(57)【要約】【課題】  電気光学素子の輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  画素２０を構成する駆動トランジスタＱｄのドレインを、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２を介してデータ線Ｘｍに接続するとともに発光期間制御用トランジスタＱＬを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接続した。また、データ線Ｘｍは、それぞれ対応する入力端子Ｆｍを介してデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍに接続した。そして、画素２０と入力端子Ｆｍとの間のデータ線Ｘｍ上に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの抵抗に等しい、または近い抵抗値を有する抵抗素子が対応するラインデータＤｍによって選択される電圧制御回路３０を接続した。【選択図】  図２
2005141149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に配置され電気光学素子及び該電気光学素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタを含む画素を備えた表示パネル部と、前記各データ線に接続され前記電気光学素子の輝度情報を有するデータ信号を生成するデータ信号生成回路と、を備えた電気光学装置において、
前記各画素は前記データ信号の電流レベルに対応した電荷を保持する容量素子を備え、
前記駆動トランジスタは第１の端子と第２の端子と制御端子とを備え、
前記各画素と前記データ信号生成回路との間に配置され、前記画素に前記データ信号を書き込んで前記容量素子に同データ信号の電流レベルに対応した電荷量を保持させる場合の前記第１の端子と前記第２の端子との間の電圧と、前記容量素子に保持された前記電荷量に応じた電流レベルを有する前記駆動電流を前記電気光学素子に供給する場合の前記第１の端子と前記第２の端子との間の電圧とを一致させるように前記データ線の電圧を制御する電圧制御回路を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に配置され電気光学素子及び複数の駆動トランジスタを含む画素を備えた表示パネル部と、前記各データ線に接続され前記電気光学素子の輝度情報を有するデータ信号を生成するデータ信号生成回路と、を備えた電気光学装置において、
前記各画素は、前記データ信号の電流レベルに対応した電荷量を保持する容量素子を備えるとともに、前記複数の駆動トランジスタは第１の端子と第２の端子と第１の制御端子とを備え前記電気光学素子に駆動電流を供給させるための第１の駆動トランジスタと、第３の端子と第４の端子と第２の制御端子とを備え同第２の制御端子が前記第１の制御端子に接続され前記容量素子に前記データ信号を書き込ませるための第２の駆動トランジスタと、
前記各画素と前記データ信号生成回路との間に配置され、前記画素に前記データ信号を書き込んで前記容量素子に同データ信号の電流レベルに対応した電荷量を保持させる場合の前記第１の端子と前記第２の端子との間の電圧と、前記容量素子に保持された前記電荷量に応じた電流レベルを有する前記駆動電流を前記電気光学素子に供給する場合の前記第３の端子と前記第４の端子との間の電圧とを一致させるように前記データ線の電圧を制御する電圧制御回路を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記電圧制御回路は、それぞれ異なった抵抗値を有する複数の抵抗素子と、前記データ信号の信号レベルに応じて前記複数の抵抗素子の中から前記電気光学素子の抵抗に等しいまたは近い抵抗素子を選択し、その抵抗素子を前記データ線と接続するスイッチング素子とで構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記電圧制御回路は、前記データ信号の電流レベルが大きい場合その抵抗値が大きくなり、電流レベルが小さい場合その抵抗値が小さくなる可変抵抗素子で構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記電圧制御回路は、前記電気光学素子と同じ構成を成した発光素子を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記発光素子は発光しないダミー発光素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の電気光学装置において、
前記発光素子は、発光層と該発光層から光が出射される発光面とを備え、
前記発光層はその膜厚が前記電気光学素子の発光層の膜厚より薄く、前記発光面の面積は前記電気光学素子の発光面の面積より小さくなるように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項５または６に記載の電気光学装置において、
前記発光素子は、発光層と該発光層から光が出射される発光面とを備え、
前記発光層はその膜厚が前記電気光学素子の発光層の膜厚に等しく、前記発光面の面積は前記電気光学素子の発光面の面積より大きくなるように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記ダミー発光素子は、前記電気光学素子の劣化具合を検出する検出手段であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記表示パネル部は、前記複数のデータ線と前記データ信号生成回路とを接続するための接続用端子を備え、
前記電圧制御回路は、前記接続用端子に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は、その発光層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬディスプレイという）が知られている。この種の有機ＥＬディスプレイの駆動方法の一つに、データ信号であるアナログ電流信号を選択された画素に書き込むようにした、所謂、電流書き込み方式がある（例えば、特許文献１及び特許文献２）。
【０００３】
即ち、各画素内には駆動トランジスタが形成され、同駆動トランジスタによって書き込まれたデータ信号の電流レベルに対応した所定の比を有する駆動電流が生成されるようになっている。
【０００４】
上記特許文献１の画素７０では、図８に示すように、書き込み期間においては、データ線駆動回路７１にて生成されたデータ信号Ｉｄが、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２を介して駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に流れ、そのデータ信号Ｉｄの電流レベルに対応した電荷量が保持キャパシタＣｏに書き込まれる。
【０００５】
また、発光期間においては、保持キャパシタＣｏに書き込まれたデータ信号に応じた電流が駆動トランジスタＱｄにて制御され、その制御された電流が駆動電流として発光期間制御用トランジスタＱＬを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる。
【０００６】
また、上記特許文献２の画素８０では、第１の駆動トランジスタＱｄ１と第２の駆動トランジスタＱｄ２とを備えている。画素８０は、図９に示すように、書き込み期間においてはデータ線駆動回路８１にて生成されたデータ信号Ｉｄが、第３のスイッチングトランジスタＱｓｗ３を介して第２の駆動トランジスタＱｄ２のソース／ドレイン間に流れ、そのデータ信号Ｉｄの電流レベルに対応した電荷量が保持キャパシタＣｏに書き込まれる。
【０００７】
また、発光期間においては、保持キャパシタＣｏに書き込まれたデータ信号に応じた電流が第１の駆動トランジスタＱｄ１にて制御され、駆動電流として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる。
【特許文献１】特開２００３−２２０４９号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ０１／００６４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１及び特許文献２に記載の画素７０，８０では、データ信号の書き込み時と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時とで画素内を流れる電流経路が異なる。一般に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、その抵抗が前記各トランジスタのオン抵抗よりも大きいので、書き込み時と発光時とで駆動トランジスタの負荷特性が異なってしまう。換言すれば、書き込み時と発光時とで駆動トランジスタの動作点が変動しまう。この結果、書き込まれたデータ電流Ｉｄの電流レベルと発光時における駆動電流の電流レベルとの比が一定にならず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度を精度良く制御することができないという問題があった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は電気光学素子の輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に配置され電気光学素子及び該電気光学素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタを含む画素を備えた表示パネル部と、前記各データ線に接続され前記電気光学素子の輝度情報を有するデータ信号を生成するデータ信号生成回路と、を備えた電気光学装置において、前記各画素は前記データ信号の電流レベルに対応した電荷を保持する容量素子を備え、前記駆動トランジスタは第１の端子と第２の端子と制御端子とを備え、前記各画素と前記データ信号生成回路との間に配置され、前記画素に前記データ信号を書き込んで前記容量素子に同データ信号の電流レベルに対応した電荷量を保持させる場合の前記第１の端子と前記第２の端子との間の電圧と、前記容量素子に保持された前記電荷量に応じた電流レベルを有する前記駆動電流を前記電気光学素子に供給する場合の前記第１の端子と前記第２の端子との間の電圧とを一致させるように前記データ線の電圧を制御する電圧制御回路を備えた。
【００１１】
これによれば、駆動トランジスタとデータ線とを電気的に接続してデータ信号を画素に書き込むときの駆動トランジスタの動作点と、前記駆動トランジスタと電気光学素子とを電気的に接続し書き込まれたデータ信号に応じた駆動電流を電気光学素子に供給するときの駆動トランジスタの動作点の変動を抑制することができる。この結果、データ信号の電流レベルと駆動電流の電流レベルとの比を一定にすることができるので、電気光学素子の輝度をデータ信号の電流レベルに応じて精度良く制御することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に配置され電気光学素子及び複数の駆動トランジスタを含む画素を備えた表示パネル部と、前記各データ線に接続され前記電気光学素子の輝度情報を有するデータ信号を生成するデータ信号生成回路と、を備えた電気光学装置において、前記各画素は、前記データ信号の電流レベルに対応した電荷量を保持する容量素子を備えるとともに、前記複数の駆動トランジスタは第１の端子と第２の端子と第１の制御端子とを備え前記電気光学素子に駆動電流を供給させるための第１の駆動トランジスタと、第３の端子と第４の端子と第２の制御端子とを備え同第２の制御端子が前記第１の制御端子に接続され前記容量素子に前記データ信号を書き込ませるための第２の駆動トランジスタと、前記各画素と前記データ信号生成回路との間に配置され、前記画素に前記データ信号を書き込んで前記容量素子に同データ信号の電流レベルに対応した電荷量を保持させる場合の前記第１の端子と前記第２の端子との間の電圧と、前記容量素子に保持された前記電荷量に応じた電流レベルを有する前記駆動電流を前記電気光学素子に供給する場合の前記第３の端子と前記第４の端子との間の電圧とを一致させるように前記データ線の電圧を制御する電圧制御回路を備えた。
【００１３】
これによれば、第１の駆動トランジスタと第２の駆動トランジスタとが互いに接続された、所謂、カレントミラー回路を構成する画素を備えた電気光学装置において、その画素にデータ信号を書き込むときの第２の駆動トランジスタの第３端子と第４の端子との電圧と、データ信号に応じた駆動電流を電気光学素子に供給するときの第１の駆動トランジスタの第１端子と第２の端子との電圧とを一致させることができる。この結果、電気光学素子の輝度をデータ信号の電流レベルに応じて精度良く制御することができる。
【００１４】
この電気光学装置において、前記電圧制御回路は、それぞれ異なった抵抗値を有する複数の抵抗素子と、前記データ信号の信号レベルに応じて前記複数の抵抗素子の中から前記電気光学素子の抵抗に等しいまたは近い抵抗素子を選択し、その抵抗素子を前記データ線と接続するスイッチング素子とで構成されていてもよい。
【００１５】
これによれば、電圧制御回路を抵抗素子とスイッチ素子で構成することができるので、同電圧制御回路を簡単に構成することができる。
この電気光学装置において、前記電圧制御回路は、前記データ信号の電流レベルが大きい場合その抵抗値が大きくなり、電流レベルが小さい場合その抵抗値が小さくなる可変抵抗素子で構成されていてもよい。
【００１６】
これによれば、データ信号の電流レベルに応じて電気光学素子の輝度をデータ信号の電流レベルに応じて精度良く制御することができる。
この電気光学装置において、前記電圧制御回路は、前記電気光学素子と同じ構成を成した発光素子を有していてもよい。
【００１７】
これによれば、前記電圧制御回路の発光素子は前記電気光学素子と同じ抵抗を有するので、データ信号を画素に書き込むときの駆動トランジスタの動作点と書き込まれたデータ信号に応じた駆動電流を電気光学素子に供給するときの駆動トランジスタの動作点とを容易に一致させることができる。また、画素に電気光学素子を形成するときに、発光素子を形成することで電圧制御回路を構成することができる。
【００１８】
この電気光学装置において、前記発光素子は発光しないダミー発光素子であってもよい。
これによれば、発光素子を発光させることなくデータ信号を画素に書き込むときの駆動トランジスタの動作点と書き込まれたデータ信号に応じた駆動電流を電気光学素子に供給するときの駆動トランジスタの動作点とを容易に一致させることができる。
【００１９】
この電気光学装置において、前記発光素子は、発光層と該発光層から光が出射される発光面とを備え、前記発光層はその膜厚が前記電気光学素子の発光層の膜厚より薄く、前記発光面の面積は前記電気光学素子の発光面の面積より小さくなるように構成されていてもよい。
【００２０】
これによれば、前記電圧制御回路は、前記電気光学素子と同じ抵抗値を有しつつその容量成分を減らすことができるので、データ信号の画素への書き込み速度が遅延することはない。この結果、所謂書き込み不足が生じることはない。
【００２１】
この電気光学装置において、前記発光素子は、発光層と該発光層から光が出射される発光面とを備え、前記発光層はその膜厚が前記電気光学素子の発光層の膜厚に等しく、前記発光面の面積は前記電気光学素子の発光面の面積より大きくなるように構成されていてもよい。
【００２２】
これによれば、前記電圧制御回路は、前記電気光学素子の抵抗値より  小さくすることができる。
この電気光学装置において、前記ダミー発光素子は、前記電気光学素子の劣化具合を検出する検出手段であってもよい。
【００２３】
これによれば、ダミー発光素子は、前記電気光学素子の発光期間とほぼ同期しているので、前記ダミー発光素子での電圧降下を検知することで前記電気光学素子の劣化度合いを検出することができる。
【００２４】
この電気光学装置において、前記表示パネル部は、前記複数のデータ線と前記データ信号生成回路とを接続するための接続用端子を備え、前記電圧制御回路は、前記接続用端子に設けられていてもよい。
【００２５】
これによれば、前記データ信号生成回路と前記表示パネル部に接続するときに静電気による異常電圧によって画素の破壊を抑制することができる。
この電気光学装置において、前記電気光学素子は、その発光層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。
【００２６】
これによれば、電気光学素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、データ信号の電流レベルと駆動電流の電流レベルとの比を一定にすることができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度をデータ信号の電流レベルに応じて精度良く制御することができる。
【００２７】
本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えた。
これによれば、電気光学素子の輝度をデータ信号の電流レベルに応じて精度良く制御することができる電気光学装置を備えているので、その表示品位が優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１実施形態）
以下、本発明の電気光学装置を有機ＥＬディスプレイに具体化した第１実施形態を図１〜図４に従って説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの電気的構成を説明するための図である。図２は、本実施形態に係る電圧制御回路と、第ｎの走査線と第ｍのデータ線との交差部に対応して配置された画素との内部回路構成図である。図３は、電圧制御回路の内部回路構成図である。図４は、走査信号、発光期間制御信号及びデータ電流のタイミングチャートである。
【００２９】
有機ＥＬディスプレイ１０は、図１に示すように、制御回路１１、走査線駆動回路１２、データ線駆動回路１３及び表示パネル部１４を備えている。
有機ＥＬディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１２及びデータ線駆動回路１３は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１２及びデータ線駆動回路１３が各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、制御回路１１、走査線駆動回路１２及びデータ線駆動回路１３の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００３０】
制御回路１１は、図示しないパルス発生装置からのクロックパルスＣＰを入力する。制御回路１１は、その入力されたクロックパルスＣＰに基づいて垂直同期信号ＶＳＹＮＣ及び水平同期信号ＨＳＹＮＣを生成する。制御回路１１は、その生成された垂直同期信号ＶＳＹＮＣと水平同期信号ＨＳＹＮＣを走査線駆動回路１２に出力するとともに、水平同期信号ＨＳＹＮＣをデータ線駆動回路１３に出力する。
【００３１】
また、制御回路１１は、図示しない外部装置からの画像データＤを入力する。画像データＤは、表示パネル部１４上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度情報を有するデータ信号であってデジタル信号である。画像データＤは、制御回路１１に入力された後に後記するｍ本のデータ線Ｘ１〜Ｘｍに対するｍ個の画素２０のそれぞれに対応したｍ組のラインデータＤ１，Ｄ２，…，Ｄｍに区分けされる。制御回路１１は、前記ラインデータＤ１〜Ｄｍに基づいてｍ組の選択信号ＳＳ１〜ＳＳｍを作成し、その作成した選択信号ＳＳ１〜ＳＳｍを表示パネル上に形成された各電圧制御回路３０に前記水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングで出力する。この選択信号ＳＳ１〜ＳＳｍは、後記するように、各電圧制御回路３０内に形成された抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓ（図３参照）のいずれかを前記ラインデータに基づいて選択させるための選択信号である。
【００３２】
走査線駆動回路１２は、図示しない電源回路、シフトレジスタ、出力回路等を主体に構成されている。走査線駆動回路１２は走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを生成する。各走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎは、図４に示すように、論理的に高レベル（以下「Ｈレベル」という）または低レベル（以下「Ｌレベル」という）の２値的な電圧レベルを有する。これらの電圧レベルは、データの書込対象となる走査線の選択に用いられ、データの書込対象となる画素行に対応する走査線はＨレベル、これ以外の走査線はＬレベルにそれぞれ設定される。
【００３３】
そして、走査線駆動回路１２は、前記水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングでＨレベルの前記走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎを走査線Ｙ１〜Ｙｎ（図１参照）に出力することで同走査線Ｙ１〜Ｙｎを所定の順序で選択していく。これにより、走査線Ｙ１〜ＹｎをＹ１→Ｙ２→…→Ｙｎの順序で（即ち、表示パネル部１４の最上から最下に向かって）一水平走査線分の画素群が選択されていく、所謂、線順次走査が行われる。尚、本明細書においては、各走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎがＨレベルを保持している期間を選択期間Ｔｐという。
【００３４】
また、走査線駆動回路１２は発光期間制御信号ＬＴ１〜ＬＴｎを生成する。各発光期間制御信号ＬＴ１〜ＬＴｎは、図４に示すように、高レベル（以下、「Ｈレベル」という）または低レベル（以下、「Ｌレベル」という）の２値的な電圧レベルを有する。この発光期間制御信号ＬＴ１〜ＬＴｎは、画素毎に設けられた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間Ｔｓを決定するための電圧信号である。即ち、走査線駆動回路１２は、データ信号の書き込みが終了した画素行にＨレベルの発光期間制御信号を出力するタイミングでその画素行の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光を開始させ、前記発光期間制御信号がＬレベルに立ち下がるタイミングで発光を停止させる。
【００３５】
データ線駆動回路１３は、図１に示すように、ｍ個の電流出力型デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍを主体に構成されている。各デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍは、その一端が接地され、その接地電位を基準値として駆動するようになっている。
【００３６】
デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍのうち第１のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１は、表示パネル部１４上に設けられた第１の入力端子Ｆ１に接続されている。この第１の入力端子Ｆ１は後記するように第１のデータ線Ｘ１に対応した入力端子である。
【００３７】
また、第２のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ２は、表示パネル部１４上に設けられた第２の入力端子Ｆ２に接続されている。この第２の入力端子Ｆ２は後記するように第２のデータ線Ｘ２に対応した入力端子である。他のデジタル・アナログ変換回路も同様に表示パネル部１４上に設けられた対応する入力端子に接続されている。また、各入力端子は、前記と同様に、それぞれのデータ線に対応した入力端子である。
【００３８】
また、各デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍは、前記制御回路１１から出力された対応する前記ラインデータＤ１〜Ｄｍ及び前記水平同期信号ＨＳＹＮＣを入力する。即ち、ラインデータＤ１〜Ｄｍのうちの第１のラインデータＤ１は、第１のデータ線Ｘ１に接続された各画素２０の輝度情報を有するデータ信号である。第２のラインデータＤ２は、第２のデータ線Ｘ２に接続された各画素２０の輝度情報を有するデータ信号である。他の各ラインデータも、同様に、対応するデータ線に接続された各画素２０の輝度情報を有するデータ信号である。そして、第１のラインデータＤ１は前記第１のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１へ、第２のラインデータＤ２は前記第２のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ２へ、…、第ｍのラインデータＤｍは前記第ｍのデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍへ、それぞれ供給される。
【００３９】
各デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍは、対応する前記ラインデータＤ１〜Ｄｍをアナログ値の電流を有するアナログ信号であるデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに変換する。各デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍは、その変換されたデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍを前記水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングで対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍに一斉に出力する。
【００４０】
従って、各データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍは、前記走査線駆動回路１２から所定のＨレベルの走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎが出力されるタイミングに同期してデータ線駆動回路１３から一斉に出力される。
【００４１】
表示パネル部１４上には、図１に示すように、行方向に沿ってそれぞれｎ本の走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎ、制御線Ｚ１，Ｚ２，…，Ｚｎ及び駆動電圧供給線Ｌｏが互いに平行に延設されている。各走査線Ｙ１〜Ｙｎは前記走査線駆動回路１２に接続されている。走査線Ｙ１〜Ｙｎは、図１にて表示パネル部１４の上側から下側に向かって、第１の走査線Ｙ１，第２の走査線Ｙ２，…，第ｎの走査線Ｙｎの順に延設されている。そして、走査線Ｙ１〜Ｙｎのうち第１の走査線Ｙ１には第１の走査信号ＳＣ１が、第２の走査線Ｙ２には第２の走査信号ＳＣ２が、…、第ｎの走査線Ｙｎには第ｎの走査信号ＳＣｎが出力される。
【００４２】
各制御線Ｚ１〜Ｚｎは走査線駆動回路１２に接続されている。制御線Ｚ１〜Ｚｎは、図１にて表示パネル部１４の上側から下側に向かって、第１の制御線Ｚ１，第２の制御線Ｚ２，…，第ｎの制御線Ｚｎの順に延設されている。制御線Ｚ１〜Ｚｎのうち第１の制御線Ｚ１は第１の走査線Ｙ１に対応した制御線であって、第１の発光期間制御信号ＬＴ１が出力される。
【００４３】
第２の制御線Ｚ２は第２の走査線Ｙ２に対応した制御線であって、第２の発光期間制御信号ＬＴ２が出力される。他の制御線も同様であって、制御線には対応する発光期間制御信号が出力される。
【００４４】
駆動電圧供給線Ｌｏは、各走査線Ｙ１〜Ｙｎに対応して１本ずつ延設されている。駆動電圧供給線Ｌｏには後記する各駆動トランジスタＱｄを駆動させるための駆動電圧Ｖｄｄが供給されている。
【００４５】
また、表示パネル部１４上には、列方向に沿ってそれぞれｍ本のデータ線Ｘ１〜Ｘｍが延設されている。データ線Ｘ１〜Ｘｍは、図１にて表示パネル部１４の左側から右側に向かって第１のデータ線Ｘ１，第２のデータ線Ｘ２，…，第ｍのデータ線Ｘｍの順に延設されている。各データ線Ｘ１〜Ｘｍには、後記する電圧制御回路３０を介して対応する各入力端子Ｆ１〜Ｆｍに供給されるデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍが流れる。即ち、第１のデータ線Ｘ１には前記第１のラインデータＤ１に基づいた第１のデータ電流Ｉｄ１が、第２のデータ線Ｘ２には前記第２のラインデータＤ２に基づいた第２のデータ電流Ｉｄ２が、…、第ｍのデータ線Ｘｍには前記第ｍのラインデータＤｍに基づいた第ｍのデータ電流Ｉｄｍが、所定の走査線が選択される毎に前記水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングで一斉に流れる。
【００４６】
さらに、表示パネル部１４上には、その各走査線Ｙ１〜Ｙｎと各データ線Ｘ１〜Ｘｍとの交差部に対応する位置にそれぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた画素２０が配置されている。即ち、表示パネル部１４上には、ｎ×ｍ個の画素２０がマトリクス状に配置されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは一般にダイオードと同様に、供給される電流の電流レベルに対応してその抵抗値が変化する非線形素子である。尚、本実施形態の画素２０は、書き
込まれるデータ信号がアナログ電流である、所謂、電流プログラム方式の画素であって、公知の回路構成を成している。
【００４７】
そして、各走査線Ｙ１〜Ｙｎには各１行分のｍ個の画素２０が接続されるとともに、各データ線Ｘ１〜Ｘｍには各１列分のｎ個の画素２０が接続されている。また、各画素２０は、対応する制御線Ｚ１〜Ｚｎ及び駆動電圧供給線Ｌｏに接続されている。
【００４８】
図２は、第ｎの走査線Ｙｎと第ｍのデータ線Ｘｍとの交差部に対応する位置に配置された画素２０の内部回路構成を説明するための図である。尚、全ての画素２０の内部回路構成は同じであるので、第ｎの走査線Ｙｎと第ｍのデータ線Ｘｍとの交差部に対応する位置に配置された画素２０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素２０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００４９】
図２に示すように、画素２０は、駆動トランジスタＱｄ、第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２、発光期間制御用トランジスタＱＬ、保持キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。
【００５０】
本実施形態の駆動トランジスタＱｄは、その導電型がＰ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。また、本実施形態の第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２及び発光期間制御用トランジスタＱＬは、それぞれ、その導電型がＮ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。そして、第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２及び発光期間制御用トランジスタＱＬは、それぞれ、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタであってその各トランジスタサイズはほぼ同じである。
【００５１】
駆動トランジスタＱｄは、そのソースが駆動電圧供給線Ｌｏに接続され前記駆動電圧Ｖｄｄが供給されている。また、駆動トランジスタＱｄのゲート／ソース間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。
【００５２】
駆動トランジスタＱｄのゲート／ドレイン間には、第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１が接続されている。また、駆動トランジスタＱｄのドレインには、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２のドレインと発光期間制御用トランジスタＱＬのドレインとが接続されている。
【００５３】
第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２は、そのゲートが前記第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のゲートに接続されるとともに、第ｎの走査線Ｙｎに接続されている。第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２のソースは、第ｍのデータ線Ｘｍに接続されている。
【００５４】
発光期間制御用トランジスタＱＬは、そのゲートが第ｎの制御線Ｚｎに接続されている。また、発光期間制御用トランジスタＱＬのソースは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１に接続され、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２は接地されている。この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、その発光層が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子であって、その陽極Ｐ１と陰極Ｐ２との間に流れる電流（駆動電流ＩＯＬＥＤ）の電流レベルに対応した輝度で発光するＥＬ素子である。
【００５５】
前記のように構成された画素２０は、前記第ｎの制御線Ｚｎを介してＬレベルの発光期間制御信号ＬＴｎが供給され発光期間制御用トランジスタＱＬがオフになり駆動トランジスタＱｄのドレインと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１とが電気的に切断される。この状態で、前記第ｎの走査線Ｙｎを介してＨレベルの走査信号ＳＣｎが供給され第１及び第２
のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２がともにオン状態になる。すると、前記駆動トランジスタＱｄがダイオード接続されるとともに同駆動トランジスタＱｄのドレインが第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２を介してデータ線Ｘｍに電気的に接続される。このとき、前記データ線Ｘｍは、前記したように、電圧制御回路３０及び第ｍの入力端子Ｆｍを介して第ｍのデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍに接続されている。第ｍのデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍはその一端が接地されているので、駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２のソース／ドレイン、電圧制御回路３０及びデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍで構成される電流経路が形成される。この電流経路を、本明細書においては、第１の電流経路という。
【００５６】
そして、このタイミングで前記データ線Ｘｍからデータ電流Ｉｄｍの供給が開始され、所定期間（前記選択期間Ｔｐ）維持することで、前記保持キャパシタＣｏに前記データ電流Ｉｄｍの電流レベルに応じた電荷量が書き込まれる。
【００５７】
また、前記保持キャパシタＣｏにデータ電流Ｉｄｍの電流レベルに応じた電荷量が書き込まれた状態で、Ｌレベルの走査信号ＳＣｎが供給され前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２がともにオフ状態になり、前記駆動トランジスタＱｄのドレインとデータ線Ｘｍとを電気的に切断する。すると、前記保持キャパシタＣｏに前記データ電流Ｉｄｍの電流レベルに応じた電荷量が保持される。この状態で、前記第ｎの制御線Ｚｎを介してＨレベルの発光期間制御信号ＬＴｎが供給され前記発光期間制御用トランジスタＱＬがオンになると駆動トランジスタＱｄのドレインと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１とが電気的に接続される。このとき、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２が接地されているので、駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン、発光期間制御用トランジスタＱＬのソース／ドレイン及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１／陰極Ｐ２で構成される電流経路が形成される。この電流経路を、本明細書においては、第２の電流経路という。
【００５８】
そして、このタイミングで前記保持キャパシタＣｏに保持された電荷量に応じた電流レベルを有する電流が駆動電流ＩＯＬＥＤとして発光期間制御用トランジスタＱＬを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１と陰極Ｐ２間に流れる。この結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが前記駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに対応した輝度で発光する。そして、前記Ｈレベルの発光期間制御信号ＬＴｎの供給が継続している間（前記発光期間Ｔｓに相当）、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光し続ける。
【００５９】
また、表示パネル部１４には、図１に示すように、ｍ個の電圧制御回路３０が形成されている。各電圧制御回路３０は、対応する各データ線Ｘ１〜Ｘｍ及び各入力端子Ｆ１〜Ｆｍに接続されている。この電圧制御回路３０は、対応するデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍにて生成されたデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍを対応するデータ線Ｘ１〜Ｘｍに出力する。また、各電圧制御回路３０は、対応するデータ線Ｘ１〜Ｘｍ上の電圧を前記制御回路１１からの選択信号ＳＳ１〜ＳＳｍに基づいて制御する制御回路である。
【００６０】
図３は、第ｍのデータ線Ｘｍに接続された電圧制御回路３０と、第ｎの走査線Ｙｎと第ｍのデータ線Ｘｍとの交差部に対応して配置された画素２０の回路図である。電圧制御回路３０は、ｓ個の抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓと１個のアナログスイッチＳＷａとから構成されている。抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓは、それぞれ互いに並列に接続されている。各抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓは、その抵抗値がそれぞれ異なっている。
【００６１】
アナログスイッチＳＷａは、その一端が前記第ｍのデータ線Ｘｍに接続され、その他端が各抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓの一つに接続可能になっている。このアナログスイッチＳＷａは、第ｍのラインデータＤｍに基づいた第ｍの選択信号ＳＳｍに従って抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓ
のいずれかを選択して前記データ線Ｘｍに接続させる。即ち、入力されたラインデータＤｍのデータ値が小さな場合（即ち、データ電流Ｉｄｍの電流レベルが小さい場合）、前記アナログスイッチＳＷａは抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのうち前記データ値に対応した、その抵抗値が比較的小さな抵抗素子を選択して前記データ線Ｘｍに接続させる。また、入力されたラインデータＤｍのデータ値が大きな場合（即ち、データ電流Ｉｄｍの電流レベルが大きな場合）、前記アナログスイッチＳＷａは抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのうち前記データ値に対応した、その抵抗値が比較的大きな抵抗素子を選択して前記データ線Ｘｍに接続させる。
【００６２】
詳しくは、図２に示すように、前記画素２０を構成する第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２のソース／ドレイン間のオン抵抗をＲｓｗ、発光期間制御用トランジスタＱＬのソース／ドレイン間のオン抵抗をＲＬで表す。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１／陰極Ｐ２間の抵抗をＲｅｌ、第ｍのデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍの内部抵抗をＲｄａｃ、電圧制御回路３０の内部抵抗をＲで表す。この内部抵抗Ｒは、前記抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのいずれかに相当する。すると、前記第１の電流経路における駆動トランジスタＱｄのドレインと接地間の合成抵抗Ｒ１は、以下の式で表される。
【００６３】
Ｒ１＝Ｒｓｗ＋Ｒ＋Ｒｄａｃ・・・（１）
また、前記第２の電流経路における駆動トランジスタＱｄのドレインと接地間の合成抵抗Ｒ２は、以下の式で表される。
【００６４】
Ｒ２＝ＲＬ＋Ｒｅｌ・・・（２）
尚、前記データ線Ｘｍの配線抵抗は、各抵抗Ｒｓｗ，Ｒｄａｃ，ＲＬ，Ｒｅｌに比較して無視できるので省略する。
【００６５】
上式（１），（２）において、前記第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２及び発光期間制御用トランジスタＱＬは、それぞれほぼ同じトランジスタサイズを有しているので、各オン抵抗Ｒｓｗ，ＲＬはほぼ等しい。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、一般に、その発光層が比較的大きな抵抗値を有する有機材料で構成されているので、その抵抗Ｒｅｌは前記各オン抵抗Ｒｓｗ，ＲＬ及び前記内部抵抗Ｒｄａｃに比較して大きい。従って、電圧制御回路３０の内部抵抗Ｒを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１／陰極Ｐ２間の抵抗Ｒｅｌに一致させることで、合成抵抗Ｒ１と合成抵抗Ｒ２とをほぼ一致させることができる。
【００６６】
また、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは前記したように非線形素子であって、その抵抗Ｒｅｌは、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルが大きいときは大きくなり、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルが小さいときは小さくなる抵抗値を示す。
【００６７】
そして、予め様々なラインデータＤｍのデータ値に対する抵抗Ｒｅｌを算出しておき、前記制御回路１１は、その算出された抵抗Ｒｅｌと等しい、または最も近い抵抗素子を前記抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓの中から選択する前記選択信号ＳＳｍを生成する。そして、前記制御回路１１は、１ラインデータＤｍを対応する第ｍのデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣｍに出力する毎に前記選択信号ＳＳｍを前記第ｍの入力端子Ｆｍに出力する。
【００６８】
すると、上式（１），（２）より、前記合成抵抗Ｒ１と前記合成抵抗Ｒ２とをほぼ等しくすることができる。即ち、画素２０へのデータ電流Ｉｄｍの書き込み時の駆動トランジスタＱｄの負荷特性を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時における負荷特性と一致させることができる。換言すると、書き込み時の駆動トランジスタＱｄの動作点と発光時の駆動トランジスタＱｄの動作点との変動を抑制することができる。
【００６９】
このようにすることで、データ電流Ｉｄｍの電流レベルと駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルとの比を常に一定にすることができるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度をデータ電
流Ｉｄｍに応じて精度良く制御することができる。
【００７０】
以上と同様なことを第ｍのデータ線Ｘｍに接続された各画素２０以外の他のデータ線に接続された各画素２０に対しても行うことで、全ての画素２０での、書き込み時の駆動トランジスタＱｄの動作点と発光時の駆動トランジスタＱｄの動作点との変動を抑制することができる。この結果、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度をデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに応じて精度よく制御することができるので表示品位の優れた有機ＥＬディスプレイを実現することができる。
【００７１】
また、本実施形態の電圧制御回路３０は、抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓで構成されている。そして、前記データ線駆動回路１３のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍが対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍに接続される前の電圧制御回路３０は、その抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのうち最もその抵抗値が大きな抵抗素子が選択されるように予め設定しておく。この結果、入力端子Ｆ１〜Ｆｍ側からみた画素２０の入力抵抗は、前記抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓの中から選択された抵抗素子の抵抗値分だけ大きくなっている。従って、有機ＥＬディスプレイ１０の実装時における、前記データ線駆動回路１３のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍを対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍに接続するときに生じる静電気による高電圧が、抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのうち最もその抵抗値が大きな抵抗素子によって電圧降下した電圧が画素２０に印加される。従って、各データ線Ｘ１〜Ｘｍを介して各画素２０に直接印加されるのではない。この結果、実装時における、前記データ線駆動回路１３のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍを対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍに接続するときに生じた静電気の高電圧から画素２０を保護することができる。このことから、有機ＥＬディスプレイ１０の歩留まりを向上させることができる。
【００７２】
尚、特許請求の範囲の電気光学装置は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬディスプレイ１０に対応している。特許請求の範囲のデータ信号は、例えば、本実施形態においてはデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに対応している。特許請求の範囲の電気光学素子または有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対応している。特許請求の範囲のスイッチング素子は、例えば、本実施形態においてはアナログスイッチＳＷａに対応している。特許請求の範囲のデータ信号生成回路は、例えば、本実施形態においてはデータ線駆動回路１３に対応している。特許請求の範囲の容量素子は、例えば、本実施形態においては保持キャパシタＣｏに対応している。
【００７３】
特許請求の範囲に記載の接続用端子は、例えば、本実施形態においては第１〜第ｍの入力端子Ｆ１〜Ｆｍに対応している。特許請求の範囲に記載の第１の制御端子は、例えば、駆動トランジスタＱｄのゲートに対応している。特許請求の範囲に記載の第１の端子は、例えば、駆動トランジスタＱｄのソースに対応している。特許請求の範囲に記載の第２の端子は、例えば、駆動トランジスタＱｄのドレインに対応している。
【００７４】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、各画素２０を構成する駆動トランジスタＱｄのドレインを、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２を介してデータ線Ｘ１〜Ｘｍに接続するとともに発光期間制御用トランジスタＱＬを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接続した。また、データ線Ｘ１〜Ｘｍは、それぞれ対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍを介してデータ線駆動回路１３に接続した。
【００７５】
そして、各画素２０と入力端子Ｆ１〜Ｆｍとの間のデータ線Ｘ１〜Ｘｍ上に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの抵抗Ｒｅｌに等しい、または近い抵抗値を有する抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓを備えた電圧制御回路３０を接続した。この結果、書き込み時の駆動トランジスタＱｄの動作点と発光時の駆動トランジスタＱｄの動作点との変動を抑制することができる。この結果
、データ電流Ｉｄｍの電流レベルと駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルとの比を一定にすることができるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度をデータ電流Ｉｄｍに応じて精度良く制御することができる。
（２）本実施形態では、それぞれ異なった抵抗値を有する抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓと、１ラインデータＤ１〜Ｄｍのデータ値に応じてその抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのいずれかを選択し、それを対応するデータ線Ｘ１〜Ｘｍに接続するアナログスイッチＳＷａとで電圧制御回路３０を構成した。従って、電圧制御回路３０を簡単に構成することができる。
（３）本実施形態では、各画素２０と入力端子Ｆ１〜Ｆｍとの間のデータ線Ｘ１〜Ｘｍ上に抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓで構成された電圧制御回路３０を接続したので、入力端子Ｆ１〜Ｆｍ側からみた画素２０の入力抵抗は、前記抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓの分だけ大きくなる。従って、前記データ線駆動回路１３のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍを対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍに接続するときに生じた静電気の高電圧から画素２０を保護することができる。このことから、有機ＥＬディスプレイ１０の歩留まりを向上させることができる。
（４）本実施形態では、実装前の電圧制御回路３０は、その抵抗素子Ｒ１〜Ｒｓのうち最もその抵抗値が大きな抵抗素子が選択されるように設定されているので、データ線駆動回路１３のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍを対応する入力端子Ｆ１〜Ｆｍに接続するときに生じた静電気の高電圧から画素２０を確実に保護することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図５に従って説明する。この第２実施形態の有機ＥＬディスプレイは、上記電圧制御回路３０の内部回路構成が異なっている他は上記第１実施形態と同じ構成を成している。従って、同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００７６】
図５は、本実施形態における第ｍのデータ線Ｘｍに接続された電圧制御回路３０と、第ｎの走査線Ｙｎと第ｍのデータ線Ｘｍとの交差部に対応して配置された画素２０の回路図である。本実施形態における電圧制御回路３０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層を構成する有機材料と同じ材料で構成されたダミー有機ＥＬ素子４０で構成されている。
【００７７】
詳述すると、ダミー有機ＥＬ素子４０は、その発光層に前記駆動電流ＩＯＬＥＤが供給される陽極４０ａが第ｍのデータ線Ｘｍに接続するとともに陰極４０ｂが第ｍの入力端子Ｆｍに接続されている。ダミー有機ＥＬ素子４０はデータ電流Ｉｄｍの電流レベルに応じて発光するが、その発光面から出射された光が外部に出射することがないように各ダミー有機ＥＬ素子４０上には図示しない光を透過させない遮光性マスク等が形成されている。
【００７８】
また、ダミー有機ＥＬ素子４０は、その陽極４０ａ／陰極４０ｂ間の抵抗が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１／陰極Ｐ２間の抵抗Ｒｅｌに等しいので、画素２０へのデータ電流Ｉｄｍの書き込み時の駆動トランジスタＱｄの負荷特性を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時における負荷特性と一致させることができる。従って、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、このダミー有機ＥＬ素子４０は、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間Ｔｓにほぼ同期して発光するので、例えば、陽極Ｐ１／陰極Ｐ２間の電圧を検知する検知手段を設け、その検知結果をモニタするようにする。このようにすることで前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化度合いを検出する検出手段として使用することができる。さらに、本実施形態の電圧制御回路３０は、アナログスイッチＳＷａを設ける必要がないので、上記第１の実施形態のように、制御回路１１は、前記選択信号ＳＳ１〜ＳＳｍを生成したりする必要もない。従って、制御回路１１の構成を簡単にすることができる。
【００７９】
また、本実施形態のダミー有機ＥＬ素子４０は、その発光層の膜厚が前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層の膜厚より薄くなるように構成されている。また、本実施形態のダミー有機ＥＬ素子４０は、その発光層の発光面の面積が前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光面の
面積より小さくなるように構成されている。このようにすることで、ダミー有機ＥＬ素子４０の陽極４０ａ／陰極４０ｂ間の抵抗を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１／陰極Ｐ２間の抵抗Ｒｅｌと等しくしつつ、その容量値を小さくすることができる。従って、データ電流Ｉｄｍの書き込み速度が遅延することで、所謂書き込み不足が生じるのを抑制することができる。つまり、上記のように、ダミー有機ＥＬ素子４０の発光面の面積及び発光層の膜厚を変えることでその抵抗値や容量値を調整することができる。
【００８０】
尚、特許請求の範囲の発光素子またはダミー発光素子は、例えば、本実施形態においてはダミー有機ＥＬ素子４０に対応している。
（第３実施形態）
次に、第１または第２実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器の適用について図６に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【００８１】
図６は、大型テレビ５０の斜視図である。この大型テレビ５０は、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた大型テレビ用の表示ユニット５１と、スピーカー５２と、複数の操作ボタン５３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット５１は、上記実施形態と同様な効果を発揮する。従って、表示品位の高い画像表示ができる大型テレビ５０を提供できる。
【００８２】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、駆動トランジスタＱｄ、保持キャパシタＣｏ、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び発光期間制御用トランジスタＱＬを備え、前記駆動トランジスタＱｄのドレインが第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２を介してデータ線に接続されるとともに発光期間制御用トランジスタＱＬを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接続された画素２０を配置した有機ＥＬディスプレイ１０に具体化した。これを、図７に示すように、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２、保持キャパシタＣｏ及び第３及び第４のスイッチングトランジスタＱｓｗ３，Ｑｓｗ４を備え、前記第２の駆動トランジスタＱｄ２のドレインが第３のスイッチングトランジスタＱｓｗ３を介してデータ線に接続されるとともに、前記第１の駆動トランジスタＱｄ１のドレインが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接続された画素６０を配置した有機ＥＬディスプレイに具体化してもよい。この有機ＥＬディスプレイは、前記画素６０と入力端子Ｆｍとの間のデータ線Ｘｍ上には前記電圧制御回路３０が接続されている。また、画素６０は、第１の駆動トランジスタＱｄ１のゲートと第２の駆動トランジスタＱｄ２のゲートとが互いに接続された、所謂、カレントミラー回路を構成している。
【００８３】
このようにカレントミラー回路を構成する画素６０を備えた有機ＥＬディスプレイにおいて、第３及び第４のスイッチングトランジスタＱｓｗ３，Ｑｓｗ４をオンにすることで画素６０にデータ電流Ｉｄｍを書き込むときの第２の駆動トランジスタＱｄ２のソースとドレインとの間の電圧と、第３及び第４のスイッチングトランジスタＱｓｗ３，Ｑｓｗ４をオフにすることでデータ電流Ｉｄｍに応じた駆動電流ＩＯＬＥＤを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するときの第１の駆動トランジスタＱｄ１のソースとドレインと間の電圧とを一致させることができる。この結果、上記第１及び第２の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００８４】
尚、第１の駆動トランジスタＱｄ１のゲートが特許請求の範囲に記載の第１の制御端子に相当する。また、第２の駆動トランジスタＱｄ２のゲートが特許請求の範囲に記載の第２の制御端子に相当する。第１の駆動トランジスタＱｄ１のソースが特許請求の範囲に記
載の第１の端子に相当する。第１の駆動トランジスタＱｄ１のドレインが特許請求の範囲に記載の第２の端子に相当する。さらに、第２の駆動トランジスタＱｄ２のソースが特許請求の範囲に記載の第３の端子に相当する。第２の駆動トランジスタＱｄ２のソースが特許請求の範囲に記載の第４の端子に相当する。
【００８５】
○上記第２実施形態ではダミー有機ＥＬ素子４０で構成された電圧制御回路３０を用いたが、これを、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと同じ抵抗値を有する発光しないダミー発光素子まで構成された電圧制御回路を用いてもよい。また、データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルが大きくなるとその抵抗値が大きくなり、電流レベルが小さくなるとその抵抗値が小さくなる可変抵抗素子で構成された電圧制御回路を用いてもよい。
【００８６】
○上記実施形態では、単色の有機ＥＬディスプレイ１０であったが、フルカラー表示が可能な有機ＥＬディスプレイに応用してもよい。
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた有機ＥＬディスプレイに具体化して好適な効果を得たが、有機ＥＬディスプレイ以外の例えばデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いたディスプレイ、電子放出素子を用いたディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】有機ＥＬディスプレイの電気的構成を説明するための図である。
【図２】第１の実施形態に係る電圧制御回路と、第ｎの走査線と第ｍのデータ線との交差部に対応して配置された画素の回路図である。
【図３】第１の実施形態に係る電圧制御回路の回路図である。
【図４】走査信号、発光期間制御信号及びデータ電流のタイミングチャートである。
【図５】第２の実施形態に係る電圧制御回路と、第ｎの走査線と第ｍのデータ線との交差部に対応して配置された画素の回路図である。
【図６】第３の実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図である。
【図７】別例を説明するための図である。
【図８】従来の画素の電気的構成を説明するための図である。
【図９】従来の画素の電気的構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８８】
Ｉｄ１〜Ｉｄｍ…データ信号としてのデータ電流、ＩＯＬＥＤ…駆動電流、ＯＬＥＤ…電気光学素子または有機エレクトロルミネッセンス素子としての有機ＥＬ素子、Ｐ１，Ｐ２…有機ＥＬ素子の陽極または有機ＥＬ素子の陰極、Ｑｄ…駆動トランジスタ、Ｒ１〜Ｒｓ…抵抗素子、ＳＷａ…スイッチング素子としてのアナログスイッチ、Ｘ１〜Ｘｍ…データ線、Ｙ１〜Ｙｎ…走査線、１０…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、１３…データ信号生成回路としてのデータ線駆動回路、２０…画素、３０…電圧制御回路、４０…発光素子としてのダミー有機ＥＬ素子、４０ａ…ダミー有機ＥＬ素子の陽極、４０ｂ…ダミー有機ＥＬ素子の陰極、５０…電子機器としての大型テレビ。
【図１】
2005141149.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005141149.tif 000009
【図８】
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【図９】
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