(57)【要約】【課題】  ＥＵＶ光の使用に対しても、ピンホールの変形が少なく長期にわたり安定した性能を示すピンホールマスクを提供する。【解決手段】  ピンホールマスク１０は、基板１１に入射する光をピンホール１３から射出させる。ピンホール１３を含む少なくとも一部の領域がニッケル１５でコートされている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に入射する光をピンホールから射出させるピンホールマスクにおいて、
前記ピンホールを含む少なくとも一部の領域がニッケルでコートされていることを特徴とするピンホールマスク。
【請求項２】
前記ピンホールは、前記基板に設けられた薄肉部に形成された貫通穴からなり、
前記貫通穴の内壁面にニッケルがコートされていることを特徴とする請求項１に記載のピンホールマスク。
【請求項３】
前記ピンホールの直径が、１μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のピンホールマスク。
【請求項４】
前記薄肉部を含む前記基板の表面及び裏面の少なくとも一面にニッケルがコートされていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のピンホールマスク。
【請求項５】
前記薄肉部の厚さが、２μｍ以下であり、
前記薄肉部を含む前記基板の表面及び裏面の双方にニッケルがコートされていることを特徴とする請求項４に記載のピンホールマスク。
【請求項６】
光源と、前記光源からの光をピンホールから球面波として射出するピンホールマスクと、被検体検査光と前記球面波との干渉縞が結像される撮像素子とを備えた干渉計において、
前記ピンホールマスクを請求項１から請求項５のいずれかのピンホールマスクとしたことを特徴とする干渉計。
【請求項７】
基板に入射する光をピンホールから射出させるピンホールマスクを製造する方法であって、
前記ピンホールを含む少なくとも一部の領域をニッケルでコートする工程を有することを特徴とするピンホールマスクの製造方法。
【請求項８】
前記ピンホールは、前記基板に設けられた薄肉部に形成された貫通穴からなり、
前記貫通穴の内壁面にニッケルをコートすることを特徴とする請求項７に記載のピンホールマスクの製造方法。
【請求項９】
シリコン基板の表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜を貫通する貫通穴を形成する工程と、
前記貫通穴が形成された前記酸化シリコン膜を残して前記シリコン基板の裏面を部分除去する工程と、
前記酸化シリコン膜における前記貫通穴を含む少なくとも一部の領域をニッケルでコートする工程と、を有することを特徴とするピンホールマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記酸化シリコン膜の厚さが、２μｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載のピンホールマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記貫通穴が形成された前記酸化シリコン膜に対して、前記シリコン基板の表面側と裏面側との双方からニッケルをコートすることを特徴とする請求項１０に記載のピンホールマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学機器に使用されるピンホールマスクとその製造方法、並びに光学素子の面形状や光学系の波面収差を高精度に測定するための干渉計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、球面形状の計測や波面収差の計測には、フィゾー干渉計やトワイマン・グリーン干渉計が用いられてきた。これらの干渉計は基準面を必要とし、その基準面との比較により球面形状を計測するため、測定精度は基準面の面精度を超えることができない。基準面を必要としない干渉計として、ピンホールによる回折波面を基準とする Point Diffraction Interferemeter（以下、PDIと記す）が知られている（特許文献１参照）。この干渉計では、ピンホールの回折により生じた理想的な球面波を基準波面として、球面形状あるいは波面収差の高精度な計測を実現している。
【０００３】
このようなPDIに用いるピンホールマスクは、従来、図５に示すように、銅やステンレスなどの薄い金属板１００に貫通穴１０１を設けて構成されている。
【０００４】
金属板１００は、その機械的強度を保持するために少なくとも１０μｍ程度の厚さが必要であり、貫通孔１０１の直径を１μｍ以下にする場合には穴のアスペクト比（穴の深さ／穴の直径）が１０以上となり、加工が非常に難しくなり、コストが高くなる。
【０００５】
また、高精度のPDI計測を行うために直径の小さいピンホールを使用する場合、ピンホールの直径が小さくなるに従い、ピンホールへ集光するスポット径も小さくなるので、穴の周辺へ入射する光のエネルギー密度が高くなる。図５に示すような従来のピンホールマスクでは、直径が１μｍ以下程度になると、いわゆるレーザーアブレーションにより基板が融解、飛散して破壊してしまうという問題点がある。また、図５のような従来のピンホールマスクでは、レーザーアブレーションにより微細な穴空け加工を行っているので、その耐久性には本質的に限界がある。
【０００６】
そこで、シリコン基板に貫通穴をあけた薄肉部を設けることで、微細な直径のピンホールマスクを作製する技術が提案されている（特許文献２参照）。この技術では、光学機器が使用する光の波長に応じて、光の透過を防ぐことを目的として、シリコン基板の表面に高融点金属材料からなる遮光膜を設けている。
【特許文献１】特許第２６７９２２１号公報
【特許文献２】特開２０００−９７６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＥＵＶ光を使用する場合、ガス分子によるエネルギー吸収を避けるために、ピンホールマスクを含む光学系は真空容器内に入れられる。なお、ＥＵＶ光に対して遮蔽性が高い膜材料としては、タンタル（Ｔａ）が知られている。
【０００８】
真空容器内には微量な有機物が残留している場合が多く、有機物にＥＵＶ光が照射されると、その有機物が分解し、炭化物として固化すると考えられている。そのため、ピンホールマスクにＥＵＶ光を照射すると、照射時間の経過とともに、炭化物の付着によってピンホールの直径が小さくなったり、閉塞したりするおそれがある。
【０００９】
本発明は、ＥＵＶ光の使用に対しても、ピンホールの変形が少なく長期にわたり安定した性能を示すピンホールマスク及びそのピンホールマスクを使用する干渉計を提供することを目的とする。
また、本発明の別の目的は、ＥＵＶ光の使用に適したピンホールマスクを製造可能なピンホールマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は、実施の形態を示す図１から図４に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のピンホールマスクは、基板（１１）に入射する光をピンホールから射出させるピンホールマスク（１０）において、前記ピンホールを含む少なくとも一部の領域がニッケル（１５）でコートされていることを特徴とする。
【００１１】
ニッケル（Ｎｉ）は炭化物の付着を抑制する作用を有する。本発明のピンホールマスクによれば、ニッケル膜によって炭化物の付着が抑制される結果、ピンホールの直径の変化や閉塞が抑制される。
【００１２】
例えば、前記ピンホール（１３）は、前記基板（１１）に設けられた薄肉部（１２）に形成された貫通穴（１８）からなり、前記貫通穴の内壁面にニッケルがコートされている構成とするとよい。
この構成により、ピンホールの直径を、光リソグラフィ法等を用いて、１μｍ以下にすることが可能である。また、ピンホールの内面（貫通穴の内壁面）への炭化物の付着が抑制される。
【００１３】
また、前記薄肉部（１２）を含む前記基板（１１）の表面（１１ａ）及び裏面（１１ｂ）の少なくとも一面にニッケルがコートされていることにより、ニッケル膜が光を遮蔽する遮光膜として機能する。
【００１４】
また、前記薄肉部（１２）の厚さが、２μｍ以下であり、前記薄肉部（１２）を含む前記基板（１１）の表面（１１ａ）及び裏面（１１ｂ）の双方にニッケルがコートされているのが望ましい。
薄肉部の厚さが、２μｍ以下であることにより、微細なピンホールの加工が容易となる。また、薄肉部の剛性が低い場合にも、薄肉部の表面と裏面とにニッケル膜が形成されることにより、ニッケル膜の内部応力が薄肉部の表裏面で打ち消され、薄肉部の歪みが抑制される。
【００１５】
本発明の干渉計は、光源（５１）と、前記光源からの光をピンホール（５２ａ）から球面波として射出するピンホールマスク（５２）と、被検体検査光と前記球面波との干渉縞が結像される撮像素子（５７）とを備えた干渉計において、前記ピンホールマスク（５２）を本発明のピンホールマスク（１０）としたことを特徴とする。
【００１６】
本発明のピンホールマスクの製造方法は、基板（１１）に入射する光をピンホール（１３）から射出させるピンホールマスク（１０）を製造する方法であって、前記ピンホールを含む少なくとも一部の領域をニッケル（１５）でコートする工程を有することを特徴とする。
【００１７】
この製造方法によれば、ニッケルのコーティングにより、ピンホールを含む領域に対する炭化物の付着が抑制されたピンホールマスクが製造される。
【００１８】
例えば、前記ピンホール（１３）は、前記基板（１１）に設けられた薄肉部（１２）に形成された貫通穴（１８）からなり、前記貫通穴の内壁面にニッケルをコートするとよい。
これにより、ピンホールの直径を、光リソグラフィ法等を用いて、１μｍ以下にすることが可能である。また、ニッケルのコーティングにより、炭化物の付着が抑制されたピンホールが形成される。
【００１９】
また、本発明のピンホールマスクの製造方法は、シリコン基板（１１）の表面に酸化シリコン膜（１４）を形成する工程と、前記酸化シリコン膜を貫通する貫通穴（１８）を形成する工程と、前記貫通穴が形成された前記酸化シリコン膜を残して前記シリコン基板の裏面を部分除去する工程と、前記酸化シリコン膜における前記貫通穴を含む少なくとも一部の領域をニッケル（１５）でコートする工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
この製造方法によれば、半導体デバイスの製造技術を応用することで、微細なピンホールを形成することが可能であり、また、貫通穴を含む少なくとも一部の領域にニッケルをコートすることで、炭化物の付着が抑制されたピンホールが作製される。
【００２１】
この場合、前記酸化シリコン膜（１４）の厚さが、２μｍ以下であることにより、直径が１μｍ以下の微細なピンホールの加工が容易となる。
【００２２】
また、前記貫通穴（１８）が形成された前記酸化シリコン膜（１４）に対して、前記シリコン基板（１１）の表面（１１ａ）側と裏面（１１ｂ）側との双方からニッケル（１５）をコートすることにより、ニッケル膜の内部応力による薄肉部の歪みを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のピンホールマスク及びそのピンホールマスクを使用する干渉計は、ＥＵＶ光の使用に対しても、ニッケル膜によって炭化物の付着が抑制される結果、ピンホールの変形が少なく長期にわたり安定した性能を示す。
また、本発明のピンホールマスクの製造方法によれば、ＥＵＶ光の使用に適したピンホールマスクを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
「ピンホールマスク」
図１は、本発明によるピンホールマスクの実施の形態を示す図である。
厚いシリコン基板１１の中央部に好ましくは２μｍ以下の厚さの酸化シリコン膜（酸化珪素：ＳｉＯ２）からなる自立膜としての薄肉部１２が設けられ、ここに好ましくは直径１μｍ以下のピンホール１３が形成されている。シリコン基板１１は厚さ４００〜８００μｍ程度の市販のシリコンウエハを用いることができる。薄肉部１２（自立膜）の厚さを２μｍ、ピンホール１３の直径を１μｍとすると、ピンホール１３のアスペクト比は２となる。シリコンは半導体デバイスの代表的な材料であり、シリコンを微細加工する技術は高度に発達しており、その技術を応用すれば、１μｍ以下の直径のピンホールは容易に加工できる。
【００２５】
このピンホールマスク１０において、薄肉部１２をウエットエッチングもしくはドライエッチングで形成することができる。すなわち、シリコン基板１１の裏面に、レジストや、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などからなるエッチングマスクを形成した後、基板裏面側からドライエッチングあるいはウェットエッチングを行い、基板裏面を部分除去する。このとき、シリコンだけをエッチングして、シリコンウエハの表面に形成した酸化シリコン膜１４はエッチングされないような化学反応を利用すれば、その層まで到達したところでエッチングは停止する。結晶方位とエッチング液を選択してウエットエッチングを行って基板裏面を部分除去した場合はその壁面が斜面または曲面となり、ドライエッチングで除去した場合は垂直な側面となる。
【００２６】
ピンホール１３は、薄肉部１２に形成された貫通穴１８からなる。貫通穴１８は、例えば、ドライエッチングや集束イオンビーム（ＦＩＢ: Focused Ion Beam）で形成することができる。集束イオンビームを使用する場合は、Ｇａイオン等のイオンを薄肉部１２に集束させて、エッチングマスクなどを形成せずに、貫通穴を加工することができる。集束イオンビームは数十ｎｍ以下の寸法のパターンの加工が可能であり、非常に微細な貫通穴を形成することができる。
【００２７】
薄肉部１２における貫通穴１８の内壁面には、ニッケル（Ｎｉ）がコートされている（ニッケル膜１５）。ピンホール１３の直径は貫通穴１８の穴径（直径）からニッケル膜１５の厚さ分を引いた値となる。例えば、貫通穴１８の直径が０．５μｍ、内壁面におけるニッケル膜１５の厚さが０．０５μｍ（５０ｎｍ）のとき、ピンホール１３の直径は０．４μｍである。
【００２８】
また、薄肉部１２を含むシリコン基板１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂにも、ニッケル（Ｎｉ）がコートされている（ニッケル膜１５）。すなわち、このピンホールマスク１０では、シリコン基板１１の表面１１ａ、裏面１１ｂ、及び貫通穴１８の内壁面にわたって連続してニッケル膜１５が形成されている。このようなニッケル膜１５は、例えば、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)等の様々な金属コート法を用いて形成することができる。シリコン基板１１の表面１１ａと裏面１１ｂとに対して同時にニッケルをコーティングしてもよく、表面１１ａと裏面１１ｂとで工程を分けてコーティングしてもよい。いずれの場合も、薄肉部１２における貫通穴１８の内壁面にも良好にニッケルがコートされるようにコーティング条件が適宜定められる。
【００２９】
ここで、ニッケル膜１５は、炭化物の付着を抑制する作用を有する。そのため、このピンホールマスク１０は、ＥＵＶ光等の有機物にエネルギーが吸収される光を検査光に使用する場合にも好ましく適用される。すなわち、ＥＵＶ光の照射によって有機物が分解して炭化物が生じても、ピンホール１３を含む領域に形成されたニッケル膜１５によってその領域への炭化物の付着が抑制され、その結果、炭化物によるピンホール１３の直径の変化や閉塞が抑制される。特に、このピンホールマスク１０では、ピンホール１３の内面（薄肉部１２における貫通穴１８の内壁面）にニッケル膜１５が形成されているので、炭化物の付着によるピンホール１３の直径の変化や閉塞が確実に抑制される。
【００３０】
また、ニッケル膜１５は、通常の光に対して遮蔽性を有し、ＥＵＶ光に対しても遮光膜として機能する。ピンホールマスク１０を備えた光学機器が使用する光の波長によっては、その光が厚さ２μｍ程度の薄い酸化シリコン膜（薄肉部１２）を透過することがあるものの、薄肉部１２を含むシリコン基板１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂに形成されたニッケル膜１５によって光を遮蔽することができる。遮光膜としてのニッケル膜１５の厚さは、使用する波長にもよるが、５０ｎｍから２００ｎｍの程度である。
【００３１】
なお、薄肉部１２の面積を大きくすると破損しやすくなるので、この部分の面積は必要最小限の大きさにする。また、基体として、シリコン基板に代えてＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハを用いてもよい。ＳＯＩウエハとは、シリコンからなる基板の上に、酸化膜（ＳｉＯ２）などの絶縁物からなる中間層を挟んで薄いシリコン層を形成したものである。また、薄肉部１２は、酸化シリコン膜に限らず、例えば、熱拡散またはイオン注入などの手法により、ホウ素（Ｂ）等の所定物質を所定深さまでドープして形成した不純物層からなってもよい。
【００３２】
［ピンホールマスクの製造方法］
次に、先の図１に示したピンホールマスク１０の製造方法について図２を参照して説明する。
【００３３】
まず、シリコン基板１１を酸素雰囲気中の電気炉にて加熱し、その表面に酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）１４を形成する（図２（ａ）参照）。この酸化シリコン膜１４の厚さは例えば２μｍである。酸化シリコン膜の形成には、プラズマＣＶＤ法等の他の技術を用いてもよい。なお、裏面にも酸化シリコン膜が形成される場合は、後述するウェットエッチング処理工程までに裏面の酸化シリコン膜を除去しておく。
【００３４】
次に、酸化シリコン膜１４の表面にレジストを塗布し、電子ビーム描画等の露光法によりピンホールの部分（例えば、直径０．５μｍ）のレジストを除去してレジストパターン１７を形成する（図２（ｂ）参照）。続いて、レジストパターン１７をエッチングマスクとして、ドライエッチング技術により、酸化シリコン膜１４をエッチングし、酸化シリコン膜１４を貫通する貫通穴１８（例えば、直径０．５μｍ）を形成する（図２（ｃ）参照）。ドライエッチングには、例えば、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチング装置や、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）ドライエッチング装置などを用いることができる。その後、レジストパターン１７を除去する（図２（ｄ））。
【００３５】
次に、シリコン基板１１の裏面に、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等からなり中央部に開口を有するエッチングマスク１９を光リソグラフィ法とドライエッチングにより形成する（図２（ｅ）参照）。続いて、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等を用いてウェットエッチングを行う。エッチングが酸化シリコン膜１４まで到達すると、エッチング速度が大きく低下するので、そこでほぼエッチングが停止し、自立膜としての所定厚さの薄肉部１２（例えば２μｍ）が形成される（図２（ｆ）参照）。その後、エッチングマスク１９を除去する（図２（ｇ））。
【００３６】
次に、貫通穴１８が形成された薄肉部１２に対して、シリコン基板１１の表面１１ａ側からニッケル（Ｎｉ）をコートする（図２（ｈ）参照）。ニッケルのコーティングには、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)等の様々な方法が使用可能であるが、薄肉部１２における貫通穴１８の内壁面にニッケル膜が好ましく形成されるようにコーティング条件が定められる。シリコン基板１１の表面１１ａにおけるニッケル膜１５の厚さは例えば０．１μｍ（１００ｎｍ）であり、貫通穴１８の内壁面におけるニッケル膜１５の膜さは例えば０．０２５μｍ（２５ｎｍ）である。
【００３７】
続いて、貫通穴１８が形成された薄肉部１２に対して、シリコン基板１１の裏面１１ｂ側からも同様にニッケル（Ｎｉ）をコートする（図２（ｉ）参照）。シリコン基板１１の裏面１１ｂにおけるニッケル膜１５の膜厚は例えば０．１μｍ（１００ｎｍ）である。また、貫通穴１８の内壁面におけるニッケル膜１５の膜厚は、先に形成された膜との合計で例えば０．０５μｍ（５０ｎｍ）である。
【００３８】
このように製造されたピンホールマスク１０は、貫通穴１８の直径が０．５μｍ、内壁面におけるニッケル膜１５の厚さが０．０５μｍ（５０ｎｍ）であるので、ピンホール１３の直径は０．４μｍである。また、このピンホールマスク１０は、ピンホール１３を含む周辺領域に、炭化物の付着を抑制可能なニッケル膜１５が形成されているので、ＥＵＶ光の使用に対しても、ピンホール１３の変形が少なく長期にわたり安定した性能を示すものとなる。
【００３９】
なお、上記例に示すピンホールの直径などの各数値は一例であって本発明はこれに限定されない。
【００４０】
また、上記の例では、ニッケルをコートする工程を、シリコン基板１１の表面側と裏面側とで分けているがそれらを同時に行ってもよい。
【００４１】
また、薄肉部１２の形成方法は、様々な方法が適用可能であり、上記の他に、例えば、特開２０００−９７６２１号公報に記載の技術を用いることができる。
【００４２】
［干渉計］
図３は上述したピンホールマスクを用いた干渉計の一実施の形態を示す図である。
光源５１から射出したレーザ光はピンホールマスク５２を照射する。このピンホールマスク５２としては例えば先の図１で示したニッケル膜を有するピンホールマスクを使用できる。この場合、ピンホール５２ａ（図１のピンホール１３）以外への領域への入射光はニッケル膜（図１のニッケル膜１５）でほぼ完全に遮光される。
【００４３】
ピンホールマスク５２を照射したレーザ光は、ピンホール５２ａを通過する際に理想的な球面波となって射出される。この球面波はレンズ５３で平行とされて被検体５４に入射される。被検体５４を通過した光は、被検体５４の焦点位置に配置されたピンホールマスク５５のピンホール５５ａ上で結像する。このピンホールマスク５５としてはピンホール５５ａ以外の領域について照射されたレーザ光（被検査光）が一部透過するものが用いられる。
【００４４】
ピンホール５５ａからは理想的な球面波Ｗ２が射出され、ピンホール５５ａ以外に入射した被検体５４からのレーザ光は被検体５４の收差を含んだ波面（被検査光）Ｗ１としてピンホールマスク５５を透過して進行する。したがって、ピンホールマスク５５の射出面側で理想的な球面波Ｗ２と被検体５４の收差を含んだ波面Ｗ１とが干渉し、その干渉縞がレンズ５６で撮像素子５７上に投影される。この撮像素子５７からの光電変換信号を解析して被検体５４の収差などを測定することができる。なお、干渉計に酸素を供給する手段を設けて計測中にピンホール近傍に酸素を導入することにより、より確実に炭化物の付着によるピンホールの変形を抑えることができるので、より長期にわたり安定した性能が得られる。
【００４５】
図４は上述したピンホールマスクを用いた干渉計の他の実施の形態を示す図である。
光源６１から射出したレーザ光はピンホールマスク６２を照射する。このピンホールマスクとしては例えば先の図１で示したニッケル膜を有するピンホールマスクを使用できる。この場合、ピンホール６２ａ（図１のピンホール１３）以外への領域への入射光はニッケル膜（図１のニッケル膜１５）でほぼ完全に遮光される。
【００４６】
ピンホールマスク６２を照射したレーザ光は、ピンホール６２ａを通過する際に理想的な球面波となって射出される。この球面波はレンズ６３で平行とされ、被検体６４に入射される。被検体６４を通過した光は、回折格子６５により回折されて複数の次数の回折光となってアパーチャー６６を照射する。アパーチャー６６は不要な光束を遮光し、測定に必要な被検体６４からの射出光だけをピンホール６７に入射させるものである。このピンホール６７には、無収差球面波を発生させるための貫通穴６７ａの他に、収差を含んだ波面をそのまま通過させるための大きな貫通穴６７ｂが設けられている。
【００４７】
貫通穴６７ａを通過するレーザ光は理想的な球面波Ｗ２として射出される。一方、大きな貫通穴６７ｂを透過するレーザ光は被検体６４の收差を含んだ球面波Ｗ１として進行する。したがって、ピンホール６７の射出面側で理想的な球面波Ｗ２と被検体６４の收差を含んだ球面波Ｗ１とが干渉し、その干渉縞がレンズ６８で撮像素子６９上に投影される。この撮像素子６９からの光電変換信号を解析して被検体６４の収差などを測定することができる。
【００４８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明によるピンホールの実施の形態の一例を示す概略図。
【図２】図１のピンホールの製造方法を説明する図。
【図３】本発明による干渉計の実施の形態の一例を示す図。
【図４】本発明による干渉計の実施の形態の他の例を示す図。
【図５】従来のピンホールの概略図
【符号の説明】
【００５０】
１０…ピンホールマスク、１１…シリコン基板（基板）、１１ａ…基板表面、１１ｂ…基板裏面、１２…薄肉部、１３…ピンホール、１４…酸化シリコン膜、１５…ニッケル膜、１８…貫通穴。
【図１】
2005241700.tif 000003
【図２】
2005241700.tif 000004
【図３】
2005241700.tif 000005
【図４】
2005241700.tif 000006
【図５】
2005241700.tif 000007