(57)【要約】【課題】  複数の半導体チップ搭載部が集合したテープ加工領域内におけるプラグメッキの厚さの差を小さくすることのできるＢＧＡ用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体チップが搭載されるテープ長手方向の両側にメッキ用給電配線を設けた絶縁性フィルムのはんだボール形成用ランドの形成位置に開口部を形成し（Ｓ１０１）、絶縁性フィルムの片面に銅箔をラミネートし（Ｓ１０２）、絶縁性のマスキングテープを前記絶縁性フィルムの銅箔面に貼着し（Ｓ１０３）、前記開口部内にプラグメッキによって導電層を形成し（Ｓ１０４）、前記導電層の形成終了後に前記マスキングテープを剥離する（Ｓ１０５）。最後に、ランド及び配線パターンをエッチングにより形成する。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定位置に複数の開口部が形成されると共に、前記複数の開口部の片面を塞ぐようにしてはんだボール形成用のランド及び前記ランドに接続された配線パターンが形成された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムのテープ幅方向から供給される電流よりも大なる電流がテープ長手方向から供給されることに基づく電解メッキによって前記複数の開口部内に形成された導体層とを備えることを特徴とするＢＧＡ用テープキャリア。
【請求項２】
前記導体層は、Ｃｕ、Ｎｉ、またははんだであることを特徴とする請求項１記載のＢＧＡ用テープキャリア。
【請求項３】
半導体チップが搭載される絶縁性フィルムのはんだボール形成用ランドの形成位置に開口部を形成し、
前記絶縁性フィルムの片面に銅箔をラミネートし、
前記銅箔をエッチングすることにより、はんだボール形成用ランド、前記はんだボール形成用ランドに接続される前記配線パターン及びテープ長手方向の両側にメッキ用給電配線を形成し、
前記はんだボール形成用ランド、前記配線パターン及び前記メッキ用給電配線の形成面に対し、絶縁性のマスキングテープを貼着し、
前記開口部内にプラグメッキによる導電層を形成し、
前記導電層の形成終了後に前記マスキングテープを剥離することを特徴とするＢＧＡ用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記プラグメッキは、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ、またははんだメッキであることを特徴とする請求項３記載のＢＧＡ用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記ＢＧＡ用テープキャリアにおいて、前記配線パターンに対するテープ幅方向からの前記メッキ用給電配線の本数を少なくしたことを特徴とする請求項３記載のＢＧＡ用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＢＧＡ(Ball Grid Array) 用テープキャリア及びその製造方法に関し、特に、プラグメッキ（埋め込みメッキ）の厚みを均一化することが可能なＢＧＡ用テープキャリア及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
〔従来のＢＧＡ用テープキャリアの構成〕
図７及び図８は、従来のＢＧＡ用テープキャリアを示す。図７は表面であり、図８は裏面である。ＢＧＡ用テープキャリア１００は絶縁性フィルム１０１を主体に構成され、その一方の面（表面）には図７に示すように所定間隔に多数のランド１０２が設けられている。周辺の２列のランド１０２のそれぞれには外側に向けて配線パターン１０３が接続されている。配線パターン１０３が接続されていないランド１０２は、ダミーのランドである。このダミーのランド１０２上には、不図示の半導体チップが搭載される。また、裏面には、図８のように、周回する２列のランド１０２（図７に図示）のホール内にプラグメッキされた導体層１０４が設けられている。
【０００３】
〔従来のＢＧＡ用テープキャリアを用いたＢＧＡ型半導体装置の構成〕
図９は、図７及び図８に示したＢＧＡ用テープキャリア１００を用いたＢＧＡ型半導体装置の構成を示す。ＢＧＡ型半導体装置２００は、実装基板２１０に搭載されている。実装基板２１０は、絶縁性フィルムによる絶縁基板２１１と、この絶縁基板２１１の所定位置に設けられた複数の電極端子２１２と、この電極端子２１２上に塗布されたソルダーレジスト２１３とを備えて構成されている。ソルダーレジスト２１３には、所定位置に開口部２１４が形成されている。
【０００４】
ＢＧＡ型半導体装置２００は、実装基板２１０とほぼ同サイズの絶縁性フィルムによる絶縁基材２０１と、この絶縁基材２０１の片面に設けられたはんだボール形成用ランド２０２およびダミーパッド２０３と、ダミーパッド２０３上に接着材等を介して搭載された半導体チップ２０４と、はんだボール形成用ランド２０２と半導体チップ２０４の電極パッドとを接続するボンディングワイヤ２０５と、半導体チップ２０４の上部に封止される封止部材２０６と、はんだボール形成用ランド２０２の裏面の開口部２０９内に形成された導体層２０７とソルダーレジスト２１３の開口部２１４を通して実装基板２１０の電極端子２１２とを接続するはんだボール２０８とを備えて構成されている。
【０００５】
絶縁基材２０１、はんだボール形成用ランド２０２、及びダミーパッド２０３の構成が、図７、図８のＢＧＡ用テープキャリア１００に相当する。樹脂材を用いた封止部材２０６は、半導体チップ２０４、ボンディングワイヤ２０５、はんだボール形成用ランド２０２との接合部を保護するために半導体チップ２０４、及び絶縁基材２０１を覆うように封止される。
【０００６】
はんだボール２０８は、リフロー処理されることにより溶融し、溶融したはんだボール２０８の上部は導体層２０７に接続され、その下部は実装基板２１０の開口部２１４を完全に埋め、電極端子２１２と電気的に接続される。更に、溶融したはんだボール２０８の中間部は、表面張力によって球状のはんだボールを形成する。
【０００７】
〔従来のＢＧＡ用テープキャリアの要部の構成〕
図１０は、プラグメッキ（埋め込みメッキ）を施した従来のＢＧＡ用テープキャリアの部分拡大図を示す。絶縁基材２０１のはんだボール形成用ランド２０２が設けられた内側には開口部２０９が形成されており、この開口部２０９内のはんだボール形成用ランド２０２の内面には、導体層２０７が設けられている。導体層２０７の厚みは開口部２０９の深さよりも小さい。従って、溶融前のはんだボール２０８は、開口部２０９に食い込む状態に介在している。
【０００８】
ＢＧＡ型半導体装置２００の小型化に伴ない、はんだボール２０８の狭ピッチ化や小径化が進み、これに合せてはんだボール形成用ランド２０２を露出させるための開口部２０９の直径も小さくする必要がある。しかし、絶縁基材２０１の厚さは従来通りであるため、絶縁基材２０１の厚みに対して開口部２０９の直径が相対的に小さくなり、溶融したはんだボール２０８がはんだボール形成用ランド２０２に接触しにくくなる。これを解決するため、はんだボール形成用ランド２０２の裏面に導体層（導電金属層）２０７を設け、開口部２０９の深さを相対的に浅くしている。
【０００９】
〔ＢＧＡ用テープキャリアの形成方法〕
図１０の導体層２０７の形成には電解メッキ法が用いられる。例えば、所定間隔に開口部２０９が形成された絶縁基材２０１に、配線パターン、はんだボール形成用ランド２０２およびメッキ用給電配線を形成した状態において、この配線パターン形成面側にマスキングテープを貼着してメッキ槽に浸漬させ、メッキ用給電配線を直流電源の一方に接続して通電を行えば、導体層２０７の析出が行われる。
【００１０】
〔従来のＢＧＡ用テープキャリアの構成〕
図１１は、図９のＢＧＡ型半導体装置２００に用いられるＢＧＡ用テープキャリア１００の構成を示す。このＢＧＡ用テープキャリア１００は、５６個の半導体チップ搭載部が集合しており、図７のパターンによるＢＧＡ用テープキャリア１００の５６個分について同時に導体層２０７を形成することができ、ＢＧＡ用テープキャリア１００のテープ加工領域に貼付される。
【００１１】
ＢＧＡ用テープキャリア１００は絶縁性フィルム１０１（テープ材）上にラミネートされる樹脂フィルム材を主体に構成され、５６個に区分されているテープ加工領域３０１の外周辺には大きな電流を流せるように、太い幅のメッキ用給電配線３０２が一周するように設けられている。メッキ用給電配線３０２の内の２辺は、スプロケットホール１０５に平行するように、つまりテープ長手方向に設けられている。
【００１２】
メッキ用給電配線３０２には、縦横に対向する２辺を接続する内部給電配線３０３が布線されている。この内部給電配線３０３の縦線及び横線の位置は、半導体チップに個片化する際の切断線に一致する。更に、メッキ用給電配線３０２の内周には、小さい格子を有するパターンの内部給電配線３０４が布線されており、メッキ用給電配線３０２の近傍のブロックの配線パターンに接続される。
【００１３】
マスキングテープ３００は、ＢＧＡ用テープキャリア１００のはんだボール形成用ランドの形成面に貼着した状態でプラグメッキが行われ、プラグメッキの終了後に、ＢＧＡ用テープキャリア１００から剥離される。
【００１４】
導体層２０７の厚みは、いずれのはんだボール形成用ランド２０２においても、均一に形成される必要がある。そうでないと、はんだボールの高さにばらつきが生じ、実装基板２１０に搭載する際、実装不良を生じたり、はんだボールの接合不良を生じる。
【００１５】
導体層の厚みが不均一になる問題を解決するものとして、絶縁基材の所定位置に複数のはんだボール用の開口部を設け、更に、前記絶縁基材の片面に銅箔を形成し、前記開口部のそれぞれに導体層を設け、その後に前記銅箔をエッチングして配線パターン及びはんだボール形成用ランドを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−１２４２６５号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、従来のＢＧＡ用テープキャリアによると、図１１に示されるように、メッキ給電配線がテープ長手方向及びテープ幅方向に均等に配置されたデザインであるため、複数の半導体チップ搭載部が集合したテープ加工領域（ブロック）内での電流の流れ方が配線の抵抗差のために均等にならず、テープ加工領域におけるプラグメッキの厚さに差異が生じる。
【００１７】
その一例を示したのが図１２及び図１３である。図１３は、図１２の６０μｍのレベルを０とし、このレベルから導体層１０４の表面までの深さを示している。また、図１３の系列１〜８は、図１２の手前から奥方向（幅方向）に測定した値である。
【００１８】
図１２に示すように、特に、テープ加工領域の４隅の通電量が多くなり、この部分のプラグメッキが厚くなっていることがわかる。図１３に示すように、最大値で３５μｍ、最小値で１５μｍであり、メッキ層の差は２０μｍ、また、厚さのバラツキの度合いを示す標準偏差は５．９μｍである。このように、テープ加工領域内のテープ幅方向もしくはテープ長手方向のプラグメッキの厚さが異なり、はんだボール搭載後のパッケージの平坦性が保てなくなる。
【００１９】
また、特許文献１のテープキャリア製造方法の場合、銅箔の段階でプラグメッキを行うため、はんだボール形成用ランドや配線パターンを形成してからプラグメッキを行う場合に比べればメッキ厚のばらつきは改善されるが、用いられるマスキングテープの形状は、特許文献１の図１３に示されるように、メッキ給電配線がテープ長手方向及びテープ幅方向に均等に配置されたデザインであるため、段落〔００１８〕で説明したように、テープ加工領域の４隅のプラグメッキが厚くなるし、図１３に示した様にメッキ厚のばらつきの発生は避けられない。従って、ばらつきの改善には限度がある。
【００２０】
本発明の目的は、複数の半導体チップ搭載部が集合したテープ加工領域内におけるプラグメッキの厚さの差を小さくすることができるＢＧＡ用テープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、上記の目的を達成するため、第１の特徴として、所定位置に複数の開口部が形成されると共に、前記複数の開口部の片面を塞ぐようにしてはんだボール形成用のランド及び前記ランドに接続された配線パターンが形成された絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムのテープ幅方向から供給される電流よりも大なる電流がテープ長手方向から供給されることに基づく電解メッキによって前記複数の開口部内に形成された導体層とを備えることを特徴とするＢＧＡ用テープキャリアを提供する。
【００２２】
この構成によれば、開口部に形成された導電層は、絶縁性フィルムのテープ幅方向から供給される電流よりも大きい電流をテープ長手方向から供給して行われた電解メッキによって形成されているため、テープ加工領域内のプラグメッキの厚みを均一化することができる。
【００２３】
本発明は、上記の目的を達成するため、第２の特徴として、半導体チップが搭載される絶縁性フィルムのはんだボール形成用ランドの形成位置に開口部を形成し、前記絶縁性フィルムの片面に銅箔をラミネートし、前記銅箔をエッチングすることにより、はんだボール形成用ランド、前記はんだボール形成用ランドに接続される前記配線パターン及びテープ長手方向の両側にメッキ用給電配線を形成し、前記はんだボール形成用ランド、前記配線パターン及び前記メッキ用給電配線の形成面に対し、絶縁性のマスキングテープを貼着し、前記開口部内にプラグメッキによる導電層を形成し、前記導電層の形成終了後に前記マスキングテープを剥離し、前記開口部に面して前記銅箔面に前記はんだボール形成用ランドを形成すると共に前記はんだボール形成用ランドの所定数に配線パターンを形成することを特徴とするＢＧＡ用テープキャリアの製造方法を提供する。
【００２４】
上記第２の特徴の製造方法によれば、はんだボール形成用ランド及び配線パターンを形成した後に、はんだボール形成用ランド及び配線パターンにマスキングテープを貼着し、メッキ槽に入れてプラグメッキを行うことにより、開口部内に導電層が形成される。このとき、テープ加工領域のテープ幅方向からは通電されないため、テープ加工領域内のプラグメッキの厚みを均一化することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のＢＧＡ用テープキャリアによれば、開口部に形成される導電層が、絶縁性フィルムのテープ幅方向から供給される電流よりも大きな電流をテープ長手方向から供給する電解メッキにより開口部内に形成されているため、メッキ時には、テープ幅方向及び４隅部分からの通電量が低減されるため、各ブロックの開口部内のメッキ厚は均一化され、はんだボール搭載後のパッケージの平坦性を保つことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
〔本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリアの構成〕
図１及び図２は、本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリアの表面及び裏面を示す。また、図３は、マスキングテープが表面に貼着されたＢＧＡ用テープキャリアを示す。ここでは、ＢＧＡ用テープキャリアの内、半導体チップ１個分のみを示している。ＢＧＡ用テープキャリア２０には、プラグメッキを形成するとき、或いは配線パターンとプラグメッキを形成するときに、銅箔面側にマスキングテープ１０が貼着される。
【００２７】
図１に示すように、ＢＧＡ用テープキャリア２０は絶縁性フィルム２１を主体に構成され、その表面には、はんだボール形成用の多数のランド２２が所定間隔に設けられている。ランド２２の内の周辺の２列には外側に向けて配線パターン２３が接続されている。なお、ランド２２の内、配線パターン２３が接続されていない中心寄りのランドは、ダミーのランドである。このダミーのランド上には、不図示の半導体チップが搭載される。
【００２８】
ＢＧＡ用テープキャリア２０の絶縁性フィルム２１及びマスキングテープ１０の樹脂フィルム１３には、ポリイミド、ポリエステル、ポリスルホン、フッ素樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００２９】
また、図２のように、ＢＧＡ用テープキャリア２０の裏面には、周回する２列のランド２２に面して開口部２５が形成されており、この開口部２５内にプラグメッキされた導体層２４が設けられている。この導体層２４の表面には粗化処理が施されている。これにより、はんだボールとのはんだ濡れ性を向上させることができる。
【００３０】
図３のマスキングテープの下側には、図１及び図２に示す構造の１つのブロックが、５６個配設されている。本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリア２０は、図３に示すように、テープ長手方向（図３の左右方向）にのみメッキ用給電配線１１を設け、テープ幅方向（図３の上下方向）にはメッキ給電配線を設けていない。このように、テープ幅方向にメッキ給電配線を設けないことにより、電流の通電はテープ長手方向からのみになり、通電量はブロック内で均一化される。
【００３１】
〔マスキングテープの概要〕
マスキングテープ１０は、ＢＧＡ用テープキャリア２０の絶縁性フィルム２１上にラミネートされる樹脂フィルム材１３を主体に構成されており、そのサイズ及びテープ加工領域１２の区分等は、図１２のマスキングテープ３００と同じである。また、ＢＧＡ用テープキャリア２０は、絶縁性フィルム２１を基材とし、この絶縁性フィルム２１の両側には一定間隔にスプロケット２６が設けられている。図３において、内部給電配線１４は、図１２の内部給電配線３０３に相当する。また、メッキ用給電配線１１の内側の細かい格子状の内部給電配線１５は、図１２の内部給電配線３０４に相当する。
【００３２】
〔ＢＧＡ用テープキャリア２０の製造方法〕
図４は、本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリアの製造方法を示す。図中、「Ｓ」はステップを表している。ＢＧＡ用テープキャリア２０の絶縁性フィルム２１には、導体層２４を設けるための開口部２５が、プレス加工により一定間隔に形成される（Ｓ１０１）。次に、ランド２２や配線パターン２３を形成するための銅箔が絶縁性フィルム２１の片面にラミネートされる（Ｓ１０２）。
【００３３】
次に、銅箔面にランド２２や配線パターン２３を形成するためにレジストコートを施し（Ｓ１０３）、エッチングを実施する（Ｓ１０４）。これにより、ランド２２、配線パターン２３およびメッキ用給電配線１１が形成される。次に、ランド２２、配線パターン２３およびメッキ用給電配線１１に残されていたレジストコートを除去する（Ｓ１０５）。
【００３４】
次に、図３の形状のマスキングテープ１０が銅箔面にラミネートされる（Ｓ１０６）。次に、メッキ用給電配線１１に直流電源の一方のリードを接続し、マスキングテープ１０がラミネートされたＢＧＡ用テープキャリア２０をメッキ液の満たされたメッキ槽（図示せず）に浸漬する。メッキ用給電配線１１とメッキ槽に電源を接続すると、メッキ用給電配線１１を通して銅箔面に電流が流れ、開口部２５内にはメッキが析出され、プラグメッキが行われる（Ｓ１０７）。このメッキには、銅メッキ、ニッケルメッキ、スズメッキ、金メッキ、銀メッキ等の単体金属及びはんだメッキのような合金メッキを使用できる。プラグメッキが進行し、所望の厚みになった時点で、電源をＯＦＦにし、ＢＧＡ用テープキャリア２０をメッキ槽から引き上げ、洗浄等を行った後、マスキングテープ１０をＢＧＡ用テープキャリア２０から剥離する（Ｓ１０８）。最後に、ランド２２と配線パターン２３、又は、ランド２２にメッキを施す（Ｓ１０９）。更に、必要に応じて、導体層２４の表面を粗化する。以上により、ＢＧＡ用テープキャリア２０が完成する。
【００３５】
なお、図４の方法においても、絶縁性フィルム２１の配線パターン２３に対するテープ幅方向からの給電配線の本数を少なくしておけば、テープ幅方向からの給電量は更に低減されるので、メッキ厚の均一化を更に向上させることができる。
【００３６】
〔本発明の実施の形態におけるプラグメッキのメッキ厚評価〕
図５及び図６は、本発明のＢＧＡ用テープキャリアの製造方法に基づいてプラグメッキを行った後のメッキ厚さ測定の結果を示す。図６は図５の６０μｍのレベルを０とし、このレベルから導体層２４の表面までの深さを示している。また、図６に示す系列１〜８は、図５の手前から奥方向（幅方向）に測定した値である。
【００３７】
図５に示すように、図４に示した絶縁性フィルム２１を用いてプラグメッキを行ったことによりテープ加工領域１２の４隅への過度な電流供給がなくなり、テープ加工領域１２内でのメッキ厚のバラツキは小さくなった。その際の測定結果は、図６に示すように、最大値は３３μｍ、最小値は１９μｍであり、メッキ層の差は１４μｍ（＝３３μｍ−１９μｍ）、また、厚さのバラツキの度合いを示す標準偏差は３．５μｍとブロック内での厚さのバラツキを小さくできたことがわかる。
【００３８】
〔本発明の実施の形態の変形例〕
なお、上記実施の形態においては、絶縁性フィルム２１にプレス加工することにより開口部２５を形成したが、これに代えて絶縁性フィルム２１に銅箔をラミネートした後、レーザー加工により開口部２５を形成する方法を採用することもできる。また、上記実施の形態では、電解メッキを、それによる導体層２４が開口部２５の内部凹形状に埋めるように施したが、開口部２５の内部を外方に凸形状の導体層として埋めるようにすることもできる。
【００３９】
また、上記実施の形態において、ランドに接続されるテープ幅方向からの給電線の本数を少なくし、或いは給電線を細くして電気抵抗を大きくする等の手段をとることにより、テープ幅方向からの給電量を更に低減でき、更なるめっき厚の均一化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリアの表面形状を示す平面図である。
【図２】図１のＢＧＡ用テープキャリアの裏面形状を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリア及びマスキングテープの構成を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るＢＧＡ用テープキャリアの製造方法の第１例を示すフローチャートである。
【図５】本発明のＢＧＡ用テープキャリアの製造方法によりプラグメッキを行った後のメッキ厚さ測定の結果を示し、長手方向に７区分、幅方向に８区分した各ブロックのメッキの平均厚み図である。
【図６】本発明のＢＧＡ用テープキャリアの製造方法によりプラグメッキを行った後のメッキ厚さ測定の結果である。
【図７】従来のＢＧＡ用テープキャリアの平面図である。
【図８】従来のＢＧＡ用テープキャリアの裏面図である。
【図９】図７及び図８に示したＢＧＡ用テープキャリアを用いたＢＧＡ型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】プラグメッキを施した従来のＢＧＡ用テープキャリアの部分拡大図を示す断面図である。
【図１１】ＢＧＡ用テープキャリアの導体層を形成する際に用いられるマスキングテープの構成を示す平面図である。
【図１２】従来のＢＧＡ用テープキャリアによりプラグメッキを行った後のメッキ厚さ測定の結果を示し、長手方向に７区分、幅方向に８区分した各ブロックのメッキの平均厚み図である。
【図１３】従来のＢＧＡ用テープキャリアによりプラグメッキを行った後のメッキ厚さ測定の結果である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  マスキングテープ
１１  メッキ用給電配線
１２  テープ加工領域
１３  樹脂フィルム材
１４，１５  内部給電配線
２０  ＢＧＡ用テープキャリア
２１  絶縁性フィルム
２２  ランド
２３  配線パターン
２４  導体層
２５  開口部
２６  スプロケット
１００  ＢＧＡ用テープキャリア
１０１  絶縁性フィルム
１０２  ランド
１０３  配線パターン
１０４  導体層
１０５  スプロケット
２００  ＢＧＡ型半導体装置
２０１  絶縁基材
２０２  ランド
２０３  ダミーパッド
２０４  半導体チップ
２０５  ボンディングワイヤ
２０６  封止部材
２０７  導体層
２０８  はんだボール
２０９  開口部
２１０  実装基板
２１１  絶縁基材
２１２  電極端子
２１３  ソルダーレジスト
２１４  開口部
３００  マスキングテープ
３０１  テープ加工領域
３０２  メッキ用給電配線
３０３，３０４  内部給電配線
【図１】
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【図２】
2005347333.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005347333.tif 000008
【図７】
2005347333.tif 000009
【図８】
2005347333.tif 000010
【図９】
2005347333.tif 000011
【図１０】
2005347333.tif 000012
【図１１】
2005347333.tif 000013
【図１２】
2005347333.tif 000014
【図１３】
2005347333.tif 000015