(57)【要約】【課題】  温度変化により電気光学物質が収縮した際の基板の変形を許容し、かつ、基板に押圧荷重がかかった場合には基板間隔の変動を防止可能な電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置１ａにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間には、多数の粒状スペーサ８１（第１のスペーサ）が介在している。また、素子基板１０において、画素電極５３ａを避けた領域には、粒状スペーサ８１よりも圧縮強度が大きく、粒状スペーサ８１の直径より高さ寸法の低い柱状スペーサ９１（第２のスペーサ）が形成されている。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、該第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された電気光学物質と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在して基板間隔を制御するスペーサとを有する電気光学装置において、
前記スペーサとして、所定の圧縮強度をもって前記第１の基板と第２の基板との間に介在する第１のスペーサと、該第１のスペーサよりも圧縮強度が大きく、当該第１のスペーサより高さ寸法の低い第２のスペーサとが用いられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のスペーサおよび前記第２のスペーサのうち、一方のスペーサは、前記第１の基板と前記第２の基板との間に散布された粒状スペーサであり、
他方のスペーサは、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板に形成されて当該一方の基板から他方の基板に向けて突出する柱状スペーサであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第１のスペーサは、前記第１の基板と前記第２の基板との間に散布された粒状スペーサであり、
前記第２のスペーサは、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板に形成されて当該一方の基板から他方の基板に向けて突出する柱状スペーサであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１において、前記第１のスペーサおよび前記第２のスペーサは、いずれも前記第１の基板と前記第２の基板との間に散布された粒状スペーサであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１において、前記第１のスペーサおよび前記第２のスペーサは、いずれも前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板に形成されて当該一方の基板から他方の基板に向けて突出する柱状スペーサであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質およびスペーサが介在する電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的な電気光学装置である液晶装置では、一対の基板間に電気光学物質としての液晶が保持されており、液晶の層厚を規定するためには基板間隔を制御する必要がある。このため、従来は、一対の基板を貼り合せる際、一方の基板上に多数の粒状スペーサを散布し、これらの粒状スペーサを基板間に介在させることにより、基板間隔を制御している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、一方の基板に柱状スペーサを形成し、この柱状スペーサの先端部を他方の基板に当接させて基板間隔を制御することもある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−４５７０３号公報
【特許文献２】特開２００３−３４４８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなスペーサのうち、粒状スペーサは、一般的に圧縮強度が小さい。このため、基板間に液晶を封入した状態で温度が低下して液晶が体積収縮した場合、負圧により基板間隔が狭くなろうとする分、粒状スペーサは基板に押されて弾性変形する。従って、基板間が負圧状態にならないので、液晶が発泡することがない。しかしながら、粒状スペーサは、圧縮強度が小さいため、基板が押圧された場合に容易に変形してしまう。このため、押圧荷重に対する耐性が弱く、押圧荷重がかかると基板間隔が容易に変動するという問題点がある。
【０００５】
これに対して、柱状スペーサは、一般に圧縮強度が大きい。このため、基板が押圧された場合でも、このような荷重を柱状スペーサが変形することなく支えるので、押圧荷重に対する耐性が強く、押圧荷重がかかっても基板間隔が維持される。しかしながら、柱状スペーサは、圧縮強度が大きいため、基板間に液晶を封入した状態で温度が低下して液晶が体積収縮した場合、基板間隔が狭くなろうとするのを妨げるため、基板間が負圧状態になって液晶が発泡しやすいという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、温度変化により電気光学物質が収縮した際の基板の変形を許容し、かつ、基板に押圧荷重がかかった場合には基板間隔の変動を防止可能な電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、第１の基板と、該第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された電気光学物質と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在して基板間隔を制御するスペーサとを有する電気光学装置において、前記スペーサとして、所定の圧縮強度をもって前記第１の基板と第２の基板との間に介在する第１のスペーサと、該第１のスペーサよりも圧縮強度が大きく、当該第１のスペーサより高さ寸法の低い第２のスペーサとが用いられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、基板間に高さ寸法の高い第１のスペーサが介在しているため、通常時は、第１のスペーサによって基板間隔が制御される。ここで、第１のスペーサは、圧縮強度が低いため、基板間に電気光学物質を保持した状態で温度が低下して電気光学物質が体積収縮した場合、基板間隔が狭くなろうとする分、基板に押されて弾性変形する。従って、基板間が負圧状態にならないので、電気光学物質が発泡することがない。また、基板間には、圧縮強度が大きくて高さ寸法の低い第２のスペーサも介在しているため、基板が押圧された場合、第２のスペーサは、変形することなく押圧荷重を支える。従って、基板はそれ以上、変形することがないので、押圧荷重に対する耐性が強く、押圧荷重がかかっても基板間隔が維持されることになる。このように、本発明によれば、温度変化により電気光学物質が収縮した際の基板の変形をある程度、許容し、かつ、基板に押圧荷重がかかった場合に基板間隔の所定レベル以上の変動を防止できるので、電気光学装置の信頼性を向上することができる。
【０００９】
本発明において、前記第１のスペーサおよび前記第２のスペーサのうち、一方のスペーサは、例えば、前記第１の基板と前記第２の基板との間に散布された粒状スペーサであり、他方のスペーサは、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板に形成されて当該一方の基板から他方の基板に向けて突出する柱状スペーサである。
【００１０】
本発明において、前記第１のスペーサは、前記第１の基板と前記第２の基板との間に散布された粒状スペーサであり、前記第２のスペーサは、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板に形成されて当該一方の基板から他方の基板に向けて突出する柱状スペーサであることが好ましい。柱状スペーサは、感光性樹脂によって硬く形成するのに適しており、樹脂ビーズなどの粒状スペーサは、柔らかいものとして形成するのに適しているので、前記第１のスペーサとして粒状スペーサを用い、前記第２のスペーサとして柱状スペーサを用いることが好ましい。
【００１１】
本発明においては、前記第１のスペーサおよび前記第２のスペーサのいずれについても前記第１の基板と前記第２の基板との間に散布された粒状スペーサを用いてもよい。粒状スペーサの場合、それを散布する前にラビング工程を行えるので、ラビンク処理を基板全面に均等に施すことができるという利点がある。
【００１２】
本発明においては、前記第１のスペーサおよび前記第２のスペーサのいずれについても前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板に形成されて当該一方の基板から他方の基板に向けて突出する柱状スペーサを用いてもよい。柱状スペーサの場合、基板上に形成されるので、例えば、各画素において表示光が出射される部分（いわゆる画素開口部）を避ける位置に限定して形成することができる。従って、画素開口部においてスペーサの存在に起因して電気光学物質の配向が乱れるという不具合を回避できる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００１５】
［実施の形態１］
（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る電気装置の画素構成を示す断面図である。なお、図３では、各画素に形成されている各要素が表れるように、後述する図４（Ａ）のＡ−Ａ′線に示す画素の対角線に沿って電気光学装置を切断したときの断面図で表してある。
【００１６】
図１に示す電気光学装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延びており、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００１７】
このような電気光学装置１ａを構成するにあたって、本形態では、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶１９を封入してある。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶１９の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００１８】
素子基板１０は、対向基板２０とシール材３０によって貼り合わされた状態で対向基板２０の端縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａに向けて、データ線５２ａおよび走査線５１ａに接続する配線パターン８（信号線）が延びている。シール材３０には導電性を有する多数の導通粒子が分散されており、この導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された配線パターン同士を基板間導通させる機能を備えている。このため、本形態では、データ線５２ａに対して画像信号を出力する第１のＩＣ４、および走査線５１ａに走査信号を出力する２つの第２のＩＣ５が素子基板１０の張り出し領域１０ａにＣＯＧ実装され、かつ、この素子基板１０の張り出し領域１０ａの端縁に対して可撓性基板７が接続されている。
【００１９】
なお、電気光学装置１ａと対向するように偏光板や位相差板などが配置されるが、本発明とは直接の関係がないため、それらの図示および説明を省略する。
【００２０】
図２（Ｂ）および図３において、素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材である。素子基板１０の内側（液晶１９の側）表面には、上述した複数のデータ線５２ａ、後述する画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図示せず）、画素電極３４ａ、および配向膜１２などが形成されている。対向基板２０の内側（液晶１９の側）の面上には、画素電極３４ａと対向する領域を避けるようにブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜２１が形成され、画素電極３４ａと対向する領域には、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ２２が所定の配列で形成されている。また、対向基板２０において、遮光膜２１およびカラーフィルタ２２を形成した面には、その平坦化および保護のために平坦化層２３がコーティングされている。平坦化層２３の表面には走査線５１ａが形成され、さらにそれらの表面に配向膜２４が形成されている。
【００２１】
（ＴＦＤ素子の構成）
図４（Ａ）、（Ｂ）は、図２に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたＴＦＤ素子の説明図である。
【００２２】
図４（Ａ）、（Ｂ）において、素子基板１０は、表面に下地層１４が形成され、ＴＦＤ素子５６ａは、この下地層１４の上に形成された第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６ａは、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１４は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成され、ＴＦＤ素子５６ａの密着性を向上させ、さらに素子基板１０からの不純物の拡散を防止するために設けられている。第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂは、第１金属層３２ａと、この第１金属層３２ａの表面に形成された絶縁層３２ｂと、絶縁膜３２ｂの表面に互いに離間して形成された第２金属層３２ｃ、３２ｄとによって構成されている。第１金属層３２ａは、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度タンタル単体膜、タンタル合金膜等によって形成され、絶縁層３２ｃは、例えば、陽極酸化法によって第１金属層３２ａの表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。第２金属層３２ｃ、３２ｄは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層３２ｃは、そのままデータ線５２ａとなり、他方の第２金属層３２ｄは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電材からなる画素電極３４ａに接続されている。
【００２３】
（基板間隔の制御）
図５は、本発明を適用した電気光学装置の効果を示す説明図である。
【００２４】
本形態の電気光学装置１ａにおいて、液晶１９の層厚は素子基板１０と対向基板２０との基板間隔によって制御される。このため、本形態では、素子基板１０と対向基板２０との間には、図３および図４（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する以下に説明するスペーサを介在させてある。
【００２５】
本形態では、スペーサとして、まず、図３に示すように、素子基板１０と対向基板２０との間には、後述する工程で散布された多数の粒状スペーサ８１（第１のスペーサ）が介在しており、これらの粒状スペーサ８１は、所定の圧縮強度をもつ透光性を備えた球状の樹脂ビーズである。
【００２６】
また、本形態では、図３および図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０において、画素電極５３ａを避けた領域、例えば、データ線５２ａが通っている位置のうち、対向基板２０の遮光膜２１と対向する位置に柱状スペーサ９１(第２のスペーサ)が形成されており、配向膜１２は柱状スペーサ９１の上層側に形成されている。ここで、柱状スペーサ９１は、粒状スペーサ８１よりも圧縮強度が大きく、粒状スペーサ８１の直径より高さ寸法の低い透光性の感光性樹脂によって構成されている。このため、柱状スペーサ９１の先端は、対向基板２０に届いておらず、基板間隔は、粒状スペーサ８１によって制御されている。
【００２７】
このように、本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０との基板間に大きな径の粒状スペーサ８１が介在しているため、図５（Ａ）に示すように、通常時は、粒状スペーサ８１によって基板間隔が制御される。ここで、粒状スペーサ８１は、圧縮強度が低いため、基板間に液晶１９を保持した状態で温度が低下して液晶１９が体積収縮した場合、図５（Ｂ）に示すように、基板間隔が狭くなろうとする分、基板に押されて弾性変形する。従って、基板間が負圧状態にならないので、液晶１９が発泡することがない。
【００２８】
また、基板間には、圧縮強度が大きくて高さ寸法の低い柱状スペーサ９１も介在しているため、図５（Ｃ）に示すように、外力で素子基板１０あるいは対向基板２０が押圧された場合、柱状スペーサ９１は変形することなく押圧荷重を支える。従って、素子基板１０および対向基板２０は、それ以上、変形することがない。それ故、本形態の電気光学装置１ａは、押圧荷重に対する耐性が強く、押圧荷重がかかっても基板間隔が維持されることになるので、信頼性が高い。
【００２９】
また、本形態では、柱状スペーサ９１は、感光性樹脂によって硬く形成するのに適しており、樹脂ビーズなどの粒状スペーサ８１は、柔らかいものを作り易い。従って、本形態によれば、特別な樹脂材料を用いる必要がないという利点がある。
【００３０】
さらに、本形態では、粒状スペーサ８１と柱状スペーサ９１の双方を用いているため、一方のみを用いたことに起因する欠点を解消できる。すなわち、粒状スペーサ８１の場合、その位置を制御できないため、多量に用いると、画素電極３４ａ上で液晶１９の配向を乱すという欠点があるが、本形態によれば、このような欠点が顕在化しない。逆に、粒状スペーサ８１の場合、後述するように、それを散布する前にラビング工程を行えるので、ラビンク処理を基板全面に均等に施すことができるという利点を活かすことができる。
【００３１】
また、柱状スペーサ９１の場合、あまり多く素子基板１０に形成すると、素子基板１０に対するラビング処理に乱れが発生するという欠点があるが、本形態によれば、柱状スペーサ９１が低く、かつ、その数も少なくてよいので、ラビング処理を妨げない。逆に、柱状スペーサ９１の場合、画素電極（各画素において表示光が出射される部分／いわゆる画素開口部）を避ける位置に限定して形成することができるので、液晶１９の配向を乱さないという利点を活かすことができる。
【００３２】
（電気光学装置１ａの製造方法）
図６は、図２に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【００３３】
本形態の電気光学装置１ａを製造するにあたっては、図６に示す能動素子形成工程Ｐ１１〜シール材印刷工程Ｐ１６からなる素子基板形成工程と、走査線形成工程Ｐ２１〜粒状スペーサ散布工程Ｐ２４からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、以下に説明する工程の多くは、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大面積の元基板の状態で行われ、元基板同士を貼り合わせた後、切断されるが、以下の説明では、所定サイズに切断した素子基板１０および対向基板２０を用いた例で説明する。
【００３４】
まず、素子基板形成工程のうち、能動素子形成工程ＳＰ１１では、成膜工程、フォトエッチング工程、および陽極酸化工程など、周知の方法でデータ線５２ａ、配線パターン８、およびＴＦＤ素子５６ａなどを形成する。
【００３５】
次に、画素電極形成工程Ｐ１２では、ＩＴＯによって画素電極２３ａを形成するとともに、配線パターン８の端部にＩＴＯ膜を形成してパッドを形成する。
【００３６】
次に、柱状スペーサ形成工程Ｐ１３では、感光性アクリル樹脂などを塗布、感光、現像して、図３を参照して説明した柱状スペーサ９１を形成する。
【００３７】
次に、配向膜形成工程Ｐ１４で配向膜２１を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１５において、配向膜２１に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００３８】
次に、シール材印刷工程Ｐ１６において、図２に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材３０を環状に塗布する。なお、シール材３０の一部分に液晶注入用の開口を形成しておく。
【００３９】
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程では、まず、対向電極形成工程Ｐ２１において、遮光膜２１およびカラーフィルタ２２などに続いて走査線５１ａを形成した後、配向膜形成工程Ｐ２２で配向膜２４を形成し、次に、ラビング処理工程Ｐ２３において配向膜２４に対してラビング処理その他の配向処理を行う。次に、対向基板２０に対して、図３を参照して説明する粒状スペーサ８１を散布する粒状スペーサ散布工程Ｐ２４を行う。
【００４０】
そして、貼り合わせ工程Ｐ３１において、素子基板１０と対向基板２０とを位置合わせした上でシール材３０を間に挟んで、基板１０、２０同士を貼り合わせ、次に、シール材硬化工程Ｐ３２で、紫外線硬化その他の方法でシール材３０を硬化させる。これにより、空のパネル構造体を形成した後、液晶注入工程Ｐ３３において、液晶注入用の開口からパネルの内側に液晶を減圧注入し、次に、注入口封止工程Ｐ３４において、封止材３１で開口を封止する。しかる後に、実装工程Ｐ３５において、素子基板１０に対して、ＩＣ４、５、および可撓性基板７を異方性導電材で実装し、電気光学装置１ａを完成させる。
【００４１】
［実施の形態２］
図７は、図本発明の実施の形態２に係る電気装置の画素構成を示す断面図であり、図３と同様、画素を斜めに切断した様子を示してある。なお、本形態の電気光学装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００４２】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０との間には、大径の第１の粒状スペーサ８１（第１のスペーサ）が介在しており、これらの粒状スペーサ８１は、所定の圧縮強度をもつ透光性の樹脂ビーズである。
【００４３】
また、本形態では、素子基板１０と対向基板２０との間に第１の粒状スペーサ８１よりも圧縮強度が大きく、第１の粒状スペーサ８１の直径より小さな第２の粒状スペーサ８２（第２のスペーサ）が介在している。第２の粒状スペーサ８２も透光性の球状の樹脂ビーズであり、本形態では、柱状スペーサは形成されていない。
【００４４】
このように、本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０との基板間に大きな径の第１の粒状スペーサ８１が介在しているため、通常時は、第１の粒状スペーサ８１によって基板間隔が制御される。ここで、第１の粒状スペーサ８１は、圧縮強度が低いため、基板間に液晶１９を保持した状態で温度が低下して液晶１９が体積収縮した場合、基板間隔が狭くなろうとする分、基板に押されて弾性変形する。従って、基板間が負圧状態にならないので、液晶１９が発泡することがない。
【００４５】
また、基板間には、圧縮強度が大きくて径が小さな第２の粒状スペーサ８２も介在しているため、外力で素子基板１０あるいは対向基板２０が押圧された場合、第２の粒状スペーサ８２は、変形することなく押圧荷重を支える。従って、素子基板１０および対向基板２０は、それ以上、変形することがない。それ故、本形態の電気光学装置１ａは、押圧荷重に対する耐性が強く、押圧荷重がかかっても基板間隔が維持されることになるので、信頼性が高い。
【００４６】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る電気装置の画素構成を示す断面図であり、図３と同様、画素を斜めに切断した様子を示してある。なお、本形態の電気光学装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００４７】
図８に示すように、本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０において、画素電極５３ａを避けた領域、例えば、データ線５２ａが通っている位置のうち、対向基板２０の遮光膜２１と対向する位置に、所定の圧縮強度を有する第１の柱状スペーサ９２(第１のスペーサ)が形成されており、配向膜１２は第１の柱状スペーサ９２の上層側に形成されている。
【００４８】
また、本形態では、素子基板１０において、画素電極５３ａおよび第１の柱状スペーサ９２を避けた領域に、第１の柱状スペーサ９２よりも圧縮強度が大きく、第１の柱状スペーサ９２より高さ寸法の低い第２の柱状スペーサ９１(第２のスペーサ)が形成されている。このため、第２の柱状スペーサ９１の先端は、対向基板２０に届いておらず、基板間隔は、第１の柱状スペーサ９２によって制御されている。ここで、柱状スペーサ９１、９２は、感光性樹脂を塗布、露光後、現像により形成されたものであり、本形態では、粒状スペーサは用いられていない。
【００４９】
このように、本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０との基板間に背の高い第１の柱状スペーサ９２が介在しているため、通常時は、第１の柱状スペーサ９２によって基板間隔が制御される。ここで、第１の柱状スペーサ９２は、圧縮強度が低いため、基板間に液晶１９を保持した状態で温度が低下して液晶１９が体積収縮した場合、基板間隔が狭くなろうとする分、基板に押されて弾性変形する。従って、基板間が負圧状態にならないので、液晶１９が発泡することがない。
【００５０】
また、基板間には、圧縮強度が大きくて高さ寸法の低い第２の柱状スペーサ９１も介在しているため、外力で素子基板１０あるいは対向基板２０が押圧された場合、第２の柱状スペーサ９１は、変形することなく押圧荷重を支える。従って、素子基板１０および対向基板２０は、それ以上、変形することがない。それ故、本形態の電気光学装置１ａは、押圧荷重に対する耐性が強く、押圧荷重がかかっても基板間隔が維持されることになるので、信頼性が高い。
【００５１】
［その他の実施の形態］
なお、実施の形態１では、粒状スペーサを第１のスペーサとして用い、柱状スペーサを第２のスペーサとして用いたが、柱状スペーサを第１のスペーサとして用い、粒状スペーサを第２のスペーサとして用いてもよい。また、上記形態では、粒状スペーサとして球状の樹脂ビーズを用いたが、棒状の粒状スペーサを用いてもよい。
【００５２】
上記形態は、ＴＦＤを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、ＴＦＴを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置、あるいは非線形素子を用いないパッシブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。また、液晶装置に限らず、一対の基板間に電気光学物質を保持し、かつ、これらの基板間隔を制御する必要のある電気光学装置であれば、いかなる電気光学装置にも本発明を適用することができる。
【００５３】
［電子機器への適用例］
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気装置の画素構成を示す断面図である。
【図４】図２に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたＴＦＤ素子の説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の効果を示す説明図である。
【図６】図２に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気装置の画素構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気装置の画素構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ａ  電気光学装置、１０  素子基板（第１の基板）、１９  液晶（電気光学物質）、２０  対向基板（第２の基板）、８１  粒状スペーサ（第１のスペーサ）、８２  粒状スペーサ（第２のスペーサ）、９１  柱状スペーサ(第２のスペーサ)、９２  柱状スペーサ(第１のスペーサ)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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