(57)【要約】【課題】  書き込み電圧値のパネル個体差が小さくすることが可能なプラズマディスプレイパネルの保護膜形成材料を提供する。【解決手段】  プラズマディスプレイパネルの保護膜形成材料において、単結晶を粉砕したものを原料として、それを燒結した材料を用いて、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によって保護膜を形成する。【選択図】  図３
2005149743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの前記透光性前面基板の内面に形成される保護膜の形成材料であって、
粉砕した単結晶を燒結したものからなることを特徴とする保護膜形成材料。
【請求項２】
透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの前記透光性前面基板の内面に形成される保護膜の形成材料であって、
粉砕した単結晶と、前記単結晶とは異なる１種類または２種類以上の酸化物の粉体とを均一に混合した混合物を焼結したものからなることを特徴とする保護膜形成材料。
【請求項３】
前記酸化物は、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｓｃ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3から選択されることを特徴とする請求項２に記載の保護膜形成材料。
【請求項４】
前記単結晶の粉砕前の結晶粒径は１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の保護膜形成材料。
【請求項５】
前記保護膜形成材料は粉砕した単結晶と同一の酸化物であり、かつ、少なくとも結晶粒径が５μｍ以下の粉末を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の保護膜形成材料。
【請求項６】
前記保護膜形成材料は粉砕した単結晶と同一の酸化物であり、かつ、少なくとも２つの粒径分布を有しており、前記粒径分布には少なくとも結晶粒径が１００μｍ以上の粒径分布と結晶粒径が５μｍ以下の粒径分布とが含まれることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の保護膜形成材料。
【請求項７】
前記酸化物の粉体は、保護膜形成材料中に２０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれていることを特徴とする請求項２または３に記載の保護膜形成材料。
【請求項８】
前記酸化物の粉体の結晶粒径は５μｍ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の保護膜形成材料。
【請求項９】
平均の結晶粒径が１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の保護膜形成材料。
【請求項１０】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのうちいずれか一つを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の保護膜形成材料。
【請求項１１】
透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの前記透光性前面基板の内面に形成される保護膜の形成方法であって、
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の保護膜形成材料を、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法により、蒸着し、前記保護膜を形成する過程を備えることを特徴とする保護膜形成方法。
【請求項１２】
透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記透光性前面基板の内面に形成され、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の保護膜形成材料からなる保護膜を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の保護膜形成材料からなる保護膜を前記透光性前面基板の内面に形成する過程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜は、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法による蒸着によって形成されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルを表示パネルとして備えるプラズマ表示装置。
【請求項１６】
受信したアナログ映像信号をディジタル映像信号に変換し、そのディジタル映像信号を出力するアナログインターフェースと、
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルを含み、前記アナログインターフェースから受信した前記ディジタル映像信号に応じた映像を出力するプラズマディスプレイモジュールと、
からなるプラズマ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の保護膜を電子ビーム（ＥＢ）蒸着、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法により形成するための蒸着材料、その蒸着材料を用いた保護膜の製造方法、その保護膜を用いたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに、その保護膜を用いたプラズマディスプレイパネルを備えるプラズマ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を備えるプラズマ表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ：Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）及び液晶表示装置などの表示装置と比較して、ちらつきが少なく表示コントラスト比が大きいこと、薄型であり、大画面を制作しやすいこと、応答速度が速いことなどの利点を有しているため、近年では、コンピュータその他の情報処理装置のディスプレイ装置として多用されている。
【０００３】
このプラズマ表示装置は、動作方式により、電極が透明誘電体層で覆われ、交流放電の状態で動作するＡＣ型のものと、電極が放電空間に露出し、直流放電の状態で動作するＤＣ型のものに分類される。ＡＣ型のプラズマ表示装置は、構造がＤＣ型のプラズマ表示装置よりも簡単であり、大画面化を容易に実現することができるので、広く用いられている。
【０００４】
ＡＣ型のプラズマ表示装置の主要部を構成するプラズマディスプレイパネルは、透光性の前面基板と背面基板とが対向して配置され、両者の間にプラズマを発生さる放電ガス空間が形成される構成を有している。
【０００５】
また、前面基板の内面に、相互に平行に延びる走査電極及び維持電極（共通電極）からなる行電極である表示電極を配置し、背面基板の内面に、行電極と直交するようにデータ電極からなる列電極を配置した３電極面放電型のプラズマディスプレイパネルは、前面基板において行われる面放電時に発生する高エネルギイオンによる影響を抑えることができるので、長寿命化を図ることができる。このため、ＡＣ型のプラズマ表示装置に広く採用されている。
【０００６】
上述の３電極面放電型のプラズマディスプレイパネルは、背面基板のデータ電極と前面基板の走査電極との間で表示（発光）すべき放電セルを選択する書き込み放電を行い、続いて、走査電極と維持電極との間で選択した放電セルの面放電による維持放電を行う。
【０００７】
また、背面基板の内面に赤、緑及び青の各色の蛍光体層を配置するとともに、各蛍光体層にそれぞれ対向する位置に赤、緑及び青の各カラーフィルタ層を配置し、多色発光を可能にしたカラープラズマディスプレイパネルも提案されている。
【０００８】
プラズマディスプレイパネルにおいては、動作中に発生する放電から表示電極及びこれを覆っている透明誘電体層を保護するために、前面基板の内面に保護膜が形成される。すなわち、この保護膜は、放電時のイオン衝撃によるスパッタリングから透明誘電体層を保護するために設けられているが、保護膜は放電空間に直接さらされているため、その材質及び膜厚が放電特性に大きな影響を与える。また、この保護膜は高い二次電子放出係数（γ係数）を有していることが望ましい。二次電子放出係数（γ係数）が高くなるほど、放電電圧を下げる効果が大きくなる。
【０００９】
このような耐スパッタリング特性及びγ係数を有している誘電体としては、従来から酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が広く知られており、保護膜の形成材料として広く用いられている。
【００１０】
例えば、特許第３３３１５８４号（特許文献１）は、保護膜の形成材料としての焼結体の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の製造方法を提案している。提案されている酸化マグネシウムは、純度９９％以上、密度９０％以上、結晶の平均粒径が３乃至１００μｍの多結晶構造の酸化マグネシウムである。
【００１１】
また、これらの保護膜形成材料を用いて、蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によって保護膜を形成することが知られている。
【特許文献１】特許第３３３１５８４号公報（第３−５頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来からのプラズマディスプレイパネルの問題の一つとして、書き込み電圧値のパネル個体差の問題がある。この個体差に起因して、プラズマディスプレイパネル生産の歩留まりが低下するという問題、高い書き込み電圧値を有するプラズマディスプレイパネルを駆動するために、駆動回路の構造が複雑になり、コストアップが必要とされるという問題が生じていた。
【００１３】
この書き込み電圧に大きな影響を与えるパネル材料として、前述の前面基板の保護膜が挙げられる。
【００１４】
保護膜を形成する従来の方法の一つとして、単結晶の保護膜形成材料を用いて保護膜を形成する方法がある。しかしながら、この方法には、保護膜形成材料が内蔵する水分あるいは空気その他のガス成分、表面に付着または偏析した不純物、さらには、材料の単結晶のサイズにバラツキがあるという問題があった。
【００１５】
また、保護膜を形成する従来の他の方法として、焼結体の保護膜形成材料を用いて保護膜を形成する方法がある。この方法においては、焼結体を得る際の出発原料の結晶粒径として一般的に１μｍ以下と非常に小さいものが用いられており、それをプレス成形した後に、高温で焼結する際に粒成長を促進させている。しかしながら、このような焼結体は、もともとの原料に含まれている金属不純物が多いこと、あるいは、高温で粒成長する際にある程度の粒度分布ができてしまい、その結果として、結晶粒径にバラツキが生じてしまうという問題があった。
【００１６】
上記のようなバラツキを持った保護膜形成材料は熱伝導率や昇華温度が異なるために、成膜レートや基板に堆積する際の粒子エネルギーが変化する。このため、そのような保護膜形成材料を用いて、蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によって得られた保護膜は、その結晶配向性、結晶粒径（柱状構造の柱の太さ）、膜密度、膜厚そして二次電子放出係数などにバラツキを生じてしまい、その結果として、最終製造工程まで経たプラズマディスプレイパネルは、書き込み電圧値のプラズマディスプレイパネルごとのバラツキが発生し、プラズマディスプレイパネルの歩留まりが低下してしまう。
【００１７】
また、書き込み電圧値の高いプラズマディスプレイパネルができてしまうことになり、そのようなプラズマディスプレイパネルを駆動するために、高性能の、従って、高価な回路を必要としてしまう。
【００１８】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、プラズマディスプレイパネル毎の書き込み電圧値のバラツキを低く抑えることを可能にするプラズマディスプレイパネルの保護膜形成材料、保護膜製造方法、そのような保護膜を備えるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに、そのようなプラズマディスプレイパネルを備えるプラズマ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この目的を達成するため、本発明は、透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの前記透光性前面基板の内面に形成される保護膜の形成材料であって、粉砕した単結晶を燒結したものからなることを特徴とする保護膜形成材料を提供する。
【００２０】
本発明に係る保護膜形成材料は、単結晶を粉砕したものを原料としている。これは、単結晶を一定の条件で粉砕することにより、単結晶の結晶粒径を制御し、また、それを一定の条件下でプレス成形し、高温で焼結することにより、もともと単結晶のメリットである高純度という特徴を生かしながら、結晶粒径あるいは成形体のサイズ、密度（気孔率）などを自在に制御して焼結体を得ることができるようにするためである。このようにして得られた焼結体を保護膜形成材料として、蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によってプラズマディスプレイパネルの保護膜として一定の成膜条件で形成することにより、得られる保護膜においても、その結晶配向性、結晶粒径（柱状構造の柱の太さ）、膜密度、膜厚などが成膜毎に均一になる。このようにして最終製造工程まで経たプラズマディスプレイパネルは、書き込み電圧値のパネルごとのバラツキが低減され、パネルの歩留まり向上を達成することができる。
【００２１】
さらに、本発明は、透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの前記透光性前面基板の内面に形成される保護膜の形成材料であって、粉砕した単結晶と、前記単結晶とは異なるいずれか１種類または２種類以上の酸化物の粉体とを均一に混合した混合物を焼結したものからなることを特徴とする保護膜形成材料を提供する。
【００２２】
酸化物は、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｓｃ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3から選択することができる。
【００２３】
例えば、粉砕したＭｇＯ単結晶粉末の中に、Ａｌ2Ｏ3あるいはＳｉＯ2の粉末を添加して得られた焼結体を用いて、蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によってプラズマディスプレイパネルの保護膜を形成することにより、ＭｇＯ保護膜中にＡｌあるいはＳｉの不純物準位が形成される。Ａｌ2Ｏ3あるいはＳｉＯ2の添加量を一定に制御することによって、ＭｇＯ保護膜の二次電子放出係数（γ係数）あるいは膜抵抗などの膜の電気特性を制御することができる。このようにして、最終製造工程まで経たプラズマディスプレイパネルは、書き込み電圧値の絶対値あるいは放電確率（一定の走査期間の中で画素数、走査本数等によって割り当てられる、限られた書き込み期間の中で確実に放電が起こる確率）を制御することが可能となり、プラズマディスプレイパネルの製造仕様に応じて、例えば、高精細のプラズマディスプレイパネルにとっては低い書き込み電圧を設計することができ、シングルスキャン化などを達成することができ、駆動回路側のコスト低減へとつながる。
【００２４】
前記単結晶の粉砕前の結晶粒径は１ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２５】
前記保護膜形成材料は粉砕した単結晶と同一の酸化物であり、かつ、少なくとも結晶粒径が５μｍ以下の粉末を含むことが好ましい。
【００２６】
前記保護膜形成材料は粉砕した単結晶と同一の酸化物であり、かつ、少なくとも２つの粒径分布を有しており、前記粒径分布には少なくとも結晶粒径が１００μｍ以上の粒径分布と結晶粒径が５μｍ以下の粒径分布とが含まれることが好ましい。
【００２７】
前記酸化物の粉体は、保護膜形成材料中に２０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれていることが好ましい。
【００２８】
前記酸化物の粉体の結晶粒径は５μｍ以下であることが好ましい
平均の結晶粒径が１００μｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
保護膜形成材料は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのうちいずれか一つを主成分とすることが好ましい。
【００３０】
本発明は、さらに、透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの前記透光性前面基板の内面に形成される保護膜の形成方法であって、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の保護膜形成材料を、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法により、蒸着し、前記保護膜を形成する過程を備えることを特徴とする保護膜形成方法を提供する。
【００３１】
また、本発明は、透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルにおいて、前記透光性前面基板の内面に形成され、上述の保護膜形成材料からなる保護膜を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルを提供する。
【００３２】
本発明は、透光性前面基板と背面基板とが対向して配置され、前記透光性前面基板と前記背面基板との間にプラズマを発生させ、所定の画像を表示するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、上述の保護膜形成材料からなる保護膜を前記透光性前面基板の内面に形成する過程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【００３３】
前記保護膜は、例えば、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法による蒸着によって形成される。
【００３４】
本発明は、さらに、上述のプラズマディスプレイパネルを表示パネルとして備えるプラズマ表示装置を提供する。
【００３５】
このプラズマ表示装置は、例えば、受信したアナログ映像信号をディジタル映像信号に変換し、そのディジタル映像信号を出力するアナログインターフェースと、上述のプラズマディスプレイパネルを含み、前記アナログインターフェースから受信した前記ディジタル映像信号に応じた映像を出力するプラズマディスプレイモジュールと、から構成することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明に係る保護膜形成材料を用いることにより、プラズマディスプレイパネルにおいて、一定の書き込み電圧を印加したときに起こるちらつきの度合いのバラツキを低減することができ、また、ちらつきの度合いも低いレベルとなっている。このため、プラズマディスプレイパネルを量産する際に、ちらつきのパネル個体差を低レベルに抑制することができ、プラズマディスプレイパネルの製造歩留まりの向上が期待できる。
【００３７】
ここで、書き込み電圧は、一定の走査期間中において、画素数、走査本数等によって割り当てられる限られた書き込み期間の中で、ある確率で発光できなかった場合に「ちらつき」となって人間の目に感知される。これを防ぐためには一定の書き込み電圧値で確実に放電・発光する必要があり、高精細のプラズマディスプレイパネルにとっては低い書き込み電圧のほうが望ましい。また、低い電圧値で駆動できることにより、駆動回路のコスト低減を達成することが可能になる。本発明によれば、書き込み電圧を低くできることによる高精細化あるいはシングルスキャン化及び低価格化を実現することができる。また、プラズマディスプレイパネル間のバラツキを低減できることによるパネルの歩留まりの向上が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る保護膜形成材料からつくられたプラズマディスプレイパネル用保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの概略的な構成を示す断面図であり、図２は、このプラズマディスプレイパネルの駆動特性を評価するための駆動電圧の波形を示す波形図である。
【００３９】
本プラズマディスプレイパネルは、図１に示すように、相互に対向して配置された前面基板１と背面基板２とを有しており、両基板１、２間には放電ガス空間３が形成されている。
【００４０】
前面基板１は、ガラスその他の透明材料からなる第１の絶縁基板４と、第１の絶縁基板４の内面上に形成された走査電極５と、走査電極５と平行に第１の絶縁基板４の内面上に形成された維持電極（共通電極）６と、走査電極５及び維持電極６を被覆するＰｂＯ（酸化鉛）その他の低融点ガラスからなる透明誘電体層７と、透明誘電体層７を放電から保護するために、透明誘電体層７上に形成された保護膜８と、を備えている。
【００４１】
走査電極５は、第１の絶縁基板４の内面上に一方向（例えば、水平方向）に沿って形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）その他の透明材料からなる透明電極５Ａと、透明電極５Ａの抵抗を小さくするために、透明電極５Ａ上に形成されたＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）等からなるパス電極（トレース電極）５Ｂと、から構成されている。
【００４２】
また、維持電極（共通電極）６は、第１の絶縁基板４の内面上に透明電極５Ａに平行に形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）その他の透明材料からなる透明電極６Ａと、透明電極６Ａの抵抗を小さくするために、透明電極６Ａ上に形成されたＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）等からなるパス電極（トレース電極）６Ｂと、から構成されている。
【００４３】
保護膜８は、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる。
【００４４】
背面基板２は、ガラスその他の透明材料からなる第２の絶縁基板１１と、第２の絶縁基板１１の内面に他方向（例えば、垂直方向）に沿って形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等からなるデータ電極（アドレス電極）１２と、データ電極１２を覆って、第２の絶縁基板１１上に形成された白色誘電体層１３と、放電ガス空間３を確保するとともに、個々の放電セルを区切るために垂直方向に沿って形成された低融点ガラスからなる融壁（リブ）１４と、隔壁１４の壁面及び白色誘電体層１３の表面を覆うように形成された蛍光体層１５と、を備えている。
【００４５】
蛍光体層１５は、放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に塗り分けられている。
【００４６】
なお、図１においては、便宜上、走査電極５及び維持電極６とデータ電極１２とは同一方向に配置されているように示したが、実際には上述したように、走査電極５及び維持電極６とデータ電極１３とは互いに直交する方向に延在して配置されている。
【００４７】
放電空間３には、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）等の放電用ガスが単独であるいは混合して充填されている。
【００４８】
以下、図１に示したプラズマディスプレイパネルにおける保護膜８の形成材料について説明する。
【実施例１】
【００４９】
保護膜８の形成材料として、表１に示す３種類の材料を準備した。
【００５０】
【表１】
2005149743.tif 000003
（Ａ）は従来一般的に用いられている比較例としての単結晶ＭｇＯ、（Ｂ）は従来一般的に用いられている比較例としての焼結体ＭｇＯ、（Ｃ）は、本発明の実施例１に係る保護膜形成材料であり単結晶ＭｇＯを粉砕したものを焼結して得られた材料である。形状は、（Ａ）が顆粒状、（Ｂ）及び（Ｃ）が円柱状ペレットである。
【００５１】
これら３種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計３０枚に保護膜を形成した。
【００５２】
これら３０枚の前面基板を別個に同一条件にて製造された背面基板３０枚とそれぞれ貼り合わせ、放電ガス空間３内部のガスを排気した後に放電ガスを封入し、３０枚のプラズマディスプレイパネルを製作した。これら３０枚のプラズマディスプレイパネルについて、一定の書き込み電圧を印加した。その際に、パネル内においてちらつきが起こっている長方形の領域を観測し、その領域のサイズについて、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の１０枚毎に相対比較を行った。
【００５３】
その結果を図３に示す。
【００５４】
図３においては、３０枚のプラズマディスプレイパネルの中でちらつきが現れている領域の最小のサイズを１として相対値を示した。棒グラフが平均値を、線分がデータのバラツキを示している。
【００５５】
図３より、各１０枚のちらつきの度合いのバラツキ（すなわち、線分の長さ）が従来の単結晶（Ａ）、従来の焼結体（Ｂ）、本発明に係る焼結体（Ｃ）の順で小さくなっていることがわかる。
【００５６】
また、ちらつきの度合いの平均値（すなわち、棒グラフの高さ）も、従来の単結晶（Ａ）、従来の焼結体（Ｂ）、本発明に係る焼結体（Ｃ）の順で低い程度に抑えられていることがわかる。
【００５７】
このように、単結晶ＭｇＯを粉砕したものを焼結して得られた本実施例に係る保護膜形成材料は、従来の単結晶材料または焼結材料と比較して、プラズマディスプレイパネルにおけるちらつきの度合いのバラツキ及びちらつきの度合いの平均値の双方において良好な特性を示している。
【実施例２】
【００５８】
保護膜８の形成材料として、表２に示す３種類の材料を準備した。
【００５９】
【表２】
2005149743.tif 000004
（Ａ）は、粉砕した単結晶ＭｇＯを原料としてそれを焼結した比較例としてのＭｇＯ保護膜形成材料、（Ｂ）は、粉砕した単結晶ＭｇＯにＳｉＯ２を添加したＭｇＯ保護膜形成材料、（Ｃ）は、粉砕した単結晶ＭｇＯにＡｌ2Ｏ3を添加したＭｇＯ保護膜形成材料である。これら（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）３種の保護膜形成材料には、表２に示すような割合で不純物としてＣａ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＡｌが含まれている。
【００６０】
これら３種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計３０枚に保護膜を形成した。
【００６１】
これら３０枚の前面基板を別個に同一条件にて製造された背面基板３０枚とそれぞれ貼り合わせ、放電ガス空間３内部のガスを排気した後に放電ガスを封入し、３０枚のプラズマディスプレイパネルを製作した。これら３０枚のプラズマディスプレイパネルについて、一定の書き込み電圧を印加した。その際に、パネル内においてちらつきが起こっている長方形の領域を観測し、その領域のサイズについて、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の１０枚毎に相対比較を行った。
【００６２】
その結果を図４に示す。
【００６３】
図４においては、図３と同様に、３０枚のプラズマディスプレイパネルの中でちらつきが現れている領域の最小のサイズを１として相対値を示した。棒グラフが平均値を、線分がデータのバラツキを示している。
【００６４】
図４より明らかであるように、各１０枚のちらつきの度合いのバラツキ（線分の長さ）は、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）いずれも小さく抑えられている。
【００６５】
さらに、各１０枚のちらつきの度合いの平均値（棒グラフの高さ）に関しては、（Ａ）よりも（Ｂ）及び（Ｃ）の方が小さくなっており、添加物を加えることにより、ちらつきの度合いの平均値を低下させることが可能であることがわかる。具体的には、Ａｌ2Ｏ3を添加すると相対値として０．１程度、ＳｉＯ2を添加すると相対値として０．２程度ちらつきの度合いが低く制御できることがわかった。
【００６６】
本実施例においては、添加物として、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3を単結晶ＭｇＯに添加したが、これら以外の酸化物を用いても、本実施例の場合と同様の効果を得ることができる。例えば、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3の他に、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｓｃ2Ｏ3またはＹ2Ｏ3を選択することもできる。
【実施例３】
【００６７】
保護膜８の形成材料として、表３に示す４種類の材料を準備した。
【００６８】
【表３】
2005149743.tif 000005
（Ａ）は、粉砕前の単結晶ＭｇＯの平均粒径が約０．００１ｍｍ（１μｍ）のもの、（Ｂ）は、粉砕前の単結晶ＭｇＯの平均粒径が約０．０１ｍｍ（１０μｍ）のもの、（Ｃ）は、粉砕前の単結晶ＭｇＯの平均粒径が約０．１ｍｍ（１００μｍ）のもの、（Ｄ）は、粉砕前の単結晶ＭｇＯの平均粒径が約１ｍｍ（１０００μｍ）のものである。
【００６９】
これら４種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計４０枚に保護膜を形成した。
【００７０】
これら４０枚の前面基板を別個に同一条件にて製造された背面基板４０枚とそれぞれ貼り合わせ、放電ガス空間３内部のガスを排気した後に放電ガスを封入し、４０枚のプラズマディスプレイパネルを製作した。これら４０枚のプラズマディスプレイパネルについて、一定の書き込み電圧を印加した。その際に、パネル内においてちらつきが起こっている長方形の領域を観測し、その領域のサイズについて、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の１０枚毎に相対比較を行った。
【００７１】
その結果を図５に示す。
【００７２】
図５においては、図３及び図４と同様に、４０枚のプラズマディスプレイパネルの中でちらつきが現れている領域の最小のサイズを１として相対値を示した。棒グラフが平均値を、線分がデータのバラツキを示している。
【００７３】
図５から明らかであるように、各１０枚のちらつきの度合いのバラツキ（線分の長さ）は、粉砕する前の単結晶ＭｇＯの平均粒径が（Ａ）０．００１ｍｍ、（Ｂ）０．０１ｍｍ、（Ｃ）０．１ｍｍ、（Ｄ）１ｍｍの順で小さくなっていることがわかる。
【００７４】
また、ちらつきの度合いの平均値（棒グラフの高さ）も、粉砕する前の単結晶ＭｇＯの平均粒径が（Ａ）０．００１ｍｍ、（Ｂ）０．０１ｍｍ、（Ｃ）０．１ｍｍ、（Ｄ）１ｍｍの順で低い程度に抑えられていることがわかる。
【００７５】
このように、粉砕する前の単結晶の平均粒径を１ｍｍ以上とすることによって、ちらつきの度合いのバラツキ及びちらつきの度合いの平均値の低減という本発明の効果をより効率的に得ることができる。
【実施例４】
【００７６】
保護膜８の形成材料として、表４に示す４種類の材料を準備した。
【００７７】
【表４】
2005149743.tif 000006
すなわち、粉砕した単結晶ＭｇＯ（粉砕前の平均粒径は約１ｍｍ）に添加するＡｌ2Ｏ3の結晶粒径として（Ｅ）約１μｍ、（Ｆ）約５μｍ、（Ｇ）約１０μｍ及び（Ｈ）約１ｍｍの４種類を準備した。
【００７８】
これら４種類のＡｌ2Ｏ3を粉砕したものを粉砕した単結晶ＭｇＯ粉末に混合し、プレス成形したものを焼結することにより、４種類の保護膜形成材料を製造した。
【００７９】
これら４種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計４０枚に保護膜を形成した。
【００８０】
これら４０枚の前面基板を別個に同一条件にて製造された背面基板４０枚とそれぞれ貼り合わせ、放電ガス空間３内部のガスを排気した後に放電ガスを封入し、４０枚のプラズマディスプレイパネルを製作した。これら４０枚のプラズマディスプレイパネルについて、一定の書き込み電圧を印加した後に、その放電を維持するために必要な最小の維持電圧を測定した。維持電圧とは、前面基板の走査電極と背面基板のデータ電極との間の印加電圧により発生した対向放電を前面基板の走査電極と共通電極との間で起こる面放電に移行させる際に、走査電極に印加する電圧を指す。
【００８１】
その結果を図６に示す。
【００８２】
図６においては、平均結晶粒径が１μｍであるＡｌ2Ｏ3を添加したときの維持電圧の平均値を１とした場合の各プラズマディスプレイパネルにおける維持電圧の相対値が示されている。棒グラフが平均値を、線分がデータのバラツキを示している。
【００８３】
図６から明らかであるように、維持電圧は、添加するＡｌ2Ｏ3の結晶粒径が（Ｈ）１ｍｍ、（Ｇ）１０μｍ、（Ｆ）５μｍ、（Ｅ）１μｍの順で小さくなっていることがわかる。この中で、添加するＡｌ2Ｏ3の結晶粒径として（Ｈ）１ｍｍ及び（Ｇ）１０μｍのものは維持電圧が初期設定値としてあらかじた定められた水準よりも高く、正常な点灯ができなかった。
【００８４】
従って、添加する酸化物の結晶粒径としては５μｍ以下であることが望ましいことがわかった。
【実施例５】
【００８５】
保護膜８の形成材料として、表５に示す４種類の材料を準備した。
【００８６】
【表５】
2005149743.tif 000007
すなわち、（Ｉ）は平均粒径が約３μｍのＭｇＯ保護膜形成材料、（Ｊ）は平均粒径が約３０μｍの比較例としてのＭｇＯ保護膜形成材料、（Ｋ）は平均粒径が約１００μｍのＭｇＯ保護膜形成材料、及び（Ｌ）は平均粒径が約１ｍｍのＭｇＯ保護膜形成材料である。
【００８７】
これら４種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計４０枚に保護膜を形成した。
【００８８】
これら４０枚の前面基板を別個に同一条件にて製造された背面基板４０枚とそれぞれ貼り合わせ、放電ガス空間３内部のガスを排気した後に放電ガスを封入し、４０枚のプラズマディスプレイパネルを製作した。これら４０枚のプラズマディスプレイパネルについて、一定の書き込み電圧を印加した。その際に、パネル内においてちらつきが起こっている長方形の領域を観測し、その領域のサイズについて、（Ｉ）、（Ｊ）、（Ｋ）及び（Ｌ）の１０枚毎に相対比較を行った。
【００８９】
その結果を図７に示す。
【００９０】
図７においては、図３、図４及び図５と同様に、４０枚のプラズマディスプレイパネルの中でちらつきが現れている領域の最小のサイズを１として相対値を示した。棒グラフが平均値を、線分がデータのバラツキを示している。
【００９１】
図７から明らかであるように、各１０枚のプラズマディスプレイパネルのちらつきの度合いのバラツキ（線分の長さ）はＭｇＯ保護膜形成材料の平均粒径が（Ｉ）３μｍ、（Ｊ）３０μｍ、（Ｋ）１００μｍ、（Ｌ）１ｍｍの順に小さくなっていることがわかる。
【００９２】
すなわち、保護膜形成材料の平均粒径を１００μｍ以上とすることにより、従来の保護膜形成材料よりも、本発明の効果をより効率的に得ることができる。
【００９３】
以上の実施例１乃至５においては、保護膜形成材料として単結晶ＭｇＯを用いたが、単結晶ＭｇＯ以外の保護膜形成材料を用いることも可能である。例えば、単結晶ＭｇＯに代えて、単結晶ＣａＯ、単結晶ＳｒＯまたは単結晶ＢａＯを用いても、同様の効果を得ることができる。
【００９４】
なお、以上の実施例１乃至５においては、図２に示した波形を有する駆動電圧をプラズマディスプレイパネルに印加することにより、各値の測定を行った。すなわち、図２に示すように、維持パルスＰ１、維持消去パルスＰ２、プライミングパルスＰ３、プライミング消去パルスＰ４、走査パルスＰ５を印加することにより、ちらつきの度合いのバラツキや平均値を測定した。
【００９５】
ここに、プライミングとは、壁電荷を蓄積するための予備放電を指し、放電を安定化し、低電圧での放電開始を行うための駆動方法である。
【実施例６】
【００９６】
保護膜８の形成材料として、表６に示す４種類の材料を準備した。
【００９７】
【表６】
2005149743.tif 000008
保護膜８の形成材料を成形焼結体として得るために、粒径の小さい粉末を焼結助剤として混合することが効果的である。（Ｍ）は、その焼結助剤を加えず焼結したもの、（Ｎ）は、平均粒径約１μｍの焼結助剤を混合して焼結したもの。（Ｏ）は、同様に平均粒径約５μｍの焼結助剤を混合して焼結したもの。（Ｐ）は、同様に平均粒径約１０μｍの焼結助剤を混合して焼結したものである。
【００９８】
これら４種類のうち、（Ｍ）は焼結した後、容易に形が崩れ、成形体を維持できなかった。（Ｍ）を除く３種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計３０枚に保護膜を形成した。
【００９９】
その際、３種類の保護膜形成材料において、成膜時電子ビーム（ＥＢ）を照射すると材料の突沸いわゆるスプラッシュが発生した。
【０１００】
その発生量の観測結果を図８に示す。
【０１０１】
図８においては、横軸に焼結助剤の平均粒径（単位：μｍ）、縦軸に成膜時のスプラッシュ発生量（単位：個数／２０秒）を示している。
【０１０２】
図８から明らかであるように、焼結助剤の平均粒径が大きくなるとスプラッシュ発生量が増加する傾向が見られ、特に（Ｐ）ではスプラッシュ発生量が非常に多いために、材料がハース（材料の入っている坩堝）外に飛散し、材料使用効率の低下が著しいことを示している。一方の（Ｎ）、（Ｏ）はスプラッシュ発生量も実用レベルにあった。
【０１０３】
このように、保護膜形成材料中に少なくとも結晶粒径が５μｍ以下の粉末が含まれることによって、実用レベルの保護膜形成材料が得られ、本発明の効果をより効率的に得ることができる。
【実施例７】
【０１０４】
保護膜８の形成材料として、表７に示す５種類の材料を準備した。
【０１０５】
【表７】
2005149743.tif 000009
すなわち、粉砕した単結晶ＭｇＯ（粉砕前の平均粒径は約１ｍｍ）に添加するＳｉＯ2の焼結後の保護膜形成材料に占める割合として、（Ｑ）０ｐｐｍ（ＳｉＯ2添加なし）、（Ｒ）２０ｐｐｍ、（Ｓ）１０００ｐｐｍ、（Ｔ）５０００ｐｐｍ及び（Ｕ）１００００ｐｐｍの５種類を準備した。
【０１０６】
これら５種類のＳｉＯ2量を、粉砕した単結晶ＭｇＯ粉末に混合し、プレス成形したものを焼結することにより、５種類の保護膜形成材料を製造した。
【０１０７】
これら５種類の保護膜形成材料を用いて、同一の蒸着装置により、同一の成膜条件の下に、別個に同一条件にて製造された前面基板１０枚ずつ計５０枚に保護膜を形成した。
【０１０８】
これら５０枚の前面基板を別個に同一条件にて製造された背面基板５０枚とそれぞれ貼り合わせ、放電ガス空間３内部のガスを排気した後に放電ガスを封入し、５０枚のプラズマディスプレイパネルを製作した。これら５０枚のプラズマディスプレイパネルについて、一定の書き込み電圧を印加した後に、その放電を維持するために必要な最小の維持電圧を測定した。
【０１０９】
その結果を図９に示す。
【０１１０】
図９においては、ＳｉＯ2を全く添加しなかったときの維持電圧の平均値を１とした場合の各プラズマディスプレイパネルにおける維持電圧の相対値が示されている。棒グラフが平均値を、線分がデータのバラツキを示している。
【０１１１】
図９から明らかであるように、各１０枚の維持電圧は、平均値（棒グラフの高さ）はＭｇＯ保護膜形成材料の平均粒径が（Ｒ）２０ｐｐｍから（Ｔ）５０００ｐｐｍの間で小さくなっていることがわかる。
【０１１２】
すなわち、保護膜形成材料中に添加するＳｉＯ2添加率を２０ｐｐｍ乃至５０００ｐｐｍの間とすることにより、従来の保護膜形成材料よりも、本発明の効果をより効率的に得ることができる。
【０１１３】
従って、添加する酸化物の添加率としては２０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下であることが望ましいことがわかった。
【０１１４】
なお、実施例７においては、保護膜形成材料に添加する材料としてＳｉＯ2を用いたが、ＳｉＯ2以外の酸化物を用いることも可能である。例えば、ＳｉＯ2に代えて、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｇａ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｓｃ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3を用いても、同様の効果を得ることができる。
【実施例８】
【０１１５】
図１０は、上述の実施例１乃至７に係る保護膜形成材料から形成された保護膜を有するプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【０１１６】
図１０に示す本実施例に係るプラズマディスプレイパネル７０は、相互に対向して配置された前面基板７１と背面基板７２とを備えており、両基板７１、７２間には放電ガス空間７３が形成されている。
【０１１７】
前面基板７１は、図１０に示すように、ガラスその他の透明材料からなる第１の絶縁基板７４と、第１の絶縁基板７４の内面上に形成された走査電極７５と、走査電極７５と平行に第１の絶縁基板７４の内面上に形成された維持電極（共通電極）７６と、走査電極７５及び維持電極７６を被覆するＰｂＯ（酸化鉛）その他の低融点ガラスからなる透明誘電体層７７と、透明誘電体層７７を放電から保護するために、透明誘電体層７７上に形成された保護膜７８と、を備えている。
【０１１８】
走査電極７５は、第１の絶縁基板７４の内面上に水平方向Ｈに沿って形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）その他の透明材料からなる透明電極７５Ａと、透明電極７５Ａの抵抗を小さくするために、透明電極７５Ａ上に形成されたＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）等からなるパス電極（トレース電極）７５Ｂと、から構成されている。
【０１１９】
また、維持電極（共通電極）７６は、第１の絶縁基板７４の内面上に透明電極７５Ａに平行に形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）その他の透明材料からなる透明電極７６Ａと、透明電極７６Ａの抵抗を小さくするために、透明電極７６Ａ上に形成されたＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）等からなるパス電極（トレース電極）７６Ｂと、から構成されている。
【０１２０】
背面基板７２は、ガラスその他の透明材料からなる第２の絶縁基板８１と、第２の絶縁基板８１の内面に垂直方向Ｖに沿って形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等からなるデータ電極（アドレス電極）８３と、データ電極８３を覆って、第２の絶縁基板８１上に形成された白色誘電体層８４と、放電ガス空間７３を確保するとともに、個々の放電セルを区切るために垂直方向Ｖに沿って形成された低融点ガラスからなる融壁（リブ）８５と、隔壁８５の壁面及び白色誘電体層８４の表面を覆うように形成された蛍光体層８６と、を備えている。
【０１２１】
蛍光体層８６は、放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に塗り分けられている。
【０１２２】
放電空間７３には、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）等の放電用ガスが単独であるいは混合して充填されている。
【０１２３】
前面基板７１に形成されている保護膜７８は、上述の実施例１乃至５において述べた保護膜形成材料からつくられている。このように、本発明に係る保護膜形成材料を用いることにより、図８に示したプラズマディスプレイパネル７０において、一定の書き込み電圧を印加したときに起こるちらつきの度合いのバラツキを低減することができ、また、ちらつきの度合いも低レベルとすることができる。このため、プラズマディスプレイパネルを量産する際に、ちらつきのパネル個体差を低レベルに抑制することができ、プラズマディスプレイパネルの製造歩留まりを向上させることができる。
【０１２４】
図１０に示したプラズマディスプレイパネル７０は、図１１に示した製造工程によって製造される。以下、図１１を参照して、プラズマディスプレイパネル７０の製造方法の一例を説明する。
【０１２５】
まず、工程Ｓ１０において、第１の絶縁基板７４としての前面ガラス基板を用意する。
【０１２６】
次に、工程Ｓ１１において、第１の絶縁基板７４の内面にスパッタ法等によりＩＴＯ等を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、所望の形状にパターニングして、各透明電極７５Ａ、７６Ａを形成する。
【０１２７】
次に、工程Ｓ１２において、各透明電極７５Ａ、７６Ａ上にスパッタ法等によりＡｌ等を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、所望の形状にパターニングして、各バス電極７５Ｂ、７６Ｂを形成する。既に形成されている各透明電極７５Ａ、７６Ａと、このように形成された各バス電極７５Ｂ、７６Ｂとで走査電極７５及び維持電極７６が形成される。
【０１２８】
次に、工程Ｓ１３において、走査電極７５及び維持電極７６を覆うように、スクリーン印刷法等により、ＰｂＯその他の透明誘電体層７７を形成する。
【０１２９】
次に、工程Ｓ１４において、ブラックマスク（図８には図示せず）を形成する。
【０１３０】
次に、工程Ｓ１５において、実施例１乃至５のいずれかの保護膜形成材料を用いて、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法により、ＭｇＯ膜から成る保護膜７８を形成して、前面基板７１を完成させる。
【０１３１】
一方、工程Ｓ２０において、第２の絶縁基板８１としての背面ガラス基板を用意する。
【０１３２】
次に、工程Ｓ２１において、第２の絶縁基板８１の内面にスパッタ法等によりＡｌ等を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、所望の形状にパターニングしてデータ電極８４を形成する。
【０１３３】
次に、工程Ｓ２２において、データ電極８３を覆うようにスクリーン印刷法等により白色誘電体層８４を形成する。
【０１３４】
次に、工程Ｓ２３において、データ電極８３上にスクリーン印刷法等により隔壁（リブ）８５を形成する。
【０１３５】
次に、工程Ｓ２４において、白色誘電体層８４及び隔壁８５を覆うように蛍光体層８６を形成する。
【０１３６】
次に、工程Ｓ２５において、スクリーン印刷法等によりシールフリット（封着剤）（図８には図示せず）を形成して背面基板面７２を完成させる。
【０１３７】
次に、工程Ｓ３０において、前面基板７１及び背面基板７２を１００μｍ程度のキャップを隔てて対向させた状態で固定して組み立てる。
【０１３８】
次に、工程Ｓ３１において、両基板７１、７２の周辺部をシールフリット（封着剤）により機密封止する。
【０１３９】
次に、工程Ｓ３２において、両基板７１、７２間の放電ガス空間７３を排気して、ガス封入を行う。
【０１４０】
具体的には、以下のように排気及びガス封入が行われる。
【０１４１】
背面基板７２を構成している第２の絶縁基板８１には適当な個所に通気孔が形成されており、この絶縁基板８１の外側表面には、図８には図示していないが、通気孔に位置合わせした状態で、通気管が密着状態の下で取り付けられている。背面基板７１に取り付けられている端部とは反対側の通気管の端部は、当初の状態においては開口されており、この端部を介して通気管が排気・ガス充填装置に接続される。
【０１４２】
まず、排気・ガス充填装置によって、放電ガス空間７３が真空に排気された後、排気・ガス充填装置から放電ガス空間７３に放電ガスが充填される。放電ガスの充填が終了した後、通気管は過熱によりチップオンされ、開口端部が閉塞される。
【０１４３】
このようにして、放電ガス空間７３には放電ガスが充填され、プラズマディスプレイパネル７０が完成する。
【実施例９】
【０１４４】
図１２は、本実施例に係るプラズマ表示装置１０の構造を示すブロック図である。本実施例に係るプラズマ表示装置１２は、図１０に示したプラズマディスプレイパネル７０を備えている。
【０１４５】
図１２に示すように、本実施例に係るプラズマ表示装置１０は、モジュール構造を有するものとして構成されており、具体的には、アナログインターフェース２０とプラズマディスプレイモジュール３０とからなる。
【０１４６】
アナログインターフェース２０は、クロマ・デコーダを備えるＹ／Ｃ分離回路２１と、アナログ・ディジタル（Ａ／Ｄ）変換回路２２と、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）回路を備える同期信号制御回路２３と、画像フォーマット変換回路２４と、逆γ変換回路２５と、システム・コントロール回路２６と、ＰＬＥ制御回路２７と、から構成されている。
【０１４７】
概略的には、アナログインターフェース２０は、受信したアナログ映像信号をディジタル映像信号に変換した後、そのディジタル映像信号をプラズマディスプレイモジュール３０に供給する。
【０１４８】
例えば、テレビチューナーから発信されたアナログ映像信号はＹ／Ｃ分離回路２１においてＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路２２においてディジタル信号に変換される。
【０１４９】
その後、プラズマディスプレイモジュール３０の画素構成と映像信号の画素構成が異なる場合には、画像フォーマット変換回路２４において必要な画像フォーマットの変換が行われる。
【０１５０】
プラズマディスプレイパネルの入力信号に対する表示輝度の特性は線形的に比例するが、通常の映像信号はＣＲＴの特性に合わせて、予め補正（γ変換）されている。このため、Ａ／Ｄ変換回路２２において映像信号のＡ／Ｄ変換を行った後、逆γ変換回路２５において、映像信号に対して逆γ変換を施し、線形特性に復元されたディジタル映像信号を生成する。このディジタル映像信号はＲＧＢ映像信号としてプラズマディスプレイモジュール３０に出力される。
【０１５１】
アナログ映像信号には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロック及びデータクロック信号が含まれていないため、同期信号制御回路２３に内蔵されているＰＬＬ回路が、アナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック及びデータクロック信号を生成し、プラズマディスプレイモジュール３０に出力する。
【０１５２】
ＰＬＥ制御回路２７は輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を超える場合には表示輝度を制限する。
【０１５３】
システム・コントロール回路２６は、各種制御信号をプラズマディスプレイモジュール３０に対して出力する。
【０１５４】
プラズマディスプレイモジュール３０は、ディジタル信号処理・制御回路３１と、パネル部３２と、ＤＣ／ＤＣコンバータを内蔵するモジュール内電源回路３３と、から構成されている。
【０１５５】
ディジタル信号処理・制御回路３１は、入力インターフェース信号処理回路３４と、フレームメモリ３５と、メモリ制御回路３６と、ドライバ制御回路３７と、から構成されている。
【０１５６】
入力インターフェース信号処理回路３４は、システム・コントロール回路２６から発信される各種制御信号、逆γ変換回路２５から発信されるＲＧＢ映像信号、同期信号制御回路２３から発信される同期信号、ＰＬＬ回路から発信されるデータクロック信号を受信する。
【０１５７】
例えば、入力インターフェース信号処理回路３４に入力された映像信号の平均輝度レベルは入力インターフェース信号処理回路３４内の入力信号平均輝度レベル演算回路（図示せず）により計算され、例えば、５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路２７は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定し、入力インターフェース信号処理回路３４内の輝度レベル制御回路（図示せず）に入力する。
【０１５８】
ディジタル信号処理・制御回路３１は、入力インターフェース信号処理回路３４において、これらの各種信号を処理した後、制御信号をパネル部３２に送信する。同時に、メモリ制御回路３６及びドライバ制御回路３７はメモリ制御回路及びドライバ制御信号をパネル部３２に送信する。
【０１５９】
パネル部３２は、実施例６に係るプラズマディスプレイパネル７０と、走査電極を駆動する走査ドライバ３８と、データ電極を駆動するデータドライバ３９と、プラズマディスプレイパネル７０及び走査ドライバ３８にパルス電圧を供給する高圧パルス回路４０と、高圧パルス回路４０からの余剰電力を回収する電力回収回路４１と、から構成されている。
【０１６０】
プラズマディスプレイパネル７０は、例えば、１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。
【０１６１】
プラズマディスプレイパネル７０においては、走査ドライバ３８が走査電極を制御し、データドライバ３９がデータ電極を制御することにより、所定の画素の点灯または非点灯が制御され、所望の画像の表示が行われる。
【０１６２】
なお、ロジック用電源がディジタル信号処理・制御回路３１及びパネル部３２にロジック用電力を供給している。さらに、モジュール内電源回路３３は、表示用電源から直流電力を供給され、この直流電力の電圧を所定の電圧に変換した後、パネル部３２に供給している。
【０１６３】
本実施例に係るプラズマ表示装置１０の一構成要素であるプラズマディスプレイパネル７０は、上述の実施例１乃至５に係る保護膜形成材料からなる保護膜を備えている。このため、本実施例に係るプラズマ表示装置１０は、一定の書き込み電圧を印加したときに起こるちらつきの度合いのバラツキを低減することができ、また、ちらつきの度合いも低レベルとすることができる。このため、プラズマディスプレイパネルの個体差を低レベルに抑制することができ、プラズマ表示装置そのものの製造歩留まりを向上させることができる。
【０１６４】
以下、本実施例に係るプラズマ表示装置１０の製造方法を概略的に説明する。
【０１６５】
まず、実施例６において製造したプラズマディスプレイパネル７０と、走査ドライバ３８と、データドライバ３９と、高圧パルス回路４０と、電力回収回路４１とを一つの基板上に配置し、パネル部３２を形成する。さらに、パネル部３２とは別個にディジタル信号処理・制御回路３１を形成する。
【０１６６】
次いで、パネル部３２及びディジタル信号処理・制御回路３１とモジュール内電源回路３１とを一つのモジュールとして組み立て、プラズマディスプレイパネルモジュール３０を形成する。さらに、プラズマディスプレイパネルモジュール３０とは別個にアナログインターフェース２０を形成する。
【０１６７】
このようにプラズマディスプレイパネルモジュール３０とアナログインターフェース２０とをそれぞれ別個に形成した後、双方を電気的に接続することにより、図１０に示したプラズマ表示装置１０が完成する。
【０１６８】
このように、プラズマ表示装置１０をモジュール化することにより、プラズマ表示装置を構成する他の構成部品とは別個独立にプラズマ表示装置１０を製造することが可能になり、例えば、プラズマ表示装置１０が故障した場合には、プラズマディスプレイパネルモジュール３０毎交換することにより、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】本発明の適用対象であるＡＣ型カラープラズマディスプレイパネルの画素の基本単位である１つの発光セルの構造を示した断面図である。
【図２】プラズマディスプレイパネルの駆動特性を評価するデータを得るために用いた駆動電圧の波形を示す波形図である。
【図３】ＭｇＯ材料種と書き込みにおける表示ちらつき度合いとの関係を示す特性図である。
【図４】ＭｇＯに添加した材料種と書き込みにおける表示ちらつき度合いとの関係を示す特性図である。
【図５】粉砕前のＭｇＯ単結晶粒径と書き込みにおける表示ちらつき度合いとの関係を示す特性図である。
【図６】ＭｇＯに添加したＡｌ2Ｏ3粒径と維持電圧値との関係を示す特性図である。
【図７】ＭｇＯ材料の平均粒径と書き込みにおける表示ちらつき度合いとの関係を示す特性図である。
【図８】粉砕した単結晶ＭｇＯに加えた焼結助剤の結晶粒径と成膜時スプラッシュ発生量との関係を示す特性図である。
【図９】ＭｇＯに添加したＳｉＯ2添加率と維持電圧値との関係を示す特性図である。
【図１０】図１０は、本発明に係る保護膜形成材料から形成された保護膜を有するプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示したプラズマディスプレイパネルの製造工程を示す製造フロー図である。
【図１２】図１０に示したプラズマディスプレイパネルを備えるプラズマ表示装置の構造を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１７０】
１、７１  前面基板
２、７２  背面基板
３、７３  放電ガス空間
４、７４  第１の絶縁基板
５、７５  走査電極
５Ａ、７５Ａ  透明電極
５Ｂ、７５Ｂ  パス電極
６、７６  維持電極
６Ａ、７６Ａ  透明電極
６Ｂ、７６Ｂ  パス電極
７、７７  透明誘電体層
８、７８  保護膜
１１、８１  第２の絶縁基板
１２、８３  データ電極
１３、８４  白色誘電体層
１４、８５  隔壁
１５、８６  蛍光体層
１０  プラズマ表示装置
２０  アナログインターフェース
２１  Ｙ／Ｃ分離回路
２２  アナログ・ディジタル（Ａ／Ｄ）変換回路
２３  同期信号制御回路
２４  画像フォーマット変換回路
２５  逆γ変換回路
２６  システム・コントロール回路
２７  ＰＬＥ制御回路
３０  プラズマディスプレイモジュール
３１  ディジタル信号処理・制御回路
３２  パネル部
３３  モジュール内電源回路
３４  入力インターフェース信号処理回路
３５  フレームメモリ
３６  メモリ制御回路
３７  ドライバ制御回路
３８  走査ドライバ
３９  データドライバ
４０  高圧パルス回路
４１  電力回収回路
７０  プラズマディスプレイパネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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