(57)【要約】【課題】誤動作することがなく、所望の検出温度を容易に設定することが可能な過熱保護回路を備えた半導体集積回路を実現する。【解決手段】ＩＣチップの温度をモニタする温度モニタ回路２１と温度モニタ回路２１の出力信号に応じてＩＣチップ内の回路の動作を停止させる遮断回路２０からなる過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、温度モニタ回路２１で第１の抵抗Ｒｓと、複数個（ｓ）直列接続された第１のダイオードと、第１の定電流回路Ｉｓが直列に接続され、差動増幅回路２２の一方の入力には、第１のダイオードの順方向電圧が入力され、第２の抵抗Ｒｔと、複数個（ｔ）直列接続された第２のダイオードと、第２の定電流回路Ｉｔが直列に接続され、差動増幅回路２２の他方の入力には、第２のダイオードの順方向電圧が入力された構成を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップの温度をモニタする温度モニタ回路と、該温度モニタ回路の出力信号に応じてＩＣチップ内の回路の動作を停止させる遮断回路とからなる過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
該温度モニタ回路で第１の抵抗と複数個直列接続された第１のダイオードと第１の定電流回路が直列に接続され、差動増幅回路の一方の入力には、前記第１のダイオードの順方向電圧が入力され、
また、第２の抵抗と前記第１のダイオードと異なる個数だけ直列接続された第２のダイオードと第２の定電流回路が直列に接続され、前記差動増幅回路の他方の入力には、前記第２のダイオードの順方向電圧が入力された構成を有することを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記温度モニタ回路は、温度に対するヒステリシスを有することを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項３】
請求項１または２記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記温度モニタ回路に対し、後工程において、レーザトリミングで前記第１または第２の抵抗、または第１または第２の定電流値を調整することが可能であることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記第１および第２の抵抗の代りに、２つの異なる電圧を出力する定電圧回路を用いることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記直列接続された第１または第２のダイオードの途中のノードを前記差動増幅回路の入力とすることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記温度モニタ回路には、構成要素にＣＭＯＳを用いることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項７】
請求項１記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記温度モニタ回路で、第１の抵抗と複数個直列接続された第１のダイオードと第１の定電流回路の配列を逆にして直列に接続され、差動増幅回路の一方の入力には、前記第１のダイオードの順方向電圧が入力され、
また、第２の抵抗と前記第１のダイオードと異なる個数だけ直列接続された第２のダイオードと第２の定電流回路の配列を逆にして直列に接続され、前記差動増幅回路の他方の入力には、前記第２のダイオードの順方向電圧が入力された構成を有することを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項８】
請求項７記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記温度モニタ回路は、温度に対するヒステリシスを有することを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項９】
請求項７記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記第１および第２の抵抗の代りに、２つの異なる電圧を出力する定電圧回路を用いることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項１０】
請求項７記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記直列接続された第１または第２のダイオードの途中のノードを前記差動増幅回路の入力とすることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【請求項１１】
請求項７記載の過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、
前記温度モニタ回路には、構成要素にＣＭＯＳを用いることを特徴とする過熱保護回路を備えた半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過熱保護回路を備えた半導体集積回路に関し、特に比較する２つの入力端子に接続される素子を同じものにして、入力電圧などに変動がある場合でも２つの入力電圧の関係が保たれることで、誤動作の少ない、コスト削減が可能で、所望の検出温度を設定することができる過熱保護回路を備えた半導体集積回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体回路の例として、従来の過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータ回路がある。この回路は、図８に示すように、過熱保護回路２の出力がレギュレータ１のドライバＭ２０のゲートに接続されているものである。基準電圧回路３１の出力が差動増幅回路４１の反転入力端子に入力され、差動増幅回路４１の出力はｐチャネルトランジスタである出力ドライバＭ２０のゲートに入力され、出力ドライバＭ２０のドレインがボルテージレギュレータ１の出力端子Ｖｏｕｔに接続されている。一方、レギュレータ１の出力端子Ｖｏｕｔには、抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続されており、このＲ１，Ｒ２からなる電圧分割回路で分割されたフィードバック電圧が差動増幅回路４１の非反転入力端子に入力されている。
【０００３】
また、過熱保護回路２では、基準電圧回路１１の出力Ｖｒｅｆ１が差動増幅回路２１の非反転入力端子に入力され、定電流回路５１とダイオードＤ１を直列接続されたものが比較回路２１の反転入力端子に入力されている。比較回路２１の出力は、ｐチャネルトランジスタＭ１０のゲートに接続され、ｐチャネルトランジスタＭ１０のドレインはレギュレータ回路１の出力ドライバＭ２０のゲートに接続されている。ここで、基準電圧回路１１や定電流回路５１には、低消費電力のＣＭＯＳ回路が使用されているので、消費電力の大きなバイポーラトランジスタ回路にはない問題が起こる。
この場合、過熱保護回路２の基準電圧Ｖｒｅｆ１は温度にかかわらず一定電圧である。また、ダイオードＤ１に定電流を流しているので、ＩＣの温度が上昇するに伴って点Ａ１の電圧は２ｍＶ／℃で上昇する。
【０００４】
図９は、図８における基準電圧Ｖｒｅｆ１とＡ１点の電圧の温度特性図である。
図９から明らかなように、温度が上昇してＡ１点の電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ１を超えると、比較回路２１の出力はＨＩＧＨからＬＯＷに反転し、ｐチャネルトランジスタＭ１０はオンして、レギュレータ回路１の出力ドライバＭ２０はオフすることで、ドライバＭ２０の出力Ｖｏｕｔは停止する。
【０００５】
このように、過熱保護回路２は温度上昇を検出し、出力ドライバＭ２０をオフすることから、ＩＣの発熱を防ぐことができる。このように、過熱保護回路２の検出温度は、室温（２５℃）における基準電圧Ｖｒｅｆ１とＡ１点電圧の差により設定することが可能である。
しかし、基準電圧Ｖｒｅｆ１とＡ１点の電圧は、それぞれ全く異なる回路から生成されているため、入力電圧ＶＩＮの瞬間的な変化に対する応答スピードが異なる。このため、過熱保護回路２の検出温度以下（Ｖｒｅｆ１電圧＞Ａ１点電圧）の状態で入力電圧ＶＩＮが瞬間的に変化した場合、（Ｖｒｅｆ１電圧＜Ａ１点電圧）となる瞬間が生じてしまい、比較回路２１の出力が反転し、遮断回路がオンして、レギュレータ回路１の出力ドライバＭ２０がオフしてしまうことがあった。ＣＭＯＳを使用する回路では、このような誤動作が顕著である。しかし、低消費電力にする必要性から、基準電圧回路１１にはＣＭＯＳを使用せざるを得ない。
【０００６】
検出温度以下にもかかわらず、遮断回路がオンしてしまうことは誤動作である。このため、入力電圧の瞬間的な変化に影響を受けない過熱保護回路２が望まれていた。
ノイズによる誤動作は従来から知られており、例えば、特開２０００−３１１９８５号公報（特許文献１参照）に記載されているように、第１の温度Ｔ１を検出する第１の保護回路と、第２の温度Ｔ２を検出する第２の保護回路（Ｔ１＜Ｔ２）とを備えた半導体素子が設けられている。第１の保護回路はＩＣチップの温度がＴ１を超えている状態が所定時間維持された場合に、上記半導体素子を強制的にオフする。また、第２の保護回路は、ＩＣチップの温度がＴ２を超えていることを検出すると、直ちに上記半導体素子を強制的にオフする。これにより、温度Ｔ１よりも低い通常動作時においては、第１の保護回路にノイズが乗ったとしても、半導体素子を誤ってオフさせてしまうことを防止している。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３１１９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、前記特開２０００−３１１９８５号公報に記載の技術では、保護回路が２つ必要となる上に、所定時間を設定する回路が必要であり、回路規模が大きくなってしまうという問題がある。また、上記公報の回路では、所定時間を想定されるノイズのパルス幅より長くとることになっているが、汎用ＩＣの場合、様々な使われ方をするため、ノイズのパルス幅を想定することは困難である。
【０００９】
（目的）
本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、誤動作することがなく、所望の検出温度を容易に設定することが可能な過熱保護回路を備えた半導体集積回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による過熱保護回路を備えた半導体集積回路は、ＩＣチップの温度をモニタする温度モニタ回路と該温度モニタ回路の出力信号に応じてＩＣチップ内の回路の動作を停止させる遮断回路からなる過熱保護回路を備えた半導体集積回路において、該温度モニタ回路で第１の抵抗と複数個直列接続された第１のダイオードと第１の定電流回路が直列に接続され、差動増幅回路の一方の入力には、前記第１のダイオードの順方向電圧が入力され、また、第２の抵抗と複数個直列接続された第２のダイオードと第２の定電流回路が直列に接続され、前記差動増幅回路の他方の入力には、前記第２のダイオードの順方向電圧が入力された構成を有することを特徴とする。
【００１１】
また、前記温度モニタは、温度に対するヒステリシスを有することも特徴とする。
また、後工程において、レーザトリミングで前記第１または第２の抵抗、または第１または第２の定電流値を調整することが可能であることも特徴とする。
さらに、前記第１および第２の抵抗の代りに、２つの異なる電圧を出力する定電圧回路を用いることも特徴とする。
さらに、直列接続された前記第１または第２のダイオードの途中のノードを前記差動増幅回路の入力とすることも特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、入力電圧の変動がある場合でも、比較回路の２つの入力電圧の関係が保たれるので、誤動作することが防止される。
また、温度モニタ回路は、レーザトリミングにより抵抗値を変更することができるので、所望の検出温度を設定することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施例）
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
図７は、本発明における過熱保護回路の全体概略図である。
本実施例の過熱保護回路２は、温度モニタ回路２１と遮断回路２０から構成される。
温度モニタ回路２１は、比較回路の２つの入力電圧を生成する回路をほぼ同じ素子で構成し、入力電圧ＶＩＮの変動がある場合にも比較回路の２つの入力電圧の関係を保持するようにして、誤動作をしないようにする。温度モニタ回路２１の抵抗値を変更することで、所望の検出温度を設定できるようにする。２つの入力電圧の関係が変化した時点で、比較回路の出力が反転し、遮断回路がオンする。
【００１４】
図２は、本発明の第１の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
本実施例の回路構成は、比較回路２２と、比較回路２２の非反転入力端子に接続された定電流回路Ｉｓ、ｓ個のダイオード、および抵抗Ｒｓの直列回路、ならびに、比較回路２２の反転入力端子に接続された定電流回路Ｉｔ、ｔ個のダイオード、および抵抗Ｒｔとからなる温度モニタ回路２１、および、ｐチャネルトランジスタＭ１２からなる遮断回路２０で構成される。
定電流回路Ｉｓとｓ個のダイオードと抵抗Ｒｓが直列に接続され、ダイオードと抵抗Ｒｓの接続点が比較回路２２の非反転入力端子に接続され、また、定電流回路Ｉｔとｔ個のダイオードと抵抗Ｒｔが直列に接続され、ダイオードと抵抗Ｒｔの接続点が比較回路２２の反転入力端子に接続されている。なお、ｓ≠ｔである。
【００１５】
図５は、図２の温度モニタ回路の電圧・温度特性曲線図である。
図５において、Ｖｓは比較回路２２の非反転入力端子の入力電圧であり、Ｖｔは比較回路２２の反転入力端子の入力電圧であって、いずれもダイオードの個数により特性直線の傾斜が決定される。Ｖｔの方が傾斜が急であるのは、ダイオード個数がｓ＜ｔであるからである。
【００１６】
図２の温度モニタ回路２１の動作を、図５を用いて説明する。図５の横軸はＩＣのチップ表面温度、縦軸は比較回路２２の２つの入力電圧である。図５の温度Ｔ１において、
図５における非反転入力端子の入力電圧Ｖｓ、反転入力端子の入力電圧Ｖｔ（いずれも、単位：ｍＶ）は、下式のようになる。
Ｖｓ＝ＶＩＮ−（Ｉｓ×Ｒｓ＋Ｖｓ１）  ・・・・・・・・・・・・・・・・（１）
Ｖｔ＝ＶＩＮ−（Ｉｔ×Ｒｔ＋Ｖｔ１）  ・・・・・・・・・・・・・・・・（２）
ここで、Ｉｓ，Ｉｔはそれぞれ直列回路を流れる電流、Ｒｓ，Ｒｔは抵抗Ｒｓ，Ｒｔの抵抗値、Ｖｓ１，Ｖｔ１はそれぞれ温度Ｔ１において定電流Ｉｓ，Ｉｔをｓ個、ｔ個直列接続されたダイオードに流した時のダイオードの順方向電圧である。
このとき、比較回路２２の出力はＨＩＧＨであり、ｐチャネルトランジスタＭ１２はオフ状態である。
【００１７】
次に、図５の温度Ｔ２において、図５における反転入力端子の入力電圧Ｖｓ、非反転入力端子の入力電圧Ｖｔ（いずれも単位：ｍＶ）は、下式のようになる。
Ｖｓ＝ＶＩＮ−（Ｉｓ×Ｒｓ＋Ｖｓ１−２×ｓ×（Ｔ２−Ｔ１））  ・・・・・（３）
Ｖｔ＝ＶＩＮ−（Ｉｔ×Ｒｔ＋Ｖｔ１−２×ｔ×（Ｔ２−Ｔ１））  ・・・・・（４）
ここで、式（３）（４）は、式（１）（２）の電圧値に、ダイオードの順方向電圧の変化を加えた式である。すなわち、ダイオードの順方向電圧は、ダイオード１つ当り２ｍＶ／℃で減少するので、Ｔ２とＴ１の温度差に個数を掛算した電圧を減算した電圧値となる。
適当なｓ，ｔ，Ｒｓ，Ｒｔを選択することで、温度Ｔ２において、Ｖｓ＞Ｖｔ，Ｖｓ＝Ｖｔ，Ｖｓ＜Ｖｔのいずれにも設定可能なことは明らかである。
【００１８】
温度Ｔ２において、Ｖｓ＜Ｖｔであれば、比較回路２２の出力（温度モニタ回路２１の出力）は反転して、Ｌｏｗとなり、遮断回路２０のｐチャネルトランジスタＭ１２はオンし、その先に接続されたレギュレータ等の出力ドライバをオフすることができ、その結果、過熱状態からＩＣを保護することができる。Ｖｓ＝Ｖｔとなる温度が、過熱回路の検出温度である。
本実施例の過熱保護回路は、極めて簡単な構成であって、比較回路２２の２つの入力電圧を生成している回路は、抵抗値、ダイオードのみで構成される。このため、入力電圧ＶＩＮの変動に対して電圧Ｖｓ，電圧Ｖｔは同じように変動するため、入力電圧ＶＩＮの変動中も電圧Ｖｓと電圧Ｖｔの関係は保たれる。
【００１９】
図５の特性図に示されているように、電圧Ｖｓと電圧Ｖｔの線が交差して、逆転する点では、不安定となり、熱発振することがあるので、温度モニタ回路２１には温度ヒステリシス回路を設けることにより、出力が発振しないようにすることが望ましい。ヒステリシス回路により、電圧Ｖｓと電圧Ｖｔの線が交差した瞬間に、Ｖｔの電圧をそれよりも高い値のＶｔ’にすることにより、熱発振を防止することができる。なお、Ｖｔの電圧を変化させる代りに、Ｖｓの電圧を逆に低い値に変化させることもできる。
上記の回路については、後述する。
また、検出温度を任意に設定できるように、抵抗Ｒｓ，Ｒｔは、レーザトリミングによって、抵抗値を可変にすることが好ましい。
また、抵抗Ｒｓ，Ｒｔは、入力電圧ＶＩＮからの電圧を一定にする定電圧回路で置き換えることも可能である。定電圧回路には、図８に示すレギュレータ回路１を用いてもよい。
【００２０】
（第２の実施例）
図１は、本発明の第２の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
本実施例は、比較回路２２の入力を、ダイオードの途中のノードＶｓ，Ｖｔから取り込むようにした回路である。
本実施例の回路構成は、比較回路２２と、比較回路２２の非反転入力端子に接続された定電流回路Ｉｓ、ｓ個のダイオード、および抵抗Ｒｓの直列回路、ならびに、比較回路２２の反転入力端子に接続された定電流回路Ｉｔ、ｔ個のダイオード、および抵抗Ｒｔとからなる温度モニタ回路２１、および、ｐチャネルトランジスタＭ１２からなる遮断回路２０で構成される。
定電流回路Ｉｓとｓ個のダイオードと抵抗Ｒｓが直列に接続されるが、そのうちのダイオードｓ−ｑ個とダイオードｑ個の接続点が比較回路２２の非反転入力端子に接続され、また、定電流回路Ｉｔとｔ個のダイオードと抵抗Ｒｔが直列に接続されるが、そのうちのダイオードｔ−ｒ個とダイオードｒ個の接続点が比較回路２２の反転入力端子に接続されている。なお、図１において、比較回路２２の入力と定電流回路Ｉｓ，Ｉｔの間にあるダイオードは少なくとも１個以上である。
【００２１】
（第３の実施例）
図３は、本発明の第３の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
また、図６は、図３の温度モニタ回路の温度特性図である。
図３の温度モニタ回路２１の動作を図６により説明する。
図６における非反転入力端子の入力電圧Ｖｍ、反転入力端子の入力電圧Ｖｎ（いずれも、単位：ｍＶ）は、下式のようになる。（Ｖｍ＞Ｖｎ）
Ｖｍ＝Ｉｍ×Ｒｍ＋Ｖｍ１  ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５）
Ｖｎ＝Ｉｎ×Ｒｎ＋Ｖｎ１  ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（６）
ここで、Ｉｍ，Ｉｎはそれぞれ直列回路を流れる電流、Ｒｍ，Ｒｎは抵抗Ｒｍ，Ｒｎの抵抗値、Ｖｍ１，Ｖｎ１はそれぞれ温度Ｔ１において定電流Ｉｍ，Ｉｎをｍ個、ｎ個直列接続されたダイオードに流した時のダイオードの順方向電圧である。
このとき、比較回路２３の出力はＨＩＧＨであり、ｐチャネルトランジスタＭ１３はオフ状態である。
【００２２】
図６の温度Ｔ２において、図３における反転入力端子の入力電圧Ｖｍ、非反転入力端子の入力電圧Ｖｎ（いずれも単位：ｍＶ）は、下式のようになる。
Ｖｍ＝Ｉｍ×Ｒｍ＋Ｖｍ１−２×ｍ×（Ｔ２−Ｔ１）  ・・・・・・・・（７）
Ｖｎ＝Ｉｎ×Ｒｎ＋Ｖｎ１−２×ｎ×（Ｔ２−Ｔ１）  ・・・・・・・・（８）
ここで、式（７）（８）は、式（５）（６）の電圧値に、ダイオードの順方向電圧の変化を加えた式である。すなわち、ダイオードの順方向電圧は、ダイオード１つ当り２ｍＶ／℃で減少するので、Ｔ２とＴ１の温度差に個数を掛算した電圧を減算した電圧値となる。
適当なｍ，ｎ，Ｒｍ，Ｒｎを選択することで、温度Ｔ２において、Ｖｍ＞Ｖｎ，Ｖｍ＝Ｖｎ，Ｖｍ＜Ｖｎのいずれにも設定可能なことは明らかである。
【００２３】
温度Ｔ２において、Ｖｍ＜Ｖｎであれば、比較回路２３の出力（温度モニタ回路２１の出力）は反転して、Ｌｏｗとなり、遮断回路２０のｐチャネルトランジスタＭ１２はオンし、その先に接続されたレギュレータ等の出力ドライバをオフすることができ、その結果、過熱状態からＩＣを保護することができる。Ｖｍ＝Ｖｎとなる温度が、過熱回路の検出温度である。なお、Ｖｍ’，Ｖｎ’は、温度ヒステリシスにより高電圧または低電圧にシフトさせた値である。すなわち、温度モニタ回路２１内にヒステリシス回路を設けることで、比較回路２３の出力が反転した時点で、Ｖｎの値をＶｎ’に上昇させるか、あるいは、Ｖｍの値をＶｍ’に下降させることにより、熱発振による不安定状態を防止する。
【００２４】
（第４の実施例）
図４は、本発明の第４の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
本実施例では、図３の温度モニタ回路２１にヒステリシス回路を設けた例を示している。
図４では、定電流回路Ｉｍとｍ個のダイオードと抵抗Ｒｍが直列に接続され、定電流回路Ｉｍとダイオードの接続点が比較回路２３の非反転入力端子に接続され、また、定電流回路Ｉｎとｎ個のダイオードと抵抗Ｒｎが直列に接続され、定電流回路Ｉｎとダイオードの接続点が比較回路２３の反転入力端子に接続されている。なお、ｍ≠ｎである。
ヒステリシスのために、ｎチャネルトランジスタ２４のドレインを抵抗Ｒｎの途中の任意の点に接続し、ソースをグランドに、またゲートを遮断回路２０のｐチャネルトランジスタＭ１３のゲートに接続する。
【００２５】
いま、抵抗Ｒｎの任意の点よりグランド側の抵抗値をＲ１、任意の点より電源側の抵抗値をＲ２とすると、Ｒｎ＝Ｒ１＋Ｒ２であり、比較回路２３の入力電圧の反転が起こる前の状態では、比較回路２３の出力がＨｉｇｈであるので、ｎチャネルトランジスタ２４はオンとなり、反転入力端子側の抵抗値はＲ２のみであるため、抵抗を流れる電圧はＲ２×Ｉｎであるが、比較回路２３の入力電圧に反転が起こり、比較回路２３の出力がＬＯＷになると、ｎチャネルトランジスタ２４はオフとなり、抵抗を流れる電圧は（Ｒ１＋Ｒ２）×Ｉｎとなって、反転が起こる前の電圧値よりＲ１×Ｉｎだけ電圧が高くなる。この値が、Ｖｎ’−Ｖｎである。
図４の実施例では、図６のＶｎ’の高電圧のヒステリシスを用いるが、入力電圧Ｖｍを反転時にＶｍ’に下降させることも可能である。
【００２６】
このように、本発明の温度モニタ回路２１では、比較回路２２，２３の２つの入力電圧を生成している回路は、定電流回路、抵抗値、ダイオードだけであり、また比較回路２２，２３の２つの入力に接続されているのも共に抵抗とダイオードである。このため、入力電圧ＶＩＮの変動に対して電圧Ｖｓ，Ｖｔ、あるいは、電圧Ｖｍ，Ｖｎは同じように変動し、入力電圧ＶＩＮの変動中も電圧ＶｓとＶｔ、あるいは、ＶｍとＶｎの関係は保たれる。比較回路２２，２３に温度ヒステリシスがある方が好ましかったり、抵抗のレーザトリミングにより所望の検出温度を得ることができる。
【００２７】
本発明においては、（イ）温度モニタ回路は比較回路の２つの入力電圧を生成する回路がほぼ同じであり、かつ、比較回路の２つの入力端子に接続される素子が同じであるため、入力電圧ＶＩＮの変動がある場合にも、比較回路の２つの入力電圧の関係は保たれ、誤動作することを防止できる（請求項１）。
（ロ）温度モニタ回路は、レーザトリミングにより抵抗値を変更することができるので、所望の検出温度を設定することが可能である（請求項２）。
【００２８】
（ハ）図１、図２、図３、では、抵抗に定電流を流して電圧を発生させているが、抵抗値と定電流値には製造バラツキや温度依存性があると、抵抗で発生する電圧がばらついてしまう。このバラツキを小さくするための方法として、後工程において、抵抗値、定電流値をレーザトリミングにより調整する方法がある。その代わりに定電圧回路を用いることも可能であり、例えば、ボルテージレギュレータを用いた場合には、後工程においてレーザトリミングなどの調整を行なわなくとも支障がない程度の精度を得ることができ、コスト削減につながる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第２の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係る過熱保護回路の構成図である。
【図５】図１、図２の過熱保護回路の温度特性図である。
【図６】図３、図４の過熱保護回路の温度特性図である。
【図７】本発明における過熱保護回路の全体概略図である。
【図８】従来の過熱保護回路の構成例図である。
【図９】図８の過熱保護回路の温度特性図である。
【符号の説明】
【００３０】
２０…遮断回路、２１…温度モニタ回路、２２，２３…比較回路、
２４…ｎチャネルトランジスタ、ＶＩＮ…入力電圧、
Ｉｓ，Ｉｍ…第１の定電流および定電流回路、Ｉｔ，Ｉｎ…第２の定電流，定電流回路、
Ｒｓ，Ｒｍ…第１の抵抗、Ｒｔ，Ｒｎ…第２の抵抗、Ｍ１３…ｐチャネルトランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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