(57)【要約】【課題】  バイポーラトランジスタの仕様等を考慮しなくても、適切な測定値による測定結果を出力することのできる装置を得ることを目的とする。【解決手段】  先ず、漏れ電流測定手段１０４によって漏れ電流値を求める。次に、電流測定手段１０６は、コレクタ端子電流、ベース端子電流およびエミッタ端子電流の電流値を計測する。電流値比較手段１０８は、電流測定手段１０６が計測するいずれかの電流値が漏れ電流値以下となるまで、電流測定手段１０６で計測したコレクタ端子電流とベース端子電流を、ＩｃＩｂＶｂｅ特性として出力する。【選択図】        図１
2005057002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタの特性測定のための測定条件として、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値と、ベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値とを入力する測定条件入力手段と、
前記バイポーラトランジスタの漏れ電流を測定する漏れ電流測定手段と、
前記測定条件入力手段から入力された条件に基づいて、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を一定として、ベース端子−エミッタ端子間の電圧を最大電圧値から順次下げていき、コレクタ端子電流、ベース端子電流およびエミッタ端子電流の電流値を計測する電流測定手段と、
前記電流測定手段が計測するいずれかの電流値と、前記漏れ電流測定手段で測定した漏れ電流値とを比較し、前記いずれかの電流値が前記漏れ電流値以下となるまで、前記電流計測手段で計測したコレクタ端子電流とベース端子電流を、バイポーラトランジスタ特性として出力する電流値比較手段とを備えたバイポーラトランジスタ特性測定装置。
【請求項２】
電流測定手段は、ベース端子−コレクタ端子間の電圧を最大電圧値から順次下げていき、
比較手段は、前記電流測定手段で計測したエミッタ端子電流とベース端子電流を、バイポーラトランジスタ特性として出力することを特徴とする請求項１記載のバイポーラトランジスタ特性測定装置。
【請求項３】
バイポーラトランジスタの特性測定のための測定条件として、電流増幅率比を入力する測定条件入力手段と、
前記バイポーラトランジスタの最大電流増幅率を求め、当該最大電流増幅率に対して前記電流増幅率比を乗じて最小電流増幅率情報を求める最小電流増幅率設定手段と、
前記バイポーラトランジスタに対してベース端子−エミッタ端子間電圧を順次与えた場合の電流増幅率を測定する電流増幅率測定手段と、
前記電流増幅率測定手段の測定値と、前記最小電流増幅率設定手段が設定した最小電流増幅率とを比較し、前記測定値が前記最小電流増幅率になった時点で測定終了と判定し、前記電流増幅率測定手段で測定した電流増幅率を前記バイポーラトランジスタの電流増幅率特性として出力する電流増幅率比較手段とを備えたバイポーラトランジスタ特性測定装置。
【請求項４】
バイポーラトランジスタの特性測定のための測定条件として、コンダクタンス比を入力する測定条件入力手段と、
前記バイポーラトランジスタの最小コンダクタンス値を求め、当該コンダクタンス値に対して前記コンダクタンス比を乗じて最大測定コンダクタンス情報を求める最大コンダクタンス値設定手段と、
前記バイポーラトランジスタに対してコレクタ端子−エミッタ端子電圧を順次与えた場合のコレクタ電流を測定するコレクタ電流測定手段と、
前記コレクタ電流測定手段の測定値に対応したコンダクタンス測定値を算出するコンダクタンス計算手段と、
前記コンダクタンス計算手段が算出したコンダクタンス測定値と、前記最大コンダクタンス値設定手段が設定した最大測定コンダクタンス情報とを比較し、コンダクタンス測定値が前記最大測定コンダクタンス情報の値になった時点で測定終了と判定し、前記コレクタ電流測定手段が測定したコレクタ電流特性を前記バイポーラトランジスタのコレクタ端子電流特性として出力するコンダクタンス比較手段とを備えたバイポーラトランジスタ特性測定装置。
【請求項５】
バイポーラトランジスタの特性測定のための測定条件として、電流増幅率比を入力する測定条件入力手段と、
前記バイポーラトランジスタの最大電流増幅率を求め、当該最大電流増幅率に対して前記電流増幅率比を乗じて最小電流増幅率情報を求める最小電流増幅率設定手段と、
前記バイポーラトランジスタに対してベース端子−エミッタ端子間電圧を順次与えた場合の電流増幅率を測定する電流増幅率測定手段と、
前記電流増幅率測定手段の測定値と、前記最小電流増幅率設定手段が設定した最小電流増幅率とを比較し、前記測定値が前記最小電流増幅率になった時点で測定終了と判定し、前記電流増幅率測定手段で測定した電流増幅率を前記バイポーラトランジスタの電流増幅率特性として出力する電流増幅率比較手段とを備えた請求項４記載のバイポーラトランジスタ特性測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイポーラトランジスタのＩｃＩｂＶｂｅ特性、ＩｅＩｂＶｂｃ特性、電流増幅率特性、コレクタ電流特性といったバイポーラトランジスタ特性を測定するバイポーラトランジスタ特性測定装置に関するものである。    
【背景技術】
【０００２】
バイポーラトランジスタの特性として、ＩｃＩｂＶｂｅ特性、ＩｅＩｂＶｂｃ特性、電流増幅率特性、コレクタ電流特性といった特性があり、このようなバイポーラトランジスタ特性を測定するバイポーラトランジスタ特性測定装置が用いられている。尚、上記のＩｃＩｂＶｂｅ特性、ＩｅＩｂＶｂｃ特性、電流増幅率特性、コレクタ電流特性とは次の通りである。
【０００３】
（１）ＩｃＩｂＶｂｅ特性：コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を一定にして、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変化させた時のコレクタ端子電流値およびベース端子電流値
（２）ＩｅＩｂＶｂｃ特性：エミッタ端子−コレクタ端子間の電圧値を一定にして、ベース端子−コレクタ端子間の電圧値を変化させた時のエミッタ端子電流値およびベース端子電流値
（３）電流増幅率特性：コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を一定にして、ベース端子−エミッタ端子間電圧値を変化させた時のコレクタ端子電流値とベース端子電流値の比
（４）コレクタ電流特性：ベース端子電流値を一定にして、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を変化させた時のコレクタ端子電流値
【０００４】
従来のバイポーラトランジスタ特性測定装置では、上記のようなバイポーラトランジスタ特性を測定する場合、測定対象となるバイポーラトランジスタと本測定装置とを配線で接続し、測定者自身が、配線等の漏れ電流の電流値や、バイポーラトランジスタの仕様（耐圧、構造、エミッタ面積）に合わせて適切な測定条件を設定し、測定する必要があった（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
例えば、ＩｃＩｂＶｂｅ特性を測定する場合、測定者は、コレクタ端子−エミッタ端子の電圧値と、２点以上のベース端子−エミッタ端子間の電圧値といった測定条件を設定する必要があった。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２０４２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のバイポーラトランジスタ特性測定装置は、以上のように構成されているので、漏れ電流の電流値や、バイポーラトランジスタの仕様（耐圧、構造、エミッタ面積）に合わせて、測定者自身が適切な測定条件を設定しなければならない。ここで、設定された測定条件が漏れ電流の電流値、バイポーラトランジスタの仕様（耐圧、構造、エミッタ面積）に対して適切でない場合は、測定条件を変更して再測定するといった手間を必要とし、また、バイポーラトランジスタを壊してしまうといった問題があった。
【０００８】
例えば、ＩｃＩｂＶｂｅ特性の測定では、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値が適切な電圧値より小さい電圧値を設定して測定した場合、コレクタ端子の電流値、ベース端子の電流値は、漏れ電流の電流値よりも小さくなるため、これらコレクタ端子の電流値およびベース端子の電流値を測定することができない。従って、このような場合は、測定者がベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更し再測定しなければならないという問題があった。
【０００９】
また、コレクタ電流特性の測定では、測定者の入力ミスなどで、耐圧が３．０［Ｖ］のバイポーラトランジスタに、３．０［Ｖ］を超えるコレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値（例えば、５．０［Ｖ］）を設定して測定すると、バイポーラトランジスタを壊してしまうといった問題点を有していた。
【００１０】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、測定者がバイポーラトランジスタの特性測定のための条件としてバイポーラトランジスタの仕様等を考慮しなくても、適切な測定値による測定結果を出力することのできるバイポーラトランジスタ特性測定装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係るバイポーラトランジスタ特性測定装置は、先ず、漏れ電流測定手段によって漏れ電流値を求める。次に、電流測定手段は、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を一定として、ベース端子−エミッタ端子間の電圧を最大電圧値から順次下げていき、コレクタ端子電流、ベース端子電流およびエミッタ端子電流の電流値を計測する。電流値比較手段は、電流測定手段が計測するいずれかの電流値と、漏れ電流値とを比較し、いずれかの電流値が漏れ電流値以下となるまで、電流計測手段で計測したコレクタ端子電流とベース端子電流を、バイポーラトランジスタ特性として出力するようにしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、測定者から入力された測定条件に基づいて、先ず、測定を終了する値を求め、その後、求めた値に基づいて実際の特性測定を行うようにしたので、測定者が漏れ電流の電流値やバイポーラトランジスタの仕様等に合わせて適切な測定条件を設定するといったことを考慮する必要がなく、バイポーラトランジスタの特定として適切な測定結果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
図示のバイポーラトランジスタ特性測定装置は、コンピュータを用いて構成され、測定条件入力手段１０１、測定条件決定手段１０２、測定条件情報格納部１０３、漏れ電流測定手段１０４、漏れ電流値情報格納部１０５、電流測定手段１０６、電流値情報格納部１０７、電流値比較手段１０８、測定条件設定手段１０９、測定結果表示手段１１０からなる。
【００１４】
測定条件入力手段１０１は、測定対象となるバイポーラトランジスタ１の測定条件を測定者が入力するための機能部であり、キーボードやマウスといった入力機器を含んで構成されている。ここで、入力する測定条件としては、ＩｃＩｂＶｂｅ特性を測定する場合、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値といった値である。
【００１５】
測定条件決定手段１０２は、測定条件入力手段１０１で入力された測定条件に基づいて、実際に測定を行う条件を決定する機能部である。測定条件情報格納部１０３は、測定条件決定手段１０２で決定された測定条件を格納するための記憶部である。漏れ電流測定手段１０４は、バイポーラトランジスタ１に電流が流れない条件（ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を０［Ｖ］とした場合）の漏れ電流を測定する機能部である。また、漏れ電流値情報格納部１０５は、漏れ電流測定手段１０４で測定された漏れ電流の値を格納するための記憶部である。電流測定手段１０６は、測定条件情報格納部１０３に格納されている測定条件に基づいてバイポーラトランジスタ１の電流値を測定するための機能部である。
【００１６】
即ち、電流測定手段１０６は、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を一定として、ベース端子−エミッタ端子間の電圧を最大電圧値から順次下げていき、コレクタ端子電流、ベース端子電流およびエミッタ端子電流の電流値を計測する機能を有している。また、電流値情報格納部１０７は、電流測定手段１０６によって測定された電流値を格納するための記憶部である。
【００１７】
電流値比較手段１０８は、電流値情報格納部１０７に格納された各電流値と、漏れ電流値情報格納部１０５に記憶されている漏れ電流値とを比較し、電流値情報格納部１０７に格納されている全ての電流値の方が、漏れ電流値よりも大きい場合は、測定結果として測定結果表示手段１１０に出力すると共に、次の測定条件の設定依頼を測定条件設定手段１０９に対して出力し、一方、コレクタ端子電流、ベース端子電流、エミッタ端子電流の電流値のうち、いずれかの電流値が漏れ電流値以下となった場合は測定終了と判定する機能を有している。測定条件設定手段１０９は、測定条件情報格納部１０３に格納されているステップ電圧値を引いたベース端子−エミッタ端子間の電圧値を次の測定条件として電流測定手段１０６に与える機能を有するものである。測定結果表示手段１１０は、電流値比較手段１０８から出力された測定結果を表示するもので、ディスプレイを含んで構成されている。
【００１８】
次に、実施の形態１の動作について説明する。
ここでは、バイポーラトランジスタ１の特性の一例としてＩｃＩｂＶｂｅ特性を測定する場合を説明する。
バイポーラトランジスタ１のＩｃＩｂＶｂｅ特性を測定する場合、先ず、測定者は測定条件入力手段１０１を用いて、測定条件（コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値）を入力する。
【００１９】
上記の測定条件としては例えば次のような値が入力される。
（１）コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値：ベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値（通常１Ｖ程度）以上で、コレクタ端子−エミッタ端子間の耐圧（通常３Ｖ以上）より小さい任意の電圧値。
（２）ベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値：ベース端子−エミッタ端子間の耐圧（通常１．５Ｖ以上）より小さい任意の値。
（３）ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値：測定装置の最小電圧値（通常、１ｍＶ以下）より大きい任意の電圧値。
【００２０】
測定条件決定手段１０２は、測定条件入力手段１０１から入力されたこれらの値を読み込んで、測定条件（ベース端子−エミッタ端子間の電圧値）を決定し、これを他の測定条件と共に、測定条件情報格納部１０３に格納する。
【００２１】
一方、漏れ電流測定手段１０４は、バイポーラトランジスタ１に電流が流れない条件（ベース端子−エミッタ端子間電圧＝０［Ｖ］）を設定して、バイポーラトランジスタ１と本装置を接続する配線などの漏れ電流の電流値と、本装置の漏れ電流の電流値とを測定し、これらの合計値を漏れ電流値として漏れ電流値情報格納部１０５に格納する。
【００２２】
例えば、バイポーラトランジスタの測定としては、ウエハ状態の場合とパッケージに入れた状態の場合の二通りが考えられる。ウエハ状態の場合は、ケーブル、プローブを使用して測定装置とバイポーラトランジスタを接続する。また、パッケージに入れた状態の場合は、ケーブル、パッケージをおくための治具（テストフィクスチャ）を使用して測定装置とバイポーラトランジスタとを接続する。漏れ電流測定手段１０４は、これらそれぞれの場合の漏れ電流を測定する。
【００２３】
このように、測定条件情報格納部１０３に測定条件が格納され、また、漏れ電流値情報格納部１０５に漏れ電流値が格納された後、バイポーラトランジスタ１の特性測定処理を行う。
図２は、バイポーラトランジスタ１の特性測定処理を示すフローチャートである。
測定開始時、測定条件設定手段１０９は、バイポーラトランジスタ１のベース端子−エミッタ端子間電圧の初期値として、測定条件入力手段１０１によって入力されたベース端子−エミッタ端子間電圧の最大値を設定する（ステップＳＴ１）。この条件で電流測定手段１０６は、バイポーラトランジスタ１のコレクタ端子電流、ベース端子電流を測定し、これらの値を電流値情報として電流値情報格納部１０７に保存する（ステップＳＴ２）。電流値比較手段１０８では、電流値情報格納部１０７に保存されている電流値と、漏れ電流値情報格納部１０５に格納されている漏れ電流値との大きさを比較する（ステップＳＴ３）。
【００２４】
ステップＳＴ３の電流値比較手段１０８における比較処理で、電流値情報格納部１０７に保存されている「コレクタ端子電流の電流値」「ベース端子電流の電流値」「エミッタ端子電流の電流値」の全てが、漏れ電流値情報格納部１０５の漏れ電流値よりも大きい場合は、測定条件設定手段１０９で、ベース端子−エミッタ端子間電圧値から測定条件情報格納部１０３に格納されているステップ電圧値を減算して、次の測定条件（ベース端子−エミッタ端子間の電圧値）を設定し、これを電流測定手段１０６に与える（ステップＳＴ４）。電流測定手段１０６では、この設定された測定条件で次の測定を行い（ステップＳＴ２）、また、電流値比較手段１０８は比較処理を行う（ステップＳＴ３）。
【００２５】
このような動作により、ベース端子−エミッタ端子間電圧を順次低い電圧値としてバイポーラトランジスタ１のコレクタ端子電流の電流値、エミッタ端子電流の電流値、ベース端子電流の電流値を測定し、これを電流値比較手段１０８で漏れ電流値と比較する（ステップＳＴ２〜ステップＳＴ４を繰り返す）。電流値比較手段１０８の比較処理において、電流値情報格納部１０７に記憶されているコレクタ端子電流の電流値、エミッタ端子電流の電流値、ベース端子電流の電流値のいずれかの電流値が、漏れ電流値情報格納部１０５の漏れ電流値以下の場合は測定を終了し、測定結果表示手段１１０への特性測定結果を出力する（ステップＳＴ５）。
【００２６】
図３は、実施の形態１の動作の説明図である。
この図３に示すように、ベース端子−エミッタ端子間の電圧がＶ０の電圧値から測定を開始して、測定したベース端子電流の電流値が漏れ電流値情報格納部１０５の漏れ電流値以下の場合（ベース端子−エミッタ端子間の電圧値がＶ１［Ｖ］の時）、測定を終了する。そして、測定結果表示手段１１０は、電流値比較手段１０８から出力されたＩｃＩｂＶｂｅ特性の測定結果を表示する。
【００２７】
尚、エミッタ端子電流の電流値が漏れ電流値以下となった場合も、測定を終了しているが、これはエミッタ端子電流の電流値が漏れ電流の電流値以下になると、コレクタ端子電流の電流値やベース端子電流の電流値を正確に測定できなくなるからである。即ち、エミッタ端子電流、コレクタ端子電流、ベース端子電流の大きさ（絶対値）は、
エミッタ端子電流の電流値＝コレクタ端子電流の電流値＋ベース端子電流の電流値
という関係があり、エミッタ端子電流の電流値が漏れ電流の電流値以下になると、コレクタ端子電流の電流値とベース端子電流の電流値も漏れ電流の電流値以下になるからである。
【００２８】
以上のように、実施の形態１によれば、漏れ電流測定手段１０４によって、バイポーラトランジスタ１の漏れ電流値を測定し、電流測定手段１０６が、コレクタ端子電流の電流値、エミッタ端子電流の電流値、ベース端子電流の電流値を測定した後、電流値比較手段１０８で、これら電流値の少なくとも一つが漏れ電流値よりも小さくなった場合に測定を終了するようにしたので、測定者が測定のためのベース端子−エミッタ端子間電圧が適切な値となるよう考慮しなくても、再測定等を行う必要がなく、適切なＩｃＩｂＶｂｅ特性を得ることができる。
【００２９】
尚、上記実施の形態１では、バイポーラトランジスタ１のＩｃＩｂＶｂｅ特性の測定について説明したが、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧を、エミッタ端子−コレクタ端子間の電圧にし、また、ベース端子−エミッタ端子間の電圧を、ベース端子−コレクタ端子間の電圧にして、コレクタ端子電流、ベース端子電流、エミッタ端子電流を測定するバイポーラトランジスタのＩｅＩｂＶｂｃ特性に対しても同様に適用可能である。
【００３０】
実施の形態２．
実施の形態２は、バイポーラトランジスタの特性測定として、電流増幅率の測定を行う場合の装置に関するものである。
図４は、この発明の実施の形態２によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
図示のバイポーラトランジスタ特性測定装置は、測定条件入力手段２０１、測定条件決定手段２０２、測定条件情報格納部２０３、最大電流増幅率測定手段２０４、設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５、最大電流増幅率比較手段２０６、最大電流増幅率設定手段２０７、最大電流増幅率情報格納部２０８、最小電流増幅率設定手段２０９、最小電流増幅率情報格納部２１０、電流増幅率測定手段２１１、電流増幅率測定値情報格納部２１２、電流増幅率比較手段２１３、測定条件設定手段２１４、測定結果表示手段２１５からなる。
【００３１】
測定条件入力手段２０１は、実施の形態１の測定条件入力手段１０１と同様に、測定対象となるバイポーラトランジスタ１の測定条件を測定者が入力するための機能部である。ここで、入力する測定条件としては、電流増幅率の最大値と最小値の比を表す電流増幅率比、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値である。測定条件決定手段２０２は、測定条件入力手段２０１で入力された測定条件に基づいて、実際に測定を行う条件を決定する機能部である。測定条件情報格納部２０３は、測定条件決定手段２０２で決定された測定条件を格納するための記憶部である。
【００３２】
最大電流増幅率測定手段２０４は、測定条件情報格納部２０３に格納された測定条件に基づいて、バイポーラトランジスタ１に対する最大電流増幅率を測定する手段である。設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５は、最大電流増幅率測定手段２０４で測定された最大電流増幅率の値を格納するための記憶部である。最大電流増幅率比較手段２０６は、設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５に記憶された最大電流増幅率の値と、最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶された最大電流増幅率の値とを比較し、設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５に記憶された最大電流増幅率の値が、最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶された最大電流増幅率の値を下回った場合に、最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶された最大電流増幅率の値を、バイポーラトランジスタ１の最大電流増幅率であるとして最小電流増幅率設定手段２０９に与える機能を有している。
【００３３】
最大電流増幅率設定手段２０７は、最大電流増幅率比較手段２０６で比較した結果、設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５に記憶された最大電流増幅率の値が、最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶された最大電流増幅率の値を上回っている場合に、その設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５に記憶された最大電流増幅率の値を最大電流増幅率情報格納部２０８に設定する機能部である。また、最大電流増幅率情報格納部２０８は、最小電流増幅率設定処理において、その時点の最大電流増幅率の値を保持するための記憶部である。
【００３４】
最小電流増幅率設定手段２０９は、最大電流増幅率比較手段２０６から、最大電流増幅率が検出されたという通知に基づいて、最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶されている最大電流増幅率の値に対し、測定条件情報格納部２０３に格納されている電流増幅率比を乗算して最小電流増幅率の値を演算する機能部である。また、最小電流増幅率情報格納部２１０は、最小電流増幅率設定手段２０９で算出された最小電流増幅率の値を格納するための記憶部である。
【００３５】
電流増幅率測定手段２１１は、バイポーラトランジスタ１に対する特性測定処理を行う機能部であり、測定条件設定手段２１４で設定された測定条件に基づいてバイポーラトランジスタ１の電流増幅率を測定する機能を有している。また、電流増幅率測定値情報格納部２１２は、その測定結果を保存する記憶部である。
【００３６】
電流増幅率比較手段２１３は、電流増幅率測定値情報格納部２１２に記憶された電流増幅率と最小電流増幅率情報格納部２１０に保存されている最小電流増幅率とを比較し、電流増幅率測定値情報格納部２１２に記憶された電流増幅率が、最小電流増幅率情報格納部２１０に保存されている最小電流増幅率以下になった場合は、測定終了と判定する機能部である。測定条件設定手段２１４は、電流増幅率比較手段２１３の比較結果が、電流増幅率測定値情報格納部２１２に記憶された電流増幅率が、最小電流増幅率情報格納部２１０に保存されている最小電流増幅率を上回っている場合、次の測定条件（ベース端子−エミッタ端子間電圧にステップ電圧値だけ加えた電圧値）を設定し、これを電流増幅率測定手段２１１に与えるための機能部である。
【００３７】
測定結果表示手段２１５は、電流増幅率比較手段２１３が測定終了と判定した場合に、測定結果を表示する機能部である。
【００３８】
次に、実施の形態２の動作について説明する。
バイポーラトランジスタ１の電流増幅率特性を測定する場合、測定者は測定条件入力手段２０１を用いて、測定条件（電流増幅率比、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値）を入力する。これにより、測定条件決定手段２０２は、入力された各測定条件の値に基づいて、実際の測定条件であるベース端子−エミッタ端子間の電圧値を決定し、これを他の測定条件と共に測定条件情報格納部２０３に格納する。
【００３９】
上記の測定条件としては例えば次のような値が入力される。
（４）電流増幅率の最大値と最小値の比を表す電流増幅率比：１より小さく、０．００１より大きい任意の値。
（５）コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値：コレクタ端子−エミッタ端子間の耐圧（通常、３Ｖ以上）より小さい任意の電圧値。
（６）ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値：測定装置の最小電圧値（通常、１ｍＶ以下）より大きい任意の電圧値。
【００４０】
次に、本実施の形態では、電流増幅率を実際に測定する前処理として最小電流増幅率を求める。
図５は、実施の形態２における最小電流増幅率設定処理を示すフローチャートである。
最大電流増幅率測定手段２０４は、測定条件情報格納部２０３に格納されている測定条件に基づいて、ベース端子−エミッタ端子間電圧値の初期値として０［Ｖ］を設定し（ステップＳＴ１１）、バイポーラトランジスタ１の電流増幅率として、コレクタ端子電流の電流値、ベース端子電流の電流値を求め、これを設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５に記憶する（ステップＳＴ１２）。
【００４１】
最大電流増幅率比較手段２０６は、ステップＳＴ１２で求めた最大電流増幅率の測定値と、最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶されている最大電流増幅率情報の値とを比較し（ステップＳＴ１３）、測定値が最大電流増幅率情報格納部２０８の記憶値より大きい場合、最大電流増幅率設定手段２０７は、その測定値を新たな最大電流増幅率情報の値として最大電流増幅率情報格納部２０８に記憶する（ステップＳＴ１４）。尚、最大電流増幅率情報格納部２０８はその初期値として０が設定されるよう構成されている。従って、最初の測定処理では最大電流増幅率測定手段２０４の測定値が最大増幅率情報として記憶される。
【００４２】
次に、最大電流増幅率設定手段２０７は、次の測定条件、即ち、ベース端子−エミッタ端子間電圧値にステップ電圧値を加えた次の測定用の電圧値を最大電流増幅率測定手段２０４に与え（ステップＳＴ１５）、ステップＳＴ１２に戻る。最大電流増幅率測定手段２０４は、次の測定用の電圧値で電流増幅率を求め（ステップＳＴ１２）、また、最大電流増幅率比較手段２０６は、ステップＳＴ１３の比較処理を繰り返す。このようにして、ベース端子−エミッタ端子間電圧を徐々に上げて測定を繰り返し、最大電流増幅率情報格納部２０８に保存される最大電流増幅率情報を更新していく。
【００４３】
ステップＳＴ１３の比較処理において、設定用電流増幅率測定値情報格納部２０５の測定値が最大電流増幅率情報格納部２０８の記憶値以下であった場合、最大電流増幅率比較手段２０６は、その時点で最大電流増幅率情報格納部２０８に保存されている最大電流増幅率情報の値が最大値であると判定する。これにより、最小電流増幅率設定手段２０９は、最小電流増幅率情報を算出し（ステップＳＴ１６）、これを最小電流増幅率情報格納部２１０に記憶する（ステップＳＴ１７）。
【００４４】
最小電流増幅率情報は、最大電流増幅率情報に、測定条件情報格納部２０３に格納されている電流増幅率比を乗じて求める。即ち、最小電流増幅率情報＝最大電流増幅率情報×電流増幅率比である。このようにして、測定者が入力した測定条件に基づく最小電流増幅率の値を求めることができる。
【００４５】
次に、求めた最小電流増幅率情報を用いた特性測定処理を説明する。
図６は、特性測定処理のフローチャートである。
電流増幅率測定手段２１１は、測定条件決定手段２０２が決定した測定条件を使ってバイポーラトランジスタ１のベース端子電流、コレクタ端子電流を測定して電流増幅率測定値情報を求め、これを電流増幅率測定値情報格納部２１２に格納する。即ち、この場合の測定処理でもバイポーラトランジスタ１に与えるベース端子−エミッタ端子間電圧の初期値として０［Ｖ］とし（ステップＳＴ２１）、電流増幅率を測定する（ステップＳＴ２２）。
【００４６】
次に、電流増幅率比較手段２１３は、電流増幅率測定値情報格納部２１２に記憶された電流増幅率測定値と最小電流増幅率情報格納部２１０に格納されている最小電流増幅率情報とを比較し、電流増幅率測定値が最小電流増幅率情報の値以下であるかを判定する（ステップＳＴ２３）。このステップＳＴ２３において、電流増幅率測定値が最小電流増幅率情報の値を超えていた場合は、測定条件設定手段２１４によって、その時点のベース端子−エミッタ端子間の電圧値にステップ電圧値を加えた値を次の測定条件として電流増幅率測定手段２１１に与え（ステップＳＴ２４）、ステップＳＴ２２に戻る。
【００４７】
このようにして、電流増幅率測定手段２１１は、電流増幅率の測定を繰り返し、電流増幅率測定値情報格納部２１２にその電流増幅率測定値を格納する。そして、ステップＳＴ２３における電流増幅率比較手段２１３の比較処理において、電流増幅率測定値が最小電流増幅率情報の値以下であった場合、電流増幅率比較手段２１３は測定処理が終了であると判定し、電流増幅率測定値情報格納部２１２の電流増幅率測定値を出力する（ステップＳＴ２５）。測定結果表示手段２１５は、この電流増幅率測定値を測定結果として表示する。
【００４８】
図７は、特性測定の一例を示す説明図である。
図７に示すように、測定された最大電流増幅率が１００であり、また、測定条件として入力された電流増幅率比が０．１であった場合、最小電流増幅率は１０として求められる。特性測定を行う場合は、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値が０．０［Ｖ］から測定を開始する。そして、電流増幅率が１０以上のベース端子−エミッタ端子間の電圧値Ｖ１［Ｖ］までの範囲でバイポーラトランジスタ１の電流増幅率特性を測定する。
【００４９】
以上のように、実施の形態２によれば、測定者は、所望する電流増幅率比を入力するだけで、バイポーラトランジスタ１の耐圧を考慮する必要がなく、適切なベース端子−エミッタ端子間電圧による電流増幅率特性を得ることができる。
【００５０】
実施の形態３．
実施の形態３は、バイポーラトランジスタの特性測定として、そのコレクタ電流特性を測定する装置に関するものである。
図８は、この発明の実施の形態３によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
図示のバイポーラトランジスタ特性測定装置は、測定条件入力手段３０１、測定条件決定手段３０２、測定条件情報格納部３０３、最小コンダクタンス測定手段３０４、設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５、最小コンダクタンス比較手段３０６、最小コンダクタンス設定手段３０７、最小コンダクタンス情報格納部３０８、最大コンダクタンス値設定手段３０９、最大測定コンダクタンス情報格納部３１０、コレクタ電流測定手段３１１、コレクタ電流測定値情報格納部３１２、コンダクタンス計算手段３１３、コンダクタンス測定情報格納部３１４、コンダクタンス比較手段３１５、測定条件設定手段３１６、測定結果表示手段３１７からなる。
【００５１】
測定条件入力手段３０１は、実施の形態１、２の測定条件入力手段１０１、２１と同様に、測定対象となるバイポーラトランジスタ１の測定条件を測定者が入力するための機能部である。ここで、入力する測定条件としては、ベース端子の電流値、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値、コンダクタンスの最小値と最大値の比を表すコンダクタンス比、である。測定条件決定手段３０２は、測定条件入力手段３０１で入力された測定条件に基づいて、実際に測定を行う条件を決定する機能部である。測定条件情報格納部３０３は、測定条件決定手段３０２で決定された測定条件を格納するための記憶部である。
【００５２】
最小コンダクタンス測定手段３０４は、測定条件情報格納部３０３に格納された測定条件に基づいて、バイポーラトランジスタ１に対する最小コンダクタンスを測定する手段である。設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５は、最小コンダクタンス測定手段３０４で測定されたコンダクタンス測定値を格納するための記憶部である。
【００５３】
最小コンダクタンス比較手段３０６は、設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５に記憶されたコンダクタンス測定値と、最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶された最小コンダクタンスの値とを比較し、設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５に記憶されたコンダクタンス測定値が、最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶された最小コンダクタンスの値を上回った場合に、最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶された最小コンダクタンスの値を、バイポーラトランジスタ１の最小コンダクタンス情報であるとして最大コンダクタンス値設定手段３０９に与える機能を有している。
【００５４】
最小コンダクタンス設定手段３０７は、最小コンダクタンス比較手段３０６で比較した結果、設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５に記憶されたコンダクタンス測定値が、最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶された最小コンダクタンス情報の値を下回っている場合に、そのコンダクタンス測定値を最小コンダクタンス情報格納部３０８に設定する機能部である。また、最小コンダクタンス情報格納部３０８は、最大測定コンダクタンス設定処理において、その時点の最小コンダクタンスの値を保持するための記憶部である。
【００５５】
最大コンダクタンス値設定手段３０９は、最小コンダクタンス比較手段３０６から、最小コンダクタンスが検出されたという通知に基づいて、最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶されている最小コンダクタンス情報の値に対し、測定条件情報格納部３０３に格納されているコンダクタンス比を乗算して最大測定コンダクタンス情報の値を演算する機能部である。また、最大測定コンダクタンス情報格納部３１０は、最大コンダクタンス値設定手段３０９で算出された最大測定コンダクタンスの値を格納するための記憶部である。
【００５６】
コレクタ電流測定手段３１１は、バイポーラトランジスタ１に対する特性測定処理を行う機能部であり、測定条件設定手段３１６で設定された測定条件に基づいてバイポーラトランジスタ１のコレクタ電流を測定する機能を有している。また、コレクタ電流測定値情報格納部３１２は、その測定結果を保存する記憶部である。
【００５７】
コンダクタンス計算手段３１３は、コレクタ電流測定値情報格納部３１２に記憶されたコレクタ電流測定値情報からコンダクタンスの値を計算する機能部である。また、コンダクタンス測定情報格納部３１４は、コンダクタンス計算手段３１３で計算されたコンダクタンスの値を保存するための記憶部である。コンダクタンス比較手段３１５は、コンダクタンス測定情報格納部３１４に記憶されたコンダクタンス測定値と最大測定コンダクタンス情報格納部３１０に保存されている最大コンダクタンス情報の値とを比較し、コンダクタンス測定値が、最大測定コンダクタンス情報格納部３１０に保存されている最大測定コンダクタンス情報の値以上になった場合は、測定終了と判定する機能部である。
【００５８】
測定条件設定手段３１６は、コンダクタンス比較手段３１５の比較結果が、コンダクタンス測定値が、最大測定コンダクタンス情報格納部３１０に保存されている最大測定コンダクタンス情報の値を下回っている場合、次の測定条件（コレクタ端子−エミッタ端子間電圧にステップ電圧値を加えた値）を設定し、これをコレクタ電流測定手段３１１に与えるための機能部である。
【００５９】
測定結果表示手段３１７は、コンダクタンス比較手段３１５が測定終了と判定した場合に、測定結果を表示する機能部である。
【００６０】
次に、実施の形態３の動作について説明する。
バイポーラトランジスタ１のコレクタ電流特性を測定する場合、測定者は測定条件入力手段３０１を用いて、測定条件（ベース端子の電流値、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値、コンダクタンスの最小値と最大値の比を表すコンダクタンス比）を入力する。これにより、測定条件決定手段３０２は、入力された各測定条件の値に基づいて、実際の測定条件であるコレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を決定し、これを他の測定条件と共に測定条件情報格納部３０３に格納する。
【００６１】
上記の測定条件としては例えば次のような値が入力される。
（７）ベース端子の電流値：ベース端子電流の最小値（通常１ｎＡ）以上で、ベース端子電流の最大値（通常０．１ｍＡ）以下の任意の値。
（８）コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値：測定装置の最小電圧値（通常、１ｍＶ以下）より大きい任意の電圧値。
（９）コンダクタンスの最小値と最大値の比を表すコンダクタンス比：１より大きく、１００より小さい任意の値。
【００６２】
次に、本実施の形態では、コレクタ電流を実際に測定する前処理として最大測定コンダクタンスの値を求める。
図９は、実施の形態３における最大測定コンダクタンス設定処理を示すフローチャートである。
最小コンダクタンス測定手段３０４は、測定条件情報格納部３０３に格納されている測定条件に基づいて、コレクタ端子−エミッタ端子間電圧値の初期値として０［Ｖ］を設定し（ステップＳＴ３１）、バイポーラトランジスタ１のコレクタ端子電流を求め、これをコレクタ端子−エミッタ端子間の電圧で微分してコンダクタンス値を計算し、設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５に記憶する（ステップＳＴ３２）。
【００６３】
最小コンダクタンス比較手段３０６は、ステップＳＴ３２で求めたコンダクタンスの値と、最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶されている最小コンダクタンス情報の値とを比較し（ステップＳＴ３３）、ステップＳＴ３２で求めたコンダクタンスの値が最小コンダクタンス情報格納部３０８の記憶値より小さい場合、最小コンダクタンス設定手段３０７は、そのコンダクタンスの値を新たな最小コンダクタンス情報の値として最小コンダクタンス情報格納部３０８に記憶する（ステップＳＴ３４）。
【００６４】
尚、最小コンダクタンス情報格納部３０８の初期値は、バイポーラトランジスタ１のコンダクタンスの最大値（通常１０以下）より大きな値（例えば１００）に設定されている。従って、最初の測定処理では、最小コンダクタンス測定手段３０４で測定したコンダクタンスの値が最小コンダクタンス情報として記憶される。
【００６５】
次に、最小コンダクタンス設定手段３０７は、次の測定条件、即ち、コレクタ端子−エミッタ端子間電圧値にステップ電圧値を加えた次の測定用の電圧値を最小コンダクタンス測定手段３０４に与え（ステップＳＴ３５）、ステップＳＴ３２に戻る。最小コンダクタンス測定手段３０４は、次の測定用の電圧値でコンダクタンスの値を計算し（ステップＳＴ３２）、また、最小コンダクタンス比較手段３０６は、ステップＳＴ３３の比較処理を繰り返す。このようにして、コレクタ端子−エミッタ端子間電圧を徐々に上げて測定を繰り返し、最小コンダクタンス情報格納部３０８に保存される最小コンダクタンス情報の値を更新していく。
【００６６】
ステップＳＴ３３の比較処理において、設定用コンダクタンス測定値情報格納部３０５に格納されたコンダクタンスの値が最小コンダクタンス情報格納部３０８の最小コンダクタンス情報の値以上であった場合、最小コンダクタンス比較手段３０６は、その時点で最小コンダクタンス情報格納部３０８に保存されている最小コンダクタンス情報の値が最小値であると判定する。これにより、最大コンダクタンス値設定手段３０９は、最大コンダクタンス値を算出し（ステップＳＴ３６）、これを最大測定コンダクタンス情報として最大測定コンダクタンス情報格納部３１０に記憶する（ステップＳＴ３７）。
【００６７】
最大測定コンダクタンス情報は、最小コンダクタンス情報格納部３０８に格納された最小コンダクタンス情報の値に、測定条件情報格納部３０３に格納されているコンダクタンス比を乗じて求める。即ち、最大測定コンダクタンス情報＝最小コンダクタンス情報×コンダクタンス比である。このようにして、測定者が入力した測定条件に基づく最大測定コンダクタンス情報の値を求めることができる。
【００６８】
次に、求めた最大測定コンダクタンス情報を用いた特性測定処理を説明する。
図１０は、特性測定処理のフローチャートである。
コレクタ電流測定手段３１１は、測定条件決定手段３０２が決定した測定条件を使ってバイポーラトランジスタ１のコレクタ端子電流を測定し、コレクタ電流測定値情報格納部３１２に格納する。また、コンダクタンス計算手段３１３は、コレクタ電流測定値情報格納部３１２のコレクタ電流測定値からコンダクタンス値を計算し、これをコンダクタンス測定情報格納部３１４に格納する。
【００６９】
即ち、この場合の測定処理でもバイポーラトランジスタ１に与えるコレクタ端子−エミッタ端子間電圧の初期値として０．０［Ｖ］とし（ステップＳＴ４１）、コレクタ電流値を測定し、これに基づいたコンダクタンス値を算出する（ステップＳＴ４２）。
【００７０】
次に、コンダクタンス比較手段３１５は、コンダクタンス測定情報格納部３１４に記憶されたコンダクタンス測定値と最大測定コンダクタンス情報格納部３１０に格納されている最大測定コンダクタンス情報の値とを比較し、コンダクタンス測定値が最大測定コンダクタンス情報の値以上であるかを判定する（ステップＳＴ４３）。このステップＳＴ４３において、コンダクタンス測定値が最大測定コンダクタンス情報の値を下回っていた場合は、測定条件設定手段３１６によって、その時点のコレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値にステップ電圧値を加えた値を次の測定条件としてコレクタ電流測定手段３１１に与え（ステップＳＴ４４）、ステップＳＴ４２に戻る。
【００７１】
このようにして、コレクタ電流測定手段３１１は、コレクタ端子電流の測定を繰り返し、その測定値をコレクタ電流測定値情報格納部３１２に格納する。また、コンダクタンス計算手段３１３は、コレクタ電流測定値情報格納部３１２のコレクタ電流測定値からコンダクタンス測定値を算出し、これをコンダクタンス測定情報格納部３１４に格納する。そして、ステップＳＴ４３におけるコンダクタンス比較手段３１５の比較処理において、コンダクタンス測定値が最大測定コンダクタンス情報の値以上であった場合、コンダクタンス比較手段３１５は測定処理が終了であると判定し、コンダクタンス測定情報格納部３１４のコンダクタンス測定値を出力する（ステップＳＴ４５）。測定結果表示手段３１７は、このコンダクタンス測定値を測定結果として表示する。
【００７２】
図１１および図１２は、特性測定の一例を示す説明図であり、図１１は、コレクタ端子−エミッタ端子間電圧とコレクタ端子電流との関係、図１２は、コレクタ端子−エミッタ端子間電圧とコンダクタンスとの関係を示している。
これらの図に示すように、測定条件として入力されたコンダクタンス比が１０、測定されたコンダクタンスの最小値が１．０×１０−６［Ｓ］であった場合、特性測定を行うには、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値が０．０［Ｖ］から測定を開始する。そして、コンダクタンス値が１．０×１０−５［Ｓ］以下であるコレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値Ｖ１［Ｖ］までの範囲でバイポーラトランジスタ１のコレクタ電流特性を測定する。
【００７３】
以上のように、実施の形態３によれば、測定者は、所望するコンダクタンス比を入力するだけで、バイポーラトランジスタ１の耐圧を考慮する必要がなく、適切なコレクタ端子−エミッタ端子間電圧によるコレクタ電流特性を得ることができる。
【００７４】
実施の形態４．
実施の形態４は、バイポーラトランジスタの特性測定として、バイポーラトランジスタのＩｃＩｂＶｂｅ特性、電流増幅率特性、コレクタ電流特性を連続して測定する装置に関するものである。
【００７５】
図１３は、この発明の実施の形態４によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
図示のバイポーラトランジスタ特性測定装置は、測定条件入力手段４０１、測定条件決定手段４０２、測定条件情報格納部４０３、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４、電流増幅率特性測定手段４０５、コレクタ電流特性測定手段４０６、測定結果表示手段４０７からなる。
【００７６】
測定条件入力手段４０１は、上述した実施の形態１，２，３における測定条件入力手段１０１，２０１，３０１の機能を合わせた機能を有している。また、測定条件決定手段４０２も同様に、測定条件決定手段１０２，２０２，３０２の機能を全て備えたものである。更に、測定条件情報格納部４０３も、測定条件情報格納部１０３，２０３，３０３の機能を全て備えたものである。
【００７７】
ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４は、図１に示した実施の形態１における漏れ電流測定手段１０４〜測定条件設定手段１０９の構成に相当するものである。電流増幅率特性測定手段４０５は、図４に示した実施の形態２における最大電流増幅率測定手段２０４〜測定条件設定手段２１４の構成に相当するものである。コレクタ電流特性測定手段４０６は、図８に示した実施の形態３の最小コンダクタンス測定手段３０４〜測定条件設定手段３１６の構成に相当するものである。尚、これらＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４〜コレクタ電流特性測定手段４０６のそれぞれの機能は、上記実施の形態で説明した機能と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００７８】
本実施の形態のバイポーラトランジスタ特性測定装置でバイポーラトランジスタ１の特性測定を行う場合、測定者は、測定条件入力手段４０１よりＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４、電流増幅率特性測定手段４０５、コレクタ電流特性測定手段４０６に対応した測定条件を入力する。
【００７９】
即ち、この場合の測定条件としては、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値、ベース端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値、電流増幅率の最大値に対する電流増幅率比、ベース端子の電流値、コレクタ端子−エミッタ端子間の電圧値を変更して繰り返し測定するためのステップ電圧値、コンダクタンスの最小値に対するコンダクタンス比である。尚、ここで、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４がＩｃＩｂＶｂｅ特性を測定する時のベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値は、電流増幅率特性測定手段４０５で得られるベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値を用いることができる。このため、本実施の形態では、ベース端子−エミッタ端子間の最大電圧値を測定条件として入力する必要がない。また、これは、少なくともＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４と電流増幅率特性測定手段４０５とを備えた測定装置であれば、同様に考えることができる。
【００８０】
測定条件決定手段４０２は、測定条件入力手段４０１から入力された各測定条件を読み込んで、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４〜コレクタ電流特性測定手段４０６に対応した測定条件を決定し、これらの条件を測定条件情報格納部４０３に記憶させる。
【００８１】
また、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４〜コレクタ電流特性測定手段４０６は、それぞれ各実施の形態で説明した動作と同様の動作を行う。即ち、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段４０４は、バイポーラトランジスタ１に対するＩｃＩｂＶｂｅ特性を測定し、電流増幅率特性測定手段４０５は電流増幅率特性、コレクタ電流特性測定手段４０６はコレクタ電流特性をそれぞれ測定する。そして、測定結果表示手段４０７は、これらの特性を表示する。
【００８２】
以上のように、実施の形態４によれば、バイポーラトランジスタに対するＩｃＩｂＶｂｅ特性、電流増幅率特性、コレクタ電流特性を連続して測定するようにしたので、１台のバイポーラトランジスタ特性測定装置で、各実施の形態で測定した特性を得ることができる効果がある。
【００８３】
尚、上記実施の形態４では、バイポーラトランジスタに対するＩｃＩｂＶｂｅ特性、電流増幅率特性、コレクタ電流特性の全てを測定するようにしたが、いずれか二つの特性のみ測定するといった構成であってもよい。また、ＩｃＩｂＶｂｅ特性だけでなく、ＩｅＩｂＶｂｃ特性を測定するよう構成してもよい。
【００８４】
また、各実施の形態では、測定条件入力手段１０１，２０１，３０１，４０１から入力する測定条件は人手で任意の値を入力するようにしたが、これらの測定条件をプログラムで固定値に設定してもよい。
【００８５】
以上に述べたように、バイポーラトランジスタのＩｃＩｂＶｂｅ特性やＩｅＩｂＶｂｃ特性を測定する場合、最初に漏れ電流値を測定し、この漏れ電流値になるまでコレクタ端子電流、エミッタ端子電流、ベース端子電流を測定するようにしたので、測定者自身が適切な測定条件を考慮しなくとも再測定等を行う必要がなく、適切な測定条件による特性結果を得ることができる。
【００８６】
また、バイポーラトランジスタの電流増幅率特性を測定する場合、測定条件として入力された電流増幅率比に基づいて、バイポーラトランジスタの最小電流増幅率情報を求め、この最小電流増幅率情報の値になるまで電流増幅率特性を測定するようにしたので、測定者がバイポーラトランジスタの仕様に合わせて適切な測定条件を設定するといったことを考慮する必要がなく、測定時にバイポーラトランジスタを壊してしまうといった問題を一掃することができる。
【００８７】
また、バイポーラトランジスタのコレクタ端子電流特性を測定する場合、測定条件として入力されたコンダクタンス比に基づいて、バイポーラトランジスタの最大測定コンダクタンス情報を求め、この最大測定コンダクタンス情報の値になるまでコレクタ電流特性を測定するようにしたので、測定者がバイポーラトランジスタの仕様に合わせて適切な測定条件を設定するといったことを考慮する必要がなく、測定時にバイポーラトランジスタを壊してしまうといった問題を一掃することができる。
【００８８】
また、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定あるいはＩｅＩｂＶｂｃ特性測定と、電流増幅率特性測定とを行うようにしたので、測定者が適切な測定条件を設定するといったことを考慮する必要がなく、ＩｃＩｂＶｂｅ特性あるいはＩｅＩｂＶｂｃ特性と、電流増幅率特性とに対する適切な測定結果が得られると共に、測定時のバイポーラトランジスタの破壊等を未然に防止することができる。また、この場合は、測定条件として、ベース端子−エミッタ端子間電圧の最大値を入力する必要がないという効果がある。
【００８９】
また、ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定あるいはＩｅＩｂＶｂｃ特性測定と、コレクタ端子電流特性測定とを行うようにしたので、測定者が適切な測定条件を設定するといったことを考慮する必要がなく、ＩｃＩｂＶｂｅ特性あるいはＩｅＩｂＶｂｃ特性と、コレクタ端子電流特性とに対する適切な測定結果が得られると共に、測定時のバイポーラトランジスタの破壊等を未然に防止することができる。
【００９０】
また、電流増幅率特性測定と、コレクタ端子電流特性測定とを行うようにしたので、測定者が適切な測定条件を設定するといったことを考慮する必要がなく、電流増幅率特性と、コレクタ端子電流特性とに対する適切な測定結果が得られると共に、測定時のバイポーラトランジスタの破壊等を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】この発明の実施の形態１によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態１によるバイポーラトランジスタ特性の測定処理を示すフローチャートである。
【図３】この発明の実施の形態１によるバイポーラトランジスタ特性測定装置の動作の説明図である。
【図４】この発明の実施の形態２によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
【図５】実施の形態２における最小電流増幅率設定処理を示すフローチャートである。
【図６】実施の形態２における特性測定処理を示すフローチャートである。
【図７】実施の形態２における特性測定の一例を示す説明図である。
【図８】この発明の実施の形態３によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
【図９】この発明の実施の形態３における最大測定コンダクタンス設定処理を示すフローチャートである。
【図１０】この発明の実施の形態３における特性測定処理を示すフローチャートである。
【図１１】この発明の実施の形態３におけるコレクタ端子−エミッタ端子間電圧とコレクタ端子電流との関係を示す説明図である。
【図１２】この発明の実施の形態３におけるコレクタ端子−エミッタ端子間電圧とコンダクタンスとの関係を示す説明図である。
【図１３】この発明の実施の形態４によるバイポーラトランジスタ特性測定装置を示す構成図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  バイポーラトランジスタ、１０１，２０１，３０１，４０１  測定条件入力手段、１０４  漏れ電流測定手段、１０６  電流測定手段、１０８  電流値比較手段、２０９  最小電流増幅率設定手段、２１１  電流増幅率測定手段、２１３  電流増幅率比較手段、３０９  最大コンダクタンス値設定手段、３１１  コレクタ電流測定手段、３１３  コンダクタンス計算手段、３１５  コンダクタンス比較手段、４０４  ＩｃＩｂＶｂｅ特性測定手段、４０５  電流増幅率特性測定手段、４０６  コレクタ電流特性測定手段。
【図１】
2005057002.tif 000003
【図２】
2005057002.tif 000004
【図３】
2005057002.tif 000005
【図４】
2005057002.tif 000006
【図５】
2005057002.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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