射光吸収膜については、第１の実施の形態で上述した通りである。
【０１０７】
更にまた、上記第１，２の実施の形態では、有機層１６が素子基板１１上において第１電極１４、絶縁膜１５および補助配線層１８の上に形成されている場合について説明したが、有機層１６は、素子基板１１上において少なくとも第１電極１４の上に形成されていればよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した有機発光素子の拡大断面図である。
【図３】図１に示した表示装置の素子パネルの製造方法を工程順に表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５（Ｂ）に示した工程に用いるマスクを表す平面図である。
【図７】図５に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図１に示した表示装置の封止パネルの製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】図１に示した表示装置の封止パネルを表す平面図である。
【図１１】図９に続く工程を表す図である。
【図１２】図１１に続く工程に用いるマスクを表す平面図である。
【図１３】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を表す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す断面図である。
【図１６】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１８】図１７に示した補助配線層の構成の一例を表す拡大断面図である。
【図１９】図１７に示した補助配線層の構成の一例を表す拡大断面図である。
【図２０】図１７に示した突起構造の一例を表す拡大断面図である。
【図２１】図１７に示した突起構造の他の例を表す拡大断面図である。
【図２２】図４に続く工程を表す断面図である。
【図２３】図１７ないし図１９に示した表示装置の製造方法の一例を工程順に表す断面図である。
【図２４】図１７ないし図１９に示した表示装置の製造方法の他の例を工程順に表す断面図である。
【図２５】図１に示した表示装置の変形例を表す断面図である。
【図２６】図１に示した補助配線層の変形例を表す平面図である。
【図２７】図１に示した補助配線層の他の変形例を表す平面図である。
【図２８】図１２の蒸着マスクの特性を説明するための断面図である。
【図２９】図１２の蒸着マスクの特性を説明するための断面図である。
【図３０】従来の表示装置の構成を表す平面図である。
【図３１】従来の画素塗り分け用マスクを表す平面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０…素子パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ……有機発光素子、１１…素子基板、１２…ＴＦＴ、１３…平坦化膜、１４…第１電極、１４Ａ…密着層、１４Ｂ…反射層、１４Ｃ…バリア層、１５…絶縁膜、１５Ａ，１５Ｂ…開口部、１６…有機層、１７…第２電極、１７Ａ…半透過性電極、１７Ｂ…透明電極、１８…補助配線層、１８Ａ…突起構造、１８Ｂ…孔、１８Ｃ…切欠き、１９…保護膜、２０…封止パネル、２１…封止基板、２２…カラーフィルタ、２２Ｒ…赤色フィルタ、２２Ｇ…緑色フィルタ、２２Ｂ…青色フィルタ、２３…ブラックマトリクス、２４…スペーサ、２４Ａ…本体部、２４Ａ１…本体部中心、２４Ｂ…突起部、２４Ｂ１…第１突起、２４Ｂ２…第２突起、３０…接着層、４１…正孔輸送層、４２…発光層、４２Ｒ…赤色発光層、４２Ｇ…緑色発光層、４２Ｂ…青色発光層、４３…電子輸送層、５１…エリアマスク５１Ａ…開口部、６０…蒸着マスク、６０Ａ…蒸着用孔、６０Ａ１…蒸着用孔中心、６０Ｂ…蒸着用孔断面、１１０…基板、１１１…第１電極、１１２…有機層、１１３…第２電極、１１３Ａ…補助配線層、１２０…画素塗り分け用マスク、１２１…開口部、１８１…下地層、１８２…導電層、２１０…基板、６０１…突起蒸着用マスク、６０１Ａ…蒸着用孔、６０１Ｂ…孔断面、７０１…突起、６０２…平坦蒸着用マスク、６０２Ａ…蒸着用孔、７０２…蒸着物、ｈR …赤色光、ｈG …緑色光、ｈB …青色光、Ｐ1 …第１端部、Ｐ2 …第２端部、Ｌ…光学的距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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