(57)【要約】【課題】  安全性を確保しつつ高速変調が可能で、光ファイバへの光結合効率も高い光信号送信装置を得る。【解決手段】  レーザーパッケージ２８の光制限部材３８には形成された開口部３８Ｈにより、半導体レーザ２４から射出されたレーザー光の光量と広がり角とが同時に制限される。レーザー光の光量が制限されることで、半導体レーザ２４の出力と高めて緩和振動を防止でき、しかも外部に漏れるレーザー光は少なくして安全性を確保できる。レーザー光の広がり角が制限されることで、ＧＩ−ＰＯＦ３９へのレーザー光の入射角も小さくなるので、光結合効率が高くなり、光損失が小さくなる。【選択図】        図２
2005150379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信する情報に応じたレーザー光を射出する半導体レーザーと、
前記半導体レーザーから射出されたレーザー光の光量と広がり角とを同時に制限する光制限手段と、
を有することを特徴とする光信号送信装置。
【請求項２】
前記半導体レーザーから射出されたレーザー光を平行光に変換する光変換手段、
を有することを特徴とする請求項１に記載の光信号送信装置。
【請求項３】
前記半導体レーザーの発振光量が、光信号の伝送速度以上の緩和振動周波数となるように設定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載に光信号送信装置。
【請求項４】
前記半導体レーザーが、波長６８０ｎｍ以下の可視光を射出することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光信号送信装置。
【請求項５】
前記光制限手段が、前記半導体レーザーから射出されたレーザー光の一部のみを通過させる１又は複数の開口部を備えた光制限部材、
であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光信号送信装置。
【請求項６】
前記光制限部材が、前記半導体レーザーから射出されるレーザー光の光軸と直交しない傾斜面を備えていることを特徴とする請求項５に記載の光信号送信装置。
【請求項７】
前記半導体レーザーから射出されたレーザー光を減衰させる減衰手段、を有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光信号送信装置。
【請求項８】
前記光制限手段が、前記半導体レーザーを覆うパッケージの少なくとも一部を兼ねていることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の光信号送信装置。
【請求項９】
前記半導体レーザーから射出されたレーザー光を検知する光検知手段、
を有することを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の光信号送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信するための光信号送信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、いわゆるホームネットワークなどの小規模ネットワークでは、安全性の高さや低コストであることなどから、アクリル系（たとえば、ポリメタルメタクリレート、以下「ＰＭＭＡ」と略す）のＰＯＦ（プラスティック・オプティカル・ファイバー）の利用が期待されている。一般に、アクリル系ＰＯＦでは、６８０ｎｍ以下の波長の可視光に対しては光損失が少ないが、このような可視光の光源では、Ｇｂｐｓ帯の高速変調ができない。たとえば、可視光光源としてＬＤＥが広く用いられているが、この周波数帯域は概ね１００ＭＨｚ程度であり、高速変調に対応できない。
【０００３】
これに対し、特許文献１には、より高速での信号伝送を行う方法として、伝送後の信号のＳ／Ｎ比が良好となる発光素子駆動回路が提案されているが、高速変調には限界がある。
【０００４】
また、高速変調可能な光源としては、たとえば半導体レーザー（ＬＤ）が知られているが、可視光域の波長のレーザー光では、通常数百Ｍｂｐｓ程度の変調までで、Ｇｂｐｓ帯の高速変調が難しかった。光出力を上げて波形を安定化させる方法も考えられるが、上記したホームネットワークなどの用途では特に高い安全性が求められるため、高い出力の半導体レーザーを使用しつつレーザー安全基準を満たすように安全対策を施す必要があり、コスト高を招く。
【０００５】
また、たとえ高速変調可能な光源を使用した場合でも、高速変調に適したＧＩ−ＰＯＦ（Ｇｒａｄｅｄ  Ｉｎｄｅｘ  Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｆｉｂｅｒ）では、光結合部（レーザー光が入射する端部）での損失が比較的大きいという欠点がある。たとえば、特許文献２には、光送信モジュールの一部に、透過光減衰、反射光防止の両機能を兼ね備えた膜をコーティングすることで、上記した安全性を確保する技術が開示されている。しかし、特許文献２においても、ＧＩ−ＰＯＦの光結合部での入射角を調整できないため、光結合効率を高めることはできない。
【特許文献１】特開２００２−６４４３３号公報
【特許文献２】特開平１１−１１９００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事実を考慮し、安全性を確保しつつ高速変調が可能で、光ファイバへの光結合効率も高い光信号送信装置を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明では、送信する情報に応じたレーザー光を射出する半導体レーザーと、前記半導体レーザーから射出されたレーザー光の光量と広がり角とを同時に制限する光制限手段と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この光信号送信装置では、半導体レーザーから射出されたレーザー光の光量と広がり角とが、光制限手段によって同時に制限される。レーザー光の光量を制限することで、外部の漏れるレーザー光の光量を少なくして、レーザー使用上安全な光量にまで下げることができる。しかも、半導体レーザーとしては、緩和振動周波数が高い高出力のものを使用できるので、高速変調が可能になる。
【０００９】
また、レーザー光の広がり角を制限することで、光ファイバへの入射角を小さくできるので、光結合部での光結合効率を高く維持できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、前記半導体レーザーから射出されたレーザー光を平行光に変換する光変換手段、を有することを特徴とする。
【００１１】
光変換手段によってレーザー光を平行光にすることで、光結合部での光結合効率をさらに高くすることができる。
【００１２】
なお、光変換手段は、光制限手段の前後いずれに設けてもよいが、少なくともレーザー光の広がり角を制限する部位の近傍に設けると、光信号送信装置の大型化を阻止でき、好ましい。
【００１３】
請求項３に記載の発明では、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記半導体レーザーの発振光量が、光信号の伝送速度以上の緩和振動周波数となるように設定されていることを特徴とする。
【００１４】
このように半導体レーザーの発振光量を設定することで、確実に高速変調することが可能となる。
【００１５】
請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発明において、前記半導体レーザーが、波長６８０ｎｍ以下の可視光を射出することを特徴とする。
【００１６】
これにより、ＰＯＦを使用した場合の光損失が小さくなり、ＰＯＦの使用に適した光信号送信装置となる。
【００１７】
請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の発明において、前記光制限手段が、前記半導体レーザーから射出されたレーザー光の一部のみを通過させる１又は複数の開口部を備えた光制限部材、であることを特徴とする。
【００１８】
このように、開口部を備えた光制限部材を設けるだけの簡単な構成で、レーザー光の光量と広がり角とを確実に制限できる。なお、開口部以外の部分では、レーザー光を反射、吸収、屈折などによって外部に漏れないようにすればよい。
【００１９】
請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の発明において、前記光制限部材が、前記半導体レーザーから射出されるレーザー光の光軸と直交しない傾斜面を備えていることを特徴とする。
【００２０】
したがって、傾斜面で反射されたレーザー光が半導体レーザーにあたらなくなるので、いわゆる戻り光の影響を少なく出来る。
【００２１】
請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発明において、前記半導体レーザーから射出されたレーザー光を減衰させる減衰手段、を有することを特徴とする。
【００２２】
したがって、光制限手段によって光量と広がり角とが制限されたレーザー光に対し、さらに減衰手段によって光量を低減させることができるので、より半導体レーザーの出力を高めつつ、高い安全性を確保することができる。
【００２３】
請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の発明において、前記光制限手段が、前記半導体レーザーを覆うパッケージの少なくとも一部を兼ねていることを特徴とする。
【００２４】
これにより、部品点数を少なくして低コストで構成可能となる。
【００２５】
請求項９に記載の発明では、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の発明において、前記半導体レーザーから射出されたレーザー光を検知する光検知手段、を有することを特徴とする。
【００２６】
光検知手段でレーザー光を検知することで、正確にレーザー光の光量をモニタし調整することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は上記構成としたので、安全性を確保しつつ高速変調が可能で、光ファイバへの光結合効率も高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１には、本発明の第１実施形態に係る光信号送信装置１８が適用された光信号伝送システムの光ファイバケーブル１１が部分的に示されている。この光信号伝送システムは、送信側外部装置と受信側外部装置（いずれも図示省略）との間で光信号を伝送するために使用される。
【００２９】
光ファイバケーブル１１は、光ケーブル本体１２と、その一端側の光送信プラグ１４、他端側の光受信プラグ（図示省略）とで構成されている。光ケーブル本体１２の一端にはコネクタ部材７２が取り付けられており、光送信プラグ１４のコネクタ部材７４に嵌合されて接続されるようになっている。これにより、光ケーブル本体１２は光送信プラグ１４に対して着脱可能とされる。
【００３０】
光送信プラグ１４は、略直方体状で長手方向の一端側が開放されたプラグ側シールドケース２０を備えている。
【００３１】
プラグ側シールドケース２０は、例えば、金属板の折り曲げ、圧延、溶接等の通常の機械加工工程により形成されている。なお、プラグ側シールドケース２０は、１枚の金属板の深絞り加工等で形成することもできる。
【００３２】
プラグ側シールドケース２０には、開口部分から長方形の送信用回路基板２２が挿入されている。送信用回路基板２２の一端には、レーザーパッケージ２８が固着されている。レーザーパッケージ２８は、円板状の台座２６と、この台座２６に取付部材２５を介して取り付けられた半導体レーザー２４と、後述する光制限部材３８とで構成されており、この光制限部材３８が、レーザーパッケージ２８のキャップを兼ねている。本実施形態の半導体レーザー２４は発光素子として機能するものであり、送信する情報に応じたレーザー光を射出する。なお、半導体レーザー２４と台座２６とは電気的に絶縁されている。
【００３３】
送信用回路基板２２には、半導体レーザー２４を駆動するＩＣ２８等の種々の電気部品（図示省略）からなる送信回路が搭載されている。送信回路に接続されたパターン３０は、送信用回路基板２２の発光素子側とは反対側の端部へ延びている。
【００３４】
プラグ側シールドケース２０の開口側とは反対側の壁面２０Ａには、中央に短い円筒部２０Ｂが形成されており、この円筒部２０Ｂに台座２６が圧入されている。
【００３５】
送信用回路基板２２の両面には、送信用回路基板２２がプラグ側シールドケース２０の内部でがたつかないように、２つのスペーサ３２が取り付けられている。
【００３６】
プラグ側シールドケース２０は、開口側の一部分を残して略全体が熱可塑性の合成樹脂から成る外装カバー３４で覆われている。外装カバー３４には、光ケーブル本体１２のコネクタ部材７２が嵌合されるコネクタ部材７４が一体的に形成されている。
【００３７】
外装カバー３４の内部には、台座２６と面する部分に凹部３６が形成されており、装着された光ケーブル本体１２の一端が挿入される。
【００３８】
本実施形態の光ケーブル本体１２には、光ファイバーとしてＧＩ−ＰＯＦ３９が用いられている。ＧＩ−ＰＯＦ３９は、第１被覆４０、及び第２被覆４２で被覆されている。なお、ＧＩ−ＰＯＦ３９の端面は、光送信プラグ１４への接続状態で、半導体レーザー２４の正面に対向して近接配置されている。
【００３９】
図２には、本実施形態の光信号送信装置１８の光制限手段の周辺の構造が概略的に示されている。台座２６には、図２に詳細に示すように、光制限部材３８が取り付けられている。光制限部材３８は略箱状に形成されるとともに、台座２６と対向する側は開放されている。この開放された面の反対は、台座２６に対して傾斜した制限壁３８Ｂとされている。台座２６と光制限部材３８とで半導体レーザー２４の周囲を覆っているが、制限壁３８Ｂには、半導体レーザー２４とＧＩ−ＰＯＦ３９の中心とを結ぶ線上（光軸Ｃ上）に位置するように開口部３８Ｈが形成されており、この開口部３８Ｈを通してのみ、半導体レーザー２４から射出されたレーザー光がＧＩ−ＰＯＦ３９に達する。開口部３８Ｈは、射出されたレーザー光の広がり角よりも狭い角度でレーザー光を通過させる大きさとされており、レーザー光の光量と広がり角とが同時に制限される。レーザー光の広がり角が制限されることで、ＧＩ−ＰＯＦ３９の端部に入射するときの入射角度も制限される。
【００４０】
制限壁３８Ｂは、レーザー光の光軸Ｃに対して直交しない角度で傾斜されている。したがって、開口部３８Ｈを通過しないレーザー光が制限壁３８Ｂに当たり、その一部が反射されるが、この反射レーザー光は半導体レーザー２４に入射しないようになっている。
【００４１】
ここで、本実施形態では、アクリル系ＧＩ−ＰＯＦ３９における光損失を少なくするために、半導体レーザー２４の発振波長は、６８０ｎｍ以下の可視光とされている。また、半導体レーザー２４の発振光量は、後述するよう緩和振動周波数（Ｈｚ）が光信号の伝送速度（ｂｐｓ）以上となるように調整されており、より確実に高速変調できるようになっている。
【００４２】
台座２６には、光量センサー７０が取り付けられており、光制限部材３８の制限壁３８Ｂで反射されたレーザー光の光量を検出できるようになっている。そして、光量センサーからの情報によってレーザー光の光量をモニターして、半導体レーザー２４の出力を正確に制御できるようになっている。なお、図２では、光量センサー７０の取付位置として、制限壁３８Ｂで反射されたレーザー光の強度が最も強くなる位置としているが、確実に光量を検出できれば、これに限定されない。また、従来のように、半導体レーザー２４の出射端面と対向する端面(図２において左側)からの漏れ光を光量センサーでモニターして光量制御を行っても、もちろん良い。
【００４３】
図示しない送信側外部装置の表面（外面）近傍には、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、装置側レセプタクル４４が固定され、基板４８に取り付けられている。光送信プラグ１４は、装置側レセプタクル４４に接続される。
【００４４】
装置側レセプタクル４４は、略直方体状で一端側が開放された装置側シールドケース４６と接続ピン５０とを備えている。
【００４５】
装置側シールドケース４６は、プラグ側シールドケース２０と同様に、例えば、金属板の折り曲げ、圧延、溶接等の通常の機械加工工程により形成されている。なお、装置側シールドケース４６も、プラグ側シールドケース２０と同様に、１枚の金属板の深絞り加工等で形成することもできる。
【００４６】
接続ピン５０は、基板４８のパターン（図示せず）と半田付け等で接続されている。
【００４７】
接続ピン５０は、光送信プラグ１４の送信用回路基板２２を挟んでパターン３０と接触するための弾性を有した一対の接触部５０Ａを備えている。
【００４８】
本実施形態では、装置側シールドケース４６の開口部分に、プラグ側シールドケース２０の開口部分が略密着状態で挿入され、プラグ側シールドケース２０が装置側シールドケース４６に固定される。
【００４９】
図１（Ｂ）に示すように、装置側シールドケース４６には、内側へ向かって凸となる略円錐台形の凸部５２がプレス加工されている。これに対し、プラグ側シールドケース２０の一方には、開口部分の近傍に丸孔５４が形成されている。プラグ側シールドケース２０の開口部分が装置側シールドケース４６の開口部分に挿入されると、凸部５２がプラグ側シールドケース２０の外周面を摺動し、プラグ側シールドケース２０、及び装置側シールドケース４６を若干量弾性変形させる。凸部５２が丸孔５４に対応すると、凸部５２が丸孔５４に嵌まり込み、クリック感が得られる。
【００５０】
凸部５２が丸孔５４に嵌まり込んだ状態においても、プラグ側シールドケース２０、及び装置側シールドケース４６は若干量弾性変形しており、凸部５２が丸孔５４の開口部分に圧接された状態を維持する。
【００５１】
また、凸部５２が丸孔５４に嵌り込むと、送信用回路基板２２が接続ピン５０の接触部５０Ａに挟み込まれ、接触部５０Ａが送信用回路基板２２のパターン３０に接触し、電気的接続が行なわれる。
【００５２】
上記の構成とされた本実施形態に係る光信号伝送システムでは、送信側外部装置と受信側外部装置とで光信号の伝送を行う場合、光ケーブル本体１２を光送信プラグ１４に接続すると共に、光送信プラグ１４を送信側外部装置の装置側レセプタクル４４に、光受信プラグを受信側外部装置の装置側レセプタクルにそれぞれ接続する。
【００５３】
ここで、送信用回路基板２２の送信回路に接続ピン５０、及びパターン３０を介して電気信号が入力されると、半導体レーザー２４より光信号を含むレーザー光が出射される。
【００５４】
射出されたレーザー光は、図２からわかるように、所定の広がり角を有しているが、光制限部材３８には開口部３８Ｈが形成されているので、ＧＩ−ＰＯＦ３９に達するレーザー光は、開口部３８Ｈを通過したもののみとなる。すなわち、レーザー光の強度及び広がり角が、開口部３８Ｈが形成された光制限部材３８によって同時に制限される。
【００５５】
ここで、もし何らかの原因によってレーザー光が外部に漏れることがあっても、本実施形態ではレーザー光の強度及び広がり角を制限しているので、この漏れたレーザー光の強度も弱くなる。たとえば、半導体レーザー２４の光出力を十分高くしても、外部に漏れるレーザー光を、レーザー使用上安全な光量レベルにまで下げることができる。換言すれば、レーザー光が外部に漏れた場合の安全性を確実に確保しつつ、半導体レーザー２４自体の光出力は、たとえば緩和振動の影響が少なくなる程度にまで高めることが可能となる。
【００５６】
図３には、半導体レーザー（ＬＤ素子）の光出力と、緩和振動周波数との関係の一例が示されている。このグラフからわかるように、半導体レーザーの光出力が大きくなるにしたがって、緩和和振動周波数も高くなる。たとえば、半導体レーザーの光出力が３ｍＷに満たない場合には、緩和振動周波数も概ね１．２５ＧＨｚ未満であるが、半導体レーザーの光出力が３ｍＷ以上では、緩和振動周波数も１．２５ＧＨｚ以上となり、高周波側に移動する。この半導体レーザーをギガビットイーサネット（登録商標）信号（１.２５Ｇｂｐｓ）で変調したときの光信号波形を観測すると、概ね３ｍＷ以上の出力で良好な光波形が得られることがわかった。光出力の増大に伴って緩和振動の周波数が伝送に必要な周波数帯より高くなり、光波形が良好になったものと考えられる。このとき、光出力の目安としては、緩和振動の周波数（Ｈｚ）の数値が、使用する変調信号のデータレート（ｂｐｓ）の数値より大きくなるまで、光出力を上げると良いことがわかった。
【００５７】
また、一般に本実施形態で用いているＧＩ−ＰＯＦ３９等の光ファイバは、端部への入射角が小さいほど光結合効率が高くなり、且つ光損失も小さくなる傾向がある。本実施形態では、光制限部材３８によってレーザー光の広がり角が制限されることで、レーザー光がＧＩ−ＰＯＦ３９に入射するときの入射角も小さくなっている。このため、光結合効率が高くなると共に、光損失が小さくなる。
【００５８】
このようにして、ＧＩ−ＰＯＦ３９に入射したレーザー光は、ＧＩ−ＰＯＦ３９を介して光受信プラグ１６側へ伝送され、受光素子６２で受光される。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態では、光制限部材３８によって、レーザー光の光量と広がり角とを同時に制限して、半導体レーザー２４として高強度のものを使用して高速変調を可能とし、しかも高い安全性を確保している。さらに、ＧＩ−ＰＯＦ３９へのレーザー光の入射角を小さくし、光結合効率を高くすると共に、光損失を小さくしている。
【００６０】
本発明では、上記第１実施形態に限らず、以下の第２実施形態、第３実施形態及び第４実施形態に示す構成とすることも可能である。なお、第２実施形態及び第３実施形態では、光信号送信装置の全体的構成は第１実施形態と同一とされているので、詳細な説明を省略する。
【００６１】
図４に示す第２実施形態では、第１実施形態と同様に開口部３８Ｈを有する光制限部材３８が台座２６に取り付けられているが、この光制限部材３８内の、開口部３８Ｈに対応する位置に、レンズ６４が取り付けられている。レンズ６４は、レーザー光を屈折させて略平行光とする構成とされており、開口部３８Ｈを通過してＧＩ−ＰＯＦ３９に達するレーザー光が略平行光となる。したがって、第１実施形態と比較して、さらにＧＩ−ＰＯＦ３９への入射角が小さくなるので、光結合効率が高くなると共に、光損失が小さくなる。
【００６２】
図５に示す第３実施形態では、光制限部材３８の開口部３８Ｈ内に、第２実施形態のレンズ６４と同様の作用を奏するレンズ６６が固定されている。したがって第３実施形態では、開口部３８Ｈはレンズ６６を保持する作用を有している。
【００６３】
このような構成の第３実施形態においても、第２実施形態と同様に、ＧＩ−ＰＯＦ３９に達するレーザー光が略平行光となる。したがって、第１実施形態と比較して、さらにＧＩ−ＰＯＦ３９への入射角が小さくなるので、光結合効率が高くなると共に、光損失が小さくなる。
【００６４】
図６に示す第４実施形態では、開口部３８Ｈを覆うように、光制限部材３８の外側に減衰部材６８が取り付けられている。減衰部材６８は、たとえばＮＤフィルタなど、光を減衰させる部材で構成されている。半導体レーザー２４から射出されたレーザー光は、その一部のみが開口部３８Ｈを通過することで強度と広がり角が同時に制限されるが、さらに減衰部材６８によって強度が落とされる。したがって、半導体レーザー２４の出力をさらに高くしても、光量を確実に低減して安全性を確保することが可能となる。
【００６５】
なお、第２実施形態及び第３実施形態のレンズ６４、６６は、ＧＩ−ＰＯＦ３９への入射角を第１実施形態よりも小さくできればよく、この観点からはレンズ６４、６６はレーザー光を完全に平行光にするものでなくてもよいが、平行光にすることが最も好ましい。また、レンズ６４、６６の位置も、上記した作用を奏すれば特に限定されないが、開口部３８Ｈの近傍に設けると、光信号送信装置１８の大型化を阻止できるので、好ましい。
【００６６】
上記各実施形態では、光制限部材３８の制限壁３８Ｂが光ビームの光軸に対して傾斜した構成のものを挙げたが、光ビームの光量と広がり角とを制限するためであれば、このように傾斜している必要はない。上記各実施形態のように傾斜させると、開口部３８Ｈの周囲で反射された光ビームが半導体レーザー２４に入射しなくなるので、好ましい。
【００６７】
なお、このように、開口部３８Ｈの周囲で反射された光ビームの、半導体レーザー２４への入射を防止する制限壁３８Ｂの構成は、上記に限定されない。たとえば、開口部３８Ｈの周囲（少なくとも光ビームが当たる領域）を、光ビームの反射を抑制する吸収部（たとえば、反射防止コートなど）を設けたり、光ビームを半導体レーザー２４以外の方向へと積極的に屈折させる屈折部（たとえばレンズやミラーなど）を設けてもよい。
【００６８】
このように、半導体レーザー２４への光ビームの不用意な入射を防止する構成は各種挙げることが可能であるが、いずれの構成であっても、光制限部材３８内に、レーザー光の反射光は存在する。したがって、図２、図４〜図６などに示した光量センサー７０等を設け、半導体レーザー２４の出力を正確に制御できるようにすることが好ましい。
【００６９】
光制限部材３８は、レーザーパッケージ２８のキャップを兼ねている必要はないが、キャップを兼ねるようにすると、部品点数が少なくなるので低コストとなる。
【００７０】
開口部３８Ｈは、上記各実施形態では１つのみ形成されているものを例にあげたが、１つである必要はなく、複数であってもよい。開口部３８Ｈを１つとすれば、光制限部材３８の構造が簡単になると共に、成形や加工が容易になるので、好ましい。
【００７１】
また、上記実施形態では、光送信プラグ１４において、１つの発光素子（半導体レーザー）を設けているが、本発明はこれに限らず、発光素子又は受光素子を複数個設け、複数本の光ケーブル本体を接続しても良い。
【実施例】
【００７２】
本実施例では、第１実施形態の光信号送信装置１８において、以下の条件でレーザー光を射出し、ＧＩ−ＰＯＦ３９で伝送した。
【００７３】
・半導体レーザーの種類        ：端面発光型半導体レーザー
・半導体レーザーの出力        ：４．４ｍＷ
・半導体レーザーからのレーザービームの広がり角：最大３０度
・レーザービームの波長        ：６５０ｎｍ
・光制限部材通過後の広がり角  ：約７度
その結果、実施例では、緩和振動の影響が少なくなり、１．２５Ｇｂｐｓでの高速変調が可能で、しかも、光ビームの外部への漏れも、十分安全な範囲内に留めることができた。さらに、ＧＩ−ＰＯＦ３９への入射時の入射角も７度程度と狭くなったので、光結合効率が高く、且つ光損失が小さくなった。光制限部材通過後の光強度は約０.３ｍＷであり、レーザー安全上問題無い光出力が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光信号送信装置が適用された光ファイバケーブルの一部を光送信プラグが装置側レセプタクルから分離された状態で示し、（Ａ）は平断面図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の光信号送信装置を示す断面図である。
【図３】ＬＤ素子の光出力と緩和振動周波数との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態の光信号送信装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態の光信号送信装置を示す断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態の光信号送信装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０      光信号伝送システム
１１      光ファイバケーブル
１２      光ケーブル本体
１４      光送信プラグ
１６      光受信プラグ
１８      光信号送信装置
２４      半導体レーザー
２５      取付部材
２６      台座
２８      レーザーパッケージ
３８      光制限部材（光制限手段）
３８Ｂ      底部
３８Ｈ      開口部
３９      ＧＩ−ＰＯＦ
６４      レンズ（光変換手段）
６６      レンズ（光変換手段）
６８      減衰部材（減衰手段）
７０      光量センサー（光検知手段）
【図１】
2005150379.tif 000003
【図２】
2005150379.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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