(57)【要約】  【課題】  間欠的にデータが発生する光伝送において、環境温度や経年劣化によりレーザダイオードの電流・光変換特性が変化しても、レーザダイオードの消光比を制御可能とする。  【解決手段】  間欠的に発生するバースト信号のマーク率を測定しＳ３０１、バースト信号ごとにマーク率が変化することにより生じる、レーザダイオードからの平均出力パワーの変化から、電流・光変換効率を求めＳ３１０、これを基準値と比較しＳ３２０、不一致なら、変調電流を修正するＳ３２２、Ｓ３２４。また、マーク率及び平均出力パワーの測定値を基に、平均出力パワーを演算しＳ３３０、基準値と比較するＳ３４０。不一致なら、バイアス電流を修正するＳ３４２、Ｓ３４４。変調電流の制御とバイアス電流の制御を繰り返すことで、レーザダイオードの消光比を一定に保つ。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
間欠的に発生するバースト信号で変調された変調電流とバイアス電流とによって駆動されるレーザダイオードと、前記変調電流及び前記バイアス電流を制御する制御部とを備えた光伝送装置において、前記制御部が前記レーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法であり、
マーク率の異なる第１バースト信号と第２バースト信号に対して、第１のマーク率と第２のマーク率を求めるマーク率獲得ステップと、前記第１バースト信号の送信中のレーザダイオードの第１の平均光出力パワーと前記第２バースト信号の送信中のレーザダイオードの第２の平均光出力パワーを測定する光出力測定ステップと、前記第１と第２のマーク率の変化に対する前記第１と第２の平均光出力パワーの変化の比で与えられる電流・光変換効率と、ビット「１」に値するレーザダイオード光出力パワー及びビット「０」に値するレーザダイオード光出力パワーの消光差に相当する基準電圧との比較から、前記変調電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する判断ステップと、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記変調電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行う変調電流制御ステップと、以上のステップを大部分のバースト信号に対して実行する実行ステップとを含むレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項２】
前記第１及び第２バースト信号を含む任意のバースト信号に対して前記マーク率に関して平均化したマーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との比較から、前記バイアス電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する第２の判断ステップと、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記バイアス電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行うバイアス電流制御ステップとを更に含む請求項１に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項３】
前記変調電流制御ステップが、前記電流・光変換効率が前記基準電圧より大きい場合、前記変調電流を減少させるステップと、前記電流・光変換効率が前記基準電圧より小さい場合、前記変調電流を増加させるステップとを含む請求項１に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項４】
前記バイアス電流制御ステップが、前記マーク率平均光出力パワーが前記基準電圧より大きい場合、前記バイアス電流を減少させるステップと、前記マーク率平均光出力パワーが前記基準電圧より小さい場合、前記バイアス電流を増加させるステップとを含む請求項２に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項５】
前記マーク率獲得ステップが、現在処理中のバースト信号のマーク率を求め、メモリに保存するステップからなり、前記光出力測定ステップが、前記の現在処理中のバースト信号を送信中にレーザダイオードの平均光出力パワーを測定してメモリに保存するステップからなり、現在の処理の前にすでにメモリに保存されていたマーク率及び平均光出力パワーを前記第１のマーク率及び前記第１の平均光出力パワーとみなし、現在処理中のバースト信号に対して求めたマーク率及び平均光出力パワーを前記第２のマーク率及び前記第２の平均光出力パワーとを用いる請求項１に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項６】
前記第１及び第２バースト信号を含む任意のバースト信号に対してマーク率に関して平均化したマーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との比較から、前記バイアス電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断するステップと、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記バイアス電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行うバイアス電流制御ステップとを更に含む請求項５に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項７】
前記変調電流の前記修正量は、前記変調電流の最大値の１％を超えない請求項１、３、５又は６に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項８】
前記実行ステップを、すべてのバースト信号に対して実行する請求項５から７のいずれか１つに記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項９】
前記判断ステップが、前記電流・光変換効率と前記基準電圧との誤差の絶対値が、１以上のしきい値で区切られた複数の領域のいずれに属するかを判断するステップからなり、前記変調電流制御ステップが、前記変調電流を前記絶対値が属すると判断された領域に関係付けられた修正量だけ増加又は減少させるステップからなる請求項１又は５に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項１０】
前記第２の判断ステップが、前記マーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との誤差の絶対値が、１以上のしきい値で区切られた複数の領域のいずれに属するかを判断するステップからなり、前記バイアス電流制御ステップが、前記バイアス電流を前記絶対値が属すると判断された領域に関係付けられた修正量だけ増加又は減少させるステップからなる請求項２又は４に記載のレーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法。
【請求項１１】
間欠的に発生するデータで変調された変調電流とバイアス電流とによって駆動されるレーザダイオードと、前記変調電流及び前記バイアス電流を制御する制御部とを備えた光伝送装置において、前記制御部が前記レーザダイオードの消光比が所望の値になるよう前記変調電流及び前記バイアス電流を制御する方法であり、
第１バースト信号に対しては所望の消光比を与えるバイアス電流と変調電流を用いて前記レーザダイオードを駆動し、前記第１バースト信号に関する第１のマーク率及び第１の平均光出力パワーを得てメモリに保存するステップと、
第２バースト信号に対しても前記バイアス電流と前記変調電流を用いて前記レーザダイオードを駆動し、前記第２バースト信号に関する第２のマーク率及び第２の平均光出力パワーを得てメモリに保存するステップと、
以上得られた情報から前記レーザダイオードの入出力特性の線形領域を利用して、所望の消光比を与える前記変調電流及び前記バイアス電流を算出するステップとを、
含むレーザダイオードの消光比制御方法。
【請求項１２】
前記第２バースト信号は、間欠的に発生する前記データの最初のバースト信号である請求項１１に記載のレーザダイオードの消光比制御方法。
【請求項１３】
間欠的に発生するデータで変調された変調電流とバイアス電流とによりレーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動回路であり、
前記変調電流を与える変調電流源と、
前記バイアス電流を与えるバイアス電流源と、
前記データを構成する各バースト信号の伝送中、前記バースト信号の平均光出力パワーを算出する算出手段と、
前記平均光出力パワーに基づき前記変調電流源及び前記バイアス電流源を制御する制御部とを備え、
前記制御部が、
動作中のデータを格納するためのメモリと、
現在処理中のバースト信号のマーク率を求め前記メモリに保存する手段と、
現在処理中の前記バースト信号を送信した後、前記算出手段から前記バースト信号の平均光出力パワーを受け取り前記メモリに保存する手段と、
前記メモリにすでに格納されている前のバースト信号に対する既存のマーク率と既存の平均光出力パワー、及び現在処理中の前記バースト信号に対して保存したマーク率と保存した平均光出力パワーから、マーク率の変化に対する平均光出力パワーの変化の比で与えられる電流・光変換効率を算出する手段と、
前記電流・光変換効率とビット「１」に値するレーザダイオード光出力パワー及びビット「０」に値するレーザダイオード光出力パワーの消光差に相当する基準電圧との比較から、前記変調電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する判断手段と、
増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記変調電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行う変調電流制御手段とを、
含むレーザダイオード駆動回路。
【請求項１４】
前記前のバースト信号及び前記現在のバースト信号を含む任意のバースト信号に対してマーク率に関して平均したマーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との比較から、前記バイアス電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する第２の判断手段と、
増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記バイアス電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行うバイアス電流制御手段とを更に含む請求項１３に記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載のレーザダイオード駆動回路が含まれる集積回路。
【請求項１６】
請求項１３又は１４に記載のレーザダイオード駆動回路を用いた送信装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の集積回路を用いた送信装置。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載の送信装置を用いた通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、間欠的にデータが発生するバースト光伝送に光源として用いられるレーザダイオードの消光比制御方法及びレーザダイオード駆動回路、並びにその集積回路及び送信装置及び通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
光伝送システムにおいて光源として広く用いられるレーザダイオードは、一般に次のような入力電流対光出力パワー特性（以下、単に「入出力特性」と言う）を示す。すなわち、電流を０から徐々に増加させた場合、最初にごくわずかに上昇気味のほぼ水平な領域（初期不活性領域）があり、続いて、誘導放出が始まる点（しきい値点）で急激に上昇した後、比較的急勾配でほぼ線形な部分が続く（線形動作領域）。通常、光伝送システムで光源として用いれるレーザダイオードは、前述の線形動作領域で動作し、かつ所望の消光比が得られるように、バイアス電流及び変調電流の大きさを制御する（消光比制御）。
【０００３】
しかし、レーザダイオードの入出力特性は、温度と共にかなり変化する傾向があり、また経年変化も無視できない。したがって、レーザダイオードを常に最適な動作点で動作させるべく、種々の消光比制御の方法が提案され、実用化されている。中でも、消光比制御にパイロット信号を用いる方式はかなり広く利用されている（例えば、下記の特許文献１参照）。このパイロット信号を用いる制御方式では、レーザダイオードの出力を検出し、検出した出力を前述のパイロット信号と組み合わせ、その組み合わせた信号を増幅し、この増幅された信号に従ってレーザダイオードのバイアス電流を制御する。一方、前記の増幅された信号中のパイロット信号の増幅レベルに従ってレーザダイオードの変調電流を制御する。
【特許文献１】特表平５−５０４０２５号公報（請求項１、Ｆｉｇ．１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の低周波のパイロット信号を重畳することによる消光比制御は、送信データが連続的であることが前提であり、信号が断続するバースト信号に対しては消光比を制御できないという問題がある。さらに、パイロット信号はデータ信号に対してノイズとなり、伝送品質を低下させるという問題もある。
【０００５】
以上の問題点を解決するために求められるものは、間欠的な光伝送に用いられるレーザダイオードが図５に示すように環境温度や経年劣化により電流・光変換特性曲線が変化しても、レーザダイオードの消光比の制御を可能とする技術である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記目的を達成するために、請求項１に記載の消光比制御方法のように、間欠的に発生するバースト信号で変調された変調電流とバイアス電流とによって駆動されるレーザダイオードと、前記変調電流及び前記バイアス電流を制御する制御部とを備えた光伝送装置において、前記制御部が前記レーザダイオードの消光比を所望の値に維持する消光比制御方法が得られる。この消光比制御方法は、マーク率の異なる第１バースト信号と第２バースト信号に対して、第１のマーク率と第２のマーク率を求めるマーク率獲得ステップと、前記第１バースト信号の送信中のレーザダイオードの第１の平均光出力パワーと前記第２バースト信号の送信中のレーザダイオードの第２の平均光出力パワーを測定する光出力測定ステップと、前記第１と第２のマーク率の変化に対する前記第１と第２の平均光出力パワーの変化の比で与えられる電流・光変換効率と、ビット「１」に値するレーザダイオード光出力パワー及びビット「０」に値するレーザダイオード光出力パワーの消光差に相当する基準電圧との比較から、前記変調電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する判断ステップと、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記変調電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行う変調電流制御ステップと、以上のステップを大部分のバースト信号に対して実行する実行ステップから構成される。
この消光比制御方法により、前記レーザダイオードの消光比を一定となるように前記変調電流、前記バイアス電流を制御することが可能となる。
【０００７】
請求項２に記載の消光比制御方法は、第１及び第２バースト信号を含む任意のバースト信号に対してマーク率に関して平均化したマーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との比較から、前記バイアス電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する第２の判断ステップと、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記バイアス電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行うバイアス電流制御ステップとを更に含む。
この消光比制御方法により、前記レーザダイオードの消光比を一定となるように前記変調電流、前記バイアス電流を制御することが可能となる。
【０００８】
請求項３に記載の消光比制御方法は、請求項１の消光比制御方法において、前記変調電流制御ステップが、前記電流・光変換効率が前記基準電圧より大きい場合、前記変調電流を減少させるステップと、前記電流・光変換効率が前記基準電圧より小さい場合、前記変調電流を増加させるステップとを含む構成となっている。
この消光比制御方法は、請求項１と同様の効果がある。
【０００９】
請求項４に記載の消光比制御方法は、請求項２の消光比制御方法において、前記バイアス電流制御ステップが、前記マーク率平均光出力パワーが前記基準電圧より大きい場合、前記バイアス電流を減少させるステップと、前記マーク率平均光出力パワーが前記基準電圧より小さい場合、前記バイアス電流を増加させるステップとを含む構成となっている。
この消光比制御方法は、請求項２と同様の効果がある。
【００１０】
請求項５に記載の消光比制御方法は、請求項１の消光比制御方法において、前記マーク率獲得ステップが、現在処理中のバースト信号のマーク率を求め、メモリに保存するステップからなり、前記光出力測定ステップが、前記の現在処理中のバースト信号を送信中にレーザダイオードの平均光出力パワーを測定してメモリに保存するステップからなり、現在の処理の前にすでにメモリに保存されていたマーク率及び平均光出力パワーを前記第１のマーク率及び前記第１の平均光出力パワーとみなし、現在処理中のバースト信号に対して求めたマーク率及び平均光出力パワーを前記第２のマーク率及び前記第２の平均光出力パワーとを用いる構成となっている。
この消光比制御方法は、請求項１と同様の効果がある。
【００１１】
請求項６に記載の消光比制御方法は、請求項５の消光比制御方法において、第１及び第２バースト信号を含む任意のバースト信号に対してマーク率に関して平均化したマーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との比較から、前記バイアス電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断するステップと、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記バイアス電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行うバイアス電流制御ステップとを更に含む構成となっている。
この消光比制御方法により、前記レーザダイオードの消光比が一定となるように前記変調電流、前記バイアス電流を制御することが可能となる。
【００１２】
請求項７に記載の消光比制御方法は、請求項１、３、５又は６の消光比制御方法において、前記変調電流の前記修正量は、前記変調電流の最大値の１％を超えない構成としたものである。
この消光比制御方法により、変調電流を変更する具体的な手段が提供される。
【００１３】
請求項８に記載の消光比制御方法は、請求項５から７のいずれか１つの消光比制御方法において、前記実行ステップが、すべてのバースト信号に対して実行する構成となっている。
この消光比制御方法により、変調電流及びバイアス電流の収束を早めることができる。
【００１４】
請求項９に記載の消光比制御方法は、請求項１又は５の消光比制御方法において、前記判断ステップが、前記電流・光変換効率と前記基準電圧との誤差の絶対値が、１以上のしきい値で区切られた複数の領域のいずれに属するかを判断するステップからなり、前記変調電流制御ステップが、前記変調電流を前記絶対値が属すると判断された領域に関係付けられた修正量だけ増加又は減少させるステップからなる構成としたものである。
この方法により、変調電流の収束を更に早めることができる。
【００１５】
請求項１０に記載の消光比制御方法は、請求項２又は４の消光比制御方法において、前記第２の判断ステップが、前記マーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との誤差の絶対値が、１以上のしきい値で区切られた複数の領域のいずれに属するかを判断するステップからなり、前記バイアス電流制御ステップが、前記バイアス電流を前記絶対値が属すると判断された領域に関係付けられた修正量だけ増加又は減少させるステップからなる構成としたものである。
この消光比制御方法により、バイアス電流の収束を更に早めることができる。
【００１６】
本発明の別の側面によれば、請求項１１に記載の消光比制御方法のように、間欠的に発生するデータで変調された変調電流とバイアス電流とによって駆動されるレーザダイオードと、前記変調電流及び前記バイアス電流を制御する制御部とを備えた光伝送装置において、前記制御部が前記レーザダイオードの消光比が所望の値になるよう前記変調電流及び前記バイアス電流を制御する方法を得ることができる。この消光比制御方法は、第１バースト信号に対しては所望の消光比を与えるバイアス電流と変調電流を用いて前記レーザダイオードを駆動し、前記第１バースト信号に関する第１のマーク率及び第１の平均光出力パワーを得てメモリに保存するステップと、第２バースト信号に対しても前記バイアス電流と前記変調電流を用いて前記レーザダイオードを駆動し、前記第２バースト信号に関する第２のマーク率及び第２の平均光出力パワーを得てメモリに保存するステップと、以上得られた情報から前記レーザダイオードの入出力特性の線形領域を利用して、所望の消光比を与える前記変調電流及び前記バイアス電流を算出するステップとを含むものである。
この消光比制御方法によれば、変調電流とバイアス電流の両方を１回の補正で所望の消光比を与える値に設定することができる。
【００１７】
請求項１２に記載の消光比制御方法は、請求項１１の消光比制御方法において、前記第２バースト信号が、間欠的に発生する前記データの最初のバースト信号となるように構成したものである。
この構成によれば、各バースト光伝送において所望の消光比となるようなバイアス電流及び変調電流で第２バースト信号を駆動することができる。
【００１８】
本発明の更に別の側面によれば、請求項１３に記載のレーザダイオード駆動回路のように、間欠的に発生するデータで変調された変調電流とバイアス電流とによりレーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動回路を得ることができる。このレーザダイオード駆動回路は、前記変調電流を与える変調電流源と、前記バイアス電流を与えるバイアス電流源と、前記データを構成する各バースト信号の伝送中、前記バースト信号の平均光出力パワーを算出する算出手段と、前記平均光出力パワーに基づき前記変調電流源及び前記バイアス電流源を制御する制御部とを備える。さらに、前記制御部は、動作中のデータを格納するためのメモリと、現在処理中のバースト信号のマーク率を求め前記メモリに保存する手段と、現在処理中の前記バースト信号を送信した後、前記算出手段から前記バースト信号の平均光出力パワーを受け取り前記メモリに保存する手段と、前記メモリにすでに格納されている前のバースト信号に対する既存のマーク率と既存の平均光出力パワー及び現在処理中の前記バースト信号に対して保存したマーク率と保存した平均光出力パワーから、マーク率の変化に対する平均光出力パワーの変化の比で与えられる電流・光変換効率を算出する手段と、前記電流・光変換効率とビット「１」に値するレーザダイオード光出力パワー及びビット「０」に値するレーザダイオード光出力パワーの消光差に相当する基準電圧との比較から、前記変調電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する判断手段と、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記変調電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行う変調電流制御手段とを含む構成となっている。
このレーザダイオード駆動回路によれば、上述のレーザダイオードの消光比が一定となるように前記変調電流、前記バイアス電流を制御することが可能となる。
【００１９】
請求項１４に記載のレーザダイオード駆動回路は、請求項１３のレーザダイオード駆動回路において、前記前のバースト信号及び前記現在のバースト信号を含む任意のバースト信号に対してマーク率に関して平均したマーク率平均光出力パワーと前記基準電圧との比較から、前記バイアス電流の増加、維持及び減少のいずれを行うべきかを判断する第２の判断手段と、増加又は減少を行うべきと判断した場合、前記バイアス電流を所定の修正量だけ増加又は減少を行うバイアス電流制御手段とを更に含む構成としたものである。
【００２０】
請求項１５は、請求項１３又は１４記載のレーザダイオード駆動回路が含まれる集積回路である。
【００２１】
請求項１６は、請求項１３又は１４記載のレーザダイオード駆動回路を用いた送信装置である。
【００２２】
請求項１７は、請求項１５記載の集積回路を用いた送信装置である。
【００２３】
請求項１８は、請求項１６又は１７記載の送信装置を用いた通信システムである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の第１の実施の形態によれば、マーク率の異なる２つのバースト信号（ｉ、ｊ）に対してマーク率（Ｍｉ、Ｍｊ、ただしＭｉ≠Ｍｊ）の変化に対するレーザダイオードの平均光出力パワー（Ｐｉ、Ｐｊ）の変化の比で与えられる電流・光変換効率（Ｅｊ＝（Ｐｉ−Ｐｊ）／（Ｍｉ−Ｍｊ））とＬＤの消光差（ＰＨ−ＰＬ）に相当する基準電圧（ΔＰ）との比較から、変調電流を加減する方向を決定し、変調電流を所定の修正量だけ前記の決定した方向に加減する制御を反復することにより、変調電流を所望の消光比が得られる値に常に維持することができる。また、現在のバースト信号（ｊ）に対して算出したマーク率平均光出力パワー（Ｐav＝（Ｐｊ−ＰＬ）／Ｍｊ）と基準電圧（ΔＰ）との比較から、バイアス電流を加減する方向を決定し、バイアス電流を所定の修正量だけ前記の決定した方向に加減する制御を反復することにより、バイアス電流を所望の消光比が常に得られるように維持することができる。環境温度や経年劣化によるレーザダイオードの電流・光変換特性の変化を、パイロット信号や大量の修正データを用いることなく、補償することが可能となる。
前述の比較の際に、誤差の大きさを複数の領域に区分し、誤差の該当する領域に関係付けられた修正量を用いて修正すれば、バイアス電流や変調電流の目標値に迅速に収束させることができる。
【００２５】
また、本発明の第２の実施の形態によれば、レーザダイオードの電流・光変換特性が現在のバイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍの設定時点と比較して変化している場合でも、現在のバイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍを用いて２つのバースト信号を駆動することにより得られる情報から、そのときのＬＤ１２の特性に適応したバイアス電流Ｉｂ′と変調電流Ｉｍ′を算出することができるので、ＬＤ１２の特性が変化しても、その変化に即座に適応したバイアス電流と変調電流でＬＤ１２を駆動することができる。
【００２６】
本発明によれば、レーザダイオードによる平均出力パワーを監視するためにモニタフォトダイオードを使用する場合、ピーク検出などを用いる消光比制御回路と異なり、モニタフォトダイオードのキャパシタンスによる速度の制限を受けない。
【００２７】
さらに、本発明では、データ伝送中は変調電流、バイアス電流を一定に保つように制御されているため、伝送中の光信号に悪影響を及ぼさずに消光比を制御することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付図面により本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、複数の図面に同じ要素を示す場合には同一の参照符号を付ける。
【００２９】
図１は、本発明の一実施の形態によるレーザダイオード駆動回路の構成を概念的に示す略ブロック図である。図１において、レーザダイオードとしては、その光出力レベルをモニタリングできるようにモニタフォトダイオード１４とともに一体化したレーザダイオードモジュール１０に収容されているレーザダイオード（ＬＤ）１２を用いる。このＬＤ１２をレーザダイオード（ＬＤ）駆動回路１で駆動する。ＬＤ駆動回路１には、送信すべきデータが間欠的に発生するバースト信号として入力される。ＬＤ駆動回路１は、バースト信号を受け取るたびに、本発明の原理にしたがって消光比制御を行いながらＬＤ１２を駆動して、そのバースト信号を送る。便宜上、現在処理中のバースト信号をＰＫｊで表す。
【００３０】
ＬＤ駆動回路１は、バースト信号ＰＫｊを送りながらモニタフォトダイオード１４からの電流を電圧に変換した状態で、そのバースト信号ＰＫｊの平均出力パワーＰｊを測定する平均出力パワー測定器２０、本発明による消光比制御の中心的役割を果たす制御部３０、制御部３０が出力するバイアス電流制御信号ＳＩｂに応じたバイアス電流Ｉｂを流すバイアス電流源４０、制御部３０が出力するバースト信号に応じた変調電流Ｉｍを制御部３０から出力される変調電流制御信号ＳＩｍに応じた強度で流す変調電流源５０及びバイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍとを加算する加算器６０からなる。
【００３１】
制御部３０は、周知のようにマイクロプロセッサなどのＣＰＵ（図示せず）のほか、処理に必要なデータを記憶するメモリ３２などをハードウェア資源として備える。また、制御部３０は、本発明による消光比制御を実施する種々のプログラムルーチンをソフトウェア資源として、備えている。なお、制御部３０中の角に丸みを有するブロックはプログラムルーチンを示している。制御部３０のソフトウェア資源には、次のルーチンが含まれる。すなわち、バースト信号ＰＫｊを構成するデータの０と１との割合を示すマーク率Ｍｊを測定するマーク率算出ルーチン３００、バースト信号ＰＫｊとこれより前のバースト信号ＰＫｉのマーク率Ｍｊ及びＭｉと平均出力パワーＰｊ及びＰｉから電流・光変換効率Ｅｊ（後述する）を求めるための電流・光変換効率演算ルーチン３１０、求めた電流・光変換効率Ｅｊと基準電圧（詳細に後述する）とを比較して変調電流Ｉｍの大きさを決定して変調電流制御信号を出力する変調電流（Ｉｍ）決定ルーチン３２０、バースト信号ＰＫｊのマーク率Ｍｊと平均出力パワーＰｊと伝送データの０に相当する光出力パワーレベルＰＬからマーク率平均出力パワーＰavを求めるマーク率平均出力パワーＰav算出ルーチン３３０、求めたマーク率平均出力パワーＰavと前記の基準電圧を比較してバイアス電流Ｉｂの大きさを決定して、バイアス電流制御信号ＳＩｂを出力するバイアス電流（Ｉｂ）決定ルーチン３４０、及びバースト信号ＰＫｊを変調電流源５０に送る（すなわち、バースト信号ＰＫｊデータで変調電流源５０を駆動する）バースト信号送信又は変調電流源駆動ルーチン３５０などである。本実施の形態では、これらのルーチンは図示しないＣＰＵで実行されるが、極めて高い処理速度が求められる伝送システムでは、前述のルーチンの一部又は全部をハードウェアで実現することができる。
【００３２】
（動作原理）
図１を用いて、本発明のＬＤ駆動回路の動作原理を説明する。本発明は、間欠的に発生するデータ通信に用いるＬＤ１２を所望の消光比及び所望のマーク率平均出力パワーＰavで動作させるために、ＬＤ１２を駆動するバイアス電流源４０と変調電流源５０とを制御するものである。
【００３３】
本発明は、概して、送信するデータのマーク率が常に一定ではなく、送信するバースト信号ごとに変化することを用いて、電流・光変換特性の変化を検知し、消光比の制御を行う。
はじめに、変調電流Ｉｍを制御する方法について説明する。ＬＤ１２は、前述のように環境温度や経年劣化により、電流・光変換効率が変化する。温度変化に伴うＬＤ１２の入出力特性の変化を図２に示す。図２からわかるように、温度の上昇とともに線形動作領域に達するまでの電流しきい値は明らかに上昇し、電流・出力光変換効率はわずかながら低下する。
【００３４】
この電流・光変換効率の変化を、連続する３つのバースト信号のマーク率、平均出力パワーから検知する。具体的には、バースト信号すべてについて処理を行ってもよいし、到来するバースト信号を周期的にサンプリングして行ってもよい。ここでは、例として、すべてのバースト信号に対して処理を行うことにする。
【００３５】
第ｉ番目のバースト信号ＰＫｉのマーク率をＭｉ、ｊ番目のバースト信号ＰＫｊ（ただし、ｉ＜ｊ）のマーク率をＭｊとする。Ｍｉ≠Ｍｊならばマーク率が変化しているので、仮に変調電流又はバイアス電流が変化していなくても、２つのバースト信号ＰＫｉ及びＰＫｊに対するＬＤ１２の平均出力パワーは変化する。バースト信号ＰＫｉに対する平均出力パワーをＰｉ、バースト信号ＰＫｊに対する平均出力パワーをＰｊとすると、Ｐ１とＰ２の差分及びＭ１とＭ２の差分から、演算を行うことで、バースト信号ＰＫｊに対する電流・光変換効率Ｅｊを求めることができる。こうして求めた電流・光変換効率Ｅｊを電流・光変換効率の基準値ΔＰ（＝ＰＨ−ＰＬ：ＰＨ及びＰＬは伝送データ「１」及び「０」に対する光出力パワーＰＨ及びＰＬ）と比較し、求めた電流・光変換効率が基準値よりも小さければ、変調電流Ｉｍを所定の修正量だけ増加させ、逆に、前記基準値よりも大きければ、変調電流Ｉｍを所定の修正量だけ減少させることにより、変調電流Ｉｍの制御を行う。
しかし、変調電流に対する修正量の増加又は減少がデータ伝送中に発生すると、光信号の劣化を引き起こす。そのため、伝送中のバースト信号の伝送終了後に、変調電流Ｉｍを加減するように、制御部３０でタイミング制御を行い、変調電流源５０を制御する。
【００３６】
次に、バイアス電流Ｉｂを制御する方法を説明する。現在のバースト信号ＰＫｊのマーク率Ｍｊ及び平均出力パワーＰｊを測定することで、電流・光変換特性曲線のしきい値の変化を検出する。マーク率平均出力パワーＰav算出ルーチン３３０によりＰｊ及びＭｊから演算を行うことで、現在のバースト信号ＰＫｊに対するマーク率平均出力パワーＰavを算出することができる。さらに、バイアス電流決定ルーチン３４０により、この算出したマーク率平均出力パワーＰavと基準平均出力パワーΔＰ（＝ＰＨ−ＰＬ）を比較し、マーク率平均出力パワーＰavが、基準平均出力パワーΔＰより小さい場合は、バイアス電流Ｉｂを所定の修正量だけ増加させ、基準平均出力パワーΔＰより大きい場合は、バイアス電流Ｉｂを所定の修正量だけ減少することで、バイアス電流Ｉｂの制御を行う。このバイアス電流Ｉｂを制御する方法においても、変調電流Ｉｍを制御する方法と同様に、データ伝送中にバイアス電流Ｉｂを変化させると光信号の劣化を引き起こすため、制御部３０でタイミング制御を行い、バイアス電流源４０を制御する。
【００３７】
なお、バイアス電流Ｉｂを平均出力パワーに応じて増加又は減少させる修正量は、あらかじめ決められた一定量であり、例えば、０．１ｍＡである。本発明では、バースト信号ごとにバイアス電流Ｉｂ、変調電流Ｉｍ又はこれらの両方の修正を行うことにより、所望の消光比に収束するように制御を行うので、この修正量は、発散しない範囲で適当に決めてよい。しかしながら、動作開始時において、基準平均出力パワーまで急速にパワーアップを行うために、修正量を大きめに設定してもよい。
【００３８】
変調電流Ｉｍの制御とバイアス電流Ｉｂの制御を交互に又は同時に行うことで、ＬＤ１２の電流・光変換特性曲線が環境温度や経年劣化により変化しても、消光比を一定にしたデータ伝送が可能となる。
【００３９】
なお、変調電流Ｉｍを制御する方法とバイアス電流Ｉｂを制御する方法において、測定結果として出現しうる、すべてのマーク率と、それに対応する平均出力パワーをメモリに保存しておけば、マーク率の変化に対応する基準差分値と演算を行わずに比較することが可能となる。しかし、大量のメモリが必要となるという欠点がある。
【００４０】
＜第１の実施の形態＞
図３は、本発明の第１の実施の形態におけるパイロット信号を必要とすることなく必要なメモリ量を抑えて高精度の消光比制御を可能とするレーザダイオード駆動プログラムによるレーザダイオード駆動動作を示すフローチャートである。このレーザダイオード駆動プログラムは、図１のサブルーチン３００〜３５０からなる。図１に示したサブルーチン３Ｘ０（Ｘは１〜４）によるステップは、図３においても同じ番号にＳを付して表される。図１のレーザダイオード駆動回路１が受信したバースト信号の各々に対して、このレーザダイオード駆動プログラムが呼び出され実行される。例えば、バースト信号ＰＫｊに対する動作を図１及び図３を参照しながら説明する。なお、図３においては、すべてのステップを３桁の数の前に「Ｓ」を付けて表すので、以下の記載では「ステップ」を省略して単にＳ３００のように記す。
【００４１】
まず、Ｓ３００ｉにおいて、送信すべきバースト信号ＰＫｉが発生する。Ｓ３０１ｉにおいて、バースト信号ＰＫｉのマーク率Ｍｉ（すなわち、バースト信号ＰＫｉの全データビット数に対するビット１の数の割合）を測定し、Ｓ３０２ｉにおいて、Ｍｉの値をメモリ３２に保存する。そして、Ｓ３５０ｉにおいて、バースト信号ＰＫｉのデータに基づき、バイアス電流Ｉｂ、変調電流ＩｍでＬＤ１２を駆動する。この駆動期間中、図１から分かるように、ＬＤ１２の発光状態はモニタフォトダイオード１４を通して平均出力パワー測定器２０で、バースト信号ＰＫｉの平均出力パワーＰｉが測定されているので、図示しないＣＰＵは、ＬＤ１２の駆動（すなわち、バースト信号ＰＫｉの送信）が終わるとただちに、平均出力パワー測定器２０から、平均出力パワーＰｉに相当する電圧値を受け取って（Ｓ３５１ｉ）、メモリ３２に保存する（Ｓ３５２ｉ）。
【００４２】
ここまでの説明から明らかなように、各バースト信号ＰＫｉに対して、マーク率Ｍｉ及び平均出力パワーＰｉを保存するので、バースト信号ＰＫｊの処理を行うときには、すでに前のバースト信号ＰＫｉのマーク率Ｍｉ及び平均出力パワーＰｉがメモリ３２に格納されている。さらに、データ「０」及び「１」に対する所望の光出力パワー値ＰＬ及びＰＨ、そしてさらに好ましくは、ＰＨとＰＬの差、すなわち、前述の基準値ΔＰ＝ＰＨ−ＰＬもメモリ３２に、格納されている。
【００４３】
次に、Ｓ３００ｊにおいて、バースト信号ＰＫｊが発生する。Ｓ３０１ｊにおいて、バースト信号ＰＫｊのマーク率Ｍｊを測定する。そして、Ｓ３５０ｊにおいて、バースト信号ＰＫｊのデータに基づき、バイアス電流Ｉｂ、変調電流ＩｍでＬＤ１２を駆動するとともに、Ｓ３５１ｊにおいて、平均出力パワーＰｊを測定する。そして、Ｓ３０８では、前述の電流・光変換効率Ｅｊの計算が可能かどうか判断するために、前のバースト信号ＰＫｉと現在のバースト信号ＰＫｊのマーク率ＭｉとＭｊが等しいかどうか判断する。
【００４４】
Ｍｊ＝Ｍｉならば、後述の電流・光変換効率Ｅｊの計算式の分母が「０」となり、計算不能となるため、バースト信号ＰＫｉとＰＫｊとの組み合わせによる変調電流制御は断念し、Ｓ３０９において、ｊ＝ｊ＋１として次のバースト信号を待って、Ｓ３００ｊに戻る。
Ｍｊ≠Ｍｉの場合は、電流・光変換効率Ｅｊの計算が可能なので、次のＳ３１０において、前のバースト信号ＰＫｉのマーク率Ｍｉ及び平均出力パワーＰｉをメモリ３２から読み出して、次式で与えられるＰＫｊに対する電流・光変換効率Ｅｊ、
Ｅｊ＝（Ｐｉ−Ｐｊ）／（Ｍｉ−Ｍｊ）      ・・・（１）
を計算する。
【００４５】
次に、Ｓ３２０において、電流・光変換効率Ｅｊと基準電圧との比較を行う。ここで、基準電圧とは、所望の消光比を与える「１」に対応する光出力パワーＰＨと「０」に対応する光出力パワーＰＬとの差（＝ＰＨ−ＰＬであり、以降、消光差と称する）に相当する電圧であり、便宜上、「基準電圧ΔＰ」と記す。比較の結果、Ｅｊ＞ΔＰなら、Ｓ３２２に進み、変調電流Ｉｍを所定の修正量αだけ減少させた値Ｉｍ−αに置き換える。また、Ｅｊ＜ΔＰならＳ３２４に進み、変調電流Ｉｍを所定の修正量αだけ増加させた値Ｉｍ＋αに置き換える。また、Ｅｊ＝ΔＰなら、変調電流Ｉｍを変える必要がないので、Ｓ３００ｋに進みバイアス電流の制御を開始する。なお、ここで、修正量は、変調電流Ｉｍの１％を超えないことが望ましい。
【００４６】
Ｓ３２０においてＥｊ＝ΔＰであるか、Ｓ３２２又はＳ３２４が終了した場合、Ｓ３００ｋにおいて、バースト信号ＰＫｋが発生する。Ｓ３０１ｋにおいて、バースト信号ＰＫｋのマーク率Ｍｋを測定する。そして、Ｓ３５０ｋにおいて、バースト信号ＰＫｋのデータに基づき、バイアス電流Ｉｂ、変調電流ＩｍでＬＤ１２を駆動するとともに、Ｓ３５１ｋにおいて、平均出力パワーＰｋを測定する。次に、Ｓ３３０において、論理０に相当する光出力パワーＰＬをメモリ３２から読み出し、バースト信号ＰＫｋに対するマーク率平均出力パワーＰavを次式にしたがって算出する。
Ｐav＝（Ｐｋ−ＰＬ）／Ｍｋ      ・・・（２）
【００４７】
次に、Ｓ３４０において、マーク率平均出力パワーＰavを消光差に相当する基準電圧ΔＰと比較する。この比較の結果、Ｐav＞ΔＰならＳ３４２に進み、バイアス電流Ｉｂを所定の修正量βだけ減少させた値Ｉｂ−βに置き換える。また、Ｐav＜ΔＰならＳ３４４に進み、バイアス電流Ｉｂを修正量βだけ増加させた値Ｉｂ＋βに置き換える。また、Ｐav＝ΔＰならバイアス電流は変化させない。そして、Ｓ３４０においてＰav＝ΔＰであるか、Ｓ３４２又はＳ３４４が終了した場合、変調電流及びバイアス電流の一連の制御を終了する。そして、次のバースト信号をＰＫｉとして扱い、Ｓ３００ｉに戻る。
【００４８】
以上の動作を各バースト信号に対して行うことにより、仮にバイアス電流や変調電流のレベルが正常値からはずれている場合でも、特別な修正値テーブルなどを必要とすることなく、それぞれのレベルを速やかに正常値に収束させることができる。
【００４９】
図４は、図１のＬＤ駆動回路１が図３のようにＩｍ制御とＩｂ制御を行う場合の動作のタイミングを表す図である。図４において、バースト信号長よりバイアス電流Ｉｂが長い部分は、バースト通信において必要となる、プリバイアス及びポストバイアスの部分を示している。図４中のマーク率０．４９の第１バースト信号において、変調電流Ｉｍ１、バイアス電流Ｉｂ１でＬＤ１２を駆動する。次に、マーク率０．５６の第２バースト信号でも同様に、変調電流Ｉｍ１、バイアス電流Ｉｂ１でＬＤ１２を駆動する。駆動した後、例えば、第２バースト信号に対しては、変調電流源制御サブルーチン（Ｓ３１０〜Ｓ３２４）が呼び出されるとする。この場合、まず第１バースト信号と第２バースト信号の平均出力パワーの差分とマーク率の差分から式（１）を用いて電流・光変換効率Ｅ２を求める。例えば、求めたＥ２が電流・光変換効率の基準値ΔＰよりも小さいものと仮定すると、Ｓ３２４において変調電流Ｉｍ１を所定の修正量だけ増加させ、次のバースト信号の変調電流をＩｍ２（＝Ｉｍ１＋α）と決定する。
【００５０】
次に、マーク率０．５１の第３バースト信号において、変調電流Ｉｍ２、バイアス電流Ｉｂ１でＬＤ１２を駆動する。続いて、第３バースト信号に対しては、バイアス電流源制御サブルーチン（Ｓ３３０〜Ｓ３４４）が呼び出される。この場合、まず、第３バースト信号のマーク率Ｍ３及び平均出力パワーＰ３から式（２）を用いてマーク率平均出力パワーＰav３を求める。そして、求めたＰav３と基準平均出力パワーΔＰとを比較する。この例では、仮にＰav３が基準平均出力パワーΔＰより小さいと仮定すれば、Ｓ３４４において、バイアス電流Ｉｂ１を所定の修正量だけ増加させ、次のバースト信号のバイアス電流をＩｂ２（＝Ｉｂ１＋β）と決定する。
【００５１】
したがって、次の第４バースト信号とさらに次の第５バースト信号では、変調電流Ｉｍ２、バイアス電流Ｉｂ２でＬＤ１２を駆動する。そして、これらの平均出力パワーの差分、マーク率の差分から求めた電流・光変換効率と基準電流・光変換効率とを比較し、一致しない場合は、比較結果に応じて変調電流Ｉｍ２を所定の修正量だけ加減する。
【００５２】
このように、変調電流Ｉｍ及びバイアス電流Ｉｂの制御を交互に繰り返し、常に、ＬＤ１２の消光比が一定になるように動作する。また、各バースト信号の伝送中は、変調電流又はバイアス電流を変えないように制御するため、動作点の変化による光信号の品質劣化を招くことはない。
なお、前述の修正量αとβは、同じ値でも異なる値でもよい。
【００５３】
＜第２の実施の形態＞
以上の実施の形態及び変形例は、共に変調電流及びバイアス電流の所定の修正量による修正を繰り返すことにより、所望の動作点に収束させる方法を採った。図２に示すように電流・光変換特性曲線は、しきい値を超えるとほぼ線形になるため、２つのバースト信号のマーク率及び平均出力パワーから所望の消光比を達成するための変調電流及びバイアス電流を算出することが可能である。
【００５４】
図５は、ＬＤ１２の電流・光変換特性曲線がＡからＢに変化した場合に、線形動作領域を利用して、所望の消光比を達成するための変調電流及びバイアス電流を計算する方法を説明する図である。第２の実施の形態では、図５のようにＬＤ１２の電流・光変換特性曲線がＡからＢに変化した場合も、特性曲線Ａに応じて制御した変調電流Ｉｍ及びバイアス電流Ｉｂをそのまま用いて、２つのバースト信号ＰＫ１及びＰＫ２を駆動する。このとき、バースト信号ＰＫ１及びＰＫ２のマーク率がそれぞれＭ１及びＭ２であるとすると、本来なら（図５においてＬＤ１２の特性がＡのままであれば）これらのマーク率に対して平均出力パワーがＰ１及びＰ２となるはずである。しかし、実際にはＢの状態に変化しているので、バースト信号ＰＫ１及びＰＫ２に対して測定器２０で実測される平均出力パワーはＰ１′及びＰ２′となる。測定結果から算出される、Ｂの状態における、マーク率が０（データがすべて０）に対応する出力レベルをＰＬ′、マーク率が１（データがすべて１）に対応する出力レベルをＰＨ′とすると、ＰＨ′-ＰＬ′＝（Ｐ１′-Ｐ２′）／（Ｍ１-Ｍ２）となる。このことから、所望の消光比を達成するために必要となる変調電流Ｉｍ′は、次式で与えられることが分かる。
【００５５】
【数１】
2005093558.tif 000003
【００５６】
また、Ｂの状態のしきい値以下の部分を無視した場合、Ｂの直線部分は、次のように表すことができる。
【００５７】
【数２】
2005093558.tif 000004
【００５８】
この直線においてＰ＝ＰＬとなるとき、Ｉ＝Ｉｂ′となり、必要となるバイアス電流Ｉｂ′が次のように与えられる。
【００５９】
【数３】
2005093558.tif 000005
【００６０】
このように、本実施の形態によれば、式（３）及び（５）より変調電流Ｉｍ′及びバイアス電流Ｉｂ′を算出することにより、変調電流とバイアス電流の両方を１回の補正で所望の消光比を与える値に設定することができる。
【００６１】
この第２の実施の形態による制御は、第１の実施の形態の場合のように目標値に達するまでに時間を必要とするわけではないので、各バースト信号ごとというように頻繁に行う必要はない。例えば、最初の２つのバースト信号に対して、本実施の形態の制御を行い、以降のバースト信号には、第１の実施の形態の制御を行うようにすれば、第３バースト信号からは所望の消光比で送信を行うことが可能となる。
【００６２】
以上は、本発明の説明のために実施の形態を挙げたに過ぎない。したがって、本発明の技術思想又は原理に沿って上述の実施の形態に種々の変更、修正又は追加を行うことは、当業者には容易である。
例えば、第１の実施の形態では、バースト信号ごとに制御を行った。しかし、各バースト信号を分割し、それぞれの部分に対してマーク率及び平均出力パワーの測定、制御を行うことで、より高速な消光比制御も可能となる。
【００６３】
なお、第１の実施の形態では、変調電流Ｉｍ及びバイアス電流Ｉｂに対するそれぞれの修正量α及びβを所定の１つの値としたが、変調電流Ｉｍ及びバイアス電流Ｉｂの一方又は各々に対して複数の修正量を用いてもよい。例えば、変調電流については、図３のＳ３２０において電流・光変換効率Ｅｊと消光差に相当する基準電圧ΔＰとの誤差Ｅｊ−ΔＰの取りうる範囲を１つ以上（Ｎ）のしきい値、例えばＴｈ０、Ｔｈ１（０＜Ｔｈ０＜Ｔｈ１）で、２Ｎ＋１の領域〜（−Ｔｈ１）〜（−Ｔｈ０）〜（Ｔｈ０）〜ＴＨ１〜（〜が１つの領域を表す）に分割し、誤差Ｅｊ−ΔＰがこれらの領域のいずれに属するかを判断してもよい。そして、前記誤差の絶対値｜Ｅｊ−ΔＰ｜により、｜Ｅｊ−ΔＰ｜≦Ｔｈ０ならば修正値α０、Ｔｈ０＜｜Ｅｊ−ΔＰ｜≦Ｔｈ１ならば、修正値α１、そしてＴｈ１＜｜Ｅｊ−ΔＰ｜ならば、修正値α２を用いて修正することも可能である（ただし、α０＜α１＜α２とする）。このようにすることにより、小さい１つの修正量を用いるより、速やかに目標値に収束させることが可能となる。バイアス電流Ｉｂは、温度変化に対する特性変動が大きいので、バイアス電流Ｉｂの制御には、さらに多くのしきい値と修正値を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明によればレーザダイオードの消光比を適切に制御することができるので、レーザダイオードを用いた光通信分野などに広く利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施の形態によるレーザダイオード駆動回路の構成を概念的に示す略ブロック図
【図２】一般的なレーザダイオードの電流・光変換特性曲線
【図３】本発明の第１の実施の形態によるレーザダイオード駆動動作を示すフローチャート
【図４】Ｉｍ制御とＩｂ制御を行うレーザダイオード駆動動作を説明するためのタイミングチャート
【図５】２つのバースト信号に対する結果からの算出方法の説明図
【符号の説明】
【００６６】
１  レーザダイオード（ＬＤ）駆動回路
１０  レーザダイオードモジュール
１２  レーザダイオード（ＬＤ）
１４  モニタフォトダイオード
２０  平均出力パワー測定器
３０  制御部
３２  メモリ
４０  バイアス電流源
５０  変調電流源
６０  加算器
３００  マーク率算出ルーチン
３１０  電流・光変換効率演算ルーチン
３２０  変調電流（Ｉｍ）決定ルーチン
３３０  マーク率平均出力パワーＰav算出ルーチン
３４０  バイアス電流（Ｉｂ）決定ルーチン
３５０  バースト信号（Ｐｋｊ）送信（すなわち、ＬＤ駆動）ルーチン
【図１】
2005093558.tif 000006
【図２】
2005093558.tif 000007
【図３】
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【図４】
2005093558.tif 000009
【図５】
2005093558.tif 000010