(57)【要約】【課題】小径のビアホールおよびビア導体を有する配線基板およびこれを確実に製造できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】コア基板(下層樹脂絶縁層)１と、その表・裏面２，３に形成された配線パターン層４，５と、コア基板１および配線パターン層４，５の表面上に形成された上層樹脂絶縁層６，７と、上層樹脂絶縁層６，７を貫通するビアホール１０，１１と、ビアホール１０，１１内に形成され且つ上記配線パターン層４，５と電気的に接続されたビア導体１２，１３と、を含み、上層樹脂絶縁層６，７は、平均粒径が１．０μｍ以上で且つ１０．０μｍ以下のＳｉＯ２からなる無機フィラを３０wt％以上で且つ５０wt％以下含むエポキシ樹脂を主成分とすると共に、ビアホール１０，１１の配線パターン層４，５側の下端開口径は、４０μｍ以上で且つ６０μｍ未満である、配線基板Ｋ。【選択図】  図１４
2005150553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層樹脂絶縁層と、
上記下層樹脂絶縁層の表面に形成された配線パターン層と、
上記下層樹脂絶縁層および上記配線パターン層の表面上に形成された上層樹脂絶縁層と、
上記上層樹脂絶縁層を貫通するビアホールと、
上記ビアホール内に形成され且つ上記配線パターン層と電気的に接続されたビア導体と、を含み、
上記上層樹脂絶縁層は、平均粒径が１．０μｍ以上で且つ１０．０μｍ以下のＳｉＯ２からなる無機フィラを３０wt％以上で且つ５０wt％以下含むエポキシ樹脂を主成分とすると共に、
上記ビアホールの上記配線パターン層側の下端開口径は、４０μｍ以上で且つ６０μｍ未満である、ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
下層樹脂絶縁層の表面に配線パターン層を形成する工程と、
上記下層樹脂絶縁層および上記配線パターン層の表面上に上層樹脂絶縁層を形成する工程と、
上記上層樹脂絶縁層にレーザ加工によりビアホールを形成する工程と、を含み、
上記上層樹脂絶縁層は、平均粒径が１．０μｍ以上で且つ１０．０μｍ以下のＳｉＯ２からなる無機フィラを３０wt％以上で且つ５０wt％以下含むエポキシ樹脂を主成分とし、
上記ビアホールの上記配線パターン層側の下端開口径は、４０μｍ以上で且つ６０μｍ未満であると共に、
上記ビアホールは、上記レーザ加工における複数回のショットによりが開口される、ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ビアホールを形成する工程の後に、かかるビアホールの内壁面を粗化する工程を有し、かかる粗化後における上記内壁面のＲａは０．２μｍ以上で１．０μｍ以下の範囲にある、
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小径のビアホールおよびビア導体を有する配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高性能化および信号処理速度の高速度化の趨勢に応じて、配線基板の小型化、配線パターン層のファインピッチ化、およびビア導体の小径化の要請が高まっている。
例えば、１つの配線パターン層および隣接する２つの配線パターン層同士間の樹脂絶縁層は、一般に断面の縦×横：２５μｍ×２５μｍが実用的な限界であったが、これらをそれぞれ２０μｍ未満にすることが求められている。
かかる要請に応じるためには、上層側と下層側の配線パターン層間を接続するビア導体およびこれを内設せしめるビアホールの小径化が求められている。
【０００３】
例えば、下層のランドの直径が１３２μｍで且つ上層のランドの直径が１３８μｍの場合、これらの間に形成される従来のビアホールおよびビア導体における下端の直径は約６０μｍで且つ上端の直径は約６８μｍであった(例えば、特許文献１参照)。
ところで、配線パターン層を一層ファインピッチ化するには、例えば、下層のランドの直径を１０３μｍとし且つ上層のランドの直径を１１０μｍとする場合、これらの間に形成するビアホールおよびビア導体における下端の直径を約４０〜６０μｍの範囲で且つ上端の直径を約６５μｍ以下にする必要がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２５８４３０(第４頁、図１，２)
【０００５】
しかしながら、上記のような小径のビアホールを樹脂絶縁層に形成するには、従来の無機フィラを約１８wt％含む樹脂絶縁層やレーザ照射条件（例えば、出力：０．４ｍｊ、レーザ加工装置のスリット開口の開口径：０.５μｍ、ショット回数：２回）では不可能であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上に説明した背景技術の問題点を解決し、小径のビアホールおよびビア導体を有する配線基板およびこれを確実に製造できる配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するため、ビアホールを形成すべき樹脂絶縁層を選定し且つレーザ条件を最適化する、ことに着目して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板(請求項１)は、下層樹脂絶縁層と、かかる下層樹脂絶縁層の表面に形成された配線パターン層と、上記下層樹脂絶縁層および上記配線パターン層の表面上に形成された上層樹脂絶縁層と、かかる上層樹脂絶縁層を貫通するビアホールと、かかるビアホール内に形成され且つ上記配線パターン層と電気的に接続されたビア導体と、を含み、
上記上層樹脂絶縁層は、平均粒径が１．０μｍ以上で且つ１０．０μｍ以下のＳｉＯ２からなる無機フィラを３０wt％以上で且つ５０wt％以下含むエポキシ樹脂を主成分とすると共に、上記ビアホールの上記配線パターン層側の下端開口径は、４０μｍ以上で且つ６０μｍ未満である、ことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、多量の無機フィラを含む上層樹脂絶縁層に小径なビアホールが精度良く形成されているため、下層の配線パターンと上層の配線パターンとをファインピッチに配線しても、これらの間を導通するビア導体を小径にして精度良く配置できる。従って、配線パターン層をファインピッチ化でき、小型化した配線基板とすることができる。
尚、下層樹脂絶縁層は、その表面に配線パターン層が形成され且つかかる配線パターン層および当該下層樹脂絶縁層の表面上にビアホールが貫通する上層樹脂絶縁層が形成されるものであり、例えばコア基板やビルドアップ層中の樹脂絶縁層が含まれる。また、上層樹脂絶縁層は、上記配線パターン層および下層樹脂絶縁層の表面上に形成され且つ上記ビアホールが貫通するものであり、下層樹脂絶縁層とは、互いに相対的な呼称である。
尚更に、ビアホールの前記下端開口径を４０μｍ以上としたのは、下端開口径が４０μｍ未満になると、そこに形成されるビア導体と下層の配線パターン層との電気的導通および密着力が不十分になるおそれがあるためであり、且つ６０μｍ未満としたのは、６０μｍ以上では配線パターン層のファインピッチ化に対応し難くなるためである。
【０００９】
付言すれば、前記ビアホールにおける前記配線パターン層と反対側の上端開口径は、６０μｍ以上で且つ６５μｍ以下である、配線基板も本発明に含まれ得る。これによる場合、上記ビアホールに形成されるビア導体と上層の配線パターン層との間で、電気的導通および密着力を十分に確保でき、且つ配線パターン層のファインピッチ化に容易に対応することも可能となる。
また、前記配線パターン層は、平面視でほぼ円形に形成されたビアランドであり、かかるビアランドの直径は、６０μｍ以上で且つ１１０μｍ以下である、配線基板も本発明に含まれ得る。これによる場合、前記ビアホールに形成されるビア導体と当該ビアランドとの接続が確実に行え且つ隣接する配線パターン層との間に電気的絶縁に必要な距離を確保することが可能となる。
尚、ビアランドの直径が１１０μｍを越えると、配線パターン層のファインピッチ化に対応し難くなるため、かかる範囲を除いた。
【００１０】
一方、本発明の配線基板の製造方法(請求項２)は、下層樹脂絶縁層の表面に配線パターン層を形成する工程と、上記下層樹脂絶縁層および上記配線パターン層の表面上に上層樹脂絶縁層を形成する工程と、かかる上層樹脂絶縁層にレーザ加工によりビアホールを形成する工程と、を含み、
上記上層樹脂絶縁層は、平均粒径が１μｍ以上で且つ１０μｍ以下のＳｉＯ２からなる無機フィラを３０wt％以上で且つ５０wt％以下含むエポキシ樹脂を主成分とし、上記ビアホールの上記配線パターン層側の下端開口径は、４０μｍ以上で且つ６０μｍ未満である、ことを特徴とする。
これによれば、多量の無機フィラを含む上層樹脂絶縁層に小径なビアホールを精緻に形成できるため、下層の配線パターン層と上層の配線パターン層とをファインピッチに配線しても、これらの間を導通するビア導体を小径にして精度良く配置できる。従って、配線パターン層をファインピッチに形成したり、小型化した配線基板を確実に製造することが可能となる。
【００１１】
また、本発明には、前記ビアホールを形成する工程の後に、かかるビアホールの内壁面を粗化する工程を有し、かかる粗化後における上記内壁面のＲａは０．２μｍ以上で１．０μｍ以下の範囲にある、配線基板の製造方法(請求項３)も含まれる。これによれば、小径の上記ビアホール内に追って形成される小径のビア導体を前記上層樹脂絶縁層に強固に密着させることができる。
尚、粗化後におけるビアホールの内壁面のＲａは０．２μｍ以上で１．０μｍ以下の範囲にあり、且つＲｚは０．２μｍ以上で１．０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。ここで、Ｒａは中心線平均粗さ、Ｒｚは十点平均粗さを示す。
【００１２】
付言すれば、前記レーザ加工は、３回以上のショットにより前記ビアホールを開口する、配線基板の製造方法も本発明に含まれ得る。
これによる場合、多量の無機フィラを含む上層樹脂絶縁層に対し、前記下端開口径を有するビアホールを確実に形成可能とし得る。
また、前記上層樹脂絶縁層に照射するレーザの条件は、出力：約０．４ｍＪ、レーザ加工装置のスリット開口の開口径：約０．５５ｍｍ以上で且つ０．６４ｍｍ以下である、配線基板の製造方法も本発明に含まれ得る。
これによる場合も、上層樹脂絶縁層に対し、前記下端開口径を有するビアホールを確実に形成可能とし得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、厚さ約０．７ｍｍのビスマレイミドトリアジン(ＢＴ)樹脂からなるコア基板(下層樹脂絶縁層)１の断面を示し、その表面２および裏面３には、厚さ約７０μｍの銅箔４，５が個別に被覆されている。かかる銅箔４，５の上に図示しない感光・絶縁性のドライフィルムを形成し、所定パターンの露光および現像を施した後、得られたエッチングレジストを剥離液で除去する(公知のサブトラクティブ法)。
尚、コア基板１を複数有する多数個取りのパネルを用い、各コア基板１に対して同様な工程を行っても良い(以下の各工程についても同じ)。
その結果、図２に示すように、銅箔４，５は、上記パターンに倣った配線パターン層４，５となる。
【００１４】
次に、図３に示すように、コア基板１の表面２および配線パターン層４の表面と、裏面３および配線パターン層５の表面とに、無機フィラｆを含むエポキシ樹脂からなる絶縁性フィルムを個別に被覆して上層樹脂絶縁層６，７を形成する。かかる上層樹脂絶縁層６，７は、約４０μｍの厚みで且つほぼ球形であるＳｉＯ２からなる無機フィラｆを３０〜５０wt％(本形実施態では、３６wt％)含有すると共に、伸び率：６％以下(本形実施態では、５．０％)、ヤング率：３．６〜５ＧＰａ(本形実施態では、４．０ＧＰａ)、平面(Ｘ−Ｙ)方向の熱膨張率：約５０ｐｐｍ／℃以下(本形実施態では、４６ｐｐｍ／℃)の特性を有する。尚、無機フィラｆの平均粒径は、１．０μｍ以上で且つ１０．０μｍ以下の範囲にある。
【００１５】
次いで、図４に示すように、コア基板１、配線パターン層４，５、および上層樹脂絶縁層６，７の所定の位置にドリルによる孔明け加工を行い、内径が約２００μｍのスルーホール８を形成する。
図５は、本発明に用いるレーザ加工装置の概略を示す。図示しない発光源から出力：０．４ｍｊで発射された炭酸ガスレーザＬは、絞り板ｐの開口径(アーパーチャ)ｓ：０．５５〜０．６４μｍのスリット開口を通過し、集光レンズｒで集束された位置にショット(照射)される。係るショットの回数は、３回またはそれ以上とされる。
【００１６】
次述するレーザ加工を行うことにより、図６に示すように、上層樹脂絶縁層６，７における所定の位置にかかる上層樹脂絶縁層６，７を貫通し且つ底面には配線パターン層４，５が露出するほぼ円錐形状のビアホール１０，１１が形成される。
図６中の一点鎖線部分Ｘにおけるビアホール１０の形成するレーザ加工工程を図７〜９により具体的に説明する。
前記出力などの炭酸ガスレーザＬ１で、上層樹脂絶縁層６の所定の位置に対して１回目のショットを行う。この結果、図７に示すように、かかる上層樹脂絶縁層６の表面には、浅くカーブして窪んだ凹部１０ａが形成される。凹部１０ａが浅いのは、上層樹脂絶縁層６中に無機フィラｆが多く含まれているためである。
【００１７】
更に、炭酸ガスレーザＬ２で、凹部１０ａの中心付近の上層樹脂絶縁層６に対して２回目のショットを行う。この結果、図８に示すように、かかる上層樹脂絶縁層６の表面には、深くカーブして窪んだ断面ほぼ半円形の凹部１０ｂが形成される。
引き続いて、炭酸ガスレーザＬ３で、凹部１０ｂの中心付近の上層樹脂絶縁層６に対して３回目のショットを行う。この結果、図９に示すように、かかる上層樹脂絶縁層６を貫通しほぼ円錐形状のビアホール１０が形成される。かかるビアホール１０における下端開口径は４０μｍ〜６０μｍ未満、上端開口径は６５μｍまたはこれ以下の比較的小径に形成できる。これは、上層樹脂絶縁層６が無機フィラｆを多く含むことに対応して、前記スリット開口径ｓを広くし且つショット回数を増やしたことによる。尚、３回目のレーザショットでもビアホール１０の形状や内径が小さい場合は、４回目のショットを行っても良い。
【００１８】
次に、ビアホール１０内を含む上層樹脂絶縁層６の表面に対して、６０〜８０℃で５〜１０分間にわたり膨潤処理を施す。その結果、上層樹脂絶縁層６(７)の表面およびビアホール１０(１１)の内壁面には、上記溶液が浸透した脆弱な膨潤状態の表層部が形成される。
次いで、上記膨潤処理されたコア基板１などまたはパネルを水洗した後、そのビアホール１０(１１)が形成された上層樹脂絶縁層６，７の表層部に対し、ＮａＭｎＯ４・３Ｈ２ＯまたはＫＭｎＯ４に約８０℃×約２０〜３０分間浸漬する粗化処理を施す。
その結果、図１０に示すように、上層樹脂絶縁層６(７)の表面やビアホール１０(１１)の内壁面には、表層部が粗化した多数の凹凸を含む粗化面６ａ(７ａ)が形成される。かかる粗化面６ａ(７ａ)の粗さは、Ｒａにて０．２μｍ以上で１．０μｍ以下、Ｒｚにて０．２μｍ以上で１．０μｍ以下の範囲にある。尚、この間に平行して、前記スルーホール８の内壁面も上記と同様に粗化されている。
【００１９】
更に、粗化されたビアホール１０，１１の内壁面、上層樹脂絶縁層６，７の粗化面６ａ(７ａ)、およびスルーホール８の内壁面に対し、Ｐｄを含むメッキ触媒を塗布した後、無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。
その結果、図１１に示すように、上層樹脂絶縁層６，７の表面全体に銅メッキ膜ｃ１がそれぞれ形成され、スルーホール８には厚みが約４０μｍでほぼ円筒形のスルーホール導体１４が形成される。同時に、ビアホール１０，１１内には、追加の銅メッキを施すことで、フィルドビア導体１２，１３が形成される。
【００２０】
次に、図１２に示すように、スルーホール導体１４の内側に前記同様の無機フィラを含む充填樹脂９を充填する。尚、充填樹脂９は、金属粉末を含む導電性または非導電性の樹脂としても良い。
更に、図１２に示すように、銅メッキ膜ｃ１，ｃ１の上面および充填樹脂９の両端面に電解銅メッキによる銅メッキ膜ｃ２，ｃ２を形成し、同時に充填樹脂９の両端面を蓋メッキする。尚、銅メッキ膜ｃ１，ｃ２全体の厚みは、約１５μｍである。
【００２１】
次いで、銅メッキ膜ｃ１，ｃ２の上方に、図示しない感光・絶縁性のドライフィルムを形成し、且つ所定パターンの露光および現像を施した後、得られたエッチングレジストとその直下に位置する銅メッキ膜とｃ１，ｃ２を剥離液によって除去する。その結果、図１３に示すように、上層樹脂絶縁層６，７の表面には、上記パターンに倣った配線パターン層１６，１７が形成される。
配線パターン層１６，１７やビア導体１２，１３は、これらと隣接する上層樹脂絶縁層６，７の表面が粗化(６ａ，７ａ)されているため、配線パターン層１６，１７を狭小のファインピッチ化したり、ビア導体１２，１３を小径化しても、上層樹脂絶縁層６，７との間で強固な密着性を得ることができる。
【００２２】
更に、図１４に示すように、上層樹脂絶縁層６および配線パターン層１６の表面上と、上層樹脂絶縁層７および上記配線パターン層１７の表面上とに、前記同様の厚みの絶縁性フィルムを個別に被覆して、新たな上層樹脂絶縁層１８，１９を形成する。尚、かかる上層樹脂絶縁層１８，１９に対して、前記樹脂絶縁層６，７は下層樹脂絶縁層となる。
次に、上層樹脂絶縁層１８，１９の表面における所定の位置に対し、その厚み方向に沿って炭酸ガスレーザを前記同様の条件照射することにより、図１４に示すように、上層樹脂絶縁層１８，１９を貫通し且つ底面に配線パターン層１６，１７が露出するほぼ円錐形状で小径なビアホール２０，２１を形成する。
上記ビアホール２０，２１の内壁面を含む上層樹脂絶縁層１８，１９の表面全体に対し、前途同様の膨潤処理および粗化処理からなる粗化工程を行って、それらの表面に多数の凹凸を有する前記同様の粗化面を形成する。
【００２３】
次いで、上記ビアホール２０，２１を含む粗化された上層樹脂絶縁層１８，１９の表面全体に対し、予め前記同様のメッキ触媒を塗布した後、無電解銅メッキを施し、厚みが約０．５μｍの銅薄膜層(図示せず)を形成する。
次に、上記銅薄膜層の表面全体に、厚みが約２５μｍのエポキシ系樹脂からなる感光・絶縁性の絶縁フィルム(図示せず)を被覆する。かかる絶縁フィルムに対して、所定パターンの露光および現像を施した後、露光部分または非露光部分を剥離液により除去する。
その結果、銅薄膜層の表面に上記パターンに倣ったメッキレジスト(図示せず)が形成される。同時に、ビアホール２０，２１上方の左右に隣接している銅薄膜層の表面には、幅広の隙間(図示せず)が形成される。
【００２４】
次いで、隙間の底面やビアホール２０，２１内に位置する銅薄膜層に対し、電解銅メッキを施す。その結果、図１４に示すように、ビアホール２０，２１内にはフィルドビア導体２２，２３が個別に形成され、前記隙間にはビア導体２２，２３と接続する配線パターン層(ビルドアップ配線層)２４，２５が形成される。その後、前記メッキレジストおよびその直下の銅薄膜層を除去する。
かかる配線パターン層２４，２５やフィルドビア導体２２，２３も、これらと隣接する上層樹脂絶縁層１８，１９の表面が粗化されているため、配線パターン層２４，２５を狭小なファインピッチとしたり、小径化なビア導体２２，２３としても、上層樹脂絶縁層１８，１９との間で強固な密着性を得ることができる。
【００２５】
更に、図１４に示すように、配線パターン層２４が形成された上層樹脂絶縁層１８の表面上に前記同様の樹脂で厚みが約２５μｍのソルダーレジスト層(絶縁層)２６を、前記配線パターン層２５が形成された上層樹脂絶縁層１９の表面上に上記同様のソルダーレジスト層(絶縁層)２７を形成する。
ソルダーレジスト層２６，２７の所定の位置にレーザなどにより配線パターン層２４，２５に達する孔明け加工を行い、図１４に示すように、第１主面２８に開口するランド３０または第２主面２９に開口する開口部３１を形成する。
【００２６】
上記ランド３０上には、第１主面２８よりも高く突出するハンダバンプ３２を形成し、それらの上にハンダを介して図示しないＩＣチップなどの電子部品の実装を可能とする。尚、ハンダバンプ３２は、例えばＳｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、またはＳｎ−Ｚｎ系などの低融点合金から形成される。
そして、図１４に示すように、配線パターン層２５から延び且つ開口部３１の底面に位置する配線３３の表面に図示しないＮｉメッキおよびＡｕメッキを施し、図示しないマザーボードなどのプリント基板と接続する接続端子とする。
【００２７】
以上の各工程を経ることにより、図１４に示すように、コア基板１の表面２および裏面３の上方にファインピッチ化した配線パターン層１６，２４および小径なビア導体１２，２２を含むビルドアップ層ＢＵ１や配線パターン層１７，２５および小径なビア導体１３，２３を含むビルドアップ層ＢＵ２を有する本発明の配線基板Ｋを得ることができる。
尚、配線基板Ｋは、コア基板１の表面２の上方にのみビルドアップ層ＢＵ１を設けた形態としても良い。かかる形態では、コア基板１の裏面３側には、配線パターン層１７およびソルダーレジスト層２７のみが形成される。
【００２８】
以上のような本発明の配線基板Ｋおよびその製造方法によれば、多量の無機フィラｆを含む上層樹脂絶縁層６，１８，７，１９に前記条件で炭酸ガスレーザＬを照射したため、下端開口径と上端開口径とが小径化したビアホール１０，１１，２０，２１が形成でき、これらに相似形のフィルドビア導体１２，１３，２２，２３を確実に形成できる。このため、配線パターン層１６，１７，２４，２５が狭小なファインピッチにして配線されてもこれらの間を電気的特性を保ちつつ確実に接続して導通を取ることができる。従って、配線基板の小型化や配線パターン層のファインピッチ化に寄与することが可能となる。
【００２９】
本発明は、以上において説明した形態に限定されるものではない。
前記製造方法の各工程は、製品単位であるコア基板１を複数個有する多数個取り用の大版パネルにより行っても良い。
また、下層樹脂絶縁層となるコア基板は、前記ＢＴ樹脂に限らず、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良く、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いることも可能である。
あるいは、前記コア基板の材質をセラミックとしても良い。かかるセラミックには、アルミナ、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成基板を用いることもできる。更には、銅合金やＦｅ−４２wt％Ｎｉ合金などからなるメタルコア基板を用い且つのその全表面を絶縁材で被覆したものを用いても良い。
また、コア基板のないコアレス基板の形態としても良く、かかる形態では、例えば前記上層樹脂絶縁層６，７が絶縁基板となる。
【００３０】
更に、前記配線層４，５の材質は、前記Ｃｕ(銅)の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
また、前記上層樹脂絶縁層６，７などは、前記無機フィラを含有していれば、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。
更に、ビア導体は、前記フィルドビア導体１２などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による配線基板の製造方法の１工程を示す概略断面図。
【図２】図１に続く製造工程を示す概略断面図。
【図３】図２に続く製造工程を示す概略断面図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略断面図。
【図５】本発明に用いるレーザ装置を示す概略図。
【図６】図４に続く製造工程を示す概略断面図。
【図７】図６中の一点鎖線部分Ｘの拡大図で且つ図４に続く製造工程を示す概略断面図。
【図８】図７に続く製造工程を示す概略断面図。
【図９】図８に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１０】図９に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１１】図１０に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１２】図１１に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１３】図１２に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１４】図１３に続く製造工程および得られた配線基板を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００３２】
１…………………………コア基板(下層樹脂絶縁層)
４，５，１６，１７……配線パターン層
６，７，１８，１９……上層樹脂絶縁層
１０,１１，２０,２１…ビアホール
１２,１３，２２,２３…フィルドビア導体(ビア導体)
ｆ…………………………ＳｉＯ２フィラ(無機フィラ)
Ｌ，Ｌ１〜Ｌ３…………炭酸ガスレーザ(レーザ)
ｓ…………………………スリット開口の開口径
Ｋ…………………………配線基板
【図１】
2005150553.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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