(57)【要約】【課題】  電気光学装置用基板をその製造工程の途中で効率よく薄型化することが可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】  複数枚の電気光学装置用基板２を貼り合わせた表示装置を製造する際、研磨装置２００において、複数枚の電気光学装置用基板２をワックス２５０により定盤２１０に固定し、しかる後、ラッピング工程およびポリッシング工程を行って電気光学装置用基板２を薄型化した後、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせる。【選択図】  図６
2005266754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持するための電気光学装置用基板に所定の工程を施した後、当該電気光学装置用基板を定盤上にワックスにより固定する固定工程と、
この状態で、前記電気光学装置用基板の表面を研磨して当該電気光学装置用基板を薄型化する薄型化工程とを行い、
前記薄型化工程を行った後、ワックスを加熱溶融させて前記電気光学装置用基板を前記定盤上から外すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記薄型化工程では、前記電気光学装置用基板を前記定盤上に前記ワックスにより固定したまま、前記電気光学装置用基板を研磨して薄型化するラッピング工程と、当該電気光学装置用基板の表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記固定工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱溶融させ、溶融した前記ワックスに前記電気光学装置用基板を浸漬するとともに、当該電気光学装置用基板に流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却して固化させて、前記定盤上に前記ワックスにより前記電気光学装置用基板を固定することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記定盤上の複数枚の電気光学装置用基板を大型基板と貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行った後、前記ワックスを加熱溶融させて当該貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、
しかる後に、当該貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および自発光素子が形成される自発光型電気光学装置用の基板であり、
前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記自発光素子の画素電極を形成した後、当該一方面側を前記定盤に向けて前記固定工程および前記薄型化工程を行って前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨し、
次に、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、
次に、前記ワックスを加熱して溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、
次に、前記貼り合わせ基板の状態で前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側に前記自発光素子の発光機能層を形成する発光機能層形成工程を行い、
しかる後に、前記貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６において、前記発光機能層形成工程では、前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側の所定領域に対してインクジェット法により液状組成物を選択的に塗布して前記自発光素子の発光機能層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記画素電極を形成した後、前記固定工程を行う際に前記電気光学装置用基板の一方面側に保護フィルムを貼っておき、
前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記発光機能層形成工程を行う前に前記保護フィルムを貼り合わせ基板から除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記保護フィルムを貼る前に前記電気光学装置用基板に対して前記液状組成物の塗布領域を規定する隔壁を形成しておき、
前記保護フィルムは、フィルム基材の一方面側に前記隔壁の高さよりも厚い粘着剤層を備えていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９において、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記保護フィルムを貼る前に前記電気光学装置用基板に対して前記液状組成物の塗布領域を規定する隔壁を形成しておき、
前記保護フィルムには、フィルム基材の一方面側に、前記液状組成物に対する撥液材層と、前記隔壁の高さよりも薄い粘着剤層と形成しておき、
前記保護フィルムを除去した際、前記液状組成物の塗布領域の周囲に前記撥液材層を転写することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に少なくとも画素スイッチング用素子と画素電極が形成された電気光学装置用基板であって、
当該電気光学装置用基板と対向基板の間に液晶材料を保持した液晶パネルを形成した後、前記対向基板側をワックスにより前記定盤へ固定する固定工程、あるいは、前記電気光学装置用基板側を研磨する薄型化工程、あるいは、前記大型基板と前記電気光学装置用基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行うこと、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および液晶素子が形成される電気光学装置用の基板であり、
当該電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記液晶素子の画素電極を形成した後、当該一方面側を前記定盤に向けて前記固定工程および前記薄型化工程を行って前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨し、
次に、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて、当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、
次に、前記ワックスを加熱して溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、
しかる後、当該貼り合わせ基板と対向基板から液晶材料を保持した液晶パネルの作製を行い、前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造すること、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記画素電極を形成した後、前記固定工程を行う際に前記電気光学装置用基板の一方面側に保護フィルムを貼っておき、
前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記対向基板の貼り合わせ工程を行う前に前記保護フィルムを前記貼り合わせ基板から除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２または１３において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項４ないし１５のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板を定盤上にワックスにより固定した状態で前記大型基板の表面を研磨して当該大型基板を薄型化し、しかる後に、当該ワックスを加熱溶融させて前記電気光学装置用基板を当該定盤上から外すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板の一方面側に封止基板または対向基板が貼られているパネルモジュールを定盤上にワックスにより固定した状態で、前記封止基板または対向基板の表面を研磨して当該基板を薄型化し、しかる後に、当該ワックスを加熱溶融させて前記モジュールを当該定盤上から外すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれかに規定する方法で製造された電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１８に規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、例えば、有機ＥＬ表示装置では、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子を備えた基板が用いられる。有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。ここで、発光材料である蛍光物質を選択すれば発光色を変化させることができるので、カラー画像を表示できる。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置に対しては、液晶装置と同様、３０インチを越えるようなものが要求されているが、その場合には基板も大型化する。このため、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を製造するためのラインが大型化する。また、基板を大型化すること自体、洗浄工程や成膜工程での歩留まりが低下する。さらに、基板として安価なガラス基板を用いることを目的にＴＦＴを低温ポリシリコンＴＦＴで構成しようとすると、アモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化するためのレーザアニールが不安定となる。
【０００４】
そこで、従来の技術や設備で十分、製造可能な大きさの基板を複数枚、平面的に配置して大型の有機ＥＬ表示装置あるいは大型の液晶表示装置を構成することが提案されている。このような大型化技術には、電気光学装置用基板上に画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子などを全て形成してから複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べる方法と、電気光学装置用基板上に画素スイッチング用素子を形成してから複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べ、しかる後に、各電気光学装置用基板上に有機ＥＬ素子を形成する方法とが提案されているが、後者の場合には電気光学装置用基板同士の繋ぎ目が目立たないという利点がある（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１０２１７１号公報
【特許文献２】特開２００２−２９７０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の技術のように、複数枚の電気光学装置用基板を大型基板上に貼り合わせたものでは、その分、電気光学装置が厚く、また軽量化を図れないという問題点があり、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置いずれの場合にも共通した課題となる。また、基板を湾曲させた新たな形態の電気光学装置を製造できないという問題点がある。かといって、最初から薄い基板を用いた場合には、製造工程中、基板が割れて歩留まりが低下しやすいという問題点がある。
【０００６】
また、特許文献１、２に記載の技術では、複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べた状態で有機ＥＬ素子を形成する際、従来どおり、半導体プロセスなどを利用する必要があり、有機ＥＬ素子を広い領域にわたって形成するための特別の技術が採用されていない。このため、有機ＥＬ素子を形成する際には、やはり、製造装置の大型化などを避けることができないという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学装置用基板をその製造工程の途中で効率よく薄型化することが可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の課題は、さらに、製造装置を大型化することなく、複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べた状態で自発光素子あるいは液晶素子を効率よく形成可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を保持するために電気光学装置用基板に所定の工程を施した後、当該電気光学装置用基板を定盤上にワックスにより固定する固定工程と、この状態で、前記電気光学装置用基板の表面を研磨して当該電気光学装置用基板を薄型化する薄型化工程とを行い、前記薄型化工程を行った後、ワックスを加熱して溶融させて前記電気光学装置用基板を前記定盤上から外すことを特徴とする。
【００１０】
本発明では、電気光学装置用基板を薄型化するにあたって、電気光学装置用基板に所定の工程を施した後に薄型化するため、それまでは電気光学装置用基板が厚い。このため、電気光学装置用基板としてガラス基板などの硬質基板を用い、かつ、電気光学装置用基板を、例えば、１００μｍ以下、さらには、５０μｍ以下にまで薄型化した場合でも、製造工程中に電気光学装置用基板が割れるおそれがない。しかも、複数枚の電気光学装置用基板も一括して研できるので、効率がよい。また、電気光学装置用基板の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板表面が荒れることもない。しかも、電気光学装置用基板には多数の端子が形成されているが、化学エッチングと違って、研磨の場合、電気光学装置用基板の片面を選択的に研磨できるので、端子が損傷することもない。さらに、液晶装置のように、一対の電気光学装置用基板がシール材によってすでに貼り合わされている場合でも、化学エッチングと違って機械的研磨の際には、シール材が劣化することもない。さらにまた、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置用基板を定盤上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックスを溶融させるだけで電気光学装置用基板を定盤から取り外すことができる。しかも、ワックスによる固定であれば、固定するための応力が製造途中品の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板が割れることもない。さらに、ワックスであれば、約８０℃の温度で溶融するので、たとえ電気光学装置用基板に液晶やＥＬ材料などの電気光学物質を保持させた後、薄型化しても電気光学物質が劣化しない。さらに、研磨により複数枚の電気光学装置用基板の表面が揃うので、定盤上で複数枚の電気光学装置用基板と大型基板とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。
【００１１】
本発明において、前記薄型化工程では、前記電気光学装置用基板を前記定盤上に前記ワックスにより固定したまま、前記電気光学装置用基板を研磨して薄型化するラッピング工程と、当該電気光学装置用基板の表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことが好ましい。
【００１２】
本発明において、前記固定工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱して溶融させ、溶融した前記ワックスに前記複数枚の電気光学装置用基板を浸漬するとともに、当該複数枚の電気光学装置用基板に流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却、固化させて、前記定盤上に対して前記ワックスにより前記複数枚の電気光学装置用基板を固定することが好ましい。流体圧を印加する方法としては、ヘッドから電気光学装置用基板の上面に向けて圧縮空気を噴出する方法がある。また、弾性を備えた隔膜を電気光学装置用基板に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、電気光学装置用基板が配置されている側とは反対側の空間内に流体を供給してもよい。このように構成すると、電気光学装置用基板の各々に均一な力をかけることができるので、電気光学装置用基板を適正な姿勢で定盤上に固定することができ、高い精度での研磨を行うことができる。
【００１３】
本発明において、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行った後、前記ワックスを加熱して溶融させて当該貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、しかる後に、当該貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造することが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることが好ましい。それには、ヘッドから大型基板に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、大型基板が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように構成すると、大型基板および電気光学装置用基板に均一な力が加わるので、いずれの電気光学装置用基板も大型基板に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００１５】
本発明において、前記電気光学装置用基板は、例えば、一対の基板がシール材によって貼り合わされた液晶装置用の基板である。また、本発明は、前記電気光学装置用基板が有機ＥＬ表示装置などといった自発光型電気光学装置用の基板である場合にも適用することができる。
【００１６】
本発明を自発光型電気光学装置に適用する場合、電気光学装置用基板には、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および自発光素子が形成される。従って、本発明を適用する場合、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記自発光素子の画素電極を形成した後、当該一方面側を前記定盤に向けた複数枚の前記電気光学装置用基板に前記固定工程、および前記薄型化工程を行って前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨し、次に、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、次に、前記ワックスを加熱して溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、次に、前記貼り合わせ基板の状態で前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側に前記自発光素子の発光機能層を形成する発光機能層形成工程を行い、しかる後に、前記貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造する。すなわち、画素スイッチング用素子の形成や自発光素子の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、自発光素子の発光機能層を形成する。このため、自発光素子の発光機能層を形成する際、任意の位置への塗布を容易に行うことのできるインクジェット法などを採用することができ、このような方法を採用すれば、自発光素子の発光機能層を、複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べた広い領域に形成する場合でも、装置の大型化や歩留まりの低下などが発生しない。
【００１７】
本発明において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることが好ましい。それには、ヘッドから大型基板に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、大型基板が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように構成すると、大型基板および電気光学装置用基板に均一な力が加わるので、いずれの電気光学装置用基板も大型基板に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００１８】
本発明において、前記発光機能層形成工程では、前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側の所定領域に対してインクジェット法により液状組成物を選択的に塗布して前記自発光素子の発光機能層を形成することが好ましい。本発明を適用すると、電気光学装置用基板の高さ位置などの精度が高いので、インクジェット法で自発光素子の発光機能層を形成する際、インクジェットヘッドから電気光学装置用基板の一方面側との距離がいずれの電気光学装置用基板においても一定である。それ故、インクジェットヘッドから液滴の飛弾距離がいずれの電気光学装置用基板でも一定であるので、飛弾距離のばらつきに起因する発光機能層の形成位置や輝度などのばらつきを防止することができる。
【００１９】
本発明において、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記画素電極を形成した後、前記固定工程を行う際に前記電気光学装置用基板の一方面側に保護フィルムを貼っておき、当該保護フィルムについては、前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記発光機能層形成工程を行う前に除去することが好ましい。このように構成すると、貼り合わせ工程の際、電気光学装置用基板において画素スイッチング素子などが形成されている一方面側を異物や損傷から保護することができるので、信頼性を向上することができる。
【００２０】
この場合、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記保護フィルムを貼る前に前記電気光学装置用基板に対して前記液状組成物の塗布領域を規定する隔壁を形成しておき、前記保護フィルムは、フィルム基材の一方面側に前記隔壁の高さよりも厚い粘着剤層を備えていることが好ましい。このように構成すると、電気光学装置用基板と保護フィルムとの間への気泡の侵入を防止できる。従って、電気光学装置用基板に貼った保護フィルムの表面に凹凸が発生しないので、保護フィルム側を基準に電気光学装置用基板と大型基板とを貼り合わせる場合でも、電気光学装置用基板の一方面側の位置を高い精度で揃えることができる。それ故、インクジェット法により、自発光素子の発光機能層を安定して形成することができる。また、自発光型電気光学装置を形成した状態における電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００２１】
また、本発明では、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記保護フィルムを貼る前に前記電気光学装置用基板に対して前記液状組成物の塗布領域を規定する隔壁を形成しておき、前記保護フィルムには、フィルム基材の一方面側に、前記液状組成物に対する撥液材層と、前記隔壁の高さよりも薄い粘着剤層と形成しておき、前記保護フィルムを除去した際、前記液状組成物の塗布領域の周囲に前記撥液材層を転写する構成を採用してもよい。このように構成した場合には、電気光学装置用基板の一方面側に対して、プラズマ処理などといった格別な撥液処理を行わなくてもよいので、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００２２】
また、本発明をマトリクス型の液晶パネルに適用する際には、前記電気光学装置用基板と対向基板の間に液晶材料を保持した液晶パネルを形成した後に、前記対向基板側をワックスにより前記定盤へ固定する固定工程、あるいは、前記電気光学装置用基板側を研磨する薄型化工程、あるいは、前記大型基板と前記電気光学装置用基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行うことも良い。このようにすると、画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、小さな基板のまま行うことができ、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化が防げる。また、基板の大型化に起因する歩留まりの低下も発生しない。さらには、貼り合わせによる表示の大型化、研磨による基板の軽量化の工程は、前記小型パネルの組立の後に行えるので、画素スイッチング素子などが形成されている面を異物や損傷から保護し表示の信頼性向上が図れる。
【００２３】
本発明をマトリクス型の液晶パネルに適用する際には、当該電気光学装置用基板の一方面側に画素スイッチング用素子、および液晶素子用の画素電極を形成した後、当該一方面側を研磨装置の定盤に向けて固定し、研磨による前記薄型化工程を行ない複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨する。次に、前記定盤上の複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて、当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、さらに、前記ワックスを加熱溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、しかる後、当該貼り合わせ基板と対向基板から液晶材料を保持した液晶パネルの作製を行う。このようにして前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を容易に製造することことができる。すなわち、画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、液晶パネルの組立を行う。このため、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化や、基板の大型化に起因する歩留まりの低下などが発生しない。
【００２４】
また本発明は、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記画素電極を形成した後、前記固定工程を行う際に前記電気光学装置用基板の一方面側に保護フィルムを貼っておき、前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記対向基板の貼り合わせ工程を行う前に前記保護フィルムを前記貼り合わせ基板から除去することが好ましい。このようにすると、研磨と貼り合わせ工程の際、電気光学装置用基板の画素スイッチング素子などが形成されている面を異物や損傷から保護することができるので、信頼性の向上が図れる。
【００２５】
本発明において、前記液晶用基板の大型基板の貼り合わせ工程は、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることが好ましい。それには、ヘッドから大型基板に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、大型基板が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように構成すると、大型基板および電気光学装置用基板に均一な力が加わるので、いずれの電気光学装置用基板も大型基板に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００２６】
本発明において、前記貼り合わせ基板についても定盤上にワックスにより固定した状態で、前記大型基板の表面を研磨して当該大型基板を薄型化し、しかる後に、ワックスを加熱溶融させて前記貼り合わせ基板を当該定盤上から外すことが好ましい。このように構成すると、電気光学装置の薄型化、軽量化をさらに図ることができる。
【００２７】
本発明において、前記電気光学装置用基板の一方面側に封止基板または対向基板が貼られたモジュールを形成した後、当該モジュールを定盤上にワックスにより固定した状態で、前記封止基板または対向基板の表面を研磨して当該基板を薄型化し、しかる後に、ワックスを加熱溶融させて前記モジュールを当該定盤上から外すことが好ましい。このように構成すると、電気光学装置の薄型化、軽量化をさらに図ることができる。
【００２８】
本発明を適用した自発光型電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった携帯用電子機器に用いることができるとともに、３０インチを越えるような大型画面を備えた電子機器に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して、本発明に係る電気光学装置、その製造方法、およびそれを用いた電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００３０】
［実施の形態１］
（有機ＥＬ表示装置の全体構成）
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図および平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。
【００３１】
図１において、本形態の有機ＥＬ表示装置１は、いわゆるタイリング技術を利用した３０インチ以上の大型表示装置であり、電気光学装置用基板２（ＴＦＴアレイ基板）が複数枚（本形態では４枚）、平面的に配列された状態で大型基板３に貼り合わされている。電気光学装置用基板２において、大型基板３とは反対側の面には、ガスバリア用の封止基板４が貼り合わされている。大型基板３は、電気光学装置用基板３の複数枚分よりも大きい。これに対して、封止基板４は、電気光学装置用基板２の複数枚分よりも小さく、電気光学装置用基板２の一方面側２１は、一部が封止基板４の端縁から張り出している。従って、電気光学装置用基板２の一方面側２１の端部に形成されている端子に対して、フレキシブル配線基板（図示せず）などにより外部との電気的な接続を行うことができる。
【００３２】
ここで、電気光学装置用基板２は、後述する薄型化工程により、例えば、１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下にまで薄型化されたガラス基板である。
【００３３】
図２に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置１も、等価回路的には、周知の有機ＥＬ表示装置と同様、電気光学装置用基板２上には複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線に並列に延びる複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に上記画素領域１００が形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。
【００３４】
（画素構成）
図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置における画素領域を拡大して示す断面図である。
【００３５】
図２および図３に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置１の各画素領域１００には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用のＴＦＴ１２３と、このＴＦＴ１２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用（駆動用）のＴＦＴ１２４とが形成されている。このようなＴＦＴ１２３、１２４などを形成するために、電気光学装置用基板２には、ガラス基板からなる基材上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に低温ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１にはソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成され、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１の表面側にはゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成されている。ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２の表面側には、透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されている。第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状に形成されている。画素電極１１１に対しては、コンタクトホール１４５を介してＴＦＴ１２４が接続されている。
【００３６】
画素領域１００には、さらに、ＴＦＴ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれた発光機能層１１０（有機機能層）とを備えた有機ＥＬ素子１０１（自発光素子）が形成されている。
【００３７】
有機機能層１１０は、例えば、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に形成された発光層（有機ＥＬ層）１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂと陰極との間に電子注入／輸送層が形成される場合もある。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素領域１００は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応しており、このような色の対応は、有機機能層１１０を構成する材料の種類によって規定されている。
【００３８】
陰極１２は、カルシウム層１２ａとアルミニウム層１２ｂとから構成され、電気光学装置用基板２の端子形成領域を除く略全面に形成されている。アルミニウム層１２ｂは、発光層１１０ｂから発せられた光を電気光学装置用基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等から構成される場合もある。
【００３９】
本形態の有機ＥＬ表示装置１において、画素領域１００では、画素電極１１１の周縁部を取り囲むように隔壁１１２がバンクとして形成されている。隔壁１１２は、後述するように、有機機能層１１０を形成する際、インクジェット法（液体吐出法）により吐出、塗布される液状組成物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状組成物が均一な厚さで形成される。本形態において、隔壁１１２は、例えば、基板側に位置する無機物バンク層１１２ａと、無機物バンク層１１２ａの上層に形成された有機物バンク層１１２ｂとから構成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなる。有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。
【００４０】
なお、封止基板４は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極１２あるいは有機機能層１１０の酸化を防止するものであり、電気光学装置用基板２の一方面側２１にエポキシ樹脂などといった平坦化機能を備えた封止樹脂４０を介して貼り合わされている。また、大型基板３は電気光学装置用基板２の他方面側２２に透明な接着剤３０を介して貼り合わされている。
【００４１】
このように構成した有機ＥＬ表示装置１において、走査線１３１が駆動されてＴＦＴ１２３がオン状態になると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５の状態に応じて駆動用のＴＦＴ１２４の導通状態が制御される。また、駆動用のＴＦＴ１２４がオン状態になったとき、そのチャネルを介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに、有機ＥＬ素子では、有機機能層１１０を通じて陰極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層１１０が発光する。そして、有機機能層１１０から大型基板３側に発した光は観測者側に出射される一方、有機機能層１１０から大型基板３とは反対側に発した光は、陰極１２によって反射されて大型基板３から観測者側に放出される。
【００４２】
（製造方法）
図４（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に対してＴＦＴや画素電極を形成し終えた段階の説明図である。図５（Ａ）〜（Ｄ）および図６（Ａ）〜（Ｆ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機機能層形成工程の説明図である。
【００４３】
有機ＥＬ表示装置１を製造するにあたって、本形態では、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ１２３、１２４などの回路素子、有機ＥＬ素子１０１の画素電極１１１、および隔壁１１２を電気光学装置用基板２上に形成する。このような工程を行うまで、電気光学装置用基板２は、薄型化する前の厚いガラス基板２’であり、その厚さが例えば０．５ｍｍである。
【００４４】
次に、図４（Ａ）、（Ｂ）および図５（Ａ）に示すように、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着する（保護フィルム貼着工程）。保護フィルム６は、いわゆるＵＶフィルムと称せられるもので、図４（Ｂ）に示すように、フィルム基板６１と粘着材層６３との間にＵＶ剥離層６２を備えている。保護フィルム６は、電気光学装置用基板２の一方面側２１のうち、端子２０が形成されている領域を除くように貼られているが、電気光学装置用基板２の全面を覆ってもよい。また、電気光学装置用基板２については、レーザ光を照射して、保護フィルム６とともに切断し、電気光学装置用基板２の外形を調整してもよい。電気光学装置用基板２のレーザ切断は、電気光学装置用基板２の複数の基板辺のうち、少なくとも、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように配列した状態で他の電気光学装置用基板２と隣接する辺に対して行う。また、電気光学装置用基板２の好ましくは４隅にレーザの照射位置を示すアライメントマークを形成しておく。
【００４５】
次に、図５（Ｂ）に示す研磨装置２００において、電気光学装置用基板２に対する薄型化を行う。それには、まず、電気光学装置用基板２を複数枚、研磨装置２００の定盤２１０上に並べて固定する（固定工程）。この研磨装置２００は、電気光学装置用基板２が配置される部分に凹部２２０が形成されたセラミックス製の定盤２１０を備えており、この凹部２２０内には、ワックス２５０が充填されている。従って、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、ワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させた後、溶融したワックス２５０の表面に、定盤２１０に一方面側２１を向けた電気光学装置用基板２を複数枚、平面的に配列するように配置し、電気光学装置用基板２に流体圧を印加して電気光学装置用基板２を凹部２２０内に押し付ける。それには、ヘッドから電気光学装置用基板２に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を電気光学装置用基板２に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、電気光学装置用基板２が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給すればよい。このように構成すると、電気光学装置用基板２の各々に均一な力をかけることができる。
【００４６】
次に、溶融していたワックス２５０を２５℃の温度にまで自然冷却あるいは強制冷却し、ワックス２５０を固化させる。その結果、図５（Ｃ）に示すように、電気光学装置用基板２は、他方面側２２を上に向けて、定盤２１０の凹部２２０内にワックス２５０を介して固定される。
【００４７】
次に、薄型化工程を行う。それには、研磨用ヘッド２８０を電気光学装置用基板２の上方位置に配置し、そこで研磨用ヘッド２８０を軸線周りに回転させる一方、研磨用ヘッド２８０とは異なる速度で定盤２１０も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド２８０と電気光学装置用基板２との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約１５０ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけながら、電気光学装置用基板２の対向基板２０の表面を約７．２μｍ／分の速度で研磨し、０．５ｍｍから２５μｍの厚さにまで薄型化する（ラッピング工程）。
【００４８】
次に、ポリッシング工程として、図５（Ｄ）に示すように、研磨用ヘッド２８０の下端部に柔らかい研磨布２８１を取り付け、研磨用ヘッド２８０と電気光学装置用基板２との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約５０ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけながら、研磨した電気光学装置用基板２の他方面側２２の表面を平滑化する。それにより、電気光学装置用基板２は、ガラスと同等の光透過率を有することになる。
【００４９】
次に、図６（Ａ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２を洗浄する。次に、図６（Ｂ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２に接着剤３０を塗布した後、図６（Ｃ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２に大型基板３を重ね、接着剤３０を硬化させる。その際も、大型基板３に対して流体圧を印加して、大型基板３を定盤２１０に向けて押し付け、電気光学装置用基板２と大型基板３との密着性を高める。大型基板３に対して流体圧を印加する方法としては、例えば、ヘッドから大型基板３に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板３に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、大型基板３が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。
【００５０】
このようにして、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２を大型基板３に対して接着剤３０を介して貼り合わせて貼り合わせ基板１０とした後、固化していたワックス２５０を、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、約８０℃の温度にまで加熱して溶融させ、図６（Ｄ）に示すように、電気光学装置用基板２（貼り合わせ基板１０）を定盤２１０の凹部２２０内から取り外す。
【００５１】
次に、保護フィルム６に対してＵＶ光を照射し、図６（Ｅ）に示すように、保護フィルム６を剥がす。その際、粘着材層６３も電気光学装置用基板２の一方面側２１から完全に除去される。次に、貼り合わせ基板１０に洗浄を行う。
【００５２】
このようにして、図７（Ａ）に示す貼り合わせ基板１０を製作した後、発光機能層形成工程を行う。それには、図７（Ｂ）に一点鎖線で示すインクジェットヘッド９と電気光学装置用基板２とを相対移動させながら、電気光学装置用基板２において隔壁１１２で囲まれた領域内に向けて正孔注入／輸送層１１０ａを構成するための液状組成物を選択的に吐出、塗布した後、熱処理を行って正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。同様に、インクジェットヘッド９と電気光学装置用基板２とを相対移動させながら、電気光学装置用基板２において隔壁１１２で囲まれた領域内に向けて、所定色に対応する発光層１１０ｂを構成するための液状組成物を吐出、塗布した後、熱処理を行って発光層１１０ｂを形成する。ここで、正孔注入／輸送層１１０ａを形成するための液状組成物は、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン、ポリピロールなどの導電性高分子、ＭＴＤＡＴＡ、フェニルアミン誘導体、銅フタロシアニンなどの溶液もしくは分散液である。また、発光層１１０ｂを形成するための液状組成物は、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などの溶液もしくは分散液である。
【００５３】
次に、蒸着法などにより、図３に示すように、カルシウム層１２ａ、およびアルミニウム層１２ｂを順次形成する。その際、大型の製造装置を用いず、広い面積に対して選択的にカルシウム層１２ａ、およびアルミニウム層１２ｂを形成することを目的に端子形成領域など、外周部分を所定の部材で覆った状態で蒸着などを行う。
【００５４】
次に、図６（Ｆ）に示すように、封止樹脂４０を介して封止基板４を貼り付けてモジュール１’を形成し、このモジュール１’を用いて、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置１を製造する。
【００５５】
なお、大型基板３や封止基板４については、レーザを照射して切断し、所定のサイズに調整することもある。また、図６（Ｅ）、（Ｆ）に示す状態にように、複数枚の電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせて貼り合わせ基板１０とした後、あるいは、電気光学装置用基板２を挟むように大型基板３および封止基板４０を積層してモジュール１’とした後、封止基板４あるいは大型基板３に研磨を施して封止基板４あるいは大型基板３を薄型化してもよい。この場合も、図５（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、研磨装置２００において、貼り合わせ基板１０あるいはモジュール１’をワックス２５０により定盤２１０に固定し、しかる後、前記したラッピング工程およびポリッシング工程を行えばよい。
【００５６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、電気光学装置用基板２を薄型化するにあたって、電気光学装置用基板２に所定の工程を施した後に薄型化するため、それまでは電気光学装置用基板２が厚い。このため、電気光学装置用基板２としてガラス基板などの硬質基板を用い、かつ、電気光学装置用基板２を、例えば、１００μｍ以下、さらには、５０μｍ以下にまで薄型化した場合でも、製造工程中に電気光学装置用基板２が割れるおそれがない。しかも、複数枚の電気光学装置用基板２を一括して研磨するので、効率がよい。
【００５７】
また、電気光学装置用基板２の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板２の表面が荒れることもない。しかも、電気光学装置用基板２には多数の端子２０が形成されているが、化学エッチングと違って、研磨の場合、電気光学装置用基板２の片面を選択的に研磨できるので、端子２０が損傷することもない。
【００５８】
さらに、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置用基板２を定盤２１０上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックス２５０を溶融させるだけで電気光学装置用基板２を定盤２１０から取り外すことができる。しかも、ワックス２５０による固定であれば、固定するための応力が電気光学装置２の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板２が割れることもない。
【００５９】
さらに、研磨により複数枚の電気光学装置用基板２の表面が揃うので、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２と大型基板３とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。
【００６０】
また、本形態では、ＴＦＴ１２３、１２４の形成や画素電極１１１の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板４への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、有機ＥＬ素子１０１の発光機能層１１０を形成する際には、任意の位置への塗布を容易に行うことのできるインクジェット法を採用する。このため、有機ＥＬ素子１０１の発光機能層１１０を、複数枚の電気光学装置用基板２を平面的に並べた広い領域に形成する場合でも、製造装置の大型化や歩留まりの低下などが発生しない。
【００６１】
また、本形態においては、貼り合わせ工程を行う前に、電気光学装置用基板２の基板辺をレーザにより切断するレーザ切断工程を行うため、有機ＥＬ表示装置１を組み立てた状態で電気光学装置用基板２同士を高い位置精度をもって接合できる。従って、インクジェット法により発光機能層１１０を形成する際、電気光学装置用基板２上の所定位置に高い精度をもって発光機能層１１０を形成することができる。
【００６２】
さらに、本形態では、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、薄型化工程や貼り合わせ工程の際、異物の付着や外力によるＴＦＴ１２３、１２４などの損傷を防止できる。しかも、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、電気光学装置用基板２の一方面側２１を定盤２１０に向けて電気光学装置用基板２を配列して大型基板３と貼り合わせても、電気光学装置用基板２の一方面側２１に異物の付着や損傷などが発生しない。
【００６３】
また、電気光学装置用基板２の保護フィルム６が形成されている一方面側２１を基準に大型基板３との貼り合わせを行うので、インクジェット法により発光機能層１１０を形成する際、インクジェットヘッド９から電気光学装置用基板２の一方面側２１との距離がいずれの電気光学装置用基板２においても一定である。それ故、インクジェットヘッド９から液滴の飛弾距離がいずれの電気光学装置用基板２でも一定であるので、飛弾距離のばらつきに起因する発光機能層１１０の形成位置や輝度などのばらつきを防止することができ、品位の高い画像を表示することができる。
【００６４】
また、貼り合わせ工程では、流体圧を大型基板３に加えて大型基板３を定盤２１０に向けて押し付けて、電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせるので、大型基板３および電気光学装置用基板２に均一な力が加わる。従って、いずれの電気光学装置用基板２も大型基板３に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、ＥＬ表示装置１を形成した状態における電気光学装置用基板２の厚さ方向における位置ばらつきなどを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００６５】
［実施の形態１の変形例］
図８に示すように、保護フィルム６として、フィルム基材６１に隔壁１１２の高さよりも厚い粘着剤層６３を備えたＵＶフィルムを用いれば、保護フィルム６を電気光学装置用基板２の一方面側２１に貼った際、電気光学装置用基板２と保護フィルム６との間への気泡の侵入を防止できる。従って、保護フィルム６の表面に気泡に起因する凹凸が発生しないので、電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせた際、電気光学装置用基板２の一方面側２１の位置を高い精度で揃えることができる。それ故、インクジェット法により、発光機能層１１０を安定して形成することができるとともに、有機ＥＬ表示装置１を構成した状態における電気光学装置用基板２の厚さ方向における位置ばらつきを防止できる。それ故、品位の高い画像を表示することができる。
【００６６】
また、図９（Ａ）に示すように、保護フィルム６には、フィルム基材６１に、発光機能層１１０を形成するための液状組成物に対する撥液材層６４を追加し、かつ、粘着剤層６３については隔壁１１２の高さよりも薄くしておけば、保護フィルム６を除去した際、図９（Ｂ）に示すように、インクジェット法における液状組成物の塗布領域の周囲、すなわち、隔壁１１２の上端側に撥液材層６４を転写することができる。従って、電気光学装置用基板２の一方面側２１に対して、フッ素化合物を用いたプラズマ処理などといった格別な撥液処理を行わなくてもよいので、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００６７】
なお、上記形態では有機ＥＬ表示装置１を例にとったが、他の自発光型素子を用いた自発光型電気光学装置の製造に本発明を適用してもよい。
【００６８】
［実施の形態２］
上記実施の形態１は、１枚の電気光学装置用基板に電気光学物質を保持した有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例であったが、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、２枚の電気光学装置用基板の間に電気光学物質を保持した液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００６９】
図１０（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置を対向基板の側から見た斜視図、および断面図である。
【００７０】
図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、液晶装置５００では、矩形枠状に塗布されたシール材５５２により貼り合わされたＴＦＴアレイ基板５１０（電気光学装置用基板）と対向基板５２０（電気光学装置用基板）との間に電気光学物質としての液晶５５０が保持されている。ＴＦＴアレイ基板５１０は、対向基板５２０より大きく、対向基板５２０からの張り出し領域５１２には、多数の端子５１４がＴＦＴアレイ基板５１０の一辺に沿って形成されている。なお、駆動用ＩＣがＴＦＴアレイ基板５１０上にＣＯＧ実装することもあるが、このような場合でも、張り出し領域５１２に端子５１４が形成される。
【００７１】
ＴＦＴアレイ基板５１０には、画素スイッチング用のＴＦＴとともに画素電極５５９がマトリクス状に形成されている。対向基板５２０には、ＴＦＴアレイ基板５１０の画素電極５５９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜５２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極５２１が形成されている。なお、液晶装置５００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板５２０において、ＴＦＴアレイ基板５１０の各画素電極５５９に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその表面保護膜とともに形成する。
【００７２】
このような構成の液晶装置５００においても、例えば、複数枚、平面的に並べて大型基板と貼り合わせれば、３０インチを越えるような大型表示装置（電気光学装置）を形成することができる。その際、液晶装置５００を構成するＴＦＴアレイ基板５１０および対向基板５２０を、例えば２５μｍまで薄型化して、大型表示装置の薄型化、軽量化などを図る際には、図５（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、研磨装置２００において、複数枚の液晶装置２００をワックス２５０により定盤２１０に固定し、しかる後、前記したラッピング工程およびポリッシング工程を行ってＴＦＴアレイ基板５１０および対向基板５２０を薄型化すればよい。また、ＴＦＴアレイ基板５１０および対向基板５２０を薄型化した後の液晶装置５００を大型基板と貼り合わせる際には、図６（Ｂ）、（Ｃ）を参照して説明したように、定盤２１０上で複数枚の液晶装置５００と大型基板とを貼り合わせればよい。また、液晶装置５００と貼り合せた大型基板についても、図５（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、研磨装置２００においてワックス２５０により定盤２１０に固定し、しかる後、前記したラッピング工程およびポリッシング工程を行って大型基板を薄型化すればよい。
【００７３】
（本形態の主な効果）
本形態では、画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、小さな基板のまま行うことができ、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化が防げる。また、基板の大型化に起因する歩留まりの低下も発生しない。
【００７４】
さらには、貼り合わせによる表示の大型化、研磨による基板の軽量化の工程は、前記小型パネルの組立の後に行なうので、画素スイッチング素子などが形成されている面や端子を異物や損傷から保護し、表示の信頼性向上が図れる。また、ワックスによる固定・取り外しの際の加熱溶融温度は約８０度の低温で行えるため、液晶に対する影響も無く信頼性が保持される。
【００７５】
［実施の形態３］
図１１は、本発明を液晶表示装置に適用した実施の形態３に係る液晶パネルの製造課程途中を示した斜視図である。
【００７６】
液晶装置５００は、前記実施の形態２の図１０（Ａ）、（Ｂ）で示したように、矩形枠状に塗布されたシール材５５２により貼り合わされたＴＦＴアレイ基板５１０（電気光学装置用基板）と対向基板５２０（電気光学装置用基板）との間に電気光学物質としての液晶５５０を保持する構造となっている。ＴＦＴアレイ基板５１０には、画素スイッチング用のＴＦＴとともに画素電極５５９がマトリクス状に形成されている。対向基板５２０には、ＴＦＴアレイ基板５１０の画素電極５５９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプと称せられる遮光膜５２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極５２１が形成されている。
【００７７】
このような構成の液晶装置５００において、中小型の基板を複数枚、平面的に並べて大型基板と貼り合わせれば、３０インチを越えるような大型表示装置（電気光学装置）を形成することができる。またその際、液晶装置５００を構成するＴＦＴアレイ基板５１０および対向基板５２０を薄型化して、大型表示装置の薄型化、軽量化を図ることができる。なお、本実施の形態３は前述した実施の形態１の有機ＥＬ表示装置の製造方法と工程を全く同じとする所があるため、説明を簡略化する。
【００７８】
図５において、画素スイッチング用ＴＦＴおよび画素電極の形成が終了した液晶表示装置用のＴＦＴアレイ基板５１０、すなわち図５（Ａ）では電気光学装置用基板２の一方面側２１に先ず保護フィルム６を貼着する（保護フィルム貼着工程）。保護フィルム６は、電気光学装置用基板２の一方面側２１のうち、端子２０が形成されている領域を除くように貼られているが、電気光学装置用基板２の全面を覆ってもよい。また、電気光学装置用基板２については、レーザ光を照射して保護フィルム６とともに切断し、電気光学装置用基板２の外形を調整することがよい。
【００７９】
次に、図５（Ｂ）に示す研磨装置２００において、電気光学装置用基板２に対する薄型化を行う。それには有機ＥＬ表示装置の場合と同様に、電気光学装置用基板２を複数枚、研磨装置２００の定盤２１０上に並べて固定する（固定工程）。この研磨装置２００は、電気光学装置用基板２が配置される部分にワックス２５０が充填されている。従って、ワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させた後、溶融したワックス２５０の表面に、電気光学装置用基板２を複数枚、平面的に配列するように配置し、電気光学装置用基板２に流体圧を印加して電気光学装置用基板２を凹部２２０内に押し付ける。それには、ヘッドから電気光学装置用基板２に向けて圧縮空気を噴出する。このようにすると、電気光学装置用基板２の各々に均一な力をかけることができる。次に、溶融していたワックス２５０を２５℃の温度にまで冷却し、ワックス２５０を固化させる。
【００８０】
次に、固定された基板の薄型化を行う。それには、研磨用ヘッド２８０を電気光学装置用基板２の上に配置し、そこで研磨用ヘッド２８０を軸線周りに回転させる一方、定盤２１０も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド２８０と電気光学装置用基板２との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、電気光学装置用基板２の表面２２を約７．２μｍ／分の速度で研磨し薄型化する（ラッピング工程）。
【００８１】
次に、ポリッシング工程は、図５（Ｄ）に示すように、研磨用ヘッド２８０の下端部に柔らかい研磨布２８１を取り付け、研磨用ヘッド２８０と電気光学装置用基板２との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、研磨した電気光学装置用基板２の他方面側２２の表面を平滑化する。
【００８２】
次に、図６（Ａ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２を洗浄する。次に、図６（Ｂ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２に接着剤３０を塗布した後、図６（Ｃ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２に大型基板３を重ね、接着剤３０を硬化させる。その際も、大型基板３に対して流体圧を印加して、大型基板３を定盤２１０に向けて押し付け、電気光学装置用基板２と大型基板３との密着性を高める。大型基板３に対して流体圧を印加する方法としては、例えば、ヘッドから大型基板３に向けて圧縮空気を噴出する。
【００８３】
このようにして、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２を大型の貼り合わせ基板１０とした後、固化していたワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱溶融させ、図６（Ｄ）に示すように、貼り合わせ基板１０を定盤から取り外す。次に、保護フィルム６にＵＶ光を照射し保護フィルム６を剥がし、貼り合わせ基板１０の洗浄を行う。（図６（Ｅ））なお、大型基板３の薄型化をさらに行うには、貼り合わせ工程後、研磨薄型化を行ない、しかる後貼り合わせ基板１０を定盤から取り外す。
【００８４】
次に、液晶パネルを形成するための大型の対向基板５６０との貼り合わせを行う。図１１に示すように、個別のＴＦＴアレイ基板の外周、あるいは対向基板５６０の外周に対応する部分（図示せず）に、シール材５５２を塗布した後、対向基板５６０で蓋をするように貼り合わせ、液晶を注入する空間を作る。なお、この空間には散布された球状のギャップ材、あるいは予め設置された貝柱状の樹脂があり、この貼り合わせの際、対向基板５６０に一定の圧力をかけることによって間隔が一定になる。また、上記シール材５５２の一部には切り欠きを設けておき、ここから液晶を真空注入法により充填する。充填後はエポキシ系接着剤等により穴の封止をする。また、最近は液晶滴下法による液晶の充填も行われ、この際にはシールの切り欠きは不要であり、穴封止もない。
【００８５】
このようにして作製された液晶パネルをさらに軽量化するため、張り合わせた対向基板５６０の薄型化を行ってもよい。その際には、前述した研磨装置２００を用い、図５の手順に従い行う。薄型化工程は、上記の繰り返しになるため説明を割愛する。
【００８６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、電気光学装置用基板２を薄型化するにあたって、電気光学装置用基板２に所定の工程を施した後に薄型化するため、製造工程中に電気光学装置用基板２が割れるおそれがない。しかも、複数枚の電気光学装置用基板２を一括して研磨するので、効率がよい。さらに、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置用基板２を定盤２１０上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックス２５０を溶融させるだけで電気光学装置用基板２を定盤２１０から取り外すことができる。しかも、固定するための応力が電気光学装置２の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板２が割れることもない。
【００８７】
さらに、本形態では画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、小型基板のまま研磨薄型化を行い、大型基板への貼り合わせの後、複数枚の小型基板から構成される大型液晶パネルの組立を行う。このため、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化や、基板の大型化に起因する歩留まりの低下などが発生しない。
【００８８】
さらに、研磨により複数枚の電気光学装置用基板２の表面が揃うので、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２と大型基板３とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。
【００８９】
さらに、本形態では、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、薄型化工程や貼り合わせ工程の際、異物の付着や外力によるＴＦＴ１２３、１２４などの損傷を防止できる。
【００９０】
また、貼り合わせ工程では、流体圧を大型基板３に加えて大型基板３を定盤２１０に向けて押し付けて、電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせるので、大型基板３および電気光学装置用基板２に均一な力が加わる。従って、いずれの電気光学装置用基板２も大型基板３に対して同一条件で貼り合わせることができる。
【００９１】
［電子機器への適用］
本発明を適用した電気光学装置は、３０インチを越えるような大画面を備えた電子機器に搭載されるのが最も好適であるが、この他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、大、中、小いずれの表示装置を有する電子機器にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る自発光型電気光学装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および平面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬ表示装置における画素領域を拡大して示す断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に対してＴＦＴや画素電極を形成し終えた段階の説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｆ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機機能層形成工程の説明図である。
【図８】本発明に係る別の有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に保護フィルムを貼った状態の説明図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係るさらに別の有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に保護フィルムを貼った状態の説明図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の斜視図、および断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る液晶パネルの製造工程途中の斜視図である。
【符号の説明】
【００９３】
１  有機ＥＬ表示装置（自発光型電気光学装置）、２  電気光学装置用基板（ＴＦＴアレイ基板）、３  大型基板、４  封止基板、６  保護フィルム、９  インクジェットヘッド、１０１  有機ＥＬ素子、１１０  発光機能層、１１１  画素電極、１２３、１２４  ＴＦＴ、２００  研磨装置、２１０  定盤、２２０  定盤の凹部、２５０  ワックス、２８０  研磨用ヘッド、５００  液晶装置（電気光学装置）、５１０  ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板）、５２０  対向基板（電気光学装置用基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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