(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチングによるダメージを最小限に抑え、弾性表面波素子の歩留まりを上げると共に信頼性を向上させることができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハに形成された弾性表面波素子部２ａ上にすだれ状電極５を形成する電極形成ステップと、すだれ状電極５及び反射器６近傍並びに、励振パッド１２の一部である開口部分１２ａ以外の弾性表面波素子部２ａにレジスト１９を形成するレジスト形成ステップと、励振パッド１２の開口部分１２ａに対して励振信号を入力して、弾性表面波素子部の周波数を測定する周波数測定ステップと、エッチングにより弾性表面波素子部２ａの周波数調整を行う周波数調整ステップと、周波数調整後の弾性表面波素子部をウェハから切り出して弾性表面波素子を分離する弾性表面波素子分離ステップとを有する。【選択図】        図８
2005020404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振信号を入力する励振パッドに電気的に接続されたすだれ状電極及び、反射器を備える弾性表面波素子の製造方法であって、
ウェハ上に前記すだれ状電極、前記反射器及び前記励振パッドを形成して、前記ウェハ上に弾性表面波素子部を形成する弾性表面波素子部形成ステップと、
前記すだれ状電極及び前記反射器近傍並びに前記励振パッドの一部である開口部分以外の前記弾性表面波素子部にレジストを形成するレジスト形成ステップと、
前記励振パッドの開口部分に対して前記励振信号を入力して、前記弾性表面波素子部の周波数を測定する周波数測定ステップと、
エッチングにより前記弾性表面波素子部の周波数を調整する周波数調整ステップと、
周波数調整後の前記弾性表面波素子部を前記ウェハから切り出して、個々の前記弾性表面波素子を分離する弾性表面波素子分離ステップとを有することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項２】
前記周波数調整ステップでは、前記弾性表面波素子部の周波数が所望の基準周波数よりも低い場合には前記すだれ状電極をウェットエッチングし、高い場合には前記すだれ状電極及び前記反射器近傍の前記ウェハをエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項３】
前記周波数調整ステップ後に、再度、前記弾性表面波素子部の周波数を測定し、前記弾性表面波素子部の周波数が前記所望の基準周波数と一致しない場合には、再度、前記周波数調整ステップを繰り返すことを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
前記周波数調整ステップでは、前記すだれ状電極及び前記反射器近傍の前記ウェハをウェットエッチングすることを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
前記周波数調整ステップでは、前記すだれ状電極及び前記反射器近傍の前記ウェハをドライエッチングすることを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、励振信号を入力する励振パッドに電気的に接続されたすだれ状電極及び、反射器を備える弾性表面波素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の弾性表面波フィルタ素子（弾性表面波素子）の周波数調整方法としては、以下のような従来技術が存在している（例えば特許文献１参照）。
まず、弾性表面波フィルタ素子の上面に、例えば数ｍｍの間隔をおいて金属板からなるマスクを配置し、弾性表面波フィルタ素子を励振させつつその周波数を監視し、ドライエッチングを行う。そして、エッチングの状況、すなわち周波数の変化をモニターで監視しつつエッチングを進め、所望の基準周波数が得られたところでエッチングを停止することが行われていた。このような従来技術では、弾性表面波フィルタ素子上の電極とマスクとの間隔が空いているので、位置合わせ精度が悪く、精密な周波数調整が困難である。次に弾性表面波フィルタ素子の周波数調整方法を含む弾性表面波フィルタ素子の従来の製造方法の手順を具体的に説明する。
【０００３】
図２３は、従来の弾性表面波フィルタ素子の周波数調整方法を含む製造方法の手順を示すフローチャートであり、図２４及び図２５は、図２３に示すフローチャートに従って弾性表面波フィルタ素子を製造する様子を示す断面図である。
まず、図２３のステップＳＴ１０１では、ポリッシングが施されたウェハ１０７が図２４（ａ）に示すように純水等によってリンス（洗浄）され、乾燥される。
【０００４】
次にステップＳＴ１０２では、図２４（ｂ）に示すようにウェハ１０７上に電極膜１０８が形成される。具体的には、ウェハ１０７の表面には、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金膜を材質とする電極膜１０８が形成される。その後、電極膜１０８を有するウェハ１０７が洗浄され、乾燥された後、ステップＳＴ１０３では、図２４（ｃ）に示すように電極膜１０８上にレジスト１０９が塗布される。次にステップＳＴ１０４では、図２４（ｄ）に示すように所定のパターンに対応したマスク１１０が配置された状態でレジスト１０９が露光され、ステップＳＴ１０５では、図２４（ｅ）に示すように現像され、所定のレジストパターン１０９ａが形成される。
【０００５】
次にステップＳＴ１０６では、レジストパターン１０９ａに基づいて電極膜１０８に対するエッチングが行われ、図２４（ｆ）に示すようにＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）、反射器等の電極パターン１０８ａが形成される。さらにステップＳＴ１０７では、レジストパターン１０９ａが剥離され、図２５（ａ）に示すようにウェハ１０７に弾性表面波フィルタ素子部１０２ａ（チップ）が形成された状態となる。
【０００６】
次にステップＳＴ１１１では、チップの切断が行われる。具体的には、弾性表面波フィルタ素子部１０２ａ毎にダイシング（切断）され、図２５（ｂ）に示すように個々の弾性表面波フィルタ素子１０２とされる。次にステップＳＴ１１２では、各弾性表面波フィルタ素子１０２についてチップ検査が行われる。そして、各弾性表面波フィルタ素子１０２は、図示しないパッケージに封止され、弾性表面波フィルタ素子１０２を内蔵するＳＡＷデバイスが完成する。
【０００７】
次にＳＡＷデバイスについて発振周波数を測定し（ステップＳＴ１０８）、ＳＡＷデバイスについて周波数調整を行う（ステップＳＴ１０９）。この周波数調整方法としては、例えばドライエッチングが採用されている。つまり、従来の弾性表面波フィルタ素子の周波数調整方法では、ウェハ１０７の状態ではなく、パッケージ化された弾性表面波フィルタ素子を内蔵するＳＡＷデバイスとされた後に周波数調整がなされていた。そして、再度、ＳＡＷデバイスについて発振周波数が測定される（ステップＳＴ１１０）。
【０００８】
このように弾性表面波フィルタ素子１０２の周波数調整においてドライエッチングが採用されているのは、仮にウェットエッチングを採用した場合には、パッケージ化後の弾性表面波フィルタ素子１０２にエッチング液をさらした後に、リンス液によりリンスを行うことが製造工程上好ましくないためである。これは、リンス液を用いてリンスを行った後にリンス液の乾燥を行うと、弾性表面波フィルタ素子１０２やそのパッケージ内には、ウォーターマークが残存する可能性が高いためである。このようにウォーターマークが残存すると、歩留まりを下げる要因となると共に、弾性表面波フィルタ素子１０２の信頼性を向上することができない要因となっている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−２２４６７８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、このようなウェットエッチングに限らず、周波数調整時に施されるエッチングによるダメージを抑制することが望まれている。これは、ドライエッチングの際のプラズマ照射やウェットエッチングの際のエッチング液により、本来エッチングすべきでない部分にダメージを与えてしまうためである。このようなダメージは、表面粗さの変化や膜厚の変化を生じさせるため、その後のワイヤーボンディング工程において歩留まりの低下や信頼性を劣化させる要因となっている。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消して、エッチングによるダメージを最小限に抑え、弾性表面波素子の歩留まりを上げると共に信頼性を向上させることができる弾性表面波素子の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第１の発明によれば、励振信号を入力する励振パッドに電気的に接続されたすだれ状電極及び、反射器を備える弾性表面波素子の製造方法であって、ウェハ上に前記すだれ状電極、前記反射器及び前記励振パッドを形成して、前記ウェハ上に弾性表面波素子部を形成する弾性表面波素子部形成ステップと、前記すだれ状電極及び前記反射器近傍並びに前記励振パッドの一部である開口部分以外の前記弾性表面波素子部にレジストを形成するレジスト形成ステップと、前記励振パッドの開口部分に対して前記励振信号を入力して、前記弾性表面波素子部の周波数を測定する周波数測定ステップと、エッチングにより前記弾性表面波素子部の周波数を調整する周波数調整ステップと、周波数調整後の前記弾性表面波素子部を前記ウェハから切り出して、個々の前記弾性表面波素子を分離する弾性表面波素子分離ステップとを有することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
上記構成によれば、弾性表面波素子部の周波数を調整する周波数調整ステップでは、すだれ状電極及び反射器近傍並びに励振パッドの開口部分以外の部分の弾性表面波素子部にレジストが形成されているので、エッチングの際にすだれ状電極近傍及び反射器近傍並びに励振パッドの開口部以外の本来エッチングすべきでない部分にダメージを与えないようにすることができる。このようにすると、励振パッド等へのダメージが生じなく、表面粗さの変化や膜厚の変化を生じさせることがないため、その後のワイヤーボンディング工程において歩留まりを低下させず、信頼性を向上することができる。従って、上記構成によれば、エッチングによるダメージを最小限に抑え、弾性表面波素子の歩留まりを上げると共に信頼性を向上させることができる。また、周波数調整時にマスクを用いずにレジストを形成してエッチングを行っていることからウェハとレジストの間隔が小さく、より正確にレジストパターンを形成することができるため、弾性表面波素子部の周波数は、より精度良く調整されるようになる。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記周波数調整ステップでは、前記弾性表面波素子部の周波数が所望の基準周波数よりも低い場合には前記すだれ状電極をウェットエッチングし、高い場合には前記すだれ状電極及び前記反射器近傍の前記ウェハをエッチングすることを特徴とする。
上記構成によれば、周波数調整ステップにおいて、弾性表面波素子部の周波数が所望の基準周波数よりも低い場合或いは高い場合には、弾性表面波素子部の周波数が所望の基準周波数となるように調整することができる。従って、弾性表面波素子部の周波数は、より正確に所望の基準周波数に調整されるようになる。
【００１４】
第３の発明は、第２の発明の構成において、前記周波数調整ステップ後に、再度、前記弾性表面波素子部の周波数を測定し、前記弾性表面波素子部の周波数が前記所望の基準周波数と一致しない場合には、再度、前記周波数調整ステップを繰り返すことを特徴とする。
上記構成によれば、周波数調整ステップにおいて、弾性表面波素子部の周波数を低く調整し過ぎた場合或いは高く調整し過ぎた場合に、再度調整することができるので、弾性表面波素子部の周波数をさらに正確に所望の基準周波数に近づけることができる。
【００１５】
第４の発明は、第２の発明又は第３の発明のいずれかの構成において、前記周波数調整ステップでは、前記すだれ状電極及び前記反射器近傍の前記ウェハをウェットエッチングすることを特徴とする。
第５の発明は、第２の発明又は第３の発明のいずれかの構成において、前記周波数調整ステップでは、前記すだれ状電極及び前記反射器近傍の前記ウェハをドライエッチングすることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態としての弾性表面波素子の製造方法により製造される弾性表面波素子の構成例について簡単に説明する。
図１は、弾性表面波素子２を含むＳＡＷデバイス１の一般的な概略構成例を示す斜視図である。
ＳＡＷデバイス１は、弾性表面波素子片（ＳＡＷ共振子片）２が蓋体３によって封止された構造となっている。
【００１７】
この弾性表面波素子２は、基板４、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５、反射器６及び励振パッド１２を有する。基板４の表面には、例えばアルミニウムを材質とするＩＤＴ５、反射器６がそれぞれ形成されている。ＩＤＴ５は、隙間を保持しつつ交互に噛み合うように対向するいわゆるすだれ状電極であり、励振信号が入力される励振パッド１２にボンディングワイヤーが電気的に接続されることにより外部と電気的に接続された構成となっている。また、ＩＤＴ５の両側部には、例えば反射器６が形成されていて、この反射器６は、ＩＤＴ５により励振された弾性表面波を反射する機能を有する。
【００１８】
ＳＡＷデバイス１は以上のような構成であり、次に図１を参照しつつ弾性表面波素子２の製造方法の一例について説明する。尚、以下の説明において「弾性表面波素子部」とは、上記弾性表面波素子２となるべき、ウェハ上に形成された部分を表しており、符号として「２ａ」を用いている。
図２は、弾性表面波素子２の製造方法の手順の一例を示すフローチャートであり、図３〜図５は、図２に示すフローチャートに従って弾性表面波素子部２ａを製造する様子の一例を示す断面図である。
まず、図２のステップＳＴ１では、ポリッシングが施された図３（ａ）に示すウェハ７が純水等によってリンス（洗浄）され、乾燥される。
【００１９】
次にステップＳＴ２では、図３（ｂ）に示すウェハ７上に電極膜８が形成される。具体的には、ウェハ７の表面には、例えばアルミニウムを材質とする電極膜８が形成される。その後、電極膜８を有するウェハ７が洗浄され、乾燥された後、ステップＳＴ３では、図３（ｃ）に示すように電極膜８上に、例えばポジ型のフォトレジスト９（以下、単に「レジスト」という）が塗布される。尚、このレジスト９は、ポジ型の代わりにネガ型を採用しても良いことはいうまでもない。
【００２０】
次にステップＳＴ４では、図３（ｄ）に示すように所定のパターンに対応したマスク１０が配置された状態でマスク１０を介して紫外線等が照射されることでレジスト９が露光され、紫外線を照射した部分のレジスト９が変質する。次にステップＳＴ５では、レジスト９を現像可能なレジスト現像液にレジスト９を接触させることにより現像し、図３（ｅ）に示すように上記マスク１０のパターンをレジスト９に形成し、所定のレジストパターン９ａを形成する。
【００２１】
次にステップＳＴ６では、図３（ｆ）に示すように形成されたレジストパターン９ａに基づいて、電極膜８に対するエッチングが行われ、上記ＩＤＴ、反射器等の電極パターン８ａが形成される。さらにステップＳＴ７では、レジストパターン９ａが剥離され、図４（ａ）に示すようにウェハ７に弾性表面波素子部２ａが形成された状態となる。
【００２２】
この様子をウェハ７の表面の上方から見ると、図６に示すような状態となっている。この状態では、ウェハ７の表面には、縦横にマトリクス状に配列するように弾性表面波素子部２ａが形成されている。各弾性表面波素子部２ａには、図７に示すようにＩＤＴ５、反射器６及び、ＩＤＴ５に電気的に接続されている励振パッド１２が形成されている。この励振パッド１２は、ＩＤＴ５に励振信号を入力するための電極である。
【００２３】
次にステップＳＴ３ａでは、図４（ｂ）に示すように再度、ウェハ７の表面及び電極パターン８ａ上に、例えばポジ型のフォトレジスト１９（以下、単に「レジスト」という）が塗布される。尚、このレジスト１９は、ポジ型の代わりにネガ型を採用しても良いことはいうまでもない。
【００２４】
次にステップＳＴ４ａでは、図４（ｃ）に示すように所定のパターンに対応したマスク２０が配置された状態でマスク２０を介して紫外線等が照射されることでレジスト１９が露光され、紫外線を照射した部分のレジスト１９が変質する。次にステップＳＴ５ａでは、レジスト１９を現像可能なレジスト現像液にレジスト１９を接触させることにより現像し、上記マスク２０のパターンをレジスト１９に形成し、図４（ｄ）に示すように所定のレジストパターン１９ａを形成する。
【００２５】
レジストパターン１９ａが形成された様子を図示すると、図８に示すようになる。図示のようなレジストパターン１９ａは、ＩＤＴ５近傍及び、ＩＤＴ５に電気的に接続された励振パッド１２の開口部分１２ａ以外の部分を覆っている。このようにレジストパターン１９ａによって覆われている部分は、例えば後述する周波数調整の際にエッチングによるダメージが生じないようにすべき部分である。ここで、励振パッド１２の開口部分１２ａは、周波数測定時に励振信号を入力するための専用パターンであり、励振パッド１２は、この開口部分１２ａ以外の部分がレジストパターン１９ａによって覆われており、開口部分１２ａのみが露出した構成となっている。
【００２６】
次にステップＳＴ８では、弾性表面波素子部２ａについて発振周波数を測定する。具体的には、ステップＳＴ８では、図示しない測定手段の端子を図８に示す開口部分１２ａに接触させ、その端子から開口部分１２ａに対して励振信号を入力して発振周波数の測定を行う。
このようにして得られた弾性表面波素子部２ａの周波数は、周波数をＦ、弾性表面波の伝搬速度をＶ、弾性表面波の波長をλとすると、以下のような式（１）によって表される。
Ｆ＝Ｖ／λ・・・（１）
【００２７】
弾性表面波の波長λは、電極パターンの設計に依存するため、一般的に弾性表面波素子部２ａの製造工程において、弾性表面波の波長λを変化させて波長を調整することは困難である。一方、弾性表面波の伝搬速度Ｖは、本来、図９（ａ）に示す圧電基板の一例としてのウェハ７の材料により決定されるが、ウェハ７を、図９（ｂ）に示すようにエッチングすることにより得られる質量付加効果により、周波数を低下させる方向への調整が可能である。また、図１０に示す電極パターン８ａを、図１０（ｂ）に示すようにエッチングすることにより得られる質量減少効果により、周波数を上昇させる方向への周波数調整が可能である。
【００２８】
この原理を利用して、ステップＳＴ９では、弾性表面波素子部２ａについて周波数調整を行う。ここでまず、本発明の第１実施形態における弾性表面波素子部２ａの周波数調整方法において特徴的なことは、パッケージ化された弾性表面波素子２とされた後ではなく、弾性表面波素子部２ａがウェハ７に形成された状態で周波数調整がなされている点である。このようにすると、弾性表面波素子部２ａは、パッケージ化される前であるので、その周波数調整方法として、例えばドライエッチングのみならず、ウォーターマークの付着等を原因として従来不可能であったウェットエッチングも採用することができるようになる。
【００２９】
また、この周波数調整の際には、図８に示すようにＩＤＴ５及び反射器６近傍並びに励振パッド１２の開口部分１２ａ以外の部分がレジストパターン１９ａによって覆われているので、レジストパターン１９ａによってマスクされている配線等に対する、例えばドライエッチング時のプラズマによるダメージや、ウェットエッチング時の薬液による腐食を防止することができる。
【００３０】
そして、ステップＳＴ１０では、再度、ステップＳＴ８と同様に、弾性表面波素子部２ａについて発振周波数を測定する。次にステップＳＴ７ａでは、上述したステップＳＴ７と同様に、図４（ｆ）に示すようにレジストパターン１９ａを剥離して、ウェハ７上に周波数調整された弾性表面波素子部２ａが完成する。
次にステップＳＴ１１では、チップの切断が行われる。具体的には、図５（ａ）に示すように弾性表面波素子部２ａ毎にダイシング（切断）され、個々の弾性表面波素子２（チップ）とされる。次にステップＳＴ１２では、各弾性表面波素子部２ａについてチップ検査が行われる。そして、各弾性表面波素子２は、図示しないパッケージに封止され、例えば図１に示すＳＡＷデバイス１が完成する。
【００３１】
次にウェハ７のドライエッチングレートについて説明する。
図１１及び図１２は、ウェハ７をドライエッチングした場合におけるエッチングレートの一例を示す図である。尚、図１１は、処理時間に対するエッチング量の一例を示しており、図１２は、処理時間に対する周波数調整量の一例を示している。
まず、エッチング条件について説明すると、エッチング対象としてのウェハ７は、例えば水晶（ＳｉＯ２）を材質としている。そして、エッチングガスとしては、例えば１５０ｃｃ（ｍｍ３）／ｍｉｎ（分）のＣＦ４を用いている。また、エッチング室内の圧力としては、例えば６０Ｐａとしている。また、エッチングパワーは、例えば８０Ｗとしている。
【００３２】
ウェハ７のドライエッチングでは、図１１に示すような処理時間に対するエッチング量に対して、図１２に示すような周波数調整量を見込むことができる。尚、基準周波数は、例えば４３３．９ＭＨｚと設定している。つまり具体的には、ウェハ７のドライエッチングの処理時間が長ければ長いほど、調整される周波数は、処理時間にほぼ比例して大きくなることがわかる。従って、ドライエッチングの処理時間を調整すれば、おおよその周波数調整量を見積もることができる。
【００３３】
次に電極パターン８ａのドライエッチングレートについて説明する。
図１３及び図１４は、電極パターン８ａをドライエッチングした場合におけるエッチングレートの一例を示す図である。尚、図１３は、処理時間に対するエッチング量の一例を示しており、図１４は、処理時間に対する周波数調整量の一例を示している。
【００３４】
まず、エッチング条件について説明すると、エッチング対象としての電極パターン８ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）を材質としている。そして、エッチング薬液としては、例えばりん酸（８５％）を用いている。その薬液は、例えば３０℃としている。
電極パターン８ａのドライエッチングでは、図１３に示すような処理時間に対するエッチング量に対して、図１４に示すような周波数調整量を見込むことができる。尚、基準周波数は、例えば４３３．９ＭＨｚと設定している。つまり具体的には、電極パターン８ａのドライエッチングの処理時間が長ければ長いほど、調整される周波数は、処理時間にほぼ比例して大きくなることがわかる。従って、ドライエッチング時間を調整すれば、おおよその周波数調整量を見積もることができる。
【００３５】
本発明の第１実施形態によれば、ＩＤＴ５及び反射器６近傍並びに励振パッド１２の開口部分１２ａ以外の部分をレジストパターン１９ａによって覆った状態でエッチングにより周波数調整を行っているので、周波数調整時にこれ以外の部分にエッチングの影響を及ぼさないようにすることができる。このようにすると、エッチングによるダメージを最小限に抑え、弾性表面波素子２の歩留まりを上げると共に信頼性を向上させることができる。
また、本発明の第１実施形態によれば、ＩＤＴ５及び反射器６近傍並びに励振パッド１２の一部である開口部分１２ａ以外の部分をマスクする方法として、レジスト９（レジストパターン１９ａ）を用いることにより、マスク２０の位置を正確に合わせることができ、マスク２０の位置ずれによる周波数調整不良を防止し、精度良く周波数を調整することができる。
【００３６】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法では、図１〜図１４において第１実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法と同一の符号を付した箇所はほぼ同じ構成であるから、同一の構成は図１〜図１４と共通の符号を用いてその説明を省略し、異なる点を中心として説明する。
【００３７】
図１５は、本発明の第２実施形態としての弾性表面波素子の製造方法の手順の一例を示すフローチャートであり、図１６〜図１８は、図１５に示すフローチャートに従ってＳＡＷデバイス１を製造する様子の一例を示す断面図である。
図１５における各手順は、図２における各手順とほぼ同様であるので、同じ手順の部分は同一の符号を用いて、その説明を省略し、以下異なる点を中心として説明する。また、図１６（ａ）〜図１８（ｃ）における手順は、図３（ａ）〜図５における手順とほぼ同様であるので、同じ手順の部分は同一の符号を用いて、その説明を省略し、以下異なる点を中心として説明する。
【００３８】
第２実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法では、ウェハ７のエッチングを行う際に第１実施形態において使用されていたドライエッチングの代わりに、ウェットエッチングを使用している点が異なっている。具体的には、ステップＳＴ９では、図１９（ａ）に示すウェハ７を、図１９（ｂ）に示すようにウェットエッチングすることにより得られる質量付加効果により、周波数を低下させる方向への調整が可能である。
【００３９】
第２実施形態では、まず、第１実施形態と同様に、図１５のステップＳＴ５ａの現像処理までが行われる。次に第２実施形態において特徴的なステップＳＴ７ｚでは、図１７（ｅ）に示すように次に電極パターン８ａに保護膜２３を形成する。ここで、この保護膜２３の材質としては、ウェハ７をウェットエッチングする薬液によって腐食しない材質を採用することができる。
【００４０】
そして、ステップＳＴ８では、第１実施形態と同様に、ウェハ７の状態で、弾性表面波素子部２ａの周波数が測定される。次にステップＳＴ９では、第１実施形態と同様に、図９（ａ）に示すウェハ７を図９（ｂ）に示すようにエッチングすることにより周波数を調整したり、第１実施形態と異なり、図１９（ａ）に示すウェハ７を、図１９（ｂ）に示すようにウェットエッチングすることにより得られる質量付加効果により、周波数を低下させる方向への調整が可能である。
そして、第１実施形態と同様に、ステップＳＴ７ａでは、レジストパターン１９ａが剥離される。尚、ステップＳＴ１１以降については、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４１】
次にウェハ７のドライエッチングレートについて説明する。
図２０及び図２１は、ウェハ７をウェットエッチングした場合におけるエッチングレートの一例を示す図である。尚、図２０は、処理時間に対するエッチング量の一例を示しており、図２１は、処理時間に対する周波数調整量の一例を示している。
まず、エッチング条件について説明すると、エッチング対象としてのウェハ７は、例えば水晶（ＳｉＯ２）を材質としている。そして、エッチング薬液としては、例えばフッ酸（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１：１の割合で混合した薬液を採用している。また、薬液の温度は、例えば２６℃としている。
【００４２】
ウェハ７のウェットエッチングでは、図２０に示すような処理時間に対するエッチング量に対して、図２１に示すような周波数調整量を見込むことができる。尚、基準周波数は、例えば４３３．９ＭＨｚと設定している。つまり具体的には、ウェハ７のウェットエッチングの処理時間が長ければ長いほど、調整される周波数は、処理時間にほぼ比例して大きくなることがわかる。従って、ウェットエッチング時間を調整すれば、おおよその周波数調整量を見積もることができる。
本発明の第２実施形態によれば、第１実施形態とほぼ同様の効果を発揮することができるとともに、これに加えて、ウェハ７をウェットエッチングを用いて、ウェハ７上の弾性表面波素子部２ａの周波数の調整を行うことができる。
【００４３】
＜第３実施形態＞
図２２は、本発明の第３実施形態としての弾性表面波素子の製造方法に含まれる周波数調整方法の手順の一例を示すフローチャートである。
本発明の第３実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法では、図１〜図１４において第１実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法と、図１５〜図２１において第２実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法と同一の符号を付した箇所はほぼ同じ構成であるから、同一の構成は図１〜図２１と共通の符号を用いてその説明を省略し、異なる点を中心として説明する。
【００４４】
第３実施形態としての弾性表面波素子２の製造方法では、第１実施形態及び第２実施形態の手順に加えて、さらに、周波数を高く調整し過ぎた場合には、周波数が低くなるように再度周波数調整を行うこと及び／又は、周波数を低く調整し過ぎた場合には、周波数が高くなるように再度周波数調整を行っている点が特徴的である。以下、図２２のフローチャートを用いて具体的に説明する。
【００４５】
ステップＳＴ８では、弾性表面波素子部２ａの周波数の測定が終了すると、弾性表面波素子部２ａの周波数が予め設定された基準周波数の一例としての４３３．９ＭＨｚと比較される。ほぼ一致している場合には、図２や図１５に示すステップＳＴ７ａに進み、弾性表面波素子部２ａの周波数が基準周波数よりも高い場合には、ステップＳＴ９ｂに進み、低い場合にはステップＳＴ９ａに進む。
【００４６】
ステップＳＴ９ａでは、上述した各実施形態と同様に電極パターン８ａを、ドライエッチング或いはウェットエッチングすることにより得られる質量減少効果により、弾性表面波素子部２ａの周波数を高い方向へ調整する。一方、ステップＳＴ９ｂ〜ＳＴ９ｄでは、上述した各実施形態と同様にウェハ７を、ドライエッチング或いはウェットエッチングすることにより得られる質量付加効果により、弾性表面波素子部２ａの周波数を低い方向へ調整する。
【００４７】
具体的には、ステップＳＴ９ｂでは、図１７（ｅ）に示すように電極パターン８ａに保護膜２３を形成する。次にステップＳＴ９ｃでは、ウェハ７を、ドライエッチング或いはウェットエッチングにより周波数調整を行う。次にステップＳＴ９ｄでは、保護膜２３を除去する。尚、保護膜２３は、図１８（ｂ）等に示すように残した構成としても良いことはいうまでもない。
【００４８】
本発明の第３実施形態によれば、第１実施形態及び第２実施形態とほぼ同様の効果を発揮することができるとともに、これに加えて、弾性表面波素子部２ａの周波数を調整し過ぎて基準周波数からずれてしまった場合においても、再度、弾性表面波素子部２ａの周波数を調整することができるので、より精度良く弾性表面波素子部２ａの周波数を基準周波数に近づけることができる。
【００４９】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳＡＷデバイスの一般的な概略構成例を示す斜視図。
【図２】弾性表面波素子の製造方法の手順の一例を示すフローチャート。
【図３】弾性表面波素子部を製造する様子の一例を示す断面図。
【図４】弾性表面波素子部を製造する様子の一例を示す断面図。
【図５】弾性表面波素子部を製造する様子の一例を示す断面図。
【図６】弾性表面波素子部が形成されたウェハの構成例を示す平面図。
【図７】図６の弾性表面波素子部の構成例を示す平面図。
【図８】ウェハにレジストパターンが形成された一例を示す平面図。
【図９】ウェハがドライエッチングされる一例を示す図。
【図１０】電極パターンがウェットエッチングされる一例を示す図。
【図１１】処理時間に対するエッチングレートの一例を示す図。
【図１２】処理時間に対する周波数調整量の一例を示す図。
【図１３】処理時間に対するエッチングレートの一例を示す図。
【図１４】処理時間に対する周波数調整量の一例を示す図。
【図１５】弾性表面波素子の製造方法の手順例を示すフローチャート。
【図１６】弾性表面波素子部を製造する様子の一例を示す断面図。
【図１７】弾性表面波素子部を製造する様子の一例を示す断面図。
【図１８】弾性表面波素子部を製造する様子の一例を示す断面図。
【図１９】ウェハがウェットエッチングされる一例を示す図。
【図２０】処理時間に対するエッチングレートの一例を示す図。
【図２１】処理時間に対する周波数調整量の一例を示す図。
【図２２】周波数調整方法の手順の一例を示すフローチャート。
【図２３】従来の弾性表面波フィルタ素子の製造方法の手順を示すフローチャート。
【図２４】弾性表面波フィルタ素子を製造する様子を示す断面図。
【図２５】弾性表面波フィルタ素子を製造する様子を示す断面図。
【符号の説明】
１・・・ＳＡＷデバイス、２・・・弾性表面波素子、２ａ・・・弾性表面波素子部、３・・・蓋体、４・・・基板、５・・・ＩＤＴ（すだれ状電極）、６・・・反射器、７・・・ウェハ、１０・・・マスク、１２・・・励振パッド、１２ａ・・・開口部分、１９・・・レジスト、１９ａ・・・レジストパターン、２０・・・マスク
【図１】
2005020404.tif 000003
【図２】
2005020404.tif 000004
【図３】
2005020404.tif 000005
【図４】
2005020404.tif 000006
【図５】
2005020404.tif 000007
【図６】
2005020404.tif 000008
【図７】
2005020404.tif 000009
【図８】
2005020404.tif 000010
【図９】
2005020404.tif 000011
【図１０】
2005020404.tif 000012
【図１１】
2005020404.tif 000013
【図１２】
2005020404.tif 000014
【図１３】
2005020404.tif 000015
【図１４】
2005020404.tif 000016
【図１５】
2005020404.tif 000017
【図１６】
2005020404.tif 000018
【図１７】
2005020404.tif 000019
【図１８】
2005020404.tif 000020
【図１９】
2005020404.tif 000021
【図２０】
2005020404.tif 000022
【図２１】
2005020404.tif 000023
【図２２】
2005020404.tif 000024
【図２３】
2005020404.tif 000025
【図２４】
2005020404.tif 000026
【図２５】
2005020404.tif 000027