(57)【要約】【課題】セルギャップを均一に維持することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は第1解像度を持つ第1パネル;前記第1解像度より低い第2解像度を持つ第2パネル;及びセルギャップを維持するために前記第2パネルのアレイ基板上に形成された補償パターンを含む。【選択図】  図4
2005196174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1解像度を持つ第1パネルと、前記第1解像度より低い第2解像度を持つ第2パネルと、セルギャップを維持するために前記第2パネルのアレイ基板上に形成された補償パターンを含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補償パターンは前記アレイ基板のゲートバスライン上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記補償パターンは前記アレイ基板のアクティブ層と同一層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 
【請求項４】
前記補償パターンは前記アレイ基板のアクティブ層と等しい材質を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補償パターンは前記アレイ基板のソース/ドレイン電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記補償パターンは前記アレイ基板のソース/ドレイン電極と等しい材質を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 
【請求項７】
前記補償パターンは四角形、円型、三角形及び多角形の中の一つを持つように形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第1及び第2パネルは相違しているサイズを持つことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
解像度が相違している第1及び第2パネルが具備された液晶表示装置を製造する方法において、前記第1パネルの第1基板及び前記第2パネルの第2基板上にゲート電極とゲートバスラインを形成する段階と、前記ゲートバスラインが形成された前記第1及び第2基板上にゲート絶縁層を形成する段階と、前記ゲート絶縁層が形成された前記第1及び第2基板上にチャンネル層とオミックコンタック層で成り立ったアクティブ層を形成すると同時に前記第1パネルの前記第1基板上に補償パターンを形成する段階と、前記アクティブ層が形成された前記第1及び第2基板上にソース/ドレイン電極とデータバスラインを形成する段階と、前記ソース/ドレイン電極が形成された前記第1及び第2基板上に画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第1パネルは前記第2パネルより解像度が低いことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記補償パターンは前記ゲートバスライン上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記補償パターンは前記アクティブ層と同一層に形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記補償パターンは前記アクティブ層と等しい材質を含むことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記補償パターンは四角形、円型、三角形及び多角形の中の一つを持つように形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
解像度が相違している第1及び第2パネルが具備された液晶表示装置を製造する方法において、前記第1パネルの第1基板及び前記第2パネルの第2基板上にゲート電極とゲートバスラインを形成する段階と、前記ゲートバスラインが形成された前記第1及び第2基板上にゲート絶縁層を形成する段階と、前記ゲート絶縁層が形成された前記第1及び第2基板上にチャンネル層とオミックコンタック層で成り立ったアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層が形成された前記第1及び第2基板上にソース/ドレイン電極とデータバスラインを形成すると同時に前記第1パネルの前記第1基板上に補償パターンを形成する段階と、前記ソース/ドレイン電極が形成された第1及び第2基板上に画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第1パネルは前記第2パネルより解像度が低いことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記補償パターンは前記ゲートバスライン上に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記補償パターンは前記ソース/ドレイン電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記補償パターンは前記アレイ基板のソース/ドレイン電極と等しい材質を含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。 
【請求項２０】
前記補償パターンは四角形、円型、三角形及び多角形の中の一つを持つように形成されることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特にセルギャップを均一に維持することができる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近になって、液晶表示装置(LCD)、電子発光素子(ELD)、プラズマディスプレーパネル(PDP)、真空蛍光表示板(VFD)等のような平板表示素子(flat panel display)に対する研究が活溌に進められている。 
この中で、前記液晶表示装置は低電圧駆動、低消費電力、軽量スリム(lightweight and slim profile)、フルカラー等の長所を持つ。これによって、液晶表示装置は時計及び電卓の表示窓、コンピューターのモニター、テレビ受信機能を持つモニター、 TV、携帯端末(hand-held terminal)等に活発に使用されている。
【０００３】
前記液晶表示装置は薄膜トランジスターと画素電極が形成されたアレイ基板、カラーフィルター層と共通電極が形成されたカラーフィルター基板そして前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板の間に形成された液晶層で構成される。このように構成された画素電極と共通電極に所定の電圧が印加されて、これに従って前記画素電極と前記共通電極の間に電界が発生される。そして、このような電界によって液晶分子等が制御され光透過率が調節されて、調節された光透過率が前記カラーフィルター層を通過しながら可視光に変換されて希望する画像にディスプレーされるようになる。
【０００４】
一般的なカラーフィルター基板の製造工程は次のように説明されることができる。図1Ａ乃至図１Ｃは従来のカラーフィルター基板の製造工程を図示した断面図である。
【０００５】
図１Ａに図示したように、透明性硝子基板(10)上にクロム(Cr)等のような抵反射特性を持つ不透明金属膜に増着してパターン化してブラックマトリックス層(1)を形成する。又は透明性硝子基板(10)上に感光性ブラック樹脂を塗布した後これを露光して腐刻してブラックマトリックス層(1)を形成することもできる。 
【０００６】
前記ブラックマトリックス層(1)が前記硝子基板(10)上に形成されれば、図１Ｂに図示されたように、レッド(3)、グリーン(5)及びブルー(7)カラーフィルター等を含むカラーフィルター層を形成する。
【０００７】
通常カラーフィルター層(3, 5, 7)は顔料噴射法によって形成される。前記顔料噴射法は予め用意された顔料が混合した感光性レジストを基板にスピン塗布して、露光及び現象する工程を繰り返すことで、レッドカラーフィルター(3)、グリーンカラーフィルター(5)及びグリーンカラーフィルター(3, 5, 7)を形成する。
【０００８】
例えば、レッド感光性レジストを前記硝子基板(10)上にスピン塗布した後、これを露光及び現象してレッドカラーフィルター(3)を形成する。引き続きグリーン感光性レジストを前記硝子基板(10)上にスピン塗布した後、これを露光及び現象してグリーンカラーフィルター(5)を形成する。同じように、ブルー感光性レジストを前記硝子基板(10)上にスピン塗布した後、これを露光及び現象してブルーカラーフィルター(7)を形成する。このような方法を繰り返し的に遂行することで、前記硝子基板(10)全体にレッド、グリーン及びブロックカラーフィルター(3, 5, 7)等が形成される。 
【０００９】
このようにレッド、グリーン、ブルーカラーフィルター等(3, 5, 7)を含むカラーフィルター層が形成されれば、図１Ｃに図示されたように、前記ブラックマトリックス層(1)とカラーフィルター層を平坦化するため、前記上部基板(10)上に絶縁特性を持つ透明な樹脂を塗布してオーバーコート層(9)を形成する。
そして、図１Ｃには図示されなかったが、前記オーバーコート層(9)上に共通電圧を印加するための共通電極が形成される。 
【００１０】
図2は一般的なＭＭＧモデルによるカラーフィルター基板の構造を図示した図面である。
ＭＭＧ(Multi Mode On Glass)モデルは一つの硝子基板上に解像度が相違しているパネル等を製造する。 
図２に図示されたように、前記ＭＭＧモデルの一例で硝子基板上にＶＧＡパネルとＸＧＡパネルが具備される。 
【００１１】
硝子基板上に具備されたＸＧＡパネルのブラックマットリックス構造とカラーフィルター等の厚さはＶＧＡパネルのブラックマットリックス構造とカラーフィルター等の厚さと相違する。又、前記ＶＧＡパネルは画素の大きさがより大きいことで解像度が低く、前記ＸＧＡパネルは画素の大きさが小さいことで解像度が大きい。
【００１２】
ＭＭＧモデルはこのように一つの硝子基板に解像度が相違している２個のパネルを同時に具備するために硝子基板の使用効率を極大化させることができる長所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、前記のように一つの硝子基板上に解像度が相違しているパネル等を同時に具備したＭＭＧモデルはスピンコーティング方式を利用してカラーフィルター等が形成される。このような場合、ＸＧＡパネルの格子構造のブラックマットリックスの間の間隔とＶＧＡパネルの格子構造のブラックマットリックスの間の間隔がお互いに相違するようになる。従って、このようにブラックマットリックスの間の間隔の差によって前記ブラックマットリックスの間に形成されるカラーフィルター等の厚さが変わる問題がある。
【００１４】
図３は従来のＭＭＧモデル液晶表示装置でＸＧＡパネルとＶＧＡパネルの間にセルギャップが不均一になることを現わした図面である。 
図３に図示されたように、 ＭＭＧモデル液晶表示装置でお互いに相違する解像度を持つパネル等が具備される。このために、前記各パネル等にはスピンコーティング方式によってカラーレジストが塗布される。このような場合、前記カラーレジストがブラックマットリックス上に広がって行くようになる。前に説明したように、解像度が相違するパネル等に形成されたブラックマットリックス間の間隔はお互いに相違するようになる。従って、前記カラーレジストがこのようなお互いに相違するブラックマットリックス間の間隔によって広がる程度が変わるようになって結局形成されたカラーフィルター等の厚さが変わるようになる。即ちＶＧＡパネルのカラーフィルター等の厚さよりＸＧＡパネルのカラーフィルター等の厚さがもっと大きくなる。これはＶＧＡパネルのカラーフィルター基板の厚さよりＸＧＡパネルのカラーフィルター基板の厚さがもっと大きくなるようになることを意味する。従って、このようにお互いに相違する解像度を持つパネル等それぞれのカラーフィルター等の厚さの差によってＭＭＧモデル液晶表示装置でＶＧＡパネルとＸＧＡパネルのセルギャップ等が均一ではなくなる。 
【００１５】
このような問題を解決するため、アレイ基板とカラーフィルター基板を合着する時ボールスペイサーを散布するか又はアレイ基板の非透過領域にコラムスペイサーを配置してセルキャップを維持しようと試図されているが、セルギャップが広い領域と狭い領域に存在するようになり結局均一なセルギャップを維持することは難しい。このような非均一なセルギャップは光経路の差を誘発して画質を低下させるようになる。 
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、お互いに相違する解像度を持つパネル等が具備されたＭＭＧモデルで相対的にカラーフィルター等の厚さが小さな領域に対応されるアレイ基板上に補償パターンを形成することで、均一なセルギャップを維持することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００１７】
本発明の望ましい一実施例による液晶表示装置は、第1解像度を持つ第1パネル;前記第1解像度より低い第２解像度を持つ第２パネル;及びセルギャップを維持するために前記第２パネルのアレイ基板上に形成された補償パターンを含む。
前記補償パターンは前記アレイ基板のゲートバスライン上に形成されることができる。
前記補償パターンは前記アレイ基板のアクティブ層と同一層に形成されることができる。 
前記補償パターンは前記アレイ基板のアクティブ層と等しい材質を含むことができる。
前記補償パターンは前記アレイ基板のソース/ドレイン電極と同一層に形成されることができる。
前記補償パターンは前記アレイ基板のソース/ドレイン電極と等しい材質を含むことができる。
【００１８】
本発明の望ましい他の実施例によれば、解像度が相違している第1及び第2パネルが具備された液晶表示装置の製造方法は、前記第1パネルの第1基板及び前記第２パネルの第2基板上にゲート電極とゲートバスラインを形成する段階;前記ゲートバスラインが形成された第1及び第2基板上にゲート絶縁層を形成する段階;前記ゲート絶縁層が形成された第１及び第２基板上にチャンネル層とオミックコンタック層で成り立ったアクティブ層を形成すると同時に前記第1パネルの前記第1基板上に補償パターンを形成する段階;前記アクティブ層が形成された第1及び第2基板上にソース/ドレイン電極とデータバスラインを形成する段階;及び前記ソース/ドレイン電極が形成された第1及び第2基板上に画素電極を形成する段階を含む。 
【００１９】
本発明の望ましい又他の実施例によれば、解像度が相違している第1及び第2パネルが具備された液晶表示装置の製造方法は、前記第1パネルの第1基板及び前記第２パネルの第2基板上にゲート電極とゲートバスラインを形成する段階;前記ゲートバスラインが形成された第1及び第2基板上にゲート絶縁層を形成する段階;前記ゲート絶縁層が形成された第1及び第2基板上にチャンネル層とオミックコンタック層で成り立ったアクティブ層を形成する段階;前記アクティブ層が形成された第1及び第2基板上にソース/ドレイン電極とデータバスラインを形成する同時に前記第1パネルの前記第1基板上に補償パターンを形成する段階;及び前記ソース/ドレイン電極が形成された基板上に画素電極を形成する段階を含む。
【発明の効果】
【００２０】
以上でよく見たように、本発明は解像度が相違したパネル等を具備したＭＭＧモデルで各パネルのカラーフィルター層の厚さの偏差を償うために補償パターンをアレイ基板上に形成することで、均一なセルギャップを維持するようにした効果がある。
本発明はアクティブ層又はソース/ドレイン電極を形成する時に補償パターンを同時に形成することで追加工程が必要なくなって工程費用が追加されない長所がある。
本発明は前記した実施例に限定されないで、以下請求の範囲で請求する本発明の要旨に外れることなく当該発明が属する分野で通常の知識を持った者なら誰でも多様な変更の実施が可能なはずである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を説明する。
図４は本は発明の望ましい一実施例によるＭＭＧモデル液晶表示装置の画素構造をした図面である。 ＭＭＧモデルは一つの硝子基板上にお互いに解像度が相違したＶＧＩパネルとＸＧＩパネルが具備される。ＶＧＡパネルとＸＧＡパネル全部はアレイ基板とカラーフィルター基板が液晶層を間に置いて合着されて作られるようになる。解像度は通常カラーフィルター基板にマトリックス形態に配列されたＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター等のサイズによって決定される。従って、解像度が相対的に低いＶＧＡパネルでのカラーフィルター等はサイズが大きくて、解像度が相対的に高いＸＧＡパネルでのカラーフィルター等はサイズが小さい。このような場合、このようなカラーフィルター等は通常スピンコーティング方式によって形成されるのに、このようにカラーフィルター等のサイズが大きいか小さいかによってカラーフィルターの厚さが相違するようになる。即ち、ＶＧＡパネルのカラーフィルター等の厚さよりＸＧＡパネルのカラーフィルター等の厚さがもっと大きくなる。このように解像度がお互いに相違したパネル等のカラーフィルター等の厚さの差によってアレイ基板とカラーフィルター基板が合着される時、セルギャップが均一に維持されなくなる。
【００２２】
本発明ではこのようなしたセルギャップを償って均一なセルギャップが維持されるようにするためにＶＧＡパネルのアレイ基板上に補償パターン(120)を配置する。ＭＭＧモデルでＶＧＡパネルのアレイ基板が図４に図示された。
【００２３】
図4に図示されたように、硝子基板上に垂直で交差配列されたデータバスライン(103)とゲートバスライン(101)によって単位画素領域が定義される。前記単位画素領域には薄膜トランジスターと画素電極(109)が配置される。即ち、前記薄膜トランジスターはアクティブ層を間に置いてゲート電極(100)とソース/ドレイン電極(106a, 106b)で構成される。この時、前記ゲート電極(100)は前記ゲートバスライン(101)に連結されて、前記ソース電極(106a)は前記データバスライン(103)に連結され、前記ドレイン電極(106b)は前記画素電極(109)に連結される。従って、ゲートバスライン(101)に供給されたゲート信号とデータバスライン(103)に供給されたデータ信号によって前記薄膜トランジスターがターン-オンされ、ターン-オンされた薄膜トランジスターを通じて前記データ信号が前記画素電極に印加されるようになる。
【００２４】
本発明ではＭＭＧモデルでお互いに相違した解像度を持つパネル等それぞれのカラーフィルター等の厚さの差によるセルギャップ不均衡を防止するためにゲートバスライン(101)上に厚さを偏差を償うための補償パターン(120)が配置されている。前記補償パターン(120)は四角パターン形態に形成されることができる。勿論、必要な場合前記補償パターン(120)は四角パターン形態以外に三角パターン形態、円パターン形態、多角形パターン形態等に形成されることもできる。
【００２５】
前記補償パターン(120)はアクティブ層又はソース/ドレイン金属膜で成り立つことができる。このように、ＶＧＡパネルのアレイ基板の前記ゲートバスライン(101)上に補償パターン(120)が形成されることで、 ＶＧＡパネルとＸＧＡパネル間の発生された非均一なセルギャップを償ってＭＭＧモデル全体的に均一なセルギャップが維持されるようになる。
【００２６】
図５は図４のＭＭＧモデル液晶表示装置の画素構造でI-I'ラインの断面図である。
ＭＭＧモデルにはＶＧＡパネルとＸＧＡパネルが具備される。前記ＶＧＡパネルには図５に図示されたように、カラーフィルター基板(200a)に形成されたカラーフィルター層(210)の厚さがＸＧＡパネルに形成されたカラーフィルター層の厚さに比べて相対的に小さい。このようにＶＧＡパネルにはカラーフィルター基板(200a)のカラーフィルター層(210)に対応されるアレイ基板(200b)上に補償パターン(120)が形成される。
【００２７】
前記補償パターン(120)上にはカラムスペーサー(220)がオールラインで形成されて前記カラーフィルター基板(200a)とアレイ基板(200b)のセルギャップが均一に維持される。もしＶＧＡパネルに前記補償パターン(120)が形成されなかったら、前記カラムスペーサー(220)の一側は前記アレイ基板(200b)に接触されなくなることがある。このような場合、前記カラムスペーサー(220)はセルギャップの維持の役目を遂行することができなくなる。
【００２８】
前記アレイ基板(200b)の製造工程の中でアクティブ層又はソース/ドレイン電極が形成される時、前記補償パターン(120)が同時に形成されることができる。
即ち、ゲート金属膜が前記アレイ基板(200b)上に増着されて腐刻されゲート電極とゲートバスライン(101)が形成される。ゲート絶縁層(203)が前記ゲート電極とゲートバスライン(101)が形成された前記アレイ基板(200b)の全領域上に形成される。非晶質シリコーン膜とドーピングされた非晶質シリコーン膜が前記ゲート絶縁層(203)が形成されたアレイ基板(200b)上に塗布されて腐刻されチャンネル層とオミックコンタック層で成り立ったアクティブ層が形成される。この時、ＶＧＡパネルのカラーフィルター基板(200a)で発生されたカラーフィルター層(210)の厚さの偏差を償うために前記補償パターン(120)が前記ゲートバスライン(101)上に形成される。ここで、前記補償パターン(120)は前記アクティブ層と同時に形成される。これによって、前記補償パターンの厚さは前記アクティブ層の厚さと等しくておおよそ1μm〜1．5μm程度になる。ゆえに、前記補償パターン(120)が形成された領域が相対的に高く突出されるようになって、このように突出された領域にカラムスペーサー(220)が置かれる場合1μm〜1．5μm程度の高さの補償によって前記突出された領域とカラムスペーサー(220)と接触するようになってセルギャップが維持される。
【００２９】
ソース/ドレイン金属膜が前記アクティブ層が形成されアレイ基板(200b)上に増着されて腐刻されソース/ドレイン電極とデータバスラインが形成される。引き続き、保護膜(205)が前記データバスラインが形成されたアレイ基板(200b)の全領域上に形成された後、前記保護膜(205)の一定領域にコンタックホールが形成される。透明金属であるＩＴＯ金属膜が前記コンタックホールが形成された保護膜(205)上に増着されて腐刻され画素電極が形成される。この時、前記画素電極は前記コンタックホールを通じて前記ドレイン電極に連結されるようになる。表面平坦化のための透明な絶縁物質で成り立ったオーバーコート層が前記画素電極が形成されたアレイ基板(200b)上に形成されることもできる。
【００３０】
本発明では前記補償パターン(120)がアクティブ層が形成される時ではなくソース/ドレイン電極が形成される時に同時に形成されるようにすることもできる。即ち、前記アクティブ層が形成されたアレイ基板(200b)上にソース/ドレイン電極を形成するためにソース/ドレイン金属膜を増着して腐刻する時、前記ゲートバスライン(101)上にソース/ドレイン金属膜で成り立った補償パターン(120)が形成されることができる。 
【００３１】
前記ソース/ドレイン金属膜は前記アクティブ層の厚さより多少厚い2μm〜2．5μmの厚さを持つ。このように前記補償パターン(120)をソース/ドレイン金属膜で形成する場合前記補償パターン(120)上にカラムスペーサー(220)が置かれる場合2μm〜2．5μm程度の高さの補償が可能になる。 
【００３２】
図面では図示したが説明しない図面番号230はオーバーコート層である。
図6は本発明の望ましい一実施例によるＭＭＧモデル液晶表示装置でＶＧＡパネルとＸＧＡパネル間にセルギャップが均一に維持される形態を図示した図面である。 
図6に図示されたように、 ＭＭＧモデルに同時に具備されたＶＧＡパネル及びＸＧＡパネル全部にカラーフィルター基板(200a)上にカラーフィルター層(210, 215)及びオーバーコート層(230)が形成されて、アレイ基板(200b)上にゲートバスライン(101)、ゲート絶縁層(203)及び保護膜(205)が形成される。前記ＶＧＡパネル及び前記ＸＧＡパネルは相違したサイズを持つことができる。
【００３３】
前に説明したように、ＶＧＡパネルのカラーフィルター層(210)の厚さはＸＧＡパネルのカラーフィルター層(215)の厚さより薄い。そして、ＶＧＡパネルのカラムスペーサー(220)とＸＧＡパネルのカラムスペーサー(225)の高さは等しい。このような場合、ＶＧＡパネルのカラーフィルター層(210)とＸＧＡパネルのカラーフィルター層(215)との厚さの差によってＶＧＡパネルのカラムスペーサー(220)の一側は前記アレイ基板(200b)の上部表面に接触されなくなる。結局、ＶＧＡパネルとＸＧＡパネルの間のセルギャップが一定に維持されなくなる。 
【００３４】
ＶＧＡパネルとＸＧＡパネルの間の非均一なセルギャップを償うために本発明ではＶＧＡパネルに補償パネル(120)が形成される。もっと正確には前記補償パターン(120)は前記ＶＧＡパネルのアレイ基板のゲートバスライン(101)上に形成される。
【００３５】
実験の結果解像度が高いＸＧＡパネルのカラーフィルター層(210)の厚さが解像度が低いＶＧＡパネルのカラーフィルター層(215)の厚さより厚くなることを確認した。これによって、カラーフィルター層(210)の厚さが薄い前記ＶＧＡパネルのアレイ基板(200b)のゲートバスライン(101)上に補償パターン(120)を形成することで、ＶＧＡパネルとＸＧＡパネル間のセルギャップが一定するように維持されることができる。 
【００３６】
従って、厚い厚さを持つカラーフィルター層(215)を具備したＸＧＡパネルはアレイ基板(200b)とカラムスペーサー(225)だけでセルギャップ(cell gap)を維持するのに比べ、厚さが薄いカラーフィルター層(210)を具備したＶＧＡパネルはアレイ基板(200b)、支持スペイサー(220)及び前記アレイ基板(200b)上に形成された補償パターン(120)によってセルギャップが維持される。
【００３７】
従って、本発明ではＭＭＧモデルのカラーフィルター基板上にスピンコーティング方式によってカラーフィルター層を形成する時、 ＶＧＡパネルとＸＧＡパネルのそれぞれの流速の差によるカラーフィルター層の厚さの差を補償パターンで償うことで、均一なセルギャップ(cell gap)を維持するようにした。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】従来のカラーフィルター基板の製造工程を図示した断面図である。
【図１Ｂ】従来のカラーフィルター基板の製造工程を図示した断面図である。
【図１Ｃ】従来のカラーフィルター基板の製造工程を図示した断面図である。
【図２】一般的なＭＭＧモデルによるカラーフィルター基板の構造を図示した図面である。
【図３】従来のＭＭＧモデル液晶表示装置でＸＧＡパネルとＶＧＡパネル間にセルギャップが不均一になることを現わした図面である。
【図４】本発明の望ましい一実施例によるＭＭＧモデル液晶表示装置の画素構造を図示した図面である。
【図５】図４のＭＭＧモデル液晶表示装置の画素構造でI-I'ラインの断面図である。
【図６】本発明の望ましい一実施例によるＭＭＧモデル液晶表示装置でＶＧＡパネルとＸＧＡパネル間にセルギャップが均一に維持される形態を図示した図面である。
【符号の説明】
【００３９】
100 :ゲート電極
101:ゲートバスライン
103 :データバスライン
106a, 106b:ソース/ドレイン電極
109 :画素電極
120 :補償パターン
200a :カラーフィルター基板
200b :アレイ基板
203 :ゲート絶縁層
205 :保護膜
210, 215 :カラーフィルター層
220, 225 :カラムスペーサー
【図１Ａ】
2005196174.tif 000003
【図１Ｂ】
2005196174.tif 000004
【図１Ｃ】
2005196174.tif 000005
【図２】
2005196174.tif 000006
【図３】
2005196174.tif 000007
【図４】
2005196174.tif 000008
【図５】
2005196174.tif 000009
【図６】
2005196174.tif 000010