(57)【要約】【課題】小型化でき、且つ表示領域全体に任意の大きさのアイコンを任意の位置に配置させることができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】液晶表示素子１００は、対向し且つ周辺部においてシール隔壁８を介して互いに接合されたガラス基板２Ａ，２Ｂと、ガラス基板２Ａ及び２Ｂの内面に、夫々、形成されたＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂと、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの内面に被覆された絶縁膜５ａ，５ｂと、絶縁膜５ａ，５ｂの内面に形成されたＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂとを有する。ＩＴＯ透明電極３ａは、ガラス基板２Ａ上にストライプ状にパターンニングされた行電極であり、ＩＴＯ透明電極３ｂは、ガラス基板２Ｂ上にストライプ状にパターンニングされた列電極である。ＩＴＯ透明電極４ａは、絶縁膜５ａの上に被膜され、個々のアイコンを表示させるためのコモン電極であり、ＩＴＯ透明電極４ｂは、絶縁膜５ｂ上に所定のアイコン形状にパターンニングされた電極である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対のガラス基板と、前記一対のガラス基板の内面に夫々形成された第１の表示電極対及び第２の表示電極対と、前記一対のガラス基板の間に封入された液晶とを備える液晶表示素子において、
前記第１の表示電極対は、表示マーク表示素子を構成すべく、その一方が表示マーク形状の電極、他方がコモン電極から成り、
前記第２の表示電極対は、ドットマトリックス表示素子を構成すべく、その一方が行電極、他方が列電極から成り、
前記表示マーク表示素子と前記ドットマトリックス表示素子は重なって配置されることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記表示マークは、アイコン又はセグメントから成ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記表示マーク表示素子は、その一部において前記ドットマトリックス表示素子と重なっていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記表示マーク表示素子は、その全体において前記ドットマトリックス表示素子と重なっていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記第１の表示電極対は、前記表示マーク表示素子と前記ドットマトリックス表示素子とが重なって配置される領域において、前記第２の表示電極対の内側に設けることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記表示マーク表示素子を囲むように、ダミー電極を前記第１の表示電極対を構成する一方の表示素子と同一面に設けることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記重なって配置される領域において、前記第１の表示電極対と前記第２の表示電極対はその接する面を、無機質透明膜で電気的に絶縁することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記無機質透明膜の屈折率が、前記第２の表示電極対の屈折率と略同じであることを特徴とする請求項７記載の液晶表示素子。
【請求項９】
前記第２の表示電極対を構成する前記行電極及び前記列電極は透明ＩＴＯ電極で構成され、且つ前記無機質透明膜は二酸化珪素と二酸化チタンの混合膜であって、前記屈折率となるように前記無機質透明膜中に二酸化珪素を含有することを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
前記無機質透明膜の厚みを５０〜２００ｎｍとすることを特徴とする請求項８又は９記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
前記表示マーク表示素子及び前記ドットマトリックス表示素子を駆動する駆動ＬＳＩを前記２枚のガラス基板のうちの一方の上にマウントすることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子に関し、特に、アイコン又はセグメント表示とドットマトリックス表示を同時に行う液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、１つの液晶表示素子の表示領域に多くの情報を表示させるため、アイコン又はセグメントの表示（表示マーク表示）とドットマトリックス表示を同時に行う液晶表示素子が知られている。
【０００３】
このような表示を行う液晶表示素子としては、表示マーク表示をする表示マーク表示領域とドットマトリックス表示をするドットマトリックス表示領域が隣合わせとなるように電極を配置するもの（従来例１）（例えば、特許文献１参照）や、２つの液晶表示素子を重ね合わせ、一方の液晶表示素子でアイコン又はセグメント表示を行い、他方の液晶表示素子でドットマトリックス表示を行うもの（従来例２）（例えば、特許文献２参照）が知られている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０５−１３４２３５号公報
【特許文献２】
特開２００１−１３３７５５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、行電極と列電極とから成るドットマトリックス画素で大きな図形や記号を表示しようとすると、滑らかな図形あるいは記号にするのは困難であった。
【０００６】
また、四角形または丸等のドット表示が均一に並べられているため、ドットマトリックス表示領域で文字等を表示しようとしても字体の滑らかさを出すには限界があった。
【０００７】
一方、従来例２の液晶表示素子では、上側の液晶表示素子で表示されたものと下側の液晶表示素子で表示されたものとの間には視差が生じるため、その表示が不自然となるという問題があった。
【０００８】
本発明の目的は、小型化でき、且つ表示領域全体に任意の大きさの表示マークを任意の位置に配置させることができる液晶表示素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の液晶表示素子は、互いに対向する一対のガラス基板と、前記一対のガラス基板の内面に夫々形成された第１の表示電極対及び第２の表示電極対と、前記一対のガラス基板の間に封入された液晶とを備える液晶表示素子において、前記第１の表示電極対は、表示マーク表示素子を構成すべく、その一方が表示マーク形状の電極、他方がコモン電極から成り、前記第２の表示電極対は、ドットマトリックス表示素子を構成すべく、その一方が行電極、他方が列電極から成り、前記表示マーク表示素子と前記ドットマトリックス表示素子は重なって配置されることを特徴とする。
【００１０】
請求項１記載の液晶表示素子によれば、液晶を封入する一対のガラス基板間にある第１の表示電極対は表示マーク表示素子を構成し、第２の表示電極対はドットマトリックス表示素子を構成するものであって、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子は重なって配置されるので、液晶表示素子を小型化でき、且つ表示領域全体に任意の大きさの表示マークを任意の位置に配置させることができる。
【００１１】
請求項２記載の液晶表示素子は、請求項１記載の液晶表示素子において、前記表示マークは、アイコン又はセグメントから成ることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の液晶表示素子は、請求項１記載の液晶表示素子において、前記表示マーク表示素子は、その一部において前記ドットマトリックス表示素子と重なっていることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子は、その一部においてドットマトリックス表示素子と重なっているので、表示マーク表示領域の表示素子のうち、ドットマトリックス表示領域で表示を行っているときには表示を行わない表示素子のみを重ねて配置し、第１の表示と第２の表示とを同時に行うことができ、表示マーク表示素子の全部がドットマトリックス表示素子と重なって配置されると、液晶表示素子を確実に小型化できる。また、ドットマトリックス表示領域において必要に応じてドット表示とマーク表示を切り替える事ができ、表現の多様化を望める。
【００１４】
請求項４記載の液晶表示素子は、請求項１記載の液晶表示素子において、前記表示マーク表示素子は、その全体において前記ドットマトリックス表示素子と重なっていることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子は、その全体においてドットマトリックス表示素子と重なっているので、液晶表示素子を確実に小型化できる。
【００１６】
請求項５記載の液晶表示素子は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、前記第１の表示電極対は、前記表示マーク表示素子と前記ドットマトリックス表示素子とが重なって配置される領域において、前記第２の表示電極対の内側に設けることを特徴とする。
【００１７】
請求項５記載の液晶表示素子によれば、第１の表示電極対は、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子とが重なって配置される領域において、第２の表示電極対の内側に設けるので、ドットマトリックス表示素子を構成する行電極及び列電極を微細なストライプ状の透明電極としてガラス基板上に直接パターン加工することができ、基板への密着性、電極形状の欠けの発生が防止できる。
【００１８】
請求項６記載の液晶表示素子は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、前記表示マーク表示素子を囲むように、ダミー電極を前記第１の表示電極対を構成する一方の表示素子と同一面に設けることを特徴とする。
【００１９】
請求項６記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子を囲むように、ダミー電極を第１の表示電極対を構成する一方の表示素子と同一面に設けるので、表示電極の他の１対が非点灯時にアイコン形状又はセグメント形状の電極の輪郭が外部より見えるのを防止し、全体の表示をクリアーにすることができる。
【００２０】
請求項７記載の液晶表示素子は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、前記重なって配置される領域において、前記第１の表示電極対と前記第２の表示電極対はその接する面を、無機質透明膜で電気的に絶縁することを特徴とする。
【００２１】
請求項７記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子とが重なって配置される領域において、第１の表示電極対と第２の表示電極対はその接する面を、無機質透明膜で電気的に絶縁するので、有機質の膜を用いる場合と比較して確実に電気的絶縁をすることができ、絶縁膜上に形成する電極の安定性を向上させることができる。
【００２２】
請求項８記載の液晶表示素子は、請求項７記載の液晶表示素子において、前記無機質透明膜の屈折率が、前記第２の表示電極対の屈折率と略同じであることを特徴とする。
【００２３】
請求項８記載の液晶表示素子によれば、無機質透明膜の屈折率が、第２の表示電極対の屈折率と略同じであるので、ドットマトリックス表示を行わないときの行電極及び列電極が外部より見えるのを防止し、全体の表示をよりクリアーにすることができる。
【００２４】
請求項９記載の液晶表示素子は、請求項８記載の液晶表示素子において、前記第２の表示電極対を構成する前記行電極及び前記列電極は透明ＩＴＯ電極で構成され、且つ前記無機質透明膜は二酸化珪素と二酸化チタンの混合膜であって、前記屈折率となるように前記無機質透明膜中に二酸化珪素を含有することを特徴とする。
【００２５】
請求項９記載の液晶表示素子によれば、第２の表示電極対を構成する行電極及び列電極は透明ＩＴＯ電極で構成され、且つ無機質透明膜は二酸化珪素と二酸化チタンの混合膜であって、前記屈折率となるように前記無機質透明膜中に二酸化珪素を含有するので、上記接する面の電気的絶縁を確実に行うと共に、無機質透明膜の屈折率を表示電極を構成する透明電極の屈折率に近づけることができる。
【００２６】
請求項１０記載の液晶表示素子は、請求項８又は９記載の液晶表示素子において、前記無機質透明膜の厚みを５０〜２００ｎｍとすることを特徴とする。
【００２７】
請求項１０記載の液晶表示素子によれば、無機質透明膜の厚みを５０〜２００ｎｍとするので、確実に電気的絶縁をすることができると共に、表示ムラの発生を防止することができる。即ち、無機質透明膜の厚みが５０ｎｍ未満のとき、電気的絶縁が不十分となり、無機質透明膜の厚みが２００ｎｍより厚いとき、絶縁膜の有無で、液晶セルギャップの差が大きくなり、表示ムラが発生する。
【００２８】
請求項１１記載の液晶表示素子は、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、前記表示マーク表示マーク表示素子及び前記ドットマトリックス表示素子を駆動する駆動ＬＳＩを前記２枚のガラス基板のうちの一方の上にマウントすることを特徴とする。
【００２９】
請求項１１記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子及びドットマトリックス表示素子を駆動する駆動ＬＳＩを２枚のガラス基板のうちの一方の上にマウントするので、液晶表示素子を確実に小型化できる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る液晶表示素子を図面を参照して説明する。
【００３１】
図１は、本発明の実施の形態に係る液晶表示素子の要部の概略構造を示す断面図である。
【００３２】
図１において、液晶表示素子１００は、例えば５〜８μｍの間隔（セルギャップ）を隔てて対向し且つ周辺部においてシール隔壁８を介して互いに接合されたガラス基板２Ａ及び２Ｂを有し、さらに、ガラス基板２Ａ及び２Ｂの内面に、夫々、形成されたＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂ及びＩＴＯ透明電極対９ａ，９ｂと、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの内面に被覆された絶縁膜５ａ，５ｂと、絶縁膜５ａ，５ｂの内面に形成されたＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂと、ガラス基板２Ｂ上に直接マウントされる、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）タイプの駆動ＬＳＩ３０３とを有する。
【００３３】
液晶表示素子１００は、また、絶縁膜５ａ，５ｂ、ＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂ、及びＩＴＯ透明電極対９ａ，９ｂを被覆する絶縁膜５ｃ，５ｄと、絶縁膜５ｃ，５ｄを被覆するポリイミド配向膜６ｃ，６ｄとを有する。ガラス基板２Ａ及び２Ｂの間には基板間の距離を一定間隔に維持するスペーサ１０１と共に、液晶７が封入されている。
【００３４】
ガラス基板２Ａ，２Ｂには、例えばソーダライムシリケートフロートガラス板（酸化珪素のアルカリ溶出防止膜が被覆されているもの）が用いられる。厚みは、液晶表示素子１００の軽量化・耐衝撃性の確保の観点から０．３ｍｍ〜１．ｌｍｍが好ましい。
【００３５】
ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂは、液晶表示素子１００におけるドットマトリックス表示素子から成るドットマトリックス表示領域を構成するものであって、以下の方法により形成される。まず、ガラス基板２Ａ，２Ｂ上にスパッタリングあるいは真空蒸着法などの公知の方法によりＩＴＯ膜を被覆し、その後マスキングし、フォトリソグラフイ法によりストライプ状（例えば電極巾約３００μｍ、電極間距離３０μｍ）にパターニング（電極加工）して形成する。ガラス基板２Ａ上に形成されるＩＴＯ透明電極３ａは、長手方向が紙面と平行な方向（ｘ軸）にストライプ状にパターンニングされて行電極を構成する。また、ガラス基板２Ｂ上に形成されるＩＴＯ透明電極３ｂは、長手方向が紙面と垂直な方向（ｙ軸）にストライプ状にパターンニングされて列電極を構成する。
【００３６】
駆動ＬＳＩ３０３は、ＩＴＯ透明電極配線１０ｂを介してＩＴＯ透明電極４ｂと接続し、また図３及び図４で後述するように、他のＩＴＯ透明電極配線や導通シールを介してＩＴＯ透明電極３ａ，３ｂ，４ａ，９ａ，９ｂと接続する。
【００３７】
絶縁膜５ａ，５ｂは、二酸化珪素と二酸化チタンの二成分から成る無機酸化物で構成される。また、この絶縁膜５ａ，５ｂ上には夫々ＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂが形成される。これにより、絶縁膜５ａは、ＩＴＯ透明電極３ａ，ＩＴＯ透明電極４ａ間の電気絶縁を行い、絶縁膜５ｂは、ＩＴＯ透明電極３ｂ，ＩＴＯ透明電極４ｂ間の電気絶縁を行う。また、図１で示すように、絶縁膜５ａ，５ｂと同様の絶縁膜５ｃ，５ｄを、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂ上のみならず、ＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂ上にも被覆するようにしてもよい。これにより、ガラス基板２Ａ上に形成されるＩＴＯ透明電極４ａがガラス基板２Ｂ上に形成されるＩＴＯ透明電極４ｂと電気的に接触することを防止することができる。
【００３８】
ＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂは、液晶表示素子１００におけるアイコンやセグメント等の表示マークの表示素子から成る表示マーク表示領域を構成するものであって、以下の方法により形成される。まず、絶縁膜５ａ，５ｂ上にスパッタリングあるいは真空蒸着法などの公知の方法によりＩＴＯ膜を被覆する。このようにＩＴＯ膜を絶縁膜５ａの上に形成して、ＩＴＯ透明電極４ａを形成する。その後、絶縁膜５ｂ側のＩＴＯ膜についてのみマスキングし、フォトリソグラフイ法により所定のアイコン（セグメント）形状にパターンニングして、ＩＴＯ透明電極４ｂを形成する。また、ＩＴＯ透明電極４ｂについては、開口部を有するマスキング部材を介してスパッタリングや真空蒸着などのいわゆるマスク被覆法で直接形成してもよい。
【００３９】
ポリイミド配向膜６ａ，６ｂは、ＩＴＯ透明電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂが存在する領域に液晶を直接挟持するように形成される膜であって、ポリイミド前駆体溶液を塗布し、それを加熱重合することにより形成される。また、ポリイミド配向膜６ａ，６ｂとアイコン表示画素４ａ，４ｂの間に絶縁膜５ａ，５ｂと同様の膜を形成してもよい。
【００４０】
また、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの外側（ガラス基板側）にＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂを設けるようにしてもよいが、本実施の形態のように、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの内側にＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂを設けると、微細なストライプ状のＩＴＯ透明電極をドット表示画素領域を構成する行電極及び列電極としてガラス基板２Ａ，２Ｂ上に直接パターン加工することができるため、ガラス基板２Ａ，２Ｂへの密着性、電極形状の欠けの発生が防止できる。
【００４１】
本実施の形態によれば、液晶表示素子１００は、液晶７を挟持するガラス基板２Ａ，２Ｂ間に２対のＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂ及びＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂを有し、ＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂは表示マーク表示素子から成る表示マーク表示領域を構成し、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂはドットマトリックス表示画素で表示されるドットマトリックス表示領域を構成するものであって、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子は重なって配置されるので、液晶表示素子１００を小型化でき、且つ表示領域全体に任意の大きさのアイコンを任意の位置に配置させることができる。
【００４２】
図１に示すように、表示マーク表示素子を構成するＩＴＯ透明電極９ａ，９ｂを、ＩＴＯ透明電極４ａ，４ｂとは別にガラス基板２Ａ，２Ｂ上に形成する。これにより、表示マーク表示素子のうち、ドットマトリックス表示領域で表示を行っているときには表示を行わない表示素子のみをドットマトリックス表示素子に重ねて配置することにより、第１の表示と第２の表示とを同時に行うことができる。
【００４３】
例えば、図２に示すように、ドット表示画素領域Ｘの内外にアイコン表示画素領域Ｙ１，Ｙ２を設け、ドット表示画素領域Ｘでドット表示をするしないに関わらず、常時点灯表示する図柄、文字などの形状を有するＩＴＯ透明電極２０１〜２０４をアイコン表示画素領域Ｙ１に配置し、ドット表示画素領域Ｘでドット表示を行わないときにのみ点灯表示する図柄、文字などの形状を有するＩＴＯ透明電極２０５〜２０６をアイコン表示画素領域Ｙ２で表示する。
【００４４】
本実施の形態においては、表示マーク表示素子を構成するのＩＴＯ透明電極には、ＩＴＯ透明電極対９ａ，９ｂとＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂがあるが、表示マーク表示素子をＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂのみとしてもよい。これにより、液晶表示素子１００を確実に小型化できる。
【００４５】
図３は、図１の液晶表示素子１００のＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの配線パターンを示す図である。
【００４６】
図３において、駆動ＬＳＩ３０３は、その横方向にある複数ＩＴＯ透明電極配線１０ａと接続する。このＩＴＯ透明電極配線１０ａの一部はＩＴＯ透明電極３ｂと接続する。このＩＴＯ透明電極３ｂにより列電極３０２が構成される。また、残りのＩＴＯ透明電極配線１０ａは、導通シール１１を介してガラス基板２Ａ上にあるＩＴＯ透明電極配線１２ａと接続する。このＩＴＯ透明電極配線１２ａはＩＴＯ透明電極３ａとは直交配置されている。このＩＴＯ透明電極３ａにより行電極３０１が構成される。
【００４７】
さらに、駆動ＬＳＩ３０３は、その縦方向にある複数のＩＴＯ透明電極配線１０ｂと接続する。このＩＴＯ透明電極配線１０ｂの一部は、図１に示すように、ガラス基板２Ｂ及び絶縁膜５ｂの表面に配線されており、図４（ｂ）に示す絶縁体５ｂ上にあるＩＴＯ透明電極４ｂと接続する。また、残りのＩＴＯ透明電極配線１０ｂは、図４（ａ）に示すように、導通シール１３を介して絶縁体５ａ上にあるＩＴＯ透明電極配線１５ｂと接続する。このＩＴＯ透明電極配線１５ｂは、ＩＴＯ透明電極４ｂと接続するＩＴＯ透明電極配線１０ｂに対して直交配置されており、且つＩＴＯ透明電極４ａと接続する。
【００４８】
このように、駆動ＬＳＩ３０３をＣＯＧタイプとすると、液晶表示素子１００を確実に小型化できる。
【００４９】
また、ＩＴＯ透明電極４ｂの外側輪郭は、巾約３０μｍ位の距離を隔てて、アイコン電極５０と同質かつ同厚みの不図示のダミー電極が設けられている。これにより、ＩＴＯ透明電極４ｂの非点灯時に、ＩＴＯ透明電極４ｂの輪郭が外部より見えるのを防止し、全体の表示をクリアーにすることができる。
【００５０】
尚、本実施の形態では、ＩＴＯ透明電極４ｂはアイコン電極であったが、所定形状にパターンニングされた電極であればこれに限定されることはなく、例えばセグメント電極であってもよい。
【００５１】
以下、図１における絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの成分の調整方法について説明する。
【００５２】
絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを構成する二酸化珪素の屈折率が約１．５であり、また、二酸化チタンの屈折率が約２．３である。従って、絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの屈折率は、二酸化チタン成分の増大とともに、単調に増加するので、この２成分の組成比率を適宜選択することにより、屈折率を約１．５〜２．３の範囲で調整・設定できる。
【００５３】
ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂは、その屈折率が約２．０であるＩＴＯから成るので、二酸化チタン／酸化珪素のモル比率を約７／３にすることにより絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄをＩＴＯ透明電極と近似する屈折率にすることができる。これにより、ＩＴＯ透明電極４ｂが非点灯時にＩＴＯ透明電極４ｂの輪郭が外部より見えるのを防止し、全体の表示をクリアーにすることができる。
【００５４】
尚、本実施の形態に係る絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、二酸化珪素と二酸化チタンの二成分から成るが、無機酸化物であればこれに限定されるものでなく、例えば、酸化珪素膜、アルミナ膜、酸化ジルコニウム膜、酸化チタン膜などから成るものでもよい。これにより、有機質の膜を用いる場合と比較して確実に電気的絶縁をすることができ、絶縁膜上に形成する電極の安定性を向上させることができる。
【００５５】
また、この絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの厚みは５０〜２００ｎｍとするのが好ましい。確実に電気的絶縁をすることができると共に、表示ムラの発生を防止することができる。即ち、絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの厚みが５０ｎｍ未満のとき、電気的絶縁が不十分となり、絶縁膜５ａ，５ｂの厚みが２００ｎｍより厚いとき、絶縁膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの有無で、液晶セルギャップの差が大きくなり、表示ムラが発生する。
【００５６】
また、本実施の形態は、駆動ＬＳＩ３０３が液晶表示素子１００のガラス基板２Ｂ上にマウントされるいわゆるＣＯＧタイプであったが、これに限定されるわけでなく、例えば、ＦＰＣなどのフレキシブルな部材上に駆動ＬＳＩ３０３がマウントされていてもよい。これにより、液晶表示素子１００自体の大きさをより小さくすることができる。
【００５７】
図５は、図１の液晶表示素子１００の製造工程のフローチャートである。
【００５８】
図５において、まず、厚みが０．３〜１．ｌｍｍで二酸化珪素膜の被覆によりアルカリ溶出防止処理が施されたガラスを、ガラス基板２Ａ，２Ｂとして作成する（ステップＳ１０１）。
【００５９】
次に、ガラス基板２Ａ，２Ｂ上に夫々シート抵抗が２０〜５００Ω／平方のＩＴＯ膜を形成し、その後公知のフォトリソグラフィ法を用いて、ストライプ状にエッチング加工を行うことでＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂを形成する（ステップＳ１０２）。
【００６０】
その後、ＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの上に、夫々オルソエトキシチタネートとオルソエトキシシリケートの混合物のアルコール溶液を塗布し、アルコール溶媒を加熱により揮発逸散させ、その後約３００℃に加熱して二酸化珪素と二酸化チタンの混合膜から成る絶縁膜５ａ，５ｂを形成する（ステップＳ１０３）。
【００６１】
次に、絶縁膜５ａ，５ｂ上に夫々シート抵抗が２０〜５００Ω／平方のＩＴＯ膜をスパッタリングにより形成し、その後公知のフォトリソグラフィ法を用いて、絶縁膜５ｂ側のＩＴＯ膜についてのみ所定のアイコン形状にエッチング加工を行うことでＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂ及び図４のダミー電極４０を形成する（ステップＳ１０４）。
【００６２】
ステップＳ１０４の処理後、上述のＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂ及びダミー電極５１の上を覆うように、ポリイミド前駆体を凹版印刷により塗布し、その後約２５０℃に加熱してポリイミド高分子膜を形成し、回転ローラーの周囲に巻き付けたレーヨン布による溝形成（ラビング処理）をして、ポリイミド配向膜６を形成する（ステップＳ１０５）。
【００６３】
次に、一方のガラス基板２Ａ，２Ｂの周辺部のうち、液晶７の注入口となる部分を除き、エポキシ熱硬化型樹脂等のシール剤をスクリーン印刷法により所定形状に塗布し（ステップＳ１０６）、ガラス基板２Ａ，２Ｂの基板間距離を一定に維持するスペーサ１０１をガラス基板２Ａ，２Ｂを用いて貼り合わせることによりシール隔壁８を設ける（ステップＳ１０７）。その後、減圧雰囲気下に置き、シール隔壁８の内部に不図示の注入口から液晶７を注入する（ステップＳ１０８）。
【００６４】
最後に、ステップＳ１０７の液晶７の注入が終了すると、ＵＶ硬化型樹脂を上記注入口に塗布し、紫外線照射により重合硬化してシール隔壁８内に液晶７を封止し（ステップＳ１０９）、本処理を終了する。
【００６５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、請求項１記載の液晶表示素子によれば、液晶を封入する一対のガラス基板間にある第１の表示電極対は表示マーク表示素子を構成し、第２の表示電極対はドットマトリックス表示素子を構成するものであって、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子は重なって配置されるので、液晶表示素子を小型化でき、且つ表示領域全体に任意の大きさの表示マークを任意の位置に配置させることができる。
【００６６】
請求項３記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子は、その一部においてドットマトリックス表示素子と重なっているので、表示マーク表示領域の表示素子のうち、ドットマトリックス表示領域で表示を行っているときには表示を行わない表示素子のみを重ねて配置し、第１の表示と第２の表示とを同時に行うことができ、表示マーク表示素子の全部がドットマトリックス表示素子と重なって配置されると、液晶表示素子を確実に小型化できる。また、ドットマトリックス表示領域において必要に応じてドット表示マーク表示を切り替える事ができ、表現の多様化を望める。
【００６７】
請求項４記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子は、その全体においてドットマトリックス表示素子と重なっているので、液晶表示素子を確実に小型化できる。
【００６８】
請求項５記載の液晶表示素子によれば、第１の表示電極対は、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子とが重なって配置される領域において、第２の表示電極対の内側に設けるので、ドットマトリックス表示素子を構成する行電極及び列電極を微細なストライプ状の透明電極としてガラス基板上に直接パターン加工することができ、基板への密着性、電極形状の欠けの発生が防止できる。
【００６９】
請求項６記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子を囲むように、ダミー電極を第１の表示電極対を構成する一方の表示素子と同一面に設けるので、表示電極の他の１対が非点灯時にアイコン形状又はセグメント形状の電極の輪郭が外部より見えるのを防止し、全体の表示をクリアーにすることができる。
【００７０】
請求項７記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子とドットマトリックス表示素子とが重なって配置される領域において、第１の表示電極対と第２の表示電極対はその接する面を、無機質透明膜で電気的に絶縁するので、有機質の膜を用いる場合と比較して確実に電気的絶縁をすることができ、絶縁膜上に形成する電極の安定性を向上させることができる。
【００７１】
請求項８記載の液晶表示素子によれば、無機質透明膜の屈折率が、第２の表示電極対の屈折率と略同じであるので、ドットマトリックス表示を行わないときの行電極及び列電極が外部より見えるのを防止し、全体の表示をよりクリアーにすることができる。
【００７２】
請求項９記載の液晶表示素子によれば、第２の表示電極対を構成する行電極及び列電極は透明ＩＴＯ電極で構成され、且つ無機質透明膜は二酸化珪素と二酸化チタンの混合膜であって、前記屈折率となるように前記無機質透明膜中に二酸化珪素を含有するので、上記接する面の電気的絶縁を確実に行うと共に、無機質透明膜の屈折率を表示電極を構成する透明電極の屈折率に近づけることができる。
【００７３】
請求項１０記載の液晶表示素子によれば、無機質透明膜の厚みを５０〜２００ｎｍとするので、確実に電気的絶縁をすることができると共に、表示ムラの発生を防止することができる。即ち、無機質透明膜の厚みが５０ｎｍ未満のとき、電気的絶縁が不十分となり、無機質透明膜の厚みが２００ｎｍより厚いとき、絶縁膜の有無で、液晶セルギャップの差が大きくなり、表示ムラが発生する。
【００７４】
請求項１１記載の液晶表示素子によれば、表示マーク表示素子及びドットマトリックス表示素子を駆動する駆動ＬＳＩを２枚のガラス基板のうちの一方の上にマウントするので、液晶表示素子を確実に小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示素子の要部の概略構造を示す断面図である。
【図２】図１の液晶表示素子１００の表示画面を示す図である。
【図３】図１の液晶表示素子１００のＩＴＯ透明電極対３ａ，３ｂの配線パターンを示す図である。
【図４】図１の液晶表示素子１００のＩＴＯ透明電極対４ａ，４ｂの配線パターンを示す図である。
【図５】図１の液晶表示素子１００の製造工程のフローチャートである。
【符号の説明】
１００  液晶表示素子
１０１  スペーサ
３０３  駆動ＬＳＩ
２Ａ，２Ｂ  ガラス基板
３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ，９ａ，９ｂ  ＩＴＯ透明電極
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ  絶縁膜
６ａ，６ｂ  ポリイミド配向膜
７  液晶
８  シール隔壁
【図１】
2005010186.tif 000003
【図２】
2005010186.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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