(57)【要約】【課題】  処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。【解決手段】  基礎台としてのＡｌリング１５によりカソード電極１２の周辺領域１５Ａが構成されている。この周辺領域１５Ａ上にＳｉリング１６が設けられている。Ｓｉリング１６は、表裏両面が主面として用いられる形状を有している。Ｓｉリング１６は、好ましくは表裏両面が略対称形状になっている。Ｓｉリング１６は、エッチング処理によりプラズマ放電時間が累積されると、摩耗劣化してくる。Ｓｉリング１６はエッチングレートに悪影響の出ないうちに交換しなければならない。メンテナンス、クリーニング時等を含む交換時期には、裏返しにして再び使用する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に半導体ウェハが置かれ、反応ガスのプラズマを前記半導体ウェハ上に生成することにより所望のエッチング処理が施されるドライエッチング装置であって、
前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、
前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極の周辺領域上に設けられ、主面が前記プラズマを前記半導体ウェハの周囲に拡張させるリングと、を含み、
前記リングは、表裏両面が前記主面として用いられる形状を有しているドライエッチング装置。
【請求項２】
前記リングは、表裏両面共に前記半導体ウェハの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域、前記半導体ウェハの周辺を囲む外周平坦領域、及び前記半導体ウェハの端面に隣り合う前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有する請求項１記載のドライエッチング装置。
【請求項３】
前記リングは、表裏両面が略対称形状になっている請求項１または２記載のドライエッチング装置。
【請求項４】
処理室内に半導体ウェハが置かれ、反応ガスのプラズマを前記半導体ウェハ上に生成することにより所望のエッチング処理が施されるドライエッチング装置であって、
前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、
前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極の周辺領域上に設けられ、表裏両面が前記半導体ウェハの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域、前記半導体ウェハの周辺を囲む外周平坦領域、及び前記半導体ウェハの端面に隣り合う前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有するリングと、を含むドライエッチング装置。
【請求項５】
前記リング下に前記リングが置かれる基礎的なリングを具備している請求項１〜４いずれか一つに記載のドライエッチング装置。
【請求項６】
前記リングの外側に前記リングの支持部を有する最外周のリングを具備している請求項１〜５いずれか一つに記載のドライエッチング装置。
【請求項７】
処理室内に半導体ウェハが置かれ、反応ガスのプラズマを前記半導体ウェハ上に生成することにより所望のエッチング処理が施されるドライエッチング装置であって、
前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、
前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極の周辺に設けられる第１リングと、
前記第１リング上に設けられ前記プラズマを前記半導体ウェハの周囲に拡張させる表裏両面が主面となり得る第２リングと、
前記第１リング及び第２リングの外周を囲み、前記第２リングの支持部を有する第３リングと、を含むドライエッチング装置。
【請求項８】
前記第２リングは外周側部に溝を備え、前記第３リングは前記支持部として前記溝に嵌合するスプリングボールを配備している請求項７記載のドライエッチング装置。
【請求項９】
前記第２リングは外周側部の所定箇所に凸部を備え、前記第３リングは前記支持部として前記凸部と嵌合する溝を配備している請求項７記載のドライエッチング装置。
【請求項１０】
前記半導体ウェハはＳｉウェハであり、前記第２リングは共にＳｉで構成されている請求項７〜９いずれか一つに記載のドライエッチング装置。
【請求項１１】
プラズマ生成用の上部電極及び下部電極を有するドライエッチング装置の処理室内で前記下部電極の周辺領域に、少なくとも前記プラズマを前記半導体ウェハの周囲に拡張させるリングを配置する工程と、
前記リングの最上部領域の高さと略同じレベルの処理面の高さを有するような半導体ウェハを前記下部電極に固定する工程と、
前記上部電極側から供給される反応ガスをプラズマ化させて前記半導体ウェハに所望のエッチングを施す工程と、を含み、
前記リングを使用の経過に応じて裏返しして用いる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
ドライエッチング装置の処理室内においてシリコン半導体ウェハの置かれる電極周辺に配備するための表裏両面が対称形状のＳｉリング。
【請求項１３】
ドライエッチング装置の処理室内においてシリコン半導体ウェハの置かれる電極周辺にプラズマ拡張用として配備される、表裏両面が内周平坦領域、外周平坦領域、及び前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有するＳｉリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ工程におけるプラズマ処理に係り、特にＳｉウェハ周囲にプラズマ拡張用のリングを有するドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチング装置は、反応ガスを処理室内に導入してプラズマ化するプラズマエッチングを利用する技術が一般化されている。並行平板型のドライエッチング装置は、処理室内の下部電極に半導体ウェハを固定する。例えば高周波電源に接続された上部電極の微小孔から反応ガスが供給され、上部電極と下部電極間でプラズマを発生させる。これにより、半導体ウェハに所望のエッチング処理を行う。
【０００３】
半導体ウェハの処理表面全体に、より均一に分布するようなプラズマを与えないとエッチングレートに差が生じる。対策として、ウェハ周辺にリング状の部材を配置し、見かけ上ウェハ径を大きくする構成がとられる。いわゆるＳｉリング（シリコンリング）であり、ウェハ面内におけるプラズマ密度の均一化が図れ、エッチングレートのばらつきを抑える（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１９６２５７号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図４は、従来のエッチング装置における処理室内のＳｉリング部分を示す拡大断面図である。Ｓｉリング４１は、下部電極となるカソード電極４２の周辺領域上に配備されている。Ｓｉリング４１は、理想的にはウェハＷＦの高さが同じでウェハＷＦの端面に隣接する連続的な上面部を有することが望ましい。しかし、現状ではウェハを載置する際のウェハの位置合わせ余裕を考慮し、ウェハＷＦの端面からわずかに離間させるため所定の傾斜部４１Ｔを経て最上面領域４１Ｓを有する。プラズマエッチング動作に伴い、Ｓｉリング４１においてプラズマが集中し、最上面領域４１Ｓが削られ易い。プラズマ放電時間の累積により、最上面領域４１Ｓは破線部４３のように摩耗劣化する傾向がある。
【０００５】
Ｓｉリング４１の摩耗劣化が大きくなると、ウェハＷＦ外周近傍のプラズマの安定性が保てなくなり、ウェハＷＦ外周部のエッチングレートが低下する。このため、ある程度局所が摩耗劣化してきたＳｉリング４１を使用した場合、エッチングの均一性、エッチングレートが規格下限で推移することになる。これにより品質劣化、エッチング不良を招く恐れがある。
【０００６】
処理ウェハの品質劣化を避け、安定した効率の良いプラズマエッチングを実現するためには、Ｓｉリング４１を早めに交換する必要がある。すなわち、Ｓｉリング４１の局所的な摩耗、劣化が大きいためにＳｉリング４１のライフタイムは短くならざるを得ない。Ｓｉリング４１は、形状も特殊で高い精度が要求され、高価なものである。よって、頻繁な交換は半導体装置の製造コスト上昇を招く。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るドライエッチング装置は、処理室内に半導体ウェハが置かれ、反応ガスのプラズマを前記半導体ウェハ上に生成することにより所望のエッチング処理が施されるドライエッチング装置であって、前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極の周辺領域上に設けられ、主面が前記プラズマを前記半導体ウェハの周囲に拡張させるリングと、を含み、前記リングは、表裏両面が前記主面として用いられる形状を有している。
【０００９】
上記本発明に係るドライエッチング装置によれば、リングは両面の使用が可能である。これにより、長時間使用可能なリングが配備できる。リングの実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室内で略均一なプラズマ環境を維持する。
【００１０】
上記それぞれ本発明に係るドライエッチング装置において、好ましくは次のような特徴を少なくとも一つ有する。
前記リングは、表裏両面共に前記半導体ウェハの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域、前記半導体ウェハの周辺を囲む外周平坦領域、及び前記半導体ウェハの端面に隣り合う前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有する。これにより、仮想的に半導体ウェハの面積が増え、ウェハ面内のプラズマ均一性が向上する。
前記リングは、表裏両面が略対称形状になっている。これにより、表裏両面でプラズマ環境が同等であり、エッチング処理される半導体製品の品質が信頼できる。
前記リング下に前記リングが置かれる基礎的なリングを具備している。本発明に係るリングを支持する処理室内の構成部品の一つになる。
前記リングの外側に前記リングの支持部を有する最外周のリングを具備している。本発明に係るリングを支持する処理室内の構成部品の一つになる。
【００１１】
本発明に係る本発明に係るドライエッチング装置は、処理室内に半導体ウェハが置かれ、反応ガスのプラズマを前記半導体ウェハ上に生成することにより所望のエッチング処理が施されるドライエッチング装置であって、前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極の周辺領域上に設けられ、表裏両面が前記半導体ウェハの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域、前記半導体ウェハの周辺を囲む外周平坦領域、及び前記半導体ウェハの端面に隣り合う前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有するリングと、を含む。
【００１２】
上記本発明に係るドライエッチング装置によれば、リングは両面において使用し得る必要な形状を有している。よって、表裏両面で使用されることで長時間使用可能なリングが配備できる。リングの実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室内で略均一なプラズマ環境を維持する。
【００１３】
上記それぞれ本発明に係るドライエッチング装置において、好ましくは次のような特徴を少なくとも一つ有する。
前記リング下に前記リングが置かれる基礎的なリングを具備している。本発明に係るリングを支持する、処理室内の構成部品の一つになる。
前記リングの外側に前記リングの支持部を有する最外周のリングを具備している。本発明に係るリングを支持する、処理室内の構成部品の一つになる。
【００１４】
本発明に係るドライエッチング装置は、処理室内に半導体ウェハが置かれ、反応ガスのプラズマを前記半導体ウェハ上に生成することにより所望のエッチング処理が施されるドライエッチング装置であって、前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極の周辺に設けられる第１リングと、前記第１リング上に設けられ前記プラズマを前記半導体ウェハの周囲に拡張させる表裏両面が主面となり得る第２リングと、前記第１リング及び第２リングの外周を囲み、前記第２リングの支持部を有する第３リングと、を含む。
【００１５】
上記本発明に係るドライエッチング装置によれば、プラズマを半導体ウェハの周囲に拡張させる第２リングは、表裏両面が主面として利用できるように構成されている。第１リングや第３リングそれぞれは第２リングを支持する部品の一つになる。これにより、第２リングの実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室内で略均一なプラズマ環境を維持する。
【００１６】
上記それぞれ本発明に係るドライエッチング装置において、好ましくは次のようないずれかの特徴を有する。
前記第２リングは外周側部に溝を備え、前記第３リングは前記支持部として前記溝に嵌合するスプリングボールを配備している。すなわち第２リングは、少なくとも側部が第３リングのスプリングボールで押し付けられ支持される。
前記第２リングは外周側部の所定箇所に凸部を備え、前記第３リングは前記支持部として前記凸部と嵌合する溝を配備している。すなわち第２リングは、少なくとも凸部で第３リングの溝と嵌め合い支持される。
また、上記いずれかの特徴を有する本発明に係るドライエッチング装置において、前記半導体ウェハはＳｉウェハであり、前記第２リングは共にＳｉで構成されている。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、プラズマ生成用の上部電極及び下部電極を有するドライエッチング装置の処理室内で前記下部電極の周辺領域に、少なくとも前記プラズマを前記半導体ウェハの周囲に拡張させるリングを配置する工程と、前記リングの最上部領域の高さと略同じレベルの処理面の高さを有するような半導体ウェハを前記下部電極に固定する工程と、前記上部電極側から供給される反応ガスをプラズマ化させて前記半導体ウェハに所望のエッチングを施す工程と、を含み、前記リングを使用の経過に応じて裏返しして用いる。
【００１８】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、リングの磨耗劣化がプラズマ処理に悪影響を及ぼす前に、リングを裏返して利用すれば、同じリングで再び新品同様からの使用となる。リングの実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室内で略均一なプラズマ環境を維持する。
【００１９】
本発明に係るＳｉリングは、ドライエッチング装置の処理室内においてシリコン半導体ウェハの置かれる電極周辺に配備するための表裏両面が対称形状のＳｉリングである。
【００２０】
本発明に係るＳｉリングは、ドライエッチング装置の処理室内においてシリコン半導体ウェハの置かれる電極周辺にプラズマ拡張用として配備される、表裏両面が内周平坦領域、外周平坦領域、及び前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有する。
【００２１】
上記それぞれ本発明に係るＳｉリングによれば、表裏両面とも主面として利用できるように構成されている。これにより、リングの実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室内で略均一なプラズマ環境を維持する。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本発明の第１実施形態に係るドライエッチング装置の要部を示す構成図であり、平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を示す。
図１において、処理室１１は真空排気されるプラズマ室である。処理室１１内の下部電極はカソード電極１２であり、上部電極はアノード電極１３である。処理室１１内において、カソード電極１２にシリコン半導体ウェハＷＦ（以下、ウェハＷＦ）が載置され、アノード電極１３側から供給される反応ガスをプラズマ化してウェハＷＦに所望のエッチングが施される。アノード電極１３は接地されている。カソード電極１２は高周波電源１４に接続されている。また、カソード電極１２は水冷するための冷却水の経路を有する。アノード電極１３は、処理室１１内に反応ガスをシャワー状に導入するための複数のピンホール１３Ｈを有する。このようなドライエッチング装置の構成は多種多様であり上記構成に限定されない。
【００２３】
基礎台としてのＡｌリング１５によりカソード電極１２の周辺領域１５Ａが構成されている。この周辺領域１５Ａ上にＳｉリング１６が設けられている。Ｓｉリング１６は、表裏両面が主面として用いられる形状を有している。周辺領域１５ＡはＳｉリング１６の載置に合った形状を有する。Ｓｉリング１６は、ウェハＷＦの周囲にプラズマを拡張させるものである。すなわち、見かけ上ウェハ径を大きくし、ウェハＷＦ面内におけるプラズマ密度の均一化を図り、エッチングレートのばらつき抑制に寄与する。
【００２４】
Ｓｉリング１６は、好ましくは表裏両面が略対称形状になっている。ここでは、表裏両面共にウェハＷＦの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域１６１Ａ（１６１Ｂ）、ウェハＷＦの周辺を囲む外周平坦領域１６３Ａ（１６３Ｂ）、及びウェハＷＦの端面に隣り合う内周平坦領域１６１Ａ（１６１Ｂ）と外周平坦領域１６３Ａ（１６３Ｂ）の間の傾斜領域１６２Ａ（１６２Ｂ）を有する。このようなリングの構成は別段限定されることはない。リング両面において主面となり得る必要な形状を有していればよい。また、図示しないが半導体ウェハＷＦがオリフラ（オリエンテーションフラット）を有する場合は一部がオリフラに沿った形状となる。
【００２５】
上記Ｓｉリング１６を囲むようにフォーカスリング（例えばＡｌリング）１７が設けられている。フォーカスリング１７は、保護リングまたは電界補償リングとも呼ばれ、プラズマの拡散を防止し、周縁部でのエッチングレート低下を抑制する。フォーカスリング１７は、Ｓｉリング１６を側部から支持する構成を有していてもよい。
【００２６】
図１を参照して本発明に係る半導体装置の製造方法を説明する。処理室１１内において、カソード電極１２の周辺領域１５Ａ（Ａｌリング１５）に、Ｓｉリング１６を配設する。次に、処理室１１内にエッチング処理されるべきウェハＷＦを搬入する。ウェハＷＦは、カソード電極１２に位置合わせされ固定される。すなわち、ウェハＷＦは、Ｓｉリング１６の内周平坦領域１６１Ａと周辺近傍下部が対向し、外周平坦領域１６３Ａの高さと略同じレベルの処理面の高さを有するようにカソード電極１２に載置され、処理室１１内は所定の真空度に排気される。次に、アノード電極１３側から供給される反応ガスが高周波電源１４のオンによりプラズマ化され、半導体ウェハＷＦに所望のエッチングを施す。
【００２７】
Ｓｉリング１６は、エッチング処理によりプラズマ放電時間が累積されると、摩耗劣化してくる。Ｓｉリング１６はエッチングレートに悪影響の出ないうちに交換しなければならない。Ｓｉリング１６は、両面において使用し得る必要な形状を有している。よって、メンテナンス、クリーニング時等を含む交換時期には、裏返しにして再び使用する。すなわち、Ｓｉリング１６は、外周平坦領域１６３Ｂ、内周平坦領域１６１Ｂ、その間の傾斜領域１６２Ｂを主面として、ウェハＷＦをエッチング処理する。つまり、Ｓｉリング１６は、両面とも使用され交換時期がきた場合に実質的な交換となる。
【００２８】
上記実施形態及び方法によれば、プラズマをウェハＷＦの周囲に拡張させるＳｉリング１６は、表裏両面が主面として利用できるように構成されている。Ｓｉリング１６の磨耗劣化がプラズマ処理に悪影響を及ぼす前に、Ｓｉリング１６を裏返して利用すれば、同じＳｉリング１６で再び新品同様からの使用となる。これにより、Ｓｉリング１６の実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室１１内で略均一なプラズマ環境を維持することができる。
【００２９】
図２は、本発明の第２実施形態に係るドライエッチング装置の要部を示す断面図であり、Ｓｉリングの固定機構を示している。ドライエッチング装置全体としては、前記第１実施形態と同様の構成が利用されてもよい。基礎台としてのＡｌリング２５によりカソード電極２２の周辺領域２５Ａが構成されている。この周辺領域２５Ａ上に表裏両面が使用可能なＳｉリング２６が設けられている。Ｓｉリング２６は、破線Ｌ１に対称形状である。Ｓｉリング２６は、表裏両面共にウェハＷＦの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域２６１Ａ（２６１Ｂ）、ウェハＷＦの周辺を囲む外周平坦領域２６３Ａ（２６３Ｂ）、及びウェハＷＦの端面に隣り合う内周平坦領域２６１Ａ（２６１Ｂ）と外周平坦領域２６３Ａ（２６３Ｂ）の間の傾斜領域２６２Ａ（２６２Ｂ）を有する。このようなリングの構成は別段限定されることはない。リング両面において主面となり得る必要な形状を有していればよい。Ｓｉリング２６を囲むようにフォーカスリング２７が設けられている。これらの構成は、前記図１中のＡｌリング１５、カソード電極１２、Ｓｉリング１６、フォーカスリング１７に対応する。
【００３０】
図２において、Ｓｉリング２６は外周側部中央に溝２６Ｇを備え、フォーカスリング２７は支持部として溝２６Ｇに嵌合するスプリングボール２７ＳＢを配備している。溝２６Ｇは、Ｓｉリング２６の外周側部中央全域、または要所に設けることが考えられる。あるいは、スプリングボール２７ＳＢを受け入れる窪みであってもよい。スプリングボール２７ＳＢは、フォーカスリング２７の複数の要所（収納孔２７Ｈ）に設ければよい。
【００３１】
このような構成は、Ｓｉリング２６の両面利用で表面が摩耗劣化し、Ａｌリング２５とのかみ合わせが不安定になる場合を対策したものである。すなわち、複数のスプリングボール２７ＳＢの弾性圧力でＳｉリング２６側部を各方面から押圧する。これにより、Ｓｉリング２６は、両面が利用されても安定した固定を維持する。
【００３２】
図３は、本発明の第３実施形態に係るドライエッチング装置の要部を示す断面図であり、Ｓｉリングの固定機構を示している。ドライエッチング装置全体としては、前記第１実施形態と同様の構成が利用されてもよい。基礎台としてのＡｌリング３５によりカソード電極３２の周辺領域３５Ａが構成されている。この周辺領域３５Ａ上に表裏両面が使用可能なＳｉリング３６が設けられている。Ｓｉリング３６は、破線Ｌ２に対称形状である。Ｓｉリング３６は、表裏両面共にウェハＷＦの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域３６１Ａ（３６１Ｂ）、ウェハＷＦの周辺を囲む外周平坦領域３６３Ａ（３６３Ｂ）、及びウェハＷＦの端面に隣り合う内周平坦領域３６１Ａ（３６１Ｂ）と外周平坦領域３６３Ａ（３６３Ｂ）の間の傾斜領域３６２Ａ（３６２Ｂ）を有する。このようなリングの構成は別段限定されることはない。リング両面において主面となり得る必要な形状を有していればよい。Ｓｉリング３６を囲むようにフォーカスリング３７が設けられている。これらの構成は、前記図１中のＡｌリング１５、カソード電極１２、Ｓｉリング１６、フォーカスリング１７に対応する。
【００３３】
図３において、Ｓｉリング３６は外周側部の所定箇所に凸部３６Ｐを備え、フォーカスリング３７は支持部として凸部３６Ｐに嵌合する溝３７Ｇを配備している。凸部３６Ｐは、Ｓｉリング３６外周で等間隔に数箇所設けることが望ましい。
【００３４】
このような構成は、Ｓｉリング３６の両面利用で表面が摩耗劣化し、Ａｌリング３５とのかみ合わせが不安定になる場合を対策したものである。すなわち、バランスの取れた複数の凸部３６ＰでＳｉリング３６側部の要所を支持する。これにより、Ｓｉリング３６は、両面が利用されても安定した固定を維持する。
【００３５】
以上説明したように本発明によれば、Ｓｉリングは両面において使用し得る必要な形状を有している。よって、表裏両面で使用されることで長時間使用可能なＳｉリングが配備できる。Ｓｉリングの実質的な部品寿命は倍増すると共に、処理室内で略均一なプラズマ環境を維持する。この結果、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係るドライエッチング装置の要部を示す構成図。
【図２】第２実施形態に係るドライエッチング装置の要部を示す断面図。
【図３】第３実施形態に係るドライエッチング装置の要部を示す断面図。
【図４】従来のエッチング装置における処理室内のＳｉリング部分の拡大断面図。
【符号の説明】
【００３７】
１１，…処理室、１２，４２…カソード電極、１３…アノード電極、１３Ｈ…ピンホール、１４…高周波電源、１５，２５，３５，４３…Ａｌリング、１５Ａ，２５Ａ，３５Ａ…周辺領域、１６，２６，３６，４１…Ｓｉリング、１６１Ａ，１６１Ｂ，２６１Ａ，２６１Ｂ，３６１Ａ，３６１Ｂ…内周平坦領域、１６２Ａ，１６２Ｂ，２６２Ａ，２６２Ｂ，３６２Ａ，３６２Ｂ…傾斜領域、１６３Ａ，１６３Ｂ，２６３Ａ，２６３Ｂ，３６３Ａ，３６３Ｂ…外周平坦領域、１７，２７，３７…フォーカスリング、２６Ｇ，３７Ｇ…溝、２７ＳＢ…スプリングボール、３６Ｐ…凸部、４１Ｔ…傾斜部、４１Ｓ…最上面領域、ＷＦ…半導体ウェハ。
【図１】
2005150223.tif 000003
【図２】
2005150223.tif 000004
【図３】
2005150223.tif 000005
【図４】
2005150223.tif 000006