(57)【要約】【課題】表示装置の発光輝度を低下させることなく、異物の付着によるストレーの発生を防止することができる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の表示装置の製造方法は、基板上に積層されたカソード電極、絶縁層及びゲート電極を有するとともに、絶縁層及びゲート電極を開口するキャビティの底部に複数の炭素系針状物質を含むエミッタ層を有するカソード基板を得る工程（Ｓ１〜Ｓ７）と、カソード基板の一面に粘着材を貼り付けた後、粘着材を引き剥がすことにより、カソード基板の基板面に対して炭素系針状物質を垂直に配向させる工程（Ｓ８）と、カソード基板の一面を拭き取り処理する工程（Ｓ９）とを含む。【選択図】図３
2005150060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層されたカソード電極、絶縁層及びゲート電極を有するとともに、前記絶縁層及び前記ゲート電極を開口するキャビティの底部に複数の炭素系針状物質を含むエミッタ層を有するカソード基板を得る工程と、
前記カソード基板の一面に粘着材を貼り付けた後、前記粘着材を引き剥がすことにより、前記カソード基板の基板面に対して前記炭素系針状物質を垂直に配向させる工程と、
前記カソード基板の一面を拭き取り処理する工程と
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記カソード基板の一面を繊維状のクロスで拭き取り処理する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記カソード基板の一面を、当該基板面に沿って往復するように拭き取り処理する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記炭素系針状物質がカーボンナノチューブである
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に係り、特に、電界放出型の電子放出素子を有する表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出(Field Emission)と呼ばれ、これによって電子を放出する素子は電界放出型素子(Field Emission Device)と呼ばれている。近年では、電界放出型の電子放出素子を用いたＦＥＤ(Field Emission Display)が注目されている。ＦＥＤは、多数の電子放出素子がカソード基板上に半導体加工技術等を駆使して形成された表示パネルを備えるフラットディスプレイ装置（平面型の表示装置）である。このＦＥＤでは、電気的に選択（アドレッシング）された電子放出素子から電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示している。
【０００３】
図１０は従来の表示装置（ＦＥＤ）の主要部の構成例を示す概略断面図であり、図１１はその概略斜視図である。図においては、カソード基板５１とアノード基板５２とが微小なギャップを介して対向状態に配置されている。カソード基板５１とアノード基板５２との間は真空状態に維持される。カソード基板５１は、ベース基板５３と、カソード電極５４と、抵抗層５５と、絶縁層５６と、ゲート電極５７、電子放出部５８とを備えている。ゲート電極５７及び絶縁層５６にはキャビティ５９が形成されている。そして、キャビティ５９の底部に、スピント型と呼ばれるコーン形状（略円錐形）の電子放出部５８が形成されている。
【０００４】
一方、アノード基板５２は、ベース基板６０と、アノード電極６１と、蛍光体層６２とを備えている。アノード電極６１はＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明電極からなるもので、蛍光体層６２は１画素分のエリア内に赤，緑，青の各色に対応する蛍光体を並べて配置したものである。
【０００５】
ここで、上記構成の表示装置（ＦＥＤ）の製造プロセスについて簡単に説明する。先ず、カソード基板５１を得るにあたっては、ベース基板５３上に、カソード電極５４、抵抗層５５、絶縁層５６及びゲート電極５７を蒸着法によって順に積層する。次に、フォトプロセス（フォトレジスト塗布、パターニング、エッチング）を施して、ゲート電極５７及び絶縁層５６にキャビティ５９を形成した後、フォトレジストを除去する。
【０００６】
次いで、ベース基板５３を回転させながら、その基板面に対して斜め方向からアルミニウムなどを蒸着させることにより、ゲート電極５７の表面とその開口縁部にのみアルミニウムからなる剥離層を形成する。続いて、剥離層の上からエミッタ材料となる金属、例えばモリブデンを堆積させる。これにより、キャビティ５９の開口径がモリブデンの堆積とともに徐々に小さくなり、最終的にキャビティ５９が完全に閉じられる。その結果、キャビティ５９内にエミッタ材料（モリブデン）の堆積によってコーン形状の電子放出部５８が形成される。その後、ゲート電極５７上の不要なエミッタ材料を剥離層とともにエッチングによって除去する。
【０００７】
一方、アノード基板５２を得るにあたっては、ベース基板６０上にＩＴＯ等のアノード電極６１を形成した後、蛍光体材料の塗布によって蛍光体層６２を形成する。また、こうして得られたカソード基板５１とアノード基板５２とを、例えば０．２〜１．０ｍｍのギャップで真空状態に封止する。以上の製造プロセスでは、電子放出部５８とゲート電極５７との間の距離がサブミクロンレベルに制御されることから、それらの間に数十ボルトの電圧を印加することにより、電子放出部５８の先端部に電界を集中させ、これに伴うトンネル効果によって電子放出部５８から真空中に電子を放出させることができる。その際、抵抗層５５は、例えば電子放出部５８への放電電流が大きくなった場合に、抵抗による電圧降下の増大によって電子放出部５８に作用する実効電圧を減少させ、逆に放電電流が小さくなった場合は電子放出部５８に作用する実効電圧を増加させることにより、放電電流を安定化させる役目を果たす。
【０００８】
ところで近年においては、電界放出型カソードの構成として、非常に鋭利な先端が無数に得られるカーボンナノチューブを用いたエミッタ構造が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。一般にカーボンナノチューブは高いアスペクト比を有し、かつ先端の曲率半径が小さく、高密度形成が可能であるため、高い発光効率を実現するうえで有利なエミッタ材料として注目されている。ただし、カーボンナノチューブは単体では非常に微細な針状（糸状）物質であるものの、例えばカーボンナノチューブを含む分散液を塗布してエミッタ層を形成した場合は、エミッタ層の表面でカーボンナノチューブの向きが不揃いになり、高い発光効率が得られにくいものとなる。
【０００９】
そこで、下記特許文献２には、粘着テープの貼り付け及び引き剥がしによってカーボンナノチューブを垂直に配向させる方法が記載されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１６７６９２号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来の方法では、カソード基板から粘着テープを引き剥がすときに、粘着テープの粘着面に付着したカーボンナノチューブがキャビティの開口縁部に接触し、そこに異物として付着した状態になる。より具体的に記述すると、図１２（Ａ）に示すように、カソード電極６３、絶縁層６４及びゲート電極６５の積層部にキャビティ６６を形成し、このキャビティ６６の底部にカーボンナノチューブを用いてエミッタ層６７を形成したものでは、図１２（Ｂ）に示すように、ゲート電極６５の上から粘着テープの粘着層６８を押し付けたときに、キャビティ６６の内部に粘着層６８が入り込む。この状態で粘着テープを上方に引き剥がすと、図１２（Ｃ）に示すように、キャビティ６６の底部に接触していた粘着層６８の粘着面に、カーボンナノチューブを含むエミッタ層６７の表層部６７Ａが付着したまま引き上げられる。このとき、キャビティ６６に入り込んだ粘着層６８の部分は、キャビティ６６の直径方向で開口縁部の一方端を支点に回転しながら引き上げられる。そのため、キャビティ６６の開口縁部の他方端に上記表層部６７Ａのエッジ部分が引っ掛かり、これに伴う機械的な剥離作用により、図１２（Ｄ）に示すように、表層部６７Ａの一部が異物６９となって開口縁部に取り残される。
【００１２】
このようにしてキャビティ６６の開口縁部に異物６９が付着した状態になると、そこから不要な電子が放出されてストレー（異常発光）の発生を招くことになる。この対策としては、粘着テープを引き剥がしたときに、粘着層６８に付着したエミッタ層６７の表層部６７Ａがキャビティ６６の開口縁部に接触しないよう、図１３に示すように、エミッタ層６７の径Ｄ１をキャビティ６６の開口径Ｄ２よりも小さくすることが考えられる。ただし、このような寸法関係（Ｄ１＜Ｄ２）に設定することは、実質的にゲート電極６５からエミッタ層６７までの距離を拡大させることになる。そのため、同じ発光量を得るにあたって、より大きな電圧を印加する必要があり、発光効率が低下してしまう。
【００１３】
また、キャビティ６６の開口縁部に付着した異物６９を取り除くために、例えば、カソード基板を洗浄液で洗浄（湿式洗浄）する場合は、キャビティ６６内でエミッタ層６７を形成するカーボンナノチューブが洗浄液の表面張力によって横向きに寝てしまう。また、エアー洗浄（ブローや真空など）を行う場合も、カーボンナノチューブが横向きに寝てしまったり抜けたりしてしまう。さらに、粘着テープを使って取る場合は、キャビティ６６内のカーボンナノチューブも一緒に剥がれてしまう。したがって、いずれの方法を採用しても、表示装置の発光輝度が低下してしまう。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、表示装置の発光輝度を低下させることなく、異物の付着によるストレーの発生を防止することができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る表示装置の製造方法は、基板上に積層されたカソード電極、絶縁層及びゲート電極を有するとともに、絶縁層及びゲート電極を開口するキャビティの底部に複数の炭素系針状物質を含むエミッタ層を有するカソード基板を得る工程と、カソード基板の一面に粘着材を貼り付けた後、粘着材を引き剥がすことにより、カソード基板の基板面に対して炭素系針状物質を垂直に配向させる工程と、カソード基板の一面を拭き取り処理する工程とを含むものである。
【００１６】
本発明に係る表示装置の製造方法においては、粘着材の貼り付け及び引き剥がしによってキャビティの開口縁部に炭素系針状物質からなる異物が付着しても、その後、カソード基板の一面を拭き取り処理することにより、キャビティ底部のエミッタ層にダメージを与えたり炭素系針状物質の配向性を劣化させずに、キャビティの開口縁部から異物を取り除くことが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の表示装置の製造方法によれば、キャビティ底部のエミッタ層にダメージを与えたり炭素系針状物質の配向性を劣化させずに、キャビティの開口縁部から異物を取り除くことができる。したがって、表示装置の発光輝度を低下させることなく、異物の付着によるストレーの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図であり、図２はその表示パネルの構成を示す斜視図である。図においては、平板状のカソード基板１と、同じく平板状のアノード基板２とを所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それら２つの基板１，２の間に枠体３を介装して一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体（表示パネル）が構成されている。
【００２０】
カソード基板１上には複数の電子放出素子が形成されている。これら複数の電子放出素子は、カソード基板１の有効領域（実際に表示部分として機能する領域）に２次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出素子は、カソード基板１のベースとなる絶縁性の支持基板（例えば、ガラス基板）４に積層状態で順に形成されたカソード電極５、絶縁層６及びゲート電極７と、ゲート電極７及び絶縁層６に形成されたキャビティ８と、このキャビティ８の底部に形成された電子放出部９とによって構成されている。
【００２１】
カソード電極５は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極７は、各々のカソードラインと交差（直交）する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。キャビティ８は、ゲート電極７に形成された第１の開口部８Ａと、この第１の開口部８Ａに連通する状態で絶縁層６に形成された第２の開口部８Ｂとから構成されている。このキャビティ８は、カソード電極５とゲート電極７との交差部に複数形成されている。
【００２２】
電子放出部９は、主としてエミッタ材料とバインダ材料（マトリックス）とを含むエミッタ層１０によって形成されている。エミッタ層１０の表面には、エミッタ材料となる複数の炭素系針状物質１１が突出した状態に配置されている。炭素系針状物質１１としては、非常に先鋭なエッジを有するカーボンナノチューブを用いることが望ましい。カーボンナノチューブは、グラフェンシートを丸めた１層又は多層の円筒状をなすもので、直径が０．７〜５０ｎｍ程度で長さが数μｍの高いアスペクト比をもつ材料である。ただし、エミッタ材料として利用可能な微細な針状構造（繊維構造を含む）を有する物質であれば、カーボンナノチューブ以外のものを炭素系針状物質１１として用いてもよい。
【００２３】
一方、アノード基板２は、ベースとなる透明基板１２と、この透明基板１２上に形成された蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４と、これら蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４を覆う状態で透明基板１２上に形成されたアノード電極１５とを備えて構成されている。蛍光体層１３は、赤色発光用の蛍光体層１３Ｒと、緑色発光用の蛍光体層１３Ｇと、青色発光用の蛍光体層１３Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス１４は、各色発光用の蛍光体層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの間に形成されている。アノード電極１５は、カソード基板１の電子放出素子と対向するように、アノード基板２の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【００２４】
これらのカソード基板１とアノード基板２とは、それぞれの外周部（周縁部）で枠体３を介して接合されている。また、カソード基板１の無効領域（有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域）には真空排気用の貫通孔１６が設けられている。貫通孔１６には、真空排気後に封じ切られるチップ管１７が接続されている。ただし、図１は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管１７は既に封じ切られた状態となっている。また、図１及び図２においては、各々の基板１，２間のギャップ部分に介装される耐圧用の支持体（スペーサ）の表示を省略している。
【００２５】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極５に相対的な負電圧がカソード電極制御回路１８から印加され、ゲート電極７には相対的な正電圧がゲート電極制御回路１９から印加され、アノード電極１５にはゲート電極７よりも更に高い正電圧（アノード電圧）がアノード電極制御回路２０から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、例えば、カソード電極５にカソード電極制御回路１８から走査信号を入力し、ゲート電極７にゲート電極制御回路１９からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電極５にカソード電極制御回路１８からビデオ信号を入力し、ゲート電極７にゲート電極制御回路１９から走査信号を入力する。
【００２６】
これにより、カソード電極５とゲート電極７との間に電圧が印加され、これによってエミッタ層１０上の先鋭部（炭素系針状物質１１の先端部）に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出部９から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極１５に引き付けられてアノード基板２側に移動し、透明基板１２上の蛍光体層１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）に衝突する。その結果、蛍光体層１３が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【００２７】
図３は本発明の実施形態に係る表示装置（ＦＥＤ）の製造方法として、特に、カソード基板１の製造プロセスを示すフローチャートである。
【００２８】
［カソード電極の形成工程；Ｓ１］
先ず、図４（Ａ）に示すように、カソード基板１のベースとなる支持基板４を用意したら、この支持基板４の表面に、例えば、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、アルミニウム等の金属のように電気的に抵抗値（抵抗率）の低い材料を用いて、図４（Ｂ）に示すようにカソード電極５を形成する。具体的には、ペースト状にした電極材料を、例えば、印刷法、スピンコート法等によって支持基板４の全面に塗布することにより、支持基板４上に均一な厚さでカソード電極５の層を形成する。
【００２９】
［エミッタ層１０の形成工程；Ｓ２］
次に、図４（Ｃ）に示すように、カソード電極５の上にエミッタ層１０を形成する。このエミッタ層１０については、先ほど形成したカソード電極５の上に複数（多数）の炭素系針状物質１１を用いて形成する。エミッタ層１０の形成は、複数の炭素系針状物質１１を分散液に混合して得られる液状の塗布材料を、上記カソード電極５を覆う状態で支持基板４の全域に塗布することにより行う。炭素系針状物質１１としてカーボンナノチューブを用いる場合は、複数（多数）のカーボンナノチューブの粉末を、例えばＩＴＯ溶液等の有機溶媒からなる分散液に混合して液状の塗布材料を生成し、この塗布材料をディップ法、スプレー法、スピンコート法等によって支持基板４の全面に均一に塗布した後、塗布材料（塗布膜）を焼成することにより、複数の炭素系針状物質１１を含むエミッタ層１０を形成する。なお、ここではカソード電極５の上に直接エミッタ層１０を形成しているが、それらの間に必要に応じて抵抗層を形成してもよい。
【００３０】
［第１のパターニング工程；Ｓ３］
続いて、図４（Ｄ）に示すように、カソード電極５及びエミッタ層１０をストライプ状にパターニングする。具体的には、エミッタ層１０の上にフォトリスグラフィ技術によってレジストマスクを形成し、このレジストマスクを通してエミッタ層１０及びカソード電極５を順にエッチングすることにより、これらをストライプ状に成形する。なお、ここではカソード電極５びエミッタ層１０を本工程でまとめてストライプ状にパターニングするものとしたが、これ以外にも、それぞれの形成工程で個別にパターニングすることも可能である。
【００３１】
［絶縁層の形成工程；Ｓ４］
次に、図４（Ｅ）に示すように、ストライプ状とされたカソード電極５及びエミッタ層１０を覆う状態で支持基板４の全面に絶縁層６を形成する。このとき、必要に応じて絶縁層６の表面を平坦化する。絶縁層６を構成する材料としては、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）などのように電気的に高い絶縁性を有する材料であれば、どのような材料を用いてもよい。絶縁層６は支持基板４の上面を全体的に覆うように層状に形成される。絶縁層６の成膜方法としては、例えば、スピンコート法、印刷法、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
【００３２】
［ゲート電極の形成工程；Ｓ５］
次いで、図５（Ａ）に示すように、上述のように積層した支持基板４の絶縁層６上にゲート電極７を形成する。ゲート電極７を構成する電極材料としては、例えば、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン等の金属のように電気的に抵抗値の低い材料であれば、どのような材料を用いてもよい。このゲート電極７は、上記電極材料を支持基板４上の全面に成膜することにより形成する。
【００３３】
［第２のパターニング工程；Ｓ６］
続いて、ゲート電極７をストライプ状にパターニングする。具体的には、ゲート電極７の上にフォトリスグラフィ技術によってレジストマスクを形成し、このレジストマスクを通してゲート電極７をエッチングすることにより、これをストライプ状に成形する。このとき、先に形成したカソード電極５のストライプパターン（カソードライン）とほぼ直交するように、ゲート電極７のストライプパターン（ゲートライン）を形成する。
【００３４】
［キャビティの形成工程；Ｓ７］
その後、図５（Ｂ）に示すように、ストライプ状としたゲート電極７上で、カソード電極５との交差部にそれぞれキャビティ８を形成する。キャビティ８の形成は、図示しないエッチングマスクを用いてゲート電極７に第１の開口部８Ａを形成した後、このゲート電極７をエッチングマスクに用いて絶縁層６に第２の開口部８Ｂを形成することにより行う。このようにキャビティ８を形成することにより、キャビティ８の底部でエミッタ層１０が露出した状態となる。なお、エミッタ層１０の形成は、絶縁層６及びゲート電極７にキャビティ８を形成した後で行うことも可能である。
【００３５】
［配向処理工程；Ｓ８］
続いて、図５（Ｃ）に示すように、キャビティ８の底部に露出したエミッタ層１０の表面で各々の炭素系針状物質１１がほぼ垂直に起立するように、炭素系針状物質１１の配向処理を行う。具体的には、支持基板４上で図示しない粘着テープの粘着層をゲート電極７の上から貼り付けた後、この粘着テープとともに粘着層を支持基板４から引き剥がすことにより、支持基板４の基板面に対して炭素系針状物質１１を垂直に配向させる。このとき、エミッタ層１０の表面には多数の炭素系針状物質１１が露出しているため、粘着層（テープ）の貼り付け及び引き剥がしを行うことにより、多数の炭素系針状物質１１を垂直に配向させることができる。配向処理用の粘着材には、片面に粘着層が形成された貼着テープや粘着フィルムなどを用いることができる。
【００３６】
［拭き取り処理工程；Ｓ９］
続いて、上述のように粘着テープ（粘着材）の貼り付け及び引き剥がしが行われたカソード基板１の一面を拭き取り処理する。この拭き取り処理には、例えば、図６に示すように、カソード基板１の一辺の長さよりも長い角棒２１の外周に繊維状のクロス２２を巻き付けて、この角棒２１を上記カソード基板１の一辺側から他辺側に向けて基板面に沿うように矢印方向に移動させ、この移動中にクロス２２の表面をカソード基板１の表面（ゲート電極７の表面）に接触させる。拭き取り用のクロス２２は、クリーンルーム等のクリーンな環境に適用した、発塵性の低いものを使用する。また、クロス２２は、図７に示すように、繊維が規則的に絡み合った構造のものでもよいし、多孔質の繊維構造を有する不織布であってもよい。また、クロス２２の材質にはポリエステルなどを用いることが好適である。また、クロス２２の繊維径は、エミッタ層１０の表層部にクロス２２の繊維が接触したり、カソード基板１とクロス２２のの接触面積が極端に小さくなったりしないように、キャビティ８の開口径に応じて適宜選定することが望ましい。
【００３７】
このようにカソード基板１の一面をクロス２２で拭き取り処理することにより、キャビティ８の開口縁部に炭素系針状物質からなる異物２３が付着していた場合は、この異物２３がクロス２２の繊維内に取り込まれる。したがって、キャビティ８の開口縁部に付着した異物２３をカソード基板１から取り除くことができる。このとき、クロス２２を巻き付けた角棒２１を矢印方向及びこれと反対方向で往復移動させることにより、カソード基板１の一面を、その基板面に沿って往復するように拭き取り処理することが望ましく、さらには複数回にわたって往復するように拭き取り処理することが望ましい。
【００３８】
このようにカソード基板１の面上でクロス２２により拭き取られた部分は、キャビティ８の開口縁部に異物２３の付着がない清浄な状態となる。また、クロス２２を用いた拭き取り処理では、キャビティ８の底部でエミッタ層１０の表面に露出している炭素系針状物質１１の配向性を劣化させたり、これを剥がすなどのダメージを与えることなく、異物２３を的確に取り除くことができる。また、拭き取り処理はサイズ依存性が殆どないため、大型基板の拭き取りにも容易に対応することができる。さらに、クロス２２は繰り返し使用することができるため、ランニングコストを低く抑えることができる。
【００３９】
以上の工程にしたがってカソード基板１を製造し、このカソード基板１と別途製造したアノード基板２とを用いてＦＥＤの表示パネルを組み立てることにより、表示装置の発光輝度を低下させることなく、異物の付着によるストレーの発生を防止することができる。
【００４０】
なお、上記の処理例では、カソード基板１を固定として角棒２２を矢印方向に移動させるようにしているが、これ以外にも、角棒２２を固定としてカソード基板１を矢印方向と反対方向（図６の右方向）に移動させたり、角棒２２とカソード基板１１の両方を移動させるなどして、カソード基板１と角棒２２を相対的に移動させるものとしてもよい。
【００４１】
また、上記の処理例では、角棒２１にクロス２２を巻き付けて、この角棒２１とカソード基板１の相対移動により、カソード基板１の一面をクロス２２で拭き取り処理するものとしたが、これ以外にも、例えば図８に示すように、丸棒２４にクロス２５を巻き付けて、この丸棒２４を回転させながら、丸棒２４とカソード基板１の相対移動により、カソード基板１の一面をクロス２５で矢印方向に拭き取り処理するものとしてもよい。
【００４２】
この場合、カソード基板１の一面には、丸棒２４の回転による拭き取り作用と、カソード基板１と丸棒２４の相対移動による拭き取り作用が同時に働くため、単位時間あたりの拭き取り回数を増やすことができる。また、丸棒２４の回転に伴って、カソード基板１の一面に接触するクロス２５の面が連続的に変化するため、常に清浄なクロス面で拭き取り処理することができる。その結果、カソード基板１を効率良く拭き取り処理することが可能となる。
【００４３】
ここで本発明者は、図９（Ａ）に示すように、表示装置の有効画面領域を均等な大きさで４つの領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４に区分し、拭き取り処理前後でストレー発生数及び輝度の変化を調べてみた。拭き取り方式としては、上記図６に示したように、角棒２１に繊維径が約２μｍのクロス（東レ株式会社製；商品名ＣＣクリーンクロス）２２を巻き付けて行った。そして、図９（Ｂ）に示すように、領域Ｅ１では拭き取り無しとし、領域Ｅ２では２回（角棒を１往復）の拭き取り、領域Ｅ３では４回（角棒を２往復）の拭き取り、領域Ｅ４では６回（角棒を３往復）の拭き取りを行った。
【００４４】
その結果、拭き取り処理前は、アノード電極に９ｋＶ、ゲート電極に黒信号レベルの０Ｖの電圧を印加した状態で、図９（Ａ）に示すように、４つの領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４にそれぞれ３〜４個のストレーが発生していたが、拭き取り処理後は、図９（Ｂ）に示すように、領域Ｅ１を除く３つの領域Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４でストレーが発生しなくなった。また、アノード電極に９ｋＶ、ゲート電極に白信号レベルの３０Ｖを印加した状態で、拭き取り処理前後の輝度変化を調べたところ、拭き取り回数に関係なく、全ての領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４で輝度の変化（低下）が認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図である。
【図２】本発明が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置（ＦＥＤ）の製造方法として、特に、カソード基板の製造プロセスを示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態に係るカソード基板の製造工程図（その１）である。
【図５】本発明の実施形態に係るカソード基板の製造工程図（その２）である。
【図６】拭き取り処理の一例を説明する図である。
【図７】拭き取り処理に使用するクロスの構造を示す拡大図である。
【図８】拭き取り処理の他の例を説明する図である。
【図９】表示画面の拭き取り前後の状態変化を説明する図である。
【図１０】従来の表示装置（ＦＥＤ）の主要部の構成例を示す概略断面図である。
【図１１】従来の表示装置（ＦＥＤ）の主要部の構成例を示す概略斜視図である。
【図１２】異物付着のメカニズムを説明する図である。
【図１３】異物付着の回避案を説明する図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…カソード基板、５…カソード電極、６…絶縁層、７…ゲート電極、８…キャビティ、１０…エミッタ層、１１…炭素系針状物質、２１…角棒、２２，２５…クロス、２３…異物、２４…丸棒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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