(57)【要約】【課題】  プラズマ処理時に、被処理体を処理に適切な温度に迅速に加熱する。【解決手段】  静電チャックにより基板を吸着保持し、該基板の表面をプラズマ処理する装置を用いたプラズマ処理方法は、基板を静電チャック上部に載置する工程（Ｓ１０）と、装置内にプラズマを生成し、該プラズマを被処理体に作用させて被処理体を加熱する工程（Ｓ１２）と、所定の待機時間が経過したか否かを判断する工程（Ｓ１４）と、所定の待機時間の経過後（Ｓ１４のＹＥＳ）に、被処理体を静電チャックに吸着させる工程（Ｓ１６）と、を含む。【選択図】  図３
2005093716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックにより被処理体を吸着保持し、該被処理体の表面をプラズマ処理する装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記被処理体を前記静電チャック上部に載置する工程と、
装置内にプラズマを生成し、該プラズマを前記被処理体に作用させて前記被処理体を加熱する工程と、
前記被処理体を加熱した後に、前記被処理体を前記静電チャックに吸着させる工程と、
を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記被処理体を加熱する工程の開始後、実行するプラズマ処理に応じて定められた待機時間が経過した後に、前記被処理体を前記静電チャックに吸着させる工程を実行することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理方法において、
前記被処理体が所定の温度となった後に、前記被処理体を前記静電チャックに吸着させる工程を実行することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載のプラズマ処理方法において、
前記静電チャックを吸着させる工程の後に、処理ガスを導入し、前記被処理体に所定のプラズマ処理を施す工程をさらに含み、
前記被処理体を加熱する工程における前記被処理体の温度変化が前記被処理体に所定のプラズマ処理を施す工程における前記被処理体の温度変化よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
静電チャックにより半導体基板を吸着保持し、該半導体基板の表面をプラズマ処理する装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板を前記静電チャック上部に載置する工程と、
装置内にプラズマを生成し、該プラズマを半導体基板に作用させて前記半導体基板を加熱する工程と、
前記半導体基板を加熱した後に、前記半導体基板を前記静電チャックに吸着させる工程と、
処理ガスを導入し、前記半導体基板にプラズマ処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を加熱する工程における前記半導体基板の温度変化がプラズマ処理を施す工程における前記半導体基板の温度変化よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
被処理体を吸着保持する静電チャックと、
前記静電チャックへの電源の印加を切り替えるスイッチと、
プラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部を制御してプラズマを生成させ、前記静電チャック上に載置された前記被処理体を加熱した後に、前記スイッチを制御して前記静電チャックへの電源の印加をオンとし、前記被処理体を前記静電チャックに吸着させる制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御部は、プラズマの生成の開始後、実行するプラズマ処理に応じて定められた待機時間が経過した後に、前記静電チャックへの電源の印加をオンとすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理装置において、
計時部と、
プラズマの生成の開始後、前記静電チャックへの電源の印加をオンとするまでの待機時間を記憶する記憶部と、をさらに含み、
前記制御部は、前記記憶部から待機時間を取得し、前記計時部を参照して待機時間の経過後に前記静電チャックへの電源の印加をオンとすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９いずれかに記載のプラズマ処理装置において、
前記制御部は、前記被処理体が所定の温度となった後に前記静電チャックへの電源の印加をオンとすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、プラズマ処理方法、およびプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマ処理装置においては、ウェハを所定の位置に保持させておくために、静電チャックが用いられている。このような静電チャックを含むプラズマ処理装置において、半導体ウェハを静電チャックに吸着保持させた状態でプラズマが印加されていた（たとえば特許文献１）。
【０００３】
ところで、特許文献２には、基板をリフトピンで保持し、基板がアルミナで形成された静電チャックに接触しない状態でチャンバ内に不活性ガスアルゴンを供給すると共にプラズマを打ち、プラズマにより基板を加熱する技術が開示されている。基板が加熱された後、リフトピンにより基板を静電チャック上に移動させる。ここでは、基板を加熱する処理中に基板と静電チャックとの熱膨張係数の差異に基づく基板への損傷の発生を減少させることを意図している。
【特許文献１】特開平６−２４４１４４号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献２に記載されたように、基板を持ち上げた状態でプラズマ処理をすると、基板がプラズマダメージを受けてしまう。また、基板を持ち上げるために、リフトピンのような構成を設けなければならず、プラズマ処理装置の構成が複雑となる。
【０００５】
一方、特許文献１に記載されたような従来のプラズマ処理装置においては、静電チャックは、温度制御のため、内部に冷却溶媒が循環するよう構成されている。そのため、基板を静電チャックに吸着させた状態で半導体基板の加熱を行うと、基板が静電チャックに密着するため、静電チャック内部の冷却溶媒の影響により基板の加熱が阻害され、加熱時間を長くしないと、半導体の温度を成膜に充分な温度とすることが困難で、また、基板の温度を成膜に充分な温度とすることができないこともあった。そのため、成膜初期と後期の膜質が異なり、膜膨れや膜剥がれが発生し、歩留りが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、プラズマ処理時に、被処理体を処理に適切な温度に迅速に加熱することのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、静電チャックにより被処理体を吸着保持し、該被処理体の表面をプラズマ処理する装置を用いたプラズマ処理方法であって、被処理体を静電チャック上部に載置する工程と、装置内にプラズマを生成し、該プラズマを被処理体に作用させて被処理体を加熱する工程と、被処理体を加熱した後に、被処理体を静電チャックに吸着させる工程と、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
【０００８】
ここで、被処理体を加熱する工程において、被処理体を静電チャックに吸着させない状態で被処理体を加熱する。被処理体は、基板とすることができ、基板は、半導体または導体により構成することができる。静電チャックはセラミックスにより構成することができる。
【０００９】
このようにすれば、被処理体を静電チャックに吸着させる前にプラズマを作用させるので、被処理体を効率よく加熱することができる。また、被処理体を静電チャック上部に載置した状態でプラズマを作用させるので、上述した従来技術で生じるようなプラズマダメージを与えることもない。
【００１０】
本発明のプラズマ処理方法において、被処理体を加熱する工程の開始後、実行するプラズマ処理に応じて定められた待機時間が経過した後に、被処理体を静電チャックに吸着させる工程を実行することができる。
【００１１】
待機時間は、被処理体の温度が所定温度となるまでの時間とすることができる。被処理体を静電チャックに吸着させる前に、待機時間が経過するまでプラズマを作用させることにより、被処理体を効率よく加熱することができる。このように被処理体を加熱した後に、被処理体を静電チャックに吸着させ、その後のプラズマ処理を行うことにより、プラズマ処理時の被処理体の温度の変動を少なくすることができ、プラズマ処理を安定的に精度よく行うことができる。
【００１２】
本発明のプラズマ処理方法において、被処理体が所定の温度となった後に、被処理体を静電チャックに吸着させる工程を実行することができる。
【００１３】
ここで、被処理体の温度を測定しておき、所定の温度となった後に被処理体を静電チャックに吸着させる工程を実行してもよい。また、予め所定の温度となることがわかっている時間の経過後に被処理体を静電チャックに吸着させる工程を実行してもよい。プラズマ処理として、被処理体上に膜を形成する場合、成膜中の被処理体の温度の変動が小さくなるように、被処理体を静電チャックに吸着させる前に被処理体を充分加熱しておくことが好ましい。この場合、所定の温度はたとえば約２５０℃〜３５０℃とすることができる。
【００１４】
本発明のプラズマ処理方法において、静電チャックを吸着させる工程の後に、処理ガスを導入し、被処理体に所定のプラズマ処理を施す工程をさらに含むことができ、被処理体を加熱する工程における被処理体の温度変化が被処理体に所定のプラズマ処理を施す工程における被処理体の温度変化よりも大きくすることができる。
【００１５】
ここで、所定のプラズマ処理とは、成膜、エッチング、または表面改質等とすることができる。所定のプラズマ処理として成膜を行う場合、処理ガスは成膜ガスである。成膜を行う場合、プラズマ処理を施す工程は、成膜ガスを導入する工程、バックＨｅを充填する工程、およびＢｉａｓパワーを印加する工程を含む。このように、静電チャックを吸着させる前に、被処理体の温度を充分高くしておくことにより、その後のプラズマ処理を施す工程において、被処理体の温度の変動を少なくすることができ、プラズマ処理を安定的に精度よく行うことができる。これにより、成膜を行う場合、成膜中の温度変動を小さくし、膜膨れや膜剥がれを防止することができる。
【００１６】
本発明によれば、静電チャックにより半導体基板を吸着保持し、該半導体基板の表面をプラズマ処理する装置を用いた半導体装置の製造方法であって、半導体基板を静電チャック上部に載置する工程と、装置内にプラズマを生成し、該プラズマを半導体基板に作用させて半導体基板を加熱する工程と、半導体被処理体を加熱した後に、半導体基板を静電チャックに吸着させる工程と、処理ガスを導入し、半導体基板にプラズマ処理を施す工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
ここで、所定のプラズマ処理とは、成膜、エッチング、または表面改質等とすることができる。所定のプラズマ処理として成膜を行う場合、処理ガスは成膜ガスである。
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法において、半導体基板を加熱する工程における半導体基板の温度変化がプラズマ処理を施す工程における半導体基板の温度変化よりも大きくすることができる。
【００１８】
このように、静電チャックを吸着させる前に、被処理体の温度を充分高くしておくことにより、その後のプラズマ処理を施す工程において、被処理体の温度の変動を少なくすることができ、プラズマ処理を安定的に精度よく行うことができる。これにより、成膜を行う場合、成膜中の温度変動を小さくし、膜膨れや膜剥がれを防止することができる。
【００１９】
本発明によれば、被処理体を吸着保持する静電チャックと、静電チャックへの電源の印加を切り替えるスイッチと、プラズマ生成部と、プラズマ生成部を制御してプラズマを生成させ、静電チャック上に載置された被処理体を加熱した後に、スイッチを制御して静電チャックへの電源の印加をオンとし、被処理体を静電チャックに吸着させる制御部と、を含むことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００２０】
本発明のプラズマ処理装置において、制御部は、プラズマの生成の開始後、実行するプラズマ処理に応じて定められた待機時間が経過した後に、静電チャックへの電源の印加をオンとすることができる。
【００２１】
本発明のプラズマ処理装置において、計時部と、プラズマの生成の開始後、静電チャックへの電源の印加をオンとするまでの待機時間を記憶する記憶部と、をさらに含むことができ、制御部は、記憶部から待機時間を取得し、計時部を参照して待機時間の経過後に静電チャックへの電源の印加をオンとすることができる。
【００２２】
本発明のプラズマ処理装置において、制御部は、被処理体が所定の温度となった後に静電チャックへの電源の印加をオンとすることができる。
【００２３】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置の間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、簡易な構成で、プラズマ処理時に、被処理体を処理に適切な温度に迅速に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置１００の構成を概略的に示す断面図である。
本実施の形態において、被処理体は、導体または半導体の基板である。プラズマ処理装置１００において、チャンバ１０１内には、ウェハステージ１０２と、静電チャック１０４とが設けられる。ここでは図示していないが、静電チャック１０４内には電極が設けられ、直流電源１２６からこの電極に電圧を印加することにより基板１３０を静電力により吸着する。静電チャック１０４内の電極と直流電源１２６との間には電源スイッチ１４６が設けられ、電源スイッチ１４６を切り替えることにより、基板１３０を静電チャック１０４に吸着させるタイミングを制御することができる。本実施の形態において、静電チャックは、セラミックスにより構成することができる。
【００２６】
また、静電チャック１０４には、第３の高周波電源１１８から高周波電力が供給され、１０４を介して基板１３０にバイアスパワーが印加される。静電チャック１０４と第３の高周波電源１１８との間には第３の高周波電源スイッチ１４４が設けられ、第３の高周波電源１１４を切り替えることにより、基板１３０へのバイアスパワーを印加するタイミングを制御することができる。
【００２７】
また、静電チャック１０４内には冷却配管１２４が設けられ、冷却配管１２４中に冷媒を循環させることにより、基板１３０の温度を適正範囲に保つことができる。冷却配管１２４中に循環させる冷媒としては、たとえば水や水／グリコール混合液等を用いることができる。
【００２８】
さらに、静電チャック１０４表面には浅い溝が設けられており、基板１３０と静電チャック１０４との間にＨｅ等の冷却ガスを充填し、その圧力を変化させることにより基板１３０の温度を制御することができる。
【００２９】
サイドノズル１０６およびトップノズル１０８はガス供給管（不図示）を介してガス源（不図示）に接続される。ガス源は、Ａｒ、Ｏ２等のガス、およびシラン等の成膜ガスを含む。
【００３０】
スロットルバルブ１２０は、チャンバ１０１内の圧力を所定の値に保つ。ターボポンプ１２２は、チャンバ１０１内のガス等の排気を行う。
【００３１】
トップコイル１１０は第１の高周波電源１１４と接続され、サイドコイル１１２は第２の高周波電源１１６と接続される。トップコイル１１０およびサイドコイル１１２により高周波を印加することにより、チャンバ１０１内にプラズマが生じる。トップコイル１１０と第１の高周波電源１１４の間、およびサイドコイル１１２と第２の高周波電源１１６との間にはそれぞれには第１の高周波電源スイッチ１４０および第２の高周波電源スイッチ１４２が設けられ、これらのスイッチを切り替えることにより、トップコイル１１０およびサイドコイル１１２による高周波印加のタイミングを制御することができる。
【００３２】
図２は、プラズマ処理装置１００の動作タイミングを制御する制御部分を示すブロック図である。本実施形態に係るプラズマ装置は、図１の構成に加え、制御部１６０、計時部１６２および記憶部１６４からなる制御ユニットを備えている。プラズマ処理装置１００は、さらに、基板１３０の裏面を冷却するための冷却ガスの供給のオンオフを切り替える冷却ガス供給スイッチ１４８と、サイドノズル１０６およびトップノズル１０８から供給するガスの種類およびオンオフを切り替えるガス供給スイッチ１５０とを含む。
【００３３】
上記制御ユニットは、プラズマ処理装置１００に設けられた各スイッチ１４０〜１５０の開閉動作を制御する。記憶部１６４は、プラズマ処理装置１００により実行されるプラズマ処理の種類に応じて、各種ガスの供給、各種高周波電源の印加、および静電チャック１０４への電圧の印加、静電チャック１０４への冷却ガスの供給タイミングに関するシークエンスデータを記憶する。計時部１６２は、所定の処理を実行する際に基準となる時間を計時する。制御部１６０は、記憶部１６４から所定のシークエンスデータを取得し、計時部１６２を参照して、所定のタイムスケジュールにしたがってプラズマ処理が行われるようにプラズマ処理装置１００に設けられた各スイッチの開閉動作を制御する。
【００３４】
次に、図１および図２を参照し、プラズマ処理装置１００における処理を説明する。
まず、図示しない搬送手段により基板１３０がチャンバ１０１内に導入され、基板１３０が静電チャック１０４上部に載置される。このとき、基板１３０は静電チャック１０４に保持されているが、電源スイッチ１４６がオフとされているので、吸着していない状態である。
【００３５】
つづいて、制御部１６０は、ガス供給スイッチ１５０を制御し、サイドノズル１０６およびトップノズル１０８からＡｒおよびＯ２等のガスを導入する。このとき、スロットルバルブ１２０により、チャンバ１０１内は所定の圧力に維持される。
【００３６】
その後、制御部１６０は、第１の高周波電源スイッチ１４０および第２の高周波電源スイッチ１４２をオンとしてトップコイル１１０およびサイドコイル１１２により高周波を印加し、プラズマを発生させる。制御部１６０は、記憶部１６４から所定のシークエンスデータを取得し、計時部１６２の計時に基づき、所定の待機時間の経過後、第３の高周波電源スイッチ１４４をオンとして静電チャック１０４内の電極に電圧を印加する。これにより、基板１３０が静電チャック１０４に静電吸着される。ここで、所定の待機時間は、その後の成膜処理等の所定のプラズマ処理に応じて定められた時間とすることができる。プラズマ処理として基板１３０上に膜を形成する場合、基板１３０の温度は、約２５０℃〜３５０℃とすることができる。所定の待機時間は、基板１３０の温度がこのような温度となるのに必要な時間とすることができる。たとえば、所定の待機時間は、基板１３０がトップコイル１１０のＲＦパワーを１３００Ｗ、サイドコイル１１２のＲＦパワーを２８００〜３１００Ｗとした場合、約１０秒とすることができる。記憶部１６４には、このような条件のときに待機時間を約１０秒とする旨が記憶されている。これにより、基板１３０を所望の温度に加熱することができる。
【００３７】
本実施の形態において、基板１３０を静電チャック１０４に吸着させない状態でプラズマを作用させるので、この程度の時間プラズマを作用させることにより、基板１３０が充分加熱され、その後の成膜処理時の基板の温度の変動を低減することができる。
【００３８】
つづいて、制御部１６０は、ガス供給スイッチ１５０を制御し、サイドノズル１０６およびトップノズル１０８からＡｒおよびＯ２等のガスならびにシラン等の成膜ガスを導入し、基板１３０上に膜を形成する。ここで形成する膜は、ＵＳＧ（undoped silicate glass）、ＦＳＧ（fluorinated silicate glass）、ＰＳＧ（phosphorus silicate glass）、ＢＰＳＧ (borophosphorus silicate glass)、ＢＳＧ(borosilicate glass)、ＳｉＯＣ等種々のものとすることができ、特に限定されない。
【００３９】
成膜ガスの導入開始から約１〜２秒後に、制御部１６０は、冷却ガス供給スイッチ１４８をオンとして静電チャック１０４と基板１３０との間にＨｅ等の冷却ガスを充填させ、基板１３０を冷却する。
【００４０】
基板１３０上に表面保護膜を成膜後、制御部１６０は、第３の高周波電源スイッチ１４４をオンとし、静電チャック１０４を介して基板１３０にバイアスパワーを印加する。これにより、励起された成膜ガスのイオンおよびラジカルが基板１３０に引き込まれ、成膜およびスパッタリングを同時に行うことができる。これにより、基板１３０上に絶縁膜が形成される。
【００４１】
なお、以上の処理において、静電チャック１０４内の冷却配管１２４には、冷媒が循環されている。これにより、基板１３０の温度制御を行うことができる。成膜中、基板１３０表面の温度は、たとえば約３５０〜４５０℃に維持されるのが好ましい。
【００４２】
図３は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置１００の処理手順を示すフローチャートである。
まず、基板１３０が静電チャック１０４上に載置される（Ｓ１０）。つづいて、プラズマが発生される（Ｓ１２）。制御部１６０は所定の待機時間が経過したか否かを判断し（Ｓ１４）、所定の待機時間が経過した場合（Ｓ１４のＹＥＳ）、基板１３０を静電チャック１０４に静電吸着させる（Ｓ１６）。つづいて、チャンバ１０１内に成膜ガスを導入する（Ｓ１８）。なお、ステップ１６の基板１３０を静電チャック１０４に吸着させる処理とステップ１８の成膜ガスの導入とは同時に行うこともできる。これにより、処理時間を短縮することができ、効率よくプラズマ処理を行うことができる。その後、Ｈｅ等の冷却ガスにより基板１３０の裏面を冷却する（Ｓ２０）。次いで、バイアスパワーを印加する（Ｓ２２）。
【００４３】
本実施の形態において、制御部１６０は、ステップ１２のプラズマ発生処理から所定の待機時間が経過した後に基板１３０を静電チャック１０４に吸着させる形態として説明したが、プラズマ処理装置１００は、基板１３０の温度を測定する温度測定手段を含むこともでき、この場合、基板１３０の温度が所定温度となった後にステップ１６の基板１３０を静電チャック１０４に吸着させる処理を行うようにすることもできる。ここで、所定の温度とは、たとえば約２５０℃〜３５０℃とすることができる。このようにすれば、基板１３０の温度を３００℃〜４５０℃として成膜を行う場合であっても、成膜処理時の基板の温度の変動を低減することができる。
【００４４】
図４は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置１００の動作を説明するためのタイミングチャートおよび各タイミングにおける基板１３０の温度を模式的に示した図である。
まず、ガス供給スイッチ１５０がオンとされ、ＡｒおよびＯ２等のガスがチャンバ１０１内に供給される。つづいて、第１の高周波電源スイッチ１４０および第２の高周波電源スイッチ１４２がオンとされ、チャンバ１０１内にプラズマが発生する。これにより、基板１３０の加熱が開始される。
【００４５】
所定の待機時間の経過後、電源スイッチ１４６がオンとされ、基板１３０が静電チャック１０４に吸着される。同時に、ガス供給スイッチ１５０が制御され、シラン等の成膜ガスがチャンバ１０１内に供給される。このとき、トップコイル１１０およびサイドコイル１１２のＲＦパワーは、上記基板１３０の加熱時と同等とすることができる。これにより、形成される膜へのプラズマダメージを低減することができる。また、上記基板１３０の加熱時のＲＦパワーは、成膜時よりも高くすることもできる。これにより、加熱を効率よく行うことができる。トップコイル１１０およびサイドコイル１１２のＲＦパワーは、種々の条件に応じて適宜設定することができる。
【００４６】
その後、電源スイッチ１４６がオンとされ、基板１３０裏面がＨｅ等の冷却ガスにより冷却される。つづいて、第３の高周波電源スイッチ１４４がオンとされ、基板１３０にバイアスパワーが印加される。
【００４７】
本実施の形態において、基板１３０を静電チャック１０４に吸着させる前に基板１３０をプラズマにより加熱している。そのため、基板１３０と静電チャック１０４との接触を低減することができ、静電チャック１０４中の冷媒による冷却作用を受けにくくすることができる。これにより、基板１３０を迅速に所望の温度にすることができる。また、成膜処理前の基板１３０の到達温度を高くすることもできる。
【００４８】
さらに、基板１３０を静電チャック１０４に吸着させない状態で基板１３０をある程度の温度まで加熱した後に、基板１３０の静電チャック１０４への吸着、成膜ガスの導入、基板１３０裏面の冷却、バイアスパワーの印加といった処理を段階的に行うため、成膜中の基板温度の変動を小さくすることができる。これにより、成膜初期と後期の膜質差の抑制が可能となり、膜膨れや膜剥がれといった不具合を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】プラズマ処理装置の動作タイミングを制御する制御部分を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置の処理手順を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートおよび各タイミングにおける基板の温度を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００５０】
１００  プラズマ処理装置
１０１  チャンバ
１０２  ウェハステージ
１０４  静電チャック
１０６  サイドノズル
１０８  トップノズル
１１０  トップコイル
１１２  サイドコイル
１１４  第１の高周波電源
１１６  第２の高周波電源
１１８  第３の高周波電源
１２０  スロットルバルブ
１２２  ターボポンプ
１２４  冷却配管
１２６  直流電源
１３０  基板
１４０  第１の高周波電源スイッチ
１４２  第２の高周波電源スイッチ
１４４  第３の高周波電源スイッチ
１４６  電源スイッチ
１４８  冷却ガス供給スイッチ
１５０  ガス供給スイッチ
１６０  制御部
１６２  計時部
１６４  記憶部
【図１】
2005093716.tif 000003
【図２】
2005093716.tif 000004
【図３】
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【図４】
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