(57)【要約】【課題】リトグラフ投影装置で基板テーブルに対して基板を位置決めする方法において、特に、誤差の重なりを減少または回避することのできる方法を提供する。【解決手段】本発明による方法は、基板（Ｗ）が最初に基板テーブル（ＷＴ）に対して位置されるときに基板テーブル（ＷＴ）に対する基板（Ｗ）の第一の相対位置を定め、基板（Ｗ）がそれに続いて二回目に基板テーブル（ＷＴ）に対して位置されるときに基板テーブル（ＷＴ）対する基板（Ｗ）の第二の相対位置を定め、この二回目においては基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）に対して実質的に第一の相対位置と等しく位置されるように、第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（Ｗ）が最初に基板テーブル（ＷＴ）対して位置されるときに基板テーブル（ＷＴ）対する基板（Ｗ）の第一の相対位置を定めること、
基板（Ｗ）がそれに続く二回目に基板テーブル（ＷＴ）対して位置されるときに基板テーブル（ＷＴ）対する基板（Ｗ）の第二の相対位置を定めること、および
二回目には基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）に対して実質的に第一の相対位置と等しく位置されるように、第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整することを含む基板テーブル（ＷＴ）に対して基板（Ｗ）を位置決めする方法。
【請求項２】
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれた後に第二の相対位置が決定されるのであり、さらにまた、
基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）を取外すこと、
第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整すること、および
再度位置決めされた基板テーブル（ＷＴ）へ基板（Ｗ）を導くことを含む請求項１に記載された方法。
【請求項３】
基板テーブル（ＷＴ）へ、また基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）を移動させるための移動装置（１８）を基板テーブル（ＷＴ）は備えており、さらにまた、
移動装置（１８）によって基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）を取外すこと、
第一および第二の相対位置に基づいて移動装置（１８）および基板（Ｗ）に対して基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整すること、および
再度位置決めした基板テーブル（ＷＴ）へ基板（Ｗ）を移動装置（１８）によって導くことを含む請求項２に記載された方法。
【請求項４】
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に基板（Ｗ）の第二の相対位置を決定すること、および
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整することを含む請求項１に記載された方法。
【請求項５】
基板テーブル（ＷＴ）へ、また基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）を移動させる移動装置（１８）を基板テーブル（ＷＴ）が備えており、さらにまた
基板（Ｗ）が移動装置（１８）によって基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に基板（Ｗ）の第二の相対位置を決定すること、および
移動装置（１８）によって基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整することを含む請求項４に記載された方法。
【請求項６】
基板テーブル（ＷＴ）上の基板（Ｗ）の位置は整合システムを用いて測定され、基板（Ｗ）の相対位置は基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前にＣＣＤカメラのような付加的な整合システム（４３）によって測定される請求項４または請求項５に記載された方法。
【請求項７】
基板テーブル（ＷＴ）の位置はチャックおよび基板テーブル（ＷＴ）の少なくとも一方に取付けられたミラーと協働する干渉式測定装置（ＩＦ）を用いて決定され、基板テーブル（ＷＴ）に対する基板（Ｗ）の第一の相対位置が決定されるときに干渉式測定システム（ＩＦ）に対してミラーの位置が実質的に直角となるように選定される請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載された方法。
【請求項８】
放射光感応材料の層を少なくとも部分的に被覆されている基板（Ｗ）を準備する段階と、
放射系（Ｅｘ，ＩＬ）を使用して放射投影ビーム（ＰＢ）を形成する段階と、
投影ビーム（ＰＢ）の横断面にパターンを付与するパターン形成手段（ＭＡ）を使用する段階と、
放射光感応材料の層のターゲット箇所（Ｃ）にパターン化した放射ビーム（ＰＢ）を投影する段階とを含む素子製造方法であって、
前記基板（Ｗ）を準備するときに請求項１から請求項７までのいずれか一項による方法を適用することを特徴とする素子製造方法。
【請求項９】
基板（Ｗ）を支持する基板テーブル（ＷＴ）と、
基板テーブル（ＷＴ）へ、また基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）を移動させる移動装置（１８）を含むキャリヤ（１４）と、
キャリヤ（１４）に対して基板テーブル（ＷＴ）を移動させる位置決め装置（１１）と、
整合システム（２１，４３）とを含む基板（Ｗ）を位置決めするための装置であって、
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）に対して最初に位置決めされるときに基板テーブル（ＷＴ）に対する基板（Ｗ）の第一の相対位置を決定するように整合システム（２１，４３）が構成されており、
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）に対して引き続き二回目に位置決めされるときに基板テーブル（ＷＴ）に対する基板（Ｗ）の第二の相対位置を決定するように整合システム（２１，４３）が構成されており、
第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整するように位置決め装置（１１）が構成されていて、これにより基板（Ｗ）は引き続く二回目に第一の相対位置に実質的に等しく基板テーブル（ＷＴ）に対して位置決めされることを特徴とする基板を位置決めするための装置。
【請求項１０】
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に、基板（Ｗ）の第二の相対位置を決定するように整合システム（２１，４３）が構成されており、
基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に、第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整するように位置決め装置（１１）が構成されている請求項９に記載された装置。
【請求項１１】
基板（Ｗ）が移動装置（１８）によって基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に、移動装置（１８）上の基板（Ｗ）の第二の相対位置を決定するように整合システム（２１，４３）が構成されており、
基板（Ｗ）が移動装置（１８）によって基板テーブル（ＷＴ）から取外される間、基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整するように位置決め装置（１１）が構成されており、
再度位置決めされた基板テーブル（ＷＴ）へ基板（Ｗ）を導くように移動装置が構成されている請求項９または請求項１０に記載された装置。
【請求項１２】
基板テーブル（ＷＴ）上の基板（Ｗ）の位置は整合システム（２１）を使用して測定され、基板（Ｗ）が基板テーブル（ＷＴ）へ導かれる前に基板（Ｗ）の相対位置がＣＣＤカメラのような付加的な整合システム（４３）で測定される請求項９または請求項１０に記載された装置。
【請求項１３】
基板（Ｗ）の第二の相対位置は基板（Ｗ）が基板テーブルへ導かれた後に決定され、また
移動装置（１８）は基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）を取外すように構成されており、
移動装置（１８）によって基板テーブル（ＷＴ）から基板（Ｗ）が取外される間に第一および第二の相対位置に基づいて基板（Ｗ）に対する基板テーブル（ＷＴ）の位置を調整するように位置決め装置が構成されており、
移動装置は再度位置決めされた基板テーブル（ＷＴ）へ基板（Ｗ）を導くように構成されている請求項９に記載された装置。
【請求項１４】
基板テーブル（ＷＴ）が複数のボツボツの隆起（１７）で形成された支持構造を含む請求項９から請求項１３までのいずれか一項に記載された装置。
【請求項１５】
放射投影ビーム（ＰＢ）を形成する放射系（Ｅｘ，ＩＬ）と、
投影ビーム（ＰＢ）を所望のパターンに従ってパターン化するように作用するパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板（Ｗ）を保持する基板テーブル（ＷＴ）と、
基板（Ｗ）のターゲット箇所（Ｃ）にパターン化したビーム（ＰＢ）を投影する投影系とを含むリトグラフ投影装置であって、
請求項９から請求項１４までのいずれか一項に記載された装置を含むことを特徴とするリトグラフ投影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板テーブルに対して基板を位置決めする方法に関する。本発明はさらに、素子製造方法および基板の位置決め装置に関する。本発明はまた、
放射投影ビームを形成する放射系と、
所望のパターンに応じて投影ビームをパターン化するように作用するパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン化したビームを基板のターゲット箇所へ投影する投影系とを含むリトグラフ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書で使用する「パターン形成手段」という用語は、基板のターゲット箇所に形成すべきパターンに応じてパターン形成される横断面を入射する放射ビームに付与するために使用することのできる手段を指すものと広く解釈しなければならない。「光弁」という用語もこれに関連して使用することができる。一般に前記パターンは、ターゲット箇所に形成すべき素子、例えば集積回路その他の素子（以下を参照）の特定の機能層に対応するものとなる。そのようなパターン形成手段の例として以下のものが含まれる。
【０００３】
マスク。マスクの概念はリトグラフにおいて良く知られており、それには二値形式、交番位相変位形式および減衰位相変位形式のマスク、ならびに各種形式の複合形式のマスクが含まれる。放射ビーム内にマスクを配置することで、マスクのパターンに応じてマスクに当たる放射光の選択的な透過（透過式マスクの場合）または反射（反射式マスクの場合）を生じる。マスクの場合、その支持構造は一般にマスク・テーブルとされ、入射する放射ビーム内の所望位置にマスクを保持できること、および望まれるならばそのビームに対してマスクを移動できることをマスク・テーブルは保証する。
【０００４】
プログラム可能なミラー配列。この装置の一例は粘弾性制御層と反射面とを有するマトリックス−アドレス指定可能面である。そのような装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された面積部分が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されない面積部分は入射光を非回折光として反射することである。適当なフィルタを使用することで、前記非回折光を反射ビームから除外して回折光のみを残すことができる。このようにして、ビームはマトリックス−アドレス指定可能面のアドレス指定したパターンに従ってパターン化されることになる。プログラム可能なミラー配列の他の実施例は、複数の小さなミラーのマトリックス配列を使用するもので、各々のミラーは適当な局所電界を付与することで、または圧電作動手段を使用することで軸線のまわりに個別に傾動させることができる。再び述べるが、ミラーはマトリックス−アドレス指定することができ、アドレス指定されたミラーは入射する放射ビームをアドレス指定されないミラーとは異なる方向へ反射する。これにより反射ビームはマトリックス−アドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン化することができる。要求されるマトリックスのアドレス指定は適当な電子手段を使用して実行できる。上述したいずれの場合においても、パターン形成手段は一つ以上のプログラム可能なミラー配列を含むことができる。本明細書で言及するミラー配列に関するこれ以上の情報は、例えば米国特許第５２９６８９１号および同第５５２３１９３号、およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６から得ることができ、それらの記載内容は本明細書に援用される。プログラム可能なミラー配列の場合には、前記支持構造は例えばフレームまたはテーブルとして具現され、それらは要求に応じて固定されるか、移動可能とすることができる。
【０００５】
プログラム可能なＬＣＤ配列。この構造の例は米国特許第５２２９８７２号に与えられており、本明細書にその記載内容全体が援用される。上述したように、この場合の支持構造は例えばフレームまたはテーブルとして具現され、それらは要求に応じて固定されるか、移動可能とすることができる。
【０００６】
簡明化のために以降の説明は、幾つかの部分で特にマスクおよびマスク・テーブルを備えた例に向けられる。しかしながらそれらの例で説明される一般的な基本は、上述したようなパターン形成手段の広い範囲で理解されねばならない。
【０００７】
リトグラフ投影装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。この場合、パターン形成手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成し、このパターンが放射光感応材料（レジスト）の層を被覆されている基板（シリコン・ウェーハ）上のターゲット箇所（例えば一つ以上のダイを含む）上に結像できる。一般に、一つのウェーハは投影系によって一度に一つずつ連続して照射される隣接したターゲット箇所のネットワーク全体を含む。マスク・テーブル上のマスクでパターン化する現在の装置では、二つの異なる形式の機械に区別できる。一方の形式のリトグラフ投影装置では、一回の行程でターゲット箇所にマスク・パターンの全体を露光することで各ターゲット箇所が照射される。このような装置は一般にウェーハ・ステッパまたはステップ繰返し装置と称される。一般にステップ−走査装置と称される他方の形式の装置では、与えられた基準方向（「走査」方向）に投影ビームでマスク・パターンを順次走査することで各ターゲット箇所が照射され、この間、基板テーブルは同期してその方向と平行または非平行に走査される。一般に投影系は倍率係数Ｍ（一般に１よりも小さい）を有するので、基板テーブルが走査される速度Ｖはマスク・テーブルが走査される速度のＭ倍になる。本明細書に記載するリトグラフ投影装置に関するさらなる情報は、例えば米国特許第６０４６７９２号から得ることができ、本明細書にその記載内容全体が援用される。
【０００８】
リトグラフ投影装置を使用した製造工程において、パターン（例えばマスクの）が放射光感応材料（レジスト）の層を少なくとも部分的に被覆されている基板上に結像される。この結像段階に先立ち、基板は各種の処理、例えばプライミング処理、レジスト被覆および軽い焼成が行われ得る。露光後に基板は他の処理、例えば露光後焼成（ＰＥＢ）、現像、強い焼成および結像状態の測定／検査が行われる。この処理の並びは素子例えばＩＣの個々の層をパターン形成するための基本として使用される。このようにしてパターン形成された層はその後に各種の工程、例えばエッチング、イオン移入（ドーピング）、金属化処理、酸化処理、化学機械研磨などを行われる。これらの処理の全ては個々の層の仕上げを目的として行われる。幾つかの層が必要とされるならば、各々の新たな層に対してこの全ての工程またはその変形工程が繰返して行われなければならない。最終的に、素子の配列が基板（ウェーハ）に与えられる。これらの素子はその後ダイシングまたはソーイングのような技法で互いに分離され、そこから個々の素子はキャリヤに対して取付けられたり、ピンに対して連結されるなどを行うことができる。このような工程に関するこれ以上の情報は、例えば「マイクロチップの製造：半導体処理のための実際的なガイド」第三版、ピーター・ファン・ツァント、マグロー・ヒル出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の書物から得ることができ、本明細書にその記載内容全体が援用される。
【０００９】
簡明化のためにこの投影系は以下に「レンズ」と称される。しかしながら、この用語はさまざまな形式の投影系を包含するものと広く解釈されるべきであり、そのような投影系には例えば屈折光学装置、反射光学装置、カタディオプトリック（反射屈折）系が含まれる。放射系は放射投影ビームの方向決め、成形、または制御を行うためのいずれかの形式の設計に応じて作動する部材も含む。それらの部材も以下に集合体として、または単独で「レンズ」と称される。さらに、リトグラフ装置は二つ以上の基板テーブル（および（または）二つ以上のマスク・テーブル）を有する形式のものとすることができる。そのような「多段」装置では、付加テーブルは平行的に使用されることができ、または準備段階が一つ以上のテーブルで実行される間に他の一つ以上のテーブルが露光に使用されるようにできる。二段リトグラフ装置は、例えば米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１に記載されており、本明細書にそれらの記載内容全体が援用される。
【００１０】
リトグラフ処理の間、しばしば基板は複数回の露光または複数の組をなす露光を行われる。連続する露光の間、または組をなす露光の組どうしの間に、先に説明したように基板は基板テーブルから取外され、また典型的にリトグラフ投影装置から取外されて、さらに他の処理、例えば露光後焼成（ＰＥＢ）、現像、強い焼成および結像状態の測定／検査が行われる。このような処理の後、基板は次の露光または次の組をなす露光のために基板テーブルへしばしば送り戻される。このような手順の結果、例えば多数の層が基板に形成される。
【００１１】
基板は、例えばロボット・アームを使用して基板テーブルから、また基板テーブルへ移送される。そのようなロボット・アームは或る位置で基板をグリップし、基板を移動し、そして他の位置で基板を解放するように構成される。ロボット・アームが基板を基板テーブルへ引き渡すとき、基板が非常に高精度で位置決めされることが重要である。したがって、ロボット・アームに対する基板の位置（回転および（または）横動）は正確に決定される必要がある。
【００１２】
ロボット・アームに対する基板の位置の決定は、事前整合装置を使用して典型的に行われる。この事前整合装置は基板の位置を測定し、基板は基板テーブルへの移送のためにロボット・アームに対して位置決めされる。したがって事前整合装置は、ロボット・アームに対する基板の相対位置が知られていること、したがってロボット・アームが基板を基板テーブルへ正確に導くことができることを保証する。
【００１３】
基板テーブルでは、ロボット・アームは基板を典型的に基板テーブルの一つ以上のピンに与える。基板テーブルのピンは基板を基板テーブルの支持面へ移動させる。この結果、基板テーブル面上の基板の位置精度は事前整合装置と、ピン（単数または複数）に対するロボット・アームによる引き渡しおよび基板テーブル面に対するピン（単数または複数）による引き渡しとによって制限されることになる。
【００１４】
基板が基板テーブル面上に位置された後、基板テーブルの配向に対する基板の配向の位置誤差（横動および回転）が決定される。これは、例えば、基板に備えた二つのマークおよび基板を支持する基板テーブルまたはチャックに備えた二つのマークの位置を測定するために整合システムを使用することで、典型的に行われる。マークが整合システムの範囲外であるならば、基板は基板テーブルから取外され、さらに事前整合された後に任意に基板上に再度配置される。マークが整合システムの測定範囲内であるならば、基板の配向および基板テーブルの配向の間の位置誤差が測定されて決定される。この位置誤差は基板テーブル／チャックの位置決めおよび位置測定手段によって使用され、パターン化されたビームが基板に対して正しく投影されることを保証する。
【００１５】
或る状況のもと、基板テーブル／チャックは、パターン化されたビームが基板上に正しく投影されるようにするために、上述の位置誤差を調整するために回転されなければならない。しかしながら、当業者には基板テーブル／チャックの回転は干渉計の位置測定手段による測定に誤差を生じることが理解されるであろう。何故なら、基板テーブル／チャックに取付けられて干渉計の位置測定手段で使用されるミラー表面が、その干渉計位置測定手段に対してもはや直角に位置されていないからである。理解されるように、これは誤差を重ねることになり、位置誤差は一回または組をなす露光と、その後の一回または組をなす露光との間で相違することになる。
【００１６】
さらに、上述した事前整合および引き渡しに拘わらず、基板テーブル上の基板の位置決めは次の一回または組をなす露光に関して正確に同じとならない。何故なら、基板テーブルの支持構造（例えば、隆起したボツボツのパターン）に対する基板の位置は、事前整合の不正確さおよび不正確な基板の取扱いのために次の一回または組をなす露光で相違することになり得るからである。このような位置の相違は誤差を重ねることになる。例えば、基板テーブルの支持構造の局部的な不正確さは基板の頂面に局部的な変形をもたらす。支持構造に対する基板の位置が次の一回または組をなす露光で相違するならば、基板の頂面の変形は次の一回または組をなす露光で相違することになる。これは当業者に理解されるように誤差を重ねることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の一つの目的は、この誤差の重なりを減少するまたは回避する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
このおよび（または）他の目的は冒頭に特に説明した方法において、
基板（Ｗ）が最初に基板テーブル（ＷＴ）対して位置されるときに基板テーブル（ＷＴ）対する基板（Ｗ）の第一の相対位置を決定すること、
基板（Ｗ）が二回目に基板テーブル（ＷＴ）対して位置されるときに基板テーブル（ＷＴ）対する基板（Ｗ）の第二の相対位置を決定すること、および
この二回目には基板が基板テーブルに対して実質的に第一の相対位置と等しく位置されるように、第一および第二の相対位置に基づいて基板に対する基板テーブルの位置を調整することを特徴とする本発明に従って達成される。
【００１９】
この方法を実施することで、基板は基板テーブルに対して実質的に同じ相対位置となるようにして移送が繰り返されるようになる。この結果、基板テーブル上の支持構造は終始基板の同じ部分を支持することになり、連続される露光または組をなす露光の間に基板位置に関する同一の誤差を保つことになり、これは誤差の重なりを減少または回避することになる。
【００２０】
本発明の一実施例によれば、基板が基板テーブルへ導かれた後に基板の第二の相対位置が決定されるのであり、この方法は、
基板テーブルから基板を取外すこと、
第一および第二の相対位置に基づいて基板に対する基板テーブルの位置を調整すること、および
基板を再度位置決めされた基板テーブルへ導くことをさらに含む。
【００２１】
これは先の相対位置に従って基板テーブル上に基板を位置決めする簡単で直接的な方法である。
【００２２】
本発明の一実施例によれば、基板テーブルへ、また基板テーブルから基板を移動させるための移動装置を基板テーブルは備えており、この方法はさらに、
移動装置によって基板テーブルから基板を取外すこと、
第一および第二の相対位置に基づいて移動装置および基板に対して基板テーブルの位置を調整すること、および
再度位置決めした基板テーブルへ基板を移動装置によって導くことを含む。
【００２３】
基板テーブルに備えられた移動装置（例えば、ピン）は基板に対して基板テーブルを調整できるように、基板テーブルへ、また基板テーブルから基板を移動させるのに好適である。そのような装置は通常はすでに基板テーブルに組込まれている。
【００２４】
本発明の一実施例によれば、この方法はさらに、
基板が基板テーブルへ導かれる前に基板の第二の相対位置を決定すること、および
基板が基板テーブルへ導かれる前に第一および第二の相対位置に基づいて基板に対判定基板テーブルの位置を調整することを含む。
【００２５】
基板に対する基板テーブルの相対位置の調整は、基板が基板テーブルへ導かれる前に基板テーブルに対する基板の相対位置を調整することで時間効率よく遂行できる。この方法は、基板が基板テーブル上に実際に位置される前に基板テーブルに対する基板の相対位置を決定することのできる測定装置を典型的に使用している。
【００２６】
本発明の一実施例によれば、基板テーブルへ、また基板テーブルから基板を移動させる移動装置を基板テーブルが備えており、この方法はさらに
基板が移動装置によって基板テーブルへ導かれる前に基板の第二の相対位置を決定すること、および
移動装置によって基板が基板テーブルへ導かれる前に基板に対する基板テーブルの位置を調整することを含む。
【００２７】
基板テーブルに備えられた移動装置（例えば、ピン）は基板を基板テーブルへ導くのに好適である。このような移動装置は通常は基板テーブルに既に組込まれている。
【００２８】
本発明の一実施例によれば、基板テーブル上の基板の位置は整合システムを用いて測定され、基板の相対位置は基板が基板テーブルへ導かれる前にＣＣＤカメラのような付加的な整合システムによって測定される。
【００２９】
ＣＣＤカメラのような付加的な整合システムは基板に対する基板テーブルの位置の調整を容易にする比較的に時間効率のよい方法であり、基板は続く二回目には第一の相対位置に実質的に等しくなるように基板テーブルに対して位置決めされる。
【００３０】
本発明の一実施例によれば、基板テーブルの位置はチャックおよび基板テーブルの少なくとも一方に取付けられたミラーと協働する干渉式測定装置を用いて決定され、基板テーブルに対する基板の第一の相対位置が決定されるときに干渉式測定システムに対するミラーの位置が実質的に直角となるように選定される。
【００３１】
基板の引き続く位置決め毎に、ミラーは干渉式測定システムに対して直角となされる。当業者には、この実質的に直角な構造が干渉式測定システムにより遂行される測定に最適な結果をもたらすことを保証するものと認識されるであろう。
【００３２】
他の概念によれば、本発明は、
放射光感応材料の層を少なくとも部分的に被覆されている基板を準備する段階と、
放射系を使用して放射投影ビームを形成する段階と、
投影ビームの横断面にパターンを付与するパターン形成手段を使用する段階と、
放射光感応材料の層のターゲット箇所にパターン化した放射ビームを投影する段階とを含む素子製造方法であって、
前記基板を準備するときに本発明によるこの方法を適用することを特徴とする素子製造方法に関する。
【００３３】
本発明によるこの方法は、前述したように素子製造方法に有利に使用できる。このような素子製造方法において基板の位置決めは、誤差の重なりを減少し、さらにまた製造される素子の品質を向上させるために、非常に正確でなければならない。
【００３４】
他の概念によれば、本発明は、
基板を支持する基板テーブルと、
基板テーブルへ、また基板テーブルから基板を移動させる移動装置を含むキャリヤと、
そのキャリヤに対して基板テーブルを移動させる位置決め装置と、
整備システムとを含む基板を位置決めするための装置であって、
基板が基板テーブルに対して最初に位置決めされるときに基板テーブルに対する基板の第一の相対位置を決定するように整合システムが適合され、構成されており、
基板が基板テーブルに対して引き続き二回目に位置決めされるときに基板テーブルに対する基板の第二の相対位置を決定するように整合システムが適合され、構成されており、
第一および第二の相対位置に基づいて基板に対する基板テーブルの位置を調整するように位置決め装置が適合され、構成されていて、これにより基板は引き続く二回目には第一の相対位置に実質的に等しく基板テーブルに対して位置決めされるようになされることを特徴とする基板を位置決めするための装置に関する。
【００３５】
本発明の一実施例によれば、
基板が基板テーブルへ導かれる前に、基板の第二の相対位置を決定するように整合システムが適合され、構成されており、
基板が基板テーブルへ導かれる前に、第一および第二の相対位置に基づいて基板に対する基板テーブルの位置を調整するように位置決め装置が適合され、構成されている。
【００３６】
本発明の一実施例によれば、
基板が移動装置によって基板テーブルへ導かれる前に、移動装置上の基板の第二の相対位置を決定するように整合システムが適合され、構成されており、
基板が移動装置によって基板テーブルから取外される間、基板に対する基板テーブルの位置を調整するように位置決め装置が適合され、構成されており、
再度位置決めされた基板テーブルへ基板を導くように移動装置が適合され、構成されている。
【００３７】
本発明の一実施例によれば、基板テーブル上の基板の位置は整合システムを使用して測定され、基板が基板テーブルへ導かれる前に基板の相対位置が付加的な整合システム、例えばＣＣＤカメラで測定される。
【００３８】
本発明の一実施例によれば、基板の第二の相対位置は基板が基板テーブルへ導かれた後に決定される。また、
移動装置は基板テーブルから基板を取外すように適合され、構成されており、
移動装置によって基板テーブルから基板が取外される間に第一および第二の相対位置に基づいて基板に対する基板テーブルの位置を調整するように位置決め装置が適合され、構成されており、
再度位置決めされた基板テーブルへ基板を導くように移動装置が適合され、構成されている。
【００３９】
本発明の一実施例によれば、基板テーブルは複数のボツボツ隆起で形成された支持構造を含む。このようなボツボツ構造は基板を支持するためにしばしば使用されている。何故なら、このようなボツボツ構造は基板と基板テーブルとの接触面積を減少し、またさらに汚損粒子が基板の正確な位置決めを乱す危険を減少させる。ボツボツ隆起パターンの僅かな不正確さ、例えばボツボツの一つが他のボツボツよりも僅かに高いと、基板に局部的な変形を生じる。従って、本発明による方法はそのようなボツボツ隆起パターンを含む装置に有利に使用できる。
【００４０】
他の概念によれば、本発明は、
放射線投影ビームを形成する放射系と、
この投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように作用するパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット箇所にパターン化したビームを投影する投影系とを含むリトグラフ投影装置であって、本発明による装置を含むことを特徴とするリトグラフ投影装置に関する。
【００４１】
リトグラフ投影装置においては、基板の位置決めは非常に正確であることを必要とし、従って上述したように本発明はそのようなリトグラフ投影装置に有利に使用することができる。
【００４２】
本明細書ではＩＣの製造に本発明による装置を使用することを特別に引用するが、そのような装置は他の多くの可能な応用例があることを明確に理解しなければならない。例えば、一体型光学系、磁気定義域メモリのガイダンスおよび検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用できる。当業者はそのような他の応用例に関して本明細書での「焦点板」、「ウェーハ」または「ダイ」という用語のどのような使用も、それぞれより一般的な用語「マスク」、「基板」および「ターゲット箇所」で置き換えられると考えねばならない。
【００４３】
本明細書では、「放射光」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）線（例えば、３６５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射線、ならびイオン・ビームや電子ビームのような粒子ビームを包含するように使用される。
【００４４】
本発明の実施例が添付図面を参照して単に例として以下に説明される。図面において同じ符号は同じ部分を示している。
【実施例１】
【００４５】
図１は本発明の特定の実施例によるリトグラフ投影装置１を模式的に示している。この装置は、
放射光（例えば、ＥＵＶ）の投影ビームＰＢを供給する放射系であって、この特別な例では放射源ＬＡも含む放射系Ｅｘ，ＩＬと、
マスクＭＡ（例えば、焦点板）を保持するためのマスク・ホルダーを備え、部材ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第一の位置決め手段ＰＭに連結された第一の物品用テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジストを被覆したシリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダーを備え、部材ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第二の位置決め手段ＰＷに連結された第二の物品用テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗのターゲット箇所Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）に結像させるための投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えば、ＥＵＶ放射光のためのミラー）とを含む。
【００４６】
本明細書に記載するように、この装置は反射式（すなわち、反射マスクを有する）である。しかしながら一般に、例えば透過式（透過マスクを有する）とすることもできる。これに代えてこの装置は、上述で引用した形式のプログラム可能なミラー配列のような別の形式のパターン形成手段を使用することもできる。
【００４７】
放射源ＬＡ（例えば、ＥＵＶ放射源）が放射ビームを発生する。このビームは直接に、または例えばビーム拡張機Ｅｘのような調整手段を経た後に、照射系（照射装置）ＩＬへ送られる。照射装置ＩＬはビーム内の強度分配の外側および（または）内側の半径方向範囲（一般にそれぞれσアウターおよびσインナーと称される）を設定する調整手段ＡＭを含むことができる。さらに、集積光学装置ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他のさまざまな要素を一般に含む。このようにしてマスクＭＡに当たるビームＰＢはその横断面に所望の均等性および強度分配を有する。
【００４８】
図１に関して、放射源ＬＡはリトグラフ投影装置のハウジングの内部に位置されるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプである場合にはしばしばこのようにされる）、リトグラフ投影装置から離れて位置されて、その放射ビームが装置内へ導かれるようになされる（例えば、適当な方向決めミラーによる）こともできることに留意しなければならない。後者の方法は、放射源ＬＡが励起レーザーの場合にしばしば採用される。本発明および特許請求の範囲はそれらの両方の方法を包含する。
【００４９】
ビームＰＢは実質的にマスクＭＡで遮断される。マスクＭＡはマスク・テーブルＭＴに保持される。マスクＭＡを横断したビームＰＢはレンズＰＬを通る。このレンズＰＬは基板Ｗのターゲット箇所ＣにビームＰＢの焦点を合わせる。第二の位置決め手段ＰＷ（および干渉式測定手段ＩＦ）によって、例えば、ビームＰＢの経路内に別のターゲット箇所Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスク保管部からマスクＭＡを機械的に取出した後、または走査の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために、第一の位置決め手段ＰＭが使用できる。一般に物品用テーブルＭＴ，ＷＴの動きは長いストロークのモジュール（粗い位置決め）と、短いストロークのモジュール（微細な位置決め）とで実現されるのであり、それらは図１に明確には示されていない。しかしながらウェーハ・ステッパの場合には（ステップ走査装置とは逆に）、マスク・テーブルＭＴは短いストロークのアクチュエータに連結されるか、固定されることができる。マスクＭＡおよび基板Ｗはマスク整合マークＭ１，Ｍ２および基板整合マークＰ１，Ｐ２を使用して整合することができる。
【００５０】
記載した装置は二つの異なる方法で使用することができる。
【００５１】
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止され、マスク像の全体が一行程（すなわち一回の「フラッシュ」）でターゲット箇所Ｃに投影される。その後に基板テーブルＷＴはｘ方向および（または）ｙ方向へ移動され、別のターゲット箇所ＣがビームＰＢで照射されるようになされる。
【００５２】
２．走査モードでは、所定のターゲット箇所Ｃが一回の「フラッシュ」で露光されない以外は、基本的に同じ手順が適用される。その代りにマスク・テーブルＭＴは、投影ビームＰＢがマスク像を走査するように速度ｖで所定の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）へ移動されることができる。同時に、基板テーブルＷＴは速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向へ移動される。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（典型的にＭ＝１／４または１／５）である。このようにして比較的大きなターゲット箇所Ｃを解像度を落とさずに露光することができるのである。
【００５３】
図２は本発明の一実施例による基板ステージ９の断面概略図を示している。この実施例では基板ステージ９はチャック１０を含む。以下にさらに詳細に説明されるチャック１０および基板テーブルＷＴの位置（回転および（または）横動）は図２に示されるように例えば干渉式測定手段ＩＦである一つ以上の位置測定手段によって測定される。チャック１０はキャリヤ１４に取付けられている。チャック１０は一つ以上の短いストロークの位置決め装置１１により移動される。特に、チャック１０は短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）によりキャリヤ１４に対して移動できる。短いストロークの位置決め装置（単数または複数）はチャック１０を六つの自由度までにおいて移動させることができ、一つ以上のローレンツ作動装置を含み得る。センサー４１がキャリヤ１４に対するチャック１０の、またはこの逆の相対位置（回転および（または）横動）結晶するために備えられている。センサー４１の結晶した位置は処理ユニット４０（以下にさらに詳細に説明される）に与えられ、短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）がチャック１０をキャリヤ１４に対して容易に移動できるようにするために使用できる。
【００５４】
キャリヤ１４は脚１５をさらに含む。脚１５は典型的な固定部材であることを示す面ＳＴ上に支持されてその面を横断して移動できる。一実施例では、脚１５はガス軸受を含み、面ＳＴ上で脚１５を移動容易に支持する。キャリヤ１４は一つ以上の長いストロークの位置決め装置１２によって移動できる。長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）は一つ以上のリニア・モーターおよび（または）平面モーターを含むことができる。長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）はチャック１０／キャリヤ１４を六つの自由度までにおいて移動させることができるが、典型的にはチャック１０／キャリヤ１４をＸ，Ｙおよび任意のＲｚ方向へ移動させる。
【００５５】
チャック１０の位置は短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）および（または）長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）によって調整できる。短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）はナノメートルの精度で位置決めでき、長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）はミクロンの精度で位置決めできる。短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）および長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）はいずれも処理ユニット４０に連結され、処理ユニット４０が短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）および長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）を制御する。干渉式測定手段ＩＦ（単数または複数）もまた処理ユニット４０に連結されている。処理ユニット４０は、干渉式測定手段ＩＦ（単数または複数）および（または）センサー４１から受取った測定値に基づいて短いストロークの位置決め装置１１（単数または複数）および（または）長いストロークの位置決め装置１２（単数または複数）を制御する。
【００５６】
この結果、チャック１０の位置は比較的長い範囲に亘って非常に高精度に制御することができる。チャック１０を含む基板ステージ９の移動を遂行し、制御するために適当な処理装置および伝達装置を備えることのできることが理解されるであろう。これらの装置は当業者に周知であるのでこれ以上説明せず、図示しない。
【００５７】
基板ステージ９は基板テーブルＷＴをさらに含み、基板テーブルＷＴは図３の頂面図に示されるようにチャック１０に備えられている。基板テーブルＷＴは基板Ｗを受取って支持するために構成されている。従って基板テーブルＷＴは、例えば本明細書では複数のボツボツの隆起１７により形成されたボツボツの隆起パターンとして示された支持構造を備えている。ボツボツの隆起１７が基板Ｗを支持し、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの接触面積を減少させている。
【００５８】
基板Ｗは一つ以上の移動装置１８、好ましくは三つのピン１８を使用して基板テーブル上に載置される。ピン１８はキャリヤ１４に連結され、チャック１０および基板テーブルＷＴの凹部を通って延在している。凹部の直径はピン１８の直径よりも大きい。このことで、ピン１８を乱すことなくチャック１０がキャリヤ１４に対して僅かに横方向へ移動（回転および（または）横動）できるようになされている。ピン１８は、矢印で示されるように適当な作動装置４２によって自動的に上下移動することができる。作動装置４２は処理ユニット４０に連結され、処理ユニット４０がピン１８の動きを制御する。ピン１８が上昇されたときに基板Ｗはロボット・アーム（図示せず）によってピンへ導かれることができる。その後にピン１８が降下され、基板Ｗは基板テーブルＷＴの支持構造（例えば、ボツボツの隆起パターン）上に載置される。明白となるように、ピンは上下移動する必要はない。むしろピンは、基板テーブルＷＴへ、また基板テーブルＷＴから移動することを単純に要求される。
【００５９】
基板Ｗが最初に基板テーブルＷＴ上に載置されるとき（例えば、一回の露光または組をなす露光のために）、当業者には理解されるように基板Ｗは通常は基板Ｗの周縁に備えられているノッチを使用して位置される。一回の露光または組をなす露光のために基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に一旦載置されると、露光系は投影ビームＰＢを基板Ｗの表面に投影することができる。
【００６０】
基板Ｗが整合マークを全く有さない状態で基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に最初に載置されるとき、複数、好ましくは少なくとも二つのそのようなマークが基板Ｗ上に露光される。それらのマーク２０はチャック１０に備えられているマーク１９に対して基板Ｗ上に非常に高精度（数ナノメートルまで）に位置決めすることができる。マーク２０は引き続く一回の露光または組をなす露光において基板Ｗの位置決めに使用される。チャック１０のマーク１９は、当業者に理解されるように例えば伝達像センサーとして備えることができる。また同様に、またはこれに代えて、マーク１９を基板テーブルＷＴに備えることができる。
【００６１】
一実施例では、当業者に理解されるように、基板はそのマーク２０の位置で定められた座標系（ＳＣＳ）を有することができる。さらにまた当業者に理解されるように、基板テーブルＷＴ／チャック１０はマーク１９と基板テーブルＷＴ／チャック１０に組付けられた干渉計ミラーとで定められる座標系（ＳＴＣＣＳ）を有する。
【００６２】
最初にマーク２０が基板Ｗに露光されるとき、マーク２０は基板テーブルＷＴ／チャック１０に対して非常に高精度で形成することができるので、基板テーブルＷＴ／チャック１０に対する基板Ｗの相対位置を測定する必要はない。そのような状況において、基板テーブルＷＴに対する基板の相対位置は０と決定される。例えば、ＳＣＳおよびＳＴＣＣＳが整合するように、すなわち二つの座標系の軸線の原点および方向が整合するように、また基板テーブルＷＴ／チャック１０に対する基板の位置誤差がないように、マーク２０を基板上に露光することができる。このような状況で、基板テーブルＷＴ／チャック１０と組合わされるミラー（単数または複数）は干渉式測定手段ＩＦに対して直角に位置決めされることが好ましい。これに代えて、そのように最初にマーク２０が基板上に露光されるとき、基板テーブルＷＴ／チャック１０に対する基板の相対位置が整合システム２１を使用して測定されて決定され、基板Ｗが既にマーク２０を与えられているときには以下にさらに詳細に説明するように基板テーブルＷＴ／チャック１０に対して基板の位置が修正される。
【００６３】
基板Ｗが最初に基板テーブルＷＴに載置されたとき、既にマーク２０を備えているならば（例えば、リトグラフ投影装置や別の機械において、別のまたは同じ基板テーブルＷＴに対して遂行された先の一回の露光または組をなす露光によって）、チャック１０（または基板テーブルＷＴ）に備えられているマーク１９に対する基板テーブルＷＴに備えられているマーク２０の相対位置の測定および決定のために整合システム２１が使用される。マーク１９，２０の相対位置の測定および決定により、基板テーブルＷＴに対する基板の相対位置が決定される。複数のマーク１９，２０は、基板テーブルＷＴに対する基板の相対位置を決定するために測定されることが好ましい。
【００６４】
一実施例では、基板が基板テーブルＷＴ上に最初に載置されるとき、基板テーブルＷＴ／チャック１０に対する基板の位置を修正することが望ましい。このような修正は、基板テーブルＷＴ／チャック１０に組付けられた干渉計ミラーが干渉式測定手段ＩＦに実質的に直角に位置決めされるように基板テーブルＷＴ上に基板Ｗを配向するようにして遂行することができる。この場合、相対位置の測定および決定は、ＳＣＳおよびＳＴＣＣＳが整合しているか否か、すなわちそれらの二つの座標系の軸線の原点および方向が整合しているか否かの測定および決定を含むことができる。ＳＣＳおよびＳＴＣＣＳを実質的に整合させるために、基板Ｗはピン１８によって基板テーブルＷＴから移動される。その後、チャック１０／基板テーブルＷＴの位置は、ＳＣＳおよびＳＴＣＣＳを実質的に整合させるようにして調整することができる。これを行うために、短いストロークの位置決め装置（単数または複数）がキャリヤ１４、ピン１８および基板Ｗに対して基板テーブルＷＴ／チャック１０を移動させる。ＳＣＳおよびＳＴＣＣＳが実質的に整合されたならば、基板Ｗは基板テーブルＷＴへ戻される。この時点で基板Ｗは基板テーブルＷＴ／チャック１０に対して適正に配向されているので、基板テーブルＷＴ／チャック１０はそれらに組付けられた干渉計ミラーが干渉式測定手段ＩＦに対して実質的に直角となるように移動されることができる。基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置は、再び述べるが整合システム２１によって決定することができる。
【００６５】
次の一回の露光または組をなす露光のために二回目に基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に載置されるとき、整合システム２１は基板Ｗに備えられているマーク２０に対するチャック１０（または基板テーブルＷＴ）上のマーク１９の相対位置を測定する。基板の操作における僅かな不正確さの結果として、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの二回目の位置は、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの最初の位置と実質的に同じでない状態を生じる。これにより、位置誤差（回転および（または）横動）が生じる。
【００６６】
上述したように、基板Ｗを有すチャック１０を単純に回転させることによる回転位置誤差の修正は、ミラー（単数または複数）が干渉式測定手段に対して直角でなくなるので干渉式測定手段ＩＦのＸ測定およびＹ測定に誤差を生むことになる。また、基板Ｗは二回目は支持構造１７に対して異って位置され得るので、最初の一回の露光または組をなす露光のときとは基板Ｗの頂面の形状が同じでなくなる。これは基板の頂面および底面の不正確さおよび支持構造の不正確さの直接的な結果である。これらの相違は、当業者に理解されるように、基板Ｗ上の露光された異なる層どうしの間で誤差の重なりを引き起こす。
【００６７】
従って、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置が二回目において測定され、基板Ｗはピン１８によって基板テーブルＷＴから持上げられる。その後、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置が最初のときと実質的に同じとなるようにチャック１０および基板テーブルＷＴの位置が調整される。これを行うために、短いストロークの位置決め装置（単数または複数）はキャリヤ１４、ピン１８および基板Ｗに対して基板テーブルＷＴ／チャック１０を移動させる。二回目の相対位置が最初のときと同じにされた後、基板Ｗは再び下げられて基板テーブルＷＴにより支持される。これにより基板Ｗは基板テーブルＷＴ／チャック１０に対して最初と同じ相対位置を有することになり、その後に基板テーブルＷＴ／チャック１０が移動され、基板テーブルＷＴ／チャック１０に組付けられた干渉計ミラーが干渉式測定手段に実質的に直角となされる。この方法は次の一回の露光または組をなす露光についても繰返される。
【００６８】
一実施例では、位置誤差はＳＣＳおよびＳＴＣＣＳを整合させる、すなわち２つの座標系の軸線の原点および配向を整合させることで修正することができる。ＳＣＳおよびＳＴＣＣＳを整合させるために、基板Ｗはピン１８によって基板テーブルＷＴから移動され、上述でさらに詳細に説明したようにＳＣＳおよびＳＴＣＣＳが整合するようにチャック１０／基板テーブルＷＴの位置は移動される。
【００６９】
これらのいずれの方法も、基板および支持構造の形状が不正確であるために生じる基板Ｗの二回目の位置誤差は、最初の一回の露光または組をなす露光における誤差と実質的に同じとなる。これらの誤差が実質的に同じであることから、それらの誤差の影響は各々の露光層につき実質的に同じとなる。したがって、誤差の重なりは減少され、または回避される。さらに、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの位置は毎回の露光または組をなす露光において実質的に同じとなるので、チャック１０の位置もまた毎回の露光または組をなす露光において実質的に同じとなる。このことは、最初に行われた干渉式測定手段ＩＦ（単数または複数）によって生じた測定誤差が次の二回目のときに再現され、従って例えば重なり合う誤差が減少されることを意味する。
【００７０】
基板Ｗのこの再度の位置決めは、次の一回の露光または組をなす露光のために基板テーブルＷＴ上に基板が載置される一回おき毎に実施できる。基板テーブルＷＴの位置はＸ方向およびＹ方向（図３）、ならびにＲｚ方向にて調整できる。
【００７１】
従って、基板が最初に基板テーブルＷＴ上に載置されるとき、基板テーブルＷＴ／チャック１０（従って支持構造）に対する基板Ｗの相対位置が測定される。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に載置される一回おき毎に、
基板Ｗをピン１８へ導くこと、
例えばピン１８を降下させて基板Ｗを基板テーブルＷＴへ導くこと、
整合システム２１により基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置を測定すること、
例えば、ピン１８を上昇させて基板Ｗを基板テーブルＷＴから導くこと、
基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置が最初のときの基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置に等しくなるように、基板Ｗに対して基板テーブルＷＴを再位置決めすること、および
例えば、ピン１８を降下させて基板Ｗを基板テーブルＷＴへ導くことが実行される。
【００７２】
本発明の他の実施例によれば、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの位置は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上にあるときは測定されないが、ロボット・アームが基板Ｗをピン１８へ導いたときに測定される。整合システム２１は基板Ｗがピン１８で支持されている間に基板Ｗの位置を基板テーブルＷＴに対するＸ方向、Ｙ方向およびＲｚ方向において決定し、また基板Ｗを基板テーブルＷＴへ導くためのピンの移動前または移動中に基板テーブルＷＴの位置を調整することができる。これは、基板テーブルＷＴの調整の間にピン１８が基板テーブルＷＴに係合しないように、行うべき調整が十分に小さいことを期待されることから、可能である。基板テーブルＷＴは、先の場合と実質的に同じ位置か、または基板Ｗの配向を修正する場合にはＳＴＣおよびＳＴＣＣＳが実質的に整合する位置に、基板Ｗを受入れる。
【００７３】
従って、基板Ｗが最初に基板テーブルＷＴ上に載置されるときには、ピン１８に支持された状態で基板Ｗの基板テーブルＷＴに対する相対位置が測定される。したがって、例えば、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に載置される一回おき毎に、  基板Ｗをピン１８へ導く段階、
整合システム２１により基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置を測定する段階、
基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置が最初のときの基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの相対位置に等しくなるように、基板Ｗに対して基板テーブルＷＴの位置を調整する段階、および
例えば、ピン１８を降下させて基板Ｗを基板テーブルＷＴへ導く段階が実行される。
【００７４】
上述の工程は、ＳＴＣおよびＳＴＣＣＳが実質的に整合される基板Ｗの配向の修正の場合に拡げることもできる。
【００７５】
この実施例は、上述した方法に比べて要求される段階が少ないこと、および基板テーブルＷＴへの基板Ｗの導入が迅速にできることの利点を有する。しかしながら、標準的な整合システム２１は、基板Ｗがピン１８によって支持されているときの基板の位置の測定には適合されない。従って、付加的な、または別の整合システムがピン１８上の基板Ｗの位置を結晶するために備えることができる。
【００７６】
付加的な整合システム４３は図４に示されるように備えることができる。このような付加的な整合システム４３はまた基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの位置を決定するが、比較的粗い精度でしかこれを行うことができない。この付加的な整合システムはより精度の高い第一の整合システム２１の検出範囲内で基板Ｗのマーク１９（単数または複数）を移動させるためにのみ備えられる。これを行うために、付加的な整合システム４３は処理ユニット４０にも連結されている。
【００７７】
付加的な整合システム４３は、マーク１９（単数または複数）の位置を監視するＣＣＤカメラで与えられることができる。しかしながら、当業者に理解されるように、他の整合システム、例えば輪郭測定システムも使用することができる。
【００７８】
本発明の特定の実施例が上述で説明されたが、本発明は説明した以外に実現できることは認識されるであろう。この説明は本発明を制限することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の一実施例によるリトグラフ投影装置のを示す。
【図２】本発明の一実施例による基板ステージの模式的な側面図を示す。
【図３】本発明の一実施例による基板テーブルおよびチャックの模式的な頂面図を示す。
【図４】本発明の他の実施例による基板ステージの模式的な側面図を示す。
【符号の説明】
【００８０】
ＡＭ  調整手段
Ｃ  ターゲット箇所
ＣＯ  コンデンサ
Ｅｘ，ＩＬ  放射系
ＩＦ  干渉式測定手段
ＩＮ  集積光学装置
ＬＡ  放射源
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
Ｍ１，Ｍ２  マスク整合マーク
ＰＢ  放射投影ビーム
ＰＬ  投影系
ＰＭ  第一の位置決め手段
ＰＷ  第二の位置決め手段
Ｐ１，Ｐ２  基板整合マーク
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１  リトグラフ投影装置
９  基板ステージ
１０  チャック
１１  短いストロークの位置決め装置
１２  長いストロークの位置決め装置
１４  キャリヤ
１５  脚
１７  ボツボツの隆起
１８  ピン
１９，２０  マーク
２１  整合システム
４０  処理ユニット
４３  整合システム
【図１】
2005020012.tif 000003
【図２】
2005020012.tif 000004
【図３】
2005020012.tif 000005
【図４】
2005020012.tif 000006