(57)【要約】【課題】  記録状態の反射率の方が、未記録状態の反射率よりも高くなるように、即ち、記録を重ねるごとに反射率が上がり、未記録部分が最も反射率が低くなるようにすることにより、反射率の下限が管理し易く、未記録状態の反射率を調整するか、又は水準以上であることを確認するだけで、再生互換性が良く、安定した再生信号を得ることができ、記録・再生を精度高く行なうことができる相変化型光情報記録媒体の提供。【解決手段】  同心円又は螺旋状の案内溝を有する基板上に、少なくとも相変化記録層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び／又は書き換えを行なう光情報記録媒体において、案内溝部の未記録部分の反射率Ｒｂと、上書き記録（ダイレクトオーバーライト、ＤＯＷ）をｍ回（ｍは自然数）行なった際の反射率Ｒａ（ｍ）とを比較したとき、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１である相変化型光情報記録媒体。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心円又は螺旋状の案内溝を有する基板上に、少なくとも相変化記録層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び／又は書き換えを行なう光情報記録媒体において、案内溝部の未記録部分の反射率Ｒｂと、上書き記録（ダイレクトオーバーライト、ＤＯＷ）をｍ回（ｍは自然数）行なった際の反射率Ｒａ（ｍ）とを比較したとき、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１であることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
【請求項２】
１０≦ｍ≦２０００のとき、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１．０５であることを特徴とする請求項１記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項３】
同心円又は螺旋状の案内溝を有する基板上に、少なくとも相変化記録層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び／又は書き換えを行なう光情報記録媒体において、案内溝部に上書き記録（ダイレクトオーバーライト、ＤＯＷ）をｍ回（ｍは自然数）行なった際の反射率Ｒａ（ｍ）と、ＤＯＷをｍ＋１回行なった際の反射率Ｒａ（ｍ＋１）とを比較したとき、Ｒａ（ｍ＋１）／Ｒａ（ｍ）≧１であることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
【請求項４】
レーザー光波長λ＝６４０〜６７０ｎｍにおいて、Ｒｂ≧１８％、Ｒａ（ｍ）≧１８％であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項５】
レーザー光波長λ＝７７０〜８００ｎｍにおいて、Ｒｂ≧１５％、Ｒａ（ｍ）≧１５％であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項６】
基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層、反射層が順次形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項７】
中間層を構成する材料が、下部保護層を構成している材料よりも結晶性の高い材料であることを特徴とする請求項６記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項８】
中間層を構成する材料が、酸化物若しくは炭化物の単体、又はそれらの混合物からなるセラミック材料であることを特徴とする請求項６又は７記載の相変化型光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を照射することにより記録層材料に相変化を生じさせて情報の記録・再生・書き換えを行なう相変化型光情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー光の照射により記録・再生を行なう光情報記録媒体としては、再生専用の光情報記録媒体の他に、１回だけ情報を書き込むことができる追記型光情報記録媒体と、情報の書き換えが可能な書き換え型光情報記録媒体がある。
書き換え型光情報記録媒体のうち、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどについては、記録層の材料として、結晶−非結晶相間又は結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化材料を使用している。
一般に相変化型光情報記録媒体の場合、一旦、連続光による記録層の全面結晶化処理（初期化）を行なって均一な結晶状態とした後で、情報を記録する媒体として使用する。そして、この初期化後の光情報記録媒体に、レーザー光のパワーレベルを三段階に変調させたパルス光を照射し、記録層を結晶（高反射率状態）とアモルファス（低反射率状態）の状態とすることで、情報の記録及び／又は書き換えを行なっている。
【０００３】
このとき、初期化後でかつ記録を行なう前（未記録）の結晶と、記録レーザー光照射を行なった後の結晶とでは結晶の状態が異なり、レーザー光に対する反射光量に差が出ることがある。このような場合には、未記録状態から記録済みの状態への境界で、反射率が急激に変わることになるため、記録・再生時にトラッキング・サーボが不安定となり、サーボが外れて不具合を起こすことがある。
また、記録することにより反射率が下がる場合には、再生専用装置で相変化型光情報記録媒体を再生するのに必要な反射率（例えば、ＤＶＤでは１８％以上、ＣＤでは１５％以上など）が確保できなくなることがあり、再生互換性を低くする要因となると考えられる。図１に示したように、一般的な従来の相変化型光情報記録媒体では、記録すると反射率が下がっていくか（図１−Ａ）、未記録状態のところに記録を行なうと反射率が上がるが、記録を重ねると次第に反射率が下がってしまう（図１−Ｂ）。
そこで、反射率の低下を低減させるため、本出願人は、先願（特願２００２−５７６６９、２００２年３月４日出願）として、光情報記録媒体における記録状態のときの反射率Ｒａと未記録状態のときの反射率Ｒｂの比Ｒａ／Ｒｂを、Ｒａ／Ｒｂ＝０．９５〜１．０５と規定した発明を出願した（図１−Ｃ）。
しかしながら、この先願発明においても、記録回数を重ねることにより反射率が下がり、光情報記録媒体を再生するのに必要な反射率を下回ってしまうことがあるため、完全な解決には至らなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、記録状態の反射率の方が、未記録状態の反射率よりも高くなるように、即ち、記録を重ねるごとに反射率が上がり、未記録部分が最も反射率が低くなるようにすることにより、反射率の下限が管理し易く、未記録状態の反射率を調整するか、又は水準以上であることを確認するだけで、再生互換性が良く、安定した再生信号を得ることができ、記録・再生を精度高く行なうことができる相変化型光情報記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために鋭意検討した結果、これに合致する相変化型光情報記録媒体を見出した。即ち、上記課題は、次の１）〜８）の発明によって解決される。
１）  同心円又は螺旋状の案内溝を有する基板上に、少なくとも相変化記録層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び／又は書き換えを行なう光情報記録媒体において、案内溝部の未記録部分の反射率Ｒｂと、上書き記録（ダイレクトオーバーライト、ＤＯＷ）をｍ回（ｍは自然数）行なった際の反射率Ｒａ（ｍ）とを比較したとき、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１であることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
２）  １０≦ｍ≦２０００のとき、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１．０５であることを特徴とする１）記載の相変化型光情報記録媒体。
３）  同心円又は螺旋状の案内溝を有する基板上に、少なくとも相変化記録層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び／又は書き換えを行なう光情報記録媒体において、案内溝部に上書き記録（ダイレクトオーバーライト、ＤＯＷ）をｍ回（ｍは自然数）行なった際の反射率Ｒａ（ｍ）と、ＤＯＷをｍ＋１回行なった際の反射率Ｒａ（ｍ＋１）とを比較したとき、Ｒａ（ｍ＋１）／Ｒａ（ｍ）≧１であることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
４）  レーザー光波長λ＝６４０〜６７０ｎｍにおいて、Ｒｂ≧１８％、Ｒａ（ｍ）≧１８％であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光情報記録媒体。
５）  レーザー光波長λ＝７７０〜８００ｎｍにおいて、Ｒｂ≧１５％、Ｒａ（ｍ）≧１５％であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光情報記録媒体。
６）  基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層、反射層が順次形成されていることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の相変化型光情報記録媒体。
７）  中間層を構成する材料が、下部保護層を構成している材料よりも結晶性の高い材料であることを特徴とする６）記載の相変化型光情報記録媒体。
８）  中間層を構成する材料が、酸化物若しくは炭化物の単体、又はそれらの混合物からなるセラミック材料であることを特徴とする６）又は７）記載の相変化型光情報記録媒体。
【０００６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明では、上記の構成を採用することにより、案内溝部に記録を重ねるごとに記録部の反射率が上がり、案内溝部の未記録部分が最も反射率が低くなるようにすることができる（例えば、図１−Ｄ参照）。
本発明の光情報記録媒体の層構成の一例を図２に示す。基本的には、案内溝を有する透明基板１上に下部保護層２、中間層３、相変化記録層４、上部保護層５、反射層６、オーバーコート層７を有するものであるが、更に、オーバーコート層上に印刷層９、基板の鏡面側にハードコート層８を有しても良い。
また、上記の単板ディスクと、透明基板又はもう１枚の同様の単板ディスクとを、接着層１０を介して貼り合わせた構造としても良い。また、単板ディスクに印刷層を形成することなく貼り合わせ、貼り合わせ後に反対面側に印刷層９′を形成しても良い。
【０００７】
基板の材料は、通常ガラス、セラミックス、樹脂の何れかであり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れたポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂が好ましい。
【０００８】
記録層の材料としては、結晶−アモルファス相間の相変化を起こし、それぞれが安定化又は準安定化状態をとることができるＳｂ、Ｔｅを含む相変化型記録材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・速度、及び消去比が良好なため適している。
このＳｂＴｅ材料に、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓなどの元素を添加することで、記録・消去感度や信号特性、信頼性などを改善することができる。そのため、目的とする記録線速度及び線速度領域により、添加する元素や材料の組成比を調整して、最適な記録線速度を制御すると同時に、記録した信号の再生安定性や信号の寿命（信頼性）を確保することが望ましい。
本発明の相変化型光情報記録媒体においては、これらの特性を総合的に満足できる記録層の材料として、構成元素にＡｇ及び／又はＧｅ、Ｇａ及び／又はＩｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含んでおり、組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｇａ及び／又はＩｎ）βＳｂγＴｅδ（α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００）としたときに、次の関係を満足する材料が、信号の再生安定性や信号の寿命が優れており、好適である。
０＜α≦６
２≦β≦１０
６０≦γ≦８５
１５≦δ≦２７
【０００９】
相変化型記録層の膜厚としては５〜４０ｎｍとするのが良い。更にジッタ等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮すると、１０〜２５ｎｍとするのが好ましい。５ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。また、４０ｎｍより厚いと高速で均一な相変化が起こり難くなる。
このような相変化型記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れているので好ましい。
【００１０】
相変化型記録層の下層及び上層には、保護層を形成する。
保護層の材料としては、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物；或いはそれらの混合物、或いは前記窒化物や硫化物と、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの酸化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、ＢＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンド状カーボンとの混合物が挙げられ、必要に応じて不純物を含んでも良い。また、単層でなく、二層以上を積層した構造としても良い。但し、保護層の融点は、相変化型記録層よりも高いことが必要である。
【００１１】
このような保護層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れているので好ましい。
保護層の膜厚は、反射率、変調度、記録感度に大きく影響する。これらの特性を満足させるためには、下部保護層の膜厚を３０〜２００ｎｍとする必要がある。更に良好な信号特性を得るためには、４０〜１００ｎｍとするのが好ましい。
上部保護層の膜厚は、５〜４０ｎｍ、好適には７〜３０ｎｍとするのが良い。５ｎｍより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなる。また、記録感度の低下を生じる。一方、４０ｎｍより厚くなると、界面剥離を生じ易くなり、繰り返し記録性能も低下する。
【００１２】
下部保護層と相変化記録層との間には中間層を形成する。中間層の材料としては、少なくとも下部保護層よりも硬度が高い材料を用いることが望ましい。一般的に、硬い材料の方が結晶構造が密であることが多く、分子の流動性が低いため隣接する層への化学的な影響が少なくなる。このような中間層を入れることにより、記録を繰り返すことによる熱的な負荷のために生じる下部保護層と相変化記録層の界面での物理的又は化学的な変質を抑えることができるため、反射率の低下を抑止することができる。また、密な結晶状態を持つ層が隣接していることにより、相変化記録層材料の記録後の結晶状態がより密なものへと変化するため、相変化記録層の反射率を上昇させることができる。
相変化記録層と上部保護層との間に中間層を形成した場合には、相変化記録層材料への結晶状態の変化を促進する効果は同様であっても、レーザー光の入光側である下部保護層と相変化記録層の界面での物理的又は化学的な変質を抑えることができないため、反射率の低下を抑えることはできない。
【００１３】
中間層の材料は、具体的には、セラミック材料のように硬い材料が用いられ、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの酸化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、ＢＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンド状カーボン；或いは、それらの混合物の中から、下部保護層に使用した材料よりも硬度の高い材料を選択する。例えば、下部保護層にＺｎＳ（ヌープ硬度２００程度）が使用されている場合、中間層としては、Ａｌ２Ｏ３（ヌープ硬度２０００程度）やＳｉＣ（ヌープ硬度２５００程度）などが用いられる。
これらの材料の層を形成するには、各種気相成長法（真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法など）等の公知の方法を用いればよい。中でも、スパッタリング法は、量産性、膜質等に優れるため好適である。このとき、下部保護層よりも緻密な膜（密度の高い膜）とすることが好ましいため、スパッタリングの条件は、できるだけスパッタリング・レートが下がる方向の条件（ガス流量を少なくする、パワーを低くする等）とすると良い。
中間層の膜厚は、記録品質への影響が小さい厚さに設定すればよい。厚すぎると、記録層材料が結晶状態の変化への影響が大きく、記録品質を確保することが困難になってしまう。薄すぎると、中間層の機能を十分に発揮することが出来ない。また、硬い膜であるため、厚すぎると、隣接する層への密着性が低く剥がれ易くなるため好ましくない。適正な膜厚は材料によって異なるが、２〜２０ｎｍの範囲が好適である。
【００１４】
反射層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどの金属材料、又はこれらの元素を含む合金などを用いることができる。また、耐腐食性の向上、熱伝導率の改善などのために、上記材料に対してＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどの元素を添加しても良い。添加比率は、０．３〜２原子％とするのが適している。０．３原子％より少ないと、耐腐食性の効果に劣る。２原子％より多くなると、熱伝導率が下がりすぎ、アモルファス状態を形成し難くなる。
このような反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。
上記金属又は合金からなる反射層の膜厚としては、５０〜２００ｎｍ、好適には７０〜１６０ｎｍとするのが良い。また、金属又は合金層を多層化することも可能である。多層化した場合の各層の膜厚は少なくとも１０ｎｍ以上必要であり、多層化膜の合計膜厚は５０〜１６０ｎｍとするのが良い。
【００１５】
反射層の上には、その酸化防止のためにオーバーコート層が形成される。オーバーコート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さは、３〜１５μｍが適当である。３μｍより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を設ける場合、エラーの増大が認められることがある。一方、１５μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
ハードコート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さは、２〜６μｍが適当である。２μｍより薄くすると、十分な耐擦傷性が得られない。６μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。その硬度は、布で擦っても大きな傷が付かない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。
【００１６】
印刷層は、耐擦傷性の確保、ブランド名などのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するインク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型樹脂をスクリーン印刷法により形成するのが一般的である。その厚さは３〜５０μｍが適当である。３μｍより薄くすると層形成時にムラが生じてしまう。５０μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
【００１７】
接着層としては、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いることができる。このような接着層の材料は、オーバーコート層又は印刷層上に、材料に応じて、スピンコート、ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行なって反対面のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、上記各層を設けたのと同様の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面ディスクの貼り合わせ面については、接着層の材料を塗布してもしなくても良い。また、接着層としては、粘着シートを用いることもできる。
接着層の膜厚は特に制限されるものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特性の影響を考慮すると５〜１００μｍが好適である。接着面の範囲は特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び／又はＣＤ互換が可能な光情報記録媒体に応用する場合、接着強度を確保するためには内周端の位置が直径１５〜４０ｍｍ、好適には直径１５〜３０ｍｍであることが望ましい。
【００１８】
本発明の相変化型光情報記録媒体の初期化方法としては、記録媒体を単板ディスク又は貼り合わせ構造の状態まで構成した後、図３に示すような装置を用いて、記録媒体に対してレーザー光の連続光を照射し、記録層全面を結晶化させることにより行なう。
レーザー光の光源としては、記録・再生用装置で使用されるビーム径の小さな（０．１〜１μｍオーダー）半導体レーザー（ＬＤ）を用いても、大口径（１００μｍオーダー）の半導体レーザー（ＬＤ）を用いても良い。
初期化後の未記録反射率Ｒｂは、光情報記録媒体の構成によってレーザー光の照射条件を調整して初期化を行なうことにより、レーザー光波長λ＝７７０〜８００ｎｍでは１５％以上、λ＝６４０〜６７０ｎｍでは１８％以上とすることが望ましい。反射率がこれよりも低い場合、光情報記録装置にて光情報記録媒体を認識する際に不具合を起こすことがあるので好ましくない。
【００１９】
本発明の相変化型光情報記録媒体への記録・再生方法としては、図３に示すような装置により、光情報記録媒体をスピンドルモーターからなる駆動手段で回転駆動すると共に、記録・再生用ピックアップのレーザー駆動回路により半導体レーザー光源を駆動し、光学系を介して光情報記録媒体に図４〜８に示したようなフロントパルス部、マルチパルス部、エンドパルス部を有するパルスパターンのレーザー光を照射して該光情報記録媒体の記録層に光学的な変化を生じさせ、光情報記録媒体からの反射光を記録・再生用ピックアップで受光し、光情報記録媒体に対する情報の記録や再生を行なうものである。
記録手段は、本発明の光情報記録媒体の記録層に対してマークの幅として信号を記録する、いわゆるＰＷＭ記録（マークエッジ記録）方式を使用し、記録すべき信号を変調部のクロックを用いて、例えばコンパクトディスクの情報記録に用いられるＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ−ｔｏ−Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ、８−１４）変調方式、又はその改良変調方式で変調して記録を行なう。
【００２０】
ＰＷＭ記録方式により記録を行なう際、変調後の信号幅がｎＴ（ｎは所定の値、Ｔはクロック時間：信号の変調に用いるクロックの周期に相当する時間）である０信号の記録又は書き換えを行なう場合の記録パルスについては、パワーレベルＰｅ（消去パルス）の連続光とする。
変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録又は書き換えを行なう場合の記録パルスのパターンとして、いくつかの例を挙げると、第１の例としては、時間幅ｘＴ（ｘは正の実数）で加熱パルス用のパワーレベルＰｗであるフロントパルス部と、計（ｎ−ｎ′）回の時間幅ｙＴ（ｙは１以下の正の実数）でパワーレベルＰｗ′の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔで冷却パルス用のパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する１Ｔ周期のマルチパルス部と、時間幅ｚＴ（ｚは正の実数）でパワーレベルＰｂ′であるエンドパルス部とで構成され、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの正の整数、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ′）である記録光のパルスパターンとする方法が挙げられる。図４は、第１の例における、ｎ＝６、ｎ′＝２の場合、図５は、ｎ＝６、ｎ′＝３の場合を示す。
【００２１】
また、第２の例としては、ｎが奇数のときと偶数のときで異なるパターンを組み合わせて、ｎが偶数のときには、時間幅ｘ′Ｔ（ｘ′は正の実数）で加熱パルス用のパワーレベルＰｗであるフロントパルス部と、計｛（ｎ／２）−１｝回の時間幅ｙ′Ｔ（ｙ′は２以下の正の実数）でパワーレベルＰｗ′の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅（２−ｙ′）Ｔで冷却パルス用のパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する２Ｔ周期のマルチパルス部と、時間幅ｚ′Ｔ（ｚ′は正の実数）でパワーレベルＰｂ′であるエンドパルス部とで構成され、ｎが奇数のときには、マルチパルス部のパルスパターンが、計〔｛（ｎ−１）／２｝−１〕回の時間幅ｙ′ＴでパワーレベルＰｗ′の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅（２−ｙ′）ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する２Ｔ周期のパルスパターンで構成されており、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ′）である記録光のパルスパターンとする方法が挙げられる。図６、図７は、それぞれ第２の例における、ｎ＝６（偶数）の場合、ｎ＝７（奇数）の場合を示す。
【００２２】
また、第３の例として、同様のパルスパターンにおいて、ｎが奇数のときのマルチパルス部が、計〔｛（ｎ−１）／２｝−１〕回の時間幅ｙ′Ｔ（ｙ′は５／２以下の正の実数）でパワーレベルＰｗ′の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅［〔ｎ／｛（ｎ−１）／２｝〕−ｙ′］ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する〔ｎ／｛（ｎ−１）／２｝〕Ｔ周期のパルスパターンで構成されている方法も挙げられる。図８は、第３の例におけるｎ＝７の場合を示す。
【００２３】
このような方法により記録を行なった際の記録後反射率Ｒａが、再生レーザー光波長λ＝７７０〜８００ｎｍで１５％以上、λ＝６４０〜６７０ｎｍで１８％以上となるように、光情報記録媒体の層構成を工夫することが望ましい。
具体的には、主として相変化型記録層、上部及び下部保護層、反射層の材料や膜厚を選択する。即ち、上に挙げた好適な層構成の中で、レーザー光波長λ＝７７０〜８００ｎｍ及び／又はλ＝６４０〜６７０ｎｍにおいて反射率の大きな材料を使用したり、それらの材料の膜厚を厚くしたり、干渉による反射光を増加させるために保護層の膜厚を増減させて光路長を調整することにより、媒体としての反射率を上げることが出来る。特殊な記録条件（異なる記録パワーや記録線速度領域）で使用される媒体の場合には、適切な層構成が異なるため、それに合わせて相変化型記録層、上部及び下部保護層、反射層の材料や膜厚を変えればよい。反射率が上記の値よりも低いと、信号再生の際に不具合を生じ、再生互換性が低くなることがある。
また、ここでいう記録後反射率Ｒａとは、記録信号を再生した際の最大反射率のことをいう。例えば、ＣＤ互換の信号を記録した場合には、１１Ｔ長スペース信号の反射率、ＤＶＤ互換の信号を記録した場合には、１４Ｔ長スペース信号の反射率がＲａとなる。
【００２４】
ｍ回（ｍは自然数）のダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）を行なったときの反射率Ｒａ（ｍ）と未記録状態のときの反射率Ｒｂとの比Ｒａ（ｍ）／Ｒｂは、１以上であること、即ち、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１であることが必要である。Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ＜１のときには、記録回数を重ねることにより、反射率が下がることになるため、光情報記録媒体を再生するのに必要な反射率を確保できなくなることがある。
また、ＤＯＷ回数が１０回以上２０００回以下であるとき、即ち、１０≦ｍ≦２０００であるとき、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１．０５であれば、より容易に、光情報記録媒体を再生するのに必要な反射率を確保することができる。ここで、ＤＯＷ回数の上限を２０００回としたのは、実用上要求されるＤＯＷ回数は１０００回程度であり、これを大幅に上回るＤＯＷ２０００回の特性が保証されれば問題ないからである。
更に、Ｒａ（ｍ）／Ｒｂ≧１であり、かつ、ｍ回のＤＯＷを行なったときの反射率Ｒａ（ｍ）と、ＤＯＷをｍ＋１回行なったときの反射率Ｒａ（ｍ＋１）との比が１以上、即ち、Ｒ（ｍ＋１）／Ｒ（ｍ）≧１であれば、記録を重ねることにより反射率は上がるか又は同一で推移することになるため、未記録状態において必要な反射率を確保することにより、記録後も常に必要な反射率を確保できるようになるのでより好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、反射率の下限が管理し易く、未記録状態の反射率を調整するか、又は水準以上であることを確認するだけで、再生互換性が良く、安定した再生信号を得ることができ、記録・再生を精度高く行なうことができる相変化型光情報記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００２７】
＜実施例１＞
射出成形により厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を作成し、この基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、中間層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりも硬度の高い材料であるＳｉＣ、記録層にはＡｇ２Ｇｅ２Ｉｎ４Ｓｂ７０Ｔｅ２２相変化記録材料、反射層にはＡｇを用い、膜厚は、基板側から順に８０ｎｍ、３ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１４０ｎｍとした。
更に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体の単板ディスクを作成した。
次にオーバーコート層上に接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径２００×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、ＤＶＤ対応の光情報記録装置（株式会社リコー製ＭＰ５１２５Ａ）により、記録線速度８．５ｍ／ｓ、記録パワーＰｗ（＝Ｐｗ′）＝１５ｍＷで、１回記録、及び、２回、３回、４回、５回、１０回、１１回、１００回、１０１回、１０００回、１００１回、２０００回、２００１回のダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）を行なった。
これらの記録した部分と未記録部分のそれぞれについて、レーザー光波長λ＝６５０ｎｍを用いたＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）により反射率の測定を行なったところ、表１に結果を示したように、未記録反射率Ｒｂ＝１９．２％、１回記録後の反射率Ｒａ（１）＝１９．６％、２回記録後の反射率Ｒａ（２）＝１９．８％、３回記録後の反射率Ｒａ（３）＝２０．０％、４回記録後の反射率Ｒａ（４）＝２０．２％、５回記録後の反射率Ｒａ（５）＝２０．３％、１０回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０）＝２０．４％、１１回記録後の反射率Ｒａ（１１）＝２０．４％、１００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１００）＝２０．８％、１０１回記録後の反射率Ｒａ（１０１）＝２０．８％、１０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０００）＝２１．３％、１００１回記録後の反射率Ｒａ（１００１）＝２１．３％、２０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（２０００）＝２１．４％、２００１回記録後の反射率Ｒａ（２００１）＝２１．４％であり、それぞれ未記録／記録後の反射率比は、Ｒａ（１）／Ｒｂ＝１．０２、Ｒａ（２）／Ｒｂ＝１．０３、Ｒａ（３）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（４）／Ｒｂ＝１．０５、Ｒａ（５）／Ｒｂ＝１．０６、Ｒａ（１０）／Ｒｂ＝１．０６、Ｒａ（１１）／Ｒｂ＝１．０６、Ｒａ（１００）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（１０１）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（１０００）／Ｒｂ＝１．１１、Ｒａ（１００１）／Ｒｂ＝１．１１、Ｒａ（２０００）／Ｒｂ＝１．１１、Ｒａ（２００１）／Ｒｂ＝１．１１であった。
この光情報記録媒体についてＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により再生を行なったところ、問題なく再生することができた。
【００２８】
＜実施例２＞
射出成形により厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を作成し、この基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、中間層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりも硬度の高い材料であるＳｉＯ２、記録層にはＡｇ２Ｉｎ８Ｓｂ６５Ｔｅ２５相変化記録材料、反射層にはＡｌ９８Ｔｉ２を用い、膜厚は、基板側から順に９０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、１４０ｎｍとした。
更に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＣＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体を作成した。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径１００×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＣＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、ＣＤ対応の光情報記録装置（株式会社リコー製ＭＰ７１２０Ａ）により、記録線速度１２．０ｍ／ｓ、記録パワーＰｗ（＝Ｐｗ′）＝２０ｍＷで、１回記録、及び、２回、３回、４回、５回、１０回、１１回、１００回、１０１回、１０００回、１００１回、２０００回、２００１回のＤＯＷ記録を行なった。
これらの記録した部分と未記録部分のそれぞれについて、レーザー光波長λ＝７８０ｎｍを用いたＣＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）により反射率の測定を行なったところ、表１に結果を示したように、未記録反射率Ｒｂ＝１７．６％、１回記録後の反射率Ｒａ（１）＝１７．８％、２回記録後の反射率Ｒａ（２）＝１８．０％、３回記録後の反射率Ｒａ（３）＝１８．１％、４回記録後の反射率Ｒａ（４）＝１８．３％、５回記録後の反射率Ｒａ（５）＝１８．３％、１０回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０）＝１８．５％、１１回記録後の反射率Ｒａ（１１）＝１８．５％、１００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１００）＝１８．８％、１０１回記録後の反射率Ｒａ（１０１）＝１８．８％、１０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０００）＝１９．３％、１００１回記録後の反射率Ｒａ（１００１）＝１９．３％、２０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（２０００）＝１９．４％、２００１回記録後の反射率Ｒａ（２００１）＝１９．４％であり、それぞれ未記録／記録後の反射率比は、Ｒａ（１）／Ｒｂ＝１．０１、Ｒａ（２）／Ｒｂ＝１．０２、Ｒａ（３）／Ｒｂ＝１．０３、Ｒａ（４）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（５）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（１０）／Ｒｂ＝１．０５、Ｒａ（１１）／Ｒｂ＝１．０５、Ｒａ（１００）／Ｒｂ＝１．０７、Ｒａ（１０１）／Ｒｂ＝１．０７、Ｒａ（１０００）／Ｒｂ＝１．１０、Ｒａ（１００１）／Ｒｂ＝１．１０、Ｒａ（２０００）／Ｒｂ＝１．１０、Ｒａ（２００１）／Ｒｂ＝１．１０であった。
この光情報記録媒体についてＣＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により再生を行なったところ、問題なく再生することができた。
【００２９】
＜実施例３＞
射出成形により厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を形成し、この基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、中間層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりも硬度の高い材料であるＡｌ２Ｏ３、記録層にはＡｇ２Ｇｅ２Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２０相変化記録材料、反射層にはＡｇを用い、膜厚は、基板側から順に７０ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍ、１５ｎｍ、１２０ｎｍとした。
更に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体の単板ディスクを作成した。
次にオーバーコート層上に接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径７５×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、ＤＶＤ対応の光情報記録装置（株式会社リコー製ＭＰ５２４０Ａ）により、記録線速度１４．０ｍ／ｓ、記録パワーＰｗ（＝Ｐｗ′）＝２０ｍＷで、１回記録、及び、２回、３回、４回、５回、１０回、１１回、１００回、１０１回、１０００回、１００１回、２０００回、２００１回のＤＯＷ記録を行なった。
これらの記録した部分と未記録部分のそれぞれについて、レーザー光波長λ＝６５０ｎｍを用いたＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）により反射率の測定を行なったところ、表１に結果を示したように、未記録反射率Ｒｂ＝１８．４％、１回記録後の反射率Ｒａ（１）＝１８．７％、２回記録後の反射率Ｒａ（２）＝１８．９％、３回記録後の反射率Ｒａ（３）＝１９．１％、４回記録後の反射率Ｒａ（４）＝１９．２％、５回記録後の反射率Ｒａ（５）＝１９．３％、１０回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０）＝１９．４％、１１回記録後の反射率Ｒａ（１１）＝１９．４％、１００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１００）＝２０．０％、１０１回記録後の反射率Ｒａ（１０１）＝２０．０％、１０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０００）＝２０．８％、１００１回記録後の反射率Ｒａ（１００１）＝２０．８％、２０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（２０００）＝２１．０％、２００１回記録後の反射率Ｒａ（２００１）＝２１．０％であり、それぞれ未記録／記録後の反射率比は、Ｒａ（１）／Ｒｂ＝１．０２、Ｒａ（２）／Ｒｂ＝１．０３、Ｒａ（３）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（４）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（５）／Ｒｂ＝１．０５、Ｒａ（１０）／Ｒｂ＝１．０５、Ｒａ（１１）／Ｒｂ＝１．０５、Ｒａ（１００）／Ｒｂ＝１．０９、Ｒａ（１０１）／Ｒｂ＝１．０９、Ｒａ（１０００）／Ｒｂ＝１．１３、Ｒａ（１００１）／Ｒｂ＝１．１３、Ｒａ（２０００）／Ｒｂ＝１．１４、Ｒａ（２００１）／Ｒｂ＝１．１４であった。
この光情報記録媒体についてＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により再生を行なったところ、問題なく再生することができた。
【００３０】
＜実施例４＞
射出成形により厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を形成し、この基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、中間層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりも硬度の高い材料である（ＺｒＯ２）８０（ＴｉＯ２）２０、記録層にはＡｇ２Ｇｅ２Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２０相変化記録材料、反射層にはＡｇを用い、膜厚は、基板側から順に７０ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍ、１５ｎｍ、１２０ｎｍとした。
更に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体の単板ディスクを作成した。
次にオーバーコート層上に接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径７５×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、ＤＶＤ対応の光情報記録装置（株式会社リコー製ＭＰ５２４０Ａ）により、記録線速度３．５ｍ／ｓ、記録パワーＰｗ（＝Ｐｗ′）＝１６ｍＷで、１回記録、及び、２回、３回、４回、５回、１０回、１１回、１００回、１０１回、１０００回、１００１回、２０００回、２００１回のＤＯＷ記録を行なった。
これらの記録した部分と未記録部分のそれぞれについて、レーザー光波長λ＝６５０ｎｍを用いたＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）により反射率の測定を行なったところ、表１に結果を示したように、未記録反射率Ｒｂ＝１８．５％、１回記録後の反射率Ｒａ（１）＝１９．７％、２回記録後の反射率Ｒａ（２）＝１９．８％、３回記録後の反射率Ｒａ（３）＝１９．９％、４回記録後の反射率Ｒａ（４）＝１９．９％、５回記録後の反射率Ｒａ（５）＝１９．９％、１０回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０）＝２０．０％、１１回記録後の反射率Ｒａ（１１）＝２０．０％、１００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１００）＝２０．２％、１０１回記録後の反射率Ｒａ（１０１）＝２０．２％、１０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０００）＝２０．４％、１００１回記録後の反射率Ｒａ（１００１）＝２０．４％、２０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（２０００）＝２０．５％、２００１回記録後の反射率Ｒａ（２００１）＝２０．５％であり、それぞれ未記録／記録後の反射率比は、Ｒａ（１）／Ｒｂ＝１．０６、Ｒａ（２）／Ｒｂ＝１．０７、Ｒａ（３）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（４）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（５）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（１０）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（１１）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（１００）／Ｒｂ＝１．０９、Ｒａ（１０１）／Ｒｂ＝１．０９、Ｒａ（１０００）／Ｒｂ＝１．１０、Ｒａ（１００１）／Ｒｂ＝１．１０、Ｒａ（２０００）／Ｒｂ＝１．１１、Ｒａ（２００１）／Ｒｂ＝１．１１であった。
この光情報記録媒体についてＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により再生を行なったところ、問題なく再生することができた。
【００３１】
＜実施例５＞
射出成形により厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を作成し、この基板上に、下部保護層、中間層、相変化記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、中間層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりも硬度の高い材料である（ＺｒＯ２）８０（ＴｉＯ２）２０、記録層にはＡｇ２Ｉｎ８Ｓｂ６５Ｔｅ２５相変化記録材料、反射層にはＡｌ９８Ｔｉ２を用い、膜厚は、基板側から順に８０ｎｍ、５ｎｍ、１８ｎｍ、２５ｎｍ、１４０ｎｍとした。
更に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＣＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体を作成した。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径１００×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＣＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、ＣＤ対応の光情報記録装置（株式会社リコー製ＭＰ７１２０Ａ）により、記録線速度１２．０ｍ／ｓ、記録パワーＰｗ（＝Ｐｗ′）＝２０ｍＷで、１回記録、及び、２回、３回、４回、５回、１０回、１１回、１００回、１０１回、１０００回、１００１回、２０００回、２００１回のＤＯＷ記録を行なった。
これらの記録した部分と未記録部分のそれぞれについて、レーザー光波長λ＝７８０ｎｍを用いたＣＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）により反射率の測定を行なったところ、表１に結果を示したように、未記録反射率Ｒｂ＝１７．２％、１回記録後の反射率Ｒａ（１）＝１７．５％、２回記録後の反射率Ｒａ（２）＝１７．６％、３回記録後の反射率Ｒａ（３）＝１７．６％、４回記録後の反射率Ｒａ（４）＝１７．７％、５回記録後の反射率Ｒａ（５）＝１７．７％、１０回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０）＝１７．９％、１１回記録後の反射率Ｒａ（１１）＝１７．９％、１００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１００）＝１８．２％、１０１回記録後の反射率Ｒａ（１０１）＝１８．２％、１０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（１０００）＝１８．５％、１００１回記録後の反射率Ｒａ（１００１）＝１８．５％、２０００回ＤＯＷ後の反射率Ｒａ（２０００）＝１８．６％、２００１回記録後の反射率Ｒａ（２００１）＝１８．６％であり、それぞれ未記録／記録後の反射率比は、Ｒａ（１）／Ｒｂ＝１．０２、Ｒａ（２）／Ｒｂ＝１．０２、Ｒａ（３）／Ｒｂ＝１．０２、Ｒａ（４）／Ｒｂ＝１．０３、Ｒａ（５）／Ｒｂ＝１．０３、Ｒａ（１０）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（１１）／Ｒｂ＝１．０４、Ｒａ（１００）／Ｒｂ＝１．０６、Ｒａ（１０１）／Ｒｂ＝１．０６、Ｒａ（１０００）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（１００１）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（２０００）／Ｒｂ＝１．０８、Ｒａ（２００１）／Ｒｂ＝１．０８であった。
この光情報記録媒体についてＣＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により再生を行なったところ、問題なく再生することができた。
【００３２】
【表１】
2005093012.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】相変化型光情報記録媒体の記録回数と反射率比との関係を示す図。
【図２】本発明の相変化型光情報記録媒体の層構成の一例を示す図。
【図３】本発明の相変化型光情報記録媒体への記録・再生装置の説明図。
【図４】記録パルスストラテジの説明図（１Ｔ周期：ｎ＝６、ｎ′＝２の場合）。
【図５】記録パルスストラテジの説明図（１Ｔ周期：ｎ＝６、ｎ′＝３の場合）。
【図６】記録パルスストラテジの説明図（２Ｔ周期：ｎ＝６、即ち偶数の場合）。
【図７】記録パルスストラテジの説明図（２Ｔ周期：ｎ＝７、即ち奇数の場合）。
【図８】記録パルスストラテジの説明図〔ｎ／｛（ｎ−１）／２｝〕：ｎ＝７の場合）。
【符号の説明】
【００３４】
１  透明基板
２  下部保護層
３  中間層
４  相変化記録層
５  上部保護層
６  反射層
７  オーバーコート層
８  ハードコート層
９  印刷層
９′  印刷層
１０  接着層
Ｔ  クロック時間
Ｐｗ  加熱パルス用のパワーレベル
Ｐｗ′  加熱パルス用のパワーレベル
Ｐｅ  消去パルス用のパワーレベル
Ｐｂ  冷却パルス用のパワーレベル
Ｐｂ′  冷却パルス用のパワーレベル
ｘ  正の実数
ｘ′  正の実数
ｙ  １以下の正の実数
ｙ′  ２以下（図６、図７の場合）又は７／３以下（図８の場合）の正の実数
ｚ  正の実数
ｚ′  正の実数
【図１】
2005093012.tif 000004
【図２】
2005093012.tif 000005
【図３】
2005093012.tif 000006
【図４】
2005093012.tif 000007
【図５】
2005093012.tif 000008
【図６】
2005093012.tif 000009
【図７】
2005093012.tif 000010
【図８】
2005093012.tif 000011