(57)【要約】【課題】  プローブピンおよび被検査対象物が破損し難いプローブユニットおよびその製造方法、通電検査装置、通電検査方法を提供する。【解決手段】  １または複数のプローブピンを備え、プローブピンの少なくとも一部が磁性体で形成され、プローブピンが磁場によって可動するプローブユニット。基板と、１または複数のプローブピンとを備え、プローブピンは、基板に固定された固定部と基板と所定間隔をおいて配置された先端部からなり、固定部もしくは先端部のいずれか一方の一部が磁性体で形成されているプローブユニット。１または複数のプローブピンを備え、プローブピンが複数の異なる磁性体で形成され、プローブピンが磁場によって可動するプローブユニット。プローブユニットが磁場内にあるときはプローブピンが突出し、プローブユニットが磁場内にないときはプローブピンが格納されているプローブユニット。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数のプローブピンを備えたプローブユニットであって、
前記１または複数のプローブピンの少なくとも一部が磁性体で形成され、前記１または複数のプローブピンが磁場によって可動するように形成されたことを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
基板と、１または複数のプローブピンとを備えたプローブユニットであって、
前記１または複数のプローブピンは、前記基板に固定された固定部と、前記基板に固定されていない先端部からなり、前記固定部もしくは前記先端部のいずれか一方の一部が磁性体で形成されていることを特徴とするプローブユニット。
【請求項３】
１または複数のプローブピンを備えたプローブユニットであって、
前記１または複数のプローブピンが複数の異なる磁性体で形成され、前記１または複数のプローブピンが磁場によって可動するように形成されたことを特徴とするプローブユニット。
【請求項４】
前記プローブユニットが磁場内にあるときは前記１または複数のプローブピンが突出し、前記１またはプローブユニットが磁場内にないときは前記１または複数のプローブピンが格納されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記１または複数のプローブピンが、透明基板上に形成されたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記１または複数のプローブピンの先端部が、帯状物で固定されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のプローブユニット。
【請求項７】
電磁石が備えられたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のプローブユニット。
【請求項８】
基板の表面に犠牲膜を形成し、該犠牲膜の表面に下地膜を形成し、該下地膜の表面にプローブピンパターンを開口した第1のレジスト膜を形成し、該第1のレジスト膜の開口部に、メッキによりプローブピンパターンを形成し、前記第1のレジスト膜を除去し、前記プローブピンパターンおよび前記下地膜の表面に前記プローブピンパターンの先端部を開口した第２のレジスト膜を形成し、該第２のレジスト膜の開口部に、メッキにより磁性体を形成し、前記第２のレジスト膜、前記第２のレジスト膜下部の前記下地膜を除去し、前記犠牲膜を除去してプローブユニットを得ることを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれかに記載のプローブユニットと、該プローブユニットを保持するホルダと、被検査対象物を載置する試料台と、前記ホルダの上面および／または前記試料台の裏面に設置された１個または２個以上の電磁石もしくは永久磁石とを備えたことを特徴とする通電検査装置。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかに記載のプローブユニットと、該プローブユニットを保持するホルダと、被検査対象物を載置する試料台と、前記ホルダの上面および／または前記試料台の裏面に設置された１個または２個以上の電磁石とを備えたことを特徴とする通電検査装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の通電検査装置を用いて、該通電検査装置に備えられたプローブピンを、被検査対象物と所定の距離をおいて配置し、前記通電検査装置に設置された電磁石に通電して磁場を発生し、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物側に変位して、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物に接触して通電を確認することを特徴とする通電検査方法。
【請求項１２】
前記電磁石に流す電流の量を調節し、前記プローブピンの変位量を変化して、被検査対象物との接触圧を調節することを特徴とする請求項１１記載の通電検査方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の通電検査装置を用いて、該通電検査装置に備えられたプローブピンを、被検査対象物と所定の距離をおいて配置し、前記通電検査装置に設置された永久磁石により磁場を発生し、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物側に変位して、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物に接触して通電を確認することを特徴とする通電検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネルなどの電子部品の電極あるいは端子部に接続して、電極などの通電検査に用いられるプローブユニットおよびその製造方法、通電検査装置、通電検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路、液晶パネル、プリント基板などに対する製品検査として、これらが要求仕様通りに動作するか否かを確認するために、通電検査が行われる。
この通電検査は、プローブユニットの先端や、その近傍に形成された突起を、半導体集積回路、液晶パネル、プリント基板などに並列して配置されている電極に押し当てることにより行われる。このような通電検査に用いられるプローブユニットは、その先端が被検査物の電極のピッチに合わせて１：１に対応するように接触し、それぞれ独立に通電される「独立配線」タイプと、プローブユニットの先端が複数の電極と接触する「プランジャ」タイプがある。
【０００３】
ところで、液晶パネルを構成するガラス板の縁に並列配置される電極層は、ますます微小ピッチ化する傾向にある。このような液晶パネルの通電検査においては、通電検査装置側において、この微小ピッチの電極層に対応するピッチのプローブユニットの提供が必要となる。
現状では上記電極層のピッチは０．１ｍｍ以下であり、これに対応するプローブユニットを機械的に打ち抜き加工して形成することは困難となっている。
このため、エッチング法やメッキ形成法でプローブユニットを形成する方法が用いられている。
【０００４】
また、液晶パネルなどの通電検査は、プローブユニットを備えた通電検査装置を用いて、プローブピンの先端が、絶縁材料などで形成された試料台上に載置された液晶パネルなどの電極に押し当てられて、行なわれる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
ところで、従来の通電検査装置では、プローブピンがプローブユニットの基板から常に突出した状態となっているため、プローブピンが何かに接触して曲がったり、折れたりして破損するおそれがあった。
また、従来の通電検査方法では、プローブピンの先端を被検査対象物に押し当てるため、力の加え方次第で、プローブピンが破損したり、被検査対象物が破損するという問題があった。
【特許文献１】特開平９−１４８３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、プローブピンおよび被検査対象物が破損し難いプローブユニットおよびその製造方法、通電検査装置、通電検査方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、１または複数のプローブピンを備えたプローブユニットであって、前記１または複数のプローブピンの少なくとも一部が磁性体で形成され、前記１または複数のプローブピンが磁場によって可動するように形成されたプローブユニットを提供する。
【０００８】
本発明は、基板と、１または複数のプローブピンとを備えたプローブユニットであって、前記１または複数のプローブピンは、前記基板に固定された固定部と、前記基板に固定されていない先端部からなり、前記固定部もしくは前記先端部のいずれか一方の一部が磁性体で形成されているプローブユニットを提供する。
【０００９】
本発明は、１または複数のプローブピンを備えたプローブユニットであって、前記１または複数のプローブピンが複数の異なる磁性体で形成され、前記１または複数のプローブピンが磁場によって可動するように形成されたプローブユニットを提供する。
【００１０】
上記プローブユニットにおいて、前記プローブユニットが磁場内にあるときは前記１または複数のプローブピンが突出し、前記１またはプローブユニットが磁場内にないときは前記１または複数のプローブピンが格納されていることが好ましい。
【００１１】
上記プローブユニットにおいて、前記１または複数のプローブピンが、透明基板上に形成されたことが好ましい。
【００１２】
上記プローブユニットにおいて、前記１または複数のプローブピンの先端部が、帯状物で固定されたことが好ましい。
【００１３】
上記プローブユニットにおいて、電磁石が備えられたことが好ましい。
【００１４】
本発明は、基板の表面に犠牲膜を形成し、該犠牲膜の表面に下地膜を形成し、該下地膜の表面にプローブピンパターンを開口した第1のレジスト膜を形成し、該第1のレジスト膜の開口部に、メッキによりプローブピンパターンを形成し、前記第1のレジスト膜を除去し、前記プローブピンパターンおよび前記下地膜の表面に前記プローブピンパターンの先端部を開口した第２のレジスト膜を形成し、該第２のレジスト膜の開口部に、メッキにより磁性体を形成し、前記第２のレジスト膜、前記第２のレジスト膜下部の前記下地膜を除去し、前記犠牲膜を除去してプローブユニットを得るプローブユニットの製造方法を提供する。
【００１５】
本発明は、上記プローブユニットと、該プローブユニットを保持するホルダと、被検査対象物を載置する試料台と、前記ホルダの上面および／または前記試料台の裏面に設置された１個または２個以上の電磁石もしくは永久磁石とを備えた通電検査装置を提供する。
【００１６】
本発明は、上記プローブユニットと、該プローブユニットを保持するホルダと、被検査対象物を載置する試料台と、前記ホルダの上面および／または前記試料台の裏面に設置された１個または２個以上の電磁石とを備えた通電検査装置を提供する。
【００１７】
本発明は、上記通電検査装置を用いて、該通電検査装置に備えられたプローブピンを、被検査対象物と所定の距離をおいて配置し、前記通電検査装置に設置された電磁石に通電して磁場を発生し、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物側に変位して、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物に接触して通電を確認する通電検査方法を提供する。
【００１８】
上記通電検査方法において、前記電磁石に流す電流の量を調節し、前記プローブピンの変位量を変化して、被検査対象物との接触圧を調節することが好ましい。
【００１９】
本発明は、上記通電検査装置を用いて、該通電検査装置に備えられたプローブピンを、被検査対象物と所定の距離をおいて配置し、前記通電検査装置に設置された永久磁石により磁場を発生し、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物側に変位して、前記プローブピンの先端部を前記被検査対象物に接触して通電を確認する通電検査方法を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のプローブユニットによれば、液晶パネルなどの通電検査時に、プローブピンに磁場を印加すると、プローブピンが撓んで基板から突出し、プローブピンに磁場を印加するのを止めると、プローブピンを基板側に格納することができる。したがって、プローブピンが予期せぬ力で何かに接触して曲がったり、折れたりして破損することを防止することができる。
【００２１】
本発明のプローブユニットの製造方法によれば、プローブピンの先端部が磁化されたプローブユニットを容易に製造することができる。
【００２２】
本発明の通電検査装置によれば、プローブピンが予期せぬ力で何かに接触して曲がったり、折れたりして破損することを防止することができる。したがって、プローブピンを交換する頻度が少なくなり、効率良く、連続的に通電検査を行なうことができる。
【００２３】
本発明の通電検査方法によれば、プローブピンの先端部に作用する磁場の強度を変化させて、プローブピンの先端部が被検査対象物に加える荷重を調節することができる。これにより、プローブピンの先端部の被検査対象物への接触を繰り返し行ない、被検査対象物の電極などの表面に形成された酸化被膜を破って、先端部と被検査対象物との接触度合を高めることができる。また、プローブピンの先端部を被検査対象物の電極に接触した状態で、プローブピンから被検査対象物に電流を流せば、磁場の方向に応じて、プローブピンの先端部には力が作用し、プローブピンの先端部が、電極の表面上を僅かに滑るように動くため、プローブピンの先端部と被検査対象物との接触度合が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明のプローブユニットは、複数のプローブピンと、このプローブピンが固定されている基板とから概略構成されている。また、本発明のプローブユニットは、複数のプローブピンの少なくとも一部が磁性体で形成され、この複数のプローブピンが磁場によって可動するように形成されたものである。さらに、本発明のプローブユニットは、磁場内にあるときは複数のプローブピンが突出し、磁場内にないときは複数のプローブピンが格納されるようになっている。
【００２５】
図１および図２は、本発明のプローブユニットの第１の実施形態の製造方法を示す断面模式図である。
この実施形態のプローブユニットの製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように、平坦な基板１を用意する。
基板１としては、厚さ数ｍｍ程度のガラス板、合成樹脂板、セラミックス板、シリコン、金属板、金属薄膜と樹脂フィルムが積層されたフレキシブル基板などが用いられるが、特に、ガラス板などの透明な基板が好ましい。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１の表面上に、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などによって、金属薄膜２を形成する。
金属薄膜２としては、厚さ０．１〜５．０μｍ程度の銅薄膜、銅（Ｃｕ）／クロム（Ｃｒ）薄膜などが好ましい。特に、金属薄膜２として、銅／クロム薄膜が形成される場合、まず、クロムをスパッタリング法により形成して密着層とし、その上に銅をスパッタリング法により形成する。この場合のクロム薄膜の厚さは例えば０．０３μｍ、銅薄膜の厚さは例えば０．３μｍ程度となっている。
【００２７】
次に、図１（ｃ）に示すように、金属薄膜２の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、第１のレジスト膜３を形成する。また、第１のレジスト膜３の厚さを、１０μｍ程度とすることが好ましい。
この第１のレジスト膜３を形成することにより、金属薄膜２の必要な部分を保護し、この部分が後段の工程で除去されないようにする。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示すように、第１のレジスト膜３で覆われていない金属薄膜２を、イオンミリングによって除去する。
次に、図１（ｅ）に示すように、第１のレジスト膜３を除去する。第１のレジスト膜３を除去するには、アセトン、N−メチル−２−ピロリドンなどの有機溶剤で第１のレジスト膜３と金属薄膜２の界面を洗浄する。
【００２９】
次に、図１（ｆ）に示すように、基板１および金属薄膜２の表面の全面に、スパッタリング法によって、プローブユニットの下地となるメッキシード層４を形成する。
メッキシード層４としては、厚さ０．０５〜０．５μｍ程度のチタン（Ｔｉ）／ニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）薄膜などが好ましい。メッキシード層４として、チタン／ニッケル−鉄薄膜が形成される場合、まず、チタンをスパッタリング法により形成して密着層とし、その上にニッケル−鉄をスパッタリング法により形成する。この場合のチタン薄膜の厚さは例えば０．０２μｍ、ニッケル−鉄薄膜の厚さは例えば０．１５μｍ程度となっている。
【００３０】
次に、図２（ａ）に示すように、メッキシード層４の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、任意のプローブピンパターンの開口部を有する第２のレジスト膜５を形成する。また、第２のレジスト膜５の厚さを、４０μｍ程度とすることが好ましい。
このように、フォトレジストを用いて第２のレジスト膜５を形成すれば、プローブピンを構成するリード群を形成するパターンを狭小間隔で互いに並列に形成することができる。したがって、この第２のレジスト膜５を用いて形成されたプローブピンは、狭小間隔で互いに並列に形成されたリードを有するものとなる。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、第２のレジスト膜５の形成されていないメッキシード層４の表面上に、硫酸をベースとした鉄、ニッケルなどの強磁性体を含むメッキ液を用いて電気メッキをすることにより、メッキ成長させて、磁性体層６を形成する。また、磁性体層６の厚さは、任意に設定することができる。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、第２のレジスト膜５を除去する。第２のレジスト膜５を除去するには、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで、第２のレジスト膜５とメッキシード層４の界面を洗浄する。このとき、基板１や第２のレジスト膜５などからなる積層体を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中に浸漬し、８５℃で、超音波洗浄すれば、第２のレジスト膜５の除去を効率的に行なうことができる。
【００３３】
次に、図２（ｄ）に示すように、磁性体層６よりも突出している部分のメッキシード層４を、イオンミリングによって除去し、メッキシード層４を磁性体層６と同形状に形成する。
次に、図２（ｅ）に示すように、銅を優先的に溶解するエッチング液およびクロムを優先的に溶解するエッチング液で金属薄膜２を溶解して、その一部が基板１から僅かに浮いた状態、すなわち、基板１に固定されていない状態のメッキシード層４と磁性体層６とからなるプローブピン７を形成し、プローブユニット８を得る。ここで、プローブピン７は、基板１に固定されていない先端部７ａと、基板１に固定されている固定部７ｂから構成されている。プローブピン７の先端部７ａは基板１上に固定されていなければよいが、図２（ｅ）に示すように、先端部７ａと基板１との間に隙間が設けられていてもよい。また、先端部７ａの長さは、プローブユニット８が適用される通電検査装置に応じて適宜設定される。
【００３４】
次に、このようにして得られたプローブユニット８のプローブピン７に、図３に示すように永久磁石９を接触して固定し、プローブピン７の先端部７ａの一部または固定部７ｂの一部をＮ極またはＳ極に磁化することもできる。この際、強磁場を有する永久磁石を用いて磁化すれば、プローブピン７の先端部７ａの一部または固定部７ｂの一部も、より強力に磁化される。これにより、プローブピン７の磁場に対する反応性を高めることができる。
【００３５】
図４は、本発明のプローブユニットの第２の実施形態の製造方法を示す断面模式図である。
この実施形態のプローブユニットの製造方法では、図１および図２（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施形態の工程と同様の工程を経て得られた基板１、金属薄膜２、メッキシード層４、磁性体層６からなる積層体の表面上に第２のレジスト膜１１を形成する。
第２のレジスト膜１１を形成するには、図４（ａ）に示すように、メッキシード層４および磁性体層６の表面上に、任意の厚さのフォトレジストを塗布し、このフォトレジストの表面に、任意形状のマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なフォトレジストを取り除き、磁性体層６の先端部のみに開口部を有するようにする。また、第２のレジスト膜１１の厚さを、１０〜４０μｍ程度とすることが好ましい。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、第２のレジスト膜１１の形成されていない磁性体層６の表面上に、磁場を保持する能力が高いコバルト、鉄、マンガンなどの強磁性体を含むメッキ液を用いて電気メッキをすることにより、メッキ成長させて、強磁性体層１２を形成する。ここで用いられる強磁性体は、メッキシード層４および磁性体層６を形成する材料と異なるものが好ましい。また、強磁性体層１２の厚さは、任意に設定することができる。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２のレジスト膜１１を除去する。第２のレジスト膜１１を除去するには、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで、第２のレジスト膜１１と、メッキシード層４および磁性体層６との界面を洗浄する。このとき、基板１や第２のレジスト膜１１などからなる積層体を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中に浸漬し、８５℃で、超音波洗浄すれば、第２のレジスト膜１１の除去を効率的に行なうことができる。
【００３８】
次に、図４（ｄ）に示すように、磁性体層６よりも突出している部分のメッキシード層４を、イオンミリングによって除去し、メッキシード層４を磁性体層６と同形状に形成する。
次に、図４（ｅ）に示すように、銅を優先的に溶解するエッチング液およびクロムを優先的に溶解するエッチング液で金属薄膜２を溶解して、その一部が基板１から僅かに浮いた状態、すなわち、基板１に固定されていない状態のメッキシード層４と、磁性体層６と、その先端部１３ａに強磁性体層１２が設けられたプローブピン１３を形成し、プローブユニット１４を得る。ここで、プローブピン１３は、基板１に固定されていない先端部１３ａと、基板１に固定されている固定部１３ｂから構成されている。プローブピン１３の先端部１３ａは基板１上に固定されていなければよいが、図４（ｅ）に示すように、先端部１３ａと基板１との間に隙間が設けられていてもよい。また、先端部１３ａの長さは、プローブユニット１４が適用される通電検査装置に応じて適宜設定される。
【００３９】
このようにして得られたプローブユニット１４は、プローブピン１３の先端部１３ａの一部が、強磁性体層１２で磁化されているから、プローブピン１３の磁場に対する反応性が高くなっている。また、強磁性体層１２は元から磁場を有するものであるから、磁場を保持する能力に優れ、プローブピン１３の磁場に対する反応性も長期間維持される。また、プローブユニット製造後に、プローブピンを永久磁石で磁化する必要がないので、製造工程を簡略化することができる。
また、図５に示すように、強磁性体層１２を、プローブピン１３の下層、すなわち、基板１側に設けてもよい。
【００４０】
図６は、本発明のプローブユニットの第３の実施形態を示す平面図である。
この実施形態のプローブユニット２０は、正方形の透明な基板２１上に、多数のリード２２、２２、…が高精度に狭小間隔で互いに並列に配列されて、その先端部分で櫛歯型をなすプローブピン２３、２３、２３、２３が形成されているものである。また、各プローブピン２３は、基板２１の正方形の各辺と垂直に交わるように配置されており、プローブピン２３の先端部２３ａは、一対ずつ対向するように配置されている。さらに、各プローブピン２３には、図示略の多数の電極が狭小間隔で互いに並列に形成されたフレキシブルプリント基板２４が、接合されている。このフレキシブルプリント基板２４とプローブピン２３との接合は、プローブピン２３のリード２２、２２、…とフレキシブルプリント基板２４の電極が一対をなして接続するようになされている。また、このプローブユニット２０では、破線部内のプローブピン２３の先端部２３ａと基板２１との間には、隙間が設けられている。
【００４１】
図７は、本発明のプローブユニット第４の実施形態を示し、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）はＩＩ―ＩＩで切断した状態を示す断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）の右側面図である。
この実施形態のプローブユニットは、プローブピン２３の先端部２３ａが、帯状物２５で固定されているものである。このようにすれば、プローブピン２３の隣合うリード２２、２２、…が互いに反発し合ったり、引き合ったりすることを防止できる。したがって、リード２２、２２、…が高精度に狭小間隔で互いに並列に配列された状態を維持することができるため、このプローブユニットを用いれば、液晶パネルなどの通電検査を高精度に行なうことができる。
帯状物２５は、絶縁性の樹脂、または、絶縁性の樹脂と磁性体とを組み合せたもの、例えば樹脂の表面に形成された磁性体からなるものである。特に、磁性体を用いれば、プローブピン２３の磁場に対する反応性を高くすることができる。
【００４２】
本発明のプローブユニットは、液晶パネルなどの通電検査時に、プローブピンに磁場を印加すると、プローブピンが撓んで基板から突出し、液晶パネルなどの被測定物に接触するようになっている。一方、通電検査を行わない時には、プローブピンに磁場を印加するのを止めて、プローブピンを基板側に格納することができる。したがって、プローブピンが予期せぬ力で何かに接触して曲がったり、折れたりして破損することを防止することができる。
【００４３】
次に、本発明のプローブユニットを用いた通電検査方法を説明する。
図８は、本発明のプローブユニットを用いた通電検査方法の概略を示す正面模式図である。
まず、プローブユニット２０を図示略の通電検査装置のホルダに固定する。
次に、通電検査装置の試料台３０に、液晶パネルなどの被検査対象物３１を載置する。
次に、図８（ａ）に示した矢印方向に透明基板２１を目視し、透明基板２１を介して、プローブピン２３の先端部２３ａと、被検査対象物３１の電極とを位置合わせする。
次に、図８（ｂ）に破線で示した矢印方向に、電磁石や永久磁石を用いて磁場を発生すると、磁化したプローブピン２３の先端部２３ａが、磁場方向に作用する引力または斥力により撓んで、被検査対象物３１の電極と接触する。このとき、プローブピン２３の先端部２３ａの極性により、先端部２３ａに作用する力は、引力または斥力となる。
次に、プローブピン２３の先端部２３ａが被検査対象物３１の電極と接触した状態で、プローブピン２３から被検査対象物３１の電極に電流を流して、通電検査をする。
【００４４】
また、プローブピン２３の先端部２３ａに作用する磁場の強さに応じて、先端部２３ａが被検査対象物３１に接触する際の荷重（圧力）が変化する。すなわち、磁場が弱ければ荷重は小さく、磁場が強ければ荷重は大きくなる。したがって、先端部２３ａに作用する磁場の強度を変化させて、先端部２３ａが被検査対象物３１に加える荷重を調節することができる。これにより、磁場の強さを小刻みに変動しながら、プローブピン２３の先端部２３ａの被検査対象物３１への接触を繰り返し行ない、被検査対象物３１の電極などの表面に形成された酸化被膜を破って、先端部２３ａと被検査対象物３１との接触度合（接触面積）を高めることができる。
【００４５】
また、図９に示すように、磁場Ｂまたは磁場Ｂ´を矢印方向に発生し、プローブピン２３の先端部２３ａを被検査対象物の電極３２に接触した状態で、プローブピン２３から被検査対象物の電極３２に電流Ｉを流すと、磁場Ｂまたは磁場Ｂ´の方向に応じて、先端部２３ａには、力Ｆまたは力Ｆ´が矢印方向に作用する。これにより、先端部２３ａが、電極３２の表面上を僅かに滑るように動くため、先端部２３ａと電極３２との接触度合（接触面積）が向上する。
【００４６】
図１０は、本発明の通電検査装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。
この実施形態の通電検査装置は、図示略のホルダに固定されたプローブユニット４０と、このプローブユニット４０と対向して配された試料台４１と、プローブユニット４０の背面に配された第１の電磁石４２と、試料台４１の背面に配された第２の電磁石４３と、第１の電磁石４２および第２の電磁石４３に電流を供給するための電源４４とから概略構成されている。また、第１の電磁石４２と第２の電磁石４３は、対向して配されている。
本発明で用いられる電磁石としては、スパイラルコイル、空芯コイル、ソレノイドコイル、ヘルムホルツコイルなどが挙げられるが、中でも、スパイラルコイルがコンパクトに収納できるので好ましく用いられる。
【００４７】
この実施形態の通電検査装置を用いた通電検査方法は、まず、図１０（ａ）に示すように、電源４４を切った状態で、試料台４１に被検査対象物４５を載置する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、電源４４を入れて、第１の電磁石４２および第２の電磁石４３に電流を流して、第１の電磁石４２から第２の電磁石４３に向う方向で、プローブユニット４０の長手方向および試料台４１の長手方向と垂直な方向に磁場を発生する。これにより、プローブピン４７が磁場方向に作用する引力または斥力により撓んで、先端部４７ａが基板４６から突出し、先端部４７ａが被検査対象物４５の電極と接触する。
次に、プローブピン４７の先端部４７ａが被検査対象物４５の電極と接触した状態で、プローブピン４７から被検査対象物４５の電極に電流を流して、通電検査をする。
【００４８】
図１１は、本発明の通電検査装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。
この実施形態の通電検査装置が上記第１の実施形態と異なるところは、電磁石４８が試料台４１の背面のみに配されている点である。
この実施形態の通電検査装置を用いた通電検査方法では、電源４４を入れ、電磁石４８に電流を流して、プローブユニット４０から試料台４１に向う方向で、プローブユニット４０の長手方向および試料台４１の長手方向と垂直な方向に磁場を発生する。これにより、プローブピン４７が磁場方向に作用する引力により試料台４１側に引き寄せられて撓み、先端部４７ａが基板４６から突出して、先端部４７ａが被検査対象物４５の電極と接触する。
なお、本発明の通電検査装置の第１の実施形態および第２の実施形態では、用いる電磁石の数を１個または２個としたが、本発明の通電検査装置にあっては、必要に応じて、１個または２個以上の電磁石が適宜用いられる。
【００４９】
図１２は、本発明の通電検査装置の第３の実施形態を示す概略構成図である。
この実施形態の通電検査装置が上記第１の実施形態と異なるところは、永久磁石４９が試料台４１の背面に、試料台４１との間の距離を調節可能に配されている点である。
この実施形態の通電検査装置を用いた通電検査方法では、永久磁石４９を試料台４１に近付けることによって、プローブユニット４０から試料台４１に向う方向で、プローブユニット４０の長手方向および試料台４１の長手方向と垂直な方向に磁場を発生する。これにより、プローブピン４７が磁場方向に作用する引力により試料台４１側に引き寄せられて撓み、先端部４７ａが基板４６から突出して、先端部４７ａが被検査対象物４５の電極と接触する。
なお、この実施形態では、用いる永久磁石の数を１個としたが、本発明の通電検査装置にあっては、必要に応じて、１個または２個以上の永久磁石が適宜用いられる。したがって、上記第１の実施形態同様に、永久磁石がプローブユニット４０の背面に配されていてもよい。
【００５０】
図１３は、本発明の通電検査装置の第４の実施形態を示す概略構成図である。
この実施形態の通電検査装置が上記第１の実施形態と異なるところは、電磁石５０がプローブユニット４０の背面に、プローブユニット４０と一体に設けられている点と、プローブピン４７の先端に強磁性体５１が設けられている点である。
この実施形態の通電検査装置を用いた通電検査方法では、電源４４を入れ、電磁石５０に電流を流して、プローブユニット４０から試料台４１に向う方向で、プローブユニット４０の長手方向および試料台４１の長手方向と垂直な方向に磁場を発生する。これにより、プローブピン４７が磁場方向に作用する斥力により反発して、試料台４１側に押し寄せられて撓み、先端部４７ａが基板４６から突出して、先端部４７ａが被検査対象物４５の電極と接触する。
なお、この実施形態では、用いる電磁石の数を１個としたが、本発明の通電検査装置にあっては、必要に応じて、１個または２個以上の電磁石が適宜用いられる。したがって、上記第１の実施形態同様に、電磁石がプローブユニット４０の背面に配されていてもよい。
また、この実施形態の通電検査装置のように、プローブピン４７の先端に強磁性体５１が設けられていれば、プローブピン４７の磁場に対する反応性が高くなり、より効率的に通電検査を行なうことができる
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のプローブユニットの第１の実施形態の製造方法を示す断面模式図である。
【図２】本発明のプローブユニットの第１の実施形態の製造方法を示す断面模式図である。
【図３】本発明のプローブユニットを磁化する方法を説明する模式図である。
【図４】本発明のプローブユニットの第２の実施形態の製造方法を示す断面模式図である。
【図５】本発明のプローブユニットの第２の実施形態の他の例を示す断面模式図である。
【図６】本発明のプローブユニットの第３の実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明のプローブユニット第４の実施形態を示し、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）はＩＩ―ＩＩで切断した状態を示す断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）の右側面図である。
【図８】本発明のプローブユニットを用いた通電検査方法の概略を示す正面模式図であり、図８（ａ）は磁場を発生しない状態を示し、図８（ｂ）は磁場を発生した状態を示す図である。
【図９】本発明のプローブユニットを用いた通電検査方法において、プローブピンに作用する磁場と力の関係を示す概略斜視図である。
【図１０】本発明の通電検査装置の第１の実施形態を示す概略構成図であり、図１０（ａ）は電磁石に電流を流していない状態を示し、図１０（ｂ）は電磁石に電流を流した状態を示す図である。
【図１１】本発明の通電検査装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。
【図１２】本発明の通電検査装置の第３の実施形態を示す概略構成図であり、図１２（ａ）は試料台に永久磁石を近付けていない状態を示し、図１２（ｂ）は試料台に永久磁石を近付けてた状態を示す図である。
【図１３】本発明の通電検査装置の第４の実施形態を示す概略構成図であり、図１３（ａ）は電磁石に電流を流していない状態を示し、図１３（ｂ）は電磁石に電流を流した状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１，２１，４６・・・基板、２・・・金属薄膜、３・・・第１のレジスト膜、４・・・メッキシード層、５，１１・・・第２のレジスト膜、６・・・磁性体層、７，１３，２３，４７・・・プローブピン、７ａ，１３ａ，２３ａ，４７ａ・・・先端部、７ｂ,１３ｂ・・・固定部、８，１４，２０，４０・・・プローブユニット、９・・・永久磁石、１２・・・強磁性体層、２２・・・リード、２４・・・フレキシブルプリント基板、２５・・・帯状物、３０，４１・・・試料台、３１，４５・・・被検査対象物、３２・・・電極、４２・・・第１の電磁石、４３・・・第２の電磁石、４４・・・電源、４８，５０・・・電磁石、４９・・・永久磁石、５１・・・強磁性体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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