(57)【要約】【課題】  半導体装置の納期を短縮する。【解決手段】  成型金型８の上型８Ｂに、上型８Ｂの外側表面からキャビティに貫通する開口部８Ｂ２を設け、その開口部８Ｂ２に可動キャビティ駒８Ｃを上下動可能な状態で嵌め合わせて設置した。モールド工程においては、可動キャビティ駒８Ｃの下面の高さを一括封止体９の厚さに応じて調節した後、キャビティ内に封止樹脂を注入することにより、一括封止体９の厚さの変更に容易にかつ短時間で対応できるようにした。また、成型後は、可動キャビティ駒８Ｃを上昇させ一括封止体９から離すことで離型するようにした。【選択図】  図１０
2005150350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板を用意する工程、
（ｂ）前記基板に半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記半導体チップが搭載された基板を成型金型の下型の成型面に載置する工程、
（ｄ）前記基板を前記成型金型の下型と上型とで挟み込むように保持する工程、
（ｅ）前記成型金型のキャビティに封止用樹脂を充填し封止体を形成する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後の前記基板を前記成型金型から離型する工程を有し、
前記上型は、前記上型の外側表面から前記キャビティに貫通する開口部と、前記上型の成型面に対して交差する方向に移動可能な状態で前記開口部に嵌め込まれた可動ブロックとを備え、
前記可動ブロックの下面は、前記基板の製品領域の大きさ以上で、かつ、前記キャビティの上面よりも小さい大きさであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記封止体の上面の外周部の内側には凸部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記封止体の上面の外周部の内側には凹部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記可動ブロックの移動量を調節するブロックを、前記成型金型の前記キャビティの外部に着脱自在の状態で設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程は、前記封止体の前記製品領域の外周部と前記基板とを前記上型および下型により挟んだ状態で、前記可動ブロックを上昇させて前記封止体から離す工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程に先立って、前記封止体に要求される厚さに応じて、前記可動ブロックの移動量を調整する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）複数の単位製品領域が配置された製品領域を有する基板を用意する工程、
（ｂ）前記複数の単位製品領域の各々に半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記複数の半導体チップが搭載された基板を成型金型の下型の成型面に載置する工程、
（ｄ）前記基板を前記成型金型の下型と上型とで挟み込むように保持する工程、
（ｅ）前記成型金型のキャビティに封止用樹脂を充填し、前記製品領域の複数の半導体チップを一括して封止する一括封止体を形成する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後の前記基板を前記成型金型から離型する工程を有し、
前記上型は、前記上型の外側表面から前記キャビティに貫通する開口部と、前記上型の成型面に対して交差する方向に移動可能な状態で前記開口部に嵌め込まれた可動ブロックとを備え、
前記可動ブロックの下面は、前記基板の製品領域の大きさ以上で、かつ、前記キャビティの上面よりも小さい大きさであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記一括封止体の上面の外周部の内側には凸部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記一括封止体の上面の外周部の内側には凹部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記可動ブロックの移動量を調節するブロックを、前記成型金型の前記キャビティの外部に着脱自在の状態で設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程後、前記一括封止体および基板を前記複数の単位製品領域毎に切断する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程後、前記基板の裏面にバンプ電極を形成した後、前記一括封止体および基板を前記複数の単位製品領域毎に切断する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程は、前記一括封止体の前記製品領域の外周部と前記基板とを前記上型および下型により挟んだ状態で、前記可動ブロックを上昇させて前記一括封止体から離す工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程に先立って、前記製品領域の一括封止体に要求される厚さに応じて、前記可動ブロックの移動量を調整する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、配線基板上に搭載された半導体チップ等のような電子部品を樹脂により封止するモールド技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置のモールド工程では、半導体装置の品種の多様化等に伴い、半導体チップを封止する樹脂封止体の厚さや半導体チップを搭載する配線基板の厚さが変動することから、それらの厚さの変動に応じて樹脂封止体を成型する成型金型も変えざるを得ず、半導体装置の開発コストや製造コストが増大するとともに、半導体装置の開発期間が長くなるという問題が生じている。このような問題の対策案として、例えば特開２０００−２８６２７８号公報には、成型金型の下金型のキャビティの底面に、密着し、かつ、着脱可能な着脱ブロックを設け、その着脱ブロックの交換により、樹脂封止体の厚さの変更に対応する技術が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８６２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、上記のようにキャビティ内に着脱ブロックを設ける技術では、半導体装置の樹脂封止体の厚さの変更のたびに成型金型を分解し、着脱ブロックを交換しなければならないので、その作業は手間と時間のかかる面倒な作業となる結果、半導体装置の開発期間や製造時間が延び、半導体装置の納期の短縮を阻害する、という問題がある。
【０００４】
本発明の目的は、半導体装置の納期を短縮することのできる技術を提供することにある。
【０００５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００７】
すなわち、本発明は、成型金型のキャビティに封止用樹脂を充填し封止体を形成する工程に先立って、前記封止体に要求される厚さに応じて、前記成型金型の上型に形成された開口部に前記上型の成型面に対して交差する方向に移動可能な状態で設置された可動ブロックの移動量を調整する工程を有するものである。
【０００８】
また、本発明は、成型金型のキャビティに封止用樹脂を充填し封止体を形成した後、前記封止体を成型金型から離型する工程において、前記封止体の製品領域の外周部と前記封止体が形成された基板とを前記成型金型の上型および下型により挟んだ状態で、前記上型に形成された開口部に前記上型の成型面に対して交差する方向に移動可能な状態で設置された可動ブロックを上昇させて前記封止体から離す工程を有するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１０】
すなわち、半導体装置の樹脂封止体の厚さの変更に対して容易にかつ短時間で対応できるので、半導体装置の納期を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、例えば配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して封止するＭＡＰ（Mold Array Package）方式の半導体装置の製造方法に本発明を適用した場合について図１〜図１９により説明する。
【００１３】
まず、図１〜図３に示す配線基板母体（基板：以下、基板母体という）１を用意する。図１は基板母体１の部品搭載面の全体平面図、図２は図１の基板母体１の側面図、図３は図１のＸ１−Ｘ１線の拡大断面図をそれぞれ示している。
【００１４】
基板母体１は、後述の半導体装置の配線基板の母体であり、その外観は、例えば平面長方形の薄板状とされている。基板母体１は、主面とその反対側の裏面とを有している。基板母体１の主面は、後述のように半導体チップ（以下、チップという）が搭載される部品搭載面であり、基板母体１の裏面は、後述のようにバンプ電極が形成されるバンプ電極形成面である。この基板母体１には、製品領域ＤＲが配置されている。製品領域ＤＲには、同一の寸法および形状の複数の単位製品領域ＤＲ１が図１の上下左右方向に隣接して配置されている。各単位製品領域ＤＲ１は、１つの半導体装置を構成するのに必要な配線基板構成を有する単位領域である。このような基板母体１の外周の一方の長辺近傍には、基板母体１の主裏面を貫通する複数のガイドホールＧＨが形成されている。このガイドホールＧＨに、後述の成型金型のガイドピンが挿入されることで、基板母体１を下型との位置を合わせた状態で下型上に載置することが可能になっている。
【００１５】
この基板母体１は、多層配線構造を有している。図３では４層配線構成を例示している。図３において基板母体１の上面は上記部品搭載面を示し、基板母体１の下面は上記バンプ電極形成面を示している。基板母体１は、絶縁基材（コア材）２および配線層３を交互に積み重ねることで形成された積層体と、その積層体の上下面（部品搭載面およびバンプ電極形成面）に被着されたソルダレジスト４とを有している。絶縁基材２は、例えば耐熱性の高いガラス・エポキシ樹脂からなる。絶縁基材２の材料は、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばＢＴレジンまたはアラミド不織布材等を用いても良い。絶縁基材２の材料としてＢＴレジンを選択した場合には、熱伝導性が高いので、放熱性を向上させることができる。
【００１６】
基板母体１の各配線層３には各種の導体パターン３ａ〜３ｅが形成されている。導体パターン３ａ〜３ｅは、例えば銅（Ｃｕ）箔をエッチングすることによりパターニングされている。部品搭載面の配線層３の導体パターン３ａはチップ搭載用のパターンであり、導体パターン３ｂはボンディングワイヤが接続される電極パターンであり、導体パターン３ｅは後述の封止用の樹脂の剥離を容易にするためのパターンである。部品搭載面の配線層３には、この他、信号配線や電源配線用の導体パターンが形成されている。部品搭載面の導体パターン３ａ，３ｂ，３ｅ等の一部は、ソルダレジスト４から露出されており、その露出表面には、例えばニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）メッキ処理が施されている。バンプ電極形成面の配線層３の導体パターン３ｄは、バンプ電極接合用の電極パターンである。バンプ電極形成面の配線層３にも、この他、信号配線や電源配線用の導体パターンが形成されている。バンプ電極形成面の導体パターン３ｄ等の一部も、ソルダレジスト４から露出されており、その露出表面には、例えばニッケルおよび金メッキ処理が施されている。上記積層体中の配線層３の導体パターン３ｃは、信号および電源用の配線パターンである。各配線層３はスルーホールＴＨ内の導体（銅箔等）を通じて電気的に接続されている。上記ソルダレジスト４は、ソルダマスク（solder mask）またはストップオフ（stop-off）とも呼ばれ、半田付けの時に、半田付け不要な導体パターンに溶融半田が接触することを防ぎ、半田付け部以外の導体パターンを溶融半田から保護する保護膜としての機能を有する他、導体間の半田ブリッジの防止、汚染や湿気からの保護、損傷防止、耐環境性、マイグレーション防止、回路間の絶縁の維持および回路と他の部品（チップやプリント配線基板等）との短絡防止の機能等も有している。このソルダレジスト４は、例えばポリイミド系樹脂からなり、基板母体１の主面および裏面の特定領域に形成されている。
【００１７】
ここでは、４層配線構造の基板母体１を例示したが、これに限定されるものではなく、半導体装置のモールド工程には、４層より少ない２層配線構造の基板母体１や４層より多い６層配線構造の基板母体１等、種々な配線層構成（様々な品種）の基板母体１がロット単位で流れてくる。配線層数（品種）が変われば基板母体１の厚さも変わる（現状は、例えば２１０〜１０００μｍ程度の範囲で変わる）上、基板母体１が多層配線構造の場合、配線層数が同じでも誤差の範囲で基板母体１の厚さが変わる（現状は、例えば±３０μｍ程度の範囲で変わる）。特に、近年は、配線層の多層化が進められているが、多層化に伴い、厚さの誤差も大きくなっている。したがって、モールド工程では、基板母体１の厚さの変更に如何にして柔軟に対応するかが重要な課題となっている。
【００１８】
続いて、図４および図５に示すように、基板母体１の部品搭載面の各単位製品領域ＤＲ１に、例えば銀入りペースト等のような接着剤を使ってチップ６を搭載する。チップ６の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば１００μｍ程度またはそれ以下である。続いて、例えば超音波振動と熱圧着とを併用した周知のワイヤボンダを用いて、チップ６のボンディングパッドと、基板母体１の部品搭載面の導体パターン３ｂとを、例えば金からなるボンディングワイヤ７により電気的に接続する。図４はワイヤボンディング工程後の基板母体１の部品搭載面を示す全体平面図、図５は図４の基板母体１の側面図をそれぞれ示している。ここでは、各単位製品領域ＤＲ１に１つのチップ６を搭載する場合を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば各単位製品領域ＤＲ１に複数のチップ６を並べて搭載したり、各単位製品領域ＤＲ１に複数のチップ６を積層した積層チップを搭載したりする場合もある。半導体装置のモールド工程には、チップ６の厚さやボンディングワイヤ７の高さが異なる様々な基板母体１が流れてくる他、１つのチップ６が搭載されている基板母体１や上記積層チップが搭載されている基板母体１が流れてくる場合がある。このため、その変化に応じてチップ６を封止する後述の封止体の厚さも変えなければならない場合がある。したがって、モールド工程では、上記のような基板母体１の厚さの変更への対応のみならず、封止体の厚さの変更に如何に柔軟に対応するかが重要な課題となっている。
【００１９】
続いて、図６に示すように、前記ワイヤボンディング工程後の基板母体１を成形金型８に搬送し成型金型８の下型８Ａ上に載置する。この時、基板母体１のガイドホールＧＨに下型８Ａのガイドピンを挿入することで、下型８Ａに対する基板母体１の位置を合わせる。本実施の形態１の成型金型８は、下型（第１金型）８Ａと、上型（第２金型）８Ｂと、可動キャビティ駒（可動ブロック）８Ｃとを有している。上型８Ｂの成型面（モールド面：下型８Ａに対向する面）の凹部は、上型キャビティ８Ｂ１である。この上型キャビティ８Ｂ１は、上型８Ｂ側の封止樹脂成型領域であり、基板母体１の複数のチップ６を一括して封止可能なような大きさで形成されている。ここで本実施の形態１では、便宜上、上型８Ｂの表面において上型キャビティ８Ｂ１以外の表面をキャビティ外表面といい、そのキャビティ外表面のうち、下型８Ａに対向する面を下型対向表面といい、その下型対向表面とは反対側の表面を外側表面という。上記上型８Ｂには、上記外側表面と上型キャビティ８Ｂ１とを貫通する開口部８Ｂ２が形成されている。この開口部８Ｂ２には、上記可動キャビティ駒８Ｃが上記下型対向表面（成型面）に対して直交する矢印Ａの方向に移動可能な状態で嵌め合わされている。可動キャビティ駒８Ｃは、上型８Ｂ側のキャビティの深さ、すなわち、上記封止体の厚さを設定する構成要素であり、上型８Ｂにおける実質的なキャビティは、上記上型キャビティ８Ｂ１と、上記可動キャビティ駒８Ｃとで形成される。この可動キャビティ駒８Ｃの下面（成型面：下型８Ａに対向する面）の大きさは、上記製品領域ＤＲと同じかそれ以上の大きさで、上記上型キャビティ８Ｂ１の凹部底面（キャビティの上面）の外周よりも小さな大きさとされている。なお、成型金型８の詳細な構成例については後述する。
【００２０】
次に、この成型金型８を用いたモールド工程について説明する。まず、下型８Ａの温度を、例えば１７５〜１８０℃程度に設定したまま基板母体１に対して２０秒程度のプリヒート処理を施す。この処理は、熱による基板母体１の変形を落ち着かせる等のために行う。続いて、図７に示すように、可動キャビティ駒８Ｃを矢印Ａ１の方向に上昇させて上型８Ｂの実質的なキャビティを形成する。この時、本実施の形態１では、この可動キャビティ駒８Ｃの上下動の長さを調節することにより、上記封止体の厚さを所望の厚さに設定することができる。現在は封止体の厚さが変わる度毎に金型を作成しているため、封止体の厚さの変更に対処するための作業は時間と労力のかかる面倒な作業となっている。これに対して、本実施の形態１では封止体の厚さの変更に対して可動キャビティ駒８Ｃの上下動の長さを調節するたでけ対応できるので、封止体の厚さの変更に容易にかつ短時間で対応できる。したがって、半導体装置の納期を短縮することができる。また、本実施の形態１では、上記封止体の厚さの形成精度を向上させることができる。可動キャビティ駒８Ｃの無い通常の成型金型の場合、封止体の厚さの形成精度は金型の加工精度で決まりその誤差の範囲は±２０μｍ程度となる。これに対して本実施の形態１では、封止体の厚さの誤差の範囲を±５μｍ以下にすることができる。したがって、封止体の厚さの形成精度を向上させることができる。さらに、本実施の形態１では、封止体の厚さの変更に対して１台の成型金型で対応できる。すなわち、封止体の厚さの変更時に新たな金型を購入する必要が無くなるので治工具費用を低減できる。また、既存のモールド設備を使用できるので、設備投資を低減できる。したがって、半導体装置の開発コストおよび製造コストを低減できる。ここでは、可動キャビティ駒８Ｃの下面の位置を、上型キャビティ８Ｂ１の凹部底面の位置よりも高い位置にした場合が例示されている。その後、図８に示すように、上型８Ｂと下型８Ａとで基板母体１を挟み込むようにして保持する。この時、基板母体１の外周部は、上型８Ｂのキャビティ８Ｂ１の外周部の上記下型対向表面に押し付けられ、基板母体１の総厚の５％程度潰された状態とされる。このようにして、上型キャビティ８Ｂ１と、可動キャビティ駒８Ｃと、基板母体１とで囲まれるキャビティＣＢを形成する。
【００２１】
次いで、上記温度を維持したまま、キャビティＣＢ内に、例えばエポキシ系樹脂等のような熱硬化性の封止樹脂を流し込み、基板母体１の主面の複数のチップ６およびボンディングワイヤ７等を一括して封止する。これにより、図９に示すように、基板母体１の主面側に複数のチップ６を内包する一括封止体９を成型する。ここで図面を見易くするため一括封止体９にハッチングを付す。続いて、封止樹脂のキュアが完了した後、一括封止体９が成型された基板母体１を成型金型８から離型する。この時、本実施の形態１では、まず、図１０に示すように、上記下型８Ａの温度を上記のままにし、かつ、下型８Ａおよび上型８Ｂを固定した状態（すなわち、成型金型８を閉じた状態）で、可動キャビティ駒８Ｃを矢印Ａ１の方向に上昇させて、可動キャビティ駒８Ｃの下面を一括封止体９から離す。この時、上型８Ｂが基板母体１の部品搭載面の外周部および一括封止体９の上面の外周部（肩部）９ａをしっかりとバランス良く押さえ付けているので、一括封止体９に損傷を与えること無く容易に、可動キャビティ駒８Ｃを一括封止体９から剥離することができる。すなわち、上型８Ｂと一括封止体９との離型性を向上させることができる。また、一括封止体９の離型に際して、離型のための力がチップ６に対して直接加わらないため、チップクラック不良を防止でき、半導体装置の歩留りおよび信頼性を向上させることができる。続いて、図１１に示すように、下型８Ａと上型８Ｂとを互いに離間させるとともに、可動キャビティ駒８Ｃを矢印Ａ２の方向に押し下げ、基板母体１を上型キャビティ８Ｂ１の外方に押し出す。これにより、図１２に示すように、基板母体１を上型８Ｂから完全に離型する。図１３は上記離型後の基板母体１の斜視図、図１４は図１３の基板母体１の部品搭載面側の全体平面図をそれぞれ示している。ここでは、一括封止体９の上面中央に、上記外周部９ａよりも上側に凸となるような凸部９ｂが形成されている。凸部９ｂの平面の大きさは、上記製品領域ＤＲと同じか、それよりも若干大きい程度とされている。凸部９ｂの上面は平坦になっている。
【００２２】
次に、半田バンプ接続工程について説明する。まず、図１５に示すように、バンプ保持ツール１１に保持された複数の球状の半田バンプ１２をフラックス槽に浸漬して、半田バンプ１２の表面にフラックスを塗布した後、その複数の半田バンプ１２をフラックスの粘着力を利用して基板母体１のバンプ電極形成面の導体パターン３ｄに同時に仮付けする。上記半田バンプ１２は、例えば鉛（Ｐｂ）／錫（Ｓｎ）半田からなる。半田バンプ１２の材料として、例えば錫／銀（Ａｇ）系半田等のような鉛フリー半田を用いても良い。半田バンプ１２は、１個分の単位製品領域ＤＲ１毎に一括接続しても良いが、半田バンプ接続工程のスループットを向上させる観点からは、複数の単位製品領域ＤＲ１の半田バンプ１２を一括して接続する方が好ましい。続いて、半田バンプ１２を、例えば２２０℃程度の温度で加熱リフローすることで導体パターン３ｄに固着させて、図１６に示すように、バンプ電極１２Ａを形成する。その後、基板母体１の表面に残されたフラックス残渣等を中性洗剤等を使って除去することで、半田バンプ接続工程が完了する。
【００２３】
次に、基板母体１を裏返し、基板母体１の部品搭載面側の一括封止体９を粘着テープ等で固定する。本実施の形態１では、粘着テープ等が貼り付けられる一括封止体９の上面に段差が形成されているものの、その上面の大半を占める凸部９ｂの上面は段差が無く平坦なので、粘着テープ等によりしっかりと固定することができる。続いて、図１７に示すように、ダイシングと同じ要領で、基板母体１の裏面からダイシングブレード１４を使って基板母体１および一括封止体９を切断する。これにより、図１８および図１９に示すように、例えばＣＳＰ（Chip Size Package）型の複数個の半導体装置１６を同時に取得する。図１８は半導体装置１６の一例の斜視図、図１９は図１８の半導体装置１６の一部を破断して示した側面図である。配線基板１Ａは、上記基板母体１を切断することで得られた部材である。配線基板１Ａの部品搭載面の導体パターン３ａ上には上記銀入りペースト等のような接着剤１７によりチップ６が主面を上に向けた状態で搭載されている。チップ６の主面上の上記ボンディングパッドＢＰは、上記ボンディングワイヤ７を通じて配線基板１Ａの部品搭載面の導体パターン３ｂと電気的に接続されている。配線基板１Ａの部品搭載面には封止体９Ｕが成型されており、この封止体９Ｕにより上記チップ６やボンディングワイヤ７が封止されている。この封止体９Ｕは、上記一括封止体９を切断することで得られた部材であり、その厚さは、例えば５００μｍ程度またはそれ以下である。一方、配線基板１Ａのバンプ電極形成面の導体パターン３ｄにはバンプ電極１２Ａが接続されている。上記部品搭載面の導体パターン３ａ等は、配線基板１Ａの導体パターン３ｃおよびスルーホールＴＨを通じてバンプ電極形成面の導体パターン３ｄおよびバンプ電極１２Ａと電気的に接続されている。
【００２４】
次に、上記成型金型８を有するモールド装置の一例について説明する。
【００２５】
図２０は自動モールド装置２０の一例の説明図を示している。自動モールド装置２０は、タブレット整列部２１、タブレットパーツフィーダ２２、基板ローダ２３、基板整列部２４、搬入搬送部２５ａ、成型金型８、ゲートブレイク部２６、搬出搬送部２５ｂおよびアンローダ２７を有している。上記ワイヤボンディング工程後の成型前の基板母体１は、基板ローダ２３を通じて自動モールド装置２０内に収容され、基板整列部２４で整列された後、搬入搬送部２５ａを介して成型金型８の下型に載置される。成型金型８でモールド工程を経た基板母体１は、ゲートブレイク部２６で、封止樹脂注入口の樹脂残りを除去後、搬出搬送部２５ｂを通じてアンローダ２７に搬送され外部に取り出される。上記基板ローダ２３、基板整列部２４または搬入搬送部２５ａでは、基板母体１の厚さを測定することが可能となっている。基板母体１の厚さは、基板母体１を平らにした状態で、基板母体１主面の４〜１０箇所での基板母体１の厚さを機械的または光学的に測定した後、その複数の測定値を平均することで算出される。
【００２６】
次に、自動モールド装置２０の成型金型８の構成の一例を図２１〜図３２により説明する。図２１は下型８Ａと上型８Ｂとを重ねて示した平面図、図２２は下型８Ａの成型面の平面図、図２３は図２２の下型８Ａの成型面に基板母体１を載置した時の様子を示す下型の成型面の平面図、図２４は上型８Ｂの成型面の平面図、図２５は図２４の上型８Ｂと基板母体１との位置関係を示す上型の成型面の平面図、図２６は図２１のＸ２−Ｘ２線の断面図、図２７〜図２９は図２６の領域Ｂ〜Ｄの拡大断面図、図３０は図２１のＸ３−Ｘ３線の断面図、図３１は図２１のＸ４−Ｘ４線の断面図、図３２は図２１の領域Ｅの拡大平面図をそれぞれ示している。なお、図２４は平面図であるが、図面を見易くするために可動キャビティ駒８Ｃの下面にハッチングを付す。また、符号のＸは第１方向、符号のＹは第１方向Ｘに対して直交する第２方向を示している。
【００２７】
成型金型８の下型８Ａおよび上型８Ｂは、各々の成型面を対向させた状態で設置されている。ここでは、例えば下型８Ａが上下動する構成とされている。下型８Ａおよび上型８Ｂの大きさは、第１方向Ｘの寸法が、例えば６６ｍｍ程度、第２方向Ｙの寸法が、例えば１５２ｍｍ程度である。
【００２８】
下型８Ａの成型面（上型８Ｂとの対向面）の第１方向Ｘ（図２１、図２２および図２３の左右方向）の左側には、ポットホルダ８Ａ１が配置されている。このポットホルダ８Ａ１には、複数のポット８Ａ２が第２方向Ｙ（図２１、図２２および図２３の上下方向）に沿って並んで配置されている。ポット８Ａ２は、成形材料の供給口であり、各ポット８Ａ２には、プランジャ８Ａ３が配置されている。プランジャ８Ａ３は、ポット８Ａ２内の成形材料を上記キャビティＣＢ内に注入、加圧保持させる構成部である。ここではロウプランジャが例示されている。
【００２９】
下型８Ａの成型面のポットホルダ８Ａ１の片側には、下型キャビティ台８Ａ４が配置されている。下型キャビティ台８Ａ４の裏面（成型面とは反対側の面）側には、例えばコイルばね、または、板ばね等のような弾性体８Ａ５が設置されている。この弾性体８Ａ５の弾性により、下型キャビティ台８Ａ４は、図２６、図３０および図３１の上下方向に移動することが可能となっている。この弾性体８Ａ５には、樹脂注入圧力（４．９ＭＰａ（５０ｋｇ／ｃｍ2）程度以上）に耐えるべく、少なくとも樹脂注入圧力以上、より好ましくは、例えば４９ＭＰａ（５００ｋｇ／ｃｍ2）以上の高荷重の弾性力が備わっている。この下型キャビティ台８Ａ４の下部は若干大径に形成されており、その大径部の段差部が、下型８Ａのベース体８Ａ６の段差部に突き当たることで、下型キャビティ台８Ａ４の図２６、図３０および図３１の上方向への移動が抑止されている。
【００３０】
下型キャビティ台８Ａ４の成型面の片側長辺の近傍には、その長辺に沿って複数個のガイドピン８Ａ７が設けられている。上記のように基板母体１のガイドホールＧＨに、ガイドピン８Ａ７が挿入されることで基板母体１が位置決めされる。
【００３１】
また、下型８Ａの成型面において、下型キャビティ台８Ａ４の外側の領域には、上下左右対称となるように４つの開口部８Ａ８が形成されており、各開口部８Ａ８からはイジェクタロッド８Ａ９の上面が露出されている。この４つのイジェクタロッド８Ａ９の露出上面の高さは同一となっている。この４つのイジェクタロッド８Ａ９は、１つのロッド支持部８Ａ１０と一体的に形成されており、モータ等のような駆動装置８Ａ１１によって図２６の上下方向に同時に移動可能な状態で設置されている。ロッド支持部８Ａ１０の上面とベース体８Ａ６の下面との間には、例えばコイルばね、または、板ばね等のような弾性体８Ａ１２が設置されている。この弾性体８Ａ１２の弾性により、イジェクタロッド８Ａ９が図２６の下方に移動するようになっている。ここでは、ポットホルダ８Ａ１の片側のみに成型部を持つ成型金型８を例示したが、これに限定されるものではなく、例えばポットホルダ８Ａ１の左右両側に成型部を持つ成型金型８を用いても良い。その場合、１回のモールド工程で２枚の基板母体１に対してモールド処理が可能となる。
【００３２】
一方、上型８Ｂの上記下型対向表面の上記下型８Ａのポットホルダ８Ａ１の対向位置には、カルブロック８Ｂ３が配置されている。このカルブロック８Ｂ３には、カルおよびランナ用の溝８Ｂ４が、図２１、図２４および図２５の第２方向Ｙに沿って延在した状態で配置されている。この溝８Ｂ４には、図２１、図２４および図２５の第２方向Ｙに沿って所定の間隔毎に複数の開口部８Ｂ４ｈが形成されており、その開口部８Ｂ４ｈからはイジェクタピン８Ｄ１の一部が露出されている。イジェクタピン８Ｄ１は、カルやランナに残された樹脂と上型８Ｂとを離型するためのピンであり図２６の上下方向に移動可能な状態で設置されている。
【００３３】
また、上記上型８Ｂのカルブロック８Ｂ３の隣接位置であって、上記下型８Ａの下型キャビティ台８Ａ４の対向位置には、上型キャビティブロック８Ｂ５が設置されている。この上型キャビティブロック８Ｂ５のほぼ中央には、上記上型キャビティ８Ｂ１が形成されている。上型キャビティ８Ｂ１の平面寸法は、第１方向Ｘの寸法が、例えば６０ｍｍ程度、第２方向Ｙの寸法が、例えば１４８ｍｍ程度である。また、上型キャビティ８Ｂ１の深さＦは、例えば現状の封止体９Ｕに求められる最も薄い厚さに設定されており、例えば０．４５ｍｍ程度である。さらに、この上型キャビティ８Ｂ１の内側には、上記開口部８Ｂ２が形成されている。開口部８Ｂ２の平面寸法は、上記製品領域ＤＲを完全に覆う大きさであり、上型キャビティ８Ｂ１の凹部底面の角から寸法Ｇだけ内側となる大きさである。具体的な寸法Ｇは、例えば１ｍｍ程度であり、開口部８Ｂ２の第１方向Ｘの寸法が、例えば５７ｍｍ程度、第２方向Ｙの寸法が、例えば１４７ｍｍ程度である。この開口部８Ｂ２には、上記可動キャビティ駒８Ｃが図２６の上下方向に移動可能な状態で嵌め込まれている。可動キャビティ駒８Ｃの下面の寸法は、上記開口部８Ｂ２とほぼ同じである。
【００３４】
また、上記上型キャビティ８Ｂ１と上記溝８Ｂ４との間には、それらを繋ぐように複数のゲート８Ｂ６が形成されている。ゲート８Ｂ６は、溝８Ｂ４から流れてきた封止用の溶融樹脂を上記キャビティＣＢに流し込むときの注入口である。各ゲート８Ｂ６には、開口部８Ｂ６ｈが形成されており、その開口部８Ｂ６ｈからはイジェクタピン８Ｄ２の一部が露出されている。イジェクタピン８Ｄ２は、ゲート８Ｂ６に残された樹脂と上型８Ｂとを離型するためのピンであり図２６の上下方向に移動可能な状態で設置されている。
【００３５】
また、上型８Ｂの上記下型対向面（上記上型キャビティ８Ｂ１の外側の領域）において、上記下型８Ａの４つのイジェクタロッド８Ａ９の対向位置には、開口部８Ｂ７が形成されており、その開口部８Ｂ７からはブロック８Ｅ１の下面が露出されている。このブロック８Ｅ１は、上記可動キャビティ駒８Ｃの上下動の移動量（すなわち、上記封止体９Ｕの厚さ）を調節する機能を持つ部材であり、ボルト８Ｅ１ｂによって着脱自在の状態でロッド８Ｆにしっかりとねじ止めされている。ブロック８Ｅ１を着脱自在としているのは、メンテナンスや交換のためである。ブロック８Ｅ１の交換には、上記封止体９Ｕの厚さの変更等に応じて可動キャビティ駒８Ｃの上下動の移動量を変えるための交換の他、ブロック８Ｅ１の劣化等による交換がある。封止体９Ｕの厚さ変更用の部材をキャビティＣＢ内に設けると、封止体９Ｕの厚さの変更の度に成型金型を分解しなければならずその作業は手間と時間のかかる面倒な作業となる。これに対して、本実施の形態１では、封止体９Ｕの厚さ調節に寄与するブロック８Ｅ１を、取り外しのし易い上型８Ｂのキャビティ外表面（下型対向表面）に設けたことにより、成型金型８の他の部品を取り外すことなく、ブロック８Ｅ１を容易に交換することができるので、封止体９Ｕの厚さ変更に容易にかつ短時間で対応できる。したがって、半導体装置の納期を短縮できる。また、封止体９Ｕの厚さ変更用の部材をキャビティＣＢ内に設けると、その部材の表面に封止樹脂等が付着する可能性が高くなる。厚さ変更用の部材の表面に封止樹脂等の異物が付着すると、成型される封止体９Ｕの厚さが要求値からずれてしまうので問題である。これに対して、本実施の形態１では、ブロック８Ｅ１を上型８Ｂのキャビティ外表面（下型対向表面）に設け、異物発生源であるキャビティＣＢから離して設けたことにより、ブロック８Ｅ１の表面に封止樹脂等が付着するのを低減できるので、成型される封止体９Ｕの厚さが要求値から大きくずれてしまうような不具合の発生を低減できる。したがって、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。上記ブロック８Ｅ１の材料は、例えばＳＫＳ、ＳＫＨ等のような耐摩耗性の高い金属からなる。本実施の形態１では、ブロック８Ｅ１が上型８Ｂと同じ金属材料で構成されている。これにより、熱的な安定性を向上させることができる。
【００３６】
上記可動キャビティ駒８Ｃ、イジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２およびロッド８Ｆは、支持ブロック８Ｇと接続されている。これにより、可動キャビティ駒８Ｃ、イジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２およびロッド８Ｆは、図２６の上下に同時に同方向に移動するようになっている。この支持ブロック８Ｇは、上型８Ｂの上記外側表面側に設置されている。この支持ブロック８Ｇの下面（上型８Ｂの外側表面との対向面）であって、ロッド８Ｆの外周には、ストッパ８Ｈが設置されている。ストッパ８Ｈは、支持ブロック８Ｇ（すなわち、可動キャビティ駒８Ｃ、イジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２およびロッド８Ｆ）の下降を一定位置で抑止するための部材である。また、支持ブロック８Ｇの上面には、ブロック８Ｅ２が設置されている。このブロック８Ｅ２は、上記ブロック８Ｅ１と同じ機能を持つ部材であり、ボルト８Ｅ２ｂによって着脱自在の状態で支持ブロック８Ｇにしっかりとねじ止めされている。ブロック８Ｅ２を着脱自在としている理由も、上記ブロック８Ｅ１と同じである。また、ブロック８Ｅ２を上型８Ｂのキャビティ外表面（外側表面）に設けたことにより、上記ブロック８Ｅ１で説明したのと同様の理由から封止体９Ｕの厚さ変更に容易にかつ短時間で対応でき、また、成型される封止体９Ｕの厚さが要求値から大きくずれてしまうような不具合の発生を低減できる。ブロック８Ｅ２は、例えば支持ブロック８Ｇの上面の１２箇所に設置されている。各ブロック８Ｅ２の材料は、上記ブロック８Ｅ１と同じである。また、各ブロック８Ｅ２の直径は、例えば１２ｍｍ程度、厚さは、例えば１０ｍｍ程度である。各ブロック８Ｅ２は、その面積が小さく加工精度を高くすることができ、また、ねじれ等の制御もし易い。
【００３７】
支持ブロック８Ｇの上方には、固定ブロック８Ｊが設置されている。固定ブロック８Ｊと支持ブロック８Ｇとの間には、例えばコイルばね、または、板ばね等のような弾性体８Ｋが設置されている。この弾性体８Ｋには、上記キャビティＣＢ内への樹脂注入時のトランスファ推力によって支持ブロック８Ｇに生じる圧力以上の付勢力を持つものであり、例えば本実施の形態においては前記樹脂注入時に生じる圧力に対して３倍の付勢力を持つものが使用されている。また、固定ブロック８Ｊにおいて、上記複数のブロック８Ｅ２の対向部には、開口部８Ｊ１が形成されている。この開口部８Ｊ１の平面寸法は、ブロック８Ｅ２の直径よりも若干大きい程度である。この開口部８Ｊ１の上方には、ストッパ８Ｌが設置されている。このストッパ８Ｌは、キャビティＣＢ内への樹脂注入時の樹脂注入圧力により支持ブロック８Ｇが押し上げられるのを抑止するための部材である。このストッパ８Ｌは、例えばモータ等のような駆動装置８Ｍにより図２６の上下に移動可能な状態とされている。樹脂注入時には、駆動装置８Ｍを停止した状態でストッパ８Ｌを機能させるが、樹脂注入によって生じる圧力によって、ストッパ８Ｌが移動しないように、駆動装置８Ｍは、停止した状態で樹脂注入によって生じる圧力以上の圧力にも耐えられるものを使用する必要があり、例えば本実施の形態においては、駆動装置８Ｍの停止状態において、前記圧力の３倍にも耐えうるものを使用している。
【００３８】
また、上型キャビティ８Ｂ１の他方の長辺からは、複数のエアベント８Ｂｖが上型キャビティ８Ｂ１から離間する方向に向かって延在されている。エアベント８Ｂｖは、上型キャビティ８Ｂ１に樹脂注入時に樹脂充填部の空気を外部に送り出すための溝である。このようにエアベント８Ｂｖを複数にして配置することにより、樹脂注入時に樹脂充填部の空気を外部に良好に送り出すことができるので、封止用の樹脂を上記キャビティＣＢ内に良好に充填することが可能となっている。各エアベント８Ｂｖの経路の途中には、可動ピン８Ｂｖｐが配置されている。成型金型８を閉じる前は、この可動ピン８Ｂｖｐの下端部は、エアベント８Ｂｖに突き出している。この可動ピン８Ｂｖｐの下端面には溝８Ｂｖｐ１が形成されている。この溝８Ｂｖｐ１は、エアベント８Ｂｖの通路の一部を形成するようになっている。この可動ピン８Ｂｖｐの上端面（上記可動ピン８Ｂｖｐの下端面とは反対側の面）側には、例えばコイルばね、または、板ばね等のような弾性体８Ｂｖｓが設置されている。したがって、成型金型８を閉じて下型８Ａと上型８Ｂとで基板母体１を挟み込むように保持すると、可動ピン８Ｂｖｐは基板母体１の主面に押されて上型８Ｂ側に移動するため可動ピン８Ｂｖｐの上方の弾性体８Ｂｖｓは圧縮される一方、弾性体８Ｂｖｓからの反発力により可動ピン８Ｂｖｐの下端面は基板母体１の主面を押さえるようになる。これにより、基板母体１の厚さにばらつきが生じていたり、基板母体１の主面（部品搭載面）に配線（導体パターン）等による凹凸が形成されていたりしても、成型金型８による基板母体１のクランプ時に、エアベント８Ｂｖに突出する可動ピン８Ｂｖｐの下端面が、基板母体１の主面のそれぞれの位置での主面の状態に自動的に対応した状態で、基板母体１に密着するようになっている。この際、各可動ピン８Ｂｖｐの上下方向の停止位置が、基板母体１の厚さのばらつきや上記主面の状態によって異なっても、各可動ピン８Ｂｖｐの下端面の溝８Ｂｖｐ１の深さが一定であれば、各エアベント８Ｂｖ毎の深さを自動的に一定にすることができるので、樹脂注入時に樹脂充填部の空気を外部に良好に送り出すことができ、封止用の樹脂を上記キャビティＣＢ内に良好に充填することが可能となっている。モールド工程において上記エアベント８Ｂｖには樹脂注入圧力が直接加わるが、その面積が小さいため、可動ピン８Ｂｖｐに対する弾性体８Ｂｖｓの弾性力は、基板母体１を軽く押圧する程度の荷重で良い。すなわち、弾性体８Ｂｖｓの弾性力は、成型金型８による基板母体１のクランプ圧力（例えば４９ＭＰａ（５００ｋｇ／ｃｍ2））よりも遙かに小さく、かつ、基板母体１に変形や損傷を与えない程度であり、かつ、樹脂注入によってエアベント８Ｂｖにかかる圧力よりも高くし、樹脂漏れを防げる程度の圧力を加えるものであることが好ましい。具体的には、例えば６．８６ＭＰａ（７０ｋｇ／ｃｍ2）程度の荷重が備わっている。さらに、弾性体８Ｂｖｓの弾性力は、可動ピン８Ｂｖｐの可動量が、例えば１００〜２００μｍ程度となるように設定されている。
【００３９】
エアベント８Ｂｖは、上型キャビティ８Ｂ１から流路に沿って、可動ピン前部８Ｂｖ１、可動ピン部（またはエアベント主要部、溝８Ｂｖｐ１に相当する）、可動ピン後部８Ｂｖ２、開放部の４つの部分に分類できる。可動ピン前部８Ｂｖ１について説明すると、基板母体１の厚さの公差を、例えば±３０μｍ程度にすると、その際、基板母体１が最も厚い場合でも、深さを６０〜７０μｍ程度とすると、実効的なエアベント８Ｂｖの深さを３０〜４０μｍ程度確保できる。上記可動ピン８Ｂｖｐの切り込み深さは、例えば４０〜５０μｍ程度である。可動ピン後部８Ｂｖ２は、深さを５０〜６０μｍ程度に設定すれば充分である。これは、可動ピン後部８Ｂｖ２は、すぐに１５０μｍ程度の深さを持つ開放部に連なっているからである。したがって、上記のように、エアベント８Ｂｖの主要部の実効的な深さを、基板母体１等（リードフレームを含む）の厚さに係わらず、一定になるようにすることにより、成型金型８のクランプ力を過度に強くする（例えば上記の例では、１枚の基板母体１当たり２５０００ｋｇ重まで加重して基板母体１を過度に変形させる）ことなく、樹脂漏れ等を有効に防止できる。また、基板母体１の厚さが公差のマイナス方向に薄い場合には、樹脂漏れが生じ易いが、本実施の形態１の成型金型８では、可動ピン８Ｂｖｐが弾性体８Ｂｖｓの弾性力で軽く押さえ付けられ、直接樹脂材の注入圧力の影響を受けないためエアベント８Ｂｖからの樹脂の漏れを塞ぎとめることができる。また、エアベント８Ｂｖの上記可動ピン前部８Ｂｖ１の深さと、上記可動ピン後部８Ｂｖ２の深さとで深さが異なっており、可動ピン前部８Ｂｖ１の深さの方が、可動ピン後部８Ｂｖ２の深さよりも深くなっている。このように可動ピン前部８Ｂｖ１の深さを深くすることにより、基板母体１の厚さが変動しているような場合でも、その変動によりエアベント８Ｂｖが塞がれてしまうことがないようにでき、エアベント８Ｂｖの領域を確実に確保することができる。エアベント８Ｂｖの可動ピン前部８Ｂｖ１のベント幅Ｐは、可動ピン８Ｂｖｐの直径Ｑよりも小さくなっている。具体的には、可動ピン８Ｂｖｐの直径Ｑを、例えば５ｍｍ程度、可動ピン前部８Ｂｖ１のベント幅Ｐを、例えば４ｍｍ程度、可動ピン後部８Ｂｖ２のベント幅Ｓを、例えば５ｍｍ程度、さらに可動ピン８Ｂｖｐの下端面の溝８Ｂｖｐ１の幅Ｒを、例えば２〜３ｍｍ程度とすることが好ましい。このようにすることにより、基板母体１が、その厚さの公差のマイナス方向に薄く形成されているような場合でも、封止用の樹脂の漏れを可動ピン８Ｂｖｐにより塞ぎ止めることができるため、封止用の樹脂の漏れを確実に防止することができる。
【００４０】
また、上記上型８Ｂの成型面の上型キャビティ８Ｂ１の外周の四隅近傍であって、基板母体１の外形よりも外れた箇所には、ブロックピン８Ｂｐが着脱自在の状態で設置されている。このブロックピン８Ｂｐは、断面で見ると、上型キャビティ８Ｂ１の外周の成型面からその成型面に対して直交する方向に若干突出されており、モールド工程時に、上型キャビティ８Ｂ１の外周部の成型面が基板母体１の主面（部品搭載面）外周に当たり、樹脂漏れを防げる程度に充分に基板母体１を変形させた後に、下型８Ａの下型キャビティ台８Ａ４を押し下げるようになっている。これにより、モールド工程時に上型８Ｂと下型８Ａとで基板母体１をクランプする時に、基板母体１に過剰な圧力が加わるのを抑制または防止できるので、基板母体１の潰れによる変形やクラック等を抑制または防止できる。この時、上型キャビティ８Ｂ１の外周部の成型面（下型対向面）による基板母体１の主面の変形量は、例えば３０μｍ〜４０μｍ程度である。
【００４１】
ブロックピン８Ｂｐは、上型８Ｂに開口形成されたガイドホール８Ｂｐｈに挿入された状態でボルト８Ｂｐｂによって着脱自在の状態でしっかりとねじ止めされている。着脱自在としているのは、メンテナンスや交換のためである。ブロックピン８Ｂｐの交換には、上記基板母体１の厚さの変更等に応じてブロックピン８Ｂｐの突出長さ（上型８Ｂの下型対向面から突出している長さ）Ｈを変えるための交換の他、ブロックピン８Ｂｐの劣化等による交換がある。上型８Ｂの基板母体１と接触する成型面からのブロックピン８Ｂｐの突出長さＨは、基板母体１の変形量を適当に確保する観点から設定されている。例えば基板母体１の厚さが０．３ｍｍである場合に、上記突出長さＨは、例えば０．２７ｍｍとすることで、０．０３ｍｍ程度の基板母体１の変形量を確保できる。また、ブロックピン８Ｂｐの全長Ｊは、例えば１５ｍｍ程度である。ブロックピン８Ｂｐの材料は、例えばＳＫＳ、ＳＫＨ等のような耐摩耗性の高い金属からなる。本実施の形態１では、ブロックピン８Ｂｐが上型８Ｂと同じ金属材料で構成されている。これにより、熱的な安定性を向上させることができる。
【００４２】
また、ブロックピン８Ｂｐの平面（押圧面）形状は、例えば円形状とされている。ブロックピン８Ｂｐの平面形状を円形としたことにより、ガイドホール８Ｂｐｈやブロックピン８Ｂｐ自体の加工を容易にすることができ、コストを低減することもできる。また、ブロックピン８Ｂｐの強度を高め、潰れにくくすることができる。ブロックピン８Ｂｐの下面の直径は、例えば８〜１０ｍｍ程度である。また、ブロックピン８Ｂｐは、上下左右対称になるように配置されている。これにより、各ブロックピン８Ｂｐから下型キャビティ台８Ａ４への押圧力を均等にすることができる。また、平面（押圧面）円形状のブロックピン８Ｂｐの場合、配置個数も上型キャビティ８Ｂ１に対して４個程度が好ましい。これは、極端に多数のブロックピン８Ｂｐを配置しようとすると上型８Ｂに多数のガイドホール８Ｂｐｈが形成されることにより、上型８Ｂの機械的強度を損ない、ねじれ等が生じ成型金型としての精度を損なう虞があること、上型８Ｂには、ヒータ等のような他の構成要素もあるので、そのような他の構成要素に干渉しないようにすること、あまりブロックピン８Ｂｐが多いとブロックピン８Ｂｐの着地点の安定性を損なう虞があることを考慮したものである。ヒータは上型８Ｂに配置されない場合もある。また、ブロックピン８Ｂｐの変形例として、平面（押圧面）の形状が長方形など、縦横比が１対１でない形状のものを用いても良い。この場合は、１つの上型キャビティ８Ｂ１にブロックピン８Ｂｐを２箇所程度配置すれば良いので、部品点数を減らすことができ、コストを低減することができる。
【００４３】
次に、上記成型金型８を用いたモールド工程の一例を図３３〜図４１により説明する。
【００４４】
まず、図３３に示すように、チップボンディング工程およびワイヤボンディング工程後の基板母体１を成型金型８の下型キャビティ台８Ａ４上に位置合わせ良く載置した後、イジェクタロッド８Ａ９を駆動装置８Ａ１１の駆動力により矢印Ｋに示す方向に上昇させ、イジェクタロッド８Ａ９の先端を下型８Ａの成型面から長さＬだけ突出させる。これは、イジェクタロッド８Ａ９の先端を突出させないで下型８Ａと上型８Ｂとを閉じると可動キャビティ駒８Ｃの底面がチップ６やボンディングワイヤ７に接触してしまうからである。長さＬは、例えば１〜２．５ｍｍ程度である。この時、下型キャビィティ台８Ａ４は、弾性体８Ａ５に押され、下型キャビティ台８Ａ４の上面は、ベース体８Ａ６の上面と同じ高さになっている。
【００４５】
続いて、図３４に示すように、下型８Ａと上型８Ｂとを閉じ、下型８Ａと上型８Ｂとで基板母体１を挟み込むようにして保持する。図３５は図３４の領域Ｍの拡大断面図、図３６は図３４と同一工程時の図２１のＸ３−Ｘ３線の断面図、図３７は図３４と同一工程時の図２１のＸ４−Ｘ４線の断面図をそれぞれ示している。上記のように下型８Ａと上型８Ｂとを閉めると、下型８Ａ側のイジェクタロッド８Ａ９が、上型８Ｂ側のブロック８Ｅ１に当たり支持ブロック８Ｇを図３４の矢印Ａ１の方向に押し上げる。これにより、可動キャビティ駒８Ｃおよびイジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２も図３４の矢印Ａ１の方向に移動する。この可動キャビティ駒８Ｃの上下動の長さを調節することにより、上記封止体９Ｕの厚さを所望の厚さに設定できるので、封止体９Ｕの厚さの変更に容易にかつ短時間で対応でき、半導体装置の納期を短縮できる。また、封止体９Ｕの厚さの誤差の範囲を±５μｍ以下にでき、上記封止体の厚さの形成精度を向上させることができる。さらに、封止体９Ｕの厚さの変更に対して１台の成型金型８で対応できるので、封止体９Ｕの厚さの変更時に新たな金型を購入する必要が無くなり治工具費用を低減できる他、既存のモールド設備を使用できるので設備投資を低減できる等から、半導体装置の開発コストおよび製造コストを低減できる。ここでも、可動キャビティ駒８Ｃの下面を、上型キャビティ８Ｂ１の凹部底面よりも高い位置にした場合が例示されている。
【００４６】
また、本実施の形態１では、下型８Ａと上型８Ｂとを閉じると、上型８Ｂのキャビティ８Ｂ１の外周辺部が基板母体１の主面（部品搭載面）外周に当たり、樹脂漏れを防げる程度に充分に基板母体１を変形させた後、上型８Ｂのブロックピン８Ｂｐが下型キャビティ台８Ａ４を矢印Ｎに示す方向に押し下げるようになっている。これにより、上型８Ｂと下型８Ａとで基板母体１をクランプする時に、基板母体１に過剰な圧力が加わるのを抑制または防止できるので、基板母体１の潰れによる変形やクラック等を抑制または防止できる。したがって、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。この時、基板母体１のうち、クランプ力が作用する部分は、上型キャビティ８Ｂ１の外周辺の幅１ｍｍ程度の環状領域である。例えば１５１ｍｍ×６６ｍｍの長方形の基板母体１とすると、１４８ｍｍ×６０ｍｍ、幅０．８ｍｍでエアベント８Ｂｖ、ゲート８Ｂ６を除いた面積は、約１０００ｍｍ2程度の領域となる。本実施の形態１によれば、例えばクランプ時に基板母体１に４９０ＭＰａ（５００ｋｇ／ｃｍ2）の荷重を加えた場合、ブロックピン８Ｂｐ部分で、４２．１ＭＰａ（４３０ｋｇ／ｃｍ2）程度の荷重を吸収することができるので、上型８Ｂに押さえ付けられる基板母体１の外周部分は、６８．６ＭＰａ（７７０ｋｇ／ｃｍ2）程度にすることができる。すなわち、上型８Ｂの成型面が基板母体１に当たる箇所での圧力が、上記ブロックピン８Ｂｐ部分での圧力よりも小さくなっている。基板母体１に加わる圧力が大きいと基板母体１のクラック等の問題が生じるので下型キャビティ台８Ａ４下方の弾性体８Ａ５の弾性力を下げなければならないが、弾性体８Ａ５の弾性力を下げれば樹脂注入時に樹脂が漏れる問題が生じる。これに対して、本実施の形態１によれば、下型キャビティ台８Ａ４下方の弾性体８Ａ５の弾性力を下げないでも基板母体１に加わる圧力を低減できるので、モールド工程時に基板母体１の主面上に樹脂が漏れてしまう問題も生じない。なお、基板母体１の品種が変わり、厚さが大幅に変わるときはブロックピン８Ｂｐをそれに応じた突出長さＨになるものに交換すれば良い。
【００４７】
また、本実施の形態１では、上記のようにモールド工程にあたり、上型８Ｂと下型８Ａとで基板母体１をクランプすると、エアベント８Ｂｖ側に突出している可動ピン８Ｂｖｐが基板母体１側から押され図３６および図３７の矢印Ｔに示す方向に移動する。これにより、可動ピン前部８Ｂｖ１、溝８Ｂｖｐ１および可動ピン後部８Ｂｖ２によるエアベント８Ｂｖを形成することができ、樹脂充填部（キャビティＣＢ）の空気を外部に送り出すための流路を確保できるので、封止用の溶融樹脂をキャビティＣＢ内に良好に充填することができる。一方、可動ピン８Ｂｖｐの上方の弾性体８Ｂｖｓの弾性力により可動ピン８Ｂｖｐが基板母体１の主面を適度に押さえ付ける。これにより、エアベント８Ｂｖの領域において基板母体１の主面上に樹脂が漏れてしまう問題も生じない。
【００４８】
次いで、図３８に示すように、イジェクタロッド８Ａ９およびストッパ８Ｌを１ｍｍ程度下降させる。ストッパ８Ｌを下降することにより、支持ブロック８Ｇが樹脂注入圧力により上に持ち上げられないようにする。このようにして、上型キャビティ８Ｂ１と、可動キャビティ駒８Ｃと、基板母体１とで囲まれるキャビティＣＢを形成する。この時、イジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２の先端部分は溝８Ｂ４およびゲート８Ｂ６に突出した状態となる。その後、ポット８Ａ２内の溶融樹脂９Ｍ（ハッチングを付す）を、プランジャ８Ａ３で溝８Ｂ４に押し出し、ゲート８Ｂ６を通じてキャビティＣＢ内に注入する。上記のように基板母体１の主面外周は、適切な圧力で上型８Ｂにより押さえ付けられているので、潰れすぎやクラック等を生じることなく、また、樹脂漏れもなく、封止用の溶融樹脂９ＭをキャビティＣＢ内に充填できる。これにより、一括封止体９を成型する。本実施の形態１によれば、成型金型８による一括封止体９の外観不良の発生率を低減できるので、その外観検査を簡略化することができる。なお、図３８の矢印は力の均衡状態を示している。
【００４９】
次いで、モールド完了後、図３９に示すように、下型８Ａと上型８Ｂとを開く前に、ストッパ８Ｌおよびイジェクタロッド８Ａ９を矢印Ａ１に示す方向に１ｍｍ程度上昇させる。これにより、支持ブロック８Ｇを矢印Ａ１に示す方向に上昇させる。すると、支持ブロック８Ｇに接続された可動キャビィティ駒８Ｃおよびイジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２も矢印Ａ１に示す方向に上昇する。これにより、可動キャビティ駒８Ｃを一括封止体９から離すと同時にイジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２も溝８Ｂ４およびゲート８Ｂ６内の樹脂から離す。このため、一括封止体９に損傷を与えること無く容易に、可動キャビティ駒８Ｃを一括封止体９から剥離することができるので、上型８Ｂと一括封止体９との離型性を向上させることができる。また、離型のための力がチップ６に対して直接加わらないため、チップクラック不良を防止でき、半導体装置の歩留りおよび信頼性を向上させることができる。なお、イジェクタロッド８Ａ９を上昇させないで下型８Ａと上型８Ｂとを開くと、一括封止体９が可動キャビティ駒８Ｃと下型８Ａとに挟まれクラックする場合がある。
【００５０】
その後、図４０に示すように、イジェクタロッド８Ａ９を上昇させたまま下型８Ａと上型８Ｂとを開く。この時、一括封止体９と溝８Ｂ４およびゲート８Ｂ６内に残された樹脂とが可動キャビティ駒８Ｃおよびイジェクタピン８Ｄ１，８Ｄ２により押し出され、上型８Ｂから離される。また、この時、プランジャ８Ａ３も型開き速度と同じ速度で矢印Ｖに示す方向に上昇させる。下型８Ａと上型８Ｂとを開くと弾性体８Ｋの弾性力により支持ブロック８Ｇは矢印Ａ２に示す方向に下降するが、ストッパ８Ｈが上型８Ｂの上面に当たったところで下降が止まる。一方、下型キャビティ台８Ａ４は、上型８Ｂ側からの押圧力が無くなるので弾性体８Ａ５からの弾性力により矢印Ｗに示す方向に上昇し元の位置に戻る。その後、図４１に示すように、イジェクタロッド８Ａ９を矢印に示す方向に１ｍｍ程度下降した後、基板母体１を搬出する。
【００５１】
本実施の形態１によれば、以下の効果を得ることができる。
(1)．可動キャビティ駒８Ｃの上下動の長さを調節することにより、上記封止体９Ｕの厚さを所望の厚さに設定できるので、封止体９Ｕの厚さの変更に容易にかつ短時間で対応でき、半導体装置の納期を短縮できる。
(2).封止体９Ｕの厚さの形成精度を向上させることができる。
(3).封止体９Ｕの厚さの変更に対して１台の成型金型８で対応できるので、封止体９Ｕの厚さの変更時に新たな金型を購入する必要が無くなり治工具費用を低減できる他、既存のモールド設備を使用できるので設備投資を低減できる等から、半導体装置の開発コストおよび製造コストを低減できる。
(4).一括封止体９を成型金型８のキャビティ面から直接離型することができる。成型後の一括封止体９を成型金型８から離型する方式としてラミネート方式がある。この方式は、成型金型８のキャビティ面と一括封止体９との間に介在したラミネートフィルムを用いて一括封止体９を離型する方式である。この方式の場合、離型に関しては問題無いが、モールド工程毎に毎回フィルムを取り換えるために製品直材費が増大する。また、成型金型８にラミネートフィルムの搬送機構が必要となるため既存のモールド装置では対応できず、モールド装置の改造若しくは新規購入をせざるを得ず設備投資が必要となる。さらに、モールド時のタクト時間も長くなる。これに対して、本実施の形態１では、ラミネートフィルムを用いないでも一括封止体９を成型金型８から剥離できるので、製品直材費を低減できる。また、ラミネートフィルムの搬送機構も不要となり、既存のモールド装置を使用できるので、モールド装置の改造や新規購入も不要となり設備投資を削減できる。したがって、半導体装置の開発コストおよび製造コストを低減できる。また、モールド工程に先立ってラミネートフィルムを配置する工程が不要なのでモールド時のタクト時間を短縮できる。したがって、半導体集装置の開発期間や製造期間を短縮できる。
(5).一括封止体９を成型金型８のキャビティ面から離型するためのピンを不要とすることができる。成型後の一括封止体９を成型金型８から離型する方式としてピン方式がある。この方式は、一括封止体９の上面の外周領域（製品領域の外周領域）をピンで直接押すことで一括封止体９を離型する方式である。この方式の場合、離型用のピンが製品領域に当たると製品領域にピン跡や損傷等が生じ外観不良となったり、離型用のピンの押圧力によってチップがクラックしたり、あるいは離型用のピンがボンディングワイヤに接触したりするので、それらを防ぐためにピンを製品領域の外周に当てているが、製品取得数を可能な限り多くするために製品領域は増大する傾向にあり、製品領域外に残されている一括封止体９の上面部分は、例えば２ｍｍ以下と非常に小さくなってきている。このため、離型用のピンに許される直径は、例えば１．６ｍｍ以下の微細な寸法となってきており、ピンの強度が低下し、ピンの折れ頻度は高くなる。また、離型用のピンが細く、そのピンによる押圧部の面積が一括封止体９と金型との接触面積の１／５０または１／６０の領域しかないため充分な押圧力を一括封止体９に加えられない上、その細いピンで製品領域の外周の縁の部分を押すため一括封止体９への押圧力の加え方のバランスが悪く、一括封止体９を上手く離型できない。このため、一括封止体９に過度なゆがみを生じ半導体装置の破損を招く可能性がある。こうした問題を防ぐためには、金型からの一括封止体９の離型性を常に高く保つ必要がある。金型に付着した一括封止体９を除去する等のクリーニング工程が増え、連続的にモールド工程を施せる回数が減り、すなわち、連続成型性が低くなり、半導体装置の製造時間が増大する問題がある。このような問題は、一括封止体９の面積の増大に伴い特に離型が難しくなるので顕著になる。こうした問題を防ぐためには、金型からの一括封止体９の離型性を常に高く保つ必要がある。また、近年は、分割後の封止体９Ｕの熱収縮に起因して配線基板１Ａが反ると半導体装置を実装基板に上手く搭載できないので、モールド時に一括封止体９の樹脂材料として収縮しないような材料を使用している。具体的には封止樹脂中のフィラの量を増やすことで収縮を小さくしている。しかし、離型は形成された一括封止体９が収縮し、一括封止体９と金型との間に隙間ができ、この状態でピンにより押し出している。このため、収縮性の低い樹脂材料を使用することは、形成された一括封止体９が収縮せず、一括封止体９と上型８Ｂとの間に隙間が生じないため、益々、一括封止体９の離型を難しいものにしている。これに対して本実施の形態１では、一括封止体９の離型不良を無くすことができるので、連続成型性を向上させることができ、自動モールド装置の稼働効率を向上させることができる。したがって、半導体装置の製造時間を短縮できる。また、可動キャビティ駒８Ｃを一括封止体９から離してから離型するので、一括封止体９にイジェクタ力が直接加わらない。このため、離型時に一括封止体９に損傷が生じることもないし、チップ６にクラックが生じることもなし、ボンディングワイヤ７が露出するようなこともない。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上さ��ることができる。このため、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００５２】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、さらに薄い封止体９Ｕが要求された場合の一例を図４２〜図４８により説明する。なお、図４２〜図４７は、本実施の形態２のモールド工程の説明図、図４８は図４２〜図４７の工程を経て離型された基板母体１の斜視図の一例をそれぞれ示している。
【００５３】
まず、前記図１〜図６で説明した工程を経た後、図４２に示すように、可動キャビティ駒８Ｃの下面を、上型キャビティ８Ｂ１の凹部底面よりも低い位置に設定する。すなわち、可動キャビティ駒８Ｃの下部がキャビティ側に突き出した状態とされている。続いて、前記実施の形態１と同様に、図４３に示すように、上型８Ｂと下型８Ａとで基板母体１を挟み込むようにして保持し、キャビティＣＢを形成する。その後、前記実施の形態１と同様に、図４４に示すように、キャビティＣＢ内に、上記封止樹脂を流し込み、基板母体１の主面の複数のチップ６およびボンディングワイヤ７等を一括して封止して、基板母体１の主面側に複数のチップ６を内包する一括封止体９を成型する。
【００５４】
次いで、封止樹脂のキュアが完了した後、前記実施の形態１と同様に、離型に際して、まず、図４５に示すように、可動キャビティ駒８Ｃを矢印Ａ１の方向に上昇させて、可動キャビティ駒８Ｃの下面を一括封止体９から離す。この時も前記実施の形態１と同様に上型８Ｂが基板母体１の部品搭載面の外周部および一括封止体９の外周部（肩部）９ａをしっかりとバランス良く押さえ付けているので、一括封止体９に損傷を与えること無く容易に、可動キャビティ駒８Ｃを一括封止体９から剥離することができる。また、離型のための力がチップ６に対して直接加わらないため、チップクラック不良を防止でき、半導体装置の歩留りおよび信頼性を向上させることができる。続いて、前記実施の形態１と同様に、図４６に示すように、下型８Ａと上型８Ｂとを互いに離間させるとともに、可動キャビティ駒８Ｃを矢印Ａ２の方向に押し下げ、基板母体１を上型キャビティ８Ｂ１の外方に押し出す。これにより、図４７に示すように、基板母体１を上型８Ｂから離型する。図４８は上記離型後の基板母体１の斜視図の一例を示している。図４８の基板母体１の部品搭載面側の全体平面図は、前記図１４と同じである。ここでは、一括封止体９の上面の外周部９ａの内側に、その外周部９ａよりも下側に凹むような凹部９ｃが形成されている場合が例示されている。凹部９ｃの平面の大きさは、上記凸部９ｂの上面と同じである。
【００５５】
本実施の形態２においても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５７】
例えば前記実施の形態１，２では、ＭＡＰ方式の半導体装置の製造方法に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、個々の領域を封止樹脂でモールドする一般的なモールド工程に本発明を適用することもできる。
【００５８】
また、前記実施の形態１では、一括封止体９の上面に凸部９ｂが形成され、前記実施の形態２では、一括封止体の上面に凹部９ｃが形成される場合についてそれぞれ説明したが、可動キャビティ駒８Ｃの下面の位置が上型キャビティ８Ｂ１の凹部底面の位置と一致するように移動量を調節することで、一括封止体９の上面を段差の無い平坦な状態とすることもできる。
【００５９】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えば複数のチップを個々の半導体装置の中に封止するマルチチップパッケージなど、他の製品の樹脂成型方法にも適用できる。
【００６０】
また、本実施の形態においては、ラミネートフィルムを用いない方法について開示したが、成型金型８のキャビティ面と一括封止体９との間に介在したラミネートフィルムを用いて一括封止体９を離型する方式を採用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、半導体装置の製造業に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法で用いる配線基板母体の部品搭載面の全体平面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】図１のＸ１−Ｘ１線の拡大断面図である。
【図４】図１の配線基板母体の部品搭載面に半導体チップを搭載した後の配線基板母体の全体平面図である。
【図５】図４の配線基板母体の側面図である。
【図６】図４および図５に続く半導体装置のモールド工程の説明図である。
【図７】図６に続く半導体装置のモールド工程の説明図である。
【図８】図７に続く半導体装置のモールド工程の説明図である。
【図９】図８に続く半導体装置のモールド工程の樹脂注入工程の説明図である。
【図１０】図９に続く半導体装置のモールド工程の離型工程の説明図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置のモールド工程の離型工程の説明図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置のモールド工程の離型工程の説明図である。
【図１３】図１〜図１２の工程を経て離型された配線基板母体の斜視図である。
【図１４】図１３の配線基板母体の部品搭載面側の全体平面図である。
【図１５】図１２に続く半導体装置の半田バンプ接続工程の説明図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の半田バンプ接続工程の説明図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の配線基板母体および一括封止体の切断工程の説明図である。
【図１８】本発明の一実施の形態である半導体装置の一例の斜視図である。
【図１９】図１８の半導体装置の一部を破断して示した側面図である。
【図２０】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法で用いる自動モールド装置の一例の説明図である。
【図２１】図２０の自動モールド装置の成型金型の下型と上型とを重ねて示した平面図である。
【図２２】図２０の自動モールド装置の成型金型の下型の成型面の平面図である。
【図２３】図２２の下型の成型面に配線基板母体を載置した様子を示す下型の成型面の平面図である。
【図２４】図２０の自動モールド装置の成型金型の上型の成型面の平面図である。
【図２５】図２４の上型と配線基板母体との位置関係を示す上型の成型面の平面図である。
【図２６】図２１のＸ２−Ｘ２線の断面図である。
【図２７】図２６の領域Ｂの拡大断面図である。
【図２８】図２６の領域Ｃの拡大断面図である。
【図２９】図２６の領域Ｄの拡大断面図である。
【図３０】図２１のＸ３−Ｘ３線の断面図である。
【図３１】図２１のＸ４−Ｘ４線の断面図である。
【図３２】図２１の領域Ｅの拡大平面図である。
【図３３】図２１〜図３２で説明した自動モールド装置の成型金型であって、図２１のＸ２−Ｘ２線に相当する箇所のモールド工程時の断面図である。
【図３４】図３３に続くモールド工程中の成型金型の断面図である。
【図３５】図３４の領域Ｍの成型金型の断面図である。
【図３６】図３４のモールド工程時の図２１のＸ３−Ｘ３線に相当する箇所の断面図である。
【図３７】図３４のモールド工程時の図２１のＸ４−Ｘ４線に相当する箇所の断面図である。
【図３８】図３４〜図３７に続くモールド工程中の成型金型の断面図である。
【図３９】図３８に続くモールド工程中の成型金型の断面図である。
【図４０】図３９に続くモールド工程中の成型金型の断面図である。
【図４１】図４０に続くモールド工程中の成型金型の断面図である。
【図４２】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法におけるモールド工程の説明図である。
【図４３】図４２に続くモールド工程の説明図である。
【図４４】図４３に続くモールド工程の説明図である。
【図４５】図４４に続くモールド工程の説明図である。
【図４６】図４５に続くモールド工程の説明図である。
【図４７】図４６に続くモールド工程の説明図である。
【図４８】図４２〜図４７の工程を経て離型された配線基板母体の一例の斜視図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  配線基板母体
１Ａ  配線基板
２  絶縁基材
３  配線層
３ａ〜３ｅ  導体パターン
４  ソルダレジスト
６  半導体チップ
７  ボンディングワイヤ
８  成型金型
８Ａ  下型（第１金型）
８Ａ１  ポットホルダ
８Ａ２  ポット
８Ａ３  プランジャ
８Ａ４  下型キャビティ台
８Ａ５  弾性体
８Ａ６  ベース体
８Ａ７  ガイドピン
８Ａ８  開口部
８Ａ９  イジェクタロッド
８Ａ１０  ロッド支持部
８Ａ１１  駆動装置
８Ａ１２  弾性体
８Ｂ  上型（第２金型）
８Ｂ１  上型キャビティ
８Ｂ２  開口部
８Ｂ３  カルブロック
８Ｂ４  溝
８Ｂ４ｈ  開口部
８Ｂ５  上型キャビティブロック
８Ｂ６  ゲート
８Ｂ６ｈ  開口部
８Ｂ７  開口部
８Ｂｐ  ブロックピン
８Ｂｐｈ  ガイドホール
８Ｂｐｂ  ボルト
８Ｂｖ  エアベント
８Ｂｖ１  可動ピン前部
８Ｂｖ２  可動ピン後部
８Ｂｖｐ  可動ピン
８Ｂｖｐ１  溝
８Ｂｖｓ  弾性体
８Ｃ  可動キャビティ駒（可動ブロック）
８Ｄ１，８Ｄ２  イジェクタピン
８Ｅ１，８Ｅ２  ブロック
８Ｅ１ｂ，８Ｅ２ｂ  ボルト
８Ｆ  ロッド
８Ｇ  支持ブロック
８Ｈ  ストッパ
８Ｊ  固定ブロック
８Ｊ１  開口部
８Ｋ  弾性体
８Ｌ  ストッパ
８Ｍ  駆動装置
９  一括封止体
９Ｕ  封止体
９ａ  外周部
９ｂ  凸部
９ｃ  凹部
１１  バンプ保持ツール
１２  半田バンプ
１２Ａ  バンプ電極
１４  ダイシングブレード
１６  半導体装置
２０  自動モールド装置
２１  タブレット整列部
２２  タブレットパーツフィーダ
２３  基板ローダ
２４  基板整列部
２５ａ  搬入搬送部
２５ｂ  搬出搬送部
２６  ゲートブレイク部
２７  アンローダ
ＤＲ  製品領域
ＤＲ１  単位製品領域
ＴＨ  スルーホール
ＧＨ  ガイドホール
ＢＰ  ボンディングパッド
ＣＢ  キャビティ
【図１】
2005150350.tif 000003
【図２】
2005150350.tif 000004
【図３】
2005150350.tif 000005
【図４】
2005150350.tif 000006
【図５】
2005150350.tif 000007
【図６】
2005150350.tif 000008
【図７】
2005150350.tif 000009
【図８】
2005150350.tif 000010
【図９】
2005150350.tif 000011
【図１０】
2005150350.tif 000012
【図１１】
2005150350.tif 000013
【図１２】
2005150350.tif 000014
【図１３】
2005150350.tif 000015
【図１４】
2005150350.tif 000016
【図１５】
2005150350.tif 000017
【図１６】
2005150350.tif 000018
【図１７】
2005150350.tif 000019
【図１８】
2005150350.tif 000020
【図１９】
2005150350.tif 000021
【図２０】
2005150350.tif 000022
【図２１】
2005150350.tif 000023
【図２２】
2005150350.tif 000024
【図２３】
2005150350.tif 000025
【図２４】
2005150350.tif 000026
【図２５】
2005150350.tif 000027
【図２６】
2005150350.tif 000028
【図２７】
2005150350.tif 000029
【図２８】
2005150350.tif 000030
【図２９】
2005150350.tif 000031
【図３０】
2005150350.tif 000032
【図３１】
2005150350.tif 000033
【図３２】
2005150350.tif 000034
【図３３】
2005150350.tif 000035
【図３４】
2005150350.tif 000036
【図３５】
2005150350.tif 000037
【図３６】
2005150350.tif 000038
【図３７】
2005150350.tif 000039
【図３８】
2005150350.tif 000040
【図３９】
2005150350.tif 000041
【図４０】
2005150350.tif 000042
【図４１】
2005150350.tif 000043
【図４２】
2005150350.tif 000044
【図４３】
2005150350.tif 000045
【図４４】
2005150350.tif 000046
【図４５】
2005150350.tif 000047
【図４６】
2005150350.tif 000048
【図４７】
2005150350.tif 000049
【図４８】
2005150350.tif 000050