(57)【要約】【課題】本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するものであって、クロムレス方式を適用したマスクパターンの端部に微細パターンの形状のスリットを形成して願わないパターンを防止するので、半導体工程でパターンの解像度を進めて、現在の露光装備の使用期間を延ばして、次世代の露光装備を開発する事が出来る与件を提供するに本発明の目的がある。【解決手段】 本発明の前記目的は半導体の製造工程の中のフォトレジスト・パターンを形成するためのフォトマスクにおいて、前記フォトマスクはクロムレス方式で、その一軸にパターンが形成されて、前記パターンと離隔されて所定の角度を持って一つ以上のパターンがもっと形成されて、前記それぞれのパターンの端部にクロムの材質のスリットが形成されることを特徴とするフォトマスクによって逹成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の製造工程の中のフォトレジスト・パターンを形成するためのフォトマスクにおいて、
前記フォトマスクはクロムレス方式で、その一軸にパターンが形成されて、前記パターンと離隔されて所定の角度を持って一つ以上のパターンが更に形成されて、前記それぞれのパターンの端部にクロムの材質のスリットが形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記スリットは前記パターンの幅より狭い微細パターンで成り立つことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記微細パターンはそれぞれのパターンの長軸の方向に形成されることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体の製造工程のフォトレジスト・パターンを形成するためのフォトマスクに関し、より詳しくはクロムレス(Cr-less)方式のマスク、前記マスクの一軸に形成されたパターン、前記パターンと離隔されて所定角度を持って形成されたパターン及び前記パターンに形成されたクロムの材質のスリットを含むことを特徴とするフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は大韓民国公開特許公報特２００２-００９０４８７号に記載した従来の技術として、シャドーパターンが他の位置に形成されたことを見せている。本発明によるシャドーパターン２１０を持つフォトマスク２００は、単位面積当たりパターン２０１のすべて面積が低い低密度パターン領域２０２と、単位面積当たりパターン２０１のすべて面積が比較的高い高密度パターン領域２０３及び低密度パターン領域２０２と高密度パターン領域２０３の間の境界部２０５を持つフォトマスク２００を含む。また境界部２０５には露光の光源によって感光されないように所定の幅(w)を持つスリット形状に形成されたシャドーパターン２１０が形成される。
【０００３】
この時、露光の光源がエキシマレーザーである場合、露光時シャドーパターン２１０はエキシマレーザー光源によって感光されないように４０nm以内の幅(w)を持つことが望ましい。前記シャドーパターン２１０の幅(w)は露光の光源の種類によって調節されて、露光の光源の波長が短くなるほど減少される。このような本発明によるシャドーパターン２１０は高密度パターン領域２０３と低密度パターン領域２０２の境界部２０５に位して低密度パターン領域２０２をパスする光を遮断することで、高密度パターン領域２０３に干渉されないようにする。したがってウェーハの上に露光された高密度パターン領域２０３の形状が変形されるとかその位置を脱して形成されることを防止する事が出来る。
【０００４】
同様にシャドーパターン２１０はフォトマスク２００の製作工程でパターン２０１と一緒に形成する事が出来るし、露光工程に利用時従来技術による装置と方法をそのまま適用する事が出来るので経済的である。
【０００５】
一方、現在一番多く使われているマスク(Mask)は水晶とクロムで構成されたバイナリーマスク(Binary Mask)と水晶とクロム、 MoSiNで構成された半透過型の位相変移マスク(Half Tone Phase Shift Mask)及びクロムがなく水晶の位相を変更して解像度を進めるマスク(Cr-Less Mask)がある。
【０００６】
しかし前記半透過型の位相変移マスクは前記バイナリーマスクより解像度と工程マージン(Margin)をどの位進めるから０.１３/０．０９クリティカルフォト(Critical Photo)工程で大部分使っている。
【０００７】
KrF（２４８nm）露光装備では０.１３?ゲートライン(Gate Line)及び０.１６?接触ホール(Contact Hole)までのパターン(Pattern)形成には問題がないが、その以下の大きさでは工程のマージン及びパターンの自体の形成が難しいからArF(光源:１９３nm)露光装備を使うとか他の方法を模索しなければならない。
【０００８】
一方に前記クロムのないマスクは解像度を進める事は出来るが、すべての領域をクロムがない形態でパターンを形成する事が出来ていなくて商用化が成り立つ事が出来ないし、また位相が０度から１８０度に変わる領域で必要ないパターンが形成される問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するものであって、クロムレス方式を適用したマスクパターンの端部に微細パターンの形状のスリットを形成して願わないパターンを防止するので、半導体工程でパターンの解像度を進めて、現在の露光装備の使用期間を延ばして、次世代の露光装備を開発する事が出来る技術構成を提供するに本発明の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の前記目的は半導体の製造工程の中のフォトレジスト・パターンを形成するためのフォトマスクにおいて、前記フォトマスクはクロムレス方式で、その一軸にパターンが形成されて、前記パターンと離隔されて所定の角度を持って一つ以上のパターンが更に形成されて、前記それぞれのパターンの端部にクロムの材質のスリットが形成されることを特徴とするフォトマスクによって逹成される。
【発明の效果】
【００１１】
本発明のフォトマスクはクロムレス方式を適用したマスクとしてパターンの端部に微細パターンの形状のスリットを形成して半導体工程でパターンの解像度が向上して、現在の露光装備の使用期間が延ばされて、次世代の露光装備を開発するのに拍車をかける事が出来る效果及び長所がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る好ましい実施形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
図２は本発明によるフォトマスクの構成図として、クロムレス方式のマスク１００の一方向にパターン１１０が形成されて、また前記パターン１１０と離隔されて且つ所定の角度を有するパターン１２０が形成されて、前記二つのパターン１１０、 １２０に、クロムの材質のスリット１３０、 １４０が形成される。
【００１４】
また、前記スリット１３０、 １４０は、それぞれのパターン１１０、 １２０の端部に形成されてクロムレス方式のパターンが持っている問題点である意図しないパターンの発生を防止する。
【００１５】
そして前記スリット１３０、 １４０は所定の幅を持つ微細パターンに形成される。またそれぞれの微細パターンは前記パターン１１０、 １２０の長軸の方向に形成される。例えば、図２に示されたように、縦長の方向に形成されたパターン１１０には前記パターン１１０のような縦長の方向のスリット１３１が形成されて、横長の方向に形成されたパターン１２０には前記パターン１２０のような横長の方向のスリット１４１が形成される。
【００１６】
上記で説明された本発明によって、本発明の特徴部を含む変更或いは変形等は当該技術分野で熟練された普通の人々にとって容易に推考し得るものであることは自明である。本発明のそういう変更或いは変形等は、本発明の特徴部を含む当該技術分野に熟練された通常の知識を持った者等の範囲内にあり、係る変形或いは変更技術は、本発明の請求項の範囲内にあるものと見なされる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、従来技術によるシャドーパターンを持つフォトマスクを現わした構成図である。
【図２】図２は、本発明によるフォトマスクの構成図である。
【符号の説明】
【００１８】
１００：マスク
１１０、 １２０：パターン
１３０、 １４０：スリット
２００：フォトマスク
２０１：パターン
２０２：低密度パターン領域
２０３：高密度パターン領域
２０５：境界部
２１０：シャドーパターン
【図１】
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【図２】
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