(57)【要約】【課題】  負荷を駆動する状態遷移時の発熱を低減し、相乗的な発熱を防止する。【解決手段】  出力回路１１では、いずれか一方のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂが負荷１３を駆動して定電流制御を行っており、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの温度を温度センサ１７ａ，１７ｂで監視する。パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａが動作中は、温度センサ１７ａが一定の設定温度を超えたことをモニタすると、制御回路１４が駆動回路１５に切換信号を送り、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａをＯＦＦ状態にして、同時にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＮ状態にする切換え動作を行う。パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂの温度は、温度センサ１７ｂによってモニタする。以下、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換を繰返すことによって、出力回路１１の発熱を防止することができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列に配置される複数の出力素子を備える出力回路において、
予め定める切換え条件が満たされるか否かを判断する条件判断手段と、
条件判断手段によって切換え条件が満たされると判断されるとき、動作中の出力素子を休止させ、休止中の出力素子を動作させるように切換える素子切換手段とを含むことを特徴とする出力回路。
【請求項２】
前記条件判断手段は、前記切換え条件として、温度に基づく判断を行うことを特徴とする請求項１記載の出力回路。
【請求項３】
前記条件判断手段は、前記動作中の出力素子の温度を温度センサで監視することを特徴とする請求項２記載の出力回路。
【請求項４】
前記条件判断手段は、前記動作中の出力素子に対して、予め定める電気的動作状態に対する温度の影響を監視することを特徴とする請求項２記載の出力回路。
【請求項５】
前記出力素子は、入力される駆動信号に従ってスイッチング動作を行い、
前記条件判断手段は、前記切換え条件として、前記出力素子のスイッチング動作のタイミングに基づく判断を行うことを特徴とする請求項１記載の出力回路。
【請求項６】
前記条件判断手段は、前記切換え条件として、前記スイッチング動作のサイクル数に基づく判断を行うことを特徴とする請求項５記載の出力回路。
【請求項７】
前記条件判断手段は、前記切換え条件として、前記駆動信号による前記出力素子のスイッチング状態の遷移に基づく判断を行い、
前記素子切換手段は、駆動信号がスイッチング状態をＯＦＦからＯＮに遷移させるとき、第１の出力素子をＯＦＦからＯＮに切換えてから第２の出力素子をＯＦＦからＯＮに切換え、
さらに第１の出力素子をＯＮからＯＦＦに切換えておいてから、駆動信号がスイッチング状態をＯＮからＯＦＦに遷移させるときに、第２の出力素子をＯＮからＯＦＦに切換えることを特徴とする請求項５記載の出力回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的な制御の際などに、負荷に電力を出力する出力回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種電気的な制御や駆動は、負荷に供給する電力の制御という形で行われることが多い。制御のための論理的な動作やプログラム動作は、比較的低電力の電子回路で行われる。空気などの気体、油や水などの液体などの流体を取扱う弁などでは、電力を機械的な電磁力に変換する。電力を熱や光に変換する場合もある。電子回路の動作に従って、外部に対して電力を出力する部分には、出力回路が使用され、他の電子回路の部分よりも大電力を取扱い可能にしている。
【０００３】
一般に電子回路の動作では、電力損失が発生する。半導体素子を使用する場合、ＯＮまたはＯＦＦのスイッチング動作では、ＯＮ状態またはＯＦＦ状態での電力損失は比較的小さいけれども、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間の遷移時に、電力損失が大きくなる。ＯＮ状態では半導体素子が導通状態となって、大電流が流れても電圧降下は小さくなり、流れる電流と電圧降下との積である電力損失は小さくなる。ＯＦＦ状態では半導体素子が非導通状態となって、電圧降下は大きくても電流がほとんど流れなくなり、電力損失は小さくなる。
【０００４】
大電力を出力する出力回路には、ＭＯＳ型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であるパワーＭＯＳＦＥＴが使用されることが多い。バイポーラトランジスタが使用されることもある。このような半導体素子は、電力損失に伴って発熱する。発熱によって温度が上昇し、半導体素子の特性を損ったり、破損させたりするおそれがある。パワーＭＯＳＦＥＴなどを使用する出力回路では、所定の温度以上の温度を検出すると過熱保護のために、出力素子への駆動が停止される（たとえば、特許文献１参照）。また、ランプやモータなどの突入電流が大きい負荷に対し、連続的に通電するのではなく、パワーＭＯＳＦＥＴの温度をダイオードによって検出し、ダイオードの温度が上昇すると駆動を停止し、冷却すると駆動を再開して、突入電流からの保護を図るとともに、過熱状態からの保護も図る半導体装置も提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
【０００５】
図１１は、従来からの出力回路１を有する制御装置２の概略的な構成を示す。制御装置２は、たとえば自動車のエンジンに燃料を供給するフューエルポンプなどの負荷３を、ＣＰＵなどを含む制御回路４による制御に従って駆動する。制御回路４と出力回路１との間には、駆動回路５が設けられ、制御回路４の論理レベルと、出力回路１に必要な電圧レベルとの間での変換を伴う駆動を行う。出力回路１には、出力素子として、複数、たとえば２つのパワーＭＯＳＦＥＴ６ａ，６ｂが設けられ、並列に動作する。複数の出力素子を並列に動作させることによって、電力損失を分散し、全体として大きな電力損失が生じても、個別の出力素子での電力損失を許容損失の範囲に留めている。並列接続されるパワーＭＯＳＦＥＴ６ａ，６ｂは、流れる電流による抵抗７の電圧降下を差動増幅器８で増幅し、比較器９で電流が基準値に一致しているか否かを判定し、電流が基準値に一致するように定電流駆動を行うように駆動回路５を制御している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−４３８６８号公報
【特許文献２】特開２００２−２６１５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１や特許文献２のように、出力素子の過熱に対する保護を行うために、過熱状態となると駆動を停止するようにすれば、出力素子の保護としては充分であっても、保護動作中は負荷を駆動することができなくなってしまう。
【０００８】
図１１に示すように、パワーＭＯＳＦＥＴ６ａ，６ｂなどの出力素子を複数、並列に接続したり、許容損失の大きい大型の出力素子を使用すれば、出力素子自体の過熱からの保護の必要性は少なくなる。しかしながら、出力回路１での電力損失は、熱となって、制御装置２を構成する制御回路４や駆動回路５など、周囲の回路や素子に悪影響を及ぼすおそれがある。パワーＭＯＳＦＥＴ６ａ，６ｂでは、スイッチング制御でＯＦＦ状態からＯＮ状態への立上がり時と、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への立下がり時とに大きな熱が発生する。発熱によって素子の温度が上昇すると、パワーＭＯＳＦＥＴ６ａ，６ｂでは、ＯＮ状態での抵抗値も上昇し、ＯＮ状態での発熱も大きくなり、さらに電力損失が増大して温度も上昇し、相乗的に発熱が増大してしまう。
【０００９】
本発明の目的は、負荷を駆動する状態遷移時の発熱を低減し、相乗的な発熱を防止することができる出力回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、並列に配置される複数の出力素子を備える出力回路において、
予め定める切換え条件が満たされるか否かを判断する条件判断手段と、
条件判断手段によって切換え条件が満たされると判断されるとき、動作中の出力素子を休止させ、休止中の出力素子を動作させるように切換える素子切換手段とを含むことを特徴とする出力回路である。
【００１１】
また本発明で、前記条件判断手段は、前記切換え条件として、温度に基づく判断を行うことを特徴とする。
【００１２】
また本発明で、前記条件判断手段は、前記動作中の出力素子の温度を温度センサで監視することを特徴とする。
【００１３】
また本発明で、前記条件判断手段は、前記動作中の出力素子に対して、予め定める電気的動作状態に対する温度の影響を監視することを特徴とする。
【００１４】
また本発明で、前記出力素子は、入力される駆動信号に従ってスイッチング動作を行い、
前記条件判断手段は、前記切換え条件として、前記出力素子のスイッチング動作のタイミングに基づく判断を行うことを特徴とする。
【００１５】
また本発明で、前記条件判断手段は、前記切換え条件として、前記スイッチング動作のサイクル数に基づく判断を行うことを特徴とする。
【００１６】
また本発明で、前記条件判断手段は、前記切換え条件として、前記駆動信号による前記出力素子のスイッチング状態の遷移に基づく判断を行い、
前記素子切換手段は、駆動信号がスイッチング状態をＯＦＦからＯＮに遷移させるとき、第１の出力素子をＯＦＦからＯＮに切換えてから第２の出力素子をＯＦＦからＯＮに切換え、
さらに第１の出力素子をＯＮからＯＦＦに切換えておいてから、駆動信号がスイッチング状態をＯＮからＯＦＦに遷移させるときに、第２の出力素子をＯＮからＯＦＦに切換えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、出力回路には並列に配置される複数の出力素子が備えられ、予め定める切換え条件が満たされるとき、動作中の出力素子を休止させ、休止中の出力素子を動作させるように切換えるので、動作によって発熱している出力素子は休止させ、発熱の停止で温度も低下させることができる。休止によって温度が低下した出力素子は、電力損失や発熱を少なくすることができる。複数の出力素子を、同時に並列に使用するのではなく、交互に使用することによって、状態遷移時の発熱を低減し、使用の継続による相乗的な発熱を防止することができる。
【００１８】
また本発明によれば、切換え条件として温度に基づく判断を行うので、動作中の電力損失で温度が上昇して電力損失が増大する出力素子は休止させ、休止して温度が低下している出力素子を動作させて、全体としての状態遷移時の発熱を低減することができる。
【００１９】
また本発明によれば、動作中の出力素子の温度を温度センサで監視するので、出力素子の温度を確実に監視し、温度が上昇した出力装置を休止させて、発熱を低減させることができる。
【００２０】
また本発明によれば、動作中の出力素子に対して、予め定める電気的動作状態に対する温度の影響を監視するので、出力素子の電気的動作の温度特性を利用して、温度の影響を容易に監視し、温度が上昇した出力装置を休止させて、発熱を低減させることができる。
【００２１】
また本発明によれば、出力素子が入力される駆動信号に従ってスイッチング動作を行い、出力素子のスイッチング動作のタイミングに基づいて、動作する出力素子と休止する出力素子とを切換えるので、出力素子を交互に使用する切換えを確実に行うことができる。
【００２２】
また本発明によれば、スイッチング動作のサイクル数に基づいて、出力素子を交互に使用するように切換えるので、サイクル数を単位として、出力素子の交互動作を確実に行わせることができる。
【００２３】
また本発明によれば、第１の出力素子をＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移させた後で第２の出力素子をＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移させけれども、並列に接続される第１の出力素子は既にＯＮ状態に遷移しているので出力回路はＯＮ状態となっており、第２の出力素子の状態遷移による出力への影響は小さく、状態遷移に伴って生じる電力損失も小さくすることができる。さらに第１の出力素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移させても、出力回路としてはＯＮ状態を保ち、第１の出力素子の状態遷移に伴う電力損出を小さくすることができる。さらに第２の出力素子をＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移させることによって、出力回路としてもＯＦＦ状態に遷移するので、第２の出力素子に状態遷移に伴う熱損失が生じる。出力回路としての状態遷移に伴う電力損失を、第１の出力素子と第２の出力素子とで交互に負担するので、連続して電力損失による発熱が生じることを避け、発熱による電力損失の増大を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本発明の実施の第１形態としての出力回路１１の概略的な電気的構成を示す。出力回路１１は、たとえば制御装置１２で、負荷１３を駆動する電力を出力させるために用いられる。制御装置１２は、たとえば自動車のエンジンに燃料を供給するための制御を行い、フューエルポンプなどの負荷１３を駆動するための信号を生成する。制御回路１４は、ＣＰＵやメモリなどを含み、直流５Ｖや３．３Ｖなど、標準的な論理回路としての電源電圧に基づく動作が行われる。負荷１３は、たとえばフューエルポンプであれば、自動車に搭載されるバッテリなどを含む電源から１０数Ｖなどの論理レベルよりも高い電圧で動作する。制御回路１４から負荷１３を駆動する信号は、駆動回路１５で出力回路１１を駆動可能な電圧レベルに変換される。駆動回路１５は、図示を省略しているけれども、図１１と同様に、出力回路１１に対して定電流駆動も行っている。
【００２５】
出力回路１１には、複数、たとえば２つのパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂが出力素子として設けられる。各パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの温度は、サーミスタなどの温度センサ１７ａ，１７ｂによってそれぞれ検出される。温度センサ１７ａ，１７ｂによる検出結果は制御回路１４に入力される。制御回路１４は、温度センサ１７ａ，１７ｂの検出結果に応じて、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂが交互に動作するように制御する。パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの交互動作は、たとえば、駆動回路１５で、駆動信号の入力は共通とし、制御回路１４から切換信号を駆動回路１５に与えて、駆動するパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂを切換えるようにする。駆動回路１５にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂ用の駆動部分を分けて設けておき、制御回路１４が交互に駆動信号を与えるようにしても実現することができる。
【００２６】
図２は、図１の制御回路１４によるパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の概要を示す。制御回路１４は、たとえば電源投入後に動作を開始し、ステップａ１として、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂのうちの一つ、たとえばパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを選択し、負荷１３を駆動するために使用する。次にステップａ２として、電源の遮断など、動作を終了する状態か否かを判断する。動作を終了するときは制御を終了し、動作を終了しないときは、ステップａ３として、動作中のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａの温度を温度センサ１７ａで検出する。ステップａ４では、検出温度が設定温度を超えているか否かを判断する。検出温度が設定温度を超えているときに、制御回路１４は、ステップａ５でパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを休止させ、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを動作させるように、切換える。ステップａ５の後、またはステップａ４で検出温度が設定温度以下であると判断するときは、ステップａ２に戻り、以下、ステップａ２〜ステップａ５を繰返す。
【００２７】
すなわち、出力回路１１では、一方、たとえばパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａが負荷１３を駆動して定電流制御を行っており、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａの温度を温度センサ１８ａで監視する。温度センサ１７ａが一定の設定温度を超えたことをモニタすると、制御回路１４が駆動回路１５に切換信号を送り、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａをＯＦＦ状態にして、同時にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＮ状態にする切換え動作を行う。パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂの温度は、温度センサ１７ｂによってモニタする。以下、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換を繰返すことによって、出力回路１１の発熱を防止することができる。
【００２８】
図３は、本発明の実施の第２形態としての出力回路２１を含む制御装置２２の概略的な電気的構成を示す。本実施形態で、実施の第１形態に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を省略する。出力回路２１では、駆動回路１５でパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの一方を駆動して負荷１３の定電流駆動を行う点は、実施の第１形態と同様である。本実施形態では、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂのドレインのＯＮ電圧をＭＯＳドレイン電圧モニタ回路２３でモニタする。ＭＯＳドレイン電圧モニタ回路２３のモニタ結果は、制御回路２４に入力される。パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａが動作中に、その温度が上昇すると、ドレインのＯＮ電圧も上昇する。ＭＯＳドレイン電圧モニタ回路２３によって、ドレイン電圧が一定の設定電圧を越えていることをモニタすると、制御回路２４は駆動回路１５に切換信号を送り、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａをＯＦＦ状態とし、同時にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＮ状態とするように、切換える。以下、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換を繰返すことによって、出力回路２１の発熱を防止することができる。
【００２９】
図４は、図２の制御回路２４によるパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の概要を示す。制御回路２４は、たとえば電源投入後に動作を開始し、ステップｂ１として、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂのうちの一つ、たとえばパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを選択し、負荷１３を駆動するために使用する。次にステップｂ２として、電源の遮断など、動作を終了する状態か否かを判断する。動作を終了するときは制御を終了し、動作を終了しないときは、ステップｂ３として、動作中のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン電圧をＭＯＳドレイン電圧モニタ回路２３で検出する。ステップｂ４では、検出したドレイン電圧が設定電圧を超えているか否かを判断する。検出電圧が設定電圧を超えているときに、制御回路２４は、ステップｂ５でパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを休止させ、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを動作させるように、切換える。ステップｂ５の後、またはステップｂ４で検出電圧が設定電圧以下であると判断するときは、ステップｂ２に戻り、以下、ステップｂ２〜ステップｂ５を繰返す。
【００３０】
すなわち、実施の第１形態では温度センサ１７ａ，１７ｂでパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの温度を直接検出し、実施の第２形態では温度によって影響を受ける動作特性としてのドレイン電圧を検出している。温度の直接検出としては、特許文献２と同様に、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの半導体基板上に形成される素子によって行うこともできる。また、出力素子としては、ＭＯＳＦＥＴばかりではなく、バイポーラトランジスタであっても、同様な交互動作で、非飽和領域での動作の繰返しによる発熱を避けることができる。
【００３１】
図５は、本発明の実施の第３形態としての出力回路３１を含む制御装置３２の概略的な電気的構成を示す。本実施形態で、実施の第１形態または第２形態に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を省略する。出力回路３１では、駆動回路１５でパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの一方を駆動して負荷１３の定電流駆動を行う点は、実施の第１形態および第２形態と同様である。本実施形態では、制御回路３４がパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂを１サイクル毎に強制的に使用するように切換える。
【００３２】
図６は、図５の出力回路３１の動作タイミングを示す。たとえば、時刻ｔ１からの１サイクル目は、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂを動作させ、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａは休止させる。時刻ｔ２からの２サイクル目は、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを動作させ、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂは休止させる。以下、同様な交互動作を繰返す。
【００３３】
図７は、本発明の実施の第４形態としての出力回路４１を含む制御装置４２の概略的な電気的構成を示す。本実施形態で、実施の第１形態〜第３形態に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を省略する。出力回路４１では、駆動回路１５でパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの一方を駆動して負荷１３の定電流駆動を行う点は、実施の第１形態〜第３形態と同様である。本実施形態では、制御回路４４がパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂを３サイクル毎に強制的に使用するように切換える。
【００３４】
図８は、図６の出力回路４１の動作タイミングを示す。たとえば、時刻ｔ１１からの１サイクル目、時刻ｔ１２からの２サイクル目、時刻ｔ１３からの３サイクル目は、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを動作させ、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂは休止させる。時刻ｔ１４からの４サイクル目、時刻ｔ１５からの５サイクル目、時刻ｔ１６からの６サイクル目は、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂを動作させ、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａは休止させる。
【００３５】
実施の第３形態または第４形態に示すような制御は、１または複数のサイクル毎にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂを切換え、スイッチング状態の遷移時に発生する電力損失による発熱が連続して相乗的に発熱しないようにすることができる。制御回路３４，４４が切換信号を駆動回路１５に与えて切換えなくても、駆動回路１５単体に、一定サイクル毎に切換えの機能を備えるようにすることもできる。
【００３６】
図９は、本発明の実施の第５形態としての出力回路５１を含む制御装置５２の概略的な電気的構成を示す。本実施形態で、実施の第１形態〜第４形態に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を省略する。出力回路５１では、制御回路５４が駆動回路５５を介してパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂを駆動し、負荷１３の定電流駆動を行う点は、実施の第１形態〜第４形態と同様である。本実施形態では、制御回路５４がパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂを、１サイクル毎の立上がりと立下がりで交互に使用するように、切換える。すなわち、制御回路５４は、たとえば、まずパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａをＯＮ状態とし、その後パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＮ状態にする。このとき、最初のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａは状態遷移に伴って発熱するけれども、負荷１３にはパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａから電流が供給されるようになるので、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂにはあまり電流が流れずＯＦＦ状態からＯＮ状態への遷移でも発熱しない。次にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａを先にＯＦＦ状態にする。このときも、負荷１３にはパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂから通電しているので、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移しても発熱しない。その後、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移させると、負荷１３への通電も停止され、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂは状態遷移に伴って発熱する。
【００３７】
図１０は、図５の出力回路３１の動作タイミングを示す。たとえば、時刻ｔ２１からの１サイクル目は、パワーＭＯＳＦＥＴ１６ａをＯＦＦ状態からＯＮ状態に立上げ、その後の時刻ｔ２２にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移させる。すなわち、両方のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂがＯＮ状態となる。時刻ｔ２３には、パワーもＭＯＳＦＥＴ１６ａをＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移させ、さらに時刻ｔ２４にパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂをＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移させる。負荷１３への１サイクルの通電状態の変化に伴って、時刻ｔ２１からはパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａが発熱し、時刻ｔ２４からはパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂが発熱する。以下、同様な交互動作で負荷１３への通電の立上がりでは一方のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａが発熱し、通電の立下がりでは他方のパワーＭＯＳＦＥＴ１６ｂが発熱することを繰返す。状態遷移の発熱を交互に行うように分散し、出力回路５１の全体としての発熱を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の第１形態としての出力回路１１の概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１の制御回路１４によるパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の概要を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の第２形態としての出力回路２１の概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【図４】図３の制御回路２４によるパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の概要を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の第３形態としての出力回路３１の概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【図６】図５の出力回路３１でのパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の結果を示すタイムチャートである。
【図７】本発明の実施の第４形態としての出力回路４１の概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【図８】図７の出力回路４１でのパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の結果を示すタイムチャートである。
【図９】本発明の実施の第５形態としての出力回路５１の概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【図１０】図９の出力回路５１でのパワーＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂの切換え制御の結果を示すタイムチャートである。
【図１１】従来からの出力回路の概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１，２１，３１，４１，５１  出力回路
１３  負荷
１４，２４，３４，４４，５４  制御回路
１５，５５  駆動回路
１６ａ，１６ｂ  パワーＭＯＳＦＥＴ
１７ａ，１７ｂ  温度センサ
２３  ＭＯＳドレイン電圧モニタ回路
【図１】
2005150920.tif 000003
【図２】
2005150920.tif 000004
【図３】
2005150920.tif 000005
【図４】
2005150920.tif 000006
【図５】
2005150920.tif 000007
【図６】
2005150920.tif 000008
【図７】
2005150920.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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