(57)【要約】【課題】電界印加による帯電が発生しにくいフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサーの提供。【解決手段】モル百分率表示で本質的に、ＳｉＯ２：  ３０〜６０％、ＭｎＯ：  ３１〜４９％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ：  ５〜３０％、Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３：  ０〜１５％、およびＺｒＯ２：  ０〜１０％を含有し、かつＳｉＯ２＋ＭｎＯ：  ６５〜９５％であって、２０℃における表面抵抗率が１０９〜１０１４Ωであることを特徴とするガラス。前記ガラスを空気中または酸素、窒素混合雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理することを特徴とする製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記酸化物基準のモル百分率表示で本質的に、
ＳｉＯ２：  ３０〜６０％、
ＭｎＯ：  ３１〜４９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ：  ５〜３０％、
Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３：  ０〜１５％、および
ＺｒＯ２：  ０〜１０％を含有し、かつ
ＳｉＯ２＋ＭｎＯ：  ６５〜９５％であって、
２０℃における表面抵抗率が１０９〜１０１４Ωであることを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサー。
【請求項２】
実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないものである請求項１記載のフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサー。
【請求項３】
Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯおよびＣｕＯからなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物を含有し、該酸化物のモル百分率表示による含有率の合計が１０％以下である請求項１または請求項２に記載のフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサー。
【請求項４】
５０〜３５０℃における平均線膨張係数が、７０×１０−７〜９０×１０−７／℃である請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサー。
【請求項５】
ガラス転移点が５００℃以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載のフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサー。
【請求項６】
ＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスを、空気中、または酸素および窒素の混合雰囲気中において５００〜７００℃で熱処理する工程を有することを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサーの製造方法。
【請求項７】
前記ＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスが、下記酸化物基準のモル百分率表示で本質的に、
ＳｉＯ２：  ３０〜６０％、
ＭｎＯ：  ３１〜４９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ：  ５〜３０％、
Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３：  ０〜１５％、および
ＺｒＯ２：  ０〜１０％を含有し、
かつＳｉＯ２＋ＭｎＯ：  ６５〜９５％
である請求項６に記載のフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサーの製造方法。
【請求項８】
蛍光体を有するアノードパネルと、電子を放出するエミッタを有するエミッタパネルと、複数のスペーサーとを有し、アノードパネルとエミッタパネルとが前記複数のガラススペーサーにより離間されて対向しているフィールドエミッションディスプレイであって、
前記ガラススペーサーが、下記酸化物基準のモル百分率表示で本質的に、
ＳｉＯ２：  ３０〜６０％、
ＭｎＯ：  ３１〜４９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ：  ５〜３０％、
Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３：  ０〜１５％、および
ＺｒＯ２：  ０〜１０％を含有し、
かつＳｉＯ２＋ＭｎＯ：  ６５〜９５％であって、
２０℃における表面抵抗率が１０９〜１０１４Ωであることを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ。
【請求項９】
前記ガラススペーサーの５０〜３５０℃における平均線膨張係数が、７０×１０−７〜９０×１０−７／℃である請求項８に記載のフィールドエミッションディスプレイ。
【請求項１０】
前記ガラススペーサーのガラス転移点が５００℃以上である請求項８または請求項９に記載のフィールドエミッションディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、適度な表面抵抗率と線膨張係数をもつフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサーおよびその製造方法、ならびにフィールドエミッションディスプレイ（電界放出型ディスプレイ。以下、ＦＥＤという。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＥＤは、極微小な電子銃（冷陰極素子）を画素ごとに多数配置し、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ。以下、ＣＲＴという。）と同様に、電子銃から蛍光体へ電子線を放出して画像を形成する画像表示装置である。
【０００３】
電子銃を画素ごとに独立させて駆動するＦＥＤは、ＣＲＴと異なり電子ビームを広角度で走査する必要がないので、ＣＲＴよりはるかに奥行きが薄く、かつ平坦な画像表示面を形成できる（たとえば、特許文献１参照）。特に、ＣＲＴでは実現困難な対角径約１０００ｍｍ（４０インチ）以上の大画面フラットパネルディスプレイとして期待されている。
【０００４】
ＦＥＤにおいては、蛍光体を有するアノードパネルと、電子を放出するエミッタを有するエミッタパネルとが複数のスペーサーを介して対向しており、アノードパネルとエミッタパネルの周囲はガラスペースト（フリットペースト）等の封着剤を用いて封着されている。
【０００５】
ＦＥＤの内部空間、すなわち対向するアノードパネルとエミッタパネルの間の空間は典型的には１０−３〜１０−５Ｐａの高真空状態であり、エミッタパネルのエミッタから前記空間中に放出された電子はアノードパネルの蛍光体に衝突して電子線励起発光を起こす。その結果、画素が発色し、画像が形成される。
【０００６】
対向するアノードパネルとエミッタパネルとの距離は典型的には１〜２ｍｍであり、その距離を大気圧と前記内部空間圧力（たとえば１０−３〜１０−５Ｐａ）との圧力差にかかわらず保持するために、前述の通り複数のスペーサーがアノードパネルとエミッタパネルの間に介在している。
【０００７】
このようなスペーサーにはエミッタから放出された電子による帯電を防止するために、ＦｅやＶの元素からなる遷移金属酸化物をガラス中に含ませることにより適度な電子伝導性を持たせたスペーサーが開示されている（特許文献２参照）。さらに、ＦｅやＶの元素からなる酸化物以外の遷移金属酸化物を含有したスペーサーも開示されている（特許文献３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２３０７７６号公報
【特許文献２】特表２００３−５２６１８７号公報
【特許文献３】特開２００４−７１１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述した遷移金属酸化物を含むガラスの電子伝導は、異価数の遷移金属イオンが混在したときに発現する。しかしながら、ＦＥＤ用スペーサーに適した電子伝導を得るために遷移金属酸化物を多量に含有させると、ガラスが不安定になり失透が生成しやすくなる問題があった。前記問題点により遷移金属酸化物の含有量は制限を受ける。そのため、所望の電気抵抗値を得られるように、ＦＥＤ用スペーサーには好ましくないとされているアルカリ金属酸化物等のイオン伝導体を少量含有させる例もあった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、前述の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、Ｍｎの元素からなる遷移金属酸化物を含むＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスは、ＭｎＯの含有量が比較的多量であっても他の成分の適正化によりガラス化することができることを見出した。さらに本発明者は、目的とするスペーサーのサイズに成形および加工等を施したのち、空気中または、酸素および窒素の混合雰囲気中で適度な熱処理をすることによって、アルカリ金属酸化物を含有させなくとも、所望の電気抵抗値が得られることを見出した。
【００１１】
また、ＭｎＯを多量に含有しても、ＦＥＤの基板として好適であるソーダライムガラスやプラズマディスプレイに用いられる高歪点ガラスの線膨張係数に近似させられることもわかった。
【００１２】
その結果として、本発明は、下記酸化物基準のモル百分率表示で本質的に、
ＳｉＯ２：  ３０〜６０％、
ＭｎＯ：  ３１〜４９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ：  ５〜３０％、
Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３：  ０〜１５％、および
ＺｒＯ２：  ０〜１０％を含有し、かつ
ＳｉＯ２＋ＭｎＯ：  ６５〜９５％であって、
２０℃における表面抵抗率が１０９〜１０１４Ωであることを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサーを提供する。なお、本発明において単にスペーサーと記載する場合は、フィールドエミッションディスプレイ用ガラススペーサーを意味するものとする。
【００１３】
前記のスペーサーは、実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないものであると好ましい。また、前記のスペーサーは、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯおよびＣｕＯからなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物を含有し、該酸化物のモル百分率表示による含有率の合計が１０％以下であることが好ましい。さらに前記のスペーサーは、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が、７０×１０−７〜９０×１０−７／℃であることが好ましい。そして、さらに前記のスペーサーは、ガラス転移点が５００℃以上であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、前記スペーサーの製造方法として、
ＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスを、空気中、または酸素および窒素の混合雰囲気中において５００〜７００℃で熱処理する工程を有することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１５】
前記の製造方法において、ＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスは、下記酸化物基準のモル百分率表示で本質的に、
ＳｉＯ２：  ３０〜６０％、
ＭｎＯ：  ３１〜４９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ：  ５〜３０％、
Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３：  ０〜１５％、および
ＺｒＯ２：  ０〜１０％を含有し、
かつＳｉＯ２＋ＭｎＯ：  ６５〜９５％
であることが好ましい。
【００１６】
さらに本発明は、前述のスペーサーを用いたフィールドエミッションディスプレイを提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスを空気中または、酸素および窒素の混合雰囲気中で適度な熱処理をすることによってアルカリ金属酸化物を含有しなくともＦＥＤ用スペーサーに好適な表面抵抗率の小さいガラススペーサーが得られる。その結果、ガラススペーサーにおける帯電が起こりにくく、表示画面の乱れが生じにくい高画質のＦＥＤが得られる。さらに線膨張係数がガラス基板に近似しているので、基板とスペーサーの界面で熱歪みが生じにくい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜ガラススペーサーの組成＞
以下、本発明のＦＥＤ用ガラススペーサーの組成について説明する。なお、特に断りがない場合は、％との表記はモル％を意味する。
ＳｉＯ２はガラスの骨格を形成し、ガラスの安定性および化学耐久性を向上させる成分であり、必須成分である。その含有率が３０％未満ではガラスの安定性または化学耐久性が低下し、６０％を超えるとＭｎＯの含有量が少なくなり所望の表面抵抗率まで低下せず、線膨張係数が小さくなりすぎる。したがって、ＳｉＯ２は３０〜６０％の範囲とする。３５％以上であればより好ましい。
【００１９】
ＭｎＯは電子伝導により表面抵抗率を低下させる成分であり必須成分である。ただし、ＭｎＯの含有率が３１％未満の場合にはスペーサーの表面抵抗率が所望の値まで低下しないことがあり、４９％を超えるとガラスの不安定化や化学耐久性低下につながることがある。そのため、含有率は３１〜４９％とする。前記含有率は３５％以上であるとより好ましい。なお、前記ＳｉＯ２とＭｎＯの含有率の合計は、６５〜９５％の範囲となるようにする。
【００２０】
また、ガラスをより安定化させ線膨張係数を所定の値に調整するため、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＺｎＯからなる群のうちの少なくとも１つの成分を用いる。このとき、これら５成分の含有率の合計：ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯは、５％以上であることが好ましい。より好ましくは１０％以上である。前記５成分の含有率の合計が５％未満では、スペーサーの線膨張係数が小さくなり、３０％超ではガラスが不安定になり、失透の発生や線膨張係数の増大につながる。前記５成分の含有率の合計は、２５％以下であると好ましい。
【００２１】
Ｂ２Ｏ３およびＡｌ２Ｏ３はいずれも必須ではないが、ガラスの安定性または化学耐久性を向上させるために合計で１５％までの範囲で含有できる。１５％を超えるとかえってガラスが不安定になったり、線膨張係数が小さくなったりする。Ｂ２Ｏ３およびＡｌ２Ｏ３の含有率の合計は、１０％以下であるとより好ましい。
【００２２】
ＺｒＯ２は必須ではないが、ガラスの安定性または化学耐久性を向上させるために１０％までの範囲で含有してもよい。前記含有率が１０％を超えるとかえってガラスが不安定になったり、失透が発生したりするおそれがある。ＺｒＯ２の含有率は５％以下であるとより好ましい。
【００２３】
本発明のガラススペーサーは本質的に前記の成分からなるが、その他の成分（以下、追加成分という）を合計で１０％まで含有してもよい。追加成分の含有率の合計は５％以下であると好ましい。追加成分は、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＣｕＯよりなる群より選ばれた少なくとも１つの酸化物であることが好ましい。前記追加成分はＭｎＯとともに所望の表面抵抗率に下げるのに有効である。前記追加成分の含有率の合計が１０％超であると、失透が発生するおそれがある。また、ガラスの熔解時に脱泡を促進する目的でＳＯ３、Ｃｌ等の残存物を含有してもよい。前記ＳＯ３、Ｃｌ等の含有量の合計は２％以下であることが好ましい。
【００２４】
一方、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯまたはＫ２Ｏのようなアルカリ金属酸化物は実質的に含有しないことが好ましい。アルカリ金属酸化物が含まれると、電界印加により上記成分が移動しスペーサー内で分極が生じ抵抗が増大するおそれがある。また、環境的な配慮から、Ｐｂ、Ｖ、Ａｓ、Ｓｂ、ＣｄおよびＣｒを含有しないことが好ましい。なお、ガラス中にこれらの成分を意図的に含有させておらず、不純物として混入している程度の含有率であれば、「実質的に含有しない」ものとみなす。
【００２５】
＜ガラススペーサーの製造方法＞
次に本発明に係るＦＥＤ用スペーサーの製造方法について説明する。前述のＳｉＯ２とＭｎＯを主成分とするＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスの組成となるように常法に従って原料を調合し、電気炉等で熔解、均質化したのち、型材に流しだしガラス成形体を作製する。
【００２６】
続いて、次の二つの方法のいずれかで加工体または延伸成形体を製造する。
第一の方法は、該ガラス成形体を切断および研磨加工して所定のサイズの加工体を直接得る方法である。
第二の方法は、ガラス成形体もしくはガラス成形体に加工を施した加工体を軟化点温度付近まで再加熱し、延伸成形により、例えばリボン状の連続した延伸成形体を得たのち所望の長さに切断する方法である。
【００２７】
なお、前記の第二の方法（延伸成形法）は、寸法安定性がよく低コストで成形できるので好ましい。さらに、スペーサーの断面形状が台形や十字形等の複雑な形状が望まれている場合は前記の延伸成形法がより好ましい。
【００２８】
前記の方法によって得られた加工体または切断した延伸成形体を、所望の温度で一定時間熱処理することで主にガラスの表面層のＭｎイオンが酸化される。前記方法によって表面抵抗率が低下し、本発明のＦＥＤ用ガラススペーサー製品が得られる。なお、前記の熱処理は空気中（大気中）または混合割合を調整した酸素および窒素の混合雰囲気中で行う。後者の場合、表面抵抗率のばらつきが少なくなるのでより好ましい。
【００２９】
前記の熱処理の温度は５００〜７００℃が好ましい。５００℃未満で熱処理をするとＭｎイオンの酸化が進行しにくくなり、熱処理前と表面抵抗率が実質的に変わらないので好ましくない。熱処理の温度が７００℃を超えると、ガラススペーサーが変形する恐れがある。前記熱処理の温度はＳｉＯ２−ＭｎＯ系ガラスの軟化点未満であればより好ましい。
【００３０】
前記の熱処理時間は、１時間未満であるとＭｎイオンの酸化が十分に行われず熱処理前と熱処理後のガラススペーサーの表面抵抗率が実質的に変わらなくなる。また熱処理の時間が５時間より長くても表面抵抗率にはほとんど影響しないので経済性を考えると好ましくない。したがって、熱処理時間は１〜５時間が好ましい
本発明のガラススペーサーをＦＥＤに用いる場合、２０℃におけるガラススペーサーの表面抵抗率が１０１４Ωより大きいとガラススペーサーが帯電し電子線が偏向する恐れがある。また前記表面抵抗率が１０９Ωより小さいとガラススペーサー表面に電流が流れ過ぎる。しかし、前述した本発明の製造方法で得られたガラススペーサーは、２０℃における表面抵抗率が１０９〜１０１４Ωとなるため、ＦＥＤ用ガラススペーサーとして好適である。前記表面抵抗率は、１０９〜１０１３Ωであればより好ましく、１０９〜１０１２Ωであればさらに好ましい。
【００３１】
本発明のガラススペーサーは、５０〜３５０℃における平均線膨張係数αが７０×１０−７〜９０×１０−７／℃であることが好ましい。前記平均線膨張係数αが７０×１０−７／℃未満の値または９０×１０−７／℃よりも大きい値であると、ＦＥＤの基板として使用されているソーダライムガラスやプラズマディスプレイに用いられる高歪点ガラスとの膨張マッチングが困難になるおそれがある。
【００３２】
また、本発明のガラススペーサーのガラス転移点は５００℃以上であることが好ましい。ガラス転移点が５００℃未満の場合、熱処理温度として好適な５００℃以上の温度で熱処理を行った場合に変形する恐れがある。また、ガラス転移点が５００℃未満であるガラススペーサーをＦＥＤ用スペーサーとして用い、ＦＥＤパネルをガラスフリット等でシールする際に寸法変化が発生するおそれがある。前記ガラス転移点は、６００℃以上であればより好ましく、６５０℃以上であれば最も好ましい。
【００３３】
＜ガラススペーサーを用いたＦＥＤ＞
本発明のＦＥＤは、本発明のガラススペーサーを用いる。ＦＥＤの方式としては、２極管方式、３極管方式、４極管方式（金属板状集束電極型、薄膜集束電極型、等）、等が知られているが、本発明においてＦＥＤの方式は限定されず、これら方式のいずれであってもよい。
【００３４】
以下、図１を用いて本発明を説明する。なお図１は、３極管方式を採用したＦＥＤの部分断面の概略図である。一般的にＦＥＤにおいては、蛍光体７を有するアノードパネル１０と、電子を放出するエミッタ６を有するエミッタパネル２０とが、複数（図１においては２個）のスペーサー５を介して対向している。前記のアノードパネル１０は通常ガラス板等の透明板である前面基板１、前面基板１のエミッタパネル２０に対向する面上に形成された透明電極であるアノード電極３、およびアノード電極３上に形成された蛍光体７等からなる。
【００３５】
前記の前面基板１に用いられるガラス板としては、たとえば厚さが１〜３ｍｍであるソーダライムガラス板や、プラズマディスプレイに用いられる高歪点ガラス板が挙げられる。また、アノード電極３に用いられる透明電極としては、たとえば厚さが０．０１〜１００μｍであるＩＴＯ（Ｉｎドープ酸化スズ）膜が挙げられる。前記の蛍光体７は、１画素ごとに赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の蛍光物をブラックストライプ（図示せず）を介してストライプ状に形成したものである。なお、図１に示されている３個の蛍光体７は、左から順にＲ、Ｇ、Ｂの蛍光物である。
【００３６】
前記エミッタパネル２０は必須要素としてエミッタ６を有するが、３極管方式の場合はエミッタ６の他にゲート電極９および絶縁層８が必須要素である。なお、２極管方式においてはゲート電極９および絶縁層８は不要である。３極管方式において、一般的にエミッタパネル２０はガラス板等からなる背面基板２、背面基板２のアノードパネル１０に対向する面上に形成された電極であるカソード電極４、カソード電極４上に形成されたエミッタ６および絶縁層８、絶縁層８上に形成されたゲート電極９、等からなる。
【００３７】
前記背面基板２に用いられるガラス板としては、前面基板１と同様に、たとえば厚さが１〜３ｍｍであるソーダライムガラス板や、プラズマディスプレイに用いられる高歪点ガラス板が挙げられる。カソード電極４に用いられる電極としては、たとえば厚さが０．０１〜１００μｍであるＡｌ、Ａｇ等の金属膜、ＩＴＯ（Ｉｎドープ酸化スズ）膜が挙げられる。
【００３８】
前記エミッタ６はその表面から蛍光体７に向けて電子を放出する素子であり、たとえば、ダイアモンド的カーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）、カーボンナノチューブ電子源、Ｓｉの異方性エッチングを用いた電解放出素子、Ｍｏ等の金属蒸着電解放出素子が挙げられる。前記エミッタ６の形状は限定されないが、図１においては円錐状のものが示されており、典型的には、その高さおよび底面直径はいずれも０．１〜１００μｍ、その個数は１画素あたり数百個から数千個である。なお、１画素の大きさは３００μｍ×３００μｍ程度である。
【００３９】
なお、２極管方式のＦＥＤにおいては、ストライプ状に形成されたアノード電極およびカソード電極のそれぞれが直角に交差するように配置され、エミッタは前記カソード電極上に形成されたダイアモンド的カーボン膜であることが多い。
【００４０】
ゲート電極９はエミッタ６から放出される電子の量を制御するための手段であり、たとえば厚さが０．００１〜０．１μｍであるＰｔ系合金等の金属膜である。絶縁層８は、ゲート電極９をエミッタ６に対し所望の位置に設け、かつゲート電極９をカソード電極４と電気的に絶縁するための手段であり、たとえば厚さが０．１〜１００μｍである酸化物セラミックス膜、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−ＲＯ系低融点ガラス膜である。ここで、ＲＯはアルカリ土類金属酸化物である。
【００４１】
スペーサー（ガラススペーサー）５は、大気圧とＦＥＤ内部空間圧力（たとえば１０−３〜１０−５Ｐａ）との圧力差にかかわらずアノードパネル１０とエミッタパネル２０との間隔を所望の値に保持するためのものであり、典型的には高さは１〜２ｍｍ、幅が０．０１〜０．５ｍｍである。
【００４２】
本発明のＦＥＤにおけるガラススペーサー５は、請求項６または請求項７の本発明に係る方法で製造された製品を用いる。本発明のＦＥＤは該ガラススペーサーを用いてなるものであって、スペーサーとしてアルミナスペーサーを用いる従来のＦＥＤ製造方法と同様の方法で製造できる。
【実施例】
【００４３】
（実施例１）
ＳｉＯ２：５０モル％、ＭｎＯ：４０モル％、ＢａＯ：１０モル％となるように原料を調合し、白金または白金、ロジウムるつぼを用いて電気炉内で大気雰囲気下で１５００℃で５時間攪拌しながら熔解した。次いで熔融ガラスを流し出して板状に成形し徐冷した。
【００４４】
上記の方法で得た板材を２×０．２×５０ｍｍのサイズに研磨加工および切断を行い、ＦＥＤ用スペーサーの形状に加工した。また、小片の一部を所定のサイズに切断、研磨し、試験片を得た。これらの加工体を電気炉内で大気雰囲気下で６３０℃で４時間熱処理した。なお、昇温、降温は１００℃／ｈの速度で行った。
【００４５】
こうして得られた試験片について、２０℃における表面抵抗率を高抵抗計（Ｒ８３４０Ａ、アドバンテスト社製）にて測定すると、表面抵抗率が１０１２．０ΩとＦＥＤ用スペーサーに好適な抵抗率を示した。一方、熱処理しない試験片の２０℃における表面抵抗率を同様の方法で測定すると１０１６．８Ωと大きな抵抗値を示し、ＦＥＤ用スペーサーに使用した場合、帯電し電子線が偏向することが予想された。
【００４６】
また、平均線膨張係数αを測定すると、７３×１０−７／℃であり市販のソーダライムガラス（α：８７×１０−７／℃）や高歪点ガラスである市販のプラズマディスプレイ用ガラス（旭硝子社製／商品名：ＰＤ２００／平均線膨張係数α：８３×１０−７／℃）に膨張が近似していた。ガラス転移点Ｔｇを測定すると、６３０℃であった。なお、平均線膨張係数αおよびガラス転移点Ｔｇの測定は下記の方法で行った。
【００４７】
平均線膨張係数α：  示差熱膨張計を用いて、石英ガラスを参照試料として室温から５℃／分の速度で昇温した際のガラスの伸び率を、ガラスが軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度、すなわち屈伏点まで測定し、得られた熱膨張曲線から５０〜３５０℃における平均線膨張係数を算出する。
ガラス転移点Ｔｇ：前記平均線膨張係数αの測定と同様にして得られた熱膨張曲線における屈曲点に相当する温度をガラス転移点とする。
【００４８】
（実施例２［例Ａ〜例Ｅ］、比較例［例Ｆ、例Ｇ］）
下記の表１および表２に示す含有率（モル％表示）となるように、ガラス原料として通常用いられている酸化物、炭酸塩、硫酸塩および硝酸塩からなる原料を調合し、白金または白金、ロジウムるつぼを用いて電気炉内で、大気雰囲気下において１５００℃で５時間攪拌しながら熔解する。次いで熔融ガラスを流し出して板状に成形し徐冷し、例Ａから例Ｇの実施例および比較例を作製する。
上記の方法で得た板材を所定のサイズに切断、研磨した試験片を表１に示す温度、時間の条件にて電気炉内で大気雰囲気下、熱処理する。こうして得られた試験片について、２０℃における表面抵抗率を測定すると、表１に示すように実施例（例Ａ〜例Ｅ）においては、ＦＥＤ用スペーサーに好適な表面抵抗率（１０９〜１０１４Ω）を示す。しかしながら、比較例ＦはＭｎＯの含有率が３１％未満であるため、熱処理しても好適な表面抵抗率が得られない。一方、比較例ＧはＭｎＯの含有率が４９％を超えるため、熔融したガラスを流しだした際、失透してしまう。
【００４９】
また、平均線膨張係数α（単位：１０−７／℃）およびガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）を表１および表２に示す。実施例（例Ａ〜例Ｅ）はガラススペーサーの組成を適切な割合にしたので、ＦＥＤ用のガラス基板に近似した線膨張係数と適度な熱処理が可能なガラス転移点を有している。
【００５０】
【表１】
2005347171.tif 000002
【００５１】
【表２】
2005347171.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明のＦＥＤの部分断面の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１：前面基板
２：背面基板
３：アノード電極
４：カソード電極
５：スペーサー
６：エミッタ
７：蛍光体
８：絶縁層
９：ゲート電極
１０：アノードパネル
２０：エミッタパネル
【図１】
2005347171.tif 000004