(57)【要約】【課題】  簡略化された構成により、装着領域にスルーホールを設けて回路パターンを形成しても、メモリカードによる当該回路パターンの損傷並びに短絡及び地絡を回避することができる回路基板を提供する。【解決手段】  ベース基板１の装着領域Ｄ１に形成された接地ランド８に対し、スルーホール１１の盛り上がり部１１１の高さｄよりも高くなるように半田を盛り、半田部７を形成する。これにより、メモリカード５は、盛り上がり部１１１と接触することなく、コネクタに装着される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールが形成された平板状のベース基板を備え、当該ベース基板上にメモリカードが接続されるコネクタが配設された回路基板であって、
前記コネクタに装着されたメモリカードに対して対向するベース基板上の領域である装着領域内に、ベース基板上に形成される回路パターンと電気的に接続されていない未接続ランドを設け、当該未接続ランドに対し、ベース基板面に対する前記スルーホールの高さよりも高くなるように半田を盛り、半田部を形成したことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記メモリカードは、前記ベース基板に対向する面に電気的に接地された板金を備え、
前記未接続ランドは、接地されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記装着領域内であって、前記コネクタ近傍の所定の領域にスルーホール禁止領域を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記半田部は複数設けられ、
複数設けられた前記半田部のうち少なくとも１個の半田部を、前記装着領域内であって、前記メモリカードの挿入方向と平行、かつ、前記メモリカードの幅方向中央を通るライン上に設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記半田部は、前記装着領域において、所定行×所定列からなるマトリックス状に配列されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記半田部は、前記メモリカードの挿入方向を長手方向とする長円状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記半田部は、複数の半田部のうちいずれかの半田部を長円状とし、残りの半田部を円状にしたことを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードが装着されるコネクタを備える回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の回路基板のコネクタ部分の断面図を示している。回路基板は平板状のベース基板１を備え、ベース基板１には、複数のスルーホール１１が形成されており、このスルーホール１１のランドを通じて回路パターンが形成されている。また、ベース基板１にはコネクタハウジング２が配設されている。コネクタハウジング２は、ベース基板１に対しｙ方向に立設された側壁２１と、側壁２１の上部からｘ方向に向けて延設された天井壁２２とを備える側面視が略Ｌ字状の部材である。側壁２１には、メモリカードとベース基板１上に形成されたパターンとを電気的に接続させるためのピン３がｘ方向に対して平行に取り付けられている。コネクタハウジング２及びピン３によりコネクタが構成されている。このコネクタは、ＣＦ（compact flash）カード、ＳＤ(secure digital)カード等、使用されるメモリカードの規格に準拠したコネクタである。
【０００３】
メモリカード５は、ＣＦカード、ＳＤカード等のメモリカードであり、裏面のほぼ全域に接地用の板金５１が取り付けられている。ユーザにより、メモリカード５が天井壁２２とベース基板１との間に挿入され、メモリカード５の挿入方向面にマトリックス状に配設された雌形コンタクトにピン３が嵌め込まれると、ベース基板１上に形成された回路パターンとメモリカード５とが電気的に接続される。
【０００４】
スルーホール１１は、ベース基板１に対しドリル等を用いて孔を開け、孔の内周面に銀等の金属を蒸着することにより形成されるが、これによって、ベース基板１に対しｙ方向に向けて僅かに（０．１ｍｍ程度）盛り上がった盛り上がり部１１１が形成されてしまう。
【０００５】
そのため、コネクタに装着されたメモリカード５に対向するベース基板１上の領域である装着領域Ｄ１に、スルーホール１１を設けて回路パターンを形成すると、メモリカード５の着脱時において、盛り上がり部１１１と板金５１とが接触してしまい、装着領域Ｄ１に形成された回路パターンが傷つけられてしまう。また、メモリカード５の装着後においても、スルーホール１１と板金５１とが盛り上がり部１１１接触することにより板金５１と回路パターンとが電気的に接続され、回路の短絡及び地絡が生じるおそれがある。そこで、従来の回路基板では、図８に示すように、装着領域Ｄ１は、回路パターンやスルーホール１１が形成されないパターン禁止領域とされるのが一般的であった。
【０００６】
一方、図９に示すように、ベース基板１に嵩上げ部材Ｘを備えたコネクタを設けることにより、盛り上がり部１１１と板金５１との接触を避け、装着領域Ｄ１にスルーホール１１を形成し、回路パターンを形成させることを可能とする技術が知られている。また、本案件に関する技術として特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平５−１８９６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、近年、機械の小型化に伴い回路基板の小型化が要望され、装着領域Ｄ１に対してもスルーホール１１を設け、回路パターンを形成する必要性が高まっている。また、嵩上げ部材Ｘを備えるコネクタを設ける手法では、メモリカード５をコネクタに向けてガイドする部材が別途必要となり、構成が複雑化すると共に部品点数が増大し、コストアップを招くという問題が発生する。
【０００８】
本発明の目的は、簡略化された構成により、装着領域にスルーホールを設けて回路パターンを形成しても、メモリカードによる当該回路パターンの損傷並びに短絡及び地絡を回避することができる回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による回路基板は、スルーホールが形成された平板状のベース基板を備え、当該ベース基板上にメモリカードが接続されるコネクタが配設された回路基板であって、前記コネクタに装着されたメモリカードに対して対向するベース基板上の領域である装着領域内に、ベース基板上に形成される回路パターンと電気的に接続されていない未接続ランドを設け、当該未接続ランドに対し、ベース基板面に対する前記スルーホールの高さよりも高くなるように半田を盛り、半田部を形成したことを特徴とする。
【００１０】
また、前記メモリカードは、前記ベース基板に対向する面に電気的に接地された板金を備え、前記未接続ランドは、接地されていることが好ましい。
【００１１】
また、前記装着領域内であって、前記コネクタ近傍の所定の領域にスルーホール禁止領域を設けることが好ましい。
【００１２】
前記半田部は複数設けられ、複数設けられた前記半田部のうち少なくとも１個の半田部を、前記装着領域内であって、前記メモリカードの挿入方向と平行、かつ、前記メモリカードの幅方向中央を通るライン上に設けることが好ましい。
【００１３】
前記半田部は、前記装着領域において、所定行×所定列からなるマトリックス状に配列されていることが好ましい。
【００１４】
また、前記半田部は、前記メモリカードの挿入方向を長手方向とする長円状であることが好ましい。
【００１５】
また、前記半田部は、複数の半田部のうちいずれかの半田部を長円状とし、残りの半田部を円状にすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、コネクタに装着されたメモリカードに対向するベース基板上の領域である装着領域内に、回路パターンと電気的に接続されていない未接続ランドが設けられ、この未接続ランドに対して、スルーホールよりも高くなるように半田を盛ることにより半田部が形成されている。そのため、メモリカードが、スルーホールとではなく半田部と接触する結果、装着領域にスルーホールを設けても、このスルーホールとメモリカードとの接触が回避されるため、メモリカードをコネクタに装着することが可能となる。したがって、装着領域にスルーホールを設け、回路パターンを形成しても、当該回路パターンはメモリカードにより損傷されず、しかも、半田を盛るという簡略化された構成により、装着領域内に回路パターンを形成することが可能となる。
【００１７】
ここで、ランドとは、電子部品及び電子素子等と配線とを接合するために、半田を盛る導体パターンのことを言う。すなわち、半田を盛ることができる（レジスト抜きをした）導体パターンのことを言う。
【００１８】
請求項２記載の発明によれば、半田部と板金とが接触することにより、メモリカードとスルーホールとの接触を回避しつつ、ベース基板側と対向するメモリカードの面に設けられ、電気的に接地された板金を確実に接地させることができる。そのため、メモリカードの板金と回路パターンとが電気的に接続され、短絡及び地絡を回避することができる。
【００１９】
請求項３記載の発明によれば、装着領域内であって、コネクタ近傍の所定の領域をスルーホール禁止領域とし、当該領域にスルーホールを形成しないようにしたため、メモリカードをベース基板に対して斜め上方から挿入する場合に、コネクタ近傍ほどメモリカードとベース基板とが近接するために生じる、スルーホールとメモリカードとの接触をより確実に回避しつつ、メモリカードをコネクタに装着することができる。
【００２０】
請求項４記載の発明によれば、複数の半田部のうち少なくとも１個の半田部が装着領域の中央ライン上に設けられているため、メモリカードをバランスよく、コネクタに案内することが可能となり、メモリカードとスルーホールとの接触をより確実に回避することができる。
【００２１】
請求項５記載の発明によれば、半田部が所定行及び所定列からなるマトリックス状に形成されるため、メモリカードをコネクタに対してバランスよく案内しつつ、半田部が形成されていない領域が分散して生じる結果、回路パターンの自由度が増すこととなる。
【００２２】
請求項６記載の発明によれば、装着領域にメモリカードの挿入方向を長手方向とする長円状の半田部が形成されているため、この半田部に沿ってメモリカードを案内することが可能となり、コネクタに対するメモリカードの着脱が容易となる。
【００２３】
請求項７記載の発明によれば、長円状の半田部と円状の半田部とが組み合わさった複数の半田部が装着領域に形成されているため、面積の小さな円状の半田部の周囲の領域において、回路パターンの自由度を高めることができる、一方、長円状の半田部によりメモリカードの案内を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態による回路基板について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本回路基板の側面断面図を示している。図１に示す回路基板は、図７に示す回路基板に対して、ベース基板１の装着領域Ｄ１にスルーホール１１を設けると共に、スルーホール１１に対して接地されたランド（接地ランド８（図２参照））を形成し、この接地ランド８に対して、半田を盛り半田部７を形成したものである。本実施形態では、接地ランド８が未接続ランドに相当する。
【００２５】
図２は、図１に示す半田部７を拡大して示した回路基板の側面断面図である。図２に示すように、スルーホール１１の内周には、銀又は銅等の金属１２２が蒸着されており、この金属１２２がｙ方向に盛り上がり、盛り上がり部１１１が形成されている。接地ランド８は、この盛り上がり部１１１の高さｄとほぼ同じ高さを有し、かつ、ｙ方向視において、スルーホール１１を取り囲むようにして、例えばドーナツ状に形成されている。
【００２６】
半田部７は、この接地ランド８と、この接地ランド８に対して隣接する接地ランド８との間において、盛り上がり部１１１の高さｄよりも高くなるように半田を盛り、両ランドを繋げるようにして形成される。そして、半田部７の形状に応じて、隣接する接地ランド８間を半田を盛って順次繋げていき半田部７が形成される。なお、盛り上がり部１１１の高さｄは、およそ０．１ｍｍであるため、半田部７の高さｈが、０．１ｍｍより高くなるように供給する半田の量を調節する必要がある。より好ましくは０．３ｍｍ以上である。また、領域の小さな半田部７を形成する場合は、接地ランド８を繋げていかなくとも、１個の接地ランド８に対して半田を盛ればよい。
【００２７】
メモリカード５と盛り上がり部１１１との接触を避けるという観点からは、高さｈはより高い方が好ましいが、そうすると、ピン３とメモリカード５の雌コンタクトとが位置ずれして、接続することができなくなってしまう。そこで、高さｈは、ピン３のベース基板１に対する高さとの関係から、ピン３とメモリカード５とを接続することができる限界値よりも小さくすることが好ましい。また、コネクタへのメモリカード５の案内をスムーズにするという観点からは、高さｈは一定であることが好ましく、ベース基板１上に半田部７を複数設ける場合は、各半田部７の高さｈを同じにすることが好ましい。
【００２８】
メモリカード５の装着時においては、メモリカード５は、コネクタ近傍に案内されるにつれてベース基板１に対して近接するため、盛り上がり部１１１と接触する可能性が高くなる。そこで、コネクタへのメモリカード５の案内をさらにスムーズにさせるために、半田部７の高さｈを一定にせず、コネクタに近づくにつれて高さｈが高くなるように、半田部７をスロープ状に形成してもよい。この場合、高さｈの最低値を０．１ｍｍより大きくし、最高値を上記限界値より小さくすることが好ましい。
【００２９】
図３〜図６は、それぞれベース基板１上に形成される半田部７の種々の形態の一例を示した図面である。図３〜図６において、コネクタハウジング２の下部において、メモリカード５の幅方向に長尺な長円状の点線で囲まれた領域は、スルーホール禁止領域Ｄ２を示している。また、スルーホール禁止領域Ｄ２において、ピン３を一点波線で示しているのは、この領域では、ピン３がコネクタハウジング２とベース基板１との間に存在しており、上面視においてピン３がコネクタハウジング２により隠れているからである。
【００３０】
また、図３〜図６において、スルーホール禁止領域Ｄ２の上側の波線とコネクタハウジング２の両サイドから下方に延びる２本の直線と、上記上側の波線に対向する直線とで囲まれた四角形の領域が、装着領域Ｄ１であり、コネクタに装着されたメモリカード５に対向するベース基板１上の領域である。さらに、Ｗはメモリカード５の幅方向を示し、Ｉはメモリカードの挿入方向を示している。
【００３１】
図３は、半田部７を２×３のマトリックス状に配列した場合を示し、（ａ）は、各半田部７が長円状の場合を示し、（ｂ）は各半田部７が点状（円状）の場合を示している。（ａ）の場合、各半田部７はＩ方向に長尺な長円の形状を有している。この場合、１行目の半田部７と２行目の半田部７との間の半田部７が形成されていない領域上にＷ方向に延びるような回路パターンを形成することが可能となる。また、各半田部７はＩ方向に長尺な長円状とされているため、メモリカード５をコネクタにスムーズに案内することができる。
【００３２】
一方、（ｂ）の場合、各半田部７を点状にしたため、半田部７の領域が小さくされ、回路パターンをより自由に形成することができる。なお、（ａ）及び（ｂ）では、２×３のマトリックス状としたが、これに限定されず、メモリカードのサイズや、回路パターンの形状等に応じて、行数及び列数を適宜変更してもよい。
【００３３】
図４は、半田部７を放射状に配置した場合を示している。図４では、装着領域Ｄ１からスルーホール禁止領域Ｄ２を除いた領域の中心部から４個の半田部７が放射状に形成されている。左上の及び右下に形成された半田部７は、Ｉ方向に対し左回りに４５度傾斜し、右上及び左下の半田部７はＩ方向に対し右回りに４５度傾斜している。図４では、半田部７を４個としたが、これに限定されず、回路パターンの形状等に応じて、半田部７の個数を適宜変更させてもよい。
【００３４】
図５は、半田部７を２×２のマトリックス状に配列した場合であって、１行目の２個の半田部７がハの字状に配列され、２行目の２個の半田部７が１行目の２個の半田部７に対しＷ方向を基準として線対称に配列されたパターンを示している。このパターンは、装着領域Ｄ１からスルーホール１１を除いた領域の中心部に多くの回路パターンを配置する場合に有効となる。図４では、半田部７の個数を２行２列の４個としたがこれに限定されず、半田部７の行数及び列数を適宜変更してもよい。この場合、同一行においては、右周りに４５度傾斜した半田部７と左周りに４５度傾斜した半田部７とが交互に配列されることとなる。なお、各半田部７のＩ方向に対して傾斜する角度は、４５度に限定されず、回路パターン等に応じて適宜変更する、すなわち、半田部７のＩ方向に対する傾斜角度を半田部７毎に個別の値に設定してもよい。
【００３５】
図６は、点状の半田部７と長円状の半田部７とを組み合わした場合を示している。図６では、装着領域Ｄ１のＷ方向の中心を通りＩ方向と平行な中心ライン上に、Ｉ方向に長尺な長円状の半田部７が配列され、その下側に、中心ラインに対して線対称に２個の点状の半田部７が配列されている。
【００３６】
以上説明したように、本回路基板によれば、装着領域Ｄ１に、盛り上がり部１１１の高さｄよりも高い半田部７を設けるという簡略化された構成により、メモリカード５と盛り上がり部１１１との接触を回避させることができる。そのため、装着領域Ｄ１にスルーホール１１を設け、回路パターンを形成させることが可能となる。
【００３７】
なお、上記実施形態では、接地ランドに半田を盛ることにより半田部を形成することとしたが、これに限定されず、回路パターンと電気的に接続されていない未接続ランドに対して半田を盛ることにより半田部を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本回路基板の側面断面図を示している。
【図２】図１に示す半田部を拡大して示した回路基板の側面断面図である。
【図３】回路基板上に形成される半田部の種々の形態の一例を示した図面である。
【図４】回路基板上に形成される半田部の種々の形態の一例を示した図面である。
【図５】回路基板上に形成される半田部の種々の形態の一例を示した図面である。
【図６】回路基板上に形成される半田部の種々の形態の一例を示した図面である。
【図７】従来の回路基板を示した図面である。
【図８】従来の回路基板を示した図面である。
【図９】従来の回路基板を示した図面である。
【符号の説明】
【００３９】
Ｄ１  装着領域
Ｄ２  スルーホール禁止領域
１  ベース基板
２  コネクタハウジング
３  ピン
５  メモリカード
７  半田部
８  接地ランド
１１  スルーホール
２１  側壁
２２  天井壁
５１  板金
１１１  盛り上がり部
１２２  金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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