(57)【要約】【課題】  光磁気記録媒体における記録マーク間のジッタを低下させる。【解決手段】  光磁気記録媒体１０は、基板１、下地層２、再生層３、中間層４、記録層５、記録補助層６、保護層７等を含む。記録補助層６は、室温からそのキュリー温度Ｔｃ２に至るまで垂直磁化膜である。記録層５のキュリー温度Ｔｃ１は、記録補助層６のキュリー温度Ｔｃ２よりも高い。光磁気記録媒体１０の記録温度Ｔｒｃは、前記Ｔｃ１よりも少し低い温度であり、Ｔｃ２よりは高い。前記の記録温度Ｔｒｃでは、記録補助層６は磁化を失った状態となっている。記録の際、Ｔｃ２以下において、記録層５の磁区が記録補助層６の磁区と交換結合する。これにより、記録マークのばらつきが抑制される。  【選択図】    図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層と、
前記記録層に対して光入射側とは反対側に配された記録補助層とを含み、
前記記録層と前記記録補助層は垂直磁化膜であり、
前記記録補助層のキュリー温度は、前記記録層のキュリー温度よりも低いことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記記録補助層は、前記記録層に接して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録補助層のキュリー温度は、再生温度よりも高いことを特徴とした請求項１又は２の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記記録補助層は、ＧｄＦｅからなることを特徴とし、Ｇｄは２３〜３０〔ａｔ％〕含まれることを特徴とした請求項１乃至３の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光磁気記録媒体に関し、特に磁区拡大方式の光磁気記録媒体に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
記録層の磁区を再生層へ拡大転写して信号を再生する磁区拡大方式（ＭＡＭＭＯＳ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＡＭｐｌｉｆｙｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ、ＤＷＤＤ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ等）による光磁気記録媒体が提案されている。係る光磁気記録媒体への信号の記録においては、最短ドメイン長は０．１μｍ程度まで小さくなっている。
【０００３】
図１１は、磁区拡大方式による再生を行う光磁気記録媒体１００の信号再生機構を説明する図である。これは、本出願人によって出願された特許文献１において開示されたものである。
【０００４】
光磁気記録媒体１００は、第１再生層１０３、第２再生層１０４、中間層１０５、および記録層１０６を備える。中間層１０５は、室温より高いキュリー温度Ｔｃを有し、第２再生層１０４は、室温で面内磁化膜でありキュリー温度Ｔｃより低い温度Ｔ１以上で垂直磁化膜となり、第１再生層１０３は、室温で面内磁化膜であり、温度Ｔ１より低い温度Ｔ２以上で垂直磁化膜となる。
【０００５】
光磁気記録媒体１００では、記録層１０６のうち、温度Ｔ１〜Ｔｃの間に存在する磁区１６０だけが中間層１０５の磁区１５０、第２再生層１０４の磁区１４０、第１再生層１０３の磁区１３０と交換結合して転写される。このとき、外部からＤＣ磁界Ｈｅｘが印加されると、記録層１０６の磁区１６０が中間層１０５、第２再生層１０４を介して、温度Ｔ２〜Ｔ１の温度範囲にある第１再生層１０３へ磁区１３０として拡大転写されてレーザ光ＬＢにより検出される。
【０００６】
上記の磁区拡大方式による光磁気記録媒体の高密度化のためには、再生特性の改善だけでなく、記録特性の改善も重要な課題である。磁区拡大光磁気記録媒体への記録方式としては、レーザ光を照査しながら記録磁界を印加することで磁区を記録する磁界変調磁界変調方式がある。レーザ光を照射することで記録媒体の温度をキュリー温度近くまで加熱すると、記録層の保磁力は低下するが、このとき外部から磁界を印加すれば、記録媒体の記録層に磁区を記録することができる。
【０００７】
磁界変調による記録方式によれば、記録層の磁区は、記録層の温度遷移と磁界印加によって形成されることから、安定した磁区形成を行うためには、記録層の温度特性が全領域においてほぼ均一であるのが望ましい。しかしながら、光磁気記録媒体には、記録層以外にも種々の層が形成されおり、各層の膜厚むらや組成むら、あるいは基板形状の乱れ等から、記録層の温度特性を均一とするのは極めて困難である。通常、記録層の温度特性は局所的に相違しており、このため、同一強度のレーザ光を照射して同一の信号を記録しようとしても、形成された記録マークは、場所によってばらついてしまう。
【０００８】
かかる記録マークのばらつきは、特に、短マークの記録再生特性に大きな影響を与える。すなわち、短マークの長さがばらつくと、マーク長に対するばらつき成分の比率が大きくなり、その結果、短マークを良好に再生することができなくなる場合がある。
【０００９】
これに対し、以下の特許文献２には、室温において面内方向とは垂直の磁化容易性を有する第１の記録層と第２の記録層を配し、これにより、短マークに対するＣ／Ｎ比を改善する技術が記載されている。ここで、第１の記録層を構成する希土類金属の組成Ｍ１（ａｔ％）と第２の記録層を構成する希土類金属の組成Ｍ２（ａｔ％）とは、Ｍ２＜Ｍ１に設定されている。さらに、当該特許文献２には、第１の記録層と第２の記録層の他に、記録補助層を配する構成が開示されており、かかる構成により記録特性の改善が可能であると記載されている。
【特許文献１】特開２００１−２２９５８５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、記録層の温度特性の不均一性によって生じる記録マーク長のばらつきを抑制することを課題とする。これにより、特に、短マークに対する記録再生特性を向上させることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の光磁気記録媒体は、記録層と、記録補助層とからなる。前記記録補助層は、前記記録層に対して光入射側とは反対側に配される。前記記録層及び前記記録補助層は垂直磁化膜である。また、前記記録補助層のキュリー温度は、前記記録層のキュリー温度よりも低いことを特徴とする。
【００１２】
請求項２の光磁気記録媒体は、請求項１の光磁気記録媒体であって、前記記録補助層は、前記記録層に接して形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項３の光磁気記録媒体は、前記記録補助層のキュリー温度が再生温度よりも高いことを特徴とした請求項１又は２の光磁気記録媒体である。前記再生温度とは、光磁気記録媒体の再生時における前記記録層や前記記録補助層の温度のことである。
【００１４】
請求項４の光磁気記録媒体は、請求項１乃至３の光磁気記録媒体であって、前記記録補助層は、ＧｄＦｅからなることを特徴とし、Ｇｄは２３〜３０〔ａｔ％〕含まれることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光磁気記録媒体によれば、記録マーク間のジッタを低下させることが可能となる。特に、パルス光磁界変調により記録された短マークを、磁区拡大再生により再生する光磁気記録媒体における記録再生特性の向上に効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、磁区拡大再生により再生する光磁気記録媒体に本発明を適用した場合を例示するものである。
【００１７】
（第１の実施形態）  
図１は、本発明の光磁気記録媒体１０の構成を示したものである。光磁気記録媒体１０は、基板１、下地層２、再生層３、中間層４、記録層５、記録補助層６、保護層７等を含む。
【００１８】
基板１は、ガラス、ポリカーボネート、ポリオレフィン等から成る。光磁気記録媒体１０への記録及び／又は再生時においては、基板１側からレーザ光が照射される。
【００１９】
下地層２は、基板１上に再生層３を直接形成すると再生層３の磁気特性が低下するのを防止するために設けられている。下地層２は、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ等から成り、膜厚は３０〜１５０〔ｎｍ〕程度である。
【００２０】
再生層３は、室温で垂直磁化膜であり、再生温度（約１５０〔℃〕）でも垂直磁化膜である。再生層３は、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＰｒＧｄＦｅＣｏ等から成り、膜厚は１５〜５０〔ｎｍ〕程度である。
【００２１】
中間層４は、室温で垂直磁化膜であり、記録層５の磁化情報を再生層３に転写する役目を果たす。中間層４のキュリー温度は、前記の再生温度よりも低く、再生温度においては磁化を失っている。中間層４は、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ等から成り、膜厚は５０〜１５０〔ｎｍ〕程度である。
【００２２】
記録層５は、室温で保磁力が大きく、記録された磁化情報を保持する。記録層５は、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等から成り、膜厚は２０〜１００〔ｎｍ〕程度である。
【００２３】
記録補助層６は、記録層５に記録されるマークの記録安定性を向上させると共に、微小マークの記録に供するものである。記録補助層６は、室温からそのキュリー温度Ｔｃ２に至るまで垂直磁化膜である。また、記録層５のキュリー温度をＴｃ１〔℃〕、記録補助層６のキュリー温度をＴｃ２〔℃〕とすると、Ｔｃ１＞Ｔｃ２という関係を有している。記録補助層６は、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ等から成り、膜厚は５〜４０〔ｎｍ〕程度である。
【００２４】
保護層７は、ＳｉＮ又はＡｌＮから成り、膜厚は７０〔ｎｍ〕程度である。
【００２５】
前記の下地層２、再生層３、中間層４、記録層５、記録補助層６、保護層７は、ＲＦスパッタリング法により形成される。また、保護層７上には、使用時に生じる傷を防ぐため、スピンコート等でＵＶ樹脂が塗布される。
【００２６】
図２は、記録層５、記録補助層６の飽和磁化及び保磁力の温度依存性を示したものである。この例においては、記録層５はＴｂＦｅＣｏであり、記録補助層６はＧｄＦｅである。記録補助層６のＧｄの含有率は、２３〜３０〔ａｔ％〕程度である。
【００２７】
図２（ａ）は、記録層５、記録補助層６の飽和磁化の温度依存性を示したものである。破線で示したのは記録層５の飽和磁化であり、実線で示したのは記録補助層６の飽和磁化である。図２（ｂ）は、記録層５の保磁力の温度依存性を示したものである。
【００２８】
図２（ａ）を参照して、記録層５のキュリー温度Ｔｃ１は、記録補助層６のキュリー温度Ｔｃ２よりも高い。光磁気記録媒体１０の記録温度Ｔｒｃは、前記Ｔｃ１よりも少し低い温度であり、Ｔｃ２よりは高い。前記の記録温度Ｔｒｃでは、記録補助層６は磁化を失った状態となっている。また、光磁気記録媒体１０の再生温度Ｔｒｄは、記録補助層６のキュリー温度Ｔｃ２より低く、記録層５の補償温度Ｔｃｏより高い。したがって、前記の再生温度Ｔｒｄでは、記録補助層６は垂直磁化膜となっている。記録層５の補償温度Ｔｃｏは、室温Ｔｒｍ（約２０〔℃〕）より高い。
【００２９】
一例として、記録層５のキュリー温度Ｔｃ１は３００〔℃〕であり、光磁気記録媒体１０の記録温度Ｔｒｃは、２６０〔℃〕であり、記録補助層６のキュリー温度Ｔｃ２は２１０〔℃〕であり、光磁気記録媒体１０の再生温度Ｔｒｄは、１５０〔℃〕であり、記録層５の補償温度Ｔｃｏは６０〔℃〕程度である。
【００３０】
図３は、磁界変調記録方式により光磁気記録媒体１０に磁区を記録するときの現象について模式的に説明したものである。レーザ光２１を照射するとともに、記録磁界２２を印加すると、まず記録層５の高温部分に種磁区５１が発生するものと考えられる。その後、種磁区５１を囲む磁壁５３、５４は外部磁界の強さと温度勾配によって外側へ広がっていく。
【００３１】
ところで、光磁気記録媒体１０は、記録層５の下に記録補助層６を有している。このとき、磁区５１を記録した直前に記録された磁区５２の位置では、レーザ光２１の通過により記録補助層６の温度はそのキュリー温度Ｔｃ２よりも低いので磁化が発生し、磁区６１が形成される。ここで、磁区６１が外部から受ける力は、記録層５との交換結合力と、図示しない磁気ヘッドから印加される記録磁界２２であるが、ここでは記録磁界は３００[Ｏｅ]程度であるのに対し、交換結合力は１[ｋＯｅ]以上であるので、交換結合力の方が支配的であり、記録補助層６の磁区６１の磁化は記録層の磁区５２と同じ方向を向く（下向き）。
【００３２】
以上のように、記録層５の磁区５２と、記録補助層６の磁区６１とが交換結合力により強固に結合されていることにより、それらの磁壁５５、６２は容易に動くことがないので、前記の種磁区５１の磁壁５３は、交換結合力が急激に高くなる位置でもある磁壁５５の位置でその移動が止まる。
したがって、光磁気記録媒体１０は、媒体上の熱勾配だけでなく、交換結合力によっても磁壁の位置が決まるので、記録マーク間のジッタを低減することができる。
【００３３】
また、上記では記録層５のキュリー温度は、記録補助層６のキュリー温度よりも高いものとしている。垂直磁化膜である記録補助層６のキュリー温度が記録層５のキュリー温度よりも高かった場合（Ｔ１＜Ｔ２であるとすると）、記録層５への記録温度で、記録補助層６は磁化を有しているので、記録補助層６から発生する漏洩磁化により、記録層５の記録磁界がばらつき、マークを最適に記録することができないものと考えられる。本願のように、記録層５のキュリー温度を記録補助層６のキュリー温度よりも高いものとしたとき、記録層５への記録温度で、記録補助層６は磁化を失った状態となっているので、漏洩磁界を発生することがない。したがって、安定した記録が可能となる。
【００３４】
（第２の実施形態）
図４の光磁気記録媒体２０は、図１の光磁気記録媒体１０の記録層５と、記録補助層６の間に磁性層２９を挿入したものである。この場合、磁性層２９と記録層５が交換結合する。したがって、図１の光磁気記録媒体１０の場合と同様、磁性層２９を介して記録補助層６は記録層５に影響を与えることができる。磁壁の位置は交換結合力によって決まることとなるため、光磁気記録媒体２０によっても記録マーク間のジッタを低減することができる。ここで、磁性層２９は、ＴｂＦｅ等からなり、膜厚は５〜２０〔ｎｍ〕程度である。磁性層２９のキュリー温度は記録補助層６よりも低い。
【００３５】
（第３の実施形態）
図５の光磁気記録媒体３０は、図２の光磁気記録媒体２０の磁性層２９に代えて、ＳｉＮ等からなる非磁性層３９を設けたものである。この媒体では、記録補助層６と記録層５が交換結合することはなく、静磁結合している。記録層５は、温度の低下で磁化を持ち、磁性層２９の磁化のない所で記録層５へ静磁結合力を与える。静磁結合力は交換結合力よりは弱いため、前記第２の実施形態の光磁気記録媒体２０ほどの効果は奏さないが、記録補助層６を有さない光磁気記録媒体と比較すれば、マーク間のジッタを少なくすることができる。
【００３６】
（第４の実施形態）
図６の光磁気記録媒体４０は、図１の光磁気記録媒体１０の保護層７の上に放熱層８を設けたものである。放熱層８は、Ａｌ、Ａｇ等からなり、膜厚は２０〔ｎｍ〕程度である。このときの保護層７は、ＳｉＮからなり、膜厚は２０〔ｎｍ〕である。このように、放熱層８を設けた媒体においては、放熱層８がない媒体と比較して記録層５における熱勾配が急峻になることが知られているので、図１の光磁気記録媒体１０よりも更に記録マーク間のジッタを少なくすることができる。（注：但し、放熱層８を記録層５に極端に接近して設けた場合は、記録層の熱勾配はなだらかになってしまい、逆効果である。放熱層８は、記録層５から適度に離れた位置に設けるのが望ましい。）
【００３７】
（第５の実施形態）
図１の光磁気記録媒体１０は、基板１の側からレーザ光を入射させて使用する基板面入射型の光磁気記録媒体であったが、図７のような、基板１とは反対側から入射させる膜面入射型の光磁気記録媒体５０であっても良い。光磁気記録媒体５０は、基板１、下地層２、記録補助層６、記録層５、中間層４、再生層３、上地層５７、ＵＶ樹脂５８の順に成膜される。上地層５７の膜厚は４０〔ｎｍ〕程度であり、下地層２の膜厚は６０〔ｎｍ〕程度である。ＵＶ樹脂５８は、光学ヘッドが光磁気記録媒体５０に衝突することにより、光磁気記録媒体５０を破損することを防ぐために設けられる。
【００３８】
光磁気記録媒体５０は、基板面入射型の光磁気記録媒体１０、２０、３０、４０よりは高いＮＡを有するレンズが用いられるため（一例として、基板面入射型ではＮＡ０．６が一般的であるのに対し、膜面入射型ではＮＡ０．８〜０．９が一般的）、より小さな磁区が記録されることになる。したがって、膜面入射型の光磁気記録媒体では、記録マーク間のジッタを低減させることがより重要であるので、光磁気記録媒体５０の構成は有利であると考えられる。
【実施例１】
【００３９】
図８は、実施例に係る光磁気記録媒体６０と、比較例に係る光磁気記録媒体７０の断面構造を示したものである。光磁気記録媒体６０においては、「Ｓｕｂ」が図１の光磁気記録媒体１０の基板１に、その上にある「ＳｉＮ」が下地層２に、「ＧｄＦｅＣｏ」が再生層３に、「ＴｂＦｅ」が中間層４に、「ＴｂＦｅＣｏ」が記録層５に、「ＧｄＦｅ」が記録補助層６に、その上にある「ＳｉＮ」が保護層７にそれぞれ相当する。各層の膜厚は図８中に示す通りである。また、このとき記録補助層６のＧｄの含有率は２６〔ａｔ％〕である。光磁気記録媒体７０は、記録補助層６を有しない以外は前記の光磁気記録媒体６０と同じ構造である。光磁気記録媒体６０及び光磁気記録媒体７０は、磁区拡大再生（ＭＡＭＭＯＳ、ＤＷＤＤ等）により記録層５の磁区が再生される。
【００４０】
図９は、上記の光磁気記録媒体６０を作製するスパッタ装置におけるターゲットの配置を示したものである。ターゲットは、ＳｉＮ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＦｅの５つである。ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＦｅは合金ターゲットである。上記のターゲットとディスク基板は、真空状態に保たれたチャンバー内に設置される。ディスク基板は上記のターゲットの向かい側に配置され、ターゲットとディスク基板間に１〔ｋＶ〕程度の高周波の電圧を印加することで光磁気記録媒体の各層を成膜することができる。
【００４１】
該スパッタ装置により、光磁気記録媒体６０を作製する手順を説明する。まず、真空状態を保つことができるスパッタ装置のチャンバー内に上記５つのターゲットを配置する。そして、真空度が１×１０−６〔Ｔｏｒｒ〕程度になるまで真空引きを行った後、Ａｒガス（もしくはＫｒガス）を導入し、チャンバー内の気圧を３×１０−３〔Ｔｏｒｒ〕に保つ。この状態で、まずＳｉＮターゲットとディスク基板間に高周波の電圧を印加すると（通常、ディスク基板側がグランドとされる）、ＳｉＮターゲットからＳｉＮ分子が飛び出し、これがディスク基板に成膜されることで、保護層が成膜される。次のＧｄＦｅＣｏからなる再生層の成膜時においては、まずＳｉＮへの電圧印加がストップされ、そしてＧｄＦｅＣｏターゲットとディスク基板間に高周波の電圧が印加される。以下、同様の要領で、ＴｂＦｅからなる中間層、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層、ＧｄＦｅからなる記録補助層、ＳｉＮからなる保護層が成膜される。各層の膜厚は、各ターゲットに電圧を印加する時間を変えることで（膜厚に比例したパワー投入時間とすれば良い）制御することができる。
【００４２】
また、各層の組成を微調整したい場合は、合金ターゲットにチップを載せることで実現することができる。例えば、Ｇｄの組成を多くすることで、記録補助層の磁気的異方性を変えたい場合、Ｇｄチップを合金ＧｄＦｅのターゲットに載せた複合ターゲットを用いて成膜すると良い。また、記録補助層のキュリー温度を変えたい場合は、ＧｄＦｅに微量のＳｉＮを混入させれば良い。ＳｉＮターゲットを合金ＧｄＦｅの合金ターゲットを同時に放電させればＧｄＦｅ−ＳｉＮ混合膜が形成可能となる。ＳｉＮを混入することでキュリー温度を下げることが可能となる。
【００４３】
図１０は、上記の光磁気記録媒体６０及び光磁気記録媒体７０にＮＲＺＩ変調されたランダムパターンからなるマークの記録を行い、これを再生したときのビットエラーレートを示したグラフである。横軸は前記ランダムパターンにおける最短マーク長を表すものである。記録はパルス光磁界変調記録（ＬＰ−ＭＦＭ：Ｌａｓｅｒ  Ｐｕｌｓｅ  −  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）により行った。レーザ光は基板側（図８のＳｕｂ側）から入射させた。
【００４４】
ここでは、記録時の線速度は２〔ｍ／ｓ〕、記録パワーは８〔ｍＷ〕、発光比は３０〔％〕、記録磁界は、光磁気記録媒体７０のそれは３５０〔Ｏｅ〕、光磁気記録媒体６０のそれは２５０〔Ｏｅ〕である。記録磁界が異なるのは、それぞれの記録媒体における最適記録磁界の大きさが異なっていたからである。また、再生時の線速度は５〔ｍ／ｓ〕、再生パワーは２．７５〔ｍＷ〕である。
【００４５】
図１０によれば、ビット長が０．１２〔μｍ〕以下である場合、光磁気記録媒体６０のビットエラーレートは、光磁気記録媒体７０のそれよりも低くなっていることが分かる。上記のような光磁気記録媒体６０、光磁気記録媒体７０をそれぞれ複数枚作製し、同様の実験を行ったが、常に同様の結果を得ることができた。光磁気記録媒体６０は、上記で説明したような記録補助層６を有しており、光磁気記録媒体６０のビットエラーレートが低くなっているのは、記録補助層６を設けたことによる効果であると考えられる。
【００４６】
今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態及び実施例の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００４７】
尚、本発明は、上記実施の形態に示した光磁気記録媒体に限らず、他の種別の光磁気記録媒体にも適用可能であるが、特にＭＡＭＭＯＳ、ＤＷＤＤ等、最適マーク長が極めて微小になる磁区拡大方式に従う光磁気記録媒体に適用して優れた効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】光磁気記録媒体１０の断面構造図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体１０の記録層５及び記録補助層６の飽和磁化の温度依存性と、記録層５の保磁力の温度依存性を示す図である。
【図３】光磁気記録媒体１０への記録時の磁区形状を模式的に示したものである。
【図４】光磁気記録媒体２０の断面構造図である。
【図５】光磁気記録媒体３０の断面構造図である。
【図６】光磁気記録媒体４０の断面構造図である。
【図７】光磁気記録媒体５０の断面構造図である。
【図８】実施例に係る光磁気記録媒体６０と、比較例に係る光磁気記録媒体７０の断面構造図である。
【図９】光磁気記録媒体６０を作製するスパッタ装置内におけるターゲットの配置を示した図である。
【図１０】実施例に係る光磁気記録媒体６０と、比較例に係る光磁気記録媒体７０の再生ビットエラーレートのビット長依存性を示したものである。
【図１１】磁区拡大方式による再生を行う光磁気記録媒体１００の信号再生機構を説明する図である。
【符号の説明】
【００４９】
５  記録層
６  記録補助層
２１  レーザ光
２２  記録磁界
５１、５２  （記録層の）磁区
５３、５４、５５、５６  （記録層の）磁壁
６１  （再生層の）磁区
６２  （再生層の）磁壁
【図１】
2005196815.tif 000003
【図２】
2005196815.tif 000004
【図３】
2005196815.tif 000005
【図４】
2005196815.tif 000006
【図５】
2005196815.tif 000007
【図６】
2005196815.tif 000008
【図７】
2005196815.tif 000009
【図８】
2005196815.tif 000010
【図９】
2005196815.tif 000011
【図１０】
2005196815.tif 000012
【図１１】
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