(57)【要約】【課題】  ２枚の基板のそれぞれに対して、複数の画素に対応して形成された複数の機能素子の相互間を接続する技術を提供すること。【解決手段】  複数の画素のそれぞれに対応した複数の第１機能素子が形成された第１基板(11)と、上記複数の画素のそれぞれに対応した複数の第２機能素子が形成された第２基板(21)と、を含み、上記画素のインクジェット印刷により形成した対向基板接続部上に形成した導電性膜(31)により上記第１機能素子と上記第２機能素子とが接続される。【選択図】  図４
2005093335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含んでなる電気光学装置であって、
前記複数の画素のそれぞれに対応して複数の第１機能素子を形成した第１基板と、
前記複数の画素のそれぞれに対応して、親液性バンクと撥液性バンクから成る一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、前記第１開口部に第２機能素子を形成し、前記第２開口部に対向基板接続部を形成し、前記第２機能素子から前記対向基板接続部までの間の画素上に導電性膜が形成されており、前記第１基板と貼り合わされる第２基板と、を含み、
前記第１機能素子と前記第２機能素子との相互間が前記導電性膜を介して接続されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
複数の画素を含んでなる電気光学装置であって、
前記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１機能素子を含む素子チップが形成された第１基板と、
前記複数の画素のそれぞれに対応して、親液性バンクと撥液性バンクから成る一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、前記第１開口部に第２機能素子を形成し、前記第２開口部に対向基板接続部を形成し、前記第２機能素子から前記対向基板接続部までの間の画素上に導電性膜が形成されており、前記第１基板と貼り合わされる第２基板と、を含み、
前記素子チップと前記第２機能素子との相互間が前記導電性膜を介して接続されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記対向基板接続部は弾性部材から成ることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記対向基板接続部は、インクジェット印刷により形成されるものであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記対向基板接続部が、前記第１基板と前記第２基板の間のスペーサーを兼ねることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板との間に樹脂を注入することを特徴とする電気光学装置
【請求項７】
請求項６において、
貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板との間に注入される樹脂は弾性を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１機能素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第２機能素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を含んで構成される表示装置。
【請求項１１】
複数の画素を備える電気光学装置の製造方法であって、
第１基板に、前記複数の画素のそれぞれに対応して、複数の第１機能素子を形成する第１工程と、
第２基板に、前記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、前記第１開口部に第２機能素子を形成し、前記第２開口部に対向基板接続部を形成しする第２工程と、
第２基板に、前記第２機能素子から前記対向基板接続部を含む前記第３機能素子までの間の画素上に導電性膜を形成する第３工程と、
前記第１基板と前記第２基板と貼り合わせる第４工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の画素を備える電気光学装置の製造方法であって、
第１基板に、前記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１機能素子を含む素子チップを形成する第１工程と、
第２基板に、前記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、前記第１開口部に第２機能素子を形成し、前記第２開口部に対向基板接続部を形成する第２工程と、
第２基板に、前記第２機能素子から前記対向基板接続部を含む前記第３機能素子までの間の画素上に導電性膜を形成する第３工程と、
前記第１基板と前記第２基板と貼り合わせる第４工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、
前記対向基板接続部は、前記第１基板上の前記第１機能素子及び／または前記第２基板上の前記第２機能素子よりも厚く形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１又は１２において、
前記対向基板接続部は、前記インクジェット印刷と樹脂の乾燥とを複数回繰り返し行うことにより積層され、前記第１基板上の前記第１機能素子及び／または前記第２基板上の前記第２機能素子よりも厚く形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１又は１２において、
貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板との間に、樹脂を注入する第５工程を更に含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばマトリクス状に配置される複数の画素を含んで構成される表示装置及び当該表示装置に用いられる電気光学装置とそれらの製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置では、異なる機能素子同士を接続することが必要となる場合が多い。例えば、電気光学装置のひとつである、薄膜トランジスタで駆動される有機エレクトロルミネッセンスディスプレイでは、薄膜トランジスタと有機エレクトロルミネッセンス素子を接続する必要がある。従来、薄膜トランジスタに有機エレクトロルミネッセンス素子を積層し、さらに陰極を形成してディスプレイを製造してきたが、薄膜トランジスタを先に形成し、その上に有機エレクトロルミネッセンス素子、さらに陰極を形成する場合は、陰極が発光を遮るため、基板上部を発光部に使用するトップエミッション構造を採用することが難しい。そのため、基板底部から発光させるボトムエミッション構造を採用することとなるが、薄膜トランジスタの部分は発光部に使用できないため、発光面積率が低くなる。また、発光面積率の低さを補うために、有機エレクトロルミネッセンス素子にかける電流と電圧を上げて光量（輝度）を確保する必要がある。そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率寿命が低下する。
【０００３】
一方、トップエミッション構造にするためには、薄膜トランジスタを形成した後、低仕事関数の金属を蒸着して陰極を形成し、その上に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する必要がある。しかしながら、陰極の金属を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するまでの間、陰極界面を活性に保つことが困難である。これは、陰極界面の酸化などに起因する。このため、トップエミッションの薄膜トランジスタ駆動有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの作成は困難である。
【０００４】
このような背景から、複数の画素のそれぞれに対応して複数の第１機能素子を形成した第１基板と、上記複数の画素のそれぞれに対応して第２機能素子を形成した第２基板とを最後に接続する手法が考えられた。この手法によれば、第１基板及び第２基板を別々に製造することが出来るので製造上の制約が少なくなり、各々の基板の製造工程を最適化することが容易となる。また、本構成を薄膜トランジスタ駆動型の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに適用すれば、薄膜トランジスタと有機エレクトロルミネッセンス素子の各々の製造工程を最適化することが容易となるだけでなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造を行う上で、薄膜トランジスタの製造プロセスで要求される高温条件を考慮に入れる必要がないので、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することができ、発光面積率の飛躍的な向上、それに伴う省電力化が可能となり、発光効率寿命の向上が期待される。上記の構成を実現する方法の公知文献として、例えば特開平１１−３０４８号公報（特許文献１）がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１では、基板にかかる応力が接続部に集中し、接続不良を引き起こす可能性がある。特に、基板が柔軟な材質である場合、接続不良が発生しやすい構造となっている。
【０００７】
そこで、本発明は、２枚の基板のそれぞれに対して形成された機能素子の相互間を容易に接続し、基板にかかる応力を分散可能な材質を用いて接続不良を補償できる素子構造の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素を含んでなる電気光学装置であって、上記複数の画素のそれぞれに対応して複数の第１機能素子を形成した第１基板と、上記複数の画素のそれぞれに対応して、親液性バンクと撥液性バンクから成る一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、上記第１開口部に第２機能素子を形成し、上記第２開口部に対向基板接続部を形成し、上記第２機能素子から上記対向基板接続部までの間の画素上に導電性膜が形成されており、上記第１基板と貼り合わされる第２基板と、を含み、上記第１機能素子と上記第２機能素子との相互間が上記導電性膜を介して接続されてなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、複数の画素を含んでなる電気光学装置であって、上記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１機能素子を含む素子チップが形成された第１基板と、上記複数の画素のそれぞれに対応して、親液性バンクと撥液性バンクから成る一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、上記第１開口部に第２機能素子を形成し、上記第２開口部に対向基板接続部を形成し、上記第２機能素子から上記対向基板接続部までの間の画素上に上記導電性膜が形成されており、上記第１基板と貼り合わされる第２基板と、を含み、上記素子チップと上記第２機能素子との相互間が上記導電性膜を介して接続されることを特徴とする。
【００１０】
第１機能素子或いは素子チップを形成した第１基板と、第２機能素子を形成した第２基板とを、導電性膜を介して接続するので、第１基板と第２基板の各々の構造や製造工程を各々最適化することが出来る。
また、上記導電性膜を用いて、第１基板と第２基板を接着及び接続することが望ましい。
【００１１】
また、上記対向基板接続部は弾性部材から成ることが望ましい。これにより、第１機能素子と第２機能素子にかかる応力を緩和することができる。
また、上記対向基板接続部が、上記第１基板と上記第２基板の間のスペーサーを兼ねることも望ましい。これにより、構造の簡略化を図ることができる。
【００１２】
また、第１基板の第１機能素子は薄膜トランジスタであることが望ましい。
【００１３】
また、第２基板の第２機能素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることが望ましい。
【００１４】
また、第２基板の第３機能素子に対向基板接続部を形成し、第２基板の第２機能素子に正孔輸送層、発光層を形成した後、上記対向基板接続部から発光層までの素子上に陰極を形成することが望ましい。
【００１５】
また、上記陰極上に導電性膜を形成することが望ましい。これらの素子構造により、対向基板接続部に応力がかかることで陰極が断線したとしても、導電性膜で補償することができる。
また、上記導電性膜は、導電性高分子、銀ペースト、カーボンペーストのいずれかから成り、特に、導電性高分子が望ましい。
【００１６】
また、貼り合わせた上記第１基板と上記第２基板との間に樹脂を注入することが望ましい。このとき注入される樹脂は絶縁性と弾性を有することが望ましい。
【００１７】
また、本発明は、上記した本発明にかかる電気光学装置を用いて構成される電子機器でもある。ここで、本発明でいう電気光学装置とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、上述のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子や、液晶素子、電気泳動素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子などが挙げられる。
また、本発明でいう表示装置とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。ここで表示装置は、回路基板を一枚または複数備えることが可能である。その構成に特に限定が無いが、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【００１８】
本発明は、複数の画素を備える電気光学装置の製造方法であって、第１基板に、上記複数の画素のそれぞれに対応して、複数の第１機能素子を形成する第１工程と、第２基板に、上記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、上記第１開口部に第２機能素子を形成し、上記第２開口部に対向基板接続部を形成する第２工程と、第２基板に、上記第２機能素子から上記対向基板接続部を含む上記第３機能素子までの間の画素上に導電性膜を形成する第３工程と、上記第１基板と上記第２基板と貼り合わせる第４工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、複数の画素を備える電気光学装置の製造方法であって、第１基板に、上記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１機能素子を含む素子チップを形成する第１工程と、第２基板に、上記複数の画素のそれぞれに対応して、一又は複数の第１開口部と、第２開口部とを形成し、上記第１開口部に第２機能素子を形成し、上記第２開口部に対向基板接続部を形成する第２工程と、第２基板に、上記第２機能素子から上記対向基板接続部を含む上記第３機能素子までの間の画素上に導電性膜を形成する第３工程と、上記第１基板と上記第２基板と貼り合わせる第４工程と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
また、貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板との間に、樹脂を注入する第５工程を更に含むことが望ましい。
【００２１】
上記第２工程において、上記対向基板接続部は、第１基板上の第１機能素子及び／または第２基板上の第２機能素子よりも厚く形成されることが望ましい。これにより、第１機能素子と第２機能素子とが接続部以外の部位で接触することを防ぐことができる。
【００２２】
また、上記第２工程は、ゴム弾性を有する樹脂から成る上記対向基板接続部をインクジェット印刷によって形成することが望ましい。
【００２３】
また、上記のゴム弾性を有する樹脂は、上記インクジェット印刷と樹脂の乾燥を複数回繰り返し行うことにより積層し、上記第１基板上の上記第１機能素子及び／または上記第２基板上の上記第２機能素子よりも厚く形成されることが望ましい。これにより、第１機能素子と第２機能素子とが接続部以外の部位で接触することを防ぐことができる。
【００２４】
これにより、第２基板への、対向基板接続部の精度の高い形成を可能とする。
【００２５】
また、インクジェット印刷により印刷されるパターンには、開口構造とすることが望ましい。これにより、閉殻構造のパターンで形成された樹脂と、第１基板、及び第２基板により、雰囲気中の気体を閉じ込め、樹脂の加熱硬化中に気体が膨張して、形成された樹脂の形状が歪むことを防ぐことが可能となる。
【００２６】
また、上記第３工程は、導電性高分子、銀ペースト、カーボンペーストのいずれかから成る導電性膜を、インクジェット印刷によって形成することが望ましい。
【００２７】
また、上記第４工程は、上記導電性膜を介して、第１基板と第２基板を接着及び接続することが望ましい。
【００２８】
また、上記導電性膜は、室温下または加熱により硬化することが望ましい。
【００２９】
また、上記第５工程は、上記第１基板と上記第２基板とを貼り合わせ、上記導電性膜にて接着及び接続した状態で、上記第１基板と上記第２基板との間隙に、樹脂を注入することが望ましい。
また、上記樹脂はゴム弾性を有する樹脂であることが望ましい。これにより、基板全体にかかる応力が、上記対向基板接続部に集中することを防ぐ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面に基づいて説明する。
[第１の実施例]
【００３１】
図１は、本発明の第１の実施例における第１機能素子の製造方法の工程図である。ここでは、第１機能素子は薄膜トランジスタである。
【００３２】
まず、図１（ａ）に示すように、第１基板１１上に下地絶縁膜１２を形成する。下地絶縁膜１２としては、例えば、酸化シリコン膜が好適に用いられる。次に、下地絶縁膜１２上に、材料ガスとしてＳｉＨ４を用いたＰＥＣＶＤ法（プラズマ励起ＣＶＤ法）、或いは材料ガスとしてＳｉ２Ｈ６を用いたＬＰＣＶＤ法（減圧ＣＶＤ法）などの方法により半導体膜１３を成膜する。半導体膜１３としては、例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜が好適に用いられる。次に、レーザー光１４の照射により半導体膜１３の結晶化を行う。本例では、結晶化により多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜を得る。その後、半導体膜１３を所望形状にパターニングして活性層１５を得る。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を材料ガスとして用いたＰＥＣＶＤ法やＥＣＲ−ＣＶＤ法（電子サイクロトロン共鳴ＣＶＤ法）などの方法によりゲート絶縁膜１６を成膜する。次に、ゲート絶縁膜１６上に金属等の導電体膜を成膜し、当該導電体膜をパターニングしてゲート電極１７を形成する。イオンインプラやイオンドーピング１８などにより、レジストマスク１ａを用いてＰ（リン）イオンとＢ（ボロン）イオンを選択的に注入し、ソース・ドレイン領域１ｂを形成する。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜１ｃを成膜し、コンタクトホールを開孔する。次に、第１層間絶縁膜１ｃ上およびコンタクトホール内に金属等の導電体膜を成膜し、当該導電体膜をパターニングしてソース・ドレイン電極１ｅ及び図示しない配線を形成する。これにより、ｎ型薄膜トランジスタ１ｆとｐ型薄膜トランジスタ１ｇとを含んでなるＣＭＯＳ回路が形成される。さらに、第２層間絶縁膜１ｈを成膜し、コンタクトホールを開孔する。次に、第２層間絶縁膜１ｈ上およびコンタクトホール内にパッド金属を成膜し、パターニングして接続パッド１ｊを得る。なお、図１では、１個ずつの素子しか図示していないが、実際には多数の素子が配列して存在する。
【００３５】
図２は、本発明の第１の実施例における第２機能素子の製造方法の工程図である。ここでは、第２機能素子は有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００３６】
まず、図２（ａ）に示すように、第２基板２１上に、透明導電膜（ＩＴＯ膜）を成膜し、陽極２２を得る。親液性材料を成膜し、開孔して親液性バンク２３を得る。撥液性材料を成膜し、開孔して撥液性バンク２４を得る。このとき第１開口部２５及び第２開口部が形成される。次に、図２（ｂ）に示すように、インクジェット法（液滴吐出法）などの方法により、第２開口部にシリコーン樹脂を印刷して、対向基板接続部２７を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、インクジェット法（液滴吐出法）などの方法によりＰＥＤＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を塗布して正孔輸送層２８を形成し、発光材料を塗布して発光層２９を形成し、さらに低仕事関数の金属のマスク蒸着などの方法によって陰極２aを形成する。このとき、対向基板接続部２７は、第１基板１１上の第１機能素子、及び第２基板２１上の第２機能素子の厚みよりも厚くなるように形成する。この方法によれば、第１機能素子と第２機能素子とが接続部以外の部位で接触することを防ぐことが出来る。
【００３７】
図３は、本発明の第１の実施例における第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を示す図である。第１基板１１の第１機能素子に形成した接続パッド１ｊと、第２基板２１の第２機能素子に形成した陰極２aを、インクジェット印刷により陰極２a上に形成した導電性膜３１により接着し、第１機能素子の接続パッド１ｊと第２機能素子に形成した陰極２aとを接続する。
【００３８】
図４は、本発明の第１の実施例における第１基板と第２基板とを貼り合わせた基板に、樹脂を注入した状態を示す図である。第１基板１１の第１機能素子に形成した接続パッド１ｊと、第２基板２１の第２機能素子に形成した陰極２aを、インクジェット印刷により陰極２a上に形成した導電性膜３１により接着し、第１機能素子の接続パッド１ｊと第２機能素子に形成した陰極２aとを接続した後、シリコーン樹脂のようなゴム弾性を有する樹脂を、第１基板と第２基板との間隙に注入する。注入した樹脂を室温下、または加熱により硬化する。
[第２の実施例]
【００３９】
図５は、本発明の第２の実施例における第１機能素子を一つ以上含む素子チップの製造方法の工程図である。ここでは、第１機能素子は薄膜トランジスタである。
【００４０】
まず、図５（ａ）に示すように、仮基板５１上に剥離層５２を形成し、その上に下地絶縁膜５３を形成する。ここで「剥離層」とは、エネルギーの付与（例えばレーザー照射）によって状態変化を生じて、仮基板５１及び又は下地絶縁膜５３との固着度合いが弱まる性質を有するものをいい、例えば、非晶質シリコン膜などが好適に用いられる。
【００４１】
次に、下地絶縁膜５３上に、材料ガスとしてＳｉＨ４を用いたＰＥＣＶＤ法、或いは材料ガスとしてＳｉ２Ｈ６を用いたＬＰＣＶＤ法などの方法により半導体膜１３を成膜する。半導体膜１３としては、例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜が好適に用いられる。次に、レーザー光５５の照射により半導体膜５３の結晶化を行う。本例では、結晶化により多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜を得る。その後、半導体膜５３を所望形状にパターニングして活性層５６を得る。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、ＴＥＯＳを材料ガスとして用いたＰＥＣＶＤ法やＥＣＲ−ＣＶＤ法などの方法によりゲート絶縁膜５７を成膜する。次に、ゲート絶縁膜５７上に金属等の導電体膜を成膜し、当該導電体膜をパターニングしてゲート電極５８を形成する。イオンインプラやイオンドーピング５９などにより、レジストマスク５ａを用いてＰ（リン）イオンとＢ（ボロン）イオンを選択的に注入し、ソース・ドレイン領域５ｂを形成する。
【００４３】
次に、図５（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜５ｃを成膜し、第１コンタクトホールを開孔する。次に、第１層間絶縁膜５ｃ上およびコンタクトホール内に金属等の導電体膜を成膜し、当該導電体膜をパターニングしてソース・ドレイン電極５ｅ及び図示しない配線を形成する。これにより、ｎ型薄膜トランジスタ５ｆとｐ型薄膜トランジスタ５ｇとを含んでなるＣＭＯＳ回路が形成される。さらに、第２層間絶縁膜５ｈを成膜し、コンタクトホールを開孔する。次に、第２層間絶縁膜５ｈ上およびコンタクトホール内にパッド金属を成膜し、パターニングして接続パッド５ｊを得る。最後に、素子チップを分離するセパレーション５ｋを形成する。図５では、1個の素子チップしか図示していないが、実際には多数の素子チップが配列して存在する。
【００４４】
図６は、第２の実施例における第１機能素子を一つ以上含む素子チップの剥離転写方法の工程図である。まず、図６（ａ）に示すように、仮基板５１上に、剥離層５２を形成し、その上に第３機能素子６１や接続パッド６２を形成し、素子チップ６３を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、第３基板６４上に、配線６５と接続パッド６６を形成し、接着剤６７を塗布する。
【００４５】
次に、図６（ｃ）に示すように、仮基板５１の上面と第１基板６４の上面とを当接させて両者を貼り合わせ、これらの仮基板５１と第３基板６４を圧着し、接着剤６７を用いて、素子チップ６３の接続パッド６２と第１基板６４の接続パッド６６を電気的に接続する。
【００４６】
その後、仮基板５１の裏面側から剥離層５２に対してレーザー光６８の照射を行うことにより当該剥離層５２にレーザーアビュレーションによる剥離を生じさせて、第３の機能素子６１をひとつ以上含む素子チップ６３を仮基板５１から剥離させる。これにより、図６（ｄ）に示すように、素子チップ６３が第１基板６４上へ転写される。図６（ｄ）に示すように、当該素子チップ６３は、薄膜トランジスタ６１をひとつ以上含む素子チップ６３の接続パッド６２と、配線６５が形成された第３基板６４の接続パッド６６とが電気的に接続している。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施例における第２機能素子の製造方法について説明する。ここでは、第２機能素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を考える。この場合には、上述した第１の実施例における第２機能素子の製造方法と同様にして行うことができる（図２参照）。
【００４８】
図７は、本発明の第２の実施例における第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を示す図である。第１基板６４に形成した接続パッド６６と、第２基板７１の第２機能素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）から対向基板接続部７２までの素子上に、蒸着により形成した陰極７３と、接続パッド６６と、を導電性膜７４により接着し、第１機能素子の接続パッド６６と第２機能素子に形成した陰極７３とを接続する。
【００４９】
このとき、対向基板接続部７２は、第１基板６４上の第１機能素子を一つ以上含む素子チップ６３、及び第２基板７１上の第２機能素子の厚みよりも厚くなるように形成する。この方法によれば、第１機能素子と第２機能素子とが接続部以外の部位で接触することを防ぐことが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等をフレキシブルな基板に形成する用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施例における第１機能素子の製造方法の工程図である。
【図２】本発明の第１の実施例における第２機能素子の製造方法の工程図である。
【図３】本発明の第１の実施例における第１基板と第２基板とを貼り合わせた図である。
【図４】本発明の第１の実施例における貼り合わせた第１基板と第２基板との間隙に樹脂を注入した図である。
【図５】本発明の第２の実施例における第１機能素子を一つ以上含む素子チップの製造方法の工程図である。
【図６】第２の実施例における第１機能素子を一つ以上含む素子チップの剥離転写方法の工程図である。
【図７】本発明の第２の実施例における第１基板と第２基板とを貼り合わせた図である。
【符号の説明】
【００５２】
１１…第１基板
１２…下地絶縁膜
１３…非晶質シリコン
１４…レーザー光
１５…活性層
１６…ゲート絶縁膜
１７…ゲート電極
１８…イオンドーピング
１ａ…レジストマスク
１ｂ…ソース・ドレイン領域
１ｃ…第１層間絶縁膜
１ｅ…ソース・ドレイン電極
１ｆ…ｎ型薄膜トランジスタ
１ｇ…ｐ型薄膜トランジスタ
１ｈ…第２層間絶縁膜
１ｊ…接続パッド
２１…第２基板
２２…陽極
２３…新液性バンク
２４…撥液性バンク
２５…第１開口部
２６…第２開口部
２７…対向基板接続部
２８…正孔輸送層
２９…発光層
２a…陰極
３１…導電性膜
４１…樹脂
５１…仮基板
５２…剥離層
５３…下地絶縁膜
５４…非晶質シリコン
５５…レーザー光
５６…活性層
５７…ゲート絶縁膜
５８…ゲート電極
５９…イオンドーピング
５ａ…レジストマスク
５ｂ…ソース・ドレイン領域
５ｃ…第１層間絶縁膜
５ｅ…ソース・ドレイン電極
５ｆ…ｎ型薄膜トランジスタ
５ｇ…ｐ型薄膜トランジスタ
５ｈ…第２層間絶縁膜
５ｊ…接続パッド
５ｋ…セパレーション
６１…第１機能素子
６２…接続パッド
６３…素子チップ
６４…第１基板
６５…配線
６６…接続パッド
６７…接着剤
６８…レーザー光
７１…第２基板
７２…対向基板接続部
７３…陰極
７４…導電性膜
７５…樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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