(57)【要約】【課題】      厚み方向のレターデーション値が低いセルロースアセテートフイルムを得る。【解決手段】  厚み方向のレターデーション値を−１２ｎｍ乃至２５ｎｍとする場合に、２５℃におけるフイルム密度を１．２８０以下に調整する。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５℃におけるフイルム密度が１．２８０以下、かつ厚み方向のレターデーション値が−１２ｎｍ乃至２５ｎｍであることを特徴とするセルロースアセテートフイルム。
【請求項２】
厚み方向のレターデーション値が０乃至２５ｎｍである請求項１に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項３】
厚み方向のレターデーション値が０乃至１５ｎｍである請求項２に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項４】
面内のレターデーション値の絶対値が０乃至１０ｎｍである請求項１乃至３のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項５】
膜厚が１０乃至５００μｍである請求項１乃至４のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項６】
膜厚が４０乃至２００μｍである請求項５に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項７】
フイルムを構成するセルロースアセテートが、２．８７乃至３．００の範囲に置換度を有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項８】
さらに、下記式（Ｉ）の条件を満足するレターデーション低下剤を、下記式（II）を満足する量で含む請求項１乃至７のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルム：
（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０）／Ａ≦−１．０
（II）０．０１≦Ａ≦３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、レターデーション低下剤をセルロースセテート１００質量部当たりＡ質量部含むセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；Ｒｔｈ（０）は、レターデーション低下剤を添加しない以外は同様に作製したセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；そして、Ａは、セルロースセテート１００質量部当たりのレターデーション低下剤の添加量（質量部）である］。
【請求項９】
塩素系溶媒を主溶媒とするソルベントキャスト法により製造されたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項１０】
塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１００〜−１０℃に冷却する工程により調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする請求項９に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項１１】
塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１００〜−１０℃に冷却する工程の前に、塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１０〜５５℃で膨潤する工程を実施することにより調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする請求項１０に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項１２】
塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１００〜−１０℃に冷却する工程の後で、塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を０〜５７℃に加温する工程を実施することにより調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする請求項１０に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項１３】
塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を３０〜２００℃に加熱する工程により調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする請求項９に記載のセルロースアセテートフイルム。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルムを少なくとも１枚以上有する光学補償シート。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルムを少なくとも１枚以上有する偏光板。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のセルロースアセテートフイルムを少なくとも１枚以上有する液晶表示装置。
【請求項１７】
ＶＡモードまたはＩＰＳモードである請求項１６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学異方性を有するセルロースアセテートフイルム、それを用いた光学補償シート、偏光板および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
セルロースアセテートフイルムは、ハロゲン化銀写真感光材料、位相差板（光学補償シート）、偏光板や液晶表示装置に使用されている。
セルロースアセテートフイルムは、一般にソルベントキャスト法またはメルトキャスト法により製造される。ソルベントキャスト法では、セルロースアセテートを溶媒中に溶解した溶液（ドープ）を支持体上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成する。メルトキャスト法では、セルロースアセテートを加熱により溶融したもの（メルト）を支持体上に流延し、支持体を冷却してフイルムを形成する。ソルベントキャスト法の方が、メルトキャスト法よりも平面性の高い良好なフイルムを製造することができる。このため、メルトキャスト法よりもソルベントキャスト法の方が普通に採用されている。
【０００３】
ソルベントキャスト法に使用されるセルロースアセテートの溶媒は、一般に有機溶媒であって、ジクロロメタンのような塩素化炭化水素が主に使用されている。塩素化炭化水素に代えて、他の有機溶媒を使用する方法も研究されている。セルロースアセテートの有機溶媒としては、アセトン（沸点：５６℃）、メチルアセテート（沸点：５６℃）、テトラヒドロフラン（沸点：６５℃）、１，３−ジオキソラン（沸点：７５℃）、１，４−ジオキサン（沸点：１０１℃）が知られている。しかし、置換度が高い（例えば、置換度が２．８７以上の）セルロースアセテートを、従来の溶解方法により、塩素化炭化水素以外の有機溶媒に溶解することは非常に難しく、実用的に充分な濃度の溶液が得られない。また、塩素化炭化水素に溶解する場合にも溶解時間が長く、生産性に問題があった。
【０００４】
従来の溶解方法に代えて、低温でセルロースアセテートを溶解する方法、すなわち冷却溶解法が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。その報告によれば、セルロースアセテート（酢化度６０．１％から６１．３％）をアセトン中で−８０℃から−７０℃に冷却した後、加温することによって０．５から５質量％の希薄溶液が得られる。得られた溶液の用途としては、紡糸技術が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
また、冷却溶解法で得られた溶液を用いて、セルロースアセテートフイルムを製造することも提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
さらに、セルロースアセテートを迅速且つ完全に溶解させる方法に関して、粗溶解を目的とした工程と送液しながら溶解を促進させる工程を有することを特徴とするドープ溶解方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００５】
【非特許文献１】Ｍａｋｒｏｍｏｌ．ｃｈｅｍ．１４３巻、１０５頁、１９７１年
【非特許文献２】繊維機械学会誌、３４巻、５７−６１頁、１９８１年
【特許文献１】特開平９−９５５３８号公報
【特許文献２】特開平９−９５５４４号公報
【特許文献３】特開平９−９５５５７号公報
【特許文献４】特開２００３−２２１４４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
セルロースアセテートフイルムを、位相差板（光学補償シート）、偏光板や液晶表示装置のような光学的用途に使用する場合、その光学異方性が非常に重要である。セルロースアセテートフイルムは一般に、面内のレターデーション（Ｒｅ）の制御は容易であるが、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）の制御、特にＲｔｈを低下させることは難しいとされている。
【０００７】
本発明の目的は、厚み方向のレターデーション値が低いセルロースアセテートフイルムを提供することである。
また、本発明の目的は、適切な厚み方向のレターデーション値を有するセルロースアセテートフイルムを用いた光学補償シート、偏光板および液晶表示装置を提供することでもある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、下記（１）〜（１３）のセルロースアセテートフイルム、下記（１４）の光学補償シート、下記（１５）の偏光板および下記（１６）、（１７）の液晶表示装置を提供する。
（１）２５℃におけるフイルム密度が１．２８０以下、かつ厚み方向のレターデーション値が−１２乃至２５ｎｍであることを特徴とするセルロースアセテートフイルム。
【０００９】
（２）厚み方向のレターデーション値が０乃至２５ｎｍである（１）に記載のセルロースアセテートフイルム。
（３）厚み方向のレターデーション値が０乃至１５ｎｍである（２）に記載のセルロースアセテートフイルム。
（４）面内のレターデーション値の絶対値が０乃至１０ｎｍである（１）乃至（３）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルム。
【００１０】
（５）膜厚が１０乃至５００μｍである（１）乃至（４）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルム。
（６）膜厚が４０乃至２００μｍである（５）に記載のセルロースアセテートフイルム。
（７）フイルムを構成するセルロースアセテートが、２．８７乃至３．００の範囲に置換度を有する（１）乃至（６）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルム。
【００１１】
（８）さらに、下記式（Ｉ）の条件を満足するレターデーション低下剤を、下記式（II）を満足する量で含む（１）乃至（７）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルム：
（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０）／Ａ≦−１．０
（II）０．０１≦Ａ≦３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、レターデーション低下剤をセルロースセテート１００質量部当たりＡ質量部含むセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；Ｒｔｈ（０）は、レターデーション低下剤を添加しない以外は同様に作製したセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；そして、Ａは、セルロースセテート１００質量部当たりのレターデーション低下剤の添加量（質量部）である］。
【００１２】
（９）塩素系溶媒を主溶媒とするソルベントキャスト法により製造されたことを特徴とする（１）乃至（８）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルム。
（１０）塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１００〜−１０℃に冷却する工程により調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする（９）に記載のセルロースアセテートフイルム。
（１１）塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１００〜−１０℃に冷却する工程の前に、塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１０〜５５℃で膨潤する工程を実施することにより調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする（１０）に記載のセルロースアセテートフイルム。
（１２）塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を−１００〜−１０℃に冷却する工程の後で、塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を０〜５７℃に加温する工程を実施することにより調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする（１０）に記載のセルロースアセテートフイルム。
（１３）塩素系溶媒とセルロースアセテートとの混合物を３０〜２００℃に加熱する工程により調製されたセルロースアセテート溶液を用いることを特徴とする（９）に記載のセルロースアセテートフイルム。
【００１３】
（１４）（１）乃至（１３）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルムを少なくとも１枚以上有する光学補償シート。
（１５）（１）乃至（１３）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルムを少なくとも１枚以上有する偏光板。
（１６）（１）乃至（１３）のいずれか一つに記載のセルロースアセテートフイルムを少なくとも１枚以上有する液晶表示装置。
（１７）ＶＡモードまたはＩＰＳモードである（１６）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
セルロースアセテートフイルムの２５℃での密度は、フイルムを温度２５℃、相対湿度５０％で２４時間調温調湿後、ｎ−ヘプタン／四塩化炭素系の密度勾配管中で測定する。
【００１５】
本明細書において、レターデーション値は、試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿した値である。面内のレターデーション値であるＲｅ（λ）はエリプソメーター（Ｍ−１５０：日本分光（株）製）を用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いて測定した。また、厚み方向のレターデーション値Ｒｔｈ（λ）は、前記Ｒｅ（λ）、面内の遅相軸を傾斜軸としてフイルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフイルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、セルロースアセテートの平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。
【発明の効果】
【００１６】
本発明者の研究の結果、従来技術におけるセルロースアセテートフイルム（例えば、特開２０００−１１１９１４号公報に記載のセルロースアセテートフイルム）の密度は、１．２８０〜１．２９０であることが判明した。
本発明者がさらに研究を進めた結果、厚み方向のレターデーション値が低い（０乃至３０ｎｍである）セルロースアセテートフイルムは、密度を従来技術よりも低い値（１．２８０以下）にすべきであることが判明した。密度の調整により、厚み方向のレターデーション値が低いセルロースアセテートフイルムを無理なく生産することが可能になる。
本発明により得られた厚み方向のレターデーション値が低いセルロースアセテートフイルムを用いることで、問題を生じることなく、位相差板および偏光板のレターデーション値を任意に制御することが可能になった。そして、これらの位相差板あるいは偏光板を用いることで、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
セルロースアセテートフイルムの２５℃における密度は１．２８０以下である。密度は、１．２００〜１．２８０がさらに好ましく、１．２５０〜１．２８０が最も好ましい。
セルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値は−１２乃至２５ｎｍである。厚み方向のレターデーション値は−５乃至２５ｎｍであることが好ましく、０乃至２５ｎｍであることがさらに好ましく、０乃至１５ｎｍであることが最も好ましい。
セルロースアセテートは、セルロースと酢酸とのエステルである。セルロースアセテートは、セルロースを構成するグルコース単位の２位、３位および６位に存在するヒドロキシル基の水素原子の全部または一部が、アセチル基で置換されている。
【００１８】
セルロースアセテートの置換度は、２．８７以上であることが好ましく、２．８７乃至２．９７であることがより好ましく、２．８８乃至２．９６がさらに好ましく、２．９０乃至２．９５が最も好ましい。
【００１９】
セルロースアセテートの合成方法について、基本的な原理は、右田伸彦他、木材化学１８０〜１９０頁（共立出版、１９６８年）に記載されている。セルロースアセテートの代表的な合成方法は、無水酢酸−酢酸−硫酸触媒による液相酢化法である。具体的には、綿花リンタや木材パルプ等のセルロース原料を適当量の酢酸で前処理した後、予め冷却した酢酸化混液に投入してエステル化し、完全セルロースアセテート（２位、３位および６位のアセチル置換度の合計が、ほぼ３．００）を合成する。上記酢酸化混液は、一般に溶媒としての酢酸、エステル化剤としての無水酢酸および触媒としての硫酸を含む。無水酢酸は、これと反応するセルロースおよび系内に存在する水分の合計よりも、化学量論的に過剰量で使用することが普通である。
【００２０】
アセチル化反応終了後に、系内に残存している過剰無水酢酸の加水分解およびアセチル化触媒を一部中和するために、中和剤（例えば、カルシウム、マグネシウム、鉄、アルミニウムまたは亜鉛の炭酸塩、酢酸塩または酸化物）の水溶液を添加する。次に、得られた完全セルロースアセテートを少量の酢化反応触媒（一般には、残存する硫酸）の存在下で、５０〜９０℃に保つことによりケン化熟成し、所望のアセチル置換度および重合度を有するセルロースアセテートまで変化させる。所望のセルロースアセテートが得られた時点で、系内に残存している触媒を前記のような中和剤を用いて完全に中和するか、あるいは中和することなく水または希硫酸中にセルロースアセテート溶液を投入（あるいは、セルロースアセテート溶液中に、水または希硫酸を投入）してセルロースアセテートを分離し、洗浄および安定化処理によりセルロースアセテートを得る。
【００２１】
セルロースアセテートの重合度は、粘度平均重合度で２００乃至７００が好ましく、２５０乃至５５０がより好ましく、２５０乃至４００がさらに好ましく、２５０乃至３５０が最も好ましい。粘度平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）に従い測定できる。粘度平均重合度の測定方法については、特開平９−９５５３８号公報にも記載がある。
【００２２】
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアセテートの分子量分布は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。
【００２３】
低分子成分が少ないセルロースアセテートは、平均分子量（重合度）が高いが、粘度は通常のセルロースアセテートよりも低い値になる。低分子成分の少ないセルロースアセテートは、通常の方法で合成したセルロースアセテートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアセテートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。また、低分子成分の少ないセルロースアセテートを合成することもできる。低分子成分の少ないセルロースアセテートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量に対して０．５乃至２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアセテートを合成することができる。
セルロースアセテートの原料綿や合成方法については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）７〜１２頁にも記載がある。
【００２４】
セルロースアセテートフイルムは、フイルムを構成するポリマー成分が実質的にセルロースアセテートからなることが好ましい。『実質的に』とは、ポリマー成分の５５質量％以上（好ましくは７０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上）を意味する。セルロースアセテートフイルムに、二種類以上のセルロースアセテートを併用してもよい。二種類以上のセルロースアセテートは、置換度、重合度あるいは分子量分布が異なっていてもよい。
セルロースアセテートフイルムは、セルロースアセテート溶液を用いるソルベントキャスト法により製造することが好ましい。
【００２５】
セルロースアセテート溶液の原料としては、セルロースアセテート粒子を使用することが好ましい。使用する粒子の９０質量％以上は、０．５乃至５ｍｍの粒子径を有することが好ましい。また、使用する粒子の５０質量％以上が１乃至４ｍｍの粒子径を有することが好ましい。セルロースアセテート粒子は、なるべく球形に近い形状を有することが好ましい。
セルロースアセテート溶液の調製に使用するセルロースアセテートは、含水率が２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、０．７質量％以下であることが最も好ましい。セルロースアセテートは一般に、２．５〜５質量％の含水率を有している。従って、セルロースアセテートを乾燥してから使用することが好ましい。
【００２６】
［セルロースアセテートフイルムへの添加剤］
ソルベントキャスト法に用いるセルロースアセテート溶液（ドープ）には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、改質剤、紫外線防止剤、光学異方性コントロール剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤）を加えることができる。可塑剤については、特開２００１−１５１９０１号公報に記載がある。赤外吸収剤については、特開平２００１−１９４５２２号公報に記載がある。添加剤を添加する時期は、添加剤の種類に応じて決定する。ドープ調製の最後に、添加剤を添加する工程を実施してもよい。
セルロースアセテートフイルムは、セルロースアセテート溶液を用いるソルベントキャスト法に代えて、メルトキャスト法により製造することもできる。メルトキャスト法の場合も、種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤）を、セルロースアセテートの熱溶融時に加えることができる。
【００２７】
［レターデーション低下剤］
フイルムの厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ）をゼロに近い値にするためには、セルロースアセテートフイルムの密度を低下させることに加えて、化合物自身が分極率異方性の小さな化合物を用いて光学的異方性を充分に低下させることが好ましい。そのような化合物を用いると、セルロースアセテートフイルムの面内レターデーション値（Ｒｅ）も低下させることができる。光学的異方性を低下させる化合物、すなわちレターデーション低下剤は、セルロースアセテートと充分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが好ましい。例えば、化合物が芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が望ましい。
【００２８】
セルロースアセテートフイルムは、下記式（Ｉ）の条件を満足するレターデーション低下剤を、下記式（II）を満足する量で含むことが好ましい。
（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０）／Ａ≦−１．０
（II）０．０１≦Ａ≦３０
式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、レターデーション低下剤をセルロースセテート１００質量部当たりＡ質量部含むセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値である。Ｒｔｈ（０）は、レターデーション低下剤を添加しない以外は同様に作製したセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション値である。Ａは、セルロースセテート１００質量部当たりのレターデーション低下剤の添加量（質量部）である。
【００２９】
レターデーション低下剤とその添加量は、下記式（Ｉａ）、（IIａ）を満足することが好ましく、下記式（Ｉｂ）、（IIｂ）を満足することがさらに好ましい。
（Ｉａ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０）／Ａ≦−２．０
（IIａ）０．０５≦Ａ≦２５
（Ｉｂ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０）／Ａ≦−３．０
（IIｂ）０．１≦Ａ≦２０
【００３０】
レターデーション低下剤は、下記一般式（１３）で表される化合物であることが好ましい。
【００３１】
【化１】
2005154764.tif 000002
【００３２】
［式中、Ｒ１はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３の炭素原子数の総和は１０以上であり、アルキル基およびアリール基は各々、置換基を有していてもよい。］
【００３３】
アルキル基およびアリール基の置換基は、フッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基がさらに好ましい。
アルキル基は、分岐構造または環状構造を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１乃至２５が好ましく、６乃至２５がさらに好ましく、６乃至２０が最も好ましい。アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｔ−アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、ｔ−オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシルを含む。
アリール基の炭素原子数は、６乃至３０が好ましく、６乃至２４がさらに好ましい。アリール基の例は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニルを含む。
【００３４】
以下に、一般式（１３）で表される化合物の例を示す。
【００３５】
【化２】
2005154764.tif 000003
【００３６】
【化３】
2005154764.tif 000004
【００３７】
【化４】
2005154764.tif 000005
【００３８】
下記一般式（４）〜（１２）で表される化合物も、レターデーション低下剤として、好ましく用いることができる。
【００３９】
【化５】
2005154764.tif 000006
【００４０】
一般式（４）〜（１２）において、Ｙ３１〜Ｙ７０は、それぞれ独立に、炭素原子数が１ないし２０のアシルオキシ基、炭素原子数が２乃至２０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数が１乃至２０のアミド基、炭素原子数が１乃至２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基である。Ｖ３１〜Ｖ４３は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至２０の脂肪族基である。Ｌ３１〜Ｌ８０は、それぞれ独立に、単結合であるか、あるいは総原子数が１乃至４０かつ炭素原子数が０乃至２０の２価の飽和連結基である。Ｖ３１〜Ｖ４３およびＬ３１〜Ｌ８０は、さらに置換基を有していてもよい。
【００４１】
アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至１６が好ましく、２乃至１２がさらに好ましい。アシルオキシ基の例は、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、バレリルオキシ、イソバレリルオキシ、２，２−ジメチルプロピオニルオキシ、２−メチルブチリルオキシ、ヘキサノイルオキシ、２，２−ジメチルブチリルオキシ、ヘプタノイルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、２−エチルヘキキサノイルオキシ、オクタノイルオキシ、デカノイルオキシ、ドデカノイルオキシ、フェニルアセトキシ、１−ナフトイルオキシ、２−ナフトイルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシを含む。
【００４２】
アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２乃至１６が好ましく、２乃至１２がさらに好ましい。アルコキシカルボニル基の例は、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、ヘキサデシルオキシカルボニルを含む。
【００４３】
アミド基の炭素原子数は、１乃至１６が好ましく、１乃至１２がさらに好ましい。アミド基の例は、アセタミド、プロピオンアミド、ブチルアミド、イソブチルアミド、ペンタンアミド、２，２−ジメチルプロピオンアミド、３−メチルブチルアミド、３−メチルブチルアミド、ヘキサンアミド、２，２−ジメチルブチルアミド、ヘプタンアミド、シクロヘキシルカルボキサミド、２−エチルヘキサンアミド、２−エチルブタンアミド、オクタンアミド、ノナンアミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、デカンアミド、トリデカンアミド、ヘキサデカンアミド、ヘプタデカンアミドを含む。
【００４４】
カルバモイル基の炭素原子数は、１乃至１６が好ましく、１乃至１２がさらに好ましい。カルバモイル基の例は、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、イソブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ヘプチルカルバモイル、オクチルカルバモイル、１−アダマンチルカルバモイル、２−アダマンチルカルバモイル、デシルカルバモイル、ドデシルカルバモイル、テトラデシルカルバモイル、ヘキサデシルカルバモイルを含む。
【００４５】
Ｙ３１〜Ｙ７０の置換基の例は、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、直鎖、分岐、環状のアルキル基（ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル、ヒドロキシ、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返して含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、アミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−アルキルスルホニルウレイド基、Ｎ−アリールスルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、リン酸エステル基を含む。
【００４６】
Ｙ３１〜Ｙ７０は、上記置換基を複合した置換基を形成してもよい。複合した置換基の例は、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基を含む。
【００４７】
Ｖ３１〜Ｖ４３の脂肪族基の炭素原子数は、１乃至１６が好ましく、１乃至１２がさらに好ましい。脂肪族基は、脂肪族炭化水素基が好ましく、鎖状、分岐状および環状のアルキル基、アルケニル基またはアルキニル基がさらに好ましい。
アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−アミル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルを含む。
【００４８】
アルケニル基の例は、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルを含む。
アルキニル基の例は、エチニル、プロパルギルを含む。
Ｖ３１〜４３の置換基の例は、Ｙ３１〜Ｙ７０の置換基の例と同様である。
【００４９】
Ｌ３１〜Ｌ８０の連結基の例は、アルキレン基（例、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレン）、２価の環式基（例、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデン）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンを含む。
二以上の連結基が結合して二価の複合連結基を形成してもよい。複合置換基の例は、−（ＣＨ２）２−Ｏ−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−（ＣＨ２）−、−（ＣＨ２）２−Ｓ−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−（ＣＨ２）２−を含む。
Ｌ３１から８０は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。
【００５０】
式（４）〜（１２）で表される化合物の例は、クエン酸エステル（例、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステル）、オレイン酸エステル（例、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチル）、リシノール酸エステル（例、リシノール酸メチルアセチル）、セバシン酸エステル（例、セバシン酸ジブチル）、グリセリンのカルボン酸エステル（例、トリアセチン、トリブチリン）、グリコール酸エステル（例、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレート）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテート）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル（例、トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ−２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート））、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（例、ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル）、キシリトールカルボン酸エステル（例、キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネート）を含む。
【００５１】
グリセロールエステルは、特開平１１−２４６７０４公報に記載がある。ジグリセロールエステルは、特開２０００−６３５６０号公報に記載がある。クエン酸エステルは、特開平１１−９２５７４号公報に記載がある。
【００５２】
下記一般式（１６）で表される化合物も、レターデーション低下剤として、好ましく用いることができる。
【００５３】
【化６】
2005154764.tif 000007
【００５４】
一般式（１６）において、Ｑ１、Ｑ２およびＱ３は、それぞれ独立に、５員環または６員環を有する基である。環は、炭化水素環および複素環を含む。環は、他の環と縮合環を形成してもよい。
炭化水素環は、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環または芳香族炭化水素環が好ましく、芳香族炭化水素環がさらに好ましい。
芳香族炭化水素環は、炭素原子数６乃至３０の単環または二環（例、ベンゼン環、ナフタレン環）が好ましい。炭素原子数は、６乃至２０が好ましく、６乃至１２がさらに好ましい。ベンゼン環が最も好ましい。
【００５５】
複素環は、ヘテロ原子として、酸素原子、窒素原子または硫黄原子を含むことが好ましい。複素環は、芳香族性を有することが好ましい。
複素環の例は、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンを含む。ピリジン、トリアジン、キノリンが好ましい。
【００５６】
Ｑ１、Ｑ２およびＱ３は、置換基を有していてもよい。
置換基の例は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ、置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、スルファモイル、置換スルファモイル基、カルバモイル、置換カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシル、メルカプト、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ、スルホ、カルボキシル、ニトロ、ヒドロキサム酸基、スルフィノ、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基、シリル基を含む。これらの置換基は、さらに置換基を有していてもよい。複数の置換基は、互いに異なってもよい。また、複数の置換基が互いに連結して環を形成してもよい。
【００５７】
アルキル基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１２がさらに好ましく、１〜８が最も好ましい。アルキル基の例は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、オクチル、デシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルを含む。
アルケニル基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１２がさらに好ましく、２〜８が最も好ましい。アルケニル基の例は、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルを含む。
アルキニル基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１２がさらに好ましく、２〜８が最も好ましい。アルキニル基の例は、プロパルギル、３−ペンチニルを含む。
アリール基の炭素原子数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がさらに好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリール基の例は、フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルを含む。
【００５８】
置換アミノ基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がさらに好ましく、１〜６が最も好ましい。置換アミノ基の例は、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノを含む。
アルコキシ基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１２がさらに好ましく、１〜８が最も好ましい。アルコキシ基の例は、メトキシ、エトキシ、ブトキシを含む。
アリールオキシ基の炭素原子数は、６〜２０が好ましく、６〜１６がさらに好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリールオキシ基の例は、フェニルオキシ、２−ナフチルオキシを含む。
【００５９】
アシル基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。アシル基の例は、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルを含む。
アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１６がさらに好ましく、２〜１２が最も好ましい。アルコキシカルボニル基の例は、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルを含む。
アリールオキシカルボニル基の炭素原子数は、７〜２０が好ましく、７〜１６がさらに好ましく、７〜１０が最も好ましい。アリールオキシカルボニル基の例は、フェニルオキシカルボニルを含む。
アシルオキシ基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１６がさらに好ましく、２〜１０が最も好ましい。アシルオキシ基の例は、アセトキシ、ベンゾイルオキシを含む。
【００６０】
アミド基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１６がさらに好ましく、２〜１０が最も好ましい。アミド基の例は、アセアミド、ベンズアミドを含む。
アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１６がさらに好ましく、２〜１２が最も好ましい。アルコキシカルボニルアミノ基の例は、メトキシカルボニルアミノを含む。
アリールオキシカルボニルアミノ基の炭素原子数は、７〜２０が好ましく、７〜１６がさらに好ましく、７〜１２が最も好ましい。アリールオキシカルボニルアミノ基の例は、フェニルオキシカルボニルアミノを含む。
【００６１】
スルホンアミド基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。スルホンアミド基の例は、メタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミドを含む。
置換スルファモイル基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。置換スルファモイル基の例は、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルを含む。
置換カルバモイル基の炭素原子数は、２〜２０が好ましく、２〜１６がさらに好ましく、２〜１２が最も好ましい。置換カルバモイル基の例は、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルを含む。
【００６２】
アルキルチオ基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。アルキルチオ基の例は、メチルチオ、エチルチオを含む。
アリールチオ基の炭素原子数は、６〜２０が好ましく、６〜１６がさらに好ましく、６〜１２が最も好ましい。アリールチオ基の例は、フェニルチオを含む。
スルホニル基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。スルホニル基の例は、メシル、トシルを含む。
スルフィニル基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。スルフィニル基の例は、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルを含む。
【００６３】
ウレイド基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。ウレイド基の例は、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドを含む。
リン酸アミド基の炭素原子数は、１〜２０が好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が最も好ましい。リン酸アミド基の例は、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドを含む。
ヘテロ環基の炭素原子数は、１〜３０が好ましく、１〜１２がさらに好ましい。ヘテロ原子の例は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む。ヘテロ環基の例は、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルを含む。
シリル基の炭素原子数は、炭素原子数３〜４０が好ましく、３〜３０がさらに好ましく、３〜２４が最も好ましい。シリル基の例は、トリメチルシリル、トリフェニルシリルを含む。
【００６４】
一般式（１６）において、Ｘは、Ｂ、Ｃ−Ｒ（Ｒは、水素原子または置換基）、Ｎ、ＰおよびＰ＝Ｏから選ばれる三価の基である。Ｘは、Ｂ、Ｃ−Ｒ、Ｎが好ましく、Ｃ−Ｒ、Ｎがさらに好ましく、Ｃ−Ｒが最も好ましい。
Ｒの置換基の例は、アリール基、アミノ、置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ、メルカプト、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシルを含む。Ｒの置換基は、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ、ハロゲン原子が好ましく、アルコキシ基、ヒドロキシがさらに好ましく、ヒドロキシが最も好ましい。
【００６５】
一般式（１６）で表される化合物は、さらに下記一般式（１７）で表される化合物であることが好ましい。
【００６６】
【化７】
2005154764.tif 000008
【００６７】
一般式（１７）において、Ｘ２は、Ｂ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基）およびＮから選ばれる三価の基である。
Ｘ２の詳細は、一般式（１６）のＸと同様である。
【００６８】
一般式（１７）において、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４およびＲ３５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基である。
置換基の詳細は、一般式（１６）におけるＱ１、Ｑ２およびＱ３の置換基と同様である。
【００６９】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４およびＲ３５は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ、置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、スルファモイル、置換スルファモイル基、カルバモイル、置換カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシル、メルカプト、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ、スルホ、カルボキシル、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基、シリル基が好ましく、アルキル基、アリール基、アミノ、置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基がさらに好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基が最も好ましい。
これらの置換基は、さらに置換基を有していてもよい。複数の置換基は、互いに異なってもよい。また、複数の置換基が互いに連結して環を形成してもよい。
【００７０】
［光学異方性調整剤］
レターデーション低下剤とは別に、セルロースアセテートフイルムの光学異方性（すなわちＲｅまたはＲｔｈ）を変化させる機能を有する化合物を、セルロースアセテートフイルムに添加してもよい。
以下において、それらの化合物（光学異方性調整剤）を説明する。
【００７１】
【化８】
2005154764.tif 000009
【００７２】
式中、Ｒ１１−１３はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ１１−１３は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ１１−１３は好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどが挙げられる。
【００７３】
Ｒ１１−１３で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしく 
はプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。 
【００７４】
これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ１１−１３は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。 
【００７５】
【化９】
2005154764.tif 000010
【００７６】
一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ２５−を表し、Ｒ２５は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ２１−２２はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ２１−２２は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。 
【００７７】
一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ２５−を表し、Ｒ２５は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６ 員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。 
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。 
【００７８】
Ｒ２５は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ２５で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。Ｒ２５で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。 
【００７９】
Ｙ２１−２２はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが例示できる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ −ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが例示できる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が��ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが例示できる。Ｙ２１−２２は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ２１−２２はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。 
【００８０】
【化１０】
2005154764.tif 000011
【００８１】
[式中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置 
換基を有していてもよい。] 
【００８２】
一般式（１４）中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。
一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。 
【００８３】
【化１１】
2005154764.tif 000012
【００８４】
【化１２】
2005154764.tif 000013
【００８５】
【化１３】
2005154764.tif 000014
【００８６】
上記一般式（１５）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子また 
は炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミル）であることが好ましく、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なく 
とも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン、エチレン、プロピレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチル）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、t-ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。
【００８７】
【化１４】
2005154764.tif 000015
【００８８】
[式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水 
素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。] 
【００８９】
一般式（１８）として好ましくは下記一般式（１９）で表される化合物である。 
【００９０】
【化１５】
2005154764.tif 000016
【００９１】
上記一般式（１９）において、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立にアルキル基または 
アリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１乃至２０のものが好ましく、１乃至１５のものがさらに好ましく、１乃至１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６乃至３６のものが好ましく、６乃至２４のものがより好ましい。 
【００９２】
上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。 
以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。 
【００９３】
【化１６】
2005154764.tif 000017
【００９４】
【化１７】
2005154764.tif 000018
【００９５】
【化１８】
2005154764.tif 000019
【００９６】
【化１９】
2005154764.tif 000020
【００９７】
【化２０】
2005154764.tif 000021
【００９８】
【化２１】
2005154764.tif 000022
【００９９】
【化２２】
2005154764.tif 000023
【０１００】
【化２３】
2005154764.tif 000024
【０１０１】
[波長分散調整剤]
本発明のセルロースアセテートフイルムにおいては、Ｒｔｈが（任意にＲｅも）小さいことが特徴である。これらＲｅおよびＲｔｈの波長による依存性すなわち波長分散も小さいことがのぞましい。この、波長分散を低下させる手段として、セルロースアセテートフイルムに対して波長分散を調整する化合物（以下波長分散調整剤ともいう）を添加することが有効である。
【０１０２】
セルロースアセテートフイルムのＲe、Ｒthの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲe、Ｒthを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。
【０１０３】
したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲe、Ｒthの波長分散が、短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアセテートフイルムのＲe、Ｒthの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はポリマー固形分に十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。
【０１０４】
また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるのに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒe(400)−Ｒe(700)｜および｜Ｒth(400)−Ｒth(700)｜を低下させる化合物をセルロースアセテートフイルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。本発明のセルロースアセテートフイルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。
【０１０５】
上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
【０１０６】
波長分散調整剤は、セルロースアセテートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
【０１０７】
（波長分散調整剤の添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアセテートの０．０１ないし３０重量％であることが好ましく、０．１ないし２０重量％であることがより好ましく、０．２ないし１０重量％であることが特に好ましい。
【０１０８】
（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【０１０９】
本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。
【０１１０】
ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。
【０１１１】
一般式（１０１）  Ｑ1−Ｑ2−ＯＨ
【０１１２】
（式中、Ｑ1は含窒素芳香族ヘテロ環、Ｑ2は芳香族環を表す。）
【０１１３】
Ｑ1は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは5乃至7員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ1で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。
【０１１４】
Ｑ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
【０１１５】
Ｑ2であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ2は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
【０１１６】
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１１７】
一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）
【０１１８】
【化２４】
2005154764.tif 000025
【０１１９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０１２０】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ1およびＲ3として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。
【０１２１】
Ｒ2、およびＲ4として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１２２】
Ｒ5およびＲ8として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１２３】
Ｒ6およびＲ7として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。
【０１２４】
一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）
【０１２５】
【化２５】
2005154764.tif 000026
【０１２６】
（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6およびＲ7は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０１２７】
以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０１２８】
【化２６】
2005154764.tif 000027
【０１２９】
【化２７】
2005154764.tif 000028
【０１３０】
以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明の透明フイルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。
【０１３１】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）
【０１３２】
【化２８】
2005154764.tif 000029
【０１３３】
（式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）
【０１３４】
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ1およびＱ2であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。
【０１３５】
ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、または酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。
【０１３６】
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１３７】
一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）
【０１３８】
【化２９】
2005154764.tif 000030
【０１３９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０１４０】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０１４１】
Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8およびＲ9として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１４２】
Ｒ2として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。
【０１４３】
Ｒ7として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。
【０１４４】
一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）
【０１４５】
【化３０】
2005154764.tif 000031
【０１４６】
（式中、Ｒ10は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）
【０１４７】
Ｒ10は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ10として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。
【０１４８】
一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０１４９】
【化３１】
2005154764.tif 000032
【０１５０】
【化３２】
2005154764.tif 000033
【０１５１】
【化３３】
2005154764.tif 000034
【０１５２】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）
【０１５３】
【化３４】
2005154764.tif 000035
【０１５４】
（式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ1およびＸ2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）Ｑ1およびＱ2であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
【０１５５】
芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。
【０１５６】
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
【０１５７】
Ｑ1およびＱ2であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１���であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１５８】
Ｘ1およびＸ2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ1およびＸ2で表される置換基は前述の置換基Tを適用することができる。また、Ｘ1およびＸ2はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ1およびＸ2はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【０１５９】
Ｘ1およびＸ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの））である。
【０１６０】
一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ａ）
【０１６１】
【化３５】
2005154764.tif 000036
【０１６２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ1およびＸ2は一般式（２０）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０１６３】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０１６４】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、およびＲ10として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１６５】
Ｒ3、およびＲ8として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０１６６】
一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｂ）
【０１６７】
【化３６】
2005154764.tif 000037
【０１６８】
（式中、Ｒ3およびＲ8は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ3は水素原子、または置換基を表す。）
【０１６９】
Ｘ3は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Tが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ3として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ、Ｒは炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０１７０】
一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｃ）
【０１７１】
【化３７】
2005154764.tif 000038
【０１７２】
（式中、Ｒ3およびＲ8は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ21は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【０１７３】
Ｒ21として好ましくはＲ3およびＲ8が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。
【０１７４】
Ｒ21として好ましくはＲ3およびＲ8が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。
【０１７５】
本発明一般式（１０３）で表される化合物はJournal  of  American Chemical Society ６３巻  ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。
【０１７６】
以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０１７７】
【化３８】
2005154764.tif 000039
【０１７８】
【化３９】
2005154764.tif 000040
【０１７９】
【化４０】
2005154764.tif 000041
【０１８０】
セルロースアセテートフイルムが多層構造を有する場合、各層における添加剤の種類や量が異なってもよい（例えば、特開２００１−１５１９０２号公報記載）。
セルロースアセテートフイルムの添加剤については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）１６頁〜２２頁にも記載がある。
【０１８１】
［セルロースアセテートフイルムの製造］
セルロースアセテート溶液の溶媒は、有機溶媒が好ましい。
有機溶媒として、ハロゲン化炭化水素を好ましく用いることができる。ハロゲン化炭化水素は、塩素化炭化水素が好ましく、ジクロロメタンおよびクロロホルムがさらに好ましく、ジクロロメタンが最も好ましい。
ハロゲン化炭化水素以外の有機溶媒を用いることもできる。ハロゲン化炭化水素以外の有機溶媒は、エステル、ケトン、エーテル、アルコールおよび炭化水素を含む。有機溶媒の炭素原子数は、１乃至１２であることが好ましい。エステル、ケトン、エーテル、アルコールおよび炭化水素は、分岐構造あるいは環状構造を有していてもよい。エステル、ケトン、エーテルおよびアルコールの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＨ）のいずれか二つ以上有する化合物も溶媒として用いることができる。エステル、ケトン、エーテルおよびアルコールの炭化水素部分における水素原子は、ハロゲン原子（特に、フッ素原子）で置換されていてもよい。
【０１８２】
炭素原子数が２〜１２のエステルの例は、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテートを含む。
炭素原子数が３〜１２のケトンの例は、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノンを含む。
炭素原子数が３〜１２のエーテルの例は、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソール、フェネトールを含む。
【０１８３】
炭素原子数が１〜１２のアルコールの例は、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールを含む。
二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例は、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルアセトアセテートを含む。
炭素原子数が６〜１２の炭化水素の例は、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンを含む。
【０１８４】
特に好ましい有機溶媒は、ジクロロメタン、メチルホルメート、エチルホルメート、メチルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノール、メチルアセトアセテート、ヘキサン、シクロヘキサンである。
ハロゲン化炭化水素と他の有機溶媒とを併用することもできる。ハロゲン化炭化水素と他の有機溶媒とを併用する場合、ハロゲン化炭化水素の割合は、５０質量％以上であることが好ましい。ジクロロメタンと他の有機溶媒とを併用することが特に好ましい。
【０１８５】
ハロゲン化炭化水素以外の有機溶媒を複数併用することもできる。
特に好ましい混合溶媒は、互いに異なる３種類以上の混合溶媒であって、第１の溶媒はエステル（例、メチルアセテート、エチルアセテート、メチルホルメート、エチルホルメート）、アセトン、エーテル（例、ジオキソラン、ジオキサン）から選ばれ、第２の溶媒は炭素原子数が４〜７のケトン（アセト酢酸のエステルを含む）から選ばれ、第３の溶媒は炭素原子数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれる。第３の溶媒は、炭素原子数１〜８のアルコールであることが好ましい。第１の溶媒が、２種以上の溶媒の混合液である場合は、第２の溶媒がなくてもよい。第１の溶媒は、メチルアセテート、アセトン、メチルホルメート、エチルホルメートから選ばれることが好ましい。第２の溶媒は、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアセトアセテートから選ばれることが好ましい。
【０１８６】
第３の溶媒であるアルコールの例は、前述したアルコールと同様である。
第３の溶媒である炭化水素は、環状構造または分岐構造を有していてもよい。炭化水素は、芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素とを含む。脂肪族炭化水素は、不飽和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。第３の溶媒は、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサン、ヘキサンから選ばれることが好ましく、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノールから選ばれることがさらに好ましい。
【０１８７】
３種類の混合溶媒は、第１の溶媒が２０〜９５質量％、第２の溶媒が２〜６０質量％、第３の溶媒が２〜３０質量％の比率で含まれることが好ましい。第１の溶媒が３０〜９０質量％であり、第２の溶媒が３〜５０質量％、第３の溶媒であるアルコールが３〜２５質量％含まれることがさらに好ましい。第１の溶媒が３０〜９０質量％、第２の溶媒が３〜３０質量％、第３の溶媒であるアルコールが３〜１５質量％含まれることが最も好ましい。なお、第１の溶媒が混合液で第２の溶媒を用いない場合は、第１の溶媒が２０〜９０質量％、第３の溶媒が５〜３０質量％の比率で含まれることが好ましい。混合液からなる第１の溶媒が３０〜８６質量％であり、第３の溶媒が７〜２５質量％含まれることがさらに好ましい。
非塩素系有機溶媒は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の１２頁〜１６頁に記載がある。
【０１８８】
有機溶媒の組合せの例を以下に挙げる。比率の数値は、質量部である。
【０１８９】
（１）ジクロロメタン／メタノール／エタノール／ブタノール＝８０／１０／５／５
（２）ジクロロメタン／アセトン／メタノール／プロパノール＝８０／１０／５／５
（３）ジクロロメタン／メタノール／ブタノール／シクロヘキサン＝７５／１０／５／５／５
（４）ジクロロメタン／メチルエチルケトン／メタノール／ブタノール＝８０／１０／５／５
【０１９０】
（５）ジクロロメタン／アセトン／メチルエチルケトン／エタノール／イソプロパノール＝６８／１０／１０／５／７
（６）ジクロロメタン／シクロペンタノン／メタノール／イソプロパノール＝７７／１０／５／８
（７）ジクロロメタン／メチルアセテート／ブタノール＝８０／１０／１０
（８）ジクロロメタン／シクロヘキサノン／メタノール／ヘキサン＝７０／２０／５／５
【０１９１】
（９）ジクロロメタン／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール＝５０／２０／２０／５／５
（１０）ジクロロメタン／１，３−ジオキソラン／メタノール／エタノール＝７０／２０／５／５
（１１）ジクロロメタン／ジオキサン／アセトン／メタノール／エタノール＝６０／２０／１０／５／５
（１２）ジクロロメタン／アセトン／シクロペンタノン／エタノール／イソブタノール／シクロヘキサン＝６５／１０／１０／５／５／５
【０１９２】
（１３）ジクロロメタン／メチルエチルケトン／アセトン／メタノール／エタノール＝７０／１０／１０／５／５
（１４）ジクロロメタン／アセトン／エチルアセテート／エタノール／ブタノール／ヘキサン＝６５／１０／１０／５／５／５
（１５）ジクロロメタン／メチルアセトアセテート／メタノール／エタノール＝６５／２０／１０／５
（１６）ジクロロメタン／シクロペンタノン／エタノール／ブタノール＝６５／２０／１０／５
【０１９３】
調製するセルロースアセテート溶液の濃度は、１０乃至３０質量％が好ましく、１３乃至２７質量％がさらに好ましく、１５乃至２５質量％が最も好ましい。
セルロースアセテートを溶媒に溶解する段階で所定の濃度になるように調整できる。また予め低濃度（例えば９乃至１４質量％）の溶液を調製後に、濃縮してもよい。さらに、予め高濃度の溶液を調製後に、希釈してもよい。添加剤を添加することで、セルロースアセテートの濃度を低下させることもできる。
【０１９４】
セルロースアセテート溶液（ドープ）の調製は、冷却溶解法、高温溶解法またはこれらの組み合わせで実施することが好ましい。セルロースアセテート溶液の調製方法については、特開昭５８−１２７７３７号、同６１−１０６６２８号、特開平２−２７６８３０号、同４−２５９５１１号、同５−１６３３０１号、同９−９５５４４号、同１０−４５９５０号、同１０−９５８５４号、同１１−７１４６３号、同１１−３０２３８８号、同１１−３２２９４６号、同１１−３２２９４７号、同１１−３２３０１７号、特開２０００−５３７８４号、同２０００−２７３１８４、同２０００−２７３２３９号の各公報に記載がある。
セルロースアセテート溶液の調製方法については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）２５頁にも記載がある。
なお、高温溶解法における加熱温度が使用する有機溶媒の沸点以上である場合は、加圧しながら加熱する。
セルロースアセテートと溶媒との混合物を冷却する工程について、その冷却温度は特に限定されないが、−１００℃乃至−１０℃が好ましく、−１００℃乃至−３０℃がさらに好ましく、−１００℃乃至−５０℃が特に好ましい。
【０１９５】
セルロースアセテート溶液は、４０℃での粘度が１乃至４００Ｐａ・ｓであることが好ましく、１０乃至２００Ｐａ・ｓであることがさらに好ましい。
セルロースアセテート溶液は、１５℃での動的貯蔵弾性率が１００Ｐａ以上であることが好ましく、５００乃至１００万Ｐａであることがさらに好ましい。また、低温での動的貯蔵弾性率は、大きいほど好ましい。例えば、ドープを流延する支持体の温度が−５℃の場合、−５℃での動的貯蔵弾性率が１万乃至１００万Ｐａであることが好ましい。支持体の温度が−５０℃の場合、−５０℃での動的貯蔵弾性率が１万乃至５００万Ｐａであることが好ましい。
粘度および動的貯蔵弾性率は、試料溶液１ｍＬを直径 ４ｃｍ／２°の容器(Steel Cone、ＴＡ Instruments社製）に入れ、レオメーター(ＣＬＳ５００、ＴＡ Instruments社製)を用いて測定する。測定条件は、装置（Oscillation Step／Temperature Ramp）を用い、４０℃〜−１０℃の範囲を２℃／分で可変して測定した。これにより、４０℃の静的非ニュートン粘度（ｎ＊（Ｐａ・ｓ））および−５℃の貯蔵弾性率（Ｇ’（Ｐａ））を求める。なお、試料溶液を予め測定開始温度にて液温一定となるまで保温した後に、測定を開始する。
【０１９６】
セルロースアセテートフイルムは、従来の溶液流延製膜方法に従い、従来の溶液流延製膜装置を用いて製造できる。溶解機（釜）で調製されたドープ（セルロースアセテート溶液）は、貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープは、ドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延し、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。
得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。
【０１９７】
ハロゲン化銀写真感光材料の支持体や画像表示装置の機能性保護膜として用いるセルロースアセテートフイルムには、一般に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層や保護層が設けられる。各層を設けるため、溶液流延製膜において、溶液流延製膜装置に加えて、塗布装置を用いる場合が多い。溶液流延製膜の各製造工程（流延（共流延を含む）、乾燥、剥離、延伸）と使用する金属支持体については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）２５頁〜３０頁に記載がある。
【０１９８】
溶液の流延における空間温度は、−５０℃乃至５０℃が好ましく、−３０℃乃至４０℃がさらに好ましく、−２０℃乃至３０℃が最も好ましい。低い空間温度で流延されたセルロースアセテート溶液は、支持体上で瞬時に冷却され、ゲル強度が向上する。これにより、有機溶媒が多く残存するフイルムが得られる。従って、セルロースアセテートから有機溶媒を蒸発させることなく、支持体からフイルムを短時間で剥ぎ取ることができる。空間を冷却する気体は、通常の空気、窒素、アルゴンあるいはヘリウムを用いることができる。相対湿度は、０乃至７０％が好ましく、０乃至５０％がさらに好ましい。
セルロースアセテート溶液を流延する支持体（流延部）の温度は、−５０℃乃至１３０℃が好ましく、−３０℃乃至２５℃がさらに好ましく、−２０℃乃至１５℃が最も好ましい。流延部を冷却するために、流延部に冷却した気体を導入できる。冷却装置を流延部に配置して空間を冷却してもよい。冷却においては、流延部に水が付着しないように注意することが重要である。気体で冷却する場合は、気体を乾燥しておくことが望ましい。
【０１９９】
セルロースアセテート溶液は、各種の液体または固体の添加剤を含むことができる。添加剤の例には、可塑剤（好ましい添加量はセルロースアセテートに対して０．１乃至２０質量％、以下同様）、改質剤（０．１乃至２０質量％）、紫外線吸収剤（０．００１乃至５質量％）、平均粒径が５乃至３０００ｎｍである微粒子粉体（０．００１乃至５質量％）、フッ素系界面活性剤（０．００１乃至２質量％）、剥離剤（０．０００１乃至２質量％）、劣化防止剤（０．０００１乃至２質量％）、光学異方性制御剤（０．１乃至１５質量％）、赤外線吸収剤（０．１乃至５質量％）が含まれる。
また、本発明では、任意のレターデーションを得るために、レターデーション調節剤を用いることができる。レターデーション調節剤は、レターデーションを変化させるものなら特に限定はしないが、リン酸エステル系、トリアジン系、脂肪族エステル系、スルホンアミド系が好ましく用いられる。また分子量は１００以上のものが好ましく用いられる。
【０２００】
流延工程では、２以上のセルロースアセテート溶液を同時または逐次共流延してもよい。
２以上のセルロースアセテート溶液は、組成が全く同一であってもよい。組成が異なる場合、溶媒または添加剤の種類を溶液毎に変更できる。２以上の溶液は、濃度が異なっていてもよい。２以上の溶液は、セルロースアセテートの会合体分子量が異なっていてもよい。２以上の溶液は、温度が異なっていてもよい。２以上の溶液または形成される層は、塗布量、粘度、乾燥後の膜厚、構成成分の分布、物性あるいは物性の分布が異なっていてもよい。セルロースアセテートフイルムの物性（ヘイズ、透過率、分光特性、Ｒｅレターデーション、Ｒｔｈレターデーション、分子配向軸、軸ズレ、引裂強度、耐折強度、引張強度、巻き内外Ｒｔｈ差、キシミ、動摩擦、アルカリ加水分解、カール値、含水率、残留溶剤量、熱収縮率、高湿寸度評価、透湿度、ベースの平面性、寸法安定性、熱収縮開始温度、弾性率、輝点異物、インピーダンス、面状、イエローインデックス、透明度、Ｔｇ、結晶化熱）については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）６頁〜７頁および同２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）１１頁に記載がある。
【０２０１】
セルロースアセテートフイルムに表面処理を行うことができる。表面処理は、一般に、セルロースアセテートフイルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着を改善するために実施する。表面処理には、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、ケン化処理（酸ケン化処理、アルカリケン化処理）が含まれる。グロー放電処理およびアルカリケン化処理が好ましい。
グロー放電処理は、１０−３〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下で実施する低温プラズマ処理を含む。また、大気圧下でのプラズマ処理も、好ましいグロー放電処理である。プラズマ励起性気体としては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、フロン（例、テトラフルオロメタン）およびそれらの混合物が用いられる。大気圧でのプラズマ処理は、好ましくは１０乃至１０００Ｋｅｖ、さらに好ましくは３０乃至５００Ｋｅｖで実施する。照射エネルギーは、２０乃至５００Ｋｇｙが好ましく、２０乃至３００Ｋｇｙがさらに好ましい。グロー放電処理については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）３０頁〜３２頁に記載がある。
【０２０２】
アルカリケン化処理は、フイルムにケン化液を塗布するか、あるいはフイルムをケン化液に浸漬することにより実施する。
塗布方法は、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法またはＥ型塗布法を採用できる。塗布液の溶媒は、フイルムに対する濡れ性が良く、フイルム表面に凹凸を形成させずに面状を良好なまま保つことが望ましい。具体的には、溶媒は、アルコールが好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、水（好ましくは、界面活性剤の水溶液）を溶媒として使用することもできる。アルカリは、アルカリ金属の水酸化物が好ましく、ＫＯＨおよびＮａＯＨがさらに好ましい。ケン化塗布液のｐＨは、１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリケン化時の反応条件は、室温で１秒以上５分以下が好ましく、５秒以上５分以下がさらに好ましく、２０秒以上３分以下が最も好ましい。アルカリケン化反応後、ケン化液塗布面を水洗するか、あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。
【０２０３】
フイルムと機能層との接着を改善するため、表面処理に加えて、あるいは表面処理に代えて、下塗層（接着層）を設けることができる。下塗層については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）３２頁に記載がある。
セルロースアセテートフイルムに設ける機能性層については、公開技報２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）３２頁〜４５頁に記載がある。
【０２０４】
厚み方向のレターデーション値が高い値であるセルロースアセテートフイルム、あるいはそれを複数枚積層した位相差板、もしくは、それと厚み方向のレターデーション値が負の値であるセルロースアセテートフイルムとを積層した位相差板は、光学補償シート（その支持体を含む）または偏光板保護フイルムとして用いることができる。
上記セルロースアセテートフイルムおよび位相差板は、そのまま光学補償シートとして用いることができる。また、上記セルロースアセテートフイルムおよび位相差板を支持体とし、その上に光学異方性層（例えば、液晶性分子から形成される層）を設け、光学補償シートを製造することもできる。
【０２０５】
偏光板は、偏光膜とその両面を保護する二枚の偏光板保護フイルムからなる。セルロースアセテートフイルムまたは位相差板は、少なくとも一方の偏光板保護フイルムとして用いることができる。
偏光板保護フイルムとして用いる場合、セルロースアセテートフイルムはアルカリケン化処理しておくことが望ましい。ポリビニルアルコールフイルムを沃素溶液中に浸漬して延伸した偏光膜を用いる場合、接着剤を用いて偏光膜の両面にセルロースアセテートフイルムのアルカリケン化処理面を貼り合わせることができる。接着剤としては、ポリビニルアルコールまたはポリビニルアセタール（例、ポリビニルブチラール）の水溶液や、ビニル系ポリマー（例、ポリブチルアクリレート）のラテックスを用いることができる。特に好ましい接着剤は、完全ケン化ポリビニルアルコールの水溶液である。
アルカリケン化処理以外の表面処理（特開平６−９４９１５号、同６−１１８２３２号の各公報に記載）を実施してもよい。
【０２０６】
偏光板の製造後、使用前は、偏光板の一方の面に外部保護フイルム、反対面にセパレートフイルムが貼り合わされている。外部保護フイルムおよびセパレートフイルムは、偏光板の出荷や製品検査において偏光板を保護する目的で用いられる。外部保護フイルムは、偏光板を液晶セルへ貼合する面の反対面側に用いられる。セパレートフイルムは、偏光板を液晶セルへ貼合するための接着層をカバーする目的で用いられる。一般に液晶表示装置は、二枚の偏光板の間に液晶セルが設けられ、一般に液晶セルは、二枚の基板の間に液晶注入される。従って、通常の液晶表示装置では、四枚の偏光板保護フイルムを有する。本発明に従うセルロースアセテートフイルムは、四枚の偏光板保護フイルムのいずれに用いても良い。ただし、液晶表示装置における偏光子と液晶層との間に配置されるプラスチックフイルムとして、特に有利に用いることができる。
【０２０７】
［液晶表示装置］
セルロースアセテートフイルムを光学補償フイルムとして用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアセテートフイルムからなる光学補償フイルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フイルムを配置した構成を有している。 
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。 
【０２０８】
（液晶表示装置の種類）
本発明に従うセルロースアセテートフイルム、およびそれを用いた位相差板、光学補償シートおよび偏光板は、様々な表示モードの液晶表示装置に用いることができる。表示モードには、ＴＮ(Twisted Nematic)、ＩＰＳ(In-Plane Switching)、ＦＬＣ(Ferroelectric Liquid Crystal)、ＡＦＬＣ(Anti-ferroelectric Liquid Crystal)、ＯＣＢ(Optically Compensatory Bend)、ＳＴＮ(Super Twisted Nematic)、ＶＡ(Vertically Aligned)、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ(Hybrid Aligned Nematic)、ＡＳＭ(Axially Symmetric Aligned Microcell)が含まれる。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも含まれる。液晶表示装置は、透過型、反射型および半透過型のいずれでもよい。
【０２０９】
（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアセテートフイルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）に記載がある。 
【０２１０】
（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアセテートフイルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。 
【０２１１】
（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアセテートフイルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅレターデーション値を０乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフイルムを使用する場合、フイルムのＲｔｈレターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフイルムを使用する場合、フイルムのＲｔｈレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。 
【０２１２】
（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置） 
本発明のセルロースアセテートフイルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロースアセテートフイルムを用いた偏光板は色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護膜のうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護膜（セル側の保護膜）に本発明のセルロースアセテートフイルムを用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。更に好ましくは、偏光板の保護膜と液晶セルの間に光学異方性層を配置し、配置された光学異方性層のレターデーションの値を、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。 
【０２１３】
（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアセテートフイルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。 
【０２１４】
（反射型液晶表示装置） 
本発明のセルロースアセテートフイルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、ＷＯ９８４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００−６５３８４号に記載がある。 
【０２１５】
（その他の液晶表示装置） 
本発明のセルロースアセテートフイルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ  ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ９８Ｄｉｇｅｓｔ１０８９（１９９８））に記載がある。 
【０２１６】
（ハードコートフイルム、防眩フイルム、反射防止フイルム） 
本発明のセルロースアセテートフイルムは、またハードコートフイルム、防眩フイルム、反射防止フイルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロースアセテートフイルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フイルム、反射防止フイルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明のセルロースアセテートフイルムを好ましく用いることができる。
【実施例】
【０２１７】
［実施例１］
（セルロースアセテート溶液の調製）
置換度が２．８７のセルロースアセテートの粉体を用いた。セルロースアセテートの粘度平均重合度は２８０、６位のアセチル置換度は０．９２、アセトン抽出分は７質量％、質量平均分子量／数平均分子量比は２．３、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１６０℃、含水率は０．２質量％、ジクロロメタン６質量％溶液の粘度は３０５ｍＰａ・ｓ、残存酢酸量は０．１質量％以下、Ｃａ含有量は６５ｐｐｍ、Ｍｇ含有量は２６ｐｐｍ、鉄含有量は０．８ｐｐｍ、硫酸イオン含有量は１８ｐｐｍ、イエローインデックスは１．９、遊離酢酸量は４７ｐｐｍであった。粉体の平均粒子径は１．５ｍｍ、粒子径の標準偏差は０．５ｍｍであった。
【０２１８】
攪拌羽根を有し外周を冷却水が循環する４００リットルのステンレス製溶解タンクに、ジクロロメタン（主溶媒）８０．０質量部、メタノール（第２溶媒）１０．０質量部、ブタノール（第３溶媒）５．０質量部を投入した。なお、各溶媒の含水率は、いずれも０．２質量％以下であった。混合溶媒をよく攪拌しながら、セルロースアセテート粉体２０質量部を徐々に添加し、全体が２００ｋｇになるように仕込んだ。
セルロースアセテート粉体を分散タンクに投入後、タンク内を１３００Ｐａに減圧した。攪拌は、１５ｍ／ｓｅｃ（剪断応力５×１０４ｋｇｆ／ｍ／ｓｅｃ２）の周速で攪拌するディゾルバータイプの偏芯攪拌軸および中心軸にアンカー翼を有して周速１ｍ／ｓｅｃ（剪断応力１×１０４ｋｇｆ／ｍ／ｓｅｃ２）で攪拌する攪拌軸を用いて、３０分間実施した。攪拌の開始温度は２５℃であり、冷却水を流しながら攪拌し、最終到達温度を３５℃とした。その後、高速攪拌軸を停止し、アンカー翼を有する攪拌軸の周速を０．５ｍ／ｓｅｃとして、さらに１００分間攪拌し、セルロースアセテート粉体（フレーク）を膨潤させた。膨潤終了までは窒素ガスでタンク内を０．１２ＭＰａになるように加圧した。防爆のため、タンク内の酸素濃度は２ｖｏｌ％未満とした。ドープ中の水分量は、０．２質量％以下であることを確認した。
【０２１９】
得られた不均一なゲル状物質を、軸中心部を３０℃に加温したスクリューポンプで送液して、そのスクリュー外周部から冷却して−７５℃で３分間となるように冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８０℃の冷媒を用いて実施した。冷却により得られた溶液は、スクリューポンプで送液中に３５℃に加温し、ステンレス製の容器に移送した。５０℃で２時間攪拌し均一溶液とした後、絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（＃６３、東洋濾紙（株）製）で濾過し、さらに絶対濾過精度２．５μｍの濾紙（ＦＨ０２５、ポール社製）にて濾過した。得られたセルロースアセテート溶液は、送液パイプの加温加圧部で１１０℃、１ＭＰａに加温加圧し、常圧（約０．１Ｍｐａ）に放出することで有機溶媒を揮発させると共に冷却して、温度４０℃、セルロースアセテート濃度２４．０質量％の溶液を得た。溶液の粘度（４０℃）は１２０Ｐａ・ｓ、動的貯蔵弾性率（１５℃）は３８００Ｐａ、動的貯蔵弾性率（−５℃）は３．５万Ｐａ、動的貯蔵弾性率（−５０℃）は２４万Ｐａであった。また、会合体重合度は、２８０万〜３２０万であった。
【０２２０】
（セルロースアセテートフイルムの作製）
濾過した５０℃のセルロースアセテート溶液を、流延ギーサー（特開平１１−３１４２３３号公報に記載）を通して直径３ｍのドラムである鏡面ステンレス支持体上に流延した。支持体の温度は、−５℃に設定した。流延スピードは７５ｍ／分、塗布幅は２００ｃｍとした。流延部全体の空間温度は、１５℃に設定した。そして、流延部から５０ｃｍ手前で流延して回転してきたセルロースアセテートフイルムをドラムから剥ぎ取り、両端をピンテンターでクリップした。ピンテンターで保持されたセルロースアセテートフイルムは、乾燥ゾーンに搬送した。初めの乾燥では４５℃の乾燥風を送風した。次に１１０℃で５分、さらに１４５℃（フイルム温度は約１４０℃）で１０分乾燥して、膜厚８０μｍのセルロースアセテートフイルムを得た。
得られた試料は両端を３ｃｍ裁断し、さらに端から２〜１０ｍｍの部分に高さ１００μｍのナーリングを実施し、ロール状に巻き取った。
前述した方法でセルロースアセテートフイルムの厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）値を測定した。
フイルム面状は目視により確認し、下記の４段階で評価した。
Ａ：フイルムに横段ムラやブツは認められなかった。
Ｂ：フイルムにやや横段ムラやブツが認められた。
Ｃ：フイルム表面に凹凸があり、成分の泣き出しも認められた。
Ｄ：フイルム表面の凹凸が著しく、成分の泣き出しも顕著で、光学フイルムとしては適用できないものであった。
結果を、第１表に示す。
【０２２１】
セルロースアセテートフイルムを２５℃５０％ＲＨにて２４時間調湿後、ｎ−ヘプタン／四塩化炭素系の密度勾配管中、２５℃における密度を測定した。
結果を、第１表に示す。
【０２２２】
（セルロースアセテートフイルムのケン化）
イソプロパノール８０質量部に水２０質量部を加え、これに水酸化カリウムを１．５規定となるように溶解した。得られた溶液を６０℃に調温し、ケン化液として用いた。
６０℃のセルロースアセテートフイルム上に、ケン化液を１０ｇ／ｍ２塗布し、１分間ケン化した。この後、スプレーで５０℃の温水を１分間１０Ｌ／（ｍ２・分）吹きかけて洗浄した。
【０２２３】
（偏光板の作製）
平均重合度４０００、ケン化度９９．８％のポリビニルアルコールを水に溶解し、４．０質量％の水溶液を得た。水溶液をテーパーのついたダイを用いてバンド流延して乾燥し、延伸前の幅が１１０ｍｍで厚みは左端が１２０μｍ、右端が１３５μｍになるように製膜した。
得られたフイルムをバンドから剥ぎ取り、ドライ状態で４５度方向に斜め延伸した。そのままヨウ素０．５ｇ／Ｌ、ヨウ化カリウム５０ｇ／Ｌの水溶液中に３０℃で１分間浸漬し、次いでホウ酸１００ｇ／Ｌ、ヨウ化カリウム６０ｇ／Ｌの水溶液中に７０℃で５分間浸漬した。さらに、水洗槽に入れ、２０℃で１０秒間水洗したのち８０℃で５分間乾燥して偏光膜を作製した。偏光膜は、幅６６０ｍｍ、厚みは左右とも２０μｍであった。
【０２２４】
偏光膜と、ケン化処理したセルロースアセテートフイルムを、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ−１１７Ｈ、（株）クラレ製）の３質量％水溶液を接着剤として貼り合わせ、さらに６０℃で３０分間加熱して偏光板を作成した。
【０２２５】
作製した偏光板を、特開平１１−３０５２１７号公報の実施例１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置に用い、視認上の支障があるかどうかを判定した。表示画像の視認性は、下記の４段階で評価した。
Ａ：視角を大きくして表示装置を斜めから見た場合でも、白黒画像の反転、あるいは表示画像の階調あるいは着色の発生がなく、コントラストも非常に高く、視認性に非常に優れるものであった。
Ｂ：視角を大きくして表示画像を斜めから見た場合でも、白黒画像の反転、あるいは表示画像の階調あるいは着色の発生がほとんどなく、コントラストも高く、視認性に優れるものであった。
Ｃ： 視角を大きくして表示画像を斜めから見た場合に、白黒画像の反転、あるいは表示画像の階調あるいは着色の発生が見られ、コントラストも低く、視認性が劣るものであった。
Ｄ：視角を大きくして表示画像を斜めから見た場合に、著しい白黒画像の反転、あるいは表示画像の階調あるいは着色の発生が見られ、コントラストも低く、視認性に非常に劣るものであった。
結果を、第１表に示す。
【０２２６】
［実施例２］
攪拌羽根を有し外周を冷却水が循環する４００リットルのステンレス製溶解タンクに、ジクロロメタン（主溶媒）８０．０質量部、メタノール（第２溶媒）１０．０質量部、ブタノール（第３溶媒）５．０質量部、トリメチロールプロパンアセテート２，４−ジオクタノエート（可塑剤Ａ）１．６質量部、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール（劣化防止剤Ａ）、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン（紫外線吸収剤Ａ）０．２質量部、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−tert−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール（紫外線吸収剤Ｂ）０．２質量部、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−tert−アミルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール（紫外線吸収剤Ｃ）０．２質量部、粒径２０ｎｍの二酸化ケイ素微粒子（モース硬度約７）０．０５質量部、クエン酸エチルエステル（モノエステルとジエステルの混合比＝１：１）０．０４質量部を投入した。なお、各溶媒の含水率は、いずれも０．２質量％以下であった。混合溶媒をよく攪拌しながら、実施例１で用いたセルロースアセテート粉体２０質量部を徐々に添加し、全体が２００ｋｇになるように仕込んだ。
その後は、実施例１と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２２７】
［実施例３］
トリメチロールプロパンアセテート２，４−ジオクタノエート（可塑剤Ａ）２．４質量部を、トリメチロールプロパンジアセテートオクタノエート（可塑剤Ｂ）２．４質量部に変更した以外は実施例２と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２２８】
［実施例４］
セルロースアセテートとして、置換度２．８７、粘度平均重合度３００、６位のアセチル置換度が０．９２のセルロースアセテートを用いた以外は実施例１と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２２９】
［実施例５］
セルロースアセテートとして、置換度２．８７、粘度平均重合度３００、６位のアセチル置換度が０．９２のセルロースアセテートを用いた以外は実施例２と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２３０】
［実施例６］
セルロースアセテートとして、置換度２．８７、粘度平均重合度３００、６位のアセチル置換度が０．９２のセルロースアセテートを用いた以外は実施例３と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２３１】
［比較例１］
溶媒を、酢酸メチル６２．２質量部、アセトン６．５質量部、エタノール５．７質量部、ブタノール６．５質量部に変更した以外は実施例１と同様にセルロースアセテートフイルムを製造しようとしたところ、セルロースアセテートが溶媒に溶解せず、フイルムを製造することができなかった。
【０２３２】
［比較例２］
溶媒を、酢酸メチル６２．２質量部、アセトン６．５質量部、エタノール５．７質量部、ブタノール６．５質量部に変更した以外は実施例２と同様にセルロースアセテートフイルムを製造しようとしたところ、セルロースアセテートが溶媒に溶解せず、フイルムを製造することができなかった。
【０２３３】
［比較例３］
溶媒を、酢酸メチル６２．２質量部、アセトン６．５質量部、エタノール５．７質量部、ブタノール６．５質量部に変更した以外は実施例３と同様にセルロースアセテートフイルムを製造しようとしたところ、セルロースアセテートが溶媒に溶解せず、フイルムを製造することができなかった。
【０２３４】
［比較例４］
セルロースアセテートとして、置換度２．７５、重合度３１０、６位の置換度０．８４のセルロースアセテートを使用した以外は実施例１と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２３５】
［比較例５］
セルロースアセテートとして、置換度２．７５、重合度３１０、６位の置換度０．８４のセルロースアセテートを使用した以外は実施例２と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２３６】
［比較例６］
セルロースアセテートとして、置換度２．７５、重合度３１０、６位の置換度０．８４のセルロースアセテートを使用した以外は実施例３と同様にセルロースアセテートフイルムを製造して評価した。
結果を、第１表に示す。
【０２３７】
第１表
────────────────────────────────────────
フイルム        密度              Ｒｔｈ      可塑剤  フイルム面状  視認性
────────────────────────────────────────
実施例１      １．２７８          ３ｎｍ        なし        Ａ        Ｂ
実施例２      １．２７８        ２０ｎｍ        Ａ          Ａ        Ｂ
実施例３      １．２７８          ０ｎｍ        Ｂ          Ａ        Ａ
実施例４      １．２７９          ６ｎｍ        なし        Ａ        Ｂ
実施例５      １．２７９        ２４ｎｍ        Ａ          Ａ        Ｂ
実施例６      １．２７９          ３ｎｍ        Ｂ          Ａ        Ａ
────────────────────────────────────────
比較例１  フイルム形成不能        −            なし        −        −
比較例２  フイルム形成不能        −            Ａ        −        −
比較例３  フイルム形成不能        −            Ｂ          −        −
比較例４      １．２８７        ４１ｎｍ        なし        Ａ        Ｄ
比較例５      １．２８７        ６３ｎｍ        Ａ          Ａ        Ｄ
比較例６      １．２８７        ３５ｎｍ        Ｂ          Ａ        Ｃ
────────────────────────────────────────
【０２３８】
［実施例７］ 
（セルロースアセテートフイルムの作製） 
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、セルロースアセテート混合物１１を調製した。この際、置換度２．９２のセルロースアセテートを用いた（第２表）。
【０２３９】
＜セルロースアセテート混合物１１組成＞ 
置換度２．９２のセルロースアセテート                  ７５質量部 
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ３００質量部 
メタノール（第２溶媒）                                ５４質量部 
１−ブタノール                                        １１質量部 
【０２４０】
別のミキシングタンクに、下記第２表に示す組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−２１〜Ｂ−２５を調製した。このセルロースアセテート混合物１１の４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−２１〜２５の４０質量部を添加して得られた溶液を、流延ギーサー（特開平１１−３１４２３３号公報に記載）を通して直径３ｍのドラムである鏡面ステンレス支持体上に流延した。支持体の温度は、−５℃に設定した。流延スピードは５ｍ／分、塗布幅は２００ｃｍとした。流延部全体の空間温度は、１５℃に設定した。そして、流延部から５０ｃｍ手前で流延して回転してきたセルロースアセテートフイルムをドラムから剥ぎ取り、クリップを有したテンターで両端を固定しながらテンターの乾燥ゾーン内を搬送し、乾燥風により乾燥しながら延伸を行った。テンター内は３ゾーンに分け、それぞれのゾーンの乾燥風温度を上流側から９０℃、１００℃、１１０℃とした。テンターで保持されたセルロースアセテートフイルムは、乾燥ゾーンに搬送した。初めに１１０℃で５分、さらに１４５℃で１０分乾燥（フイルム温度は約１４０℃）して、厚み４０μｍのセルロースアセテートフイルム試料１２８〜１３２を作製した。これら試料について、レターデーション値、相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率、６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）、８０℃９０％ＲＨ、４８時間後の質量変化、６０℃９５％ＲＨ、２４時間後の寸度変化および弾性率を測定したところ、本発明の低密度なセルロースアセテートフイルムを用いた試料１２８〜１３２は良好な性能を有することが確認できた。さらに光学的異方性低下剤、波長分散調整剤を含む試料１２９〜１３２では相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈやレターデーションの波長依存性がより良化していることが確認できた。 
【０２４１】
第２表（その１）
────────────────────────────────────────
試料  添加剤                    添加剤（添加量：質量部）                  
番号    溶液    Ａ−１９  Ｋ−４  Ｋ−５  Ｌ−５  UV−21  UV−22  UV−102
────────────────────────────────────────
１２８  Ｂ−２１    なし      なし    なし    なし    なし    なし    なし
１２９  Ｂ−２２  （４０）    なし    なし    なし    なし    なし    なし
１３０  Ｂ−２３  （４０）    なし    なし    なし    なし    なし    （４）
１３１  Ｂ−２４    なし    （３３）（３３）  なし  （２）  （２）    なし
１３２  Ｂ−２５    なし      なし    なし  （６７）（２）  （２）
────────────────────────────────────────
【０２４２】
【化４１】
2005154764.tif 000042
【０２４３】
【化４２】
2005154764.tif 000043
【０２４４】
第２表（その２）
────────────────────────────────────────
試料  ΔＲｔｈ  含水率    透湿度    質量  寸度変化  弾性率  光弾性      密度
────────────────────────────────────────
１２８    ３．０  ３．４  １３４０  ０．０  ０．２１  ４６０    １１  １．２７８
１２９  １３．２  ２．４  １２４１  ０．１  ０．１５  ４１０    １２  １．２７５
１３０  １１．３  ２．３    ９４１  ０．２  ０．１３  ４１４    １４  １．２７６
１３１    ６．３  ２．２    ９１６  ０．３  ０．１２  ４２３    １１  １．２７６
１３２    ４．２  ２．０    ９２５  ０．３  ０．１１  ４０６    １３  １．２７６
────────────────────────────────────────
（註）
ΔＲｔｈ：Ｒｔｈ（１０％ＲＨ）−Ｒｔｈ（５０％ＲＨ）
含水率：  ８０％ＲＨでの測定（％）
透湿度：  ８０μｍ換算
質量：    ８０℃、９０％ＲＨ、４８時間の質量変化（％）
寸度変化：６０℃、９５％ＲＨ、２４時間の変化（％）
弾性率：  ｋｇｆ／ｍｍ２
光弾性：  ×１０−１３ｃｍ２／ｄｙｎｅ（係数）
【０２４５】
第２表（その３）
────────────────────────────────────────
試料  Ｒｅ（６３０）  Ｒｔｈ（６３０）    Ｒｅ分散        Ｒｔｈ分散
────────────────────────────────────────
１２８    ０．１ｎｍ      −１．０ｎｍ    ２．０ｎｍ      ２５．０ｎｍ
１２９    ０．１ｎｍ      −２．８ｎｍ    １．５ｎｍ      １９．３ｎｍ
１３０    ０．１ｎｍ      −５．０ｎｍ    ０．８ｎｍ        ５．８ｎｍ
１３１    ０．１ｎｍ      −２．４ｎｍ    １．５ｎｍ      １０．５ｎｍ
１３２    ０．２ｎｍ      −１．２ｎｍ    １．３ｎｍ        ９．２ｎｍ
────────────────────────────────────────
（註）
Ｒｅ分散：  ｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜
Ｒｔｈ分散：｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
【０２４６】
［実施例８］ 
（セルロースアセテート溶液の調製） 
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して各成分を混合し、セルロースアセテート混合物１２を調製した。 
【０２４７】
（セルロースアセテート混合物１２組成） 
置換度２．９２のセルロースアセテート      ８０．０質量部 
メチレンクロライド（第１溶媒）          ４０２．０質量部 
メタノール（第２溶媒）                    ６０．０質量部 
【０２４８】
（マット剤溶液の調製） 
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０２４９】
（マット剤溶液組成） 
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液        １０．０質量部 
メチレンクロライド（第１溶媒）            ７６．３質量部 
メタノール（第２溶媒）                      ３．４質量部 
セルロースアセテート混合物１２            １０．３質量部 
【０２５０】
（添加剤溶液の調製） 
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記第３表に示すものを用いた。 
【０２５１】
（添加剤溶液組成） 
光学的異方性を低下する化合物              ４９．３質量部 
波長分散調整剤                              ７．６質量部 
メチレンクロライド（第１溶媒）            ５８．４質量部 
メタノール（第２溶媒）                      ８．７質量部 
セルロースアセテート混合物１２            １２．８質量部 
【０２５２】
（セルロースアセテートフイルム試料１４０〜１４２、１４４〜１４５の作製） 
上記セルロースアセテート混合物１２を９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、実施例７と同様にして流延し、厚み４０〜８０μｍのフイルムを得た。上記組成で光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。なお、残留溶剤量３０％でフイルムを支持体から剥離して製造した。１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフイルムを製造した。また、出来あがったセルロースアセテートフイルムの残留溶剤量は０．２％であった。
【０２５３】
第３表（その１）
────────────────────────────────────────
試料  添加剤                    添加剤（添加量：質量部）    
番号    溶液    Ａ−１９  ＦＢ−６  ＦＢ−１０  ＵＶ−１０２        密度
────────────────────────────────────────
１４０  Ｂ−３２  （５０）    なし      なし        （８）        １．２７７
１４１  Ｂ−３３  （５８）    なし      なし        （８）        １．２７７
１４２  Ｂ−３４  （５８）    なし      なし        （８）        １．２７７
１４４  Ｂ−３６    なし    （８０）    なし        （８）        １．２７７
１４５  Ｂ−３７    なし      なし    （３３）      （８）        １．２７７
────────────────────────────────────────
【０２５４】
第３表（その２）
────────────────────────────────────────
試料    膜厚    Ｒｅ（６３０）  Ｒｔｈ（６３０）  Ｒｅ分散      Ｒｔｈ分散
────────────────────────────────────────
１４０  ８０μｍ  ０．５ｎｍ      −４．２ｎｍ      １．１ｎｍ    １２．５ｎｍ
１４１  ６０μｍ  ０．３ｎｍ      −４．８ｎｍ      ０．７ｎｍ      ８．４ｎｍ
１４２  ４０μｍ  ０．２ｎｍ      −３．４ｎｍ      ０．５ｎｍ      ５．２ｎｍ
１４４  ４０μｍ  ０．６ｎｍ      −２．１ｎｍ      ０．８ｎｍ    １５．２ｎｍ
１４５  ４０μｍ  ０．５ｎｍ      −４．８ｎｍ      ０．６ｎｍ    １５．１ｎｍ
────────────────────────────────────────
（註）
Ｒｅ分散：  ｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜
Ｒｔｈ分散：｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
【０２５５】
［比較例７］ 
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液２１を調製した。
【０２５６】
（セルロースアセテート溶液２１組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート    １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）          ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                    ６０．０質量部
【０２５７】
（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０２５８】
（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液        １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）                      ３．４質量部
セルロースアセテート溶液２１              １０．３質量部
【０２５９】
（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記第４表に示すものを用いた。
【０２６０】
（添加剤溶液組成）
ビフェニルジフェニルホスフェート（ＢＤＰ）  ４９．３質量部
波長分散調整剤                                ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）              ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                        ８．７質量部
セルロースアセテート溶液２１                １２．８質量部
【０２６１】
（セルロースアセテートフイルム試料０１０の作製）
上記セルロースアセテート溶液２１を９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、実施例７と同様にして流延し、厚み４０μｍのフイルムを得た。上記組成で光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。なお、残留溶剤量３０％でフイルムを支持体から剥離して製造した。１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフイルムを製造した。また、出来あがったセルロースアセテートフイルムの残留溶剤量は０．２％であった。
なお、いずれの試料においてもフイルムの白濁（泣き出し）は、認められなかった。
セルロースアセテートフイルム試料００８〜００９については、添加剤溶液中の光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤の種類及び量を第４表の内容に変更した以外は同様にしてセルロースアセテートフイルム試料００８〜００９を作製した。これら試料の相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）を測定した。
フイルム密度の高い比較試料００８〜０１０においてはΔＲｔｈが２５ｎｍ以下にならず、しかも光学的異方性の湿度依存性が大きなかった。
【０２６２】
第４表（その１）
────────────────────────────────────────
試料      添加剤（添加量：質量部）    
番号    ＢＤＰ    ＵＶ−３  ＵＶ−７    ΔＲｔｈ  含水率    透湿度    粒径
────────────────────────────────────────
００８      なし      なし      なし      ２８．７  ４．３  １３１０  １．７３
００９      なし    （３．８）（３．８）  ２８．３  ３．３  １２５０  １．１２
０１０  （４９．３）（３．８）（３．８）  １７．３  ２．８    ９６０  ０．９６
────────────────────────────────────────
（註）
ΔＲｔｈ：Ｒｔｈ（１０％ＲＨ）−Ｒｔｈ（５０％ＲＨ）
含水率：  ８０％ＲＨでの測定（％）
透湿度：  ８０μｍ換算
粒径：    マット剤の二次平均粒径（μｍ）
【０２６３】
第４表（その２）
────────────────────────────────────────
試料    密度      Ｒｅ（６３０）  Ｒｔｈ（６３０）    Ｒｅ分散    Ｒｔｈ分散
────────────────────────────────────────
００８  １．２８２    ３．４ｎｍ      ２７．５ｎｍ    ３．８ｎｍ    ２８．０ｎｍ
００９  １．２８３    ２．４ｎｍ      ２８．２ｎｍ    １．４ｎｍ      ７．８ｎｍ
０１０  １．２８２    ３．１ｎｍ      ３０．２ｎｍ    １．０ｎｍ      ６．８ｎｍ
────────────────────────────────────────
（註）
Ｒｅ分散：  ｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜
Ｒｔｈ分散：｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
【０２６４】
［実施例９］ 
（偏光板の作製） 
実施例８で得た本発明のセルロースアセテートフイルム試料１４０を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアセテートフイルムの表面をケン化した。 
続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフイルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、アルカリけん化処理したセルロースアセテートフイルム試料１４０を２枚用意して偏光膜を間にして貼り合わせ、両面がセルロースアセテートフイルム１４０によって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロースアセテートフイルム試料１４０の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして本発明の実施例１２の試料１４１〜１４２、１４４〜１４５についても偏光板を作製した。本発明のセルロースアセテートフイルム試料１４０〜１４２、１４４〜１４５はいずれも延伸したポリビニルアルコールとの貼合性は十分であり、優れた偏光板加工適性を有していた。この偏光板を以下、偏光板１４０〜１４２、１４４〜１４５という。
【０２６５】
［比較例８］ 
上記、偏光膜の保護を本発明のセルロースアセテートフイルム２枚で行う代わりに、市販のポリカーボネートフイルム「パンライトＣ１４００」（帝人化成製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、ポリカーボネートフイルムは偏光膜の保護フイルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。 
【０２６６】
［比較例９］ 
上記、偏光膜の保護を本発明のセルロースアセテートフイルム２枚で行う代わりに、厚さ８０μｍのアートンフイルム（ＪＳＲ製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、アートンフイルムは偏光膜の保護フイルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。 
【０２６７】
（偏光板耐久性） 
作製した本発明のセルロースアセテートフイルム試料１４０〜１４２、１４４〜１４５を用いた偏光板を６０℃９５％ＲＨの条件で５００時間放置した後の偏光度を評価したところ、試料１４０〜１４２、１４４〜１４５を用いた偏光板の偏光特性はいずれも優れており、本発明の低密度セルロースフイルムの使用および／または光学的異方性を低下する化合物または波長分散調整剤の添加により、セルロースアセテートフイルムを偏光板加工した際の耐久性が向上していることが確認できた。 
【０２６８】
［実施例１０］
（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価） 
実施例７、８で得たセルロースアセテートフイルムおよび実施例９で得た偏光板を用いて、液晶表示装置へ実装評価してその光学性能が十分であるか確認した。なお本実施例ではＩＰＳ型液晶セル、以下の実施例ではＶＡ型、ＯＣＢ型液晶セルを用いるが、本発明のセルロースアセテートフイルムを用いた偏光板または光学補償フイルムの用途は液晶表示装置の動作モードに限定されることはない。 
実施例９で作製した偏光板１４０〜１４２、１４４〜１４５（実施例８で作製したセルロースアセテートフイルム試料１４０〜１４２、１４４〜１４５で作製した偏光板）、および実施例１３と同様にして作製した偏光板００８〜０１０（比較例７で作製したセルロースアセテートフイルム試料００８〜０１０で作製した偏光板）に対して、アートンフイルム(ＪＳＲ社製)を一軸延伸した光学補償フイルムを貼合して光学補償機能を持たせた。この際、光学補償フイルムの面内レターデーションの遅相軸を偏光板の透過軸と直交させることで、正面特性を何ら変えることなく視覚特性を向上させることができる。光学補償フイルムの面内レターデーションＲｅは２７０ｎｍ、厚さ方向のレターデーションＲｔｈは０ｎｍでＮｚファクターは０．５のものを用いた。
【０２６９】
上記の偏光板１４４と光学補償フイルムの積層体を２組作製し、光学補償フイルムが各々液晶セル側となるように、「偏光板１４４と光学補償フイルムの積層体＋ＩＰＳ型の液晶セル＋偏光板１４４と光学補償フイルムの積層体」の順番に重ね合わせて組み込んだ表示装置を作製した。この際、上下の偏光板の透過軸を直交させ、上側の偏光板の透過軸は液晶セルの分子長軸方向と平行（すなわち光学補償層の遅相軸と液晶セルの分子長軸方向は直交）とした。液晶セルや電極・基板はＩＰＳとして従来から用いられているものがそのまま使用できる。液晶セルの配向は水平配向であり、液晶は正の誘電率異方性を有しており、ＩＰＳ液晶用に開発され市販されているものを用いることができる。液晶セルの物性は、液晶のΔｎ：０．０９９、液晶層のセルギャップ：３．０μｍ、プレチルト角：５度、ラビング方向：基板上下とも７５度とした。 
同様にして偏光板１４０〜１４２および偏光板１４５についても光学補償フイルムを貼合した積層体を２組用意して、ＩＰＳ液晶セルと組み込んだ表示装置を作製した。 
【０２７０】
以上のようにして作製した液晶表示装置において、装置正面からの方位角方向４５度、極角方向７０度における黒表示時の光漏れ率を測定した結果を第５表に記載した。  
この値が小さいほど斜め４５度方向での光漏れが少なく、表示装置のコントラストが良いことを示し、液晶表示装置の視野角特性を評価できる。本発明のセルロースアセテートフイルムからなる偏光板１４０〜２、１４４〜１４５を用いた場合は比較試料からなる偏光板００８〜０１０を用いた場合と比較して、光漏れ率が１／５０から１／４といずれも小さくなった。また偏光板１４０〜１４２、１４４〜１４５を用いた場合は偏光板００８〜０１０を用いた場合と比較して、表示装置の色味変化が小さくなった。これは本発明のセルロースアセテートフイルム試料１４０〜１４２、１４４〜１４５のＲｅ、Ｒｔｈの値が、かつ波長依存性が小さく、どの波長においてもＲｅ、Ｒｔｈの絶対値が小さいことによる。以上のように本発明のセルロースアセテートフイルムにより作製した光学補償フイルムおよび偏光板が、視野角特性に優れ、表示色味を変化しにくいことがわかった。また、実施例１〜６のフイルムを用いた場合も同様の評価を行ったところ、ＩＰＳパネルクロ表示時の光漏れが０．２％未満と、優れた性能を有する表示装置が得られた。
【０２７１】
第５表
────────────────────────────────────────
試料  膜厚  Ｒｅ（６３０）  Ｒｔｈ（６３０）  Ｒｅ分散    Ｒｔｈ分散  光漏れ
────────────────────────────────────────
００８  ４０    ３．４ｎｍ      ２７．５ｎｍ  ３．８ｎｍ  ２８．０ｎｍ  ０．５１
００９  ４０    ２．４ｎｍ      ２８．２ｎｍ  １．４ｎｍ    ７．８ｎｍ  ０．４５
０１０  ４０    ３．１ｎｍ      ３０．２ｎｍ  １．０ｎｍ    ６．８ｎｍ  ０．５２
１４０  ８０    ０．５ｎｍ      −４．２ｎｍ  １．１ｎｍ  １２．５ｎｍ  ０．０２
１４１  ６０    ０．３ｎｍ      −４．８ｎｍ  ０．７ｎｍ    ８．４ｎｍ  ０．０３
１４２  ４０    ０．２ｎｍ      −３．４ｎｍ  ０．５ｎｍ    ５．２ｎｍ  ０．０２
１４４  ８０    ０．６ｎｍ      −２．１ｎｍ  ０．８ｎｍ  １５．２ｎｍ  ０．０１
１４５  ８０    ０．５ｎｍ      −４．８ｎｍ  ０．８ｎｍ  １５．１ｎｍ  ０．０２
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（註）
膜厚：      μｍ
Ｒｅ分散：  ｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜
Ｒｔｈ分散：｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
光漏れ：    ＩＰＳパネルの黒表示における光漏れ（％）
【０２７２】
［実施例１１］
（ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶表示装置への実装評価） 
実施例１〜６および実施例７、８で得た本発明のセルロースアセテートフイルム試料を用いて、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置での評価をしたところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。 
【０２７３】
［実施例１２］
（光学補償フイルム性能） 
実施例１〜６および実施例７、８で得た本発明のセルロースアセテートフイルム試料を用いて、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１に記載の方法により光学補償フイルム試料を作製した。得られたフィルターフイルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアセテートフイルムが、光学的用途として優れたものであることが判った。
【０２７４】
［実施例１３］
（光学補償フイルム性能） 
実施例１〜６および実施例７、８で得た本発明のセルロースアセテートフイルム試料を用いて、特開２００３−３１５５４１号公報の実施例１に記載の方法に準じて光学補償フイルム試料を作製した。２，２'−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と、２，２'−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）から合成された、重量平均分子量（Ｍｗ）７万、△ｎが約０．０４のポリイミドを、溶媒にシクロヘキサノンを用い２５ｗｔ％に調製した溶液を、本発明のセルロースアセテートフイルム試料１４０（厚さ８０μｍ）に塗布した。その後１００℃で１０分熱処理後、１６０℃で１５％縦一軸延伸することにより厚さ６μｍのポリイミドフイルムが本発明のセルロースアセテートフイルムに塗布された光学補償フイルムを得た。この光学補償フイルムの光学特性は、Ｒｅ＝７０ｎｍ、Ｒｔｈ＝２２０ｎｍ、配向軸のズレ角度は±０．３度以内で、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの複屈折層を持つ光学補償フイルムであった。 
【０２７５】
［比較例１０］ 
実施例８の試料１４０を、フジタックＴＤ−８０ＵＦ（厚さ８０μｍ、Ｒｅ＝５ｎｍ、Ｒｔｈ＝４１ｎｍ）に塗布した以外は同様の操作により、厚さ６μｍのポリイミドフイルムが比較試料００１のセルロースアセテートフイルムに塗布された光学補償フイルムを得た。この光学補償フイルムの光学特性は、Ｒｅ＝７５ｎｍ、Ｒｔｈ＝２８０ｎｍであった。 
【０２７６】
（ＶＡ型液晶表示装置への実装評価） 
実施例８および比較例１０で得られた光学補償フイルムの、ポリイミドフイルムを塗布していない側をアルカリ鹸化処理しポリビニルアルコール系接着剤で偏光子と接着することにより、直接偏光子と貼り合せた。この際光学補償フイルムのｎｘ方向と偏光板の吸収軸が直交するように貼り合せた。これら光学補償フイルムが液晶セル側となるように粘着剤でＶＡ液晶パネルに張り合わせた。なお、液晶セルの反対側には偏光板の吸収軸同士が直交するように偏光板のみを粘着剤を介してＶＡ液晶パネルに貼り合せた。以上のようにして得られた液晶表示装置の視野角特性を測定したところ、実施例１２で得られた本発明のセルロースアセテートフイルム試料１４０より得られた光学補償フイルムはフジタックＴＤ−８０ＵＦから得た光学補償フイルムよりも左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアセテートフイルムが、ＶＡ用の位相差フイルムとして用いる際にも優れたものであることが判った。 
【０２７７】
［実施例１４］
（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価） 
＜ＩＰＳモード液晶セル１の作製＞ 
一枚のガラス基板上に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９及び誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。 
【０２７８】
＜偏光板の作製＞ 
延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、実施例２で作製したセルロースアセテートフイルム試料（前記測定方法にて観測されたＲｅ値は２．１であった）を偏光膜の片側に貼り付けた。続いて、市販のセルロースアセテートフイルム（フジタックＴＦ８０ＵＬ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、この偏光膜の反対側に貼り付け第１偏光板を形成した。 
更に第一の偏光板の作成方法において、両面を該市販のセルロースアセテートフイルムにした以外は同様にして第２偏光板を作製した。 
前記で作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、第一偏光板の吸収軸が液晶セルのラビング方向と平行になるよう、且つ実施例２のセルロースアセテートフイルムが液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セルのもう一方の側に第２偏光板をクロスニコルの配置で貼り付け、第一偏光板の側にバックライトが配置されるように液晶表示装置を作製した。 
【０２７９】
［比較例１１］ 
実施例１４において、ＩＰＳセルの両面の偏光板をどちらも第２偏光板にした以外は同様にしてＩＰＳ液晶表示装置を作製した。 
【０２８０】
＜作製した液晶表示装置の漏れ光の測定＞  
このように作製した液晶表示装置の黒の色味を極角６０度における全方位角方向の変化（Δｕｖ）を測定した。結果を第６表にまとめた。Δｕｖが０．０５以下である実施例１４は  色味変化が殆ど感じられないが、０．０５以上である比較例は色味変化が明らかにあり、Ｒｅ、Ｒｔｈが小さくかつＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が小さい本発明のセルロースアセテートフイルムを用いることにより色味変化が改善されることが分かった。  
【０２８１】
第６表
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偏光板に用いた保護フイルム                    Ｒｅ  Ｒｔｈ  黒色味変化（Δｕｖ）
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実施例１４  実施例２のセルロースアセテート  ２．１    ２０        ０．０３
比較例１１  フジタックＴＦ−８０ＵＬ        ３        ４５        ０．０９
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