(57)【要約】【課題】  表面実装型の電気部品をプリント配線板上に短時間で効率よく、しかも信頼性の高い接合で実装すること。【解決手段】  電気部品１０をプリント配線板１６に実装するには、先ず自動搭載機（図示せず）により電気部品１０をプリント配線板１６上の装着位置に位置合わせして搭載し、プリント配線板１６上で電気部品１０の各リード１４は各対応する導体パターン１８の上に載置する。導体パターン１８上にクリームハンダを塗る必要はない。次に、上方の出射ユニット２０より電気部品１０のリード１４に向けて５３２ｎｍの波長を有するＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光ＳＨＧを所望のパルス幅およびパワーで照射し、スポット溶接でリード１４を導体パターン１８に接合する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ系またはＡｕ系の金属からなるリードを有する表面実装型の電気部品をプリント配線板に実装するための方法であって、
前記電気部品のリードを前記プリント配線板の導体パターン上に位置合わせして載置し、可変のパルス幅を有するＹＡＧ高調波のパルスレーザ光を前記リードに上方から照射して、前記パルスレーザ光のエネルギーで前記リードを前記導体パターンに溶接する電気部品実装方法。
【請求項２】
前記ＹＡＧ高調波のパルスレーザ光をガルバノメータ・スキャナによりスキャニングして前記電気部品のリードに照射する請求項１に記載の電気部品実装方法。
【請求項３】
前記ＹＡＧ高調波のパルスレーザ光のパワーを可変制御する請求項１または請求項２に記載の電気部品実装方法。
【請求項４】
前記ＹＡＧ高調波が波長５３２ｎｍのＹＡＧ第２高調波である請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気部品実装方法。
【請求項５】
Ｎｄ：ＹＡＧレーザにより可変のパルス幅を有する波長１０６４ｎｍのＹＡＧ基本波のパルスレーザ光を生成し、前記ＹＡＧ基本波のパルスレーザ光をＫＴＰ結晶に入射させて、前記ＫＴＰ結晶と前記ＹＡＧ基本波のパルスレーザ光との非線形相互作用により前記ＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光を生成する請求項４に記載の電気部品実装方法。  
【請求項６】
前記導体パターンが銅箔からなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気部品実装方法。
【請求項７】
前記導体パターンにめっきが施されている請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気部品実装方法。
【請求項８】
前記リードにめっきが施されている請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気部品実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の電気部品をプリント配線板に実装する技術に係り、特にＣｕ系またはＡｕ系のリードを有する表面実装型電気部品を実装する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板上にリードで実装される電気部品は、挿入型と表面実装型とに大別される。挿入型は、リードをプリント配線板の貫通孔（スルーホール）に挿入して実装されるタイプである。表面実装型は、リードをプリント配線板の導体パターンの上に載せて実装されるタイプである。表面実装型は、挿入型のように配線板の孔にリードを挿入し、折り曲げ、カットする必要がなく、配線板の表面に装着するだけでよいため、自動組み立てが容易で、組立速度が速いという利点がある。
【０００３】
従来より、表面実装型電気部品のリードをプリント配線板の導体パターンに接合するために、リフローソルダリングが用いられている。リフローソルダリングは、プリント配線板上（特に導体パターンのランド部）にクリームはんだを供給または塗布しておき、電気部品を搭載した後に、リフロー炉ではんだを加熱溶融する方法であり、電気部品のリードとプリント配線板の導体パターンとをはんだ付けで電気的かつ物理的に接続するものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、リフローソルダリングは、使用するはんだ材（クリームはんだ）が高価であるだけでなく、事前にはんだを供給する工程やリフロー炉で加熱溶融する工程を必要とし、表面実装におけるトータルコストや組立時間等でネックになっている。しかも、はんだを加熱して溶融する工程では、電気部品のパッケージがリフロー炉内で高温に曝された時に割れることもある。また、実装後も、振動等の外力が加わると、はんだと母材（リード、導体パターン）との境界面で剥がれが発生したり、あるいははんだ自体が割れることもあり、接合の信頼性の面でも限界がある。
【０００５】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、表面実装型の電気部品をプリント配線板上に短時間で効率よく、しかも信頼性の高い接合で実装できるようにした電気部品実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の電気部品実装方法は、Ｃｕ系またはＡｕ系の金属からなるリードを有する表面実装型の電気部品をプリント配線板に実装する電気部品実装方法であって、前記電気部品のリードを前記プリント配線板の導体パターン上に位置合わせして載置し、可変のパルス幅を有するＹＡＧ高調波のパルスレーザ光を前記リードに上方から照射して、前記パルスレーザ光のエネルギーで前記リードを前記導体パターンに溶接する。
【０００７】
本発明の電気部品実装方法においては、ＣｕやＡｕに対する吸収性の高いＹＡＧ高調波のパルスレーザ光をＣｕ系またはＡｕ系のリードに照射し、パルスレーザ光のレーザエネルギーでリードを溶融してプリント配線板の導体パターンに接合する。
【０００８】
本発明の好適な一態様によれば、ＹＡＧ高調波のパルスレーザ光をガルバノメータ・スキャナによりスキャニングして電気部品のリードに照射する。かかる方式においては、電気部品のリードがいくら多くても、スキャニングによって短時間のうちに全てのリードをスポット溶接することができる。
【０００９】
本発明の好適な一態様によれば、ＹＡＧ高調波のパルスレーザ光のパワーを可変制御する。パルス幅とパワー（レーザ出力）を任意に制御できるので、溶接部に対する入熱を精細に制御し、多種多様な表面実装の要求に対応できる。
【００１０】
本発明におけるＹＡＧ高調波の好適な形態は波長５３２ｎｍ（グリーン光）のＹＡＧ第２高調波である。好適な一態様によれば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザにより可変のパルス幅を有する波長１０６４ｎｍのＹＡＧ基本波のパルスレーザ光を生成し、ＹＡＧ基本波のパルスレーザ光をＫＴＰ結晶に入射させて、ＫＴＰ結晶とＹＡＧ基本波のパルスレーザ光との非線形相互作用により第２高調波つまり波長５３２ｎｍ（グリーン光）のパルスレーザ光を生成する。
【００１１】
一般に、導体パターンは銅箔で構成されるが、そのことが本発明では非常に有利に作用する。なお、導体パターンにめっきが施されていても構わない。リードにめっきが施されていても同様である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電気部品実装方法によれば、上記のような構成および作用により、表面実装型の電気部品をプリント配線板上に短時間で効率よく、しかも信頼性の高い接合で実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００１４】
図１および図２に、本発明における電気部品実装方法の一実施形態を示す。図１は斜視図、図２は一部断面側面図である。
【００１５】
図示の電気部品１０は、たとえば表面実装型コネクタであり、コンタクト部を内蔵する樹脂製のパッケージ１２と、このパッケージ１２の相対向する両側面から外にまっすぐ導出された板片状のリード１４とを有している。ここで、リード１４は、たとえば金メッキされたＣｕ（銅）系の金属からなる。プリント配線板１６は、たとえばガラスエポキシ樹脂や紙フェノール等からなる絶縁基板の表面に、印刷技術を用いて導体パターン１８を形成してなる。ここで、導体パターン１８は、通常は銅箔で構成される。
【００１６】
電気部品１０をプリント配線板１６に実装するには、先ず自動搭載機（図示せず）により電気部品１０をプリント配線板１６上の装着位置に位置合わせして搭載する。そうすると、図示のように、プリント配線板１６上で電気部品１０の各リード１４は各対応する導体パターン１８の上に載置される。なお、導体パターン１８上にクリームハンダは塗られていない。
【００１７】
次に、本発明にしたがって、上方の出射ユニット２０より電気部品１０のリード１４に向けて５３２ｎｍの波長を有するＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光ＳＨＧを所望のパルス幅およびパワーで照射する。そうすると、パルスレーザ光ＳＨＧの当たった部分（溶接ポイント）にスポット溶接の接合部Ｗが一瞬にして形成される。詳細には、Ｃｕ系のリード１４がＹＡＧ第２高調波のレーザエネルギーを吸収して急速に溶融し、溶融中心部で金属蒸気が生成してキーホールが形成され、パルスレーザ光ＳＨＧがこのキーホール内で多重反射を繰り返しながらより深い部分まで侵入し、終にはリード１４を貫通してＣｕ系の導体パターン１８の中まで連続する溶接部Ｗが作られる。
【００１８】
このように、本発明では、波長５３２ｎｍのＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光（グリーン光）ＳＨＧを用いることにより、プリント配線板１６上のＣｕ系導体パターン１８に電気部品１０のＣｕ系リード１４を簡便かつ瞬時に、しかもきれいに接合することができる。また、接合部Ｗは、はんだを使わない強固な溶融接合であり、振動等の外力を受けても剥がれたり割れたりするようなことはない。
【００１９】
図３に、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｆｅ（鉄）の波長吸収特性を示す。代表的なＹＡＧレーザであるＮｄ：ＹＡＧレーザの基本波（ω）は１０６４ｎｍである。このＹＡＧ基本波（ω）を、Ｆｅは比較的良好に吸収するが、ＣｕやＡｕは僅かしか吸収しない。したがって、上記のような表面実装におけるＣｕ系リード１４とＣｕ系導体パターン１８との接合にＹＡＧ基本波（ω）のレーザ光を用いたならば、接合部への入熱が非常に難しく、無理にレーザパワーを上げるとリード１４が吹き飛んでしまうこともあり、安定確実なスポット溶接は殆ど不可能である。ところが、ＣｕやＡｕは、ＹＡＧ基本波（ω）の高調波つまり第２高調波（２ω：５３２ｎｍ）、第３高調波（３ω：３５５ｎｍ）あるいは第４高調波（４ω：２６６ｎｍ）等をよく吸収する。たとえば、第２高調波（２ω：５３２ｎｍ）に対するＣｕやＡｕの吸収率は５０％以上である。ＹＡＧ基本波（ω）をよく吸収するといわれるＦｅの吸収率が４０％以下であることに鑑みれば、如何に高い吸収率であるかが分かる。実用的に、ＣｕやＡｕのレーザ溶接には第２高調波（２ω：５３２ｎｍ）で十分である。
【００２０】
図４に、この実施形態の電気部品実装方法で用いるＹＡＧレーザ装置の構成を示す。このＹＡＧレーザ装置は、支持台（図示せず）上に直線配列型で一対の終端ミラー２２，２４、固体レーザ活性媒質２６、波長変換結晶２８、偏光素子３０および高調波分離出力ミラー３２を配置している。
【００２１】
両終端ミラー２２，２４は互いに向かい合って光共振器を構成している。一方の終端ミラー２２の反射面２２ａには、基本波長（１０６４ｎｍ）に対して反射性の膜がコーティングされている。他方の終端ミラー２４の反射面２４ａには、基本波長（１０６４ｎｍ）に対して反射性の膜がコーティングされるとともに、第２高調波（５３２ｎｍ）に対して反射性の膜もコーティングされている。
【００２２】
活性媒質２６は、Ｎd：ＹＡＧロッドからなり、一方の終端ミラー２２寄りに配置され、電気光学励起部３４によって光学的にポンピングされる。電気光学励起部３４は、活性媒質２６に向けて励起光を発生するための励起光源（たとえば励起ランプまたはレーザダイオード）を有し、この励起光源をレーザ電源部３６からの励起電流（パルス電流）でパルス点灯駆動することにより、活性媒質２６を持続的または断続的にポンピングする。なお、レーザ電源部３６は制御部３８の下で電気光学励起部３４を駆動する。こうして活性媒質２６で生成される基本波長の光ビームＬＢは、終端ミラー２２，２４の間に閉じ込められて増幅される。このように、両終端ミラー（光共振器）２２，２４、活性媒質２６および電気光学励起部３２によって基本波長（１０６４ｎｍ）の光ビームまたはレーザ光ＬＢを生成するレーザ発振器が構成されている。
【００２３】
偏光素子３０は、たとえばポラライザまたはブリュースタ板等からなり、活性媒質２６からの基本波長の光ビームが非法線方向で入射するように光共振器の光路または光軸に対して所定の斜めの角度で配置されている。活性媒質２６からの基本波長の光ビームＬＢのうち、Ｐ偏光は偏光素子３０をまっすぐ透過して波長変換結晶２８に入射し、Ｓ偏光は偏光素子３０で所定の方向に向けて反射されるようになっている。ここで、Ｐ偏光およびＳ偏光は基本波長の光ビームの進行方向に垂直な面内で振動方向が互いに直交する直線偏光成分（電界成分）である。たとえば、Ｐ偏光は鉛直方向で振動する直線偏光成分であり、Ｓ偏光は水平方向で振動する直線偏光成分である。好ましくは、基本波長（１０６４ｎｍ）においてＰ偏光透過率は略１００％でＳ偏光反射率は略１００％であるような偏光フィルタ特性が選ばれる。
【００２４】
波長変換結晶２８は、ＫＴＰ結晶からなり、他方の終端ミラー１２寄りに配置され、この光共振器で励起された基本モードに光学的に結合され、基本波長との非線型相互作用により第２高調波（５３２ｎｍ）の光ビームＳＨＧを光共振器の光路上に生成する。
【００２５】
波長変換結晶２８より終端ミラー２４側に出た第２高調波の光ビームＳＨＧは、終端ミラー２４で戻されて、波長変換結晶２８を通り抜ける。波長変換結晶２８より終端ミラー２４の反対側に出た第２高調波の光ビームＳＨＧは、光共振器の光路または光軸に対して所定の角度（たとえば４５゜）で斜めに配置されている高調波分離出力ミラー３２に入射し、このミラー３２で所定の方向に反射または分離出力されるようになっている。そして、高調波分離出力ミラー３２より分離出力された第２高調波の光ビームＳＨＧは、ベントミラー４０で光軸を曲げられて入射ユニット４２へ向けられる。
【００２６】
入射ユニット４２は、集束レンズ４４を内蔵しており、ベントミラー４０からの第２高調波の光ビームＳＨＧを集束レンズ４４により集束して光ファイバ４６の一端面（入射端面）に入射させる。光ファイバ４６は第２高調波の光ビームＳＨＧを出射ユニット２０（図１）まで伝送する。出射ユニット２０内には、光ファイバ４６の他端面より出射された第２高調波の光ビームＳＨＧを集束させて被溶接物（１４，１８）の溶接ポイントに照射するための光学レンズが設けられている。
【００２７】
このＹＡＧレーザ装置では、ＹＡＧ第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧについてパワーフィードバック制御を行うために、ベントミラー４０の背後に漏れたＹＡＧ第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧの漏れ光ＭSHGを受光する受光素子またはフォトセンサ４８が配置されている。測定回路５０は、フォトセンサ４８の出力信号を基に第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧのレーザ出力測定値を表す電気信号（レーザ出力測定値信号）を生成する。制御部４６は、測定回路５０からのレーザ出力測定値信号を基準値または基準波形と比較し、比較誤差に応じてたとえばパルス幅変調（ＰＷＭ）方式の制御信号を生成する。レーザ電源部３６は、制御部４６からの制御信号に応じてスイッチング素子をスイッチング動作させ、電気光学励起部３４に供給する励起電流のパルス幅および電流値を制御する。
【００２８】
図５に、この実施形態におけるＹＡＧ第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧのレーザ出力波形の一例を示す。パワーフィードバック方式でレーザパワー、パルス幅、パルス波形等を任意に設定・制御することができる。
【００２９】
このＹＡＧレーザ装置では、波長変換結晶２８にＫＴＰ結晶を用いることによって、パルス幅可変のＹＡＧ第２高調波を生成する点が重要である。すなわち、Ｑスイッチ型レーザで生成した高出力のジャイアントパルス（通常１μｓ以下）を第２高調波に波長変換するための波長変換結晶として最も多く用いられているＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5）結晶は、パルス幅が比較的長いロングパルス（１０μｓ以上、典型的には１〜３ｍｓ）の基本波には意外に脆く、結晶に亀裂（cracking）が入りやすい。これに対して、ＫＴＰ結晶は、ロングパルスのＹＡＧ基本波に対しては損傷や亀裂を発生せずに非線形光学作用を奏し、第２高調波（波長５３２ｎｍ）のパルスレーザ光を安定に生成することができる。
【００３０】
図６に、この実施形態で用いる波長変換方法の基本原理を示す。この波長変換方法は、波長変換結晶２８にタイプII位相整合角にカットされたＫＴＰ結晶を使用し、タイプIIの位相整合で基本波から第２高調波への波長変換を行う。より詳細には、固体パルスレーザたとえばＹＡＧパルスレーザ（図示せず）で生成された基本波（たとえば１０６４ｎｍ）のパルスレーザ光を楕円偏光（好ましくは円偏光）またはランダム偏光の形態でＫＴＰ結晶２８に入射させる。そうすると、入射光のうち基本波光の垂直偏光成分と水平偏光成分のみが直線偏光としてＫＴＰ結晶２８を通過する。ＫＴＰ結晶２８は、基本波ＹＡＧパルスレーザと光学的に結合して、非線形光学効果により基本波光の垂直偏光成分と同じ方向に直線偏光したロングパルスの第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧ（５３２ｎｍ）を生成する。
【００３１】
しかしながら、上記のような波長変換方法（図６）においては、基本波パルスレーザ光の偏光分布に偏りまたは異方性があったりすると、波長変換効率が低下し、第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧのレーザ出力が下がったり変動することがある。特に、活性媒質２６に対する電気光学励起部３４のポンピング（励起光の照射）が不均一であると、基本波パルスレーザ光の偏光分布に偏りまたは異方性が生じる。
【００３２】
図７に、この実施形態における波長変換方法を示す。この波長変換方法は、基本波のＰ偏光を透過させると同時にＳ偏光を反射する偏光素子３０をその直線偏光化方向（Ｐ偏光の振動方向）がＫＴＰ結晶２８の光学軸に対して相対的に４５度傾くように配置する。実施形態の高調波レーザ装置（図４）では、図７に示すように、偏光素子３０の直線偏光化方向を鉛直方向に設定し、ＫＴＰ結晶２８の方をその光学軸が鉛直方向に対して４５゜傾くように配置している。
【００３３】
このように偏光素子３０の直線偏光化方向とＫＴＰ結晶２８の光学軸とを相対的に４５度傾けて配置する構成によれば、偏光素子３０からのＰ偏光がＫＴＰ結晶２８の座標系において見かけ上直交する等強度の２つの基本波光成分として非線形光学効果に作用する。仮に偏光素子３０を省くと、Ｐ偏光と直交するＳ偏光もＫＴＰ結晶２８に入射することになり、それによってＫＴＰ結晶２８の座標系において垂直偏光成分と水平偏光成分とのバランスが崩れ、タイプIIの波長変換効率は低下する。こうして、偏光素子３０の直線偏光化により、高効率のタイプII波長変換が可能であり、安定かつ高出力でロングパルスの第２高調波パルスレーザ光ＳＨＧを生成することができる。これにより、ＣｕやＡｕの被溶接材に対しては、ＹＡＧ第２高調波の入熱時間をパルス幅で任意に制御し、第２高調波の作用（キーホール形成作用等）を存分に発揮させ、良好な溶接接合を得ることができる。
【００３４】
以上、好適な実施形態を説明したが、本発明の技術思想に基づいて種々の変形・変更が可能である。たとえば、図８に示すように、出射ユニット２０をガルバノメータ・スキャナで構成することにより、プリント配線板１６を固定したままで、ＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光ＳＨＧをスキャニングして、表面実装型電気部品１０の全てのリード１４を順次高速にスポット溶接することも可能である。
【００３５】
図８において、このガルバノメータ・スキャナは、互いに直交する回転軸５２Ｘ，５２Ｙに取り付けられたＸ軸スキャン・ミラー５４ＸおよびＹ軸スキャン・ミラー５４Ｙと、両ミラー５４Ｘ，５４Ｙをそれぞれ回転振動（首振り）させるＸ軸ガルバノメータ５６ＸおよびＹ軸ガルバノメータ５６Ｙとを有している。
【００３６】
光ファイバ４６の端面より放射状に出たＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光ＳＨＧは、コリメータレンズ５８によって平行光線となり、先ずＸ軸スキャン・ミラー５４Ｘに入射して、そこで全反射してからＹ軸スキャン・ミラー５４Ｙに入射し、このミラー５４Ｙで全反射してのちｆθレンズ６０を通って被加工材（１４，１８）の溶接ポイント付近に集光する。被加工材上のパルスレーザ光ＳＨＧの照射位置は、Ｘ方向においてはＸ軸スキャン・ミラー５４Ｘの振れ角によって決まり、Ｙ方向においてはＹ軸スキャン・ミラー５４Ｙの振れ角によって決まる。Ｘ軸スキャン・ミラー５４ＸはＸ軸ガルバノメータ５６Ｘの駆動で矢印Ａ，Ａ’方向に回転振動（首振り）し、Ｙ軸スキャン・ミラー５４ＹはＹ軸ガルバノメータ５６Ｙの駆動で矢印Ｂ，Ｂ’方向に回転振動（首振り）するようになっている。
【００３７】
Ｘ軸ガルバノメータ５６Ｘは、たとえば、Ｘ軸スキャン・ミラー５４Ｘに結合された可動鉄片（回転子）と、この可動鉄片に接続された制御バネと、固定子に取り付けられた駆動コイルとを有している。制御部３８のスキャナ制御部よりＸ方向スキャニング制御信号に応じた駆動電流が電気ケーブル６２Ｘを介してＸ軸ガルバノメータ５６Ｘ内の該駆動コイルに供給されることで、該可動鉄片（回転子）が該制御バネに抗してＸ軸スキャン・ミラー５４Ｘと一体にＸ方向スキャニング制御信号の指定する角度に振れるようになっている。
【００３８】
Ｙ軸ガルバノメータ５６Ｙも同様の構成を有しており、上記スキャナ制御部よりＹ方向スキャニング制御信号に応じた駆動電流が電気ケーブル６２Ｙを介してＹ軸ガルバノメータ５６Ｙ内の駆動コイルに供給されることで、Ｙ軸ガルバノメータ５６Ｙ内の可動鉄片（回転子）がＹ軸スキャン・ミラー５４Ｙと一体にＹ方向スキャニング制御信号の指定する角度に振れるようになっている。
【００３９】
上記の実施形態では、基本波を生成するための活性媒質２６として、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を用いたが、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶等を使用することもできる。また、上記実施形態では電気部品１０のリード１４がＣｕ系の材質であったが、Ａｕ系の材質であっても同様の効果が得られる。リード１４にめっきが施されていても同様である。プリント配線板１６の導体パターン１８もＣｕ系に限るものではなく、たとえばアルミニウムであってもよい。上記実施形態では、レーザ溶接に用いるＹＡＧ高調波としてＹＡＧ第２高調波を用いたが、ＹＡＧ第３高調波やＹＡＧ第４高調波等も使用可能である。また、ＹＡＧ高調波とＹＡＧ基本波を併用する方法、つまりＹＡＧ高調波にＹＡＧ基本波を重畳して溶接ポイントに照射する方法も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態による電気部品実装方法を示す斜視図である。
【図２】実施形態の電気部品実装方法を示す一部断面側面図である。
【図３】Ｃｕ、Ａｕ、Ｆｅの波長吸収特性を示す図である。
【図４】実施形態の電気部品実装方法で用いるＹＡＧレーザ装置の構成を示すブロック図である。
【図５】実施形態におけるＹＡＧ第２高調波パルスレーザ光のレーザ出力波形の一例を示す図である。
【図６】実施形態における波長変換方法の基本原理を示す図である。
【図７】実施形態の波長変換方法を示す図である。
【図８】実施形態の一変形例によるガルバノメータ・スキャナ型の出射ユニットの構成例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０    電気部品
１４    リード
１６    プリント配線板
１８    導体パターン
２０    出射ユニット
２２，２４    終端ミラー
２６    活性媒体
２８    波長変換結晶
３２    高周波分離出力ミラー
３４    電気光学励起部
３６    レーザ電源部
３８    制御部
４２    入射ユニット
４６    光ファイバ
４８    フォトセンサ
５０    測定回路    
【図１】
2005347415.tif 000003
【図２】
2005347415.tif 000004
【図３】
2005347415.tif 000005
【図４】
2005347415.tif 000006
【図５】
2005347415.tif 000007
【図６】
2005347415.tif 000008
【図７】
2005347415.tif 000009
【図８】
2005347415.tif 000010