(57)【要約】【課題】  本発明は、相変化マークの長さおよびマークエッジの位置を細かい刻みで正確に制御することが可能な光記録方法、光記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】  相変化型記録媒体に対してレーザービームにより情報を記録マークとして記録する方法において、レーザーパワーレベルをＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変調し、Ｐ３レベルに保持する期間ｔ３に対するＰ１レベルに保持する期間ｔ１の比ｔ１／ｔ３を、記録情報に応じて０．６〜７の範囲で変える。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化型記録媒体に対してレーザービームにより情報を記録マークとして記録する方法において、レーザーパワーレベルをＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変調すると共に、Ｐ３レベルに保持する期間ｔ３に対するＰ１レベルに保持する期間ｔ１の比ｔ１／ｔ３を、記録情報に応じて０．６〜７の範囲で変えることを特徴とする光記録方法。
【請求項２】
該ｔ３を５〜１０ｎｓｅｃの範囲に設定することを特徴とする請求項１に記載の光記録方法。
【請求項３】
該レーザーパワーレベルＰ３に対するＰ２の比Ｐ２／Ｐ３を、０．３〜０．５の範囲に設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録方法。
【請求項４】
該記録マークの長さＭ（ｘ）をｘ段階に変えて記録すると共に、該記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）＝ｔ１＋ｔ３と、最短マークを記録する記録パルス幅Ｔ１との間にＴ（ｘ）＝ａｘ＾３＋ｂｘ＾２＋ｃｘ＋Ｔ１（ａ、ｂ、ｃは正負の係数）で近似できる関係が成り立つようにｔ１とｔ３を設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録方法。
【請求項５】
該記録マークＭ（ｘ）の長さをｘ段階に変えて記録周期Ｓで記録すると共に、各記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）の時間軸方向における中心のタイミングが隣接する記録マーク長Ｍ（ｘ）の中心のタイミングと一定周期になるように記録パルスの立ち上がり、立ち下がりのタイミングを設定することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録方法。
【請求項６】
該記録マークＭ（ｘ）の長さをｘ段階に変えて記録周期Ｓで記録すると共に、該記録情報に応じて、Ｐ２からＰ３へ立ち上がりのタイミングを、時間軸方向においてＳ／ｎ（ｎは整数）シフトさせることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の記録方法で情報を記録する相変化型記録媒体であって、該相変化型記録媒体は相変化型記録層を有し、該相変化型記録層が、Ｓｂ／Ｔｅ比２〜３の範囲にあるＳｂＴｅと、Ｇａ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項８】
少なくとも支持基板、金属層、第一の誘電体層、相変化型記録層、第二の誘電体層の積層構成を有し、該金属層がＡｇとＹ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｂｉの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項７に記載の相変化型記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書き換え型、追記型の光記録方法、相変化型記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザービームにより情報を記録再生する光記録媒体の一つとして、相変化材料を記録層に用いた書き換え可能型の記録媒体がある。この媒体は、記録層として光照射によりアモルファス−結晶間の可逆的な相変化が生じる材料を用い、簡単な光学系で記録・消去ができると共に、既に記録された情報を消去しながら新たな情報を記録することが容易に出来るという優れた特徴を有する。
【０００３】
一般的に、相変化記録媒体では、記録層におけるアモルファス状態を記録状態とし、結晶状態を消去状態としている。情報の記録は、記録レベルのレーザービームを照射し融点以上に加熱した後に急冷することで、アモルファス状態の記録マークを形成し、消去は、消去レベルのレーザ光を照射し結晶化温度まで昇温した後に徐冷することで、アモルファス状態の記録マークを結晶化する。そして、記録したマークは、アモルファス部分と結晶部分との反射率の違いや反射光の位相の違いを利用して、ディスク（記録媒体）からの反射光量の変化を検出し再生する。
【０００４】
ところで、このような相変化を利用した記録方法では、高密度化のためにはマークサイズを縮小する必要があるが、サイズの縮小には限界がある。そこで、一つの記録マーク中に複数の情報を書き込む多値記録により、情報の高密度化・高速転送化が試みられている。このような多値記録方式として、マークもしくはピットの長さ、エッジ位置を変えて多値化する方法が開示されている。
【０００５】
例えば、特許第０３０３３８６４号公報（特許文献１）にはピットのトラック方向へのシフト量で多値情報を記録する方法が開示されている。また特許第０３０６８１０５号公報（特許文献２）にはピットのエッジ位置により多値情報を記録する方法が開示されている。この方法は、ＳＣＩＰＥＲ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｐｉｔ  Ｅｄｇｅ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）方式と呼ばれる多値記録方式である。また、特開平１１−３５３６５２号公報（特許文献３）には符号間干渉が発生する記録密度でのＳＣＩＰＥＲ方式による多値記録方式が開示されている。また、特開２００１−８４５９１号公報（特許文献４）には、相変化マークの長さを変えることによって多値情報を記録する方法が開示されている。この方法は、単一パルスでパルス幅を変え相変化マークの長さを多値情報に応じて変える方法である。また、特開２００２−０２５０６５号公報（特許文献５）には、相変化記録マークの後エッジ位置を記録情報に応じてレーザービーム進行方向にシフトさせる多値記録方法が開示されている。
【０００６】
しかしながら、これらは相変化記録型媒体で多値記録を行う方法として充分なものではなかった。即ち、相変化記録型媒体で多値記録を行うには、レーザービーム径以下のマーク長を形成し、かつ、マーク長や記録位置を細かな変化量で正確に制御する必要があるにもかかわらず、これらの方法ではマーク長や記録位置を細かな変化量で正確に制御することができなかった。
【０００７】
【特許文献１】特許第０３０３３８６４号公報
【特許文献２】特許第０３０６８１０５号公報
【特許文献３】特開平１１−３５３６５２号公報
【特許文献４】特開２００１−８４５９１号公報
【特許文献５】特開２００２−０２５０６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、相変化マークの長さおよびマークエッジの位置を細かい刻みで正確に制御することが可能な光記録方法、相変化型記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、以下に示す記録方法、光記録媒体が提供される。
〔１〕  相変化型記録媒体に対してレーザービームにより情報を記録マークとして記録する方法において、レーザーパワーレベルをＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変調すると共に、Ｐ３レベルに保持する期間ｔ３に対するＰ１レベルに保持する期間ｔ１の比ｔ１／ｔ３を、記録情報に応じて０．６〜７の範囲で変えることを特徴とする光記録方法。
〔２〕  該ｔ３を５〜１０ｎｓｅｃの範囲に設定することを特徴とする前記〔１〕に記載の光記録方法。
〔３〕  該レーザーパワーレベルＰ３に対するＰ２の比Ｐ２／Ｐ３を、０．３〜０．５の範囲に設定することを特徴とする前記〔１〕又は〔２〕に記載の光記録方法。
〔４〕  該記録マークの長さＭ（ｘ）をｘ段階に変えて記録すると共に、該記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）＝ｔ１＋ｔ３と、最短マークを記録する記録パルス幅Ｔ１との間にＴ（ｘ）＝ａｘ＾３＋ｂｘ＾２＋ｃｘ＋Ｔ１（ａ、ｂ、ｃは正負の係数）で近似できる関係が成り立つようにｔ１とｔ３を設定することを特徴とする前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の光記録方法。
〔５〕  該記録マークＭ（ｘ）の長さをｘ段階に変えて記録周期Ｓで記録すると共に、各記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）の時間軸方向における中心のタイミングが隣接する記録マーク長Ｍ（ｘ）の中心のタイミングと一定周期になるように記録パルスの立ち上がり、立ち下がりのタイミングを設定することを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の光記録方法。
〔６〕  該記録マークＭ（ｘ）の長さをｘ段階に変えて記録周期Ｓで記録すると共に、該記録情報に応じて、Ｐ２からＰ３へ立ち上がりのタイミングを、時間軸方向においてＳ／ｎ（ｎは整数）シフトさせることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の光記録方法。
〔７〕  前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の記録方法で情報を記録する相変化型記録媒体であって、該相変化型記録媒体は相変化型記録層を有し、該相変化型記録層が、Ｓｂ／Ｔｅ比２〜３の範囲にあるＳｂＴｅと、Ｇａ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする相変化型記録媒体。
〔８〕  少なくとも支持基板、金属層、第一の誘電体層、相変化型記録層、第二の誘電体層の積層構成を有し、該金属層がＡｇとＹ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｂｉの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する材料からなることを特徴とする前記〔７〕に記載の相変化型記録媒体。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の請求項１に係わる発明によれば、単純なレーザーパルス変調でビーム径以下のマーク長を記録パルスに対応させて制御することができる。
本発明の請求項２に係わる発明によれば、トラック方向における熱干渉を抑制できマーク長の面内バラツキを抑制でき、ディスクノイズを低減できる。
本発明の請求項３に係わる発明によれば、トラック方向における熱干渉をより抑制できマーク長の面内バラツキをより抑制でき、ディスクノイズをより低減できる。
本発明の請求項４に係わる発明によれば、レーザービーム径以下のマーク長を一定の変化量で段階的に変えることができる。
本発明の請求項５に係わる発明によれば、記録情報に応じてマーク長を変える多値記録を相変化型記録媒体で実現でき、高記録密度化を図ることができる。
本発明の請求項６に係わる発明によれば、記録情報に応じてマーク長とマークエッジ位置を変える多値記録を相変化型記録媒体で実現でき、相変化型記録媒体に対してＳＣＩＰＥＲ変調での記録が可能となり高密度化がはかれる。
本発明の請求項７に係わる発明によれば、相変化型記録層を特定の材料で構成することにより、記録パルス通りに相変化マーク長を制御することができ、特に、マーク後エッジ位置の面内バラツキが抑制できる。その結果、マークの面内バラツキに起因するディスクノイズが低減できる。
本発明の請求項８に係わる発明によれば、Ａｇ合金材料を金属層とすることによって、媒体の表面粗れが抑制できる。その結果、表面粗れに起因するディスクノイズ、およびマーク長の面内バラツキに起因するディスクノイズを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明について図面に基づいて説明する。但し、以下の説明において、波長３６０〜４１０ｎｍレーザービーム、開口数０．８〜０．９の対物レンズを用いる記録方法について説明するが、本発明はこれに限定するものではなく、この範囲外の波長のレーザービーム、開口数のレンズにも適用することができる。
【００１２】
本発明の光記録方法は、相変化型記録媒体に対してレーザービームにより情報を記録マークとして記録する方法についての発明である。かかる方法は従来公知であるが、本発明の特徴は、相変化マーク長の制御方法にある。本発明においては、レーザーパワーレベルをＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変調し、Ｐ３レベルに保持する期間ｔ３に対するＰ１レベルに保持する期間ｔ１の比ｔ１／ｔ３を、記録情報に応じて０．６〜７の範囲で変えることを特徴とする。本発明においては、このように単純な記録パルスを用いて、そのレーザーパワーレベルを３水準で変調するので、相変化マーク長を正確に制御することができる。
【００１３】
次に、図１に基づいて比ｔ１／ｔ３の制御につき具体的に説明する。図１は本発明の記録方法の一例を説明するための図面である。
図１に示すように本発明においては、基準クロック１０１に対応させて、レーザーパワーレベル１０２をＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変調する。この変調を行なう際に、Ｐ３レベルに保持する期間ｔ３に対するＰ１レベルに保持する期間ｔ１の比ｔ１／ｔ３を、記録情報に応じて０．６〜７の範囲で変える。
レーザーパワーレベルをＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変えて記録する場合、Ｐ２からＰ３を経てＰ１へパワーレベルを変化させると記録層のアモルファス化が起こる。引き続きＰ１からＰ２へパワーレベルを変化させると記録層の結晶化が起こる。このときに、ｔ１／ｔ３比を調節することによってアモルファス化領域のディスクトラック方向への延び、つまりマーク長を制御することができる。ｔ１／ｔ３比を大きくするとマーク長が長くなる。ｔ１／ｔ３比を小さくするとマーク長が短くなる。ｔ１／ｔ３比が７を超えると相変化マークの後エッジが不鮮明になりマーク長のディスク面内バラツキが増加する。ｔ１／ｔ３比が０．６未満になると、記録層のアモルファス化が起こる急冷状態にならず、アモルファス相と結晶相の中間状態のマークが形成される。中間状態のマークが存在することで、反射光量がディスク面内で変動する。かかる観点から、比ｔ１／ｔ３を
０．６〜７の範囲で変えることが好ましく、１〜５の範囲で変えることがより好ましく、１〜３の範囲で変えることが更に好ましい。
【００１４】
上記ｔ３は５〜１０ｎｓｅｃの範囲に設定することが好ましく、６〜９の範囲に設定することがより好ましい。ｔ３がこの範囲内に設定されていると、相変化マーク長を記録パルスに対応させて正確に制御することができるとともに、マーク長の面内バラツキを低減することができる。
ｔ３が５ｎｓｅｃ未満になると、変調パルスにレーザービームの発光が追従しなくなる。発光波形が三角波になり、記録層の到達温度が下がり、結晶相とアモルファス相の中間状態のマークが形成される。中間状態のマークが存在することで、反射光量がディスク面内で変動する。ｔ３が１０ｎｓｅｃを超えると熱干渉が起こる。つまり、トラック方向への熱拡散量が増加し、前後隣接マークの消去が起こり、マーク長の面内ばらつきが増加する。また、アモルファス化領域のディスク半径方向への広がりも大きくなりクロスライト・イレースが発生する。こと結果、信号品質が劣化する。
【００１５】
本発明においては、レーザーパワーレベルＰ３に対するＰ２の比Ｐ２／Ｐ３を、０．３〜０．５の範囲に設定することが好ましく、０．３５〜０．４５の範囲に設定することがより好ましい。比Ｐ２／Ｐ３をこの範囲に設定すると、相変化マーク長を記録パルスに対応させて正確に制御することができるとともに、熱干渉を抑制しマーク長の面内バラツキを低減することができる。
前述したように、レーザーパワーレベルをＰ１＜Ｐ２＜Ｐ３の関係にある３水準で変えて記録する場合、Ｐ２からＰ３を経てＰ１へのパワーレベルの変化で記録層のアモルファス化が起こる。引き続きＰ１からＰ２へのパワーレベルの変化で記録層の結晶化が起こる。このとき、Ｐ２／Ｐ３比を大きく設定すると、短いマークを記録することができる。Ｐ２／Ｐ３比が０．５を超えると、熱干渉によってマークエッジ位置の面内バラツキが大きくなる。一方、Ｐ２／Ｐ３比が０．３未満になると、マーク後エッジの結晶化が不十分になり、エッジ位置のバラツキが大きくなる。
【００１６】
本発明においては、記録マークの長さＭ（ｘ）をｘ段階に変えて記録すると共に、該記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）＝ｔ１＋ｔ３と、最短マークを記録する記録パルス幅をＴ１との間に（ｘ）＝ａｘ＾３＋ｂｘ＾２＋ｃｘ＋Ｔ１（ａ、ｂ、ｃは正負の係数）で近似できる関係が成り立つようにｔ１とｔ３を設定することが好ましい。つまり、３次多項式で近似できる非線形の関係に設定することが好ましい。このことは、多値記録を行うには、レーザービームの径より短いマークを記録することが好ましく、この場合、記録パルス長とマーク長は非線形性の関係になることを意味する。３次多項式で近似できる関係に記録パルス幅を変えることによって、記録マーク長を一定の刻みで変えることができる。短いマーク長を記録する場合には、記録パルスの変化量を小さく、長いマーク長を記録する場合には、記録パルスの変化量を大きく設定する。
【００１７】
図２に、上記設定方法の一例を示す。図２は、記録マーク長をＭ１〜Ｍ７の７段階に変化させて記録する場合における、記録パルス幅Ｔ（ｘ）と最短マーの記録パルス幅をＴ１との好ましい関係を示す説明図である。
【００１８】
また本発明においては、前記記録マークＭ（ｘ）の長さをｘ段階に変えて記録周期Ｓで記録すると共に、各記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）の時間軸方向における中心のタイミングが隣接する記録マーク長Ｍ（ｘ）の中心のタイミングと一定周期になるように記録パルスの立ち上がり、立ち下がりのタイミングを設定することが好ましい。このようにすると、一定の周期で相変化マークを記録することができるので、マーク長を記録情報に応じて変える多値記録において、記録密度を上げることができる。
【００１９】
図３は、上記設定方法の一例を示す説明図であり、３０１は基準クロックを、３０２は記録マーク長Ｍ１〜Ｍ７を記録する記録パルスＴ（ｘ）の設定を示す。図３の時間軸方向において、各記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）の中心のタイミングが記録周期Ｓに一致している。つまり、記録マーク長Ｍ１〜Ｍ７を記録する場合において、Ｐ２からＰ３レベルへの立ち上がりのタイミングからＴ（ｘ）／２遅れたタイミングが一定周期Ｓになるように、各記録パルス幅Ｔ（ｘ）が設定されている。
【００２０】
また本発明においては、記録マークＭ（ｘ）の長さをｘ段階に変えて記録周期Ｓで記録すると共に、該記録情報に応じて、Ｐ２からＰ３へ立ち上がりのタイミングを、時間軸方向においてＳ／ｎ（ｎは整数）シフトさせることが好ましい。このようにすると、記録マーク長と記録位置を記録情報に応じて変えることができ、マーク長と記録位置の変化で多値情報を記録することによって、記録密度を上げることができる。
【００２１】
図４は、上記設定方法の一例を示す説明図であり、記録マーク長Ｍ（ｘ）を７段階、記録位置Ｆ（ｙ）を４段階で変える設定方法を示すものである。４０１は基準クロックを示し、４０２はＭ（ｘ）、Ｆ（ｙ）の組み合わせで１６通りのマークを記録する記録パルスＴ（ｘ）の設定を示す。記録Ｍ（ｘ）を１〜７の７段階に変える記録パルスＴ（ｘ）の設定方法は前述したとおりである。
【００２２】
本発明の相変化型記録媒体は、前述した記録方法で情報を記録する記録媒体であって、該相変化型記録媒体は相変化型記録層を有し、該相変化型記録層が、Ｓｂ／Ｔｅ比２〜３の範囲にあるＳｂＴｅと、Ｇａ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む。かかる相変化型記録層においては、Ｐ１レベルからＰ２レベルへの変化における結晶化速度が速くなるので、記録パルス通りに相変化マーク長を制御することができ、特に、マーク後エッジ位置の面内バラツキが低減される。
【００２３】
上記相変化型記録層としては、例えば、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．２）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．５）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．８）、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．２）、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．５）、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．８）、Ｇａ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．２）、Ｇａ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．５）、Ｇａ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．８）、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．２、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．５）、Ｇｅ−ＧａＳｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．８）、などの記録材料組成が用いられる。
【００２４】
本発明の相変化型記録媒体は、図５に示すように、少なくとも支持基板、金属層、第一の誘電体層、上記相変化型記録層、第二の誘電体層の積層構成を有し、該金属層がＡｇとＹ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｂｉの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する材料からなることが好ましい。記録媒体の構成は表面記録型であり、金属層を構成する材料にＡｇ合金を用いることが好ましい。Ａｌ合金や純Ａｇは、成膜条件や成膜装置の雰囲気によって凝集が起こることがある。凝集によって金属層の表面が粗れる。表面記録型の媒体構成の場合、金属層上に各層を積層する。よって、金属層の粗れは最上層に反映され、ディスクノイズ、粗れに伴うマーク長の面内バラツキを引き起こす。これに対し、貴金属材料、特にＹ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｂｉを添加したＡｇ合金材料を金属層とすることによって、媒体の表面粗れを抑制できる。また、媒体の表面粗れに伴うマーク長の面内バラツキを抑制できる。
【００２５】
図５において、５０１は支持基板を表す。支持基板を構成する材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン、エポキシ、ビニルエステル、紫外線硬化樹脂、ガラス、石英などを用いる。５０２は金属層を表す。金属を構成する材料としては、ＡｇとＹ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｂｉの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有する材料が好ましく用いられる。具体的には、Ａｇ−Ｙ、Ａｇ−Ｎｄ、Ａｇ−Ｌａ、Ａｇ−Ｓｍ，Ａｇ−Ｂｉなどの合金材料を用いる。５０３は第一の誘電体層を表す。第一の誘電体層を構成する材料としては、ＳｉもしくはＡｌの酸化物、もしくはＳｉもしくはＡｌの窒化物とＺｎＳの混合体を用いることができる。具体的には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＡｌＮなどの材料を用いることができる。５０４は相変化型記録層を表す。相変化型記録層としては上記の材料を用いる。相変化型記録層の膜厚は１０〜８０ｎｍの範囲に設定することが好ましい。５０５は第二の誘電体層を表す。第二の誘電体層を構成する材料としては、ＳｉもしくはＡｌの酸化物、もしくはＳｉもしくはＡｌの窒化物とＺｎＳの混合体を用いることができる。具体的には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＡｌＮなどの材料を用いることができる。５０６は表面保護層を表す。表面保護層として、スピンコートにより透明樹脂層を設けてもかまわない。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２７】
相変化型記録媒体の作成例１
支持基板５０１としてポリカーボネート基板を用い、金属層５０２として膜厚１４０ｎｍのＡｇ−Ｙ薄膜を形成し、第一の誘電体層５０３として膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録層５０４として膜厚１４ｎｍのＧａ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．５）膜を形成し、第二の誘電体層５０５として膜厚４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録媒体を作製した。トラックピッチは３２０ｎｍである。
レーザービームを図５に示す５０７の方向から入射させ、レーザービーム波長４０５ｎｍの光学ピックアップで記録再生した。対物レンズの開口数は０．８５である。
【００２８】
相変化型記録媒体の作成例２
支持基板５０１としてポリカーボネート基板を用い、金属層５０２として膜厚１４０ｎｍのＡｇ−Ｎｄ薄膜を形成し、第一の誘電体層５０３として膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録層５０４として膜厚１７ｎｍのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝２．２）膜を形成し、第二の誘電体層５０５として膜厚４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録媒体を作製した。トラックピッチは３４０ｎｍである。
レーザービームを図５に示す５０７の方向から入射させ、レーザービーム波長４０５ｎｍの光学ピックアップで記録再生した。対物レンズの開口数は０．８５である。
【００２９】
相変化型記録媒体の作成例３
支持基板５０１としてポリカーボネート基板を用い、金属層５０２として膜厚１４０ｎｍのＡｇ−Ｙ薄膜を形成し、第一の誘電体層５０３として膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録層５０４として膜厚１７ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝０．４）膜を形成し、第二の誘電体層５０５として膜厚４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録媒体を作製した。トラックピッチは３２０ｎｍである。
レーザービームを図５に示す５０７の方向から入射させ、レーザービーム波長４０５ｎｍの光学ピックアップで記録再生した。対物レンズの開口数は０．８５である。
【００３０】
相変化型記録媒体の作成例４
支持基板５０１としてポリカーボネート基板を用い、金属層５０２として膜厚１４０ｎｍのＡｌ−Ｔｉ薄膜を形成し、第一の誘電体層５０３として膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録層５０４として膜厚１７ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（Ｓｂ／Ｔｅ＝０．４）膜を形成し、第二の誘電体層５０５として膜厚４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を形成し、相変化型記録媒体を作製した。トラックピッチは３２０ｎｍである。  レーザービームを図５に示す５０７の方向から入射させ、レーザービーム波長４０５ｎｍの光学ピックアップで記録再生した。対物レンズの開口数は０．８５である。
【００３１】
実施例１
作成例１〜４の相変化型記録媒体を用い、周波数１．４２（ＧＨｚ）の基準クロック１０１に対応させての記録パルス１０２を変化させて（図１）、情報を記録した。記録パルスをＰ１＝０．１（ｍＷ）、Ｐ２＝２（ｍＷ）、Ｐ３＝５（ｍＷ）、Ｐ２／Ｐ３＝０．４、ｔ３＝８（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝２．５５となるように設定し、記録周期１５（ＭＨｚ）の繰り返しマークを記録した。記録信号をスペクトラムアナライザで測定した。０〜３０（ＭＨｚ）のノイズレベルを積算しノイズ（ｒｍｓ値）を求めた。
【００３２】
比較例１
作成例１〜４の相変化型記録媒体を用い、周波数１．４２（ＧＨｚ）の基準クロック１０１に対応させての記録パルス１０２を変化させて（図１）、情報を記録した。記録パルスをＰ１＝０．１（ｍＷ）、Ｐ２＝２（ｍＷ）、Ｐ３＝５（ｍＷ）、Ｐ２／Ｐ３＝０．４、ｔ３＝８（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝０．５となるように設定し、記録周期１５（ＭＨｚ）の繰り返しマークを記録した。記録信号をスペクトラムアナライザで測定した。０〜３０（ＭＨｚ）のノイズレベルを積算しノイズ（ｒｍｓ値）を求めた。
【００３３】
比較例２
作成例１〜４の相変化型記録媒体を用い、周波数１．４２（ＧＨｚ）の基準クロック１０１に対応させての記録パルス１０２を変化させて（図１）、情報を記録した。記録パルスをＰ１＝０．１（ｍＷ）、Ｐ２＝２（ｍＷ）、Ｐ３＝５（ｍＷ）、Ｐ２／Ｐ３＝０．４、ｔ３＝８（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝８．６となるように設定し、記録周期１５（ＭＨｚ）の繰り返しマークを記録した。記録信号をスペクトラムアナライザで測定した。０〜３０（ＭＨｚ）のノイズレベルを積算しノイズ（ｒｍｓ値）を求めた。
【００３４】
実施例１、比較例１、２の結果は次の通りである。
実施例１
（１）相変化型記録媒体の作成例１の場合：２．０（ｍＶｒｍｓ）
（２）相変化型記録媒体の作成例２の場合：１．８（ｍＶｒｍｓ）
（３）相変化型記録媒体の作成例２の場合：４．２（ｍＶｒｍｓ）
（４）相変化型記録媒体の作成例２の場合：５．６（ｍＶｒｍｓ）
【００３５】
比較例１
（５）相変化型記録媒体の作成例１の場合：３．２（ｍＶｒｍｓ）
（６）相変化型記録媒体の作成例２の場合：３．１（ｍＶｒｍｓ）
（７）相変化型記録媒体の作成例２の場合：５．３（ｍＶｒｍｓ）
（８）相変化型記録媒体の作成例２の場合：７．０（ｍＶｒｍｓ）
【００３６】
比較例２
（９）相変化型記録媒体の作成例１の場合：４．３（ｍＶｒｍｓ）
（１０）相変化型記録媒体の作成例２の場合：３．９（ｍＶｒｍｓ）
（１１）相変化型記録媒体の作成例２の場合：６．５（ｍＶｒｍｓ）
（１２）相変化型記録媒体の作成例２の場合：７．３（ｍＶｒｍｓ）
【００３７】
実施例１、２において、作成例１、２の記録媒体に対して本発明の方法で記録することにより、マークのディスク面内バラツキを低減することができ、ディスクノイズを低減することができた。これに対し比較例１ではｔ１／ｔ３を０．５に設定した結果、記録層のアモルファスが起きる急冷状態にならず、アモルファス相と結晶層の中間状態のマークが形成された。中間状態のマークが形成されたことで、反射光量がディスク面内で変動し、反射光量の変動がノイズとなって全体にノイズレベルが増加した。比較例２ではｔ１／ｔ３を８．６に設定した結果、相変化マークの後エッジが不鮮明になり、マーク長のディスク面内バラツキが増加することによって、全体にノイズレベルが増加した。
また、実施例１、２において、作成例１、２の記録媒体ではノイズを大きく低減することができた。これに対し、作成例３では比較例よりは良好であったが、作成例１、２に比較すると、記録マークの面内バラツキが大きくノイズが多かった。作成例４では比較例よりは良好であったが、作成例１、２に比較すると、記録媒体の表面粗れ、表面粗れに伴うマークの面内バラツキによるノイズが多かった。
【００３８】
実施例２
作製例１に示す記録媒体を用いた。図２に示すように、記録マークの長さＭ（ｘ）を７段階に変えて記録する方式を採用し、記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）と、最短マークを記録する記録パルス幅をＴ１との間に、Ｔ（ｘ）＝０．３ｘ＾３−０．５ｘ＾２＋２．０ｘ＋１７の関係が成り立つように設定した。更に、図３に示すように、１．４２（ＧＨｚ）の基準クロック周波数３０１に対し、記録パワー３０２、各記録マーク長Ｍ（ｘ）の記録パルスを次のように設定して、多値情報を記録した。
Ｐ１＝０．１（ｍＷ）、Ｐ２＝２（ｍＷ）、Ｐ３＝５（ｍＷ）、Ｐ２／Ｐ３＝０．４
Ｍ（１）  ｔ３＝８（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．１３
Ｍ（２）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．０
Ｍ（３）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．３３
Ｍ（４）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．８９
Ｍ（５）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝２．７８
Ｍ（６）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝４．３３
Ｍ（７）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝６．７８
【００３９】
以上の記録方法にて、マークが無い状態Ｍ（０）も含めて、８段階にマーク長を変える方式で多値情報を記録した。記録周期は１４．８（ＭＨｚ）でトラック方向の長さに換算すると２５４（ｎｍ）にあたる。線密度は８５（ｎｍ／ｂｉｔ）である。トラックピッチは３２０ｎｍであることから、記録密度は２４（Ｇｂｉｔ／ｉｎ＾２）である。
記録周期２５４（ｎｍ）において、８値の信号レベルが現れる再生信号が観測できた。
【００４０】
実施例３
作製例２に示す記録媒体を用いた。従来例に記載したＳＣＩＰＥＲ変調方式により記録マークの長さＭ（ｘ）を７段階に変えると共に、記録マーク長Ｍ（ｘ）を記録する記録パルス幅Ｔ（ｘ）と、最短マークを記録する記録パルス幅をＴ１との間に、Ｔ（ｘ）＝０．１ｘ＾３＋０．６ｘ＾２＋０．４ｘ＋１２の関係が成り立つように設定した。更に、図４に示すように、１．４２（ＧＨｚ）の基準クロック周波数４０１に対し、記録パワー４０２、各記録マーク長Ｍ（ｘ）の記録パルスを次のように設定した。
Ｐ１＝０．１（ｍＷ）、Ｐ２＝１．７（ｍＷ）、Ｐ３＝４（ｍＷ）、Ｐ２／Ｐ３＝０．４３
Ｍ（１）  ｔ３＝６（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．１３
Ｍ（２）  ｔ３＝６（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．１１
Ｍ（３）  ｔ３＝７（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．２０
Ｍ（４）  ｔ３＝８（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝１．６４
Ｍ（５）  ｔ３＝８（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝２．５５
Ｍ（６）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝３．３３
Ｍ（７）  ｔ３＝９（ｎｓｅｃ）、ｔ１／ｔ３＝４．８３
【００４１】
更に、Ｓ／ｎ＝８（ｎｓｅｃ）で、記録情報に応じてＦ１〜Ｆ４の４段階で記録位置をシフトさせた。マーク長Ｍ（ｘ）と、記録位置Ｆ（ｙ）の組み合わせで１６通りのマークを記録した。記録周期は１４．８（ＭＨｚ）でトラック方向の長さに換算すると２５４（ｎｍ）にあたる。線密度は６３．５（ｎｍ／ｂｉｔ）である。トラックピッチは３４０ｎｍであることから、記録密度は３０（Ｇｂｉｔ／ｉｎ＾２）である。
【００４２】
上記のように多値情報を記録した結果、記録周期２５４（ｎｍ）においてマークとスペースのタイミング、つまり、周期１２７（ｎｍ）で７値の信号レベルが現れる再生信号が観測できた。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】記録パルスの設定方法の説明図である。
【図２】マーク長を段階的に変える記録パルス設定方法の説明図である。
【図３】マーク長を変調する多値記録における記録パルスの設定方法の説明図である。
【図４】マーク長、マークエッジ位置を変調する多値記録における記録パルス設定方法の説明図である。
【図５】記録媒体の層構成の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０１    基準クロック
１０２    記録パルス
３０１    基準クロック
３０２    記録パルス
４０１    基準クロック
４０２    記録パルス
５０１    支持基板
５０２    金属層
５０３    第一の誘電体層
５０４    相変化型記録層
５０５    第二の誘電体層
５０６    保護層
５０７    レーザービームの入射方向
【図１】
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【図２】
2005093025.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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