(57)【要約】      （修正有）【課題】投影露光において、基板レベルで改善されたコントラストを得ることができるデバイス製造方法及びマスクを提供する。【解決手段】石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備えるマスクにおいて、吸収体層ＡＢの厚さｔを投影ビームＰＢの波長λよりも大きく、吸収体層の幅ｂの３倍又は４倍以下とする。厚い吸収体層は、透過光中のＴＥ偏光（サジタル、又はｓ偏光）の増加を引き起こす。【選択図】図２
2005182031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備するステップと、
照明システムを使用して放射の投影ビームを供給するステップと、
透明基板及びパターン形成された吸収体層を備えるマスクを使用して、前記投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板の標的部分に投影するステップとを備え、
前記吸収体層の少なくとも部分が、前記投影ビームの前記放射の波長に実質的に等しいかそれ以上の厚さを有するデバイス製造方法。
【請求項２】
前記吸収体層のフィーチャが、その幅の３倍又は４倍以下の高さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記厚さが、５００ｎｍから１０００ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記厚さが、６００ｎｍから８００ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記厚さが、前記波長の３倍から５倍の範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記マスクが、さらに、
第１の型のフィーチャと、
前記第１の型のフィーチャと異なる第２の型のフィーチャとを備え、
前記第１の型の前記フィーチャの前記吸収体層の厚さが、前記第２の型の前記フィーチャの前記吸収体層の厚さと異なっている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の型の前記フィーチャが、サイズ、形、及び密度又はピッチのうちの少なくとも１つで、前記第２の型のフィーチャと異なっている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の型のフィーチャと前記第２の型のフィーチャの間の前記吸収体層の厚さの差によって、前記第２の型のフィーチャのプロセス・ウィンドウと一緒の前記第１の型のフィーチャのプロセス・ウィンドウのオーバーレイが可能になる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
リソグラフィで使用するマスクであって、
所定の波長の放射に対して実質的に透明な基板と、
前記透明基板上に設けられたパターン形成された吸収体層とを備え、
前記吸収体層が、前記所定の波長の放射に対して実質的に不透明であり、さらに前記吸収体が、前記所定の波長に等しいかそれ以上の厚さを有するマスク。
【請求項１０】
前記吸収体層のフィーチャが、その幅の３倍又は４倍以下の高さを有する、請求項９に記載のマスク。
【請求項１１】
前記厚さが、５００ｎｍから１０００ｎｍの範囲にある、請求項９に記載のマスク。
【請求項１２】
前記厚さが、６００ｎｍから８００ｎｍの範囲にある、請求項９に記載のマスク。
【請求項１３】
前記厚さが、前記波長の３倍から５倍の範囲にある、請求項９に記載のマスク。
【請求項１４】
さらに、
第１の型のフィーチャと、
前記第１の型のフィーチャと異なる第２の型のフィーチャとを備え、
前記第１の型の前記フィーチャの前記吸収体層の厚さが、前記第２の型の前記フィーチャの前記吸収体層の厚さと異なっている、請求項９に記載のマスク。
【請求項１５】
前記第１の型の前記フィーチャが、サイズ、形、及び密度又はピッチのうちの少なくとも１つで、前記第２の型のフィーチャと異なっている、請求項１４に記載のマスク。
【請求項１６】
前記第１の型のフィーチャと前記第２の型のフィーチャの間の前記吸収体層の厚さの差によって、前記第１の型のフィーチャのプロセス・ウィンドウと前記第２の型のフィーチャのプロセス・ウィンドウを互いにより接近させることができるようになる、請求項１４に記載のマスク。
【請求項１７】
基板を準備するステップと、
照明システムを使用して放射の投影ビームを供給するステップと、
パターン形成された吸収体層を備えた透明基板を有するマスクを使用して、前記投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板の標的部分に投影するステップとを備え、
前記吸収体層の少なくとも部分が、１５０ｎｍに等しいかそれ以上の厚さを有するデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法及びこの方法で使用するマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の標的部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。この状況では、マスクのようなパターン形成デバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射敏感材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の標的部分（例えば、１つ又はいくつかのダイの部分を含む）上に結像することができる。
【０００３】
一般に、単一基板は、連続して露光される網の目のような隣接する標的部分を含む。知られているリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナがあり、このステッパでは、全パターンを一括して標的部分に露光することによって各標的部分が照射され、スキャナでは、投影ビームによってパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査し、同時に、同期にしてこの方向に平行又は反平行に基板を走査することによって各標的部分が照射される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＤＵＶ露光放射で使用する従来のバイナリ・マスクは、通常厚さが５０ｎｍから１００ｎｍの薄いクロム又は酸化クロムの吸収層に画定されたパターンを有する石英基板を備える。クロム層は基本的に不透明であるが、基板レベルでの像のコントラストは特に高いわけではなく、とりわけ高ＮＡ値の小さなクリティカル・ディメンションでは高くない。暗領域はレジスト閾値よりも下で、かつ明領域はレジスト閾値よりも上であるように注意深く露光量及び露光時間を制御しなければならないので、低コントラストであると使用できるプロセス・ウィンドウが減少する。また、レジスト閾値に対する要求条件がより厳しくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書で実施されかつ広く説明される本発明の原理は、基板レベルで改善されたコントラストを得ることができる方法において使用されるデバイス製造方法及びマスクを提供する。一実施例では、本デバイス製造方法は、基板を準備するステップと、照明システムを使用して放射の投影ビームを供給するステップと、パターン形成された吸収体層が設けられた透明基板を備えるマスクを使用して投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、パターン形成された放射ビームを基板の標的部分に投影するステップとを備え、ここで前記吸収体層の少なくとも部分は、前記投影ビームの前記放射の波長に実質的に等しいかそれ以上の厚さを有する。
【０００６】
本発明の実施例に適合して、厚い吸収体層を設けることによって、例えば、４×ＣＤの最大密度及び例えば０．８以上の高ＮＡ値を有する明視野マスクの高密度なフィーチャの場合に特に、基板レベルでコントラストが改善されることが明らかになった。本発明は、また、暗視野マスクの全ての型のフィーチャに対して特に有効である。コントラストの向上は必ずしも特に大きくないが、吸収体厚さを増大するコストは無視できるほどであり、またコントラストの向上でプロセス・ウィンドウが増大し、これによって歩留りが向上する。厚い吸収体の付いたマスクを透過した放射はＴＥ（サジタル（ｓａｇｇｉｔａｌ）、又はｓ偏光）モードでより強く偏光しているので、コントラストが改善する。ＴＥ偏光放射は、ＴＭ（接線面又はｐ偏光）よりも基板レベルで多く干渉する。結果としての強度損失は、改善されたコントラストで埋め合せされるものよりも多い。
【０００７】
厚い吸収体での偏光増大の１つの可能な機構は、吸収体の反射率がＴＥ及びＴＭ偏光状態に対して異なることである。厚い吸収体の付いたマスクでは、マスクを通過する放射は、おそらくは数回、吸収体材料の壁で反射し、その結果、ＴＭに対する低反射率が、パターン形成されたビーム中のＴＭ偏光の割合を減少させるという効果を持つようになる。
【０００８】
吸収体は厚いほどよいと思われるかもしれないが、吸収体の厚さが増すにつれて、吸収体はますます脆くなり、かつますます作製が困難になることは理解されよう。マスクのクリティカルでない部分に、例えばマーカに、標準的な厚さの吸収体を使用することができる。コントラストの向上、脆さの増加、及び作り難さの増加の間の実用的な妥協は、吸収体構造がその幅の３倍又は４倍以下の高さを有するとき実現される。１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、又は２４８ｎｍ又はその前後の露光放射では、５００から１０００ｎｍ、好ましくは６００から８００ｎｍの範囲の吸収体厚さが効果的である。
【０００９】
一実施例では、好ましいアスペクト比は１：３である。
【００１０】
さらに他の利点は、マスクで異なる型のフィーチャの吸収体厚さ、サイズ及び／又は密度を変えて得ることができる。吸収体厚さはコントラスト及びプロセス・ウィンドウに影響を及ぼすので、マスクに異なる型のフィーチャのプロセス・ウィンドウをオーバーレイするために吸収体厚さの変化を使用することができ、その結果、全てのフィーチャは同じ露光量でその目標サイズで印刷されるようになる。これは、また、知られているＯＰＣ法と組み合わせて使用することができる。
【００１１】
本発明の他の実施例に従って、リソグラフィ用のマスクが提供され、このマスクは、所定の波長の放射に対して実質的に透明な基板と、透明基板上に設けられたパターン形成された吸収体層とを備え、この吸収体層は、前記所定の波長の放射に対して実質的に不透明であり、さらに所定の波長に等しいかそれ以上の厚さを有する。
【００１２】
本文では、ＩＣの製造でのリソグラフィ装置の使用を特に参照する可能性があるが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には、集積光システム、磁区メモリの案内及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、その他のような他の用途があることを理解されたい。そのような他の用途の背景では、本明細書の「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ、より一般的な用語である「基板」又は「標的部分」と同義であるように考えることができることは、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照する基板は、露光前又は後に、例えばトラック（一般に、基板にレジスト層を塗布し、さらに露光されたレジストを現像するツール）又は、計測若しくは検査ツールで処理することができる。応用可能である場合、本明細書の開示は、そのような及び他の基板処理ツールに応用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを生み出すために、基板を２回以上処理することができるので、本明細書で使用する基板という用語は、また、すでに複数の処理層を含んでいる基板も意味することができる。
【００１３】
本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含んだ全ての型の電磁放射を包含する。
【００１４】
本明細書で使用する「パターン形成デバイス」という用語は、基板の標的部分にパターンを作るようなパターンを投影ビームのビーム断面に与えるために使用することができるデバイスのことを言うものとして、広く解釈すべきである。投影ビームに与えられたパターンは、基板の標的部分の所望のパターンに正確には対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、投影ビームに与えられたパターンは、集積回路など、標的部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１５】
パターン形成デバイスは、透過型か反射型とすることができる。パターン形成デバイスの実施例はマスクである。マスクはリソグラフィではよく知られており、様々なハイブリッド・マスクの型だけでなく、バイナリ、レベンソン型位相シフト、及びハーフトーン型位相シフトのようなマスクの型もある。パターン形成デバイスの各実施例において、支持構造は、例えばフレームかテーブルとすることができる。この支持構造は、必要に応じて固定されているか又は可動とすることができ、さらに、パターン形成デバイスが、例えば投影システムに対して、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はどれでも、「パターン形成デバイス」という、より一般的な用語と同義であると考えることができる。
【００１６】
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、例えば、使用される露光放射又は、浸漬流体の使用又は真空の使用のような他の要素に対して適切であるような、屈折光学システム、反射光学システム、及び反射屈折光学システムを含んだ様々な型の投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書での「レンズ」という用語の使用はどれでも、より一般的な用語である「投影システム」と同義であるように考えることができる。
【００１７】
また、照明システムは、放射の投影ビームを方向付けし、整形し、又は制御するための屈折、反射、及び反射屈折光学部品を含んで、様々な型の光学部品を包含することができ、そのような部品は、また、以下で集合的に、又は単独で、「レンズ」と呼ばれることがあり得る。
【００１８】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有する型であり得る。そのような「マルチ・ステージ」機械では、追加のテーブルを同時に使用することができ、又は、１つ又は複数の他のテーブルが露光に使用されている間に、準備ステップを１つ又は複数のテーブルで行なうことができる。
【００１９】
リソグラフィ装置は、また、投影システムの最終要素と基板の間のスペースを満たすために、基板が比較的高い屈折率を有する液体に浸漬される型のものとすることができる。浸漬液は、また、リソグラフィ装置の他のスペース、例えば、マスクと投影システムの最初の要素との間に適用することができる。浸漬方法は、投影システムの開口数を増す技術分野でよく知られている。
【００２０】
次いで、添付の概略図面を参照して、本発明の実施例をただ例として説明する。この図面では、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【実施例】
【００２１】
リソグラフィ投影装置
図１は、本発明の特定の実施例に従ったリソグラフィ投影装置を模式的に示す。この装置は、
放射（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための照明システム（照明装置）ＩＬと、
パターン形成デバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、かつ、要素ＰＬに対してパターン形成デバイスを正確に位置決めするための第１の位置決めデバイスＰＭに接続された第１の支持構造（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストが塗布されたウェハ）Ｗを保持し、かつ、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン形成デバイスＭＡによって投影ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に結像するための投影システム（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬと、を備える。
【００２２】
ここに示すように、本装置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）である。しかし、一般に、本装置は、例えば（反射マスクを有する）反射型であることもできる。
【００２３】
照明装置ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源及びリソグラフィ装置は、別個の独立したものとすることができる。例えば、放射源がエキシマ・レーザである場合、そうである。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な方向付けミラー及び／又はビーム拡大器を備えるビーム送出システムＢＤを使用して、放射源ＳＯから照明装置ＩＬに送られる。他の場合には、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。例えば、放射源が水銀ランプである場合、そうである。放射源ＳＯ及び照明装置ＩＬは、必要であればビーム送出システムＢＤを加えて、放射システムと呼ぶことができる。
【００２４】
照明装置ＩＬは、ビームの角度強度分布を調整するための調整デバイスＡＭを備えることができる。一般に、照明装置のひとみ面内の強度分布の外側半径範囲及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−outer、σ−innerと呼ばれる）を少なくとも調整することができる。さらに、照明装置ＩＬは、一般に、積分器ＩＮ及び集光器ＣＯのような様々な他の部品を備える。照明装置は、断面内に所望の一様性及び強度分布を有する、投影ビームＰＢと呼ばれる条件付けされた、放射ビームを供給する。
【００２５】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴに保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを通り抜けた投影ビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、ビームを基板Ｗの標的部分Ｃに集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス）を使って、例えば、ビームＰＢの経路内に異なった標的部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭ及び他の位置センサ（図１に明示されていない）を使用して、例えば、マスク・ライブラリから機械的に取り出した後で、又は走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、位置決めデバイスＰＭ及びＰＷの一部を形成する。しかし、ステッパ（スキャナに対して）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短行程用アクチュエータに接続されるだけでよく、又は、固定することができる。マスクＭＡと基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００２６】
図示の装置は、次の好ましいモードで使用することができる。
ステップ・モード：マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）標的部分Ｃに投影される。次に、異なる標的部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘ及び／又はｙ方向に移動される。
走査モード：基本的に同じシナリオが当てはまるが、特定の標的部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じ方向又は反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４又は１／５）。このようにして、解像度を損なう必要なく、比較的大きな標的部分Ｃを露光することができる。
【００２７】
上述の使用モードの組合せ及び／又は変形を使用することもできる。
【００２８】
実施例
図２は、本発明の実施例に従ったマスクを示す（一定の比率に従っていない）。マスクは、例えば石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備える。透明基板及び吸収体層は、吸収体層ＡＢの厚さｔが従来よりも実質的に大きいということを除けば、従来のものであってもよい。厚さｔは、投影ビームＰＢの波長λよりも大きくあるべきであり、例えば、波長１９３ｎｍの放射を使用する場合には約７００ｎｍとすることができる。
【００２９】
吸収体層の厚さは、できるだけ厚いことが好ましい。吸収体厚さの実際的な限界は、製造方法及び、デバイスのフィーチャを表す吸収体の構造の脆さで設定することができる。吸収体のフィーチャの厚さｔがその幅ｂの３倍又は４倍以下である場合、実用的な妥協が実現される。したがって、吸収体層のより大きなフィーチャは、より大きな厚さで作ることができる。
【００３０】
吸収体層の厚さ増加の目的は、基板レベルでの空中像のコントラストを改善することである。吸収体の厚さが増加した場合パターン形成された投影ビームがＴＥモードで部分的に偏光され、これによって、とりわけ高ＮＡ値の場合に、基板レベルでの干渉が増加することになるので、コントラスト改善が実現される。この効果を図３及び４に示す。この図は、大きな入射角（高ＮＡ）で基板に集束する２つの放射線に関して、ＴＭ偏光状態は互いに傾いているのであまり干渉しないことを示す。しかし、ＴＥ偏光モードは平行の状態であるので、より十分に干渉する。
【００３１】
偏光モードにおけるＴＥ増大は、おそらくは、図５に示すように、ＴＥ及びＴＭ偏光モードに対する吸収体の反射率の違いで説明することができる。比較的厚い吸収体ＡＢの場合、マスクを通過する放射の大部分は、吸収体構造の側壁で１つ又は複数のかすめ入射反射をする。ＴＥモードに対する吸収体の反射率は、かすめ入射近くでＴＭモードよりも大きいので、パターン形成された投影ビームは、より高い割合のＴＥモード偏光を含んでいる。
【００３２】
しかし、この効果はフィーチャの型、例えば、明視野マスクでの高密度線（ピッチがＣＤの約２倍）及び孤立線（ピッチがＣＤの８倍以上）又は半孤立線（ピッチがＣＤの約４倍）で異なる。また、本発明は暗視野マスクにも応用できるが、暗視野マスクでは吸収体壁の間隔が常に一定であるので、ピッチによる変化はない。
【００３３】
シミュレーション・データ
Ｐａｎａｓｏｎｉｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓのシミュレータを使用して、ＮＡ＝０．９３及びシグマ０．８５／０．６５を有するシステムのシミュレーションを行なった。１９３ｎｍの露光放射について、２つのＣＤ値６０ｎｍ及び８０ｎｍを使用し、２４８ｎｍの露光放射については１００ｎｍだけを使用した。使用したピッチは、２＊ＣＤ（高密度線）及び４＊ＣＤ（半孤立明視野線）であった。１００ｎｍと７００ｎｍの吸収体厚さ両方に関して、空中像のコントラスト（Ｃ＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ））、及びレチクル直後の各ＣＤ／ピッチに対するＴＥ／ＴＭ比を計算した。１９３ｎｍでのＣＤ＝６０ｎｍの結果を表１に示し、１９３ｎｍでのＣＤ＝８０ｎｍの結果を表２に示し、一方で、２４８ｎｍでのＣＤ＝１００ｎｍの結果を表３に示す。２４８ｎｍのフィーチャは、１９３ｎｍでのＣＤ＝８０ｎｍの場合と同じｋ１となるようにスケーリングを行なった。
【００３４】
【表１】
2005182031.tif 000003
【００３５】
【表２】
2005182031.tif 000004
【００３６】
【表３】
2005182031.tif 000005
【００３７】
これらの結果から様々な結論を引き出すことができる。第１に、薄い吸収体に比べて厚い吸収体を使用した場合に、全ての構造について、ウェハ・レベルでのＴＥ／ＴＭ強度及びコントラストは増大する。第２に、６０ｎｍ高密度線のコントラストは非常に低い。
【００３８】
ＴＥ／ＴＭ伝播挙動を理解するために、第１回折次数だけを考える。第１次の回折角θはｓｉｎθ＝λ／ｐを使用して計算することができる。ここで、λは波長であり、ｐは構造のピッチである。１９３ｎｍについてｐ＝４＊１６０ｎｍ（１／４の拡大率を有する投影レンズを使用する）である８０ｎｍ高密度線を仮定すると、第１次の回折角は１８度である。石英‐真空（又は空気又は窒素など）界面で回折が起こるとき、第１次はその行程で吸収体に（部分的に）達し、そこで吸収体はミラーとして作用する。スペースの全ての第１次が吸収体に当たるためには、３２０ｎｍのスペースは、およそ１０００ｎｍの吸収体厚さを必要とする。
【００３９】
第１次が吸収体で反射される場合、反射係数を両方の偏光の関数として考察することが役に立つ。１９３ｎｍでのＣｒについて（ｎ＝０．８４＋１．６５Ｉ）、結果を図５にプロットする。両方の偏光でかすめ反射は、垂直入射から１０度を相当に上回って違っている。また、かすめ角では、両方の偏光の反射率は非常に違っている。
【００４０】
行なった他のシミュレーションは、レチクルを出て行くＴＥ及びＴＭ波強度を計算するように準備した。このシミュレーションは、ＣＤ＝６０から１００ｎｍにわたって５ｎｍ刻みの高密度線について行ない、吸収体の厚さは５０ｎｍ刻みで１００から１６００ｎｍに及んだ。この結果を図６及び７に示し、これらの図で等高線は強度値を示す。ＴＥ波強度は減衰定在波挙動を有し、この減衰定在波挙動は、より小さなＣＤ値になるほど減衰が多くなることが明らかである。また、より小さなＣＤ値で定在波長が小さくなることが見て分かる。吸収体での第１次の反射を考慮すると、両方の効果を部分的に理解することができる。ＴＭ波強度は、ＣＤと吸収体の両方に対して単純に減少する。
【００４１】
定在波により最大強度のための最適厚さがあることは理解されよう。また、厚い吸収体中での減衰が異なるために基板レベルの強度はＣＤに依存していることも明らかに分かる。これによって、様々なＣＤ値に対して同じ露光量を実現させるための追加のパラメータとして、吸収体厚さを使用することが可能になる。
【００４２】
次に、基板レベルの強度及びコントラストがＣＤと吸収体厚さの両方の関数として変化することを考察した。以前のパラグラフで議論したデータを使用して、空中像を計算した。この計算の結果を図８及び９に示す。これらの図は、ＣＤ及び吸収体厚さに関連した強度及びコントラスト（それぞれ）の変化を、等高線として示す。横ばい状態の傾向のある状態で、吸収体厚さと共にコントラストが明らかに増加するのが分かる。
【００４３】
さらなるシミュレーションで、吸収体の下部（石英基板から最も遠い）のまさにその形状は基板レベルのコントラストに実質的に影響を及ぼさないので吸収体構造の丸みの程度は許容できることが明らかになった。
【００４４】
本発明の特定の実施例を上で説明したが、本発明は説明したようなやり方と違った方法で実施できることは理解されるであろう。例えば、吸収体は材料の単一層として説明したが、多層吸収体を使用することもできる。
【００４５】
したがって、この説明は、本発明を制限するように意図されていない。本明細書での詳細のレベルを考えると実施例の修正及び変形が可能であるということを理解した上で、本発明の構成、動作及び挙動を説明した。したがって、先の詳細な説明は、決して本発明を制限するつもりでも、意図されてもいない。むしろ、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲で定義される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の方法を実施するために使用することができるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の実施例に従ったマスクの部分を断面で示す図である。
【図３】偏光モードを示す透視図である。
【図４】偏光モードを示す側面図である。
【図５】ＴＥ及びＴＭ偏光モードに関して、入射角に対するＣｒの反射率を示すグラフである。
【図６】吸収体の厚さ及びクリティカル・ディメンション（ＣＤ）に対するＴＥモードの強度の変化を示すグラフである。
【図７】吸収体の厚さ及びクリティカル・ディメンション（ＣＤ）に対するＴＭモードの強度の変化を示すグラフである。
【図８】吸収体の厚さ及びクリティカル・ディメンション（ＣＤ）に対する全強度の変化を示すグラフである。
【図９】吸収体の厚さ及びクリティカル・ディメンション（ＣＤ）に対するコントラストの変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４７】
ＳＯ  放射源
Ｅｘ、ＩＬ  放射システム
ＩＬ  照明装置
ＰＬ  投影システム
ＭＡ  マスク（レチクル）
ＭＴ  第１の物体テーブル（マスク・テーブル）
Ｃ  標的部分
ＰＢ  投影ビーム
Ｗ  基板（ウェハ）
ＷＴ  第２の物体テーブル（基板テーブル）
Ｑ  基板
ＡＢ  吸収体層
【図１】
2005182031.tif 000006
【図２】
2005182031.tif 000007
【図３】
2005182031.tif 000008
【図４】
2005182031.tif 000009
【図５】
2005182031.tif 000010
【図６】
2005182031.tif 000011
【図７】
2005182031.tif 000012
【図８】
2005182031.tif 000013
【図９】
2005182031.tif 000014