(57)【要約】【課題】ハードディスクの記録層構成をテープ状の磁気記録媒体に応用し、高密度記録を実現可能なテープ状の磁気記録媒体を提供する。【解決手段】長尺状の高分子フィルムよりなる非磁性支持体１上に、少なくとも、アモルファス層３、シード層４、下地層５、磁性層６、及び保護層７が順次形成されてなり、シード層４は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ合金、Ｃｒ合金、Ｚｒ合金のいずれかよりなり、下地層５はＲｕ膜よりなり、磁性層６は、強磁性を有する結晶粒と、それを取り巻く非磁性粒界からなるグラニュラー構造を有しているものとした磁気記録媒体１０を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の高分子フィルムよりなる非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層、及び保護層が順次形成されてなり、
前記シード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ合金、Ｃｒ合金、Ｚｒ合金のいずれかよりなり、
前記下地層は、Ｒｕよりなり、
前記磁性層は、強磁性を有する結晶粒と、それを取り巻く非磁性粒界からなるグラニュラー構造を有してなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記アモルファス層が、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、希土類金属、これらの合金あるいは酸化物、Ｃ、Ｓｉのいずれかよりなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性支持体と、前記アモルファス層との間に、Ｏ2、あるいはＨ2Ｏを封止するバリア層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記バリア層は、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＷ、Ａｌ、ＡｌＳｉ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ酸化物のいずれかよりなることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁性層は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物を含有してなるものであり、前記Ｓｉ酸化物の含有量が、前記Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して、Ｓｉ原子に換算して、８原子％以上２０原子％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録型の磁気記録媒体に関するものであり、特に、再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のような、高感度型の磁気ヘッドを用いたシステムに好適なテープ状の磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体においては、大容量のデータを取り扱うために、高密度記録化への要求が益々高まってきている。最近では、さらなる高密度記録化を達成するために、記録信号の再生を行う際に用いる磁気ヘッドについて、従来の誘導型ヘッドに代わり、高感度型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）が適用されるようになってきており、ハードディスクだけではなく、いわゆる磁気テープに対しても適用されるようになってきている。
【０００３】
上記のような高密度記録型の磁気テープ媒体としては、従来、真空蒸着法によって磁気記録層が形成された、いわゆるＣｏＯ−Ｏ蒸着テープが主に知られているが、さらなる高密度記録化への要望に応じるべく、磁気記録媒体の薄層化が進み、同時に良好な磁気特性をも確保するべく、研究が進められたが、これらの特性を両立させることは、技術的に限界に近づいていると言える。
【０００４】
一方、基板上にＣｏＰｔ系やＣｏＣｒ系の金属薄膜をスパッタリング法によって形成した構成を有するハードディスク（例えば、特許文献１〜４参照。）の分野においても、現在、飛躍的な高密度記録化が進んでいる。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−５７２３６号公報
【特許文献２】特開平７−７３４３３号公報
【特許文献３】特開平９−１９８６４１号公報
【特許文献４】特開２００３−１２３２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような従来の現状に鑑み、ハードディスクの記録層構成を磁気テープの記録層に応用させる技術に関する検討がなされた。
しかしながら、ハードディスクの製造工程において、記録層をスパッタリング法によって基板上に成膜する際には通常３００℃以上の加熱処理を施すため、基板は極めて高い耐熱性を有する材料よりなるものである必要とされている。
【０００７】
すなわち、従来のハードディスクの記録層構成をテープ状の磁気記録媒体に応用することを考えると、加熱温度に耐えられる材料として、ポリイミド等の極めて耐熱性に優れた材料が用いることが必要となり、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のいわゆる汎用性の高いプラスチックフィルムを適用できないため、実用上コスト高になり現実的ではないと考えられてきた。
【０００８】
上述したような問題を検討すると、高温加熱処理工程を必要とせず、室温程度の低温でも成膜可能なＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体としてＳｉ酸化物を含有する元素構成の磁性層を磁気テープ媒体の記録層として応用することが考えられる（例えば、上記特許文献４参照）が、プラスチックフィルム上にこのような磁性層を成膜した場合、格子のミスマッチにより、結晶配向が乱れ、著しく媒体ノイズが高いものとなるという問題が生じた。
【０００９】
さらに、磁気テープの支持体とするプラスチックフィルムの表面に、Ｏ2やＨ2Ｏが吸着していたり、あるいはプラスチックフィルム中に混入していたりすると、これらが磁性層の結晶配向性を乱し、媒体ノイズ増大の原因となるため、これらについての改善も必要である。
【００１０】
そこで本発明においては、上述したような、ハードディスクの記録層構成をテープ状の磁気記録媒体に応用するための各種問題点の解決を図り、従来にない高密度記録を実現可能なテープ状の磁気記録媒体を提供することとした。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明においては、長尺状の高分子フィルムよりなる非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層、及び保護層が順次形成されてなり、シード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ合金、Ｃｒ合金、Ｚｒ合金のいずれかよりなり、下地層はＲｕよりなり、磁性層は、強磁性を有する結晶粒と、それを取り巻く非磁性粒界からなるグラニュラー構造を有している磁気記録媒体を提供する。
【００１２】
また、本発明の磁気記録媒体においては、前記非磁性支持体と、前記アモルファス層との間に、Ｏ2、あるいはＨ2Ｏを封止する機能を有するバリア層を形成するものとする。
【００１３】
本発明の構成によれば、非磁性支持体（プラスチックフィルム）上にアモルファス層を形成したことにより、格子間ミスマッチに関し、シード層への影響が抑制される。
【００１４】
また、非磁性支持体とシード層との間に、バリア層を形成することにより、非磁性支持体からのＯ2やＨ2Ｏが抑止される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、非磁性支持体（プラスチックフィルム）上にアモルファス層を形成したことにより、格子間ミスマッチに関し、その上層に形成されるシード層への影響が抑制され、さらにこれらの上層として形成される磁性層の結晶配向性の改善が図られ、ハードディスクの記録層構成をテープ状の磁気記録媒体に応用された、従来にない高密度記録を実現可能なテープ状の磁気記録媒体が得られた。
【００１６】
また、非磁性支持体上にバリア層を形成したことより、非磁性支持体からのＯ2やＨ2Ｏが抑止され、磁性層のさらなる結晶配向性改善効果が得られた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の磁気記録媒体の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
図１に、本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。磁気記録媒体１０は、長尺状の非磁性支持体１上に、バリア層２、アモルファス層３、シード層４、下地層５、磁性層６、及び保護層７が順次形成された構成のテープ状の磁気記録媒体である。以下、各層について説明する。
【００１８】
非磁性支持体１としては、例えば厚さ３μｍ〜１０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等からなる高分子フィルムを適用できる。
非磁性支持体１の磁性層形成面の表面粗度（ＳＲａ）は、０．５〜３．０ｎｍとすることが好ましく、更には０．５〜１．５ｎｍ程度が望ましい。これは、表面粗度ＳＲａが０．５ｎｍ未満とすると、表面が平滑過ぎ、磁気ヘッドと接触走行させた際に磁気テープの表面が削れやすくなり、一方、３．０ｎｍを超えると表面突起高さのスペーシングロスのために出力が低下するためである。
【００１９】
表面に粗度を付加する方法としては、例えば内部又は表面に所定の粒径を有する微粒子を含有させて凹凸を形成する方法が挙げられる。微粒子としては、例えばシリカ、炭酸カルシウム、二酸化チタン、アルミナ、カオリン、タルク、グラファイト、長石、二酸化モリブデン、カーボンブラック、硝酸バリウム等の無機質系粒子、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、メチルメタクリレート共重合体、メチルメタクリレート共重合体の架橋体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニルデンフルオライド、ポリアクリロニトリル、ベンゾグアナミン樹脂等の有機質系粒子等が挙げられるが、特に真球状粒子が得やすいコロイダルシリカや架橋高分子による粒子が好適である。また、水溶性高分子と微小粒子を主体とする連続被膜を設けることにより形成してもよい。
【００２０】
バリア層２は、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＷ、Ａｌ、ＡｌＳｉ、あるいはガスバリア性に優れたＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ酸化物等よりなるものとする。バリア層２の膜厚は、この上層に形成する層の表面粗度に影響を及ぼさないようにするため、１０ｎｍ以下とすることが望ましい。
バリア層２を形成することにより、非磁性支持体１の表面に吸着し、あるいは内部から放出されるＯ2やＨ2Ｏのゲッタリング効果が得られ、後述する磁性層の結晶配向性を改善することができる。
バリア層２は上記成膜材料に応じたターゲットを用いたスパッタ法により形成することができるが、スパッタ工程のガス雰囲気にも影響される。例えばＳｉＯ2をターゲットとして窒素ガス雰囲気下でスパッタを行うと、バリア層の構成元素としてＮが含有される。
【００２１】
アモルファス層３は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、希土類金属、これらの合金あるいは酸化物、Ｃ、Ｓｉ等よりなるものとすることができるが、これらに限定されるものではない。膜厚はアモルファス構造を維持するために１ｎｍ〜５ｎｍとすることが好適である。アモルファス層３を形成することにより、格子間ミスマッチに関し、後述するシード層４への影響が抑制でき、さらに上層として形成する磁性層６の結晶配向性が改善する。
また、アモルファス層３に、Ｏ2やＨ2Ｏのゲッタリング効果を有する金属材料や、ＳｉＯＮ等のようなガスバリア性に優れた材料を用いることにより、上述したバリア層２と同様の機能を持たせるようにしてもよい。
【００２２】
シード層４は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ合金、Ｃｒ合金、Ｚｒ合金のいずれかよりなるものとする。シード層４を形成することにより後述する下地層５の結晶配向性を高めることができる。なお、後述する磁性層６としてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2を用いた面内媒体とするためには、シード層４はＴｉＷ非磁性合金膜よりなるものとすることが好適である。
シード４の膜厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましく、さらには５ｎｍ〜５０ｎｍが望ましい。
シード層４の膜厚が５ｎｍ未満であると後述する下地層５の結晶配向性を充分に高めることができなく、最終的に得られる磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃ及びＣ／Ｎ特性が劣化する。一方、１００ｎｍを超えると、結晶成長が過度になり、後述する磁性層６の表面粗度ＳＲａが大きくなりすぎ、ノイズの原因になる。
【００２３】
下地層５は、Ｒｕ膜よりなるものとする。
Ｒｕは、後述する磁性層６の主成分であるＣｏと同じ六方最密構造をとるものであり、またＣｏと、ａ軸が約８％、ｃ軸が約５％異なるのみであるほぼ同様の結晶構造となるものである。
このことから、Ｒｕ膜よりなる下地層５を磁性層６の下層として形成してｃ軸が面内に配向した構造、望ましくは（１００）配向、あるいは（１１０）配向とすることにより上層に形成される磁性層６の面内配向性が高められ、最終的に得られる磁気記録媒体において、良好な磁気特性及び電磁変換特性が得られる。
下地層５の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましく、特に１５ｎｍ〜５０ｎｍが望ましい。下地層５の膜厚が１０ｎｍ未満であると、良好な配向性が得られなくなり、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ及びＣ／Ｎの劣化が顕著となる。一方、膜厚が１００ｎｍを超えると、結晶成長が過度になり、表面粗度が大きくなりすぎノイズの増大の原因となる。
【００２４】
磁性層６は、Ｃｏを主成分とする強磁性の結晶粒と、それを取り巻く非磁性粒界からなるグラニュラー構造を有しているものとし、例えば、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒間に、Ｓｉ酸化物が島状に分散した構造となっている。これにより、磁化遷移部分の磁化のばらつきに起因するノイズの低減化を図ることができ、同時に、各結晶粒が磁気的に孤立化することによって磁化の回転が一斉回転型になり保磁力Ｈｃが大きくなる。
【００２５】
磁性層６が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒間にＳｉ酸化物が島状に分散したグラニュラー構造なっているものとしたとき、Ｓｉ酸化物の含有量は、Ｓｉ原子に換算して前記Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原子％以上２０原子％以下とすることが好適である。
上記Ｓｉ原子の含有量が８原子％未満である場合、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒を取り囲んで孤立化させる効果が不充分となり、低ノイズ化及び高保磁力化の効果が得られなくなる。一方、含有量が２０原子％を超えると、磁性層６中のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ含有量が相対的に減少するため、高ノイズ化及び保磁力の低下を招来する。
【００２６】
また、磁性層６を構成するＣｏ−Ｐｔ−ＣｒとＳｉ酸化物のＳｉ原子との総和を１００原子％としたとき、Ｐｔの含有量は１２原子％以上２０原子％以下、Ｃｒの含有量は１０原子％以下とし、残部がＣｏとすることが好適である。これにより高保磁力化及び低ノイズ化が図られる。
【００２７】
磁性層６は、例えばＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金に、Ｓｉ酸化物が添加されてなる材料をターゲットとし、従来公知のスパッタリング法によって成膜することができる。
【００２８】
保護層７は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、グラファイトライクカーボン、アモルファスカーボン、ＣＮ、ＢＮ、ＷＣ、ＷＭｏＣ、ＺｒＮｂＮ、Ｂ4Ｃ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2等により形成することができるが、ダイヤモンドライクカーボンが特に好ましく、従来公知のＣＶＤ法、ＰＶＤ法等により形成できる。
保護層７の膜厚は２ｎｍ〜３０ｎｍが好適であり、さらには５ｎｍ〜１０ｎｍが望ましい。保護層７の膜厚を２ｎｍ未満とすると充分な表面保護機能が得られなくなり、一方、２０ｎｍを超えるとスペーシングロスにより出力低下の原因となる。
【００２９】
保護層７上には、例えば炭化水素系もしくはフッ素系の潤滑剤を塗布し潤滑剤層（図示せず）を形成してもよく、これにより走行性の向上を図ることができる。
また、磁性層形成面とは反対側の面に、バック層（図示せず）を設けてもよい。なおバック層は、例えばカーボンを主成分とするものとすることができ、従来公知のウエットプロセスあるいはドライプロセスのいずれの方法によって形成してもよい。
【００３０】
本発明の磁気記録媒体１０は、特にＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような高感度型の再生用磁気ヘッドを搭載した磁気記録テープシステム用の磁気記録媒体として好適である。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明の磁気記録媒体について、具体的な実験例を挙げて説明するが、本発明は以下に示す例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜従来公知の構成を置換したり追加したりすることができるものとする。
【００３２】
〔実験例１〕
非磁性支持体１として、幅１２７ｍｍ、長さ５００ｍ、膜厚６．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用意した。
非磁性支持体１の表面粗度ＳＲａ（磁性層形成面における中心面平均粗さ）を、デジタルインスツルメンタル社製「Nanoscope III」を用いて、５μｍ×５μｍのエリアを測定することにより求めたところ、ＳＲａ＝１．０ｎｍであった。
【００３３】
次に、公知のスパッタ装置を用いて非磁性支持体１を５．０ｍ／ｍｉｎの速度で搬送させ、下記に示す条件により、バリア層２、アモルファス層３、シード層４、下地層５、及び磁性層６を順次形成した後、搬送速度を１０ｍ／ｍｉｎとして、同様に下記に示す条件により保護層７を形成した。
【００３４】
（バリア層：Ｔｉ膜）                                                          
Ｔｉ金属ターゲットのカソードに直流スパッタリング電源より７Ｗ／ｃｍ2の投入電力を印加し、アルゴンガス雰囲気とし、ガス圧を４Ｐａとした。この条件でスパッタ成膜を行い、膜厚５ｎｍのＴｉ膜よりなるバリア層２を形成した。
（アモルファス層：Ｃ膜）
Ｃターゲットのカソードに直流スパッタリング電源より１０Ｗ／ｃｍ2の投入電力を印加し、アルゴンガス雰囲気とし、ガス圧を４Ｐａとした。この条件でスパッタ成膜を行い、膜厚１ｎｍのＣ膜よりなるアモルファス層３を形成した。
（シード層：ＴｉＷ膜）
Ｔｉ５０原子％−Ｗ５０原子％からなる合金ターゲットのカソードに直流スパッタリング電源より７Ｗ／ｃｍ2の投入電力を印加し、アルゴンガス雰囲気とし、ガス圧を０．５Ｐａとした。この条件でスパッタ成膜を行い、膜厚１０ｎｍのＴｉＷ膜よりなるシード層３を形成した。
（下地層：Ｒｕ膜）
Ｒｕ金属ターゲットのカソードに直流スパッタリング電源より１０Ｗ／ｃｍ2の投入電力を印加し、アルゴンガス雰囲気とし、ガス圧を４Ｐａとした。この条件でスパッタ成膜を行い、膜厚３０ｎｍのＲｕ膜よりなる下地層４を形成した。
【００３５】
（磁性層：Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ（ＳｉＯ2））
Ｃｏ６０原子％−Ｐｔ１７原子％−Ｃｒ１０原子％、ＳｉＯ2−１３原子％からなる焼結ターゲットのカソードに、ＲＦスパッタリング電源より１０Ｗ／ｃｍ2の投入電力を印加し、アルゴンガス雰囲気とし、ガス圧は１．０Ｐａとした。この条件でスパッタ成膜を行い、膜厚１３ｎｍの磁性層５を形成した。
（保護層：ＤＬＣ膜）
Ｃターゲットのカソードに直流スパッタリング電源より１０Ｗ／ｃｍ2の投入電力を印加し、アルゴンガス雰囲気とし、ガス圧は１．０Ｐａとした。この条件でスパッタ成膜を行い、膜厚８ｎｍのＤＬＣ膜よりなる保護層７を形成した。
（バック層）
磁性層形成面とは反対側の面に、カーボンとウレタン樹脂を主成分とする塗料を塗布して膜厚０．６μｍのバック層を形成した。
【００３６】
その後、８ｍｍ幅に裁断し、磁性層形成面側にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成し、サンプル磁気テープを作製した。
このようにして作製した磁気テープの磁気特性は、保磁力Ｈｃ＝３２００Ｏｅ（２５５ｋＡ／ｍ）、残留磁化量と磁性層の膜厚の積Ｍｒ・ｔ＝０．５ｍｅｍｕ／ｃｍ2(５ｍＡ)であった。
【００３７】
〔実験例２〜１５〕
バリア層２、アモルファス層３、シード層４、下地層５、及び磁性層６の構成材料及び含有量、及び各層の膜厚を変化させて各種サンプル磁気テープを作製した。これらの構成を下記表１に示す。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
上記実験例１〜１５のサンプル磁気テープについて、ドラムテスタを用いて周波数特性、及びＣ／Ｎを測定した。
信号記録にはトラック幅２０μｍの薄膜ヘッド、再生にはトラック幅７μｍのＭＲヘッド（市販のＭｉｃｒｏＭＶ用再生ヘッド）を用いた。磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度は６．８ｍ／ｓとした。
【００４０】
特性の比較サンプルとして、市販のＭｉｃｒｏＭＶ用蒸着テープを用意した。
周波数特性は、記録周波数１〜３０ＭＨｚの範囲で記録し、出力のピークから６ｄＢ減少した線記録密度をＤ５０として評価した。なおＤ５０は１８０ｋｆｃｉ以上であれば良好な値であると判断した（市販のＭｉｃｒｏＭＶ用蒸着テープのＤ５０は１６０ｋｆｃｉであった。）。
また、記録周波数１２ＭＨｚにおける出力と±１ＭＨｚにおけるノイズの平均値の差をＣ／Ｎとし、市販のＭｉｃｒｏＭＶ用蒸着テープと比較して−１ｄＢ以上であれば実用上良好な値であると判断した。
各サンプル磁気テープの保磁力Ｈｃ、Ｍｒｔ、Ｃ／Ｎ、及びＤ５０の測定結果を下記表２に示す。
【００４１】
【表２】
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【００４２】
表１及び表２に示すように、実験例１〜１０においては、非磁性支持体上にアモルファス層を形成したため、非磁性支持体とその上層に形成される膜との格子間ミスマッチに関する影響を抑制でき、磁性層の結晶配向性が改善され、実用上充分に高い保磁力Ｈｃが得られ、周波数特性及びＣ／Ｎ特性のいずれにおいても実用上良好な値が得られた。
【００４３】
特に、非磁性支持体とアモルファス層との間にバリア層を形成した実験例１、６〜９においては、非磁性支持体１の表面に吸着し、あるいは内部から放出されるＯ2やＨ2Ｏのゲッタリング効果が得られたため、磁性層の結晶配向性の改善効果が向上し、高い保磁力Ｈｃが得られ、周波数特性及びＣ／Ｎ特性のいずれにおいても実用上良好な値が得られた。
【００４４】
実験例１１においては、アモルファス層３を形成しなかったため、格子間ミスマッチに関しシード層４への影響が抑制できず、磁性層６の結晶配向性が改善されず、周波数特性及びＣ／Ｎ特性のいずれにおいても実用上良好な値が得られなかった。
【００４５】
実験例１２においては、アモルファス層３が厚すぎるため結晶化してしまい、上層に形成する磁性層６の結晶配向性の改善効果が得られず、周波数特性及びＣ／Ｎ特性のいずれにおいても実用上良好な値が得られなかった。
【００４６】
実験例１３においては、バリア層２が厚すぎるため磁性層６の表面粗度ＳＲａが大きくなってしまい、ノイズが増加しＣ／Ｎが劣化した。
【００４７】
実験例１４においては、アモルファス層としてＳｉＯ2膜を形成しており、この膜厚が厚すぎるため結晶化してしまい、磁性層６の結晶配向性の改善効果が得られず、周波数特性及びＣ／Ｎ特性のいずれにおいても実用上良好な値が得られなかった。
【００４８】
実験例１５においては、磁性層６におけるＣｏ含有量が少なすぎるため、充分な保磁力が得られず、また出力が低下し、周波数特性及びＣ／Ｎ特性のいずれにおいても実用上良好な値が得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例の概略断面図を示す。
【符号の説明】
【００５０】
１……非磁性支持体、２……バリア層、３……アモルファス層、４……シード層、５……下地層、６……磁性層、７……保護層、１０……磁気記録媒体
【図１】
2005196885.tif 000005