(57)【要約】      （修正有）【課題】電極と半田ボールの接合界面の接合強度を向上させ、プリント基板実装時の実装不良を低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子と、半導体素子を搭載し、半導体素子と電気接続される配線基板２と、複数の開口部４Ｂを有し、配線基板２を被覆するレジスト４と、開口部４Ｂに設けられた配線基板２の電極５と、電極５と接合される半田ボール６を備える半導体装置であって、開口部４Ｂが、電極５と半田ボール６との接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう、斜方向に開口形成されている。これにより、電極５と半田ボール６の接合界面の接合強度を向上させることができ、またプリント基板実装時の実装不良を低減することができる。【選択図】図１
2005302972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を搭載し、前記半導体素子と電気接続される配線基板と、
複数の開口部を有し、前記配線基板を被覆するレジストと、
前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、
前記電極と接合される半田ボール
を備える半導体装置であって、
前記開口部が、前記電極と前記半田ボールとの接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう、斜方向に開口形成されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と、前記半導体素子を搭載し前記半導体素子と電気接続される配線基板と、複数の開口部を有し前記配線基板を被覆するレジストと、前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、前記電極と接合される半田ボールを備える半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板に前記レジストを塗布し、前記配線基板上を前記レジストで被覆する第１工程と、
前記レジストを開口する近傍部分を覆うように、前記レジストの上面に上位レジストを塗布する第２工程と、
前記上位レジストの幅よりも少し小さめに形成され前記レジストを開口させる部分を遮光するマスクを前記上位レジストの上部に載置して、前記レジスト全体を露光する第３工程と、
不感光部分である前記マスクの下方位置である前記レジストの最内部領域と前記上位レジストの両端部における下方位置である前記レジストの内部領域をエッチングして、前記開口部を形成する第４工程と、
前記配線基板に前記半導体素子を搭載し、前記配線基板と前記半導体素子とを電気接続する第５工程と、
前記開口部における前記配線基板の前記電極に前記半田ボールを搭載し、リフローで前記半田ボールを溶融させる第６工程
を有し、
前記開口部を、前記電極と前記半田ボールとの接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう、斜方向に開口形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子と、
前記半導体素子を搭載し、前記半導体素子と電気接続される配線基板と、
複数の開口部を有し、前記配線基板を被覆するレジストと、
前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、
前記電極と接合される半田ボール
を備える半導体装置であって、
前記配線基板の前記電極に設けられた複数の前記半田ボールのうち、前記配線基板の最も外方に配設された半田ボールの側面には、前記配線基板の側面と平行に形成された平面部が形成されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子と、前記半導体素子を搭載し前記半導体素子と電気接続される配線基板と、複数の開口部を有し前記配線基板を被覆するレジストと、前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、前記電極と接合される半田ボールを備える半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板に前記レジストを塗布し、前記配線基板上を前記レジストで被覆して複数の開口部を形成する第１工程と、
前記半田ボールのうち、最も外方に配設される半田ボールの側面の形状を平面に規制する挿通部を有する規制枠体を、前記挿通部が前記最も外方に配設される半田ボールを接合する開口部の上方に位置するように配置する第２工程と、
前記挿通部を介して前記開口部の前記電極に前記半田ボールを搭載する第３工程と、
リフローにより前記半田ボールを溶融する第４工程と、
前記規制枠体を取り除く第５工程と、
前記配線基板に前記半導体素子を搭載し、前記配線基板と前記半導体素子とを電気接続する第６工程
を有し、
前記配線基板の前記電極に設けられた複数の前記半田ボールのうち、前記配線基板の最も外方に配設された半田ボールの側面に、前記配線基板の側面と平行に形成された平面部を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電極端子の接続強度に優れ、プリント基板への実装時にも不良が少なく、品質に優れた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）型の半導体装置については、以下が一例として挙げられる。図１０はこの種の例に代表される従来の半導体装置、図１１は図１０の半導体装置の破線部分Ａを拡大した、従来の半導体装置の半田ボール近傍の断面図、図１２は従来の半導体装置の製造方法、図１３は従来の半導体装置における他の形状の半田ボール近傍の断面図である。順にこれらを参照して説明する。
【０００３】
一般にＢＧＡ型の半導体装置は、図１０に示すように、配線基板２に半導体素子１を搭載し、両者の電極同士をワイヤーボンド７やフリップチップ接続（図示せず）してつなげ、樹脂３で半導体素子１を保護する。その後、図１１に示すように、半田ボール６を配線基板２の電極５に搭載することにより、半導体装置として完成する。なお、配線基板２の表面はレジスト４で被覆されているが、電極５の部分はレジスト４が開口されている。
【０００４】
ここで、配線基板２の電極５の主素材は、配線基板２中の通常配線と同様に銅素材で構成されている。そして錫鉛材や錫銀、錫銀銅や錫亜鉛に代表される鉛フリー素材等で構成される半田ボール６との接合を保つため、一般には、ニッケル/金メッキの表面処理がされている場合が多い。
【０００５】
次に、上記従来の半導体装置の製造方法を図１２を参照しながら説明する。なお、配線基板１の向きは、図１０や図１１とは上下逆向きとなっている。
まず図１２（ａ）に示すように、配線基板２の全面にレジスト４を塗布して、配線基板２上をレジスト４で被覆し、その後、図１２（ｂ）に示すように、電極５の部分を除いて感光させて、図１２（ｃ）に示すように、不感光部８を除去して、開口部４Ａを形成する。
【０００６】
そして、図１２（ｄ）に示すように、半田ボール６を上方より電極５へ搭載して、リフローで溶融させ接合する。なお、その接合界面は上記異種素材の合金で形成されるが、上記接合界面は脆く、しばしば剥離やクラックの発生面となりうる。ちなみにリフローでは温度と時間の調整により、いかにその合金を強固なものにするかがポイントとなる。
【０００７】
この半導体装置の製造方法により、図１１に示すようなボール搭載形状を形成することが可能となる。また、その接合強度強化のために以下の特許文献では、図１３に示すように、レジスト４面近傍での半田ボール５のクラックを防止するために、開口部を接合界面から外方に離れるにつれて広くなるよう斜方向に開口を形成し、図１１で見られたレジスト開口近傍での括れ部９をなくすといった手法がとられるものもあった。
【特許文献１】特開２００１−６０６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記従来の構成によると、半田ボール６と電極５の界面は、ボール素材と電極素材とが金属間で拡散を起こして合金を形成することで接合しているが、金属間化合物の成長は、温度，時間，めっきを含めた材料等により様々で、また形成される合金は基本的に脆く弱いため、図１１に示すようにレジスト４の開口部４Ａがほぼ垂直であった場合、半田ボール６を垂直方向Ａへ引っ張ったり、水平方向Ｂに引き剥がす力が加わるとその界面に剥離やクラックを生じるという問題がある。
【０００９】
また、図１３に示すように配線基板２側から離れるにつれて開口の径が大きくなるよう斜め方向に開口する構成とした場合、括れ部９でクラックの発生を防止することはできるが、半田ボール６が垂直方向Ａへ引っ張られた際、上述したように接合界面は相対的に弱いため、電極５の界面がそのまま垂直方向Ａに引っ張られ、しばしば電極５の部分が合金界面から根こそぎ取られ、半田ボール６が脱落するという問題がある。
【００１０】
また、図１１，図１３に示すように、ボール形状の半田ボール６は、水平方向Ｂの力に対して弱く（脆く）、上述したように界面を引き剥がし、せん断力がそのまま直接界面へ影響する構造となっている。
【００１１】
また、その他の従来の半導体装置や一般に行われているその製造方法についても、上述した懸念に対して対策が効果的になされていない。そのため、外部から半田ボール６への衝撃や外力により強度低下や脱落などを引き起こす可能性があり、最終的にプリント基板（図示せず）へ実装する際には、プリント基板とこの配線基板２の熱膨張差により繰り返し半田ボール６に外部から力が加わるが、それに対しても十分な強度を有していないために、実装不良を生じる可能性がある。
【００１２】
そこで本発明は、可能な限り従来に近い工法を使用してコストアップを抑えることを基本とし、半田ボールの変形，損傷が少なく外観品質に優れ、また半田ボールの接合強度が強く、２次実装においても信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。特に引っ張り方向の強度に優れ、さらには水平方向からの外力に対しても接合界面を引き剥がしにくい構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を搭載し、前記半導体素子と電気接続される配線基板と、複数の開口部を有し、前記配線基板を被覆するレジストと、前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、前記電極と接合される半田ボールを備える半導体装置であって、前記開口部が、前記電極と前記半田ボールとの接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう、斜方向に開口形成されていることを特徴としたものである。
【００１４】
また請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、前記配線基板に前記レジストを塗布し、前記配線基板上を前記レジストで被覆する第１工程と、前記レジストを開口する近傍部分を覆うように、前記レジストの上面に上位レジストを塗布する第２工程と、前記上位レジストの幅よりも少し小さめに形成され前記レジストを開口させる部分を遮光するマスクを前記上位レジストの上部に載置して、前記上位レジストの下方且つ前記マスクの下方位置である前記レジストの最内部領域と、前記上位レジストの両端部における下方位置である前記レジストの内部領域と、上記最内部領域と前記内部領域以外の領域である前記レジストの外部領域に対して露光する第３工程と、不感光部分である前記最内部領域と前記内部領域をエッチングして、前記開口部を形成する第４工程と、前記配線基板に前記半導体素子を搭載し、前記配線基板と前記半導体素子とを電気接続する第５工程と、前記開口部における前記配線基板の前記電極に前記半田ボールを搭載し、リフローで前記半田ボールを溶融させる第６工程を有し、前記開口部を、前記電極と前記半田ボールとの接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう、斜方向に開口形成することを特徴としたものである。
【００１５】
そして請求項３に記載の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を搭載し、前記半導体素子と電気接続される配線基板と、複数の開口部を有し、前記配線基板を被覆するレジストと、前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、前記電極と接合される半田ボールを備える半導体装置であって、前記配線基板の前記電極に設けられた複数の前記半田ボールのうち、前記配線基板の最も外方に配設された半田ボールの側面には、前記配線基板の側面と平行に形成された平面部が形成されていることを特徴としたものである。
【００１６】
さらに請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子を搭載し前記半導体素子と電気接続される配線基板と、複数の開口部を有し前記配線基板を被覆するレジストと、前記開口部に設けられた前記配線基板の電極と、前記電極と接合される半田ボールを備える半導体装置の製造方法であって、前記配線基板に前記レジストを塗布し、前記配線基板上を前記レジストで被覆して複数の開口部を形成する第１工程と、前記半田ボールのうち、最も外方に配設される半田ボールの側面の形状を平面に規制する挿通部を有する規制枠体を、前記挿通部が前記最も外方に配設される半田ボールを接合する開口部の上方に位置するように配置する第２工程と、前記挿通部を介して前記開口部の前記電極に前記半田ボールを搭載する第３工程と、リフローにより前記半田ボールを溶融する第４工程と、前記規制枠体を取り除く第５工程と、前記配線基板に前記半導体素子を搭載し、前記配線基板と前記半導体素子とを電気接続する第６工程を有し、前記配線基板の前記電極に設けられた複数の前記半田ボールのうち、前記配線基板の最も外方に配設された半田ボールの側面に、前記配線基板の側面と平行に形成された平面部を形成することを特徴としたものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置は、レジストの開口部が、電極と半田ボールの接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう斜方向に開口形成されているため、電極と半田ボールの接合界面の接合強度を向上させることができる。また、プリント基板実装時の実装不良を低減することができ、すなわち２次実装においても信頼性を高めることができるとともに、外観品質を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の各実施の形態を図に基づいて説明する。なお、従来例と同一の部材には同一番号を付す。
（実施の形態１）
本発明のＢＧＡ型の半導体装置は、上述した従来のＢＧＡ型の半導体装置と同様に、図１０に示すように、半導体素子１と、片面（レジスト４（後述する）が設けられる側と反対側の面）に半導体素子１を搭載し、半導体素子１と電気接続される配線基板２と、半導体素子１を保護する樹脂３と、配線基板２の他面に設けられ、複数の開口部４Ｂを有し、配線基板２の銅配線を被覆するレジスト４と、レジスト４の開口部４Ｂに設けられた配線基板２の電極５と、レジスト４の開口部４Ｂに設けられ、電極５と接合されている半田ボール６から構成されている。
【００１９】
なお、半導体素子１と配線基板２の電極同士は、ワイヤーボンド７やフリップチップ接続（図示せず）で接続されている。また、半田ボール６は最終製品となる半導体装置の外部電極となり、半田ボール６をプリント基板（図示せず）への実装時に溶融することでプリント基板側の電極と接続される。
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の半田ボール近傍の断面図である。
図１に示すように、レジスト４の開口部４Ｂは、電極５と半田ボール６の接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう、斜方向に開口形成されている。
【００２１】
これにより、図１に示すように、半田ボール６が垂直方向Ａへ引っ張られる時、レジスト４の開口部４Ｂが斜方向に開口形成されているため、半田ボール６は引き剥がれにくくなる。このため、脆い電極５との界面を防御できるようになり、半田ボール６の接続強度が向上する。
【００２２】
以上のように実施の形態１によれば、レジスト４の開口部４Ｂが、電極５と半田ボール６との接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう斜方向に開口形成されているため、半田ボール６を電極５の表面から垂直方向Ａに引き剥がそうとする力に対して、半田ボール６を半導体装置から剥がれにくくすることができ、電極５と半田ボール６の接合界面の接合強度を向上させることができる。
【００２３】
また、実施の形態１によれば、プリント基板へ実装する際も、プリント基板と半導体装置の熱膨張差に起因する垂直方向の力に対して電極５と半田ボール６の接合界面の接合強度を向上させることができるため、実装不良を低減することができる。
（実施の形態２）
次に、実施の形態１で説明した半導体装置の製造方法を、図２を参照しながら説明する。なお、配線基板２の向きは、図１とは上下逆向きとなっている。また、上記実施の形態と同一部材には同一番号を付す。
（第１工程）
配線基板２の他面にレジスト４を塗布し、配線基板２上をレジスト４で被覆する。
（第２工程）
続いて、図２（ａ）に示すように、最終的にレジスト４を開口する近傍部分を覆うように、レジスト４の上面に上位レジスト１１を塗布する。
（第３工程）
続いて、図２（ｂ）に示すように、レジスト４を開口する部分を遮光するためのマスク１２を上位レジスト１１の上部に載置して、レジスト全体を露光する。なお、マスク１２の幅（径）は、上述した上位レジスト１１の幅（径）よりも少し小さめなものとする。
【００２４】
ここで、上位レジスト１１の両端部における下方位置、すなわち上位レジスト１１においてマスク１２が載置されていない部分（上位レジスト１１の両端部）を介して光が照射されるレジスト４の各内部領域１４は、レジスト４及び上位レジスト１１が重なっており厚みが大きくなるため、露光の際、光が十分に届かず、鉛直方向における奥方、すなわち配線基板２側が次第に不感光部分となる。また、上位レジスト１１の下方且つマスク１２の下方位置、すなわち各内部領域１４の内方位置するレジスト４の最内部領域１３は、完全に不感光部分となり、固まらない。最内部領域１３と内部領域１４以外の領域であるレジストの外部領域１５は、光が直接照射されて完全に感光部分となり、固まる。
（第４工程）
続いて、不感光部分である最内部領域１３と内部領域１４をエッチングして、開口部４Ｂを形成する。
【００２５】
このとき、感光部分である外部領域１５は完全に固まり、そのまま残存する。また不感光部分である最内部領域１４がエッチングされると、最内部領域１４は完全に削られて電極５が形成され、また各内部領域１４がエッチングされると、配線基板２側が次第に不感光部分となっていることから、各内部領域１４はレジスト４における配線基板２側のほうが大きく削られ、よって図２（ｃ）に示すように、レジスト４の開口部４Ｂは、内方から外方へ離れるにつれて狭くなるように、斜方向に開口形成されることとなる。
（第５工程）
続いて、配線基板２の他面とは反対の面である片面に半導体素子１を搭載し、半導体素子１上の電極と配線基板２上の電極とを、ワイヤーボンド７やバンプの金属突起により電気接続する。
（第６工程）
その後、樹脂３で半導体素子１上を被覆および外囲し、外部に露出した配線基板２の電極５に半田ボール６を搭載し、リフローで半田ボール６を電極５に溶融（接着）させる。
【００２６】
これにより、従来の半導体装置の製造装置をそのまま使用して、電極５と半田ボール６の接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう斜方向に開口形成された開口部４Ｂが容易に形成され、垂直方向Ａの力に対して電極５と半田ボール６の接合界面の接合強度を向上させた半導体装置が得られる。
【００２７】
以上のように実施の形態２によれば、従来の半導体装置の製造装置をそのまま使用することができることによりコストアップを抑えて、電極５と半田ボール６の接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう斜方向に開口形成された開口部４Ｂを容易に形成することができる。
【００２８】
なお、上記実施の形態２では、露光の際、各内部領域１４に光が十分に届かないように、レジスト４及び上位レジスト１１を重ねて厚みを大きくしていたが、各内部領域１４に光が十分届かないように、適宜に露光量を設定してもよい。
（実施の形態３）
本実施の形態３の構成は、開口部の形状および半田ボールの形状を除き、上述した実施の形態１と同様であるため、全体構成の説明を省略する。なお、上記実施の形態と同一部材には同一番号を付す。
【００２９】
図３は、本発明の実施の形態３における半導体装置の半田ボール近傍の断面図である。
図３において、２５は収納トレイや検査ソケットの垂直な壁面であり、本発明の半導体装置は、たとえば従来と同様の形状に形成されたレジスト４の開口部４Ａに、壁面２５と平行に形成された第１平面部２２Ａ、および第１平面部２２Ａの反対側に形成され且つ壁面２５と平行、すなわち第１平面部２２Ａと平行に形成された第２平面部２２Ｂを有する半田ボール２１が設けられている。すなわち、図４に示すように、配線基板２の電極５に設けられた複数の半田ボール２１のうち、配線基板２の最も外方に配設された半田ボール２１の側面には、配線基板２の側面２４と平行に形成された平面部２２（第１平面部２２Ａ，第２平面部２２Ｂ）が形成されている。
【００３０】
これにより、図３に示すように、半導体装置を収納トレイ、もしくは検査ソケットへ収納する際に、半田ボール２１が壁面２５に接触した場合、半田ボール２１は第１平面部２２Ａを有しているため、図４に示すように、水平方向Ｂの力を第１平面部２２Ａの大きい面積で受けられ、変形が起こりにくくなり、よって応力も低減される。
【００３１】
また、図５において、従来の半田ボールの側面の最外周位置２３を点線で、本実施の形態３の半田ボール２１を実線で示す。このように、半田ボール２１の第１平面部２２Ａは、従来の半田ボールの側面の最外周位置２３の位置より距離Ｘ内方へ離れた位置となるため、壁面２５との接触や衝突による外力が小さくなり、応力が低減される。
【００３２】
以上のように実施の形態３によれば、収納トレイや検査ソケット等に収納する際に、それらの壁面２５と半田ボール２１が接触または衝突した場合、半田ボール２１は第１平面部２２Ａにより水平方向Ｂの力を大きな面積で受けることができるため、その影響による変形や損傷を著しく低減することができ、したがって電極５と半田ボール２１の接合界面の引き剥しを防ぐことができ、半田ボール２１自体の不具合、および実装不良を少なくすることができる。
【００３３】
なお、上記実施の形態３では、開口部４Ａは従来と同様の形状に形成されていたが、実施の形態１で説明した開口部４Ｂのように、電極５と半田ボール６の接合界面から外方へ離れるにつれて狭くなるよう斜方向に開口形成してもよい。
【００３４】
なお、上記実施の形態３では、配線基板２の最も外方に配設された半田ボール２１の内周側の側面は、平面形状である第２平面部２２Ｂに形成されていたが、従来の半田ボールのように球形状であってもよい。
（実施の形態４）
次に、実施の形態３で説明した半導体装置の製造方法を、図６から図９を参照しながら説明する。なお、配線基板２の向きは、図３，図５とは上下逆向きとなっている。
また、上記実施の形態と同一部材には同一番号を付す。
【００３５】
ここで、本実施の形態４で使用される規制枠体３１は、樹脂板で形成されており、図７に示すように、最外枠に形成されている第１規制部３１Ａと、第１規制部３１Ａの内方に形成されている第２規制部３１Ｂとを備え、第１規制部３１Ａと第２規制部３１Ｂの間には挿通部３１Ｃが形成されている。
【００３６】
上記規制枠体３１は、配線基板２の最も外方に配設される半田ボール２１の側面を平面状に規制しており、第１規制部３１Ａにより上記半田ボール２１の外方側の側面を平面状に規制し、第２規制部３１Ｂにより上記半田ボール２１の内方側の側面を平面状に規制している。
（第１工程）
配線基板２の他面にレジスト４を塗布して、配線基板２上をレジスト４で被覆し、複数の開口部４Ａを形成する。
（第２工程）
続いて、図９（ａ）に示すように、開口部４Ａの上方に前記挿通部３１Ｃを位置させた状態で、レジスト４の上面に規制枠体３１を配置する。
（第３工程）
続いて、図８および図９（ｂ）に示すように、前記挿通部３１Ｃを介して開口部４Ａの電極５に半田ボール２１を搭載して、リフロー炉へと搬送する。なお、リフロー条件は、半田ボールの種類によって様々であるが、ピーク温度は半田ボールが溶融する温度以上に設定されるものとする。
（第４工程）
続いて、図９（ｃ）に示すように、リフローで半田ボール２１を溶融し、半田ボール２１は表面張力も手伝って開口部４Ａとして露出した電極５に接合される。なお、半田ボール２１を電極５に接合する際に、半田ボール２１の側面が規制枠体３１と当接するように、すなわち規制枠体３１により規制されるように、半田ボール２１の大きさを設定する。
（第５工程）
続いて、図９（ｄ）に示すように、規制枠体３１を取り除く。
（第６工程）
その後、配線基板２の他面とは反対の面である片面に半導体素子１を搭載し、半導体素子１上の電極と配線基板２上の電極とを、ワイヤーボンド７やバンプの金属突起により電気接続する。
【００３７】
これにより、従来の半導体装置の製造装置とともに規制枠体３１を使用することにより、最も外方の半田ボール２１の側面に、配線基板２の側面２４および収納トレイ，検査ソケットなどの壁面２５と平行に形成された平面部２２（第１平面部２２Ａ，第２平面部２２Ｂ）が容易に形成される。
【００３８】
以上のように実施の形態４によれば、従来の半導体装置の製造装置をそのまま使用し、規制枠体３１を使用することにより、コストアップを抑えて、半田ボール２１の側面に収納トレイや検査ソケットなどの壁面２５と平行に形成された平面部２２を容易に形成することができる。
【００３９】
なお、上記実施の形態４では、半田ボール２１の搭載前にレジスト４の上面に規制枠体３１を装着していたが、図６に示すように開口部４Ａに半田ボール２１を搭載した後に、図８に示すように、規制枠体３１の第１規制部３１Ａおよび第２規制部３１Ｂが半田ボール２１の側面を規制するように、規制枠体３１を装着してもよい。
【００４０】
また、上記実施の形態４では、規制枠体３１は樹脂板で形成されていたが、金属板に樹脂テープを貼り付けたものでもよく、半田ボール２１の溶融後に接着しても容易に半田ボール２１から取り除くことができるものであればよい。
【００４１】
なお、上記実施の形態４では、規制枠体３１により、半田ボール２１の外方側および内方側の側面を、平面形状である第１平面部２２Ａおよび第２平面部２２Ｂに形成していたが、半田ボール２１の内方側の側面においては、従来の半田ボールのように球形状に形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の半導体装置は、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）をはじめとする配線基板を用いた全ての半導体装置に適用される。また、その半導体装置は携帯電話やデジタルカメラ、ビデオカメラに代表されるモバイル機器、コンピューター機器、デジタルＴＶやＰＤＰ、液晶ＴＶ等の映像機器、ビデオ、DVD等の録音機器、また車載搭載用機器等に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の半田ボール近傍の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置の製造手順を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態３における半導体装置の半田ボール近傍の断面図である。
【図４】同半導体装置であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図５】同半導体装置の従来の半田ボールと本実施の形態の半田ボール近傍の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態４における規制枠体装着前の半導体装置の半田ボール側の平面図である。
【図７】同規制枠体の平面図である。
【図８】同半田ボール面に規制枠体を装着させた時の平面図である。
【図９】同半導体装置の製造手順を示す図である。
【図１０】従来の半導体装置の側面図である。
【図１１】同半導体装置の半田ボール近傍の断面図である。
【図１２】同半導体装置の製造手順を示す図である。
【図１３】同半導体装置における他の形状の半田ボール近傍の断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１              半導体素子
２              配線基板
３              樹脂
４              レジスト
４Ａ，４Ｂ      開口部
５              電極
６，２１        半田ボール
７              ワイヤーボンド
８              不感光部
９              括れ部
１１            上位レジスト部
１２            マスク
１３            最内部領域
１４            内部領域
１５            外部領域
２２Ａ          第１平面部
２２Ｂ          第２平面部
２３            半田ボールの最外周位置
２５            壁面
３１            規制枠体
３１Ａ          第１規制部
３１Ｂ          第２規制部
３１Ｃ          挿通部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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