(57)【要約】【課題】  排ガスにおける除害率の向上できるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。【解決手段】    半導体処理装置９０から排出される排ガスを除害処理する除害装置１００であって、半導体処理装置９０から排出された排ガスを流す排管１０と、この排管１０に接続して排ガス中の有害成分を無害化する第１スクラバー２１、反応筒３０、第２スクラバー２２及び出口水スクラバー２３と、半導体処理装置９０の処理条件に基づいて反応筒３０内の熱処理温度をフィードフォワード制御するヒーターコントロールユニット５０と、を備えたものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の製造装置から排出される排ガスを除害処理する除害装置であって、
前記製造装置から排出される前記排ガスを流す排管と、
前記排管に接続して前記排ガス中の有害成分を無害化する除害処理ユニットと、
前記製造装置の処理条件に基づいて前記除害処理ユニットの除害処理条件をフィードフォワード制御する制御部と、を備えたことを特徴とする排ガスの除害装置。
【請求項２】
前記除害処理ユニットは、
前記排管に接続した反応筒と、
前記反応筒の内側又は外側の少なくとも一方に設けられて当該反応筒内を加熱する加熱手段と、を有し、
前記制御部は、
前記製造装置の処理条件に基づいて前記加熱手段による加熱温度をフィードフォワード制御することを特徴とする請求項１に記載の排ガスの除害装置。
【請求項３】
前記除害処理ユニットは、
前記反応筒内に設けられて前記排ガス中の有害成分の分解を促す触媒を有することを特徴とする請求項２に記載の排ガスの除害装置。
【請求項４】
前記除害処理ユニットは、
前記反応筒の入口側に設けられた第１スクラバーを有し、
前記第１スクラバーは前記反応筒内で熱処理される前記排ガスを水洗処理することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の排ガスの除害装置。
【請求項５】
前記除害処理ユニットは、
前記反応筒の出口側に設けられた第２スクラバーを有し、
前記第２スクラバーは前記反応筒内で熱処理された前記排ガスを水洗処理することを特徴とする請求項２から請求項４の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項６】
前記除害処理ユニットは、
前記第１スクラバー又は第２スクラバーの少なくとも一方で前記水洗処理に使用された水を貯蔵する水貯蔵部を有し、
前記第１スクラバー又は前記第２スクラバーの少なくとも一方が、前記水貯蔵部に貯蔵された水を前記水洗処理に再使用することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の排ガスの除害装置。
【請求項７】
前記水貯蔵部に貯蔵された水の成分濃度を計測する濃度計測装置と、
前記濃度計測装置の計測結果に基づいて前記水貯蔵部に貯蔵された前記水の成分濃度を調整する濃度調整部と、を備えたことを特徴とする請求項６に記載の排ガスの除害装置。
【請求項８】
前記反応筒の出口側に設けられて当該反応筒内で熱処理された前記排ガスの成分を検知する成分検知器を備え、
前記制御部は、
前記成分検知器による前記排ガスの成分の検知結果に基づいて前記加熱手段による加熱温度をフィードバック制御することを特徴とする請求項２から請求項７の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載された除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された排ガスを除害処理することを特徴とする排ガスの除害方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８の何れか一項に記載された除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを備えたことを特徴とする電子デバイスの製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、除害装置及び電子デバイスの製造システムに関し、特に、電子デバイス等の製造装置から排出される排ガス中の有害成分を無害化（即ち、除害処理）する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＰＦＣ（パーフロロカーボン化合物）ガスは地球温暖化との関係が指摘されており、その排出量の削減が強く求められている。半導体装置やＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程では、一般に、ＳＦ６（六フッ化硫黄）や、ＣＦ４（四フッ化メタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）等のＰＦＣガスがプロセスガスとして用いられている。プロセスガスとは、例えば、製膜用の原料ガスや、薄膜エッチング用のエッチングガス等のことであり、半導体ウエーハにＩＣ回路を形成する上で必要なガスのことである。
【０００３】
半導体装置やＬＣＤの製造工程では、このようなＰＦＣガスの外界への排出量を少なくとも規制値以下とする目的で、製造装置に繋がる排気ラインに除害装置が設けられている。除害装置としては、常温での処理が困難な有害な成分を無害化するため、排ガスを加熱して有害成分を熱分解する加熱式の除害装置や、排ガスの分解を促進させる触媒を併用した触媒式の除害装置等が知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、排ガスをバーナで加熱し、加熱した排ガスを触媒を用いて分解する触媒式の除害装置（触媒式排ガス処理装置）が記載されている。特許文献１に記載された除害装置では、処理済排ガス排出口にガスセンサが設けられており、このガスセンサによるガス濃度の検知結果に基づいてバーナの温度（発熱量）をコントロールするようになっている。つまり、除害後の排ガス濃度をモニターし、このモニター結果に基づいてバーナの温度を最適化するようになっている。
【特許文献１】特開平１０−２６７２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載された除害装置において、仮に、除害の不十分な処理済排ガス（以下、「除害不足の排ガス」という。）が発生した場合には、この除害不足の排ガスは反応室から出て排気口に到達する。そして、排気口に到達した除害不足の排ガスをガスセンサが検知してから、反応室内にあるバーナの温度が補正される。従来、この種の除害装置は、除害後の排ガス中に含まれる有害成分の濃度が規制値を下回っていればそれで良いと考えられており、規制値を下回るためには特許文献１に記載されたようなフィードバック制御の除害装置で十分と考えられていた。
【０００６】
しかしながら、本発明者は、除害装置の上流側にある半導体処理装置では種々のＰＦＣガスがそれぞれ独立したチャンバ内でバラバラのタイミングで流されており、それぞれのチャンバ内で流されるＰＦＣガスの種類と、その流されるタイミングとの組合せによっては、下流側での排ガスの除害率が（規制値はクリアするものの）低下してしまうということを見出した。
【０００７】
また、特許文献１に記載された除害装置では、除害不足の排ガスが発生してからバーナの温度が補正されるまでの間には時間差がある。そして、この時間差に相当する間、もちろん規制値を下回る量ではあるが、除害不足の排ガスが排気口から排出されてしまうという問題があった。さらに、除害不足の排ガス検知を受けてバーナの温度を補正する場合には、通常、バーナの温度をこの排ガスの分解温度まで上昇させるが、温度が分解温度まで上昇する間も、除害不足の排ガスは反応室から出て排気口へ流れてしまうおそれがあった。
【０００８】
このような除害不足の排ガスの発生を防止するために、反応筒（室）内の温度を常に高温に維持する方法もあるが、この方法を採用した場合には、もちろん反応筒内での消費熱量が多くなってしまうので、除害コストが増大するという問題が生じてしまう。
本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、排ガスにおける除害率の向上できるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の排ガスの除害装置は、所定の製造装置から排出される排ガスを除害処理する除害装置であって、前記製造装置から排出される前記排ガスを流す排管と、前記排管に接続して前記排ガス中の有害成分を無害化する除害処理ユニットと、前記製造装置の処理条件に基づいて前記除害処理ユニットの除害処理条件をフィードフォワード制御する制御部と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、所定の製造装置とは、例えば半導体装置やＬＣＤ等を製造するための製造装置である。また、製造装置の処理条件とは、例えば、製造装置に予め入力された複数の処理条件（レシピー）の中から任意に選択されたレシピーのことである。同一種類の製造装置でも、選択されるレシピーによって使用するガス種や、その量が異なることが普通である。
【００１１】
発明１の除害装置によれば、除害処理ユニットで排ガスを除害処理する前に、この排ガスに含まれる有害成分の種類や、その量等に応じて除害処理ユニットでの除害処理条件を調整することができる。これにより、排ガスにおける除害率を向上させることが可能である。
【００１２】
〔発明２〕  発明２の排ガスの除害装置は、発明１の排ガスの除害装置において、前記除害処理ユニットは、前記排管に接続した反応筒と、前記反応筒の内側又は外側の少なくとも一方に設けられて当該反応筒内を加熱する加熱手段と、を有し、前記制御部は、前記製造装置の処理条件に基づいて前記加熱手段による加熱温度をフィードフォワード制御することを特徴とするものである。ここで、排ガス中に含まれる有害成分は、その種類によって分解に要する最低熱処理温度が異なる。例えば、ＳＦ６や、ＣＨＦ３は触媒を用いて６００［℃］程度で熱分解されるのに対して、ＣＦ４は７００［℃］以上で熱分解される。
【００１３】
発明２の除害装置によれば、反応筒内で排ガスを熱処理する前に、この排ガスに含まれる有害成分の種類やその量等に応じて、その熱処理温度を調整することができる。従って、排ガスに含まれる有害成分を再現性高く熱分解することができ、除害率を高く維持することが可能である。
例えば、一の製造装置でＳＦ６や、ＣＨＦ３をプロセスガスとして用いるレシピーが選択されたとする。この場合には、そのレシピーに基づいて一の製造装置へのウエーハの投入（ロード）が開始される。また、このウエーハの投入開始と同時に、加熱手段は反応筒内の温度が６００［℃］となるように調整し始める。これにより、ＳＦ６や、ＣＨＦ３を含む排ガスが排管を通って反応筒に入る頃には、反応筒内の温度を６００［℃］で安定させることができる。
【００１４】
また、他の製造装置でＣＦ４をプロセスガスとして用いるレシピーが選択されたとする。この場合には、そのレシピーに基づいて他の製造装置へのウエーハの投入が開始される。また、このウエーハの投入開始と同時に、加熱手段は６００［℃］で安定していた反応筒内をより加熱して、この反応筒内の温度が７００［℃］以上となるように調整し始める。これにより、ＣＦ４を含む排ガスが排管を通って反応筒に入る頃には、反応筒内の温度を７００［℃］以上で安定させることができる。
【００１５】
〔発明３〕  発明３の排ガスの除害装置は、発明２の排ガスの除害装置において、前記除害処理ユニットは、前記反応筒内に設けられて前記排ガス中の有害成分の分解を促す触媒を有することを特徴とするものである。発明３の除害装置によれば、熱の消費量を少なくすることができ、除害コストの低減に貢献することができる。
【００１６】
〔発明４〕  発明４の排ガスの除害装置は、発明２又は発明３の排ガスの除害装置において、前記除害処理ユニットは、前記反応筒の入口側に設けられた第１スクラバーを有し、前記第１スクラバーは前記反応筒内で熱処理される前記排ガスを水洗処理することを特徴とするものである。発明４の除害装置によれば、排ガスを反応筒内に導入する前に、この排ガスに含まれる粉体を除去することができる。
【００１７】
〔発明５〕  発明５の排ガスの除害装置は、発明２から発明４の何れか一の排ガスの除害装置において、前記除害処理ユニットは、前記反応筒の出口側に設けられた第２スクラバーを有し、前記第２スクラバーは前記反応筒内で熱処理された前記排ガスを水洗処理することを特徴とするものである。ここで、一般に、ＰＦＣガスを熱分解するとＨＦ（フッ酸）が発生する。
発明５の除害装置によれば、例えば、ＰＦＣガスの熱分解によって発生するＨＦを水に溶解させて排ガス中から除去することができる。
【００１８】
〔発明６〕  発明６の排ガスの除害装置は、発明４又は発明５の排ガスの除害装置において、前記除害処理ユニットは、前記第１スクラバー又は第２スクラバーの少なくとも一方で前記水洗処理に使用された水を貯蔵する水貯蔵部を有し、前記第１スクラバー又は前記第２スクラバーの少なくとも一方が、前記水貯蔵部に貯蔵された水を前記水洗処理に再使用することを特徴とするものである。
発明６の除害装置によれば、第１スクラバー又は第２スクラバーの少なくとも一方で、水の消費量を少なくすることができる。
【００１９】
〔発明７〕  発明７の排ガスの除害装置は、発明６の排ガスの除害装置において前記水貯蔵部に貯蔵された水の成分濃度を計測する濃度計測装置と、前記濃度計測装置の計測結果に基づいて前記水貯蔵部に貯蔵された前記水の成分濃度を調整する濃度調整部と、を備えたことを特徴とするものである。ここで、濃度計測装置とは、例えば、水貯蔵部に貯蔵された水中のＨＦ濃度を計測するＨＦ濃度計のことである。
【００２０】
発明７の除害装置によれば、例えば、水貯蔵部に貯蔵された水中のＨＦ濃度を計測することができる。そして、計測したＨＦ濃度が所定の値に達した場合には、水貯蔵部から一定量排水し、排水した水の量だけ新たな水を供給することが可能である。これにより、水貯蔵部に貯蔵された水を用いて排ガスを水洗処理した場合でも、ＨＦの除去能力を一定以上に保つことができる。また、ＨＦを含んだ水の排出基準も厳守できる。
【００２１】
〔発明８〕  発明８の排ガスの除害装置は、発明２から発明７の何れか一の排ガスの除害装置において、前記反応筒の出口側に設けられて当該反応筒内で熱処理された前記排ガスの成分を検知する成分検知器を備え、前記制御部は、前記成分検知器による前記排ガスの成分の検知結果に基づいて前記加熱手段による加熱温度をフィードバック制御することを特徴とするものである。
【００２２】
このような構成であれば、除害後の排ガス中に例えばＰＦＣガスが検知された場合に、この検知結果を制御部にフィードバックさせることができる。そして、このフィードバックを受けて、制御部は加熱手段を制御しその加熱温度を上昇させることが可能である。従って、排ガスにおける除害率の向上に貢献することができる。
【００２３】
〔発明９〕  発明９の排ガスの除害方法は、発明１から発明８の何れか一の排ガスの除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された排ガスを除害処理することを特徴とするものである。このような構成であれば、発明１から発明８の何れか一の除害装置が応用されるので、排ガスにおける除害率を向上させることが可能である。
【００２４】
〔発明１０〕  発明１０の電子デバイスの製造システムは、発明１から発明８の何れか一の排ガスの除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを備えたことを特徴とするものである。
【００２５】
ここで、電子デバイスとは、例えば半導体装置やＬＣＤ等のことである。また、電子デバイスの製造装置は、１台又は、２台以上の装置で構成される。例えば、電子デバイスの製造装置は、複数台のＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置で構成される。或いは、電子デバイスの製造装置は、複数台のＣＶＤ装置と複数台のドライエッチング装置等とで構成されていても良い。
【００２６】
発明１０の電子デバイスの製造システムによれば、発明１から発明８の何れか一の除害装置を用いて、電子デバイスの製造装置から排出される排ガスを除害処理することができる。従って、排ガスにおける除害率を向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムについて説明する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る除害装置１００の構成例を示す概念図である。図１に示す除害装置１００は、ウエーハを加工処理して半導体装置を製造する製造装置（以下、「半導体処理装置」という。）９０から排出される排ガスに含まれる、ＳＦ６（六フッ化硫黄）や、ＣＦ４（四フッ化メタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）等のＰＦＣガスを無害化する装置である。
【００２８】
この除害装置１００は、排管１０と、第１スクラバー２１と、反応筒３０と、第２スクラバー２２と、排水タンク４０と、出口水スクラバー２３と、ヒーターコントロールユニット５０と、ＣＦ４検知器６０等から構成されている。図１では、作図の便宜上から半導体処理装置９０を１台のみ記載しているが、この説明では、半導体処理装置９０として例えばＣＶＤ装置やドライエッチング装置等が複数台用意され、これら半導体処理装置９０の全ての排気ラインが排管１０のガス導入口１１に接続されているものとする。
【００２９】
図１において、第１スクラバー２１は、排管１０を通って送られてきた気体に水を噴射して、この気体に含まれる紛体や、水溶性のガスを除去する装置である。この除害装置１００では、第１スクラバー２１は排管１０のガス導入口と反応筒３０との間に設けられており、主に粉体除去の役割を担っている。例えば、ＣＶＤ装置ではその製膜プロセス上の理由から多数の微粒子が発生してしまう。このような微粒子は排ガスと共に排管１０のガス導入口１１から排管１０内に入ってしまう。この除害装置１００では、第１スクラバー２１によって、この排管１０内に入った微粒子を取り除くことができる。
【００３０】
図１に示すように、反応筒３０は排管１０に接続し、第１スクラバー２１で主に紛体が除去された排ガスに熱処理を施すものである。この反応筒３０の内部には、排ガス中の有害成分の分解を促す触媒３４が設けられている。また、この反応筒３０の外側には、この反応筒３０内を加熱するためのヒータ３２が設けられている。この反応筒３０で、排ガス中のＰＦＣガスは、主にＣＯ２と、ＨＦとに熱分解される。
【００３１】
また、第２スクラバー２２は、排管１０を通って送られてきた気体に水を噴射して、この気体に含まれる紛体や、水溶性のガスを除去する装置である。ＰＦＣガスの熱分解によって生成されたＨＦは、水に対する溶解度が高い。この除害装置１００では、第２スクラバー２２は反応筒３０と排水タンク４０との間に設けられている。除害装置１００では、この第２スクラバー２２によって、排ガスに含まれるＨＦを水に溶かすことができ、排ガス中からＨＦを除去することができる。
【００３２】
図１に示すように、排水タンク４０は、第２スクラバー２２と出口水スクラバー２３との間に設けられており、第２スクラバー２２でＨＦの除去に使用された使用済みの（即ち、ＨＦを含んだ）水が排水タンク４０に流れ込むようになっている。この除害装置１００では、この排水タンク４０に流れ込んだ使用済みの水は、その後、排水ポンプによって除害装置１００の外へ排出される。
【００３３】
また、この除害装置１００では、排水タンク４０は、第１スクラバー２１の一方の側（図１では、下側）にも接続されており、この第１スクラバー２１の一方の側を水封する役割を担っている。即ち、仮に、排管１０が目詰まりしたような場合には、排管１０内に導入された排ガスは第１スクラバー２１の下側から排水タンク４０内の水中に入り、その後、出口水スクラバー２３側へ排出されるようになっている。このような場合には、除害装置１００は警報を発生する。
【００３４】
出口水スクラバー２３は、排水タンク４０と排管１０のガス排出口１２との間に設けられている。この出口水スクラバー２３は、ＰＦＣガスが熱分解され、さらにこの熱分解によって生成したＨＦが除去された（即ち、除害された）排ガスを、最後に洗浄する役割を担っている。この出口水スクラバー２３で洗浄された排ガスは、エゼクタ−１５によって排管１０のガス排出口１２から除害装置１００の外部へ排出される。また、ＣＦ４検知器６０は、排管１０のガス排出口１２付近に設けられており、除害装置１００の外部へ排出される排気ガス中のＣＦ４濃度を監視している。
【００３５】
図２は、ヒーターコントロールユニット５０の構成例を示すブロック図である。図２に示すように、このヒーターコントロールユニット５０は、出力部５１と、ＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）５２と、ヒータ３２の出力をフィードフォワード制御、及びフィードバック制御するための制御プログラム等を格納したＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）５３と、出力部５４とから構成されている。
【００３６】
入力部５１はインターフェース回路を含み、複数台の半導体処理装置９０から送信される処理条件（レシピー）に関する情報や、このレシピーに基づく製造装置の処理動作に関する情報（例えば、ウエーハのロード、アンロード情報）を受け取る機能を有する。また、排管１０のガス排出口１２付近でのＣＦ４濃度に関する情報をＣＦ４検知器６０から受け取る機能も有する。
【００３７】
ＣＰＵ５２は、上記の情報を転送するための信号線を介して入力部５１に接続されている。このＣＰＵ５２は、ＲＡＭ５３に格納されたフィードフォワード制御プログラム、又はフィードバック制御プログラムに上記の情報等を当てはめて、ヒータ３２の最適な出力値を計算する機能を有する。さらに、このＣＰＵ５２は、この計算結果に基づいてヒータ制御用の信号を作成し、これを出力部５４に送信する機能を有する。出力部５４は、信号線を介してＣＰＵ５２に接続しており、ＣＰＵ５２から送られてきたヒータ制御用の信号をヒータ３２に送信する機能を有する。図１に示すヒーターコントロールユニット５０は、このような構成により、ヒータ３２の出力を制御して、反応筒３０内の温度を調整することが可能である。
【００３８】
次に、上述した除害装置１００を用いて、半導体処理装置９０から排出される排ガスの除害方法について説明する。ここでは、始め、一の半導体処理装置９０でそのチャンバ内にプロセスガスとしてＣＨＦ３を流し、その後、他の半導体装置でそのチャンバ内にＣＦ４をプロセスガスとして流す場合を想定する。また、一の半導体処理装置９０の排気口と、他の半導体装置の排気口は、共に図１に示した排管１０のガス導入口１１に接続しているものとする。
【００３９】
まず始めに、一の半導体処理装置９０では、そのチャンバ内にプロセスガスとしてＣＨＦ３を流しているので、反応筒３０内の熱処理温度はこのＣＨＦ３が熱分解される６００［℃］に維持されている。このような状態で、一の半導体処理装置９０から排出されたＣＨＦ３を含む排ガスはガス導入口１１から排管１０内に入り、第１スクラバー２１を通って反応筒３０内に到達する。そして、反応筒３０内で、ＣＨＦ３はＣＯ２とＨＦとに熱分解される。
【００４０】
次に、このＣＯ２とＨＦとを含む排ガスは第２スクラバー２２に送られる。この第２スクラバー２２で、ＨＦは水に溶かされ、排ガス中からＨＦがほぼ完全に除去される。そして、ＣＯ２を含む排ガスと、ＨＦを含む水とが排水タンク４０に送られる。ＨＦを含む水は、この排水タンク４０からポンプによって除害装置１００の外部へ排出される。また、ＣＯ２を含む排ガスは、この排水タンク４０から出口水スクラバー２３へ送られ、もう一度水洗処理された後で、排管１０のガス排出口から除害装置１００の外部へ排出される。
【００４１】
このガス排出口１２から排出される排ガスは、ＣＦ４検知器６０によってそのＣＦ４濃度が測定される。そして、もし、排ガス中のＣＦ４濃度が基準値を上回っているようであれば、ヒーターコントロールユニット５０からヒータ３２に向けてヒータ制御用の信号が送信され、ヒータ３２の出力が増大される。これにより、反応筒３０内の温度は、ＣＦ４の熱分解が可能な例えば７００℃以上に昇温される。
【００４２】
また、このようなヒータ３２の出力制御により、ＣＦ４濃度が基準値を下回り、その基準値を下回った状態が一定時間続いた場合には、ヒーターコントロールユニット５０からヒータ３２に向けて制御信号が送信され、ヒータ３２の出力が減少される。これにより、反応筒３０内の温度は、例えば６００［℃］まで降温される。
次に、このように反応筒３０内の温度が例えば６００［℃］で保持された状態で、他の半導体装置からＣＦ４を含む排ガスが排出された場合について説明する。
【００４３】
図２において、他の半導体処理装置９０でＣＦ４をプロセスガスとして用いる処理条件（レシピー）が選択され、このレシピーに従ってチャンバ内へのウエーハの投入が開始されると、この他の半導体処理装置９０からヒーターコントロールユニット５０の入力部にレシピー情報が送信され、入力部５１はこのレシピー情報を受け取る。ＣＰＵ５２は、この受け取ったレシピー情報をＲＡＭ５３に格納された制御プログラムに当てはめて、ヒータ３２における出力の増加減が必要か否かを判断する。ここでは、ＣＦ４は６００［℃］でその熱分解が不十分となる可能性が大きいので、ＣＰＵ５２はヒータ３２の出力を増大させる必要があると判断する。そして、ＣＰＵ５２は、ヒータ３２にその出力を増大させるようなヒータ制御用の信号を送って、反応筒３０内の温度を７００［℃］以上に昇温させる。
【００４４】
ところで、半導体処理装置９０では、そのチャンバ内へのウエーハの投入を開始してから、実際にＣＦ４が流れるまでには、通常、ある程度時間がかかる。また、チャンバから排管１０のガス導入口１１を通って反応筒３０に至る経路もある程度距離があるので、チャンバ内にＣＦ４が流れ出してから、このＣＦ４を含む排ガスが反応筒３０に到達するまでには、ある程度時間がかかる。
【００４５】
従って、ウエーハの投入（ロード）をトリガーに反応筒３０内の昇温を開始することによって、この反応筒３０内の昇温を開始してから当該反応筒３０にＣＦ４を含む排ガスが到達するまでの間かなりの時間を稼ぐことができる。そして、この間に反応筒３０内を目標温度に向けて昇温させることができる。これにより、実際にＣＦ４を含む排ガスが反応筒３０に到達する頃には、この反応筒３０内の温度を７００［℃］以上で安定させておくことができ、ＣＦ４をＣＯ２とＨＦとに分解率高く熱分解することが可能である。
【００４６】
また、他の半導体処理装置９０でＣＦ４をプロセスガスとして用いる処理が終了し、チャンバ内からウエーハが搬出（アンロード）されると、この他の半導体処理装置９０からヒーターコントロールユニット５０の入力部５１にレシピーの終了を示す信号が送信され、入力部５１はこの終了を示す信号を受け取る。ＣＰＵ５２は、この信号を受け取ってから一定時間（例えば、３０分間）、排管１０に接続する全ての半導体処理装置９０でＣＦ４を用いた製品処理が行われていないかどうかを確認する。ここで、ＣＦ４を用いた製品処理が他の全ての半導体処理装置９０で行われていない場合には、ＣＰＵ５２はヒータ３２の出力を減少させても良いと判断する。そして、ＣＰＵ５２は、ヒータ３２にその出力を減少させるようなヒータ制御用の信号を送って、反応筒３０内の温度を６００［℃］まで降温させる。
【００４７】
このように、本発明の第１実施形態に係る除害装置１００によれば、反応筒３０内で排ガスを熱処理する前に、この排ガスに含まれる有害成分の種類に応じて、その熱処理温度を調整することができる。従って、排ガスに含まれる有害成分を再現性高く熱分解することができ、排ガスにおける除害率を向上させることが可能である。また、この除害装置１００によれば、排ガス中の有害成分の分解を促す触媒３４が反応筒３０内に設けられているので、反応筒３０における熱の消費量を少なくすることができ、除害コストの低減に貢献することができる。
【００４８】
この第１実施形態では、第１スクラバー２１と、反応筒３０と、第２スクラバー２２と、出口水スクラバー２３とが本発明の除害処理ユニットに対応している。また、ヒーターコントロールユニット５０が本発明の制御部に対応している。さらに、ＣＦ４検知器６０が本発明の成分検知器に対応している。
なお、この第１実施形態では、ヒーターコントロールユニット５０は、半導体処理装置９０で任意に選択されるレシピーのプロセスガスの種類に応じて、ヒータ３２をフィードフォワード制御することについて説明した。しかしながら、上記の除害装置１００では、プロセスガスの種類だけでなく、その使用量も勘案して、ヒータ３２をフィードフォワード制御する構成としても良い。
【００４９】
例えば、ＳＦ６や、ＣＨＦ３をプロセスガスとして用いるチャンバのうち、実際に稼働状態にある（即ち、製品処理中の）チャンバの個数が、予め定めておいた基準の数を超えるような場合には、ＣＦ４がプロセスガスとして用いられるか否かに関係なく、ヒーターコントロールユニット５０は、ヒータ３２にその出力を増大させるようなヒータ制御用の信号を送る。そして、反応筒３０内の温度を例えば７００［℃］以上に昇温させる。このような構成であれば、排ガスに含まれる有害成分の濃度が高いときでも、その除害率を高く維持することができる。
【００５０】
また、本発明に係る電子デバイスの製造システムは、上述した除害装置１００と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置とを備えたものである。ここで、電子デバイスとは、例えば半導体装置やＬＣＤ等のことである。また、電子デバイスの製造装置は、例えばＣＶＤ装置や、ドライエッチング装置等とである。このような構成であれば、ＣＶＤ装置や、ドライエッチング装置等から排出されるＰＦＣガスを含む排ガスを除害処理することができ、その除害率を向上させることが可能である。
（２）第２実施形態
図３は、本発明の第２実施形態に係る除害装置２００の構成例を示す概念図である。図３において、図１に示した除害装置１００と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００５１】
図３に示す除害装置２００では、排水タンク４０は第２スクラバー２２でＨＦの除去に使用された水を一定量貯める構造となっており、第１スクラバー２１は、この排水タンク４０に貯められた水を使用して排ガス中の粉体を除去する構成となっている。また、第１スクラバー２１で粉体除去に使用された水は再び、排水タンク４０内に戻る（即ち、排水タンク４０と第１スクラバー２１との間で、水は循環して使用される。）構成となっている。このような構成により、この除害装置２００は、除害装置１００と比べて、第１スクラバー２１における水の消費量を少なくすることができる。
【００５２】
また、この除害装置２００では、この排水タンク４０内に貯められた水のＨＦ濃度を計測するＨＦ濃度センサ７２と、このＨＦ濃度センサ７２と信号線で接続され、排水タンク４０につながる給水ラインと排水ラインとのバルブの開閉を制御するＨＦ濃度コントローラ７０とが設けられている。
このような構成であれば、ＨＦ濃度センサ７２によって、排水タンク４０内に貯められた水のＨＦ濃度を計測することができる。また、計測したＨＦ濃度が所定の値に達した場合には、ＨＦ濃度コントローラ７０によって、排水タンク４０から一定量を排水し、排水した水の量だけ新たに水を供給して、排水タンク４０内の水のＨＦ濃度を下げることが可能である。これにより、排水タンク４０内の水を用いて排ガスを水洗処理した場合でも、ＨＦの除去能力を一定以上に保つことができる。また、ＨＦを含んだ水の排出基準も厳守できる。
【００５３】
この第２実施形態では、排水タンク４０が本発明の水貯蔵部に対応している。また、ＨＦ濃度センサ７２が本発明の濃度計測装置に対応し、ＨＦ濃度コントローラ７０が本発明の濃度調整部に対応している。
なお、この除害装置２００では、排水タンク４０と第２スクラバー２２との間で、水を循環して使用しても良い。このような構成であれば、第２スクラバー２２における水の消費量を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１実施形態に係る除害装置１００の構成例を示す概念図。
【図２】ヒーターコントロールユニット５０の構成例を示すブロック図。
【図３】第２実施形態に係る除害装置２００の構成例を示す概念図。
【符号の説明】
【００５５】
１０  排管、２１  第１スクラバー、２２  第２スクラバー、２３  出口水スクラバー、３０  反応筒、３２  ヒータ、３４  触媒、４０  排水タンク、５０  ヒーターコントロールユニット、５１  入力部、５２  ＣＰＵ、５３  ＲＡＭ、５４  出力部、６０  ＣＦ４検知器、７０  ＨＦ濃度コントローラ、７２  ＨＦ濃度センサ、９０  半導体処理装置
【図１】
2005324102.tif 000003
【図２】
2005324102.tif 000004
【図３】
2005324102.tif 000005