(57)【要約】【課題】  本発明によると、構造が単純で、組立て容易で作業生産性を向上させ、製造原価を節減させ、放熱表面積を増大させて発熱特性を向上でき、組立てラインでの部品取り扱いの際作業者の指が発光素子に直に接触するのを防止して精密部品の汚染及び損傷が防止できる効果が得られる。【解決手段】  本発明はリードフレームタイプ半導体レーザーダイオード装置において、レーザービームを出射する発光素子；前記発光素子が上部領域に設けられ、レーザービーム生成時発生する熱を放熱するフレーム部；前記レーザービームが通過する出射孔と連通する内部孔内に前記フレーム部が装着されるケース部；前記発光素子と電気的に連結されるパターン電極が上部面に複数個形成され前記フレーム部の下部領域に設けられるPCBを含んで成る。【選択図】  図４
2005093975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームタイプ半導体レーザーダイオード装置において、
レーザービームを出射する発光素子；
前記発光素子が上部領域に設けられ、レーザービームの生成時に発生する熱を放熱するフレーム部；
前記レーザービームが通過する出射孔と連通する内部孔内に前記フレーム部が装着されるケース部；
前記発光素子と電気的に連結されるパターン電極が上部面に複数個形成され前記フレーム部の下部領域に設けられるPCB、を含むことを特徴とするPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項２】
前記発光素子は前記フレーム部の上部領域にダイボンディングされるフォトダイオードと、前記フォトダイオードの上部面にダイボンディングされるレーザーチップとを有することを特徴とする請求項1に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項３】
前記フレーム部は前記PCBよりも熱伝導性の優れた金属板から成ることを特徴とする請求項1に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項４】
前記フレーム部は、左右両側に翼部が形成され、前記ケース部の内部孔に装着されるよう構成されることを特徴とする請求項1に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項５】
前記翼部は、前記ケース部の内部孔の内周面において軸方向に形成された差込溝に沿って挿入固定されるよう前記フレーム部の左右両側縁から当該フレーム部の幅方向へ延長される差込翼片から成ることを特徴とする請求項4に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項６】
前記差込溝は、上部端に円周方向に延長される係止溝が形成されることを特徴とする請求項5に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項７】
前記翼部は、前記ケース部の内部孔の内周面に弾力的に密着される円弧状の外周形状を有することを特徴とする請求項4に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項８】
前記円弧翼は、前記フレームの前面または後面に対して垂直に位置するよう折曲形成されることを特徴とする請求項7に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項９】
前記フレーム部の上部領域の左右両側縁には前記発光素子を囲繞して保護すべく円弧形の保護翼を形成することを特徴とする請求項1に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１０】
前記保護翼の端部は、前記発光素子の最上部面の高さより高く形成されることを特徴とする請求項9に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１１】
前記PCBのパターン電極は、前記発光素子とワイヤ部材を介してワイヤボンディング連結されることを特徴とする請求項1に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１２】
前記パターン電極は、前記発光素子に最も近接するPCBの上部面縁まで延長される位置にワイヤ部材の一端が連結される上部端子を形成することを特徴とする請求項11に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１３】
前記PCBは、前記パターン電極が前面に形成される断面PCBであることを特徴とする請求項1に記載のPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は構造が単純で、組立てが容易で作業生産性を向上させ、製造原価を節減させ、放熱表面積を増大させて発熱特性を向上できるよう改善したPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置に関するものである。 
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体レーザーダイオード装置は順方向電流注入によりレーザー発振を起こすp-n接合半導体素子の電気的特性及び光特性を用いて動作され、ポインタ(pointer)、レーザプリンタ(Laser Printer)、スキャナ(Scanner)またはCD-P、CD-ROM、CD-RW、DVD-P、DVD-ROMなどのようなデータ貯蔵(Data Storage)及び光ピックアップ(Optical Pick-up)機器に応用されるものである。
【０００３】
こうしたレーザダイオード装置は缶タイプ、樹脂モールドタイプ、リードフレームタイプに区分されるが、前記缶タイプレーザダイオード装置(10)は図1(a)、(b)に示したように、レーザービームを出射するレーザーチップ(Laser Chip)(LC)が上部面に搭載されるサブマウント(11)、前記サブマウント(11)が装着される放熱体(13)が上部面に一定の高さで突出する円盤状のステム(Stem)(12)、前記ステム(12)の上部面に搭載されるフォトダイオード(Photo Diode)(PD)、及び未図示のメイン基板(図示せず)に容易に電気的に組立てられるよう前記ステム(12)の下部に延長される複数個のリード部(14)から成る。
【０００４】
そして、前記リード部(14)はワイヤ部材(15)を介して前記レーザーチップ(LC)とフォトダイオード(PD)に夫々電気的に連結され、前記ステム(12)の上部には前記レーザーチップ(LC)とフォトダイオード(PD)を外部環境から保護するキャップ部材(16)を設け、前記キャップ部材(16)の上部面中央に形成された出射孔にはレーザービームが通過するガラス部材(17)を装着する。
【０００５】
図2は樹脂モールドタイプレーザダイオード装置を示した斜視図として、図示のように前記レーザダイオード装置(20)は、レーザービームを出射するレーザーチップ(LC)を搭載するサブマウント(21)を有し、前記サブマウント(21)は中央リードフレーム(24a)の上部端に比較的広く形成された安着部(24c)に搭載され、前記中央リードフレーム(24a)の左右両側に補助リードフレーム(24b)が夫々配置され、前記レーザーチップ(LC)はワイヤ部材(25)を介して前記補助リードフレーム(24b)と電気的に連結される一方、前記中央、補助リードフレーム(24a)(24b)の上端の安着部周囲は透明エポキシ樹脂などの樹脂包装材(22)により前記キャップ部材(16)がステム(12)上に載った形になるようモールド成形される。
【０００６】
図3はリードフレームタイプのレーザーダイオード装置を示した斜視図として、図示のようにレーザーダイオード装置(30)は、レーザービームを出射するレーザーチップ(LC)が上部面に載せられるフォトダイオード(PD)と、前記フォトダイオード(PD)が比較的広い表面積を有する安着部(34c)にエポキシのようなボンディング接着剤を介してエポキシボンディングされ搭載される中央リードフレーム(34a)と、その左右両側に設けられる補助リードフレーム(34b)とで成る一方、前記フォトダイオード(PD)を前面に露出させながら前記中央、補助フレーム(34a)(34b)を垂直に位置固定するガイドホルダー(32)から成る。
【０００７】
そして、前記フォトダイオード(PD)とレーザーチップ(LC)はワイヤ部材(35)を介して前記補助リードフレーム(34b)と電気的に夫々ワイヤボンディングされ、前記ガイドホルダー(32)はレーザービームが通過する出射孔(37a)を貫通形成したケース部剤(36)の内部孔(37)に配置される。
【０００８】
こうした従来のレーザーダイオード装置(10)(20)(30)は外部から電源を受けレーザーチップ(LC)においてレーザービームの生成時熱源を発生させ、発生された熱源は前記レーザーチップ(LC)の搭載されたサブマウント(11)(21)と一体型フォトダイオード(PD)に伝わり、伝達された熱源はステム(12)上に設けられた発熱体(13)を通して放熱されるか、中央リードフレーム(24a)(34a)を通して外部に放熱される。
【０００９】
しかし、前記レーザーチップ(LC)から発生した熱源を外部に放熱するための放熱面積が大きくないので、前記缶タイプレーザーダイオード装置(10)の場合、発熱源のレーザーチップ(LC)が搭載された放熱体(13)及びステム(12)の温度を上昇させて熱的変形を招いたり、前記樹脂モールドタイプ及びリードフレームタイプレーザーダイオード装置(20)(30)の場合、中央フレーム(24a)(34b)と直に接触する樹脂包装材(22)及びガイドホルダー(32)の温度を上昇させてこれらの熱的変形を引き起こす。
【００１０】
また、前記缶タイプレーザーダイオード装置(10)はレーザービームを正確に出射できるが構成部品数が多く、その組立構造が複雑で製造原価が高く、組立てる作業時間がかかり過ぎて作業生産性を低下させる。
【００１１】
それに比して、前記樹脂モールド型レーザーダイオード(20)は前記缶タイプ、リードフレームタイプのダイオード(10)(30)に比して構造が単純で製造原価が低いが、単位面積当たり光密度が低く、熱的変形が容易な樹脂包装材(22)のため発光素子の発光点の位置が変動する。
【００１２】
さらに、前記缶タイプ、リードフレームタイプレーザダイオード装置(10)(30)はステム(12)とガイドホルダー(32)をキャップ部材(16)とケース部材(36)に組立てるための取り扱い時作業者の指が精密部品であるレーザーチップ(LC)などの発光素子に直に接触しこれらを汚染させてしまう問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明は前記のような従来の問題点を解消させるべく案出されたもので、その目的は組立て構造をより単純化させて製造原価を減らし、作業生産性を向上させ、放熱表面積を増大させて放熱特性を向上できるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は組立てラインにおける部品取り扱い時作業者の指が発光素子に直に接触するのを防止できるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記のような目的を成し遂げるための技術的な構成として、本発明は、
リードフレームタイプ半導体レーザーダイオード装置において、
レーザービームを出射する発光素子；
前記発光素子が上部領域に設けられ、レーザービームの生成時発生する熱を放熱するフレーム部；
前記レーザービームが通過する出射孔と連通する内部孔内に前記フレーム部が装着されるケース部；
前記発光素子と電気的に連結されるパターン電極が上部面に複数個形成され前記フレーム部の下部領域に設けられるPCB、を含むことを特徴とするPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を具備する。
【００１６】
好ましくは、前記発光素子は、前記フレーム部の上部領域にダイボンディングされるフォトダイオードと、前記フォトダイオードの上部面にダイボンディングされるレーザーチップとで成る。
【００１７】
好ましくは、前記フレーム部は熱伝導性の優れた金属板から成る。
好ましくは、前記フレーム部は左右両側に翼部が形成され、前記ケース部の内部孔に装着されるよう構成される。
【００１８】
より好ましくは、前記翼部は、前記ケース部の内部孔の内周面において軸方向に形成された差込溝に沿って挿入固定されるよう前記フレーム部の左右両側縁から幅方向に延長される差込翼片から成る。
より好ましくは、前記差込溝は上部端に円周方向に延長される係止溝が形成される。
より好ましくは、前記翼部は前記ケース部の内部孔の内周面に弾力的に密着する円弧翼から成る。
より好ましくは、前記円弧翼は前記フレームの前面または後面に対して垂直に位置するよう折曲形成される。
好ましくは、前記フレーム部の上部領域の左右両側縁には前記発光素子を囲繞し保護するよう円弧形の保護翼を形成する。
より好ましくは、前記保護翼の端部は前記発光素子の最上部面の高さより高く形成する。
【００１９】
好ましくは、前記PCBのパターン電極は前記発光素子とワイヤ部材を介してワイヤボンディング連結される。
より好ましくは、前記パターン電極は前記発光素子に最も近接するPCB上部面縁まで延長される位置にワイヤ部材の一端が連結される上部端子が形成される。
好ましくは、前記PCBは前記パターン電極が前面に形成される断面PCBである。
【発明の効果】
【００２０】
上述したような本発明によると、出射孔が貫通形成されたケース部の内部孔内に発光素子とこれに電気的に連結されるPCBを前面に装着したフレーム部を装着することにより組立てラインでの組立て構造をより単純化できるため完製品の製造原価を節減させ、作業の生産性を向上することができる。
【００２１】
また、出射孔を通したレーザービームの出射時発光素子から発生する高温の熱源を放熱表面積の広いフレーム部から外部に放熱することにより完製品の発熱特性を向上できるため製品の信頼性を高めることができる。
【００２２】
そして、フレーム部の左右両側に形成された保護翼により精密部品である発光素子とワイヤ部材を囲繞し保護することにより組立てラインの組立時発光素子、ワイヤ部材が作業者の指に接触することをできる限り防止できる為、部品に汚染源が付いて誤作動したり部品が損傷するのを予防できる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係り添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
図4は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を示した分解図で、図5は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置に用いられる発光素子、フレーム部及びPCBの組立図で、図6は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を示した詳細図で、図7は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を示した縦断面図である。
【００２４】
本発明のレーザーダイオード装置(100)は図4ないし7に示したように、発光素子(110)を有するフレーム部(120)をケース部(130)に挿入する単純作業から組立作業を簡便に行えるもので、こうした装置(100)は発光素子(110)、フレーム部(120)、ケース部(130)、及びPCB(140)から成る。
【００２５】
即ち、電源が印加されるとレーザービームを発生させこれを外部に出射する発光素子(110)は、レーザーチップ(111)とフォトダイオード(112)を前記フレーム部(120)の前面にダイボンディング(die bonding)できるよう一体型ダイチップ(die chip)から成る。
【００２６】
前記レーザーチップ(111)は、活性層とこれを覆うクラッド層から成るGaAlAs系、高密度光ディスクの赤色半導体レーザー素子に用いられるAlGainP系とAlGainPAs系、電子装置に用いられるGaN系などの材料を用いて成り、前方に主出射面が位置するよう裏面電極が前記フォトダイオード(112)の表面電極上にボンディング層(113)を介して接着される。
【００２７】
この際、前記ボンディング層(113)はエポキシダイボンディング作業のために金(Au)または銀(Ag)素材にしたり錫(Sn)素材のボンディング接着剤で成してもよい。
【００２８】
また、前記レーザーチップ(111)が上部表面にボンディング接着された一体型フォトダイオード(112)はP-I-N構造から成るシリコン系結晶に表面、裏面電極が形成され、前記表面電極はP型拡散領域から成る受光部とオミック(Ohmic)接触して形成される。
【００２９】
ここで、前記フォトダイオード(112)の表面電極には前記レーザーチップ(111)がボンディング層(113)を介してボンディング接着され、裏面電極は前記フレーム部(120)を構成する中央リードフレーム(121)の上部前面にAu-SnまたはSn素材のボンディング層(114)を介して共晶ダイボンディング(eutetic die bonding)方式によりボンディング接着される。
【００３０】
また、前記フレーム部(120)は、前記発光素子(110)がボンディング接着される中央リードフレーム(121)と、その左右両側に配置される補助リードフレーム(122)とで成り、前記発光素子(110)が装着される中央リードフレーム(121)はこれに装着された発光素子(110)においてレーザービーム生成時発生する熱を外部に放熱できるよう放熱部(123)が一体に設けられる。
【００３１】
そして、前記ケース部(130)は、前記発光素子(110)から発生したレーザービームが通過する出射孔(132)と連通する内部孔(131)が胴体中央に貫通され、前記内部孔(131)内にフレーム部(120)が装着され、前記フレーム部(120)に設けられる発光素子(110)を外部環境から保護する。
【００３２】
こうしたフレーム部(120)は熱伝導性、切断及びベンディング加工性の良い銅、鉄またはこれらの合金を素材とした四角板状の金属素材から成り、前記ケース部(130)は前記内部孔(131)と出射孔(132)を胴体中央に形成するよう射出成形される樹脂物である。
【００３３】
これに応じて、前記発光素子(110)の作動時発生するレーザービームによる高温の熱は前記フレーム部(120)の全面積に伝わり万遍なく放熱され、前記フレーム部(120)を自由に機械加工することができる。
【００３４】
そして、前記フレーム部(120)の左右両側には前記ケース部(130)の内部孔(131)内に前記フレーム部(120)を装着できるよう左右対称構造の翼部(121)が形成される。
【００３５】
ここで、前記翼部(121)は前記フレーム部(120)の左右両側縁から幅方向に延長された差込翼片(121a)から成り、前記差込翼片(121a)は前記ケース部(130)の内部孔(131)の内周面においてレーザービームの出射方向(X)に一定の深さで形成された差込溝(134)に沿って挿入固定される。
【００３６】
これに応じて、左右一対の差込翼片(121)を有するフレーム部(120)は、前記ケース部(130)の内部孔(131)に形成された差込溝(134)に合わせて前記差込翼片(121a)を位置させた状態で、前記フレーム部(120)をレーザービームの出射方向(X)に挿入し嵌める方式でケース部(130)に組み立てられる。
【００３７】
図8は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置の他の実施例を示した分解図で、図9は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置の他の実施例を示した詳細図で、図10は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置の他の実施例に用いられる発光素子、フレーム部、及びPCBの組立図である。
【００３８】
また、前記フレーム部(120)の左右両側に形成される翼部(121)は図8ないし10に示したように、前記ケース部(130)の内部孔(131)の内周面に弾力的に密着するよう円弧翼(121b)から成ることもできる。
【００３９】
ここで、前記円弧翼(121b)により描かれる仮想円の外径は、前記ケース部(130)の内部孔(131)内に挿入された円弧翼(121)が内周面に圧接するよう内部孔(131)の内径と同じかやや大きく形成することが好ましい。
【００４０】
そして、前記内部孔(131)の内周面に密着される円弧翼(121b)は図12(a)、(b)に示したように、前記フレーム部(120)の前面または後面に対して垂直に位置するよう折曲形成されてもよい。
【００４１】
一方、前記発光素子(110)がダイボンディングされるフレーム部(120)の上部領域(120a)の左右両側縁には、図4ないし6に示したように、前記発光素子(110)を囲繞し保護すべく円弧形にベンディング加工される保護翼(123)を設け、前記発光素子(110)がボンディングされる上部領域(120a)の表面は平面状に形成される。
【００４２】
前記保護翼(123)の端部は組立てラインにおいてケース部(130)とフレーム部(120)の組立時作業者の指が精密部品である発光素子(110)に接触するのを最大限防止できるよう前記発光素子(110)の最上部面の高さより高く形成されることが好ましい。
【００４３】
また、前記PCB(140)は、前記発光素子(110)と同一な水平面上に配置されるよう前記フレーム部(120)の下部領域(120b)にエポキシのような接着剤を用いてエポキシボンディングされ、上部面には前記発光素子(110)と電気的に連結されるパターン電極(141)が複数個印刷される。
【００４４】
そして、前記複数個のパターン電極(141)は金(Au)、銀(Ag)のような金属素材から成るワイヤ部材(142)を介して前記発光素子(110)と電気的に連結されるようワイヤボンディングされる。
【００４５】
ここで、前記パターン電極(141)は、前記発光素子(110)とパターン電極(141)との間を連結するワイヤ部材(142)が最少の長さで設けられるよう前記発光素子(110)に最も近接するPCB(140)の上部面縁まで延長される位置にワイヤ部材(142)の一端が連結される上部端子(143)を形成する。
【００４６】
こうした前記PCB(140)は、パターン電極(141)が前面に形成された断面PCBから成り、前記フレーム部(120)の下部領域(120b)の幅より小幅に設けられることが好ましい。
【００４７】
前記した構成を有する本発明の作用について説明する。
先ず、レーザービームを照射する発光素子(110)を製造する工程は図13(a)、(b)、(c)に示したように、ウェーハ(wafer)形状の基板(200)の一側面にAu-Sn素材またはSn素材のボンディング層(114)を形成した後、その上部面をマトリックス状に分割区画する。
【００４８】
そして、マトリックス状に分割区画された基板(200)の各分割区域毎にSn素材のボンディング層(113)を介してレーザーチップ(111)がダイボンディング方式で夫々装着され、前記レーザーチップ(111)の装着された基板(200)は長さ方向に切断され多数個のバー形態に切断される。
【００４９】
前記バー形態に切断された基板(200a)は幅方向にスクライブ(scribe)することによりバー形状の基板(200a)をレーザーチップ(111)とフォトダイオード(112)が一体型で接合されたチップ形状に切断して発光素子(110)を成す。
【００５０】
続いて、前記発光素子(110)はフォトダイオード(112)を下部部品としてフレーム部(120)の上部領域(120a)に載せておき、3?内外の厚さで金または銀メッキされたメッキ層が形成されたフレーム部(120)と前記発光素子(110)との接合部位に300℃の熱源を与えることにより、前記フレーム部(120)のメッキ層と前記フォトダイオード(112)のボンディング層(114)とを相互融着させる共晶ダイボンディング(eutectic die bonding)方式で前記フレーム部(120)の上部領域(120a)に発光素子(110)を設ける。
【００５１】
前記フレーム部(120)の下部領域(120b)にはエポキシのような接着剤をドッティング(dotting)方式で塗布した後、前面にパターン電極(141)が複数個形成されたPCB(140)の裏面を接着して装着する。
【００５２】
そして、前記フレーム部(120)の上、下部領域(120a)(120b)に夫々装着された発光素子(110)とPCB(140)は、前記発光素子(110)に一端が連結されるワイヤ部材(142)の他端を前記PCB(140)の上部縁近傍まで延長された上部端子(143)にボンディング連結することにより、前記パターン電極(141)、ワイヤ部材(142)を通して前記発光素子(110)側にレーザービームを発生させる電源を供給することができる。
【００５３】
一方、発光素子(110)とPCB(140)が装着され、これらをワイヤボンディング連結したフレーム部(120)とケース部(130)とを相互組立てる作業は、図4と図11(a)(b)に示したように、前記フレーム部(120)の左右両側縁に形成された翼部(121)が幅方向に延長された差込翼片(121a)に形成された場合、前記ケース部(130)の内部孔(131)の内周面に形成された差込溝(134)に前記差込翼片(121a)の端部を夫々対応させる。
【００５４】
続いて、前記フレーム部(120)を内部孔(131)の中心軸である出射方向(X)に前記差込溝(134)に沿って挿入すると、前記差込翼片(121a)の端部が差込溝(134)の上部端にかかって停止され、この際、前記内部孔(131)内のフレーム部(120)を一側に回転させると、前記差込溝(134)の上部端から直角方向の円周方向に延長された係止溝(134a)に前記差込翼片(121a)の端部が嵌まって係止するので、前記ケース部(130)の内部からフレーム部(120)が下部に離脱するのを防止することができる。
【００５５】
また、前記フレーム部(120)の左右両側縁に形成された翼部(121)が前記フレーム部(120)の前面または後面に直角を成すよう折曲形成される円弧翼(121b)から成る場合、図8と12(a)(b)に示したように、前記ケース部(130)の内部孔(131)の下部端に前記円弧翼(121b)を有するフレーム部(120)の上部を対応させる。
【００５６】
こうした状態で、前記フレーム部(120)を内部孔(131)の中心軸である出射方向(X)に挿入すると、前記円弧翼(121b)が内部孔(131)に沿って挿入されながらその外側縁が内周面に弾力的に圧接されるので、前記ケース部(130)の内部孔(131)内にフレーム部(120)を下部離脱の恐れ無しでしっかり固定することができる。
【００５７】
ここで、前記円弧翼(121b)の折曲方向がフレーム部(120)の前面に左右一対で構成されたり、前記フレーム部(120)の前後面に夫々一つずつ相互逆に構成されたり、前記フレーム部(120)の後面に左右一対で構成されても前記円弧翼の外側縁が内周面に圧接される面積が等しい為、相互等しい固定力が得られる。 
【００５８】
本発明は特定の実施例に係り図示、説明したが、添付の請求範囲により具備される本発明の精神や分野を外れない限度内において本発明が多様に改造及び変化され得ることを当業界において通常の知識を有する者は容易に想到できることを明かしておく。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】(a)、(b)は一般の缶タイプ半導体レーザーダイオード装置を示した斜視図と分解図である。
【図２】一般の樹脂モールドタイプ半導体レーザーダイオード装置を示した斜視図である。
【図３】(a)、(b)は一般のリードフレームタイプ半導体レーザーダイオード装置を示した斜視図と部分詳細図である。
【図４】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を示した分解図である。
【図５】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置に用いられる発光素子、フレーム部及びPCBの組立図である。
【図６】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を示した詳細図である。
【図７】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置を示した縦断面図である。
【図８】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置の他の実施例を示した分解図である。
【図９】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置の他の実施例を示した詳細図である。
【図１０】本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置の他の実施例に用いられる発光素子、フレーム部及びPCBの組立図である。
【図１１】(a)、(b)は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置のケース部にフレーム部を組立てる作業状態図である。
【図１２】(a)、(b)は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置に用いられるフレーム部の他の実施例を示した断面図である。
【図１３】(a)、(b)、(c)は本発明によるPCBタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置に用いられる発光素子を製造する工程図である。
【符号の説明】
【００６０】
110  発光素子
111  レーザーチップ
112  フォトダイオード
120  フレーム部
120a、120b  上、下部領域
121  翼部
121a  差込翼片
121b  円弧翼
123  保護翼
130  ケース部
131  内部孔
132  出射孔
134  差込溝
134a  係止溝
140  PCB
141  パターン電極
142  ワイヤ部材
143  上部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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