(57)【要約】  【課題】  安価でありながらも位置分解能が高くγ線を高精度に検出することのできるγ線検出カメラ装置を提供すること。  【解決手段】  放射線源１４に基づいて生ずるγ線１５ａ，１５ｂを、前記放射線源１４を中心にして対向配置され、複数のＮａＩシンチレータ素子２を隣接配置してなるシンチレーション検出器１によって検出するγ線検出カメラ装置において、前記ＮａＩシンチレータ素子２の隣接方向１３における厚みを、前記放射線源１４に基づいて生ずるγ線１５ａ，１５ｂを隣接方向１３において各ＮａＩシンチレータ素子２によって検出しうる程度に薄くした。  【選択図】      図３
2005257563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線源に基づいて生ずるγ線を、前記放射線源を中心にして対向配置され、複数のＮａＩシンチレータ素子を隣接配置してなるシンチレーション検出器によって検出するγ線検出カメラ装置において、前記ＮａＩシンチレータ素子の隣接方向における厚みを、前記放射線源に基づいて生ずるγ線を隣接方向において各ＮａＩシンチレータ素子によって検出しうる程度に薄くしてあることを特徴とするγ線検出カメラ装置。
【請求項２】
ＮａＩシンチレータ素子は、所定の厚みを有するように形成され、一方の平面が鏡面研磨された結晶母材を反射膜に密着させた状態で設けるとともに、前記反射膜上に前記結晶母材を囲むようにして枠体を配置して、この枠体と前記結晶母材との間に光学接着剤を充填して前記結晶母材を反射膜および枠体と固着し、当該固着状態で前記結晶母材の他方の面を前記枠体とともに切削し、その後、この切削された面を鏡面研磨することにより製造されている請求項１に記載のγ線検出カメラ装置。
【請求項３】
ＮａＩシンチレータ素子の隣接方向における厚みが１．０ｍｍ以下である請求項１または２に記載のγ線検出カメラ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、ＰＥＴ（Ｐｏｓｉｔｒｏｎ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）装置などのγ線検出カメラ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
癌の診断装置の一つとしてＰＥＴ装置がある。悪性腫瘍を構成する癌細胞は、活動性が高いため、周囲の組織よりも多くのブドウ糖を代謝する性質がある。そのため、ブドウ糖に18Ｆ等の陽電子放出を行う放射線源を付加した物質を投与すると、悪性腫瘍に集中するため健康な組織よりも多くの放射線を放出する。例えば図１１に模式的に示すように、悪性腫瘍に蓄積した放射線源としての陽電子放出核種６１が陽電子６２を放出し、この陽電子６２は、周囲に多数存在する電子６３と対消滅を行って５１１ｋｅＶの２本のγ線（消滅放射線）６４，６５を互いに１８０°反対方向に放出する。この２本のγ線６４，６５を、放射線源を中心にして対向配置された、例えば複数のＮａＩ（Ｔｌ）シンチレータ素子を積層してなる２個のＮａＩ（Ｔｌ）シンチレーション検出器によって捕捉することにより、体内における放射線源６１の位置、すなわち、悪性腫瘍の位置を特定することができる。なお、図１１中において、６１ａ，６１ｂはそれぞれ陽子、中性子である。
【０００３】
上記ＰＥＴ装置は、悪性腫瘍に対して極めて高い検出感度を持っているが、Ｘ線ＣＴ画像に比べて位置分解能が極めて劣るため、悪性腫瘍の位置を精密に特定することができず、そのため、従来においては、Ｘ線ＣＴを併用して診断を行うことがあった。このため、患者に対する放射線被曝線量の増大を引き起こすおそれがあった。
【特許文献１】特表２００１−５１２８４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＰＥＴ装置の位置分解能は、装置に用いられる放射線検出器の大きさに制限されている。そして、ＰＥＴで検出する放射線は５１１ｋｅＶという高エネルギーのγ線であるため、現状では小型化することができない。
【０００５】
すなわち、従来においては、図１２に示すように、放射線源６１から発せられる２本のγ線６４，６５を、厚みの大きいシンチレータ素子６６ａを多数並設して構成した放射線検出器６６によって検出するようにしていたが、前記γ線６４，６５は、矢印で示すように、シンチレータ素子６６ａを通過してしまうことがあった。このようなγ線の通り抜けを防止するには、放射線検出器６６の容積を大きくする必要があるが、このようにした放射線検出器６６においては、像鮮明度が低下するといった不都合がある。
【０００６】
そこで、最近、前記γ線を検出する放射線検出器として、ＮａＩ（Ｔｌ）に代えて、ＢＧＯ（Ｂｉ4 Ｇｅ3 Ｏ12；ビスマスゲルマネイト）を用いることが検討されている。このＢＧＯは、ＮａＩ（Ｔｌ）に比べて螢光効率が１０％と低いが、密度が２倍で検出効率が高いといった利点がある。しかしながら、このＢＧＯをシンチレータ素子として用いた放射線検出器は、ＮａＩ（Ｔｌ）をシンチレータ素子として用いたものに比べて価格が高いとともに位置分解能が３ｍｍしかないといった欠点がある。さらに、前記ＢＧＯには、Ｂｉに起因する放射性不純物が混入しており、バックグラウンドを下げて感度を高くすることが困難である。医療診断に伴う放射線被曝を低減するには、高純度の結晶を安価に政策することが可能なＮａＩ（Ｔｌ）は最適である。
【０００７】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、安価でありながらも位置分解能が高くγ線を高精度に検出することのできるγ線検出カメラ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明は、放射線源に基づいて生ずるγ線を、前記放射線源を中心にして対向配置され、複数のＮａＩシンチレータ素子を隣接配置してなるシンチレーション検出器によって検出するγ線検出カメラ装置において、前記ＮａＩシンチレータ素子の隣接方向における厚みを、前記放射線源に基づいて生ずるγ線を隣接方向において各ＮａＩシンチレータ素子によって検出しうる程度に薄くしてあることを特徴としている（請求項１）。ここで、ＮａＩシンチレータ素子は、ＮａＩまたはＮａＩ（Ｔｌ）よりなるものをいう。
【０００９】
そして、前記ＮａＩシンチレータ素子は、所定の厚みを有するように形成され、一方の平面が鏡面研磨された結晶母材を反射膜に密着させた状態で設けるとともに、前記反射膜上に前記結晶母材を囲むようにして枠体を配置して、この枠体と前記結晶母材との間に光学接着剤を充填して前記結晶母材を反射膜および枠体と固着し、当該固着状態で前記結晶母材の他方の面を前記枠体とともに切削し、その後、この切削された面を鏡面研磨することにより製造される（請求項２）。
【００１０】
また、ＮａＩシンチレータ素子の隣接方向における厚みが１．０ｍｍ以下である（請求項３）。
【発明の効果】
【００１１】
上記請求項１に記載のγ線検出カメラ装置においては、シンチレータ素子が極めて薄く、所謂超薄型であるので、放射線に基づいて生ずるγ線を隣接方向において互いに各ＮａＩシンチレータ素子によって検出することができる。特に、請求項３に記載されているように、ＮａＩシンチレータ素子の隣接方向における厚みを１．０ｍｍ以下としたような場合、位置分解能が向上するとともに検出感度が大幅に向上する。この位置分解能および検出感度の向上は、次のような効果をもたらす。例えば、γ線検出カメラ装置が癌などを診断するためのＰＥＴ装置である場合、位置分解能が向上したことにより、極めて小さい癌細胞についても検出することができ、所謂癌の早期発見を行うことができる。また、ＮａＩ（Ｔｌ）に含まれる放射性不純物は、数ｐｐｔという最高レベルのものを用いることができるため、バックグラウンドが極めて小さい。そのため、ブドウ糖に18Ｆ等の陽電子放出を行う放射線源を付加した物質を投与する量が少なくて済み、人体に与える影響を可及的に小さく抑制することができる。
【００１２】
また、前記ＮａＩシンチレータ素子を請求項２に記載してあるような手法によって製造した場合、結晶母材の他方の粗面をカッターによって容易に切削することができる。すなわち、前記粗面のカッターによる切削に際しては、当該結晶母材のみならず、この結晶母材と同心的に配置された枠体をも併せて切削するようにしているので、次のような利点がある。すなわち、結晶母材は、光学接着剤によって枠体と互いに固着されるとともに、結晶母材および枠体が支持用台座の一方のに密着するように固着されているので、切削による結晶母材に対するショックがほとんどなくなり、特に、結晶母材の周端部におけるショックを無くすることができるので、切削加工対象である結晶母材が切削中に割れるといったことがなくなり、所望厚み、例えば、０．５ｍｍといったきわめて薄い状態に切削することができる。したがって、所望の厚みを有するＮａＩシンチレータ素子を歩留りよく、確実に製造することができるので、γ線検出カメラ装置の製造コストを低減することができる。
【００１３】
したがって、この発明によれば、所望のγ線を確実に検出することのできるγ線検出カメラ装置を安価に得ることができ、医療分野における診断装置や産業における非破壊検査や原子核、素粒子物理学実験装置などに利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１〜３は、この発明の一実施例を示すもので、この発明のγ線検出カメラ装置の一例としてのＰＥＴ装置を概略的に示している。これらの図において、１は複数のＮａＩシンチレータ素子２（その具体的構成および製造方法については後述する。）を同一円周上に隙間無く隣接配置してなる円環状のシンチレーション検出部である。このシンチレーション検出部１は、水平保持台（図示していない）上に上向きに横臥した人体３を、その中心部を余裕をもって通過させうる程度の内径を有するように形成されている。複数のＮａＩシンチレータ素子２は、図１１および図１２において説明したように、人体３において発生するγ線（陽電子の消滅放射線）１５ａ，１５ｂ（図３参照）を１８０°対応する方向、この実施例では直径方向に位置する一対のＮａＩシンチレータ素子２（例えば、図３において符号２ａ，２ｂで示す）が検出するように構成されている。
【００１５】
４，５は直径方向において２分される複数のＮａＩシンチレータ素子２におけるシンチレーション光に基づく信号（シンチレータ信号）を増幅するための増幅器で、各ＮａＩシンチレータ素子２とは、信号伝送路６，７を介して接続されている。増幅器４，５の出力は、信号ケーブル８，９を介して同時計数回路１０に入力されるようにしてある。１１は同時計数回路１０に入力される信号に基づいて画像解析など種々の演算を行うＣＰＵ，１２はその演算結果である画像を例えばカラー状態で表示する表示装置である。
【００１６】
そして、前記ＮａＩシンチレータ素子２は、特に図３に示すように、その隣接する方向（積層方向）１３で示す方向において互いに隙間無く隣接（積層）した状態で並設されており、人体３中における放射線源としての癌細胞１４に基づいて生ずるγ線１５ａ，１５ｂを検出することができるように、厚みが例えば０．５ｍｍまたはそれ以下というように、従来のシンチレーション検出器にはなかった超薄型のＮａＩシンチレータ素子２に形成されている。
【００１７】
そして、前記ＮａＩシンチレータ素子２は、平面視形状が例えば正方形で、図４に示すように、シンチレータ素子本体としてのＮａＩ結晶部１６の上下両面に反射膜１７ａ，１７ｂを有している。また、２３ａおよび２５，２６はＮａＩシンチレータ素子２を、図６〜図１０に示すように、所定の形状に形成するときに用いられる枠体および光学接着剤で、このうち、枠体２３ａおよび光学接着剤２５は、図４に示した状態に形成した状態においては、ＮａＩ結晶部１６において生じたシンチレータ信号の伝送路として機能する。
【００１８】
上述のように、この発明では、放射線源１４に基づいて生ずるγ線１５ａ，１５ｂを、前記放射線源１４を中心にして対向配置され、複数のＮａＩシンチレータ素子２を隣接配置してなるシンチレーション検出器１によって検出する場合、ＮａＩシンチレータ素子２の隣接方向１３における厚みを、γ線１５ａ，１５ｂを隣接する各ＮａＩシンチレータ素子２によって検出しうる程度に薄くしている。
【００１９】
そして、前記ＮａＩシンチレータ素子２の超薄型化に伴い、信号伝送路６，７を光ファイバによって構成している。従来のＰＥＴ装置においては、ＮａＩシンチレータ素子２は、その厚みが５ｍｍ程度であったので、各ＮａＩシンチレータ素子２にそれぞれ光電子増倍管（フォトマル）を対応させて設けていたが、この発明においては、ＮａＩシンチレータ素子２の厚みが従来の１／１０以下であるので、各ＮａＩシンチレータ素子２に対応するように光ファイバを設け、これによって、ＮａＩシンチレータ素子２においてγ線１５ａ，１５ｂに起因して生ずる光信号を導出するようにしている。
【００２０】
上記構成のＰＥＴ装置においては、複数のＮａＩシンチレータ素子２を同一円周上に配設するとともに、同時計数回路１０によってγ線１５ａ，１５ｂを検出するようにしているので、空間解像力が測定領域内で一定となり、γ線１５ａ，１５ｂの吸収補正の必要がなく、所望の画像解析を定量的に行うことができる。
【００２１】
また、上述の実施例においては、シンチレーション検出部１として、複数のＮａＩシンチレータ素子２を同一円周上に隙間無く固定的に設けていたので、多数のＮａＩシンチレータ素子２が必要であるものの、その検出精度における位置分解能が高く、機械的回転部分がないので、測定時における制御が簡単であるといった利点がある。
【００２２】
これに対して、図５に示すように、所定の直径を有する円環状のガイドレール１８上に、複数のＮａＩシンチレータ素子２よりなる２つのシンチレーション検出部１Ａ，１Ｂを、１８０°対象の位置に設け、これらの２つのシンチレーション検出部１Ａ，１Ｂを、それらの相対位置関係を保持した状態でガイドレール１８に沿って回転させるようにして、γ線の検出を行うようにしてもよい。この構成によれば、用いるＮａＩシンチレータ素子２の数が少なくて済む。なお、図５において、１９は人体３を載置する水平保持台である。
【００２３】
次に、上記ＮａＩシンチレータ素子２を製造する方法（以下、素子製造方法という）の一例について、図６〜図１０を参照しながら説明する。まず、図６は素子製造方法の前段の工程を概略的に示すもので、図６（Ａ）において、２０はインゴット状のＮａＩ単結晶母材で、例えば、ブリッジマンストックバーガー法を用いて結晶成長炉において製造される。そして、このＮａＩ単結晶母材２０は、同図（Ｂ）に示すように、例えば、５０ｍｍ角、厚さ４ｍｍ程度の板状に切り出される。実際は、研磨代を見てやや大きく切り出される。この切り出された板状の結晶母材２１は、全外周面が細かい凹凸を有する粗面となっているが、同図（Ｃ）に示すように、厚み方向の側面（４周面）２１ａおよび上下両面２１ｂ，２１ｃのいずれか一方の面（例えば下面）２１ｂを、例えば、湿度および温度が適宜の値に調整された乾燥ボックス（図示していない）内の窒素ガス雰囲気下において研磨機２２や研磨砂を用いて鏡面研磨され、厚さ４ｍｍ×５０ｍｍ角の大きさに形成される。
【００２４】
そして、図７〜図９は、上述のように、所定の面が鏡面研磨された板状の結晶母材２１を、所定の厚み、例えば０．５ｍｍに切削する工程の一例を示すものである。まず、図７および図８（Ａ）において、１７ａは反射膜、２３は枠体２３である。反射膜１７ａは、例えば、ポリエステルやフッ素樹脂あるいはカーボン樹脂などよりなるフィルムにアルミニウム蒸着を施して光をほとんど１００％反射する高反射特性を備えた素材よりなる。また、枠体２３は、例えば、第１枠２３ａと第２枠２３ｂとからなり、第１枠２３ａは、高さ１．０ｍｍ×６０ｍｍ角であり、第２枠２３ｂは、高さ３．０ｍｍ×６０ｍｍ角であり、両者２３ａ，２３ｂは平面視同サイズの正方形で、高さのみが異なる。第１枠２３ａは、例えばアクリル樹脂のように機械的硬度が大きい素材よりなり、第２枠２３ｂは、例えばナイロン樹脂のように機械的硬度が小さい素材よりなる。したがって、この実施例における第１枠２３ａおよび第２枠２３ｂよりなる枠体２３の高さは４ｍｍである。また、反射膜１７ａは、厚さ６５μｍで、前記枠体２３よりやや大きい正方形に形成されている。
【００２５】
そして、前記反射膜１７ａの上面に結晶母材２１を、その鏡面研磨された下面１７ｂが近くなるようにして載置し、この結晶母材２１を囲むようにして第１枠２３ａを反射膜１７ａの上面に載置し、この第１枠２３ａの上面に第２枠２３ｂを重ねるようにして置く。この場合、結晶母材２１が第１枠２３ａ、第２枠２３ｂからなる枠体２３の中央に位置するように位置調整する。
【００２６】
そして、図８（Ａ）に示すように、適宜の注入具２４を用いて光学接着剤２５，２６を、枠体２３と結晶母材２１との間に注入する。より具体的には、同図（Ｂ）に示すように、第１枠２３ａの下面と反射膜１７ａとの間に光学接着剤２６を介装して両者２３ａ，１７ａを接着し、結晶母材２１の下面２１ｂと反射膜１７ａとの間に光学接着剤２５を介装させて両者２１，１７ａを接合するとともに、結晶母材２１の周面と第１枠２３ａおよび第２枠２３ｂの内周面との間に光学接着剤２５を充填して、第１枠２３ａおよび第２枠２３ｂと結晶母材２１とが接合した加工対象部材２７が形成される。この場合、結晶母材２１の周面と第１枠２３ａおよび第２枠２３ｂの内周面との間に充填される光学接着剤２５の上面が、第１枠２３ａおよび第２枠２３ｂからなる枠体２３の高さと等しいかそれよりも若干高くなるようにするのが好ましい。前記光学接着剤２５，２６は、それぞれ例えばオプチカルセメント、エコボンドなどエポキシ樹脂系素材よりなり、特に、光学接着剤２５は光透過性に優れたものが用いられる。
【００２７】
そして、図８（Ｃ）に示すように、前記加工対象部材２７を、反射膜１７ａ側が適宜の機械的強度を有する素材よりなる支持用台座２８の上部平面部２８ａに密着するように載置し、加工対象部材２７の側面と支持用台座２８の側部とにわたって接着テープ２９を貼り付けて、加工対象部材２７を支持台座２８に固定する。なお、支持用台座２８の下面側の中央には適宜形状の凹部２８ａが形成され、この凹部２８ａの中央にはねじ孔２８ｂが形成されている。
【００２８】
図８（Ｃ）に示すように、支持用台座２８に固定された加工対象部材２７を切削するには、図６および図９（Ａ）に示すように、支持用台座２８を切削用固定部材３０に固定用ボルト３１を用いて固定した後、特に、図９（Ａ）に示すように、適宜のカッター３２を用いて、加工対象部材２７の上面側、より詳しくは、結晶母材２１の非研磨面である上面２１ｃを枠体２３および光学接着剤２５ととも切削するのである。なお、図６および図９（Ａ）において、３０ａは切削用固定部材３０の上面に形成される突部で、前記支持用台座２８側の凹部２８ａに嵌合するように形成され、その中央にはボルト挿通孔３０ｂが貫設されている。
【００２９】
前記切削によって、結晶母材２１が枠体２３および光学接着剤２５とともに上面側から切削され、カッター３２が枠体２３における第１枠２３ａと第２枠２３ｂとの境目に至ると、第２枠２３ｂが堅いため切削速度が鈍るので、この時点で切削を停止する。これによって、図９（Ｂ）に示すように、上面に切削された面２１ｄを有する結晶母材２１が得られる。このとき、切削された結晶母材２１の厚さは、第１枠２３ａの長さに等しく、この実施例では３ｍｍであり、結晶母材２１は１ｍｍ厚となっている。
【００３０】
そして、前記切削後の加工対象部材２７Ａを切削用固定部材３０に固定された状態で、湿度および温度が適宜の値に調整された乾燥ボックス内にセットし、図９（Ｃ）に示すように、窒素ガス雰囲気下において研磨機２２や研磨砂を用いて、切削後の結晶母材２１の上面、第２枠２３ｂおよび光学接着剤２５の上面を鏡面研磨する。
【００３１】
その後、図１０（Ａ）に示すように、前記研磨された加工対象部材２７Ａの上面に光学接着剤２５を滴下し、同図（Ｂ）に示すように、前記上面に反射膜１７ａと同様素材からなる反射膜１７ｂを貼り付け、接着テープ２９を外して支持用台座２８を除去することにより、同図（Ｃ）および図４に示すようなＮａＩシンチレータ素子２が得られる。そして、同図（Ｄ）に示すように、ＮａＩシンチレータ素子２を光学接着剤を介して接合することにより、図１〜図３に示すような円環状のシンチレーション検出部１が形成される。
【００３２】
上述したように、上記素子製造方法においては、所定の厚みを有するように形成され、一方の面２１ｂが鏡面研磨された結晶母材２１を反射膜１７ａに密着させた状態で設けるとともに、この反射膜１７ａ上に前記結晶母材２１を囲むようにして枠体２３を配置して、この枠体２３と結晶母材２１との間に光学接着剤２５を充填して結晶母材２１を反射膜１７ａおよび枠体２３と固着し、当該固着状態で結晶母材２１の他方の面２１ｃを枠体２３とともに切削し、その後、この切削された面２１ｄを鏡面研磨することにより製造されている所定の厚みを有するように形成され、一方の面２１ａが鏡面研磨するようにして、所望のＮａＩ結晶部１６としているので、結晶母材２１の他方の粗面２１ｃをカッター３２によって容易に切削することができる。
【００３３】
そして、結晶母材２１の粗面２１ｂのカッター３２による切削に際しては、当該結晶母材２１のみならず、この結晶母材２１と同心的に配置された枠体２３をも併せて切削するようにしている。つまり、結晶母材２１は、光学接着剤２５によって枠体２３と互いに固着されるとともに、結晶母材２１および枠体２３が支持用台座２８の一方のに密着するように固着されているので、切削による結晶母材２１に対するショックがほとんどなくなり、特に、結晶母材２１の周端部におけるショックを無くすることができるので、切削加工対象である結晶母材２１が切削中に割れるといったことがなくなり、所望厚み、例えば、０．５ｍｍといったきわめて薄い状態に切削することができる。
【００３４】
また、上述した実施例においては、枠体２３を固さの異なる第１枠２３ａと第２枠２３ｂで構成し、より堅い第１枠２３ａの高さを残すべき結晶母材２１の高さと同じになるように設定して、第１枠２３ａの上方に第２枠２３を載置しているので、比較的柔らかい第１枠２３ｂを全部切削した状態においては、結晶母材２１の高さは所望の高さ（厚さ）だけ残して切削されている。したがって、結晶母材２１の切削加工において切削寸法に間違いが生ずることがないといった利点がある。なお、枠体２３を単一の部材で構成し、前記結晶母材２１の切削寸法を厳密に管理するようにしてもよいことは言うまでもない。
【００３５】
なお、上述の実施例では、研磨後の結晶母材２１の厚みが０．５ｍｍであったが、発明者らの実験によれば、前記結晶母材２１厚みは、１．０ｍｍ以下であれば、従来にはない位置分解能および検出感度が得られることが分かっている。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明のγ線検出カメラ装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】前記γ線検出カメラ装置の縦断面図である。
【図３】前記γ線検出カメラ装置の特にＮａＩシンチレータ素子部分を詳細に示した概略構成図である。
【図４】前記γ線検出カメラ装置に用いられるＮａＩシンチレータ素子の一例を概略的に示す断面図である。
【図５】前記γ線検出カメラ装置の他の例を概略的に示す斜視図である。
【図６】前記γ線検出カメラ装置に組み込まれるＮａＩシンチレータ素子の製造方法の前段の工程を概略的に示す図で、特に、インゴット状のＮａＩ単結晶母材から板状の結晶母材を得る工程を示している。
【図７】前記結晶母材を切削するために結晶母材を固定する工程を概略的に示す図である。
【図８】前記固定工程の前半部分を概略的に示す図である。
【図９】結晶母材の切削工程を概略的に示す図である。
【図１０】前記切削後の結晶母材の仕上げ工程を概略的に示す図である。
【図１１】ＰＥＴ装置における測定の原理を説明するための図である。
【図１２】従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３７】
１                シンチレーション検出器
２                ＮａＩシンチレータ素子
１３              隣接方向
１５ａ，１５ｂ    γ線
１７ａ            反射膜
２１              結晶母材
２１ｂ            鏡面研磨された面
２１ｄ            切削された面
２３              枠体
２５              光学接着剤        
【図１】
2005257563.tif 000003
【図２】
2005257563.tif 000004
【図３】
2005257563.tif 000005
【図４】
2005257563.tif 000006
【図５】
2005257563.tif 000007
【図６】
2005257563.tif 000008
【図７】
2005257563.tif 000009
【図８】
2005257563.tif 000010
【図９】
2005257563.tif 000011
【図１０】
2005257563.tif 000012
【図１１】
2005257563.tif 000013
【図１２】
2005257563.tif 000014