(57)【要約】【課題】  導電パターンの電食や短絡を確実に防止可能な実装構造体、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置１ａにおいて、導電パターン８のうち、パッド６１０、６２０は、タンタル膜等からなる第１金属層３２ａ、酸化タンタルからなる絶縁層３２ｂ、およびクロム等からなる第２金属層３２ｃがこの順に積層された３層部分になっており、第２金属層３２ｃの上層にＩＴＯ層３４ｂが形成されている。これに対して、パッド６１０、６２０などを除く部分は、第１金属層３２ａ、および絶縁層３２ｂがこの順に積層された２層部分になっており、最表層が絶縁層３２ｂになっている。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の導電パターンが配列された被実装体と、前記導電パターンの一部によって構成された多数のパッドと電気的に接続するように前記被実装体に実装された実装体とを有する実装構造体において、
前記多数の導電パターンには、少なくとも前記パッドを形成するために第１導電層、絶縁層および第２導電層がこの順に積層された３層部分と、前記第１導電層および前記絶縁層がこの順に積層されて最表層が前記絶縁層からなる２層部分とを備えた複数の導電パターンが含まれていることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
請求項１において、前記３層部分と前記２層部分とを備えた導電パターンは、その長さ方向において前記２層部分を挟むように前記３層部分を備え、
前記２層部分を挟む前記３層部分には、前記第１導電層と前記第２導電層とを直接、接触させる前記絶縁層の除去部分が構成されていることを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
請求項１または２において、前記実装体はＩＣであり、
前記被実装体には、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、前記多数の導電パターンのＹ方向に延びた部分の一部からなる前記パッドが多数、配列されたＩＣ実装領域が形成され、
前記多数のパッドは、Ｙ方向のうち、前記導電パターンが延びてくる側でＸ方向に配列された複数の第１のパッドと、該第１のパッドに対して導電パターンが延びてくる方向とは反対側でＸ方向に配列された複数の第２のパッドとを含み、
前記多数の導電パターンは、前記複数の第１のパッドまで延びた複数の第１の導電パターンと、前記第１のパッドの各間を通って前記複数の第２のパッドまで延びた複数の第２の導電パターンとを含み、
前記複数の第２の導電パターンは、少なくとも、前記第１のパッドに挟まれた部分に前記２層部分を備えていることを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の導電パターンは、前記第１のパッドから前記導電パターンが延びてくる側とは反対側に向けて前記第２のパッドの各間を通って延びた第１の延設部分を備え、
前記第２の導電パターンは、前記第２のパッドから前記導電パターンが延びてくる側とは反対側に向けて前記第１の延設部分と平行に延びた第２の延設部分を備え、
前記第１の延設部分および前記第２の延設部分は、前記３層部分を備えていることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項３または４において、前記第１のパッドおよび前記第２のパッドは、前記ＩＣから信号が出力される出力用パッドであることを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、
前記被実装体は、多数の画素がマトリクス状に配列された領域に電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であり、
前記多数の導電パターンは、前記電気光学物質を保持している領域内から前記実装体の実装領域に向けて延びた画素駆動用の信号線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
多数の画素がマトリクス状に配列された領域に電気光学物質を保持し、多数の導電パターンが配列された電気光学装置用基板と、前記導電パターンの一部によって構成された多数のパッドと電気的に接続するように前記電気光学装置用基板に実装された実装体とを有する電気光学装置において、
前記多数の導電パターンは、前記電気光学物質を保持している領域内から前記実装体の実装領域に向けて延びた画素駆動用の多数の信号線であり、
前記多数の信号線には、少なくとも前記パッドを形成するために第１導電層、絶縁層および第２導電層がこの順に積層された３層部分と、前記第１導電層および前記絶縁層がこの順に積層されて最表層が前記絶縁層からなる２層部分とを備えた複数の信号線が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項６または７において、前記電気光学装置用基板は、前記電気光学物質を保持している領域の少なくとも外周縁に樹脂層が形成され、
前記２層部分は、前記樹脂層から露出して前記パッドに到る部分の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８において、前記２層部分は、前記樹脂層から露出して前記パッドに到る部分の全体に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記２層部分は、少なくとも一部が前記樹脂層と平面的に重なる位置から設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項６ないし１０のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板には、前記多数の画素の各々に、前記第１導電層、前記絶縁膜および前記第２導電層によって形成された画素スイッチング用の薄膜ダイオード素子が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記絶縁膜は、前記第１導電層を酸化してなる酸化膜であり、前記第１導電層は、ＴａＷにより形成されており、前記絶縁層は、ＴａＯxにより形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項８または１０において、前記パッドは異方性導電膜を介して前記実装体に電気的に接続されており、
前記２層部分は、前記樹脂層から前記異方性導電膜に平面的に重なる位置に到る部分の全体に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項６ないし１３のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板などの被実装体に対してＩＣあるいは可撓性基板などの実装体を実装した実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型液晶装置や、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの電気光学装置では、多数のデータ線と多数の走査線との各交点に相当する位置に画素が形成されており、データ線および走査線を介して各画素に所定の信号を供給して各画素の駆動を行う。このため、電気光学装置では、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板上に多数の導電パターンが信号線として引き回され、この信号線の一部からなるパッドを利用してＩＣがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装されている、また、ＩＣがＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装された可撓性基板が電気光学装置用基板のパッドに実装されることもある。
【０００３】
ここで、電気光学装置では、画素数の増大、あるいは画素ピッチの縮小に伴い、導電パターンが狭いピッチで引き回される傾向にある。このため、ＩＣや可撓性基板の実装領域に向かう領域など、導電パターンが露出している領域で導電パターンに外気中の水分等が付着すると、導電パターンに電食が発生するという問題点がある。そこで、配線を樹脂で被覆するなどの技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、ＩＣ実装領域においてパッドを複数列に配置した場合には、パッドの間を導電パターンを通す必要があり、パッドと導電パターンの間隔が極めて狭くなる。このため、異方性導電材でＩＣを実装した際、異方性導電材に含まれる導電粒子によって、パッドと導電パターンとが短絡するおそれがある。このような領域の導電パターンについても樹脂で被覆すれば、パッドと導電パターンの短絡を防止することができる。
【特許文献１】特開２００３−３６０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、導電パターンを樹脂で被覆する方法では、樹脂を塗布する際の精度が低いため、パッド付近の導電パターンを樹脂層で覆う際、パッドも樹脂で被覆されてしまう危険性がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、導電パターンの電食や短絡を確実に防止可能な実装構造体、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、多数の導電パターンが配列された被実装体と、前記導電パターンの一部によって構成された多数のパッドと電気的に接続するように前記被実装体に実装された実装体とを有する実装構造体において、前記多数の導電パターンには、少なくとも前記パッドを形成するために第１導電層、絶縁層および第２導電層がこの順に積層された３層部分と、前記第１導電層および前記絶縁層がこの順に積層されて最表層が前記絶縁層からなる２層部分とを備えた複数の導電パターンが含まれていることを特徴とする。
【０００８】
本発明における３層部分および２層部分とは、第１導電層、絶縁層および第２導電層のうち、第１導電層および前記絶縁層が形成されているか、あるいは、第１導電層および絶縁層が形成されているかを意味し、例えば、第２導電層の上層側にさらに別の導電層が形成されている場合でも、３層部分という。
【０００９】
本発明では、導電パターンのうち、パッドなどの部分については第１導電層、絶縁層および第２導電層がこの順に積層された３層部分とする一方、導電パターンの引き回し部分などについては、第１導電層および絶縁層がこの順に積層されて２層構造とする。このため、引き回し部分などでは、最表層が絶縁層からなるため、たとえ、導電パターンの引き回し部分同士などが近接している部分に外気の水分などが付着した場合でも、電食が発生しない。また、２層構造にするか３層構造にするかは、絶縁層の上層に形成される第２導電層のパターニングで規定され、このようなパターニングであれば、樹脂を塗布する場合と違って所定の領域に高い精度で形成できる。それ故、パッド付近の導電パターンを２層部分とした場合でも、パッドについては確実に３層部分とすることができる。
【００１０】
本発明において、前記３層部分と前記２層部分とを備えた導電パターンが、その長さ方向において前記２層部分を挟むように前記３層部分を備えている場合には、前記２層部分を挟む前記３層部分には、前記第１導電層と前記第２導電層とを直接、接触させる前記絶縁層の除去部分が構成されていることが好ましい。このように構成すれば、第２導電層が途切れている場合でも、第２導電層を第１導電層を経由して電気的に接続することができる。それ故、離間する３層部分の第２導電層同士を電気的に接続するために、第２導電層を引き回す必要がない。
【００１１】
本発明において、前記実装体がＩＣである場合、前記被実装体には、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、前記多数の導電パターンのＹ方向に延びた部分の一部からなる前記パッドが多数、配列されたＩＣ実装領域が形成されることになる。この場合、前記多数のパッドは、Ｙ方向のうち、前記導電パターンが延びてくる側でＸ方向に配列された複数の第１のパッドと、該第１のパッドに対して導電パターンが延びてくる方向とは反対側でＸ方向に配列された複数の第２のパッドとを含み、前記多数の導電パターンは、前記複数の第１のパッドまで延びた複数の第１の導電パターンと、前記第１のパッドの各間を通って前記複数の第２のパッドまで延びた複数の第２の導電パターンとを含み、前記複数の第２の導電パターンは、少なくとも、前記第１のパッドに挟まれた部分に前記２層部分を備えていることが好ましい。このように構成すれば、所定の領域内に多数のパッドを配置することができ、かつ、ＩＣを異方性導電材で実装した場合でも、パッドと導電パターンが導電粒子で短絡することがない。
【００１２】
本発明において、前記第１の導電パターンは、前記第１のパッドから前記導電パターンが延びてくる側とは反対側に向けて前記第２のパッドの各間を通って延びた第１の延設部分を備え、前記第２の導電パターンは、前記第２のパッドから前記導電パターンが延びてくる側とは反対側に向けて前記第１の延設部分と平行に延びた第２の延設部分を備え、前記第１の延設部分および前記第２の延設部分は、前記３層構造を備えていることが好ましい。このような延設部分を形成しておけば、ＩＣの実装前に延設部分を介して導電パターンに給電を行い、導電パターンの短絡や断線などの検査を行うことができる。
【００１３】
本発明において、前記第１のパッドおよび前記第２のパッドは、前記ＩＣから信号が出力される出力用パッドである。電気光学装置において駆動用ＩＣに用いられるＩＣは、ＩＣへの入力用のパッドよりも、ＩＣからの出力用のパッドの方が数が多いので、出力用のパッドに本発明を適用した方が効果的である。
【００１４】
本発明に係る実装構造体を電気光学装置に適用した場合、前記被実装体は、多数の画素がマトリクス状に配列された領域に電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であり、前記多数の導電パターンは、前記電気光学物質を保持している領域内から前記実装体の実装領域まで延設された画素駆動用の信号線である。
【００１５】
換言すれば、本発明では、多数の画素がマトリクス状に配列された領域に電気光学物質を保持し、多数の導電パターンが配列された電気光学装置用基板と、前記導電パターンの一部によって構成された多数のパッドと電気的に接続するように前記電気光学装置用基板に実装された実装体とを有する電気光学装置において、前記多数の導電パターンは、前記電気光学物質を保持している領域内から前記実装体の実装領域に向けて延びた画素駆動用の多数の信号線であり、前記多数の信号線には、少なくとも前記パッドを形成するために第１導電層、絶縁層および第２導電層がこの順に積層された３層部分と、前記第１導電層および前記絶縁層がこの順に積層されて最表層が前記絶縁層からなる２層部分とを備えた複数の信号線が含まれていることを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記電気光学装置用基板は、一般的に、前記電気光学物質を保持している領域の少なくとも外周縁に樹脂層が形成される。このような樹脂層とは、液晶装置では一対の基板を対向配置した状態に貼り合せるシール材である。また、エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記樹脂層は、エレクトロルミネッセンス素子を水分や酸素などから保護する封止用樹脂である。この場合、前記２層部分は、前記樹脂層から露出して前記パッドに到る部分の少なくとも一部に設けられていることが好ましい。このように構成すると、前記樹脂層から露出して前記パッドに到る部分の少なくとも一部に水分などが付着しても電食が発生しない。
【００１７】
また、前記２層部分は、前記樹脂層から露出して前記パッドに到る部分の全体に設けられていることが好ましい。
【００１８】
本発明において、前記２層部分は、少なくとも一部が前記樹脂層と平面的に重なる位置から設けられていることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記電気光学装置用基板には、前記多数の画素の各々に、前記第１導電層、前記絶縁膜および前記第２導電層によって形成された画素スイッチング用の薄膜ダイオード素子が形成されていることがある。このような場合には、信号線がもとより前記第１導電層、前記絶縁膜および前記第２導電層の３層構造になっているので、新たな層を追加することがない。
【００２０】
この場合、前記絶縁膜は、前記第１導電層を陽極酸化や熱酸化などの方法で酸化してなる酸化膜が用いられる。例えば、前記第１導電層はＴａＷ（タンタル−タングステン）により形成され、前記絶縁層は、ＴａＯx（タンタル酸化物）により形成される。従って、絶縁膜は、第１導電層の表面のみに形成されるので、絶縁膜を所定領域に高い精度で選択的に形成することができる。
【００２１】
本発明において、前記パッドは、例えば、異方性導電膜を介して前記実装体に電気的に接続される。この場合、前記２層部分は、前記樹脂層から前記異方性導電膜に平面的に重なる位置に到る部分の全体に設けられていることが好ましい。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置は、液晶装置やエレクトロルミネッセンス表示装置などであり、このような電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２４】
（電気光学装置の全体構成）
図１は、電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。図３（Ａ）、（Ｂ）は、図２に示す電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面図、およびこの電気光学装置の素子基板に形成した導電パターンの説明図である。
【００２５】
図１に示す電気光学装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延びており、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する各位置には画素５３ａが形成され、多数の画素５３ａがマトリクス状に入れるされている。これらの画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａとが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００２６】
このような電気光学装置１ａを構成するにあたっては、図２（Ａ）、（Ｂ）および図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０（電気光学装置用基板／被実装体）と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶１９を封入する。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶１９を封入するために一部が開口している。このため、液晶１９の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００２７】
素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチックなどの光透過性を有する板状部材である。素子基板１０の内側（液晶１９の側）表面には、上述した複数のデータ線５２ａ、画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図示せず）、画素電極３４ａ、および配向膜（図示せず）などが形成される。一方、対向基板２０の内側の面上には複数の走査線５１ａが形成され、走査線５１ａの表面側に配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２８】
なお、実際には、素子基板１０および対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜、貼着される。また、カラー表示を行う場合には、対向基板２０に対して、画素電極３４ａと対向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形成され、画素電極３４ａに対向しない領域にはブラックマトリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面に走査線５１ａが形成されるが、本発明とは直接の関係がないため、偏光板、位相差板、カラーフィルタ。ブラックマトリクス、平坦化膜などについては、その図示および説明を省略する。
【００２９】
（ＴＦＤ素子の構成）
図４は、図２に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたＴＦＤ素子の説明図である。
【００３０】
図４において、素子基板１０は、表面に下地層１４が形成され、ＴＦＤ素子５６ａは、この下地層１４の上に形成された第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６ａは、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１４は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成され、ＴＦＤ素子５６ａの密着性を向上させ、さらに素子基板１０からの不純物の拡散を防止するために設けられている。第１ＴＦＤ素子３３ａおよび第２ＴＦＤ素子３３ｂは、第１金属層３２ａ（第１導電層）と、この第１金属層３２ａの表面に形成された絶縁層３２ｂと、絶縁層３２ｂの表面に互いに離間して形成された第２金属層３２ｃ、３２ｄ(第２導電層)とによって構成されている。
【００３１】
本形態において、第１金属層３２ａは、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度タンタル単体膜、ＴａＷ（タンタル−タングステン）などのタンタル合金膜等によって形成され、絶縁層３２ｃは、例えば、陽極酸化法や熱酸化法によって第１金属層３２ａの表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５／ＴａＯx）である。第２金属層３２ｃ、３２ｄは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層３２ｃの側は、そのままデータ線５２ａの一部を構成しており、他方の第２金属層３２ｄは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電材からなる画素電極３４ａに接続されている。
【００３２】
このように構成した電気光学装置１０において、データ線５２ａは、第１金属層３２ａ、絶縁層３２ｂ、および第２金属層３２ｃがこの順に積層された３層構造を備えており、第２金属層３２ｃが実質的なデータ線５２ａとして機能する。
【００３３】
再び図２において、電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせた状態で、素子基板１０は、シール材３０の外周縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａには、データ線５２ａと一体の導電パターン８、および基板間導通を介して走査線５１ａに電気的に接続する導電パターン８が延びている。基板間導通を行うにあたって、シール材３０として、導電性を有する多数の導通粒子が分散された樹脂が用いられている。ここで、導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された導電パターン同士を導通させる機能を備えている。このため、本形態では、データ線５２ａに対して画像信号を出力する第１のＩＣ４（フェイスダウンボンディングタイプのＩＣチップ／実装体）、および走査線５１ａに走査信号を出力する２つの第２のＩＣ５（フェイスダウンボンディングタイプのＩＣチップ／実装体）が素子基板１０の張り出し領域１０ａに対してＣＯＧ実装され、かつ、張り出し領域１０ａの端縁（基板接続領域７０）に形成されたパッド７１に対して可撓性基板７が接続されている。なお、パッド７１は、ＩＣ４、５の入力側のバンプが接続されるパッドとしても利用されている。
【００３４】
（ＩＣ実装領域の構成）
図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板の第１のＩＣ実装領域のうち、データ線に接続する導電パターンの端部によって形成されたパッドの一部を拡大して示す平面図、このパッドに接続されるＩＣの出力バンプの一部を拡大して示す平面図、およびＩＣを実装した状態における図５（Ａ）のＸ−Ｘ′線での断面図である。
【００３５】
図２に示すように、素子基板１０では、基板縁１１に沿う方向における中央領域に、データ線駆動回路を内蔵の第１のＩＣ４がＣＯＧ実装される第１のＩＣ実装領域６０が形成され、第１のＩＣ実装領域６０の両側には、走査線駆動回路を内蔵の第２のＩＣ５がＣＯＧ実装される第２のＩＣ実装領域５０が形成されている。また、素子基板１０の張り出し領域１０ａにおいて、ＩＣ実装領域５０、６０よりもさらに基板縁１１の側には、基板縁１１に沿って、可撓性基板７が接続される基板接続領域７０が形成されている。
【００３６】
ここで、第１のＩＣ実装領域６０と第２のＩＣ実装領域５０は、基本的には同様な構成を採用することができるので、図５を参照して、第１のＩＣ実装領域６０の出力側パッドの構成を中心に説明し、入力側パッドおよび第２のＩＣ実装領域５０については説明を省略する。
【００３７】
図３（Ｂ）および図５（Ａ）において、第１のＩＣ実装領域６０には、第１のＩＣ４のバンプが異方性導電材（異方性導電材含有フィルムあるいは異方性導電材含有ペースト）などにより接続される多数のパッドが基板縁１１と平行に配列され、これらのパッドのうち、第１のＩＣ実装領域６０の基板縁１１から遠い位置（導電パターン８が延びてくる側）には、導電パターン８を介して接続する多数の第１および第２のパッド６１０、６２０が形成されている。
【００３８】
ここで、第１のパッド６１０は、Ｙ方向のうち、導電パターン８が延びてくる側でＸ方向に配列されて第１のパッド群６１を構成している。また、第２のパッド６２０は、Ｙ方向のうち、第１のパッド群６１に対して、導電パターン８が延びてくる側と反対側でＸ方向に配列されて第２のパッド群６２を構成している。また、第１のパッド群６１に属する第１のパッド６１０と、第２のパッド群６２に属する第２のパッド６２０は、Ｙ方向で重なる位置に整列している。このため、複数の導電パターン８のうち、第１のパッド６１０に接続する第１の導電パターン８１は、データ線５２ａの側からそのまま延びて第１のパッド６１０まで延びている。これに対して、第２のパッド６２０に接続する第２の導電パターン８２は、データ線５２ａの側から、第１のパッド６１０の間を通るように延びた後、第１のパッド６１０の各間から第２のパッド６２０まで斜めに直線的に延びている。ここで、第１のパッド６２０の各間には、導電パターン８２が１本ずつ通っており、導電パターン８２の斜め部分８２０は、いずれも同一方向に傾いている。
【００３９】
また、第１の導電パターン８１では、第１のパッド６１０から導電パターンが延びてくる側とは反対側に向けて第２のパッド６２０の各間を通って第１の延設部分６３０が延びており、第２の導電パターン８２では、第２のパッド６２０から導電パターンが延びてくる側とは反対側に向けて第１の延設部分６３０と平行に第２の延設部分６４０が直線的に延びている。従って、ＩＣ４を実装する前に延設部分６３０、６４０にプローブを当接して所定の信号を供給すれば、ＩＣ４を実装する前であっても、各画素に信号を供給でき、所定の検査を行うことができる。
【００４０】
一方、図５（Ｂ）に示すように、第１のＩＣ４の実装面４０には、第１のＩＣ実装領域６０の構成に対応して、Ｘ方向に配列する第１のバンプ群４１と、この第１のバンプ群４１に対してＹ方向で隣接する位置でＸ方向に配列する第２のバンプ群４２とが形成され、第１のバンプ群４１に属する第１の出力バンプ４１０と、第２のバンプ群４２に属する第２のバンプ４２は、Ｙ方向で重なる位置に整列している。
【００４１】
このように構成した電気光学装置１ａにおいて、素子基板１０にＩＣ４を実装する工程では、図５（Ａ）を参照して説明した第１のＩＣ実装領域６０に対して、異方性導電粒子含有フィルムや異方性導電粒子含有ペーストなどの異方性導電材を配置した後、この異方性導電材上に、図５（Ｂ）を参照して説明した第１のＩＣ４を配置し、圧着装置のヘッド（図示せず）で第１のＩＣ４を加熱しながら加圧すると、図５（Ｃ）に示すように、ＩＣ４は、異方性導電材２００に含まれる樹脂分２０１で固着されるとともに、導電粒子２０２によって、第１のバンプ群４１に属する第１の出力バンプ４１０は、第１のパッド群６１に属する第１のパッド６１０に電気的に接続し、第２のバンプ群４２に属する第１のバンプ４２は、第２のパッド群６２に属する第２のパッド６２０に電気的に接続する。このため、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように電気光学装置１ａを製作した状態で、可撓性基板７を介して信号や電源電位などを供給すると、第１のＩＣ４の出力バンプ４１０、４２０から画像信号が出力され、この画像信号は、パッド６１０、６２０を介して導電パターン８の一部としてのデータ線５２ａに出力される。また、実装構造についての説明は省略したが、第２のＩＣ５の出力バンプからは走査信号が出力され、この走査信号は、導電パターン８および基板間導通部分を介して走査線５１ａに出力される。
【００４２】
（電食防止および短絡防止のための構成）
本形態の電気光学装置１ａでは、パッド６１０、６２０はＩＣ４の実装に用いられ、延設部分６３０、６４０は、前記したように、検査用のプローブを当接させる部分として用いられるため、パッド６１０、６２０、および延設部分６３０、６４０のいずれにおいても、最表層は、電気的な接続が可能であることが求められる。従って、本形態では、図３（Ｂ）および図５（Ｃ）に示すように、導電パターン８は、パッド６１０、６２０、および延設部分６３０、６４０のいずれもが、データ線５２ａと同様、タンタル単体膜、タンタル合金膜等からなる第１金属層３２ａ、酸化タンタルからなる絶縁層３２ｂ、およびクロム等からなる第２金属層３２ｃがこの順に積層された３層部分になっており、パッド６１０、６２０、および延設部分６３０、６４０では、第２金属層３２ｃの上層にＩＴＯ層３４ｂが形成されている。
【００４３】
これに対して、導電パターン８（導電パターン８１、８２）は、データ線５２ａ、パッド６１０、６２０、および延設部分６３０、６４０を除く部分が、タンタル単体膜、タンタル合金膜等からなる第１金属層３２ａ、および酸化タンタルからなる絶縁層３２ｂがこの順に積層された２層構造（２層部分）になっており、最表層が絶縁層３２ｂになっている。すなわち、導電パターン８（導電パターン８１、８２）は、シール材３０から露出してパッド６１０、６２０に到る部分の全体で、クロム等からなる第２金属層３２ｃ、およびＩＴＯ層３４ｂが形成されておらず、第１金属層３２ａおよび絶縁層３２ｂがこの順に積層されて最表層が絶縁層３２ｂの２層部分になっている。また、導電パターン８（導電パターン８１、８２）は、シール材３０の一辺部分と平面的に重なる領域の全体が第１金属層３２ａ、および絶縁層３２ｂがこの順に積層された２層構造（２層部分）になっている。このため、導電パターン８（導電パターン８１、８２）は、シール材３０から露出してパッド６１０、６２０に到る部分で、クロム等からなる第２金属層３２ｃが一切、露出しておらず、ＩＴＯ層３４ｂも露出していない。
【００４４】
また、本形態では、ＩＣ実装領域６０において、導電パターン８１が第２のパッド６２０の間を通る部分８１１、および導電パターン８２が第１のパッド６１０の間を通って第１のパッド６２０に到る部分８２１も、第１金属層３２ａ、および絶縁層３２ｂがこの順に積層された２層部分になっている。このため、導電パターン８１が第２のパッド６２０の間を通る部分８１１、および導電パターン８２が第１のパッド６１０の間を通って第１のパッド６２０に到る部分では、クロム等からなる第２金属層３２ｃが一切、露出しておらず、ＩＴＯ層３４ｂも露出していない。
【００４５】
なお、導電パターン８（導電パターン８１、８２）では、その長さ方向において２層部分を挟むように３層部分を備えているが、２層部分を挟む３層部分には、第１導電層３２ａと第２導電層３２ｃとを直接、接触させる絶縁層３２ｂの除去部分３２ｅが構成されている。このため、導電パターン８上で第２導電層３２ｄが途切れていても、第１導電層３２ａを経由して第２導電層３２ｃ同士は電気的に接続している。それ故、離間する３層部分の第２導電層３２ｃ同士を電気的に接続するために、第２導電層３２ｃを引き回す必要がない。
【００４６】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１ａにおいて、導電パターン８（導電パターン８１、８２）は、シール材３０から露出してパッド６１０、６２０に到る部分の全体で、狭いピッチ間隔でシール材３０から露出しているが、最表層が絶縁層３２ｂになっているので、たとえ、水分などが付着した場合でも、導電パターン８（導電パターン８１、８２）に電食が発生しない。
【００４７】
また、本形態では、ＩＣ実装領域６０において、導電パターン８１、８２は、パッド６１０、６２０の間を通る部分８１１、８２１も、最表層が絶縁層３２ｂになっているので、異方性導電材２００でＩＣを実装した場合でも、図５（Ｃ）に示すように、導電粒子２０２が集まった場合でも、導電パターン８１、８２のパッド６１０、６２０の間を通る部分８１１、８２１とパッド６１０、６２０とが短絡することがない。
【００４８】
さらに、絶縁層３２ｂは、後述するように、タンタル単体膜、タンタル合金膜等からなる第１金属層３２ａを陽極酸化あるいは熱酸化するだけで形成することができる。しかも、導電パターン８において、２層部分とするか３層部分とするかは、クロム膜に対するパターニングで規定され、このような構成であれば、樹脂と塗布する方法と比較して精度が極めて高い。それ故、パッド６１０、６２０付近や延設部分６３０、６４０付近の導電パターン８１、８２を２層構造とした場合でも、パッド６１０、６２０や延設部分６３０、６４０については確実に３層構造とすることができる。
【００４９】
しかも、延設部分６３０、６４０については、第１金属層３２ａ、絶縁層３２ｂ、および第２金属層３２ｃがこの順に積層された３層部分になっており、その表面にＩＴＯ層３４ｂが形成されているので、ＩＣ４を実装する前、延設部分６３０、６４０を介して信号を供給して導電パターン８などの短絡や断線を検査できる。なお、パッド６１０、６２０や延設部分６３０、６４０は、第１金属層３２ａ、絶縁層３２ｂ、および第２金属層３２ｃがこの順に積層された３層部分になっており、その表面にＩＴＯ層３４ｂが形成されているが、ＩＣ４を実装した後は、異方性導電材２００で覆われた状態になるので、電食などの問題は発生しない。
【００５０】
さらにまた、第１のＩＣ４の実装面４０では、Ｘ方向に配列された２つのバンプ群４１、４２がＹ方向で隣接する領域に配置され、かつ、第１のバンプ群４１に属する第１の出力バンプ４１０と、第２のバンプ群４２０に属する第２の出力バンプ４２０は、Ｙ方向で重なる位置に整列している。また、素子基板１０の第１のＩＣ４に対するＩＣ実装領域６０では、Ｘ方向に配列された２つのパッド群６１、６２がＹ方向で隣接する領域に配置され、かつ、第１のパッド群６１に属する第１のパッド６１０と、第２のパッド群６２０に属する第２のパッド６２０は、Ｙ方向で重なる位置に整列しているが、第２のパッド６２０に接続する導電パターン８２は各々、第１のパッド６１０の各間を通って第２のパッド６２０まで斜めに延びている。このため、本形態では、パッド６１０、６２０を２列に配置した分、所定領域内にパッド６１０、６２０、および出力バンプ４１０、４２０を配置する数を増大させることができる。また、第１のパッド群６１に属する第１のパッド６２０と、第２のパッド群６２に属する第２のパッド６２０は、Ｙ方向で重なる位置に整列しているため、異方性導電材を用いて第１のＩＣ４を実装する際、余計な樹脂分などがＹ方向にスムーズに流出するため、余計な異方性導電粒子が局部的に溜まってしまうことがない。それ故、第１のＩＣ４を高い信頼性をもって実装することができる。
【００５１】
（電気光学装置１ａの製造方法）
図６（Ａ）〜（Ｇ）は、電気光学装置１ａの製造方法のうち、素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００５２】
本形態の電気光学装置１ａに用いた素子基板１０を製造するには、まず、図３（Ｂ）、図４および図６（Ａ）に示すように、素子基板１０の表面にタンタル酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層１４を形成する。
【００５３】
次に、図３（Ｂ）、図４および図６（Ｂ）に示すように、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いて導電パターン８（データ線５２ａ）の第１金属層３２ａ、およびＴＦＤ素子５６ａの第１金属層３２ａを同時にパターニング形成する。このとき、導電パターン８側およびＴＦＤ素子５６ａ側の第１金属層３２ａ同士はブリッジ部（図示せず）で繋がっている。また、第１金属層３２ａについては給電パターン(図示せず)によって繋がっている。
【００５４】
次に、複数枚の素子基板１０を電解液に浸漬した状態で陽極酸化を行う。その際、導電パターン８の第１金属層３２ａを介して給電し、それらの表面には、図３（Ｂ）、図４および図６（Ｃ）に示すように、絶縁層３２ｂとして作用する陽極酸化膜が形成される。次に、素子基板１０を加熱し、絶縁層３２ｂ内の転位や空孔などの欠陥密度を低減し、ＴＦＤ素子５６ａのＩ／Ｖ値を高くする。なお、絶縁層３２ｂを形成する際には、第１金属層３２ａを熱酸化してもよい。
【００５５】
次に、図３（Ｂ）および図６（Ｄ）に示すように、絶縁層３２ｂに対してフォトリソグラフィ技術などを用いて除去部分３２ｅを形成する。
【００５６】
次に、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、図３（Ｂ）、図４および図６（Ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、導電パターン８の最上層、第１ＴＦＤ素子３３ａの第２金属層３２ｃ、および第２ＴＦＤ素子３３ｂの第２金属層３２ｄを形成する。また、パッド６１０、６２０や延設部分６３０、６４０に相当する部分に第２金属層３２ｃを残す。
【００５７】
次に、ドライエッチングにより、第１金属層３２ａをパターニングし、図３（Ｂ）、図４および図６（Ｆ）に示すように、可撓性基板７およびＩＣ４の入力バンプが接続されるパッド７１を導電パターン８から分離する。その際、ブリッジ部や給電パターンを素子基板１０から除去する。また、画素電極３４ａに相当する領域の下地層１４を除去して素子基板１０を露出させる。
【００５８】
次に、ＩＴＯ膜をスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術により、ＩＴＯ膜をパターニングし、図３（Ｂ）、図４および図６（Ｇ）に示すように、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極３４ａをその一部が第２金属層３２ｄに重なるように形成する。また、パッド６１０、６２０や延設部分６３０、６４０に相当する部分にＩＴＯ層３４ｂを残す。
【００５９】
しかる後には、図示を省略するが、素子基板１００の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜を形成した後、配向膜に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００６０】
次に、図２および図３（Ｂ）に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材３０を環状に塗布した後、別途製作しておいた対向基板２０をシール材３０を介して素子基板１０に貼り合せる。次に、シール材３０で区画された領域内に対して液晶１９を注入した後、液晶注入口を封止する。次に、素子基板１０に対して、ＩＣ４、５、および可撓性基板７を異方性導電材２００で実装し、電気光学装置１ａを完成させる。
【００６１】
［その他の実施の形態］
なお、導電パターン８（導電パターン８１、８２）において、最表層が絶縁層３２ｂになっている２層部分を形成するにあたって上記形態では、第２金属層３２ｃを形成する際に所定領域のみにＣｒを残したが、全ての導電パターン８（導電パターン８１、８２）を３層部分として形成した後、所定領域からＣｒ層を除去して２層部分を形成してもよい。
【００６２】
上記形態では、導電パターン８（導電パターン８１、８２）において、シール材３０から露出してパッド６１０、６２０に到る部分の全体が、最表層が絶縁層３２ｂになっている２層部分であったが、電食は隣接する導電パターン８間の電界強度が低い場合には発生しない。それ故、導電パターン８（導電パターン８１、８２）において、シール材３０から露出して部分のうち、隣接する導電パターン８間の間隔が狭い部分のみを、最表層が絶縁層３２ｂになっている２層部分としてもよい。
【００６３】
また、上記形態では、第１のパッド６１０と第２のパッド６２０は、Ｘ方向において１ピッチ分ずれてＹ方向で整列していたが、第１のパッド群６１に属する第１のパッド６１０と、第２のパッド群６２に属する第２のパッド６２０がＸ方向に向けて半ピッチ分ずれて、Ｙ方向で重なっていない場合にも、本発明を適用してもよい。
【００６４】
また、上記形態は、ＩＣ４、５の入力側では、導電パターンのピッチが広いので、電食などが発生しにくいなどの理由からＩＣ４、５の出力側のみに本発明を適用したが、入力側にも本発明を適用してもよい。
【００６５】
また、上記形態では、被実装体としての素子基板１０に対して、実装体としてＩＣ４をＣＯＧ実装した例であったが、電気光学装置１ａとしては、ＩＣをＣＯＦ実装した可撓性基板を素子基板１０に接続する場合がある。このような場合にも、素子基板１０には、素子基板１０には可撓性基板を実装するためのパッドが形成され、かつ、パッドからシール材３０で区画された領域内に向けて導電パターンが形成される。それ故、このような電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００６６】
また、上記形態は、ＴＦＤを非線形素子として用いた透過型のアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、反射型あるいは半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。さらに、図７および図８を参照して以下に示す電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００６７】
図７は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図８は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００６８】
図７に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もずれであってもよい。
【００６９】
このような構成の液晶装置でも、シール材で区画された領域に液晶が保持され、かつ、シール材で区画された領域外に、パッドおよび導電パターンが形成されるので、本発明を適用することができる。
【００７０】
図８に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００７１】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００７２】
このような構成のエレクトロルミネッセンス型電気光学装置において、素子基板は、発光素子１４０ｐなどを水分や酸素から保護するための封止樹脂で被覆され、この封止樹脂が形成されている領域外に、パッドおよび導電パターンが形成されるので、本発明を適用することができる。
【００７３】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００７４】
上記の電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、図２に示す電気光学装置を画素電極を通る部分でＹ方向に切断したときの断面図、およびこの電気光学装置の素子基板に形成した導電パターンの説明図である。
【図４】図２に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたＴＦＤ素子の説明図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板の第１のＩＣ実装領域のうち、データ線に接続する導電パターンの端部によって形成されたパッドの一部を拡大して示す平面図、このパッドに接続されるＩＣの出力バンプの一部を拡大して示す平面図、およびＩＣを実装した状態における断面図である。
【図６】図２に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図８】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【符号の説明】
【００７６】
１ａ  電気光学装置、４  第１のＩＣ（実装体）、７  可撓性基板、８、８１、８２  導電パターン、１０  素子基板（電気光学装置用基板／被実装体）、１０ａ  素子基板の張り出し領域、２０  対向基板、４１  第１のバンプ群、４２  第２のバンプ群、６１  第１のパッド群、６２  第２のパッド群、６１０  第１のパッド、６２０  第２のパッド、６３０  第１の延設部分、６４０  第２の延設部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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