(57)【要約】【課題】  高密度・高品質の光変調記録を可能とする。【解決手段】  半導体レーザー１０に発振しきい値以下の定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩR を供給する再生パワー電流源２と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩB を供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩI を供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩW を供給するライトパワー電流源５と、駆動電流ＩB をオン／オフするカレントスイッチ回路７と、駆動電流ＩI をオン／オフするカレントスイッチ回路８と、駆動電流ＩW をオン／オフするカレントスイッチ回路９とが備えられている。【選択図】  図１
2005196965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザーに発振しきい値以下の定電流を供給する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電流を供給する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第２駆動電流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体レーザーに第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライトパワー電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２カレントスイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフする第３カレントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／オフする第４カレントスイッチ回路とが備えられていることを特徴とする半導体レーザー駆動回路。
【請求項２】
第１駆動電流をオン／オフする第１カレントスイッチ回路が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気ディスク等の光記録媒体に対し情報の記録再生を行う情報記録再生装置に備わる半導体レーザー駆動回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気ディスク装置は、垂直磁化された磁性膜に高出力のレーザー光を照射し、磁性膜の温度を局所的に上昇させてその温度上昇部分の保磁力を減少させ、同時に外部より補助磁場を印加することで磁化の向きを反転させて情報の記録または消去を行う。再生の際には低出力のレーザー光を磁性膜に照射し、その反射光から磁化の状態を検出して情報を読み出す。このため、光磁気ディスク装置には、記録・消去または再生のそれぞれのモードに応じて、所定光量のレーザー光を磁性膜に照射する半導体レーザー駆動回路が設けられている。
【０００３】
半導体レーザー駆動回路の一例を図５に示す。
【０００４】
再生モードでは、定電流源１からの定電流ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。定電流ＩCCは、図６に示すように、半導体レーザー１０の発振しきい値Ｉth以下に設定された電流である。
【０００５】
駆動電流ＩR は、レーザー光の強度をモニターする光検出器１１と、ＡＰＣ（ Automatic Power Control）回路１２とによってフィードバック制御されている。これにより、温度によって発振しきい値Ｉthが変化しても、一定の再生パワーＰR を得ることができる。
【０００６】
記録モードでは、定電流源１からの定電流ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR と、記録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW とが半導体レーザー１０に供給される。駆動電流ＩW は、カレントスイッチ回路１９によって、記録情報信号１９ａに応じてオン／オフされる。これにより、レーザー光の強度が記録情報信号１９ａに応じて記録パワーＰW と再生パワーＰR とに切り替わる。つまり、光変調が行われる。レーザー光の強度が記録パワーＰW であるとき、光磁気ディスクに記録マークが形成される。
【０００７】
なお、記録モードでは、ＡＰＣ回路１２の動作は止められ、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR は記録モードに移る直前の電流値に保持される。
【０００８】
消去モードでは、カレントスイッチ回路９が常にオンされる。これにより、記録パワーＰW に等しい消去パワーのレーザー光が得られる。
【０００９】
記録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW は、制御信号１３ａによって、レーザー光の照射位置に応じて制御されている。つまり、光磁気ディスクの外周側になるほど、駆動電流ＩW を大きくしている。これにより、光磁気ディスクを角速度一定で回転させても、レーザー光が照射されている光磁気ディスク上の半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを一定にすることができる。
【００１０】
光変調によるオーバーライト（重ね書き）を行う場合、消去モードは不要になる。この場合、記録モードでは、図７に示すように、レーザー光の強度は記録パワーＰW とイニシャルパワーＰI とに変調される。イニシャルパワーＰI は再生パワーＰR よりも大きく記録パワーＰW よりも小さい値に設定されている。
【００１１】
同図（ａ）では、光磁気ディスクに記録される情報マーク（磁化の向き）が“１”・“０”で示されている。レーザー光が記録パワーＰW のとき、同図（ｂ）に示すように、記録マーク“１”が記録され、イニシャルパワーＰI のとき記録マーク“０”が記録される。
【００１２】
より高密度・高品質の光変調オーバーライトを行うためには、電子情報通信学会技報ＭＲ９２─６２（１９９２）Ｐ．１３〜１８や、１９９２年電子情報通信学会秋季大会予稿集Ｃ−３４２に記載されているように、レーザー光がマルチパルス構成にされる。
【００１３】
すなわち、記録マーク“１”（あるいは、記録マーク“０”）を記録するときのレーザー光の強度を、一定の記録パワーＰW （あるいは、イニシャルパワーＰI ）にするのではなく、記録パワーＰW （あるいは、イニシャルパワーＰI ）と補助パワーＰB とに変調する。
【００１４】
これにより、記録マークを形成する部分の磁性膜の温度分布が均一になるので、記録マークが涙形状にならず、正確な記録マーク形状が得られる。
【非特許文献１】電子情報通信学会技報ＭＲ９２−６２（１９９２）Ｐ．１３〜１８
【非特許文献２】電子情報通信学会秋季大会予稿集Ｃ−３４２（１９９２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところが、上記従来の半導体レーザー駆動回路では、高密度記録を行うために、半導体レーザー１０の駆動電流を数ＭＨｚの高周波数で変調することは困難であるという問題点を有している。
【００１６】
特に、パルスの立ち上がり／立ち下がり時間が１０ nsec 以下になるマルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施することは非常に困難であるという問題点を有している。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１の発明に係る半導体レーザー駆動回路は、上記の課題を解決するために、半導体レーザーに発振しきい値以下の定電流を供給する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電流を供給する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第２駆動電流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体レーザーに第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライトパワー電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２カレントスイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフする第３カレントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／オフする第４カレントスイッチ回路とが備えられていることを特徴としている。
【００１８】
請求項２の発明に係る半導体レーザー駆動回路は、上記の課題を解決するために、請求項１の半導体レーザー駆動回路であって、第１駆動電流をオン／オフする第１カレントスイッチ回路が設けられていることを特徴としている。
【００１９】
請求項１の構成によれば、第２〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフにすることにより、定電流と第１駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２カレントスイッチ回路をオンにし、第３、第４カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第３カレントスイッチ回路をオンにし、第４カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第４カレントスイッチ回路をオンにし、第３カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４駆動電流とが半導体レーザーに供給される。したがって、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レーザーパワーの異なる４種のレーザー光が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。しかも、バイアスパワー電流源、イニシャルパワー電流源および記録パワー電流源を、それぞれ、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レーザーパワーを切り替える構成であるので、レーザーパワーを高速に切り替えることができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【００２０】
請求項２の構成によれば、請求項１の作用に加え、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の発明に係る半導体レーザー駆動回路は、以上のように、半導体レーザーに発振しきい値以下の定電流を供給する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電流を供給する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第２駆動電流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体レーザーに第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライトパワー電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２カレントスイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフする第３カレントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／オフする第４カレントスイッチ回路とが備えられているので、第２〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフにすることにより、定電流と第１駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２カレントスイッチ回路をオンにし、第３、第４カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第３カレントスイッチ回路をオンにし、第４カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第４カレントスイッチ回路をオンにし、第３カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４駆動電流とが半導体レーザーに供給される。したがって、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レーザーパワーの異なる４種のレーザー光が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。しかも、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフすることにより、第２〜第４駆動電流を、それぞれ、切り替える構成であるので、レーザーパワーを高速に切り替えることができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可能になるという効果を奏する。
【００２２】
請求項２の発明に係る半導体レーザー駆動回路は、以上のように、請求項１の半導体レーザー駆動回路であって、第１駆動電流をオン／オフする第１カレントスイッチ回路が設けられているので、請求項１の効果に加え、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の一実施例について図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２４】
本実施例の半導体レーザー駆動回路は、図１に示すように、半導体レーザー１０に定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩR （第１駆動電流）を供給する再生パワー電流源２と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩB （第２駆動電流）を供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩI （第３駆動電流）を供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩW （第４駆動電流）を供給するライトパワー電流源５とを備えている。
【００２５】
定電流ＩCCは、半導体レーザー１０の発振しきい値以下の電流に設定されている。駆動電流ＩR は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ）を供給したときに再生パワーＰR のレーザー光が得られる電流である。駆動電流ＩB は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）を供給したときにバイアスパワーＰB のレーザー光が得られる電流である。駆動電流ＩI は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）を供給したときにイニシャルパワーＰI のレーザー光が得られる電流である。駆動電流ＩW は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）を供給したときに記録パワーＰW のレーザー光が得られる電流である。ここで、各パワーは、ＰR ＜ＰB ＜ＰI ＜ＰW に設定されている。
【００２６】
上記のバイアスパワーＰB とは、マルチパルス構成のレーザー光により記録マーク内の温度分布を均一にするために必要なローレベルのパワーである。このローレベルのバイアスパワーＰB と、ハイレベルの記録パワーＰW あるいはイニシャルパワーＰI とによって、記録マーク内の温度分布が最適になるように制御できる。なお、バイアスパワーＰB は、補助パワーとも呼ばれる。
【００２７】
上記のイニシャルパワーＰI とは、単一ビーム、単一磁場により光変調オーバーライトを行うために必要なパワーである。イニシャルパワーＰI のレーザー光を照射したときと、記録パワーＰW のレーザー光を照射したときとでは、磁化の向きは逆になる。なお、イニシャルパワーＰI は、消去パワーとも呼ばれる。
【００２８】
駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW は、それぞれ制御信号ｅ〜ｇによりレーザー光の照射位置に応じて制御される。これにより、光磁気ディスクを角速度一定で回転させても、レーザー光を照射する半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にすることができるようになっている。
【００２９】
さらに、半導体レーザー駆動回路は、制御信号ａ〜ｄに応じて駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩI 、ＩW をそれぞれオン／オフするカレントスイッチ回路６〜９（第１〜第４カレントスイッチ回路）と、半導体レーザー１０からのレーザー光の強度をモニターする光検出器１１と、光検出器１１からの信号に応じて駆動電流ＩR を制御するＡＰＣ回路１２とを備えている。
【００３０】
上記の構成において、再生モードでは、カレントスイッチ回路６はオンにされ、カレントスイッチ回路７〜９はオフにされる。このため、定電流ＩCCと、駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。
【００３１】
記録モードでは、カレントスイッチ回路６〜９が、信号生成回路（図示されていない）からの制御信号ａ〜ｄによりそれぞれ制御される。
【００３２】
例えば、図２（ａ）に示す記録情報信号をオーバーライトする場合、カレントスイッチ回路６〜９は、それぞれ、同図（ｂ）〜（ｅ）に示す制御信号ａ〜ｄによりそれぞれ制御される。これにより、強度が同図（ｆ）に示すように変化するマルチパルス構成のレーザー光が得られる。
【００３３】
すなわち、記録情報信号が“１”である場合、すなわち、記録マーク“１”を記録する場合、カレントスイッチ回路６・７がオンにされ、カレントスイッチ回路８がオフにされ、カレントスイッチ９がオン／オフされる。これによって、記録パワーＰW （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
【００３４】
以上のように、本実施例では、駆動電流ＩW をカレントスイッチ回路９によりオン／オフする構成であるので、容易にマルチパルス構成のレーザー光を得ることができる。しかも、カレントスイッチ回路９を安価なシリコントランジスターで構成しても、パルスの立ち上がり／立ち下がり時間を数 nsec にすることができる。
【００３５】
記録情報信号が“１”から“０”に変化する時からしばらくの期間、カレントスイッチ回路６〜９はすべてオフにされる。このため、半導体レーザー１０には定電流ＩCCだけが供給される。定電流ＩCCは半導体レーザー１０の発振しきい値以下の電流値に設定されているので、本実施例の構成によれば、レーザー光の強度を容易にゼロにすることができる。
【００３６】
記録情報信号が“０”である場合、すなわち、記録マーク“０”を記録する場合、カレントスイッチ回路６・７がオンにされ、カレントスイッチ回路８がオン／オフされ、カレントスイッチ回路９がオフにされる。これによって、イニシャルパワーＰI （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
【００３７】
以上のように、本実施例の半導体レーザー駆動回路によれば、光変調オーバーライトに必要な記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰB 、およびゼロパワーのレーザー光を容易に得ることができ、しかも、それらを高速に切り替えることができる。これにより、高密度で高品質の情報記録を実施できる。
【００３８】
上記の半導体レーザー駆動回路の具体的回路例を図３に示す。
【００３９】
定電流源１は、主として、オペアンプ１０１と、トランジスター１０２と、定電流ＩCCの電流値を設定するためのボリュームＶＲと、抵抗Ｒ1 とで構成され得る。
【００４０】
オペアンプ１０１は非反転入力の電位ｅ1 と反転入力の電位が等しくなるように動作するので、抵抗Ｒ1 の両端の電圧は（ＶDD−ｅ1 ）になる。ここで、ＶDDは電源電圧である。したがって、定電流ＩCCは、ほぼ（ＶDD−ｅ1 ）／Ｒ1 となる。このため、ボリュームＶＲで電位ｅ1 を調整すれば、定電流ＩCCの電流値を設定できる。
【００４１】
再生パワー電流源２の構成は、オペアンプ２０１の非反転入力にＡＰＣ回路１２からの信号が入力され、ＡＰＣ回路１２からの信号に応じた駆動電流ＩR を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源１の構成と同じである。
【００４２】
バイアスパワー電流源３、イニシャルパワー電流源４、ライトパワー電流源５の構成は、それぞれ、オペアンプの非反転入力に制御信号ｅ〜ｇが入力され、制御信号ｅ〜ｇに応じた駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源１の構成と同じである。
【００４３】
光検出器１１には、フォトダイオードを使用することができる。
【００４４】
ＡＰＣ回路１２は、主として、オペアンプからなる電流電圧変換回路１２１と、オペアンプからなる電圧比較回路１２３と、可変電圧源１２４と、ホールド回路１２２とで構成され得る。
【００４５】
半導体レーザー１０のレーザー光量はフォトダイオードで検出され、光量に比例した電流ｉP に変換される。電流ｉP は電流電圧変換回路１２１で電圧ｅ2 に変換される。電圧比較回路１２３では、電圧ｅ2 と、可変電圧源１２４からのリファレンス電圧Ｖref とが比較され、その電圧差に応じた電圧ｅ3 が出力される。ここで、リファレンス電圧Ｖref は、再生パワーＰR に対応して設定された電圧値である。
【００４６】
電圧ｅ3 は、ホールド回路１２２を経て、ＡＰＣ回路１２から出力され、再生パワー電流源２に入力される。再生パワー電流源２は、電圧ｅ3 に応じて、駆動電流ＩR を半導体レーザー１０に供給する。これにより、再生パワーＰR はリファレンス電圧Ｖref により定まる値になるようにフィードバック制御される。記録モードでは、ホールド回路１２２は再生モードでの電圧ｅ3 を保持するようになっている。
【００４７】
カレントスイッチ回路７は、トランジスターＴr1・Ｔr2、抵抗Ｒ2 〜Ｒ5 、差動型ドライバー７１とで構成され得る。
【００４８】
バイアスパワー電流源３からの駆動電流ＩB は、トランジスターＴr1・Ｔr2のエミッターに入力される。トランジスターＴr1のベースは、抵抗Ｒ5 で電源電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ2 を介して差動型ドライバー７１の非反転出力に接続されている。トランジスターＴr1のコレクターはＧＮＤ（グラウンド）に接続されている。トランジスターＴr2のベースは抵抗Ｒ4 で電源電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ3 を介して差動型ドライバー７１の反転出力に接続されている。トランジスターＴr2のコレクターは半導体レーザー１０に接続されている。
【００４９】
制御信号ｂがローレベルのとき、差動型ドライバー７１の非反転出力信号はローレベルになり、反転出力信号はハイレベルになる。このため、トランジスターＴr1のベース電圧はトランジスターＴr2のベース電圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr1はオンになり、トランジスターＴr2はオフになる。つまり、駆動電流ＩB は半導体レーザー１０に供給されない。
【００５０】
制御信号ｂがハイレベルのとき、差動型ドライバー７１の非反転出力信号はハイレベルになり、反転出力信号はローレベルになる。このため、トランジスターＴr2のベース電圧はトランジスターＴr1のベース電圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr2はオンになり、トランジスターＴr1はオフになる。つまり、駆動電流ＩB が半導体レーザー１０に供給される。
【００５１】
カレントスイッチ回路６、８、９の構成は、それぞれ、制御信号ａ、ｃ、ｄが差動型ドライバー７１に入力され、制御信号ａ、ｃ、ｄに応じて駆動電流ＩR 、ＩI 、ＩW がオン／オフされる点を除いて、カレントスイッチ回路７の構成と同じである。
【００５２】
以上の実施例では、レーザー光が照射される光磁気ディスク上の半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にするため、駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を、それぞれ制御信号ｅ〜ｇにより制御したが、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にするため、駆動電流ＩB だけを制御信号ｅにより制御することもできる。
【００５３】
つまり、記録モードでは、レーザー光の強度は、記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰB とに変調される。ＰW ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）、ＰI ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）、ＰB ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）であるから、駆動電流ＩB だけを制御しても、記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰB を制御することができる。
【００５４】
これによれば、駆動電流ＩI およびＩW の制御を省略できるので、半導体レーザー駆動回路の構成が簡素化する。
【００５５】
さらに、以上の実施例では、記録情報信号が“１”から“０”に変化する時からしばらくの期間、レーザー光の強度をゼロにしたが、図４に示すように、この期間、レーザー光の強度を再生パワーＰR にしても良い。
【００５６】
この場合、駆動電流ＩR は常に供給されるので、カレントスイッチ回路６を省略できる。したがって、半導体レーザー駆動回路の構成がより簡素化する。
【００５７】
なお、以上の実施例では、再生パワーＰR を一定にするために、ＡＰＣ回路１２を用いたが、ペルチェ素子等の電流−熱変換素子を用いても良い。電流−熱変換素子によれば、半導体レーザー１０の温度が一定になるように制御できるので、再生パワーＰR を所定値に保つことができる。
【００５８】
さらに、本実施例の半導体レーザー駆動回路は、光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カードを用いる光磁気記録再生装置に採用され得るだけではなく、穴明け型の光記録媒体や相変化形の光記録媒体等を用いる光記録再生装置にも採用され得る。
【００５９】
請求項１の発明に対応する半導体レーザー駆動回路は、半導体レーザー１０に発振しきい値以下の定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩRを供給する再生パワー電流源２と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩBを供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩIを供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩWを供給するライトパワー電流源５と、駆動電流ＩBをオン／オフするカレントスイッチ回路７と、駆動電流ＩIをオン／オフするカレントスイッチ回路８と、駆動電流ＩWをオン／オフするカレントスイッチ回路９とが備えられている構成である。
【００６０】
これによれば、カレントスイッチ回路７〜９をすべてオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。したがって、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。カレントスイッチ回路７をオンにし、カレントスイッチ回路８、９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、バイアスパワーＰB のレーザー光が得られる。カレントスイッチ回路７、８をオンにし、カレントスイッチ回路９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩI とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、イニシャルパワーＰI のレーザー光が得られる。カレントスイッチ回路７、９をオンにし、カレントスイッチ回路８をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩW とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、記録パワーＰW のレーザー光が得られる。以上のように、カレントスイッチ回路７〜９をオン／オフすることにより、再生パワーＰR 、バイアスパワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記録パワーＰW のレーザー光が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。しかも、カレントスイッチ回路７〜９をオン／オフすることにより、駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を、それぞれ、切り替える構成であるので、再生パワーＰR 、バイアスパワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記録パワーＰW を高速に切り替えることができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【００６１】
請求項２の発明に対応する半導体レーザー駆動回路は、請求項１の半導体レーザー駆動回路であって、駆動電流ＩRをオン／オフするカレントスイッチ回路６が設けられている構成である。
【００６２】
これによれば、請求項１の作用効果に加え、カレントスイッチ回路６〜９をすべてオフにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の半導体レーザー駆動回路によれば、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の半導体レーザー駆動回路の概略の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の半導体レーザー駆動回路により光変調オーバーライトを行うときの波形図である。
【図３】図１の半導体レーザー駆動回路の具体例を示す回路図である。
【図４】図１の半導体レーザー駆動回路により他の光変調オーバーライトを行うときの波形図である。
【図５】従来例の半導体レーザー駆動回路の概略の構成を示すブロック図である。
【図６】図５の半導体レーザー駆動回路の動作説明図である。
【図７】図５の半導体レーザー駆動回路により光変調オーバーライトを行うときの波形図である。
【符号の説明】
【００６５】
１    定電流源
２    再生パワー電流源
３    バイアスパワー電流源
４    イニシャルパワー電流源
５    ライトパワー電流源
６    カレントスイッチ回路（第１カレントスイッチ回路）
７    カレントスイッチ回路（第２カレントスイッチ回路）
８    カレントスイッチ回路（第３カレントスイッチ回路）
９    カレントスイッチ回路（第４カレントスイッチ回路）
１０    半導体レーザー
ＩCC  定電流
ＩR   駆動電流（第１駆動電流）
ＩB   駆動電流（第２駆動電流）
ＩI   駆動電流（第３駆動電流）
ＩW   駆動電流（第４駆動電流）
【図１】
2005196965.tif 000003
【図２】
2005196965.tif 000004
【図３】
2005196965.tif 000005
【図４】
2005196965.tif 000006
【図５】
2005196965.tif 000007
【図６】
2005196965.tif 000008
【図７】
2005196965.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチパルス構成のレーザー光を光記録媒体に照射して、記録マーク”１”および記録マーク”０”を上記光記録媒体に記録する光情報記録方式であって、
上記記録マーク”０”を、互いにパワーが異なるイニシャルパワーおよびバイアスパワーを用いて記録し、
上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させることを特徴とする光情報記録方式。
【請求項２】
上記光記録媒体に上記レーザー光が照射される位置の線速度に応じて、上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録方式。
【請求項３】
上記光記録媒体を一定の角速度にて回転させ、
上記光記録媒体の半径位置に応じて、上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録方式。
【請求項４】
上記イニシャルパワーは、光変調オーバーライトを行うパワーとして設定されており、
上記バイアスパワーは、記録マーク内の温度分布を均一にするパワーとして設定されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光情報記録方式。
【請求項５】
マルチパルス構成のレーザー光を光記録媒体に照射して、記録マーク”１”および記録マーク”０”を上記光記録媒体に記録する光情報記録方式であって、
上記記録マーク”０”を、イニシャルパワーを用いて記録し、
上記イニシャルパワーを変化させることを特徴とする光情報記録方式。
【請求項６】
上記光記録媒体に上記レーザー光が照射される位置の線速度に応じて、上記イニシャルパワーを変化させることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録方式。
【請求項７】
上記光記録媒体を一定の角速度にて回転させ、
上記光記録媒体の半径位置に応じて、上記イニシャルパワーを変化させることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録方式。
【請求項８】
上記イニシャルパワーは、光変調オーバーライトを行うパワーとして設定されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の光情報記録方式。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気ディスク等の光記録媒体に対し情報の記録再生を行う情報記録再生装置に備わる光情報記録方式に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気ディスク装置は、垂直磁化された磁性膜に高出力のレーザー光を照射し、磁性膜の温度を局所的に上昇させてその温度上昇部分の保磁力を減少させ、同時に外部より補助磁場を印加することで磁化の向きを反転させて情報の記録または消去を行う。再生の際には低出力のレーザー光を磁性膜に照射し、その反射光から磁化の状態を検出して情報を読み出す。このため、光磁気ディスク装置には、記録・消去または再生のそれぞれのモードに応じて、所定光量のレーザー光を磁性膜に照射する半導体レーザー駆動回路が設けられている。
【０００３】
半導体レーザー駆動回路の一例を図５に示す。
【０００４】
再生モードでは、定電流源１からの定電流ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。定電流ＩCCは、図６に示すように、半導体レーザー１０の発振しきい値Ｉth以下に設定された電流である。
【０００５】
駆動電流ＩR は、レーザー光の強度をモニターする光検出器１１と、ＡＰＣ（ Automatic Power Control）回路１２とによってフィードバック制御されている。これにより、温度によって発振しきい値Ｉthが変化しても、一定の再生パワーＰR を得ることができる。
【０００６】
記録モードでは、定電流源１からの定電流ＩCCと、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR と、記録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW とが半導体レーザー１０に供給される。駆動電流ＩW は、カレントスイッチ回路１９によって、記録情報信号１９ａに応じてオン／オフされる。これにより、レーザー光の強度が記録情報信号１９ａに応じて記録パワーＰW と再生パワーＰR とに切り替わる。つまり、光変調が行われる。レーザー光の強度が記録パワーＰW であるとき、光磁気ディスクに記録マークが形成される。
【０００７】
なお、記録モードでは、ＡＰＣ回路１２の動作は止められ、再生パワー電流源２からの駆動電流ＩR は記録モードに移る直前の電流値に保持される。
【０００８】
消去モードでは、カレントスイッチ回路９が常にオンされる。これにより、記録パワーＰW に等しい消去パワーのレーザー光が得られる。
【０００９】
記録パワー電流源１３からの駆動電流ＩW は、制御信号１３ａによって、レーザー光の照射位置に応じて制御されている。つまり、光磁気ディスクの外周側になるほど、駆動電流ＩW を大きくしている。これにより、光磁気ディスクを角速度一定で回転させても、レーザー光が照射されている光磁気ディスク上の半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを一定にすることができる。
【００１０】
光変調によるオーバーライト（重ね書き）を行う場合、消去モードは不要になる。この場合、記録モードでは、図７に示すように、レーザー光の強度は記録パワーＰW とイニシャルパワーＰI とに変調される。イニシャルパワーＰI は再生パワーＰR よりも大きく記録パワーＰW よりも小さい値に設定されている。
【００１１】
同図（ａ）では、光磁気ディスクに記録される情報マーク（磁化の向き）が“１”・“０”で示されている。レーザー光が記録パワーＰW のとき、同図（ｂ）に示すように、記録マーク“１”が記録され、イニシャルパワーＰI のとき記録マーク“０”が記録される。
【００１２】
より高密度・高品質の光変調オーバーライトを行うためには、電子情報通信学会技報ＭＲ９２─６２（１９９２）Ｐ．１３〜１８や、１９９２年電子情報通信学会秋季大会予稿集Ｃ−３４２に記載されているように、レーザー光がマルチパルス構成にされる。
【００１３】
さらに、記録マーク”０”を記録する際、特許文献１に記載されているように、レーザー光がマルチパルス構成にされていた。
【特許文献１】特開平３−１８５６２８号公報（１９９１年８月１３日公開）
【非特許文献１】電子情報通信学会技報ＭＲ９２−６２（１９９２）Ｐ．１３〜１８
【非特許文献２】電子情報通信学会秋季大会予稿集Ｃ−３４２（１９９２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところが、上記従来の半導体レーザー駆動回路では、高密度記録を行うために、半導体レーザー１０の駆動電流を数ＭＨｚの高周波数で変調することは困難であるという問題点を有している。
【００１５】
特に、パルスの立ち上がり／立ち下がり時間が１０ nsec 以下になるマルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施することは非常に困難であるという問題点を有している。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の光情報記録方式は、上記従来の課題を解決するために、マルチパルス構成のレーザー光を光記録媒体に照射して、記録マーク”１”および記録マーク”０”を上記光記録媒体に記録する光情報記録方式であって、上記記録マーク”０”を、互いにパワーが異なるイニシャルパワーおよびバイアスパワーを用いて記録するとともに、上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させることを特徴としている。
【００１７】
上記構成によれば、高密度・高品質の情報記録を実施できる。
【００１８】
さらに、上記光記録媒体に上記レーザー光が照射される位置の線速度に応じて、上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させることが好ましい。または、上記光記録媒体を一定の角速度にて回転させるとともに、上記光記録媒体の半径位置に応じて、上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させてもよい。
【００１９】
上記構成によれば、レーザー光を照射する半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にすることができる。
【００２０】
また、本発明の光情報記録方式は、上記従来の課題を解決するために、マルチパルス構成のレーザー光を光記録媒体に照射して、記録マーク”１”および記録マーク”０”を上記光記録媒体に記録する光情報記録方式であって、上記記録マーク”０”を、イニシャルパワーを用いて記録し、上記イニシャルパワーを変化させることを特徴としている。
【００２１】
上記構成によれば、高密度・高品質の情報記録を実施できる。
【００２２】
さらに、上記光記録媒体に上記レーザー光が照射される位置の線速度に応じて、上記イニシャルパワーを変化させることが好ましい。または、上記光記録媒体を一定の角速度にて回転させるとともに、上記光記録媒体の半径位置に応じて、上記イニシャルパワーを変化させてもよい。
【００２３】
上記構成によれば、レーザー光を照射する半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にすることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の光情報記録方式によれば、上記イニシャルパワーおよび上記バイアスパワーの少なくとも一方を変化させるので、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の一実施例について図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２６】
本実施例の半導体レーザー駆動回路は、図１に示すように、半導体レーザー１０に定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩR （第１駆動電流）を供給する再生パワー電流源２と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩB （第２駆動電流）を供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩI （第３駆動電流）を供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩW （第４駆動電流）を供給するライトパワー電流源５とを備えている。
【００２７】
定電流ＩCCは、半導体レーザー１０の発振しきい値以下の電流に設定されている。駆動電流ＩR は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ）を供給したときに再生パワーＰR のレーザー光が得られる電流である。駆動電流ＩB は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）を供給したときにバイアスパワーＰB のレーザー光が得られる電流である。駆動電流ＩI は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）を供給したときにイニシャルパワーＰI のレーザー光が得られる電流である。駆動電流ＩW は、半導体レーザー１０に（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）を供給したときに記録パワーＰW のレーザー光が得られる電流である。ここで、各パワーは、ＰR ＜ＰB ＜ＰI ＜ＰW に設定されている。
【００２８】
上記のバイアスパワーＰB とは、マルチパルス構成のレーザー光により記録マーク内の温度分布を均一にするために必要なローレベルのパワーである。このローレベルのバイアスパワーＰB と、ハイレベルの記録パワーＰW あるいはイニシャルパワーＰI とによって、記録マーク内の温度分布が最適になるように制御できる。なお、バイアスパワーＰB は、補助パワーとも呼ばれる。
【００２９】
上記のイニシャルパワーＰI とは、単一ビーム、単一磁場により光変調オーバーライトを行うために必要なパワーである。イニシャルパワーＰI のレーザー光を照射したときと、記録パワーＰW のレーザー光を照射したときとでは、磁化の向きは逆になる。なお、イニシャルパワーＰI は、消去パワーとも呼ばれる。
【００３０】
駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW は、それぞれ制御信号ｅ〜ｇによりレーザー光の照射位置に応じて制御される。これにより、光磁気ディスクを角速度一定で回転させても、レーザー光を照射する半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にすることができるようになっている。
【００３１】
さらに、半導体レーザー駆動回路は、制御信号ａ〜ｄに応じて駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩI 、ＩW をそれぞれオン／オフするカレントスイッチ回路６〜９（第１〜第４カレントスイッチ回路）と、半導体レーザー１０からのレーザー光の強度をモニターする光検出器１１と、光検出器１１からの信号に応じて駆動電流ＩR を制御するＡＰＣ回路１２とを備えている。
【００３２】
上記の構成において、再生モードでは、カレントスイッチ回路６はオンにされ、カレントスイッチ回路７〜９はオフにされる。このため、定電流ＩCCと、駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。
【００３３】
記録モードでは、カレントスイッチ回路６〜９が、信号生成回路（図示されていない）からの制御信号ａ〜ｄによりそれぞれ制御される。
【００３４】
例えば、図２（ａ）に示す記録情報信号をオーバーライトする場合、カレントスイッチ回路６〜９は、それぞれ、同図（ｂ）〜（ｅ）に示す制御信号ａ〜ｄによりそれぞれ制御される。これにより、強度が同図（ｆ）に示すように変化するマルチパルス構成のレーザー光が得られる。
【００３５】
すなわち、記録情報信号が“１”である場合、すなわち、記録マーク“１”を記録する場合、カレントスイッチ回路６・７がオンにされ、カレントスイッチ回路８がオフにされ、カレントスイッチ９がオン／オフされる。これによって、記録パワーＰW （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
【００３６】
以上のように、本実施例では、駆動電流ＩW をカレントスイッチ回路９によりオン／オフする構成であるので、容易にマルチパルス構成のレーザー光を得ることができる。しかも、カレントスイッチ回路９を安価なシリコントランジスターで構成しても、パルスの立ち上がり／立ち下がり時間を数 nsec にすることができる。
【００３７】
記録情報信号が“１”から“０”に変化する時からしばらくの期間、カレントスイッチ回路６〜９はすべてオフにされる。このため、半導体レーザー１０には定電流ＩCCだけが供給される。定電流ＩCCは半導体レーザー１０の発振しきい値以下の電流値に設定されているので、本実施例の構成によれば、レーザー光の強度を容易にゼロにすることができる。
【００３８】
記録情報信号が“０”である場合、すなわち、記録マーク“０”を記録する場合、カレントスイッチ回路６・７がオンにされ、カレントスイッチ回路８がオン／オフされ、カレントスイッチ回路９がオフにされる。これによって、イニシャルパワーＰI （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）とバイアスパワーＰB （∝ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）とに変調されたレーザー光が得られる。
【００３９】
以上のように、本実施例の半導体レーザー駆動回路によれば、光変調オーバーライトに必要な記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰB 、およびゼロパワーのレーザー光を容易に得ることができ、しかも、それらを高速に切り替えることができる。これにより、高密度で高品質の情報記録を実施できる。
【００４０】
上記の半導体レーザー駆動回路の具体的回路例を図３に示す。
【００４１】
定電流源１は、主として、オペアンプ１０１と、トランジスター１０２と、定電流ＩCCの電流値を設定するためのボリュームＶＲと、抵抗Ｒ1 とで構成され得る。
【００４２】
オペアンプ１０１は非反転入力の電位ｅ1 と反転入力の電位が等しくなるように動作するので、抵抗Ｒ1 の両端の電圧は（ＶDD−ｅ1 ）になる。ここで、ＶDDは電源電圧である。したがって、定電流ＩCCは、ほぼ（ＶDD−ｅ1 ）／Ｒ1 となる。このため、ボリュームＶＲで電位ｅ1 を調整すれば、定電流ＩCCの電流値を設定できる。
【００４３】
再生パワー電流源２の構成は、オペアンプ２０１の非反転入力にＡＰＣ回路１２からの信号が入力され、ＡＰＣ回路１２からの信号に応じた駆動電流ＩR を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源１の構成と同じである。
【００４４】
バイアスパワー電流源３、イニシャルパワー電流源４、ライトパワー電流源５の構成は、それぞれ、オペアンプの非反転入力に制御信号ｅ〜ｇが入力され、制御信号ｅ〜ｇに応じた駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を半導体レーザー１０に供給する点を除いて、定電流源１の構成と同じである。
【００４５】
光検出器１１には、フォトダイオードを使用することができる。
【００４６】
ＡＰＣ回路１２は、主として、オペアンプからなる電流電圧変換回路１２１と、オペアンプからなる電圧比較回路１２３と、可変電圧源１２４と、ホールド回路１２２とで構成され得る。
【００４７】
半導体レーザー１０のレーザー光量はフォトダイオードで検出され、光量に比例した電流ｉP に変換される。電流ｉP は電流電圧変換回路１２１で電圧ｅ2 に変換される。電圧比較回路１２３では、電圧ｅ2 と、可変電圧源１２４からのリファレンス電圧Ｖref とが比較され、その電圧差に応じた電圧ｅ3 が出力される。ここで、リファレンス電圧Ｖref は、再生パワーＰR に対応して設定された電圧値である。
【００４８】
電圧ｅ3 は、ホールド回路１２２を経て、ＡＰＣ回路１２から出力され、再生パワー電流源２に入力される。再生パワー電流源２は、電圧ｅ3 に応じて、駆動電流ＩR を半導体レーザー１０に供給する。これにより、再生パワーＰR はリファレンス電圧Ｖref により定まる値になるようにフィードバック制御される。記録モードでは、ホールド回路１２２は再生モードでの電圧ｅ3 を保持するようになっている。
【００４９】
カレントスイッチ回路７は、トランジスターＴr1・Ｔr2、抵抗Ｒ2 〜Ｒ5 、差動型ドライバー７１とで構成され得る。
【００５０】
バイアスパワー電流源３からの駆動電流ＩB は、トランジスターＴr1・Ｔr2のエミッターに入力される。トランジスターＴr1のベースは、抵抗Ｒ5 で電源電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ2 を介して差動型ドライバー７１の非反転出力に接続されている。トランジスターＴr1のコレクターはＧＮＤ（グラウンド）に接続されている。トランジスターＴr2のベースは抵抗Ｒ4 で電源電圧ＶDDにプルアップされており、抵抗Ｒ3 を介して差動型ドライバー７１の反転出力に接続されている。トランジスターＴr2のコレクターは半導体レーザー１０に接続されている。
【００５１】
制御信号ｂがローレベルのとき、差動型ドライバー７１の非反転出力信号はローレベルになり、反転出力信号はハイレベルになる。このため、トランジスターＴr1のベース電圧はトランジスターＴr2のベース電圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr1はオンになり、トランジスターＴr2はオフになる。つまり、駆動電流ＩB は半導体レーザー１０に供給されない。
【００５２】
制御信号ｂがハイレベルのとき、差動型ドライバー７１の非反転出力信号はハイレベルになり、反転出力信号はローレベルになる。このため、トランジスターＴr2のベース電圧はトランジスターＴr1のベース電圧に比べて低くなる。その結果、トランジスターＴr2はオンになり、トランジスターＴr1はオフになる。つまり、駆動電流ＩB が半導体レーザー１０に供給される。
【００５３】
カレントスイッチ回路６、８、９の構成は、それぞれ、制御信号ａ、ｃ、ｄが差動型ドライバー７１に入力され、制御信号ａ、ｃ、ｄに応じて駆動電流ＩR 、ＩI 、ＩW がオン／オフされる点を除いて、カレントスイッチ回路７の構成と同じである。
【００５４】
以上の実施例では、レーザー光が照射される光磁気ディスク上の半径位置に依らず、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にするため、駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を、それぞれ制御信号ｅ〜ｇにより制御したが、磁性膜に与える照射エネルギーを最適値にするため、駆動電流ＩB だけを制御信号ｅにより制御することもできる。
【００５５】
つまり、記録モードでは、レーザー光の強度は、記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰB とに変調される。ＰW ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩW ）、ＰI ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ＋ＩI ）、ＰB ∝（ＩCC＋ＩR ＋ＩB ）であるから、駆動電流ＩB だけを制御しても、記録パワーＰW 、イニシャルパワーＰI 、バイアスパワーＰB を制御することができる。
【００５６】
これによれば、駆動電流ＩI およびＩW の制御を省略できるので、半導体レーザー駆動回路の構成が簡素化する。
【００５７】
さらに、以上の実施例では、記録情報信号が“１”から“０”に変化する時からしばらくの期間、レーザー光の強度をゼロにしたが、図４に示すように、この期間、レーザー光の強度を再生パワーＰR にしても良い。
【００５８】
この場合、駆動電流ＩR は常に供給されるので、カレントスイッチ回路６を省略できる。したがって、半導体レーザー駆動回路の構成がより簡素化する。
【００５９】
なお、以上の実施例では、再生パワーＰR を一定にするために、ＡＰＣ回路１２を用いたが、ペルチェ素子等の電流−熱変換素子を用いても良い。電流−熱変換素子によれば、半導体レーザー１０の温度が一定になるように制御できるので、再生パワーＰR を所定値に保つことができる。
【００６０】
さらに、本実施例の半導体レーザー駆動回路は、光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カードを用いる光磁気記録再生装置に採用され得るだけではなく、穴明け型の光記録媒体や相変化形の光記録媒体等を用いる光記録再生装置にも採用され得る。
【００６１】
このように、本実施例に対応する半導体レーザー駆動回路は、半導体レーザー１０に発振しきい値以下の定電流ＩCCを供給する定電流源１と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩRを供給する再生パワー電流源２と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩBを供給するバイアスパワー電流源３と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩIを供給するイニシャルパワー電流源４と、半導体レーザー１０に駆動電流ＩWを供給するライトパワー電流源５と、駆動電流ＩBをオン／オフするカレントスイッチ回路７と、駆動電流ＩIをオン／オフするカレントスイッチ回路８と、駆動電流ＩWをオン／オフするカレントスイッチ回路９とが備えられている構成である。
【００６２】
これによれば、カレントスイッチ回路７〜９をすべてオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR とが半導体レーザー１０に供給される。したがって、再生パワーＰR のレーザー光が得られる。カレントスイッチ回路７をオンにし、カレントスイッチ回路８、９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、バイアスパワーＰB のレーザー光が得られる。カレントスイッチ回路７、８をオンにし、カレントスイッチ回路９をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩI とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、イニシャルパワーＰI のレーザー光が得られる。カレントスイッチ回路７、９をオンにし、カレントスイッチ回路８をオフにすることにより、定電流ＩCCと駆動電流ＩR 、ＩB 、ＩW とが半導体レーザー１０に供給される。これにより、記録パワーＰW のレーザー光が得られる。以上のように、カレントスイッチ回路７〜９をオン／オフすることにより、再生パワーＰR 、バイアスパワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記録パワーＰW のレーザー光が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。しかも、カレントスイッチ回路７〜９をオン／オフすることにより、駆動電流ＩB 、ＩI 、ＩW を、それぞれ、切り替える構成であるので、再生パワーＰR 、バイアスパワーＰB 、イニシャルパワーＰI 、記録パワーＰW を高速に切り替えることができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【００６３】
さらに、本実施例に対応する半導体レーザー駆動回路は、駆動電流ＩRをオン／オフするカレントスイッチ回路６が設けられている構成である。
【００６４】
これによれば、カレントスイッチ回路６〜９をすべてオフにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【００６５】
なお、本発明は、以下のように半導体レーザー駆動回路としても表現できる。すなわち、半導体レーザーに発振しきい値以下の定電流を供給する定電流源と、半導体レーザーに第１駆動電流を供給する再生パワー電流源と、半導体レーザーに第２駆動電流を供給するバイアスパワー電流源と、半導体レーザーに第３駆動電流を供給するイニシャルパワー電流源と、半導体レーザーに第４駆動電流を供給するライトパワー電流源と、第２駆動電流をオン／オフする第２カレントスイッチ回路と、第３駆動電流をオン／オフする第３カレントスイッチ回路と、第４駆動電流をオン／オフする第４カレントスイッチ回路とが備えられている半導体レーザー駆動回路として、本発明を表現することができる。
【００６６】
上記構成によれば、第２〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフにすることにより、定電流と第１駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２カレントスイッチ回路をオンにし、第３、第４カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第３カレントスイッチ回路をオンにし、第４カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第３駆動電流とが半導体レーザーに供給される。第２、第４カレントスイッチ回路をオンにし、第３カレントスイッチ回路をオフにすることにより、定電流と第１駆動電流と第２駆動電流と第４駆動電流とが半導体レーザーに供給される。したがって、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レーザーパワーの異なる４種のレーザー光が得られる。これにより、マルチパルス構成の光変調オーバーライトを実施できる。しかも、バイアスパワー電流源、イニシャルパワー電流源および記録パワー電流源を、それぞれ、第２〜第４カレントスイッチ回路をオン／オフすることにより、レーザーパワーを切り替える構成であるので、レーザーパワーを高速に切り替えることができる。これにより、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【００６７】
さらに、上記構成の半導体レーザー駆動回路は、第１駆動電流をオン／オフする第１カレントスイッチ回路が設けられていることが好ましい。
【００６８】
上記構成によれば、第１〜第４カレントスイッチ回路をすべてオフにすることにより、ゼロパワーのレーザー光が得られる。これにより、さらに高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の光情報記録方式によれば、高密度・高品質の光変調記録が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の半導体レーザー駆動回路の概略の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の半導体レーザー駆動回路により光変調オーバーライトを行うときの波形図である。
【図３】図１の半導体レーザー駆動回路の具体例を示す回路図である。
【図４】図１の半導体レーザー駆動回路により他の光変調オーバーライトを行うときの波形図である。
【図５】従来例の半導体レーザー駆動回路の概略の構成を示すブロック図である。
【図６】図５の半導体レーザー駆動回路の動作説明図である。
【図７】図５の半導体レーザー駆動回路により光変調オーバーライトを行うときの波形図である。
【符号の説明】
【００７１】
１    定電流源
２    再生パワー電流源
３    バイアスパワー電流源
４    イニシャルパワー電流源
５    ライトパワー電流源
６    カレントスイッチ回路（第１カレントスイッチ回路）
７    カレントスイッチ回路（第２カレントスイッチ回路）
８    カレントスイッチ回路（第３カレントスイッチ回路）
９    カレントスイッチ回路（第４カレントスイッチ回路）
１０    半導体レーザー
ＩCC  定電流
ＩR   駆動電流（第１駆動電流）
ＩB   駆動電流（第２駆動電流）
ＩI   駆動電流（第３駆動電流）
ＩW   駆動電流（第４駆動電流）