(57)【要約】【課題】  温調手段の温調能力の応答性、及び安定性の両立を図るようにすることで、この空気調和装置の温度精度を向上できるようにする。【解決手段】  被処理空気を温調する温調手段（40）として、第１と第２温調手段（41,42）を設ける。そして、制御手段（50）によって、第１温調手段（41）と第２温調手段（42）とを個別に制御するようにする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気通路（11）に、被処理空気を温調する温調手段（40）と、温度センサ（61,62）とが配置され、上記温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて上記温調手段（40）の能力を調整する制御手段（50）を備えた空気調和装置であって、
上記温調手段（40）は、少なくとも第１温調手段（41）と第２温調手段（42）とで構成され、
制御手段（50）は、第１温調手段（41）と第２温調手段（42）との温調能力を個別に制御するように構成されている空気調和装置。
【請求項２】
請求項１に記載の空気調和装置において、
空気通路（11）には、被処理空気を送風する送風手段（21）が配置され、
第１，第２温調手段（41,42）は、上記送風手段（21）の下流側に配置されている空気調和装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の空気調和装置において、
制御手段（50）は、第１温調手段（41）を制御する第１制御部（51）と、第２温調手段（42）を制御する第２制御部（52）とを備え、
第１制御部（51）は、温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて制御周期ｔ１毎に第１温調手段（41）を制御するように構成され、
第２制御部（52）は、温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて制御周期ｔ１より短い制御周期ｔ２毎に第２温調手段（42）を制御するように構成されている空気調和装置。
【請求項４】
請求項３に記載の空気調和装置において、
第１温調手段（41）は、第２温調手段（42）よりも上流側に配置されている空気調和装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１に記載の空気調和装置において、
空気通路（11）には、被処理空気中の塵埃を捕集する集塵手段（23）が配置され、
第１，第２温調手段（41,42）は、上記集塵手段（23）の上流側に配置されている空気調和装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１に記載の空気調和装置において、
空気通路（11）には、被処理空気中の塵埃を捕集する集塵手段（23）が配置され、
第１温調手段（41）は、上記集塵手段（23）の上流側に配置される一方、第２温調手段（42）は、上記集塵手段（23）の下流側に配置されている空気調和装置。
【請求項７】
請求項３から７のいずれか１に記載の空気調和装置において、
温度センサ（61,62）は、少なくとも第１温度センサ（61）と第２温度センサ（62）とで構成され、
第１制御部（51）は、第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１に基づき第１温調手段（41）を制御するように構成され、
第２制御部（52）は、第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２に基づき第２温調手段（42）を制御するように構成されている空気調和装置。
【請求項８】
請求項７に記載の空気調和装置において、
第１温度センサ（61）は、第１温調手段（41）の上流側に配置されている空気調和装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１に記載の空気調和装置において、
制御手段（50）は、第１温調手段（41）と第２温調手段（42）のいずれか一方、又は両方の温調能力を位相制御によって調整する位相制御部（55）を備えている空気調和装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温調手段によって被処理空気を温調して温度制御対象に供給する空気調和装置に係り、特に、半導体製造装置などの温度制御対象に対して高精度に温調した被処理空気を供給する空気調和装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば半導体製造装置などを温度制御対象とし、この温度制御対象に対して温調した空気を供給する空気調和装置が知られている。
【０００３】
図１１に示すように、特許文献１に開示されている空気調和装置は、ケーシング（70）内の空気通路（71）に、冷却器（72）、ヒータ（温調手段）（73）、及び温度センサ（74）を備えている。上記冷却器（72）は、冷凍機（75）に接続されており、空気通路（71）の流入口（76）より導入された空気を冷却する。また、ヒータ（73）は、上記冷却器（72）によって一旦冷却された被処理空気を加熱して所定温度に温調する。さらに、温度センサ（74）は、上記ヒータ（73）によって加熱された被処理空気の温度を検出する。また、空気通路（71）における被処理空気の流出口（77）には、フィルタ（集塵手段）（78）が設けられている。このフィルタ（78）は、流出口（77）より温度制御対象に供給される被処理空気中の塵埃を捕集する。
【０００４】
また、この空気調和装置は、上記温度センサ（74）の検出温度に基づいて上記ヒータ（73）の能力を調整する制御手段（80）を備えている。この制御手段（80）は、例えば温度制御対象に供給すべき被処理空気の温度（設定温度Ｔs）と、上記温度センサ（74）の検出温度Ｔ１との温度差によってヒータ（73）の能力を調整するフィードバック制御を行うように構成されている。
【０００５】
以上の構成の空気調和装置において、図示しないファンが起動すると、被処理空気が流入口（76）よりケーシング（70）内に吸引され空気通路（71）を流通する。この被処理空気は、冷却器（72）によって所定温度まで冷却される。そして、冷却された被処理空気は、ヒータ（73）によって加温（リヒーティング）される。なお、この際、制御手段（80）は、ヒータ（73）の能力を温度センサ（74）の検出温度Ｔ１に基づき調整する。このようにして、設定温度Ｔｓと近い温度まで温調された被処理空気は、上記フィルタ（78）を通過した後、ケーシング（70）の流出口（77）より温度制御対象に供給される。そして、この空気調和装置は、半導体製造装置などの温度制御対象を一定温度に保持するようにしている。
【特許文献１】特開平１１−２１９８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、半導体製造装置における半導体製造工程においては、製品の品質の向上を図るため、特に高い温度精度（例えば±０．０１℃の精度）での温度制御が要求される傾向にある。このため、上記高精度の温度制御ニーズに対応する空気調和装置が望まれている。
【０００７】
一方、特許文献１に開示されているような空気調和装置において、上記高精度の温度制御ニーズを満たそうとする上では、以下のような問題を解決する必要がある。
【０００８】
まず、一点目は、ヒータ（73）における温調能力の応答性の問題である。例えば温度センサ（74）の検出温度に変動が生じた場合、この温度変動に対して迅速にヒータ（73）の温調能力を追随させることができる優れた応答性が必要となる。
【０００９】
また、２点目は、ヒータ（73）における温調能力の安定性の問題である。例えばヒータ（73）において、上述したような温度変動に追随して温調能力の調整を行う場合、これら温度変動に対する温調能力の共振や干渉によって、この温調能力（温調された被処理空気の温度）が安定しなくなる可能性がある。したがって、温度センサ（74）の検出温度に変動が生じた場合、この温度変動に対してある程度の精度を確保できる安定性が必要となる。
【００１０】
以上のように、特に高精度の温度制御ニーズに対応する空気調和装置を提供するためには、被処理空気の温度変動に対して優れた応答性を有するとともに、この温度変動に対してある程度の安定性を有する温調手段が望まれる。
【００１１】
本発明は、このような問題点に鑑みて創案されたものであり、その目的は、被処理空気の温度変動に対する応答性、及び安定性の両立を図ることのできる温調手段を提供し、この空気調和装置の温度精度を向上できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、第１と第２の温調手段を設け、一方の温調手段では、安定性重視の温調制御を行い、他方の温調手段では、応答性重視の温調制御を行うようにしたものである。
【００１３】
具体的に、第１の発明は、空気通路（11）に、被処理空気を温調する温調手段（40）と、温度センサ（61,62）とが配置され、上記温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて上記温調手段（40）の能力を調整する制御手段（50）を備えた空気調和装置を前提としている。そして、この空気調和装置は、上記温調手段（40）が、少なくとも第１温調手段（41）と第２温調手段（42）とで構成され、制御手段（50）は、第１温調手段（41）と第２温調手段（42）との温調能力を個別に制御するように構成されているものである。
【００１４】
上記第１の発明では、空気通路（11）に取り込まれた被処理空気が、温調手段（40）で温調された後、温度制御対象に供給される。
【００１５】
ここで、本発明では、上記温調手段（40）として、第１と第２の温調手段（41,42）が設けられる。そして、制御手段（50）は、上記第１，第２温調手段（41,42）の温調能力を個別に制御するように構成される。したがって、例えば第１温調手段（41）では、被処理空気の温度変動に対して比較的長い周期で温調能力を調整することができる。このようにすると、被処理空気の急激な温度変動に対して、第１温調手段（41）の温調能力が共振や干渉を引き起こし、この温調能力（温調された被処理空気の温度）が安定しなくなることを抑制できる。したがって、第１温調手段（41）によって、安定性重視の温調制御を行うことができる。
【００１６】
一方、第２温調手段（42）では、被処理空気の温度変動に対して比較的短い周期で温調能力を調整することができる。このようにすると、被処理空気の温度変動に対してある程度の追随性を得ながら第２温調手段（42）の温調能力を調整できる。したがって、第２温調手段（42）によって、応答性重視の温調制御を行うことができる。
【００１７】
以上のように、本発明では、温調手段（40）を２つ設け、一方の温調手段（41）で安定性重視の温調制御を行う一方、同時に、他方の温調手段（42）で応答性重視の温調制御を行えるようにしている。したがって、応答性と安定性の両立を図りながら被処理空気の温調を行うことができる。
【００１８】
第２の発明は、第１の発明のの空気調和装置において、空気通路（11）には、被処理空気を送風する送風手段（21）が配置され、第１，第２温調手段（41,42）は、上記送風手段（21）の下流側に配置されているものである。
【００１９】
上記第２の発明では、上記第１，第２温調手段（41,42）が、被処理空気の送風を行う送風手段（21）の下流側に配置される。ここで、仮に各温調手段（41,42）を送風手段（21）の上流側に配置した場合、せっかく温調手段（41,42）で所定温度に温調した被処理空気が、送風手段（21）の運転時における発熱の影響、あるいは送風手段（21）の流通時における被処理空気の空気摩擦の影響を受け、その温度が変化してしまうことがある。
【００２０】
一方、本発明では、送風手段（21）を通過した後の被処理空気を第１，第２温調手段（41,42）で温調するようにしているので、送風手段（21）の流通時における温度変化の影響を受けず、被処理空気を所定温度に温調し、この被処理空気を温度制御対象に供給することができる。
【００２１】
第３の発明は、第１又は第２の発明の空気調和装置において、制御手段（50）が、第１温調手段（41）を制御する第１制御部（51）と、第２温調手段（42）を制御する第２制御部（52）とを備え、第１制御部（51）は、温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて制御周期ｔ１毎に第１温調手段（41）を制御するように構成され、第２制御部（52）は、温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて制御周期ｔ１より短い制御周期ｔ２毎に第２温調手段（42）を制御するように構成されているものである。
【００２２】
上記第３の発明では、第１制御部（51）が、温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて、第２温調手段（42）の制御周期ｔ２よりも長い制御周期ｔ１毎に第１温調手段（41）の能力を調整する。よって、第１温調手段で（41）は、被処理空気の温度変動に対して第２温調手段（42）より低頻度で温調能力が調整される。したがって、被処理空気の温度変動に対して、第１温調手段（41）の温調能力が共振や干渉を引き起こし、この温調能力が安定しなくなることを抑制できる。すなわち、第１温調手段（41）によって安定性重視の温調を行うことができる。
【００２３】
一方、上記第１制御部（51）による第１温調手段（41）の制御と同時に、第２制御部（52）は、温度センサ（61,62）の検出温度に基づいて、第１温調手段（41）の制御周期ｔ1よりも短い制御周期ｔ2毎に第２温調手段（42）の能力を調整する。よって、第２温調手段（42）では、被処理空気の温度変動に対して第１温調手段（41）より高頻度で温調能力が調整される。したがって、被処理空気の温度変動に対して、ある程度の追随性を得ながら第２温調手段（42）の温調能力を調整できる。すなわち、第２温調手段（42）で応答性重視の温調を行うことができる。
【００２４】
第４の発明は、第３の発明の空気調和装置において、第１温調手段（41）は、第２温調手段（42）よりも上流側に配置されているものである。
【００２５】
上記第４の発明では、被処理空気が第１温調手段（41）で温調された後、さらに第２温調手段（42）によって温調される。ここで、第１温調手段（41）に流通した被処理空気は、該第１温調手段（41）によって安定性重視の温調がなされる。そして、この被処理空気は、第２温調手段（42）によって応答性重視の温調がなされる。
【００２６】
第５の発明は、第１から第４のいずれか１の発明の空気調和装置において、空気通路（11）には、被処理空気中の塵埃を捕集する集塵手段（23）が配置され、第１，第２温調手段（41,42）は、上記集塵手段（23）の上流側に配置されているものである。ここで、上記集塵手段（23）は、被処理空気中に含まれる細菌や化学物質などの微小粒子を捕集できるものが好ましい。
【００２７】
上記第５の発明では、空気通路（11）に集塵手段（23）が配置されることで、被処理空気中の塵埃などが該集塵手段（23）によって捕集される。ここで、本発明では、第１，第２温調手段（41,42）を上記集塵手段（23）の上流側に配置している。このため、被処理空気は、第１温調手段（41）、第２温調手段（42）、集塵手段（23）の順に流通する。したがって、第１温調手段（41）、第２温調手段（42）から化学物質などが遊離し、これらの物質が被処理空気中に含まれてしまった場合にも、これらの物質を上記集塵手段（23）によって捕集することができる。
【００２８】
第６の発明は、第１から第４のいずれか１の発明の空気調和装置において、空気通路（11）には、被処理空気中の塵埃を捕集する集塵手段（23）が配置され、第１温調手段（41）は、上記集塵手段（23）の上流側に配置される一方、第２温調手段（42）は、上記集塵手段（23）の下流側に配置されているものである。
【００２９】
上記第６の発明では、空気通路（11）に集塵手段（23）が配置されることで、被処理空気中の塵埃が該集塵手段（23）によって捕集される。ここで、本発明では、第１温調手段（41）を上記集塵手段（23）の上流側に配置する一方、第２温調手段（42）を上記集塵手段（23）の下流側に配置している。このため、被処理空気は、第１温調手段（41）、集塵手段（23）、第２温調手段（42）の順に流通する。
【００３０】
ここで、例えば集塵手段（23）を第１，第２温調手段（41,42）の下流側に配置すると、せっかく第１，第２温調手段（41,42）で温調した被処理空気の温度が、上記集塵手段（23）の熱容量の影響を受けて変化してしまうことがある。したがって、この空気調和装置において、最終的な供給空気の温度を保証するためには、この集塵手段（23）の熱容量の影響を軽減するための工夫が必要となってしまう。
【００３１】
一方、本発明では、集塵手段（23）の下流側に第２温調手段（42）を配置している。したがって、仮に集塵手段（23）の熱容量を受けて被処理空気の温度が変化した場合にも、第２温調手段（42）の温調によって最終的な供給空気の温度を保証することができる。
【００３２】
第７の発明は、第３から第７のいずれか１の発明の空気調和装置において、温度センサ（61,62）は、少なくとも第１温度センサ（61）と第２温度センサ（62）とで構成され、第１制御部（51）は、第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１に基づき第１温調手段（41）を制御するように構成され、第２制御部（52）は、第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２に基づき第２温調手段（42）を制御するように構成されているものである。
【００３３】
上記第７の発明では、第１温調手段（41）に対応する第１温度センサ（61）と、第２温調手段（42）に対応する第２温度センサ（62）とが設けられる。そして、第１温調手段（41）は、第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１に基づき温調能力が調整される。一方、第２温調手段（42）は、第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２に基づき温調能力が調整される。
【００３４】
第８の発明は、第７の発明の空気調和装置において、第１温度センサ（61）が、第１温調手段（41）の上流側に配置されているものである。
【００３５】
上記第８の発明では、第１温調手段（41）に流入する被処理空気の温度を第１温度センサ（61）が検出し、この第１温度センサ（61）の検出温度に基づき第１温調手段（41）の温調能力が調整される。よって、いわゆるフィードフォワード制御によって第１温調手段（42）の温調能力を調整することができる。
【００３６】
第９の発明は、第１から第８のいずれか１の発明の空気調和装置において、制御手段（50）が、第１温調手段（41）と第２温調手段（42）のいずれか一方、又は両方の温調能力を位相制御によって調整する位相制御部（55）を備えているものである。ここで、位相制御とは、温調手段（40）に通電される電源波形において、この電源波形の半周期毎に通電のON/OFF制御を行い、半周期における導通（ON）時間と非導通（OFF）時間との割合を変化させる制御であり、この位相制御によって温調手段（40）のヒータ出力を細かく制御可能なものである。
【００３７】
上記第９の発明では、第１温調手段（41）と第２温調手段（42）のいずれか一方、又は両方の温調能力が位相制御によって調整される。ここで、温調手段（40）の温調能力を位相制御によって調整すると、温調手段（40）のヒータ出力をより高精度に調整することができる。よって、温調手段（40）の制御分解能を高めることができ、温調手段（40）によって温調された被処理空気の温度精度の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明では、以下の効果が発揮される。
【００３９】
上記第１の発明によれば、空気通路（11）に第１と第２の温調手段（41,42）を設け、制御手段（50）によって例えば第１温調手段（41）で安定性重視の温調を行う一方、同時に第２温調手段（42）で応答性重視の温調を行えるようにしている。
【００４０】
このようにすると、被処理空気をある程度安定した精度で温調できる一方、温度変動に対しても高い追随性を維持した温調を行うことができる。したがって、安定性と応答性とを両立させることによって、この空気調和装置の温度精度の向上を図ることができる。
【００４１】
上記第２の発明によれば、第１，第２温調手段（41,42）を送風手段（21）の下流側に配置し、送風手段（21）を通過した後の被処理空気を第１，第２温調手段（41,42）で温調するようにしている。このため、送風手段（21）の流通時における温度変化の影響を受けず、被処理空気を所定温度に温調し、この被処理空気を温度制御対象に供給することができる。したがって、この空気調和装置の温度精度を一層向上させることができる。
【００４２】
上記第３の発明によれば、第１制御部（51）によって制御周期ｔ１毎に第１温調手段（41）の温調能力を調整する一方、第２制御部（52）によって制御周期ｔ１より短い制御周期ｔ２毎に第２温調手段（42）の温調能力を調整するようにしている。すなわち、第１温調手段（41）は、低頻度で温調能力が調整され、第２温調手段（42）は、第１温調手段（41）よりも高頻度で温調能力が調整される。よって、第１の発明で上述したように、第１温調手段（41）によって安定性重視の温調を行う一方、同時に、第２温調手段（42）によって応答性重視の温調を行うことができる。したがって、安定性と応答性とを両立させることによって、この空気調和装置の温度精度の向上を図ることができる。
【００４３】
上記第４の発明によれば、被処理空気を第１温調手段（41）、第２温調手段（42）の順に流通させることで、まず、第１温調手段（41）で安定性重視の温調を行った後、この被処理空気を第２温調手段（42）によって応答性重視で温調するようにしている。このようにすると、第１温調手段（41）によって被処理空気を所定の温度精度で温調した後、この温度精度より細かい温度調整を、第２温調手段（42）によって行うことができる。ここで、第２温調手段（42）では、応答性に優れた温調が行われるため、温度センサ（61,62）の検出温度に対して第２温調手段（42）の能力変化に時間遅れが生じ、例えばオーバーシュートやアンダーシュートを引き起こしてしまうことも抑制できる。したがって、最終的に温度制御対象に供給される被処理空気の温度保証を確実に行うことができる。
【００４４】
上記第５又は第６の発明によれば、集塵手段（23）を設けることによって、温度制御対象に供給される被処理空気を清浄化することができる。
【００４５】
ここで、第５の発明では、第１，第２温調手段（41,42）を集塵手段（23）の上流側に配置している。したがって、仮に、第１，第２温調手段（41,42）によって被処理空気が温調された際、該第１，第２温調手段（41,42）から化学物質などが遊離した場合にも、これらの化学物質を集塵手段（23）によって捕集することができる。よって、最終的に温度制御対象に供給される被処理空気の清浄度を確実に向上させることができる。
【００４６】
また、第６の発明では、第１温調手段（41）を集塵手段（23）の上流側に配置する一方、第２温調手段（42）を集塵手段（23）の下流側に配置している。したがって、第１温調手段（41）によって温調された被処理空気が集塵手段（23）を通過する際、この集塵手段（23）の熱容量の影響などによって、この被処理空気の温度が変化してしまった場合にも、この被処理空気の温調を第２温調手段（42）によって行うことで、このような温度誤差を解消することができる。よって、最終的に温度制御対象に供給される被処理空気の温度保証を確実に行うことができる。
【００４７】
上記第７の発明によれば、第１温調手段（41）に対応する第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１に基づいて第１温調手段（41）の温調能力を調整する一方、第２温調手段（42）に対応する第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２に基づいて第２温調手段（42）の温調能力を調整するようにしている。よって、複数の検出温度Ｔ１，Ｔ２に基づき、安定性と応答性とを重視した温調を行うことができる。
【００４８】
ここで、上記第８の発明によれば、第１温度センサ（61）を第１温調手段（41）の上流側に配置することで、いわゆるフィードフォワード制御によって第１温調手段（41）の温調を行えるようにしている。このようにすると、被処理空気の温度変動に対して第１温調手段（41）の能力変化に時間遅れが生じることを抑制できる。したがって、第１温調手段（41）によって、被処理空気の温度変動に対してある程度の応答性を確保しながら、安定性を重視した温調を行うことができる。
【００４９】
上記第９の発明によれば、位相制御部（55）によって温調手段（40）の温調能力を位相制御によって調整するようにしている。したがって、温調手段（40）の制御分解能を高めることができ、温調手段（40）によって温調された被処理空気の温度精度を一層向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００５１】
《実施形態１》
本発明の実施形態１に係る空気調和装置は、温調された被処理空気を温度制御対象である半導体製造装置に供給して、この半導体製造装置の温度を一定に保持するためのものである。
【００５２】
図１に示すように、空気調和装置（1）は、横長のケーシング（10）内に被処理空気が流通する空気通路（11）を備えている。このケーシング（10）には、被処理空気が空気通路（11）に導入される流入口（12）と、空気通路（11）の被処理空気が温度制御対象に供給される流出口（13）とが形成されている。
【００５３】
空気通路（11）には、大略的に述べると、上流側より順に、冷却器（蒸発器）（20）、ファン（送風手段）（21）、ヒータ（温調手段）（40）、フィルタ（集塵手段）（23）が配置されている。
【００５４】
上記冷却器（20）は、流入口（12）より導入された被処理空気を冷却するものである。この冷却器（20）は、冷媒が循環して冷凍サイクルを行う冷媒回路（30）に接続されて蒸発器として機能する。この冷却器（20）は、例えばフィンコイル型熱交換器で構成されている。
【００５５】
なお、冷媒回路（30）は、上記冷却器（20）、アキュムレータ（31）、圧縮機（32）、凝縮器（33）、膨張弁（34）が順に接続されて閉回路となっている。また、上記凝縮器（33）には、圧縮機（32）で圧縮されて高温高圧となった冷媒が流通する冷媒用通路（33a）と、冷却水が流通する冷却用通路（33b）とが形成されている。そして、凝縮器（33）は、冷媒と冷却水とを熱交換させることで、この冷媒を凝縮させる。
【００５６】
上記ファン（21）は、流入口（12）より空気通路（11）に被処理空気を吸引して、この空気を流出口（13）より温度制御対象に供給するものである。
【００５７】
上記ヒータ（40）は、上記冷却器（20）で冷却された被処理空気を加温して温調するものである。このヒータ（40）は、第１温調手段である第１ヒータ（41）と、第２温調手段である第２ヒータ（42）とで構成されている。各ヒータ（41,42）は、それぞれ棒状の基材（41a,42a）にニクロム線が巻かれたストリップヒータによって構成されている。そして、各基材（41a,42a）は、それぞれ上下方向に所定の間隔を介して配列されている。そして、第１ヒータ（41）の基材（41a）と、第２ヒータ（42）の基材（42a）とは、上下方向において段違いとなるようにして枠体に保持された状態となっている。以上のようにして、ヒータ（40）は、第１ヒータ（41）と第２ヒータ（42）とを被処理空気の流れに対して密に配置することで、ワット密度を向上できるようにしている。
【００５８】
上記フィルタ（23）は、上記ヒータ（40）で温調された被処理空気中の塵埃を捕集するものである。このフィルタ（23）は、例えばＵＬＰＡフィルタ（ultra low penetration airfilter）などで構成され、被処理空気中の微細な粉塵までも捕集可能となっている。
【００５９】
また、本実施形態の空気調和装置（1）は、被処理空気の温度を検出する温度センサ（61,62）と、該温度センサ（61,62）の検出温度に基づいてヒータ（40）の能力を調整するコントローラ（制御手段）（50）とを備えている。
【００６０】
具体的に、温度センサ（61,62）は、ヒータ（40）とフィルタ（23）との間に配置された第１温度センサ（61）と、フィルタ（23）の下流側に配置された第２温度センサ（62）とで構成されている。
【００６１】
第１温度センサ（61）は、ヒータ（40）の下流側であって、かつフィルタ（23）の上流側近傍に配置されている。この第１温度センサ（61）は、ヒータ（40）によって温調された被処理空気の温度Ｔ１を検出する。なお、第１温度センサ（61）は、例えばＰｔ材料からなる測温抵抗体によって構成されている。
【００６２】
一方、第２温度センサ（62）は、フィルタ（23）の下流側であって、かつ空気通路（11）の下流端近傍に配置されている。この第２温度センサ（62）は、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度Ｔ２を検出する。なお、第２温度センサ（62）は、第１温度センサ（61）と同様に、例えばＰｔ材料からなる測温抵抗体によって構成されている。
【００６３】
上記コントローラ（50）は、上記第１，第２温度センサ（61,62）と配線を介して接続されている。このコントローラ（50）は、温度制御対象に供給される被処理空気の設定温度Ｔｓが入力される設定入力部（53）と、ヒータ（40）の能力補正を行う目標温度算出部（54）と、第１ヒータ（41）の温調能力の制御する第１制御部（51）と、第２ヒータ（42）の温調能力を制御する第２制御部（52）とを備えている。
【００６４】
目標温度算出部（54）は、上記第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２と設定温度Ｔｓとの差を算出し、この温度差に基づきヒータ（40）の制御目標温度Ｔｃを決定するように構成されている。
【００６５】
第１制御部（51）は、第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づき第１ヒータ（41）の温調能力を調整するように構成されている。なお、第１制御部（51）は、上記温度差に基づいて制御周期ｔ１毎に第１ヒータ（41）の温調能力を制御するように構成されている。
【００６６】
第２制御部（52）は、第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づき第２ヒータ（42）の温調能力を調整するように構成されている。なお、第２制御部（52）は、上記温度差に基づいて上記制御周期ｔ１よりも短い制御周期ｔ２毎に第２ヒータ（42）の温調能力を制御するように構成されている。
【００６７】
したがって、コントローラ（50）は、第１ヒータ（41）による低頻度の温調能力調整と、第２ヒータ（42）による高頻度の温調能力調整とを個別に制御するように構成されている。
【００６８】
−運転動作−
次に、実施形態１に係る空気調和装置（1）の運転動作について説明する。
【００６９】
空気調和装置（1）の運転時には、ファン（21）が起動し、被処理空気がケーシング（10）の流入口（12）より空気通路（11）へ吸引される。一方、冷媒回路（30）では、圧縮機（32）が起動し、冷媒が冷媒回路（30）内を循環し冷凍サイクルが行われる。そして、冷却器（20）が蒸発器として機能する。
【００７０】
空気通路（11）を流れる被処理空気は、上記冷却器（20）を流通する。この際、被処理空気は、冷却器（20）に吸熱されて所定温度に冷却される。冷却器（20）を通過した被処理空気は、ヒータ（40）を流通する。そして、この被処理空気は、まず第１ヒータ（41）によって所定温度に温調される。次に、この被処理空気は、第２ヒータ（42）によって所定温度に温調される。ヒータ（40）を通過した被処理空気は、フィルタ（23）を流通する。この被処理空気はフィルタ（23）によって塵埃が捕集される。以上のように温調されるとともに塵埃が除去された被処理空気は、流出口より温度制御対象に供給される。
【００７１】
ところで、上記ヒータ（40）は、コントローラ（50）によって能力調整されている。このコントローラ（50）によるヒータ（40）の制御方法について図２のフローチャートを参照しながら説明する。なお、図２において、図２(Ａ)のフローチャートは、コントローラ（50）の目標温度算出部（54）の制御動作を示し、図２(Ｂ)のフローチャートは、コントローラ（50）の第１，第２制御部（51,52）の制御動作を示している。
【００７２】
図２(Ａ)において、目標温度算出部（54）では、ステップＳ１において所定時間がカウントされた後、第２温度センサ（62）によってフィルタ（23）の下流側における温度Ｔ２が検出される（ステップＳ２）。なお、この第２温度センサ（62）による温度Ｔ２の検出は、ｎ回以上になるまで行われる（ステップＳ３）。ここで、ステップＳ４において所定時間がカウントされると、第２温度センサ（62）で複数回検出されたＴ２の平均値Ｔ２が算出される（ステップＳ５）。次に、このコントローラ（50）に設定された設定温度ＴｓとＴ２の平均値Ｔ２との温度差ｄＴが算出される（ステップＳ６）。すなわち、ステップＳ６では、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度と設定温度Ｔｓとの間のずれが算出される。次に、ヒータ（40）の制御目標温度Ｔｃが温度差ｄＴによって更新され（新しいＴｃ’が古いＴｃとｄＴとの差によって算出され）、新たなＴｃ’が決定される（ステップＳ７）。すなわち、ステップＳ７では、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度と設定温度Ｔｓとの間のずれを加味した新たな制御目標温度Ｔｃを決定する。なお、この新たな制御目標温度Ｔｃは、所定の頻度で第１，第２制御部（51,52）に出力される。その後、ステップＳ８において、第２温度センサ（62）の検出回数がクリアされ、再びステップ１が実行される。
【００７３】
一方、図２(Ｂ)において、第１，第２制御部（51,52）では、まず、第１ヒータ（41）の制御周期ｔ１の判定が行われる（ステップＳ１１）。ここで、制御周期ｔ１は、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２よりも長く設定されているため、ステップＳ１２、及びステップＳ１３に移行する前に、ステップＳ１４に移行する。そして、ステップＳ１４では、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２の判定が行われる。ここで、制御周期ｔ２がカウントされると、上記制御目標温度Ｔｃと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第２ヒータ（42）の温調能力が調整される（ステップＳ１５、ステップＳ１６）。なお、この第２ヒータ（42）の温調能力の調整は、ステップＳ１１において、制御周期ｔ１がカウントされるまで繰り返し行われる。
【００７４】
その後、ステップＳ１１において制御周期ｔ１がカウントされると、上記制御目標温度Ｔｃと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第１ヒータ（41）の温調能力が調整される（ステップＳ１２、ステップＳ１３）。なお、この際、第１ヒータ（41）の温調能力は、第２ヒータ（42）によって被処理空気に付与される熱量分を差し引くために、補正値αを除して求められる。
【００７５】
以上のように、第１ヒータ（41）では、制御周期ｔ２より長い制御周期ｔ１毎に温調がなされることで、被処理空気の温度変動に対して高頻度での温調が行われる。一方、第２ヒータ（42）では、制御周期ｔ１より短い制御周期ｔ２毎に温調がなされることで、被処理空気の温度変動に対して第１ヒータ（41）よりも低頻度での温調が行われる。
【００７６】
−実施形態１の効果−
上記実施形態１では、以下の効果が発揮される。
【００７７】
上記実施形態１によれば、第１ヒータ（41）によって制御周期ｔ１（制御周期ｔ２よりも長い周期）での温調を行うと同時に、第２ヒータ（42）によって制御周期ｔ２（制御周期ｔ１よりも短い周期）での温調を行うようにしている。よって、第１ヒータ（41）においては、被処理空気の温度変動に対して、第１ヒータ（41）の温調能力が共振や干渉を引き起こし、この温調能力が安定しなくなることを抑制できる。すなわち、第１ヒータ（41）によって安定性重視の温調を行うことができる。
【００７８】
一方、第２ヒータ（42）においては、被処理空気の温度変動に対して、ある程度の追随性を得ながら第２ヒータ（42）の温調能力を調整できる。すなわち、第２ヒータ（42）で応答性重視の温調を行うことができる。
【００７９】
以上のように、上記実施形態１によれば、第１ヒータ（41）で安定性重視の温調を行う一方、同時に第２ヒータ（42）で応答性重視の温調を行うことができるため、被処理空気に対して安定性と応答性との両立を図る温調を行うことができる。したがって、この空気調和装置（1）の温度精度の向上を図ることができる。
【００８０】
−実施形態１の変形例−
次に、上記実施形態１の変形例について説明する。この変形例の空気調和装置（1）は、図３に示すように、被処理空気の温度を検出する温度センサが一つで構成されているものである。具体的に、温度センサは、フィルタ（23）の下流側に配置された第１温度センサ（61）のみで構成されている。
【００８１】
また、コントローラ（50）には、実施形態１で上述した目標温度算出部（54）が設けられておらず、第１制御部（51）は、設定入力部（53）に入力された設定温度Ｔｓと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第１ヒータ（41）の温調能力を調整するように構成されている。同様に、第２制御部（52）は、設定温度Ｔｓと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第２ヒータ（42）の温調能力を調整するように構成されている。
【００８２】
このコントローラ（50）による第１，第２ヒータ（41,42）の制御動作について図４を参照しながら説明する。
【００８３】
図４に示すように、第１，第２制御部（51,52）では、まず、第１ヒータ（41）の制御周期ｔ１の判定が行われる（ステップＳ２１）。ここで、制御周期ｔ１は、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２よりも長く設定されているため、ステップＳ２２、及びステップＳ２３に移行する前に、ステップＳ２４に移行する。そして、ステップＳ２４では、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２の判定が行われる。ここで、制御周期ｔ２がカウントされると、上記設定入力部（53）に入力された設定温度Ｔｓと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第２ヒータ（42）の温調能力が調整される（ステップＳ２５、ステップＳ２６）。なお、この第２ヒータ（42）の温調能力の調整は、ステップＳ２１において、制御周期ｔ１がカウントされるまで繰り返し行われる。
【００８４】
その後、ステップＳ２１において制御周期ｔ１がカウントされると、上記設定温度Ｔｓと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第１ヒータ（41）の温調能力が調整される（ステップＳ２２、ステップＳ２３）。なお、この際、第１ヒータ（41）の温調能力は、第２ヒータ（42）によって被処理空気に付与される熱量分を差し引くために、補正値αを除して求められる。
【００８５】
以上のように、この変形例においても、第１ヒータ（41）では、制御周期ｔ２より長い制御周期ｔ１毎に温調がなされることで、被処理空気の温度変動に対して安定性を重視した温調を行うことができる。一方、第２ヒータ（42）では、制御周期ｔ１より短い制御周期ｔ２毎に温調がなされることで、被処理空気の温度変動に対して応答性を重視した温調を行うことができる。したがって、この空気調和装置（1）の温度精度の向上を図ることができる。
【００８６】
《実施形態２》
次に、実施形態２に係る空気調和装置について説明する。図５に示すように、実施形態２に係る空気調和装置（1）は、被処理空気の温度を検出する温度センサを３つの温度センサで構成したものである。具体的に、温度センサは、ヒータ（40）の上流側に配置された第１温度センサ（61）と、ヒータ（40）とフィルタ（23）との間に配置された第２温度センサ（62）と、フィルタ（23）下流側に配置された第３温度センサ（63）とで構成されている。
【００８７】
そして、コントローラ（50）の目標温度算出部（54）は、第３温度センサ（63）の検出温度Ｔ３と設定温度Ｔｓとの温度差に基づき制御目標温度Ｔｃを算出するように構成されている。また、第１制御部（51）は、第１ヒータ（41）に流入する前の被処理空気の温度（第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１）と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づき第１ヒータ（41）の温調能力を調整するように構成されている。一方、第２制御部（52）は、第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２と上記制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づき第２ヒータ（42）の温調能力を調整するように構成されている。
【００８８】
このコントローラ（50）による第１，第２ヒータ（41,42）の制御動作について図６を参照しながら説明する。なお、図６において、図６(Ａ)のフローチャートは、コントローラ（50）の目標温度算出部（54）の制御動作を示し、図６(Ｂ)のフローチャートは、コントローラ（50）の第１，第２制御部（51,52）の制御動作を示している。
【００８９】
図６(Ａ)において、目標温度算出部（54）では、ステップＳ３１において所定時間がカウントされた後、第３温度センサ（63）によってフィルタ（23）の下流側における温度Ｔ３が検出される（ステップＳ３２）。なお、この第３温度センサ（63）による温度Ｔ３の検出は、ｎ回以上になるまで行われる（ステップＳ３３）。ここで、ステップＳ３４において所定時間がカウントされると、第３温度センサ（63）で複数回検出されたＴ３の平均値Ｔ３が算出される（ステップＳ３５）。次に、このコントローラ（50）に設定された設定温度ＴｓとＴ３の平均値Ｔ３との温度差ｄＴが算出される（ステップＳ３６）。すなわち、ステップＳ３６では、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度と設定温度Ｔｓとの間のずれが算出される。次に、ヒータ（40）の制御目標温度Ｔｃが温度差ｄＴによって更新され（新しいＴｃ’が古いＴｃとｄＴとの差によって算出され）、新たなＴｃ’が決定される（ステップＳ３７）。すなわち、ステップＳ３７では、フィルタ（23）を通過した後の被処理空気の温度と設定温度Ｔｓとの間のずれを加味した新たな制御目標温度Ｔｃを決定する。なお、この新たな制御目標温度Ｔｃは、所定の頻度で第１，第２制御部（51,52）に出力される。その後、ステップＳ３８において、第３温度センサ（63）の検出回数がクリアされ、再びステップ３１が実行される。
【００９０】
一方、図６(Ｂ)において、第１，第２制御部（51,52）では、まず、第１ヒータ（41）の制御周期ｔ１の判定が行われる（ステップＳ４１）。ここで、制御周期ｔ１は、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２よりも長く設定されているため、ステップＳ４２、及びステップＳ４３に移行する前に、ステップＳ４４に移行する。そして、ステップＳ４４では、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２の判定が行われる。ここで、制御周期ｔ２がカウントされると、上記制御目標温度Ｔｃと第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２との温度差に基づいて第２ヒータ（42）の温調能力が調整される（ステップＳ４５、ステップＳ４６）。なお、この第２ヒータ（42）の温調能力の調整は、ステップＳ４１において、制御周期ｔ１がカウントされるまで繰り返し行われる。
【００９１】
その後、ステップＳ４１において制御周期ｔ１がカウントされると、上記制御目標温度Ｔｃと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１（ヒータ（40）に流入する被処理空気の温度）との温度差に基づいて第１ヒータ（41）の温調能力が調整される（ステップＳ４２、ステップＳ４３）。なお、この際、第１ヒータ（41）の温調能力は、第２ヒータ（42）によって被処理空気に付与される熱量分を差し引くために、補正値αを除して求められる。
【００９２】
実施形態２では、実施形態１と同様、第１ヒータ（41）によって安定性を重視した温調を行う一方、同時に第２ヒータ（42）によって応答性を重視した温調を行うようにしている。したがって、この空気調和装置（1）の温度精度の向上を図ることができる。
【００９３】
ここで、実施形態２においては、第１温度センサ（61）を第１ヒータ（41）の上流側に配置するようにしている。そして、第１ヒータ（41）に流入する前の被処理空気の温度Ｔ１に基づいて、いわゆるフィードフォワード制御を行い、第１温調手段（41）の温調を行うようにしている。このようにすると、被処理空気の温度変動をより早いタイミングで検知し、第１ヒータ（41）の温調能力を調整することができる。よって、被処理空気の温度変動に対して第１ヒータ（41）の能力変化に時間遅れが生じることを抑制できる。したがって、第１温調手段（41）によって、被処理空気の温度変動に対してある程度の応答性を確保しながら、さらに安定性を重視した温調を行うことができる。
【００９４】
《実施形態３》
次に、実施形態３に係る空気調和装置について説明する。図７に示すように、実施形態３に係る空気調和装置（1）は、実施形態１とヒータ（40）の構成が異なるものである。具体的に、実施形態３のヒータ（40）は、第１ヒータ（41）と第２ヒータ（42）とが別体的に構成されている。そして、第１ヒータ（41）が、フィルタ（23）の上流側に配置されている一方、第２ヒータ（42）は、フィルタ（23）の下流側に配置されている。また、第１温度センサ（61）は、第１ヒータ（41）とフィルタ（23）の間に配置されている一方、第２温度センサ（62）は、フィルタ（23）の下流側で、かつ空気通路（11）の下流端近傍に配置されている。
【００９５】
また、コントローラ（50）には、実施形態１で上述した目標温度算出部（54）が設けられておらず、第１制御部（51）は、設定入力部（53）に入力された設定温度Ｔｓと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第１ヒータ（41）の温調能力を調整するように構成されている。一方、第２制御部（52）は、設定温度Ｔｓと第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２との温度差に基づいて第２ヒータ（42）の温調能力を調整するように構成されている。
【００９６】
このコントローラ（50）による第１，第２ヒータ（41,42）の制御動作について図８を参照しながら説明する。
【００９７】
図８に示すように、第１，第２制御部（51,52）では、まず、第１ヒータ（41）の制御周期ｔ１の判定が行われる（ステップＳ５１）。ここで、制御周期ｔ１は、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２よりも長く設定されているため、ステップＳ５２、及びステップＳ５３に移行する前に、ステップＳ５４に移行する。そして、ステップＳ５４では、第２ヒータ（42）の制御周期ｔ２の判定が行われる。ここで、制御周期ｔ２がカウントされると、上記設定入力部（53）に入力された設定温度Ｔｓと第２温度センサ（62）の検出温度Ｔ２との温度差に基づいて第２ヒータ（42）の温調能力が調整される（ステップＳ５５、ステップＳ５６）。なお、この第２ヒータ（42）の温調能力の調整は、ステップＳ５１において、制御周期ｔ１がカウントされるまで繰り返し行われる。
【００９８】
その後、ステップＳ５１において制御周期ｔ１がカウントされると、上記設定温度Ｔｓと第１温度センサ（61）の検出温度Ｔ１との温度差に基づいて第１ヒータ（41）の温調能力が調整される（ステップＳ５２、ステップＳ５３）。なお、この際、第１ヒータ（41）の温調能力は、第２ヒータ（42）によって被処理空気に付与される熱量分を差し引くために、補正値αを除して求められる。
【００９９】
実施形態３では、実施形態１と同様、第１ヒータ（41）によって安定性を重視した温調を行う一方、同時に第２ヒータ（42）によって応答性を重視した温調を行うようにしている。したがって、この空気調和装置（1）の温度精度の向上を図ることができる。
【０１００】
また、実施形態３では、第１ヒータ（41）をフィルタ（23）の上流側に配置する一方、第２ヒータ（42）をフィルタ（23）の下流側に配置している。したがって、第１ヒータ（41）によって温調された被処理空気がフィルタ（23）を通過する際、このフィルタ（23）の熱容量の影響などによって、この被処理空気の温度が変化してしまった場合にも、この被処理空気の温調を第２ヒータ（42）で行い、このような温度誤差を解消することができる。よって、最終的に温度制御対象に供給される被処理空気の温度保証を確実に行うことができる。
【０１０１】
−実施形態３の変形例−
次に、実施形態３の変形例について説明する。この変形例の空気調和装置は、図９に示すように、実施形態３と温度センサの配置が異なるものである。具体的に、実施形態３では、第１温度センサ（61）が第１ヒータ（41）とフィルタ（23）との間に配置されているのに対し、この変形例では、第１温度センサ（61）が第１ヒータ（41）の上流側に配置されている。なお、この変形例のコントローラ（50）による第１，第２ヒータ（41,42）の制御動作は、上述した図８と同様となっている。
【０１０２】
この変形例においても、第１ヒータ（41）によって安定性を重視した温調を行う一方、同時に第２ヒータ（42）によって応答性を重視した温調を行うようにしている。したがって、この空気調和装置（1）の温度精度の向上を図ることができる。
【０１０３】
また、第１温度センサ（61）を第１ヒータ（41）の上流側に配置することで、実施形態２で上述したようなフィードフォワード制御を行うことができる。よって、被処理空気の温度変動に対して第１ヒータ（41）の能力変化に時間遅れが生じることを抑制できる。したがって、第１温調手段（41）によって、被処理空気の温度変動に対してある程度の応答性を確保しながら、安定性を重視した温調を行うことができる。
【０１０４】
《実施形態４》
次に、実施形態４に係る空気調和装置について説明する。図１０に示すように、実施形態４の空気調和装置（1）には、実施形態１のコントローラ（50）における第２制御部（52）に位相制御部（55）が備えられているものである。そして、この位相制御部（55）は、第２ヒータ（42）の温調能力を位相制御によって調整するように構成されている。
【０１０５】
この実施形態４においては、位相制御部（55）によって、第２ヒータ（42）のヒータ出力量を細かく調整することができ、被処理空気をより高い分解能で温調することができる。したがって、第２ヒータ（42）における温度精度を一層向上させることができる。
【０１０６】
《その他の実施形態》
本発明では、上記実施形態以外に以下の構成としてもよい。
【０１０７】
上記実施形態では、第１制御部（51）によって、第１ヒータ（41）の能力を制御周期ｔ１毎に調整するようにしている。そして、この際には、第１ヒータ（41）の温調能力を、制御周期ｔ１時における例えば検出温度Ｔ１と設定温度Ｔｓとの温度差、あるいは上記検出温度Ｔ１と目標制御温度Ｔｃとの温度差に基づいて決定するようにしている。しかしながら、この第１ヒータ（41）の温調能力を、制御周期ｔ１の間における検出温度Ｔ１の移動平均温度Ｔ１’と設定温度Ｔｓとの温度差、あるいは上記移動平均温度Ｔ１’と制御目標温度Ｔｃとの温度差に基づいて決定してもよい。この場合には、比較的長い制御周期ｔ１における被処理空気の温度変動のトレンドを移動平均温度Ｔ１’によって求めることができ、この温度変動のトレンドを考慮した第１ヒータ（41）の温調能力の調整を行うことができる。したがって、第１ヒータ（41）の温調能力を安定させながら、より精度の高い温調を行うことができる。
【０１０８】
また、実施形態４では、位相制御部（55）を第２制御部（52）に設け、第２ヒータ（42）の温調能力を位相制御によって調整するようにしている。しかしながら、位相制御部（55）を、第１制御部（51）と第２制御部（52）との双方に設け、両ヒータ（41,42）の温調能力を位相制御によって調整するようにしてもよいし、第１制御部（51）のみに設け、第１ヒータ（41）の温調能力を位相制御によって調整するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】実施形態１に係る空気調和装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図２】実施形態１に係る空気調和装置の制御フローチャートである。
【図３】実施形態１の変形例に係る空気調和装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図４】実施形態１の変形例に係る空気調和装置の制御フローチャートである。
【図５】実施形態２に係る空気調和装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図６】実施形態２に係る空気調和装置の制御フローチャートである。
【図７】実施形態３に係る空気調和装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図８】実施形態３に係る空気調和装置の制御フローチャートである。
【図９】実施形態３の変形例に係る空気調和装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図１０】実施形態４に係る空気調和装置の全体構成図を示す概略構成図である。
【図１１】従来の空気調和装置の全体構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１０】
(1)      空気調和装置
（11）    空気通路
（20）    冷却器
（23）    フィルタ（集塵手段）
（30）    冷媒回路
（41）    第１温調手段（第１ヒータ）（40）
（42）    第２温調手段（第２ヒータ）（40）
(50）    コントローラ（制御手段）
(51)     第１制御部
(52)     第２制御部
（55）    位相制御部
（61）    第１温度センサ（温度センサ）
（62）    第２温度センサ（温度センサ）
【図１】
2005321113.tif 000003
【図２】
2005321113.tif 000004
【図３】
2005321113.tif 000005
【図４】
2005321113.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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