(57)【要約】【課題】高転送レート短波長仕様に則ったレーザダイオードに供給される駆動電流の応答周波数を安定化させる。【解決手段】レーザダイオード駆動回路２２は、波形生成部の出力容量とレーザダイオードまでの線路インダクタンスとによる並列共振Ｑを発生させ、波形生成部とレーザダイオード２１との間に正の温度特性を有する感温抵抗Ｒ２を挿入したことによって共振Ｑをダンピングすることにより最大平坦帯域を得て、なおかつレーザダイオード２１の温度変化による周波数応答を改善している。【選択図】  図２
2005057206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子にパルス状の駆動電流を供給する半導体発光素子駆動回路において、
半導体発光素子を駆動する駆動電流波形を生成する波形生成手段と、
上記波形生成手段の出力容量と上記半導体発光素子と間に経路インダクタンスを有し該波形生成手段の出力容量との間で電流共振することで上記波形生成手段の出力端電圧を増幅する増幅手段とを備え、
上記波形生成手段の出力容量と上記半導体発光素子との間に温度により抵抗値が変化する温度特性を有し上記波形生成手段の出力容量と上記半導体発光素子までの経路インダクタンスとによる並列共振をダンピングする温度可変抵抗手段が接続されることを特徴とする半導体発光素子駆動回路。
【請求項２】
記録媒体に対して光学記録再生方式にてデータを記録する光学記録再生装置において、
半導体発光素子を駆動する駆動電流波形を生成する波形生成手段と、
上記波形生成手段の出力容量と上記半導体発光素子と間に経路インダクタンスを有し該波形生成手段の出力容量との間で電流共振することで上記波形生成手段の出力端電圧を増幅する増幅手段とを備え、
上記波形生成手段の出力容量と上記半導体発光素子との間に温度により抵抗値が変化する温度特性を有し上記波形生成手段の出力容量と上記半導体発光素子までの経路インダクタンスとによる並列共振をダンピングする温度可変抵抗手段が接続されて、上記半導体発光素子にパルス状の駆動電流を供給する半導体発光素子駆動回路を備えることを特徴とする光学記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子駆動回路及び光学記録再生装置に関し、特に、より高転送レート短波長のレーザ光を発生する半導体発光素子を駆動する半導体発光素子駆動回路及び光学記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的読み取りを応用した、いわゆるＣＤ（Compact Disc）のようなディスク状記録媒体（以下、光ディスクと記す。）は、記憶容量が大きくランダムアクセスが可能である。光学的読み取りは、非接触であることから、磁気テープのような接触型の記録媒体と比較してヘッドクラッシュ等の危険や、読み取りによるヘッド及び媒体の摩耗・損傷がない。さらにディスク表面が頑丈なことから偶発的なデータ消失の危険性も少ない。このように多くの利点をもつ光ディスクは、コンピュータ周辺のメモリとして、またデータ制作・データ保存において優れた記録媒体である。
【０００３】
近年では、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）、ＣＤ−ＲＷ（Compact Disc-Rewritable）のように記録可能な光ディスク及びこの光ディスクに対する記録再生装置、さらには、より大きな記憶容量を実現したＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、また、ＤＶＤに対して記録可能としたＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／Ｗ等が実用化されている。
【０００４】
図６に、従来のＣＤ（ＣＤ−Ｒ，ＲＷを含む）の記録再生装置に適用されるレーザダイオード駆動回路１００の一例を示した。
【０００５】
レーザダイオード駆動回路１００におけるトランジスタＴｒ１０１とトランジスタＴｒ１０２は、電流スイッチング用のトランジスタであって互いに差動接続されている。トランジスタＴｒ１０１、Ｔｒ１０２のベースには、逆極性の記録データに対応する入力信号ｘ、ｙがそれぞれ印加される。トランジスタＴｒ１０１とＴｒ１０２の共通エミッタには、電流値設定用の抵抗Ｒ１０１を介して基準電圧Ｖｃｃに接続されている。このレーザダイオード駆動回路では、トランジスタＴｒ１０３及びＴｒ１０４のエミッタにそれぞれ抵抗Ｒ１０３、Ｒ１０４を接続して定電流回路を構成している。抵抗Ｒ１０３と抵抗Ｒ１０４との抵抗値の比は、ｎ：１（ｎ＞１）に設定されている。
【０００６】
このレーザダイオード駆動回路では、入力信号ｘ＝１、ｙ＝０のときは、トランジスタＴｒ１０１がオン、トランジスタＴｒ１０２がオフになり、このときトランジスタＴｒ１０４には電流が流れないためレーザダイオードに電流が流れない。入力信号ｘ＝０、ｙ＝１のときは、トランジスタＴｒ１０１がオフ、トランジスタＴｒ１０２がオンになって、トランジスタＴｒ１０３に電流が流れる。これによりトランジスタＴｒ１０４からレーザダイオードに抵抗Ｒ１０３とＲ１０４の比による電流が流れる。
【０００７】
レーザダイオード駆動回路が図６に示した構成になる場合、これを等価回路に表すと、図７のようになる。ここで、Ｃｏｕｔは駆動回路（Ｔｒ１０４）の出力容量を表し、Ｌ１０１は伝送路のインダクタンスを表し、Ｃｔはレーザダイオードの端子間容量を表し、Ｒｄはレーザダイオードの動作抵抗を表している。
【０００８】
一般的に、レーザダイオード駆動回路では、レーザダイオードの動作周波数に併せて高速にスイッチングしようとすると各トランジスタ等の特性のばらつきがレーザダイオードに供給される電流の周波数特性に影響し、この周波数を適応周波数帯外に低下させてしまうような問題が生じる。そのため、レーザダイオードに供給される電流の周波数特性を調整するための回路を設ける（例えば、特許文献１参照。）などして、発生されるレーザ光の特性を向上するための対策が興じられている。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−１８６３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のＣＤ（ＣＤ−Ｒ、ＲＷを含む。）対応の記録再生装置では、転送レートが１０Ｍｂ／sec程度であったため記録時におけるレーザ光パルス帯域は、１００ＭＨｚ程度あれば十分であった。
【００１１】
ところが、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／Ｗ等の仕様では、レーザ光波長が６５０ｎｍ台から４００ｎｍ台にまで短くなっており、波長４００ｎｍ付近を使用するＤＶＤ―Ｒでは、３５Ｍｂ／sec、２倍速では７０Ｍｂ／sec程度の転送レートが要求される。このとき必要とされるレーザ光パルス帯域は、３００〜５００ＭＨｚ程度になる。
【００１２】
ここで、ＤＶＤに対応したレーザダイオード駆動回路を上述したように等価回路として考えたとき、ＣＤでは約５Ω程度であったレーザダイオードの動作抵抗Ｒｄは１５〜２０Ωに、レーザダイオードの端子間容量Ｃｔは３０ｐＦ程度になる。レーザダイオードの応答周波数は、等価回路として考えたときの共振周波数として表されるため、Ｒｄ値、Ｃｔ値の増大によって応答周波数が低下するという問題点がある。
【００１３】
また、レーザダイオード駆動回路は、通常ＩＣ化されているが、ＣＤの仕様とＤＶＤの仕様とを比べると駆動するレーザダイオードの駆動電圧Ｖｏｐが２．５Ｖから４．５Ｖへ増大するものの、駆動電流Ｉｏｐが８０ｍＡ程度であってＣＤと同等であるため、ＣＤの仕様に比べてレーザダイオード駆動回路の出力容量Ｃｏｕｔが増大する。また、レーザダイオード駆動回路では各トランジスタが並列に配置されるため、トランジスタ耐圧を高くして出力電流を大きくしようとすれば、この出力容量Ｃｏｕｔが増大する。
【００１４】
図８及び図９にレーザダイオード駆動回路のＲｄ依存性について示す。図８は、図７の等価回路において、Ｃｏｕｔ＝０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦにてＲｄ＝１３Ω（曲線ａ）又は１８Ω（曲線ｂ）としたときの掃引周波数を示しており、図９は、Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦにてＲｄ＝１３Ω（曲線ｃ）又は１８Ω（曲線ｄ）としたときの掃引周波数を示す。但し、図８及び図９の横軸は、掃引周波数を表し対数軸になっている。また、縦軸は振幅レベルを表す。図８及び図９からわかるように、Ｒｄとの並列容量（Ｃｏｕｔ＋Ｃｔ）が大きくなると、伝送帯域は縮小し、変化挙動は同様であるが減衰が大きくなってくる。このようにＲｄの変動によりレーザダイオード駆動回路の周波数特性が変化する。
【００１５】
レーザダイオードの動作抵抗（Ｒｄ）、レーザダイオードの端子間容量（Ｃｔ）、レーザダイオード（ＬＤ）の出力容量（Ｃｏｕｔ）等は、温度によっても変化することがわかっている。例えば、レーザダイオードの動作抵抗Ｒｄは、温度に応じて数十％変化する。したがって、ここでのＲｄの値の違いをＲｄの温度変動分としてみれば、Ｒｄの値が温度によって、上述した程度変化することがあれば、また、Ｃｔの特性が変動しても伝送帯域の縮小が起こることになる。
【００１６】
このように、同一の出力容量であってもレーザダイオードの動作抵抗、端子間容量、出力容量の温度変化を考慮すると、必要帯域における周波数特性が低下したり不安定になったりすることがあった。特に、レーザダイオードは、通常市販されているものを用いるため、ダイオードの仕様による特性は調整できないのが現状であり、何らかの対策を興じる必要があった。
【００１７】
そこで本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、ＤＶＤのような高転送レート短波長仕様に則った半導体発光素子に供給される駆動電流の応答周波数を安定化させる半導体発光素子駆動回路及び光学記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上述した目的を達成するために、本発明に係る半導体発光素子駆動回路は、波形生成手段において半導体発光素子を駆動する駆動電流波形を生成し、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子と間に経路インダクタンスを挿入し、波形生成手段の出力容量との間で電流共振することで波形生成手段の出力端電圧を増幅し、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子との間に温度により抵抗値が変化する温度特性を有する温度可変抵抗手段を接続して、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子までの経路インダクタンスとによる並列共振をダンピングする。
【００１９】
また、本発明に係る光学記録再生装置は、波形生成手段において半導体発光素子を駆動する駆動電流波形を生成し、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子と間に経路インダクタンスを挿入し、波形生成手段の出力容量との間で電流共振することで波形生成手段の出力端電圧を増幅し、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子との間に温度により抵抗値が変化する温度特性を有する温度可変抵抗手段を接続して、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子までの経路インダクタンスとによる並列共振をダンピングする半導体発光素子駆動回路を備える。
【発明の効果】
【００２０】
以上詳細に説明したように、本発明に係る半導体発光素子駆動回路によれば、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子と間に経路インダクタンスを挿入し、波形生成手段の出力容量との間で電流共振することで波形生成手段の出力端電圧を増幅し、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子との間に設けられ温度により抵抗値が変化する温度特性を有する温度可変抵抗手段によって波形生成手段の出力容量と半導体発光素子までの経路インダクタンスとによる並列共振をダンピングすることにより、半導体発光素子、特に高転送レート短波長仕様に則った半導体発光素子の温度特性の欠点を補い、駆動電流波形を安定化させることができる。
【００２１】
また、本発明に係る光学記録再生装置によれば、半導体発光素子駆動回路の波形生成手段の出力容量と半導体発光素子と間に経路インダクタンスを挿入し、波形生成手段の出力容量との間で電流共振することで波形生成手段の出力端電圧を増幅し、波形生成手段の出力容量と半導体発光素子との間に設けられ温度により抵抗値が変化する温度特性を有する温度可変抵抗手段によって波形生成手段の出力容量と半導体発光素子までの経路インダクタンスとによる並列共振をダンピングすることにより、半導体発光素子、特に高転送レート短波長仕様に則った半導体発光素子の温度特性の欠点を補い、駆動電流波形を安定化させることができる。したがって、本発明に係る光学記録再生装置は、高転送レート短波長仕様に則った記録媒体に対する記録及び再生特性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
まず始めに、図７に示すレーザダイオード駆動回路の等価回路において、Ｌ１０１＝２５ｎＨ，Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦにてＲｄ＝１３Ω又は１８Ωとした条件で共振がある場合の周波数特性について図１０を用いて説明する。但し、図１０の横軸は、掃引周波数を表し対数軸になっており、曲線ｅがＲｄ＝１３Ωの場合を示し、曲線ｆがＲｄ＝１８Ωの場合を示している。また、縦軸は振幅レベルを表す。図１０によれば、共振Ｑによって、伝送帯域の縮小がなくなり必要帯域における周波数特性が改善されていることがわかる。
【００２３】
特に、２５０ＭＨｚ付近で比較すると、図９にてＲｄ＝１８Ωの場合、振幅レベル−１０ｄＢであった（曲線ｄ）のが共振がある場合には＋２ｄＢになっており、Ｒｄ＝１３Ωの場合、−８ｄＢであった（曲線ｃ）のが共振がある場合には＋５ｄＢになっており、Ｒｄの違いによる変化が顕著に現れる。
【００２４】
Ｃｔ＝０とするとき、この等価回路は、Ｒｄをダンピング抵抗としたＣｏｕｔとＬ１０１の共振回路になりｆ０は、次式にて与えられる。ｆ０＝１／（２π（Ｌ１０１＊Ｃｏｕｔ）１／２）。ここにＣｔが付加されると複共振となる。ＲｄのインピーダンスがＣｔに比べて十分小さければｆ０は変わらないが、大きくなるにつれて周波数特性に影響を及ぼすことがわかる。
【００２５】
図１１には、図７の等価回路でＬ１０１＝２５ｎＨ，Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦの条件において、Ｌ１０１と直列にＲｄを接続する場合、この抵抗値を変えたときの周波数特性の変化が示されている。図１１における曲線ｇはＲｄ＝５Ωの場合であり、曲線ｈはＲｄ＝１０Ωの場合であり、曲線ｉはＲｄ＝１５Ωの場合である。
【００２６】
また、図１２には、図７の等価回路でＬ１０１＝２５ｎＨ，Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦの条件において、Ｌ１０１と並列にＲｄを接続する場合、この抵抗値を変えたときの周波数特性の変化が示されている。図１２における曲線ｊはＲｄ＝３０Ωの場合であり、曲線ｋはＲｄ＝１０Ωの場合であり、曲線ｌはＲｄ＝０Ωの場合である。
【００２７】
両者を比較すると、Ｌ１０１に対して抵抗を直列に接続した場合、レーザダイオードの温度変化による周波数特性の振幅レベルの変動が±１．０ｄＢ程度に押さえられることがわかった。
【００２８】
そこで、本発明は、光学記録再生部に設ける半導体発光素子駆動回路の出力容量と半導体発光素子であるレーザダイオードまでの間の線路インダクタンスと出力容量との間で電流共振させることによって出力端電圧を増幅し、周波数特性を改善する。さらに、半導体発光素子駆動回路の出力容量とレーザダイオードとの間の共振をダンピングする抵抗を挿入するのであるが、この抵抗としては、正の温度特性を有するものを選択し、線路インダクタンスに対して直列に接続する。これにより、データ記録時における記録光の駆動電流のパルス周波数応答性を改善し、レーザダイオードの動作抵抗やレーザダイオードの端子間容量の温度特性による駆動電流の周波数応答の低下を補償できるようにした。
【００２９】
以下、本発明の具体例について図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
本発明の具体例として示す光学記録再生装置１は、図１に示すように、光学記録媒体１０に対して書き込み及び／又は読み出しを行う光学記録再生のためのＯＰ（Optical Pickup）部１１と、読み出した信号をＲＦ処理する及びＲＦ処理した各信号からサーボ信号を生成するＲＦアンプ部１２と、ＲＦアンプ部１２からの信号に基づいて各ドライバを制御するアナログ信号を生成する、及び光学記録媒体１０からの読み出し信号を処理する信号処理部１３と、各部を制御する制御部１４とを備え、光学記録媒体１０に対して、データの書き込み及びデータの読み出しを行う。
【００３１】
ＯＰ（Optical Pickup）部１１は、対物レンズ２０、レーザダイオード（ＬＤ）２１、レーザダイオード駆動回路（ＬＤdrv.）２２、フォトディテクトＩＣ（ＰＤＩＣ）２３、ハーフミラー（図示せず）等を含み、光信号を検出してＲＦアンプ部１２へと出力する。また、光学記録媒体１０に対して記録する際には、ピット形成に必要な信号処理部１３からのレーザの点滅・駆動信号（ＤＥＣＥＦＭＷ）、レーザ強度と明滅の最適値を示す（ライトストラテジ）信号等に基づいて光学記録媒体１０に対してデータの書き込みを行う。
【００３２】
ＲＦアンプ部１２は、ＯＰ部１１から検出されたビームシグナル、サイド、メインからなる８系統の信号をサンプリング及びホールドし、演算処理を行って、８系統の信号のうちの所定の信号からＦＥ（フォーカスエラー）、ＴＥ（トラッキングエラー）、ＡＴＩＰ（Absolute Time In Pregroove）、読み出し主信号等の信号を生成する。また、ＲＦアンプ部１２は、生成した信号のうちＦＭＤＴ（Frequency Modulation Data）、ＦＭＣＫ（Frequency Modulation Clock）、ＴＥ、ＦＥを信号処理部１３へと出力し、試し書きによって検出したレーザ強度の最適値（ＯＰＣ：Optical Power Calibration）信号及びレーザ点滅・駆動信号を信号処理部１３へと出力し、ＭＩＲＲを制御部１４へと出力する。
【００３３】
信号処理部１３では、ＲＦアンプ部１２からのＦＭＤＴ（Frequency Modulation Data）、ＦＭＣＫ（Frequency Modulation Clock）、ＴＥ、ＦＥを入力し、制御部１４に制御されて光ディスク特有の各種サーボを制御する信号を生成し、信号処理部１３内のアナログフィルタ処理にて使用する。光学記録媒体１０に対してデータを書き込む場合には、レーザの点滅駆動信号、レーザ強度の最適値を示す信号等の信号をＯＰ部１１に対して出力する。
【００３４】
アナログフィルタ処理では、各種サーボの制御信号からアナログ信号を生成して、スピンドルドライバ、スレッドドライバ、トラッキングドライバ、フォーカスドライバにて使用する。スピンドルドライバは、アナログフィルタ処理で得た信号に基づいてスピンドルモータ１５の回転を制御する。また、スレッドドライバは、アナログフィルタ処理で得た信号に基づいてスレッドモータ１６のスレッド動作を制御する。トラッキングドライバは、アナログフィルタ処理で得た信号に基づいてＯＰ部１１を揺動し、光学記録媒体１０のディスク表面に照射されるビームスポットの位置を制御する。フォーカスドライバは、アナログフィルタ処理で得た信号に基づいてＯＰ部１１を光学記録媒体１０のディスク表面に対して垂直方向に動かしてレーザ焦点の調整を制御する。
【００３５】
信号処理部１３は、図示しないが、スピンドルモータ１５の回転を制御するスピンドルドライバ、スレッドモータ１６の動作を制御するスレッドドライバ、ＯＰ部１１の対物レンズを揺動するトラッキングドライバ、記録媒体に対してＯＰ部１１の対物レンズを垂直方向に動かしてビーム焦点を制御するフォーカスドライバを制御する信号処理をしている。
【００３６】
制御部１４は、プログラムを格納するプログラムメモリと、ＣＰＵの作業領域としてのＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭのような不揮発性メモリと、ＣＰＵとを備え、光学記録再生装置１の動作を統括している。
【００３７】
続いて、上述した光学記録再生装置１のＯＰ部１１に適用するレーザダイオード駆動回路（ＬＤdrv）の詳細を図２を用いて説明する。このレーザダイオード駆動回路は、上記図８乃至図１２を用いて説明したように、共振Ｑを利用して最大平坦帯域を得ようとするものであり、このときレーザダイオードの動作抵抗やレーザダイオードの端子間容量の温度特性による駆動電流の周波数応答の低下を補償するために、正の温度特性を有する抵抗を挿入している。
【００３８】
レーザダイオード駆動回路２２におけるトランジスタＱ１のエミッタには、抵抗Ｒ１が接続され、トランジスタＱ１のベースは、図示しない駆動電流パルスを生成する波形生成部と接続されている。また、トランジスタＱ１のコレクタは、接地されたＣ１に接続されている。また、トランジスタＱ１のコレクタは、内部抵抗Ｒｄを有するレーザダイオード２１と接続されており、この間に正の温度特性を有する感温抵抗Ｒ２が直列に接続されている。波形生成部とレーザダイオード２１との間の線路インダクタンスＬ１を考慮すると、この感温抵抗Ｒ２と線路インダクタンスＬ１とが直列に接続されていることになる。
【００３９】
すなわち、レーザダイオード駆動回路２２は、波形生成部の出力容量とレーザダイオードまでの線路インダクタンスとによる並列共振Ｑを発生させ、波形生成部とレーザダイオード２１との間に正の温度特性を有する感温抵抗Ｒ２を挿入したことによって共振Ｑをダンピングすることにより最大平坦帯域を得て、なおかつレーザダイオード２１の温度変化による周波数応答を改善している。
【００４０】
感温抵抗Ｒ２は、レーザダイオードの動作抵抗Ｒｄやレーザダイオードの端子間容量Ｃｔの温度特性による駆動電流の周波数応答の低下を補償している。感温抵抗Ｒ２は、Ｒｄ及びＣｔの値が小さくなれば、すなわちＲｄ及びＣｔの温度変化が小さくなれば、補償量も小さくてよい。
【００４１】
本具体例では、必要伝送帯域の１．５倍以上で共振させたとき、共振Ｑが３．０以上になるようなＣｏｕｔ、Ｌ１、Ｒｄ、Ｃｔの値を選択する必要がある。本具体例では、伝送帯域＝１５０ＭＨｚであって出力容量Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ、端子間容量Ｃｔ＝３０ｐＦのレーザダイオードを使用する。このとき、共振回路の振動周波数ｆ０＝１／（２π（Ｌ１０１＊Ｃｏｕｔ）１／２）より、１５０＝１／（２π（Ｌ１＊２０）１／２）となり、Ｌ１＝２５ｎＨであることがわかる。したがって、線路インダクタンス（Ｌ１）を２５ｎＨ以下とすれば、共振Ｑ＝３．０では理論値Ｒｄ＝２２Ω以下（２５℃）になるが、内部抵抗Ｒｄ以外の端子間容量Ｃｔ等の温度損失を考慮すると、Ｒｄ＝１８Ω以下程度であることが必要になる。
【００４２】
図３は、レーザダイオードの種類による内部抵抗Ｒｄの温度特性の違いを示している。図３の曲線ｍは内部抵抗Ｒｄ１のレーザダイオード、曲線ｎは内部抵抗Ｒｄ２のレーザダイオード、曲線ｏは内部抵抗Ｒｄ３のレーザダイオードの温度による抵抗値の変化例である。図３に示すように通常のレーザダイオードは、温度が上昇するにつれて、抵抗値が低下する挙動を示すことがわかる。
【００４３】
このように、本具体例にて使用するレーザダイオードの仕様では、内部抵抗Ｒｄ＝１８Ω以下相当であることが必要になる。したがって、必要な温度域で１８Ω以下のＲｄを用いたときに相当する周波数特性が得られるように補償できる感温抵抗Ｒ２を使用する。
【００４４】
図４に感温抵抗Ｒ２の温度特性を示す。この感温抵抗Ｒ２は、６５００ｐｐｍ／℃の正の温度特性を有するものであり、２５℃から６０℃の間で０℃における抵抗値に対するその温度での抵抗値が＋２６％変動する。実際には、２００００ｐｐｍ／℃程度の正の温度特性を有する感温抵抗を用いると十分な補償量が得られる。
【００４５】
図５に、レーザダイオード２１の周波数応答の温度変化例を説明する。図５に示す曲線ｐは、Ｃｏｕｔ＝０ｐＦ、Ｌ１＝５ｎＨ、Ｒｄ＝１７Ω、Ｃｔ＝３０ｐＦで温度６０℃のときの周波数応答特性を示し、曲線ｑは、Ｃｏｕｔ＝０ｐＦ、Ｌ１＝５ｎＨ、Ｒｄ＝１７Ω、Ｃｔ＝３０ｐＦで温度２５℃のときの周波数応答特性を示す。
【００４６】
以上より、レーザダイオードの内部抵抗Ｒｄの温度特性に影響されて周波数特性が変動する場合、上述のような感温抵抗Ｒ２を波形生成部とレーザダイオード２１との間の線路インダクタンスＬ１を考慮し、この感温抵抗Ｒ２と線路インダクタンスＬ１とが直列に接続されるように挿入することにより、レーザダイオード、特に高転送レート短波長仕様に則ったレーザダイオードの温度特性の欠点を補い、駆動電流波形を安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の具体例として示す記録再生装置の構成を説明する構成図である。
【図２】上記記録再生装置のＯＰ部に組み込まれるレーザダイオード駆動回路を説明する回路図である。
【図３】レーザダイオードの種類による内部抵抗Ｒｄの温度特性の違いを示す図である。
【図４】感温抵抗Ｒ２の温度特性を示す図である。
【図５】レーザダイオードの周波数応答の温度変化例を説明する図である。
【図６】従来の光学記録再生装置におけるレーザダイオード駆動回路を説明する回路図である。
【図７】従来の光学記録再生装置におけるレーザダイオード駆動回路の等価回路を説明する回路図である。
【図８】上記図７の等価回路において、Ｃｏｕｔ＝０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦにてＲｄ＝１３Ω又は１８Ωとしたときの掃引周波数を示す図である。
【図９】上記図７の等価回路において、Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦにてＲｄ＝１３Ω又は１８Ωとしたときの掃引周波数を示す図である。
【図１０】上記図７の等価回路において、Ｌ１０１＝２５ｎＨ，Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦにてＲｄ＝１３Ω又は１８Ωとした条件で共振がある場合の周波数特性を示す図である。
【図１１】上記図７の等価回路でＬ１０１＝２５ｎＨ，Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦの条件において、Ｌ１０１と直列にＲｄを接続する場合、この抵抗値を変えたときの周波数特性の変化を示す図である。
【図１２】上記図７の等価回路でＬ１０１＝２５ｎＨ，Ｃｏｕｔ＝２０ｐＦ，Ｃｔ＝３０ｐＦの条件において、Ｌ１０１と並列にＲｄを接続する場合、この抵抗値を変えたときの周波数特性の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    記録再生装置，  １０    記録媒体，  １１    ＯＰ部，
１２    ＲＦアンプ部，  １３    信号処理部，  １４    制御部，
１５    スピンドルモータ，  １６    スレッドモータ，
２２    レーザダイオード駆動回路
【図１】
2005057206.tif 000003
【図２】
2005057206.tif 000004
【図３】
2005057206.tif 000005
【図４】
2005057206.tif 000006
【図５】
2005057206.tif 000007
【図６】
2005057206.tif 000008
【図７】
2005057206.tif 000009
【図８】
2005057206.tif 000010
【図９】
2005057206.tif 000011
【図１０】
2005057206.tif 000012
【図１１】
2005057206.tif 000013
【図１２】
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