(57)【要約】【課題】  活性層および電流狭窄層等からなる積層構造体の内部での電流分布を最適化して、電流注入量の増大と共に単一横モードの実現を確保する。また、絶縁膜や配線の形成不良等の発生を防止する。【解決手段】  基板２０の上に、活性層３および電流狭窄層５を含む積層構造体１０が形成されている。積層構造体１０は傾斜構造を有し、その最上層に電極８が設けられている。積層構造体１０の鈍角側の傾斜面（第１の傾斜面）１０Ｂに沿って絶縁膜１１が設けられ、この絶縁膜１１の表面に電極８に対する配線１２が形成されている。電極８は電流狭窄層５の電流狭窄部５Ａに対してオフセットして設けられている。すなわち、電極８の光出力窓１３は、第１の傾斜面１０Ｂ寄りに設けられており、電極８の、鋭角側の傾斜面（第２の傾斜面）１０Ａ寄りの面積の方が鈍角側の傾斜面１０Ｂ寄りの面積よりも大きくなっている。【選択図】        図１
2005150442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも活性層および電流狭窄層が前記基板の表面に対して平行に積層されてなる積層構造体を有すると共に、前記積層構造体の上面に光出力窓を有する電極が形成された面発光レーザ素子であって、
前記積層構造体は対向する一対の側面が前記基板の表面に対して傾斜し、かつ、前記電極は、前記光出力窓を、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面寄りに有し、前記基板の表面とのなす角が鋭角である第２の傾斜面寄りの面積の方が前記第１の傾斜面寄りの面積よりも大きく設定されている
ことを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
基板上に、少なくとも活性層および電流狭窄層が前記基板の表面に対して平行に積層されてなる積層構造体を有すると共に、前記積層構造体の上面に光出力窓を有する電極が形成された面発光レーザ素子であって、
前記積層構造体は対向する一対の側面が前記基板の表面に対して傾斜し、かつ、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面上に、絶縁膜を間にして前記電極に対して前記基板の表面に設けられた他の配線からの電気的接続を行うための配線を有する
ことを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項３】
基板上に、少なくとも活性層および電流狭窄層が前記基板の表面に対して平行に積層されてなる積層構造体を有すると共に、前記積層構造体の上面に光出力窓を有する電極が形成された面発光レーザ素子であって、
前記積層構造体は対向する一対の側面が前記基板の表面に対して傾斜すると共に、前記電極は、前記光出力窓を、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面寄りに有し、前記基板の表面とのなす角が鋭角である第２の傾斜面寄りの面積の方が前記第１の傾斜面寄りの面積よりも大きく設定されており、かつ、前記第１の傾斜面上に、絶縁膜を間にして前記電極に対して前記基板の表面に設けられた他の配線からの電気的接続を行うための配線を有する
ことを特徴とする面発光レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、活性層および電流狭窄層等からなる積層構造体を有し、この積層構造体の上面に設けた電極の光出力窓からレーザ光を出射する面発光レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザ素子では、いわゆる電流狭窄層を作り込むことで、その電流狭窄層のほぼ中心部に設けられた電流狭窄部に電流を集中させるようにする構造が知られている。
【０００３】
この電流狭窄部は、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector ；半導体多層膜鏡）中のＡｌＡｓ（アルミニウム砒素）層を酸化してその部分の材質を絶縁体化し、中心部の所定の微小面積の部分のみは敢えて酸化させないで残すことにより形成する。この酸化プロセスでは、基板を水蒸気に曝すことで、ＡｌＡｓ層のみを選択酸化してその周囲から絶縁体化が進むようにし、電流狭窄層の中心部に酸化が進む前に適切なタイミングで選択酸化を停止させることで、その酸化させずに残した部分を円形または矩形の電流注入可能な領域とする。
【０００４】
このような電流狭窄構造による微小面積への集中的な電流注入によって、面発光レーザのしきい値電流は数ｍＡレベルの値となり、端面出射型レーザのそれと比較して極めて低くなる。更に、面発光レーザ素子は、光通信用の光ファイバ等との接合性が良好であり、またその外形寸法も極めて小型にすることができる。これらの特長から、電流狭窄構造を有する面発光レーザ素子は、光通信用のレーザを出力するための素子としての応用が期待されている。
【０００５】
光通信用のレーザ素子としての応用を実現するためには、前述のような特長に加えて、素子の出力特性として単一横モードで高出力が可能であること、および、特定の偏光を得ることが要請されている。これらの要請のうち、後者の直線偏光を得るという要請に対応することを企図して、活性層、電流狭窄層、ＤＢＲ層等を積層してなる積層構造体を、基板の表面に対して傾斜した構造にするという手法が提案されている（特許文献１）。本発明は、上に挙げたうちの前者を解決するための発明であり、特許文献１とはその目的および効果を異にする。
【特許文献１】特開平０８−１１６１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような従来の技術では次のような問題があった。すなわち、面発光レーザ素子は、上述の酸化による電流狭窄構造によって電流注入面積の大きさを制御して横モードの制御が可能であるから、単一横モードの光出力を実現するためには、電流狭窄部の大きさを制限することで電流注入面積を小さくすればよいが、これには素子抵抗の増大・光出力の低下というデメリットが不可避的に付随することとなる。換言すれば、電流狭窄部の面積の縮小化にはそのようなデメリットに起因した制約（限界）がある。
【０００７】
また、さらに高出力を実現するために注入電流値を増大させると、横モードが単一ではなくなり、いわゆる高次横モード（多モード）となってしまう。
【０００８】
このことは、大電流注入時に電流注入部分での電流密度分布が、中心で小さく外側で大きくなっているということに起因しているものと本発明者らは考察した。そしてこの電流密度の不均一性は、電流注入部分の外側が、酸化された部分とされていない部分の境界にあたるため、中心部分のＡｌＡｓとは状態が異なっていることが原因であると本発明者らは考察した。
【０００９】
このような高出力を実現するに際して生じる電流密度の不均一化、延いては高次横モードの発生を解決するためには、構造上での改善が必要であるが、従来はそのための有効にしてかつ簡易な解決手法が提案されていなかった。あるいは従来提案されている手法では、その工程が繁雑であることや実用化するにあたっての困難さなどの、また別途に解決しなければならなくなるような不都合があった。
【００１０】
また、面発光レーザ素子のいわゆるポスト型メサ構造の最上面には金属膜からなる電極が設けられるが、この電極は、そのポスト型メサ構造が立脚している基板の表面に設けられている電流供給のための配線やワイヤボンディングを行うパッド部分などに電気的に接続しなければならない。従って、そのような電気的接続用の配線を、ポスト型メサ構造の側面（側壁）に、例えば蒸着法によって金属膜を付着させることなどによって設けなければならない。
【００１１】
ところが、ポスト型メサ構造の側面は、基板表面に対してほぼ直角に屹立した面となっているので、この段差のように急峻な側面に、金属膜を付着させるなどして配線を形成する際に、いわゆる段切れのような金属膜の成膜不良や配線形状の形成不良等が多発するという問題があった。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、電流注入量のさらなる増大と共に単一横モードの実現を確保することを可能とする面発光レーザ素子を提供することにある。
【００１３】
本発明の第２の目的は、ポスト型メサ構造の側面に段切れのような金属膜の成膜不良や配線形状の形成不良等を発生させることなく配線を形成することができる面発光レーザ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の面発光レーザ素子は、基板上に、少なくとも活性層および電流狭窄層が前記基板の表面に対して平行に積層されてなる積層構造体を有すると共に、前記積層構造体の上面に光出力窓を有する電極が形成された面発光レーザ素子であって、前記積層構造体は対向する一対の側面が前記基板の表面に対して傾斜し、かつ、前記電極は、前記光出力窓を、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面寄りに有し、前記基板の表面とのなす角が鋭角である第２の傾斜面寄りの面積の方が前記第１の傾斜面寄りの面積よりも大きく設定されているものである。
【００１５】
また、本発明の第２の面発光レーザ素子は、基板上に、少なくとも活性層および電流狭窄層が前記基板の表面に対して平行に積層されてなる積層構造体を有すると共に、前記積層構造体の上面に光出力窓を有する電極が形成された面発光レーザ素子であって、前記積層構造体は対向する一対の側面が前記基板の表面に対して傾斜し、かつ、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面上に、絶縁膜を間にして前記電極に対して前記基板の表面に設けられた他の配線からの電気的接続を行うための配線を有するものである。
【００１６】
本発明の第３の面発光レーザ素子は、基板上に、少なくとも活性層および電流狭窄層が前記基板の表面に対して平行に積層されてなる積層構造体を有すると共に、前記積層構造体の上面に光出力窓を有する電極が形成された面発光レーザ素子であって、前記積層構造体は対向する一対の側面が前記基板の表面に対して傾斜すると共に、前記電極は、前記光出力窓を、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面寄りに有し、前記基板の表面とのなす角が鋭角である第２の傾斜面寄りの面積の方が前記第１の傾斜面寄りの面積よりも大きく設定されており、かつ、前記第１の傾斜面上に、絶縁膜を間にして前記電極に対して前記基板の表面に設けられた他の配線からの電気的接続を行うための配線を有するものである。
【００１７】
本発明の第１の面発光レーザ素子では、積層構造体が基板の表面に対して傾斜した形状に形成されており、かつ、前記光出力窓を、前記積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と前記基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面寄りに有し、前記基板の表面とのなす角が鋭角である第２の傾斜面寄りの面積の方が前記第１の傾斜面寄りの面積よりも大きく設定されていることから、積層構造体の内部で、電流狭窄層の電流狭窄部を通って活性層に電流を注入するように構成される電流分布が、高出力での単一横モードを実現できるようなものとなる。
【００１８】
また、本発明の第２の面発光レーザ素子では、積層構造体が基板の表面に対して傾斜した形状に形成されており、かつ、積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面上、すなわち、基板表面に対していわゆるオーバーハング状態にはなっていない、なだらかな斜面の表面上に、絶縁膜を間にして前記電極に対して基板の表面に設けられた他の配線からの電気的接続を行うための配線を有することから、その配線を形成する際に、いわゆる段切れのような金属膜の成膜不良や配線形状の形成不良等が多発することが回避される。
【００１９】
また、本発明の第３の面発光レーザ素子では、上記第１および第２の面発光レーザ素子の特徴を備えているので、これらにより、積層構造体の内部で、電流狭窄層を通って活性層に電流を注入するように構成される電流分布が、高出力での単一横モードを実現できるものとなり、その結果、電流注入量のさらなる増大と共に単一横モードの実現が確保されると共に、その配線を形成する際に、いわゆる段切れのような金属膜の成膜不良や配線形状の形成不良等が多発することが回避される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第１または第３の面発光レーザ素子によれば、積層構造体は対向する一対の側面が基板の表面に対して傾斜し、かつ、電極は、光出力窓を、積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面寄りに有し、基板の表面とのなす角が鋭角である第２の傾斜面寄りの面積の方が前記第１の傾斜面寄りの面積よりも大きく設定されているように構成したので、積層構造体の内部で、電流狭窄層を通って活性層に注入される電流分布が、高出力での単一横モードを実現できるような形状となり、その結果、電流注入量のさらなる増大と共に単一横モードを実現することができる。
【００２１】
また、本発明の第２または第３の面発光レーザ素子によれば、積層構造体の傾斜面のうち当該傾斜面と基板の表面とのなす角が鈍角である第１の傾斜面上、すなわち、基板表面に対していわゆるオーバーハング状態にはなっていない、なだらかな斜面の表面上に、絶縁膜を間にして前記電極に対して基板の表面に設けられた他の配線からの電気的接続を行うための配線を有することから、その配線を形成する際に、いわゆる段切れのような金属膜の成膜不良や配線形状の形成不良等が多発することが回避され、良好な配線を簡易な手法によって確実に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る面発光レーザ素子の構成を表したものである。この面発光レーザ素子は、基板２０の上に積層構造体１０を備えている。この積層構造体１０は、ｎ型ＤＢＲ層１，ｎ型クラッド層２，活性層３，ｐ型クラッド層４，電流狭窄層５，ｐ型ＤＢＲ層６およびコンタクト層７を、この順で積層してなるものであり、その上面には電極８が設けられている。また、この積層構造体１０には、一方の側面に沿って絶縁膜１１が設けられ、この絶縁膜１１の表面に電極８に接続された配線１２が形成されている。
【００２４】
ｎ型ＤＢＲ層１およびｐ型ＤＢＲ層６は、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの組み合わせなどのような、屈折率の小さい半導体と大きい半導体とを、交互に積層した多層膜で構成されており、その膜厚を発振波長のλ／４ｎにしたものを２０組程度積層することで、活性層３から放出される光を反射率９９％程度で反射するように構成したものである。すなわち、この面発光レーザ素子においては、活性層３の上下に設けられたこれらｎ型ＤＢＲ層１およびｐ型ＤＢＲ層６によって放射光を共振させてレーザ発振を発生させるようになっている。
【００２５】
電流狭窄層５は、例えば活性層３側から数えて２層目に配置されている。この電流狭窄層５は、ＡｌＡｓ（アルミニウム砒素）を主材料としてなるもので、水蒸気による酸化狭窄プロセスによって、電流狭窄部５Ａのみに集中して電流を流す役割を果たすものである。
【００２６】
活性層３は、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）とＡｌＧａＡｓ（アルミニウムガリウム砒素）とのＭＱＷ（Multi Quntum Well ；多数量子井戸) を構成している。この活性層３では、電極８から注入され電流狭窄層５によって電流狭窄部５Ａに集中された電子を受けて誘導放出光を発生する。
【００２７】
活性層３の上下に位置するｐ型クラッド層４およびｎ型クラッド層２は、活性層３よりも屈折率が小さく、かつバンドギャップが大きい半導体で、活性層３へと注入される電子を閉じ込めるためのものである。コンタクト層７は、電流注入のための金属との接続（いわゆるオーミック接続）のためのもので、例えば高ドープを施してなるＧａＡｓなどからなるものである。
【００２８】
本実施の形態では、積層構造体１０は、その全体を一方に傾けた形状、すなわち傾斜構造となっている。図１に示した一例では、この積層構造体１０の右側の傾斜面（第２の傾斜面）１０Ａが、その傾斜面１０Ａの表面と基板２０の表面２０Ａとのなす角θが鋭角（例えば６０度）となっており、他方、左側の傾斜面（第１の傾斜面）１０Ｂは、その傾斜面１０Ｂの表面と基板２０の表面２０Ａとのなす角が鈍角（１２０度）となっている。
【００２９】
そして、その鈍角の方の（図１では左側の）傾斜面１０Ｂの表面上に、絶縁膜１１と配線１２とが、そのどちらも段切れや形状不良等の発生なく設けられている。
【００３０】
絶縁膜１１は、その上に設けられる金属材料等からなる配線１２と積層構造体１０の傾斜面との電気的な短絡や電流漏洩等を防ぐために設けられるものであることは言うまでもないが、この絶縁膜１１は、段切れや着膜不良等があると、配線１２と積層構造体１０の傾斜面との電気的な短絡や電流漏洩等を防ぐことができなくなるので、確実に、高い信頼性で形成されなければならない。また、配線１２に段切れや形状不良等があると、十分な電流を供給することができなくなったり、全く電流が供給できなくなるなど、面発光レーザ素子として致命的な不都合が生じるので、この配線１２についても、確実に、高い信頼性で、正確な形状に形成されなければならない。
【００３１】
本実施の形態に係る面発光レーザ素子では、そのような要請に対して、絶縁膜１１および配線１２を、基板２０の表面とのなす角が鈍角となっている方の傾斜面、換言すれば基板２０に対してなだらかな傾斜面（基板２０に対してオーバーハングした状態にはなっていない方の傾斜面）の表面上に設けるようにすることで、確実かつ簡易に対応することを可能としている。これは、図５に示したような従来の一般的なポスト構造および電極１０８（対称な形状の電極）を有する面発光レーザ素子の場合には、その側面がほぼ９０度に屹立した急峻なエッジを持つために、そのエッジ部分での絶縁膜１１０の段切れや着膜不良や配線１２０の形状不良等が発生する虞が大きかったが、そのような問題を、本実施の形態に係る面発光レーザ素子では解決することができる。なお、図５では、図１と同様の部位については同一の符号を付して示している。
【００３２】
また、積層構造体１０の最上面に設けられた電極８には、図３に示したように、傾斜面が鈍角である方の傾斜面１０Ｂ寄りに光出力窓（いわゆるアパーチャとも呼ぶ）１３がオフセットして設けられている。これにより電極８は、鈍角側の傾斜面１０Ｂ寄りの面積の方が鋭角側の傾斜面１０Ａ寄りの面積よりも小さく（換言すれば、鋭角側の傾斜面１０Ａ寄りの面積の方が鈍角側の傾斜面１０Ｂ寄りの面積よりも大きく）なっている。
【００３３】
このように本実施の形態では、電極８の光出力窓１３を電流狭窄層５の電流狭窄部５Ａに対してオフセットして設けることで、積層構造体１０の内部では、電流狭窄部５Ａを通って活性層３に注入される電流分布が図２に模式的に示したような電流分布３０となる。そしてこのような電流分布３０となることにより、高出力での単一横モードを実現できる。
【００３４】
ちなみに、図６は従来のポスト型の積層構造体１００を有する面発光レーザ素子の構成を表すものであるが、その電極１０８は、図７に示したようにオフセットされていない対称的な形状を有しており、この場合の電流分布１３０は図６に示したような形状となる。これに対して、本実施の形態では、図２に示した電流分布３０となり、横方向の電荷の流れ成分が生じることで、電流密度の均一性が高く、電流狭窄部５Ａの外側部分近傍に電流密度が集中することを防ぐことができる。これにより、大電流注入時の電流密度が中心部で最大となり、図４（Ａ），（Ｂ）にしたような高出力での単一横モードを実現することができる。これと比較して、従来のポスト型の積層構造体１００の場合には、図８（Ａ），（Ｂ）に一例を示したように、中央部での発振が低くなると共に電流狭窄部５Ａの外側部分近傍に電流密度が集中して、その部分に高次モードが発生してしまう傾向にあった。
【００３５】
また、本実施の形態では、電極８の形状によって形成される電流分布３０によって、活性層３から放出された光が共振する領域での電流が小さくなるので、光と電子との相互作用がより小さくなることが期待され、その結果、光出力・横モードのさらなる安定化も期待される。
【００３６】
次に、本実施の形態に係る面発光素子の製造プロセスの一例について説明する。
【００３７】
まず、ｎ型のＧａＡｓからなる基板２０に対してＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法により、Ｓｉ（シリコン）がドープされたｎ型のコンタクト層（図示せず）を３００［ｎｍ］成長させる。
【００３８】
続いて、Ａｌ0.92ＧａＡｓ層とＡｌ0.3 ＧａＡｓ層とからなるｎ型のＤＢＲ層１を、光学厚さが発振波長の１／４となるように、ＭＯＣＶＤ法によって形成する。
【００３９】
続いて、ｎ型のクラッド層２としてＡｌ0.47ＧａＡｓを成長させた後、活性層３となるＭＱＷであるＧａＡｓを成長させ、ｐ型クラッド層４としてＡｌ0.47ＧａＡｓを成長させる。さらに、Ｚｎ（亜鉛）がドーピングされたｐ型ＤＢＲ層６をｎ型ＤＢＲ層１と同様に成長させ、このｐ型ＤＢＲ層６の上にｐ型のコンタクト層７を３００［ｎｍ］，ドーピング濃度１Ｅ１９程度で積層させる。
【００４０】
そして、最上層のコンタクト層７に対して、紫外線によるフォトリソグラフィおよび過酸化水素水とアンモニア水によるウェットエッチングを行って、直径１０［μｍ］程度の窓構造を形成する。続いて、ポスト型メサ構造を作製するために、フォトリソグラフィおよびＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行う。このとき、基板２０を傾けてＲＩＥを行うことにより、図１に示した傾斜を有するポスト型メサ構造の積層構造体１０を作製することができる。
【００４１】
その後、基板２０を水蒸気雰囲気に曝すことによって電流狭窄層５の酸化狭窄を行う。このとき、電流狭窄層５のＡｌＡｓのみに選択的に酸化が進行するが、その酸化はポスト型メサ構造の周囲から内側へと進行する。その酸化の進行を、敢えて中央部分に至る前に停止して、その中央部分にのみ酸化されない通電領域を残すことで、電流狭窄部５Ａを形成することができる。なお、このような電流狭窄構造は、活性層３の上下に設けるようにしてもよい。
【００４２】
その後、ＳｉＯ2 をＣＶＤ法により全面に形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、積層構造体１０の傾斜面１０Ｂ側に絶縁膜１１を形成する。
【００４３】
続いて、フォトリソグラフィによってパターニングを施した後に、例えばｐ型電極金属のような材料を真空蒸着し、絶縁膜１１の上には配線１２を、また積層構造体１０の最上面には電極８を、所望の形状にそれぞれ形成する。このｐ型電極金属としては、ｐ型のＧａＡｓとのオーミック電極となるように、例えばＴｉ（チタン）／Ｐｔ（白金）／Ａｕ（金）を、それぞれ厚さ５００／１０００／４０００オングストロームだけ堆積させる。その後、基板２０側を厚さ１３０［μｍ］程度まで研磨して、ｎ型電極（図示せず）を基板２０側に形成させる。そのｎ型電極の金属材料は、例えばＡｕＧｅ（金ゲルマニウム）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）で、それぞれの厚さは１６００／４５０／５０００オングストロームとすればよい。その後、合金化のために４２０℃で１分間の熱処理を行って、本実施の形態に係る面発光素子の主要部が作製される。
【００４４】
以上のように本実施の形態に係る面発光レーザ素子では、大電流注入時においても電流狭窄部５Ａの外側に電流密度が集中することを回避することができるような電流分布とすることができるので、高出力と単一モードとを共に達成することが可能となる。
【００４５】
また、活性層３から放出された光の共振領域（ＤＢＲ部分）での電流を小さくして光と電子との相互作用をより小さくすることできることが期待される。従って、光出力・横モードのさらなる安定化が期待される。
【００４６】
また、従来のポスト型メサ構造と比較して、その積層構造体１０の側面のなだらかな傾斜の上に絶縁膜１１および配線１２を設けているので、この部分での絶縁膜１１や配線１２の段切れや着膜不良等の発生が解消されて、信頼性の高い絶縁膜１１や配線１２を作製可能となる。
【００４７】
また、従来の一般的なポスト構造のものと比較して、最上部に位置する電極８のオーバーハング側の傾斜面（基板２０とのなす角が鋭角となっている傾斜面）１０Ａ寄りの面積を大きくすることができるので、素子抵抗の減少が期待される。これにより、光通信などへの応用の場合に要請される素子抵抗の値に余裕ができ、従来は高抵抗が懸念されていて困難であった、電流狭窄部のさらなる狭窄化が可能となり、更にしきい値を低くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の面発光レーザ素子は、例えば光通信ネットワーク用のレーザ光出力素子などに好適に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る面発光レーザ素子の主要部の構成を表した図である。
【図２】積層構造体の内部における電流分布を模式的に表した図である。
【図３】光出力窓の形状の一例を表した図である。
【図４】高出力で達成される単一横モードの一例を表した図である。
【図５】従来の一般的なポスト構造の面発光レーザ素子の主要部の構成を表した図である。
【図６】従来のポスト構造の電流分布のを表した図である。
【図７】従来のポスト構造の電極の形状を表した図である。
【図８】従来のポスト構造の高出力時に生じる高次横モードの例を表した図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…ｎ型ＤＢＲ層、２…ｎ型クラッド層、３…活性層、４…ｐ型クラッド層、５…電流狭窄層、５Ａ…電流狭窄部、６…ｐ型ＤＢＲ層、７…ｐ型コンタクト層、８…電極、１０…積層構造体、１１…絶縁膜、１２…配線、１３…光出力窓
【図１】
2005150442.tif 000003
【図２】
2005150442.tif 000004
【図３】
2005150442.tif 000005
【図４】
2005150442.tif 000006
【図５】
2005150442.tif 000007
【図６】
2005150442.tif 000008
【図７】
2005150442.tif 000009
【図８】
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