(57)【要約】    【課題】  ドライエッチング耐性に優れ、反射防止効果が高く、インターミキシングを生じることがなく、解像度および精度などに優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜形成用組成物、およびこの組成物を用いて形成された反射防止膜を提供すること。    【解決手段】  下記式（３）または（４）で表される少なくとも１種の化合物と（Ｂ）フラーレンおよびフラーレン誘導体からなる群から選択される少なくとも１種のフラーレン化合物とから得られる重合体を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。【化１】2005241963.tif 000016（Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価の基を示し、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または１価の基を示す）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される繰り返し単位（ａ−１）とフラーレン構造を有する繰り返し単位（ｂ）とを有する重合体を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
【化１】
2005241963.tif 000012
（式（１）において、Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ
独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価の基
を示す）
【請求項２】
下記式（２）で表される繰り返し単位（ａ−２）とフラーレン構造を有する繰り返し単位（ｂ）とを有する重合体を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
【化２】
2005241963.tif 000013
（式（２）において、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子また
は１価の基を示す）
【請求項３】
下記式（３）で表される少なくとも１種の化合物（Ａ−１）または下記式（４）で表される少なくとも１種の化合物（Ａ−２）と、フラーレンおよびフラーレン誘導体からなる群から選択される少なくとも１種のフラーレン化合物（Ｂ）とを混合後、ラジカル開始剤存在下で加熱して得られる重合体を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
【化３】
2005241963.tif 000014
（式（３）において、Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ
独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価の基
を示す）
【化４】
2005241963.tif 000015
（式（４）において、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子また
は１価の基を示す）
【請求項４】
架橋剤（Ｃ）をさらに含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射防止膜形成用組成物。
【請求項５】
酸発生剤（Ｄ）をさらに含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射防止膜形成用組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物を用いて形成した塗膜を１５０〜３５０℃で加熱することにより形成された反射防止膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種の放射線を用いるリソグラフィープロセスにおける微細加工に有用で、特に集積回路素子の製造に好適な反射防止膜形成用組成物、およびこの組成物を用いて形成された反射防止膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路素子の製造方法において、より高い集積度を得るためにリソグラフィープロセスにおける加工サイズの微細化が進んでいる。このリソグラフィープロセスにおいて、液状のレジスト用組成物を基板上に塗布し、縮小投影露光装置（ステッパー）によってマスクパターンを転写し、適当な現像液で現像することによって、所望のパターンを得ている。しかしながら、このプロセスに用いられる反射率の高いアルミニウム、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−シリコン−銅合金、ポリシリコン、タングステンシリサイドなどの基板は、照射した放射線をその表面で反射する。その影響で、レジストパターンにハレーションが生じ、微細なレジストパターンが正確に再現できないという問題があった。
【０００３】
この問題を解決するため、基板上に形成すべきレジスト膜の下に、基板から反射した放射線を吸収する性質のある反射防止膜を設けることが提案されている。このような反射防止膜としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリングなどの方法により形成される、チタン膜、二酸化チタン膜、チッ化チタン膜、酸化クロム膜、カーボン膜、α−シリコン膜などの無機膜が知られているが、これらの無機系反射防止膜は導電性を有するため、集積回路の製造には使用できなかったり、反射防止膜の形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置などの特別な装置を必要とするなどの欠点があった。この無機系反射防止膜の欠点を解決するために、ポリアミド酸（共）重合体またはポリスルホン（共）重合体と染料とからなる有機系反射防止膜が提案されている（特許文献１）。この反射防止膜は導電性が無く、この反射防止膜を構成している組成物は適当な溶剤に溶解するため、特別な装置を必要せずに、レジストと同様に溶液の状態で基板上に塗布できる。
【０００４】
しかしながら、ポリアミド酸（共）重合体またはポリスルホン（共）重合体と染料とからなる反射防止膜は、染料の添加量が制約されるためにハレーションや定在波を十分に防止できず、またレジストと僅かながら混じり合う（これを「インターミキシング」という）ため、抜け不良、裾引きといったレジストパターン断面形状（パターンプロファイル）の劣化を招くという問題があった。
【０００５】
一方、熱酸化ノボラック樹脂を反射防止膜に使用すると、前述したような問題点をかなり解決できることが知られているが、今後の更なる微細なエッチング加工における、絶縁膜にパターンを転写する際のエッチング耐性不足により発生する寸法変換差の課題は十分に解決されていない。
【０００６】
そこで、このような従来技術における問題点を解決するための改善された反射防止膜、およびこのような反射防止膜の形成において特に有用な重合体の開発が望まれていた。
【特許文献１】特開昭５９−９３４４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、ドライエッチング耐性に優れ、反射防止効果が高く、インターミキシングを生じることがなく、
解像度および精度などに優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜形成用組成物、およびこの組成物を用いて形成された反射防止膜を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記問題点を解決すべく鋭意研究し、ビニル基を含有する化合物とフラーレン化合物とから得られる重合体を反射防止膜に使用することにより、従来の塗布型下層反射防止膜と比較してドライエッチング耐性に優れ、エキシマレーザー光に対して高い吸光度を有する反射防止膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、
下記式（１）で表される繰り返し単位（ａ−１）とフラーレン構造を有する繰り返し単位（ｂ）とを有する重合体を含有することを特徴としている。
【００１０】
【化５】
2005241963.tif 000002
【００１１】
式（１）において、Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ
独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価の基
を示す。
【００１２】
また、本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、
下記式（２）で表される繰り返し単位（ａ−２）とフラーレン構造を有する繰り返し単位（ｂ）とを有する重合体を含有することを特徴としている。
【００１３】
【化６】
2005241963.tif 000003
【００１４】
式（２）において、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子また
は１価の基を示す。
【００１５】
さらに、本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、
下記式（３）で表される少なくとも１種の化合物（Ａ−１）または下記式（４）で表される少なくとも１種の化合物（Ａ−２）と、フラーレンおよびフラーレン誘導体からなる群から選択される少なくとも１種のフラーレン化合物（Ｂ）とを混合後、ラジカル開始剤存在下で加熱して得られる重合体を含有することを特徴としている。
【００１６】
【化７】
2005241963.tif 000004
【００１７】
式（３）において、Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ
独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価の基
を示す。
【００１８】
【化８】
2005241963.tif 000005
【００１９】
式（４）において、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子また
は１価の基を示す。
【００２０】
前記反射防止膜形成用組成物は、架橋剤（Ｃ）をさらに含有することが好ましく、酸発生剤（Ｄ）をさらに含有することも好ましい。
【００２１】
本発明に係る反射防止膜は、上記組成物を用いて形成した塗膜を１５０〜３５０℃で加熱することにより形成されたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、ドライエッチング耐性に優れ、反射防止効果が高く、かつレジストとインターミキシングを生じることのない反射防止膜を形成することができる。本発明に係る反射防止膜は、ポジ型およびネガ型レジストと協働して、解像度、精度などに優れたレジストパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
〔反射防止膜形成用組成物〕
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、ビニル基を有する特定の化合物とフラーレン化合物とを混合した後、加熱して得られる重合体を含有する。
【００２４】
＜ビニル基を有する化合物（Ａ）＞
＜ビニル基を有する化合物（Ａ−１）＞
本発明に用いられるビニル基を有する化合物（Ａ−１）（以下、単に「化合物（Ａ−１）」という）は、下記式（３）で表される化合物である。
【００２５】
【化９】
2005241963.tif 000006
【００２６】
上記式（３）において、Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれ
ぞれ独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価
の基を示す。
【００２７】
Ｒ2およびＲ3における１価の基としては炭素数１〜２０の基が好ましく、具体的には、アルキル基、アルケニル基、アシル基、シアノ基、エステル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基；アルケニル基、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基をハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホン酸基、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基などから選ばれる少なくとも１つの原子または置換基で置換された基を挙げることができる。
【００２８】
アルキル基としては、炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましく、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基などを挙げることができる。
【００２９】
アルケニル基としては、炭素数２〜６の直鎖状または分岐状のアルケニル基が好ましく、さらに好ましくは、ビニル基、アリル基、メタクリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基などを挙げることができる。
【００３０】
アシル基としては、炭素数２〜６の脂肪族または芳香族のアシル基が好ましく、さらに好ましくは、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ベンゾイル基などを挙げることができる。
【００３１】
エステル基としては、炭素数２〜２０の脂肪族または芳香族のエステル基が好ましく、さらに好ましくは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジロキシカルボニル基などを挙げることができる。
【００３２】
Ｒ4におけるハロゲン原子としては、たとえば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨ
ウ素原子などを挙げることができる。
【００３３】
Ｒ4における１価の基としては、たとえば、上記Ｒ2およびＲ3における１価の基で例示
したものと同様の基を挙げることができる。
【００３４】
上記式（３）において、Ｒ1としては、特に、水素原子が好ましい。また、Ｒ2およびＲ3としては、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、メトキシカ
ルボニル基、シアノ基、フェニル基などが好ましい。Ｒ4としては、メチル基、エチル基
、シアノ基、アミノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メチルカルボオキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ヒドロキシメチルフェニル基、ヒドロキシメチルナフチル基、メトキシメチルフェニル基、メトキシメチルナフチル基などが好ましい。
【００３５】
上記式（３）で表される具体的な化合物としては、たとえば、
スチレン、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、４−ヒドロキシメチルスチレン、３−ヒドロキシメチルスチレン、４−メトキシメチルスチレン、３−メトキシメチルスチレン、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、１−ビニル−４−ヒドロキシメチルナフタレン、１−ビニル−５−ヒドロキシメチルナフタレン、１−ビニル−６−ヒドロキシメチルナフタレン、２−ビニル−４−ヒドロキシメチルナフタレン、２−ビニル−６−ヒドロキシメチルナフタレン、９−ビニルアントラセン、９−ビニルカルバゾールなどの芳香族ビニル化合物；
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、カプロン酸ビニルなどのビニルエステル化合物；
（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、シアン化ビニリデンなどのシアン化ビニル化合物；
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートなどの不飽和カルボン酸エステル化合物；
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸ビニル、ジメチル・ビニル・（メタ）アクリロイルオキシメチルシランなどの不飽和基含有不飽和カルボン酸エステル化合物；
２−クロロエチルビニルエーテル、クロロ酢酸ビニル、クロロ酢酸アリルなどのハロゲン含有ビニル化合物；
２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アリルアルコールなどの水酸基含有ビニル化合物；
（メタ）アクリルアミド、クロトン酸アミドなどのアミド基含有ビニル化合物；
コハク酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕、マレイン酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチルなどのカルボキシル基含有ビニル化合物；
ビニルアミン、アリルアミンなどのアミン含有ビニル化合物；
クロロトリフルオロエチレン、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチル（メタ）アクリレートなどの含フッ素ビニル化合物などが挙げられる。
【００３６】
上記化合物（Ａ−１）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００３７】
＜ビニル基を有する化合物（Ａ−２）＞
本発明に用いられるビニル基を有する化合物（Ａ−２）（以下、単に「化合物（Ａ−２）」という）は、下記式（４）で表される化合物である。
【００３８】
【化１０】
2005241963.tif 000007
【００３９】
上記式（４）において、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子
または１価の基を示す。
【００４０】
ハロゲン原子として、好ましくは、フッ素、塩素、臭素を挙げることができる。
【００４１】
１価の基としては、たとえば、アルキル基、アルケニル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フェニル基、アシル基、カルボキシル基、スルホン酸基、メルカプト基などを挙げることができる。
【００４２】
アルキル基としては、炭素原子数１〜６の直鎖状または分岐鎖状アルキル基が好ましく、たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどが挙げられる。
【００４３】
アルケニル基としては、炭素原子数２〜６の直鎖状または分岐鎖状アルケニル基が好ましく、たとえば、ビニル、アリルなどが挙げられる。
【００４４】
アシル基としては、炭素原子数１〜６の脂肪族または芳香族アシル基が好ましく、たとえばアセチル基などが挙げられる。
【００４５】
アミノ基としては、第一級アミノ基が好ましい。
【００４６】
上記式（４）で表される具体的な化合物（アセナフチレン類）としては、たとえば、アセナフチレン、ヒドロキシメチルアセナフチレン類、アセトキシメチルアセナフチレン類、メトキシメチルアセナフチレン類が挙げられる。
【００４７】
ヒドロキシメチルアセナフチレン類としては、３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、５−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−メチル−３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−メチル−４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−メチル−５−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−メチル−６−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−メチル−７−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−メチル−８−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−５−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−５−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−６−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−７−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−８−ヒドロキシ
メチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−５−ヒドロキシメチルアセナフチレンなどが挙げられる。
【００４８】
アセトキシメチルアセナフチレン類としては、３−アセトキシメチルアセナフチレン、４−アセトキシメチルアセナフチレン、５−アセトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−３−アセトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−４−アセトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−５−アセトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−６−アセトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−７−アセトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−８−アセトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−３−アセトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−４−アセトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−５−アセトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−３−アセトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−４−アセトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−５−アセトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−６−アセトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−７−アセトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−８−アセトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−３−アセトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−４−アセトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−５−アセトキシメチルアセナフチレンなどが挙げられる。
【００４９】
メトキシメチルアセナフチレン類としては、３−メトキシメチルアセナフチレン、４−メトキシメチルアセナフチレン、５−メトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−３−メトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−４−メトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−５−メトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−６−メトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−７−メトキシメチルアセナフチレン、１−メチル−８−メトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−３−メトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−４−メトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジメチル−５−メトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−３−メトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−４−メトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−５−メトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−６−メトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−７−メトキシメチルアセナフチレン、１−フェニル−８−メトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−３−メトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−４−メトキシメチルアセナフチレン、１，２−ジフェニル−５−メトキシメチルアセナフチレンなどが挙げられる。
【００５０】
上記例示したアセナフチレン類以外にも、３−フェノキシメチルアセナフチレン、４−フェノキシメチルアセナフチレン、５−フェノキシメチルアセナフチレン、３−ビニルオキシメチルアセナフチレン、４−ビニルオキシメチルアセナフチレン、５−ビニルオキシメチルアセナフチレンなどを挙げることができる。
【００５１】
これらのアセナフチレン類のうち、特に、アセナフチレン、３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、５−ヒドロキシメチルアセナフチレン、３−アセトキシメチルアセナフチレン、４−アセトキシメチルアセナフチレン、５−アセトキシメチルアセナフチレン、３−メトキシメチルアセナフチレン、４−メトキシメチルアセナフチレン、５−メトキシメチルアセナフチレンなどが好ましい。
【００５２】
上記アセナフチレン類は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００５３】
＜フラーレン化合物（Ｂ）＞
本発明において、フラーレン化合物は、反射防止膜とこの上に形成されるレジスト膜と
の間でインターミキシングが発生することを防止するために用いられる。また、フラーレン化合物は反射防止膜形成用組成物を塗布した後のクラックの発生を防止する役割も果たす。
【００５４】
本発明に用いられるフラーレン化合物（Ｂ）としては、フラーレンＣ35、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ82、Ｃ84、Ｃ90、Ｃ95、カルボキシル基置換フラーレンＣ60、カルボキシル基置換フラーレンＣ70、メトキシカルボニル置換フラーレンＣ60、メトキシカルボニル置換フラーレンＣ70、水素化フラーレンＣ60、水素化フラーレンＣ70、アルキル置換フラーレンＣ60、アルキル置換フラーレンＣ70などが挙げられる。
【００５５】
これらフラーレンは、公知の方法によって合成することができる。たとえば、フラーレンＣ36の製造方法はＮｅｗ  Ｄａｉａｍｏｎｄ．，ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２，２０００，ｐ．３０−３１に開示されている。フラーレンＣ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ82、Ｃ84、Ｃ90およびＣ96の製造方法としては、Ｊ．Ｐｈｙ．Ｃｈｅｍ．，９４，８６３４（１９９０）にアーク放電法による製造方法が、Ｚ．Ｐｈｙｓ．Ｄ，４０，４１４（１９９７）にオーブン・レーザー法による製造方法がそれぞれ開示されている。また、１分子中の炭素数が９６を超えかつ最大凝集塊径が３０ｎｍ以下の高次フラーレンは上記アーク放電法の副成物として得ることができる。
【００５６】
フラーレンＣ60およびＣ70の市販品としては、フロンティアカーボン（株）製、ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＭＴＲ  ＬＩＭＩＴＥＤ社製などのフラーレンが挙げられ、フラーレンＣ76、Ｃ78およびＣ84の市販品としては、ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＭＴＲ  ＬＩＭＩＴＥＤ社製などのフラーレンが挙げられる。
【００５７】
本発明に用いられるフラーレン化合物（Ｂ）は、１種類のフラーレンでも炭素数の異なるフラーレンの混合物でも本発明の目的を達成することができる。前記混合物の市販品としては、フロンティアカーボン（株）製またはＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＭＴＲ  ＬＩＭＩＴＥＤ社製のフラーレンＣ60／Ｃ70の混合物が挙げられる。
【００５８】
本発明では、フラーレン化合物（Ｂ）としてフラーレン誘導体を用いることもできる。フラーレン誘導体としては、官能基含有フラーレン誘導体やヘテロ環含有フラーレン誘導体が挙げられる。
【００５９】
官能基含有フラーレン誘導体は、上記フラーレンの表面に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基などの官能基を有するものである。これらのうち、アミノ基は−ＮＲ82で表され、Ｒ8としてはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキ
ル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基または分子量３０〜５０，０００のポリエーテル鎖であることが好ましい。上記アミノ基においてＲ8がポリエ
ーテル鎖である場合、その末端は水酸基または炭素数１〜６のアルコキシル基であることが好ましい。
【００６０】
官能基含有フラーレン誘導体は、たとえば、Ｓｃｉｅｎｃｅ，２５２，５４８（１９９１）およびＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，１１４，１１０３（１９９２）に開示されているエポキシ化反応、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．，３０，１３０９（１９９１）に開示されている１級または２級アミンの付加反応、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ，１１４，７３０１（１９９２）に開示されているＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、またはＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９１（１９９２）に開
示されているポリ水酸化反応などの公知の方法により合成することができる。
【００６１】
ヘテロ環含有フラーレン誘導体は、フラーレンにヘテロ環を有する基が結合したフラーレン誘導体である。ヘテロ環を有する基としては、ヘテロ環がフラン環および／またはチオフェン環である基が好ましい。
【００６２】
ヘテロ環含有フラーレンの誘導体は、フラーレンとフラン環などのヘテロ環を有する化合物とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応によって得ることができる。具体的には、フラーレンと、フルフリルアルコール、塩化フロイル、カルボキシルフラン、フルフリルアミンなどのヘテロ環を有する化合物とを、両者が溶解する溶剤中で撹拌することで反応を進行させることができる。この場合、フラーレンとヘテロ環のモル比がフラーレン／ヘテロ環＜１を満たす量のフラーレンおよびヘテロ環を有する化合物を用い、３０〜１００℃の温度条件で反応させることが好ましい。
【００６３】
ヘテロ環含有フラーレンの誘導体は、１種単独で用いてもよく、その他のフラーレン誘導体と組み合わせて用いてもよい。本発明においては、その他のフラーレン誘導体や分子内に複数のヘテロ環を有する化合物との相溶性、溶剤や液晶配向剤を構成する重合体への溶解・分散性に優れるため、フラーレンの誘導体としてはヘテロ環含有フラーレンの誘導体が好ましい。
【００６４】
本発明に用いられるフラーレン化合物（Ｂ）は、フラーレンＣ60および／またはフラーレンＣ70あるいはそれらの誘導体を含有することがより好ましく、フラーレンＣ60および／またはフラーレンＣ70を含有することがさらに好ましい。
【００６５】
本発明に用いられるフラーレン化合物（Ｂ）は、フラーレン化合物（Ｂ）全量に対して、フラーレンＣ60とフラーレンＣ70の合計が５０〜９０重量％であるフラーレン混合物を含有することも好ましく、たとえば、フラーレンＣ60とフラーレンＣ70の合計が５０〜９０重量％である粗製フラーレンを用いることができる。このような粗製フラーレンは、高純度な精製フラーレンなどを用いる場合と比較して低コストで本発明に係る反射防止膜形成用組成物を得ることができる。
【００６６】
＜重合体＞
本発明に係る反射防止膜形成用組成物に含まれる重合体は、上記化合物（Ａ−１）または（Ａ−２）と上記フラーレン化合物（Ｂ）とを混合して、４０〜２００℃、好ましくは５０〜１８０℃の範囲の温度で加熱することにより製造することができる。
【００６７】
ビニル基を有する化合物として上記化合物（Ａ−１）を使用する場合、化合物（Ａ−１）とフラーレン化合物（Ｂ）との混合モル比（（Ａ−１）：（Ｂ））は、通常１：９９〜９９：１であり、好ましくは５：９５〜９５：５、さらに好ましくは１０：９０〜９０：１０である。
【００６８】
ビニル基を有する化合物として上記化合物（Ａ−２）を使用する場合、化合物（Ａ−２）とフラーレン化合物（Ｂ）との混合モル比（（Ａ−２）：（Ｂ））は、通常１：９９〜９９：１であり、好ましくは５：９５〜９５：５、さらに好ましくは１０：９０〜９０：１０である。
【００６９】
フラーレン化合物（Ｂ）が１ｍｏｌ％未満になるとエッチング耐性が十分な反射防止膜が得られない。またフラーレン化合物（Ｂ）が９９ｍｏｌ％を超えると溶媒に対する重合体の溶解性が低下する。
【００７０】
このような重合体としては、下記式（１）で表される繰り返し単位（ａ−１）とフラーレン構造を有する繰り返し単位（ｂ）とを有する重合体（以下、「重合体（Ｉ）」という）や、下記式（２）で表される繰り返し単位（ａ−２）とフラーレン構造を有する繰り返し単位（ｂ）とを有する重合体（以下、「重合体（II）」という）が挙げられる。
【００７１】
【化１１】
2005241963.tif 000008
【００７２】
式（１）において、Ｒ1は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ
独立に水素原子、フッ素原子または１価の基を示し、Ｒ4はハロゲン原子または１価の基
を示す。
【００７３】
【化１２】
2005241963.tif 000009
【００７４】
式（２）において、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子また
は１価の基を示す。
【００７５】
前記重合体は、繰り返し単位（ａ−１）または（ａ−２）と繰り返し単位（ｂ）とを有する共重合体を形成してもよく、繰り返し単位（ａ−１）または（ａ−２）からなる重合体と繰り返し単位（ｂ）からなる重合体との混合物であってもよい。
【００７６】
さらに、前記重合体として、繰り返し単位（ａ−１）を有する重合体にフラーレン化合物（Ｂ）が混入した重合体（以下、「重合体（III）」という）や、繰り返し単位（ａ−
２）を有する重合体にフラーレン化合物（Ｂ）が混入した重合体（以下、「重合体（IV）」という）が挙げられる。
【００７７】
このような重合体のうち、化合物（Ａ−１）または（Ａ−２）とフラーレン化合物（Ｂ）との共重合体が好ましい。
【００７８】
化合物（Ａ−１）または（Ａ−２）とフラーレン化合物（Ｂ）とから得られる重合体の
ゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定した重量平均分子量（以下「Ｍｗ」という）は、ポリスチレン換算で３０００〜１００，０００、好ましくは３，０００〜２０，０００である。
【００７９】
重合方法としては溶液重合が好ましく、このとき用いる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒が好ましい。重合開始剤は特に制限はないが、アゾ系開始剤、過酸化物系開始剤などが用いられる。
【００８０】
本発明では、前記重合体（Ｉ）〜（IV）のうちの１つを単独で使用してもよいが、これらの重合体の２種以上のブレンド物を使用することもできる。
【００８１】
＜架橋剤（Ｃ）＞
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、上記重合体（Ｉ）〜（IV）から選択される少なくとも１種の重合体に加えて、架橋剤（Ｃ）として多核フェノール類、アジド化合物、または市販の硬化剤を使用することができる。
【００８２】
多核フェノール類としては、たとえば、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−メチレンビスフェノール、４，４’−エチリデンビスフェノール、ビスフェノールＡなどの２核フェノール類；４，４’，４”−メチリデントリスフェノール、４，４’−〔１−｛４−（１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル）フェニル｝エチリデン〕ビスフェノールなどの３核フェノール類；ノボラックなどのポリフェノール類などを挙げることができる。
【００８３】
これらの多核フェノール類のうち、４，４’−〔１−｛４−（１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル）フェニル｝エチリデン〕ビスフェノール、ノボラックなどが好ましい。
【００８４】
アジド化合物としては、ＤＺＤＳ、ＢＡＰ−Ｐ、ＤＲ−９４Ｃｌ、ＤＡｚＳＴ（５１）、ＤＡｚＳＴ（４）、ＤＡｚＳＴ（８６）、ジアジドカルコン、ＤＡｚＳＴ−Ｎａ、ＤＡｚＢＡ（Ｎａ）、ＢＡＣ−Ｈ、ＢＡＣ−Ｍ、ＢＡＣ−Ｅ（以上、商品名、東洋合成工業（株）製）などを用いることができる。
【００８５】
硬化剤としては、たとえば、２，３−トリレンジイソシアナート、２，４−トリレンジイソシアナート、３，４−トリレンジイソシアナート、３，５−トリレンジイソシアナート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、１，４−シクロヘキサンジイソシアナートなどのジイソシアナート類；エピコート８１２、同８１５、同８２６、同８２８、同８３４、同８３６、同８７１、同１００１、同１００４、同１００７、同１００９、同１０３１（以上、商品名、油化シェルエポキシ（株）製）、アラルダイト６６００、同６７００、同６８００、同５０２、同６０７１、同６０８４、同６０９７、同６０９９（以上、商品名、チバガイギー社製）、ＤＥＲ３３１、同３３２、同３３３、同６６１、同６４４、同６６７（以上、商品名、ダウケミカル社製）などのエポキシ化合物；サイメル３００、同３０１、同３０３、同３５０、同３７０、同７７１、同３２５、同３２７、同７０３、同７１２、同７０１、同２７２、同２０２、マイコート５０６、同５０８（以上、商品名、三井サイアナミッド（株）製）などのメラミン系硬化剤；サイメル１１２３、同１１２３−１０、同１１２８、マイコート１０２、同１０５、同１０６、同１３０（以上、商品名、三井サイアナミッド（株）製）などのベンゾグアナミン系硬化剤；サイメル１１７０、同１１７２（以上、商品名、三井サイアナミッド（株）製）、ニカラックＮ―２７０２（商品名、三和ケミカル（株）製）などのグリコールウリル系硬化剤などを挙げることができる。
【００８６】
これらの架橋剤（Ｃ）は１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。架橋剤（Ｃ）の配合量は、反射防止膜形成用組成物の固形分１００重量部当たり、通常２０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【００８７】
＜酸発生剤（Ｄ）＞
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、露光あるいは加熱により酸を発生する酸発生剤（Ｄ）をさらに含有してもよい。
【００８８】
（光酸発生剤）
露光により酸を発生する酸発生剤（以下、「光酸発生剤」という）としては、たとえば、オニウム塩系光酸発生剤類、ハロゲン含有化合物系光酸発生剤類、ジアゾケトン化合物系光酸発生剤類、スルホン化合物系光酸発生剤類、スルホン酸化合物系光酸発生剤類が挙げられる。
【００８９】
オニウム塩系光酸発生剤類としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシフェニル・フェニル・メチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、
シクロヘキシル・メチル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
、１−（４−エトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（２−テトラヒドロフラニルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシ）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートなどが挙げられる。
【００９０】
ハロゲン含有化合物系光酸発生剤類としては、フェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、４−メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、１−ナフチルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどが挙げられる。
【００９１】
ジアゾケトン化合物系光酸発生剤類としては、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどが挙げられる。
【００９２】
スルホン化合物系光酸発生剤類としては、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタンなどが挙げられる。
【００９３】
スルホン酸化合物系光酸発生剤類としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートなどが挙げられる。
【００９４】
これらの光酸発生剤のうち、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネートなどが好ましい。
【００９５】
上記光酸発生剤は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。上記光酸発生剤を用いる場合、露光量は、通常１〜２００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１０〜１
００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００９６】
（熱酸発生剤）
加熱により酸を発生する酸発生剤（以下「熱酸発生剤」という）としては、たとえば、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジルトシレート、アルキルスルホネート類などを挙げることができる。
【００９７】
これらの熱酸発生剤は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００９８】
熱酸発生剤は、焼成時に酸を発生して架橋反応を促進することから、光酸発生剤よりも好ましく用いられる。熱酸発生剤を使用する場合、加熱条件は使用する熱酸発生剤の種類によって適宜決定されるが、加熱温度は、通常１５０〜４００℃、好ましくは２００〜３５０℃であり、加熱時間は、通常１〜１０分、好ましくは１〜３分である。
【００９９】
また、本発明では、酸発生剤（Ｄ）として光酸発生剤と熱酸発生剤とを併用することもできる。
【０１００】
酸発生剤（Ｄ）の配合量は、反射防止膜形成用組成物の固形分１００重量部当たり、通常５，０００重量部以下、好ましくは０．１〜１，０００重量部、さらに好ましくは０．１〜１００重量部である。
【０１０１】
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、上記酸発生剤（Ｄ）を含有することにより、常温を含む比較的低温で重合体の分子鎖間に有効に架橋構造を形成することができる。
【０１０２】
＜溶剤（Ｅ）＞
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、溶剤（Ｅ）を含むことが好ましい。このとき使用する溶媒（Ｅ）としては、上記重合体および後述するその他の成分を溶解しうるものであれば特に限定されるものではない。
【０１０３】
たとえば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類；
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテートなどのエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテルなどのジエチレングリコールジアルキルエーテル類；
トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテルなどのトリエチレングリコールジアルキルエーテル類；
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；
プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテルなどのプロピレングリコールジアルキルエーテル類；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエテルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｉ−プロピル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｉ−ブチルなどの乳酸エステル類；
ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ｎ−プロピル、ギ酸ｉ−プロピル、ギ酸ｎ−ブチル、ギ酸ｉ−ブチル、ギ酸ｎ−アミル、ギ酸ｉ−アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、酢酸ｎ−ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−プロピル、プロピオン酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸ｉ−プロピル、酪酸ｎ−ブチル、酪酸ｉ−ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル類；
ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチルなどの他のエステル類；
トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；
メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類；
γ−ブチロラクトンなどのラクトン類などから適宜選択して使用する。
【０１０４】
これらの溶剤のうち、好ましくは、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノンなどが用いられる。上記溶剤は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【０１０５】
溶剤（Ｅ）は、反射防止膜形成用組成物の固形分濃度が、通常０．０１〜７０重量％、好ましくは０．０５〜６０重量％、さらに好ましくは０．１〜５０重量％となる範囲の量で使用される。
【０１０６】
＜その他の成分＞
本発明に係る反射防止膜形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内で、必要に応じて、（Ｆ）バインダー樹脂、（Ｇ）放射線吸収剤、（Ｈ）界面活性剤などの各種の添加剤を配合することができる。また、保存安定剤、消泡剤、接着助剤などの添加剤を配合することもできる。
【０１０７】
（Ｆ）バインダー樹脂
バインダー樹脂（Ｆ）としては、上記重合体以外の種々の熱可塑性および熱硬化性の合成樹脂を使用することができる。
【０１０８】
熱可塑性樹脂の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、ポリ−１−ペンテン、ポリ−１−ヘキセン、ポリ−１−ヘプテン、ポリ−１−オクテン、ポリ−１−デセン、ポリ−１−ドデセン、ポリ−１−テトラデセン、ポリ−１−ヘキサデセン、ポリ−１−オクタデセン、ポリビニルシクロアルカンなどのα−オレフィン重合体；
ポリ−１，４−ペンタジエン、ポリ−１，４−ヘキサジエン、ポリ−１，５−ヘキサジエン、ポリ−１，７−ｏ−クロルアクロレインなどのα，β−不飽和アルデヒド重合体類；ポリメチルビニルケトン、ポリ芳香族ビニルケトン、ポリ環状ビニルケトンなどのα，β−不飽和ケトン重合体類；
ポリ（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸の塩類、ポリ（メタ）アクリル酸のエステル、ポリ（メタ）アクリル酸のハロゲン化物などのα，β−不飽和酸誘導体の重合体類；
ポリ（メタ）アクリル酸無水物、ポリ無水マレイン酸などのα，β−不飽和酸無水物の重合体類；
ポリメチレンマロン酸ジエステル、ポリイタコン酸ジエステルなどの不飽和多塩基酸エステル重合体類；
ポリソルビン酸エステル、ムコン酸エステルなどのジオレフィン酸エステル重合体類；
ポリアクリル酸チオエステル、メタクリル酸チオエステル、α−クロルアクリル酸チオエステルなどのα，β−不飽和酸チオエステル重合体類；
ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリルなどのアクリロニトリル誘導体の重合体類；
ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミドなどのアクリルアミド誘導体の重合体類；
スチリル金属化合物重合体類；ポリビニルオキシ金属化合物類；ポリイミン類；
ポリフェニレンオキシド、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリオキシラン、ポリテトラヒドロフラン、ポリテトラヒドロピランなどのポリエーテル類；
ポリスルフィド類；ポリスルホンアミド類；ポリペプチド類；
ナイロン６６、ナイロン１〜ナイロン１２などのポリアミド類；
脂肪族ポリエステル、芳香族ポリエステル、脂環族ポリエステル、ポリ炭酸エステル、アルキド樹脂などのポリエステル類；
ポリ尿素類；ポリスルホン類；ポリアジン類；ポリアミン類；ポリ芳香族ケトン類；
ポリイミド類；ポリベンゾイミダゾール類；ポリベンゾオキサゾール類；
ポリベンゾチアゾール類；ポリアミノトリアゾール類；ポリオキサジアゾール類；
ポリピラゾール類；ポリテトラゾール類；ポリキノキサリン類；ポリトリアジン類；
ポリベンゾオキサジノン類；ポリキノリン類；ポリアントラゾリン類などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は１種単独でまたは２種以上を混合して使用できる。
【０１０９】
バインダー樹脂（Ｆ）としては、このような熱可塑性樹脂の他に、レジストとのインターミキシングを防止するために、組成物を基板に塗布した後、加熱により硬化して溶剤に対して不溶となる熱硬化性樹脂も好ましく用いられる。
【０１１０】
このような熱硬化性樹脂としては、たとえば，熱硬化性アクリル系樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アミノ系樹脂、芳香族炭化水素樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂などが挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上を混合して使用できる。
【０１１１】
これらバインダー樹脂（Ｆ）の配合量は、上記重合体１００重量部当り、通常２０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【０１１２】
（Ｇ）放射線吸収剤
放射線吸収剤（Ｇ）としては、各種の放射線吸収性を有する化合物を使用することができる。
【０１１３】
たとえば、油溶性染料、分散染料、塩基性染料、メチン系染料、ピラゾール系染料、イミダゾール系染料、ヒドロキシアゾ系染料などの染料；ビクシン誘導体、ノルビクシン、スチルベン、４、４’−ジアミノスチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラゾリン誘導体などの蛍光増白剤；ヒドロキシアゾ系染料、チヌビン２３４（商品名、チバガイギー製）
、チヌビン１１３０（商品名、チバガイギー製）などの紫外線吸収剤；アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体などの芳香族化合物などが挙げられる。
【０１１４】
これらの放射線吸収剤は１種単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。放射線吸収剤（Ｇ）の配合量は、反射防止膜形成用組成物の固形分１００重量部当たり、通常１００重量部以下、好ましくは５０重量部以下である。
【０１１５】
（Ｈ）界面活性剤
本発明では、塗布性、ストリエーション、濡れ性、現像性などを改良するために、反射防止膜形成用組成物に界面活性剤（Ｈ）を添加してもよい。
【０１１６】
界面活性剤（Ｈ）としては、たとえば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレートなどのノニオン系界面活性剤が挙げられる。
【０１１７】
また、オルガノシロキサンポリマーであるＫＰ３４１（商品名、信越化学工業（株）製）、（メタ）アクリル酸系（共）重合体であるポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（以上、商品名、共栄社油脂化学工業製）、エフトップＥＦ１０１、同ＥＦ２０４、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、商品名、トーケムプロダクツ製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３（以上、商品名、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１３５、同ＦＣ９３（以上、商品名、住友スリーエム製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（以上、商品名、旭硝子製）などの市販の界面活性剤を使用することもできる。
【０１１８】
これらの界面活性剤は１種単独でも２種以上を組合わせても使用することができる。界面活性剤（Ｈ）の配合量は、反射防止膜形成用組成物の固形分１００重量部当たり、通常１５重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【０１１９】
〔反射防止膜〕
本発明に係る反射防止膜は、上記反射防止膜形成用組成物（以下、「本発明に係る組成物」ともいう）を用いて、たとえば、下記の工程（Ｉ）〜（Ｖ）を含む方法により製造することができる。
【０１２０】
＜反射防止膜の製造方法および使用方法＞
本発明に係る反射防止膜の製造方法は、通常、
（Ｉ）基板上に本発明に係る組成物を塗布し、得られた塗膜を硬化させて反射防止膜を形成する工程、
（II）上記反射防止膜上に溶液状のレジスト用組成物を塗布し、得られた塗膜をプレベークしてレジスト被膜を形成する工程、
（III）フォトマスクを介して上記レジスト被膜を選択的に露光する工程、
（IV）露光したレジスト被膜を現像する工程、および
（Ｖ）上記反射防止膜をエッチングする工程
を含む。
【０１２１】
（Ｉ）反射防止膜形成工程：
まず、本発明に係る組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布などの公知の方法により基板上に塗布する。基板としては、たとえば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆
したウエハーなどを使用することができる。
【０１２２】
次に、塗布した組成物（塗膜）を、露光および／または加熱することにより硬化させる。露光により塗膜を硬化させる場合、照射する放射線は、使用する光酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、分子線、イオンビームなどから適宜選択される。光酸発生剤を含有する組成物を使用し、かつ露光により塗膜を硬化させる場合には、常温でも塗膜を有効に硬化させることが可能である。加熱により塗膜を硬化させる場合、加熱温度は通常９０〜３５０℃程度、好ましくは１５０〜３５０℃程度である。
【０１２３】
このようにして形成された反射防止膜の膜厚は、通常０．１〜５μｍである。
【０１２４】
（II）レジスト被膜形成工程：
工程（Ｉ）で形成した反射防止膜上に、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるように、溶液状のレジスト用組成物を塗布する。本発明に係る反射防止膜を用いることによって、インターミキシングを発生させることなく、レジスト被膜を形成することができる。
【０１２５】
レジスト用組成物としては、たとえば、光酸発生剤を含有するポジ型またはネガ型の化学増幅型レジスト用組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト用組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とからなるネガ型レジスト用組成物、シリコン含有レジスト用組成物などを挙げることができる。これらのうち、反射防止膜エッチング工程（Ｖ）において、エッチング選択性を向上させるため、シリコン含有レジスト用組成物が好ましい。このようなレジスト用組成物は溶液の状態で塗布され、その固形分濃度は通常５〜５０重量％程度である。このような溶液状のレジスト用組成物は、通常、たとえば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過した後、レジスト被膜の形成に使用する。また、市販の溶液状のレジスト用組成物をそのまま使用することもできる。
【０１２６】
上記のようにしてレジスト用組成物を塗布した後、プレベークして塗膜中の溶剤を揮発させることによりレジスト被膜を形成する。プレベークの温度は、使用するレジスト組成物の種類などに応じて適宜調整されるが、通常３０〜２００℃程度、好ましくは５０〜１５０℃である。
【０１２７】
（III）露光工程：
工程（II）で形成したレジスト被膜を、フォトマスクを介して露光する。このとき、照射した放射線が基板表面で反射するが、本発明に係る反射防止膜の作用により、基板から反射した放射光が吸収される。
【０１２８】
露光に用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用される光酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、分子線、イオンビームなどから適切に選択される。これらのうち、好ましくは遠紫外線であり、特に、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ
ー（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ2エキシマレーザー（波長１４７ｎｍ）、ＡｒＫｒエキシマ
レーザー（波長１３４ｎｍ）、極紫外線（波長１３ｎｍなど）などが好ましい。
【０１２９】
（IV）現像工程：
工程（III）で露光したレジスト被膜を現像し、洗浄し、乾燥することにより、所定の
レジストパターンを形成させる。解像度、パターンプロファイル、現像性などを向上させるために、露光後の現像前にポストベークを行なってもよい。
【０１３０】
現像液は、使用するレジスト用組成物の種類に応じて適宜選択される。ポジ型化学増幅
型レジスト用組成物やアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト用組成物の場合に用いられる現像液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチル・エタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネンなどのアルカリ性水溶液を挙げることができる。これらのアルカリ性水溶液には、水溶性有機溶剤、たとえばメタノール、エタノールなどのアルコール類や、界面活性剤を適量添加することもできる。
【０１３１】
（Ｖ）エッチング工程：
工程(IV)で得られたレジストパターンをマスクとして、たとえば、酸素プラズマなどのガスプラズマを用いて、反射防止膜の乾式エッチングを行い、所定の基板加工用のレジストパターンを形成する。
【０１３２】
本発明に係る反射防止膜は、この乾式エッチングに対する耐性にも優れていることから、解像度および精度などに優れたレジストパターンを形成することができる。
【０１３３】
［実施例］
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。また、「部」および「％」は特記しない限り、それぞれ「重量部」および「重量％」を表す。まず、本実施例で使用した評価方法を説明する。
【０１３４】
＜評価方法＞
（分子量測定）
得られた重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ：２本、Ｇ３０００ＨＸＬ：１本）を用い、流量：１．０ｍｌ／分、溶出溶剤：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法（検出器：示差屈折計）により測定した。
【０１３５】
（光学特性測定）
８インチのシリコンウエハー上に、反射防止膜形成用組成物をスピンコートした後、ホットプレート上で３００℃で１２０秒間ベークして、膜厚０．３μｍの反射防止膜を形成した。ＫＬＡ−ＴＥＮＣＯＲ社製分光エリプソメータＵＶ−１２８０Ｅを用いて、２４８ｎｍにおける屈折率（ｎ値）および吸光度（ｋ値）を測定した。また、ＳＯＰＲＡ社製分光エリプソメーターＭＯＳＳ−ＥＳＶＧ  ＤＥＥＰ  ＵＶを用いて、１９３ｎｍにおけるｎ値とｋ値を測定した。
【０１３６】
〔合成例１〕
（化合物（Ａ−１）とフラーレン化合物との重合体の合成）
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、４−ヒドロキシメチルスチレンを１部と、フラーレンＣ60を８部と、トルエンを８６．５部と、アゾビスイソブチロニトリルを４．３部とを仕込み、攪拌しながら８０℃で２４時間重合した。その後、反応溶液をろ紙でろ過し、ろ液を濃縮し、得られた固形物を２−ヘプタノンに再溶解させた。不溶物を再度ろ紙にてろ過し、ろ液を多量のヘキサンに再沈殿し、ろ過し、乾燥して、Ｍｗが３，０００の重合体（１）を得た。
【０１３７】
〔合成例２〕
（化合物（Ａ−２）とフラーレン化合物との重合体の合成）
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、アセナフチレンを３．８部と、フラーレンＣ60を１部と、トルエンを８０部と、アゾビスイソブチロニトリルを６．４部とを仕込み、攪拌しながら９０℃で１２時間重合した。その後、反応溶液をろ紙でろ過し、ろ液を濃縮し、得られた固形物を２−ヘプタノンに再溶解させた。不溶物を再度ろ紙にてろ過し、ろ液を多量のヘキサンに再沈殿し、ろ過、乾燥し、Ｍｗが３，０００の重合体（２）を得た。
【０１３８】
〔調製例１〕
（ＡｒＦ用レジスト溶液の調製）
還流管を装着したセパラブルフラスコに、窒素気流下で、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−
３−エン２９部、８−ヒドロキシテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−
３−エン１０部、無水マレイン酸１８部、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジアクリレート４部、ｔ−ドデシルメルカプタン１部、アゾビスイソブチロニトリル４部および１，２−ジエトキシエタン６０部を仕込み、７０℃で６時間重合した。重合終了後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン／ｉ−プロピルアルコール（重量比＝１／１）混合溶液中に注いで、樹脂を凝固させた。凝固した樹脂を同一混合溶媒で数回洗浄したのち、真空乾燥して共重合体を得た。この共重合体の収率は６０％であり、Ｍｗは２７，０００であった。また、この共重合体は、下記式（ａ）、（ｂ）および（ｃ）で表される構成単位の含有率がそれぞれ６４モル％、１８モル％および１８モル％であった。
【０１３９】
【化１３】
2005241963.tif 000010
【実施例１】
【０１４０】
（１）反射防止膜形成用組成物の調製
合成例１で調製した重合体（１）１０部、サイメル３００（三井サイアナミッド（株）
製）０．５部およびビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート０．５部を、２−ヘプタノン８９部に溶解した。得られた溶液を孔径０．１μｍのメンブランフィルターでろ過し、反射防止膜形成用組成物を調製した。
【０１４１】
（２）反射防止膜の形成
上記（１）で得られた組成物を、８インチのシリコンウエハー上に膜厚０．３μｍの反射防止膜が得られるようにスピンコートした後、ホットプレート上で３００℃で１２０秒間ベークして反射防止膜を形成した。
【０１４２】
（３）ＫｒＦ用ポジ型レジストパターンの形成
上記（２）で得られた反射防止膜上に、ＫｒＦ用レジスト溶液（商品名：ＫＲＦ  Ｍ２０Ｇ、ジェイエスアール（株）製）を膜厚０．３１μｍのレジスト膜が得られるようにスピンコートした後、１４０℃のホットプレート上で１分間ベークし、レジスト膜を形成した。
【０１４３】
次いで、ステッパーＮＳＲ２００５ＥＸ１２Ｂ（波長２４８ｎｍ、（株）ニコン製）を用いて、０．２２μｍ幅のラインアンドスペースパターンを１対１の線幅で形成するような露光時間（以下、「最適露光時間」という。）だけ露光を行った。その後、１４０℃のホットプレート上で、９０秒間ベークした後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２３℃で３０秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。
【０１４４】
（４）ＫｒＦ用ポジ型レジストパターンの形成
上記（２）で得られた反射防止膜上に、ＡｒＦ用レジスト溶液を膜厚０．２μｍのレジスト膜が得られるようにスピンコートした後、ホットプレート上で１００℃で９０秒間ベークし、レジスト膜を形成した。
【０１４５】
次いで、ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（レンズ開口数０．６０、露光波長１９３ｎｍ、ＩＳＩ社製）により、マスクパターンを介して露光を行った。その後、ホットプレート上で１４０℃で９０秒間ベークした後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２５℃で１分間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。
【０１４６】
（５）光学特性の測定
上記（２）で得られた反射防止膜について、分光エリプソメータＵＶ−１２８０Ｅ（ＫＬＡ−ＴＥＮＣＯＲ社製）を用いて、２４８ｎｍにおける屈折率（ｎ値）および吸光度（ｋ値）を測定した。また、分光エリプソメーターＭＯＳＳ−ＥＳＶＧ  ＤＥＥＰ  ＵＶ（ＳＯＰＲＡ社製）を用いて、１９３ｎｍにおけるｎ値とｋ値を測定した。
【０１４７】
（６）インターミキシング防止効果の評価
上記（３）および（４）で形成したレジストパターンそれぞれについて、現像後に残った部分と反射防止膜との接点におけるレジスト膜の裾引きの程度を、走査型電子顕微鏡を用いて調べた。
【０１４８】
（７）定在波防止効果の評価
上記（３）および（４）で形成したレジストパターンそれぞれについて、レジストパターンへの定在波の影響（レジストパターンの側壁のガタつき）の有無を走査型電子顕微鏡を用いて調べた。
【０１４９】
（８）エッチング耐性評価
上記（２）で得られた反射防止膜を、エッチング装置ＥＸＡＭ（神鋼精機社製）を用いて、ＣＦ4／Ａｒ／Ｏ2（ＣＦ4：４０ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒ：２０ｍＬ／ｍｉｎ、Ｏ2：５ｍＬ／ｍｉｎ；圧力：２０Ｐａ；ＲＦパワー：２００Ｗ；処理時間：４０秒；温度：１５℃）でエッチング処理し、処理前後の膜厚を測定して、エッチングレートを算出した。
【０１５０】
得られた反射防止膜およびレジストパターンを評価した結果を表１に示す。
【実施例２】
【０１５１】
合成例１で調製した重合体（１）の代わりに、合成例２で調製した重合体（２）１０部、サイメル３００の代わりにＢＡＣ−Ｅ（東洋合成工業（株）製）を用いた以外は実施例１と同様にして反射防止膜形成用組成物を調製した。この反射防止膜形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして反射防止膜およびレジスト膜（レジストパターン）を形成し、これらを評価した。その結果を表１に示す。
【０１５２】
［比較例１］
反射防止膜を形成せず、シリコンウエハー上にレジスト膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてレジストパターン作製し、これらを評価した。その結果を表１に示す。
【０１５３】
［比較例２］
反射防止膜形成用組成物の代わりにノボラック樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にして反射防止膜およびレジストパターンを形成し、これらを評価した。その結果を表１に示す。
【０１５４】
【表１】
2005241963.tif 000011
【産業上の利用可能性】
【０１５５】
本発明に係る反射防止膜形成用組成物は、ドライエッチング耐性に優れ、反射防止効果が高く、かつレジストとインターミキシングを生じることのない反射防止膜を形成できることから、高集積度の集積回路の製造に特に有用である。