(57)【要約】【課題】  厚膜抵抗体を確実に高抵抗化し、また任意の抵抗値に調整可能とする。【解決手段】  ガラス原料となるガラス原料酸化物を混合し、溶融した後、非晶質状態の酸化ルテニウムを投入して溶融、急冷を行う。得られる厚膜抵抗体用ガラスは、鉛を含まず、酸化ルテニウムが析出することなく溶け込んでいる。厚膜抵抗体用ガラスに含まれる酸化ルテニウム量は、３〜１５重量％である。厚膜抵抗体用ガラスは、導電材料やビヒクルと混合されて厚膜抵抗体ペーストとされ、これを基板上に塗布、焼成することにより厚膜抵抗体が形成される。導電材料は、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＢａＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＳｒＲｕＯ3である。【選択図】  図１
2005057041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融したガラス原料酸化物中に非晶質状態の酸化ルテニウムが投入され、溶融後、急冷されてなる厚膜抵抗体用ガラス。
【請求項２】
上記ガラス原料酸化物は、鉛を実質的に含まないことを特徴とする請求項１記載の厚膜抵抗体用ガラス。
【請求項３】
上記酸化ルテニウムの含有量が３重量％以上、１５重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の厚膜抵抗体用ガラス。
【請求項４】
ガラス原料となるガラス原料酸化物を混合し、溶融した後、非晶質状態の酸化ルテニウムを投入して溶融、急冷を行うことを特徴とする厚膜抵抗体用ガラスの製造方法。
【請求項５】
スパッタすることにより上記酸化ルテニウムを非晶質状態とすることを特徴とする請求項４記載の厚膜抵抗体用ガラスの製造方法。
【請求項６】
上記ガラス原料酸化物として、鉛を実質的に含まない酸化物を用いることを特徴とする請求項４記載の厚膜抵抗体用ガラスの製造方法。
【請求項７】
上記酸化ルテニウムの含有量が３重量％以上、１５重量％以下となるように投入することを特徴とする請求項４記載の厚膜抵抗体用ガラスの製造方法。
【請求項８】
溶融したガラス原料酸化物中に非晶質状態の酸化ルテニウムが投入され、溶融後、急冷されてなる厚膜抵抗体用ガラスと、導電材料と、ビヒクルとを含むことを特徴とする厚膜抵抗体ペースト。
【請求項９】
上記厚膜抵抗体用ガラスは、鉛を実質的に含まないことを特徴とする請求項８記載の厚膜抵抗体ペースト。
【請求項１０】
上記厚膜抵抗体用ガラスは、酸化ルテニウムの含有量が３重量％以上、１５重量％以下であることを特徴とする請求項８記載の厚膜抵抗体ペースト。
【請求項１１】
上記導電材料は、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＢａＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＳｒＲｕＯ3から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項８記載の厚膜抵抗体ペースト。
【請求項１２】
溶融したガラス原料酸化物中に非晶質状態の酸化ルテニウムが投入され、溶融後、急冷されてなる厚膜抵抗体用ガラスと、導電材料と、ビヒクルとを含む厚膜抵抗体ペーストを基板上に塗布し、焼成してなる厚膜抵抗体。
【請求項１３】
上記厚膜抵抗体用ガラスは、鉛を実質的に含まないことを特徴とする請求項１２記載の厚膜抵抗体。
【請求項１４】
上記厚膜抵抗体用ガラスは、酸化ルテニウムの含有量が３重量％以上、１５重量％以下であることを特徴とする請求項１２記載の厚膜抵抗体。
【請求項１５】
上記導電材料は、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＢａＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＳｒＲｕＯ3から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１２記載の厚膜抵抗体。
【請求項１６】
抵抗値が１０ｋΩ／□以上、２０ＭΩ／□以下であることを特徴とする請求項１２記載の厚膜抵抗体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚膜抵抗体において結着剤としての機能を果たす厚膜抵抗体用ガラス及びその製造方法に関するものであり、さらには、これを用いた厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスや導電材料を含む抵抗体ペーストを基板上に塗布し焼成することによって形成される厚膜抵抗体においては、通常、導電材料として酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）や鉛ルテニウム複合酸化物（Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6）等が用いられ、ガラスとしてＰｂＯ系ガラスが用いられている。ガラスは、導電材料及び基板との結着剤としての機能を果たし、また導電材料とガラスの比率によって抵抗値調整が可能である。
【０００３】
厚膜抵抗体の抵抗値調整は、上記導電材料とガラスの比率ばかりでなく、導電材料の選定等によっても行われる。例えば、１０ｋΩ／□以上の高抵抗を有する厚膜抵抗体の場合、導電材料として抵抗率の低いＲｕＯ2を用いると、その添加量を大幅に減らす必要があり、僅かな添加量の変動が抵抗値の大きな変動に繋がり、抵抗値調整が難しくなる。そこで、このような高抵抗を有する厚膜抵抗体には、通常、抵抗率の高いＰｂ2Ｒｕ2Ｏ6が導電材料として用いられている。抵抗率の高いＰｂ2Ｒｕ2Ｏ6を導電材料として用いることで、高抵抗の厚膜抵抗体を得ることは比較的容易である。
【０００４】
ところで、近年、環境問題が盛んに議論されてきており、例えば半田材料等においては、鉛を除外することが求められている。厚膜抵抗体も例外ではなく、したがって、環境に配慮した場合、ＰｂＯ系ガラスは勿論のこと、導電材料であるＰｂ2Ｒｕ2Ｏ6の使用も避けなければならない。
【０００５】
上記Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6と同程度の抵抗率を持つ導電材料としては、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＢａＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＳｒＲｕＯ3等が挙げられる。しかしながら、これらの導電材料とＰｂＯを含まないガラスとで厚膜抵抗体を形成すると、基板への焼き付け過程で導電材料中のＲｕがＲｕイオンとなってガラス中に溶出し、溶解析出反応により厚膜抵抗体中にＲｕＯ2が析出するという現象が認められる。厚膜抵抗体中にＲｕＯ2が析出すると、抵抗値が低くなるため、例えば１００ｋΩ／□以上の抵抗値を有する厚膜抵抗体の作製は非常に困難なものとなる。
【０００６】
導電材料中のＲｕイオンのガラス中への溶出を抑えるためには、Ｒｕイオンのガラスに対する溶解度を小さくすればよいものと考えられ、そのためには予めガラスをＲｕで飽和させておけばよいものと考えられる。このような観点から、本願出願人は、特許文献１において、ガラス組成物に、導電性を与えるための金属元素を含む第１の導電性材料（ＲｕＯ2）をあらかじめ溶解させてガラス材料を得る工程を備えた抵抗体ペーストの製造方法を既に提案している。
【特許文献１】特開２００３−７５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ガラスを形成する酸化物と結晶質のＲｕＯ2とを混合し、溶融、急冷して厚膜抵抗体用ガラスを作製しても、必ずしも十分に、且つ安定に高抵抗化することができないということがわかってきた。これは、結晶質のＲｕＯ2を用いた場合、溶解し得るＲｕＯ2量に限界があり、製造条件等によっては添加したＲｕＯ2の全量がガラス化せず、その結果、一部ＲｕＯ2が結晶状態のまま残存することによるものと推測される。先にも述べた通り、ＲｕＯ2は抵抗率が低く、結晶状態のままガラス中に残存すると、高抵抗化の妨げとなる。
【０００８】
このとき、ガラス原料酸化物がＰｂＯ系酸化物で構成される場合には、残存するＲｕＯ2とＰｂＯとが反応して、高抵抗率を有する導電材料であるＰｂ2Ｒｕ2Ｏ6を形成するため、問題が生ずることはない。これに対して、ＰｂＯを含まないガラス原料酸化物を用いた場合には、ＲｕＯ2とガラスの反応が容易に進まず、高い抵抗値を得ることができないので、大きな問題となる。
【０００９】
また、結晶質のＲｕＯ2を用いた場合、厚膜抵抗体の抵抗値が急激に変わり、ＲｕＯ2の添加量に応じて抵抗値を任意に調整するということは難しい。例えば、特許文献１記載の発明において、ＲｕＯ2を添加していないガラスを使用した場合のシート抵抗値は４ｋΩ／□程度であるのに対して、ＲｕＯ2を１〜３体積％添加したガラスを使用した場合、シート抵抗値は３１〜５２ＭΩ／□という極めて高い抵抗値を示している。その理由について、詳細は不明であるが、結晶質のＲｕＯ2を添加することでガラスの状態（性質）が変わり、これが抵抗値の劇的な変化に繋がっているのではないかと推測している。
【００１０】
製品のラインアップ等を考えた場合、用途等に応じて段階的な抵抗値を有する厚膜抵抗体用ペーストを用意することが好ましく、例えば、１０Ω／□、１００Ω／□、１ｋΩ／□といった低抵抗のものから、１０ｋΩ／□、１００ｋΩ／□、１ＭΩ／□、１０ＭΩ／□といった高抵抗のものを段階的に揃えておく必要がある。したがって、上記のように抵抗値が劇的に変化するよりも、例えばＲｕＯ2の添加量に応じて抵抗値がリニアに変化するようなガラスが望まれる。
【００１１】
本発明は、このような先行技術の有する課題を解決するために提案されたものである。すなわち、本発明は、ＲｕＯ2が速やかにガラス中に溶け込んで確実に高抵抗化することが可能な厚膜抵抗体用ガラス及びその製造方法を提供することを目的とし、十分に高い抵抗値を有する厚膜抵抗体用ペースト及び厚膜抵抗体を提供することを目的とする。また、本発明は、ＲｕＯ2の添加量により抵抗値を任意に調整することが可能な厚膜抵抗体用ガラス及びその製造方法を提供することを目的とし、例えば段階的に抵抗値が調整された厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上述の課題を解決することを目的として、さらなる研究を続けてきた。その結果、ＲｕＯ2として非晶質状態のＲｕＯ2を用い、これを他のガラス原料酸化物が溶融してから加えることで、ガラス中に速やかに溶け込み結晶質のＲｕＯ2が残存することがないこと、さらにはＲｕＯ2の添加量に応じて抵抗値を調整可能であることを見出すに至った。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
【００１３】
すなわち、本発明の厚膜抵抗体用ガラスは、溶融したガラス原料酸化物中に非晶質状態の酸化ルテニウムが投入され、溶融後、急冷されてなることを特徴とするものであり、本発明の厚膜抵抗体用ガラスの製造方法は、ガラス原料となるガラス原料酸化物を混合し、溶融した後、非晶質状態の酸化ルテニウムを投入して溶融、急冷を行うことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の厚膜抵抗体ペーストは、溶融したガラス原料酸化物中に非晶質状態の酸化ルテニウムが投入され、溶融後、急冷されてなる厚膜抵抗体用ガラスと、導電材料と、ビヒクルとを含むことを特徴とするものである。さらに、本発明の厚膜抵抗体は、溶融したガラス原料酸化物中に非晶質状態の酸化ルテニウムが投入され、溶融後、急冷されてなる厚膜抵抗体用ガラスと、導電材料と、ビヒクルとを含む厚膜抵抗体ペーストを基板上に塗布し、焼成してなることを特徴とするものである。
【００１５】
非晶質状態の酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）は、ガラス原料酸化物中に速やかに溶け込み、結晶質のＲｕＯ2がガラス中に残存することがない。したがって、高抵抗化が容易に実現される。また、非晶質のＲｕＯ2を用いた場合、抵抗値が劇的に変化するのではなく、添加量に応じて抵抗値がリニアに増加する。したがって、ＲｕＯ2の添加量を選定することで、例えば抵抗値が段階的に調整される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＲｕＯ2を速やかにガラス中に溶け込ませることができるので、安定に、且つ十分に高抵抗化に寄与し得る厚膜抵抗体用ガラスを提供することが可能であり、十分に高い抵抗値を有する厚膜抵抗体用ペースト及び厚膜抵抗体を提供することが可能である。また、本発明によれば、ＲｕＯ2の添加量により抵抗値を任意に調整することが可能であるので、例えば段階的に抵抗値が調整された厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を適用した厚膜抵抗体用ガラス及びその製造方法、さらには厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体について説明する。
【００１８】
本発明の厚膜抵抗体用ガラスを製造するには、ガラス原料となるガラス原料酸化物を溶融し、溶融酸化物中にＲｕＯ2を直接投入した後、急冷してガラス化する。ここで、ＲｕＯ2を含有するガラスを作製するためには、原料として、結晶質のＲｕＯ2ではなく、非晶質状態のＲｕＯ2を用いることが必要である。結晶質のＲｕＯ2を用いると、投入した残量がガラス中に溶け込まず、結晶のまま残存してしまう可能性があるためである。非晶質状態のＲｕＯ2を投入することで、全量が速やかにガラス中に溶け込み、抵抗値を高いレベルで維持することが可能になる。
【００１９】
ただし、非晶質状態のＲｕＯ2であっても、最初からガラス原料酸化物と混合し、溶融を行うと、ガラス原料酸化物が溶融するまでの加熱過程で結晶質のＲｕＯ2になってしまい、結果的に結晶質のＲｕＯ2を用いたのと同じになってしまうので注意を要する。ガラス原料となるガラス原料酸化物が溶融した後に、非晶質状態のＲｕＯ2を投入することが肝要である。なお、非晶質状態のＲｕＯ2は、例えばスパッタ法等によって作製することができる。
【００２０】
ガラス原料酸化物は、特に限定されることはないが、環境保全上、鉛を実質的に含まないことが好ましい。本発明において、「鉛を実質的に含まない」とは、不純物レベルとは言えない量を越える鉛を含まないことを意味し、不純物レベルの量（例えば、ガラス材料または導電性材料中の含有量が０．０５体積％以下程度）であれば含有されていてもよい趣旨である。鉛は、不可避不純物として極微量程度に含有されることがある。ガラス原料酸化物は、通常、ガラス形成酸化物とガラス修飾酸化物とを混合して用いるが、ガラス形成酸化物としては、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5等を挙げることができ、これらの中から選択される少なくとも１種を用いる。ガラス修飾酸化物としては、Ｎａ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ等のアルカリ酸化物や、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ等の中性酸化物等を挙げることができ、これらの中から適宜選択して用いればよい。また、酸化物の代わりにＣａＣＯ3等の炭酸塩を原料に用いることも可能である。さらに、必要に応じて、その他の金属酸化物をガラス原料酸化物として添加してもよい。この場合、ガラス化し得る範囲内であれば、これら添加量に制限はない。
【００２１】
図１は、ＲｕＯ2を含有する厚膜抵抗体用ガラスの製造プロセスの一例を示すものである。本発明の厚膜抵抗体用ガラスを作製するには、先ず、ガラス原料酸化物を秤量し（工程１）、白金るつぼ中でこれを溶融する（工程２）。溶融条件としては、例えば１４００℃で２時間加熱すればよいが、これに限らず、ガラス原料酸化物の種類等に応じて適宜設定すればよい。
【００２２】
一方、スパッタ法等により予め非晶質状態のＲｕＯ2を用意しておき、これを所望の抵抗値等に応じて所定量秤量し、溶融物の入った白金るつぼ中に直接投入する（工程３）。その後、さらに例えば１４００℃で１時間溶融を続け（工程４）、水中に投下、急冷し、ガラス化する（工程５）。最後に、得られたガラスをボールミル等で粉砕し（工程６）、乾燥する（工程７）。以上により、ＲｕＯ2含有ガラス粉末を完成する。
【００２３】
上述の製造プロセスによれば、ＲｕＯ2を多量にガラス中に含有させることが可能であるが、製造したガラスを厚膜抵抗体に用いることを考慮すると、ガラス中に含有されるＲｕＯ2量は、３〜１５重量％とすることが好ましい。ＲｕＯ2量が３重量％未満であると、高い抵抗値を得ることができず、逆に１５重量％を越えると、抵抗値が高すぎて、厚膜抵抗体における抵抗値の調整が難しくなる。ＲｕＯ2量が１５重量％を越えたガラスを用いても、導電材料の比率を変えることで厚膜抵抗体の抵抗値の調整は可能ではあるが、その場合、導電材料の比率を多くする必要がある。このような形態の場合には、特に耐湿試験での抵抗値変動を生じ易くなり、信頼性の点で実用に適さない。
【００２４】
上述の厚膜抵抗体用ガラスは、導電材料やビヒクル等と混合することにより厚膜抵抗体ペーストとされ、これを基板上に塗布（印刷）し、焼成することにより厚膜抵抗体が形成される。このとき、導電材料としては、必要な抵抗値に応じて任意の材料を選択することができるが、高抵抗値の厚膜抵抗体を得るという目的からは、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6と同程度の抵抗率を持つ導電材料、すなわちＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7、ＢａＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＳｒＲｕＯ3から選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。これら導電材料を用いた場合にも、ガラス中に十分にＲｕＯ2が溶解されていることから、例えば基板への焼き付け過程において、導電材料中のＲｕがガラス中に溶出し、溶解析出反応により厚膜抵抗体中にＲｕＯ2が析出するといった不都合が生ずることはない。
【００２５】
また、上記ビヒクルとしては、この種の厚膜抵抗体ペーストに用いられるものがいずれも使用可能であり、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタクリレート等のバインダ樹脂と、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アセテート、トルエン、各種アルコール、キシレン等の溶剤とを混合して用いることができる。このとき、各種の分散剤や活性剤、可塑剤等を用途等に応じて適宜併用することも可能である。さらに、必要に応じて、遷移金属群元素の酸化物、典型金属群元素の酸化物等の各種酸化物をＴＣＲ調整剤、またはその他の目的で添加してもよい。
【００２６】
厚膜抵抗体を基板上に形成するには、上記の成分を含む厚膜抵抗体ペーストを基板上に例えばスクリーン印刷等の手法で印刷（塗布）し、８５０℃程度の温度で焼成すればよい。基板としては、アルミナ基板、ＡｌＮ基板等のセラミック基板等を用いることができ、基板形態としては、単層基板、複合基板、多層基板のいずれであってもよい。多層基板の場合、厚膜抵抗体は、表面に形成してもよいし、内部に形成してもよい。
【００２７】
厚膜抵抗体の形成に際しては、通常、基板に電極となる導電パターンを形成するが、この導電パターンは、例えば、ＡｇやＰｔ等の良導電材料を含む導電ペーストを印刷することにより形成することができる。また、形成した厚膜抵抗体の表面に、ガラス膜等の保護膜を形成してもよい。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
厚膜抵抗体用ガラスの作製
ガラス原料酸化物として、ＣａＣＯ3、Ｂ2Ｏ3、及びＳｉＯ2を用い、これらをＣａＣＯ3：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝４５：３５：２０（重量％）となるような組成で混合し、白金るつぼで１４００℃、２時間溶融した。その溶融した状態の中に、スパッタ法により得られた非晶質状態のＲｕＯ2を直接１〜２０重量％投入し、再度１４００℃で１時間溶融した後、水中へ投下し、急冷することでＲｕＯ2を含有するガラスを得た。これを実施例ガラスとする。また、非晶質状態のＲｕＯ2を用いる代わりに結晶質のＲｕＯ2を用い、実施例ガラスと同様にしてＲｕＯ2を含有するガラスを得た。これを比較例ガラスとする。なお、作製に際して用いた非晶質ＲｕＯ2のＸ線回折チャートを図２に、また、結晶質ＲｕＯ2のＸ線回折チャートを図３に示す。
【００２９】
厚膜抵抗体用ガラスの評価
作製した厚膜抵抗体用ガラス（実施例及び比較例）について、Ｘ線回折により、ＲｕＯ2に由来するピークの有無を調べた。Ｘ線回折の結果を表１に示す。なお、表１において、ＲｕＯ2のピークが認められた試料は×、認められなかった試料は○とした。また、参考のため、実施例ガラス（ＲｕＯ2量１０重量％）のＸ線回折チャートを図４に、比較例ガラス（ＲｕＯ2量１０重量％）のＸ線回折チャートを図５に示す。
【００３０】
【表１】
2005057041.tif 000003
【００３１】
この表１からも明らかなように、非晶質状態のＲｕＯ2を用いることで、結晶質のＲｕＯ2を用いた場合に比べて、ＲｕＯ2を多量に含むガラスを作製することができ、ＲｕＯ2の析出もないことを確認することができた。また、作製されたガラスは、いずれもＰｂＯを含まず、鉛フリーである。
【００３２】
次に、作製した厚膜抵抗体用ガラス（実施例ガラス）を用いて厚膜抵抗体ペーストを作製し、厚膜抵抗体を作製した。
厚膜抵抗体ペーストの作製
導電材料としてＣａＲｕＯ3を用い、実施例ガラス（ＲｕＯ2量１重量％、３重量％、１５重量％、及び２０重量％）を用いて厚膜抵抗体ペーストを作製した。厚膜抵抗体ペーストは、導電材料とガラスを体積比で２０：８０になるように秤量し、ビヒクル中に分散させ、３本ロールで混練することにより作製した。また、比較のため、ＲｕＯ2を含有しないＣａＯ系ガラスを用いて、同様に厚膜抵抗体ペーストを作製した。
【００３３】
導電ペーストの作製
ＡｇにＰｔを３重量％添加した導電材料にＺｎＯ系ガラスを５重量％添加した。これをビヒクル中に分散し、３本ロールで混練することにより導電ペーストを作製した。
【００３４】
導体形成基板の作製
アルミナ基板上に作製した導体ペーストをスクリーン印刷法にて所定のパターンで印刷し、１５０℃で１０分間乾燥した。さらに、８５０℃でアルミナ基板に導体ペーストを焼き付け、導体形成基板を作製した。なお、焼き付け時間は、全体で１時間とした。
【００３５】
厚膜抵抗体の形成
上記により作製した導体形成基板上に厚膜抵抗体ペーストをスクリーン印刷法にて１×１ｍｍの方形状のパターンで印刷し、８５０℃で焼き付けを行い、抵抗測定用厚膜抵抗体を作製した。なお、焼き付け時間は、全体で１時間とした。
また、形成される厚膜抵抗体のＸ線回折用の試料として、アルミナ基板上に厚膜抵抗体を２ｃｍ×２ｃｍの方形状のパターンに形成したものを別に用意した。
【００３６】
厚膜抵抗体の評価
作製した抵抗測定用厚膜抵抗体について、抵抗値の測定を行った。また、Ｘ線回折用の試料を用いて、厚膜抵抗体のＸ線回折を測定した。結果を表２に示す。なお、Ｘ線回折結果において、ＲｕＯ2のピークが認められた試料は×、認められなかった試料は○とした。また、参考のため、ガラス中のＲｕＯ2量が１５重量％である厚膜抵抗体のＸ線回折チャートを図６に、ガラス中のＲｕＯ2量が０重量％である厚膜抵抗体のＸ線回折チャートを図７に示す。
【００３７】
【表２】
2005057041.tif 000004
【００３８】
ガラス中のＲｕＯ2量を３重量％以上とすることにより、１００ｋΩ／□を越える高抵抗の厚膜抵抗体が実現されている。なお、ガラス中のＲｕＯ2量を２０重量％以上とすると、抵抗値が大きすぎて、測定することができなかった。これらの事実に鑑みると、厚膜抵抗体用ガラスに含有させるＲｕＯ2量は、３〜１５重量％とすることが好ましいことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の厚膜抵抗体用ガラスの製造プロセスの一例を示すフローチャートである。
【図２】原料として使用した非晶質ＲｕＯ2のＸ線回折チャートである。
【図３】原料として使用した結晶質ＲｕＯ2のＸ線回折チャートである。
【図４】実施例ガラスのＸ線回折チャートである。
【図５】比較例ガラスのＸ線回折チャートである。
【図６】ガラス中のＲｕＯ2量が１５重量％である厚膜抵抗体のＸ線回折チャートである。
【図７】ガラス中のＲｕＯ2量が０重量％である厚膜抵抗体のＸ線回折チャートである。
【図１】
2005057041.tif 000005
【図２】
2005057041.tif 000006
【図３】
2005057041.tif 000007
【図４】
2005057041.tif 000008
【図５】
2005057041.tif 000009
【図６】
2005057041.tif 000010
【図７】
2005057041.tif 000011