(57)【要約】【課題】  本発明は、ダイオ―ドの配置面積及び組み込み高さを低減し、タッチパネル厚さを低減した抵抗膜方式ダイオード付きタッチパネルを提供する。【解決手段】  電位検出電極膜と対向してガラス基板１上に設けられた透明抵抗膜２に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜３上に、透明抵抗膜のＸ軸方向、Ｙ軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加し、第１電極層５又は第２電極層６上にスクリーン印刷又はスタンピング印刷で直接形成した半導体層を含む複数のダイオードＤＸ１ｍ、ＤＸ２ｍ、ＤＹ１ｎ、ＤＹ２ｎが所定間隔で並置される。各ダイオードの片側に接続する第１電極層５は、絶縁体膜に設けた開口部を介して透明抵抗膜に導通する。ダイオードＤＸ１ｍとＤＹ２ｎの他の極は、電圧供給端子Ｖｂに、ダイオードＤＸ２ｍとＤＹ１ｎの他の極は、電圧供給端子Ｖａに、夫々の第２電極層によって接続される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電位検出電極膜と対向して透明基板上に設けられた透明抵抗膜に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜上に、該透明抵抗膜のＸ軸方向又はＹ軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加するために、複数のスイッチ素子が所定間隔で並置されたタッチパネルにおいて、
前記スイッチ素子は、前記絶縁体膜上に配置された電極層上にスクリーン印刷又はスタンピング印刷で形成された半導体層を含む積層体であり、当該スイッチ素子が導通したときに、前記所定電圧が前記透明抵抗膜の前記Ｘ軸方向又は前記Ｙ軸方向に印加されることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記積層体は、Ｎ型又はＰ型半導体層と金属層とによるショットキー接合ダイオードを有することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記所定間隔で並置された複数の第１電極層と、連続して延在する第２電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記積層体が、前記第１電極上に形成され、
前記金属層が、前記第２電極層上に延びて接続されていることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記第１電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記第１電極層と前記所定間隔で並置された複数の第２電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記積層体が、前記第１電極上に形成され、
前記金属層が、前記第２電極層上に延びて接続されていることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記第２電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることを特徴とする請求項７に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記積層体が、前記所定間隔で並置された複数の第１電極層上に形成され、
前記第２電極層が、前記絶縁体層上から前記積層体上に延びて配置されることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記第１電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることを特徴とする請求項９に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記積層体が、第１電極層上に形成され、
前記第２電極層が、前記絶縁体層上から前記積層体上に延びて配置されることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記第２電極層が、前記絶縁体膜に前記所定間隔で設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
前記透明抵抗膜は、矩形の接触検知領域を含めて前記透明基板上に形成され、
前記絶縁体膜は、前記接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第１辺乃至第４辺に配置され、
前記複数のスイッチ素子は、第１乃至第４スイッチ素子群を形成し、該第１乃至第４スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第１辺乃至第４辺に夫々に沿って配置され、
前記第１乃至第４スイッチ素子群の各々に含まれる複数のスイッチ素子の各々は、前記透明抵抗膜に導通する所定間隔で配置された第１電極層と、前記所定電圧が印加される給電端子を有する第２電極層とに接続され、
前記検出電極膜が形成された透明フィルムが、前記第１辺乃至第４辺に夫々に沿って配置されたスペーサを介して前記接触検知領域に対向するように貼着して載置され、
前記検出電極膜が押圧されたとき、相対向する前記第１スイッチ素子群及び前記３スイッチ素子群、又は、相対向する前記第２スイッチ素子群及び第４スイッチ素子群が交互に選択され、選択された当該スイッチ素子群は、接続されている各第２電極層の前記給電端子間に前記所定電圧が印加されたとき、オン動作となる請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項１４】
前記第１スイッチ素子群乃至前記第４スイッチ素子群に含まれる各スイッチ素子は、Ｎ型又はＰ型半導体層と金属層とによるショットキー接合ダイオードであり、
前記第１スイッチ素子群及び前記第４スイッチ素子群に含まれる各々のダイオードのカソードが、前記第１電極層に、該ダイオードのアノードが、前記第２電極層に接続され、
前記第２スイッチ素子群及び前記第３スイッチ素子群に含まれる各々のダイオードのカソードが、前記第２電極層に、該ダイオードのアノードが、前記第１電極層に接続されることを特徴とする請求項１３に記載のタッチパネル。
【請求項１５】
前記第１スイッチ素子群乃至前記第４スイッチ素子群のダイオードの各々が接続される前記第２電極層は、前記絶縁体膜上において、前記第１電極層より内側に形成され、
前記第１スイッチ素子群と前記第２スイッチ素子群とに係る各第２電極層、及び、前記第３スイッチ素子群と前記第４スイッチ素子群とに係る各第２電極層は、夫々連続して形成されて給電端子に接続されていることを特徴とする請求項１４に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
前記第１スイッチ素子群乃至前記第４スイッチ素子群の夫々における複数の第１電極層のうちの少なくとも一個が特定され、
前記特定された前記第１電極層が、電極電圧検出端子を有する配線層に接続されることを特徴とする請求項１５に記載のタッチパネル。
【請求項１７】
前記電極電圧検出端子は、前記透明基板の一端部に設けられた前記給電端子と並んで配置され、
前記配線層は、前記絶縁体膜上の前記第１電極層の外側に形成され、前記各第１電極層と、該第１電極層に対応した前記検出端子とを接続することを特徴とする請求項１５に記載のタッチパネル。
【請求項１８】
透明基板の一面に形成された透明抵抗膜上の周縁部に、所定間隔を置いて該透明抵抗膜を臨む複数の開口部を有する所定幅の絶縁体膜を形成する工程と、
前記開口部に第１電極層を形成する工程と、
前記開口部と離間し、前記周縁部に沿って延在する第２電極層を形成する工程と、
前記第１電極層又は前記第２電極層上に、前記所定間隔を置いて複数のスイッチ素子を形成する工程と、
前記第２電極層に給電端子を接続する工程と、
検出電極膜が形成された透明フィルムが絶縁スペーサを介在させて貼り合わされる工程と、を含むことを特徴とするタッチパネル製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁体膜は、絶縁材ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項１７に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２０】
前記第１電極層及び前記第２電極層は、導電ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項１８に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２１】
前記スイッチ素子は、金属層と半導体層を含み、
前記金属層が前記第１電極層又は第２電極層上に金属ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成された後、前記半導体層が、該金属層に積層され、且つ、前記第２電極層又は前記第１電極層の双方に重なるように半導体ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２２】
前記金属ペーストは、タングステンを含み、
前記半導体ペーストは、Ｎ型又はＰ型シリコンを含むことを特徴とする請求項２０に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２３】
積層された前記半導体層と前記金属層が、加熱圧着され、前記半導体層と前記金属層との接触部にショットキー接合ダイオードが形成されることを特徴とする請求項２０又は２１に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２４】
前記絶縁体膜は、矩形の接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第１辺乃至第４辺に形成され、
前記複数のスイッチ素子は、第１乃至第４スイッチ素子群を形成し、該第１乃至第４スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第１辺乃至第４辺に夫々に沿って形成され、
前記第１乃至第４スイッチ素子群の各々に含まれる複数のスイッチ素子の各々は、前記透明抵抗膜に導通する所定間隔で配置された第１電極層と、前記所定電圧が印加される給電端子を有する第２電極層とに接続されることを特徴とする請求項１３乃至２２のいずれか一項に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２５】
透明基板の一面に形成された透明抵抗膜上の周縁部に、所定間隔を置いて該透明抵抗膜を臨む複数の開口部を有する所定幅の絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜上に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層上にスイッチ素子を形成する工程と、
前記スイッチ素子の上面を含めて、前記絶縁体膜の前記周縁部に沿って延在する第２電極層を形成する工程と、
前記第２電極層に給電端子を接続する工程と、
検出電極膜が形成された透明フィルムが絶縁スペーサを介在させて貼り合わされる工程と、を含むことを特徴とするタッチパネル製造方法。
【請求項２６】
前記絶縁体膜は、絶縁材ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項２４に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２７】
前記第１電極層及び前記第２電極層は、導電ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項２５に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２８】
前記スイッチ素子は、金属層と半導体層を含み、
前記金属層が前記第１電極層又は第２電極層上に金属ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成された後、前記半導体層が、少なくとも該金属層に積層されて重なるように、半導体ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成され、
前記半導体層と前記金属層が、加熱圧着され、前記半導体層と前記金属層との接触部にダイオード接合が形成されることを特徴とする請求項２５又は２６に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項２９】
前記金属ペーストは、タングステンを含み、
前記半導体ペーストは、Ｎ型又はＰ型シリコンを含み、
前記半導体層と前記金属層との接触部にショットキー接合ダイオードが形成されることを特徴とする請求項２７に記載のタッチパネル製造方法。
【請求項３０】
前記絶縁体膜は、矩形の接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第１辺乃至第４辺に形成され、
前記複数のスイッチ素子は、第１乃至第４スイッチ素子群を形成し、該第１乃至第４スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第１辺乃至第４辺の夫々に沿って形成され、
前記第１スイッチ素子群及び前記第２スイッチ素子群の各スイッチ素子は、前記絶縁体膜に形成された前記開口部に形成された前記第１電極層上に形成され、該スイッチ素子上面に延びた前記第２電極層に接続され、
前記第３スイッチ素子群及び前記第４スイッチ素子群の各スイッチ素子は、前記絶縁体膜の周縁部に沿って形成された前記第２電極層上に形成され、該スイッチ素子上面に延び、前記絶縁体膜に形成された前記開口部に形成された前記第１電極層に接続されることを特徴とする請求項２４乃至２８のいずれか一項に記載のタッチパネル製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗膜方式によるスイッチ素子付きのタッチパネル及びその製造方法に関し、特に、筆記耐久性に優れ、長寿命化を図るとともに、スイッチ素子の組み込みを簡便化し、パネル自体の厚さを低減できるタッチパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶ディスプレイ等の表示装置の表示画面上には、タッチパネルが設けられている。このタッチパネルが設けられていると、表示画面に表示されているアイコン等をスタイラス等で押下又はタッチすることにより、コンピュータに直接的に入力指令をすることが可能となる。そのため、タッチパネルは、ＰＤＡ、ＰＯＳ等の端末装置の表示画面には、広く採用されている。
【０００３】
従来から使用されているタッチパネルの形式には、種々あるが、例えば、透明導電膜が形成されたガラス基板と透明樹脂フィルムとをスペーサを介して対向配置した構成のタッチパネルが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
このタッチパネルでは、ガラス基板又は透明樹脂フィルムの一方の透明導電膜形成面に係る対向辺に沿って、例えば、Ｘ軸に沿う２辺に、第１電極が夫々形成され、他方の透明導電膜形成面に係る対向辺に沿って、例えば、Ｙ軸に沿う２辺に、第２電極が夫々形成されている。指、スタイラスペン等によるタッチ位置検出は、第１電極間に所定の電圧を印加して、第２電極の一方から電圧を検出することによりタッチ位置のＹ座標を、同様に、第２電極間に所定の電圧を印加して、第１電極の一方から電圧を検出することにより、タッチ位置のＸ座標を決定するようになっている。
【０００５】
即ち、この様な従来技術によるタッチパネルは、ガラス基板側だけでなく、透明樹脂フィルム側の透明導電膜にも電極間に電圧を印加して、座標検出のための電界を生成する必要がある。しかし、スタイラスペン等による押下、筆記等を繰り返すと、透明樹脂フィルム側の透明導電膜にクラックが発生する場合がある。その場合には、透明樹脂フィルム側の透明導電膜に生成される電界に歪みが生じ、接触位置の検出精度が悪化することを回避することが困難となる。
【０００６】
そこで、ガラス基板上の透明導電膜の隣接する辺に沿って、複数の電極を形成し、スイッチ素子を介して該電極に電圧を印加して、面状の抵抗部材に所定の電圧傾度を持たせ、スタイラスペン等が接触した位置の電位によって、その接触位置を検出する形式のタッチパネルが提案されている（例えば、特許文献２を参照）。
【０００７】
この提案された抵抗膜方式によるタッチパネルでは、矩形状の透明抵抗膜が形成されたガラス基板の面上に、透明抵抗膜の各辺に複数のスイッチ素子、例えば、ＦＥＴ、ダイオード等が等間隔で並置されている。スタイラスペン等が透明抵抗膜に接触したとき、相対向する辺に並置されたスイッチ素子をオン駆動して、透明抵抗膜のＸ軸方向又はＹ軸方向に電位勾配が形成される。そこで、Ｘ軸とＹ軸との各々に係るスタイラスペン等の電位を検出することによって、その接触位置の座標が特定される。
【０００８】
この従来から知られている抵抗膜方式のタッチパネルについて、スイッチ素子がダイオードである場合を例にして、その構成を、図９に示した。図９では、説明を簡単化するために、平面図を用いて、タッチパネルＰの模式的な概略構成が示されており、実際のタッチパネルに係る形状、大きさを表していない。
【０００９】
ガラス基板１の表面に、矩形状の透明抵抗膜２が被着形成されている。透明抵抗膜２の周縁部の辺毎に、所定間隔で複数の電極が、配置されている。図中では、電極は、白抜きの四角形で表示されており、複数の電極を纏めて電極群とし、透明抵抗膜２の各辺に、電極群Ｅ１乃至Ｅ４が設けられている。透明抵抗膜２の周辺に、各電極群に含まれる電極の各々に接続される電極数分のダイオードが設置される。図９に示される例では、電極群Ｅ１及びＥ３の電極に、４個ずつのダイオードＤｘ１１乃至Ｄｘ１４、Ｄｘ２１乃至Ｄｘ２４が接続され、電極群Ｅ２及びＥ４の電極に、６個ずつのダイオードＤｙ１１乃至Ｄｙ１６、Ｄｙ２１乃至Ｄｙ２６が接続されている。これらの個数は、電位勾配の形成状況に応じて適当に決められる。
【００１０】
ここで、ダイオードＤｘ１１乃至Ｄｘ１４の各カソードと、ダイオードＤｙ２１乃至Ｄｙ２６の各アノードとが共通接続され、電圧供給端子Ｖａに接続されている。また、ダイオードＤｙ１１乃至Ｄｙ１６の各カソードと、ダイオードＤｘ２１乃至Ｄｘ２４の各アノードとが共通接続され、電圧供給端子Ｖｂに接続されている。
【００１１】
図９には図示されていない透明導電膜を有する透明樹脂フィルムを介して、スタイラスペンによって、透明抵抗膜２の一点が押圧されたとき、Ｘ軸方向の該押圧点の位置を求めるため、電圧供給端子Ｖａに電圧Ｖａが印加され、電圧供給端子Ｖｂを接地する。そこで、透明抵抗膜２のＸ軸方向に電位勾配が形成されるので、該押圧点に係るＸ軸方向における電位を検出することができ、Ｘ軸座標が求まる。次いで、Ｙ軸方向の該押圧点の位置を求めるため、電圧供給端子Ｖａを接地し、電圧供給端子Ｖｂに電圧Ｖｂが印加される。そこで、透明抵抗膜２のＹ軸方向に電位勾配が形成されるので、該押圧点に係るＹ軸方向における電位を検出することができ、Ｙ軸座標が求まる。
【００１２】
従来の抵抗膜方式のタッチパネルＰの表示画面上における座標の求め方の原理は、以上の様であり、スタイラスペン等による押下、筆記等が繰り返されたとき、透明樹脂フィルム側の透明導電膜にクラックが発生しても、ガラス基板側から座標検出電位を検出するのには、殆ど影響ないので、筆記耐久性が向上し、長寿命化を図っている。
【００１３】
ところで、図９に示された抵抗膜方式のタッチパネルでは、矩形状の透明抵抗膜の周辺にダイオードが設置されるところから、透明抵抗膜の接触検知領域の必要面積を確保しようとすると、透明抵抗膜の面積より広いガラス基板を必要とし、タッチパネル全体のサイズが大きなものとなる問題があった。そこで、ダイオードの設置の仕方を工夫して、この問題を解決しようとする抵抗膜方式のタッチパネルが提案されている（例えば、特許文献３を参照）。
【００１４】
その提案されている抵抗膜方式のタッチパネルの構成を図１０（ａ）及び（ｂ）に示した。図１０（ａ）は、抵抗膜方式のタッチパネルにおけるダイオード取り付け部分の拡大平面図を示し、図１０（ｂ）には、図１０（ａ）に示されたダイオード取り付け部分におけるＸ−Ｘ断面図が示されており、同一部分には、同じ符号が付けられている。
【００１５】
図１０に示された抵抗膜方式のタッチパネルでは、矩形状のガラス基板１の全面に、透明抵抗膜２が被着されており、その透明抵抗膜２の周縁部に、所定幅の絶縁体層３が形成されている。つまり、絶縁体層３が、額縁状に形成されることになり、その内部に、透明抵抗膜２の接触検知領域が拡がっている。
【００１６】
この絶縁体層３に、所定間隔を置いて複数の開口部が形成されており、この複数の開口部の各々を介して透明抵抗膜２に接続され、そこから延在する複数の電極層５が設けられる。さらに、絶縁体層３上には、複数の電極層５と離間し、これらと平行に延びる電極層６が設けられる。そして、電極層５と電極層６との間に、ダイオードＤが配置され、ダイオードＤの端子が、各電極層に半田付けされ、その半田付け部分が、絶縁体７で被覆される。
【００１７】
図１０の例では、ダイオードＤに、２個のダイオードが内蔵され、この２個のダイオードは、図９に示された各辺に並置された複数のダイオードにおける相隣り合う２個のダイオードに対応しており、電極層５が、電極群Ｅ１乃至Ｅ４の各電極に相当している。これで、図９に示された抵抗膜方式のタッチパネルにおける回路構成を実現している。絶縁体層３上に配置されたスペーサ４を介して、透明樹脂フィルム８が貼り合わされ、透明抵抗膜２の接触検知領域は、この透明樹脂フィルム８によって覆われる。
【００１８】
以上のように、先に提案された抵抗膜方式のタッチパネルでは、透明抵抗膜の周縁部に設けた絶縁体層上に、平行する２個の電極層を設け、この電極層間に、ダイオードが搭載されるので、接触検知領域の周辺に形成される額縁状部分の幅を狭くすることが可能となり、接触検知領域の有効面積を拡大でき、或いは、タッチパネル全体の平面サイズを小さくすることができる。
【００１９】
【特許文献１】特開昭５９−８５５８４号公報
【特許文献２】特開平５−２６５６３３号公報
【特許文献３】特開平６−１８７０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
以上に説明してきたように、従来技術による抵抗膜方式のダイオード搭載タッチパネルでは、ガラス基板の周辺部に、単一部品として構成された複数のダイオードを配置する必要がある。そのため、タッチパネル全体の有効面積が減少するだけでなく、タッチパネルの額縁状の周縁部分において、タッチパネルの厚さが増加することとなる。この厚さの増加は、タッチパネルを表示装置に組み込む場合に、支障を来たしている。
【００２１】
そして、従来技術による抵抗膜方式のダイオード搭載タッチパネルでは、単一部品として構成されたダイオードが使用されているため、ダイオード取り付け後において、嵩張るだけでなく、透明抵抗膜に設けられた各電極への接続にあたって、半田付け等の取り付け作業が煩雑となり、タッチパネルの製造工程が複雑化し、製造コストの低減が困難であった。
【００２２】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ペースト材料のスクリーン印刷又はスタンピング印刷により、ダイオードを、面上に、直接形成するという簡便な方法を採用し、ダイオ―ドの配置面積を低減でき、さらに、タッチパネルの厚さを低減することの可能な抵抗膜方式のダイオード付きタッチパネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の課題を解決するため、本発明では、電位検出電極膜と対向して透明基板上に設けられた透明抵抗膜に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜上に、該透明抵抗膜のＸ軸方向又はＹ軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加するために、複数のスイッチ素子が所定間隔で並置されたタッチパネルにおいて、前記スイッチ素子が、前記絶縁体膜上に配置された電極層上にスクリーン印刷又はスタンピング印刷で形成された半導体層を含む積層体であり、当該スイッチ素子が導通したときに、前記所定電圧が前記透明抵抗膜の前記Ｘ軸方向又は前記Ｙ軸方向に印加されることとした。
【００２４】
そして、前記積層体は、Ｎ型又はＰ型半導体層と金属層とによるショットキー接合ダイオードを有することとし、前記所定間隔で並置された複数の第１電極層と、連続して延在する第２電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置され、前記積層体が、前記第１電極上に形成され、前記金属層が、前記第２電極層上に延びて接続されていることとし、さらに、前記第１電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることとした。
【００２５】
前記第１電極層と前記所定間隔で並置された複数の第２電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置されることとし、前記積層体が、前記第１電極上に形成され、前記金属層が、前記第２電極層上に延びて接続され、さらに、前記第２電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることとした。
【００２６】
前記積層体が、前記所定間隔で並置された複数の第１電極層上に形成され、前記第２電極層が、前記絶縁体層上から前記積層体上に延びて配置され、さらに、前記第１電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることとした。
【００２７】
前記積層体が、第１電極層上に形成され、前記第２電極層が、前記絶縁体層上から前記積層体上に延びて配置され、さらに、前記第２電極層が、前記絶縁体膜に前記所定間隔で設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に導通していることとした。
【００２８】
また、前記タッチパネルにおいて、前記透明抵抗膜は、矩形の接触検知領域を含めて前記透明基板上に形成され、前記絶縁体膜は、前記接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第１辺乃至第４辺に配置され、前記複数のスイッチ素子は、第１乃至第４スイッチ素子群を形成し、該第１乃至第４スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第１辺乃至第４辺に夫々に沿って配置され、前記第１乃至第４スイッチ素子群の各々に含まれる複数のスイッチ素子の各々は、前記透明抵抗膜に導通する所定間隔で配置された第１電極層と、前記所定電圧が印加される給電端子を有する第２電極層とに接続され、前記検出電極膜が形成された透明フィルムが、前記第１辺乃至第４辺に夫々に沿って配置されたスペーサを介して前記接触検知領域に対向するように貼着して載置され、前記検出電極膜が押圧されたとき、相対向する前記第１スイッチ素子群及び前記３スイッチ素子群、又は、相対向する前記第２スイッチ素子群及び第４スイッチ素子群が交互に選択され、選択された当該スイッチ素子群は、接続されている各第２電極層の前記給電端子間に前記所定電圧が印加されたとき、オン動作となるようにした。
【００２９】
そして、前記第１スイッチ素子群乃至前記第４スイッチ素子群に含まれる各スイッチ素子は、Ｎ型又はＰ型半導体層と金属層とによるショットキー接合ダイオードであり、前記第１スイッチ素子群及び前記第４スイッチ素子群に含まれる各々のダイオードのカソードが、前記第１電極層に、該ダイオードのアノードが、前記第２電極層に接続され、前記第２スイッチ素子群及び前記第３スイッチ素子群に含まれる各々のダイオードのカソードが、前記第２電極層に、該ダイオードのアノードが、前記第１電極層に接続されることとした。
【００３０】
前記第１スイッチ素子群乃至前記第４スイッチ素子群のダイオードの各々が接続される前記第２電極層は、前記絶縁体膜上において、前記第１電極層より内側に形成され、前記第１スイッチ素子群と前記第２スイッチ素子群とに係る各第２電極層、及び、前記第３スイッチ素子群と前記第４スイッチ素子群とに係る各第２電極層は、夫々連続して形成されて給電端子に接続されていることとした。
【００３１】
さらに、前記第１スイッチ素子群乃至前記第４スイッチ素子群の夫々における複数の第１電極層のうちの少なくとも一個が特定され、前記特定された前記第１電極層が、電極電圧検出端子を有する配線層に接続されることとし、前記電極電圧検出端子は、前記透明基板の一端部に設けられた前記給電端子と並んで配置され、前記配線層は、前記絶縁体膜上の前記第１電極層の外側に形成され、前記各第１電極層と、該第１電極層に対応した前記検出端子とを接続することとした。
【００３２】
また、本発明のタッチパネル製造方法では、透明基板の一面に形成された透明抵抗膜上の周縁部に、所定間隔を置いて該透明抵抗膜を臨む複数の開口部を有する所定幅の絶縁体膜を形成する工程と、前記開口部に第１電極層を形成する工程と、前記開口部と離間し、前記周縁部に沿って延在する第２電極層を形成する工程と、前記第１電極層又は前記第２電極層上に、前記所定間隔を置いて複数のスイッチ素子を形成する工程と、前記第２電極層に給電端子を接続する工程と、検出電極膜が形成された透明フィルムが絶縁スペーサを介在させて貼り合わされる工程と、を含めた。
【００３３】
そして、前記絶縁体膜は、絶縁材ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成され、前記第１電極層及び前記第２電極層は、導電ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることとした。
【００３４】
前記スイッチ素子は、金属層と半導体層を含み、前記金属層が前記第１電極層又は第２電極層上に金属ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成された後、前記半導体層が、該金属層に積層され、且つ、前記第２電極層又は前記第１電極層の双方に重なるように半導体ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されるようにした。
【００３５】
前記金属ペーストは、タングステンを含み、前記半導体ペーストは、Ｎ型又はＰ型シリコンを含むこととし、積層された前記半導体層と前記金属層が、加熱圧着され、前記半導体層と前記金属層との接触部にショットキー接合ダイオードが形成されるようにした。
【００３６】
前記絶縁体膜は、矩形の接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第１辺乃至第４辺に形成され、前記複数のスイッチ素子は、第１乃至第４スイッチ素子群を形成し、該第１乃至第４スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第１辺乃至第４辺に夫々に沿って形成され、前記第１乃至第４スイッチ素子群の各々に含まれる複数のスイッチ素子の各々は、前記透明抵抗膜に導通する所定間隔で配置された第１電極層と、前記所定電圧が印加される給電端子を有する第２電極層とに接続されることとした。
【００３７】
また、本発明のタッチパネル製造方法では、透明基板の一面に形成された透明抵抗膜上の周縁部に、所定間隔を置いて該透明抵抗膜を臨む複数の開口部を有する所定幅の絶縁体膜を形成する工程と、前記絶縁体膜上に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上にスイッチ素子を形成する工程と、前記スイッチ素子の上面を含めて、前記絶縁体膜の前記周縁部に沿って延在する第２電極層を形成する工程と、前記第２電極層に給電端子を接続する工程と、検出電極膜が形成された透明フィルムが絶縁スペーサを介在させて貼り合わされる工程とを含また。
【００３８】
そして、前記絶縁体膜は、絶縁材ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成され、前記第１電極層及び前記第２電極層は、導電ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることとした。
【００３９】
前記スイッチ素子は、金属層と半導体層を含み、前記金属層が前記第１電極層又は第２電極層上に金属ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成された後、前記半導体層が、少なくとも該金属層に積層されて重なるように、半導体ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成され、前記半導体層と前記金属層が、加熱圧着され、前記半導体層と前記金属層との接触部にダイオード接合が形成されることとした。
【００４０】
前記金属ペーストは、タングステンを含み、前記半導体ペーストは、Ｎ型又はＰ型シリコンを含み、前記半導体層と前記金属層との接触部にショットキー接合ダイオードが形成されることとした。
【００４１】
前記絶縁体膜は、矩形の接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第１辺乃至第４辺に形成され、前記複数のスイッチ素子は、第１乃至第４スイッチ素子群を形成し、該第１乃至第４スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第１辺乃至第４辺の夫々に沿って形成され、前記第１スイッチ素子群及び前記第２スイッチ素子群の各スイッチ素子は、前記絶縁体膜に形成された前記開口部に形成された前記第１電極層上に形成され、該スイッチ素子上面に延びた前記第２電極層に接続され、前記第３スイッチ素子群及び前記第４スイッチ素子群の各スイッチ素子は、前記絶縁体膜の周縁部に沿って形成された前記第２電極層上に形成され、該スイッチ素子上面に延び、前記絶縁体膜に形成された前記開口部に形成された前記第１電極層に接続されることとした。
【発明の効果】
【００４２】
以上の様な本発明の構成によれば、複数のダイオードを、タッチパネルを構成するガラス基板における額縁状の絶縁体膜の周縁部分に、スクリーン印刷又はスタンピング印刷によって直接的に形成するようにしたので、ダイオード部分に係る面積を小さく、高さを低くすることができ、タッチパネルとしての有効面積を大きくとれるようになり、額縁状の周縁部分が狭いダイオード付きタッチパネルを実現することができる。
【００４３】
また、本発明によれば、複数のダイオードが、タッチパネルを構成するガラス基板における額縁状の周縁部分に、半導体ペーストと金属ペーストとによるスクリーン印刷によって直接的に形成されるという簡便な方法を採用するようにしたので、半導体層生成のための特別な装置を必要とせず、さらに、ダイオードの取り付けにあたっての半田付け作業が必要なくなり、タッチパネルの量産性を向上することができ、製造コストを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
次に、本発明のタッチパネルに係る実施形態が、図を参照して、以下に、説明される。図１には、本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルＰ１の平面図が示されている。同図では、タッチパネルＰ１の上面にスペーサを介して設けられる透明樹脂フィルムは、図示を省略している。
【００４５】
タッチパネルＰ１では、ＩＴＯ等による透明抵抗膜２が矩形状のガラス基板１の全面に形成されており、その透明抵抗膜２上の周縁部分に、所定幅の絶縁体膜３が形成される。つまり、この絶縁体膜３の４辺によって額縁状になっている。この絶縁体膜３は、図１において、網掛け部分で示されている。透明抵抗膜２については、額縁状の絶縁体膜３で囲まれる内側部分の透明抵抗膜２が露出しており、この内側部分が接触検知領域となっている。
【００４６】
各辺の絶縁体膜３には、開口部を介して透明導電膜２に接続された複数の第１電極層５と、各辺に平行に連続する第２電極層６とが夫々配設されている。これらの第１電極層５と第２電極層６とに跨って、スイッチ素子であるダイオードが形成されている。図１に示したタッチパネルＰ１の例では、Ｘ軸方向で対向する絶縁体膜３の２辺の一方に、５個のダイオードＤＸ１ｍからなるダイオード群ＤＸ１が、そして、その他方の辺には、５個のダイオードＤＸ２ｍからなるダイオード群ＤＸ２が夫々形成されている。また、Ｙ軸方向で対向する絶縁体膜３の２辺の一方に、８個のダイオードＤＹ１ｎからなるダイオード群ＤＹ１が、そして、その他方の辺には、８個のダイオードＤＹ２ｎからなるダイオード群ＤＹ２が夫々形成されている。
【００４７】
図１の例では、ｍ＝１、…、５、ｎ＝１、…、８の場合であるが、この数は、適宜選択され、これに限定されない。各辺に設けられる第１電極層５の数は、このｍとｎの数に対応している。各辺の絶縁体膜３上に配置された第２電極層６については、隣り合う２辺に係る第２電極層６が接続され、その端部が、電圧供給端子Ｖａ、ＶｂとしてタッチパネルＰ１の縁部に導出される。電圧供給端子Ｖａ、Ｖｂは、例えば、図１に示されるように、タッチパネルＰ１における一つの角部に設けられる。
【００４８】
次に、図１に示されたタッチパネルＰ１に組み込まれた複数のダイオード構造について説明する。図２に、複数ダイオードのうちの一つにおけるダイオードの具体例を、縦断面図で示した。図２（ａ）は、図１のタッチパネルＰ１におけるＡ−Ａ断面を示し、図２（ｂ）は、同じくＢ−Ｂ断面を示している。
【００４９】
図２（ａ）に示されるように、ガラス基板１の上面に、透明抵抗膜２が形成され、さらに、その上に、絶縁体膜３が形成されている。絶縁体膜３には、透明抵抗膜２が露出する開口部が開けられている。絶縁体膜３の上面に、第１電極層５1と第２電極層６1と並行して配置され、第１電極層５1は、開口部を介して透明抵抗膜２に接触して電気的に導通している。第１電極層５1の上面には、ダイオードが形成されており、そのダイオードの一方の層である金属層９1が設けられている。そして、ダイオードのもう一方の層として、金属層９1の上面に、金属層９1とショットキー接合を形成するＰ型半導体層１０1が設けられている。金属層９1は、例えば、シリコンからなり、Ｐ型半導体層１０1は、例えば、タングステンからなっている。このＰ型半導体層１０1は、金属層９1の上面から、第２電極層６1の上面まで延在しており、第１電極層５1と第２電極層６1とが、ダイオードとしての電極になっている。
【００５０】
図２（ｂ）に示されたダイオードの構造は、基本的には、図２（ａ）に示されたダイオードの構造と同様であり、金属層９2とＰ型半導体層１０2とによって、ショットキー接合が形成されている。ただ、図９に示されているように、対向する辺に設けられる各々のダイオードの極性が同一方向であることを必要とすることから、図２（ａ）のダイオードの極性と、図２（ｂ）のダイオードの極性も同一方向とするため、図２（ｂ）のダイオードは、第２電極層６2の上面に形成され、Ｐ型半導体層１０2が第１電極層５2の上面まで延在させている。
【００５１】
図２の（ａ）及び（ｂ）に示したダイオードの構造の具体例では、図１に示されるように、第２電極層６が額縁状の絶縁体膜３上の内側に設けられ、複数の第１電極層５が、その第２電極層の外側に配置されている。そして、ダイオードを形成する金属層が、第１電極層又は第２電極層の上面まで延在している。そこで、このダイオードの構造とは異なる別の具体例を、図３に示した。
【００５２】
この別の具体例では、ダイオードの一方の層を形成するＰ型半導体層の延在させることによって、該Ｐ型半導体層が第１電極層又は第２電極層に接続する代りに、第１電極層又は第２電極層が、ダイオードの上面まで延在するようにした。図３（ａ）は、図２（ａ）の場合と同様に、図１のタッチパネルＰ１におけるＡ−Ａ断面を示し、図３（ｂ）は、図２（ｂ）の場合と同様に、Ｂ−Ｂ断面を示している。
【００５３】
図３（ａ）では、第１電極層５1上で、金属層９1とＰ型半導体層１０1とでショットキー接合ダイオードが形成されていることは、図２（ａ）の場合と同様であるが、絶縁体層３上で各辺に並行に配置された第２電極層６1の一部が、Ｐ型半導体層１０1の上面に延在している点が、図２（ａ）の場合と異なっている。図３（ｂ）の場合には、金属層９2とＰ型半導体層１０2からなる複数のダイオードが、第２電極層６2上に所定間隔を置いて形成され、第１電極層５2が、各ダイオードのＰ型半導体層１０2の上面に延在するようになっている。図３（ａ）と図３（ｂ）のいずれの場合も、第１電極層と第２電極層との間には、金属層及びＰ型半導体層が介在することになり、第１電極層と第２電極層は、分離され、直接接触することはない。
【００５４】
なお、これまでに説明したダイオードの構造に関する具体例又は別の具体例では、ダイオードの一方の層を形成する半導体層には、硼素等をドープしたＰ型シリコンを使用した場合であった。このＰ型シリコンの代りに、燐等をドープしたＮ型シリコンを使用してもよく、この場合には、図２又は図３に示された構造による全ダイオードの極性は、各具体例の場合と反対極性になる。
【００５５】
図２及び図３の（ａ）と（ｂ）では、図１のタッチパネルＰ１におけるＹ軸方向に対向した２辺に配置されたダイオード群ＤＹ１の各ダイオードＤＹ１ｎと、ダイオード群ＤＹ２の各ダイオードＤＹ２ｎとのダイオード構造について説明されたが、Ｘ軸方向に対向する２辺に配置されたダイオード群ＤＸ１の各ダイオードＤＸ１ｎと、ダイオード群ＤＸ２の各ダイオードＤＸ２ｎも、図２及び図３の（ａ）と（ｂ）に示されたものと同様のダイオード構造になっている。
【００５６】
Ｙ軸方向の対抗２辺の各ダイオードＤＹ１ｎ、ＤＹ２ｎと、Ｘ軸方向の対向２辺の各ダイオードＤＸ１ｎ、各ダイオードＤＸ２ｎのいずれも同一のダイオード構造を有し、額縁状の絶縁体膜３の対向する２辺において、第１電極層５が、第２電極層６の外側に設けられている。その２辺のうち、片方の辺では、各ダイオードが第１電極層の上に、他方の辺では、各ダイオードが第２電極層の上に形成される。そのため、ダイオード素子の積層体に係る各層が、タッチパネルＰ１に組み込まれる全ダイオードについて、同一工程で形成することを可能にし、しかも、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに必要なダイオード極性方向をも、一斉に揃えて形成することが可能となる。
【００５７】
以上で、本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルに係る構成と、そのタッチパネルに組み込まれるダイオードの構造とについて説明された。次に、組み込まれるダイオードの形成工程を含めて、本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルの製造工程について、図４乃至図７を参照しながら説明する。図４と図５のいずれも、本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルに係る製造工程のフローを示し、図４では、各工程における作業内容が説明されており、図５では、図４に示された各工程に対応して、タッチパネルの製造工程の状況を表す構造図で説明されている。そのため、夫々の図で同じ製造工程に対して、同じ工程符号が付されている。
【００５８】
抵抗膜方式のタッチパネルの製造は、最初には、ガラス基板上に処理するガラス基板側の製造工程と、透明樹脂フィルムに処理する樹脂フィルム側の製造工程とが別々に開始され、夫々の製造工程で処理が行われた後、両者が貼り合わされて完成するという手順で行われる。
【００５９】
ガラス基板側の製造においては、先ず、矩形状に、所定の大きさに切り出されたガラス基板における片面の全面上に、透明抵抗膜として、例えば、ＩＴＯ膜が、通常の成膜装置を用いて形成される。ガラス基板上にＩＴＯ膜が形成された後に、矩形状のＩＴＯ膜上において、中央において接触検知領域が確保されるように、額縁部分に相当する周縁部分に、絶縁材ペーストを所定幅でスクリーン印刷する。このとき、第１電極層がＩＴＯ膜に導通するように所定間隔を置いた開口部を形成するため、この開口部に相当する部分を除いて絶縁材ペーストが印刷される（工程Ａ１）。
【００６０】
次いで、ＩＴＯ膜上に、額縁状の絶縁体層が形成されると、この絶縁体層上に、第１電極層５に相当し、各ダイオードの一方の電極となる下部電極と、第２電極層６に相当し、各ダイオードの他方の電極となる配線パターンが、例えば、Ａｇペースト等による導電ペーストが、図１に示されるように、スクリーン印刷される（工程Ａ２）。
【００６１】
下部電極及び配線パターンが、絶縁体膜上に形成された後に、下部電極の配置に対応した部分に、該下部電極と配線パターンとに電気的に接続される複数のスイッチ素子が形成される（工程Ａ３）。これらのスイッチ素子は、例えば、金属層の材料として、タングステンが、そして、半導体層の材料として、Ｎ型又はＰ型シリコンが用いられ、タングステンとシリコンとの２層間がショットキー接合され、ダイオードの積層体が形成される。タッチパネルに組み込まれる複数のダイオードが、個々別々に作成されるのではなく、各々の金属層が、タングステンペーストのスクリーン印刷によって、同時工程で形成され、その後、半導体層が、シリコンペーストのスクリーン印刷によって、同時工程で形成される。このダイオードの形成工程に関する詳細は、後述される。
【００６２】
次いで、各ダイオードが、ガラス基板上に係る額縁部分の絶縁体膜上に組み込まれた後に、両面テープの片側が、タッチパネルのＩＴＯ膜と樹脂フィルムの透明導電層との間隙を生成するスペーサとなるように、額縁状に、絶縁体層上に貼り付けられる。さらに、必要箇所に、接合用導電性樹脂が塗布される（工程Ａ４）。これで、ガラス基板側の製造工程は、終了する。
【００６３】
一方、ガラス基板に貼り合わされる透明樹脂フィルム側の製造においては、先ず、透明樹脂フィルムとして、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが用意される。このＰＥＴフィルムの片面に、透明導電層として、例えば、ＩＴＯ膜が、通常用いられている成膜装置で、その全面に形成される（工程Ｂ１）。
【００６４】
次いで、ガラス基板と同じ形状で形成されたＩＴＯ膜の対向する２辺に、上部電極が形成される（工程Ｂ２）。この上部電極は、スタイラス等による押圧によって、接触検知領域の透明抵抗膜と透明樹脂フィルムのＩＴＯ膜とが接触し、その押圧位置における電位を検出するための電極であり、タッチパネルの電位検出端子に導出する配線パターンになっている。
【００６５】
なお、ＰＥＴフィルムによる樹脂フィルム側の製造においては、工程Ｂ１で、ワークサイズに切断された樹脂フィルムが用意される場合には、工程Ｂ２の終了後に、ガラス基板のサイズに合わせて切り出されてもよく、或いは、工程Ｂ１の処理が、連続シートによる樹脂フィルムに対して実施される場合には、工程Ｂ２の処理が、連続して、タッチパネル単位毎に実施された後に、ガラス基板のサイズに合わせて切り出されてもよい。
【００６６】
以上のように、ガラス基板側の製造工程と、樹脂フィルム側の製造工程とが夫々終了したので、工程Ａ４においてガラス基板に貼着された両面テープの粘着力によって、ガラス基板とＰＥＴフィルムとが貼りあわされ、工程Ａ４で塗布された接合用導電性樹脂に対して熱硬化処理を実施する（工程Ｃ１）。
【００６７】
そこで、電圧供給端子、電位検出端子等を含む端子Ｔを有する配線プリントフィルムを取り付けると（工程Ｃ２）、本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルが完成する。
この様にして、所定間隔を置いた複数の第１電極層を、タッチパネルの周縁部の最も外周に近い箇所に配置することができ、複数のダイオードと、第２電極層等の全てが、第１電極層の内側に形成される。これによって、タッチパネルとしての接触検知領域を効率的に広げることができ、その全域において、均一な電位分布が得られる。しかも、筆記耐久性を向上し、さらには、長寿命化を図れる。
【００６８】
また、所定間隔を置いた複数のダイオードが、タッチパネルの周縁部の絶縁体膜上に、各辺に並行して配置された第１電極層と第２電極層とに跨るように形成されるので、ダイオードの組み込みに必要な面積を低減でき、しかも、ダイオード自体を２層の積層体として、ガラス基板と透明樹脂フィルムとで挟み込めるようにしたので、タッチパネルの厚さも低減できる。ダイオードを個別部品として組み込む場合のように、組み込まれたダイオードが、タッチパネル外面から突出することがない。
【００６９】
次に、図４及び図５に示された抵抗膜方式のタッチパネルの製造工程中における工程Ａ１乃至Ａ４に係るガラス基板側の製造について、図６に、ダイオード部分を中心にして、各製造工程を断面図で示した。図６では、図１のＡ−Ａ線に係る図２（ａ）に示されたダイオード取り付け部分を代表的に例示している。また、図６で示した各製造工程に対応させて、図７に、図１におけるＡ−Ａ線に係る各製造工程を平面図で示した。
【００７０】
先ず、図６及び図７の（ａ）及び（ｂ）は、図４及び図５に示された工程Ａ１の処理に対応している。ガラス基板１の上面の全面に、ＩＴＯ膜である透明抵抗膜３が形成され、この透明抵抗膜２の周縁部分に、所定幅の絶縁体膜３が形成された状態が示されている。ここで、絶縁体膜３は、透明抵抗膜２の接触検知領域１１と、第１電極層５1が透明抵抗膜２に導通するための開口部１２とを除いて、額縁状に絶縁材ペーストによるスクリーン印刷で形成される。
【００７１】
図６及び図７の（ｃ）は、工程Ａ２の処理に対応している。絶縁体膜３上に、Ａｇペーストのスクリーン印刷によって、第１電極層５1と第２電極層６1が形成される。このときのスクリーン印刷では、第１電極層５1と第２電極層６1だけでなく、絶縁体膜３上に形成される他の第１電極層及び第２電極層の全てが同時に印刷される。図示されるように、第１電極層は、各開口部１２を超えた絶縁体膜３上の範囲まで拡がってもよい。これで、ダイオード形成における位置精度をそれ程高くしなくても済むようになる。
【００７２】
次に、図６及び図７の（ｄ）乃至（ｆ）は、工程Ａ３に対応しており、ダイオードの形成工程になっている。図６及び図７の（ｄ）は、タングステンペーストのスクリーン印刷により、第１電極層５1上に、ダイオードの積層体を形成する一方の金属層９1が形成される工程を示している。図６及び図７の（ｄ）では、図２（ａ）の場合のみを示していえるが、金属層の形成においても、タングステンペーストのスクリーン印刷により、タッチパネルに組み込まれる全ダイオードにおける金属層を同時に形成するので、図６及び図７の（ｄ）には、図示されないが、図２（ｂ）に示されるように、第２電極層６2上にも、タングステンペーストのスクリーン印刷により、金属層９2が形成される。
【００７３】
次いで、図６及び図７の（ｅ）に示されるように、Ｐ型又はＮ型シリコンペーストのスクリーン印刷により、金属層９1の上面から、第２電極層６1の上面にまで跨るように、半導体層１０1が形成される。ここで、ダイオードの積層体の片方である半導体層の形成においても、Ｐ型又はＮ型シリコンペーストのスクリーン印刷により、全ダイオードの半導体層が、同時工程で形成されるので、半導体層１０2についても、金属層９2と第１電極層５2の上面に跨って形成される。
【００７４】
図６及び図７の（ｄ）と（ｅ）に示された工程によって、第１電極層又は第２電極層の上面において、金属層と半導体層の積層体が形成されたが、このままでは、金属層と半導体層とが接触しているだけであるので、その接触面において十分なショットキー接合が形成されていない。そこで、図６の（ｆ）に示されるように、ガラス基板１を加熱ステーション上に載置し、ダイオード接合が形成されるべき全積層体の上面に加熱ヘッド１４を押し当てる。この加熱処理によって、積層体中の２層の接触面においてショットキー接合が形成される。
【００７５】
以上のようにして、本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルのガラス基板側についての工程Ａ１乃至Ａ３が実行されるが、ここで説明された図６及び図７の各工程は、図２の（ａ）と（ｂ）に示されたダイオード構造に適用されるものであり、図３の（ａ）と（ｂ）に示されたダイオード構造の場合にはそのまま適用できないので、各工程が変形される。
【００７６】
図３の（ａ）と（ｂ）の場合では、図６及び図７の（ｃ）において、第１電極層５1と第２電極層６2のみが形成され、第２電極層６1と第１電極層５2は、形成されない。そして、図６及び図７の（ｄ）と（ｅ）において、第１電極層５1と第２電極層６2上に、金属層が形成されるが、半導体層１０1及び１０2は、その金属層上にのみ形成されて、積層体が完成する。さらに、この積層体が形成された後に、第１電極層５2と第２電極層６1とが形成される工程が挿入される。
【００７７】
なお、これまでに説明した本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルの製造においては、絶縁体膜、第１電極層、第２電極層、そして、ダイオードの積層体に係る各層の形成工程に関して、ペースト化した材料を、タッチパネル全面にわたった複数の所定箇所、所定範囲に、スクリーン印刷して、乾燥固化する手法が採用された。しかし、各層の形成には、このスクリーン印刷による手法に限定されず、ペースト化した材料を、複数の所定箇所、所定範囲に塗布する手法として、スタンピング印刷を採用することもできる。また、第１電極層と第２電極層の形成には、Ａｇ等による導電ペーストの印刷による手法の他に、通常の蒸着、スパッタリング等による金属薄膜形成手法が採用されてもよい。
【００７８】
また、図１に示された本実施形態による抵抗膜方式のタッチパネルにおいて、タッチパネルの動作時における電極電圧を監視するための電極電圧検出端子が設けられる場合について、上述の実施形態の変形例として、図８に示した。同図には、抵抗膜方式のタッチパネルＰ２の平面図が示されている。タッチパネルＰ２の基本的構成は、図１に示された抵抗膜方式のタッチパネルＰ１と同様であるので、その基本的構成部分に対する符号には、図１の符号が使用され、図８では、図示されていない。
【００７９】
図８に示された抵抗膜方式のタッチパネルＰ２の構成が、タッチパネルＰ１の構成と異なる点は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の電極電圧を監視するため、電極電圧検出端子ＴＸ１、ＴＸ２、ＴＹ１、ＴＹ２と、これらの端子に接続された配線層１５1乃至１５4が配置されていることである。
【００８０】
電極電圧検出端子ＴＸ１、ＴＸ２、ＴＹ１、ＴＹ２は、タッチパネルの一辺において、電圧供給端子Ｖａ及びＶｂとともに、平面的に並置されている。そして、配線層１５1乃至１５4の夫々は、その一端が、各電極電圧検出端子に接続され、その他端が、ダイオード群ＤＸ１、ＤＸ２、ＤＹ１、ＤＹ２の夫々において一番端に位置するダイオードの第１電極層に接続されている。
【００８１】
配線層１５1乃至１５4の夫々は、互いに交叉しないように、額縁状の絶縁体膜３上の外周において、複数の第１電極層５の外側に各辺に平行に配置されている。これらの配線層１５1乃至１５4は、図４及び図５に示された抵抗膜方式のタッチパネルの製造工程における工程Ａ２において、第１電極層及び第２電極層と同時に、同じ印刷による手法で形成される。
【００８２】
図２の（ａ）と（ｂ）に示されるダイオード構造に従って、タッチパネルにダイオードを組み込む場合には、配線層１５1乃至１５4の夫々は、図６（ｃ）に示される工程において、第１電極層５と第２電極層６の形成と同時に形成される。また、図３の（ａ）と（ｂ）に示されるダイオード構造に従って、タッチパネルにダイオードを組み込む場合には、配線層１５1乃至１５4の夫々の形成は、第１電極層５の形成の工程と同時であっても、或いは、第２電極層６の形成の工程であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明による抵抗膜方式タッチパネルに係る実施形態の構成を説明する平面図である。
【図２】図１に示されたタッチパネルにおけるダイオード部分に係る具体例を説明する断面図である。
【図３】図１に示されたタッチパネルにおけるダイオード部分に係る別の具体例を説明する断面図である。
【図４】図１に示されたタッチパネルの製造手順を説明するフロー図である。
【図５】タッチパネルの製造及び組み立てについて、図４に示されたタッチパネルの製造手順に対応させて各部品の製造段階を説明するフロー図である。
【図６】タッチパネルにおけるダイオード部分の製造工程を説明する断面図である。
【図７】タッチパネルにおけるダイオード部分の製造工程を説明する平面図である。
【図８】図１に示された抵抗膜方式タッチパネルに係る実施形態の変形例の構成を説明する平面図である。
【図９】従来技術によるダイオード付きタッチパネルの概略構成を説明する平面図である。
【図１０】従来技術によるダイオード付きタッチパネルにおけるダイオード部分に係る構成を説明する図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…ガラス基板
２…透明抵抗膜
３…絶縁体膜
４…スペーサ
５、５1、５2…第１電極層
６、６1、６2…第２電極層
７…絶縁体
８…透明樹脂フィルム
９1、９2…金属層
１０1、１０2…半導体層
１１…接触検知領域
１２…開口部
１３…加熱ステージ
１４…加熱ヘッド
１５1〜１５4…電極電圧検出配線層
ＤＸ１…第１Ｘ軸ダイオード群
ＤＸ２…第２Ｘ軸ダイオード群
ＤＹ１…第１Ｙ軸ダイオード群
ＤＹ２…第２Ｙ軸ダイオード群
ＤＸ１ｎ、ＤＹ１ｎ、ＤＸ２ｎ、ＤＹ２ｎ…ダイオード
ＴＸ１、ＴＸ２、ＴＹ１、ＴＹ２…電極電圧検出端子
Ｖａ、Ｖｂ…電圧供給端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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