(57)【要約】【課題】  フォトリソグラフィ工程で被測定パターンのＣＤ変移が発生した場合に、被測定パターンのＣＤを補正する方法を提供する。【解決手段】  ＣＤを補正するために、まずフォトリソグラフィ工程のＣＤ変移を測定し、そのＣＤ変移によって、フォトリソグラフィ工程の露光原の波長λより小さい大きさでフォトマスクの透明基板をエッチングして、リセス、アンダーカット、垂直溝、等方性溝、リセスされた垂直溝、および／またはリセスされた等方性溝を形成する。【選択図】            図９Ａ
2005196216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長がλである露光源を用いるフォトリソグラフィ工程によって、被処理基板上に形成されたパターンに対する臨界寸法を補正する方法において、
透明基板と、前記透明基板上に形成されている遮光パターンとを含むフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程を行う段階と、
前記フォトリソグラフィ工程の結果として臨界寸法変移が発生した前記被処理基板の領域に相応する領域である前記透明基板の臨界寸法変移領域を、前記λより浅くエッチングする段階と、を含むパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２】
前記透明基板の臨界寸法変移領域エッチング段階では、前記透明基板にリセス、アンダーカット、垂直溝、等方性溝、リセスされた垂直溝及びリセスされた等方性溝のうち少なくとも１つを形成することを特徴とする請求項１に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項３】
前記臨界寸法変移領域が正の臨界寸法変移領域であり、前記透明基板には、リセス、等方性溝、リセスされた垂直溝、および／またはリセスされた等方性溝を形成することを特徴とする請求項２に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項４】
前記臨界寸法変移領域が負の臨界寸法変移領域であり、前記透明基板にはアンダーカットまたは垂直溝を形成することを特徴とする請求項２に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項５】
波長がλである露光源を用いるフォトリソグラフィ工程によって、被処理基板上に形成されているパターンに対する臨界寸法を補正する方法において、
透明基板と、前記透明基板上に形成されている遮光パターンとを含むフォトマスクを提供する段階と、
物質膜から前記被処理基板上に物質膜パターンを形成する段階と、
前記物質膜パターンの臨界寸法を測定する段階と、
前記物質膜パターンの臨界寸法変移を計算することで、前記透明基板に正の臨界寸法変移領域及び、負の臨界寸法変移領域を特定する段階と、
前記透明基板の正の臨界寸法変移領域にリセスを形成する段階と、
前記透明基板の負の臨界寸法変移領域にアンダーカットを形成する段階と、を含むパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項６】
前記物質膜パターンを形成する段階は、前記フォトリソグラフィ工程を行い、前記フォトマスクを用いてエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項７】
前記物質膜パターンの臨界寸法変移を計算する段階は、前記物質膜パターンの測定臨界寸法と、前記物質膜パターンに対するターゲット臨界寸法とを比較する段階を含むことを特徴とする請求項６に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項８】
前記リセスは、前記波長λより浅く形成し、前記アンダーカットは、前記波長λより狭い幅で形成することを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項９】
前記リセスの深さは、前記物質膜パターンの正の臨界寸法変移に比例することを特徴とする請求項８に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１０】
前記アンダーカットの幅は、前記物質膜パターンの負の臨界寸法変移に比例することを特徴とする請求項８に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１１】
前記リセスの深さ及び前記アンダーカットの幅は、同じ実験条件下で得られた実験データから決定することを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１２】
前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いる異方性エッチング工程によって、前記リセスを形成することを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１３】
前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いる化学的乾式エッチング工程または湿式エッチング工程を用いて、前記アンダーカットを形成することを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１４】
前記リセスを形成する段階は、
前記フォトマスク上に、第１マスクパターンを形成することを含む第１工程を行う段階と、
前記第１マスクパターン及び前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いて、前記透明基板を異方性乾式エッチングすることを含む第２工程を行う段階と、
前記第１マスクパターンを除去することを含む第３工程を行う段階と、を含むことを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１５】
前記第１、第２及び第３工程を２回以上行うことで、前記物質膜パターンの臨界寸法変移に比例する深さで前記リセスを形成することを特徴とする請求項１４に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１６】
前記リセスの底面から所定の距離で離隔されている第２マスクパターンを、前記フォトマスク上に形成することを含む第４工程を行う段階と、
前記第２マスクパターン、および／または前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いて、前記透明基板をエッチングすることで、前記透明基板にリセスされた垂直溝またはリセスされた等方性溝を形成することを含む第５工程を行う段階と、
前記第２マスクパターンを除去することを含む第６工程を行う段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１７】
前記第４工程で形成された前記第２マスクパターンと、前記リセスの底面との距離は、前記物質膜パターンの臨界寸法変移に比例して変更されることを特徴とする請求項１４に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１８】
前記アンダーカットを形成する段階は、
前記フォトマスク上にフォトレジストパターンを形成することを含む第１工程を行う段階と、
前記フォトレジストパターン、および／または前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いて、前記透明基板を等方性エッチングすることを含む第２工程を行う段階と、
前記フォトレジストパターンを除去することを含む第３工程を行う段階と、を含むことを特徴とする請求項５に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項１９】
前記第１工程、第２工程及び第３工程を２回以上繰り返して行うことで、前記物質膜パターンの臨界寸法変移に比例して、前記アンダーカットの幅を形成することを特徴とする請求項１８に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２０】
波長がλである露光源を用いるフォトリソグラフィ工程によって、被処理基板上に形成されているパターンに対する臨界寸法を補正する方法において、
透明基板と、前記透明基板上に形成されている遮光パターンとを含むフォトマスクを提供する段階と、
前記被処理基板上に形成されている物質膜に対し、前記フォトマスクを用いるフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことで、前記被処理基板上に物質膜パターンを形成する段階と、
前記物質膜パターンの臨界寸法を測定する段階と、
前記物質膜パターンの測定臨界寸法と、前記物質膜パターンに対するターゲット臨界寸法とを比較して、前記物質膜パターンの臨界寸法変移を計算することで、前記透明基板に正の臨界寸法変移領域及び負の臨界寸法変移領域を特定する段階と、
前記透明基板の正の臨界寸法変移領域には、所定の深さを有する等方性溝を形成する段階と、
前記透明基板の負の臨界寸法変移領域には、所定の深さを有する垂直溝を形成する段階と、を含むパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２１】
前記垂直溝は、前記波長λより狭い幅を有するように形成し、前記等方性溝は、前記波長λより狭い開放幅を有するように形成することを特徴とする請求項２０に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２２】
前記等方性溝の開放幅の広さが、前記物質膜パターンの正の臨界寸法変移に比例するように、前記等方性溝を形成することを特徴とする請求項２１に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２３】
前記垂直溝の幅が、前記物質膜パターンの正の臨界寸法変移に比例するように、前記垂直溝を形成することを特徴とする請求項２１に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２４】
前記垂直溝の深さ及び前記等方性溝の開放幅の広さは、同じ実験条件下で得られた実験データから決定することを特徴とする請求項２０に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２５】
前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いる異方性エッチング工程によって、前記垂直溝を形成することを特徴とする請求項２０に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２６】
前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いる化学的乾式エッチング工程または湿式エッチング工程を用いて、前記等方性溝を形成することを特徴とする請求項２０に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２７】
前記垂直溝を形成する段階は、
前記フォトマスク上にフォトレジストパターンを形成することを含む第１工程を行う段階と、
前記フォトレジストパターン、および／または前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いて、前記透明基板の一部分を異方性乾式エッチングすることを含む第２工程を行う段階と、
前記フォトレジストパターンを除去することを含む第３工程を行う段階と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２８】
前記第２工程は、前記物質膜パターンの臨界寸法変移によって前記透明基板の一部分の幅を変化させることを更に含むことを特徴とする請求項２７に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項２９】
前記等方性溝を形成する段階は、
前記フォトマスク上にフォトレジストを形成することを含む第１工程を行う段階と、
前記フォトレジストパターン、および／または前記遮光パターンをエッチングマスクとして用いて、前記透明基板の一部分を等方性エッチングすることを含む第２工程を行う段階と、
前記フォトレジストパターンを除去することを含む第３工程を行う段階と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項３０】
前記第２工程は、前記物質膜パターンの臨界寸法変移によって、前記透明基板の一部分の幅を変化させることを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のパターンの臨界寸法補正方法。
【請求項３１】
フォトリソグラフィ工程によって、被処理基板上に形成されているパターンに対する臨界寸法を補正する方法において、
透明基板を含むフォトマスクに、正の第１臨界寸法変移を示す第１変移領域、正の第２臨界寸法変移を示す第２変移領域及び、正の第３臨界寸法変移を示す第３変移領域をそれぞれ特定する段階と、
前記第１ないし第３変移領域のそれぞれの透明基板に、所定の深さを有するリセスを形成する段階と、
前記リセスの底面の端部に、垂直溝、および／または等方性溝を形成する段階と、を含むパターン臨界寸法の補正方法。
【請求項３２】
前記リセス形成段階では、前記第３臨界寸法をターゲット臨界寸法にする深さで前記リセスを形成し、
前記垂直溝、および／または等方性溝形成段階では、前記第２変移領域には、第１開放幅を有する第１等方性溝を形成し、前記第３変移領域には、前記第１開放幅より広い第２開放幅を有する第２等方性溝を形成することを特徴とする請求項３１に記載のパターン臨界寸法の補正方法。
【請求項３３】
前記リセス形成段階では、前記第２臨界寸法をターゲット臨界寸法にする深さで前記リセスを形成し、
前記垂直溝、および／または等方性溝形成段階では、前記第２変移領域には、所定の幅を有する垂直溝を形成し、前記第３変移領域には、前記垂直溝の幅より広い所定の開放幅を有する等方性溝を形成することを特徴とする請求項３１に記載のパターン臨界寸法の補正方法。
【請求項３４】
前記リセス形成段階では、前記第１臨界寸法をターゲット臨界寸法にする深さで前記リセスを形成し、
前記垂直溝、および／または等方性溝形成段階では、前記第２変移領域には第１幅を有する第１垂直溝を形成し、前記第３変移領域には前記第１幅より広い第２幅を有する第２垂直溝を形成することを特徴とする請求項３１に記載のパターン臨界寸法の補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ工程に係り、更に具体的には、フォトリソグラフィ工程によって形成された被転写パターンの臨界寸法変移が発生した場合に、臨界寸法を補正する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子が高集積化されるにつれて、パターンの臨界寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：以下、ＣＤ）は小さくなり続けている。ところが、パターンのＣＤが露光源の波長より小さくなれば、回折現象によって光近接効果が発生する。光近接効果とは、パターンの局部密度の差、および／または隣接したパターンによる影響で、被転写パターンの形が歪曲、および／または露光工程の限界によってＣＤの変移が発生する現象をいう。被転写パターンのＣＤ変移（ＣＤ  ｄｅｖｉａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｐａｔｔｅｒｎｓ、ΔＣＤ）とは、ターゲットＣＤと測定ＣＤとの差をいう。パターンの形が歪曲されることも、局部的なＣＤ変移が発生したと見られるため、本明細書で‘ＣＤ変移’という用語を使用する時は、広い意味では被転写パターンの形が歪曲される場合も含まれる。
【０００３】
被転写パターンのＣＤ変移が発生した場合にＣＤを補正する方法は、一般的に光近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：以下、ＯＰＣ）と呼ばれる。従来のＯＰＣ法によれば、ＣＤ変移が発生した場合に、既存のフォトマスクの代りにＣＤ変移を反映した、新たなパターンを有するフォトマスクとしてマスクを再製作する方法を用いた。このようなマスクの再製作は、被転写パターンの特定領域、例えば、中央部や端部に発生する局部的な歪曲現象を補正するには効果的であるが、周辺パターンの密度やパターンの位置による、狭意の被転写パターンのＣＤ変移に適用するには限界がある。そして、マスクを再製作する既存の方法は、工程時間及び再製作に必要なコストを増加させるという問題点がある。
【０００４】
ゲートライン、ビットラインまたは金属配線ラインを形成する場合のように、半導体製造工程には、多数の同じパターンを同時に形成する場合が多い。このような場合、ＣＤ変移が発生すれば、被転写パターンの均一度が悪化する問題点が発生する。例えば、多数の同じ被転写パターンのうち端部に位置したパターンのＣＤ（以下、‘端部パターンＣＤ’という）は、ターゲットＣＤと同じであることに対し、中央に位置したパターンのＣＤ（以下、‘中央パターンＣＤ’という）は、ターゲットＣＤより小さいことがある。すなわち、中央に位置した被転写パターンにＣＤ変移が存在する場合である。または、多数のパターンのうち中央パターンＣＤはターゲットＣＤと同じであることに対し、端部パターンＣＤがターゲットＣＤより更に大きいこともある。場合によっては、多数のパターンのうち中央パターンＣＤはターゲットＣＤより小さく、端部パターンＣＤはターゲットＣＤより大きく、またはその逆の場合になることもある。
【０００５】
被転写パターンの均一度が悪化する前記問題点を解決するための一つの方法は、前記したように、フォトマスクを再製作することである。しかし、このような方法は、生産コストを増加させるだけでなく、場合によっては、再製作回数が３回以上となるため、時間とコストを全て増加させ得る。
【０００６】
被転写パターンの均一度を向上させるためのもう1つの方法は、フォトマスクの背面に格子を形成することである。図１Ａ及び図１Ｂには、従来技術によって、格子を用いてＣＤの偏差を調整する方法が比較して示されているが、図１Ａは格子を形成していない場合であり、図１Ｂはフォトマスクの背面に格子を形成した場合である。図１Ａ及び図１Ｂで、それぞれ、（ａ）は入射光の相対的な強度、（ｂ）はフォトマスクを通過した入射光の相対的な強度及び、（ｃ）は端部パターンＣＤと中央パターンＣＤとの相対的な分布を示す図面である。
【０００７】
図１Ａを参照すれば、フォトマスク１０の全面に同じ強度を有する入射光を投射した時（（ａ）参照）、フォトマスク１０の石英基板１１では、均一な強度を有する入射光が通過する（（ｂ）参照）。ところが、実際半導体基板上に形成される被転写パターンは、その位置によってＣＤ変移が発生する（（ｃ）参照）。例えば、図１Ａの（ｃ）に示されたように、端部パターンＣＤ１はターゲットＣＤと同じであり、中央パターンＣＤ２がターゲットＣＤより更に大きいことがある。この場合、ターゲットＣＤはＣＤ１であり、ＣＤ変移はΔＣＤ、すなわち、ＣＤ２−ＣＤ１である。
【０００８】
それに対し、図１Ｂを参照すれば、フォトマスク２０の全面に同じ強度を有する入射光を投射するが（（ａ）参照）、フォトマスク２０の中央部を通過する光の強度は、フォトマスク２０の端部を通過する光の強度より更に小さい（（ｂ）参照）。すなわち、透明基板２１を過ぎて、遮光パターン２２を通過する時の光の強度は、端部の付近が大きい。このような現象は、フォトマスク２０の背面に形成されている格子２３の密度差のためであり、図１Ｂの（ｂ）に示されたように、格子２３はフォトマスク２０の端部より中央部に更に稠密に形成されている。このように、格子を用いて光の強度を調節した結果、端部パターンＣＤと中央パターンＣＤとが全てターゲットＣＤと同一になる（（ｃ）参照）。したがって、従来技術によれば、フォトマスクの背面に形成される格子の密度を異ならせることで、光の強度を調節してＣＤの均一度を向上させ得る。
【０００９】
しかし、フォトマスク２０上に格子２３を形成する方法は、被転写パターンのイメージコントラストを落として解像度を低下させ、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ  Ｉｍａｇｅ  Ｌｏｇ  Ｓｌｏｐｅ）を減少させる問題点がある。図２Ａ及び図２Ｂには、図１Ｂのフォトマスク２０に対し、格子２３の密度によるコントラストとＮＩＬＳとの変化を示すグラフとがそれぞれ示されている。図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、開口数が０．７、アパーチュア（ａｐｅｒｔｕｒｅ）は環状、フォトマスクは１５０ｎｍのライン・アンド・スペースパターンを有する８％減衰位相転移マスクを用いて測定した結果を示したものである。図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば、フォトマスク２０の格子２３密度が増加するにつれて、被転写パターンのイメージコントラスト及びＮＩＬＳがいずれも減少することがわかる。
【００１０】
そして、前記した方法は、フォトマスクの背面に格子を形成する過程で、フォトマスクの前面にスクラッチのような損傷を引き起こす恐れがある。また、ＣＤ変移の大きさによる格子パターンの密度を、位置によって正確にマッチングさせることも難しい。なお、前記した方法は、被転写パターンの全体的なＣＤは補正できるが、局部的なＣＤは補正できない問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明が達成しようとする技術的課題は、簡単な方法で、被処理基板の全体的なＣＤ補正と局部的なＣＤ補正とに同時に適用できる被転写パターンのＣＤ補正方法を提供することにある。
【００１２】
本発明が達成しようとする他の技術的課題は、被転写パターンのイメージコントラスト及びＮＩＬＳを減少させずともＣＤ変移が発生することを防止できる、被転写パターンのＣＤ補正方法を提供することにある。
【００１３】
本発明が達成しようとする更に他の技術的課題は、フォトマスク前面の損傷を防止できる被転写パターンのＣＤ補正方法を提供することにある。
【００１４】
本発明が達成しようとする更に他の技術的課題は、ＣＤ補正に所要されるコスト、および／または時間を最小化できる被転写パターンのＣＤ補正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記した技術的課題を達成するために、本発明では、ＣＤ変移が発生した場合に、フォトリソグラフィ工程の露光原の波長λより浅く、フォトマスクの透明基板をエッチングすることで、被測定パターンのＣＤを補正する。前記エッチング工程の結果、フォトマスクの透明基板には、リセス、アンダーカット、垂直溝、等方性溝、リセスされた垂直溝、および／またはリセスされた等方性溝が形成され得る。
【００１６】
前記した本発明の一実施例によれば、まず、透明基板と前記透明基板上に形成されている遮光パターンとを含むフォトマスクを用意する。そして、物質膜が上面に形成されている被処理基板に対し、前記フォトマスクを用いるフォトリソグラフィ工程、および／またはエッチング工程を行うことで、前記被処理基板上に物質膜パターンを形成する。また、前記物質膜パターンのＣＤを測定する。また、前記測定ＣＤを用いて前記物質膜パターンのＣＤ変移を計算することで、正のＣＤ変移領域、および／または負のＣＤ変移領域を特定し、前記透明基板の正のＣＤ変移領域にはリセスを形成し、前記透明基板の負のＣＤ変移領域にはアンダーカットを形成する。
【００１７】
前記した実施例の一側面によれば、リセスを形成した後にリセスされた透明基板の底面端部をエッチングして、リセスされた垂直溝、および／またはリセスされた等方性溝を形成することもできる。
【００１８】
前記した本発明の他の実施例によれば、透明基板と前記透明基板上に形成されている遮光パターンとを含むフォトマスクを用意する。そして、物質膜が上面に形成されている被処理基板に対し、前記フォトマスクを用いるフォトリソグラフィ工程、および／またはエッチング工程を行うことで、前記被処理基板上に物質膜パターンを形成する。また、前記物質膜パターンのＣＤを測定する。また、前記測定ＣＤを用いて前記物質膜パターンのＣＤ変移を計算することで、正のＣＤ変移領域、および／または負のＣＤ変移領域を特定する。また、前記透明基板の正のＣＤ変移領域には所定の深さを有する等方性溝を形成し、前記透明基板の負のＣＤ変移領域には所定の深さを有する垂直溝を形成する。
【００１９】
前記した他の実施例の一側面によれば、等方性溝、および／または垂直溝を形成する前に、前記正のＣＤ変移領域をエッチングして、リセスを形成する段階を更に含むこともできる。
【００２０】
前記した技術的課題を達成するための本発明の更に他の実施例は、正の第１ＣＤ変移を示す第１変移領域、正の第２ＣＤ変移を示す第２変移領域及び、正の第３ＣＤ変移を示す第３変移領域が、それぞれ特定されており、第１ＣＤ変移＞第２ＣＤ変移＞第３ＣＤ変移を満足するフォトマスクについてのパターンのＣＤ補正方法である。その場合、まず前記第１ないし第３変移領域の透明基板に、所定の深さを有するリセスを形成する。そして、前記透明基板のリセスの底面の端部に垂直溝、および／または等方性溝を形成してＣＤを補正する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、入射光の波長より大きさの小さいリセス、アンダーカット、垂直溝、および／または等方性溝をフォトマスクの透明基板に形成して、被測定パターンのＣＤを補正する。特に、リセスとアンダーカットとを形成する方法は、垂直溝と等方性溝とを形成する方法より、補正量が相対的に大きいため、前者の場合は、被測定パターンのＣＤを基板全体にわたって増加または減少させる場合に有用に適用でき、後者の場合は、被測定パターンのＣＤを局部的に微細に増加または減少させる場合に有用に適用できる。
【００２２】
また、本発明によれば、フォトマスクの背面に格子を形成する従来技術に比べて、被転写パターンのイメージコントラストやＮＩＬＳが減少する現象を抑制ないし防止し、被測定パターンのＣＤを補正できる。合わせて、フォトマスクの背面に格子を形成する時に発生できるフォトマスクの損傷も防止できる。
【００２３】
特に、ＣＤ変移が被処理基板全体にわたって多様に発生する場合に、垂直溝、等方性溝、またはリセスされた垂直溝または等方性溝をフォトマスクの透明基板に形成する補正方法を用いれば、１回または２回のエッチングマスク工程によっても、基板全体についてのＣＤ補正ができるため、ＣＤ補正に所要されるコスト、および／または時間を最小化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施例に限られず、他の形態で具体化され得る。かえって、ここで紹介される実施例は、本発明の技術的思想が徹底的で完全に開示されるように、また当業者に本発明の思想が十分に伝えられるようにするために、例示的に提供されるものである。図面において、層の厚さ、および／または領域の大きさ等は、明確性のために誇張されたものである。明細書全体において、同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００２５】
本発明に係るパターンＣＤ補正方法では、フォトマスクの透明基板に垂直溝、および／またはアンダーカットを形成することで、被転写パターンのＣＤを補正する。垂直溝、および／またはアンダーカットは、フォトマスクの前面、すなわち、遮光パターンが形成された面に対する異方性乾式エッチング、および／または等方性エッチング工程を行って形成する。フォトマスクに形成された垂直溝、および／またはアンダーカット、特に、入射光の波長より浅い深さの垂直溝、および／またはアンダーカットはフォトマスクを通過する入射光の強度を変化させるため、被転写パターンのＣＤを補正する役割をする。
【００２６】
図３Ａには、本発明に係る被転写パターンのＣＤ補正方法に用いられる補正されたフォトマスクの一例、すなわち、透明基板の透光領域に垂直溝が形成されているフォトマスクが示されている。垂直溝３３は、フォトレジストパターン（図示せず）、および／または遮光パターン３２を用いた異方性乾式エッチング工程によって形成できる。
【００２７】
図３Ａを参照すれば、フォトマスク３０の透明基板３１に形成されている垂直溝３３は、所定の幅ｗ１と所定の深さｄ１とを有する。垂直溝３３の幅ｗ１、および／または深さｄ１は、ＣＤ変移の大きさによって変更され得る。ＣＤ変移の量と垂直溝３３の幅ｗ１、および／または深さｄ１の関係については、後で詳細に説明する。特に、垂直溝３３の幅ｗ１が遮光パターン３２間の距離、すなわち、透光領域の幅ｗｐと同じであることもある。本明細書では、このような場合の垂直溝３３を‘リセス’と称する。このような場合の垂直溝３３、すなわち、リセスを形成する場合には、その深さｄ１がＣＤの変移によって変更される。いかなる場合でも、垂直溝３３の深さｄ１は入射光の波長より小さいことが好ましいが、これは垂直溝３３、特に、リセスが形成された場合に、フォトマスクを透過する光の位相が反転される効果が現れないようにするためである。
【００２８】
図３Ｂには、本発明に係る被転写パターンのＣＤ補正方法に用いられる補正されたフォトマスク４０の他の例、すなわち、透明基板４１にアンダーカット４３が形成されているフォトマスクが図示されている。アンダーカット４３は、フォトレジストパターン（図示せず）、および／または遮光パターン４２を用いた等方性湿式エッチング工程または等方性乾式エッチング工程で形成できる。等方性工程の特性上、アンダーカット４３は、透明基板４０の遮光領域と透光領域とにわたって形成され、通常的に水平方向のエッチング量と垂直方向のエッチング量とは一定の相関関係を有するが、前者が後者より更に大きい。
【００２９】
図３Ｂを参照すれば、フォトマスク４０の透明基板４１の遮光領域に形成されているアンダーカット４３は、所定の幅ｗ２と開放幅ｗ２’及び所定の深さｄ２を有する。アンダーカット４３の幅ｗ２、開放幅ｗ２’及び深さｄ２の大きさは、ＣＤの変移の大きさによって変更され得るが、これについては後で詳述する。
【００３０】
アンダーカット４３と関連して、本明細書で用いる用語を整理すれば次の通りである。アンダーカット４３は、その文字的意味から見れば、遮光パターン４２下部のエッチングされた部分を示すが、本明細書では透光領域に形成されたエッチング部分もアンダーカット４３に含まれる。アンダーカット４３の幅ｗ２は、遮光パターン４２下部の遮光領域にリセスされた領域の大きさを示す。そして、アンダーカット４３の開放幅ｗ２’は、透光領域に開放されている溝の幅を示す。アンダーカット４３の開放幅ｗ２’は、遮光パターン４２間の距離ｗｐと同一（図４Ｂ参照）、または図３Ｂに示されたように、更に小さいこともある。また、説明の便宜のために、後述される明細書の実施例及び特許請求の範囲で用いられた‘アンダーカット’とは、そのアンダーカットの開放幅が遮光パターン間の幅と同じ場合に限られ、そのアンダーカットの開放幅が遮光パターン間の幅より狭い場合には‘等方性溝’と称する。
【００３１】
[第１実施例]
図４Ａ及び図４Ｂには、本発明の第１実施例に係るＣＤを補正する方法に用いられる補正されたフォトマスクが示されている。図４Ａには、リセス１３３が形成されているフォトマスク１３０が示されており、図４Ｂには、アンダーカット１４３が形成されているフォトマスク１４０が示されている。図４Ａ及び図４Ｂに示されているフォトマスク１３０、１４０は、遮光パターン１３２、１４２が形成されていない透明基板１３１、１４１の領域全体にリセス１３３とアンダーカット１４３とが形成されている点で特徴がある。すなわち、図４Ａの場合には、リセス１３３の幅ｗ３は、遮光パターン１３２間の幅ｗｐと同じ大きさで常に一定である。したがって、図４Ａ及び図４Ｂに示されているフォトマスク１３０、１４０は、それぞれ図３Ａ及び図３Ｂに示されているフォトマスク３０、４０の特殊な場合であると見られる。
【００３２】
図５Ａには、図４Ａに示されたリセス１３３の深さｄ３の変化によって、フォトマスク１３０を通過した光の強度変化を示すグラフが示されている。ここで、リセス１３３の深さｄ３は、入射光の波長λより小さい範囲内、すなわち、４０ｎｍ〜２４０ｎｍ範囲で４０ｎｍの間隔をおいて測定し、前記シミュレーションは２４８ｎｍ波長の入射光、すなわちＫｒＦ光源を用いて実施した。図５Ａを参照すれば、リセス１３３の深さｄ３が入射光の波長λより小さい場合には、リセス１３３の深さｄ３が増加するほど、フォトマスク１３０を通過した光の最大強度は減少することがわかる。
【００３３】
図５Ｂには、図５Ａに示されているフォトマスク１３０を通過した光の強度変化に対し、スレショルド光強度が０．２である場合を基準とした時の被測定パターンのＣＤを測定して示したグラフが示されている。基準とするスレショルド光強度を異ならせれば、ＣＤの大きさは変更されるが、ＣＤの相対的な大きさは図５Ｂの場合と同じである。図５Ｂを参照すれば、リセス１３３を形成した場合には、リセス１３３を形成していない場合、すなわち、リセス１３３の深さｄ３が０ｎｍである場合よりＣＤが小さいことがわかる。また、リセス１３３の深さｄ３が増加するにつれて、被測定パターンのＣＤが減少し続けることもわかる。
【００３４】
したがって、透明基板１３１の透光領域に透光領域の幅ｗｐと同じ幅ｗ３を有するリセス１３３を形成することで、被転写パターンのＣＤを減少させる補正ができることがわかる。そして、リセス１３３の深さｄ３を増加させれば、被転写パターンのＣＤの減少幅が大きいため、ＣＤの補正の大きさを増加させ得ることもわかる。前記実施例で、リセス１３３の深さｄ３が１０ｎｍ増加すれば、ＣＤの補正の大きさは３ｎｍ程度である。したがって、透明基板１３１の透光領域全体にリセス１３３を形成するＣＤ補正方法は、フォトマスクの正のＣＤ変移領域に対して適用できるが、特に、相対的にＣＤの補正の大きさが大きい場合に適用できる（第２実施例参照）。
【００３５】
図６Ａには、図４Ｂに示されたアンダーカット１４３の幅ｗ４の変化によって、フォトマスク１４０を通過した光の強度変化を示すグラフが示されている。ここで、アンダーカット１４３の幅ｗ４には特別な制限はないが、入射光の波長λより小さい範囲であることが好ましい。前記シミュレーション結果は、アンダーカット１４３の幅ｗ４が２００ｎｍ以下の範囲、すなわち、０ｎｍ〜２００ｎｍ範囲で５０ｎｍ間隔で測定したものである。図６Ａを参照すれば、アンダーカット１４３の幅ｗ４が増加するほど、フォトマスク１４０を通過した光の最大強度が増加することが分かる。一方、図６Ａで、バイナリマスク（ＢＭ）に比べて、アンダーカット１４３の幅ｗ４が０ｎｍである場合に光の最大強度が減少することは、後者の場合には所定の深さを有する垂直溝のみがフォトマスク１４０の透光領域に存在するためである（図５Ａ参照）。
【００３６】
図６Ｂには、図６Ａに示されているフォトマスク１４０を通過した光の強度変化に対し、スレショルド強度を０．２に設定した時の被測定パターンのＣＤを測定して示したグラフが示されている。図６Ｂを参照すれば、アンダーカット１４３の幅ｗ４が増加するにつれて、被測定パターンのＣＤは増加し続けることがわかる。
【００３７】
したがって、透明基板１４１の遮光領域、すなわち、遮光パターン１４２の下部にアンダーカット１４３を形成することで、被測定パターンのＣＤを増加させるようにＣＤを補正できることがわかる。そして、アンダーカット１４３の幅ｗ４を増加させれば、ＣＤの補正の大きさが大きくなることもわかる。前記実施例で、アンダーカット１４３の幅ｗ４が１０ｎｍ増加すれば、ＣＤの補正の大きさは約５ｎｍである。したがって、透明基板１４１の遮光領域にアンダーカット１４３を形成するＣＤの補正方法は、フォトマスクの負のＣＤ変移領域に適用できるが、特に、相対的にＣＤの補正の大きさが大きい場合に適用できる（第２実施例参照）。
【００３８】
結論的に、フォトマスク１３０、１４０を通過する入射光の光度は、リセス１３３の深さｄ３、および／またはアンダーカット１４３の幅ｗ４によって変化する。したがって、フォトマスク１３０、１４０に形成されるリセス１３３の深さｄ３、および／またはアンダーカット１４３の幅ｗ４の大きさを調節することで、その部分に対応する被転写パターンのＣＤに誘発される補正量を調節できる。その結果、フォトマスク１３０、１４０にリセス１３３の深さｄ３、および／またはアンダーカット１４３の幅ｗ４を適切な大きさで形成することで、被転写パターンのＣＤを補正できる。特に、リセス１３３の深さｄ３、および／またはアンダーカット１４３の幅ｗ４を、透光領域の位置によって相異なる大きさで形成するためには、２回以上のエッチングマスク形成工程が必要である。なぜなら、リセス１３３の深さｄ３、および／またはアンダーカット１４３の幅ｗ４は工程時間の関数であるためである。しかし、第１実施例を使用したＣＤ補正方法は、ＣＤ補正量が相対的に大きく、フォトマスク全体のＣＤを補正する場合に有用である。
【００３９】
[第２実施例]
図７Ａ及び図７Ｂには、本発明の第２実施例に係るＣＤを補正する方法に用いられる補正されたフォトマスクが示されている。図７Ａには、遮光パターン２３２と隣接した透光領域に垂直溝２３３が形成されているフォトマスク２３０が示されており、図７Ｂには、遮光パターン２４２と隣接した透光領域に等方性溝２４３が形成されているフォトマスク２４０が示されている。図７Ａ及び図７Ｂに示されているフォトマスク２３０、２４０は、垂直溝２３３及び等方性溝２４３がそれぞれ遮光パターン２３２、２４２の幅より狭い幅を有するという点で、第１実施例に用いられるフォトマスク１３０、１４０（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と異なる。そして、図７Ａに示されているフォトマスク２３０は、垂直溝２３３の深さｄ５は一定であるが、垂直溝２３３の幅ｗ５が変り、図７Ｂに示されているフォトマスク２４０は、等方性溝２４３の幅ｗ６と深さｄ６とは一定であるが、等方性溝２４３の開放幅ｗ６’が変るという点で特徴がある。したがって、図７Ａ及び図７Ｂに示されているフォトマスク２３０、２４０は、それぞれ図３Ａ及び図３Ｂに示されているフォトマスク３０、４０の特殊な場合であると見られる。
【００４０】
図８Ａ及び図８Ｂには、図７Ａ及び図７Ｂに示されている補正されたフォトマスク２３０、２４０を用いた場合に、被測定パターンのＣＤを測定して示したグラフがそれぞれ示されている。前記グラフは、６００ｎｍの幅を有する１：３のライン・アンド・スペースパターンを有するフォトマスク２３０、２４０を用いてシミュレーションしたものであって、ＡｒＦ光源と、開口数が０．８５であるレンズと、０．５５／０．８５の環状アパーチュアとを用いた。図８Ａ及び図８Ｂに示されたグラフは、前記した第１実施例の図５Ｂ及び図６Ｂと同じ過程を経て作成された。
【００４１】
まず図８Ａを参照すれば、その深さｄ５が２８．６８ｎｍ、すなわち、ＡｒＦ波長の３０゜であり、その幅ｗ５が遮光パターン２３２の幅より狭い所定の大きさを有する垂直溝２３３を形成した場合には、垂直溝２３３を形成していない場合、すなわち、垂直溝２３３の幅ｗ５が０ｎｍである場合よりＣＤが大きいことがわかる。また、垂直溝２３３の幅ｗ５が増加するにつれて、被測定パターンのＣＤが増加しつつ、一定水準に到達すれば下がることもわかる。
【００４２】
したがって、垂直溝２３３の幅ｗ５を変化させることで、被転写パターンのＣＤを増加させる補正ができることがわかる。そして、ＣＤの増加が下がる幅ｗ５の範囲以内では、垂直溝２３３の幅ｗ５が増加するほど被転写パターンのＣＤの増加幅が大きい。前記実施例で、垂直溝２３３の幅ｗ５が１０ｎｍ増加すれば、ＣＤは約０．１ｎｍ増加する。したがって、垂直溝２３３を形成する補正方法は負のＣＤ変移領域に対して適用できるが、特に、相対的に微細な大きさのＣＤ補正が必要な場合に適用できる（実施例１参照）。
【００４３】
そして、図８Ｂを参照すれば、２８．６８ｎｍ、すなわち、その幅ｗ６が２８．６８ｎｍ、すなわち、ＡｒＦ波長の３０゜であり、その開放幅ｗ６’が遮光パターン２４２の幅より狭い所定の大きさを有する等方性溝２４３を形成した場合には、等方性溝２４３を形成していない場合、すなわち、等方性溝２４３の開放幅ｗ６’が０である場合よりＣＤが小さいことがわかる。これは、図６Ｂに示されているグラフと同じである。しかし、図８Ａと同様に、等方性溝２４３の場合にも開放幅ｗ６’の大きさが増加するほどＣＤも増加し、一定の大きさ以上である場合には下がる。
【００４４】
したがって、等方性溝２４３を形成しその開放幅ｗ６’を変化させることで、被転写パターンのＣＤを減少させる補正ができることがわかる。そして、ＣＤの増加が下がる範囲以内では、開放幅ｗ６’が大きくなるにつれて、被転写パターンのＣＤの減少幅が小さくなる。前記実施例で、等方性溝２４３の開放幅ｗ６’が３０ないし９０ｎｍの間である場合には、開放幅ｗ６’の幅が１０ｎｍ増加するほど、ＣＤ補正の大きさは約０．７ｎｍずつ減少することがわかる。したがって、等方性溝２４３を形成する補正方法は、正のＣＤ変移領域に適用できるが、特に、相対的に微細な大きさのＣＤ補正が必要な場合に適用できる（実施例１参照）。
【００４５】
結論的に、フォトマスク２３０、２４０を通過する入射光の光度は、垂直溝２３３の幅ｗ５の大きさ、または等方性溝２４３の開放幅ｗ６’の大きさによって変化する。したがって、フォトマスク２３０、２４０に形成される垂直溝２３３の幅ｗ５の大きさ、または等方性溝２４３の開放幅ｗ６’の大きさを調節することで、その部分に対応する被転写パターンのＣＤに誘発される補正量を調節できる。その結果、フォトマスク２３０、２４０に、垂直溝２３３の幅ｗ５、および／または等方性溝２４３の開放幅ｗ６’を適切な大きさで形成することで、被転写パターンのＣＤを補正できる。
【００４６】
特に、垂直溝２３３の幅ｗ５及び等方性溝２４３の開放幅ｗ６’の大きさは、エッチングマスクパターンの大きさを調節すれば、フォトマスク２３０、２４０上の位置によって微細に制御できる。それに対し、垂直溝２３３の深さｄ５及び等方性溝２４３の深さｄ６及び幅ｗ６の大きさは工程時間の関数であるため、エッチングマスクによって露出された透光領域の全体にわたって同じ大きさで形成せざるを得ない。したがって、第２実施例によれば、フォトマスク２３０、２４０上の位置によって相異なる大きさのＣＤ補正をする場合に、ただ１回のエッチングマスク工程だけで済むというメリットがある。
【００４７】
[第３実施例]
図９Ａ及び図９Ｂには、本発明の第３実施例に係るＣＤを補正する方法に用いられる補正されたフォトマスクが示されている。図９Ａには、透明基板３３１の透光領域が全体的に所定の深さＲほどリセスされているだけでなく、遮光パターン３３２と隣接した透光領域に垂直溝３３３（以下、‘リセスされた垂直溝’という）が形成されているフォトマスク３３０が示されている。そして、図９Ｂには、透明基板３４１の透光領域が全体的に所定の深さＲほどリセスされているだけでなく、遮光パターン３４２と隣接した透光領域に等方性溝３４３（以下、‘リセスされた等方性溝’という）が形成されているフォトマスク３４０が示されている。すなわち、図９Ａ及び図９Ｂに示されているフォトマスク３３０、３４０は、それぞれ図４Ａに示された一定の深さｄ３のリセス１３３を有するフォトマスク１３０に、図７Ａ及び図７Ｂの垂直溝２３３と等方性溝２４３とを形成したフォトマスクである。したがって、図９Ａに示されているリセスされた垂直溝３３３は、リセスの深さＲと垂直溝の深さｄ７とは一定であるが、垂直溝の幅ｗ７が変わり、図７Ｂに示されているリセスされた等方性溝は、リセスの深さＲ、等方性溝の幅ｗ８と深さｄ８は一定であるが、等方性溝の開放幅ｗ８’が変わるという点で特徴がある。
【００４８】
図１０Ａ及び図１０Ｂには、図９Ａ及び図９Ｂに示されている補正されたフォトマスク３３０、３４０を用いた場合に、被測定パターンのＣＤを測定して示したグラフがそれぞれ示されている。前記グラフは、６００ｎｍの幅を有する１：３のライン・アンド・スペースパターンを有するフォトマスク３３０、３４０を用いてシミュレーションしたものであって、ＡｒＦ光源と、開口数が０．８５であるレンズと、０．５５／０．８５の環状アパーチュアとを用いた。図１０Ａ及び図１０Ｂに示されたグラフは、前記した第１実施例の図５Ｂ及び図６Ｂと同じ過程を経て作成された。
【００４９】
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すれば、リセスされた垂直溝３３３の幅ｗ７、またはリセスされた等方性溝３４３の開放幅ｗ８’によるＣＤの変化を示すグラフは、それぞれ図８Ａ及び図８Ｂに示されたグラフと類似している。しかし、図１０Ａ及び図１０Ｂのグラフを作成することに用いられたフォトマスク３３０、３４０は、所定の大きさＲを有するリセスが形成されている。したがって、同じ大きさのスレショルド光強度が適用されれば、同じ幅と深さの垂直溝２３３、３３３が形成された場合には、図９Ａに示されたフォトマスク２３０のＣＤが、図１０Ａに示されたフォトマスク３３０のＣＤより更に小さいということが推定できる。同様に、同じ幅、開放幅及び深さの等方性溝２３４、３３４が形成された場合には、図９Ｂに示されたフォトマスク２４０のＣＤが、図１０Ｂに示されたフォトマスク３４０のＣＤより更に小さいということが推定できる。
【００５０】
前記したように、第３実施例は、第１実施例と第２実施例とが結合された場合であると見られる。したがって、第３実施例は、フォトマスク全体にわたってＣＤを減少させる必要があり、またフォトマスクの局部的な位置による微細な補正と共に要求される場合に有用に利用できる。
【００５１】
＝ＣＤ補正方法＝
図１１は、前記した第１実施例を用いた本発明の実施例に係る被測定パターンのＣＤ補正方法を示すフローチャートが示す。
【００５２】
図１１を参照すれば、まずフォトマスクを用意する（Ｓ１１）。前記フォトマスクは、遮光パターンと透明基板とより構成されたバイナリマスクである。透明基板の前面には遮光パターンが形成されており、前記遮光パターンによって透明基板は遮光領域と透光領域とに限られている。遮光パターンは、形成しようとするパターンのターゲットＣＤを考慮して所定の大きさで形成する。例えば、４×フォトマスクのターゲットＣＤが１５０ｎｍである場合には、遮光パターンの大きさは６００ｎｍである。
【００５３】
次いで、前記フォトマスクを用いて露光及び現像工程を実施して被処理基板上に物質膜パターンを形成する（Ｓ１２）。前記物質膜パターンを形成するために、必要な場合には異方性乾式エッチング工程を更に実施できる。露光工程では波長λの光を放出する光源を用いる。本発明が適用できる光源の種類には特別な制限がない。例えば、前記光源としては２４８ｎｍ波長のＫｒＦ光源または１９６ｎｍ波長のＡｒＦ光源などを用い得る。そして、前記物質膜パターンを形成する物質の種類にも特別な制限がない。例えば、前記物質膜はフォトレジストで形成でき、またはシリコン酸化物のような絶縁物質、アルミニウムやタングステンのような導電物質、またはクロムなどのようなフォトマスクの遮光パターン形成用物質で形成できる。
【００５４】
次いで、前記物質膜パターンのＣＤを測定する（Ｓ１３）。ＣＤは、エアリアルイメージ測定システム（Ａｅｒｉａｌ  Ｉｍａｇｅ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｓｙｓｔｅｍ、ＡＩＭＳ）またはＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置などを用いて測定できる。前記測定装置を用いれば、被処理基板上の位置によるＣＤの分布、最大ＣＤ及び最小ＣＤなどが分かる。
【００５５】
次いで、前記段階で得られた測定ＣＤとターゲットＣＤとを比較する（Ｓ１４）。測定ＣＤは、デザインルールの微細化によるフォトリソグラフィ工程の限界、光近接効果などによってターゲットＣＤと異なることがある。すなわち、測定ＣＤがターゲットＣＤより大きい正のＣＤ変移、または測定ＣＤがターゲットＣＤより小さい負のＣＤ変移などのようなＣＤ変移が発生し、場合によってはＣＤ変移が発生しないこともある。例えば、正のＣＤ変移または負のＣＤ変移は、被処理基板全体に対して一定の大きさで発生することがある。または、被処理基板の局部的な位置によってＣＤ変移の大きさが異なることもある。そして、正のＣＤ変移と負のＣＤ変移とが一つの基板に同時に発生することもある。
【００５６】
その結果、被処理基板の正のＣＤ変移が発生する領域に対応するように、フォトマスクには正のＣＤ変移領域が特定され、被処理基板の負のＣＤ変移が発生する領域に対応するように、フォトマスクには負のＣＤ変移領域が特定される。測定ＣＤとターゲットＣＤとが同じ被処理基板の領域に対応するフォトマスクの領域は、ＣＤ補正が不要な領域である。
【００５７】
次いで、前記測定ＣＤとターゲットＣＤとの比較結果に基づいて、ＣＤを補正するための工程を実施する（Ｓ１５）。ＣＤの補正は、実施例１に説明したように、前記フォトマスクにリセスまたはアンダーカットを形成するエッチング工程を行うか、前記実施例２に説明したように、フォトマスクに等方性溝または垂直溝を形成するか、前記実施例３に説明したように、透光領域を所定の深さほどリセスさせた後に等方性溝または垂直溝を形成して達成できる。
【００５８】
例えば、正のＣＤ変移領域に特定されたフォトマスクの領域には、リセスまたは等方性溝を形成できる。そして、負のＣＤ変移領域と特定されたフォトマスクの領域には、アンダーカットまたは垂直溝を形成できる。特に、一つのフォトマスクに、正のＣＤ変移領域と負のＣＤ変移領域とが共存する場合に、リセスまたは等方性溝及び、アンダーカットまたは垂直溝をそれぞれ該当領域に形成できる。その場合、リセスまたは等方性溝及び、アンダーカットまたは垂直溝を形成する順序には特別な制限がない。以下では、前記した補正過程を更に詳細に説明する。
【００５９】
正のＣＤ変移についてのフォトマスクのエッチング方法
まず、図１２Ａないし図１２Ｃを参照して、正のＣＤ変移領域にＣＤを補正する過程を更に詳細に説明する。図１２Ａには、正のＣＤ変移領域が特定されたフォトマスクについての断面図が示されており、図１２Ｂ及び図１２Ｃには、図１２Ａに示されたフォトマスクについて、ＣＤを補正する過程を説明するための概略的な断面図がそれぞれ示されている。
【００６０】
図１２Ａを参照すれば、透明基板５１と遮光パターン５２ａ、５２ｂ、５２ｃとを含むフォトマスクには、非補正領域と正のＣＤ変移領域とが特定されている。当業者ならばわかるように、図１２Ａに示された遮光パターン５２ａ、５２ｂ、５２ｃは単に例示的なものである。
【００６１】
＜方法１＞
正のＣＤ変移領域について、ＣＤを補正するための第一の方法は、図１２Ｂに示されている。図１２Ｂを参照すれば、まず正のＣＤ変移領域の透光領域全体を露出させるフォトレジストパターン５５をフォトマスク５１、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ上に形成する。フォトレジストパターン５５は非補正領域の全体を覆う。実施例によっては、遮光パターン５２ｂ上にもそれぞれフォトレジストパターン５５が更に形成されていることもある。そして、リセスを形成するためのエッチング工程を実施する。エッチング工程では、垂直プロファイルを有するリセスを形成するために、異方性乾式エッチング工程を用いる。その時、フォトレジストパターン５５、および／または正のＣＤ変移領域上に露出されている遮光パターン５２ｂをエッチングマスクとして用いる。エッチング工程の結果、正のＣＤ変移領域の透明基板５１ａの透光領域には、所定の深さを有するリセス５３が形成される。リセス５３の深さｄ９はＣＤ変移の大きさによって異なるが、少なくとも入射光の波長λよりは浅く形成することが好ましい。前記したように、リセス５３の深さが入射光の波長λより浅い場合に、被測定パターンのＣＤを減少させ得る。例えば、ＡｒＦ光源を用いる場合、リセス５３の深さｄ９は２４０ｎｍ以下である。次いで、フォトレジストパターン５５を除去すれば、ＣＤが補正されたフォトマスク５１ａ、５２が形成される。
【００６２】
特に、要求されるＣＤ補正の大きさがフォトマスクの位置によって異なる場合は、２回以上のエッチング工程を行うことで達成できる。例えば、フォトマスクの第１領域には、第１深さのリセスを形成する補正が必要であり、フォトマスクの第２領域には、第２深さのリセスを形成する補正が必要である場合であり、第２深さが第１深さより大きいと仮定する。その場合には、まず第１領域と第２領域のすべてを露出させる第１フォトレジストパターンを形成する。そして、第１フォトレジストパターンをマスクとして用いて、フォトマスクの第１領域と第２領域とを第１深さほどエッチングして第１リセスを形成する。次いで、第１フォトレジストパターンを除去した後、前記第２領域を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する。そして、第２レジストパターンをマスクとして用いて、フォトマスクの第２領域を第２深さとなるまでエッチングして第２リセスを形成する。そして、第２フォトレジストパターンを除去すれば、第１領域には第１深さを有するリセスが形成され、第２領域には第２深さを有するリセスが形成される。
【００６３】
＜方法２＞
正のＣＤ変移領域について、ＣＤを補正するための第２の方法は、図１２Ｃに示されている。図１２Ｃを参照すれば、まず正のＣＤ変移領域の透光領域の一部のみを露出させるフォトレジストパターン５５ａを、フォトマスク５１、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ上に形成する。フォトレジストパターン５５ａは、後続工程で形成される等方性溝５４の開放幅ｗ１０’の大きさを考慮して適切な大きさで形成する。フォトレジストパターン５５ａは非補正領域の全体を覆う。実施例によっては、遮光パターン５２ａ、５２ｂ、５２ｃの全体または一部にも、それぞれフォトレジストパターン５５ａが更に形成されていることもある。そして、等方性溝５４を形成するためのエッチング工程を実施する。エッチング工程では、等方性乾式エッチング工程または湿式エッチング工程を用いる。その時、フォトレジストパターン５５ａ、および／または正のＣＤ変移領域上に露出されている遮光パターン５２ａ、５２ｂ、５２ｃをエッチングマスクとして用いる。エッチング工程の結果、正のＣＤ変移領域の透明基板５１ｂには、所定の深さｄ１０、所定の幅ｗ１０及び所定の開放幅ｗ１０’を有する等方性溝５４が形成される。次いで、フォトレジストパターン５５を除去すれば、ＣＤが補正されたフォトマスク５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃが形成される。
【００６４】
特に、要求されるＣＤ補正の大きさがフォトマスクの位置によって異なる場合は、フォトレジストパターンによって露出される透光領域の大きさＡを相異ならせてフォトレジストパターンを形成することで達成できる。例えば、フォトマスクの第１領域には、第１開放幅の等方性溝を形成する補正が必要であり、フォトマスクの第２領域には、第２開放幅の等方性溝を形成する補正が必要な場合であり、第２開放幅が第１開放幅より大きいと仮定する。その場合には、フォトレジストパターンによって露出される透光領域の大きさＡが、第１領域より第２領域が大きいようにフォトレジストパターンを形成する。そして、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて、等方性エッチング工程を進めた後にフォトレジストパターンを除去すれば、第２領域に形成された等方性溝の開放幅が第１領域に形成された等方性溝の開放幅より更に大きい等方性溝がフォトマスクに形成される。
【００６５】
負のＣＤ変移に対するフォトマスクのエッチング方法
次いで、図１３Ａないし図１３Ｃ参照して、負のＣＤ変移領域にＣＤを補正する過程を更に詳細に説明する。図１３Ａには、負のＣＤ変移領域が特定されたフォトマスクについての断面図が示されており、図１３Ｂ及び図１３Ｃは、図１３Ａに示されたフォトマスクについて、ＣＤを補正する過程を説明するための概略的な断面図がそれぞれ示されている。
【００６６】
図１３Ａを参照すれば、透明基板１５１と遮光パターン１５２ａ、１５２ｂ、１５２ｃ（以下、まとめて１５２という）とを含むフォトマスクには、非補正領域と負のＣＤ変移領域とが特定されている。当業者ならば分かるように、図１３Ａに示された遮光パターン１５２は単に例示的なものである。
【００６７】
負のＣＤ変移領域についてＣＤを補正するための第一の方法は、図１３Ｂに示されている。図１３Ｂを参照すれば、まず負のＣＤ変移領域の透光領域の全体を露出させるフォトレジストパターン１５５をフォトマスク１５１、１５２上に形成する。フォトレジストパターン１５５は非補正領域の全体を覆う。実施例によっては、遮光パターン１５２ｂ上にもそれぞれフォトレジストパターン１５５が更に形成されていることもある。そして、アンダーカットを形成するための等方性エッチング工程を実施する。その時、フォトレジストパターン１５５、および／または負のＣＤ変移領域上に露出されている遮光パターン１５２ｂをエッチングマスクとして用いる。エッチング工程の結果、負のＣＤ変移領域の透明基板１５１ａの透光領域と遮光パターン１５２との下部には、所定の幅ｗ１１を有するアンダーカット１５３が形成される。アンダーカット１５３の幅ｗ１１はＣＤ変移の大きさによって違うが、少なくとも入射光の波長λよりは狭く、遮光パターン１５２の幅の１／２より狭い。次いで、フォトレジストパターン１５５を除去すれば、ＣＤが補正されたフォトマスク１５１ａ、１５２が形成される。
【００６８】
特に、要求されるＣＤ補正の大きさがフォトマスクの位置によって異なる場合は、２回以上のエッチング工程を行うことで達成できる。例えば、フォトマスクの第１領域には、第１幅を有するアンダーカットを形成する補正が必要であり、フォトマスクの第２領域には、第２幅を有するアンダーカットを形成する補正が必要な場合であり、第２幅が第１幅より大きいと仮定する。その場合には、まず第１領域と第２領域の全体を露出させる第１フォトレジストパターンを形成する。そして、第１フォトレジストパターンをマスクとして用いて、フォトマスクの第１領域と第２領域とを等方性エッチングして、第１幅を有する第１アンダーカットを形成する。続いて、第１フォトレジストパターンを除去した後、前記第２領域を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する。そして、第２レジストパターンをマスクとして用いて等方性エッチングして、フォトマスクの第２領域に第２幅を有する第２アンダーカットを形成する。そして、第２フォトレジストパターンを除去すれば、第１領域には第１幅を有するアンダーカットが形成され、第２領域には第２幅を有するアンダーカットが形成される。
【００６９】
負のＣＤ変移領域に対してＣＤを補正するための第二の方法は、図１３Ｃに示されている。図１３Ｃを参照すれば、まず負のＣＤ変移領域の透光領域の一部のみを露出させるフォトレジストパターン１５５ａを、フォトマスク１５１、１５２上に形成する。フォトレジストパターン１５５ａは、後続工程で形成される垂直溝１５４の幅ｗ１１の大きさを考慮して適切な大きさで形成する。フォトレジストパターン１５５ａは非補正領域の全体を覆う。実施例によっては、遮光パターン１５２ａ、１５２ｂ、１５２ｃの全体、または一部にもそれぞれフォトレジストパターン１５５ａが更に形成されていることもある。そして、垂直溝１５４を形成するためのエッチング工程を実施する。エッチング工程では異方性乾式エッチング工程を用いる。その時、フォトレジストパターン１５５ａ、および／または負のＣＤ変移領域上に露出されている遮光パターン１５２をエッチングマスクとして用いる。エッチング工程の結果、負のＣＤ変移領域の透明基板１５１ｂには、所定の深さｄ１２及び所定の幅ｗ１２を有する垂直溝１５４が形成される。次いで、フォトレジストパターン１５５ａを除去すれば、ＣＤが補正されたフォトマスク１５１ｂ、１５２が形成される。
【００７０】
特に、要求されるＣＤ補正の大きさがフォトマスクの位置によって異なる場合は、フォトレジストパターンによって露出される透光領域の大きさｗ１２を相異ならせてフォトレジストパターンを形成することで達成できる。例えば、フォトマスクの第１領域には、第１幅の垂直溝を形成する補正が必要であり、フォトマスクの第２領域には、第２幅の垂直溝を形成する補正が必要な場合であり、第２幅が第１幅より大きいと仮定する。その場合には、フォトレジストパターンによって露出される透光領域の大きさｗ１２が第１領域より第２領域が更に大きいようにフォトレジストパターンを形成する。そして、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて、異方性乾式エッチング工程を進めた後にフォトレジストパターンを除去すれば、第２領域に形成された垂直溝の幅が第１領域に形成された垂直溝の幅より更に大きい垂直溝がフォトマスクに形成される。
【００７１】
本発明は、被処理基板上の局部的なＣＤを補正するだけでなく、全体的なＣＤ変移を補正してパターンの均一度を改善するためにも適用できる。パターンの均一度を改善することも、ＣＤの変移量によって基板を各領域別に区分してＣＤを補正するため、前記した実施例１ないし実施例３の方法が同一に適用される。以下では、パターンの均一度を改善する具体的な方法を、図１４Ａ及び図１４Ｂを参照して詳細に説明する。図１４Ａ及び図１４Ｂには、ＣＤ補正を行う前のフォトマスクについての概略的な断面図と、そのフォトマスクを用いる場合の被測定パターンのＣＤを示すグラフとが示されている。
【００７２】
まず、図１４Ａを参照すれば、透明基板４１０の全面または一面に、同じ大きさの遮光パターン４２０が形成されているフォトマスク４００についての概略的な断面図が示されている。フォトマスク４００は、説明の便宜のために、領域Ｉないし領域ＶＩに区分されている。遮光パターン４２０は、ラインタイプのパターンであるが、これに限られるものではない。遮光パターン４２０がラインタイプのパターンである場合に、前記フォトマスク４００はゲートライン、ビットラインまたは金属配線ラインなどを形成することに用いられるフォトマスクであることもある。
【００７３】
図１４Ｂには、図１４Ａに示されたフォトマスク４００を用いてフォトリソグラフィ工程を行った時、被処理基板上に形成されたパターンの相対的なＣＤの一例を示すグラフが示されている。図１４Ｂを参照すれば、被測定パターンのＣＤを示す端部（すなわち、フォトマスク４００の領域Ｉ及び領域ＶＩに相応する被処理基板部分）が中央部分（すなわち、フォトマスク４００の領域ＩＩＩ及び領域ＩＶに相応する被処理基板部分）より大きい、下に膨らんでいる楕円形である。例えば、フォトマスク４００の領域Ｉと領域ＶＩとに相応する被処理基板のＣＤはＣＤ３であり、領域ＩＩと領域Ｖとに相応する被処理基板のＣＤはＣＤ４であり、また領域ＩＩＩと領域ＩＶとに相応する被処理基板のＣＤはＣＤ５である。
【００７４】
しかし、本発明は、このような場合に限られるものではない。例えば、ＣＤを示すグラフは、端部が中央部分よりＣＤが更に小さい、上に膨らんでいる楕円形であることもあり、またはＣＤを示すグラフがサイン関数のような波動形であることもある。後述される実施例を参照すれば、ＣＤを示すグラフが上に膨らんでいる楕円形、または波形である場合にＣＤを補正する方法は、当業者ならば分かるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【００７５】
＜ターゲットＣＤがＣＤ３である場合＞
ターゲットＣＤがＣＤ３である場合には、領域ＩＩないし領域Ｖが負のＣＤ変移領域として特定される場合である。その場合には、フォトマスク４００の領域ＩＩないし領域Ｖを、前記した方法３または方法４を用いてエッチングすることでＣＤを補正できる。
【００７６】
前記した方法３を用いる場合に、透明基板４１０の領域ＩＩ４１２と領域Ｖ４１５とには第１幅を有するアンダーカットを形成し、透明基板４１０の領域ＩＩＩ４１３と領域ＩＶ４１４とには、第１幅より大きい第２幅を有するアンダーカットを形成する。その場合、第１幅と第２幅との具体的な値は多様な変数、例えば、入射光の波長、アパーチュアの種類、ＣＤの変移量、遮光パターンの種類及び大きさ、そして隣接した遮光パターン間の距離などによって変更され得る。このような第１幅と第２幅との具体的な値は、個別的な工程条件によるシミュレーション（実験）を通じて決定できる。前記したように、フォトマスクに相異なる幅を有するアンダーカットを各領域別に形成するためには、数回のエッチングマスク形成工程が必要である。
【００７７】
前記した方法４を用いる場合に、透明基板４１０の領域ＩＩ４１２と領域Ｖ４１５とには第１幅を有する垂直溝を形成し、透明基板４１０の領域ＩＩＩ４１３と領域ＩＶ４１４とには、第１幅より大きい第２幅を有する垂直溝を形成する。その場合、第１幅と第２幅との具体的な値は、多様な変数、例えば、垂直溝の深さ、入射光の波長、アパーチュアの種類、ＣＤの変移量、遮光パターンの種類及び大きさ、そして隣接した遮光パターン間の距離などによって変更され得る。このような第１幅と第２幅との具体的な値は、個別的な工程条件によるシミュレーション（実験）を通じて決定できる。前記したように、エッチングマスクによって露出される透光領域の幅を調節することで、相異なる幅を有する垂直溝を形成できるため、１回のエッチングマスク形成工程だけで各領域別に相異なる幅を有する垂直溝を形成できる。
【００７８】
＜ターゲットＣＤがＣＤ５である場合＞
ターゲットＣＤがＣＤ５である場合には、フォトマスク４００の領域Ｉ、領域ＩＩ、領域Ｖ及び領域ＶＩが、負のＣＤ変移領域として特定される場合である。その場合には、フォトマスク４００の領域Ｉ、領域ＩＩ、領域Ｖ及び領域ＶＩを、前記した方法１または方法２を用いてエッチングすることでＣＤを補正できる。
【００７９】
前記した方法１を用いる場合に、透明基板４１０の領域ＩＩ４１２と領域Ｖ４１５とには第１深さを有するリセスを形成し、透明基板４１０の領域Ｉ４１１と領域ＶＩ４１６とには第１深さより大きい第２深さを有するリセスを形成する。その場合、第１深さと第２深さとの具体的な値は、多様な変数、例えば、入射光の波長、アパーチュアの種類、ＣＤの変移量、遮光パターンの種類及び大きさ、そして隣接した遮光パターン間の距離などによって変更され得る。このような第１深さと第２深さとの具体的な値は、個別的な工程条件によるシミュレーション（実験）を通じて決定できる。前記したように、フォトマスクに相異なる深さを有するリセスを各領域別に形成するためには、数回のエッチングマスク形成工程が必要である。
【００８０】
前記した方法２を用いる場合に、透明基板４１０の領域ＩＩ４１２と領域Ｖ４１５とには、第１開放幅を有する等方性溝を形成し、透明基板４１０の領域Ｉ４１１と領域ＶＩ４１６とには、第１開放幅より大きい第２開放幅を有する等方性溝を形成する。その場合、第１開放幅と第２開放幅との具体的な値は、多様な変数、例えば、等方性溝の深さ及び幅、入射光の波長、アパーチュアの種類、ＣＤの変移量、遮光パターンの種類及び大きさ、そして隣接した遮光パターン間の距離などによって変わり得る。このような第１開放幅と第２開放幅との具体的な値は、個別的な工程条件によるシミュレーション（実験）を通じて決定できる。前記したように、エッチングマスクによって露出される透光領域の幅を調節することで、相異なる開放幅を有する等方性溝を形成できるため、１回のエッチングマスク形成工程だけで各領域別に相異なる開放幅を有する等方性溝を形成できる。
【００８１】
＜ターゲットＣＤがＣＤ４である場合＞
ターゲットＣＤがＣＤ４である場合には、フォトマスク４００の領域Ｉ４１１と領域ＶＩ４１６とは正のＣＤ変移領域として、フォトマスク４００の領域ＩＩＩ４１３と領域ＩＶ４１４とは負のＣＤ変移領域として特定される場合である。その場合には、透明基板４１０の領域Ｉ４１１と領域ＶＩ４１６とは、前記した方法１または方法２を用いてエッチングし、透明基板４１０の領域ＩＩＩ４１３と領域ＩＶ４１４とは、前記した方法３または方法４を用いてエッチングすることでＣＤを補正できる。繰り返しを避けるために詳細な説明は省略する。
【００８２】
＜ターゲットＣＤがＣＤ６である場合＞
ターゲットＣＤがＣＤ６である場合には、フォトマスク４１０の全体領域が正のＣＤ変移領域として特定される場合である。透明基板４１０の領域ＩＩＩ４１３と領域ＩＶ４１４とに相応する部分でのＣＤ変移量が最も小さく、透明基板４１０の領域Ｉ４１１と領域ＶＩ４１６とに相応する部分でのＣＤ変移量が最も大きい。その場合には、前記した実施例３のように、フォトマスク４００をエッチングしてリセスされた垂直溝、および／またはリセスされた等方性溝を形成する。すなわち、前記した方法１でのように、透明基板４１０の透光領域全体に所定の深さを有するリセスを１次で形成してＣＤを減少させる補正を行った後、リセス、アンダーカット、垂直溝、および／または等方性溝を形成して、局部的な領域別にＣＤを２次で補正する。１次補正でリセスは任意の深さで形成できる。
【００８３】
例えば、領域Ｉ及び領域ＶＩに相応する部分のＣＤがターゲットＣＤであるＣＤ６となるように、フォトマスク４００の透光領域全体に所定の深さＬ１を有するリセスを形成できる。その結果、２次補正では、前記した＜ターゲットＣＤがＣＤ３である場合＞と同じ方法で、フォトマスク４００をエッチングしてＣＤ補正を行う。
【００８４】
または、領域ＩＩ及び領域Ｖに相応する部分のＣＤがターゲットＣＤであるＣＤ６となるように、フォトマスク４００の透光領域全体に所定の深さＬ２を有するリセスを形成できる。その場合、Ｌ２はＬ１より小さい。その結果、２次補正では、前記した＜ターゲットＣＤがＣＤ４である場合＞と同じ方法で、フォトマスク４００をエッチングしてＣＤ補正を行う。
【００８５】
または、領域ＩＩＩ及び領域ＩＶに相応する部分のＣＤがターゲットＣＤであるＣＤ６となるように、フォトマスク４００の透光領域全体に所定の深さＬ１を有するリセスを形成できる。その場合、Ｌ３はＬ２より小さい。その結果、２次補正では、前記した＜ターゲットＣＤがＣＤ５である場合＞と同じ方法で、フォトマスクをエッチングしてＣＤ補正を行う。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施例を参照して本発明を説明した。しかし、本発明は、前記した本発明の実施例に限られるものではない。本発明は、特許請求の範囲によって特定される本発明の技術的思想の範囲内で、当業者によって多様な変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、半導体素子の製造産業に有用に利用できる。特に、本発明は、半導体素子の種類に関係なく、あらゆる種類の半導体素子の製造に必須な半導体フォトリソグラフィ工程に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１Ａ】格子を形成していない場合の入射光の相対的な強度、フォトマスクを通過した入射光の相対的な強度及び、端部パターンＣＤと中央パターンＣＤとの相対的な分布を示す図面である。
【図１Ｂ】フォトマスクの背面に格子を形成した場合の入射光の相対的な強度、フォトマスクを通過した入射光の相対的な強度及び、端部パターンＣＤと中央パターンＣＤとの相対的な分布を示す図面である。
【図２Ａ】格子の密度によるコントラストの変化を示すグラフである。
【図２Ｂ】格子の密度によるＮＩＬＳの変化を示すグラフである。
【図３Ａ】本発明の一例に係るＣＤ補正方法に用いられるフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図３Ｂ】本発明の他の例に係るＣＤ補正方法に用いられるフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図４Ａ】リセスが形成されたフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図４Ｂ】アンダーカットが形成されたフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図５Ａ】図４Ａに示されたリセスの深さの変化による光の強度変化を示すグラフである。
【図５Ｂ】図５Ａに示されたグラフに対し、スレショルド光強度を０．２に設定した時のＣＤを計算して示すグラフである。
【図６Ａ】図４Ｂに示されたアンダーカットの幅変化による光の強度変化を示すグラフである。
【図６Ｂ】図６Ａに示されたグラフに対し、スレショルド光強度を０．２に設定した時のＣＤを計算して示すグラフである。
【図７Ａ】垂直溝が形成されたフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図７Ｂ】等方性溝が形成されたフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図８Ａ】図７Ａに示されたフォトマスクに対し、垂直溝の幅の変化によるＣＤの変化を示すグラフである。
【図８Ｂ】図７Ｂに示されたフォトマスクに対し、等方性溝の開放幅の変化によるＣＤの変化を示すグラフである。
【図９Ａ】リセスされた垂直溝が形成されたフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図９Ｂ】リセスされた等方性溝が形成されたフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１０Ａ】図９Ａに示されたフォトマスクに対し、リセスされた垂直溝の幅の変化によるＣＤの変化を示すグラフである。
【図１０Ｂ】図９Ｂに示されたフォトマスクに対し、リセスされた等方性溝の開放幅の変化によるＣＤの変化を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施例に係るＣＤの補正方法を示すフローチャートである。
【図１２Ａ】正のＣＤ変移領域についてのＣＤ補正方法を説明するための図面であって、補正前のフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１２Ｂ】正のＣＤ変移領域についてのＣＤ補正方法を説明するための図面であって、補正後のフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１２Ｃ】正のＣＤ変移領域についてのＣＤ補正方法を説明するための図面であって、補正後のフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１３Ａ】負のＣＤ変移領域に対するＣＤ補正方法を説明するための図面であって、補正前のフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１３Ｂ】負のＣＤ変移領域に対するＣＤ補正方法を説明するための図面であって、補正後のフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１３Ｃ】ＡないしＣは、負のＣＤ変移領域に対するＣＤ補正方法を説明するための図面であって、補正後のフォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１４Ａ】大きさの相異なる多数のＣＤ変移領域が特定された場合に、ＣＤ補正方法を説明するための図面であって、フォトマスクについての概略的な断面図である。
【図１４Ｂ】大きさの相異なる多数のＣＤ変移領域が特定された場合に、ＣＤ補正方法を説明するための図面であって、Ａのフォトマスクの各領域についてのＣＤを示すグラフである。
【符号の説明】
【００８９】
３１、４１、５１、１３１、１４１、１５１、３３１、３４１、４１０…透明基板、
３２、４２、５２、１３２、１４２、１５２、２３２、２４２、３３２、３４２、４２０…遮光パターン、
３３、１５４、２３３、３３３…垂直溝、
４３、１４３、１５３…アンダーカット、
５３、１３３…リセス、
５４、２３４、２４３、３４３…等方性溝、
５５、１５５…フォトレジストパターン、
１４０、２３０、２４０、３３０、３４０、４００、４１０…フォトマスク、
ｗｐ  透光領域の幅、
ｗ７  垂直溝の幅、
ｄ７  垂直溝の深さ、
Ｒ  リセスの深さ。
【図１Ａ】
2005196216.tif 000003
【図１Ｂ】
2005196216.tif 000004
【図２Ａ】
2005196216.tif 000005
【図２Ｂ】
2005196216.tif 000006
【図３Ａ】
2005196216.tif 000007
【図３Ｂ】
2005196216.tif 000008
【図４Ａ】
2005196216.tif 000009
【図４Ｂ】
2005196216.tif 000010
【図５Ａ】
2005196216.tif 000011
【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
2005196216.tif 000013
【図６Ｂ】
2005196216.tif 000014
【図７Ａ】
2005196216.tif 000015
【図７Ｂ】
2005196216.tif 000016
【図８Ａ】
2005196216.tif 000017
【図８Ｂ】
2005196216.tif 000018
【図９Ａ】
2005196216.tif 000019
【図９Ｂ】
2005196216.tif 000020
【図１０Ａ】
2005196216.tif 000021
【図１０Ｂ】
2005196216.tif 000022
【図１１】
2005196216.tif 000023
【図１２Ａ】
2005196216.tif 000024
【図１２Ｂ】
2005196216.tif 000025
【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
2005196216.tif 000028
【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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