(57)【要約】【課題】製造工程を簡単にできると共に、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の層厚にｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０の層厚を加えた層厚と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２の層厚にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３の層厚を加えた層厚との比が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０をドライエッチングする場合のエッチングレートと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３をドライエッチングする場合のエッチングレートとの比が同じである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板上に形成され、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ出射部と、上記基板上に形成され、上記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ出射部とを備え、
上記第１レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第２レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第１リッジストライプが構成されている共に、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第２リッジストライプが構成され、
上記第１レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚と、上記第２レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ素子において、
上記第１レーザ出射部はＡｌＧａＡｓ系材料を含むと共に、上記第２レーザ出射部はＡｌＧａＩｎＰ系材料を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ素子において、
上記第１リッジストライプは上記第１の波長のレーザ光の共振器方向に沿って延びていると共に、上記第２リッジストライプは上記第２の波長のレーザ光の共振器方向に沿って延びていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項４】
基板と、上記基板上に形成され、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ出射部と、上記基板上に形成され、第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ出射部とを備え、
上記第１レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第２レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第１リッジストライプが構成されている共に、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第２リッジストライプが構成された半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記基板上に、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層にすべき第１半導体層を形成する工程と、
上記第１半導体層上に、上記第１レーザ出射部の第２導電型キャップ層にすべき第２半導体層を形成する工程と、
上記基板上に、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層にすべき第３半導体層を形成する工程と、
上記第３半導体層上に、上記第２レーザ出射部の第２導電型キャップ層にすべき第４半導体層を形成する工程と、
上記第２半導体層および第４半導体層上に、１回のフォトリソグラフィでエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを用いたエッチングを行って、上記第１半導体層、第２半導体層、第３半導体層及び第４半導体層の一部を除去する工程と
を備え、
上記第２半導体層の層厚に上記第１半導体層の層厚を加えた層厚と、上記第４半導体層の層厚に上記第３半導体層の層厚を加えた層厚との比が、上記第２半導体層から上記基板に向かって上記第１半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートと、上記第４半導体層から上記基板に向かって上記第３半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記エッチングマスクを１つのフォトマスクで形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記エッチングマスクを用いたエッチングは、ドライエッチングと、このドライエッチング後に行われるウエットエッチングとを組み合わせて行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記ウエットエッチングでは、上記第１半導体層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いると共に、上記第３半導体層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長の異なる複数のレーザ出射部が１つの基板上に形成された半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ドライブ装置としては、ＤＶＤ（デジタル多目的ディスク），ＣＤ（コンパクトディスク）の両方に対して光学的に情報を記録／再生できるものがある。このようなドライブ装置の光ピックアップは、ＤＶＤに対応するための６５０ｎｍ帯の赤色レーザ素子と、ＣＤに対応するための７８０ｎｍ帯の赤外レーザ素子を備えている。
【０００３】
しかしながら、上記光ピックアップでは、赤色レーザ素子と赤外レーザ素子とを１パッケージ化するため、小型化や低価格化が困難になるという問題が生じてしまう。このような問題を解決できる半導体レーザ素子としてモノリシック型２波長レーザ素子が提案されている。このモノリシック型２波長レーザ素子は、６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光と７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光とを出射する。つまり、上記モノリシック型２波長レーザ素子では、赤色レーザ出射部と赤外レーザ出射部とが１つの基板上に形成されている。
【０００４】
図３に、従来のモノリシック型２波長レーザ素子の模式断面図を示す。
【０００５】
上記モノリシック型２波長レーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１と、このｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に形成されたｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２と、このｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２上に形成された第１，第２レーザ出射部Ｌ１０１，Ｌ１０２とを備えている。この第１レーザ出射部Ｌ１０１上にはｐ側ＡｕＺｎ／Ａｕ１１４Ａを形成すると共に、第２レーザ出射部Ｌ１０２上にはｐ側ＡｕＺｎ／Ａｕ１１４Ｂを形成している。また、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１０１下にはｎ側ＡｕＧｅ／Ｎｉ電極１１５を形成している。
【０００６】
上記第１レーザ出射部Ｌ１０１は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０３、発振波長７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６及びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３Ａ，１１３Ｂから成っている。また、上記ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５の上部と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６の全部とが、第１リッジストライプを構成している。この第１リッジストライプを両側から挟むように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３を形成している。
【０００７】
上記第２レーザ出射部Ｌ１０２は、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層１０８、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０９、発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸活性層１１０、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２及びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３Ｃ，１１４Ｄから成っている。また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１の上部と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２の全部とが第２リッジストライプを構成している。この第２リッジストライプを両側から挟むように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３Ｃ，１１４Ｄを形成している。
【０００８】
上記モノリシック型２波長レーザ素子は次のようにして作成される。
【０００９】
まず、図４Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０３’、多重量子井戸活性層１０４’、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５’及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６’を順次積層する。
【００１０】
次に、上記第１レーザ出射部Ｌ１０１を形成すべき領域上にレジスト膜を形成した後、硫酸系の無選択エッチングや、ＨＦ系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングなどのウエットエッチングを行って、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０３’、多重量子井戸活性層１０４’、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５’及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６’の一部を除去する。これにより、図４Ｂに示すように、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０３、多重量子井戸活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５”及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６”が得られる。
【００１１】
次に、図４Ｃに示すように、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６上に、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層１０８’、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０９’、多重量子井戸活性層１１０’、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１’及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２’を順次積層する。
【００１２】
次に、上記第２レーザ出射部Ｌ１０２を形成すべき領域上にレジスト膜を形成した後、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層１０８’、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０９’、多重量子井戸活性層１１０’、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１’及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２’の一部をウエットエッチングする。これにより、図４Ｄに示すように、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層１０８、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０９、多重量子井戸活性層１１０、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１”及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２”が得られる。
【００１３】
次に、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５”及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６”の一部をウエットエッチングして、第１リッジストライプを形成すると共に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１”及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２”の一部をウエットエッチングして、第２リッジストライプを形成する。つまり、図４Ｅに示すように、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１１及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１１２を形成する。そして、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３’をウエハ全面に積層する。
【００１４】
次に、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３’の一部をウエットエッチングして、図４Ｆに示すように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１３Ａ，１１３Ｂ，１１３Ｃ，１１３Ｄを形成すると、第１，第２レーザ出射部Ｌ１０１，Ｌ１０２が得られる。そして、上記第１，第２レーザ出射部Ｌ１０１，Ｌ１０２上にｐ側ＡｕＺｎ／Ａｕ１１４Ａ，１１４Ｂを形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１下にｎ側ＡｕＧｅ／Ｎｉ電極１１５を形成する。
【００１５】
以上のようにして作成されたモノリシック型２波長レーザ素子は、第１レーザ出射部Ｌ１０１が７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を出射し、第２レーザ出射部Ｌ１０２が６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を出射するので、光ピックアップの小型化や低価格化を実現できる。
【００１６】
しかしながら、上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造方法では以下のような問題点がある。
【００１７】
上記第１リッジストライプがＡｌＧａＡｓ系材料を含み、第２リッジストライプがＡｌＧａＩｎＰ系材料を含むため、第１，第２リッジストライプをウエットエッチングのみで形成しようとすると、第１リッジストライプを形成する場合は第２レーザ出射部Ｌ１０２を形成すべき領域をレジスト膜で保護しなければならない。逆に、上記第２リッジストライプを形成する場合は第１レーザ出射部Ｌ１０１を形成すべき領域をレジスト膜で保護しなければならない。したがって、上記第１，第２リッジストライプを形成するには少なくとも２種類のエッチングマスクが必要である。その結果、上記第１，第２リッジストライプを形成するには最低２回のフォトリソグラフィを行わなければならないから、製造工程が複雑になるという問題がある。
【００１８】
また、上記第１リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィと、第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィとは別工程で行われるから、レーザ光の発光点間隔の誤差が大きくなってしまう。つまり、上記第１レーザ出射部Ｌ１０１と第２レーザ出射部Ｌ１０２との発光点位置を高精度に設定できないという問題がある。
【００１９】
上述したようなモノリシック型２波長レーザ素子は、例えば特許文献１（特開２０００−２４４０６０号公報）に開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２４４０６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
そこで、本発明の課題は、製造工程を簡単にできると共に、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決する方法としては、第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成する方法すればよい。この方法を用いる場合、例えば、材料に対する選択性がないドライエッチングと、材料に対する選択性があるウエットエッチングとを組み合わせて、第１，第２リッジストライプを形成する必要がある。しかし、上記ドライエッチングを行うと、オーバーエッチングを起こして、第１リッジストライプまたは第２リッジストライプが変形してしまう。このように、上記ドライエッチングの際にオーバーエッチングが生じるため、１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成できない。
【００２２】
そこで、第１の発明の半導体レーザ素子は、
基板と、上記基板上に形成され、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ出射部と、上記基板上に形成され、上記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ出射部とを備え、
上記第１レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第２レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第１リッジストライプが構成されている共に、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第２リッジストライプが構成され、
上記第１レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚と、上記第２レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴としている。
【００２３】
本明細書において、「略同じ」とは、例えば２つの数値を対比した場合、一方の値が他方の値の９０％〜１１０％の範囲内であるさまを指す。
【００２４】
上記構成の半導体レーザ素子によれば、上記第１レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚と、第２レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じである。このため、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層にすべき層と、第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層にすべき層とに同時にドライエッチングを行った場合、両層の残りの層厚は略同じになる。
【００２５】
したがって、上記第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を形成するためにドライエッチングを行っても、ドライエッチングの際にオーバーエッチングが生じるのを容易に阻止できる。その結果、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層と、第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層とを１種類のエッチングマスクで形成できる。つまり、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成できる。よって、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィが１回になって、製造工程を簡単にできる。
【００２６】
また、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成することによって、第１，第２リッジストライプを２種類のエッチングマスクで形成するよりも、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる。
【００２７】
また、上記第１，第２レーザ出射部における層厚の調整は、レーザの特性には影響が少ない第２導電型キャップ層で行うのが好ましい。
【００２８】
一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１レーザ出射部はＡｌＧａＡｓ系材料を含むと共に、上記第２レーザ出射部はＡｌＧａＩｎＰ系材料を含む。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１リッジストライプは上記第１の波長のレーザ光の共振器方向に沿って延びていると共に、上記第２リッジストライプは上記第２の波長のレーザ光の共振器方向に沿って延びている。
【００３０】
第２の発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
基板と、上記基板上に形成され、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ出射部と、上記基板上に形成され、第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ出射部とを備え、
上記第１レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第２レーザ出射部は、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型第１上クラッド層、エッチングストップ層、第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を有し、
上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第１リッジストライプが構成されている共に、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層で第２リッジストライプが構成された半導体レーザ素子の製造方法であって、
上記基板上に、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層にすべき第１半導体層を形成する工程と、
上記第１半導体層上に、上記第１レーザ出射部の第２導電型キャップ層にすべき第２半導体層を形成する工程と、
上記基板上に、上記第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層にすべき第３半導体層を形成する工程と、
上記第３半導体層上に、上記第２レーザ出射部の第２導電型キャップ層にすべき第４半導体層を形成する工程と、
上記第２半導体層および第４半導体層上に、１回のフォトリソグラフィでエッチングマスクを形成する工程と、
上記エッチングマスクを用いたエッチングを行って、上記第１半導体層、第２半導体層、第３半導体層及び第４半導体層の一部を除去する工程と
を備え、
上記第２半導体層の層厚に上記第１半導体層の層厚を加えた層厚と、上記第４半導体層の層厚に上記第３半導体層の層厚を加えた層厚との比が、上記第２半導体層から上記基板に向かって上記第１半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートと、上記第４半導体層から上記基板に向かって上記第３半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴としている。
【００３１】
上記構成の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記第２半導体層の層厚に第１半導体層の層厚を加えた層厚と、第４半導体層の層厚に第３半導体層の層厚を加えた層厚との比が、第２半導体層から基板に向かって第１半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートと、上記第４半導体層から上記基板に向かって上記第３半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じである。このため、上記第２半導体層と第４半導体層とに同時にドライエッチングを行い、第２，第４半導体層から基板に向かって第１，第３半導体層の途中までドライエッチングすると、第１半導体層の残りの厚さと、第３半導体層の残りの厚さとが略同じになる。そして、上記第１，第３半導体層の残りの部分をウエットエッチングすると、第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層が得られる。
【００３２】
したがって、上記第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を形成するためにドライエッチングを用いても、ドライエッチングの際にオーバーエッチングが生じるのを容易に阻止できる。その結果、上記第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層と、第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層とを１種類のエッチングマスクで形成できる。つまり、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成できる。よって、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィが１回になって、製造工程を簡単にできる。
【００３３】
また、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成することによって、第１，第２リッジストライプを２種類のエッチングマスクで形成するよりも、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる。
【００３４】
また、上記第１リッジストライプがＡｌＧａＡｓを含み、第２リッジストライプがＡｌＧａＩｎＰを含む場合、第１リッジストライプを形成するためのウエットエッチングではＡｌＧａＩｎＰに対してエッチングレートが十分小さいフッ酸をエッチャントとして用いるのが好ましく、また、第２リッジストライプを形成するためのウエットエッチングではＡｌＧａＡｓに対してエッチングレートが十分小さいリン酸が好ましい。
【００３５】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、上記エッチングマスクを１つのフォトマスクで形成する。
【００３６】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、上記エッチングマスクを用いたエッチングは、ドライエッチングと、このドライエッチング後に行われるウエットエッチングとを組み合わせて行う。
【００３７】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、上記ウエットエッチングでは、上記第１半導体層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いると共に、上記第３半導体層を選択的にエッチング可能なエッチャントを用いる。
【発明の効果】
【００３８】
第１の発明の半導体レーザ素子は、第１レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚と、第２レーザ出射部の第２導電型キャップ層の層厚に第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることによって、第１レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層にすべき層と、第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層にすべき層とに同時にドライエッチングを行っても、両層の残りの層厚は略同じになる。
【００３９】
したがって、上記第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を形成するためにドライエッチングを行っても、オーバーエッチングが生じるのを容易に阻止できる。その結果、上記第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を１種類のエッチングマスクで形成できる。つまり、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成できる。よって、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィが１回になって、製造工程を簡単にできる。
【００４０】
また、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成することによって、第１，第２リッジストライプを２種類のエッチングマスクで形成するよりも、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる。
【００４１】
第２の発明の半導体レーザ素子は、第２半導体層の層厚に第１半導体層の層厚を加えた層厚と、第４半導体層の層厚に第３半導体層の層厚を加えた層厚との比が、第２半導体層から基板に向かって第１半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートと、第４半導体層から基板に向かって第３半導体層までをエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることによって、第２半導体層と第４半導体層とに同時にドライエッチングを行い、第２，第４半導体層から基板に向かって第１，第３半導体層の途中までドライエッチングしても、第１半導体層の残りの厚さと、第３半導体層の残りの厚さとが略同じになる。
【００４２】
したがって、上記第１半導体層、第２半導体層、第３半導体層及び第４半導体層から、第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を形成するために、ドライエッチングを行っても、オーバーエッチングが生じるのを容易に阻止できる。その結果、上記第１，第２レーザ出射部の第２導電型第２上クラッド層及び第２導電型キャップ層を１種類のエッチングマスクで形成できる。つまり、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成できる。よって、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィが１回になって、製造工程を簡単にできる。
【００４３】
また、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成することによって、第１，第２リッジストライプを２種類のエッチングマスクで形成するよりも、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の半導体レーザ素子及びその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４５】
図１に、本発明の一実施の形態のモノリシック型２波長レーザ素子の模式断面図を示す。
【００４６】
上記モノリシック型２波長レーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１と、このｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成されたｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このｎ型ＧａＡｓバッファ層２上に形成された第１，第２レーザ出射部Ｌ１，Ｌ２とを備えている。この第１レーザ出射部Ｌ１上にはｐ側ＡｕＺｎ／Ａｕ１４Ａを形成すると共に、第２レーザ出射部Ｌ２上にはｐ側ＡｕＺｎ／Ａｕ１４Ｂを形成している。また、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１下にはｎ側ＡｕＧｅ／Ｎｉ電極１５を形成している。
【００４７】
上記第１レーザ出射部Ｌ１は、ＡｌＧａＡｓ系材料を含み、赤外レーザ光を出射する。具体的には、上記第１レーザ出射部Ｌ１は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６、ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２下クラッド層１７、発振波長７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層４、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第１上クラッド層１８、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１９、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３Ａ，１３Ｂから成っている。また、上記ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０とｐ型ＧａＡｓキャップ層６とが、第１リッジストライプを構成している。この第１リッジストライプを両側から挟むように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３を形成している。
【００４８】
上記第２レーザ出射部Ｌ２は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を含み、赤色レーザ光を出射する。具体的には、上記第２レーザ出射部Ｌ２は、ｎ型ＧａＡｓバッファ層７、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層８、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層９、発振波長６５０ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層２１、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層２２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３Ｃ，１４Ｄから成っている。また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３とｐ型ＧａＡｓキャップ層１２とが第２リッジストライプを構成している。この第２リッジストライプを両側から挟むように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３Ｃ，１４Ｄを形成している。  
【００４９】
上記構成のモノリシック型２波長レーザ素子によれば、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の層厚にｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０の層厚を加えた層厚と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２の層厚にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３の層厚を加えた層厚との比が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０をドライエッチングする場合のエッチングレートと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３をドライエッチングする場合のエッチングレートとの比が同じである。このため、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０にすべき層と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３にすべき層とに同時にドライエッチングを行った場合、両層の残りの層厚は略同じになる。
【００５０】
したがって、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３を形成するためにドライエッチングを行っても、ドライエッチングの際にオーバーエッチングが生じるのを容易に阻止できる。その結果、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３を１種類のエッチングマスクで形成できる。つまり、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成できる。よって、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィが１回になって、製造工程を簡単にできる。
【００５１】
また、上記第１，第２リッジストライプを１種類のエッチングマスクで形成することによって、第１，第２リッジストライプを２種類のエッチングマスクで形成するよりも、第１，第２レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる。
【００５２】
以下、図２Ａ〜図２Ｌを用いて、上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、図２Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、厚さ０．４５μｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓバッファ層２、厚さ１．５μｍのｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６’、厚さ０．２μｍのｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２下クラッド層１７’、発振波長７８０ｎｍのノンドープＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層４’、厚さ０．１μｍのｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第１上クラッド層１８’、厚さ２８Åのｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１９’、厚さ１．０μｍのｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２上クラッド層２０’、０．８μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層６’をＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）法により順次積層する。
【００５４】
次に、上記第１レーザ出射部Ｌ１を形成すべき領域をレジスト膜で保護した後、このレジスト膜をエッチングマスクとして用い、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６’からｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６’までの一部をウエットエッチングで除去する。つまり、図２Ｂに示すように、レジスト膜２４を形成した後、このレジスト膜２４をエッチングマスクとして用いてウエットエッチングして、ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６、ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２下クラッド層１７、ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層４、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第１上クラッド層１８、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１９、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２上クラッド層２０”及びｐ型ＧａＡｓキャップ層６”を形成する。
【００５５】
上記ウエットエッチングでは、まず、ＡｌＧａＡｓおよびＧａＡｓを除去可能なエッチャント、例えば硫酸：過水：水＝１：８：５０の硫酸系エッチャントによって、レジスト膜２４で覆われていないｐ型ＧａＡｓキャップ層６’からｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６’の中央付近までを除去する。次に、ＨＦ（フッ化水素）によって、残りのｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６’をウエットエッチングする。
【００５６】
上記ＨＦは、ＧａＡｓに対するエッチングレートが小さく、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが大きい。このため、ＨＦを用いたウエットエッチングは、ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層１６’のみをエッチングして、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２で自動的に停止する。
【００５７】
次に、図２Ｃに示すように、厚さ０．２のμｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層７’、厚さ０．２５μｍのｎ型ＩｎＧａＰバッファ層８’、厚さ１．３μｍのｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層９’、発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸活性層１０’、厚さ０．２μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層２１’、厚さ８０Åのｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層２２’、厚さ１．１μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３’、厚さ０．８８μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層１２’を順次積層する。
【００５８】
次に、上記第２レーザ出射部Ｌ２を形成すべき領域をレジスト膜で保護した後、ｎ型ＧａＡｓバッファ層７’、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層８’、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層９’、多重量子井戸活性層１０’、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層２１’、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層２２’、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３’及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１２’の一部をウエットエッチングする。これにより、図２Ｄに示すように、ｎ型ＧａＡｓバッファ層７、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層８、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層９、多重量子井戸活性層１０、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層２１、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層２２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”及びｐ型ＧａＡｓキャップ層１２”が得られる。
【００５９】
次に、図２Ｅに示すように、プラズマＣＶＤによって、ドライエッチング用のマスクを形成するためのＳｉＯ2膜２５をウェハ全面に成膜する。
【００６０】
次に、図２Ｆに示すように、フォトリソグラフィ技術によって、ストライプ形状のレジスト膜２６Ａ，２６Ｂを１つのフォトマスク（図示せず）で形成する。このとき、マスク精度は概ね±０．３μｍ程度である。
【００６１】
次に、バッファードフッ酸でエッチングを行った後、レジスト膜２６Ａ，２６Ｂを除去して、図２Ｇに示すように、ストライプ形状のＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂを形成する。
【００６２】
次に、ＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂをエッチングマスクとして用い、ドライエッチングを行って、図２Ｈに示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０”’、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”’を形成する。このとき、上記ドライエッチングは、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０”’の残し厚が０．４μｍ程度になるように行う。
【００６３】
上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層６”からｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０”の途中までをドライエッチングする場合のエッチングレートＡと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２”からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”の途中までのドライエッチングする場合のエッチングレートをＢとの比は、１：１．１となっている。つまり、Ａ：Ｂ＝１：１．１となっている。また、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層６”の上面からｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２上クラッド層２０”の下面までの層厚Ｃ（＝１．８μｍ）と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２”の上面からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”の下面までの層厚Ｄ（＝１．９８μｍ）との比も、１：１．１となっている。つまり、Ｃ：Ｄ＝１：１．１となっている。このように、Ａ：Ｂ＝Ｃ：Ｄとなっているので、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１９及びｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層２２がドライエッチングされるのを阻止できる。つまり、上記ドライエッチングの際にオーバーエッチングが起こるのを防止できる。
【００６４】
上記ドライエッチングの方法としては、Ｃｌ系ガスとＡｒガスとの混合ガスを用いたプラズマによるＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma；誘導結合高周波プラズマ）ドライエッチング等がある。
【００６５】
次に、上記ドライエッチングによるダメージの除去を目的として硫酸系エッチャントでリンス処理を行った後、第１リッジストライプを形成するために、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０”’を１０℃のＨＦでウエットエッチングする。これにより、図２Ｉに示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６とｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０から成る第１リッジストライプが得られる。
【００６６】
上記ＨＦは、ＧａＡｓ及びＡｌＧａＩｎＰに対するエッチングレートが十分小さく、ＡｌＧａＡｓに対するエッチングレートが大きい。このため、ＨＦを用いたウエットエッチングは、ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０”’のみをエッチングして、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１９で自動的に停止する。このとき、上記ウエットエッチングは、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”’に悪影響を及ぼさない。つまり、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”’は殆どウエットエッチングされない。
【００６７】
上記第１リッジストライプの図中左右方向の幅は、ＨＦによるウエットエッチングの時間で調整することができる。
【００６８】
次に、上記第２リッジストライプを形成するために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”’を７０℃のリン酸でウエットエッチングする。これにより、図２Ｊに示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３とから成る第２リッジストライプが得られる。
【００６９】
上記リン酸は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及びＩｎＧａＰに対するエッチングレートが小さく、ＡｌＧａＩｎＰに対するエッチングレートが大きい。このため、上記リン酸を用いたウエットエッチングは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”’のみをエッチングして、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層２２で自動的に停止する。このとき、上記ウエットエッチングは、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０に悪影響を及ぼさない。つまり、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０は殆どウエットエッチングされない。
【００７０】
上記第２リッジストライプの図中左右方向の幅は、リン酸によるウエットエッチングの時間で調整することができる。
【００７１】
次に、図２Ｋに示すように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３を積層する。
【００７２】
次に、上記ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３の不要な部分をエッチングにより除去して、図２Ｌに示すように、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄを形成する。つまり、上記第１，第２レーザ出射部Ｌ１，Ｌ２が得られる。引き続いて、第１，第２レーザ出射部Ｌ１，Ｌ２上にｐ側ＡｕＺｎ／Ａｕ１４Ａ，１４Ｂを形成すると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板１下にｎ側ＡｕＧｅ／Ｎｉ電極１５を形成する。
【００７３】
以上のように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３を形成するために用いるエッチングマスクはＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂの１種類のみである。つまり、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのエッチングマスクはＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂのみである。したがって、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのフォトリソグラフィが１回になって、製造工程を簡単にできる。
【００７４】
また、上記第１，第２リッジストライプを形成するためのエッチングマスクは１種類のＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂのみであるから、第１，第２リッジストライプを形成するためのエッチングマスクが２種類の場合よりも、第１，第２レーザ出射部Ｌ１，Ｌ２の発光点位置を高精度に設定できる。
【００７５】
上記実施形態では、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の層厚にｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０の層厚を加えた層厚と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２の層厚にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３の層厚を加えた層厚との比が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６及びｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０をドライエッチングする場合のエッチングレートと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３をドライエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであればよい。
【００７６】
また、上記実施形態では、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６”からｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２クラッド層２０”の途中までをドライエッチングする場合のエッチングレートＡと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２”からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”の途中までのドライエッチングする場合のエッチングレートをＢとの比は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６”の上面からｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２上クラッド層２０”の下面までの層厚Ｃと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１２”の上面からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２３”の下面までの層厚Ｄとの比に略同じであればよい。つまり、Ａ：ＢはＣ：Ｄと略同じであればよい。
【００７７】
また、上記実施の形態では、バッファードフッ酸によるウエットエッチングでＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂを形成していたが、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）等のドライエッチングでＳｉＯ2膜２５Ａ，２５Ｂを形成してもよい。
【００７８】
また、上記実施形態では、ＩＣＰドライエッチングのエッチングレートがＡｌＧａＡｓ系材料：ＡｌＧａＩｎＰ系材料＝１：１．１になるように設定したが、エッチング方法やエッチング条件が異なるとエッチングレートの比が変わるのでそれに応じた層厚設計をする必要がある。
【００７９】
また、上記モノリシック型２波長レーザ素子は、ＤＶＤ，ＣＤの両方に対して光学的に情報を記録／再生できるドライブ装置に搭載することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】図１は本発明の一実施の形態のモノリシック型２波長レーザ素子の模式断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｉは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｊ】図２Ｊは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｋ】図２Ｋは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図２Ｌ】図２Ｌは上記モノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図３】図３は従来のモノリシック型２波長レーザ素子の模式断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｆは上記従来のモノリシック型２波長レーザ素子の製造工程を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
３  ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
４  ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層
５  ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
６  ｐ型ＧａＡｓキャップ層
７  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
８  ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層
９  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層
１０  ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層
１１  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１２  ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ  ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
１４Ａ，１４Ｂ  ＡｕＺｎ／Ａｕ電極
１５  ＡｕＧｅ／Ｎｉ電極
１６  ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．４８５）第１下クラッド層
１７  ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓＸ＝０．５５０）第２下（クラッド層
１８  ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第１上クラッド層
１９  ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層
２０  ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ（Ｘ＝０．５５０）第２上クラッド層
２１  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層
２２  ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層
２３  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層
２４  レジスト膜
２５，２５Ａ，２５Ｂ  ＳｉＯ2膜
Ｌ１，Ｌ２  レーザ出射部
【図１】
2005347478.tif 000003
【図２Ａ】
2005347478.tif 000004
【図２Ｂ】
2005347478.tif 000005
【図２Ｃ】
2005347478.tif 000006
【図２Ｄ】
2005347478.tif 000007
【図２Ｅ】
2005347478.tif 000008
【図２Ｆ】
2005347478.tif 000009
【図２Ｇ】
2005347478.tif 000010
【図２Ｈ】
2005347478.tif 000011
【図２Ｉ】
2005347478.tif 000012
【図２Ｊ】
2005347478.tif 000013
【図２Ｋ】
2005347478.tif 000014
【図２Ｌ】
2005347478.tif 000015
【図３】
2005347478.tif 000016
【図４Ａ】
2005347478.tif 000017
【図４Ｂ】
2005347478.tif 000018
【図４Ｃ】
2005347478.tif 000019
【図４Ｄ】
2005347478.tif 000020
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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