(57)【要約】【課題】  装置の起動時にメインコントローラから各部へデータを送信する時間を短縮することができるとともに、各部の調整時に得られたデータをメインコントローラへ送信する必要がない基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明に係る基板処理装置は、複数の制御上の構成単位（セル）から成り、一部のセルはその内部に更に複数の処理ユニットを備えている。本発明に係る基板処理装置は、装置全体の動作を制御するためのメインコントローラＭＣの他に、各セル内における動作を制御するためのセルコントローラＣＣをセル毎に備え、さらに複数の処理ユニットの内部における動作を制御するためのユニットコントローラＵＣを処理ユニット毎に備える。各コントローラは、各制御に必要なデータを記憶することができる不揮発性の記憶手段Ｓを備えている。【選択図】        図５
2005093657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して一連の複数の処理を行う基板処理装置であって、
基板に対して処理を行う複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットのそれぞれの動作を制御する複数の下位制御手段と、
装置全体の動作を制御する上位制御手段と、
を備え、
前記複数の下位制御手段のそれぞれは、
制御対象となる前記処理ユニットの動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段
を備え、
前記上位制御手段は、
装置全体の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
当該装置中に設けた複数の基板搬送手段のそれぞれの搬送担当区域に対応して、複数の構成単位が前記基板処理装置において定義されているとともに、
前記下位制御手段のそれぞれは、前記それぞれの搬送担当区域よりも限定された局所的範囲に関して、対応する処理ユニットを制御するものであり、
前記基板処理装置が、
前記複数の構成単位の動作を制御する複数の中位制御手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニットが、前記複数の構成単位に分属していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記複数の中位制御手段のそれぞれは、
制御対象となる前記構成単位の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記上位制御手段と、前記中位制御手段と、前記下位制御手段とは、階層的に接続されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対し、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対して一連の処理を施す基板処理装置においては、通常、基板に対して単一の処理を施す処理ユニットを複数備えて構成されている。例えば、半導体基板に対して所定の回路パターンを形成するために、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を行う基板処理装置であれば、基板に対して単一のレジスト塗布処理を施すレジスト塗布処理ユニット、基板に対して単一の現像処理を施す現像処理ユニット、基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット等を、それぞれ複数備えて構成されている。
【０００３】
このような基板処理装置は、基板処理装置全体の動作を制御するメインコントローラを備える。そして、従来では、メインコントローラに記憶手段を備え、装置の動作を制御するために必要なデータは全て、メインコントローラに備えた記憶手段に記憶させている。
【０００４】
このような従来の基板処理装置の構成は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−０４０４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述したような従来の基板処理装置では、装置各部の制御を行うために必要なデータも全てメインコントローラに備えた記憶手段に保存するため、起動時にはメインコントローラから大量のデータを装置各部へ送信する必要がある。したがって、データの送信のために相当の時間を要することとなり、装置の起動を遅くする原因となる。
【０００７】
また、処理ユニット等の各部の調整を行った後には、調整により得られたデータをその都度メインコントローラへ送信する必要がある。
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みてなされてものであり、装置の起動時にメインコントローラから各部へデータを送信する時間を短縮することができるとともに、各部の調整時に得られたデータをメインコントローラへ送信する必要がない基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板に対して一連の複数の処理を行う基板処理装置であって、基板に対して処理を行う複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットのそれぞれの動作を制御する複数の下位制御手段と、装置全体の動作を制御する上位制御手段と、を備え、前記複数の下位制御手段のそれぞれは、制御対象となる前記処理ユニットの動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段を備え、前記上位制御手段は、装置全体の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、当該装置中に設けた複数の基板搬送手段のそれぞれの搬送担当区域に対応して、複数の構成単位が前記基板処理装置において定義されているとともに、前記下位制御手段のそれぞれは、前記それぞれの搬送担当区域よりも限定された局所的範囲に関して、対応する処理ユニットを制御するものであり、前記基板処理装置が、前記複数の構成単位の動作を制御する複数の中位制御手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットが、前記複数の構成単位に分属していることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項２または請求項３に記載の基板処理装置であって、前記複数の中位制御手段のそれぞれは、制御対象となる前記構成単位の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項２から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記上位制御手段と、前記中位制御手段と、前記下位制御手段とは、階層的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１から請求項５に記載の発明によれば、各処理ユニット内の制御に必要なデータは下位制御手段に記憶させることができるため、基板処理装置の起動時に装置制御に必要なデータを送受信する時間を短縮することが可能となるとともに、上位制御手段との間で送受信するデータ量を減少させることができるため送受信のエラーによる装置の誤動作を低減させることができる。また、処理ユニット毎の調整により得られたデータは下位制御手段に記憶させておくことができ、上位制御手段へ送信する必要がなくなるため、装置が調整作業により停止する時間を短縮することができる。
【００１５】
特に、請求項４に記載の発明によれば、各構成単位における制御に必要なデータは中位制御手段に記憶させることができるため、基板処理装置の起動時に装置制御に必要なデータを送受信する時間をさらに短縮することが可能となるとともに、送受信のエラーによる装置の誤動作をより低減させることができる。また、構成単位毎の調整により得られたデータは中位制御手段に記憶させておくことができ、上位制御手段へ送信する必要がなくなるため、装置が調整作業により停止する時間を更に短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
＜１．基板処理装置１００の機構上の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。なお、図１から図３には、各図の方向関係を明確にするためにＸＹＺ直交座標系を付している。後述する複数のブロックの配列方向をＸ方向、水平面内でＸ方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。
【００１８】
基板処理装置１００は、半導体基板に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を行う装置である。但し、本発明は、半導体基板に限らず、液晶表示装置用ガラス基板等の種々の基板を取り扱う基板処理装置に適用し得る。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は大きく分けて、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、インタフェイスブロック５の５つの機構上の構成単位（ブロック）を配列して構成されている。これら５つのブロックは個別にフレーム（枠体）に組み付けられ、物理的に分割することができるとともに、上記の順に連結することにより基板処理装置１００を構成することができる。したがって、基板処理装置１００の使用状況により新たなブロックを追加したり、あるいは一部のブロックを削除したりすることが可能である。各ブロックにはそれぞれ、目的とする処理を行うための複数の処理ユニット等が収容されている。また、インタフェイスブロック５の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を施す露光装置ＳＴＰが隣接配置されている。露光装置ＳＴＰは、基板処理装置１００とは別体の装置である。以下に、まず機構上の構成単位であるブロック毎に、基板処理装置１００の構成を説明する。
【００２０】
インデクサブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済みの基板Ｗの外部への払い出しを行うブロックである。インデクサブロック１は、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１においては４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へ供することができるとともに処理済みの基板Ｗを受け取って再びカセットＣへと順に収納することができる搬送手段であるインデクサ用搬送機構７とを備えている。
【００２１】
インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６にＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上に設けられた保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン７ｃとを備えている。基板Ｗはピン７ｃ上に載置されることにより保持アーム７ｂに水平姿勢に保持される。そして、保持アーム７ｂは、基板Ｗを保持しつつ、Ｚ軸方向への上下移動と、水平面内の旋回移動と、旋回半径方向への進退移動とを行うことができる。
【００２２】
反射防止膜用処理ブロック２は、露光装置ＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、基板Ｗの表面（後に塗布するフォトレジスト膜の下部）に反射防止膜を塗布形成するブロックである。反射防止膜用処理ブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を行う反射防止膜用塗布処理部８と、塗布に際し必要な熱処理を行う反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部に対して基板Ｗの受渡をする搬送手段である第１主搬送機構１０Ａとを備える。反射防止膜用熱処理部９から反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を抑制するため、第１主搬送機構１０Ａを間に挟んで反射防止膜用塗布処理部８は装置正面側（−Ｙ側）に、反射防止膜用熱処理部９は装置背面側（＋Ｙ側）に位置するように配置されている。また、反射防止膜用熱処理部９の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。
【００２３】
図２に示すように、反射防止膜用塗布処理部８には、３つの反射防止膜用塗布処理ユニット８ａ〜８ｃが積層配置されている。反射防止膜用塗布処理ユニット８ａ〜８ｃはそれぞれ単一の塗布処理を行う処理ユニットであり、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１、スピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２等を備えている。
【００２４】
また、図３に示すように、反射防止膜用熱処理部９には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰと、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰと、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理ユニットＡＨＬとが２列に積層配置されている。加熱プレートＨＰと冷却プレートＣＰとアドヒージョン処理ユニットＡＨＬとはいずれも単一の熱処理を行う処理ユニットである。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
【００２５】
レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗの表面に化学増幅型レジスト等のフォトレジスト膜を塗布形成するブロックである。レジスト膜用処理ブロック３は、基板Ｗの表面にフォトレジスト膜を塗布する処理を行うレジスト膜用塗布処理部１５と、塗布に際し必要な熱処理を行うレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受渡をする搬送手段である第２主搬送機構１０Ｂとを備える。レジスト膜用熱処理部１６からレジスト膜用塗布処理部１５への熱的影響を抑制するため、第２主搬送機構１０Ｂを間に挟んでレジスト膜用塗布処理部１５は装置正面側（−Ｙ側）に、レジスト膜用熱処理部１６は装置背面側（＋Ｙ側）に位置するように配置されている。また、レジスト膜用熱処理部１６の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。
【００２６】
図２に示すように、レジスト膜用塗布処理部１５には、３つのレジスト膜用塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃが積層配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃはそれぞれ単一の塗布処理を行う処理ユニットであり、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７、スピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８等を備えている。
【００２７】
また、図３に示すように、レジスト膜用熱処理部１６には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰと、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰとが２列に積層配置されている。加熱プレートＨＰと冷却プレートＣＰとはいずれも単一の熱処理を行う処理ユニットである。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
【００２８】
現像処理ブロック４は、露光装置ＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理を行うブロックである。現像処理ブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受渡をする搬送手段である第３主搬送機構１０Ｃとを備える。現像用熱処理部３１から現像処理部３０への熱的影響を抑制するため、第３主搬送機構１０Ｃを間に挟んで現像処理部３０は装置正面側（−Ｙ側）に、現像用熱処理部３１は装置背面側（＋Ｙ側）に位置するように配置されている。また、現像用熱処理部３１の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。
【００２９】
図２に示すように、現像処理部３０には、５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅが積層配置されている。現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅはそれぞれ単一の現像処理を行う処理ユニットであり、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２、スピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３等を備えている。
【００３０】
また、図３に示すように、現像用熱処理部３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰと、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰとが２列に積層配置されている。加熱プレートＨＰと冷却プレートＣＰとはいずれも単一の熱処理を行う処理ユニットである。現像用熱処理部３１はまた、後述する基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８も備えている。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
【００３１】
インタフェイスブロック５は、基板処理装置１００と、隣接して備わる露光装置ＳＴＰとの間の基板Ｗの受け渡しを行うブロックである。インタフェイスブロック５は、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を予め露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８とエッジ露光ユニットＥＥＷとの間で基板Ｗの受け渡しをする搬送手段である第４主搬送機構１０Ｄと、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをする搬送手段であるインタフェイス用搬送機構３５と、露光装置ＳＴＰへ基板Ｗを送る前に一時的に基板Ｗを収納する送り用バッファＳＢＦと、露光後の基板Ｗを一時的に収納する戻し用バッファＲＢＦと、を主として備えている。このうち、２つのＥＥＷ、戻し用バッファＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、インタフェイスブロック５の中央部分に上からこの順に積層配置されている。送り用バッファＳＢＦおよび戻し用バッファＲＢＦはいずれも、複数枚の基板Ｗを多段に収納可能な収納棚から構成されている。
【００３２】
２つのエッジ露光ユニットＥＥＷはいずれも単一のエッジ露光処理を行う処理ユニットであり、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、スピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。
【００３３】
図１、図２に示すように、インタフェイス用搬送機構３５は、水平方向（Ｙ軸方向）に移動可能な可動台３５ａと、可動台３５ａ上にあって基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂとを備えている。保持アーム３５ｂは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向の進退が可能となっている。したがって、インタフェイス用搬送機構３５は、水平方向に一定の可動範囲を有しており、それぞれ所定の位置で、露光装置ＳＴＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０、および送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの受け渡しを行えるようになっている。
【００３４】
第１主搬送機構１０Ａ，第２主搬送機構１０Ｂ，第３主搬送機構１０Ｃ，第４主搬送機構１０Ｄは、いずれも基台１０ｄ上に２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に備えた構造となっている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、略Ｃ字状の先端部分を有しており、その先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）によって基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。保持アーム１０ａ、１０ｂは基板Ｗを保持しつつ、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動と、Ｚ軸方向の昇降移動と、旋回半径方向の進退移動とを行うことができる。
【００３５】
図１に示すように、基板処理装置１００においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３がそれぞれ設けられている。そのうち、インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間、およびレジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間における各隔壁１３を部分的に貫通して、基板Ｗの受渡を行うために基板Ｗを載置する６つの基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が設けられている。６つの基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６は、３箇所の隔壁にそれぞれ２つずつ、上下に近接して設けられている。また、現像用熱処理部３１内には、現像処理ブロック４とインタフェイスブロック５との間で基板の受渡を行うために２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。さらに、上述したようにインタフェイスブロック５内には、第４主搬送機構１０Ｄとインタフェイス用搬送機構３５との間で基板の受渡を行うために２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられている。以上１０個の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０のうち、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ９は順方向（＋Ｘ方向）へ基板Ｗを搬送するときに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ１０は戻り方向（−Ｘ方向）へ基板Ｗを搬送するときに、それぞれ使用する。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、固定設置された復数本の支持ピンを備えており、支持ピン上に基板Ｗを載置することができる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサ用搬送機構７、主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄ、およびインタフェイス用搬送機構３５が、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しの可否を判断することができるようになっている。
【００３６】
＜２．基板処理装置１００における処理の流れ＞
以上のような機構上の構成を備えた基板処理装置１００における一連の処理の流れについて、一例を以下に概説する。ここでは、一枚の基板Ｗについて処理の流れを追いつつ説明する。
【００３７】
まずインデクサブロック１において、インデクサ用搬送機構７が所定のカセットＣに対向する位置まで移動し、そのカセットＣ収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。インデクサ用搬送機構７は取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ１上に載置する。
【００３８】
反射防止膜用処理ブロック２において、第１主搬送機構１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを所定の冷却プレートＣＰ、反射防止膜用塗布処理ユニット８ａ（または８ｂ，８ｃ）、所定の加熱プレートＨＰの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Ｗはそれぞれ所定の処理を受け、基板Ｗの表面には反射防止膜が形成されることとなる。その後、第１主搬送機構１０Ａは基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ３上に載置する。
【００３９】
レジスト膜用処理ブロック３において、第２主搬送機構１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを所定の冷却プレートＣＰ、レジスト膜用塗布処理ユニット１５ａ（または１５ｂ，１５ｃ）、所定の加熱プレートＨＰの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Ｗはそれぞれ所定の処理を受け、基板Ｗの表面にはレジスト膜が形成されることとなる。その後、第２主搬送機構１０Ｂは基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ５上に載置する。
【００４０】
現像処理ブロック４において、第３主搬送機構１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ７上に載置する。
【００４１】
インタフェイスブロック５において、第４主搬送機構１０Ｄが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ、現像用熱処理部３１の冷却プレートＣＰの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Ｗはそれぞれ所定の処理を受け、基板Ｗの周縁部が露光された状態となる。その後、第４主搬送機構１０Ｄは基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ９上に載置する。続いて、インタフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを隣接する露光装置ＳＴＰに搬送する。露光装置ＳＴＰにおける露光処理が終了した後、インタフェイス用搬送機構３５は露光処理後の基板Ｗを受け取って基板載置部ＰＡＳＳ１０まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ１０上に載置する。そして、第４主搬送機構１０Ｄが基板載置部ＰＡＳＳ１０上に載置された基板Ｗを現像用熱処理部３１の加熱プレートＨＰに搬送する。加熱プレートＨＰにおいて、基板Ｗは所定の熱処理を受ける。その後、第４主搬送機構１０Ｄは、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ８上に載置する。
【００４２】
現像処理ブロック４において、第３主搬送機構１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを所定の冷却プレートＣＰ、現像処理ユニット３０ａ（または３０ｂ〜３０ｅ）、所定の加熱プレートＨＰの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Ｗはそれぞれ所定の処理を受け、基板Ｗの表面は現像されることとなる。その後、第３主搬送機構１０Ｃは基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ６上に載置する。
【００４３】
レジスト膜用処理ブロック３において、第２主搬送機構１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ４上に載置する。
【００４４】
反射防止膜用処理ブロック２において、第１主搬送機構１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２まで搬送し、基板載置部ＰＡＳＳ２上に載置する。
【００４５】
そして、インデクサブロック１において、インデクサ用搬送機構７が基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを所定のカセットＣまで搬送し、カセットＣに収納する。
【００４６】
＜３．基板処理装置１００の制御上の構成＞
次に、基板処理装置１００の制御上の構成について以下に説明する。図４は、基板処理装置１００の制御上の構成単位の配置を示す図である。また、図５は、基板処理装置１００の制御系統の接続を示すブロック図である。
【００４７】
基板処理装置１００は図４に示すように、インデクサセルＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後加熱用処理セルＣ５、インタフェイスセルＣ６の６つの制御上の構成単位（セル）から成る。セルは、基板処理装置１００を上述の機構上の構成単位であるブロックとは異なる概念により定義された構成単位であるが、セルＣ１〜Ｃ３は、結果としてブロック１〜３と同一の構成単位となっている。ブロックと同一の構成単位となるセルに関しては、上述のように物理的に分割することができるため、基板処理装置１００の使用状況により新たなセルを追加したり、あるいは一部のセルを削除したりすることが可能となる。
【００４８】
各セルは、基板処理装置装置１００中に設けた複数の基板搬送機構のそれぞれの搬送担当区域に対応して、基板処理装置１００において定義されている。すなわち、各セルはそれぞれ一つの搬送機構を備えている。また、各セルの搬送担当区域よりも限定された局所的範囲となる複数の処理ユニットは、セルＣ２〜Ｃ５に分属している。
【００４９】
インデクサセルＣ１はインデクサ用搬送機構７を備えるセルであり、その他カセット載置台６等を備える。反射防止膜用処理セルＣ２は第１主搬送機構１０Ａを備えるセルであり、その他反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とに含まれる複数の処理ユニット（反射防止膜用塗布処理ユニット８ａ〜８ｃ、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＣＰ、アドヒージョン処理ユニットＡＨＬ）を備える。レジスト膜用処理セルＣ３は第２主搬送機構１０Ｂを備えるセルであり、その他レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６とに含まれる複数の処理ユニット（レジスト膜用塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃ、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＣＰ）を備える。現像処理セルＣ４は第３主搬送機構１０Ｃを備えるセルであり、その他露光後加熱に用いられる熱処理部を除いた現像用熱処理部３１と現像処理部３０とに含まれる複数の処理ユニット（現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅ、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＣＰ）を備える。露光後加熱用処理セルＣ５は第４主搬送機構１０Ｄを備えるセルであり、その他露光後現像前の基板Ｗに対して熱処理を施す複数の熱処理ユニット（本実施形態では、現像用熱処理部３１に設けられた複数の加熱プレートＨＰの一部）と２つのエッジ露光ユニットＥＥＷとを備える。インタフェイスセルＣ６は、露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受渡をするインタフェイス用搬送機構３５を備えるセルである。
【００５０】
基板処理装置１００は、装置全体の動作を制御するための上位制御手段であるメインコントローラＭＣの他に、各セル内における動作を制御するための中位制御手段であるセルコントローラＣＣをセル毎に備える。さらに、基板処理装置１００は、セルＣ２〜Ｃ５の内部に備えた複数の処理ユニットの内部における動作を制御するための下位制御手段であるユニットコントローラＵＣを処理ユニット毎に備える。すなわち、基板処理装置１００は、メインコントローラＭＣと、複数のセルコントローラＣＣと、複数のユニットコントローラＵＣとを備え、各コントローラが基板処理装置１００の制御範囲を分割して担っている。
【００５１】
このように、複数のコントローラにより制御範囲を分割して担うことにより、メインコントローラで装置各部を一括制御していた従来と比較して、各コントローラにおける制御負担は小さくすることができる。したがって、各コントローラにおける制御上の誤動作を低減させることができるとともに、制御系の不具合に対しても不具合箇所の特定を従来より容易に行うことができる。また、基板処理装置１００の使用状況により、新たな処理ユニットやセルを追加したり、一部の処理ユニットやセルを削除したりする場合にも、隣接するセルや処理ユニットに影響を与えず、制御系の構成を大幅に修正することなく容易に制御系の再構成をすることができる。
【００５２】
図５に示すように、メインコントローラＭＣと、セルコントローラＣＣと、ユニットコントローラとは階層的に接続されている。メインコントローラＭＣは、イントラネット等のネットワークＮを介して各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ６と接続されており、各セルコントローラＣＣ１〜ＣＣ６を統括制御することができる。セルコントローラＣＣ２〜ＣＣ５は、同様にネットワークＮを介して各セル内の処理ユニットを制御するユニットコントローラＵＣ２ａ〜ＵＣ２ｃ，ＵＣ３ａ〜ＵＣ３ｃ，ＵＣ４ａ〜ＵＣ４ｅ，ＵＣ５ａ〜ＵＣ５ｂ，ＵＣｔと接続されており、それぞれ接続先のユニットコントローラＵＣを統括制御することができる。各ユニットコントローラＵＣの中には、さらにシリアル通信等のネットワークを介して、各処理ユニット内の温湿度や、基板Ｗのハンドリング等を調節するための別設コントローラ（図示省略）と接続されているものもある。
【００５３】
複数のセルコントローラＣＣのうち、インデクサセルＣ１の動作を制御するコントローラがセルコントローラＣＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２の動作を制御するコントローラがセルコントローラＣＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３の動作を制御するコントローラがセルコントローラＣＣ３、現像処理セルＣ４の動作を制御するコントローラがセルコントローラＣＣ４、露光後加熱用処理セルＣ５の動作を制御するコントローラがセルコントローラＣＣ５、インタフェイスセルＣ６の動作を制御するコントローラがセルコントローラＣＣ６である。
【００５４】
また、複数のユニットコントローラＵＣのうち、３つの反射防止膜用塗布処理ユニット８ａ〜８ｃの動作を制御するコントローラがユニットコントローラＵＣ２ａ〜ＵＣ２ｃ、３つのレジスト膜用塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃの動作を制御するコントローラがユニットコントローラＵＣ３ａ〜ＵＣ３ｃ、５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅの動作を制御するコントローラがユニットコントローラＵＣ４ａ〜ＵＣ４ｅ、２つのエッジ露光ユニットＥＥＷの動作を制御するコントローラがユニットコントローラＵＣ５ａ，ＵＣ５ｂ、複数の熱処理ユニットの動作をコントロールするコントローラがユニットコントローラＵＣｔである。熱処理ユニットは、冷却プレートＣＰ、加熱プレートＨＰ、アドヒージョン処理ユニットＡＨＬ等の複数の種類があり、各熱処理ユニットに対するコントローラも複数の種類が存在することとなるが、図４においては、熱処理ユニットに対する複数種類のコントローラをいずれもユニットコントローラＵＣｔで示している。
【００５５】
上述の全てのコントローラは、それぞれの制御に必要なデータを記憶しておくことができる記憶手段Ｓを備えている。記憶手段Ｓには、ハードディスクやコンパクトフラッシュ（Ｒ）などの、電源の停止時にも記録が消えない（不揮発性の）記憶装置が用いられる。
【００５６】
メインコントローラＭＣ内の記憶手段Ｓには、基板処理装置１００内に備えるセルの構成データ（セルの数、セルのカテゴリ、処理の流れ方向等に関するデータ）や、基板処理装置１００を用いて一連の処理を行うときの処理条件に関するデータ（ライブラリデータ）や、一連の処理に対する各種アラームを発生させるためのデータ等の、基板処理装置１００全体の動作を制御するために必要なデータを記憶することができる。
【００５７】
セルコントローラＣＣ内の記憶手段Ｓには、各セル内に備える処理ユニット等の構成データ（処理ユニットの数、処理ユニットのカテゴリ、バッファの有無等に関するデータ）や、各セル内に備える搬送機構の搬送制御に関するデータ（搬送制御方法、リカバリ方法、搬送動作時間等に関するデータ）や、各セル内におけるメンテナンス動作を制御するためのデータ（カップリンス、ディスペンス等の設定に関するデータ）等の、制御対象となるセル内における動作を制御するために必要なデータを記憶することができる。
【００５８】
ユニットコントローラＵＣ内の記憶手段Ｓには、各処理ユニットの起動動作の制御に関するデータや、各処理ユニット内における基板Ｗの搬送位置に関するデータや、各処理ユニット内の各部モータの制御に関するデータや、各処理ユニット内の各部センサの制御に関するデータや、各処理ユニット内の温調制御に関するデータや、各処理ユニット内におけるステージ等の設定に関するデータや、各処理ユニットで使用する薬液の種類を特定するためのデータや、基板処理装置１００に並設する露光装置の種類を特定するためのデータや、上述の別設コントローラとの通信設定等の、制御対象となる処理ユニット内における動作を制御するために必要なデータを記憶することができる。
【００５９】
すなわち、従来の基板処理装置では、装置の各部の制御を行うために必要なデータも全てメインコントローラＭＣに備えた記憶手段Ｓに記憶していたが、基板処理装置１００では、各セルや各処理ユニット内の制御に必要なデータは、各セルコントローラＣＣや各ユニットコントローラＵＣで分担して記憶させることができる構成となっている。
【００６０】
このような構成をとることによって、基板処理装置１００では、起動時に装置制御に必要なデータを送信（ロード）する時間を短縮することが可能となる。すなわち、従来の基板処理装置では、装置各部の制御を行うために必要なデータも全てメインコントローラに備えたの記憶手段に保存していたため、起動時には大量のデータを装置各部に備えた揮発性のメモリへ送信する必要があったが、基板処理装置１００では、各セルや各処理ユニット内の制御を行うために必要なデータは、各セルコントローラＣＣや各ユニットコントローラＵＣ内に備えた不揮発性の記憶手段Ｓに分割して保存することが出来るため、起動時に送信すべきデータ量を少量とすることが可能となる。
【００６１】
また、メインコントローラと各部との間で一度に大量のデータを送受信することがなくなるため、送受信のエラーによる装置の誤動作を低減させることができ、装置の信頼性を向上させることができる。
【００６２】
また、このような構成をとることによって、基板処理装置１００では、処理ユニット毎の調整により得られたデータ（例えば、ティーチング作業により得られた各処理ユニット内における基板Ｗの搬送位置に関するデータ）はユニットコントローラＵＣ内の記憶手段Ｓに記憶させておくことができ、セル毎の調整によりられたデータ（例えば、ティーチング作業により得られた各搬送機構の搬送制御に関するデータ）はセルコントローラＣＣ内の記憶手段Ｓに記憶させておくことができる。したがって、処理ユニット毎やセル毎の調整を行った後に、得られたデータをその都度メインコントローラへ送信する必要がなくなる。したがって、装置が調整作業により停止する時間を短縮することができる。
【００６３】
特に基板処理装置の製造工程において、従来では、装置全体が組み上がり、メインコントローラと接続させた後に、各部の調整により得られたデータをメインコントローラに送信する工程が不可欠であった。しかし、基板処理装置１００では、完成した処理ユニットやセルから順次細部の調整作業を行い、得られたデータを各処理ユニットやセル内の記憶手段Ｓに記憶させることができるため、そのような工程が不要となり、製造工程を短縮することができる。
【００６４】
＜４．変形例＞
上述の実施形態においては、基板処理装置１００は、セル毎にセルコントローラＣＣを備え、処理ユニット毎にユニットコントローラＵＣを備える形態について説明したが、さらに異なる制御上の構成単位を設け、各構成単位毎にコントローラを備える形態であってもよい。
【００６５】
例えば、セルと処理ユニットの中間の制御上の構成単位として捕らえることができる反射防止膜用塗布処理部８、レジスト膜用塗布処理部１５、現像処理部３０、反射防止膜用熱処理部９、レジスト膜用熱処理部１６、現像用熱処理部３１等に対して、各処理部毎に、各処理部に必要なデータを記憶することができる記憶手段Ｓを備えたコントローラを備える形態とすることもできる。
【００６６】
また、反射防止膜用塗布処理部８とレジスト膜用塗布処理部１５と現像処理部３０とを纏めて１つの制御上の構成単位として捕らえ、あるいは、反射防止膜用熱処理部９とレジスト膜用熱処理部１６と現像用熱処理部３１とを纏めて１つの制御上の構成単位として捕らえ、それぞれに必要なデータを記憶することができる記憶手段Ｓを備えたコントローラを各構成単位毎に備える形態とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の平面図である。
【図２】基板処理装置１００の正面図である。
【図３】基板処理装置１００の熱処理部の正面図である。
【図４】基板処理装置１００の制御上の構成単位の配置を示す図である。
【図５】基板処理装置１００の制御系統の接続を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６８】
７  インデクサ用搬送機構
８ａ〜８ｃ  反射防止膜用塗布処理ユニット
１０Ａ〜１０Ｄ  主搬送機構
１５ａ〜１５ｃ  レジスト膜用塗布処理ユニット
３０ａ〜３０ｅ  現像処理ユニット
３５  インタフェイス用搬送機構
１００  基板処理装置
Ｃ１  インデクサセル
Ｃ２  反射防止膜用処理セル
Ｃ３  レジスト膜用処理セル
Ｃ４  現像処理セル
Ｃ５  露光後加熱用処理セル
Ｃ６  インタフェイスセル
ＨＰ  加熱プレート
ＣＰ  冷却プレート
ＡＨＬ  アドヒージョン処理ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光ユニット
ＭＣ  メインコントローラ
ＣＣ１〜ＣＣ６  セルコントローラ
ＵＣ２ａ〜ＵＣ２ｃ，ＵＣ３ａ〜ＵＣ３ｃ，ＵＣ４ａ〜ＵＣ４ｅ，ＵＣ５ａ〜ＵＣ５ｂ，ＵＣｔ  ユニットコントローラ
Ｓ  記憶手段
Ｗ  基板
【図１】
2005093657.tif 000003
【図２】
2005093657.tif 000004
【図３】
2005093657.tif 000005
【図４】
2005093657.tif 000006
【図５】
2005093657.tif 000007