(57)【要約】【課題】  薄膜電子部品の破損が無く、確実な吸着が行える薄膜電子部品を備えた回路基板を提供する。【解決手段】  本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板において、基板１上には、薄膜電子部品３の形成領域上に設けられた柔らかい絶縁材からなる被覆膜１３と、薄膜電子部品３の形成領域外の箇所に設けられた硬い絶縁材からなる保護膜１４を有し、被覆膜１３と保護膜１４の上面がほぼ面一状態に形成されたため、吸着部材１６が被覆膜１３と保護膜１４の上面に当接するようになって、吸着部材１６が薄膜電子部品３に直接、当接せず、従って、薄膜電子部品３の破損を無くすることができる。【選択図】        図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板と、この基板上に薄膜によって形成された薄膜電子部品とを備え、前記基板上には、前記薄膜電子部品の形成領域上に設けられた柔らかい絶縁材からなる被覆膜と、前記薄膜電子部品の形成領域外の箇所に設けられた硬い絶縁材からなる保護膜を有し、前記被覆膜と前記保護膜の上面がほぼ面一状態に形成されたことを特徴とする薄膜電子部品を備えた回路基板。
【請求項２】
前記保護膜は、吸着装置の吸着部材の先端部が当接可能な位置に配置されたことを特徴とする請求項１記載の薄膜電子部品を備えた回路基板。
【請求項３】
前記吸着部材の先端部が位置する吸着領域の全面を前記被覆膜と前記保護膜とによって覆うようにしたことを特徴とする請求項２記載の薄膜電子部品を備えた回路基板。
【請求項４】
前記基板における前記薄膜電子部品の形成側全面が前記被覆膜と前記保護膜とによって覆われたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の薄膜電子部品を備えた回路基板。
【請求項５】
前記保護膜は、窒化シリコン、ガラスセラミックの何れかを主成分とする材料で形成されたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の薄膜電子部品を備えた回路基板。
【請求項６】
前記保護膜は、５ｗｔ％以上のフィラーを含有するエポキシを主成分とする材料で形成されたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の薄膜電子部品を備えた回路基板。
【請求項７】
前記被覆膜は、エポキシ、ポリイミド、アクリル、ＢＣＢ、或いはシリコーンの何れかを主成分とする材料で形成されたことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の薄膜電子部品を備えた回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の電子回路ユニット等に適用して好適な薄膜電子部品を備えた回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路基板、及び従来の回路基板の吸着方法の図面を説明すると、図８は従来の回路基板の要部の断面図、図９は従来の回路基板の吸着方法を示す説明図である。
【０００３】
次に、従来の回路基板の構成を図８，図９に基づいて説明すると、絶縁材からなる平板状の基板５１の上面には、配線パターン５２が設けられると共に、この基板５１上には、コンデンサＣや抵抗Ｒが設けられて、回路基板Ｋが形成されている。
【０００４】
このコンデンサＣは、基板５１上に形成された下部電極５３と、この下部電極５３上に設けられた誘電体５４と、この誘電体５４と基板５１上に設けられた上部電極５５とで形成され、また、抵抗Ｒは、上部電極５５と配線パターン５２間に設けられた抵抗体５６で形成されると共に、絶縁材からなる保護膜５７がコンデンサＣの上部電極５５と抵抗Ｒの抵抗体５６に跨って形成されて、基板５１の上面から突出した突出部５８有した状態となっている。
【０００５】
次に、従来の回路基板の吸着方法を図９に基づいて説明すると、吸着装置５９は、先端部が突出部５８の形状に合わせて加工された吸着部材６０を有し、この吸着部材６０の先端部をコンデンサＣと抵抗Ｒの形成領域にある突出部５８上に当接させて、回路基板Ｋを吸着した状態で、回路基板Ｋを所望の位置に搬送するようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
しかし、従来の回路基板において、コンデンサＣや抵抗Ｒが薄膜によって形成されたものにあっては、吸着部材６０の先端部がコンデンサＣと抵抗Ｒの形成領域にある突出部５８上に当接されるため、吸着部材６０による衝撃でコンデンサＣや抵抗Ｒが破損するものであった。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−３１８５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の回路基板において、コンデンサＣや抵抗Ｒが薄膜によって形成されたものにあっては、吸着部材６０の先端部がコンデンサＣと抵抗Ｒの形成領域にある突出部５８上に当接されるため、吸着部材６０による衝撃でコンデンサＣや抵抗Ｒが破損するという問題がある。
また、吸着部材６０の先端部は、突出部５８の外形に合わせた加工が必要になるため、その加工が面倒となって、コスト高になるばかりか、吸着時には、吸着部材６０の先端部を突出部５８に合わせねばならず、その位置がずれると吸着できず、しかも、吸着位置に自由度が無いという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は薄膜電子部品の破損が無く、確実な吸着が行える薄膜電子部品を備えた回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、平板状の基板と、この基板上に薄膜によって形成された薄膜電子部品とを備え、前記基板上には、前記薄膜電子部品の形成領域上に設けられた柔らかい絶縁材からなる被覆膜と、前記薄膜電子部品の形成領域外の箇所に設けられた硬い絶縁材からなる保護膜を有し、前記被覆膜と前記保護膜の上面がほぼ面一状態に形成された構成とした。
【００１１】
また、第２の解決手段として、前記保護膜は、吸着装置の吸着部材の先端部が当接可能な位置に配置された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記吸着部材の先端部が位置する吸着領域の全面を前記被覆膜と前記保護膜とによって覆うようにした構成とした。
また、第４の解決手段として、前記基板における前記薄膜電子部品の形成側全面が前記被覆膜と前記保護膜とによって覆われた構成とした。
【００１２】
また、第５の解決手段として、前記保護膜は、窒化シリコン、ガラスセラミックの何れかを窒化シリコン、ガラスセラミックの何れかを主成分とする材料で形成された構成とした。
また、第６の解決手段として、前記保護膜は、５ｗｔ％以上のフィラーを含有するエポキシを主成分とする材料で形成された構成とした。
また、第７の解決手段として、前記被覆膜は、エポキシ、ポリイミド、アクリル、ＢＣＢ、或いはシリコーンの何れかを主成分とする材料で形成された構成とした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板は、平板状の基板と、この基板上に薄膜によって形成された薄膜電子部品とを備え、基板上には、薄膜電子部品の形成領域上に設けられた柔らかい絶縁材からなる被覆膜と、薄膜電子部品の形成領域外の箇所に設けられた硬い絶縁材からなる保護膜を有し、被覆膜と保護膜の上面がほぼ面一状態に形成されたため、吸着部材が被覆膜と保護膜の上面に当接するようになって、吸着部材が薄膜電子部品に直接、当接せず、従って、薄膜電子部品の破損を無くすることができると共に、吸着部材の先端部は、面一状態の被覆膜と保護膜の上面に位置すようになるため、吸着部材の先端部の加工は平坦状で良く、その加工が簡単で、安価であり、しかも、吸着時は、吸着部材が面一状態の被覆膜と保護膜の上面に位置すれば良く、吸着位置に自由度を持たせることができる。
【００１４】
また、保護膜は、吸着装置の吸着部材の先端部が当接可能な位置に配置されたため、保護膜への吸着部材の当接時、吸着部材のそれ以上の移動が阻止されて、吸着部材による被覆膜の押圧が無くなって、薄膜電子部品の破損を防止できる。
【００１５】
また、吸着部材の先端部が位置する吸着領域の全面を被覆膜と保護膜とによって覆うようにしたため、不必要な個所にまで、被覆膜と保護膜を形成することなくなって、安価なものが得られる。
【００１６】
また、基板における薄膜電子部品の形成側全面が被覆膜と保護膜とによって覆われたため、例えば、被覆膜と保護膜が大判の基板全面に形成した後、切断して個々の基板を製造する場合にあっては、その製造が簡単となって、生産性の良好なものが得られる。
【００１７】
また、保護膜は、窒化シリコン、ガラスセラミックの何れかを主成分とする材料で形成されたため、硬い保護膜が形成できて、薄膜電子部品の破損を防止できる。
【００１８】
また、保護膜は、５ｗｔ％以上のフィラーを含有するエポキシを主成分とする材料で形成されたため、硬い保護膜が形成できて、薄膜電子部品の破損を防止できる。
【００１９】
また、被覆膜は、エポキシ、ポリイミド、アクリル、ＢＣＢ、或いはシリコーンの何れかを主成分とする材料で形成されたため、柔らかい被服膜が形成できて、薄膜電子部品への衝撃を和らげ、薄膜電子部品の破損を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板、及び本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の吸着方法の図面を説明すると、図１は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の平面図、図２は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の要部の断面図、図３は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板に係り、被覆膜と保護膜を取り去った状態の平面図である。
【００２１】
また、図４は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板に係り、インダクタの部分を示す要部拡大断面図、図５は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板に係り、コンデンサの部分を示す要部拡大断面図、図６は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の吸着方法を示す平面図、図７は本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の吸着方法を示す断面図である。
【００２２】
次に、本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の構成を図１〜図７に基づいて説明すると、絶縁材からなるアルミナ基板等の平板状の基板１の上面には、薄膜によって配線パターン２が設けられると共に、この基板１上には、薄膜によってインダクタＬ、コンデンサＣ、抵抗Ｒ等の薄膜電子部品３が設けられて、回路基板Ｋが形成されている。
【００２３】
インダクタＬは、図３，図４に示すように、渦巻き状の導体４と、この導体４上の一部を横切るように設けられた絶縁膜５と、導体４の一端に接続された状態で、絶縁膜５上に跨って形成された引出導体６とによって形成されており、このインダクタＬは、絶縁膜５を形成した箇所が基板１の上面から突出した状態となっている。
【００２４】
コンデンサＣは、特に図５に示すように、基板１上に形成された第１，第２の下部電極７，８と、第２の下部電極８上に設けられた誘電体９と、この誘電体９の両端側に設けられたマイグレーション防止用の絶縁体１０と、誘電体９上と絶縁体１０上に跨って基板１上に形成された第１，第２の上部電極１１、１２とによって構成されており、このコンデンサＣは、絶縁体１０や第１，第２の上部電極１１，１２を形成した箇所が基板１の上面から突出した状態となっている。
【００２５】
柔らかい絶縁材からなる被覆膜１３は、エポキシ、ポリイミド、アクリル、ＢＣＢ、或いはシリコーンの何れかを主成分とする材料で形成され、この被覆膜１３は、基板１上において、薄膜電子部品３であるインダクタＬ、コンデンサＣ、抵抗Ｒの少なくとも形成領域上に形成されている。
なお、この実施例における被覆膜１３は、薄膜電子部品３の形成領域外に跨って形成されたものとなっている。
【００２６】
硬い絶縁材からなる保護膜１４は、窒化シリコン、ガラスセラミックを主成分とする材料、又は、シリカ等をフィラーとして５ｗｔ％以上含有するエポキシで形成され、この保護膜１４は、基板１上において、薄膜電子部品３であるインダクタＬ、コンデンサＣ、抵抗Ｒの少なくとも形成領域外に形成されおり、そして、基板１の薄膜電子部品３の形成面側の全面が保護膜１４と被覆膜１３とによって覆われていると共に、保護膜１４と被覆膜１３の上面は、ほぼ面一状態で平坦状となっている。
【００２７】
そして、インダクタＬやコンデンサＣは、基板１の上面から突出した状態となっているが、保護膜１４と被覆膜１３によって回路基板Ｋの上面を平坦状となして、後述するように、吸着し易くさせている。
【００２８】
次に、本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の吸着方法を図６，図７に基づいて説明すると、吸着装置１５は、先端部が平坦状をなした吸着部材１６を有し、この吸着部材１６の先端部を保護膜１４と被覆膜１３の上面に当接させて、回路基板Ｋを吸着した状態で、回路基板Ｋを所望の位置に搬送するようになっている。
【００２９】
この時、吸着部材１６は、薄膜電子部品３の形成領域外にある硬い保護膜１４に当接して、それ以上の移動が阻止され、このため、被覆膜１３を不必要に押圧することが無く、また、被覆膜１３は、保護膜１４と面一状態にあることから、吸着部材１６による吸着を確実にすると共に、柔らかい材料で形成されていることから、薄膜電子部品３の損傷を防止できる。
【００３０】
なお、上記実施例では、基板１の薄膜電子部品３の形成面側の全面が保護膜１４と被覆膜１３とによって覆われたもので説明したが、吸着部材１６の先端部が位置する吸着領域の全面を被覆膜１３と保護膜１４とによって覆うようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の平面図。
【図２】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の要部の断面図。
【図３】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板に係り、被覆膜と保護膜を取り去った状態の平面図。
【図４】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板に係り、インダクタの部分を示す要部拡大断面図。
【図５】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板に係り、コンデンサの部分を示す要部拡大断面図。
【図６】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の吸着方法を示す平面図。
【図７】本発明の薄膜電子部品を備えた回路基板の吸着方法を示す断面図。
【図８】従来の回路基板の要部の断面図。
【図９】従来の回路基板の吸着方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００３２】
１：基板
２：配線パターン
３：薄膜電子部品
Ｌ：インダクタ
Ｃ：コンデンサ
Ｒ：抵抗
Ｋ：回路基板
４：導体
５：絶縁膜
６：引出導体
７：第１の下部電極
８：第２の下部電極
９：誘電体
１０：絶縁体
１１：第１の上部電極
１２：第２の上部電極
１３：被覆膜
１４：保護膜
１５：吸着装置
１６：吸着部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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