(57)【要約】  【課題】  入射角依存性の低い偏光分離特性を保持しつつ、ｓ偏光を高い波面精度で反射させることができる偏光ビームスプリッター膜と製造方法を提供する。  【解決手段】  透明な基板上に成膜される偏光ビームスプリッター膜であって、所望の入射角度θ範囲，波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトφが入射角度θの変動に対してリニアーに変化する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板上に成膜される偏光ビームスプリッター膜であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化することを特徴とする偏光ビームスプリッター膜。
【請求項２】
前記入射角度範囲及び波長範囲において、前記基板が位置する光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度が、前記基板での電界強度の４倍を超えないように変化することを特徴とする請求項１記載の偏光ビームスプリッター膜。
【請求項３】
前記入射角度範囲が所定値の±５°であり、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレが、前記入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内にあることを特徴とする請求項１又は２記載の偏光ビームスプリッター膜。
【請求項４】
透明な基板上に成膜される偏光ビームスプリッター膜の製造方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアーに制御することを特徴とする偏光ビームスプリッター膜の製造方法。
【請求項５】
前記入射角度範囲及び波長範囲において、前記基板が位置する光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度を、前記基板での電界強度の４倍以下に制御することを特徴とする請求項４記載の偏光ビームスプリッター膜の製造方法。
【請求項６】
前記入射角度範囲を所定値の±５°とし、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレを、前記入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内に抑制することを特徴とする請求項４又は５記載の偏光ビームスプリッター膜の製造方法。
【請求項７】
多層膜構成の偏光ビームスプリッター膜で反射するｓ偏光の位相シフトを調整する方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布に所定値を超えた増加がある場合、それに対応する層の膜厚調整により電界強度を所定値以下に抑えることを特徴とする偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法。
【請求項８】
多層膜構成の偏光ビームスプリッター膜で反射するｓ偏光の位相シフトを調整する方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布を、そのピークがほぼ単調に減少するように制御することを特徴とする偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法。
【請求項９】
多層膜構成の偏光ビームスプリッター膜で反射するｓ偏光の位相シフトを調整する方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布に所定値を超えた増加がある場合、それに対応する層の膜厚調整により電界強度を所定値以下に抑えて、電界強度分布のピークがほぼ単調に減少するように制御することを特徴とする偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法。
【請求項１０】
前記偏光ビームスプリッター膜の光入射側には基板が位置し、その基板での電界強度の４倍が前記所定値であることを特徴とする請求項７又は９記載の偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は偏光ビームスプリッター膜とその製造方法に関するものであり、例えば、青色レーザー用の光ピックアップ光学系に適した光学特性を有する偏光ビームスプリッター膜，その製造方法及び位相シフト調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップ光学系の多くには、偏光分離機能を持つ偏光ビームスプリッター膜が用いられている。しかし、従来より知られている偏光ビームスプリッター膜は、入射角依存性が高いため、青色レーザー光のように広がり角の大きい入射光に対しては、十分な偏光分離を達成することが困難である。したがって、入射角依存性の低い偏光分離特性を有する偏光ビームスプリッター膜が望まれている。この要望に応えるため、入射光の発散角が±５°以上の広い角度領域に対しても所定の偏光分離特性を有する偏光ビームスプリッター膜が、特許文献１，２で提案されている。
【特許文献１】特開平８−１４６２１８号公報
【特許文献２】特開平９−１８４９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１，２記載の偏光ビームスプリッター膜では、ｓ偏光の入射角依存性を透過率で２０％程度にしか抑えることができず、その偏光分離特性は不充分である。したがって、青色レーザーを用いた光ピックアップ光学系等に用いると、光量低下等の問題が生じてしまう。
【０００４】
また、従来より知られている偏光ビームスプリッター膜では、反射時にｓ偏光の位相がシフトしてしまい、その入射角度によってはｓ偏光の位相シフトに不規則な変化が発生する。その結果、ｓ偏光の波面精度が低下することになる。青色レーザーには発振の安定性が低い等の問題があり、その一方で青色レーザーを搭載する光ピックアップ光学系には高い精度が要求される。このため、ｓ偏光の位相シフトが入射角度変動によって不規則に変化すると、信号受光部が波面精度低下の影響を受けて様々な問題を引き起こしてしまう。特許文献２には、ｓ偏光とｐ偏光の透過又は反射による位相差の入射角依存性を小さくするために、膜厚の厚い位相調整膜を用いた偏光ビームスプリッター膜が提案されているが、ｓ偏光の位相シフトが入射角度変動によって不規則に変化するのを防止することはできない。
【０００５】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであって、入射角依存性の低い良好な偏光分離特性を保持しつつ、ｓ偏光を高い波面精度で反射させることができる偏光ビームスプリッター膜と、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、第１の発明の偏光ビームスプリッター膜は、透明な基板上に成膜される偏光ビームスプリッター膜であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化することを特徴とする。
【０００７】
第２の発明の偏光ビームスプリッター膜は、上記第１の発明において、前記入射角度範囲及び波長範囲において、前記基板が位置する光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度が、前記基板での電界強度の４倍を超えないように変化することを特徴とする。
【０００８】
第３の発明の偏光ビームスプリッター膜は、上記第１又は第２の発明において、前記入射角度範囲が所定値の±５°であり、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレが、前記入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内にあることを特徴とする。
【０００９】
第４の発明の偏光ビームスプリッター膜の製造方法は、透明な基板上に成膜される偏光ビームスプリッター膜の製造方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアーに制御することを特徴とする。
【００１０】
第５の発明の偏光ビームスプリッター膜の製造方法は、上記第４の発明において、前記入射角度範囲及び波長範囲において、前記基板が位置する光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度を、前記基板での電界強度の４倍以下に制御することを特徴とする。
【００１１】
第６の発明の偏光ビームスプリッター膜の製造方法は、上記第４又は第５の発明において、前記入射角度範囲を所定値の±５°とし、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレを、前記入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内に抑制することを特徴とする。
【００１２】
第７の発明の偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法は、多層膜構成の偏光ビームスプリッター膜で反射するｓ偏光の位相シフトを調整する方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布に所定値を超えた増加がある場合、それに対応する層の膜厚調整により電界強度を所定値以下に抑えることを特徴とする。
【００１３】
第８の発明の偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法は、多層膜構成の偏光ビームスプリッター膜で反射するｓ偏光の位相シフトを調整する方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布を、そのピークがほぼ単調に減少するように制御することを特徴とする。
【００１４】
第９の発明の偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法は、多層膜構成の偏光ビームスプリッター膜で反射するｓ偏光の位相シフトを調整する方法であって、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布に所定値を超えた増加がある場合、それに対応する層の膜厚調整により電界強度を所定値以下に抑えて、電界強度分布のピークがほぼ単調に減少するように制御することを特徴とする。
【００１５】
第１０の発明の偏光ビームスプリッター膜の位相シフト調整方法は、上記第７又は第９の発明において、前記偏光ビームスプリッター膜の光入射側には基板が位置し、その基板での電界強度の４倍が前記所定値であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の偏光ビームスプリッター膜によれば、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化するため、入射角依存性の低い良好な偏光分離特性を保持しつつ、ｓ偏光を高い波面精度で反射させることができる。そして、本発明に係る偏光ビームスプリッター膜又はそれを備えた透明な光学部品を、入射光の発散角は大きいが十分なｐｓ偏光分離特性を必要とする光学系(例えば、青色レーザーを用いた光ピックアップ光学系等)に用いれば、偏光ビームスプリッター膜で反射した光の波面精度を飛躍的に向上させることができるため、優れた光学性能等を得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した偏光ビームスプリッター膜とその製造方法を、図面を参照しつつ説明する。表１に、本発明に係る偏光ビームスプリッター膜として、実施例１の多層膜構成(QWOT=4・n・d/λ0,d：物理膜厚，n：屈折率，λ0：設計波長)を示す。実施例１では、高屈折率材料：TiO2(酸化チタン)から成る膜と、低屈折率材料：SiO2(酸化ケイ素)から成る膜と、が光入射側のガラス基板Ｍ(屈折率：1.64)上に交互に３３層(=N：層数)、層ナンバー：iの順に積層され、さらに光出射側のガラス基板Ｅ(屈折率：1.64)に対し接着剤層Ｓ(屈折率：1.51)で貼り付けられた構成になっている。
【００１８】
図１に、実施例１の偏光分離特性を透過率Ｔ(％)で示す。図１は、波長λ＝４０５ｎｍ，膜面に対する入射角度θ＝４０〜５０°(つまり基準入射角度θ0＝４５°に対する±５°の入射角度範囲)での、ｐ偏光の透過率Tp(θ)とｓ偏光の透過率Ts(θ)を示している。図１から分かるように、実施例１は入射角依存性の低い偏光分離特性を有している。したがって、青色レーザー用偏光ビームスプリッターとして好適である。
【００１９】
図２に、実施例１の入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。図２から分かるように、ｓ偏光の反射時の位相シフトφは、入射角度変動に対してリニアー(すなわち線形)に変化している。
【００２０】
図３〜図１３に、実施例１の入射角度θ＝４０〜５０°でのｓ偏光(λ=405nm)の電界強度分布をそれぞれ示す。図３〜図１３のグラフにおいて、横軸はガラス基板Ｍ(光入射側)から接着剤層Ｓまでの多層膜構成を示しており、縦線の間隔が各層の物理膜厚dの範囲に相当する。ただし、各層に付されているナンバーは、層ナンバー：iとの関係が式：j＝(N+1)-iで表される反転ナンバー：jである(N：層数)。また図３〜図１３のグラフにおいて、縦軸は各層の規格化電界強度(ＮＥＦＩ)を示している。図３〜図１３から分かるように、入射角度範囲θ＝４０〜５０°の全体にわたって、いずれの層においても電界強度の急激な増加は見られない。具体的には、ｓ偏光の電界強度がガラス基板Ｍでの電界強度の３倍を超えないように変化しており、また、電界強度分布のピークがほぼ単調に減少している。
【００２１】
図１４に、実施例１の入射角度θ＝５０〜６０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。図１４から分かるように、入射角度θ＝５２°，５６．２°の付近で、位相シフトの曲がりに変化が生じている。つまり、入射角度変動に対する位相シフトの変化に変曲点部分(図１４中の○の部分)が存在している。ここで図１５，図１６に、実施例１の入射角度θ＝５２°，５６．２°でのｓ偏光(λ=405nm)の電界強度分布をそれぞれ示す。ｓ偏光の反射時の位相シフトφを示す曲線(すなわち位相シフト曲線)において変曲点が生じる入射角度θ＝５２°，５６．２°では、一部の層において電界強度が急激に増加している(つまりガラス基板Ｍでの電界強度の３〜４倍を超えている)ことが分かる。
【００２２】
実施例１と同様、波長λ＝４０５ｎｍ，入射角度θ＝４０〜５０°の範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化する偏光ビームスプリッター膜として、表２に、実施例２の多層膜構成(QWOT=4・n・d/λ0,d：物理膜厚，n：屈折率，λ0：設計波長)を示す。実施例２では、高屈折率材料：TiO2(酸化チタン)から成る膜と、低屈折率材料：SiO2(酸化ケイ素)から成る膜と、が光入射側のガラス基板Ｍ(屈折率：1.64)上に交互に３５層(=N：層数)、層ナンバー：iの順に積層され、さらに光出射側のガラス基板Ｅ(屈折率：1.64)に対し接着剤層Ｓ(屈折率：1.52)で貼り付けられた構成になっている。
【００２３】
図１７に、実施例２の偏光分離特性を透過率Ｔ(％)で示す。図１７は、波長λ＝４０５ｎｍ，膜面に対する入射角度θ＝４０〜５０°(つまり基準入射角度θ0＝４５°に対する±５°の入射角度範囲)での、ｐ偏光の透過率Tp(θ)とｓ偏光の透過率Ts(θ)を示している。図１７から分かるように、実施例２は入射角依存性の低い偏光分離特性を有している。したがって、青色レーザー用偏光ビームスプリッターとして好適である。
【００２４】
図１８に、実施例２の入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。図１８から分かるように、ｓ偏光の反射時の位相シフトφは、入射角度変動に対してリニアーに変化している。
【００２５】
図１９〜図２９に、実施例２の入射角度θ＝４０〜５０°でのｓ偏光(λ=405nm)の電界強度分布をそれぞれ示す。図１９〜図２９のグラフにおいて、横軸はガラス基板Ｍ(光入射側)から接着剤層Ｓまでの多層膜構成を示しており、縦線の間隔が各層の物理膜厚dの範囲に相当する。ただし、各層に付されているナンバーは、層ナンバー：iとの関係が式：j＝(N+1)-iで表される反転ナンバー：jである(N：層数)。また図１９〜図２９のグラフにおいて、縦軸は各層の規格化電界強度(ＮＥＦＩ)を示している。図１９〜図２９から分かるように、入射角度範囲θ＝４０〜５０°の全体にわたって、いずれの層においても電界強度の急激な増加は見られない。具体的には、ｓ偏光の電界強度がガラス基板Ｍでの電界強度を超えないように変化しており、また、電界強度分布のピークがほぼ単調に減少している。
【００２６】
上記実施例１，２では、波長λ＝４０５ｎｍ，入射角度θ＝４０〜５０°の範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化している。このように位相シフトの変化に規則性があると、入射角度θと位相シフトφとの関係から容易に位相シフトを予測し調整することが可能である。したがって実施例１，２のように、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアーに制御すれば、入射角依存性の低い偏光分離特性を保持しつつ、ｓ偏光を高い波面精度で反射させることが可能である。そして、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化する偏光ビームスプリッター膜又はそれを備えた透明な光学部品を、入射光の発散角は大きいが十分なｐｓ偏光分離特性を必要とする光学系(例えば、青色レーザーを用いた光ピックアップ光学系等)に用いれば、偏光ビームスプリッター膜で反射した光の波面精度を飛躍的に向上させることができるため、優れた光学性能等を得ることが可能である。
【００２７】
位相シフトが不規則に変化する入射角度(つまり位相シフトに変曲点が生じる入射角度)では、一部の層において電界強度が急激に増加する。したがって実施例１，２のように、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアーに制御するには、前記入射角度範囲及び波長範囲において、基板が位置する光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度を、基板での電界強度の４倍以下(好ましくは３倍以下、更に好ましくは等倍以下)に制御することが好ましく、また、電界強度分布のピークがほぼ単調に減少するように制御することが好ましい。
【００２８】
所望の入射角度範囲及び波長範囲において、基板が位置する光入射側から光出射側にかけてのｓ偏光の電界強度分布に所定値(例えば、基板での電界強度の４倍)を超えた増加がある場合、それに対応する層の膜厚調整により電界強度を所定値以下(例えば、基板での電界強度の４倍以下、好ましくは３倍以下、更に好ましくは等倍以下)に抑えることが好ましい。電界強度が急激に増加する層の膜厚調整を行うことにより、位相シフトをリニアー化して、位相シフト変化に規則性を与えることが可能である。この点に関しては、後で詳しく説明する。
【００２９】
また、入射角度範囲が所定値(実施例１，２では４５°)の±５°であり、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレが、入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内にあることが好ましい。実施例１，２のように、入射角度範囲を所定値の±５°とし、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレを、入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内に抑制すれば、青色レーザーを用いた光ピックアップ光学系に対して更に好適な波面精度の向上が可能となる。
【００３０】
なお、上記実施例１，２では、偏光ビームスプリッター膜が成膜される透明な基板としてガラス基板が用いられているが、必要に応じて他の材料から成る基板(透明なプラスチック基板，セラミック基板等)を用いてもよい。また、基板間に偏光ビームスプリッター膜を設ける代わりに、透明な基板上に成膜された偏光ビームスプリッター膜を保護膜で覆ってもよい。
【００３１】
次に、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアーに制御する方法を、比較例等を挙げて説明する。まず表３に、比較例１の多層膜構成(QWOT=4・n・d/λ0,d：物理膜厚，n：屈折率，λ0：設計波長)を示す。比較例１の偏光ビームスプリッター膜は、高屈折率材料：TiO2(酸化チタン)を含む混合物TXから成る膜と、低屈折率材料：MgF2(フッ化マグネシウム)又はSiO2(酸化ケイ素)から成る膜と、が光入射側のガラス基板Ｍ(屈折率：1.64)上に３５層(=N：層数)、層ナンバー：iの順に積層され、さらに光出射側のガラス基板Ｅ(屈折率：1.64)に対し接着剤層Ｓ(屈折率：1.52)で貼り付けられた構成になっている。
【００３２】
図３０に、比較例１の偏光分離特性を透過率Ｔ(％)で示す。図３０は、波長λ＝４０５ｎｍ，膜面に対する入射角度θ＝４０〜５０°(つまり基準入射角度θ0＝４５°に対する±５°の入射角度範囲)での、ｐ偏光の透過率Tp(θ)とｓ偏光の透過率Ts(θ)を示している。また図３１に、比較例１の入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。図３１から分かるように、入射角度θ＝４０〜４４°付近において、ｓ偏光の反射時の位相シフトφを示す曲線が変曲点を有している。このため比較例１では、入射角度θ＝４５±５°の発散光が入射すると、ｓ偏光の位相シフトに生じる不規則な変化がｓ偏光の波面精度を低下させてしまう。なお、偏光ビームスプリッター膜で反射したｓ偏光について、参照板を用いた干渉による波面評価を行えば、参照板を透過したｓ偏光の透過波面の像に屈曲が生じるため、透過波面精度の劣化を確認することができる。
【００３３】
図３２〜図４２に、比較例１の入射角度θ＝４０〜５０°でのｓ偏光(λ=405nm)の電界強度分布をそれぞれ示す。図３２〜図４２のグラフにおいて、横軸はガラス基板Ｍ(光入射側)から接着剤層Ｓまでの多層膜構成を示しており、縦線の間隔が各層の物理膜厚dの範囲に相当する。ただし、各層に付されているナンバーは、層ナンバー：iとの関係が式：j＝(N+1)-iで表される反転ナンバー：jである(N：層数)。また図３２〜図４２のグラフにおいて、縦軸は各層の規格化電界強度(ＮＥＦＩ)を示している。
【００３４】
比較例１では、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度に対してリニアーに制御されていないため(図３１)、ｓ偏光の反射時の位相シフトφを示す曲線において変曲点が生じる入射角度では、途中の数層の電界強度が急激に増大してしまう(図３３〜図３６)。前記実施例１，２においても、もともとの設計段階では位相シフトのグラフに緩やかな曲線が含まれているが、一部の層において電界強度が急激に増大するときの入射角度領域に注目し、その電界強度分布が増大しないように制御することで、位相シフトのリニアー化を達成している。それに対して、比較例１のように所望の入射角度領域内(θ＝４０〜５０°)に変曲点を含んでいる場合には、コンピューターによる自動計算や電界強度分布の単調減少に着目した方法のいずれを駆使しても、ｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアーに制御することは非常に難しい。
【００３５】
比較例１の偏光分離特性を劣化させないように、コンピューターによる自動計算でｓ偏光の反射時の位相シフトを入射角度に対してリニアー化したときの偏光ビームスプリッター膜として、表４に、比較例２の多層膜構成(QWOT=4・n・d/λ0,d：物理膜厚，n：屈折率，λ0：設計波長)を示す。比較例２の偏光ビームスプリッター膜は、高屈折率材料：TiO2(酸化チタン)を含む混合物TXから成る膜と、低屈折率材料：MgF2(フッ化マグネシウム)又はSiO2(酸化ケイ素)から成る膜と、が光入射側のガラス基板Ｍ(屈折率：1.64)上に３２層(=N：層数)、層ナンバー：iの順に積層され、さらに光出射側のガラス基板Ｅ(屈折率：1.64)に対し接着剤層Ｓ(屈折率：1.52)で貼り付けられた構成になっている。なお、自動計算の結果、層数Nは３５層から３２層に減少している。
【００３６】
図４３に、比較例２の偏光分離特性を透過率Ｔ(％)で示す。図４３は、波長λ＝４０５ｎｍ，膜面に対する入射角度θ＝４０〜５０°(つまり基準入射角度θ0＝４５°に対する±５°の入射角度範囲)での、ｐ偏光の透過率Tp(θ)とｓ偏光の透過率Ts(θ)を示している。また図４４に、比較例２の入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。図４４から分かるように、広い入射角度領域においてリニアー化が達成されているものの、入射角度θ＝４３°付近の変曲点は取り去ることができず、むしろ歪な形になって残存している。このようにリニアー化の自動設計を駆使しても取り去ることのできない点を、以下「特異点」ということにする。
【００３７】
図４５〜図５５に、比較例２の入射角度θ＝４０〜５０°でのｓ偏光(λ=405nm)の電界強度分布をそれぞれ示す。図４５〜図５５のグラフにおいて、横軸はガラス基板Ｍ(光入射側)から接着剤層Ｓまでの多層膜構成を示しており、縦線の間隔が各層の物理膜厚dの範囲に相当する。ただし、各層に付されているナンバーは、層ナンバー：iとの関係が式：j＝(N+1)-iで表される反転ナンバー：jである(N：層数)。また図４５〜図５５のグラフにおいて、縦軸は各層の規格化電界強度(ＮＥＦＩ)を示している。図４８から分かるように、特異点付近の入射角度θ＝４３°では途中の数層の電界強度が急激に増大してしまっている。
【００３８】
ここで、比較例２の各層の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの位相シフトの変化を検討する。まず図５６に、第１層(i=1,j=32)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。さらに、図５６の４本の位相シフト曲線を図５７〜図６０に分けて示す。膜厚変化により位相シフトの値は上下に変動するが、いずれも特異点は４３°付近にある。
【００３９】
図６１に、第２層(i=2,j=31)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により位相シフトの値は少しずつ上下に変動するが、いずれも特異点は４３°付近にある。
【００４０】
図６２に、第３層(i=3,j=30)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により位相シフトの上下変動は減ってきて、特異点を中心に回転するような変化が生じている。ただし、いずれも特異点は４３°付近にある。
【００４１】
図６３に、第５層(i=5,j=28)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化による位相シフト値の上下変動，回転変化共にほぼ無くなり、横移動の変化が主体となっている。他の入射角度領域に特異点が発生しているが、４３°付近にも依然として特異点が存在している。
【００４２】
図６４に、第７層(i=7,j=26)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。他の入射角度領域に特異点が発生しているが、４３°付近にも依然として特異点が存在している。
【００４３】
図６５に、第９層(i=9,j=24)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により特異点が４３°付近から少しずつ横移動し始めている。
【００４４】
図６６に、第１０層(i=10,j=23)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。さらに、図６６の４本の位相シフト曲線を図６７〜図７０に分けて示す。膜厚変化により特異点が４３°付近からかなり移動している。
【００４５】
図７１に、第１１層(i=11,j=22)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。さらに、図７１の４本の位相シフト曲線を図７２〜図７５に分けて示す。膜厚変化により特異点が４３°付近から非常に大きく移動している。
【００４６】
図７６に、第１２層(i=12,j=21)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により特異点が４３°付近からかなり移動している。
【００４７】
図７７に、第１３層(i=13,j=20)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により特異点が４３°付近からそこそこ移動している。
【００４８】
図７８に、第１５層(i=15,j=18)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により少しずつ特異点が４３°付近から移動している。
【００４９】
図７９に、第１７層(i=17,j=16)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化により少しだけ特異点が４３°付近から移動している。
【００５０】
図８０に、第１９層(i=19,j=14)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化による特異点位置の変化はほとんどなく、位相シフト曲線自体ほとんど変化していない。
【００５１】
図８１に、第２１層(i=21,j=12)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。さらに、図８１の４本の位相シフト曲線を図８２〜図８５に分けて示す。膜厚変化による特異点位置の変化はほとんどなく、位相シフト曲線自体ほとんど変化していない。
【００５２】
図８６に、第２３層(i=23,j=10)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。3.449QWOTのとき特異点で形状が変化しているが、膜厚変化による特異点位置の変化はほとんどなく、位相シフト曲線自体ほとんど変化していない。
【００５３】
図８７に、第２４層(i=24,j=9)の膜厚を設計値から1QWOTずつ４段階で変動させたときの入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。膜厚変化による特異点位置の変化は全くなく、位相シフト曲線自体全く変化していない。このように電界強度が全くない層では、膜厚変動による位相シフト曲線の変動が全く生じず、第２５層以降についても同様である。
【００５４】
以上のように、それぞれの層の膜厚変化に対する位相シフト曲線の変化は、光入射側から光出射側にかけて大きく３つのパターンに分類できる。
【００５５】
(1)光入射側媒質(基板Ｍ)に近い層；位相シフト曲線は大きく上下・斜めに変化するが、特異点位置は固定である。→電界強度はそこそこの値である。
【００５６】
(2)途中の数層；特異点位置が大きく変化する。→特異点を生み出す入射角度領域において非常に大きな電界強度が発生している層である。
【００５７】
(3)光出射側媒質(基板Ｅ)に近い層；特異点，位相シフト曲線ともに固定である。→電界強度が存在しない層である。
【００５８】
まず、光入射側媒質(基板Ｍ)に近い層では、膜厚変動により位相シフト曲線が大きく変化する。これは電界強度が存在し、ｓ偏光の反射に大きく寄与する層だからである。したがって反射時の位相シフトにも大きく寄与するが、変曲点や特異点が生じる入射角度の位置はほぼ固定である。そして、特異点付近の入射角度において、電界強度の急激な増大が生じる数層に近づくにつれ、特異点の入射角度位置が移動する。結果として、曲線，変曲点，特異点の存在により急激に電界強度が増大する途中の数層の膜厚を変動させた場合にのみ、特異点の入射角度位置を動かすことが可能といえる。そして、光出射側媒質(基板Ｅ)に近い層に関しては、電界強度が存在しないため、反射にほとんど寄与しない層といえる。したがって反射時の位相シフトにも寄与しないが、位相シフト曲線の形状も変曲点や特異点の位置もほぼ固定である。
【００５９】
位相シフト曲線において変曲点や特異点が生じる膜構成では、膜厚調整によりリニアー化を行うことはほとんどの層で困難である。しかし、特異点が生じる入射角度での電界強度分布において、電界強度が急激に増大する途中の数層(以下「キー層」という。)の膜厚を調整すれば、所定の入射角度領域からこれら変曲点及び特異点を外すことが可能である{比較例２の場合、キー層は電界強度が最も強い第１１層(i=11,j=22)前後といえる。}。つまり、特異点が存在する厄介なパターンをリニアー化したい場合には、キー層の膜厚調整により所望の入射角度範囲から特異点を外すことができる。それによって偏光分離特性が崩れる場合には、キー層以外の層の膜厚を調整することにより、偏光分離特性が良くなるように調整すればよい。なお、キー層以外の層の膜厚を調整しても、特異点は移動しないので所定の入射角度範囲内に新たに入ってくることはない。
【００６０】
上記キー層に注目した膜厚調整を行ったときの偏光ビームスプリッター膜として、表５に、実施例３の多層膜構成(QWOT=4・n・d/λ0,d：物理膜厚，n：屈折率，λ0：設計波長)を示す。実施例３の偏光ビームスプリッター膜は、高屈折率材料：TiO2(酸化チタン)を含む混合物TXから成る膜と、低屈折率材料：MgF2(フッ化マグネシウム)又はSiO2(酸化ケイ素)から成る膜と、が光入射側のガラス基板Ｍ(屈折率：1.64)上に３２層(=N：層数)、層ナンバー：iの順に積層され、さらに光出射側のガラス基板Ｅ(屈折率：1.64)に対し接着剤層Ｓ(屈折率：1.52)で貼り付けられた構成になっている。
【００６１】
図８８に、実施例３の偏光分離特性を透過率Ｔ(％)で示す。図８８は、波長λ＝４０５ｎｍ，膜面に対する入射角度θ＝４０〜５０°(つまり基準入射角度θ0＝４５°に対する±５°の入射角度範囲)での、ｐ偏光の透過率Tp(θ)とｓ偏光の透過率Ts(θ)を示している。図８８から分かるように、入射角度θ＝４０〜４３°のｐ偏光透過率が多少犠牲となっているが、入射角依存性の低い十分な偏光分離機能が達成されている。
【００６２】
図８９に、実施例３の入射角度θ＝４０〜５０°での反射によるｓ偏光(λ=405nm)の位相シフトφ(°)を示す。図８９から分かるように、ｓ偏光の反射時の位相シフトφは、特異点が排除されて、入射角度変動に対してリニアーに変化している。
【００６３】
図９０〜図１００に、実施例３の入射角度θ＝４０〜５０°でのｓ偏光(λ=405nm)の電界強度分布をそれぞれ示す。図９０〜図１００のグラフにおいて、横軸はガラス基板Ｍ(光入射側)から接着剤層Ｓまでの多層膜構成を示しており、縦線の間隔が各層の物理膜厚dの範囲に相当する。ただし、各層に付されているナンバーは、層ナンバー：iとの関係が式：j＝(N+1)-iで表される反転ナンバー：jである(N：層数)。また図９０〜図１００のグラフにおいて、縦軸は各層の規格化電界強度(ＮＥＦＩ)を示している。図９０〜図１００から分かるように、入射角度範囲θ＝４０〜５０°の全体にわたって、いずれの層においても電界強度の急激な増加は見られない。具体的には、ｓ偏光の電界強度がガラス基板Ｍでの電界強度をほとんど超えることなく変化しており、また、電界強度分布のピークがほぼ単調に減少している。
【００６４】
以上のことから、以下のような結論が導き出される。まず、位相シフト曲線のリニアー化には、電界強度分布が指標となる。そして、電界強度が存在する光入射側の層から電界強度がほぼ無くなる層までの間の層について、変曲点や特異点を調整できるキー層(つまり、特異点付近の入射角度において急激に電界強度が増大する層)が存在する。位相シフト曲線に変曲点や特異点が存在した場合には、電界強度分布に注意しながら膜厚調整や自動設計を駆使してもリニアー化の達成は困難であるが、キー層の膜厚を調整すれば、所望の入射角度範囲及び波長範囲において、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化する偏光ビームスプリッター膜を作製することが可能である。この点を特徴とする偏光ビームスプリッター膜の製造方法を、図１０１のフローチャートを用いて以下に説明する。
【００６５】
まず、偏光ビームスプリッター膜(ＰＢＳ膜)の設計を行う(＃１０)。そして、その偏光分離特性を求めて(＃２０)、入射角依存性の低い良好な偏光分離特性を有しているか否かを判定する(＃３０)。必要な偏光分離特性が得られなければ、ステップ＃１０に戻る。例えば比較例１(図３０)のように、入射光の発散角が±５°以上の広い角度領域に対しても良好な偏光分離特性が得られたならば、所望の入射角度範囲及び波長範囲のおけるｓ偏光の反射時の位相シフト(比較例１では図３１)を求める(＃４０)。そして、ｓ偏光の反射時の位相シフトが入射角度変動に対してリニアーに変化しているか否かを判定する(＃５０)。
【００６６】
必要なリニアー化{例えば、入射角度範囲が所定値(比較例１では４５°)の±５°であり、最小入射角度及び最大入射角度での位相シフトで特定される１次関数からの位相シフトのズレが、入射角度範囲の全体にわたって±５０°以内にあること}が達成されていれば処理を終了する。位相シフト曲線に変曲点等があれば、ｓ偏光の波面精度を向上させるための処理に入る。つまり、電界強度分布(比較例１では図３２〜図４２)を求めて(＃６０)、キー層の膜厚調整(＃７０)により所望の入射角度範囲から変曲点及び特異点を外す。そして、キー層の膜厚調整(＃７０)によって偏光分離特性が崩れていないかどうかを確認するため、偏光分離特性の算出(＃８０)とその判定(＃９０)を行う。必要な偏光分離特性が達成されていれば処理を終了し、必要な偏光分離特性が得られなければ、他の層の膜厚調整(＃１００)を行った後、ステップ＃２０に戻る。なお、前述したようにキー層以外の層の膜厚を調整しても特異点は移動しない。
【００６７】
【表１】
2005084380.tif 000003
【００６８】
【表２】
2005084380.tif 000004
【００６９】
【表３】
2005084380.tif 000005
【００７０】
【表４】
2005084380.tif 000006
【００７１】
【表５】
2005084380.tif 000007
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施例１の入射角度４０〜５０°での偏光分離特性を示すグラフ。
【図２】実施例１の入射角度４０〜５０°での反射によるｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図３】実施例１の入射角度４０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４】実施例１の入射角度４１°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５】実施例１の入射角度４２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図６】実施例１の入射角度４３°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図７】実施例１の入射角度４４°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図８】実施例１の入射角度４５°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９】実施例１の入射角度４６°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１０】実施例１の入射角度４７°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１１】実施例１の入射角度４８°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１２】実施例１の入射角度４９°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１３】実施例１の入射角度５０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１４】実施例１の入射角度５０〜６０°での反射によるｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図１５】実施例１の入射角度５２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１６】実施例１の入射角度５６．２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１７】実施例２の入射角度４０〜５０°での偏光分離特性を示すグラフ。
【図１８】実施例２の入射角度４０〜５０°での反射によるｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図１９】実施例２の入射角度４０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２０】実施例２の入射角度４１°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２１】実施例２の入射角度４２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２２】実施例２の入射角度４３°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２３】実施例２の入射角度４４°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２４】実施例２の入射角度４５°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２５】実施例２の入射角度４６°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２６】実施例２の入射角度４７°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２７】実施例２の入射角度４８°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２８】実施例２の入射角度４９°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図２９】実施例２の入射角度５０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３０】比較例１の入射角度４０〜５０°での偏光分離特性を示すグラフ。
【図３１】比較例１の入射角度４０〜５０°での反射によるｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図３２】比較例１の入射角度４０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３３】比較例１の入射角度４１°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３４】比較例１の入射角度４２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３５】比較例１の入射角度４３°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３６】比較例１の入射角度４４°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３７】比較例１の入射角度４５°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３８】比較例１の入射角度４６°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図３９】比較例１の入射角度４７°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４０】比較例１の入射角度４８°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４１】比較例１の入射角度４９°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４２】比較例１の入射角度５０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４３】比較例２の入射角度４０〜５０°での偏光分離特性を示すグラフ。
【図４４】比較例２の入射角度４０〜５０°での反射によるｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図４５】比較例２の入射角度４０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４６】比較例２の入射角度４１°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４７】比較例２の入射角度４２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４８】比較例２の入射角度４３°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図４９】比較例２の入射角度４４°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５０】比較例２の入射角度４５°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５１】比較例２の入射角度４６°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５２】比較例２の入射角度４７°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５３】比較例２の入射角度４８°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５４】比較例２の入射角度４９°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５５】比較例２の入射角度５０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図５６】比較例２の第１層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図５７】比較例２の第１層の膜厚をQWOT=0.613としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図５８】比較例２の第１層の膜厚をQWOT=1.613としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図５９】比較例２の第１層の膜厚をQWOT=2.613としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６０】比較例２の第１層の膜厚をQWOT=3.613としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６１】比較例２の第２層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６２】比較例２の第３層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６３】比較例２の第５層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６４】比較例２の第７層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６５】比較例２の第９層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６６】比較例２の第１０層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６７】比較例２の第１０層の膜厚をQWOT=0.086としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６８】比較例２の第１０層の膜厚をQWOT=1.086としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図６９】比較例２の第１０層の膜厚をQWOT=2.086としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７０】比較例２の第１０層の膜厚をQWOT=3.086としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７１】比較例２の第１１層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７２】比較例２の第１１層の膜厚をQWOT=0.949としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７３】比較例２の第１１層の膜厚をQWOT=1.949としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７４】比較例２の第１１層の膜厚をQWOT=2.949としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７５】比較例２の第１１層の膜厚をQWOT=3.949としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７６】比較例２の第１２層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７７】比較例２の第１３層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７８】比較例２の第１５層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図７９】比較例２の第１７層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８０】比較例２の第１９層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８１】比較例２の第２１層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８２】比較例２の第２１層の膜厚をQWOT=0.820としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８３】比較例２の第２１層の膜厚をQWOT=1.820としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８４】比較例２の第２１層の膜厚をQWOT=2.820としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８５】比較例２の第２１層の膜厚をQWOT=3.820としたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８６】比較例２の第２３層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８７】比較例２の第２４層の膜厚を変化させたときのｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図８８】実施例３の入射角度４０〜５０°での偏光分離特性を示すグラフ。
【図８９】実施例３の入射角度４０〜５０°での反射によるｓ偏光の位相シフトを示すグラフ。
【図９０】実施例３の入射角度４０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９１】実施例３の入射角度４１°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９２】実施例３の入射角度４２°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９３】実施例３の入射角度４３°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９４】実施例３の入射角度４４°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９５】実施例３の入射角度４５°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９６】実施例３の入射角度４６°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９７】実施例３の入射角度４７°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９８】実施例３の入射角度４８°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図９９】実施例３の入射角度４９°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１００】実施例３の入射角度５０°でのｓ偏光の電界強度分布を示すグラフ。
【図１０１】本発明に係る偏光ビームスプリッター膜の製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００７３】
θ    入射角度
φ    位相シフト
【図１】
2005084380.tif 000008
【図２】
2005084380.tif 000009
【図３】
2005084380.tif 000010
【図４】
2005084380.tif 000011
【図５】
2005084380.tif 000012
【図６】
2005084380.tif 000013
【図７】
2005084380.tif 000014
【図８】
2005084380.tif 000015
【図９】
2005084380.tif 000016
【図１０】
2005084380.tif 000017
【図１１】
2005084380.tif 000018
【図１２】
2005084380.tif 000019
【図１３】
2005084380.tif 000020
【図１４】
2005084380.tif 000021
【図１５】
2005084380.tif 000022
【図１６】
2005084380.tif 000023
【図１７】
2005084380.tif 000024
【図１８】
2005084380.tif 000025
【図１９】
2005084380.tif 000026
【図２０】
2005084380.tif 000027
【図２１】
2005084380.tif 000028
【図２２】
2005084380.tif 000029
【図２３】
2005084380.tif 000030
【図２４】
2005084380.tif 000031
【図２５】
2005084380.tif 000032
【図２６】
2005084380.tif 000033
【図２７】
2005084380.tif 000034
【図２８】
2005084380.tif 000035
【図２９】
2005084380.tif 000036
【図３０】
2005084380.tif 000037
【図３１】
2005084380.tif 000038
【図３２】
2005084380.tif 000039
【図３３】
2005084380.tif 000040
【図３４】
2005084380.tif 000041
【図３５】
2005084380.tif 000042
【図３６】
2005084380.tif 000043
【図３７】
2005084380.tif 000044
【図３８】
2005084380.tif 000045
【図３９】
2005084380.tif 000046
【図４０】
2005084380.tif 000047
【図４１】
2005084380.tif 000048
【図４２】
2005084380.tif 000049
【図４３】
2005084380.tif 000050
【図４４】
2005084380.tif 000051
【図４５】
2005084380.tif 000052
【図４６】
2005084380.tif 000053
【図４７】
2005084380.tif 000054
【図４８】
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【図４９】
2005084380.tif 000056
【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９６】
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【図９７】
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【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
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【図１０１】
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