(57)【要約】      （修正有）【課題】  簡易なプロセスで、トラックピッチを狭くして、記録媒体の大容量化を実現することができる記録媒体製造用のスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】  基板１０１上に、厚さＬを有する蓄熱層１０２が形成され、蓄熱層上に、フォトレジスト層１０３が形成されたフォトレジスト原盤１０４に、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、フォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層を現像して、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製する。凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を用いて、フォトレジスト原盤の凹凸パターンが転写されたスタンパを作製する。【選択図】      図１
2005093045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、厚さＬを有する蓄熱層が形成され、前記蓄熱層上に、フォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤に、Ｌが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、Ｌが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、前記フォトレジスト層を現像して、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製し、前記凹凸パターンが形成された前記フォトレジスト原盤を用いて、表面に、前記フォトレジスト原盤の前記凹凸パターンが転写されたスタンパを作製することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
前記蓄熱層の厚さＬが、１ｎｍないし３００ｎｍに設定されたことを特徴とする請求項１に記載のスタンパの製造方法。
【請求項３】
前記蓄熱層の厚さＬが、５０ｎｍないし２００ｎｍに設定されたことを特徴とする請求項２に記載のスタンパの製造方法。
【請求項４】
前記基板が、ガラス基板によって形成され、前記蓄熱層が、光吸収性を有する有機化合物を含み、前記フォトレジスト層が、ノボラック系樹脂を骨格樹脂とするフォトレジストによって形成されたことを特徴とする請求項ないし３のいずれか１項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項５】
基板上に、厚さＬを有する蓄熱層が形成され、前記蓄熱層上に、フォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤に、Ｌが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、Ｌが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、前記フォトレジスト層を現像して、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製し、前記凹凸パターンが形成された前記フォトレジスト原盤を用いて、表面に、前記フォトレジスト原盤の前記凹凸パターンが転写されたスタンパを作製し、前記凹凸パターンが形成された前記スタンパを用いて、表面に、前記スタンパの前記凹凸パターンが転写された記録媒体用の基板を作製することを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記蓄熱層の厚さＬが、１ｎｍないし３００ｎｍに設定されたことを特徴とする請求項５に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記蓄熱層の厚さＬが、５０ｎｍないし２００ｎｍに設定されたことを特徴とする請求項６に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記基板が、ガラス基板によって形成され、前記蓄熱層が、光吸収性を有する有機化合物を含み、前記フォトレジスト層が、ノボラック系樹脂を骨格樹脂とするフォトレジストによって形成されたことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパおよび記録媒体の製造方法に関するものであり、より詳細には、簡易なプロセスで、トラックピッチを狭くして、記録媒体の大容量化を実現することができる記録媒体製造用のスタンパおよび記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録媒体として、広く用いられている光記録媒体を製造するにあたっては、まず、光記録媒体の基板を作製するためのスタンパが作製される。
【０００３】
すなわち、まず、精密に研磨され、洗浄されたガラス基板の表面に、フォトレジストを、スピンコーティング法によって、均一に塗布して、ガラス基板上にフォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤を作製する。次いで、所定のフォーマットにしたがって、強度変調されたレーザビームを、フォトレジスト層に集光し、フォトレジスト層を露光することによって、ピットやグルーブなどの潜像を、フォトレジスト層中に形成する。さらに、フォトレジスト層を現像することにより、潜像が形成された部分を除去して、ガラス基板上に、ピットやグルーブなどの凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製する。次いで、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤に、メッキ処理を施した後、メッキ処理された部分を剥離して、凹凸パターンが転写されたスタンパを作製する。
【０００４】
こうして作製されたスタンパを用いて、光記録媒体の基板が作製され、光記録媒体が製造される。
【０００５】
近年、光記録媒体の大容量化が要求されており、かかる要求に応えるためには、ピットやグルーブのサイズを小さくし、トラックピッチを小さくすることが必要であり、レーザビームをフォトレジスト層に集光したときのレーザビームのスポットサイズを小さくする必要がある。ここに、レーザビームのスポットサイズは、レーザビームの波長λを、対物レンズの開口数ＮＡで除した値λ／ＮＡに比例するため、レーザビームをフォトレジスト層に集光したときのレーザビームのスポットサイズを小さくするためには、レーザビームの波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要である。
【０００６】
しかしながら、現在、すでに、開口数が０．９０以上の対物レンズが用いられているため、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることによって、レーザビームをフォトレジスト層に集光したときのレーザビームのスポットサイズを小さくすることは困難である。一方、波長λが短い紫外領域のレーザビームを用いる場合には、光学部品のコストが高くなるだけでなく、焦点深度が小さくなるため、レーザビームによるフォトレジスト層の露光が困難になるという問題があった。
【０００７】
これに対して、特開２００２−３３４４８３号公報は、フォトレジスト層に集光されるレーザビームのスポットサイズよりも細いグルーブを形成することができ、小さなトラックピッチで、均一なパターンのグルーブを形成することができるフォトレジスト原盤およびスタンパの製造方法を提案している。この方法は、ガラス基板上に、非感光性の水溶性樹脂からなる下層と、フォトレジストからなる上層を形成するとともに、下層と上層との間に、これらと混合しない無機材料からなる中間層を設けるもので、光オゾンアッシングによって、下層をエッチングする際に、中間層はエッチングされることがなく、カバーの役割を果たすため、トラックピッチを狭くして、フォトレジスト層のマスク部の高さが低くなった場合にも、下層に、エッジの崩れのない安定した凹凸パターンを形成し得るというものである。
【特許文献１】特開２００２−３３４４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特開２００２−３３４４８３号公報に開示された方法は、ガラス基板上に、下層、中間層、上層の三層を形成することが必要であるだけでなく、光オゾンアッシング処理を行う必要があるなど、工程数が増え、コストアップの原因になるという問題があった。
【０００９】
したがって、本発明は、簡易なプロセスで、トラックピッチを狭くして、記録媒体の大容量化を実現することができる記録媒体製造用のスタンパおよび記録媒体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、本発明のかかる目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、基板上に、厚さＬを有する蓄熱層が形成され、蓄熱層上に、フォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤に、Ｌが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、遠紫外域のレーザビームを照射し、フォトレジスト層上にレーザビームのスポットを形成して、フォトレジスト層を露光し、Ｌが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、遠紫外域のレーザビームを照射し、フォトレジスト層上にレーザビームのスポットを形成して、フォトレジスト層を露光した場合には、レーザビームのスポットによって露光されたフォトレジスト層の領域の中央部分に、現像液によって溶解されない領域が形成されることを見出した。
【００１１】
このような条件で、レーザビームを、フォトレジスト原盤のフォトレジスト層に照射したときに、レーザビームのスポットによって露光されたフォトレジスト層の領域の中央部分に、現像液によって溶解されない領域が形成される理由は必ずしも明らかではないが、フォトレジスト層に照射されたレーザビームのスポット内の強度は、ガウシアン分布を有し、中央部分において、強度が高いため、レーザビームのスポットの中央部分において、フォトレジスト層が溶融、変質して、現像液によって溶解されない領域が形成されるものと推測される。
【００１２】
本発明者はかかる知見に基づいて、さらに研究を重ねた結果、レーザビームのスポットの径未満のピッチで、フォトレジスト層上に、レーザビームを、螺旋状または同心円状に照射することによって、簡易なプロセスで、微細な凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製することができ、こうして微細な凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を用いて、スタンパを作製し、記録媒体の基板を作成することによって、トラックピッチを狭くして、記録媒体の大容量化を実現することができる記録媒体製造用のスタンパおよび記録媒体を作製し得ることを見出した。
【００１３】
本発明はかかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、基板上に、厚さＬを有する蓄熱層が形成され、前記蓄熱層上に、フォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤に、Ｌが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、Ｌが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、前記フォトレジスト層を現像して、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製し、前記凹凸パターンが形成された前記フォトレジスト原盤を用いて、表面に、前記フォトレジスト原盤の前記凹凸パターンが転写されたスタンパを作製することを特徴とするスタンパの製造方法によって達成される。
【００１４】
本発明において、好ましくは、蓄熱層の厚さＬが、１ｎｍないし３００ｎｍに設定され、さらに好ましくは、５０ｎｍないし２００ｎｍに設定される。
【００１５】
本発明において、好ましくは、蓄熱層が、光吸収性を有する有機化合物を含んでいる。
【００１６】
本発明において、好ましくは、フォトレジスト層が、ノボラック系樹脂を骨格樹脂とするフォトレジストによって形成される。
【００１７】
本発明において、好ましくは、基板が、ガラス基板によって形成されている。
【００１８】
本発明の前記目的はまた、基板上に、厚さＬを有する蓄熱層が形成され、前記蓄熱層上に、フォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤に、Ｌが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、Ｌが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、レーザビームのスポット径未満のピッチで、遠紫外域のレーザビームを、螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト層を露光し、前記フォトレジスト層を現像して、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製し、前記凹凸パターンが形成された前記フォトレジスト原盤を用いて、表面に、前記フォトレジスト原盤の前記凹凸パターンが転写されたスタンパを作製し、前記凹凸パターンが形成された前記スタンパを用いて、表面に、前記スタンパの前記凹凸パターンが転写された記録媒体用の基板を作製することを特徴とする記録媒体の製造方法によって達成される。
【００１９】
本発明において、好ましくは、蓄熱層の厚さＬが、１ｎｍないし３００ｎｍに設定され、さらに好ましくは、５０ｎｍないし２００ｎｍに設定される。
【００２０】
本発明において、好ましくは、蓄熱層が、光吸収性を有する有機化合物を含んでいる。
【００２１】
本発明において、好ましくは、フォトレジスト層が、ノボラック系樹脂を骨格樹脂とするフォトレジストによって形成される。
【００２２】
本発明において、好ましくは、基板が、ガラス基板によって形成されている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、簡易なプロセスで、トラックピッチを狭くして、記録媒体の大容量化を実現することができる記録媒体製造用のスタンパおよび記録媒体の製造方法を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面に基づき、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００２５】
図１ないし図７は、本発明の好ましい実施態様にかかるディスク状の光記録媒体製造用のスタンパの製造方法の工程図である。
【００２６】
光記録媒体を製造するにあたっては、まず、フォトレジスト原盤が作製される。
【００２７】
すなわち、図１に示されるように、まず、精密に研磨されたディスク状のガラス基板１０１が用意され、ガラス基板１０１の表面に、カップリング剤が付与され、さらに、光吸収性を有する有機化合物を含有する塗布液が、スピンコーティング法によって、均一に塗布されて、塗膜が形成される。
【００２８】
その後、塗膜が、所定の温度で、一定時間にわたって、焼成されて、ガラス基板１０１上に、所定の厚さＬを有する蓄熱層１０２が形成される。
【００２９】
ここに、蓄熱層１０２の厚さは、好ましくは、１ｎｍないし３００ｎｍに設定され、さらに好ましくは、５０ｎｍないし２００ｎｍに設定される。
【００３０】
蓄熱層１０２に含まれる光吸収性を有する有機化合物としては、光開始剤、光開始助剤および染料よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を用いることが好ましい。一般に、光開始剤は、光硬化型樹脂とともに用いられ、紫外線などの光を吸収して、ラジカルを発生する有機化合物である。また、光開始助剤は、自らは、紫外線照射によって、活性化しないが、光開始剤と併用したときには、光開始剤を単独で使用した場合よりも、反応開始が促進され、硬化反応を効率的に進行させることができる。
【００３１】
光開始剤はラジカルを発生して分解するが、光開始助剤は安定であるため、光開始助剤を併用することがより好ましい。光開始助剤としては、主として、脂肪族または芳香族のアミンが使用される。光開始助剤としては、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎ−ブトキシ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシルなどから選ばれる少なくとも１種の化合物を使用することが好ましく、これらのうち、とくに、ベンゾフェノン系化合物も用いることが好ましい。
【００３２】
蓄熱層１０２を形成するための塗布液を調製するにあたっては、光吸収性を有する有機化合物を溶媒に溶解させるが、この際、必要に応じ、熱架橋性化合物を含有させることができる。さらに、必要に応じて、フォトレジスト層との接着性を向上させる接着助剤、吸光剤、界面活性剤などの各種添加物を、塗布液に添加してもよい。
【００３３】
次いで、ノボラック系樹脂やポリスチレン樹脂などを骨格樹脂とするフォトレジストが、スピンコーティング法によって、蓄熱層１０２の表面に均一に塗布されて、蓄熱層１０２上に、所定の厚さを有するフォトレジスト層１０３が形成される。
【００３４】
フォトレジスト層１０３の厚さは、とくに限定されるものではないが、後述する光記録媒体の基板に、最終的に形成されるべきグルーブの高さを考慮して、設定される。
【００３５】
こうして、ガラス基板１０１上に、蓄熱層１０２およびフォトレジスト層１０３が積層されたフォトレジスト原盤１０４が作製される。
【００３６】
次いで、図２に示されるように、フォトレジスト原盤１０４に、レーザビーム１２０が照射されて、フォトレジスト層１０３が露光される。
【００３７】
レーザビーム１２０としては、遠紫外域のレーザビーム、とくに、２４８ｎｍないし２６６ｎｍの波長λを有するレーザビーム１２０が使用される。
【００３８】
図２に示されるように、レーザビーム１２０は、対物レンズ１３０によって、フォトレジスト層１０３に集光され、フォトレジスト層１０３が、レーザビーム１２０によって露光される。
【００３９】
本実施態様においては、フォトレジスト原盤１０４の蓄熱層１０２の厚さＬが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、レーザビーム１２０が、フォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３に照射され、一方、フォトレジスト原盤１０４の蓄熱層１０２の厚さＬが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、レーザビーム１２０が、フォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３に照射される。
【００４０】
本発明者の研究によれば、基板１０１上に、厚さＬを有する蓄熱層１０２が形成され、蓄熱層１０２上に、フォトレジスト層１０３が形成されたフォトレジスト原盤１０４に、蓄熱層１０２の厚さＬが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、遠紫外域のレーザビーム１２０を照射し、フォトレジスト層１０３上にレーザビーム１２０のスポットを形成して、フォトレジスト層１０３を露光し、蓄熱層１０２の厚さＬが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、遠紫外域のレーザビーム１２０を照射し、フォトレジスト層１０３上にレーザビーム１２０のスポットを形成して、フォトレジスト層１０３を露光した場合には、レーザビーム１２０のスポットによって露光されたフォトレジスト層１０３の領域１０３Ｘの中央部分に、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙが形成されることを見出されている。
【００４１】
このような条件で、遠紫外域のレーザビーム１２０を、フォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３に照射したときに、レーザビーム１２０のスポットによって露光されたフォトレジスト層１０３の領域１０３Ｘの中央部分に、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙが形成される理由は必ずしも明らかではないが、フォトレジスト層１０３に照射されたレーザビーム１２０のスポット内の強度は、ガウシアン分布を有し、中央部分において、強度が高いため、レーザビーム１２０のスポットの中央部分において、フォトレジスト層１０３が溶融、変質して、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙが形成されるものと推測される。
【００４２】
具体的には、フォトレジスト原盤１０４は、露光装置のターンテーブル（図示せず）上にセットされ、ターンテーブルを回転させながら、レーザビーム１２０の照射位置を、フォトレジスト原盤１０４の径方向にシフトさせる。その結果、レーザビーム１２０はフォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３の表面に、螺旋状に照射され、フォトレジスト層１０３が、螺旋状に露光される。
【００４３】
本実施態様においては、フォトレジスト原盤１０４の回転にともなって、レーザビーム１２０の照射位置は、レーザビーム１２０のスポットの径１０３Ｘ未満のピッチで、フォトレジスト原盤１０４の径方向にシフトされるように構成されている。
【００４４】
その結果、図２に示されるように、レーザビーム１２０が照射されたフォトレジスト層１０３の領域１０３Ｙの両側の領域１０３Ｚには、フォトレジスト原盤１０４が１回転した後、再び、レーザビーム１２０が照射され、領域１０３Ｚのすでに領域Ｙが形成されている側とは反対側に、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙが形成され、領域１０３Ｙに隣り合って、領域１０３Ｚが形成される。
【００４５】
こうして、レーザビーム１２０によって、フォトレジスト原盤１０４の全面が露光されると、フォトレジスト原盤１０４には、径方向に沿って、領域１０３Ｙと領域１０３Ｚとが交互に形成される。
【００４６】
したがって、レーザビーム１２０のスポットの径１０３Ｘ未満のピッチで、レーザビーム１２０の照射位置をシフトしつつ、レーザビーム１２０によって、フォトレジスト原盤１０４を露光することにより、レーザビーム１２０のスポット径未満のピッチで、フォトレジスト原盤１０４に、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙを形成することが可能になる。
【００４７】
次いで、図３に示されるように、フォトレジスト層１０３の全面が露光される。フォトレジスト層１０３の全面を露光するに際しては、２５４ｎｍの波長を有するＵＶランプ１２１が用いられる。
【００４８】
さらに、フォトレジスト原盤１０４が現像される。その結果、図４に示されるように、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙを除いて、フォトレジスト原盤１０４から、フォトレジスト層１０３が除去され、蓄熱層１０２の表面に、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤１０４が作製される。
【００４９】
次いで、フォトレジスト原盤１０４に、無電解メッキ処理が施され、図５に示されるように、凹凸パターン上に無電解ニッケル層１０５が形成される。
【００５０】
さらに、無電解ニッケル層１０５を電極として使用して、フォトレジスト原盤１０４に、電解メッキ処理が施され、図６に示されるように、無電解ニッケル層１０５上に、電解ニッケル層１０６が形成される。
【００５１】
次いで、蓄熱層１０２、フォトレジスト層１０３、無電解ニッケル層１０５および電解ニッケル層１０６が積層された積層体が、ガラス基板１０１から剥離され、さらに、ガラス基板１０１から剥離した積層体が、強アルカリ液に浸され、フォトレジスト層１０３および蓄熱層１０２が溶解されて、除去され、図７に示されるように、無電解ニッケル層１０５および電解ニッケル層１０６が積層され、無電解ニッケル層１０５の表面に、フォトレジスト原盤１０４の凹凸パターンが転写されたスタンパ１０７が作製される。
【００５２】
ここに、スタンパ１０７に形成された凹凸パターンは、フォトレジスト原盤１０４の凹凸パターンが転写されて形成されているため、フォトレジスト原盤１０４の凹凸パターンのネガパターンに対応している。
【００５３】
図８および図９は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法の工程図である。
【００５４】
光記録媒体を製造するにあたっては、まず、図８に示されるように、射出成形用の金型２０１内に、スタンパ１０７がセットされた後、金型２０１内にポリカーボネートなどの樹脂が流し込まれて、硬化される。
【００５５】
その結果、樹脂に、スタンパ１０６の凹凸パターンが転写され、表面に、スタンパ１０６の凹凸パターンが転写された光記録媒体用の基板１０８が作製される。
【００５６】
さらに、図９に示されるように、光記録媒体用の基板１０８の表面に、誘電体膜、記録膜、反射膜、保護膜などを含む情報層１０９が形成され、追記型または書き換え型の光記録媒体１１０が作製され、反射膜、保護膜などを含む多層膜１０９が形成されて、ＲＯＭ型の光記録媒体１１０が作製される。
【００５７】
本実施態様によれば、基板１０１と、基板１０１の表面に形成された蓄熱層１０２と、蓄積性熱層１０２の表面に形成されたフォトレジスト層１０３を備えたフォトレジスト原盤１０４と、露光装置のターンテーブル上にセットし、ターンテーブルを回転させながら、レーザビーム１２０の照射位置を、レーザビーム１２０のスポットの径１０３Ｘ未満のピッチで、フォトレジスト原盤１０４の径方向にシフトさせて、遠紫外域のレーザビーム１２０によって、フォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３を露光するように構成され、フォトレジスト層１０３の露光に際して、蓄熱層１０２の厚さＬが７８ｎｍ未満のときは、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７を満足する照射エネルギーＩで、レーザビーム１２０をフォトレジスト層１０３に照射し、一方、蓄熱層１０２の厚さＬが７８ｎｍ以上のときは、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３を満足する照射エネルギーＩで、レーザビーム１２０をフォトレジスト層１０３に照射して、レーザビーム１０３のスポットによって露光されたフォトレジスト層１０３の領域１０３Ｘの中央部分に、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙを形成し、フォトレジスト原盤１０４の表面に、凹凸パターンを形成しているから、レーザビーム１２０のスポット径未満のピッチで、フォトレジスト原盤１０４に、現像液によって溶解されない領域１０３Ｙを形成することができ、したがって、レーザビーム１２０の波長λが短いレーザビーム１２０や、開口数ＮＡの大きい対物レンズ１３０を用いて、レーザビームのスポットサイズを小さくすることなく、簡易なプロセスで、トラックピッチを狭くして、光記録媒体１１０の大容量化を実現することができるスタンパ１０７を作製することが可能になり、大容量の光記録媒体１１０を作製することが可能になる。
【００５８】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更を加えることが可能であり、これらも本発明の範囲に包含されるものであることは言うまでもない。
【００５９】
たとえば、前記実施態様においては、フォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３を、遠紫外域のレーザビーム１２０によって露光した後に、２５４ｎｍの波長を有するＵＶランプ１２１を用いて、フォトレジスト層１０３の全面を露光しているが、遠紫外域のレーザビーム１２０によって露光した後に、フォトレジスト原盤１０４のフォトレジスト層１０３の全面を露光することは必ずしも必要でない。
【００６０】
また、前記実施態様においては、スタンパ１０７を用いて、光記録媒体１１０を製造する場合につき、説明を加えたが、本発明の記録媒体は、光記録媒体に限定されるものではなく、本発明は、たとえば、ディスクリートトラックメディアのような磁気記録媒体や光磁気記録媒体を製造する場合にも適用することができる。さらには、記録媒体は、ディスク状のものに限らず、カード型記録媒体であってもよく、本発明は、同心円状のトラックや直線状のトラックを有する記録媒体を製造する場合にも、適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図２】図２は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図３】図３は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図４】図４は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図５】図５は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図６】図６は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図７】図７は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法の工程図である。
【図８】図８は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法の工程である。
【図９】図９は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法の工程である。
【符号の説明】
【００６２】
１０１      ガラス基板
１０２      蓄熱層
１０３      フォトレジスト層
１０３Ｘ      レーザビームのスポット
１０３Ｙ      現像液によって溶解されないフォトレジスト層の領域
１０４      フォトレジスト原盤
１０５      無電解ニッケル層
１０６      電解ニッケル層
１０７      スタンパ
１０８      光記録媒体用の基板
１０９      情報層（多層膜）
１１０      光記録媒体
１２０      レーザビーム
１２１      ＵＶランプ
２０１      射出成形用金型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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