(57)【要約】【課題】経年による周波数ずれが起こらず、また、製造コスト面でも有利であり、更に周波数の調整精度の高い周波数調整が可能な弾性表面波素子の製造方法、その装置及び弾性表面波素子を提供することを目的とする。【解決手段】パルスレーザ発振器２１から発振されたパルスレーザビームをＩＤＴ電極３と反射器４とを含む電極領域に照射し、パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行う。【選択図】        図３
2005020166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、櫛歯状電極が対向配置されてなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極を挟むように配置された反射器とが形成されてなる弾性表面波素子の製造方法であって、
前記圧電基板上の前記ＩＤＴ電極と前記反射器とを含む電極領域にパルスレーザビームを照射し、前記圧電基板上の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項２】
前記パルスレーザビームは、前記電極領域全体を一度に照射することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項３】
前記パルスレーザビームの偏光状態を、直線偏光且つその偏光方位が前記櫛歯状電極の櫛歯が延びる方向に対して直交するように定めた後、前記電極領域に照射するようにしたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
前記パルスレーザビームを、そのレーザビームの伝播方向が前記圧電基板の基板面の法線方向に対して角度を有するように前記電極領域に照射するようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
前記偏光変換が行われたパルスレーザビームを、面内強度分布がほぼ均一になるように整形した後、前記電極領域に照射するようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項６】
前記偏光変換が行われたパルスレーザビームをデフォーカス状態で前記電極領域に照射することにより、パルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形することを特徴とする請求項５記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項７】
前記パルスレーザビームのビーム径を拡大し、そのビーム径が拡大されたレーザビームのほぼ中心部の切り出しを行い、切り出されたレーザビームを所定の倍率で前記電極領域上に結像させることにより、パルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形することを特徴とする請求項５記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項８】
回折光学素子によりパルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形することを特徴とする請求項５記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項９】
前記回折光学素子により、前記面内強度分布の整形に加え、パルスレーザビームによる前記圧電基板上の照射領域の形状が前記電極領域の形状とほぼ一致するように整形することを特徴とする請求項８記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１０】
前記パルスレーザビームの照射と同時に、前記弾性表面波素子の共振周波数及びインピーダンスを測定しながら前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも前記ＩＤＴ電極上に、絶縁膜で構成された保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１２】
前記圧電基板は、前記電極領域が複数形成されたウエハであり、該ウエハ上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１３】
前記圧電基板は、前記電極領域が複数形成されたウエハを個々の個片に切断されてなる個片基板であり、該個片基板上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１４】
前記弾性表面波素子は、前記個片基板と該個片基板を封止する蓋体とを有し、該蓋体をパルスレーザビームに対して透明な透明基板で構成し、前記蓋体による封止後に前記透明基板を介して電極領域にパルスレーザビームを照射することにより前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項１３記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１５】
前記パルスレーザは超短パルスレーザであることを特徴とする請求項１乃至請求項１４の何れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１６】
前記超短パルスレーザはフェムト秒レーザであることを特徴とする請求項１５記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１７】
圧電基板上に、櫛歯状電極が対向配置されてなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極を挟むように配置された反射器とが形成されてなる弾性表面波素子の製造装置であって、
パルスレーザビームを発振し、該パルスレーザビームを前記ＩＤＴ電極と前記反射器とを含む電極領域に照射するパルスレーザ発振器を備え、該パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造装置。
【請求項１８】
前記パルスレーザ発振器から発振されたパルスレーザビームは、前記電極領域全体を一度に照射することを特徴とする請求項１７記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項１９】
前記パルスレーザ発振器から発振されたパルスレーザビームの偏光状態を、直線偏光且つその偏光方位が前記櫛歯状電極の櫛歯が延びる方向に対して直交するように定める偏光変換手段を備えたことを特徴とする請求項１７又は請求項１８記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２０】
前記圧電基板を、その基板面がパルスレーザビームの伝播方向と直交する方向から僅かに傾斜するように配置して、前記パルスレーザビームが、そのレーザビームの伝播方向が前記圧電基板の基板面の法線方向に対して角度を有して前記電極領域に照射されるようにしたことを特徴とする請求項１７乃至請求項１９の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２１】
前記偏光変換手段の後段に、前記偏光変換手段からのパルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形する光強度分布整形手段を配置したことを特徴とする請求項１７乃至請求項２０の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２２】
前記光強度分布整形手段は集光レンズであり、集光点が前記電極領域から外れてパルスレーザビームがデフォーカス状態で前記電極領域に照射されるように前記集光レンズと前記圧電基板との配置関係が構成されていることを特徴とする請求項２１記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２３】
前記光強度分布整形手段は、パルスレーザビームのビーム径を拡大するビームエクスパンダと、ビーム径が拡大されたレーザビームのほぼ中心部の切り出しを行う開口マスクと、該開口マスクにより切り出されたレーザビームを所定の倍率で前記電極領域上に結像させる結像レンズとにより構成されることを特徴とする請求項２１記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２４】
前記光強度分布整形手段は回折光学素子であることを特徴とする請求項２１記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２５】
前記回折光学素子は、パルスレーザビームによる前記圧電基板上の照射領域の形状が前記電極領域の形状とほぼ一致するようにパルスレーザビームを整形する機能も備えていることを特徴とする請求項２４記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２６】
前記パルスレーザビームの照射と同時に、前記弾性表面波素子の共振周波数及びインピーダンスを測定する手段を備えたことを特徴とする請求項１７乃至請求項２５の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２７】
少なくとも前記ＩＤＴ電極上に、絶縁膜で構成された保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１７乃至請求項２６の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２８】
前記圧電基板は、前記電極領域が複数形成されたウエハであり、該ウエハ上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項１７乃至請求項２７の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項２９】
前記圧電基板は、前記電極領域が複数形成されたウエハを個々の個片に切断されてなる個片基板であり、該個片基板上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項１７乃至請求項２７の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項３０】
前記弾性表面波素子は、前記個片基板と該個片基板を封止する蓋体とを有し、該蓋体をパルスレーザビームに対して透明な透明基板で構成し、前記蓋体による封止後に前記透明基板を介して電極領域にパルスレーザビームを照射することにより前記周波数調整を行うことを特徴とする請求項２９記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項３１】
前記パルスレーザは超短パルスレーザであることを特徴とする請求項１７乃至請求項３０の何れかに記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項３２】
前記超短パルスレーザはフェムト秒レーザであることを特徴とする請求項３１記載の弾性表面波素子の製造装置。
【請求項３３】
請求項１乃至請求項１６の何れかに記載の製造方法によって周波数の調整がなされたことを特徴とする弾性表面波素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）素子の製造方法、その装置及び弾性表面波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、家電機器、通信機器、電子応用機器等において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波素子が使用されている。この種の弾性表面波素子は、水晶基板等の圧電基板上に共振器となるＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と、ＩＤＴ電極の両側方にそれぞれ配置された同じ構成でなる２つの反射器とを有した構成を有している。弾性表面波素子の共振周波数は、電極の膜厚に依存することが知られており、このため、従来より共振周波数の調整には、電極の膜厚を変える方法が採用されている。具体的には、圧電基板としての水晶をエッチングにより除去して電極の見かけ上の膜厚を変える方法や、電極そのものをエッチングして膜厚を変える方法が提案されている（非特許文献１参照）。前者の更に具体的な方法としては、上記非特許文献１に記載されてるように、ＣＦ系ガスのような反応性ガスを弾性表面波素子に照射して水晶をエッチングする方法であり、また、後者の具体的な方法としては、塩素系ガスやリン酸により電極をエッチングする方法である。
【０００３】
【非特許文献１】
「３．弾性表面波共振器」、電気学会技術報告（ＩＩ部）第３０６号、電気学会、１９８９年９月、Ｐ２８−４２
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の従来技術では、下記に示す課題がある。
【０００５】
ＣＦ系ガスによる周波数調整方法では、製造過程において使用したガスの残留成分等により、エッチング直後に実現された電極膜厚の経年変化が起こり、弾性表面波素子の周波数が変化してしまうといった問題がある。また、ＣＦ系ガスの排気処理を行う付帯装置が必要となるなど、エッチング装置が大掛かり且つ非常に高価なものとなり、設備コストがかかるという問題があった。また、塩素系ガスを用いた場合には、ＣＦ系ガスを用いた場合と同様、エッチング装置が大掛かり且つ非常に高価であり設備コストがかかるいう問題がある。
【０００６】
ところで、上記のＣＦ系ガス及び塩素系ガスを用いたエッチングでは、ドライエッチングであることから、弾性表面波を励振させ共振周波数を測定しながらの調整が可能となっている。しかしながら、リン酸による電極エッチングの場合、ウェットエッチングであることからこれが不可能であった。このため、微調整が困難で、高精度な周波数の調整が困難であるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記のような課題に鑑みなされたもので、経年による周波数のずれが起こらず、また、製造コスト面でも有利であり、更に周波数の調整精度の高い周波数調整が可能な弾性表面波素子の製造方法、その装置及び弾性表面波素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、圧電基板上に、櫛歯状電極が対向配置されてなるＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を挟むように配置された反射器とが形成されてなる弾性表面波素子の製造方法であって、圧電基板上のＩＤＴ電極と反射器とを含む電極領域にパルスレーザビームを照射し、圧電基板上の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行うものである。このように多光子吸収による加工を用いて周波数調整を行うようにしたことにより、熱損傷が無く高精度な加工が可能となり、よって、精度の良い周波数調整が可能となる。また、多光子吸収による加工であるため、従来のＣＦ系ガスを用いた方法の場合のように、一旦調整された周波数が時間経過とともにずれるといった不都合を排除することができ、また、ＣＦ系ガスの排気処理を行う付帯設備が不要であり製造コスト面でも有利である。
【０００９】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記パルスレーザビームによって電極領域全体を一度に照射するものである。このように電極領域全体を一度に照射することにより、電極領域に含まれるＩＤＴ領域と反射器とが同時に照射されて同様の加工が施され、ＩＤＴ領域の周波数と反射器の周波数とを同じだけシフトさせることが可能となる。その結果、弾性表面波素子のクリスタルインピーダンス値を上昇させることなく周波数調整を行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記パルスレーザビームの偏光状態を、直線偏光且つその偏光方位が櫛歯状電極の櫛歯が延びる方向に対して直交するように定めた後、電極領域に照射するものである。このような偏光変換を行ったパルスレーザビームを照射することにより、変化レートの高い周波数調整が可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記パルスレーザビームを、そのレーザビームの伝播方向が圧電基板の基板面の法線方向に対して角度を有するように電極領域に照射するものである。このようにしてパルスレーザビームを照射することにより、レーザビームの電極領域からの反射戻り光によってこの製造方法を実現するための各光学部品が露光されるのを避けることが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記偏光変換が行われたパルスレーザビームを、面内強度分布がほぼ均一になるように整形した後、電極領域に照射するようにしたものである。これにより、電極領域に含まれるＩＤＴ電極と反射器をほぼ同じようにかつ均一に加工することが可能となり、ＩＤＴ電極の周波数と反射器の周波数を同じだけシフトさせることが可能となる。その結果、弾性表面波素子のクリスタルインピーダンス値を上昇させることなく周波数調整を行うことが可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記偏光変換が行われたパルスレーザビームをデフォーカス状態で電極領域に照射することにより、パルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形するものである。このようにしてパルスレーザビームの面内強度分布の均一化を図ることができる。
【００１４】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記パルスレーザビームのビーム径を拡大し、そのビーム径が拡大されたレーザビームのほぼ中心部の切り出しを行い、切り出されたレーザビームを所定の倍率で電極領域上に結像させることにより、パルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形するものである。このようにしてパルスレーザビームの面内強度分布の均一化を図ることができる。
【００１５】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、回折光学素子によりパルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形するものである。このようにしてパルスレーザビームの面内強度分布の均一化を図ることができる。
【００１６】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記回折光学素子により、面内強度分布の整形に加え、パルスレーザビームによる圧電基板上の照射領域の形状が電極領域の形状とほぼ一致するように整形するようにしたものである。このようにすれば、パルスレーザビームの光の利用効率を向上させることが可能となる。
【００１７】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記パルスレーザビームの照射と同時に、弾性表面波素子の共振周波数及びインピーダンスを測定しながら周波数調整を行うものである。これにより、高精度な周波数調整が可能となる。
【００１８】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、少なくともＩＤＴ電極上に、絶縁膜で構成された保護膜が形成されているものである。このように保護膜が形成された弾性表面波素子に対しても上記と同様の方法により周波数調整を行うことができる。
【００１９】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記圧電基板が、電極領域が複数形成されたウエハであり、ウエハ上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより周波数調整を行うものである。これによれば、ウエハの状態で各電極領域に対して周波数調整を行うことが可能となる。
【００２０】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記圧電基板が、電極領域が複数形成されたウエハを個々の個片に切断されてなる個片基板であり、個片基板上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより周波数調整を行うものである。これによれば、個片基板の状態で周波数調整を行うことが可能となる。
【００２１】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記弾性表面波素子が、個片基板と個片基板を封止する蓋体とを有し、蓋体をパルスレーザビームに対して透明な透明基板で構成し、蓋体による封止後に透明基板を介して電極領域にパルスレーザビームを照射することにより周波数調整を行うものである。これによれば、蓋体による封止後に周波数調整を行うことが可能となる。
【００２２】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記パルスレーザビームが超短パルスレーザであるものである。このように、超短パルスレーザを用いることにより多光子吸収による加工が可能となる。
【００２３】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、上記超短パルスレーザがフェムト秒レーザであるものである。このように、多光子吸収による加工を可能とする超短パルスレーザとして具体的にはフェムト秒レーザが用いられる。
【００２４】
本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、圧電基板上に、櫛歯状電極が対向配置されてなるＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を挟むように配置された反射器とが形成されてなる弾性表面波素子の製造装置であって、
パルスレーザビームを発振し、パルスレーザビームをＩＤＴ電極と反射器とを含む電極領域に照射するパルスレーザ発振器を備え、パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行うものである。このように多光子吸収による加工を用いて周波数調整を行うようにしたことにより、熱損傷が無く高精度な加工が可能となり、よって、精度の良い周波数調整が可能となる。また、多光子吸収による加工であるため、従来のＣＦ系ガスを用いた方法の場合のように、一旦調整した周波数が時間経過とともにずれるといった不都合を排除することができ、また、ＣＦ系ガスの排気処理を行う付帯設備が不要であり製造コスト面でも有利である。
【００２５】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記パルスレーザ発振器から発振されたパルスレーザビームによって電極領域全体を一度に照射するものである。このように電極領域全体を一度に照射することにより、電極領域に含まれるＩＤＴＴ領域と反射器とが同時に照射されて同様の加工が施され、ＩＤＴ領域の周波数と反射器の周波数とを同じだけシフトさせることが可能となる。その結果、弾性表面波素子のクリスタルインピーダンス値を上昇させることなく周波数調整を行うことが可能となる。
【００２６】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記パルスレーザビームを、直線偏光且つその偏光方位が櫛歯状電極の櫛歯が延びる方向に対して直交するように定める偏光変換手段を備えたものである。このような偏光変換を行ったパルスレーザビームを照射することにより、変化レートの高い周波数調整が可能となる。
【００２７】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記圧電基板を、その基板面がパルスレーザビームの伝播方向と直交する方向から僅かに傾斜するように配置して、前記パルスレーザビームが、そのレーザビームの伝播方向が前記圧電基板の基板面の法線方向に対して角度を有して前記電極領域に照射されるようにしたものである。このようにしてパルスレーザビームを照射することにより、レーザビームの電極領域からの反射戻り光によって上記各構成部品が露光されるのを避けることが可能となる。
【００２８】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記偏光変換手段の後段に、偏光変換手段からのパルスレーザビームの面内強度分布がほぼ均一になるように整形する光強度分布整形手段が配置されてなるものである。これにより、電極領域に含まれるＩＤＴ電極と反射器をほぼ同じようにかつ均一に加工することが可能となり、ＩＤＴ電極の周波数と反射器の周波数を同じだけシフトさせることが可能となる。その結果、弾性表面波素子のクリスタルインピーダンス値を上昇させることなく周波数調整を行うことが可能となる。
【００２９】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記光強度分布整形手段が集光レンズであり、集光点が電極領域から外れてパルスレーザビームがデフォーカス状態で電極領域に照射されるように集光レンズと圧電基板との配置関係が構成されているものである。かかる構成によって、パルスレーザビームの面内強度分布の均一化を図ることができる。
【００３０】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記光強度分布整形手段が、パルスレーザビームのビーム径を拡大するビームエクスパンダと、ビーム径が拡大されたレーザビームのほぼ中心部の切り出しを行う開口マスクと、開口マスクにより切り出されたレーザビームを所定の縮小倍率で電極領域上に結像させる結像レンズとにより構成されるものである。かかる構成によって、パルスレーザビームの面内強度分布の均一化を図ることができる。
【００３１】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記光強度分布整形手段を回折光学素子としたものである。かかる構成によってパルスレーザビームの面内強度分布の均一化を図ることができる。
【００３２】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記回折光学素子が、パルスレーザビームによる圧電基板上の照射領域の形状が電極領域の形状とほぼ一致するようにパルスレーザビームを整形する機能も備えているものである。これにより、パルスレーザビームの光の利用効率を向上させることが可能となる。
【００３３】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記弾性表面波素子の共振周波数及びインピーダンスを測定するネットワークアナライザを備えたものである。これにより、上記特性を測定しながらの調整が可能となり、高精度な周波数調整が可能となる。
【００３４】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、少なくともＩＤＴ電極上に、絶縁膜で構成された保護膜が形成されているものである。このように保護膜が形成された弾性表面波素子に対しても上記と同様にして周波数調整を行うことができる。
【００３５】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記圧電基板が、電極領域が複数形成されたウエハであり、ウエハ上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより周波数調整を行うものである。これによれば、ウエハの状態で各電極領域に対して周波数調整を行うことが可能となる。
【００３６】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記圧電基板が、電極領域が複数形成されたウエハを個々の個片に切断されてなる個片基板であり、個片基板上の電極領域に対してパルスレーザビームを照射することにより周波数調整を行うものである。これによれば、個片基板の状態で周波数調整を行うことが可能となる。
【００３７】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記弾性表面波素子が、個片基板と個片基板を封止する蓋体とを有し、蓋体をパルスレーザビームに対して透明な透明基板で構成し、蓋体による封止後に透明基板を介して電極領域にパルスレーザビームを照射することにより周波数調整を行うものである。これによれば、蓋体による封止後に周波数調整を行うことが可能となる。
【００３８】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記パルスレーザが超短パルスレーザであるものである。このように、超短パルスレーザを用いることにより多光子吸収による加工が可能となる。
【００３９】
また、本発明に係る弾性表面波素子の製造装置は、上記超短パルスレーザがフェムト秒レーザであるものである。このように、多光子吸収による加工を可能とする超短パルスレーザとして具体的にはフェムト秒レーザが用いられる。
【００４０】
本発明に係る弾性表面波素子は、上記の何れかに記載の製造方法によって周波数の調整がなされたことにより得られたものである。これによれば、信頼性が高く、高精度な周波数調整が成された弾性表面波素子を得ることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の弾性表面波素子の製造方法および弾性表面波素子の製造装置について説明する。なお、本発明は、弾性表面波素子の周波数調整に特徴を有するものであり、以下では、弾性表面波素子の周波数調整方法を中心に説明することとし、周波数調整前の製造過程の説明については省略する。また、以下では、弾性表面波素子の製造装置のうち、周波数調整を行う周波数調整装置部分の構成を図示してその詳細説明を行うこととし、周波数調整前の製造過程に係る装置構成については省略することにする。
【００４２】
実施の形態１．
図１は、本発明の各実施形態の周波数調整装置によって周波数調整が行われる弾性表面波素子の弾性表面波素子片を示す図で、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２は、図１の弾性表面波素子片を備えた弾性表面波素子を示す概略断面図である。
【００４３】
図１において、弾性表面波素子片１は、圧電基板２上に、一対の櫛歯状電極が互いに噛み合うように対向配置された構成の共振器としてのＩＤＴ電極３と、このＩＤＴ電極３を挟むように配置された２つの反射器４、４とを備えている。なお、以下では、ＩＤＴ電極３と反射器４とを含む領域３０を電極領域３０と呼ぶことがある。また、図１（ｂ）において、Ｌは、ＩＤＴ電極３の各櫛歯の幅、ＰはＩＤＴ電極３のピッチ、ｈはＩＤＴ電極３の厚みで、本例ではＬが２．５μｍ、Ｐが５．０μｍ、ｈが３５０ｎｍである。
【００４４】
上記圧電基板２は、たとえば水晶板からなっていて、その表面にたとえばアルミニウムからなるＩＤＴ電極３、反射器４等が薄膜形成技術によって形成されている。本例では、圧電基板２は水晶であるが、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの他の圧電材料で形成しても良い。
【００４５】
ＩＤＴ電極３は、電気信号が供給されると圧電効果によって弾性表面波（ＳＡＷ）を励振するとともに、励振された弾性表面波を電気信号に変換して出力する機能を有している。反射器４、４はＩＤＴ電極３を挟むように形成されていて、ＩＤＴ電極３から出力した弾性表面波を反射器４、４内に閉じこめる機能を有している。
【００４６】
以上のように構成された弾性表面波素子片１は、図示しないウエハ上に一括して複数形成された電極領域３０を、個々の個片に切断して得られたものである。この弾性表面波素子片１は、図２に示すように、セラミックパッケージ５の上に接着剤６により固着され、ワイヤ７によるワイヤボンディングより弾性表面波素子片１の図示しない端子と、セラミックパッケージ５の図示しない端子とが接続される。そして、セラミックパッケージ５の開口部５ａの上に蓋体８を配置し、蓋体８を窒素中でシーム溶接してパッケージ内部を気密封止することにより弾性表面波素子１０が完成するようになっている。
【００４７】
かかる構成の弾性表面波素子１０は、電気信号が入力されると、この電気信号は、ＩＤＴ電極３の一方の櫛歯状電極３ａに入力される。櫛歯状電極６に入力された電気信号は、圧電基板２の材質や電極の構成に基づいて、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波が圧電基板２の表面を伝播して他方の櫛歯状電極３ａに戻され、ここから外部に取り出されることによって、所定の動作周波数の信号を取り出すことができるようにされている。
【００４８】
ここで、本発明の弾性表面波素子１０の周波数調整方法は、弾性表面波素子１０の電極領域３０にパルスレーザを照射し、圧電基板２上の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子１０の周波数調整を行うことに特徴を有するものであり、更に詳しくは、圧電基板２上の少なくとも一部を除去する際に、パルスレーザの照射により生じる多光子吸収を介して除去するようにしたものである。以下、このような周波数調整を行う周波数調整装置の構成について詳述する。なお、以下に説明する周波数の調整は、例えば個片に切断する前のウエハ上において、個々の電極領域に対して行うようにしても良く、また、切断して個々の個片基板に個片化した後でも良く、他に、弾性表面波素子片１を封止するための蓋体８を、通常、用いられている金属製のものに代えてレーザビームに対して透明な透明基板で構成し、パッケージ内部を気密封止した後に行っても良いものとする。なお、後述の各図においては、個片化された個片基板（弾性表面波素子片１）を示し、個片基板に対して周波数調整を行う場合を例に説明していくことにする。
【００４９】
図３は、本発明の実施の形態１の周波数調整装置の構成を示す概略図である。
周波数調整装置２０は、パルスレーザ発振器２１と、全反射ミラー２２と、シャッタ２３と、ＮＤフィルタ２４と、偏光変換手段２５と、光強度分布整形手段２６と、ネットワークアナライザ２７とを備えた構成となっている。
【００５０】
パルスレーザ発振器２１は、パルスレーザビームを発振する発振器で、ここでは多光子吸収を起こすことが可能な程度に強度の高いパルスレーザを発振するものである。強度の高いレーザとして、具体的には超短パルスレーザとしてのフェムト秒パルスを発振する。更に具体的には、本例では、波長０．８μｍ、パルス幅１００ｆｓ、１パルス当たりのエネルギーが、〜１ｍＪのフェムト秒パルスレーザを、繰り返しレート１ＫＨｚで発振する。このようなフェムト秒パルスレーザを発振することで、該フェムト秒パルスレーザが照射された照射領域において多光子吸収による加工が可能となっている。
【００５１】
図４は、弾性表面波素子片１の照射領域を示す図である。図４において、３１が照射領域である。本発明においては、パルスレーザ発振器２１から発振されたパルスビームが、電極領域３０全体を一度に照射し、電極領域３０全体に対して多光子吸収による加工を施すようにしている。なお、図４には照射領域の形状が円形状の場合を例示しているが、これに限られたものではなく、少なくとも電極領域３０全体を含むように照射されればよく、その形状については任意である。
【００５２】
ここで、多光子吸収による加工について簡単に説明する。
多光子吸収による加工においては、強度が充分に高いレーザを照射することにより複数の光子が同時に吸収され、バンドギャップを超えて励起された自由電子の数密度が増大し、逆制動輻射が進むことにより被加工物をアブレーション加工するものである。この多光子吸収による加工には、エネルギー強度の高い超短パルスレーザが用いられる。超短パルスレーザは、パルス幅が短いため、熱が被加工物中へ拡散していく前に加工が終了しする。このため、溶融領域がほとんど発生せず、被加工領域の周辺に熱的損傷を与えない。このようなことから多光子吸収による加工は、熱的損傷を抑制でき、高精度な微細加工が可能な加工方法と言える。また、多光子吸収による加工は、導体から絶縁体まで素材を選ぶことなく加工可能な方法としても知られており、このような加工方法を周波数調整に用いることにより、照射領域部分を一様に加工でき、また、加工領域周囲への熱損傷の抑制及び高精度な微細加工が可能となって、高精度な周波数調整が可能となる。
【００５３】
シャッタ２３は、開閉によりパルス照射数を調整するもので、図示しないシャッタ駆動手段により開閉可能に構成されている。
【００５４】
ＮＤフィルタ２４は、交換によりパルスビームのパワー密度を調整するもので、加工閾値（周波数シフトが起こる最低のパワー密度）よりも高く、熱損傷が生じるパワー密度よりも低いパワー密度に調整するものである。
【００５５】
偏光変換手段２５は、入射ビームを直線偏光に変換すると共に、その偏光方位を櫛歯状電極が延びる方向に対して直交するように変換する機能を有するもので、具体的には波長板で構成されている。ここで、このような偏光変換手段２５を設けたのは以下の理由による。すなわち、パルスビーム照射による共振周波数の変化レートは、発明者が行った実験により、電極領域３０に照射するパルスビームの偏光状態に大きく左右することが確認されたためである。具体的には偏光状態が直線偏光で、且つ、その偏光方位がＩＤＴ電極３の櫛歯電極の延出方向に対して直交する方向の場合に変化レートが高くなることが確認された。
【００５６】
一方、偏光状態が直線偏光で、且つ、その偏光方位がＩＤＴ電極３の櫛歯電極の延出方向に対して平行な場合には変化レートが低い。また、偏光状態が楕円偏光の場合には、それらの中間のレートであることが確認された。これは楕円偏光中の一部の偏光成分（偏光方位が櫛歯電極の延出方向に対して直交）が主に周波数の変化に貢献するためである。このことから、本例においては、偏光変換手段２５により、偏光状態が直線偏光で、且つ、その偏光方位がＩＤＴ電極３の櫛歯電極の延出方向に対して直交する方向に変換し、このような変換が成されたパルスビームを弾性表面波素子片１に照射することで、変化レートの高い周波数調整を可能としている。
【００５７】
光強度分布整形手段２６は、入射されたパルスビームの面内強度分布をほぼ均一に整形して射出する機能を有している。ここで、パルスビームを弾性表面波素子片１に照射する際には、できるだけ均一な面内強度分布を有するビームを用いることが望ましい。これは、面内強度分布が不均一なビーム（例えば、集光ガウスビーム）を用いた場合、アブレーション加工には閾値（アブレーション作用が発生する閾値）が存在することから、その閾値を超えたエネルギーを有する部分、すなわち強度分布の中心が主に加工が進行してしまうことになり、照射部分を均一に加工できないためである。
【００５８】
ところで、従来より、弾性表面波素子１０においては、図５に示すように反射器４の反射係数の中心周波数と、ＩＤＴ電極３の放射コンダクタンスが最大値を示す周波数とがほぼ一致することが理想とされ、周波数調整前の弾性表面波素子１０にはこのような設計が施されている。なお、図５において横軸が周波数、縦軸が放射コンダクタンスと反射係数である。しかしながら、電極領域３０の一部、例えばＩＤＴ電極３のみに対して集光ガウスビームのような局所的に強度が強いレーザビームが照射された場合、ＩＤＴ電極３の放射コンダクタンスが最大値を示す周波数が反射器４の反射係数の中心周波数から外れてしまい、これにより弾性表面波素子１０のクリスタルインピーダンス（以下、ＣＩという）値が上昇してしまうという問題が生じる。
【００５９】
このため、面内強度分布を均一にして電極領域３０全体を一度に照射し、ＩＤＴ電極３と反射器４とをほぼ同じように加工することで、ＩＤＴ電極３の周波数と反射器４の周波数とを同じだけシフトさせる必要がある。そのための手段として、光強度分布整形手段２６が用いられている。光強度分布整形手段２６の具体的な構成例については、後述することにするが、光強度分布整形手段２６を用いることにより、電極領域３０内を均一に加工でき、ＣＩ値を変化させることなく共振周波数を調整することができるようになっている。
【００６０】
ネットワークアナライザ２７は、弾性表面波素子の共振周波数及びＣＩ値を検出し、後述の図７に示すようなインピーダンスＺの波形をモニタ画面上に表示するものである。
【００６１】
以上のように構成された周波数調整装置２０の動作について以下に説明する。
図示しないシャッタ駆動手段によりシャッタ２３が開かれ、パルスレーザ発振器２１からフェムト秒パルスレーザビームが発振されると、そのレーザビームは、ＮＤフィルタ２４によるパワー密度調整が行われた後、偏光変換手段２５に入射される。そして、偏光変換手段２５で偏光状態が直線偏光で、且つ、その偏光方位がＩＤＴ電極３の櫛歯電極の延出方向に対して直交する方向に変換される。そして、光強度分布整形手段２６によりレーザビームの面内強度分布が略均一に整形された後、弾性表面波素子片１に照射される。なお、弾性表面波素子片１に照射されるレーザビームの中心が電極領域３０のほぼ中心に一致するように照射されるようになっている。これは、位置合わせの誤差が大きいと、電極領域３０への加工が偏って共振周波数とともにＣＩ値が変動するためである。
【００６２】
パルスビームが照射された照射部分においては、強度の高いフェムト秒パルスレーザが照射されることで多光子吸収が生じ、アブレーション加工が施され、照射領域の少なくとも一部が除去される。これにより弾性表面波素子の共振周波数が変化する。
【００６３】
図６は、弾性表面波素子に対するパルスレーザ照射時間と共振周波数の変化量との関係を示す図である。図６において、（ａ）は、周波数変化を示すグラフで、照射時間を横軸にとり、左側縦軸に周波数変化量Δｆを取っている。また、（ｂ）はクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値を示すグラフで、照射時間を横軸にとり、右側縦軸にＣＩ値を取っている。
【００６４】
図６より、パルスレーザ照射時間が長くなると、周波数が上昇することが分かる。また、本例においては、上述したように光強度分布整形手段２６によって面内強度がほぼ均一になるように整形されたパルスビームを照射するため、ＣＩ値の変動は生じず、共振周波数のみが変化している。このように照射時間を制御することにより、すなわち照射部分の加工除去量を制御することにより周波数を任意に調整できる。
【００６５】
また、本例においては、パルスビームを、偏光状態が直線偏光で、且つ、その偏光方位がＩＤＴ電極３の櫛歯電極の延出方向に対して直交する方向に変換して照射するようにしているため、高い変化レートで周波数の調整が可能となっており、図６の例では、周波数の変化レートが、〜３ｐｐｍ／秒となっている。なお、パルスの繰り返しレートを１ＫＨｚから１０ＫＨｚ以上に上げることにより〜１０倍以上の変化レートを実現することも可能である。
【００６６】
ところで、周波数調整装置２０においては、このような多光子吸収による加工中、弾性表面波素子片１の共振周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ値）の変化をネットワークアナライザ２７により同時モニタしている。
【００６７】
図７は、ネットワークアナライザのモニタ画面を示す図である。
モニタ画面には、インピーダンスＺの波形が表示される。なお、図７においてｆ０  は共振周波数、共振周波数ｆ０  のときのインピーダンスＺがＣＩ値である。ここで、本例においては、上述したようにＣＩ値の変動は生じず、周波数のみが除々に上昇するように変化するため、レーザ照射を継続することにより、モニタ画面においては、図に示したインピーダンスＺの波形が、右方向に平行移動していくことになる。そして、モニタ画面を確認しながら所定の周波数になるまでレーザビーム照射を行い、所定の周波数に達すると、シャッタ２３を閉じて周波数調整を終了する。
【００６８】
ところで、図３において弾性表面波素子片１は、その基板面２ａがレーザビームの伝播方向に直交するように配置されている。しかしながら、実際には次の図のように配置されており、弾性表面波素子片１に照射されたレーザビームの弾性表面波素子片１からの反射戻り光により、各光学部品が露光されるのを避ける配置となっている。
【００６９】
図８は、弾性表面波素子の実際の配置構成を示す模式図である。
図８に示すように、弾性表面波素子片１は、その基板面２ａが入射ビーム３２の伝播方向と直交する方向から僅かに傾斜するように配置されている。このように配置して、入射ビーム３２が、その入射ビーム３２の伝播方向が前記圧電基板２の基板面２ａの法線方向に対して角度を有して前記電極領域３０に照射されるようにしている。このため、入射ビーム３２が光強度分布整形手段２６を通過して弾性表面波素子片１に照射された後、その反射戻り光３３が光強度分布整形手段２６に向かうのを避けることができる。また、弾性表面波素子片１と光強度分布整形手段２６との間には、開口３４ａを有する遮光マスク３４が配置されており、反射戻り光３３を遮光するようになっている。かかる構成により、レーザビームの弾性表面波素子片１からの反射戻り光３３が各光学部品を露光するのを確実に避けることができるようになっている。
【００７０】
以上説明したように、実施の形態１によれば、多光子吸収による加工を用いて周波数調整を行うようにしたため、熱損傷が無く高精度な加工が可能となり、よって、精度の良い周波数調整が可能となる。また、本発明は周波数調整のための加工にレーザを用いた方法であるため、従来のＣＦ系ガスを用いた場合のように、残留ガスによる周波数変動がなく、信頼性の高い弾性表面波素子１０を得ることができる。またＣＦ系ガスの排気処理を行う付帯設備が不要であり製造コスト面でも有利である。
【００７１】
また、偏光変換手段２５により、偏光状態が直線偏光で、且つ、その偏光方位がＩＤＴ電極３の櫛歯電極の延出方向に対して直交する方向に変換し、このような変換が成されたパルスビームを弾性表面波素子片１に照射することで、加工速度を向上させ、変化レートの高い周波数調整が可能となっている。
【００７２】
また、光強度分布整形手段２６を用いてレーザビームの面内強度分布をほぼ均一にして弾性表面波素子片１に照射するようにしたため、照射領域３１（電極領域３０）を均一に加工することができ、ＣＩ値を変化させることなく共振周波数を調整することができる。
【００７３】
また、ネットワークアナライザ２７により弾性表面波素子１０の共振周波数及びインピーダンスを測定しながら周波数調整を行うようにしたので、高精度な周波数調整が可能となる。
【００７４】
実施の形態２．
次に、光強度分布整形手段２６の具体例について、図を参照しながら説明する。
【００７５】
図９は、光強度分布整形手段の具体的一例を示す図である。
図９において、本実施の形態２の光強度分布整形手段４０は、集光レンズ４１で構成されている。本実施の形態２は、弾性表面波素子片１を集光点Ｐ１よりも手前側に配置し、集光点Ｐ１を電極領域３０（図４参照）から外すことでパルスビームがデフォーカス状態で電極領域３０に照射されるようにしたものである。このようにすることで、パルスビームの強度分布がほぼ均一化された状態で弾性表面波素子片１を照射することができる。これにより、照射部分を均一に加工することが可能となる。したがって、ＣＩ値を変化させることなく、共振周波数を調整することが可能となる。なお、本実施の形態２における弾性表面波素子片１上のパルスビームの照射領域の大きさ及び形状は、図４に示したものと同様に、電極領域１を含む大きさを有し、その形状は円形形状となっている。
【００７６】
実施の形態３．
図１０は、光強度分布整形手段の他の具体例を示す図である。
図１０において、実施の形態３の光強度分布整形手段５０は、偏光変換手段２５から出射されたパルスレーザビームを拡大するビームエクスパンダ５１と、ビームエクスパンダ５１からのパルスビームのほぼ中心部の切り出しを行う開口マスク５２と、開口マスク５２により切り出されたパルスビームを所定の倍率で弾性表面波素子片１の電極領域３０上に結像させる結像レンズ５３とで構成され、パルスビームの光路上に、この順で配置されている。ビームエクスパンダ５１は、ここでは整形前の直径〜６ｍｍのビームを直径〜１２ｍｍのビームに拡大する。また、開口マスク５２は、矩形状の図示しない開口（ここでは、〜４ｍｍ×４ｍｍ）を有し、この開口によりパルスビームのほぼ中心部を切り出すようにしている。なお、開口マスク５２の開口の形状は矩形状に限定されるものではなく、円形状などとしても良い。
【００７７】
本実施の形態３において、偏光変換手段２５から出射されたパルスビームは、ビームエクスパンダ５１によってビーム径が拡大され、その拡大されたパルスビームは開口マスク５２に照射される。そして、この開口マスク５２によってパルスビームのほぼ中心部分が切り出され、切り出されたパルスビームは、結像レンズ５３によって弾性表面波素子片１上に結像される。結像レンズ５３には、ここでは、縮小倍率が１／２のレンズが用いられており、開口マスク５２の１／２縮小像が弾性表面波素子片１上に結像される。このときのレーザビームの弾性表面波素子片１上での照射領域を図１１に示す。なお、図１１では、照射領域３１が電極領域３０と一致するように図示されているが、必ずしも一致しなくともよく、電極領域３０を含む大きさとされればよい。
【００７８】
実施の形態３によれば、ビーム径が拡大されたパルスビームの中央部分を開口マスク５２で切り出すことより、ＩＤＴ電極３上に均一な面内強度分布を有するレーザビームを照射することができる。よって、ＣＩ値を変化させることなく共振周波数を調整することができる。
【００７９】
ところで、上記実施の形態３の光強度分布整形手段５０は、開口マスク５２を用いることから、開口マスク５２によって遮断された光は電極領域３０の照射に利用されず、光利用効率を犠牲とした手段であった。この光利用効率の課題を解消した光強度分布整形手段の例を次の実施の形態で説明する。
【００８０】
実施の形態４．
図１２は、光強度分布整形手段の他の具体例を示す図である。
実施の形態４の光強度分布整形手段７０は、入射ビームを、面内強度分布がほぼ均一で、且つ照射領域の形状が電極領域３０の形状にほぼ一致するレーザビームに整形して射出する機能を有する回折光学素子７１で構成されている。本実施の形態３での弾性表面波素子片１上のパルスビームの照射領域は、図１１と同様である。このように、照射領域６１の形状が電極領域３０の形状にほぼ一致するように整形することで、パルスレーザ発振器２１から出射されたパルスレーザビームを、その光量を低減することなく電極領域３０に導光することができ、光の利用効率を向上させることが可能となっている。このようなビーム整形を行う回折光学素子７１は、整形前ビームの形状と面内強度分布ならびに照射領域の形状と寸法を条件として、素子位相関数の設計が行われ、その位相関数を満足するように製作されたものである。本例における回折光学素子７１は、ガウス分布（〜６ｍｍ）の入射ビームを矩形（２ｍｍ×２ｍｍ）かつ面内強度分布が均一なビームへ整形するように設計されている。
【００８１】
図１３は、回折光学素子の位相関数の一例を示した図で、グレー階調により０〜２πの位相分布を表現したものである。回折光学素子７１は、設計された位相関数を、使用波長に対して透明な透明基板上に、レジスト露光とドライエッチングにより階段構造として形成することにより形成される。この透明基板としては、例えば、本例で用いる近赤外フェムト秒パルスレーザ（波長０．８．μｍ）に対しては石英が使用できる。階段構造の階段数を十分多くとることにより高い利用効率（＞９０％）で所望のビーム強度分布が得られる。整形前後のパルスビームの面内強度分布を図１４に示す。図１４（ａ）が整形前、（ｂ）が整形後を示しており、図より明らかなように、整形後のパルスビームは、外径形状が矩形に整形されるとともに、面内強度分布が整形前に比べて均一化されている。
【００８２】
このように、実施の形態４によれば、回折光学素子７１で構成された光強度分布整形手段７０を用いることにより、パルスレーザ発振器２１からのパルスビームを極めて高い光利用効率で、且つ、均一な面内光強度分布として電極領域３０に照射することができる。このため、電極領域３０を高効率で均一に加工可能となり、上記実施の形態２及び実施の形態３に比べて更にＣＩ値の変動を抑えて高精度な周波数調整が可能となる。
【００８３】
なお、上記各実施の形態において、弾性表面波素子片１を構成するＩＤＴ電極３及び反射器４のうち、少なくともＩＤＴ電極３上には、例えば厚さ９０ｎｍの絶縁膜でなる保護膜が形成されることが好ましい。この保護膜は、ＩＤＴ電極３の電極面上のみに形成される場合もあれば、更に電極間から露呈した圧電基板２上にも形成される場合がある。このように保護膜を設けることにより、製造工程中に異物混入などによってＩＤＴ電極３の櫛歯状電極３ａ間が短絡することを防止することができる。このような保護膜が形成された弾性表面波素子片１に対しても、上記の方法によって周波数の調整を行うことが可能である。
【００８４】
また、本発明の技術は、各種弾性表面波素子の周波数調整へ幅広く応用することができる。ここで、弾性表面波素子は、圧電基板表面に沿って伝播する弾性表面波を利用した遅延線、フィルタ、共振器、これらフィルタ及び共振器を用いた発振器など様々な用途へ使われている。
【図面の簡単な説明】
【図１】弾性表面波素子の弾性表面波素子片の構成を示す図。
【図２】弾性表面波素子の概略断面図。
【図３】実施の形態１の周波数調整装置の構成を示す概略図。
【図４】実施の形態１における弾性表面波素子片上の照射領域を示す図。
【図５】放射コンダスタンスと反射係数との関係を示す図。
【図６】レーザ照射時間と共振周波数の変化量との関係を示す図。
【図７】ネットワークアナライザのモニタ画面を示す図。
【図８】弾性表面波素子の実際の配置構成を示す模式図。
【図９】実施の形態２の光強度分布整形手段の具体的一例を示す図。
【図１０】実施の形態３の光強度分布整形手段の具体的一例を示す図。
【図１１】実施の形態３での弾性表面波素子片上の照射領域を示す図。
【図１２】実施の形態４の光強度分布整形手段の具体的一例を示す図。
【図１３】回折光学素子の位相関数の一例を示した図。
【図１４】整形前後のパルスビームの面内強度分布を示す図。
【符号の説明】
１  弾性表面波素子片、２  圧電基板、３  ＩＤＴ電極、４  反射器、８  蓋体、１０  弾性表面波素子、２０  周波数調整装置、２１  パルスレーザ発振器、２５  偏光変換手段、２６，４０，５０，７０  光強度分布整形手段、２７  ネットワークアナライザ、３１  電極領域、４１  集光レンズ、５１  ビームエクスパンダ、５２  開口マスク、５３  結像レンズ、６０  照射領域、７１  回折光学素子。
【図１】
2005020166.tif 000003
【図２】
2005020166.tif 000004
【図３】
2005020166.tif 000005
【図４】
2005020166.tif 000006
【図５】
2005020166.tif 000007
【図６】
2005020166.tif 000008
【図７】
2005020166.tif 000009
【図８】
2005020166.tif 000010
【図９】
2005020166.tif 000011
【図１０】
2005020166.tif 000012
【図１１】
2005020166.tif 000013
【図１２】
2005020166.tif 000014
【図１３】
2005020166.tif 000015
【図１４】
2005020166.tif 000016