(57)【要約】【課題】可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子を提供すること。【解決手段】支持体５上に光電変換層１および電界発光層２を設けた光波長変換素子であって、光電変換層１に、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれる光波長変換素子。なお式中、R1は例えばＣ１〜１８のアルキル基であり、Arは芳香族炭化水素基である。【化１】2005093148.tif 000031【選択図】図１
2005093148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該光電変換層にその吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、該電界発光層から照射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子。
【化１】
2005093148.tif 000025
（式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、Arは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。）
【請求項２】
前記一般式中R1が炭素数1〜18の置換または無置換のアルキル基またはアルコキシ基であることを特徴とする請求項１記載の光波長変換素子。
【請求項３】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該光電変換層にその吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、該電界発光層から照射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子。
【化２】
2005093148.tif 000026
（式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【請求項４】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該光電変換層にその吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、該電界発光層から照射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子。
【化３】
2005093148.tif 000027
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異なっていてもよく、Arは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。）
【請求項５】
前記式（ＩＩＩ）中、R1、R2およびR3の少なくとも一つが炭素数1〜18の置換または無置換のアルキル基またはアルコキシ基であることを特徴とする請求項４記載の光波長変換素子。
【請求項６】
該光電変換層に少なくとも下記式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項４または５に記載の光波長変換素子。
【化４】
2005093148.tif 000028
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異っていてもよく、R4は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【請求項７】
該光電変換層に少なくとも下記式（Ｖ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項４または５に記載の光波長変換素子。
【化５】
2005093148.tif 000029
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異っていてもよく、R5、R6は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【請求項８】
該光電変換層に少なくとも下記式（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項４または５に記載の光波長変換素子。
【化６】
2005093148.tif 000030
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異なっていてもよく、R7、R8は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【請求項９】
該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである請求項１〜８のいずれか１項に記載の光波長変換素子。
【請求項１０】
該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷輸送層が、前記式（Ｉ）〜(ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料を少なくとも１種含有するものである請求項１〜８のいずれか１項に記載の光波長変換素子。
【請求項１１】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設けた光波長変換素子であって、該電界発光層に前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種が含まれることを特徴とする光波長変換素子。
【請求項１２】
該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである請求項１１に記載の光波長変換素子。
【請求項１３】
該光電変換層が、前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種を含有するものである請求項１１または１２に記載の光波長変換素子。
【請求項１４】
該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷発生層及び電荷輸送層が、前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種を含有するものである請求項１１に記載の光波長変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光波長変換方法に関し、さらに詳しくは、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種表示システムに用いられる光変換素子としては、種々のものが知られており、例えば、下記特許文献１に開示された電界発光素子や、下記非特許文献１に開示された、アモルファスシリコン及び電界発光層を積層して電圧を印加、アモルファスシリコンの吸収光照射により電流を流し、発光層より別波長の発光を生じさせる波長変換素子が挙げられる。
しかしながら、アモルファスシリコンは、製造コストが高いこと、可撓性がないこと等の欠点があった。
また、他の従来の光波長変換素子は、金属電極と電界発光層との接合部における変質劣化及びこれに伴う注入電荷密度の低下に起因した発光輝度の経時的な低下が観測されるという問題があった。
そこで、発光特性を安定化させるため、発光効率が低くなった場合には、さらに電圧を印加しなければならず、この場合、初期駆動時の数倍の電圧を印加することを余儀なくされ、素子寿命を短くする原因となっていた。
【０００３】
【非特許文献１】宮尾、平本、横山、’９０春季応用物理学会予稿集３１ａ−Ｑ−７及び２８ａ−ＰＢ−１２
【特許文献１】特開平５−１３１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、このような現状に鑑み、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討の結果、本発明を完成するに至った。
請求項１の発明は、光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該光電変換層にその吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、該電界発光層から照射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子である。
【０００６】
【化７】
2005093148.tif 000003
【０００７】
（式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、Arは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。）
請求項２の発明は、前記一般式中R1が炭素数1〜18の置換または無置換のアルキル基またはアルコキシ基であることを特徴とする請求項1記載の光波長変換素子である。
請求項３の発明は、光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該光電変換層にその吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、該電界発光層から照射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子である。
【０００８】
【化８】
2005093148.tif 000004
【０００９】
（式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
請求項４の発明は、光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該光電変換層にその吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、該電界発光層から照射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子である。
【００１０】
【化９】
2005093148.tif 000005
【００１１】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異なっていてもよく、Arは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。）
請求項５の発明は、前記式（ＩＩＩ）中、R1、R2およびR3の少なくとも一つが炭素数1〜18の置換または無置換のアルキル基またはアルコキシ基であることを特徴とする請求項４記載の光波長変換素子である。
請求項６の発明は、該光電変換層に少なくとも下記式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項４または５に記載の光波長変換素子である。
【００１２】
【化１０】
2005093148.tif 000006
【００１３】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異っていてもよく、R4は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
請求項７の発明は、該光電変換層に少なくとも下記式（Ｖ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項４または５に記載の光波長変換素子である。
【００１４】
【化１１】
2005093148.tif 000007
【００１５】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異っていてもよく、R5、R6は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
請求項８の発明は、該光電変換層に少なくとも下記式（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項４または５に記載の光波長変換素子である。
【００１６】
【化１２】
2005093148.tif 000008
【００１７】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異なっていてもよく、R7、R8は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
請求項９の発明は、該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである請求項１〜８のいずれか１項に記載の光波長変換素子である。
請求項１０の発明は、該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷輸送層が、前記式（Ｉ）〜(ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料を少なくとも１種含有するものである請求項１〜８のいずれか１項に記載の光波長変換素子である。
請求項１１の発明は、光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設けた光波長変換素子であって、該電界発光層に前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種が含まれることを特徴とする光波長変換素子である。
請求項１２の発明は、該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである請求項１１に記載の光波長変換素子である。
請求項１３の発明は、該光電変換層が、前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種を含有するものである請求項１１または１２に記載の光波長変換素子である。
請求項１４の発明は、該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷発生層及び電荷輸送層が、前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種を含有するものである請求項１１に記載の光波長変換素子である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の光波長変換素子について説明する。
図１は、本発明の光波長変換素子の一例を示す断面図である。
図１において、光電変換層１と、電界により発光する電界発光層２とが積層され、その両面に下部電極３、上部電極４がそれぞれ設けられている。なお符号５は支持体である。
【００２０】
次に、図１に示す素子の作動について説明する。
光波長変換素子として、まず、電極３及び４の間に電界をかけ、同時に、例えば、下側（支持体５側）より光電変換層１の吸収波長領域の光を照射する。光電変換層１で発生した電荷（例えば、ホール）は電界発光層２との界面に至る。電界発光層２が電子移動性であった場合、上部電極４より電界発光層２へ注入された電子と上記ホールが出会い、電界発光層２中の発光材料に基づく照射光と異なる波長の発光が生じる。
本発明の光波長変換素子は、金属電極から光電変換層を介して電界発光層へ電荷が注入されるため、金属電極と電界発光層との接合部における変質劣化が起こりにくく、発光特性が安定的なものとなる。
【００２１】
本発明の光波長変換素子においては、上記光電変換層１に少なくとも下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする。かかる構成により、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子を得ることができる。
【００２２】
【化１３】
2005093148.tif 000009
【００２３】
（式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、Arは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。）
【００２４】
またさらに好ましい態様によれば、上記光電変換層１が少なくとも下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料を含むものである。
【００２５】
【化１４】
2005093148.tif 000010
【００２６】
また本発明の別の態様によれば、上記光電変換層１が少なくとも下記式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料を含むものである。
【００２７】
【化１５】
2005093148.tif 000011
【００２８】
前記下記式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料のうち、さらに好ましい態様は、下記式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料である。
【００２９】
【化１６】
2005093148.tif 000012
【００３０】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異っていてもよく、R4は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【００３１】
また、前記下記式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料のうち、さらに好ましい別の態様は、下記式（Ｖ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料である。
【００３２】
【化１７】
2005093148.tif 000013
【００３３】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異っていてもよく、R5、R6は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【００３４】
さらに、前記下記式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料のうち、さらに好ましい別の態様は、下記式（ＶＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料である。
【００３５】
【化１８】
2005093148.tif 000014
【００３６】
（式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表し、x、y、zはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3が各々複数存在する場合には、これらは同一でも異なっていてもよく、R7、R8は置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコキシ基から選択される基を表す。）
【００３７】
R1、R2、R3、R4 、R5、R6、R7、R8におけるアルキル基またはアルコキシ基は、炭素数が増加すれほど溶解性も向上するが、その反面キャリア移動度が低下してしまうため、溶解性が損なわれない範囲で所望の特性が得られるような基を選択することが好ましい。その場合の好適な基の例としては炭素数が1〜25のアルキル基またはアルコキシ基が挙げられる。更に好適には、炭素数が1〜18のアルキル基またはアルコキシ基である。これらの基は同一のものを複数導入してもよいし、異なるものを複数導入してもよい。また、これらのアルキル基またはアルコキシ基はさらにハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基または炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基やアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。
【００３８】
アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2−エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、2−シアノエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を一例として挙げることができ、アルコキシ基としては上記アルキル基の結合位に酸素原子または硫黄原子を挿入してアルコキシ基としたものが一例として挙げられる。
【００３９】
上記高分子材料は、アルキル基やアルコキシ基の存在により、溶媒への溶解性がさらに向上する。これらの材質において溶解性を向上させることは、フィルムの湿式成膜過程の製造許容範囲が大きくなることから重要である。例えば塗工溶媒の選択肢の拡大、溶液調製時の温度範囲の拡大、溶媒の乾燥時の温度および圧力範囲の拡大となり、これらプロセッシビリティーの高さにより、結果的に高純度で均一性の高い高品質な薄膜が得られる可能性が高くなる。
【００４０】
前記式における置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基としては単環基、多環基（縮合多環基、非縮合多環基）の何れでもよく、一例として以下のものを挙げることができる。
例えばフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。また、これら芳香族炭化水素基は以下に示す置換基を有していてもよい。
【００４１】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）炭素数1〜25の無置換もしくは置換のアルキル基、アルコキシ基。
（３）アリールオキシ基。（アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するアリールオキシ基が挙げられる。これは、炭素数1〜25の無置換もしくは置換のアルキル基、炭素数1〜25の無置換もしくは置換のアルコキシ基、またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。）
（４）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基。（置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。）
（５）アルキル置換アミノ基。（具体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、N，N−ジフェニルアミノ基、N，N−ジ（p−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。）
（６）アシル基。（アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。）
【００４２】
上記各式で表される繰り返し単位を有する高分子材料の製造方法は、例えば、ハロゲン化物を用いたYamamoto法、ハロゲン化物とボロン酸を用いたSuzuki法、アルデヒドとホスホネートを用いたWittig-Horner反応、アルデヒドとホスホニウム塩を用いたWittig反応、ビニル置換体とハロゲン化物を用いたHeck反応、アミンとハロゲン化物を用いたUllmann反応などを用いることができ、公知の方法により製造可能である。
【００４３】
上記各式で表される繰り返し単位を有する高分子材料の好ましい分子量は、ポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、やはり実用性に乏しくなるからである。
【００４４】
次に、光電変換層１の構成について説明する。
前記のように、本発明における光電変換層１は、前記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表わされる繰り返し単位を有する高分子材料の少なくとも１種（以下、単に「本発明における高分子材料という」）を含むものである。光源としては、窒素レーザー等を用いることができる。なお、前記高分子材料以外にも、ポリ−Ｎ −ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンとからなる電荷移動錯体等も光電変換層１に含有させることができる。さらに、光電変換層１は、染料増感してもよい。増感染料としては、ブリリアントグリーン、ビクトリアブルーＢ、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、アシッドバイオレット６Ｂ のようなトリアリールメタン染料、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミンＧエキストラ、エオシンＳ、エリトロシン、ローズベンガル、フルオレセインのようなキサンテン染料、メチレンブルーのようなチアジン染料、シアニンのようなシアニン染料が挙げられる。
【００４５】
本発明において光電変換層１を形成するためには、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法等の公知の方法によって薄膜化することができる。また本発明における高分子材料は、ジクロロメタンやテトラヒドロフラン等の有機溶媒に容易に溶解する。したがって、本発明における高分子材料を溶解できる適当な溶媒により適当な濃度の溶液を調製し、これを用いて上記方法等により塗工し、薄膜を作製することができる。
【００４６】
また、本発明においては、光電変換層１にさらに電荷発生材料を含有させることができる。
電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、硫化カドミウム−セレン、α−シリコン等の無機材料、有機材料としては例えば、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報に記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）等のアゾ顔料、例えばシーアイバットブラウン５（ＣＩ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ７３０３０ ）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等が挙げられる。
【００４７】
また、下記式（1）で表されるフタロシアニン顔料も電荷発生材料として有用である。なお式中Ｍ（中心金属）は、金属又は水素を表わす。
【００４８】
【化１９】
2005093148.tif 000015
【００４９】
このＭ（中心金属）は、Ｈ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ等の単体又は酸化物、塩化物、フッ化物、水酸化物、臭化物等の２種以上の元素からなる。
中心金属は、これらの元素に限定されるものではない。
【００５０】
前記フタロシアニン骨格を有する電荷発生材料は、少なくとも一般式（１）の基本骨格を有し、その２量体または３量体等の多量体構造を有するもの、さらに高次の高分子構造を有するものであってもよい。また、基本骨格に様々な置換基を有していてもよい。
これらの様々なフタロシアニンのうち、中心金属にＴｉＯを有するオキソチタニウムフタロシアニン、Ｈを有する無金属フタロシアニンは、感光体特性的に、特に好ましいものである。
【００５１】
また、これらのフタロシアニンは、様々な結晶系を有することも知られており、例えば、オキソチタニウムフタロシアニンの場合、α、β、γ、ｍ 、ｙ型等、銅フタロシアニンの場合、α、β、γ等の結晶多系を有している。
同じ中心金属を持つフタロシアニンにおいても、結晶系が変わることにより、種々の特性も変化する。
その中で、感光体特性もこのような結晶系変化に伴い変化することが報告されている〔電子写真学会誌第２９巻、第４号（１９９０）〕。
このことから、各フタロシアニンは、感光体特性的に最適な結晶系が存在し、特にオキソチタニウムフタロシアニンにおいては、ｙ型の結晶系が好ましい。
また、上記記載の電荷発生材料は２種以上混合して用いてもよい。
【００５２】
しかしながら、光電変換効率等を考慮すれば、電荷発生材料と電荷輸送材料とからなる機能分離型の光電変換層１を形成することが好ましい。
すなわち、本発明の光波長変換素子における光電変換層１は、電荷発生層と本発明における高分子材料を含有する電荷輸送層との積層体であってもよい。
図２は、光電変換層が電荷発生層と電荷輸送層との積層体からなる本発明の光波長変換素子の一例の断面図である。図２の光波長変換素子は、図１で説明した素子とほぼ同様の構成であるが、光電変換層１が、電荷発生層１２と電荷輸送層１１との積層体から構成され、前述のように、電荷輸送層１１は、本発明における高分子材料を含有している。
【００５３】
これらの電荷発生層または電荷輸送層は、必要に応じてバインダー樹脂とともに必要成分を溶媒に加え溶解又は分散し、塗布して乾燥させることにより設けることができる。バインダー樹脂としては、絶縁性のよい従来から知られているバインダー樹脂であればいずれも使用でき、特に制限はない。
このバインダー樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂及びこれらの樹脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
【００５４】
これらのバインダー樹脂は、単独又は２種類以上の混合物として用いることができる。
バインダー樹脂の量は、電荷発生材料１重量部に対し０〜５重量部、好ましくは０．１〜３重量部である。
【００５５】
電荷発生層または電荷輸送層の分散液又は溶液を調製する際に使用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、１，２−ジクロルエタン、１，１，１−トリクロルエタン、ジクロルメタン、１，１，２−トリクロルエタン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げることができる。
【００５６】
電荷発生層または電荷輸送層用分散液の分散方法としては、例えば、ボールミル、超音波、ホモミキサー等が挙げられ、また、塗布手段としては、ディッピング塗工法、ブレード塗工法、スプレー塗工法、インクジェット法等が挙げられる。
【００５７】
本発明における電界発光層２に使用される発光材料は、溶液状態において強い蛍光を示すレーザー色素等やこれまで有機薄膜ＥＬ素子に発光材として使用されてきた既存の低分子蛍光性材料を利用することが可能である。
【００５８】
この低分子蛍光性材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキノレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等及びそれらの誘導体が挙げられる。
【００５９】
また、上記の発光材料は２種以上混合して用いてもよく、これらを積層して電界発光層２を形成してもよい。
上記発光材料を含む電界発光層２の製膜方法としては、上記の光電変換層１の製膜方法を利用することができ、また、それ以外に真空蒸着法やスパッタ法等の乾式成膜法をも利用することができる。
【００６０】
本発明の光波長変換素子においては、電界発光層２に本発明における高分子材料を含有させることもできる。以下、この態様について説明する。
図３は、本発明の別の光波長変換素子の一例を示す断面図であり、その構成は図１と同様であるが、電界発光層６に本発明における高分子材料が含まれる。
【００６１】
また、本発明における高分子材料を光電変換層１及び電界発光層６の両方に含有させることができる。
図４はこの一例を示す本発明の光波長変換素子の断面図であり、その構成は図１と同様であるが、電界発光層６及び光電変換層７の両層に本発明における高分子材料が含まれる。この光電変換層７には、同時に電荷発生材料を含むことが望ましい。
【００６２】
さらに、光電変換層７が電荷発生層と本発明における高分子材料を含む電荷輸送層とを積層し構成されることも可能である。
図５は、この例を示す本発明の光波長変換素子の断面図であり、光電変換層７が電荷発生層１２と電荷輸送層７１との積層体として構成され、電荷輸送層７１に本発明における高分子材料が含まれる。
【００６３】
本発明の光波長変換素子に直流電圧をかける場合は、下部電極３が正極、上部電極４が負極となる。
この発光を下部電極３及び支持体５を通って外部に放射することを目的とした場合、電極３及び支持体５は透明度の高いものがよく、かつ電荷発生材料の吸収は発光物質の発光波長と重ならない方がより多くの光を外部に取り出すことができる。
【００６４】
一方、上部電極４を通して出てきた光を使用する場合、上部電極４はなるべく透明なもの（透明電極又はアルミニウムを薄く蒸着する）を使用する。なお、透明な支持体は電極４側につけてもよい。
また、電界発光層と上部電極４との間に電荷輸送層または電荷発生層を設けることも可能である。
【００６５】
下部電極３としては、４ｅＶ、好ましくは４．８ｅＶより大きな仕事関数を有する金属、合金、酸化金属等が利用される。
このような電極材料の具体例としては、金、白金、パラジウム、銀、タングステン、ニッケル、コバルト、ＩＴＯ、ＣｕＩ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の透明電極が挙げられる。
特にＩＴＯ基板を用いるのが好適である。ＩＴＯ基板の場合表面の平滑なものが好ましく、また、表面の汚れを充分に洗浄して使用する。
洗浄法としては、既知の方法でよいが、オゾン雰囲気下での紫外線照射や酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行ったものが好適である。
【００６６】
一方、上部電極４ としては、仕事関数の４ｅＶより小さい金属、合金等が利用される。このような物質の具体例としては、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、サマリウム及びこれらの合金等が利用できる。
下部電極３および上部電極４として用いる材料のうち少なくとも一方は、素子の発光波長領域において充分透明であることが望ましい。
【００６７】
支持体５としては通常、ガラス板や合成樹脂シートが用いられ、照射光と、電界発光層より放出される光に対して透明であることが望ましい。
【実施例】
【００６８】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、これら実施例によって本発明はなんら限定されるものではない。
実施例１
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。
この基板上にＸ型銅フタロシアニン５０ｎｍを蒸着した。続いて、高分子材料として、下記式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料（数平均分子量１３，２００）の１．５質量％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。
この溶液を使用して、Ｘ型銅フタロシアニン膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し、光電変換層を形成した。
十分乾燥を行った後に、光電変換層上に、電界発光層として、１，４−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノスチリル）ベンゼン５０ｎｍを蒸着、次いで電子輸送層として、２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４ −ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを１００ｎｍ 蒸着し、電界発光層を形成した。
さらにこの上に、ＭｇＡｇ合金層を２００ｎｍ形成した。
このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から７８０ｎｍのレーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００６９】
【化２０】
2005093148.tif 000016
【００７０】
実施例２
実施例１において、高分子材料を下記式（Ｂ）で表わされる繰り返し単位を有する高分子材料（数平均分子量３１，４００）に変更したこと以外は、実施例1と同様にして本発明の光波長変換素子を作製した。このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から７８０ｎｍのレーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００７１】
【化２１】
2005093148.tif 000017
【００７２】
実施例３
実施例１における電界発光層の１，４−ビス（４ −ジ−ｐ−トリルアミノスチリル）ベンゼンを、下記式（Ｃ）のトリス（８−ヒドロキシキノリル）アルミニウムに代えた以外は、実施例１と同様にして光波長変換素子を作製した。この素子をＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から７８０ｎｍのレーザー光を照射したところ、緑色の発光が観測された。
【００７３】
【化２２】
2005093148.tif 000018
【００７４】
実施例４
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。
この基板上にＹ型チタニルフタロシアニン／シリコーン樹脂（商品名ＫＲ５２４０、信越化学製）／２−ブタノンからなる電荷発生層形成液をドクターブレード塗布、乾燥して、１００ｎｍの光電変換層を形成した。
実施例１で用いた高分子材料の１．５質量％ジクロロメタン溶液に２−（４ −ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４ −ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを固形分の３０質量％、および記式（Ｅ）で表されるペリレン誘導体を固形分の３質量％溶解させ、光電変換層上にドクターブレード塗布、乾燥して、１００ｎｍ の電界発光層を形成した。
このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００７５】
【化２３】
2005093148.tif 000019
【００７６】
実施例５
実施例１におけるＸ 型銅フタロシアニン蒸着膜に代えて、下記式（Ｆ）で表されるビスアゾ顔料３．６ｇ をシクロヘキサノン６５．６３ｇ とともにボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液１重量部にさらにシクロヘキサノン４重量部を混合させた液を、実施例１と同様に処理されたＩＴＯ 膜上に浸積塗工法により厚さ１００ｎｍとして塗工し、これを電荷発生層としたこと以外は、実施例１と同様にして電荷輸送層及び電界発光層を設け、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から５８０ｎｍ の光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００７７】
【化２４】
2005093148.tif 000020
【００７８】
実施例６
実施例５ におけるビスアゾ顔料に代えて、下記式（G）で表されるトリスアゾ顔料３．６ｇ をシクロヘキサノン６５．６３ｇ とともにボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液１重量部にさらにシクロヘキサノン４ 重量部を混合させた液を、実施例１と同様に処理されたＩＴＯ 膜上に浸積塗工法により厚さ１００ｎｍとして塗工し、これを電荷発生層としたこと以外は、実施例４ と同様にして電荷輸送層及び電荷発光層を設け、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００７９】
【化２５】
2005093148.tif 000021
【００８０】
実施例７
実施例５で作製された光電変換層上に、実施例３に示した電界発光層形成用樹脂液をスピンコートすることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から５８０ｎｍ の光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００８１】
実施例８
２ ，４ ，７ −トリニトロ−９ −フルオレノンとポリ−Ｎ −ビニルカルバゾールが１ ：１ のモル比からなる厚さ２００ｎｍ の光電変換層上に、実施例３に示した電界発光層形成用樹脂液をスピンコートすることにより、光波長変換素子を作製した。このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側からキセノン光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００８２】
実施例９
実施例１で用いた高分子材料の１ ．５質量％キシレン溶液を調製し、孔径０．１μｍ のメンブランフィルターで濾過した。
この溶液を使用してＩＴＯ 膜上にスピンコートして厚さ２５０ｎｍ の光電変換層を形成した。
この光電変換層上に、実施例１で示した電界発光層を設けることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ側から窒素レーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００８３】
実施例１０
厚さ１５０ｎｍ のＩＴＯ 膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。
この基板上にＸ型銅フタロシアニン５０ｎｍ を蒸着した後、下記式（Ｈ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料（数平均分子量２７，１００）の１ ．５質量％ジクロロメタン溶液を調製し、孔径０ ．１ μｍ のメンブランフィルターで濾過した。
この溶液を使用して、Ｘ 型銅フタロシアニン膜上にスピンコート法により１００ｎｍ の膜厚で塗布し、光電変換層を形成した。
十分乾燥を行った後に、光電変換層上に、発光層として、１ ，４ −ビス（４ −ジ−ｐ −トリルアミノスチリル）ベンゼン５０ｎｍ を蒸着、次いで電子輸送層として、２ −（４ −ｔｅｒｔ ．−ブチルフェニル）−５ −（４ −ビフェニリル）−１ ，３ ，４ −オキサジアゾールを１００ｎｍ 蒸着し、電界発光層を形成した。
さらにこの上に、ＭｇＡｇ 合金層を２００ｎｍ 形成した。
このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００８４】
【化２６】
2005093148.tif 000022
【００８５】
実施例１１
実施例１０において、高分子材料として下記式（Ｊ）で表わされる繰り返し単位を有する高分子材料（数平均分子量３９，２００）を用いた以外は、実施例1と同様にして本発明の光波長変換素子を作製した。このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００８６】
【化２７】
2005093148.tif 000023
【００８７】
実施例１２
実施例１０における発光層を前記式（C）のトリス（８ −ヒドロキシキノリル）アルミニウムに代えた以外は、実施例１ と同様にして光波長変換素子を作製した。この素子をＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、緑色の発光が観測された。
【００８８】
実施例１３
厚さ１５０ｎｍ のＩＴＯ 膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。
この基板上にＹ型チタニルフタロシアニン／シリコーン樹脂（商品名ＫＲ５２４０ 、信越化学製）／２ −ブタノンからなる電荷発生層形成液をドクターブレード塗布、乾燥して、１００ｎｍ の光電変換層を形成した。
光電変換層上に本発明で用いられる化合物として下記式（Ｌ）で表される繰り返し単位を有する高分子材料（数平均分子量４４，５００）の１ ．５質量％ジクロロメタン溶液に、２ −（４ −ｔｅｒｔ ．−ブチルフェニル）−５ −（４ −ビフェニリル）−１ ，３ ，４ −オキサジアゾールを固形分の３０質量％、および前記式（E）で表されるペリレン誘導体を固形分の３質量％溶解させ、ドクターブレード塗布、乾燥して、１００ｎｍ の電界発光層を形成した。
このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００８９】
【化２８】
2005093148.tif 000024
【００９０】
実施例１４
実施例１０におけるＸ 型銅フタロシアニン蒸着膜に代えて、前記式（F）で表れるビスアゾ顔料３．６ｇをシクロヘキサノン６５．６３ｇとともにボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液１重量部にさらにシクロヘキサノン４重量部を混合させた液を、実施例１０と同様に処理されたＩＴＯ 膜上に浸積塗工法により塗工し、厚さ１００ｎｍの電荷発生層を設けた以外は、実施例１０と同様にして電荷輸送層及び電界発光層を設け、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から５８０ｎｍ の光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００９１】
実施例１５
実施例１４におけるビスアゾ顔料に代えて、前記式（G）で表されるトリスアゾ顔料３．６ｇをシクロヘキサノン６５ ．６３ｇ とともにボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液１重量部にさらにシクロヘキサノン４ 重量部を混合させた液を、実施例１０と同様に処理されたＩＴＯ 膜上に浸積塗工法により塗工し、厚さ１００ｎｍの電荷発生層を設けた以外は、実施例１３と同様にして電荷輸送層及び電荷発光層を設け、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から７８０ｎｍ のレーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００９２】
実施例１６
実施例１４で作製された光電変換層上に、実施例１２に示した電界発光層形成用樹脂液をスピンコートすることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側から５８０ｎｍ の光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００９３】
実施例１７
２ ，４ ，７−トリニトロ−９ −フルオレノンとポリ−Ｎ −ビニルカルバゾールが１：１のモル比からなる厚さ２００ｎｍの光電変換層上に、実施例１２に示した電界発光層形成用樹脂液をスピンコートすることにより、光波長変換素子を作製した。このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ 側からキセノン光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００９４】
実施例１８
実施例１０で用いた高分子材料の１．５質量％キシレン溶液を調製し、孔径０．１μｍ のメンブランフィルターで濾過した。
この溶液を使用してＩＴＯ 膜上にスピンコートして厚さ２５０ｎｍ の光電変換層を形成した。
この光電変換層上に、実施例１０で示した電界発光層を設けることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯ を陽極に、ＭｇＡｇ を陰極に接続し、印加電圧１０Ｖ にてＩＴＯ側から窒素レーザー光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明によれば、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子が提供され、各種表示システムに用いられる発光材料の設計、製造等の分野に寄与するところはきわめて多大である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の光波長変換素子の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の他の光波長変換素子の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の別の光波長変換素子の一例を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに他の光波長変換素子の一例を示す断面図である。
【図５】本発明のさらに別の光波長変換素子の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１    光電変換層
１１，７１    電荷輸送層
１２    電荷発生層
２，６，７    電界発光層
３    電極
４    電極
５    支持体
【図１】
2005093148.tif 000032
【図２】
2005093148.tif 000033
【図３】
2005093148.tif 000034
【図４】
2005093148.tif 000035
【図５】
2005093148.tif 000036