(57)【要約】【課題】  ＴＦＴを検査する精度を高める。【解決手段】  発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置１０であって、ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第１電流供給回路１００と、予め定められた規定電流がＴＦＴのドレイン及びソース間に流れるようにＴＦＴのゲートに印加するゲート電圧を調整するゲート電圧調整回路１１０と、ゲート電圧調整回路により調整されたゲート電圧を測定する測定部１２０とを備える検査装置１０を提供する。【選択図】図２
2005150274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、
前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第１電流供給回路と、
予め定められた規定電流が前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に流れるように前記ＴＦＴのゲートに印加するゲート電圧を調整するゲート電圧調整回路と、
前記ゲート電圧調整回路により調整されたゲート電圧を測定する測定部と
を備える検査装置。
【請求項２】
前記ゲート電圧調整回路は、前記第１電流供給回路が供給するドレイン電流が前記規定電流より多い場合に、当該ドレイン電流を減らすように前記ゲート電圧を調整し、前記第１電流供給回路が供給するドレイン電流が前記規定電流より少ない場合に、当該ドレイン電流を増やすように前記ゲート電圧を調整する
請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記第１電流供給回路は、
予め定められた電位の電圧源と、
前記電圧源に接続する電気抵抗と、
前記電気抵抗に接続され、前記ＴＦＴに電流を供給する出力端子と
を有し、前記電圧源の電位及び前記電気抵抗の抵抗値は、前記出力端子の電位が予め定められた規定電圧である場合に当該第１電流供給回路が前記規定電流を供給するように調整されており、
前記ゲート電圧調整回路は、前記出力端子の電位及び前記規定電圧を入力し、前記出力端子の電位及び前記規定電圧が異なる場合に、前記出力端子の電位を前記規定電圧に等しくするゲート電圧を前記ＴＦＴに印加するアンプを有する
請求項２記載の検査装置。
【請求項４】
前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、
前記ＴＦＴのドレイン又はソースの一方は、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、
前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴのドレイン又はソースの他方に前記ＴＦＴを前記飽和領域で動作させる電圧を印加することによりドレイン電流を供給し、
前記ゲート電圧調整回路は、互いに大きさの異なる少なくとも２つの前記規定電流がドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、
前記測定部は、前記ゲート電圧調整回路により調整された少なくとも２つの前記ゲート電圧を順次測定し、
測定した当該ゲート電圧に基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値を算出する算出部を更に備える
請求項１記載の検査装置。
【請求項５】
前記ＴＦＴのソースが、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、
前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第２電流供給回路と、
前記ＴＦＴのゲートに予め定められたゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、
前記ゲート電圧及び前記ドレイン電圧の電位差が予め設定した設定電位でありかつ前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させるように、前記第２電流供給回路により供給される前記ドレイン電流を調整するドレイン電流調整回路と
を更に備え、
前記測定部は、互いに異なる少なくとも２つの前記設定電位について、前記ドレイン電流調整回路により調整された前記ドレイン電流を順次測定し、
前記算出部は、順次測定された前記ドレイン電流と、算出した前記β値とに基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差である閾値電圧を算出する
請求項４記載の検査装置。
【請求項６】
前記ＴＦＴのソースが、大きさが不明の電気抵抗を介して接地されており、
前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給し、
前記ゲート電圧調整回路は、互いに大きさの異なる少なくとも３つの前記規定電流がドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、
前記測定部は、前記ゲート電圧調整回路により調整された少なくとも３つの前記ゲート電圧を順次測定し、
前記算出部は、測定した当該ゲート電圧に基づいて、前記β値と、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧とを算出する
請求項４記載の検査装置。
【請求項７】
前記検査装置は、マトリックス状に配列された複数のＴＦＴであるＴＦＴアレイを検査する装置であって、
前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴアレイに含まれる各ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次電流を供給し、
前記ゲート電圧調整回路は、前記第１電流供給回路により電流が供給されているＴＦＴについて、互いに大きさの異なる少なくとも２つの前記規定電流が当該ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、
前記測定部は、前記複数のＴＦＴのそれぞれに対して調整された前記ゲート電圧を測定し、
前記算出部は、前記複数のＴＦＴのそれぞれについて前記β値を算出し、ＴＦＴ毎の前記β値のばらつきが予め定められた基準より大きい場合に、前記ＴＦＴアレイが不良である旨を出力する
請求項４記載の検査装置。
【請求項８】
前記検査装置は、マトリックス状に配列された複数のＴＦＴであるＴＦＴアレイを検査し、
前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴアレイに含まれる各ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次電流を供給し、
前記ゲート電圧調整回路は、前記第１電流供給回路により電流が供給されているＴＦＴについて、互いに大きさの異なる少なくとも２つの前記規定電流が当該ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、
前記測定部は、前記複数のＴＦＴのそれぞれに対して調整された前記ゲート電圧を測定し、
前記複数のＴＦＴのそれぞれについて、測定された少なくとも２つの前記ゲート電圧に基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すために要するゲート電圧及び接地電位の電位差の閾値を算出し、ＴＦＴ毎に算出した当該閾値のばらつきが予め定められた基準より大きい場合に、前記ＴＦＴアレイが不良である旨を出力する算出部を更に備える
請求項１記載の検査装置。
【請求項９】
前記ＴＦＴアレイは、前記複数のＴＦＴに共通な電源配線を有し、
前記第１電流供給回路は、前記電源配線を介して各ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給し、
前記ＴＦＴアレイにおける全てのＴＦＴを駆動させない状態において、前記第１電流供給回路から前記電源配線に供給されるオフセット電流の大きさを測定し、前記測定部がゲート電圧を測定する時に、前記電源配線に更に前記オフセット電流を供給するオフセット電流測定部を更に備える
請求項８記載の検査装置。
【請求項１０】
発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、
前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、
前記ＴＦＴのソースは、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、
前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第２電流供給回路と、
前記ＴＦＴのゲートに予め定められたゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、
前記ゲート電圧及び前記ドレイン電圧の電位差が予め設定した設定電位でありかつ前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させるように、前記第２電流供給回路により供給される前記ドレイン電流を調整するドレイン電流調整回路と、
互いに異なる少なくとも２つの前記設定電位について、前記ドレイン電流調整回路により調整された前記ドレイン電流を順次測定する測定部と、
順次測定された前記ドレイン電流と、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値とに基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を算出する算出部と
を備える検査装置。
【請求項１１】
前記第２電流供給回路は、
入力端子と、
前記入力端子に一端が接続された電気抵抗と、
前記電気抵抗の他端に接続され前記ＴＦＴのドレインに電流を供給する出力端子と
を有し、
前記ドレイン電流調整回路は、
前記ドレイン電圧を入力し、入力した当該ドレイン電圧との電位差が前記設定電位である電圧を出力する電位差設定回路と、
前記電位差設定回路の出力及び前記ゲート電圧を入力し、前記電位差設定回路の出力電圧が前記ゲート電圧と異なる場合に、前記電位差設定回路の出力電圧を前記ゲート電圧と等しくする電圧を前記入力端子に印加するアンプと
を有する請求項１０記載の検査装置。
【請求項１２】
発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、
前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、
前記ＴＦＴのソースは、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、
前記ＴＦＴのゲートに印加されるゲート電圧及び前記ＴＦＴのドレインに印加されるドレイン電圧間を、前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させる電位差に保持する電位差保持回路と、
前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第３電流供給回路と、
予め設定した設定電流が前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に流れるように、前記ドレイン電圧を調整するドレイン電圧調整回路と、
互いに異なる少なくとも２つの前記設定電流が流れるように前記ドレイン電圧調整回路により前記ドレイン電圧を順次調整させて、調整された場合における前記ゲート電圧を順次測定する測定部と、
測定した前記ゲート電圧と、前記ゲート電圧から算出したドレイン電圧と、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値とに基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を算出する算出部と
を備える検査装置。
【請求項１３】
前記第３電流供給回路は、
入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子に一端が接続され、前記出力端子に他端が接続され、前記入力端子及び前記出力端子間の電位差が予め定められた規定電位である場合に前記第３電流供給回路が前記設定電流を出力する抵抗値を有する電気抵抗と
を有し、
前記ドレイン電圧調整回路は、
前記入力端子の電位を入力し、前記入力端子の電位との電位差が前記規定電位である電圧を出力する電位差設定回路と、
前記出力端子の電位と、前記電位差設定回路の出力電圧とを入力して、前記出力端子と前記電位差設定回路の出力電圧の電位が異なる場合に、前記出力端子と前記電位差設定回路の出力電圧を等しくする電圧を前記入力端子に印加するアンプと
を有する請求項１２記載の検査装置。
【請求項１４】
発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、
前記ＴＦＴのドレイン又はソースの一方は、接地電位と比較して大きさが不明な電位差を有し、
前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、
前記ＴＦＴのゲートにゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、
前記ＴＦＴを前記飽和領域で動作させる電圧をドレイン及びソース間に印加するドレイン電圧印加回路と、
前記ゲート電圧印加回路により印加される少なくとも２つのゲート電圧のそれぞれについて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間を流れるドレイン電流を測定する測定部と、
測定した当該ドレイン電流に基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値を算出する算出部と
を備える検査装置。
【請求項１５】
前記ＴＦＴのソースが、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、
前記算出部が前記β値を算出した場合において、
前記ドレイン電圧印加回路は、前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させる少なくとも２つの電圧を前記ＴＦＴのドレインに順次印加し、
前記測定部は、前記ドレイン電圧印加回路により順次印加された電圧のそれぞれについて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間を流れるドレイン電流を測定し、
前記算出部は、算出した前記β値と、前記測定部により測定された前記ドレイン電流に基づいて、前記ＴＦＴがドレイン及びソース間に電流を流すのに必要なゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を算出する
請求項１４記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴを検査する検査装置に関する。特に、本発明は、表示装置を構成する各画素に電流を供給するＴＦＴの特性を検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、低電力で高輝度な表示が可能な表示装置として、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)を画素とする有機ＥＬディスプレイが注目されてきている。有機ＥＬディスプレイを効率的に量産するには、できるだけ早い製造工程で不良品を検出して除外することにより、製造コストを下げて歩留まりを上げることが重要である。
【０００３】
従来、ＯＬＥＤに電流を供給するＴＦＴアレイの不良品を検出する技術が提案されている（特許文献１及び特許文献２参照。）。これらの技術は、ＴＦＴアレイにＯＬＥＤを形成する工程に先立って、各ＴＦＴの特性を検査する。これにより、ＯＬＥＤをＴＦＴアレイ上に形成してから不良品を検出する場合と比較して、ＯＬＥＤを形成する工程及びＯＬＥＤの材料が無駄になることを避けて、製造コストを下げることができる。
【０００４】
例えば、図１７は、ＯＬＥＤによる有機ＥＬディスプレイパネルが生産される工程を示す。図１７（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイにＯＬＥＤを形成するセル工程の後に検査を行う場合には、不良なＴＦＴアレイに対してＯＬＥＤを形成しなければならず、無駄が多い。一方、図１７（ｂ）に示すように、セル工程に先立って検査を行うことができれば、セル工程の無駄を減らすことができる。
【０００５】
より具体的には、特許文献１の手法は、ＯＬＥＤに接続する画素電極がＴＦＴアレイにパターンニングされる工程に先立って、ＴＦＴアレイの各ＴＦＴに共通の電極を接続する。そして、その共通の電極に電源を接続して、各ＴＦＴを流れる電流を測定する。また、特許文献２の手法は、ＴＦＴアレイを電解質の液体に浸すことにより、ＴＦＴアレイの画素電極を通電させ、各ＴＦＴを流れる電流を測定する。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１０８２４３号公報
【特許文献２】特開２００２−７２９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の手法により有機ＥＬディスプレイを製造するには、ＴＦＴアレイの検査後に共通の電極を剥離して、ＯＬＥＤに接続する画素電極をパターンニングする工程を要する。即ち、ＴＦＴアレイを完成した後の検査を行っているとはいえず、検査後に不良が発生する場合も考えられる。
【０００８】
また、上記特許文献２の手法によると、ＴＦＴに印加した電圧を正確に測定するのが困難であるため、検査結果の誤差が大きいという問題がある。更に、電解質に浸したＴＦＴアレイが、破損・溶解等のダメージを受ける場合がある。
【０００９】
また、上記何れの技術も、ＴＦＴのドレイン及びソース間に所定の電圧を印加して、ドレイン電流を測定する測定方法を採用している。これを実現するためには、ＴＦＴのドレイン及びソースの双方に所望の電圧を厳密な電圧値で印加する必要がある。しかしながら、セル工程に先立った検査においては、ドレイン及びソースの一方の端子は回路に接続していないため、その端子に安定した電圧を印加することは困難である。
【００１０】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる検査装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態においては、発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第１電流供給回路と、予め定められた規定電流が前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に流れるように前記ＴＦＴのゲートに印加するゲート電圧を調整するゲート電圧調整回路と、前記ゲート電圧調整回路により調整されたゲート電圧を測定する測定部とを備える検査装置を提供する。
【００１２】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＴＦＴを検査する精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１５】
図１は、検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査する概略を示す。図２は、検査装置１０のブロック図を示す。検査装置１０は、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)等の発光素子に電流を供給するＴＦＴをマトリックス状に複数配列したパネルであるＴＦＴアレイ２０を検査して、ＴＦＴアレイ２０が良品又は不良品であるか判断することを目的とする。
【００１６】
ＴＦＴアレイ２０は、同一の列に配列された複数のＴＦＴのそれぞれに印加するべきゲート電圧を供給する複数のデータ線と、データ線により供給されたゲート電圧を印加すべき複数のＴＦＴを選択するセレクト線と、複数のＴＦＴのドレイン又はソースに共通して電流を供給する電源配線とを有している。検査装置１０は、ＴＦＴアレイ２０に含まれる各ＴＦＴの特性を順次検査するが、図２では、便宜上、ＴＦＴアレイ２０に含まれるＴＦＴ２００の特性を検査する場合について説明する。
【００１７】
ＴＦＴ２００は、例えばＰチャネルのＭＯＳトランジスタである。そして、ＴＦＴ２００は、ゲート電圧及びドレイン電圧の関係に応じて、ドレイン及びソース間の電圧に対してドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は線形領域と比較してドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作する。また、ＴＦＴ２００に電圧を供給するためのセレクト線のみがオンとなっている。
【００１８】
まず、イオン化空気噴出器は、ＴＦＴ２００が発光素子と接触する画素電極２１０に、イオン化空気２１５を吹き付けることにより、画素電極２１０に電流を流す経路を確保する。この結果、ＴＦＴ２００のドレイン又はソースの一方、例えば本例においてドレインは、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有する。ここで、イオン化空気は、例えば、コロナ放電又は軟Ｘ線等で発生させることができる。これに代えて、画素電極２１０に電子ビームを照射することにより電流を流す経路を確保してもよいし、画素電極２１０を電解液に浸すことにより電流を流す経路を確保してもよい。
【００１９】
検査装置１０は、第１電流供給回路１００と、ゲート電圧調整回路１１０と、測定部１２０と、算出部１３０とを備える。第１電流供給回路１００は、ＴＦＴ２００を飽和領域で動作させる電圧を、電源配線を介してＴＦＴ２００のソース又はドレインの他方、例えば画素電極２１０に接続されていない方（図２の例においてはソース）に印加する。これにより、第１電流供給回路１００は、ＴＦＴ２００のドレイン及びソース間に電流を供給する。具体的回路構成として、第１電流供給回路１００は、電圧源１０２と、電気抵抗１０４と、出力端子１０８とを有する。
【００２０】
電圧源１０２は、予め定められた電位(Vc)に設定されている。電気抵抗１０４は、抵抗値(Rc)を有し、電圧源１０２に接続される。出力端子１０８は、電気抵抗１０４に接続され、電圧源１０２から電気抵抗１０４を通して流れる電流を、ＴＦＴアレイ２０の電源配線を介してＴＦＴ２００に供給する。そして、電圧源１０２の電位(Vc)及び電気抵抗１０４の抵抗値(Rc)は、出力端子１０８の電位が予め定められた規定電圧(Vdd)である場合に第１電流供給回路１００が予め定められた規定電流(Ic)を流すように調整されている。即ち、次の関係が成立するように調整されている。
規定電流(Ic)＝| 電圧源の電位(Vc)−規定電圧(Vdd) |／抵抗値(Rc)
【００２１】
ゲート電圧調整回路１１０は、互いに異なる少なくとも２つの規定電流がＴＦＴ２００のドレイン及びソース間に流れるようにＴＦＴ２００のゲートに印加するゲート電圧を順次調整する。具体的には、ゲート電圧調整回路１１０は、規定電流毎に、第１電流供給回路１００が供給するドレイン電流がその規定電流より多い場合に、ドレイン電流を減らすようにゲート電圧を調整し、第１電流供給回路１００が供給するドレイン電流がその規定電流より少ない場合に、ドレイン電流を増やすようにゲート電圧を調整する。
【００２２】
具体的回路構成として、ゲート電圧調整回路１１０は、出力端子１０８の電位を反転入力端子に入力し、規定電圧(Vdd)を非反転入力端子に入力し、出力端子１０８の電位及び規定電圧(Vdd)が異なる場合に、出力端子１０８の電位を規定電圧(Vdd)に等しくするゲート電圧をＴＦＴ２００のデータ線に印加するアンプ１１５を有する。
【００２３】
オフセット電流測定部１１８は、検査・測定に先立って、ＴＦＴアレイ２０における全てのＴＦＴを駆動させない状態において、第１電流供給回路１００から電源配線に供給されるオフセット電流の大きさを測定する。そして、オフセット電流測定部１１８は、測定部１２０がゲート電圧を測定する時に、電源配線に更にオフセット電流を供給する。図３を用いて一例を説明する。
【００２４】
図３は、オフセット電流測定部１１８の一例を示す。オフセット電流測定部１１８は、アンプ３００と、電気抵抗３１０と、コンデンサ３２０と、スイッチ３３０とを有する。アンプ３００は、非反転入力端子に規定電圧(Vdd)を入力する。アンプ３００の出力端子は、電気抵抗３１０の一端と、コンデンサ３２０の一端とに接続される。電気抵抗３１０の他端は、ＴＦＴアレイ２０の電源配線に接続される。コンデンサ３２０の他端は、スイッチ３３０を介してＴＦＴアレイ２０の電源配線に接続されると共に、アンプ３００の反転入力端子に接続される。
【００２５】
まず、オフセット電流測定部１１８は、検査・測定に先立って、ＴＦＴアレイ２０における全てのＴＦＴを駆動させない状態において、スイッチ３３０をオン（即ち、スイッチ３３０の両端を短絡）する。この結果、電源配線の電圧は、規定電圧(Vdd)となり、電気抵抗３１０の両端に、電源配線にオフセット電流を流せる電位差が生じる。これにより、オフセット電流測定部１１８は、コンデンサ３２０に、電源配線が規定電圧(Vdd)である場合に電源配線にオフセット電流を流すことのできる電圧を充電させることができる（この動作をサンプリング動作と呼ぶ）。
【００２６】
次に、測定部１２０がゲート電圧を測定する時に、オフセット電流測定部１１８は、スイッチ３３０をオフする。この結果、サンプリング動作においてコンデンサ３２０に充電された電圧により、電気抵抗３１０の両端には、オフセット電流を流すことのできる電位差が生じる。これにより、オフセット電流測定部１１８は、電源配線にオフセット電流を供給することができる（この動作をホールド動作と呼ぶ）。このように、オフセット電流測定部１１８によれば、ＴＦＴアレイ２０の回路の障害により短絡等があっても、その障害により生じる電流をホールド動作によってＴＦＴ２００に供給することにより、第１電流供給回路１００には、ゲート電圧の測定に必要な電流のみを供給させることができる。
続いて、測定部１２０は、ゲート電圧調整回路１１０により調整された少なくとも２つのゲート電圧を順次測定する。
【００２７】
図４は、ＴＦＴ２００のＩｄ−Ｖｇ曲線の一例を示す。本図を用いて、算出部１３０が、測定部１２０の測定結果に基づいて、ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値を算出する処理を説明する。
まず、ＴＦＴ２００が飽和領域で動作する条件は、以下の式（１）で表される。
【数１】
2005150274.tif 000003
ここで、Vdsは、ドレイン及びソース間の電位差を示し、Vgsは、ゲート及びソース間の電位差を示す。また、Vthは、ドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を示す。即ち、第１電流供給回路１００は、この条件を満たす充分大きい電圧を、ＴＦＴ２００のソースに印加している。
【００２８】
ＴＦＴ２００の飽和領域における特性は、以下の式（２）により近似できる。
【数２】
2005150274.tif 000004
但し、Idはドレイン電流を示す。本図においてはドレイン電流(Id)とは、規定電流(Ic)である。
【００２９】
式（２）の両辺の平方根を求めると、以下の式（３）が導かれる。
【数３】
2005150274.tif 000005
【００３０】
本図は、この式（３）のグラフを示している。即ち、飽和領域で動作するＴＦＴ２００において、ドレイン電流の平方根はゲート電圧に比例する。そして、ゲート電圧に対するドレイン電流の平方根の傾きが、β値の２分の１の平方根である。
【００３１】
算出部１３０は、まず、測定された２つのゲート電圧のそれぞれからソース電圧である規定電圧(Vdd)を減じることにより、ゲート及びソース間の電圧を算出する。そして、算出部１３０は、算出したゲート及びソース間の電圧と、規定電流との、少なくとも２組を式（３）にそれぞれ代入する。この結果、β値の２分の１の平方根と、Vthとを未知数とした連立方程式が求まる。
【００３２】
算出部１３０は、この連立方程式を解くことによりβ値の２分の１の平方根を算出し、算出結果を２乗して２倍することによりβ値を算出することができる。これに伴い、算出部１３０は、ドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧Vthを算出することができる。
以降の説明において、図１から図４に示すβ値を求める方法を、基本シーケンスと表記する。
【００３３】
図５は、画素電極及びＴＦＴの配置を示す。図５（ａ）は、図２で説明したＴＦＴの配置と同様である。この他に、ＴＦＴアレイ２０は、画素電極及びＴＦＴの配置として、図５（ｂ）の形態を採ってもよい。図５（ｂ）において、ＴＦＴアレイ２０は、ＰチャネルのＴＦＴに代えて、ＮチャネルのＴＦＴを有している。また、ＮチャネルのＴＦＴのドレインは、画素電極に接続されている。更に、ＮチャネルのＴＦＴのソースは接地されている。
【００３４】
図６（ａ）は、検査装置１０が図５（ａ）のＴＦＴを検査する回路の等価回路を示す。図６（ａ）に示す等価回路は、図２に示した回路と略同一の構成を採るので説明を省略する。図６（ｂ）は、検査装置１０が図５（ｂ）のＴＦＴを検査する回路の等価回路を示す。本図において、画素選択用のＴＦＴをＳＷと略して表記する。
【００３５】
図６（ｂ）の例において、第１電流供給回路１００は、ＰチャネルでなくＮチャネルのＴＦＴのソースに電圧を印加する。なお、本図において、第１電流供給回路１００が印加する電圧は、負の電圧である。そして、第１電流供給回路１００が供給する電流は負の電流である。このように、本実施例において電圧の印加とは、負の電圧の印加を含む。また、電流の供給とは、負の電流の供給、即ち電流の吸出しを含む。
【００３６】
また、第１電流供給回路１００が有する電圧源１０２及び電気抵抗１０４は、出力端子１０８が規定電位（例えば、接地電位）である場合に、第１電流供給回路１００が規定電流を流すように調整されている。そして、ゲート電圧調整回路１１０は、第１電流供給回路１００が印加する電圧が接地電位となるように、ゲート電圧を調整する。
【００３７】
測定部１２０は、ゲート電圧調整回路１１０により調整されたゲート電圧を順次測定し、算出部１３０は、測定されたゲート電圧に基づいてゲート・ソース間の電位差を求める。そして、算出部１３０は、上述の式（３）を用いてβ値及び閾値電圧(Vth)を算出する。このように、図６（ｂ）に示した例においても図６（ａ）の例と同様、ソース電位が既知であるので、検査装置１０は、β値のみならず閾値電圧(Vth)を算出することができる。
【００３８】
これに対して、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示した配置によれば、ＴＦＴのソースが画素電極に接続されているので、検査装置１０は、ソース電圧を求めることができない。このため、検査装置１０は、ゲート電圧及びドレイン電圧を求めることができるものの、ゲート及びソース間の電位差を算出することができない。
【００３９】
しかしながら、以下に示すように、検査装置１０は、ゲート及びソース間の電位差が算出できない場合であっても、β値を算出することは可能である。また、検査装置１０は、ソース電圧(Vs)及び閾値電圧(Vth)の和については、算出することが可能である。
【００４０】
Vgsは、ゲート電圧及びソース電圧の電位差であることから、(Vg−Vs)と表される。これを上述の式（３）に代入すれば、以下の式（４）が得られる。更に、式（４）を変形すれば式（４）’が導かれる。
【００４１】
【数４】
2005150274.tif 000006
この式（４）’に対して、２組以上のVg及びIdを代入すれば、算出部１３０は、β値を算出できると共に、ソース電圧及び閾値電圧の和である(Vs+Vth)を算出できる。ここで、ソース電圧及び閾値電圧の和とは、即ち、ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すために要するゲート電圧及び接地電位の電位差の閾値である。
【００４２】
以上に示す処理を、ＴＦＴアレイ２０の各ＴＦＴに対して繰り返すことにより、算出部１３０は、ＴＦＴ及び画素電極の配置に関わらず、各ＴＦＴについて少なくともβ値を算出することができる。また、算出部１３０は、ＴＦＴ及び電極の配置によっては、閾値電圧(Vth)を算出することもできる。算出されたβ値等に基づいて、例えば、算出部１３０は、以下の処理を行う。
【００４３】
例えば、算出部１３０は、ＴＦＴ毎のβ値のばらつきが予め定められた基準より大きい場合に、ＴＦＴアレイ２０が不良であると判断して、その旨を出力してもよい。一例として、算出部１３０は、同一のＴＦＴアレイ２０内において、何れかのＴＦＴのβ値が予め定めた範囲内でない場合には、そのＴＦＴアレイ２０を不良であると判断する。これにより、ＴＦＴアレイ２０が良品又は不良品であるかを正確に検査することができる。
これに代えて、算出部１３０は、ＴＦＴアレイ２０内で予め定めた距離以上離れて配列された複数のＴＦＴについて、それらのＴＦＴのみについてのβ値のばらつきを判断してもよい。これにより、ばらつきを生じにくい近接するＴＦＴについての検査を省略して、検査に要する時間及び費用を削減することができる。
【００４４】
また、算出部１３０は、ＴＦＴアレイ２０を構成する各々のＴＦＴについて算出した、ＴＦＴのソース電圧及び閾値電圧の和(Vs+Vth)に基づいて、ＴＦＴアレイ２０の不良を判断してもよい。例えば、算出部１３０は、ＴＦＴ毎のこの閾値のばらつきがあらかじめ定められた基準より大きい場合に、そのＴＦＴアレイ２０を不良であると判断する。この場合、ソース電圧が厳密に測定できない回路構成の場合であっても、ソース電圧がＴＦＴ毎にほとんど相違しないことが予め分かっている場合には、ＴＦＴアレイ２０の不良を適切に判断することができる。
【００４５】
続いて、図５（ｃ）又は図５（ｄ）に示した配置において、更に、閾値電圧Vthを算出する方法を説明する。
【００４６】
図７は、ソース電圧が不明なＴＦＴアレイ２０を検査する検査装置１０のブロック図を示す。本図は、検査装置１０が、図５（ｃ）に示した配置のＴＦＴについて、β値及び閾値Vthを算出する例を示す。即ち、本図に示すＴＦＴ２２０のソースに接続された画素電極は、イオン化空気２２５を吹き付けられることにより、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有している。
【００４７】
検査装置１０は、図２に示す構成に加えて、更に、ゲート電圧印加回路１３５と、第２電流供給回路１４０と、ドレイン電流調整回路１５０とを備える。ゲート電圧印加回路１３５は、データ線を介してＴＦＴ２２０のゲートに予め定められたゲート電圧(Vg)を印加する。第２電流供給回路１４０は、電源配線を介してＴＦＴ２２０のドレインに電圧を印加することにより、ＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する。具体的回路構成として、第２電流供給回路１４０は、入力端子１４２と、電気抵抗１４４と、出力端子１４６とを有している。入力端子１４２は、電気抵抗１４４の一端に接続されている。出力端子１４６は、電気抵抗１４４の他端に接続され、電源配線を介してＴＦＴ２２０のドレインに電流を供給する。
【００４８】
ドレイン電流調整回路１５０は、ゲート電圧及びドレイン電圧の電位差が予め設定した設定電位でありかつＴＦＴ２２０を線形領域で動作させるように、第２電流供給回路１４０により供給されるドレイン電流を調整する。これにより、ソース電位が変化した場合であっても出力端子１４６の電位Voutが一定になるようにVcが調節される。具体的回路構成として、ドレイン電流調整回路１５０は、電位差設定回路１５８と、アンプ１５５とを有する。電位差設定回路１５８は、ドレイン電圧を入力し、入力したこのドレイン電圧との電位差が設定電位(Vofs)である電圧、例えばドレイン電圧より設定電位(Vofs)高い電圧をアンプ１５５に出力する。ここで、設定電位(Vofs)は、閾値電圧(Vth)の予測値より充分大きくなるように設定される。これにより、ＴＦＴ２２０が線形領域で動作する。
【００４９】
アンプ１５５は、電位差設定回路１５８の出力を反転入力端子に入力し、ゲート電圧(Vg)を非反転入力端子に入力する。そして、アンプ１５５は、電位差設定回路１５８の出力電圧がゲート電圧と異なる場合に、電位差設定回路１５８の出力電圧をゲート電圧と等しくする電圧を、第２電流供給回路１４０の入力端子１４２に印加する。また、ドレイン電流調整回路１５０は、図２に示したゲート電圧調整回路１１０とアンプを共有し、ゲート電圧調整回路１１０が有するアンプ１１５をアンプ１５５として切り替えて使用してもよい。
【００５０】
測定部１２０は、図２に示した処理に加えて、更に、互いに異なる少なくとも２つの設定電位(Vofs)について、ドレイン電流調整回路１５０により調整されたドレイン電流を順次測定する。具体的には、測定部１２０は、ドレイン電流調整回路１５０が入力端子１４２に印加する電圧Vcを測定し、測定したVcに基づいてドレイン電流を算出する。そして、算出部１３０は、図２に示した処理に加えて、更に、測定部１２０により順次測定されたドレイン電流と、算出したβ値とに基づいて、ＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値Vthを算出する。具体的処理を以下に説明する。
【００５１】
まず、ＴＦＴ２２０が線形領域で動作する条件は、以下の式（５）で表される。
【数５】
2005150274.tif 000007
ここで、Vdsは、ドレイン及びソース間の電位差を示し、Vgsは、ゲート及びソース間の電位差を示す。また、Vthは、ドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電圧の閾値を示す。即ち、ゲート電圧印加回路１３５及び第２電流供給回路１４０は、この条件を満たす電圧を、ＴＦＴ２２０のドレイン又はゲートに印加している。
【００５２】
そして、ＴＦＴ２２０の線形領域における特性は、以下の式（６）により近似できる。
【数６】
2005150274.tif 000008
【００５３】
算出部１３０は、式（６）を変形した式（６）’を用いて、閾値Vthを算出する。
【数７】
2005150274.tif 000009
ここで、Id1及びId2は、測定部１２０により順次測定されたドレイン電流を示す。Vg1及びVd1は、Id1が測定された場合のゲート電圧及びドレイン電圧をそれぞれ示す。また、Vg2及びVd2は、Id2が測定された場合のゲート電圧及びドレイン電圧をそれぞれ示す。
【００５４】
この式において未知数は、Vs、Vth、及びβである。算出部１３０が、基本シーケンスによりβ値を既に求めているとすれば、Vs及びVthが未知数である。従って、算出部１３０は、式（６）’に示す連立方程式を解くことにより、Vs及びVthを算出することができる。
【００５５】
以上、本図で示すように、検査装置１０は、ＴＦＴのソースが画素電極に接続されている場合であっても、予め算出したβ値に基づいて、閾値電圧Vthを算出することができる。以降の説明において、本図に示す処理により閾値電圧を算出する方法を拡張シーケンスと表記する。
【００５６】
図８は、検査装置１０が図５（ｃ）のＴＦＴを検査する回路の等価回路を示す。本図において、画素選択用のＴＦＴをＳＷと略して表記する。図８（ａ）は、検査装置１０が基本シーケンスによりＴＦＴのβ値を算出する回路の構成を示す。ＴＦＴ２２０のソースは、イオン化空気等により、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有している。第１電流供給回路１００は、ＮチャネルのＴＦＴ２２０を飽和領域で動作させる電圧を、ＴＦＴ２２０のドレインに印加することにより、ＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間に電流を供給する。第１電流供給回路１００の具体的な回路構成は、図２に示す第１電流供給回路１００と略同一であるので説明を省略する。
【００５７】
ゲート電圧調整回路１１０は、互いに異なる少なくとも２つの規定電流がＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間に流れるようにＴＦＴ２２０に印加するゲート電圧を順次調整する。ゲート電圧調整回路１１０の具体的な回路構成として、ゲート電圧調整回路１１０が有するアンプ１１５は、規定電圧を反転入力端子に入力し、出力端子１０８の電位を非反転入力端子に入力する点で、図２に示すゲート電圧調整回路１１０と異なっている。その他の事項は略同一であるので説明を省略する。測定部１２０は、ゲート電圧調整回路１１０により調整されたゲート電圧を順次測定し、算出部１３０は、上述した式（４）’を用いて、β値を算出する。
【００５８】
図８（ｂ）は、検査装置１０が拡張シーケンスによりＴＦＴの閾値電圧Vthを算出する回路の構成を示す。本図の構成は、図７に示す検査装置１０を等価回路として示したものであるから、説明を省略する。算出部１３０は、図８（ａ）の回路により算出されたβ値と、図８（ｂ）の回路により測定されたドレイン電流とに基づいて、上述した式（６）’により、閾値電圧Vthを算出することができる。
【００５９】
図９（ａ）は、検査装置１０が図５（ｄ）のＴＦＴを基本シーケンスにより検査する回路の等価回路を示す。本図において、画素選択用のＴＦＴをＳＷと略して表記する。ＴＦＴ２４０は、ＰチャネルのＴＦＴであり、ＴＦＴ２４０のソースは、イオン化空気等により、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有している。
【００６０】
第１電流供給回路１００は、ＴＦＴ２４０を飽和領域で動作させる電圧を、ＴＦＴ２４０のドレインに印加することにより、ＴＦＴ２４０のドレイン及びソース間に電流を供給する。第１電流供給回路１００の具体的な回路構成は、図２に示す第１電流供給回路１００と略同一であるので説明を省略する。
【００６１】
ゲート電圧調整回路１１０は、互いに異なる少なくとも２つの規定電流がＴＦＴ２４０のドレイン及びソース間に流れるようにＴＦＴ２４０に印加するゲート電圧を順次調整する。ゲート電圧調整回路１１０の具体的な回路構成として、ゲート電圧調整回路１１０が有するアンプ１１５は、規定電圧を反転入力端子に入力し、出力端子１０８の電位を非反転入力端子に入力する点で、図２に示すゲート電圧調整回路１１０と異なっている。その他の事項は略同一であるので説明を省略する。測定部１２０は、ゲート電圧調整回路１１０により調整されたゲート電圧を順次測定し、算出部１３０は、上述した式（４）’を用いて、β値を算出する。
【００６２】
図９（ｂ）は、検査装置１０が拡張シーケンスによりＴＦＴの閾値電圧Vthを算出する回路の構成を示す。ゲート電圧印加回路１３５は、ＴＦＴ２４０のゲートに予め定められたゲート電圧(Vg)を印加する。第２電流供給回路１４０は、ＴＦＴ２４０のドレインに電圧を印加することにより、ＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する。具体的回路構成は、図７に示す第２電流供給回路１４０と略同一であるので説明を省略する。
【００６３】
ドレイン電流調整回路１５０は、ゲート電圧及びドレイン電圧が予め設定した設定電位異なりかつＴＦＴ２２０を線形領域で動作させるように、第２電流供給回路１４０により供給されるドレイン電流を調整する。具体的回路構成として、ドレイン電流調整回路１５０は、以下の２点で図７に示すドレイン電流調整回路１５０と異なっている。まず、電位差設定回路１５８は、ドレイン電圧を入力し、入力したこのドレイン電圧より設定電位(Vofs)低い電圧をアンプ１５５に出力する。また、アンプ１５５は、電位差設定回路１５８の出力を反転入力端子に入力し、ゲート電圧(Vg)を非反転入力端子に入力する。
【００６４】
算出部１３０は、図９（ａ）の回路により算出されたβ値と、図９（ｂ）の回路により測定されたドレイン電流とに基づいて、上述した式（６）’により、閾値電圧Vthを算出することができる。
【００６５】
図１０は、第１の変形例における検査装置１０のブロック図を示す。本例における検査装置１０は、図７に示す検査装置１０と同様、ＴＦＴのソース電圧が不明な場合であっても、β値及び閾値電圧Vthを算出することを目的とする。本図は、検査装置１０が、図５（ｃ）に示す配置のＴＦＴ２５０を検査する場合について説明する。
【００６６】
本図に示すＴＦＴ２５０のソースに接続された画素電極は、イオン化空気２１５を吹き付けられることにより、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有している。検査装置１０は、図７に示す検査装置１０に、更に、電位差保持回路１６０と、第３電流供給回路１７０と、ドレイン電圧調整回路１８０とを備える。また、本図の検査装置１０は、ゲート電圧印加回路１３５と、第２電流供給回路１４０と、ドレイン電流調整回路１５０とを備えていなくともよい。
【００６７】
電位差保持回路１６０は、ＴＦＴ２５０のゲート電圧及びドレイン電圧間を、ＴＦＴ２５０を線形領域で動作させる電位差に保持する。具体的には、電位差保持回路１６０により保持される電位差(Vofs)は、閾値電圧(Vth)の予測値より充分大きい値に設定される。第３電流供給回路１７０は、電源配線を介してＴＦＴ２５０のドレインにドレイン電圧を印加することにより、ＴＦＴ２５０のドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する。
【００６８】
具体的回路構成として、第３電流供給回路１７０は、入力端子１７２と、電気抵抗１７４と、出力端子１７６とを有する。電気抵抗１７４は、入力端子１７２に一端が接続され、出力端子１７６に他端が接続されている。また、電気抵抗１７４は、入力端子１７２及び出力端子１７６間の電位差が予め定められた規定電位である場合に第３電流供給回路１７０が予め設定した設定電流(Ic)を出力する抵抗値を有している。
【００６９】
ドレイン電圧調整回路１８０は、この設定電流(Ic)がＴＦＴ２５０のドレイン及びソース間に流れるように、ドレイン電圧を調整する。具体的回路構成としては、ドレイン電圧調整回路１８０は、電位差設定回路１８２と、アンプ１８４とを有する。電位差設定回路１８２は、入力端子１７２の電位を入力し、入力端子１７２の電位との電位差が規定電位である電圧をアンプ１８４に出力する。アンプ１８４は、電位差設定回路１８２の出力を反転入力端子に入力し、出力端子１７６の電位を非反転入力端子に入力する。そして、アンプ１８４は、電位差設定回路１８２の出力及び出力端子１７６の電位が異なる場合に、電位差設定回路１８２の出力及び出力端子１７６の電位を等しくする電圧を入力端子１７２に印加する。
【００７０】
測定部１２０は、互いに異なる少なくとも２つの設定電流が流れるように、ドレイン電圧調整回路１８０によりドレイン電圧を順次調整させる。そして、測定部１２０は、ドレイン電圧調整回路１８０によりドレイン電圧が調整された場合のゲート電圧を順次測定する。算出部１３０は、測定したゲート電圧と、設定電流と、予め算出したβ値とに基づいて、閾値電圧Vthを算出する。具体的には、算出部１３０は、測定結果を上述した式（６）’に順次代入して、連立方程式である式（６）’を解くことにより、閾値電圧Vthを算出する。より具体的には、以下の式（７）により算出することも可能である。
【００７１】
【数８】
2005150274.tif 000010
【００７２】
図１１（ａ）は、第２の変形例における検査装置１０の概念図を示す。本例は、画素電極に電流を流すために他の方法を採用した場合の検査方法を説明する。具体的には、ＴＦＴアレイ２０に含まれる各ＴＦＴの画素電極は、イオン化空気の吹き付けを受けるのに代えて、検査プローブにより接触されている。具体的には、画素電極は導電ゴムに押し付けられており、導電ゴムには、共通電極に接続する電圧源が接続されている。検査プローブは、この例の他に、検査針又は導電性シリコン等であってもよい。
【００７３】
図１１（ｂ）は、第２の変形例において検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査する回路の等価回路を示す。ＴＦＴアレイ２０に含まれるＴＦＴ２２０のソースは、画素電極に接続されており、この画素電極は、大きさが未知の接触抵抗により接地されている。
【００７４】
第１電流供給回路１００は、ＮチャネルのＴＦＴ２２０を飽和領域で動作させる電圧を、ＴＦＴ２２０のドレインに印加することにより、ＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間に電流を供給する。第１電流供給回路１００の具体的な回路構成は、図８（ａ）に示す第１電流供給回路１００と略同一であるので説明を省略する。
【００７５】
ゲート電圧調整回路１１０は、互いに異なる少なくとも３つの規定電流がＴＦＴ２２０のドレイン及びソース間に流れるようにＴＦＴ２２０に印加するゲート電圧を順次調整する。ゲート電圧調整回路１１０の具体的な回路構成は、図８（ａ）に示すゲート電圧調整回路１１０と略同一であるので説明を省略する。測定部１２０は、ゲート電圧調整回路１１０により調整されたゲート電圧を順次測定する。そして、算出部１３０は、測定したゲート電圧に基づいてβ値及び閾値電圧Vthを算出する。具体的処理を説明する。
【００７６】
画素電極が接触抵抗Ｒを有する場合、画素電極はR×Idの電圧降下を有するので、式（３）は、以下の式（８）のように変形できる。
【数９】
2005150274.tif 000011
【００７７】
算出部１３０は、測定部１２０による測定結果を式（８）に代入して、式（９）を求める。
【数１０】
2005150274.tif 000012
ただし、Vg1、Vg2、及びVg3は、測定部１２０により測定されたゲート電圧を示す。また、Id1、Id2、及びId3は、それぞれVg1、Vg2、及びVg3が測定された時点の規定電流を示す。ここで、この連立方程式における未知数は、β、R、及びVthの３つであるから、算出部１３０は、この式（８）を解くことにより、β、R、及びVthを算出することができる。
このように、本例によれば、画素電極が接触抵抗を有する場合であっても、β値及び閾値電圧Vthを適切に算出することができる。
【００７８】
図１２は、第３の変形例における検査装置１０のブロック図を示す。本例において、ＴＦＴアレイ２０に含まれる各ＴＦＴのソース又はドレインは、画素電極に接続されている。そして、画素電極は、接地電位と比較して大きさが不明でほとんど変動しない電位差を有している。例えば、画素電極は、電位の変動が比較的少ない電子ビーム又はイオンビームの照射を受けている。この場合、図２で示す例と異なり、検査装置１０は、より簡略化した構成によりβ値及び閾値電圧Vthを算出することができる。
【００７９】
図１２（ａ）は、ＮチャネルのＴＦＴ２６０のソースが接地されている場合において、検査装置１０がＴＦＴ２６０のβ値を算出する回路を示す。検査装置１０は、ゲート電圧印加回路１１００と、ドレイン電圧印加回路１１１０とを有する。ゲート電圧印加回路１１００は、ＴＦＴ２６０にゲート電圧を印加する。ドレイン電圧印加回路１１１０は、ＴＦＴ２６０を飽和領域で動作させる電圧を、ドレイン及びソース間に印加する。具体的には、ＴＦＴ２６０のソースは、画素電極に接続されているので、ドレイン電圧印加回路１１１０は、ＴＦＴ２６０のドレインに電圧を印加する。
【００８０】
測定部１２０は、ゲート電圧印加回路１１００により印加される少なくとも２つのゲート電圧のそれぞれについて、ＴＦＴ２６０のドレイン電流を測定する。そして、算出部１３０は、ゲート電圧と、測定したこのドレイン電流の２つの組に基づいて、ＴＦＴ２６０のβ値を算出する。具体的には、算出部１３０は、上述の式（４）’のVg及びIdに、ゲート電圧及びドレイン電流の組をそれぞれ代入して連立方程式を生成する。そして、算出部１３０は、この連立方程式を解くことにより、β値及び(Vs+Vth)を算出することができる。
【００８１】
図１２（ｂ）は、ＮチャネルのＴＦＴ２６０のソースが接地されている場合において、検査装置１０がＴＦＴ２６０の閾値電圧Vthを算出する回路を示す。算出部１３０がβ値を算出した場合において、ドレイン電圧印加回路１１１０は、ＴＦＴ２６０を線形領域で動作させる少なくとも２つのドレイン電圧（例えばVg-Vofs）をＴＦＴ２６０に印加する。そして、測定部１２０は、ドレイン電圧印加回路１１１０により印加されたドレイン電圧のそれぞれについて、ＴＦＴ２６０のドレイン電流を測定する。
【００８２】
そして、算出部１３０は、既に算出したβ値と、測定部１２０により測定されたドレイン電流に基づいて、閾値電圧Vthを算出する。具体的には、算出部１３０は、上述の式（６）’に、ドレイン電流、ゲート電圧、及びβ値の組をそれぞれ代入して、代入した結果得られた連立方程式を解くことにより、閾値電圧Vthを算出してもよい。
【００８３】
このように、画素電極の電位が安定している場合には、検査装置１０は、より簡略な構成によりβ値及び閾値電圧Vthを算出することができる。
【００８４】
図１３は、図１に示す検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。本図に示すように、画素電極にイオン化空気を吹き付けた場合には、ソース電圧(Vs)が周期的に変化する場合がある。このような場合であっても、ゲート電圧調整回路１１０は、第１電流供給回路１００の出力電位(Vout)を一定に保つことにより、第１電流供給回路１００から供給されるドレイン電流を一定に保つ。この結果、ソース電圧(Vs)の変化に応じて、ゲート電圧(Vg)が変化している。例えば、ドレイン電流を規定電流である４μＡとした場合のゲート電圧(Vg(4μA))と、ドレイン電流を他の規定電圧である２μＡとした場合のゲート電圧(Vg(2μA))とを本図に示す。
【００８５】
図１３（ｂ）に示すように、算出部１３０は、ドレイン電流が４μＡである場合のゲート電圧の平均値と、ドレイン電流が２μＡである場合のゲート電圧の平均値とに基づいて、β値を算出できる。本図の例において、実際には、ＴＦＴの閾値電圧Vthは、1.5Vであり、β値は、2μA/V2である。これに対して、検査装置１０は、検査結果として、閾値電圧Vthを1.4Vと算出し、β値を2.04μA/V2と算出した。このように、本実施例によれば、検査装置１０は、高い精度でβ値を算出することができる。
【００８６】
図１４は、従来の手法によりＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。従来の手法によれば、β値の算出が非常に困難である。例えば、ドレイン電圧(Vd)及びゲート電圧(Vg)を固定した場合に流れるドレイン電流(Id)を測定する方法を例として説明する。
【００８７】
この方法によると、ドレイン電流(Id)は、ソース電圧(Vs)の変化に伴い変化する。具体的には、ＴＦＴは、オフ状態となってドレイン電流を流さない状態と、オンとなってドレイン電流を流し飽和状態に至った状態との間を変化する。この場合、ドレイン電流の平均値は意味を持った値とならず、単にドレイン電流(Id)の平均を算出するような手法によりβ値を算出するのは困難である。
【００８８】
図１５は、図７に示す検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。図１３と同様、ソース電圧(Vs)は、時間に応じて変化する。ドレイン電流調整回路１５０は、ゲート電圧(Vg)及びドレイン電圧(Vd)の電位差(Vofs)を一定に保持するべく、第２電流供給回路１４０に印加する電圧(Vc)を調整することにより、ドレイン電流(Id)を調整する。本図は、ゲート電圧(Vg)を8Vに設定し、電位差(Vofs)を2.5V又は3.5Vに設定した場合のドレイン電圧(Vd)及び第２電流供給回路１４０に印加する電圧(Vc)を示している。
【００８９】
算出部１３０は、第２電流供給回路１４０に印加する電圧(Vc)の平均値に基づいて、ドレイン電流の平均値を算出する。この結果、算出部１３０は、ドレイン電流、ゲート電圧、及びドレイン電圧の少なくとも２組に基づいて、閾値電圧Vthを算出することができる。本図の例において、実際には、ＴＦＴの閾値電圧Vthは、1.5Vである。これに対して、検査装置１０は、検査結果として、閾値電圧Vthを1.48Vと算出した。このように、本実施例によれば、検査装置１０は、高い精度で閾値電圧Vthを算出することができる。
【００９０】
図１６（ａ）は、図１１に示す検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。ＴＦＴアレイ２０の画素電極の接触抵抗が１ｋΩから５０ｋΩまでの範囲で変化しても、検査装置１０は、β値及び閾値電圧Vthを適切に算出することができる。
【００９１】
一方、図１６（ｂ）は、画素電極を導電ゴム等により接触し、従来の方法によりＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。従来の方法とは、所定のゲート電圧(Vg)をＴＦＴに印加した場合のドレイン電流(Id)を測定し、測定したドレイン電流に基づいてβ値及び閾値電圧Vthを求める方法である。本図において、ソース電圧(Vs)を記載しているが、実際にはソース電圧を測定することが困難であるため、ゲート電圧(Vg)を、ソース及びゲート間の電圧(Vgs)として用いて計算を行っている。このため、抵抗値が大きくなるのに従って、算出されるβ値等の誤差も大きくなる。
【００９２】
以上、本実施例で示したように、ＴＦＴアレイ２０の画素電極を非接触の方式で接地した場合等であって、ＴＦＴのソース電圧が未知の場合であっても、検査装置１０は、各ＴＦＴの特性を正確に測定することができる。また、ソース電圧が変動する場合であっても、検査装置１０は、ＴＦＴのドレイン電流を一定に保つことにより、ＴＦＴの特性を測定することができる。また、ＴＦＴアレイ２０の画素電極を他の電極に接触させた場合等であって、大きさが不明な接触抵抗が生じる場合であっても、検査装置１０は、各ＴＦＴの特性を正確に測定することができる。
【００９３】
また、本実施例によれば、検査装置１０は、汎用のＡ／Ｄ変換回路をコンピュータに付加した構成を用いて、マイクロプロセッサ等による演算処理によりβ値及び閾値電圧Vthを算出することができる。このため、高精度な積分回路又は微小電流測定回路等が不要となり、検査装置１０の製造又は管理コストを削減することができる。
【００９４】
以上に示した実施例によれば、以下の各項目に示す検査装置が実現される。
【００９５】
（項目１）  発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第１電流供給回路と、予め定められた規定電流が前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に流れるように前記ＴＦＴのゲートに印加するゲート電圧を調整するゲート電圧調整回路と、前記ゲート電圧調整回路により調整されたゲート電圧を測定する測定部とを備える検査装置。
（項目２）  前記ゲート電圧調整回路は、前記第１電流供給回路が供給するドレイン電流が前記規定電流より多い場合に、当該ドレイン電流を減らすように前記ゲート電圧を調整し、前記第１電流供給回路が供給するドレイン電流が前記規定電流より少ない場合に、当該ドレイン電流を増やすように前記ゲート電圧を調整する項目１記載の検査装置。
（項目３）  前記第１電流供給回路は、予め定められた電位の電圧源と、前記電圧源に接続する電気抵抗と、前記電気抵抗に接続され、前記ＴＦＴに電流を供給する出力端子とを有し、前記電圧源の電位及び前記電気抵抗の抵抗値は、前記出力端子の電位が予め定められた規定電圧である場合に当該第１電流供給回路が前記規定電流を供給するように調整されており、前記ゲート電圧調整回路は、前記出力端子の電位及び前記規定電圧を入力し、前記出力端子の電位及び前記規定電圧が異なる場合に、前記出力端子の電位を前記規定電圧に等しくするゲート電圧を前記ＴＦＴに印加するアンプを有する項目２記載の検査装置。
【００９６】
（項目４）  前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、前記ＴＦＴのドレイン又はソースの一方は、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴのドレイン又はソースの他方に前記ＴＦＴを前記飽和領域で動作させる電圧を印加することによりドレイン電流を供給し、前記ゲート電圧調整回路は、互いに大きさの異なる少なくとも２つの前記規定電流がドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、前記測定部は、前記ゲート電圧調整回路により調整された少なくとも２つの前記ゲート電圧を順次測定し、測定した当該ゲート電圧に基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値を算出する算出部を更に備える項目１記載の検査装置。
（項目５）  前記ＴＦＴのソースが、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第２電流供給回路と、前記ＴＦＴのゲートに予め定められたゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、前記ゲート電圧及び前記ドレイン電圧の電位差が予め設定した設定電位でありかつ前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させるように、前記第２電流供給回路により供給される前記ドレイン電流を調整するドレイン電流調整回路とを更に備え、前記測定部は、互いに異なる少なくとも２つの前記設定電位について、前記ドレイン電流調整回路により調整された前記ドレイン電流を順次測定し、前記算出部は、順次測定された前記ドレイン電流と、算出した前記β値とに基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差である閾値電圧を算出する項目４記載の検査装置。
【００９７】
（項目６）  前記ＴＦＴのソースが、大きさが不明の電気抵抗を介して接地されており、前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給し、前記ゲート電圧調整回路は、互いに大きさの異なる少なくとも３つの前記規定電流がドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、前記測定部は、前記ゲート電圧調整回路により調整された少なくとも３つの前記ゲート電圧を順次測定し、前記算出部は、測定した当該ゲート電圧に基づいて、前記β値と、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧とを算出する項目４記載の検査装置。
（項目７）  前記検査装置は、マトリックス状に配列された複数のＴＦＴであるＴＦＴアレイを検査する装置であって、前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴアレイに含まれる各ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次電流を供給し、前記ゲート電圧調整回路は、前記第１電流供給回路により電流が供給されているＴＦＴについて、互いに大きさの異なる少なくとも２つの前記規定電流が当該ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、前記測定部は、前記複数のＴＦＴのそれぞれに対して調整された前記ゲート電圧を測定し、前記算出部は、前記複数のＴＦＴのそれぞれについて前記β値を算出し、ＴＦＴ毎の前記β値のばらつきが予め定められた基準より大きい場合に、前記ＴＦＴアレイが不良である旨を出力する項目４記載の検査装置。
（項目８）  前記検査装置は、マトリックス状に配列された複数のＴＦＴであるＴＦＴアレイを検査し、前記第１電流供給回路は、前記ＴＦＴアレイに含まれる各ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次電流を供給し、前記ゲート電圧調整回路は、前記第１電流供給回路により電流が供給されているＴＦＴについて、互いに大きさの異なる少なくとも２つの前記規定電流が当該ＴＦＴのドレイン及びソース間に順次流れるように前記ゲート電圧を順次調整し、前記測定部は、前記複数のＴＦＴのそれぞれに対して調整された前記ゲート電圧を測定し、前記複数のＴＦＴのそれぞれについて、測定された少なくとも２つの前記ゲート電圧に基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すために要するゲート電圧及び接地電位の電位差の閾値を算出し、ＴＦＴ毎に算出した当該閾値のばらつきが予め定められた基準より大きい場合に、前記ＴＦＴアレイが不良である旨を出力する算出部を更に備える項目１記載の検査装置。
【００９８】
（項目９）  前記ＴＦＴアレイは、前記複数のＴＦＴに共通な電源配線を有し、前記第１電流供給回路は、前記電源配線を介して前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給し、前記ＴＦＴアレイにおける全てのＴＦＴを駆動させない状態において、前記第１電流供給回路から前記電源配線に供給されるオフセット電流の大きさを測定し、前記測定部がゲート電圧を測定する時に、前記電源配線に更に前記オフセット電流を供給するオフセット電流測定部を更に備える項目８記載の検査装置。
（項目１０）  発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、前記ＴＦＴのソースは、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第２電流供給回路と、前記ＴＦＴのゲートに予め定められたゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、前記ゲート電圧及び前記ドレイン電圧の電位差が予め設定した設定電位でありかつ前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させるように、前記第２電流供給回路により供給される前記ドレイン電流を調整するドレイン電流調整回路と、互いに異なる少なくとも２つの前記設定電位について、前記ドレイン電流調整回路により調整された前記ドレイン電流を順次測定する測定部と、順次測定された前記ドレイン電流と、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値とに基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を算出する算出部とを備える検査装置。
（項目１１）  前記第２電流供給回路は、入力端子と、前記入力端子に一端が接続された電気抵抗と、前記電気抵抗の他端に接続され前記ＴＦＴのドレインに電流を供給する出力端子とを有し、前記ドレイン電流調整回路は、前記ドレイン電圧を入力し、入力した当該ドレイン電圧との電位差が前記設定電位である電圧を出力する電位差設定回路と、前記電位差設定回路の出力及び前記ゲート電圧を入力し、前記電位差設定回路の出力電圧が前記ゲート電圧と異なる場合に、前記電位差設定回路の出力電圧を前記ゲート電圧と等しくする電圧を前記入力端子に印加するアンプとを有する項目１０記載の検査装置。
【００９９】
（項目１２）  発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、前記ＴＦＴのソースは、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、前記ＴＦＴのゲートに印加されるゲート電圧及び前記ＴＦＴのドレインに印加されるドレイン電圧間を、前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させる電位差に保持する電位差保持回路と、前記ＴＦＴのドレインにドレイン電圧を印加することにより、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間にドレイン電流を供給する第３電流供給回路と、予め設定した設定電流が前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に流れるように、前記ドレイン電圧を調整するドレイン電圧調整回路と、互いに異なる少なくとも２つの前記設定電流が流れるように前記ドレイン電圧調整回路により前記ドレイン電圧を順次調整させて、調整された場合における前記ゲート電圧を順次測定する測定部と、測定した前記ゲート電圧と、前記ゲート電圧から算出したドレイン電圧と、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値とに基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間に電流を流すのに要するゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を算出する算出部とを備える検査装置。
（項目１３）  前記第３電流供給回路は、入力端子と、出力端子と、前記入力端子に一端が接続され、前記出力端子に他端が接続され、前記入力端子及び前記出力端子間の電位差が予め定められた規定電位である場合に前記第３電流供給回路が前記設定電流を出力する抵抗値を有する電気抵抗とを有し、前記ドレイン電圧調整回路は、前記入力端子の電位を入力し、前記入力端子の電位との電位差が前記規定電位である電圧を出力する電位差設定回路と、前記出力端子の電位と、前記電位差設定回路の出力電圧とを入力して、前記出力端子と前記電位差設定回路の出力電圧の電位が異なる場合に、前記出力端子と前記電位差設定回路の出力電圧を等しくする電圧を前記入力端子に印加するアンプとを有する項目１２記載の検査装置。
【０１００】
（項目１４）  発光素子に電流を供給するＴＦＴ(Thin Film Transistor)を検査する検査装置であって、前記ＴＦＴのドレイン又はソースの一方は、接地電位と比較して大きさが不明な電位差を有し、前記ＴＦＴは、ドレイン及びソース間の電圧に対して前記ドレイン電流が略線形に変化する線形領域、又は前記線形領域と比較して前記ドレイン電流の変化が少ない飽和領域で動作し、前記ＴＦＴのゲートにゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、前記ＴＦＴを前記飽和領域で動作させる電圧をドレイン及びソース間に印加するドレイン電圧印加回路と、前記ゲート電圧印加回路により印加される少なくとも２つのゲート電圧のそれぞれについて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間を流れるドレイン電流を測定する測定部と、測定した当該ドレイン電流に基づいて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間の電流供給能力を示すパラメータであるβ値を算出する算出部とを備える検査装置。
（項目１５）  前記ＴＦＴのソースが、接地電位と比較して大きさが不明で変動し得る電位差を有し、前記算出部が前記β値を算出した場合において、前記ドレイン電圧印加回路は、前記ＴＦＴを前記線形領域で動作させる少なくとも２つの電圧を前記ＴＦＴのドレインに順次印加し、前記測定部は、前記ドレイン電圧印加回路により順次印加された電圧のそれぞれについて、前記ＴＦＴのドレイン及びソース間を流れるドレイン電流を測定し、前記算出部は、算出した前記β値と、前記測定部により測定された前記ドレイン電流に基づいて、前記ＴＦＴがドレイン及びソース間に電流を流すのに必要なゲート及びソース間の電位差の閾値である閾値電圧を算出する項目１４記載の検査装置。
【０１０１】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】図１は、検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査する概略を示す。
【図２】図２は、検査装置１０のブロック図を示す。
【図３】図３は、オフセット電流測定部１１８の一例を示す。
【図４】図４は、ＴＦＴ２００のＩｄ−Ｖｇ曲線の一例を示す。
【図５】図５は、画素電極及びＴＦＴの配置を示す。
【図６】図６（ａ）は、検査装置１０が図５（ａ）のＴＦＴを検査する回路の等価回路を示す。  図６（ｂ）は、検査装置１０が図５（ｂ）のＴＦＴを検査する回路の等価回路を示す。
【図７】図７は、ソース電圧が不明なＴＦＴアレイ２０を検査する検査装置１０のブロック図を示す。
【図８】図８は、検査装置１０が図５（ｃ）のＴＦＴを検査する回路の等価回路を示す。
【図９】図９（ａ）は、検査装置１０が図５（ｄ）のＴＦＴを基本シーケンスにより検査する回路の等価回路を示す。  図９（ｂ）は、検査装置１０が拡張シーケンスによりＴＦＴの閾値電圧Vthを算出する回路の構成を示す。
【図１０】図１０は、第１の変形例における検査装置１０のブロック図を示す。
【図１１】図１１（ａ）は、第２の変形例における検査装置１０の概念図を示す。  図１１（ｂ）は、第２の変形例において検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査する回路の等価回路を示す。
【図１２】図１２は、第３の変形例における検査装置１０のブロック図を示す。
【図１３】図１３は、図１に示す検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。
【図１４】図１４は、従来の手法によりＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。
【図１５】図１５は、図７に示す検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。
【図１６】図１６（ａ）は、図１１に示す検査装置１０がＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。  図１６（ｂ）は、画素電極を導電ゴム等により接触し、従来の方法によりＴＦＴアレイ２０を検査するシミュレーションの結果を示す。
【図１７】図１７は、ＯＬＥＤによる有機ＥＬディスプレイパネルが生産される工程を示す。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  検査装置
２０  ＴＦＴアレイ
１００  第１電流供給回路
１０２  電圧源
１０４  電気抵抗
１０８  出力端子
１１０  ゲート電圧調整回路
１１５  アンプ
１１８  オフセット電流測定部
１２０  測定部
１３０  算出部
１３５  ゲート電圧印加回路
１４０  第２電流供給回路
１４２  入力端子
１４４  電気抵抗
１４６  出力端子
１５０  ドレイン電流調整回路
１５５  アンプ
１５８  電位差設定回路
１６０  電位差保持回路
１７０  第３電流供給回路
１７２  入力端子
１７４  電気抵抗
１７６  出力端子
１８０  ドレイン電圧調整回路
１８２  電位差設定回路
１８４  アンプ
２００  ＴＦＴ
２１０  画素電極
２１５  イオン化空気
２２０  ＴＦＴ
２２５  イオン化空気
２４０  ＴＦＴ
２５０  ＴＦＴ
２６０  ＴＦＴ
３００  アンプ
３１０  電気抵抗
３２０  コンデンサ
３３０  スイッチ
１１００  ゲート電圧印加回路
１１１０  ドレイン電圧印加回路
【図１】
2005150274.tif 000013
【図２】
2005150274.tif 000014
【図３】
2005150274.tif 000015
【図４】
2005150274.tif 000016
【図５】
2005150274.tif 000017
【図６】
2005150274.tif 000018
【図７】
2005150274.tif 000019
【図８】
2005150274.tif 000020
【図９】
2005150274.tif 000021
【図１０】
2005150274.tif 000022
【図１１】
2005150274.tif 000023
【図１２】
2005150274.tif 000024
【図１３】
2005150274.tif 000025
【図１４】
2005150274.tif 000026
【図１５】
2005150274.tif 000027
【図１６】
2005150274.tif 000028
【図１７】
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