(57)【要約】【課題】スリットをシールするためのシーリング組立体を提供すること。【解決手段】本組立体は、スリット横方向Ｔでの粒子通過を少なくとも部分的に防ぐために、スリットのほぼ長手方向に延びるシーリング手段を備え、このシーリング手段は真空排気手段５を備える。本発明は、さらに、少なくとも１つの基板を保持するための基板ホルダと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段と、前記パターン化された投影ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影手段とを含む少なくとも１つの真空チャンバを備えるリソグラフィ投影装置を提供する。本発明は、さらにデバイス製造方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリットをシールするためのシーリング組立体であって、前記組立体が、スリットの横方向（Ｔ）の粒子通過を少なくとも部分的に防ぐために、スリットのほぼ長手方向に延びるシーリング手段を備え、前記シーリング手段が真空排気手段（５、１５）を備えることを特徴とするシーリング組立体。
【請求項２】
前記スリット（３）が、真空装置の第１の部分（１）と第２の部分（２）の間に延びて、前記第１の部分（１）と前記第２の部分（２）を互いに機械的に分離する、請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記真空排気手段が、前記スリットのほぼ長手方向に延びる少なくとも１つの粒子吸収要素（５、１５）を備える、請求項１又は２に記載の組立体。
【請求項４】
前記吸収要素が、極低温要素及び／又はゲッタ要素（５、１５）である、請求項３に記載の組立体。
【請求項５】
前記スリット（３）が、前記横方向（Ｔ）で見て光学的に不透明である、請求項１から４のいずれかに記載の組立体。
【請求項６】
前記スリット（３）が、前記スリットの横方向（Ｔ）で見て少なくとも１つの屈曲部（６）を備え、前記真空手段（５、１５）が前記屈曲部（６）に配列されている、請求項５に記載の組立体。
【請求項７】
前記真空手段（１５）が、少なくとも１つのスリットの横端部（８、９）の見えるところに配列されている、請求項１から６のいずれかに記載の組立体。
【請求項８】
前記スリット（３）が、前記真空排気手段（５、１５）を含んだ少なくとも１つの長手方向のシーリング・チャンバ（３ｂ）を備える、請求項１から７のいずれかに記載の組立体。
【請求項９】
前記スリット３を機械的に閉じる閉鎖手段を備える、請求項１から８のいずれかに記載の組立体。
【請求項１０】
リソグラフィ投影装置であって、
少なくとも１つの基板を保持するための基板ホルダと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段と、
前記パターン化された投影ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影手段とを含む少なくとも１つの真空チャンバを備え、少なくとも前記装置の第１の部分（１）と前記装置の第２の部分（２）が、少なくとも１つのスリット（３）によって互いに機械的に分離され、前記スリット（３）が、前記スリット（３）をシールするために請求項１から９までのいずれかに記載のシーリング組立体を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
デバイス製造方法であって、
放射システムを使用して少なくとも１つの放射投影ビームを供給するステップと、
少なくとも部分的に放射感応材料の層で覆われている少なくとも１つの基板を真空環境中に供給するステップと、
真空環境中でパターン化手段を使用して、前記投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
真空環境中で投影手段を使用して、前記パターン化された放射ビームを前記基板の前記放射感応材料の層の目標部分に投影するステップとを備え、少なくとも装置の第２の部分（２）が、少なくとも１つのスリット（３）によって装置の第１の部分（１）から機械的に分離され、前記スリット（３）が請求項１から９までのいずれかに記載のシーリング組立体でシールされることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スリットをシールするためのシーリング組立体に関し、この組立体は、スリットの横方向の粒子通過を少なくとも部分的に防ぐために、ほぼスリットの長手方向に延びるシーリング手段を備える。
【背景技術】
【０００２】
そのようなシーリング組立体は、米国特許第６，３３３，７７５号から知られており、この特許を参照によってここに援用する。公知の組立体は、ＥＵＶリソグラフィ装置の光学系領域と基板領域の間に延びるそれぞれのギャップ、又は光学系領域とレチクル領域の間のギャップをシールするために配列される。前記のギャップは、装置の異なる部分を互いに振動的に分離された状態に維持するために、特に、投影光学系を環境の振動から保護するために設けられる。シーリング組立体は、それぞれのギャップをシールして、ウェーハ領域又はレチクル領域から出る汚染が前記のギャップを通過して装置の他の領域に入るのを防止するのに役立つ。その上、シール組立体は、前記の領域を適切な真空圧力に維持するのに役立つ。
【０００３】
米国特許第６，３３３，７７５号には、前記のギャップをシールする３つの異なるシーリング組立体が提案されている。第１のシーリング組立体は、前記のギャップを完全に閉め切る水平シール及び垂直シールを備える。これには、スリットを通過する粒子がないという利点がある。しかし、この第１の組立体の不利点は、２つのシールが比較的硬い接続を実現して振動分離が不十分になることである。
【０００４】
米国特許第６，３３３，７７５号に示された第２の実施例では、前記の水平シールの代わりに柔軟な高分子のシートを使用することで、前記の不利点が部分的に取り除かれている。しかし、そのようなシートは、回転方向で比較的硬い。したがって、実質的に、回転の分離を達成することができない。
【０００５】
米国特許第６，３３３，７７５号の第３のシール組立体は、ギャップを０．０２ｃｍ（０．００８インチ）に狭めるように延びる水平な鋼板を備える。この第３の実施例では、装置の異なる部品の比較的優れた振動分離を全ての方向で達成することができる。しかし、第３の実施例は、比較的大きな振動に対処することができない。その上、産業真空機械の全動作寿命の間、前記の小さなギャップを維持するのが比較的困難である。さらに、特に、スリットと流体接続している領域間に比較的大きな圧力差がある場合には、比較的大量の粒子がそのようなスリットを通過する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、スリットを通過する粒子がほとんどないように、スリットのシーリングを改良することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に従って、前記のシーリング手段が真空排気手段を備えるとき、この目的は達成される。
【０００８】
真空排気手段は、粒子がスリットの横方向に流れるのを防ぐことができる。結果として、粒子通過に対する優れたシーリングが達成される。その上、スリットを真空排気手段によって実質的にシールしながら、スリットを比較的幅の広い寸法に作って、例えば、大きな寸法公差を有する優れた長持ちする振動分離を真空装置の２つの部分の間に実現することができる。
【０００９】
本発明は、さらに、
少なくとも１つの基板を保持するための基板ホルダと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段と、
前記パターン化された投影ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影手段とを含む少なくとも１つの真空チャンバを備え、装置の第１の部分と装置の第２の部分が、少なくとも１つのスリットによって互いに機械的に分離されるリソグラフィ投影装置に関連する。
【００１０】
本発明に従って、前記のリソグラフィ投影装置は、有利なことに、前記スリットは、前記スリットをシールするために請求項１から９までのいずれかに記載のシーリング組立体を備えることを特徴とする。これによって、リソグラフィ装置に上述の有利点が与えられる。特に、優れたスリットのシーリングだけでなく、高度の機械的分離も達成することができる。
【００１１】
ここで使用されるような「パターンか手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパターンに対応するパターン化された断面を、入射放射ビームに与えるために使用することができる手段のことを言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語「光弁」は、この状況で使用することができる。一般に、前記のパターンは、集積回路又は他のデバイスのような、目標部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン化手段の例は、次のものを含む。すなわち、
マスク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られており、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位相シフト、交番位相シフト及び減衰位相シフトのようなマスクの種類を含む。そのようなマスクを放射ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じて、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場合）又は反射（反射マスクの場合）が起こる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放射ビーム内の所望の位置に保持することができるようになり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移動させることができるようになる。
プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層及び反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射する。適切なフィルタを使用して、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去して、後に回折光だけを残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン化されるようになる。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施例では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。この小さなミラーの各々は、適切な局部電界を加えることで、又は圧電作動手段を使用することで、軸のまわりに個々に傾斜させることができる。再び、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されないミラーに対して異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラーはアドレス指定可能なマトリックスである。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子的な手段を使用して行うことができる。上記の両方の状況で、パターン化手段は１つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。ここで参照したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号及び米国特許第５，５２３，１９３号、及びＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７及びＷＯ９８／３３０９６からより多くの情報を収集することができる。これらの特許及び特許出願は、参照によってここに援用される。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、例えば、フレーム又はテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられている。この特許は、参照によってここに援用される。上記のように、この場合の支持構造は、例えば、フレーム又はテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
【００１２】
簡単にするために、本明細書の残りは、ある場所で、マスク及びマスク・テーブルを含む例に特に充てられる。しかし、そのような例で述べる一般的な原理は、上で述べたようなパターン化手段のより広い状況で理解すべきである。
【００１３】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンの像が、放射感応材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハ）上の目標部分（例えば、１つ又は複数のダイで構成される）に形成される。一般に、単一のウェーハは全体として網の目のような隣接する目標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムにより、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成が使用される現在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別することができる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、全マスク・パターンを一括して目標部分に露光することで、各目標部分が放射を照射される。そのような装置は、通常、ウェーハ・ステッパ又はステップ・アンド・リピート式装置と呼ばれる。走査ステップ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当るマスク・パターンを特定の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行又は逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標部分が放射を照射される。一般に、投影システムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集することができる。この特許は、参照によってここに援用される。
【００１４】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射感応材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、及びソフト・ベークのような様々な手順を経ることができる。露光後に、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、及び形成された像のフィーチュアの測定／検査のような他の手順を受けることができる。この手順の配列は、デバイス例えばＩＣの個々の層をパターン化する基礎として使用される。次に、そのようなパターン化された層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手順又はその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハ）上に存在するようになる。次に、ダイシング又は鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、マイクロチップの製造：半導体処理への実用的入門書」，  Ｔｈｉｒｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，  ｂｙ  Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ，  ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，  １９９７，  ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得ることができる。この本を参照によってここに援用する。
【００１５】
簡単にするために、投影システムを以下で「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例えば、屈折光学システム、反射光学システム、及びカタディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに従って動作して投影ビームを方向付け、整形し、又は制御する部品を含むことができる。さらに、そのような部品もまた、以下で一括して又は単独で、「レンズ」と呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は、２以上の基板テーブル（及び／又は２以上のマスク・テーブル）を有する種類のものであることがある。そのような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテーブルは、並列に使用されることがあり、又は、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用しながら、１つ又は複数のテーブルで準備ステップを行うことができる。２ステージ・リソグラフィ装置は、例えば、米国特許第５，９６９，４４１号及び国際公開ＷＯ９８／４０７９１に記載されている。この両方を参照によってここに援用する。
【００１６】
この明細書では、ＩＣの製造で本発明に従った装置を使用することを特に言及するかもしれないが、そのような装置は他の多くの可能な用途を有することは明確に理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気ドメイン・メモリの誘導及び検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド、その他の製造で使用することができる。当業者は理解するであろうが、そのような他の用途の環境では、この明細書での用語「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」の使用は、より一般的な用語「マスク」、「基板」及び「目標部分」でそれぞれ置き換えられるものとして考えるべきである。
【００１７】
本文献において、用語「放射」及び「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（波長が、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍである）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲にある）、並びにイオン・ビーム又は電子ビームのような粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含するように使用される。
【００１８】
本発明の有利な実施例は、従属請求項で明らかになる。
【００１９】
本発明の実施例は、ただ例としてだけ添付の概略図面を参照して、これから説明する。この図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【実施例】
【００２０】
図１は、リソグラフィ投影装置を模式的に示す。本装置は、
放射（例えば、深い紫外線領域の光）の投影ビームＰＢを供給するための、この特定の場合には放射源ＬＡも備える、放射システムＥｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
マスクＭＡの放射照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイで構成される）に形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬとを備える。投影システムＰＬは、ベース・フレーム１から振動的に分離されたメトロ・フレーム２に取り付けられている。
【００２１】
ここに示すように、本装置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）である。しかし、一般に、本装置は、例えば、反射型（反射マスクを有する）であることもできる。もしくは、本装置は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・アレイのような、他の種類のパターン形成手段を使用することができる。
【００２２】
放射源ＬＡ（例えば、エキシマ・レーザ源）は、放射のビームを生成する。このビームは、直接か、又は、例えばビーム拡大器Ｅｘなどのコンディショニング手段を通り抜けた後かいずれかで、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれ、ｓ−ｏｕｔｅｒ、ｓ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般に、積分器ＩＮ、集光器ＣＯなどの様々な他の部品を備える。このようにして、マスクＭＡに当っているビームＰＢは、その断面内に所望の一様性及び強度分布を持つ。
【００２３】
図１に関して留意すべきことであるが、放射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプの場合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソグラフィ投影装置から遠く離れており、それの生成する放射ビームが装置の中に導かれることがある（例えば、適切な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多い。本発明及び特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。
【００２４】
ビームＰＢは、その後、マスク・テーブルＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを通り抜けたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手段ＰＷ（及び干渉測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴは、例えば、ビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭを使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、又は走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。しかし、ウェーハ・ステッパ（走査ステップ式装置に対して）の場合は、マスク・テーブルＭＴは、短行程用アクチュエータに接続されるだけでよく、又は、固定されることもある。マスクＭＡと基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００２５】
図示の装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘ及び／又はｙ方向に移動される。
２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じ方向又は反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４又は１／５）。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することができる。
【００２６】
図２は、スリット３で互いに機械的に分離されている第１の部分１と第２の部分２を備える真空装置の細部を示す。スリット３は、スリットの横方向Ｔで見たときに、３つの連続したスリット部分３ａ、３ｂ、３ｃを備える。スリット３の第１の端部８は、第１の真空チャンバ１０と流体接続になっている。スリット３の第２の端部９は、第２の真空チャンバ１１と流体接続になっている。両真空チャンバの圧力は、使用中は比較的低く、例えば、１０−３ｍｂａｒよりも低いことがある。また、使用中に、前記第１の真空チャンバ１０は、例えば、前記第２の真空チャンバ１１よりも高い圧力を有する。スリット３は、粒子が前記の第１の真空チャンバ１０から前記の第２の真空チャンバ１１に通過するのを防ぐシーリング組立体を備える。
【００２７】
図示のように、前記のシーリング組立体は、図面の面に対して垂直なスリットの長手方向に前記スリット３のほぼ全長に沿って延びる真空排気手段５、１５を備える。本実施例では、真空排気手段は、第１の粒子吸収要素５及び第２の粒子吸収要素１５を備える。両吸収要素５、１５は、前記のスリットのほぼ長手方向に延びている。第１のスリット端部８から第２のスリット端部９に向かって流れる粒子は、吸収要素５、１５で吸収することができるので、そのような粒子はスロットを介して前記第２の真空チャンバ１１に到達することができない。そのような粒子は、例えば、原子、分子、及び／又はもっと大きな粒子であるかもしれない。第１及び／又は第２の粒子吸収要素５、１５を使用することによって、組立体は非常に高いレベルのスリット処理を実現することができる。しかし、明らかなことであるが、これらの２つの吸収要素５、１５のうちのただ１つだけを使用して、より簡単な構造にして、スリット３をシールすることもできる。
【００２８】
第１の吸収要素５は、例えば、極低温管である。使用中に、未結合粒子を捕獲するために、そのような要素５は、冷却流体を使用して比較的低温例えば７７Ｋ以下に冷却される。冷却流体は、例えば、外部冷凍ユニットで供給することができる。しかし、他の型の吸収本体、例えばゲッタ・ポンプ、特に再生可能なゲッタ材料を備える要素を使用することができる。加熱して、特に、ゲッタ材料又はそれぞれのゲッタ材料キャリアを通して電流を加えることで、ゲッタ要素を再活性化することができる。
【００２９】
第２の吸収要素１５は、第１の前記のスリットの横端部８が見えるところに配列される。第２の吸収要素１５は、例えば、ゲッタ材料、極低温に冷却された表面又はそのようなものを備えることができる。
【００３０】
本発明に従って、スリット３の前記の第１の端部８がスリット３の前記の第２の端部９から見えないように、またその逆であるように、前記の横方向Ｔで見てスリット３が光学的に不透明であるのが効果的である。本実施例で、このことは、２個の反対の屈曲部６を有するスリット３を実現することで達成される。本実施例では、前記の屈曲部６を含む中間スリット部分３ｂは、スリットの横端部８、９の方に向かって延びている２つの外側スリット部分３ａ、３ｃよりも広い。前記の中間スリット部分は、粒子吸収管５を備えた長手方向のシーリング・チャンバ３ｂを実現する。粒子は、スリット３を通って前記第１のスリット端部８から前記第２のスリット端部９に、一直線で直接に進むことはできないで、最初に第２の粒子吸収要素１５に出くわし、そして次に、それぞれの矢印で示すように、第１の粒子吸収要素１５のまわりに押しやられる。したがって、スリット３を通り抜ける直接的な分子通過の可能性は実質的に排除され、高度のスリットのシーリングが実現される。
【００３１】
本実施例では、前記の第１の吸収要素５は、実質的にシーリング・チャンバ３ｂの中心で延びている。第１の吸収要素５は、特に図面に示さない接続手段で、例えば、装置の第１の部分１だけに接続することができる。その場合、管５を流れる冷却流体の流れで生じる振動は、装置の第２の部分２に伝わらない。しかし、１つ又は複数のそのような吸収要素を、他の場所に、例えば、前記第１の部分１及び／又は第２の部分２に沿って、それの近くに、及び／又はそれと一体化して配列することができる。第２の吸収要素１５は、異なる場所に、例えば第１及び／又は第２の装置部分１、２に設置することもできる。
【００３２】
図示のように、前記のスリットの横方向Ｔで見てスリット３が少なくとも部分的に開いているように、真空排気手段５、１５は配列される。結果として、排気手段５、１５は、前記第１と第２の装置部分１、２の間に機械的な結合を形成しない。したがって、これらの２つの装置部分１、２は、スリット３で非常に適切に互いに分離されている。
【００３３】
図２に示す構成は、
少なくとも１つの基板を保持するための基板ホルダと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段と、
前記基板の目標部分に前記パターン化された投影ビームを投影するための投影手段とを含む少なくとも１つの真空チャンバを備えるリソグラフィ投影装置で効果的に使用される。少なくとも前記装置の第１の部分１と前記装置の第２の部分２は、少なくとも１つのスリット３で互いに機械的に分離されている。
【００３４】
本発明に従って、前記のスリット３は、スリット３をシールするために請求項１から９までのいずれかに記載のシーリング組立体を備える。したがって、装置の第１及び第２の部分１、２は振動的に分離され、同時にスリット３の適切なシーリングが達成される。
【００３５】
さらに、
放射システムを使用して少なくとも１つの放射投影ビームを供給するステップと、
少なくとも部分的に放射感応材料で覆われている少なくとも１つの基板を真空環境中に供給するするステップと、
真空環境中でパターン化手段を使用して、前記投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
真空環境中で投影手段を使用して、前記パターン化された放射ビームを前記基板の放射感応材料の層の目標部分に投影するステップとを備え、少なくとも前記装置の第２の部分２が、少なくとも１つのスリット３によって装置の第１の部分１から機械的に分離されているデバイス製造で、本発明は効果的に使用される。
【００３６】
次に、本発明に従って、本方法は、請求項１から９までのいずれかに記載のシーリング組立体によって、前記スリット３がシールされることを特徴とする。前記第１及び第２の部分１、２は互いに優れた振動分離の状態にあるので、高い精度で、デバイスを位置づけし、したがって製造することができる。例えば、前記の振動分離部分は、前記放射ビームの正確なパターン化及び投影それぞれを行うために振動分離を利用する前記の投影手段及び／又は前記のパターン化手段を含むことができ、又は前記の投影手段及び／又は前記のパターン化手段に取り付けることができる。特に、前記の第２の部分２は、投影手段の部分、例えば、振動に敏感な投影光学系及び／又はセンサを保持するメトロ・フレームであることができる。前記の第１の装置部分１は、例えば、装置のベース・フレーム、又はベース・フレームに取り付けられた任意の部分であることができる。ここで、ベース・フレームは、装置の環境に結合される。前記のスリット３は、スリットの長手方向で見て果てしなく続くことができ、例えば、前記メトロ・フレーム２とベース・フレーム１の間に延びる円筒形のスリットであることができる。前記の真空環境は、１つ又は複数の真空領域又はチャンバで実現することができる。
【００３７】
スリット３の所望のシーリング・レベルは、前記の真空排気手段５、１５で達成することができる。結果として、スリット３を介した汚染の広がりは制限される。この場合、スリット３は、例えば、基板のある第１の真空チャンバと、投影手段及び／又はパターン形成手段を含む第２の真空チャンバとに流体接続している。それから、第２の真空チャンバ及び特に前記の投影手段及び／又はパターン化手段は、第１の真空チャンバから出る汚染が比較的無い状態に維持することができる。したがって、投影光学系及び／又はパターン化手段の長い寿命を維持することができる。その上、その場合、パターン化手段及び／又は投影手段の機能は、そのような汚染の影響をほとんど受けない。
【００３８】
本発明の例示の実施例は、添付の図面を参照してより詳細に説明したが、理解すべきことであるが、本発明はその実施例に限定されない。当業者は、特許請求の範囲で定義されるような本発明の範囲又は精神から逸脱することなく、様々な変化又は修正を行うことができる。
【００３９】
本シーリング組立体は、異なる装置の型、例えば、ある特定の振動分離が望ましい真空装置での利用に適している。装置は、例えば、半導体産業のデバイス、例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置、電子ビーム書込みリソグラフィ装置、又はＸ線リソグラフィ装置であるかもしれない。
【００４０】
さらに、前記のスリット３ａ、３ｂ、３ｃは、様々な方法及び寸法で形成することができる。スリット３が、例えば少なくとも１つの屈曲部又はそのようなものを備えて、第１のスリット横端部と第２のスリット横端部８、９の間に一直線に延びていないとき、スリット３は単に光学的に不透明であることができる。しかし、例えば、スリットのシーリング・チャンバ３ｂ内の両方のスリット横端部８、９の見えるところに真空排気手段５、１５を設けることで、横方向にまっすぐなスリットを光学的に不透明にすることができる。その場合、真空排気手段５、１５は、前記スリットの横端部８、９間の視界を直接さえぎる。
【００４１】
本組立体は、１つ又は複数の真空排気手段を備えることができる。前記の真空排気手段は、例えば、クライオポンプ５、粒子吸収要素１５及び／又は他の型の真空排気手段を備えることができる。好ましくは、冷却要素の冷却表面の寸法は、機械的なギャップ３に比べて相対的に大きい。
【００４２】
前記の装置は、異なる真空領域１０、１１、例えば、パターン化手段を備える１つの真空チャンバ、投影手段を備える１つのチャンバ、及び基板ホルダを備える１つのチャンバを備えることができる。
【００４３】
スリット３の内面は、例えば、比較的小さな放射率ε、例えばε＜０．１を有することができる。このことは、排気手段が極低温要素を備えるときに、特に有利である。というのは、そのような放射率によって、極低温要素と前記の２つの装置部分１、２の間の熱伝達が減少するからである。
【００４４】
その上、スリット３を機械的に閉じる閉鎖手段、例えば、一方又は両方のスリット端部８、９を覆う蓋を、スリット３に備え付けることができる。これは、例えば、前記真空チャンバ１０、１１の一方の保守作業時に有用である。
【００４５】
スリット３の閉鎖手段は、また、第１及び第２の装置部分１、２によって、例えば、前記第１の装置部分１及び第２の装置部分２を互いの方に向かって動かすことによって、実現することもできる。その場合、２つの外側スリット部分３ａ、３ｃが異なる幅であり、その結果、装置部分１、２の動きがスリットの１つの端部８、９だけ、特に最も狭い外側スリット部分３ａ、３ｃを閉じることになるのが効果的である。さらに、スリット端部８、９の一方が閉じている場合には、例えばパージ・ガスを使用して、スリット３から汚染を除去するように、スリット３を掃除することができる。前記のパージ・ガスは、汚染物に対して追加の障壁をつくって、一方の真空領域１０、１１から他方の真空領域１１、１０への汚染物の移動を防止することができる。
【００４６】
例えば、左のスリット端部８が閉じているときの図２において、汚染物が第２の領域１１から第１の領域１０に流れないようにしながら、容積３に清浄なパージ・ガスをパージすることができる。他方で、右のスリット端部９が閉じているとき、汚染物が第１の領域１０から第２の領域１１に流れないようにしながら、容積３にパージ・ガスをパージすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】リソグラフィ投影装置の例を示す図である。
【図２】リソグラフィ投影装置を模式化して示す図である。
【図１】
2005020007.tif 000003
【図２】
2005020007.tif 000004
【外国語明細書】
2005020007000001.pdf