(57)【要約】【課題】  水、液体ＣＶＤ原料、または固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料を、安定して所望の濃度及び流量で効率よく気化し、半導体製造装置に供給するための気化器及び気化方法を提供する。【解決手段】  液体原料の気化室、液体原料を該気化室に供給するための噴出管、気化ガス排出口、及び該気化室の加熱手段を備えた気化器であって、気化室内に細孔を有する固体充填物が充填された気化器とする。また、前記気化器を用いて、水、ＣＶＤ原料等の液体原料を気化する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体原料の気化室、液体原料を該気化室に供給するための噴出管、気化ガス排出口、及び該気化室の加熱手段を備えた気化器であって、気化室内に細孔を有する固体充填物が充填されてなることを特徴とする気化器。
【請求項２】
固体充填物の比表面積が１００ｍ２／ｇ以上である請求項１に記載の気化器。
【請求項３】
固体充填物が、活性炭、セラミックス、焼結金属、多孔質金属、または合成樹脂である請求項１に記載の気化器。
【請求項４】
噴出管が内管と外管からなる二重構造で構成された請求項１に記載の気化器。
【請求項５】
二重構造の噴出管の内管が液体原料を気化室へ噴出するための管であり、外管がキャリアガスを気化室へ噴出するための管である請求項４に記載の気化器。
【請求項６】
液体原料を、加熱された細孔を有する固体充填物と接触させて、気化することを特徴とする気化方法。
【請求項７】
液体原料が水である請求項６に記載の気化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置等にガス状の液体原料を供給するための気化器及び気化方法に関する。さらに詳細には、水、液体ＣＶＤ原料、または固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料を、安定して所望の濃度及び流量で効率よく気化し、半導体製造装置に気化供給するための気化器及び気化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体分野においては、液体ＣＶＤ原料、あるいは固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させた液体ＣＶＤ原料とともに、高純度の水が原料として使用されることがある。例えば、水蒸気とシラン系ガスを用いて、減圧ＣＶＤ法により基板上にＳｉＯ２の酸化膜を製膜する方法（特開平８−２７９５０４）が知られている。このような方法で酸化膜を製膜する場合には、液体ＣＶＤ原料、あるいは固体ＣＶＤ原料の場合と同様に、水を極めて高い純度に維持しながら、所望の濃度及び流量で効率よく気化し、半導体製造装置に供給する必要がある。
【０００３】
水を気化供給する方法としては、高純度の水を加熱するとともに水中にキャリアガスを導入し、バブリングして水の一部を気化させ、キャリアガスと水の混合ガスを、気体マスフローコントローラーで流量制御して半導体製造装置に供給する方法が用いられてきた。しかし、この方法では気化条件を安定させることが難しく、一定の濃度及び流量の原料ガスを得ることが困難なため、現在では他の液体原料と同様に、水を液体流量制御器で流量制御して気化器に供給し、気化器内で気化させて半導体製造装置に供給する方法が多く行なわれている。
【０００４】
従来から、半導体に用いられる一般的な液体原料の気化器として、液体原料の品質を低下させることなく、安定して効率よく気化できる気化器が開発されてきた。このような気化器としては、例えば、気化室の形状が鉛直線を軸とする球形、楕球形、樽形、円筒形、円錐形、円錐台形、半球形であり、気化室の中央部には形状が気化室の形状に略相似形であり加熱手段が付与された突起が設けられた気化器、ＣＶＤ原料供給部の内部が耐腐食性合成樹脂で構成され、外部が金属で構成された気化器、気化室内に熱伝導性及び耐腐食性が良好な粉体が充填された気化器等がある。
【特許文献１】特開平４−４５８３８号公報
【特許文献２】特開平５−３３７３５７号公報
【特許文献３】特開２０００−３１５６８６号公報
【特許文献４】特開２００３−１３２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記の気化器は、液体ＣＶＤ原料あるいは固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料を気化するために開発されたものであり、また、水は液体ＣＶＤ原料または有機溶媒と比較して単位体積当たりの気化熱がかなり大きい等、物性が大きく異なるため、前記のような気化器をそのまま用いて気化供給した場合は、液体ＣＶＤ原料の気化供給と比較して、濃度及び流量等のコントロールが難しく、半導体薄膜の均一性に悪影響を及ぼす虞があるという不都合があった。例えば、気化室の中央部に加熱手段が付与された突起が設けられた気化器、あるいは、気化室内に熱伝導性及び耐腐食性が良好な粉体が充填された気化器を用いて、水を効率よく加熱することを試みても、液体ＣＶＤ原料あるいは有機溶媒と比較して、気化器内の圧力変動が大きくなり、水を安定した濃度及び流量で供給することができなかった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、水等の液体原料を安定して所望の濃度及び流量で効率よく気化し、半導体製造装置に供給するための気化器及び気化方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、水は同体積の液体ＣＶＤ原料あるいは有機溶媒と比較して、気化熱が数倍大きいこと、及び、気化室内に熱伝導性があり細孔を有する固体充填物、好ましくは高比表面積を有する固体充填物を充填し、水を加熱された前記固体充填物に接触させることにより、水が極めて効率よく加熱され、安定して所望の濃度及び流量で気化できることを見出し本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、液体原料の気化室、液体原料を該気化室に供給するための噴出管、気化ガス排出口、及び該気化室の加熱手段を備えた気化器であって、気化室内に細孔を有する固体充填物が充填されてなることを特徴とする気化器である。
また、本発明は、液体原料を、加熱された細孔を有する固体充填物と接触させて、気化することを特徴とする気化方法である。
【０００８】
本発明は、水を半導体製造装置に気化供給するのに適した気化器及び気化方法であるが、水のほか、液体ＣＶＤ原料、または固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料を、半導体製造装置に気化供給するために適用することも可能である。
本発明の気化器及び気化方法において、水以外に適用できるＣＶＤ原料は、常温、常圧で液体であっても、また固体を溶媒に溶解したものであっても、液状を保持し得るものであれば特に制限はなく、用途に応じて適宜選択、使用される。
【０００９】
例えば、テトラiso-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4）、テトラn-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）4）、テトラtert-ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4）、テトラn-ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ4Ｈ9）4）、テトラメトキシバナジウム（Ｖ（ＯＣＨ3）4）、トリメトキシバナジルオキシド（ＶＯ（ＯＣＨ3）3）、ペンタエトキシニオブ（Ｎｂ（ＯＣ2Ｈ5）5）、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）、トリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ3）3）、トリiso-プロポキシアルミニウム（Ａｌ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）3）、テトラエトキシケイ素（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトラエトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトラメトキシスズ（Ｓｎ（ＯＣＨ3）4）、トリメトキシリン（Ｐ（ＯＣＨ3）3）、トリメトキシホスフィンオキシド（ＰＯ（ＯＣＨ3）3）、トリエトキシヒ素（Ａｓ（ＯＣ2Ｈ5）3）、トリエトキシアンチモン（Ｓｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）等の常温、常圧で液体のアルコキシドを挙げることができる。
【００１０】
また、前記のほかに、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）、ジメチルアルミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3）2Ｈ）、トリiso-ブチルアルミニウム（Ａｌ（iso-Ｃ4Ｈ9）3）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＳｉ（ＣＨ3）3）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅アリルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）3）、ビス（iso-プロピルシクロペンタジエニル）タングステンジハライド（（iso-Ｃ3Ｈ7Ｃ5Ｈ5）2ＷＨ2）、テトラジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）、ペンタジメチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（ＣＨ3）2）5）、ペンタジエチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）5）、テトラジメチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）、テトラジエチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）等の常温、常圧で液体の原料を例示することができる。
【００１１】
さらに、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）、ジメチルペントオキシ金（Ａｕ（ＣＨ3）2（ＯＣ5Ｈ7））、ビスマス（III）ターシャリーブトキシド（Ｂｉ（ＯｔＢｕ）3）、ビスマス（III）ターシャリーペントキシド（Ｂｉ（ＯｔＡｍ）3）、トリフェニルビスマス（ＢｉＰｈ3）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ（ＥｔＣｐ）2）、（エチルシクロペンタジエニル）（トリメチル）白金（Ｐｔ（ＥｔＣｐ）Ｍｅ3）、1,5-シクロオクタジエン（エチルシクロペンタジエニル）イリジウム（Ｉｒ（ＥｔＣｐ）（ｃｏｄ））、ビス（ヘキサエトキシタンタル）ストロンチウム（Ｓｔ［Ｔａ（ＯＥｔ）6］2）、ビス（ヘキサイソプロポキシタンタル）ストロンチウム（Ｓｔ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6］2）、トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ランタン（Ｌａ（ＤＰＭ）3）、トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）イットリウム（Ｙ（ＤＰＭ）3）、トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ルテニウム（Ｒｕ（ＤＰＭ）3）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）バリウム（Ｂａ（ＤＰＭ）2）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ストロンチウム（Ｓｒ（ＤＰＭ）2）、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（ＤＰＭ）4）、テトラキス（1-メトキシ-2-メチル-2-プロポキシ）チタン（Ｔｉ（ＭＭＰ）4）、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＤＰＭ）4）、テトラ（2,6,-ジメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＤＭＨＤ）4）、テトラキス（1-メトキシ-2-メチル-2-プロポキシ）ジルコニウム（Ｚｒ（ＭＭＰ）4）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）鉛（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、（ジ-ターシャリーブトキシ）ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3.5.ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（ＯｔＢｕ）2（ＤＰＭ）2）、（ジ-イソプロポキシ）ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（ＤＰＭ）2）、（イソプロポキシ）トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＯｉＰｒ）（ＤＰＭ）3）、（ジ-イソプロポキシ）トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト）タンタル（Ｔａ（ＯｉＰｒ）2（ＤＰＭ）3）等の常温、常圧で固体の原料を例示することができる。ただし、これらは通常０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度の濃度で有機溶媒に溶解して使用する必要がある。
【００１２】
固体ＣＶＤ原料の溶媒として用いられる前記有機溶媒は、通常はその沸点温度が４０℃〜１４０℃の有機溶媒である。それらの有機溶媒として、例えば、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等のケトン、プロピルアミン、ブチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリエチルアミン等のアミン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素等を挙げることができる。
【００１３】
次に、本発明の気化器を、図１〜図３に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
図１は本発明の気化器の一例を示す縦断面図、図２は図１における噴出管２近辺の拡大図、図３は本発明の気化器を適用した気化供給装置の一例を示す構成図である。
本発明の気化器は、図１に示すように、液体原料の気化室１、液体原料を気化室に供給するための噴出管２、気化ガス排出口３、及び気化室の加熱手段（ヒーター等）４を備えた気化器であって、気化室内に細孔を有する固体充填物５が充填されてなる気化器である。
【００１４】
本発明の気化器において使用される固体充填物は、活性炭、セラミックス、焼結金属、多孔質金属、合成樹脂等の材質からなるものである。但し、液体原料として、腐食性を有するＣＶＤ原料あるいは有機溶媒を使用する場合は、耐腐食性の材質のものが選定される。また、固体充填物の形状としては、球形、楕球形、樽形、円筒形、円錐形、円錐台形、半球形、またはこれらに類似する形状、若しくはペレット状、粉状のものを例示することができる。固体充填物の大きさは、球形に換算して通常は０．１〜１０ｍｍ程度であるが、噴出管の内部に入らないように、液体原料の噴出口の内径（二重構造の噴出管を使用する場合は内管及び外管の噴出口の間隙）より大きいことが好ましい。
【００１５】
また、本発明における固体充填物は、比表面積が通常は１００ｍ２／ｇ以上、好ましくは２００ｍ２／ｇ以上である。固体充填物の比表面積が１００ｍ２／ｇ未満の場合は、液体原料と加熱された固体充填物の接触効率が悪くなり、特に液体原料が水の場合は、細かい水滴が均一に加熱、気化されにくくなり、気化器内の圧力変動が大きくなる原因となる。このようなことから、水または腐食性を有しない液体原料を気化する場合は、前述の固体充填物の材質のうちでも、一般的に高い比表面積を有する活性炭を用いることが好ましい。
【００１６】
本発明の気化器において、前述の固体充填物を充填する気化室の内壁の形状は、通常は円柱形またはこれに類似する形状であるが、球形、楕球形、樽形、円錐形、円錐台形、半球形、またはこれらに類似する形状、若しくはこれらを組合せた形状とすることもできる。しかし、気化効率を向上させるため、液体原料の噴出管の噴出口から気化ガス排出口までの流路を細長くすることが好ましい。また、気化室の構成材料は、通常は炭素鋼、マンガン鋼、クロム鋼、モリブデン鋼、ステンレス鋼、ニッケル鋼、チタン鋼等の金属である。
【００１７】
本発明の気化器において、液体原料の噴出管の形態には特に制限はないが、例えば、図２に示すように、通常は内管８と外管９からなる二重構造で構成され、気化器外部から液体原料供給管６が二重構造の噴出管の内側流路１０に接続され、キャリアガス供給管７が二重構造の噴出管の外側流路１１に接続され、液体原料及びキャリアガスが気化室へ噴出される構成とされる。あるいは、液体原料とキャリアガスが混合されて一重構造の噴出管の噴出口から気化室に噴出される構成とすることもできる。
【００１８】
前記のような一重構造あるいは二重構造の噴出管は、通常は気化室側に突出した構成とされる。二重構造の噴出管を使用する場合、さらに内管の気化室噴出口は、外管の気化室噴出口よりも気化室側に突出した構成であることが好ましい。また、噴出管は、図１に示すように、その先端が固体充填物の充填部に挿入されるように設置されることが好ましい。従って、固体充填物は、通常は気化室内の空間の８０〜１００％を占めるように充填される。尚、液体原料の噴出管は、図１に示すように、気化室の上部に設置するほか、気化室の側面に設置して側面から液体原料を噴出させる構成とすることもできる。
【００１９】
また、本発明の気化器においては、液体原料の種類、供給量、気化ガス濃度、その他の操作条件等に応じて所望の温度に設定できるような加熱手段が付与される。加熱手段の設置形態については、気化室を精度良く加熱保温できれば特に限定されることがなく、例えばヒーターが気化器側面の構成部等に内蔵されて設けられる。
尚、本発明の気化器は、例えば図３に示すように、水等の液体原料１３が封入された液体原料容器１４、脱ガス器１５、液体マスフローコントローラー１６、半導体製造装置２１等に接続して使用される。
【００２０】
本発明の気化方法は、前述のような気化器を用いて、水、ＣＶＤ原料等の液体原料を気化する方法である。すなわち、液体原料を加熱された細孔を有する固体充填物と接触させて気化する方法である。
本発明の気化方法は、通常は気化器が図３に示すように気化供給装置に設置された後、不活性ガス供給ライン１２から供給される不活性ガスの圧力により、液体原料が液体流量制御部を経由してキャリアガスとともに気化器に供給され、気化器でガス状にされることにより実施される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の気化器は、気化室内に細孔を有する固体充填物、好ましく高比表面積を有する固体充填物が充填されており、液体原料を加熱された前記固体充填物と接触させて気化する構成である。従って、本発明の気化器においては、水、ＣＶＤ原料等の液体原料を極めて効率よく加熱することができ、安定して所望の濃度及び流量で気化することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【実施例１】
【００２３】
（気化器の製作）
内径２０ｍｍ、高さ３００ｍｍの気化室、液体原料を気化室に供給するための二重構造の噴出管、気化ガス排出口、及びヒーターを備え、気化室に固体充填物として活性炭を充填した図１に示すようなステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の気化器を製作した。噴出管は、内管の内径が０．８ｍｍ、外径が１．６ｍｍ、外管の内径が２．０ｍｍであった。また、活性炭は、径が０．７ｍｍの球形のもの（比表面積：１０００ｍ２／ｇ）を、気化室の最上部まで充填した。これにより、噴出管の内管の先端が１０ｍｍ程度活性炭に埋まった。また、気化室内のガス圧力を測定するための圧力計を設けた。
【００２４】
（気化供給試験）
前記の気化器を、図３に示すように、純水が充填された原料容器、脱ガス器、液体マスフローコントローラー、キャリアガス供給ライン等に接続し、さらに気化器の気化ガス排出口には、気化ガス中の水を捕取するための液体窒素冷却トラップを設けて、以下のように気化供給試験を行なった。
【００２５】
不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、気化供給装置内を窒素雰囲気にした後、気化室を常圧、１４０℃の温度とした。次に、水を噴出管の内側流路へ５ｇ／ｍｉｎの流量で供給するとともに、窒素を噴出管の外側流路へ１０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給し、気化室で水を気化させた。６０分間継続して気化を行ない、この間の水の気化率、及び気化室内の圧力変動を測定した。その結果を表１に示す。尚、表１中の圧力変動は、５分毎に最大変動率を測定し、これらを平均した値である。（圧力は約５回／分で変動した。）
【００２６】
実施例２、３
実施例１の気化器の製作において、固体充填物として、径が０．４ｍｍの球形の２種類の活性炭（比表面積：３００ｍ２／ｇ（実施例２）、６００ｍ２／ｇ（実施例３））を用いたほかは実施例１と同様にして気化器を製作した。
これらの気化器を用いた以外は実施例１と同様にして気化供給試験を行なった。その結果を表１に示す。
【００２７】
実施例４〜６
実施例１の気化器の製作において、固体充填物として、径が０．５〜０．７ｍｍの略球形の３種類のアルミナ粉（比表面積：５０ｍ２／ｇ（実施例４）、１２０ｍ２／ｇ（実施例５）、２５０ｍ２／ｇ（実施例６））を用いたほかは実施例１と同様にして気化器を製作した。
これらの気化器を用いた以外は実施例１と同様にして気化供給試験を行なった。その結果を表１に示す。
【００２８】
実施例７
実施例６と同様の気化器を用いて以下のように気化供給試験を行なった。
不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、気化供給装置内を窒素雰囲気にした後、気化室を常圧、１６０℃の温度とした。次に、液体ＣＶＤ原料としてテトラメトキシケイ素（ＴＭＯＳ）を噴出管の内側流路へ１．５ｇ／ｍｉｎの流量で供給するとともに、窒素を噴出管の外側流路へ３０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給し、気化室で液体ＣＶＤ原料を気化させた。６０分間継続して気化を行ない、この間の液体ＣＶＤ原料の気化率、及び気化室内の圧力変動を、実施例１と同様にして測定した。その結果を表１に示す。
【００２９】
比較例１
実施例１の気化器の製作において、固体充填物として、径が０．５〜０．７ｍｍの略球形の細孔を有しないアルミナ粉（比表面積：１ｍ２／ｇ以下）を用いたほかは実施例１と同様にして気化器を製作した。
この気化器を用いた以外は実施例１と同様にして気化供給試験を行なった。その結果を表１に示す。
【００３０】
比較例２
実施例１の気化器の製作において、固体充填物を用いなかったほかは実施例１と同様にして気化器を製作した。
この気化器を用いた以外は実施例１と同様にして気化供給試験を行なった。その結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
2005347598.tif 000003
【００３２】
以上のように、本発明の実施例の気化器は、比較例の気化器と較べて気化率が高く、気化室内の圧力変動が少なく、水等の液体原料が安定して効率よく気化されていることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の気化器の一例を示す縦断面図
【図２】図１における噴出管近辺の拡大図
【図３】本発明の気化器を適用した気化供給装置の一例を示す構成図
【符号の説明】
【００３４】
１  気化室
２  噴出管
３  気化ガス排出口
４  加熱手段
５  固体充填物
６  液体原料供給管
７  キャリアガス供給管
８  噴出管の内管
９  管噴出管の外管
１０  噴出管の内側流路
１１  噴出管の外側流路
１２  不活性ガス供給ライン
１３  液体原料
１４  液体原料容器
１５  脱ガス器
１６  液体マスフローコントローラー
１７  断熱材
１８  気化器
１９  気体マスフローコントローラー
２０  キャリアガス供給ライン
２１  半導体製造装置
【図１】
2005347598.tif 000004
【図２】
2005347598.tif 000005
【図３】
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