(57)【要約】【課題】追加的な工程なしに、液晶パネルの外廓に光遮断手段を構成したＣＯＴ構造の液晶表示装置とその製造方法を得る。【解決手段】表示領域と、表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有し、非表示領域は、第１〜第４非表示領域を含む基板１００と、第２、第４非表示領域に平行であって、第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線１０２と、第１、第３非表示領域に平行であって、多数のゲート配線と交差して、表示領域内に多数の画素領域を定義し、第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線１１８と、非表示領域に対応して、ゲート配線とデータ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、第１〜第４非表示領域の各々に対応する第１〜第４遮断手段を含む光遮断手段１０６、１２０とを備える。【選択図】図４
2005321784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、
前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板と、
前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線と、
前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線と、
前記非表示領域に対応して、前記ゲート配線と前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段と
を備える液晶表示装置用基板。
【請求項２】
前記第１遮断手段は、前記各ゲート配線から隣接するゲート配線へと延長された第１パターンと、前記第１データ配線から延長され、前記第１パターンと前記隣接するゲート配線間を遮る第２パターンとを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項３】
前記第２遮断手段は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第３パターンと、前記第１ゲート配線から延長され、前記第３パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第４パターンとを含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４】
前記第２遮断手段は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第１パターンと、前記第１ゲート配線から延長され、前記第１パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第２パターンとを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５】
前記第１遮断手段は、前記第１データ配線から延長され、前記隣接するゲート配線間を遮る第１パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項６】
前記第２遮断手段は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第２パターンと、前記第１ゲート配線から延長され、前記第１パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第３パターンとを含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項７】
前記第２遮断手段は、前記第１ゲート配線から延長され、前記隣接するデータ配線間を遮る第２パターンを含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項８】
前記第３遮断手段は、前記第１遮断手段に対応する構造であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項９】
前記第２遮断手段は、前記第１ゲート配線から延長され、前記隣接するデータ配線間を遮る第１パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１０】
前記第４遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１１】
前記第１遮断手段は、前記第２ゲート配線から前記第４遮断手段へと延長された第１パターンと、前記第１データ配線から延長され、前記第１パターンと前記第４遮断手段間を遮る第２パターンとを含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１２】
前記第１遮断手段は、前記第１データ配線から延長され、前記第２ゲート配線と前記第４遮断手段間を遮る第１パターンを含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１３】
前記第２パターンは、前記第１パターン及び前記隣接するゲート配線各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１４】
前記第２パターンは、前記第１パターン及び前記隣接するデータ配線各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１５】
前記第１パターンは、前記ゲート配線と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１６】
前記第１パターンは、前記データ配線と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１７】
前記第２パターンは、前記第１パターン及び前記第４遮断手段各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１８】
前記第１パターンは、前記第２ゲート配線及び前記第４遮断手段各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１９】
前記各画素領域内に、薄膜トランジスタと、カラーフィルターパターンと、画素電極とをさらに含み、前記カラーフィルターパターンは、前記薄膜トランジスタ上に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項２０】
前記各画素領域内に、薄膜トランジスタと、カラーフィルターパターンと、画素電極と、前記薄膜トランジスタに対応するブラックマトリックスとをさらに含み、前記カラーフィルターパターンと前記ブラックマトリックスとは、前記薄膜トランジスタを露出するコンタクトホールを有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項２１】
表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、
前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板を準備する段階と、
前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線を形成する段階と、
前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線を形成する段階と、
前記非表示領域に対応して、前記ゲート配線と前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段とを含む光遮断手段を形成する段階と
を備える液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第１遮断手段を形成する段階は、前記各ゲート配線から隣接するゲート配線へと延長された第１パターンを形成する段階と、前記第１データ配線から延長され、前記第１パターンと前記隣接するゲート配線間を遮る第２パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第２遮断手段を形成する段階は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第３パターンを形成する段階と、前記第１ゲート配線から延長され、前記第３パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第４パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第２遮断手段を形成する段階は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第１パターンを形成する段階と、前記第１ゲート配線から延長され、前記第１パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第２パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２５】
前記第１遮断手段を形成する段階は、前記第１データ配線から延長され、前記隣接するゲート配線間を遮る第１パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２６】
前記第２遮断手段を形成する段階は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第２パターンを形成する段階と、前記第１ゲート配線から延長され、前記第１パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第３パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２７】
前記第２遮断手段を形成する段階は、前記第１ゲート配線から延長され、前記隣接するデータ配線間を遮る第２パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２８】
前記第３遮断手段は、前記第１遮断手段に対応する構造であることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２９】
前記第２遮断手段を形成する段階は、前記第１ゲート配線から延長され、前記隣接するデータ配線間を遮る第１パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３０】
前記第４遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長されることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３１】
前記第１遮断手段を形成する段階は、前記第２ゲート配線から前記第４遮断手段へと延長された第１パターンを形成する段階と、前記第１データ配線から延長され、前記第１パターンと前記第４遮断手段間を遮る第２パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項３０に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３２】
前記第１遮断手段を形成する段階は、前記第１データ配線から延長され、前記第２ゲート配線と前記第４遮断手段間を遮る第１パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項３０に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３３】
前記第２パターンは、前記第１パターン及び前記隣接するゲート配線各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３４】
前記第２パターンは、前記第１パターン及び前記隣接するデータ配線各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３５】
前記第１パターンは、前記ゲート配線と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３６】
前記第１パターンは、前記データ配線と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項２９に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３７】
前記第２パターンは、前記第１パターン及び前記第４遮断手段各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３８】
前記第１パターンは、前記第２ゲート配線及び前記第４遮断手段各々と３μｍ以下の幅で重なることを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３９】
前記各画素領域内に、薄膜トランジスタと、カラーフィルターパターンと、画素電極とを形成する段階をさらに含み、前記カラーフィルターパターンは、前記薄膜トランジスタ上に形成されることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項４０】
前記各画素領域内に、薄膜トランジスタと、カラーフィルターパターンと、画素電極と、前記薄膜トランジスタに対応するブラックマトリックスとを形成する段階をさらに含み、前記カラーフィルターパターンと前記ブラックマトリックスとは、前記薄膜トランジスタを露出するコンタクトホールを有することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項４１】
表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、
前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板と、
前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線と、
前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線と、
前記各画素領域内に形成された半導体パターンを含む薄膜トランジスタと、
前記各画素領域内に形成されたカラーフィルターパターンと、
前記非表示領域に対応して、前記半導体パターンと前記カラーフィルターパターンと前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段と
を備える液晶表示装置用基板。
【請求項４２】
前記第１遮断手段は、前記隣接するゲート配線間を遮り、前記隣接するゲート配線間に位置する第１パターンと、前記第１データ配線から延長され、前記隣接する第１パターン間を遮る第２パターンとを含み、前記第１パターンは、第１ダミー半導体パターンと第１ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４３】
前記第２遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長され、第２ダミー半導体パターンと第２ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項４２に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４４】
前記第２遮断手段は、前記第１ゲート配線と重なることを特徴とする請求項４３に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４５】
前記第３遮断手段は、前記第１遮断手段に対応する構造であることを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４６】
前記第２遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長され、ダミー半導体パターンとダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４７】
前記第２遮断手段は、前記第１ゲート配線と重なることを特徴とする請求項４６に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４８】
前記第４遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長され、第１ダミー半導体パターンと第１ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４９】
前記第１遮断手段は、前記第２ゲート配線と前記第４遮断手段間を遮り、前記第２ゲート配線と前記第４遮断手段間に位置する第１パターンと、前記第１データ配線から延長され、前記第１パターンと前記第４遮断手段間を遮る第２パターンとを含み、前記第１パターンは、第２ダミー半導体パターンと第２ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項４８に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５０】
前記カラーフィルターパターンは、前記各画素領域に対応する赤色、緑色、青色のカラーフィルターパターンを含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５１】
前記第１ダミーカラーフィルターパターンは、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを含むことを特徴とする請求項４２に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５２】
前記第２ダミーカラーフィルターパターンは、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを含むことを特徴とする請求項４３に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５３】
前記ダミーカラーフィルターパターンは、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを含むことを特徴とする請求項４６に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５４】
前記第１ダミーカラーフィルターパターンは、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを含むことを特徴とする請求項４８に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５５】
前記第２ダミーカラーフィルターパターンは、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを含むことを特徴とする請求項４９に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５６】
前記第２遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長されることを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５７】
前記第２遮断手段は、前記各データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第３パターンと、前記第１ゲート配線から延長され、前記第３パターンと前記隣接するデータ配線間を遮る第４パターンとを含むことを特徴とする請求項４２に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５８】
表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、
前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板を準備する段階と、
前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線を形成する段階と、
前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線を形成する段階と、
前記各画素領域内に、半導体パターンを含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記各画素領域内に、カラーフィルターパターンを形成する段階と、
前記非表示領域に対応して、前記半導体パターンと前記カラーフィルターパターンと前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段とを含む光遮断手段を形成する段階と
を備える液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項５９】
前記第１遮断手段は、前記隣接するゲート配線間を遮り、前記第１遮断手段を形成する段階は、前記隣接するゲート配線間に位置する第１パターンを形成する段階と、前記第１データ配線から延長され、前記隣接する第１パターン間を遮る第２パターンを形成する段階とを含み、前記第１パターンは、第１ダミー半導体パターンと第１ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項５８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６０】
前記第２遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長され、第２ダミー半導体パターンと第２ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項５９に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６１】
前記第２遮断手段は、前記第１ゲート配線と重なることを特徴とする請求項５８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６２】
前記第３遮断手段は、前記第１遮断手段に対応する構造であることを特徴とする請求項５８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６３】
前記第２遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長され、ダミー半導体パターンとダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項５８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６４】
前記第４遮断手段は、前記ゲート配線の延長方向に沿って延長され、第１ダミー半導体パターンと第１ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項５８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６５】
前記第１遮断手段は、前記第２ゲート配線と前記第４遮断手段間を遮り、前記第１遮断手段を形成する段階は、前記第２ゲート配線と前記第４遮断手段間に位置する第１パターンを形成する段階と、前記第１データ配線から延長され、前記第１パターンと前記第４遮断手段間を遮る第２パターンを形成する段階とを含み、前記第１パターンは、第２ダミー半導体パターンと第２ダミーカラーフィルターパターンとを含むことを特徴とする請求項６４に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６６】
前記カラーフィルターパターンを形成する段階は、前記各画素領域に対応する赤色、緑色、青色のカラーフィルターパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項５８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６７】
前記第１ダミーカラーフィルターパターンを形成する段階は、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項５９に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６８】
前記第２ダミーカラーフィルターパターンを形成する段階は、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項６０に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項６９】
前記ダミーカラーフィルターパターンを形成する段階は、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項６３に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項７０】
前記第１ダミーカラーフィルターパターンを形成する段階は、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項６４に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項７１】
前記第２ダミーカラーフィルターパターンを形成する段階は、赤色、緑色、青色のダミーカラーフィルターパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項６５に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項７２】
表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、
前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板と、
前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線と、
前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線と、
前記各画素領域内に形成された半導体パターンを含む薄膜トランジスタと、
前記各画素領域内に形成されたカラーフィルターパターンと、
前記非表示領域に対応して、前記半導体パターンと前記カラーフィルターパターンと前記ゲート配線と前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段と
を備える液晶表示装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、追加的な工程なしに、液晶パネルの外廓に光遮断手段を構成したＣＯＴ構造の液晶表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な液晶表示装置は、液晶分子の光学的異方性と複屈折の特性を利用して、画像を表現し、電界が印加されると、液晶の配列が異なり、異なった液晶の配列の方向によって、光が透過される特性も異なる。また、液晶表示装置は、電界生成電極が各々形成されている２つの基板を、２つの電極が形成されている面を向かい合うように配置して、両基板間に液晶物質を注入した後、両電極に電圧を印加して生成される電場により液晶分子を動かして、異なる光の透過率により画像を表現する装置である。
【０００３】
図１は、従来の液晶表示装置を概略的に示した図である。
図１に示したように、液晶表示装置１１は、サブカラーフィルター８と各サブカラーフィルター８間に構成されたブラックマトリックス６を含むカラーフィルター７と、前記カラーフィルター７の上部に蒸着された共通電極１８が形成された上部基板５と、画素領域Ｐが定義され、画素領域Ｐには、画素電極１７とスイッチング素子Ｔが構成されて、画素領域Ｐの周辺に、アレイ配線が形成された下部基板２２と、上部基板５と下部基板２２間には、充填された液晶１４とを含む。
【０００４】
下部基板２２は、アレイ基板とも称して、スイッチング素子Ｔである薄膜トランジスタＴがマトリックス状で位置して、多数の薄膜トランジスタＴを交差して通るゲート配線１３とデータ配線１５が形成される。
【０００５】
前記画素領域Ｐは、ゲート配線１３とデータ配線１５が交差して定義される領域であって、画素領域Ｐ上には、透明な画素電極１７が形成される。
前記画素電極１７は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）のように、光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を使用する。
【０００６】
前記画素電極１７に連結されたストレージキャパシターＣｓｔが、ゲート配線１３が位置する部分に構成される。ストレージキャパシターＣｓｔの第１電極として、ゲート配線１３の一部を使用して、第２電極として、データ配線１５と同一層、同一物質で形成されたアイランド状のストレージ電極３０を使用する。前記ストレージ電極３０は、画素電極１７と接触される画素電極の信号を受けるように構成される。
【０００７】
ところで、前述したように、上部カラーフィルター基板５と下部カラーフィルター基板２２を合着して液晶パネルを製作する場合には、カラーフィルター基板５とアレイ基板２２の合着誤差による光漏れの不良等が発生する確率が大変高い。
【０００８】
光漏れの不良を防ぐために、前記ブラックマトリックスを形成する時、工程マージンを設定して設計する。ところで、このような場合には、そのマージン分だけ開口率が低下する短所がある。
従って、このような問題を解決するために、アレイ基板にカラーフィルターを構成するＣＯＴ構造（ＣＯＴ：color filter on thin-film transistor）の液晶表示装置が提案された。
【０００９】
図２は、従来のＣＯＴ構造の液晶表示装置の構成を概略的に示した拡大断面図である。
図２に示したように、ＣＯＴ構造の液晶表示装置ＬＣは、アレイ基板である下部基板４０と、下部基板４０とシーラント（図示せず）により合着される上部基板７０とを含む。
【００１０】
前記下部基板４０は、基板上に、ゲート電極４２と半導体パターン４４とソース電極４６とドレイン電極４８とを含む薄膜トランジスタＴが構成される。一方、図示してはないが、前記薄膜トランジスタＴを中心に垂直に交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線及びデータ配線（図示せず）が構成される。
【００１１】
前記薄膜トランジスタＴ及びアレイ配線が構成された基板４０全面には、赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂのカラーフィルター（５２ａ、５２ｂ、図示せず）とブラックマトリックス５４とが構成されるが、前記カラーフィルター（５２ａ、５２ｂ、図示せず）は、画素領域Ｐに対応して構成されて、前記ブラックマトリックス５４は、薄膜トランジスタＴの半導体パターン４４に対応して構成される。
【００１２】
前記赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂのカラーフィルター（５２ａ、５２ｂ、図示せず）の上部には、前記ドレイン電極４４と接触する透明な画素電極５６が構成される。
また、下部基板４０に対応する上部基板７０の一面には、共通電極７２を形成する。
このように構成された液晶パネルは、前記上部基板７０と下部基板４０間に構成されたスペーサー８０により液晶のギャップを維持させる。
【００１３】
前述した構成では、液晶パネルの非表示領域ＮＡで、光が漏れることを防ぐために、非表示領域ＮＡに光遮断手段７４を上部基板７０に形成する。
このように、液晶表示装置ＬＣの非表示領域ＮＡに光遮断手段７４が必要な理由は、ＣＯＴ構造において、前記下部基板４０に構成したブラックマトリックス５４は、電極の反射を防ぐために構成したものであって、このようなブラックマトリックス５４は、誘電率が３.０以下で、絶縁特性を満足しなければならないからである。
【００１４】
一般的に使用されるブラックマトリックスは、カーボンＣが主成分であるため、絶縁体としての機能は果たさず、誘電率を低めるためには、カーボン（Ｃ）の量が少なめに添加されるので、光の反射は減少させることができるが、通過する光を防ぐことができず、上部基板の枠部に別途の光遮断手段（すなわち、金属を利用した光遮断手段）を構成して、枠部で光が漏れるのを防ぐ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところが、前述した構成は、製造工程上、マスク数がさらに追加されるので、生産費用が増加して、上部基板及び下部基板の合着に必要な工程マージンが必要となり、合着工程時、合着不良が発生する問題がある。
【００１６】
本発明は、前述したような問題を解決するための目的として提案されたものであって、液晶表示装置の周辺に光遮断手段を構成する場合に、液晶表示装置の下部基板にアレイ配線（ゲート配線または、データ配線）を形成する工程または、薄膜トランジスタの半導体パターンとカラーフィルターとを形成する工程において、上部基板の非表示領域に光遮断手段を構成することを特徴とする。
【００１７】
前述したような構成で提案される本発明は、工程数の減少により工程費用及び工程時間を短縮して、液晶表示装置の非表示領域に完全な光遮断手段を構成して画質を改善する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前述したような目的を達成するために、本発明は、表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板と、前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線と、前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線と、前記非表示領域に対応して、前記ゲート配線と前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段とを備える液晶表示装置用基板を提供する。
【００１９】
さらに、本発明は、表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域とを含む基板を準備する段階と、前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線を形成する段階と、前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線を形成する段階と、前記非表示領域に対応して、前記ゲート配線と前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段を形成する段階とを備える液晶表示装置用基板の製造方法を提供する。
【００２０】
一方、本発明は、表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板と、前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線と、前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線と、前記各画素領域内に形成された半導体パターンを含む薄膜トランジスタと、前記各画素領域内に形成されたカラーフィルターパターンと、前記非表示領域に対応して、前記半導体パターンと前記カラーフィルターパターンとデータ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段とを備える液晶表示装置用基板を提供する。
【００２１】
さらに、本発明は、表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域とを含む基板を準備する段階と、前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線を形成する段階と、前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線を形成する段階と、前記各画素領域内に、半導体パターンを含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記各画素領域内に、カラーフィルターパターンを形成する段階と、前記非表示領域に対応して、前記半導体パターンと前記カラーフィルターパターンと前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段を形成する段階とを備える液晶表示装置用基板の製造方法を提供する。
【００２２】
一方、本発明は、表示領域と、前記表示領域の周辺部に位置する非表示領域を有して、前記非表示領域は、第１非表示領域、第２非表示領域、第３非表示領域、第４非表示領域を含む基板と、前記第２非表示領域、前記第４非表示領域に平行であって、前記第２非表示領域に近接した第１ゲート配線と、前記第４非表示領域に近接した第２ゲート配線とを含む多数のゲート配線と、前記第１非表示領域、前記第３非表示領域に平行であって、前記多数のゲート配線と交差して、前記表示領域内に多数の画素領域を定義し、前記第１非表示領域に近接した第１データ配線を含む多数のデータ配線と、前記各画素領域内に形成された半導体パターンを含む薄膜トランジスタと、前記各画素領域内に形成されたカラーフィルターパターンと、前記非表示領域に対応して、前記半導体パターンと前記カラーフィルターパターンと前記ゲート配線と前記データ配線とのうちの１つ以上と同一な層に位置して、前記第１非表示領域、前記第２非表示領域、前記第３非表示領域、前記第４非表示領域各々に対応する第１遮断手段、第２遮断手段、第３遮断手段、第４遮断手段を含む光遮断手段とを備える液晶表示装置用基板を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によるＣＯＴ構造の液晶表示装置は、別途の追加的工程なしに、液晶パネルの非表示領域に光漏れを遮断する光遮断手段を備えて、工程が単純化される長所により生産収率を改善する。
また、光遮断手段を下部基板に構成することによって、上部基板と下部基板の合着不良が発生しても、液晶パネルの非表示領域で光漏れ現象が発生しなく、高画質が具現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【００２５】
実施例１
図３は、本発明の実施例１によるＣＯＴ構造の液晶表示装置を示した平面図である。
図３に示したように、ＣＯＴ構造の液晶表示装置は、第１基板１００と第２基板１５０と、前記第１基板１００と第２基板１５０間に充填された液晶層（図示せず）とを含む。一方、図示してはないが、前記第１基板１００は、薄膜トランジスタとアレイ配線と画素電極とを含み、前記第２基板１５０は、共通電極を含む。
【００２６】
ＣＯＴ構造の液晶表示装置には、表示領域Ｄと非表示領域ＮＤとが位置する。非表示領域ＮＤは、表示領域Ｄの周辺部に位置する。非表示領域ＮＤは、第１非表示領域ＮＤ１、第２非表示領域ＮＤ２、第３非表示領域ＮＤ３、第４非表示領域ＮＤ４を含む。
【００２７】
第１非表示領域ＮＤ１及び第３非表示領域ＮＤ３は、ゲート配線の両端部に位置して、データ配線と平行である。
第２非表示領域ＮＤ２及び第４非表示領域ＮＤ４は、データ配線の両端部に位置して、ゲート配線と平行である。
【００２８】
第１ないし第４非表示領域ＮＤ１、ＮＤ２、ＮＤ３、ＮＤ４各々には、第１ないし第４光遮断手段が第１基板１００に位置する。
光遮断手段は、アレイ配線を形成する工程と同時に形成する。
【００２９】
図４は、図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例１によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【００３０】
図４に示したように、第１基板１００上には、ゲート配線１０２とデータ配線１１８とが相互に交差して表示領域Ｄ内に画素領域Ｐを定義する。ゲート配線１０２は、第２非表示領域ＮＤ２に近接した第１ゲート配線１０２ａと、前記第１ゲート配線１０２ａに近接した第２ゲート配線１０２ｂとを含む。データ配線１１８は、第１非表示領域ＮＤ１に近接した第１データ配線１１８ａと、前記第１データ配線１１８ａに近接した第２データ配線１１８ｂとを含む。
【００３１】
前記ゲート配線１０２とデータ配線１１８とが交差する部分には、ゲート電極１０４と半導体パターン１１０とソース電極１１４とドレイン電極１１６とを含む薄膜トランジスタＴが位置する。
【００３２】
前記薄膜トランジスタＴに対応してブラックマトリックスＢＭを構成し、各画素領域Ｐには、赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂのカラーフィルター（１２４ａ、１２４ｂ、図示せず）を順に構成する。
【００３３】
前記赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂのカラーフィルター（１２４ａ、１２４ｂ、図示せず）の上部には、画素電極１２８を構成する。
この時、ブラックマトリックスＢＭを、前記ゲート配線１０２とデータ配線１１８とに対応する上部に形成することができる。
【００３４】
第１基板１００の第１非表示領域ＮＤ１及び第２非表示領域ＮＤ２には、光の漏洩を防ぐ光遮断手段が位置する。
第１非表示領域ＮＤ１は、第１光遮断手段が隣接するゲート配線１０２、例えば、第１ゲート配線１０２ａ及び第２ゲート配線１０２ｂ間の空間を遮る。第１光遮断手段は、第１光遮断パターン１０６ａ及び第２光遮断パターン１２０ａを含む。
【００３５】
前記第１光遮断パターン１０６ａは、第１ゲート配線１０２ａから第２ゲート配線１０２ｂへと延長されて、第１ゲート配線１０２ａ及び第２ゲート配線１０２ｂ間の空間Ｂ１を遮る。第１光遮断パターン１０６ａと第２ゲート配線１０２ｂは、接触してはいけないために、相互に離隔して構成される。
【００３６】
前記第２光遮断パターン１２０ａは、第１データ配線１１８ａから延長されて、第１光遮断パターン１０６ａと第２ゲート配線１０２ｂ間の空間Ｂ２を遮る。
第２光遮断パターン１２０ａは、第１光遮断パターン１０６ａ及び第２ゲート配線１０２ｂ各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。
【００３７】
第２非表示領域ＮＤ２は、第２光遮断手段が隣接するデータ配線１１８、例えば、第１データ配線１１８ａ及び第２データ配線１１８ｂ間の空間を遮る。第２光遮断手段は、第３光遮断パターン１２０ｂ及び第４光遮断パターン１０６ｂを含む。
【００３８】
前記第３光遮断パターン１２０ｂは、第１データ配線１１８ａから第２データ配線１１８ｂへと延長されて、第１データ配線１１８ａ及び第２データ配線１１８ｂ間の空間Ｂ３を遮る。第３光遮断パターン１２０ｂと第２データ配線１１８ｂは、接触してはいけないために、相互に離隔して構成される。
【００３９】
前記第４光遮断パターン１０６ｂは、第１ゲート配線１０２ａから延長されて、第３光遮断パターン１２０ａと第２データ配線１１８ｂ間の空間Ｂ４を遮る。
第４光遮断パターン１０６ｂは、第３光遮断パターン１２０ｂ及び第２データ配線１１８ｂ各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。
【００４０】
前述した本発明の実施例１において、第１光遮断手段は、第１非表示領域ＮＤ１に位置する、隣接するゲート配線間の空間を遮り、第２光遮断手段は、第２非表示領域ＮＤ２に位置する、隣接するデータ配線間の空間を遮る。
【００４１】
第１光遮断手段は、ゲート配線から隣接するゲート配線へと延長された第１光遮断パターンと、データ配線から延長され第１光遮断パターンと隣接するゲート配線間の空間を遮る第２光遮断パターンとを含む。
【００４２】
第２光遮断手段は、データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第３光遮断パターンと、ゲート配線から延長され第３光遮断パターンと隣接するデータ配線間の空間を遮る第４光遮断パターンとを含む。一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
【００４３】
前述したように、本発明の実施例１において、光遮断手段は、ゲート配線及びデータ配線を形成する過程で形成されるので、光遮断手段を形成するための別途の工程は不必要である。従って、製造工程及び製造費用を減少させることができる。また、光遮断手段は、薄膜トランジスタ及びカラーフィルターパターンと同一な基板で形成されるので、合着による誤整列を防ぐ。
【００４４】
図５は、図４のＶ-Ｖ線に沿って切断した断面図である。
図５に示したように、表示領域Ｄと非表示領域ＮＤとで定義された基板１００上に、第１金属を蒸着してパターンを形成し、ゲート配線１０２とゲート電極１０４と、前記ゲート配線１０２から延長された第１光遮断パターン１０６ａ及び第４光遮断パターン（図４の１０６ｂ）とを形成する。
【００４５】
前記ゲート配線１０２が形成された基板１００全面に、ゲート絶縁膜１０８を形成する。前記ゲート絶縁膜１０８は、窒化シリコンＳｉＮＸと酸化シリコンＳｉＯ２とを含む無機絶縁物質で構成される。
【００４６】
前記ゲート電極１０４に対応するゲート絶縁膜１０８上に、半導体パターン１１０を形成する。前記半導体パターン１１０は、不純物を含まない非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）で構成されたアクティブ層１１１と、不純物を含む非晶質シリコン（ｎ＋または、ｐ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）で構成されたオーミックコンタクト層１１２とを含む。
【００４７】
前記半導体パターン１１０が形成された基板１００全面に、第２金属を蒸着してパターンを形成した後に、ソース電極１１４及びドレイン電極１１６と、データ配線１１８と、第２光遮断パターン１２０ａ及び第３光遮断パターン（図４の１２０ｂ）とを形成する。
【００４８】
前述したような工程により、ゲート電極１０４、半導体パターン１１０、ソース電極１１４及びドレイン電極１１６を含む薄膜トランジスタＴを形成する。
【００４９】
前記データ配線１１８が形成された基板１００全面に、保護膜１２２を形成する。前記保護膜１２２は、窒化シリコンＳｉＮＸと酸化シリコンＳｉＯ２とを含む無機絶縁物質で構成される。
【００５０】
前記保護膜１２２が形成された基板１００全面に、ブラック樹脂を塗布してパターンを形成した後に、薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭを形成する。この時、前記ブラックマトリックスＢＭは、前記ゲート配線１０２及びデータ配線１１８に対応するように形成することもできる。
【００５１】
前記ブラックマトリックスＢＭが形成された基板１００全面に、赤色Ｒのカラー樹脂を塗布してパターンを形成した後に、画素領域Ｐに対応する赤色のカラーフィルターパターン１２４ａを形成する。
【００５２】
前記赤色Ｒのカラーフィルターパターン１２４ａと同様にして、緑色Ｇのカラーフィルターパターン（図４の１２４ｂ）及び青色のカラーフィルターパターン（図示せず）を形成する。
前記カラーフィルターパターン１２４ａが形成された基板１００全面に、平坦化層１２６を形成する。前記平坦化層１２６は、ベンゾシクロブテンＢＣＢとアクリル系樹脂とを含む有機絶縁物質で構成される。
【００５３】
平坦化層１２６、カラーフィルターパターン１２４ａ、ブラックマトリックスＢＭ、保護層１２２のパターンを形成した後に、ドレイン電極１１６を露出するコンタクトホール１２７を形成する。
【００５４】
前記平坦化層１２６上に、コンタクトホール１２７を通じてドレイン電極１１６と接触する画素電極１２８を形成する。前記画素電極１２８は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）とを含む透明導電性物質で構成される。
前述したような工程により、本発明の実施例１による光遮断手段を含むＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板を製作する。
【００５５】
実施例２
図６は、図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例２によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。本発明の実施例２による液晶表示装置用アレイ基板は、光遮断手段の構造を除いては、本発明の実施例１による液晶表示装置用アレイ基板と同様である。従って、本発明の実施例２では、本発明の実施例１と同様である事項に関しては、詳しい説明を省略する。
【００５６】
図６に示したように、第１基板１００の表示領域Ｄ内には、第１ゲート配線２０２ａ及び第２ゲート配線２０２ｂを含むゲート配線２０２と、第１データ配線２１８ａ及び第２データ配線２１８ｂを含むデータ配線２１８と、各画素領域Ｐ内の薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭと、カラーフィルターパターン（２２４ａ、２２４ｂ）と、画素電極２２８とが位置する。
【００５７】
第１非表示領域ＮＤ１は、第１光遮断手段が隣接するゲート配線２０２、例えば、第１ゲート配線２０２ａ及び第２ゲート配線２０２ｂ間の空間を遮る。第１光遮断手段は、第１光遮断パターン２２０ａを含む。
【００５８】
前記第１光遮断パターン２２０ａは、第１データ配線２１８ａから延長されて、第１ゲート配線２０２ａ及び第２ゲート配線２０２ｂ間の空間Ｂ１を遮る。第１光遮断パターン２２０ａは、第１ゲート配線２０２ａ及び第２ゲート配線２０２ｂ各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。隣接する第１光遮断パターン２２０ａは、相互に離隔されて位置する。
【００５９】
第２非表示領域ＮＤ２は、第２光遮断手段が隣接するデータ配線２１８、例えば、第１データ配線２１８ａ及び第２データ配線２１８ｂ間の空間を遮る。第２光遮断手段は、第２光遮断パターン２２０ｂ及び第３光遮断パターン２０６を含む。
【００６０】
前記第２光遮断パターン２２０ｂは、第１データ配線２１８ａから第２データ配線２１８ｂへと延長されて、第１データ配線２１８ａ及び第２データ配線２１８ｂ間の空間Ｂ２を遮る。第２光遮断パターン２２０ｂと第２データ配線２１８ｂは、接触してはいけないために、相互に離隔して構成される。
【００６１】
前記第３光遮断パターン２０６ｂは、第１ゲート配線２０２ａから延長されて、第２光遮断パターン２２０ｂと第２データ配線２１８ｂ間の空間Ｂ３を遮る。
第３光遮断パターン２０６ｂは、第２光遮断パターン２２０ｂ及び第２データ配線２１８ｂ各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。
【００６２】
前述した本発明の実施例２において、第１光遮断手段は、第１非表示領域に位置する、隣接するゲート配線間の空間を遮り、第２光遮断手段は、第２非表示領域に位置する、隣接するデータ配線間の空間を遮る。
【００６３】
第１光遮断手段は、データ配線から延長されて、隣接するゲート配線間の空間を遮る第１光遮断パターンを含む。
第２光遮断手段は、データ配線から隣接するデータ配線へと延長された第２光遮断パターンと、ゲート配線から延長され第２光遮断パターンと隣接するデータ配線間の空間を遮る第３光遮断パターンを含む。
【００６４】
一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
本発明の実施例２によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用基板の製造方法は、光遮断手段に関する構造を除いては、本発明の実施例１と同様である。
【００６５】
実施例３
図７は、図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例３によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。本発明の実施例３による液晶表示装置用アレイ基板は、光遮断手段の構造を除いては、本発明の実施例１及び実施例２による液晶表示装置用アレイ基板と同様である。従って、本発明の実施例３では、本発明の実施例１及び実施例２と同様である事項に関しては、詳しい説明を省略する。
【００６６】
図７に示したように、第１基板１００の表示領域Ｄ内には、第１ゲート配線３０２ａ及び第２ゲート配線３０２ｂを含むゲート配線３０２と、第１データ配線３１８ａ及び第２データ配線３１８ｂを含むデータ配線３１８と、各画素領域Ｐ内の薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭと、カラーフィルターパターン（３２４ａ、３２４ｂ）と、画素電極３２８とが位置する。
【００６７】
第１非表示領域ＮＤ１は、第１光遮断手段が隣接するゲート配線３０２、例えば、第１ゲート配線３０２ａ及び第２ゲート配線３０２ｂ間の空間を遮る。第１光遮断手段は、第１光遮断パターン３２０を含む。
【００６８】
前記第１光遮断パターン３２０は、第１データ配線３１８ａから延長されて、第１ゲート配線３０２ａ及び第２ゲート配線３０２ｂ間の空間Ｂ１を遮る。第１光遮断パターン３２０は、第１ゲート配線３０２ａ及び第２ゲート配線３０２ｂ各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。隣接する第１光遮断パターン３２０は、相互に離隔されて位置する。
【００６９】
第２非表示領域ＮＤ２は、第２光遮断手段が隣接するデータ配線３１８、例えば、第１データ配線３１８ａ及び第２データ配線３１８ｂ間の空間を遮る。第２光遮断手段は、第２光遮断パターン３０６を含む。
【００７０】
前記第２光遮断パターン３０６は、第１ゲート配線３０２ａから延長されて、第１データ配線３１８ａ及び第２データ配線３１８ｂ間の空間Ｂ２を遮る。第２光遮断パターン３０６は、第１データ配線３１８ａ及び第２データ配線３１８ｂ各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。隣接する第２光遮断パターン３０６は、相互に離隔されて位置する。
【００７１】
前述した本発明の実施例３において、第１光遮断手段は、第１非表示領域に位置する、隣接するゲート配線間の空間を遮り、第２光遮断手段は、第２非表示領域に位置する、隣接するデータ配線間の空間を遮る。
【００７２】
第１光遮断手段は、データ配線から延長されて、隣接するゲート配線間の空間を遮る第１光遮断パターンを含む。
第２光遮断手段は、ゲート配線から延長され、隣接するデータ配間の空間を遮る第２光遮断パターンを含む。
【００７３】
一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
本発明の実施例３によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用基板の製造方法は、光遮断手段に関する構造を除いては、本発明の実施例１及び実施例２と同様である。
【００７４】
実施例４
図８は、図３のＡ２部分を拡大した図であって、本発明の実施例４によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。本発明の実施例４は、第１非表示領域及び第４非表示領域に関連する。本発明の実施例４による液晶表示装置用アレイ基板は、光遮断手段の構造を除いては、本発明の実施例１ないし実施例３による液晶表示装置用アレイ基板と同様である。従って、本発明の実施例４では、本発明の実施例１ないし実施例３と同様である事項に関しては、詳しい説明を省略する。
【００７５】
図８に示したように、第１基板１００の表示領域Ｄ内には、第３ゲート配線４０２ｃと、第１データ配線４１８ａ及び第２データ配線４１８ｂを含むデータ配線４１８と、各画素領域Ｐ内の薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭと、カラーフィルターパターン４２４ａ、４２４ｂと、画素電極４２８とが位置する。
【００７６】
前記第３ゲート配線４０２ｃは、第４非表示領域ＮＤ４に近接して位置する。
第１非表示領域ＮＤ１及び第４非表示領域ＮＤ４各々には、第１光遮断手段及び第４光遮断手段が位置する。
【００７７】
実施例４での第１光遮断手段は、実施例１での第１光遮断手段に対応するものであって、第３ゲート配線４０２ｃから延長された第１光遮断パターン４０６と、第１データ配線４１８ａから延長された第２光遮断パターン４２０とを含む。
【００７８】
第４光遮断手段は、第３ゲート配線４０２ｃと平行に離隔された第３光遮断パターン４０７を含む。
第３光遮断パターン４０７は、第３ゲート配線４０２ｃの延長方向に沿って延長されている。
【００７９】
第４非表示領域ＮＤ４に近接した第１光遮断パターン４０６は、第３ゲート配線４０２ｃから第３光遮断パターン４０７へと延長されて、第３ゲート配線４０２ｃと第３光遮断パターン４０７間の空間Ｂ１を遮る。第１光遮断パターン４０６及び第３光遮断パターン４０７は、相互に接触すると、第３ゲート配線４０２ｃの抵抗が増加するので、相互に離隔して構成される。
【００８０】
第２光遮断パターン４２０は、第１データ配線４１８ａから延長されて、第１光遮断パターン４０６及び第３光遮断パターン４０７間の空間Ｂ２を遮る。
第２光遮断パターン４２０は、第１光遮断パターン４０６及び第３光遮断パターン４０７各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。
【００８１】
前述した本発明の実施例４において、第１光遮断手段は、第１非表示領域に位置する、隣接するゲート配線間の空間及び第４光遮断手段と、第４光遮断手段に近接したゲート配線間の空間を遮り、第４光遮断手段は、第４非表示領域に位置する。
【００８２】
第１光遮断手段は、第４光遮断手段に近接したゲート配線から第４光遮断手段へと延長された第１光遮断パターンと、データ配線から延長され第１光遮断パターンと第４光遮断手段とを遮る第２光遮断パターンとを含む。
【００８３】
第４光遮断手段は、前記第４光遮断手段に近接したゲート配線と平行に離隔されて、ゲート配線の延長方向に沿って延長された第３光遮断パターンを含む。
一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
【００８４】
図９は、図８のＩＸ-ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
図９に示したように、表示領域Ｄと非表示領域ＮＤとが定義された基板１００上に、第１金属を蒸着してパターンし、ゲート配線４０２と、ゲート電極４０４と、前記ゲート配線４０２から延長された第１光遮断パターン４０６及び第３光遮断パターン４０７とを形成する。
【００８５】
前記ゲート配線４０２が形成された基板１００全面に、ゲート絶縁膜４０８を形成して、ゲート電極４０４に対応するゲート絶縁膜４０８上に、半導体パターン４１０を形成する。前記半導体パターン４１０は、不純物を含まない非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）で構成されたアクティブ層４１１と、不純物を含む非晶質シリコン（ｎ＋または、ｐ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）で構成されたオーミックコンタクト層とを含む。
【００８６】
前記半導体パターン４１０が形成された基板１００全面に、第２金属を蒸着してパターンを形成した後に、ソース電極４１４及びドレイン電極４１６と、データ配線４１８と、第２光遮断パターン（図８の４２０）とを形成する。
【００８７】
前述した工程により、ゲート電極４０４、半導体パターン４１０、ソース電極４１４及びドレイン電極４１６を含む薄膜トランジスタＴが形成される。
【００８８】
前記データ配線４１８が形成された基板１００全面に、保護膜４２２を形成する。前記保護膜４２２が形成された基板１００全面に、ブラック樹脂を塗布してパターンを形成した後に、薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭを形成する。この時、ブラックマトリックスＢＭは、ゲート配線４０２及びデータ配線４１８に対応するように形成することもできる。
【００８９】
前記画素領域Ｐ各々に対応する赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂのカラーフィルターパターン（４２４ａ、図８の４２４ｂ、図示せず）を形成する。
前記カラーフィルターパターン４２４ａが形成された基板１００全面に、平坦化層４２６を形成する。
【００９０】
平坦化層４２６、カラーフィルターパターン４２４ａ、ブラックマトリックスＢＭ、保護層４２２のパターンを形成した後に、ドレイン電極４１６を露出するコンタクトホール４２７を形成する。
【００９１】
前記平坦化層４２６上に、コンタクトホール４２７を通じてドレイン電極４１６と接触する画素電極４２８を形成する。
前述したような工程により、本発明の実施例４による光遮断手段を含むＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板を製作する。
【００９２】
実施例５
図１０は、図３のＡ２部分を拡大した図であって、本発明の実施例５によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。本発明の実施例５は、第１非表示領域及び第４非表示領域に関連する。本発明の実施例５による液晶表示装置用アレイ基板は、光遮断手段の構造を除いては、本発明の実施例１ないし実施例４による液晶表示装置用アレイ基板と同様である。従って、本発明の実施例５では、本発明の実施例１ないし実施例４と同様である事項に関しては、詳しい説明を省略する。
【００９３】
図１０に示したように、第１基板１００の表示領域Ｄ内には、第３ゲート配線５０２ｃと、第１データ配線５１８ａ及び第２データ配線５１８ｂを含むデータ配線５１８と、各画素領域Ｐ内の薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭと、カラーフィルターパターン５２４ａ、５２４ｂと、画素電極５２８とが位置する。
【００９４】
前記第３ゲート配線５０２ｃは、第４非表示領域ＮＤ４に近接して位置する。
第１非表示領域ＮＤ１及び第４非表示領域ＮＤ４各々には、第１光遮断手段及び第４光遮断手段が位置する。
【００９５】
実施例５での第１光遮断手段は、実施例２及び実施例３での第１光遮断手段に対応するものであって、第１データ配線５１８ａから延長された第１光遮断パターン５２０を含む。実施例５での第４光遮断手段は、実施例４での第４光遮断手段に対応するものであって、第３ゲート配線５０２ｃと平行に離隔された第２光遮断パターン５０７を含む。
【００９６】
第２光遮断パターン５０７は、第３ゲート配線５０２ｃの延長方向に沿って延長されている。
第４非表示領域ＮＤ４に近接した第１光遮断パターン５２０は、第１データ配線５１８ａから延長されて、第３ゲート配線５０２ｃと第２光遮断パターン５０７間の空間Ｂ１を遮る。
【００９７】
第１光遮断パターン５２０は、第３ゲート配線５０２ｃと第２光遮断パターン５０７各々と重なるが、その重なる幅は、寄生容量の発生を防ぐために、３μｍ以下にする。
【００９８】
前述した本発明の実施例５において、第１光遮断手段は、第１非表示領域に位置する、隣接するゲート配線間の空間及び第４光遮断手段と、第４光遮断手段に近接したゲート配線間の空間を遮り、第４光遮断手段は、第４非表示領域に位置する。
【００９９】
第１光遮断手段は、データ配線から延長され、第４光遮断手段に近接したゲート配線と第４光遮断手段間を遮る第１光遮断パターンとを含む。
第４光遮断手段は、前記第４光遮断手段に近接したゲート配線と平行に離隔されて、ゲート配線の延長方向に沿って延長された第２光遮断パターンを含む。
【０１００】
一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
本発明の実施例５によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用基板の製造方法は、光遮断手段に関する構造を除いては、本発明の実施例１ないし実施例４と同様である。
【０１０１】
実施例６
図１１は、図３のＡ２部分を拡大した図であって、本発明の実施例６によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。本発明の実施例６は、第１非表示領域及び第４非表示領域に関連する。本発明の実施例６による液晶表示装置用アレイ基板は、光遮断手段の構造を除いては、本発明の実施例１ないし実施例５による液晶表示装置用アレイ基板と同様である。従って、本発明の実施例６では、本発明の実施例１ないし実施例５と同様である事項に関しては、詳しい説明を省略する。
【０１０２】
図１１に示したように、第１基板１００の表示領域Ｄ内には、第３ゲート配線６０２ｃと、第１データ配線６１８ａ及び第２データ配線６１８ｂを含むデータ配線６１８と、各画素領域Ｐ内の薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭと、カラーフィルターパターン６２４ａ、６２４ｂと、画素電極６２８とが位置する。前記第３ゲート配線６０２ｃは、第４非表示領域ＮＤ４に近接して位置する。
【０１０３】
第１非表示領域ＮＤ１及び第４非表示領域ＮＤ４各々には、第１光遮断手段及び第４光遮断手段が位置する。
第１光遮断手段は、第１光遮断パターンＦ１と、第１データ配線６１８ａから延長された第２光遮断パターン６２０とを含む。第４光遮断手段は、第３ゲート配線６０２ｃと平行に離隔された第３光遮断パターンＦ２を含む。
第３光遮断パターンＦ２は、第３ゲート配線６０２ｃの延長方向に沿って延長されている。
【０１０４】
第４非表示領域ＮＤ４に近接した第１光遮断パターンＦ１は、第３ゲート配線６０２ｃと第３光遮断パターンＦ２間の空間Ｂ１に位置して、第３データ配線６０２ｃと重なり、第３光遮断パターンＦ２と離隔して構成される。第２光遮断パターン６２０は、第１データ配線６１８ａから延長されて、第１光遮断パターンＦ１及び第３光遮断パターンＦ２間の空間Ｂ２を遮る。第２光遮断パターン６２０は、第１光遮断パターンＦ１及び第３光遮断パターンＦ２各々と重なる。
【０１０５】
第１光遮断パターンＦ１及び第３光遮断パターンＦ２各々は、ダミー半導体パターンとダミーカラーフィルターパターンとを含む。
前述した本発明の実施例６において、第１光遮断手段は、第１非表示領域に位置する、隣接するゲート配線間の空間及び第４光遮断手段と、第４光遮断手段に近接したゲート配線間の空間を遮り、第４光遮断手段は、第４非表示領域に位置する。
【０１０６】
第１光遮断手段は、データ配線から延長され、第４光遮断手段に近接したゲート配線と第４光遮断手段間に位置する第１光遮断パターンと、データ配線から延長され、第１光遮断パターンと第４光遮断手段間を遮る第２光遮断パターンを含む。
【０１０７】
第４光遮断手段は、第４光遮断手段に近接したゲート配線と平行に離隔されて、ゲート配線の延長方法に沿って延長された第３光遮断パターンを含む。
一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
【０１０８】
図１２は、図１１のＸＩＩ-ＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。
図１２に示したように、ダミー半導体パターンＧ１は、半導体パターン（図１１の６１０）と同一な工程により形成される。前記ダミー半導体パターンＧ１は、不純物を含まない非晶質シリコンで構成された第１層と、不純物を含む非晶質シリコンで構成された第２層とを含む。
【０１０９】
ダミーカラーフィルターパターンＧ２は、ダミー半導体パターンＧ１上に形成される。前記ダミーカラーフィルターパターンＧ２は、ダミー赤色Ｒ、ダミー緑色Ｇ、ダミー青色ＢのカラーフィルターパターンＲＤ、ＧＤ、ＢＤを含む。また、前記ダミーカラーフィルターパターンＧ２は、カラーフィルターパターン（図１１の６２４）と同一な工程により形成される。
【０１１０】
実施例７
図１３は、図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例７によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。本発明の実施例７は、第１非表示領域及び第２非表示領域に関連する。本発明の実施例７による液晶表示装置用アレイ基板は、光遮断手段の構造を除いては、本発明の実施例１ないし実施例６による液晶表示装置用アレイ基板と同様である。従って、本発明の実施例７では、本発明の実施例１ないし実施例６と同様である事項に関しては、詳しい説明を省略する。
【０１１１】
図１３に示したように、第１基板１００の表示領域Ｄ内には、第１ゲート配線７０２ａ及び第２ゲート配線７０２ｂを含むゲート配線７０２と、第１データ配線７１８ａ及び第２データ配線７１８ｂを含むデータ配線７１８と、各画素領域Ｐ内の薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴに対応するブラックマトリックスＢＭと、カラーフィルターパターン７２４ａ、７２４ｂと、画素電極７２８とが位置する。
【０１１２】
第１非表示領域ＮＤ１及び第２非表示領域ＮＤ２各々には、第１光遮断手段及び第２光遮断手段が位置する。
第１光遮断手段は、第１光遮断パターンＦ１と、第１データ配線７１８ａから延長された第２光遮断パターン７２０とを含む。第２光遮断手段は、第１ゲート配線７０２ａと平行な第３光遮断パターンＦ２を含む。
【０１１３】
第３光遮断パターンＦ２は、第１ゲート配線７０２ａの延長方向に沿って延長されている。
【０１１４】
第１光遮断パターンＦ１は、第１ゲート配線７０２ａ及び第２ゲート配線７０２ｂ間の空間Ｂ１に位置して、第２ゲート配線７０２ｂとは離隔されている。第２光遮断パターン７２０は、第１データ配線７１８ａから延長されて、隣接する第１光遮断パターンＦ１間を遮る。第１光遮断パターンＦ１及び第２光遮断パターン７２０は、相互に重なる。
第３光遮断パターンＦ２は、第１ゲート配線７０２ａと重なる。
【０１１５】
第１光遮断パターンＦ１及び第３光遮断パターンＦ２各々は、ダミー半導体パターンとダミーカラーフィルターパターンとを含む。
前述した本発明の実施例７において、第１光遮断手段は、第１非表示領域に位置する、隣接するゲート配線間の空間を遮り、第２光遮断手段は、第２非表示領域に位置する。
【０１１６】
第１光遮断手段は、隣接するゲート配線間に位置する第１光遮断パターンと、データ配線から延長され、隣接する第１光遮断パターン間を遮る第２光遮断パターンとを含む。
第２光遮断手段は、前記第２光遮断手段に近接したゲート配線と平行に、ゲート配線の延長方向に沿って延長された第３光遮断パターンを含む。
【０１１７】
一方、第３非表示領域に位置する第３光遮断手段は、第１光遮断手段と同一な構造である。
本発明の実施例７によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用基板の製造方法は、光遮断手段に関する構造を除いては、本発明の実施例１ないし実施例６と同様である。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】従来の液晶表示装置を概略的に示した図である。
【図２】従来のＣＯＴ構造の液晶表示装置の構成を概略的に示した拡大断面図である。
【図３】本発明の実施例１によるＣＯＴ構造の液晶表示装置を示した平面図である。
【図４】図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例１によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【図５】図４のＶ-Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例２によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【図７】図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例３によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【図８】図３のＡ２部分を拡大した図であって、本発明の実施例４によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【図９】図８のＩＸ-ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図３のＡ２部分を拡大した図であって、本発明の実施例５によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【図１１】図３のＡ２部分を拡大した図であって、本発明の実施例６によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ-ＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１３】図３のＡ１部分を拡大した図であって、本発明の実施例７によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大して示した平面図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１００  第１基板、１０２  ゲート配線、１０６ａ  第１光遮断パターン、１０６ｂ  第４光遮断パターン、１１８  データ配線、１２０ａ  第２光遮断パターン、１２０ｂ  第３光遮断パターン。
【図１】
2005321784.tif 000003
【図２】
2005321784.tif 000004
【図３】
2005321784.tif 000005
【図４】
2005321784.tif 000006
【図５】
2005321784.tif 000007
【図６】
2005321784.tif 000008
【図７】
2005321784.tif 000009
【図８】
2005321784.tif 000010
【図９】
2005321784.tif 000011
【図１０】
2005321784.tif 000012
【図１１】
2005321784.tif 000013
【図１２】
2005321784.tif 000014
【図１３】
2005321784.tif 000015