(57)【要約】【課題】  金属配線を流れる電流の方向性を考慮して、幅が太い金属配線にスリットを設ける。【解決手段】  半導体集積回路のレイアウト設計後のマスクパターンを有するマスクパターンデータベース１３２からデータを読み込んで、そのデータベース中に含まれる金属配線データを分割処理する金属配線分割部１３３と、幅太金属配線に対して電流が流れる方向を考慮してスリット方向を決定し、方向が決定されたスリットを金属配線に対して挿入してパターン補正を施したマスクパターンデータをマスクパターンデータベース１３２に出力するスリット生成処理処理部１３４とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路のレイアウト設計後のマスクパターンデータが格納されたデータベースからデータを読み出して、読み出したデータ中に含まれる配線データを所定基準幅で分割処理する配線分割手段と、
所定基準幅を超える幅太配線に対して電流が流れる方向に基づいてスリット方向を決定し、該スリット方向が決定されたスリットを該幅太配線に対して配置してパターン補正を施したマスクパターンデータを該データベースに出力するスリット生成処理手段とを有する半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項２】
前記配線分割手段は、前記データベースから、前記スリットを発生させる配線層を抽出し、抽出したそれぞれの配線層を抵抗端子領域と寄生抵抗部品領域とに分割すると共に該配線層の幅が前記所定基準幅を超える部分の図形を抽出する請求項１に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項３】
前記配線分割手段は、異なる配線が交差する配線交差領域でありかつスルーホール部を含む領域を前記抵抗端子領域として抽出する請求項２に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項４】
前記配線分割手段は、配線分岐領域および配線折れ曲がり領域を前記抵抗端子領域として更に抽出する請求項３に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項５】
前記スリット生成処理手段は、前記寄生抵抗部品領域であってかつ前記配線層の幅が前記所定基準幅を超える矩形領域が前記抵抗端子領域に接する面を抽出し、該面に垂直方向に長辺を有する矩形状のスリットが生成されるようにスリット方向を決定する請求項２に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項６】
前記スリット生成処理手段は、前記スリットを、デザインルールに定められた条件を満足するように前記幅太配線上に生成する請求項１または５に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項７】
前記スリット生成処理手段は、前記スリットを千鳥格子状に複数配置する請求項６に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項８】
前記スリット生成処理手段は、前記幅太配線の図形と、前記生成されたスリット図形とを図形演算することにより、該スリット図形が一または複数、該幅太配線の図形内に均等に配置されたマスクパターンデータを生成する請求項６または７に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項９】
前記スリット生成処理手段は、前記配線分岐領域および配線折れ曲がり領域に前記スリットを生成する場合には、正方形状のスリットを生成する請求項４に記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システムを用いて配線にスリットを生成する配線のスリット生成方法であって、
半導体集積回路のレイアウト設計後のマスクパターンデータが格納されたデータベースからデータを読み出して、読み出したデータ中に含まれる配線データを所定基準幅で分割処理するステップと、
該所定基準幅を超える幅太金属配線に対して電流が流れる方向を検出し、検出した電流方向に基づいてスリット方向を決定するステップと、
該スリット方向が決定されたスリットを該幅太配線に対して配置してパターン補正を施したマスクパターンデータを該データベースに出力するステップとを有する配線のスリット生成方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システムが搭載され、該レイアウト設計補助システムを用いて補正されたマスクパターンにより前記幅太配線上にスリットを形成可能とする自動スリット生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路において、幅が太い金属配線に対してその金属配線を流れる電流の方向に沿ったスリットを生成する半導体集積回路のレイアウト設計補助システムおよび金属配線のスリット生成方法、このレイアウト設計補助システムを用いて補正されたマスクパターンを有するフォトマスク、そのフォトマスクを用いて製造された半導体集積装置およびこのレイアウト設計補助システムが搭載された自動スリット生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体集積回路（以下、ＬＳＩという）の配線としては、一般に、流れる電流の大きさや雑音に対する強度などを考慮して、幅が太い配線が用いられている。しかしながら、幅が太い配線を用いた場合、金属配線層の表面平坦性を確保することが容易ではない。金属配線層の表面が平坦でない場合、金属配線にかかる応力が大きく、クラック発生等の信頼性の問題が発生する原因になる。また、化学機械研磨（以下ＣＭＰという）法などにより金属配線層の表面を平坦化する場合には配線を削り過ぎるなどの問題もある。
【０００３】
このため、幅が太い金属配線層については、この配線に切れ込み（以下スリットという）を設けることにより、表面の平坦性を確保する方法が考えられている。このようなスリットが配線上にあることにより配線幅の範囲が狭まるため、金属配線層の表面が平坦になり易くなり、ＣＭＰ行程においても研磨のばらつきが少なくなる。このように配線にスリットを設ける方法としては、レイアウト設計後またはレイアウト設計中に人手によりスリットを形成する方法と、例えば特許文献１に開示されているように自動配置配線処理装置によりスリットを形成する方法とがある。
【０００４】
図６は、特許文献１に開示されている従来の自動配置配線処理装置の構成を示すブロック図である。
【０００５】
図６において、自動配置配線処理装置４０は、自動配置配線処理を行う各ステップが制御プログラムとして記録されたＲＯＭ４１と、この制御プログラムの実行時にワークメモリとして働くＲＡＭ４２と、この制御プログラムに基づいて各種処理を行う演算処理装置（ＣＰＵ）およびデータベース４３と、表示部として機能する陰極線管（ＣＲＴ）４４と、ユーザによる操作入力手段としてのキーボード４５と、操作選択手段としてのマウス４６とを有している。
【０００６】
演算処理装置およびデータベース４３は、自動配置配線処理部４３１と、この自動配置配線処理部４３１によるレイアウト処理結果が格納されるマスクパターンデータベース４３２と、このマスクパターンデータベース４３２中から幅が太い配線を選択する金属配線判定部４３３と、この金属配線判定部４３３により選択された配線に対してスリットを挿入・生成し、生成されたスリットの位置を検証するスリット生成処理部４３４と、スリット生成処理部４３４にて使用されるスリットパターンを有するダミー図形データベース４３５と、これらのＣＲＴ４４、キーボード４５およびマウス４６と演算処理装置およびデータベース４３を接続するインターフェイス部４３６とを有している。
【０００７】
上記構成により、以下、この自動配置配線処理装置４０の動作について、図７のフローチャートおよび図８のマスクパターンデータの平面図を用いて説明する。
【０００８】
まず、設計者がＣＲＴ４４の表示画面を見ながらキーボード４５やマウス４６を操作することにより対話的に入力した要求仕様に応じて自動配置配線処理部４３１による自動配置配線処理が行われ、半導体基板上に配置すべき配線パターンが自動生成される。
【０００９】
次に、図７に示すように、ステップＳ１１で、金属配線判定部４３３は、この自動配置配線処理により得られるマスクパターンデータを格納したマスクパターンデータベース４３２から、所定値を基準にするなどして幅が太い配線を選択する。
【００１０】
ステップＳ１２で、スリット配線処理部４３４は、図８（ａ）に示すように２層目の金属配線５１と１層目の金属配線５２とを接続するスルーホール５３との共通部分（論理積）の図形５４を金属配線５２から除去する。
【００１１】
ステップＳ１３において、図８（ｂ）に示すように、ダミー図形データベース４３５から金属配線５２の内部に含まれるダミーレイヤ図形５５が選択される。
【００１２】
ステップＳ１４において、ダミーレイヤ図形５５と金属配線５２との余裕Ａが測られ、この余裕Ａが一定値に満たない場合には、その図形５５Ａをダミーレイヤ図形５５から除去してスリット図形５５Ｂが生成される。
【００１３】
ステップＳ１５において、図８（ａ）に示すように金属配線５２とスリット図形５５Ｂとの図形演算（ＡＮＤ，ＮＯＴ）が行われ、ステップＳ１６においてスリット配線のデータ（スリットが挿入されてパターン補正されたマスクパターンデータ）がマスクパターンデータベース４３２に出力されて格納される。
【００１４】
このようにして、特許文献１に開示されている従来技術では、ＬＳＩのマスクパターンデータの中から幅の太い配線が選択され、２層目の金属配線５１とスルーホール５３との共通部分（論理積）の図形５４が１層目の金属配線５２から除去され、金属配線５２の内部に含まれるダミーレイヤ図形５５が選択されて、ダミーレイヤ図形５５と金属配線５２との余裕Ａが測られて、余裕Ａの値が一定値に満たない場合にはその図形５５Ａをダミーレイヤ図形５５から除去することにより、金属配線５２上にスリット図形５５Ｂが自動生成される。
【特許文献１】特開平５−７３６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述したように、人手により配線にスリットを設ける場合、膨大な手間が必要となる。
【００１６】
また、特許文献１に開示されているように、自動配置配線処理装置４０によってスリットを生成する場合には、レイアウト設計を行うための装置が限定されてしまうという問題がある。また、この従来技術では、縦横の長さが異なるスリットを生成する際に、金属配線を流れる電流の方向を考慮していないため、金属配線を流れる電流を遮る方向にスリット図形５５Ｂの長辺側が生成されると、金属配線５２が部分的に細くなり、その部分で抵抗が大きくなってしまうというおそれもある。さらに、その部分的に細くなった金属配線５２に大電流が長時間流れると、エレクトロマイグレーションにより断線などの障害を起こすことがある。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、レイアウト設計を行うための装置が限定されることなく、幅が太い金属配線表面の平坦性やＣＭＰ工程における削り過ぎなどの問題を解決するために金属配線上にスリットを生成する際に、金属配線を流れる電流の方向性を考慮してスリットを配置することにより、その金属配線の抵抗値が大幅に大きくなったり、その金属配線が断線したりすることを防ぐことができる半導体集積回路のレイアウト設計補助システム、金属配線のスリット生成方法および自動スリット生成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムは、半導体集積回路のレイアウト設計後のマスクパターンデータが格納されたデータベースからデータを読み出して、読み出したデータ中に含まれる配線データを所定基準幅で分割処理する配線分割手段と、
所定基準幅を超える幅太配線に対して電流が流れる方向に基づいてスリット方向を決定し、該スリット方向が決定されたスリットを該幅太配線に対して配置してパターン補正を施したマスクパターンデータを該データベースに出力するスリット生成処理手段とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】
また、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおける配線分割手段は、前記データベースから、前記スリットを発生させる配線層を抽出し、抽出したそれぞれの配線層を抵抗端子領域と寄生抵抗部品領域とに分割すると共に該配線層の幅が前記所定基準幅を超える部分の図形を抽出する。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおける配線分割手段は、異なる配線が交差する配線交差領域でありかつスルーホール部を含む領域を前記抵抗端子領域として抽出する。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおける配線分割手段は、配線分岐領域および配線折れ曲がり領域を前記抵抗端子領域として更に抽出する。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおけるスリット生成処理手段は、前記寄生抵抗部品領域であってかつ前記配線層の幅が前記所定基準幅を超える矩形領域が前記抵抗端子領域に接する面を抽出し、該面に垂直方向に長辺を有する矩形状のスリットが生成されるようにスリット方向を決定する。
【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおけるスリット生成処理手段は、前記スリットを、デザインルールに定められた条件を満足するように前記幅太配線上に生成する。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおけるスリット生成処理手段は、前記スリットを千鳥格子状に複数配置する。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおけるスリット生成処理手段は、前記幅太配線の図形と、前記生成されたスリット図形とを図形演算することにより、該スリット図形が一または複数、該幅太配線の図形内に均等に配置されたマスクパターンデータを生成する。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムにおけるスリット生成処理手段は、前記配線分岐領域および配線折れ曲がり領域に前記スリットを生成する場合には、正方形状のスリットを生成する。
【００２７】
本発明の金属配線のスリット生成方法は、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システムを用いて配線にスリットを生成する配線のスリット生成方法において、半導体集積回路のレイアウト設計後のマスクパターンデータが格納されたデータベースからデータを読み出して、読み出したデータ中に含まれる配線データを所定基準幅で分割処理するステップと、該所定基準幅を超える幅太金属配線に対して電流が流れる方向を検出し、検出した電流方向に基づいてスリット方向を決定するステップと、該スリット方向が決定されたスリットを該幅太配線に対して配置してパターン補正を施したマスクパターンデータを該データベースに出力するステップとを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２８】
本発明のフォトマスクは、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システムを用いて補正されたマスクパターンを有する。このフォトマスクを用いて半導体集積装置を製造する。
【００２９】
本発明の半導体集積装置は、そのことにより上記目的が達成される。
【００３０】
本発明の自動スリット生成装置は、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体集積装置のレイアウト設計補助システムが搭載され、該レイアウト設計補助システムを用いて補正されたマスクパターンにより前記幅太配線上にスリットを形成可能とするものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３１】
上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
【００３２】
本発明にあっては、金属配線分割手段によってレイアウト設計後のマスクパターン（レイアウトデータ）を有するデータベースからデータを読み込んで、それぞれの金属配線層を寄生抵抗部品領域と抵抗端子領域とに分割し、さらに、それぞれの金属配線層について幅が一定値を超える部分の図形を抽出する。この抵抗端子領域としては、異なる配線の交差部分でありかつスルーホールの存在する箇所、配線の分岐部分および折れ曲がり部分などを抽出することができる。
【００３３】
スリット生成処理手段によって、寄生抵抗部品部分領域であって、幅が一定値を超える矩形に対して、抵抗端子領域に接している面と垂直方向に長辺を有する矩形状のスリットを、所定のデザインルールに定められた条件を満足するように生成する。これにより、その金属配線を流れる電流の流れの方向に沿って長辺を持つスリットを生成することができる。
【００３４】
矩形状のスリットは、千鳥格子状に複数、均等に配置することにより、金属配線を横断する方向に対して、位置に依存するスリット密度の変化を緩和させることができる。また、配線の交差部分や折れ曲がり部分にもスリットを生成する必要がある場合には、正方形のスリットを生成することにより、電流を遮り難くすることができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、人手により配線にスリットを設ける従来技術のように膨大な手間が不要であり、また、特許文献１に開示されている従来技術のように、レイアウト設計を行うための装置が限定されることなく、様々なレイアウトツールを使用して作成されたレイアウトデータ（マスクパターン）に対して、金属配線に流れる電流の流れを遮らない方向性を有するスリットを、自動的に挿入・生成することができる。これにより、金属配線が部分的に細くなって、その部分で抵抗が大きくなるという問題や、エレクトロマイグレーションによる断線などの障害を防ぐことができる。さらに、千鳥格子状に配列した各スリットをそれぞれ生成することにより、金属配線を横断する方向に対して、位置に依存するスリット密度の変化も緩和できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下に、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３７】
図１は、本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムの一実施形態における概略構成を示すブロック図である。
【００３８】
図１において、半導体集積回路のレイアウト設計補助システム１０は、配線レイアウト設計処理を行う各ステップが制御プログラムとして記録されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのＲＯＭ１１と、この制御プログラムの実行時にワークメモリとして働くＲＡＭ１２と、この制御プログラムに基づいて各種処理を行う演算処理装置（ＣＰＵ）およびデータベース１３と、表示部などの出力装置１４と、ユーザによる操作入力部１５とを有している。
【００３９】
演算処理装置およびデータベース１３は、様々なレイアウトツールを用いて作成されたレイアウト設計後のマスクパターンデータを有するマスクパターンデータベース１３２と、マスクパターンデータベース１３２からデータを読み込んで、そのマスクパターンデータベース１３２中に含まれる金属配線データを所定基準配線幅で分割処理する金属配線分割手段としての金属配線分割部１３３と、所定の基準配線幅を超える幅太金属配線に対して電流が流れる方向を考慮してスリット方向を決定し、スリット方向が決定されたスリットを金属配線に対して配置（挿入）してパターン補正を施したマスクパターンデータをマスクパターンデータベース１３２に出力するスリット生成処理手段としてのスリット生成処理部１３４とを有している。
【００４０】
金属配線分割部１３３は、マスクパターンデータベース１３２の配線データ中から所定の基準配線幅よりも幅が太い配線の選択（配線データを所定基準幅で分割処理し、配線層の幅が所定基準幅を超える幅太配線部分の図形を抽出）処理、及び、抵抗端子領域（スルーホール部を含む）と寄生抵抗部品領域とに分割する処理を行う。この場合、金属配線分割部１３３は、異なる配線の交差部分でありかつスルーホールの存在する領域、配線の分岐部分および折れ曲がり部分を抵抗端子領域として抽出する。
【００４１】
スリット生成処理部１３４は、金属配線分割部１３３にて分割された抵抗端子領域と寄生抵抗部品領域を基にスリット方向を決定して、この寄生抵抗部品領域上であって、所定の基準配線幅よりも幅が太い金属配線部分上に対してスリットを挿入・生成（配置）する。即ち、スリット生成処理部１３４は、寄生抵抗部品領域であってかつ配線層の幅が所定基準幅を超える矩形領域が抵抗端子領域に接する面を抽出し、その面に垂直方向に長辺を有する矩形状のスリットが生成されるようにスリット方向を決定し、さらに、そのスリットを、デザインルールに定められた条件を満足するように幅太配線上に生成する。
【００４２】
上記構成により、以下、本実施形態の半導体集積回路のレイアウト設計補助システム１０の動作について、図２のフローチャートおよび図３〜図５のマスクパターンデータの平面図を用いて詳細に説明する。
【００４３】
まず、図２に示すように、ステップＳ１において、金属配線分割部１３３によって、マスクパターンデータベース１３２からデータが読み込まれる。スリットを発生させる対象の層である金属配線層が抽出されて、それぞれの金属配線層が、図３に示すように、抵抗端子領域２１と寄生抵抗部品領域２２とに分割される。この抵抗端子領域２１には、他層との接続を行うスルーホール２３により接続される金属配線層２４との交差部が含まれている。また、図３に示すように、配線分岐部や配線折れ曲がり部も抵抗端子領域２１として抽出される。さらに、抽出された金属配線層のそれぞれについて、幅が一定値未満である部分２５を全体の金属配線から除いた部分（幅が一定値を超える部分）の図形も抽出される。以上の２通りの分割結果は、スリット生成処理部１３４に供給される。
【００４４】
次に、ステップＳ２では、スリット生成処理部１３４によって、金属配線分割部１３３から供給された２通りの分割結果を基に、スリット方向が決定される。ここでは、図４に示すように、寄生抵抗部品領域２２の矩形部分であって、かつ、幅が一定値を超える矩形部分に対して、抵抗端子領域２１に接している面２６が抽出される。
【００４５】
ステップＳ３では、スリット生成処理部１３４によって、図５に示すように、寄生抵抗部品領域２２の矩形部分であって、かつ、幅が一定値を超える矩形部分に対して、上記ステップＳ２で抽出された面２６と垂直方向に長辺を有するスリットとなる矩形２７が、長さ、幅、間隔、金属配線の縁からの距離など、所定のデザインルールに定められた条件を満足するように生成される。
【００４６】
このように、スリットとなる矩形２７を生成する際に、図５に示すように千鳥格子状にスリットが複数配置されるように生成することによって、金属配線を横断する方向に対して、位置に依存するスリット密度の変化を緩和することができる。また、配線分岐部や配線折れ曲がり部にスリットを生成する必要がある場合には、正方形状のスリットを生成することによって、電流を遮り難くすることができる。
【００４７】
ステップＳ４では、スリット生成処理部１３４によって、元の金属配線層と、上記ステップＳ３で生成されたスリットとなる矩形２７との図形演算（ＡＮＤ、ＮＯＴ）が行われて、スリットが挿入（配置）された金属配線層のマスクパターンデータが生成される。
【００４８】
ステップＳ５では、スリット生成処理部１３４によって、上記ステップＳ４で生成された各金属配線層のマスクパターンデータが、レイアウトデータとしてマスクパターンデータベース１３２に出力される。
【００４９】
以上のように、本実施形態によれば、スリット生成方法が、常に抵抗端子領域２１と接する面２６と垂直になるように決定されているため、金属配線を流れる電流の流れを遮らないような方向性を有するスリットとなる矩形２７を生成することができる。
【００５０】
この半導体集積回路のレイアウト設計補助システム１０を用いて補正されたマスクパターンを有するフォトマスクを用いて半導体装置を製造することによって、ＣＭＰ工程において削り過ぎなどの問題を生じることなく幅が太い金属配線表面の平坦性を確保することができ、金属配線を流れる電流の流れが遮られることによる抵抗の増大や断線などの各種障害を防止することができる。また、この半導体集積回路のレイアウト設計システム１０が搭載された自動スリット生成装置によって幅が太い金属配線にスリットを設けることができるため、レイアウト設計には様々なレイアウトツールを用いることができ、自動配置配線処理装置が限定されてしまうこともない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、様々なレイアウトツールを使用して作成されたレイアウトデータに対して、金属配線に流れる電流の流れを遮らない方向性を有するスリットを自動的に生成することができるため、特性が良好な半導体装置やその半導体装置が搭載された電子機器を低コストで作製することができ、これらの普及に大いに貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムの一実施形態における概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の半導体集積回路のレイアウト設計補助システムによる金属配線のスリット生成方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２の金属配線分割処理で生成されるマスクパターンデータを説明するための平面図である。
【図４】図２のスリット方向決定処理において生成されるマスクパターンデータを説明するための平面図である。
【図５】図２のスリット発生処理において生成されるマスクパターンデータを説明するための平面図である。
【図６】従来の自動配置配線処理装置の構成を示すブロック図である。
【図７】図６の自動配置配線処理装置による金属配線のスリット生成方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、図７のスリット生成方法を用いてスリットを生成するマスクパターンデータを説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  半導体集積回路のレイアウト設計補助システム
１３  演算処理装置（ＣＰＵ）およびデータベース
１３２  マスクパターンデータベース
１３３  金属配線分割部
１３４  スリット生成処理部
２１  抵抗端子領域
２２  寄生抵抗部品領域
２３  スルーホール
２４  スリット生成対象の金属配線層とスルーホールで接続される金属配線層
２５  幅が一定値未満の領域
２６  寄生抵抗部品領域であって、かつ、幅が一定値を超える領域が抵抗端子領域に接している面
２７  スリットとなる矩形
【図１】
2005150556.tif 000003
【図２】
2005150556.tif 000004
【図３】
2005150556.tif 000005
【図４】
2005150556.tif 000006
【図５】
2005150556.tif 000007
【図６】
2005150556.tif 000008
【図７】
2005150556.tif 000009
【図８】
2005150556.tif 000010