(57)【要約】【課題】  誘電体板の全領域にわたって均一なプラズマを生成することができ、大面積の被処理基板を均一にプラズマ処理することができる表面波励起プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】  表面波励起プラズマ処理装置は、マイクロ波Ｍを発生するマイクロ波発生部１と、マイクロ波発生部１からマイクロ波Ｍを導入し伝搬させる中央導波管１０と、スロットアンテナを有し、中央導波管１０からマイクロ波Ｍを導入し伝搬させるスロット導波管２０と、スロットアンテナを通してマイクロ波Ｍを導入し表面波として伝搬させ、プラズマ処理室２内にプラズマを生成する誘電体板４とを備え、中央導波管１０は、スロット導波管２０の両終端部Ｅ１，Ｅ２の中央でスロット導波管２０に接続されている。【選択図】  図１
2005141941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波発生部から前記マイクロ波を導入し伝搬させる中央導波管と、
スロットアンテナを有し、前記中央導波管から前記マイクロ波を導入し伝搬させるスロット導波管と、
前記スロットアンテナを通して前記マイクロ波を導入し表面波として伝搬させ、プラズマ処理室内にプラズマを生成する誘電体部材とを備え、
前記中央導波管は、前記スロット導波管の両終端部間の中央で前記スロット導波管に接続されることを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、
前記中央導波管とスロット導波管との接続位置から前記スロット導波管の終端部までの距離を、マイクロ波の管内波長λgの整数倍に設定することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、
前記接続位置から該接続位置に近接するスロットアンテナまでの距離を、ｎを正の整数とすると、（ｎ／２）λｇに設定することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【請求項４】
マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、
スロットアンテナを有する複数のスロット導波管と、
前記マイクロ波発生部から前記マイクロ波を導入し、前記マイクロ波を分岐して前記複数のスロット導波管の各々に送出する分岐導波管と、
前記スロットアンテナを通して前記マイクロ波を導入し表面波として伝搬させ、プラズマ処理室内にプラズマを生成する誘電体部材とを備え、
前記分岐導波管は、前記複数のスロット導波管各々の両終端部間の中央で前記複数のスロット導波管を並列接続することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、
前記分岐導波管の分岐位置から前記複数のスロット導波管の各終端部までの距離を、それぞれマイクロ波の管内波長λgの整数倍に設定することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、
前記分岐位置から前記複数のスロット導波管の該分岐位置にそれぞれ近接するスロットアンテナまでの距離を、ｎを正の整数とすると、（ｎ／２）λｇに設定することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１〜６に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、
前記スロット導波管の各終端部に終端整合器をそれぞれ設けることを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面波励起プラズマを利用してＣＶＤやエッチング等を行う表面波励起プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスでは、プラズマを利用してＣＶＤ成膜やエッチング等を行うプラズマ処理装置が用いられている。そのようなプラズマ処理装置としては、従来から平行平板型プラズマ処理装置や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）プラズマ処理装置などが使用されている。さらに、近年では、より大面積のプラズマを容易に発生させることができる表面波励起（ＳＷＰ：Surface Wave Plasma）プラズマ処理装置が利用されるようになってきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ＳＷＰプラズマ処理装置では、マイクロ波導波管に設けられたスロットアンテナから誘電体板を介してマイクロ波電力をプラズマ生成室内に導入し、誘電体板の表面に生じた表面波によってプラズマ生成室内のプロセスガスを励起し、表面波励起プラズマを生成するものである。表面波は誘電体板とプラズマとの境界を誘電体板の面方向へと拡がるので、面積の大きなプラズマを得ることができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２２０９８号公報（第２頁、図１０）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
導波管の延在方向の誘電体板は、導波管のマイクロ波導入口から遠くなるにつれて電子密度が低下してゆき、誘電体板の長さが約３５ｃｍ以上になると、その長さ方向にプラズマが拡がり難くなるという現象が見られる。特にプロセスガスとして窒素ガスや酸素ガスやその他の活性ガス種を使用した場合には、その傾向が顕著である。そのため、誘電体板の表面全域に拡がった均一なプラズマを得ることが難しかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）請求項１の表面波励起プラズマ処理装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、マイクロ波発生部からマイクロ波を導入し伝搬させる中央導波管と、スロットアンテナを有し、中央導波管からマイクロ波を導入し伝搬させるスロット導波管と、スロットアンテナを通してマイクロ波を導入し表面波として伝搬させ、プラズマ処理室内にプラズマを生成する誘電体部材とを備え、中央導波管は、スロット導波管の両終端部間の中央でスロット導波管に接続されることを特徴とする。
【０００７】
（２）請求項１の表面波励起プラズマ処理装置では、中央導波管とスロット導波管との接続位置からスロット導波管の終端部までの距離を、マイクロ波の管内波長λgの整数倍に設定することが好ましい。さらに、接続位置から該接続位置に近接するスロットアンテナまでの距離を、ｎを正の整数とすると、（ｎ／２）λｇに設定することが好ましい。
【０００８】
（３）請求項４の表面波励起プラズマ処理装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、スロットアンテナを有する複数のスロット導波管と、マイクロ波発生部からマイクロ波を導入し、マイクロ波を分岐して複数のスロット導波管の各々に送出する分岐導波管と、スロットアンテナを通してマイクロ波を導入し表面波として伝搬させ、プラズマ処理室内にプラズマを生成する誘電体部材とを備え、分岐導波管は、複数のスロット導波管各々の両終端部間の中央で複数のスロット導波管を並列接続することを特徴とする。
【０００９】
（４）請求項４の表面波励起プラズマ処理装置では、分岐導波管の分岐位置から複数のスロット導波管の各終端部までの距離を、それぞれマイクロ波の管内波長λgの整数倍に設定することが好ましい。さらに、分岐位置から複数のスロット導波管の該分岐位置にそれぞれ近接するスロットアンテナまでの距離を、ｎを正の整数とすると、（ｎ／２）λｇに設定することが好ましい。
（５）上記の表面波励起プラズマ処理装置では、スロット導波管の各終端部に終端整合器をそれぞれ設けることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、誘電体部材の全領域にわたって均一なプラズマを生成することができ、大面積の被処理基板を均一にプラズマ処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明による表面波励起プラズマ処理装置（以下、ＳＷＰ処理装置という）について図１〜８を参照しながら説明する。
〈第１の実施の形態〉
図１は、本発明の第1の実施の形態によるＳＷＰ処理装置の概略構成を示す全体構成図である。図２（ａ）は、第1の実施の形態によるＳＷＰ処理装置のプラズマ生成部の縦断面図、図２（ｂ）は、その下面図である。図１，２では、直交座標で方向を表わす。
【００１２】
本実施の形態のＳＷＰ処理装置は、マイクロ波発生部１と、装置本体２と、装置本体２の上面に設けられるプラズマ生成部１００とを備える。マイクロ波発生部１は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波Ｍを生成し、プラズマ生成部１００へ送出する。装置本体２は、被処理基板Ｓのプラズマ処理を行うための密閉容器であり、Ｎ２ガス、ＡｒガスなどのプロセスガスやＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス、Ｈ２ガス、Ｏ２ガスなどの材料ガスを導入し、容器内部を所定圧力に保持する。装置本体２の上面は、上板３と誘電体板４とにより、気密を保持できるように構成されている。
【００１３】
プラズマ生成部１００は、中央導波管１０、スロット導波管２０および誘電体板４を備える。中央導波管１０は、Ｚ方向に延在する断面が矩形の管であり、その一端はマイクロ波発生部１に接続され、他端はスロット導波管２０のほぼ中央でスロット導波管２０に接続されている。スロット導波管２０は、Ｘ方向に延在する断面が矩形の管であり、両終端Ｅ１，Ｅ２は閉塞されている。両終端Ｅ１，Ｅ２は、終端整合器２０ｂ、２０ｃにより、Ｘ方向に沿って移動できるようになっている（図２参照）。また、中央導波管１０およびスロット導波管２０は、アルミニウム合金で作製される。
【００１４】
誘電体板４は、スロット導波管２０の下面に接して配設された平板であり、石英やアルミナなどで作製される。後述するように、マイクロ波電力をスロット導波管２０から誘電体板４に導入し、装置本体２の内部空間にプラズマを生成する。
【００１５】
図２を参照すると、スロット導波管２０の底板２０ａには、スロットアンテナ２１〜２８が設けられている。底板２０ａの内側表面が磁界面（Ｈ面）と呼ばれる面である。スロットアンテナ２１〜２８は、スロット導波管２０の延在方向（Ｘ方向）に沿って所定間隔で形成された長矩形形状の開口である。
【００１６】
接続中心Ｃ１は、中央導波管１０の中心線ＣＬ１とスロット導波管２０の中心線ＳＬ１との交点であり、両者の接続位置を代表する点である。マイクロ波Ｍは、中央導波管１０内を−Ｚ方向に伝搬し、接続中心Ｃ１で２つに分離して、一方はスロット導波管２０内を＋Ｘ方向に終端Ｅ１まで伝搬し、他方はスロット導波管２０内を−Ｘ方向に終端Ｅ２まで伝搬する。そして、マイクロ波Ｍの一部は両終端Ｅ１，Ｅ２で反射する。
【００１７】
スロット導波管２０内を伝搬するマイクロ波Ｍは、スロットアンテナ２１〜２８を通って誘電体板４へ放射し、誘電体板４を介して装置本体２内に導入される。マイクロ波Ｍは表面波となって誘電体板４の表面に沿って伝搬し、誘電体板４の全域に拡がる。この表面波のエネルギーにより装置本体２内のガスが電離、解離されて、誘電体板４の面積に対応する領域にプラズマが生成する。このプラズマを利用して、成膜、エッチング、アッシングなどの処理が行われる。
【００１８】
以下、中央導波管１０とスロット導波管２０の寸法およびスロットアンテナ２１〜２８の位置関係について説明する。
導波管内を伝搬するマイクロ波Ｍの波長をλg、接続中心Ｃ１と終端Ｅ１との距離および接続中心Ｃ１と終端Ｅ２との距離をＬ１とし、Ｌ１はλgの整数倍に設定されている。すなわち、ｎを正の整数とすると、Ｌ１＝ｎλgと表わすことができる。スロット導波管２０内ではマイクロ波Ｍの定在波が形成され、定在波の形成により、常にスロット導波管２０の一定の位置から同位相のマイクロ波Ｍを強く放射させることができる。
【００１９】
図３を参照して、上述したように構成されたＳＷＰ処理装置およびプラズマ生成部の作用、効果を説明する。
図３（ａ）は、本実施の形態の中央導波管１０とスロット導波管２０を備えるプラズマ生成部１００を模式的示す斜視図、図３（ｂ）は、プラズマ生成部１００を用いたときのプラズマの電子密度分布を定性的に示すグラフである。図４は、比較例として挙げる図であり、図４（ａ）は、従来のプラズマ生成部１００Ａを模式的示す斜視図、図４（ｂ）は、プラズマ生成部１００Ａを用いたときのプラズマの電子密度分布を定性的に示すグラフである。プラズマ生成部１００と１００Ａでは、中央導波管とスロット導波管との接続位置が異なるだけで、寸法は同一である。
【００２０】
図３（ｂ）および図４（ｂ）のグラフでは、横軸にＸ方向の位置をとる。図３（ｂ）では、Ｘ方向のプラズマの電子密度は、接続中心Ｃ１で最も大きく、終端Ｅ１，Ｅ２付近でもそれ程低下しない。一方、図４（ｂ）では、Ｘ方向のプラズマの電子密度は、マイクロ波Ｍの導入端で最も大きいが、終端では大きく低下している。つまり、本実施の形態のプラズマ生成部１００を用いる場合は、比較例のプラズマ生成部１００Ａを用いる場合よりも電子密度分布がフラットである。従って、プラズマ生成部１００を用いる場合には、誘電体板の全域にわたって均一なプラズマが生成し、大面積の被処理基板を均一にプラズマ処理することができる。
【００２１】
再び図２を参照して、スロットアンテナ２１〜２８の位置関係について説明する。
スロットアンテナ２１〜２８の中で、スロットアンテナ２１と２５は、接続中心Ｃ１に近接している。接続中心Ｃ１とスロットアンテナ２１との距離および接続中心Ｃ１とスロットアンテナ２５との距離は、いずれもλg／２に設定されている。また、スロットアンテナ同士の配置間隔は、λgに設定されている。なお、接続中心Ｃ１とスロットアンテナ２１との距離および接続中心Ｃ１とスロットアンテナ２５との距離は、ｎを正の整数とすると、（ｎ／２）λｇの条件を満たしていればよい。
【００２２】
このように、スロットアンテナ２１〜２８を配置することにより、マイクロ波Ｍの定在波の電界強度のピーク位置とスロットアンテナ２１〜２８の位置が一致し、マイクロ波Ｍの放射が効果的に行われる。また、定在波の位相は、マイクロ波Ｍの伝搬につれて少しづつ位置ズレが生じるが、スロット導波管２０の両終端Ｅ１，Ｅ２を可変とすることにより、位置ズレを補正することができる。
【００２３】
図５を用いてこの様子を一般的に説明する。図５は、導波管内のマイクロ波Ｍの定在波の電界強度分布を示すグラフであり、Ａ１，Ａ２は、導波管のマイクロ波導入位置を示す。図５（ａ）は、マイクロ波導入位置Ａ１を何ら考慮していない場合である。第１のスロットアンテナａ１の位置と定在波のピーク位置とはｓ１のズレがあり、他のスロットアンテナａ２〜ａ５についてもズレが生じている。
【００２４】
図５（ｂ）は、位置ズレｓ１が零となるようにマイクロ波導入位置をＡ２に調整した場合である。この調整は、ｎを正の整数とすると、マイクロ波導入位置Ａ２と第１のスロットアンテナａ１の位置との距離を（ｎ／２）λｇに設定することである。しかし、第１のスロットアンテナａ１の位置と定在波のピーク位置とは合致しているが、他のスロットアンテナａ２〜ａ５ではズレが生じている。スロットアンテナａ２〜ａ５の位置ズレを順にｓ２，ｓ３，ｓ４，ｓ５とすると、ｓ２＜ｓ３＜ｓ４＜ｓ５となっている。つまり、マイクロ波導入位置Ａ２から離れる程、位置ズレは大きくなる。
【００２５】
本実施の形態における接続中心Ｃ１がマイクロ波導入位置Ａ２に相当するものであり、図５（ｂ）のように、定在波の位相とスロットアンテナの位置を調整することにより、マイクロ波Ｍの放射が効果的に行われる。従って、同一長さのスロット導波管では、導波管の片側からマイクロ波を導入するよりも、中央から導入する方が位置ズレを小さく抑えることができる。
【００２６】
図５（ｃ）は、マイクロ波導入位置を図５（ｂ）と同じＡ２のままで、終端整合器ｂにより終端位置を距離ｘだけ調整した場合である。第１のスロットアンテナａ１の位置と定在波のピーク位置とは合致しているとともに、他のスロットアンテナでもズレはほとんど生じていない。すなわち、終端位置を調整すれば、より一層マイクロ波Ｍの放射が効果的に行われる。
【００２７】
〈第２の実施の形態〉
図６は、本発明の第２の実施の形態によるＳＷＰ処理装置のプラズマ生成部の概略構成を示す斜視図である。図７（ａ）は、図６のプラズマ生成部を平面Ｐで切断した縦断面図、図７（ｂ）は、図６のプラズマ生成部をＺ方向から見た下面図である。図６，７では、直交座標で方向を表わす。
【００２８】
本実施の形態のＳＷＰ処理装置が第１の実施の形態のＳＷＰ処理装置と大きく異なる点は、プラズマ生成部の構成であり、他の構成要素であるマイクロ波発生部１と装置本体２は同様なので説明を省略する。
図６を参照すると、プラズマ生成部２００は、分岐導波管１１、スロット導波管３０、４０および誘電体板４Ａを備える。分岐導波管１１は、マイクロ波導入口１１ａと左右に分岐する分岐部１１ｂから成る。分岐導波管１１は、断面が矩形の管であり、その一端は不図示のマイクロ波発生部に接続され、２つに分岐した他端は、それぞれスロット導波管３０、４０のほぼ中央に接続されている。スロット導波管３０、４０は、Ｘ方向に延在する断面が矩形の管であり、誘電体板４Ａの上面に接してＹ方向に所定間隔で並列配置されている。本実施の形態では、スロット導波管３０、４０の長さは、いずれも（Ｌ２＋Ｌ２）とする。
【００２９】
図７を参照すると、スロット導波管３０には、スロットアンテナ３１〜３８、スロット導波管４０には、スロットアンテナ４１〜４８が設けられており、スロット導波管３０、４０の各々の終端Ｅ３〜Ｅ６は、閉塞されている。終端Ｅ３〜Ｅ６に設けられる終端整合器は、図示を省略する。
【００３０】
図７において、分岐点Ｏは、分岐導波管１１の中心線ＣＬ２上にあり、分岐位置を代表する点である。中心線ＣＬ２は、分岐導波管１１内のマイクロ波の伝搬経路に沿った中心線である。接続中心Ｃ２は、分岐導波管１１の中心線ＣＬ２とスロット導波管３０の中心線ＳＬ２との交点であり、両者の接続位置を代表する点である。分岐点Ｏから接続中心Ｃ２までの距離がｄ１である。図７（ａ）に示されるように、距離ｄ１の内、Ｚ方向の距離はαである。
同様に、接続中心Ｃ３は、分岐導波管１１の中心線ＣＬ２とスロット導波管４０の中心線ＳＬ３との交点であり、両者の接続位置を代表する点である。分岐点Ｏから接続中心Ｃ３までの距離がｄ２である。
【００３１】
マイクロ波Ｍは、分岐導波管１１の一方の端から入り、分岐点Ｏで２つに分離し、さらに接続中心Ｃ２，Ｃ３でそれぞれ２つに分離する。接続中心Ｃ２で分離した一方はスロット導波管３０内を＋Ｘ方向に終端Ｅ３まで伝搬し、他方はスロット導波管３０内を−Ｘ方向に終端Ｅ４まで伝搬する。同様に、接続中心Ｃ３で分離した一方はスロット導波管４０内を＋Ｘ方向に終端Ｅ５まで伝搬し、他方はスロット導波管４０内を−Ｘ方向に終端Ｅ６まで伝搬する。そして、マイクロ波Ｍは、スロットアンテナ３１〜３８、４１〜４８を通って誘電体板４Ａへ放射し、誘電体板４Ａを介して不図示の装置本体内に導入される。
【００３２】
以下、分岐導波管１１とスロット導波管３０，４０の寸法およびスロットアンテナ３１〜３８、４１〜４８の位置関係について説明する。
導波管内を伝搬するマイクロ波Ｍの波長をλgとすると、分岐点Ｏとスロット導波管３０の終端Ｅ３またはＥ４との距離（ｄ１＋Ｌ２）、および分岐点Ｏとスロット導波管４０の終端Ｅ５またはＥ６との距離（ｄ２＋Ｌ２）は、λgの整数倍に設定されている。
【００３３】
すなわち、ｎ2，ｎ3を正の整数とすると、ｄ１＋Ｌ２＝ｎ2×λg、且つｄ２＋Ｌ２＝ｎ3×λgに設定することにより、スロット導波管３０，４０内ではマイクロ波Ｍの定在波が形成される。定在波の形成により、常にスロット導波管３０，４０の一定の位置からマイクロ波Ｍを強く放射させることができる。なお、（ｄ１＋Ｌ２）と（ｄ２＋Ｌ２）は、λgの整数倍という条件を満たせば、等しくても等しくなくてもよい。
【００３４】
次に、スロットアンテナ３１〜３８、４１〜４８の位置関係について説明する。
スロット導波管３０では、スロットアンテナ３１と３５が分岐点Ｏに近接している。また、スロット導波管４０では、スロットアンテナ４１と４５が分岐点Ｏに近接している。分岐点Ｏとスロットアンテナ３１または３５との距離は、いずれもｎを正の整数とすると、（ｎ／２）λｇに設定されている。また、スロットアンテナ同士の配置間隔は、λgに設定されている。
【００３５】
図７（ｂ）では、接続中心Ｃ２とスロットアンテナ３１または３５との距離がλg／２であるので、分岐点Ｏから接続中心Ｃ２までの距離を、｛（ｎ−１）／２｝λgに設定すればよい。同様に、接続中心Ｃ３とスロットアンテナ４１または４５との距離がλg／２であるので、分岐点Ｏから接続中心Ｃ３までの距離を、｛（ｎ−１）／２｝λgに設定すればよい。なお、接続中心Ｃ２からスロットアンテナ３１までの距離と接続中心Ｃ２からスロットアンテナ３５までの距離とは等しくなくとも、λg／２の整数倍という条件を満たせばよい。
【００３６】
このように、分岐点Ｏからスロット導波管３０または４０の終端位置までの距離およびスロットアンテナ３１〜３８、４１〜４８の位置を設定することにより、マイクロ波Ｍの放射が効果的に行われる。その結果、誘電体板４Ａの表面全域にわたって均一なプラズマを生成させることができる。本実施の形態では、２本のスロット導波管３０，４０を並列接続しているので、第１の実施の形態に比べ、電子密度の均一なプラズマ生成領域をＹ方向に拡げることができる。
【００３７】
スロット導波管を３本以上並列接続すれば、電子密度の均一なプラズマ生成領域をさらに拡大することができる。
【００３８】
図８（ａ）は、第２の実施の形態の変形例であるプラズマ生成部の概略構成を示す平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）においてＡ方向から見た側面図である。プラズマ生成部３００は、分岐導波管１１、スロット導波管３０，４０，５０，６０および誘電体板４Ｂを備える。Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４およびＣ５は、それぞれ分岐導波管１１とスロット導波管３０，４０，５０，６０との接続中心である。図８（ｂ）に示されるように、分岐点Ｏから接続中心Ｃ２までの距離ｄ１の内、Ｚ方向の距離はαであり、分岐点Ｏから接続中心Ｃ３，Ｃ４およびＣ５までの各々の距離もαである。分岐導波管１１、スロット導波管３０，４０の配置構成は図７（ｂ）と同じである。簡単のために、スロット導波管３０，４０，５０，６０は、すべて同一長さ（Ｌ２＋Ｌ２）とする。
【００３９】
分岐点Ｏからスロット導波管３０の終端Ｅ３またはＥ４までの距離は、（ｄ１＋Ｌ２）である。同様に、分岐点Ｏからスロット導波管４０の終端Ｅ５またはＥ６までの距離は、（ｄ２＋Ｌ２）である。分岐点Ｏからスロット導波管５０の終端Ｅ７またはＥ８までの距離は、（ｄ３＋Ｌ２）である。分岐点Ｏからスロット導波管６０の終端Ｅ９またはＥ１０までの距離は、（ｄ４＋Ｌ２）である。
【００４０】
距離（ｄ１＋Ｌ２），（ｄ２＋Ｌ２），（ｄ３＋Ｌ２），（ｄ４＋Ｌ２）を管内波長λgの整数倍に設定することにより、誘電体板４Ｂへのマイクロ波Ｍの放射が効果的に行われる。このように、分岐点Ｏから各スロット導波管の終端までの距離を設定することにより、１箇所から導入されたマイクロ波Ｍを各スロット導波管の並列方向（Ｙ方向）へ広く伝搬させることができる。なお、図示は省略したが、スロットアンテナの位置は、図７（ｂ）と同様に設ける。また、終端整合器３０ｂ，３０ｃ，４０ｂ、４０ｃ，５０ｂ，５０ｃ，６０ｂ，６０ｃを設けて各終端Ｅ３〜Ｅ１０を可変としてもよい。
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＳＷＰ処理装置の概略構成を示す全体構成図である。
【図２】図２（ａ）は、第1の実施の形態に係るＳＷＰ処理装置のプラズマ生成部の縦断面図、図２（ｂ）は、その下面図である。
【図３】図３（ａ）は、第１の実施の形態に係るＳＷＰ処理装置のプラズマ生成部１００の斜視図、図３（ｂ）は、プラズマ生成部１００を用いたときのプラズマの電子密度分布を定性的に示すグラフである。
【図４】図４（ａ）は、従来のプラズマ生成部１００Ａの斜視図、図４（ｂ）は、プラズマ生成部１００Ａを用いたときのプラズマの電子密度分布を定性的に示すグラフであり、比較例として挙げる図である。
【図５】導波管内のマイクロ波Ｍの定在波の電界強度分布を一般的に示すグラフである。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るＳＷＰ処理装置のプラズマ生成部の概略構成を示す斜視図である。
【図７】図７（ａ）は、図６のプラズマ生成部を平面Ｐで切断した縦断面図、図７（ｂ）は、図６のプラズマ生成部をＺ方向から見た下面図である。
【図８】第２の実施の形態の変形例であるプラズマ生成部の概略構成を示す平面図および側面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１：マイクロ波発生部
２：装置本体
３：上板
４，４Ａ，４Ｂ：誘電体板
１０：中央導波管
１１：分岐導波管
２０，３０，４０，５０，６０：スロット導波管
１００，２００，３００：プラズマ生成部
Ｃ１〜Ｃ５：接続中心
Ｅ１〜Ｅ１０：終端
Ｍ：マイクロ波
Ｏ：分岐点
【図１】
2005141941.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005141941.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005141941.tif 000009
【図８】
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