(57)【要約】【課題】  パッケージの小型化により半田ペースト量を少なくした状態で、リフローを多数回行なう場合であっても、実装基板からパッケージが脱落しない半導体装置およびその製造技術を提供する。【解決手段】  本体３より出ているアウターリード４のランド１ａと接触させる部分の面積を０．０６ｍｍ2以下に小さくすることにより、小型のパッケージを実装基板に高密度実装する場合において、アウターリード４の材料を、銅を主成分として、すずを含有しないものを使用する。【選択図】  図７
2005150618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を主成分としたアウターリードを複数有するパッケージを備え、
個々の前記アウターリードの実装基板に接触させる部分の面積は、０．０６ｍｍ2以下であり、
前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
銅を主成分としたアウターリードを複数有するパッケージを備え、
個々の前記アウターリードの実装基板に接触させる部分は、所定方向の長さが０．２ｍｍ以下で、前記所定方向と垂直方向の長さが０．３ｍｍ以下であり、
前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
（ａ）銅を主成分としたアウターリードを複数有するパッケージと、
（ｂ）前記アウターリードを介して前記パッケージを実装する実装基板とを備え、
前記アウターリードの前記実装基板に接触させる部分の面積は、０．０６ｍｍ2以下であり、
前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
（ａ）ダイオードを形成した半導体チップと、
（ｂ）銅を主成分としたアウターリードとを有するパッケージを備え、
前記アウターリードの実装基板に接触させる部分の面積は、０．０６ｍｍ2以下であり、
前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
（ａ）実装基板にある複数の電極上に半田を形成する工程と、
（ｂ）前記半田を介して、銅を主成分としたアウターリードを前記電極に取り付けることにより、前記アウターリードを複数有するパッケージを前記実装基板に実装する工程とを備え、
個々の前記アウターリードの前記電極に接触させる部分の面積は、０．０６ｍｍ2以下であり、
前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、半田を介してパッケージのアウターリードを実装基板の電極に取り付ける半導体装置およびその製造技術に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウェハ上に素子や配線を形成した後、半導体ウェハを個々の半導体チップに切り分ける。そして、切り分けた半導体チップをリードフレームに取り付けた後、樹脂を用いて封止し、パッケージ（製品）を形成する。その後、パッケージは、リードフレームのアウターリードによって、実装基板に取り付けられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
パッケージを実装基板に取り付ける際、半田が使用されるが、半田に対する濡れ性は、４２アロイ材（Ｆｅ、Ｎｉ系）より、銅を主成分とする銅系リードフレームの方が良く、また材料の単価も安いため、小型パッケージには、銅系リードフレームが使用されている。この銅系リードフレームには、フレーム強度、プレス抜け性、成形性などを向上させるため、銅以外にニッケル（Ｎｉ）、すず（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）などが含有されている。
【特許文献１】特開２０００−１５０７６１号公報（第３頁〜第４頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、携帯電話機の小型化および薄型化に伴い、携帯電話機に使用する電圧制御発振器（ＶＣＯ；Voltage  Controlled  Oscillator）やアンテナスイッチモジュールは、小型化および高密度化が図られている。このため、電圧制御発振器やアンテナスイッチモジュールに使用する部品（チップコンデンサ、チップ抵抗、ダイオードなど）のサイズは縮小化され、これらの部品の実装基板（モジュール基板）への半田付け実装において、使用する半田ペースト量が少なくなっている。
【０００５】
また、近年、すず、鉛を主成分とする半田ペーストの他に例えば、すず、銅および銀を主成分とし、鉛を微量しか含まない半田ペースト（鉛フリーペースト）が使用されているが、この鉛フリーの半田ペーストは、通常の半田ペーストに比べて融点が高い。したがって、鉛フリーの半田ペーストを使用する場合、パッケージを実装基板へ取り付ける際に行なわれるリフローの温度は高くなっている。
【０００６】
さらに、上記したリフロー処理は、アウターリードを有するパッケージを実装基板（モジュール基板）に取り付ける際、キャップ膜を形成する際および携帯電話基板の表裏にパッケージを実装した実装基板を取り付ける際の最低でも４回は行なわれる。
【０００７】
このように、半田ペースト量を少なくした状態で、リフローを多数回行なうとパッケージが実装基板から脱落する問題点が発生した。特に、鉛フリーの半田ペーストを使用するとリフローの温度が高くなるが、この場合、パッケージが実装基板から脱落する不具合が多くなる。
【０００８】
本発明の目的は、パッケージの小型化により半田ペースト量を少なくした状態で、リフローを多数回行なう場合であっても、実装基板からパッケージが脱落しない半導体装置およびその製造技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明による半導体装置は、銅を主成分としたアウターリードを複数有するパッケージを備え、個々の前記アウターリードの実装基板に接触させる部分の面積は、０．０６ｍｍ2以下であり、前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）実装基板にある複数の電極上に半田を形成する工程と、（ｂ）前記半田を介して、銅を主成分としたアウターリードを前記電極に取り付けることにより、前記アウターリードを複数有するパッケージを前記実装基板に実装する工程とを備え、個々の前記アウターリードの前記電極に接触させる部分の面積は、０．０６ｍｍ2以下であり、前記アウターリードは、すずを含有しないことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
パッケージを取り付けた実装基板からパッケージが脱落する不具合を防止することができ、パッケージ実装の信頼性向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
（実施の形態１）
本実施の形態１は、ダイオードパッケージを実装基板に取り付けた半導体装置に本発明を適用したものである。
【００１７】
図１は、実装基板（モジュール基板）１にダイオードを封止したパッケージ２を実装した様子を示す図である。図１において、実装基板１は、例えばガラスエポキシ樹脂やセラミックより形成され、携帯電話機などに使用される電圧制御発振器（ＶＣＯ）やアンテナスイッチモジュールなどの基板となるものである。
【００１８】
実装基板１には、部品を装着するためのランド（電極）１ａが複数形成されており、このランド１ａには、図示しない配線が接続されている。配線は、部品装着面や部品装着面と反対側の面などに形成されている。また、実装基板１が多層配線構造になっている場合、配線は、実装基板１の内部にも形成されている。
【００１９】
実装基板１のランド１ａには、半田を介して、例えばダイオードを封止したパッケージ２が装着されているが、他にチップ抵抗やチップコンデンサ（図示せず）なども装着されている。このように実装基板１上にパッケージ２などの電子部品を搭載することにより、電圧制御発振器やアンテナスイッチモジュールなどのモジュール基板が形成される。
【００２０】
パッケージ２は、図１に示すように本体３とアウターリード４を有している。本体３は、ダイオードを形成した半導体チップを内部に有しており、この半導体チップを樹脂によって封止した構造をしている。
【００２１】
本体３の内部にある半導体チップは、リードフレームの一方のリード上に載置することにより一方のリードと電気接続され、他のリードとは、金線などを使用して電気接続されている。これらの一対のリードは、本体３より引き出され一対のアウターリード４を形成している。すなわち、アウターリード４は、本体３の内部にあるダイオードのアノードあるいはカソードに接続されている。
【００２２】
アウターリード４は、パッケージ２を実装基板１へ実装させるためのものであり、構成材料は銅を主成分としている。通常、アウターリード４には、すずなどが含有されているが、本実施の形態１のアウターリード４には、すずが含有されていない。このように、アウターリード４の材料にすずを含有しないものを使用することにより、高密度実装を行なう場合のように半田ペースト量が少なくなっても、後述するようにアウターリード４とランド１ａとの接着を確実なものとすることができ、実装基板１からパッケージ２が脱落することを防止できる。
【００２３】
実装基板１に搭載される部品は、実装基板１の小型化を図るため、高密度実装される。すなわち、個々の部品は小型化されるとともに高密度に実装されている。図２に、パッケージ２を上部から見た図を示す。
【００２４】
図２に示すように、パッケージ２の本体３は、例えばＸ軸方向の長さが約１．０ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さが約０．６ｍｍである。そして、アウターリード４については、例えばＸ軸方向の長さが０．２ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さが０．３ｍｍである。したがって、アウターリード４の実装基板１に接触させる部分の面積は、０．２ｍｍ×０．３ｍｍ（＝０．０６ｍｍ2）となる。このアウターリード４を取り付けるランド１ａの寸法は、図１に示すように、Ｘ軸方向の長さが０．２５ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さが０．３５ｍｍである。図３に、パッケージ２を側面から見た図を示す。図３に示すように、アウタ−リード４の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、約０．１１ｍｍである。
【００２５】
次に、上記したパッケージ２を実装基板１へ実装する工程について、図面を参照しながら説明する。
【００２６】
まず、図４に示すようにランド１ａを形成した実装基板１を用意する。続いて、図５に示すように、実装基板１上にマスク５を形成する。このマスク５は、厚さが０．０８ｍｍであり、ランド１ａ上に開口部５ａを形成したパターンを有している。
【００２７】
次に、スクリーン印刷技術によって、マスク５上に例えば、すず、銅、銀を主成分とする半田ペーストを塗布する。すると、半田ペーストは、開口部５ａ内に充填される。その後、マスク５を除去するとランド１ａ上にだけ半田ペーストが形成される。
【００２８】
続いて、ランド１ａ上にパッケージ２などの部品を載置した後、実装基板１をリフロー炉に導入する。そして、リフロー炉において、実装基板１を約２５０℃になるまで加熱することにより、ランド１ａ上に塗布された半田ペーストを溶融する。このとき、パッケージ２のアウターリード４と実装基板１のランド１ａは、半田を介して接着される。このようにして、実装基板１へパッケージ２などの部品を接着することができ、電圧制御発振器やアンテナスイッチモジュールなどのモジュール基板を製造することができる（図１参照）。
【００２９】
次に、スクリーン印刷技術およびリフロー技術を使用して、パッケージ２上にキャップを形成する。キャップを形成する際のリフローは、約２５０℃で行なわれる。
【００３０】
その後、スクリーン印刷技術およびリフロー技術を使用して、本体基板（携帯電話基板など）の表面や裏面にパッケージ２を実装した実装基板（モジュール基板）１を取り付ける。ここでのリフローは、本体基板の表面にモジュール基板を取り付ける場合と裏面にモジュール基板を取り付ける場合の２回が行なわれ、リフローの温度は、約２４０℃である。
【００３１】
このように、ランド１ａとアウターリード４とを接着させている半田には、ランド１ａにアウターリード４を取り付ける際、キャップを形成する際および本体基板の表面や裏面に実装基板１を取り付ける際の最低でも４回、リフローによる加熱が行なわれる。
【００３２】
このとき、銅を主成分として、すずを含有するアウターリードを使用したパッケージでは、実装基板からパッケージが脱落してしまう不具合が生じた。つまり、実装基板の小型化に伴い、パッケージ寸法を小さくして高密度にパッケージを実装する場合、リフロー時に実装基板からパッケージが脱落する。
【００３３】
具体的に、ランドを直径０．５ｍｍの円形にして、このランド上にスクリーン印刷技術により１００μｍの厚さの半田ペーストを形成した場合、リフロー時に実装基板からパッケージが脱落しなかった。すなわち、半田ペーストの量が０．１ｍｍ×π×０．２５ｍｍ2（＝０．０７８５ｍｍ3）の場合、すずを含有するアウターリードであっても実装基板からパッケージが脱落することはなかった。しかし、パッケージの小型化により、アウターリードのランドに接触する面積を０．０６ｍｍ2にするとともに、ランドの面積を０．２５ｍｍ×０．３５ｍｍ（＝０．０８７５ｍｍ2）の四角形にし、このランド上にスクリーン印刷技術により８０μｍの厚さの半田ペーストを形成した場合、リフロー時に実装基板からパッケージが脱落した。すなわち、半田ペーストの量が０．０８７５ｍｍ2×０．０８ｍｍ（＝０．００７ｍｍ3）にした場合、すずを含有するアウターリードを使用すると、パッケージが実装基板から脱落する不具合が発生する。
【００３４】
言い換えれば、アウターリードのランドに接触する面積、ランドの面積および半田ペースト量をそれぞれ約１０分の１にした場合、すずを含有するアウターリードを使用するとリフロー時にパッケージが実装基板から脱落する不具合が発生する。
【００３５】
これに対し、銅を主成分として、すずを含有しない本実施の形態１のアウターリード４を使用した場合、リフロー時にパッケージ２が実装基板１から脱落することはなかった。つまり、パッケージ２の小型化により、アウターリード４のランド１ａに接触する面積を０．０６ｍｍ2にするとともに、ランド１ａの面積を０．２５ｍｍ×０．３５ｍｍ（＝０．０８７５ｍｍ2）の四角形にし、このランド１ａ上にスクリーン印刷技術により８０μｍの厚さの半田ペーストを形成した場合であっても、パッケージ２が実装基板１から脱落しなかった。さらに、アウターリード４のランド１ａに接触する面積を０．０６ｍｍ2以下にしても脱落する現象は生じなかった。
【００３６】
したがって、パッケージの小型化により半田ペースト量を少なくした状態で、リフローを多数回行なう場合であっても、すずを含有しない本実施の形態１のアウターリード４を使用することで、実装基板からのパッケージの脱落を防止することができる。
【００３７】
次に、銅を主成分として、すずを含有するアウターリード４０とランド２０ａが接続されている状態と、銅を主成分として、すずを含有しないアウターリード４とランド１ａが接続されている状態との差異について説明する。
【００３８】
図６は、銅を主成分として、すずを含有するアウターリード４０とランド２０ａが接続された様子を示す図であり、図７は、銅を主成分として、すずを含有しない本実施の形態１のアウターリード４とランド１ａが接続された様子を示す図である。
【００３９】
図６に示すように、パッケージの本体３０からは、略直方体の形状をしたアウターリード４０が出ており、このアウターリード４０の下側には、ランド２０ａが形成されている。すず、銀および銅を主成分とする半田６０は、アウタ−リード４０の表面にわたって形成されている。すなわち、アウターリード４０の上面および側面には半田６０が形成されているが、ランド２０ａ上には、半田６０が見られず、アウターリード４０の側面に半田６０が吸い上がっている。したがって、アウターリード４０とランド２０ａの接触領域においては、半田６０が不足し、半田６０を介したアウターリード４０とランド２０ａとの接続が充分に行なわれず、パッケージが実装基板から脱落してしまう可能性があることがわかる。特に、すず、銀および銅を主成分とする半田６０は、すずおよび鉛を主成分とする半田に比べて融点が高く、リフロー時の温度を高くする必要があるが、リフロー時の温度を高くすると半田６０がよく吸い上がり、実装不良が生じ易くなる。
【００４０】
一方、図７において、本実施の形態１においても、本体３の側面よりアウターリード４が出ており、このアウターリード４の下側には、ランド１ａが形成されている。ここで、図７に示すように、アウターリード４の表面には、半田６が形成されている。また、図６の状態とは異なり、図７では、ランド１ａ上に充分に半田６が存在し、このランド１ａ上に存在する半田６とアウターリード４の側面に存在する半田６が一つになっている。したがって、すずを含有しない本実施の形態のアウターリード４によれば、ランド１ａとアウターリード４とが半田６によって確実に接続されており、パッケージが実装基板から脱落する可能性はないことがわかる。
【００４１】
次に、図８は、すずを含有するアウターリード４０とランド２０ａが半田６０を介して接続している様子を示す断面図であり、図９は、図８の破線で囲んだ領域を拡大した図である。図１０は、すずを含有しない本実施の形態１のアウターリード４とランド１ａが半田６を介して接続している様子を示す断面図であり、図１１は、図１０の破線で囲んだ領域を拡大した図である。
【００４２】
まず、図８を見てわかるように、実装基板２０上にランド２０ａが形成されており、このランド２０ａ上に半田６０を介してアウターリード４０が形成されている。また、アウターリード４０上にも半田６０が形成されている。図９に示すように、ランド２０ａとアウターリード４０との間にある半田６０には、すずと銅よりなる合金層７０とすずの成分が多いＳｎリッチ層８０が互いに層状に形成されている。このＳｎリッチ層８０は、リフローが行なわれる毎に形成されることが確認された。Ｓｎリッチ層８０は、リフローにより再溶融した半田６０中のすずとアウターリード４０に含まれるすずが相互拡散することによりできると推察される。そして、合金層７０とＳｎリッチ層８０が半田６０内に層状に形成されることにより、アウターリード４０の周辺に半田６０が吸い上がっていく。このため、アウターリード４０とランド２０ａを接続する半田６０が不足し、パッケージが実装基板２０ａから脱落したものと考えられる。
【００４３】
次に、図１０についても図８と同様に、実装基板１上にランド１ａが形成されており、このランド１ａ上に半田６が形成されている。そして、半田６上には、すずを含有しない本実施の形態１のアウタ−リード４が形成され、このアウターリード４の上部にも半田６が形成されている。
【００４４】
ここで、図１０の破線で囲んだ領域を拡大した図１１を見ると、ランド１ａと、すずを含有しないアウターリード４との間にある半田６には、すずと銅よりなる合金層７が形成されているが、すずの成分が多いＳｎリッチ層は形成されていないことがわかる。したがって、合金層７とＳｎリッチ層が層状に形成されることに起因して、半田６がアウターリード４の周辺に吸い上がることを抑制できる。このため、アウターリード４とランド１ａの接触部分において半田６が不足することを防止でき、パッケージが実装基板１から脱落することを防止できることがわかる。
【００４５】
次に、図１２は、実装基板２０と、すずを含有したアウターリード４０とを半田６０を使用して接続した様子を示す断面図であり、図１３は、図１２のＡ−Ｂ線に沿って成分分析した結果を示す図である。また、図１４は、実装基板１と、すずを含有しないアウターリード４とを半田６を使用して接続した様子を示す断面図であり、図１５は、図１４のＡ−Ｂ線に沿って成分分析した結果を示す図である。
【００４６】
まず、図１２に示すように、実装基板２０と、すずを含有したアウターリード４０との間には半田６０が形成されているが、半田６０は実装基板２０の周辺では形成されておらず、空間が形成されてしまっている。すなわち、図１２は、実装基板２０と、すずを含有したアウターリード４０が確実に接続されていない状態を示している。このとき、図１２のＡからＢに沿って成分分析した図１３を見ると、半田６０内で銅成分が相対的に減少している部分があることが分かる（矢印で示した部分）。一方、銅が相対的に減少している部分に対応するすず成分を見ると、矢印で示したように相対的に増加していることがわかる。
【００４７】
このことから、半田６０内には、銅とすずの合金層とすず成分の多いＳｎリッチ層が層状に形成されていることがわかる。これは、図８および図９で説明したことに符合する。したがって、銅を主成分とし、すずを含有するアウターリード４０を使用すると、合金層とＳｎリッチ層が半田６０内に層状に形成されることにより、アウターリード４０側に半田６０が吸い上がっていき、アウターリード４０と実装基板２０との接触領域で半田６０が不足する。このため、パッケージが実装基板２０から脱落してしまうことがわかる。
【００４８】
次に、図１４を見ると、実装基板１と、すずを含有しないアウターリード４との間には半田６が形成されているが、図１２で示したような空間は形成されず、確実にアウターリード４と実装基板１が接続されていることがわかる。図１５の成分分析の結果を見ると、図１３で見られたＳｎリッチ層が半田６内に形成されていないことがわかる。すなわち、図１３では、銅成分が相対的に減少し、すず成分が相対的に増加している領域が見られたが、図１５では同じ位置にそのような領域が見られない。このことから、すずを含有しないアウターリード４を使用した場合には、半田６内にＳｎリッチ層が形成されないことがわかる。したがって、アウターリード４側への半田６の吸い上がりを抑制することができ、アウターリード４と実装基板１との接触領域における半田６の不足を回避できる。
【００４９】
以上述べたように、アウターリードの実装基板に接触させる部分の面積を０．０６ｍｍ2以下に小型化した場合に、すずを含有しない本実施の形態１のアウターリード４を使用することで、実装基板からのパッケージの脱落を防止することができる。
【００５０】
なお、本実施の形態１では、図２に示した寸法のパッケージ２について説明したが、これに限らず、例えば図１６や図１７に示す寸法のパッケージ２についても適用することができる。
【００５１】
例えば、図１６に示すパッケージ２の場合、本体３のＸ軸方向の長さは、１．２ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さは、０．８ｍｍである。また、すずを含有しないアウターリード４のＸ軸方向の長さは０．２ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さは、０．３ｍｍである。
【００５２】
図１７に示すパッケージ２の場合、本体３のＸ軸方向の長さは、０．８ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さは、０．６ｍｍである。また、すずを含有しないアウターリード４のＸ軸方向の長さは、０．１ｍｍであり、Ｙ軸方向の長さは、０．３ｍｍである。
【００５３】
また、図１８に示すような形状をしたアウターリード９にも本発明を適用することができる。
【００５４】
さらに、本実施の形態１では、すず、銅および銀を主成分とする半田について説明したがこれに限らず、例えば、すずおよび鉛を主成分とする半田に適用してもよい。
【００５５】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、ダイオードのパッケージを実装基板へ実装する場合について説明したが、本実施の形態２では、ＩＣ（Integrated  Circuit）のパッケージを実装基板へ実装する場合について説明する。
【００５６】
図１９は、ＩＣのパッケージ１０の外観を示した図である。図１９において、パッケージ１０は、本体１１とアウターリード１２を有している。アウターリード１２の材料は、前記実施の形態１で説明したものと同じように銅を主成分とし、すずを含有しない。
【００５７】
したがって、個々のアウターリード１２において、実装基板に接触させる部分の面積を０．０６ｍｍ2以下に縮小して高密度実装を行なう場合、半田ペースト量が少なくなるが、すずを含有しない本実施の形態２のアウターリード１２を使用することで、アウターリード１２と実装基板との接着を確実なものとすることができ、実装基板からパッケージ１０が脱落することを防止できる。
【００５８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５９】
なお、すずとアンチモンを主成分とする半田を使用する場合、アウターリードとして銅を主成分とし、すずを含有するものを使用すると、アウターリードの実装基板に接触する部分の面積が０．０６ｍｍ2以上であっても、リフロー時に実装基板からダイオードパッケージが脱落する不具合が生じる。しかし、アウターリードとして銅を主成分とし、すずを含有しないものを使用した場合、リフロー時に実装基板からダイオードパッケージが脱落せず、不具合を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、例えばダイオードや集積回路（ＩＣ）などの半導体装置を製造する製造業に利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態１において、実装基板にダイオードパッケージを実装した様子を示す図である。
【図２】実施の形態１におけるパッケージの寸法を示した上面図である。
【図３】実施の形態１におけるパッケージの寸法を示した側面図である。
【図４】実施の形態１における実装基板を示した図である。
【図５】実装基板上にマスクを形成した様子を示す図である。
【図６】銅を主成分として、すずを含有するアウターリードとランドが接続された様子を示す図である。
【図７】銅を主成分として、すずを含有しない本実施の形態１のアウターリードとランドが接続された様子を示す図である。
【図８】すずを含有するアウターリードとランドが半田を介して接続している様子を示す断面図である。
【図９】図８の破線で囲んだ領域を拡大した図である。
【図１０】すずを含有しない本実施の形態１のアウターリードとランドが半田を介して接続している様子を示す断面図である。
【図１１】図１０の破線で囲んだ領域を拡大した図である。
【図１２】実装基板と、すずを含有したアウターリードとを半田を使用して接続した様子を示す断面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ｂ線に沿って成分分析した結果を示す図である。
【図１４】実装基板と、すずを含有しないアウターリードとを半田を使用して接続した様子を示す断面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ｂ線に沿って成分分析した結果を示す図である。
【図１６】実施の形態１の変形例におけるパッケージの寸法を示した図である。
【図１７】実施の形態１の変形例におけるパッケージの寸法を示した図である。
【図１８】実施の形態１の変形例におけるアウターリードの形状を示した図である。
【図１９】本発明の実施の形態２におけるパッケージを示した図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  実装基板
１ａ  ランド
２  パッケージ
３  本体
４  アウターリード
５  マスク
５ａ  開口部
６  半田
７  合金層
９  アウターリード
１０  パッケージ
１１  本体
１２  アウターリード
２０  実装基板
２０ａ  ランド
３０  本体
４０  アウターリード
６０  半田
７０  合金層
８０  Ｓｎリッチ層
【図１】
2005150618.tif 000003
【図２】
2005150618.tif 000004
【図３】
2005150618.tif 000005
【図４】
2005150618.tif 000006
【図５】
2005150618.tif 000007
【図６】
2005150618.tif 000008
【図７】
2005150618.tif 000009
【図８】
2005150618.tif 000010
【図９】
2005150618.tif 000011
【図１０】
2005150618.tif 000012
【図１１】
2005150618.tif 000013
【図１２】
2005150618.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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