(57)【要約】【課題】エッジビードを減らしより平坦な塗布膜を形成することによって、ウエハ等から効率良くチップを切り出すことができ、エッジビードを除去する必要がないために作業工程を短縮して作業コストを低減することができる塗布膜形成方法を提供すること。【解決手段】基板に塗布液を伸展及び固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、塗布液の伸展中又は伸展後に塗布面にシート状の物体を接触させ、前記塗布液から少なくとも一部を除去してその流動性を失わせることを特徴とする。【選択図】図１
2005111411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を伸展及び固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
塗布液の伸展中又は伸展後に塗布面にシート状の物体を接触させ、前記塗布液から少なくとも一部を除去してその流動性を失わせることを特徴とする塗布膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば画像表示装置、インクジェット記録装置等の部品、プリント基配線基板、その他のデバイスの部品等において、基板上に必要な平坦性若しくは凹凸を持った塗布膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、回路基板、液晶表示素子、画像形成装置、インクジェット記録装置等の製造工程では、基板上に金属、ガラス等の無機物、樹脂等の有機物、或はこれらの混合物等の様々な材料によって塗布膜を形成している。又、塗布膜を何層か重ね、多層構造としてデバイス化することにより様々な機能を発現させている。従って、これらの塗布膜の形成、塗布膜の積層、若しくは塗布膜のパターニング等の多くのプロセスにおいて、塗布液を塗布する工程が必要となっている。
【０００３】
例えば、プリント基板、或はＩＣ等の半導体装置の製造においては、基板上にフォトレジスト膜を形成後、フォトレジスト膜を露光・現像して所定のパターンを形成し、パターニングフォトレジスト膜をマスクに用いて機能膜を所定のパターンに加工する方法が採られる。このフォトレジスト膜を形成するには、一般にスピンコーティング等の手法が用いられ、例えば特許文献１等に開示されているような塗布装置及び塗布膜形成方法により塗布し成膜して製造される。
【０００４】
又、耐エッチャント及び薬品・溶剤に対する保護のための保護膜、パッシベーション膜等の平坦化膜に関しても、レジスト等の塗布液をスピンコート法により塗布して硬化させる方法が一般的である。スピンコート法は平面のみならず、凹凸面への膜形成についても使用される。特許文献２には、このような塗布装置及び塗布膜形成方法が開示されている。
【０００５】
又、液体噴射記録ヘッドデバイスの製造においては、例えば特許文献３に示されるように、幾つかの機能膜をスピンコート法等を用いて形成することが知られている。
【０００６】
図１０にスピンコートによる塗布膜形成方法を示した。図１０（ａ）はスピンコート法の概略を示した模式図、図１０（ｂ）はスピンコート法により形成した塗布膜の概略図である。図中、１は基板、２は塗布液、３は塗布膜である。２０はスピンコーターの基板支持体、２３は塗布液供給ディスペンサである。
【０００７】
先ず、基板１を基板支持体２０の上に密着させてチャックする。塗布液供給ディスペンサ２３から塗布液２を適宜、基板１上へ供給する。更に、基板支持体２０を所定の回転数で図に示すように回転させて塗布液２を基板１上に伸展させた後、これをホットプレート（図示せず）上で乾燥させ、図１０（ｂ）に示すような塗布膜３を得る。
【０００８】
又、塗布膜の形成方法としてはスピンコート法の他に、特許文献４に示されるように、スリット状の塗布ヘッドから基板に塗布液を塗布し、塗布ヘッドと基板をスリットと垂直方向に相対移動させることにより、基板上の特定の領域にのみダイレクトにコーティングすることができるスリットコート法も知られている。
【０００９】
塗布液を周囲に振り飛ばして膜化するスピンコート法に比べ、必要な場所にのみ塗布出来ることから、塗布液の使用効率が良いと言われている。
【００１０】
【特許文献１】特開平３−２７８８５４号公報
【特許文献２】実開平６−３３１５０号公報
【特許文献３】特開平５−３３００６６号公報
【特許文献４】特開２０００−５６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の技術に示したスピンコート法及びスリットコート法においては、図１０（ｂ）に示すように、塗布膜のエッジ部に膜厚の異常に盛り上がった部分（エッジビード）４が発生し、その内側にやや膜厚の薄い窪み部５が発生するという問題があった。エッジビード４及び窪み部５が発生すると、膜厚の安定した平坦部６の面積が塗布膜３全体の面積よりも大幅に小さくなってしまう。そのため、１枚の基板から複数の液体噴射記録ヘッドデバイスのチップを多数個取りする場合等では、得られるチップの個数が限られ、塗布膜や基板の大きさを有効に活かせなくなってしまう。又、結果的に塗布材料の使用効率が落ちてしまうことになり、コスト高となってしまう。
【００１２】
又、スリットコート法の場合、塗布膜のエッジ部にエッジビード４及び窪み部５が発生することを予め考慮し、均一な膜厚が必要な平坦部６に対して塗布面積を広く取ることが考えられている。これにより、少なくとも均一な膜厚が必要な領域においては、均一な膜厚を確保することができる。しかしながら、デバイスが必要以上に大きくなってしまい、後工程で行う配線等を施す際にデバイス設計上の制約が生じてしまうため、現実的とは言えない。
【００１３】
更に、塗布膜３にフォトリソ等によってパターニングを行いたい場合は、エッジビード４が邪魔になって、マスクの位置合わせに影響が出ることがある。このため、特許文献１に開示されているように、エア等によりエッジビード４を除去することも考えられている。
【００１４】
しかしながら、エッジビード４を除去する方法では平坦部６の面積を広げることはできず、デバイスの切り出し個数はやはりエッジビード４及び窪み部５の影響を受けてしまう。又、エッジビード４が除去される際に、溶剤等を使用する場合等は液体の浸透により塗布膜の縁に新たな盛り上がりができたり、塗布膜の構造に影響を与えたりして、更に問題が発生してしまう場合もある。
【００１５】
これらのエッジビード４及び窪み部５の形状は、塗布膜のエッジ部から通常数ｍｍ〜１０ｍｍ程度入った所に形成される。但し、塗布液２の粘度、乾燥性等の性質や、塗布膜３の厚さ、乾燥等により塗布された塗布液膜を固定する方法等の影響を受けるため、それらの条件によって、塗布膜のエッジ部から１０ｍｍ以上の領域にまで及ぶこともある。この塗布膜の周囲に発生するエッジビード４及び窪み部５の低減が精密デバイスのローコスト生産等のために必要となっている。
【００１６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、エッジビードを減らしより平坦な塗布膜を形成することによって、ウエハ等から効率良くチップを切り出すことができ、エッジビードを除去する必要がないために作業工程を短縮して作業コストを低減することができる塗布膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明は、基板に塗布液を伸展及び固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、塗布液の伸展中又は伸展後に塗布面にシート状の物体を接触させ、前記塗布液から少なくとも一部を除去してその流動性を失わせることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、塗布液の基板への伸展中若しくは伸展後に、塗布面にシート状の物体を接触させ、塗布液から溶媒成分の少なくとも一部を除去してその流動性を失わせることにより、エッジビードを減らしより平坦な塗布膜を形成するこみとができる。これにより、ウエハ等から効率良くチップを切り出すことができる。又、エッジビードを除去する必要がなく、作業工程を短縮でき、作業コストを低減することができる。
【００１９】
又、本発明によれば、乾燥中に乾燥促進体が塗布液膜の表面に接していることにより、表面で面方向への塗布液の流動が阻害されて、表面の微細な凹凸の原因となる対流を抑制することができるため、均一な塗布膜の形成に非常に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
先ず、図３〜図７を用いてエッジビードが形成される原理について説明する。
【００２１】
図３はスリットコート法等を用いて塗布液を塗布する場合の理想的な膜形状の断面図の一部である。
【００２２】
図３において、１は基板、３は塗布膜、７は塗布液膜である。図３（ａ）は塗布直後の塗布液膜７の断面図であり、図３（ｂ）は塗布液膜７を乾燥若しくは化学反応、物理反応により塗布膜化した塗布膜３の断面図である。塗布液膜７は、乾燥等により揮発成分が蒸発して塗布膜化して塗布膜３となるため、塗布膜３の膜厚は、塗布液膜７に対して大幅に薄くなる。
【００２３】
又、塗布液２を基板１上に塗布した場合、固体である基板１の上面と、液体である塗布液２と、これらを取り巻く気体とがそれぞれの界面張力で釣り合うこととなる。重力を考慮すると、図４に矢印（４ａ，４ｂ，４ｃ）で示した状態となる。
【００２４】
図４の矢印４ａに示すように、一般的な表面エネルギーを持つ固体（基板１）に対して、液体（塗布液２）は９０度以下の接触角を持って安定する。
【００２５】
従って、塗布液膜７の端部では、界面のバランスを保つためには、図５（ａ）に示す矢印（５ａ，５ｂ，５ｃ）の方向に力が加わる。しかしながら、重力を考慮すると、塗布液膜７の側面に加わる力は、内側方向に傾斜を持つように変形して安定する。即ち、図５（ｂ）に示すように、矢印５ａで示す方向から或る傾斜を持った矢印５ｄで示す方向で安定する。又、その際、塗布液膜７の基板１との接触面は、容積の変化がないとすると、塗布液が外方向にスライドした状態となる。
【００２６】
次に、この実際の液膜をそのまま乾燥させていく過程を図６を用いて説明する。
【００２７】
図６（ａ）は、図５（ｂ）で、塗布液膜７の乾燥状態を模式的に表したものである。図中の矢印で示したように、塗布液膜７は、表面及び端部から溶剤が揮発し乾燥していく。この場合、破線の円で示した部分の表面及び端部から乾燥が進み、他の部分と比べて溶質の含有率が高くなる。その結果、
図６（ｂ）に示すように、この部分における塗布液膜７の表面張力が他の部分に比べて高くなり、その表面張力の不均衡によって、塗布液膜７の中で物質の移動が起こる。その結果、この部分を中心に図６（ｃ）に示すような形状の特異点が形成され、更にこの部位の乾燥が進んでエッジビードが成長する。乾燥が完全に行なわれる、図６（ｄ）に示すように、塗布液膜７は塗布膜３となり、塗布膜３の端部及び内部からの液の移動によって、
エッジビード４が形成されるとともに、その周囲に平均膜厚より膜厚の薄い膜の窪み部５が形成される。
【００２８】
次に、図７を用いて本発明による塗布膜形成方法における塗布液膜の乾燥方法及びエッジビードの低減される原理について説明する。
【００２９】
先ず、図７（ａ）に示すように、塗布液２伸展後の塗布液膜７に、塗布液２中の少なくとも一部の溶媒成分を除去する手段として、図７（ｂ）のようにｌ乾燥促進体２４を接触させて溶媒を吸収させる。
【００３０】
図７（ｃ）に示すように、塗布液２中に含まれる溶媒が乾燥促進体２４に吸収される結果、
塗布液膜７の流動性が失われ、塗布液膜７はゲル状塗布膜８となる。流動に伴う物質移動が原因の膜の凹凸が発生しにくい。
【００３１】
又、ベナールセルが原因で発生する塗布膜の表面の凹凸については、塗布液膜７表面の表面張力差に起因するマランゴニ流によって発生するが、本発明による方法によれば、塗布液膜の表面を溶媒吸収体８のような物体で覆うために表面張力差が現れない。又、塗布液膜７の表面が自由表面とならず、溶媒吸収体８に接しているために、ずり応力が発生し、これによっても塗布液膜７内の流動が阻害される。
【００３２】
このような原理によって、一般的な上述してきた一般的な乾燥方法と比べて、本発明による乾燥方法では、塗布膜３の表面にエッジビード４や細かな凹凸が発生しにくく、平坦な膜を容易に得ることができる。
【００３３】
溶媒吸収体８による吸収が充分に行われた後、図７（ｄ）のように溶媒吸収体８を取り去り、残存している溶媒分があれば、何らかの方法でこれを除去する。例えば、図７（ｅ）に示すように、オーブンに該基板１を入れ、加熱乾燥し、図７（ｆ）のように取り出すことによって、最終的に塗布膜が形成される。
【００３４】
尚、塗布液中の少なくとも一部の溶媒を除去する手段としては、溶媒吸収体の他、逆浸透膜のように、溶媒と溶質を分けることができるシート状の物体が使用できる。この場合、
膜を塗布液膜上に接した後、膜の裏からにじみ出てくる溶媒を何らかの手段により除去することが必要である。このときの除去方法としては、
吸収体による吸収の他、乾燥空気等の流動や減圧等、雰囲気を調整しての乾燥促進が用いられる。又、その他の方法であっても構わない。
【００３５】
次に図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施の形態）
図１は本発明における第１の実施の形態を説明する塗布機構の斜視図である。図中、１は金属薄板、ガラス、シリコン、樹脂等から成る基板、９は塗布液２が基板１と接触する際に形成される略半円状のビード、７は塗布液２が基板１上に液状のまま塗られた状態を示す塗布液膜である。２１は塗布液２を塗布する塗布ヘッドであり、基板１に対して相対的に移動可能である。２２は塗布ヘッド２１の塗布液吐出部であるヘッド先端部である。
【００３６】
又、２４はエラストマー、シリコーンゴム、逆浸透膜等による乾燥促進体、２５は乾燥促進体支持具、２６は乾燥促進体２４の押さえローラである。
【００３７】
図２は本発明における第１の実施の形態のプロセスを説明する塗布機構の断面図である。
【００３８】
先ず、図２（ａ）において、塗布液２を塗布ヘッド２１に導入し、基板１をステージ（図示せず）にセットする。次に、図２（ｂ）において、塗布ヘッド２１から塗布液２を吐出し、ヘッド先端部２２と基板１との間に略半円状のビード９を形成する。次に、図２（ｃ）において、矢印で示す方向へ塗布ヘッド２１を、塗布液２を吐出した状態でスキャンさせ、基板１上に塗布液膜７の形成を開始する。塗布ヘッド２１をスキャンさせ形成される塗布液膜７に追従して乾燥促進体支持具２５を移動させ、
乾燥促進体２４を塗布液膜７の表面に密着するように載せていく。このとき、乾燥促進体２４が塗布液膜７と充分に密着するように乾燥促進体２４の裏面から押さえローラ２６で一定の圧力を掛ける。
【００３９】
次に、図２（ｄ）において、塗布ヘッド２１を更にスキャンさせ、同時に乾燥促進体２４及び押さえローラ２６を塗布液膜７表面に働かせながら、基板１の所定の領域に塗布液膜７を形成する。次に、図２（ｅ）において、塗布ヘッド２１からの塗布液２の吐出を終了し、塗布ヘッド２１を基板１より離し、又、塗布液膜７上全領域への乾燥促進体２４及び押さえローラ２６の操作を終了し、
塗布が終了する。
【００４０】
次に、図２（ｆ）において、押さえローラ２６を乾燥促進体２４の裏面から離し、塗布開始地点から、塗布液膜７上から乾燥促進体２４をめくるように剥がしていく。図２（ｇ）〜（ｈ）のように全体に剥がし取り、図２（ｉ）のように、流動性を失った塗布膜３を得る。
（第２の実施の形態）
図８は本発明の第２の実施の形態を説明する塗布機構の斜視図である。尚、第１の実施の形態を示す図１と同じ部材には同じ符号を付しており、その説明は省略する。
【００４１】
図中、３０は減圧チャンバであり、乾燥促進体２４の裏面に押し当てて減圧することにより溶媒の除去を促進するものである。図中、３１は吸気口、３２は排気口で、減圧チャンバ３０の動作時において、排気口３２から強制的に排気し、同時に吸気口３１から僅かずつエア、乾燥エア、温乾燥エア等を導入することにより、減圧チャンバ３０内に溶媒気体のよどみを作ることなく、乾燥を促進する。又、減圧チャンバ３０の下面、図中３３は減圧乾燥面で、例えば細かいメッシュやポーラスな板等で構成されており、この面からの吸気が可能な構造となっている。
【００４２】
図９は本発明の第２の実施の形態のプロセスを説明する塗布機構の一部を表す断面図である。
【００４３】
先ず、第２の実施の形態において、プロセスの前半は第１の実施の形態と同様に行う。即ち、図２（ａ）〜（ｅ）に示した第１の実施の形態と全く同じく行う
。次に、図９の（ａ）に示すように、乾燥促進体２４から塗布ヘッド２１や押さえローラ２６を移動させた後、図９（ｂ）において減圧チャンバ３０の減圧乾燥面３３を、塗布液膜７に接している乾燥促進体２４の裏面に押し当てる。その後、減圧チャンバ３０の側面に施した吸気口３１を僅かに開け、反対側に設置した排気口３２から排気を開始して減圧チャンバ内を減圧する。
【００４４】
一定時間減圧し、塗布液膜７が充分に乾燥された後、 チャンバ３０を乾燥促進体２４裏面から取り外し、再び第１の実施の形態のプロセスと同様に、図２（ｆ）〜（ｉ）のように塗布液膜７の表面から乾燥促進体２４をめくるように剥がす。又、第１の実施の形態に説明したように、残存溶媒があれば、
例えば加温等の方法によって溶媒を除去し、乾燥が終了する。
【００４５】
このように、塗布液膜７の表面を乾燥促進体２４で覆い、乾燥促進体２４の裏面から乾燥促進体２４を通して浸透してくる溶媒を除去することによって塗布液２の乾燥が促進され、塗布後の早い段階で流動性を失うことによって、面内の塗布液の移動が抑制され、移動の結果発生するエッジビードや周期的な流動の結果発生する表面の微小な凹凸を低減することができる。
［実施例１］
本実施例は、図１に説明した塗布装置を使用し、図２に説明した塗布膜形成方法を用いて、基板１に塗布膜３を形成した。基板１は１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの硝子基板を用いた。塗布液２はＰＭＭＡのシクロヘキサノン溶液（溶剤分５５重量部）を用いた。乾燥促進体２４には、１．５ｍｍ厚のシリコーンゴム（フィラー無し）を用い、図１のように、塗布ヘッド２１の背後に配し、塗布ヘッド２１から塗布液２が塗布された直後から塗布液膜７の表面を覆うことができるようにした。
【００４６】
塗布液膜７は幅×長さが３０ｍｍ×５０ｍｍ、液膜としての厚みが約２０μｍとなるように塗布し、これと同時に、塗布ヘッド２１の後ろに配した乾燥促進体２４、乾燥促進体支持具２５及び押さえローラ２６を動かして塗布液膜７の表面が乾燥促進体２４と密着して覆われるようにした。塗布ヘッド２１からの塗布液２の吐出を止めた後、塗布開始部分から乾燥促進体２４を塗布液膜７の表面からめくるように静かに剥がし取った。
【００４７】
このとき、塗布液膜７の流動性は失われ、ゲル状になっていた。その後、６０℃のホットプレート上でプロキシ０. ５ｍｍの条件で該基板を１５分加熱した。その後、基板１に形成された塗布膜３の両サイドに形成されるエッジビード４の頂点の位置、高さ及び周囲から平坦部までの距離を測定した。それぞれ測定結果の１０箇所の平均測定結果を表１に示す。
【００４８】
又、この塗布乾燥操作を４分毎に１０回行い、１０回目の基板に施された塗布膜３の各量についても同様に測定して表１に示した。
［実施例２］
本実施例は、図８に説明した塗布機構を使用し、図９及び図２に説明した塗布プロセスを用いて基板１に塗布膜３を形成した。本実施例で使用した乾燥促進体２４は、実施例１と同様の材質で、
厚さ３５０μｍのものを使用した。又、基板、塗布液は実施例１と同様であり、塗布エリア及び厚さについても実施例１と同様の条件で塗布を行った。
【００４９】
これにより塗布膜３が施された基板を実施例１と同様にプロキシ０. ５ｍｍ、６０℃のホットプレートで１５分加熱した。形成された塗布膜の幅方向の膜厚プロファイルを測定し、塗布膜３の塗布幅方向の両サイドに発生したエッジビードの高さ、位置及び平坦部までの距離を測定した。それぞれ測定結果の１０箇所の平均測定結果を表１に示す。
【００５０】
又、実施例１と同様にこの塗布乾燥操作を４分毎に１０回繰り返した１０回目の塗布膜３についても、各量を測定し表１に示した。
＜比較例１＞
実施例１と同様の塗布装置、塗布膜形成方法を使用して同様の塗布膜を形成した。但し、実施例１で使用した乾燥促進体、押さえローラは作動させず、塗布液膜を形成した後は、そのままホットプレート上で実施例１と同様の条件で乾燥させた。この塗布膜について、幅方向の膜厚を測定してビードの高さ、位置及び平坦部までの距離を測定した。それぞれ測定結果の１０箇所の平均測定結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2005111411.tif 000003
表１に示した通り、実施例１及び２と従来例１とを比較すると、実施例１及び２は比較例１に比べ塗布膜周辺部分の膜荒れの範囲、エッジビードが小さいことが分かる。
【００５２】
又、乾燥促進体に溶媒を吸収させて乾燥を進ませる場合が吸収されて長く使用していると、吸収体に溶媒が溜り、塗布液膜と新たに接した際の吸収量が異なってくるため、
工程の安定が保たれない。
【００５３】
以下に、本発明の実施態様例を示す。
【００５４】
（実施態様例１）
基板に塗布液を伸展及び固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、該塗布液の伸展中又は伸展後に、該塗布面にシート状の物体を接触させ、該塗布液から少なくとも一部を除去し、流動性を失わせることを特徴とする塗布膜形成方法。
【００５５】
（実施態様例２）
前記塗布液中の少なくとも一部分の除去は、シート状の物体を接することによって塗布液中の一部の化合物がシート側に吸収されて失われることを特徴とする実施態様例１に記載の塗布膜形成方法。
【００５６】
（実施態様例３）
前記シート状の物体がシリコーンゴムを用いたものであることを特徴とする実施態様例１に記載の塗布膜形成方法。
【００５７】
（実施態様例４）
前記塗布液中の少なくとも一部分の除去は、シート状の物体を接することによって塗布液中の一部の化合物がシートによって分離されることを特徴とする実施態様例１に記載の塗布膜形成方法。
【００５８】
（実施態様例５）  前記塗布液の伸展及び固定する方法に、前記塗布液をスリット状のノズルから吐出させて塗布するスリットコート法を用いることを特徴とする実施態様例１〜４の何れかに記載の塗布膜形成方法。
【００５９】
（実施態様例６）
塗布ヘッドから塗布液を吐出し、基板に該塗布液伸展及び固定する塗布装置において、該塗布液中の少なくとも一部を除去する手段を有することを特徴とする塗布装置。
【００６０】
（実施態様例７）
前記塗布液中の少なくとも一部を除去する手段はシート状の物体を伸展中又は伸展後の塗布液の表面に接触させる操作を含むものであることを特徴とする実施態様例６に記載の塗布装置。
【００６１】
（実施態様例８）
実施態様例７に記載の溶液中の少なくとも一部を除去する手段において、前記シート状の物体を介して、塗布液に含まれている化合物の一部を強制的に除去する機構を有することを特徴とする実施態様例７に記載の塗布装置。
【００６２】
（実施態様例９）  実施態様例１〜５の何れかに記載された塗布膜形成方法を用いて形成されたことを特徴とする塗布膜形成物。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、画像表示装置、インクジェット記録装置等の部品、プリント基配線基板、その他のデバイスの部品等において、基板上に必要な平坦性若しくは凹凸を持った塗布膜の形成方法に対して適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明における第１の実施の形態の塗布装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示した塗布装置を用いた塗布膜形成方法を説明する断面図である。
【図３】塗布物の乾燥する状態を説明した断面図である。
【図４】理想的な塗布液膜の状態について説明した断面図である。
【図５】塗布液膜の状態について説明した断面図である。
【図６】塗布液膜の乾燥状態の原理について説明した断面図である。
【図７】本発明の塗布液膜の乾燥状態の原理について説明した断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の塗布装置の示す斜視図である。
【図９】図８に示した塗布装置を用いた塗布膜形成方法を説明する断面図である。
【図１０】従来技術の塗布膜形成方法を説明した断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１    基板
２    塗布液
３    塗布膜
４    エッジビード
５    窪み部
６    平坦部
７    塗布液膜
８    ゲル状塗布膜
９    ビード
２０  基板支持体
２１  塗布ヘッド
２２  ヘッド先端部
２３  塗布液供給ディスペンサ
２４  乾燥促進体
２５  乾燥促進体支持具
２６  押さえローラ
２７  オーブン
３０  減圧チャンバ
３１  吸気口
３２  排気口
３３  減圧乾燥面
【図１】
2005111411.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
2005111411.tif 000007
【図５】
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【図６】
2005111411.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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