(57)【要約】【課題】  オフセット電圧の経時変化を抑制することが可能な磁気センサを提供すること。【解決手段】  磁気センサ１は、磁界の方向の変化に応じて複数の磁気抵抗素子１１〜１４の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁界の方向の変化を検出する。磁気センサ１は、該磁気センサ１を構成する全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々に対応して、熱が付与されて溶融された被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられている。即ち、磁気センサ１が製造される場合、トリミングに先立って被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられる。【選択図】      図１
2005337810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気の変化に応じて複数の磁気抵抗素子の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する磁気センサにおいて、
該磁気センサを構成する全ての磁気抵抗素子の各々に対応して、熱が付与されて溶融された被熱処理部を設けたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気センサにおいて、
前記複数の磁気抵抗素子の各々は、トリミングにより一部が切断されることで該磁気抵抗素子の電気抵抗値を大まかなレベルで増大させるための粗調部を備え、
全ての前記粗調部の各々に対応して、前記被熱処理部を設けたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気センサにおいて、
前記複数の磁気抵抗素子の各々は、トリミングにより一部が切断されることで該磁気抵抗素子の電気抵抗値を細かなレベルで増大させるための微調部を備え、
全ての前記微調部の各々に対応して、前記被熱処理部を設けたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の磁気センサにおいて、
前記複数の磁気抵抗素子の各々の一部に前記被熱処理部を設けたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の磁気センサにおいて、
前記複数の磁気抵抗素子の各々とは互いに独立して前記被熱処理部を設けたことを特徴とする磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気の変化を検出する磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車においては、ステアリングホイールの操舵角度を検出するステアリングアングルセンサとして磁気センサが用いられている。
この種の磁気センサの電気回路図を図５に示す。磁気センサ１０１は、４つの磁気抵抗素子１１１〜１１４によりホイートストーンブリッジが構成されたものである。そして、磁気センサ１０１に対して磁界の方向が所定方向の時、磁気抵抗素子１１１，１１２間のノードＱ１と、磁気抵抗素子１１３，１１４間のノードＱ２との間の電圧（ブリッジの各中点電位Ｅ１，Ｅ２の差であるオフセット電圧Ｅ１２）が０Ｖに近いもの程、磁気センサ１０１として高性能であることが知られている。即ち、磁気抵抗素子１１１の電気抵抗値をＲ１１、磁気抵抗素子１１２の電気抵抗値をＲ１２、磁気抵抗素子１１３の電気抵抗値をＲ１３、磁気抵抗素子１１４の電気抵抗値をＲ１４としたとき、「Ｒ１１×Ｒ１４＝Ｒ１２×Ｒ１３」の関係式が成り立つことが最も好ましい。
【０００３】
図６は、磁気センサ１０１を構成する４つの磁気抵抗素子１１１〜１１４の態様を示す概略図である。磁気センサ１０１の基板１１０上には、いずれも薄膜により構成された磁気抵抗素子１１１〜１１４が所要のパターンで設けられている。磁気抵抗素子１１１は、磁気検出部１２１、粗調部１３１、微調部１４１を備えている。磁気検出部１２１は、著しく幅狭に形成されている。粗調部１３１は、幅狭の梯子状に形成されている。微調部１４１は、著しく幅広に形成されている。尚、磁気抵抗素子１１２（１１３，１１４も同様）は、磁気抵抗素子１１１の磁気検出部１２１、粗調部１３１、微調部１４１の各々とそれぞれ同様の磁気検出部１２２（１２３，１２４）、粗調部１３２（１３３，１３４）、微調部１４２（１４３，１４４）を備えている。
【０００４】
ここで、従来の磁気センサ１０１の製造方法について説明する。磁気センサ１０１は、オフセット電圧Ｅ１２を０Ｖに近づけるために、つまり前記関係式を成り立たせるために、磁気抵抗素子１１１〜１１４の各々において、電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。しかしながら、磁気抵抗素子１１１〜１１４の個々が有する電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４のバラツキは、成膜精度やパターンのエッチング精度に起因しているが、それらの精度の向上だけでは前記関係式を成り立たせることは困難である。
【０００５】
そこで、磁気センサ１０１を製造するのに際して、磁気抵抗素子１１１〜１１４の一部にレーザを照射して切断することで電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４を微調整するレーザトリミングの手法が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開平０５−０３４２２４号公報（段落番号００１９〜００２３、図４、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
さて、磁気センサ１０１を製造するのに際して、レーザトリミングの手法を採用する場合、４つの磁気抵抗素子１１１〜１１４のうち、いずれか１つの磁気抵抗素子の一部にレーザを照射して切断することが一般的に行われる。この理由は、該切断により１つの磁気抵抗素子の電気抵抗値さえ増大させれば、上記した「Ｒ１１×Ｒ１４＝Ｒ１２×Ｒ１３」の関係式が成り立つことになるからである。ここでは、磁気抵抗素子１１２の粗調部１３２の一部及び微調部１４２の一部にレーザトリミングを施す場合を想定する（図６のトリミング部１３２ｂ，１４２ｂ参照）。
【０００７】
この場合、レーザが直接照射される磁気抵抗素子１１２と、レーザが照射されない磁気抵抗素子１１１，１１３，１１４とでは、熱により電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４が影響を受ける度合が異なる。換言すれば、前記関係式を成り立たせる目的でレーザトリミングを施しても、両者の各々の電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４が、レーザトリミング直後のものから互いに異なる度合で経時変化する。このため、ホイートストーンブリッジの平衡が時間の経過に伴って維持されなくなって、オフセット電圧Ｅ１２がレーザトリミング直後の０Ｖから、やがて磁気センサ１０１の性能を決定する上で無視できない程のレベルにまで達する（図７参照）。
【０００８】
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであって、その目的は、オフセット電圧の経時変化を抑制することが可能な磁気センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、磁気の変化に応じて複数の磁気抵抗素子の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する磁気センサにおいて、該磁気センサを構成する全ての磁気抵抗素子の各々に対応して、熱が付与されて溶融された被熱処理部を設けたことを特徴とする。
【００１０】
従って、請求項１に記載の発明によれば、磁気センサを構成する全ての磁気抵抗素子の各々に対応して被熱処理部が設けられている。このように全ての磁気抵抗素子の各々に対応して熱が付与されるため、該熱により電気抵抗値が影響を受ける度合は、全ての磁気抵抗素子の各々において互いに同様となる。
【００１１】
ここで、このように被熱処理部が既に設けられた複数の磁気抵抗素子のうち、いずれか１つの磁気抵抗素子の一部にトリミングを施すことで、磁気センサのオフセット電圧を０Ｖに近いものとする場合を想定する。この場合、トリミングを施す磁気抵抗素子と、トリミングを施さない残りの磁気抵抗素子とでは、トリミングによる熱により電気抵抗値が影響を受ける度合が異なって、結局の所、被熱処理部が設けられていない従来の磁気センサと何ら変わらないようにも思える。
【００１２】
しかし、本発明の磁気センサの場合、トリミングに先立って被熱処理部が設けられる。そして、被熱処理部を設けるために付与された熱により各磁気抵抗素子の各々が好適に影響を受けて、それら各磁気抵抗素子の各々の電気抵抗値が安定する。このため、必要に応じて後にトリミングを施す磁気抵抗素子と、トリミングを施さない残りの磁気抵抗素子との両者において、トリミングによる熱により電気抵抗値が影響を受ける度合が異なるにしても、それらの差分が従来の磁気センサと比較して抑制される。
【００１３】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記複数の磁気抵抗素子の各々は、トリミングにより一部が切断されることで該磁気抵抗素子の電気抵抗値を大まかなレベルで増大させるための粗調部を備え、全ての前記粗調部の各々に対応して、前記被熱処理部を設けたことを特徴とする。
【００１４】
従って、請求項２に記載の発明によれば、全ての粗調部の各々に対応して被熱処理部が設けられている。このため、トリミングによる熱により電気抵抗値が大きく影響を受ける粗調部に対応する部分において、トリミングに先立って熱を付与することで、磁気抵抗素子の電気抵抗値が安定する。従って、オフセット電圧の経時変化を好適に抑制することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明では、請求項２に記載の磁気センサにおいて、前記複数の磁気抵抗素子の各々は、トリミングにより一部が切断されることで該磁気抵抗素子の電気抵抗値を細かなレベルで増大させるための微調部を備え、全ての前記微調部の各々に対応して、前記被熱処理部を設けたことを特徴とする。
【００１６】
従って、請求項３に記載の発明によれば、全ての粗調部の各々に対応して被熱処理部が設けられていることに加えて、全ての微調部の各々に対応して被熱処理部が設けられている。このため、トリミングによる熱が付与される可能性のある粗調部及び微調部に対応する部分において、トリミングに先立って熱を付与することで、磁気抵抗素子の電気抵抗値が安定する。従って、オフセット電圧の経時変化をさらに好適に抑制することができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の磁気センサにおいて、前記複数の磁気抵抗素子の各々の一部に前記被熱処理部を設けたことを特徴とする。
【００１８】
従って、請求項４に記載の発明によれば、被熱処理部を設けるために付与された熱は、被熱処理部から直接的に磁気抵抗素子に伝導される。このため、トリミングによる熱により電気抵抗値が影響を受ける磁気抵抗素子において、トリミングに先立って効率良く熱を付与することで、磁気抵抗素子の電気抵抗値が安定する。従って、オフセット電圧の経時変化を好適に抑制することができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の磁気センサにおいて、前記複数の磁気抵抗素子の各々とは互いに独立して前記被熱処理部を設けたことを特徴とする。
【００２０】
従って、請求項５に記載の発明によれば、被熱処理部を設けるために付与された熱は、被熱処理部から間接的に磁気抵抗素子に伝導される。このため、トリミングによる熱により電気抵抗値が影響を受ける磁気抵抗素子において、トリミングに先立って熱を付与することで、磁気抵抗素子の電気抵抗値が安定する。また、磁気抵抗素子と被熱処理部とが電気的に接続されている訳ではないため、被熱処理部を設ける際において、磁気抵抗素子の電気抵抗値が積極的に増大されることが回避される。従って、オフセット電圧の経時変化を好適に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明によれば、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を自動車のステアリングアングルセンサとして用いられる磁気センサに具体化した一実施形態を説明する。
図２は、本実施形態の磁気センサ１の電気回路図である。図１は、磁気センサ１を構成する４つの磁気抵抗素子１１〜１４の態様を示す概略図である。尚、図１、図２に示す本実施形態の磁気センサ１が、図５、図６に示す従来の磁気センサ１０１と主に異なるのは、オフセット電圧を０Ｖに近づけるためのトリミングによる切断が施されている部分とは別に、該トリミングに先立って熱が付与されることによる切断が施されている部分を有している点である。
【００２３】
まず、本実施形態の磁気センサ１の概略構成について説明する。
図２に示すように、磁気センサ１は、４つの磁気抵抗素子１１〜１４によりホイートストーンブリッジが構成されたものである。そして、本実施形態では、磁気センサ１に対して磁界の方向が所定方向の時、ノードＰ１とノードＰ２との間の電圧（ブリッジの各中点電位Ｖ１，Ｖ２の差であるオフセット電圧Ｖ１２）を０Ｖに近づけるために、必要に応じてトリミングが施される。即ち、磁気抵抗素子１１の電気抵抗値をＲ１、磁気抵抗素子１２の電気抵抗値をＲ２、磁気抵抗素子１３の電気抵抗値をＲ３、磁気抵抗素子１４の電気抵抗値をＲ４としたとき、「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式を成り立たせるためにトリミングが施される。
【００２４】
図１に示すように、磁気センサ１の基板１０上には、いずれも薄膜により構成された磁気抵抗素子１１〜１４が所要のパターンで設けられている。基板１０は、ガラスを主として構成されている。磁気抵抗素子１１〜１４の各々は、ニッケルコバルトにより構成されている。ちなみに、ニッケルコバルトは、磁界の方向の変化が大きくなるにつれて電気抵抗値が小さくなる負の磁気特性を有する強磁性体である。
【００２５】
磁気抵抗素子１１〜１４は、２組のグループにまとめられる。そして、各グループの各々は、電気的に対向する２つの磁気抵抗素子により構成されている。具体的には、磁気抵抗素子１１，１４により第１グループが構成されている一方、磁気抵抗素子１２，１３により第２グループが構成されている。そして、４つの磁気抵抗素子１１〜１４は、第１グループと第２グループとが仮想線ｍに関して線対称となるように配置されている。
【００２６】
磁気抵抗素子１１は、磁気検出部２１、粗調部３１、微調部４１を備えている。磁気検出部２１は、磁界の方向の変化の大きさに応じて電気抵抗値が変化（増大又は減少）するものである。磁気検出部２１は、著しく幅狭に形成されている。粗調部３１は、トリミングにより一部が切断されることで磁気抵抗素子１１の電気抵抗値Ｒ１を大まかなレベルで増大させるためのものである。粗調部３１は、幅狭の梯子状に形成されている。微調部４１は、トリミングにより一部が切断されることで磁気抵抗素子１１の電気抵抗値Ｒ１を細かなレベルで増大させるためのものである。微調部４１は、著しく幅広に形成されている。
【００２７】
尚、磁気抵抗素子１２（１３，１４も同様）は、磁気抵抗素子１１の磁気検出部２１、粗調部３１、微調部４１の各々とそれぞれ同様の磁気検出部２２（２３，２４）、粗調部３２（３３，３４）、微調部４２（４３，４４）を備えている。
【００２８】
次に、本実施形態の磁気センサ１の特徴的な構成について説明する。
さて、本実施形態の磁気センサ１は、冒頭で触れたように、トリミングに先立って熱が付与されることによる切断が施されている部分を有している。特に、磁気センサ１を構成する全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々に対応して、該磁気抵抗素子１１〜１４の各々の一部に、以下の態様で該部分が設けられている。
【００２９】
詳述すると、磁気抵抗素子１１の粗調部３１の一部には、熱が付与されて溶融された被熱処理部３１ａが設けられている。一方、磁気抵抗素子１２（１３，１４も同様）の粗調部３２（３３，３４）の一部には、磁気抵抗素子１１の被熱処理部３１ａと同様の被熱処理部３２ａ（３３ａ，３４ａ）が設けられている。即ち、本実施形態の磁気センサ１は、全ての粗調部３１〜３４の各々の一部に被熱処理部３１ａ〜３４ａが設けられている。要するに、本実施形態の磁気センサ１は、全ての粗調部３１〜３４の各々に対応して、被熱処理部３１ａ〜３４ａが設けられている。
【００３０】
加えて、磁気抵抗素子１１の微調部４１の一部には、熱が付与されて溶融された被熱処理部４１ａが設けられている。一方、磁気抵抗素子１２（１３，１４も同様）の微調部４２（４３，４４）の一部には、磁気抵抗素子１１の被熱処理部４１ａと同様の被熱処理部４２ａ（４３ａ，４４ａ）が設けられている。即ち、本実施形態の磁気センサ１は、全ての微調部４１〜４４の各々の一部に被熱処理部４１ａ〜４４ａが設けられている。要するに、本実施形態の磁気センサ１は、全ての微調部４１〜４４の各々に対応して、被熱処理部４１ａ〜４４ａが設けられている。
【００３１】
次に、本実施形態の磁気センサ１の製造方法について説明する。
磁気センサ１は、可能な限りトリミングを施すことなくオフセット電圧Ｖ１２を０Ｖに近づけるために（「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式を成り立たせるために）、磁気抵抗素子１１〜１４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。そして、基板１０の表面に磁気抵抗素子１１〜１４が該パターンに対応してスパッタ成膜される（成膜工程）。
【００３２】
そして、成膜工程とフォトリソグラフィー工程とを繰り返した後、本発明の要部である熱処理工程に入る。この熱処理工程は、後述するトリミング工程に先立って行われる。そして、熱処理工程では、磁気抵抗素子１１〜１４の各々の一部にレーザが照射されることに基づいて、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが形成される。即ち、磁気抵抗素子１１〜１４の各々の一部（粗調部３１〜３４の各々の一部及び微調部４１〜４４の各々の一部）において、レーザによる熱が付与されて溶融された部分が、結果として切断されて被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａとなる。
【００３３】
そして、熱処理工程が完了すると、必要に応じてトリミング工程に入る。このトリミング工程は、磁気抵抗素子１１〜１４の一部にレーザを照射して切断することで電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４を微調整するために行われる。ここでは、「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式を成り立たせるために、磁気抵抗素子１２の一部にレーザを照射して切断することで電気抵抗値Ｒ２を微調整する場合を想定する。
【００３４】
即ち、トリミング工程において、まず、磁気抵抗素子１２の電気抵抗値Ｒ２を大まかなレベルで増大させるために、粗調部３２の一部にレーザが照射されて切断される（図１のトリミング部３２ｂ参照）。次いで、磁気抵抗素子１２の電気抵抗値Ｒ２を細かなレベルで増大させるために、微調部４２の一部にレーザが照射されて切断される（図１のトリミング部４２ｂ参照）。その結果、これらのようにレーザトリミングが施された直後において、オフセット電圧Ｖ１２が略０Ｖに設定された好適な磁気センサ１が得られる。
【００３５】
次に、本実施形態の磁気センサ１の作用について説明する。
さて、本実施形態の磁気センサ１が製造される場合、磁気センサ１を構成する全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々に対応して被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられる。このように全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々に対応して熱が付与されるため、該熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が影響を受ける度合は、全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々において互いに同様となる。
【００３６】
ここで、このように被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが既に設けられた複数の磁気抵抗素子１１〜１４のうち、いずれか１つの磁気抵抗素子（本実施形態では磁気抵抗素子１２）の一部にトリミングを施すことで、磁気センサ１のオフセット電圧Ｖ１２を０Ｖに近いものとする場合を想定する。この場合、トリミングを施す磁気抵抗素子１２と、トリミングを施さない残りの磁気抵抗素子１１，１３，１４とでは、トリミングによる熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が影響を受ける度合が異なって、結局の所、被熱処理部が設けられていない従来の磁気センサ１０１と何ら変わらないようにも思える。
【００３７】
しかし、本実施形態の磁気センサ１の場合、トリミングに先立って被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられる。そして、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けるために付与された熱により各磁気抵抗素子１１〜１４の各々が好適に影響を受けて、それら各磁気抵抗素子１１〜１４の各々の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が安定する。このため、必要に応じて後にトリミングを施す磁気抵抗素子１２と、トリミングを施さない残りの磁気抵抗素子１１，１３，１４との両者において、トリミングによる熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が影響を受ける度合が異なるにしても、それらの差分が従来の磁気センサ１０１と比較して抑制される。
【００３８】
その結果、トリミング工程が完了してから十二分に時間が経過した時点においても、ホイートストーンブリッジの平衡が維持される。つまり、オフセット電圧Ｖ１２がレーザトリミング直後の０Ｖと略同じレベルのまま維持される（図３参照）。
【００３９】
以上、詳述したように本実施形態によれば、次のような作用、効果を得ることができる。
（１）本実施形態の磁気センサ１は、該磁気センサ１を構成する全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々に対応して、熱が付与されて溶融された被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられている。即ち、本実施形態の磁気センサ１が製造される場合、トリミングに先立って被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられる。そして、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けるために付与された熱により各磁気抵抗素子１１〜１４の各々が好適に影響を受けて、それら各磁気抵抗素子１１〜１４の各々の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が安定する。このため、必要に応じて後にトリミングを施す磁気抵抗素子１２と、トリミングを施さない残りの磁気抵抗素子１１，１３，１４との両者において、トリミングによる熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が影響を受ける度合が異なるにしても、それらの差分が従来の磁気センサ１０１と比較して抑制される。従って、オフセット電圧Ｖ１２の経時変化を抑制することができる。
【００４０】
（２）磁気センサ１は、全ての粗調部３１〜３４の各々に対応して被熱処理部３１ａ〜３４ａが設けられている。このため、トリミングによる熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が大きく影響を受ける粗調部３１〜３４に対応する部分において、トリミングに先立って熱を付与することで、磁気抵抗素子１１〜１４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が安定する。従って、オフセット電圧Ｖ１２の経時変化を好適に抑制することができる。
【００４１】
（３）磁気センサ１は、全ての粗調部３１〜３４の各々に対応して被熱処理部３１ａ〜３４ａが設けられていることに加えて、全ての微調部４１〜４４の各々に対応して被熱処理部４１ａ〜４４ａが設けられている。このため、トリミングによる熱が付与される可能性のある粗調部３１〜３４及び微調部４１〜４４に対応する部分において、トリミングに先立って熱を付与することで、磁気抵抗素子１１〜１４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が安定する。従って、オフセット電圧Ｖ１２の経時変化をさらに好適に抑制することができる。
【００４２】
（４）磁気センサ１は、磁気抵抗素子１１〜１４の各々の一部に被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａが設けられている。これにより、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けるために付与された熱は、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａから直接的に磁気抵抗素子１１〜１４に伝導される。このため、トリミングによる熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が影響を受ける磁気抵抗素子１１〜１４において、トリミングに先立って効率良く熱を付与することで、磁気抵抗素子１１〜１４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が安定する。従って、オフセット電圧Ｖ１２の経時変化を好適に抑制することができる。
【００４３】
（５）磁気センサ１は、トリミングにより電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の調整が必要ない場合でも、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けることにより抵抗変化が均一に安定し、経時変化を少なくすることができる。
【００４４】
尚、前記実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・磁気抵抗素子１１〜１４の各々とは互いに独立して、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａと同じたぐいの被熱処理部を設けた構成としてもよい。即ち、磁気センサ１を構成する全ての磁気抵抗素子１１〜１４の各々に対応して被熱処理部を設ける構成は、磁気抵抗素子１１〜１４の各々の一部に被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設ける構成に限定されない。換言すれば、磁気抵抗素子１１〜１４から離間した位置に被熱処理部を設けた構成としてもよい。
【００４５】
このように構成すれば、被熱処理部を設けるために付与された熱は、被熱処理部から間接的に磁気抵抗素子１１〜１４に伝導される。このため、トリミングによる熱により電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が影響を受ける磁気抵抗素子１１〜１４において、トリミングに先立って熱を付与することで、磁気抵抗素子１１〜１４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が安定する。また、磁気抵抗素子１１〜１４と被熱処理部とが電気的に接続されている訳ではないため、被熱処理部を設ける際において、磁気抵抗素子１１〜１４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が積極的に増大されることが回避される。従って、オフセット電圧Ｖ１２の経時変化を好適に抑制することができる。
【００４６】
・上記のように磁気抵抗素子１１〜１４から離間した位置に被熱処理部を設ける構成を採用する場合、被熱処理部を設けるために付与された熱は、被熱処理部から間接的に磁気抵抗素子１１〜１４に伝導される。そして、そのことに基づいて、磁気抵抗素子１１〜１４が安定するのに必要な熱を磁気抵抗素子１１〜１４に付与しなければならない。従って、かかる構成を採用する場合、磁気抵抗素子１１〜１４から近い位置に被熱処理部を設ける構成が好ましい。
【００４７】
・上記のように磁気抵抗素子１１〜１４から離間した位置に被熱処理部を設ける構成として、磁気抵抗素子１１〜１４から離間した位置に、磁気抵抗素子１１〜１４と同様の材料からなるダミー部を薄膜により構成しておき（成膜工程）、そのダミー部に熱を付与して溶融させることで被熱処理部を設ける（熱処理工程）構成を採用してもよい。
【００４８】
・或いは、上記のように磁気抵抗素子１１〜１４から離間した位置に被熱処理部を設ける構成として、磁気抵抗素子１１〜１４から離間した位置（基板１０の一部）に熱を付与して溶融させることで被熱処理部を設ける（熱処理工程）構成を採用してもよい。
【００４９】
・微調部４１〜４４の各々に対応する被熱処理部４１ａ〜４４ａは、必ずしも設けなければならない訳ではなく、割愛することも可能である。図４は、粗調部３１〜３４の各々に対応して被熱処理部３１ａ〜３４ａを設ける一方で、微調部４１〜４４の各々に対応する被熱処理部４１ａ〜４４ａを割愛した場合におけるオフセット電圧Ｖ１２の経時変化を示す特性図である。
【００５０】
・磁界の方向の変化を検出する上で最も重要な役割を担う磁気検出部２１〜２４に被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａと同じたぐいの被熱処理部を設けない構成が好ましい。
【００５１】
・被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けるのに際して（熱処理工程）、前記実施形態と同様に局所的に熱を付与する構成が好ましい。
・被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けるのに際して（熱処理工程）、短時間（例えば、１秒未満である約０．５秒）に亘って熱を付与する構成が好ましい。
【００５２】
・被熱処理部３１ａ〜３４ａ，４１ａ〜４４ａを設けるのに際して（熱処理工程）、高温（例えば、摂氏１０００度以上である摂氏約１５００度）にて熱を付与する構成が好ましい。
【００５３】
・磁気抵抗素子１１〜１４を構成する材料は、ニッケルコバルトに限定されない。即ち、磁気抵抗素子１１〜１４を構成する材料として、パーマロイ等の負の磁気特性を有する強磁性体を採用してもよい。
【００５４】
・磁気抵抗素子１１〜１４を構成する材料は、負の磁気特性を有する強磁性体に限定されない。即ち、磁気抵抗素子１１〜１４を構成する材料として、磁界の方向の変化が大きくなるにつれて電気抵抗値が大きくなる正の磁気特性を有する半導体を採用してもよい。このように正の磁気特性を有する半導体としては、インジウムアンチモン、ガリウムヒ素等が挙げられる。
【００５５】
さらに、上記実施形態より把握される技術的思想について記載する。
〔１〕請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の磁気センサにおいて、前記複数の磁気抵抗素子の各々は、磁気の変化が大きくなるにつれて電気抵抗値が小さくなる負の磁気特性を有する強磁性体であることを特徴とする磁気センサ。
【００５６】
〔２〕上記〔１〕に記載の磁気センサにおいて、前記複数の磁気抵抗素子の各々は、ニッケルコバルトであることを特徴とする磁気センサ。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施形態の磁気センサを構成する４つの磁気抵抗素子の態様を示す概略図。
【図２】本実施形態の磁気センサの電気回路図。
【図３】本実施形態の磁気センサにおけるオフセット電圧の経時変化を示す特性図。
【図４】別の実施形態の磁気センサにおけるオフセット電圧の経時変化を示す特性図。
【図５】従来の磁気センサの電気回路図。
【図６】従来の磁気センサを構成する４つの磁気抵抗素子の態様を示す概略図。
【図７】従来の磁気センサにおけるオフセット電圧の経時変化を示す特性図。
【符号の説明】
【００５８】
１…磁気センサ、１１〜１４…磁気抵抗素子、３１〜３４…粗調部、３１ａ〜３４ａ…被熱処理部、４１〜４４…微調部、４１ａ〜４４ａ…被熱処理部、Ｒ１〜Ｒ４…電気抵抗値、Ｖ１２…オフセット電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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