(57)【要約】【課題】少量多品種の半導体装置の製造コストを低減し、異なる品種の半導体装置の製造に適したフォトマスクおよび当該フォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】２つの第１チップ領域１は、間にインナーダイシング領域５を挟んで並列に配設され、３つの第２チップ領域２は、それぞれの間にインナーダイシング領域５を挟んで並列に配設されている。そして、第１チップ領域１の配列、第２チップ領域２の配列および第３チップ領域３のそれぞれの外周にはアウターダイシング領域６が設けられている。２つの第１チップ領域１、インナーダイシング領域５およびアウターダイシング領域６でショット領域１１を構成し、３つの第２チップ領域２、インナーダイシング領域５およびアウターダイシング領域６でショット領域１２を構成し、第３チップ領域３およびアウターダイシング領域６でショット領域１３を構成する。【選択図】図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体チップの回路パターンを投影露光するためのフォトマスクであって、
マスク基板と、
前記マスク基板の主面上に配設され、１回の露光で、前記半導体基板上に投影される単位領域であるショット領域を複数種類備え、
前記複数種類のショット領域は、
前記半導体チップを形成するためのチップ領域を複数有した複数チップ型ショット領域を含む、フォトマスク。
【請求項２】
前記複数チップ型ショット領域、
前記複数のチップ領域、
前記複数のチップ領域間に配設された、少なくとも１つのインナーダイシング領域および、
前記複数のチップ領域および前記少なくとも１つのインナーダイシング領域が配設された領域を囲むように配設されたアウターダイシング領域を備える、請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記少なくとも１つのインナーダイシング領域の幅は、前記アウターダイシング領域の幅の２倍に設定される、請求項２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記複数チップ型ショット領域は、
前記複数のチップ領域、
前記複数のチップ領域間に配設された、少なくとも１つのインナーダイシング領域および、
前記複数のチップ領域および前記少なくとも１つのインナーダイシング領域が配設された領域の外周に沿って、隙間をあけて非連続的に配設された複数の分割型アウターダイシング領域を備える、請求項１記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記少なくとも１つのインナーダイシング領域の幅は、前記分割型アウターダイシング領域の幅と同じに設定される、請求項４記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記複数のチップ領域および前記少なくとも１つのインナーダイシング領域が配設された領域は矩形状をなし、
前記領域の左辺と右辺とで、前記複数の分割型アウターダイシング領域の配設パターンが相補的な関係をなすとともに、前記領域の上辺と下辺とで、前記複数の分割型アウターダイシング領域の配設パターンが相補的な関係をなす、請求項４記載のフォトマスク。
【請求項７】
前記複数チップ型ショット領域は、
複数の第１チップ領域、
複数の第２チップ領域、
前記複数の第１チップ領域間、前記複数の第２チップ領域間および前記複数の第１チップ領域の配列と、前記複数の第２チップ領域の配列との間に連続的に配設されたインナーダイシング領域、
前記複数の第１チップ領域、前記複数の第２チップ領域および前記インナーダイシング領域が配設された領域を囲むように配設されたアウターダイシング領域を備え、
前記複数の第２チップ領域のそれぞれは、ダミーパターンを形成するダミー領域を含み、
前記第２チップ領域は、前記ダミー領域を含むことで、前記第１チップ領域と同じ形状になるように設定される、請求項１記載のフォトマスク。
【請求項８】
前記インナーダイシング領域の幅は、前記アウターダイシング領域の幅の２倍に設定される、請求項７記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記複数チップ型ショット領域は、
複数の第１チップ領域、
複数の第２チップ領域、
前記複数の第１チップ領域間、前記複数の第２チップ領域間および前記複数の第１チップ領域の配列と、前記複数の第２チップ領域の配列との間に連続的に配設されたインナーダイシング領域、
前記複数の第１チップ領域、前記複数の第２チップ領域および前記インナーダイシング領域が配設された領域の外周に沿って、隙間をあけて非連続的に配設された複数の分割型アウターダイシング領域を備え、
前記複数の第２チップ領域のそれぞれは、ダミーパターンを形成するダミー領域を含み、
前記第２チップ領域は、前記ダミー領域を含むことで、前記第１チップ領域と同じ形状になるように設定される、請求項１記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記インナーダイシング領域の幅は、前記分割型アウターダイシング領域の幅と同じに設定される、請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記複数の第１チップ領域、前記複数の第２チップ領域および前記インナーダイシング領域が配設された領域は矩形状をなし、
前記領域の左辺と右辺とで、前記複数の分割型アウターダイシング領域の配設パターンが相補的な関係をなすとともに、前記領域の上辺と下辺とで、前記複数の分割型アウターダイシング領域の配設パターンが相補的な関係をなす、請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１２】
前記複数種類のショット領域は、
前記半導体チップを形成するためのチップ領域を単数または複数有した領域を囲むように配設されたアウターダイシング領域を備えた、２重ダイシング型ショット領域をさらに備える、請求項４または請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１３】
前記複数の分割型アウターダイシング領域は、
前記領域の各辺において、少なくとも２つ以上配設される、請求項６または請求項１１記載のフォトマスク。
【請求項１４】
前記複数チップ型ショット領域は、
前記複数のチップ領域、
前記複数のチップ領域間に配設された、少なくとも１つのインナーダイシング領域および、
前記複数のチップ領域および前記少なくとも１つのインナーダイシング領域が配設された平面視形状が矩形状の領域の一方の長辺および短辺に接するように配設されたＬ字型アウターダイシング領域を備える、請求項１記載のフォトマスク。
【請求項１５】
前記複数チップ型ショット領域は、
複数の第１チップ領域、
複数の第２チップ領域、
前記複数の第１チップ領域間、前記第２チップ領域間および前記複数の第１チップ領域の配列と、前記複数の第２チップ領域の配列との間に連続的に配設されたインナーダイシング領域、
前記複数の第１チップ領域、前記複数の第２チップ領域および前記インナーダイシング領域が配設された平面視形状が矩形状の領域の一方の長辺および短辺に接するように配設されたＬ字型アウターダイシング領域を備え、
前記複数の第２チップ領域のそれぞれは、ダミーパターンを形成するダミー領域を含み、
前記第２チップ領域は、前記ダミー領域を含むことで、前記第１チップ領域１と同じ形状になるように設定される、請求項１記載のフォトマスク。
【請求項１６】
前記インナーダイシング領域の幅は、前記Ｌ字型アウターダイシング領域の幅と同じに設定される、請求項１４または請求項１５記載のフォトマスク。
【請求項１７】
マスク基板と、前記マスク基板の主面上に配設され、１回の露光で、半導体基板上に投影される単位領域であるショット領域を複数種類備え、前記複数種類のショット領域が、前記半導体チップを形成するためのチップ領域を複数有した複数チップ型ショット領域を含むフォトマスクを用いて、前記半導体基板上に半導体チップの回路パターンを投影露光する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造に使用するフォトマスクに関し、特に少量多品種の半導体装置の製造に適したフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（チップまたは半導体チップと呼称する場合もあり）の製造においては各種パターンの形成のために、フォトマスクに設けた所定のパターンを半導体基板上に投影露光する露光技術を用いる。このような投影露光を行う装置としては、一般的にステッパと呼称される投影露光装置を使用する。ステッパは、フォトマスク上のパターンを半導体基板上に縮小投影し、繰り返し露光により半導体基板全面に当該パターンを焼き付ける作業を行う。このようなフォトマスクはレチクルと呼称される。
【０００３】
通常、１種類の半導体装置の製造においては、複数のパターンの投影露光が必要であり、各パターンの投影露光に際してそれぞれ異なるフォトマスクを準備する必要がある。
【０００４】
従来は、１種類の半導体装置について多量に生産する傾向があり、１つのフォトマスクについて同じパターンを複数箇所に分けて配置することで、同じ種類の半導体装置のパターンを一度に複数形成する手法を採用することが多かった。
【０００５】
例えば、特許文献１には同じチップ領域を複数有するフォトマスク（レチクル）の構成例が示されている。
【０００６】
上記のようなフォトマスクを用いても、半導体装置を大量に生産する場合は、フォトマスクの製造コストが高くても利益を受けることはできた。
【０００７】
しかし、近年の半導体装置のシステム化に伴い、半導体装置への要求が多様化し、１品種についての生産量は少ないが、多くの品種が要求されるという傾向が強くなってきた。
【０００８】
従って、１つのフォトマスクで、同じ品種の半導体装置のパターンを複数形成するという手法では過剰に生産されてしまうので無駄が多くなり、かと言って各品種ごとにマスクを準備すると、少量生産であるので半導体装置の単価あたりにマスクコストが占める割合が大きくなり、十分な利益を得ることができない。
【０００９】
そこで、１つのフォトマスクで異なるパターンを形成するようにすれば、フォトマスクの枚数を削減してコストを低減できるという発想に比較的容易に達することができる。
【００１０】
例えば、特許文献２には、最終的に製品となる製品チップと、製品の各種特性を測定するための評価パターンが配置された評価チップとを１つのフォトマスクで形成する構成が開示されている。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−３１２０４９号公報（図１、図３）
【特許文献２】特開２０００−７７３８０号公報（図１〜図１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述した特許文献２は、製品チップおよび評価チップのパターンを１つのフォトマスクで形成する技術を開示するものであり、１つのフォトマスクで、異なる品種の半導体装置のパターンを形成することを前提としていないので、特許文献２の開示だけでは少量多品種の半導体装置の製造に適したフォトマスクを得ることはできない。
【００１３】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、少量多品種の半導体装置の製造に際してコストを低減できるとともに、異なる品種の半導体装置のパターンの形成に適したフォトマスクを提供するとともに、当該フォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る請求項１記載のフォトマスクは、半導体基板上に半導体チップの回路パターンを投影露光するためのフォトマスクであって、マスク基板と、前記マスク基板の主面上に配設され、１回の露光で、前記半導体基板上に投影される単位領域であるショット領域を複数種類備え、前記複数種類のショット領域は、前記半導体チップを形成するためのチップ領域を複数有した複数チップ型ショット領域を含んでいる。
【００１５】
本発明に係る請求項１７記載の半導体装置の製造方法は、マスク基板と、前記マスク基板の主面上に配設され、１回の露光で、半導体基板上に投影される単位領域であるショット領域を複数種類備え、前記複数種類のショット領域が、前記半導体チップを形成するためのチップ領域を複数有した複数チップ型ショット領域を含むフォトマスクを用いて、前記半導体基板上に半導体チップの回路パターンを投影露光する半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る請求項１記載のフォトマスクによれば、ショット領域を複数種類備え、当該複数種類のショット領域は、半導体チップを形成するためのチップ領域を複数有した複数チップ型ショット領域を含んでいるので、露光対象を変えることで、同じフォトマスクを用いて、異なるチップを形成することができるので、半導体装置の形成に使用されるフォトマスクの製造コストを低減でき、少量多品種の半導体装置の製造に際して、半導体装置の単価あたりにマスクコストが占める割合を小さくして、利益を得ることができる。また、複数チップ型ショット領域にはチップ領域を複数有しているので、１回の露光で複数のチップに対してのパターニングが可能となり、製造コストの削減を図ることができる。
【００１７】
本発明に係る請求項１７記載の半導体装置の製造方法によれば、複数チップ型ショット領域にはチップ領域を複数有しているので、１回の露光で複数のチップに対してのパターニングが可能となり、製造コストの削減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ−１．平面構成＞
本発明に係るフォトマスクの実施の形態１として、図１にフォトマスク１００の平面構成を示す。
【００１９】
図１に示すようにフォトマスク１００は、それぞれ第１の種類のチップを形成するための露光パターンが配設された２つの第１チップ領域１と、それぞれ第２の種類のチップを形成するための露光パターンが配設された３つの第２チップ領域２と、第３の種類のチップを形成するため露光のパターンが配設された１つの第３チップ領域３とを有している。
【００２０】
ここで、２つの第１チップ領域１は、間にインナーダイシング領域５を挟んで並列に配設され、３つの第２チップ領域２は、それぞれの間にインナーダイシング領域５を挟んで並列に配設されている。なお、第１チップ領域１も第２チップ領域２も矩形状をなし、それぞれの長辺どうしが平行するように配列されている。
【００２１】
そして、第１チップ領域１の配列、第２チップ領域２の配列および第３チップ領域３のそれぞれの外周にはアウターダイシング領域６が設けられている。
【００２２】
なお、２つの第１チップ領域１、インナーダイシング領域５およびアウターダイシング領域６でショット領域１１を構成し、３つの第２チップ領域２、インナーダイシング領域５およびアウターダイシング領域６でショット領域１２を構成し、第３チップ領域３およびアウターダイシング領域６でショット領域１３を構成する。ここで、ショット領域１１および１２は複数チップ型ショット領域と呼称する場合もある。
【００２３】
なお、ショット領域１１〜１３以外の領域は露光に際しては光を遮断する遮光帯領域４となっている。フォトマスク１００のマスク基板はガラス基板であり、遮光帯領域４はクロム（Ｃｒ）などの金属膜をガラス基板上に配設して形成される。
【００２４】
一般的に隣り合うチップ間の遮光帯領域４の幅はマスク上で１．５ｍｍ程度に設定されるが、この幅は後述する露光装置のブラインドの位置精度との関係で決定され、ブラインドの位置精度が向上すれば遮光帯領域４の幅も縮小できる。
【００２５】
＜Ａ−１−１．インナーダイシング領域＞
インナーダイシング領域５は、ショット領域１１やショット領域１２のように複数のチップ領域を備えるショット領域において、チップ領域間に設けられる領域であり、ウエハプロセスの最終段階が終了し、各チップを分割する段階での切りしろとなる領域であり、ダイシングブレードによって削られる部分である。これは、アウターダイシング領域６も同じである。
【００２６】
一般的には、ダイシング領域には写真製版プロセスに際して使用される位置合わせマーク（アライメントマーク）や、重ね合わせ検査マーク、チップ性能評価用のＴＥＧ（test element group：評価用単体素子群）が設けられ、これらはインナーダイシング領域５にも配設される。なお、ＴＥＧには、ウエハプロセスにおける良否をパターン形状からチェックするための形状ＴＥＧや、ウエハプロセスにおける良否を電気的に特性からチェックするための電気ＴＥＧなどがある。
【００２７】
ここで、インナーダイシング領域５の幅ａは、アウターダイシング領域６の幅ｂの２倍に設定されている。これを２重ダイシングと呼称する。これは、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列した場合に、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じとなるようにして、ダイシング作業を容易にするためである。
【００２８】
＜Ａ−１−２．アウターダイシング領域＞
アウターダイシング領域６は、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列した場合に、互いに隣り合うショット領域におけるチップ間を分離するための切りしろとなる領域である。ここにも位置合わせマークや、重ね合わせ検査マーク、ＴＥＧが設けられる。
【００２９】
なお、アウターダイシング領域６は、隣り合うショット領域のアウターダイシング領域６と接するように配置されることで、見かけ上の幅が２倍になる。従って、アウターダイシング領域６のように連続したアウターダイシング領域を有するショット領域を、２重ダイシング型のショット領域と呼称する。
【００３０】
＜Ａ−２．使用方法＞
次に、図２および図３を用いてフォトマスク１００の使用方法について説明する。
【００３１】
図１に示すようにフォトマスク１００は、ショット領域１１〜１３を有しており、それぞれのショット領域におけるチップ領域には、異なるパターンが形成されている。従って、露光に際しては、所望のショット領域以外のパターンが投影露光されないように、所望のショット領域以外のショット領域には光が当たらないように影の領域を設定することになる。この設定された影の領域がブラインド領域である。
【００３２】
図２においては、ショット領域１１を用いて露光する場合のブラインド領域７の設定例を示しており、ショット領域１１とその近傍を除くフォトマスク１００上にブラインド領域７が設定されている。なお、端縁部がショット領域１１上を覆うことがないように、ブラインド領域７が設定されているが、ショット領域１１の周囲には遮光帯領域４が設けられているので、遮光帯領域４によって光が遮られ、結果的にはショット領域１１のみが露光されることになる。
【００３３】
このようなブラインド領域７が設定されたフォトマスク１００を用いて、半導体基板上に繰り返し露光を行うことで、図３に示すような複数のショット領域１１を半導体基板上に投影露光することができ、複数の半導体装置を製造することができる。
【００３４】
図３に示すように、ショット領域１１は互いに密接して配列され、先に説明したように、アウターダイシング領域６どうしが接することで見かけ上の幅が２倍になっている。
【００３５】
ここで、ブラインド領域７を設定するためのブラインドについて図４を用いて説明する。
【００３６】
図４に示すようにブラインドＢＭは、フォトマスクＰＭと光源ＬＳとを結ぶ光軸上に配設され、黒色に塗装された複数のブラインド板（例えば金属板）ＢＰを組み合わせることで光を遮り、フォトマスクＰＭ上に所望のブラインド領域を設定する装置である。
【００３７】
なお、図４には露光装置における光学系の一例を併せて示しており、光源ＬＳから出た光をフォトマスクＰＭを介してウエハＷＦ上に導くための反射ミラー１０１、１０２、１０３、１０４および１０５、各種レンズ１１１、１１２、１１３および１１４を示しているが、これらについては従来的なものであり周知であるので説明は省略する。
【００３８】
ここで、図２に示すブラインド領域７を設定するためのブラインド板ＢＰの組み合わせの一例について、図５を用いて説明する。
【００３９】
図５においては、ブラインドＢＭとフォトマスクＰＭとの位置関係を単純化して示しており、図中の矢示の方向から光が照射される。
【００４０】
図５に示すように４枚のブラインド板ＢＰを組み合わせることで、ショット領域１１だけが露光領域となるように開口部ＯＰを設定し、ブラインド領域７を得ることができる。
【００４１】
なお、以上の説明においてはショット領域１１だけを露光する例について示したが、ショット領域１２およびショット領域１３を使用する場合でも同様であり、ブラインド板ＢＰを組み合わせを変えることで、任意のショット領域を露光対象とすることができることは言うまでもない。
【００４２】
＜Ａ−３．効果＞
以上説明したように、フォトマスク１００においては、それぞれ異なるチップを形成するための露光パターンが形成された複数のショット領域を有するので、所望のショット領域以外の領域をブラインド領域とすることで、所望のショット領域のみを露光対象とすることができ、当該ショット領域を用いて半導体基板上にチップを形成することができる。従って、ブラインド領域の設定を変えることで、同じフォトマスク１００を用いて、異なるチップを形成することができるので、半導体装置の形成に使用されるフォトマスクの製造コストを低減でき、少量多品種の半導体装置の製造に際して、半導体装置の単価あたりにマスクコストが占める割合を小さくして、利益を得ることができる。
【００４３】
また、ショット領域１１およびショット領域１２のように、１つのショット領域に複数のチップ領域を備えるように構成することで、１回の露光で複数のチップに対してのパターニングが可能となり、製造コストの削減を図ることができる。
【００４４】
＜Ｂ．実施の形態２＞
＜Ｂ−１．平面構成＞
本発明に係るフォトマスクの実施の形態２として、図６にフォトマスク２００の平面構成を示す。なお、図１に示したフォトマスク１００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
図６に示すようにフォトマスク２００においては、２つの第１チップ領域１は、間にインナーダイシング領域５Ａを挟んで並列に配設され、３つの第２チップ領域２は、それぞれの間にインナーダイシング領域５Ａを挟んで並列に配設されている。なお、第１チップ領域１も第２チップ領域２も矩形状をなし、それぞれの長辺どうしが平行するように配列されている。
【００４６】
そして、第１チップ領域１の配列、第２チップ領域２の配列および第３チップ領域３のそれぞれの外周には、それぞれの外周に沿って、隙間をあけて非連続的に配設された複数の分割型アウターダイシング領域６Ａが設けられている。
【００４７】
なお、２つの第１チップ領域１、インナーダイシング領域５Ａおよび複数の分割型アウターダイシング領域６Ａでショット領域１１Ａを構成し、３つの第２チップ領域２、インナーダイシング領域５Ａおよび複数の分割型アウターダイシング領域６Ａでショット領域１２を構成し、第３チップ領域３および分割型アウターダイシング領域６Ａでショット領域１３Ａを構成する。ここで、ショット領域１１Ａおよび１２Ａは複数チップ型ショット領域と呼称する場合もある。
【００４８】
なお、ショット領域１１Ａ〜１３Ａ以外の領域は露光に際しては光を遮断する遮光帯領域４となっている。
【００４９】
＜Ｂ−１−１．インナーダイシング領域＞
インナーダイシング領域５Ａは、ショット領域１１Ａやショット領域１２Ａのように複数のチップ領域を備えるショット領域において、チップ領域間に設けられる領域であり、ウエハプロセスの最終段階が終了し、各チップを分割する段階での切りしろとなる領域である。これは、分割型アウターダイシング領域６Ａも同じである。
【００５０】
インナーダイシング領域５Ａには、位置合わせマークや、重ね合わせ検査マーク、チップ性能評価用のＴＥＧが設けられる。
【００５１】
ここで、インナーダイシング領域５Ａの幅ａは、分割型アウターダイシング領域６Ａの幅ｂと同じに設定されている。これは、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列し、分割型アウターダイシング領域６Ａを嵌め合わせるように配設した場合に、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じとなるようにするためである。
【００５２】
＜Ｂ−１−２．分割型アウターダイシング領域＞
ショット領域１１Ａを例に採れば、分割型アウターダイシング領域６Ａは、第１チップ領域１の配列（間にインナーダイシング領域５Ａを含む）の外周に接するように設けられているが、第１チップ領域１の配列の左右の辺および上下の辺において、それぞれ分割型アウターダイシング領域６Ａが相補的な配設パターンとなるように設定されている。
【００５３】
すなわち、第１チップ領域１の配列の左右の辺を例に採れば、左辺において隙間となっている領域は、右辺においては分割型アウターダイシング領域６Ａが配設されており、左辺において分割型アウターダイシング領域６Ａが配設されている領域は、右辺においては隙間となっている。従って、２つのショット領域１１Ａを、互いの長辺が平行するように並べる場合、一方のショット領域１１Ａの右辺の隙間と、他方のショット領域１１Ａの左辺の分割型アウターダイシング領域６Ａとが嵌合するように配設することができ、その結果、２つのショット領域１１Ａの間には、連続したダイシング領域が形成されることになる。
【００５４】
これは、第１チップ領域１の配列の上下の辺についても同様であり、２つのショット領域１１Ａを、互いの短辺が平行するように並べる場合、一方のショット領域１１Ａの上辺の隙間と、他方のショット領域１１Ａの下辺の分割型アウターダイシング領域６Ａとが嵌合するように配設することができ、その結果、２つのショット領域１１Ａの間には、連続したダイシング領域が形成されることになる。
【００５５】
なお、第１チップ領域１の配列の上下および左右の辺においては、何れも２つずつの分割型アウターダイシング領域６Ａが配設されているが、上下の辺に配設された分割型アウターダイシング領域６Ａのうち、それぞれの辺における１つは、その一部が第１チップ領域１に接しておらず、分割型アウターダイシング領域６Ａの幅と同じ寸法だけ長辺から遠ざかる方向に突出するように配設されている。これは、１つのショット領域１１Ａの周囲を４つのショット領域１１Ａで囲んだ場合に、上記１つのショット領域１１Ａの周囲に連続したダイシング領域が形成されるようにするためである。
【００５６】
以上の説明はショット領域１１Ａについての説明であったが、分割型アウターダイシング領域６Ａの配設規則はショット領域１２Ａおよびにショット領域１３Ａについても同じである。
【００５７】
ここで、分割型アウターダイシング領域６Ａのように分割されたアウターダイシング領域を有するショット領域を、分割ダイシング型ショット領域と呼称する。
【００５８】
なお、分割型アウターダイシング領域６Ａにも、位置合わせマークや、重ね合わせ検査マーク、チップ性能評価用のＴＥＧが設けられる。図６においては、各分割型アウターダイシング領域６Ａに、それぞれ位置合わせマークを設けた例を示している。
【００５９】
位置合わせマークは、矩形状をなし、その長さは１００〜２００μｍである。そして、位置合わせマークは、その長辺の延在する方向によって位置合わせの方向が異なる。
【００６０】
すなわち、ショット領域１１Ａを例に採れば、ショット領域１１Ａの上下の辺に平行な方向をＸ方向、左右の辺に平行な方向をＹ方向とすれば、Ｘ方向に延在する位置合わせマークＡＭＸ１、ＡＭＸ２、ＡＭＸ３およびＡＭＸ４はＸ方向の位置合わせ用マークであり、Ｙ方向に延在する位置合わせマークＡＭＹ１、ＡＭＹ２、ＡＭＹ３およびＡＭＹ４はＹ方向の位置合わせ用マークである。
【００６１】
さらに説明すれば、ショット領域１１Ａの４隅におけるＸ方向の位置合わせ用マークとＹ方向の位置合わせ用マーク１つずつで、１組のマークセットを構成しする。
【００６２】
例えば、図６においては、位置合わせマークＡＭＸ１とＡＭＹ１、位置合わせマークＡＭＸ２とＡＭＹ２、位置合わせマークＡＭＸ３とＡＭＹ３、位置合わせマークＡＭＸ４とＡＭＹ４はそれぞれ組をなしている。
【００６３】
このように、合計４組のマークセットにより４点（４隅）での重ね合わせが可能となり、例えば、０．３５μｍルールに対応できるような高精度の位置合わせを行うことができる。
【００６４】
＜Ｂ−２．使用方法＞
次に、図７および図８を用いてフォトマスク２００の使用方法について説明する。
【００６５】
図６に示すようにフォトマスク２００は、ショット領域１１Ａ〜１３Ａを有しており、それぞれのショット領域におけるチップ領域には、異なるパターンが形成されている。従って、露光に際しては、所望のショット領域以外のパターンが投影露光されないように、所望のショット領域以外のショット領域にはブラインド領域を設定することになる。
【００６６】
図７においては、ショット領域１１Ａを用いて露光する場合のブラインド領域７の設定例を示しており、ショット領域１１Ａとその近傍を除くフォトマスク２００上にブラインド領域７が設定されている。なお、端縁部がショット領域１１Ａ上を覆うことがないように、ブラインド領域７が設定されているが、ショット領域１１Ａの周囲には遮光帯領域４が設けられているので、遮光帯領域４によって光が遮られ、結果的にはショット領域１１Ａのみが露光されることになる。
【００６７】
このようなブラインド領域７が設定されたフォトマスク２００を用いて、半導体基板上に繰り返し露光を行うことで、図８に示すような複数のショット領域１１Ａを半導体基板上に投影露光することができ、複数の半導体装置を製造できる。
【００６８】
図８に示すように、ショット領域１１Ａは互いに密接して配列されるが、先に説明したように、上下および左右において隣り合うショット領域１１Ａ間では、一方のショット領域１１Ａの隙間と、他方のショット領域１１Ａの分割型アウターダイシング領域６Ａとが嵌合することで、幅ｂの連続したダイシング領域が形成されている。
【００６９】
なお、インナーダイシング領域５Ａの幅ａは、分割型アウターダイシング領域６Ａの幅ｂと同じに設定されているので、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じになっている。
【００７０】
＜Ｂ−３．効果＞
以上説明したように、フォトマスク２００においては、それぞれ異なるチップを形成するための露光パターンが形成された複数のショット領域を有するので、所望のショット領域以外の領域をブラインド領域とすることで、所望のショット領域のみを露光対象とすることができ、当該ショット領域を用いて半導体基板上にチップを形成することができる。従って、ブラインド領域の設定を変えることで、同じフォトマスク２００を用いて、異なるチップを形成することができるので、半導体装置の形成に使用されるフォトマスクの製造コストを低減でき、少量多品種の半導体装置の製造に際して、半導体装置の単価あたりにマスクコストが占める割合を小さくして、利益を得ることができる。
【００７１】
また、ショット領域１１Ａおよびショット領域１２Ａのように、１つのショット領域に複数のチップ領域を備えるように構成することで、１回の露光で複数のチップに対してのパターニングが可能となり、製造コストの削減を図ることができる。
【００７２】
また、ショット領域１１Ａ、ショット領域１２Ａおよびショット領域１３Ａは分割型アウターダイシング領域６Ａを有しているので、半導体基板上に繰り返し露光を行うことで、上下および左右において隣り合うショット領域間では、一方のショット領域の隙間と、他方のショット領域の分割型アウターダイシング領域６Ａとが嵌合することで、連続したダイシング領域を形成することができる。
【００７３】
そして、当該ダイシング領域の幅は、２重ダイシングの場合の半分となるので、２重ダイシングを使用する場合に比べて、半導体基板上に形成できるチップの個数を増やすことができる。
【００７４】
＜Ｃ．実施の形態３＞
＜Ｃ−１．平面構成＞
以上説明した実施の形態１および２においては、それぞれ、２重ダイシングおよび分割ダイシングを有するショット領域を有することを特徴としていた。
【００７５】
ここで、分割ダイシングの場合、１つのショット領域におけるダイシング領域の総全長は、２重ダイシングの場合に比べて半分近く短くなることは明白である。そのため、分割ダイシングを有するショット領域において配設可能な位置合わせマーク、重ね合わせ検査マークおよびＴＥＧの総配設個数は、単純に考えれば２重ダイシングの場合に比べて半減することになる。なお、各マークやＴＥＧの配設面積を小さくすれば総配設個数を増やすことはできるので、ダイシング領域の総全長と総配設個数とが必ずしも正比例するものではない。
【００７６】
ここで、位置合わせマーク、重ね合わせ検査マークおよびＴＥＧは、ウエハプロセスにおいて、各レイヤごとに位置を変えて設けられるので、レイヤ数が多くなれば、総配設個数も増える。従って、レイヤ数が多いチップの製造においては、分割ダイシングでは対応できない場合がある。
【００７７】
そこで、レイヤ数が多いチップの製造のためには２重ダイシングを有するショット領域を使用し、その他のチップの製造のためには分割ダイシングを有するショット領域を使用するというように、１つのフォトマスクにおいて２重ダイシングを有するショット領域および分割ダイシングを有するショット領域を有した構成を採用しても良い。その一例をフォトマスク３００として図９に示す。なお、図１および図６にそれぞれ示したフォトマスク１００および２００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７８】
図９に示すフォトマスク３００においては、分割ダイシングを有するショット領域としてショット領域１１Ａおよびショット領域１２Ａを有し、２重ダイシングを有するショット領域としてショット領域１３を有している。
【００７９】
＜Ｃ−２．効果＞
このように、２重ダイシングを有するショット領域および分割ダイシングを有するショット領域を有したフォトマスクを使用することで、対応可能な品種を増やすことができる。
【００８０】
また、第３チップ領域３のように、縦横の長さの比率が極端に違うようなチップの場合、分割ダイシングでは、ショット領域の４隅において、それぞれ１組のマークセットを配設できない場合がある。しかし２重ダイシングであれば、そのような可能性は排除できるという効果もある。
【００８１】
なお、ショット領域１３は、チップ領域として第３チップ領域３を１つだけ有する構成として説明したが、それぞれの間にインナーダイシング領域５（図１）を挟んで並列に配設された複数のチップ領域を有する構成であっても良い。
【００８２】
また、第１チップ領域３、第２チップ領域２、第３チップ領域３の大小関係は、これまでに図示した関係である必要はなく、個数も図示した個数に限定されるものではない。
【００８３】
＜Ｄ．実施の形態４＞
＜Ｄ−１．平面構成＞
以上説明した実施の形態１〜３においては、１つのショット領域内に１種類のチップ領域を設ける構成について説明したが、１つのショット領域内に複数種類のチップ領域を設けるようにしても良い。その一例をフォトマスク４００として図１０に示す。なお、図１に示したフォトマスク１００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８４】
図１０に示すフォトマスク４００においては、ショット領域１３および１４を有し、ショット領域１４内には、それぞれ第１の種類のチップを形成するための露光パターンが配設された２つの第１チップ領域１と、それぞれ第２の種類のチップを形成するための露光パターンが配設された２つの第２チップ領域２とが配設されている。なお、ショット領域１４は複数チップ型ショット領域と呼称する場合もある。
【００８５】
ここで、第１チップ領域１の大きさと第２チップ領域２の大きさには差があるので、第２チップ領域２を第１チップ領域１と実質的に同じ大きさの領域として扱うために、それぞれの第２チップ領域２にはダミー領域８が隣接して配設されている。
【００８６】
ダミー領域８は、実際に使用可能な回路を形成するものではなく、いわゆるダミーパターンなどが形成されている。もちろん、何のパターンも形成しない場合もある。そして、ダミー領域８は第１チップ領域１と第２チップ領域２との面積差に対応する面積を有し、ダミー領域８と第２チップ領域２とを合わせることで、第１チップ領域１と同じ形状になるようにその形状が設定されている。従って、第２チップ領域２とダミー領域８とを併せて、第２チップ領域と呼称することもできる。
【００８７】
２つの第１チップ領域１の間、および２つの第２チップ領域２（それぞれダミー領域８を含む）の間には幅ａのインナーダイシング領域５０を配設することができる。なお、インナーダイシング領域５０は、第１チップ領域１と第２チップ領域２（ダミー領域８を含む）の間にも配設され、平面視形状が十字形をなしている。
【００８８】
そして、第１チップ領域１および第２チップ領域２（ダミー領域８を含む）が配列された領域を囲むように、幅ｂのアウターダイシング領域６が設けられている。
【００８９】
ここで、インナーダイシング領域５０の幅ａは、アウターダイシング領域６の幅ｂの２倍に設定されている。これは、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列した場合に、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じとなるようにして、ダイシング作業を容易にするためである。
【００９０】
なお、ショット領域１３および１４以外の領域は露光に際しては光を遮断する遮光帯領域４となっている。
【００９１】
＜Ｄ−２．効果＞
このようなフォトマスク４００を用いてショット領域１４を露光した場合、第１チップ領域１および第２チップ領域２の露光パターンが、同時に形成されることになる。この場合、ダミー領域８に設けられた露光パターンも同時に形成されるが、先に説明したように、当該露光パターンはダミー回路用のパターンであり、製品チップにはならないので、第２チップ領域２の露光に際しては、無駄な領域が発生することになる。
【００９２】
しかし、このような領域が形成されるとしても、第１チップ領域１および第２チップ領域２によって製造される第１および第２の種類のチップが少量生産のチップであるならば、チップの製造単価への影響は少ない。
【００９３】
例えば、ウエハ２５枚で１ロットを構成し、製品歩留まりを８０％とし、第１の種類のチップは２００００個、第２の種類のチップは１５０００個が要求される場合を想定する。
【００９４】
まず、第１および第２の種類のチップをそれぞれ別個のロットで製造する場合を想定する。ここで、第１の種類のチップは、図１０に示す第１チップ領域１のように１ショットで２個の製造が可能なフォトマスクを用いて形成するものとし、ウエハ１枚あたり２０００個（製品歩留まり１００％の場合）が製造され、第２の種類のチップは、図１に示す第２チップ領域２のように１ショットで３個の製造が可能なフォトマスクを用いて形成するものとし、ウエハ１枚あたり２８００個（製品歩留まり１００％の場合）が製造されるものとする。
【００９５】
この場合、第１の種類のチップは１ロットで５００００個が製造されることになり、製品歩留まり８０％としても、２００００個の需要に対して４０％が生産過剰となる。
【００９６】
また、第２の種類のチップは１ロットで７００００個が製造されることになり、製品歩留まり８０％としても、１５０００個の需要に対して５９％が生産過剰となる。
【００９７】
一方、フォトマスク４００を用いて、第１および第２の種類のチップを１つのロットで製造する場合、第１の種類のチップはウエハ１枚あたり１０００個（製品歩留まり１００％の場合）が製造され、第２の種類のチップは、ウエハ１枚あたり９３３個（製品歩留まり１００％の場合）が製造されるものとする。
【００９８】
この場合、第１の種類のチップは１ロットで２５０００個が製造されることになり、製品歩留まり８０％で２００００個となり、需要を過不足無く満たすことができる。
【００９９】
また、第２の種類のチップは１ロットで約２３３００個が製造されることになり、製品歩留まり８０％として、１５０００個の需要に対して生産過剰分は１６％に抑えることができる。
【０１００】
このように、１つのショット領域内に複数種類のチップ領域を設けたフォトマスク４００を使用することで、複数種類のチップを１枚のウエハの同時に形成することができ、マスクコストを低減すると同時に、ウエハを有効に利用できるので、半導体装置の単価あたりにウエハコストが占める割合も小さくすることができる。また、少量生産のチップの製造に際して余剰チップを削減することができる。
【０１０１】
＜Ｅ．実施の形態５＞
＜Ｅ−１．平面構成＞
以上説明した実施の形態４においては、ショット領域１３および１４が、それぞれ連続したアウターダイシング領域６を有し、いわゆる２重ダイシングを有するショット領域となっていたが、アウターダイシング領域の代わりに分割型アウターダイシング領域を有する構成としても良い。その一例をフォトマスク５００として図１１に示す。なお、図６および図１０にそれぞれ示したフォトマスク２００および４００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１０２】
図１１に示すフォトマスク５００においては、ショット領域１３Ａおよび１４Ａを有し、ショット領域１３Ａにおいては、２つの第１チップ領域１の間、および２つの第２チップ領域２（それぞれダミー領域８を含む）の間には幅ａのインナーダイシング領域５０Ａが配設されている。また、インナーダイシング領域５０Ａは、第１チップ領域１と第２チップ領域２（ダミー領域８を含む）の間にも配設され、平面視形状が十字形をなしている。
【０１０３】
ここで、インナーダイシング領域５０Ａの幅ａは、分割型アウターダイシング領域６Ａの幅ｂと同じに設定されている。これは、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列し、分割型アウターダイシング領域６Ａを嵌め合わせるように配設した場合に、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じとなるようにするためである。
【０１０４】
そして、第１チップ領域１および第２チップ領域２（ダミー領域８を含む）が配列された領域の外周には、互いに間をあけて非連続的に配設された複数の分割型アウターダイシング領域６Ａが設けられている。
【０１０５】
なお、ショット領域１４Ａにおける分割型アウターダイシング領域６Ａの配設規則は、図６を用いて説明したショット領域１１Ａにおける分割型アウターダイシング領域６Ａと同じである。ここで、ショット領域１４Ａは複数チップ型ショット領域と呼称する場合もある。
【０１０６】
なお、ショット領域１３Ａおよび１４Ａ以外の領域は露光に際しては光を遮断する遮光帯領域４となっている。
【０１０７】
＜Ｅ−２．効果＞
フォトマスク５００においては、ショット領域１３Ａおよびショット領域１４Ａは、分割型アウターダイシング領域６Ａを有しているので、半導体基板上に繰り返し露光を行うことで、上下および左右において隣り合うショット領域間では、一方のショット領域の隙間と、他方のショット領域の分割型アウターダイシング領域６Ａとが嵌合することで、連続したダイシング領域を形成することができる。
【０１０８】
そして、当該ダイシング領域の幅は、２重ダイシングの場合の半分となるので、２重ダイシングを使用する場合に比べて、半導体基板上に形成できるチップの個数を増やすことができる。
【０１０９】
また、１つのショット領域内に複数種類のチップ領域を設けたフォトマスク５００を使用することで、複数種類のチップを１枚のウエハの同時に形成することができ、マスクコストを低減すると同時に、ウエハを有効に利用できるので、半導体装置の単価あたりにウエハコストが占める割合も小さくすることができる。
【０１１０】
＜Ｆ．実施の形態６＞
＜Ｆ−１．平面構成＞
以上説明した実施の形態４および５においては、それぞれ、２重ダイシングおよび分割ダイシングを有するショット領域を有することを特徴としていたが、１つのフォトマスクにおいて２重ダイシングを有するショット領域および分割ダイシングを有するショット領域を有した構成を採用しても良い。その一例をフォトマスク６００として図１２に示す。なお、図１０および図１１にそれぞれ示したフォトマスク４００および５００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１１１】
図１２に示すフォトマスク６００においては、分割ダイシングを有するショット領域としてショット領域１４Ａを有し、２重ダイシングを有するショット領域としてショット領域１３を有している。
【０１１２】
＜Ｆ−２．効果＞
このように、２重ダイシングを有するショット領域および分割ダイシングを有するショット領域を有したフォトマスクを使用することで、対応可能な品種を増やすことができる。
【０１１３】
また、第３チップ領域３のように、縦横の長さの比率が極端に違うようなチップの場合、分割ダイシングでは、ショット領域の４隅において、それぞれ１組のマークセットを配設できない場合がある。しかし２重ダイシングであれば、そのような可能性は排除できるという効果もある。
【０１１４】
＜Ｇ．実施の形態７＞
＜Ｇ−１．平面構成＞
以上説明した実施の形態１〜６においては、２重ダイシングあるいは分割ダイシングを有するショット領域に関して説明したが、アウターダイシングの形状としてはＬ字型ダイシングを用いるようにしても良い。その一例をフォトマスク７００として図１３に示す。なお、図６に示したフォトマスク２００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１１５】
図１３に示すようにフォトマスク７００においては、２つの第１チップ領域１は、間にインナーダイシング領域５Ａを挟んで並列に配設され、３つの第２チップ領域２は、それぞれの間にインナーダイシング領域５Ａを挟んで並列に配設されている。
【０１１６】
そして、第１チップ領域１の配列、第２チップ領域２の配列および第３チップ領域３のそれぞれの外周には、一方の長辺および短辺に接するように配設されたＬ字型アウターダイシング領域６Ｂが設けられている。
【０１１７】
なお、２つの第１チップ領域１、インナーダイシング領域５ＡおよびＬ字型アウターダイシング領域６Ｂでショット領域１１Ｂを構成し、３つの第２チップ領域２、インナーダイシング領域５ＡおよびＬ字型アウターダイシング領域６Ｂでショット領域１２Ｂを構成し、第３チップ領域３およびＬ字型アウターダイシング領域６Ｂでショット領域１３Ｂを構成する。ここで、ショット領域１１Ｂおよび１２Ｂは複数チップ型ショット領域と呼称する場合もある。
【０１１８】
なお、ショット領域１１Ｂ〜１３Ｂ以外の領域は露光に際しては光を遮断する遮光帯領域４となっている。
【０１１９】
＜Ｇ−１−１．Ｌ字型アウターダイシング領域＞
ショット領域１１Ｂを例に採れば、Ｌ字型アウターダイシング領域６Ｂは、第１チップ領域１の配列（間にインナーダイシング領域５Ａを含む）の左辺および下辺に接するように設けられている。
【０１２０】
従って、２つのショット領域１１Ｂを、互いの長辺が平行するように並べる場合、一方のショット領域１１Ｂの右辺には、他方のショット領域１１Ｂの左辺のＬ字型アウターダイシング領域６Ｂが接するように配設することができ、その結果、２つのショット領域１１Ｂの間には、連続したダイシング領域が形成されることになる。
【０１２１】
これは、第１チップ領域１の配列の下辺についても同様であり、２つのショット領域１１Ｂを、互いの短辺が平行するように並べる場合、一方のショット領域１１Ｂの上辺と、他方のショット領域１１Ｂの下辺のＬ字型アウターダイシング領域６Ｂとが接するように配設することができ、その結果、２つのショット領域１１Ｂの間には、連続したダイシング領域が形成されることになる。
【０１２２】
なお、インナーダイシング領域５Ａの幅ａは、分割型アウターダイシング領域６Ｂの幅ｂと同じに設定されている。これは、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列し、分割型アウターダイシング領域６Ｂを嵌め合わせるように配設した場合に、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じとなるようにするためである。
【０１２３】
以上の説明はショット領域１１Ｂについての説明であったが、これは、ショット領域１２Ｂおよび１３Ｂにおいても同じである。
【０１２４】
ここで、Ｌ字型アウターダイシング領域６Ｂを有するショット領域を、Ｌ字ダイシング型ショット領域と呼称する。
【０１２５】
なお、Ｌ字型アウターダイシング領域６Ｂにも、位置合わせマークや、重ね合わせ検査マーク、チップ性能評価用のＴＥＧが設けられるが、先に説明したように、２重ダイシングや分割ダイシングが、４点での重ね合わせが可能であったのに対し、Ｌ字型ダイシングでは１点または２点での重ね合わせということになる。
【０１２６】
図１３においては、各Ｌ字型アウターダイシング領域６Ｂに、それぞれ位置合わせマークを設けた例を示している。
【０１２７】
ここで、ショット領域１１Ｂを例に採れば、ショット領域１１Ｂの上下の辺に平行な方向をＸ方向、左右の辺に平行な方向をＹ方向とすれば、Ｘ方向に延在する位置合わせマークＡＭＸ１およびＡＭＸ２はＸ方向の位置合わせ用マークであり、Ｙ方向に延在する位置合わせマークＡＭＹ１およびＡＭＹ２はＹ方向の位置合わせ用マークである。
【０１２８】
さらに説明すれば、ショット領域１１Ｂにおいては、位置合わせマークＡＭＸ１とＡＭＹ１、位置合わせマークＡＭＸ２とＡＭＹ２とで、それぞれ１組のマークセットを構成している。このように、合計２組のマークセットにより２点での重ね合わせが可能となる。
【０１２９】
なお、Ｌ字型ダイシングは、例えば、０．５μｍルールのような、比較的デザインルールが緩やかな製品に適している。
【０１３０】
＜Ｇ−２．効果＞
以上説明したように、フォトマスク７００においては、それぞれ異なるチップを形成するための露光パターンが形成された複数のショット領域を有するので、所望のショット領域以外の領域をブラインド領域とすることで、所望のショット領域のみを露光対象とすることができ、当該ショット領域を用いて半導体基板上にチップを形成することができる。従って、ブラインド領域の設定を変えることで、同じフォトマスク７００を用いて、異なるチップを形成することができるので、半導体装置の形成に使用されるフォトマスクの製造コストを低減でき、少量多品種の半導体装置の製造に際して、半導体装置の単価あたりにマスクコストが占める割合を小さくして、利益を得ることができる。
【０１３１】
また、ショット領域１１Ｂおよびショット領域１２Ｂのように、１つのショット領域に複数のチップ領域を備えるように構成することで、１回の露光で複数のチップに対してのパターニングが可能となり、製造コストの削減を図ることができる。
【０１３２】
また、ショット領域１１Ｂ、ショット領域１２Ｂおよびショット領域１３ＢはＬ字型アウターダイシング領域６Ｂを有しているので、半導体基板上に繰り返し露光を行うことで、上下および左右において隣り合うショット領域間では、一方のショット領域の一辺と、他方のショット領域のＬ字型アウターダイシング領域６Ｂとが接することで、連続したダイシング領域を形成することができ、当該ダイシング領域の幅は、２重ダイシングの場合の半分となるので、２重ダイシングを使用する場合に比べて、半導体基板上に形成できるチップの個数を増やすことができる。
【０１３３】
＜Ｈ．実施の形態８＞
＜Ｈ−１．平面構成＞
以上説明した実施の形態７においては、１つのショット領域内に１種類のチップ領域を設ける構成について説明したが、１つのショット領域内に複数種類のチップ領域を設けるようにしても良い。その一例をフォトマスク８００として図１４に示す。なお、図１１に示したフォトマスク５００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１３４】
図１４に示すフォトマスク８００においては、ショット領域１３Ｂおよび１４Ｂを有し、ショット領域１４Ｂ内には、それぞれ第１の種類のチップを形成するための露光パターンが配設された２つの第１チップ領域１と、それぞれ第２の種類のチップを形成するための露光パターンが配設された２つの第２チップ領域２とが配設されている。ここで、ショット領域１４Ｂは複数チップ型ショット領域と呼称する場合もある。
【０１３５】
そして、２つの第１チップ領域１の間、および２つの第２チップ領域２（それぞれダミー領域８を含む）の間には幅ａのインナーダイシング領域５０Ａが配設され、また、インナーダイシング領域５０Ａは、第１チップ領域１と第２チップ領域２（ダミー領域８を含む）の間にも配設され、平面視形状が十字形をなしている。
【０１３６】
そして、第１チップ領域１および第２チップ領域２（ダミー領域８を含む）が配列された領域の外周には、一方の長辺および短辺に接するように配設されたＬ字型アウターダイシング領域６Ｂが設けられている。
【０１３７】
ここで、インナーダイシング領域５０Ａの幅ａは、アウターダイシング領域６の幅ｂと同じに設定されている。これは、繰り返し露光により半導体基板上に複数のショット領域を密接して配列した場合に、何れのチップにおいても、何れの方向でもチップ間隔が同じとなるようにして、ダイシング作業を容易にするためである。
【０１３８】
なお、ショット領域１３Ｂおよび１４Ｂ外の領域は露光に際しては光を遮断する遮光帯領域４となっている。
【０１３９】
＜Ｈ−２．効果＞
このようなフォトマスク８００を用いてショット領域１４Ｂを露光した場合、第１チップ領域１および第２チップ領域２の露光パターンが、同時に形成されることになる。この場合、ダミー領域８に設けられた露光パターンも同時に形成されるが、先に説明したように、当該露光パターンはダミー回路用のパターンであり、製品チップにはならないので、第２チップ領域２の露光に際しては、無駄な領域が発生することになる。
【０１４０】
しかし、このような領域が形成されるとしても、第１チップ領域１および第２チップ領域２によって製造される第１および第２の種類のチップが少量生産のチップであるならば、チップの製造単価への影響は少ない。
【０１４１】
このように、１つのショット領域内に複数種類のチップ領域を設けたフォトマスク８００を使用することで、複数種類のチップを１枚のウエハの同時に形成することができ、マスクコストを低減すると同時に、ウエハを有効に利用できるので、半導体装置の単価あたりにウエハコストが占める割合も小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明に係る実施の形態１のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図２】本発明に係る実施の形態１のフォトマスクの使用方法を説明する平面図である。
【図３】本発明に係る実施の形態１のフォトマスクによって複数のショット領域を半導体基板上に投影露光した状態を示す平面図である。
【図４】露光装置における光学系の一例を示す図である。
【図５】ブラインドの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明に係る実施の形態２のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図７】本発明に係る実施の形態２のフォトマスクの使用方法を説明する平面図である。
【図８】本発明に係る実施の形態２のフォトマスクによって複数のショット領域を半導体基板上に投影露光した状態を示す平面図である。
【図９】本発明に係る実施の形態３のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態４のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態５のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態６のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態７のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【図１４】本発明に係る実施の形態８のフォトマスクの構成を説明する平面図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１  第１チップ領域、２  第２チップ領域、３  第３チップ領域、４遮光帯領域、５，５Ａ，５０，５０Ａ  インナーダイシング領域、６  アウターダイシング領域、６Ａ  分割型アウターダイシング領域，６Ｂ  Ｌ字型アウターダイシング領域、７  ブラインド領域、１１，１１Ａ，１２，１２Ａ，１３，１３Ａ，１４，１４Ａ，１４Ｂ  ショット領域。
【図１】
2005084379.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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