(57)【要約】【課題】高精度なフォーカシングを行うことにより、例えば液浸タイプの場合であってもレチクル像をウエハ表面に良好に形成することができる露光装置、露光方法、及びその露光方法を用いたデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】この露光装置は、露光光を用いてレチクルを照明し、レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、レチクルに対する基板のフォーカス位置を補正するためにレチクルを光軸方向又は光軸に対して傾斜する方向のうち少なくともいずれかの方向に移動させるレチクル駆動部を有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光を用いてレチクルを照明し、該レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、
前記レチクルに対する前記基板のフォーカス位置を補正するために前記レチクルを光軸方向又は該光軸に対して傾斜する方向のうち少なくともいずれかの方向に移動させるレチクル駆動部を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
露光光を用いてレチクルを照明し、該レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、
前記レチクルに対する前記基板のフォーカス位置を補正するために前記投影光学系の少なくとも一部を光軸方向又は該光軸に対して傾斜する方向に移動させる投影光学系駆動部を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記投影光学系の少なくとも一部が、該投影光学系内の投影レンズであることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
露光光を用いてレチクルを照明し、該レチクル上のパターンを投影光学系と該投影光学系と基板との間に充填された液体とを介して前記基板上に投影露光する露光装置であって、
前記液体の温度又は密度のうち少なくともいずれか一方を調整する制御装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記液体を循環させる循環装置をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記フォーカス位置の補正量を記憶する記憶部をさらに有することを特徴とする請求項１，２，４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の露光装置によって基板にパターンを投影露光する工程と、投影露光された前記基板に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
【請求項８】
露光光を用いてレチクルを照明し、該レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光方法であって、
前記レチクルに対する前記基板のフォーカス位置を補正するために前記レチクル又は前記投影光学系の少なくとも一部のうち少なくともいずれか一方を光軸方向に移動させるステップを有することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
露光光を用いてレチクルを照明し、該レチクル上のパターンを投影光学系と該投影光学系と基板との間に充填された液体とを介して前記基板上に投影露光する露光方法であって、
前記液体の温度又は密度のうち少なくともいずれか一方を調整するステップを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
前記基板の表面形状と裏面形状とを計測し、その差分値を算出するステップと、
露光時に前記基板の裏面形状を計測しつつその裏面形状に前記差分値を反映させて前記基板の露光時における表面形状を算出するステップとを有することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記基板又はそれと等価な面に形成された基板側基準マークの像を、前記露光光を用いて前記基板と実質的に共役な位置に配置された前記レチクル上で検出するステップを有することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路や液晶表示素子などの製造工程においてマスク又はレチクル（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する）上のパターンを基板（ウェハやガラスプレートなど）に露光する露光装置、露光方法、及びその露光方法を用いたデバイスの製造方法に関する。本発明は、例えば、走査型の投影露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー工程で製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下レチクル）のパターンを感光性の基板ウエハ、ガラスプレート（以下ウエハ）上に転写する投影露光装置が提案されている。その投影露光装置として、いわゆるステップ・アンド・リピート方式によってパターンを繰り返し一括露光するステッパーと呼ばれる投影露光装置の他に、ステップ・アンド・スキャン方式によってレチクルとウエハとを同期走査させつつ露光を行う走査型の投影露光装置（走査型露光装置）も使用されつつある。
【０００３】
微細パターンを正確に投影露光する必要があるため、この種の投影露光装置には非常に高い解像力が求められる。高解像力を実現するために、解像力に影響する要因、例えば大気圧、環境温度等を測定してその測定結果に応じて結像特性を補正する機能が備えられたものもある。
【０００４】
また、高解像力の実現のために投影光学系の開口数が大きく設定されるので、投影光学系の焦点深度が浅くなってしまう。そのため、斜入射方式の焦点位置検出系によってウエハ表面の凹凸に応じたフォーカス位置（投影光学系の光軸方向位置）を計測し、その計測結果に基づいてウエハ表面位置を投影光学系の像面位置に一致させるオートフォーカス機能を備えたものもある（例えば特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開平２−１０２５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし近年、フォーカス位置、アライメント位置に対する高精度の要求はさらに強まり、それに伴ってレチクルやウエハのステージ駆動制御の高精度化が必要とされてきている。上述のように、従来はウエハ表面位置を駆動機構によって移動させてフォーカシングを行っているが、その駆動分解能には限界がある。
【０００６】
液浸投影露光装置は、投影レンズとウエハ表面との間に液体を充填させることにより投影光学系の開口数をより大きくするものである。この液浸投影露光装置においては、投影レンズとウエハの間隔が非常に狭いため、投影レンズ下のウエハ表面位置を斜入射方式の焦点位置検出系によって計測することが難しい。
【０００７】
また、ウエハをウエハステージによりフォーカス（光軸）方向やチルト（傾き）方向に移動させると液体の擾乱が生じてしまう。したがって、ウエハ表面の凹凸のフォーカス位置を像面位置に一致させるためにウエハをフォーカス方向、チルト方向に移動させることは望ましくない。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、高精度なフォーカシングを行うことにより、例えば液浸タイプの場合であってもレチクル像をウエハ表面に良好に形成することができる露光装置、露光方法、及びその露光方法を用いたデバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の例示的側面としての露光装置は、露光光を用いてレチクルを照明し、レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、レチクルに対する基板のフォーカス位置を補正するためにレチクルを光軸方向又は光軸に対して傾斜する方向のうち少なくともいずれかの方向に移動させるレチクル駆動部を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の例示的側面としての露光装置は、露光光を用いてレチクルを照明し、レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、レチクルに対する基板のフォーカス位置を補正するために投影光学系の少なくとも一部を光軸方向又は光軸に対して傾斜する方向に移動させる投影光学系駆動部を有することを特徴とする。その投影光学系の少なくとも一部が、投影光学系内の投影レンズであってもよい。
【００１１】
本発明のさらに他の例示的側面としての露光装置は、露光光を用いてレチクルを照明し、レチクル上のパターンを投影光学系と投影光学系と基板との間に充填された液体とを介して基板上に投影露光する露光装置であって、液体の温度又は密度のうち少なくともいずれか一方を調整する制御装置を有することを特徴とする。液体を循環させる循環装置をさらに有することは望ましい。また、上記の露光装置が、フォーカス位置の補正量を記憶する記憶部をさらに有することはさらに望ましい。
【００１２】
本発明のさらに他の例示的側面としてのデバイスの製造方法は、上記の露光装置によって基板にパターンを投影露光する工程と、投影露光された基板に所定のプロセスを行う工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明のさらに他の例示的側面としての露光方法は、露光光を用いてレチクルを照明し、レチクル上のパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光方法であって、レチクルに対する基板のフォーカス位置を補正するためにレチクル又は投影光学系の少なくとも一部のうち少なくともいずれか一方を光軸方向に移動させるステップを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明のさらに他の例示的側面としての露光方法は、露光光を用いてレチクルを照明し、レチクル上のパターンを投影光学系と投影光学系と基板との間に充填された液体とを介して基板上に投影露光する露光方法であって、液体の温度又は密度のうち少なくともいずれか一方を調整するステップを有することを特徴とする。それらの露光方法が、基板の表面形状と裏面形状とを計測し、その差分値を算出するステップと、露光時に基板の裏面形状を計測しつつその裏面形状に差分値を反映させて基板の露光時における表面形状を算出するステップとをさらに有してもよい。また、基板又はそれと等価な面に形成された基板側基準マークの像を、露光光を用いて基板と実質的に共役な位置に配置されたレチクル上で検出するステップをさらに有してもよい。
【００１５】
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態により明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、投影露光装置のフォーカス補正の精度を投影露光倍率に応じて向上させることができる。また、液浸投影露光装置においてもフォーカス補正に伴う液体の擾乱によるフォーカス不安定性を低減でき、安定したフォーカス補正を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の一形態について図面を参照して説明する。本実施の形態においては、ステップ・アンド・スキャン方式の液浸投影露光装置を例として説明する。図１はこの実施の形態に係る投影露光装置Ｓの概略構成を示すブロック図である。この図１において、レチクルＲはパターンが形成された面を下方（図１中の−Ｚ方向）にして、図示しないレチクルホルダによって真空吸着により保持されている。このレチクルＲ及びレチクルホルダは、基板としてのウエハ全面の走査露光やフォーカス補正を可能とするために、ＸＹＺ方向の移動や各軸周りの回転移動が可能なレチクルステージＲＳＴに載置されている。
【００１８】
レチクルの上方（図１中の＋Ｚ方向）には露光用の光を出力する光源１が設けられており、この光源１とレチクルＲとの間には照明光学系2が設けられている。レチクルＲの下方側には投影光学系ＰＬを介して露光対象であるウエハＷが配置されている。ウエハＷは、ウエハを保持するためのウエハチャック３２に保持され、そのウエハチャックはウエハステージＷＳＴに載置されている。ウエハステージＷＳＴはＸＹＺ方向に移動可能であり、投影露光のための露光ステーション１３においてウエハＷのアライメントを行う。
【００１９】
この投影露光装置Ｓは、ウエハＷを露光するための露光ステーション１３とは別にウエハＷの計測を行うための計測ステーション１４を有している。例えば、計測ステーション１４においてウエハＷの形状計測を行った後に、ウエハステージＷＳＴごとウエハＷを露光ステーション１３に移動させてもよい。また、露光ステーション１３と計測ステーション１４とにそれぞれウエハステージＷＳＴを用意しておいて、計測ステーション１４でのウエハＷ計測が終了した後にウエハチャック３２を計測ステーション１４のウエハステージＷＳＴから取り外し、ウエハチャック３２ごとウエハＷを露光ステーション１３のウエハステージＷＳＴに取り付けてもよい。投影光学系ＰＬとウエハＷとの間には開口数を向上させるための液体が充填されている。
【００２０】
この投影露光装置Ｓによる投影露光動作は、一般的な投影露光装置の動作と同様である。すなわち、光源１から射出された露光光は、照明光学系2によってレチクルＲに照射される。そして、レチクルＲに描画されているパターンの像が、露光光により投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に投影される。レチクルＲ及びウエハＷはそれぞれ紙面と直交する方向（すなわちＹ方向）に同期走査され、ワンショットの露光が行われる。
【００２１】
図１に示すように、この投影露光装置Ｓには露光ステーション１３の下側にウエハ位置検出系３１ａ、計測ステーション１３の上下にそれぞれウエハ面位置検出系３１ｂ，３１ｃが設けられている。これらのウエハ面位置検出系３１ａ〜３１ｃはウエハＷの露光面を投影光学系ＰＬの結像面に合わせ込むためのものであり、従来の斜入射タイプのフォーカスセンサーと同様の構成を有している。これらのウエハ面位置検出系３１ａ〜３１ｃの構成は後述するレチクル面位置検出系３５と同様の構成であるので、説明を省略する。
【００２２】
計測ステーション１４においては、ウエハＷの上下からその表面及び裏面の位置を直接計測することが可能である。しかし、投影光学系ＰＬの下方に配置された露光ステーション１３においては、投影光学系ＰＬの最下方に配置された投影レンズとウエハＷとの距離が短い。しかもその間には液体が満たされているので、ウエハＷの表面（上面）位置を直接測定する検出系を構成することは困難である。
【００２３】
そこで、露光ステーション１３にはウエハＷの裏面（下面）位置を計測する検出系（フォーカスセンサー）３１ａのみを配置する。そして、ウエハ面位置検出系３１ａ〜３１ｃによる計測結果に基づいて、露光ステーション１３におけるウエハＷの表面位置を算出する。図２はその算出方法について説明するグラフである。図２（ａ）は、計測ステーション１４におけるウエハ面位置検出系３１ｂによるウエハＷ表面位置の計測結果とウエハ面位置検出系３１ｃによるウエハＷ裏面位置の計測結果とを示したグラフである。両計測結果には差分が生じている。図２（ｂ）は、露光ステーション１３におけるウエハ面位置検出系３１ａによるウエハＷ裏面位置の計測結果である。この図２（ｂ）に示す計測結果に図２（ａ）に示される差分を反映させることにより、図２（ｃ）に示すように露光ステーション１３におけるウエハＷの表面位置を求めることができる。
【００２４】
レチクルＲ側にも、パターン面の位置を検出するためのレチクル面位置検出系３５が設けられている。このレチクル面位置検出系３５は光照射部と光検出部を有して大略構成される。このレチクル面位置検出系３５は、光照射部から被検面に検出光を照射し、その反射光を光検出部で検出することにより、被検面位置を検出するものである。
【００２５】
光照射部は、発光ダイオードなどの光源５と、投影マーク用スリット６、投影レンズ７を有して大略構成される。光検出部は、受光レンズ８とＣＣＤセンサ等の検出器９を有して大略構成される。例えば、レチクルＲの走査方向に直交する方向に光照射部と光検出部とが複数配列されて配置され、レチクルＲの走査によって被検面の形状が計測可能とされている。このような構成は、ウエハ面位置検出系３１ａ〜３１ｃにおいても同様とされている。
【００２６】
従来の投影露光装置では、ウエハ側のＺ方向のステージ駆動によりフォーカス位置補正を行っていたので、分解能に限界があった。特に液浸投影露光装置においてウエハ側のＺ方向駆動によりウエハ表面形状や投影レンズに起因するフォーカスずれを補正しようとすると液体の擾乱が生じ、フォーカス安定性が劣化する恐れがある。
【００２７】
そのため本実施の形態においては、ウエハＷの表面形状、投影レンズの露光熱、投影レンズの自重等に起因するフォーカスずれの成分を図３に示すようにレチクル駆動部としてのレチクルステージＲＳＴのフォーカス・チルト駆動により補正する。ウエハＷ側はスキャン方向の駆動のみ行い、フォーカス・チルト方向の駆動は行わない構成とする。この補正方法によれば、結果的に露光投影倍率分だけ補正精度が向上する。
【００２８】
このときのレチクルステージＲＳＴのフォーカス・チルト駆動面は、上記で求めたウエハＷの表面位置（形状）と投影レンズ内の露光熱やレンズの自重変化による最良結像面位置のデフォーカス量とを反映した補正面となっている。後者の場合はその経時変化を図１中の最良結像位置計測系１６を用いて予測している。その原理はすなわち、露光光を用いてウエハステージＷＳＴ上にある基準プレート（基準マーク）１５ａ上のパターンを照明すると、その回折光が投影光学系ＰＬを介してレチクルステージＲＳＴ上の基準プレート１５ｂ付近で結像する。そして、レチクルステージＲＳＴを投影光学系ＰＬの光軸方向に移動させながらレチクルステージＲＳＴ上にある基準プレート（基準マーク）１５ｂのパターンを通過する露光量が光電センサ１８上で最大になる位置を検知し、そのときの基準プレート１５ｂの位置、すなわちレチクルパターン面がウエハ表面と結像的に共役な関係となる位置をフォーカス検出系で計測して検出系の原点とするものである。この計測を定期的に繰り返すことにより、投影レンズ起因の経時的なデフォーカス量を予測することができ、このデフォーカス量をレチクルスキャン補正面に反映することにより良好な露光が可能となる（図４参照）。
【００２９】
さらに図１に示すように、ウエハＷの表面形状を露光ステーション１３及び計測ステーション１４において計測し、投影レンズの露光熱や自重によるフォーカスずれの成分を最良結像位置計測系１６で検出し、そしてその結果に基づいて図５に示すように投影光学系ＰＬの一部のレンズを図示しない投影光学系駆動部により駆動させることによって最良結像面をウエハＷ表面に合わせ込むことにより補正する方法でもよい。また、上記の検出系を用いて像面とウエハＷ表面間の位置関係を計測後、ウエハＷ−投影レンズ間の液体の屈折率、密度を変化させることによってフォーカス位置補正を行う補正方法でもよい。
【００３０】
次に、この投影露光装置Ｓにおける投影レンズのデフォーカス成分の補正手順について説明する。図６は、投影露光装置Ｓにおける投影レンズのデフォーカス成分の補正手順をステップ０〜ステップ３に分けて説明する手順図である。
【００３１】
［ステップ０］
図１中の最良結像位置検出系１６によって投影レンズ内の露光熱や自重による像面変化を定期的に計測し、経時的な像面シフト量を求めてレチクルスキャン時の補正量に反映させる（投影レンズ露光像面位置の把握）。
【００３２】
［ステップ１］
計測ステーション１４のウエハ面位置検出系３１ｂ，３１ｃを用いてウエハＷの全ショットの面形状を計測し、計測値と表裏面差分値を記憶部としての形状記憶部１０に記憶する（Ｓ．１）。この計測の際にスキャン方向差が発生している可能性がある場合、スキャン方向ごとの計測値を記憶しておく。計測が終了した後に、ウエハＷを露光ステーション１３へと移動させる（Ｓ．２）。そして基準となるレチクルＲを設置し（Ｓ．３）、ウエハＷ上の基準ショット領域の裏面位置計測を行う。ここで既に形状記憶部１０に記憶されている差分値（基準ショット相当位置での値）を裏面計測値に反映させた結果をウエハＷ上の基準ショット表面位置として記憶する（Ｓ．４）。その後、基準ショット領域をスキャン露光する。ウエハＷ上の解像評価を基にしてレチクルＲのスキャン駆動面をレチクル面位置検出系３５で計測し、形状記憶部１０に記憶する（Ｓ．５）（レチクルスキャン補正駆動面を露光結果を基に決定）。
【００３３】
［ステップ２］
ウエハＷ上の別ショットを露光するためにウエハＷを水平移動させた後（Ｓ．６）、露光ステーション１３で露光と同時にウエハＷ裏面を計測し、その結果に計測ステーション１４でそのショットの表裏面位置を計測した際の差分値を反映させる。差分値を反映させた結果から基準ショット表面位置の値を差し引いた値をレチクル側に換算し、その値を基準ショットを用いて求めたスキャン駆動面の位置（レチクル面位置検出系３５で計測した値）に反映させることにより（Ｓ．７）、ウエハＷ上での平面度の異なる領域でもデフォーカス成分を補正することができる（通常露光時の補正動作）。
【００３４】
［ステップ３］
また、別の露光用のレチクルＲを用いて露光する場合、まずそのレチクルＲ面をレチクル面位置検出系３５で計測する（Ｓ．８）。そして上記基準レチクルで面位置計測した値と、このレチクルＲで計測したときの値の差分を求め、その量をレチクルスキャン駆動面に反映させて補正を行う（Ｓ．９）する。同様に上記基準ショットと露光ショットでのウエハ表面位置計測値差分をレチクルスキャン駆動面に反映させて補正を行う（Ｓ．１０）（レチクル/ウエハスキャン姿勢＆形状差の管理）。
【００３５】
［ステップ４］
さらに、ステップ０において求めていたように、露光を繰り返すことによって発生する最良結像面の経時変化に対しては、液浸投影露光装置Ｓに用いる液体Ｌの屈折率を外部制御により変化させて補正を行う（Ｓ．１１）。具体的な制御方法については次に述べる。
【００３６】
液浸投影露光装置Ｓにおいて投影レンズとウエハＷとの間に充填されている液体Ｌ（例えば純水）は、図示しない外部の制御装置によりその屈折率を制御することが可能になっている。液体Ｌの屈折率と温度との相関は図７に示すような傾向を示すことが分かっているため、常時温度履歴と最良結像面の履歴を計測し、補正しながら繰り返し露光を行うことにより発生する露光デフォーカスを随時補正することができる。
【００３７】
しかし、上記液浸投影露光装置Ｓに用いられる液体Ｌは、Ｙ方向にスキャンするウエハＷ表面上に配置されているため、液体Ｌの擾乱に起因する密度ムラが発生する場合がある。したがって、屈折率を短期的に、例えばショットごとに変化させて像面を合わせ込むことは精度的に困難であると考えられる。そのため、高精度かつ短期的なフォーカス補正を行うには、最初にウエハＷ表面の平均的な位置に露光像面が来るように、まずレチクルステージＲＳＴをＺ方向に駆動させる。そして残りの部分的なウエハ面形状をレチクルステージＲＳＴのフォーカスとチルト駆動スキャンやレンズ駆動によって補正する。長期的な、例えばウエハＷごとの補正は屈折率変化による補正を行うことによってより良好な露光を実現することが可能になる。
【００３８】
ウエハＷ駆動により投影レンズとウエハＷとの間の液体には擾乱が発生する可能性がある。その結果、液体中に密度分布ムラが発生して最良結像面が安定しなくなる。そこで図８に示すように、液体Ｌに外部から流れを発生させる循環装置３７を設置する。これにより投影レンズ下にある液体Ｌは一定速度で流れるため、密度分布ムラを低減することができる。この循環装置３７はウエハＷ駆動の速度や方向によって液体Ｌの流速や流れ方向を変化させることができるような機能を有している。それにより、常に最良結像面を安定させることが可能になる。
【００３９】
次に、図９及び図１０を参照して、上述の露光装置Ｓを利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１０１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行う。ステップ１０２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ１０３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェハ（基板）を製造する。ステップ１０４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ１０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６（検査）では、ステップ１０５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１０７）される。
【００４０】
図１０は、ステップ１０４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ１１６（露光）では、露光装置Ｓによってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施の形態の製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係る投影露光装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す投影露光装置の露光ステーションにおけるウエハの表面位置を算出する手順を説明するための図であって、（ａ）は、計測ステーションにおけるウエハ表面位置の計測結果とウエハ裏面位置の計測結果とを示すグラフであり、（ｂ）は、露光ステーションにおけるウエハ裏面位置の計測結果を示すグラフであり、（ｃ）は、（ａ）と（ｂ）の結果から算出された露光ステーションにおけるウエハ表面位置を示すグラフである。
【図３】図１に示す投影露光装置におけるレチクルステージのフォーカス・チルト駆動の様子を示す概略斜視図である。
【図４】ウエハ上の露光像面の経時変化とその補正の様子を示すグラフである。
【図５】投影光学系の一部のレンズを駆動することによりウエハ面位置のフォーカス補正を行う様子を示す概略ブロック図である。
【図６】図１に示す投影露光装置における投影レンズのデフォーカス成分の補正手順をステップ０〜ステップ３に分けて説明する手順図である。
【図７】図１に示す投影露光装置に用いられる液体の屈折率と温度との関係を示すグラフである。
【図８】液体に流れを発生させる制御装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】図１に示す投影露光装置によるデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図９に示すステップ１０４の詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
Ｌ…液体
ＰＬ…投影光学系
Ｓ…投影露光装置
Ｒ…レチクル
ＲＳＴ…レチクルステージ（レチクル駆動部）  
Ｗ…基板
ＷＳＴ…基板ステージ
１…光源
２…照明光学系
５…光源
６…投影マーク用スリット
７…投影レンズ
１０…形状記憶部（記憶部）
１３…露光ステーション
１４…計測ステーション
１５ａ，１５ｂ…基準プレート（基準マーク）
１６…最良結像位置計測系
１８…光電センサ
３１ａ〜３１ｃ…ウエハ面位置検出系
３２…ウエハチャック
３５…レチクル面位置検出系
３７…循環装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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