(57)【要約】【課題】本発明は光スイッチ及びその製造方法に関するものである。【解決手段】本発明において、ベース層１０には光信号を入力する入力端３及び上記入力端３からの光信号を選択的に受容して外部に伝達する出力端６が形成される。微小鏡１６は上記ベース層１０の入力端３から入力された光信号の伝達経路２０上に上記光信号と交差する方向に移動できるよう位置しながら、入力された光信号を選択的に他経路へ変更させる。また、マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータ１１は上記光信号伝達経路２０の上部層に形成されながら、上記微小鏡１６と連結され上記微小鏡１６を上記光信号と交差する方向に移動させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を入力する入力端及び上記入力端からの光信号を選択的に受容して外部に伝達する出力端が形成されるベース層と、
上記ベース層の入力端から入力された光信号の伝達経路上に上記光信号と交差する方向に移動できるよう位置しながら、入力された光信号を選択的に他経路に変更させる微小鏡と、
上記光信号伝達経路の上部層に形成されながら、上記微小鏡と連結されて上記微小鏡を上記光信号と交差する方向に移動させるマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータと、
を有することを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
上記ベース層には予め定めた高さの支持構造物が形成され、上記支持構造物の上部に上記アクチュエータが光信号伝達経路と干渉しないよう安着されることを特徴とする請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項３】
上記入力端及び出力端は均一な間隔を有して配列されるＮ個の光ファイバを各々含み、上記微小鏡及びＭＥＭＳアクチュエータは上記入力端及び出力端に対応するようＮ×Ｎ個がマトリックスを成すよう配列されることを特徴とする請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項４】
上記微小鏡は上記光信号伝達経路上において伝達される光信号を所定の角度で反射させる初期位置を有し、上記ＭＥＭＳアクチュエータの作動によりアクチュエータに向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項５】
上記ＭＥＭＳアクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）アクチュエータであることを特徴とする請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項６】
光信号を入力するＮ個の光ファイバで配列される入力端及び上記入力端からの光信号を選択的に受容して外部に伝達するＮ個の光ファイバが配列される出力端が形成されるベース層と、
上記入力端光ファイバと上記出力端光ファイバから延びている光信号伝達経路が交差する地点上に位置しながら、上記入力端から入力された光信号を選択的に他経路に変更させるよう光信号と交差する方向に移動できるよう位置するＮ×Ｎ個の微小鏡と、
上記光信号伝達経路の上部層に形成されながら、上記微小鏡と連結されて上記微小鏡を上記光信号と交差する方向に移動させるＮ×Ｎ個のマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータが形成される駆動層と、
を有することを特徴とする光スイッチ。
【請求項７】
上記ベース層には予め定めた高さの支持構造物が形成され、上記支持構造物の上部に上記駆動層が光信号伝達経路と干渉しないよう安着されることを特徴とする請求項６に記載の光スイッチ。
【請求項８】
上記微小鏡は上記光信号伝達経路上において伝達される光信号を所定の角度で反射させる初期位置を有し、上記ＭＥＭＳアクチュエータの作動によりアクチュエータに向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする請求項６に記載の光スイッチ。
【請求項９】
上記ＭＥＭＳアクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）アクチュエータであることを特徴とする請求項６に記載の光スイッチ。
【請求項１０】
ガラスウェーハをエッチングして支持構造物を形成する段階と、
Ｓｉウェーハを用意する段階と、
上記Ｓｉウェーハに微小鏡を形成すべくエッチングする段階と、
上記Ｓｉウェーハの微小鏡が上記ガラスウェーハの支持構造物の間に位置すべく上記Ｓｉウェーハを上記ガラスウェーハの上部に接合する段階と、
上記ＳｉウェーハをエッチングしてＭＥＭＳアクチュエータを形成する段階と、
上記ガラスウェーハの支持構造物の間に光信号が伝達されるよう入力端及び出力端光ファイバを配列する段階と、
を有することを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項１１】
上記支持構造物は上記ＭＥＭＳアクチュエータが光信号伝達経路と干渉しない高さで形成されることを特徴とする請求項１０に記載の光スイッチの製造方法。
【請求項１２】
上記入力端及び出力端光ファイバは均一な間隔を置いて配列されるＮ個ずつ配列され、上記微小鏡及びＭＥＭＳアクチュエータは上記入力端及び出力端に対応するようＮ×Ｎ個がマトリックスを成すよう配列されることを特徴とする請求項１０に記載の光スイッチの製造方法。
【請求項１３】
上記ＭＥＭＳアクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）アクチュエータであることを特徴とする請求項１０に記載の光スイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光スイッチ及びその製造方法に関するもので、より詳しくは、微小鏡とアクチュエータを厚さの異なる２段構造で製造して光スイッチ製造工程をより容易にさせ、光経路を縮小して集積度を向上させて全体的な光伝達特性を向上させるようにした光スイッチ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多チャネルで形成された光スイッチ（Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｗｉｔｃｈ、Ｍ−ＯＳＷ）は光通信技術の核心部品として、Ｎ個の入力端とＮ個の出力端とで構成されたマトリックス（Ｍａｔｒｉｘ）を形成して特定の入力端から入ってくる光信号を所望の出力端に経路を変更して送る機能を果たす。かかる光スイッチは従来において、入力端から入ってくる光信号を中間で電気的信号に変更して信号処理した後、これを再び光信号に変えて出力端に送る構成を用いていた。
【０００３】
しかし、最近、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を利用して、入力端から入ってきた光信号の経路を変更するために微小鏡とマイクロアクチュエータを使って光信号を電気的信号に変更せずにマトリックス光スイッチを具現する技法が開発された。これはスイッチング速度の面において従来の光スイッチより良好な特性を示す。
【０００４】
図４は上記のようにＭＥＭＳ技術を利用した従来のマトリックス光スイッチを示した図で、図５は図４の光スイッチの断面図である。
【０００５】
図４及び図５において、従来の光スイッチはＮ個の入力端光ファイバ（１０１）及びＮ個の出力端光ファイバ（１０３）を含んでおり、Ｎ×Ｎ個の微小鏡（１１６）とアクチュエータが基板（１１０）上の同一層に配列されている。入力端及び出力端光ファイバ（１０１、１０３）において光の放散による光損失を防止すべく光を平行にするレンズ（１０２、１０４）を光ファイバ（１０１、１０３）の全面に連結するようになる。この際、レンズ（１０２、１０４）の直径は光ファイバより大きくなり、それに応じて光の直径も大きくなり、光を反射させ経路を変更させるための微小鏡（１１６）の寸法も大きくならなければならない。
【０００６】
また、微小鏡（１１６）を動かすためのアクチュエータは基板（１１０）上に固定部（１１５）及び駆動部（１１４）を介して形成され、微小鏡（１１６）と同じ構造物層に同時に作製される。したがって、アクチュエータの厚さは微小鏡と等しくなる。この際、微小鏡、アクチュエータ、光の経路（１０７）が同じ高さの平面上に形成される為、アクチュエータとアクチュエータとの間に光経路が確保されなければならず、そうして光スイッチの寸法を減らすのに困難があった。
【０００７】
また、光の伝達経路を短縮できず光損失の減少に困難があり、チャネル数を増加させて集積度を向上させるのも全体的な寸法の制限のため不可能であった。そればかりか、製造工程の面において、アクチュエータと微小鏡とで工程中あらわれるエッチング特性と要求されるレベルが相異し、問題が発生する。即ち、アクチュエータは微小鏡に比べて緻密で複雑な形状に加工されるべきで、これによりアクチュエータ形成部分の構造物同士のエッチングされるべき幅と面積が微小鏡形成部分においてエッチングされる領域の幅と面積とが大きく異なってくる。とりわけ、アクチュエータが櫛歯同士が向き合ったコム（ｃｏｍｂ）型アクチュエータである場合、コム部分と微小鏡部分のエッチング幅と面積に大差が生じる。
【０００８】
このような場合、アクチュエータ形成部分は微小鏡に比べてエッチングされる幅が狭くエッチング工程中エッチング反応ガスの注入と拡散が困難で、微小鏡より単位時間当たり深さ方向へのエッチング率が低くなる特性があり、微小鏡の場合にエッチングされる幅が広く反応ガスの注入と拡散が速く容易に進行され同一工程においてアクチュエータ形成部分より高いエッチング率を呈す。こうした理由から、同一層上にアクチュエータと微小鏡を形成するためには、アクチュエータのエッチング率が低いことに鑑みエッチング率の高い工程条件においてエッチング工程を進める。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、エッチング率を高くしてエッチング工程を進行させると微小鏡の側壁表面の粗さがエッチング率に比例して高くなる現象とエッチングガスに露出される時間が長くなることから微小鏡側壁の損傷の問題が著しく発生する。また、エッチング率の低い特性を示すアクチュエータのエッチング工程のために長時間のエッチング工程と高いエッチング率に耐えるべく、エッチングマスク（ｍａｓｋ）の厚さ及び硬度が大きくなければならない問題がある。
【００１０】
上記エッチングマスクの厚さ及び硬度が大きくなければ、高いエッチング率と長時間の工程条件下でもエッチングされない部分がそのまま維持されることができず、形状が望むとおり形成されないからである。しかし、エッチングマスクの厚さを増加させ硬度を高めるためにはエッチングマスクの選択を制限すべきで、これはエッチングパターン形成の精密度を低下させる要因となる。したがって、上記のような構造及び工程上における諸問題を解決するための研究が当技術分野において重ねられてきた。
【００１１】
本発明は、上記のような問題を解決するためのもので、光スイッチのアクチュエータと微小鏡を異なる層上に形成させて光スイッチの寸法を小型化させられチャネル数を増大でき、光経路を縮小して光伝送に伴う損失を減らすことのできる光スイッチを提供することに目的がある。  
また、本発明は光スイッチの製造工程において、アクチュエータと微小鏡を異なる層上に別途に形成させて光スイッチの製造工程をより容易にし製造された構造物の特性を向上させる光スイッチの製造方法を提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記のような目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は光信号を入力する入力端及び上記入力端からの光信号を選択的に受容して外部に伝達する出力端が形成されるベース層；上記ベース層の入力端から入力された光信号の伝達経路上に上記光信号と交差する方向に移動できるよう位置し、入力された光信号を選択的に他経路に変更させる微小鏡；及び、上記光信号伝達経路の上部層に形成されながら、上記微小鏡と連結され上記微小鏡を上記光信号と交差する方向に移動させるマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータ；を含む光スイッチを提供する。
【００１３】
好ましくは、上記ベース層には予め定められた高さの支持構造物が形成され、上記支持構造物の上部に上記アクチュエータが光信号伝達経路と干渉しないよう安着されることを特徴とする。さらに好ましくは、上記入力端及び出力端は均一な間隔を置いて配列されるＮ個の光ファイバを各々含み、上記微小鏡及びＭＥＭＳアクチュエータは上記入力端及び出力端に対応するようＮ×Ｎ個がマトリックスを成すよう配列されることを特徴とする。さらに好ましくは、上記微小鏡は上記光信号伝達経路上において伝達される光信号を所定角度で反射させる初期位置を有し、上記ＭＥＭＳアクチュエータの作動によりアクチュエータに向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする。さらに好ましくは、上記ＭＥＭＳアクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）アクチュエータであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は光信号を入力するＮ個の光ファイバで配列される入力端及び上記入力端からの光信号を選択的に受容して外部に伝達するＮ個の光ファイバが配列される出力端が形成されるベース層；上記入力端光ファイバと上記出力端光ファイバから延びている光信号伝達経路が交差する地点上に位置し、上記入力端から入力された光信号を選択的に他経路に変更させるよう光信号と交差する方向に移動できるよう位置するＮ×Ｎ個の微小鏡；及び、上記光信号伝達経路の上部層に形成されながら、上記微小鏡と連結され上記微小鏡を上記光信号と交差する方向に移動させるＮ×Ｎ個のマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータが形成される駆動層；を含む光スイッチを提供する。
【００１５】
好ましくは、上記ベース層には予め定めた高さの支持構造物が形成され、上記支持構造物の上部に上記駆動層が光信号伝達経路と干渉しないよう安着されることを特徴とする。さらに好ましくは、上記微小鏡は上記光信号伝達経路上において伝達される光信号を所定の角度で反射させる初期位置を有し、上記ＭＥＭＳアクチュエータの作動によりアクチュエータに向って引っ張られる方向に移動することを特徴とする。さらに好ましくは、上記ＭＥＭＳアクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）アクチュエータであることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明はガラスウェーハをエッチングして支持構造物を形成する段階；Ｓｉ層で形成されたＳｉウェーハを設ける段階；上記Ｓｉウェーハに微小鏡を形成すべくエッチングする段階；上記Ｓｉウェーハの微小鏡が上記ガラスウェーハの支持構造物の間に位置するよう上記Ｓｉウェーハを上記ガラスウェーハの上部に接合する段階；上記ＳｉウェーハをエッチングしてＭＥＭＳアクチュエータを形成する段階；及び、上記ガラスウェーハの支持構造物の間に光信号が伝達されるよう入力端及び出力端光ファイバを配列する段階；を含む光スイッチの製造方法を提供する。
【００１７】
好ましくは、上記支持構造物は光信号伝達経路と干渉しない高さで形成されることを特徴とする。さらに好ましくは、上記入力端及び出力端光ファイバは均一な間隔を置いて配列されるＮ個ずつ配列され、上記微小鏡及びＭＥＭＳアクチュエータは上記入力端及び出力端に対応するようＮ×Ｎ個がマトリックスを成すよう配列されることを特徴とする。さらに好ましくは、上記ＭＥＭＳアクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）アクチュエータであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように本発明によると、光スイッチのアクチュエータと微小鏡をベース層と異なる層上に形成して光スイッチの寸法を小型化しチャネル数を増大することができ、光経路を縮小して光伝送による損失を縮減する効果を奏する。  
また、本発明は光スイッチの製造工程において、アクチュエータと微小鏡をベース層と異なる層上に形成し、アクチュエータと微小鏡の製造工程が別途に行われるようにして、光スイッチの製造工程をより容易にし製造された構造物の特性を向上させる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましき実施例について添付の図面を参照しながら詳しく説明する。図１は本発明による光スイッチの平面図で、図２は本発明による光スイッチの断面図である。
【００２０】
本発明による光スイッチは光信号伝達経路上に光信号と交差する方向に位置する微小鏡を移動させるアクチュエータを光信号伝達経路が形成された層と異なる層上に位置させて集積度を高めるよう構成した。
【００２１】
図１において、ベース層（１０）には光信号の入力端（３）と光信号の出力端（６）とが形成される。光信号入力端（３）はＮ個の光ファイバ（１）が一定の間隔で配列され、光ファイバ（１）の前端には光信号の拡散を防止するレンズ（２）が連結される。また、出力端（６）は入力端の光ファイバ個数と同一個数（Ｎ個）の光ファイバ（５）が配列され、同様に入力端から伝達される光信号を集中して伝達されるよう光ファイバ前端面にレンズ（４）が形成される。上記出力端（６）は入力端（３）からの光信号を選択的に受容して外部に伝達することになる。
【００２２】
上記入力端及び出力端を構成する光ファイバは光学ファイバともいい、合成樹脂を材料とするものもあるが、主に透明度の良いガラスから成る。光ファイバは中央のコア（ｃｏｒｅ）部分の周辺をクラッディング（ｃｌａｄｄｉｎｇ）部分が包んだ二重の円柱状をしている。光ファイバの外部には衝撃から保護するための合成樹脂被覆が覆われる。光ファイバのコア部分の屈折率はクラッディング部分の屈折率より高く、こうした構造により光信号がコア部分に集中し損失無く進行できるようになる。
【００２３】
上記ベース層（１０）には入力端（３）から入力された光信号が進行できる光信号伝達経路（２０）が形成される。光信号伝達経路（２０）は光信号が如何なる障害物も無く進行できる空間が形成されることを意味し、これら経路上には光信号と交差する方向に移動可能なよう位置する微小鏡（１６）が配列される。
【００２４】
上記微小鏡（１６）は入力された光信号を反射させて出力端（６）に経路を変更させ、光信号と接触することになる一端は自由端で、その上部側の他端は駆動のためアクチュエータと連結される。
【００２５】
本発明において微小鏡（１６）の駆動のためのアクチュエータ（１１）はマイクロ電子機械システム（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ、以下「ＭＥＭＳ」）アクチュエータが用いられる。
【００２６】
上記ＭＥＭＳアクチュエータは超小型駆動手段として、シリコンウェーハにエッチングを通して駆動構造を形成し、これに電圧を印加して微細駆動をする。上記微小鏡（１６）は通常ＭＥＭＳアクチュエータと一体に形成される。
【００２７】
上記ＭＥＭＳアクチュエータ（１１）は光信号伝達経路（２０）の上部層に配列される駆動層（４０）に形成される。駆動層（４０）は図２に示したように光信号伝達経路（２０）の上部に位置することになり、微小鏡（１６）は光信号伝達経路（２０）から駆動層（４０）まで形成される。微小鏡（１６）の上部は駆動層（４０）に形成されたアクチュエータの駆動部（１４）と連結される。上記駆動層（４０）にはアクチュエータ（１１）を形成すべく駆動部（１４）と駆動部を固定する固定部（１５）とが形成される。
【００２８】
上記ＭＥＭＳアクチュエータ（１１）の固定部（１５）には電圧が印加される端子（図示せず）が形成され、上記端子はアクチュエータに電圧を印加してアクチュエータが駆動できるようにする。ＭＥＭＳアクチュエータは好ましくはコム（ｃｏｍｂ）型アクチュエータとする。
【００２９】
上記微小鏡（１６）及びアクチュエータ（１１）は上記入力端（３）及び出力端（６）に配列される光ファイバ（１、５）の個数に対応するようＮ×Ｎ個が配列される。即ち、Ｎ行とＮ列のマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）を成すことになる。
【００３０】
上記ベース層（１０）には図２のように上方に突出する支持構造物（３２）が形成され、支持構造物（３２）の間に光経路が形成される。支持構造物（３２）の上部には微小鏡（１６）及びアクチュエータ（１１）を構成する駆動部（１４）及び固定部（１５）が形成される駆動層（４０）が位置するようになる。
【００３１】
図１において、微小鏡（１６）は最初は光信号伝達経路上において光信号を反射させるよう配列されている。その後、アクチュエータの作動により微小鏡が引っ張られ光信号伝達経路が形成されるよう配列される。アクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）型アクチュエータとされることができ、電源が印加されると図１の矢印方向へ微小鏡が引っ張られるよう形成される。
【００３２】
本発明の光スイッチは従来と異なり、アクチュエータが光信号伝達経路と同一平面上でなく他層上に形成される（図２に示す如くアクチュエータは光信号伝達経路２０の上部の駆動層１４と同一層に形成される）ことを特徴とする。したがって、微小鏡（１６）がベース層（１０）の上部面から駆動層（４０）まで２層に亘って形成される。
【００３３】
本発明の光スイッチはベース層（１０）にアクチュエータを形成しないことにより光経路の間からアクチュエータの形成空間を省ける利点がある。即ち、従来と異なり光経路同士の間隔が縮減できるようになる。これはアクチュエータをベース層の上部駆動層に別途に形成することにより可能となる。こうして同一チャネルの光スイッチにおいて、本発明の構造による光スイッチはより小さい寸法で設計することができる。また、逆に同一寸法の光スイッチにおいてより多くのチャネル数を有するよう設計することができる。
【００３４】
また、本発明の構造によると、光信号の伝達経路を短縮させることもできる。即ち、従来と同一なチャネル数を配列すると仮定すれば、ベース層に形成される光経路同士の間隔が短くなり、こうして入力端から出力端に伝達される光信号の経路が従来より縮減する。こうした構成により光信号の伝達中損失を防止できるようになる利点がある。
【００３５】
また、従来の場合、駆動アクチュエータが光信号伝達経路と同一層上に形成され各々のチャネル別に独立的な電気信号の印加が必需であったが、本発明によるとアクチュエータが光信号伝達経路の上部に形成され、それに電圧を印加する端子もやはり光ファイバの上部に位置され、各チャネルの端子及びそれに連結される各パターンの設計自由度が高くなる利点がある。
【００３６】
図３の（ａ）ないし（ｈ）は本発明による光スイッチの製造工程を各段階別に示した図である。以下、各段階別に説明する。
【００３７】
先ず、光スイッチのベース層（１０）となるガラスウェーハを用意する。ウェーハはガラス材質としてアクチュエータの配列が容易なよう透明なものが好ましい。こうしたガラスウェーハ（１０）の上部面にエッチングマスクに用いられるパターンを形成する。パターンはドライフィルムレジスト（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｉｓｔ）などで形成することができる（図３（ａ））。
【００３８】
このように形成されるパターン（３１）により支持構造物（３２）を形成すべくエッチングする。支持構造物（３２）は駆動層（４０）を支持すべく形成されるもので、支持構造物（３２）の間に光信号伝達経路が形成される（図３（ｂ））。この際、支持構造物（３２）は、駆動層（４０）がベース層に形成される光信号伝達経路と干渉しない充分な高さで形成されることが好ましい。
【００３９】
このように支持構造物（３２）が形成されたベース層（１０）を形成した後、別途のＳｉウェーハ（４０）を用意する（図３（ｃ））。Ｓｉウェーハ（４０）に微小鏡を形成すべくエッチングパターン（４１）を形成し、これをエッチングして所定の面積を有する微小鏡（１６）を形成する（図３（ｄ））。
【００４０】
上記のように微小鏡（１６）が形成されたＳｉウェーハ（４０）を裏返して上記ガラスウェーハ（１０）の支持構造物（３２）の上部面に接合する（図３（ｅ））。
【００４１】
この際、微小鏡（１６）が上記支持構造物の間に形成される光信号伝達経路（２０）上に位置することになる。また、接合されたＳｉウェーハ（４０）が予め定めた厚さになるようポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）して加工する（図３（ｆ））。
【００４２】
加工されたＳｉウェーハ（４０）にＭＥＭＳアクチュエータを形成すべく上部面にエッチングパターン（５１）を形成する。その後、これをエッチングしてアクチュエータを構成する駆動部（１４）及び固定部（１５）を形成し、微小鏡（１６）がアクチュエータの駆動部（１４）と連結されるよう形成する（図３（ｇ）、（ｈ））。
【００４３】
また、この段階においてはアクチュエータに電圧を印加するための端子及びその他のパターンを形成する。この際、上記アクチュエータはコム（ｃｏｍｂ）型アクチュエータであることが好ましい。
【００４４】
このようにベース層を成すガラスウェーハとその上部に配列される駆動層を成すＳｉウェーハを製造後、ガラスウェーハの支持構造物間に光信号が伝達されるよう入力端及び出力端光ファイバを配列する。入力端及び出力端を成す光ファイバはチャネル数（Ｎ）だけ各々配列され、これにより上記駆動層を成すＳｉウェーハ（４０）に形成されるアクチュエータ及び微小鏡がＮ×Ｎ個になるよう形成される。
【００４５】
本発明の光スイッチ製造方法によると、光信号伝達経路が形成されるベース層とベース層上部に位置する駆動層とを別途に形成することになる。こうして、従来の場合、同一層上において同時に微小鏡とアクチュエータを形成することによりエッチング特性の差に基づき発生した問題がなくなる。即ち、同一層上にアクチュエータと微小鏡を形成するためには、アクチュエータのエッチング率が低いことに鑑みエッチング率の高い工程条件においてエッチング工程を進め、これに応じて微小鏡の表面粗さがエッチング率に比例して増加し、エッチングガスに露出される時間が長くなることから微小鏡側壁の損傷問題が深刻になる。また、エッチング率の低い特性を示すアクチュエータのエッチング工程のために長いエッチング工程時間と高いエッチング率に耐えるためにエッチングマスク（ｍａｓｋ）の厚さ及び硬度が大きくなければならない問題が生じる。
【００４６】
しかし、本発明の場合、微小鏡が駆動層に先ず形成され、これを裏返してベース層に配列後、アクチュエータを形成するようになる。即ち、アクチュエータと微小鏡の形成工程が分離されて成り、これにより微小鏡がアクチュエータ形成によるエッチング条件の影響を受けなくなる。こうして表面損傷などの問題を防止できるようになる。
【００４７】
従来は微小鏡とアクチュエータが同時に同一層上に形成されるため、微小鏡の厚さとアクチュエータの厚さとが同じでなければ微小鏡が移動できないが、本発明によると微小鏡の厚さ（垂直高さ）がアクチュエータの厚さと異なるよう形成することができ、より好ましくはアクチュエータの厚さを充分に薄く形成でき、加工時間が短縮され、駆動効率が高くなり、エッチング時マスクパターンの厚さを薄くさせられる利点がある。
【００４８】
本発明は特定の実施例に係り図示、説明したが、添付の特許請求の範囲により具備される本発明の精神や分野を外れない限度内で本発明が多様に改造及び変化され得ることは当業界において通常の知識を有する者であれば容易に想到できることを明かしておく。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明による光スイッチの平面図である。
【図２】本発明による光スイッチの断面図である。
【図３】（ａ）ないし（ｈ）は本発明による光スイッチの製造方法を各段階別に示した図である。
【図４】上記のようにＭＥＭＳ技術を利用した従来のマトリックス光スイッチを示した図である。
【図５】図４の光スイッチの断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  ベース層
１１  アクチュエータ
１４  駆動部
１５  固定部
１６  微小鏡
２０  光信号伝達経路
３２  支持構造物
４０  駆動層
【図１】
2005196107.tif 000003
【図２】
2005196107.tif 000004
【図３】
2005196107.tif 000005
【図４】
2005196107.tif 000006
【図５】
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