(57)【要約】【課題】  貫通電極等の突起物の先端部の平面的な研磨及び側面の研磨の何れをも容易且つ効率的に行うことができる突起物の研磨方法等を提供する。【解決手段】  半導体ウェハＷは薄板化されており、その裏面からは絶縁膜に覆われた複数の接続電極２８が突出している。治具４０の上面には接続電極２８に対応した位置に複数の凹部４２が形成されている。研磨を行う際には、治具４０に形成された凹部４２内に所定量の研磨液を供給し、接続電極２８の各々を凹部４２に嵌合させた状態で治具４０を所定の回転半径をもって揺動させる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体に形成された突起物を研磨する突起物の研磨方法であって、
前記突起物に対応して凹部が形成された治具の当該凹部に前記突起物を嵌合させて、前記物体と前記治具とを相対的に移動させながら前記突起物の先端部を平面的に研磨すると同時に前記突起物の側面を研磨することを特徴とする突起物の研磨方法。
【請求項２】
前記物体と前記治具との相対的な移動は、前記突起物の側面が前記凹部の内壁に沿うように行われることを特徴とする請求項１記載の突起物の研磨方法。
【請求項３】
前記物体と前記治具との相対的な移動は、前記治具及び前記物体の何れか一方を所定の回転半径をもって揺動させるように行われることを特徴とする請求項２記載の突起物の研磨方法。
【請求項４】
前記突起物の研磨は、前記突起物が前記治具の前記凹部に嵌合するよう前記治具上に前記物体を配置し、前記物体上に荷重を掛けつつ行うことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の突起物の研磨方法。
【請求項５】
前記突起物の研磨は、前記凹部に研磨用の研磨材を供給しつつ行うことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の突起物の研磨方法。
【請求項６】
前記治具に形成された前記凹部の内壁は、粗面にされていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の突起物の研磨方法。
【請求項７】
貫通孔が形成された半導体基板と、前記貫通孔の内側に形成された絶縁膜と、前記貫通孔内にて前記絶縁膜の内側に形成された貫通電極とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記貫通電極に対応して凹部が形成された治具の当該凹部に前記貫通電極を嵌合させて、前記半導体基板と前記治具とを相対的に移動させながら前記貫通電極の先端部を平面的に研磨すると同時に前記貫通電極の側面を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記研磨工程は、前記治具及び前記半導体基板の何れか一方を所定の回転半径をもって揺動させて、前記貫通電極の側面を前記凹部の内壁に沿わせることで前記貫通電極の先端部を平面的に研磨すると同時に前記貫通電極の側面を研磨することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の半導体装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置を備えたことを特徴とする回路基板。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、突起物の研磨方法、半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、回路基板、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Data Assistance）等の携帯性を有する電子機器は小型・軽量化が要求されており、この要求に伴って内部に設けられる半導体チップ等の各種の電子部品の小型化が図られている。例えば、半導体チップにおいては、そのパッケージング方法が工夫され、現在ではＣＳＰ（Chip Scale Package）といわれる超小型のパッケージングが案出されている。このＣＳＰ技術を用いて製造された半導体チップは、実装面積が半導体チップの面積と同程度で良いため、高密度実装を図ることができる。
【０００３】
上記の電子機器は、今後益々小型化及び多機能化が求められる傾向にあることから、半導体チップの実装密度を更に高める必要がある。かかる背景の下で、近年、三次元実装技術が提案されている。この三次元実装技術は、同様の機能を有する半導体チップ同士、又は異なる機能を有する半導体チップを積層し、各半導体チップ間を配線接続することで、半導体チップの高密度実装を図る技術である。
【０００４】
半導体チップの積層及び半導体チップ間の配線接続のため、三次元実装技術で用いられる半導体チップには表面と裏面とを貫通する接続電極が形成される。この接続電極の形成方法の概略は以下の通りである。つまり、まず半導体チップの基板の表面側に孔部を形成し、次に孔部内に電気的絶縁を図るための絶縁膜を形成する。その後、銅メッキ等によって絶縁膜が形成された孔部を埋め込み、基板の薄板化を行って埋め込んだ銅を基板の裏面側に突出させる。尚、かかる接続電極の形成方法については、例えば以下の特許文献１を参照されたい。
【０００５】
上記の方法で形成された接続電極は、基板の裏面側に突出した部分が絶縁膜に覆われているため、この絶縁膜を研削して接続電極そのものを露出させる必要がある。絶縁膜を研削する技術として、以下の特許文献２に開示された研磨ベルトを用いて研磨により除去する技術がある。また、以下の特許文献３には、研磨砥石を用いて基板を研磨する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−０５３２１８号公報
【特許文献２】特開平１０−２８２１８７号公報
【特許文献３】特開平１０−２０９０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した特許文献２，３に開示された研磨技術は何れも平面的に研磨を行うものである。このため、これらに開示された研磨技術を応用すれば、三次元実装構造に用いる半導体チップに形成された接続電極の先端部を平面的に研磨することができ、接続電極の先端部を覆っている絶縁膜を平面的に研削することができると考えられる。
【０００７】
しかしながら、積層される半導体チップの接続強度を向上させて信頼性を高めるために、半導体チップの裏面に突出している接続電極の側面を覆っている絶縁膜を研削することが要求されることがあるが、上記の研磨方法では接続電極の側面を覆う絶縁膜を研削することはできない。接続電極の側面の絶縁膜はエッチング処理を施せば研削することは可能であるが、工程数が多くなって製造効率が低下するとともに、エッチングを行うための装置及びエッチングガス又はエッチング液が必要になるため製造コストが上昇してしまうという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、貫通電極等の突起物の先端部の平面的な研磨及び側面の研磨の何れをも容易且つ効率的に行うことができる突起物の研磨方法及び半導体装置の製造方法、並びに、当該方法を用いて製造された半導体装置、当該半導体装置を備える回路基板及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の突起物の研磨方法は、物体に形成された突起物を研磨する突起物の研磨方法であって、前記突起物に対応して凹部が形成された治具の当該凹部に前記突起物を嵌合させて、前記物体と前記治具とを相対的に移動させながら前記突起物の先端部を平面的に研磨すると同時に前記突起物の側面を研磨することを特徴としている。
この発明によれば、物体に形成された突起物を治具の凹部に嵌合させて、物体と治具とを相対的に移動させるだけで、容易且つ効率的に突起物の先端部及び側面を研磨することができる。
また、本発明の突起物の研磨方法は、前記物体と前記治具との相対的な移動が、前記突起物の側面が前記凹部の内壁に沿うように行われることを特徴としている。
この発明によれば、突起物の側面が凹部の内壁に沿うように物体と治具とを相対的に移動させて突起物の先端部及び側面を研磨しているため、凹部の形状を突起部の断面形状に応じた形状とすれば種々の断面形状を有する突起部の先端部及び側面の研磨を行うことができる。
また、本発明の突起物の研磨方法は、前記物体と前記治具との相対的な移動が、前記治具及び前記物体の何れか一方を所定の回転半径をもって揺動させることで行われることを特徴としている。
この発明によれば、突起物を研磨するときに治具及び物体の何れか一方を所定の回転半径をもって揺動させることで突起物の側面を凹部の内壁に沿わせているため、突起物が円柱形状である場合に効率良く先端部及び側面の研磨を行うことができる。
また、本発明の突起物の研磨方法は、前記突起物の研磨が、前記突起物が前記治具の前記凹部に嵌合するよう前記治具上に前記物体を配置し、前記物体上に荷重を掛けつつ行うことを特徴としている。
この発明によれば、突起物を凹部に嵌合させて治具上に配置された物体上に荷重をかけつつ突起物の研磨を行っているため、凹部の底部に対する突起物の先端部の当接力が増大するとともに凹部の側壁に対する突起物の側面の当接力が増大する。これにより、単位時間当たりの研磨量を増大させることができるため、効率よく突起物を研磨することができる。
また、本発明の突起物の研磨方法は、前記突起物の研磨が、前記凹部に研磨用の研磨材を供給しつつ行うことを特徴としている。
この発明によれば、治具の凹部の研磨材を供給して突起物の研磨を行っているため、研磨材の種類を変えることで突起物の単位時間当たりの研磨量及び研磨の粗さを容易に調整することができる。
また、本発明の突起物の研磨方法は、前記治具に形成された前記凹部の内壁が、粗面にされていることを特徴としている。
この発明によれば、治具に形成された凹部の内壁自体が粗面にされているため、研磨材が無くとも突起部を研磨することができる。また、研磨材が不要であることから、研磨に要するコストを低下させることができる。
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔が形成された半導体基板と、前記貫通孔の内側に形成された絶縁膜と、前記貫通孔内にて前記絶縁膜の内側に形成された貫通電極とを備える半導体装置の製造方法であって、前記貫通電極に対応して凹部が形成された治具の当該凹部に前記貫通電極を嵌合させて、前記半導体基板と前記治具とを相対的に移動させながら前記貫通電極の先端部を平面的に研磨すると同時に前記貫通電極の側面を研磨する研磨工程を含むことを特徴としている。
この発明によれば、半導体基板に形成された貫通電極を治具の凹部に嵌合させて、半導体基板と治具とを相対的に移動させるだけで、貫通電極の先端部及び側面を研磨することができる。これによって、貫通電極の先端部及び側面を覆っている絶縁膜を容易且つ効率的に切削することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記研磨工程が、前記治具及び前記半導体基板の何れか一方を所定の回転半径をもって揺動させて、前記貫通電極の側面を前記凹部の内壁に沿わせることで前記貫通電極の先端部を平面的に研磨すると同時に前記貫通電極の側面を研磨することを特徴としている。
この発明によれば、貫通電極の先端部及び側面を研磨するときに治具及び半導体基板の何れか一方を所定の回転半径をもって揺動させることで貫通電極の側面を凹部の内壁に沿わせているため、貫通電極が円柱形状に形成されている場合に貫通電極の先端部及び側面を覆っている絶縁膜を容易且つ効率的に切削することができる。
本発明の半導体装置は、上記の半導体装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴としている。
この発明によれば、貫通電極の先端部及び側面の絶縁膜が除去されて絶縁膜から突出した状態の貫通電極が得られるため、この半導体装置を積層する際に貫通電極の接合面積の増大により積層する半導体装置の接合強度を高めることができる。この結果、高い信頼性を有する半導体装置を製造することができる。
本発明の回路基板は、上記の半導体装置を備えたことを特徴としている。
この発明によれば、高い接合強度をもって各貫通電極が確実に接続されているため、小型・堅牢・高信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
本発明の電子機器は、上記の半導体装置を備えたことを特徴としている。
この発明によれば、実装密度が高く、高い信頼性を有する半導体装置を備えていることから、電子機器の小型化及び軽量化を図ることもでき、更に信頼性の向上を図ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による突起物の研磨方法、半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、回路基板、及び電子機器について詳細に説明する。
【００１１】
〔半導体装置〕
図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の要部を示す断面図である。図１に示す通り、本発明の一実施形態による半導体装置（半導体チップ）１は、シリコンからなり、厚みが５０μｍ程度の基板１０と、この基板１０に形成された貫通孔Ｈ４内に絶縁膜２２を介して設けられた貫通電極としての接続電極２８とを備える。ここで、貫通孔Ｈ４は、基板１０の能動面側から裏面側にかけて貫通して形成されたものである。基板１０は、その能動面側にトランジスタやメモリ素子、その他の電子素子からなる集積回路（図示せず）を形成したものであり、この能動面側の表面に絶縁膜１２を形成し、さらにその上に硼酸珪酸ガラス（以下、ＢＰＳＧという）等からなる層間絶縁膜１４を形成したものである。
【００１２】
この層間絶縁膜１４の表面の所定箇所には、電極パッド１６が形成されている。この電極パッド１６は、Ｔｉ（チタン）等からなる第１層１６ａ、ＴｉＮ（窒化チタン）等からなる第２層１６ｂ、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）等からなる第３層１６ｃ、ＴｉＮ等からなる第４層（キャップ層）１６ｄがこの順に積層されて形成されたものである。尚、この電極パッド１６の構成材料については、電極パッド１６に必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更が可能である。例えば、集積化用の電極として一般に用いられるＡｌのみを用いて電極パッド１６を形成してもよく、また電気抵抗の低い銅のみを用いて電極パッド１６を形成してもよい。
【００１３】
ここで、電極パッド１６は半導体装置１の周辺部に配列して形成され、又はその中央部に配列して形成されており、これら電極パッド１６の下方には集積回路が形成されないようになっている。これら電極パッド１６を覆うようにして、上記層間絶縁膜１４の表面にはパッシベーション膜１８が形成されている。パッシベーション膜１８は、酸化珪素や窒化珪素、ポリイミド樹脂等から形成されたもので、例えば１μｍ程度の厚さに形成されたものである。
【００１４】
また、電極パッド１６の中央部にはパッシベーション膜１８の開口部Ｈ１が形成され、さらに電極パッド１６の開口部Ｈ２も形成されている。尚、開口部Ｈ１の内径は１００μｍ程度に形成されており、開口部Ｈ２の内径は開口部Ｈ１の内径よりも小さい６０μｍ程度に形成されている。一方、パッシベーション膜１８の表面並びに開口部Ｈ１及び開口部Ｈ２の内面には、ＳｉＯ２等からなる絶縁膜２０が形成されている。このような構成により、電極パッド１６の中央部には、絶縁膜２０、層間絶縁膜１４、絶縁膜１２、及び基板１０を貫通する孔部Ｈ３が形成されている。孔部Ｈ３の内径は、開口部Ｈ２の内径より小さく、例えば５０μｍ程度に形成されている。尚、孔部Ｈ３は、本実施形態では平面視円形状であるものの、これに限定されることなく、例えば平面視矩形状であってもよい。
【００１５】
孔部Ｈ３の内壁面及び絶縁膜２０の表面には、ＳｉＯ２等からなる絶縁膜２２が形成されている。この絶縁膜２２は、電流リークの発生、酸素や水分等による浸食等を防止するためのものであり、本実施形態では例えば１μｍ程度の厚さに形成されている。また、絶縁膜２２は、特に孔部Ｈ３の内壁面を覆っている側において、その一端側が基板１０の裏面から突出した状態となっている。
【００１６】
一方、電極パッド１６の第３層１６ｃの表面に形成された絶縁膜２０及び絶縁膜２２は、開口部Ｈ２の周縁に沿って一部除去されており、露出した電極パッド１６の第３層１６ｃの表面及び絶縁膜２２の表面（内面）には、下地膜２４が形成されている。下地膜２４は、絶縁膜２２等の表面（内面）に形成されたバリア層（バリアメタル）と、バリア層の表面（内面）に形成されたシード層（シード電極）とによって構成されたものである。バリア層は、後述する接続電極２８形成用の導電材料が基板１０に拡散するのを防止するためのもので、ＴｉＷ（チタンタングステン）やＴｉＮ（窒化チタン）等によって形成されたものである。一方、シード層は、後述する接続電極２８をメッキ処理によって形成する際の電極になるもので、ＣｕやＡｕ（金），Ａｇ（銀）等によって形成されたものである。
【００１７】
このような下地膜２４の内側には、ＣｕやＷ等の電気抵抗が低い導電材料からなる接続電極２８が、開口部Ｈ１、開口部Ｈ２、及び孔部Ｈ３からなる貫通孔Ｈ４内に埋め込まれた状態で形成されている。尚、接続電極２８を形成する導電材料としては、ポリシリコンにＢ（ホウ素）やＰ（リン）等の不純物をドープした材料を用いることもでき、かかる材料を用いて形成した場合には基板１０への金属の拡散を防止する必要がなくなるので、前述したバリア層を不要にすることができる。
【００１８】
また、この接続電極２８と上記電極パッド１６とは、図１中のＰ１部において電気的に接続したものとなっている。接続電極２８の基板１０の裏面側における端部は、基板１０の裏面よりも突出した状態となっており、またこの下端部における端面は外部に露出した状態となっている。尚、接続電極２８の周囲には絶縁膜２２が配設されており、この絶縁膜２２の一端側も基板１０の裏面から突出した状態となっているが、接続電極２８はこの突出した絶縁膜２２よりも更に外側に突出した状態に形成されている。
【００１９】
一方、接続電極２８は、基板１０の能動面側にも突出して形成されており、この突出した部分の外形は上記の裏面側に突出した絶縁膜２２の外径より大きい外径に形成されたものであり、本実施形態では平面視円形状に形成されたものである。この能動面側に突出した部分の先端部にはろう材としてのハンダ３０が形成されている。このハンダ３０は、具体的には鉛フリーハンダである。
【００２０】
ここで、接続電極２８の絶縁膜２２より突出している長さは、接続電極２８の長さの２〜２０％とされ、具体的には１０〜２０μｍ程度とされる。このような長さで突出していることにより、後述するように複数の半導体装置１を積層して接続電極２８間をハンダ３０で接合する際に、積層する半導体装置１の裏面から突出した接続電極２８の露出した側面にハンダ３０が良好に濡れて接合し、結果として接続電極２８の接合強度を高めることができる。また、積層した上下の半導体装置１間に十分な隙間が形成されてアンダーフィル等の充填が容易になる。尚、接続電極２８の突出長さを調整することにより、積層される半導体装置１間の間隔を適宜に調整することができる。また、積層後にアンダーフィル等を充填する代わりに、積層前に半導体装置１の裏面に熱硬化性樹脂等を塗布する場合でも、突出した接続電極２８を避けて熱硬化性樹脂等を塗布することにより、半導体装置１の配線接続を確実に行うことができる。
【００２１】
〔突起物の研磨方法〕
以上説明した通り、基板１０の裏面側においては、絶縁膜２２、下地膜２４、及び接続電極２８が突出した形状に形成されるが、接続電極２８は絶縁膜２２及び下地膜２４よりも更に突出した状態にされる。この状態は、接続電極２８を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４を研磨して切削することで得ることができる。この研磨は本発明の一実施形態による研磨方法を用いて行われる。以下、本発明の一実施形態による突起物の研磨方法について説明する。
【００２２】
図２は、本発明の一実施形態による突起物の研磨方法を説明するための斜視図である。図２において、Ｗは図１に示す半導体装置１が複数形成されている半導体ウェハを示している。つまり、図２に示す半導体ウェハＷをダイシングすることにより、図１に示す個々の半導体装置１を得ることができる。半導体ウェハＷの裏面には絶縁膜２２及び下地膜２４に覆われた複数の接続電極２８が突出した状態で形成されている。
【００２３】
尚、図２においては、半導体ウェハＷに形成された接続電極２８を簡略化して図示している。接続電極２８は実際には例えば図３に示すように形成されている。図３は、半導体ウェハＷの一例を示す底面図である。図３に示す例では、半導体ウェハＷには複数の区画領域（ショット領域）ＳＡが設定されており、この区画領域ＳＡの二つの辺に沿って接続電極２８が配列形成されている。尚、図３においては区画領域ＳＡを破線で図示しているが、実際には半導体ウェハＷの裏面には絶縁膜２２及び下地膜２４に覆われた接続電極２８のみが突出した状態になっており区画領域ＳＡの境界は明確にはなっていない。また、半導体ウェハＷの裏面に接続電極２８が突出している状態においては、半導体ウェハＷが薄板化されていて強度不足であるため、半導体ウェハＷの能動面側には補強部材が貼付されているが、図２においては図示を省略している。
【００２４】
接続電極２８を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４を研磨して切削するために、本実施形態の突起物の研磨方法は、図２に示す治具４０を用いる。この治具４０は、例えばアルミニウム又はセラミックス等からなり、その上面には半導体ウェハＷに形成された接続電極２８に対応した位置に平面視円形状の凹部４２が形成されている、この凹部４２の径は、接続電極２８を覆う絶縁膜２２の外径よりも大きく設定され、接続電極２８の配列ピッチ（隣接する接続電極２８の中心間の距離）よりも小さく設定される。例えば、接続電極２８の径が５０μｍに設定され、接続電極２８の配列ピッチが１５０μｍに設定された場合には、凹部４２の径は６０〜１３０μｍ程度の範囲の径に設定される。また、凹部４２の深さは、接続電極２８を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４を切削する長さに応じて、例えば１０〜２０μｍ程度の範囲の深さに設定される。
【００２５】
研磨を行うときには、まず研磨材が含まれる研磨液を治具４０に形成された凹部４２内に所定量供給する。研磨液に含まれる研磨材は、絶縁膜２２及び下地膜２４の単位時間当たりの切削量及び研磨の粗さに適したものが用いられる。また、研磨液には機械的に研磨を行う研磨材以外に、化学的に研磨を行う研磨剤を含めても良い。次に、半導体ウェハＷに形成された接続電極２８の各々と治具４０に形成された凹部４２の各々との位置合わせを行って接続電極２８を凹部４２に嵌合させ、治具４０の上面に平行な面内で所定の回転半径をもって治具４０を揺動させる。例えば、図２中に示す点Ｃ１を中心として経路ＴＲに沿って治具４０を揺動させる。治具４０の回転半径及び揺動速度は、接続電極２８の機械的な強度及び研磨に要する時間に応じて適宜設定される。
【００２６】
図４は、研磨時及び研磨後における接続電極２８の先端部の様子を示す断面図である。尚、図４においては、半導体ウェハＷについては基板１０、絶縁膜２２、及び接続電極２８のみを簡略化して図示している。図４（ａ）に示す通り、治具４０の凹部４２に供給された研磨材４４は凹部４２の底面及び側壁と接続電極２８を覆う絶縁膜２２との間に配される。この状態で所定の回転半径をもって治具４０を揺動させると、半導体ウェハＷに働く慣性力によって接続電極２８は凹部４２の側壁に沿って移動する。このため、凹部４２の側壁と接続電極２８との間に挟持された研磨材４４によって、接続電極２８の側面を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４が研磨される。
【００２７】
また、治具４０を揺動させている間においても半導体ウェハＷには重力が働くため、凹部４２の底面と接続電極２８の先端部を覆う絶縁膜２２との間に挟持された研磨材４４によって接続電極２８の先端部を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４が平面的に研磨される。このようにして、接続電極２８の側面及び先端部を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４が研磨により切削され、図４（ｂ）に示す通り、基板１０の裏面側において接続電極２８が露出し、且つ絶縁膜２２及び下地膜２４よりも接続電極２８が突出した状態にすることができる。
【００２８】
このように、本実施形態の突起物の研磨方法においては、絶縁膜２２及び下地膜２４に覆われた接続電極２８を治具４０に形成された凹部４２に嵌合させて治具４０を所定の回転半径をもって揺動させるだけで、容易且つ効率的に接続電極２８の側面及び先端部を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４を切削することができる。
【００２９】
尚、以上説明した実施形態においては、接続電極２８が平面視円形状であるため平面視円形状の凹部４２が形成された治具４０を用い、所定の回転半径をもって治具４０を揺動させていた。接続電極２８の平面視形状が円形以外の形状である場合には、その形状に応じた形状を有する凹部が形成された治具を用い、その形状に応じて治具を揺動させるようにしても良い。例えば、接続電極の平面視形状が四角形状である場合には、四角形状の平面視形状を有する凹部が形成された治具を用いて直線的に治具を揺動させる。この場合において、接続電極の４つの側面の内の特定の側面だけ研磨するために、治具を傾けて揺動させることが好ましい。
【００３０】
また、上記の実施形態では治具４０を揺動させることによって半導体ウェハＷに働く慣性力及び重力を利用して絶縁膜２２及び下地膜２４を切削していたが、研磨に要する時間を短縮するために、半導体ウェハＷ上に錘を載置して半導体ウェハＷに加重を掛けた状態で研磨を行うようにしても良い。かかる状態で研磨を行うと、治具４０の凹部４２の底部に対する接続電極２８の先端部の当接力（研磨材４４に対する絶縁膜２２の当接力）が増大するとともに凹部４２の側壁に対する接続電極２８の側面の当接力（研磨材４４に対する絶縁膜２２の当接力）が増大する。これにより、単位時間当たりの研磨量を増大させることができるため、効率よく突起物を研磨することができる。
【００３１】
また、上記実施形態では治具４０を揺動させていたが、治具４０に代えて半導体ウェハＷを揺動させるようにしても良い。半導体ウェハＷを揺動させる場合には、例えば半導体ウェハＷの裏面を上側にして半導体ウェハＷを揺動テーブル上に配置するとともに治具４０の上面を下側にして、治具４０に形成された凹部４２に絶縁膜２２及び下地膜２４に覆われた接続電極２８を嵌合させた状態で半導体ウェハＷを動揺させる。
【００３２】
更に、上記実施形態では、治具４０に形成された凹部４２内に研磨液を供給して研磨を行っていたが、凹部４２の内壁を粗面として研磨液の供給無しに研磨を行うようにしても良い。このような研磨方法を用いると、研磨材が不要であることから研磨に要するコストを低下させることができる。また、かかる研磨方法を用いる場合には、凹部４２の側壁のみを粗面とし底面を鏡面にすれば、接続電極２８の側面のみを研磨し、接続電極２８の先端部を研磨しないといった選択的な研磨を行うこともできる。また、以上の実施形態では、半導体ウェハＷに形成された接続電極２８の先端部及び側面を研磨する場合について説明したが、本発明の突起物の研磨方法は種々の機械部品の研磨に応用することができる。
【００３３】
〔半導体装置の製造方法〕
次に、図１に示す本発明の一実施形態による半導体装置１の製造方法について説明する。図５〜図１１は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。まず、処理対処の半導体基板の構成について説明する。図５（ａ）は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造に用いられる半導体基板の一部を示す断面図である。図５（ａ）において、図示しないトランジスタ、メモリ素子、その他の電子素子からなる集積回路が形成されたＳｉ（シリコン）等の基板１０の表面（能動面）には絶縁膜１２が形成されている。この絶縁膜１２は、例えば基板１０の基本的な材料であるＳｉ（シリコン）の酸化膜（ＳｉＯ２）で形成されている。
【００３４】
絶縁膜１２上には、ＢＰＳＧからなる層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜１４上には、図示しない箇所で基板１０に形成された集積回路と電気的に接続された電極パッド１６が形成されている。この電極パッド１６は、Ｔｉ（チタン）からなる第１層１６ａ、ＴｉＮ（窒化チタン）からなる第２層１６ｂ、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）からなる第３層１６ｃ、及びＴｉＮからなる第４層（キャップ層）１６ｄを順に積層して形成されている。
【００３５】
電極パッド１６は、例えばスパッタリングにより第１層１６ａ〜第４層１６ｄからなる積層構造を層間絶縁膜１４上の全面に形成し、レジスト等を用いて所定の形状（例えば、円形形状）にパターニングすることにより形成される。尚、本実施形態では、電極パッド１６が上記の積層構造により形成されている場合を例に挙げて説明する。しかしながら、電極パッド１６はこの構造に制限される訳ではなく、集積回路の電極として一般に用いられるＡｌのみで形成されていても良いが、電気抵抗の低い銅を用いて形成することが好ましい。また、電極パッド１６は、上記の構成に限られず、必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更しても良い。
【００３６】
電極パッド１６は、基板１０に複数形成された半導体チップ領域の面の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んで形成される。また、この電極パッド１６は、各半導体チップ領域の面の辺に沿って形成される場合と、中央部に並んで形成される場合がある。尚、電極パッド１６の下方には電子回路が形成されていない点に注意されたい。上記層間絶縁膜１４上には電極パッド１６を覆うように、パッシベーション膜１８が形成されている。このパッシベーション膜１８は、ＳｉＯ２（酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）、ポリイミド樹脂等により形成することができる。尚、パッシベーション膜１８の厚みは、例えば１μｍ程度である。
【００３７】
次に、以上の構成の半導体基板に対して行う各処理を順次説明する。まず、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の方法によりレジスト（図示省略）をパッシベーション膜１８上の全面に塗布する。尚、このレジストは、電極パッド１６上を覆っているパッシベーション膜１８を開口するために用いるものであり、フォトレジスト、電子線レジスト、Ｘ線レジストの何れであってもよく、ポジ型又はネガ型の何れであってもよい。
【００３８】
パッシベーション膜１８上にレジストを塗布すると、プリベークを行った後で、所定のパターンが形成されたマスクを用いて露光処理及び現像処理を行い、レジストを所定形状にパターニングする。尚、レジストの形状は、電極パッド１６の開口形状及び基板１０に形成する孔の断面形状に応じて設定される。レジストのパターニングが終了すると、ポストベークを行った後で、図５（ｂ）に示すように、電極パッド１６を覆うパッシベーション膜１８の一部をエッチングして開口部Ｈ１を形成する。尚、本実施形態では、パッシベーション膜１８とともに電極パッド１６の一部をなす第４層１６ｄもエッチングしている。開口部Ｈ１は、例えば１００μｍ程度の径に形成される。図５（ｂ）は、パッシベーション膜１８を開口して開口部Ｈ１を形成した状態を示す断面図である。
【００３９】
尚、エッチングにはドライエッチングを適用することが好ましい。ドライエッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）であってもよい。また、エッチングとしてウェットエッチングを適用してもよい。パッシベーション膜１８に開口部Ｈ１を形成した後で、パッシベーション膜１８上のレジストを剥離液により剥離する。以上の工程が終了すると、開口部Ｈ１が形成されたパッシベーション膜１８上の全面にレジスト（図示省略）を塗布して、開口部Ｈ１に露出している電極パッド１６上を開口した形状にレジストをパターニングしてポストベークを行った後、ドライエッチングにより電極パッド１６を開口する。
【００４０】
図５（ｃ）は、電極パッド１６を開口して開口部Ｈ２を形成した状態を示す断面図である。図５（ｃ）に示す通り、本実施形態では、電極パッド１６に形成される開口部Ｈ２の径は、パッシベーション膜１８に形成された開口部Ｈ１の径よりも小さい径（例えば６０μｍ程度）に設定されている。尚、電極パッド１６を開口するときに用いるドライエッチングとしてはＲＩＥを用いることができる。電極パッド１６に開口部Ｈ２を形成すると、剥離液によりレジストを剥離して、次工程に進む。以上の工程が終了すると、開口部Ｈ２に露出している層間絶縁膜１４、電極パッド１６、及び電極パッド１６の上方のパッシベーション膜１８上に絶縁膜２０を形成する。図６（ａ）は、層間絶縁膜１４、電極パッド１６、及び電極パッド１６の上方のパッシベーション膜１８上に絶縁膜２０を形成した状態を示す断面図である。
【００４１】
この絶縁膜２０は、後述する基板１０を穿孔する際のドライエッチングのためのマスクの役割りをしており、本例ではＳｉＯ２を用いたが、Ｓｉとの選択比が取れればフォトレジストを用いても良い。更に、その膜厚は、穿孔する深さにより任意に設定すれば良い。尚、絶縁膜を用いる場合、例えば、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いて形成した正珪酸四エチル（Tetra Ethyl Ortho Silicate：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４：以下、ＴＥＯＳという）、即ちＰＥ−ＴＥＯＳ、及び、オゾンＣＶＤを用いて形成したＴＥＯＳ、即ちＯ３−ＴＥＯＳ、又はＣＶＤを用いて形成した酸化シリコンを用いることができる。尚、絶縁膜２０の厚みは、例えば２μｍ程度である。
【００４２】
続いて、図６（ａ）に示した半導体基板の表面の全面にレジスト（図示省略）を塗布し、層間絶縁膜１４上に形成された絶縁膜２０の上方を開口した形状にレジストをパターニングしてポストベークを行った後、ドライエッチングにより絶縁膜２０、層間絶縁膜１４、及び絶縁膜１２の一部をエッチングして、図６（ｂ）に示す通り、基板１０を露出させる。図６（ｂ）は、絶縁膜２０、層間絶縁膜１４、及び絶縁膜１２の一部をエッチングして、基板１０の一部を露出させた状態を示す断面図である。
【００４３】
以上の工程が終了すると、図７（ａ）に示す通り、基板１０を穿孔する。尚、ここでは、ドライエッチングとしてＲＩＥやＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）を用いることができる。この際、先の後工程で形成した絶縁膜２０がマスクとなるが、絶縁膜２０の代わりにレジストを用いても良い。図７（ａ）は、基板１０を穿孔して、孔部Ｈ３を形成した状態を示す断面図である。図７（ａ）に示す通り、基板１０に形成される孔部Ｈ３の径は、電極パッド１６に形成される開口部の径よりも小さい径（例えば５０μｍ程度）に形成される。尚、孔部Ｈ３の深さは、最終的に形成する半導体チップの厚みに応じて適宜設定される。
【００４４】
孔部Ｈ３の形成が終了すると、絶縁膜２０上（電極パッド１６の上方）及び孔部Ｈ３の内壁及び底面に絶縁膜２２を形成する。図７（ｂ）は、絶縁膜２０上（電極パッド１６の上方）及び孔部Ｈ３の内壁及び底面に絶縁膜２２を形成した状態を示す断面図である。この絶縁膜２２は、電流リークの発生、酸素及び水分等による浸食等を防止するために設けられる。絶縁膜２２は、ＰＥ−ＣＶＥ又はオゾンプラズマを用いたオゾンＣＶＤ等の化学気層成長法を用いて形成される。
【００４５】
続いて、上記の工程で形成した絶縁膜２２に対して異方性エッチングを施す工程が行われる。この工程は、電極パッド１６の上方に形成されている絶縁膜２０及び絶縁膜２２の一部を除去して電極パッド１６の一部を露出させるために設けられる。尚、ここで、絶縁膜２２に対して施す異方性エッチングは、ＲＩＥ等のドライエッチングを用いることが好適である。図８（ａ）は、絶縁膜２２に対して異方性エッチングを施す工程を示す図である。図８（ａ）に示す通り、ＲＩＥ等によるドライエッチングはレジストが塗布されていない半導体基板の全面に対して行われる。尚、図８（ａ）において、符号Ｇはドライエッチングにより半導体基板に入射する反応性ガスを示している。
【００４６】
この反応性ガスＧは基板１０の表面（又は、絶縁膜１２、層間絶縁膜１４、パッシベーション膜１８等の接合面）に対してほぼ垂直に入射するため、反応性ガスＧの入射方向におけるエッチングが促進される。その結果、図８（ａ）中において、符号Ｐ１を付した箇所（開口部Ｈ２の円周に沿った箇所）の絶縁膜２０及び絶縁膜２２が除去されて電極パッド１６の一部が露出する。尚、この際、全体をエッチングする代わりに、電気的な接続を必要とする部分のみ開口するように、即ち図８（ａ）のＰ１部のみ開口するように、レジストを用いてパターニング、エッチングを行ってももちろん良い。
【００４７】
以上の工程が終了すると、孔部Ｈ３の底面並びに絶縁膜２２の内壁及び上部に下地膜２４を形成する工程が行われる。下地膜２４は、バリア層及びシード層からなり、まずバリア層を形成した後で、バリア層上にシード層を形成することで成膜される。ここで、バリア層は、例えばＴｉＷあるいはＴｉＮから形成され、シード層はＣｕから形成される。これらは、例えばＩＭＰ（イオンメタルプラズマ）法、又は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ（Phisical Vapor Deposition）法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。
【００４８】
図８（ｂ）は、下地膜２４を形成した状態を示す断面図である。図８（ｂ）に示す通り、下地膜２４は、電極パッド１６に形成された開口部Ｈ２から基板１０に形成された孔部Ｈ３の内壁に亘って連続的に形成される。また、電極パッド１６の上方に形成された絶縁膜２２の側壁及び絶縁膜２０上にも下地膜２４が形成される。尚、下地膜２４を構成するバリア層の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度であり、シード層の膜厚は、例えば数百ｎｍ程度である。
【００４９】
下地膜２４の形成が終了すると、下地膜２４上の全面に亘ってメッキレジストを塗布して、孔部Ｈ２が形成されている箇所が開口した形状にメッキレジストをパターニングしてメッキレジストパターン２６（図９（ａ）参照）を形成する。このとき、メッキレジスト２６に形成される開口の径は、孔１の径よりも大きな径（例えば１２０μｍ程度）に設定される。メッキレジストパターン２６を形成すると、電気化学プレーティング （ＥＣＰ）法を用いて、孔部Ｈ３の内部及び電極パッド１６の上部にメッキ処理を施して、孔部Ｈ３内部を銅で埋め込むとともに、電極パッド１６上に突出した形状の接続電極２８を形成する工程を行う。
【００５０】
銅のメッキ処理を終えると、メッキレジストパターン２６をそのままマスクとして利用してハンダメッキを行い、接続電極２８上にハンダ３０を形成する工程が行われる。図９（ａ）は、接続電極２８及びハンダ３０を形成した状態を示す断面図である。尚、ハンダ３０は、環境への負荷を低減するために、鉛フリーハンダを用いることが望ましい。接続電極２８上へのハンダ３０の形成が終了すると、剥離液等を用いてメッキレジストパターン２６を剥離しこれを除去する。尚、剥離液には例えばオゾン水が用いられる。続いて、接続電極２８を形成するために用いた下地膜２４の不要部分を除去する工程が行われる。図９（ｂ）は、メッキレジストパターン２６の剥離及び下地膜２４の不要部分の除去を行った状態を示す断面図である。ここで、下地膜２４の不要部分とは、例えば表面に露出している部分である。
【００５１】
下地膜２４は導電性を有する膜であるため、図９（ａ）に示す状態では、下地膜２４によって基板１０に形成された全ての接続電極２８が導通した状態にある。このため、下地膜２４の不要部分を除去して個々の接続電極２８を電気的に絶縁させる。下地膜２４を除去する具体的方法は、例えば基板１０の能動面側の全面にレジスト膜を形成し、続いてこれを接続電極２８の形状にパターニングする。次いで、このレジストパターンをマスクとして下地膜２４をドライエッチングする。
【００５２】
以上で能動面側に対する処理が完了し、次に基板１０の裏面側に対する処理が行われる。基板１０の裏面側に対する処理には、例えば基板１０の薄型化を行う処理等がある。基板１０の薄型化を行うには、基板１０を上下反転させ、その状態で下側となる基板１０の能動面側に接着剤３４で補強部材３２を貼着する。この補強部材３２としては、樹脂フィルム等の軟質材料を用いることもできるが、ガラス等の硬質材料を用いるのが、特に機械的な補強を行う上で好ましい。図１０は、基板１０の能動面側に補強部材３２を貼付した状態を示す断面図である。
【００５３】
硬質の補強部材３２を基板１０の能動面側に貼着することにより、基板１０の反りを矯正することができ、また、基板１０の裏面を加工する際、或いはハンドリングの際、基板１０にクラック等が発生するのを防止することができる。補強部材３２を貼付する際に用いる接着剤３４としては、熱硬化性のものや光硬化性のものが好適に用いられる。このような接着剤３４を用いることにより、基板１０の能動面側の凹凸を吸収しつつ、基板１０に補強部材３２を強固に固着することが可能となる。また、特に接着剤３４として紫外線硬化性のものを用いた場合には、補強部材３２としてガラス等の透光性材料を採用するのが好ましい。このようにすれば、補強部材３２の外側から光を照射することにより、接着剤３４を容易に硬化させることができる。
【００５４】
次に、基板１０の裏面の全面をエッチングして厚みを５０μｍ程度にすることで、絶縁膜２２に覆われた状態の接続電極２８を裏面から突出させる。図１１は、基板１０を薄板化した状態を示す断面図である。このときのエッチングについては、ウェットエッチング及びドライエッチングの何れを用いることもできる。ドライエッチングを採用した場合、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）等を利用することができる。尚、エッチングに先だって、絶縁膜２２が露出する直前まで基板１０の裏面を研削（粗研磨）し、その後、上記のエッチングを行うようにするのが好ましい。このようにすれば、処理時間を短縮して生産性を向上することができる。基板１０の裏面の研削にはＣＭＰ法を用いるのが好ましい。
【００５５】
基板１０の薄板化が完了すると、図２に示す治具４０を用いて前述した研磨方法により、接続電極２８の先端部及び側面を覆う絶縁膜２２及び下地膜２４を研磨により切削する工程が行われる。その後、溶剤等によって基板１０の能動面側の接着剤３４を溶解し、基板１０の能動面側に貼着した補強部材３２を取り外す。また、接着剤３４の種類によっては、これに紫外線等を照射することにより、その接着性（又は、粘着性）を消失させて補強部材３２を取り外すようにしてもよい。次いで、基板１０の裏面にダイシングテープ（図示せず）を貼着し、その状態で基板１０をダイシングすることにより、半導体装置１をそれぞれ個片に分離する。尚、ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザを照射することにより、基板１０を切断するようにしてもよい。以上により、図１に示した半導体装置１が得られる。
【００５６】
〔積層構造を有する半導体装置〕
以上、接続電極２８を有する半導体装置１及びその製造方法について説明したが、次に以上の製造方法を用いて製造された半導体装置１を積層した積層構造を有する半導体装置について説明する。図１２は、半導体装置１を積層して３次元実装した半導体装置２を示す断面図である。この半導体装置２は、インターポーザ基板５０上に複数（図１２では３層）の上記半導体装置１が積層され、さらにその上に異種の半導体装置３が積層されて構成されている。
【００５７】
インターポーザ基板５０の上面には配線５１が形成されており、またその下面には配線５１に電気的に接続されたハンダボール５２が設けられている。このインターポーザ基板５０の上面には、上記の配線５１を介して半導体装置１が積層されている。即ち、この半導体装置１は、接続電極２８の能動面側に突出した部分が、この先端部に形成されたハンダ３０によって上記配線５１に接合させられており、これによって半導体装置１はインターポーザ基板５０上に積層されたものとなっている。また、これらインターポーザ基板５０と半導体装置１との間には絶縁性のアンダーフィル５３が充填されており、これによって半導体装置１は、インターポーザ基板５０上に安定して保持固定されると同時に、電極間の接合以外の箇所では絶縁がなされたものとなっている。
【００５８】
また、この半導体装置１上に順次積層される半導体装置１も、接続電極２８の能動面側に突出した部分が下層の半導体装置１に形成された接続電極２８の裏面から突出している部分上にハンダ３０を介して接合させられ、更にアンダーフィル５３が充填されていることで、下層の半導体装置１上に保持固定されている。また、最上層の半導体装置３には電極４が形成されている。この電極は、半導体装置１の能動面側に突出した部分と同様の構成を有しており、その先端部にはハンダが形成されている。この電極４が下層の半導体装置１に形成された接続電極２８の裏面側に突出した部分にハンダを介して接合させられ、更にアンダーフィル５３が充填されている。
【００５９】
ここで、半導体装置１上に別の半導体装置１を積層するには、まず、下層側の半導体装置１の接続電極２８の裏面から突出している部分か又は上層側の半導体装置１の接続電極２８の能動面側から突出している部分に形成されているハンダ３０上にフラックス（図示せず）を塗着しておき、ハンダの濡れ性向上を図っておく。フラックスの供給方法としてはディスペンサ、インクヘッド等の方法がある。
【００６０】
次に、下層側の半導体装置１の接続電極２８の裏面側に突出している部分に、上層側の半導体装置１の接続電極２８の能動面側に突出している部分がハンダ３０及びフラックスを介して当接するよう、位置合わせを行う。次いで、加熱によるリフロー接合、又は加熱加圧によるフリップチップ実装を行うことにより、ハンダ３０を溶融固化させ、図１２に示すように下層側の半導体装置１に形成された接続電極２８と上層側の半導体装置１に形成された接続電極２８とハンダ接合する。ハンダ３０を溶融させる装置としては、リフロー炉を用いる以外に、ホットプレート、光ビーム加熱装置、ドライヤー、レーザ加熱装置等を用いることができる。
【００６１】
このとき、接続電極２８は基板１０の能動面側及び裏面側の何れの側からも突出していることから、その位置合わせが容易になるとともに、能動面側に突出した部分の先端にハンダ３０を形成しておくことでこれらを容易に接合することができる。また、接続電極２８の基板１０の能動面側に突出した部分の外径（大きさ）を、基板１０の裏面側に突出した部分を覆う絶縁膜２２の外径より大きくしたので、接合したハンダとの間の濡れ性が向上してその接合力が大となる。このため、接続電極２８間の接合を良好にかつ強固にすることができる。
【００６２】
また、図１２に示す構成の半導体装置１の場合には、基板１０の裏面には接続電極２８が突出しており、接続電極２８の側面の絶縁膜２２及び下地膜２４が切削されて接続電極２８が露出した状態にあるため、この部分にハンダがより濡れ易く接合し易くなっている。従って、接続電極２８の基板１０の能動面側に突出した部分及び裏面側に突出した部分の何れの部分においてもハンダが濡れ易く接合し易くなっていることから、ハンダがより良好に接続電極２８に接合してフィレットが形成され、これにより高い強度の接合を行うことができる。
【００６３】
〔回路基板〕
次に、上記の半導体装置２を備えた回路基板及び電子機器の例について説明する。図１３は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す斜視図である。図１３に示す通り、この実施形態の回路基板１００には、上記の半導体装置２が搭載されている。回路基板１００は、例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板からなるもので、例えば銅等からなる配線パターン（図示せず）が所望の回路となるように形成され、更にこれら配線パターンに電極パッド（図示せず）が接続されている。
【００６４】
そして、この電気パッドに半導体装置２における上記インターポーザ基板５０のハンダボール５２が電気的に接続されることにより、半導体装置２は回路基板１００上に実装されたものとなっている。ここで、回路基板１００上への半導体装置２の実装は、回路基板１００側の上記電極パッドに対し、インターポーザ基板５０のハンダボール５２をリフロー法又はフリップチップボンド法で接続することにより行っている。
【００６５】
このような構成の回路基板１００にあっては、実装密度が高い半導体装置２を備えていることから、小型化、軽量化が図られたものとなり、また配線接続の信頼性も高いものとなる。尚、半導体装置１は、半導体装置１同士又は異種の半導体装置３と積層される以外に、シリコン基板、ポリイミド基板、ダイシングされた半導体装置、又はダイシングされる前のウェハ（半導体装置が作りつけられたウェハ）上に積層することができる。上記の半導体装置２も同様である。
【００６６】
〔電子機器〕
本発明の実施形態による半導体装置を有する電子機器として、図１４にはノート型パーソナルコンピュータ２００、図１５には携帯電話３００が示されている。上記の半導体装置２又は回路基板１００は、パーソナルコンピュータ２００又は携帯電話３００の内部に設けられる。かかる構成のパーソナルコンピュータ２００及び携帯電話３００にあっても、実装密度が高い半導体装置２を備えていることから、小型化、軽量化が図られたものとなり、また配線接続の信頼性も高いものとなる。
【００６７】
尚、電子機器は、上記のノート型コンピュータ及び携帯電話に限られる訳ではなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００６８】
以上本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上述した実施形態では、接続電極２８上にハンダ３０（鉛フリーハンダ）を形成して接続電極を接続する場合を例に挙げて説明したが、スズ・銀、更には金属ペーストや溶融ペースト等を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態による半導体装置の要部を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による突起物の研磨方法を説明するための斜視図である。
【図３】半導体ウェハＷの一例を示す底面図である。
【図４】研磨時及び研磨後における接続電極２８の先端部の様子を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図８】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図９】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図１１】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図１２】半導体装置１を積層して３次元実装した半導体装置２を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態による電子機器の一例を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態による電子機器の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１……半導体装置
２……半導体装置
１０……基板（半導体基板）
２２……絶縁膜
２８……接続電極（突起物、貫通電極）
４０……治具
４２……凹部
４４……研磨材
１００……回路基板
２００……パーソナルコンピュータ（電子機器）
３００……携帯電話（電子機器）
Ｈ４……貫通孔
Ｗ……半導体ウェハ（物体）
【図１】
2005125468.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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