(57)【要約】【課題】試料である誘電体基板挿入時の測定周波数が誘電体基板の誘電率と厚さによらず、空洞共振器の共振周波数に比べて大きく変化しないで測定できる誘電体基板の誘電定数測定方法を提供する。【解決手段】円筒空洞の大きさを従来より小さくした円筒空洞Ｓ３の下部に試料誘電体板１を設置し、上下を導体板２ａ、２ｂで遮蔽した構造の設けた円筒空洞共振器を用いて共振周波数と無負荷Ｑを測定し、測定された共振周波数と無負荷Ｑとから、誘電体基板１の誘電定数を求める。【選択図】図３
2005214811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の円筒導体と第１の円筒導体の両端面をそれぞれ塞ぐ２枚の導体板とで第１の円筒空洞共振器を構成し、この第１の円筒空洞共振器の共振周波数ｆ１と無負荷Ｑ１とを測定し、前記共振周波数ｆ１と無負荷Ｑ１とから、第１の円筒導体の比導電率及び寸法を求める第１の工程と、
前記第１の円筒導体と片方の導体板との間に、第１の円筒導体の内径と異なる内径の円筒を有する第２の円筒導体を挟んで第２の円筒空洞共振器を構成し、この第２の円筒空洞共振器の共振周波数ｆ２と無負荷Ｑ２を測定し、前記共振周波数ｆ２と無負荷Ｑ２及び前記寸法と比導電率の値から、第２の円筒導体の比導電率及び寸法を求める第２の工程と、
前記第２の円筒導体の一端面を導体板で塞ぎ、第２の円筒導体の他端面に誘電体基板を配置し、該誘電体基板の裏面を他の導体板で遮蔽して、誘電体を装荷した第３の円筒空洞共振器を構成し、この誘電体を装荷した第３の空洞共振器の共振周波数ｆ３と無負荷Ｑ３を測定し、前記共振周波数ｆ３と無負荷Ｑ３及び前記寸法と比導電率の値から、前記誘電体基板の電気的物性値を求める第３の工程とを有することを特徴とする誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項２】
前記第２の円筒導体の内径は、前記第１の円筒導体の内径よりも小さい請求項１記載の誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項３】
前記第１の工程において測定される共振周波数と無負荷Ｑは、第１の円筒空洞共振器のＴＥモードの共振周波数と無負荷Ｑであり、
前記第２の工程において測定される共振周波数と無負荷Ｑは、第２の円筒空洞共振器のＴＥモードの共振周波数と無負荷Ｑである請求項１又は請求項２記載の誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項４】
前記第３の工程において測定される共振周波数と無負荷Ｑは、ＴＥモードの共振周波数と無負荷Ｑである請求項１又は請求項２記載の誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項５】
前記第３の工程において、第３の円筒空洞共振器の温度を変化させ、第３の円筒空洞共振器の共振周波数と無負荷Ｑの温度依存性を測定し、誘電体基板の電気的物性値の温度依存性を求める請求項１から請求項４のいずれかに記載の誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項６】
前記誘電体基板の電気的物性値は、誘電体基板の誘電率及び誘電正接である請求項１から請求項５のいずれかに記載の誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、第２の円筒導体と導体板で挟まれた誘電体基板の領域では、前記空洞共振器の共振周波数と同じ周波数を有する高周波信号の伝搬を減衰させるように誘電体基板の厚みが選ばれている請求項１から請求項６のいずれかに記載の誘電体基板の電気的物性値測定方法。
【請求項８】
第１の円筒導体と、
第１の円筒導体の両端面をそれぞれ塞ぐことのできる２枚の導体板と、
前記第１の円筒導体と導体板との間に挿入可能な、第１の円筒導体の内径と異なる内径の円筒を有する第２の円筒導体とを備えることを特徴とする誘電体基板の電気的物性値測定用治具。
【請求項９】
前記第２の円筒導体の内径は、前記第１の円筒導体の内径よりも小さいことを特徴とする請求項８記載の誘電体基板の電気的物性値測定用治具。
【請求項１０】
前記誘電体基板の電気的物性値は、誘電体基板の誘電率及び誘電正接である請求項８又は請求項９記載の誘電体基板の電気的物性値測定用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体基板の電気的物性値測定方法及び測定用治具に関するものであり、特にミリ波領域で電子部品又は回路基板として使用する誘電体基板の誘電率、誘電正接などの電気的物性値を測定するのに好適な誘電体基板の電気的物性値測定方法及び測定用治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
３０ＧＨｚ以上のミリ波帯における誘電体基板の誘電定数測定方法として、遮断円筒導波管法が提案されている。この円筒導波管の構造を図５に示す。この方法は、上下２個の円筒導波管の間に誘電体基板１を配置して共振器構造を構成し、ＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数と無負荷Ｑを測定し、該共振周波数と無負荷Ｑから誘電体基板１の比誘電率と誘電正接を計算する方法である。
【０００３】
また、誘電正接の計算のために必要な遮断円筒内壁の比導電率の測定は試料を挟まない状態で行われ、遮断円筒の両端に短絡導体板を配置して構成した空洞共振器のＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数と無負荷Ｑの測定から決定される。この比導電率の測定では、空洞共振器の共振周波数が測定したい周波数帯になるように共振器寸法を設計する。
【０００４】
このような遮断円筒導波管法では、比較的作製容易な１辺３０ｍｍ以下の角板形状、あるいは直径３０ｍｍ以下の円板形状の試料を用いて測定できるため、ミリ波帯における誘電定数測定方法として有効である。
【非特許文献１】針谷、清水、小林「遮断円筒導波管法によるミリ波複素誘電率の測定結果に関する検討」電子情報通信学会、信学技法ＭＷ2001-137(2001-12)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記遮断円筒導波管法では、測定試料である誘電体基板の誘電率や厚さによってＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数が、試料を挟まないときの空洞共振器の共振周波数に対して大きく低下する。その結果、測定したい周波数で測定を行うためには、試料の比誘電率が高いほど試料の厚さを薄くする必要がある。しかし、薄くするにも限度があり、加工が可能なある程度の厚みを持った試料では、所望の周波数で誘電定数を測定することが困難になるという問題があった。
【０００６】
また、誘電正接の解析するときに用いる円筒内壁の比導電率は、試料を挟まない状態で測定される。この測定周波数と試料を挟んだときの周波数の差があまりに大きいと比導電率の値に不確かさが生じる。これはミリ波帯では微小ながらも比導電率に周波数依存性があるためである。その結果、誘電体基板の誘電定数の測定精度が低下することも課題である。
【０００７】
例えば、前記非特許文献１では、直径７．０ｍｍ、長さ２６．１ｍｍを有する遮断円筒の比導電率測定の周波数は５３ＧＨｚであるのに対し、誘電体基板の比誘電率が２．１と低い場合では、厚さ０．２ｍｍの誘電体基板（四フッ化エチレン樹脂試料）の測定周波数は５２ＧＨｚであり、両周波数は近いため、四フッ化エチレン樹脂試料の誘電正接の測定精度は良好である。ところが同じ遮断円筒を用いて比誘電率が高い９．４のサファイア試料を測定すると、四フッ化エチレン樹脂と同じ厚さ０．２ｍｍの場合、測定周波数は４２ＧＨｚとなり、厚さ０．５ｍｍの場合、測定周波数は３２ＧＨｚとなる。このように、サファイア試料の厚みにより測定周波数は大きく低下する。
【０００８】
このように誘電率が高く厚い材料では、測定したい周波数帯で測定できない。測定しても、遮断円筒の比導電率測定の周波数と大きく異なり、電気的物性値の測定誤差が大きくなるという問題があった。
本発明は、誘電率の高い試料や厚い試料を共振器に挿入したときの共振周波数が、試料を挿入しないときの空洞共振器の共振周波数に対してあまり低下せず、測定したい周波数帯で測定でき、誘電体基板の電気的物性値の測定精度を大きく向上できる電気的物性値測定方法及び測定用治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法は、第１の円筒導体と第１の円筒導体の両端面をそれぞれ塞ぐ２枚の導体板とで第１の円筒空洞共振器を構成し、この第１の円筒空洞共振器の共振周波数ｆ１と無負荷Ｑ１とを測定し、前記共振周波数ｆ１と無負荷Ｑ１とから、第１の円筒導体の比導電率及び寸法を求める第１の工程と、前記第１の円筒導体と片方の導体板との間に、第１の円筒導体の内径と異なる内径の円筒を有する第２の円筒導体を挟んで第２の円筒空洞共振器を構成し、この第２の円筒空洞共振器の共振周波数ｆ２と無負荷Ｑ２を測定し、前記共振周波数ｆ２と無負荷Ｑ２とから、第２の円筒導体の比導電率及び寸法を求める第２の工程と、前記第２の円筒導体の一端面を導体板で塞ぎ、第２の円筒導体の他端面に誘電体基板を配置し、該誘電体基板の裏面を他の導体板で遮蔽して、誘電体を装荷した第３の円筒空洞共振器を構成し、この誘電体を装荷した第３の空洞共振器の共振周波数ｆ３と無負荷Ｑ３を測定し、前記共振周波数ｆ３と無負荷Ｑ３とから、前記誘電体基板の電気的物性値を求める第３の工程とを有する方法である。
【００１０】
この方法では、まず、第１の空洞共振器の共振周波数を所望の周波数に設計し、その共振周波数と無負荷Ｑ１の測定値より第１の円筒空洞の寸法と比導電率を求めておく。次に、第２の空洞共振器の共振周波数と無負荷Ｑ２の測定値から第２の円筒空洞の寸法と比導電率を求めておく。このときの共振周波数は、ほぼ所望の周波数となっている（もし、第２の円筒空洞を、直接、空洞共振器法を用いてその寸法及び比導電率を評価しようとすると共振周波数は、所望の周波数よりもはるかに高くなってしまう）。最後に第３の空洞共振器で誘電体基板の測定を行うことにより、加工が可能なある程度の厚みを持った誘電体基板でも、ほぼ所望の周波数で電気的物性値を測定することが可能になる。
【００１１】
本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法によって、誘電体基板の誘電率と厚さが違っても、測定周波数を大きく依存させずに、３０ＧＨｚ以上のミリ波帯における電気的物性値を測定できる理由を詳しく説明する。
従来の誘電定数測定方法は、図５（ａ）に示すような両端の導体を除去した円筒空洞Ｓ１０、もしくは図５（ｂ）に示すような両端に電波吸収体１４ａ、１４ｂを配置した円筒空洞Ｓ１１、あるいは図６（ａ）に示すような両端を導体１２ａ，１２ｂで塞いだ円筒空洞Ｓ１２を利用している。
【００１２】
図６（ｂ）は、両端を導体１２ａ，１２ｂで塞いだ円筒空洞共振器のＴＥ011モードの電界強度の分布を示すもので、この円筒空洞共振器のＴＥ011モードの電界強度は、空洞共振器の高さ方向の中心面（ｚ＝ｚ0の面）で最大になり、導体１２ａ，１２ｂのある両端でゼロになる。このような電界強度分布の傾向は、図５（ａ）又は図５（ｂ）に示した円筒空洞Ｓ１０又はＳ１１においても、共通している。
【００１３】
この円筒空洞Ｓ１０からＳ１２を用いた誘電定数測定方法を、３０ＧＨｚ以上のミリ波帯域に拡張した場合、空洞共振器の寸法が周波数に比例して小型になるのに対して、誘電体基板１の厚みｔは、割れない程度の厚みまでしか薄くできない。この結果、マイクロ波帯域に比べて、空洞共振器の寸法に対する基板の厚みｔが相対的に大きくなるため、誘電体基板１に蓄積されるＴＥ011モードの電界エネルギーが大きくなる。この状態では、試料を挿入していない状態の空洞共振器のＴＥ011モードの共振周波数に対して、試料を挿入した状態の共振周波数、すなわち電気的物性値の測定周波数が大きく低下する。つまり、電気的物性値の測定周波数は、誘電体基板１の比誘電率と厚さに大きく依存するようになる。
【００１４】
これに対して、本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法では、第３の円筒空洞共振器の端面に誘電体を配置することにより、本来のＴＥモード電界強度の小さな場所に誘電体基板１を配置することができる。
このため、加工が可能なある程度の厚みを持った試料でも、低くならない所望の周波数で誘電体基板の電気的物性値を測定することが可能になる。
【００１５】
前記第３の円筒空洞共振器Ｓ３における誘電体基板の比誘電率及び誘電正接は、モード整合法や有限要素法等の数値解析を行い、計算できる。軸対称の有限要素法を用いると本発明で使用するような軸対称形状の共振器に対して，寸法、比導電率、形状、比誘電率、誘電正接から共振電磁界分布、共振周波数、無負荷Ｑを精度よく短時間で計算できる。従って、これを応用すれば共振周波数や無負荷Ｑから試料の比誘電率や誘電正接を求めることができる。
【００１６】
さらに、本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法は、円筒空洞共振器の温度を変化させ、該円筒空洞共振器の共振周波数と無負荷Ｑの温度依存性を測定し、誘電体基板の電気的物性値の温度依存性を求めることを特徴とする。このような誘電体基板の電気的物性値測定方法では、より簡単に誘電体基板の電気的物性値の温度依存性を求めることができる。
【００１７】
前記第２の円筒導体の内径は、前記第１の円筒導体の内径よりも小さいことが望ましい。
前記誘電体基板の電気的物性値は、具体的には、誘電体基板の誘電率及び誘電正接である。
前記第３の工程において、第２の円筒導体と導体板で挟まれた誘電体基板の領域では、前記空洞共振器の共振周波数と同じ周波数を有する高周波信号の伝搬を減衰させるように誘電体基板の厚み及び誘電率が選ばれていることが望ましい。これは、共振器として動作させるためには、前記第２の円筒導体と導体板で挟まれた誘電体基板の領域で、前記空洞共振器の共振周波数と同じ周波数を有する高周波信号が伝搬して逃げていかないようにする必要があるからである。このため、伝搬方向には遮断モードとなるように、誘電体基板の厚み及び誘電率の範囲に制限がかかる。
【００１８】
また、本発明の測定用治具は、第１の円筒導体と、第１の円筒導体の両端面をそれぞれ塞ぐことのできる２枚の導体板と、前記第１の円筒導体と導体板との間に挿入可能な、第１の円筒導体の内径と異なる内径の円筒を有する第２の円筒導体とを備えることを特徴とする。このような測定用治具を用いることにより、より簡単な構成で誘電体基板の電気的物性値を容易に求めることができる。
【００１９】
本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法によって得た誘電体基板の誘電率と誘電正接より、誘電体基板の抵抗率を計算することができるので、本発明は誘電体基板の抵抗率測定方法としても機能する。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明によれば、３０ＧＨｚ以上のミリ波帯においても、空洞共振器の本来のＴＥモードの共振周波数と、誘電体基板挿入後の共振周波数の変化が小さいため、所望の周波数で誘電定数等の電気的物性値を測定できる。さらに、空洞共振器の実効比導電率の測定周波数と誘電定数の測定周波数が近いため、誘電正接の算出精度を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の第１工程に用いる測定用治具である円筒空洞共振器（第１の円筒空洞共振器という）の構造図である。この図１において、第１の円筒空洞共振器は、金属製円筒３ａの上下端面に導体板２ａ、２ｂを取りつけた構造となっている。金属製円筒３ａと導体板２ａ、２ｂとにより形成される円筒空洞をＳ１で表す。円筒空洞Ｓ１の内径をＤ、その高さをＨとする。この構造は、従来の空洞共振器の構造と同様であり、この第１の円筒空洞共振器の寸法Ｄ，Ｈ及び比導電率の評価方法はすでにJIS R 1641:2002で確立されており、その方法に従う。
【００２２】
図２は、第２工程に用いる測定用治具である円筒空洞共振器（第２の円筒空洞共振器という）の構造図である。この図２において、金属製円筒３ａの下面に、直径Ｄsの円い孔が空いた厚みＨsの導体板３ｂが設置される。導体板３ｂの下は導体板２ｂで塞がれる。この導体板３ｂによって内径Ｄs、高さＨsの円筒空洞Ｓ２が形成される。
図３は、第３工程に用いる測定用治具である円筒空洞共振器（第３の円筒空洞共振器という）の構造図である。この図３において、金属製円筒３ｂの下面に誘電体基板１が配置され、誘電体基板１の下は導体板２ｂで遮蔽される。金属製円筒３ｂの上面は導体板２ａで塞がれる。このようにして金属製円筒３ｂとその上の導体板２ａと導体板２ｂとで、誘電体基板１を装荷した円筒空洞Ｓ３が形成される。
【００２３】
以上の第２の円筒空洞共振器Ｓ２及び第３の円筒空洞共振器Ｓ３の励振方法の一例としては、金属製円筒３ｂの側壁に貫通孔を形成し、外部から空洞内部に向けて同軸ケーブルを挿通し、その内部側の先端にループアンテナを形成する構造を採用することができる。通常、ループアンテナの空洞共振器への挿入深さはＴＥ011モードの共振周波数における挿入損失が３０ｄＢ程度になるように調整する。
【００２４】
以上に説明した誘電体基板１の誘電率及び誘電正接の測定方法は、図４に示すフローチャートのようになる。
まず、図１に示す第１の空洞共振器の共振周波数を所望の周波数に設計し、その第１の空洞共振器の共振周波数と無負荷Ｑ（図４ではＱuと表示している）を測定する（ステップＳ１）。そして、これらの測定値により空洞の寸法Ｄ，Ｈと比導電率σを求める（ステップＳ２）。
【００２５】
次に、図２に示す第２の空洞共振器の共振周波数と無負荷Ｑを測定する（ステップＳ３）。このときの共振周波数は、ほぼ所望の周波数となっている。この第２の円筒空洞共振器の共振周波数及び無負荷Ｑ並びに前記第１の円筒空洞共振器の測定より求められた第１の円筒空洞共振器の寸法Ｄ，Ｈ及び比導電率を用いて、円筒空洞３ｂの寸法Ｄs，Ｈs及び比導電率σsを決定することができる（ステップＳ４）。
【００２６】
最後に図３に示す第３の空洞共振器で共振周波数と無負荷Ｑを測定する（ステップＳ５）。この第３の円筒空洞共振器の共振周波数、無負荷Ｑ、並びに第２工程で求めた円筒空洞Ｓ３の寸法Ｄs，Ｈs、及び比導電率σsと、第１工程で求めた導体板２ａ、２ｂの比導電率σとにより誘電体基板１の誘電率及び誘電正接を求めることができる。
以上のようにして、加工が可能なある程度の厚みを持った試料でも所望の周波数で誘電定数を測定することが可能になる。
【００２７】
なお、前記第１の工程と第２の工程とは、空洞Ｓ寸法や比導電率を測定するために一度行えばよく、複数枚の誘電体基板１を測定する場合でも、各誘電体基板１を測定するたびに毎回行う必要はない。
本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法は、有機系材料及び無機系誘電体基板の測定に好適に用いることができ、特にミリ波帯において最も効果があり、特に比誘電率が２以上２０以下の誘電体基板の測定に好適である。
【００２８】
また、本発明では、誘電体基板の厚みを厚くしても、第２の円筒導体３ｂの直径を調整することで共振周波数を調整できるため、誘電体基板を極端に薄くする必要はない。したがって、測定試料である誘電体基板の破損を防止でき、より高周波での測定が可能となる。
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。
【実施例】
【００２９】
本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法を実施した。
まず、空洞共振器の評価のために第1の工程を行った。
図１に示す第１の空洞共振器の寸法及び比導電率を評価した。通常は、この評価方法はすでにJIS R 1641:2002で確立されており、その方法に従えばよい。
しかし、今回は、測定治具の表面研磨状態の関係で、導体板２ａ、２ｂと円筒導体３ａの比導電率を別々に評価した。その方法を以下に説明する。導体板２ａ、２ｂの評価方法は、JIS R 1627に示されており、その方法に従った。直径２ｍｍ、長さ４ｍｍのサファイヤ棒を用い、ネットワークアナライザを用いて共振周波数及び無負荷Ｑの測定を行い、これより、導体板２ａ、２ｂの比導電率σr(pl)を得た。この結果を表1に示す。表１によれば、共振周波数ｆ0は51.416ＧＨｚ、無負荷Ｑは6781、導体板２ａ、２ｂの比導電率σr(pl)は７４．５％となった。比誘電率は、万国標準軟銅の導電率を１００％としたときの導電率（％）である。
【００３０】
【表１】
2005214811.tif 000003
【００３１】
続いて、JIS R 1641による評価方法にて第１の空洞共振器の測定を行ない、その測定結果から円筒導体３ａの寸法Ｄ，Ｈ、共振周波数、無負荷Ｑを得た。これと導体板２ａ、２ｂの前記比導電率σr(pl)より、円筒導体３ａの比導電率σr(cl)を算出した。この結果を表２に示す。表２によれば、共振周波数ｆ0は64.826ＧＨｚ、無負荷Ｑは7977、円筒導体３ａの比導電率σr(cl)は４５．７％となった。
【００３２】
【表２】
2005214811.tif 000004
【００３３】
次に、誘電体基板の測定で使用する円筒導体３ｂの評価のために第２の工程を行った。円筒導体３ｂを配置した第２の空洞共振器（図２参照）の共振周波数と無負荷Ｑの測定し、円筒導体３ｂの寸法Ｄs，Ｈs及び比導電率σr(cls)を求めた。ここでは、直径が異なる２種類の円筒導体３ｂの寸法及び比導電率を求めた。この結果を表３に示す。表３によれば、上段の円筒導体３ｂのＤsは5.059ｍｍ、Ｈsは1.991ｍｍ、共振周波数ｆ0は62.195ＧＨｚ、無負荷Ｑは7917、比導電率σr(cls)は４５％となった。下段の円筒導体３ｂのＤsは4.081ｍｍ、Ｈsは1.962ｍｍ、共振周波数ｆ0は63.738ＧＨｚ、無負荷Ｑは7407、比導電率σr(cls)は３３％となった。
【００３４】
【表３】
2005214811.tif 000005
【００３５】
次に、第３の空洞共振器（図３参照）を用いて誘電体基板の比誘電率、誘電正接の測定を行った。本測定に用いた誘電体基板（試料）は、厚さが０．５３３ｍｍのＣ面サファイア基板と厚さ０．９９７ｍｍのＬＴＣＣ基板（低温焼成セラミック基板）である。共振周波数及び無負荷Ｑの測定を行い、誘電体基板の比誘電率、誘電正接を計算した結果を表４に示す。この表４によれば、上段のＤsが5.059ｍｍの円筒導体３ｂにサファイア基板を設置した場合は、共振周波数ｆ0は58.089ＧＨｚ、無負荷Ｑは2141、比誘電率は９．４６、誘電正接は０．４かける１０-4となった。下段のＤsが4.081ｍｍの円筒導体３ｂにＬＴＣＣを設置した場合は、共振周波数ｆ0は58.477ＧＨｚ、無負荷Ｑは748、比誘電率は４．８７、誘電正接は１１．５×１０-4となった。
【００３６】
【表４】
2005214811.tif 000006
【００３７】
以上の結果から、表２に示した空洞共振器の共振周波数(64.8GHz)と、0.5ｍｍ厚みのサファイア基板を空洞共振器内に配置した後の共振周波数（58.089ＧＨｚ）の変化が少ないことが判る。サファイアの比誘電率は９．４であることが知られており、本測定結果はこれらと良く一致する。
また、サファイア試料の誘電正接測定は、誤差５０％と大きめであるが、ＬＴＣＣ等のセラミック試料の測定では高精度な測定ができた。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法に用いられる第１の円筒空洞共振器の構造を示す縦断面図である。
【図２】本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法に用いられる第２の円筒空洞共振器の一例を示す縦断面図である。
【図３】本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法に用いられる誘電体を装荷した第３の円筒空洞共振器の一例を示す縦断面図である。
【図４】本発明の誘電体基板の電気的物性値測定方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】従来の測定方法に係る中央に誘電体基板を配置した遮断円筒空洞共振器の縦断面図である。
【図６】従来の測定方法に係る中央に誘電体基板を配置した遮断円筒空洞共振器の縦断面図及び電界強度分布図である。
【符号の説明】
【００３９】
１ 誘電体基板（試料）
２ａ，２ｂ 導体板
３ａ，３ｂ 円筒導体
４ａ，４ｂ 電波吸収体
【図１】
2005214811.tif 000007
【図２】
2005214811.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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