(57)【要約】【課題】スプリアス励振が低減され、特性が向上し、耐久性が向上した薄膜音響共振器を提供する。【解決手段】下方電極層２３及び上方電極層２１の間に圧電体薄膜層２２を挟み込むように積層し、更に下方電極層２３に密着電極層２４を接合してなる挟み込み構造体を有する。密着電極層２４は基板１１に挟み込み構造体の振動を許容するように形成された窪み１２の周囲において環状に形成されて基板１１と接合されている。密着電極層２４の下方電極層２３と接する部分の平面面積をＳ１とし、下方電極層２３の平面面積をＳ２としたとき、０．０１×Ｓ２≦Ｓ１≦０．５×Ｓ２の関係が成り立つ。密着電極層２４はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａより選ばれる少なくとも一種を含む材料で構成されており、下方電極層２３はＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏより選ばれる少なくとも一種を含む材料で構成されている。【選択図】      図１
2005233981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に配置され該基板側の下方電極層及びこれと対をなす上方電極層の間に圧電体薄膜層を挟み込むように積層してなる挟み込み構造体とを備える薄膜音響共振器であって、
前記挟み込み構造体は更に前記下方電極層と前記基板との間に位置し且つ前記下方電極層と接合された密着電極層を有しており、該密着電極層は前記基板に前記挟み込み構造体の振動を許容するように形成された窪みの周囲において前記基板と接合されていることを特徴とする薄膜音響共振器。
【請求項２】
前記密着電極層は環状に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜音響共振器。
【請求項３】
前記密着電極層の前記下方電極層と接する部分の平面面積をＳ１とし、前記下方電極層の平面面積をＳ２としたとき、０．０１×Ｓ２≦Ｓ１≦０．５×Ｓ２の関係が成り立つことを特徴とする、請求項１〜２のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項４】
前記上方電極層は前記密着電極層の内側に対応する領域に位置することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項５】
前記密着電極層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａより選ばれる少なくとも一種を含む材料で構成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項６】
前記下方電極層はＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏより選ばれる少なくとも一種を含む材料で構成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項７】
前記圧電体薄膜層はＡｌＮまたはＺｎＯで構成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜音響共振器。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの薄膜音響共振器を製造する方法であって、
窪みが形成されている基板の表面において前記窪みの周囲に密着電極層を形成し、該密着電極層より内側の前記窪みに対応する領域にて前記基板の表面上に犠牲層を形成し、該犠牲層の表面を研磨して高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下となるように平滑化し、前記犠牲層及び前記密着電極層の上に下方電極層、圧電体薄膜層及び上方電極層を順次形成し、しかる後に前記犠牲層を除去することを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法。
【請求項９】
前記犠牲層の形成は、先ず前記基板及び前記密着電極層を覆うように犠牲層材料の層を形成し、次いで該犠牲層材料の層を前記密着電極層の表面が露出するように研磨することで行われることを特徴とする、請求項８に記載の薄膜音響共振器の製造方法。
【請求項１０】
前記犠牲層の除去はエッチングにより行われることを特徴とする、請求項８〜９のいずれかに記載の薄膜音響共振器の製造方法。
【請求項１１】
前記犠牲層としてガラス又はプラスチックを用いることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の薄膜音響共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜音響共振器に関し、更に詳細に記せば、通信機用フィルタとして使用できる薄膜音響共振器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器のコストおよび寸法を減らす必要性から、その回路構成要素としてのフィルタの寸法を小さくする試みが、一貫して続けられている。セル式電話およびミニチュア・ラジオのような民生用電子装置は、内蔵される構成要素の大きさおよびコストの双方に関して厳しい要求を受けている。これらの電子装置に含まれる回路は、精密な周波数に同調させなければならないフィルタを利用している。したがって、廉価でコンパクトなフィルタを提供する努力が、絶えず続けられている。
【０００３】
低価格及び小型化という要求を満たす可能性のある一つのフィルタは、薄膜音響共振器を用いて構成されたものである。薄膜音響共振器は、圧電体薄膜材料内のバルク弾性音響波を利用している。薄膜音響共振器の一つの簡単な構成では、圧電体薄膜材料の層が二つの金属電極の間に挟み込まれた挟み込み構造を形成している。この挟み込み構造は、周辺部を支持され中央部が空中に吊された橋架け構造により支持される。二つの電極の間に印加される電圧により電界が発生すると、圧電体薄膜材料は、電気エネルギーの幾らかを音波の形の機械エネルギーに変換する。音波は、電界と同じ方向に伝播し、電極／空気境界面で反射する。
【０００４】
機械的に共振している時、薄膜音響共振器は電気共振器の役割を果たし、したがって、これを用いてフィルタを構成することができる。薄膜音響共振器の機械的共振は、音波が伝播する材料の厚さが音波の半波長と等しくなる周波数で発生する。音波の周波数は、電極に印加される電気信号の周波数に等しい。音波の速度は光の速度より５〜６桁小さいから、得られる共振器を極めてコンパクトにすることができる。このため、ＧＨｚ帯の用途のための共振器を、平面寸法２００ミクロン未満、厚さ数ミクロン未満の構造で構成することができる。
【０００５】
以上のような薄膜音響共振器すなわち薄膜バルク音響共振器（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ：以下ＦＢＡＲという）、及び上記挟み込み構造を積層した形態の積層型薄膜音響共振器すなわち積層型薄膜バルク音響共振器およびフィルタ（Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ｗａｖｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ  ａｎｄ  Ｆｉｌｔｅｒｓ：以下ＳＢＡＲという）において、挟み込み構造の中心部はスパッタ法により作製された厚さ約１〜２ミクロン程度の圧電体薄膜である。上方および下方の電極は、電気リードとして働き、圧電体薄膜を挟み込んで圧電体薄膜を貫く電界を与える。圧電体薄膜は、電界エネルギーの一部を力学エネルギーに変換する。時間変化する印加電界エネルギーに応答して、時間変化する「応力／歪み」エネルギーが形成される。
【０００６】
ＦＢＡＲまたはＳＢＡＲを薄膜音響共振器として動作させるには、圧電体薄膜を含む挟み込み構造を橋架け構造により支持して、音波を挟み込み構造内に閉じ込めるための空気／結晶境界面を形成しなければならない。挟み込み構造は、通常、基板表面上に下方電極、圧電体薄膜層、および上方電極をこの順に堆積させることにより作られる。したがって、挟み込み構造の上側には、空気／結晶境界面が既に存在している。挟み込み構造の下側にも空気／結晶境界面を設けなければならない。この挟み込み構造の下側の空気／結晶境界面を得るのに、従来、以下に示すような幾つかの方法が用いられている。
【０００７】
第１の方法は、例えば特開昭５８−１５３４１２号公報に記載のように、基板を形成しているウェーハのエッチング除去を利用している、基板がシリコンからなるものであれば、加熱ＫＯＨ水溶液を使用してシリコン基板の一部を裏側からエッチングして取り去って孔を形成する。これにより、挟み込み構造の縁をシリコン基板の前面側において孔の周囲の部分で支持した形態を有する共振器が得られる。しかし、このようなウェーハを貫いて開けられた孔は、ウェーハを非常に繊細にし、且つ、非常に破壊しやすくする。更に、基板表面に対して５４．７度のエッチング傾斜でＫＯＨを用いた湿式エッチングを行うと、最終製品の取得量、即ち、ウェーハ上のＦＢＡＲ／ＳＢＡＲの歩留まりの向上が困難である。たとえば、２５０μｍ厚さのシリコンウェーハの上に構成される約１５０μｍ×１５０μｍの横寸法（平面寸法）を有する挟み込み構造は、約４５０μｍ×４５０μｍの裏側エッチング孔開口を必要とする。したがって、ウェーハの約１／９を生産に利用できるだけである。
【０００８】
挟み込み構造の下に空気／結晶境界面を設ける従来の第２の方法は、例えば特開平２−１３１０９号公報に記載のように、空気ブリッジ式ＦＢＡＲ素子を作ることである。通常、最初に犠牲層（Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  ｌａｙｅｒ）を設置し、次にこの犠牲層の上に挟み込み構造を作製する。プロセスの終りまたは終り近くに犠牲層を除去する。処理はすべてウェーハの前面側で行われるから、この方法は、ウェーハ両面側の位置合わせも大面積の裏側開口も必要としない。
【０００９】
特開２０００−６９５９４号公報には、犠牲層として燐酸石英ガラス（ＰＳＧ）を使用した空気ブリッジ式ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲの構成と製造方法とが記載されている。同公報においては、ＰＳＧ層がシリコンウェーハ上に堆積されている。ＰＳＧは、シランおよびホスフィン（ＰＨ3 ）を使用して約４５０℃までの温度で堆積され、燐含有量約８％である軟ガラス様物質を形成する。ＰＳＧは、比較的低温で堆積させることができ、且つ、希釈Ｈ2 Ｏ：ＨＦ溶液で非常に高い速度でエッチングされる。
【００１０】
しかしながら、同公報においては、ＰＳＧ犠牲層の表面粗度を示す高さのＲＭＳ（２乗平均平方根）変動が０．５μｍ未満と記載されているものの、具体的には０．１μｍより小さいオーダーのＲＭＳ変動の具体的記載はない。この０．１μｍオーダーのＲＭＳ変動は、原子的にみると非常に粗い凹凸である。ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ形式の薄膜音響共振器は、結晶が電極平面に垂直な柱状晶を成して成長する圧電体材料を必要とする。特開２０００−６９５９４号公報では、ＰＳＧ層の表面に平行な導電シートを形成しており、該導電シートの高さのＲＭＳ変動は２μｍ未満と記載されているものの、具体的には０．１μｍより小さいオーダーのＲＭＳ変動の具体的記載はない。この０．１μｍオーダーのＲＭＳ変動は、薄膜音響共振器用の圧電体薄膜を形成する表面としては不十分な表面粗さである。圧電体薄膜を成長させる試みが行われたが、粗面上の多数の凹凸の影響で多様な方向に結晶が成長するので、得られた圧電体薄膜の結晶品質は必ずしも十分でなかった。
【００１１】
以上のような空気／結晶境界面を設ける代わりに、適切な固体音響ミラーを設ける方法もある。この方法は、例えば特開平６−２９５１８１号公報に記載のように、挟み込み構造の下に音響的ブラッグ反射鏡からなる大きな音響インピーダンスが作り出される。ブラッグ反射鏡は、高低の音響インピーダンス材料の層を交互に積層することにより作られる。各層の厚さは共振周波数の波長の１／４に固定される。十分な層数により、圧電体／電極境界面における有効インピーダンスを、素子の音響インピーダンスよりはるかに高くすることができ、したがって、圧電体内の音波を有効に閉じ込めることができる。この方法により得られる音響共振器は、挟み込み構造の下に空隙が存在しないので、固体音響ミラー取付け共振器（ＳＭＲ）といわれる。
【００１２】
この方法は、周辺部が固定され中心部が自由に振動できる膜を作るという前述の第１の方法及び第２の方法の問題を回避しているが、この方法にも多数の問題点がある。即ち、金属層はフィルタの電気性能を劣化させる寄生コンデンサを形成するのでブラッグ反射鏡の層に使用できないから、ブラッグ反射鏡に使用する材料の選択には制限がある。利用可能な材料から作られる層の音響インピーダンスの差は大きくない。したがって、音波を閉じ込めるには、多数の層が必要である。この方法は、各層にかかる応力を精密に制御しなければならないので、製作プロセスが複雑である。また、１０ないし１４といった多数の層を貫くバイアを作るのは困難であるから、この方法により得られる音響共振器は他の能動要素との集積化には不都合である。更に、これまでに報告された例では、この方法により得られる音響共振器は、空気ブリッジを有する音響共振器より有効結合係数がかなり低い。その結果、ＳＭＲに基づくフィルタは、空気ブリッジ式の音響共振器を用いたものに比較して、有効帯域幅が狭い。
【００１３】
ところで、上記のように、薄膜音響共振器においては、時間変化する印加電界エネルギーに応答して、挟み込み構造に時間変化する「応力／歪み」エネルギーが形成される。従って、基板と挟み込み構造の下方電極との間の密着力が低い場合には、基板と挟み込み構造とが剥離して耐久性が低下し即ち薄膜音響共振器の寿命が短くなる。
【００１４】
上記の特開２０００−６９５９４号公報等には、好適な電極材料としてＭｏが記載されているが、基板となるシリコンウェーハ等との更なる密着性の向上に関する特別の記載はない。
【００１５】
また、例えば特開平２−３０９７０８号公報等には、下方電極層としてＡｕ／Ｔｉ等の２層からなるものを用いることが記載されている。この場合、Ｔｉ層はＡｕ層と基板との密着性を高める層として存在している。即ち、このＴｉ密着層は薄膜音響共振器の本来の動作の点からは必須の電極層ではないが、Ｔｉ密着層を形成せずにＡｕ電極層を単独で形成した場合には、基板とＡｕ電極層との間の密着力が乏しくなり、剥離等の発生により薄膜音響共振器の動作時の耐久性を著しく損なうこととなる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような薄膜音響共振器では、電極面に対し直角の方向に伝搬する所要の縦方向振動の他に、電極面に平行の方向に伝搬する横方向振動も存在し、この横方向振動のうちには薄膜音響共振器の所要の振動にスプリアスを励振して共振器の特性を劣化させるものがある。
【００１７】
本発明の目的は、改良された性能を有するＦＢＡＲ／ＳＢＡＲを提供することである。
【００１８】
本発明の他の目的は、特にスプリアス励振が低減されたＦＢＡＲ／ＳＢＡＲを提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、下方電極層と基板との密着性（接合強度）を向上させることでＦＢＡＲ／ＳＢＡＲの耐久性を向上させ長寿命化を図ることにある。
【００２０】
本発明の更なる目的は、下方電極層と基板との密着性を向上させると共に、下方電極層上での結晶品質及び配向性の良好な圧電体薄膜の形成を可能とすることで、電気機械結合係数や音響品質係数（Ｑ値）などに優れた高性能なＦＢＡＲ／ＳＢＡＲを提供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
基板と、該基板上に配置され該基板側の下方電極層及びこれと対をなす上方電極層の間に圧電体薄膜層を挟み込むように積層してなる挟み込み構造体とを備える薄膜音響共振器であって、
前記挟み込み構造体は更に前記下方電極層と前記基板との間に位置し且つ前記下方電極層と接合された密着電極層を有しており、該密着電極層は前記基板に前記挟み込み構造体の振動を許容するように形成された窪みの周囲において前記基板と接合されていることを特徴とする薄膜音響共振器、
が提供される。
【００２２】
本発明の一態様においては、前記密着電極層は環状に形成されており、前記密着電極層の前記下方電極層と接する部分の平面面積をＳ１とし、前記下方電極層の平面面積をＳ２としたとき、０．０１×Ｓ２≦Ｓ１≦０．５×Ｓ２の関係が成り立ち、前記上方電極層は前記密着電極層の内側に対応する領域に位置している。
【００２３】
本発明の一態様においては、前記密着電極層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａより選ばれる少なくとも一種を含む材料で構成されており、前記下方電極層はＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏより選ばれる少なくとも一種を含む材料で構成されており、前記圧電体薄膜層はＡｌＮまたはＺｎＯで構成されている。
【００２４】
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
窪みが形成されている基板の表面において前記窪みの周囲に密着電極層を形成し、該密着電極層より内側の前記窪みに対応する領域にて前記基板の表面上に犠牲層を形成し、該犠牲層の表面を研磨して高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下となるように平滑化し、前記犠牲層及び前記密着電極層の上に下方電極層、圧電体薄膜層及び上方電極層を順次形成し、しかる後に前記犠牲層を除去することを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法、が提供される。
【００２５】
本発明において、高さのＲＭＳ変動は、日本工業規格ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１「製品の幾何特性仕様（ＧＰＳ）−表面性状：輪郭曲線方式−用語、定義及び表面性状パラメータ」に記載の二乗平均平方根粗さ：Ｒｑである。
【００２６】
本発明の一態様においては、前記犠牲層の形成は、先ず前記基板及び前記密着電極層を覆うように犠牲層材料の層を形成し、次いで該犠牲層材料の層を前記密着電極層の表面が露出するように研磨することで行われ、前記犠牲層の除去はエッチングにより行われ、前記犠牲層としてガラス又はプラスチックを用いる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】
図１および図２は、それぞれ、本発明による薄膜音響共振器であるＦＢＡＲおよびＳＢＡＲの断面図である。
【００２９】
図１において、ＦＢＡＲ２０は、上方電極層２１、下方電極層２３及び密着電極層２４を備え、これらは圧電体薄膜層２２の一部を挟み込んで挟み込み構造体を形成している。圧電体薄膜層２２の好適な材料は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。ＦＢＡＲ２０に使用される密着電極層２４は、好適にはＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａから作られるが、他の材料を使用することも可能である。上方及び下方の電極層２１，２３は、好適にはＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏから作られるが、他の材料を使用することも可能である。挟み込み構造体は、基板１１の上面に形成された窪み１２の周囲において該基板１１上に密着電極層２４が位置するようにして、配置されている。
【００３０】
この素子は、圧電体薄膜層内のバルク弾性音響波の作用を利用している。印加電圧により二つの電極２１，２３の間に電界が生ずると、圧電体薄膜は電気エネルギーの一部を音波の形の機械的エネルギーに変換する。音波は電界と同じ方向に伝播し、電極／空気境界面で反射される。
【００３１】
機械的に共振している時、素子は電気共振器として機能し、したがって、素子は、ノッチフィルタとして動作することができる。素子の機械的共振は、音波が伝播する材料の厚さが当該音波の半波長と等しくなる周波数において発生する。音波の周波数は電極２１，２３間に印加される電気信号の周波数である。音波の速度は光の速度より５〜６桁小さいから、得られる共振器を極めてコンパクトにすることができる。ＧＨｚ帯の用途に対する共振器を、平面寸法が約１００μｍ、厚さが数μｍのオーダーの寸法で構成することができる。
【００３２】
次に、図２を参照してＳＢＡＲについて説明する。ＳＢＡＲ４０は、帯域フィルタと類似の電気的機能を与える。ＳＢＡＲ４０は、基本的には機械的に結合されている二つのＦＢＡＲフィルタである。圧電体薄膜層４２の共振周波数で密着電極層２４及び下方電極層４５と電極層４４とを横断する信号は、音響エネルギーを圧電体薄膜層４１に伝える。圧電体薄膜層４１内の機械的振動は、電極層４４と電極層４３とを横断する電気信号に変換される。
【００３３】
図３〜図９は、本発明による薄膜音響共振器であるＦＢＡＲの製造方法及びそれにより得られたＦＢＡＲの実施形態を説明するための模式的断面図（図３〜図８）及び模式的平面図（図９）である。
【００３４】
先ず、図３に示されているように、集積回路製作に利用されている通常のシリコンウェーハ５１に、エッチングにより窪みを形成する。窪みの深さは好適には３〜３０μｍである。ＦＢＡＲの挟み込み構造体の下の空洞の深さは圧電体薄膜層により生ずる変位を許容すればよい。したがって、空洞の深さは数μｍあれば十分である。
【００３５】
ウェーハ５１の表面に熱酸化により酸化シリコンの薄層５３を形成し、これにより、その上に以後の工程で形成される犠牲層のＰＳＧからウェーハ５１内に燐が拡散しないようにする。このようにウェーハ５１内への燐の拡散を抑制することにより、シリコンウェーハが導体に変換されることが阻止され、作製された素子の電気的動作に対する悪影響をなくすことができる。以上のようにしてウェーハ５１の表面に酸化シリコン薄層５３を形成したものを、基板として用いる。即ち、図３は、基板の表面に深さが好適には３〜３０μｍの窪み５２を形成した状態を示す。
【００３６】
次に、図４に示されているように、基板上に窪み５２を取り囲むようにして密着電極層６１を接合形成する。密着電極層６１の上面の面積（平面面積）をＳ１とし、その上に形成する下方電極の平面面積をＳ２としたとき、Ｓ１が０．０１×Ｓ２≦Ｓ１≦０．５×Ｓ２の範囲内にあることが好ましい。Ｓ１＜０．０１×Ｓ２の場合には、基板と下方電極との密着力が弱くなり、本発明の効果が十分に発現しなくなる傾向にある。また、Ｓ１＞０．５×Ｓ２の場合には、密着電極層６１が薄膜音響共振器の動作に影響を与え、良好な共振特性が得られなくなる傾向にある。密着電極層６１の厚さは、その上に形成する下方電極層を保持するに十分なものであれば良く、例えば２０ｎｍから１μｍまでの範囲内であれば良い。また、密着電極層６１の材料は、好適には、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａより選ばれる少なくとも一種を含みさえすれば良い。
【００３７】
以上のように密着電極層６１を基板の窪み５２の周囲に設けることで、薄膜音響共振器における横方向の振動発生を抑制し、薄膜音響共振器の振動に余分なスプリアス振動が重なることを防止することができる。その結果、薄膜音響共振器およびフィルタの共振特性、品質係数が改善される。また、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏなどからなる下方電極層の中央部の下側には、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａなどからなる密着電極層６１が存在しないため、この部分では下方電極層の配向性及び結晶性を高めることができ、その結果、ロッキングカーブにおける回折ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）が小さく、配向性及び結晶品質に優れた圧電体薄膜層を形成できることが見出された。圧電体薄膜層の高配向性及び良質結晶化により、本発明の薄膜音響共振器およびフィルタの共振特性及び品質係数が改善される。
【００３８】
さて、次に、図５に示されているように、密着電極層６１の形成された基板の酸化シリコン薄層５３上にＰＳＧからなる犠牲層５５を堆積させる。ＰＳＧは、シランおよびホスフィン（ＰＨ3 ）を使用して約４５０℃までの温度で堆積され、燐含有量約８％の軟ガラス様物質を形成する。この低温形成プロセスは、当業者に周知である。ＰＳＧは、比較的低温で堆積させることができ、且つ、希釈Ｈ2 Ｏ：ＨＦ溶液で高速度でエッチングされる非常にクリーンな不活性材料であるから、犠牲層の材料として好適である。以後の工程で実行されるエッチングにおいて１０：１の希釈割合で毎分約３μｍのエッチング速度が得られる。
【００３９】
堆積したままのＰＳＧ犠牲層５５の表面は、原子レベルでみると非常に粗い。従って、堆積したままのＰＳＧ犠牲層５５は、薄膜音響共振器を形成する基体としては不十分である。ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ形式の薄膜音響共振器は、結晶が電極面に垂直な柱状晶を成して成長する圧電体材料を必要とする。微細な研磨粒子を含む研磨スラリーを用いてＰＳＧ犠牲層５５の表面を磨いて滑らかにすることにより、優れた配向性及び結晶品質を持つ下方電極層の形成が可能となり、ひいては優れた配向性及び結晶品質を持つ圧電体薄膜層の形成が可能となる。
【００４０】
即ち、図６に示されているように、ＰＳＧ犠牲層５５の表面を粗仕上げスラリーで磨くことにより平面化して、密着電極層６１の上に堆積したＰＳＧ層の部分を除去する。次に、残っているＰＳＧ層５５を更に微細な研磨粒子を含む精密仕上げスラリーを使用して磨くことができる。代替方法として、磨き時間が長くかかっても良ければ、一つの微細な精密仕上げスラリーを二つの磨きステップにて使用することもできる。目標は、「ミラー」状仕上げ（鏡面仕上げ）を実現することである。
【００４１】
以上のようにして実行された研磨の後の基板のクリーニングも重要である。スラリーは基板上に少量のシリカ粗粉を残すので、この粗粉を除去せねばならない。本発明の好適な実施形態では、このシリカ粗粉の除去をポリテックス（Ｐｏｌｙｔｅｘ（商標）：ロデール・ニッタ社）のような堅いパッドの付いた第２の研磨具を使用して行う。その際の潤滑剤として、脱イオン水を使用し、磨いてから最終クリーニングステップの準備が完了するまで基板を脱イオン水中に入れておく。基板を、最後の磨きステップと最後のクリーニングステップとの間で乾燥させないように注意する。最後のクリーニングステップは、基板を色々な化学薬品の入っている一連のタンクに漬けることから成る。各タンクでは超音波撹拌が加えられる。このようなクリーニング手段は当業者には周知である。
【００４２】
研磨剤は、シリカ微粒子から構成されている。本発明の好適な実施形態では、シリカ微粒子のアンモニア主体スラリー（Ｒｏｄｅｌ  Ｋｌｅｂｏｓｏｌ＃３０Ｎ：ローデル・ニッタ社）を利用する。
【００４３】
以上の説明では特定の研磨およびクリーニングの様式を示したが、必要な滑らかさの表面を与えるどんな研磨およびクリーニングの様式をも利用することができる。本発明の好適な実施形態では、最終表面は、原子間力顕微鏡プローブで測った高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ未満の表面粗度である。
【００４４】
以上のようにして表面を平滑にし、さらに密着電極層６１の表面をプラズマエッチングにより清浄化処理した後、図７に示されているように、挟み込み構造体６０の下方電極層６２を堆積させる。下方電極層６２の好適な材料は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏである。この下方電極層６２の配向性及び結晶性が、その上に形成される圧電体薄膜層６３の配向性及び結晶品質に反映される。
【００４５】
下方電極層６２の厚さも重要である。厚い層は、薄い層より表面が粗くなる。上記のように、圧電体薄膜層６３の堆積のための滑らかな表面を維持することは、得られる共振器の性能にとって非常に重要である。したがって、下方電極層６２の厚さは、好適には２００ｎｍ未満である。Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏは好適にはスパッタリングにより堆積される。この方法により、表面の高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ未満の表面粗度の下方電極層６２が得られる。
【００４６】
下方電極層６２を堆積し終わってから、下方電極層６２の周囲に残ったＰＳＧ犠牲層を除去し、圧電体薄膜層６３を堆積する。圧電体薄膜層６３の好適な材料は、ＡｌＮまたはＺｎＯであり、これもスパッタリングにより堆積される。本発明の好適な実施形態では、圧電体薄膜層６３の厚さは、０．１μｍから１０μｍの間、好ましくは０．５μｍから２μｍの間にある。
【００４７】
最後に、上方電極層６４を堆積させる。上方電極層６４は、下方電極層６２と同様な材料から構成され、好適にはＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏから構成される。
【００４８】
以上のようにして、密着電極層６１、下方電極層６２、圧電体薄膜層６３及び上方電極層６４の接合されたものからなり所要の形状にパターニングされた挟み込み構造体６０を形成してから、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの乾式エッチング法により、上方電極層６４の周辺部から下方へ向かって、該上方電極層６４、圧電体薄膜層６３及び下方電極層６２を通って犠牲層５５にまで到達するような貫通小孔を開け、希釈Ｈ2 Ｏ：ＨＦ溶液でエッチングすることにより、挟み込み構造体６０の下方のＰＳＧを除去する。これにより、図８及び図９に示されているように、窪み５２の上に橋架けされた挟み込み構造体６０が残る。即ち、挟み込み構造体６０は、基板の表面に形成された窪み５２の周囲に密着電極層６１が位置し、窪み５２をまたぐようにして、縁部が基板により支持されている。
【００４９】
以上のようにして得られた薄膜音響共振器においては、挟み込み構造体６０のの周辺部では密着電極層６１の分だけ質量が大きくなるので、横方向の振動発生が抑制され、薄膜音響共振器の振動に余分なスプリアス振動の重なりが生ずるのを防止することができる。また、窪み５２の周囲に密着電極層６１を形成することにより、従来空洞上に単独では堆積できなかったＡｕ、Ｐｔなどからなる下方電極層を堆積することが可能となり、Ｗ、Ｍｏなどからなる下方電極層についても下地基板との密着性が改善される。
【００５０】
また、以上のような薄膜音響共振器の製造方法によれば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏなどからなる下方電極層６２の中央部をシリカガラス、燐酸石英ガラスなどのガラス質の犠牲層上に形成するので、従来のＴｉ等からなる密着層上にＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏなどの電極層を全体的に形成する場合よりも、下方電極層の配向性及び結晶性が優れたものとなり、ロッキングカーブにおける回折ピーク半値幅（ＦＷＨＭ）の小さな良質な結晶膜が得られる。このようにして下方電極層６２の配向性及び結晶品質を改良することにより、その上に形成される圧電体薄膜層の配向性及び結晶品質の向上が実現される。
【００５１】
以上の実施形態は、ＦＢＡＲに関するものである。しかし、当業者には、以上の説明から、同様なプロセスを用いてＳＢＡＲを作製することが可能であることが明らかであろう。ＳＢＡＲの場合には、もう一つの圧電体層（第２の圧電体層）およびその上の電極層を堆積しなければならない。第２の圧電体層は上記実施形態で示されているような「ＦＢＡＲ」の上方電極層の上に形成されているから、この上方電極層の厚さをも例えば１００ｎｍに維持して第２の圧電体層を堆積するための適切な表面状態を与えるようにする。例えば、高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ未満の表面粗度である平滑な表面とするのが好ましい。
【００５２】
本発明の上述の実施形態では、ＰＳＧから構成された犠牲層を利用しているが、犠牲層には他の材料をも使用することができる。例えば、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ−Ｐｈｏｓｐｈｏｒ−ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ：ボロン−燐−シリコン−ガラス）または、スピン・ガラスのような他の形態のガラスを利用することもできる。これ以外にも、スピニングにより基板上に堆積できるポリビニール、ポリプロピレン、およびポリスチレンのようなプラスチックがある。これらの材料から犠牲層を構成する場合にも、ＰＳＧ犠牲層の場合のように、研磨による表面平滑化が重要である。これらの犠牲層は、有機除去材あるいはＯ2 プラズマエッチングによって取り去ることもできる。
【００５３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
【００５４】
（実施例１）
図３〜図９に記載されているようにして、薄膜音響共振器を作製した。
【００５５】
まず、Ｓｉウェーハ５１の表面をＳｉＯ2 保護膜により被覆し、エッチングにより該保護膜を窪み形成のための所定のパターン状に形成し、Ｓｉウェーハ５１のエッチングのためのマスクを形成した。その後、該マスクを用いて湿式エッチングを行い、図３に示されているように、深さ２０μｍの窪みを形成した。エッチングは、エッチング液として５ｗｔ％のＫＯＨ水溶液を用い、液温７０℃で行った。その後、熱酸化により、ウェーハ５１の表面に再度ＳｉＯ2 層５３を形成した。これにより、Ｓｉウェーハ５１及びＳｉＯ2 層５３からなる基板上に窪み５２の形成されている構造を得た。
【００５６】
その後、基板の表面（上面）にＣｒ膜を形成し、該Ｃｒ膜のうちの窪み５２の周囲を取り囲む部分のみを環状に残すようにようパターンエッチングした。これにより、図４に示されているように、窪み５２の周囲を取り囲むようにＣｒ膜からなる密着電極層６１が形成された。Ｃｒ膜の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタガスとしてＡｒを用い、基板温度を室温として行った。Ｃｒ密着電極層６１は、上面の下方電極層との接触面となる平面の面積（Ｓ１）が４５００μｍ2 で、膜厚が１００ｎｍとなるように形成された。
【００５７】
その後、図５に示されているように、窪み５２の形成されているＳｉＯ2 層５３及びＣｒ密着電極層６１の上に、シランおよびおよびホスフィン（ＰＨ3 ）を使用して４５０℃でＰＳＧを堆積させた。
【００５８】
次いで、図６に示されているように、堆積したＰＳＧの表面を研磨して密着電極層６１の上のＰＳＧ層の部分を除去し、続いてＰＳＧ層５５の表面を微細な研磨粒子を含むスラリーを用いて研磨し、逆スパッタリング処理によりＣｒ密着電極層６１の表面を清浄化した。これにより、ＰＳＧ犠牲層５５の表面は、高さのＲＭＳ変動が８ｎｍとなる表面粗さであった。
【００５９】
その後、図７に示されているように、Ｃｒ密着電極層６１及びＰＳＧ犠牲層５５の上に、Ａｕからなる下方電極層６２を形成した。該下方電極層６２のパターニングにはリフトオフ法を採用し、Ｃｒ密着電極層６１の外周縁に対応する外周縁を有する所定形状の下方電極層６２を得た。Ａｕ膜の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタガスとしてＡｒを用い、基板温度を室温として行った。下方電極層６２は、平面面積が２７２２５μｍ2 で、膜厚が１００ｎｍととなるように形成された。得られたＡｕ膜の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は７ｎｍであった。
【００６０】
次に、下方電極層６２の周囲に残ったＰＳＧ犠牲層を除去し、下方電極層６２上にＺｎＯからなる圧電体薄膜層６３を形成した。ＺｎＯ膜の形成は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタリングターゲットとしてＺｎＯを用い、スパッタガスとしてＡｒ：Ｏ2 が９：１のＡｒ−Ｏ2 混合ガスを用い、スパッタガス圧を５ｍＴｏｒｒとし、基板温度を４００℃として行った。ＺｎＯ膜の膜厚は１．０μｍであった。得られたＺｎＯ膜の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は４ｎｍであった。
【００６１】
続いて、ＺｎＯ圧電体薄膜層６３を湿式エッチングして、結合電極引き出しに必要な開口部以外はＣｒ密着電極層６１の外周縁及び下方電極層６２の外周縁に対応する外周縁を有する所定形状にパターニングした。そして、ＺｎＯ圧電体薄膜６３上にＡｕからなる上部電極層６４を形成した。該上部電極層６４は、リフトオフ法によるパターニングで、外周縁がＣｒ密着電極層６１の内周縁より内側となるような所定形状とされた（図９参照）。Ａｕ膜の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタガスとしてＡｒを用い、基板温度を室温として行った。Ａｕ膜の膜厚は１００ｎｍとした。
【００６２】
次いで、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、上方電極層６４の周辺部から下方へ向かって、該上方電極層６４、圧電体薄膜層６３及び下方電極層６２を通って犠牲層５５まで貫通する小さな穴を開け、希釈Ｈ2 Ｏ：ＨＦ溶液でエッチングすることによりＰＳＧ犠牲層５５を除去した。これにより、図８に示されているように、窪み５２の上にＣｒ／Ａｕ／ＺｎＯ／Ａｕの挟み込み構造体６０が橋架けされた形態を形成した。得られた挟み込み構造体６０について、スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板との間での剥離は観察されなかった。
【００６３】
得られたＺｎＯ圧電体薄膜層６３について、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、膜のｃ軸は膜面内に対して８８．６度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、（０００２）ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）は２．３度であり、良好な配向性を示していた。
【００６４】
また、このようにして得られた図８及び図９に示される薄膜音響共振器について、マイクロ波プローバを使用して、上方電極層６４と下方電極層６２及び密着電極層６１との間のインピーダンス特性を測定するとともに、共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａを測定し、これらの測定値に基づき電気機械結合係数ｋt2を算出した。このとき、スプリアスは励振せず、電気機械結合係数係数ｋt2は５．５％で音響的品質係数は１１４５であった。実施例１において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００６５】
（実施例２）
密着電極層６１としてＣｒに代えてＴｉからなるものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして薄膜音響共振器を作製した。Ｔｉ膜の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタリングターゲットとしてＴｉを用い、スパッタガスとしてＡｒを用い、基板温度を室温として行った。Ｔｉ膜の膜厚は、２０ｎｍとした。得られたＺｎＯ圧電体薄膜層６３の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は９ｎｍであった。スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離は観察されなかった。また、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＺｎＯ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して８９．２度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は２．１度と良好な配向性を示していた。
【００６６】
このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスの励振はなく、電気機械結合係数ｋt2は５．９％で、音響的品質係数は７７２であった。実施例２において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００６７】
（実施例３）
下方電極層６２及び上方電極層６４としてＡｕに代えてＰｔからなるものを用い且つＣｒ密着電極層６１の厚みを６０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして薄膜音響共振器を作製した。Ｐｔ膜の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタリングターゲットとしてＰｔを用い、スパッタガスとしてＡｒを用い、基板温度を室温として行った。Ｐｔ膜の膜厚は１００ｎｍとした。得られたＺｎＯ圧電体薄膜層６３の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は６ｎｍであった。スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離は観察されなかった。また、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＺｎＯ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して８８．８度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は２．５度と良好な配向性を示していた。
【００６８】
このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスの励振はなく、電気機械結合係数ｋt2は５．２％で、音響的品質係数は８９８であった。実施例３において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００６９】
（実施例４）
密着電極層６１としてＣｒに代えてＮｉからなるものを用い、その平面面積Ｓ１を１５０００μｍ2 に広げて下方電極層６２の平面面積Ｓ２との比率Ｓ１／Ｓ２を０．５５にしたこと以外は、実施例１と同様にして薄膜音響共振器を作製した。Ｎｉ膜の形成は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタリングターゲットとしてＮｉを用い、スパッタガスとしてＡｒを用い、基板温度を室温として行った。Ｎｉ膜の膜厚は５０ｎｍとした。得られたＺｎＯ圧電体薄膜層６３の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は１１ｎｍであった。スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離は観察されなかった。また、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＺｎＯ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して８９．０度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は２．９度と良好な配向性を示していた。
【００７０】
このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスの励振はなく、電気機械結合係数ｋt2は４．８％で、音響的品質係数は７０７であった。実施例４において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００７１】
（実施例５）
上方及び下方の電極層６２，６４としてＡｕに代えてＰｔからなるものを用い、圧電薄膜層６３としてＺｎＯに代えてＡｌＮからなるものを用い、且つＴｉ密着電極層６１の平面面積Ｓ１を４０００μｍ2 とし厚みを３０ｎｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして薄膜音響共振器を作製した。Ｐｔ膜の形成は、実施例３と同様に行った。また、ＡｌＮ膜の形成は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタリングターゲットとしてＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒ：Ｎ2 が１：１のＡｒ−Ｎ2 混合ガスを用い、基板温度を４００℃として行った。ＡｌＮ膜の膜厚は１．４μｍとした。得られたＡｌＮ膜の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は７ｎｍであった。スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離は観察されなかった。また、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＡｌＮ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して９０．０度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は２．７度と良好な配向性を示していた。
【００７２】
このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスの励振はなく、電気機械結合係数ｋt2は６．４％で、音響的品質係数は９８４であった。実施例５において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００７３】
（実施例６）
密着電極層６１としてＣｒからなるものを用い、上方及び下方の電極層６２，６４としてＭｏからなるものを用い、且つＣｒ密着電極層６１の平面面積Ｓ１を５０００μｍ2 とし厚みを４０ｎｍとしたこと以外は、実施例５と同様にして薄膜音響共振器を作製した。得られたＡｌＮ膜の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は５ｎｍであった。スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離は観察されなかった。また、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＡｌＮ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して８９．８度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は２．９度と良好な配向性を示していた。
【００７４】
このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスの励振はなく、電気機械結合係数ｋt2は６．１％で、音響的品質係数は１１４０であった。実施例６において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００７５】
（比較例１）
Ｓｉウェーハ５１及びＳｉＯ2 層５３からなる基板上に窪み５３の形成されている構造の上にＰＳＧを堆積させ、その表面を研磨して窪み５３以外の領域のＰＳＧ層の部分を除去し、窪み５３の領域のＰＳＧ層の表面を高さのＲＭＳ変動が８ｎｍとなるような表面粗さにし、その上にＣｒ膜及びＡｕ膜を形成し、これらの膜を同一形状にパターニングして、密着電極層６１を下方電極層６２の全面に接合した形態を得たこと以外は、実施例１と同様にして薄膜音響共振器を作製した。得られたＺｎＯ膜の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は３０ｎｍであった。スコッチテープによるピーリングテストを行ったところ、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離は観察されなかった。また、薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＺｎＯ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して８７．５度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は４．８度と実施例１に比べて２．５度ほどの劣化を示した。
【００７６】
また、このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスが励振し、電気機械結合係数ｋt2は２．５％で、音響的品質係数は４０４であった。比較例１において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００７７】
（比較例２）
密着電極層６１を設けなかったこと以外は、実施例１と同様にして薄膜音響共振器を作製した。得られたＺｎＯ膜の表面粗さを調べた結果、高さのＲＭＳ変動は２３ｎｍであった。薄膜ＸＲＤ分析を行った結果、ＺｎＯ圧電体薄膜層６３のｃ軸は膜面内に対して８８．４度の方向であり、ロッキングカーブにより配向度を調べた結果、ピークの半値幅は２．９度と実施例４と同等値を示したが、スコッチテープによるピーリングテストにおいて、基板と挟み込み構造体６０との間での剥離が観察された。
【００７８】
また、このようにして得られた薄膜音響共振器は、スプリアスが励振し、電気機械結合係数ｋt2は３．２で、音響的品質係数は４４６であった。比較例２において得られたＦＢＡＲの構成、密着強度および音響共振器としての特性を表１に示す。
【００７９】
【表１】
2005233981.tif 000003
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、下方電極層と基板との間に密着電極層を設けており、該密着電極層は基板に形成された窪みの周囲において基板と接合されているので、薄膜音響共振器における横方向の振動発生が抑制され、薄膜音響共振器の振動に余分なスプリアス振動が重なることが防止され、薄膜音響共振器およびフィルタの共振特性、品質係数が改善される。また、下方電極層の中央部の下側（すなわち密着電極層により囲まれた内側部分）には密着電極層が存在しないため、下方電極層の中央部を極めて平滑度の高い犠牲層表面上にて形成して配向性及び結晶性を高めることができ、これに基づき配向性及び結晶品質に優れた圧電体薄膜層を形成でき、電気機械結合係数や音響品質係数（Ｑ値）などに優れた高性能な薄膜音響共振器が提供される。更に、密着電極層を用いることで、下方電極層と基板との密着性（接合強度）を向上させることができ、下方電極層の材料選択の幅が広くなり、薄膜音響共振器の耐久性を向上させ長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＦＢＡＲの模式的断面図である。
【図２】本発明によるＳＢＡＲの模式的断面図である。
【図３】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図４】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図６】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図７】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図８】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図９】本発明によるＦＢＡＲ及びその製造方法を説明するための模式的平面図である。
【符号の説明】
１１    基板
１２，５２    窪み
２０，４０    薄膜音響共振器
２１，４３，４４，６４    上方電極層
２２，４１，４２，６３    圧電体薄膜層
２３，４５，６２    下方電極層
２４，６１    密着電極層
５１    シリコンウェーハ
５３    酸化シリコン層
５５    犠牲層（犠牲材料の層）
６０    挟み込み構造体
【図１】
2005233981.tif 000004
【図２】
2005233981.tif 000005
【図３】
2005233981.tif 000006
【図４】
2005233981.tif 000007
【図５】
2005233981.tif 000008
【図６】
2005233981.tif 000009
【図７】
2005233981.tif 000010
【図８】
2005233981.tif 000011
【図９】
2005233981.tif 000012