(57)【要約】【課題】  半導体製造装置等に例示されるような駆動電力の供給について配慮をする必要がある電力供給において、電源装置から入力される電圧の降下等による悪影響を受けず、安定した出力電圧とする電力供給装置を提供する。【解決手段】  入力される交流を整流して第１の直流電圧を出力する整流回路３と、平滑回路５とを備える電力供給装置において、電力供給装置の電圧を検出する電圧検出回路１と、第１の直流電圧よりも高い第２の直流電圧を出力する倍電圧整流回路４とを備え、電圧検出回路１が検出する電圧降下の有無に関する情報に基づいて、入力される交流が整流回路３又は倍電圧整流回路４に入力される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される交流を整流して第１の直流電圧を出力する整流回路と、平滑回路とを備える電力供給装置において、
電力供給装置の電圧を検出する電圧検出回路と、前記第１の直流電圧よりも高い第２の直流電圧を出力する倍電圧整流回路とを備え、前記電圧検出回路が検出する電圧降下の有無に関する情報に基づいて、入力される交流が整流回路又は倍電圧整流回路に入力されることを特徴とする電力供給装置。
【請求項２】
請求項１記載の電力供給装置において、
上記整流回路又は倍電圧整流回路を選択するスイッチを備え、電圧降下の際には、該スイッチが倍電圧整流回路を選択することを特徴とする電力供給装置。
【請求項３】
請求項２記載の電力供給装置において、
整流部と、該整流部に並列接続される直列接続のコンデンサとを有しており、上記スイッチは、直列接続のコンデンサの中点と入力端子とを接続し、該スイッチの入切により上記倍電圧整流回路又は整流回路を選択することを特徴とする電力供給装置。
【請求項４】
請求項３記載の電力供給装置において、
上記スイッチと直列接続のコンデンサの中点との間にリアクトルを有することを特徴とする電力供給装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の電力供給装置において、
上記電圧検出回路での電圧降下検出の際には、上記スイッチを入に駆動させる駆動回路を備えることを特徴とする電力供給装置。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の電力供給装置において、
上記直列接続のコンデンサに並列に接続された第２のコンデンサを有することを特徴とする電力供給装置。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか１項に記載の電力供給装置において、
上記電圧検出回路は、整流して得た直流の電圧低下を検出することを特徴とする電力供給装置。
【請求項８】
請求項３〜７のいずれか１項に記載の電力供給装置において、
上記整流部と直列接続のコンデンサの間に、第２のスイッチと突入電流防止用素子とを有することを特徴とする電力供給装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電力供給装置において、
上記平滑回路の出力を任意の電圧と任意の周波数の交流に変換する逆変換回路を備えることを特徴とする電力供給装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電力供給装置を備える半導体製造装置。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電力供給装置を備える工作機械。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力供給装置及び半導体製造装置と工作機械であり、特に電源から供給される交流から直流を取り出し、直流出力として電力供給するか、または、交流出力に変換して電力供給する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置や工作機械等への電源供給は、安定して供給されることが要求されており、ＵＰＳ（無停電電源）を使用することが行われているが、高価なシステムとなっていた。
【０００３】
そして、半導体製造装置の駆動に対する推奨の規格として、ＳＥＭＩ  Ｆ４７−０９９９が有り、供給される定格電圧の瞬断等による電圧降下の割合及び電圧降下の時間が規定されているため、各種装置が提案されているが、低コストで満足する性能を示す電力供給装置は知られていない。
【０００４】
また、整流回路と倍電圧整流回路とを組合せた回路が提案されているが、電圧降下への対策は取られていない（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−３０７２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、半導体製造装置等に例示されるような駆動電力の供給について配慮をする必要がある電力供給において、電源装置から入力される電圧の降下等による悪影響を受けず、安定した出力電圧とする電力供給装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、入力される交流を整流して第１の直流電圧を出力する整流回路と、平滑回路とを備える電力供給装置において、電力供給装置の電圧を検出する電圧検出回路と、前記第１の直流電圧よりも高い第２の直流電圧を出力する倍電圧整流回路とを備え、前記電圧検出回路が検出する電圧降下の有無に関する情報に基づいて、入力される交流が整流回路又は倍電圧整流回路に入力される電力供給装置である。
【０００７】
また、本発明は、上記整流回路又は倍電圧整流回路を選択するスイッチを備え、電圧降下の際には、該スイッチが倍電圧整流回路を選択する電力供給装置である。
【０００８】
そして、本発明は、整流部と、該整流部の後段に設けた直列接続のコンデンサとを有しており、上記スイッチは、直列接続のコンデンサの中点と入力端子とを接続し、該スイッチの入切により上記倍電圧整流回路又は整流回路を選択する電力供給装置である。
【０００９】
更に、本発明は、上記スイッチと直列接続のコンデンサの中点との間にリアクトルを有する電力供給装置である。
【００１０】
また、本発明は、上記電圧検出回路での電圧低下検出の際には、上記スイッチを入に駆動させる駆動回路を備える電力供給装置である。
【００１１】
そして、本発明は、上記直列接続のコンデンサの後段に並列に接続された第２のコンデンサを有する電力供給装置である。
【００１２】
更に、本発明は、上記電圧検出回路は、整流して得た直流の電圧低下を検出する電力供給装置である。
【００１３】
また、本発明は、上記整流部と直列接続のコンデンサの間に、第２のスイッチと突入電流防止用素子とを有する電力供給装置である。
【００１４】
そして、本発明は、上記平滑回路の出力を任意の電圧と任意の周波数の交流に変換する逆変換回路を備える電力供給装置である。
【００１５】
更に、本発明は、上記の電力供給装置を備える半導体製造装置である。
【００１６】
また、本発明は、上記の電力供給装置を備える工作機械である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電力供給装置へ入力される電力の電圧降下が発生しても出力される供給電力に生ずる影響を小さくすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明を実施するための最良の形態の実施例を説明する。
図１に示す実施例の電力供給装置は、電圧検出回路１と、スイッチ２と、整流回路３と、倍電圧整流回路４と、平滑回路５とを有する。電圧検出回路１は、電力供給装置の電圧を検出する。スイッチ２は、電圧検出回路１が電圧降下を検出すると倍電圧整流回路４を選択し、復電すると整流回路３を選択する。整流回路３は、電源（図示せず）から供給される交流を整流して第１の直流電圧を出力する。倍電圧整流回路４は、電源から供給される交流を整流し、第１の直流電圧よりも高い第２の直流電圧を出力する。平滑回路５は、整流回路３又は倍電圧整流回路４で得られた波形からリプル（脈動）を取り除く。
【００１９】
本実施例の電力供給装置の出力特性について、図２を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、入力電圧と、従来例及び本実施例の出力電圧の特性の一例を示す。入力電圧が図２（ａ）に示すように、例えば１００％から５０％に電圧降下が生じたとき、従来例では、図２（ｂ）に示すように、電圧降下の影響を受けて１００％から５０％に電圧低下となる。それに対して、本実施例では、図２（ｃ）に示すように、電圧降下を受けた時に若干電圧が低下するが、倍電圧整流回路を選択するため、すぐに１００％に回復することができる。
【００２０】
本実施例の電力供給装置は、電源からの入力電圧の降下の有無に関する情報に基づいて、整流回路又は倍電圧整流回路を選択するため、電源から供給される交流に電圧降下が生じても、出力する直流には電圧低下が生じ難いため、出力側の装置への悪影響を減らすことができる。
【００２１】
本実施例の電力供給装置における復電時の動作について説明する。図２（ａ）に示すように、入力電圧が５０％から１００％に電圧が回復したとき、従来例では入力電圧に応じて１００％に回復するが、本実施例では、若干電圧が上昇し、そして、すぐに整流回路が選択されるため、１００％電圧に戻ることとなる。復電により電圧降下がなくなった際には、倍電圧整流回路のために、例えば平滑回路等の素子の定格の９０％程度となる前に倍電圧整流回路を切るのが好ましい。
【００２２】
なお、本実施例において、安全のために、倍電圧整流回路に切替え後、タイマー回路等の制御により、一定時間経過後、倍電圧整流回路からもとの回路への接続に戻すようにする。これにより、倍電圧整流回路の動作時間を制限することができる。
【００２３】
実施例１を説明する。実施例１の電源供給回路は、供給される交流が単相の例であり、図３に示すように、ダイオード６１からなる整流部と、整流部の後段に設けた直列接続の第１のコンデンサ６２ａ、ｂと、その後段の第２のコンデンサ６３と、電圧検出回路１１と、スイッチ２１と、リアクトル２２と、駆動回路２３とを備え、電源７から供給された交流から直流を取り出して逆変換回路８を介して負荷のモータ９に供給する。逆変換回路８は、任意の電圧と任意の周波数の交流に変換する。
【００２４】
実施例１において、整流部は、第１のコンデンサ６２ａ、ｂと、第２のコンデデンサ６３とは並列接続されており、直列接続の第１のコンデンサ６２ａ、ｂの中点は、リアクトル２２及びスイッチ２１を介して電源入力線に接続されている。電圧検出回路１１は、出力される直流の電圧降下を検出すると、駆動回路２３に電圧降下検出信号を送る。スイッチ２１は、通常時は切であるが、電圧検出回路１１が供給電圧の降下を検出すると入となる。図３の平滑後の検出位置にて、電圧の変化を検出する構成の場合は、例えば電力供給装置に入力されるのが３相交流であっても、直流電圧を検出するものとなる。したがって、３相交流の場合に、３相の各相について、電圧変化を検出する検出器を３個設ける必要もなくなり、小型、軽量化、部品点数削減に効果のあるものである。
【００２５】
また、一般的に３相の各相について検出器を設けようとすると、相互の絶縁状態を確保できる絶縁距離を確保しつつ、３つの検出器を設けること等を留意する必要がある。このことは、多相交流にて電力を供給される場合は、相の数の分だけ、検出器を必要とすることの装置の大型化に加え、各相間の絶縁距離を確保する必要性が生じ、大型化を招くものである。よって、図３に示すように、平滑後に電圧変化を検出する構成とする方が、更に、装置の小型、軽量化、部品点数削減に効果のあるものである。
【００２６】
もっとも、電圧変化の検出は、電力供給装置の入力側に設けるものであっても良い。本発明に基づく実施例においても、電圧変化の検出器を、電力供給装置の入力側に設けても良い。また、本実施例の電力供給装置は、単相交流及び三相交流に適用可能であり、単相交流のときに、整流部において、一部のダイオード６１は使用しない。
【００２７】
実施例１の電力供給装置において、スイッチ２１が切であるとき、ダイオード６１からなる整流部と、直列接続の第１のコンデンサ６２ａ、ｂ及び第２のコンデンサ６３とで整流回路を構成するが、スイッチ２１が入になると、ダイオード６１からなる整流部と、第１のコンデンサ６２ａ、ｂとで倍電圧整流回路を構成するようになる。このようにして、電圧降下がない通常時は整流回路が選択され、そして、電圧降下が生じると倍電圧整流回路が選択されるため、電圧低下が生じ難く安定した出力とすることができる。
【００２８】
上記では、「倍電圧整流回路が選択される」と記載しているが、これは、通常時は、整流回路として動作していたものが、スイッチ等の起動によって、倍電圧整流回路として動作するようになるものも含むものとする。倍電圧整流回路から整流回路への選択も同様である。例えば、図３に示すように、整流回路として動作していた処理回路が、スイッチが入り、回路素子が付加された結果、倍電圧整流回路として、構成され、または、倍電圧整流回路として、動作するようになることを意味する。このような構成とすることで、整流回路、または倍電圧整流回路の動作が提供されても、その構成する部品点数の増加を少なくすることが可能となる。即ち、部品点数としては、整流回路と倍電圧整流回路の両者を設ける場合の総部品点数よりも少ない部品点数にて構成することが可能となる。
【００２９】
勿論、整流回路と倍電圧整流回路の各々を設けておき、スイッチによって、選択、または切替えて動作する構成とするものであっても良い。
【００３０】
実施例１における実験データの一例を説明する。第１コンデンサ１１２０μＦ、第２コンデンサ２２４０μｍ、リアクトル０．５ｍＨをそれぞれ使用し、入力電圧ＡＣ１００Ｖ、出力トルク９．５５Ｎ・ｍで１ｋＷ相当負荷時における第２コンデンサの両端の測定電圧ＶＤＣを図４に示す。横軸は時間ｔ（１目盛１００ｍｓ）で、縦軸は電圧Ｖ（１目盛５０Ｖ）を示す。このように、実施例１の電力供給装置によれば、電圧降下を受けてもすぐに出力電圧を安定させることができる。
【００３１】
本発明に基づく実施例の電力供給装置における復電時に直流電圧が過電圧になることを防止する方法について説明する。図５に示すように、ダイオード６１からなる整流部の後段に第２のスイッチであるバイパススイッチ６４及び突入電流防止用素子６５を設けている。そして、復電時、倍電圧整流回路からもとの整流回路に戻す前にバイパススイッチ６４を一旦オフにし、電圧を突入電流防止用素子６５に負担させることにより、平滑コンデンサ６２ａ、ｂへの充電時間を遅らせ、もとの整流回路に戻すタイミングでバイパススイッチ６４をオンにする。このようにして、復電時に直流電圧が過電圧になることを防止することができる。
【００３２】
本発明の実施例の特徴を列記すると、以下の通りである。
１．直流チョッパ、直流／直流変換装置による昇圧制御方式の場合にはスイッチング素子によるノイズが発生するが、本発明の実施例では、このようなノイズが発生することもない。また、スイッチング素子等の部品点数の増大、装置の大型化、コストアップ等が本発明の実施例では抑えられる。
２．電圧降下に備えて、変圧器の二次電圧の出力タップとして、例えば２倍の電圧出力タップが選択、切替え可能とする構成とする方法が考えられる。この方法の場合、電圧降下が発生すると、上記の高い出力タップに切替えることで、電圧降下の影響を回避可能であるが、変圧器による損失が発生するという欠点がある。本発明の実施例では、このような変圧器の損失が発生しないし、特殊な変圧器を使用することによるコストアップ、装置寸法の大型化を回避できるものである。
３．平滑回路のコンデンサの容量を大きくすると、入力の電圧降下による影響を小さくすることは可能であるが、当該コンデンサが放電されると、その効果も得られなくなる。したがって、更にコンデンサの容量を大きくすればよいが、装置の大型化、コストアップを招くこととなる。
４．本発明の実施例では、少なくとも切替スイッチと駆動回路の追加により構成できるので、コスト、部品点数の増大を抑えられる。
【００３３】
上述の実施例における電力供給装置は、瞬断等のよる電圧降下が発生しても、電力供給装置の出力にその影響が生じ難いものである。したがって、瞬断等によっても作業、処理が正常に行われることを必要とする装置等に用いられると、有用な効果が得られる。その適用例として、半導体製造装置や工作機械等が挙げられる。
【００３４】
まず、半導体製造装置においては、製造される半導体の歩留まりを向上させることが要求されるものである。そのためには、半導体の材料となる、シリコンインゴット、ウエハ等の製造過程での作業、処理が正常に、若しくは安定して行われる必要がある。
【００３５】
これらの作業処理は、ある一定の時間継続して行われるものも多く、途中で中断されると、それまでの一連の作業等が無駄となり、場合によっては、作業対象物自体を全て破棄しなければならないものもある。
【００３６】
例えば代表的なＣＺ法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法＝チョクラスキー法、引き上げ法）を用いてのシリコンインゴットの製造では、シリコン単結晶の成長において、元となる融液の状態（例えば温度勾配、融液の対流等）を管理しながら、単結晶を回転させながら、一定した品質の単結晶を引き上げるものである。
【００３７】
したがって、瞬断等の影響が出力される供給電力に現れることで、この単結晶の成長過程での上記融液の状態が正常でなくなったり、単結晶の引き上げに異常が生ずると、最悪の場合は、製造途中の単結晶の品質が悪くなったり、破棄しなければならない場合が生ずる。この単結晶は、一般的に高価なものであり、複数の装置稼働時に瞬断等が発生すると、それらの複数の装置の単結晶全てを破棄することも有り得るもので、その場合は、損害は多大なものとなる可能性がある。
【００３８】
これらの点を踏まえ、上述の単結晶製造装置を含め、半導体製造装置では、供給される電力に対する瞬断等の影響回避は必須であり、この点で上述の実施例の電力供給装置を用いることで、より安定した半導体製造装置を提供可能となるのである。
【００３９】
これらを踏まえ、上述の電力供給装置を用いた実施例を以下に説明する。図６の半導体製造装置１００は、半導体等部材（ウエハの元になるシリコンインゴット、ウエハ、半導体基板、半導体チップ等を含む）１５０に対して、製造にて行われる作業をする作業部１４０と、半導体等部材１５０の状態（温度、濃度、位置等）を管理したり、制御する半導体等部材管理・制御部１３０と、少なくとも作業部１４０、半導体等部材管理・制御部１３０を制御する制御部１２０と、これらに電力を供給する電力供給装置１１０を含んで構成される。
【００４０】
上述した実施例に基づく電力供給装置１１０によって、電力が交流であれ、直流であれ、供給されるので、瞬断等によって、電力供給装置１１０に入力される電圧降下が生じても、電力供給装置１１０の働きによって、半導体製造装置１００に供給される電力に影響が出難くなる。
【００４１】
したがって、半導体等部材１５０に対する半導体等部材管理・制御部１３０の管理、制御も異常となり難くなり、作業部１４０による半導体等部材１５０に対する作業も異常となり難くなるものである。よって、例えば作業中であった半導体等部材１５０が瞬断等の電圧低下のために、不良となる事態も回避可能となる。
【００４２】
次に、図７は、上記電力供給装置の実施例を別の半導体製造装置に用いた実施例としての単結晶製造装置を示すものである。図７の単結晶製造装置２００は、代表的なチョクラスキー法を用いてのシリコンインゴットを製造する装置としての実施例である。融液２５０が入ったルツボ（例えば石英製）２７０は、ルツボ移動制御部２８０にて、回転及び昇降可能に支持、制御される。融液２５０の状態（温度、対流の状態、酸素濃度、表面張力等）が検出部２４０によって検出され、制御部２２０に入力され、制御部２２０の制御のもとで、状態制御部２６０は、融液２５０の状態を結晶成長に好ましい状態とすべく状態制御等を実施する。この状態制御としては、結晶成長に好適な温度に維持したり、対流を抑制するための磁場を印加することなどがあげられる。
【００４３】
ルツボ２７０は、ルツボ移動制御部２８０によって、回転しながら、下降するように制御され、状態制御部２６０によって、状態制御されている融液２５０に接触させた種結晶を単結晶移動制御部２３０で回転させながら引き上げることで、単結晶２９０を成長させていく。
【００４４】
制御部２２０は、少なくとも状態制御部２６０、ルツボ移動制御部２８０、単結晶移動制御部２３０を制御する。
【００４５】
電力供給装置２１０から、単結晶製造装置２００へ電力が供給される。上述した実施例に基づく電力供給装置２１０によって、交流または直流の電力が供給されるので、瞬断等によって電力供給装置２１０に入力される電圧降下が生じても、電力供給装置２１０の働きによって、単結晶製造装置２００に供給される電力に影響が出難くなる。
【００４６】
単結晶製造装置２００では、上述のように融液２５０の状態を、結晶成長に好適な温度に維持したり、対流を抑制するための磁場を印加される等の状態制御される一方で、ルツボ２７０の回転しながらの降下速度、または、種結晶を回転させながら引き上げる上昇速度は、単結晶２９０の成長速度に応じて制御されるものである。
【００４７】
よって、これらの制御が正常に行われることで初めて、一定した品質の単結晶を製造できるものである。ただし、瞬断等によって電圧降下が生じ、これらの制御が異常になると、単結晶の品質が悪くなり、破棄しなければならない場合が生ずる。
【００４８】
しかしながら、本実施例の単結晶製造装置２００では、瞬断等によって電圧降下が生じても、電力供給装置２１０から単結晶製造装置２００に供給される電力には、電圧降下による影響が出難いので、単結晶製造装置２００の内部の制御が正常に維持され、一定した品質の単結晶が製造されることとなる。
【００４９】
次に、図８に上記電力供給装置の実施例を別の半導体製造装置に用いた実施例としてもパターン描画装置を示すものである。図９のパターン描画装置３００は、半導体製造過程における集積回路パターン等を電子ビーム等の照射によって、半導体ウエハ上に描画するものの実施例である。
【００５０】
ステージ３７０にて支持される半導体ウエハ３５０は、ビーム出力制御部３３０から出射されたビームであって、ビーム偏向制御部３４０の偏向制御により偏向部３８０で偏向されたビームによってパターンが描画される。その際、ステージ３７０は、ステージ移動制御部３６０によって移動制御される。なお、描画されるパターンは、描画制御部３２０によるビーム出力制御部３３０、ビーム偏向制御部３４０、ステージ移動制御部３６０の制御によって、描画される。
【００５１】
電力供給装置３１０から、パターン描画装置３００へ電力が供給される。パターン描画装置３００へは、交流または直流の電力が、上述した実施例に基づく電力供給装置３１０から供給されるので、瞬断等によって電力供給装置３１０に入力される電圧降下が生じても、パターン描画装置３００に供給される電力に影響が出難くなる。
【００５２】
したがって、ビームの照射によって、半導体ウエハ上にパターンが描画されている際に、瞬断等が発生しても、電力供給装置３１０からも供給電力にその影響が出難いことで、パターン描画が継続することができるので、描画の中断、または描画中の半導体ウエハの破棄などを回避可能となる。
【００５３】
なお、上記ビームは、パターン描画に使用できるものであればよいものであり、電子銃による電子ビーム、レーザ光、Ｘ線等に限定しない。
【００５４】
上述の実施例の電力供給装置を図６〜図８等の各種半導体製造装置に用いることで、瞬断等が生じても、正常な動作をする半導体製造装置を提供できることとなる。
【００５５】
なお、上記では、半導体製造装置として、単結晶製造装置２００、パターン描画装置３００を実施例として説明したが、これに限定されることなく、例えば単結晶、シリコンインゴットの製造として、ＦＺ法（Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｚｏｎｅ法＝浮遊帯法）を用いる装置においても適用できる。また、シリコンインゴットを一枚一枚のウエハにスライスするスライシング作業する装置、ベリリングと呼ばれる面取り作業をする装置、ウエハの表面を機械研磨（ラッピング）する装置、更に、ウエハ表面を機械化学的に研磨（ポリシング）、鏡面研磨（ミラーポリッシュ）する装置においても、上述した実施例に基づく電力供給装置を用いても良い。
【００５６】
上記電力供給装置の実施例を工作機械へ用いた実施例を説明する。本実施例の工作機械４００は、操作設定部４２０にて、ワーク（加工物）の最終加工形状を入力し、その入力データに基づき制御部４３０から電力供給装置４１０の各モータ駆動部４１１〜４１５に速度、位置指令を出力する。各モータ駆動部４１１〜４１５は、その指令に従い、モータ４５１〜４５５をフィードバック制御することにより、切削刃回転軸（主軸）４６１、ワーク（加工物）テーブルＸ軸移動４６２、ワーク（加工物）テーブルＹ軸移動４６３、ワーク（加工物）テーブル回転軸４６４、切削治具Ｚ軸移動４６５等を組み合せて、ワークの加工を行う。また、現在指令に対して、各軸の回転、位置情報を制御部４３０にフィードバックすることにより、現在の加工状態をモニタ部４４０にてモニタを行い、最終加工形状になるまで、制御部４３０とモータ駆動部４１１〜４１５は同期制御動作にて加工を行う。
【００５７】
瞬断により電力供給装置への入力に電圧降下の異常が出た場合、高価な切削刃折れが起き、また、完成近くのワークにキズが付き、修復不可になることもあり得るため、その損害は多大なものとなる可能性があるが、本実施例の電力供給装置４１０では、その出力に電圧低下が生じ難いため、これらの損害の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の電力供給装置の説明図。
【図２】本発明と従来例における出力電圧特性の説明図。
【図３】実施例１の電力供給装置の説明図。
【図４】実施例１の電力供給装置の出力電圧特性の説明図。
【図５】実施例の電力供給装置における復電時の過電圧の防止手段の説明図。
【図６】実施例の電力供給装置を用いた半導体製造装置の説明図。
【図７】実施例の電力供給装置を用いた単結晶製造装置の説明図。
【図８】実施例の電力供給装置を用いたパターン描画装置の説明図。
【図９】実施例の電力供給装置を用いた工作機械の説明図。
【符号の説明】
【００５９】
１、１１  電圧検出回路
２  スイッチ
２１  スイッチ素子
２２  リアクトル
２３  駆動回路
３    整流回路
４  倍電圧整流回路
５  平滑回路
６１  ダイオード
６２ａ、ｂ  第１コンデンサ
６３  第２コンデンサ
６４  バイパススイッチ
６５  突入電流防止用素子
７  電源
８  逆変換回路
９  負荷
１００  半導体製造装置
１１０  電力供給装置
１２０  制御部
１３０  半導体等部材管理・制御部
１４０  作業部
１５０  半導体等部材
２００  単結晶製造装置
２１０  電力供給装置
２２０  制御部
２３０  単結晶移動制御部
２４０  検出部
２５０  融液
２６０  状態制御部
２７０  融液容器
２８０  ルツボ移動制御部
２９０  単結晶
３００  パターン描画装置
３１０  電力供給装置
３２０  描画制御部
３３０  ビーム出力制御部
３４０  ビーム偏向制御部
３５０  半導体ウエハ
３６０  ステージ移動制御部
３７０  ステージ
３８０  偏向部
４００  工作機械
４１０  電力供給装置
４１１  モータ１駆動部
４１２  モータ２駆動部
４１３  モータ３駆動部
４１４  モータ４駆動部
４１５  モータ５駆動部
４２０  操作設定部
４３０  制御部
４４０  モニタ部
４５１  モータ１
４５２  モータ２
４５３  モータ３
４５４  モータ４
４５５  モータ５
４６１  切削刃回転軸（主軸）
４６２  ワーク（加工物）テーブルＸ軸移動
４６３  ワーク（加工物）テーブルＹ軸移動
４６４  ワーク（加工物）テーブル回転軸
４６５  切削治具Ｚ軸移動
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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