(57)【要約】【課題】負荷メモリの容量に対して常に最適の駆動周波数に設定すること。 【解決手段】データを格納するメモリと、メモリを制御するメモリ制御部と、を備えたメモリ制御システムにおいて、メモリは１または複数のメモリモジュールで構成され、取り扱うデータ量に応じてメモリモジュールの装着枚数を加減してメモリ容量を増減でき、メモリ制御部は、装着枚数の加減に伴うメモリ容量の増減に応じてメモリの駆動周波数を変更すること。また、メモリ制御システムにおいて、メモリ容量と駆動周波数との関係は、予めシミュレーション結果で表またはテーブルとして取得しておき、表またはテーブルを参照して、駆動周波数を自動設定する構成とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納するメモリと、前記メモリを制御するメモリ制御部と、を備えたメモリ制御システムにおいて、
前記メモリは、取り扱うデータ量に応じて前記メモリの容量を増減でき、
前記メモリ制御部は、前記メモリの駆動周波数を前記増減されたメモリ容量に応じて変更する
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記駆動周波数は、前記メモリ制御部と前記メモリとの間に接続されたダンピング抵抗と、前記メモリ制御部の出力を表すドライブ能力と、前記メモリ容量に対応する前記メモリ制御部の負荷容量と、によって決められる
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【請求項３】
請求項２において、
前記ダンピング抵抗、前記ドライブ能力、前記負荷容量によって決定される駆動周波数は、予めシミュレーション結果として取得しておき、
前記取得したシミュレーション結果を表またはテーブルとして前記メモリ制御に格納し、
前記メモリ容量を増減するメモリモジュールの枚数変更を前記負荷容量と対応させ、
前記メモリモジュールの枚数変更を手動操作することで、前記負荷容量を介して適宜の駆動周波数を前記表またはテーブルから設定する
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【請求項４】
請求項２において、
前記ダンピング抵抗、前記ドライブ能力、前記負荷容量によって決定される駆動周波数は、予めシミュレーション結果として取得しておき、
前記取得したシミュレーション結果を表またはテーブルとして前記メモリ制御に格納し、
前記メモリ容量の増減はメモリモジュールの枚数変更で行うとともに、前記メモリモジュール毎の容量を当該メモリモジュールから取得でき、
前記枚数変更されたメモリモジュールの前記取得された全容量を前記負荷容量と対応させ、
前記メモリモジュールの枚数変更に伴う前記メモリモジュールの全容量を自動的に取得し、前記負荷容量を介して適宜の駆動周波数を前記表またはテーブルから自動設定する
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【請求項５】
データを格納するメモリと、前記メモリを制御するメモリ制御部と、を備えたメモリ制御システムにおいて、
前記メモリは１または複数のメモリモジュールで構成され、取り扱うデータ量に応じて前記メモリモジュールの装着枚数を加減してメモリ容量を増減でき、
前記メモリ制御部は、前記装着枚数の加減に伴う前記メモリ容量の増減に応じて前記メモリの駆動周波数を変更する
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【請求項６】
請求項５において、
前記メモリ容量と前記駆動周波数との関係は、予めシミュレーション結果で表またはテーブルとして取得しておき、
前記表またはテーブルを参照して、前記駆動周波数を自動設定する
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【請求項７】
請求項６において、前記駆動周波数の自動設定のパラメータとして、前記メモリ容量に加えて、前記メモリ制御部と前記メモリとの間に接続されたダンピング抵抗と、前記メモリ制御部の出力を表すドライブ能力と、を設ける
ことを特徴とするメモリ制御システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
複数のメモリを制御するメモリ制御部における駆動周波数の設定に関し、特に、画像形成装置において取り扱うメモリ容量の変化に対応して駆動周波数を設定するメモリ制御システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は多数のメモリを接続し制御するメモリ制御システムの動作状況を説明する図である。従来技術を示す図３では、例えば、画像データを記憶する多数のメモリ２、即ち、具体的には、メモリモジュール２−１，２−２，２−３，…上のメモリチップ２ａ，２ｂ，２ｃ、をメモリ制御部１が制御する状況を示している。また、図３示すメモリ制御システムでは、メモリ制御部１、メモリ２に加えて、メモリ制御部１に接続されたＣＰＵ３が構成要素となっている。
【０００３】
メモリ制御システムを、例えば、画像形成装置に適用する場合に、図示するように、取り扱う画像データの多少によって、ＢＡＳＩＣなシステム構成例とＦＵＬＬのシステム構成例があり、ＦＵＬＬの場合、メモリ２として、メモリモジュール２−１〜２−５が構成され、ＢＡＳＩＣの場合、メモリモジュール２−１のみが接続されている。そして、メモリ制御部１は、負荷容量の重さまたは軽さによって、メモリ２を制御する駆動周波数が決定される。一般的に云えば、負荷容量が重い場合には、駆動周波数は遅くその動作波形もなまる傾向となり、これに対して、負荷容量が軽い場合には、駆動周波数は速くその動作波形もシャープとなる傾向が生じる。
【０００４】
そこで、図３に示す従来技術では、負荷容量の重い、即ち、メモリ容量の多いＦＵＬＬの構成例でメモリ２を充分に制御できるような駆動周波数がメモリ制御部で設定される。この際、ＦＵＬＬ構成例ではメモリ容量が多いので駆動周波数は、メモリ容量の小さい場合に比べて、低下するようになる（駆動波形のシャープさが失われて誤動作しない程度の駆動周波数が設定される）。そして、ワーストケースのＦＵＬＬ構成例でメモリ制御部１の駆動周波数が決定されるので、仮に、メモリ容量が少ないメモリ２（メモリモジュール２−１のみ）を接続したＢＡＳＩＣシステム構成例においても、メモリ２はＦＵＬＬシステム構成例で設定されたものと同一の駆動周波数で駆動されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図３に示す従来技術では、ＦＵＬＬシステム構成例で設定された駆動周波数が固定され、例え、負荷となるメモリ容量が変更した場合においてもこの固定された駆動周波数が適用されるので、ＢＡＳＩＣシステム構成例のように小となるメモリ容量変更があっても、本来ならば、この固定の駆動周波数よりも高い駆動周波数を適用しても充分に機能するはずのものが低い駆動周波数に設定された状態となってしまうという課題が生じる。
【０００６】
また、図３に示すＦＵＬＬシステム構成例のメモリ容量を、取り扱う画像データの大きさを勘案して、多少多くしようとしても、駆動周波数が固定されているので、波形がよりなまってしまうという不都合が生じるので、一旦設定したメモリ容量を増大することができないという課題が生じる。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、上述した課題を解決するために、メモリへの駆動周波数を負荷のメモリ容量の大小に応じて変更することによって、負荷メモリの容量に対して常に最適の駆動周波数に設定し得るメモリ制御システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明は主として次のような構成を採用する。  
データを格納するメモリと、前記メモリを制御するメモリ制御部と、を備えたメモリ制御システムにおいて、前記メモリは、取り扱うデータ量に応じて前記メモリの容量を増減でき、前記メモリ制御部は、前記メモリの駆動周波数を前記増減されたメモリ容量に応じて変更する構成とする。
【０００９】
また、メモリ制御システムにおいて、前記駆動周波数は、前記メモリ制御部と前記メモリとの間に接続されたダンピング抵抗と、前記メモリ制御部の出力を表すドライブ能力と、前記メモリ容量に対応する前記メモリ制御部の負荷容量と、によって決められる構成とする。
【００１０】
また、データを格納するメモリと、前記メモリを制御するメモリ制御部と、を備えたメモリ制御システムにおいて、前記メモリは１または複数のメモリモジュールで構成され、取り扱うデータ量に応じて前記メモリモジュールの装着枚数を加減してメモリ容量を増減でき、前記メモリ制御部は、前記装着枚数の加減に伴う前記メモリ容量の増減に応じて前記メモリの駆動周波数を変更する構成とする。
【００１１】
また、メモリ制御システムにおいて、前記メモリ容量と前記駆動周波数との関係は、予めシミュレーション結果で表またはテーブルとして取得しておき、前記表またはテーブルを参照して、前記駆動周波数を自動設定する構成とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、メモリ制御部に負荷接続されたメモリ容量を、取り扱うデータ量の大小に応じて増減しても、メモリに対して常に最適の速い駆動周波数に自動的に設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明のメモリ制御システムに係る実施の形態について、実施例を挙げて図面を参照しながら以下詳細に説明する。図１は本発明のメモリ制御システムに係る実施例における構成を示すブロック図である。図２は本実施例におけるメモリへの駆動周波数設定の対応表を示す図である。本実施例では、画像形成装置に適用されるメモリ制御システムについて説明するが、本実施例に係るメモリ制御システムは、画像形成装置に限ることはなく、メモリを用いるあらゆる電子機器に適用できるものである。
【００１４】
図１において、１はメモリ制御部、２はメモリ、３はＣＰＵ、２ａ，２ｂ，２ｃはメモリチップ、２−１〜２−５はメモリモジュール（ＤＩＭＭ等）、をそれぞれ表す。メモリ制御システムは、メモリ制御部１と、メモリ２と、ＣＰＵ３とからなるが、ＣＰＵ３は必須の構成要素でなくてもよい。
【００１５】
メモリモジュールは、画像形成装置が取り扱うデータ量によって任意にメモリモジュール数を増減することができる。図示の例では、ＢＡＳＩＣなシステム構成例では１枚のメモリモジュールを用い、ＦＵＬＬのシステム構成例では５枚のメモリモジュールを用いている。メモリ制御部１は、負荷として接続されたメモリの駆動周波数を自身でまたはＣＰＵ３で設定することができる。
【００１６】
図２には、メモリの駆動周波数を決定するためのパラーメータを示しており、駆動周波数ｆは、ダンピング抵抗Ｒと、負荷容量Ｃと、ドライブ能力Ｄと、をパラメータとして、決定される。ここで、ダンピング抵抗Ｒは、メモリ制御部１とメモリ２との接続線に直列に接続されるダンピング用の抵抗（波形整形用抵抗）であって、具体的には、Ｒが大きいと波形がなまり小さいとシャープになる。換言すると、Ｒが大きいと駆動周波数は遅くなり、Ｒが小さいと駆動周波数は速くなるがオーバーシュートやアンダーシュートが発生しやすくなる。また、負荷容量Ｃは、接続されるメモリモジュールのメモリ容量に対応する仮想的な容量であり、具体的には、メモリモジュールの数が多いと負荷容量Ｃは大となる。Ｃが大きいと駆動周波数は遅くなり、Ｃが小さいと駆動周波数は速くなるがオーバーシュートやアンダーシュートが発生しやすくなる。また、ドライブ能力Ｄは、メモリ制御部１が出力する能力であり、具体的には、出力電流であって、４ｍＡとか８ｍＡという数値で表される。Ｄが大きいと駆動周波数は速くなるがオーバーシュートやアンダーシュートが発生しやすくなり、Ｄが小さいと駆動周波数は遅くなる。
【００１７】
図２における駆動周波数ｆの表は、ドライブ能力Ｄが４ｍＡと８ｍＡのときに、負荷容量Ｃとダンピング抵抗Ｒの組み合わせによって駆動周波数ｆが決まることを示しており、この表は、設計段階でシミュレーションを実施することによって取得することができる。例えば、図２で、ドライブ能力Ｄ＝４ｍＡとした場合に、Ｃ＝３０ｐｆ（メモリ容量が比較的小）、ダンピング抵抗Ｒ＝０Ωのときの駆動周波数は１３３ＭＨｚであり、Ｃ＝１２０ｐｆ（メモリ容量が比較的大）、ダンピング抵抗Ｒ＝０Ωのときの駆動周波数は８０ＭＨｚであり、Ｃ＝１２０ｐｆ（メモリ容量が比較的大）、ダンピング抵抗Ｒ＝４７Ωのときの駆動周波数は３０ＭＨｚである、というような数値である。したがって、メモリ制御システムにおいて、ドライブ能力Ｄとダンピング抵抗Ｒを固定すれば、図２の表またはテーブルを用いることで、画像形成装置におけるデータ処理で使用するメモリ２の容量に対応して、最適な駆動周波数を設定することができる。
【００１８】
次に、駆動周波数ｆの具体的な設定手法として、メモリ２の容量に相当する負荷容量Ｃが換算できるので、この負荷容量Ｃに対応した手動スイッチをメモリ制御システムに設けておき、例えば、図１に示すメモリモジュール２−１〜２−５に対応した負荷容量Ｃ１〜Ｃ５の手動スイッチを設けて、この手動スイッチを操作することによって、図２に示す事前に取得してあるシミュレーションの表から自動的に最適な駆動周波数を設定することができる。また、メモリモジュール２−１〜２−５に対応した負荷容量Ｃ１〜Ｃ５の手動スイッチを設ける代わりに、メモリモジュール２−１〜２−５に対応した大と小の（または高いと低いの）２点設定のスイッチを設けて、この２点設定のスイッチのいずれかのスイッチを操作することで、駆動周波数を適切に設定することができる。
【００１９】
また、メモリモジュールに自身のメモリ容量を記すＲＯＭを内蔵させておき、メモリ制御部１がこのＲＯＭとの信号授受でメモリ容量を取得して、図２のテーブル（メモリ制御部１に格納させておく）を参照して自動的に最適な駆動周波数を設定することができる。
【００２０】
さらに、メモリ制御システムにおいて、ダンピング抵抗Ｒは通常、固定されているので、例えば、図２でＲ＝２２Ωとし、ドライブ能力Ｄを例えば、２つの値で切り換えられるように構成することができる。このような構成にすると、設定できる駆動周波数ｆを広範囲に取得でき得るようになり、例えば、ドライブ能力Ｄを、図２で８ｍＡに切り換えれば、同一のメモリモジュールを使用する場合においても、駆動周波数ｆを高く設定することができて、データ処理のスピードを高めることが可能となる。
【００２１】
また、駆動周波数ｆの具体的設定の他の例として、メモリ２としての６４ピンのＤＩＭＭ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）を３２ピンのメモリ制御部に接続する構成を取り上げる。この場合、６４ピンＤＩＭＭを６４ピンのメモリ制御部に接続するのが通常の使い方であるが、接続する配線数を減少する観点で６４本の接続線ではなくて、３２本の接続線で接続して且つＤＩＭＭの全てのメモリを使用可能にする。この際、メモリ制御部の３１ビットの線は、ＤＩＭＭの３１ビットと６３ビットの線に接続する。このような接続にすると、メモリ制御部からみると重い容量負荷が接続されたことになるので、６４ピンの通常の使い方における駆動周波数を用いれば、波形がなまってデータ処理に誤動作が起こりうる。
【００２２】
そこで、このような接続をした場合における最適な駆動周波数（周波数ができるだけ高くしてデータ処理スピードを向上させるとともに、周波数を低くすることで波形のなまりを最小限に止めて誤動作が生じないようにする）について、事前にシミュレーション結果を取得しておき（図２に示すように）、このような接続を実施する場合には、上述したように、手動でまたは自動的に最適の駆動周波数を設定する構成とする。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のメモリ制御システムに係る実施例における構成を示すブロック図である。
【図２】本実施例におけるメモリへの駆動周波数設定の対応表を示す図である。
【図３】従来技術において、多数のメモリを接続し制御するメモリ制御システムの動作状況を説明する図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  メモリ制御部
２  メモリ
２ａ，２ｂ，２ｃ  メモリチップ
２−１〜２−５  メモリモジュール
３  ＣＰＵ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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