(57)【要約】【課題】  ノイズに対する耐性を向上させた品質のよい半導体装置を提供すること。【解決手段】  この半導体装置は、リードフレーム１と、このリードフレーム１に取り付けられた受光チップ２および制御用ＩＣチップ３と、この受光チップ２および制御用ＩＣチップ３を封止する第１封止部１０と、この第１封止部１０のレンズ部１１の一部を露出した状態で第１封止部１０を覆う第２封止部２０とを備える。この第２封止部２０は、上記レンズ部１１に沿ってこのレンズ部１１の基端側に形成された立上部２１を有しているので、ノイズに対して十分なシールド効果をえられ、ノイズに対する耐性を向上させることができる。【選択図】  図１Ｃ
2005347632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、
このリードフレームに取り付けられた受光素子と、
上記リードフレームに取り付けられると共に上記受光素子に電気的に接続された信号処理部と、
上記受光素子および上記信号処理部を封止すると共にレンズ部を有する透光性樹脂製の第１封止部と、
上記第１封止部の上記レンズ部の一部を露出した状態で上記第１封止部を覆う導電性樹脂製の第２封止部と
を備え、
この第２封止部は、上記レンズ部に沿ってこのレンズ部の基端側に形成された立上部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記レンズ部の光軸方向における上記立上部の長さ寸法は、略０．５ｍｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記第２封止部は、上記立上部から上記レンズ部の先端へ上記レンズ部に沿って伸びている複数の帯部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
上記帯部の側面は、上記帯部の両側面の間隔が上記レンズ部の表面から離れるに従って狭くなるように、テーパ状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置において、
上記帯部の角部は、アール状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置において、
上記レンズ部の表面に垂直な方向における上記帯部の厚み寸法は、略０．４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３に記載の半導体装置において、
上記レンズ部の表面に垂直な方向における上記帯部の厚み寸法は、上記レンズ部の先端側ほど小さくなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記レンズ部と上記立上部との間に、隙間を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、受光素子および信号処理部を有する半導体装置に関し、例えば、ＴＶ(テレビ受像機)、ＶＴＲ(ビデオテープレコーダ)、オーディオ用コンポーネント、エアコンディショナ等の電子機器に取り付けられ、送信機からの赤外線信号を受信して各電子機器の動作を制御する制御信号を発生する光通信用半導体装置に関する。また、この発明は、上記半導体装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光通信用半導体装置は、図８Ａの正面図、図８Ｂの側面図、および、図８Ｃの側面断面図に示すように、リードフレーム１０１と、このリードフレーム１０１に取り付けられた受光チップ１０２および制御用ＩＣチップ１０３と、上記受光チップ１０２および上記制御用ＩＣチップ１０３を封止すると共にレンズ部１１１を有する赤外透過性樹脂製の第１封止部１１０と、上記レンズ部１１１を除いて上記第１封止部１１０を覆う導電性樹脂製の第２封止部１２０とを備える（特開平９−８４１６２号公報：特許文献１参照）。
【０００３】
そして、この従来の光通信用半導体装置は、送信機から赤外線で送られてくる各種電子機器の制御信号を受信する。この赤外線で送られてくる信号は非常に微弱であるので、上記光通信用半導体装置には、高ゲインのアンプが内蔵されており、このアンプで上記赤外線による光信号を増幅し、光信号をデジタル信号に変換して出力している。したがって、上記光通信用半導体装置は、ノイズには非常に敏感である。
【０００４】
そこで、このノイズ対策のために、上記従来の光通信用半導体装置では、上記第１封止部１１０を、受光領域部に相当する上記レンズ部１１１を除いて、上記第２封止部１２０で覆い、この第２封止部１２０を上記リードフレーム１０１のＧＮＤ端子に電気的に接続して、ノイズを除去している。
【０００５】
しかしながら、上記従来の光通信用半導体装置を搭載する電子機器は、種々様々であり、特に電磁波ノイズの強い（ＴＶ等の）電子機器に上記従来の光通信用半導体装置を搭載する場合、上記従来の光通信用半導体装置における上述のノイズ対策だけでは、十分と言えない問題があった。
【特許文献１】特開平９−８４１６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、この発明の課題は、ノイズに対する耐性を向上させた品質のよい半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置は、
リードフレームと、
このリードフレームに取り付けられた受光素子と、
上記リードフレームに取り付けられると共に上記受光素子に電気的に接続された信号処理部と、
上記受光素子および上記信号処理部を封止すると共にレンズ部を有する透光性樹脂製の第１封止部と、
上記第１封止部の上記レンズ部の一部を露出した状態で上記第１封止部を覆う導電性樹脂製の第２封止部と
を備え、
この第２封止部は、上記レンズ部に沿ってこのレンズ部の基端側に形成された立上部を有することを特徴としている。
【０００８】
この発明の半導体装置によれば、上記第２封止部は、上記レンズ部に沿ってこのレンズ部の基端側に形成された立上部を有しているので、電磁波等のノイズに対して十分なシールド効果をえられ、ノイズに対する耐性を向上させることができる。
【０００９】
したがって、ノイズが存在する環境下であっても、ノイズが存在しない場合と比べて、送信機から（赤外光等の）信号光を受信できる半導体装置と送信機との間の距離を大幅に低下することなく、受信効率（受信距離特性）の低減を最小限に抑えることができる。
【００１０】
なお、一例として、上記受光素子で受光する信号光が赤外光である場合には、上記透光性樹脂を赤外透過性樹脂とする。
【００１１】
また、一実施形態の半導体装置では、上記立上部は、上記レンズ部の基端側の周囲に環状に形成されている。
【００１２】
この一実施形態の半導体装置によれば、ノイズに対する特性を一層向上させることができる。
【００１３】
また、一実施形態の半導体装置では、上記立上部は、上記レンズ部の周方向に、複数に分割されている。
【００１４】
また、一実施形態の半導体装置では、上記レンズ部の光軸方向における上記立上部の長さ寸法は、略０．５ｍｍである。
【００１５】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記立上部の長さ寸法は、略０．５ｍｍであるので、ノイズ耐性を向上しつつ、指向角特性の悪化を最小限にすることができる。ここで、この指向角特性とは、上記レンズ部の光軸を０°とし、このレンズ部の光軸に対する信号光の角度が大きくなるにつれて、送信機からの受信可能な距離が低下する特性をいう。
【００１６】
また、一実施形態の半導体装置では、上記第２封止部は、上記立上部から上記レンズ部の先端へ上記レンズ部に沿って伸びている複数の帯部を有している。
【００１７】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記第２封止部は、複数の帯部を有するので、この複数の帯部によってメッシュ部を形成できる。このように、このメッシュ部にて上記レンズ部を覆うことで、ノイズ耐性を一層向上できる。
【００１８】
また、一実施形態の半導体装置では、上記帯部の側面は、上記帯部の両側面の間隔が上記レンズ部の表面から離れるに従って狭くなるように、テーパ状に形成されている。
【００１９】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記帯部の側面は、テーパ状に形成されているので、この半導体装置を金型から離型するときに、上記帯部の欠けや切れをなくすことができて、品質が向上すると共に、安定して生産できる。
【００２０】
また、一実施形態の半導体装置では、上記帯部の角部は、アール状に形成されている。
【００２１】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記帯部の角部は、アール状に形成されているので、この半導体装置を金型から離型するときに、上記帯部の欠けや切れをなくすことができて、品質が向上すると共に、安定して生産できる。
【００２２】
また、一実施形態の半導体装置では、上記レンズ部の表面に垂直な方向における上記帯部の厚み寸法は、略０．４ｍｍ以下である。
【００２３】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記帯部の厚み寸法は、略０．４ｍｍ以下であるので、送信機からの信号光のさえぎりを抑え、受信距離特性（特に指向角特性）の低減を最小限に抑えて、安定した特性を得ることができる。
【００２４】
また、一実施形態の半導体装置では、上記レンズ部の表面に垂直な方向における上記帯部の厚み寸法は、上記レンズ部の先端側ほど小さくなる。
【００２５】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記帯部の厚み寸法は、上記レンズ部の先端側ほど小さくなるので、受信距離特性の低減を最小限に抑えて、安定した特性を得ることができる。
【００２６】
また、一実施形態の半導体装置では、上記レンズ部と上記立上部との間に、隙間を有している。
【００２７】
この一実施形態の半導体装置によれば、上記レンズ部と上記立上部との間に、隙間を有するので、上記レンズ部の受光可能領域が増えることになって、送信機から直接入光する信号光に加えて、送信機からの信号光の乱反射光等の入光も増えるため、全体的に受信光量が増えて、受信距離特性の向上が図れる。
【００２８】
また、この発明の電子機器は、上記半導体装置を備えることを特徴としている。
【００２９】
この発明の電子機器によれば、上記発明の半導体装置を備えるので、ノイズに対して十分なシールド効果をえられ、ノイズに強い電子機器を実現できる。
【発明の効果】
【００３０】
この発明の半導体装置によれば、上記第２封止部は、上記レンズ部に沿ってこのレンズ部の基端側に形成された立上部を有しているので、ノイズに対して十分なシールド効果をえられ、ノイズに対する耐性を向上させることができる。
【００３１】
また、この発明の電子機器によれば、上記半導体装置を備えるので、ノイズに強い電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３３】
（第１の実施形態）
図１Ａ、図１Ｂおよび図１Ｃは、この発明の半導体装置の一実施形態である構成図を示している。図１Ａは正面図を示し、図１Ｂは側面図を示し、図１Ｃは側面断面図を示す。この半導体装置は、リードフレーム１と、このリードフレーム１に取り付けられた（受光素子の一例である）受光チップ２と、上記リードフレーム１に取り付けられると共に上記受光チップ２に電気的に接続された（信号処理部の一例である）制御用ＩＣチップ３と、上記受光チップ２および上記制御用ＩＣチップ３を封止すると共にレンズ部１１を有する透光性樹脂製の第１封止部１０と、上記レンズ部１１の一部を露出した状態で上記第１封止部１０を覆う導電性樹脂製の第２封止部２０とを備える。
【００３４】
上記リードフレーム１は、信号用の第１リード１ａと電源用の第２リード１ｂとグランド接続用の第３リード１ｃとを有する。上記受光チップ２は、例えば、フォトダイオードまたはフォトトランジスタ等で構成される。上記制御用ＩＣチップ３は、高ゲインのアンプを内蔵している。
【００３５】
上記受光チップ２と上記制御用ＩＣチップ３とは、導電性ワイヤで接続され、上記受光チップ３は、導電性ワイヤで上記第３リード１ｃに接続されている。また、上記制御用ＩＣチップ３は、導電性ワイヤで、第１リード１ａ、第２リード１ｂおよび第３リード１ｃのそれぞれに接続されている。
【００３６】
上記第１封止部１０は、赤外透過性樹脂等の透光性樹脂で作製されており、上記リードフレーム１と上記受光チップ２および上記制御用ＩＣチップ３とを一体に固定している。上記第１封止部１０のレンズ部１１は、上記受光チップ２の受光面に赤外光等の信号光を導くための凸湾曲面を有し、この半導体装置の受光領域部に相当する。
【００３７】
上記第２封止部２０は、上記レンズ部１１に沿って上記レンズ部１１の基端側に形成された立上部２１を有する。この立上部２１は、上記レンズ部１１の基端側の周囲に環状に形成されている。
【００３８】
上記構成の半導体装置では、上記レンズ部１１の凸湾曲面に、信号光が入射すると、この信号光は、上記受光チップ２の受光面に導かれる。すると、上記受光チップ２は、上記信号光を電気信号に変換し、この電気信号を上記制御用ＩＣチップ３に出力する。すると、この制御用ＩＣチップ３は、上記電気信号に対して所定の信号処理を行った出力信号を上記第１リード１ａに出力する。
【００３９】
また、上記制御用ＩＣチップ３は、上記第２リード１ｂを介して、基板(図示せず)の電源に接続されて、この電源から電力が供給される。上記制御用ＩＣチップ３は、上記第３リード１ｃを介して、上記基板のＧＮＤ(グランド)端子に接続される。
【００４０】
また、上記第２封止部２０は、上記第３リード１ｃに接続されている。したがって、この半導体装置を上記基板に実装し、上記第３リード１ｃを上記ＧＮＤ端子に接続すれば、上記第２封止部２０は、上記第１封止部１０で封止された上記受光チップ２および上記制御用ＩＣチップ３に対する電磁波シールドの役割を果たす。
【００４１】
上記構成の半導体装置によれば、上記第２封止部２０は、上記レンズ部１１に沿ってこのレンズ部１１の基端側に形成された上記立上部２１を有しているので、電磁波等のノイズに対して十分なシールド効果をえられ、ノイズに対する耐性を向上させることができる。
【００４２】
したがって、特に電磁波ノイズの強い（ＴＶ等の）電子機器に上記構成の半導体装置を搭載しても、ノイズが存在しない場合と比べて、送信機から信号光を受信できる距離を大幅に低下することなく、受信効率（受信距離特性）の低減を最小限に抑えることができる。
【００４３】
次に、図２に、電磁波ノイズ影響化での半導体装置の受信距離の影響を調べたグラフ図を示す。横軸は、（ノイズ発生源である）ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離［ｍｍ］を示し、縦軸は、相対受信距離［％］を示す。ここで、相対受信距離とは、ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離が∞（１０００ｍｍ）であるときの、送信機からの信号光を受信できる半導体装置と送信機との距離を１００％としたときの、相対比較をいう。
【００４４】
図２に示すように、ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離が近いほど、相対受信距離が低下しており、電磁波ノイズの影響を強くうけていることがわかる。また、半導体装置に上記立上部がある場合が、半導体装置に上記立上部がない場合に比べて、受信距離が飛んでおり、ノイズに対して耐性が上がっていることがわかる。
【００４５】
このように、本発明では、受光領域である上記レンズ部１１に沿って上記立上部２１を設けることにより、ノイズ耐性をあげている。
【００４６】
次に、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、上記レンズ部１１の光軸１１ａ方向における上記立上部２１の長さ寸法Ｌは、略０．５ｍｍであることが好ましく、ノイズ耐性を向上しつつ、指向角特性の悪化を最小限にすることができる。ここで、この指向角特性とは、上記レンズ部１１の光軸１１ａを０°とし、このレンズ部１１の光軸１１ａに対する信号光の角度が大きくなるにつれて、送信機からの受信可能な距離が低下する特性をいう。
【００４７】
図３に、電磁波ノイズ影響化での半導体装置の受信距離の影響を調べたグラフ図を示す。横軸は、（ノイズ発生源である）ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離［ｍｍ］を示し、縦軸は、相対受信距離［％］を示す。ここで、相対受信距離とは、ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離が∞（１０００ｍｍ）であるときの、送信機からの信号光を受信できる半導体装置と送信機との距離を１００％としたときの、相対比較をいう。
【００４８】
図４に、送信機から半導体装置への信号光の指向角度と半導体装置の受信距離との関係を調べたグラフ図を示す。横軸は、指向角度［°］を示し、縦軸は、相対受信距離［％］を示す。ここで、指向角度とは、上記レンズ部１１の光軸１１ａを０°とし、このレンズ部１１の光軸１１ａに対する信号光の角度をいう。また、相対受信距離とは、指向角度が０°であるときの、送信機からの信号光を受信できる半導体装置と送信機との距離を１００％としたときの、相対比較をいう。
【００４９】
図３に示すように、ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離が近いほど、相対受信距離が低下しており、電磁波ノイズの影響を強くうけていることがわかる。また、半導体装置に上記立上部がある場合が、半導体装置に上記立上部がない場合に比べて、受信距離が飛んでおり、ノイズに対して耐性が上がっていることがわかる。また、上記立上部の長さ寸法が０．５ｍｍである場合が、上記立上部の長さ寸法が０．３ｍｍである場合に比べて、相対受信距離が大きく、ノイズ耐性が向上していることがわかる。
【００５０】
図４に示すように、指向角度が大きいほど、相対受信距離が低下していることがわかる。また、半導体装置に上記立上部がない場合が、半導体装置に上記立上部がある場合に比べて、相対受信距離が向上していることがわかる。また、上記立上部の長さ寸法が０．３ｍｍである場合が、上記立上部の長さ寸法が０．５ｍｍである場合に比べて、相対受信距離が向上していることがわかる。
【００５１】
したがって、図３と図４に示すように、半導体装置に上記立上部を設けた方が、受信距離が飛んでおり、ノイズに対して耐性が上がるが、反対に、指向角特性は悪化することがわかる。また、指向角度４５°で、直線光量（指向角度０°の光量）の半分の光量を確保しようとする場合、上記立上部の長さ寸法は、０．５mm以下にする必要がある。
【００５２】
このように、本発明では、受光領域である上記レンズ部１１に沿って上記立上部２１を設けることにより、ノイズ耐性をあげ、かつ、指向角特性の悪化を最小限にするために、上記立上部２１の長さ寸法Ｌを０．５ｍｍにしている。
【００５３】
（第２の実施形態）
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃおよび図５Ｄは、この発明の他の実施形態を示している。図５Ａは正面図を示し、図５Ｂは側面図を示し、図５Ｃは平面図を示し、図５Ｄは底面図を示す。なお、この第２の実施形態において、上記第１の実施形態と同一の部分には、同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
【００５４】
すなわち、この第２の実施形態の半導体装置では、上記第２封止部２０は、上記立上部２１から上記レンズ部１１の先端（頂点）へ上記レンズ部１１に沿って伸びている複数（この実施形態では４つ）の帯部２２を有する。
【００５５】
このように、上記複数の帯部２２によってメッシュ部２３を形成し、このメッシュ部２３にて上記レンズ部１１を覆うことで、ノイズ耐性を一層向上できる。
【００５６】
図６に、電磁波ノイズ影響化での半導体装置の受信距離の影響を調べたグラフ図を示す。横軸は、（ノイズ発生源である）ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離［ｍｍ］を示し、縦軸は、相対受信距離［％］を示す。ここで、相対受信距離とは、ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離が∞（１０００ｍｍ）であるときの、送信機からの信号光を受信できる半導体装置と送信機との距離を１００％としたときの、相対比較をいう。
【００５７】
図６に示すように、ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離が近いほど、相対受信距離が低下しており、電磁波ノイズの影響を強くうけていることがわかる。また、半導体装置に上記メッシュ部がある場合が、半導体装置に上記メッシュ部がない場合に比べて、受信距離が飛んでおり、ノイズに対して耐性が上がっていることがわかる。
【００５８】
このように、本発明では、受光領域である上記レンズ部１１を上記メッシュ部２３にて覆うことにより、ノイズ耐性をあげている。
【００５９】
次に、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、上記帯部２２の側面２２ａは、上記帯部２２の両側面２２ａ，２２ａの間隔が上記レンズ部１１の表面から離れるに従って狭くなるように、テーパ状に形成されている。上記帯部２２の両側面２２ａ，２２ａの傾斜角度θは、例えば３°である。図７Ａは、図５ＡのＡ−Ａ矢視図であり、図７Ｂは、図５ＡのＢ−Ｂ断面図である。
【００６０】
このように、上記帯部２２の側面２２ａは、テーパ状に形成されているので、この半導体装置を金型から離型するときに、上記帯部２２の欠けや切れをなくすことができて、品質が向上すると共に、安定して生産できる。
【００６１】
また、上記帯部２２の角部２２ｂは、アール状に形成されている。したがって、この半導体装置を金型から離型するときに、上記帯部２２の欠けや切れをなくすことができて、品質が向上すると共に、安定して生産できる。
【００６２】
また、上記レンズ部１１の表面に垂直な方向における上記帯部２２の厚み寸法Ｔは、略０．４ｍｍ以下であることが好ましく、送信機からの信号光のさえぎりを抑え、受信距離特性（特に指向角特性）の低減を最小限に抑えて、安定した特性を得ることができる。
【００６３】
また、上記レンズ部１１の表面に垂直な方向における上記帯部２２の厚み寸法Ｔは、上記レンズ部１１の先端側ほど小さくなることが好ましく、受信距離特性の低減を最小限に抑えて、安定した特性を得ることができる。
【００６４】
また、上記レンズ部１１と上記立上部２１との間に、隙間を有するのが好ましく、上記レンズ部１１の受光可能領域が増えることになって、送信機から直接入光する信号光に加えて、送信機からの信号光の乱反射光等の入光も増えるため、全体的に受信光量が増えて、受信距離特性の向上が図れる。
【００６５】
（第３の実施形態）
図示しないが、この発明の電子機器は、上記第１の実施形態または上記第２の実施形態の半導体装置を備えている。この発明の電子機器によれば、上記発明の半導体装置を備えるので、ノイズに対して十分なシールド効果をえられ、ノイズに強い電子機器を実現できる。この電子機器としては、例えば、テレビ受像機、ビデオテープレコーダ、オーディオ用コンポーネント、エアコンディショナ等の赤外光を信号光として用いて遠隔制御される機器が挙げられる。
【００６６】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、上記立上部は、上記レンズ部の周方向に、複数に分割されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１Ａ】本発明の半導体装置の第１実施形態を示す正面図である。
【図１Ｂ】本発明の半導体装置の第１実施形態を示す側面図である。
【図１Ｃ】本発明の半導体装置の第１実施形態を示す側面断面図である。
【図２】ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離と相対受信距離との関係を示すグラフ図である。
【図３】ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離と相対受信距離との関係を示すグラフ図である。
【図４】指向角度と相対受信距離との関係を示すグラフ図である。
【図５Ａ】本発明の半導体装置の第２実施形態を示す正面図である。
【図５Ｂ】本発明の半導体装置の第２実施形態を示す側面図である。
【図５Ｃ】本発明の半導体装置の第２実施形態を示す平面図である。
【図５Ｄ】本発明の半導体装置の第２実施形態を示す底面図である。
【図６】ＴＶブラウン管から半導体装置までの距離と相対受信距離との関係を示すグラフ図である。
【図７Ａ】図５ＡのＡ−Ａ矢視図である。
【図７Ｂ】図５ＡのＢ−Ｂ断面図である。
【図８Ａ】従来の半導体装置を示す正面図である。
【図８Ｂ】従来の半導体装置を示す側面図である。
【図８Ｃ】従来の半導体装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１    リードフレーム
２    受光チップ（受光素子）
３    制御用ＩＣチップ（信号処理部）
１０  （透光性樹脂製の）第１封止部
１１  レンズ部
２０  （導電性樹脂製の）第２封止部
２１  立上部
２２  帯部
２２ａ  側面
２２ｂ  角部
２３  メッシュ部
Ｌ    長さ寸法
Ｔ    厚み寸法
【図１Ａ】
2005347632.tif 000003
【図１Ｂ】
2005347632.tif 000004
【図１Ｃ】
2005347632.tif 000005
【図２】
2005347632.tif 000006
【図３】
2005347632.tif 000007
【図４】
2005347632.tif 000008
【図５Ａ】
2005347632.tif 000009
【図５Ｂ】
2005347632.tif 000010
【図５Ｃ】
2005347632.tif 000011
【図５Ｄ】
2005347632.tif 000012
【図６】
2005347632.tif 000013
【図７Ａ】
2005347632.tif 000014
【図７Ｂ】
2005347632.tif 000015
【図８Ａ】
2005347632.tif 000016
【図８Ｂ】
2005347632.tif 000017
【図８Ｃ】
2005347632.tif 000018