(57)【要約】【課題】枚葉のフィルムに薄膜を形成するあるいは表面改質処理を行うフィルムの真空処理方法およびその装置において、該フィルムの上面が十分に固定冶具治具に密着し、温度分布を一様に加熱あるいは冷却できる基板固定治具を備えたフィルムの真空処理装置およびそれを用いた真空処理方法の提供にある。【解決手段】真空チャンバー１００内に、基板ホルダ１０と下面に接するようにフィルム１４を固定する基板固定冶具１２とを備え、該基板ホルダ１０の下部にフィルム上に真空処理を行う真空処理部２０を備えているフィルムの真空処理装置１において、前記基板固定冶具１２の下面が蒲鉾状の曲面を有していて、該基板固定冶具１２が、導電性の材質でなり、且つこの近傍に加熱または冷却できる機構が備えられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバー内に、基板ホルダと下面に接するように枚葉のフィルムを固定する基板固定冶具とを備え、該基板ホルダの下部にフィルム上に真空処理を行う真空処理部を備えているフィルムの真空処理装置において、前記基板固定冶具の下面が蒲鉾状の曲面を有していることを特徴とするフィルムの真空処理装置。
【請求項２】
上記基板固定冶具が、導電性の材質からなり、電気的な接地または浮遊の切り替えを可能にすることを特徴とする請求項１記載のフィルムの真空処理装置。
【請求項３】
上記基板固定冶具の近傍に加熱または冷却できる機構が備えられていることを特徴とする請求項１または２記載のフィルムの真空処理装置。
【請求項４】
上記請求項１、２または３に記載のフィルムの真空処理装置を用いて、フィルム上に真空処理を行うことを特徴とするフィルムの真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着等において、容易に変形する枚葉のフィルムの下側に膜をコーティングするあるいは表面改質処理を行うフィルムの真空処理装置および真空処理方法に関するものであり、さらに詳しくは、膜あるいはその処理を一様に行うための基板固定治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
真空成膜等により基板に膜をコーティングさせる際、基板の温度分布を一様にし、膜の化学組成・物理的特性を均一にする必要がある。基板が変形しないガラスや硬質プラスチックの場合、基板を直接あるいは間接的に加熱あるいは冷却を行うことが可能である。また、連続したフレキシブルなプラスチックフィルムに処理を行う場合は、フィルムの巻出し巻取りの両側から張力をかけ、フィルムに温媒あるいは冷媒を流し温度を制御したドラムを抱かせて温度分布を一様にすることができる。大気中で枚葉プラスチックフィルムを固定する場合は、フィルム背面を減圧することでフィルムを密着させることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
以下に、上記先行技術文献を示す。
【特許文献１】特許第２５３４１６７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、デバイスの多機能化でフレキシブルなプラスチックフィルムを扱う場合でも断裁し、枚葉式で搬送・処理を行わなければならない工程がある。しかるに、上記従来の技術では、プラスチックフィルムが背面の固定治具に十分に密着していない場合、フィルム温度分布のバラツキからコーティングされた膜あるいは表面処理にムラがでて光学的・物性的に問題があった。また、プラスチックフィルムに大きな熱負荷がかかる場合、固定治具に密着せず冷却が不充分な部分が熱変形するなどの問題も起こりうるものであった。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであり、その課題とするところは、容易に変形する枚葉のフィルムの下側に膜をコーティングするあるいは表面改質処理を行うフィルムの真空処理方法およびその装置において、枚葉のフィルムの上面が十分に固定冶具治具に密着し、温度分布を一様に加熱あるいは冷却できる基板固定治具を備えたフィルムの真空処理装置およびそれを用いた真空処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１の発明では、真空チャンバー内に、基板ホルダと下面に接するように枚葉のフィルムを固定する基板固定冶具とを備え、該基板ホルダの下部にフィルム上に真空処理を行う真空処理部を備えているフィルムの真空処理装置において、前記基板固定冶具の下面が蒲鉾状の曲面を有していることを特徴とするフィルムの真空処理装置としたものである。
【０００７】
また、請求項２の発明では、上記基板固定冶具が、導電性の材質からなり、電気的な接地または浮遊の切り替えを可能にすることを特徴とする請求項１記載のフィルムの真空処理装置としたものである。
【０００８】
また、請求項３の発明では、上記基板固定冶具の近傍に加熱または冷却できる機構が備
えられていることを特徴とする請求項１または２記載のフィルムの真空処理装置としたものである。
【０００９】
さらにまた、請求項４の発明では、上記請求項１、２または３に記載のフィルムの真空処理装置を用いて、枚葉のフィルム上に真空処理を行うことを特徴とするフィルムの真空処理方法としたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は以上の構成であるから、下記に示す如き効果がある。
【００１１】
即ち、上記請求項１に係る発明によれば、真空チャンバー内に、基板ホルダと下面に接するように枚葉のフィルムを固定する基板固定冶具とを備え、該基板ホルダの下部にフィルム上に真空処理を行う真空処理部を備えているフィルムの真空処理装置において、前記基板固定冶具の下面が蒲鉾状の曲面を有しているので、枚葉のフィルムを一様に治具に密着させることができ、よって均一な表面改質あるいは膜形成が可能なフィルムの真空処理装置を提供できる効果がある。
【００１２】
また、上記請求項２に係る発明によれば、基板固定治具が金属あるいはその他導電性の材質から成り、電気的に接地あるいは浮遊を切り替えられる機構を有することによって、プラズマ等電気的な作用を用いるコーティングあるいは表面処理の際、フィルム基板近傍の電位を任意に制御でき、フィルム基材表面に様々な効果を付与することを可能にするフィルムの真空処理装置とすることができる。
【００１３】
また、上記請求項３に係る発明によれば、基板固定冶具の近傍に加熱あるいは冷却できる機構が設置されているので、基板固定治具を任意の温度に設定・維持することができ、よってコーティングあるいは表面処理の際、フィルム基板温度を一定に保ち、一様な処理が行えるフィルムの真空処理層を提供できる効果がある。
【００１４】
さらにまた、上記請求項４に係る発明によれば、上記のようなフィルムの真空処理装置を用いることによって、枚葉のフィルムを一様に治具に密着させることができ、均一な表面改質あるいは膜形成を可能にし、フィルム基材表面に様々な効果を付与することを可能にし、かつ一様な処理が行えるフィルムの真空処理方法を提供できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明を実施するための最良の形態を図面を用いながら説明する。
【００１６】
上記請求項１に係る発明は、図１の概略断面図に示すように、真空チャンバー（１００）内に、基板ホルダ（１０）と下面に接するように枚葉のフィルム（１４）を固定する基板固定冶具（１２）とを備え、該基板ホルダ（１０）の下部にフィルム（１４）の下面上に真空処理を行う真空処理部（２０）を備えているフィルムの真空処理装置（１）において、図３の斜視図に示すように、基板固定冶具（１２）の下面（１２ａ）が蒲鉾状の曲面を有していることを特徴としているフィルムの真空処理装置（１）である。
【００１７】
また、上記請求項２に係る発明では、図１に示す基板固定治具（１２）が金属あるいはその他導電性の材質から成り、電気的に接地あるいは浮遊を切り替えられる機構を有するもので、このことによって、プラズマ等電気的な作用を用いるコーティングあるいは表面処理の際、フィルム基板近傍の電位を任意に制御でき、フィルム（１４）表面に様々な効果を付与することを可能にするフィルムの真空処理装置（１）とするものである。
【００１８】
さらにまた、上記請求項３に係る発明では、図１に示す基板固定冶具（１２）の近傍に
加熱あるいは冷却できる機構（図示せず）が設置されているフィルムの真空処理装置（１）としたもので、このことによって、基板固定治具（１２）を任意の温度に設定・維持することができ、よってコーティングあるいは表面処理の際、フィルム基板温度を一定に保ち、一様な処理が行えるフィルムの真空処理層（１）をするものである。
【００１９】
以下に本発明の具体的実施例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
厚さ５ｍｍのステンレス板の中央１０ｃｍ×１０ｃｍを切除した図２に示すような基板ホルダ（１０）に、図３に示すような１０ｃｍ×１２ｃｍ，下面曲率２５ｃｍＲの基板固定治具（１）を用いて、図１のように厚み１００μｍのポリカーボネートでなるフィルム（１４）をこの基板固定治具（１２）の下面に接するように固定し、基板固定治具（１２）側に１３０℃に設定したヒータを設置した。
【００２１】
上記ポリカーボネートでなるフィルム（１４）の下側表面の基板温度分布を測定したところ、１３０℃±０．５℃と良好だった。
【実施例２】
【００２２】
厚さ５ｍｍのステンレス板の中央１０ｃｍ×１０ｃｍを切除した図２に示すような基板ホルダ（１０）に、図３に示すような１０ｃｍ×１２ｃｍ，下面曲率２５ｃｍＲの基板固定治具（１２）を用い、図１のように厚み１００μｍのポリカーボネートでなるフィルム（１４）を固定し、スパッタ装置内に設置した。真空引き後、基板固定治具（１２）側からヒータで加熱して１３０℃に設定し、ＩＴＯをスパッタリングによりフィルム（１４）の中心付近が１００ｎｍの膜厚になるように成膜した。
【００２３】
上記で成膜されたＩＴＯ膜は屈折率、光学膜厚、表面抵抗値のバラツキが何れも０．５％以下の均一な膜特性を示した。
【００２４】
以下に上記本発明の実施例との比較のための実施例について説明する。
【実施例３】
【００２５】
厚さ５ｍｍのステンレス板の中央１０ｃｍ×１０ｃｍを切除した図２に示すような基板ホルダ（１０）に、図４に示すような１０ｃｍ×１２ｃｍの平面治具（１６）を用いて厚み１００μｍのポリカーボネートでなるフィルム（１４）を固定し、平面治具（１６）側に１３０℃に設定したヒータを設置した。
【００２６】
上記ポリカーボネートでなるフィルム（１４）と平面治具（１６）の間に図４に示すような間隙が発生し一様な加熱ができず、平面治具（１６）に接触した部分が１３０℃であるのに対し、非接触の部分では１００℃程度だった。
【実施例４】
【００２７】
厚さ５ｍｍのステンレス板の中央１０ｃｍ×１０ｃｍを切除した図２に示すような基板ホルダ（１０）に、図４に示すような１０ｃｍ×１２ｃｍの平面治具（１６）を用いて厚み１００μｍのポリカーボネートでなるフィルム（１４）を固定し、スパッタ装置内に設置した。真空引き後、平面治具（１６）側からヒータで加熱して１３０℃に設定し、ＩＴＯをスパッタリングによりフィルム（１４）の中心付近が１００ｎｍの膜厚になるように成膜した。
【００２８】
上記で成膜されたＩＴＯ膜は平面治具（１６）に接触した部分と非接触の部分で膜の反射色が明らかに異なった。屈折率および光学膜厚のバラツキが５％以上、表面抵抗値は１
０％以上のバラツキを示した。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明のフィルムの真空処理装置の一事例の概略を側断面で表した説明図である。
【図２】本発明のフィルムの真空処理装置を構成する基板ホルダの一事例を説明する斜視図である。
【図３】本発明のフィルムの真空処理装置を構成する基板固定冶具の一事例を説明する斜視図である。
【図４】従来のフィルムの真空処理装置を構成する基板固定冶具と基板ホルダの一事例を説明する概略側断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１‥‥フィルムの真空処理装置
１０‥‥基板ホルダ
１２‥‥基板固定冶具
１４‥‥枚葉のフィルム
１６‥‥平面冶具
２０‥‥真空処理部
１００‥‥真空チャンバー
【図１】
2005154875.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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