(57)【要約】 【課題】  細径で、かつ、良好な遮蔽効果を有する同軸ケーブル及びその製造装置並びに製造方法を提供するものである。【解決手段】  本発明に係る同軸ケーブル１０は、中心導体１１の外周に絶縁体による第１絶縁層１２を設け、その第１絶縁層１２の外周に、第１絶縁層１２を構成する絶縁体に対する親和力が小さい絶縁体による第２絶縁層１３を設け、その第２絶縁層１３の外周に金属薄膜によるシールド層１４を設けたものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を有する同軸ケーブルにおいて、上記中心導体の外周に絶縁体による第１絶縁層を設け、その第１絶縁層の外周に、第１絶縁層を構成する絶縁体に対する親和力が小さい絶縁体による第２絶縁層を設け、その第２絶縁層の外周に金属薄膜による上記シールド層を設けたことを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項２】
上記金属薄膜の金属組織の結晶粒径が０．５μｍ以下である請求項１記載の同軸ケーブル。
【請求項３】
中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を有する同軸ケーブルにおいて、上記中心導体の外周に絶縁体による第１絶縁層を設け、その第１絶縁層の外周に、第１絶縁層を構成する絶縁体に対する親和力が小さい導電性材による上記シールド層を設けたことを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項４】
上記導電性材が、導電性高分子又は電気伝導性樹脂である請求項３記載の同軸ケーブル。
【請求項５】
中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を設けてなる同軸ケーブルの製造装置において、上記中心導体の外周に上記絶縁層を設けてなるケーブルコアを送り出す送出手段と、送り出されたケーブルコアの表面に粗化処理を施す表面粗化手段と、表面粗化手段の後段に設けられ、表面が粗化されたケーブルコアの外周に上記シールド層である金属薄膜を形成するイオンスパッタ手段と、シールド層を被覆したケーブルコアを巻き取る巻取手段とを備えたことを特徴とする同軸ケーブルの製造装置。
【請求項６】
上記イオンスパッタ手段が、表面が粗化された上記ケーブルコアが挿通される円筒状のスパッタターゲット部材と、そのスパッタターゲット部材とケーブルコアの中心導体との間に直流電圧を印可する直流電源とを有する請求項５記載の同軸ケーブルの製造装置。
【請求項７】
中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を設ける同軸ケーブルの製造方法において、上記中心導体の外周に絶縁体による第１絶縁層を設け、その第１絶縁層の外周に、第１絶縁層を構成する絶縁体に対する親和力が小さい絶縁体による第２絶縁層を設け、その後、請求項５又は６記載の製造装置を用い、上記中心導体を接地した状態で、第２絶縁層の表面に粗化処理を施すと共に、その表面粗化処理に連続してイオンスパッタ処理を施し、第２絶縁層の外周に金属薄膜による上記シールド層を設けることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【請求項８】
上記スパッタ処理後、電解めっき処理又は無電解めっき処理を施し、上記金属薄膜を厚膜に形成する請求項７記載の同軸ケーブルの製造方法。
【請求項９】
中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を設ける同軸ケーブルの製造方法において、上記中心導体の外周に絶縁体による第１絶縁層を設け、その第１絶縁層の外周に、第１絶縁層を構成する絶縁体に対する親和力が小さい導電性材による上記シールド層を設けることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸ケーブル及びその製造装置並びに製造方法に係り、特に、医療機器や電子情報機器等に使用される極細の同軸ケーブル及びその製造装置並びに製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
同軸ケーブルの内、外径が非常に小さい（例えば、０．３５ｍｍ未満）ものを極細同軸ケーブルと称している。図５に示すように、従来における一般的な極細同軸ケーブル５０は、素線を撚り合わせて構成される中心導体（内部導体）５１の外周に、フッ素樹脂などの絶縁体による絶縁層５２を設け、その絶縁層５２の外周に、順に素線を横巻きしてなるシールド層（外部導体）５３、ジャケット５４を設けてなる。ここで、シールド層５３は高周波領域での電磁ノイズの遮蔽を行うものである。また、中心導体５１及びシールド層５３を構成する素線としては、素線径が０．０３ｍｍのCu-0.3mass％Sn合金線などが用いられる。さらに、絶縁層５２を構成するフッ素樹脂としてはＰＦＡなどが、ジャケット５４としてはＰＥＴ又はＰＦＡなどが一般的に用いられている。
【０００３】
近年、医療機器や電子情報機器などの軽量化、小型化、及び薄型化の要求が高まっており、極細同軸ケーブルの更なる極細化（細径化）が求められている。
【０００４】
ここで、中心導体５１を素線径が０．０１６ｍｍのCu-2mass％Ag合金線で、絶縁層５２及びジャケット５４の構成材をＰＦＡで、シールド層５３を素線径が０．０２ｍｍのCu-0.2mass％Sn-0.2mass％In合金線で構成し、外径を０．２０５ｍｍ前後とした極細同軸ケーブルがある。
【０００５】
また、図５に示した構造の極細同軸ケーブル５０は、細径化に限界があるため、ケーブル５０とはケーブル構造の異なる極細同軸ケーブルが種々提案されている。例えば、ケーブル５０の構造の内、中心導体を素線径が０．０８ｍｍの単線で構成した同軸ケーブルがある（例えば、特許文献１参照）。また、ケーブル５０の構造の内、シールド層を金属薄膜で構成した同軸ケーブルがある（例えば、特許文献２，３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２３４５６号公報
【特許文献２】特許第２９２９１６１号公報
【特許文献３】特開２００２−２０３４３７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述した外径が０．２０５ｍｍ前後の極細同軸ケーブルは、特殊な用途（例えば、超音波内視鏡の本体と探触子とをつなぐケーブル）のものであって、適用範囲が限定されるという問題があった。
【０００８】
また、特許文献１記載の同軸ケーブルは、最も細径のものでも外径が０．３３ｍｍであり、細径化の効果が小さいという問題があった。
【０００９】
さらに、特許文献２記載の同軸ケーブルは、ケーブル外径の細径化の効果は高いものの、製造工程が非常に複雑であるため製造コストが高くなってしまい、量産性に問題があった。
【００１０】
また更に、特許文献３記載の同軸ケーブルは、同じくケーブル外径の細径化の効果は高いものの、絶縁層の表面に直接金属メッキによるシールド層（金属薄膜）を形成している。よって、この同軸ケーブルのケーブル端末を接続する際に、シールド層を剥離させるのが困難であるという問題があった。
【００１１】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、細径で、かつ、良好な遮蔽効果を有する同軸ケーブル及びその製造装置並びに製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく本発明に係る同軸ケーブルは、中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を有する同軸ケーブルにおいて、上記中心導体の外周に絶縁体による第１絶縁層を設け、その第１絶縁層の外周に、第１絶縁層を構成する絶縁体に対する親和力が小さい絶縁体による第２絶縁層を設け、その第２絶縁層の外周に金属薄膜による上記シールド層を設けたものである。
【００１３】
以上の構成によれば、第１絶縁層と第２絶縁層及びシールド層とを容易に剥離することができる。
【００１４】
また、本発明に係る同軸ケーブルは、中心導体の外周に、絶縁層及びシールド層を有する同軸ケーブルにおいて、上記中心導体の外周に絶縁体による第１絶縁層を設け、その第１絶縁層の外周に、第１絶縁層を構成する絶縁体に対する親和力が小さい導電性材による上記シールド層を設けたものである。
【００１５】
以上の構成によれば、第１絶縁層とシールド層とを容易に剥離することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、細径で、かつ、高周波領域において十分な遮蔽効果を有する同軸ケーブルを得ることができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１８】
本発明の好適一実施の形態に係る同軸ケーブルの横断面図を図１に、図１の同軸ケーブルの製造に用いるケーブルコアの横断面図を図３に示す。尚、図３中において、図１と同様の部材には同じ符号を付している。
【００１９】
図１に示すように、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０は、中心導体１１の外周に、順に第１絶縁層１２、第２絶縁層１３、シールド層１４、及びジャケット１５を設けてなるものである。言い換えると、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０は、図３に示すケーブルコア３０の外周に、順にシールド層１４及びジャケット１５を設けてなるものである。
【００２０】
第１絶縁層１２及びジャケット１５の構成材は同じものが好ましい。その構成材としては、フッ素樹脂（例えば、ＰＦＡ）などが挙げられる。また、第２絶縁層１３を構成する絶縁体としては、第１絶縁層１２を構成する絶縁体に対する親和力が小さいものが用いられる。例えば、第１絶縁層１２の構成材としてＰＦＡを用いる場合、第２絶縁層１３を構成する絶縁体としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）が用いられる。さらに、ここで言う「親和力が小さい」とは、例えば、剥離強度（ピール強度）が２．０（Ｎ／２０ｍｍ）以下、好ましくは１．０（Ｎ／２０ｍｍ）以下であることを示している。Ｎ／２０ｍｍという単位は、２０ｍｍ剥離させるのに要する力（Ｎ）を示している。
【００２１】
また、第２絶縁層１３は、後述するように、シールド層１４の固定層として設けるものであるため、シールド層１４を十分に固定できるのであれば、その層厚は特に限定するものではなく、例えば、第１絶縁層１２の層厚の１／２以下、好ましくは１／３以下もあれば十分である。
【００２２】
シールド層１４は、高周波領域での電磁ノイズの遮蔽を目的としたものであって、金属薄膜で構成される。金属薄膜の膜厚は最低でも１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上とされる。金属薄膜の膜厚が１μｍ未満では、電磁ノイズの遮蔽が不十分となってしまう。また、金属薄膜を構成する金属材としては、導電率が高い材料が好ましく、例えば、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ａｇ又はＡｇ合金などが挙げられる。さらに、金属薄膜の金属組織における結晶粒径は、０．５μｍ以下に調整することが好ましい。結晶粒径の調整は、成膜条件を調整することによって行う。
【００２３】
中心導体１１としては、素線を撚り合わせた撚線材又は１本の素線からなる単線材のいずれであってもよい。撚線材としては、例えば、素線径が０．０１６ｍｍのCu-2mass％Ag合金線を複数本（図１中では７本）撚り合わせたものが挙げられる。また、単線材としては、例えば、素線径が０．０４ｍｍのCu-2mass％Ag合金線が挙げられる。
【００２４】
次に、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０の製造方法について説明する。
【００２５】
絶縁層を構成する樹脂（高分子材料）の表面に金属薄膜を形成する方法として、一般に、無電解めっき法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ処理法などが知られているが、成膜速度を鑑みると、これらの方法の内、成膜速度に優れるスパッタ処理法が好ましい。
【００２６】
従来、スパッタ処理法を用いた金属薄膜の形成の一例として、樹脂シートの表面に金属または絶縁物の薄膜を蒸着（スパッタリング）する際に、プラズマ処理を利用した表面の粗化と蒸着処理とを同一真空槽内で行うものがある（例えば、特開２００３−７１９８５公報参照）。しかしながら、この方法は、蒸着対象物がシートのように平面状のものであれば適用可能であるが、同軸ケーブルのような線材の外周に、均一な金属薄膜を形成することはできなかった。
【００２７】
そこで、本発明者らが鋭意研究した結果、線材（ケーブルコア３０（図３参照））の外周に均一な金属薄膜を形成可能なイオンスパッタ手段を備えたシールド被覆装置を開発するに到った。
【００２８】
図４に示すように、シールド被覆装置４０は、主に、巻き取られたケーブルコア３０を送り出す送出手段（送出ボビン）４２と、送出されたケーブルコア３０の表面に粗化処理を施す表面粗化手段４４と、表面粗化手段４４の後段に設けられ、表面が粗化されたケーブルコア３０の外周にシールド層である金属薄膜を形成するイオンスパッタ手段４５と、シールド層を被覆したケーブルコア３０を巻き取る巻取手段（巻取ボビン）４７とで構成される。手段４２，４４間および手段４５，４７間には、それぞれプーリー４３ａ，４３ｂが設けられる。
【００２９】
また、各手段４２，４４，４５，４７は隔壁（耐圧容器）４１内に設けられ、隔壁４１は図示しない排気装置（真空ポンプ）等を備えており、その内部を真空雰囲気に保持可能な構成とされる。
【００３０】
イオンスパッタ手段４５は、表面が粗化されたケーブルコア３０が挿通される円筒状のスパッタターゲット部材（電極）４６と、そのスパッタターゲット部材４６とケーブルコア３０における中心導体の一方端（例えば、図４中では送出手段４２側の端部）との間に直流電圧を印可する直流電源４８とを有する。ケーブルコア３０における中心導体の他方端（例えば、図４中では巻取手段４７側の端部）は、アース４９に接地される。
【００３１】
上述したシールド被覆装置４０を用いたシールド層１４（図１参照）の被覆工程は、表面粗化ステップとシールド被覆ステップの２つのステップで構成される。
【００３２】
先ず、押出被覆などにより、中心導体１１の外周に、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１３を被覆形成し、ケーブルコア３０を作製する。このケーブルコア３０を予め送出手段（送出ボビン）４２に巻き取っておく。
【００３３】
次に、送出手段４２に巻き取られたケーブルコア３０を送出して表面粗化手段４４に供給し、表面粗化処理を行う（表面粗化ステップ）。表面粗化手段４４において、グロー放電による窒素ガス又はアルゴンガスのプラズマにより、ケーブルコア３０の外周、つまり第２絶縁層１３の外周が表面粗化される。
【００３４】
次に、この表面粗化処理されたケーブルコア３０を、表面粗化手段４４の後段に設けられたイオンスパッタ手段４５に連続して供給し、シールド被覆を行う（シールド被覆ステップ）。
【００３５】
イオンスパッタ手段４５において、ケーブルコア３０は円筒状のスパッタターゲット部材４６の内部を走行通過する。この時、ターゲット部材４６とケーブルコア３０の中心導体１１（図３参照）との間には、直流電源４８により直流電圧が印可されており、また、中心導体１１はアース４９に接地されている。このため、直流電圧の印加によって、ケーブルコア３０の外周に、全周に亘って、０．１〜０．３μｍ程度の膜厚の金属スパッタ薄膜（シールド層１４（図１参照））が被覆形成される。ケーブルコア３０の外周は、表面粗化処理によって粗くなっているため、金属スパッタ薄膜はケーブルコア３０の外周に強固に密着される。ここで、イオンスパッタ手段４５を多段に設けて、金属スパッタ薄膜を多層に形成するようにしてもよい。これによって、厚膜（例えば、膜厚が１μｍ以上）の金属スパッタ薄膜を得ることが可能となる。
【００３６】
その後、シールド被覆されたケーブルコア３０は、巻取手段４７に巻き取られる。ここで、イオンスパッタ処理において、シールド層１４として十分な膜厚の金属スパッタ薄膜が得られない場合、スパッタ処理後、金属スパッタ薄膜の表面に電解めっき処理又は無電解めっき処理を施し、金属薄膜全体の膜厚が１μｍ以上となるようにしてもよい。
【００３７】
最後に、十分な膜厚のシールド層１４の外周に、押出被覆などによりジャケット１５を被覆形成することで、図１に示した同軸ケーブル１０が得られる。
【００３８】
次に、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０の作用を説明する。
【００３９】
本実施の形態に係る同軸ケーブル１０においては、第１絶縁層１２の外周に第２絶縁層１３を設けているが、この第２絶縁層１３はシールド層１４の固定層として設けたものである。シールド層１４は第２絶縁層１３に強固に密着しているものの、第２絶縁層１３を構成する絶縁体を、第１絶縁層１２を構成する絶縁体に対する親和力が小さいもので構成している。このため、第２絶縁層１３自体は、第１絶縁層１２から、治具などを用いることなく手作業により容易に剥離させることができる。
【００４０】
よって、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０は、その端末を接続する際、シールド層１４と一体化した第２絶縁層１３を、第１絶縁層１２から容易に剥離させることができるため、端末接続時の作業性が良好となる。
【００４１】
また、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０は、シールド層１４を構成する金属薄膜における金属組織の結晶粒径を０．５μｍ以下に調整している。これによって、金属薄膜の靭性の向上を図ることができる。よって、薄膜でありながら、金属薄膜の耐屈曲性が良好となる。その結果、同軸ケーブル１０の屈曲寿命を更に向上させることができる。
【００４２】
以上より、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０によれば、細径（例えば、外径が０．２００ｍｍ以下）でありながら、高周波領域において十分な遮蔽効果（シールド効果）が得られ、かつ、端末接続の際の皮剥き作業も容易であるという優れた作用効果が得られる。
【００４３】
一方、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０の製造に用いる製造装置４０は、スパッタリング対象物がシート状のものである場合は言うまでもなく、その他に、スパッタリング対象物が同軸ケーブルのような線状のものであっても、その外周に、均一な金属スパッタ薄膜を形成することができる。
【００４４】
また、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０の製造に要する工程は、第１絶縁層１２、第２絶縁層１３、製造装置４０によるシールド層１４、及びジャケット１５の各被覆工程だけであり、少ない製造工程で、同軸ケーブル１０を得ることができる。その結果、特許文献２記載の同軸ケーブルと比較して、本実施の形態に係る同軸ケーブル１０の製造コストを低減することができる。
【００４５】
次に、本発明の他の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００４６】
本発明の他の実施の形態に係る同軸ケーブルの横断面図を図２に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付している。
【００４７】
図２に示すように、本実施の形態に係る同軸ケーブル２０は、中心導体１１の外周に、順に第１絶縁層１２、シールド層２３、及びジャケット１５を設けてなるものである。
【００４８】
シールド層２３の構成材としては、第１絶縁層１２を構成する絶縁体に対する親和力が小さい導電性材が用いられる。ここで言う導電性材としては、金属的又は半導体的な導電性を示す導電性高分子や、高分子材料にＣｕ、Ａｇ、黒鉛などの導体を分散させた電気伝導性樹脂が挙げられる。導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンスルフィドなどが挙げられ、ポリアセチレンが好ましい。また、電気伝導性樹脂を構成する高分子材料としては、例えば、ＰＥＴ、前述した導電性高分子、ポリイミドなどが挙げられる。
【００４９】
また、シールド層２３は、高周波領域での電磁ノイズの遮蔽を目的としたものであるため、その層厚の大小は、高周波領域において要求される遮蔽効果に応じて適宜選択されるが、図１に示した第２絶縁層１３と同程度の層厚であればよい。
【００５０】
本実施の形態に係る同軸ケーブル２０は、中心導体１１の外周に第１絶縁層１２を設けてケーブルコアを作製し、そのケーブルコアの外周に、押出被覆法により導電性材からなるシールド層２３を被覆し、そのシールド層２３の外周にジャケット１５を設けることで、得られる。
【００５１】
次に、本実施の形態に係る同軸ケーブル２０の作用を説明する。
【００５２】
本実施の形態に係る同軸ケーブル２０においても、前実施の形態に係る同軸ケーブル１０と同様の作用効果が得られる。
【００５３】
また、本実施の形態に係る同軸ケーブル２０は、第２絶縁層とシールド層とを兼ねたシールド層２３の外周に直接ジャケット１５を設けており、前実施の形態に係る同軸ケーブル１０における第２絶縁層１３を必要としないものである。よって、本実施の形態に係る同軸ケーブル２０は、前実施の形態に係る同軸ケーブル１０と比較して、更なる細径化を図ることができる。
【００５４】
また、本実施の形態に係る同軸ケーブル２０のシールド層２３は、シールド層として十分な遮蔽効果を有しているものの、シールド層２３の外周に図１に示したシールド層１４（第２シールド層）を設けてもよい。これによって、本実施の形態に係る同軸ケーブル２０は、前実施の形態に係る同軸ケーブル１０と比較して、外径は同じままで、更なるシールド効果の向上を図ることができる。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【００５６】
次に、本発明の実施の形態について、実施例に基づいて説明するが、本発明の実施の形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００５７】
（実施例１）
中心導体として、素線径が０．０１６ｍｍのCu-2mass％Ag合金線を７本撚り合わせた撚線材を用い、その中心導体の外周に、順に厚さ０．０３３ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層、厚さ０．０１ｍｍのＰＥＴ膜で構成される第２絶縁層、厚さ２μｍ（０．００２ｍｍ）のＡｇ膜で構成されるシールド層、及び厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１８８ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００５８】
（実施例２）
実施例１と同じ中心導体の外周に、順に厚さ０．０３３ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層、厚さ０．０１ｍｍのポリアセチレン膜で構成されるシールド層、及び厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１８４ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００５９】
（実施例３）
実施例１と同じ中心導体の外周に、順に厚さ０．０３３ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層、厚さ０．０１ｍｍのポリアセチレン膜で構成されるシールド層、厚さ２μｍ（０．００２ｍｍ）のＡｇ膜で構成される第２シールド層、及び厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１８８ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００６０】
（実施例４）
中心導体として、素線径が０．０４０ｍｍのCu-2mass％Ag合金の単線材を用い、その中心導体の外周に、順に厚さ０．０２８ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層、厚さ０．０１ｍｍのＰＥＴ膜で構成される第２絶縁層、厚さ２μｍ（０．００２ｍｍ）のＡｇ膜で構成されるシールド層、及び厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１７０ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００６１】
（実施例５）
実施例４と同じ中心導体の外周に、順に厚さ０．０２８ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層、厚さ０．０１ｍｍのポリアセチレン膜で構成されるシールド層、及び厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１６６ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００６２】
（実施例６）
実施例４と同じ中心導体の外周に、順に厚さ０．０２８ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層、厚さ０．０１ｍｍのポリアセチレン膜で構成されるシールド層、厚さ２μｍ（０．００２ｍｍ）のＡｇ膜で構成される第２シールド層、及び厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１７０ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００６３】
（比較例１）
実施例１と同じ中心導体の外周に、厚さ０．０３３ｍｍのＰＦＡ膜で構成される第１絶縁層を被覆する。その第１絶縁層の外周に、素線径が０．０１６ｍｍのCu-0.2mass％Sn-0.2mass％In合金線を横巻きしてシールド層を形成する。そのシールド層の外周に、厚さ０．０２５ｍｍのＰＦＡ膜で構成されるジャケットを被覆し、外径が０．１９７ｍｍの極細同軸ケーブルを製造した。
【００６４】
本発明に係る同軸ケーブルである実施例１〜６の同軸ケーブルは、比較例の同軸ケーブルと比較して、ケーブル外径を４．５％以上縮径することができた。
【００６５】
また、実施例１〜６の同軸ケーブルは、外径が０．１６６〜０．１８８ｍｍと細径であるにもかかわらず、高周波領域において十分な遮蔽効果を得ることができた（例えば、１０ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数領域において、０．１〜０．５ｄＢ）。
【００６６】
また、実施例１，４の同軸ケーブルについては第２絶縁層を、実施例２，３，５，６の同軸ケーブルについてはシールド層を、第１絶縁層から、治具などを用いることなく手作業により容易に剥離させることができた。
【００６７】
また、実施例４〜６の同軸ケーブルのように、中心導体として撚線材ではなく単線材を用いることにより、実施例１〜３の同軸ケーブルと比較して、ケーブル外径を縮径する（最大で約１６％程度）ことができた。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本実施の形態に係る同軸ケーブルは、超音波診断装置の診断プローブや内視鏡等の医療機器、携帯型情報端末やノート型コンピューター等の情報機器の信号伝送、接続ケーブルとして好適である。また、これらの他にも、産業用ロボットなどの信号伝送ケーブルとしても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の好適一実施の形態に係る同軸ケーブルの横断面図である。
【図２】本発明の他の好適一実施の形態に係る同軸ケーブルの横断面図である。
【図３】図１の同軸ケーブルの製造に用いるケーブルコアの横断面図である。
【図４】本発明の好適一実施の形態に係る同軸ケーブルの製造に用いるシールド被覆装置の概略図である。
【図５】従来の同軸ケーブルの横断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  同軸ケーブル
１１  中心導体
１２  第１絶縁層
１３  第２絶縁層
１４  シールド層
【図１】
2005093368.tif 000003
【図２】
2005093368.tif 000004
【図３】
2005093368.tif 000005
【図４】
2005093368.tif 000006
【図５】
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