(57)【要約】【課題】光源の明るさの高速変調を実現した放電ランプ点灯装置を提供すること。【解決手段】前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御される複数個のスイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）を含み、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽の組み合せによってゲインが可変のランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）によってランプ電流検出信号を変換し、これがランプ電流目標信号（Ｓｔ）と一致するようにフィードバック制御する。【選択図】    図１
2005267933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主放電のための電極が対向配置された、放電ランプを点灯するための放電ランプ点灯装置であって、前記放電ランプに給電する給電回路と、ランプ電圧を検出しランプ電圧検出信号を生成するためのランプ電圧検出手段と、ランプ電流を検出しランプ電流検出信号を生成するためのランプ電流検出手段と、前記ランプ電流検出信号を変換するためのランプ電流検出信号変換回路と、前記ランプ電流検出信号変換回路からのランプ電流相関信号と前記放電ランプに流す電流の大きさを示すランプ電流目標信号との差異が小さくなるように前記給電回路をフィードバック制御する給電能力制御回路と、前記ランプ電圧検出信号に依存して前記放電ランプに投入されている負荷電力値が予め定めた目標電力値になるように前記ランプ電流目標信号を更新する電力制御回路と、複数ビットの２値の変調信号を生成する変調信号生成回路を有し、前記ランプ電流検出信号変換回路は前記変調信号のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御される複数個のスイッチを含み、前記変調信号のそれぞれのビットの真と偽の組み合せによってゲインが可変である、ことを特徴とする放電ランプ点灯装置。
【請求項２】
前記電力制御回路は、点灯開始から前記ランプ電圧が安定するまでの期間は非活性状態となる変調許可信号を生成する回路を有し、前記変調信号生成回路は、前記変調許可信号が活性状態のときは前記変調信号として外部の原調光信号発生回路が生成する原変調信号に等しい信号を生成し、前記変調許可信号が非活性状態のときは前記変調信号として予め定めた組み合せの信号を生成するように構成された、ことを特徴とする請求項１に記載の放電ランプ点灯装置。
【請求項３】
前記電力制御回路は、前記ランプ電圧が安定している期間において外部の前記原調光信号発生回路が生成する電流目標更新許可信号が非活性状態のときは前記ランプ電流目標信号を更新しないように構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の放電ランプ点灯装置。
【請求項４】
前記電力制御回路は、前記電流目標更新許可信号が非活性状態の継続時間を監視し、該継続時間が予め定めた時間以上であることを検知したときは前記変調許可信号を非活性状態にするとともに、前記放電ランプに投入されている負荷電力値が予め定めた目標電力値になるように前記ランプ電流目標信号を更新するように構成された、ことを特徴とする請求項３に記載の放電ランプ点灯装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電ランプ、特に高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ等の高輝度放電ランプを点灯するための放電ランプ点灯装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶プロジェクタやＤＬＰ（ＴＭ）プロジェクタのような画像表示用などの光学装置のための光源装置においては、高輝度放電ランプ（ＨＩＤランプ）が使用される。
この種のランプを点灯する場合、ランプに無負荷開放電圧と呼ばれる電圧を印加した状態で、前記無負荷開放電圧に高電圧を重畳して放電空間内に絶縁破壊を発生させ、グロー放電を経てアーク放電に移行させる。
【０００３】
これまで、ＨＩＤランプの点灯方法としては、一定の電力すなわち一定の明るさで点灯することが一般的であった。
しかしながら、例えば、特開２０００−７８４９６号や特開２００１−２７８９０号に記載の技術のように、画像表示用の光学装置において、表示される画像が暗い場合に、見やすく画質やコントラストを改善することが求められ、そのためには、放電ランプ点灯装置は、前記光学装置のなかの画像処理回路の信号に従って、光源の明るさを多段階に調光できる必要があり、また、調光の速度としては、高速なものが望ましい。
【０００４】
また、例えば、ある種の光音響分析装置の場合には、被検体に照射する、光の強さの時間変化（プロファイル）を正確に規定することが必要で、この場合は、光音響分析装置の光波形発生回路が要求する、高速な時間変化のプロファイルを再現できる、変調可能な光源が求められる。このような光源として、例えば、特開平９−１３３６５４号に記載の技術のように、レーザと光変調器を用いたものが使われるが、しかし、この場合、レーザのような単色性と指向性の優れた光源でなければ適用が困難で、例えば高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ等の白色光源の光を高速に変調することは困難であった。
【０００５】
ＨＩＤランプのための放電ランプ点灯装置は、ランプに投入される電力に相関する量と予め定めた「電力目標値に相関する量」とを比較し、これらが一致する方向にフィードバック制御されることにより、結果として目標電力が達成されるように構成される。
そして、光源の明るさを調光する場合は、「電力目標値に相関する量」を変更することが行われる。
【０００６】
具体的には、例えば、ランプ電圧とランプ電流を検出して、乗算によりランプ電力値を算出し、これと電力目標値とを比較する方法がある。
このとき、前記乗算演算は、アナログのランプ電圧信号とランプ電流信号に対してアナログ乗算回路を用いて行う場合もあれば、放電ランプ点灯装置に搭載したＡＤ変換器内蔵型のマイクロプロセッサによりディジタルのランプ電圧信号とランプ電流信号を得て、マイクロプロセッサ内で乗算演算する場合もある。
【０００７】
あるいは、例えば、特開平１１−２８３７８１号に記載の技術のように、ランプ電圧とランプ電流を検出し、電力目標値をランプ電圧で除して算出した電流目標値と、ランプ電流を比較する方法もある。
この場合は、前記電流目標値を算出するために、ＡＤ変換器内蔵型のマイクロプロセッサによりディジタルのランプ電圧信号を得て、マイクロプロセッサ内で除算演算する。
【０００８】
また、例えば、特開平１１−３３９９９３号に記載の技術のように、調光時にランプ電流検出用抵抗の抵抗値を大きくするように構成した上で、ランプ電圧とランプ電流とを検出して掛算器に入力し、該掛算器の出力値を基準値と比較するものもある。
【０００９】
また、例えば、特開平１０−３９９６号に記載の技術のように、ランプ電圧を検出するランプ電圧検出手段と、ランプ電流を検出するランプ電流検出手段と、両手段の出力に対して分圧作用が働く、調光操作時に分圧比が変化する可変分圧手段とを設け、可変分圧手段の出力に応じて点灯主回路を制御するものもある。
【００１０】
このように、調光のためには、「電力目標値に相関する量」を変更することが行われる理由は、ＨＩＤランプの電圧には、独特の特徴があるからである。
すなわち、ランプ電圧は、ランプが始動して、アーク放電に移行直後には、例えば１０Ｖ程度の低い値を示すが、その後、ランプ温度が上昇するにつれて、ランプ電圧も上昇し、やがて定常点灯状態に入る。
定常点灯状態の電圧は、短期間的には概ね安定しているが、長期間的には、電極の消耗などの条件により変化し、例えば、新品のランプでは６０Ｖ程度であったものが、寿命末期には１４０Ｖ程度にまで上昇する。
このランプの定格電力が例えば２００Ｗであったとすると、そのランプ電流は、新品のときは約３．３Ａ、寿命末期では約１．４Ａとなる。
【００１１】
光源の明るさは、ランプに投入される電力に比例するため、調光とは、あくまでも基準となる電力、例えば定格電力に対して、例えば８０％に電力を低減する、というように、電力を特定して制御できなければならない。
しかし前記のように、ＨＩＤランプにおいては、ランプ電圧が変化するものであるため、調光のために、ランプ電力を変調しようとする場合は、例えば、ランプ電流を特定するだけでは、電力を特定することができず、したがって、「電力目標値に相関する量」を変更する必要がある。
【００１２】
しかしながら、これら従来の技術によっては解決できない問題があった。
第１の問題は、高速な調光、すなわち光源の明るさの高速変調が難しいことである。前記した、ランプに投入される電力に相関する量と予め定めた「電力目標値に相関する量」とを比較し、これらが一致する方向にフィードバック制御される構成に対して、「電力目標値に相関する量」を変更するものの場合、乗算や除算の演算が必要であるため、高速変調動作のためには、高速のＡＤ変換器やマイクロプロセッサ、あるいは高速なアナログ乗算器や除算器が必要で、コスト増となる欠点があった。
【００１３】
さらに、特にマイクロプロセッサを用いて、ＡＤ変換や乗算、除算を行うものについて、一定期間毎に信号をサンプリングして、調光のための信号処理を行う方式の場合は、サンプリング周期ごとの信号処理となるため、調光のタイミングを調光要求発生回路側で制御できないし、処理のタイミングを与えるためのタイミング信号を設ける方式の場合でも、マイクロプロセッサが割込み処理によりタイミング信号に反応するまでの時間は、それまでに内部で行っていた処理に依存するため、調光のタイミングは正確に規定できない。
したがって、調光プロファイルにおけるジッタ（時間方向のバラツキ）が生じる欠点があった。
【特許文献１】特開２０００−７８４９６号
【特許文献２】特開２００１−２７８９０号
【特許文献３】特開平９−１３３６５４号
【特許文献４】特開平１１−２８３７８１号
【特許文献５】特開平１１−３３９９９３号
【特許文献６】特開平１０−３９９６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が解決しようとする課題は、光源の明るさの高速変調を実現した放電ランプ点灯装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１の放電ランプ点灯装置は、一対の主放電のための電極が対向配置された、放電ランプ（Ｌｄ）を点灯するための放電ランプ点灯装置であって、前記放電ランプ（Ｌｄ）に給電する給電回路（Ｕｘ）と、ランプ電圧（ＶＬ）を検出しランプ電圧検出信号（Ｓｖ）を生成するためのランプ電圧検出手段（Ｖｘ）と、ランプ電流（ＩＬ）を検出しランプ電流検出信号（Ｓｉ）を生成するためのランプ電流検出手段（Ｉｘ）と、前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）を変換するためのランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）と、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）からのランプ電流相関信号（Ｓｊ）と前記放電ランプ（Ｌｄ）に流す電流の大きさを示すランプ電流目標信号（Ｓｔ）との差異が小さくなるように前記給電回路（Ｕｘ）をフィードバック制御する給電能力制御回路（Ｕｄ）と、前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）に依存して前記放電ランプ（Ｌｄ）に投入されている負荷電力値ＰＬが予め定めた目標電力値ＰＴになるように前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する電力制御回路（Ｕｐ）と、複数ビットの２値の変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）を生成する変調信号生成回路（Ｕｎ）を有し、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）は前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御される複数個のスイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）を含み、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽の組み合せによってゲインが可変であることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の請求項２の放電ランプ点灯装置は、請求項１の発明において、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間は非活性状態となる変調許可信号（Ｓｓ）を生成する回路を有し、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は、前記変調許可信号（Ｓｓ）が活性状態のときは前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として外部の原調光信号発生回路（Ｕｍ）が生成する原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）に等しい信号を生成し、前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときは前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として予め定めた組み合せの信号を生成するように構成されたことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の請求項３の放電ランプ点灯装置は、請求項２の発明において、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定している期間において外部の前記原調光信号発生回路（Ｕｍ）が生成する電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が非活性状態のときは前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新しないように構成されたことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の請求項４の放電ランプ点灯装置は、請求項３の発明において、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が非活性状態の継続時間を監視し、該継続時間が予め定めた時間以上であることを検知したときは前記変調許可信号（Ｓｓ）を非活性状態にするとともに、前記放電ランプ（Ｌｄ）に投入されている負荷電力値ＰＬが予め定めた目標電力値ＰＴになるように前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新するように構成されたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明になる放電ランプ点灯装置は、ＡＤ変換や、ＡＤ変換されたデータのマイクロプロセッサによる乗算演算や除算演算などの複雑な処理や、アナログの乗算演算や除算演算などの複雑な処理を必要とせず、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）により、各スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）のオン状態とオフ状態が直接に制御され、したがって、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインが直接に高速に変調されるため、調光プロファイルにおけるジッタが生じない、光源の明るさの高速変調を実現した放電ランプ点灯装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
ＨＩＤランプが有する独特の特徴として、背景技術の部分で述べたものの他に、ランプ電流が変化してもそのランプ電圧はあまり変化しない、という特徴がある。
すなわち、近似的にはツェナダイオードのように流す電流とは無関係に、ランプ電圧を一定と見なすことができる。
当然ながら、いま述べた、一定と見なすことができるランプ電圧自体は、前記した、アーク放電に移行後の経過時間や、新品から寿命末期に至る何れの状態であるか、の条件で決まる値であり、短期間的な近似であるが、本発明は、この特徴を巧みに利用するものである。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
先ず、本発明の放電ランプ点灯装置の第１の実施例を簡略化して示すブロック図である図１を用いて、本発明を実施するための形態について説明する。
放電ランプ（Ｌｄ）には、その放電始動のためのスタータ（Ｕｅ）が接続してある。この図の場合の始動方式は、前記放電ランプ（Ｌｄ）の封体の外部に設けたトリガ電極（Ｅｔ）に高電圧を印加する、いわゆる外部トリガ方式の場合を示すが、始動方式は、本発明の本質には無関係である。
給電回路（Ｕｘ）は、前記放電ランプ（Ｌｄ）の主放電のための電極（Ｅ１，Ｅ２）を介して前記放電ランプ（Ｌｄ）に給電するように接続する。
【００２２】
前記給電回路（Ｕｘ）の出力電流、すなわちランプ電流（ＩＬ）はランプ電流検出手段（Ｉｘ）により検出され、ランプ電流検出信号（Ｓｉ）が生成されてランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）に入力され、ランプ電流相関信号（Ｓｊ）に変換されて出力される。
前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）は、（例えば、後述する図６に記載のもののように）その内部に複数個のスイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）を含み、それぞれのオン状態とオフ状態の組み合せによって前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲイン、すなわち前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）の入力信号である前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）の大きさに対する、出力信号である前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）の大きさの比、が可変であるように構成されている。
ここで、前記スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）のそれぞれに対応して、２値の変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）が変調信号生成回路（Ｕｎ）により生成され、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽（または偽と真）に対応して、前記スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）のそれぞれのオン状態とオフ状態が制御される。
すなわち、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインは、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽の組み合せにより可変である。
【００２３】
したがって、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）は、入力である前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）に対し、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）の状態で決まるゲインを付与した前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）を出力する。
このとき、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）の各ビットの真と偽との変化により生じるゲインの変化量、すなわち各ビットの重みは、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）の各ビットごとに異なり、各ビットの重みを適当に選択して構成することにより、少ない前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）の数、すなわちビット数で、多くの階調のゲインを設定することができる。
例えば、前記変調信号が３ビットであれば、ゲインの階調は８階調となる。
なお、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）は、普通は増幅器として構成されるが、減衰器であってもよい。
【００２４】
給電能力制御回路（Ｕｄ）には、前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）と、この信号の制御目標値であるランプ電流目標信号（Ｓｔ）とが入力され、前記給電能力制御回路（Ｕｄ）は、これら２つの信号を比較する。
そして、もし前記前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）が前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）より小さい場合は、前記ランプ電流（ＩＬ）が増加するように、逆に、前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）が前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）より大きい場合は、前記ランプ電流（ＩＬ）が減少するように、前記給電回路（Ｕｘ）へのゲート駆動信号（Ｓｇ）の出力をフィードバック制御することにより、前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）と前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）とが一致するように制御する。
【００２５】
一方、給電回路（Ｕｘ）の出力電圧、すなわちランプ電圧（ＶＬ）はランプ電圧検出手段（Ｖｘ）により検出され、ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）が生成されて電力制御回路（Ｕｐ）に入力される。
前記電力制御回路（Ｕｐ）は、前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）を用いて、前記放電ランプ（Ｌｄ）に投入されている負荷電力値ＰＬが予め定めた目標電力値ＰＴになるように、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する機能を有する。
【００２６】
本発明の放電ランプ点灯装置がこのように構成されていることにより、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）を所望の組み合せを生成することにより、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインを直接に変調することができ、この結果は、前記給電能力制御回路（Ｕｄ）のはたらきにより、直ちに前記給電回路（Ｕｘ）をフィードバック制御して前記ランプ電流（ＩＬ）を変調するため、光源の明るさの高速な変調を実現することができる。
【００２７】
先に、従来技術に関し、ＨＩＤランプにおいては、ランプ電圧が変化するものであるため、調光のために、ランプ電力を変調しようとする場合は、例えば、ランプ電流を特定するだけでは、電力を特定することができず、したがって、「電力目標値に相関する量」を変更する必要がある、ということについて述べたが、本発明の放電ランプ点灯装置においては、ランプ電流を特定することはせず、代わりに、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインを特定している点に注意すべきである。
ここで、このように前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインを設定することにより、正しく電力設定できるのは、先に述べた、近似的にはツェナダイオードのように流す電流とは無関係に、ランプ電圧を一定と見なすことができるというＨＩＤランプが有する独特の特徴を利用したものである。
【００２８】
前記変調信号生成回路（Ｕｎ）が生成する前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）に基づく前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインがある値であったとする。このとき、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、負荷電力値ＰＬが目標電力値ＰＴに一致するように、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する動作を、例えば定期的に繰り返す。
次に、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）を変化させて、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインを元の値の、例えば１０％だけ大きい値を生成したとすると、前記給電能力制御回路（Ｕｄ）は、元々は前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）に概ね等しかった前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）が大きくなったことを検知して、この状態を元に戻すように、前記給電回路（Ｕｘ）をフィードバック制御することにより、結果的に前記ランプ電流（ＩＬ）は、元より１０％だけ小さい値に減少するが、ランプ電圧を一定と見なすことができるため、ランプ電力が１０％だけ小さい値に減少することになり、正しく電力が特定された変調が達成されることがわかる。
【００２９】
以上述べたように、本発明の放電ランプ点灯装置における変調に際しては、前記目標電力値ＰＴや前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を操作していない。
また、本発明の放電ランプ点灯装置の、例えば前記電力制御回路（Ｕｐ）がマイクロプロセッサを含むものであっても、変調のための、前記各スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）のオン状態とオフ状態の決定には、マイクロプロセッサが関与していない。
したがって、本発明の放電ランプ点灯装置は、ＡＤ変換や、ＡＤ変換されたデータのマイクロプロセッサによる乗算演算や除算演算などの複雑な処理や、アナログの乗算演算や除算演算などの複雑な処理を必要とせず、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）により、各スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）のオン状態とオフ状態が直接に制御され、したがって、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインが直接に高速に変調されるため、調光プロファイルにおけるジッタが生じない、高速な変調が可能である。
【００３０】
本発明の放電ランプ点灯装置においては、従来技術における電力制御や調光と、前記したような光源の明るさの変調とを機能的に分離してある点に注意すべきである。実際、本発明の放電ランプ点灯装置においても、前記したように、負荷電力値ＰＬが目標電力値ＰＴに一致するように、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新することにより、定められた電力を維持するように動作するし、調光信号を外部から受信するなどして、目標電力値ＰＴを変更することにより、従来技術と同様の調光を行うことも可能である。
しかし本発明の場合は、このような電力制御や調光とは独立して、変調信号のための経路を別途設け、従来技術のような電力制御機構を介さずに、高速な変調動作を行うことができるようにしてあり、この点が本発明の技術的特徴である。
【００３１】
前記したように、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインを設定することにより、正しく電力設定できるためには、前記ランプ電圧（ＶＬ）が変化すると、電力の誤差が発生する可能性があり、そのために、前記したような、点灯開始からの所定期間、例えば点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間は、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として予め定めた組み合せの信号、例えば、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）のゲインが最小となる組み合せの信号を生成することにより、変調動作を阻止することが望ましい。
【００３２】
なお、前記した点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間に関しては、これを、単に予め定めた一定の期間、例えば、ランプが室温状態のときに点灯を開始した場合に、ランプ電圧の必要な安定性が得られるまでに要する期間についての、バラツキの最長値としてもよいが、ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）の時間変化に基づき、例えば、その変化率が予め定めた一定の値以下となったことを検知するまでの期間とすると、ランプが高温状態のときに点灯を開始した場合には、変調動作の阻止を早く解除できるようになるため、なお一層よい。
【００３３】
なお、本発明の放電ランプ点灯装置を、例えば、背景技術の部分で述べたプロジェクタに応用する場合は、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は、前記調光要求発生回路（Ｕｙ）としての画像処理回路からの調光情報を含む信号を受け、前記前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）を生成する。
また、本発明の放電ランプ点灯装置を、例えば、背景技術の部分で述べた光音響分析装置に応用する場合は、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は、前記調光要求発生回路（Ｕｙ）としての光波形発生回路からの調光情報を含む信号を受け、前記前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）を生成する。
このように、図１に基づいて、請求項１に記載の発明の内容を説明した。
【００３４】
次に、本発明の放電ランプ点灯装置の第２の実施例を簡素化して示すブロック図である図２を用いて、本発明を実施するための形態について説明する。この図２は、図１の実施例と同じ構成である部分については省略して記載されている。
この場合の変調信号生成回路（Ｕｎ）は、外部の原調光信号発生回路（Ｕｍ）から原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）を入力し、これに基づいて前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）を生成する。
【００３５】
前記変調信号生成回路（Ｕｎ）のなかのデータ変更回路（Ｕｓ）は、変調許可信号（Ｓｓ）が活性状態のときは、前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）をそのまま通過させて前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として出力し、逆に、前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときは、前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）を前記した予め定めた組み合せの信号に変更して前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として出力する機能を有する回路である。
なお、前記した前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）をそのまま通過させるに際しては、当然ながら、例えば電流信号を電圧信号に変換したり、光信号を電気信号に変換するなどの信号担体の変換や例えば周波数変調された信号を復調するなどの信号の復調、例えば信号の振幅を変更したり２線差動信号を単線信号に変換するなどの信号のレベル変換、例えばハイアクティブの信号をローアクティブの信号に変換するなどの信号論理の変換などは、必要に応じて適宜行うことができる。
【００３６】
前記変調許可信号（Ｓｓ）は前記電力制御回路（Ｕｐ）により生成され、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間は、前記変調許可信号（Ｓｓ）を非活性状態とする。
【００３７】
先に、点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間は、変調動作を阻止することが望ましい旨を説明したが、このように放電ランプ点灯装置を構成することにより、点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間は、前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態になり、その状態においては、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として前記した予め定めた組み合せの信号を生成し、変調動作を阻止することができるため、前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）が、前記ランプ電圧（ＶＬ）の安定について感知しない回路により発生される場合であっても、前記した前記ランプ電圧（ＶＬ）の変化に起因する電力の誤差が発生することが防止できる。
【００３８】
前記したように、前記給電能力制御回路（Ｕｄ）において、前記ランプ電流相関信号（Ｓｊ）と前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）とが一致するようにフィードバック制御し、また、前記電力制御回路（Ｕｐ）において、前記放電ランプ（Ｌｄ）に投入されている負荷電力値ＰＬが予め定めた目標電力値ＰＴになるように、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新するため、２重フィードバックの構造を有している。
【００３９】
先に、近似的にはツェナダイオードのように流す電流とは無関係に、ランプ電圧を一定と見なすことができることを述べたが、厳密にはランプ電流（ＩＬ）が変化するとランプ電圧（ＶＬ）も若干変化するため、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）に基づく変調動作によりランプ電流（ＩＬ）を変化させると、前記した前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する動作に擾乱を与えることになるが、２重フィードバックの構造の制御においては、例えばその擾乱の周期と前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する周期の関係に関連して、動作が不安定になる可能性がある。
この問題を回避するための対策として、前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）の内容に基づいて、放電ランプ点灯装置における前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する動作を停止させることが望ましいと前記原調光信号発生回路（Ｕｍ）が判断する期間においては、前記原調光信号発生回路（Ｕｍ）によって放電ランプ点灯装置をそのように制御できることが望ましい。
【００４０】
これを実現するために、図２において破線で示されているように、前記原調光信号発生回路（Ｕｍ）から電流目標更新許可信号（Ｓｆ）を、前記電力制御回路（Ｕｐ）に入力できるように構成し、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が非活性状態のときは、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する動作を停止する。
ただし、前記した点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間内や、その期間を過ぎた後であっても、例えばランプ冷却条件が変化するなどに起因して前記ランプ電圧（ＶＬ）が大きく変化していることを検知した場合などは、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が非活性状態であっても、それを無視して前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新する動作を実行するように構成すべきである。
【００４１】
なお、前記放電ランプ（Ｌｄ）に投入されている負荷電力値ＰＬが予め定めた目標電力値ＰＴになるように、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新するための本発明の放電ランプ点灯装置の前記電力制御回路（Ｕｐ）の構成として、例えば、前記目標電力値ＰＴを前記ランプ電圧（ＶＬ）で除算した値に基づき前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を算出する構成、あるいは、前記ランプ電圧（ＶＬ）と前記ランプ電流（ＩＬ）の積と前記目標電力値ＰＴを比較してその差が小さくなるように前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を増加または減少させる構成などがあるが、特に後者の構成の場合のように、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）に基づく変調動作によりランプ電流（ＩＬ）を変化させると、前記電力制御回路（Ｕｐ）が変調による電力変化を打ち消すように動作する構成の場合は、ここで述べた、電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が非活性状態のときは、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新しないようにする構成を採用すべきである。
【００４２】
またこの場合は、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）を活性状態にする際は、その期間に入力される前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）の組み合せは、毎回の前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）を活性状態にする度に同じもの、もしくは近い変調量（電力の近い前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）の組み合せ）にすべきである。
何となれば、もし前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が活性状態になる度に、変調量が大きく異なる場合は、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）の値を大きく変化させなければならず、逆に動作の不安定が増す可能性があるからである。
【００４３】
前記した点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間を過ぎた後であっても、前記ランプ電圧（ＶＬ）が徐々に変化する場合もあるし、また前記したように、例えばランプ冷却条件が変化するなどに起因して前記ランプ電圧（ＶＬ）が大きく変化する場合もある。
前記ランプ電圧（ＶＬ）が高くなる方向の変化が生じたときに、もし、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）の非活性状態が長時間継続した場合は、前記放電ランプ（Ｌｄ）の定格電力を上回る電力が投入され、ランプが過熱して、寿命劣化や破損が生じるなどの危険な状態に陥る可能性がある。
そのため、適当な頻度で前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新することが望ましく、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）は、適当な頻度で活性状態にするように発生されるべきである。
【００４４】
したがって、前記電力制御回路（Ｕｐ）が、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が非活性状態の継続時間を監視し、該継続時間が予め定めた時間以上であることを検知したときは、前記変調許可信号（Ｓｓ）を非活性状態にするとともに、前記放電ランプ（Ｌｄ）に投入されている負荷電力値ＰＬが予め定めた目標電力値ＰＴになるように、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を更新することにより、変調動作を停止することができるため、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）の活性化が途絶えたり、頻度が低下した場合にも、安全な状態で稼動を続行することができる。
【００４５】
なお、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）の活性化が途絶えたために、ここで述べた機能により変調動作を停止した場合でも、後に前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）の活性化が再開した場合は、変調停止が解除され、変調動作を再開できるようにすべきである。
このように、図２に基づいて、請求項１〜４に記載の発明の内容を説明した。
【００４６】
次に、各発明を、より具体的な構成を示した図面を用いて、以下で更に説明する。
図３は、ＤＣ駆動方式による、本発明の放電ランプ点灯装置（Ｅｘ）の構成の、簡略化された一例を示すものである。
【００４７】
本発明の放電ランプ点灯装置（Ｅｘ）において、降圧チョッパ回路を基本とした給電回路（Ｕｘ）は、ＰＦＣ等のＤＣ電源（Ｍｘ）より電圧の供給を受けて動作し、放電ランプ（Ｌｄ）への給電量調整を行う。前記給電回路（Ｕｘ）においては、ＦＥＴ等のスイッチ素子（Ｑｘ）によってＤＣ電源（Ｍｘ）よりの電流をオン・オフし、チョークコイル（Ｌｘ）を介して平滑コンデンサ（Ｃｘ）に充電が行われ、この電圧が放電ランプ（Ｌｄ）に印加され、放電ランプ（Ｌｄ）に電流を流すことができるように構成されている。
なお、前記スイッチ素子（Ｑｘ）がオン状態の期間は、スイッチ素子（Ｑｘ）を通じた電流により、直接的に平滑コンデンサ（Ｃｘ）への充電と負荷である放電ランプ（Ｌｄ）への電流供給が行われるとともに、チョークコイル（Ｌｘ）に磁束の形でエネルギーを蓄え、前記スイッチ素子（Ｑｘ）がオフ状態の期間は、チョークコイル（Ｌｘ）に磁束の形で蓄えられたエネルギーによって、フライホイールダイオード（Ｄｘ）を介して平滑コンデンサ（Ｃｘ）への充電と放電ランプ（Ｌｄ）への電流供給が行われる。
【００４８】
前記降圧チョッパ型の給電回路（Ｕｘ）においては、前記スイッチ素子（Ｑｘ）の動作周期に対する、前記スイッチ素子（Ｑｘ）がオン状態の期間の比、すなわちデューティサイクル比により、前記放電ランプへの給電量を調整することができる。
ここでは、あるデューティサイクル比を有するゲート駆動信号（Ｓｇ）が給電制御回路（Ｆｘ）によって生成され、ゲート駆動回路（Ｇｘ）を介して、前記スイッチ素子（Ｑｘ）のゲート端子を制御することにより、前記したＤＣ電源（Ｍｘ）よりの電流のオン・オフが制御される。
【００４９】
スタータ（Ｕｉ）においては、抵抗（Ｒｉ）を介して、ランプ電圧（ＶＬ）によってコンデンサ（Ｃｉ）が充電される。ゲート駆動回路（Ｇｉ）を活性化すると、サイリスタ等よりなるスイッチ素子（Ｑｉ）が導通することにより、前記コンデンサ（Ｃｉ）がトランス（Ｋｉ）の１次側巻線（Ｐｉ）を通じて放電し、２次側巻線（Ｈｉ）に高電圧パルスを発生する。スタータ（Ｕｉ）の２次側巻線（Ｈｉ）に発生した高電圧は、給電回路（Ｕｘ）の出力電圧に重畳されて電極（Ｅ１，Ｅ２）間に印加され、放電ランプ（Ｌｄ）の放電を始動することができる。
この図の始動方式は、図１の始動方式とは異なるが、始動のためのトリガ方式は、本発明の本質には無関係である。
【００５０】
前記放電ランプ（Ｌｄ）の電極（Ｅ１，Ｅ２）間を流れるランプ電流（ＩＬ）と、電極（Ｅ１，Ｅ２）間に発生するランプ電圧（ＶＬ）とは、ランプ電流検出手段（Ｉｘ）と、ランプ電圧検出手段（Ｖｘ）とによって、検出できるように構成される。
なお、前記ランプ電流検出手段（Ｉｘ）については、シャント抵抗を用いて、また前記ランプ電圧検出手段（Ｖｘ）については、分圧抵抗を用いて簡単に実現することができる。
前記ランプ電流検出手段（Ｉｘ）よりのランプ電流検出信号（Ｓｉ）、および前記ランプ電圧検出手段（Ｖｘ）よりのランプ電圧検出信号（Ｓｖ）は、前記給電制御回路（Ｆｘ）に入力される。
【００５１】
図４は、図３に記載の前記給電制御回路（Ｆｘ）の簡略化された構成を示すものである。
前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）は、電力制御回路（Ｕｐ）のなかのＡＤ変換器（Ａｄｃ）に入力されて、適当な桁数を有するディジタルのランプ電圧データ（Ｓｘｖ）に変換され、マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）に入力される。
ここで、マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）は、ＣＰＵやプログラムメモリ、データメモリ、クロックパルス発生回路、タイムカウンタ、ディジタル信号の入出力のためのＩＯ制御器などを含む。
【００５２】
マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）は、前記ランプ電圧データ（Ｓｘｖ）を参照した計算や、その時点の系の状態に応じた条件判断に基づき、後述する給電能力制御回路（Ｕｄ）のための、チョッパ能力制御目標データ（Ｓｘｔ）を生成する。前記チョッパ能力制御目標データ（Ｓｘｔ）は、ＤＡ変換器（Ｄａｃ）によって、アナログのランプ電流目標信号（Ｓｔ）に変換され、給電能力制御回路（Ｕｄ）に入力される。
さらに、許容されるランプ電流（ＩＬ）の上限値ＩＬｍａｘを規定するためのランプ電流上限信号（Ｓｋ）が、ランプ電流上限信号発生回路（Ｕｃ）により発生され、給電能力制御回路（Ｕｄ）に入力される。
【００５３】
前記給電能力制御回路（Ｕｄ）内においては、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）は、必要に応じて設ける増幅器またはバッファ（Ａｄ１）とダイオード（Ｄｄ１）を介して、さらに、前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）は、必要に応じて設ける増幅器またはバッファ（Ａｄ２）とダイオード（Ｄｄ２）を介して、ともにプルアップ抵抗（Ｒｄ１）の一端に接続され、チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）が生成される。
なお、前記プルアップ抵抗（Ｒｄ１）の他端は適当な電圧を有する基準電圧源（Ｖｄ１）に接続される。
したがって、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）は、前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）に対応する信号（Ｓｄ３）または前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）に対応する信号（Ｓｄ４）のうちの、何れか大きくない方が選択された信号となる。
【００５４】
すなわち、前記電力制御回路（Ｕｐ）が、例えば、定格電力に対応する定数を前記ランプ電圧データ（Ｓｘｖ）で除算して、定格電力を達成するためのランプ電流（ＩＬ）の値を算出し、この値に対応するものとして生成するなど、何らかの方法で前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を生成したとして、仮にこれが不適当であった場合でも、前記給電能力制御回路（Ｕｄ）内において、ハードウェア的に、ランプ電流（ＩＬ）が前記ランプ電流上限信号（Ｓｋ）を超えないように、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）が制限されることになる。
【００５５】
因みに、前記したＡＤ変換器（Ａｄｃ）やマイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）を介した制御は、動作速度が遅い（もしくは速いものとすると高コストとなる）ため、例えばランプの放電状態が急変するなどの事態が生じた場合には、その動作遅れによって、前記したランプ電流目標信号（Ｓｔ）の不適当が発生し得るため、このような電流制限機能をハードウェア的に構成することは、ランプや給電装置の保護の観点からも有益なことである。
【００５６】
一方、前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）は、ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）によって、変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）に基づき変換され、必要に応じて設ける増幅器またはバッファ（Ａｄ３）とダイオード（Ｄｄ３）を介して、一端がグランド（Ｇｎｄｘ）に接続されたプルダウン抵抗（Ｒｄ５）の他端に接続され、制御対象信号（Ｓｄ５）が生成される。
【００５７】
さらに、前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）は、比較器（Ｃｍｖ）によって、前記した無負荷開放電圧に対応する電圧を有する基準電圧源（Ｖｄ２）の電圧と比較され、もし、前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）が、無負荷開放電圧より高い場合は、トランジスタ（Ｑｄ１）がオフまたは能動状態になり、適当な電圧源（Ｖｄ３）から、抵抗（Ｒｄ４）とダイオード（Ｄｄ４）を介して、前記プルダウン抵抗（Ｒｄ５）に電流を流すことにより、前記制御対象信号（Ｓｄ５）の水準を上げるように動作する。
逆に、前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）が、無負荷開放電圧より低い場合は、前記トランジスタ（Ｑｄ１）がオン状態になるため、前記電圧源（Ｖｄ３）からの電流は短絡され、前記制御対象信号（Ｓｄ５）は、前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）に対応するものとなる。
何となれば、前記のプルダウン抵抗（Ｒｄ５）とダイオード（Ｄｄ３）、ダイオード（Ｄｄ４）よりなる回路は、各ダイオードのアノード側の信号（Ｓｄ６）と信号（Ｓｄ７）の何れか小さくない方に対応する電圧が選択されてプルダウン抵抗（Ｒｄ５）に発生するからである。
このように構成したことにより、たとえ出力電流がほとんど停止して、前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）がほとんど入らない状態であっても、前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）が、前記無負荷開放電圧より高くなろうとすると、前記制御対象信号（Ｓｄ５）が急速に上昇することにより、ランプ電圧（ＶＬ）は、概略無負荷開放電圧以下に、常にハードウェア的に制限される。
【００５８】
前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）は、抵抗（Ｒｄ２）と抵抗（Ｒｄ３）で分圧されて、演算増幅器（Ａｄｅ）の反転入力端子に入力される。
一方、前記制御対象信号（Ｓｄ５）は、前記演算増幅器（Ａｄｅ）の非反転入力端子に入力される。
そして、前記演算増幅器（Ａｄｅ）の出力信号（Ｓｄ１）は、積分コンデンサ（Ｃｄ１）とスピードアップ抵抗（Ｒｄ６）を介して反転入力端子にフィードバックされているため、前記演算増幅器（Ａｄｅ）は、前記チョッパ駆動目標信号（Ｓｄ２）の抵抗（Ｒｄ２）と抵抗（Ｒｄ３）による分圧電圧に対する、前記制御対象信号（Ｓｄ５）の電圧の差を積分する、誤差積分回路としてはたらく。
【００５９】
時定数を決めるための抵抗（Ｒｄ０）とコンデンサ（Ｃｄ０）が接続された発振器（Ｏｓｃ）は、図５のａに示すような鋸歯状波信号（Ｓｄ０）を発生し、この鋸歯状波信号（Ｓｄ０）と、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）とは、比較器（Ｃｍｇ）で比較される。
ただし比較に際しては、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）に対してオフセット電圧（Ｖｄ４）を加えた信号（Ｓｄ８）と前記鋸歯状波信号（Ｓｄ０）とが比較される。
前記鋸歯状波信号（Ｓｄ０）の電圧が前記信号（Ｓｄ８）の電圧よりも高い期間においてハイレベルとなる前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）が生成され、前記給電能力制御回路（Ｕｄ）から出力される。
前記したように、前記信号（Ｓｄ８）は誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）にオフセットを加えたものであるため、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）が仮に零であったとしても、前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）のデューティサイクル比は、１００％より小さいある最大値、すなわち最大デューティサイクル比ＤＸｍａｘ以下になるように構成されている。
図５のａおよびｂには、前記誤差積分回路の出力信号（Ｓｄ１）、およびこれに対してオフセットを加えた信号（Ｓｄ８）、前記鋸歯状波信号（Ｓｄ０）と前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）の関係が示されている。
【００６０】
前記給電制御回路（Ｆｘ）から出力された前記ゲート駆動信号（Ｓｇ）が、前記ゲート駆動回路（Ｇｘ）に入力されることにより、結果として、前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）および前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）が、スイッチ素子（Ｑｘ）の動作にフィードバックされたフィードバック制御系が完成する。
なお、前記図３に記載の給電能力制御回路（Ｕｄ）の構成に際しては、前記演算増幅器（Ａｄｅ）や発振器（Ｏｓｃ）、比較器（Ｃｍｇ）などが集積された市販の集積回路として、テキサスインスツルメンツ社製ＴＬ４９４などを利用することができる。
【００６１】
図６は、前記図４に記載の前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）の簡略化された構成を示すものである。
この図のランプ電流検出信号変換回路は、演算増幅器（Ａａｉ）による非反転増幅回路を基本として、前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）が、前記演算増幅器（Ａａｉ）により増幅され、その出力信号としてランプ電流相関信号（Ｓｊ）が生成される。
【００６２】
前記演算増幅器（Ａａｉ）の出力は、抵抗（Ｒｆｃ）と、抵抗（Ｒａｃ）やこれに並列接続されてグランドに接続されている抵抗との合成抵抗と、により分圧されて前記演算増幅器（Ａａｉ）の反転入力端子に接続されるため、この非反転増幅回路のゲインは、この分圧比により規定される。
抵抗（Ｒａｃ）に並列接続されている抵抗（Ｒａ０，Ｒａ１，Ｒａ２）とグランドとの間には、トランジスタによるスイッチ（Ｚ０，Ｚ１，Ｚ２）がそれぞれ挿入されているため、スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，Ｚ２）それぞれのオンまたはオフにより、それぞれの抵抗（Ｒａ０，Ｒａ１，Ｒａ２）が接続状態または非接続状態を切換えられるため、この非反転増幅回路のゲインを可変することができる。
スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，Ｚ２）は、それぞれのベース端子がそれぞれベース抵抗（Ｒｍ０，Ｒｍ１，Ｒｍ２）を介して変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）に接続されているため、スイッチ（Ｚ０，Ｚ１，Ｚ２）は、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御され、結果として、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）のそれぞれのビットの真と偽の組み合せによってこの非反転増幅回路のゲインを可変することができる。
【００６３】
ここで、抵抗（Ｒａ０，Ｒａ１，Ｒａ２）の抵抗値の関係として、抵抗（Ｒａ０）を抵抗（Ｒａ１）の２倍、抵抗（Ｒａ１）を抵抗（Ｒａ２）の２倍に設定することにより、変調信号（Ｍ０）を最下位ビット、変調信号（Ｍ２）を最上位ビットとした３ビットの２進数データとしてこの非反転増幅回路のゲインを可変することができる。
ただし、非反転増幅回路のゲインと２進数データとは直線関係には無い。
なおここでは、一例として３ビットの場合を示したが、必要に応じてビット数を増減して同様に構成することができる。
【００６４】
図７は、前記図４に記載の前記変調信号生成回路（Ｕｎ）の簡略化された構成を示すものである。
この図には、前記図６の前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）も省略して記載してある。
【００６５】
原電流目標更新許可信号（Ｓｆｉ）が、端子（Ｔｓ）から入力され、抵抗（Ｒｆ１）と、ＬＥＤ（Ｄｆｉ）を介して、フォトカプラを構成するフォトトランジスタ（Ｑｆｉ）に信号が伝達される。そのコレクタがプルアップ抵抗（Ｒｆ２）を介して適当な電圧を有する回路電源（Ｖｃｃ）に接続されることにより、電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が生成され、前記電力制御回路（Ｕｐ）に入力される。
ここでは、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）は、ローレベルのときに活性状態と定義される。
なお、前記変調信号生成回路（Ｕｎ）は原調光信号発生回路（Ｕｍ）とのインターフェイスを兼ねており、また、後述するように、ダイオード（Ｄｆｓ１）を介した、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）によって第２変調許可信号（Ｓｓ’）に干渉させる工夫を行うために、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が前記変調信号生成回路（Ｕｎ）において生成される形になっている。
【００６６】
同様に、原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２）が、端子（Ｔｍ０，Ｔｍ１，Ｔｍ２）から入力され、抵抗（Ｒｍ１０，Ｒｍ１１，Ｒｍ１２）と、ＬＥＤ（Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）を介して、それぞれフォトカプラを構成するフォトトランジスタ（Ｑｍ０，Ｑｍ１，Ｑｍ２）に信号が伝達される。
それぞれのコレクタがプルアップ抵抗（Ｒｍ２０，Ｒｍ２１，Ｒｍ２２）を介して適当な電圧を有する回路電源（Ｖｃｃ）に接続され、それぞれ抵抗（Ｒｍ３０，Ｒｍ３１，Ｒｍ３２）を介して、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）として前記変調信号生成回路（Ｕｎ）に送られる。
なお、端子（Ｔｃ）には、フォトカプラのＬＥＤ（Ｄｆｉ，Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）の各アノードが共通に接続され、各ＬＥＤを光らせるための電源が接続される。
【００６７】
前記電力制御回路（Ｕｐ）からは、変調許可信号（Ｓｓ）が出力されるが、ここではハイレベルのときに活性状態と定義される。
前記変調許可信号（Ｓｓ）は、ローレベルのときに、ダイオード（Ｄｆｓ２）を介して、回路電源（Ｖｃｃ）に接続されたプルアップ抵抗（Ｒｓ１）の他端に現れる第２変調許可信号（Ｓｓ’）をローレベルにする。
前記第２変調許可信号（Ｓｓ’）がローレベルになると、ベース抵抗（Ｒｓ２）を介してトランジスタ（ＱｓＨ）はコレクタから電流を流し出すことができるようになり、また、ベース抵抗（Ｒｓ４）を介してトランジスタ（ＱｓＬ）はコレクタから電流を吸い込むことができるようになる。
逆に、前記第２変調許可信号（Ｓｓ’）がハイレベルになると、前記トランジスタ（ＱｓＨ）はコレクタから電流を流し出すことができないようになり、トランジスタ（ＱｓＬ）はコレクタから電流を吸い込むことができないようになる。
【００６８】
ダイオード（Ｄｓ０，Ｄｓ１）は、そのアノードが前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１）に、そのカソードがトランジスタ（ＱｓＬ）のコレクタに接続され、また、ダイオード（Ｄｓ２）は、そのカソードが前記変調信号（Ｍ２）に、そのアノードがトランジスタ（ＱｓＨ）のコレクタに接続される場合を一例として示してある。
この場合は、前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態すなわちローレベルになると、前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２）の状態によらず、ダイオード（Ｄｓ０，Ｄｓ１）を介して前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１）はローレベルに、また、ダイオード（Ｄｓ２）を介して前記変調信号（Ｍ２）はハイレベルに設定される。
【００６９】
したがって、ダイオード（Ｄｓ０，Ｄｓ１，Ｄｓ２）およびトランジスタ（ＱｓＨ，ＱｓＬ）より構成される部分が、前記したデータ変更回路（Ｕｓ）のはたらきを行い、すなわち、前記した前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときは、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として予め定めた組み合せの信号を生成する構成が実現される。
そして前記したように、前記電力制御回路（Ｕｐ）は、点灯開始から前記ランプ電圧（ＶＬ）が安定するまでの期間は、前記変調許可信号（Ｓｓ）を非活性状態とすることにより、この期間において変調動作を阻止することができる。
【００７０】
いまの場合は、予め定めた組み合せの信号とは、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）がロー、ロー、ハイの組み合せとなるが、先の説明で容易に理解できるように、それぞれのダイオード（Ｄｓ０，Ｄｓ１，Ｄｓ２）を、トランジスタ（ＱｓＨ）またはトランジスタ（ＱｓＬ）の何れに接続するか、その接続先を変更することで、前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときに発現される、予め定めた組み合せの信号を任意に設定することができる。
【００７１】
また、先に、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）を活性状態にする際は、その期間に入力される前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）の組み合せは、毎回の前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）を活性状態にする度に同じもの、もしくは近い変調量（電力の近い前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，…）の組み合せ）にすべきである旨を説明したが、ダイオード（Ｄｆｓ１）を図に記載のように接続した場合は、前記電流目標更新許可信号（Ｓｆ）が活性状態すなわちローレベルになると、前記ダイオード（Ｄｆｓ１）を介して前記第２変調許可信号（Ｓｓ’）がローレベルになるため、前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときに発現される、予め定めた組み合せの信号と同じ前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）が自動的に設定されることになり、好都合である。
この機能が不要の場合は、前記ダイオード（Ｄｆｓ１）を単に取り外すだけでよい。
【００７２】
なお、前記原電流目標更新許可信号（Ｓｆｉ）や前記原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２）については、フォトカプラを用いて信号の入力を行う場合を記載したが、その理由は、例えば前記したような画像表示用プロジェクタにおいては、これらの信号は、画像処理回路が発生するものであるが、概してこのような回路は、操作者が直接触れる部分との強い絶縁が不要な安全低電圧回路に属するものであり、また高速・精密であるためにノイズに弱いことが多い一方、前記給電回路（Ｕｘ）はパワー系回路であり、商用電源と非絶縁であるために危険な回路であったり、またスイッチングノイズなどのノイズやサージの多い回路であるため、それらを電気的に分離して絶縁することが望ましい場合が多いからである。
したがって、そのような絶縁が不要の場合は、フォトカプラを用いる必要はない。
【００７３】
前記図６には、演算増幅器による非反転増幅回路を基本とした前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）の一例を示したが、図８に、同じく演算増幅器による非反転増幅回路を基本としたランプ電流検出信号変換回路Ａｉ’と変調信号生成回路Ｕｎ’からなる部分の一例を示す。
前記図６のものにおいては並列接続されていた抵抗（Ｒａｃ，Ｒａ０，Ｒａ１，Ｒａ２）を、図８のものにおいては直列接続の抵抗（Ｒａ０’，Ｒａ１’，Ｒａ２’，Ｒａｃ’）とし、抵抗（Ｒａ０’，Ｒａ１’，Ｒａ２’）それぞれを、フォトカプラを構成するトランジスタによるスイッチ（Ｚ０’，Ｚ１’，Ｚ２’）それぞれのオンまたはオフにより短絡状態または非短絡状態を切換えられるため、この非反転増幅回路のゲインを可変することができるようにしたものである。
【００７４】
前記スイッチ（Ｚ０’，Ｚ１’，Ｚ２’）それぞれのオンまたはオフを制御するフォトカプラのＬＥＤ（Ｄｆｉ，Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）を光らせるための電源が供給される端子（Ｔｃ）からの電流経路を、フォトカプラのトランジスタ（Ｑｓ’）を用いて切断することにより、原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２）の状態によらず、前記スイッチ（Ｚ０’，Ｚ１’，Ｚ２’）全てをオフにし、非反転増幅回路のゲインを最小にすることができる。
前記フォトカプラのトランジスタ（Ｑｓ’）のオンまたはオフを制御するフォトカプラのＬＥＤ（Ｄｓ’）を、ローレベルのときに活性状態と定義される前記電力制御回路（Ｕｐ）からの変調許可信号（Ｓｓ）により、回路電源（Ｖｃｃ）に接続された抵抗（Ｒｓ’）を介して駆動するようにしておけば、前記した前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときは、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として予め定めた組み合せの信号を生成する構成が実現される。
なおこの場合、変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）には、前記ＬＥＤ（Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）それぞれの出力である光信号（またはそれぞれのＬＥＤの電流）が相当する。
【００７５】
同様に、図９に、同じく演算増幅器による非反転増幅回路を基本としたランプ電流検出信号変換回路Ａｉ”と変調信号生成回路Ｕｎ”からなる部分の一例を示す。
前記図８のものにおいてはグランドに接続される側の合成抵抗を変更することによって非反転増幅回路のゲインを可変としたが、図９のものにおいてはグランドに接続される側の抵抗（Ｒａｃ”）は不変とし、帰還側の抵抗を、抵抗（Ｒａ０”，Ｒａ１”，Ｒａ２”，Ｒｆｃ”）とし、抵抗（Ｒａ０”，Ｒａ１”，Ｒａ２”）それぞれを、フォトカプラを構成するトランジスタによるスイッチ（Ｚ０”，Ｚ１”，Ｚ２”）それぞれのオンまたはオフにより短絡状態または非短絡状態を切換えられるため、この非反転増幅回路のゲインを可変することができるようにしたものである。
【００７６】
前記スイッチ（Ｚ０’，Ｚ１’，Ｚ２’）それぞれのオンまたはオフを制御するフォトカプラのＬＥＤ（Ｄｆｉ，Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）を光らせるための電流を、トランジスタ（Ｑｓ”）がオン状態のときに、ダイオード（Ｄｎ０，Ｄｎ１，Ｄｎ２）および抵抗（Ｒｎ０，Ｒｎ１，Ｒｎ２）を介して、供給することができるようにすることにより、原変調信号（Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２）の状態によらず、前記スイッチ（Ｚ０’，Ｚ１’，Ｚ２’）全てをオンにし、非反転増幅回路のゲインを最小にすることができる。
前記トランジスタ（Ｑｓ”）のオンまたはオフを制御するフォトカプラのＬＥＤ（Ｄｓ”）を、ハイレベルのときに活性状態と定義される前記電力制御回路（Ｕｐ）からの変調許可信号（Ｓｓ）により、回路電源（Ｖｃｃ）に接続された抵抗（Ｒｓ”）を介して駆動するようにしておけば、前記した前記変調許可信号（Ｓｓ）が非活性状態のときは、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）として予め定めた組み合せの信号を生成する構成が実現される。
なお、前記トランジスタ（Ｑｓ”）のエミッタは、前記ＬＥＤ（Ｄｆｉ，Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）を光らせるための電源（Ｖｍ）のグランドが接続された端子（Ｔｇ）に接続される。
なお、この場合も、変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）には、前記ＬＥＤ（Ｄｍ０，Ｄｍ１，Ｄｍ２）それぞれの出力である光信号（またはそれぞれのＬＥＤの電流）が相当する。
【００７７】
このように、本発明の放電ランプ点灯装置においては、前記ランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ）の構成については、種々の方式ものが可能で、ここで示した非反転増幅器を基本としたもの以外にも、反転増幅器を基本としたものや、増幅器を使用しないものなどが使用できる。
ここまでの説明においては、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御される複数個のスイッチ（Ｚ０，Ｚ１，…）を含むものとして、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）のそれぞれに、１個づつのスイッチ素子がそれぞれ対応して設けられた、すなわち、前記変調信号（Ｍ０）の真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ（Ｚ０）、前記変調信号（Ｍ１）の真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ（Ｚ１）、前記変調信号（Ｍ２）の真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ（Ｚ２）を含むものを例示したが、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，…）のそれぞれに、複数個づつのスイッチ素子がそれぞれ対応して設けられたものでもよい。
例えば、図１０に示すような、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）のそれぞれに、２個づつのスイッチ素子がそれぞれ対応して設けられた、すなわち、前記変調信号（Ｍ０）の真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ素子（Ｚ０ａ，Ｚ０ｂ）、前記変調信号（Ｍ１）の真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ素子（Ｚ１ａ，Ｚ１ｂ）、前記変調信号（Ｍ２）の真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ素子（Ｚ２ａ，Ｚ２ｂ）を含むものでもよい。
図１０に示すランプ電流検出信号変換回路（Ａｉ０）の場合、前記変調信号（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ素子（Ｚ０ａ，Ｚ１ａ，Ｚ２ａ）に対し、スイッチ素子（Ｚ０ｂ，Ｚ１ｂ，Ｚ２ｂ）のベースにはインバータ（Ｉ０，Ｉ１，Ｉ２）が挿入されているため、スイッチ素子（Ｚ０ａ）とスイッチ素子（Ｚ０ｂ）とは一方がオン状態であれば他方はオフ状態に、スイッチ素子（Ｚ１ａ）とスイッチ素子（Ｚ１ｂ）とは一方がオン状態であれば他方はオフ状態に、スイッチ素子（Ｚ２ａ）とスイッチ素子（Ｚ２ｂ）とは一方がオン状態であれば他方はオフ状態に、それぞれなる。
また、図１０に示すように、例えばラダー抵抗ネットワーク（ＲＡ０）を利用したり、ＤＡ変換用ＩＣを使用して構成することも可能である。
【００７８】
前記図３においては、降圧チョッパ型のＤＣ−ＤＣコンバータを基本とした給電回路（Ｕｘ）を示したが、昇圧チョッパ型や反転（または昇降圧）チョッパ型などの他の方式のコンバータや、トランスや共振回路を用いたものなど、任意の電力供給回路により構成することができる。
【００７９】
本明細書においては、主としてＤＣ駆動方式の放電ランプ点灯装置について説明したが、本発明の特長は、ランプの種類には無関係であるため、例えばコンバータの後段にフルブリッジインバータを設けて構成したものなどのＡＣ駆動方式の放電ランプ点灯装置に対しても応用可能である。
【００８０】
本明細書に記載の回路構成は、本発明の光源装置の動作や機能、作用を説明するために、必要最少限のものを記載したものである。
したがって、説明した回路構成や動作の詳細事項、例えば、信号の極性であるとか、具体的な回路素子の選択や追加、省略、或いは素子の入手の便や経済的理由に基づく変更などの創意工夫は、実際の装置の設計時に遂行されることを前提としている。
【００８１】
とりわけ過電圧や過電流、過熱などの破損要因から給電装置のＦＥＴ等のスイッチ素子などの回路素子を保護するための機構、または、給電装置の回路素子の動作に伴って発生する放射ノイズや伝導ノイズの発生を低減したり、発生したノイズを外部に出さないための機構、例えば、スナバ回路やバリスタ、クランプダイオード、（パルスバイパルス方式を含む）電流制限回路、コモンモードまたはノーマルモードのノイズフィルタチョークコイル、ノイズフィルタコンデンサなどは、必要に応じて、実施例に記載の回路構成の各部に追加されることを前提としている。
本発明になる放電ランプ点灯装置の構成は、本明細書に記載の回路方式のものに限定されるものではなく、また、記載の波形やタイミング図に限定されるものではない。
【００８２】
さらに、例えば、前記図１における前記給電制御回路（Ｆｘ）の前記電力制御回路（Ｕｐ）は、ランプ電圧（ＶＬ）に対応する前記ランプ電圧検出信号（Ｓｖ）をＡＤ変換し、これに基づいて前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を設定するものとしたが、ランプ電流（ＩＬ）に対応する前記ランプ電流検出信号（Ｓｉ）についてもこれをＡＤ変換し、得られた電流値が目標電流値に一致するように前記ランプ電流目標信号（Ｓｔ）を補正して設定することにより、各回路素子パラメータのバラツキの影響を補正するような高精度化や高機能化、あるいは逆に、例えば、前記マイクロプロセッサユニット（Ｍｐｕ）を廃して、より単純な制御回路に代えるような簡素化などの光源装置の構成の多様化のもとでも、本発明の効果は良好に発揮される。
【００８３】
本明細書においては、本発明の応用に関して、プロジェクタと光音響分析装置について述べたが、本発明の放電ランプ点灯装置は、放電ランプの明るさを変調する任意の用途に対して有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の放電ランプ点灯装置を簡略化して示すブロック図を表す。
【図２】本発明の放電ランプ点灯装置の一部を簡略化して示すブロック図を表す。
【図３】本発明のＤＣ駆動方式の放電ランプ点灯装置の簡略化された構成の一例を表す。
【図４】本発明の放電ランプ点灯装置の給電制御回路の簡略化された構成の一例を表す。
【図５】本発明の放電ランプ点灯装置の給電制御回路の動作を表す。
【図６】本発明の放電ランプ点灯装置のランプ電流検出信号変換回路の簡略化された構成を表す。
【図７】本発明の放電ランプ点灯装置の変調信号生成回路の簡略化された構成を表す。
【図８】本発明の放電ランプ点灯装置の変調信号生成回路と変調信号生成回路からなる部分の一例を表す。
【図９】本発明の放電ランプ点灯装置の変調信号生成回路と変調信号生成回路からなる部分の一例を表す。
【図１０】本発明の放電ランプ点灯装置のランプ電流検出信号変換回路の簡略化された構成を表す。
【符号の説明】
【００８５】
Ａ００    演算増幅器
Ａａｉ    演算増幅器
Ａｄ１    バッファ
Ａｄ２    バッファ
Ａｄ３    バッファ
Ａｄｃ    ＡＤ変換器
Ａｄｅ    演算増幅器
Ａｉ      ランプ電流検出信号変換回路
Ａｉ’    ランプ電流検出信号変換回路
Ａｉ”    ランプ電流検出信号変換回路
Ａｉ０    ランプ電流検出信号変換回路
Ｃｄ０    コンデンサ
Ｃｄ１    積分コンデンサ
Ｃｉ      コンデンサ
Ｃｍｇ    比較器
Ｃｍｖ    比較器
Ｃｘ      平滑コンデンサ
Ｄａｃ    ＤＡ変換器
Ｄｄ１    ダイオード
Ｄｄ２    ダイオード
Ｄｄ３    ダイオード
Ｄｄ４    ダイオード
Ｄｆｉ    ＬＥＤ
Ｄｆｓ１  ダイオード
Ｄｆｓ２  ダイオード
Ｄｍ０    ＬＥＤ
Ｄｍ１    ＬＥＤ
Ｄｍ２    ＬＥＤ
Ｄｎ０    ダイオード
Ｄｎ１    ダイオード
Ｄｎ２    ダイオード
Ｄｓ’    ＬＥＤ
Ｄｓ”    ＬＥＤ
Ｄｓ０    ダイオード
Ｄｓ１    ダイオード
Ｄｓ２    ダイオード
Ｄｘ      フライホイールダイオード
Ｅ１      電極
Ｅ２      電極
Ｅｔ      トリガ電極
Ｅｘ      放電ランプ点灯装置
Ｆ０      原変調信号
Ｆ１      原変調信号
Ｆ２      原変調信号
Ｆｘ      給電制御回路
Ｇｉ      ゲート駆動回路
Ｇｎｄｘ  グランド
Ｇｘ      ゲート駆動回路
Ｈｉ      ２次側巻線
Ｉ０      インバータ
Ｉ１      インバータ
Ｉ２      インバータ
ＩＬ      ランプ電流
Ｉｘ      ランプ電流検出手段
Ｋｉ      トランス
Ｌｄ      放電ランプ
Ｌｘ      チョークコイル
Ｍ０      変調信号
Ｍ１      変調信号
Ｍ２      変調信号
Ｍｐｕ    マイクロプロセッサユニット
Ｍｘ      ＤＣ電源
Ｏｓｃ    発振器
Ｐｉ      １次側巻線
Ｑｄ１    トランジスタ
Ｑｆｉ    フォトトランジスタ
Ｑｉ      スイッチ素子
Ｑｍ０    フォトトランジスタ
Ｑｍ１    フォトトランジスタ
Ｑｍ２    フォトトランジスタ
Ｑｓ’    トランジスタ
Ｑｓ”    トランジスタ
ＱｓＨ    トランジスタ
ＱｓＬ    トランジスタ
Ｑｘ      スイッチ素子
Ｒ００    抵抗
Ｒ０１    抵抗
Ｒ０２    抵抗
Ｒ０３    抵抗
Ｒ０４    抵抗
Ｒ０５    抵抗
Ｒ０６    抵抗
Ｒ１０    抵抗
Ｒ１１    抵抗
Ｒ１２    抵抗
Ｒ１３    抵抗
Ｒ１４    抵抗
Ｒ１５    抵抗
ＲＡ０    ラダー抵抗ネットワーク
Ｒａ０    抵抗
Ｒａ０’  抵抗
Ｒａ０”  抵抗
Ｒａ１    抵抗
Ｒａ１’  抵抗
Ｒａ１”  抵抗
Ｒａ２    抵抗
Ｒａ２’  抵抗
Ｒａ２”  抵抗
Ｒａｃ    抵抗
Ｒａｃ’  抵抗
Ｒａｃ”  抵抗
Ｒｂ０    抵抗
Ｒｂ１    抵抗
Ｒｂ２    抵抗
Ｒｄ０    抵抗
Ｒｄ１    プルアップ抵抗
Ｒｄ２    抵抗
Ｒｄ３    抵抗
Ｒｄ４    抵抗
Ｒｄ５    プルダウン抵抗
Ｒｄ６    スピードアップ抵抗
Ｒｆ１    抵抗
Ｒｆ２    プルアップ抵抗
Ｒｆｃ    抵抗
Ｒｆｃ”  抵抗
Ｒｉ      抵抗
Ｒｍ０    ベース抵抗
Ｒｍ１    ベース抵抗
Ｒｍ１０  抵抗
Ｒｍ１１  抵抗
Ｒｍ１２  抵抗
Ｒｍ２    ベース抵抗
Ｒｍ２０  プルアップ抵抗
Ｒｍ２１  プルアップ抵抗
Ｒｍ２２  プルアップ抵抗
Ｒｍ３０  抵抗
Ｒｍ３１  抵抗
Ｒｍ３２  抵抗
Ｒｎ０    抵抗
Ｒｎ１    抵抗
Ｒｎ２    抵抗
Ｒｓ’    抵抗
Ｒｓ”    抵抗
Ｒｓ１    プルアップ抵抗
Ｒｓ２    ベース抵抗
Ｒｓ３    抵抗
Ｒｓ４    ベース抵抗
Ｒｓ５    抵抗
Ｓｄ０    鋸歯状波信号
Ｓｄ１    出力信号
Ｓｄ２    チョッパ駆動目標信号
Ｓｄ３    信号
Ｓｄ４    信号
Ｓｄ５    制御対象信号
Ｓｄ６    信号
Ｓｄ７    信号
Ｓｄ８    信号
Ｓｆ      電流目標更新許可信号
Ｓｆｉ    原電流目標更新許可信号
Ｓｇ      ゲート駆動信号
Ｓｉ      ランプ電流検出信号
Ｓｊ      ランプ電流相関信号
Ｓｋ      ランプ電流上限信号
Ｓｓ      変調許可信号
Ｓｓ’    第２変調許可信号
Ｓｔ      ランプ電流目標信号
Ｓｖ      ランプ電圧検出信号
Ｓｘｔ    チョッパ能力制御目標データ
Ｓｘｖ    ランプ電圧データ
Ｔ１１    端子
Ｔ１２    端子
Ｔｃ      端子
Ｔｇ      端子
Ｔｍ０    端子
Ｔｍ１    端子
Ｔｍ２    端子
Ｔｓ      端子
Ｕｃ      ランプ電流上限信号発生回路
Ｕｄ      給電能力制御回路
Ｕｅ      スタータ
Ｕｉ      スタータ
Ｕｍ      原調光信号発生回路
Ｕｎ      変調信号生成回路
Ｕｎ’    変調信号生成回路
Ｕｎ”    変調信号生成回路
Ｕｐ      電力制御回路
Ｕｓ      データ変更回路
Ｕｘ      給電回路
Ｕｙ      調光要求発生回路
ＶＬ      ランプ電圧
Ｖｃｃ    回路電源
Ｖｄ１    基準電圧源
Ｖｄ２    基準電圧源
Ｖｄ３    電圧源
Ｖｄ４    オフセット電圧
Ｖｍ      電源
Ｖｘ      ランプ電圧検出手段
Ｚ０      スイッチ
Ｚ０’    スイッチ
Ｚ０”    スイッチ
Ｚ０ａ    スイッチ素子
Ｚ０ｂ    スイッチ素子
Ｚ１      スイッチ
Ｚ１’    スイッチ
Ｚ１”    スイッチ
Ｚ１ａ    スイッチ素子
Ｚ１ｂ    スイッチ素子
Ｚ２      スイッチ
Ｚ２’    スイッチ
Ｚ２”    スイッチ
Ｚ２ａ    スイッチ素子
Ｚ２ｂ    スイッチ素子
【図１】
2005267933.tif 000003
【図２】
2005267933.tif 000004
【図３】
2005267933.tif 000005
【図４】
2005267933.tif 000006
【図５】
2005267933.tif 000007
【図６】
2005267933.tif 000008
【図７】
2005267933.tif 000009
【図８】
2005267933.tif 000010
【図９】
2005267933.tif 000011
【図１０】
2005267933.tif 000012