(57)【要約】【課題】センサ装置部か計測情報処理装置部のいずれかを交換した場合でも、交換前に設定された設定値を再設定することなく、交換前と同条件で使用可能とする。【解決手段】少なくとも電流検出手段３ａ，３ｂ，３ｃおよび電圧検出手段４ａ，４ｂを有するセンサ装置部１には電流，電圧検出手段の特性値や計測値に対する設定値を記憶するメモリ１５を設ける一方、少なくとも増幅回路９ａ，９ｂ、Ａ／Ｄ変換回路１０および演算処理回路１１を有する計測演算処理装置部７には、増幅回路やＡ／Ｄ変換回路の特性値や計測値に対する設定値を記憶するメモリ１２を設け、センサ装置部１と計測演算処理装置部７とで同じ情報を保有させることにより、任意の組み合わせを可能にしつつ高精度の計測ができるようにする。【選択図】図１
2005214651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ装置部と計測情報処理装置部とを任意に組み合わせて構成される電気量計測装置であって、
前記センサ装置部を、３回路分の主回路導体と、この主回路導体に流れる電流を検出する電流検出手段と、各主回路導体間の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流検出手段および電圧検出手段の特性値，型式および装置の設定値を含む情報を記憶する不揮発性メモリとから構成し、前記計測情報処理装置部を、前記センサ装置部で検出したアナログ量の検出電流および検出電圧を所定のレベルに増幅する増幅回路と、この増幅回路からのアナログ出力信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路と、ディジタル変換された信号から電流値，電圧値，電力値，電力量，力率を含む電気諸量を演算する演算処理回路と、前記増幅回路およびＡ／Ｄ変換回路の特性値，型式および装置の設定値を含む情報を記憶する不揮発性メモリと、一時メモリと、表示器と、外部設定手段とから構成することを特徴とする電気量計測装置。
【請求項２】
前記センサ装置部と計測情報処理装置部とが配線接続され起動されたときは、センサ装置部の不揮発性メモリに記憶された特性値，型式および装置の設定値を読み出し、計測情報処理装置部の一時メモリに特性値，型式を記憶し、設定値を不揮発性メモリにそれぞれ記憶し、これらの値に基づき計測演算処理と出力処理とを行なうことを特徴とする請求項１に記載の電気量計測装置。
【請求項３】
前記計測情報処理装置部の外部設定手段により装置の設定値を変更したときは、計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更するとともに、センサ装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更することを特徴とする請求項１または２に記載の電気量計測装置。
【請求項４】
前記計測情報処理装置部に外部通信手段を付加し、この外部通信手段を介して装置の設定値を変更したときは、計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更するとともに、センサ装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更することを特徴とする請求項１または２に記載の電気量計測装置。
【請求項５】
前記センサ装置部を交換したときは、前記計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値をセンサ装置部の不揮発性メモリに記憶し、かつ計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値に基づき演算処理，出力処理を行なうことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気量計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、いわゆる受配電設備に設置して単独、または配線用遮断器，漏電遮断器，設備機器などの機器と組み合わせて使用し電流，電圧，電力，電力量，力率を含む各種電気量を計測する電気量計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４はこの種の電気量計測装置の従来例を示すブロック図である。
センサ装置部１は３回路分の主回路導体２ａ，２ｂ，２ｃと、この主回路導体２ａ，２ｂ，２ｃをそれぞれ貫通した電流検出手段３ａ，３ｂ，３ｃと、主回路導体２ａ，２ｂ間に接続された電圧検出手段４ａと、主回路導体２ｂ，２ｃ間に接続された電圧検出手段４ｂと、電流検出手段と電圧検出手段のアナログ検出信号を外部接続するためのコネクタ５とから構成される。このセンサ装置部１は主回路導体を持たず電流検出手段のみ、または電圧検出手段のみで構成するか、組み合わせて使用することもある。
【０００３】
また、センサ装置部１は、コネクタ５と複数の配線を持つケーブル６を介してコネクタ８と接続され、検出信号が計測情報処理装置部７にアナログ信号として送出される。ここで、コネクタ５，８は直接接続するか、端子台で構成されることもある。アナログ信号として入力される電流検出信号および電圧検出信号は増幅回路９ａ．９ｂでそれぞれ所定の倍率で増幅された後、Ａ／Ｄ変換回路１０でディジタル信号に変換される。
【０００４】
演算処理回路１１では、不揮発性メモリ１２に記憶されている増幅回路とＡ／Ｄ変換回路１０の回路誤差に基づいた補正を施して、出力用の電流値，電圧値，電力値，電力量，力率などの諸量を求め、表示部１３に出力する。また、演算処理回路１１は外部操作部１４からの入力に応じて装置の動作設定値を決定し、この設定値を不揮発性メモリ１２に記憶する。ここで、演算処理回路はいわゆるＣＰＵであり、Ａ／Ｄ変換回路１０はこのＣＰＵに内蔵されているものを利用することもできる。
【０００５】
以上のような構成では、センサ装置部の電流検出手段および電圧検出手段の誤差は補正されず、計測演算処理結果の誤差として加算される。一方、計測演算処理結果の誤差を小さくしようとしても、センサ装置部と計測情報処理装置部とは組み合わせて誤差を調整，補正され、その組み合わせを変更することができないため、装置の寿命や故障などにより交換が必要な場合は、交換が装置全体に及ぶなどの不便さがある。
【０００６】
そこで、回路遮断器と計測表示ユニットとの間ではあるが、その組み合わせを変更可能とし、変更した場合でも誤差の少ない計測を可能にする技術が、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２１８３５９号公報（第５−６頁、図１−２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記特許文献１は正確な演算をするために補正値のみを記憶するもので、適用範囲が限定され融通性に乏しいという問題がある。
したがって、この発明の課題は、センサ装置部と計測情報処理装置部とを任意に組み合わせて使用できるようにするとともに、その適用範囲を広げ融通性を持たせることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を解決するため、請求項１の発明では、センサ装置部と計測情報処理装置部とを任意に組み合わせて構成される電気量計測装置であって、
前記センサ装置部を、３回路分の主回路導体と、この主回路導体に流れる電流を検出する電流検出手段と、各主回路導体間の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流検出手段および電圧検出手段の特性値，型式および装置の設定値を含む情報を記憶する不揮発性メモリとから構成し、前記計測情報処理装置部を、前記センサ装置部で検出したアナログ量の検出電流および検出電圧を所定のレベルに増幅する増幅回路と、この増幅回路からのアナログ出力信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路と、ディジタル変換された信号から電流値，電圧値，電力値，電力量，力率を含む電気諸量を演算する演算処理回路と、前記増幅回路およびＡ／Ｄ変換回路の特性値，型式および装置の設定値を含む情報を記憶する不揮発性メモリと、一時メモリと、表示器と、外部設定手段とから構成することを特徴とする。
【０００９】
請求項１の発明においては、前記センサ装置部と計測情報処理装置部とが配線接続され起動されたときは、センサ装置部の不揮発性メモリに記憶された特性値，型式および装置の設定値を読み出し、計測情報処理装置部の一時メモリに特性値，型式を記憶し、設定値を不揮発性メモリにそれぞれ記憶し、これらの値に基づき計測演算処理と出力処理とを行なうことができ（請求項２の発明）、上記請求項１または２の発明においては、前記計測情報処理装置部の外部設定手段により装置の設定値を変更したときは、計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更するとともに、センサ装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更することができる（請求項３の発明）。
【００１０】
請求項１または２の発明においては、前記計測情報処理装置部に外部通信手段を付加し、この外部通信手段を介して装置の設定値を変更したときは、計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更するとともに、センサ装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値を変更することができ（請求項４の発明）、これら請求項１〜４の発明においては、前記センサ装置部を交換したときは、前記計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値をセンサ装置部の不揮発性メモリに記憶し、かつ計測情報処理装置部の不揮発性メモリに記憶されている設定値に基づき演算処理，出力処理を行なうことができる（請求項５の発明）。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、センサ装置部と計測情報処理装置部とを組み合わせ自由に構成し、センサ装置部の補正を可能にして高精度な電気計測を可能にするとともに、センサ装置部か計測情報処理装置部のどちらか一方を交換した場合でも、交換前に設定した装置使用条件に依存する装置固有の設定値を再設定することなく、交換前と同じ条件で使用できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１はこの発明の実施の形態を示す構成図、図２Ａ〜２Ｅは各場合におけるメモリ保存値の説明図、図３は図１の変形例である。
図１からも明らかなように、図４に示す従来例に対し、センサ装置部１に電流検出手段３ａ，３ｂ，３ｃおよび電圧検出手段４ａ，４ｂの各特性値を記憶する不揮発性メモリ１５を設けるとともに、計測情報処理装置部７に一時メモリ１６を設けた点が特徴である。なお、図３は図１に対し、外部通信回路１７を付加した点が異なっている。
【００１３】
一時メモリ１６は図２Ａのように、センサ装置部１の特性値が読み出されて保存され、これにより演算処理回路１１では不揮発性メモリ１２に記憶されている増幅回路９ａ，９ｂとＡ／Ｄ変換回路１０の回路誤差に基づく補正と、センサ装置部１の特性値に基づく補正を施して、出力用の電流値，電圧値，電力値，電力量，力率などの諸量を求め、表示部１３に出力する。また、演算処理回路１１は外部操作部１４からの入力に応じて装置の動作設定値を決定し、図２Ｂのようにこの設定値を不揮発性メモリ１２に記憶すると同時に、センサ装置部１の不揮発性メモリ１５の保存値を書き換えて保存する。なお、図３に示すような外部通信手段１７より設定値が変更される場合は、図２Ｃのようにこの設定値を不揮発性メモリ１２に記憶すると同時に、センサ装置部１の不揮発性メモリ１５の保存値を書き換えて保存する。
【００１４】
ここで、センサ装置部１が寿命等の理由で交換される場合には、図２Ｄのように、新しく接続されるセンサ装置部の不揮発性メモリには設定値が保存されていないので、計測情報処理装置部７の不揮発性メモリ１２に保存されている設定値を採用し、センサ装置部１の不揮発性メモリ１５に書き込み、保存する。
また、計測情報処理装置部７が故障等の理由で交換される場合には、図２Ｅのように計測情報処理装置部の不揮発性メモリには設定値が保存されていないので、センサ装置部１の不揮発性メモリ１５に保存されている設定値を採用し、計測情報処理装置部７の不揮発性メモリ１２に書き込み、保存する。このように、センサ装置部１と計測情報処理装置部７は常に、同値の装置設定値を不揮発性メモリに記憶していることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施の形態を示すブロック図
【図２Ａ】図１における通常動作状態のメモリ保存値の説明図
【図２Ｂ】図１における外部操作設定時のメモリ保存値の説明図
【図２Ｃ】図１における外部通信設定時のメモリ保存値の説明図
【図２Ｄ】図１におけるセンサ装置部交換時のメモリ保存値の説明図
【図２Ｅ】図１における計測情報処理装置部交換時のメモリ保存値の説明図
【図３】図１の変形例を示すブロック図
【図４】従来例を示すブロック図
【符号の説明】
【００１６】
１…センサ装置部、２ａ，２ｂ，２ｃ…主回路導体、３ａ，３ｂ，３ｃ…電流検出手段、４ａ，４ｂ…電圧検出手段、５，８…コネクタ、６…ケーブル、７…計測情報処理装置部、９ａ，９ｂ…増幅回路、１０…Ａ／Ｄ変換回路、１１…演算処理回路（ＣＰＵ）、１２，１５…不揮発性メモリ、１３…表示部、１４…外部操作、１６…一時メモリ、１７…外部通信手段。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
2005214651.tif 000008
【図３】
2005214651.tif 000009
【図４】
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