(57)【要約】【課題】加熱処理の対象となる基板の周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハーＷは内側チャンバー６７内に配設された加熱保持体５５に載置されて予備加熱される。加熱保持体５５は内側チャンバー６７外に設置された電磁コイル４０によって誘導加熱される。加熱保持体５５と電磁コイル４０とが内側チャンバー６７の底面壁を挟んで相互に非接触状態に分離配置されており、内側チャンバー６７の内部には電極や配線等は全く存在しない。従って、密閉された石英製の内側チャンバー６７の内部は煩雑な配線等が存在しない単純な構造となり、パーティクル等の汚染源やガス滞留部等が無くなり、加熱処理の対象となる半導体ウェハーＷの周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる。【選択図】図１
2005093858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板に向けて閃光を照射するフラッシュランプと、
基板を載置するとともに、前記フラッシュランプから閃光を照射する前に該基板を予備加熱する加熱保持体と、
前記加熱保持体を加熱する熱源と、
を備え、
前記加熱保持体と前記熱源とは相互に非接触状態に分離配置されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記加熱保持体は金属にて構成され、前記熱源は誘導加熱によって前記加熱保持体を加熱する電磁コイルであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記加熱保持体はセラミックにて構成され、前記熱源は光照射によって前記加熱保持体を加熱するランプであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記加熱保持体の上面に石英製のプレート状部材を敷設することを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記加熱保持体を密閉チャンバーの内部に配置し、前記熱源を前記密閉チャンバーの外部に配置することを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の熱処理装置において、
前記密閉チャンバーを石英チャンバーとすることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハーやガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）にフラッシュランプから閃光を照射することにより基板を熱処理する熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハー等の製造工程においては種々の目的にて様々な加熱処理が行われる。加熱処理の手法としては、ヒータを内蔵したホットプレート上に半導体ウェハーを載置して加熱する方法が一般的であるが、例えばエピタキシャル装置では高周波誘導加熱によって半導体ウェハーを直接加熱する手法を採用しているものもある（例えば、特許文献１参照）。また、スパッタ装置では、ハロゲンランプからの光照射によってウェハーを載置するサセプタを加熱することにより、その載置された半導体ウェハーを加熱しているものもある（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
ところで、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においても加熱処理が行われる。イオン活性化工程の加熱処理は、半導体ウェハーを例えば１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより実行されるものであり、従来よりハロゲンランプから照射される光のエネルギーを利用して毎秒数百度程度の速度でウェハーを昇温するランプアニール装置が使用されてきた。
【０００４】
ところが、ハロゲンランプにより毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する熱処理装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまる、すなわち、熱によりイオンが拡散してしまうという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、半導体ウェハーの表面にイオンを高濃度で注入しても、注入後のイオンが拡散してしまうことから、イオンを必要以上に注入しなければならないという問題が生じていた。
【０００５】
上述したイオン拡散の問題を解決するため、キセノンフラッシュランプ等を使用して半導体ウェハーの表面に閃光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献３，４参照）。キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンが拡散するための十分な時間がないため、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルをなまらせることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２８０３１３号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２２９号公報
【特許文献３】特開昭５９−１６９１２５号公報
【特許文献４】特開昭６３−１６６２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このようなフラッシュランプアニール装置においては、キセノンフラッシュランプによる一瞬の閃光照射だけでは１０００℃ないし１１００℃程度の目標温度に到達できないため、閃光照射前に予め半導体ウェハーをある程度の温度（イオン拡散が生じない温度）にまで昇温させておく予備加熱処理が行われている。予備加熱処理は、主に８００℃以下で行われるため、均熱性および制御性に優れたホットプレート方式によって実行されるのが主流である。
【０００８】
しかしながら、ホットプレート方式は均熱性等には優れるものの、内蔵ヒータの電極への配線を必要とし、さらにホットプレート自体の材質が金属であるためパーティクル等の汚染源となるおそれがある。このため、ホットプレートの外表面をセラミックや石英で覆う汚染対策が採用されているが、このような複雑な構造ではチャンバー内にガス滞留部が生じるという問題があった。特にフラッシュランプアニール装置の場合、閃光による強い衝撃で汚染源を巻き上げるという特有の問題があった。
【０００９】
また、ホットプレート方式は、電熱式のヒータを加熱源としているためレスポンスが遅く、目標温度にまでホットプレートを昇温させるのに相当の時間を要するという問題もあった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、加熱処理の対象となる基板の周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板に向けて閃光を照射するフラッシュランプと、基板を載置するとともに、前記フラッシュランプから閃光を照射する前に該基板を予備加熱する加熱保持体と、前記加熱保持体を加熱する熱源と、を備え、前記加熱保持体と前記熱源とを相互に非接触状態に分離配置している。
【００１２】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる熱処理装置において、前記加熱保持体を金属にて構成し、前記熱源を誘導加熱によって前記加熱保持体を加熱する電磁コイルとしている。
【００１３】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明にかかる熱処理装置において、前記加熱保持体をセラミックにて構成し、前記熱源を光照射によって前記加熱保持体を加熱するランプとしている。
【００１４】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる熱処理装置において、前記加熱保持体の上面に石英製のプレート状部材を敷設している。
【００１５】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明にかかる熱処理装置において、前記加熱保持体を密閉チャンバーの内部に配置し、前記熱源を前記密閉チャンバーの外部に配置している。
【００１６】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明にかかる熱処理装置において、前記密閉チャンバーを石英チャンバーとしている。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明によれば、加熱保持体と熱源とが相互に非接触状態に分離配置されているため、基板を載置する加熱保持体には配線接続等が不要であり、パーティクル源やガス滞留部が無くなり、その結果加熱処理の対象となる基板の周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる。
【００１８】
また、請求項２の発明によれば、加熱保持体が金属にて構成され、熱源が誘導加熱によって加熱保持体を加熱する電磁コイルであるため、加熱保持体を熱源と非接触の状態で迅速に加熱することができる。
【００１９】
また、請求項３の発明によれば、加熱保持体がセラミックにて構成され、熱源が光照射によって加熱保持体を加熱するランプであるため、加熱保持体を熱源と非接触の状態で迅速に加熱することができる。
【００２０】
また、請求項４の発明によれば、加熱保持体の上面に石英製のプレート状部材を敷設しているため、基板を傷付けることを防止できる。
【００２１】
また、請求項５の発明によれば、加熱保持体を密閉チャンバーの内部に配置し、熱源を密閉チャンバーの外部に配置するため、密閉チャンバーの内部には配線等が存在せず、パーティクル源やガス滞留部が無くなり、その結果密閉チャンバー内部を常に清浄な雰囲気に維持することができる。
【００２２】
また、請求項６の発明によれば、密閉チャンバーを石英チャンバーとしているため、石英チャンバー内部を常に清浄な雰囲気に維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
＜１．第１実施形態＞
図１は本発明にかかる熱処理装置の要部構成を示す側断面図である。この熱処理装置は、キセノンフラッシュランプからの閃光によって半導体ウェハー等の基板の熱処理を行う装置である。
【００２５】
この熱処理装置は、内側チャンバー６７と外側チャンバー６３とで構成されるチャンバー６０を備える。内側チャンバー６７は、赤外線透過性を有する石英にて構成された筐体である。すなわち、内側チャンバー６７は石英製の石英チャンバーであり、外側チャンバー６３の内壁に内設されている。一方、外側チャンバー６３は、例えばステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて構成されている。
【００２６】
外側チャンバー６３の上部は開放されており、そこに位置する内側チャンバー６７の天井部分が光源５から出射された光を透過してチャンバー６５内に導くチャンバー窓として機能している。また、外側チャンバー６３および内側チャンバー６７の側面の一箇所には半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための開口部７６が形成されている。開口部７６は、軸７７を中心に回動するゲートバルブ７８により開閉可能となっている。半導体ウェハーＷは、開口部７６が開放された状態で、図示しない搬送ロボットによりチャンバー６０内に搬入される。また、チャンバー６０内にて半導体ウェハーＷの熱処理が行われるときには、ゲートバルブ７８により開口部７６が閉鎖される。ゲートバルブ７８によって開口部７６が閉鎖されることにより、内側チャンバー６７は外部雰囲気と遮断された密閉チャンバーとなる。
【００２７】
チャンバー６０は光源５の下方に設けられている。光源５は、複数（本実施形態においては３０本）のキセノンフラッシュランプ６９（以下、単に「フラッシュランプ６９」とも称する）と、リフレクタ７１とを備える。複数のフラッシュランプ６９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿うようにして互いに平行に平面状に配列されている。リフレクタ７１は、複数のフラッシュランプ６９の上方にそれらの全体を被うように配設されている。
【００２８】
このキセノンフラッシュランプ６９は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と、該ガラス管の外局部に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて閃光が放出される。このキセノンフラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
【００２９】
フラッシュランプ６９から放射された閃光の一部は直接に内側チャンバー６７の天井部分を透過してチャンバー６０内へと向かう。また、フラッシュランプ６９から放射された閃光の他の一部は一旦リフレクタ７１によって反射されてから内側チャンバー６７の天井部分を透過してチャンバー６０内へと向かう。
【００３０】
内側チャンバー６７の底部には、半導体ウェハーＷを載置して加熱するための加熱保持体５５が固設されている。加熱保持体５５は、円盤状の部材であって、例えばステンレススチール等の金属板の外表面を例えばＳｉＣ等のセラミックにて被覆して構成されている。加熱保持体５５の上面にはサセプタ５１が敷設されている。サセプタ５１は、加熱保持体５５よりも若干小さな平面サイズを有する石英製のプレート状部材である。半導体ウェハーＷは、サセプタ５１を介して加熱保持体５５に載置・保持されるため、その裏面に傷が付くことが防止される。
【００３１】
外側チャンバー６３の底板部には複数の電磁コイル４０が配設されている。電磁コイル４０は図外の高周波電源と電気的に接続されている。その高周波電源から電磁コイル４０に高周波の電流を流すことによって、加熱保持体５５に誘導起電力が生じて渦電流が流れてジュール熱が発生し、加熱保持体５５が高周波誘導加熱される。誘導加熱によって温度が上昇した加熱保持体５５は、サセプタ５１を介して半導体ウェハーＷを加熱する。なお、複数の電磁コイル４０の配設態様は加熱保持体５５を均一に加熱できるような形態であれば良い。
【００３２】
このように、第１実施形態では、半導体ウェハーＷを載置して加熱する加熱保持体５５が内側チャンバー６７の内部に配置されるとともに、その加熱保持体５５を加熱する熱源たる電磁コイル４０が内側チャンバー６７の外部に配置されている。すなわち、加熱保持体５５と電磁コイル４０とは相互に非接触のワイヤレスの状態にて分離配置されており、内側チャンバー６７の内部には電極や配線等は全く存在しない。なお、電磁コイル４０には配線接続がなされることとなるが、これは内側チャンバー６７の外部での配線となる。
【００３３】
図示は省略しているが、チャンバー６０には上述した構成以外にも内側チャンバー６７の内部に処理に必要なガス、例えば不活性な窒素ガスを供給するガス供給管や内側チャンバー６７内の雰囲気を排出するための排気管が連通接続されている。また、光源５と内側チャンバー６７の天井部分との間に赤外線透過材料としての石英ガラスの表面に光拡散加工を施した光拡散板を配置するようにしても良い。さらに、チャンバー６０の底部には、加熱保持体５５およびサセプタ５１を貫通して昇降する支持ピンも設けられている。
【００３４】
チャンバー６０内に未処理の半導体ウェハーＷを搬入するときには、開口部７６が開放された状態で半導体ウェハーＷを保持する搬送ロボットが開口部７６から加熱保持体５５の上方まで進入し、上記支持ピンが上昇してその半導体ウェハーＷを受け取る。その後、搬送ロボットが開口部７６から退出するとともに、支持ピンがサセプタ５１よりも下方に下降することによって半導体ウェハーＷがサセプタ５１上に載置される。逆に、処理済みの半導体ウェハーＷを搬出するときには、支持ピンが上昇してサセプタ５１から半導体ウェハーＷを受け取り上昇させる。そして、開口部７６が開放された状態で搬送ロボットが開口部７６から加熱保持体５５の上方まで進入し、半導体ウェハーＷを支持する支持ピンが下降して搬送ロボットに半導体ウェハーＷを渡す。その後、搬送ロボットが開口部７６から退出して半導体ウェハーＷの搬出が完了する。
【００３５】
次に、上記構成を有する熱処理装置による半導体ウェハーＷの熱処理動作について説明する。この熱処理装置において処理対象となる半導体ウェハーＷは、イオン注入後の半導体ウェハーである。
【００３６】
まず、上述のようにして処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６０内に搬入され、サセプタ５１に載置される。半導体ウェハーＷの搬入が完了すれば、開口部７６がゲートバルブ７８により閉鎖される。しかる後、チャンバー６０内に窒素ガスの気流が形成される。
【００３７】
半導体ウェハーＷがサセプタ５１に載置される時点においては、電磁コイル４０の誘導加熱によって加熱保持体５５が所定温度に昇温されている。このため、サセプタ５１上に半導体ウェハーＷが載置された状態においては、半導体ウェハーＷが加熱状態にあるサセプタ５１と接触することにより予備加熱され、半導体ウェハーＷの温度が次第に上昇する。
【００３８】
この状態においては、半導体ウェハーＷは加熱保持体５５により継続して加熱される。そして、半導体ウェハーＷの温度上昇時には、図示しない温度センサにより、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを常に監視する。尚、温度センサも内側チャンバの外側に配置するのが好ましく、内側チャンバを透過して温度測定を行う放射温度計等が使用される。または、電磁コイル４０の温度でもってコントロールするようにしてもよい。
【００３９】
なお、この予備加熱温度Ｔ１は、例えば２００℃ないし６００℃程度の温度である。半導体ウェハーＷをこの程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱したとしても、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンが拡散してしまうことはない。
【００４０】
やがて、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達すると、フラッシュランプ６９を点灯してフラッシュ加熱を行う。このフラッシュ加熱工程におけるフラッシュランプ６９の点灯時間は、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の時間である。このように、フラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーがこのように極めて短い光パルスに変換されることから、極めて強い閃光が照射されることになる。
【００４１】
このようなフラッシュ加熱により、半導体ウェハーＷの表面温度は瞬間的に温度Ｔ２に到達する。この温度Ｔ２は、１０００℃ないし１１００℃程度の半導体ウェハーＷのイオン活性化処理に必要な温度である。半導体ウェハーＷの表面がこのような処理温度Ｔ２にまで昇温されることにより、半導体ウェハーＷ中に打ち込まれたイオンが活性化される。
【００４２】
このとき、半導体ウェハーＷの表面温度が０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の極めて短い時間で処理温度Ｔ２まで昇温されることから、半導体ウェハーＷ中のイオン活性化は短時間で完了する。従って、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンが拡散することはなく、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまるという現象の発生を防止することが可能となる。なお、イオン活性化に必要な時間はイオンの拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であってもイオン活性化は完了する。
【００４３】
また、フラッシュランプ６９を点灯して半導体ウェハーＷを加熱する前に、加熱保持体５５を使用して半導体ウェハーＷの表面温度を２００℃ないし６００℃程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱していることから、フラッシュランプ６９により半導体ウェハーＷを１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで速やかに昇温させることが可能となる。
【００４４】
フラッシュ加熱工程が終了した後に、上述した手順にしたがって搬送ロボットによりチャンバー６０から処理済みの半導体ウェハーＷが搬出される。以上のようにして、一連の熱処理動作が完了する。
【００４５】
第１実施形態の熱処理装置においては、加熱保持体５５と電磁コイル４０とが内側チャンバー６７の底面壁を挟んで相互に非接触状態に分離配置されており、内側チャンバー６７の内部には電極や配線等は全く存在しない。加熱保持体５５自体は金属製であるが、その表面はセラミックにて覆われているため、加熱保持体５５が汚染源となることはない。従って、密閉された石英製の内側チャンバー６７の内部は煩雑な配線等が存在しない単純な構造となり、パーティクル等の汚染源やガス滞留部等が無くなり、加熱処理の対象となる半導体ウェハーＷの周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる。
【００４６】
また、誘導加熱方式はレスポンスが早いため、加熱保持体５５を目標温度まで迅速に昇温させることができる。
【００４７】
＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図２は、第２実施形態の熱処理装置の要部構成を示す側断面図である。第２実施形態の熱処理装置が第１実施形態と異なるのは半導体ウェハーＷを予備加熱する加熱機構であり、それ以外の点は同じであるため、同一部材に対しては図１と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
内側チャンバー６７の底部には、半導体ウェハーＷを載置して加熱するための加熱保持体３５が固設されている。加熱保持体３５は、円盤状の部材であって、例えばＳｉＣ等のセラミックにて構成されている。加熱保持体３５の上面にはサセプタ５１が敷設されている。サセプタ５１は、加熱保持体３５よりも若干小さな平面サイズを有する石英製のプレート状部材である。半導体ウェハーＷは、サセプタ５１を介して加熱保持体３５に載置・保持されるため、その裏面に傷が付くことが防止される。
【００４９】
外側チャンバー６３の底板部には複数のハロゲンランプ３０が配設されている。ハロゲンランプ３０は図外の電源と電気的に接続されている。その電源からハロゲンランプ３０に電力供給を行うことによって、ハロゲンランプ３０からの光照射が実行される。なお、ハロゲンランプ３０は連続点灯の光源である。ハロゲンランプ３０から出射された光は石英製の内側チャンバー６７の底部を透過して加熱保持体３５に照射され、それによって加熱保持体３５が加熱される。ハロゲンランプ３０からの光照射によって温度が上昇した加熱保持体３５は、サセプタ５１を介して半導体ウェハーＷを加熱する。なお、複数のハロゲンランプ３０の配設態様は加熱保持体３５を均一に加熱できるような形態であれば良い。
【００５０】
このように、第２実施形態では、半導体ウェハーＷを載置して加熱する加熱保持体３５が内側チャンバー６７の内部に配置されるとともに、その加熱保持体３５を加熱する熱源たるハロゲンランプ３０が内側チャンバー６７の外部に配置されている。すなわち、加熱保持体３５とハロゲンランプ３０とは相互に非接触のワイヤレスの状態にて分離配置されており、内側チャンバー６７の内部には電極や配線等は全く存在しない。
【００５１】
第２実施形態の熱処理装置の上記以外の構成は第１実施形態と同じであり、半導体ウェハーＷの熱処理動作も第１実施形態と同じである。但し、第２実施形態においては、ハロゲンランプ３０からの光照射によって加熱保持体３５を所定温度に昇温しており、それによって半導体ウェハーＷを予備加熱している。
【００５２】
このようにしても第１実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、第２実施形態の熱処理装置においては、加熱保持体３５とハロゲンランプ３０とが内側チャンバー６７の底面壁を挟んで相互に非接触状態に分離配置されており、内側チャンバー６７の内部には電極や配線等は全く存在しない。加熱保持体３５は全体がセラミックにて構成されているため、加熱保持体３５が汚染源となることはない。従って、密閉された石英製の内側チャンバー６７の内部は煩雑な配線等が存在しない単純な構造となり、パーティクル等の汚染源やガス滞留部等が無くなり、加熱処理の対象となる半導体ウェハーＷの周辺を常に清浄な雰囲気に維持することができる。
【００５３】
また、光照射加熱方式はレスポンスが早いため、加熱保持体３５を目標温度まで迅速に昇温させることができる。
【００５４】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては光源５に３０本のフラッシュランプ６９を備えるようにしていたが、これに限定されずフラッシュランプ６９の本数は任意のものとすることができる。
【００５５】
また、半導体ウェハーＷを載置して予備加熱するための加熱保持体を加熱する方式は誘導加熱方式や光照射加熱方式に限定されるものではなく、例えばマイクロ波によって加熱する方式であっても良い。この場合、マイクロ波発生装置を内側チャンバー６７の底面壁の外側に配置するとともに、そのマイクロ波の波長によって加熱されるセラミックを内側チャンバー６７の底面壁の内側に配置する。このようにしても上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
また、上記各実施形態においては、加熱保持体の上面に石英製のサセプタ５１を敷設していたが、サセプタ５１は必須のものではなく、半導体ウェハーＷの裏面に傷を付けるおそれがなければ加熱保持体に直接半導体ウェハーＷを載置するようにしても良い。また、熱源によって加熱保持体ではなく、サセプタを加熱するようにしても良い。
【００５７】
また、光源５にフラッシュランプ６９に代えて他の種類のランプ（例えばハロゲンランプ）を備え、当該ランプからの光照射によって半導体ウェハーＷの加熱を行う熱処理装置であっても本発明に係る技術を適用することができる。すなわち、ランプからの光照射による加熱を補助するための予備加熱を行う機構として上記各実施形態のような技術を適用することができる。
【００５８】
また、上記実施形態においては、半導体ウェハーに光を照射してイオン活性化処理を行うようにしていたが、本発明にかかる熱処理装置による処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではない。例えば、窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜等の種々のシリコン膜が形成されたガラス基板に対して本発明にかかる熱処理装置による処理を行っても良い。一例として、ＣＶＤ法によりガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜にシリコンをイオン注入して非晶質化した非晶質シリコン膜を形成し、さらにその上に反射防止膜となる酸化シリコン膜を形成する。この状態で、本発明にかかる熱処理装置により非晶質のシリコン膜の全面に光照射を行い、非晶質のシリコン膜が多結晶化した多結晶シリコン膜を形成することもできる。
【００５９】
また、ガラス基板上に下地酸化シリコン膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をドーピングした構造のＴＦＴ基板に対して本発明にかかる熱処理装置により光照射を行い、ドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性化を行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態の熱処理装置の要部構成を示す側断面図である。
【図２】第２実施形態の熱処理装置の要部構成を示す側断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
５  光源
３０  ハロゲンランプ
３５，５５  加熱保持体
４０  電磁コイル
５１  サセプタ
６０  チャンバー
６３  外側チャンバー
６７  内側チャンバー
６９  フラッシュランプ
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
2005093858.tif 000003
【図２】
2005093858.tif 000004