(57)【要約】 【課題】  液晶層に気泡が発生した場合にも、特性低下を引き起こし難い構成の液晶装置を提供する。【解決手段】  本発明の液晶装置は、一対の基板１０，２０間に液晶層５０が挟持されてなる液晶装置であって、前記基板面内に画素領域と非画素領域とを有し、非画素領域の少なくとも一部に、当該非画素領域の液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きくなる部分が形成されていることを特徴とする。【選択図】    図４
2005241696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置であって、
前記基板面内に画素領域と非画素領域とを有し、
前記非画素領域の少なくとも一部に、当該非画素領域の液晶層厚が前記画素領域の液晶層厚よりも大きい部分が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記一対の基板の少なくとも一方と前記液晶層との間には、所定パターンにて配設された着色層と、該着色層同士の間に配設された遮光層とが形成されてなり、
前記遮光層は前記非画素領域に含まれる一方、その少なくとも一部に開口部若しくは前記着色層よりも薄層の薄層部が形成され、該薄層部に対応して、前記非画素領域の液晶層厚が前記画素領域の液晶層厚よりも大きく形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記一対の基板の少なくとも一方と前記液晶層との間に、前記非画素領域の液晶層厚の少なくとも一部を前記画素領域の液晶層厚よりも大きくするための液晶層厚調整層が形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記液晶層厚調整層が前記画素領域に選択的に形成されてなることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記液晶層厚調整層が前記画素領域及び前記非画素領域の双方に形成されてなり、前記非画素領域に形成された前記液晶層厚調整層の層厚が、前記画素領域に形成された前記液晶層厚調整層の層厚よりも小さく構成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記一対の基板はシール材を介して対向配置され、これらシール材と一対の基板とに囲まれた空間に液晶が封入されてなるとともに、該シール材が閉ざされた環状にて構成されてなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
一対の基板が閉ざされた環状にて構成されるシール材を介して対向配置され、該一対の基板とシール材とに囲まれた空間に液晶が封入されてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方に、着色層と遮光層とを形成する層形成工程と、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上にシール材を閉ざされた環状に形成する工程と、
前記シール材の内側に液晶を配置する工程と、
前記シール材を介して一対の基板を貼り合わせる工程と、を含み、
前記層形成工程において、前記遮光層の少なくとも一部を開口又は薄層化させる工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
一対の基板が閉ざされた環状にて構成されるシール材を介して対向配置され、該一対の基板とシール材とに囲まれた空間に液晶が封入されてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方に液晶層厚調整層を形成する工程と、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上にシール材を閉ざされた環状に形成する工程と、
前記シール材の内側に液晶を配置する工程と、
前記シール材を介して一対の基板を貼り合わせる工程と、を含み、
前記液晶層厚調整層を形成する工程において、当該液晶装置の非画素領域となる部分の少なくとも一部を開口若しくは薄膜化した態様にて該液晶層厚調整層を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコン、携帯電話機、腕時計等の携帯用電子機器、さらには大型テレビに至るまで、各種の情報を表示する手段として液晶装置が広く使用されている。このような液晶装置は、一般に一対の基板とシール材とによって囲まれた領域に液晶が封入された構成を具備しており、その作製時の条件によっては、低温又は高温状態で液晶層に気泡が発生する場合がある。発生原因はそれぞれの状況で異なるが、気泡自体は液晶装置としては致命欠陥と言える。
【０００３】
一般的に、液晶装置にはカラーフィルタ等の有機膜が具備されているが、時として該有機膜からガスが発生する場合があり、特に高温時には発生し易く、これが気泡の原因となっている。一方、低温時には液晶が収縮し、基板の挙動がその動きに追従できないときに気泡（真空気泡）が発生し易い。そこで、例えば特許文献１には、このような気泡を発生させないことを目的として、液晶の収縮に追従して基板を変化させる技術が開示されている。
【特許文献１】特開平６−１８６５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１のような従来技術では、気泡発生を抑制することはできるものの完全に防止することは難しい。そして、仮に発生してしまった場合には、これを原因として表示不具合が生じることとなる。そこで、本発明は、気泡が発生した場合にも、特性低下を引き起こし難い構成の液晶装置、及びその製造方法、さらにはその液晶装置を備えた信頼性の高い電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置であって、前記基板面内に画素領域と非画素領域とを有し、非画素領域の少なくとも一部に、当該非画素領域の液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きい部分が形成されていることを特徴とする。ここで、画素領域とは、当該液晶装置の表示の最小単位を構成する領域であって、非画素領域とは画素領域を取り囲む形でマトリクス状に構成されてなる非表示領域のことである。
【０００６】
このような液晶装置によると、高温時又は低温時等において液晶層に気泡が発生した場合にも、該気泡は非画素領域に選択的に発生若しくは移動するため、画素領域に気泡が存在することを回避可能となる。その結果、気泡発生に起因して、液晶装置の表示特性低下等の不具合が生じ難く、信頼性の高い液晶装置を提供可能となる。なお、気泡が非画素領域に選択的に発生ないし移動する理由は以下の通りである。一般に、発生した気泡は液晶との接触面積が最小となるように、つまり球形となるように発生ないし移動するものであるが、その点、液晶層厚が大きいとより球形に近づき易く、一方、液晶層厚が小さいと楕円となり易い。したがって、本発明のように、非画素領域において液晶層を相対的に厚くする部分を設けることにより、その部分に気泡を選択的に集めることが可能となるのである。
【０００７】
上記のような液晶装置において、前記一対の基板の少なくとも一方と前記液晶層との間には、所定パターンにて配設された着色層と、該着色層同士の間に配設された遮光層とが形成されてなり、前記遮光層は前記非画素領域に含まれる一方、その少なくとも一部に開口部若しくは前記着色層よりも薄層の薄層部が形成され、該薄層部に対応して、前記非画素領域の液晶層厚が前記画素領域の液晶層厚よりも大きく形成されてなるものとすることができる。
【０００８】
この場合、開口部若しくは薄層部の形成領域において、非画素領域の液晶層厚が大きいものとなる。つまり、遮光層が無い分、若しくは遮光層が着色層よりも薄い分、非画素領域の液晶層厚を大きくすることができ、これにより上記のような非画素領域への気泡の選択的配置が好適に実現されることとなる。また、この場合、従来から用いているカラーフィルタの遮光層を利用すれば、別途液晶層厚を異ならせるための部材も必要ないため、コスト面からも好ましいものとなる。
【０００９】
一方、前記一対の基板の少なくとも一方と前記液晶層との間に、非画素領域の液晶層厚の少なくとも一部を画素領域の液晶層厚よりも大きくするための液晶層厚調整層が形成されてなるものとすることができる。この場合、液晶層厚調整層を別途設ける必要があるものの、上記のような非画素領域への気泡の選択的配置を好適に実現することができるようになる。
【００１０】
具体的には、前記液晶層厚調整層が前記画素領域に選択的に形成されてなるものとすることができる。この場合、画素領域のみに液晶層厚調整層が形成された構成のため、非画素領域は液晶層厚調整層の厚さ分だけ厚膜となる。
【００１１】
なお、前記液晶層厚調整層が前記画素領域及び非画素領域の双方に形成されてなり、非画素領域に形成された液晶層厚調整層の層厚が、画素領域に形成された液晶層厚調整層の層厚よりも小さく構成されているものとすることもできる。この場合、非画素領域の液晶層厚は、該非画素領域の液晶層厚調整層が画素領域の液晶層厚調整層よりも小さい分だけ厚膜となる。
【００１２】
前記一対の基板はシール材を介して対向配置され、これらシール材と一対の基板とに囲まれた空間に液晶が封入されてなるとともに、該シール材が閉ざされた環状にて構成されてなるものとすることができる。このような閉ざされた環状に構成されてなるシール材内部に液晶を封入する場合、基板を貼り合わせる前に液晶を基板上に配置しなければならず、つまり、基板上に液晶を配置し、その後、一対の基板を貼り合わせる必要がある。このような方法によると、シール材に液晶が食い込まないように液晶の滴下量を少なめにする必要があり、そのため低温時の真空気泡が発生し易い傾向にある。そこで、このようなタイプ（以下、封口レスタイプとも言う）の液晶装置において、本発明の構成を採用すると、発生した気泡を好適に非画素領域に選択配置可能なため、表示特性低下等の不具合が生じ難いものとなる。
【００１３】
次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板が閉ざされた環状にて構成されるシール材を介して対向配置され、該一対の基板とシール材とに囲まれた空間に液晶が封入されてなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方に、着色層と遮光層とを形成する層形成工程と、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板上にシール材を閉ざされた環状に形成する工程と、前記シール材の内側に液晶を配置する工程と、前記シール材を介して一対の基板を貼り合わせる工程と、を含み、前記層形成工程において、前記遮光層の少なくとも一部を開口又は薄層化させる工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
このような製造方法によると、上述した封口レスタイプの液晶装置であって、非画素領域の少なくとも一部において、その液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きく構成された液晶装置を好適に提供可能となる。
【００１５】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、その異なる態様として、一対の基板が閉ざされた環状にて構成されるシール材を介して対向配置され、該一対の基板とシール材とに囲まれた空間に液晶が封入されてなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方に液晶層厚調整層を形成する工程と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上にシール材を閉ざされた環状に形成する工程と、前記シール材の内側に液晶を配置する工程と、前記シール材を介して一対の基板を貼り合わせる工程とを含み、前記液晶層厚調整層を形成する工程において、当該液晶装置の非画素領域となる部分の少なくとも一部を開口若しくは薄膜化した態様にて該液晶層厚調整層を形成することを特徴とする。この場合も、上述した封口レスタイプの液晶装置であって、非画素領域の少なくとも一部において、その液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きく構成された液晶装置を好適に提供することができる。
【００１６】
次に、本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、光抜け等の不具合発生が少ない液晶装置を表示部として備えたことによって、信頼性の高い表示特性に優れた電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の液晶装置について、その実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図１は本発明の液晶装置の一実施の形態としての液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図４は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１８】
図１及び図２において、本実施の形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状（環状）に形成されており、液晶注入口を備えていない構成となっている。つまり、液晶注入口を封止する封止材を備えておらず（封止材にて封止された痕跡がなく）、環状全体が同一の材料にて連続的に構成されており、いわゆる封口レスタイプの液晶表示装置となっている。
【００１９】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２０】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００２１】
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を備えたカラーフィルタを形成する。
【００２２】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００２３】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００２４】
図４は液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、液晶表示装置１００は、ガラス基板１０’を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０と、ガラス基板２０’を主体として構成される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持された構成を有している。ＴＦＴアレイ基板１０の内面側（液晶層側）には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており（図３参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）がそれぞれ電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層（液晶層側）にはポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜（図示略）が形成されている。ここで、本実施形態では、画素電極９が形成された領域が画素領域となり、それを取り囲む領域が非画素領域となる。
【００２５】
一方、対向基板２０の内面側（液晶層側）には、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域（非画素領域）と対向する領域に遮光膜２３が形成され、その内面側には、遮光膜２３の選択配置によってできた凹凸を解消するための平坦化膜（保護膜）２４が形成されている。平坦化膜２４の内面側にはカラーフィルタ２５が形成され、カラーフィルタ２５の更に内面側にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された対向電極２１が形成されている。なお、対向電極２１の表層（液晶層側）には、ポリイミド膜からなる配向膜（図示略）が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０がシール材５２（図１参照）により基板内に封入されている。
【００２６】
ここで、対向基板２０側に形成されたカラーフィルタ２５は、画素領域に形成されてなる赤色，緑色，青色の色光を選択的に透過可能な各着色層Ｒ，Ｇ，Ｂと、各着色層Ｒ，Ｇ，Ｂの境界領域（つまり非画素領域）に形成されてなる遮光層２６とを含んでいる。遮光層２６は、着色層Ｒ，Ｇ，Ｂの層厚よりも薄い薄層部２６ａを有し、該薄層部２６ａの形状に倣って、非画素領域における液晶層５０の層厚が画素領域における液晶層５０の層厚よりも大きく形成されている。具体的には、薄層部２６ａは着色層Ｒ，Ｇ，Ｂの層厚よりも０．０５μｍ〜０．２μｍ程度だけ薄く形成されており、画素領域の液晶層厚は２μｍ程度であって、非画素領域の液晶層厚は１．９５μｍ〜１．８μｍ程度となっている。
【００２７】
このような本実施形態の液晶表示装置１００によると以下のような効果を奏することが可能となる。つまり、液晶表示装置１００は、非画素領域において該非画素領域の液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも小さくなる部分を含むため、例えば液晶層５０に気泡が発生した場合にも、該気泡を非画素領域に選択的に発生若しくは移動させることが可能となる。このような液晶層５０における気泡発生は、高温時又は低温時等において発生し得るものであるが、どのような条件で気泡が発生した場合にも本実施形態によれば、画素領域に気泡が存在することを回避可能となる。その結果、気泡発生に起因して、液晶表示装置１００の表示特性低下等の不具合が生じ難いものとなる。
【００２８】
なお、気泡が非画素領域に選択的に発生ないし移動する理由は以下の通りである。一般に、発生した気泡は液晶との接触面積が最小となるように、つまり球形となるように発生ないし移動するものであるが、その点、液晶層厚が大きいとより球形に近づき易く、一方、液晶層厚が小さいと楕円となり易い。したがって、本実施形態のように、非画素領域において液晶層５０を相対的に厚くする部分を設けることにより、その部分に気泡を選択的に集めることが可能となるのである。なお、本実施形態では、図４において画素領域の平面方向の幅は約１２０μｍ程度、非画素領域の平面方向の幅は約２０μｍ程度であって、画素領域の液晶層厚が約２μｍ、非画素領域の液晶層厚が約１．８μｍであるため、図示したように画素領域に存在する気泡Ｂ１よりも、非画素領域に存在する気泡Ｂ２の方が球形に近く、安定に存在することとなる。
【００２９】
以上、本実施形態の液晶表示装置１００では、カラーフィルタ２５の遮光層２６の一部を薄膜化して、非画素領域における液晶層厚を薄膜化しているが、遮光層２６の全てを薄膜化するものとしても良い。また、例えば図５に示すように、遮光層２６の一部に開口部２６ｂを設け、該開口部２６に対応した部分を薄膜化するものとしても良い。
【００３０】
次に、本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法について、その一例を説明する。
まず、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程として、ガラス基板１０’上に所定の配線、及びスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成するとともに、この表層に画素電極９を所定のパターンにて形成する。そして、さらに表層にポリイミドからなる配向膜を形成してＴＦＴアレイ基板１０を得る。
【００３１】
一方、対向基板２０の製造工程としては、ガラス基板２０’上にクロム等の遮光性金属材料からなる遮光膜２３を形成し、その上層にアクリル樹脂等の平坦化膜２４を形成する。さらに、平坦化膜２４上に着色層Ｒ，Ｇ，Ｂ及び遮光層２６を含む形にてカラーフィルタ２５を形成し、その後、遮光層２６の一部若しくは全部をエッチング等により薄層化若しくは開口させる。なお、カラーフィルタ２５の形成時において、遮光層２６の形成領域にマスク等を選択的に配設することで開口部ないし薄層部を形成するものとしても良い。カラーフィルタ２５の形成後、その表層に対向電極２１を全面に形成し、さらに表層にはポリイミドからなる配向膜を形成する。
【００３２】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０の少なくとも一方、本実施形態では対向基板２０の表層に、シール材形成用材料としての光硬化性樹脂（接着剤）を閉ざされた環状に形成する。一方、ＴＦＴアレイ基板１０の表層には、該ＴＦＴアレイ基板１０と上記対向基板２０とを貼り合わせた際に、上記形成した光硬化性樹脂の環状枠内側に位置するように液晶を配置する。なお、光硬化性樹脂（接着剤）の配置、及び液晶の配置には、例えばディスペンサーを用いた描画法、インクジェット装置を用いた液滴吐出法等を採用することができる。
【００３３】
続いて、形成した光硬化性樹脂を介して一対の基板を真空中にて貼り合わせ、大気解放後、光硬化性樹脂に対して光照射することで本発明に係る液晶表示装置を製造することができる。このような製造方法によると、封口レスタイプの液晶表示装置であって、非画素領域の少なくとも一部において、その液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きく構成された液晶表示装置を好適に製造することができる。
【００３４】
また、このような閉ざされた環状に構成されてなるシール材（接着剤）内部に液晶を封入する場合には、基板を貼り合わせる前に液晶を基板上に配置しなければならず、つまり、基板上に液晶を配置し、その後、各基板を貼り合わせる必要がある。この場合、シール材（接着剤）に液晶が食い込まないように液晶の滴下量を少なめにする必要があり、そのため低温時の真空気泡が発生し易い傾向にある。そこで、封口レスタイプの液晶表示装置において、上述の通り、非画素領域の液晶層厚を画素領域の液晶層厚よりも相対的に大きく構成することで、発生した気泡を好適に非画素領域に選択配置可能なため、表示特性低下等の不具合が生じ難いものとなる。
【００３５】
次に、本発明の液晶装置について、その他の実施の形態を図面を用いて説明する。
図６は、画素領域と非画素領域との間で液晶層厚を異ならしめるための樹脂層を備える液晶表示装置の断面模式図である。なお、図４に示した液晶表示装置と同一の符号を付した構成要素については、特に説明のない限り、図４に示した構成と同一の構成であるものとする。
【００３６】
図６に示した液晶表示装置においては、対向基板２０に形成されたカラーフィルタ２５が着色層Ｒ，Ｇ，Ｂと遮光層２６を含んでいるが、これら着色層Ｒ，Ｇ，Ｂ及び遮光層２６が略面一に形成されている。しかしながら、カラーフィルタ２５の内面側には、アクリル樹脂等の透光性誘電体材料からなる樹脂層２７が、画素領域に対して選択的に配設されており、この樹脂層２７が液晶層厚調整層として機能している。そして、この樹脂層２７を含むカラーフィルタ２５の内面側には対向電極２１及び配向膜（図示略）が形成されている。
【００３７】
このように液晶層５０と、該液晶層５０を挟持する基板の少なくとも一方との間に、非画素領域の液晶層厚の少なくとも一部を画素領域の液晶層厚よりも大きくするための樹脂層２７が形成されてなる液晶表示装置についても、非画素領域への気泡の選択的配置を好適に実現することができるようになる。なお、樹脂層２７が画素領域及び非画素領域の双方に形成されてなり、非画素領域に形成された樹脂層の層厚が、画素領域に形成された樹脂層の層厚よりも小さく構成されているものとすることもできる。この場合、非画素領域の液晶層厚は、該非画素領域の樹脂層の層厚が画素領域の樹脂層の層厚よりも小さい分だけ大きくなる。
【００３８】
このような樹脂層２７を備えた液晶表示装置を製造する場合には、まず、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程として、ガラス基板１０’上に所定の配線、及びスイッチング素子としてのＴＦＴを形成するとともに、この表層に画素電極９を所定のパターンにて形成する。そして、さらに表層にポリイミドからなる配向膜を形成してＴＦＴアレイ基板１０を得る。
【００３９】
一方、対向基板２０の製造工程としては、ガラス基板２０’上に遮光性金属材料からなる遮光膜２３を形成し、その上層にアクリル樹脂等の平坦化膜２４を形成する。さらに、平坦化膜２４上に着色層Ｒ，Ｇ，Ｂ及び遮光層２６を含む形にてカラーフィルタ２５を形成する。ここでは、着色層Ｒ，Ｇ，Ｂと遮光層２６とは略面一にて形成している。そして、カラーフィルタ２５の形成後、該カラーフィルタ２５の内面側であって、画素領域に相当する部分にアクリル樹脂を選択的に配設して、液晶層厚を調整するための樹脂層２７を形成する。その後、樹脂層２７を含むカラーフィルタ２５の内面側に対向電極２１を全面形成し、さらに表層にはポリイミドからなる配向膜を形成する。
【００４０】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０の少なくとも一方、本実施形態では対向基板２０の表層に、シール材形成用材料としての光硬化性樹脂（接着剤）を閉ざされた環状に形成する。一方、ＴＦＴアレイ基板１０の表層には、該ＴＦＴアレイ基板１０と上記対向基板２０とを貼り合わせた際に、上記形成した光硬化性樹脂の環状枠内側に位置するように液晶を配置する。なお、光硬化性樹脂（接着剤）の配置、及び液晶の配置には、例えばディスペンサーを用いた描画法、インクジェット装置を用いた液滴吐出法等を採用することができる。
【００４１】
続いて、形成した光硬化性樹脂を介して一対の基板を真空中にて貼り合わせ、大気解放後、光硬化性樹脂に対して光照射することで本発明に係る液晶表示装置を製造することができる。このような製造方法によると、封口レスタイプの液晶表示装置であって、非画素領域の少なくとも一部において、その液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きく構成された液晶表示装置を好適に製造することができる。
【００４２】
一方、図７は、透過表示と反射表示との双方を可能にした半透過反射型の液晶表示装置の断面模式図である。なお、この場合も、図４に示した液晶表示装置と同一の符号を付した構成要素については、特に説明のない限り、図４に示した構成と同一の構成であるものとする。
【００４３】
図７に示した液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０のガラス基板１０’の内面側に、図４の液晶表示装置と同様、画素電極９が形成されており、この場合の画素電極９は、アルミニウム等の反射性導電材料からなる反射用電極９ａと、ＩＴＯ等の透光性導電材料からなる透過用電極９ｂとから構成されている。反射用電極９ａと透過用電極９ｂとは、１つの画素のなかで電気的に接続されており、反射用電極９ａが形成された領域が反射表示領域、透過用電極９ｂが形成された領域が透過表示領域となる。なお、反射用電極９ａの表面は凹凸形状が付与されており、これにより入射した光が散乱を伴って反射され、映り込みが防止されている。
【００４４】
一方、対向基板２０に形成されたカラーフィルタ２５は、図４に示した液晶表示装置と同様に着色層Ｒ，Ｇ，Ｂと遮光層２６を含んでいるが、これら着色層Ｒ，Ｇ，Ｂ及び遮光層２６が略面一に形成されている。また、カラーフィルタ２５の内面側には、アクリル樹脂等の透光性誘電体材料からなる樹脂層２８が、反射表示領域に対して選択的に配設されている。この樹脂層２８は、反射表示領域の液晶層厚を透過表示領域の液晶層厚の略１／２とするための第１液晶層厚調整層として機能している。そして、樹脂層２８を含むカラーフィルタ２５の内面側には対向電極２１及び配向膜（図示略）が形成されている。
【００４５】
ここで、樹脂層２８は、非画素領域において自身の層厚が選択的に小さくなるように薄層部２８ａを有してなり、この薄層部２８ａに倣って、特に反射表示領域の液晶層厚について、非画素領域の液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きくなっている。つまり、薄層部２８ａを有する樹脂層２８は、画素領域と非画素領域の液晶層厚を異ならしめる第２液晶層厚調整層として機能している。その結果、非画素領域への気泡の選択的配置を好適に実現することができるようになり、特に反射表示を重視した液晶表示装置にとっては好ましい形態となる。なお、図７の例では、樹脂層２８を対向基板２０側に形成したが、これをＴＦＴアレイ基板１０側に形成しても良い。
【００４６】
また、このような半透過反射型であって、樹脂層２８を第２液晶層厚調整層として含む液晶表示装置の製造する場合には、まず、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程として、ガラス基板１０’上に所定の配線、及びスイッチング素子としてのＴＦＴを形成するとともに、この表層に画素電極９を所定のパターンにて形成する。この場合、反射用電極９ａ及び透過用電極９ｂを電気的に接続させつつ、それぞれを所定のパターンにて形成するのであるが、反射用電極９ａとガラス基板１０’との間には表面に凹凸を有した樹脂層を形成するのが良い。そして、画素電極９の表層にはポリイミドからなる配向膜を形成してＴＦＴアレイ基板１０を得る。
【００４７】
一方、対向基板２０の製造工程としては、ガラス基板２０’上に遮光性金属材料からなる遮光膜２３を形成し、その上層にアクリル樹脂等の平坦化膜２４を形成する。さらに、平坦化膜２４上に着色層Ｒ，Ｇ，Ｂ及び遮光層２６を含む形にてカラーフィルタ２５を形成する。ここでは、着色層Ｒ，Ｇ，Ｂと遮光層２６とは略面一にて形成している。そして、カラーフィルタ２５の形成後、該カラーフィルタ２５の内面側であって、反射表示領域（反射用電極９ａが形成された領域）に相当する部分にアクリル樹脂を選択的に配設して、液晶層厚を調整するための樹脂層２８を形成する。
【００４８】
その後、樹脂層２８のうち、非画素領域の一部若しくは全部をエッチング等により薄層化若しくは開口させる。なお、樹脂層２８の形成時において、非画素領域に対応してマスク等を選択的に配設することで開口部ないし薄層部を形成するものとしても良い。そして、樹脂層２８を含むカラーフィルタ２５の内面側に対向電極２１を全面形成し、さらに表層にはポリイミドからなる配向膜を形成する。
【００４９】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０の少なくとも一方、本実施形態では対向基板２０の表層に、シール材形成用材料としての光硬化性樹脂（接着剤）を閉ざされた環状に形成する。一方、ＴＦＴアレイ基板１０の表層には、該ＴＦＴアレイ基板１０と上記対向基板２０とを貼り合わせた際に、上記形成した光硬化性樹脂の環状枠内側に位置するように液晶を配置する。なお、光硬化性樹脂（接着剤）の配置、及び液晶の配置には、例えばディスペンサーを用いた描画法、インクジェット装置を用いた液滴吐出法等を採用することができる。
【００５０】
続いて、形成した光硬化性樹脂を介して一対の基板を真空中にて貼り合わせ、大気解放後、光硬化性樹脂に対して光照射することで本発明に係る液晶表示装置を製造することができる。このような製造方法によると、封口レスタイプの半透過反射型液晶表示装置であって、非画素領域の少なくとも一部において、その液晶層厚が画素領域の液晶層厚よりも大きく構成された液晶表示装置を好適に製造することができる。
【００５１】
［電子機器］
次に、上記実施形態で示した液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図８は携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。このような電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、表示品質に優れた、信頼性の高い電子機器となる。
【００５２】
以上、本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明はこれに限定されないことは言うまでもなく、本発明の主旨を損なわない程度に適宜変更可能である。例えば、本実施形態においては封口レスタイプの液晶表示装置を示したが、液晶注入口を備えたシール材を基板上に形成し、貼り合わせ後、液晶を注入して封止を行うタイプの液晶表示装置についても本発明の構成を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示した平面模式図。
【図２】図１の液晶表示装置の断面構成を示した断面模式図。
【図３】図１の液晶表示装置の等価回路を示す図。
【図４】図１の液晶表示装置の断面模式図。
【図５】第１の変形例に係る液晶表示装置の断面模式図。
【図６】第２の変形例に係る液晶表示装置の断面模式図。
【図７】第３の変形例に係る液晶表示装置の断面模式図。
【図８】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５４】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、２５…カラーフィルタ、２６…遮光層、５０…液晶層、１００…液晶表示装置、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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