(57)【要約】【課題】  温度サイクル時に発生する繰り返し曲げ応力を吸収できるリード及びその応力対応方法を提供する。【解決手段】  プリント基板５上に、一対のリード１と、各リード１上に搭載された半導体素子２と、一対のリード３と、各リード３上に搭載された半導体素子４とが、実装されている。各リード１の半導体素子接続端子部１ａは半導体素子２から外側に延伸し、しかも、リード１の中間傾斜部１ｂの一端が内側に折曲されることによって、基板接続端子部１ｃが構成される。したがって、リード１の全体の長さは長くなるので、応力は分散して吸収され、かつ、テープ・キャリア・パッケージはコンパクトになる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、
前記半導体素子接続端子部は、半導体素子から外側に延伸し、
前記基板接続端子部は、前記中間傾斜部の一端から内側に折曲形成されることを特徴とする応力分散リード。
【請求項２】
リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、
前記半導体素子接続端子部と基板の間に半導体素子が、配置され、
前記半導体素子の電極は、前記半導体素子接続端子部と接続することを特徴とする応力分散リード。
【請求項３】
リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、
半導体素子は、その中央付近に電極が設けられ、
前記半導体素子接続端子部は、前記電極と接続することを特徴とする応力分散リード。
【請求項４】
リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、
前記半導体素子接続端子部、前記中間傾斜部及び前記基板接続端子部は、全体として略Ｓ字形状に形成されることを特徴とする応力分散リード。
【請求項５】
リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、
前記半導体素子接続端子部を、半導体素子から外側に延伸し、
前記基板接続端子部を、前記中間傾斜部の一端から内側に折曲形成することを特徴とするリードの応力分散方法。
【請求項６】
リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、
前記半導体素子接続端子部と基板の間に半導体素子を配置し、
前記半導体素子の電極を、前記半導体素子接続端子部と接続することを特徴とするリードの応力分散方法。
【請求項７】
リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、
半導体素子の中央付近に電極を設け、
前記半導体素子接続端子部を前記電極と接続することを特徴とするリードの応力分散方法。
【請求項８】
リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、
前記半導体素子接続端子部、前記中間傾斜部及び前記基板接続端子部を、全体として略Ｓ字形状に形成することを特徴とするリードの応力分散方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ・キャリア・パッケージ（Tape Carrier Package）における応力が分散されるリード及びリードに生じる応力の分散方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のテープ・キャリア・パッケージにおけるリードとプリント基板の関連構造について図５を参照して説明する。図５（Ａ）は全体の断面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）における楕円形内の拡大断面図を、それぞれ示す。図５（Ｂ）における破線の楕円形内の構造は、リードの要部である。
【０００３】
図５（Ｂ）に示されるように、下側に配置されている一対の小さいリード２１の半導体素子接続端子部２１ａの上には、ＩＣチップ等の半導体素子２２の左右両側に設けられた電極２２ａが、それぞれ接続されている。各リード２１の中間傾斜部２１ｂの先端が外側に折曲されることによって、基板接続端子部２１ｃが構成される。
【０００４】
上側に配置されている一対の大きいリード２３の半導体素子接続端子部２３ａの上には、半導体素子２４の左右両側に設けられた電極２４ａが、それぞれ接続されている。各リード２３の中間傾斜部２３ｂの先端が外側に折曲されることによって、基板接続端子部２３ｃが構成される。
【０００５】
各リード２１の基板接続端子部２１ｃと各リード２３の基板接続端子部２３ｃは、それぞれプリント基板２５の各パッド２５ａに半田接続されている。
【０００６】
半導体素子２４の上面は、銅製カバー２６に貼付されたシリコーン・シート２７に接触している。このような手段によって、テープ・キャリア・パッケージ内から外部へ放熱が行われる。
【０００７】
テープ・キャリア・パッケージの下半部の構造及び機能は、上半部の構造及び機能と同様である。
【０００８】
下側のリード２１の長さは、短い。リードの長さは、テープ・キャリア・パッケージの幅とモジュールの厚さに制約されるため、今後更に短くなることと推察される。リードの長さが短いと、リードは、温度サイクル時に発生する繰り返し曲げ応力を吸収することができないので、破断する。
【０００９】
なお、半導体を搭載されるテープ・キャリア・パッケージにおいて、半導体素子上に形成されたバンプと接続するインナーリードに、半導体素子側に凹となるようにＲ曲げ加工部を設けることによって、バンプとインナーリードの接続部に過大な応力が発生することを防止することは、提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
また、ＩＣチップを吊架したインナーリードをベースフィルムの応力緩和部にて支持し、応力緩和部を弾性変形させることによって、インナーリードに加わるベースフィルムによる応力を低減させ、インナーリードの破断を防止することは、提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平１１−４０６２２号公報
【特許文献２】特開平１０−１７８０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前記従来のリードは、その長さが短いため、温度サイクル時に発生する繰り返し曲げ応力を吸収することができないので、破断する。
【００１２】
そこで、本発明は、前記従来のリードの欠点を改良し、温度サイクル時に発生する繰り返し曲げ応力を吸収することができるリード及びその応力対応方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、前記課題を解決するため、次の手段を採用する。
【００１４】
１．リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、前記半導体素子接続端子部は、半導体素子から外側に延伸し、前記基板接続端子部は、前記中間傾斜部の一端から内側に折曲形成される応力分散リード。
【００１５】
２．リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、前記半導体素子接続端子部と基板の間に半導体素子が、配置され、前記半導体素子の電極は、前記半導体素子接続端子部と接続する応力分散リード。
【００１６】
３．リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、半導体素子は、その中央付近に電極が設けられ、前記半導体素子接続端子部は、前記電極と接続する応力分散リード。
【００１７】
４．リードは、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成され、前記半導体素子接続端子部、前記中間傾斜部及び前記基板接続端子部は、全体として略Ｓ字形状に形成される応力分散リード。
【００１８】
５．リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、前記半導体素子接続端子部を、半導体素子から外側に延伸し、前記基板接続端子部を、前記中間傾斜部の一端から内側に折曲形成するリードの応力分散方法。
【００１９】
６．リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、前記半導体素子接続端子部と基板の間に半導体素子を配置し、前記半導体素子の電極を、前記半導体素子接続端子部と接続するリードの応力分散方法。
【００２０】
７．リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、半導体素子の中央付近に電極を設け、前記半導体素子接続端子部を前記電極と接続するリードの応力分散方法。
【００２１】
８．リードを、半導体素子接続端子部と、中間傾斜部と、基板接続端子部とから連続して一体に構成し、前記半導体素子接続端子部、前記中間傾斜部及び前記基板接続端子部を、全体として略Ｓ字形状に形成するリードの応力分散方法。
【発明の効果】
【００２２】
明細書の記載から明らかなように、本発明によれば、次の効果が奏される。
【００２３】
１．リードの全体の長さは長くなるので、応力は分散して吸収され、かつ、テープ・キャリア・パッケージはコンパクトになる。
【００２４】
２．リードの簡素な改造、半導体素子の姿勢の変更及び半導体素子の電極の配置変更によって、リードの全体の長さを長くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の４つの実施例の応力分散リード及びリードの応力分散方法について説明する。
【実施例１】
【００２６】
本発明の実施例１について図１を参照して説明する。
【００２７】
図１は、テープ・キャリア・パッケージにおけるリードとプリント基板の関連構造の全体の断面図であり、破線の楕円形内の構造は、リードの要部である。
【００２８】
下側に配置されている一対の小さいリード１の半導体素子接続端子部１ａの上には、ＩＣチップ等の半導体素子２の左右両側に設けられた電極２ａが、それぞれ接続されている。各リード１の半導体素子接続端子部１ａは、半導体素子２から外側に延伸している。各リード１の中間傾斜部１ｂの一端が内側に折曲されることによって、基板接続端子部１ｃが構成される。
【００２９】
上側に配置されている一対の大きいリード３の半導体素子接続端子部３ａの上には、半導体素子４の左右両側に設けられた電極４ａが、それぞれ接続されている。各リード３の中間傾斜部３ｂの一端が外側に折曲されることによって、基板接続端子部３ｃが構成される。
【００３０】
各リード１の基板接続端子部１ｃと各リード３の基板接続端子部３ｃは、それぞれプリント基板５の各パッド５ａに半田接続されている。
【００３１】
半導体素子４の上面は、銅製カバー６に貼付されたシリコーン・シート７に接触している。ただし、図面には、半導体素子４とシリコーン・シート７の間は、離間して示されている。このような手段によって、テープ・キャリア・パッケージ内から外部へ放熱が行われる。
【００３２】
実施例１においては、リード１の半導体素子接続端子部１ａが半導体素子２から外側に延伸し、しかも、リード１の中間傾斜部１ｂの一端が内側に折曲されることによって、基板接続端子部１ｃが構成される。したがって、リード１の全体の長さは長くなるので、応力は分散して吸収され、かつ、テープ・キャリア・パッケージはコンパクトになる。
【実施例２】
【００３３】
本発明の実施例２について図２を参照して説明する。
【００３４】
実施例２〜４の説明については、実施例１と同様な点の説明を省略し、相違する点の説明のみを行う。
【００３５】
実施例２の中間傾斜部１ｅは、実施例１の中間傾斜部１ｂを延長することによって構成される。半導体素子接続端子部１ｄの下には、裏返された半導体素子２の左右両側に設けられた電極２ａが、それぞれ接続される。半導体素子接続端子部１ｄは、半導体素子２から外側に延伸しないように設計変更することもできる。また、中間傾斜部１ｅの一端を外側に折曲することによって、基板接続端子部１ｆを構成することもできる。
【００３６】
半導体素子接続端子部３ｄの下には、裏返された半導体素子４の左右両側に設けられた電極４ａが、それぞれ接続される。
【００３７】
実施例２においては、中間接続部１ｅを延長し、半導体素子接続端子部１ｄの下に裏返された半導体素子２の左右両側に設けられた電極２ａを接続することによって、リード１の全体の長さは長くなる。
【実施例３】
【００３８】
本発明の実施例３について図３を参照して説明する。
【００３９】
実施例１の各電極２ａ，４ａは半導体素子２，４の左右両側に設けられているが、実施例３の各電極２ｂ，４ｂは半導体素子２，４の中央付近に設けられている。各電極２ｂ，４ｂの配置に応じて、リード１，３の半導体素子接続端子部１ｇ，３ｇの長さを長く構成する。半導体素子接続端子部１ｇは、半導体素子２から外側に延伸しないように設計変更することもできる。また、中間傾斜部１ｈの一端を外側に折曲することによって、基板接続端子部１ｉを構成することもできる。
【００４０】
実施例３においては、上述したリード１，３と半導体素子２，４の構造によって、リード１の全体の長さは長くなる。
【実施例４】
【００４１】
本発明の実施例４について図４を参照して説明する。
【００４２】
実施例４のリード１は、実施例１における半導体素子接続端子部１ａ、中間傾斜部１ｂ及び基板接続端子部１ｃから構成されるリード１全体を、略Ｓ字形状に改造されることによって構成される。
【００４３】
実施例４においては、リード１が単純に２度湾曲している簡素な構造によって、リード１の全体の長さは長くなる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のテープ・キャリア・パッケージにおける応力分散リード及びリードの応力分散方法の実施例１の断面図である。
【図２】本発明の実施例２の断面図である。
【図３】本発明の実施例３の断面図である。
【図４】本発明の実施例４の断面図である。
【図５】従来のテープ・キャリア・パッケージにおけるリードの断面図であり、（Ａ）は全体図、（Ｂ）は（Ａ）における楕円形内の拡大図を、それぞれ示す。
【符号の説明】
【００４５】
１  リード
１ａ，１ｄ，１ｇ  半導体素子接続端子部
１ｂ，１ｅ，１ｈ  中間傾斜部
１ｃ，１ｆ，１ｉ  基板接続端子部
２  半導体素子
２ａ，２ｂ  電極
３  リード
３ａ，３ｄ  半導体素子接続端子部
３ｂ  中間傾斜部
３ｃ  基板接続端子部
４  半導体素子
４ａ，４ｂ  電極
５  プリント基板
５ａ  パッド
６  銅製カバー
７  シリコーン・シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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