(57)【要約】【課題】大型化および高精細化が可能な画像表示装置を提供する。【解決手段】  蛍光面が形成された第１基板１０と、複数の電子放出源１８が設けられた第２基板１２との間に、スペーサ構体２２が設けられている。各スペーサ構体は、第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有した支持基板２４と、支持基板の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を有している。支持基板は、複数の分割基板を互いに接合して構成されている。分割基板間の接合部２５は、支持基板の電子ビーム通過孔を跨いで延びている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光面が形成された第１基板と、
前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、
それぞれ前記第１および第２基板の間に設けられ前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
前記スペーサ構体は、前記第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状の支持基板と、前記支持基板の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、
前記支持基板は、複数の分割基板を互いに接合して構成され、分割基板間の接合部は、前記支持基板の電子ビーム通過孔を跨いで延びている画像表示装置。
【請求項２】
前記支持基板の電子ビーム通過孔は、複数列、複数行に並んで設けられ、前記分割基板間の接合部は、前記電子ビーム通過孔の１列と重なって延びている請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記分割基板の接合部は、隣合う電子ビーム通過孔間で溶接されている請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記分割基板の接合部は、前記支持基板の一方の表面側から溶接されている請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記分割基板の接合部は、複数箇所が前記支持基板の一方の表面側から溶接され、複数箇所が前記支持基板の他方の表面側から溶接されている請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記分割基板の接合部は、前記支持基板の一方の表面側から溶接された溶接部と、前記支持基板の他方の表面側から溶接された溶接部とが交互に並んでいる請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記各分割基板の接合部は、分割基板の他の部分よりも薄く形成され、他の分割基板の接合部と板厚方向に重ねて接合されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記各分割基板は矩形状に形成され、前記接合部は分割基板の少なくとも一辺に沿って形成されているとともに、各分割基板をこの一辺と直交する方向に沿って位置調整可能な位置調整幅を有している請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記支持基板は、前記第１基板に対向した第１表面と、前記第２基板に対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、前記第１表面上に立設された複数の第１スペーサと、前記第２表面上に立設された複数の第２スペーサと、を含んでいる請求項１ないし８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記支持基板は、前記第１基板に当接した第１表面と、前記第２基板と隙間を置いて対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、前記第２表面上に立設されているとともに前記第２基板に当接した先端部を有している請求項１ないし８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記スペーサは、柱状のスペーサである請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサとを備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置を構成するフィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）の一種として、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
このＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された第１基板および第２基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第１基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体を励起する電子放出源として、多数の電子放出素子が配列されている。第１基板および第２基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、複数のスペーサが配置されている。第１基板と第２基板との間には支持基板が設けられ、複数のスペーサはこの支持基板上に立設されている。また、支持基板には、それぞれ電子放出素子から放出された電子ビームが通過する複数の電子ビーム通過孔が形成されている（特許文献１）。
【０００４】
上記ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは５ｋＶ以上に設定することが必要となる。
【特許文献１】特開２００２−０８２８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記構成のＳＥＤにおいて、第１基板および第２基板に対するスペーサおよび電子ビーム通過孔の位置合わせが重要な課題となる。例えば、支持基板に形成された電子ビーム通過孔およびスペーサは、電子放出素子から放出された電子を遮らない形で設けられねばならない。特に、電子放出素子から蛍光体へ向かう電子ビームの軌道を、支持基板によって遮らないように、支持基板を高い精度で形成し、かつ、第１基板および第２基板に対して支持基板を高い精度で位置合わせする必要がある。この問題は大型で高精細の表示装置になるほど深刻となる。
【０００６】
また、表示装置が大型化した場合、スペーサおよび支持基板からなるスペーサ構体自体も大型化することが必要となるが、既存の製造方法では大型の支持基板を高精度で製造することが困難であり、スペーサ構体の大型化が難しくなる可能性が有る。あるいは、部材製造コストが高価になることが予想される。板状の支持基板において、電子ビーム通過孔の形成位置座標精度は、支持基板のサイズが大きくなるほど劣化する。
【０００７】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、大型化および高精細化が可能な画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、それぞれ前記第１および第２基板の間に設けられ前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、前記スペーサ構体は、前記第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状の支持基板と、前記支持基板の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、前記支持基板は、複数の分割基板を互いに接合して構成され、分割基板間の接合部は、前記支持基板の電子ビーム通過孔を跨いで延びていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、スペーサ構体の位置決め精度および加工精度の向上、並びに製造コストの低減を図ることができ、大型で高精細な画像表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型画像表示装置としてのＳＥＤに適用した実施形態について詳細に説明する。  
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器１５を構成している。
【００１１】
第１基板１０の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７およびゲッタ膜１９が順に形成されている。
【００１２】
第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。
【００１３】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
【００１４】
図２ないし図４に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２の間に配設されたスペーサ構体２２を備えている。スペーサ構体２２は、第１基板１０および第２基板１０の間に配設された矩形状の金属板からなる支持基板２４と、支持基板の両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、で構成されている。スペーサ構体２２は、表示領域全体を覆って配置されている。
【００１５】
スペーサ構体２２の支持基板２４は矩形状に形成され、後述するように、複数枚、例えば、２枚の分割基板を接合して形成されている。支持基板２４は、第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。
【００１６】
電子ビーム通過孔２６は複数行、複数列に並んで設けられている。真空外囲器１５および支持基板２４の長辺の延出方向方向を第１方向Ｘ、短辺の延出方向を第２方向Ｙとした場合、電子ビーム通過孔２６は、第１方向Ｘにブリッジ部を介して第１ピッチで並んでいるとともに、第２方向Ｙに第１ピッチよりも大きな第２ピッチで並んで設けられている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
【００１７】
図２ないし図７に示すように、支持基板２４は、それぞれ矩形状に形成された２枚の分割基板２３ａ、２３ｂを接合して１枚板に形成されている。分割基板２３ａ、２３ｂは、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．３ｍｍに形成されている。各分割基板２３ａ、２３ｂの一辺、例えば、第２方向Ｙに延びた長辺は接合部２５を形成されている。そして、分割基板２３ａ、２３ｂは、接合部２５を互いに突き合わせ状態で互いに接合されている。接合部２５は、支持基板２４の第１方向Ｘの中央部に位置し、第２方向Ｙ全長に渡って延びている。また、接合部２５は、支持基板２４の第２方向Ｙに延びた電子ビーム通過孔２６の１列と重なって位置し、各電子ビーム通過孔を跨いで延びている。
【００１８】
分割基板２３ａ、２３ｂの接合部２５は例えばスポット溶接により互いに接合されている。接合部２５は、隣合う電子ビーム通過孔２６間で、少なくとも１箇所が溶接されている。ここでは、分割基板２３ａ、２３ｂの接合部２５は、複数箇所が支持基板２４の一方の表面側から溶接され、複数箇所が支持基板の他方の表面側から溶接されている。支持基板の一方の表面側から溶接された溶接部と、支持基板の他方の表面側から溶接された溶接部とは、接合部２５の延出方向に沿って交互に並んでいる。
【００１９】
なお、接合部２５の溶接には、スポット溶接の他、アーク溶接、レーザ溶接等を用いることができる。また、接合部２５同士の接合は、溶接に限らず、ろう付け、接着、熱圧着等を用いてもよい。
【００２０】
図３に示すように、支持基板２４の表面には、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Ｆｅ３Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４からなる酸化膜が形成されている。また、支持基板２４の表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、例えば、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁層２７により被覆されている。更に、支持基板２４の表面２４ａ、２４ｂ、周縁部、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、二次電子発生防止効果を有した高抵抗膜としてのコート層２８により被覆されている。コート層２８は絶縁層２７に重ねて形成されている。
【００２１】
コート層２８は、二次電子放出係数が０．４〜２．０と低い材料、例えば、酸化クロム、酸化銅、ＩＴＯ等を含有している。このような低二次電子放出係数の材料は種々見出されているが、一般に自由電子を有する良導体に多く存在する。しかし、後述するように、ＳＥＤでは第１基板および第２基板間に１０ｋＶ程度の比較的高電圧が印加されるため、コート層として絶縁材料もしくは半導体などの比較的高抵抗材料を選択する必要がある。例えば、酸化クロムの体積抵抗値はおよそ１０５Ωcmと比較的高抵抗であり、かつ低二次電子放出係数の材料である。そして、スペーサ構体２２を構成している支持基板２４において、表面抵抗は１０７Ωcm以上であることが望ましい。そこで、本実施形態では、ガラスペーストと酸化クロムの粉末とを混合した複合材料によってコート層２８を形成することで、支持基板２４の表面抵抗値をマクロ的に上げ放電抑制効果を得ている。
【００２２】
図２ないし図４に示すように、支持基板２４の第１表面２４ａ上には複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、それぞれ第２方向Ｙに並んだ電子ビーム通過孔２６間に位置している。第１スペーサ３０ａの先端は、ゲッタ膜１９、メタルバック１７、および蛍光体スクリーン１６の遮光層１１を介して第１基板１０の内面に当接している。
【００２３】
支持基板２４の第２表面２４ｂ上には複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、それぞれ第２方向Ｙに並んだ電子ビーム通過孔２６間に位置している。第２スペーサ３０ｂの先端は第２基板１２の内面に当接している。ここでは、各第２スペーサ３０ｂの先端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に位置している。各第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置し、支持基板２４を両面から挟み込んだ状態で支持基板２４と一体に形成されている。
【００２４】
第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、支持基板２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第１スペーサ３０ａおよび第２スペーサ３０ｂはほぼ楕円状の横断面形状を有している。
【００２５】
上記のように構成されたスペーサ構体２２は、それぞれ支持基板２４の長辺が第２基板１２の第１方向Ｘと平行に延びた状態で配置され、支持基板２４の各角部は、第２基板１２内面に立設された支持部材３２に固定されている。各スペーサ構体の第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２６】
ＳＥＤは、支持基板２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、支持基板２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、支持基板２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００２７】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体２２の製造方法について説明する。  
それぞれ所定寸法に形成された２枚の分割基板２３ａ、２３ｂを用意する。分割基板としては、４５〜５５重量％ニッケル、残部鉄、不可避不純物を含有した板厚０．１２ｍｍの金属板を用いる。この金属板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔２６を形成する。続いて、図５ないし図７に示すように、金属板の接合部２５同士を突き合わせ状態で、２枚の金属板を第２方向Ｙに沿って位置合わせした後、第１方向Ｘに沿って位置合わせする。この際、接合部２５の接合面２５ａ同士が接触した状態で、２枚の金属板を移動させて位置合わせする。
【００２８】
位置合わせが終了した後、２枚の金属板の接合部２５同士を溶接して接合し、全体として矩形状の１枚の金属板を形成する。続いて、この金属板全体を酸化処理した後、電子ビーム通過孔２６の内面を含め金属板表面に絶縁層２７を形成する。更に、絶縁層２７の上に、ガラスペーストに約３０重量％の酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３−α：α＝−０．５〜０．５）を混入したコート液をスプレーにより塗布し、乾燥した後、焼成することにより、コート層２８を形成する。これにより、所定寸法の支持基板２４を得る。
【００２９】
なお、コート層２８は塗布膜に限らず、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、あるいはゾルゲル法により、支持基板表面に酸化クロムを薄膜状に形成した層としてもよい。
【００３０】
一方、支持基板２４とほぼ同一の寸法を有した矩形板状の上型および下型を用意する。成形型としての上型および下型は、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート等により平坦な板状に形成する。上型は、支持基板２４に当接される平坦な当接面と、第１スペーサ３０ａを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔と、を有している。スペーサ形成孔はそれぞれ上型の当接面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。同様に、下型は、平坦な当接面と、第２スペーサ３０ｂを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔と、を有している。スペーサ形成孔はそれぞれ下型の当接面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。なお、上型および下型は、複数に分割された型を組み合わせて構成してもよい。
【００３１】
続いて、上型のスペーサ形成孔および下型のスペーサ形成孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。
【００３２】
スペーサ形成材料の充填されたスペーサ形成孔がそれぞれ電子ビーム通過孔２６間と対向するように、上型を位置決めし当接面を支持基板２４の第１表面２４ａに密着させる。同様に、下型を、各スペーサ形成孔が電子ビーム通過孔２６間と対向するように位置決めし、当接面を支持基板２４の第２表面２４ｂに密着させる。なお、支持基板２４のスペーサ立設位置には、ディスペンサあるいは印刷により、予め接着剤を塗布しておいてもよい。これにより、支持基板２４、上型および下型からなる組立体を構成する。組立体において、上型のスペーサ形成孔と下型のスペーサ形成孔とは、支持基板２４を挟んで対向して配列されている。
【００３３】
次いで、上型および下型の外側に配置された紫外線ランプから上型および下型に向けて紫外線（ＵＶ）を照射する。上型および下型はそれぞれ紫外線透過材料で形成されている。そのため、紫外線ランプから照射された紫外線は、上型および下型を透過し、充填されたスペーサ形成材料に照射される。これにより、組立体の密着を維持した状態で、スペーサ形成材料を紫外線硬化させる。
【００３４】
続いて、硬化したスペーサ形成材料を支持基板２４上に残すように、上型および下型を支持基板２４から離型する。その後、スペーサ形成材料が設けられた支持基板２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、支持基板２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサ構体２２が得られる。
【００３５】
一方、ＳＥＤの製造においては、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。続いて、前記のようにして得られたスペーサ構体２２を第２基板１２上に位置決め配置し、支持部材３２に固定する。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサ構体２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、スペーサ構体２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３６】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、スペーサ構体２２の支持基板２４は複数枚の分割基板を接合して形成されている。そのため、各分割基板を小型化することができ、分割基板のエッチング加工、レーザー加工等の加工精度を上げることができる。これにより、高い寸法精度の支持基板を得ることができる。また、各分割基板を既存の製造方法および製造装置により安価に製造することができる。従って、ＳＥＤの画素ピッチを小さくし高精細化を図った場合でも、また、ＳＥＤを大型化した場合でも、電子放出素子等に対してスペーサ構体を高い精度で位置合わせすることができ、大型で高精細化なＳＥＤが得られる。
【００３７】
一方、分割基板間の接合部は、支持基板の電子ビーム通過孔の列に重なって位置し、電子ビーム通過孔を跨いで延びている。そして、接合部は、隣合う電子ビーム通過孔間で互いに溶接されている。そのため、接合部の溶接箇所を低減し、溶接時における支持基板の熱を分散し支持基板の熱変形を防止することができる。ＳＥＤの高精細化に伴い、電子ビーム通過孔間のピッチも小さくなる。そのため、電子ビーム通過孔間で分断された複数の分割基板を接合する場合、接合部の形成スペースを確保することが困難となる。しかしながら、本実施形態によれば、接合部は電子ビーム通過孔列に重ねて設けられ、電子ビーム通過孔を跨いで延びていることから、電子ビーム通過孔の配列ピッチを小さくした場合でも、接合部の形成スペースを確保することができる。従って、一層の高精細化が可能となる。
【００３８】
更に、本実施形態によれば、分割基板間の接合部において、複数箇所を支持基板の一方の表面側から溶接し、他の複数箇所を支持基板の他方の表面側から溶接している。これにより、溶接時に生じる支持基板の熱応力を支持基板の両面側から打ち消し合うことができ、その結果、接合部における支持基板の反り、うねりを防止することができる。
【００３９】
なお、上述したＳＥＤにおいて、スペーサ構体の支持基板は２枚の分割基板を接合して構成したが、２枚に限らず、３枚以上の分割基板を互いに接合して支持基板を構成してもよい。また、分割基板の接合位置は、支持基板の第１方向中央に限らず、必要に応じて変更可能である。複数の分割基板は互いに同一寸法に形成されている必要はなく、互いに異なる寸法に形成してもよい。
【００４０】
上述した実施形態において、分割基板間の接合部２５は、支持基板の両面側から交互に溶接する構成としたが、２箇所置き、３箇所置きあるいはランダムに異なる表面側から溶接してもよい。また、図８に示すように、接合部２５における全ての溶接部を、支持基板２４の一方の表面側からの溶接する構成としてもよい。この場合、溶接工程を簡略化することができる。すなわち、片面側からの溶接は１回の溶接作業ですみ、両面側から溶接する場合に比較して溶接作業を低減することが可能となる。理想的には条件の追い込みで片面溶接にするのが望ましいが、特性が満足できない場合は工数は増えるが両面から溶接する。
【００４１】
上述した実施形態において、各分割基板の接合部２５を基板の側縁により形成し、複数の分割基板の接合部同士を突き合わせて接合する構成としたが、図９に示す第２の実施形態のように、接合部同士を支持基板２４の板厚方向に重ね合わせて接合する構成としてもよい。この場合、各分割基板２３ａ、２３ｂの接合部２５は、分割基板の板厚ｔに対してほぼ半分の厚さｔ／２に形成されているとともに、分割基板の表面とほぼ平行に延びた接合面２５ａを有している。接合面２５ａは、分割基板の表面に対してｔ／２だけ段差を持って位置している。また、接合面２５ａは長辺と直交する方向、すなわち、第１方向Ｘに調整幅Ｗを有している。接合部２５は、例えば、分割基板２３ａ、２３ｂをハーフエッチングすることにより形成されている。
【００４２】
分割基板２３ａ、２３ｂの接合部２５は、接合面２５ａ同士が接触した状態で板厚方向に重ね合わされ、互いに接合されている。例えば、分割基板２３ａ、２３ｂの接合部２５が板厚方向に重なった領域を、分割基板の両面側から交互に溶接することにより、接合部２５同士を接合している。また、接合部２５は、支持基板２４の電子ビーム通過孔２６の１列に重ねて設けられ、電子ビーム通過孔を跨いで延びている。
【００４３】
第２の実施形態において、ＳＥＤの他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。そして、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、第２の実施形態形によれば、分割基板の接合部は、分割基板の面方向に沿って位置調整可能な調整幅を有しているため、複数枚の分割基板を正確に位置合わせし、一層高い寸法精度の支持基板を得ることができる。
【００４４】
前述した実施形態において、スペーサ構体は、第１および第２スペーサおよび支持基板を一体的に備えた構成としたが、第２スペーサ３０ｂは第２基板１２上に形成する構成としてもよい。また、スペーサ構体は、支持基板および第２スペーサのみを備え、支持基板が第１基板に接触した構成としてもよい。
【００４５】
図１０に示すように、この発明の第３の実施形態に係るＳＥＤによれば、スペーサ構体２２は、矩形状の金属板からなる支持基板２４と、支持基板の一方の表面のみに一体的に立設された多数の柱状のスペーサ３０と、を有している。支持基板２４は、複数、例えば、２枚の分割基板２３ａ、２３ｂを接合して構成されている。分割基板２３ａ、２３ｂは、それぞれ前述した実施形態と同様の接合部２５を有し、この接合部２５電子ビーム通過孔２６の１列に重ねて設けられ、電子ビーム通過孔を跨いで延びている。
【００４６】
支持基板２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
【００４７】
支持基板２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、各電子ビーム通過孔２６の内壁面は、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁層２７により被覆され、更に、絶縁層に重ねてコート層２８が形成されている。そして、支持基板２４は、その第１表面２４ａが、ゲッタ膜１９、メタルバック１７、蛍光体スクリーン１６を介して、第１基板１０の内面に面接触した状態で設けられている。支持基板２４に設けられた電子ビーム通過孔２６は、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂと対向している。これにより、各電子放出素子１８は、電子ビーム通過孔２６を通して、対応する蛍光体層と対向している。
【００４８】
支持基板２４の第２表面２４ｂ上には複数のスペーサ３０が一体的に立設され、それぞれ電子ビーム通過孔２６間に位置している。各スペーサ３０の延出端は、第２基板１２の内面、ここでは、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に当接している。スペーサ３０の各々は、支持基板２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されているとともに、ほぼ楕円形の横断面形状に形成されている。
【００４９】
上記のように構成されたスペーサ構体２２は、支持基板２４が第１基板１０に面接触し、スペーサ３０の延出端が第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００５０】
第３の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。第３の実施形態に係るＳＥＤおよびそのスペーサ構体は前述した実施形態に係る製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。そして、本実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００５２】
前述した実施形態では、分割基板を互いに接合して１枚の支持基板を形成した後、この支持基板上にスペーサを形成する方法としたが、これに限らず、分割基板上にスペーサを形成し複数のスペーサ構体を形成した後、分割基板同士を接合する構成としてもよい。
【００５３】
スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。
【図３】図１の線Ｂ−Ｂに沿った前記ＳＥＤの断面図。
【図４】前記ＳＥＤの第２基板およびスペーサ構体を示す斜視図。
【図５】前記スペーサ構体における支持基板の接合部を拡大して示す斜視図。
【図６】前記支持基板の接合部を示す分解斜視図。
【図７】図５の線Ｃ−Ｃに沿った前記接合部の断面図。
【図８】変形例に係る支持基板の接合部を示す断面図。
【図９】この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤを支持基板を示す斜視図。
【図１０】この発明の第３の実施形態に係るＳＥＤを示す断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１０…第１基板、    １２…第２基板、  １４…側壁、    １５…真空外囲器、
１６…蛍光体スクリーン、  ８…電子放出素子、
２２…スペーサ構体、  ２３ａ、２３ｂ…分割基板、  ２４…支持基板、
２５…接合部、  ２５ａ…接合面、  ２６…電子ビーム通過孔、
３０…スペーサ、  ３０ａ…第１スペーサ、  ３０ｂ…第２スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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