(57)【要約】【課題】  チップ表面である半導体回路形成面より発生した熱を直接、放熱板からインナーリードに放散させることができ、従来できなかった熱放散性を可能にする。【解決手段】  インナーリード１２に絶縁材料１１を介して貼り付けられた放熱板１４の下方に二個以上の積層された半導体チップ１１を備え、上段の半導体チップ１１ａ表面が部分的に絶縁材料１６で放熱板１４の下面と接合され、かつ半導体チップ１１の電極パッド領域とインナーリード１２との電気的接合領域を確保するための貫通孔１９を放熱板１４に設けた。放熱板１４に二個以上の積層された積層チップ１１上段が直に接しており、チップ表面である半導体回路形成面より発生した熱を直接、放熱板１４からインナーリード１２に放散させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードに絶縁材料を介して貼り付けられた放熱板の下方に二個以上の積層された半導体チップを備え、上段の半導体チップ表面が部分的に絶縁材料で前記放熱板の下面と接合され、かつ前記半導体チップの電極パッド領域と前記インナーリードとの電気的接合領域を確保するための貫通孔を前記放熱板に設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱板は、前記インナーリードの下面に貼り付けられた放熱板周縁部と、前記半導体チップが位置する放熱板中央部と、前記放熱板中央部と前記放熱板周縁部の間を保持する支持部とからなり、前記放熱板中央部は前記インナーリード上面より上に位置するように、前記支持部が折曲されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱板の下方に二個以上の積層された半導体チップが、樹脂封止時の上側と下側に流動する樹脂が均衡する中央に位置する請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記貫通孔は、上方から見て前記半導体チップの電極パッドの周辺を含む領域で、前記放熱板中央部を囲むように前記インナーリード先端近傍まで開き、前記放熱板中央部と前記放熱板周縁部とは複数の支持部で連結している請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
複数のインナーリードに放熱板が貼り付けられたリードフレームを用意する工程と、二個以上の積層される半導体チップのうち、上段の半導体チップの表面と前記放熱板の裏面を絶縁材料を介して接着する工程と、下段の半導体チップの表面と前記上段の半導体チップの裏面を絶縁材料を介して接着する工程と、前記半導体チップを接着する際に用いる接着剤を熱硬化する工程と、前記下段の半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のインナーリードをそれぞれ金属細線で結び、電気的に導通する工程と、前記上段の半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のインナーリードをそれぞれ金属細線で結び、電気的に導通する工程と、前記上段と下段の半導体チップ、金属細線、放熱板およびインナーリードを覆うように樹脂封止する工程と、樹脂封止した成型品を半導体装置に分離する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記上段の半導体チップと下段の半導体チップを、前記放熱板の中央部にぶら下がるように設置し、前記下段の半導体チップが前記上段の半導体チップより大きく、前記下段の半導体チップの下面は樹脂のみ存在する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記放熱板の中央部と周縁部の間に貫通孔を有するとともにその間を支持部で保持し、前記支持部を折曲して段差を形成し、前記段差を利用して前記金属細線を前記半導体チップの電極パッドから前記貫通孔を通り前記インナーリードに接続し、前記インナーリードの接続位置が前記半導体チップの電極パッドの接続位置より高く、前記放熱板の中央部上面より低くする請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、小型、薄型化しつつ、半導体集積回路の駆動時に発生する高温を放散させる樹脂封止型半導体装置に関するものであり、特に二個以上の積層された半導体集積回路形成面を放熱板に接合したフレームをインナーリードに接合させた半導体集積回路を搭載する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂封止型半導体装置はセット機器の小型、薄型化、高集積化の影響を受け、同時に小型、薄型化が進み、且つ半導体集積回路の高集積化に伴い駆動時に発生する高温を樹脂封止型半導体装置内で従来よりも放散させることが要望されている。
【０００３】
従来の樹脂封止型半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０００４】
まず図８は従来のリードフレーム平面図および樹脂封止型半導体装置の構造を示す断面図である。
【０００５】
２１はチップ（半導体素子）、２２はインナーリード、２３はダイパッド、２４は第１の吊りリード、２５は放熱性を向上する為の第２の吊りリード、２７はチップ２１とインナーリード２２を電気的に接続するボンディングワイヤ（金属細線）、２６はチップ２１とダイパッド２３を接着するＡｇペースト（接着剤）、２８は封止樹脂、２９はアウターリードである。
【０００６】
図８に示す、従来の高放熱タイプの樹脂封止型半導体装置は第１の吊りリード２４によって保持されたダイパッド２３にチップ２１の裏面がＡｇペースト２６を介して接する構造となっている。且つチップ２１とインナーリード２２はボンディングワイヤ２７により電気的に接続されアウターリード２９へとつながる、また封止樹脂２８により外部より保護されている。
【０００７】
以上のように構成された高放熱タイプの樹脂封止型半導体装置について、以下その動作について説明する。
【０００８】
まず、チップ２１の表面である半導体回路形成面より発生した熱は、主にチップ２１の裏面よりＡｇペースト２６を介してダイパッド２３に伝わる。さらにダイパッド２３に伝わった熱は第２の吊りリード２５を介して、アウターリード２９へと放散する。
【０００９】
次に図９は従来のリードフレーム平面図および高放熱タイプの樹脂封止型半導体装置の構造を示すものである。
【００１０】
３１はチップ（半導体素子）、３２はインナーリード、３３は絶縁材料、３４は放熱板、３５はチップとインナーリードを電気的に接続するボンディングワイヤ、３６はチップ３１と放熱板３４を接着するＡｇペースト、３７は封止樹脂、３８はアウターリードである。
【００１１】
以上のように構成された図９に示す高放熱タイプの樹脂封止型半導体装置について、以下その動作について説明する。
【００１２】
チップ３１の表面である半導体回路形成面より発生した熱は主にチップ３１の裏面よりＡｇペースト３６を介して放熱板３４に伝わる。さらに放熱板３４に伝わった熱は絶縁材料３３を介して、インナーリード３２からアウターリード３８へと放散する（以上の従来例として例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開平７−７４２９１号公報
【特許文献２】特開平６−９７３５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記図８の高放熱タイプの樹脂封止型半導体装置の構成では、チップ２１が二個以上の積層された場合、チップ２１の表面である半導体回路形成面より発生した熱は、主にチップ２１の裏面よりＡｇペースト２６を介してダイパッド２３に伝わるため、チップ２１の表面である半導体回路形成面より発生した熱を間接的にしか放散できない、という欠点を有していた。
【００１４】
また上記図９の高放熱タイプの樹脂封止型半導体装置の構成ではチップ３１から放散した熱を放熱板３４からインナーリード３２に放散することはできるが、チップ３１の表面である半導体回路形成面より発生した熱を間接的にしか放散できない点では同様である。
【００１５】
且つ上記、高放熱タイプ（図８）、高放熱タイプ（図９）の樹脂封止型半導体の構成では、大気放置中に封止樹脂から浸入した水分が樹脂封止型半導体装置内のチップ裏面とダイパットもしくは、放熱板を接着しているＡｇペーストにも浸入し、それが主原因となり、実装時の信頼性に影響を及ぼすという欠点を有していた。
【００１６】
したがって、この発明の目的は、上記従来の問題点を解決するもので、チップ表面である半導体回路形成面より発生した熱を直接、放熱板からインナーリードに放散させることができ、従来できなかった熱放散性が可能となり、なお且つ、チップ表面と放熱板の界面に浸入する水分量を制御し、さらに、半導体回路形成面の外部端子への電気的接合領域の確保と実装時の信頼性を向上させる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するためにこの発明の請求項１記載の半導体装置は、インナーリードに絶縁材料を介して貼り付けられた放熱板の下方に二個以上の積層された半導体チップを備え、上段の半導体チップ表面が部分的に絶縁材料で前記放熱板の下面と接合され、かつ前記半導体チップの電極パッド領域と前記インナーリードとの電気的接合領域を確保するための貫通孔を前記放熱板に設けた。
【００１８】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記放熱板は、前記インナーリードの下面に貼り付けられた放熱板周縁部と、前記半導体チップが位置する放熱板中央部と、前記放熱板中央部と前記放熱板周縁部の間を保持する支持部とからなり、前記放熱板中央部は前記インナーリード上面より上に位置するように、前記支持部が折曲されている。
【００１９】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または２記載の半導体装置において、前記放熱板の下方に二個以上の積層された半導体チップが、樹脂封止時の上側と下側に流動する樹脂が均衡する中央に位置する。
【００２０】
請求項４記載の半導体装置は、請求項２または３記載の半導体装置において、前記貫通孔は、上方から見て前記半導体チップの電極パッドの周辺を含む領域で、前記放熱板中央部を囲むように前記インナーリード先端近傍まで開き、前記放熱板中央部と前記放熱板周縁部とは複数の支持部で連結している。
【００２１】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、複数のインナーリードに放熱板が貼り付けられたリードフレームを用意する工程と、二個以上の積層される半導体チップのうち、上段の半導体チップの表面と前記放熱板の裏面を絶縁材料を介して接着する工程と、下段の半導体チップの表面と前記上段の半導体チップの裏面を絶縁材料を介して接着する工程と、前記半導体チップを接着する際に用いる接着剤を熱硬化する工程と、前記下段の半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のインナーリードをそれぞれ金属細線で結び、電気的に導通する工程と、前記上段の半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のインナーリードをそれぞれ金属細線で結び、電気的に導通する工程と、前記上段と下段の半導体チップ、金属細線、放熱板およびインナーリードを覆うように樹脂封止する工程と、樹脂封止した成型品を半導体装置に分離する工程とを含む。
【００２２】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記上段の半導体チップと下段の半導体チップを、前記放熱板の中央部にぶら下がるように設置し、前記下段の半導体チップが前記上段の半導体チップより大きく、前記下段の半導体チップの下面は樹脂のみ存在する。
【００２３】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項５または６記載の半導体装置の製造方法において、前記放熱板の中央部と周縁部の間に貫通孔を有するとともにその間を支持部で保持し、前記支持部を折曲して段差を形成し、前記段差を利用して前記金属細線を前記半導体チップの電極パッドから前記貫通孔を通り前記インナーリードに接続し、前記インナーリードの接続位置が前記半導体チップの電極パッドの接続位置より高く、前記放熱板の中央部上面より低くする。
【発明の効果】
【００２４】
この発明の請求項１記載の半導体装置によれば、上段の半導体チップ表面が部分的に絶縁材料で放熱板の下面と接合され、かつ半導体チップの電極パッド領域とインナーリードとの電気的接合領域を確保するための貫通孔を放熱板に設けたので、インナーリードに絶縁材料を介して貼り付けられた放熱板に二個以上の積層された積層チップ上段が直に接しており、チップ表面である半導体回路形成面より発生した熱を直接、放熱板からインナーリードに放散させることができる。また、放熱板に貫通孔を設けることで、二個以上の積層チップの外部端子への電気的接合領域を確保するため、従来構造に無い熱放散性が可能となり、実装時の信頼性を向上することができる。また、チップ表面と放熱板が部分的に絶縁材料で接合されることにより、その界面に浸入する水分量を制御することができる。
【００２５】
請求項２では、放熱板は、インナーリードの下面に貼り付けられた放熱板周縁部と、半導体チップが位置する放熱板中央部と、放熱板中央部と放熱板周縁部の間を保持する支持部とからなり、放熱板中央部はインナーリード上面より上に位置するように、支持部が折曲されているので、樹脂封止型半導体を薄く樹脂形成することができる。
【００２６】
請求項３では、放熱板の下方に二個以上の積層された半導体チップが、樹脂封止時の上側と下側に流動する樹脂が均衡した中央に位置するので、樹脂封止における樹脂の流動性を均一にすると共に、形成時に樹脂の充填バランスにより発生するパッケージの反りを小さくすることを可能にする。
【００２７】
請求項４では、貫通孔は、上方から見て半導体チップの電極パッドの周辺を含む領域で、放熱板中央部を囲むようにインナーリード先端近傍まで開き、放熱板中央部と放熱板周縁部とは複数の支持部で連結しているので、二個以上の積層チップの外部端子への電気的接合領域を十分確保することができる。
【００２８】
この発明の請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、二個以上に積層される半導体チップのうち、上段の半導体チップの表面と放熱板の裏面を絶縁材料を介して接着する工程と、下段の半導体チップの表面と上段の半導体チップの裏面を絶縁材料を介して接着する工程と、半導体チップを接着する際に用いる接着剤を熱硬化する工程と、下段の半導体チップの複数の電極パッドと複数のインナーリードをそれぞれ金属細線で結び、電気的に導通する工程と、上段の半導体チップの複数の電極パッドと複数のインナーリードをそれぞれ金属細線で結び、電気的に導通する工程とを含むので、二個以上の積層チップの外部端子への電気的接合を確保できるとともに、インナーリードに絶縁材料を介して貼り付けられた放熱板に二個以上の積層された積層チップ上段が直に接しており、チップ表面である半導体回路形成面より発生した熱を直接、放熱板からインナーリードに放散させることができる。
【００２９】
請求項６では、上段の半導体チップと下段の半導体チップを、放熱板の中央部にぶら下がるように設置し、下段の半導体チップが上段の半導体チップより大きく、下段の半導体チップの下面は樹脂のみ存在するので、樹脂封止における樹脂の流動性を均一にすると共に、形成時に樹脂の充填バランスにより発生するパッケージの反りを小さくすることを可能にする。
【００３０】
請求項７では、放熱板の中央部と周縁部の間に貫通孔を有するとともにその間を支持部で保持し、支持部を折曲して段差を形成し、段差を利用して金属細線を半導体チップの電極パッドから貫通孔を通りインナーリードに接続し、インナーリードの接続位置が半導体チップの電極パッドの接続位置より高く、放熱板の中央部上面より低くするので、樹脂封止型半導体装置を薄く樹脂形成することが可能な上、樹脂成形時のチップ位置変動による、樹脂封止型半導体装置上面の金属細線見えを防ぐことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
この発明の第１の実施の形態を図１〜図４に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施形態における樹脂封止型半導体装置のリードフレームの要部平面図、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の断面図、図２（ａ）は図１における樹脂封止型半導体装置のリードフレームの平面図、（ｂ）は背面図である。
【００３２】
図１において、１０はリードフレーム、１１は二個以上の積層されたチップ（半導体素子）、上段のチップは１１ａ、下段のチップは１１ｂとする。１２はインナーリード、１４は放熱板全体を指している。１４ａは半導体チップが位置する放熱板中央部、１４ｂはインナーリードの下面に貼り付けられた放熱板周縁部、１４ｃは放熱板中央部１４ａと放熱板周縁部１４ｂの間を保持する放熱板支持部、１４ｄは放熱板の段差部である。１３はインナーリード１２と放熱板周縁部１４ｂを接続・絶縁する絶縁材料である。１５はチップ１１とインナーリード１２を電気的に接続するボンディングワイヤ（金属細線）、１６はチップ１１と放熱板中央部１４ａを接着する絶縁材料、１７は封止樹脂、１８はアウターリード、１９は貫通孔である。
【００３３】
具体的には、図１および図２に示すように、二個以上の積層された上段のチップ１１ａ表面から直接的に放熱板中央部１４ａに熱を放散させるため、絶縁材料１６を介して上段のチップ１１ａの表面側に部分的に放熱板中央部１４ａの下面を接合し、チップ１１の電極パッド領域とインナーリード１２との電気的接合領域を確保するため、放熱板１４に貫通孔１９を設けている。また、放熱板中央部１４ａはインナーリード１２上面より上に位置するように、放熱板支持部１４ｃが折曲されることで、放熱板１２の支持部１４ｃに段差部１４ｄを持たせている。この場合、貫通孔１９は、上方から見て半導体チップ１１の電極パッドの周辺を含む領域で、放熱板中央部１４ａを囲むようにインナーリード先端近傍まで開き、放熱板中央部１４ａと放熱板周縁部１４ｂとは複数の支持部１４ｃで連結している。
【００３４】
前記段差部１４ｄと貫通孔１９を利用して上段と下段のチップ１１表面周縁の電極パッド（図示せず）からインナーリード１２へボンディングワイヤ（金属細線）１５の電気的接合領域の確保を行う。放熱板周縁部１４ｂとインナーリード１２を絶縁材料１３を介して接続することで、従来構造に無い、熱放散性と実装時の信頼性を向上させることができる。且つ、インナーリード１２下面に絶縁材料１３を介して貼り付けられた放熱板１４に二個の積層されたチップ１１がぶら下がるように接合されており、下段のチップ１１ｂが上段のチップ１１ａより大きいチップである。前記二個の積層されたチップ１１の体積上の中心位置が樹脂封止の上下バランスの中央に位置することで、またチップ１１表面からインナーリード１２先端への貫通孔１９を有することで、樹脂封止１７における流動性を均一にすると共に、形成時に封止樹脂１７の充填バランスにより発生するパッケージの反りを小さくすることを可能にする。
【００３５】
以上のように構成された樹脂封止型半導体装置について以下その動作を説明する。
二個以上の積層されたチップ１１の上段チップ１１ａ表面である半導体回路形成面より発生した熱が主に上段チップ１１ａ表面より絶縁材料１６を介して、放熱板中央部１４ａに伝わる。さらに前記放熱板１４に伝わった熱は、絶縁材料１３を介してインナーリード１２に伝わり、アウターリード１８から熱を放散する。
【００３６】
図３および図４は本発明の第１の実施形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法の主要な工程図である。
【００３７】
本発明の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数のインナーリード１２に放熱板１４が貼り付けられたリードフレーム１０を用意する工程と、二個以上に積層されるチップ１１のうち、上段のチップ１１ａの表面と放熱板１４の裏面を絶縁材料１６を介して接着する工程と、下段のチップ１１ｂの表面と上段のチップ１１ａの裏面を絶縁材料１６を介して接着する工程と、半導体チップ１１を接着する際に用いる接着剤を熱硬化する工程と、下段のチップ１１ｂの複数の電極パッドと複数のインナーリード１２をそれぞれ金属細線１５で結び、電気的に導通する工程と、上段のチップ１１ａの複数の電極パッドと複数のインナーリード１２をそれぞれ金属細線１５で結び、電気的に導通する工程と、上段と下段の半導体チップ１１、金属細線１５、放熱板１４およびインナーリード１２を覆うように樹脂封止する工程と、樹脂封止した成型品を半導体装置に分離する工程とを含む。
【００３８】
この場合、図２に示すように、リードフレーム１０は放熱板１４の周囲を囲むインナーリード１２と絶縁材料１３を介して接続され、前記複数のインナーリード１２はタイバー１０１を挟んでアウターリード１８と連続的に接続されている。アウターリード１８の外側は外枠で閉じられ、この構成体が１つの半導体装置となる。実際のリードフレーム１０は製造効率を上げるため、この部分が縦横に複数並んだ構成となっている。リードフレーム１０の表面には、ニッケル（Ｎｉ）めっき層、パラジウム（Ｐｄ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層の３層でめっき層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のはんだめっきが部分的に施されているものである。めっきの厚みはＡｕめっき、Ｐｄめっきでは１μｍ以下、Ａｇめっきで数μｍ以下である。
【００３９】
図３（ａ）の工程では、上段のチップ１１ｂ（半導体素子）の表面と放熱板裏面を絶縁材料１６を介して接着する。
【００４０】
図３（ｂ）の工程では、下段のチップ１１ｂ（半導体素子）の表面と上段のチップ１１ａ（半導体素子）の裏面を絶縁材料１６を介して接着する。それぞれ接着された接着剤を熱硬化する。前記絶縁材料１６には例えば絶縁テープの両面に接着剤が薄く塗布されたものを使用し、約１００から２５０℃、数十秒で硬化する。
【００４１】
図３（ｃ）の工程では、下段のチップ１１ｂ（半導体素子）の複数の電極パッド（図示せず）とリードフレーム１０の複数のインナーリード１２をそれぞれ金属細線１５で結び、電気的に導通する。また、上段のチップ１１ａ（半導体素子）の複数の電極パッド（図示せず）とリードフレーム１０の複数のインナーリード１２をそれぞれ金属細線１５で結び、電気的に導通する。
【００４２】
前記電気的に導通する工程を詳細に説明する。搭載したチップ１１の電極パッド（図示せず）とリードフレーム１０のインナーリード１２とを金属細線１５で電気的に接続（ワイヤボンディング）する。金属細線１５は金（Ａｕ）純度、９９．９９％以上、直径１５〜３０μｍの範囲が主となり、ワイヤボンダによる超音波・熱圧着方法で接合する。図示していないが、リードフレーム１０を１５０℃から２５０℃のヒータープレート上で熱しながら、キャピラリーツールに金属細線１５を通しておき、超音波振動と荷重を付加して、チップ１１の電極パッド側に予め形成した金属ボールを押しつけ接合し、インナーリード１２側まで移動し、キャピラリーツールで金属細線１５を押しつけてちぎる。このとき金属細線１５が任意のループ形状（ループ高さ）となるようにキャピラリーツールの動きをワイヤボンダ側でコントロールする。
【００４３】
図４（ａ）の工程では、上段と下段のチップ（半導体素子）１１と金属細線１５と放熱板（ダイパッド）１４とインナーリード１２を覆うようにエポキシ樹脂１７で樹脂封止する。前記樹脂封止する工程を詳細に説明する。前工程までの半完成品のリードフレーム１０を上封止金型（上金型）４１と下封止金型（下金型）４２に載置し、挟み込む。樹脂封止型半導体装置のボディ部（製品部＝キャビティ４７）に隣接したポット４５内に投入されたタブレット形状の熱硬化性の封止樹脂１７（エポキシ樹脂）をプランジャー４６で押し込む。押し込まれた封止樹脂１７（エポキシ樹脂）は予め１５０〜２００℃に熱せられたポット４５、プランジャー４６および封止金型（４１，４２）の熱により液状に溶融し、ランナー４４を通って、ゲート４３より樹脂封止型半導体装置のボディ部（製品部＝キャビティ４７）に注入される。ここでキャビティ４７は半導体装置のボディ部となる封止金型の部位を指す。
【００４４】
図４（ｂ）の工程では、インナーリード１２とアウターリード１８の境界であり、樹脂止めの役割をしているタイバー１０１を串歯のような金型でカットし各リードを電気的に分離独立する。アウターリード１８を加工してガルウィング形状にする。この２段階段形状のアウターリード１８の加工形状をガルウィング形状と呼び、完成した樹脂封止型半導体装置の呼称として、Ｐ−ＱＦＰ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｑａｕｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）などと呼ばれている。
【００４５】
以上の工程よりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００４６】
この発明の第２の実施の形態を図５に基づいて説明する。図５は本発明の第２の実施形態における樹脂封止型半導体装置のリードフレームの要部平面図、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【００４７】
図１と特に違う点は放熱板の支持部１４ｃの位置が異なる。チップ１１（半導体素子）の形状やサイズ、チップ１１の表面に存在する電極パッドの位置が異なる場合に支持部１４ｃや段差部１４ｄを変更する。また放熱板中央部１４aの形状やサイズを例えば円形や長方形にして上段チップ１１ａサイズに合わせて変更しても良い。その他の構成効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
この発明の第３の実施の形態を図６および図７に基づいて説明する。図６（ａ）は本発明の第３の実施形態における樹脂封止型半導体装置の平面図、（ｂ）は断面図を示す。
【００４９】
図１および図５と特に違う点は樹脂封止型半導体装置の外形形状が異なる部分である。複数のアウターリード１８が半導体装置底面の周縁に配置されている点である。
【００５０】
また図６（ｂ）に示すように、インナーリード１２が段差部を有し、折り曲げられたインナーリード１２の最先端の片面がアウターリード１８となる。図示していないが、下段チップ１１ｂの裏面が封止樹脂表面に露出することで放熱性を向上させる構成としても良い。
【００５１】
このような、樹脂封止型半導体装置の呼称として、Ｐ−ＱＦＮ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｑａｕｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる樹脂封止型半導体装置に使用される。
【００５２】
図７は本発明の第３の実施形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法の主要な工程図である。
【００５３】
図３，４の製造方法と特に違う点を説明する。本発明の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、図７（ｃ）まではほぼ同じ製造工程となる。
【００５４】
図７（ｄ）は樹脂封止工程および製品分離工程である。図７（ｄ）で図７（ｃ）までの工程を経た、半完成品をリードフレームの状態で樹脂封止型半導体装置を樹脂封止する。ここでアウターリード１８の実装面が半導体装置の底面の周縁に露出するようにエポキシ樹脂１７で樹脂封止する。このような樹脂封止方法を「一括成形」、「一括モールド」、「マップモールド」などと呼称する。
【００５５】
複数の樹脂封止型半導体装置を樹脂封止したブロックを個々の樹脂封止型半導体装置にダイシングソー４８で点線の部分を分割する。この時複数の樹脂封止型半導体装置を樹脂封止したブロックをダイシングシートや吸着機構のついた治具などで固定して分割する。
ダイシングソー４８は一般的にダイヤモンドの砥粒をボンド剤で固めたものであり、切断時に純水を切断箇所とダイシングソー４８に吹きかけ冷却する。その他の構成効果は、第１の実施の形態と同様である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明にかかる半導体装置およびその製造方法は、二個以上の積層された半導体回路形成面より発生した熱をチップ表面から直接的に放熱板に熱を放散する構造は、小型、薄型化が進み、且つ半導体集積回路の高集積化に伴い駆動時に発生する高温を樹脂封止型半導体装置内で従来よりも放散させるパッケージとして有用であり、二個以上の積層されたチップが樹脂封止の上下バランスの中央に位置し、チップ面から外部端子面への貫通孔を有することで、樹脂封止における樹脂の流動性を均一にすると共に、形成時に樹脂の充填バランスにより発生するパッケージの反りを小さくすることを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態における樹脂封止型半導体装置のリードフレームの要部平面図、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図２】（ａ）は図１における樹脂封止型半導体装置のリードフレームの平面図、（ｂ）は背面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法の主要な（ダイボンディング工程からワイヤボンディング工程）工程図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法の主要な（封止工程からリード加工工程）工程図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における樹脂封止型半導体装置のリードフレームの要部平面図、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第３の実施形態における樹脂封止型半導体装置の平面図、（ｂ）は断面図を示す。
【図７】本発明の第３の実施形態における樹脂封止型半導体装置の製造方法の主要な工程図である。
【図８】（ａ）は従来の高放熱タイプのリードフレーム平面図、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図９】（ａ）は従来の高放熱タイプのリードフレーム平面図、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  リードフレーム
１１  チップ（半導体素子）
１１ａ  上段チップ（半導体素子）
１１ｂ  下段チップ（半導体素子）
１２  インナーリード
１３  絶縁材料（インナーリードと放熱板周縁部の絶縁）
１４  放熱板
１４ａ  放熱板中央部
１４ｂ  放熱板周縁部
１４ｃ  放熱板支持部
１４ｄ  放熱板段差部
１５  ボンディングワイヤ（金属細線）
１６  絶縁材料
１７  封止樹脂
１８  アウターリード
１９  放熱板貫通孔
１０１  タイバー
２１  チップ（半導体素子）
２２  インナーリード
２３  ダイパッド
２４  第１の吊りリード
２５  第２の吊りリード
２６  Ａｇペースト（接着剤）
２７  ボンディングワイヤ（金属細線）
２８  封止樹脂
２９  アウターリード
３１  チップ（半導体素子）
３２  インナーリード
３３  絶縁材料
３４  放熱板
３５  ボンディングワイヤ（金属細線）
３６  Ａｇペースト（接着剤）
３７  封止樹脂
３８  アウターリード
４１  上金型
４２  下金型
４３  ゲート
４４  ランナー
４５  ポット
４６  プランジャー
４７  キャビティ
４８  ダイシングソー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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