(57)【要約】【課題】  開口面積が大きくて光電変換効率に優れ、かつ、スミアの発生を抑制できる固体撮像装置を提供すること。【解決手段】  電荷転送電極５を取り囲むように、スパッタ法、有機金属ＣＶＤ法等の方法を用いて、膜厚が１００〜２００ｎｍのタングステン等からなる遮光膜１０を、一様に成長させる。この後、遮光膜１０における電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂの膜厚が１００ｎｍ〜２００ｎｍになるまで遮光膜１０に異方性エッチングを施す。このようにして、電荷転送電極５上の部分１０ａと、電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂとが、分離せずに連続し、かつ、電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂの膜厚が、電荷転送電極５の底面に近づくに従って厚くなる遮光膜１０を形成する。【選択図】  図１Ａ
2005347374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数の単位画素が２次元配置され、
上記各単位画素は、光電変換領域と、上記光電変換領域に隣接して設けられると共に、上記光電変換領域で得られた電荷を転送する電荷転送領域と、上記電荷転送領域上に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された電荷転送電極と、上記電荷転送電極の側壁および上部を覆うように形成されると共に、上記光電変換領域上に開口部を有する金属遮光膜とを備え、
上記金属遮光膜の上記電荷転送電極上の部分と、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分とは、分離せずに連続し、
上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分の膜厚は、上記電荷転送電極の底面に近づくに従って厚くなっていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
上記金属遮光膜の上記電荷転送電極上の部分の膜厚は、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の電荷転送電極底面部分の膜厚と略同じであることを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に、光電変換効率に優れると共に、スミアの発生を防止できる固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２Ａは、従来の第１の固体撮像装置の断面図である。
【０００３】
この従来の第１の固体撮像装置は、ＣＣＤ型の固体撮像装置である。この第１の固体撮像装置は、シリコンや化合物半導体からなるＮ型半導体基板３１の上方に、P型ウエル領域３２、Ｎ型電荷転送領域３３、Ｐ型チャネルストップ領域３４、ポリシリコン等からなる第１の電荷転送電極３５、Ｎ型光電変換領域３６、アルミニウムからなる遮光膜３７を形成している。上記遮光膜３７には、Ｎ型光電変換領域３６に対応する部分に開口部３８がパターニングにより形成されており、Ｎ型光電変換領域３６のみに光が入射するようになっている。
【０００４】
図２Ｂは、上記Ｎ型光電変換領域３６を通過する紙面垂直方向の断面図である。
【０００５】
図２Ｂに示すように、この第１の固体撮像装置は、上記紙面垂直方向において、Ｎ型半導体基板３１の上方に、P型ウエル領域３２、Ｐ型チャネルストップ領域３４、ポリシリコン等からなる第１の電荷転送電極３５、ポリシリコン等からなる第２の電荷転送電極４５、Ｎ型光電変換領域３６、アルミニウムからなる遮光膜３７を形成している。
【０００６】
しかしながら、上記従来の第１の固体撮像装置では、上記開口部３８が、パターニングにより形成されているので、光電変換効率を向上させるべく開口部の開口面積を大きくするために、遮光膜３７の電荷転送電極側面の側壁底面部の幅を小さく設定すると、このパターニングの際のアライメントズレにより、図２Ｃに示すように、開口部５８の作成時に、電荷転送電極５５の側面部分が露出し、この露出部分から入射する斜め入射光５１によってＮ型光電変換領域５６以外の領域に、光電変換による電荷５２が発生して、その一部がＮ型電荷転送領域５３に集められてスミアが発生するという問題がある。
【０００７】
一方、電荷転送電極の側面側の部分の露出を防止するために、遮光膜３７の電荷転送電極側面の側壁底面部の幅を大きく設定すると、開口部の開口面積が狭くなって、光電変換効率が下がって感度が低下するという問題がある。特に、Ｎ型光電変換領域３６を通過する一方向の断面が、図２Ａに示すような断面形状であり、かつ、Ｎ型光電変換領域３６を通過すると共に図２Ａと垂直な断面が、図２Ｄに示すような断面形状である場合、すなわち、固体撮像装置が、一方の断面において、三つの電荷転送電極、すなわち、第１の電荷転動領域７７、第２の電荷転送領域７８および第３の電荷転送領域７８を有する場合においては、電極の段差が更に大きくなり、パターニングのマージンを更に大きくしなければならず、開口部が更に狭くなって感度が更に低下するという問題がある。
【０００８】
また、従来の第２の固体撮像装置としては、特開平３−１６５０６３号公報（特許文献１）に記載されているものがある。
【０００９】
この従来の第２の固体撮像装置は、遮光膜に開口部を設ける際、遮光膜を一様に成長させた後、異方性エッチングにより電極の側壁に自己整合的に遮光膜を残すようにしている。以下、従来の第２の固体撮像装置について説明する。
【００１０】
図３Ａは、従来の第２の固体撮像装置の断面図である。
【００１１】
従来の第２の固体撮像装置では、図２Ａおよび図２Ｂに示す固体撮像装置の構成部と同じ役割を果たす構成部には同一参照番号を付して説明を省略することにする。
【００１２】
従来の第２の固体撮像装置では、図３Ａに示すように、第１の電荷転送電極３５の側壁にタングステンからなる膜厚０.１μｍの遮光膜８５が形成されている。この遮光膜８５は、第１の電荷転送電極３５の形成後に、遮光膜を一様に成長させ、しかる後に遮光膜に対して異方性エッチングを施すことにより、第１の電荷転送電極３５の側壁のみに、遮光膜の一部を自己整合的に残すことにより形成されている。
【００１３】
上記第１の電荷転送電極３５の上部およびＮ型光電変換領域３６の上部には、層間膜としての連続する絶縁膜８３が形成されている。更に、この絶縁膜８３における第１の電荷転送電極３５に対応する部分の上には、アルミニウム遮光膜８４が形成されている。上記アルミニウム遮光膜８４は、固体撮像装置への垂直な入射光を遮断し、遮光膜８５は、斜め入射光を遮断する。
【００１４】
上記従来の第２の固体撮像装置では、遮光膜８５の膜厚を０.１μｍに設定することにより、Ｎ型光電変換領域３６上の開口面積が小さくならないようにしている。
【００１５】
図３Ｂは、従来の第２の固体撮像装置におけるＮ型光電変換領域３６を通過する紙面垂直方向の断面図である。図３Ｂに示すように、従来の第２の固体撮像装置は、上記紙面垂直方向において、第１の電荷転送電極９１と、第２の電荷転送電極９２とを有している。
【００１６】
尚、図３Ｃに一方向の断面構造を示す固体撮像装置は、上記従来の第２の固体撮像装置の変形例の固体撮像装置であり、図３Ｃは、図３Ａに示すＮ型光電変換領域３６における紙面垂直方向の断面構成図である。図３Ｃに示すように、上記変形例の固体撮像装置は、Ｎ型光電変換領域３６を通過する紙面垂直方向において、第１の電荷転送電極１０１と、第２の電荷転送電極１０２と、第３の電荷転送電極１０３とを有している。
【００１７】
しかしながら、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、上記従来の第２の固体撮像装置およびその変形例の固体撮像装置では、開口面積を大きくするためにアルミニウム遮光膜８４,９４,１０４の被覆面積を小さくすると、斜め入射光を遮断するために電荷転送電極の側壁に形成されたタングステン遮光膜８５,９５,１０５と、垂直入射光を遮断するアルミニウム遮光膜８４,９４,１０４との間にアライメントズレが生じたとき、タングステン遮光膜８５,９５,１０５とアルミニウム遮光膜８４,９４,１０４の間に、光を遮る遮光膜が存在しない隙間が生じ、その隙間からの斜め入射光８９、９９、１０９により光電変換による電荷８８,９８,１０８が発生して、その一部がＮ型電荷転送領域３３に集められスミアが発生するという問題がある。
【００１８】
一方、上記隙間の発生を防止するために、タングステン遮光膜とアルミニウム遮光膜との間に十分なマージンを設けると、図３Ｄに示すようにアルミニウム遮光膜１１４により開口部１１８の面積が減じて、光電変換効率が低くなって感度が悪くなるという問題がある。
【特許文献１】特開平３−１６５０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
そこで、本発明の課題は、開口面積が大きくて光電変換効率に優れ、かつ、スミアの発生を抑制できる固体撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するため、この発明の固体撮像装置は、半導体基板上に複数の単位画素が２次元配置され、上記各単位画素は、光電変換領域と、上記光電変換領域に隣接して設けられると共に、上記光電変換領域で得られた電荷を転送する電荷転送領域と、上記電荷転送領域上に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された電荷転送電極と、上記電荷転送電極の側壁および上部を覆うように形成されると共に、上記光電変換領域上に開口部を有する金属遮光膜とを備え、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極上の部分と、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分とは、分離せずに連続し、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分の膜厚は、上記電荷転送電極の底面に近づくに従って厚くなっていることを特徴としている。
【００２１】
本発明の固体撮像装置によれば、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極上の部分と、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分とが、分離せずに連続し、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分の膜厚は、上記電荷転送電極の底面に近づくに従って厚くなる構造であるので、本発明の固体撮像装置を製造する方法として、スパッタ法や有機金属ＣＶＤ法等の蒸着法で、上記電荷転送電極の側壁および上部に略一様な遮光膜を形成した後、異方性エッチングを行う製造方法を採用することができる。
【００２２】
したがって、この方法は、エッチング領域を厳密に制御できるので、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の部分の膜厚を適切な寸法に制御できる。したがって、この側壁側の部分が剥げて上記電荷転送電極の側壁が露出することを確実に防止することができて、スミアの発生を確実に防止できる。
【００２３】
また、エッチング領域を厳密に制御することができるので、上記電荷転送電極の側壁側の金属遮光膜の膜厚を、必要最小限の値に容易に調節することができて、上記開口部の開口面積を、固体撮像装置の良好な特性を保証できる開口面積の上限近傍に容易に設定できる。したがって、光電変換効率を大きくすることができて、感度を高くすることができる。
【００２４】
また、一実施形態の固体撮像装置は、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極上の部分の膜厚が、上記金属遮光膜の上記電荷転送電極の側壁側の電荷転送電極底面部分の膜厚と略同じである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の固体撮像装置によれば、開口面積を大きくすることができて光電変換効率を高くすることができる。また、電荷転送電極の側壁の露出を確実に防止することができて、斜め入射光を遮断でき、スミアの発生を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を図示の形態により詳細に説明する。
【００２７】
図１Ａは、本発明の一実施形態の固体撮像装置の単位画素の一方向の断面図である。尚、本発明の一実施形態の固体撮像装置は、以下に特徴を示す単位画素を、複数個２次元配置することによって形成されている。
【００２８】
図１Ａに示すように、この固体撮像装置の単位画素は、上記一方向において、Ｎ型半導体基板１上に、Ｐ型ウエル領域２を形成しており、Ｐ型ウエル領域２の一部に、N型電荷転送領域３、絶縁膜１１、電荷転送電極５、絶縁膜１２を順次形成している。
【００２９】
また、上記Ｐ型ウエル領域２上、かつ、N型電荷転送領域３の隣接部には、N型電荷転送領域３に接触するようにＰ型チャネルストップ領域４が形成されており、Ｐ型ウエル領域２上、かつ、Ｐ型チャネルストップ領域４のN型電荷転送領域３側と反対側の隣接部には、Ｐ型チャネルストップ領域４に接触するようにＮ型光電変換領域６が形成されている。
【００３０】
上記電荷転送電極５の側面およびＮ型光電変換領域６の上部には、絶縁膜１５が形成されている。この絶縁膜１５の上方の端面は、電荷転送電極５の上面に形成されている絶縁膜１２の下面に接触している。
【００３１】
上記絶縁膜１５の側壁および絶縁膜１２の上には、タングステンからなる遮光膜１０が形成されている。上記遮光膜１０は、Ｎ型光電変換領域６の上部の絶縁膜１５上に対応する部分に開口８を有している。
【００３２】
上記遮光膜１０の電荷転送電極５上の部分１０ａと、遮光膜１０の電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂとは、分離せずに連続している。また、上記遮光膜１０の下方の端面は、絶縁体１５の上面に接触しており、遮光膜１０の上記電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂの膜厚は、電荷転送電極５の底面に近づくに従って厚くなっている。また、上記遮光膜１０の電荷転送電極５上の部分１０ａの膜厚は、遮光膜１０の電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂ（遮光膜１０のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚と略同じになっている。
【００３３】
上記Ｎ型光電変換領域６の上部の絶縁膜１５および遮光膜１０を覆うように、絶縁層１７が形成されている。
【００３４】
図１Ｂ〜図１Ｄは、製造途中の上記実施形態の固体撮像装置の単位画素の断面図である。
【００３５】
以下に、図１Ｂ〜図１Ｄを用いて、上記実施形態の固体撮像装置の単位画素の製造方法の説明を行う。
【００３６】
先ず、図１Ｂに示す構造を作成する。詳細には、Ｎ型半導体基板１上に、Ｐ型ウエル領域２を形成し、Ｐ型ウエル領域２上に、互いに隣接するように、N型電荷転送領域３とＰ型チャネルストップ領域４とを形成する。次に、N型電荷転送領域３およびＰ型チャネルストップ領域４上に、絶縁膜１１、ポリシリコン等から成る電荷転送電極５を順次積層する。
【００３７】
その後、上記電荷転送電極５上に、膜厚が１００ｎｍ〜２００ｎｍの絶縁膜１２、膜厚が１００ｎｍ〜２００ｎｍのタングステンからなる遮光膜１０、膜厚が数十ｎｍの絶縁膜１３、所定のパターニングの表面形状のレジスト１４を順次形成し、絶縁膜１３、タングステンからなる遮光膜１０、絶縁膜１２、電荷転送電極５、絶縁膜１１を所定の形状にエッチングして、図１Ｂに示すように、所定の形状の電荷転送電極５を形成する。
【００３８】
次に、図１Ｂには図示されていない第１および第２の電荷転送電極を、上記電荷転送電極５を形成した方法と同様な方法を用いて形成する。詳細には、図示はしないが、上記と同様な方法で、第１の電荷転送電極を形成した後、第１の電荷転送電極上に形成されている最上膜である絶縁膜上に、ポリシリコンから成る第２の電荷転送電極、絶縁膜、タングステンからなる遮光膜、絶縁膜、所定のパターニングの表面形状を有するレジストを順次形成し、絶縁膜、タングステンからなる遮光膜、第２の電荷転送電極、絶縁膜をエッチングして、第２の電荷転送電極を形成する。
【００３９】
次に、電荷転送電極５、および、第１の電荷転送電極と第２の電荷転送電極とをマスクとして、図１Ｃに示すＮ型光電変換領域６をイオン注入法により形成した後、熱酸化により、Ｎ型半導体基板１上、電荷転送電極５側壁、および、第１および第２の電荷転送電極側壁（図示せず）に、膜厚が１００〜２００ｎｍの絶縁膜１５を形成して、図１Ｃに示す構造を作成する。尚、Ｎ型光電変換領域６は、電荷転送電極５、第１の電荷転送電極および第２の電荷転送電極を形成する前に、所定のパターニングの表面形状のレジストを形成し、このレジストを用いて所定の領域に形成しても良いことは勿論である。
【００４０】
次に、スパッタ法、有機金属ＣＶＤ法等の方法を用いて、図１Ｃに示す構造の表面全面に、膜厚が１００〜２００ｎｍのタングステン等からなる遮光膜１０を、一様に成長させて、図１Ｄに示す構造を作成する。この後、周辺回路等の遮光膜が不必要な領域をレジストによるパターニングを施してエッチングで除去した後、遮光膜１０に対して異方性エッチングを施して、電荷転送電極５の最上部の遮光膜１０と、絶縁膜１３を除去すると共に、電荷転送電極５の側壁に自己整合的に膜厚が１００ｎｍ〜２００ｎｍの遮光膜１０のサイドウォール（このサイドウォールの膜厚は、電荷転送電極５の底面に近づくに従って厚くなる）を残すことにより開口部８（図１Ａ参照）を形成する。尚、このとき、異方性エッチングを制御することによって、遮光膜１０の電荷転送電極５上の部分１０ａの膜厚と、遮光膜１０の電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂとが連続すると共に、遮光膜１０の電荷転送電極５上の部分１０ａの膜厚と、遮光膜１０の電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂ（遮光膜１０のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚とが、略同じになるようにする。
【００４１】
最後に、層間膜として絶縁層１７を形成することによって、図１Ａに示す単位画素を形成する。
【００４２】
図１Ｅは、図１Ａに示すＮ型光電変換領域６における紙面垂直方向の断面図である。
【００４３】
図１Ｅに示すように、この実施形態の固体撮像装置の単位画素は、上記紙面垂直方向において、第１の電荷転送電極２５および第２の電荷転送領域２６を有している。
【００４４】
また、図１Ｅに示すように、遮光膜の第１の電荷転送電極２５上の部分１８ａと、遮光膜の第１の電荷転送電極２５の側壁側の部分１８ｂとは、分離せずに連続し、かつ、遮光膜の第１の電荷転送電極２５の側壁側の部分１８ｂの膜厚は、第１の電荷転送電極２５の底面に近づくに従って厚くなっている。また、遮光膜の第１の電荷転送電極２５上の部分１８ａの膜厚と、遮光膜の第１の電荷転送電極２５の側壁側の部分１８ｂ（遮光膜のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚とは、略同じになっている。
【００４５】
また、同様に、遮光膜の第２の電荷転送電極２６上の部分１９ａと、遮光膜の第２の電荷転送電極２６の側壁側の部分１９ｂとは、分離せずに連続し、かつ、遮光膜の第２の電荷転送電極２６の側壁側の部分１９ｂの膜厚は、第２の電荷転送電極２６の底面に近づくに従って厚くなっている。また、遮光膜の第２の電荷転送電極２６上の部分１９ａの膜厚と、遮光膜の第２の電荷転送電極２６の側壁側の部分１９ｂ（遮光膜のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚とは、略同じになっている。
【００４６】
図１Ｆは、上記実施形態の固体撮像装置の変形例の固体撮像装置のＮ型光電変換領域を通過する一方向の断面図である。
【００４７】
詳細には、この変形例の固体撮像装置は、Ｎ型光電変換領域６（図１Ａ参照）を通過する一つの方向の断面構造が、図１Ａに示す断面構造であり、この一つの方向に垂直な方向の断面構造が、図１Ｆに示す断面構造である。
【００４８】
この変形例の固体撮像装置の単位画素は、上記一つの方向に垂直な方向において、第１の電荷転送電極２７と、第２の電荷転送電極２８と、第３の電荷転送電極２９とを有している。
【００４９】
上記第３の電荷転送電極２９は、上記実施形態の固体撮像装置において第１の電荷転送電極の上に第２の電荷転送電極を形成した方法と同様な方法で、第２の電荷転送電極２８の上部に形成されている。
【００５０】
上記第３の電荷転送電極２９の形成後、熱酸化によって、Ｎ型半導体基板１上と第１の電荷転送電極２７側壁、第２の電荷転送電極２８側壁、第３電荷転送電極２９側壁の夫々に絶縁膜を形成した後、前述の方法でタングステンから成る遮光膜１０を形成することによって、図１Ｆに示す構造を作成している。
【００５１】
図１Ｆに示すように、遮光膜１０の第１の電荷転送電極２７上の部分２１ａと、遮光膜１０の第１の電荷転送電極２７の側壁側の部分２１ｂとは、分離せずに連続し、かつ、遮光膜１０の第１の電荷転送電極２７の側壁側の部分２１ｂの膜厚は、第１の電荷転送電極２７の底面に近づくに従って厚くなっている。また、遮光膜１０の第１の電荷転送電極２７上の部分２１ａの膜厚と、遮光膜１０の第１の電荷転送電極２７の側壁側の部分２１ｂ（遮光膜のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚とは、略同じになっている。
【００５２】
また、遮光膜１０の第２の電荷転送電極２８上の部分２２ａと、遮光膜１０の第２の電荷転送電極２８の側壁側の部分２２ｂとは、分離せずに連続し、かつ、遮光膜１０の第２の電荷転送電極２８の側壁側の部分２２ｂの膜厚は、第２の電荷転送電極２８の底面に近づくに従って厚くなっている。また、遮光膜１０の第２の電荷転送電極２８上の部分２２ａの膜厚と、遮光膜１０の第２の電荷転送電極２８の側壁側の部分２２ｂ（遮光膜のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚とは、略同じになっている。
【００５３】
また、同様に、遮光膜１０の第３の電荷転送電極２９上の部分２３ａと、遮光膜１０の第３の電荷転送電極２９の側壁側の部分２３ｂとは、分離せずに連続し、かつ、遮光膜１０の第３の電荷転送電極２９の側壁側の部分２３ｂの膜厚は、第３の電荷転送電極２９の底面に近づくに従って厚くなっている。また、遮光膜１０の第３の電荷転送電極２９上の部分２３ａの膜厚と、遮光膜１０の第３の電荷転送電極２９の側壁側の部分２３ｂ（遮光膜のサイドウォール）の電荷転送電極底面部分の膜厚とは、略同じになっている。
【００５４】
上記実施形態および上記変形例の固体撮像装置によれば、遮光膜１０における電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９上に形成された部分１０ａ,１８ａ,１９ａ,２１ａ,２２ａ,２３ａと、遮光膜１０における電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁側の部分１０ｂ,１８ｂ,１９ｂ,２１ｂ,２２ｂ,２３ｂ（サイドウォール）とが、分離されず連続して形成されているので、光電変換領域６以外の部分へ光が漏れ込むことを防止できて、スミアの発生を抑制できる。
【００５５】
また、上記実施形態および上記変形例の固体撮像装置によれば、遮光膜１０の電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９上の部分１０ａ,１８ａ,１９ａ,２１ａ,２２ａ,２３ａと、遮光膜１０の電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁側の部分１０ｂ,１８ｂ,１９ｂ,２１ｂ,２２ｂ,２３ｂとが、分離せずに連続し、遮光膜１０の電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁側の部分１０ｂ,１８ｂ,１９ｂ,２１ｂ,２２ｂ,２３ｂの膜厚が、電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の底面に近づくに従って厚くなる構造であるので、本発明の固体撮像装置を製造する方法として、スパッタ法や有機金属ＣＶＤ法等の蒸着法で、電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁および上部に略一様な遮光膜を形成した後、異方性エッチングを行う製造方法を採用することができる。
【００５６】
したがって、この方法は、エッチング領域を厳密に制御できるので、遮光膜１０の電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁側の部分１０ｂ,１８ｂ,１９ｂ,２１ｂ,２２ｂ,２３ｂの膜厚を適切な寸法に制御できる。このことから、上記電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁が露出することを確実に防止することができて、スミアの発生を確実に防止できる。
【００５７】
また、エッチング領域を厳密に制御することができるので、電荷転送電極５,２５,２６,２７,２８,２９の側壁側の部分１０ｂ,１８ｂ,１９ｂ,２１ｂ,２２ｂ,２３ｂの膜厚を、必要最小限の値に容易に調節することができて、開口部８の開口面積を、固体撮像装置の良好な特性を保証できる開口面積の上限近傍に容易に設定できる。したがって、光電変換効率を大きくすることができて、感度を高くすることができる。
【００５８】
尚、上記実施形態および上記変形例の固体撮像装置では、タングステンからなる遮光膜１０を採用したが、この発明の固体撮像装置では、アルミニウムからなる遮光膜等、タングステン以外の金属からなる遮光膜を採用しても良い。また、遮光膜の材料として、タングステンシリサイド、または、タングステン以外の金属材料のシリサイドを採用しても良いことも勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】本発明の一実施形態の固体撮像装置の単位画素の一方向の断面図である。
【図１Ｂ】製造途中の上記実施形態の固体撮像装置の単位画素子の断面図である。
【図１Ｃ】製造途中の上記実施形態の固体撮像装置の単位画素子の断面図である。
【図１Ｄ】製造途中の上記実施形態の固体撮像装置の単位画素子の断面図である。
【図１Ｅ】図１Ａに示すＮ型光電変換領域における紙面垂直方向の断面図である。
【図１Ｆ】変形例の固体撮像装置の単位画素子の断面図である。
【図２Ａ】従来の第１の固体撮像装置の断面図である。
【図２Ｂ】上記第１の固体撮像装置のＮ型光電変換領域を通過する紙面垂直方向の断面図である。
【図２Ｃ】所望の遮光膜を形成できなかった従来の第１の固体撮像装置の断面図である。
【図２Ｄ】上記第１の固体撮像装置の変形例の固体撮像装置の断面図である。
【図３Ａ】従来の第２の固体撮像装置の断面図である。
【図３Ｂ】上記第２の固体撮像装置のＮ型光電変換領域を通過する紙面垂直方向の断面図である。
【図３Ｃ】上記第２の固体撮像装置の変形例の固体撮像装置の断面図である。
【図３Ｄ】遮光膜の電荷転送電極側面の側壁底面部の幅を大きく設定して感度が悪い従来の第２の固体撮像装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  Ｎ型半導体基板
２  Ｐ型ウエル領域
３  Ｎ型電荷転送領域
４  Ｐ型チャネルストップ領域
５  電荷転送電極
６  Ｎ型光電変換領域
８  開口
１０  遮光膜
１１,１２,１３,１５  絶縁膜
１７  絶縁層
１０ａ  遮光膜の電荷転送電極上の部分
１０ｂ  遮光膜の電荷転送電極の側壁側の部分
【図１Ａ】
2005347374.tif 000003
【図１Ｂ】
2005347374.tif 000004
【図１Ｃ】
2005347374.tif 000005
【図１Ｄ】
2005347374.tif 000006
【図１Ｅ】
2005347374.tif 000007
【図１Ｆ】
2005347374.tif 000008
【図２Ａ】
2005347374.tif 000009
【図２Ｂ】
2005347374.tif 000010
【図２Ｃ】
2005347374.tif 000011
【図２Ｄ】
2005347374.tif 000012
【図３Ａ】
2005347374.tif 000013
【図３Ｂ】
2005347374.tif 000014
【図３Ｃ】
2005347374.tif 000015
【図３Ｄ】
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