(57)【要約】【課題】  複雑なメモリ・システムにおいてメモリ・モジュールを視覚的に捜し出す方法を提供する。【解決手段】  メモリ・モジュール（４５０）を視覚的に捜し出す方法であって、視覚的に捜し出されるべき前記メモリ・モジュール上の回路（４５４）に、電子的な情報を受信させる段階と、前記電子的な情報を受信させることにより、前記メモリ・モジュール（４５０）の指標を作動した状態にする段階と、前記指標を作動した状態にさせて、前記メモリ・モジュールに対して注意を引き付けるときに、前記メモリ・モジュール上の指標素子を電子的にオン状態にする段階と、  【選択図】  図４
2005056411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・モジュールを視覚的に捜し出す方法であって、
視覚的に捜し出されるべき前記メモリ・モジュール上の回路に、電子的な情報を受信させる段階と、
前記電子的な情報を受信させることにより、前記メモリ・モジュールの指標を作動した状態にする段階と、
前記指標を作動した状態にさせて、前記メモリ・モジュールに対して注意を引き付けるときに、前記メモリ・モジュール上の指標素子を電子的にオン状態にする段階と、
を有する方法。
【請求項２】
前記指標素子が発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記指標素子が、給電されてない場合でも引き続き指標が作動した状態にある電気機械式素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電子的な情報が、システムボード上のメモリ・エラー・インターフェースによって送られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記指標が、前記メモリ・モジュール上のレジスタ内のフラグ・ビットを設定することにより作動した状態になることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電子的な情報を受信する前に、
メモリ・エラーを検出する段階と、
前記メモリ・エラーの論理メモリ・モジュール番号を決定する段階と、
前記論理メモリ・モジュール番号に対応する前記メモリ・モジュールに、前記電子的な情報を送る段階と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記メモリ・モジュールへの前記電子的な情報の送信を開始できるように設計されたソフトウェア・アプリケーションを使用する段階をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ソフトウェア・アプリケーションが、マネージャビリティ・アプリケーションと診断アプリケーションを含む一群のタイプのうちの一つのタイプのアプリケーションを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記電子的な情報が、前記メモリ・モジュール上の自己診断回路から送られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複数のメモリ・モジュールを有するメモリ・システム内で、或るメモリ・モジュールを視覚的に捜し出す装置であって、
その上に、メモリ・コントローラと複数のメモリ・モジュールのスロットを含むシステムボードと、
前記複数のメモリ・モジュールのスロットに嵌め込まれる複数のメモリ・モジュールと、
指標素子と、前記指標素子をオン状態にする電子的な情報がメモリ・モジュールで受信されると前記指標素子をオン状態にする制御回路とを有する、前記メモリ・モジュール上の指標ユニットと、
を備える装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、コンピュータシステムに関する。さらに具体的に言えば、本発明は、メモリ・システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日のコンピュータ業界では、ダイナミック・ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）は、主要なメモリ技術の１つである。ＤＲＡＭは、安価で、高速で、かつ消費電力が少ないために、大容量のメイン・メモリにとって好ましい選択品である。ＤＲＡＭは、通常、様々な入出力（Ｉ／Ｏ）データ幅、例えば１６ビット、３２ビット、または６４ビット、あるいは、それよりも大きいデータビットを持つ個別半導体パッケージに製造される。
【０００３】
コンピュータが同時にアドレス指定して、処理することができるデータビットの数、すなわちコンピュータ・バス幅は、通常、ＤＲＡＭで一般に得られるものよりもずっと大きい。このようなバス幅に適合させるために、ＤＲＡＭのグループを、通常、いっしょに実装して、例えば、ＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）、および他のタイプのメモリ・モジュールのようなメモリ・モジュールを形成する。
【０００４】
図１Ａは、２つのＤＩＭＭモジュールを有する従来のメモリ・システム１００の側面図である。メモリ・システム１００は、マザーボード１０６に付けられたＣＰＵまたはメモリ・コントローラ１０２と、２つのＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）１０８ａと１０８ｂを含む。図示される２つのメモリ・モジュール１０８ａと１０８ｂはそれぞれ、並列に接続されたＮ個のメモリ素子１１２を含む。説明のために、Ｎが１８に等しいと仮定すると、それぞれのメモリ・モジュール１０８ａと１０８ｂ上にある１８個のメモリ素子１１２ａ〜１１２Ｎは、ボード・トレース部分１１６を含むデータバス１１４、コネクタ１１８、モジュール・トレース部分１２０により、メモリ・コントローラ１０２に接続されている。
【０００５】
図１Ｂは、図１Ａに示されるメモリ・システム１００のメモリ・モジュールのメモリ構造のブロック図を示している。図１Ｂでは、このデータバスは、データ用に６４ビットが用いられ、また誤り訂正用に８ビットが用いられている７２ビット幅である。メモリ・モジュール１０８ａと１０８ｂ上にある１８個のメモリ素子はそれぞれ、４ビットである。これらの１８個のメモリ素子は、メモリの動作ごとに、データバス１１４への出力が７２ビット幅となるように、並列に接続されている。
【０００６】
図１Ｃは、図１Ａに示されるメモリ・システム１００の記憶場所に読み書きを行うクロックパルスを示している。メモリ・コントローラ１０２は、一度に、ただ１つのメモリ・モジュールから、ただ１つのワードまたは記憶場所を読み出す。シングル・データ転送レート（ＳＤＲ）システムと読出し動作を前提すると、アドレス００００００を持つメモリ・モジュール１０８中の記憶場所を、クロック・エッジｔ1にて読み出す。この記憶場所の内容は、７２ビット幅である。クロック・エッジｔ2では、メモリ動作はまったく行われない。メモリ・モジュール１０８中にアドレス位置０００００１を持つ第２の記憶場所を、クロック・エッジｔ3にて読み出す。
【０００７】
図２Ａは、８つのＤＩＭＭモジュールを有する従来のメモリ・システム２００の側面図を示している。図２Ａに示されるメモリ・システム２００は、図１Ａに示されている構成と同様に、マザーボード２０６に付けられたＣＰＵまたはメモリ・コントローラ２０２を含む。しかしながら、このような構成は、図１Ａに示される２つのＤＩＭＭ１０８ａと１０８ｂではなく、８つのＤＩＭＭ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）２０８ａ〜２０８ｈを含む。図示される８つのメモリ・モジュール２０８ａ〜２０８ｈはそれぞれ、Ｎ個のメモリ素子２１２を含む。メモリ・コントローラ２０２は、ボード・トレース部分２１６を含むデータバス２１４、コネクタ２１８、モジュール・トレース部分２２０により、８つのメモリ・モジュール２０８ａ〜２０８ｈに接続されている。
【０００８】
図２Ｂは、図２Ａに示されるメモリ・システム２００のメモリ構造のブロック図を示している。図示されるシステムでは、このデータバスは、データ用に１２８ビットが用いられ、また誤り訂正用に１６ビットが用いられている１４４ビット幅である。好ましくは、それぞれのメモリ・モジュールは、１８個のメモリ素子（Ｎ＝１８）を含み、しかもそれぞれのメモリ素子が４ビット幅である。それぞれのメモリ・モジュールでは、上記メモリ素子が並列に接続されている。２つのメモリ・モジュールから同時にデータを読み出して、メモリの動作ごとに、データバス２１４への出力が１４４ビット幅となるようにしている。
【０００９】
図２Ｃは、図２Ａに示されるメモリ・システム２００の記憶場所に読み書きを行うクロックパルスを示している。メモリ・コントローラ２０２は、一度に、ただ１つのメモリ・モジュールから、ただ１つのワードまたは記憶場所を読み出す。ダブル・データ転送レート（ＤＤＲ）システムとメモリ読出し動作を前提すると、アドレス００００００を持つメモリ・モジュール２０８ａ中の記憶場所と、アドレス００００００を持つメモリ・モジュール２０８ｅ中の記憶場所を両方とも、クロック・エッジｔ1にて同時に読み出す。アドレス位置０００００１を持つメモリ・モジュール２０８ａ中の第２の記憶場所と、メモリ・モジュール２０８ｅ中にアドレス０００００１を持つ第２の記憶場所を両方とも、クロック・エッジｔ2にて同時に読み出す。
【００１０】
上に説明された比較的に単純なメモリ・システムは、背景目的で説明された単に説明的な例にすぎない。上に説明されたものよりも若干大きく、かつ複雑な他のメモリ・システム構成が多数ある。コンピュータシステム内の至る所にメモリ・システムがある場合には、このようなメモリ・システムを利用し、かつ維持する方法および装置の改良が非常に望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
複雑なメモリ・システムにおいてメモリ・モジュールを視覚的に捜し出す方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態は、メモリ・モジュールを視覚的に捜し出す方法にかかわる。電子的な情報（又は電気信号）は、視覚的に捜し出されるべきメモリ・モジュール上の回路で受信される。この電子的な情報を受信することにより、メモリ・モジュールのビーコン状態（指標又は目印の状態）を作動した状態にする。そのビーコン状態を作動した状態にして、そのメモリ・モジュールに対して注意を引き付けるときに、このメモリ・モジュール上の指標素子（ビーコン素子：beacon device）を電子的にオン状態にする。
【００１３】
本発明の他の実施形態は、複数のメモリ・モジュールを有するメモリ・システム内で、或るメモリ・モジュールを視覚的に捜し出す装置に関する。この装置は、システムボード、複数のメモリ・モジュール、および、メモリ・モジュール上のビーコン・ユニット（指標ユニット）を含む。このシステムボードは、その上に、メモリ・コントローラと、複数のメモリ・モジュールのスロットを含む。これらのメモリ・モジュールのスロットには、上記の複数のメモリ・モジュールが嵌め込まれる。ビーコン・ユニットは、指標素子（ビーコン素子）と、指標素子をオン状態にする電子的な情報が上記メモリ・モジュールで受信されると指標素子をオン状態にする制御回路とを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
ほとんどのコンピュータ・メモリ・システムは、通常、個々のＤＩＭＭ上にあるＤＲＡＭから成っている。それぞれのＤＩＭＭは、マザーボード上のスロットに差し込まれる「一組」のＤＲＡＭ（通常、３２個〜３６個）から成っている。コンピュータ・メモリ・システムは、数個（例えば、パーソナルコンピュータまたは小形サーバにおいて）ないし何千個（例えば、大形サーバシステムにおいて）ものＤＩＭＭを含むことがある。ハイエンド・サーバはまた、通常、メモリチップの冗長性およびホット・スワッピングなどの高利用度の特徴も含む。
【００１５】
永久メモリエラー（永久メモリ故障）（例えば、スタック・アット（ｓｔｕｃｋ−ａｔ）ビット、スタック・オープン（ｓｔｕｃｋ−ｏｐｅｎ）ビット、あるいは、「弱いセル（ｗｅａｋ  ｃｅｌｌ）」）が発生するときには、このエラーの位置は、通常、システムログ（システム稼動記録）に保存される。このシステムログは、システムのディスクドライブなどの中央位置にあるか、あるいはシステムボード上にある。このシステムログは、通常、このエラーのある論理ＤＩＭＭ番号とＤＲＡＭ位置を追跡する。
【００１６】
特定のメモリ・モジュールを、その論理ＤＩＭＭ番号で識別することは、オペレーティングシステムまたは他のソフトウェアにとって充分であり、かつ、役立つとはいえ、このような識別は、不良ＤＩＭＭを取り外したいと思っている修理専門技術者または他の人にとっては、直接には役立たない。このような取外し目標の識別は、ホットプラグ可能（活線状態で交換可能）なＤＩＭＭを有するシステムに対して、特に役立つものである。メモリエラーに対応するＤＩＭＭを人が捜し出せるようにするためには、この人は、その論理ＤＩＭＭ番号を、視覚的に識別可能なスロット位置に変換しなければならない。
【００１７】
このような変換を達成する以前の方法は、以下の厄介な手法を含む。まず第１に、コンピュータシステム用のマニュアルをよく調べて、視覚的に識別可能な位置と論理番号との対応づけを決定することがある。この手法は、不都合にも、時間がかかり、かつ人間が誤りを起こしやすい。さらに、このマニュアルを見つけ出すことは、遠隔地では困難であるか、あるいは、修理人がすぐ忘れることがある。
【００１８】
第２に、マニュアルを調べずに、ｗｅｂページまたは他の外部プログラムを利用して、論理ＤＩＭＭ番号を、マザーボード上の視覚的に識別可能な位置に対応づけることがある。この手法はまた、不都合にも、時間がかかる。さらに、この手法は、ｗｅｂページまたは他の外部プログラムの生成およびメンテナンスも必要としている。さらに、ｗｅｂページまたは他の外部プログラムへのアクセスを、遠隔地の修理人に提供しなければならない。
【００１９】
第３に、シャーシには、そのＤＩＭＭスロットを論理ＤＩＭＭ番号に視覚的に相互に関連づけるラベルが付けられることがある。この手法は、ＤＩＭＭスロットのそれぞれに、その対応する論理ＤＩＭＭ番号でラベルを付ける余分の段階を必要とする。このようなラベル付けは、退屈な作業であって、正確に行えない場合がある。さらに、この手法は、シャーシ上に、ラベルを付けるスペース（余地）も必要としている。このようなスペースは、特にコンパクトなシステムでは、限定される場合がある。
【００２０】
第４に、診断ボードが用いられることがある。この診断ボードは、通常、複数の故障を、数個の発光ダイオード（ＬＥＤ）内でコード化して表示する。この診断ボードを使用するように修理人またはユーザを訓練しなければならない。診断ボードを単独で使用することは、通常、ユーザにとってわかりにくいから、このような診断ボードは、たいてい、上記３つの方法の１つと組み合わせて、用いられる。
【００２１】
本発明の一実施形態は、論理ＤＩＭＭ番号を、視覚的に識別可能なＤＩＭＭ位置に電子的に変換する回路を提供する。一実施形態により、見つけ出す必要のあるＤＩＭＭ上の発光ダイオード（ＬＥＤ）を電子的にオン状態にする（すなわち、作動させる）ことにより、ＤＩＭＭ位置を視覚的に識別可能にすることがある。他の実施形態では、電気機械式フラグ型素子を電子的にオン状態にする（すなわち、素子を作動させる）ことにより、ＤＩＭＭ位置を、視覚的に識別可能にすることがある。さらに、このような電気機械式素子は、この素子が給電されてない場合でも、引き続き作動した状態にあることが効果的である。オン状態にされる（すなわち、作動する）ＬＥＤ、電気機械式フラグ、または他の指標素子（識別素子）は、この特定ＤＩＭＭに対して、すばやく修理人または他のユーザの注意を引き付ける「ビーコン（指標、目印）」として役立つ。この手法は、ＤＩＭＭの識別を簡単にし、かつ図表と文書化の必要性を減らすために、以前の手法よりも優れている。
【００２２】
一実施形態では、指標素子は、障害インジケータ（障害表示器）から成っていることがある。或るＤＩＭＭ上の障害インジケータ・ビーコン（障害インジケータのビーコン）を、システム・ファームウェアの制御のもとに電子的にオン状態にして（すなわち、作動させて）、このＤＩＭＭが、問題のメモリ障害を含むことを示す。他の実施形態では、指標素子は、ロケータ（位置表示器）から成っていることがある。このロケータ・ビーコン（ロケータのビーコン）は、特定のＤＩＭＭがメモリ障害を含もうと、含まないとにかかわらず、そのＤＩＭＭに対して注意を引き付ける指標、つまり目印を提供するように、ユーザによりセットされる。他の実施形態では、それぞれのＤＩＭＭは、障害インジケータ・ビーコンとロケータ・ビーコンを両方とも含むことがある。これら２つのビーコンは、例えば、これらのビーコンを明確に区別するために、色が異なっている。上記説明の代わりに、あるいは、上記説明に加えて、本発明の一実施形態は、ＤＩＭＭ自体が、問題を自己診断し、その障害インジケータ・ビーコンをオン状態にして、修理人またはユーザの注意を引き付けるようにする回路を、ＤＩＭＭ上に含むことがある。
【００２３】
図３は、不良メモリ・モジュールを捜し出す従来の方法の流れ図である。時々、コンピュータシステムの動作中に、メモリエラーを検出する（３０２）。このメモリエラーの特定位置を決定する（３０４）。メモリエラーの検出（３０２）と位置決定（３０４）は、例えば、マネージャビリティ・プロセッサ（管理プロセッサ、ｍａｎａｇｅａｂｉｌｉｔｙ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）により行われることがある。この特定位置は、特定メモリ・モジュール上の特定ＤＲＡＭ（１つまたは複数）の特定アドレス（１つまたは複数）であると示される。このメモリエラーを追跡するために、メモリエラー情報を、システムログに蓄積する（３０６）。このシステムログは、例えばシステムボード上、あるいはシステム・ディスク上に保存される場合がある。
【００２４】
取替えまたは修理の目的で、メモリエラーのあるメモリ・モジュールを取り外す（３１０）場合には、取り外されるべきメモリ・モジュールを、まず最初に、修理専門技術者または他のユーザが視覚的に捜し出さ（３０８）なければならない。上に説明されるように、マニュアルを用いて（３０８ａ）、ｗｅｂページまたは外部プログラムを用いて（３０８ｂ）、および、シャーシ上のラベルを用いて（３０８ｃ）、このメモリ・モジュールを視覚的に捜し出す従来の手法がある。マニュアルを参照すること（３０８ａ）は、不都合にも、時間がかかり、かつ人間が誤りを起こしやすい。さらに、このマニュアルを見つけ出すことは、遠隔地では困難であるか、あるいは、修理人がすぐ忘れることがある。ｗｅｂページまたは外部プログラムの手法を用いること（３０８ｂ）も、不都合にも、時間がかかる。さらに、この手法は、ｗｅｂページまたは外部プログラムの生成およびメンテナンスも必要としている。さらに、ｗｅｂページまたは他の外部プログラムへのアクセスを、遠隔地の修理人に提供しなければならない。シャーシ上のラベルを用いること（３０８ｃ）は、ＤＩＭＭスロットのそれぞれに、その対応する論理ＤＩＭＭ番号でラベルを付ける余分の段階を必要とする。さらに、このようなラベリングは、退屈な作業であって、正確に行えない場合がある。また、このラベル付けは、シャーシ上に、ラベルを付ける充分なスペースを必要とする。
【００２５】
図４は、本発明の一実施形態により、不良メモリ・モジュールに対して注意を引き付けるシステムの略図である。このシステムは、システムボード４００と複数のＤＩＭＭモジュール４５０を含む。いくぶん大きいコンピューティングシステムでは、システムボード４００は、セルボード４００と呼ばれることもある。
【００２６】
システムボード４００は、様々な構成要素を含む。中央演算処理装置（ＣＰＵ）４０２は、ソフトウェア命令を実行し、システムボード４００上の他の構成要素の動作を総合調整する「中枢部」として働く。１つのＣＰＵ４０２が図示されているが、実際のシステムは、このような機能に対して、単一のＣＰＵまたは複数のＣＰＵ４０２を利用することがある。ＣＰＵ４０２は、メモリ・コントローラ４０４およびプロセッサ依存ハードウェア（ＰＤＨ）インターフェース４０８に、情報又は電気信号の授受可能に結合されるものとして図示されている。これらの通信結合部（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）は、例えば通信バスまたは他の通信手段から成っていることがある。もちろん、他の構成要素（図示されてない）はまた、入出力インターフェース、データ記憶インターフェース、ディスプレイ・インターフェース、および他のデバイスなど、ＣＰＵ４０２に，情報又は電気信号の授受可能に結合されることもある。
【００２７】
メモリ・コントローラ４０４は、ＤＩＭＭモジュール４５０上のＤＲＡＭチップに対して、データの読出しやデータの書込みを制御するために用いられる。メモリ・コントローラ４０４は、例えば、上に図１と図２に関して説明されるメモリ・コントローラ４０４と同様に、動作するように実現されることがある。メモリ・コントローラ４０４の特定の動作は、制御されるメモリの特定の特性によって（例えば、ＤＲＡＭが非同期式であるか同期式であるかどうか、ＤＲＡＭがシングル・データ転送レートであるかダブル・データ転送レートであるかどうか、ＤＲＡＭがダイレクトＲａｍｂｕｓ（Ｒ）ＤＲＡＭ（ＤＲＤＲＡＭ（Ｒ））などであるかどうか、などによって）決まる。本発明の実施形態は、通常、特定タイプのＤＲＡＭに限定されてはならない。
【００２８】
一実施形態では、マネージャビリティ・プロセッサ（管理プロセッサ）（ＭＰ）４２０は、システムボード４００上に含まれることがある。ＭＰ４２０は、ステータスの監視、イベントおよび異常状態の記録（ロギング：logging）、および、このメモリシステムに対する（エラーについての）回復機能を制御するために用いられる。一実施形態では、マネージャビリティ・プロセッサ（ＭＰ）４２０は、インテリジェント・プラットフォーム管理インターフェース（ＩＰＭＩ）仕様に適合するように設計されることがある。ＩＰＭＩ仕様は、現在、インターネットで、ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｉｎｔｅｌ．ｃｏｍ／ｄｅｓｉｇｎ／ｓｅｒｖｅｒｓ／ｉｐｍｉ／ｓｐｅｃ．ｈｔｍのＵＲＬを通じて、インテル社から入手できる。このインテリジェント管理プラットフォームは、メインプロセッサ、ＢＩＯＳ、オペレーティングシステムとは関わりなく利用できる機能を提供する。ＩＰＭＩのメッセージング（メッセージの伝達）は、要求／応答プロトコルを使用している。ＩＰＭＩ要求メッセージ（コマンドとも呼ばれる）は、ネットワーク機能コードと呼ばれるフィールドを用いて、機能コマンド・セットにまとめられる。センサ用のコマンド・セットと、イベント関連のコマンド、シャーシ・コマンドなどがある。
【００２９】
ＰＤＨインターフェース４０８により、ＣＰＵ４０２および／またはＭＰ４２０は、プロセッサ依存コード（ＰＤＣ）ユニット４１０、スクラッチ・メモリ４１２、メモリエラー・インターフェース・ユニット４０６を含め、図示される他の構成要素と情報又は電気信号の授受をすることができる。図４に示される実施形態では、システムボード４００は、ＣＰＵ４０２とＭＰ４２０を両方とも含み、しかも、その両方とも、ＰＤＨインターフェース４０８に、情報又は電気信号の授受可能に結合されている。他の実施形態では、システムボード４００は、ＣＰＵ４０２とＭＰ４２０を両方とも含むが、ただし、ＭＰ４２０だけが、ＰＤＨインターフェース４０８に、情報又は電気信号の授受可能に結合されている場合もある。他の実施形態では、システムボード４００は、ＣＰＵ４０２だけを含むが、ＭＰ４２０は含まない場合もある。
【００３０】
ＰＤＨインターフェース４０８は、マイクロコントローラを用いて実現されることがある。ＰＤＣユニット４１０は、例えば、フラッシュメモリ、または或るタイプのリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）などの不揮発性メモリの一形態を含む。ＰＤＣユニット４１０は、ＣＰＵ４０２および／またはマネージャビリティ・プロセッサ４２０で実行されるブート・コードおよびエラー処理コードを含むように設計されることがある。スクラッチ・メモリ４１２は、揮発性および／または不揮発性のスクラッチＲＡＭを用いて実現されることがある。スクラッチ・メモリ４１２は、データを一時的に格納するために利用される。
【００３１】
メモリエラー・インターフェース４０６は、ＤＩＭＭモジュール４５０上のビーコン・ユニット４５４（指標ユニット）に、情報又は電気信号の授受可能に結合されている。一実施形態では、この通信結合部は、ＩＰＭＩバスを用いて実現されることがある。他の実施形態では、この通信結合部は、Ｉ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ−ＩＣ）バスを用いて実現されることがある。それぞれのビーコン・ユニット４５４は、１つまたは複数の指標素子と、指標素子を制御する関連の制御回路から成っている。これらの指標素子は、ＬＥＤ、電気機械式フラグ、または他の素子から成っている。一実施形態では、ビーコン・ユニット４５４は、障害インジケータ・ビーコンを含むことがある。他の実施形態では、ビーコン・ユニット４５４は、ロケータ・ビーコンを含むことがある。他の実施形態では、ビーコン・ユニット４５４は、障害インジケータ・ビーコンとロケータ・ビーコンを両方とも含むことがある。他のビーコンのタイプも、他の実施形態に含まれることがある。ＤＩＭＭ上に複数の指標素子が含まれる場合には、これらの指標素子をさらに明確に区別するために、これらの指標素子に対して異なる色が用いられることがある。例えば、異なる色のＬＥＤ、または異なる色の電気機械式フラグが用いられる。これらの指標素子は、ビーコン・ユニット４５４中の指標素子の状態に関係する制御レジスタをセットまたはリセットすることで、オン状態またはオフ状態にされる。
【００３２】
障害インジケータ・ビーコンを、システム・ファームウェアを使って電子的にオン状態にして、ＤＩＭＭが、問題のメモリ障害を含むことを示す場合がある。ロケータ・ビーコンは、特定のＤＩＭＭがメモリ障害を含もうと、含まないとにかかわらず、そのＤＩＭＭに対してユーザの注意を引き付ける指標を提供するように、コンピュータシステム上のソフトウェアによってセットされる。そのシステム・ファームウェアが、指標素子（１つまたは複数）をオン状態にすることの代わりに、あるいは、そのことに加えて、本発明の一実施形態は、ＤＩＭＭ自体が、問題を自己診断し、その障害インジケータ・ビーコンをオン状態にして、修理人または他のユーザの注意を引き付けるようにする回路を、ＤＩＭＭ上に含むことがある。
【００３３】
図４には、ＤＩＭＭモジュール４５０が少なくとも３つ示されているが、ただし、本発明の実施形態は、特定数のメモリ・モジュールには限定されない。さらに、ＤＩＭＭ４５０が示され、かつ説明されているが、本発明の実施形態は、必ずしも、特定タイプのメモリ・モジュールに限定する必要はない。他のタイプのメモリ・モジュールには、ＳＩＭＭ（ｓｉｎｇｌｅ  ｉｎ−ｌｉｎｅ  ｍｅｍｏｒｙ  ｍｏｄｕｌｅ）、ＲＩＭＭ（Ｒ）（Ｒａｍｂｕｓ  ｉｎ−ｌｉｎｅ  ｍｅｍｏｒｙ  ｍｏｄｕｌｅ）などがある。
【００３４】
それぞれのメモリ・モジュール４５０は、メモリ・スロットを通じて、システムボード４００に結合する。このメモリ・スロットは、メモリ・モジュールのタイプに応じて、適宜に形成される。この場合も、図４には、メモリ・スロット（メモリのスロット）が少なくとも３つ示されているが、ただし、本発明の実施形態は、特定数のメモリ・スロットには限定されない。
【００３５】
それぞれのメモリ・モジュール４５０は、複数のＤＲＡＭチップ４５２とビーコン・ユニット４５４を含む。ＤＲＡＭチップ４５２は、内部でデータを保持するために給電する必要がある点で、揮発性メモリから成っている。それぞれのメモリ・モジュール４５０は、メモリ・コントローラ４０４がＤＲＡＭ４５２に対して、読み書きのためのアクセスができるように設計された回路も含む。それぞれのメモリ・モジュールはまた、ビーコン・ユニット４５４上の制御レジスタに対して、読み書きのアクセスができるように設計された回路も含む。一実施形態では、この制御レジスタへの読み書きのためのアクセスは、メモリエラー・インターフェース４０６への通信リンク（通信線）を通じて、行われる。別法として、この制御レジスタへの読み書きのアクセスは、メモリ・コントローラ４０４への通信リンク（通信線）を通じて行われることもあり、その場合、メモリ・コントローラ４０４は、とりわけ、メモリ・モジュール４５０のビーコン状態（指標の状態）を作動した状態にさせたり、停止した状態させることができるように設計されている。
【００３６】
図５は、本発明の一実施形態により、不良メモリ・モジュールを捜し出す方法の流れ図である。この方法は、図３の従来の方法よりも優れている。
【００３７】
図３の従来の方法と同様に、時々、コンピュータシステムの動作中に、メモリエラーを検出する（３０２）。このメモリエラーの特定の位置を決定する（３０４）。メモリエラーの検出（３０２）と位置決定（３０４）は、例えば、オペレーティングシステムにより行われることがある。この特定位置は、特定メモリ・モジュール上の特定ＤＲＡＭ（１つまたは複数）の特定アドレス（１つまたは複数）であると示される。このメモリエラーを追跡するために、メモリエラー情報を、システムログに蓄積する（３０６）。このシステムログは、例えばシステムボード上、あるいはシステム・ディスク上に保存される場合がある。
【００３８】
本発明の一実施形態により、メモリエラー情報を、システムログに蓄積する（３０６）ことに加えて、メモリ・モジュール上のビーコンをオン状態にして（５０２）、ＤＩＭＭに対して、修理人または他の人の注意を引き付ける。指標素子は、ＤＩＭＭ上のレジスタ内の関連制御ビットまたはフラグを設定することで、オン状態にされることがある。マネージャビリティ・プロセッサは、ＤＩＭＭ上のレジスタを、ビーコン状態に設定する電子的な情報（電気信号）を送るように設計されている。さらに、オペレーティングシステムは、マネージャビリティ・プロセッサを通じて、ＤＩＭＭのビーコン用レジスタにアクセスして、ビーコン状態をセットするように設計されている。ＤＩＭＭ用のビーコンは、例えば、コンピュータシステムのシステム・アドミニストレータまたは他のユーザに、ＤＩＭＭに「フラグ」を付けさせるか、あるいは、マネージャビリティ・アプリケーションまたは診断アプリケーションを使って、オン状態にされる。
【００３９】
ＤＩＭＭ上で、ビーコンを作動させた状態では、修理人または他の人は、システム内の多数のＤＩＭＭの中から、ＤＩＭＭを視覚的に容易に捜し出せる（５０４）ことがある。つぎに、ＤＩＭＭが見つけ出されると、取替えまたは修理のために、ＤＩＭＭを取り外す（３１０）。図５の方法は、ＤＩＭＭの識別を簡単にし、かつ図表と文書化の必要性を減らすために、以前の手法よりも優れている。
【００４０】
本発明の一実施形態により、例証電気機械式指標素子が、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃに示されている。この例では、この電気機械式素子は、電気機械式のボタンまたはフラグから成っている。スイッチまたは他の形式の電気機械式素子も使用されることがある。図６Ａは、例証の電気機械式素子の平面図（上面図）である。図６Ｂは、この電気機械式のボタンまたはフラグが下がった（停止）位置にある電気機械式素子の斜視図（側面図）である。図６Ｃは、この電気機械式のボタンまたはフラグが上がった（作動）位置にある電気機械式素子の斜視図（側面図）である。
【００４１】
このような電気機械式素子は、給電して、その電気機械式素子を作動した状態、すなわち「ターン・オン」状態にとどめることを必要としない点で、特に有利である。例えば、修理の間、システム・シャーシの電源を切ることが多い。このような電気機械式指標素子では、その「フラグ」は、作動すると、しゃ断器のように「パチンという音を出す（ｐｏｐｐｅｄ）」ことがある。給電されようと、給電されまいと、このフラグは、修理人または他のユーザによりリセットされるまで、上記のパチンという音を出した位置にとどまることになる。
【００４２】
上の説明では、本発明の実施形態を充分に理解するために、特定の詳細が多数与えられている。しかしながら、本発明の例示された実施形態の上記説明は、すべてを尽くすつもりはなく、また、本発明を、開示されている通りの形態に限定するつもりもない。当業者であれば、本発明は、これらの特定の詳細の１つまたは複数を用いることなく、すなわち、他の方法、構成要素などを用いて、実施できることが理解されよう。他の場合に、本発明の色々な面を曖昧にしないようにするために、公知の構造または動作は、示されていないし、また詳細に述べられてもいない。本発明の特定の実施形態、および、本発明用の例証が、例示目的で本明細書に述べられているが、当業者であれば、同等な様々な変更は、本発明の範囲内で可能であることが理解されよう。
【００４３】
上に詳述される説明を考慮して、これらの変更を本発明に加えることができる。併記の特許請求の範囲に用いられる用語は、本発明を、本明細書に開示されている特定の実施形態、および、この特許請求の範囲に限定するものと解されるべきではない。もっと適切に言えば、本発明の範囲は、特許請求の範囲における解釈の既定原則にしたがうものと見なされる併記特許請求の範囲により決定されることになっている。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、コンピュータのメモリ・モジュールに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１Ａ】２つのＤＩＭＭモジュールを有する従来のメモリ・システムの側面図を示す。
【図１Ｂ】図１Ａに示されるメモリ・システムのメモリ・モジュールのメモリ構造のブロック図を示す。
【図１Ｃ】図１Ａに示されるメモリ・システムの記憶場所に読み書きを行うクロックパルスを示す。
【図２Ａ】８つのＤＩＭＭモジュールを有する従来のメモリ・システムの側面図を示す。
【図２Ｂ】図２Ａに示されるメモリ・システムのメモリ構造のブロック図を示す。
【図２Ｃ】図２Ａに示されるメモリ・システムの記憶場所に読み書きを行うクロックパルスを示す。
【図３】不良メモリ・モジュールを捜し出す従来の方法の流れ図である。
【図４】本発明の一実施形態により、不良メモリ・モジュールに対して注意を引き付けるシステムの略図である。
【図５】本発明の一実施形態により、不良メモリ・モジュールを捜し出す方法の流れ図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による例証の電気機械式指標素子の平面図を示す。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態による例証の電気機械式指標素子の斜視図を示す。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態による例証の電気機械式指標素子の斜視図を示す。
【符号の説明】
【００４６】
１００  メモリ・システム
１０２  ＣＰＵまたはメモリ・コントローラ
１０６  マザーボード
１０８ａ、１０８ｂ  ＤＩＭＭ
１１２  メモリ素子
１１４  データバス
１１６  ボード・トレース部分
１１８  コネクタ
１２０  モジュール・トレース部分
４００  システムボード
４０２  中央演算処理装置（ＣＰＵ）
４０４  メモリ・コントローラ
４０６  メモリエラー・インターフェース・ユニット
４０８  プロセッサ依存ハードウェア（ＰＤＨ）インターフェース
４１０  プロセッサ依存コード（ＰＤＣ）ユニット
４１２  スクラッチ・メモリ
４２０  マネージャビリティ・プロセッサ（ＭＰ）
４５０  ＤＩＭＭモジュール
４５２  ＤＲＡＭチップ
４５４  ビーコン・ユニット
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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