(57)【要約】【課題】  金属を使用したゲート電極の微細化を図ることのできる技術を提供する。【解決手段】  半導体基板１上にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2を形成する。ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のゲート絶縁膜５上にゲート電極９ａを形成する。ゲート電極９ａは、ゲート絶縁膜５上に直接形成された窒化タンタル膜６とこの窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６から形成される。そして、窒化タンタル膜６の加工容易性を利用してゲート長を微細化するとともに、ハフニウム膜２６によりしきい値電圧を調整する。同様に、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2のゲート電極９ｂを窒化タンタル膜６とプラチナ膜２９との積層構造とする。【選択図】  図１
2005347410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１ゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、
（ｂ）第２ゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタとを備え、
前記第１ゲート電極は、第１金属シリサイド膜から形成され、
前記第２ゲート電極は、前記第１金属シリサイド膜とは異なる第２金属シリサイド膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
（ａ）第１ゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、
（ｂ）第２ゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタとを備え、
前記第１ゲート電極は、第１導体膜と前記第１導体膜上に形成された第１金属膜とを有し、
前記第２ゲート電極は、第２導体膜と前記第２導体膜上に形成された第２金属膜とを有し、
前記第１導体膜と前記第２導体膜とは同じ種類の膜である一方、前記第１金属膜と前記第２金属膜とは異なる種類の膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極を有する電界効果トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、導体膜と前記導体膜上に形成された金属膜とを有し、
前記金属膜のゲート長方向の長さは、前記導体膜のゲート長方向の長さに比べて長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
（ａ）第１ゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、
（ｂ）第２ゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタとを備え、
前記第１ゲート電極は、第１導体膜と前記第１導体膜上に形成された第１金属膜とを有し、
前記第２ゲート電極は、第２導体膜と前記第２導体膜上に形成された第２金属膜とを有し、
前記第１ゲート電極のゲート長方向において、前記第１金属膜の幅は、前記第１導体膜の幅よりも広く、
前記第２ゲート電極のゲート長方向において、前記第２金属膜の幅は、前記第２導体膜の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
（ａ）第１ゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、
（ｂ）第２ゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタとを備え、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極のいずれか一方は、プラチナシリサイド膜あるいはハフニウムシリサイド膜から構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
（ａ）第１ゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、
（ｂ）第２ゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタとを備え、
前記第１ゲート電極は、第１導体膜と前記第１導体膜上に形成された第１金属膜とを有し、
前記第２ゲート電極は、第２導体膜と前記第２導体膜上に形成された第２金属膜とを有し、
前記第１導体膜と前記第２導体膜は同じ種類の膜から形成され、前記第１金属膜と前記第２金属膜とは異なる種類の膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
（ａ）半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、
（ｃ）前記導体膜をパターニングする工程と、
（ｄ）パターニングした前記導体膜を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁膜をパターニングすることにより、前記導体膜を露出する開口部であって前記導体膜より大きな領域を開口する前記開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
（ｆ）前記開口部を埋め込むように金属膜を形成する工程と、
（ｇ）前記金属膜をパターニングすることにより、前記導体膜と前記金属膜よりなるゲート電極を形成する工程とを備え、
前記ゲート電極のゲート長方向において、前記金属膜の幅は、前記導体膜の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、
（ｃ）前記導体膜をパターニングする工程と、
（ｄ）パターニングした前記導体膜を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁膜をパターニングすることにより、前記導体膜を露出する開口部であって前記導体膜より大きな領域を開口する前記開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
（ｆ）前記開口部を埋め込むように金属膜を形成する工程と、
（ｇ）前記金属膜をパターニングすることにより、前記導体膜と前記金属膜よりなるゲート電極を形成する工程と、
（ｈ）前記導体膜と前記金属膜とを反応させるように熱処理を施す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、微細化した電界効果トランジスタの製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特開平８−２６４５３１号公報（特許文献１）には、タングステン膜などの高融点金属膜、反応障壁層およびポリシリコン膜の積層構造からゲート電極を形成する技術が記載されている。タングステン膜は、ポリサイドゲート電極に使用されるタングステンシリサイド膜より抵抗が１桁小さく、ゲート電極の低抵抗化を図ることができる。また、タングステン膜は、ポリシリコン膜と８００℃程度の加熱で容易に反応するが、タングステン膜とポリシリコン膜との間に反応障壁層を設けることにより、耐熱性に優れた低抵抗のゲート電極を形成することができる。
【特許文献１】特開平８−２６４５３１号公報（第４頁、第５頁、図４（ｋ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、ＭＩＳＦＥＴ（Metal  Insulator  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）の高集積化および高速化に対する要求が高まっている。これらの要求を達成するため、素子寸法の縮小化が進められている。
【０００４】
ＭＩＳＦＥＴの微細化に伴い、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜は薄くなってきている。ゲート絶縁膜は、通常酸化シリコン膜から形成されているが、薄膜化に伴いリーク電流が増加し、ＭＩＳＦＥＴの電気的特性の向上を図ることが難しくなっている。そこで、酸化シリコン膜より誘電率の高い、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜を使用することによりゲート絶縁膜の物理的膜厚を厚くしてリーク電流の低減を図っている。
【０００５】
また、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、通常ポリシリコン膜から形成されているが、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの両方でしきい値電圧を低下させるため、いわゆるデュアルゲート化が行われている。すなわち、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極としてリンなどのｎ型不純物を導入したポリシリコン膜を使用する一方、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極としてボロンなどのｐ型不純物を導入したポリシリコン膜を使用している。
【０００６】
ところが、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極に導入されているボロンは、ゲート電極からゲート絶縁膜を介して半導体基板のチャネル領域へ容易に拡散する。このため、チャネル領域の不純物濃度が変化し、しきい値電圧が変動してしまう。
【０００７】
このため、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極としてポリシリコン膜ではなく金属（メタル）膜の使用が検討されている。金属膜を使用する場合もｎチャネル型ＭＩＳＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの両方でしきい値電圧を下げるため、それぞれ異なる仕事関数を持つ金属膜の使用が検討されている。例えば、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴでは、プラチナ膜が使用され、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴでは、ハフニウム膜が使用される。
【０００８】
しかし、プラチナ膜などはエッチングが難しく、プラチナ膜をゲート電極として使用した場合にゲート電極の微細化が困難となる。すなわち、エッチングでプラチナ膜を垂直に加工することは困難であり、ゲート電極がテーパ状になってしまうため、ゲート電極のゲート長を微小化することが困難になる問題点がある。
【０００９】
また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極をプラチナ膜で形成し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極をハフニウム膜で形成する場合、例えば、Ｈｉｇｈ−ｋ膜上にプラチナ膜を形成し、このプラチナ膜をプラズマによるドライエッチングでパターニングする。パターニングは、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域にだけプラチナ膜が残るように行われる。つまり、プラチナ膜のドライエッチングの際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域に形成されたプラチナ膜もエッチングされる。このため、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域にあるＨｉｇｈ−ｋ膜も直接プラズマによるダメージにさらされることになり、高品質が要求されるＨｉｇｈ−ｋ膜の劣化が生じる問題点がある。
【００１０】
本発明の目的は、金属を使用したゲート電極の微細化を図ることのできる技術を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで異なる金属をゲート電極に使用する場合、ゲート電極下にあるゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、ゲート電極を形成する技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
本発明による半導体装置は、（ａ）第１ゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、（ｂ）第２ゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタとを備え、前記第１ゲート電極は、第１金属シリサイド膜から形成され、前記第２ゲート電極は、前記第１金属シリサイド膜とは異なる第２金属シリサイド膜から形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、（ｂ）前記ゲート絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、（ｃ）前記導体膜をパターニングする工程と、（ｄ）パターニングした前記導体膜を覆うように絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記絶縁膜をパターニングすることにより、前記導体膜を露出する開口部であって前記導体膜より大きな領域を開口する前記開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、（ｆ）前記開口部を埋め込むように金属膜を形成する工程と、（ｇ）前記金属膜をパターニングすることにより、前記導体膜と前記金属膜よりなるゲート電極を形成する工程とを備え、前記ゲート電極のゲート長方向において、前記金属膜の幅は、前記導体膜の幅よりも広いことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
金属を使用したゲート電極におけるゲート長の微細化を図ることのできる。また、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで異なる金属をゲート電極に使用する場合、ゲート電極下にあるゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、ゲート電極を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１における半導体装置であるＣＭＩＳＦＥＴ（Complementary  Metal  Insulator  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）の断面を示した図である。図１において、半導体基板１の主面には、素子分離領域２が形成されており、この素子分離領域２によって分離された活性領域には、ｐ型ウェル３とｎ型ウェル４が形成されている。
【００２０】
ｐ型ウェル３上にはｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1（第１の電界効果トランジスタ）が形成され、ｎ型ウェル４上にはｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2（第２の電界効果トランジスタ）が形成されている。
【００２１】
ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1の構成について説明する。ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1において、半導体基板１上にゲート絶縁膜５が形成されており、このゲート絶縁膜５は、例えば、酸化ハフニウム膜などのいわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜から形成されている。Ｈｉｇｈ−ｋ膜は、酸化シリコン膜よりも誘電率が高いので、微細化の過程で、酸化シリコン膜より物理的膜厚を厚くすることができる。したがって、リーク電流を低減することができ、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1の電気的特性の向上を図ることができる。
【００２２】
ゲート絶縁膜５上には、ゲート電極（第１ゲート電極）９ａが形成されている。ゲート電極９ａは、積層構造となっており、ゲート絶縁膜５に直接接する層に窒化タンタル膜（第１導体膜）６が形成され、この窒化タンタル膜６上にハフニウム膜（第１金属膜）２６が形成されている。
【００２３】
ここで、窒化タンタル膜６のゲート長方向（図の横方向）の長さは、窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６のゲート長方向の長さに比べて短くなっている。
【００２４】
近年、ＭＩＳＦＥＴの微細化に伴い、ゲート電極のゲート長方向の長さは縮小化されつつある。また、ゲート電極の材料として金属を採用することが検討されている。しかし、ゲート電極の材料として候補にあがっている金属は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、例えばハフニウム膜であり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、例えばプラチナ膜である。これらハフニウム膜やプラチナ膜はエッチングが困難な難エッチング材料であり、微細に加工することが困難である。すなわち、ハフニウム膜やプラチナ膜をゲート電極として使用すると、ゲート電極の形状がテーパ状となり、ゲート絶縁膜と接する部分のゲート長が長くなり、ゲート電極を微細化することが困難となる。
【００２５】
そこで、本実施の形態１では、微細に加工することが容易な窒化タンタル膜６をゲート電極９ａの第１層として形成している。すなわち、ゲート絶縁膜５に直接接する膜として微細加工の容易な窒化タンタル膜６を使用することにより、ゲート電極９ａの実質的なゲート長を小さくすることができる。
【００２６】
そして、この窒化タンタル膜６上には、ハフニウム膜２６が形成されている。ゲート電極９ａの第２層として形成されるハフニウム膜２６のゲート長方向の長さは、第１層として形成される窒化タンタル膜６のゲート長方向の長さに比べて長く形成されていてもよい。つまり、実質的なゲート長は、ゲート絶縁膜５に接している窒化タンタル膜６で決定されるため、ハフニウム膜２６のゲート長方向の長さが相対的に長くなっても問題とはならない。このように、ハフニウム膜２６の加工精度は問題とならず、例えばテーパ状の形状をしていてもよい。
【００２７】
ハフニウム膜２６は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のしきい値電圧を下げるような仕事関数値を有している。したがって、窒化タンタル膜６上にハフニウム膜２６を形成したゲート電極９ａを使用することにより、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のしきい値電圧を下げることができる。
【００２８】
ここで、窒化タンタル膜６は、ゲート電極９ａの実質的なゲート長を微細化するために設けられたものであるから、ゲート絶縁膜５と接する領域に形成されていればよい。一方、ゲート電極９ａのしきい値電圧は主に窒化タンタル膜６上に形成されているハフニウム膜２６によって調整される。したがって、窒化タンタル膜６の膜厚は薄い方が望ましい。
【００２９】
このようにして、ゲート長を微細に加工しながら、ハフニウム膜２６などの金属膜でしきい値電圧を調整するゲート電極９ａを形成できる。すなわち、主に金属膜を使用したゲート電極９ａにおいて微細化を図ることができる。つまり、ゲート電極９ａを窒化タンタル膜６とハフニウム膜２６との積層構造とすることで、ゲート電極９ａの微細化としきい値電圧の低減を図ることができる。さらに、ゲート電極９ａにポリシリコン膜を使用しないため、ボロンの突き抜けによるしきい値電圧の変動や、ゲート電極の空乏化を防止することができる。
【００３０】
次に、ゲート電極９ａの側壁には、サイドウォール１７が形成されており、このサイドウォール１７下のｐ型ウェル３内には、半導体領域である低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２が形成されている。そして、この低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２の外側には、半導体領域である高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０が形成されている。この低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２および高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０には、リンなどのｎ型不純物が導入されており、低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２よりも高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０にｎ型不純物が高濃度に導入されている。このようにして、ＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造を形成することができる。
【００３１】
次に、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の構成について説明する。このｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の構成は、上述したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1の構成とほぼ同じである。すなわち、半導体基板上に、例えば、酸化ハフニウムなどのＨｉｇｈ−ｋ膜からなるゲート絶縁膜５が形成されており、このゲート絶縁膜５上にゲート電極（第２ゲート電極）９ｂが形成されている。
【００３２】
ゲート電極９ｂは積層構造をしており、ゲート絶縁膜５に接している第１層に窒化タンタル膜（第２導体膜）６が形成されている。そして、この窒化タンタル膜６上にプラチナ膜（第２金属膜）２９が形成されている。このようにゲート電極９ｂを窒化タンタル膜６とプラチナ膜２９との積層膜とすることにより、ゲート電極９ｂにおけるゲート長の微細化としきい値電圧の低減を図ることができる。すなわち、ゲート絶縁膜５に接する第１層に加工性の良好な窒化タンタル膜６を形成することにより、ゲート長を微細化することができるとともに、窒化タンタル膜６上にプラチナ膜２９を形成することにより、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2のしきい値電圧を低減することができる。
【００３３】
なお、窒化タンタル膜６により実質的なゲート長が決定されるため、窒化タンタル膜６上に形成されるプラチナ膜２９のゲート長方向の長さは、窒化タンタル膜６のゲート長の長さより長くてもよく、また、テーパ形状をしていてもよい。
【００３４】
次に、ゲート電極９ｂの側壁には、サイドウォール１７が形成されており、このサイドウォール１７下のｎ型ウェル４内には、半導体領域である低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５が形成されている。そして、低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５の外側の領域には、半導体領域である高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３が形成されている。低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５および高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３には、ボロンなどのｐ型不純物が導入されており、低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５より高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３の方が、相対的に高濃度にｐ型不純物が導入されている。
【００３５】
このように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のゲート電極９ａとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2のゲート電極９ｂにおいて、それぞれゲート絶縁膜５に接している第１層の膜が加工用意な同じ種類の膜（窒化タンタル膜）で形成され、この第１層の膜上に形成されている第２層の膜が、それぞれ異なる金属膜で形成された構造をしている。これにより、ゲート電極９ａ、９ｂでゲート長を微細化することができるとともに、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2のそれぞれでしきい値電圧を低くすることができる。
【００３６】
本実施の形態１における半導体装置は上記のように構成されており、以下に、その製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００３７】
図２に示すように、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、ｐ型の単結晶シリコンよりなり、その主面には、素子分離領域２が形成されている。素子分離領域２は、酸化シリコンよりなり、例えばＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）法やＬＯＣＯＳ（Local  Oxidization  Of  Silicon）などによって形成される。図２においては、半導体基板１に溝を形成し、この溝に酸化シリコン膜を埋め込むＳＴＩ法より形成された素子分離領域２を示している。
【００３８】
次に、半導体基板１に形成された素子分離領域２によって分けられた活性領域、すなわちｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1を形成する領域にｐ型ウェル３を形成する。ｐ型ウェル３は、例えばイオン注入法により、ボロン（Ｂ）やフッ化ボロン（ＢＦ2）を導入することによって形成される。同様に、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2を形成する領域にｎ型ウェル４を形成する。ｎ型ウェル４は、例えばイオン注入法により、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）を導入することによって形成される。
【００３９】
続いて、図３に示すように、半導体基板１上に、ゲート絶縁膜５を形成する。ゲート絶縁膜５は、酸化シリコン膜より誘電率の高い、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜からなり、例えば酸化ハフニウム膜から形成されている。ゲート絶縁膜５となる酸化ハフニウム膜は、例えばＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）法やＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法を使用して形成することができる。なお、ゲート絶縁膜５として、酸化シリコン膜を使用してもよい。
【００４０】
そして、ゲート絶縁膜５上に窒化タンタル膜６を形成し、この窒化タンタル膜６上に酸化シリコン膜７を形成する。窒化タンタル膜６は、例えばスパッタリング法を使用して形成することができ、酸化シリコン膜７は、例えばＣＶＤ法を使用して形成することができる。酸化シリコン膜７は、ハードマスクとして機能する膜である。
【００４１】
次に、酸化シリコン膜７上にレジスト膜８を形成した後、このレジスト膜８に対して露光・現像することにより、レジスト膜８をパターニングする。レジスト膜８のパターニングは、ゲート電極９ａ、９ｂ形成領域にだけレジスト膜８が残るように行われる。
【００４２】
続いて、図４に示すように、パターニングしたレジスト膜８をマスクにして、酸化シリコン膜７および窒化タンタル膜６を順次、エッチングしてゲート電極９ａ、９ｂを形成する。ここで、窒化タンタル膜は加工特性が良好のため、微細なゲート長のゲート電極９ａ、９ｂを形成することができる。
【００４３】
次に、図５に示すように、パターニングしたレジスト膜８を除去する。そして、新たに半導体基板１の主面上にレジスト膜１０を形成した後、図６に示すように、レジスト膜１０に対して露光・現像を行うことによりパターニングする。レジスト膜１０のパターニングは、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の形成領域にレジスト膜１０が残るように行われる。
【００４４】
続いて、パターニングしたレジスト膜１０をマスクにして、イオン注入を行うことにより、ゲート電極９ａの両側に低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２を形成する。低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２には、イオン注入法により、リンやヒ素などのｎ型不純物が導入されている。
【００４５】
次に、パターニングしたレジスト膜１０を除去した後、新たに半導体基板１の主面上にレジスト膜１３を形成する。そして、レジスト膜１３に対して、露光・現像を行うことによりパターニングする。レジスト膜１３のパターニングは、図７に示すように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1の形成領域にレジスト膜１３が残るように行われる。
【００４６】
続いて、パターニングしたレジスト膜１３をマスクにして、イオン注入を行うことにより、ゲート電極９ｂの両側に低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５を形成する。低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５には、イオン注入法により、ボロンなどのｐ型不純物が導入されている。
【００４７】
次に、図８に示すように、半導体基板１上に形成されたゲート電極９ａ、９ｂを覆うように窒化シリコン膜１６を形成する。窒化シリコン膜１６は、例えばＣＶＤ法を使用して形成することができる。
【００４８】
そして、図９に示すように、形成した窒化シリコン膜１６を異方性ドライエッチングすることにより、ゲート電極９ａ、９ｂの側壁にサイドウォール１７を形成する。なお、本実施の形態１では、サイドウォール１７を窒化シリコン膜１６の単層膜から形成される場合を示したが、例えばサイドウォール１７を窒化シリコン膜／酸化シリコン膜／窒化シリコン膜の３層構造としてもよい。
【００４９】
続いて、半導体基板１上にレジスト膜１８を形成した後、このレジスト膜１８に対して露光・現像することにより、レジスト膜１８をパターニングする。レジスト膜１８のパターニングは、図１０に示すように、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の形成領域にレジスト膜１８が残るように行われる。
【００５０】
次に、パターニングしたレジスト膜１８をマスクにして、イオン注入を行うことにより、ゲート電極９ａの両側に高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０を形成する。高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０には、リンやヒ素などのｎ型不純物が低濃度ｎ型不純物拡散領域１１、１２よりも高濃度に導入されている。
【００５１】
続いて、パターニングしたレジスト膜１８を除去した後、新たに半導体基板１の主面上にレジスト膜２１を形成する。そして、レジスト膜２１に対して、露光・現像を行うことによりパターニングする。レジスト膜２１のパターニングは、図１１に示すように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1の形成領域にレジスト膜２１が残るように行われる。
【００５２】
次に、パターニングしたレジスト膜２１をマスクにして、イオン注入を行うことにより、ゲート電極９ｂの両側に高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３を形成する。高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３には、ボロンなどのｐ型不純物が低濃度ｐ型不純物拡散領域１４、１５よりも高濃度に導入されている。
【００５３】
続いて、図１２に示すように、半導体基板１の主面上に絶縁膜２４を形成する。この絶縁膜２４は、ゲート電極９ａ、９ｂを覆うように形成されており、例えば酸化シリコン膜から構成されている。絶縁膜２４は、例えばＣＶＤ法を使用して形成することができ、絶縁膜２４を酸化シリコン膜から形成する場合、原料としてシランガスを用いてもよいし、ＴＥＯＳを用いてもよい。また、絶縁膜２４は、簡単にウェットエッチングできればよいため、酸化シリコン膜の他に、例えば低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）や窒化シリコン膜であってもよい。
【００５４】
その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）法を使用して絶縁膜２４の表面を平坦化する。そして、半導体基板１に形成された高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０および高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３などに導入された不純物を活性化するため、熱処理（アニール処理）を行う。なお、この熱処理は、絶縁膜２４を形成する前に行ってもよい。
【００５５】
次に、絶縁膜２４上にレジスト膜２５を形成した後、このレジスト膜２５に対して露光・現像することにより、レジスト膜２５をパターニングする。レジスト膜２５のパターニングは、図１３に示すように、ゲート電極９ａ上にレジスト膜２５が残らないように行われる。このとき、ゲート電極９ａ上に形成されているレジスト膜２５の開口部はゲート電極９ａのゲート長（窒化タンタル膜６のゲート長）に合わせて微細化する必要はなく、ゲート電極９ａのゲート長よりも大きくてもよい。すなわち、レジスト膜２５の開口部の径は、ゲート長の微細化に対応していなくてもよい。
【００５６】
続いて、図１４に示すように、パターニングしたレジスト膜２５をマスクにして、ゲート電極９ａの上部に形成されている絶縁膜２４（酸化シリコン膜）および酸化シリコン膜７をエッチングにより除去する。このとき、サイドウォール１７は窒化シリコン膜から形成されているため、上記したエッチング工程においては除去されない。
【００５７】
そして、図１５に示すように、パターニングしたレジスト膜２５を除去した後、図１６に示すように、半導体基板１の主面上にハフニウム膜２６を形成する。このとき、ハフニウム膜２６は、絶縁膜２４および酸化シリコン膜７を除去することによりできたゲート電極９ａ上の開口部を埋め込むように形成される。
【００５８】
次に、ハフニウム膜２６上にレジスト膜２７を形成し、このレジスト膜２７に対して露光・現像することにより、レジスト膜２７をパターニングする。パターニングは、図１７に示すように、ゲート電極９ａ上にだけレジスト膜２７が残るように行われる。
【００５９】
続いて、図１８に示すように、パターニングしたレジスト膜２７をマスクにしてハフニウム膜２６をエッチングする。このときのエッチングは、露出したハフニウム膜２６の除去が行えればよく、ハフニウム膜２６の下層に形成されている絶縁膜２４とのエッチング選択比がそれほどなくてもよい。すなわち、ハフニウム膜２６のエッチングの際、ハフニウム膜２６の下に形成されている絶縁膜２４が多少エッチングされてもよく、高選択比は要求されない。
【００６０】
次に、図１９に示すように、パターニングしたレジスト膜２７を除去することにより、窒化タンタル膜６とハフニウム膜２６の積層膜からなるゲート電極９ａを形成することができる。この構造によれば、ゲート電極９ａを構成するハフニウム膜２６の寸法精度は要求されず、ゲート絶縁膜５と直接接する窒化タンタル膜６によってゲート長が決定される。このため、加工の難しい金属膜を使用したゲート電極９ａにおいて、ゲート長の微細化を図ることができる。
【００６１】
続いて、図２０に示すように、例えば酸化シリコン膜よりなる絶縁膜２４の膜厚を厚くして、絶縁膜２４がゲート電極９ａを覆うようにする。そして、絶縁膜２４の表面を例えばＣＭＰ法を使用して平坦化する。
【００６２】
次に、絶縁膜２４上にレジスト膜２８を形成した後、このレジスト膜２８に対して露光・現像することにより、レジスト膜２８をパターニングする。レジスト膜２８のパターニングは、図２１に示すように、ゲート電極９ｂ上にレジスト膜２８が残らないように行われる。このとき、ゲート電極９ｂ上に形成されているレジスト膜２８の開口部はゲート電極９ｂのゲート長（窒化タンタル膜６のゲート長）よりも大きくてよい。
【００６３】
続いて、図２２に示すように、パターニングしたレジスト膜２８をマスクにして、ゲート電極９ｂの上部に形成されている絶縁膜２４（酸化シリコン膜）および酸化シリコン膜７をエッチングにより除去する。このとき、サイドウォール１７は窒化シリコン膜から形成されているため、上記したエッチング工程においては除去されない。
【００６４】
そして、図２３に示すように、パターニングしたレジスト膜２８を除去した後、図２４に示すように、半導体基板１の主面上にプラチナ膜２９を形成する。このとき、プラチナ膜２９は、絶縁膜２４および酸化シリコン膜７を除去することによりできたゲート電極９ｂ上の開口部を埋め込むように形成される。
【００６５】
次に、プラチナ膜２９上にレジスト膜３０を形成し、このレジスト膜３０に対して露光・現像することにより、レジスト膜３０をパターニングする。パターニングは、図２５に示すように、ゲート電極９ｂ上にだけレジスト膜３０が残るように行われる。
【００６６】
続いて、図２６に示すように、パターニングしたレジスト膜３０をマスクにしてプラチナ膜２９をエッチングする。このときのエッチングは、露出したハフニウム膜２９の除去が行えればよく、プラチナ膜２９の下層に形成されている絶縁膜２４とのエッチング選択比がそれほどなくてもよい。すなわち、プラチナ膜２９のエッチングの際、プラチナ膜２９の下に形成されている絶縁膜２４が多少エッチングされてもよく、高選択比は要求されない。
【００６７】
次に、図２７に示すように、パターニングしたレジスト膜３０を除去することにより、窒化タンタル膜６とプラチナ膜２９の積層膜からなるゲート電極９ｂを形成することができる。この構造によれば、ゲート電極９ｂを構成するプラチナ膜２９の寸法精度は要求されず、ゲート絶縁膜５と直接接する窒化タンタル膜６によってゲート長が決定される。
【００６８】
そして、図２８に示すように、絶縁膜２４を除去することにより、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2を形成することができる。なお、絶縁膜２４を除去せずに、配線工程における層間絶縁膜として絶縁膜２４を使用することも可能である。
【００６９】
このようにして、加工の難しい金属膜を使用したゲート電極９ａ、９ｂにおいて、ゲート長の微細化を図ることができる。すなわち、エッチング加工の困難なハフニウム膜２６やプラチナ膜２９をゲート電極９ａ、９ｂに使用したＭＩＳＦＥＴにおいて、ハフニウム膜２６やプラチナ膜２９の下層にエッチング加工性の良好な窒化タンタル膜６を形成したので、ハフニウム膜２６やプラチナ膜２９の加工精度に関係なく、実質的なゲート長を微細化したＭＩＳＦＥＴを形成することができる。そして、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1にあった仕事関数値を有するハフニウム膜２６をゲート電極９ａに使用し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2にあった仕事関数値を有するプラチナ膜２９をゲート電極９ｂに使用したので、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の両方で、しきい値電圧を低下させることができ、電気的特性の向上を図ることができる。また、金属を使用することにより、ゲート電極９ａ、９ｂの低抵抗化を図ることができる。
【００７０】
また、本実施の形態１によれば、異なる金属をゲート電極９ａ、９ｂに使用したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の形成工程において、高品質が要求されるゲート絶縁膜５にダメージを与えないでゲート電極９ａ、９ｂを形成することができる。
【００７１】
例えば、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極にハフニウム膜だけを使用し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極にプラチナ膜を使用する場合、まず、プラチナ膜をゲート絶縁膜上の全面に形成し、その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、プラチナ膜をパターニングする。
【００７２】
パターニングは、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域にだけプラチナ膜が残るようにする。このようにして、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極が形成されるが、プラチナ膜のエッチングのとき、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域にあるプラチナ膜は除去される。すなわち、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域においては、プラチナ膜が除去され、下層にあるゲート絶縁膜が露出する。
【００７３】
プラチナ膜のエッチングには、例えばプラズマを使用したドライエッチングが用いられるが、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域においては、プラチナ膜が除去される。このため、露出したゲート絶縁膜はプラズマによるダメージをうける。その後、ハフニウム膜を半導体基板の主面上に形成し、パターニングすることによって、ハフニウム膜よりなるｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成する。このような工程では、高品質が要求されるゲート絶縁膜にプラズマによるダメージが加わり、品質の劣化が生じるおそれがある。また、プラチナ膜のエッチングにおいては、下層にあるゲート絶縁膜との選択比が低い。したがって、プラチナ膜のエッチングの際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成領域にあるゲート絶縁膜がエッチングされ、膜厚が減少するおそれがある。
【００７４】
一方、本実施の形態１では、図３および図４に示すように、ゲート絶縁膜５上に窒化タンタル膜６を形成し、その後、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の両方のゲート電極９ａ、９ｂを同時に形成している。したがって、窒化タンタル膜６をエッチングする際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のゲート電極９ａ形成領域およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2のゲート電極９ｂ形成領域には、ゲート電極９ａ、９ｂとなる窒化タンタル膜６があり、この領域のゲート絶縁膜５が露出することはない。このことから、本実施の形態１では、ゲート電極９ａ、９ｂ形成時にゲート絶縁膜５にダメージを与えることを防止できる。すなわち、本実施の形態１では、ゲート電極９ａに窒化タンタル膜６とハフニウム膜２６の積層構造を採用し、ゲート電極９ｂに窒化タンタル膜６とプラチナ膜２９との積層構造を採用している。したがって、窒化タンタル膜６は、ゲート電極９ａ、９８ｂで共通し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2の両方で同時に窒化タンタル膜６よりなるゲート電極９ａ、９ｂを形成することができるので、ゲート絶縁膜５にダメージを与えることを防止できる。さらに、ハフニウム膜２６やプラチナ膜２９は、窒化タンタル膜６上に形成されるため、ハフニウム膜２６やプラチナ膜２９のエッチングの際、ゲート絶縁膜５がダメージを受けることはない。
【００７５】
また、前述したように、窒化タンタル膜６よりなるゲート電極９ａ、９ｂは同時に形成されるため、窒化タンタル膜６の加工の際、ゲート電極９ａ、９ｂ形成領域にあるゲート絶縁膜５が露出されることはない。したがって、ゲート電極９ａ、９ｂ形成領域にあるゲート絶縁膜５の膜厚が減少することもない。
【００７６】
本実施の形態１では、ゲート絶縁膜５に直接接する第１層の膜として窒化タンタル膜６を形成する例を示したがこれに限らない。この第１層の膜となるための条件としては、エッチングなどに対して垂直加工性が良好で微細化が可能であり、また、第１層上に形成される第２層の膜との関係でＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧が制御できることが必要である。さらに、活性化アニール処理などの高温処理を行っても安定であることが必要であり、これらの条件を満足する材料であれば、窒化タンタル膜６以外の膜であってもよい。
【００７７】
次に、ゲート電極９ａ、９ｂを構成する第２層の膜として、ハフニウム膜２６やプラチナ膜を使用する例を示したがこれに限らない。第２層の膜となるための条件としては、下層の第１層の膜との関係でＭＩＳＦＥＴのしきい値を制御できることが必要であり、この条件を満たす膜ならば、第２層の膜として使用することができる。
【００７８】
また、ゲート絶縁膜５とゲート電極９ａ、９ｂの第１層の膜との関係であるが、活性化アニール処理などの高温処理を行っても第１層の膜が安定であり、ゲート絶縁膜５と反応しないことが必要である。
【００７９】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、ゲート電極の第１層の膜として窒化タンタル膜を使用する例について説明したが、本実施の形態２では、ゲート電極の第１層の膜としてアモルファスシリコン膜を使用する例について説明する。
【００８０】
本実施の形態２における半導体装置の構成は、前記実施の形態１の構成を示した図１と同様であり、窒化タンタル膜６に代えてアモルファスシリコン膜を使用している点が相違する。
【００８１】
アモルファスシリコン膜もエッチングなどに対して垂直加工性が良好で微細化が可能であり、また、第１層上に形成される第２層の膜との関係でＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧が制御できる。さらに、アモルファスシリコン膜活性化アニール処理などの高温処理を行っても安定である。このことから、アモルファスシリコン膜をゲート電極９ａ、９ｂの第１層の膜として使用することができる。したがって、ゲート電極９ａ、９ｂの第１層の膜としてアモルファスシリコン膜を使用することにより、ゲート長の微細化を図ることができる。
【００８２】
なお、アモルファスシリコン膜の代わりにポリシリコン膜を使用してもよい。ただし、ポリシリコン膜には粒界が存在するため、この粒界が問題となるサイズまでゲート電極９ａ、９ｂを微細化する場合には粒界の存在しないアモルファスシリコン膜の方が望ましい。
【００８３】
次に、本実施の形態２における半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図２８までは窒化タンタル膜６をアモルファスシリコン膜に変更しただけであり、その他は同様である。このようにして、図２８に示すｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2を形成することができる。
【００８４】
次に、ゲート電極９ａ、９ｂの第１層の膜としてアモルファスシリコン膜を使用した場合、さらに以下に示す工程を行うことができる。
【００８５】
つまり、図２８に示した構造を形成した半導体基板１を熱処理する。すると、図２９に示すように、ゲート電極９ａにおいては、第１層のアモルファスシリコン膜とハフニウム膜２６が反応してハフニウムシリサイド膜（第１金属シリサイド膜）３１が形成される。一方、ゲート電極９ｂにおいては、アモルファスシリコン膜とプラチナ膜２９が反応してプラチナシリサイド膜（第２金属シリサイド膜）３２が形成される。なお、アモルファスシリコン膜とハフニウム膜２６とは約７５０℃で反応し、アモルファスシリコン膜とプラチナ膜２９とは約３００℃で反応するため、約７５０℃以上の熱処理を施すことにより、ゲート電極９ａ、９ｂの両方でシリサイド反応を起すことができる。
【００８６】
その後、シリサイド化に使用されない未反応のハフニウム膜およびプラチナ膜を除去することにより、ハフニウムシリサイド膜３１だけからなるゲート電極（フルシリサイドゲート電極）９ａとプラチナシリサイド膜３２だけからなるゲート電極（フルシリサイドゲート電極）９ｂとを形成することができる。
【００８７】
ここで、アモルファスシリコン膜は微細加工されているため、シリサイド化したゲート電極９ａ、９ｂのゲート長をアモルファスシリコン膜のゲート長とほぼ同程度に微細化することが可能となる。すなわち、本実施の形態２では、実質的に微細化したゲート長を決定する第１層の膜とこの第１層上に形成され、実質的に仕事関数値を決定する第２層の膜から形成されるゲート電極９ａ、９ｂから一歩進んで、微細化したゲート長を有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1にあった仕事関数値を有するハフニウムシリサイド膜からなるゲート電極９ａと、微細化したゲート長を有し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2にあった仕事関数値を有するプラチナシリサイド膜からなるゲート電極９ｂを形成することができる。このようにフルシリサイド化したゲート電極９ａ、９ｂを形成することにより、シリコン膜を使用した場合のゲート電極９ａ、９ｂの空乏化を防止することができる。また、ボロンをゲート電極９ｂに使用する必要がなくボロンの突き抜けによるしきい値電圧の変動を防止することができる。
【００８８】
なお、本実施の形態２では、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2を形成した後（図２８参照）、熱処理を施してシリサイド化をする例について説明したが、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のゲート電極９ａを形成した段階（図１９参照）で熱処理（約７５０℃）を行い、ハフニウムシリサイド膜３１を形成し、その後、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2のゲート電極９ｂを形成した段階（図２７参照）で熱処理（約３００℃）を行ってプラチナシリサイド膜３２を形成してもよい。
【００８９】
また、本実施の形態２では、ゲート電極９ａとして、ハフニウムシリサイド膜３１を形成し、ゲート電極９ｂとして、プラチナシリサイド膜３２を形成する例について説明したがこれに限らない。すなわち、ハフニウムシリサイド膜３１の他に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1のしきい値電圧を低下させるシリサイド膜を使用してもよいし、プラチナシリサイド膜３２のほかに、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ２のしきい値電圧を低下させるシリサイド膜を使用してもよい。
【００９０】
次に、配線工程について説明する。配線工程は本実施の形態２で説明するが、前記実施の形態１でも同様に配線が形成される。すなわち、前記実施の形態１では、図２８の後、配線工程が実施される。本実施の形態２では、図２９の後、配線工程が実施される。
【００９１】
図３０に示すように、半導体基板１上に、例えばＣＶＤ法を使用して層間絶縁膜となる絶縁膜３３を堆積する。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、絶縁膜３３を貫通するコンタクトホール３４を形成する。コンタクトホール３４の底部では、高濃度ｎ型不純物拡散領域１９、２０および高濃度ｐ型不純物拡散領域２２、２３が露出される。
【００９２】
次に、コンタクトホール３４内にチタン／窒化チタン膜３５ａおよびタングステン膜３５ｂを埋め込んだプラグ３６を形成する。プラグ３６は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、コンタクトホール３４内を含む絶縁膜３３上に、例えばスパッタリング法を使用して、チタン／窒化チタン膜３５ａを形成した後、例えばＣＶＤ法を使用してタングステン膜３５ｂをコンタクトホール３４内に埋め込むように形成する。そして、絶縁膜３３上に形成された不要なチタン／窒化チタン膜３５ａおよびタングステン膜３５ｂをＣＭＰ法やエッチバック法を使用して除去することにより、プラグ３６を形成する。
【００９３】
続いて、プラグ３６を形成した絶縁膜３３上にチタン／窒化チタン膜３７ａ、アルミニウム膜３７ｂ、チタン／窒化チタン膜３７ｃを順次形成する。これらの膜は、例えばスパッタリング法を使用して形成することができる。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して、チタン／窒化チタン膜３７ａ、アルミニウム膜３７ｂおよびチタン／窒化チタン膜３７ｃをパターニングすることにより、配線３８を形成する。
【００９４】
このようにして、配線３８を形成することができる。なお、この配線３８より上層に他の配線などが形成されるが、本明細書では省略する。
【００９５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置を示した断面図である。
【図２】実施の形態１における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１３】図１２に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１８】図１７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２０】図１９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２１】図２０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２２】図２１に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２３】図２２に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２４】図２３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２５】図２４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２６】図２５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２７】図２６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２８】図２７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２９】実施の形態２における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図３０】図２９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１  半導体基板
２  素子分離領域
３  ｐ型ウェル
４  ｎ型ウェル
５  ゲート絶縁膜
６  窒化タンタル膜
７  酸化シリコン膜
８  レジスト膜
９ａ  ゲート電極
９ｂ  ゲート電極
１０  レジスト膜
１１  低濃度ｎ型不純物拡散領域
１２  低濃度ｎ型不純物拡散領域
１３  レジスト膜
１４  低濃度ｐ型不純物拡散領域
１５  低濃度ｐ型不純物拡散領域
１６  窒化シリコン膜
１７  サイドウォール
１８  レジスト膜
１９  高濃度ｎ型不純物拡散領域
２０  高濃度ｎ型不純物拡散領域
２１  レジスト膜
２２  高濃度ｐ型不純物拡散領域
２３  高濃度ｐ型不純物拡散領域
２４  絶縁膜
２５  レジスト膜
２６  ハフニウム膜
２７  レジスト膜
２８  レジスト膜
２９  プラチナ膜
３０  レジスト膜
３１  ハフニウムシリサイド膜
３２  プラチナシリサイド膜
３３  絶縁膜
３４  コンタクトホール
３５ａ  チタン／窒化チタン膜
３５ｂ  タングステン膜
３６  プラグ
３７ａ  チタン／窒化チタン膜
３７ｂ  アルミニウム膜
３７ｃ  チタン／窒化チタン膜
３８  配線
Ｑ1  ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
Ｑ2  ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
【図１】
2005347410.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2005347410.tif 000012
【図１１】
2005347410.tif 000013
【図１２】
2005347410.tif 000014
【図１３】
2005347410.tif 000015
【図１４】
2005347410.tif 000016
【図１５】
2005347410.tif 000017
【図１６】
2005347410.tif 000018
【図１７】
2005347410.tif 000019
【図１８】
2005347410.tif 000020
【図１９】
2005347410.tif 000021
【図２０】
2005347410.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2005347410.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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