(57)【要約】  【課題】  加速電圧が低い電子線（ＥＢ）露光により得られるレジストパターンの形状を良好にできるようにする。  【解決手段】  基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、その後、形成したレジスト膜１０２に対して、加速電圧が１０ｋｅＶ以下の第１の電子線１０４によりマスク１０３を介してパターン露光を行なう。続いて、パターン露光されたレジスト膜１０２の全面に、第１の電子線１０４よりも加速電圧及び電子エネルギーが小さい第２の電子線１０５を照射し、その後、第１の電子線１０４及び第２の電子線が照射されたレジスト膜１０２に対して加熱処理（ＰＥＢ）を行なった後、現像を行なうことにより、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。【選択図】      図１
2005150182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して、加速電圧が１０ｋｅＶ以下の第１の電子線によりパターン露光を行なう工程と、
前記レジスト膜の全面に第２の電子線を照射する工程と、
前記第１の電子線及び第２の電子線が照射された前記レジスト膜に対して第１の加熱処理を行なった後、現像を行なうことにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第２の電子線を照射する工程は、前記第１の電子線によりパターン露光を行なう工程よりも後に行なうことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の電子線によりパターン露光を行なう工程の後で、前記第２の電子線を照射する工程よりも前に、前記レジスト膜に第２の加熱処理を行なう工程をさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第２の電子線を照射する工程は、前記第１の電子線によりパターン露光を行なう工程よりも前に行なうことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第２の電子線を照射する工程の後で、前記第１の電子線によりパターン露光を行なう工程よりも前に、前記レジスト膜に対して第２の加熱処理を行なう工程をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第２の電子線の加速電圧は、前記第１の電子線の加速電圧と等しいか小さいことを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第２の電子線のエネルギーは、前記第１の電子線のエネルギーと等しいか小さいことを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて用いられるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の大集積化及び半導体素子のダウンサイジングに伴って、リソグラフィ技術の開発の加速が望まれている。現在のところ、露光光として、水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ又はＡｒＦエキシマレーザ等を用いる光リソグラフィによりパターンの形成が行なわれているが、今後さらなる微細化のためには電子線を用いたリソグラフィが期待されている。
【０００３】
電子線リソグラフィは、露光用の光源に光を用いる従来の方法と比べて、より高解像化が可能であるが、スループットが小さい点に課題があった。これを解決する方法として、マスクを用いた一括転写方式であって、電子線のクーロン反発による解像性の劣化を防止できるように、加速電圧が低い、例えば１０ｋｅＶ以下の電子線を用いる電子線リソグラフィが提案されている（例えば、非特許文献１を参照）。この低加速電圧の電子線を用いた電子線リソグラフィによれば、スループットを向上して良好なパターン形成が可能となる。
【０００４】
以下、低加速電圧の電子線を用いるパターン形成方法について図９（ａ）〜図９（ｄ）を参照しながら説明する。
【０００５】
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
【０００６】
ポリ（（1−エトキシエチルスチレン）(40mol%)−（ヒドロキシスチレン）(60mol%））（ベースポリマー）……………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（酸発生剤）…０．１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図９（ａ）に示すように、基板１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、厚さが５０ｎｍのレジスト膜を形成する。
【０００７】
次に、図９（ｂ）に示すように、加速電圧が２ｋｅＶの電子線４を、設計パターンを有するマスク３を介してレジスト膜２に照射してパターン露光を行なう。
【０００８】
次に、図９（ｃ）に示すように、パターン露光を行なったレジスト膜２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間加熱した後、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なうと、図９（ｄ）に示すように、レジスト膜２の未露光部よりなるレジストパターン２ａを得る。
【非特許文献１】H.Nakano et al., "Imaging Capability of Low-Energy Electron-Beam Proximity-Projection Lithography Toward the 70nm Node", Proc.SPIE, Vol.4754, 827 (2002).
【特許文献１】特開平７−７８７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記の非特許文献１に示された電子線リソグラフィによるパターン形成方法は、加速電圧が低い電子線を用いているため、図９（ｄ）に示すように、得られたレジストパターン２ａは、ラインのエッジラフネスが大きくなり、エッジの形状が不良となるという問題がある。
【００１０】
具体的には、パターン２ａのラインのエッジラフネスが１２ｎｍ（３σ：但し、σは標準偏差である。）と非常に大きい。これは、加速電圧が２ｋｅＶという低い電子線４を用いる電子線露光においては、電子線の前方散乱が大きいことによる影響と考えられる。
【００１１】
このような、ラフネスが大きいレジストパターンを用いて被処理膜に対してエッチングを行なうと、ラフネスの形状が被処理膜にも反映される結果、得られるパターンの形状も不良となってしまうため、半導体装置の製造プロセスにおける生産性及び歩留まりが低下してしまうという問題が発生する。
【００１２】
前記に鑑み、本発明は、加速電圧が低い電子線露光により得られるレジストパターンの形状を良好にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明者らは、加速電圧が低い電子線露光により得られるレジストパターンのエッジラフネスが大きくなる原因について検討を重ねた結果、加速電圧が低い電子線はパターンの解像に必要な電子の数が不足しがちであるため、得られたレジストパターンのエッジにおけるラフネスが大きくなる、また、低いエネルギーで照射された電子は、レジスト膜中の他の原子と衝突することによって、電子が持つ推進力が比較的簡単に弱められてしまうため、レジスト膜中を均一な状態で拡散できないという考察結果を得ている。
【００１４】
本発明は、前記の知見に基づいてなされたものであり、パターンの解像に必要な電子をパターン露光の前又は後に補充して、レジスト膜における露光部分に現像液に溶解する酸が十分に発生し、現像までに露光部分に供給される電子分布がパターンの端部においても比較的に均一な状態で電子が供給されるようにすることにより、レジストパターンの特にエッジ部分でパターン表面に凹凸状に発生する段差からなるエッジラフネスを小さくすることができる。すなわち、露光部分の端部にまで比較的に均一な量の電子が供給されるため、露光部分の中心部から端部にまで現像時に十分な酸が行き渡った状態にすることができる。具体的には、以下の方法によって実現される。
【００１５】
本発明に係るパターン形成方法は、基板上にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に対して、加速電圧が１０ｋｅＶ以下の第１の電子線によりパターン露光を行なう工程と、レジスト膜の全面に第２の電子線を照射する工程と、第１の電子線及び第２の電子線が照射されたレジスト膜に対して第１の加熱処理を行なった後、現像を行なうことによりレジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする。
【００１６】
本発明のパターン形成方法によると、レジスト膜に対して、加速電圧が１０ｋｅＶ以下の第１の電子線によるパターン露光を行なう以外に、レジスト膜の全面に第２の電子線を照射するため、第２の電子線の照射によってパターンの解像に必要な電子が補充されるので、レジスト膜における露光部分に現像液に溶解する酸が十分に発生するようになる。その結果、レジストパターンのエッジラフネスを小さくできるので、得られるレジストパターンの形状が良好となる。
【００１７】
本発明のパターン形成方法において、第２の電子線を照射する工程は、第１の電子線によりパターン露光を行なう工程よりも後に行なうことができる。
【００１８】
この場合に、本発明のパターン形成方法は、第１の電子線によりパターン露光を行なう工程の後で、第２の電子線を照射する工程よりも前に、レジスト膜に第２の加熱処理を行なう工程をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、レジスト膜に発生した酸のレジスト膜中における拡散の程度を調整することができる。
【００１９】
本発明のパターン形成方法において、第２の電子線を照射する工程は、第１の電子線によりパターン露光を行なう工程よりも前に行なうことができる。
【００２０】
この場合に、本発明のパターン形成方法は、第２の電子線を照射する工程の後で、第１の電子線によりパターン露光を行なう工程よりも前に、レジスト膜に対して第２の加熱処理を行なう工程をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、レジスト膜に発生した酸のレジスト膜中における拡散の程度を調整することができる。
【００２１】
本発明のパターン形成方法において、第２の電子線の加速電圧は、第１の電子線の加速電圧と等しいか小さいことが好ましい。
【００２２】
本発明のパターン形成方法において、第２の電子線のエネルギーは、第１の電子線のエネルギーと等しいか小さいことが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係るパターン形成方法によると、加速電圧が低い電子線露光により得られるレジストパターンにおけるエッジのラフネスを小さく、すなわちエッジの形状を良好にできるため、得られるレジストパターンの形状が良好となる。その結果、良好な微細パターンを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２を参照しながら説明する。
【００２５】
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
【００２６】
ポリ（（1−エトキシエチルスチレン）(40mol%)−（ヒドロキシスチレン）(60mol%））（ベースポリマー）……………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（酸発生剤）…０．１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図１（ａ）に示すように、基板１０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、厚さが５０ｎｍのレジスト膜を形成する。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示すように、加速電圧が２ｋｅＶでエネルギーが０．８μＣ／ｃｍ2 の第１の電子線１０４を、所望の設計パターンを有するマスク１０３を介してレジスト膜１０２に照射することによりパターン露光を行なう。
【００２８】
次に、図１（ｃ）に示すように、パターン露光を行なったレジスト膜１０２の全面に、加速電圧が１．５ｋｅＶでエネルギーが０．５μＣ／ｃｍ2 の第２の電子線１０５を照射する。
【００２９】
次に、図１（ｄ）に示すように、第１の電子線１０４によるパターン露光及び第２の電子線１０５による全面照射を行なったレジスト膜１０２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間加熱した後、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なうと、図２に示すように、レジスト膜１０２の未露光部よりなり、０．０９μｍのライン幅を有し且つ良好な形状を持つレジストパターン１０２ａが得られる。
【００３０】
第１の実施形態によると、加速電圧が２ｋｅＶの第１の電子線１０４によるパターン露光を行なった後、レジスト膜１０２の全面にわたって加速電圧が１．５ｋｅＶの第２の電子線１０５を照射するため、レジスト膜１０２には、第２の電子線１０５の全面的な照射によりパターンの解像に必要な電子が補充される。このため、レジスト膜１０２における露光部分に現像液に溶解する酸が十分に発生するので、レジストパターン１０２ａのエッジラフネスを小さくできる。例えば、得られたレジストパターン１０２ａは、そのラインのエッジラフネスが３ｎｍ（３σ）と小さくなり、良好な形状となる。
【００３１】
なお、第２の電子線１０５によるレジスト膜１０２への全面照射の照射量（露光量）は、レジスト膜１０２における現像液による溶解のしきい値を超えない程度に設定する必要がある。
【００３２】
また、第１の実施形態において、レジスト膜１０２をパターン露光する第１の電子線１０４の加速電圧は１０ｋｅＶ以下が好ましく、この場合に、第１の電子線１０４の露光電子を補充する第２の電子線１０５における加速電圧及び電子のエネルギーは、第１の電子線１０４における加速電圧及び電子のエネルギーと等しいか小さいことが好ましい。
【００３３】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法について、図３（ａ）〜図３（ｄ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照しながら説明する。
【００３４】
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
【００３５】
ポリ（（1−エトキシエチルスチレン）(40mol%)−（ヒドロキシスチレン）(60mol%））（ベースポリマー）……………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（酸発生剤）…０．１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図３（ａ）に示すように、基板２０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、厚さが５０ｎｍのレジスト膜を形成する。
【００３６】
次に、図３（ｂ）に示すように、加速電圧が２ｋｅＶでエネルギーが０．８μＣ／ｃｍ2 の第１の電子線２０４を、所望の設計パターンを有するマスク２０３を介してレジスト膜２０２に照射することによりパターン露光を行なう。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１の電子線２０４によるパターン露光を行なったレジスト膜２０２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間の第１の加熱処理を行なう。
【００３８】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１の加熱処理を行なったレジスト膜２０２の全面に、加速電圧が１．５ｋｅＶでエネルギーが０．５μＣ／ｃｍ2 の第２の電子線２０５を照射する。
【００３９】
次に、図４（ａ）に示すように、第２の電子線２０５による全面照射を行なったレジスト膜２０２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間の第２の加熱処理を行なった後、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なうと、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２０２の未露光部よりなり、０．０９μｍのライン幅を有し且つ良好な形状を持つレジストパターン２０２ａが得られる。
【００４０】
第２の実施形態によると、加速電圧が２ｋｅＶの第１の電子線２０４によるパターン露光を行なった後、１回目のポスト露光ベークを行ない、続いて、レジスト膜２０２の全面にわたって加速電圧が１．５ｋｅＶの第２の電子線２０５を照射し、さらに２回目のポスト露光ベークを行なう。このため、レジスト膜２０２には、第２の電子線２０５の全面的な照射によりパターンの解像に必要な電子が補充される。このため、レジスト膜２０２における露光部分に現像液に溶解する酸が十分に発生するので、レジストパターン２０２ａのエッジラフネスを小さくできる。その上、第１及び第２の電子線２０４、２０５を照射するたびに、ポスト露光ベークを行なうため、レジスト膜２０２における露光部分に酸発生剤から発生した酸のレジスト膜２０２中における拡散の程度を調整することができる。これにより、得られたレジストパターン２０２ａは、そのラインのエッジラフネスが２．５ｎｍ（３σ）とさらに小さくなり、良好な形状となる。
【００４１】
なお、第２の電子線２０５によるレジスト膜２０２への全面照射の照射量（露光量）は、レジスト膜２０２における現像液による溶解のしきい値を超えない程度に設定する必要がある。
【００４２】
また、第２の実施形態において、レジスト膜２０２をパターン露光する第１の電子線２０４の加速電圧は１０ｋｅＶ以下が好ましく、この場合に、第１の電子線２０４の露光電子を補充する第２の電子線２０５における加速電圧及び電子のエネルギーは、第１の電子線２０４における加速電圧及び電子のエネルギーと等しいか小さいことが好ましい。
【００４３】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係るパターン形成方法について、図５（ａ）〜図５（ｄ）及び図６を参照しながら説明する。
【００４４】
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
【００４５】
ポリ（（1−エトキシエチルスチレン）(40mol%)−（ヒドロキシスチレン）(60mol%））（ベースポリマー）……………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（酸発生剤）…０．１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図５（ａ）に示すように、基板３０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、厚さが５０ｎｍのレジスト膜を形成する。
【００４６】
次に、図５（ｂ）に示すように、形成されたレジスト膜３０２の全面に、加速電圧が１．５ｋｅＶでエネルギーが０．５μＣ／ｃｍ2 の第１の電子線３０５を照射する。
【００４７】
次に、図５（ｃ）に示すように、第１の電子線３０５が全面照射されたレジスト膜３０２に対して、加速電圧が２ｋｅＶでエネルギーが０．８μＣ／ｃｍ2 の第２の電子線３０４を、所望の設計パターンを有するマスク３０３を介して照射することによりパターン露光を行なう。
【００４８】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１の電子線３０５による全面照射及び第２の電子線３０４によるパターン露光を行なったレジスト膜３０２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間加熱した後、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なうと、図６に示すように、レジスト膜３０２の未露光部よりなり、０．０９μｍのライン幅を有し且つ良好な形状を持つレジストパターン３０２ａが得られる。
【００４９】
第３の実施形態によると、まず、レジスト膜３０２の全面にわたって加速電圧が１．５ｋｅＶの第１の電子線３０５を照射した後、加速電圧が２ｋｅＶの第２の電子線３０４によるパターン露光を行なうため、レジスト膜３０２には、第１の電子線３０５の全面的な照射によりパターンの解像に必要な電子が補充される。このため、レジスト膜３０２における露光部分に現像液に溶解する酸が十分に発生するので、レジストパターン３０２ａのエッジラフネスを小さくできる。例えば、得られたレジストパターン３０２ａは、そのラインのエッジラフネスが３ｎｍ（３σ）と小さくなり、良好な形状となる。
【００５０】
なお、第１の電子線３０５によるレジスト膜３０２への全面照射の照射量（露光量）は、レジスト膜３０２における現像液による溶解のしきい値を超えない程度に設定する必要がある。
【００５１】
また、第３の実施形態において、レジスト膜３０２をパターン露光する第２の電子線３０４の加速電圧は１０ｋｅＶ以下が好ましく、この場合に、第２の電子線３０４の露光電子を補充する第１の電子線３０５における加速電圧及び電子のエネルギーは、第２の電子線３０４における加速電圧及び電子のエネルギーと等しいか小さいことが好ましい。
【００５２】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係るパターン形成方法について、図７（ａ）〜図７（ｄ）、図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照しながら説明する。
【００５３】
まず、以下の組成を有するポジ型の化学増幅型レジスト材料を準備する。
【００５４】
ポリ（（1−エトキシエチルスチレン）(40mol%)−（ヒドロキシスチレン）(60mol%））（ベースポリマー）……………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（酸発生剤）…０．１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図７（ａ）に示すように、基板４０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、厚さが５０ｎｍのレジスト膜を形成する。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示すように、形成されたレジスト膜４０２の全面に、加速電圧が１．５ｋｅＶでエネルギーが０．５μＣ／ｃｍ2 の第１の電子線４０５を照射する。
【００５６】
次に、図７（ｃ）に示すように、第１の電子線４０５により全面照射を行なったレジスト膜２０２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間の第１の加熱処理を行なう。
【００５７】
次に、図７（ｄ）に示すように、第１の電子線４０５が全面照射されたレジスト膜４０２に対して、加速電圧が２ｋｅＶでエネルギーが０．８μＣ／ｃｍ2 の第２の電子線４０４を、所望の設計パターンを有するマスク４０３を介して照射することによりパターン露光を行なう。
【００５８】
次に、図８（ａ）に示すように、第１の電子線４０５による全面照射及び第２の電子線４０４によるパターン露光を行なったレジスト膜４０２に対して、ホットプレートにより１００℃の温度下で６０秒間の第２の加熱処理を行なった後、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により現像を行なうと、図８（ｂ）に示すように、レジスト膜４０２の未露光部よりなり、０．０９μｍのライン幅を有し且つ良好な形状を持つレジストパターン４０２ａが得られる。
【００５９】
第４の実施形態によると、まず、レジスト膜４０２の全面にわたって加速電圧が１．５ｋｅＶの第１の電子線４０５を照射し、続いて、１回目のポスト露光ベークを行ない、その後、加速電圧が２ｋｅＶの第１の電子線２０４によるパターン露光を行ない、さらに２回目のポスト露光ベークを行なう。このため、レジスト膜４０２には、第１の電子線４０５の全面的な照射によりパターンの解像に必要な電子が補充される。このため、レジスト膜４０２における露光部分に現像液に溶解する酸が十分に発生するので、レジストパターン４０２ａのエッジラフネスを小さくできる。その上、第１及び第２の電子線４０５、４０４を照射するたびに、ポスト露光ベークを行なうため、レジスト膜４０２における露光部分に酸発生剤から発生した酸のレジスト膜４０２中における拡散の程度を調整することができる。これにより、得られたレジストパターン４０２ａは、そのラインのエッジラフネスが３ｎｍ（３σ）と小さくなり、良好な形状となる。
【００６０】
なお、第１の電子線４０５によるレジスト膜４０２への全面照射の照射量（露光量）は、レジスト膜４０２における現像液による溶解のしきい値を超えない程度に設定する必要がある。
【００６１】
また、第４の実施形態において、レジスト膜４０２をパターン露光する第２の電子線４０４の加速電圧は１０ｋｅＶ以下が好ましく、この場合に、第２の電子線４０４の露光電子を補充する第１の電子線４０５における加速電圧及び電子のエネルギーは、第２の電子線４０４における加速電圧及び電子のエネルギーと等しいか小さいことが好ましい。
【００６２】
また、第１〜第４の各実施形態において、レジスト膜にはポジ型の化学増幅型レジスト材料を用いたが、これに限られない。
【００６３】
また、電子線によりレジスト膜の露光部分が架橋反応等により現像液に不溶性となるネガ型のレジスト材料であっても、パターン露光時以外にも露光部分に電子が補充されるため、露光部分における架橋反応等が十分に起こるようになるので、レジスト膜の露光部分からなるレジストパターンの形状を良好にすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明に係るパターン形成方法は、加速電圧が低い電子線露光により得られるレジストパターンにおけるエッジのラフネスを小さくしてエッジの形状を良好にできるという効果を有し、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて用いられるパターン形成方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法の一工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図であ
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るパターン形成方法の一工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図であ
【図９】（ａ）〜（ｄ）は従来のパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０１    基板
１０２    レジスト膜
１０２ａ  レジストパターン
１０３    マスク
１０４    第１の電子線
１０５    第２の電子線
２０１    基板
２０２    レジスト膜
２０２ａ  レジストパターン
２０３    マスク
２０４    第１の電子線
２０５    第２の電子線
３０１    基板
３０２    レジスト膜
３０２ａ  レジストパターン
３０３    マスク
３０４    第２の電子線
３０５    第１の電子線
４０１    基板
４０２    レジスト膜
４０２ａ  レジストパターン
４０３    マスク
４０４    第２の電子線
４０５    第１の電子線
【図１】
2005150182.tif 000003
【図２】
2005150182.tif 000004
【図３】
2005150182.tif 000005
【図４】
2005150182.tif 000006
【図５】
2005150182.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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