(57)【要約】【課題】  アクティブマトリクス表示装置において、装置を大型化することなく、安定して非表示領域の電位を制御することにより、表示領域の端部における表示不具合を防止し、表示領域全面において均一性に優れた表示を行うことができる。【解決手段】  アクティブマトリクス表示装置において、表示領域Ａの周辺部の電位を積極的に制御するために、表示領域Ａの周辺部の非表示領域Ｂで、その非表示領域Ｂにある液晶層などの表示媒体に所定の電位を印加するための電極部１０を配置し、その電極部１０に対して、外部入力端子１２から対向電極に供給される電位と同じ電位を供給する。このため、従来のように装置を大型化することなく、安定して非表示領域Ｂの電位を制御することにより、表示領域の端部（周辺部）における表示不具合（表示の不均一性）を防止し、表示領域全面において均一性に優れた表示を行うことができる。【選択図】  図１
2005084430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一または複数の画素部が二次元状に配設され、該一または複数の画素部によって映像が表示可能とされる表示領域が設けられ、該表示領域以外を非表示領域とするアクティブ基板において、
該表示領域に隣接する周辺部の一部または全部の非表示領域に、該非表示領域の表示媒体に所定電位として交流電位および対向電極電位のいずれかを印加可能とする非表示領域電極が設けられているアクティブ基板。
【請求項２】
前記表示領域には、複数の映像信号配線と複数の走査信号配線とが絶縁膜を介して交叉して設けられ、該映像信号配線と走査信号配線との各交叉部毎に画素電極が設けられ、該走査信号配線からの走査信号に基づいて、該映像信号配線からの映像信号を該画素電極に供給可能とするスイッチング素子が設けられている請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項３】
前記映像信号配線に映像信号を供給する映像信号供給回路と、前記走査信号配線に走査信号を供給する走査信号供給回路とが前記非表示領域に設けられている請求項２に記載のアクティブ基板。
【請求項４】
前記画素部毎に、前記スイッチング素子を構成する半導体層を一方の電極とする付加容量部が設けられている請求項１〜３のいずれかに記載のアクティブ基板。
【請求項５】
前記所定電位を入力可能とする外部入力端子が設けられ、該外部入力端子は前記非表示領域電極に直に接続されている請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項６】
前記外部入力端子は、他の信号端子とは独立に設けられ、任意の信号を入力可能とする請求項５に記載のアクティブ基板。
【請求項７】
前記映像信号配線が前記非表示領域電極に直に接続されている請求項２に記載のアクティブ基板。
【請求項８】
前記非表示領域電極は、前記映像信号供給回路および走査信号供給回路のいずれに接続されて、前記所定電位が映像信号供給回路および走査信号供給回路のいずれかから供給されている請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項９】
前記非表示領域電極には、該非表示領域電極との間に前記表示媒体を挟んで配置されるべき対向電極の対向電極電位と、前記映像信号配線に供給される信号電位とのいずれかと同じ電位が供給されている請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項１０】
前記非表示領域電極は、前記表示領域が四角形の場合に、該四角形に隣接する周辺部の上下左右の各辺位置の少なくともいずれかに配置されている請求項１に記載アクティブ基板。
【請求項１１】
前記非表示領域電極は、前記表示領域が四角形の場合に、該四角形に隣接する周辺部の上下および左右のいずれかに配置されている請求項１０に記載アクティブ基板。
【請求項１２】
前記非表示領域電極は、前記画素電極の複数が該表示領域と反対側の端部で繋がった形状と同じ形状を有する請求項１０または１１に記載のアクティブ基板。
【請求項１３】
前記非表示領域電極は、前記画素電極と同じ形状を一または複数有する請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項１４】
前記非表示領域電極の幅は前記画素電極と等しい幅とする請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項１５】
前記非表示領域電極の形状は帯形状である請求項１または１４に記載のアクティブ基板。
【請求項１６】
前記非表示領域電極は、前記表示領域の端部にある画素電極から隣接画素電極間隔を隔てた位置に配置されている請求項１または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項１７】
前記非表示領域電極は、前記表示領域の画素電極と同じ導電層で形成されている請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項１８】
前記非表示領域電極は平坦化樹脂層上に配設されている請求項１に記載のアクティブ基板。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して映像表示可能とする表示装置。
【請求項２０】
前記対向電極は、前記非表示領域電極に対向する位置まで延ばされて設けられている請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記非表示領域電極に供給される所定電位は、前記対向電極に供給される対向電極電位または前記映像信号配線に供給される信号電位と同じ電位である請求項１９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示領域周辺部に非表示領域を持つアクティブマトリクス基板などのアクティブ基板およびこれを用いた液晶表示装置などの表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の表示装置として、例えばアクティブマトリクス液晶表示装置において、映像などが表示画面上に表示される表示領域の周辺部分に表示に寄与しない領域（非表示領域）がある。この非表示領域では、配線や駆動回路（信号供給回路）などが配置され、ブラックマトリクス（ＢＭ）などによって遮光されている。以下に、このような従来のアクティブマトリクス液晶表示装置について図１０〜図１２を参照して説明する。
【０００３】
図１０は、従来のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の要部平面構成を示す模式図であり、図１１は図１０の表示領域の詳細を説明するための模式図である。
【０００４】
図１０および図１１において、このアクティブマトリクス液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板１００と対向基板（図示せず）とがそれらの間に表示媒体として液晶層（液晶組成物；図示せず）を挟んだ状態で所定の間隔を保持して対向配置されており、マトリクス状の複数の画素部にそれぞれ印加される信号電圧（表示電圧）より画像表示が為される。
【０００５】
アクティブマトリクス基板１００は材質が透明ガラスなどからなる一方の絶縁性基板１０１上に、互いに平行な複数の走査信号配線１０２と、互いに平行な複数の映像信号配線１０３とが絶縁膜（図示せず）を介して直交（または交叉）して設けられている。両配線１０２，１０３の各交叉部毎の近傍位置には、水平および垂直方向（縦横）にマトリクス状に配設された各画素部として、画素電極１０４と、この画素電極１０４に映像信号配線１０３から画像信号（表示電圧）を供給するスイッチング素子としてのＴＦＴ１０５（薄膜トランジスタ）とが設けられている。ＴＦＴ１０５の半導体層（ドレイン領域Ｄ）と画素電極１０４とは、絶縁膜（図示せず）に形成されたコンタクトホール部１０６を介して接続されている。
【０００６】
このＴＦＴ１０５のドレインＤを含む半導体層の上層側には、絶縁膜（図示せず）を介してコモン電極（図示せず）が形成されており、このコモン電極には電極パッドを介してコモン電圧が印加されるようになっている。この半導体層を一方の電極、コモン電極を他方の電極として、両電極により蓄積容量部が構成されている。
【０００７】
対向基板（図示せず）には、対向電極１０７、ブラックマトリクスＢＭ（図示せず）、カラーフィルタ（図示せず）などが形成されている。これらの両基板の両面には偏光板（図示せず）が一体的に積層形成されている。
【０００８】
これらの画素電極１０４、ＴＦＴ１０５および蓄積容量部を含む画素部がマトリクス状に複数配設されている部分は、映像（文字や画像を含む）を表示する表示領域Ａとして用いられる。また、この表示領域Ａの外周辺部は非表示領域Ｂとなっており、非表示領域Ｂでは、対向基板上に設けられたブラックマトリクスＢＭなどによって遮光されている。
【０００９】
表示領域Ａの周辺部にある非表示領域Ｂには、図１０に示すように、映像信号配線１０３に映像信号を供給する映像信号供給回路１０８と、走査信号配線１０２に走査信号（制御信号）を供給する走査信号供給回路１０９とが設けられている。
【００１０】
上記構成により、以下、アクティブマトリクス液晶表示装置の動作を説明する。
【００１１】
まず、走査信号供給回路１０９から走査信号供給配線１０２を介してＴＦＴ１０５のゲート電極に走査信号Ｖｇを印加することにより、ＴＦＴ１０５がスイッチングされる。
【００１２】
このとき、映像信号供給回路１０８から映像信号配線１０３さらに各ＴＦＴ１０５を介して画素電極１０４に映像信号が印加される。
【００１３】
このようにして、画素電極１０４と、この画素電極１０４に対向配置された対向電極１０７との間に挟持された液晶層（液晶容量）に信号電圧が印加された各画素部により映像が表示される。
【００１４】
ところが、従来のアクティブマトリクス表示装置において、高温通電試験を行うと、表示領域Ａの端部（非表示領域Ｂ側の表示領域Ａの端部）で液晶の時定数が低下することにより液晶保持不足が発生し、見掛け上の信号電圧（表示電圧）が降下するという不具合が生じる。
【００１５】
このような不具合は、アクティブマトリクス表示装置内（例えば液晶層内）で不純物イオンが局所的に集合して、液晶の時定数が低下することにより生じている。不純物イオンは高温で可動性が高く、さらに、通電を行なうことによって不純物イオンが静電的に局所的に吸着されるため、このような不具合が生じると推測される。
【００１６】
不純物イオンの静電的吸着性は、イオンが有している電荷の影響を受けるため、アクティブマトリクス表示装置内面で例えば液晶に与えられる電気力線分布に非常に大きな影響を与える。このため、液晶に直流電圧（ＤＣ電圧）が印加される局所的な部分に集中して不純物イオンが吸着される。従来のアクティブマトリクス表示装置では、非表示領域Ｂにおいて、電位制御を行なうための構造が設けられていないために、表示媒体として例えば液晶層に印加される電圧が制御されていない。このため、表面の帯電や下層配線の影響を受けて、非表示領域Ｂの液晶層にＤＣ電圧が印加される。
【００１７】
これにより、高温長期動作時に、非表示領域Ｂに液晶層内の不純物イオンが集中して吸着され、その不純物イオンが非表示領域Ｂから表示領域Ａにも侵入し、表示領域Ａの端部ではそれによって液晶の時定数が低下する。
【００１８】
従来、この表示領域Ａの端部側で表示を安定化させるための技術として、例えば特許文献１の液晶表示装置が提案されている。これについて、図１２を参照して説明する。
【００１９】
図１２は、従来の他のアクティブマトリクス液晶表示装置における表示領域Ａの一端部分の等価回路図である。なお、図１０および図１１の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付すものとする。
【００２０】
図１２において、このアクティブマトリクス基板においても、前述したように、ベースとなるガラスなどの透明絶縁性基板上に、複数の走査信号線１０２と、複数の映像信号線１０３とが互いに直交して配線されている。走査信号線１０２と映像信号線１０３とで囲まれた各領域毎に設けられた画素電極１０４が両信号線１０２，１０３の交差部近傍のＴＦＴ１０５により駆動される。また、蓄積付加容量Ｃｇを構成する蓄積付加容量電極１１０が、画素電極１０４と絶縁層を介して重畳形成されている。
【００２１】
対向基板側では、その液晶層側の全面に対向電極１０７が一体的に形成され、画素電極１０４と、液晶層を挟んで対向配置された対向電極１０７との間に液晶容量Ｃｌｃが構成される。
【００２２】
ここで、この表示領域Ａの端部側で表示を安定化させるための技術として、表示領域Ａの両端部（非表示領域Ｂ）に形成された映像信号配線のダミー配線１１３と対向電極とが同電位になるように導通させている。
【００２３】
非表示領域Ｂの画素電極１０４には、ダミー配線１１３からＴＦＴ１０５を介して対向電極１０７と同電位のＤＣ電圧成分が印加されるが、この場合にも、表示領域Ａの両端部（非表示領域Ｂ）の画素部に不純物イオンが吸着して液晶の時定数が低下する。これについて以下に説明する。
【００２４】
ドレイン電圧については、ＴＦＴ１０５の内部の寄生容量（Ｃｇｄ）と液晶層容量（Ｃｌｃ；画素電極１０４と、対向電極信号接続線１１１に接続された対向電極１０７との間）との間、および寄生容量（Ｃｇｄ）と蓄積付加容量（Ｃｇ；蓄積付加容量電極１１０と蓄積付加容量信号線１１２との間）との間での容量分割が、過渡的に行われる。
【００２５】
このため、ＴＦＴ１０５のゲート電極に印加されるゲート電圧ＶＧをオンからオフにした瞬間に生じる電荷の再配分に伴って、ドレイン交流電圧ＶＤの波形が非対称となって、寄生容量Ｃｇｄによる引き込み電圧であるオフセットＤＣ電圧成分△Ｖが生ずる。
【００２６】
上記オフセットＤＣ電圧成分△Ｖは、
ΔＶ＝（Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｌｃ＋Ｃｇ））×ΔＶｇ
によって表される。上記式において、ΔＶｇは、ゲート電圧の最大値Ｖｇｈと最小値Ｖｇｌとの電圧差を表す。
【００２７】
非表示領域ＢのＴＦＴ１０５のソース電極には、ダミー配線１１３から対向電極１０７と同じ電位（対向電極電位）が印加されており、上記オフセットＤＣ電圧成分により、液晶層に印加される実効値電圧に差（ＤＣ電圧オフセット）が発生する。したがって、特許文献１の液晶表示装置において、非表示領域Ｂの画素電極１０４においてＤＣ電圧成分が印加されることになる。これにより、非表示領域Ｂにおける不純物イオンの吸着性が促進され、周辺の表示領域Ａの両端部の画素部にも不純物イオンが吸着されて液晶の時定数が低下する。
【００２８】
また、例えば特許文献２には、表示領域Ａの端部に形成されたダミー画素領域（非表示領域Ｂ）にＴＦＴ１０５や蓄積容量を形成しないようにしたアクティブマトリクス液晶表示装置が開示されている。
【００２９】
特許文献２によれば、ダミー画素領域にＴＦＴ１０５や静電容量が形成されていないため、静電ノイズなどによるダメージがダミー画素領域に及ぶことを防ぐことができる。よって、目視により欠陥を確認することができないダミー画素領域に欠陥が生じることを防ぐことができる。
【００３０】
ところが、この特許文献２のアクティブマトリクス液晶表示装置においても、非表示領域Ｂに電位制御を行うための構造が設けられていないため、液晶層にＤＣ電圧成分が印加されてしまい、この場合にも、表示領域Ａの端部の画素部に不純物イオンが吸着されて液晶の時定数が低下する。
【特許文献１】特開平１０−１０４５７７号公報
【特許文献２】特開平９−９０４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
このように、上記従来のアクティブマトリクス液晶表示装置（図１０および図１１）、および特許文献２の従来のアクティブマトリクス表示装置では、非表示領域Ｂに電極を配置して不純物イオンの制御を行なう構造を持たないために、対向電極１０７とのＤＣ電圧差が発生する。このため、非表示領域Ｂに吸着された不純物イオンが表示領域Ａ側に侵入し、高温長期動作時において、液晶の時定数低下が発生して、表示領域Ａの端部で表示異常が発生するという問題があった。
【００３２】
特許文献１の液晶表示装置（図１２）では、非表示領域Ｂの映像信号配線１０３に対向電極１０７と同じ電位（対向電位）を供給することにより、ＴＦＴ１０５のソース電極Ｓに対向電位が印加されて、上記オフセットＤＣ電圧成分△Ｖの影響を受ける。このため、非表示領域Ｂの画素電位と対向電位とのＤＣ電圧差が発生し、これによって、非表示領域Ｂに不純物イオンが吸着される。非表示領域Ｂに吸着された不純物イオンが表示領域Ａ側にも侵入し、高温長期動作時における液晶の時定数が低下して、表示領域Ａの端部で表示異常が発生するという問題があった。
【００３３】
また、特許文献１の液晶表示装置（図１２）では、ＴＦＴ１０５のソース電極Ｓに対向電位を入力させるために、非表示領域ＢのＴＦＴ１０５を走査する必要があり、この走査を行なうための走査信号供給回路が必要になる。したがって、走査信号供給回路によって走査される走査信号配線の本数が増えて、表示に無関係な走査信号供給回路の数が増えることになる。このように、走査信号供給回路によるの走査数が増えること、および走査信号配線の本線が増えることによって、非表示領域Ｂが大きくなる。非表示領域Ｂが拡大されると、表示領域Ａに対するアクティブマトリクス液晶表示装置の大きさが相対的に大きくなり、装置の大型化につながるという問題があった。
【００３４】
さらに、特許文献１の液晶表示装置では、非表示領域Ｂの画素電極１０４に印加される電圧は、ダミー配線１１３からＴＦＴ１０５を介して供給されるため、ＴＦＴ１０５に不良が発生すると、非表示領域Ｂの画素電極１０４に対向電位を印加することができず、当初の目的である安定して表示を行なうことができないという問題が生じる。
【００３５】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、装置を大型化することなく、安定して非表示領域の電位を制御することにより、表示領域の端部における表示不具合を防止し、表示領域全面において均一性に優れた表示を行うことができるアクティブ基板およびこれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
本発明のアクティブ基板は、一または複数の画素部が二次元状に配設され、該一または複数の画素部によって映像が表示可能とされる表示領域が設けられ、該表示領域以外を非表示領域とするアクティブ基板において、該表示領域に隣接する周辺部の一部または全部の非表示領域に、該非表示領域の表示媒体に所定電位として交流電位および対向電極電位のいずれかを印加可能とする非表示領域電極が設けられており、そのことにより上記目的が達成される。
【００３７】
また、好ましくは、本発明のアクティブ基板における表示領域には、複数の映像信号配線と複数の走査信号配線とが絶縁膜を介して交叉して設けられ、該映像信号配線と走査信号配線との各交叉部毎に画素電極が設けられ、該走査信号配線からの走査信号に基づいて、該映像信号配線からの映像信号を該画素電極に供給可能とするスイッチング素子が設けられている。
【００３８】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板において、映像信号配線に映像信号を供給する映像信号供給回路と、前記走査信号配線に走査信号を供給する走査信号供給回路とが前記非表示領域に設けられている。
【００３９】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における画素部毎に、前記スイッチング素子を構成する半導体層を一方の電極とする付加容量部が設けられている。
【００４０】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における所定電位を入力可能とする外部入力端子が設けられ、該外部入力端子は前記非表示領域電極に直に接続されている。
【００４１】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における外部入力端子は、他の信号端子とは独立に設けられ、任意の信号を入力可能とする。
【００４２】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における映像信号配線が前記非表示領域電極に直に接続されている。
【００４３】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記映像信号供給回路および走査信号供給回路のいずれに接続されて、前記所定電位が映像信号供給回路および走査信号供給回路のいずれかから供給されている。
【００４４】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極には、該非表示領域電極との間に前記表示媒体を挟んで配置されるべき対向電極の対向電極電位と、前記映像信号配線に供給される信号電位とのいずれかと同じ電位が供給されている。
【００４５】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記表示領域が四角形の場合に、該四角形に隣接する周辺部の上下左右の各辺位置の少なくともいずれかに配置されている。
【００４６】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記表示領域が四角形の場合に、該四角形に隣接する周辺部の上下および左右のいずれかに配置されている。
【００４７】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記画素電極の複数が該表示領域と反対側の端部で繋がった形状と同じ形状を有する。
【００４８】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記画素電極と同じ形状を一または複数有する。
【００４９】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極の幅は前記画素電極と等しい幅とする。
【００５０】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極の形状は帯形状である。
【００５１】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記表示領域の端部にある画素電極から隣接画素電極間隔を隔てた位置に配置されている。
【００５２】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は、前記表示領域の画素電極と同じ導電層で形成されている。
【００５３】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における非表示領域電極は平坦化樹脂層上に配設されている。
【００５４】
本発明の表示装置は、請求項１〜１８のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して映像表示可能としており、そのことにより上記目的が達成される。
【００５５】
また、好ましくは、本発明の表示装置における対向電極は、前記非表示領域電極に対向する位置まで延ばされて設けられている。
【００５６】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置において、非表示領域電極に供給される所定電位は、前記対向電極に供給される対向電極電位または前記映像信号配線に供給される信号電位と同じ電位である。
【００５７】
上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
【００５８】
本発明の表示装置は、表示領域の周辺部の非表示領域に、非表示領域の表示媒体に電位を印加する電極が設けられている。この非表示領域に設けられた電極は、外部入力端子、映像信号配線または信号供給回路などから、対向電極または映像信号配線に供給される電位と同じ電位が供給される。この非表示領域の電極によって非表示領域の表示媒体に印加される電位が制御されるため、非表示領域の電圧変動によって隣接する表示領域の画素部に影響が生じることを防ぐことが可能となる。また、非表示領域において、液晶などの表示媒体にＤＣ電圧が印加されて不純物イオンが非表示領域に集中して吸着されることを防ぐことが可能となる。このため、従来の表示装置のように、表示領域の端部付近での表示異常が生じなくなる。これによって、表示領域全面において表示の均一性を向上させることが可能となる。
【００５９】
また、非表示領域の電極には、ＴＦＴを介さずに電位が供給されるため、特許文献１に開示されている従来の液晶表示装置のように、素子不良の影響を受けずに安定して非表示領域に電位を供給することが可能となる。
【００６０】
さらに、非表示領域の電極には、ＴＦＴを介さずに電位が供給されるため、特許文献１に開示されている従来の液晶表示装置のように、非表示領域に電位を供給するために走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やす必要がなく、非表示領域を大きくする必要がない。
【発明の効果】
【００６１】
以上により、本発明によれば、表示領域の周辺部にある非表示領域に設けられた電極に、対向電極または映像信号配線の各電位と同電位を供給することによって、非表示領域の電圧変動が隣接する表示領域の画素部に影響を与えなくなって、表示領域の端部付近での表示異常が生じなくなる。これによって、表示領域全面において表示の均一性が向上し、高性能な表示装置を得ることができる。
【００６２】
また、非表示領域の電極には、ＴＦＴを介さずに電位が供給されるため、素子不良の影響を受けずに安定して非表示領域に電位を供給できて、良好な表示状態を安定して保持することができる。
【００６３】
さらに、非表示領域の電極には、ＴＦＴを介さずに電位が供給されるため、非表示領域に電位を供給するために走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やす必要がなく、装置の大型化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下に、本発明のアクティブ基板を用いた表示装置の実施形態１〜７を、アクティブマトリクス基板を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に適用した場合について、図面を参照しながら説明する。
【００６５】
（実施形態１）
図１は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態１における要部平面構成を示す模式図であり、図２は図１の表示領域および非表示領域の詳細を説明するための模式図である。
【００６６】
図１および図２において、このアクティブマトリクス液晶表示装置は、従来のアクティブマトリクス表示装置の場合と同様に、アクティブマトリクス基板２１と対向基板（図示せず）とがそれらの間に表示媒体として液晶層（液晶組成物；図示せず）を挟んだ状態で所定の間隔を保持して対向配置されており、マトリクス状の複数の画素部にそれぞれ印加される信号電圧（表示電圧）により画像表示が為される。
【００６７】
アクティブマトリクス基板２１は材質が透明ガラスなどからなる一方の絶縁性基板１上に、互いに平行な複数の走査信号配線２と、互いに平行な複数の映像信号配線３とが絶縁膜（図示せず）を介して直交（または交叉）して設けられている。両配線２，３の各交叉部毎の近傍位置には、水平および垂直方向（縦横）にマトリクス状に配設された各画素部として、画素電極４と、この画素電極４に映像信号配線３からの画像信号（表示電圧）を供給可能とするスイッチング素子としてのＴＦＴ５（薄膜トランジスタ）とが設けられている。ＴＦＴ５の半導体層（ドレイン領域Ｄ）と画素電極４とは、絶縁膜（図示せず）に形成されたコンタクトホール部６を介して接続されている。
【００６８】
このＴＦＴ５のドレインＤを含む半導体層の上層側には、絶縁膜（図示せず）を介してコモン電極（図示せず）が形成されており、このコモン電極には電極パッドを介してコモン電圧が印加されるようになっている。この半導体層を一方の電極、コモン電極を他方の電極として、両電極により蓄積容量部が構成されている。
【００６９】
対向基板（図示せず）には、表示領域Ａと非表示領域Ｂの表示領域Ａ側の一部を覆う対向電極７、非表示領域Ｂを覆うブラックマトリクスＢＭ（図示せず）、表示領域Ａを覆うカラーフィルタ（図示せず）などが形成されている。これらの両基板の両面には偏光板（図示せず）が一体的に積層形成されている。
【００７０】
これらの画素電極４、ＴＦＴ５および蓄積容量部を含む画素部がマトリクス状に複数配設されている部分は、映像（文字や画像を含む）を表示する表示領域Ａとして用いられる。また、この表示領域Ａの周辺部は非表示領域Ｂとなっており、非表示領域Ｂでは、対向基板上に設けられたブラックマトリクスＢＭなどによって遮光されている。
【００７１】
表示領域Ａの周辺部にある非表示領域Ｂには、図１に示すように、映像信号配線３に映像信号を供給する映像信号供給回路８と、走査信号配線２に走査信号（制御信号）を供給する走査信号供給回路９とが設けられている。
【００７２】
表示領域Ａに隣接する非表示領域Ｂに、非表示領域Ｂの表示媒体（液晶層）に所定の電位を印加するための電極１０（非表示領域電極）が配置されており、対向基板において、この表示領域Ｂまで延在された対向電極７と電極１０とが間に液晶層を挟んで対向配置されている。
【００７３】
非表示領域Ｂの電極１０は、表示領域Ａに対して、上下に一対が配置されている。この電極１０の形状は、複数の画素電極４が表示領域Ａとは反対側の端部（表示領域Ａに対して遠い側の端部）で繋がったような形状（画素電極４の幅など）をしている。また、電極１０の位置は、表示領域Ａの画素電極４から隣接する画素間隔Ｃと同等の距離を隔てた位置に配置されている。電極１０の材質は、画素電極４と同じ導電性物質膜（金属膜）によって構成されている。また、電極１０は平坦化樹脂層上に配設されている。
【００７４】
なお、表示領域の周辺部の非表示領域において、１画素分程度の面積（幅）の電位を制御できれば、２画素分以上の電極４を設けなくても、表示領域への不純物イオンの侵入を防ぐことができる。現時点での実験結果では、１画素分程度の面積の電位を制御できれば十分に効果があるが、製品に不純物イオンが多く混入してしまった場合などに２画素分以上の電極を具えることで効果が発揮され得る。
【００７５】
また、表示領域Ａの上下に一対として配置された各電極１０は、映像信号配線３と同じ金属層からなる電圧印加信号線１１によって接続されている。各電極１０と電圧印加信号線１１とは、コンタクトホール部（図示せず）を介して接続されている。また、電極１０は、コンタクトホール部を介して映像信号配線３と同じ材質の金属層からなる配線に接続され、さらに、コンタクトホール部を介して走査信号配線２と同じ材質の金属層からなる配線に接続されて、これらの配線を介して外部入力端子１２と接続されている。これによって、非表示領域Ｂにある上下の各電極１０は、スイッチング素子であるＴＦＴ５を介することなく外部入力端子１２と接続され、外部入力端子１２から所定の電位が直接印加されている。この外部入力端子１２は、他の信号端子とは独立に設けられ、任意の信号を入力可能としている。
【００７６】
外部入力端子１２と電極１０とを接続する配線は、対向電極信号接続線１３を介して対向電極７と接続されており、電極１０と対向電極７とには同じ対向電極電位が供給されるようになっている。
【００７７】
上記構成により、以下、本実施形態１のアクティブマトリクス液晶表示装置の動作を説明する。
【００７８】
まず、走査信号供給回路９から走査信号供給配線２を介してＴＦＴ５のゲート電極に走査信号Ｖｇを印加することにより、ＴＦＴ５がスイッチングされる。
【００７９】
このとき、映像信号供給回路８から映像信号配線３さらに各ＴＦＴ５を介して画素電極４に映像信号が印加される。
【００８０】
このようにして、画素電極４と、この画素電極４に対向配置された対向電極７との間に挟持された液晶層（液晶容量）に信号電圧が印加された各画素部により映像が表示される。
【００８１】
このとき、ＴＦＴ５を介することなく、非表示領域Ｂの電極１０に対向電極７と同じ電位を印加する。この電位は、ＴＦＴ５の内部の寄生容量Ｃｇｄによる影響を受けないため、従来のようにオフセットＤＣ電圧成分ΔＶの電圧変動が生じることがなく、このオフセットＤＣ電圧成分ΔＶによるＤＣ電圧オフセットは生じない。このように、ＤＣ電圧オフセットが発生しないため、表示領域Ａの端部（非表示領域Ｂ）への不純物イオンの吸着を抑制することができる。
【００８２】
したがって、表示領域Ａの端部において、表示が安定化し、長期使用時に表示領域Ａの端部で液晶の時定数が低くなることを防ぐために、特許文献１のように走査信号供給回路９による走査数や、走査信号供給回路９から走査信号が供給される走査信号配線数を増やすことなく、信頼性に優れた表示状態を得ることができる。
【００８３】
図３は、図１のアクティブマトリクス液晶表示装置と、非表示領域Ｂの電位を制御する本発明の電極構造を設けていない従来技術のアクティブマトリクス液晶表示装置とに対して、５００時間高温通電実験を実施したときに、液晶時定数低下が発生したことが確認された時間を比較した結果を示すグラフである。
【００８４】
図３において、縦軸は試験経過時間を表し、左側のグラフは本実施形態１のアクティブマトリクス液晶表示装置、右側のグラフは従来技術のアクティブマトリクス表示装置を示している。また、白色で示される領域は、アクティブマトリクス液晶表示装置を７０℃の高温状態において通電を行なったときに表示領域Ａの端部に液晶の時定数の低下が確認されなかった時間を表し、斜線で示される領域（斜線部）は、表示領域Ａの端部に液晶の時定数の低下が確認された時間を表している。
【００８５】
この図３によれば、本実施形態１のアクティブマトリクス液晶表示装置は、５００時間経過した時点でも液晶の時定数の低下が発生していないが、従来技術のアクティブマトリクス液晶表示装置では、４８時間経過した時点から表示領域Ａの端部に液晶の時定数の低下が発生していることが分かる。
【００８６】
したがって、本実施形態１のアクティブマトリクス液晶表示装置によれば、液晶の時定数の低下に対して効果があることが確認され、そのメカニズムは、非表示領域Ｂの電極１０によって不純物イオンの吸着現象を抑制することができており、これによって、液晶の時定数の低下に抑制効果が発揮されているものと考えられる。
【００８７】
なお、本実施形態１のアクティブマトリクス液晶表示装置では、特に説明しなかったが、非表示領域Ｂの電極１０の下層側にもＴＦＴ５が形成されているが、この部分にコンタクトホール部を形成しないことによってＴＦＴ５からの電位が電極１０に供給されないようにすることができる。また、非表示領域Ｂの電極１０の下層側にＴＦＴ５を形成しないようにすることも可能である。
【００８８】
また、本実施形態１のアクティブマトリクス液晶表示装置では、対向電極信号接続線１３によって外部入力端子１２と対向電極７とを接続して、電極１０に対向電極７と同じ電位を供給しているが、対向電極信号接続線１３を設けない構成も可能である。この場合には、非表示領域Ｂに設けられた電極１０の電位と、対向電極７の電位との電位差を自由に設定することができる。例えば、表示領域Ａの端部における表示安定性の観点から、電極１０に対向電極７の電位と異なる電位を印加する必要がある場合に、対向電極信号接続線１３を設けずに、外部入力端子１２から、ＤＣ電圧差が発生しないような電圧信号を供給すればよい。例えば、映像信号において黒を表示するための交流（ＡＣ）または反転電圧信号を入力することも可能であり、交流（ＡＣ）または反転電圧信号の中心電位を対向電極７の電位と同じ電位に設定することによって、対向電極電位とのＤＣ電圧オフセットを生じさせない電圧設定とすることができる。
【００８９】
（実施形態２）
上記実施形態１では、非表示領域Ｂにおいて、電極１０の下層側にＴＦＴ５を形成し、ドレイン領域上にコンタクトホール部を形成しないことによって、電極１０とＴＦＴ５とを導通させないようにしたが、本実施形態２では、図４を用いて後述するが、電極４１の下層側にＴＦＴ５を形成せずに、映像信号配線３から映像信号枝配線３１を介してコンタクトホール部６１に接続させて、映像信号枝配線３１と電極４１とを導通させるようにした場合について説明する。
【００９０】
図４は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態２における要部平面構成を示す模式図である。なお、図１および図２の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００９１】
図４に示すように、本実施形態２のアクティブマトリクス液晶表示装置において、画素電極４が形成された一方のアクティブマトリクス基板２２上の非表示領域Ｂに、非表示領域Ｂの表示媒体（液晶層）に電位を供給するための電極４１が配置されて、他方の対向基板において表示領域Ａまで延在された対向電極７と対向配置されている。
【００９２】
この横方向に一列（行方向）の複数の電極４１は、上記実施形態１の場合（図１）と同様に、表示領域Ａに対して、その上下に一対が配置されている。この電極４１の形状（幅も同一）は、画素電極７と同じ形状をしている。また、電極４１の位置は、表示領域Ａの画素電極７から隣接する画素間隔Ｃを隔てた位置に配置されている。
【００９３】
電極４１の下層側には、コンタクトホール部６１が形成されており、このコンタクトホール部６１を介して電極４１と映像信号枝配線３１とを接続させ、さらに映像信号枝配線３１と映像信号配線３とを接続している。これによって、この非表示領域Ｂの電極４１は、スイッチング素子であるＴＦＴ５を介することなく映像信号配線３と接続され、映像信号配線３に印加されている信号電位（交流または反転電位）が電極４１に印加されるようになっている。
【００９４】
以上のように、本実施形態２のアクティブマトリクス表示装置では、ＴＦＴ５を介することなく、非表示領域Ｂの電極４１に映像信号配線３と同じ電位（反転電位）を印加することが可能である。一般に、映像信号配線３には、交流信号（または反転電位）が印加されているが、映像信号の中心電位は対向電極７の電位（対向電位）と等しく設定されているため、対向電位とのＤＣ電圧オフセットは発生しない。このように、ＤＣ電圧オフセットが発生しないため、非表示領域Ｂから表示領域Ａの端部への不純物イオンの吸着を抑制することができる。
【００９５】
したがって、表示領域Ａの端部で表示状態が安定化され、長期使用時に表示領域Ａの端部で液晶時定数が低くなることを防ぐために、特許文献１のように走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やして、装置を大型化することなく、信頼性に優れた均一な表示状態を得ることができる。
【００９６】
（実施形態３）
上記実施形態１では、非表示領域Ｂにおいて、電極１０の下層側にＴＦＴ５を形成し、ドレイン領域Ｄ上にコンタクトホール部を形成しないことによって、電極１０とＴＦＴ５とを導通させないようにしたが、本実施形態３では、図５を用いて後述するが、電極４１の下層側にＴＦＴ５を形成せずに、電圧印加信号配線１４から電圧印加信号枝配線１５を介してコンタクトホール部６１さらに電極４１に接続させて、電圧印加信号枝配線１５と電極４１とを導通させた場合について説明する。
【００９７】
図５は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態３における要部平面構成を示す模式図である。なお、図１および図２の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００９８】
図５に示すように、本実施形態３のアクティブマトリクス液晶表示装置において、画素電極４１が形成された一方のアクティブマトリクス基板２３上の非表示領域Ｂに、非表示領域Ｂの表示媒体（液晶層）に電位を供給するための電極４１が配置されており、他方の対向基板において非表示領域Ｂまで延在された対向電極７と電極４１とが対向配置されている。
【００９９】
この横方向に一列（行方向）の複数の電極４１は、上記実施形態１の場合（図１）と同様に、表示領域Ａに対して、その上下に一対が配置されている。この電極４１の形状は、画素電極７と同じ形状をしている。また、電極４１の位置は、表示領域Ａの画素電極７から隣接する画素間隔Ｃを隔てた位置に配置されている。
【０１００】
電極４１の下層側にはコンタクトホール部６１が形成されており、このコンタクトホール部６１を介して、電極４１と、電圧印加信号配線１４から分岐した電圧印加信号枝配線１５とが接続されている。電圧印加信号配線１４は外部入力端子１２に接続されている。これによって、非表示領域Ｂの電極４１は、スイッチング素子であるＴＦＴ５を介することなく、外部入力端子１２と接続されており、外部入力端子１２から電極４１に所定の電位が直接印加されるようになっている。
【０１０１】
以上のように、本実施形態３のアクティブマトリクス液晶表示装置は、ＴＦＴ５を介することなく、非表示領域Ｂにある表示領域Ａの上下側の各電極４１に外部入力端子１２から電位を印加することが可能である。外部入力端子１２に、対向電極７または映像信号配線３に供給される電位と同じ電位など、対向電極電位や、ＤＣ電圧オフセットが無い電圧を印加することによって、非表示領域Ｂから表示領域Ａの端部への不純物イオンの吸着を抑制することができる。これによって、表示領域Ａの端部で表示が安定化され、長期使用時に表示領域Ａの端部で液晶の時定数が低くなることを防ぐために、特許文献１のように走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やして、装置を大型化することなく、信頼性に優れた均一な表示状態を得ることができる。
【０１０２】
（実施形態４）
上記実施形態１では、電極１０を表示領域Ａの上下の各位置に一対配置したが、本実施形態４では、図６を用いて後述するが、電極１０Ａを表示領域Ａの左右の各位置に一対配置した場合について説明する。
【０１０３】
図６は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態４における要部平面構成を示す模式図である。なお、図１および図２の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１０４】
図６に示すように、本実施形態４のアクティブマトリクス液晶表示装置において、上記実施形態１の場合と同様に、一方のアクティブマトリクス基板２４上の非表示領域Ｂに、ＴＦＴ５を介することなく、電極１０Ａに外部入力端子１２から電位を直に印加することが可能である。各電極１０Ａを表示領域Ａの左右の各位置に一対配置し、各電極１０Ａは互いに、走査信号配線２などと同じ金属層からなる電圧印加信号線１１Ａにより接続されている。外部入力端子１２に、対向電極７または映像信号配線３と同じ電位など、対向電位とＤＣ電圧オフセットが無い電圧を印加することによって、表示領域Ａの端部（非表示領域Ｂ）への不純物イオンの吸着を抑制することができる。これによって、表示領域Ａの端部で表示が安定化され、長期使用時に表示領域Ａの端部で液晶の時定数が低くなることを防ぐために、特許文献１のように、走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やして、装置を大型化することなく、信頼性に優れた表示状態を得ることができる。
【０１０５】
なお、本実施形態４においては、表示領域Ａの左右に一対として配置された非表示領域Ｂの電極１０Ａに、外部入力端子１２から電位を供給させたが、上記実施形態２の場合と同様に、映像信号配線３から電極１０Ａに電位を供給させたり、走査信号供給回路９から電極１０Ａに電位を供給させるようにしてもよい。また、上記実施形態３と同様に、電圧印加信号枝配線１５および電圧印加信号配線１４を介して外部入力端子１２と非表示領域Ｂの電極４１とを電気的に接続させるようにしてもよい。
【０１０６】
（実施形態５）
上記実施形態１では、電極１０を表示領域Ａの上下の位置に一対配置したが、本実施形態５では、図７にて後述するが、非表示領域Ｂの電極１０Ｂを、表示領域Ａの上下左右の周囲４辺にそれぞれ環状に配置した場合について説明する。
【０１０７】
図７は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態５における要部平面構成を示す模式図である。なお、図１および図２の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１０８】
図７に示すように、本実施形態５のアクティブマトリクス液晶表示装置において、上記実施形態１、４の場合と同様に、一方のアクティブマトリクス基板２５上の非表示領域Ｂに、ＴＦＴ５を介することなく、非表示領域Ｂの電極１０Ｂに外部入力端子１２から電位を印加することが可能である。この電極１０Ｂは、表示領域Ａの上下左右の周囲４辺にそれぞれ環状に配置されている。外部入力端子１２に、対向電極７または映像信号配線３と同じ電位など、対向電極電位やＤＣ電圧オフセットが無い電圧を印加することによって、非表示領域Ｂから表示領域Ａの端部への不純物イオンの吸着を抑制することができる。これによって、表示領域Ａの端部で表示が安定化され、長期使用時に表示領域Ａの端部で液晶の時定数が低くなることを防ぐことができる。このため、特許文献１のように走査信号供給回路９による走査数や、走査信号供給回路９から走査信号が供給される走査信号配線数を増やして、装置を大型化することなく、信頼性に優れた均一な表示状態を得ることができる。
【０１０９】
なお、本実施形態５において、表示領域Ａの上下左右４辺にそれぞれ配置された非表示領域Ｂの電極１０Ｂに、外部入力端子１２から電位を供給するようにしたが、これに限らず、上記実施形態２の場合と同様に、映像信号配線３から電極１０Ｂに所定の電位を供給させたり、走査信号供給回路９から電極１０Ｂに所定の電位を供給させるようにしてもよい。また、上記実施形態３の場合と同様に、電圧印加信号枝配線１５および電圧印加信号配線１４を介して外部入力端子１２と非表示領域Ｂの電極１０Ｂとを電気的に接続させるようにしてもよい。
【０１１０】
（実施形態６）
上記実施形態１では、外部入力端子１２から非表示領域Ｂの電極１０に所定の電位を供給するように構成したが、本実施形態６では、アクティブマトリクス液晶表示装置において使用されている信号配線と環状の電極１０Ｂとが接続されて、所定の電位が供給されるようになっている。
【０１１１】
図８は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態６における要部平面構成を示す模式図である。なお、図１および図２の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１１２】
図８に示すように、本実施形態６のアクティブマトリクス液晶表示装置において、一方のアクティブマトリクス基板２６上の非表示領域Ｂの電極１０Ｂに、ＴＦＴ５を介することなく、走査信号供給回路９から所定の電位を印加することが可能である。走査信号供給回路９からの所定の電位としては、対向電極７または映像信号配線３に供給される電位と同じ電位など、対向電極電位とＤＣ電圧オフセットがない電圧であり、これを電極１０Ｂに印加することによって、非表示領域Ｂから表示領域Ａの端部への不純物イオンの吸着を抑制することができる。これによって、表示領域Ａの端部で表示状態が安定化（均一表示）し、長期使用時に表示領域Ａの端部で液晶の時定数が低くなることを防ぐために、特許文献１のように走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やして、装置を大型化することなく、信頼性に優れた均一な表示状態を得ることができる。
【０１１３】
（実施形態７）
本実施形態７では、図９を参照して後述するが、表示電極Ａの端部に隣接する非表示電極Ｂの電極４２が、画素部の走査信号配線２と平行な方向に、画素電極４と等しい幅の帯状形状で形成されている場合について説明する。
【０１１４】
図９は、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態６における要部平面構成を示す模式図である。なお、図１および図２の構成部材と同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１１５】
図９に示すように、本実施形態６のアクティブマトリクス液晶表示装置において、一方のアクティブマトリクス基板２７上の非表示領域Ｂの電極４２に、ＴＦＴ５を介することなく、外部入力端子１２、映像信号配線３または走査信号供給回路９から所定の電位を印加することが可能である。この所定の電位は、対向電極７または映像信号配線３に供給される電位と同じ電位など、対向電位とＤＣ電圧オフセットが無い電圧を印加することによって、非表示領域Ｂから表示領域Ａの端部への不純物イオンの吸着を抑制することができる。これによって、表示領域Ａの端部で表示状態が安定化し、長期使用時に表示領域端部で液晶の時定数が低くなることを防ぐために、特許文献１のように走査信号供給回路による走査数や、走査信号供給回路から走査信号が供給される走査信号配線数を増やして、装置を大型化することなく、信頼性に優れた均一な表示状態を得ることができる。
【０１１６】
以上により、上記実施形態１〜７によれば、アクティブマトリクス表示装置において、表示領域Ａの周辺部の電位を積極的に制御するために、表示領域Ａの周辺部の非表示領域Ｂで、その非表示領域Ｂにある液晶層などの表示媒体に所定の電位を印加するための電極部を配置し、その電極部に対して、外部入力端子１２から対向電極に供給される電位と同じ電位または、映像信号配線３に供給される電位と同じ反転電位を供給する。このため、従来のように装置を大型化することなく、安定して非表示領域Ｂの電位を制御することにより、表示領域の端部（周辺部）における表示不具合（表示の不均一性）を防止し、表示領域全面において均一性に優れた表示を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
表示領域周辺部に非表示領域を持つ液晶表示装置などの表示装置の分野において、装置を大型化することなく、安定して非表示領域の電位を制御することにより、表示領域の端部における表示不具合を防止し、表示領域全面において均一性に優れた表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態１における要部平面構成を示す模式図である。
【図２】図１の表示領域および非表示領域の詳細を説明するための模式図である。
【図３】図１のアクティブマトリクス液晶表示装置と、非表示領域Ｂの電位を制御する電極構造を設けていない従来技術のアクティブマトリクス液晶表示装置に対して、５００時間高温通電実験を実施したときに、液晶時定数低下が発生したことが確認された時間を比較した結果を示すグラフである。
【図４】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態２における要部平面構成を示す模式図である。
【図５】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態３における要部平面構成を示す模式図である。
【図６】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態４における要部平面構成を示す模式図である。
【図７】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態５における要部平面構成を示す模式図である。
【図８】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態６における要部平面構成を示す模式図である。
【図９】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の実施形態７における要部平面構成を示す模式図である。
【図１０】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の要部平面構成を示す模式図である。
【図１１】図１０の表示領域の詳細を説明するための模式図である。
【図１２】従来の他のアクティブマトリクス液晶表示装置における表示領域Ａの一端部分の等価回路図である。
【符号の説明】
【０１１９】
２  走査信号配線
３  映像信号配線
３１  映像信号枝配線
４  画素電極
５  ＴＦＴ
７  対向電極
８  映像信号供給回路
９  走査信号供給回路
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，４１  非表示領域の電極
１１，１４  電圧印加信号配線
１２  外部入力端子
１３  対向電極信号接続線
１５  電圧印加信号枝配線
２１〜２７  アクティブマトリクス基板
Ａ  表示領域
Ｂ  非表示領域
Ｃ  画素間隔
【図１】
2005084430.tif 000003
【図２】
2005084430.tif 000004
【図３】
2005084430.tif 000005
【図４】
2005084430.tif 000006
【図５】
2005084430.tif 000007
【図６】
2005084430.tif 000008
【図７】
2005084430.tif 000009
【図８】
2005084430.tif 000010
【図９】
2005084430.tif 000011
【図１０】
2005084430.tif 000012
【図１１】
2005084430.tif 000013
【図１２】
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