(57)【要約】【課題】工程実施中のデバイスの破損を防止して、デバイスの歩留まりを向上させることができる、より簡易なＭＥＭＳデバイスの製造方法。【解決手段】可動部１４と、梁部１６とを含む微小構造体１３を備えたＭＥＭＳデバイス１０を製造するに当たり、第１半導体層２１と、犠牲層２２と、第２半導体層２３とを順次に積層して含む半導体基板２０を準備する工程と、半導体基板の内周枠領域の内側領域に対し、第１半導体層側及び前記第２半導体層側からエッチングを行うことにより、間隙５０、及び凹部１５を形成する工程と、複数のチップ領域の内周枠領域とチップ領域間の領域の第２半導体層部分の表面にわたってシート状部材を接着する工程と、チップ領域間の領域を、第１半導体層の表面からダイシングする工程と、間隙に露出している犠牲層部分及び凹部に露出している犠牲層部分を除去することによって、微小構造体１３を形成する工程とを含む。【選択図】図１
2005342808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動部を含む微小構造体を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するに当たり、
第１半導体層と、犠牲層と、第２半導体層とを順次に積層して含み、かつ複数のチップ領域が区画される半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に、チップ領域と、その内周枠領域とを設定し、該内周枠領域の内側領域に対し、前記犠牲層をエッチングストッパ層として前記第１半導体層側及び前記第２半導体層側からエッチングを行って、前記犠牲層により固定されている前記微小構造体を形成する工程と、
前記第２半導体層の残存する表面にわたって、シート状部材を接着する工程と、
前記チップ領域間の領域を、前記第１半導体層の表面から前記シート状部材の接着面までダイシングする工程と、
前記第１半導体層の表面側から露出している犠牲層部分及び前記シート状部材に対して、露出している犠牲層部分を除去し、かつ前記第２半導体層残部で被覆された犠牲層部分を残存させることによって、前記微小構造体を形成する工程と
を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項２】
可動部と、該可動部を支持する梁部とを含む微小構造体を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するに当たり、
第１半導体層と、犠牲層と、第２半導体層とを順次に積層して含み、かつ複数のチップ領域が区画される半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に、チップ領域と、その内周枠領域とを設定し、該内周枠領域の内側領域に対し、前記第１半導体層側及び前記第２半導体層側からエッチングを行うことにより、可動部形成予定領域及び梁部形成予定領域外の領域に、前記内周枠領域の内側領域であって、かつ前記第１半導体層の表面から前記犠牲層の表面に達する間隙、及び前記内周枠領域の第２半導体層部分の表面からの深さが、前記可動部形成予定領域外では、前記犠牲層に達する第１深さと、可動部形成予定領域では、第２半導体層残部の被エッチング面までの第２深さとを有する凹部を形成する工程と、
前記複数のチップ領域の前記内周枠領域と該チップ領域間の領域の第２半導体層部分の表面にわたってシート状部材を接着する工程と、
前記チップ領域間の領域を、前記第１半導体層の表面から前記シート状部材の接着面までダイシングする工程と、
前記間隙に露出している犠牲層部分及び前記凹部に露出している犠牲層部分を除去し、かつ前記第２半導体層残部で被覆された犠牲層部分を残存させることによって、前記微小構造体を形成する工程と
を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項３】
可動部と、該可動部を支持する梁部とを含む微小構造体を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するに当たり、
第１半導体層と、犠牲層と、第２半導体層とを順次に積層して含み、かつ複数のチップ領域が区画される半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に、チップ領域と、その内周枠領域とを設定し、該内周枠領域の内側領域に対し、前記第１半導体層側及び前記第２半導体層側からエッチングを行うことにより、可動部形成予定領域及び梁部形成予定領域外の領域に、前記内周枠領域の内側領域であって、かつ前記第１半導体層の表面から前記犠牲層の表面に達する間隙、及び前記内周枠領域の第２半導体層部分の表面からの深さが、前記可動部形成予定領域外では、前記犠牲層に達する第１深さと、可動部形成予定領域では、第２半導体層残部の被エッチング面までの第２深さとを有する凹部を形成する工程と、
前記複数のチップ領域の前記内周枠領域と該チップ領域間の領域の第２半導体層部分の表面にわたってシート状部材を接着する工程と、
前記チップ領域間の領域を、前記第１半導体層の表面から前記シート状部材の接着面までダイシングする工程と、
前記間隙に露出している犠牲層部分及び前記凹部に露出している犠牲層部分を除去し、かつ前記第２半導体層残部で被覆された犠牲層部分を残存させることによって、前記微小構造体を形成する工程と、
前記シート状部材の接着力を弱めてから、前記シート状部材を前記第２半導体層部分から剥離して、複数の半導体加速度センサを得る工程と
を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項４】
可動部と、該可動部を支持する梁部とを含む微小構造体を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するに当たり、
第１半導体層と、犠牲層と、第２半導体層とを順次に積層して含み、かつ複数のチップ領域が区画される半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に、チップ領域と、その内周枠領域とを設定し、該内周枠領域の内側領域に対し、前記第１半導体層側及び前記第２半導体層側からエッチングを行うことにより、可動部形成予定領域及び梁部形成予定領域外の領域に、前記内周枠領域の内側領域であって、かつ前記第１半導体層の表面から前記犠牲層の表面に達する間隙、及び前記内周枠領域の第２半導体層部分の表面からの深さが、前記可動部形成予定領域外では、前記犠牲層に達する第１深さと、可動部形成予定領域では、第２半導体層残部の被エッチング面までの第２深さとを有する凹部を形成する工程と、
前記複数のチップ領域の前記内周枠領域と該チップ領域間の領域の第２半導体層部分の表面にわたってシート状部材を接着する工程と、
前記チップ領域間の領域を、前記第１半導体層の表面から前記シート状部材の接着面までダイシングする工程と、
前記シート状部材の接着力を弱める工程と、
前記間隙に露出している犠牲層部分及び前記凹部に露出している犠牲層部分を除去し、かつ前記第２半導体層残部で被覆された犠牲層部分を残存させることによって、前記微小構造体を形成する工程と、
前記シート状部材を前記第２半導体層部分から剥離して、複数の半導体加速度センサを得る工程と
を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記微小構造体を形成する工程は、フッ化水素を用いた酸処理により行われることを特徴とする請求項３又は４に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記シート状部材は、ＵＶシートであり、
前記シート状部材の接着力を弱めてから、剥離する工程は、ＵＶ照射により行われることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記シート状部材は、熱剥離シートであり、
前記シート状部材の接着力を弱めてから、剥離する工程は、加熱処理により行われることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記シート状部材は、ＵＶシートであり、
前記シート状部材の接着力を弱める工程は、ＵＶ照射により行われることを特徴とする請求項４又は５に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記シート状部材は、熱剥離シートであり、
前記シート状部材の接着力を弱める工程は、加熱処理により行われることを特徴とする請求項４又は５に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記犠牲層部分が除去されて、前記凹部に露出している第１半導体層部分で前記梁部を形成し、及び
前記第２半導体層部と、前記残存させた犠牲層部分と、該残存させた犠牲層部分が積層されていて、前記第１半導体層部分と連続してつながっている別の第１半導体層部分とで前記可動部を形成して、前記梁部と可動部とが一体構造の前記微小構造体を形成する
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法
【請求項１１】
前記半導体基板をＳＯＩ基板とすることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体微細加工技術を応用したマイクロマシニング技術を用いて、数百μｍ程度の微小構造体を製造する技術が発展してきている。例えば、各種のセンサ、光通信分野における光スイッチ、高周波（ＲＦ）部品等への応用が始まっている。
【０００３】
このような微小構造体は、従来の半導体製造プロセスにより製造することができるため、例えば信号処理系ＬＳＩと組み合わせて、単一のチップに集積することができる。
【０００４】
上述した微小構造体を含む、特定の機能を有するシステムが構築されているチップは、Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ：ＭＥＭＳ、又はＭｉｃｒｏ−Ｓｙｓｔｅｍ−Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ＭＩＳＴと称されている（以下、単にＭＥＭＳデバイスと称する。）。
【０００５】
このようなＭＥＭＳデバイスとしては、いわゆる加速度センサが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この文献に開示されているピエゾ型加速度センサの製造方法によれば、シリコン基板上に、マス部と、このマス部が運動できるように当該マス部を支持する梁部とを形成し、然る後、マス部と梁部とをポリイミド膜で補強してからダイシング工程を行い、その後、得られたチップに設けられているポリイミド膜の除去を行っている。
【０００７】
このマス部は、外力（応力）を受けて運動する構成部分であるので、可動部とも称せられ、可動部と梁部とは、一体的な微小構造体として作り込まれている。
【０００８】
この梁部は肉薄で、しかも細幅で形成されている。
【特許文献１】特開平７−２２５５４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した従来のＭＥＭＳデバイスの製造方法によれば、可動部と、これを支持する梁部とを備える微小構造体を完成させた後に、補強膜を設けてダイシングを行い、然る後、補強膜を除去するという複雑な工程を経ている。しかも、微小構造体の完成後にダイシングを行っているので、梁部が損傷してしまい、よって、ＭＥＭＳデバイスの製造歩留まりが低下し、結果として、製造コストが増大してしまう問題があった。
【００１０】
このように、いわゆる可動部を備えるＭＥＭＳデバイスを製造するに当たり、製造工程、特にダイシング工程において、デバイスの破損を防止して、デバイスの歩留まりを向上させることができる、より簡易な製造工程を実現するための技術が嘱望されている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。上述した課題を解決するにあたり、この発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、下記のような工程を含んでいる。
【００１２】
すなわち、可動部と、該可動部を支持する梁部とを含む微小構造体を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するに当たり、まず、第１半導体層と、犠牲層と、第２半導体層とを順次に積層して含み、かつ複数のチップ領域が区画される半導体基板を準備する。
【００１３】
次いで、半導体基板に、チップ領域と、その内周枠領域とを設定し、この内周枠領域の内側領域に対し、第１半導体層側及び第２半導体層側からエッチングを行うことにより、可動部形成予定領域及び梁部形成予定領域外の領域に、内周枠領域の内側領域であって、かつ第１半導体層の表面から犠牲層の表面に達する間隙、及び内周枠領域の第２半導体層部分の表面からの深さが、可動部形成予定領域外では、犠牲層に達する第１深さと、可動部形成予定領域では、第２半導体層残部の被エッチング面までの第２深さとを有する凹部を形成する。
【００１４】
さらに、複数のチップ領域の内周枠領域とチップ領域間の領域の第２半導体層部分の表面にわたってシート状部材を接着する。
【００１５】
次に、チップ領域間の領域を、第１半導体層の表面からシート状部材の接着面までダイシングする。
【００１６】
然る後、間隙に露出している犠牲層部分及び凹部に露出している犠牲層部分を除去し、かつ第２半導体層残部で被覆された犠牲層部分を残存させることによって、微小構造体を形成する。
【発明の効果】
【００１７】
この発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法によれば、可動部を備える微小構造体を完成させる前にダイシング工程が行われる。すなわち、ダイシングが行われる際には、構造的に応力に対して脆弱な可動部は完成しておらず、犠牲層によって固定されている。従って、可動部を完成させてから、この可動部を補強するといったさらなる特別な工程を必要とせずに、簡易な工程により、製造工程におけるデバイスの破損を効果的に防止し、かつ製造されるデバイスの歩留まりを顕著に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているに過ぎず、従って、この発明は、特に図示例にのみ限定されるものではない。
【００１９】
また、以下の説明において、特定の材料、条件及び数値条件等を用いることがあるが、これらは好適例の１つに過ぎず、従って、何らこれら好適例に限定されるものではない。
【００２０】
以下の説明に用いる各図において、同様の構成成分については、同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合もあることを理解されたい。
【００２１】
まず、図１及び２を参照して、この発明の製造方法を適用して、製造するのに好適なＭＥＭＳデバイスの構成例につき説明する。ここではＭＥＭＳデバイスである、いわゆるピエゾ素子を備えたピエゾ型３軸半導体加速度センサを例にとって説明する。
【００２２】
ここでいう半導体加速度センサとは、任意に設定された所定の加速度を計測することができる半導体素子である。
【００２３】
図１（Ａ）は、ＭＥＭＳデバイスの一実施例である半導体加速度センサの表面側を示す、構成要素を説明するための概略的な平面図である。
【００２４】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【００２５】
図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【００２６】
図２は、ＭＥＭＳデバイスの一実施例である半導体加速度センサの裏面側を示す、構成要素を説明するための概略的な平面図である。
【００２７】
この半導体加速度センサ１０は、表面側及び裏面側からみた、全体的な平面形状が矩形のチップ１１に作り込まれている。
【００２８】
このチップ１１の裏面側の周縁に、フレーム部１２を具えている。このチップ１１のフレーム部１２の内側には、凹部１５が形成されている。
【００２９】
加速度センサ１０は、マス部とも称する可動部１４と、梁部１６とを含む微小構造体１３を備えている。
【００３０】
微小構造体１３は、可動部１４及び梁部１６に共通な第１半導体層２１を備えている。ここでは、この第１半導体層２１をシリコンで形成してあって、この第１半導体層を第１シリコン層２１と称する。
【００３１】
可動部１４は、さらに第１シリコン層２１の、加速度センサ１０の裏面側の部分的な表面領域上に、犠牲層部分２２ｂと、その上側に積層された第２半導体層部分２３ａとを有している。この第２半導体層部分２３ａはシリコンで形成してあって、この第２半導体層部分を第２シリコン層部分２３ａと称する。
【００３２】
なお、上述したフレーム部１２は、共通な第１シリコン層２１下に犠牲層部分２２ｂとその下側に第２シリコン層部分２３ｂを積層して備えている。
【００３３】
可動部１４と梁部１６とは、共通な第１シリコン層２１によって、部分的に一体的につながって形成されていて、かつ、フレーム部１２と梁部１６は、同様に、共通な第１シリコン層２１によって、部分的に一体的につながって形成されている。この第１シリコン層２１のつながっている部分により、フレーム１２は梁部１６を支持し、かつ、梁部１６は可動部１４を支持している。さらに、可動部１４は、これが受ける外力によって運動できるように構成する必要がある。そのために、可動部１４がフレーム部１２と直接的につながらないようにするため、及び梁部１６によって当該運動が抑制されないようにするために、可動部１４とフレーム部１２との間、及び梁部１６の、フレーム部１２及び可動部１４とのつながり部分を除いた梁部１６の側縁と可動部１４との間は、間隙５０を以って切り離してある。この間隙５０は、センサ１０の表面側から第１シリコン層２１を貫通させて凹部１５にまで達して設けられている。
【００３４】
また、上述した説明からも明らかなように、可動部１４は、第１シリコン層２１の部分２１ａと、犠牲層部分２２ａと、第２シリコン層部分２３ａとを有していて、一方、梁部１６は、第１シリコン層２１の部分２１ｂを有しているが、犠牲層部分２２ａ及び第２シリコン層部分２３ａを有していない。従って、可動部１４の犠牲層部分２２ａ及び第２シリコン層部分２３ａは、錘の役割を果たしており、可動部１４の運動に慣性を与える作用を有する。一方、梁部１６は、細長かつ薄型の板状部であって、可動部１４の運動時に撓む可撓部である。
【００３５】
また、上述した凹部１５の底面は、第１シリコン層部分２１ｂの露出面１６ｃと第２シリコン層部分２３ａの露出面１４ｃを含み、露出面１６ｃは、フレーム部１２の表面から第１の深さａのところにあり、また、露出面１４ｃは、フレーム部１２の表面から第１の深さａよりも浅い第２の深さｂのところにある。
【００３６】
図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図２に示す構成例では、四角枠状のフレーム部１２の各辺の中心から内側に直角に突出した４つの部分からなる梁部１６が設けられている。
【００３７】
この４つの梁部１６の突出した４つの部分の先端側で、可動部１４の中心部１４ａを支持している。この可動部１４の中心部１４ａの平面的形状は四角形であって、梁部１６は、四角形の４辺の中央部分でそれぞれつながっている。
【００３８】
可動部１４の中心部１４ａの４つの角部には、フレーム部１２側に向かってそれぞれ突出した突出部１４ｂが設けられている。
【００３９】
梁部１６を構成している第１シリコン層２１、すなわち第１シリコン層部分２１ｂには、機能素子、例えばピエゾ抵抗素子１７が設計に応じた適当な個数で形成されている。この実施例ではＭＥＭＳデバイスを加速度センサ１０としているので、これらピエゾ抵抗素子１７を、測定目的とする加速度が測定できる好適な位置に設けておけばよい。
【００４０】
さらに図１及び図２に示す構成例では、ピエゾ抵抗素子１７のそれぞれには、後述する熱酸化膜３２を貫通するコンタクトホール３４を埋め込んで、信号を外部に出力するための配線３６が接続されている。配線３６は、例えば従来公知のアルミニウム（Ａｌ）等の材料を適用することができる。加速度センサ１０の最表面には、パッシベーション膜３８が設けられている。
【００４１】
また、フレーム部１２には、梁部１６のピエゾ抵抗素子１７と電気的に接続されている電極パッド１８が設けられている。この電極パッド１８は、この例ではパッシベーション膜３８を開口して、配線３６の一部を露出して形成されている。
【００４２】
すなわち、半導体加速度センサ１０は、凹部１５内に、可動部１４と、ピエゾ抵抗素子１７が作り込まれている梁部１６とを含む微小構造体１３を具えている。ピエゾ抵抗素子１７は、ＬＯＣＯＳ酸化膜２４により、互いに素子分離されている。
【００４３】
次に、この半導体加速度センサ１０の動作について簡単に説明する。
【００４４】
半導体加速度センサ１０に加速度がかかると、可動部１４が変位する。すなわち、可動部１４を支持する梁部１６には、可動部１４の変位量に応じた大きさの撓みが発生する。この撓みの大きさを、梁部１６に設けられているピエゾ抵抗素子１７の電気的な抵抗値の変化量として計測する。計測された抵抗値の変化量は、ピエゾ抵抗素子１７と電気的に接続されている電極パッド１８を介して、半導体加速度センサ１０の外部の検出回路等に出力される。このようにして、半導体加速度センサ１０にかかる加速度が定量的に検出される。
【００４５】
次に、この発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法について説明する。
【００４６】
この発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、微小構造体１３、例えば上述の半導体加速度センサでいうところの梁部１６及び可動部１４をフレーム部１２の内側領域、すなわち後述する内周枠領域に形成し終わる前に、すなわち完成させる前に、ダイシング工程を行って個片化する点に特色を有している。
【００４７】
以下に、実施の形態として、具体的な製造工程につき説明する。
【００４８】
〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、上述のシート状部材として、いわゆるＵＶシートを適用して加速度センサを製造する方法である。
【００４９】
ここでいうＵＶシートとは、例えばポリエステル等の基材からなる平板状のシートと当該シート上に接着剤が設けられている粘着シートである。この接着剤は、ＵＶ（紫外線）照射により、接着対象物に対する接着力が弱められて接着対象物から剥離しやすくなるか、又は当該接着対象物から剥離するシート状部材を意味する。
【００５０】
１−１．第１の製造方法
この発明の第１の実施の形態の第１の製造方法につき、図３から図６を参照して説明する。
【００５１】
なお、この発明の構成例の説明では、基板上に同時に形成される多数のＭＥＭＳデバイス（半導体素子）のうち、代表として１つのＭＥＭＳデバイスを図示して説明する。また、この説明では、ＭＥＭＳデバイスの例として、上述したピエゾ型の半導体加速度センサ１０の一構成例につき、その製造方法の一例を説明する。
【００５２】
図３（Ａ）、（Ｂ)及び（Ｃ）は、製造途中の半導体加速度センサを、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。
【００５３】
図４（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図３（Ｃ）から続く模式的な図である。
【００５４】
図５（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図４（Ｃ）から続く模式的な図である。なお、図５（Ｂ）において、図（Ｂａ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。図（Ｂｂ）は、図（Ｂａ）と同じ時点での図１（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。
【００５５】
図６（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図４（Ｃ）から続く模式的な図である。なお、図６（Ａ）において、図（Ａａ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。図（Ａｂ）は、図（Ａａ）と同じ時点での図１（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。
【００５６】
はじめに、図３（Ａ)に示すように、第１の面２０ａと、この第１の面（表面とする。）２０ａと対向する第２の面（裏面とする。）２０ｂとを有する基板２０を準備する。この半導体基板２０は、好ましくは、上述した第１シリコン層２１、犠牲層２２及び第２シリコン層２３を積層してなる構成を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハとするのがよい。しかしながら、半導体基板２０は、これに限定されず、犠牲層を含む任意好適な基板を用いればよい。
【００５７】
図３（Ａ）に示すように、半導体基板２０には、予め、複数のチップ領域２０ｃを区画して設定しておく。このチップ領域２０ｃは、個片化によりＭＥＭＳデバイス１０となる領域である。
【００５８】
次いで、半導体基板２０のチップ領域２０ｃの内側に、その内周枠領域２０ｄを設定する。この内周枠領域２０ｄは、微小構造体１３が形成されず、後に枠（フレーム）としてＭＥＭＳデバイス１０の外形を画成する領域である。
【００５９】
すなわち、チップ領域２０ｃには、フレーム部１２が形成されるフレーム（内周枠）領域２０ｃと、可動部１４が形成される可動部形成予定領域１４Ｘと、梁部１６が形成される梁部形成予定領域１６Ｘが含まれている。
【００６０】
次に、ＭＥＭＳデバイスの本質的な機能を奏する微小構造体を作り込む。この微小構造体は、可動部と、この可動部を支持する梁部とを含む構造を有している。
【００６１】
そのために、まず、図３（Ｂ)に示すように、この基板２０の第１シリコン層２１上、すなわち、第１の面２０ａ側に、常法に従って、パッド（Ｐａｄ）酸化膜２５及びシリコン窒化膜２６を形成する。
【００６２】
然る後、従来公知のホトリソグラフィ工程により、パッド酸化膜２５及びシリコン窒化膜２６をパターニングして所定のマスクパターンを形成する。このマスクパターンは後述するＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）酸化膜を形成するためのマスクパターンである。
【００６３】
図３（Ｃ）に示すように、常法に従ってＬＯＣＯＳ酸化膜２４を形成する。このＬＯＣＯＳ酸化膜２４は、後述するピエゾ抵抗素子１７を素子分離する。
【００６４】
次に、マスクパターンとして使用されたパッド酸化膜２５及びシリコン窒化膜２６を除去する。
【００６５】
次いで、常法に従って、機能素子であるピエゾ抵抗素子１７を形成する。
【００６６】
例えば、まず、図４（Ａ）に示すように、基板２０に、上述したＬＯＣＯＳ酸化膜２４をマスクとして、イオン注入を行う。このイオン注入工程は、従来公知のイオン注入装置を使用すればよい。常法に従い、ＬＯＣＯＳ酸化膜２４から露出する領域に、イオン３０として、Ｐ型不純物である例えばボロン（Ｂ)を、打ち込む。
【００６７】
次いで、常法に従って、打ち込まれたイオンの熱拡散工程を行って、ＬＯＣＯＳ酸化膜２４の下側の領域まで、注入されたイオンを拡散させる。
【００６８】
この熱拡散工程により、基板２０のＬＯＣＯＳ酸化膜２４から露出する領域には、熱酸化膜３２が形成される（図４（Ａ））。
【００６９】
このように、常法に従って、基板２０の所定の位置に、機能素子、すなわち加速度を検出するための素子であるピエゾ抵抗素子１７を作り込む。この実施例では梁部形成予定領域１６Ｘに、ピエゾ抵抗素子１７を作り込む。
【００７０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、従来公知のホトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、ピエゾ抵抗素子１７に電気的に接続するための熱酸化膜３２を貫通するコンタクトホール３４を形成する。
【００７１】
然る後、図４（Ｃ）に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化膜２４及び熱酸化膜３２上に、例えば、コンタクトホール３４を埋め込む配線３６を、従来公知の形成工程により形成する。
【００７２】
この工程により、ピエゾ抵抗素子と配線３６とは電気的に接続される。また、配線３６は、デバイスの任意好適な位置、例えばフレーム部１２上にまで延在するように導出される。
【００７３】
次いで、図５（Ａ）に示すように、熱酸化膜３２の露出している領域（後述する可動部１４及び梁部１６の形成予定領域１４Ｘ及び１６Ｘ）を、常法に従って、除去する。
【００７４】
さらに、図５（Ｂｂ）に示すように、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）であるパッシベーション膜３８を、上述の熱酸化膜３２が除去された領域を除く基板２０上に、形成する。
【００７５】
パッシベーション膜３８は、後述する可動部形成予定領域１４Ｘが露出するパターンとして、従来公知のホトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、パターニングされる。このパターニング時に、フレーム部１２に設けられたパッシベーション膜３８から、上述したピエゾ素子１７に接続されている配線３６の一部分を露出させて電極パッド１８を形成してもよい。
【００７６】
次いで、可動部１４及び梁部１６（図１参照。）として完成していない前駆体を含む前駆微小構造体１３ａを形成する。この前駆微小構造体１３ａは、犠牲層２２により固定されている微小構造体を含んでいる。前駆微小構造体１３ａは、基板２０の表面（２０ａ）側及び裏面（２０ｂ）側の第１及び第２シリコン層２１及び２３を、犠牲層２２をエッチングストッパ層として部分的にエッチングして間隙５０及び凹部１５を形成することにより得られる。
【００７７】
そのためには、例えば、まず、間隙５０を形成するために厚膜レジストによるマスクパターンを、従来公知のホトリソグラフィ工程、例えば、コンタクト露光工程又はプロジェクション露光工程により形成する（図示せず。）。
【００７８】
このマスクパターンは、内周枠領域２０ｄの内側であって、可動部形成予定領域１４Ｘ及び梁部形成予定領域１６Ｘ外の領域を開口させる。
【００７９】
次いで、図（Ｂｂ）に続く図５（Ｃ）に示すように、このマスクパターンをマスクとして、常法に従い、例えば、いわゆるＢｏｓｈ法による第１シリコン層２１の表面から、犠牲層であるＢＯＸ層２２の表面に達するまで、第１シリコン層２１のエッチングを行う。このエッチングは、例えば、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式で、材料としてＣ4Ｆ8を用いて側壁保護を行い、またエッチャントとしてＳＦ6を用いてエッチングを行う。このエッチングは、側壁保護工程とエッチング工程とを適宜繰り返すことにより、深堀エッチングを行うものとすればよい。
【００８０】
すなわち、この例ではＢＯＸ層２２をエッチングストッパ層として使用してエッチングを行っている。従って、ＢＯＸ層２２は、この工程によっては除去されない。すなわち、可動部１４が形成される領域と梁部１６が形成される領域とは、ＢＯＸ層２２により接続されている。この間隙５０の形成により、可動部形成予定領域１４Ｘの第１シリコン層部分２１ａと、梁部形成予定領域１６Ｘの第１シリコン層部分２１ｂと、フレーム部１２の第１シリコン層部分２１ｃとが残存する。
【００８１】
次に、図６（Ａ）、すなわち図６（Ａａ）及び（Ａｂ）に示すように、第２シリコン層２３に対してエッチングを行って、ＢＯＸ層２２により固定されている未完成な可動部１４と未完成な梁部１６とを含む不可動な前駆微小構造体１３ａを完成させる。
【００８２】
具体的には、例えば、基板２０を、第２の面２０ｂが上側になるように反転させ、基板２０の第２の面２０ｂ側から、上述と同様に厚膜レジストによるマスクパターンを、ホトリソグラフィ技術を用いて形成し、次いで上述と同様のＢｏｓｈ法によるエッチング工程を行うことにより、深堀加工すればよい。このエッチングは、フレーム部１２として残存させる内周枠領域２０ｄの内側の領域に対して行う。
【００８３】
このとき、梁部形成予定領域１６Ｘについては、ＢＯＸ層２２に至るまで、ＢＯＸ層２２をエッチングストッパ層として、第２シリコン層２３に対して、エッチングを行う。また、可動部形成予定領域１４Ｘの第２シリコン層２３に対しては、第２シリコン層２３の厚みの一部分についてのみエッチングを行って露出面（底面）１４ｃを形成する。このとき、形成される凹部１５のフレーム部１２の頂面からの深さは、ＢＯＸ層２２の表面までの第１深さａと、第２シリコン層２３の被エッチング面までの第２深さｂとを有している。可動部１４の厚みは、第２シリコン層２３の被エッチング面までの第２深さｂを第１深さａから減じた厚みｃである。なお、第１深さａは、第２深さｂよりも大である。
【００８４】
可動部形成予定領域１４Ｘの第２シリコン層部分２３ａに対するエッチングに際しては、第２シリコン層２３の厚さよりも薄く、かつ可動部１４が所定量の可動幅を確保できる任意好適な範囲に収まる程度にエッチング深さを調節してエッチングを行えばよい。
【００８５】
このような工程により、半導体基板２０の裏面側に凹凸の底面を有する凹部１５が形成されることにより前駆微小構造体１３ａが形成される。このとき、梁部形成予定領域１６Ｘの第１シリコン層２１部分は、ＢＯＸ層２２により裏打ちされることによりその強度が補強された状態であり、かつ梁部形成予定領域１６Ｘと可動部形成予定領域１４ＸとはＢＯＸ層２２により接続された状態である。すなわち、前駆微小構造体１３ａは、この時点では不可動の構造体である。
【００８６】
次に、図６（Ｂ）に示すように、基板２０の残存している第２の面２０ｂに対して、凹部１５を覆うように、シート状部材４０を貼り付ける。この場合には、残存する第２の面２０ｂは、フレーム部１２及び隣接するチップ領域２０ｃ間の領域の第２シリコン層部分の露出した表面である。
【００８７】
この第１の実施の形態の製造方法では、シート状部材４０として、既に説明したＵＶシートを貼り付けて、接着固定する。
【００８８】
ＵＶシートとしては、市場にて入手可能なシート状部材を適用することができる。例えば、ＵＶ硬化型ダイシングテープであるリンテック株式会社製Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）  Ｄ−ｓｅｒｉｅｓ（商品名）等を使用して好適である。
【００８９】
次いで、図６（Ｂ）中、隣接するチップ領域２０ｃ間の領域に設けられたダイシングラインｄに沿って、従来公知のダイシング装置を用いてダイシングを行う。このダイシングは、基板２０に作り込まれた構成要素を含む基板２０を切断し、かつシート状部材４０の少なくとも接着面まで行えばよいが、好ましくはシート状部材４０は切断しない程度に行う。
【００９０】
次に、上述した前駆微小構造体１３ａを可動な微小構造体１３として完成させる。そのためには、犠牲層（ＢＯＸ層）２２のうち、凹部１５に露出している犠牲層部分２２ａを除去する。この犠牲層部分２２ａの除去により、第１シリコン層２１と残存している第２シリコン層部分２３ｂとの間に犠牲層部分２２ｂが残存する。その結果、梁部１６は、所定の加速度の計測ができる程度に撓み自在な状態になる。すなわち、この時点で初めて、微小構造体１３、すなわち、可動部１４及び梁部１６は可動な構造体となる。
【００９１】
この工程は、具体的には、犠牲層２２の材料に応じた工程とすればよい。ただし、配線１６、ピエゾ抵抗素子１７等のその他の構成が奏する機能を損なわない工程とする必要がある。
【００９２】
この例では犠牲層（ＢＯＸ層）２２は、シリコン酸化膜であるので、例えば、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）／フッ化アンモニウム（ＮＨ3Ｆ）／フッ化水素アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）（溶液）を任意好適な混合比（組成比）とした混合溶液をエッチャントとして、従来公知のウェットエッチング工程を実施すればよい。
【００９３】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ダイシング済みの基板２０から、この例ではＵＶシートであるシート状部材４０を剥離して、個片化する。このようにして、１枚の半導体基板２０から複数個のＭＥＭＳデバイス（半導体加速度センサ）１０が完成する。
【００９４】
この剥離工程は、選択されたシート状部材４０の有する接着剤に応じた工程により、基板２０からシート状部材４０を剥離すればよい。
【００９５】
ＵＶシートの接着剤は、ＵＶ（紫外線）照射により、変質、すなわち硬化する。結果として、基板２０に対する接着力を失うか、又は接着力が弱まる。このように接着剤を変質させた後、基板２０から、容易に剥離できる状態となったシート状部材４０を剥離する。
【００９６】
この剥離工程において、ＵＶシートに照射される紫外線の線量は、選択されたＵＶシートに所定の任意好適な線量とすればよい。
【００９７】
この第１の実施の形態の第１の製造方法によれば、構造的に応力に対して脆弱な構成である、例えば可動部及び梁部を具える微小構造体を完成させる前にダイシング工程が行われる。従って、ダイシング工程が行われる際には、可動部及び梁部、すなわち前駆微小構造体は犠牲層により、梁部にかかる応力を緩和するように固定（補強）されている。結果として、簡易な工程で製造工程、特に従来、微小構造体が破損し易いダイシング工程におけるデバイスの破損を効果的に防止し、かつ製造されるデバイスの歩留まりを顕著に向上させることができる。
【００９８】
特に基板としてＳＯＩウェハを適用すれば、ＢＯＸ層を犠牲層としてそのまま利用できるので、梁部を形成してから、この梁部を何らかの手段により補強するといったさらなる特別な工程を必要としない。従って、簡易な工程として、効率的かつ安価にデバイスの製造を行うことができる。
【００９９】
１−２．第２の製造方法
上述した第１の方法では、犠牲層を除去した後に、ＵＶ照射を行って、シート状部材と、基板（デバイス）とを剥離している。この第２の製造方法は、ＵＶ照射を行う工程を、犠牲層を除去する直前に行うこと、及び犠牲層を除去する工程、すなわち前駆微小構造体を微小構造体として完成させる工程、すなわち、エッチング工程に特徴を有している。この２つの工程以外の工程については、上述した第１の方法と実質的な差異がない。従って、これら２つの工程以外の工程の具体的な実施要件については、第１の製造方法の説明で用いた図面及びその説明を適宜引用し、その詳細な説明を省略する。
【０１００】
上述の第１の製造方法で、図３（Ａ）から図６（Ｂ）までを参照して説明した工程と同様の工程により、前駆微小構造体１３ａを製造し、さらにＵＶシートを貼り付ける工程までを順次に行う。
【０１０１】
次いで、シート状部材４０であるＵＶシートが具える接着剤の接着力を、紫外線照射を行って、後述する酸処理中に、少なくともＵＶシートが、基板（デバイス）２０から剥離しない程度まで弱めておく。このとき、ＵＶシートに照射される紫外線の線量は、選択されたＵＶシートに所定の任意好適な線量とすればよい。すなわち、この時点では、ＵＶシートの剥離は行わない。
【０１０２】
然る後、前駆微小構造体１３ａを微小構造体１３として完成させる。すなわち、犠牲層（ＢＯＸ層）２２のうち、少なくとも梁部１６と可動部１４とを接続し、かつ梁部１６を裏打ちしてその強度を増強している犠牲層部分２２ａを除去する。その結果、可動部１４は可動な状態となり、梁部１６は所定の加速度の計測ができる程度に撓み自在な状態にする。この時点で初めて、微小構造体１３、すなわち、可動部１４及び梁部１６は可動な構造体となる。
【０１０３】
この第２の製造方法においては、この微小構造体の形成工程を、酸処理により行うことを特徴とする。
【０１０４】
具体的には、この酸処理は、例えば、従来公知のいわゆる平行平板型のＣＶＤ装置を利用し、チャンバ内を減圧した状態で所定のガスを導入して行うのがよい。チャンバ内に導入するガスとしては、例えば、フッ化水素（ＨＦ）及び気体状の水（Ｈ2Ｏ）を用いるのがよい。
【０１０５】
反応条件は、例えば、ガスの流速についてはフッ化水素を５００ｓｃｃｍとし、水を１００ｓｃｃｍとするのがよい。また、圧力を例えば１２ＫＰａとし、かつ温度を例えば８０℃として反応を進行させるのがよい。
【０１０６】
このようにして、犠牲層（ＢＯＸ層）２２の部分２２ａを除去することにより、微小構造体１３を完成させる。
【０１０７】
最後に、基板２０からシート状部材４０、すなわちＵＶシートを剥離することにより、目的とするＭＥＭＳデバイスを得る。
【０１０８】
上述したように、予めＵＶ照射を行っておいて、ＵＶシートの基板２０に対する固定力を低下させた状態で、犠牲層２２の部分２２ａの除去工程を上述した酸処理により行ったとしても、酸処理中に、ＵＶシートが基板２０から剥離することはない。
【０１０９】
ＵＶ照射工程及び犠牲層２２の部分２２ａの除去工程を、このような順序で行えば、犠牲層２２の除去を行う際のエッチャントと、ＵＶシートの備える接着剤との反応を防止することができる。すなわち、エッチャントと、ＵＶシートの接着剤とが不所望な反応を起こし、接着剤が変質することにより、ＵＶ照射を行ったとしても基板２０からＵＶシートが剥離しなくなる、又は剥離しにくくなるといった事態の発生を防止することができる。従って、目的とするＭＥＭＳデバイスの製造をより容易に行うことができる。
【０１１０】
このとき、微小構造体のエッチングによる形成工程を、上述したようなエッチャントとしてフッ化水素を用いる酸処理とすれば、ＵＶシートがエッチャントにより受けるダメージを低減又は防止することができる。従って、ＵＶシートの基板に対する剥離性がより良好となる。すなわち、剥離工程をより容易にすることができる。
【０１１１】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、シート状部材として、第１の実施の形態におけるＵＶシートの代わりに、いわゆる熱剥離シートを適用する製造方法である。
【０１１２】
ここでいう熱剥離シートとは、シートと当該シート上に接着剤を設けてある粘着シートである。この接着剤は所定の温度での加熱処理により、接着対象物に対する接着固定力が弱められて接着対象物から剥離しやすくなるか、又は当該接着対象物から剥離するシート状部材である。
【０１１３】
２−１．第１の製造方法
この発明の第２の実施の形態の第１の製造方法につき説明するが、この第１の方法は、基板２０をシート状部材４０である熱剥離シートに固定してダイシング工程を行うこと、及び犠牲層を除去して前駆微小構造体を微小構造体として完成させた後に、熱剥離シートを加熱処理により剥離することを特徴としている。この２つの工程以外の工程については、上述した第１の実施の形態の第１の方法と実質的な差異がない。従って、これら２つの工程以外の工程の実施要件については、第１の実施の形態の説明で用いた図面及びその説明を適宜引用し、その詳細な説明を省略する。
【０１１４】
上述の第１の実施の形態の第１の製造方法で、図３（Ａ）から図６（Ａ）までを参照して説明した工程と同様の工程により、前駆微小構造体１３ａを形成する工程までを順次に行う。
【０１１５】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、基板２０の第２の面２０ｂに対して、凹部１５を覆うように、シート状部材４０を貼り付ける。この第２の実施の形態の製造方法では、シート状部材４０として、熱剥離シートを貼り付けて、固定する。
【０１１６】
熱剥離シートとしては、市場にて入手可能なシート状部材を適用することができる。例えば、日東電工株式会社製リバアルファ（商品名）等を使用して好適である。
【０１１７】
次いで、図６（Ｂ）中、ｄで示したダイシングラインに沿って、従来公知のダイシング装置を用いてダイシングを行う。
【０１１８】
次に、第１の実施の形態の第１の製造方法と同様に、前駆微小構造体１３ａを微小構造体１３として完成させる。
【０１１９】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ダイシング済みの基板２０から、シート状部材４０を剥離する。このようにして、１枚の半導体基板２０から複数のＭＥＭＳデバイス（半導体加速度センサ）１０を得る。
【０１２０】
この例の熱剥離シートが具える接着剤は、所定の温度での加熱処理により、変質、すなわち硬化する。結果として、基板２０に対する接着力を失うか、又は接着力が弱まる。このように加熱処理により、接着剤を変質させた後、基板２０からシート状部材４０を剥離する。
【０１２１】
この剥離工程において、加熱処理温度は、選択された熱剥離シートに所定の任意好適な温度とすればよい。
【０１２２】
この第２の実施の形態の第１の製造方法によっても、製造工程におけるデバイスの破損を効果的に防止し、かつ製造されるデバイスの歩留まりを顕著に向上させることができる。
【０１２３】
特に基板としてＳＯＩウェハを適用すれば、ＢＯＸ層を犠牲層としてそのまま利用できるので、梁部を形成してから、この梁部を何らかの手段により補強するといったさらなる特別な工程を必要とせずに、簡易な工程として、効率的かつ安価にデバイスの製造を行うことができる。
【０１２４】
また、熱剥離シートの接着剤は、第１の実施の形態のＵＶシートの接着剤と比較して、特に酸性のエッチャントに対する耐性が高い、すなわちエッチャントによって変質しにくいことがわかった。従って、基板をシートに接着した状態でエッチング処理を行っても、基板に対する接着力が変化しにくいといえる。
【０１２５】
従って、上述した第１の実施の形態で得られる効果を、より顕著なものとすることができる。
【０１２６】
２−２．第２の製造方法
上述した第２の実施の形態の第１の製造方法では、犠牲層を除去した後に、加熱処理を行って、シート状部材と、基板（デバイス）とを剥離している。この第２の製造方法は、加熱処理を行う工程を、犠牲層を除去する直前に行っておくことを特徴としている。また、犠牲層を除去して前駆微小構造体を微小構造体として完成させる工程におけるエッチング条件は、第１の実施の形態の第２の製造方法で説明した酸処理と同様とする。
【０１２７】
すなわち、この加熱処理工程以外の工程については、上述した第１の実施の形態の第２の製造方法と実質的な差異がない。従って、加熱処理工程以外の工程の実施要件については、その詳細な説明を省略する。
【０１２８】
上述の第２の実施の形態の第１の製造方法で、図３（Ａ）から図６（Ｂ）までを参照して説明した工程と同様の工程により、前駆微小構造体１３ａを形成し、さらに熱剥離シートを貼り付ける工程までを順次に行う。
【０１２９】
次いで、シート状部材４０である熱剥離シートが具える接着剤の接着力を、少なくとも後述する酸処理中に、熱剥離シートが、基板（デバイス）２０から剥離しない程度まで弱めておく。この加熱処理工程において、加熱処理温度は、選択された熱剥離シートに所定の任意好適な温度とすればよい。すなわち、この時点では、熱剥離シートの剥離は行わない。
【０１３０】
然る後、前駆微小構造体１３ａを微小構造体１３として完成させる。すなわち、犠牲層（ＢＯＸ層）２２のうち、少なくとも、梁部１６と可動部１４とを接続し、かつ梁部１６を裏打ちしてその強度を増強している部分２２ａを除去する。結果として、可動部１４は可動な状態となり、梁部１６は所定の加速度の計測ができる程度に撓み自在な状態になる。この時点で初めて、微小構造体１３、すなわち、可動部１４及び梁部１６は可動な構造体となる。
【０１３１】
この第２の実施の形態の第２の製造方法においては、この微小構造体の形成工程を、第１の実施の形態の第２の製造方法と同様に、フッ化水素を用いた酸処理により行うことを特徴とする。
【０１３２】
具体的には、この酸処理は、第１の実施の形態の第２の製造方法と同様に、例えば、従来公知のいわゆる平行平板型のＣＶＤ装置を利用して、同様の反応条件で反応を行えばよい。
【０１３３】
このようにして、犠牲層（ＢＯＸ層）２２の部分２２ａを除去することにより、微小構造体１３を完成させる。
【０１３４】
最後に、基板２０からシート状部材４０、すなわち熱剥離シートを剥離することにより、目的とするＭＥＭＳデバイスを得る。
【０１３５】
上述したように、予め熱処理を行っておいて、熱剥離シートの基板２０に対する接着力を低下させた状態で、犠牲層２２の部分２２ａの除去工程を上述した酸処理により行ったとしても、酸処理中に、熱剥離シートが基板２０から剥離することはない。
【０１３６】
加熱処理工程及び犠牲層２２の部分２２ａの除去工程を、このような順序で行えば、犠牲層２２の除去を行う際のエッチャントと、熱剥離シートの接着剤との反応を防止することができる。すなわち、エッチャントと、熱剥離シートの接着剤とが不所望な反応を起こして変質し、加熱処理を行ったとしても基板２０から熱剥離シートが剥離しなくなる、又は剥離しにくくなるといった事態の発生を防止することができる。従って、目的とするＭＥＭＳデバイスの製造をより容易に行うことができる。
【０１３７】
このとき、微小構造体のエッチングによる形成工程を、上述したようなエッチャントとしてフッ化水素を用いる酸処理とすれば、熱剥離シートがエッチャントにより受けるダメージを低減又は防止することができる。従って、熱剥離シートの基板に対する剥離性がより良好となる。すなわち、剥離工程をより容易にすることができる。
【０１３８】
上述した実施の形態において、ＭＥＭＳデバイスとして、ピエゾ抵抗型の加速度センサを例にとって説明した。しかしながら、この発明はこれに限定されず、この発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、微小構造体を完成させた状態でダイシング工程を行うと、微小構造体が破損して歩留まりが低下が懸念されるデバイス、すなわち、静電容量型加速度センサ素子、圧力センサ素子、ジャイロ、光スイッチ、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の製造工程にも適用して好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】（Ａ）は、ＭＥＭＳデバイスの一実施例である半導体加速度センサの表面側を示す平面図であり、（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口、（Ｃ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【図２】ＭＥＭＳデバイスの一実施例である半導体加速度センサの裏面側を示す、構成要素を説明するための概略的な平面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、製造途中の半導体加速度センサを、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、図３（Ｃ）から続く模式的な図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、図４（Ｃ）から続く模式的な図である。なお、図５（Ｂ）において、図（Ｂａ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。図（Ｂｂ）は、図（Ｂａ）と同じ時点での図１（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、図４（Ｃ）から続く模式的な図である。なお、図６（Ａ）において、図（Ａａ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。図（Ａｂ）は、図（Ａａ）と同じ時点での図１（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線と同じ位置で切断した切り口を示す概略的な図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１０：ＭＥＭＳデバイス（半導体加速度センサ）
１１：チップ
１２：フレーム部
１３：微小構造体
１３ａ：前駆微小構造体
１４：可動部（マス（錘）部）
１４ａ：中心部（可動部の）
１４ｂ：突出部（可動部の）
１４ｃ：第２シリコン層部分の露出面
１４Ｘ：可動部形成予定領域
１５：凹部
１６：梁（ビーム）部
１６ｃ：第１シリコン層部分の露出面
１６Ｘ：梁部形成予定領域
１７：機能素子（例えばピエゾ抵抗素子）
１８：電極パッド
２０：半導体基板（ＳＯＩウェハ）
２０ａ：第１の面
２０ｂ：第２の面
２０ｃ：チップ領域
２０ｄ：内周枠領域
２１：第１半導体層（第１シリコン層）
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ：第１シリコン層部分
２２：犠牲層（ＢＯＸ層）
２２ａ、２２ｂ：犠牲層部分
２３：第２半導体層（第２シリコン層）
２３ａ、２３ｂ：第２シリコン層部分
２４：ＬＯＣＯＳ酸化膜
２５：パッド酸化膜
２６：シリコン窒化膜
３０：イオン
３２：熱酸化膜
３４：コンタクトホール
３６：配線
３８：パッシベーション膜
４０：シート状部材
５０：間隙
【図１】
2005342808.tif 000003
【図２】
2005342808.tif 000004
【図３】
2005342808.tif 000005
【図４】
2005342808.tif 000006
【図５】
2005342808.tif 000007
【図６】
2005342808.tif 000008