(57)【要約】【課題】データ記入時間を減らさずにデータ駆動部ＩＣの個数を減らすことができ、高解像度のディスプレイ装置に適した逆多重化装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明は逆多重化装置及びこれを利用したディスプレイ装置に関する。本発明の一実施例による逆多重化装置は時分割されて順次に入力されるデータ電流を少なくとも二つの信号線に記入するための逆多重化装置であって、データ電流を交互にサンプリングした後、ホールディングする第１及び第２サンプル/ホールド回路Ｓ１，４１，Ｈ１、Ｓ２，４２，Ｈ２、及び第１及び第２サンプル/ホールド回路Ｓ１，４１，Ｈ１、Ｓ２，４２，Ｈ２がホールディングする電流を各々サンプリングし、サンプリングしたデータに対応する電流を信号線に各々記入する第３及び第４サンプル/ホールド回路Ｓ３，４３，Ｈ３、Ｓ４，４４，Ｈ４を含む。【選択図】図１
2005141212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時分割多重化されて順次に入力されるデータ電流を少なくとも二つの信号線に記入するための逆多重化装置において、
前記データ電流を順次にサンプリングした後、ホールディングする第１及び第２サンプル/ホールド回路と、
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路がホールディングする電流を各々サンプリングし、前記サンプリングしたデータに対応する電流を前記信号線に各々記入する第３及び第４サンプル/ホールド回路と、
を有することを特徴とする逆多重化装置。
【請求項２】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は実質的に同一なタイミングで前記サンプリングしたデータに対応する電流をホールディングし、
前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は実質的に同一なタイミングで前記サンプリングしたデータに対応する電流を前記信号線に記入することを特徴とする請求項１に記載の逆多重化装置。
【請求項３】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路が順次に前記データ電流をサンプリングする間に前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は前記信号線で各々電流を記入することを特徴とする請求項１に記載の逆多重化装置。
【請求項４】
前記第１乃至第４サンプル/ホールド回路は各々サンプリング時に閉じられるサンプリングスイッチング素子と、ホールディング時に閉じられるホールディングスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１に記載の逆多重化装置。
【請求項５】
前記第１サンプル/ホールド回路の前記ホールディングスイッチング素子と前記第３サンプル/ホールド回路の前記サンプリングスイッチング素子は互いに共有されていることを特徴とする請求項４に記載の逆多重化装置。
【請求項６】
前記第２サンプル/ホールド回路の前記ホールディングスイッチング素子と前記第４サンプル/ホールド回路の前記サンプリングスイッチング素子は互いに共有されていることを特徴とする請求項５に記載の逆多重化装置。
【請求項７】
前記第１乃至第４サンプル/ホールド回路のうちの少なくとも一つは
第１端子、第２端子、及び第３端子を備え、前記第１端子と前記第２端子の電圧差によって前記第２端子から前記第３端子に流れる電流を制御するトランジスタ、
第１制御信号に応答して第１電源を前記トランジスタの前記第２端子と連結する第１スイッチング素子、
第２制御信号に応答してサンプリングする電流を前記トランジスタの前記第１端子に伝達する第２スイッチング素子、
第３制御信号に応答して前記トランジスタをダイオード形態で連結する第３スイッチング素子、
前記トランジスタの前記第１端子及び前記第２端子間に接続されて前記サンプリングする電流に対応する電圧を保存するキャパシタ、
第４制御信号に応答して第２電源を前記トランジスタの前記第３端子と連結する第４スイッチング素子、及び
第５制御信号に応答して前記キャパシタに保存された電圧に対応する電流を前記トランジスタの前記第２端子にホールディングする第５スイッチング素子
を有することを特徴とする請求項１に記載の逆多重化装置。
【請求項８】
前記第１乃至第３スイッチング素子はサンプリング時に応答し、前記第４及び第５スイッチング素子はホールディング時に応答することを特徴とする請求項７に記載の逆多重化装置。
【請求項９】
前記第１乃至第３スイッチング素子は同一なタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現され、前記第１乃至第３制御信号は実質的に同一な制御信号であることを特徴とする請求項７に記載の逆多重化装置。
【請求項１０】
前記第４及び第５スイッチング素子は同一なタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現され、前記第４及び第５制御信号は実質的に同一な制御信号であることを特徴とする請求項７に記載の逆多重化装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は各々サンプリングスイッチング素子、ホールディングスイッチング素子、及び前記サンプリングスイッチング素子と前記ホールディングスイッチング素子間に接続されるデータ保存手段を含み、
前記第３及び第４サンプル/ホールド回路のうちの少なくとも一つは
第１端子、第２端子、及び第３端子を備え、前記第１端子と前記第２端子の電圧差によって前記第２端子から前記第３端子に流れる電流を制御するトランジスタ、
第１制御信号に応答して第１電源を前記トランジスタの前記第２端子に連結するための第１スイッチング素子、
第２制御信号に応答してサンプリングする電流を前記ホールディングスイッチング素子から前記第１端子に伝達する第２スイッチング素子、
第３制御信号に応答して前記トランジスタをダイオード形態で連結する第３スイッチング素子、
前記トランジスタの前記第１端子及び前記第２端子間に接続されて前記サンプリングする電流に対応する電圧を保存するキャパシタ、
第４制御信号に応答して第２電源を前記第２トランジスタの前記第３端子に連結するための第４スイッチング素子、及び
第５制御信号に応答して前記キャパシタに保存された電圧に対応する電流を前記トランジスタの前記第２端子でホールディングする第５スイッチング素子
を有することを特徴とする請求項１に記載の逆多重化装置。
【請求項１２】
前記ホールディングスイッチング素子は、前記第１乃至第３スイッチング素子のうちの少なくとも一つと共有することを特徴とする請求項１１に記載の逆多重化装置。
【請求項１３】
前記第４スイッチング素子と前記第５スイッチング素子は同一なタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現され、前記第４及び第５制御信号は実質的に同一な制御信号であることを特徴とする請求項１１に記載の逆多重化装置。
【請求項１４】
前記ホールディングスイッチング素子は前記トランジスタのチャンネルタイプと他のチャンネルを有するトランジスタで実現されたことを特徴とする請求項１１に記載の逆多重化装置。
【請求項１５】
前記第１スイッチング素子は前記トランジスタのチャンネルタイプと同一なチャンネルを有するトランジスタで実現されることを特徴とする請求項１１に記載の逆多重化装置。
【請求項１６】
前記第４スイッチング素子は前記トランジスタのチャンネルタイプと相異なるチャンネルを有するトランジスタで実現されることを特徴とする請求項１１に記載の逆多重化装置。
【請求項１７】
画像信号を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の走査線、及び前記データ線及び前記走査線に電気的に接続される複数の画素回路を含むディスプレイ装置において、
前記画像信号に該当するデータ電流を供給するデータ駆動部と、
前記データ駆動部から供給されたデータ電流を逆多重化し、前記複数のデータ線に出力する逆多重化部と、
前記走査線に前記選択信号を供給するための走査駆動部とを含み、
前記逆多重化部はサンプリングスイッチング素子、データ保存手段、及びホールディングスイッチング素子を各々含む第１乃至第４サンプル/ホールド回路を含み、
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は前記サンプリングスイッチング素子を通じて前記データ駆動部に接続され、前記ホールディングスイッチング素子を通じて前記第３及び第４サンプル/ホールド回路に接続され、
前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は前記サンプリングスイッチング素子を通じて前記第１及び第２サンプル/ホールド回路に接続され、ホールディングスイッチング素子を通じて前記データ線に各々接続されることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は実質的に同一なタイミングで前記サンプリングしたデータに対応する電流をホールディングし、
前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は実質的に同一なタイミングで前記サンプリングしたデータに対応する電流を前記信号線でホールディングすることを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置。
【請求項１９】
第１及び第２サンプル/ホールド回路は前記データ電流を順次にサンプリングすることを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路が順次に前記データ電流をサンプリングする間に前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は前記信号線で各々電流をホールディングすることを特徴とする請求項１９に記載のディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路のサンプリング順はある一つのフレームと他の一つのフレームで互いに異なることを特徴とする請求項１９に記載のディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路のサンプリング順序はある一つのサブフレームと他の一つのサブフレームで互いに異なることを特徴とする請求項１９に記載のディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路と前記第３及び第４サンプル/ホールド回路を各々接続する前記第１及び第２サンプル/ホールド回路のホールディングスイッチング素子が各々前記第３及び第４サンプル/ホールド回路のサンプリングスイッチング素子と共有されていることを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置。
【請求項２４】
時分割されて順次に入力される第１データ電流を少なくとも二つの信号線に出力するための逆多重化方法において、
少なくとも二つの第１サンプル/ホールド回路が前記第１データ電流を順次にサンプリングして第１データ電圧で保存する段階と、
前記第１データ電圧に対応する第２データ電流をホールディングする段階と、
少なくとも二つの第２サンプル/ホールド回路が前記第２データ電流を実質的に同一なタイミングでサンプリングして第２データ電圧で保存する段階と、
前記サンプリングされた第２データ電圧に対応する第３データ電流を前記信号線に出力する段階と、
を有することを特徴とする逆多重化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ装置に関し、特に、ディスプレイ装置におけるデータ電流を逆多重化するための逆多重化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は電流の逆多重化が必要な電流駆動ディスプレイ装置の例であって、ＡＭＯＬＥＤ（Active Matrix Organic Light Emitting Diode）ディスプレイ装置を示した図面である。
【０００３】
前記電流駆動ディスプレイ装置は、有機ＥＬ表示パネル１００、データ電流を提供するデータ駆動部２００、前記データ電流を１:Ｎ逆多重化する逆多重化部（DeMUX）３００、複数の走査線に各々選択信号と発光信号を順次に印加するための第１及び第２走査駆動部４００、５００を含む。
【０００４】
第１走査駆動部４００によって選択信号（ｓｅｌｅｃｔ１［１］〜［ｍ］）が印加された走査線に属する画素１０には所定のデータ電流が提供され、第２走査駆動部５００によって発光信号が印加されるとデータ電流に対応する色相を表現する。ここで、データ駆動部２００に含まれたＩＣ（集積回路）の個数を減らすために電流逆多重化部３００が使用される。つまり、データ駆動部２００から提供された電流は逆多重化部３００で１:Ｎ逆多重化されてＮ個のデータ線に対応する画素に供給される。前記逆多重化部３００を使用することによって、データ駆動部２００のＩＣの個数が減って購入費用が節減される。
【０００５】
図９は従来技術の時分割逆多重化器に用いられるアナログスイッチを示した図面である。
【０００６】
図９に示された１:２逆多重化器はスイッチＳ１、Ｓ２が交互にオン・オフされることにより、データ電流が２つのデータ線に交互に出力される。一方、電流駆動パネルで高解像度を実現するためには画素１０にデータを記入するのに時間が多く必要である。しかし、前記従来技術では交互にオン・オフされるたびに画素にデータを記入しなければならないので、時分割多重システムに用いるデータ駆動部のＩＣ個数を減らすためにはデータ記入の時間を減少させなければならない短所があった。したがって、従来の逆多重化器は高解像度のディスプレイ装置に使用するのには適切でなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、データ記入時間を減らさずにデータ駆動部ＩＣの個数を減らすことができる逆多重化装置及び方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、高解像度のディスプレイ装置に適した逆多重化装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を達成するために本発明の一つの特徴による逆多重化装置は、時分割多重化されて順次に入力されるデータ電流を二つ以上の信号線に各々記入するための逆多重化装置であって、前記データ電流を順次にサンプリングした後、ホールディングする第１及び第２サンプル/ホールド回路;及び前記第１及び第２サンプル/ホールド回路がホールディングする電流を各々サンプリングし、前記サンプリングしたデータに対応する電流を前記信号線に各々記入する第３及び第４サンプル/ホールド回路を含む。
【００１０】
本発明の一つの特徴による逆多重化装置において、前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は実質的に同一なタイミングで前記サンプリングしたデータに対応する電流をホールディングし、前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は実質的に同一なタイミングで前記サンプリングしたデータに対応する電流を前記信号線に記入する。本発明の一つの特徴による逆多重化装置において、前記第１及び第２サンプル/ホールド回路が順次に前記データ電流をサンプリングする間に前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は前記信号線に各々電流を記入する。本発明の一つの特徴による逆多重化装置において、前記第１乃至第４サンプル/ホールド回路は各々サンプリング時に閉じられて導通するサンプリングスイッチング素子と、ホールディング時に閉じられるホールディングスイッチング素子を含む。本発明の一つの特徴による逆多重化装置において、前記第１サンプル/ホールド回路の前記ホールディングスイッチング素子と前記第３サンプル/ホールド回路の前記サンプリングスイッチング素子は互いに共有される。本発明の一つの特徴による逆多重化装置において、前記第２サンプル/ホールド回路の前記ホールディングスイッチング素子と前記第４サンプル/ホールド回路の前記サンプリングスイッチング素子は互いに共有される。
【００１１】
本発明の一つの特徴によるディスプレイ装置は画像信号を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の走査線、及び前記データ線及び前記走査線に電気的に接続される複数の画素回路を含むディスプレイ装置であって、前記画像信号に相当するデータ電流を供給するデータ駆動部;前記データ駆動部から供給されたデータ電流を逆多重化し、前記複数のデータ線に出力する逆多重化部;及び前記走査線に前記選択信号を供給するための走査駆動部を含み、前記逆多重化部はサンプリングスイッチング素子、データ保存手段、及びホールディングスイッチング素子を各々含む第１乃至第４サンプル/ホールド回路を含み、前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は前記サンプリングスイッチング素子を通じて前記データ駆動部に接続され、前記ホールディングスイッチング素子を通じて前記第３及び第４サンプル/ホールド回路に接続され、前記第３及び第４サンプル/ホールド回路は前記サンプリングスイッチング素子を通じて前記第１及び第２サンプル/ホールド回路に接続され、ホールディングスイッチング素子を通じて前記データ線に各々接続される。
【００１２】
本発明の一つの特徴による逆多重化方法は時分割多重化されて順次に入力される第１データ電流を少なくとも二つの信号線に出力するための逆多重化方法であって、少なくとも二つの第１サンプル/ホールド回路が前記第１データ電流を順次にサンプリングして第１データ電圧で保存する段階;前記第１データ電圧に対応する第２データ電流をホールディングする段階;少なくとも二つの第２サンプル/ホールド回路が前記第２データ電流を実質的に同一なタイミングでサンプリングして第２データ電圧で保存する段階;及び前記サンプリングされた第２データ電圧に対応する第３データ電流を前記信号線に出力する段階を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、データ記入時間を減らさずにデータ駆動部ＩＣの個数を減らすことができる逆多重化装置を提供することができる。  
また、ディスプレイ装置のすべてのデータ線に実質的に同一な電流が流れるようにすることができ、ディスプレイパネルに現れる縦線縞を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
以下の説明である部分が他の部分と連結されているとする時、これは直接的に連結されている場合だけでなく、他の素子を間に置いて電気的に連結されている場合も含む。また、本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は図面で省略しており、明細書全体にかけて類似な部分については同一な図面符号を付けた。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明の第１実施例による逆多重化器を概念的で示したブロック図である。
【００１７】
図１に示すように、本発明の第１実施例による逆多重化器はデータ保存手段４１、４２、４３、４４、サンプリングスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、ホールディングスイッチＨ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４が各々含まれる４個のサンプル/ホールド回路を利用する。データ保存手段４１、４２はサンプリングスイッチＳ１、Ｓ２を通じてデータ駆動部２００に接続され、ホールディングスイッチＨ１、Ｈ２を通じて後段のサンプル/ホールド回路に接続される。また、データ保存手段４３、４４はサンプリングスイッチＳ３、Ｓ４を通じて前段のサンプル/ホールド回路に接続され、ホールディングスイッチＨ３、Ｈ４を通じてデータ線Ｄ１、Ｄ２に各々接続される。
【００１８】
前段に配置される二つのサンプル/ホールド回路は時分割多重化されて順次に入力されるデータ電流を交互にサンプリングし、サンプリング動作を完了すれば、サンプリングされたデータに対応する電流を実質的に同時にホールディングする。また、後段に配置される二つのサンプル/ホールド回路は前段のサンプル/ホールド回路がホールディングする電流を実質的に同時にサンプリングし、サンプリング動作を完了すれば、データ線Ｄ１、Ｄ２でデータ電流を実質的に同時にホールディングする。
【００１９】
一方、本発明の明細書で用いられる用語である“サンプル”、“ホールド”について以下のように定義する。
【００２０】
サンプル/ホールド動作を見てみると、入力端を通じて流れる電流をサンプリングして電圧形態でデータ保存手段４１、４２、４３、４４に記録する段階と、入力スイッチと出力スイッチが全て開いていて記録されたデータを維持しながら待機する段階と、記録されたデータに対応する値で電流を供給する段階を含む。したがって、本発明の明細書では、各々の段階を明確に区別するために、前記各々の段階を"サンプリング"段階、“待機”段階、“ホールディング”段階と定義する。
【００２１】
以下、本発明の一実施例によるサンプル/ホールド回路の内部構成を詳細に説明する。ただし、逆多重化器に用いられる４個のサンプル/ホールド回路は実質的に互いに同一に実現されるので、以下では第１サンプル/ホールド回路に対する説明で残りサンプル/ホールド回路の説明に代える。
【００２２】
図２（Ａ）は本発明の一実施例による一つのサンプル/ホールド回路を概略的に示した図面であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示された回路の詳細等価回路を示した図面である。
【００２３】
本発明の一実施例によるサンプル/ホールド回路は図２（Ｂ）に示すように、トランジスタＭ１、キャパシタＣｈ、サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃ、及びホールディングスイッチＨａ、Ｈｂを含む。
【００２４】
ここで、サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃは図２（Ａ）のスイッチＳを意味し、実質的に同一な制御信号によって制御される。ホールディングスイッチＨａ、Ｈｂは図２（Ａ）のスイッチＨを意味し、実質的に同一な制御信号によって制御される。
【００２５】
サンプリングスイッチＳａは電源ＶＤＤとトランジスタＭ１のソース間に接続され、ホールディングスイッチＨａは電源ＶＳＳとトランジスタＭ１のドレーン間に接続される。サンプリングスイッチＳｂの一端はトランジスタＭ１のゲートに接続され、他端はサンプリングスイッチＳｃの一端と接続され、サンプリングスイッチＳｃの他端はトランジスタＭ１のドレーンに接続される。従って、サンプリングスイッチＳｂ、Ｓｃが閉じられる場合、トランジスタＭ１はダイオード連結を形成する。
【００２６】
以下、本発明の一実施例によるサンプル/ホールド回路の動作を詳細に説明する。
【００２７】
図２（Ｂ）において、サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃが閉じられて導通し、ホールディングスイッチＨａ、Ｈｂが開かれて遮断状態にある場合、トランジスタＭ１はドレーンとゲートが連結されてダイオード連結が形成され、電流はトランジスタＭ１を経由して電源ＶＤＤからデータ駆動部２００に流れる。この時、キャパシタＣｈにはトランジスタＭ１に流れる電流に対応するゲート及びソース間電圧が充電される。この時、サンプル/ホールド回路はデータのサンプリング動作を行う。
【００２８】
従って、サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃが閉じられ、ホールディングスイッチＨａ、Ｈｂが開かれている場合には、電流は電源線ＶＤＤからトランジスタＭ１を通って入力線に流れ、この時のゲート・ソース間電圧がキャパシタＣｈに保存される。次いで、サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃが開き、ホールディングスイッチＨａ、Ｈｂが閉じられると、切換えの瞬間に保存されたゲート・ソース間電圧に応じて、サンプリング時の入力電流と同じ大きさの電流が電源線ＶＤＤからトランジスタＭ１を通って出力線に流れだすことになる。
【００２９】
つまり、サンプリング回路は電流・電圧変換するアナログメモリであり、ホールディング回路は電圧・電流変換するメモリ読み出し装置であって、瞬間的に電流入力値を記憶し、その後、長時間に亘って電流を出力できる。
【００３０】
ここで、サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃ及びホールディングスイッチＨａ、Ｈｂが全て開けられると、サンプル/ホールド回路は待機状態となる。前記待機状態は逆多重化装置の他のサンプル/ホールド回路がサンプリング動作を行う間に待機する状態である。
【００３１】
サンプリングスイッチＳａ、Ｓｂ、Ｓｃが開き、ホールディングスイッチＨａ、Ｈｂが閉じられると、前記キャパシタＣｈに充電されたゲート及びソース間電圧に対応する電流がトランジスタＭ１のソースからドレーンに流れ、電流値が一定に維持される。この時、サンプル/ホールド回路はホールディング動作を行い、データを出力する。
【００３２】
本発明によれば、時分割逆多重化回路は、１出力回線毎に入力信号サンプリング回路と出力信号ホールディング回路を備え、サンプリング回路は電流・電圧変換するアナログメモリであり、ホールディング回路は電圧・電流変換するメモリ読み出し装置であって、瞬間的に電流入力値を記憶し、その後、長時間に亘って電流を出力できるから、従来技術の短所であるデータ記入時間の減少を防止しながら、時分割の単位時間を短縮できて、多重度を高めることが容易であり、画素列毎に必要な多くの集積回路を共通化できるので、所要部品数とモジュール間接続配線本数を低減できる効果がある。
【００３３】
図２（Ｂ）ではトランジスタＭ１がＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現された場合を示したが、本発明の範囲がトランジスタＭ１のチャンネルタイプに限定されず、トランジスタＭ１として第１端子、第２端子、及び第３端子を備え、第１端子及び第２端子間に印加された電圧によって第２端子から第３端子に流れる電流を制御できる各種能動素子を用いることができる。
【００３４】
次に、図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）、及び図４を参照して本発明の第１実施例による逆多重化器の動作を説明する。
【００３５】
図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）は本発明の第１実施例による逆多重化器の動作を概略的に示した図面であり、図４は本発明の第１実施例による逆多重化器に印加される制御信号の波形を示した図面である。図４で、サンプリングスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４は印加される制御信号が低レベルである時に閉じられ、ホールディングスイッチＨ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４は印加される制御信号が高レベルである時に閉じられると仮定する。
【００３６】
図３（Ａ）でホールディングスイッチＨ３、Ｈ４が閉じられて、データ保存手段４３、４４はデータ線Ｄ１、Ｄ２でデータ電流をホールディングする。この時、サンプリングスイッチＳ１が閉じられ、データ保存手段４１はサンプリング動作を行う。
【００３７】
図３（Ｂ）で、サンプリングスイッチＳ１が開いて、直前にデータ保存手段４１にサンプリングされた電流は待機状態となる。また、サンプリングスイッチＳ２が閉じられて、データ保存手段４２はサンプリング動作を行う。この時にも、ホールディングスイッチＨ３、Ｈ４は依然として閉じられているので、前述したデータホールディング動作は継続して行われる。
【００３８】
図３（Ｃ）で、サンプリングスイッチＳ２が開いて、ホールディングスイッチＨ１、Ｈ２とサンプリングスイッチＳ３、Ｓ４が閉じられ、データ保存手段４１、４２にサンプリングされたデータによる電流がデータ保存手段４３、４４に供給される。したがって、データ保存手段４３、４４はサンプリング動作を行い、その間にホールディングスイッチＨ３、Ｈ４が開かれて、データ線Ｄ１、Ｄ２には電流が記入されない。
【００３９】
その後、本発明の第１実施例による逆多重化器は図３（Ａ）の動作を行い、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）の動作を順次に行って、図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）の動作を反復的に行う。
【００４０】
この場合、データ保存手段４１とデータ保存手段４３は、スイッチのみを介在させて、直接に前後に連結されているので、データ保存手段４１とデータ保存手段４３の間に存在する寄生キャパシタンスは無視できる程度に小さく、同様に、データ保存手段４２とデータ保存手段４４間の寄生キャパシタンスも非常に小さい。したがって、図３（Ｃ）の動作にかかる時間はデータ電流を供給する時間に比べて非常に短いので、図３（Ｃ）の動作を行う間にデータ線Ｄ１、Ｄ２にデータ電流が供給されなくても、ディスプレイ装置には大きな影響を与えない。
【実施例２】
【００４１】
以下、図５及び図６を参照して本発明の第２実施例による逆多重化器を詳細に説明する。
【００４２】
図５は本発明の第２実施例による１:２逆多重化器を概略的に示した図面であって、図６は本発明の第２実施例による逆多重化器に印加される制御信号の波形を示した図面である。図６で、サンプリングスイッチＳ１、Ｓ２は印加される制御信号が低レベルである時に閉じられ、ホールディングスイッチＨ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４は制御信号が高レベルである時に閉じられると仮定する。
【００４３】
本発明の第２実施例による逆多重化器はデータ保存手段８１、８３間とデータ保存手段８２、８４間に、各々一つのホールディングスイッチＨ１またはＨ２のみを使用するという点で図１に示された逆多重化器と差異点を有する。
【００４４】
具体的には、図４でサンプリングスイッチＳ３、Ｓ４は制御信号が低レベルである時に閉じられ、ホールディングスイッチＨ１、Ｈ２は制御信号が高レベルである時に閉じられるので、サンプリングスイッチＳ３、Ｓ４とホールディングスイッチＨ１、Ｈ２は実質的に同時にオン／オフ動作を行う。したがって、サンプリングスイッチＳ３、Ｓ４とホールディングスイッチＨ１、Ｈ２は互いに共有する一つのスイッチで形成するのが好ましい。
【００４５】
以下、本発明の第２実施例に他の逆多重化器の内部構成を説明する。
【００４６】
図７は図５に示された逆多重化器のデータ保存手段８１、８３、サンプリングスイッチＳ１、及びホールディングスイッチＨ１、Ｈ３の等価回路図であり、以下ではこれをサンプル/ホールド回路と称する。
【００４７】
本発明の一実施例によるサンプル/ホールド回路はトランジスタＭ１、Ｍ２、キャパシタＣ１、Ｃ２、サンプリングスイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ、及びホールディングスイッチＨ１ａ、Ｈ１ｂ、Ｈ１ｃ、Ｈ１ｄ、Ｈ３ａ、Ｈ３ｂを含む。
【００４８】
図７で、サンプリングスイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃはスイッチＳ１を意味し、実質的に同一な信号によって制御される。また、ホールディングスイッチＨ１ａ、Ｈ１ｂ、Ｈ１ｃ、Ｈ１ｄはスイッチＨ１を意味し、ホールディングスイッチＨ３ａ、Ｈ３ｂはスイッチＨ３を意味し、各々実質的に同一な制御信号が印加される。
【００４９】
サンプリングスイッチＳ１ａは電源ＶＤＤとトランジスタＭ１のソース間に接続され、ホールディングスイッチＨ１ａは電源ＶＳＳとトランジスタＭ１のドレーン間に接続される。
【００５０】
サンプリングスイッチＳ１ｂはトランジスタＭ１のゲートとデータ駆動部２００間に接続され、サンプリングスイッチＳ１ｃはトランジスタＭ１のドレーンとデータ駆動部２００間に接続される。また、トランジスタＭ１のゲート及びソース間にはキャパシタＣ１が接続される。
【００５１】
同様に、ホールディングスイッチＨ１ｂは電源ＶＤＤとトランジスタＭ２のソース間に接続され、ホールディングスイッチＨ３ａは電源ＶＳＳとトランジスタＭ１のドレーン間に接続される。ホールディングスイッチＨ１ｃはトランジスタＭ２のゲートとトランジスタＭ１のソース間に接続され、ホールディングスイッチＨ１ｄはトランジスタＭ２のドレーンとトランジスタＭ１のソース間に接続される。また、トランジスタＭ２のゲート及びソース間にはキャパシタＣ２が接続される。
【００５２】
本実施例ではトランジスタＭ１、Ｍ２がＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現されていると説明したが、本発明の範囲がトランジスタＭ１、Ｍ２の特定タイプに限定されるわけではなく、第１端子、第２端子、及び第３端子を備え、第１端子及び第２端子間に印加される電圧によって第２端子から第３端子に流れる電流を制御できる全ての能動素子で実現できるのは当業者に自明なことである。
【００５３】
また、本発明の一実施例によると、サンプリングスイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ及びホールディングスイッチＨ１ａ、Ｈ１ｂ、Ｈ１ｃ、Ｈ１ｄはトランジスタで実現でき、この時、サンプリングスイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ及びホールディングスイッチＨ１ａ、Ｈ１ｂ、Ｈ１ｃ、Ｈ１ｄはＮタイプまたはＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで形成できる。
【００５４】
さらに、本発明の他の実施例によると、ホールディングスイッチＨ１ａをトランジスタＭ１と他のタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現することができ、ホールディングスイッチＨ１ｂをトランジスタＭ１のようなタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現することもできる。この場合にはスイッチＨ１を構成するホールディングスイッチＨ１ａとホールディングスイッチＨ１ｂを同時にオン／オフするために互いに異なる制御信号を使用すべきである。この時、ホールディングスイッチＨ１ｂをオン／オフするための制御信号としてホールディングスイッチＨ３ａ、Ｈ３ｂをオン／オフするための制御信号と同一な信号を用いることができる。
【００５５】
具体的には、トランジスタＭ１をＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現する場合、ホールディングスイッチＨ１ａをＮタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現すれば、ホールディングスイッチＨ１ａのソースが電源ＶＳＳに連結され、ホールディングスイッチＨ１ａを閉じるためのゲート電圧として電源ＶＤＤ電圧レベルを用いることができる。この時、ホールディングスイッチＨ１ａは線状領域で動作し、ドレーン及びソース間の電圧が小さいので使用可能な動作点の電圧範囲が広くなる。
【００５６】
同様に、ホールディングスイッチＨ１ｂをＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現すれば、ホールディングスイッチＨ１ｂのソースが電源ＶＤＤに連結され、ホールディングスイッチＨ１ｂを閉じるためのゲート電圧として電源ＶＳＳ電圧を用いることができる。この時、ホールディングスイッチＨ１ｂは線状領域で動作し、ドレーン及びソース間の電圧が小さいので使用可能な動作点の電圧範囲が広くなる。
【００５７】
したがって、トランジスタＭ１がＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現される場合、ホールディングスイッチＨ１ａとホールディングスイッチＨ１ｂを各々Ｎタイプ及びＰタイプのチャンネルを有するトランジスタで実現し、各々のスイッチＨ１ａ、Ｈ１ｂに異なる制御信号を使用してオン/オフを制御することにより、スイッチを同時にオン／オフすることができる。
【００５８】
同様に、スイッチＨ３ａをＮタイプのトランジスタで実現することができ、スイッチＨ１ａ及びスイッチＨ３ａは互いに反対の制御信号レベルでオンになり、オン／オフ状態も互いに反対であるので、同一な制御信号で駆動することができる。
【００５９】
以上では説明の便宜のために１:２逆多重化装置を中心に説明したが、本発明の概念がこれに限定されるわけではなく、本発明の概念をそのまま利用して多様に変形された１:Ｎ逆多重化装置を実現することができる。
【００６０】
また、図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）ではデータ保存手段４３、４４がデータ線Ｄ１、Ｄ２を通じてデータ電流をホールディングする間に、データ保存手段４１が先にサンプリング動作を行い、データ保存手段４２がサンプリング動作を行うことと説明したが、実施例によっては前記サンプリング動作の順序を変更することができる。具体的には、サンプリング順によってホールディングするデータ電流が変わり、これによりディスプレイパネルに縦線縞が現れるが、サンプリング順序をフレーム別またはサブフレーム別に分けて異なるようにし、平均的に全てのデータ線に実質的に同一なデータ電流が流れるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施例による逆多重化器を概念的に示したブロック図である。
【図２】（Ａ）はサンプル/ホールド回路を構成するデータ保存手段とデータ保存手段の両端に接続されるスイッチを示した図面であり、（Ｂ）は（Ａ）に示された回路の等価回路を示した図面である。
【図３】本発明の第１実施例による逆多重化器の動作を概略的に示した図面である。
【図４】本発明の第１実施例による逆多重化器に印加される制御信号の波形を示した図面である。
【図５】本発明の第２実施例による１:２逆多重化器を概略的に示した図面である。
【図６】本発明の第２実施例による逆多重化器に印加される制御信号の波形を示した図面である。
【図７】本発明の一実施例によるサンプル/ホールド回路を示した図面である。
【図８】電流の逆多重化が必要な電流駆動ディスプレイ装置の例であって、ＡＭＯＬＥＤディスプレイ装置を示した図面である。
【図９】従来技術の逆多重化器に用いられるアナログスイッチを示した図面である。
【符号の説明】
【００６２】
４１、４２、４３、４４  データ保存手段
８１、８２  データ保存手段
８３、８４  データ保存手段
２００  データ駆動部
Ｃｈ  キャパシタ
Ｄ１、Ｄ２  データ線
Ｈ１、Ｈ１ａ、Ｈ１ｂ、Ｈ１ｃ、Ｈ１ｄ、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、Ｈａ、Ｈｂ  ホールディングスイッチ
Ｍ１、Ｍ２  トランジスタ
Ｓ  スイッチ
Ｓ１、Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ  サンプリングスイッチ
ＶＤＤ、ＶＳＳ  電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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