(57)【要約】【課題】  リフロー工程での加熱による電子部品の破壊や劣化を回避しつつ、基板の電極パッドと下面電極方式の電子部品との接合不良を抑えることができる電子部品実装方法を提供する。【解決手段】  レーザー光透過性を有するマザー基板１のおもて面上にはんだペーストと電子部品２００とを順次積み重ねる積重工程と、マザー基板１を裏面側からおもて面側に向けて透過させたレーザー光Ｌにより、はんだペースト中のはんだ粒を溶融させてマザー基板１と電子部品２００とを接合せしめる接合工程とを実施して、電子部品２００をマザー基板１上に実装する電子部品実装方法において、上記接合工程にて、レーザー光Ｌの横断面方向の強度分布を均一化せしめる強度分布均一化光学系であるステップインデックス型の光ファイバー１０２に通したレーザー光Ｌを用いて、はんだペーストを溶融させるようにした。【選択図】  図９
2005347610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光透過性を有する基板のおもて面上に導電性接合材と電子部品とを順次積み重ねる積重工程と、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させたレーザー光により、該導電性接合材を溶融させて該基板と該電子部品とを接合せしめる接合工程とを実施して、該電子部品を該基板上に実装する電子部品実装方法において、
上記接合工程にて、レーザー光の横断面方向の強度分布を均一化せしめる強度分布均一化光学系に通したレーザー光を用いて、上記導電性接合材を溶融させることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項２】
請求項１の電子部品実装方法において、
上記強度分布均一化光学系として、光反射性を有する内壁でレーザー光導通路を囲むレーザー光導通部材内にて、レーザー光を該内壁で多重反射させながらレーザー入射側から出射側に導くことで、上記強度分布を均一化せしめるものを用いたことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項３】
請求項１の電子部品実装方法において、
上記強度分布均一化光学系として、レーザー光発振手段から発せられたレーザー光をその横断面方向に分割して得た複数の分割光のうち、エネルギー強度の比較的高い分割光と、エネルギー強度の比較的低い分割光とを互いに重ね合わせることで、上記強度分布を均一化せしめるものを用いたことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項４】
請求項１の電子部品実装方法において、
上記強度分布均一化光学系として、レーザー光発振手段から発せられたレーザー光を凹面鏡に反射させて得た反射光における横断面方向の外縁部を中心部に重ね合わせることで、上記強度分布を均一化せしめるものを用いたことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかの電子部品実装方法において、
上記接合工程にて、レーザー光遮光部材にレーザー通過用の開口が形成されたアパーチャーマスクに通したレーザー光を用いて、上記導電性接合材を溶融させることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項６】
請求項５の電子部品実装方法において、
上記アパーチャーマスクとして、上記開口が複数形成されたものを用いることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項７】
請求項６の電子部品実装方法において、
上記アパーチャーマスクとして、互いに開口パターンの異なる複数のものを用意しておき、使用する該アパーチャーマスクを切り換えながら、上記接合工程を行うことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかの電子部品実装方法において、
上記接合工程にて、上記電子部品を上記基板に向けて押圧しながら、上記導電性接合材を溶融、固化させることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかの電子部品実装方法において、
上記接合工程にて、上記基板をレーザー光の光軸に直交する方向に連続移動させながら、該レーザー光を間欠的に照射することで、基板面方向に並ぶ複数の上記導電性接合材を順次溶融させていくことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れかの電子部品実装方法において、
上記接合工程にて、上記レーザー光として波長が１０６４［ｎｍ］であるものを用いるとともに、上記基板として、基層がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、非晶性ポリオリフィン、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス、セラミック、又はポリイミドにジメチルアセトアミドを混合して得られる樹脂からなるものを用いることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１１の何れかの電子部品実装方法において、
上記接合工程にて、上記レーザー光として波長が２４８〜３５５［ｎｍ］であるものを用いるとともに、上記基板として、基層がポリアセタール樹脂、フッ素樹脂、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス又はセラミックからなるものを用いることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１の電子部品実装方法において、
上記基板として、上記基層がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートもしくは非晶性ポリオリフィンからなるもの、あるいは、上記基層がポリアセタール樹脂もしくはフッ素樹脂からなるものであって、且つ該基層に滑剤が混練されていないものを用いることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れかの電子部品実装方法において、
上記基板として、回路パターンがレーザー光透過性を有していない材料からなるものを用いたことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項１４】
請求項１３の電子部品実装方法であって、
レーザー光透過性を有していない材料が銅、金、白金又はアルミニウムであることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４の電子部品実装方法において、
上記基板として、おもて面と裏面との間の中間層又は裏面にも回路パターンに形成し且つ互いの回路パターン内の電極パッドをそれぞれ相手側の回路パターンの基板厚み方向における投影像に重ならない位置に配設したものを用いることを特徴とする電子部品実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップやチップコンデンサ等の電子部品を電子回路基板上に実装するための電子部品実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品には、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋ）のように、パッケージ周囲にガルウイング状に広がるリード端子を電極として備えるものが知られている。この種の電子部品において、パッケージ周囲に広がるリード端子の強度をある程度維持しながらリード端子数（Ｉ／Ｏ数）を増加させるためには、パッケージサイズを大型化せざるを得ない。
【０００３】
このため、近年では、複数の電極をパッケージ下面にアレイ状に配設した下面電極方式の電子部品が主流になりつつなる。例えば、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などである。これらの電子部品では、扁平な電極をパッケージ下面にアレイ状に配設することにより、パッケージを大型化することなく、Ｉ／Ｏ数を増加させることができる。
【０００４】
かかる下面電極方式の電子部品については、はんだペーストを用いて電子回路基板上に実装するのが一般的である。具体的には、まず、印刷マスクを用いた印刷法により、電子回路基板の配線パターン内における複数の電極パッド上にそれぞれはんだペーストを印刷する。次いで、電子部品を、電子回路基板上に印刷されたはんだペースト上に載置する。そして、リフロー工程にて、電子回路基板を電子部品とともにリフロー炉に入れて加熱して、はんだペースト内の導電性接合材たるはんだ粒を溶融させる。この後、溶融はんだを冷却によって固化させることで、電子回路基板の電極パッドと電子部品の電極とを導通させるとともに、各電子部品を電子回路基板上に固定する。このような電子部品実装方法においては、リフロー工程での加熱により、電子部品を破壊したり、劣化させたりしまうことがあった。
【０００５】
一方、レーザー光透過性を有する電子回路基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させたレーザー光によってはんだを溶融させて、基板の電極パッドと下面電極方式の電子部品とを接合せしめる電子部品実装方法が知られている（例えば特許文献１に記載のもの）。この電子部品実装方法によれば、リフロー工程を実施することなく下面電極方式の電子部品を実装することができるので、リフロー工程での加熱による電子部品の破壊や劣化を回避することができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２６０８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、この電子部品実装方法では、次に説明する理由により、電極パッドと電子部品との接合不良を引き起こすおそれがあった。即ち、電子回路基板の基層として、たとえレーザー光透過性を有する材料からなるものを用いたとしても、レーザー光のエネルギー強度によっては、それを焦がしたり変性させたりしてしまう。このため、レーザー光については、基層材料に焦げや変性をきたさない程度に弱く、且つ、はんだ等の導電性接合材を溶融させ得る程度に強いエネルギー強度で用いる必要がある。基層材料の種類によっては、前者のエネルギー強度と後者のエネルギー強度との差がかなり小さくなるので、レーザー光のエネルギー強度を厳密に調整する必要がある。例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという）などの樹脂材料では、エネルギー強度の僅かの差により、樹脂材料を焦がしてしまったり、はんだを十分に溶融することができなかったりする。レーザー発振器から発せられるレーザー光は、その横断面方向におけるエネルギー強度分布特性が正規分布曲線のような山形の形状になるガウシアンビームとなっている。横断面の中心部でのエネルギー強度が外縁部よりも遙かに高くなっているのである。このようなガウシアンビームでは、横断面の中心部におけるエネルギー強度を、基層材料に焦げや変性をきたさない値に設定する必要がある。すると、中心部よりも遙かにエネルギー強度の小さい外縁部において、はんだ等の導電性接合材を溶融せしめるための十分なエネルギー強度が得られなくなり易い。そして、導電性接合材を十分に溶融させることができずに、基板の電極パッドと電子部品との接合不良を引き起こすおそれがある。
【０００８】
本発明は、以上の背景に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、次のような電子部品実装方法を提供することである。即ち、リフロー工程での加熱による電子部品の破壊や劣化を回避しつつ、基板の電極パッドと下面電極方式の電子部品との接合不良を抑えることができる電子部品実装方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、レーザー光透過性を有する基板のおもて面上に導電性接合材と電子部品とを順次積み重ねる積重工程と、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させたレーザー光により、該導電性接合材を溶融させて該基板と該電子部品とを接合せしめる接合工程とを実施して、該電子部品を該基板上に実装する電子部品実装方法において、上記接合工程にて、レーザー光の横断面方向の強度分布を均一化せしめる強度分布均一化光学系に通したレーザー光を用いて、上記導電性接合材を溶融させることを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の電子部品実装方法において、上記強度分布均一化光学系として、光反射性を有する内壁でレーザー光導通路を囲むレーザー光導通部材内にて、レーザー光を該内壁で多重反射させながらレーザー入射側から出射側に導くことで、上記強度分布を均一化せしめるものを用いたことを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、請求項１の電子部品実装方法において、上記強度分布均一化光学系として、レーザー光発振手段から発せられたレーザー光をその横断面方向に分割して得た複数の分割光のうち、エネルギー強度の比較的高い分割光と、エネルギー強度の比較的低い分割光とを互いに重ね合わせることで、上記強度分布を均一化せしめるものを用いたことを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項１の電子部品実装方法において、上記強度分布均一化光学系として、レーザー光発振手段から発せられたレーザー光を凹面鏡に反射させて得た反射光における横断面方向の外縁部を中心部に重ね合わせることで、上記強度分布を均一化せしめるものを用いたことを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、請求項１乃至４の何れかの電子部品実装方法において、上記接合工程にて、レーザー光遮光部材にレーザー通過用の開口が形成されたアパーチャーマスクに通したレーザー光を用いて、上記導電性接合材を溶融させることを特徴とするものである。
また、請求項６の発明は、請求項５の電子部品実装方法において、上記アパーチャーマスクとして、上記開口が複数形成されたものを用いることを特徴とするものである。
また、請求項７の発明は、請求項６の電子部品実装方法において、上記アパーチャーマスクとして、互いに開口パターンの異なる複数のものを用意しておき、使用する該アパーチャーマスクを切り換えながら、上記接合工程を行うことを特徴とするものである。
また、請求項８の発明は、請求項１乃至７の何れかの電子部品実装方法において、上記接合工程にて、上記電子部品を上記基板に向けて押圧しながら、上記導電性接合材を溶融、固化させることを特徴とするものである。
また、請求項９の発明は、請求項１乃至８の何れかの電子部品実装方法において、上記接合工程にて、上記基板をレーザー光の光軸に直交する方向に連続移動させながら、該レーザー光を間欠的に照射することで、基板面方向に並ぶ複数の上記導電性接合材を順次溶融させていくことを特徴とするものである。
また、請求項１０の発明は、請求項１乃至９の何れかの電子部品実装方法において、上記接合工程にて、上記レーザー光として波長が１０６４［ｎｍ］であるものを用いるとともに、上記基板として、基層がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、非晶性ポリオリフィン、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス、セラミック、又はポリイミドにジメチルアセトアミドを混合して得られる樹脂からなるものを用いることを特徴とするものである。
また、請求項１１の発明は、請求項１乃至１１の何れかの電子部品実装方法において、上記接合工程にて、上記レーザー光として波長が２４８〜３５５［ｎｍ］であるものを用いるとともに、上記基板として、基層がポリアセタール樹脂、フッ素樹脂、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス又はセラミックからなるものを用いることを特徴とするものである。
また、請求項１２の発明は、請求項１０又は１１の電子部品実装方法において、上記基板として、上記基層がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートもしくは非晶性ポリオリフィンからなるもの、あるいは、上記基層がポリアセタール樹脂もしくはフッ素樹脂からなるものであって、且つ該基層に滑剤が混練されていないものを用いることを特徴とするものである。
また、請求項１３の発明は、請求項１乃至１２の何れかの電子部品実装方法において、上記基板として、回路パターンがレーザー光透過性を有していない材料からなるものを用いたことを特徴とするものである。
また、請求項１４の発明は、請求項１３の電子部品実装方法であって、レーザー光透過性を有していない材料が銅、金、白金又はアルミニウムであることを特徴とするものである。
また、請求項１５の発明は、請求項１３又は１４の電子部品実装方法において、上記基板として、おもて面と裏面との間の中間層又は裏面にも回路パターンに形成し且つ互いの回路パターン内の電極パッドをそれぞれ相手側の回路パターンの基板厚み方向における投影像に重ならない位置に配設したものを用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
これらの電子部品実装方法においては、リフロー工程を実施することなく下面電極方式の電子部品を実装することができるので、リフロー工程での加熱による電子部品の破壊や劣化を回避することができる。
また、横断面方向の強度分布を均一化せしめたレーザー光を用いることにより、レーザー光の中央部と外縁部とのエネルギー差を無くしたり、無視できる程度の小さい値にしたりする。このようなレーザー光において、中心部を、基板の基層材料に焦げや変性をきたさない程度に弱く、且つ、導電性接合材を溶融させ得る程度に強いエネルギー強度に設定すると、外縁部についても同様の設定にすることになる。そして、外縁部に対しても、導電性接合材を溶融せしめるのに十分なエネルギー強度を発揮させる。よって、導電性接合材を十分に溶融せしめて、基板の電極パッドと電子部品との接合不良を抑えることができる。
【００１１】
特に、請求項２の電子部品実装方法においては、レーザー光をステップインデックス型の光ファイバーなどといった簡単な構成のレーザー光導通部材に通すことで、ホモジェナイザーなどといった多数のレンズ群を必要とする複雑な光学系によらずに、レーザー光の強度分布を均一化せしめることができる。
【００１２】
また特に、請求項３の電子部品実装方法においては、レーザー光をフライアイレンズ等のレンズアレイ等によって複数に分割するホモジェナイザーなど、市販製品を用いて、レーザー光の強度分布を均一化せしめることができる。
【００１３】
また特に、請求項４の電子部品実装方法においては、レーザー光の反射による光路変更と、強度分布の均一化とを同時に行うことができる。
【００１４】
また特に、請求項５、６又は７の電子部品実装方法においては、強度分布を均一化せしめた後のレーザー光をアパーチャーマスクに通すことで、たとえ均一化後のレーザー光の中心部と外縁部とで僅かながらの強度差があったとしても、レーザー光の横断面の中心から外縁に向けてエネルギー強度が同じになる範囲だけを取り出すことができる。よって、中心部と外縁部との強度差が全くないレーザー光を用いて、基板の電極パッドと電子部品とを接合することができる。
【００１５】
また特に、請求項６又は７の電子部品実装方法においては、エネルギー強度を均一化せしめたレーザー光をアパーチャーマスクによって複数に分割し、それぞれを、互いに異なる位置に存在する導電性接合材に向けて照射することで、１回のレーザー照射で複数の導電性接合材を同時に溶融させることができる。そして、これにより、実装時間の短縮化を図ることができる。
【００１６】
また特に、請求項７の電子部品実装方法においては、アパーチャーマスクを切り換えることで、アパーチャーマスクでの分割によって同時照射が可能になる複数のレーザー光のピッチや配列パターンを接合工程中に切り換える。このことにより、基板上における複数の導電性接合材の配列ピッチが一定でない場合であっても、レーザー光の同時照射を効率良く行うことができる。
【００１７】
また特に、請求項８の電子部品実装方法においては、導電性接合材の溶融から固化に至るまで電子部品を基板に向けて押圧することにより、ツームストン現象やマンハッタン現象とよばれるチップ立ちを回避することができる。
【００１８】
また特に、請求項９の電子部品実装方法においては、基板に対するレーザー照射位置を変化させるための基板の移動を停止させることなく、基板を連続移動させながら適宜レーザー照射を実施して、複数の導電性接合材を順次溶融させていく。このような方法では、基板の移動、停止、レーザー照射という３つのプロセスを繰り返しながら複数の導電性接合材を順次溶融させていく場合に比べて実装時間を短縮することができる。
【００１９】
また特に、請求項１０の電子部品実装方法においては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、非晶性ポリオリフィン、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス、セラミック、又はポリイミドにジメチルアセトアミドを混合して得られる樹脂からなる基層に対して、ＹＡＧレーザーなどといった波長１０６４［ｎｍ］のレーザー光を良好に透過させることができる。なお、基層とは、基板の配線パターンを除く箇所が厚み方向において単層構造である場合には、基板そのもの（配線パターンを除く）のことである。また、多層構造である場合には、厚みの最も大きい層のことである。
【００２０】
また特に、請求項１１の電子部品実装方法においては、ポリアセタール樹脂、フッ素樹脂、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス又はセラミックからなる基層に対して、エキシマレーザーなどといった波長２４８〜３５５［ｎｍ］のレーザー光を良好に透過させることができる。
【００２１】
また特に、請求項１２の電子部品実装方法においては、滑剤をレーザー光に反応させることによる基層の損傷を回避することができる。具体的には、本発明者らは、実験により、同じ種類の樹脂材料（例えばＰＥＴ）からなる基層（プラスチックフィルム）であっても、その製造メーカーによっては、レーザー透過領域内に局所的な無数の点状傷を発生させてしまうことを確認した。そこで、各製造メーカーのプラスチックフィルムの製造方法を調べて見たところ、驚いたことに、同じ樹脂材料からなるプラスチックフィルムであっても、滑剤が混練されているものだけに、上述の点状傷が発生していたことがわかった。この滑剤とは、ＰＥＴ等の樹脂をフィルム状に延伸成型する際の加圧ローラとの摩擦を低減するために用いる物質であり、樹脂に混練したり、延伸前の樹脂表面に塗布したりして用いるものである。滑剤がレーザー光の照射によって何らかの反応を起こして、上述の点状傷を発生させていると考えられる。よって、ＰＥＴ等の樹脂材料に滑剤が混練されていない基層を用いることで、滑剤をレーザー光に反応させることによる基層の損傷を回避することができる。
【００２２】
また特に、請求項１３、１４、１５又は１６の電子部品実装方法においては、基板の基層を裏面側からおもて面側に向けて透過させたレーザー光を、レーザー光透過性を有していない材料からなる電極パッドにあてて、この電極パッドを加熱する。そして、加熱した電極パッド上に存在する導電性接合材を溶融させる。このように、基層透過後のレーザー光の直接照射ではなく、レーザー照射によって加熱した電極パッドからの熱伝導によって導電性接合材を溶融させることができる。
【００２３】
また特に、請求項１４の電子部品実装方法においては、電極パッドを銅、金、白金、又はアルミニウムで形成することにより、電極パッドに良好な遮光性を発揮させることができる。
【００２４】
また特に、請求項１５の電子部品実装方法においては、両方の回路パターンについて、それぞれ電極パッドを相手側の回路パターンの厚み方向投影像に重ねない位置に配設することにより、レーザー光を何れか一方の回路パターンに遮光させてもう一方の電極パッドに到達させることができなくなるといった事態を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を適用した実施形態として、マザー基板上にＣＳＰやチップコンデンサ等の複数の電子部品を実装する電子部品実装方法（以下、実装方法という）について説明する。
【００２６】
本実装方法では、まず、レーザー光透過性を有するマザー基板のおもて面上に、導電性接合材たるはんだペーストと電子部品とを順次積み重ねる積重工程を実施する。この積重工程は、マザー基板のおもて面に形成されている回路パターンの電極パッドにはんだペーストを印刷する印刷工程と、印刷されたはんだペースト上に各電子部品を載置するチップマウント工程とからなる。
【００２７】
図１は、本実装方法に用いられるマザー基板を示す拡大断面図である。同図において、マザー基板１は、レーザー光透過性を有する材料からなる基層２のおもて面に、導電性材料からなる回路パターンが形成されている。この回路パターンは、配線部と、これの所々に設けられた複数の電極パッド３とから構成されている。これら電極パッド３は電子部品との接合部となっている。基層２の材料としては、波長１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザー光や、波長２４８〜３５５［ｎｍ］のエキシマレーザー光を透過させ得るソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス、セラミック等を例示することができる。また、波長１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザー光を透過させ得るＰＥＴ、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、非晶性ポリオリフィン、ソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス、セラミック、４，４’ジアミノジフェニルエーテル・無水ピロメリット酸重縮合物を例示することができる。４，４’ジアミノジフェニルエーテル・無水ピロメリット酸重縮合物は、ポリイミドにジメチルアセトアミドを混合して得られる樹脂であり、例えば東レ・デュポン株式会社から「カプトン」という商品名で販売されている。また、波長２４８〜３５５［ｎｍ］のエキシマレーザー光を透過させ得るポリアセタール樹脂、フッ素樹脂を例示することができる。基層２に良好な耐衝撃性や耐久性を発揮させるために、これら材料のなかでも、特に、ＰＥＴ、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、非晶性ポリオリフィン、ポリアセタール樹脂、フッ素樹脂等の樹脂材料を用いることが望ましい。本実装方法では、波長１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザー光を用いるので、マザー基板１として、基層２がＰＥＴからなるものを用いている。電極パッド３や配線部を有する回路パターンは、金、銅、白金、アルミニウムなど、レーザー光透過性を有さない材料から構成されている。
【００２８】
上述の印刷工程においては、孔版たる印刷マスクをマザー基板のおもて面に密着せしめる密着工程と、密着せしめた印刷マスクの各孔にはんだペーストを充填する充填工程と、印刷マスクをマザー基板から剥がす剥離工程とを実施する。具体的には、まず、図２や図３に示すように、回路パターンが形成されているマザー基板１のおもて面に印刷マスク４を密着せしめる。印刷マスク４には、マザー基板１の各電極パッド３に対応する複数の貫通孔４ａからなる印刷パターンが形成されている。密着工程では、各電極パッド３の真上に、印刷マスク４の各貫通孔４ａを位置させるように、位置合わせを行いながら印刷マスク４をマザー基板１に密着させる。このような密着工程が終了したら、次に、図４に示すように、マザー基板１に密着している印刷マスク４の印刷側面上に、スキージ５を用いてはんだペースト６を刷り付けて、印刷マスク４の各貫通孔４ａ内にはんだペーストを充填する。そして、図５に示すように、印刷マスク４をマザー基板１から剥がして、各貫通孔４ａ内のはんだペースト６を、それぞれマザー基板１の電極パッド３上に転移させる。
【００２９】
このようにして印刷工程を実施したら、次に、上述のチップマウント工程や、レーザー照射によって電極パッド３と電子部品とを接合せしめる接合工程を実施する。チップマウント工程により、全ての電子部品をマザー基板１上に載置してから、接合工程を行ってもよいが、部品を少しずつマウントして接合を行うという作業を繰り返してもよい。本実装方法では、後者のように、チップマウント工程と接合工程とを繰り返して、最終的に全ての電子部品を接合する。
【００３０】
図６は、本実装方法に用いられる実装装置を示す概略構成図である。この実装装置は、レーザー発振器１００等を有するレーザー照射部と、Ｘ−Ｙテーブル１１０と、部品吸着ノズル１２０等を有するマウンター部などを備えている。チップマウント工程や接合工程を行うにあたっては、まず、印刷工程を終えたマザー基板１を、この実装装置のＸ−Ｙテーブル１１０上に固定する。Ｘ−Ｙテーブル１１０は、周知の技術により、図の左右方向であるＸ方向や、図の奥行き方向であるＹ方向に移動可能に構成されている。Ｘ−Ｙテーブル１１０の内部には、チャンバー室１１１が形成されている。チャンバー室１１１には、ブロワ等からなる図示しない吸引手段が接続されており、これによってチャンバー室内１１１の空気が吸引されることにより、チャンバー室１１１内が減圧せしめられる。Ｘ−Ｙテーブル１１０の天板１１２や底板１１３は、それぞれレーザー光透過性を発揮するガラス板となっており、天板１１２には、図示しない吸引孔が無数に形成されている。この天板１１２上に載置されたワークとしてのマザー基板１は、チャンバー室１１１内の減圧に伴って吸引孔に吸引されることで、Ｘ−Ｙテーブル１１０上に固定される。
【００３１】
図７は、実装装置のマウンター部を示す拡大構成図である。マウンター部は、部品吸着ノズル１２０、光学監視装置１２１、モニタ１２２等を有している。部品吸着ノズル１２０は、図示しないロボットアームに固定されており、ノズル先端に生ずる負圧により、電子部品２００を吸着させることができる。チップマウント工程においては、この部品吸着ノズル１２０を、ロボットアームの操作により、図示しない治具内に載置されている電子部品２００のところに持っていき、部品吸着ノズル１２０に吸着させる。次に、部品吸着ノズル１２０を、ロボットアームの操作により、Ｘ−Ｙテーブル上に吸引固定されたマザー基板１の上にもっていく。そして、図示しない移動支持台に固定されている光学監視装置１２１を、マザー基板１と部品吸着ノズル１２０との間に介在させる。光学監視装置１２１は、その真上に存在する部品吸着ノズル１２０に吸着されている電子部品２００の下面の映像と、その真下に存在するマザー基板１のおもて面の映像とを同時に撮影して、両映像を重ね合わせてモニタ１２２に映し出すことができる。作業者は、モニタ１２２に映し出される映像を見ながら、図示しないＸ−ＹテーブルをＸ−Ｙ方向に移動させる。そして、電子部品２００の下面に形成されている複数の扁平電極２００ａと、マザー基板１の複数の電極パッド３上にそれぞれ印刷されたはんだペーストとを、互いにピッタリと重ね合わせるように位置合わせする。次いで、光学監視装置１２１を部品吸着ノズル１２０の下から待避させた後、ロボットアームの操作によって部品吸着ノズル１２０をマザー基板１に向けて垂直に降下させる。そして、図８に示すように、電子部品２００をはんだペースト６の上に載せて、マザー基板１のおもて面上にはんだペースト６と電子部品２００とを積み重ねる。電子部品２００を載せた後は、部品吸着ノズル１２０による電子部品２００の吸引を停止させてから、部品吸着ノズル１２０を垂直に引き上げる。なお、画像解析ソフトなどを用いて、モニタ１２２に映し出される映像をコンピュータ解析させることで、作業者の行う作業を自動化することも可能である。
【００３２】
電子部品２００には、ＬＧＡ、ＢＧＡ、ＣＳＰのように、複数の扁平電極をパッケージの下面にアレイ状に設けたものがある。また、チップコンデンサやチップ抵抗のように、パッケージの下面の長手方向両端付近だけに扁平電極を設けたものもある。これら電子部品２００のうち、後者のものは、ツームストーン現象によるチップ立ちを引き起こし易い。長手方向の一方の端部だけがはんだ付けされ、もう一方の端部がはんだから離間して、パッケージが斜めに立った状態で固定されてしまうのである。
【００３３】
本実装方法では、マザー基板１に実装する全ての電子部品２００のうち、まず、チップ立ちを起こし難いＬＧＡ、ＢＧＡ、ＣＳＰをマザー基板１上にまとめてマウントしていく。そして、チップ立ちを起こし易いチップコンデンサやチップ抵抗をマウントしないで残したままで、第１の接合工程を実施する。
【００３４】
図９は、この第１の接合工程を実施中の実装装置を示す構成図である。実装装置のレーザー照射部は、ＹＡＧレーザー光Ｌを発信するレーザー発振器１００、第１集光レンズ１０１、光ファイバー１０２、第２集光レンズ１０３、マスク円盤回転器１０４、結像レンズ１０５などから構成されている。レーザー発振器１００から発せられたＹＡＧレーザー光Ｌは、図１０に示すような山形のエネルギー強度分布のガウシアンビームとなる。そして、第１集光レンズ１０３により、光ファイバー１０２の一端面に結像されて、光ファイバー１０２内に進入する。レーザー光導通部材である光ファイバーには、ステップインデックス（ＳＩ）型、グレーデッドインデックス（ＧＩ）型、シングルモード（ＳＭ）型など、様々なタイプのものがあるが、図示の光ファイバー１０２はＳＩ型のものである。ＳＩ型の光ファイバー１０２内では、図１１に示すように、レーザー光の一部がファイバー内壁で多重反射しながらレーザー入射側から出射側に進んでいく。このように多重反射すると、レーザー光は、図１２に示すような台形状のエネルギー強度分布のトップハットビームとなる。即ち、ＳＩ型の光ファイバー１０２は、レーザー光の横断面方向の強度分布を均一化せしめる強度分布均一化光学系として機能しているのである。
【００３５】
先に示した図９において、光ファイバー１０２内でエネルギー強度分布が均一化せしめられたＹＡＧレーザー光Ｌは、第２集光レンズ１０３により、マスク円盤回転器１０４のマスク円盤１０４ａに装着された図示しないアパーチャーマスクの下面に結像される。図１３は、マスク円盤１０４ａを示す平面図である。円盤状のマスク円盤１０４ａには、互いに開口パターンの異なる複数のアパーチャーマスク１０４ｄが、円周方向に並ぶように装着される。マスク円盤１０４ａは、その中心がモータ軸１０４ｂに固定されている。図９に示したマスク円盤回転器１０４は、モータ軸１０４ｄを回転させるモータ１０４ｃを作動させることで、マスク円盤回転器１０４に装着された複数のアパーチャーマスクのうち、ＹＡＧレーザー光Ｌの光路内に位置させるものを切り換えることができる。アパーチャーマスクの下面に結像されたＹＡＧレーザー光Ｌは、アパーチャーマスクの複数の開口を通ることで、複数に分割される。分割によって得られた複数の分割光は、それぞれ、結像レンズ１０５、Ｘ−Ｙテーブル１１０のガラス製の底板１１３、天板１１２を順次透過して、マザー基板１の下面に至る。そして、マザー基板１の基層を透過した後、電極パッドにあたる。電極パッドは、ＹＡＧレーザー光の照射によって加熱され、その上面に印刷された図示しないはんだペーストのはんだ粒を溶融させる。溶融したはんだ粒が自然冷却に伴って固化することにより、マザー基板の電極パッドと電子部品とが接合される。
【００３６】
このような接合工程においては、光ファイバー１０２によってＹＡＧレーザー光Ｌの横断面方向の強度分布を均一化せしめることで、ＹＡＧレーザー光Ｌの中央部と外縁部とのエネルギー差を非常に小さくする。均一化後のＹＡＧレーザー光Ｌの中心部を、マザー基板１の基層材料であるＰＥＴに焦げや変性をきたさない程度に弱く、且つ、はんだ粒を溶融させ得る程度に強いエネルギー強度に設定すると、外縁部についてもほぼ同様の設定にすることになる。そして、外縁部に対しても、はんだ粒を溶融せしめるのに十分なエネルギー強度を発揮させることができる。よって、はんだ粒を十分に溶融せしめて、マザー基板１の電極パッド（３）と電子部品２００との接合不良を抑えることができる。
【００３７】
マザー基板１としては、基層２のＰＥＴに滑剤が混練されていないものを用いている。ＰＥＴ中の滑剤をＹＡＧレーザー光Ｌに反応させることによる基層２の損傷を回避することができる。
【００３８】
本実装装置における第１の接合工程では、Ｘ−Ｙテーブル１１０によってマザー基板１をＹＡＧレーザー光Ｌの光軸に直交する方向に連続移動させながら、ＹＡＧレーザー光Ｌを間欠的に照射することで、複数のはんだペーストを順次溶融させていく。具体的には、例えば、先に示した図９において、まず、マスク円盤１０４ａの回転により、アパーチャーマスクとして４×８＝３２個の開口パターンが形成されたものを選択する。そして、図１４に示すように、Ｘ−Ｙテーブルの移動によってマザー基板１をＸ方向に移動させる。次いで、電子部品２００の下面に形成された８×８＝６４個の図示しない扁平電極に対応する６４個の電極パッド３のうち、４×８＝３２個の電極パッド３がレーザー照射位置に移動してくるタイミングを計って、ＹＡＧレーザー光を発射する。すると、アパーチャーマスクによって３２分割されたＹＡＧレーザー光Ｌが、図１５に示すように、マザー基板１の基層２を透過してこれら３２個の電極パッド３の下面にそれぞれ当たる。これにより、図１６に示すように、電子部品の６４個の扁平電極に対応する６４個のはんだペースト６のうち、３２個（４個しか図示していないがそれぞれ奥行き方向に８個並んでいる）を溶融する。次に、マザー基板１をＸ方向に移動させたまま、Ｘ−Ｙテーブル電子部品２００の６４個の扁平電極に対応する６４個の電極パッド３のうち、まだＹＡＧレーザー光Ｌを照射していない３２個がレーザー照射位置に移動してくるタイミングを計う。そして、そのタイミングでＹＡＧレーザー光Ｌを発射する。すると、アパーチャーマスクによって３２分割されたＹＡＧレーザー光Ｌが、図１７に示すように、残りの３２個の電極パッド３の下面にそれぞれ当たる。これにより、残りの３２個のはんだペースト６を溶融させる。以上のようにして、１個目の電子部品２００とマザー基板１とを接合する。
【００３９】
マザー基板１上には、接合されていない電子部品２００がまだ複数存在する。そこで、マザー基板１の移動については、そのまま継続して、次の電子部品２００がレーザー照射位置に移動してくるタイミングを見計らう。そして、移動してきたら、ＹＡＧレーザー光Ｌを発射して接合を行う。
【００４０】
マザー基板１上にマウントされている複数の電子部品２００は、全て同じ種類のものではない。互いに種類の異なるものが多数存在している。電子部品２００の種類が異なれば、パッケージ下面の電極パターンや、それに対応するマザー基板１の電極パッド３の配列パターンが異なってくる。すると、アパーチャーマスクの開口パターンが、接合対象となる電極パッド３の配列パターンに適さなくなるといった事態が起こる。そこで、本実装方法では、開口パターンがこれから接合しようとする電極パッド３の配列パターンに適さなくなった場合には、図９に示したマスク円盤１０４ａの回転により、アパーチャーマスクをその配列パターンに適したものに切り換える。
【００４１】
以上のような第１の接合工程においては、光ファイバー１０２によって強度分布を均一化せしめた後のＹＡＧレーザー光Ｌをアパーチャーマスクに通すことで、ＹＡＧレーザー光Ｌの外縁部をカットする。そして、図１２に示した台形状のエネルギー分布ではなく、矩形状のエネルギー分布、即ち、中央部と外縁部とのエネルギー強度差がないＹＡＧレーザー光Ｌを得ることができる。
【００４２】
また、ＹＡＧレーザー光Ｌをアパーチャーマスクによって複数に分割し、それぞれを、互いに異なる位置に存在する電極パッド３にあてることで、１回のレーザー照射で複数のはんだを同時に溶融させることができる。そして、これにより、接合工程の短時間化を図ることができる。
【００４３】
また、マスク円盤１０４ａの回転によってアパーチャーマスクを切り換えることで、作業を中断することなく、互いに電極パターンの異なる複数の電子部品２００を、順次接合していくことができる。
【００４４】
また、マザー基板１を連続移動させながらＹＡＧレーザー光Ｌを適宜のタイミングで発射して、複数のはんだを順次溶融させていくことで、マザー基板１の移動、停止、レーザー照射という３つのプロセスを繰り返す場合に比べて、短時間化を図ることができる。
【００４５】
第１の接合工程により、マザー基板１にマウントされている全ての電子部品２００の接合が完了したら、まだマウントしていない残りの電子部品２００のマウントや接合を行う。この際、１つの電子部品２００のマウントと接合とを行った後、次の電子部品２００のマントと接合とを行うといった作業を繰り返す。以下、このような工程を、マウント接合繰り返し工程という。
【００４６】
このマウント接合繰り返し工程では、まず、図１８に示すように、部品吸着ノズル１２０により、チップ立ちのし易い電子部品２００をマザー基板１上にマウントする。次に、図１９に示すように、部品吸着ノズル１２０により、電子部品２００をマザー基板１に向けて押圧しながら、ＹＡＧレーザー光Ｌを発射する。そして、図示しないアパーチャーマスクによって複数に分割されたＹＡＧレーザー光Ｌにより、電子部品２００の両端の扁平電極に対応する電極パッド３を、それぞれ同時に加熱する。この加熱によって溶融したはんだ粒が固化したら、図２０に示すように、部品吸着ノズル１２０を引き上げる。なお、当然ながら、チップマウント直前から部品吸着ノズル１２０の引き上げまで、マザー基板１は固定したまま移動させない。
【００４７】
このようなマウント接合繰り返し工程においては、はんだ粒の溶融から固化に至るまで電子部品２００をマザー基板１に向けて押圧することにより、ツームストン現象（マンハッタン現象）によるチップ立ちを回避することができる。
【００４８】
次に、実施形態に係る実装方法の各変形例について説明する。
［変形例１］
図２１は、本変形例１の実装方法に用いられるマザー基板１を示す平面図である。同図において、マザー基板１は、そのおもて面（図中の上側の面）だけでなく、裏面にも回路パターンが形成されており、電子部品がおもて面、裏面の両方に実装されるようになっている。図中点線で示されるのが、裏面に形成された回路パターンである。おもて面の回路パターンと、裏面の回路パターンとは、それぞれ、その電極パッド３が相手側の回路パターンの基板厚み方向の投影像に重ならない位置に配設されている。即ち、それぞれの回路パターンの電極パッド３の投影像は、相手側の回路パターンに重ならないようになっている。例えば、同図のおもて面の回路パターンは、その配線部７の投影像が裏面の配線部７’に重なることはあるが、その電極パッド３の投影像が裏面の配線部７’や電極パッド３’に重ねることはない。また、裏面の回路パターンも、その配線部７’の投影像がおもて面の配線部７に重ねることはあるが、その電極パッド３’の投影像がおもて面の配線部７や電極パッド３に重ねることはない。このように、両方の回路パターンについて、それぞれ電極パッドを相手側の回路パターンの厚み方向投影像に重ねない位置に配設することにより、ＹＡＧレーザー光Ｌを何れか一方の回路パターンに遮光させてもう一方の電極パッドに到達させることができなくなるといった事態を回避することができる。
【００４９】
［変形例２］
図２２は、本変形例２の実装方法に用いられる実装装置のレーザー照射部を示す概略構成図である。同図において、レーザー発振器１００から出射されたＹＡＧレーザー光Ｌは、ホモジェナイザー１３０、フィールドレンズ１４０、マスク円盤１０４ａのアパーチャーマスク、結像レンズ１４１を順次通過した後、図示しないＸ−Ｙテーブルの底板、天板を経てマザー基板に到達する。図示のレーザー照射部には、できるだけコンパクトにする目的で、ＹＡＧレーザー光Ｌの進行方向をその光路の途中で変化させる複数の反射ミラーを設けているが、同図においては、便宜上、それら反射ミラーの図示を省略している。
【００５０】
図２３は、レーザー照射部のホモジェナイザー１３０を拡大して示す拡大構成図である。ホモジェナイザー１３０は、第１レンズアレイ対１３１と、第２レンズアレイ対１３２と、分散抑制レンズ１３３とを有している。第１レンズアレイ対１３１，第２レンズアレイ対１３２は、それぞれ、ｙ軸分割レンズアレイ１３４，１３６と、ｘ軸分割レンズアレイ１３５，１３７とから構成されている。ホモジェナイザー１３０内では、２枚のｙ軸分割レンズアレイ１３４，１３６、２枚のｘ軸分割レンズアレイ１３５，１３７と、１枚の分散抑制用集光レンズ１３７が、ＹＡＧレーザー光Ｌの光軸Ｃ上に一直線状に並ぶように配設されている。ホモジェナイザー１３０に進入したＹＡＧレーザー光Ｌは、ｙ軸分割レンズアレイ１３４、ｘ軸分割レンズアレイ１３５、ｙ軸分割レンズアレイ１３６、ｘ軸分割レンズアレイ１３７、分散抑制用集光レンズ１３３を順次通過していく。
【００５１】
図２４は、ホモジェナイザー１３０における４枚のレンズアレイを示す斜視図である。同図において、互いに直交するｘ軸、ｙ軸、ｚ軸のうち、ｚ軸は、ＹＡＧレーザー光Ｌの光軸Ｃと平行な軸である。第１レンズアレイ対１３１のｙ軸分割レンズアレイ１３４は、２ｍｍ×２４ｍｍという横長形状のシリンドリカルレンズ１３４ａがｙ軸方向に１１個並べられたものである。これら１１個のシリンドリカルレンズ１３４ａは、入射してくるＹＡＧレーザー光Ｌをｙ軸方向に１１分割する。一方、第１レンズアレイ対１３１のｘ軸分割レンズアレイ１３５は、２２ｍｍ×８ｍｍという縦長形状のシリンドリカルレンズ１３５ａがｘ軸方向に３個並べられたものである。これら３個のシリンドリカルレンズ１３５ａは、ｙ軸方向で１１分割された分割光を、ｘ軸方向に３分割する。ホモジェナイザー１３０に進入したＹＡＧレーザー光Ｌは、第１レンズアレイ対１３１により、ｙ軸方向、ｘ軸方向にそれぞれ１１分割、３分割されて、合計で３３本の分割光となる。これら分割光は、ｙ軸方向に１１本、ｘ軸方向に３本というマトリクスで並ぶ。
【００５２】
第２レンズアレイ対１３２のｙ軸分割レンズアレイ１３５は、２ｍｍ×２４ｍｍという横長形状のシリンドリカルレンズ１３６ａがｙ軸方向に１１個並べられたものである。また、第２レンズアレイ対１３２のｘ軸分割レンズアレイ１３７は、２２ｍｍ×８ｍｍという縦長形状のシリンドリカルレンズ１３７ａがｘ軸方向に３個並べられたものである。
【００５３】
第１レンズアレイ対１３１によって得られた３３本の分割光は、第２レンズアレイ対１３２を通過する。第２レンズアレイ対１３２では、３３本の分割光が、それぞれシリンドリカルレンズ間を跨がずに、各シリンドリカルレンズの何れかに収まるように通過していく。このため、第２レンズアレイ対１３２内で、３３本の分割光が更に分割されることはない。例えば、第２レンズアレイ対１３２のｙ軸分割レンズアレイ１３６では、３３本の分割光のうち、同一のｘ軸上に並ぶ３本ずつが、ｙ軸分割レンズアレイ１３６に設けられた１１個のシリンドリカルレンズ１３６ａのうち、同一のものに進入する。また、ｘ軸分割レンズアレイ１３７では、３３本の分割光のうち、同一のｙ軸上に並ぶ１１ずつが、ｘ軸分割レンズアレイ１３７に設けられた３個のシリンドリカルレンズ１３７ａのうち、同一のものに進入する。第２レンズアレイ対１３２を通過した３３本の分割光は、それぞれ、異なる光軸を中心にして、焦点に向けて集光するようになる。
【００５４】
先に示した図２２において、フィールドレンズ１４０は、次段に配設されるアパーチャーマスクを介して、結像レンズ１４０のレンズ入射瞳に結像するように３３本の分割光を導くいわゆる絞りとしての役割を担っている。ホモジェナイザー１３０からでてくる３３本の分割光は、アパーチャーマスクの光入射面上で互いにピッタリと重なり合って、１８ｍｍ×４．５ｍｍのレーザースポットを形成する。このように各分割光が重なり合うことにより、レーザー発振器１００から出射されたガウシアンビームの横断面方向におけるエネルギー強度分布が均一化せしめられ、マスク通過後のマスク処理光がトップハットビームになる。
【００５５】
以上のように、本第２変形例においては、強度分布均一化光学系として、レーザー光発振手段たるレーザー発振器１００から発せられたＹＡＧレーザー光Ｌをその横断面方向に分割して得た複数の分割光のうち、エネルギー強度の比較的高い分割光と、エネルギー強度の比較的低い分割光とを互いに重ね合わせることで、強度分布を均一化せしめるものを用いている。このような強度分布均一化光学系では、市販のホモジェナイザー１３０を用いて、ＹＡＧレーザー光Ｌの強度分布を均一化せしめることができる。
【００５６】
［変形例３］
図２５は、本変形例３の実装方法に用いられる実装装置のレーザー照射部の要部を示す拡大構成図である。同図において、レーザー発振器１００から発せられたＹＡＧレーザー光Ｌは、第１集光レンズ１０１によって集光せしめられながら、凹面鏡１５０の凹面で反射する。そして、反射前のビームスポット外縁部が、反射後のビームスポット中心部に重ね合わされる。この重ね合わせにより、レーザー発振器１００から出射されたガウシアンビームの横断面方向におけるエネルギー強度分布が均一化せしめられ、反射光がトップハットビームになる。
【００５７】
このように、本変形例３では、強度分布均一化光学系として、レーザー光発振器１００から発せられたＹＡＧレーザー光Ｌを凹面鏡１５０に反射させて得た反射光における横断面方向の外縁部を中心部に重ね合わせることで、強度分布を均一化せしめるものを用いている。これにより、ＹＡＧレーザー光Ｌの反射による光路変更と、強度分布の均一化とを同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】実施形態に係る実装方法に用いられるマザー基板を示す拡大断面図。
【図２】同実装方法に用いられる印刷マスクを同マザー基板とともに示す拡大断面図。
【図３】同実装方法に用いられる印刷法の密着工程を示す拡大断面図。
【図４】同印刷法の充填工程を示す拡大断面図。
【図５】同印刷法の剥離工程を示す拡大断面図。
【図６】同実装方法に用いられる実装装置を示す概略構成図。
【図７】同実装装置のマウンター部を示す拡大構成図。
【図８】同マウンター部の部品吸着ノズルを同マザー基板とともに示す拡大断面図。
【図９】レーザー照射中の同実装装置のレーザー照射部及びＸ−Ｙテーブルを示す構成図。
【図１０】ガウシアンビームのエネルギー強度分布を示すグラフ。
【図１１】ＳＩ型の光ファイバー内におけるレーザー光の挙動を示す模式図。
【図１２】トップハットビームのエネルギー強度分布を示すグラフ。
【図１３】同実装装置のマスク円盤を示す平面図。
【図１４】同実装方法における第１の接合工程の初期段階を説明するための断面図。
【図１５】同第１の接合工程における１回目のレーザー照射を説明するための断面図。
【図１６】同レーザー照射の終了直後の状態を示す断面図。
【図１７】同第１の接合工程における２回目のレーザー照射を説明するための断面図。
【図１８】同実装方法のマウント接合繰り返し工程の１バッチにおける初期段階を説明するための断面図。
【図１９】同１バッチにおける中期段階を説明するための断面図。
【図２０】同１バッチにおける後期段階を説明するための断面図。
【図２１】変形例１の実装方法に用いられるマザー基板１を示す平面図。
【図２２】変形例２の実装方法に用いられる実装装置のレーザー照射部を示す概略構成図。
【図２３】同レーザー照射部のホモジェナイザーを拡大して示す拡大構成図。
【図２４】同ホモジェナイザーにおける４枚のレンズアレイを示す斜視図。
【図２５】変形例３の実装方法に用いられる実装装置のレーザー照射部の要部を示す拡大構成図。
【符号の説明】
【００５９】
１                マザー基板（基板）
２                基層
３                電極パッド（回路パターンの一部）
６                はんだペースト（導電性接合材）
７                配線部（回路パターンの一部）
１００            レーザー発振器（レーザー光発振手段）
１０２            光ファイバー（レーザー光導通部材、強度分布均一化光学系の一部）
１０４ｄ          アパーチャーマスク
１３０            ホモジェナイザー（強度分布均一化光学系の一部）
１５０            凹面鏡（強度分布均一化光学系の一部）
２００            電子部品
【図１】
2005347610.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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