(57)【要約】【課題】バイパス回路とその切替えを行うスイッチを備えながらも、増幅器側の経路で信号が伝搬する通常状態でのＮＦの劣化を抑えた低雑音増幅回路を構成する。【解決手段】第１・第２の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１，Ｈ２の間に第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２を接続し、第１の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１の第４のポート（４）  からの出力信号を無反射終端器Ｔ１へ伝搬させるか、バイパス回路Ｓへ伝搬させるかを切り替えるスイッチＳＷ１を設ける。通常状態では、第２の３ｄＢ方向性結合器Ｈ２の第１のポート（１）  からの信号を出力部ＯＵＴ１から出力し、スイッチＳＷ１の切替時には、バイパス回路Ｓを経由して出力部ＯＵＴ２から出力する。増幅器Ａ１，Ａ２を経由する経路にスイッチが存在しないので良好なＮＦ特性が得られる。【選択図】  図１
2005020611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポートから入力された信号を等振幅且つ９０°の位相差をもって第２・第３のポートに出力する第１の３ｄＢ方向性結合器と、
第１の３ｄＢ方向性結合器の第２のポートからの出力信号が入力される第１の単位増幅器と、
第１の３ｄＢ方向性結合器の第３のポートからの出力信号が入力される第２の単位増幅器と、
第１の単位増幅器で増幅された信号が第３のポートに入力され、第２の単位増幅器で増幅された信号が第２のポートに入力され、第２・第３のポートに入力された９０°の位相差をもつ信号を同相で合成して第１のポートに出力する第２の３ｄＢ方向性結合器と、
第１の方向性結合器のアイソレーション端子である第４のポートに入力ノードが接続されたスイッチと、
該スイッチの第１の出力ノードに接続された第１の無反射終端器と、
前記スイッチの第２の出力ノードに接続され、バイパス信号を伝送するバイパス回路と、
第２の３ｄＢ方向性結合器のアイソレーション端子である第４のポートに接続された第２の無反射終端器とを備え、
前記スイッチの入力ノードと第１の出力ノードとが導通している状態で、第１の３ｄＢ方向性結合器の第１のポートから入力された入力信号の増幅信号を第２の３ｄＢ方向性結合器の第１のポートから出力し、前記スイッチの入力ノードと第２の出力ノードとが導通している状態で、前記バイパス回路を介して前記入力信号のバイパス信号を出力するようにした低雑音増幅回路。
【請求項２】
第１の３ｄＢ方向性結合器の第２のポートと第１の単位増幅器との間に信号の導通／遮断を切替える第２のスイッチと、第１の３ｄＢ方向性結合器の第３のポートと第２の単位増幅器との間に信号の導通／遮断を切替える第３のスイッチとをそれぞれ設けた請求項１に記載の低雑音増幅回路。
【請求項３】
第１の入力ノードが前記第２の３ｄＢ方向性結合器の第１のポートに接続され、第２の入力ノードが前記バイパス回路に接続され、出力ノードから信号を出力する第４のスイッチを設けた請求項１または２に記載の低雑音増幅回路。
【請求項４】
前記バイパス回路に可変減衰器を挿入した請求項１〜３のいずれかに記載の低雑音増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、無線通信装置や電磁波の送受信装置に用いることのできる低雑音増幅回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、無線通信端末装置や移動通信の移動局あるいはその基地局の受信装置等においては、受信される信号が非常に微弱であるため、雑音指数ＮＦ（Ｎｏｉｓｅ  Ｆｉｇｕｒｅ）の低い低雑音増幅回路が必要となる。このような高周波帯で用いられる低雑音増幅回路としては一般に平衡型増幅回路が用いられている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、電源系統や電源回路の故障、増幅回路の故障などによって増幅回路が機能しなくなると、通信システムに深刻な経路損失を与えるので、それを回避するために増幅回路とは別系統のバイパス回路を設け、増幅回路を経由する経路とバイパス回路を経由する経路とを切り替えられるようにした装置があった（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
ここで、特許文献１に開示されている平衡型増幅回路の構成を図７に示す。図７において、３ｄＢ方向性結合器Ｈ１は、第１のポートから入力された信号を等振幅且つ９０°の位相差をもって第２・第３のポートに出力する。第１の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１の第２のポート（２）  と第２の３ｄＢ方向性結合器Ｈ２の第３のポート（３）  との間には第１の単位増幅器Ａ１を接続していて、第１の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１の第３のポート（３）  と第２の３ｄＢ方向性結合器Ｈ２の第２のポート（２）  との間には第２の単位増幅器Ａ２を接続している。第１の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１のアイソレーション端子である第４のポート（４）  には第１の無反射終端器Ｔ１を接続していて、第２の３ｄＢ方向性結合器Ｈ２のアイソレーション端子である第４のポート（４）  には第２の無反射終端器Ｔ２を接続している。そして、第１の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１の第１のポート（１）  につながる入力部ＩＮからの入力信号を平衡型増幅し、第２の３ｄＢ方向性結合器Ｈ２の第１のポート（１）  につながる出力部ＯＵＴから信号を出力するように構成している。
【０００５】
次に、特許文献２に開示されている低雑音増幅回路の構成を図８に示す。この図８に示すように、増幅器Ａの経路とは別にバイパス回路Ｓを設けている。スイッチＳＷａは入力部ＩＮからの入力信号を増幅器Ａ側に伝送するかバイパス回路Ｓ側に伝送するかを切り替える。また、ＳＷｂは増幅器Ａからの出力信号を出力部ＯＵＴへ伝送するか、バイパス回路Ｓからの信号を伝送するかを切り替える。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−３０７３５８
【特許文献２】
特開２０００−３１７５２
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図８に示したようなバイパス回路を備えた低雑音増幅回路では、その増幅器Ａ部分に図７に示した平衡型増幅回路を適用することになる。この図８に示したようなバイパス回路を備えた低雑音増幅回路においては、増幅器Ａを用いる通常状態で、その信号経路（特に増幅器Ａの前段）にスイッチＳＷａが介在しているので、このスイッチによるＮＦの劣化が問題となる。例えば、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ）を使用した２ＧＨｚ帯の１段の平衡型増幅器のＮＦは良好なもので０．６ｄＢ程度であり、スイッチＳＷａの損失は、増幅器Ａ側の経路の損失を重視した設計を行った場合でも０．２〜０．３ｄＢ程度である。そのため、バイパス回路Ｓを設けない場合に比べ、スイッチＳＷａの存在により増幅器Ａ側の経路でのＮＦが約３０％も劣化してしまう。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、バイパス回路を備えた低雑音増幅回路において、増幅器側の経路で信号が伝搬する通常状態でのＮＦの劣化を抑えた低雑音増幅回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、第１のポートから入力された信号を等振幅且つ９０°の位相差をもって第２・第３のポートに出力する第１の３ｄＢ方向性結合器と、第１の３ｄＢ方向性結合器の第２のポートからの出力信号が入力される第１の単位増幅器と、第１の３ｄＢ方向性結合器の第３のポートからの出力信号が入力される第２の単位増幅器と、第１の単位増幅器で増幅された信号が第３のポートに入力され、第２の単位増幅器で増幅された信号が第２のポートに入力され、第２・第３のポートに入力された９０°の位相差をもつ信号を同相で合成して第１のポートに出力する第２の３ｄＢ方向性結合器と、第１の方向性結合器のアイソレーション端子である第４のポートに入力ノードが接続されたスイッチと、該スイッチの第１の出力ノードに接続された第１の無反射終端器と、前記スイッチの第２の出力ノードに接続され、バイパス信号を伝送するバイパス回路と、第２の３ｄＢ方向性結合器のアイソレーション端子である第４のポートに接続された第２の無反射終端器とを備え、前記スイッチの入力ノードと第１の出力ノードとが導通している状態で、第１の３ｄＢ方向性結合器の第１のポートから入力された入力信号の増幅信号を第２の３ｄＢ方向性結合器の第１のポートから出力し、前記スイッチの入力ノードと第２の出力ノードとが導通している状態で、前記バイパス回路を介して前記入力信号のバイパス信号を出力するようにしたことを特徴としている。
【００１０】
このように、第１の３ｄＢ方向性結合器の第４のポートにスイッチを設け、バイパス回路を用いて信号の伝搬を行う状態でのみスイッチを経由するようにし、第１・第２の単位増幅器の経路を用いる通常状態で、その信号の伝送経路上にスイッチが介在しないようにしてＮＦの劣化を防止する。
【００１１】
また、この発明は、第１の３ｄＢ方向性結合器の第２のポートと第１の単位増幅器との間に信号の導通／遮断を切替える第２のスイッチと、第１の３ｄＢ方向性結合器の第３のポートと第２の単位増幅器との間に信号の導通／遮断を切替える第３のスイッチとをそれぞれ設けたことを特徴としている。
【００１２】
このように、第１・第２の単位増幅器の手前に第２・第３のスイッチを設けたことにより、第２・第３のスイッチの遮断状態で、第１・第２の単位増幅器への入力信号レベルを低下させ、過大な入力から第１・第２の単位増幅器を保護できるようにする。この第２・第３のスイッチはＳＰＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｔｈｒｏｗ：単極単投）型のスイッチでよいので、増幅器の経路とバイパス回路とを切り替えるために必要なＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ：単極双投）型のスイッチに比べてスイッチによる損失は半分程度に抑えることができる。
【００１３】
また、この発明は、第１の入力ノードが第２の３ｄＢ方向性結合器の第１のポートに接続され、第２の入力ノードがバイパス回路に接続され、出力ノードから信号を出力する第４のスイッチを設けたことを特徴としている。
この構造により、増幅器を経由する信号とバイパス回路を経由する信号とを共通の出力部から取り出せるようにする。すなわち、増幅器の電源供給がなされない場合に、第４のスイッチがバイパス回路側を選択するようにしておくことによって、バイパス回路を経由した信号を出力部から取り出せるようにする。
【００１４】
また、この発明は、前記バイパス回路に可変減衰器を挿入したことを特徴としている。
これにより、この低雑音増幅回路に対して過大な入力信号が印加された時、その信号をバイパス回路を経由させるとともに可変減衰器で必要な信号レベルにまで減衰させて後段の回路へ供給できるようにする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
第１の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を図１に示す。図１においては、３ｄＢ方向性結合器Ｈ１，Ｈ２としてそれぞれ３ｄＢハイブリッドカプラを用いている。第１の３ｄＢ方向性結合器Ｈ１は第１のポートから入力された信号を、第４のポート（４）  へ出力することなく、等振幅且つ９０°の位相差をもって第２・第３のポートに出力する。（以下、この３ｄＢ方向性結合器を単に「方向性結合器」という。）
図１に示すように、第１の方向性結合器Ｈ１の第２のポート（２）  と第２の方向性結合器Ｈ２の第３のポート（３）  との間に第１の単位増幅器Ａ１を接続していて、第１の方向性結合器Ｈ１の第３のポート（３）  と第２の方向性結合器Ｈ２の第２のポート（２）  との間に第２の単位増幅器Ａ２を接続している。
【００１６】
第２の方向性結合器Ｈ２は、第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２で増幅された９０°位相差をもった信号を第３・第２のポートから入力し、同相で合成して第１のポート（１）  に出力する。
第２の方向性結合器Ｈ２のアイソレーション端子である第４のポート（４）  には第２の無反射終端器Ｔ２を接続している。
【００１７】
以上の構成によって、第１の方向性結合器Ｈ１の第１のポート（１）  につながる入力部ＩＮからの入力信号を平衡型増幅し、第２の方向性結合器Ｈ２の第１のポート（１）  につながる出力部ＯＵＴから信号を出力するように構成している。
【００１８】
第１の方向性結合器Ｈ１のアイソレーション端子である第４のポート（４）  にはスイッチＳＷ１の入力ノードｃを接続していて、このスイッチＳＷ１の第１の出力ノードａに第１の無反射終端器Ｔ１を接続している。さらに第２の出力ノードｂにバイパス回路Ｓを接続している。したがって、このスイッチＳＷ１が第１の出力ノードａ側を選択している時、第１の方向性結合器Ｈ１の第４のポート（４）  からの出力信号は無反射終端器Ｔ１で無反射終端される。スイッチＳＷ１が第２の出力ノードｂ側を選択している時、第１の方向性結合器Ｈ１の第４のポート（４）  からの出力信号はバイパス回路Ｓ側へ伝送される。
【００１９】
通常状態では、スイッチＳＷ１のノードａーｃ間が導通している。したがって、図中、実線の矢印で示すように第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２の入力部で反射した信号は無反射終端器Ｔで無反射終端される。増幅器Ａ１，Ａ２で増幅された信号は、第２の方向性結合器Ｈ２の第１・第４の入ポート（１）  ，（４）  から入力されて第３のポート（３）  から出力され、第１の出力部ＯＵＴ１から取り出される。
【００２０】
今、何らかの原因で単位増幅器Ａ１，Ａ２への電源供給が遮断されると、スイッチＳＷ１を構成するＳＰＤＴの制御電圧を切替えて、このスイッチＳＷ１のノードｃ−ｂ間を導通させる。そのため、図中破線で示すように、第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２の入力部で反射して第１の方向性結合器Ｈ１の第２・第３のポート（２）  ，（３）  へ入力された信号は、スイッチＳＷ１を介してバイパス回路Ｓを伝搬し、第２の出力部ＯＵＴ２から出力される。
【００２１】
なお、第１の出力部ＯＵＴ１側に接続されている回路からの反射信号は第２の方向性結合器Ｈ２の第１のポート（１）  へ入射し、増幅器Ａ１，Ａ２の出力部で反射し、第２の方向性結合器Ｈ２の第３・第２のポート（３）  ，（２）  へ再び入力されて、最終的に第４のポート（４）  から出力されて無反射終端器Ｔ２で無反射終端される。
【００２２】
図１（Ｂ）は（Ａ）に示した第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２の構成を示している。単位増幅器Ａ１，Ａ２はそれぞれＨＥＭＴとその入出力整合回路（入力整合回路Ｍ１と出力整合回路Ｍ２）とから構成している。
【００２３】
このように、構成した単位増幅器の反射損失は、単位増幅器に電源が供給されていない場合０．３ｄＢ程度であり、方向性結合器Ｈ１，Ｈ２による損失がそれぞれ０．１〜０．１５ｄＢ程度、それらを合わせても０．４〜０．５ｄＢの損失が生じるだけであるので、バイパス信号にはスイッチとバイパス回路Ｓの損失に加えて０．４〜０．５ｄＢの損失が生じるだけである。一方、通常状態では単位増幅器Ａ１，Ａ２を経由する経路にはスイッチが存在しないので、バイパス回路へ切替えるスイッチを備えていない低雑音増幅回路と同様の良好なＮＦ特性が得られる。
【００２４】
図２は第２の実施形態に係る低雑音増幅回路を示している。図１に示した例では方向性結合器として３ｄＢハイブリッドカプラを用いたが、この図２に示す例は、方向性結合器をブランチライン型９０°ハイブリッド回路（ハイブリッドリング回路）で構成している。このブランチライン型９０°ハイブリッド回路の場合も、第１の方向性結合器Ｈ１は第１のポートから入力された信号を、第４のポート（４）  へ出力することなく、等振幅且つ９０°の位相差をもって第２・第３のポートに出力する。第２の方向性結合器Ｈ２は、第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２で増幅された９０°位相差をもった信号を第３・第２のポートから入力し、同相で合成して第１のポート（１）  に出力する。その他の回路部分の構成は図１に示した構成と同様である。
【００２５】
このようなブランチライン型９０°ハイブリッド回路は単一の誘電体基板を用いてマイクロストリップラインで構成できるので、容易に製造することができる。これに対して、図１に示した３ｄＢハイブリッドカプラの場合には伝送線路とのインピーダンス整合を容易にとることができ、また、２つの出力間の位相差を正確に９０°にして高い方向性をもたせることができる。
【００２６】
次に、第３の実施形態に係る低雑音増幅回路を図３を基に説明する。
この例では、第１の方向性結合器Ｈ１の第２・第３のポート（２）  ，（３）  と第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２との間に、信号の導通／遮断を切り替える第２のスイッチＳＷ２および第３のスイッチＳＷ３を設けている。その他の回路部分の構成は図１に示した構成と同様である。第２のスイッチＳＷ２はＰＩＮダイオードＤ２と、それに対してバイアス電圧を供給するラインに設けたインダクタＬ２とで構成している。同様に、第３のスイッチＳＷ３はＰＩＮダイオードＤ３と、それに対してバイアス電圧を供給するラインに設けたインダクタＬ３とで構成している。制御端子ＣＮＴ２と接地間にバイアス電圧が印加されると、インダクタＬ２，ダイオードＤ２，単位増幅器Ａ１内部の接地の経路にバイアス電圧が印加される。同様に、制御端子ＣＮＴ３と接地間にバイアス電圧が印加されると、インダクタＬ３，ダイオードＤ３，単位増幅器Ａ２内部の接地の経路にバイアス電圧が印加される。
【００２７】
スイッチＳＷ２，ＳＷ３の制御端子ＣＮＴ２，ＣＮＴ３には、図外の制御回路を接続していて、低雑音増幅回路の入力部ＩＮに過大な信号（所定の上限を超える強度の信号）が入力された時、制御回路はＳＷ２，ＳＷ３を遮断状態にする。すなわちダイオードＤ２，Ｄ３がゼロバイアスまたは逆バイアスとなるように制御端子ＣＮＴ２，ＣＮＴ３への制御電圧を切替える。
【００２８】
上記制御回路はスイッチＳＷ２，ＳＷ３を遮断状態とする時、スイッチＳＷ１のノードｃ−ｂ間を導通させる。このとき、第１の方向性結合器Ｈ１の第２・第３のポート（２）  ，（３）  から出力された信号はＳＷ２，ＳＷ３で反射し、再び方向性結合器Ｈ１のポート（２）  ，（３）  に入射され、図１に示した場合と同様に、スイッチＳＷ１を経由しバイパス回路Ｓを経由して第２の出力部ＯＵＴ２へ導かれる。
【００２９】
このように、入力過大な場合に単位増幅器Ａ１，Ａ２の入力側で遮断することによって単位増幅器Ａ１，Ａ２の破壊を防止することができる。
【００３０】
このような構造では単位増幅器Ａ１，Ａ２の信号経路にスイッチＳＷ２，ＳＷ３が介在しているので、それらのスイッチによる損失が生じるが、ＳＷ２，ＳＷ３は図に示したように、直列にＰＩＮダイオードが挿入されたＳＰＳＴ型のスイッチであるので、ＳＷ１のようなＳＰＤＴ型のスイッチに比べてその損失を半分程度にすることができる。
【００３１】
図４は、第４の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図である。図３に示した例では、第１の方向性結合器Ｈ１と第１・第２の単位増幅器Ａ１，Ａ２との間に設けた第２・第３のスイッチＳＷ２，ＳＷ３としてＰＩＮダイオードを用いたが、この図４に示す例では、ＦＥＴを用いている。第２のスイッチＳＷ２は信号経路に直列に挿入したＦＥＴＱ１１と接地との間に並列に接続したＦＥＴＱ１２とから構成している。同様に、第３のスイッチＳＷ３は信号経路に直列に挿入したＦＥＴＱ２１と接地との間に並列に接続したＦＥＴＱ２２とから構成している。Ｑ１１，Ｑ２１とＱ１２，Ｑ２２とは逆チャンネル型のＦＥＴであり、Ｑ１１，Ｑ２１の導通時、Ｑ１２，Ｑ２２は開放状態であり、逆にＱ１１，Ｑ２１が開放状態の時、Ｑ１２，Ｑ２２は導通状態となる。通常状態でＱ１１，Ｑ２１は導通状態であり、第１の方向性結合器Ｈ１の第２・第３のポート（２）  ，（３）  の出力信号がＱ１１，Ｑ２１を介して単位増幅器Ａ１，Ａ２に入力される。入力部ＩＮに対する入力過大の場合には、Ｑ１１，Ｑ２１が開放状態、Ｑ１２，Ｑ２２が導通状態となるので、単位増幅器Ａ１，Ａ２の入力信号電圧は接地電位となってＡ１，Ａ２が過大入力から保護される。また、Ｑ１１，Ｑ２１での反射信号が第１の方向性結合器Ｈ１のポート（２）  ，（３）  から入力されて、第１のスイッチＳＷ１およびバイパス回路Ｓを経由して第２の出力部ＯＵＴ２へ導かれる。
【００３２】
次に、第５の実施形態に係る低雑音増幅回路について図５を基に説明する。第１のスイッチＳＷ１はＰＩＮダイオードＤ１、ＰＩＮダイオードＤ４、伝送線路Ｌ４およびインダクタＬ１とで構成している。伝送線路Ｌ４は使用周波数での１／４波長に相当する。また、この例では、出力部ＯＵＴを共通にし、第２の方向性結合器Ｈ２のポート（１）  からの出力信号とバイパス回路Ｓからの出力信号とを選択的に出力部ＯＵＴへ導く第４のスイッチＳＷ４を設けている。このスイッチＳＷ４はＰＩＮダイオードＤ５、ＰＩＮダイオードＤ６、伝送線路Ｌ６およびインダクタＬ５とで構成している。伝送線路Ｌ６は使用周波数で１／４波長に相当する。その他の構成は、第１の実施形態の場合と同様である。
【００３３】
今、スイッチＳＷ１の制御端子ＣＮＴ１に、ダイオードＤ１，Ｄ４が順バイアスとなる制御電圧を印加すると、Ｄ１が導通し、第１の方向性結合器Ｈ１のポート（４）  からの出力信号が無反射終端Ｔ１で無反射終端される。この時、ダイオードＤ４もオンし、このダイオードＤ４の接続点からλ／４分だけ戻った伝送線路Ｌ４の接続点は等価的に開放となる。したがって、上記ポート（４）  からの出力信号がバイパス回路Ｓ側に伝送されることはない。
【００３４】
ダイオードＤ１，Ｄ４がゼロバイアスまたは逆バイアスとなるように制御端子ＣＮＴ１に制御電圧を印加すると、Ｄ１，Ｄ４が共に開放状態となり、第１の方向性結合器Ｈ１のポート（４）  からの出力信号がバイパス回路Ｓへ伝送される。
【００３５】
第４のスイッチＳＷ４の制御端子ＣＮＴ４に、ダイオードＤ５，Ｄ６が順バイアスとなる制御電圧を印加すると、ダイオードＤ５が導通し、第２の方向性結合器Ｈ２のポート（１）  からの出力信号が出力部ＯＵＴへ導かれる。この時、ダイオードＤ６も導通状態であるので、このダイオードＤ６の接続点からλ／４分だけ戻った伝送線路Ｌ６の接続点は等価的に開放となる。したがって、出力部ＯＵＴからバイパス回路Ｓが切り離される。
【００３６】
ダイオードＤ５，Ｄ６がゼロバイアスまたは逆バイアスとなるように制御端子ＣＮＴ４に制御電圧を印加すると、Ｄ５，Ｄ６が共に開放状態となり、バイパス回路Ｓを経由した信号が出力部ＯＵＴに導かれる。
【００３７】
このように、出力部を共用することによって、低雑音増幅回路に対する電源が遮断された場合でも、バイパス回路Ｓを介した信号が出力部ＯＵＴから得られる。
【００３８】
図６は、第６の実施形態に係る低雑音増幅回路について示している。この例では、バイパス回路Ｓに可変減衰器ＡＴＴを挿入している。その他の構成は第１の実施形態の場合と同様である。この可変減衰器ＡＴＴは、例えばπ型減衰回路の各素子をＰＩＮダイオードで構成したものや、固定抵抗とＰＩＮダイオードとを組み合わせて構成したものである。各ＰＩＮダイオードはその順方向で電流に応じて高周波抵抗分が変化するので、バイアス電圧に応じて減衰量を制御することができる。図外の制御回路は低雑音増幅回路の入力部ＩＮへの入力信号が過大状態となったことを検出してスイッチＳＷ１をバイパス回路Ｓ側に切り替える。また、上記制御回路は入力信号強度に応じて、出力部ＯＵＴから適正な強度の信号が出力されるように可変減衰器ＡＴＴの減衰量を制御する。
【００３９】
【発明の効果】
この発明によれば、第１・第２の３ｄＢ方向性結合器の間に第１・第２の単位増幅器を接続し、第１の３ｄＢ方向性結合器の反射信号出力ポート（第４のポート）にスイッチを設けて、バイパス回路を用いて信号の伝搬を行う状態でのみ上記スイッチを経由するようにしたので、第１・第２の単位増幅器の経由する通常の伝送経路上にスイッチが介在しない。その結果、バイパス回路とスイッチを備えながらも低いＮＦを有する低雑音増幅回路が得られる。
【００４０】
また、この発明によれば、第１・第２の単位増幅器の手前に信号の導通／遮断を切替える第１・第２のスイッチを設けたので、第２・第３のスイッチの遮断状態で、バイパス回路を経由した信号が出力されるとともに、第１・第２の単位増幅器への入力信号レベルが大幅に低下するため、過大な入力から第１・第２の単位増幅器が保護できる。しかもこの第２・第３のスイッチはＳＰＳＴ型のスイッチでよいので、そのスイッチによる損失は小さく抑えることができる。
【００４１】
また、この発明によれば、第２の３ｄＢ方向性結合器の透過信号出力ポート（第１のポート）とバイパス回路とを選択する第４のスイッチを設けたことにより、増幅器を経由する信号とバイパス回路を経由する信号とを共通の出力部から取り出せる。そのため、増幅器の電源供給がなされない場合に、第４のスイッチがバイパス回路側を選択するようにしておくことによって、常に共通の出力部から信号を取り出せるようになる。
【００４２】
また、この発明によれば、バイパス回路に可変減衰器を挿入したことにより、低雑音増幅回路に対して過大な入力信号が印加された時、その信号をバイパス回路を経由させるとともに可変減衰器で必要な信号レベルまで減衰させることができ、後段の回路を過大な入力から保護するとともに、その回路で適正な信号処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図
【図２】第２の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図
【図３】第３の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図
【図４】第４の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図
【図５】第５の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図
【図６】第６の実施形態に係る低雑音増幅回路の構成を示す図
【図７】従来の低雑音増幅回路の構成を示す図
【図８】従来の別の低雑音増幅回路の構成を示す図
【符号の説明】
Ａ−増幅器
Ｓ−バイパス回路
ＩＮ−入力部
ＯＵＴ−出力部
Ｔ−無反射終端器
【図１】
2005020611.tif 000003
【図２】
2005020611.tif 000004
【図３】
2005020611.tif 000005
【図４】
2005020611.tif 000006
【図５】
2005020611.tif 000007
【図６】
2005020611.tif 000008
【図７】
2005020611.tif 000009
【図８】
2005020611.tif 000010