(57)【要約】      （修正有）【課題】  アディティブ法によって微細な配線回路パターンで導体層を形成し、その導体層の上に錫めっき層を形成しても、金属薄膜の溶解に起因する配線間の短絡と、金属薄膜と導体層との間の界面剥離とを防止できる、配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁層１の上に金属薄膜２を形成し、その金属薄膜２の上に、めっきレジスト３を配線回路パターンの反転パターンで形成する。次いで、めっきレジスト３から露出する金属薄膜２の上に、導体層４を配線回路パターンで形成した後、続いて、めっきレジスト３から露出する導体層４の上に、無電解めっきにより錫めっき層５を形成し、その後、めっきレジスト３を除去する。この方法によれば、めっきレジスト３が形成されている状態で、錫めっき層５を形成するので、めっきレジスト３がバリアとなって、錫めっき液の金属薄膜２への浸入を防止できる。【選択図】    図１
2005150175.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を用意する工程、
前記絶縁層の上に、金属薄膜を形成する工程、
前記金属薄膜の上に、配線回路パターンの反転パターンでレジストを形成する工程、
前記レジストから露出する前記金属薄膜の上に、導体層を配線回路パターンで形成し、その導体層の上に、錫めっき層を形成する工程、
前記レジストを除去する工程
を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記錫めっき層を、無電解めっきにより形成することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法などに適用することのできる、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板において、ＩＣやＬＳＩを実装する場合には、電極パッドとして、Ｓｎめっき層を形成することが知られている。
【０００３】
このような配線回路基板の製造方法においては、例えば、導体層としての銅箔の上に、錫めっきした後、その錫めっきされた銅箔に対して、サブトラクティブ法により配線回路パターンを形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
一方、配線回路基板の製造方法において、配線回路パターンのファイン化のためには、一般的には、アディティブ法が有利とされている。アディティブ法では、絶縁層の上に、種膜として銅薄膜やクロム薄膜などからなる金属薄膜を形成し、その金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、電解めっきにより銅箔などからなる導体層を配線回路パターンとして形成し、その後、めっきレジストを除去するようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３２９７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、アディティブ法により配線回路パターンを形成した後に、錫めっきすると、錫めっき液により、導体層の下にある金属薄膜が溶解する場合がある。そのような場合には、その溶解した金属が、配線回路パターンの側面に付着し、それが核となって、ウィスカーやフリルと呼ばれる錫の異常析出を引き起こし、配線間の短絡の原因となる。
【０００７】
また、錫めっき液が、金属薄膜と導体層との界面に浸入して、界面剥離を生じる場合もある。
【０００８】
本発明の目的は、アディティブ法によって微細な配線回路パターンで導体層を形成し、その導体層の上に錫めっき層を形成しても、金属薄膜の溶解に起因する配線間の短絡と、金属薄膜と導体層との間の界面剥離とを防止することができる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を用意する工程、前記絶縁層の上に、金属薄膜を形成する工程、前記金属薄膜の上に、配線回路パターンの反転パターンでレジストを形成する工程、前記レジストから露出する前記金属薄膜の上に、導体層を配線回路パターンで形成し、その導体層の上に、錫めっき層を形成する工程、前記レジストを除去する工程を備えていることを特徴としている。
【００１０】
このような方法によれば、レジストの形成後、レジストから露出する金属薄膜の上に、導体層を配線回路パターンで形成し、その導体層の上に、錫めっき層を形成した後、レジストを除去する。つまり、この方法では、レジストが形成されている状態で、錫めっき層を形成するので、レジストがバリアとなって、錫めっき液の金属薄膜への浸入を防止することができる。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記錫めっき層を、無電解めっきにより形成することが好適である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、アディティブ法によって、微細な配線回路パターンで導体層を形成することができながら、その導体層の上に錫めっき層を形成しても、錫めっき液の金属薄膜への浸入を防止することができ、その結果、金属薄膜の溶解に起因する配線間の短絡と、金属薄膜と導体層との間の界面剥離とを、有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図である。以下、図１を参照して、このフレキシブル配線回路基板の製造方法を説明する。
【００１４】
この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、絶縁層１を用意する。絶縁層１は、フレキシブル配線回路基板の絶縁層として使用できるものであれば、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂のフィルムが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂フィルムが用いられる。
【００１５】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、絶縁層１の上に、種膜として金属薄膜２を形成する。金属薄膜２の形成は、無電解めっき、真空蒸着法などの公知の薄膜形成法が用いられる。好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、金属薄膜２となる導体は、クロム、ニッケル、銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層１の上に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次に形成する。なお、このような金属薄膜２の形成において、クロム薄膜の厚さは、例えば、３００〜１０００Å、銅薄膜の厚さは、例えば、７００〜１０００Åである。
【００１６】
次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、絶縁層１の上に形成された金属薄膜２の上に、めっきレジスト３を配線回路パターンの反転パターンで形成する。
【００１７】
めっきレジスト３は、例えば、金属薄膜２の表面に、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像する公知の方法により、配線回路パターンの反転パターンとして形成する。
【００１８】
次いで、この方法では、図１（ｄ）に示すように、めっきレジスト３から露出する金属薄膜２の上に、導体層４を配線回路パターンで形成する。導体層４を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属などが用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体層４の形成は、特に制限されないが、好ましくは、電解めっき、より好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００１９】
導体層４の厚みは、例えば、３〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍである。
【００２０】
そして、この方法では、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト３から露出する導体層４の上に、錫めっき層５を形成する。錫めっき層５は、特に制限されず、例えば、電解めっき、無電解めっきなどの公知のめっき方法により、導体層４の表面（上面）のみに形成する。好ましくは、無電解錫めっきが用いられる。
【００２１】
錫めっき層５の厚みは、例えば、０．０１〜０．８０μｍ、好ましくは、０．４０〜０．６０μｍである。
【００２２】
その後、この方法では、図１（ｆ）に示すように、めっきレジスト３を除去し、続いて、図１（ｇ）に示すように、めっきレジスト３が形成されていた部分の金属薄膜２を除去する。めっきレジスト３の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。また、金属薄膜２の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。
【００２３】
そして、この方法では、図１（ｈ）に示すように、導体層４を被覆するように、被覆層６を形成する。被覆層６は、耐熱性レジストからなるソルダレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。
【００２４】
なお、被覆層６は、図１（ｈ）に示すように、導体層４の配線回路パターンの一部を被覆するように形成してもよく、あるいは、導体層４の配線回路パターンのすべてを被覆するように形成してもよい。
【００２５】
導体層４の配線回路パターンの一部を被覆するように形成する場合には、さらに、図１（ｉ）に示すように、被覆層６から露出する導体層４の配線回路パターンに、上記と同様の方法により、錫からなる重ねめっき層７を、所望の厚みとなるように形成してもよい。
【００２６】
このような方法によれば、導体層４の形成後、めっきレジスト３の除去前に、めっきレジスト３から露出する導体層４の表面に、錫めっき層５を形成する。つまり、この方法では、めっきレジスト３が形成されている状態で、錫めっき層５を形成するので、めっきレジスト３がバリアとなって、錫めっき液の金属薄膜５への浸入を防止することができる。
【００２７】
そのため、この方法によれば、アディティブ法によって、微細な配線回路パターンで導体層４を形成することができながら、その導体層４の上に錫めっき層５を形成しても、錫めっき液の金属薄膜５への浸入を防止することができるので、その結果、金属薄膜５の溶解に起因する配線間の短絡と、金属薄膜５と導体層４との間の界面剥離とを、有効に防止することができる。
【００２８】
なお、上記の説明では、絶縁層１の上に、金属薄膜２、導体層４、錫めっき層５および被覆層６を順次形成したが、例えば、図１（ｊ）に示すように、まず、絶縁層１を、ステンレス箔などからなる金属支持層７の上に形成して、その絶縁層１の上に、金属薄膜２、導体層４、錫めっき層５および被覆層６を順次形成してもよい。
【００２９】
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板の製造方法を、フレキシブル配線回路基板の製造方法を例示して説明したが、本発明の配線回路基板の製造方法は、より具体的には、ＩＣやＬＳＩを実装するために、電極パッドとして錫めっき層が形成される配線回路基板、例えば、ＴＡＢ用テープキャリアなどの製造方法に、好適に適用することができる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００３１】
実施例１
厚さ２５μｍのポリイミド樹脂フィルムを絶縁層として用意し（図１（ａ）参照）、その絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの金属薄膜を形成した（図１（ｂ）参照）。次いで、金属薄膜の上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンを厚さ１５μｍで形成し（図１（ｃ）参照）、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体層を配線回路パターンで形成した（図１（ｄ）参照）。
【００３２】
続いて、めっきレジストから露出する導体層の表面に、無電解錫めっきにより、厚さ０．８μｍの錫めっき層を形成した（図１（ｅ）参照）。そして、ウィスカー防止のため、１２５℃で１．５時間のアニール処理を行なった。
【００３３】
その後、めっきレジストを化学エッチングによって除去し（図１（ｆ）参照）、その後、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を、同じく、化学エッチングにより除去した（図１（ｇ）参照）。次いで、導体層の配線回路パターンの一部を、耐熱性レジストで被覆することにより厚さ２０μｍの被覆層を形成し（図１（ｈ）参照）、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００３４】
このフレキシブル配線回路基板を、実体顕微鏡およびＳＥＭ観察によって検査したところ、ウィスカーやフリルの発生がなく、金属薄膜と絶縁層との間の剥離もないことが確認された。
【００３５】
比較例１
厚さ２５μｍのポリイミド樹脂フィルムを絶縁層として用意し（図２（ａ）参照：図２では、図１と同一の部材には、同一の符号を付している。）、その絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの金属薄膜を形成した（図２（ｂ）参照）。次いで、金属薄膜の上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンを厚さ１５μｍで形成し（図２（ｃ）参照）、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体層を配線回路パターンで形成した（図２（ｄ）参照）。
【００３６】
その後、めっきレジストを化学エッチングによって除去し（図２（ｅ）参照）、次いで、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図２（ｆ）参照）。
【００３７】
そして、導体層の表面に、無電解錫めっきにより、厚さ０．８μｍの錫めっき層を形成した（図２（ｇ）参照）。そして、ウィスカー防止のため、１２５℃で１．５時間のアニール処理を行なった。
【００３８】
その後、導体層の配線回路パターンの一部を、耐熱性レジストで被覆することにより、厚さ２０μｍの被覆層を形成し（図２（ｈ）参照）、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００３９】
このフレキシブル配線回路基板を、実体顕微鏡およびＳＥＭ観察によって検査したところ、ウィスカーおよびフリルの発生と、金属薄膜と絶縁層との間の一部剥離とが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、絶縁層の上に金属薄膜を形成する工程、（ｃ）は、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体層を配線回路パターンで形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストから露出する導体層の上に、錫めっき層を形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程、（ｈ）は、導体層を被覆するように、被覆層を形成する工程、（ｉ）は、被覆層から露出する導体層に、重ねめっき層を形成する工程、（ｊ）は、金属支持層の上に形成された絶縁層の上に、金属薄膜、導体層、錫めっき層および被覆層を順次形成する工程を示す。
【図２】比較例１のフレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、絶縁層の上に金属薄膜を形成する工程、（ｃ）は、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体層を配線回路パターンで形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｆ）は、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程、（ｇ）は、導体層の上に、錫めっき層を形成する工程、（ｈ）は、導体層を被覆するように、被覆層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００４１】
１      絶縁層
２      金属薄膜
３      めっきレジスト
４      導体層
５      錫めっき層
【図１】
2005150175.tif 000003
【図２】
2005150175.tif 000004