(57)【要約】【課題】低コストで減圧特性の向上を図れる磁気ヘッドスライダの製造方法を提供する。【解決手段】磁気ヘッドスライダ５の製造方法は、浮上面を形成すべきスライダ本体５０に少なくとも３回のミリング工程を施すことにより、前記ミリング工程の数より多くの種類の深さがミリング加工されるものである。この３回のミリング工程は、例えば、スライダ本体５０に第１のマスクを形成し、第１の深さでミリングを行う第１のミリング工程と、第１のミリング工程後、第１のマスクを第２のマスクに変更し、第２の深さでミリングを行う第２のミリング工程と、第２のミリング工程後、第２のマスクを第３のマスクに変更し、第３の深さでミリングを行う第３のミリング工程とからなる。つまり、マスキング、ミリング、マスク除去のサイクルを３サイクル行うことで、少なくとも４種類以上の高さのミリング面を容易に形成することができる。【選択図】図４
2005285231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮上面を形成すべきスライダに少なくとも３回のミリング工程を施すことにより、前記ミリング工程の数より多くの種類の深さがミリング加工されることを特徴とする磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項２】
前記３回のミリング工程は、
前記浮上面を形成すべきスライダに第１のマスクを形成し、第１の深さでミリングを行う第１のミリング工程と、
前記第１のミリング工程後、前記第１のマスクを第２のマスクに変更し、第２の深さでミリングを行う第２のミリング工程と、
前記第２のミリング工程後、前記第２のマスクを第３のマスクに変更し、第３の深さでミリングを行う第３のミリング工程
であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項３】
前記スライダの表面から加工されたミリング深さの異なるミリング面どうしが互いに隣接する配置となる場合、完成時に深いミリング面となる領域は、完成時に浅いミリング面となる領域を形成する際のミリング加工によってミリングされることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項４】
前記スライダの表面から加工されたミリング深さの異なるミリング面どうしが互いに隣接する配置となる場合、深いミリング面及び浅いミリング面の各領域にそれぞれ形成されるマスクの開口部分が、互いに重なるようにそれぞれマスクが形成されることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項５】
前記スライダの表面からミリング加工された最も浅いミリング面が、非ミリング面から５０ｎｍ〜２００ｎｍの深さで形成され、さらに、前記非ミリング面から次に浅いミリング面が、前記最も浅いミリング面よりも深く且つ前記非ミリング面から１００ｎｍ〜７００ｎｍの深さで形成されることを特徴とする請求項２の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項６】
前記スライダの表面からミリング加工された最も浅いミリング面の非ミリング面からの深さを１とした場合、Ｎを自然数とすると、０．９×２N〜１．１×２Nの範囲内に、それぞれのミリング工程でのミリング深さが設定されることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項７】
請求項２ないし６のいずれか１項に記載の製造方法で製造された磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
請求項７記載の磁気ヘッドスライダを備える磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスクに対して読み書きを行うためのヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダの製造方法、並びに磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置においては、記憶容量の大容量化が絶えず求められている。この要請に対しては、磁気ディスクの記録密度を向上させることや、また、駆動中の磁気ディスクの表面で浮上する磁気ヘッドスライダの浮上量を小さくすることが有効な手段である。
【０００３】
この浮上量は、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に流れ込む空気粘性流によって磁気ヘッドスライダに発生する浮上力と、磁気ヘッドスライダに外部から加えられるばねの力との釣り合いにより定まる。すなわち、磁気ヘッドスライダの浮上力は、上記空気粘性流により制御されるため、磁気ヘッドスライダの浮上面（磁気ディスクとの対向面）は適切な形状に加工される必要がある。
【０００４】
そこで、磁気ヘッドスライダの浮上面における空気粘性流の流出側の段差を高精度に成形することができる磁気ヘッドスライダの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２３７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では、磁気ディスク装置がモバイル機器等に数多く搭載され、従来以上に様々な環境で利用されている。この状況を考慮すると、高地等の減圧環境下での信頼性評価指標である減圧特性を向上させることが、最も重要な項目であるといえる。減圧環境下でのスライダの浮上量低下は、減圧環境下での空気密度の減少に伴う発生浮上力の減少に起因している。減圧環境下では空気の密度が小さくなるので、常圧時と同じ浮上姿勢・すきまでは、スライダを浮上させている圧力が小さくなり、浮上量が小さくなる。
【０００６】
したがって、荷重と浮上力を釣り合わせるために、常圧時と同じ浮上力を得るまでスライダの浮上姿勢、浮上隙間が低下する。そこで、磁気ヘッドスライダに対しては、浮上面の適切な形状への加工成形を低コストで実現し、上述した減圧特性をより向上させることへの要請が高まっている。
【０００７】
そこで本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、低コストで減圧特性の向上を図れる磁気ヘッドスライダの製造方法、並びに磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、浮上面を形成すべきスライダに少なくとも３回のミリング工程を施すことにより、前記ミリング工程の数より多くの種類の深さがミリング加工されることを特徴とするものである。
ここで、例えば、前記３回のミリング工程は、前記浮上面を形成すべきスライダに第１のマスクを形成し、第１の深さでミリングを行う第１のミリング工程と、前記第１のミリング工程後、前記第１のマスクを第２のマスクに変更し、第２の深さでミリングを行う第２のミリング工程と、前記第２のミリング工程後、前記第２のマスクを第３のマスクに変更し、第３の深さでミリングを行う第３のミリング工程である。
【０００９】
すなわち、本発明では、マスキング、ミリング、マスク除去のサイクルを少なくとも３サイクル行うことで、ミリング工程数を超える少なくとも４種類以上の高さのミリング面を容易に形成することができる。したがって、本発明によれば、マスクパターンとミリング深さとの組合せにより、複数の種類の中から所望のミリング面の高さを選択できるので、スライダに形成すべき浮上面の高さ設定の自由度が向上し、減圧特性等を含むスライダの浮上特性を向上させることができる。さらに、本発明によれば、マスキング、ミリングの組合せを適宜変更するだけで、浮上面の高さの加工成形を容易に行えるので、減圧特性の向上を低コストで実現することができる。
【００１０】
また、本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、前記スライダの表面から加工されたミリング深さの異なるミリング面どうしが互いに隣接する配置となる場合、完成時に深いミリング面となる領域は、完成時に浅いミリング面となる領域を形成する際のミリング加工によってミリングされることを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、前記スライダの表面から加工されたミリング深さの異なるミリング面どうしが互いに隣接する配置となる場合、深いミリング面及び浅いミリング面の各領域にそれぞれ形成されるマスクの開口部分が、互いに重なるようにそれぞれマスクが形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、前記スライダの表面からミリング加工された最も浅いミリング面が、非ミリング面から５０ｎｍ〜２００ｎｍの深さで形成され、さらに、前記非ミリング面から次に浅いミリング面が、前記最も浅いミリング面よりも深く且つ前記非ミリング面から１００ｎｍ〜７００ｎｍの深さで形成されることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、前記スライダの表面からミリング加工された最も浅いミリング面の非ミリング面からの深さを１とした場合、Ｎを自然数とすると、０．９×２N〜１．１×２Nの範囲内に、それぞれのミリング工程でのミリング深さが設定されることを特徴とする。また、本発明は、上述してきたいずれかの製造方法で製造された磁気ヘッドスライダである。さらに、本発明は、当該磁気ヘッドスライダを備える磁気ディスク装置である。
【発明の効果】
【００１４】
このように、本発明によれば、低コストで減圧特性の向上を図ることができる磁気ヘッドスライダの製造方法、並びに磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドスライダが搭載された磁気ディスク装置を示す斜視図、図２は、この磁気ディスク装置が備えるヘッドアームアセンブリを示す平面図、図３は、ヘッドアームアセンブリの先端部に支持された磁気ヘッドスライダを示す斜視図である。
図１に示すように、磁気ディスク装置１は、上面の開口した矩形箱状のケース２と、このケース２の上面を覆うようにこのケース２に例えばねじ止めされるトップカバー（図示せず）とを備えている。
【００１６】
ケース２内には、ディスク状の記憶媒体である例えば２枚のディスク（プラッター）３と、このディスク３を支持及び回転させるディスク駆動機構としてのスピンドルモータ４と、ヘッドアクチュエータ２５とが配置されている。ここで、ディスク３には、例えば直径６５ｍｍ（２．５インチ）で、両面に磁気記録層がそれぞれ設けられたプラッターが採用されている。これらのディスク３は、スピンドルモータ４のハブ（図示せず）の外周に嵌合されているとともに、クランプばね１１によって固定されている。つまり、２枚のディスク３は、スピンドルモータ４を駆動することで一体的に回転する。
【００１７】
ヘッドアクチュエータ２５は、ヘッドアームアセンブリ１５を複数積層して構成されるキャリッジ６と、このキャリッジ６を回動自在に支持する軸受ユニット１２と、キャリッジ６を駆動するボイスコイルモータ８とを備えている。ヘッドアームアセンブリ１５は、ディスク３に対する信号の読み書きを行うヘッド（磁極素子）を搭載した後述する磁気ヘッドスライダ５及びタブ２３を先端部に備えたサスペンション２０と、このサスペンション２０を先端に支持するアーム７とから構成される。
【００１８】
キャリッジ６を支持する上記軸受ユニット１２には、ケース２の底壁に対し垂直に立設されたベアリングシャフト１３と、ベアリングシャフト１３に一対の軸受を介して回転自在に支持された円筒形状のハブ１４とが設けられている。ボイスコイルモータ８は、ヘッドアクチュエータ２５の基端部の支持枠１６に固定されたボイスコイル１７と、ボイスコイル１７を挟み込むようにケース２上に固定された一対のヨーク１８と、一方のヨーク１８に固定された磁石１９とを備えている。
【００１９】
さらに、ケース２内には、磁気ヘッドスライダ５がディスク３の外周部に移動した際、上記タブ２３と摺動してヘッドをディスク３から離間した所定の退避位置において保持するランプ９と、ヘッドドライバＩＣ等が搭載された基板ユニット１０とが収容されている。また、このケース２の部品収容部の裏側には、基板ユニット１０を介してスピンドルモータ４、ボイスコイルモータ８、及びヘッドの制御を行うためのＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤコントローラ、その他の回路を搭載したプリント回路基板（図示せず）がねじ止め等によって装着されている。
【００２０】
次に、本実施形態に係る磁気ヘッドスライダ５の構造について詳述する。ここで、図４は、本実施形態の磁気ヘッドスライダ５を浮上面側からみた斜視図、図５はその平面図である。
これらの図に示すように、磁気ヘッドスライダ５の浮上面（ＡＢＳ:Air Bearing Surface）には、トレーリングパッド３１、２つのサイドパッド３２及びリーディングパッド３３の４つの正圧発生部が設けられている。これらの正圧発生部はそれぞれ、正圧の発生効率を向上させるために、面の深さの位置が異なる複数の領域で構成されている。
【００２１】
すなわち、トレーリングパッド３１は、例えば、スライダ製造過程において一度もミリングが施されていない面（非ミリング面）などからなる一段目のトレーリングパッド領域３３ａと、一段目のトレーリングパッド領域３３ａの流入端側に配置され、この一段目のトレーリングパッド領域３３ａよりも面の高さ位置が低い二段目のトレーリングパッド領域３７ｂとで構成されている。
【００２２】
サイドパッド３２は、非ミリング面などからなる一段目のサイドパッド領域３２ａと、一段目のサイドパッド領域３２ａの流入端側に配置され、この一段目のサイドパッド領域３２ａよりも面の高さ位置が低い二段目のサイドパッド領域３６ｂと、この二段目のサイドパッド領域３６ｂよりも流入端側に配置され、この二段目のサイドパッド領域３６ｂよりもさらに面の高さの低い三段目のサイドパッド領域４１ｄとで構成されている。さらに、サイドパッド３２のトレーリングパッド３１側（サイドパッド流出端）には、三段目のサイドパッド領域４１ｄと同一の高さに形成されたスカート部４２ｄが設けられている。このスカート部４２ｄは、負圧を増大させ、減圧特性及び耐衝撃性を向上させることができる。
【００２３】
リーディングパッド３３は、非ミリング面等からなる一段目のリーディングパッド領域３１ａと、この一段目のリーディングパッド領域３３ａの流入端側に配置され、この一段目のリーディングパッド領域３１ａよりも面の高さ位置が低い二段目のトレーリングパッド領域３５ｂとで構成されている。
【００２４】
また、トレーリングパッド３１、２つのサイドパッド３２及びリーディングパッド３３、て囲われた領域は、上記各パッド領域の面の高さ位置よりもさらに低い領域は、負圧キャビティと呼ばれる負圧発生部４６ｅとなっている。さらに、この負圧発生部４６ｅのリーディングパッド３３側には、負圧の発生を抑制するように、負圧発生部４６ｅよりも浅い領域として形成された負圧不感領域４０ｃが配置されている。負圧キャビティの流入端側にこの負圧不感領域４０ｃを設けることで、負圧の発生中心をトレーリング側に移動させることができ減圧特性を高めることができる。
【００２５】
次に、このように構成された磁気ヘッドスライダ５の製造方法を主に図６ないし図９に基づき説明する。ここで、図６は、スライダ本体の浮上面に施される第１のミリング工程を説明するための図、図７は、第２のミリング工程を説明するための図、図８は、第３のミリング工程を説明するための図、図９は、第１〜第３の各ミリング工程におけるミリング深さとマスキング領域とミリング領域との関係を示す図である。
【００２６】
本実施形態の磁気ヘッドスライダの製造方法では、マスキング、ミリング、マスク除去のサイクルを３サイクル行うことで、少なくとも４種類以上の高さのミリング面（ミリング面）を浮上面に有する磁気ヘッドスライダ５を形成できる。
すなわち、第１のミリング工程では、図６及び図９に示すように、浮上面を形成すべきスライダ本体５０の表面の上記した領域３３ａ、３２ａ、３１ａ、４０ｃ（図６中の非ハッチング部分）に第１のマスクを形成する。さらに、スライダ本体５０の第１のマスクで覆われた部分から露出（開口）する領域３５ｂ、４１ｄ、３６ｂ、４２ｄ、４６ｅ、３７ｂ（図６中のハッチング部分）に第１の深さ例えば１２６ｎｍでミリングが施される。
【００２７】
次に、第２のミリング工程では、図７及び図９に示すように、第１のマスクの除去後、スライダ本体５０の領域３５ｂ、３１ａ、３２ａ、３７ｂ、３３ａ、３６ｂ（図７中の非ハッチング部分）に、第２のマスクを形成する。さらに、スライダ本体５０の第２のマスクで覆われた部分から露出する領域４０ｃ、４１ｄ、４２ｄ、４６ｅ（図７中のハッチング部分）に第１の深さよりも深い第２の深さ例えば２００ｎｍでミリングが施される。
【００２８】
続いて、第３のミリング工程では、図８及び図９に示すように、第２のマスクの除去後、スライダ本体５０の領域３５ｂ、３１ａ、４０ｃ、４１ｄ、３６ｂ、３２ａ、４２ｄ、３７ｂ、３３ａ、（図８中の非ハッチング部分）に、第３のマスクを形成する。さらに、スライダ本体５０の第３のマスクで覆われた部分から露出する領域４６ｅ（図８中のハッチング部分）に第１、第２の深さよりも深い例えば１１７４ｎｍでミリングが施される。
【００２９】
すなわち、図９中の（ａ）のマスキングパターンにより、非ミリング面（深さ０ｎｍ）が形成される。また、図９中の（ｂ）のマスキングパターンにより、深さ１２６ｎｍのミリング面が形成され、図９中の（ｃ）のマスキングパターンにより、深さ２００ｎｍのミリング面が形成される。さらに、図９中の（ｄ）のマスキングパターンにより、深さ３２６（１２６＋２００）ｎｍのミリング面が形成され、さらに、図９中の（ｅ）のマスキングパターンにより、深さ１５００（１２６＋２００＋１１７４）ｎｍのミリング面（キャビティ面）が形成される。これにより、マスキング、ミリング、マスク除去のサイクルを３サイクル行うことで、少なくとも４種類以上の高さのミリング面（ミリング面）を形成できる。
【００３０】
さらに、図９の（ａ）〜（ｅ）のマスキングパターン以外の他のマスキングパターンを適用することで、深さ１１７４ｎｍ、深さ１３００（１２６＋１１７４）ｎｍ、１３７４（２００＋１１７４）ｎｍのミリング面（キャビティ面）が形成される。つまり、３回のミリング工程で８（２の３乗）通りの高さの面を形成すことができる。ここで、ミリング工程として、例えば１：２：４等といった（２のＮ乗の）ミリング深さの比を選択した場合、それぞれ１回のミリングで形成される深さ１、深さ２、深さ４の深さ、２回のミリングで形成される深さ３（１＋２）、深さ５（１＋４）、深さ６（２＋４）、３回のミリングで形成される深さ７（１＋２＋４）の比は、深さの違いが均一な複数のミリング面を形成すること可能である。また、スライダ本体５０の表面からミリング加工された最も浅いミリング面の非ミリング面からの深さを１とした場合、Ｎを自然数とすると、０．９×２N〜１．１×２Nの範囲内に、それぞれのミリング工程でのミリング深さが設定されることが望ましい。詳述すると、ミリング工程では、１０％の公差が必要であり、第１、第２、第３〜第Ｎの深さでミリングを行うミリング工程数をＮとし、最も浅い溝深さを１とした場合、１：１．８〜２．２：３．６〜４．４等といったように、上記０．９×２N〜１×２N（N＝１,２…ミリング工程数）の比のミリング深さを選択することが可能である。
【００３１】
ここで、２サイクルのミリング工程と３サイクルのミリング工程とについて簡単に比較してみる。いわゆる負圧キャビティをスライダの表面に形成する場合、すくなくとも１μｍ〜２μｍの深さのミリング面が必要である。また、ステップ面に８０ｎｍ〜２００ｎｍの深さのミリング面を形成する場合を考慮してみる。一例として例えば１５００ｎｍ、１５０ｎｍの溝深さを持つスライダ形成用としては、１５０ｎｍを掘削するミリングと１３５０ｎｍを掘削するミリングとが例えば必要である。第１のミリング工程で１５０ｎｍのミリング面を形成し、例えば、第２のミリング工程で１５００（１５０＋１３５０）ｎｍの深さの溝を形成する。この際、選択できる溝深さは、全体で、非ミリング面（０ｎｍ）、１５０ｎｍ、１３５０ｎｍ、１５００ｎｍの４種類の中でしか高さを選択することしかできない。１３５０ｎｍと１５００ｎｍの溝深さの差では、スライダに与え得る特性の向上は少ない。
【００３２】
ここで、磁気ヘッドスライダの減圧特性について説明する。図１０に示すように、減圧特性は、理論上のヘッド浮上量（例えば１１ｎｍ）等をふまえ、減圧時のヘッド下降量、ディスクの変形、シーク時の低下分、製造誤差によるバラツキ、マージン等の外乱要素を吸収するための特性と言える。本実施形態のように３サイクルのミリング工程で磁気ヘッドスライダを製造する場合、溝深さについて次のような多数の選択枝が与えられる。すなわち、負圧キャビティを形成するために上記同様、１μｍから２μｍの溝が必要である。また、ステップ面に２００〜４００ｎｍの深さのミリング面を形成する場合を考えてみる。例えば、１５０ｎｍ、１０００ｎｍ、３５０ｎｍの３種類のミリング工程が用意されている場合、０、１５０、３５０、５００、１０００、１１５０、１３５０、１５００[ｎｍ]の８種類の高さの中から所望の高さを選択できる。これにより、スライダに形成すべき浮上面の高さ設定の自由度が向上し、減圧特性等を含むスライダの浮上特性を向上させることができる。
【００３３】
次に、スライダ本体５０の表面にマスクを形成する場合のポイントについて図１１（ａ）、（ｂ）に基づき説明する。これらの図に示すように、マスクずれが生じた際に、スライダの浮上面に、薄い壁（Thin wall）６０や深い溝（Narrow Cavity）６１が極力形成されないようにする必要がある。ここで、図１１（ａ）に示すように、非ミリング面５５を２工程でミリングし互いに隣接するミリング面５６、５７を形成する場合、一方のマスクの開口部５８と他方のマスクの開口部５９とのアライメントがずれ、隙間が空いてしまった際には、この隙間部分が掘削されず、薄い壁６０となって残存する。薄い壁６０が形成されてしまうと、ステップ面に流れるべき空気流がせき止められるので、浮上性能に悪影響が及ぼされる。また、特に、薄い壁６０の頂点が非ミリング面になる場合、非ミリング面は、磁気ディスク側に近いので、ディスクを傷付けてしまう原因となり得る。
【００３４】
一方、図１１（ｂ）に示すように、非ミリング面５５を２工程でミリングし互いに隣接するミリング面５６、５７を形成する場合、一方のマスクの開口部６３と他方のマスクの開口部６４とのアライメントがずれ、互いに重なり合っている際には、このオーバーラップ部分が深く掘削され（本来は片方でよいミリングが両方でミリングされ）、深い溝６１として形成される。細い溝には、ミリング工程や、マスク剥離工程で影になり、塵埃がたまり易い。また、磁気ディスク装置本体に取り付けられた後でも、塵埃がたまり易く装置の信頼性を低下させる要因となる。
【００３５】
そこで、マスクのパターンに次のようなルールを設ける。すなわち、図１１（ａ）を参照しつつ説明すると、スライダの表面から加工されたミリング深さの異なるミリング面どうしが互いに隣接する配置となる場合、完成時に深いミリング面５７となる領域は、完成時に浅いミリング面５６となる領域を形成する際のミリング加工によってミリングされることとする。これにより、薄い壁６０が残存してしまうことを防止する。
【００３６】
また、上記ルールを満足できない場合には、図１１（ｂ）に示すように、深いミリング面５７及び浅いミリング面５６の各領域にそれぞれ形成されるマスクの開口部６４、６３が、敢えて重なるようにそれぞれマスクを形成する。これにより、細い溝６１が形成されることを犠牲にしても、薄い壁６０が形成されてしまうことを少なくとも防止する。
【００３７】
次に、上記のように多段化されたサイドパッド３２の特性について説明する。
図１２ないし図１４は、各種サイドパッドの発生力を、二段目以降のサイドパッド領域の深さと段の位置を変えてそれぞれ計算した結果を示している。
計算に用いたサイドパッドは、非ミリング面から深さ１．５［ｕｍ］の負圧キャビティをもったＦｅｍｔｏサイズのスライダにおいて、その流入端がリーディングエッジから２６５［ｕｍ］、大きさが１２０［ｕｍ］＊４００［ｕｍ］とした。なお、周速およびスキュー角は４２００ｒｐｍ２．５インチＨＤＤの中周部の条件である、８．８［ｍ／ｓ］および０［ｄｅｇ］とし、浮上姿勢は、同じく４２００ｒｐｍ２．５インチＨＤＤの中周での条件である、ピッチ角１５０［ｕｒａｄ］、浮上量１０［ｎｍ］とした。
サイドパッドが全て非ミリング面で構成された場合を計算すると、正圧は７．２３［ｍＮ］であった。
【００３８】
図１２（ａ）、１２（ｂ）は、２段で構成されたサイドパッド７１の発生力を、二段目のサイドパッド領域７１ｂの深さと段の位置を変えて計算した結果を示している。非ミリング面である１段目のサイドパッド領域７１ａと二段目のサイドパッド領域７２ｂとの境界線の位置を、サイドパッド７１の流入端より距離Ｌを５０［ｕｍ］から２５０［ｕｍ］までの間で変更し、二段目のサイドパッド領域７２ｂの非ミリング面である１段目のサイドパッド領域７２ａの面からの深さを１００［ｎｍ］から２００［ｎｍ］まで変化させた。その結果、二段目のサイドパッド領域７２ｂの長さ（Ｌ）が５０［ｕｍ］、深さが１５０［ｎｍ］とのときに最大正圧１５．９［ｍＮ］となった。
【００３９】
図１３（ａ）、１３（ｂ）は、３段で構成されたサイドパッド７２の発生力を、二段目のサイドパッド領域７２ｂおよび３段目のサイドパッド領域７２ｃそれぞれの、非ミリング面（１段目のサイドパッド領域７２ａの面）からの深さを変更しつつ計算した結果を示している。ただし、三段目のサイドパッド領域７２ｃはサイドパッド７２の流入端から５０［ｕｍ］までの領域として固定し、二段目のサイドパッド領域７２ｂをサイドパッド７２の流入端より５０［ｕｍ］から１００［ｕｍ］までの範囲とした。
この結果、発生力は、２段で構成されたサイドパッド７１の場合の発生圧力を大きく上回って、およそ１６［ｍＮ］から１９．３［ｍＮ］の範囲となり、最大発生力は、二段目のサイドパッド領域７２ｂの非ミリング面からの深さを１００［ｎｍ］、３段目のサイドパッド領域７２ｃの非ミリング面からの深さを３００［ｎｍ］とした場合に最大で、１９．３［ｍＮ］となった。
【００４０】
図１４（ａ）、（ｂ）は、図１３のサイドパッド７２の段数をさらに１段増やして４段構成した例であり、４段目のサイドパッド領域７３ｄはサイドパッド７３の流入端より１００［ｕｍ］から１５０［ｕｍ］までの範囲とした。この場合、最大発生力は、二段目のサイドパッド領域７３ｂの非ミリング面からの深さを１００［ｎｍ］、３段目のサイドパッド領域７３ｃの非ミリング面からの深さを３００［ｎｍ］、４段目のサイドパッド領域７３ｄの非ミリング面からの深さを６００［ｎｍ］とした場合に最大で、１９．９［ｍＮ］となった。
【００４１】
以上の解析により、３段のサイドパッドは２段のものよりも最大発生圧力が飛躍的に大きくなり、さらに流入側にいくほど深くなるように段を追加すれば、より一層大きな発生力が得られることが確認できた。すなわち、ミリング加工された最も浅いミリング面が、非ミリング面から５０ｎｍ〜２００ｎｍの深さで形成され、さらに、非ミリング面から次に浅いミリング面が、最も浅いミリング面よりも深く且つ非ミリング面から１００ｎｍ〜７００ｎｍの深さで形成されることが望ましい。
【００４２】
既述したように、本実施形態の磁気ヘッドスライダ５によれば、減圧特性が改善されるとともに、サイドパッドでのロールモメント誤差に対してのロバスト性が向上する。また、本実施形態の磁気ヘッドスライダ５によれば、面積の小さい浮上面（ＡＢＳ）でも所望の圧力を発生させることができる。また、例えば省電力タイプのモバイルＰＣ等に搭載される周速の遅い磁気ディスクドライブでもスライダに所定の浮上圧力を発生させることができる。
【００４３】
以上、本発明を実施の形態により具体的に説明したが、本発明はこの実施形態にのみ限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述した実施形態では、スライダの表面を掘削する工程での処理については特に説明しなかったが、スライダ表面を掘削するミリングは、イオンエッチングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等を始めとするドライエッチングであってもよいし、また、ウエットエッチングであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドスライダが搭載された磁気ディスク装置を示す斜視図。
【図２】図１の磁気ディスク装置が備えるヘッドアームアセンブリを示す平面図。
【図３】図２のヘッドアームアセンブリの先端部に支持された磁気ヘッドスライダを示す斜視図。
【図４】図３に示す磁気ヘッドスライダを浮上面（ＡＢＳ）側からみた斜視図。
【図５】図４に示す磁気ヘッドスライダの平面図。
【図６】図５に示す磁気ヘッドスライダのスライダ本体の浮上面に施される第１のミリング工程を説明するための図。
【図７】図６のスライダ本体の浮上面に施される第２のミリング工程を説明するための図。
【図８】図７のスライダ本体の浮上面に施される第３のミリング工程を説明するための図。
【図９】第１〜第３の各ミリング工程におけるミリング深さとマスキング領域とミリング領域との関係を示す図。
【図１０】図４に示す磁気ヘッドスライダの減圧特性を説明するための図。
【図１１】スライダ本体にマスクを形成する場合のポイントを説明するための図。
【図１２】２段で構成されたサイドパッドの発生力の特性を示す図。
【図１３】３段で構成されたサイドパッドの発生力の特性を示す図。
【図１４】４段で構成されたサイドパッドの発生力の特性を示す図。
【符号の説明】
【００４５】
１…磁気ディスク装置、３…ディスク、５…磁気ヘッドスライダ、３１…トレーリングパッド、３２…サイドパッド、３３…リーディングパッド、４０ｃ…負圧不感領域、４２ｄ…スカート部、４６ｅ…負圧発生部、５０…スライダ本体、５５…非ミリング面、５６，５７…ミリング面、５８，５９，６３，６４…マスクの開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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