(57)【要約】【課題】局部的な銅配線パターンの銅の過剰溶解が発生せず、且つ銅配線折り曲げ部の耐折れ性が十分に確保でき、ホイスカの抑制効果がある半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁テープ基材３の片面に、接着剤１０を介して又は接着剤なしで折り曲げ用のスリット穴３１を覆って銅箔４を設け、この銅箔４をパターニングしてリード部１１を含む銅配線パターン４０を形成し、ＩＣチップに接続されるリード部１１を除き、上記スリット穴３１に対応する銅配線折り曲げ部２を含めて、上記所定の銅配線パターン４０にソルダーレジスト１を塗布し、硬化させた後、ソルダーレジスト１に覆われていないリード部１１にＡｕ又は半田のストライクめっきを施し、その上にスズめっきを施し、銅配線折り曲げ部２にめっきを施さない構成とする。【選択図】      図１
2005093643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆って前記テープ基材の片面に設けた銅箔をパターニングして形成した所定の銅配線パターンを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
ＩＣチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていない前記リード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤を介して銅箔を有し、この銅箔をパターニングして形成したインナーリードを含む所定の銅配線パターンを有し、そのインナーリードの先端部をテープ基材に設けたデバイスホール内に突出させた半導体装置用テープキャリアおいて、
ＩＣチップ又は電子機器に接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていないリード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤なしで銅箔を設け、この銅箔をパターニングして形成したリード部を含む所定の銅配線パターンを有し、そのリード部の先端を前記テープ基材上に設けた半導体装置用テープキャリアにおいて、
ＩＣチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていないリード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記ストライクめっき層上のスズめっき層が、銅を含有するスズめっき層と、その下方の銅を含有しないスズめっき層の二層からなることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
絶縁フィルムからなるテープ基材に折り曲げ用のスリット穴を設け、そのスリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤を介して銅箔を設け、この銅箔をパターニングしてリード部を含む所定の銅配線パターンを形成し、そのリード部の先端をテープ基材に設けたデバイスホール内に突出させた半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
ＩＣチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上にソルダーレジストを塗布し、硬化させた後、前記ソルダーレジストに覆われていない前記リード部にストライクめっきを施し、そのストライクめっきの上にスズめっきを施し、該スズめっき層を加熱処理することにより、銅を含有するスズめっき層と、その下方の銅を含有しないスズめっき層とを形成し、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成とすることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
絶縁フィルムからなるテープ基材に折り曲げ用のスリット穴を設け、そのスリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤なしで銅箔を設け、この銅箔をパターニングしてリード部を含む所定の銅配線パターンを形成し、そのリード部の先端をテープ基材の上に設けた半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
ＩＣチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンにソルダーレジストを塗布し、硬化させた後、ソルダーレジストに覆われていない前記リード部にストライクめっきを施し、そのストライクめっきの上にスズめっきを施し、該スズめっき層を加熱処理することにより、銅を含有するスズめっき層と、その下方の銅を含有しないスズめっき層とを形成し、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成とすることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精密電子部品であるＴＡＢテープキャリアのような半導体装置用テープキャリア及びその製造方法、特にその銅箔の配線パターンにスズめっきを行う際の銅の過剰溶解及びホイスカの発生を防止し、且つ銅配線折り曲げ部の耐折れ性を向上させる構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・軽量化が進み、半導体ＩＣも微細化が進んでいる状況の下で、半導体の基盤等として使用されるＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープキャリアの配線パターンも同様に微細化が進んでいる。
【０００３】
ＴＡＢ用テープキャリアとしては、絶縁テープ基材、接着剤、銅箔の３層からなるＴＡＢ用テープキャリアと、銅箔、絶縁テープ基材の２層からなるＴＡＢ用テープキャリアとの２つがある。このＴＡＢ用テープキャリアは、例えば、これに駆動用ＩＣを搭載し、ノートＰＣの液晶画面等の電子機器に搭載されることから、駆動用ＩＣをＴＡＢ用テープキャリアに実装する時、および液晶画面等にＴＡＢ用テープキャリアを実装する時の配線強度が注目されている。
【０００４】
従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を、図４にて説明する。
【０００５】
図４に示すように、絶縁テープ基材３の片側に接着剤１０を有し、接着剤１０の上に銅箔４を貼付け、この銅箔表面に感光性レジストを塗布し、所定のパターンを露光・現像した後、エッチングすることにより、インナーリード１１を含む銅配線パターン４０を形成し、ＩＣチップや電子機器に接続する部分を除き、銅配線パターン４０上の必要な部分をソルダーレジスト１で覆い、ＩＣチップや電子機器に接続する部分であるインナーリード１１等にスズめっき５を施す。
【０００６】
しかし、銅配線パターン４０上にソルダーレジスト１を塗布し熱硬化させた後、インナーリード１１にスズめっき５を施すと、ソルダーレジスト１とスズめっき５の境界部分に、局部電池作用により、配線パターン４０の銅が局部的に過剰溶解部８が形成されてしまい、ＩＣチップとインナーリード１１との接合時に配線パターン４０が断線に至る可能性がある。
【０００７】
このような配線パターン４０の過剰溶解部８の形成を防止することに関し、特許第３０７６３４２号公報（特許文献１参照）には、図５に示すように、銅配線パターン４０上に全面スズめっき６を施し、このスズめっき層を合金化させた後ソルダーレジスト１を塗布し、その後更にスズめっき５を施す方法によって、局部的な銅配線パターン４０の過剰溶解部８の形成を防止する方法が開示されている。
【０００８】
しかし、ＴＡＢ用テープキャリアにおいては、テープ基材３に折り曲げ用のスリット穴３１を設け、この折り曲げ用のスリット穴３１を覆ってテープ基材３の片面に銅箔４を設け、スリット穴３１内に保護樹脂９を設けることによって銅配線折り曲げ部２を構成したタイプのものがある。このタイプのＴＡＢ用テープキャリアにおいては、図５の構成では、銅配線折り曲げ部２の銅配線上に合金化したスズめっき６が存在するため、銅配線折り曲げ部２の折り曲げ強度が低下してしまう問題がある。
【０００９】
他の問題点として、スズめっき皮膜は、スズめっき直後、放置するとホイスカ（ひげ状の結晶）が発生することが良く知られており、特に微細ピッチのパターンではホイスカの発生がショートの原因となるため、種々の検討が行われてきた。このスズホイスカの抑制手段としては、(1) 下地めっきとして、ニッケル、銅、鉛、はんだ、スズ−ニッケル合金、スズ−銅合金層を形成する。(2) めっき後にリフロー処理を施す。(3) めっき後に加熱してアニール処理を施す。等が知られている。
【特許文献１】特許第３０７６３４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、既に述べたように銅配線折り曲げ部２を構成したタイプのＴＡＢ用テープキャリアにおいて、特許文献１（図５）の如く構成したのでは、銅配線折り曲げ部２の銅配線上に合金化したスズめっき６が存在するため、銅配線折り曲げ部２の折り曲げ強度が低下してしまう問題がある。
【００１１】
従って、ＴＡＢ用テープキャリアの配線パターンの微細化が急速に進んでいる昨今、局部的な銅配線パターンの過剰溶解部が発生せず、且つ銅配線折り曲げ部の折り曲げ強度が十分に確保でき、しかもホイスカの抑制効果がある、微細配線が可能なＴＡＢ用テープキャリアが必要となっている。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、局部的な銅配線パターンの銅の過剰溶解が発生せず、且つ銅配線折り曲げ部の耐折れ性が十分に確保でき、ホイスカの抑制効果がある半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１４】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆って前記テープ基材の片面に設けた銅箔をパターニングして形成した所定の銅配線パターンを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、ＩＣチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていない前記リード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする。
【００１５】
この請求項１には次の三つの形態が含まれる。第一は、絶縁テープ基材の片側に接着剤を有したものに銅箔を貼り付けて所定の銅配線パターンを形成した３層のＴＡＢ用テープキャリアの形態であり、第二は、接着剤が無い絶縁テープ基材に銅が積層してあるものに、所定の銅配線パターンを形成した２層のＴＡＢ用テープキャリアの形態である。第三は、絶縁テープ基材の両側に銅配線パターンを有する２メタル（配線）テープキャリアの形態であり、これには上記３層のＴＡＢ用テープキャリアにおいて、絶縁テープ基材の他方の面にも銅配線パターンを形成した２メタルＴＡＢ用テープキャリアと、上記２層のＴＡＢ用テープキャリアにおいて、絶縁テープ基材の他方の面にも銅配線パターンを形成した２メタルＴＡＢ用テープキャリアとがある。
【００１６】
請求項２の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤を介して銅箔を有し、この銅箔をパターニングして形成したインナーリードを含む所定の銅配線パターンを有し、そのインナーリードの先端部をテープ基材に設けたデバイスホール内に突出させた半導体装置用テープキャリアおいて、ＩＣチップ又は電子機器に接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていないリード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする。
【００１７】
請求項３の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、折り曲げ用のスリット穴を有する絶縁フィルムからなるテープ基材と、前記スリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤なしで銅箔を設け、この銅箔をパターニングして形成したリード部を含む所定の銅配線パターンを有し、そのリード部の先端を前記テープ基材上に設けた半導体装置用テープキャリアにおいて、
ＩＣチップに接続される前記銅配線パターンのリード部を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンの上に形成されたソルダーレジストを備え、前記ソルダーレジストに覆われていないリード部にストライクめっき層を設け、前記ストライクめっき層の上にスズめっき層を設け、前記銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたことを特徴とする。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、上記ストライクめっき層上のスズめっき層が、銅を含有するスズめっき層と、その下方の銅を含有しないスズめっき層の二層から成ることを特徴とする。
【００１９】
請求項５の発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁フィルムから成るテープ基材に折り曲げ用のスリット穴を設け、そのスリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤を介して銅箔を設け、この銅箔をパターニングしてインナーリードを含む所定の銅配線パターンを形成し、そのインナーリードの先端部をテープ基材に設けたデバイスホール内に突出させた半導体装置用テープキャリアの製造方法において、ＩＣチップおよび電子機器等に接続されるインナーリード等の銅配線パターン部分を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンにソルダーレジストを塗布し、硬化させた後、ソルダーレジストに覆われていないインナーリード等の銅配線パターン部分にストライクめっきを施し、その上にスズめっきを施し、該スズめっき層を加熱処理することにより、銅を含有するスズめっき層と、その下方の銅を含有しないスズめっき層とし、以て銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成とすることを特徴とする。
【００２０】
請求項６の発明に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁フィルムから成るテープ基材に折り曲げ用のスリット穴を設け、そのスリット穴を覆ってテープ基材の片面に接着剤なしで銅箔を設け、この銅箔をパターニングしてインナーリードを含む所定の銅配線パターンを形成し、そのインナーリードの先端部をテープ基材上に設けた半導体装置用テープキャリアの製造方法において、ＩＣチップおよび電子機器等に接続されるインナーリード等の銅配線パターン部分を除き、上記スリット穴に対応する銅配線折り曲げ部を含めて、上記所定の銅配線パターンにソルダーレジストを塗布し、硬化させた後、ソルダーレジストに覆われていないインナーリード等の銅配線パターン部分にストライクめっきを施し、その上にスズめっきを施し、該スズめっき層を加熱処理することにより、銅を含有するスズめっき層と、その下方の銅を含有しないスズめっき層とし、以て銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成とすることを特徴とする。
【００２１】
＜発明の要点＞
本発明は、絶縁テープ基材の片面に、接着剤を介して又は接着剤なしで折り曲げ用のスリット穴を覆って銅箔を設け、この銅箔表面に感光性レジストを塗布し、所定のパターンを露光・現像した後、エッチングすることにより、インナーリードを含む銅配線パターンを形成し、電気的接続部以外の必要な部分にソルダーレジストを塗布した後に、該ソルダーレジストで覆われなかった銅配線パターンのインナーリード等の電気的接続部上にＡｕ又は半田のストライクめっきを施し、その上にスズめっきを施す構成であり、これにより銅配線折り曲げ部にめっきを施さない構成としたものである。
【００２２】
本発明のＴＡＢ用テープキャリアの構成によれば、スズめっき層の下にストライクめっき層が施されているので、ソルダーレジストとスズめっき境界部に形成される銅の過剰溶解（図４）の発生を防止することができる。またストライクめっきがＡｕ又は半田から成るため、スズホイスカの発生を有効に防止することもできる。さらにまた、ソルダーレジストを塗布した後に、ストライクめっきを施すことから、銅配線折り曲げ部にはめっき層が存在しない構成となり、銅配線折り曲げ部の折り曲げ強度を十分に確保することができる。
【００２３】
ここで、絶縁テープ基材としては、ポリイミド、ポリエステル、ポリスチレン等を用いられる。
【００２４】
ソルダーレジストは、ポリエステル系、ウレタン系、ポリイミド系等の材料を用い、これを熱硬化することにより、銅配線パターン上を保護する機能を発揮させる。
【００２５】
ストライクめっきは、銅と無電解で置換できる金、半田等を用いる。
【００２６】
また、テープ材の積層構造としては、絶縁テープ基材の片側に接着剤を有したものに銅箔を貼り合わせる３層ＴＡＢ用テープキャリアと、絶縁テープ基材に接着剤を介さずに銅箔を貼り合わせたもの、前記同様に接着剤を介さずに銅箔に絶縁テープ基材をキャスティングしたもの、また、絶縁テープ基材上に直接めっき法により銅を形成した２層ＴＡＢ用テープキャリアを適用することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明のＴＡＢ用テープキャリアおよびその製造方法によれば、ソルダーレジストを塗布した後に、ストライクめっきを施し、その上にスズめっきを施しており、またこれにより銅配線折り曲げ部にめっき層が存在しない構成としているので、銅配線折り曲げ部の強度が十分に確保でき、且つソルダーレジストとスズめっきの境界に発生する局部的な銅の過剰溶解の発生を防止でき、しかもホイスカが抑制された微細配線パターンのＴＡＢ用テープキャリアを製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２９】
＜実施形態１＞
図１に第一の実施形態を示す。これは、材料構成として、絶縁テープ基材の片側に接着剤を有したものに銅箔を貼り合わせた３層ＴＡＢ用テープキャリア材を用いた例である。
【００３０】
ポリイミド、ポリエステル、ポリスチレン等の絶縁フィルムから成るテープ基材３にデバイスホール３０及び折り曲げ用のスリット穴３１を設け、そのスリット穴３１を覆ってテープ基材３の片面に接着剤１０を介して銅箔４を貼付け、この銅箔４をパターニングしてインナーリード１１を含む所定の銅配線パターンを形成する。すなわち、この銅箔４の表面に感光性レジストを塗布し、所定のパターンを露光・現像した後、エッチングすることにより、デバイスホール３０に突出するインナーリード１１を含む銅配線パターン４０を形成する。
【００３１】
その後、ＩＣチップおよび電子機器等に接続されるインナーリード等の銅配線パターン部分を除き、上記スリット穴３１に対応する銅配線折り曲げ部２を含めて、上記所定の銅配線パターン４０にソルダーレジスト１を塗布し、熱硬化させる。ソルダーレジスト１は、ポリエステル系、ウレタン系、ポリイミド系等の材料を用い、これを熱硬化することにより、銅配線パターン４０上を保護する。
【００３２】
その後、ソルダーレジスト１に覆われていないインナーリード１１等の銅配線パターン部分に金又は半田のストライクめっき７を施し、その上にスズめっき５を施す。このストライクめっきは、銅と無電解で置換できる金、半田等を用いる。
【００３３】
ソルダーレジスト１を塗布した後、銅配線パターン４０にストライクめっきを施し、且つその後に無電解によるスズめっきを行う際には、専用のめっき装置を使用して行う。この時、スズめっき装置の構成としては、めっき下地前処理槽、スズめっき槽、洗浄槽、乾燥槽となり、ここで、めっき下地前処理槽の後に、ストライクめっき槽を設けて、銅配線パターンにストライクめっき７を施してから、その上にスズめっき５を施す。
【００３４】
ストライクめっき７については、０．０１〜０．２５μｍの厚さで設けるのが好ましく、これはあまり厚くなるとその後のスズめっきが析出し難くなるからである。
【００３５】
上記スズめっき５は、ホイスカ抑制の目的により、１２０℃〜１３０℃の加熱処理を行う。これによりスズめっき５は、銅を含有するスズめっき層（スズ−銅合金層）と、その下方の銅を含有しないスズめっき層（純スズ層）とになる。
【００３６】
上記構成によれば、スズめっき５の下にＡｕ又は半田のストライクめっき７が施されているので、ソルダーレジスト１とスズめっき境界部に形成される銅の過剰溶解８（図４）の発生を防止することができる。またストライクめっき７がＡｕ又は半田から成り、スズめっき５がスズ−銅合金層とその下方の純スズ層から成るため、スズホイスカの発生を有効に防止することもできる。さらにまた、ソルダーレジスト１を塗布した後に、ストライクめっき７を施すことから、銅配線折り曲げ部２にはめっき層が存在しない構成となり、銅配線折り曲げ部２の折り曲げ強度を十分に確保することができる。
【００３７】
＜実施形態２＞
図２に第二の実施形態としてＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）テープの例を示す。これには、材料構成として、絶縁テープ基材の片側に接着剤なしで銅箔を設けた２層ＴＡＢ用テープキャリア材が用いられる。この２層ＴＡＢ用テープキャリア材としては、銅箔に絶縁テープ基材をキャスティングしたものや、絶縁テープ基材上に直接めっき法により銅を形成したもの等が利用できる。
【００３８】
図２に示す半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルムから成るテープ基材３に折り曲げ用のスリット穴３１を設け、そのスリット穴３１を覆ってテープ基材３の片面に接着剤なしで銅箔４を設け、この銅箔４をパターニングしてインナーリード１１を含む所定の銅配線パターン４０を形成し、そのインナーリード１１の先端部をテープ基材３上に設けた構成となっている。すなわち、デバイスホールは存在しない。
【００３９】
ＩＣチップおよび電子機器等に接続されるインナーリード１１等の銅配線パターン部分を除き、上記スリット穴３１に対応する銅配線折り曲げ部２を含めて、上記所定の銅配線パターン４０にソルダーレジスト１を塗布し、硬化させた後、ソルダーレジスト１に覆われていないインナーリード１１等の銅配線パターン４０にＡｕ又は半田のストライクめっき７を施し、その上にスズめっき５を施し、以て銅配線折り曲げ部２にめっきを施さない構成としている。
【００４０】
上記スズめっき５は、ホイスカ抑制の目的により、１２０℃〜１３０℃の加熱処理を行い、銅を含有するスズめっき層（スズ−銅合金層）と、その下方の銅を含有しないスズめっき層（純スズ層）とする。
【００４１】
上記構成によれば、スズめっき５の下にＡｕ又は半田のストライクめっき７が施されているので、ソルダーレジスト１とスズめっき境界部に形成される銅の過剰溶解８（図４）の発生を防止することができる。またストライクめっき７がＡｕ又は半田から成り、スズめっき５がスズ−銅合金層とその下方の純スズ層から成るため、スズホイスカの発生を有効に防止することもできる。さらにまた、ソルダーレジスト１を塗布した後に、ストライクめっき層７を施すことから、銅配線折り曲げ部２にはめっき層が存在しない構成となることから、銅配線折り曲げ部２の折り曲げ強度を十分に確保することができる。
【００４２】
図３に、上記ＴＡＢ用テープキャリア（図２）を用いたＣＯＦのボンディング方式を示す。ＣＯＦのボンディング方式の場合は、図３に示すように、加熱ステージ１５の上に、金バンプ１６を形成した半導体チップ１７をセットし、ＣＣＤカメラ１８で、二層基板のテープ基材３であるポリイミド樹脂を介して、ストライクめっき７及びスズめっき５を施したリード１１と金バンプ１６を位置合わせした後、一定温度の加熱ツール１９で一定時間加圧してＡｕ−Ｓｎ共晶接合（加熱接合）する。
【００４３】
上記実施形態１及び実施形態２においては、銅配線折り曲げ部２のスリット穴３１内に保護樹脂９を設けているが、保護樹脂９は必要に応じて省略することができる。
【実施例】
【００４４】
［実施例１］
図１の実施例を示す。絶縁テープ基材３を厚さ７５μｍのポリイミドフィルムの片側に厚さ１２μｍの接着剤１０を塗布したテープ基材３に対し、金型で、半導体チップが搭載される部分（デバイスホール３０）と、銅配線折り曲げ部２を構成するための折り曲げ用のスリット穴３１と、そして搬送用に使用するスプロケットホール（図示せず）とを打ち抜く。
【００４５】
このテープ基材３に厚さ１５μｍの電解銅箔４を貼り合わせて、銅配線折り曲げ部２に保護樹脂９を塗布する。
【００４６】
次に銅箔面に感光性レジストを塗布し、所定のパターンを形成するための露光マスクにＵＶ照射して、感光性レジストパターンを形成する。このレジストパターンを現像して除去し、デバイスホール３０の銅配線を保護するために、基材裏面側にマスクを施す。次に、現像された部分の銅をエッチングして微細パターンを形成し、感光性レジストおよび基材裏面側のマスクを剥離して、絶縁テープ基材上に微細配線パターン４０を形成する。
【００４７】
この銅配線部分の電子機器との接合部およびＩＣチップとの接合部を除く銅配線をカバーしたいエリアに、ソルダーレジスト１を塗布する。
【００４８】
その後、ソルダーレジスト１に覆われていない配線パターン部分、すなわちインナーリード１１に、金ストライクめっき７を０．０１〜０．２５μｍの無電解めっき法により施し、その上における電子機器およびＩＣチップを接合する配線パターン部分に、０．５０μｍのスズめっき５を無電解めっき法により施す。この時、ホイスカ抑制の目的により、１２０℃〜１３０℃の加熱処理を行う。
【００４９】
かくして、局部的な銅配線パターンの銅の過剰溶解が発生せず、且つ銅配線折り曲げ部の耐折れ性が十分に確保でき、ホイスカの抑制効果がある半導体装置用テープキャリアを製造することができた。
【００５０】
［実施例２］
次に、図２に示すＣＯＦテープとしての２層ＴＡＢ用テープキャリアについての実施例を説明する。
【００５１】
絶縁テープ基材３としての厚さ３７μｍのポリイミドフィルムの片側の全面に銅箔４をめっき法により積み上げて成る２層テープ材を用い、この２層テープ材に、銅配線折り曲げ部２を構成するための折り曲げ用のスリット穴３１と、そして搬送用に使用するスプロケットホールを金型にて打ち抜く。
【００５２】
次に、その銅箔表面に感光性レジストを塗布し、所定のパターンを露光マスクにＵＶ照射して、感光性レジストパターンを形成する。このレジストパターンを現像して除去する。現像された感光性レジストパターンをエッチングして微細配線パターンを形成し、感光性レジストを剥離して、絶縁テープ基材３上に、インナーリード１１を含む微細配線パターン４０を形成する。
【００５３】
その後、ソルダーレジスト１を塗布し、ソルダーレジスト１に覆われていない配線パターン部分、すなわちインナーリード１１等に、金ストライクめっき７を０．０１〜０．２５μｍ程度の厚さで無電解めっき法により施す。さらに、その上に電子機器およびＩＣチップを接合する配線パターン部分に０．５０μｍのスズめっき層５を無電解めっき法により施す。この時、ホイスカ抑制の目的により、１２０℃〜１３０℃の加熱処理を行う。
【００５４】
かくして、局部的な銅配線パターンの銅の過剰溶解が発生せず、且つ銅配線折り曲げ部の耐折れ性が十分に確保でき、ホイスカの抑制効果がある半導体装置用テープキャリアを製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態にかかる３層ＴＡＢ用テープキャリアの部分断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態にかかる２層ＴＡＢ用テープキャリアの部分断面図である。
【図３】図２の２層ＴＡＢ用テープキャリアを用いたＣＯＦのボンディング方式を示した図である。
【図４】従来の３層ＴＡＢ用テープキャリアの部分断面図である。
【図５】従来の他の３層ＴＡＢ用テープキャリアの部分断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  ソルダーレジスト
２  銅配線折り曲げ部
３  テープ基材
４  銅箔
５  スズめっき
７  ストライクめっき
８  過剰溶解部
９  保護樹脂
１０  接着剤
１１  インナーリード（リード部）
３０  デバイスホール
３１  スリット穴
４０  配線パターン
【図１】
2005093643.tif 000003
【図２】
2005093643.tif 000004
【図３】
2005093643.tif 000005
【図４】
2005093643.tif 000006
【図５】
2005093643.tif 000007