(57)【要約】【課題】  本発明は、少ない工程数で作製可能であり、開口率が広くコンタクト特性の良好なアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明は、基板と、基板上に、少なくとも一方の側面が傾斜面である第１の溝を有するよう設けられる接着層と、傾斜面上に設けられるアクティブ素子と、溝の底部に設けられ、アクティブ素子の底部側に設けられた第１の電極と接続する第１の配線と、第１の配線上に設けられる絶縁層と、第１の配線とは異なる方向となるよう接着層の上面及び絶縁層の上に設けられ、アクティブ素子の溝の上部側に設けられた第２の電極と接続する第２の配線とを具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板。を提供する。【選択図】  図１ 
2005150250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、少なくとも一方の側面が傾斜面である第１の溝を有するよう設けられる接着層と、
前記傾斜面上に設けられるアクティブ素子と、
前記溝の底部に設けられ、前記アクティブ素子の前記底部側に設けられた第１の電極と接続する第１の配線と、
前記第１の配線上に設けられる絶縁層と、
前記第１の配線とは異なる方向となるよう前記接着層の上面及び前記絶縁層の上に設けられ、前記アクティブ素子の前記溝の上部側に設けられた第２の電極と接続する第２の配線と
を具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板。
【請求項２】
前記接着層の前記上面と前記絶縁層の表面の前記基板面からの高さがほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項３】
前記接着層と前記アクティブ素子との間に支持層が設けられることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項４】
前記アクティブ素子は第３の電極を有し、かつ、前記接着層の前記上面には画素電極が設けられ、
前記画素電極のコンタクト電極が、前記溝の前記上部側に設けられた前記第３の電極と接続していることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項５】
前記基板上の前記第２の配線に対応する領域に第２の溝が形成されていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項６】
前記基板上の前記コンタクト電極と前記第３の電極とが接続している領域に凹部が形成されていることを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項７】
前記傾斜面と前記基板面とのなす角が、２０度以上８５度以下であることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項８】
前記支持層の端面が傾斜した傾斜端面であり、前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくとも１つが前記傾斜端面上まで延在していることを特徴とする請求項３記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項９】
前記第１の配線と前記第１の電極との間のぬれ性が、前記第１の配線と前記接着層との間のぬれ性よりも大きいことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項１０】
前記第２の配線と前記第２の電極との間のぬれ性が、前記第２の配線と前記接着層との間のぬれ性よりも大きいことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項１１】
前記第１の配線若しくは前記第２の配線と前記接着層との間のぬれ性が、前記第１の配線若しくは前記第２の配線と前記アクティブ素子との間のぬれ性よりも大きいことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられ、ほぼ一定の方向に延伸しかつ少なくとも一方の壁面が傾斜している複数の溝を有する接着層と、
前記傾斜した壁面に配置され、夫々が複数の電極を有する複数のアクティブ素子群と、
前記溝の底部に配置され、同一の溝に配置される前記アクティブ素子群のうち、前記溝の底部側に位置する各電極を共通に接続する第１の配線と、
前記第１の配線上に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層を超えるように前記接着層上に配置され、異なる溝に配置される前記アクティブ素子群の電極のうち、前記溝の上部側に位置する各電極を共通に接続する第２の配線と
を具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板。
【請求項１３】
転写元基板に第１の電極及び第２の電極を有するアクティブ素子を形成する工程と、
転写先基板上に、少なくとも一方の側面が傾斜面である溝を有するよう設けられる接着層を形成する工程と、
前記転写元基板から前記転写先基板の前記傾斜面上に、前記第１の電極が前記溝の底部側に、前記第２の電極が前記溝の上部側に配置されるよう前記アクティブ素子を転写する工程と、
前記アクティブ素子の前記第１の電極と接続する第１の配線を前記溝の前記底部側に形成する工程と、
前記第１の配線上に絶縁層を形成する工程と、
前記アクティブ素子の前記第２の電極と接続し、前記第１の配線とは異なる方向となるよう第２の配線を前記接着層及び前記絶縁層の上に形成する工程と
を具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックス基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在広く用いられている、アクティブ素子によるマトリックス駆動可能なアクティブマトリックス基板は、支持基板に薄膜を堆積させ、機能発現可能な形状に加工するフォトエッチングプロセスを行う作業を繰り返すことにより形成されている。
【０００３】
アクティブマトリックス基板にマトリックス配線を形成する場合には、例えば、アクティブ素子とスルーホール部を介して接続するよう第１配線層を成膜した後、第１配線層の形状加工を行う。その後、配線同士のマトリックス交点での短絡や配線間のカップリングを防ぐために層間絶縁層を形成し、層間絶縁層に開けられたスルーホールを介して、第２配線層を形成することになる。このとき、アクティブ素子形成後のマトリックス配線形成のために、第１配線層の成膜・形状加工、層間絶縁膜の成膜・形状加工、及び第２配線層の成膜・形状加工が必要となる。
【０００４】
一方、近年のプリンティング技術の進化により、マトリックス配線形成を、印刷法を用いて形成する試みも検討されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、マトリックス配線形成時の成膜と形状加工を一度に行えるため、コスト低減に有効であると考えられている。
【０００５】
印刷法によりマトリックス配線を形成する場合には、例えば、アクティブ素子とスルーホール部を介して接続するよう印刷法を用いて第１配線層の成膜と形状加工を一度に行うことになる。その後、配線同士のマトリックス交点での短絡や配線間のカップリングを防ぐために層間絶縁層を形成し、層間絶縁層に開けられたスルーホールを介して、第２配線層を、同様に印刷法を用いて形成する。このとき、アクティブ素子形成後のマトリックス配線形成のために、第１配線の印刷加工、層間絶縁膜の成膜・形状加工、第２配線の印刷加工が必要となる。
【０００６】
上述したような方法で、アクティブマトリックス基板を作製する場合には、以下のような問題があった。
【０００７】
まず、印刷法を用いずにマトリックス配線を作製する場合、上述したように、アクティブ素子形成工程以外に３回以上の成膜工程と形状加工工程が必要になる。これらの工程を行うためには多くの時間と部材が必要になる。また、層間絶縁層については、配線と配線の間の交差部において短絡や配線カップリングを防ぐために、例えば０．５μｍ程度の充分に厚い膜厚が必要となる。このため、マトリックス配線とアクティブ素子とのコンタクト不良を避けるために、スルーホール部は充分な大きさと緩やかな傾斜角が必要となる。このため、アクティブ素子の電極コンタクトに必要な面積が増加することになる。これは、例えば、アクティブマトリックス基板をディスプレイに用いた場合、開口率の減少などをもたらすことになる。
【０００８】
また、印刷法を用いてマトリックス配線を作製する場合でも、インクジェット法などの印刷法を用いた場合には、配線形成の工程が低減されるものの、配線パターンの安定性に欠ける。すなわち、段差がある部分への塗布の際には、段差の低い部分には液滴が溜まりやすいため厚くなり、段差の高い部分は薄くなる傾向がある。また、スルーホール部に関しても、コンタクト不良を回避するためには、スルーホール部への充分な液量の滴下が必
要になる。このとき、通常のアクティブ素子では、スルーホール開口部は配線形成位置と比較して、配線基板面に対して高い位置に形成されるため、インクなどが流れ込みにくい構成となっている。このため、インクヘッドをスルーホール位置に厳密に制御する必要がある。さらに、段差部や傾斜部では、インクなどが段差や傾斜により出来た低い位置に流れてしまい、当初のパターンを変形させてしまう。アクティブ素子周辺ではマトリックス配線やコンタクト部が比較的接近しているために、この変形のために、線間ショートや容量カップリングを誘発する原因となることがある。
【０００９】
他方、予め多数の薄膜トランジスタを密に支持基板上に形成しておき（転写元基板）、この転写元基板から必要とされる数の薄膜トランジスタを転写元基板とは異なる支持基板（転写先基板）上に転写するという方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、この転写技術を用いた場合でも、配線形成に関しては、前述と同様の配線形成技術を用いている。
【特許文献１】特開２００３−２５１２４３公報（第５−２０頁）
【特許文献２】特開２００１−７３４０公報（第３−７頁、第１５図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように、少ない工程数で作製可能であり、コンタクト特性の良好なアクティブマトリックス基板及びその製造方法を得ることが出来なかった。
【００１１】
本発明は、この問題に鑑み、少ない工程数で作製可能であり、開口率が広くコンタクト特性の良好なアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで、本発明は、基板と、基板上に、少なくとも一方の側面が傾斜面である第１の溝を有するよう設けられる接着層と、傾斜面上に設けられるアクティブ素子と、溝の底部に設けられ、アクティブ素子の底部側に設けられた第１の電極と接続する第１の配線と、第１の配線上に設けられる絶縁層と、第１の配線とは異なる方向となるよう接着層の上面及び絶縁層の上に設けられ、アクティブ素子の溝の上部側に設けられた第２の電極と接続する第２の配線とを具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板を提供する。
【００１３】
本発明においては、接着層の上面と絶縁層の表面の基板面からの高さがほぼ等しくても良い。
【００１４】
また、本発明においては、接着層とアクティブ素子との間に支持層が設けられても良い。
【００１５】
また、本発明においては、アクティブ素子は第３の電極を有し、かつ、接着層の上面には画素電極が設けられ、画素電極のコンタクト電極が、溝の上部側に設けられた第３の電極と接続していても良い。
【００１６】
また、本発明においては、基板上の第２の配線に対応する領域に第２の溝が形成されていても良い。
【００１７】
また、本発明においては、基板上のコンタクト電極と第３の電極とが接続している領域に凹部が形成されていても良い。
【００１８】
また、本発明においては、傾斜面と基板面とのなす角が、２０度以上８５度以下であっても良い。
【００１９】
また、本発明においては、支持層の端面が傾斜した傾斜端面であり、第１の電極及び第２の電極の少なくとも１つが傾斜端面上まで延在していても良い。
【００２０】
また、本発明においては、第１の配線と第１の電極との間のぬれ性が、第１の配線と接着層との間のぬれ性よりも大きくても良い。
【００２１】
また、本発明においては、第２の配線と第２の電極との間のぬれ性が、第２の配線と接着層との間のぬれ性よりも大きくても良い。
【００２２】
また、本発明においては、第１の配線若しくは第２の配線と接着層との間のぬれ性が、第１の配線若しくは第２の配線とアクティブ素子との間のぬれ性よりも大きくても良い。
【００２３】
また、本発明は、基板と、基板上に設けられ、ほぼ一定の方向に延伸しかつ少なくとも一方の壁面が傾斜している複数の溝を有する接着層と、傾斜した壁面に配置され、夫々が複数の電極を有する複数のアクティブ素子群と、溝の底部に配置され、同一の溝に配置されるアクティブ素子群のうち、溝の底部側に位置する各電極を共通に接続する第１の配線と、第１の配線上に設けられる絶縁層と、絶縁層を超えるように接着層上に配置され、異なる溝に配置されるアクティブ素子群の電極のうち、溝の上部側に位置する各電極を共通に接続する第２の配線とを具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板を提供する。
【００２４】
また、本発明は、転写元基板に第１の電極及び第２の電極を有するアクティブ素子を形成する工程と、転写先基板上に、少なくとも一方の側面が傾斜面である溝を有するよう設けられる接着層を形成する工程と、転写元基板から転写先基板の傾斜面上に、第１の電極が溝の底部側に、第２の電極が溝の上部側に配置されるようアクティブ素子を転写する工程と、アクティブ素子の第１の電極と接続する第１の配線を溝の底部側に形成する工程と、第１の配線上に絶縁層を形成する工程と、アクティブ素子の第２の電極と接続し、第１の配線とは異なる方向となるよう第２の配線を接着層及び絶縁層の上に形成する工程とを具備することを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、少ない工程数で作製可能であり、開口率が広くコンタクト特性の良好なアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施形態に係るアクティブマトリックス基板及びその製造方法においては、アクティブマトリックス基板とは異なる転写元基板の上にアクティブ素子を作製し、仮に支持することが可能な中間転写基板上に一括して移した後、再度、アクティブマトリックス基板に移す。そして、アクティブ素子をアクティブマトリックス基板に転写する時に、アクティブ素子を基板面に対して傾斜して取り付けることを特徴とするものである。
【００２７】
本実施形態のアクティブマトリックス基板を図１に示す。
【００２８】
図１に示すように、本実施形態のアクティブマトリックス基板は、転写先基板１１と、転写先基板１１上に設けられた接着層１２とを有する。接着層１２は、少なくとも一方の側面が傾斜面である溝を有しており、図１においては、溝の他方の側面は図示していない
。また、接着層１２は傾斜面に続く平坦な面（上面）を有する。接着層１２の傾斜面上には、支持層１３と支持層１３上に設けられたアクティブ素子１４が設けられ、アクティブ素子１４は第１の電極１９と第２の電極１８とを有する。第１の電極１９は、溝の底面側に設けられ、第２の電極１８は溝の上部側、つまり接着層１２の上面側に設けられている。例えば、アクティブ素子１４として３端子の薄膜トランジスタを用いた場合、例えば第１の電極１９をゲート電極に接続されているコンタクト部として、第２の電極１８をソース電極またはドレイン電極に接続されているコンタクト部とすることが出来る。このような構成とすることにより、第１の電極１９と第２の電極１８とを、転写先基板面１１面から異なる高さに位置させることが可能となる。
【００２９】
このため、転写先基板面１１に対して異なる高さに第１の電極１９と第２の電極１８とを配置することを、マトリックス配線形成時に利用することが可能になる。つまり、第１の電極１９に接続される配線、例えば、ゲート線に相当する配線を形成するときに、配線形成時には液体または微粒子を分散させた液体のインクで、描画方式を用いた場合、コンタクト部が多少複雑な形状を有している場合でも、図２に示されるように吐出部４１から吐出されたインク４２が液体の流動性から回り込んで埋め込むことが可能となる。このため、従来のスルーホールへの配線形成と比較して、安定したコンタクトが形成できることになる。さらに、傾斜配置したコンタクト部の場合、配線高さ、すなわち、液体を用いた場合には液面高さを、配線全体に渡りほぼ一定にすることが可能である。
【００３０】
接着層１２の傾斜面にアクティブ素子１４を取り付ける際の、第１電極１９や第２電極１８に接続される配線の形成について説明する。
【００３１】
図３から図５は、第１の電極１９へ接続する配線を形成する場合の、配線の液面高さを説明する図である。
【００３２】
図３において、高さＡは支持層１３の溝側の側面での基板面からの最大高さであり、高さＢは第１の電極１９の露出した部分での基板面からの最大高さであり、高さＣはアクティブ素子１４の溝側の側面での基板面からの最大高さである。第１の電極１９に接続するような配線を形成する場合には、図３に示すように、液面高さがＢになるようにインクの量を調整することが好ましい。つまり、第１の電極１９の形成された領域で転写先基板１１面から最も離れた、最も高い位置とすることが好ましい。また、図３において、液面高さがＡからＣの間にあれば、第１の電極１９と配線との接合が保てることになるため、液面高さはＡからＣの間であればよいというマージンが保てることになる。
【００３３】
図４において、高さＤは高さＣと同様でありアクティブ素子１４の溝側の側面での基板面からの最大高さであり、高さＥは接着層１２の厚さと同じであり、高さＦはアクティブ素子１４の溝と反対側の側面での基板面からの最大高さである。アクティブ素子１４の上面に設けたスルーホールなどを介して電極と配線とをコンタクトさせる場合は図４に示すように、ＤからＦの間に液面高さを設けることが好ましく、Ｅをコンタクトホールの最も基板面から離れた位置とするとＥを液面高さにすることが最も好ましい。
【００３４】
図５において、高さＧは支持層１３の溝と反対側の側面での基板面からの最大高さであり、高さＨは第２の電極１８の基板面からの最大高さである。第２電極１８へ接続する配線を形成する場合は、図５に示すように、ＧからＨの間に液面高さを設けることにより、第２電極１８と配線との接合を保つことが可能となる。これらは全て、配線の液面高さを、電極に接する高さ以上、他の電極に配線が接触してしまう高さ未満としている。
【００３５】
図６から図１０は、第１の電極１９へ接続する配線、またこの配線の上に設けられる絶縁層をインク液で形成する場合の、これらのインク液のぬれ性について説明する図である
。第１の電極に接続する配線の上に設けられる絶縁層は、第１の電極に接続する配線と交差する配線との短絡を防ぐために設けられるものである。また、ぬれ性とは、ある液体の固体表面に対する接触角の違いのことである。したがって、インク液が接触角の異なる２つの固体表面に接触している場合、接触角の小さい固体表面の方に優先的に濡れやすいことになる。
【００３６】
図６は、配線を形成するインク液７２の第１の電極１９に対するぬれ性が、接着層１２に対するぬれ性に等しい場合である。この場合、転写先基板１１を水平に置くとインク液７２の液面は基板面に平行となる。
【００３７】
図７は、インク液７３の第１の電極１９に対するぬれ性が、接着層１２に対するぬれ性よりも大きい場合である。この場合は、インク液７３の量が比較的少ない場合でも、第１の電極１９との接触性が優れた配線が形成可能である。
【００３８】
図８は、インク液７４により配線を形成した後、この配線の上に、インク液７５により絶縁層を形成する際のぬれ性についての説明図である。ここでインク液７５を用いた絶縁層を形成する場合、アクティブ素子１４と接着層１２との間では液面高さがほぼ水平であることが望ましい。このため、アクティブ素子１４の表面と接着層１２の表面については、インク液７５に対する濡れ性がほぼ同一であることが望ましいことになる。
【００３９】
図９は、インク液７３の接着層１２に対するぬれ性が、アクティブ素子１４に対するぬれ性よりも大きい場合である。この場合は、インク液７３の量が比較的多い場合でも、第１の電極１９に接続する配線がはみ出して、アクティブ素子１４の他の電極などに接触することを防ぐことが可能である。
【００４０】
図１０は、インク液７７により配線を形成した後、この配線の上に、インク液７８により絶縁層を形成する際のぬれ性についての説明図である。この場合、接着層１２の平坦面、すなわち、インク液７８が触れていない面には、インク液７８との接触角が大きくなるように表面処理を施している。このとき、仮に図１０のようにインク液７８の滴下量が多すぎた場合でも、インク液７８が接着層１２表面への広がりを抑えることが可能になる。
【００４１】
図６から図１０で説明したように、配線や絶縁層をインク液で印刷法により形成する場合、液面高さだけではなく、インク液が接触する領域のぬれ性の違いを利用することでプロセスマージンを広くすることが可能であることが分かる。これは、印刷法で形成する電極や絶縁層全てにおいて言えることである。
【００４２】
次に、本実施形態のアクティブマトリックス基板について、製造方法を説明する。
【００４３】
図１１から図１４は本実施形態における転写元基板にアクティブ素子を形成するまでの工程を説明する図であり、夫々、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）のｅ−ｅ‘間の断面図である。
【００４４】
図１１に示すように、例えばアルミノホウ珪酸塩などから構成される無アルカリガラス等からなる転写元基板５１上に、エレクトロンサイクロトロンレゾナンス（ＥＣＲ）スパッタリング法によりシリコン窒化膜等からなる分離層５２を約５０ｎｍ−２５０ｎｍの厚さとなるよう成膜した後、窒素雰囲気下等で約４５０℃にて１時間程度熱処理を施す。この上にシランを原料に用いたプラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）によるシリコン酸化膜等からなる支持層５３を約５００ｎｍ−７００ｎｍの厚さとなるよう成膜する。さらに、マグネトロンスパッタリング法を用いて、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ，Ｔｉなどの金属やこれらの金属を積層したもの、または、これらの合金などからなる電極層を成膜した
後、フォトエッチングプロセスを用いてゲート電極３１及び第１の電極１９を形成する。この時、第１の電極１９は各コンタクト部を独立に形成せず電気的に接続されている状態で形成すると、作製時の静電破壊を防止できるために好ましい。
【００４５】
図１２に示すように、ゲート電極３１及び第１の電極１９を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜などのシリコン系絶縁材料からなる膜厚４００ｎｍ程度のゲート絶縁膜を成膜後、フォトエッチングプロセスを用いてゲート絶縁部３２を形成する。この上に膜厚５０ｎｍ程度のアモルファスシリコン層と、チャネル保護層３４となる膜厚１００ｎｍ程度の窒化シリコン層等を、ＰＥＣＶＤ法を用いて成膜する。窒化シリコン層についてはゲート電極３１よりもやや小さい程度の形状になるようにフォトエッチングプロセスを用いて加工しチャネル保護層３４とする。チャネル保護層３４を加工した後、原料にシラン及びホスフィン等を用いたＰＥＣＶＤ法にて、リン（Ｐ）がドープされた約３０ｎｍのアモルファスシリコン層を成膜後、マグネトロンスパッタリング法を用いてＭｏ等を３０ｎｍ程度成膜する。フォトエッチングプロセスを用いて、ゲート絶縁部を覆うようにアモルファスシリコン層及びリンがドープされたアモルファスシリコン層およびＭｏ層を島形状に加工する。これを半導体層３３とする。
【００４６】
図１３に示すように、マグネトロンスパッタリング法等を用いて、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗ，Ｔｉやその合金、または、これらの積層膜を成膜した後、フォトエッチングプロセスを用いてソース電極３５とこれに続く第２の電極１８、ドレイン電極３６とこれに続く第３の電極２２を形成する。このとき、図１３（ａ）に示されるように、ソース電極３５及びドレイン電極は、隣り合う第２の電極１８と第３の電極２２とをつなげて、接続された構造とし、さらに、隣り合うラインの第１の電極１９とも接続された構造とする。これは、このような構造を採用することにより、各薄膜トランジスタでの静電破壊が防止できるためである。
【００４７】
図１４に示すように、薄膜トランジスタ部を保護する保護層３７として、ＰＥＣＶＤ法を用いて、膜厚５００ｎｍ−７００ｎｍ程度のシリコン酸化膜等を成膜した後、フォトエッチングプロセスを用いて、コンタクトホール部及び各アクティブ素子領域に相当する形状に加工する。薄膜トランジスタは第１の電極１９、第２の電極１８および第３の電極２２のみが露出しており、その他は支持層５３と保護層３７とに覆われている。
【００４８】
図１５から図１７は本実施形態において転写元基板から中間転写基板に一括して一時的にアクティブ素子を転写する工程を説明する図であり、図１５（ａ）は平面図、図１５(ｂ）は図１５（ａ）のｆ−ｆ‘間の断面図、図１６及び図１７は図１５（ｂ）に対応した断面図である。
【００４９】
図１５に示すように、転写元基板５１上には、分離層５２及び支持層５３が積層され、その上に、第１の電極１９、第２の電極１８及び第３の電極２２以外が保護層３７で覆われたアクティブ素子が設けられている。
【００５０】
図１６に示すように、保護層３７に覆われたアクティブ素子が設けられた転写元基板５１上に、例えば、ＵＶ光にて局所的に発泡するような有機樹脂部５４をスピンコート法等により塗布した後、例えば石英基板のようなＵＶ透過性に優れた中間転写基板５５を接着する。このとき、有機樹脂部５４と中間転写基板５５間には気泡などが混入しないように減圧雰囲気下で行うことが望ましい。
【００５１】
図１７に示すように、アクティブ素子を形成するのに用いた転写元基板５１を除去する。まず、研磨材を用いた機械的な研磨方法を用いて、転写元基板５１を５０μｍ−８０μｍ程度まで研磨する。このとき、研磨材は、最初、大きな粒径のものでよいが、基板の厚
みが薄くなるにつれて、小さな粒径のものを用いるとよい。また、基板厚が５０μｍ−８０μｍ未満になると、研磨時の応力などで、転写元基板５１の変形や静電気の発生により、アクティブ素子にダメージを与えるため、機械的研磨は５０μｍ−８０μｍ程度までが望ましい。次に、フッ酸を主成分としたエッチャントを用いた化学的研磨方法を用いて、転写元基板５１がほぼ除去できるまで転写元基板５１のエッチングを行う。ここで、転写元基板５１が除去されると、ＥＣＲスパッタリング法等により成膜されたシリコン窒化膜などによる分離層５２面が露出することになる。ここで、エッチング時のフッ酸系エッチャントにおいて、例えばアンモニアや硫酸などの添加量を調整することにより、ガラス基板とシリコン窒化膜とのエッチングレート比を大きくすることができる。このため、転写元基板５１の完全な除去が可能になる。このとき、分離層５２に透光性があるため、そのまま残しても構わないし、除去して支持層５３面を露出させてもよい。図１７では分離層５２を残さない場合を示している。さらに、転写元基板５１を除去した面にフォトエッチングプロセスを行うことによりアクティブ素子領域相当に裏面から形状加工を行う。このときの形状加工は、ガラス基板面に接触していた分離層５２、支持層５３及び、共通化されていた第１の電極１９、第２の電極１８、第３の電極２２の分離である。このエッチングプロセスにより、各アクティブ素子は、それぞれ独立なアクティブ素子部に分離できることになる。
【００５２】
図１８から図２１は本実施形態において中間転写基板から転写先基板に選択的にアクティブ素子を転写する工程を説明する図であり、図１８においては（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）のｈ−ｈ‘間の断面図であり、図１９から図２１は図１８（ｂ）に対応した断面図である。
【００５３】
図１８に示すように、転写先基板５６上にフォトエッチングプロセス等を用いて、信号線を形成する予定の領域に信号線用溝６１を、画素電極とのコンタクトとる予定のコンタクト形成予定領域に凹部６２を形成する。転写先基板５６としては、液晶ディスプレイで広く使用されている無アルカリガラス基板等を用いることができる。この信号線用溝６１と凹部６２とは、転写先基板５６上に感光性ノボラック系樹脂や感光性ポリイミドなどを一面に形成し、フォトプロセスを用いて溝と凹部を形成しても良い。転写先基板５６上には、アクリル系樹脂等による接着層５７を形成し、後に走査線を形成するための走査線用溝５８をあける。また、信号線用溝６１と凹部６２を設けた領域では、接着層５７上に凹みが自己整合的に形成されている。接着層５７としては、アクリル系樹脂以外にもユリア樹脂系、メラニン樹脂系、フェノール樹脂系、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂などを用いることができる。
【００５４】
図１９に示すように、フォトプロセスで走査線用溝５８の側面の少なくとも一方に傾斜面５９を形成する。この傾斜面５９の傾斜角を決定する接着層５７の端部の傾きは、フォトプロセスの露光時間とアクリル樹脂の焼成温度により制御する。傾斜角は２０度以上８５度以下であることが好ましい。２０度以上とすることにより、後に形成する配線が安定に形成可能となり、８５度以下とすることにより、アクティブ素子１４の選択転写性を高く保つことが出来る。そして、アクティブ素子１４が接着された中間転写基板５５と、接着層５７に傾斜面５９を形成した転写先基板５６とを、転写されるアクティブ素子１４が傾斜面５９の所定の位置となるように重ね合わせる。
【００５５】
図２０に示すように、中間転写基板５５に設けられたアクティブ素子１４のうち、転写するアクティブ素子１４に対応する位置の有機樹脂部５４に中間転写基板５５側からＵＶ光を照射する。このとき、ＵＶ光が照射された領域は、ＵＶ光による発泡剥離する有機樹脂部５４が発泡して体積膨張する。このため、転写される前のアクティブ素子１４は中間転写基板５５及び転写先基板５６の基板面に水平であるが、この発泡剥離の際に接着層５７の傾斜面５９にあわせて傾斜接着されることになる。この後転写されたアクティブ素子
１４が充分に接着層５７の傾斜面５９に固定されるように１２０℃程度でのアニール処理を施す。
【００５６】
図２１に示すように、中間転写基板５５と転写先基板５６とを分離すると、転写先基板５６の傾斜面５９に転写されるべきアクティブ素子１４が転写されることになる。転写元基板５１及び中間転写基板５５ではアクティブ素子１４を密に形成し、その中から選択的に転写先基板５６に転写している。
【００５７】
図２２から図２４は本実施形態において転写先基板上のアクティブ素子に対する配線を形成する工程を説明する図であり、夫々において（ａ）が平面図、（ｂ）がｈ−ｈ‘間の断面図である。
【００５８】
図２２に示すように、アクティブ素子１４が転写先基板５６に転写された状態では、走査線に相当する部分に走査線用溝５８が、信号線に相当する部分に信号線用溝６１により自己整合的に接着層５７上に出来た溝が、画素電極とのコンタクト領域に相当する部分に凹部６２により自己整合的に接着層５７上に出来た凹部が、形成されている
図２３に示すように、走査線用溝５８のほぼ中心に沿って、インク液を適量滴下する。このインク液は、導電性を発現する銀の微粒子を分散させた材料を用い、インクジェット法により滴下する。このとき、インク液は走査線用溝５８の側面位置にあわせて形状を変えるため、多少の位置ズレや滴下量の不均一は自己整合的に調整可能である。ここで、インク溶媒の揮発とインクの固化のために１５０℃程度でアニール処理を施すことにより、第１の電極１９に接続した走査線６３が形成される。走査線６３の上にはインクジェット法により絶縁層６４を形成する。このとき、インク液の材料には、焼成後に充分な絶縁性を有するイミド系樹脂を採用する。ここで、イミド系樹脂は、焼成工程を経ることにより絶縁性に優れたポリイミド化が可能である。絶縁層６４の材料としては、この他にもユリア樹脂系、フェノール樹脂系、エポキシ系樹脂などを用いることが出来る。
【００５９】
走査線６３を形成する際の詳細を、図２５及び図２６に示す。図２５と図２６は図２３におけるｇ−ｇ‘間の断面図である。走査線用溝にインクを滴下した直後は、図２５のように走査線６３の液面高さが均一な層となっているが、インクの乾燥、焼成工程後は、インク固化の際の大きな体積変化のために図２６のように、信号線用溝に相当する領域８２の凹部は形状を保存することになる。このため、走査線と信号線の交差部においても信号線用溝の凹部は維持できることになる。また、絶縁層６４の表面の転写先基板５６面からの高さを、接着層５７上面とほぼ同じとすると、接着層５７と絶縁層６４との間で信号線用溝の凹部の高さをほぼ等しくことが出来る。
【００６０】
図２４に示すように、信号線用溝６１と凹部６２の形成により接着層５７に凹みが出来た領域に、走査線６３形成と同様の材料によるインクジェット法を用いて、信号線６５及びコンタクト電極６６を作製する。このとき、信号線６５と第２の電極１８、及びコンタクト電極６６と第３の電極２２とが信頼性高く接続されるよう、信号線６５及びコンタクト電極６６に充分な量のインクが滴下されるように、インクジェット法により２度塗り塗布を行う。
【００６１】
また、透過型液晶ディスプレイ用のアクティブマトリックス基板として利用するためには、画素電極を形成する必要がある。画素電極は以下のように作製すれば良い。まず、信号線６５及びコンタクト電極６６を形成した後に全面にフォトプロセスで形状加工可能なアクリル樹脂（図示せず）を、０．８μｍ程度で成膜した後、コンタクト電極６６部分のアクリル樹脂にスルーホールを形成する。このアクリル樹脂部が層間絶縁膜となる。ここで、層間絶縁膜は、信号線やコンタクト電極を保護するとともに、マトリックス基板表面を平坦化する効果もある。本層間絶縁膜を形成後、スルーホールを介してコンタクト電極
６６と接続するインジウムとスズの酸化物をＲＦマグネトロンスパッタリング法により膜厚を１００ｎｍ程度成膜した後、フォトエッチングプロセスを用いて、所望の形状の画素電極６７とする。
【００６２】
このようにして完成した本実施形態のアクティブマトリックス基板を図２７から図３０及び図４２に示す。図２７は本実施形態のアクティブマトリックス基板の１画素部分を示す平面図であり、図２８はアクティブ素子１４を拡大した平面図、図２９は図２７のａ−ａ‘間の断面図であり、図３０は図２７のｃ−ｃ’間の断面図である。また、図４２は図２７のアクティブ素子が行列方向にマトリックス状に並ぶ様子を示す平面図である。
【００６３】
これらの図に示されるように、本実施形態のアクティブマトリックス基板は、転写先基板５６上に信号線用溝６１とドレイン電極と画素電極とのコンタクトを取るための凹部６２とが設けられ、その上に接着層５７が設けられている。接着層５７をパターニングして走査線用溝５８が設けられ、走査線用溝５８の少なくとも一方の側面は傾斜面となっており、この傾斜面に支持層５３上に設けられたアクティブ素子１４が接着されている。アクティブ素子１４の第１電極１９は走査線用溝５８の底部側に設けられ、この走査線用溝５８に形成された走査線６３と接続している。走査線６３の上には、これと交差する信号線６５との短絡を防ぐための絶縁層６４が走査線６３と平行となるよう設けられる。接着層５７及び絶縁層６４上の、転写先基板５６に設けられた信号線用溝６１に対応する領域は凹みが自己整合的に形成され、この凹みの上に信号線６５が設けられ第２の電極１８に接続する。また、接着層５７上の、転写先基板５６に設けられた凹部６２に対応する領域は凹みが自己整合的に形成され、この凹みの上にコンタクト電極６６が設けられ第３の電極２２に接続する。その上に層間絶縁膜１０１が設けられ、凹部６２領域にスルーホール１０２が開けられてその上に形成された画素電極６７とコンタクト電極６６とが接続する。
【００６４】
また、各々のアクティブ素子を、図３１から図３３に示す。図３１は本実施形態のアクティブ素子の平面図であり、図３２は図３１のｄ−ｄ‘間の断面図であり、図３３は図３１のｅ−ｅ’間の断面図である。
【００６５】
これらの図に示されるように、本実施形態のアクティブ素子は、支持層５３上にパターニングされたゲート電極３１が形成され、このゲート電極３１を覆うようにゲート絶縁膜３２が設けられている。ゲート絶縁膜３２上には半導体層３３が設けられ、その上にはゲート電極３１よりやや小さい程度の大きさのチャネル保護膜３４が設けられている。半導体層３３上には、チャネル保護膜３４で分離されたソース電極３５及びドレイン電極３６が設けられ、これらはその上に設けられた保護膜３７と支持層５３とで覆われている。ゲート電極３１につながる第１の電極１９、ソース電極３５につながる第２の電極１８、ドレイン電極３６につながる第３の電極２２のみが、保護層３７で覆われずに露出している。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態においては、転写元基板で形成したアクティブ素子を、転写先基板に接着層に溝を形成し、溝の側面を傾斜面としてこの傾斜面に貼り付けている。このように転写方法を用いることにより、１枚の転写元基板から多くのアクティブマトリックス基板が作製できるという特徴がある。また、配線を形成するインクが含侵しやすいように一部が開放されたような構造を取っている。そして、マトリックス配線を形成する際の線幅など形状の安定性は、このアクティブ素子を接着するためにマトリックス基板側に形成される層（接着層）を利用することができる。つまり、配線に相当する溝が形成されていれば、インクは、その溝の形状に合わせて変化させることが可能となる。通常、印刷法による配線形成では、予め、例えば、フォトプロセスによるパターン形成可能なアクリル樹脂などを用いて、この溝構造を形成する必要があり、この場合は配線形成のためのフォトプロセスが追加され、印刷法の利点があまり生かされないことになってしまう
ことになる。しかしながら本実施形態では、アクティブ素子を傾斜配置するための接着層を、そのまま、配線の形状安定化に使用できるため、このフォトプロセスが削減でき、工程数削減の印刷法の優位性が活かされることになる。
【００６７】
また、接着層の溝を利用したゲート線形成を同様に、信号線やコンタクト電極などの形成についても接着層の段差被覆性を利用した線幅制御が可能となる。すなわち、アクティブマトリックスを構成する支持基板面に、信号線相当に位置する部分やコンタクト電極に位置する部分にあらかじめ段差を形成しておく。これは、フォトエッチングプロセスにて支持基板表面を加工してもよいし、フォトプロセスにて形状加工可能な例えばイミド系樹脂などを用いて、信号線やコンタクト電極に位置する部分をパターニングしても良い。この信号線相当形状やコンタクト電極相当形状は、傾斜配置させるための接着層を形成しても、ほぼ同等の形状を接着層表面に維持することが可能である。このため、例えば、液体または微粒子を分散させた液体のインクを用いて信号線やコンタクト電極を形成する場合でも、ゲート線を形成するときと同様の手法を用いて、コンタクト特性が良好で、配線幅に不均一が少なく、抵抗断面積の大きい配線形成が可能である。
【００６８】
本実施形態ではマトリックス配線の層間絶縁膜形成の際もフォトプロセスが不要になる。これは、一方のマトリックス配線を形成したとき、その配線は基板最表面に対して低いところに位置しているためである。従来、層間絶縁膜は基板面全面に絶縁膜を成膜後、コンタクトを取るスルーホールをフォトエッチングプロセスで形成する必要がある。しかし、本実施形態では、溝への絶縁性インク滴下により自己整合的に層間絶縁膜を形成可能であるため、工程数を削減できることになる。したがって、電極と配線とのコンタクト部は、スルーホールを開けてそのスルーホールを介して接続する構造を極力減らすことが出来る。このため、コンタクト部の占有面積を小さくすることが可能となる。
【００６９】
また、通常の印刷法による配線形成においては、その抵抗断面積は、印刷時に使用するインクの粘度に依存するが、一般的にはアニール固化した後の配線膜厚は、高々サブミクロン厚であり、膜厚を厚くするためには、重ね塗りなどの工程が必要になる。これは、一度に大量のインクを滴下した場合、配線厚の増加とともに配線幅の増加をもたらすためである。しかし、本実施形態においては、図３４に示されるとおり、転写先基板１１には溝１１２が設けてあり、接着層１２がこの溝により自己整合的に同様な溝を形成することから、配線１１３幅は接着層１２にて制限されるため、一度に大量のインクを滴下することでの配線幅を増加させずに、より均一に配線厚を増加させることが可能である。また、傾斜配置したアクティブ素子は、そのコンタクト部も傾斜配置されるため、配線厚は比較的厚膜が望ましいことになる。このため、配線としての抵抗断面積も広く取ることができるため、配線の低抵抗化が実現できる。また、図３５のように、配線１１３を形成する際と同一の溝を利用して、層間絶縁膜１１４も一方のマトリックス配線を形成する場合と同じようにインクジェット法などの印刷法を用いて、絶縁性に優れた液体を溝に滴下した後硬化させることにより形成可能である。
【００７０】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、接着層の溝の傾斜角が緩やかな場合でも、アクティブ素子のコンタクト特性を良好に保つための構造である。本実施形態のアクティブマトリックス基板については、第１の実施形態とは異なる部分についてのみ説明し、同様の部分は省略する。
【００７１】
本実施形態のアクティブマトリックス基板は、図３６に示すように、支持層１３の側面が傾斜面となっており、この傾斜面にも第１の電極１２１、第２の電極１２２及び第３の電極（図示せず）が延在している点が第１の実施形態とは異なる。
【００７２】
このため、図３６に示されるように、各電極と配線との接触面積は広くなるため、良好
なコンタクト特性が維持できることになる。さらに、本構造を採用した場合、図３７に示されるように、アクティブ素子が接着される溝の傾斜角が通常のもの（αで表す）よりも小さく、例えば１５度から２５度程度に緩やかな場合（βで表す）でも良好な接続特性が得ることができる。
【００７３】
本実施形態の各々のアクティブ素子を、図３８から図４０に示す。図３８は本実施形態のアクティブ素子の平面図であり、図３９は図３８のｋ−ｋ‘間の断面図であり、図４０は図３８のｊ−ｊ’間の断面図である。
【００７４】
これらの図に示されるように、本実施形態のアクティブ素子は、四方の側面１２３が傾斜角を有する支持層１３上にパターニングされたゲート電極３１が形成され、このゲート電極３１を覆うようにゲート絶縁膜３２が設けられている。ゲート絶縁膜３２上には半導体層３３が設けられ、その上にはゲート電極３１よりやや小さい程度の大きさのチャネル保護膜３４が設けられている。半導体層３３上には、チャネル保護膜３４で分離されたソース電極３５及びドレイン電極３６が設けられ、これらはその上に設けられた保護膜３７と支持層１３とで覆われている。図４０に示すように、ゲート電極３１につながる第１の電極１２１は、傾斜面１２６まで延在している。図３８に示すように、ソース電極３５につながる第２の電極１２２は、傾斜面１２３まで延在している。図３９に示すように、ドレイン電極３６につながる第３の電極１２４は、傾斜面１２５まで延在している。そしてこれらは、保護層３７で覆われずに露出している。
【００７５】
本実施形態のアクティブマトリックス基板の製造方法について、第１の実施形態とは異なる点のみ説明する。
【００７６】
図４１に示すように、アクティブ素子を形成するための基板５１上に、エレクトロンサイクロトロンレゾナンス（ＥＣＲ）スパッタリング法によりシリコン窒化膜５２等を約５０−２５０ｎｍ成膜した後、窒素雰囲気下で約４５０℃にて１時間程度熱処理を施する。この上にシランを原料に用いたプラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）にてシリコン酸化膜５３等を約８００−１０００ｎｍ成膜する。この後、シリコン酸化膜５３についてフォトエッチングプロセスを用いて、アクティブ素子の台座に相当するサイズに加工する。これによりアクティブ素子の周囲には、傾斜面作成用溝１２７が出来る。このとき、酸化膜５３の加工は、シリコン酸化膜５３とシリコン窒化膜５２のエッチングレート比の違いを利用してシリコン酸化膜５３とシリコン窒化膜５２の界面まで加工することが望ましい。しかし、この場合は、ガラス基板５１除去の際に重要な役割を果たすシリコン窒化膜５２にダメージを与える可能性があるため、シリコン酸化膜を少し残して加工した時点でエッチングプロセスを止めてもよい。このシリコン酸化膜５３を支持層１３とする。これ以降は、この傾斜面にも第１の電極、第２の電極及び第３の電極を設けること以外は、第１の実施形態と同様にして、本実施形態のアクティブマトリックス基板を作製することが出来る。
【００７７】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を得ることが出来、さらに各電極と配線との接触面積は広くなるため、良好なコンタクト特性が維持できることになる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極の基板面からの高さの違いを説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線を形成する方法を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線を形成する際のインク液の液面高さを説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線を形成する際のインク液の液面高さを説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線を形成する際のインク液の液面高さを説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線等を形成する際のインク液のぬれ性を説明する図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線等を形成する際のインク液のぬれ性を説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線等を形成する際のインク液のぬれ性を説明する図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線等を形成する際のインク液のぬれ性を説明する図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の断面図であり、アクティブ素子に形成された電極に接続する配線等を形成する際のインク液のぬれ性を説明する図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｅ−ｅ‘間の断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｅ−ｅ‘間の断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｅ−ｅ‘間の断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｅ−ｅ‘間の断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｆ−ｆ‘間の断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｈ−ｈ‘間の断面図である。
【図１９】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｈ−ｈ‘間の断面図である。
【図２３】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｈ−ｈ‘間の断面図である。
【図２４】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｈ−ｈ‘間の断面図である。
【図２５】図２３（ａ）のｇ−ｇ‘間の断面図である。
【図２６】図２３（ａ）のｇ−ｇ‘間の断面図である。
【図２７】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の１画素を示す平面図である。
【図２８】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板のアクティブ素子を拡大した平面図である。
【図２９】図２７のａ−ａ‘間の断面図である。
【図３０】図２７のｃ−ｃ‘間の断面図である。
【図３１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブ素子の平面図である。
【図３２】図３１のｄ−ｄ‘間の断面図である。
【図３３】図３１のｅ−ｅ‘間の断面図である。
【図３４】本発明の第１の実施形態に係る配線を示す断面図である。
【図３５】本発明の第１の実施形態に係る配線を示す断面図である。
【図３６】本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリックス基板を説明する断面図である。
【図３７】本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリックス基板を説明する断面図である。
【図３８】本発明の第２の実施形態に係るアクティブ素子の平面図である。
【図３９】図３８のｋ−ｋ‘間の断面図である。
【図４０】図３８のｊ−ｊ‘間の断面図である。
【図４１】本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリックス基板の製造方法を説明する断面図である。
【図４２】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリックス基板のアクティブ素子がマトリックス状に並ぶ様子を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１１、５６…転写先基板
１２、５７…接着層
１３、５３…支持層
１４…アクティブ素子
１８、１２２…第２の電極
１９、１２１…第１の電極
２２、１２４…第３の電極
３１…ゲート電極
３２…ゲート絶縁部
３３…半導体層
３４…チャネル保護層
３５…ソース電極
３６…ドレイン電極
３７…保護層
４１、７１、８１、１１１…吐出部
４２、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８…インク液
５１…転写元基板
５２…分離層
５４…有機樹脂部
５５…中間転写基板
５８…走査線用溝
５９…傾斜面
６１…信号線用溝
６２…凹部
６３…走査線
６４…絶縁層
６５…信号線
６６…コンタクト電極
６７…画素電極
８２…信号線用溝相当領域
１０１、１１４…層間絶縁膜
１０２…スルーホール
１１２…溝
１１３…配線
１２３、１２５、１２６…傾斜面
１２７…傾斜面作製用溝
【図１】
2005150250.tif 000003
【図２】
2005150250.tif 000004
【図３】
2005150250.tif 000005
【図４】
2005150250.tif 000006
【図５】
2005150250.tif 000007
【図６】
2005150250.tif 000008
【図７】
2005150250.tif 000009
【図８】
2005150250.tif 000010
【図９】
2005150250.tif 000011
【図１０】
2005150250.tif 000012
【図１１】
2005150250.tif 000013
【図１２】
2005150250.tif 000014
【図１３】
2005150250.tif 000015
【図１４】
2005150250.tif 000016
【図１５】
2005150250.tif 000017
【図１６】
2005150250.tif 000018
【図１７】
2005150250.tif 000019
【図１８】
2005150250.tif 000020
【図１９】
2005150250.tif 000021
【図２０】
2005150250.tif 000022
【図２１】
2005150250.tif 000023
【図２２】
2005150250.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2005150250.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
2005150250.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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