(57)【要約】【課題】半導体装置の球状接続端子を挿入する貫通孔を有しないタイプの半導体装置用検査基板において、絶縁性基材に設けるスリット穴の最大幅がパッド間の間隔領域に制約されない半導体装置用検査基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁性基材１とその上に設けた導電層２の配線パターン６を具備し、配線パターン６の一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るためのパッド６ａを形成し、該パッド６ａ上にバンプ４を設けてプローブとした半導体装置用検査基板において、上記パッド６ａの片側又は両側に、該パッド６ａと部分的に重なって連接するように、絶縁性基材１にスリット穴９を設ける。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための半導体装置用検査基板であって、絶縁性基材とその上に設けた導電層の配線パターンを具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための導電性接続部を形成し、該導電性接続部上にバンプを設けてプローブとした半導体装置用検査基板において、
上記導電性接続部の片側又は両側に、該導電性接続部と部分的に重なって連接するように、絶縁性基材にスリット穴を設けたことを特徴とする半導体装置用検査基板。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用検査基板において、
上記スリット穴が、上記導電性接続部の縁を囲繞していることを特徴とする半導体装置用検査基板。
【請求項３】
半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための半導体装置用検査基板であって、絶縁性基材とその上に設けた導電層の配線パターンを具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための複数個の導電性接続部を配列し、各導電性接続部上にバンプを設けてプローブとした配線基板により構成される半導体装置用検査基板において、
上記導電性接続部の配列方向偶数番目と奇数番目の間隔内又は奇数番目と偶数番目の間隔内に、導電性接続部と部分的に重なって連接するように第１のスリット穴を絶縁性基材に設けると共に、
上記第１のスリット穴が設けられなかった上記導電性接続部の配列方向奇数番目と偶数番目の間隔内又は偶数番目と奇数番目の間隔内に、導電性接続部と連接する又は連接しない第２のスリット穴を絶縁性基材に設けたことを特徴とする半導体装置用検査基板。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載の半導体装置用検査基板の製造方法において、
絶縁性基材にプレス加工で上記スリット穴を形成した後、片面に導電層を設け、この上にレジストパターンを設けて導電層上にバンプを形成し、レジストパターンを除去した後、この上にレジストパターンを設けて露光、現像することにより上記導電性接続部を含む配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置用検査基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用検査基板に関し、例えばＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）などのバンプ形状の突起電極を有する半導体装置の電気的性能を検査する際に、当該半導体装置の突起電極との電気的接続をするための半導体装置用検査基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡなどのように一方の面に外部電極としてバンプ形状の突起電極を有する半導体装置の電気的動作検査においては、半導体装置の突起電極と検査装置との確実な電気的接続が必要となる。
【０００３】
このような検査に用いられる接続装置としては、例えばピンタイプのテストソケットがある。このテストソケットを用いた検査では、テストソケットに半導体装置を固定し、半導体装置の外部電極にテストソケットのプローブ（検査針）を当てて電気的接続を取り、検査を行う。
【０００４】
近年、半導体装置の小型化が進み、テストソケットにも対応が求められている。半導体装置の小型化に伴い半導体装置の外部電極の間隔が狭くなった場合、従来のピンタイプのプローブでは小型化に限界があり、対応が困難となりつつあった。
【０００５】
そこで配線板上に配線の一部として導電性接続部であるパッドを形成し、その上にバンプを設けてプローブの役割を持たせた半導体装置用検査基板が開発された。プローブが一枚のシートで形成できるため、故障した場合のプローブの交換が容易で、しかも安価なプローブが提供できる。このシート式プローブでは、各パッドの独立性を保ち隣接するプローブの厚さ方向への移動を容易にするために、パッド間にスリットを入れる場合がある。
【０００６】
図７に、従来の半導体装置用検査基板の構造を示す。これは絶縁性基材１とその上に設けた導電層の配線パターン６を具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極（外部電極）と電気的接続を取るためのパッド６ａを形成し、該パッド６ａ上にめっきバンプ（金属突起）４を設けてプローブとした半導体装置用検査基板であって、その配線パターン６のバンプを設けた配線間つまりパッド６ａ間に、レーザ加工によりスリット穴７を形成した構造である。
【０００７】
図８にこの半導体装置用検査基板の製造方法を示す。図８に示すように、絶縁性基材（絶縁層）１に導電層２を貼り合せ（図８（ａ）（ｂ））、この上にめっきレジストパターン３を設けて導電層２上にバンプ４をめっきにて形成し（図８（ｃ）（ｄ））、めっきレジストパターン３を除去した後（図８（ｅ））、この上にエッチングレジストパターン５を設けて露光、現像することにより、上記導電性接続部（パッド）６ａを含む配線パターン６を形成し（図８（ｆ）（ｇ））、最後にレーザによりスリット穴（レーザスリット）７を形成する。
【０００８】
この半導体装置用検査基板によれば、プローブ基板の絶縁層としてポリイミド樹脂フィルムのように変形可能な材料を用いるため複数個のプローブは配線板の厚さ方向への上下動が可能で、しかもスリット穴７の存在によって舌片状の接続部支持片２３の上下方向の変位効果が促進される。
【０００９】
また、特開２００１−８３２０９号公報（特許文献１参照）には、半導体装置（パッケージＬＳＩ）の球状接続端子の高さ方向のバラツキを有効に吸収するため、絶縁基板にスリットを形成した半導体装置用検査基板について開示されている。すなわち、図９の如く舌片状の接続部支持片２３が形成されるようにスリット２２ａおよび２２ｂを形成し、これにより、図１０に示すような、導電性接続部３０が一体的に形成された位置決め基板（半導体装置用検査基板）２０を得る。
【００１０】
この位置決め基板２０においては、スリット２２ａおよび２２ｂが形成されているので、加圧板１５１で半導体装置（パッケージＬＳＩ）１０１を位置決め基板２０に対して押圧すると、このスリット２２ａおよび２２ｂにより舌片状に独立している接続部支持片２３が、導電性接続部３０と一緒に、当該位置決め基板２０の厚さ方向に変位する。その結果、半導体装置１０１に対する押圧荷重が小さい場合にも、導電性接続部３０は、異方導電性シート４０の導電路形成部４１に容易に接続することができる。また、接続部支持片２３が導電性接続部３０と一緒に位置決め基板２０の厚さ方向に変位できることにより、半導体装置１０１の球状接続端子１０１ａの高さバラツキを有効に吸収することができる。
【特許文献１】特開２００１−８３２０９号公報（段落番号００４９、００５９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図７に示した従来の半導体装置用検査基板の構造では、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るためのパッド６ａを形成した後、そのパッド６ａ間にレーザ加工によりスリット穴７を形成しているため、絶縁性基材１にスリット穴７を設けうる最大幅がパッド（導電性接続部）６ａ、６ａ間の間隔領域に制約される。すなわち、従来は配線形成後にレーザ加工を行ってスリット穴７を形成していたが、スリット穴７の位置精度の確保が困難で、レーザが配線パターン上のパッド６ａに当たってしまうことから、スリット穴７が形成できないという問題が見られた。またレーザでの加工速度が遅く、加工費用も高いためコスト高になっていた。
【００１２】
一方、特許文献１に係る位置決め基板（半導体装置用検査基板）２０では、半導体装置の球状接続端子１０１ａを挿入する貫通孔２１を設けているため、舌片状の接続部支持片２３を形成するスリット穴２２ａ、２２ｂは、この貫通孔２１を避けるように貫通孔２１から少し離して設ける必要がある。
【００１３】
半導体装置の微細小型化が進むにつれ、隣接する外部端子の間隔が狭くなる。ところが特許文献１の構造では、貫通孔２１とスリット穴２２ａ、２２ｂの双方を形成する必要があるため、その微細小型化の要請に応じた製造が次第に困難となる。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、半導体装置の球状接続端子を挿入する貫通孔を有しない図７のタイプの半導体装置用検査基板において、絶縁性基材１に設けるスリット穴７の最大幅が導電性接続部（パッド）６ａ、６ａ間の間隔領域に制約されない、つまり図７の状態より大きくスリット穴７を取ることができる半導体装置用検査基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１６】
請求項１の発明に係る半導体装置用検査基板は、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための半導体装置用検査基板であって、絶縁性基材とその上に設けた導電層の配線パターンを具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための導電性接続部（パッド）を形成し、該導電性接続部上にバンプを設けてプローブとした半導体装置用検査基板において、上記導電性接続部の片側又は両側に、該導電性接続部と部分的に重なって連接するように、絶縁性基材にスリット穴を設けたことを特徴とする。
【００１７】
請求項２の発明は、請求項２記載の半導体装置用検査基板において、上記スリット穴が、上記導電性接続部の縁を囲繞していることを特徴とする。
【００１８】
請求項３の発明は、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための半導体装置用検査基板であって、絶縁性基材とその上に設けた導電層の配線パターンを具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための複数個の導電性接続部を配列し、各導電性接続部上にバンプを設けてプローブとした配線基板により構成される半導体装置用検査基板において、上記導電性接続部の配列方向偶数番目と奇数番目の間隔内又は奇数番目と偶数番目の間隔内に、導電性接続部と部分的に重なって連接するように第１のスリット穴を絶縁性基材に設けると共に、上記第１のスリット穴が設けられなかった上記導電性接続部の配列方向奇数番目と偶数番目の間隔内又は偶数番目と奇数番目の間隔内に、導電性接続部と連接する又は連接しない第２のスリット穴を絶縁性基材に設けたことを特徴とする。
【００１９】
上記した請求項１〜３に記載の半導体装置用検査基板においては、さらに配線基板両側における導電性接続部の外側領域内に、導電性接続部と連接する又は連接しないスリット穴を設けることが好ましい。
【００２０】
従って、上記請求項３の発明には次の二つの形態が含まれる。第一は、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための半導体装置用検査基板であって、絶縁性基材とその上に設けた導電層の配線パターンを具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための複数個の導電性接続部（パッド）を配列し、各導電性接続部上にバンプを設けてプローブとした配線基板により構成される半導体装置用検査基板において、上記導電性接続部の配列方向偶数番目と奇数番目の間隔内及び配線基板両側における導電性接続部の外側領域内に、導電性接続部と部分的に重なって連接するように第１のスリット穴を絶縁性基材に設けると共に、上記第１のスリット穴が設けられなかった上記導電性接続部の配列方向奇数番目と偶数番目の間隔内に、導電性接続部と連接する又は連接しない第２のスリット穴を絶縁性基材に設けた半導体装置用検査基板の形態である。
【００２１】
第二は、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための半導体装置用検査基板であって、絶縁性基材とその上に設けた導電層の配線パターンを具備し、配線パターンの一部として、半導体装置の突起電極と電気的接続を取るための複数個の導電性接続部（パッド）を配列し、各導電性接続部上にバンプを設けてプローブとした配線基板により構成される半導体装置用検査基板において、上記導電性接続部の配列方向奇数番目と偶数番目の間隔内に、導電性接続部と部分的に重なって連接するように第１のスリット穴を絶縁性基材に設けると共に、上記第１のスリット穴が設けられなかった上記導電性接続部の配列方向偶数番目と奇数番目の間隔内に、導電性接続部と連接する又は連接しない第２のスリット穴を絶縁性基材に設けた半導体装置用検査基板の形態である。
【００２２】
請求項４の発明に係る製造方法は、上記請求項１、２又は３に記載の半導体装置用検査基板の製造方法において、絶縁性基材にプレス加工で上記スリット穴を形成した後、片面に導電層を設け、この上にレジストパターンを設けて導電層上にバンプを形成し、レジストパターンを除去した後、この上にレジストパターンを設けて露光、現像することにより上記導電性接続部（パッド）を含む配線パターンを形成することを特徴とする。
【００２３】
＜発明の要点＞
本発明の半導体装置用検査基板は、半導体装置が正常に動作するか否かを検査する際に、電気的接続装置として用いられる配線基板であり、半導体装置の突起電極（外部電極）と電気的接続をする接続装置として機能する。
【００２４】
この半導体装置用検査基板は、半導体装置の外部出力端子である複数の突起電極に対応する配列されたプローブを有し、これらのプローブは、それぞれ、配線基板の配線パターンの一部として形成された導電性接続部（パッド）及びその上に形成したバンプ（例えばめっきバンプから成る金属突起）を有する。
【００２５】
また、絶縁性基材には、上記導電性接続部の片側又は両側に、該導電性接続部と部分的に重なって連接するようにスリット穴が設けられる。このスリット穴は、各導電性接続部（パッド）が他の導電性接続部（パッド）から独立して絶縁性基材の厚み方向に変位し得るようにする目的で設けられる。
【００２６】
導電性接続部と部分的に重なって連接するようにスリット穴を設けるには、例えば、絶縁性基材にプレス加工でスリット穴を形成した後、絶縁性基材の片面に銅箔をラミネートし、このスリット穴と部分的に重なる状態又はスリット穴に収まってしまう形状寸法と配置関係の形態で、バンプ（例えばめっきバンプ）を形成し、その後において配線パターンを形成し、その際、配線パターンの一部として上記バンプを中心とする面積が該バンプよりも大きい導電性接続部（パッド）を形成する。
【００２７】
本発明によれば、スリット穴を設ける際に導電性接続部（パッド）が存在しないので、プレス加工を採用することができる。従来のレーザ加工によるときは、導電性接続部（パッド）との接触を回避するため、精密な制御が必要であったが、本発明ではこれを考慮する必要がない。従って、スリットの位置ずれを解消し、安価に半導体装置用検査基板を製造することが可能である。
【００２８】
また、半導体装置の外部接続端子の高さにばらつきがある場合でも、外部接続端子は、まずバンプに接触し、これにより導電性接続部（パッド）が独立して絶縁性基材の厚み方向に変位して撓むため、外部接続端子の高さのばらつきを吸収して確実に外部端子に接触し得る。
【００２９】
更にまた、スリット穴は、導電性接続部（パッド）と部分的に重なるように絶縁性基材に設けられ、導電性接続部間の間隔ｄ（図２参照）に制約されないので、ファインピッチ化に適切に対応可能である。
【００３０】
なお、特開２００１−８３２０９号公報（特許文献１参照）には、絶縁基板にスリットを有する検査基板について開示されているが、本発明とは異なるタイプのものである。すなわち、一つには、公知例の特許文献１は、絶縁層に貫通孔を設け一方を金属層で覆い、そこに半導体装置の外部端子を挿入し、金属層と接触させることで電気的接続を確保し、且つスリットにより複数の外部端子の高さバラツキを吸収する。これに対し、本発明では、半導体装置を挿入する貫通孔を設けず、外部端子は金属層上に設けられたバンプと接触することにより電気的接続を確保する。
【００３１】
加えて、公知例の特許文献１では、外部端子の外形より大きい貫通孔を形成する必要があり、スリットはその貫通孔を避けて配置する必要がある。これに対し、本発明では、外部端子接続用の貫通孔が存在しないためスリット形成の自由度が高い。
【００３２】
半導体装置の微細小型化が進むにつれ、隣接する外部端子の間隔が狭くなり、貫通孔とスリットを形成する必要のある公知例（特許文献１）の構造では製造が困難となる。これに対し、本発明では、スリット穴を、バンプを設けたパッドの下に重なるように配置することが可能で、設計の自由度が高く、小型の半導体装置にも対応可能な構造である。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００３４】
請求項１に記載の発明によれば、導電性接続部の片側又は両側に、該導電性接続部と部分的に重なって連接するように、絶縁性基材にスリット穴を設けた構成であるので、従来の導電性接続部の片側又は両側に、該導電性接続部に隣接して絶縁性基材にスリット穴を設けた構成（図７）に較べ、より大きなスリット穴を設けることができる。よって、本発明によれば、配線板の厚さ方向へのプローブの上下動が、より容易になるという効果が得られる。
【００３５】
かかる効果は、上記スリット穴が、上記導電性接続部の縁を囲繞している形態（請求項２）においても得ることができる。
【００３６】
また、上記効果は、導電性接続部の配列方向偶数番目と奇数番目の間隔内又は奇数番目と偶数番目の間隔内に、導電性接続部と部分的に重なって連接するように第１のスリット穴を設けると共に、上記第１のスリット穴が設けられなかった上記導電性接続部の配列方向奇数番目と偶数番目の間隔内又は偶数番目と奇数番目の間隔内に、導電性接続部と連接する又は連接しない第２のスリット穴を設けた形態（請求項３）においても得ることができる。
【００３７】
請求項４に記載の発明では、プレス加工で上記スリット穴を絶縁性基材に形成した後、片面に導電層を設け、この導電層上にバンプを形成し、レジストパターンを除去した後、この上にレジストパターンを設けて露光、現像することにより上記導電性接続部を含む配線パターンを形成する。本発明の方法においては、スリット穴を設ける際に導電性接続部（パッド）が存在しないので、プレス加工を採用することができる。従来のレーザ加工によるときは、導電性接続部（パッド）との接触を回避するため、精密な制御が必要であったが、本発明ではこれを考慮する必要がない。従って、スリットの位置ずれを解消し、安価に半導体装置用検査基板を製造することが可能である。
【００３８】
要するに、本発明によれば、スリット穴が導電性接続部（パッド）と導電性接続部（パッド）の存在しない状況でスリット穴をパンチ加工により形成し、部分的又は完全に重なる構造とするため、従来の導電性接続部（パッド）を形成した後でレーザ加工によりスリット穴を形成する場合と比較して、位置ずれの影響を受けにくい。
【００３９】
また、半導体装置の外部接続端子の高さにばらつきがある場合でも、外部接続端子は、まずバンプに接触し、次いで導電性接続部（パッド）が独立して絶縁性基材の厚み方向に変位して撓むため、確実に外部端子に接触し得る。
【００４０】
更にまた、スリット穴は、導電性接続部と部分的に重なるように絶縁性基材に設けられる、導電性接続部間の間隔に制約されないので、ファインピッチ化に適切に対応可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００４２】
本発明の半導体装置用検査基板は、突起電極を有する半導体装置と電気的接続を行うための接続装置として機能するものであり、半導体装置が正常に動作するかを検査する際に用いられる。検査対象となる半導体装置は、例えばＢＧＡ、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）などである。
【００４３】
＜実施形態１＞
図１は半導体装置用検査基板の平面図、図２はそのII−II断面図である。
【００４４】
この半導体装置用検査基板は、従来の図７の場合と同様に、半導体装置の突起電極（外部電極）と電気的接続を取るための接続装置として機能するものであって、絶縁性基材１とその上に設けた導電層の配線パターン６を具備し、配線パターン６の一部として、半導体装置の突起電極（外部電極）と電気的接続を取るための導電性接続部としてパッド６ａを形成し、該パッド６ａ上にバンプ（金属突起）４を設けてプローブとした構成となっている。
【００４５】
しかし、従来と異なり、この図１、図２の半導体装置用検査基板においては、上記パッド６ａの両側に、該パッド６ａと部分的に重なって連接するように、絶縁性基材にスリット穴９を設けた構造となっている。パッド６ａ及びスリット穴９は共に円形であって、絶縁性基材１に設けられたスリット穴９は、その円の一部がパッド６ａの領域にまで入り込んでおり、パッド６ａと部分的に重なっている。図２に、この重なりをΔとして示す。
【００４６】
かかる構成とすることにより、スリット穴９間の間隔Ｄは、従来の図７の場合よりも狭くなり、より撓みやすくなる。
【００４７】
パッド６ａ上には、同心状にバンプ４がめっきにより形成されており、そのバンプ４の頂面には十文字状の溝が形成され、これにより４つの接触子が構成されている。
【００４８】
本発明において、絶縁性基材（絶縁層）１の材質は、柔軟性を有する基板を形成することができる電気絶縁性のものが好ましく、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレンテレフタラート樹脂などのポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、ゴム等が用いられる。これらの中では特に耐熱性や寸法安定性に優れたポリイミド樹脂が好ましい。
【００４９】
導電層２の材質は、導電性材料である各種金属、導電性無機材料、導電性有機材料が用いられる。これらの中では金属が好ましく、銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、鉄、アルミニウムもしくはこれらを含む合金が挙げられる。この中でも特に銅、金、もしくはこれらを含む合金が好ましい。
【００５０】
バンプ４の材質は、導電性材料である各種金属、導電性無機材料、導電性有機材料が用いられる。これらの中では金属が好ましく、銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、鉄、アルミニウムもしくはこの積層体あるいはこれらを含む合金が挙げられる。この中でも特に銅、金、もしくはこれらを含む合金が好ましい。バンプの形成方法としては、電気めっき、無電解めっき、導電性ペースト等が用いられるが、この中でも電気めっきが好ましい。
【００５１】
図３は、本発明の半導体装置用検査基板の製造プロセスの説明図である。
【００５２】
図３（ａ）のように、まず絶縁性基材１にプレス加工で上記スリット穴９となる貫通穴８を形成する。図３（ｂ）のように、この絶縁性基材１の片面に導電層２をラミネートする。図３（ｃ）のように導電層２の表面をめっきレジストで覆って露光・現像することにより、めっきレジストパターン３を形成する。このめっきレジストパターン３においては、バンプ４を形成すべき場所として、貫通穴８と８の間の間隔領域Ｄに対応する位置に隙間３ａを残す。図３（ｄ）のように、めっきレジストパターン３の上記隙間３ａ内を充填する形でめっきを施しバンプ４を形成する。図３（ｅ）のように、めっきレジストパターン３を除去する。
【００５３】
図３（ｆ）のように、配線パターン６をエッチングレジストで覆って露光・現像することにより、エッチングレジストパターン５を形成する。このエッチングレジストパターン５では、パッド６ａを含む配線部分６を覆うと共に、他面側でスリット穴９から底部として露出している導電層部分をもエッチングレジストで覆う。図３（ｇ）のように、エッチングレジストパターン５で覆われていなかった露出部分の導電層を、エッチングにより除去して配線パターン６を形成する。図３（ｈ）のようにエッチングレジストパターン５を除去する。
【００５４】
かくして、バンプ４を形成したパッド６ａと隣接する別のパッド６ａの間に、パッド間よりも大きいスリット穴９が形成され、本発明の製品が製造される。
【００５５】
＜実施形態２＞
図４に本発明の他の実施形態を示す。これは各パッド６ａの片側に、該パッド６ａと部分的に重なって連接するように、絶縁性基材１にスリット穴９を設けた構造例である。円形のスリット穴９はその大部分がパッド６ａと重なり合っており、三日月状にパッド６ａの領域から露出している。
【００５６】
＜実施形態３＞
図５に本発明の別の実施形態を示す。これはパッド６ａの配列方向偶数番目と奇数番目の間隔ｄ内及び配線基板両側におけるパッド６ａの外側領域内に、パッド６ａと部分的に重なって連接するように第１のスリット穴９ａを絶縁性基材に設けると共に、上記第１のスリット穴９ａが設けられなかった上記パッド６ａの配列方向奇数番目と偶数番目の間隔内に、パッド６ａと連接する又は連接しない第２のスリット穴９ｂを絶縁性基材１に設けた半導体装置用検査基板の形態例である。
【００５７】
しかし、第１のスリット穴９ａと第２のスリット穴９ｂを入れ替えた構成とすることもできる。すなわち、上記パッド６ａの配列方向奇数番目と偶数番目の間隔ｄ内に、パッド６ａと部分的に重なって連接するように第１のスリット穴９ａを絶縁性基材１に設けると共に、上記第１のスリット穴９ａが設けられなかった上記パッド６ａの配列方向偶数番目と奇数番目の間隔内に、パッド６ａと連接する又は連接しない第２のスリット穴９ｂを絶縁性基材１に設けた半導体装置用検査基板の形態である。
【００５８】
＜実施形態４＞
図６に本発明の更に別の実施形態を示す。これは半導体装置用検査基板において、上記スリット穴９が上記パッド６ａの縁を囲繞している形態、すなわちスリット穴９がパッド６ａよりも大きな円により形成され同心円的に重なった位置にある実施形態の例である。
【００５９】
いずれにせよ、本発明の半導体装置用検査基板によれば、プローブ基板の絶縁層としてポリイミド樹脂フィルムのように変形可能な材料を用いるため複数個のプローブは配線板の厚さ方向への上下動が可能で、しかも、従来より大きなスリットによって、パッド６ａの上下方向の変位効果が促進される。
【００６０】
＜実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。
【００６１】
検査対象となる半導体装置としてＢＧＡを用いた。このＢＧＡには直径０．３mmの突起電極（半田ボール）が０．５mmピッチで設けられている。
【００６２】
絶縁性基材１としての厚さ２５μｍのポリイミド樹脂フィルムにシリコン系接着剤を厚さ１２μｍで塗布した積層体を用い、これにプレス加工によりスリット形成位置に直径０．２mmの貫通穴８を形成した。この積層体の接着剤塗布面に、導電層２として厚さ１８μｍの銅箔をラミネートした。
【００６３】
このＢＧＡの突起電極と対応する位置に、高さ２０μｍの銅めっきバンプ（金属突起）４を形成した。
【００６４】
その後、エッチングによって、隣接する導電性接続部（パッド）６ａを電気的に独立させることにより、銅めっきバンプをプローブとするプローブ基板（図１、図２）が得られた。
【００６５】
この半導体装置用検査基板を用いてＢＧＡ半導体装置の半田ボールを接続したところ、小さな加圧力でも良好な電気的接続をなすことができた。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用検査基板の一部を示した正面図である。
【図２】図１の半導体装置用検査基板のII−II断面図である。
【図３】本発明の半導体装置用検査基板の製造プロセスを示す図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係る半導体装置用検査基板の平面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態に係る半導体装置用検査基板の平面図である。
【図６】本発明の第四の実施形態に係る半導体装置用検査基板の平面図である。
【図７】従来の半導体装置用検査基板の平面図である。
【図８】従来の半導体装置用検査基板の製造プロセスを示す図である。
【図９】従来の他の半導体装置用検査基板を示す図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  絶縁性基材（絶縁層）
２  導電層
３  めっきレジストパターン
３ａ  隙間
４  バンプ
５  エッチングレジストパターン
６  配線パターン
６ａ  パッド（導電性接続部）
７  スリット穴
８  貫通穴
９  スリット穴
９ａ  第１のスリット穴
９ｂ  第２のスリット穴
Ｄ  スリット穴９間の間隔
ｄ  パッド６ａ間の間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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