(57)【要約】【課題】アンエッチングまたは未開口現象などの問題のないエッチング方法を提供する。【解決手段】誘電体層１４、１６とこの誘電体層１４、１６の上面から部分的に突出している電極１５’を有するウェーハを提供する。エッチング液２４を誘電体層１４、１６に加える。この際にエッチング液２４に含まれている気泡２７の電極１５’への付着を防止するために、エッチング液２４を使用してエッチングする前に、突出部をバッファ層２１で覆い、エッチング液２４に含まれている気泡２７が電極１５’に付着することを防止する。したがって、エッチング液２４に含まれている気泡２７によって妨害を受けずに、エッチング液２４を使用して誘電体層１４、１６をエッチングしうる。【選択図】図１Ｆ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層及び前記誘電体層の上面から部分的に突出している電極を備えたウェーハを提供する段階と、
前記誘電体層にエッチング液を加える段階と、
前記エッチング液に含まれている気泡の前記電極への付着を防止する段階と、を含むエッチング方法であって、前記電極への気泡の付着を防止する段階は前記電極の突出部をバッファ層で覆う段階を含むことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記バッファ層は親水性液体を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記親水性液体は脱イオン水、過酸化水素、またはオゾン水より選択されることを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記エッチング液を加える段階は前記バッファ層が乾燥する前に前記エッチング液を前記誘電体層上に加える工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチング液を加える段階は前記突出部を前記バッファ層で覆ってから５分以内に行うことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記エッチング液を加える段階は前記突出部を前記バッファ層を覆ってから２分以内に行うことを特徴とする請求項５に記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記気泡の前記電極への付着を防止する段階は前記電極の突出部を含む前記基板の全体上面を前記バッファ層で覆う工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記誘電体層はシリコン酸化膜よりなっており、前記エッチング液は水素、窒素、フッ素、及び脱イオン水を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項９】
前記エッチング液はＨＦ、ＮＨ４Ｆ、脱イオン水、及び界面活性剤を含むことを特徴とする請求項８に記載のエッチング方法。
【請求項１０】
誘電体層及び前記誘電体層の上面から部分的に突出している電極を備えたウェーハを提供する段階と、
前記誘電体層を化学溶液でエッチングする段階と、
前記エッチング段階以前に前記化学溶液に含まれている気泡の前記電極への付着を防止すべく前記突出部をバッファ層で覆う段階と、を含むエッチング方法。
【請求項１１】
前記誘電体層のエッチング段階は、前記バッファ層が実質的に乾燥される前に前記誘電体層上に前記エッチング液を加える段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載のエッチング方法。
【請求項１２】
前記誘電体層のエッチング段階は前記突出部を前記バッファ層で覆ってから約５分以内に行うことを特徴とする請求項１０に記載のエッチング方法。
【請求項１３】
前記誘電体層のエッチング段階は前記突出部を前記バッファ層で覆ってから約２分以内に行うことを特徴とする請求項１２に記載のエッチング方法。
【請求項１４】
前記バッファ層は親水性液体よりなることを特徴とする請求項１０に記載のエッチング方法。
【請求項１５】
前記親水性液体は脱イオン水、過酸化水素またはオゾン水のうちから選択されることを特徴とする請求項１４に記載のエッチング方法。
【請求項１６】
前記突出部を覆う段階はスプレー法を使用して前記電極の上端部上に前記バッファ層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のエッチング方法。
【請求項１７】
前記突出部を覆う段階は前記バッファ層を形成する物質よりなるバッファ層溶液に前記ウェーハを浸漬することを特徴とする請求項１０に記載のエッチング方法。
【請求項１８】
前記化学溶液はＨＦまたはＮＨ４Ｆを含むことを特徴とする請求項１０に記載のエッチング方法。
【請求項１９】
半導体基板上に第１誘電体層を形成する段階と、
前記第１誘電体層に開口を形成する段階と、
前記開口を含む前記第１誘電体層上に導電体層を蒸着する段階と、
前記開口内の前記導電体層を覆う第２誘電体層を蒸着する段階と、
上端部を有するキャパシタの下部電極を形成すべく前記第１誘電体層が露出されるまで前記導電体層を含む前記結果物を平坦化する段階と、
化学溶液を使用して前記第１誘電体層及び第２誘電体層をエッチングし、前記化学溶液内に含まれている気泡の前記電極への付着を防止する段階と、を含むエッチング方法。
【請求項２０】
前記気泡の付着を防止する段階は、前記化学溶液に含まれている気泡の前記電極への付着を防止すべく前記電極の上端部をバッファ層で十分に覆う段階を含むことを特徴とする請求項１９に記載のエッチング方法。
【請求項２１】
前記平坦化段階は化学的機械的研磨法で行うことを特徴とする請求項１９に記載のエッチング方法。
【請求項２２】
前記化学的機械的研磨法では、前記下部電極及び前記第１及び第２誘電体層に対してエッチング選択比のあるスラリーを使用することを特徴とする請求項２１に記載のエッチング方法。
【請求項２３】
前記結果物に対する前記平坦化段階を行った後であり、前記電極への気泡の付着を防止する段階以前にエッチング残留物を減少させるために前記第１及び第２誘電体層を洗浄する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のエッチング方法。
【請求項２４】
前記洗浄段階はＨＦを使用する工程を含むことを特徴とする請求項２３に記載のエッチング方法。
【請求項２５】
前記キャパシタの下部電極はその平面が実質的に円形あるいは楕円形であることを特徴とする請求項１９に記載のエッチング方法。
【請求項２６】
半導体基板上に第１誘電体層を形成する段階と、
前記第１誘電体層に開口を形成する段階と、
前記開口を含む前記第１誘電体層上に導電体層を蒸着する段階と、
前記開口内の前記導電体層を覆う第２誘電体層を形成する段階と、
上端部を有するキャパシタの下部電極を形成すべく前記第１誘電体層の上面が露出されるまで前記導電体層を含む結果物を平坦化する段階と、
前記結果物に対して平坦化段階以後に、バッファ層を生成させる段階と、
化学溶液を使用して前記第１及び第２誘電体層のエッチング段階と、を含むエッチング方法であって、前記エッチング段階では前記バッファ層が前記化学溶液に含まれている気泡の前記電極上端部への付着を防止することを特徴とするエッチング方法。
【請求項２７】
前記結果物に対する平坦化段階以後であり、前記バッファ層の生成段階以前に、エッチング残留物を除去すべく前記第１及び第２誘電体層を洗浄する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載のエッチング方法。
【請求項２８】
前記洗浄段階はＨＦを使用する工程を含むことを特徴とする請求項２７に記載のエッチング方法。
【請求項２９】
前記キャパシタ下部電極は平面が円形あるいは楕円形であることを特徴とする請求項２６に記載のエッチング方法。
【請求項３０】
前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層のエッチング段階は前記上端部を覆っている前記バッファ層が実質的に乾燥される以前に行うことを特徴とする請求項２６に記載のエッチング方法。
【請求項３１】
前記バッファ層の生成段階は前記電極の上端部に親水性液体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２６に記載のエッチング方法。
【請求項３２】
前記親水性液体層は脱イオン水、過酸化水素及びオゾン水のうちから選択された液体よりなることを特徴とする請求項３１に記載のエッチング方法。
【請求項３３】
前記親水性液体層を形成する段階は前記電極の上端部上に親水性液体をスプレーして形成する工程を含むことを特徴とする請求項３１に記載のエッチング方法。
【請求項３４】
前記親水性液体層を形成する段階は前記親水性液体に前記基板を浸漬させる工程を含むことを特徴とする請求項３１に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の製造方法に係り、特にキャパシタの下部電極のような半導体素子を製造するためのエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）素子のような半導体素子の製造時、半導体製造工程の多様な段階でフッ化水素（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とを含む化学溶液（ＬＡＬ）や希釈化された酸化膜エッチング液（ＢＯＥ）のような化学溶液が誘電体層のエッチングに通常的に使われる。
【０００３】
不幸にも、添加物、例えば、化学溶液に一般的に含まれる界面活性剤のような添加物によって、所望しない多様な大きさの気泡が前記化学溶液で発生する。このような気泡は度々半導体基板の表面に付着して、酸化膜のアンエッチングまたは未開口などの深刻な問題を引き起こす。
【０００４】
デザインルールの減少につれて、このような問題はさらに深刻になり、製造収率を相当落とす。例えば、デザインルールの減少によってキャパシタの下部電極がさらに円形に近くなるにつれて、前記気泡はさらに容易に下部電極に付着され、その結果、未開口現象のような多様な問題を引き起こす。
【０００５】
したがって、前記化学溶液に含まれている気泡によって引き起こされる問題点を解決できる新しいエッチング方法を開発する必要性が至急に要求されつつある。
【特許文献１】韓国公開特許第１９９６−０１５０７６号
【特許文献２】特開２００２−２９９２１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はＬＡＬのような化学溶液を使用して誘電体層をエッチングする時、その化学溶液に含まれている気泡によって引き起こされるアンエッチングまたは未開口現象などの問題のない半導体素子を製造するためのエッチング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例によれば、まず誘電体層及び前記誘電体層の上面から部分的に突出している突出部を有する電極を含むウェーハを提供する。そして、前記誘電体層に化学溶液またはエッチング液を加えて前記化学溶液に含まれている気泡の前記電極への付着を防止する。気泡の前記電極への付着を防止するために、エッチング工程を行う前に、前記化学溶液に含まれている気泡の前記電極への付着を防止すべく前記突出部を覆うバッファ層を形成する。
【０００８】
ここに開示されている本発明の技術的思想によれば、誘電体層のエッチング工程が進行する間に、化学溶液に含まれている気泡の、例えば、キャパシタ下部電極のような構造物への付着を防止しうる。したがって、化学溶液に含まれている気泡による妨害を受けずに、ＬＡＬのような化学溶液を使用して誘電体層をエッチングしうる。したがって、本発明の実施例を使用すれば、アンエッチング現象によって引き起こされる１ビット不良のような素子の不良を防止できるので、収率を向上させうる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アンエッチング現象によって引き起こされる１ビット不良のような素子の不良を防止しうる。したがって、本発明によれば収率を相当増加させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施例に限定されず、他の形に具体化されうる。むしろ、ここで紹介される実施例は本発明の技術的思想が徹底して完全に開示さるべく、そして当業者に本発明の思想を十分に伝えるべく例示的に提供されるものである。図面において、構成要素らの形態は明確性のために誇張された。そして、明細書全体に亙って同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００１１】
図１Ａを参照すれば、ＤＲＡＭのような半導体素子のキャパシタを製造するために、層間絶縁層１１または予備金属誘電体層をウェーハまたは半導体基板１０上に形成する。層間絶縁層１１はシリコン酸化物のような誘電物質で形成しうる。
【００１２】
なお、図示していないが、半導体基板１０上には、トランジスタまたはメモリセルを形成すべくソース／ドレーン領域及びゲート電極のような下部構造物が形成されていてもよい。
【００１３】
次いで、通常の技術を使用し、ストレージノードコンタクトパッド１２を層間絶縁層１１に形成し、その上部に形成されるキャパシタの下部電極と電気的に連結する。ストレージノードコンタクトパッド１２は再び半導体基板１０の活性領域と電気的に連結される。引続いて、層間絶縁層１１を平坦化する。
【００１４】
次いで、層間絶縁層１１上にエッチング阻止層１３を形成する。エッチング阻止層１３は第１誘電体層１４に対して高いエッチング選択比を有する。このような層は従来の通常の製造方法を使用して形成しうる。エッチング阻止層１３は、例えば、シリコン窒化物を使用して約５００ないし１０００Å程度の厚さに形成しうる。
【００１５】
第１誘電体層１４をエッチング阻止層１３上に形成する。エッチング阻止層１３は第１誘電体層１４だけでなく、その上部に形成される第２誘電体層１６を除去するための後続エッチングリフトオフ工程でエッチング停止点としての役割をする。
【００１６】
第１誘電体層１４は低温化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）工程のような従来の方法を用いて約３０００ないし２００００Å程度の厚さを有するシリコン酸化物で形成することが望ましい。第１誘電体層１４はＰＥ−ＴＥＯＳ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の単一膜であるか、ＰＥ−ＴＥＯＳ層を含む複合膜で有り得る。
【００１７】
図１Ｂを参照すれば、エッチング阻止層１３をエッチング停止点として使用して第１誘電体層１４をエッチングまたはパターニングすることによって、コンタクトパッド１２の一部を露出させるストレージノード開口１８を第１誘電体層１４に形成する。第１誘電体層１４に対するエッチングまたはパターニングは従来の技術によるフォトリソグラフィ及びエッチング工程を使用する。そして、ストレージノード開口１８により露出されるエッチング阻止層１３を除去する。
【００１８】
図１Ｃを参照すれば、キャパシタ下部電極１５’（図１Ｄ参照）を形成するために、ドーピングされたポリシリコン、Ｐｔ、Ｒｕ、またはＴｉＮなどの物質よりなる導電体膜１５を前記開口１８を含む第１誘電体層１４とストレージノードコンタクトパッド１２上に形成する。
【００１９】
次いで、前記ストレージノードコンタクトパッド１２と連結されており、前記開口１８内にある導電体膜１５上に第２誘電体層１６を形成する。第２誘電体層１６はシリコン酸化物で約１０，０００ないし３０，０００Å程度の厚さに形成することが望ましい。当業者には自明なように、第１誘電体層１４及び第２誘電体層１６を形成するためにシリコン酸化物ではない他の適切な誘電物質を使用しても良い。
【００２０】
図１Ｄを参照すれば、第１誘電体層１４と第２誘電体層１６の上面が露出されるまで、前記導電体膜１５を含む第１誘電体層１４及び第２誘電体層１６を平坦化し、ノード分離されたキャパシタ下部電極１５’を形成する。
【００２１】
前記平坦化工程は、化学機械的研磨（ＣＭＰ）またはエッチバック工程のような通常の工程を使用して行える。ＣＭＰ工程を使用する場合には、キャパシタ下部電極１５’と第１誘電体層及び第２誘電体層１４、１６に対してエッチング選択比のあるスラリーを使用することが望ましい。エッチバック工程を使用する場合には、キャパシタ下部電極１５’と第１誘電体層及び第２誘電体層１４、１６に対してエッチング選択比のあるエッチング液を使用することが望ましい。
【００２２】
図１Ｅを参照すれば、平坦化工程の結果として発生するエッチバック残留物またはＣＭＰ残留物を除去する洗浄工程で、望ましくはＨＦを使用する。このため、例えば、円形または楕円形のキャパシタ下部電極１５’の上部が、ＨＦを使用する湿式洗浄工程のゆえに誘電体層１４、１６の表面から突出することになる。なぜなら、ＨＦはポリシリコンで形成されたキャパシタ下部電極は実質的にほとんどエッチングしない一方、シリコン酸化膜のような誘電体層を選択的にエッチングするためである。なお、残留物を除去するためのこのような洗浄工程においてはこの分野で公知の他の適切な洗浄液を使用しても良い。
【００２３】
図１Ｇを参照すれば、従来のリフトオフ工程を使用して第１誘電体層１４及び第２誘電体層１６を同時に除去することによって、キャパシタ下部電極１５’を完成する。特に、第１誘電体層１４と第２誘電体層１６はＬＡＬのような化学溶液を使用してエッチングする。この湿式エッチング工程では一般的に表１にその組成が表示されているＬＡＬのようなエッチング液を使用する。しかし、ＬＡＬ以外の他の適切な湿式エッチング液を使用しても良い。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
しかし、図２Ａに図示されているように、ＬＡＬのような化学溶液またはエッチング液にある気泡はキャパシタ下部電極１５’の突出部に容易に付着してしまう。このような気泡の付着はキャパシタ下部電極１５’の平面が円形か楕円形である場合に特に発生しやすいが、これは前記形状の場合に気泡を容易に捕獲できるからである。
【００２６】
デザインルールが小さくなるにつれて、この問題はさらに重要になるが、これはキャパシタ下部電極１５’に捕獲されている所望しない気泡によって、ＬＡＬのような化学溶液と誘電体層１６との接触が遮断されることがあり、その結果、図２Ｂ及び図２Ｃに図示されているように、アンエッチングまたは未開口現象が発生するからである。言い換えれば、化学溶液２４に存在する気泡２７のために第２誘電体層１６の一部がエッチングされていない状態で残留し、したがって化学溶液２４と第２誘電体層１６との接触を遮断してしまう。これはまた第２誘電体層１６の除去を妨害する。
【００２７】
このような問題点を解決するために、本実施例では、図１Ｆを説明すれば、従来のリフトオフ工程、すなわち、第１誘電体層１４及び第２誘電体層１６を除去するための湿式エッチング工程を行う前に、キャパシタ下部電極１５’の突出部および／または上端部をバッファ層２１で覆い、化学溶液またはエッチング液２４に含まれている気泡２７の電極１５’または半導体基板１０への付着あるいは接触を防止する。バッファ層２１は実質的に半導体基板１０のあらゆる上面を覆うこともある。
【００２８】
望ましくは、電極１５’の突出部を覆っているバッファ層２１が実質的に乾燥してしまう前に、化学溶液またはエッチング液２４を前記誘電体層１４、１６の上に加える。より望ましくは、電極１５’の突出部がバッファ層２１０で覆われた後、約５分内に誘電体層１４、１６上に化学溶液またはエッチング液２４を加える。最も望ましくは、電極１５’の突出部がバッファ層２１０で覆われた後、約２分内に誘電体層１４、１６上に化学溶液またはエッチング液２４を加える。
【００２９】
しかし、当業者ならば本発明が前述した実施例に限定されないということが分かるだろう。例えば、化学溶液またはエッチング液２４を誘電体層１４、１６に加える前にバッファ層２１が実質的に乾燥されない限り、いかなる他の工程も使用できる。言い換えれば、電極１５’の突出部はバッファ層２１で十分に覆われてエッチング工程をし始める時、化学溶液またはエッチング液２４に含まれている気泡の電極１５’への付着を防止可能にすることが望ましい。もし、バッファ層２１で突出部を覆ってから誘電体層１４、１６に化学溶液またはエッチング液２４を加えることが遅延されるならば、バッファ層２１は過度に乾燥されて本発明の効果を達成できなくなる恐れもある。
【００３０】
一方、従来の技術では、絶縁層である誘電体膜１４、１６のエッチング前に洗浄工程を実施した後、一般的に基板１０を完全に乾燥した。しかし、本発明の実施例では、化学溶液２４を誘電体層１４、１６に加える時、気泡２７の電極１５’への付着を防止するために基板１０の表面をバッファ層２１で十分に覆うか、濡らすことが望ましい。
【００３１】
本発明の一側面によれば、一旦エッチング工程が始まれば、バッファ層２１が電極１５’の突出部を覆っている必要がない。バッファ層２１は化学溶液２４と混合される。このようなエッチング工程は電極１５’に気泡２７が付着されていない状態で始められるので、電極１５’内に捕獲されている気泡２７によって発生する問題点を解決しうる。
【００３２】
本発明の一実施例では、電極１５’をバッファ層２１で覆うために、電極１５’の突出部に親水性液体を加えても良い。望ましくは、前記親水性液体は脱イオン水（ＤＩＷ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）またはオゾン水（Ｏ３）で有り得るが、これらに限定されるものではない。電極１５’を含む基板１０の表面がより小さな表面張力を有するバッファ層２１によって十分に濡れたり、または覆われているように、前記親水性液体は化学溶液２４と比較して実質的にさらに少ない気泡または不純物を有することが望ましい。
【００３３】
バッファ層２１は電極１５’の上端部に親水性液体をスプレーすることによって形成しても良い。
【００３４】
また、プレイーに代えて、例えば、図３に示されたような従来の湿式−化学溶液用のバス３３を用いて親水性溶液３４に基板１０を浸漬させてバッファ層２１を形成しても良い。特に、ロボットアーム３５を使用してウェーハキャリア３２に位置する基板１０を親水性溶液３４に浸漬させることが望ましい。
【００３５】
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではない。当業者ならば、気泡２７の電極１５’への付着を防止できる他の適切な方法の利用も、同等に本発明に適用可能であることが分かる。
【００３６】
本明細書に開示されている本発明の思想によれば、誘電体層に対してエッチングを進行する間に化学溶液２４に含まれている気泡２７の、例えば、キャパシタ下部電極１５’への付着を防止しうる。したがって、ＬＡＬのような化学溶液を使用する場合にもその化学溶液に含まれている気泡２７によって妨害を受けずに誘電体層１４、１６をエッチングできる。
【００３７】
たとえ本発明はキャパシタの製造方法について図示及び記述しているとしても、本発明がこれに限定されると解釈されてはならない。特許請求項によって決まる本発明の思想及び範囲を外れずとも、本発明は、むしろ電極や他の導電層が誘電体構造物の上面から突出しているその誘電体構造物をエッチングするために、その内部に気泡を含んでいる化学溶液を使用するいかなる湿式エッチング工程に対しても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は半導体素子の製造産業に適用しうる。特に、湿式エッチング工程を含む半導体製造分野で適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図１Ｆ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図１Ｇ】本発明の実施例に係るエッチング方法を示す断面図である。
【図２Ａ】ＬＡＬのような化学溶液に含まれている気泡が円形のキャパシタ下部電極に付着されていることを示す断面図である。
【図２Ｂ】化学溶液に存在する気泡によって引き起こされるキャパシタ下部電極内のアンエッチング部分を示す断面図である。
【図２Ｃ】未開口現象を示す図２Ｂの閉鎖されたストレージノードコンタクトを示す半導体素子のキャパシタ下部電極構造物に関する平面図である。
【図３】本発明の実施例に係る浸漬方法を示す概略的なダイアグラムである。
【符号の説明】
【００４０】
１０…半導体基板、
１１…層間絶縁層、
１２…ストレージノードコンタクトパッド、
１３…エッチング阻止層、
１４…第１誘電体層、
１５…導電体膜、
１５’…キャパシタ下部電極、
１６…第２誘電体層、
１８…開口、
２１…バッファ層、
２４…エッチング液、
２７…気泡、
３２…ウェーハキャリア、
３３…バス、
３４…親水性溶液。
【図１Ａ】
2005057263.tif 000004
【図１Ｂ】
2005057263.tif 000005
【図１Ｃ】
2005057263.tif 000006
【図１Ｄ】
2005057263.tif 000007
【図１Ｅ】
2005057263.tif 000008
【図１Ｆ】
2005057263.tif 000009
【図１Ｇ】
2005057263.tif 000010
【図２Ａ】
2005057263.tif 000011
【図２Ｂ】
2005057263.tif 000012
【図２Ｃ】
2005057263.tif 000013
【図３】
2005057263.tif 000014