(57)【要約】【課題】  オーディオ、ビデオ機器、および各種情報機器等の記録装置において使用できる記録媒体であって、湾曲が生じにくく、記録再生特性に優れた記録媒体を提供する。【解決手段】  高分子フィルム支持体、記録層および保護層を有する記録媒体において、Ｓｉを主成分とする保護層を、光電子分光分析法（ＸＰＳ）により測定される、表面のＳｉ-２ｐスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV付近、101.5eV付近、102.5eV付近、および103.5eV付近である４つのピークに分離したときに、４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが99.8eV付近のピークの積分強度の比Ａが、０．１０以上０．３０以下であり、４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが103.5eV付近のピークの積分強度の比Ｄが０．４０以下であるように構成して、保護層の膨張に起因する湾曲が生じにくい記録媒体を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルム支持体、記録層、および保護層を含む記録媒体であって、保護層が珪素を主成分とし、光電子分光分析法により測定される、保護層の表面のＳｉ-２ｐスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV付近、101.5eV付近、102.5eV付近、および103.5eV付近である４つのピークに分離したときに、４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが99.8eV付近のピークの積分強度の比Ａが、０．１０以上０．３０以下であり、４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが103.5eV付近のピークの積分強度の比Ｄが０．４０以下である記録媒体。
【請求項２】
光電子分光分析法により測定される、保護層の表面のＳｉ-２ｐスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV付近、101.5eV付近、102.5eV付近、および103.5eV付近である４つのピークに分離し、４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが99.8eV付近のピークの積分強度の比をＡ、結合エネルギーが101.5eV付近のピークの積分強度の比をＢ、結合エネルギーが102.5eV付近のピークの積分強度の比をＣ、結合エネルギーが103.5eV付近の積分強度の比をＤとしたとき、下記式（１）で表されるｘの値が、１．３以下である請求項１に記載の記録媒体。
【数１】
2005056501.tif 000006
【請求項３】
初期カッピング率が、−１０％〜＋１０％の範囲内にある請求項１または請求項２に記載の記録媒体。
【請求項４】
保護層が真空蒸着法により形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項５】
記録層が、金属または合金の真空工法により形成されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項６】
記録層の上に保護層が形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項７】
記録層の上に保護層が形成され、保護層の上に潤滑剤層が形成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項８】
高分子フィルム支持体の記録層が形成されている側の面とは反対側の面に、バックコ−ト層を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項９】
記録層が光の照射により相変化する層であり、光の照射によって情報を記録再生する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は記録媒体に関し、特に、高記録密度が要求される光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録分野の技術は目覚ましい発展を遂げている。特に最近では、記録密度を向上させた記録媒体が提案されている。そのような記録媒体には、具体的には、記録層を、高分子フィルムまたはガラス基板上に、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングまたはクラスターイオンビームなどの方法で、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ等の磁性金属を単独、または合金の形態で形成したものであり、金属薄膜型記録媒体と呼ばれる。金属薄膜型記録媒体としては、斜方入射蒸着法により記録層を形成したビデオ用テープおよびガラス基板にスパッタ法で記録層を形成したハ−ドディスク媒体が既に実用化されている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
また、レーザ光の照射により情報の記録再生を行う光記録媒体としては、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどのディスク状の光記録媒体が広く普及している。レーザ光の照射により情報の記録再生を行う光記録媒体においては、通常、支持体上にレーザ光を吸収する色素等から成る記録層が形成されている。光記録媒体への信号の記録は、記録層にレーザ光を照射し、照射された部分の結晶性等を変化させて、レーザ光の照射前後で反射率が変化した部分を形成して実施する。反射率が変化した部分は、ピットと呼ばれ、信号を形成する。信号の再生は、レーザ光を照射して、ピットとそれ以外の部分（即ちレーザ光を照射していない部分）との反射率の差を検出することによって行う。このようなディスク状の光記録媒体の場合、ディスク１枚に記録される情報量を増加させるためには、ピットの密度を高くする（ピットサイズを小さくする）こと、またはディスクそのものの面積すなわち直径を大きくすること等が必要となる。
【０００４】
しかしながら、光記録媒体においてピットの密度を高くするためには、レーザ光の集光精度（フォーカス）を高めること、ならびに高速で反射率が変化する材料で記録層を形成することが要求される。そのような要求を満たすことは一般に困難である。
【０００５】
ディスクの直径を大きくすると、携帯性および保管性の点で問題が生じる。また、ディスクの直径を大きくすると、ディスク自体に反りが発生しやすくなり、高密度化が困難となるといった不都合がある。
【０００６】
そこで、近年、ディスク状の光記録媒体よりも大きな記録容量を実現し得る光記録媒体として、テープ状の光記録媒体が提案されている（特許文献３および特許文献４参照）。一般に、テープ状の光記録媒体は、記録層にレーザ光を照射することにより、記録層を形成する材料を相変化させて、記録を行う媒体である。テープ状の光記録媒体への記録は、例えば、記録層を初期化工程により非晶質状態とした後、記録すべき情報（即ち、信号）に応じて、レーザ光を照射することにより実施する。その場合、レーザ光が照射された部分は、結晶化されてピットを形成する。
【特許文献１】特開平９−１５７８４９号公報
【特許文献２】特開平９−３５８７９８号公報
【特許文献３】特開平６−８９４６４号公報
【特許文献４】特開平８−２８７５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
記録媒体は、通常、映像およびデータ等の各種情報を保管および保存するためのものであり、高い保存性能が要求される。記録層自体は、腐食性ガス等に対して非常に弱く、例えば、人間が生活する通常の環境下でも容易に変質して、レーザ光に対する反射率が変化する。反射率の変化は、即ち、情報が消失することを意味する。
【０００８】
この現象が発生することを防止するために、テープ状光記録媒体においては、高分子フィルム支持体の上に形成された記録層の上に、当該記録層を保護する保護層が一般的に設けられる。保護層を構成する材料としては、通常、透明で耐熱性の高い金属、または金属酸化物のような金属化合物が用いられる。より具体的には、保護層を構成する材料としては、例えば、珪素、または酸化珪素が用いられる。しかしながら、珪素または酸化珪素を用いて、保護層を前記記録層上に設けると、保護層を形成するとき又は形成した直後に、保護層が膨張し、その結果、テープ状光記録媒体が幅方向において湾曲するという問題があった。記録媒体が幅方向に湾曲すると、レーザ光の照射による記録再生に支障をきたすことがある。したがって、珪素または酸化珪素を用いて保護層を形成するテープ状光記録媒体に関しては、保護層の膨張に起因して生じる湾曲を防止することが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、酸化珪素を使用して保護層を形成した場合でも、テープ形状が平坦に保たれる記録媒体を得るべく検討した。また、検討の過程において、テープ形状の湾曲は、保護層がガスを吸着して膨張することにより生じることも判明した。そこで、かかる保護層の膨張を防止する手法を検討したところ、保護層を形成したときに露出している表面を光電子分光分析することにより求められるＳｉ（珪素）−２ｐスペクトルを、４つの特定の結合エネルギーのピークに分離した場合に、特定の２つのピークの積分強度が、４つのピークの積分強度の和との間で特定の関係を満たすときに、記録媒体の湾曲量が小さくなることを見い出した。さらに、本発明者らは、これら４つの特定のピークの積分強度の和に対する各ピークの積分強度の比より求めたＳｉＯｘのｘの値が、ある特定の値を有する場合に、記録媒体の湾曲をより有効に抑制し得ることを見い出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
即ち、上記課題を解決するため、本発明は、高分子フィルム支持体、記録層、および保護層を含む記録媒体であって、保護層が珪素（Ｓｉ）を主成分とする薄膜であり、且つ、光電子分光分析法により測定される、保護層の表面のＳｉ−２ｐスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV付近、101.5eV付近、102.5eV付近、および103.5eV付近である４つのピークに分離したときに、全ピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが最小（99.8eV付近）であるピークの積分強度の比Ａが、０．１０以上０．３０以下であり、全ピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが最大（103.5eV付近）であるピークの積分強度の比Ｄが、０．４０以下である記録媒体を提供する。
【００１１】
上記の条件を満たす保護層を備えた記録媒体においては、その保護層の膨張が抑えられるために、記録媒体の湾曲が抑制される。従って、本発明の記録媒体によれば、より優れた記録再生特性が得られる。
【００１２】
ここで、珪素を主成分とする保護層は、珪素、および珪素と結合している酸素から主として構成され、さらに場合によりその他の成分を含む。また、光電子分光分析法により測定される保護層の表面は、保護層を形成したときに露出している表面（厚さ方向に垂直な広い面）である。したがって、保護層の上に潤滑剤層等が形成される場合には、潤滑剤層等を形成する前に、光電子分光分析法により測定して、Ｓｉ-２ｐスペクトルを得る必要がある。
【００１３】
光電子分光分析法により測定される、珪素を主成分とする保護層の表面の珪素原子の２ｐ電子のスペクトルは、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV、101.5eV、102.5eV、および103.5eVである、４つのピークが重畳した形態で得られる。しかし、４つのピークの結合エネルギーは、測定機器の種類および測定条件等によって、±０．５eV程度の測定誤差を有する。ピークの結合エネルギーがこの測定誤差内にある場合を想定して、上記においては「付近」という用語を使用してピークの結合エネルギーを特定している。
【００１４】
更に、上記本発明の記録媒体においては、２つのピークの積分強度の比ＡおよびＤが上記所定範囲内にあるとともに、前記４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが101.5eV付近であるピークの積分強度の比をＢ、結合エネルギーが102.5eV付近であるピークの積分強度の比をＣとしたときに、下記式（１）に従って求められるｘが１．３以下となることが好ましい。
【数１】
2005056501.tif 000003
【００１５】
保護層の表面を光電子分光分析することにより得られるＳｉ（珪素）−２ｐスペクトルにおいて、結合エネルギーが99.8eV付近であるピークはＳｉ単体に由来し、、結合エネルギーが101.5eV付近であるピークは化合物ＳｉＯに由来し、結合エネルギーが102.5eV付近であるピークは化合物Ｓｉ２Ｏ３に由来し、結合エネルギーが103.5eV付近であるピークは化合物ＳｉＯ２に由来すると考えられる。これらのうち、結合エネルギーが99.8eV付近であるピークの積分強度の比Ａと、結合エネルギーが103.5eV付近であるピークの積分強度の比Ｄが、上記範囲内にあることにより、保護層中に占める酸素の割合が小さくなって、保護層の膨張が抑制されると推察される。但し、この推察によって本発明が限定されるものでないことに留意すべきである。
【００１６】
また、上記式（１）によって求められるｘは、各ピークの積分強度の比から、保護層に存在する珪素の酸化状態を示すために導いた式であり、ｘはＳｉＯｘで表される化合物のｘ、即ち、珪素の酸化度の平均とも言える。したがって、ｘの値が小さいほど、珪素の酸化度は低く、ｘの値が大きいほど、珪素の酸化度は高いと考えられる。珪素の酸化度が高いほど、保護層は膨張しやすくなり、その結果、記録媒体の記録層側表面が凸となるように湾曲しやすくなると推察される。上記のように、ｘ≦１．３と規定することにより、珪素の酸化度が小さくなり、保護層の膨張が抑制されると推察される。但し、この推察によって本発明が限定されるものでないことに留意すべきである。
【００１７】
本発明の記録媒体は、Ｓｉを主成分とする保護層が、ガスを吸収しにくく、したがって膨張しにくい性質を有するために、テープ状にしたときに、幅方向における湾曲、即ち、カッピングが生じにくい。具体的には、本発明の記録媒体は、初期カッピング率が−１０％〜＋１０％の範囲内にある媒体として得ることができる。ここで、カッピング率とは、湾曲した記録媒体を平板上に静置して、平板面から湾曲頂点までの高さを測定し、この値を記録媒体の幅で除し、これに１００を乗じて求められる値であり、「％」で表される。また、「−（マイナス）」の符号は、記録層側表面が凸となるように湾曲していることを、「＋（プラス）」の符号は、記録層側表面が凹となるように湾曲していることを表す。初期カッピング率は、記録媒体を製造した直後に生じているカッピングの量から求める。記録媒体の初期カッピング率は、−５〜＋５％であることがより好ましい。
【００１８】
本発明の記録媒体において、保護層は、真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法によれば、緻密な膜を形成できるので、記録層の保護効果の高い保護層を得ることができる。
【００１９】
保護層は、記録層を保護するために設けられるので、記録層の上に形成することが好ましい。さらに、保護層の上には、潤滑剤層を形成して、記録媒体の走行性を向上させることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、高分子フィルム支持体、記録層および保護層を含む記録媒体であって、保護層が珪素を主成分とする材料で形成され、光電子分光分析法により測定される、保護層の表面のＳｉ（珪素）−２ｐスペクトルを、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV付近、101.5eV付近、102.5eV付近、および103.5eV付近である４つのピークに分離したときに、４つのピークの積分強度の和に対する、結合エネルギーが99.8eV付近であるピークの積分強度の比Ａが、０．１０以上０．３０以下であり、結合エネルギーが103.5eV付近であるピークの積分強度の比Ｄが０．４以下であることを特徴とする。かかる特徴によれば、保護層の膨張が抑制されて、記録媒体において幅方向の湾曲が生じにくくなる。そのような記録媒体は、優れた記録再生特性を示し、高密度記録に適している。さらに、本発明の記録媒体は、上記４つのピークの積分強度の和に対する、各ピークの積分強度の比を用いて、上記式（１）に従って求めるｘの値を１．３以下とすることにより、幅方向の湾曲がさらに抑制され、より優れた記録再生特性を示すものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明を含む本明細書において、記録媒体を構成する各層または膜の「表面」とは、各層または膜が形成されたときに露出している面、即ち、各層または膜の高分子フィルム支持体から遠い側の面を意味する。また、各層の「表面に」というときは、特に断りのない限り当該表面に接する位置をいう。さらにまた、以下の説明を含む本明細書において、記録媒体の構成に関して、記録媒体を構成する各層または膜の「上」というときは、特に断りのない限り、各層または膜の高分子フィルム支持体から遠い側の表面に接していることを意味する。したがって、例えば、「記録層の上に」というときは、「記録層の高分子フィルム支持体から遠い側の表面に隣接する位置に」を意味する。また、本明細書において、記録媒体の「記録層側表面」とは、記録媒体の露出表面であって、記録層の上もしくは上方に形成された層または膜の露出表面をいう。したがって、例えば、記録層の上に保護層が形成され、保護層の上に潤滑剤層が形成されている場合、当該潤滑剤層の露出表面が「記録層側表面」に相当する。
【００２２】
図１に本発明の記録媒体を構成するのに適した保護層の表面のＳｉ（珪素）−２ｐスペクトルを示す。図示したスペクトルにおいて、線Ｓは、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV、101.5eV、102.5eV、および103.5eVである、４つのピークが重畳しているスペクトルである。これを、各ピークに分離して、積分強度を求める。図１において、99.8eV付近のピークは符号ａで、101.5eV付近のピークは符号ｂで、102.5eV付近のピークは符号ｃで、103.5eV付近のピークは符号ｄで表す。以下の説明を含む本明細書において、結合エネルギーがそれぞれ、99.8eV付近、101.5eV付近、102.5eV付近、および103.5eV付近であるピークをそれぞれ、ピークａ、ピークｂ、ピークｃ、ピークｄと呼ぶ場合がある。
【００２３】
各ピークの積分強度は、図１において、バックグラウンドレベルＬの上方のピーク面積に相当する。本発明の記録媒体の保護層は、ピークａの積分強度をＴａ、ピークｂの積分強度をＴｂ、ピークｃの積分強度をＴｃ、ピークｄの積分強度をＴｄとし、４つのピークの積分強度の和（Ｔａ＋Ｔｂ＋Ｔｃ＋Ｔｄ）に対する各ピークの積分強度の比をそれぞれＡ、Ｂ、ＣおよびＤとしたときに、下記（１）および（２）の条件を満たす。
（１）０．１≦Ａ≦０．３（但し、Ａ＝Ｔａ／（Ｔａ＋Ｔｂ＋Ｔｃ＋Ｔｄ））
（２）Ｄ≦０．４０（但し、Ｄ＝Ｔｄ／（Ｔａ＋Ｔｂ＋Ｔｃ＋Ｔｄ））
【００２４】
Ａが０．１よりも小さいと、保護層中に含まれる酸素の割合が大きくなる（即ち、酸化珪素の割合が大きくなる）ため、保護層が膨張しやすくなり、その結果、記録媒体が湾曲しやすくなる。Ａが０．３よりも大きい場合には、保護膜の機械的強度が低下し、デッキ走行中に受ける衝撃によって、クラックが発生しやすくなる。Ｄが０．４よりも大きい場合にも、保護層中に含まれる酸素の割合が大きくなり（即ち、酸化珪素の割合が大きくなり）、保護層が膨張しやすくなる。Ｄは好ましくは、０．１〜０．４の範囲内にある。Ｄが、０．１以下であると、保護膜の透明度が低下し、記録再生に支障をきたすことがある。
【００２５】
さらに、上記４つのピークの積分強度の比Ａ〜Ｄの値より、下記の式（１）に従って算出されるｘの値を１．３以下とすることにより、保護層の膨張がより抑制され、したがって幅方向の湾曲がより抑制された記録媒体を得ることができる。
【数２】
2005056501.tif 000004
（但し、Ｂ＝Ｔｂ／（Ｔａ＋Ｔｂ＋Ｔｃ＋Ｔｄ）、Ｃ＝Ｔｃ／（Ｔａ＋Ｔｂ＋Ｔｃ＋Ｔｄ））
【００２６】
図２に、従来の記録媒体における珪素を主成分とする保護層の表面のＳｉ−２ｐスペクトルであって、上記（１）および（２）の条件を満たさないものの例を示す。図２に示すように、ピークａの積分強度Ｔａは、図１に示すスペクトルのそれよりも小さく、また、ピークｄの積分強度Ｔｄは、図１に示すスペクトルのそれよりも大きい。また、積分強度の比Ａ〜Ｄより求めたｘの値は、１．３を越えている。
【００２７】
保護層は、例えば、ＳｉとＳｉＯ２とを混合した材料を用いて、真空蒸着により形成される。このとき、Ｓｉ：ＳｉＯ２を調節することによって、ＡおよびＤを変化させることができる。あるいは、保護層は、Ｓｉ単体、またはＳｉとＳｉＯ２とを混合した材料を用いて、酸素雰囲気下で真空蒸着することによって形成できる。このとき、蒸着時の圧力を調節することによって、あるいは蒸着時の圧力とともにＳｉ：ＳｉＯ２を調節することによって、ＡおよびＤを変化させることができる。上記式（１）で示されるｘもまた、蒸着に用いる材料、および／または酸素雰囲気下で蒸着する場合の蒸着時の圧力を適宜選択することによって、変化させることができる。
【００２８】
保護層は、真空蒸着以外の方法、例えば、スパッタリングまたはプラズマＣＶＤ等の方法で形成してよい。保護層の目的は、記録層を保護するとともに、光学特性を向上させることであり、通常、透明で耐熱性の高い金属化合物（例えば、金属酸化物等）で形成される。上記（１）および（２）の条件を満たし、Ｓｉを主成分とする保護層は、耐熱性および透明性の点においても優れており、保護層の機能を十分に発揮する。
【００２９】
保護層の厚さは、好ましくは１〜１００ｎｍであり、より好ましくは、１０〜７０ｎｍである。保護層の厚さが小さすぎる場合には、記録層の保護効果を十分に得ることができず、大きすぎる場合には、柔軟性が低下し、デッキ走行中に受ける衝撃により、クラックが発生しやすくなる。
【００３０】
本発明の記録媒体は、その保護層が、珪素を主成分として形成され、上記（１）および（２）の条件を満たし、好ましくはｘ≦１．３となる限りにおいて、その他の構成は特に限定されず、任意の構成とすることができる。したがって、上記において説明した保護層以外の要素、例えば、高分子支持体、記録層、潤滑剤層およびバックコート層は常套の材料および方法で構成することができる。以下、それらの要素を図面を参照して説明する。
【００３１】
図３に、本発明の記録媒体が、光記録テープである場合において、当該光記録テープを長手方向に沿って切断した断面を示す。図１に示す光記録テープ（１００）は、高分子フィルム支持体（１）の上に、記録層（２）、保護層（３）および潤滑剤層（４）がこの順に積層され、高分子フィルム支持体（１）の記録層（２）が形成されている面とは反対側の面にバックコート層（５）が形成されている。
【００３２】
本発明の記録媒体に使用される高分子フイルム支持体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリ塩化ビニル、およびポリカーボネート等から選択される材料で形成される。
【００３３】
高分子フィルムの厚さは、２〜１５μｍであることが好ましい。より好ましい厚さは、３〜１０μｍである。
【００３４】
本発明の記録媒体を構成する記録層（２）は金属薄膜から成る。記録層は、具体的には、Ｔｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｉｎ、およびＳｎ等の金属、ならびにＴｅ―Ｓｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｉｎ−Ｓｂ、Ａｇ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｓｎ、Ｓｂ−Ｉｎ−Ｓｎ、およびＳｎ−Ｉｎ等の合金から選択される１つまたは複数の材料で形成される。これらの材料は、いずれも光の照射により相変化する性質を有し、光の照射によって情報を記録再生する、光記録媒体の記録層を構成する。あるいは、記録層を強磁性金属で形成して、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体を形成してもよい。記録層は単層膜の形態であってもよく、あるいは二層または多層膜の形態であってもよい。記録層は記録に関与しない下地層を有していてよい。記録層の厚さは一般には３〜２２０ｎｍである。
【００３５】
記録層は、金属または合金の真空工法により形成することが好ましい。真空工法とは、例えば、抵抗加熱法もしくは外熱るつぼ法等により蒸着源を加熱して実施する真空蒸着、イオンプレーティングまたはスパッタリング等である。
【００３６】
本発明では、金属または合金をスパッタリングすることによって、高分子フィルム支持体に記録層を形成することが好ましい。スパッタリングは、例えば、真空槽内で、窒素、アルゴンまたはヘリウム等の不活性ガスをプラズマ化し、ターゲットである金属または合金に衝突させ、飛散した金属または合金を、真空槽内にて適当なキャリヤ上を移動する高分子フィルム支持体表面に、堆積させることによって実施する。
【００３７】
保護層（３）は、先に説明したとおりである。
【００３８】
潤滑剤層（４）を形成する潤滑剤は、記録媒体用の潤滑剤として汎用されているものから任意に選択できる。潤滑剤は例えば、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤であることが好ましい。潤滑剤層は、潤滑剤以外の成分として、例えば極圧剤および／または防錆剤等を含んでよい。潤滑剤層は、例えば、潤滑剤を適当な溶媒に溶解または分散させた塗布液を保護層の上に塗布した後、溶媒を蒸発させることによって形成できる。潤滑剤層の厚さは通常１〜１０ｎｍである。
【００３９】
バックコート層（５）は、記録再生装置における走行性を向上させるために、高分子フィルム支持体を介して記録層と対向するように設けられる。バックコート層は、ポリウレタン系樹脂、ニトロセルロ−ス系樹脂、ポリエステル系樹脂（例えばバイロン）、カーボンブラック及び炭酸カルシウムなどから選択される１種または複数種の材料を、適当な溶媒（例えば、トルエンとメチルエチルケトンの混合溶媒）に溶解および／または分散させた塗布液を、高分子フィルム支持体の記録層が形成される面とは反対側の面に塗布した後、乾燥して溶媒を蒸発させる湿式塗布法により形成できる。このようにしてバックコート層を形成する場合、その厚さは１００〜１０００ｎｍとすることが好ましい。
【００４０】
あるいは、バックコート層（５）は、金属および／または金属酸化物を含む層を有するものとしてよい。本明細書において、金属および／または金属酸化物を含むバックコート層は、特に「金属性バックコート層」とも呼ぶ。金属性バックコート層は、記録媒体の剛性をより大きくする。したがって、金属性バックコート層を設けることにより、記録媒体と記録再生装置の走行系との接触状態を良好にし得る。
【００４１】
金属性バックコート層は、具体的には、アルミニウム、銅、チタン、スズ、鉄、ニッケル、コバルトおよびクロムから選択される１または複数の金属および／またはこれらの金属の酸化物から選択される１または複数の金属酸化物を含むものであることが好ましい。記録層を強磁性金属で形成する場合（即ち、記録媒体が磁気記録媒体である場合）には、金属性バックコート層は、記録層の磁気特性に影響を及ぼさないよう、非磁性金属および／または金属酸化物で形成する必要がある。金属性バックコート層の厚さは、高分子フィルム支持体の材料および厚さ、記録層の厚さ、ならびに金属性バックコート層の種類等に応じて、記録媒体に所望の剛性が付与されるように選択される。金属性バックコート層の厚さは、具体的には、５０〜２００ｎｍとすることが好ましい。金属性バックコート層は、例えば、金属を真空蒸着することにより形成される。
【００４２】
バックコート層（５）が金属性バックコート層である場合、走行性を向上させるために、金属性バックコート層の表面に、上記において説明した、湿式塗布法により形成されるポリウレタン樹脂等を含む層、または潤滑剤層を形成してよい。ポリウレタン樹脂等を含む層、または潤滑剤層の好ましい厚さは、それぞれ先に説明した通りである。
【００４３】
記録媒体の構成は、図示した形態のものに限定されず、常套的に採用されている任意の構成としてよい。例えば、記録層（２）の上下には、図示していない誘電体層、反射層、保護層および接着層から選択される１つまたは複数の層を形成してもよい。同様に、保護層（３）の上下には、図示していない誘電体層、反射層、保護層、接着層および潤滑剤層から選択される１つまたは複数の層を形成してもよい。
【実施例１】
【００４４】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
【００４５】
（試料１〜９の作製）
図３に示すような構成のテープを次の手順で作製した。まず、高分子フィルム支持体として、ＰＥＴフィルムを用意した。フィルムの厚さは、８．３μｍであった。なお、フィルムの厚さは、市販の厚み計（マイクロメータ）を用い、フィルムを１０枚重ねた状態で厚さを測定して、計算により求めた。
【００４６】
次いで、ＰＥＴフィルムの記録層形成面に、Ｓｂ−Ｉｎ−Ｓｎから成る記録層を形成した。記録層は、スパッタリング法により形成し、厚さは約５０ｎｍとした。
【００４７】
次に、記録層の表面に、ＳｉＯｘから成る厚さ約５０ｎｍの保護層（３）を真空蒸着法により形成した。蒸着は、蒸発材料としてＳｉ粉体とＳｉＯ２粉体を混合したプレス成型品を用い、真空槽内の圧力を７×１０−４Ｐａとし、高分子フィルム支持体をキャン状冷却支持体に沿って１０ｍ／分で走行させながら、電子銃（出力５ｋＷ）により坩堝内の蒸発材料を蒸発させて実施した。このとき、Ｓｉ粉体とＳｉＯ２粉体の混合比を変えることにより、保護層における珪素の酸化状態がそれぞれ異なる１０種類の試料を得た。各試料におけるＳｉ粉体とＳｉＯ２粉体の混合比（重量比）を表１に示す。
【００４８】
続いて、高分子フィルム支持体の記録層が形成された面とは反対側の面には、厚さ７００ｎｍのバックコート層を形成した。バックコート層は湿式塗布法により形成し、塗布液として、溶媒としてのトルエンとメチルエチルケトンをそれぞれ５００重量部、バインダーとしてのポリウレタンを１００重量部、カーボンを２０重量部、およびバリウムフェライトを６０重量部混合したものを用いた。以上のようにして作製した試料を１／２インチ幅にスリットしてテープ状の光記録媒体を得た。
【００４９】
各試料の保護層の表面について、光電子分光分析法により、Ｓｉ−２ｐの軌道分析を実施して、Ｓｉ−２ｐスペクトルを測定し、得られたスペクトルから化学結合状態分析を行った。分析装置として、島津製作所製のＡＸＩＳ−ＨＳＸを使用した。分析条件は次の通りである。
Ｘ線励起源：Ｍｇ−Ｋα線、
Ｘ線源：１００Ｗ、
パスエネルギー：８０ｅＶ、
分析室内の真空度：２．０〜９．０×１０−６Ｐａ。
【００５０】
各試料について測定したＳｉ-２ｐのスペクトルを、結合エネルギーが99.8eV付近であるピークａと、結合エネルギーが101.5eV付近であるピークｂと、結合エネルギーが102.5eV付近であるピークｃと、結合エネルギーが103.5eV付近であるピークｄの４つに分離し、それぞれのピークの積分強度Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃ、Ｔｄを求めた。求めた各ピークの積分強度を、４つのピークの積分強度の和（Ｔａ＋Ｔｂ＋Ｔｃ＋Ｔｄ）で除して、各ピークの積分強度の比Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤを求め、さらに、式（１）からｘの値を求めた。
【００５１】
得られた各試料について、初期カッピング率を求めた。初期カッピング率は、次の手順で求めた。まず、顕微鏡の表面が平坦なステージ（即ち、平板）の上に試料を置いた。それから、測定顕微鏡（ＳＴＭ−ＵＭ；オリンパス社製）を用いて、１／２インチ幅にスリットしたテープの端部に焦点を合わせたときのＺ軸方向の測定値と、テープ幅方向の中央付近で、最も高い点で焦点を合わせときのＺ軸方向の測定値との差から、各試料の湾曲部の頂点の高さを測定した。測定した高さをテープの幅（１／２インチ）で除し、これに１００を乗じて、カッピング率を求めた。カッピング率は、記録層側表面が凸の状態にあるときを負（マイナス）とし、記録層側表面が凹の状態にあるときを正（プラス）とした。求めたカッピング率を、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄおよびｘとともに、表１に示す。
【００５２】
【表１】
2005056501.tif 000005
【００５３】
表１に示すように、ＸＰＳにより測定される保護層の表面のＳｉ−２ｐスペクトルにおいて、０．１≦Ａ≦０．３（条件１）およびＤ≦０．４（条件２）を満たす試料１〜６はいずれもカッピング率の絶対値が１０未満であり、テープの湾曲が抑えられていた。試料７は、条件（２）は満たしているが、条件（１）を満たさないため、カッピング率が大きくなった。
【００５４】
また、ｘの値が１．３以下である試料１〜５は、ｘの値が１．３よりも大きい試料６と比較して、カッピング率は更に低くなっていた。また、ｘの値が１．２以下である試料１および試料２は、カッピング率の絶対値が１％未満であり、この結果からｘの値は１．２以下であることがより好ましいといえる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の記録媒体は、Ｓｉを主成分とする保護層に含まれる酸素の割合を小さくすることによって、幅方向の湾曲を抑制したものであり、優れた記録再生特性を示す。かかる記録媒体は、オーディオ、ビデオ機器、および各種情報機器等の記録再生装置において、特に光記録媒体として、好ましく使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の記録媒体を構成する保護層の表面の、光電子分光分析法で測定したＳｉ−２ｐスペクトルである。
【図２】従来の記録媒体を構成する保護層の表面の、光電子分光分析法で測定したＳｉ−２ｐスペクトルである。
【図３】本発明の記録媒体を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  高分子フィルム支持体、
２  記録層、
３  保護層、
４  潤滑剤層、
５  バックコ−ト層、
１００  記録媒体（光記録テープ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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