(57)【要約】【課題】従来の技術による諸問題を解決するため、散乱効果を有して液晶パネルに適する保存コンデンサー及びその製作する方法を提供する【解決手段】薄膜トランジスターアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーは、基板に設けられて第一導電膜を有する第一電極と、第一電極の上方に設けられ、中間膜とパッシベーション膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられて外部光を散乱する効果を有する第二電極とを含む。【選択図】図２
2005196121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスター（ＴＦＴ）アレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーにおいて、
基板に設けられて第一導電膜を有する第一電極と、
第一電極の上方に設けられ、中間膜とパッシベーション膜を有する粗面膜と、
粗面膜の上方に設けられて外部光を散乱する効果を有する第二電極とを含むことを特徴とする保存コンデンサー。
【請求項２】
前記パッシベーション膜が中間膜の上方に設けられることを特徴とする請求項１記載の保存コンデンサー。
【請求項３】
前記中間膜がパッシベーション膜の上方に設けられることを特徴とする請求項１記載の保存コンデンサー。
【請求項４】
前記第二電極は高反射性と導電性のある反射膜を有することを特徴とする請求項１記載の保存コンデンサー。
【請求項５】
前記第二電極は第二導電膜と高反射性の反射膜を有することを特徴とする請求項１記載の保存コンデンサー。
【請求項６】
前記反射膜が第二導電膜の上方に設けられることを特徴とする請求項５記載の保存コンデンサー。
【請求項７】
前記第二導電膜は透光性を有し、かつ反射膜の上方に設けられることを特徴とする請求項５記載の保存コンデンサー。
【請求項８】
前記中間膜の材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１記載の保存コンデンサー。
【請求項９】
前記パッシベーション膜の材料は、窒化珪素、酸化珪素、窒酸化珪素からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１記載の保存コンデンサー。
【請求項１０】
ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを製作する方法において、
基板に第一導電膜と中間膜を形成することによって、第一導電膜からなる第一電極を有する島状オーバーラップ構造を形成し、
島状オーバーラップ構造にパッシベーション膜を堆積し、パッシベーション膜と中間膜は粗面膜を構成し、
粗面膜に第二電極を形成するなどのステップを含むことを特徴とする保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１１】
前記第二電極は高反射性と導電性のある反射膜を有することを特徴とする請求項１０記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１２】
前記第二電極は第二導電膜と高反射性の反射膜を有する島状オーバーラップ構造であり、第二導電膜と反射膜は順次に形成されることを特徴とする請求項１０記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１３】
前記第二電極は高反射性の反射膜と第二導電膜を有する島状オーバーラップ構造であり、反射膜と第二導電膜は順次に形成され、第二導電膜は透光性を有することを特徴とする請求項１０記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１４】
前記中間膜の材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１０記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１５】
前記パッシベーション膜の材料は、窒化珪素、酸化珪素、窒酸化珪素からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１０記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１６】
ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを製作する方法において、
基板に第一導電膜を形成することによって第一電極を形成し、
第一電極にパッシベーション膜を堆積し、
パッシベーション膜に第二電極を有する島状オーバーラップ構造を形成するなどのステップを含むことを特徴とする保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１７】
前記島状オーバーラップ構造は順次に形成された中間膜と高反射性の反射膜を有し、前記パッシベーション膜は中間膜と粗面膜を構成し、反射膜は第二電極を構成することを特徴とする請求項１６記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１８】
前記島状オーバーラップ構造は順次に形成された中間膜と、第二導電膜と、高反射性の反射膜を有し、前記パッシベーション膜は中間膜と粗面膜を構成し、第二導電膜と反射膜は第二電極を構成することを特徴とする請求項１６記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項１９】
前記中間膜の材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１７記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項２０】
前記中間膜の材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１８記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項２１】
前記パッシベーション膜の材料は、窒化珪素、酸化珪素、窒酸化珪素からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項１６記載の保存コンデンサーの製作方法。
【請求項２２】
ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーにおいて、
基板に設けられて第一導電膜を有する第一電極と、
第一電極の上方に設けられて絶縁材料からなる誘電膜と、
誘電膜の上方に設けられ、第二導電膜と、第二導電膜の上方に設けられて中間膜と中間膜の上方に設けられるパッシベーション膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられる高反射性の反射膜とを有する第二電極とを含むことを特徴とする保存コンデンサー。
【請求項２３】
前記中間膜の材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項２２記載の保存コンデンサー。
【請求項２４】
前記パッシベーション膜の材料は、窒化珪素、酸化珪素、窒酸化珪素からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項２２記載の保存コンデンサー。
【請求項２５】
ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーにおいて、
基板に設けられ、パッシベーション膜とパッシベーション膜の上方に設けられる中間膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられる第一導電膜とを有する第一電極と、
第一電極の上方に設けられて絶縁材料からなる誘電膜と、
誘電膜の上方に設けられて外部光を散乱する効果を有する第二電極とを含むことを特徴とする保存コンデンサー。
【請求項２６】
前記中間膜の材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項２５記載の保存コンデンサー。
【請求項２７】
前記パッシベーション膜の材料は、窒化珪素、酸化珪素、窒酸化珪素からなる群れから選ぶことを特徴とする請求項２５記載の保存コンデンサー。
【請求項２８】
前記第二電極が高反射性の反射膜を有することを特徴とする請求項２５記載の保存コンデンサー。
【請求項２９】
前記第二電極は第二導電膜と、第二導電膜の上方に設けられる高反射性の反射膜とを有することを特徴とする請求項２５記載の保存コンデンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示器に関し、特に薄膜トランジスター（ＴＦＴ）アレイループに適用する保存コンデンサー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示器は、その軽量、低電力消費及び低駆動電圧などの長所によって、従来のブラウン管モニターに取って代わりつつある。従来の液晶表示器は透過式液晶パネルを使用し、透過型液晶パネルは面光源を要する。したがって、表示器の軽量化をはかるため、自然光または環境光を光源とする反射型の液晶パネルも開発された。
従来の技術によれば、外部光に対する散乱効果が要求される場合、透過型液晶パネルに反射膜を形成して反射型または半透過型液晶パネルを製作することが多い。しかし、反射膜は開孔率に影響する。従来の技術は数回のフォトリソグラフィー工程を要する。まずフォトリソグラフィー工程でピクセル電極の表面に歯状の突起を形成し、フロー工程で突起を面取りする。続いて高反射率材料を粗面化された表面に形成し、最後に１回以上のフォトリソグラフィー工程で高反射率材料を、ピクセル電極の一部領域を覆って散乱効果を有する反射膜として製作する。このような重複するフォトリソグラフィー工程は製作コストを高めるのみならず、製作工程の能率を低下させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この発明は前述の問題を解決するため、散乱効果を有して液晶パネルに適する保存コンデンサー及び２回のフォトリソグラフィー工程のみで当該保存コンデンサーを製作する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この発明はＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを提供する。該保存コンデンサーは、基板に設けられて第一導電膜を有する第一電極と、第一電極の上方に設けられ、中間膜とパッシベーション膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられて外部光を散乱する効果を有する第二電極とを含む。
この発明は更に、ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを製作する方法を提供する。該方法は、基板に第一導電膜と中間膜を形成することによって第一導電膜からなる第一電極を有する島状オーバーラップ構造を形成し、島状オーバーラップ構造にパッシベーション膜を堆積し（パッシベーション膜と中間膜は粗面膜を構成する）、粗面膜に第二電極を形成するなどのステップを含む。
この発明は更に、ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを製作する方法を提供する。該方法は、基板に第一導電膜を形成することによって第一電極を形成し、第一電極にパッシベーション膜を堆積し、パッシベーション膜に第二電極を有する島状オーバーラップ構造を形成するなどのステップを含む。
この発明は更に、ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを提供する。該保存コンデンサーは、基板に設けられて第一導電膜を有する第一電極と、第一電極の上方に設けられて絶縁材料からなる誘電膜と、誘電膜の上方に設けられ、第二導電膜と、第二導電膜の上方に設けられて中間膜と中間膜の上方に設けられるパッシベーション膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられる高反射性の反射膜とを有する第二電極とを含む。
この発明は更に、ＴＦＴアレイループに適用する散乱効果を有する保存コンデンサーを提供する。該保存コンデンサーは、基板に設けられ、パッシベーション膜とパッシベーション膜の上方に設けられる中間膜を有する粗面膜と、粗面膜の上方に設けられる第一導電膜とを有する第一電極と、第一電極の上方に設けられて絶縁材料からなる誘電膜と、誘電膜の上方に設けられて外部光を散乱する効果を有する第二電極とを含む。
【発明の効果】
【０００５】
この発明は保存コンデンサーを改良して液晶パネルの反射率及び輝度を向上させる。なお、この発明は従来の技術のような複数のフォトリソグラフィー工程を必要とせず、コストを減少して能率を高める効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
かかる装置及び方法の特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図を参照して以下に説明する。
【０００７】
この発明は、透過型または半透過型液晶パネルの保存コンデンサー領域に反射表面を設けることによって、開孔率に影響せずに散乱効果を発生させる。図１を参照する。図１は、この発明によるＴＦＴアレイループを表す説明図である。図１によれば、ＴＦＴアレイループは保存コンデンサー領域Ａと、ピクセル電極Ｂと、ＴＦＴ領域Ｃとを含む。保存コンデンサー領域Ａに散乱効果を有する高反射率の粗面化された反射膜が設けられる。反射膜は、保存コンデンサー領域の表面を粗面化してから高反射率材料を、それに堆積することによって製作される。
【０００８】
ＴＦＴアレイループの保存コンデンサーは、第一電極と、誘電膜と、第二電極とを含む。第一電極と第二電極は、クロム、銅、アルミニウム、チタン、モリブデン、タンタルまたはそれらの合金などの低抵抗の導電材料、もしくは酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛などの透光導電材料からなる。第一電極と第二電極は、気相堆積で単層導電膜または多層導電膜を形成してからフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を行うことによって形成される。気相堆積は蒸着、スパッタリングなどの物理的気相堆積、または大気圧化学的気相堆積、減圧化学的気相堆積、プラズマ付勢化学的気相堆積などを含み、フォトリソグラフィーはフォトレジスト塗布、露光、現像、フォトレジスト剥離などの工程を含み、エッチングはドライエッチングとウェットエッチングなどの種類を含む。誘電膜は、窒化珪素、酸化珪素などを、化学的気相堆積法を行うことによって形成される。
【０００９】
前述の粗面化された表面は中間膜とパッシベーション膜からなる。中間膜は酸化インジウム、酸化すず、酸化亜鉛、酸化インジウムすず、酸化インジウム亜鉛などの材料を、気相堆積法を行うことによって形成され、パッシベーション膜は窒化珪素、酸化珪素または窒酸化珪素などを、化学的気相堆積法を行うことによって形成される。中間膜にパッシベーション膜、またはパッシベーション膜に中間膜をオーバーラップするのみで、高さ0.1〜0.5μｍ、幅0.3〜1.5μｍのパターンを有する粗面化表面を形成できる。特に、中間膜に酸化インジウムすず、パッシベーション膜に窒化珪素を使用する場合、粗面化は最も効果的である。
【００１０】
なお、この発明による高反射率材料膜は、銀、アルミニウム、酸化マグネシウムなどの金属材料または酸化マグネシウム、酸化チタンなどの非金属材料からなる。
【実施例１】
【００１１】
図２を参照する。図２はこの発明の実施例１による散乱効果を有する保存コンデンサー１を形成する工程を表す説明図である。図２の（Ａ）によれば、基板２０の表面２０１に導電膜２１と中間膜２２を順次に堆積する。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極２３とオーバーラップされた中間膜２４を有する島状のオーバーラップ構造２５を形成する。銅である導電膜２１は第一電極２３を形成する。続いて（Ｃ）によれば、オーバーラップ構造２５にパッシベーション膜２６を堆積する。中間膜２４とパッシベーション膜２６はそれぞれ酸化インジウムすず、窒化珪素からなる。パッシベーション膜をオーバーラップされた中間膜２４の上に堆積すると、粗面膜２７が形成される。最後に（Ｄ）によれば、パッシベーション膜２６に反射膜（図示されない）を堆積してから、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極２３の上方に第二電極２９を形成する。反射膜が銀などの高反射率導電材料からなるため、第二電極２９は外部光を散乱する効果を有する。したがって、保存コンデンサー１は第一電極２３と、中間膜２４とパッシベーション膜２６からなる粗面膜２７と、第二電極２９との堆積によって構成される。
【００１２】
実際には、第二電極２９の反射膜が散乱効果を提供できる範囲内で、パッシベーション膜２６と第二電極２９との間に多層の誘電材料を設けることが可能である。なお、第一電極２３、第二電極２９にさまざまな導電材料からなる多層構造を適用することも可能である。
【実施例２】
【００１３】
図３を参照する。図３はこの発明の実施例２による散乱効果を有する保存コンデンサー２を形成する工程を表す説明図である。図３の（Ａ）によれば、基板３０の表面３０１に導電膜３１を堆積する。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極３２を形成する。導電膜３１はチタンなどの導電材料からなる。続いて（Ｃ）によれば、第一電極３２にパッシベーション膜３３を堆積する。パッシベーション膜３３は窒酸化珪素からなる。最後に（Ｄ）によれば、パッシベーション膜３３に中間膜３４と反射膜（図示されない）を順次堆積してから、フォトリソグラフィー及びエッチング工程で第一電極３２の上方に中間膜３４と第二電極３６を有するオーバーラップ構造３７を形成する。反射膜はアルミニウムからなり、中間膜３４は酸化インジウムからなる。パッシベーション膜３３に中間膜３４をオーバーラップすると粗面膜３８となり、よって第二電極３６は外部光を散乱する効果を有する。したがって、保存コンデンサー２は第一電極３２と、パッシベーション膜３３と中間膜３４からなる粗面膜３８と、第二電極３６との堆積によって構成される。
【００１４】
実施例１と同じく、第一電極３２と第二電極３６にはさまざまな導電材料からなる多層構造を適用することが可能である。なお、パッシベーション膜３３と第一電極３２との間に多層の誘電材料を設けても、第二電極３６は依然として散乱効果を有する。
【実施例３】
【００１５】
図４を参照する。図４はこの発明の実施例３による散乱効果を有する保存コンデンサー３を形成する工程を表す説明図である。図４の（Ａ）によれば、基板４０の表面４０１に導電膜４１と中間膜４２を順次に堆積する。導電膜４１は導電性のあるクロムからなり、中間膜４２は酸化インジウム亜鉛からなる。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極４３とオーバーラップされた中間膜４４を有する島状のオーバーラップ構造４５を形成する。導電膜４１は第一電極４３を構成する。続いて（Ｃ）によれば、オーバーラップ構造４５にパッシベーション膜４６を堆積する。パッシベーション膜４６は窒化珪素からなる。パッシベーション膜４６をオーバーラップされた中間膜４４に堆積すると、粗面膜４７が形成される。最後に（Ｄ）によれば、パッシベーション膜４６に第二導電膜４８と反射膜４９を堆積してから、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極４３の上方に島状オーバーラップ構造を有する第二電極４Ａを形成する。第二導電膜４８はクロムからなり、反射膜４９は酸化マグネシウムからなって散乱効果を有する。したがって、保存コンデンサー３は第一電極４３と、中間膜４１とパッシベーション膜４６からなる粗面膜４７と、第二電極４Ａとの堆積によって構成される。
実施例１と同じく、第一電極４３と第二電極４Ａにはさまざまな導電材料からなる多層構造を適用することが可能である。
【実施例４】
【００１６】
図５を参照する。図５はこの発明の実施例４による散乱効果を有する保存コンデンサー４を形成する工程を表す説明図である。図５の（Ａ）によれば、基板５０の表面５０１に第一導電膜５１を堆積する。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極５２を形成する。第一導電膜５１はモリブデンからなる。続いて（Ｃ）によれば、第一電極５２にパッシベーション膜５３を堆積する。パッシベーション膜５３は窒化珪素からなる。最後に（Ｄ）によれば、パッシベーション膜５３に中間膜５４と、第二導電膜５５と、反射膜５６を順次堆積してから、フォトリソグラフィー及びエッチング工程で中間膜５４と第二電極５７を有する島状オーバーラップ構造５８を形成する。中間膜５４は酸化鉛からなり、第二導電膜５５はモリブデンからなる。パッシベーション膜５３に中間膜５４をオーバーラップすると粗面膜５９となる。なお、反射膜５６は高反射性の酸化チタンからなり、外部光を散乱する効果を有する。したがって、保存コンデンサー４は第一電極５２と、パッシベーション膜５３と中間膜５４からなる粗面膜５９と、第二電極５７との堆積によって構成される。
【実施例５】
【００１７】
図６を参照する。図６はこの発明の実施例５による散乱効果を有する保存コンデンサー５を形成する工程を表す説明図である。図６の（Ａ）によれば、基板６０の表面６０１に第一導電膜６１と中間膜６２を順次に堆積する。第一導電膜６１はタンタルからなり、中間膜６２は酸化亜鉛からなる。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で中間膜６２と第一電極６３を有する島状のオーバーラップ構造６４を形成する。続いて（Ｃ）によれば、オーバーラップ構造６４にパッシベーション膜６５を堆積する。パッシベーション膜６５は窒化珪素からなる。パッシベーション膜６５を中間膜６２に堆積すると、粗面膜６６が形成される。最後に（Ｄ）によれば、パッシベーション膜６５に反射膜６７と第二導電膜６８とを堆積してから、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極６３の上方に島状オーバーラップ構造を有する第二電極６９を形成する。第二導電膜６８は透光性のある酸化インジウムすずからなり、反射膜６７は高反射性の酸化チタンからなって散乱効果を有する。したがって、保存コンデンサー５は第一電極６３と、中間膜６２とパッシベーション膜６５からなる粗面膜６６と、第二電極６９との堆積によって構成される。
【実施例６】
【００１８】
図７を参照する。図７はこの発明の実施例６による散乱効果を有する保存コンデンサー６を形成する工程を表す説明図である。図７の（Ａ）によれば、基板７０の表面７０１に第一導電膜７１を堆積する。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極７２を形成する。第一導電膜７１はクロムからなる。続いて（Ｃ）によれば、第一電極７２に誘電膜７３を堆積する。誘電膜７３は窒化珪素からなる。最後に（Ｄ）によれば、誘電膜７３に第二導電膜７４と、中間膜７５と、パッシベーション膜７６と、反射膜７７を順次堆積してから、フォトリソグラフィー及びエッチング工程で第一電極７２の上方に島状オーバーラップ構造を有する第二電極７８を形成する。第二導電膜はクロムからなり、中間膜７５とパッシベーション膜７６はそれぞれ酸化すずと酸化珪素からなる。中間膜７５にパッシベーション膜７６をオーバーラップすると粗面膜７９となる。反射膜７７は酸化マグネシウムからなり、外部光を散乱する効果を有する。したがって、保存コンデンサー６は第一電極７２と、誘電膜７３と、第二電極７８との堆積によって構成される。
【実施例７】
【００１９】
図８を参照する。図８はこの発明の実施例５による散乱効果を有する保存コンデンサー７を形成する工程を表す説明図である。図８の（Ａ）によれば、基板８０の表面８０１にパッシベーション膜８１と、中間膜８２と、第一導電膜８３を順次に堆積する。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で島状のオーバーラップ構造を有する第一電極８４を形成する。第一導電膜８３は銅からなり、パッシベーション膜８１は窒化珪素からなり、中間膜８２は酸化インジウムすずからなる。パッシベーション膜８１に中間膜８２をオーバーラップすると粗面膜８５となる。続いて（Ｃ）によれば、第一電極８４に誘電膜８６を堆積する。誘電膜８６は窒化珪素からなる。最後に（Ｄ）によれば、誘電膜８６に反射膜（図示されない）を堆積してから、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第二電極８８を形成する。反射膜は高反射導電材料である銀からなり、よって第二電極８８は外部光を散乱する効果を有する。したがって、保存コンデンサー７は第一電極８４と、誘電膜８６と、第二電極８８との堆積によって構成される。
【実施例８】
【００２０】
図９を参照する。図９はこの発明の実施例８による散乱効果を有する保存コンデンサー８を形成する工程を表す説明図である。図９の（Ａ）によれば、基板９０の表面９０１にパッシベーション膜９１と、中間膜９２と、第一導電膜９３を順次に堆積する。次に（Ｂ）によれば、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で島状のオーバーラップ構造を有する第一電極９４を形成する。第一導電膜９３はチタンからなり、パッシベーション膜９１は酸化珪素からなり、中間膜９２は酸化すずからなる。パッシベーション膜９１に中間膜９２をオーバーラップすると粗面膜９５となる。続いて（Ｃ）によれば、第一電極９４に誘電膜９６を堆積する。誘電膜は窒化珪素からなる。最後に（Ｄ）によれば、誘電膜９６に第二導電膜９７と反射膜９８を順次堆積してから、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程で第一電極９４の上方に第二電極９９を形成する。第二導電膜９７はチタンからなり、反射膜９８は高反射性の酸化マグネシウムからなり、よって第二電極９９は外部光を散乱する効果を有する。したがって、保存コンデンサー８は第一電極９４と、誘電膜９６と、第二電極９９との堆積によって構成される。
この発明による保存コンデンサーは三端子型のアクティブマトリックス液晶表示器に適用するほか、二端子型の薄膜ダイオード（ＴＦＤ）液晶表示器または金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭ）液晶表示器にも適用する。
【００２１】
以上はこの発明に好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
この発明は保存コンデンサーを改良して液晶パネルの反射率及び輝度を向上させる。なお、この発明は従来の技術のような複数のフォトリソグラフィー工程を必要とせず、コストを減少して能率を高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明によるＴＦＴアレイループを表す説明図である。
【図２】この発明の実施例１による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図３】この発明の実施例２による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図４】この発明の実施例３による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図５】この発明の実施例４による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図６】この発明の実施例５による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図７】この発明の実施例６による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図８】この発明の実施例７による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【図９】この発明の実施例８による散乱効果を有する保存コンデンサーを形成する工程を表す説明図である。
【符号の説明】
【００２４】
１、２、３、４、５、６、７、８                 保存コンデンサー
２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０ 基板
２１、３１、４１、４８、５１、５５、６１、６８、導電膜
７１、７４、８３、９３、９７                    導電膜
２２、２４、３４、４２、４４、５４、６２、７５、中間膜
８２、９２                                      中間膜
２３、３２、４３、５２、６３、７２、８４、９４ 第一電極
２５、３７、４５、５８、６４                   オーバーラップ構造
２６、３３、４６、５３、６５、７６、８１、９１ パッシベーション膜
２７、３８、４７、５９、６６、７９、８５、９５ 粗面膜
２９、３６、４Ａ、５７、６９、７８、８８、９９ 第二電極
４９、５６、６７、７７、９８                   反射膜
７３、８６、９６                               誘電膜
２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、表面
８０１、９０１                                  表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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