(57)【要約】【課題】多くの設置形態に使用でき、多くの既存の配置において放電ランプを設置した後に取り除くことができる放電ランプ用保護カバーを提供する。【解決手段】ランプ用保護カバーは、軟質で、ランプが保護カバーで覆われているときに破損した場合に、保護カバーがランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される。保護カバーは、放電ランプを光源に設置するのに使用され、ランプを設置した後にランプから取り除かれる。【選択図】図４ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電ランプ用保護カバーであって、該保護カバーは、軟質で、放電ランプが該保護カバーに覆われているときに破損した場合に、該保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される保護カバー。
【請求項２】
前記引張強度は、約２．５から６Ｇｐａの範囲である請求項１に記載の保護カバー。
【請求項３】
繊維で構成される請求項１に記載の保護カバー。
【請求項４】
前記繊維は、アラミド、ポリエチレン、ＳＰＥＣＴＲＡ（登録商標）、ＶＥＣＴＲＡＮ（登録商標）、ＰＢＯ、ガラス、及びその任意の組合せを含む材料の群から選択される請求項３に記載の保護カバー。
【請求項５】
前記繊維は、編物又は織物である請求項３に記載の保護カバー。
【請求項６】
前記繊維は、二軸織物である請求項３に記載の保護カバー。
【請求項７】
繊維には、リソグラフ装置において化学的に不活性である被膜が塗布されている請求項３に記載の保護カバー。
【請求項８】
前記被膜はＰＴＦＥである請求項７に記載の保護カバー。
【請求項９】
前記保護カバーには軟質層が塗布されている請求項１に記載の保護カバー。
【請求項１０】
前記軟質層は、保護カバーの内側及び外側の少なくとも一方に配置されている請求項９に記載の保護カバー。
【請求項１１】
前記軟質層は、ポリマーで構成される請求項９に記載の保護カバー。
【請求項１２】
前記軟質層は、ＰＥ、ＰＶＣ又はＰＴＦＥを含む群から選択されたポリマーで構成される請求項１１に記載の保護カバー。
【請求項１３】
放電ランプと保護カバーを含むセットであって、該保護カバーは、軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破損した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成されるセット。
【請求項１４】
前記放電ランプは、ガラスで構成された部品を含み、前記保護カバーは、ガラスで構成されたすべての前記部品を保護するのに十分な長さを有する請求項１３に記載のセット。
【請求項１５】
リソグラフ装置に光源を設置する方法であって、
放電ランプを設ける工程と、
保護カバーを放電ランプに設ける工程であって、該保護カバーは、軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破損した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される工程と、
保護カバーがまだ放電ランプ上に存在している間に、リソグラフ装置の光源に放電ランプを設置する工程と、
放電ランプを設置した後に保護カバーを取り除く工程とを含む方法。
【請求項１６】
前記リソグラフ装置は、
放射を生成するように構成された光源と、
前記放射に基づいてビームを供給するように構成された照明システムと、
その断面にパターンを有する投射ビームを付与するように構成されたパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成ビームを基板の目標部分に投射するように構成された投射システムとを備える請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
放電ランプを設ける工程と、
保護カバーを放電ランプに設ける工程であって、該保護カバーは、軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破損した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される工程と、
保護カバーがまだ放電ランプ上に存在している間に、光源に放電ランプを設置する工程と、
放電ランプを設置した後に保護カバーを取り除く工程と、
放射のパターン形成ビームを基板の目標部分に投射する工程とを含むデバイス製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法に従って製造されたデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、様々な用途、例えばリソグラフ装置に用いる放電ランプのための保護カバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを加える装置である。リソグラフ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。そのような状況において、マスク又はレチクルとも称するパターン形成機器を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、放射感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）ターゲット部分にこのパターンを描写することができる。概して、単一基板は、連続的に露光される近隣目標部分のネットワークを含むことになる。知られているリソグラフ装置は、全パターンを目標部分に対して一気に露光することによって各目標部分に放射照射するステッパと、投射ビームで所定の方向（走査方向）にパターンを走査すると同時に、この方向に平行又は反平行に基板を走査することによって各目標部分に放射照射するスキャナとを含む。
【０００３】
最近まで、そのようなリソグラフ装置では、高度に加圧されない放電ランプ、例えば水銀ランプを使用していた。それは、ランプの低温ステージでは、放電ランプ内の圧力が大気圧（１０５Ｐａ）をさほど大きく上回ったり、又は下回らなかったことを意味する。しかし、高出力の放電ランプが導入されて以来、それらのランプのいくつかの製造元は、エネルギーから光への変換の効率を高めるために、放電ランプ球の内部の圧力を高くしている。当該高圧ランプは、同じ電力消費でより高い強度を有し、同じ強度でより低圧の放電ランプより少ない熱を生ずる。当該ランプは、例えばオスラム社及びＵＳＨＩＯ社によって製造されている。高圧放電ランプは、使用していないときは約８×１０５Ｐａまでの正の内圧となることがある。当該高圧ランプは、突然破裂して、水晶及び水銀を放出することがある。金属片が放出されることもある。これは、人が怪我をし、且つ／又は他の物体が破損する危険性をもたらす。したがって、これらの高圧放電ランプは、極めて慎重に扱う必要がある。内圧が３０から７５×１０５Ｐａ程度の圧力まで上昇しうる動作時ばかりでなく、例えばリソグラフ装置における光源に放電ランプを設置する際にも極めて慎重に扱う必要がある。特にリソグラフ装置では、そのような水銀ランプの破裂は、その後リソグラフィック装置を清掃する必要があるため望ましくない。これによって利用性が低下する。
【０００４】
これを回避するために、破裂ランプの破片に耐えうる材料から構成される、ランプの周囲の硬質保護カバーを使用した当該水銀放電ランプを設置することが従来技術より知られている。当該ランプを設置する人は、ランプ自体に触れずに、ランプ周囲の硬質保護カバーを使用して、放電ランプを所定の位置に配置する。しかし、いくつかの光源では、ランプを設置した後に硬質保護カバーを取り除くのが困難なことがある。放電ランプが設置されるモジュール又はソケットは、硬質保護カバーを取り除くのに十分な空間を提供しない。その場合は、取り除くことを可能にするためにモジュールを完全に再設計することが必要になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの態様は、従来技術より知られている硬質保護カバーより多くの設置形態に使用でき、より多くの既存の配置において放電ランプを設置した後に取り除くことができる放電ランプ用保護カバーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様によれば、放電ランプ用保護カバーは軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破裂した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される。
【０００７】
硬質ではなく軟質の保護カバーを提供することにより、ちょうどソックスを脱ぐように保護カバーを放電ランプから滑り取ることによって放電ランプから取り除くことができる。これは、現行技術の方法よりわずかなスペースを必要とし、放電ランプを設置しなければならないモジュールの再設計の必要性を防ぐことができる。ランプの破裂後に飛び散る放電ランプのガラス球の破片、そして恐らくは液体水銀が保護カバーによって抑止されるように、保護カバーを設計する必要がある。軟質材料の強度は、２．５から６Ｇｐａの範囲であってもよい。一実施例では、保護カバーが、繊維で構成される。それらの繊維は、アラミド、ポリエチレン、ＳＰＥＣＴＲＡ（登録商標）、ＶＥＣＴＲＡＮ（登録商標）、ＰＢＯ、ガラス及び／又はその組合せを含む材料の群から選択されうる。
【０００８】
当該繊維は、編物又は織物であってもよい。織物である場合は、繊維は二軸織りされたものであってもよい。一実施例では、リソグラフ装置において化学的に不活性な被膜を繊維に塗布することができる。当該被膜の例としては、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）（ポリテトラフルオロエチレン又はＰＴＦＥ）である。
【０００９】
他の実施例では、保護カバーそのものに軟質層が塗布される。軟質層を保護カバーの内部に配置しても外部に配置してもよいが、ランプの内部と外部の両方に軟質層を設けてもよい。軟質層は、ＰＶＣ、ＰＥ及びＰＴＦＥを含む群から選択される合成材料で構成されうる。
【００１０】
本発明は、また、放電ランプと保護カバーを含み、保護カバーは、軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破裂した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成されるセットに関する。
【００１１】
さらに、本発明は、リソグラフ装置に給源を設置する方法であって、放電ランプを設ける工程と、軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破裂した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される保護カバーを放電ランプに設ける工程と、保護カバーがまだ放電ランプ上に存在している間にリソグラフ装置の光源に放電ランプを設置する工程と、放電ランプを設置した後に保護カバーを取り除く工程とを含む方法に関する。
【００１２】
また、本発明は、放電ランプを設ける工程と、軟質で、放電ランプが保護カバーに覆われているときに破裂した場合に、保護カバーが放電ランプからもたらされる破片に対して不透過性を有するような引張強度のある材料で構成される保護カバーを放電ランプに設ける工程と、保護カバーがまだ放電ランプ上に存在している間に光源に放電ランプを設置する工程と、放電ランプを設置した後に保護カバーを取り除く工程と、放射のパターニング・ビームを基板の目標部分に投射する工程とを含むデバイス製造方法に関する。
【００１３】
本発明による保護カバーを所謂「ｉ系」リソグラフ装置における水銀放電ランプに使用することができる。ｉ系は、３６５ｎｍの放射波長に対応する。しかし、本発明は、これに限定されない。このカバーを使用して、設置時に破損又は破裂の危険性を有する任意のタイプの放電ランプ、例えばスタジアムの照明灯の放電ランプを保護することができる。
【００１４】
本文では、ＩＣの製造におけるリソグラフ装置の使用を具体的に参照することになるが、本明細書に記載しているリソグラフ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、並びに薄膜磁気ヘッドの製造等の他の用途を有し得ることを理解すべきである。当該代替的な用途の文脈において、本明細書の「ウェハ」又は「ダイ」という用語の用法は、それぞれより広義の「基板」又は「目標部分」という用語と同義であると見なせることを理解すべきである。本明細書に記載する基板は、露光前後に、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光レジストを成長させる工具）或いは計量又は検査工具で処理できる。適用可能であれば、本明細書の開示内容を当該又は他の基板処理工具に適用できる。さらに、本明細書で用いている基板という用語が、多数の処理層を既に含む基板を指すことができるように、例えば多層ＩＣを形成するために、基板を二度以上処理することができる。
【００１５】
本明細書で用いている「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば波長が３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの）紫外（ＵＶ）線、及び（例えば波長が５から２０ｎｍの範囲の）極紫外（ＥＵＶ）線、並びにイオン・ビーム又は電子ビームの如き粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包括する。
【００１６】
本明細書で用いている「パターン形成機器」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成するなどのために、パターンを有するビームをその断面に付与するのに使用できる機器を指すものとして広く解釈されるべきである。投射ビームに付与されたパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応し得ないことに留意されたい。一般には、投射ビームに付与されたパターンは、集積回路の如き、目標部分に形成されているデバイスの特定の機能層に対応することになる。パターン形成機器は、透過性であっても、反射性であってもよい。パターン形成機器の例としては、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、交互位相シフト及び減衰位相シフトの如きマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド・マスク・タイプを含む。プログラム可能ミラー・アレイの一例は、各々が、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように、個別に傾斜できる小さなミラーのマトリックス配置を採用する。このように、反射ビームがパターン形成される。
【００１７】
支持体は、パターン形成機器を支持し、例えばその重量を支える。支持体は、パターン形成機器の方位、リソグラフ装置の設計、及び他の条件、例えばパターン形成機器が真空環境内に保持されるか否かということに応じた様式でパターン形成機器を保持する。支持体は、機械的クラピング、真空又は他のクランピング技術、例えば真空条件下での静電クランピングを用いることができる。支持体は、例えば、必要に応じて固定されていても、可動であってもよく、パターン形成機器が、例えば投射システムに対して所望の位置にくることを保証できる枠又はテーブルでありうる。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語のいかなる用法も、「パターン形成機器」というより広義の用語と同義であると見なすことができる。
【００１８】
本明細書で用いている「投射システム」という用語は、例えば、使用される露光放射、或いは浸漬流体の使用又は真空の使用の如き他の要素に適宜対応する屈折光学システム、反射光学システム及び反射屈折システムを含む様々なタイプの投射システムを包括するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「レンズ」という用語のいかなる用法も「投射システム」というより広義の用語と同義であると見なすことができる。
【００１９】
照明システムは、放射の投射ビームを誘導、成形又は制御するための屈折、反射及び反射屈折光学部品を含む様々なタイプの光学部品を包括することもでき、当該部品は、以下に、集約的又は単独的に「レンズ」と称することもできる。
【００２０】
リソグラフ装置は、２つ（２段）若しくはそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ若しくはそれ以上のテーブル）を有するタイプであってもよい。そのような「多段装置」では、並行して追加的なテーブルを使用してもよいし、１つ又は複数のテーブルで準備工程を実施しながら、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用してもよい。
【００２１】
リソグラフ装置は、投射システムの最終要素と基板との間の空間を埋めるように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水に基板を浸漬させるタイプであってもよい。浸漬液をリソグラフ装置における他の空間、例えばマスクと投射システムの第１の要素との間の空間に適用することもできる。浸漬技術は、投射システムの開口を増大させるための技術分野でよく知られている。
【００２２】
本発明の放電ランプ用カバーは、上述したリソグラフ装置に放電ランプを設置するのに使用できる。しかし、この保護カバーを使用して、当該ランプを任意の他のタイプの配列で設置することもできる。
【００２３】
次に、対応する参照符号が対応する部品を示す添付の概略図を参照しながら、例示のみを目的として、本発明の実施例を説明する。
【実施例】
【００２４】
図１は、例えば可視光、ＵＶ線、遠紫外（ＤＵＶ）又は極紫外（ＥＵＶ）線を含む放射のビームＰＢを供給するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む、本発明の実施例によるリソグラフ装置を概略的に示す図である。本発明の実施例において、放電ランプを使用して、放射を生成する。放射は、ＵＶレンジ又はそれ以上の波長を有することになる。生成された波長は、３６５ｎｍの波長を有する所謂「ｉ系」放射であってもよい。第１の支持体（例えばマスク・テーブル）ＭＴは、パターン形成機器（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、パターン形成機器を投射システム（「レンズ」）ＰＬに対して正確に位置決めする第１の位置決め機器ＰＭに接続される。基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴは、基板（例えばレジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するように構成され、基板を投射システムＰＬに対して正確に位置決めする第２の位置決めデバイスＰＷに接続される。投射システム（例えば屈折投射レンズ）ＰＬは、パターン形成機器ＭＡによってビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃに描写する。
【００２５】
ここに示すように、該装置は、（例えば透過マスクを採用した）透過型である。或いは、該装置は、（例えば、上述したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを採用した）反射型であってもよい。
【００２６】
イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受け取る。放射源とリソグラフ装置は、例えば放射源がエキシマ・レーザであるときは別個の物体であってもよい。そのような場合は、放射源は、リソグラフ装置の一部を形成すると見なされず、放射は、例えば好適な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを含むビーム供給システムＢＤを利用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合において、放射源は、例えば放射源が水銀放電ランプであるときは、装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム供給システムＢＤとともに、放射システムと称することができる。
【００２７】
イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節機器ＡＭを含むことができる。一般には、イルミネータのひとみ面における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部放射範囲（広くは、それぞれσ外部及びσ内部と称する）を調節することができる。加えて、イルミネータＩＬは、一般には、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯの如き様々な他の部品を含む。イルミネータは、その断面に所望の均一性及び強度分布を有する放射の調整ビームＰＢを供給する。
【００２８】
ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを横切ると、ビームＰＢは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集める投射システムＰＬを通過する。第２の位置決め機器ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉機器）を利用して、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、ビームＰＢの経路内に異なる目標部分Ｃを位置決めすることができる。同様に、第１の位置決め機器ＰＭ及び他の位置センサ（例えば、図１に明示されていない干渉機器）を使用して、例えばマスク・ライブラリからの機械的検索後、又は走査時に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。概して、ＭＴ及びＷＴのオブジェクト・テーブルの移動は、位置決め機器ＰＭ及びＰＷの一部を形成する長行程モジュール（粗い位置決め）及び短行程モジュール（微細な位置決め）を利用して実現することになる。しかし、ステッパの場合は、スキャナと反対に、マスク・テーブルＭＴを短行程アクチュエータのみに接続するか、又は固定することができる。マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して、マスクＭＡ及び基板Ｗの位置を合わせることができる。
【００２９】
示された装置は、以下の好ましいモードで使用されうる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを実質的に静止状態に保ちながら、投射ビームに付与された全パターンを目標部分Ｃに同時に投射する（すなわち単一静的露光）。次いで、異なる目標部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向にシフトさせる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、単一静的露光で描写された目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同時に走査しながら、ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投射する（すなわち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対して相対的な基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投射システムＰＬの倍率及び画像反転特性によって決定づけられる。走査モードでは、露光領域の最大サイズが、単一動的露光における目標部分の非走査方向の幅を制限するのに対して、走査動作の長さが、目標部分の走査方向の高さを決定づける。
３．他のモードでは、マスク・テーブルを、プログラム可能パターン形成機器を保持しながら実質的に静止状態に維持し、基板テーブルＷＴを移動又は操作しながら、ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投射する。このモードでは、一般には、パルス放射源を採用し、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動後、又は走査時の連続的な放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン形成機器を更新する。この動作モードは、上記のタイプのプログラム可能ミラー・アレイの如きプログラム可能パターン形成機器を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用されうる。
【００３０】
上記の使用モード、又は全く異なる使用モードについての組合せ及び／又は変形を採用してもよい。
【００３１】
図２は、図１の装置に使用できる放射源ＳＯを示す図である。放射源ＳＯは、筐体１６を含む。筐体１６は、ランプ２によって生成された放射１４が放射源ＳＯから環境に伝搬するのを可能にする少なくとも１つの開放面１８を含む。
【００３２】
筐体１６は、ソケット６を支持するように構成される。ソケット６は、ランプ２の取付金具８を受けるように構成される。ランプ取付金具８は、任意のタイプの取付金具、例えばねじ込みタイプ又はバイオネット・キャッチ・タイプであってもよい。
【００３３】
ランプ２は、高圧水銀放電ランプであってもよい。ランプ２は、図２に概略的に示しているにすぎない。ランプ２の詳細は図３に示している。ランプ２は、２つの端子、すなわち外部陰極端子として機能する取付金具８と、外部陽極端子１２とを有する。取付金具は、使用に際して、接続部１０に接続される。接続部１０及び端子１２は、使用に際して、好適な電源（不図示）に接続される。
【００３４】
再び図２を参照すると、放電ランプ２は、反射器４に囲まれる。反射器４は、楕円形を有することができる。
【００３５】
再び図３を参照すると、放電ランプ２は、放電ランプ２をソケット６に設置するためのランプ取付金具８を含む。ランプ取付金具８は、ベース３６に接続される。ベース３６は、絶縁材料で構成されている。ベース３６は、その反対側に陽極球部２４をも有する球３２の一部である陰極球部３４に固定される。陰極球部３４、球３２及び陽極球部２４は、同じ材料で構成される。ランプ２が水銀放電ランプであるときは、球３２は水晶で構成されることになる。
【００３６】
使用時にランプ２の冷却を向上させるために、冷却フィン２２が陽極球部２４に設けられる。陽極球部２４は、外部陽極端子１２に接続されるベース２０に接続される。陽極２８及び陰極３０は、球３２の内部に設けられる。陽極２８の背後のガラス球３２の内側に熱反射層２６が設けられる。
【００３７】
ランプ２は、ＯＳＲＡＭ社から入手可能なマイクロリソグラフィ用ＨＢＯ（登録商標）水銀ショート・アーク・ランプの１つであってもよい。しかし、他の製造会社、例えばＵＳＨＩＯ社も同様のランプを製造している。本発明は、所謂ｉ系、すなわち波長が３６５ｎｍの放射を生成する放電ランプに使用できる。当該放電ランプは、冷えた状態、すなわち室温でも正の内圧を有する。上述したように、当該ランプは、設置時に破裂することがあるため、人が怪我をしたり、又は放射源ＳＯの付近の部品が損傷する危険性が高い。
【００３８】
これらの危険性を低減するために、本発明は、図４ａに示される保護カバー３８を提供する。保護カバー３８は、開放下面４２及び開放上面４６を有する。保護カバー３８は、軟質に製造されている。使用しないときは、図４ａに示す円筒の形を有することができる。しかし、保護カバーは、図４ｂに示されるように、ランプ２の形を取るようにランプ２上を滑動可能に構成される。保護カバー３８は、使用時に、ランプ２の周囲に吸着的に嵌るように設計されうる。
【００３９】
保護ランプ・カバー３８は、ランプ２が保護カバー３８で覆われている場合に、ランプ２をソケット６に設置している最中にランプが破壊又は破裂したときに、保護カバーがランプ２からもたらされる破片に対して不透過性を有するような強度のある材料で構成されうる。その材料は、２．５から６Ｇｐａの範囲の強度を有することができる。最大引張応力は、２％又はそれ以上とすることができる。
【００４０】
その材料は、繊維４０で構成されうる。繊維は、アラミド、ポリエチレン、ＳＰＥＣＴＲＡ（登録商標）、ＶＥＣＴＲＡＮ（登録商標）、ＰＢＯ、ガラス、及びそれらの任意の組合せを含む材料の群から選択できる。ポリエチレンは、防止ポリエチレン繊維として形成でき、商品名ＤＹＮＥＥＭＡ（登録商標）のものが利用できる。アラミドは、商品名ＫＥＶＬＡＲ（登録商標）又はＴＷＡＲＯＮ（登録商標）のものが利用でき、ＰＢＯは、ＺＹＬＯＮ（登録商標）のものが利用できる。
【００４１】
十分な柔軟性を有するそのような保護カバーを提供するために、保護カバー３８は、編物又は織物であってもよい。勿論、繊維は、放電ランプの破裂後にもたらされる破片、例えばガラスの破片が保護カバーを突き抜けるのを防止するのに十分に密接するように編物又は織物でなければならない。そのためには、隣接する繊維間の空間が３ｍｍを超えてはならない。繊維は、二軸織りしたものであってもよい。
【００４２】
ランプをリソグラフ装置に設置するために保護カバー３８を使用するときにリソグラフ装置の汚染を防ぐために、リソグラフ装置において化学的に不活性な被膜を繊維に塗布することができる。当該被膜は、任意の好適な被膜、例えばＴＥＦＬＯＮ（登録商標）であってもよい。
【００４３】
水銀又は他の材料が、ランプ２の破裂後に、ランプ２から例えばリソグラフ装置へ漏入するのを防ぐために、保護カバー３８を軟質層４４で覆うか、又は裏打ちすることができる。図４ａには、軟質層４４が保護カバー３８の内側に示されている。しかし、その代わりに、軟質層４４は保護カバー３８の外側にあってもよい。さらに、保護カバー３８の内側と外側の両方に軟質層が存在していてもよい。軟質層４４は、ＰＶＣ、ＰＥ及びＰＴＦＥを含む群から選択される合成材料で構成されうる。しかし、代わりに他のポリマーを使用してもよい。
【００４４】
図４ｂを参照すると、保護カバー３８は、ランプ２を覆い、ランプ２の形をとる。保護カバー３８は、図４ｂに示されるように、ランプ２の少なくともすべてのガラス部、例えば球３２を覆うのに十分な長さを有する必要がある。
【００４５】
図４ｂに示すように、カバー３８は、外部陽極端子１２を覆わない。しかし、カバー３８は、外部陽極端子１２を覆うのに十分な長さを有していてもよい。そのような状況では、カバー３８の一面、例えば図４ａ及び４ｂに示される上面４６を閉鎖できるのに対し、開放面４２を介してランプ・カバー３８を放電ランプ２に滑らせることができるように開放した一面４２のみを有する。
【００４６】
本発明による保護カバーは、以下のように使用する。保護カバー３８をランプ２に滑らせる。保護カバー３８がまだランプ２に存在する間に、ランプ２を放射源ＳＯに設置する。ランプ２を設置した後にランプ２から保護カバー３８を取り除く。
【００４７】
そのようにしてランプ２をリソグラフ装置に設置した後に、リソグラフ装置に基板を設け、放射源ＳＯ及び照明システムＩＬによって生成される放射を使用してビームを供給し、パターン形成機器ＭＡを使用して、その断面にパターンを有する投射ビームを付与し、基板の目標部分に放射のパターン形成ビームを投射することにより、リソグラフ装置を使用して、半導体デバイスを製造することができる。
【００４８】
以上、本発明の具体的な実施例について説明したが、上述した以外の方法でも本発明を実施できることが理解されるであろう。上述の説明は、本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフ装置を示す図である。
【図２】図１のリソグラフ装置に使用できる光源を示す図である。
【図３】図２の光源に使用できる水銀放電ランプを示す図である。
【図４ａ】本発明の実施例による保護ランプ・カバーを示す図である。
【図４ｂ】使用時の、すなわち放電ランプを被覆するときの図４ａの保護ランプ・カバーを示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
２  放電ランプ
４  反射器
６  ソケット
８  取付金具
１０  接続部
１２  外部陽極端子
１４  放射
１６  筐体
２０、３６  ベース
２２  冷却フィン
２４  陽極球部
２６  熱反射層
２８  陽極
３０  陰極
３２  球
３４  陰極球部
３８  保護カバー
【図１】
2005347268.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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