(57)【要約】【課題】樹脂封止成形時に発生する基板４が反ったり湾曲したりする基板４の変形を効率良く防止する樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の樹脂封止成形用金型を用いて、半導体チップ５を装着した基板４の表面７に対向する裏面８を支受させる型面１３に、基板４の製品有効範囲Ｙよりも広くなる範囲として設定された所要の均等深さＣを有する凹部１５を設けると共に、キャビティ１２内への溶融樹脂１８の充填作用に先行して凹部１５内を減圧する（例えば、連通溝１７・吸引孔１６を介して凹部１５内の空気を強制的に吸引する）ことにより、基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙ部分を均等な面一状の姿勢に修正する作用を行う。【選択図】図２
2005150458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に装着した半導体チップを成形用型の一方に設けたキャビティ内に嵌装すると共に、該基板の裏面を前記成形用型の他方の型面にて支受させた状態で前記成形用型を閉じ合わせ、且つ、この状態で前記キャビティ内に溶融樹脂を充填してその基板の表面における所要の樹脂封止範囲を樹脂封止成形することにより、前記半導体チップを樹脂封止成形する半導体チップの樹脂封止成形方法であって、
前記基板の裏面を支受させる前記他方の型面に、前記基板の製品有効範囲よりも広くなる範囲として設定された所要の均等深さを有する凹部を設けると共に、前記したキャビティ内への溶融樹脂の充填作用に先行して前記凹部内を減圧することにより、前記した基板の少なくとも製品有効範囲部分を均等な面一状の姿勢に修正する作用を行うことを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形方法。
【請求項２】
基板の表面に装着した半導体チップを成形用型の一方に設けたキャビティ内に嵌装すると共に、該基板の裏面を前記成形用型の他方の型面にて支受させた状態で前記成形用型を閉じ合わせ、且つ、この状態で前記キャビティ内に溶融樹脂を充填してその基板の表面における所要の樹脂封止範囲を樹脂封止成形することにより、前記半導体チップを樹脂封止成形する半導体チップの樹脂封止成形用金型であって、
前記基板の裏面を支受させる前記他方の型面に、前記基板の製品有効範囲よりも広くなる範囲として設定された所要の均等深さを有する凹部を設けると共に、該凹部内と真空源側とを連通させて構成したことを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形用金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止成形用金型を用いて、基板表面に装着される半導体チップを樹脂封止成形する樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、樹脂封止成形用金型で、基板に装着した複数個の半導体チップ（電子部品）を一括して樹脂封止成形することが行われている。
【０００３】
即ち、従来の樹脂封止成形用金型には、上型と下型とが設けられている。また、樹脂封止成形する基板は、例えば、複数個の半導体チップ（電子部品）と、基板と該チップとを電気的に接続するワイヤとが一方の面に装着するように構成されていると共に、チップ・ワイヤを樹脂封止成形する樹脂成形体部分と樹脂封止成形されない基板外周部とを表面に形成して、基板における裏面には電子部品を装着しない電子部品非装着面を形成して構成されている。また、上型の金型面（上型面）には、加熱溶融化された樹脂材料を注入する樹脂通路と、樹脂通路と連通し且つチップ・ワイヤを嵌装して樹脂封止成形するキャビティとが設けられている。また、下型の金型面（下型面）には、チップ・ワイヤを装着した基板を下型面の所定位置に供給セットできる基板セット用の凹所が設けられていると共に、チップ・ワイヤ装着側を上方向に向けた状態で凹所に供給セットするように構成されている。なお、基板の裏面である電子部品非装着面を供給セットする凹所底面（下型面）は、平坦な面で構成されている。
従って、まず、成形用金型が型開き状態で、且つ、基板のチップ・ワイヤ装着側を上方に向けた状態で、下型の所定位置である凹所に基板を供給セットする。次に、成形用金型を型締めすると共に、キャビティ内に嵌装されたチップ・ワイヤに、予め加熱ヒータにより成形用金型を所定温度に昇温させて樹脂材料を加熱溶融化して溶融樹脂として樹脂通路を介して注入し、次に、チップ・ワイヤに樹脂封止された溶融樹脂が硬化して硬化樹脂を形成して封止済基板を成形するものである。また、成形された封止済基板は、複数個の半導体チップが一括で樹脂封止成形されているので、個々の該チップ毎に切断分離して、個々の製品（パッケージ）に成形されると共に、この封止済基板である製品として有効となる基板の製品有効範囲と切断分離して廃棄される基板の不要樹脂範囲とに分離して成形される。
【特許文献１】特開２００１−２８３７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年、前述した基板および樹脂成形体の厚みが薄くなっていること、並びに、前述した基板がプリント状の基板に加えて、例えば、フィルム状やテープ状で形成された柔軟性のある基板が採用されていること等から、平坦に形成された凹所底面（下型面）に供給セットされた基板は、熱膨張により伸張されることに加えて、基板外周部を成形用金型の金型面で固定して樹脂封止成形するので、少なくとも、基板の製品有効範囲が上向きに反った状態になる基板の変形が頻繁に発生している。
【０００５】
ここで、上向きに反った状態になる基板の変形を解決するための方法として、第一に、製品有効範囲以外となる下型面の周縁部に吸引孔を設けること、第二に、凹所底面の所要部位に多孔質部材と該多孔質部材に連通する吸引孔とを設けること、等によって、基板の裏面である電子部品非装着面を凹所底面（下型面）に吸着固定する基板吸着固定方式が採用されている。なお、第一の方法では、製品有効範囲以外に吸引孔を設けるのには、吸引孔で基板裏面を吸引すると、樹脂封止成形時による注入圧力による封止済基板の裏面における吸引部分が膨れたり圧痕ができたりするからである。この吸引孔に代用されるべく、前述した第二の方法にて、製品有効範囲を含む平坦な凹所底面の所要部位に多孔質部材を設ける構造が考えられている。
【０００６】
ところが、前述した第一および第二の基板吸着固定方式においても、金型へ基板を供給する前（樹脂封止成形工程前）または樹脂封止成形時による、基板全体が反ったり、もしくは、基板が部分的（局部的）に湾曲したりする等の、様々に変形した基板の変形箇所、特に、製品有効範囲に形成された変形箇所を、平坦に形成された凹所底面で吸引して基板を吸着固定すると、平坦に形成された凹所底面から基板が変形して上方に浮いた状態の基板部分のみを、吸引作用により下方に向けて基板を移動させて吸引して、水平状の姿勢に修正できず、その浮いた状態のままの基板が凹所底面に吸着固定されると考えられる。つまり、この浮いた（変形した）状態のままの基板を、基板裏面と凹所底面とが水平状に形成されている限り、十分に水平状の姿勢に修正することは困難であると考えられる。
【０００７】
このことからも、基板および樹脂成形体の厚みが薄型化していくなかで、基板の製品有効範囲が様々に変形した基板に溶融樹脂を樹脂成形体内に注入する時には、基板が浮いた（変形した）状態のままで注入充填するので、特に、ワイヤ部分がキャビティ形成面に接触して、ワイヤの変形・欠損等のワイヤ不良が発生すること、或いは、未充填という不良が発生することの樹脂成形上の諸問題を依然として解決できないと考えられる。さらには、基板の製品有効範囲から切断分離された個々の製品（パッケージ）が不均一な状態で成形されることとなるので、前述したような基板吸着固定方式および平坦な凹所底面で形成された樹脂封止成形用金型で防止することが困難であると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、前記技術的課題を解決するための本発明に係る樹脂封止成形方法は、基板４の表面７に装着した半導体チップ５を成形用型の一方１に設けたキャビティ１２内に嵌装すると共に、該基板４の裏面８を前記成形用型の他方２の型面１３にて支受させた状態で前記成形用型１・２を閉じ合わせ、且つ、この状態で前記キャビティ１２内に溶融樹脂１８を充填してその基板４の表面７における所要の樹脂封止範囲Ｘを樹脂封止成形することにより、前記半導体チップ５を樹脂封止成形する半導体チップ５の樹脂封止成形方法であって、前記基板４の裏面８を支受させる前記他方２の型面１３に、前記基板４の製品有効範囲Ｙよりも広くなる範囲として設定された所要の均等深さＣを有する凹部１５を設けると共に、前記したキャビティ１２内への溶融樹脂１８の充填作用に先行して前記凹部１５内を減圧することにより、前記した基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙ部分を均等な面一状の姿勢に修正する作用を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
また、前記技術的課題を解決するための本発明に係る樹脂封止成形用金型は、基板４の表面７に装着した半導体チップ５を成形用型の一方１に設けたキャビティ１２内に嵌装すると共に、該基板４の裏面８を前記成形用型の他方２の型面１３にて支受させた状態で前記成形用型１・２を閉じ合わせ、且つ、この状態で前記キャビティ１２内に溶融樹脂１８を充填してその基板４の表面７における所要の樹脂封止範囲Ｘを樹脂封止成形することにより、前記半導体チップ５を樹脂封止成形する半導体チップ５の樹脂封止成形用金型であって、前記基板４の裏面８を支受させる前記他方２の型面１３に、前記基板４の製品有効範囲Ｙよりも広くなる範囲として設定された所要の均等深さＣを有する凹部１５を設けると共に、該凹部１５内と真空源側とを連通させて構成したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、樹脂封止成形用金型を用いて、半導体チップ５を樹脂封止成形される基板４の変形を効率良く解決すると共に、樹脂成形上の諸問題を効率良く解決する、樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型を提供するという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明における樹脂封止成形用金型を用いて、半導体チップ５を装着した基板４の表面７と対向する裏面８を支受する型面１３に、基板４の製品有効範囲Ｙよりも広くなる範囲として設定された所要の均等深さＣを有する凹部１５を設けると共に、キャビティ１２内への溶融樹脂１８の充填作用に先行して凹部１５内を減圧する。例えば、減圧作用として、第一に、凹部１５と連通し且つ製品有効範囲Ｙ以外となる周縁部位に所要数の吸引孔１６を設けること、第二に、凹部水平面Ｂの所要部位に通気性部材１９を設け且つ該通気性部材１９と連通する所要数の吸引孔１６を設けること、等の減圧作用を用いて、第一では、基板４の裏面８を少なくとも凹部１５、吸引孔１６を介して基板４を強制的に吸引すること、第二では、基板４の裏面８を通気性部材１９、吸引孔１６を介して基板４を強制的に吸引することになる。つまりは、前述したような減圧作用を用いて、基板４を強制的に吸引すると、少なくとも基板４の製品有効範囲Ｙの基板４自体が下方に移動して、凹部１５に嵌入する。ならびに、嵌入した基板４における製品有効範囲Ｙ部分は、凹部水平面Ｂに水平状で吸着固定する。さらに、基板４全体が反ったり湾曲したような変形箇所を、前述した減圧作用により基板を水平状の姿勢に修正する。
【実施例１】
【００１２】
まず、図１および図２を用いて、実施例１を説明する。
【００１３】
図１（１）は、本発明に係る成形用型および樹脂封止成形される基板を用いて、前記成形用型が型開きした状態を示す概略的に示す概略断面図である。図１（２）は、図１（１）に対応する成形用型における他方の型面の概略拡大平面図である。
図２（１）および図２（２）は、図１（１）に対応する成形用型で、基板を支受する実施方法を段階的に拡大して示した概略拡大断面図である。なお、図２（１）および図２（２）には、基板の支受状態を明確にするために、一部省略している。図２（３）は、図１（１）に対応する成形用型で、成形用型が型締めした状態を示す概略的に示す概略断面図である。
【００１４】
即ち、実施例１に係わる樹脂封止成形用金型（成形用型）は、図１（１）に示すように、例えば、一方の型（上型１）と他方の型（下型２）とで構成されている。なお、図例においては、成形用型（上下型１・２）としているが、例えば、左右方向に配置すること、或いは、所要角度に傾斜させた状態での成形用型を採用することもできる。
【００１５】
本実施例１の封止済基板３は、図１（１）に示すように、例えば、プリント状・フィルム状・テープ状の基板４上の所定個所にマトリクス状に配列された半導体チップ５（電子部品）と基板４側と該チップ５とを電気的に接続するワイヤ６とが表面７に装着するように構成されていると共に、基板４の表面７には、該チップ５・ワイヤ６を樹脂封止する樹脂成形体９と樹脂封止されない基板外周部１０と、基板４の裏面８には、電子部品等を装着しない面（電子部品非装着面）として形成されて構成されている。
【００１６】
成形用型（上下型１・２）には、図１（１）に示すように、一方１の型面（上型面１１）に設けた基板４の樹脂成形体９部分を嵌装して樹脂封止するキャビティ１２と、キャビティ１２と連通し且つ基板４の表面７と接触状態で樹脂材料を供給する樹脂通路（図示なし）と、他方の型面（下型面１３）に形成された基板４を所定位置に供給セットする基板セット部１４と、を設けて構成されている。
従って、基板４の表面７に装着した半導体チップ５を上型１に設けたキャビティ１２内に嵌装すると共に、基板４の裏面８を下型面１３にて支受させた状態で上下型１・２を閉じ合わせ（型締めし）、且つ、この状態でキャビティ１２内に溶融樹脂１８を充填してその基板４の表面７における所要の樹脂封止範囲Ｘを樹脂封止成形することにより、半導体チップ５を樹脂封止成形するように構成されている。
【００１７】
さらに、上下型１・２には、図１（１）に示すように、後述する製品有効範囲Ｙよりも広くなる範囲として設定された、基板セット部１４の凹み部分の略中央部分にさらに均等深さＣの凹み（彫り込み）を形成した凹部１５と、凹部１５と連通し且つ後述する製品有効範囲Ｙ以外となる所要部位（図例では凹部１５の外周囲における基板セット部水平面Ａに開口される。）に配置し且つ凹部１５内を減圧する（空気を強制的に吸引する）適宜な減圧機構（図示なし）に連絡する所要数の吸引孔１６と、凹部１５と吸引孔１６との間を連通し且つ基板セット部水平面Ａに開口して形成された連通溝１７とを設けて構成されている。なお、均等深さＣとは、基板セット部水平面Ａと凹部水平面Ｂとの間の深さを示している。また、図例の構成とは他に、例えば、基板セット部１４を設けずに凹部１５のみで基板を支受するような構成（供給セットする部位を設けない構成）にすること、連通溝１７を設けずに凹部１５から直接的に吸引孔１６に連通すること等を適宜に変更して実施してもよい。
また、図１（２）に示すように、基板４の樹脂成形体９部分をキャビティ１２内に嵌装して樹脂封止する範囲を樹脂封止範囲Ｘとして示していると共に、凹部１５の形成範囲は、半導体チップ５・ワイヤ６が装着される製品有効範囲Ｙ（図例の破線部分）よりも広く形成される（図例では樹脂封止範囲Ｘと略同一範囲で形成される。）と共に、基板４の裏面８の型面（図例では下型面１３）で構成されている。
従って、凹部１５を設けることにより、上下型１・２を型締めして該チップ５・ワイヤ６を装着した基板４を樹脂封止する時に発生する、基板４が上方に向けて反ったり湾曲したりする従来の基板４の変形を、キャビティ１２内への溶融樹脂１８の充填作用に先行して凹部１５内を減圧する、すなわち、凹部１５の周縁部位に形成された連通溝１７・吸引孔１６を介して凹部１５内の空気を吸引することにより、基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙを凹部１５に嵌入し且つ凹部１５の水平面である凹部水平面Ｂ（基板セット部水平面Ａよりも下方の位置）に基板４を水平状の姿勢に修正して吸着固定できるように構成されている。つまりは、基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙ部分を均等な面一状の姿勢に修正する作用を行うように構成されている。
【００１８】
ここで、前述したように、凹部１５に該チップ５・ワイヤ６を装着した基板４を支受する実施方法については、図２（１）および図２（２）を用いて、以下に詳述する。なお、図２（１）および図２（２）には、前述した基板４の支受状態を明確にするために、一方の型（上型１）を省略している。
【００１９】
まず、図２（１）に示すように、図１（１）に示す成形用型（上下型１・２）の各型面１１・１３との間に供給された樹脂成形体９部分を上方に向けた基板４を、下型２の所定位置である基板セット部１４に供給セットする、つまりは、基板４の裏面８（電子部品非装着面）と基板セット部水平面Ａとが当接されると略同時に、基板４裏面８と凹部水平面Ｂとの間における空間領域Ｚ（基板セット部水平面Ａと凹部水平面Ｂとの間）を減圧する。この減圧手段として、空間領域Ｚの空気を、凹部１５・連通溝１７・吸引孔１６の順路を経て減圧機構で強制的に吸引される。
次に、図２（２）の示すように、前述した減圧状態を保持した状態で、凹部１５部分に支受された基板４が下方に向けて移動して、基板セット部水平面Ｂと当接して凹部１５に嵌入された状態となる。このとき、凹部水平面Ｂに少なくとも製品有効範囲Ｙとなる基板４が水平状で吸着固定される。すなわち、従来のような平坦に形成された基板セット部１４に支受された基板４が上方に向けて反ったり湾曲したりする従来の基板４の変形、つまりは、上下型１・２へ基板４を供給する前（樹脂封止成形工程前）または樹脂封止成形時による様々に変形した基板４における変形箇所、特に、封止済基板３における製品有効範囲Ｙに形成された変形箇所を水平状に修正して、凹部水平面Ｂに少なくとも製品有効範囲Ｙとなる基板４が均等な面一状の姿勢に修正する作用を行う。例えば、フィルム（シート）状の基板４であれば、フィルム（シート）皺が発生する変形箇所においても、均等深さＣの凹み（彫り込み）を形成した凹部１５に嵌入するので、凹部１５内に基板自体が減圧（吸引）作用により下方に移動されて、フィルム自体が緊張した状態で、少なくとも凹部水平面Ｂに基板４が面一状の姿勢に修正されて支受することになる。
また、一方では、図例に示すように、減圧機構で凹部１５内を減圧することと略同時に、図２（１）および図２（２）に示すように、連通溝１７および吸引孔１６の基板セット部水平面Ａに形成された開口部分から基板４の裏面８を基板セット部水平面Ａに吸着固定することができるように構成されている。
ところで、前述したように、連通溝１７および吸引孔１６を凹部１５の外周囲、すなわち、製品有効範囲Ｙ以外となる周縁部位に設けるのには、仮に、製品有効範囲Ｙに対向する下型面１３（基板セット部水平面Ａ・凹部水平面Ｂも含む）に連通溝１７および吸引孔１６を開口させて基板４を支受した場合、樹脂封止成形時に樹脂の注入圧力により、樹脂封止成形後の封止済基板３の減圧部分（吸引部分）に圧痕・膨らみが形成されること、さらに、樹脂封止成形された半導体チップ５やワイヤ６の損傷を引き起こすことがないように配慮されて構成されている。
【００２０】
ここで、本実施例１における該チップ５・ワイヤ６（樹脂成形体９部分）を装着した基板４を樹脂封止成形する実施方法を、図１（１）および図２の概略断面図を用いて、以下に段階的に詳述する。
【００２１】
まず、図１（１）に示すように、上下型１・２が型開きした状態で、且つ、基板４の樹脂成形体９部分を上方に向けた状態で上型面１１と下型面１３との間である下型２の所定位置（基板セット部１４）の直上部に供給される。
次に、図２（１）に示すように、基板セット部１４の直上部から基板セット部水平面Ａに基板４を供給セットすると略同時に、基板４の裏面８と凹部水平面Ｂとの間で形成される空間領域Ｚの空気を、連通溝１７、吸引孔１６の経路を経て、減圧機構で吸引される。このとき、上下型１・２が型締めした状態で、且つ、上下型１・２に埋設された適宜な加熱手段（図示なし）により、加熱溶融化された樹脂材料である溶融樹脂１８となるように上下型１・２全体を昇温する。
次に、図２（１）の状態のままで、図２（２）の示すように、基板４の裏面８が下方に向けて移動して、基板セット部底面Ｂと当接して凹部１５および基板セット部１４に嵌入して、凹部水平面Ｂに基板４が水平状に吸着固定された状態となる。
次に、図２（２）に示す状態のままで、図２（３）に示すように、溶融樹脂１８が樹脂通路を経てキャビティ１２内に嵌装された樹脂成形体９部分を注入充填する。
次に、図示していないが、溶融樹脂１８が硬化する所要時間経過後に、樹脂成形体９部分が硬化して、封止済基板３を成形することになる。このとき、減圧機構から基板４の減圧作用を停止することが好ましい。
さらに、最終的に、成形された封止済基板３は、複数個の半導体チップ５が一括で樹脂封止成形されているので、個々の該チップ５毎に切断分離して、製品有効範囲Ｙ内にある個々の製品（パッケージ）を成形されると共に、切断分離された製品有効範囲Ｙ以外の不要樹脂基板範囲（図示なし）は廃棄されることになる。
【実施例２】
【００２２】
次に、図３および図４に基づいて、実施例２を説明する。
【００２３】
基本的に、実施例１に準ずるものとして、実施例２においても図１および図２と同一符号を記することにする。
図３（１）は、本発明に係るその他の成形用型および樹脂封止成形される基板を用いて、前記成形用型が型開きした状態を示す概略的に示す概略断面図である。図３（２）は、図３（１）に対応するその他の成形用型における他方の型面の概略拡大平面図である。
図４（１）および図４（２）は、図３（１）に対応するその他の成形用型で、基板４を支受する実施方法を段階的に拡大して示した概略拡大断面図である。なお、図４（１）および図４（２）には、基板の支受状態を明確にするために、一部省略している。図４（３）は、図３（１）に対応するその他の成形用型で、成形用型が型締めした状態を示す概略的に示す概略断面図である。
【００２４】
即ち、実施例２に係わる樹脂封止成形用金型（成形用型）は、図３（１）に示すように、例えば、一方の型（上型１）と他方の型（下型２）とで構成されている。なお、図例においては、成形用型（上下型１・２）としているが、例えば、左右方向にすることや所要角度に傾斜させた状態での成形用型を採用することもできる。
【００２５】
本実施例２の封止済基板３は、図３（１）に示すように、例えば、プリント状・フィルム状・テープ状の基板４上の所定個所にマトリクス状に配列された半導体チップ５（電子部品）と基板４側と該チップ５とを電気的に接続するワイヤ６とが表面７に装着するように構成されていると共に、基板４の表面７には、該チップ５・ワイヤ６を樹脂封止する樹脂成形体９と樹脂封止されない基板外周部１０と、基板４の裏面８には、電子部品等を装着しない面（電子部品非装着面）として形成されて構成されている。
【００２６】
成形用型（上下型１・２）には、図３（１）に示すように、一方の型面（上型面１１）に設けた基板４の樹脂成形体９部分を嵌装して樹脂封止するキャビティ１２と、キャビティ１２と連通し且つ基板４の表面７と接触状態で樹脂材料を供給する樹脂通路（図示なし）と、他方の型面（下型面１３）に形成された基板４を所定位置に供給セットする基板セット部１４とを設けて構成されている。
従って、基板４の表面７に装着した半導体チップ５を上型１に設けたキャビティ１２内に嵌装すると共に、基板４の裏面８を下型面１３にて支受させた状態で上下型１・２を閉じ合わせ（型締めし）、且つ、この状態でキャビティ１２内に溶融樹脂１８を充填してその基板４の表面７における所要の樹脂封止範囲Ｘを樹脂封止成形することにより、半導体チップ５を樹脂封止成形するように構成されている。
【００２７】
さらに、上下型１・２には、後述する製品有効範囲Ｙよりも広くなる範囲として設定された、基板セット部１４の凹み部分の略中央部分にさらに均等深さＣの凹み（彫り込み）を形成した凹部１５と、凹部１５と連通し且つ凹部水平面Ｂの所要部位（図例では製品有効範囲Ｙと略同一範囲に形成される部位）に配置した通気性部材１９と、通気性部材１９と連通し且つ凹部１５内を減圧する（空気を強制的に吸引する）適宜な減圧機構（図示なし）に連絡する所要数の吸引孔１６とを設けて構成されている。なお、均等深さＣとは、基板セット部水平面Ａと凹部水平面Ｂとの間の深さを示している。
また、図例の構成とは他に、例えば、基板セット部１４を設けずに凹部１５のみで基板を支受するような構成（供給セットする部位を設けない構成）にすることを適宜に変更して実施してもよい。
また、図３（２）に示すように、基板４の樹脂成形体９部分をキャビティ１２内に嵌装して樹脂封止する範囲を樹脂封止範囲Ｘとして示していると共に、凹部１５の形成範囲は、半導体チップ５・ワイヤ６が装着される製品有効範囲Ｙよりも広く形成される（図例では樹脂封止範囲Ｘと略同一範囲で形成される。）と共に、基板４の裏面８の型面（図例では下型面１３）で構成されている。
従って、凹部１５を設けることにより、上下型１・２を型締めして該チップ５・ワイヤ６を装着した基板４を樹脂封止する時に発生する、基板４が上方に向けて反ったり湾曲したりする従来の基板４の変形を、キャビティ１２内への溶融樹脂１８の充填作用に先行して凹部１５内を減圧する、すなわち、凹部水平面Ｂの所要部位に形成された通気性部材１９、吸引孔１６を介して凹部１５内の空気を吸引することにより、基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙを凹部１５に嵌入し且つ凹部１５の水平面である凹部水平面Ｂ（基板セット部水平面Ａよりも下方の位置）に基板４を水平状の姿勢に修正して吸着固定できるように構成されている。つまりは、基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙ部分を均等な面一状の姿勢に修正する作用を行うように構成されている。
【００２８】
ここで、前述したように、凹部１５に該チップ５・ワイヤ６を装着した基板４を支受する実施方法については、図４（１）および図４（２）を用いて、以下に詳述する。なお、図４（１）および図４（２）には、前述した基板４の支受状態を明確にするために、一方の型（上型１）を省略している。
【００２９】
まず、図４（１）に示すように、図３（１）に示す成形用型（上下型１・２）の各型面１１・１３との間に供給された樹脂成形体９部分を上方に向けた基板４を、下型２の所定位置である基板セット部１４に供給セットする、つまりは、基板４の裏面８（電子部品非装着面）と基板セット部水平面Ａとが当接されると略同時に、基板４裏面８と凹部水平面Ｂとの間における空間領域Ｚ（基板セット部水平面Ａと凹部水平面Ｂとの間）を減圧する。この減圧手段として、空間領域Ｚの空気を、凹部１５・通気性部材１９・吸引孔１６の順路を経て減圧機構で強制的に吸引される。
次に、図４（２）の示すように、前述した減圧状態を保持した状態で、凹部１５部分に支受された基板４が下方に向けて移動して、基板セット部水平面Ｂと当接して凹部１５に嵌入された状態となる。このとき、凹部水平面Ｂに少なくとも製品有効範囲Ｙとなる基板４が水平状で吸着固定される。すなわち、従来のような平坦に形成された基板セット部１４に支受された基板４が上方に向けて反ったり湾曲したりする従来の基板４の変形、つまりは、上下型１・２へ基板４を供給する前（樹脂封止成形工程前）または樹脂封止成形時による様々に変形した基板４における変形箇所、特に、封止済基板３における製品有効範囲Ｙに形成された変形箇所を水平状に修正して、凹部水平面Ｂに少なくとも製品有効範囲Ｙとなる基板４が均等な面一状の姿勢に修正する作用を行う。例えば、フィルム（シート）状の基板４であれば、フィルム（シート）皺が発生する変形箇所においても、均等深さＣの凹み（彫り込み）を形成した凹部１５に嵌入するので、凹部１５内に基板自体が減圧（吸引）作用により下方に移動されて、フィルム自体が緊張した状態で、少なくとも凹部水平面Ｂに基板４が面一状の姿勢に修正されて支受することになる。
【００３０】
ここで、本実施例２における該チップ５・ワイヤ６（樹脂成形体９部分）を装着した基板４を樹脂封止成形する実施方法を、図３（１）および図４の概略断面図を用いて、以下に段階的に詳述する。
【００３１】
まず、図３（１）に示すように、上下型１・２が型開きした状態で、且つ、基板４の樹脂成形体９部分を上方に向けた状態で上型面１１と下型面１３との間である下型２の所定位置（基板セット部１４）の直上部に供給される。
次に、図４（１）に示すように、基板セット部１４の直上部から基板セット部水平面Ａに基板４を供給セットすると略同時に、基板４の裏面８と凹部水平面Ｂとの間で形成される空間領域Ｚの空気を、通気性部材１９、吸引孔１６の経路を経て、減圧機構で吸引される。このとき、上下型１・２が型締めした状態で、且つ、上下型１・２に埋設された適宜な加熱手段（図示なし）により、加熱溶融化された樹脂材料である溶融樹脂１８となるように上下型１・２全体を昇温する。
次に、図４（１）の状態のままで、図４（２）の示すように、基板４の裏面８が下方に向けて移動して、基板セット部底面Ｂと当接して凹部１５および基板セット部１４に嵌入して、凹部水平面Ｂに基板４が水平状に吸着固定された状態となる。
次に、図４（２）に示す状態のままで、図４（３）に示すように、溶融樹脂１８が樹脂通路を経てキャビティ１２内に嵌装された樹脂成形体９部分を注入充填する。
次に、図示していないが、溶融樹脂１８が硬化する所要時間経過後に、樹脂成形体９部分が硬化して、封止済基板３を成形することになる。このとき、減圧機構から基板４の減圧作用を停止することが好ましい。
さらに、最終的に、成形された封止済基板３は、複数個の半導体チップ５が一括で樹脂封止成形されているので、個々の該チップ５毎に切断分離して、製品有効範囲Ｙ内にある個々の製品（パッケージ）に成形されると共に、切断分離された製品有効範囲Ｙ以外の不要樹脂基板範囲（図示なし）は廃棄されることになる。
【００３２】
以上より、本実施例１および本実施例２において、従来の樹脂封止成形用金型で解決することができなかった、一方の型（上型１）のキャビティ１２天面にワイヤ６が接触し易くワイヤ６を変形或いは断線すること、或いは、未充填という不良が発生すること、等の樹脂成形上の諸問題を効率良く解決することができる。さらには、基板４における製品有効範囲Ｙから切断分離された個々の製品（パッケージ）が不均一な状態で成形されることがなく、前述したような凹部１５を設けた樹脂封止成形用金型で、キャビティ１１内への溶融樹脂１８の充填作用に先行して凹部１５内を減圧することにより、基板４の少なくとも製品有効範囲Ｙ部分を均等な面一状の姿勢に修正する作用を行うことができる。
【００３３】
なお、本実施例１・２において、基板４を凹部１５で支受して減圧するタイミングは、成形用型が型開きしていても、型締め途中でも、型締め完了後でも、溶融樹脂１８がキャビティ１２内に注入前であれば、連続的或いは断続的に、適宜に変更して実施できる。
また、本実施例１・２における基板セット部１４、凹部１５、吸引孔１６、連通溝１７、通気性部材１９、減圧機構については、図例に限定されるものでなく、例えば、基板セット部１４を上型面１１または成形用型１・２の各型面１１・１３に設けること、基板セット部１４や凹部１５の側面を垂直に形成せずに、基板４が凹部１５に嵌入しやすい適宜な形状（例えば、テーパ形状）で形成すること、吸引孔１６の平面形状を丸状でなく多角形状で形成すること、所要個の吸引孔１６を図の垂直方向に各別に減圧機構へ連絡するのではなく成形用型内で吸引孔１６を統合した経路構成にすること、或いは、基板４を成形用型へ支受して減圧機構で減圧（吸引）する方法として、実施例１では、すべての吸引孔１６から略同時または段階的に吸引すること、或いは、凹部１５の外周囲に吸引孔１６を一重でなく幾重に設けること、等の前述した内容を踏まえたうえで、適宜に取捨選択して実施することもできる。
【００３４】
また、二枚型構造、トランスファー成形、基板４の樹脂成形体９部分を上方に向けて成形用型へ供給すること、キャビティ１２内に樹脂材料を供給する樹脂通路を基板４と接触した状態で設けること、等の構成で説明した。これに限らず、例えば、二枚型構造を含む所要枚の金型構造（例えば三枚型構造）にすること、樹脂通路を設けないトランスファーレス成形である基板浸漬成形（基板圧縮成形）で実施すること、基板４の樹脂成形体９部分を下方に向けて成形用型へ供給する（つまり、上型面１１に凹部１５を形成する。）こと、基板４と非接触状態にしてキャビティ１２形成面の適宜な個所に単数個或いは複数個の樹脂通路１２を設けること、等の前述した内容を踏まえたうえで、適宜に取捨選択して実施することもできる。
【００３５】
また、封止済基板３における樹脂成形体９部分が一個のものを対象として説明しているが、例えば、複数個の樹脂成形体９を形成された封止済基板３を採用してもよい。この場合、複数個の樹脂成形体９に対応して、少なくとも、キャビティ１２、凹部１５、等も同複数個或いは一括して単数個を設けて適宜に実施することもできる。
また、基板４自体の形状も四角形でなく、例えば、円形や多角形等の適宜な形状をした基板４に採用することもできる。さらに、本実施例では、半導体チップ５・ワイヤ６を装着された基板４を対象として説明しているが、他の基板としては、例えば、バンプを備えたフリップチップ基板に採用すること、或いは、ウエハーレベルパッケージにも採用することもできる。
【００３６】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１（１）は、本発明に係る成形用型および樹脂封止成形される基板を用いて、前記成形用型が型開きした状態を示す概略的に示す概略断面図である。図１（２）は、図１（１）に対応する成形用型における他方の型面の概略拡大平面図である。
【図２】図２（１）および図２（２）は、図１（１）に対応する成形用型で、基板を支受する実施方法を段階的に拡大して示した概略拡大断面図である。図２（３）は、図１（１）に対応する成形用型で、成形用型が型締めした状態を示す概略的に示す概略断面図である。
【図３】図３（１）は、本発明に係るその他の成形用型および樹脂封止成形される基板を用いて、前記成形用型が型開きした状態を示す概略的に示す概略断面図である。図３（２）は、図３（１）に対応するその他の成形用型における他方の型面の概略拡大平面図である。
【図４】図４（１）および図４（２）は、図３（１）に対応するその他の成形用型で、基板を支受する実施方法を段階的に拡大して示した概略拡大断面図である。図４（３）は、図３（１）に対応するその他の成形用型で、成形用型が型締めした状態を示す概略的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    一方の型
２    他方の型
３    封止済基板
４    基板
５    半導体チップ（電子部品）
６    ワイヤ
７    表面
８    裏面
９    樹脂成形体
１０    基板外周部
１１    上型面
１２    キャビティ
１３    下型面
１４    基板セット部
１５    凹部
１６    吸引孔
１７    連通溝
１８    溶融樹脂
１９    通気性部材
Ａ    基板セット部底面
Ｂ    凹部底面
Ｃ    均等深さ
Ｘ    樹脂封止範囲
Ｙ    製品有効範囲
Ｚ    空間領域
【図１】
2005150458.tif 000003
【図２】
2005150458.tif 000004
【図３】
2005150458.tif 000005
【図４】
2005150458.tif 000006