(57)【要約】【課題】  対向基板が電極を備えずに構成された、ＩＰＳ方式或いはその他の液晶表示装置において、カラーフィルタやＴＦＴの製造プロセスを複雑化することなく、表示不良（特に着色ムラ）を好適に防止する。【解決手段】  電極を備えずに構成された対向基板３３と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０を備える。能動素子基板３１は、走査線２４から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層６０を、走査線２４の配線領域よりも液晶層３２に近い層に備える。電界遮蔽用導電体層６０は、共通電極２２の一部により構成されている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を備える液晶表示装置において、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、
前記対向基板は、電極を備えずに構成されている一方で、
前記能動素子基板は、前記走査線から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層を、前記走査線の配線領域よりも前記液晶層に近い層に備えて構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記電界遮蔽用導電体層は、前記走査線上に張り出すようにパターン化されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記電界遮蔽用導電体層は、前記走査線上及び前記データ線上に張り出すようにパターン化されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記電界遮蔽用導電体層は、前記薄膜トランジスタの直上を避けるようにパターン化されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記共通電極の一部により前記電界遮蔽用導電体層が構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記電界遮蔽用導電体層を含む前記共通電極と、前記画素電極と、が同一の層に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記電界遮蔽用導電体層は、前記共通電極とは別体に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記電界遮蔽用導電体層は、前記共通電極配線に対し電気的に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記電界遮蔽用導電体層は、前記共通電極及び前記画素電極と同一の層に配置されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記対向基板は、カラーフィルタを更に備えて構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記カラーフィルタは、赤、緑及び青の着色組成物を備えて構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記カラーフィルタを構成する緑の着色組成物における顔料濃度が２０％以上であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記カラーフィルタを構成する緑の着色組成物における顔料濃度が２７％以上であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記対向基板は、遮光層としてのブラックマトリクス層を更に備えることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ブラックマトリクス層の体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とを備える液晶表示装置において、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、
前記対向基板は、電極を備えずに構成されているとともに、カラーフィルタと、遮光層としてのブラックマトリクス層と、を更に備え、
前記カラーフィルタは、赤、緑及び青の着色組成物を備えて構成され、このうち緑の着色組成物における顔料濃度が２０％以上であり、
前記ブラックマトリクス層の体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記ブラックマトリクス層の体積抵抗率が１×１０12Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記カラーフィルタを構成する緑の着色組成物における顔料濃度が２７％以上であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記遮光層は、複数の色層を更に備えて構成されていることを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記対向基板は、前記遮光層を被覆するオーバーコート層を更に備えて構成されていることを特徴とする請求項１４乃至１９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記オーバーコート層は、無機膜又は有機膜からなることを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記対向基板は、前記液晶層のギャップを支持するスペーサーを更に備えて構成されていることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記スペーサーは、無機膜又は有機膜からなることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
当該液晶表示装置の色度域が６５％以上であることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
当該液晶表示装置は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項１乃至２４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とを備え、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、
前記対向基板は、電極を備えずに構成されている液晶表示装置を製造する方法であって、
前記走査線から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層を、前記走査線の配線領域よりも前記液晶層に近い位置に形成する工程を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記共通電極及び前記電界遮蔽用導電体層を一度に成膜することを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記共通電極、前記画素電極及び前記電界遮蔽用導電体層を一度に成膜することを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向基板が電極を備えていないタイプの液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略記する（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））を画素のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、高品位の画質を有し、省スペースのデスクトップコンピュータのモニター等として幅広く用いられている。
【０００３】
一般に、液晶表示装置の主な動作モードには、初期配向をツイストさせた液晶分子を透明基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド・ネマティック（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）方式、及び液晶分子の初期配向を基板に対して垂直としたＶＡ方式と、透明基板に対して平行な方向に回転させるＩＰＳ方式などがある。
【０００４】
このうちＩＰＳ方式（横電界方式（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ））の液晶表示装置は、ＴＦＴを形成する透明基板（能動素子基板）上に、櫛歯が互いに平行なジグザグ形状の画素電極と共通電極とを交互に形成し、これらの間に電圧を印加して基板面に略平行な電界を形成することにより、液晶の配向方向を変化させ、これによって透過光量を制御するものである（つまり、基板に略平行な面内で液晶を駆動する）。従って、この表示方式では液晶分子が基板面内で回転するため、非常に広い視角から見て、色変化およびコントラスト劣化が少ない良好な画像を得ることができるという特徴がある。
【０００５】
上記従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置の構造について、図９を参照して説明する。図９は従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【０００６】
図９（ｂ）に示すように、ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、ＴＦＴ５が形成される能動素子基板１００と、カラーフィルタが形成される対向基板１１０と、それらの間に狭持される液晶１０と、を備えて構成されている。
【０００７】
このうち能動素子基板１００は、第１の透明基板１と、共通電極３と、層間絶縁膜４と、画素電極７と、データ線６と、パッシベーション膜８と、配向膜９と、偏光板１６ａと、を備えて構成されている。
【０００８】
すなわち、第１の透明基板１には、走査線２とデータ線（信号線）６とが互いに略直交して形成され、これらの交差部にマトリクス状にＴＦＴ５が配置され、各画素には互いに平行な画素電極７及び共通電極３が交互に形成されている。
【０００９】
また、共通電極３と、画素電極７及びデータ線６とは、層間絶縁膜４により相互に絶縁されている。また、画素電極７及びデータ線６上には、これらを覆うパッシベーション膜８が形成されている。
【００１０】
他方、対向基板１１０は、第２の透明基板１１と、余分な光を遮光するためのブラックマトリクス層１２と、ＲＧＢ３色のカラー表示を行うための色層１３と、オーバーコート層１４と、配向膜９と、導電層１５と、偏光板１６ｂと、を備えて構成されている。
【００１１】
すなわち、第２の透明基板１１上には、ブラックマトリクス１２と、色層１３と、これらを覆うオーバーコート層１４とが形成されている。
【００１２】
そして、これら第１の透明基板１及び第２の透明基板１１表面には配向膜９が塗布され、両基板１，１１の間には画素電極７の長手方向に所定の角度をもってホモジニアス配向された液晶１０が狭持されている。また、第２の透明基板１１の外側には導電層１５を介して偏光板１６ｂが貼付され、第１の透明基板１の外側には偏光板１６ａが貼付されている。ここで、両偏光板１６ａ、１６ｂの偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸は液晶１０の配向方向に平行に設定される。
【００１３】
このような液晶表示装置においては、ＴＦＴ５を介して画素電極７に電位を書き込み、画素電極７と共通電極３との間に横電界を与えることにより、液晶１０を基板１，１１に平行な面内でツイスト変形させて表示を制御する。
【００１４】
このような液晶表示装置は、従来はノートパソコンやデスクトップパソコンのモニター用途が主であったが、近年、テレビジョン分野、マルチメディア分野等の用途にも使用されるようになってきており、それに伴って、液晶表示装置には視野角特性の向上のみならず広色度域への対応が求められている。ここで、テレビジョン分野で使用されるテレビモニター等の機器では色相を含めた画像信号の伝送方式が規格化されており、この方式の代表的なものとしてアメリカ、日本等が採用するＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）方式と、ヨーロッパが採用するＥＢＵ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ  Ｕｎｉｏｎ）方式とがあり、液晶表示装置をテレビジョン分野等に展開していくためには液晶表示装置を上記規格に適合するように製作する必要がある。
【００１５】
従来、液晶表示装置は色度域が６０％程度のＮＴＳＣ方式に適合するように製作されていたが、色度域が広い（７０％以上）例えばＥＢＵ方式などにも対応可能とするためには、液晶表示装置の構成部材、特にカラーフィルタの光学特性を改善する必要があり、そのためには顔料の種類、配合を調整したカラーフィルタを用いる必要がある。
【００１６】
一方、上記ＴＮ方式などの液晶表示装置には、その構成部材の光学的特性や液晶の特性等に起因する種々の表示不良が生じることが知られており、カラーフィルタに起因する表示不良として白ムラと呼ばれる表示不良がある。
【００１７】
この白ムラは、電極に電圧を印加して黒画面を表示した際、表示領域の一部の透過率がゼロとならないためにムラ状態が認識される現象である。この白ムラの原因は、本来電極間に印加された電圧が一定に維持されるべきところ、液晶中にイオン性物質が存在することによりイオン性物質に電流が流れて電極間の電圧が降下することであると考えられている。
【００１８】
このような白ムラを抑制する方法として、例えば、特許文献１、２では、カラーフィルタに含まれる不純物が液晶中に移行することに着目して表示不良を抑制する方法が開示されている。
【００１９】
このうち特許文献１には、液晶表示装置の液晶層と接触するカラーフィルタを構成する樹脂部材がイオン性物質の発生源の一つであると考え、樹脂部材から液晶層中に移行したイオン性物質による表示不良と相関のある特性として、樹脂部材を構成する成分からの不純物抽出処理を施した液晶の電圧保持率と残留ＤＣに着目して、顔料や樹脂組成物の不純物を低減する方法が開示されている。特許文献１の技術によれば、上記方法によってカラーフィルタ中のイオン性物質を低減し、白ムラを抑制することが可能となる。
【００２０】
また、カラーフィルタを有する対向基板が、電極を備えずに構成されたタイプの液晶表示装置（より具体的には、例えばＩＰＳ方式の液晶表示装置）の表示品位を低下させる要因としては、能動素子基板側の走査線および信号線からの漏れ電界による液晶層の配向乱れがある。
【００２１】
この漏れ電界をシールドする従来例として、特許文献３乃至６の技術がある。
【００２２】
このうち特許文献３では、共通電極をその下方にある走査線を完全に覆うように形成することにより、漏れ電界をシールドしている。
【００２３】
また、特許文献４では、その図６及び図９に示すように、データ線の左右に共通電極を設置する事、もしくはデータ線上に共通電極を設置する事で表示領域への漏れ電界をシールドしている。
【００２４】
また、特許文献５では、シールド用電極を走査線付近に設置することにより、漏れ電界をシールドしている。
【００２５】
また、特許文献６では、信号線、走査線の両方を透明共通電極でシールドすることにより、漏れ電界を抑制している。
【特許文献１】特開２００１−３０５３３２号公報
【特許文献２】特開２０００−１８６２２５号公報
【特許文献３】特許第３１２５８７２号公報
【特許文献４】特開２００２−３２３７０６号公報
【特許文献５】特開平１１−１９０８６０号公報
【特許文献６】特開平１１−０２４１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
ところで、上記の白ムラの他の表示不良としては、赤ムラや、青ムラなどと呼ばれる着色ムラの表示不良がある。
【００２７】
この着色ムラは、カラーフィルタを構成する色層の内、いずれか１つ、もしくはいずれか２つ、もしくは全ての色層を透過する光が低減し、その結果、表示色の輝度バランスが崩れ、表示画面全体および部分的に色味がかって見えるものである。
【００２８】
特に赤・緑・青色着色組成物の顔料濃度が高い、色着色組成物を用いた広色度域用カラーフィルタで、カラーフィルタ側に電極のない対向基板を使用した液晶表示装置において、着色ムラが発生しやすい傾向が見られた。
【００２９】
この着色ムラは、各種検証の結果、イオン性不純物が液晶中に移行する事を起因として発生するものではないため、特許文献１及び２に記載の技術では防止することはできない。
【００３０】
また、漏れ電界をシールドする従来技術（特許文献３乃至６）には、それぞれ以下に示す問題があった。
【００３１】
先ず、特許文献３の場合は、ＴＮ用アクティブマトリクス型ＴＦＴ構造の能動素子基板を使用しており、本発明とはＴＦＴ構造である能動素子構造が異なっているとともに、対向基板が電極を備えずに構成されたタイプの液晶表示装置には使用できないという問題もある。
【００３２】
また、特許文献４では、走査線の電界シールドは行っておらず、シールドが不十分である。
【００３３】
また、特許文献５では、シールド用電極を走査線付近に設置しているものの、走査線上に重ねていない為に、やはりシールドが不十分である。
【００３４】
また、特許文献６では、信号線、走査線の両方を透明共通電極によりシールドしているが、共通電極とシールド電極が相互に異なる層に形成されている為、能動素子製造工程が複雑になるという問題がある。
【００３５】
また特に、カラーフィルタを構成する赤・緑・青色着色組成物の顔料濃度が高い広色度域用カラーフィルタを有する対向基板を備えるＩＰＳ方式液晶表示装置において、各種検証を行った結果、漏れ電界が着色ムラ発生を助長している傾向が見られた。
【００３６】
このように、液晶表示装置の表示不良の一つである着色ムラは、カラーフィルタを有する対向基板が電極を備えずに構成されたタイプのＩＰＳ方式などの液晶表示装置において顕著に現れる。
【００３７】
そこで、本願発明者はこの問題を鋭意検討したところ、そのようなタイプの液晶表示装置においては、カラーフィルタを有する対向基板の液晶狭持面側表面にＩＴＯ等の透明電極が存在しないため、液晶を駆動する際の漏れ電界がカラーフィルタを有する対向基板に達し、その結果、色層にも電界がかかり、色層が帯電して表示不良を引き起こすことを解明した。
【００３８】
このように表示不良の着色ムラは、能動素子基板側の走査線および信号線からの漏れ電界に起因するカラーフィルタ色層の帯電により引き起こされる。
【００３９】
この帯電の発生により、画素領域内の液晶層の配向乱れが発生して輝度が低下し、その輝度の低下が表示色の所望の輝度バランスを崩すので、駆動表示の着色ムラとして認識される。
【００４０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、対向基板が電極を備えずに構成されたタイプの液晶表示装置（例えば、ＩＰＳ方式など）において、その表示不良（特に着色ムラ）を従来よりも好適に防止し、表示品質とその信頼性の高い液晶表示装置を提供することにあり、より好ましくは、そのような液晶表示装置を、カラーフィルタやＴＦＴの製造プロセス工程を複雑化することなく実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４１】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を備える液晶表示装置において、前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、前記対向基板は、電極を備えずに構成されている一方で、前記能動素子基板は、前記走査線から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層を、前記走査線の配線領域よりも前記液晶層に近い層に備えて構成されていることを特徴としている。
【００４２】
本発明の液晶表示装置においては、前記電界遮蔽用導電体層は、前記走査線上に張り出すようにパターン化されていることが好ましい。
【００４３】
本発明の液晶表示装置においては、前記電界遮蔽用導電体層は、前記走査線上及び前記データ線上に張り出すようにパターン化されていることがより好ましい。
【００４４】
本発明の液晶表示装置においては、前記電界遮蔽用導電体層は、前記薄膜トランジスタの直上を避けるようにパターン化されていることが好ましい。
【００４５】
本発明の液晶表示装置においては、前記共通電極の一部により前記電界遮蔽用導電体層が構成されていることが好ましい。
【００４６】
この場合、前記電界遮蔽用導電体層を含む前記共通電極と、前記画素電極と、が同一の層に配置されていることが好ましい。
【００４７】
本発明の液晶表示装置においては、前記電界遮蔽用導電体層は、前記共通電極とは別体に構成することも可能である。
【００４８】
この場合、前記電界遮蔽用導電体層は、前記共通電極配線に対し電気的に接続されていることが好ましい。
【００４９】
また、これらの場合、前記電界遮蔽用導電体層は、前記共通電極及び前記画素電極と同一の層に配置されていることが好ましい。
【００５０】
本発明の液晶表示装置においては、前記対向基板は、カラーフィルタを更に備えて構成することが可能である。
【００５１】
この場合、前記カラーフィルタは、赤、緑及び青の着色組成物を有して構成されていることを好ましい一例とする。
【００５２】
この場合、前記カラーフィルタを構成する緑の着色組成物における顔料濃度が２０％以上であることが好ましい。
【００５３】
また、前記カラーフィルタを構成する緑の着色組成物における顔料濃度が２７％以上であることがより好ましい。
【００５４】
本発明の液晶表示装置においては、前記カラーフィルタは、遮光層としてのブラックマトリクス層を更に備えて構成することが可能である。
【００５５】
この場合、前記ブラックマトリクス層の体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。
【００５６】
また、前記ブラックマトリクスの体積抵抗率が１×１０12Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。
【００５７】
また、本発明の液晶表示装置は、能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とを備える液晶表示装置において、前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、前記対向基板は、電極を備えずに構成されているとともに、カラーフィルタと、遮光層としてのブラックマトリクス層と、を更に備え、前記カラーフィルタは、赤、緑及び青の着色組成物を備えて構成され、このうち緑の着色組成物における顔料濃度が２０％以上であり、前記ブラックマトリクス層の体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上であることを特徴としている。
【００５８】
この場合も、前記ブラックマトリクス層の体積抵抗率が１×１０12Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。
【００５９】
また、この場合も、前記カラーフィルタを構成する緑の着色組成物における顔料濃度が２７％以上であることがより好ましい。
【００６０】
本発明の液晶表示装置においては、前記遮光層は、複数の色層を更に備えて構成することが可能である。
【００６１】
本発明の液晶表示装置においては、前記カラーフィルタは、前記遮光層を被覆するオーバーコート層を更に備えて構成することが好ましい。
【００６２】
前記オーバーコート層は、無機又は有機膜からなることが好ましい。
【００６３】
本発明の液晶表示装置においては、前記対向基板は、前記液晶層のギャップを支持するスペーサーを更に備えて構成されていることが好ましい。
【００６４】
前記スペーサーは、無機膜又は有機膜からなることが好ましい。
【００６５】
また、本発明の液晶表示装置の色度域は６５％以上であることが好ましい。色度域を６５％以上とするには、例えば、カラーフィルタを構成する着色組成物の顔料濃度を適宜の値に設定する。
【００６６】
本発明の液晶表示装置は、例えば、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に好適に適用される。すなわち、本発明の液晶表示装置は、前記能動素子基板に、互いに略直交する複数の走査線及び複数の信号線と、前記走査線と前記信号線とで囲まれた各画素に交互に形成された画素電極及び共通電極とを備え、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によって液晶を基板に略平行な面内で回転させて表示駆動を行うように構成されていることを好ましい一例とする。
【００６７】
また、本発明の製造方法は、能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とを備え、前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、前記対向基板は、電極を備えずに構成されている液晶表示装置を製造する方法であって、前記走査線から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層を、前記走査線の配線領域よりも前記液晶層に近い位置に形成する工程を備えることを特徴としている。
【００６８】
本発明の製造方法においては、前記共通電極及び前記電界遮蔽用導電体層を一度に成膜することが好ましい。
【００６９】
本発明の製造方法においては、前記共通電極、前記画素電極及び前記電界遮蔽用導電体層を一度に成膜することがより好ましい。
【発明の効果】
【００７０】
本発明によれば、下記の効果を奏することができる。
【００７１】
（１）能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とを備える液晶表示装置において、前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、を備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続され、前記対向基板は、電極を備えずに構成されている一方で、前記能動素子基板は、前記走査線から表示画素部への漏れ電界を遮蔽する電界遮蔽用導電体層を、前記走査線の配線領域よりも前記液晶層に近い層に備えて構成されているので、表示不良、特に着色ムラを従来よりも好適に防止することができる。
【００７２】
（２）共通電極の一部により前記電界遮蔽用導電体層を構成する場合には、製造工程を増やすことなく、走査線配線から表示画素部への漏れ電界を遮蔽することができ、コスト優位性を高めることができる。また、その場合に、共通電極と画素電極とを同一の層に配置することによって、より少ない工程数で液晶表示装置を製造することができる。
【００７３】
（３）能動素子基板の薄膜トランジスタ直上を避けるように前記電界遮蔽用導電体層をパターン化することにより、薄膜トランジスタの動作性能への悪影響を防止することができる。
【００７４】
（４）カラーフィルタを構成する赤・緑・青色着色組成物の顔料濃度が高い（例えば、緑着色組成物の顔料濃度約２０％以上、より好ましくは２７％以上）広色度域用の色着色組成物を用いた広色度域用カラーフィルタ基板を備え、カラーフィルタ側の基板、すなわち対向基板が電極を備えずに構成された液晶表示装置に本発明を適用することにより、このような液晶表示装置おいて従来発生し易かったカラーフィルタ帯電起因の駆動表示の着色ムラを改善する事ができる。
【００７５】
（５）カラーフィルタを構成する赤・緑・青色着色組成物の顔料濃度が高い（例えば、緑着色組成物の顔料濃度約２０％以上、より好ましくは２７％以上）広色度域用の色着色組成物を用いた広色度域用カラーフィルタ基板（対向基板）を備え、該基板が電極を備えずに構成され、且つ、該基板が遮光層としてのブラックマトリクス層を備え、該ブラックマトリクス層が、その体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上、より好ましくは体積抵抗率１×１０12Ω・ｃｍ以上であるので、表示不良、特に着色ムラを従来よりも好適に防止することができる。また、例えば、色度域が６５％以上でより表示品位が高い広色度域表示を実現できる。
【００７６】
（６）カラーフィルタを構成する赤・緑・青色着色組成物の顔料濃度が高い（例えば、緑着色組成物の顔料濃度約２０％以上、より好ましくは２７％以上）広色度域用の色着色組成物を用いた広色度域用カラーフィルタ基板（対向基板）を備え、該基板が電極を備えずに構成され、且つ、該基板が遮光層としてのブラックマトリクス層を備え、該ブラックマトリクス層が、その体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上、より好ましくは体積抵抗率１×１０12Ω・ｃｍ以上であり、しかも、前記電界遮蔽用導電体層を備えて構成されているので、より好適に表示不良、特に着色ムラを防止することができる。
【００７７】
（７）ＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用することによって、より好適に好適に表示不良、特に着色ムラを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７８】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
【００７９】
本実施形態では、本発明に係る液晶表示装置の好適な一例として、ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置についての説明を行う。
【００８０】
〔第１の実施形態〕
図１は本実施形態に係る液晶表示装置の平面図、図２は図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図、図３は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図（図３（ａ））及びＣ−Ｃ’線に沿った断面図（図３（ｂ））である。
【００８１】
図２に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、能動素子基板３１と、この能動素子基板３１に対向配置された対向基板３３と、これら能動素子基板３１と対向基板３３との間に挟まれた状態で保持された液晶層３２と、を備えて構成されている。
【００８２】
対向基板３３は、第２の透明絶縁性基板３５と、この第２の透明絶縁性基板３５上に遮光膜（遮光層）として形成されたブラックマトリクス層３６と、このブラックマトリクス層３６と部分的に重なっている色層４３と、ブラックマトリクス層３６及び色層４３の上に形成され、保護膜として機能するオーバーコート層３７と、を備えて構成されている。なお、オーバーコート層３７は、無機膜又は有機膜膜からなる。
【００８３】
ここで、ブラックマトリクス層３６に形成された開口部（画素開口部）により、表示画素部（表示すべき画素に対応した部分）が画定されている。
【００８４】
なお、色層４３の一部、すなわちブラックマトリクス層３６に重ねられた部分は、該ブラックマトリクス層３６とともに遮光層を構成する。また、色層４３のうち残りの部分、すなわち表示すべき画素に対応した部分（画素開口部に対応する部分）は、カラー表示を行うために用いられる。
【００８５】
この色層４３は、複数の着色層（一般的には３原色である赤、緑、青）の染料又は顔料などを含む樹脂層（着色組成物）から構成される。
【００８６】
色層４３を構成するカラーフィルタパターンの形状については、ストライプ形状、アイランド形状が挙げられるが特に限定されない。
【００８７】
なお、上記のオーバーコート層３７は、必要でない場合には形成しなくても良い。また、カラーフィルタも、モノクロ表示用の液晶表示装置の場合には備える必要がない。
【００８８】
また、対向基板３３には、必要に応じて、上記の構成に加え、第２の透明絶縁性基板３５の裏面に透明な導電層３４を形成しても良い。液晶表示装置においては、液晶表示パネル表面からの接触に起因する帯電などの電気的影響が液晶層３２へ与えられて表示品位を劣化させることがあるが、導電層３４を形成することにより、このような表示品位の劣化を防止することができる。
【００８９】
なお、対向基板３３上のカラーフィルタの製造方法は、印刷法、フォトレジスト法、エッチング法などいずれの方法でもかまわない。しかし、高精細、分光特性の制御性や再現性などを考慮すれば、フォトレジスト法が好ましい。フォトレジスト法は、透明樹脂と溶剤との混合物中に顔料を光開始剤及び重合製モノマーとともに分散させて得られる着色組成物を、透明基板上に塗布成膜した後、カラーフィルタをパターン露光、現像することで一色のカラーフィルタを形成する工程を各色ごとにくり返し行ってカラーフィルタを製造する方法である。
【００９０】
能動素子基板３１は、第１の透明絶縁性基板４２と、この第１の透明絶縁性基板４２上に形成され図１の走査線２４を構成する第１の金属層と、この第１の金属層の上に形成された図２の第１の層間絶縁膜４１と、第１の層間絶縁膜４１上に形成された図１の島状非晶質シリコン膜２５と、データ線２９、ＴＦＴ３０のドレイン電極２６及びソース電極２７を形成する第２の金属層と、この第２の金属層の上に形成された第２の層間絶縁膜４０と、第２の層間絶縁膜４０上に形成された第３の層間絶縁膜３９と、第３の層間絶縁膜３９の上に形成された透明電極により構成される画素電極２１及び共通電極２２と、を有する。なお、走査線２４を構成する導電膜において、ＴＦＴ３０に対応する部位はゲート電極５０を構成している。
【００９１】
また、第１の層間絶縁膜４１の上にある第２の金属層には、データ線２９とともに、画素補助電極２０が形成されている。データ線２９にはデータ信号が供給され、共通電極配線１８と共通電極（ＩＴＯ）２２には基準電位が供給され、走査線２４には走査用信号が供給される。
【００９２】
ＴＦＴ３０は、ゲート電極５０、ドレイン電極２６及びソース電極２７を備え、走査線２４とデータ線２９との交点近傍の位置、より具体的には島状非晶質シリコン膜２５と対応する位置に、各画素に対応して設置されている。
【００９３】
なお、上記のように、走査線２４及びゲート電極５０は、一体の導電膜により構成されているため、自ずとゲート電極５０は走査線２４に電気的に接続されている。また、ドレイン電極２６はデータ線２９に、ソース電極２７は画素電極２１に、共通電極２２は共通電極配線１８に、それぞれ電気的に接続されている。
【００９４】
画素電極２１及び共通電極２２は、何れも櫛歯形状で、各電極の櫛歯はデータ線２９と平行にジグザク形状で延びている。また、画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯は相互に噛み合うように、かつ相互に隔置するように配置されている。
【００９５】
ここで、本実施形態の液晶表示装置は、ＩＰＳのマルチドメイン方式である為、画素電極２１と、共通電極２２及びデータ線２９と、がジグザク状に屈曲して形成されている。ただし本発明は、この例に限らず、画素電極２１、共通電極２２及びデータ線２９は、その他の形状であっても良い。
【００９６】
また、透明電極で形成された画素電極（ＩＴＯ）２１は画素電極用コンタクトホール２８を介してソース電極２７に接続される。透明電極で形成された共通電極（ＩＴＯ）２２は共通電極用コンタクトホール１９を介して共通電極配線１８に接続される。
【００９７】
能動素子基板３１と対向基板３３とは、それぞれの上に配向膜３８を配し、図１に示すように画素電極２１及び共通電極２２の長手方向から液晶層３２がホモジニアス配向するようにラビング処理された後に、相互に向かい合うように貼り合わされている。この角度を液晶分子の初期配向方向（ラビング方向２３（図１））と言う。
【００９８】
能動素子基板３１と対向基板３３との間には、液晶層３２の厚みを保持する為のスペーサー４５が配置されており、液晶層１３の周囲のシールにより液晶は基板３１，３３間に密封されている。なお、スペーサー４５は、無機膜又は有機膜からなる。
【００９９】
更に、両基板３１，３３の外側には、偏光板４４ａ、４４ｂが貼付されている。
【０１００】
横電界のＩＰＳ方式の液晶表示装置においては、走査線２４を介して供給される走査用信号により選択され、かつ、データ線２９を介して供給されるデータ信号が書き込まれた画素において、画素電極２１と共通電極２２との間で、透明絶縁性基板３５及び４２に平行な電界を生じさせ、この電界に沿って液晶分子の配向方向を透明絶縁性基板３５及び４２に平行な平面内で回転させて、表示動作を行う。
【０１０１】
図９及び図１０に示す一般的な従来例においても同様に、ＩＰＳ方式では、液晶の駆動電界は第１の透明基板１側の画素電極７及び共通電極３により形成されるため、第２の透明基板１１表面にはＴＮ方式のような対向電極が形成されておらず、液晶１０を駆動する横電界、およびデータ線６と共通電極３の間で発生する電界（図１０に示す電気力線１７）に関しても、第２の透明基板１１上における色層１３やブラックマトリクスまで到達することになる。この電界によりブラックマトリクス１２および色層１３の帯電が引き起こされていると考えられる。この漏れ電界は、走査線２においても同様に発生していると考えられる。
【０１０２】
色層１３は樹脂中に顔料を分散した着色組成物により構成され、Ｇ層に用いられている緑色着色組成物は、主として緑と黄色の顔料と樹脂から形成される。緑の顔料（Ｇ顔料）としてはハロゲン化銅フタロシアニン（置換されているハロゲンは塩素や臭素）が広く用いられており、このＧ顔料は電界の印加により分極して電荷を発生するが、Ｇ層中において、正電荷と負電荷との流れ易さが相互に異なり、また、色層１３の抵抗が高いため、発生した電荷は色層１３中に蓄積されやすい。なお、色層１３中で発生した正電荷と負電荷との流れ易さが相互に異なるという現象は本願発明者の知見によって確認されたものである。
【０１０３】
そして、色層１３が帯電するとＴＦＴ基板との間に電界が発生し、画素電極７と共通電極３とで形成される横電界の分布が乱れて色層１３近傍の液晶１０の配向方向が変化し、ディスクリネーションを発生させる。その結果、液晶１０の透過率が小さくなって緑色の波長成分が減少し、表示画面全体に赤みがかる着色ムラが発生する。この色層１３が帯電するという現象はＧ層に限らず、他の色の色層１３でも生じるが、Ｇ層において特に顕著に現れる。
【０１０４】
そこで、本実施形態の液晶表示装置においては、図１乃至図３に示すように、データ線２９と走査線２４の両方を、走査線２４よりも液晶層３２に近い共通電極（ＩＴＯ）２２によって、層間絶縁膜４０，３９を介して覆い、液晶層３２への不要な電界をシールドしている。
【０１０５】
すなわち、共通電極２２の一部は、データ線２９及び走査線２４を覆って、走査線２４及びデータ線２９から表示画素部への漏れ電界を遮蔽するシールド部（電界遮蔽用導電体層）６０を構成している。
【０１０６】
より具体的には、共通電極２２（のシールド部６０）は、図２及び図３（ｂ）に示すように、走査線２４上及びデータ線２９上に張り出すようにパターン化され、その結果、上記のように漏れ電界の遮蔽効果を奏する。
【０１０７】
このように、共通電極２２のシールド部６０によってデータ線２９と走査線２４の漏れ電界をシールドすることにより、対向電極側の各層、例えば色層４３やブラックマトリクス層３６などの帯電量を低減させ、帯電による液晶層３２におけるディスクリネーションなどの配向不良発生を減少もしくは回避することができ、表示不良、特に着色ムラを好適に防止することができる。
【０１０８】
また、本実施形態の場合、シールド部６０は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３０の直上を避けるようにパターン化されている。つまり、シールド部６０には、ＴＦＴ３０の直上位置に対応して、切り欠き部６１（図１及び図３（ａ）参照）が形成されている。このように、シールド部６０に切り欠き部６１を形成することによりＴＦＴ３０の動作性能への悪影響を防止することができる。
【０１０９】
以上のように、第１の実施形態によれば、データ線２９及び走査線２４を覆って走査線２４及びデータ線２９から表示画素部への漏れ電界を遮蔽するシールド部６０を備えるので、表示不良、特に着色ムラを好適に防止することができる。
【０１１０】
また、シールド部６０は、ＴＦＴ３０の直上位置を避けるようにパターン化されているので、ＴＦＴ３０の動作性能への悪影響を防止することができる。
【０１１１】
〔第２の実施形態〕
次に、図４及び図５を参照して、第２の実施形態について説明する。
【０１１２】
図４は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の能動素子基板側の平面図であり、図５（ａ）は図４のＡ−Ａ′線に沿った断面図、図５（ｂ）は図４のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。
【０１１３】
図４及び図５に示すように、第２の実施形態に係る液晶表示装置は、シールド部６０に切り欠き部６１が形成されておらず、従って、該シールド部６０がＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３０も覆うようになっている点でのみ、上記の第１の実施形態と異なり、その他の点では上記の第１の実施形態の場合と同様に構成されている。
【０１１４】
従って、図４及び図５においては、図１乃至図３におけるのと同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１５】
このような第２の実施形態によれば、データ線２９及び走査線２４を覆って走査線２４及びデータ線２９から表示画素部への漏れ電界を遮蔽するシールド部６０を備えるので、表示不良、特に着色ムラを好適に防止することができる。
【実施例】
【０１１６】
以下に本発明の好適な実施例を具体的に説明するが本発明はこれらに限定されない。
【０１１７】
〔実施例１〕
実施例１は、上記の第１の実施形態に対応する。
【０１１８】
以下、実施例１に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
【０１１９】
（能動素子基板製造方法）
先ず、能動素子基板３１の製造方法について説明する。
【０１２０】
第１の透明絶縁性基板４２上に、走査線２４、共通電極配線１８となる金属層として、Ｃｒ膜を２８００Å（２８０ｎｍ）程度の膜厚で堆積し、これをパターン化する。
【０１２１】
この上に、第１の層間絶縁膜４１である走査線絶縁膜としての窒化シリコン膜を４０００Å（４００ｎｍ）程度と、非晶質シリコン（ａ‐Ｓｉ）膜２５を２０００Å（２００ｎｍ）程度と、ｎ型非晶質シリコン膜を３００Å（３０ｎｍ）程度と、を連続して堆積し、非晶質シリコン膜２５およびｎ型非晶質シリコン膜を島状非晶質シリコンの形状にパターン化する。
【０１２２】
次に、画素補助電極２０、データ線２９、ＴＦＴ３０のドレイン電極２６及びソース電極２７を形成する第２の金属層として、Ｃｒ膜を２８００Å（２８０ｎｍ）程度堆積し、これをパターン化する。
【０１２３】
その上にパッシベーション膜として第２の層間絶縁膜４０の窒化シリコン膜を１５００Å（１５０ｎｍ）程度堆積し、続いて第３の層間絶縁膜３９を１５０００Å（１．５μｍ）程度堆積させる。
【０１２４】
透明電極で形成された画素電極（ＩＴＯ）２１は画素電極用コンタクトホール２８を介してソース電極２７に、また透明電極で形成された共通電極（ＩＴＯ）２２は共通電極用コンタクトホール１９を介して共通電極配線１８に接続される。このため、第２及び第３の層間絶縁膜４０，３９において、これらコンタクトホール２８，１９と対応する位置の部分を除去する。その上に透明導電体層による画素電極２１及び共通電極２２を、例えば透明金属膜ＩＴＯなどにより４００Å（４０ｎｍ）程度堆積し、これをパターン化する。つまり、共通電極２２及び画素電極２１を一度に成膜する。ここで、共通電極２２はシールド部（電界遮蔽用導電体層）６０を含むため、共通電極２２、画素電極２１及びシールド部６０を一度に成膜することになる。
【０１２５】
このとき共通電極２２は、走査線２４を覆う形状で、かつ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）の直上を避けるような形状にパターン化する。これは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）直上まで共通電極２２で覆うと、より漏れ電界をシールドする事ができるが、第２の層間絶縁膜４０、第３の層間絶縁膜３９の膜厚が薄い方向に変動した際に、薄膜トランジスタ動作特性に悪影響を与える可能性が高くなる。より製品特性の安全マージンを広くする為には、走査線配線漏れ電界遮蔽用の導電体層である共通電極２２は、能動素子基板の薄膜トランジスタ直上をできるだけ避けるようにパターン化する事がより好ましい。
（対向基板製造方法）
本実施例１の対向基板３３の製造方法を述べる。第２の透明絶縁性基板３５上に、カーボン粒子などを含有させた樹脂組成物を１．３μｍ程度堆積し遮光層（ブラックマトリクス３６）を形成する。遮光層であるブラックマトリクス３６としては、体積抵抗率が１×１０4Ω・ｃｍ程度となるような低抵抗ブラックマトリクス（低抵抗ＢＭ）を用いている。
【０１２６】
このブラックマトリクス３６上にＲＧＢ各色の着色組成物をスピンコータにより塗布し、オーブンで乾燥した後、フォトマスクを用いて露光し、現像、水洗、ポストベークを行った。得られた着色層４３の膜厚は、Ｒ（赤）が１．９μｍ、Ｇ（緑）が１．９μｍ、Ｂ（青）が１．９μｍであった。なお、Ｇ（緑）の着色組成物における顔料濃度は２０％以上、より好ましくは２７％以上の範囲において、色層４３を成膜可能な適宜の値に設定する。また、ＲＧＢは色度域が６５％以上を満たすように調整している。
【０１２７】
さらに、樹脂塗布液を全面にスピンコータを用いて塗布し、オーブンで硬化させてオーバーコート層１４を形成した。得られたオーバーコート層１４の膜厚は約１．０μｍであった。
【０１２８】
次に、樹脂塗布液を全面にスピンコータを用いて塗布し、オーブンで乾燥した後、フォトマスクを用いて露光し、現像、水洗、ポストベークを行い、スペーサー４５を形成した。得られたスペーサー４５の高さは約３．５μｍであった。
【０１２９】
（液晶表示装置の製造方法）
能動素子基板３１および対向基板３３の上に配向膜３８を塗布し、画素電極２１の長手方向にラビング処理する。そして、シール材を塗布した後、能動素子基板３１および対向基板３３を貼り合わせ、これらの間隔に液晶を注入して封止し、液晶層３２を形成する。
【０１３０】
ここで、液晶層３２のセルギャップは３．５μｍとした。また、偏光板４４ｂの吸収軸は、ラビング方向２３に平行に、また、対向基板側偏光板４４ａの吸収軸は、これと垂直な方向に設定する。
【０１３１】
更に、能動素子基板３１、対向基板３３及び液晶層３２からなる液晶表示素子にバックライト光源モジュールを設け、更に、信号や外部電源を供給する基板などの配線を行い、液晶表示装置を製造した。
【０１３２】
〔実施例２〕
実施例２は、上記の第２の実施形態に対応する。
【０１３３】
実施例２の場合、図４及び図５に示すように、実施例１の共通電極２２を、走査線を覆う形状で、かつＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３０の直上も覆う形状にパターン化した。実施例２においては、その他の点では、上記の実施例１と同様に液晶表示装置を製造した。
【０１３４】
〔実施例３〕
実施例３は、上記の第１の実施形態に対応する。
【０１３５】
実施例３の場合、実施例１の図２に示す対向基板を構成する遮光層であるブラックマトリクス層３６として、体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上、より好ましくは体積抵抗率１×１０12Ω・ｃｍ以上となるような高抵抗ブラックマトリクス（高抵抗ＢＭ）を用いた。実施例３においては、その他の点では、上記の実施例１と同様に液晶表示装置を製造した。
【０１３６】
〔比較例〕
以下、比較例の液晶表示装置の製造方法について説明する。
【０１３７】
この比較例の液晶表示装置は、上記の実施例１の液晶表示装置と比べて、シールド部６０を備えていない点でのみ異なり、その他の点では同様に構成されている。
【０１３８】
（能動素子基板製造方法）
先ず、本比較例の能動素子基板３１の製造方法を図６、図７及び図８を参照して説明する。
【０１３９】
第１の透明絶縁性基板４２上に、走査線２４、共通電極配線１８となる金属層として、Ｃｒ膜を２８００Å（２８０ｎｍ）程度の膜厚で堆積し、これをパターン化する。
【０１４０】
この上に、第１の層間絶縁膜４１である走査線絶縁膜としての窒化シリコン膜を４０００Å（４００ｎｍ）程度と、非晶質シリコン（ａ‐Ｓｉ）膜２５を２０００Å（２００ｎｍ）程度と、ｎ型非晶質シリコン膜を３００Å（３０ｎｍ）程度と、を連続して堆積し、非晶質シリコン膜２５およびｎ型非晶質シリコン膜を島状非晶質シリコンの形状にパターン化する。
【０１４１】
次に、画素補助電極２０、データ線２９、ＴＦＴ３０のドレイン電極２６及びソース電極２７を形成する第２の金属層として、Ｃｒ膜を２８００Å（２８０ｎｍ）程度堆積し、これをパターン化する。
【０１４２】
その上にパッシベーション膜として第２の層間絶縁膜４０の窒化シリコン膜を１５００Å（１５０ｎｍ）程度堆積し、続いて第３の層間絶縁膜３９を１５０００Å（１．５μｍ）程度堆積させる。
【０１４３】
透明電極で形成された画素電極（ＩＴＯ）２１は画素電極用コンタクトホール２８を介してソース電極２７に、また透明電極で形成された共通電極（ＩＴＯ）２２は共通電極用コンタクトホール１９を介して共通電極配線１８に接続される。このため、第２及び第３の層間絶縁膜４０，３９において、これらコンタクトホール２８，１９と対応する位置の部分を除去する。その上に透明導電体層からなる画素電極２１及び共通電極２２を、例えば透明金属膜ＩＴＯなどにより４００Å（４０ｎｍ）程度堆積し、これをパターン化する。
【０１４４】
このとき共通電極２２は、走査線２４及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）の直上を避けるような形状にパターン化する。
【０１４５】
（対向基板製造方法）
本比較例の対向基板３３は、前述の実施例１の対向基板３３と同様に製造した。
【０１４６】
（液晶表示装置の製造方法）
本比較例の能動素子基板３１および対向基板３３を用いて、実施例１と同様に、液晶表示装置を製造した。
【０１４７】
＜各実施例と比較例との対比＞
以上のようにして製造した実施例１、２、３、および比較例の液晶表示装置を温度６０℃／相対湿度６０％の恒温槽で１０００時間連続駆動を行い、着色ムラについて評価を行った。
【０１４８】
着色ムラの程度、および開口部におけるディスクリネーションの発生度合いについて、実施例１、２、３は、比較例よりも軽減する傾向が見られた。特に実施例３について軽減効果が得られた。
【０１４９】
以上のように、対向基板３３が一切の電極を備えずに構成されているタイプの液晶表示装置において、カラーフィルタやＴＦＴ３０の製造プロセス工程を（工程の追加などにより）複雑化することなく、液晶表示装置の表示不良、特に着色ムラを防止することができ、表示品質とその信頼性の高い液晶表示装置を得る事が出来た。
【０１５０】
なお、上記説明ではＩＰＳ方式の液晶表示装置を例にして説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、対向基板３３が電極を備えずに構成されている任意の構造の液晶表示装置に適用することができる。
【０１５１】
また、上記においては、共通電極２２の一部によりシールド部６０が構成されている例についてのみ説明したが、該シールド部６０は、共通電極２２とは別体に構成しても良い。なお、この場合にも、シールド部６０は、共通電極配線１８に対し電気的に接続されていることが好ましく、このように構成することにより、好適に上記の電界遮蔽効果を奏する。
【０１５２】
また、シールド部６０を共通電極２２とは別体に構成する場合にも、該シールド部６０を共通電極２２及び画素電極２１と同一の層に形成し、且つ、同一の成膜工程にて形成することが好ましい。
【０１５３】
また、上記においては、シールド部６０を備える例についてのみ説明したが、以下の条件を満たせば、シールド部６０は備えないでも良い。すなわち、対向基板３３が、カラーフィルタ（色層４３）と、遮光層としてのブラックマトリクス層３６と、を備え、カラーフィルタが赤、緑及び青の着色組成物を備えて構成され、このうち緑の着色組成物における顔料濃度が２０％以上に設定され、且つ、ブラックマトリクス層３６の体積抵抗率が１×１０9Ω・ｃｍ以上（より好ましくは（１×１０12Ω・ｃｍ以上）に設定されている場合には、シールド部６０は備えないでも良く、この場合にも、従来よりも着色ムラを抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の能動素子基板側の平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【図３】（ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿った断面図、（ｂ）は図１のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の能動素子基板側の平面図である。
【図５】（ａ）は図４のＡ−Ａ′線に沿った断面図、（ｂ）は図４のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。
【図６】比較例（従来例）の液晶表示装置の能動素子基板側平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【図８】（ａ）は図６のＡ−Ａ′線に沿った断面図、（ｂ）は図６のＣ−Ｃ′線の断面図である。
【図９】従来例の液晶表示装置を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ′線断面図を用いて図９の液晶表示装置における問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１８  共通電極配線
２１  画素電極
２２  共通電極
２４  走査線
２６  ドレイン電極
２７  ソース電極
２９  データ線
３０  ＴＦＴ  （薄膜トランジスタ）
３１  能動素子基板
３２  液晶層
３３  対向基板
３６  ブラックマトリクス層
３７  オーバーコート層
４３  色層（カラーフィルタを構成する）
４５  スペーサー
６０  シールド部（電界遮蔽用導電体層）
６１  切り欠き部
【図１】
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【図２】
2005241923.tif 000004
【図３】
2005241923.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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