(57)【要約】【課題】  シード層除去のためのエッチングによって銅回路部の幅が低減することを抑制し、必要な要求回路幅を確保すること。【解決手段】  電解めっき電流密度の調整により、導体回路１３を、導電性シード層側の基部領域１４と、先端表面側の表層領域１５とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成し、表層領域１５の電解銅めっき層を基部領域１４の電解銅めっき層より緻密な金属組織とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材上に導電性シード層を介して電解銅めっきによる導体回路が形成されたアディティブ法によるプリント配線板において、
前記導体回路が、導電性シード層側の基部領域と、先端表面側の表層領域とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成され、前記表層領域の電解銅めっき層が前記基部領域の電解銅めっき層より緻密な金属組織で構成されているプリント配線板。
【請求項２】
前記表層領域の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径が前記基部領域の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径より小さいことを特徴とする請求項１記載のプリント配線板。
【請求項３】
絶縁基材上に導電性シード層を介して電解銅めっきによる導体回路が形成されたアディティブ法によるプリント配線板において、
前記導体回路が、導電性シード層側の基部領域と、先端表面側の表層領域とで、互いに異なる電流密度による電解銅めっき層で構成され、前記表層領域の電解銅めっき層が前記基部領域の電解銅めっき層より低電流密度による電解銅めっき層で構成されているプリント配線板。
【請求項４】
前記基部領域が、導電性シード層側の下部領域と、前記表層領域側の上部領域とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成され、前記下部領域の電解銅めっき層が前記上部領域の電解銅めっき層より緻密な金属組織で構成されている請求項１〜３の何れか１項記載のプリント配線板。
【請求項５】
絶縁基材上に導電性シード層を介して電解銅めっきによる導体回路が形成されたアディティブ法によるプリント配線板において、
前記導体回路が、内部と表面部とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっきで構成され、前記表面部の電解銅めっきが前記内部の電解銅めっきより緻密な金属組織で構成されているプリント配線板。
【請求項６】
絶縁基材上に形成された導電性シード層上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に露光・現像を行い、パターンニングされためっき用レジストを形成するめっき用レジスト形成工程と、
高電流密度による電解銅めっきを行い、前記めっき用レジストが形成されていない部分の前記導電性シード層上に第１の電解銅めっき層を形成する第１のめっき工程と、
低電流密度による電解銅めっきを行い、前記第１の電解銅めっき層上に第２の電解銅めっき層を形成する第２のめっき工程と、
前記めっき用レジストを除去するめっき用レジスト除去工程と、
前記導電性シード層の不要部分をエッチングによって除去する導電性シード層除去工程と、
を有するアディティブ法によるプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記第２のめっき工程の電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２で、前記第２のめっき工程の電流密度が前記第１のめっき工程の電流密度より低い請求項６記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
絶縁基材上に形成された導電性シード層上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に露光・現像を行い、パターンニングされためっき用レジストを形成するめっき用レジスト形成工程と、
低電流密度による電解銅めっきを行い、前記めっき用レジストが形成されていない部分の前記導電性シード層上に第３の電解銅めっき層を形成する第３のめっき工程と、
高電流密度による電解銅めっきを行い、前記第３の電解銅めっき層上に第１の電解銅めっき層を形成する第１のめっき工程と、
低電流密度による電解銅めっきを行い、前記第１の電解銅めっき層上に第２の電解銅めっき層を形成する第２のめっき工程と、
前記めっき用レジストを除去するめっき用レジスト除去工程と、
前記導電性シード層の不要部分をエッチングによって除去する導電性シード層除去工程と、
を有するアディティブ法によるプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プリント配線板およびその製造方法に関し、特に、アディティブ法によって導体回路を形成されたプリント配線板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の回路形成法としてアディティブ法が知られている（たとえば特許文献１、２）。アディティブ法の工程を図８（ａ）〜（ｇ）を参照して説明する。図８（ａ）に示されているような絶縁基材１０１の片面に、図８（ｂ）に示されているように、スパッタリング等によって薄い導電性シード層１０２を一様に形成する。
【０００３】
つぎに、図８（ｃ）に示されているように、導電性シード層１０２上に、ドライフィルムレジストのロールラミネートや液状レジストの塗布によってレジスト層１０３を形成する。そして、図８（ｄ）に示されているように、フォトリソグラフィー法による露光、現像によってパターンニングされためっき用レジスト１０４を形成する。
【０００４】
つぎに、図８（ｅ）に示されているように、電解銅めっきによってレジスト間１０５の導電性シード層１０２上に銅めっき部（回路めっき）１０６を形成する。この後に、図８（ｆ）に示されているように、めっき用レジスト１０４を除去する。そして、図８（ｇ）に示されているように、めっき部間（不要部分）の導電性シード層１０２をエッチング除去し、銅めっき部１０６による導体回路を完成する。
【０００５】
アディティブ法による導体回路形成は、絶縁基材に一様に形成された銅箔等による導体層をエッチングして回路形成を行うするサブトラクティブ（エッチング）法に比して幅の狭い回路形成を行うことができると云う利点を有する。このことは、電子機器の軽薄短小化に伴いプリント配線板の回路線幅が狭くなる傾向がある現状において有利である。
【０００６】
しかし、アディティブ法による導体回路形成では、回路形成後に行われる不要な導電性シード層１０２を除去するためのエッチングによって銅回路部（銅めっき部１０６）もエッチングされ、図８（ｆ）、（ｇ）に示されているように、銅回路部の回路幅（ランド径）が幅Ｗｏより幅Ｗａに細る。
【０００７】
このため、ＩＣチップを実装する際の要求回路幅を確保することが難しい。このことに対して、予め回路幅減少分を見込んで回路設計を行うと、回路の高密度化が制限されることによる。
【特許文献１】特開２００１−１９６７４０号公報
【特許文献１】特開２００１−３４５５４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明が解決しようとする課題は、アディティブ法によるプリント配線板において、シード層除去のためのエッチングによって銅回路部の幅が低減することを抑制し、必要な要求回路幅を確保することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明によるプリント配線板は、絶縁基材上に導電性シード層を介して電解銅めっきによる導体回路が形成されたアディティブ法によるプリント配線板において、前記導体回路が、導電性シード層側の基部領域と、先端表面側の表層領域とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成され、前記表層領域の電解銅めっき層が前記基部領域の電解銅めっき層より緻密な金属組織で構成されている。
【００１０】
金属組織の緻密さは、電解銅めっき層を構成する析出結晶の平均粒径により評価でき、この発明によるプリント配線板では、前記表層領域の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径が前記基部領域の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径より小さい。
【００１１】
また、この発明によるプリント配線板は、絶縁基材上に導電性シード層を介して電解銅めっきによる導体回路が形成されたアディティブ法によるプリント配線板において、前記導体回路が、導電性シード層側の基部領域と、先端表面側の表層領域とで、互いに異なる電流密度による電解銅めっき層で構成され、前記表層領域の電解銅めっき層が前記基部領域の電解銅めっき層より低電流密度による電解銅めっき層により構成されている。
【００１２】
この発明によるプリント配線板は、好ましくは、更に、前記基部領域が、導電性シード層側の下部領域と、前記表層領域側の上部領域とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成され、前記下部領域の電解銅めっき層が前記上部領域の電解銅めっき層より緻密な金属組織により構成されている。
【００１３】
また、この発明によるプリント配線板絶縁基材上に導電性シード層を介して電解銅めっきによる導体回路が形成されたアディティブ法によるプリント配線板において、前記導体回路が、内部と表面部とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっきで構成され、前記表面部の電解銅めっきが前記内部の電解銅めっきより緻密な金属組織で構成されている。
【００１４】
この発明によるアディティブ法によるプリント配線板の製造方法は、絶縁基材上に形成された導電性シード層上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に露光・現像を行い、パターンニングされためっき用レジストを形成するめっき用レジスト形成工程と、高電流密度（通常電流密度）による電解銅めっきを行い、前記めっき用レジストが形成されていない部分の前記導電性シード層上に第１の電解銅めっき層を形成する第１のめっき工程と、低電流密度による電解銅めっきを行い、前記第１の電解銅めっき層上に第２の電解銅めっき層を形成する第２のめっき工程と、前記めっき用レジストを除去するめっき用レジスト除去工程と、前記導電性シード層の不要部分をエッチングによって除去する導電性シード層除去工程とを有する。
【００１５】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、好ましくは、前記第２のめっき工程の電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２で、前記第２のめっき工程の電流密度が前記第１のめっき工程の電流密度より低い。
【００１６】
また、この発明によるアディティブ法によるプリント配線板の製造方法は、絶縁基材上に形成された導電性シード層上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に露光・現像を行い、パターンニングされためっき用レジストを形成するめっき用レジスト形成工程と、低電流密度による電解銅めっきを行い、前記めっき用レジストが形成されていない部分の前記導電性シード層上に第３の電解銅めっき層を形成する第３のめっき工程と、高電流密度（通常電流密度）による電解銅めっきを行い、前記第３の電解銅めっき層上に第１の電解銅めっき層を形成する第１のめっき工程と、低電流密度による電解銅めっきを行い、前記第１の電解銅めっき層上に第２の電解銅めっき層を形成する第２のめっき工程と、前記めっき用レジストを除去するめっき用レジスト除去工程と、
前記導電性シード層の不要部分をエッチングによって除去する導電性シード層除去工程とを有する。
【００１７】
このプリント配線板の製造方法における第３のめっき工程の電流密度は、第２のめっき工程の電流密度と同様に、０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２程度であってよい。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によるプリント配線板は、電解銅めっき層のうち、表層領域が電解銅めっき層より緻密な金属組織で構成されているから、より具体的には表層領域の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径が小さいから、導体回路の表層領域は、エッチング耐性が強く、エッチングによる導電性シード層の除去工程において、導体回路の表層領域の回路幅の減少量が少なくなる。
【００１９】
これにより、導体回路うち、ＩＣチップ等の実装に必要な表層領域の回路幅を、予め大きい回路幅減少分を見込んで回路設計を行うことなく、要求回路幅に確保することができる。
【００２０】
緻密な金属組織の電解銅めっき層は、電解銅めっきの電流密度を低く設定することにより得ることができる。低電流密度による電解銅めっきは、めっき層形成速度が遅いから、生産性を考慮して、ＩＣチップ等の実装に必要な導体回路の表層領域のみを低電流密度による電解銅めっきにより形成し、回路幅が細くなってもよい導体回路の基部領域は、高電流密度による電解銅めっきによって形成している。
【００２１】
また、導体回路の基部領域のうち、導電性シード層側の下部領域を緻密な金属組織により構成することにより、エッチングによる導電性シード層の除去工程において、導体回路の下部領域に生じるアンダーカットの進行拡大も少なくなる。
【００２２】
されている。
【００２３】
これにより、ドライ処理等の特殊な処理を要することなくアンダーカットが小さく、マイグレーションの原因になる絶縁性カバー材充填の不具合や導体回路の剥離等の不具合を生じることがないアディティブ法によるプリント配線板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１はこの発明によるプリント配線板の実施形態１を示している。
【００２５】
このプリント配線板は、ポリイミドフィルム等による絶縁基材１１上に導電性シード層１２を介して電解銅めっきによる導体回路１３が形成されたアディティブ法によるプリント配線板である。
【００２６】
導体回路１３は、導電性シード層１２側の基部領域１４を高電流密度（通常電流密度）による電解銅めっきによって形成され、先端表面側の表層領域１５を低電流密度による電解銅めっきによって形成されている。
【００２７】
ここで、低電流密度と高電流密度は、両者の相互比較であり、表層領域（第２の電解銅めっき層）１５を形成する電解銅めっきの電流密度が、基部領域（第１の電解銅めっき層）１４を形成する電解銅めっきの電流密度より低いことを意味する。
【００２８】
電解銅めっきの電流密度が低いほど、電解銅めっき層を構成する析出結晶の平均粒径が小さくなるから、導体回路１３が、導電性シード層側の基部領域１４と、先端表面側の表層領域１５とで、互いに異なる電流密度による電解銅めっき層で構成されることにより、基部領域１４と表層領域１５とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成されることになり、表層領域１５の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径が基部領域１４の電解銅めっき層の析出結晶の平均粒径より小さいものになる。
【００２９】
これにより、表層領域１５の電解銅めっき層が基部領域１４の電解銅めっき層より緻密な金属組織で構成される。
【００３０】
この結果、導体回路１３の表層領域１５は、エッチング耐性が強く、エッチングによる導電性シード層除去工程において、導体回路１３のうち表層領域１５の細りが少なくなる。ここでの必要なエッチング耐性を得るためには、銅結晶の平均粒径が１μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
これにより、導体回路１３のうち、ＩＣチップ等の実装に必要な表層領域１５の回路幅を、予め大きい回路幅減少分を見込んで回路設計を行うことなく、要求回路幅に確保することができ、大きい制限を受けることなく回路の高密度化が可能になる。
【００３２】
また、導体回路１３のうち、ＩＣチップ等の実装に影響を与えない基部領域１４は、通常電流密度による電解銅めっきによって構成されるから、低電流密度の電解銅めっきによるめっき時間の増加が最小限に抑えられ、大きい生産性の低下を見ることがない。
【００３３】
低電流密度の電解銅めっきによる表層領域１５の厚さは、シード層除去エッチング工程でエッチングする膜厚、つまり、導電性シード層１２の厚さより少し余裕をもった厚さでよい。
【００３４】
導電性シード層１２が無電解めっきによって形成される場合、ピンホール等の点から、導電性シード層１２の厚さは、１〜２μｍ程度必要とされる。導電性シード層１２がスパッタや蒸着によって形成される場合、導電性シード層１２の厚さは、０．１〜０．３μｍ程度となる。
【００３５】
したがって、導電性シード層１２が無電解めっきによる場合には、表層領域１５の厚さは、１〜３μｍ程度でよく、導電性シード層１２がスパッタや蒸着による場合には、表層領域１５の厚さは、０．１〜１μｍ程度でよい。
【００３６】
つぎに、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態１を、図２（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。
【００３７】
図２（ａ）に示されているようなポリイミドフィルム等による絶縁基材１１の片面（上面）の全面に、図２（ｂ）に示されているように、スパッタリング、蒸着、無電解めっき等によってニッケル・クロム、銅等による薄い導電性シード層１２を一様に形成する。
【００３８】
つぎに、図２（ｃ）に示されているように、レジスト層形成工程として、導電性シード層１２の全面に、ドライフィルムレジストのロールラミネートや液状レジストの塗布によってレジスト層２１を形成する。
【００３９】
つぎに、図２（ｄ）に示されているように、めっき用レジスト形成工程として、フォトリソグラフィー法による露光、現像によってパターンニングされためっき用レジスト２２を形成する。
【００４０】
つぎに、図２（ｅ）に示されているように、第１のめっき工程として、通常電流密度（高電流密度）による電解銅めっきを行い、めっき用レジスト２２が形成されていない部分２３の導電性シード層１２上に第１の電解銅めっき層（導体回路の基部領域）１４を形成する。
【００４１】
第１のめっき工程の電流密度は、１Ａ／ｄｍ２〜１０Ａ／ｄｍ２程度の通常電流密度でよく、これにより生産性を確保できる。
【００４２】
つぎに、図２（ｆ）に示されているように、第２のめっき工程として、低電流密度による電解銅めっきを行い、第１の電解銅めっき層１４上に第２の電解銅めっき層（表層領域）１５を形成する。第２のめっき工程の電流密度は、０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２程度でよく、この電流密度による電解銅めっきによって、銅の析出結晶の平均粒径が１μｍ以下の緻密な金属組織による電解銅めっき層が得られる。
【００４３】
なお、第１のめっき工程と第２のめっき工程は、同じ電解めっき装置、同じめっき浴を用い、電解めっき電流密度を変更するだけでよい。
【００４４】
上述した第１のめっき工程と第２のめっき工程により、第１の電解銅めっき層１４と第２の電解銅めっき層１５とによる２層構造の導体回路１３が得られる。
【００４５】
つぎに、図２（ｇ）に示されているように、めっき用レジスト除去工程として、めっき用レジスト２２を除去する。
【００４６】
つぎに、図２（ｈ）に示されているように、導電性シード層除去工程として、全面エッチングによって導電性シード層１２の不要部分を除去する。これにより、導体回路１３が完成する。
【００４７】
この導電性シード層除去工程における全面エッチングによって導体回路１３が細るが、導体回路１３のうち先端表面側の表層領域（第２の電解銅めっき層１５）は、導電性シード層側の基部領域（第１の電解銅めっき層１４）の電解銅めっき層より緻密な金属組織であるから、導体回路１３の表層領域は、エッチング耐性が強く、エッチングによる導電性シード層除去工程において、横幅の減少（Ｗｏ−Ｗｂ）が少ない。
【００４８】
これにより、導体回路うち、ＩＣチップ等の実装に必要な表層領域の回路幅を、予め大きい回路幅減少分を見込んで回路設計を行うことなく、要求回路幅に確保することができる。
【００４９】
図３（ａ）は、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２でめっきした銅箔をパターンニングしたのち、エッチング時間１８秒で得た電解銅めっき層の断面の２０００倍の顕微鏡写真を、図３（ｂ）は、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２でめっきした銅箔をパターンニングしたのち、エッチング時間２７秒で得た電解銅めっき層の断面の２０００倍の顕微鏡写真を、図３（ｃ）は、電流密度４．０Ａ／ｄｍ２でめっきした銅箔をパターンニングしたのち、エッチング時間１８秒で得た電解銅めっき層の断面の２０００倍の顕微鏡写真を、図３（ｄ）は、電流密度４．０Ａ／ｄｍ２でめっきした銅箔をパターンニングしたのち、エッチング時間２７秒で得た電解銅めっき層の表面の２０００倍の顕微鏡写真を各々示している。
【００５０】
これらの顕微鏡写真から、電解銅めっきの電流密度が低いと、析出する銅結晶の平均粒径が小さく、緻密な金属組織による電解銅めっき層が得られ、耐エッチング性が向上することが分かる。
【００５１】
電解銅めっきの電流密度を変え、銅結晶の平均粒径と耐エッチング性を調査した結果、銅結晶の平均粒径が１μｍ以下であることが、耐エッチング性に関して実用上、望ましいことがわかった。よって、生産性を考慮すると、第２の電解銅めっき層１５を構成する銅結晶の平均粒径は、０．１〜１．０μｍ程度であることが好適である。
【００５２】
図４はこの発明によるプリント配線板の実施形態２を示している。なお、図４において、図１に対応する部分は、図１に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００５３】
この実施形態では、導体回路１３の導電性シード層１２側の基部領域１４が、導電性シード層１２側の下部領域（第３の電解銅めっき層）１４１と、表層領域１５側の上部領域（第１の電解銅めっき層）１４２とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっき層で構成され、下部領域１４１の電解銅めっき層が上部領域１４２の電解銅めっき層より緻密な金属組織で構成されている。
【００５４】
つまり、基部領域１４のうち、下部領域１４１は低電流密度による電解銅めっきによって形成され、上部領域１４２は高電流密度（通常電流密度）による電解銅めっきによって形成されている。
【００５５】
この結果、導体回路１３の表層領域（第２の電解銅めっき層）１５に加え、基部領域１４の下部領域１４１も、エッチング耐性が強くなり、エッチングによる導電性シード層除去工程において、導体回路１３の表層領域１５と基部領域１４の下部領域１４１の細りが少なくなる。
【００５６】
これにより、導体回路１３のうち、ＩＣチップ等の実装に必要な表層領域１５の回路幅を、予め大きい回路幅減少分を見込んで回路設計を行うことなく、要求回路幅に確保することができ、大きい制限を受けることなく回路の高密度化が可能になる。
【００５７】
また、導体回路１３の下部領域に生じるアンダーカットの進行拡大が少なくなり、ドライ処理等の特殊な処理を要することなくアンダーカットが小さく、マイグレーションの原因になる絶縁性カバー材充填の不具合や導体回路の剥離等の不具合を生じることがないアディティブ法によるプリント配線板を得ることができる。
【００５８】
また、電解銅めっきによって導体回路を形成する際、始めに、低電流密度で電解銅めっきを行うことは、回路高さを均一化する効果も生じる。その理由は、以下の通りである。
【００５９】
スパッタリング等によって絶縁基材１１上に形成された導電性シード層１２は数千オングストロームと薄く、電気抵抗が高い。このため、めっき電極からの距離によって電解めっきの電流密度の差が大きくなり、めっきの膜厚に、ばらつきが生じる。
【００６０】
始めは低電流密度で電解銅めっきを行うことにより、電流密度の差が小さくなり、めっき膜厚が厚くなるに伴い電気抵抗は小さくなる。その後、一般的な電流密度で電解銅めっきを行えば、初期の電流密度の大差を避けることができ、めっき膜厚の均一化を図ることができる。めっき膜厚の均一化を図るためには、言すれば、めっき層のばらつきを少なくするためには、下部領域１４１（第３の電解銅めっき層）の厚さは、１μｍ以上であることが望ましい。
【００６１】
つぎに、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態２を、図５（ａ）〜（ｉ）を参照して説明する。
【００６２】
図５（ａ）に示されているようなポリイミドフィルム等による絶縁基材１１の片面（上面）の全面に、図５（ｂ）に示されているように、スパッタリング、蒸着、無電解めっき等によってニッケル・クロム、銅等による薄い導電性シード層１２を一様に形成する。
【００６３】
つぎに、図５（ｃ）に示されているように、レジスト層形成工程として、導電性シード層１２の全面に、ドライフィルムレジストのロールラミネートや液状レジストの塗布によってレジスト層２１を形成する。
【００６４】
つぎに、図５（ｄ）に示されているように、めっき用レジスト形成工程として、フォトリソグラフィー法による露光、現像によってパターンニングされためっき用レジスト２２を形成する。
【００６５】
つぎに、図５（ｅ）に示されているように、第３のめっき工程として、低電流密度による電解銅めっきによってめっき用レジスト２２が形成されていない部分２３の導電性シード層１２上に第３の電解銅めっき層（導体回路の基部領域の下部領域）１４１を形成する。
【００６６】
第３のめっき工程の電流密度は、０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２程度でよく、この電流密度による電解銅めっきによって、銅の析出結晶の平均粒径が１μｍ以下の緻密な金属組織による電解銅めっき層が得られる。
【００６７】
つぎに、図５（ｆ）に示されているように、第１のめっき工程として、通常電流密度（高電流密度）による電解銅めっきによって第３の電解銅めっき層１４１上に第１の電解銅めっき層（導体回路の基部領域の上部領域）１４２を形成する。
【００６８】
第１のめっき工程の電流密度は、実施形態１と同様、１Ａ／ｄｍ２〜１０Ａ／ｄｍ２程度の通常電流密度でよく、これにより生産性を確保できる。
【００６９】
上述した第３のめっき工程と第１のめっき工程により、第３の電解銅めっき層１４１と第１の電解銅めっき層１４２とによる２層構造の導体回路１３の基部領域１４が得られる
つぎに、図５（ｇ）に示されているように、第２のめっき工程として、低電流密度による電解銅めっきを行い、第１の電解銅めっき層１４２上に第２の電解銅めっき層（表層領域）１５を形成する。第２のめっき工程の電流密度は、０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２程度でよく、この電流密度による電解銅めっきによって、銅の析出結晶の平均粒径が１μｍ以下の緻密な金属組織による電解銅めっき層が得られる。
【００７０】
なお、第１のめっき工程と第２のめっき工程と第３のめっき工程は、同じ電解めっき装置、同じめっき浴を用い、電解めっき電流密度を変更するだけでよい。
【００７１】
上述した第３のめっき工程と第１のめっき工程と第２のめっき工程により、第３の電解銅めっき層１４１と第１の電解銅めっき層１４２と第２の電解銅めっき層１５とによる３層構造の導体回路１３が得られる。
【００７２】
つぎに、図５（ｈ）に示されているように、めっき用レジスト除去工程として、めっき用レジスト２２を除去する。
【００７３】
つぎに、図５（ｉ）に示されているように、導電性シード層除去工程として、全面エッチングによって導電性シード層１２の不要部分を除去する。これにより、導体回路１３が完成する。
【００７４】
この導電性シード層除去工程における全面エッチングによって導体回路１３が細るが、導体回路１３のうち、先端表面側の表層領域（第２の電解銅めっき層１５）と、導体回路の基部領域の下部領域（第３の電解銅めっき層１４１）は、導電性シード層側の基部領域（第１の電解銅めっき層１４）の電解銅めっき層より緻密な金属組織であるから、導体回路１３の表層領域、および基部領域の下部領域は、エッチング耐性が強く、エッチングによる導電性シード層除去工程において、横幅の減少（Ｗｏ−Ｗｂ）が少なく、また、アンダーカットＡの進行拡大が少なくなる。
【００７５】
これにより、導体回路うち、ＩＣチップ等の実装に必要な表層領域の回路幅を、予め大きい回路幅減少分を見込んで回路設計を行うことなく、要求回路幅に確保することができるともに、ドライ処理等の特殊な処理を要することなく、アンダーカットが小さく、マイグレーションの原因になる絶縁性カバーの充填不良や導体回路の剥離等の不具合を生じることがなく、しかも、生産性に優れたアディティブ法によるプリント配線板を製造することができる。
【００７６】
また、電解銅めっきによって導体回路を形成する際、始めに、低電流密度で電解銅めっきを行うことは、回路高さを均一化する効果も生じる。その理由は、以下の通りである。
【００７７】
スパッタリング等によって絶縁基材１１上に形成された導電性シード層１２は数千オングストロームと薄く、電気抵抗が高い。このため、めっき電極からの距離によって電解めっきの電流密度の差が大きくなり、めっきの膜厚に、ばらつきが生じる。
【００７８】
始めは低電流密度で電解銅めっきを行うことにより、電流密度の差が小さくなり、めっき膜厚が厚くなるに伴い電気抵抗は小さくなる。その後、一般的な電流密度で電解銅めっきを行えば、初期の電流密度の大差を避けることができ、めっき膜厚の均一化を図ることができる。
【００７９】
めっき膜厚の均一化を図るためには、言すれば、めっき層のばらつきを少なくするためには、導体回路１３のうち導電性シード層側の下部領域、つまり、第３の電解銅めっき層１４１の厚さは、１μｍ以上であることが望ましい。
【００８０】
図６はこの発明によるプリント配線板の実施形態３を示している。なお、図６においても、図１に対応する部分は、図１に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００８１】
この実施形態では、導体回路１３の内部１３１と表面部１３２とで、互いに異なる金属組織の電解銅めっきで構成され、表面部１３２の電解銅めっきが内部１３１の電解銅めっきより緻密な金属組織で構成されている。
【００８２】
つまり、導体回路１３の内部１３１は高電流密度（通常電流密度）による電解銅めっきによって形成され、表面部１３２が低電流密度による電解銅めっきによって形成されている。
【００８３】
これにより、導体回路１３の表面部１３２のエッチング耐性が強くなり、エッチングによる導電性シード層除去工程において、導体回路１３の表層領域や下部領域の細りが少なくなる。
【００８４】
この結果、導体回路１３の回路幅を、予め大きい回路幅減少分を見込んで回路設計を行うことなく、要求回路幅に確保することができ、大きい制限を受けることなく回路の高密度化が可能になる。
【００８５】
また、導体回路１３の下部領域に生じるアンダーカットの進行拡大も少なくなり、ドライ処理等の特殊な処理を要することなくアンダーカットが小さく、マイグレーションの原因になる絶縁性カバー材の充填不良や導体回路の剥離等の不具合を生じることがないアディティブ法によるプリント配線板を得ることができる。
【００８６】
つぎに、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態３を、図７（ａ）〜（ｋ）を参照して説明する。
【００８７】
図７（ａ）に示されているようなポリイミドフィルム等による絶縁基材１１の片面（上面）の全面に、図７（ｂ）に示されているように、スパッタリング、蒸着、無電解めっき等によってニッケル・クロム、銅等による薄い導電性シード層１２を一様に形成する。
【００８８】
つぎに、図７（ｃ）に示されているように、レジスト層形成工程として、導電性シード層１２の全面に、ドライフィルムレジストのロールラミネートや液状レジストの塗布によってレジスト層２１を形成する。
【００８９】
つぎに、図７（ｄ）に示されているように、めっき用レジスト形成工程として、フォトリソグラフィー法による露光、現像によってパターンニングされためっき用レジスト２２を形成する。
【００９０】
つぎに、図７（ｅ）に示されているように、内部領域めっき工程として、通常電流密度（高電流密度）による電解銅めっきを行い、めっき用レジスト２２が形成されていない部分２３の導電性シード層１２上に導体回路１３の内部１３１を形成する。
【００９１】
この内部領域めっき工程の電流密度は、１Ａ／ｄｍ２〜１０Ａ／ｄｍ２程度の通常電流密度でよく、これにより生産性を確保できる。
【００９２】
つぎに、図７（ｆ）に示されているように、めっき用レジスト除去工程として、めっき用レジスト２２を除去する。
【００９３】
つぎに、図７（ｇ）に示されているように、レジスト層再形成工程として、全体に液状レジストの塗布によってレジスト層３２を再形成する。
【００９４】
つぎに、図７（ｈ）に示されているように、めっき用レジスト再形成工程として、フォトリソグラフィー法による露光、現像によってパターンニングされためっき用レジスト３２を再形成する。めっき用レジスト３２は、導体回路１３の内部１３１の周りに間隙３３をつくる。
【００９５】
つぎに、図７（ｉ）に示されているように、表面部めっき工程として、低電流密度による電解銅めっきを行い、導体回路１３の内部１３１の全外表面に、これを被覆すべく表面部１３２を形成する。表面部めっき工程の電流密度は、０．１Ａ／ｄｍ２〜１Ａ／ｄｍ２程度でよく、この電流密度による電解銅めっきによって、銅の析出結晶の平均粒径が１μｍ以下の緻密な金属組織による電解銅めっき層が得られる。
【００９６】
つぎに、図７（ｊ）に示されているように、めっき用レジスト除去工程として、めっき用レジスト３２を除去する。
【００９７】
つぎに、図７（ｋ）に示されているように、導電性シード層除去工程として、全面エッチングによって導電性シード層１２の不要部分を除去する。これにより、導体回路１３が完成する。
【００９８】
この導電性シード層除去工程における全面エッチングによって導体回路１３が細るが、導体回路１３の表面部１３２は、内部１３１のの電解銅めっき層より緻密な金属組織であるから、導体回路１３の外表面は、エッチング耐性が強く、エッチングによる導電性シード層除去工程において、横幅の減少が少なく、また、アンダーカットＡの進行拡大が少なくなる。
【実施例】
【００９９】
（実施例１）
絶縁基材としてポリイミドフィルムであるカプトンＥＮ（東レデュポン社製）を使用した。この絶縁基材をスバッタチャンバにセットし、プラズマガスにアルゴンを用い、７×１０‐３Ｔｏｏｒの真空下で、スパッタリングによりニッケル・クロムによるシード層を１００オングストローム、その上に銅によるシード層を２０００オングストローム形成した。
【０１００】
サンプルを取り出し、ドライフィルムレジスト（日立化成社製）をラミネートした。このドライフィルムレジストに回路設計パターンを露光・現像することによって、回路形成部のドライフィルムレジストを除去し、非回路形成部のみをドライフィルムレジストで被覆した。
【０１０１】
その後、電解鋼めっきによって、レジストが形成されていないところに銅を析出させ、回路形成した。このとき、厚さ７μｍまでは３Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解鋼めっきを行い、その後、０．３Ａ／ｄｍ２の電流密度で１μｍめっきし８μｍまで形成した。
【０１０２】
なお、電解銅めっきは、下記の硫酸鋼めっき浴を用い、この硫酸鋼めっき浴中に浸した絶縁基材上の導電性シード層に電気を流し、レジストが被覆されていないところに銅を析出させた。
【０１０３】
＜硫酸鋼めっき浴＞
硫酸銅５水塩                                    ７５ｇ／Ｌ
硫酸                                          １９０ｇ／Ｌ
塩素イオン                                    ５０ｍｇ／Ｌ
カパーグリームＣＬＸ‐Ａ（メルテックス社製）    ５ｍＬ／Ｌ
カパーグリームＣＬＸ−Ｃ（メルテックス社製）    ５ｍＬ／Ｌ
３％水酸化ナトリウム水溶液を用いて非回路形成部のレジストを剥離した。そして、導電性シード層を塩化鉄液や塩化銅液などのエッチング液を用いてエッチングによって除去した。
【０１０４】
その結果得られた導体回路の表層部の横幅細り量は１．０μｍであった。
【０１０５】
（実施例２）
電解銅めっきによって回路形成する際、厚さ１μｍまでは０．３Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解鋼めっきを行い、その後、厚さ７μｍまでは３Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解鋼めっきを行い、その後、０．３Ａ／ｄｍ２の電流密度で１μｍめっきし８μｍまで形成した。このこと以外は、実施例１と同様の条件で回路形成した。
【０１０６】
その結果得られた導体回路の表層部の横幅細り量は０．９μｍで、アッダーカット量は１．２μｍであった。
【０１０７】
（比較例１）
電解鋼めっきによって回路を形成する際、３Ａ／ｄｍ２の電流密度で８μｍまで形成した以外は、実施例１と同様に回路形成を行った。
【０１０８】
その結果得られた導体回路の表層部の横幅細り量は１．６μｍで、アンダーカット量は、２．３μｍであった。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】この発明によるプリント配線板の実施形態１を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態１を示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は低電流密度による電解銅めっき層と高電流密度による電解銅めっき層の断面を示す顕微鏡写真である。
【図４】この発明によるプリント配線板の実施形態２を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｉ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態２を示す工程図である。
【図６】この発明によるプリント配線板の実施形態３を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｋ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態３を示す工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｇ）は、従来のプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１１  絶縁基材
１２  導電性シード層
１３  導体回路
１３１  内部
１３２  表面部
１４  基部領域（第１の電解銅めっき層）
１４１  下部領域（第３の電解銅めっき層）
１４２  上部領域（第１の電解銅めっき層）
１５  表層領域（第２の電解銅めっき層）
２１  レジスト層
２２  めっき用レジスト
【図１】
2005166917.tif 000003
【図２】
2005166917.tif 000004
【図４】
2005166917.tif 000005
【図５】
2005166917.tif 000006
【図６】
2005166917.tif 000007
【図７】
2005166917.tif 000008
【図８】
2005166917.tif 000009
【図３】
2005166917.tif 000010