(57)【要約】【課題】  薄膜バルク波共振器の製造過程において発生する放電を防止し、これによって製品の信頼性と歩留まりを高める【解決手段】  基板１０１と、基板１０１上に設けられた下部電極１０２及び上部電極１０４と、下部電極１０２と上部電極１０４との間に設けられた圧電膜１０３とを備え、圧電膜１０３に設けられた窓部を介して、下部電極１０２と上部電極１０４とが短絡されている。これにより、下部電極１０２と上部電極１０４とが同電位となることから、上部電極１０４を覆う保護膜の形成や基板のダイシング等、従来放電が発生しやすかったプロセスを進めても、圧電膜１０３を貫通する放電が発生することがない。【選択図】          図４
2005150990.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の薄膜バルク波共振器形成領域を有する薄膜バルク波共振器ウェハであって、基板と、前記基板上に設けられた下部電極及び上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた圧電膜とを備え、前記薄膜バルク波共振器形成領域間の少なくとも一部において前記下部電極と前記上部電極とが短絡されていることを特徴とする薄膜バルク波共振器ウェハ。
【請求項２】
前記下部電極及び前記上部電極は、いずれも前記薄膜バルク波共振器形成領域の周囲を取り囲む短絡電極部を含んでおり、前記下部電極の短絡電極部の少なくとも一部と前記上部電極の短絡電極部の少なくとも一部の平面的な位置が実質的に一致していることを特徴とする請求項１に記載の薄膜バルク波共振器ウェハ。
【請求項３】
前記下部電極の短絡電極部と前記上部電極の短絡電極部との間には、前記圧電膜の存在しない窓部が連続的に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜バルク波共振器ウェハ。
【請求項４】
前記下部電極の短絡電極部と前記上部電極の短絡電極部との間には、前記圧電膜の存在しない窓部が断続的に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜バルク波共振器ウェハ。
【請求項５】
前記基板と前記下部電極との間に設けられた音響多層膜をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜バルク波共振器ウェハ。
【請求項６】
基板上に下部電極を形成する第１の工程と、前記下部電極の一部を露出させる窓部を持った圧電膜を前記下部電極上に形成する第２の工程と、前記窓部を介して前記下部電極と短絡するよう、前記圧電膜上に上部電極を形成する第３の工程と、前記窓部に沿って前記基板を切断する第４の工程とを備えることを特徴とする薄膜バルク波共振器の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程においては、前記窓部とすべき部分をマスクしながら前記圧電膜を形成することを特徴とする請求項６に記載の薄膜バルク波共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜バルク波共振器ウェハに関し、特に、複数の薄膜バルク波共振器を多数個取りするための薄膜バルク波共振器ウェハに関する。また、本発明は薄膜バルク波共振器の製造方法に関し、特に、複数の薄膜バルク波共振器を多数個り可能な薄膜バルク波共振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、小型で且つ高性能な共振器として、薄膜バルク波共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）や表面弾性波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）共振器など、圧電材料を用いた数々の共振器が実用化されている。中でも薄膜バルク波共振器は、その構造上、表面弾性波共振器に比べて共振周波数を高めやすいことから、例えば５ＧＨｚ以上といった高い共振周波数が求められる用途において近年注目されている。
【０００３】
薄膜バルク波共振器は基本的に、上部電極、下部電極及びこれらの間に設けられた圧電膜によって構成され、上部電極と下部電極との間に高周波信号を印加することによって所望の共振特性を得ることができる。薄膜バルク波共振器の共振周波数は、主に、上部電極、下部電極及び圧電膜の膜厚に依存し、これら膜厚はバルク波の音速と共振周波数との比（音速／共振周波数）によって決まる波長を基準として設定される。ここで、バルク波の音速は、それぞれの膜を構成する材料の物性（弾性定数等）によって決まることから、それぞれの膜についての波長は共振周波数を高く設定するほど短くなる。つまり、高い共振周波数を得ようとすれば、圧電膜等の膜厚を薄く設定する必要が生じることになる。
【０００４】
このため、５ＧＨｚ以上といった高い共振周波数が求められる場合には、圧電膜の膜厚を非常に薄く設定する必要があり、例えば圧電膜の材料としてＺｎＯを用いた場合、共振周波数を５ＧＨｚ以上とするためにはその膜厚を０．２７μｍ程度とする必要がある。
【特許文献１】特公平２−５１２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、圧電膜は焦電性を有していることから、薄膜バルク波共振器の製造過程において上部電極と下部電極と間に電位差が生じやすく、この電位差が大きくなると圧電膜を介して上部電極と下部電極と間で放電が発生することがあった。このような放電が発生すると、圧電膜が損傷し、製品の信頼性や歩留まりを低下させてしまうという問題があった。しかも、このような放電は圧電膜の膜厚が薄くなるほど発生しやすくなることから、５ＧＨｚ以上といった高い共振周波数を持った薄膜バルク波共振器の製造においては特に大きな問題となる。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、薄膜バルク波共振器の製造過程において発生する放電を防止し、これによって製品の信頼性と歩留まりを高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による薄膜バルク波共振器ウェハは、複数の薄膜バルク波共振器形成領域を有する薄膜バルク波共振器ウェハであって、基板と、前記基板上に設けられた下部電極及び上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた圧電膜とを備え、前記薄膜バルク波共振器形成領域間の少なくとも一部において前記下部電極と前記上部電極とが短絡されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、下部電極と上部電極とが薄膜バルク波共振器形成領域間にて短絡されていることから、下部電極と上部電極とが同電位となる。このため、上部電極を覆う保護膜の形成や基板のダイシング等、従来放電が発生しやすかったプロセスを進めても、圧電膜を貫通する放電が発生することがない。
【０００９】
また、前記下部電極及び前記上部電極は、いずれも前記薄膜バルク波共振器形成領域の周囲を取り囲む短絡電極部を含んでおり、前記下部電極の短絡電極部の少なくとも一部と前記上部電極の短絡電極部の少なくとも一部の平面的な位置が実質的に一致していることが好ましい。これによれば、下部電極と上部電極との短絡を容易に行うことが可能となる。前記下部電極の短絡電極部と前記上部電極の短絡電極部との間には、前記圧電膜の存在しない窓部が連続的に設けられていても構わないし、断続的に設けられていても構わない。いずれにしても、このような窓部を介して下部電極と上部電極とが短絡される。
【００１０】
また、前記基板と前記下部電極との間に設けられた音響多層膜をさらに備えることが好ましい。これによれば、製造される薄膜バルク波共振器の特性を向上させることが可能となる。
【００１１】
本発明による薄膜バルク波共振器の製造方法は、基板上に下部電極を形成する第１の工程と、前記下部電極の一部を露出させる窓部を持った圧電膜を前記下部電極上に形成する第２の工程と、前記窓部を介して前記下部電極と短絡するよう、前記圧電膜上に上部電極を形成する第３の工程と、前記窓部に沿って前記基板を切断する第４の工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、下部電極と上部電極とが窓部を介して短絡されていることから圧電膜を貫通する放電が発生することがなく、また、この窓部に沿って基板を切断していることから、切断によって下部電極と上部電極とを分離することができる。
【００１３】
ここで、前記第２の工程においては、前記窓部とすべき部分をマスクしながら前記圧電膜を形成することが好ましい。これによれば、特別な製造プロセスを追加することなく、下部電極と上部電極とを短絡させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
このように、本発明によれば、製造過程において下部電極と上部電極とが同電位とされることから、圧電膜を貫通する放電が発生することがない。このため、圧電膜が非常に薄く、例えば５ＧＨｚ以上といった高い共振周波数を持つ薄膜バルク波共振器を製造する場合においても、高い信頼性を得ることができるばかりでなく、高い製品歩留まりを得ることも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
図１乃至図５は、本発明の好ましい実施形態による薄膜バルク波共振器の製造方法を示す工程図である。尚、図１乃至図３において（ａ）はいずれも略平面図であり、（ｂ）はそれぞれＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿った略断面図である。また、図４は略平面図であり、図５はそのＤ−Ｄ線に沿った略断面図である。
【００１７】
本実施形態による薄膜バルク波共振器の製造においては、まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、所定の面積を有する基板１０１を用意し、その一方の表面に音響多層膜１１０を形成する。ここで、基板１０１及びその上部に形成される各膜は、複数の薄膜バルク波共振器形成領域１００ａと、これら薄膜バルク波共振器形成領域１００ａ間に存在する格子状のダイシング領域１００ｂとに平面的に分類される。ダイシング領域１００ｂは最終的にダイシングされる領域であり、これにより各薄膜バルク波共振器形成領域１００ａは、最終的に個々の薄膜バルク波共振器として分離される。ダイシング領域１００ｂの幅は、ダイシングの際の「切りしろ」よりも狭く設定される。その意義については後述する。
【００１８】
基板１０１は、薄膜バルク波共振器の機械的強度を確保する基体としての役割を果たし、その材料としては、シリコン（Ｓｉ）やサファイアなどの単結晶基板、アルミナやアルティックなどのセラミックス基板、石英やガラス基板などを用いることができる。中でも、安価であり、且つ、高度なウェハープロセスが確立されているＳｉ単結晶を用いることが最も好ましい。
【００１９】
音響多層膜１１０は、互いに異なる材料からなる反射膜１１１及び１１２が交互に積層された構造を有しており、基板１０１方向へ伝搬する振動を反射することにより薄膜バルク波共振器の特性を向上させる役割を果たす。音響多層膜１１０を構成する反射膜の数としては特に限定されないが、本実施形態においては反射膜１１１及び１１２からなる対を４対積層している。反射膜１１１及び１１２の材料については、反射膜１１１の方が反射膜１１２よりも音響インピーダンスが高い限り特に限定されないが、対となる反射膜１１１及び１１２のうち、基板１０１側に位置する反射膜１１１については窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いることが好ましく、下部電極１０２側に位置する反射膜１１２については酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いることが好ましい。反射膜１１１の材料として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いる場合には、これをスパッタリング法により形成することが好ましく、反射膜１１２の材料として酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いる場合には、これをＣＶＤ法により形成することが好ましい。反射膜１１１及び１１２の厚さについては目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／４程度にそれぞれ設定することが好ましい。波長とは、バルク波の音速と、目的とする共振周波数との比（音速／共振周波数）によって定義することができる。
【００２０】
次に、図２（ａ），（ｂ）に示すように、音響多層膜１１０の表面に導電膜を形成し、これをパターニングすることによって下部電極１０２を形成する（第１の工程）。
【００２１】
図２（ａ）に示すように、下部電極１０２は、薄膜バルク波共振器形成領域１００ａに設けられた電極本体部１０２ａと、ダイシング領域１００ｂに設けられた格子状の短絡電極部１０２ｂと、電極本体部１０２ａと短絡電極部１０２ｂとを接続する接続部１０２ｃとを有している。このような構成により、各電極本体部１０２ａは接続部１０２ｃを介して短絡電極部１０２ｂに共通接続されることになる。尚、本実施形態では、各薄膜バルク波共振器形成領域１００ａ内に２つの電極本体部１０２ａを設けた例を示している。
【００２２】
このような平面形状を有する下部電極１０２の形成方法としては、まず真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて音響多層膜１１０の全表面に導電膜を形成し、さらに導電膜の表面に所定のパターンを有するレジストを形成した後、これをマスクとしてイオンミリング等のエッチング法を用いてこの導電膜をパターニングすればよい。ここで、下部電極１０２の電極本体部１０２ａは、薄膜バルク波共振器の一方の電極として用いられる他、次の工程で形成される圧電膜の下地となる膜であり、圧電膜の材料としてＡｌＮ、ＺｎＯ、ＧａＮなどのウルツァイト型結晶構造を有する圧電材料を用いる場合、下部電極１０２としては、面心立方構造の（１１１）面、または、最密六方構造の（０００１）面に単一配向した金属薄膜を用いることが好ましい。これは、面心立方構造の（１１１）面に単一配向した金属薄膜や、最密六方構造の（０００１）面に単一配向した金属薄膜を下部電極１０２として用いれば、その上部に形成される圧電材料の結晶性がエピタキシャル成長により非常に良好となるからである。
【００２３】
下部電極１０２の材料としては、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）およびルテニウム（Ｒｕ）の少なくとも１種を主成分とすることが好ましい。このうち、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）およびロジウム（Ｒｈ）は面心立方構造となり、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）およびルテニウム（Ｒｕ）は最密六方構造となる。これらの金属は表面を清浄に保ちやすく、また汚染された場合にもアッシングや熱処理等によって清浄な表面を得やすいという利点を有している。下部電極１０２の表面が清浄であると、次に形成される圧電膜を容易に結晶性良く形成することが可能となる。
【００２４】
下部電極１０２としては、このほかにもモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などの体心立方構造の金属薄膜や、ＳｒＲｕＯ３などのペロブスカイト型構造の酸化物導電体薄膜なども用いることができる。
【００２５】
下部電極１０２の厚さについても目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／１０程度に設定することが好ましい。
【００２６】
尚、下部電極１０２と音響多層膜１１０との密着性を向上させるべく、これらの間に密着層を介在させることもまた好ましい。密着層はウルツァイト型結晶構造を有する結晶によって構成することが望ましく、その材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等の３族元素から選ばれる少なくとも１種の元素と窒素との化合物や、ベリリウム（Ｂｅ）、亜鉛（Ｚｎ）等の２族元素の酸化物や硫化物が好ましい。特に、ＡｌＮは大気中で安定であり、反応性スパッタリング法により高い結晶性を有する膜を容易に形成することができることから、密着層の材料として最も好ましい。
【００２７】
次に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、薄膜バルク波共振器形成領域１００ａに圧電膜１０３を形成する（第２の工程）。ここで、ダイシング領域１００ｂの少なくとも一部（本実施形態では全部）は、圧電膜１０３が形成されない窓部１０３ａとなり、窓部１０３ａからは下部電極１０２の短絡電極部１０２ｂが露出した状態となる。
【００２８】
このような平面形状を有する圧電膜１０３の形成方法としては、ダイシング領域１００ｂを覆う格子状のマスクを介して、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により圧電膜１０３を選択的に形成することが特に好ましい。或いは、音響多層膜１１０及び下部電極１０２が形成された基板１０１上の全面に圧電膜１０３を形成し、薄膜バルク波共振器形成領域１００ａをレジストで覆った後、これをマスクとしてイオンミリング等のエッチング法を用いて圧電膜１０３をパターニングしても構わない。但し、前者の方法（格子状のマスクを用いて圧電膜１０３を選択的に形成する方法）の方が、工程数が少なくなるという利点がある。
【００２９】
圧電膜１０３の材料としては、上述の通り、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ等のウルツァイト型結晶構造を有する圧電材料を用いることができる。圧電膜１０３の材料として、ＡｌＮやＺｎＯなどのウルツァイト型結晶構造を持つ圧電材料を用いる場合、その形成方法としては、ＲＦマグネトロンスパッタリングやＤＣスパッタリング、ＥＣＲスパッタリングなどのスパッタリング法や、ＣＶＤ（化学気相成長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法又は真空蒸着法を用いることが好ましく、中でもスパッタリング法、特にＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いることがより好ましい。これは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いることにより、ＡｌＮやＺｎＯからなるｃ軸単一配向の高結晶性薄膜を容易に形成できるからである。ＡｌＮを用いる場合には、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いることが好ましい。この場合、カソードにはＡｌ金属を用い、Ａｒと窒素のガスを導入して、２００℃程度の基板温度で反応性ＲＦマグネトロンスパッタリングを行うことで、優れたＡｌＮ膜を形成することができる。ＥＣＲスパッタリング法を用いた場合でも不純物の極めて少ない高結晶性薄膜が作製できる。
【００３０】
圧電膜１０３の厚さについても目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／２程度に設定することが好ましい。
【００３１】
尚、温度特性の改善等を目的として圧電膜１０３上にＳｉＯ２等からなる絶縁膜を形成する場合も、下部電極１０２の短絡電極部１０２ｂが窓部１０３ａにおいて露出した状態とする必要がある。このような絶縁膜についても、窓部１０３ａを覆う格子状のマスクを介して、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により選択的に形成することが好ましい。もちろん、全面に絶縁膜を形成し、その後パターニングすることによって窓部１０３ａを開口させても構わないが、格子状のマスクを用いて絶縁膜を選択的に形成する方が、工程数が少なくなる。
【００３２】
次に、図４及び図５に示すように、圧電膜１０３等が形成された基板１０１上の全面に導電膜を形成し、これをパターニングすることによって上部電極１０４を形成する（第３の工程）。
【００３３】
図４に示すように、上部電極１０４は、下部電極１０２の電極本体部１０２ａ上に設けられた電極本体部１０４ａと、ダイシング領域１００ｂに設けられた格子状の短絡電極部１０４ｂと、電極本体部１０４ａと短絡電極部１０４ｂとを接続する接続部１０４ｃと、最終的に電極パッドとなる端子部１０４ｄとを有している。このような構成により、各電極本体部１０４ａは接続部１０４ｃを介して短絡電極部１０４ｂに共通接続されることになる。尚、本実施形態では、下部電極１０２の一つの電極本体部１０２ａ上に３つの電極本体部１０４ａを設けた例を示している。ここで、上部電極１０４の短絡電極部１０４ｂは、ダイシング領域１００ｂに設けられていることから、下部電極１０２の短絡電極部１０２ｂとの平面的な位置が一致しており、このため、窓部１０３ａを介して下部電極１０２の短絡電極部１０２ｂと上部電極１０４の短絡電極部１０４ｂとが短絡された状態となる。
【００３４】
このような平面形状を有する上部電極１０４の形成方法としては、まず真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて圧電膜１０３が形成された基板１０１上の全面に導電膜を形成し、その表面に所定のパターンを有するレジストを形成した後、これをマスクとしてイオンミリング等のエッチング法を用いて導電膜をパターニングすればよい。ここで、圧電膜１０３上に上述した絶縁膜が形成されている場合には、これをエッチングストッパーとして利用することが可能である。
【００３５】
上部電極１０４の材料としては、高い導電性を有する材料である限り特に限定されない。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属やこれらの金属と銅（Ｃｕ）等との合金、あるいはこれらの金属とチタン（Ｔｉ）等の金属を積層した多層膜を用いることができる。上部電極１０４の厚さについても目的とする共振周波数に応じて設定すればよく、波長の１／１０程度に設定することが好ましい。
【００３６】
以上により、薄膜バルク波共振器の前駆体である「薄膜バルク波共振器ウェハ１００」が完成する。薄膜バルク波共振器ウェハ１００では、上述の通り、圧電膜１０３に設けられた連続的な窓部１０３ａを介して、下部電極１０２の短絡電極部１０２ｂと上部電極１０４の短絡電極部１０４ｂとが短絡されていることから、下部電極１０２と上部電極１０４とが確実に同電位となる。これにより、以後の工程において下部電極１０２と上部電極１０４との間で放電が発生するおそれが無くなる。
【００３７】
このようにして上部電極１０４を形成した後は、上部電極１０４を覆う保護膜等を形成し、最後にダイシング領域１００ｂに沿って、つまり窓部１０３ａに沿って基板１０１を切断（ダイシング）することにより、個々の薄膜バルク波共振器形成領域１００ａを分割し、薄膜バルク波共振器を取り出す（第４の工程）。上述の通り、ダイシング領域１００ｂの幅は切りしろよりも狭く設定されていることから、ダイシング領域１００ｂに沿って基板１０１をダイシングすると、下部電極１０２の短絡電極部１０２ｂ及び上部電極１０４の短絡電極部１０４ｂは完全に除去される。これにより、下部電極１０２の電極本体部１０２ａと上部電極１０４電極本体部１０４ａは、完全に分離される。以上により、薄膜バルク波共振器が完成する。
【００３８】
このようにして作製された薄膜バルク波共振器は、上述の通り、下部電極１０２と上部電極１０４とが短絡された状態で製造プロセス（上部電極１０４を覆う保護膜の形成や、基板１０１のダイシング等）が進められることから、製造過程において圧電膜１０３を貫通する放電が発生することがない。このため、圧電膜１０３が非常に薄く、５ＧＨｚ以上といった高い共振周波数を持つ薄膜バルク波共振器を製造する場合においても、高い信頼性を得ることができるばかりでなく、高い製品歩留まりを得ることも可能となる。
【００３９】
図６は、上記の製造工程を経て作製された薄膜バルク波共振器の等価回路図である。
【００４０】
図６に示すように、作製された薄膜バルク波共振器は、直列接続された４つの共振器１２１〜１２４と、並列接続された２つの共振器１２５，１２６からなる２段のＴ型回路構成を有しており、端子部１０４ｄにインダクタンス素子等を接続することにより、フィルタとして利用することが可能となる。
【００４１】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４２】
例えば、上記実施形態では圧電膜１０３の窓部１０３ａがダイシング領域１００ｂに沿って連続的に形成されているが、下部電極１０２の電極本体部１０２ａと上部電極１０４電極本体部１０４ａとを短絡している限り、図７に示すように、窓部１０３ａをダイシング領域１００ｂに沿って断続的に形成しても構わない。
【００４３】
また、上記実施形態では、下部電極１０２の全ての電極本体部１０２ａと上部電極１０４の全ての電極本体部１０４ａとを共通に短絡しているが、薄膜バルク波共振器ウェハ１００内をいくつかのエリアに分割し、両者をエリアごとにエリア内で短絡しても構わない。さらに、全ての電極本体部１０２ａ及び１０４ａが短絡電極部１０２ｂ及び１０４ｂに接続されていることは必須でなく、短絡電極部１０２ｂ又は１０４ｂに接続されていない電極本体部１０２ａ又は１０４が存在していても構わない。
【００４４】
さらに、上記実施形態では、基板１０１と下部電極１０２との間に音響多層膜１１０を形成しているが、本発明において音響多層膜を形成することは必須でない。また、本発明が対象とする薄膜バルク波共振器が上記実施形態に示したタイプに限定されるものではなく、図８に示すようなダイヤフラム構造を有する薄膜バルク波共振器に対しても本発明の適用が可能である。図８に示す薄膜バルク波共振器は、ビアホール４１ａを有する基板４１と、基板４１上に設けられたバッファ層４２と、バッファ層４２上に設けられた下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた圧電膜１３と、圧電膜１３上に設けられた上部電極１４とを備えて構成されており、バッファ層４２は、ビアホール４１ａをエッチング加工する際のエッチングストッパ層として機能する。このような構造を有する薄膜バルク波共振器を製造する場合も、図示しないが圧電膜１３に窓部を形成しておき、この窓部を介して下部電極１２と上部電極１４とを短絡することによって、製造過程における放電の発生を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の好ましい実施形態による薄膜バルク波共振器の製造方法の一工程（音響多層膜１１０の形成）を示す図であり、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態による薄膜バルク波共振器の製造方法の一工程（下部電極１０２の形成）を示す図であり、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ線に沿った略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態による薄膜バルク波共振器の製造方法の一工程（圧電膜１０３の形成）を示す図であり、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ線に沿った略断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態による薄膜バルク波共振器の製造方法の一工程（上部電極１０４の形成）を示す略平面図である。
【図５】図４のＤ−Ｄ線に沿った略断面図である。
【図６】作製された薄膜バルク波共振器の等価回路図である。
【図７】窓部１０３ａをダイシング領域１００ｂに沿って断続的に形成した例を示す略平面図である。
【図８】ダイヤフラム構造を有する薄膜バルク波共振器４０の構造を示す略断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１２      下部電極
１３      圧電膜
１４      上部電極
４０      薄膜バルク波共振器
４１ａ    ビアホール
４１      基板
４２      バッファ層
１００    薄膜バルク波共振器ウェハ
１００ａ  薄膜バルク波共振器形成領域
１００ｂ  ダイシング領域
１０１    基板
１０２    下部電極
１０２ａ  下部電極の電極本体部
１０２ｂ  下部電極の短絡電極部
１０２ｃ  下部電極の接続部
１０３    圧電膜
１０３ａ  窓部
１０４    上部電極
１０４ａ  上部電極の電極本体部
１０４ｂ  上部電極の短絡電極部
１０４ｃ  上部電極の接続部
１０４ｄ  端子部
１１０    音響多層膜
１１１，１１２  反射膜
１２１〜１２６  共振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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