(57)【要約】【課題】  基板上に形成した被加熱物質に熱処理を行う際、基板上の位置によって被加熱物質に熱履歴の差を発生させない熱処理方法、処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置用基板１２に吐出した液滴に熱処理を行うにあたって、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１の外周領域１２６を吸着保持し、電気光学装置用基板１２の他方面側１２１を加熱装置２５０のホットプレート２６の上面２６１に対向させた状態で電気光学装置用基板１２を下降させ、電気光学装置用基板１２をホットプレート２６０上に載置するため、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０の影になる部分が発生しない。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に被加熱物質が形成された基板を基板保持具で保持して加熱装置に設置する設置工程と、前記基板を前記加熱装置によって加熱する加熱工程とを有する熱処理方法において、
前記基板保持具は、前記搬入工程で少なくとも前記基板を前記加熱装置の加熱面に対向させた状態で前記加熱装置と相対移動させて当該加熱装置に前記基板を設置する際、前記被加熱物質が形成されている加熱対象領域と前記加熱面との間を遮ることなく当該基板を保持していることを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
請求項１において、前記加熱工程では、前記基板に対して吐出あるいは転写により定着させた液状物を前記被加熱物質として加熱することを特徴とする熱処理方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記加熱装置は、前記基板の他方面側が当接するホットプレートを備えていることを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
請求項３において、前記基板は、該基板の一方面側の外周領域を避けた内側領域に前記加熱対象領域を備え、
前記基板保持具は、前記基板の一方面側における前記外周領域を吸着して当該基板を保持することを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
請求項４において、前記基板は、前記内側領域内に前記加熱対象領域を所定の境界領域を隔てて複数備え、
前記基板保持具は、前記基板の一方面側における前記外周領域および前記境界領域を吸着して当該基板を保持することを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
請求項３において、前記基板は、該基板の一方面側の外周領域を避けた内側領域に前記加熱対象領域を備え、
前記基板保持具は、前記一方面側を下向きにした前記基板の前記外周領域を下方から支持し、
前記加熱工程では、前記ホットプレートの下面に前記基板の前記他方面側を当接させることを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】
請求項３において、前記基板は、該基板の一方面側の外周領域を避けた領域に前記加熱対象領域を備え、
前記基板保持具は、前記他方面側を下向きにした前記基板の前記外周領域と平面的に重なる領域を下方から支持し、
前記加熱工程では、前記ホットプレートの上面に前記他方面側を向けて当該ホットプレート上に前記基板を載置することを特徴とする熱処理方法。
【請求項８】
請求項６または７において、前記基板保持具は、前記基板を下方から支持する平板部を備えていることを特徴とする熱処理方法。
【請求項９】
請求項６または７において、前記基板保持具は、ローラ面で前記基板を下方から支持するローラを備えていることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１０】
請求項６または７において、前記基板保持具は、前記基板の側面から下方に潜り込むフックを備えていることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに規定する熱処理方法を用いた電気光学装置の製造方法において、
前記基板は、マトリクス状に配置された各画素領域に電気光学物質を保持するための電気光学装置用基板であり、
前記被加熱物質は、当該電気光学装置用基板の画素構成要素であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に規定する方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に規定する電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
基板の一方面側に形成された被加熱物質に熱処理を施すための加熱装置と、前記基板を保持して前記加熱装置に設置するための基板保持具とを有する熱処理装置において、
前記基板保持具は、前記基板を前記加熱装置の加熱面に対向させた状態で前記加熱装置と相対移動して当該加熱装置に前記基板を設置する際、前記被加熱物質が形成されている加熱対象領域と前記加熱面との間を遮ることなく当該基板を保持していることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対する熱処理方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、および熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出ヘッドから電気光学装置用基板上の所定位置に所定量の液滴をドット状に吐出して、発光素子やカラーフィルタなどの画素構成要素をマトリクス状に形成する液滴吐出装置が考え出されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような装置を用いて電気光学装置を製造する場合、液滴吐出ヘッドから基板に液滴を吐出した後、熱処理装置において基板を加熱し、液滴を焼成する。
【特許文献１】特開２００３−１５９７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の一般的な方法で電気光学装置用基板を製造すると、電気光学装置において輝度むらなどといった不具合が発生しやすいという問題点がある。ここに、本願出願人は、その原因について検討した結果、従来の方法では、熱処理装置における温度分布を一定にした場合でも、基板を基板保持具で保持して加熱装置に搬入する際、基板の加熱対象領域と熱処理装置の加熱面との間が基板保持具によって部分的に遮られていることが不具合の発生する原因であるという新たな知見を得た。すなわち、加熱対象領域と熱処理装置の加熱面との間が基板保持具によって遮られていると、その影になった部分では昇温速度が低いため、いくら最終温度が一定であっても、熱履歴の差が発光素子の発光特性の差となり、電気光学装置において輝度むらを発生させるのである。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板上に形成した被加熱物質に熱処理を行う際、基板上の位置によって被加熱物質に熱履歴の差を発生させない熱処理方法、および熱処理装置を提供することにある。また、本発明の課題は、本発明に係る熱処理方法を用いた電気光学装置の製造方法、この製造方法で製造した電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解消するために、本発明では、一方面側に被加熱物質が形成された基板を基板保持具で保持して加熱装置に設置する設置工程と、前記基板を前記加熱装置によって加熱する加熱工程とを有する熱処理方法において、前記基板保持具は、前記搬入工程で少なくとも前記基板を前記加熱装置の加熱面に対向させた状態で前記加熱装置と相対移動して当該加熱装置に前記基板を設置する際、前記被加熱物質が形成されている加熱対象領域と前記加熱面との間を遮ることなく当該基板を保持していることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明では、基板の一方面側に形成された被加熱物質に熱処理を施すための加熱装置と、前記基板を保持して前記加熱装置に設置するための基板保持具とを有する熱処理装置において、前記基板保持具は、前記基板を前記加熱装置の加熱面に対向させた状態で前記加熱装置と相対移動して当該加熱装置に前記基板を設置する際、前記被加熱物質が形成されている加熱対象領域と前記加熱面との間を遮ることなく当該基板を保持していることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、基板保持具は、基板を加熱装置の加熱面に対向させた状態で加熱装置に設置する際、加熱対象領域と加熱面との間を遮ることなく基板を保持するため、基板を加熱装置に設置する際、基板の加熱対象領域には、基板保持具の影になる部分が発生しない。従って、被加熱物質は、加熱装置の加熱面に接近し始めた時点から温度が上昇していくが、その際の昇温速度は、加熱対象領域内の位置にかかわらず一定である。従って、被加熱物質は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、いずれの位置にある被加熱物質も熱処理の効果が等しい。それ故、電気光学装置用基板において被加熱物質に熱処理を行って発光素子を形成した場合などにおいて、輝度ばらつきが発生しない。
【０００９】
本発明において、前記加熱工程では、例えば、前記基板に対して吐出あるいは転写により定着させた液状物を前記被加熱物質として加熱する。
【００１０】
本発明において、前記加熱装置は、前記基板の他方面側が当接するホットプレートを備えていることが好ましい。このような加熱装置を用いれば、温度ばらつきが小さいという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記基板が、該基板の一方面側の外周領域を避けた内側領域に前記加熱対象領域を備えている場合、前記基板保持具は、前記基板の一方面側における前記外周領域を吸着して当該基板を保持することが好ましい。このように構成すると、加熱対象領域内では、基板保持具が一切、接触していないので、熱容量のばらつきが発生しない。それ故、いずれの位置にある被加熱物質も熱処理の効果が等しいので、電気光学装置用基板において被加熱物質に熱処理を行って発光素子を形成した場合などにおいて、輝度ばらつきが発生しない。
【００１２】
また、前記基板は、前記内側領域内に前記加熱対象領域を所定の境界領域を隔てて複数備えている場合、前記基板保持具は、前記基板の一方面側における前記外周領域および前記境界領域を吸着して当該基板を保持することが好ましい。このように構成すると、基板の外周領域および内側領域の双方で基板を保持するので、基板に反りや撓みなどが発生することを防止できる。
【００１３】
本発明において、前記基板が、該基板の一方面側の外周領域を避けた内側領域に前記加熱対象領域を備えている場合、前記基板保持具は、前記一方面側を下向きにした前記基板の前記外周領域を下方から支持し、前記加熱工程では、前記ホットプレートの下面に前記基板の前記他方面側が当接する構成を採用することができる。このように構成すると、加熱対象領域内では、基板保持具が一切、接触していないので、熱容量のばらつきが発生しない。それ故、いずれの位置にある被加熱物質も熱処理の効果が等しいので、電気光学装置用基板において被加熱物質に熱処理を行って発光素子を形成した場合などにおいて、輝度ばらつきが発生しない。
【００１４】
本発明において、前記基板が、該基板の一方面側の外周領域を避けた領域に前記加熱対象領域を備えている場合、前記基板保持具は、前記他方面側を下向きにした前記基板の前記外周領域と平面的に重なる領域を下方から支持し、前記加熱工程において、前記ホットプレートの上面に前記基板が載置される構成を採用してもよい。このように構成すると、加熱対象領域内では、基板保持具が一切、接触していないので、熱容量のばらつきが発生しない。それ故、いずれの位置にある被加熱物質も熱処理の効果が等しいので、電気光学装置用基板において被加熱物質に熱処理を行って発光素子を形成した場合などにおいて、輝度ばらつきが発生しない。
【００１５】
本発明において、前記基板保持具は、前記基板を下方から支持する平板部を備えたもの、ローラ面で前記基板を下方から支持するローラ、あるいは前記基板の側面から下方に潜り込むフックなどを用いることができる。
【００１６】
本発明に係る熱処理方法は、例えば、電気光学装置の製造方法に利用することができる。この場合、前記基板は、マトリクス状に配置された各画素領域に電気光学物質を保持するための電気光学装置用基板であり、前記被加熱物質は、当該電気光学装置用基板の画素構成要素である。例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を構成するための基板（電気光学装置用基板）に対して、前記画素構成要素としての発光層を形成するための液状物を吐出し、それを焼成し、発光層を形成する。また、液晶表示装置を製造する場合には、液晶電気光学装置用基板（前記電気光学装置用基板）に対して、前記画素構成要素としてのカラーフィルタを形成するための液状物を吐出し、それを焼成してカラーフィルタを構成をしてもよい。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置は、例えば、携帯電話機やモバイルコンピュータなど、各種電子機器の表示部として用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施形態に係る加熱処理装置、および電気光学装置の製造方法の一例を説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（電気光学装置製造装置の全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置製造装置の全体構成を示す斜視図である。
【００２０】
図１において、本形態の電気光学装置製造装置１は、概ね、液滴吐出装置１０と、熱処理装置２００とから構成されている。この電気光学装置製造装置１において、カラーの表示装置を製造する場合、通常、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の画素が形成されるので、液滴吐出装置１０としては各色に対応するものが構成されるが、図１などには、そのうちの１つのみを表してある。また、１つの液滴吐出装置１０で各色に対応する液滴を吐出するように構成してもよい。
【００２１】
液滴吐出装置１０は、各種の液状物（被加熱物質）を矩形の電気光学装置用基板１２の所望位置に液滴として吐出して、電気光学装置用基板１２に画素構成要素を形成するものであり、液状物を電気光学装置用基板１２に液滴として吐出するノズルを備える複数の液滴吐出ヘッド２２と、これらの液滴吐出ヘッド２２を保持する共通のキャリッジ２６とを有している。また、液滴吐出装置１０は、液滴吐出ヘッド２２の位置を制御するヘッド位置制御装置１７と、電気光学装置用基板１２の位置を制御する基板位置制御装置１８と、液滴吐出ヘッド２２を電気光学装置用基板１２に対して主走査移動させる主走査駆動手段としての主走査駆動装置１９と、液滴吐出ヘッド２２を電気光学装置用基板１２に対して副走査移動させる副走査駆動手段としての副走査駆動装置２１と、電気光学装置用基板１２を液滴吐出装置１０内の所定の作業位置へ供給する基板供給装置２３と、電気光学装置製造装置１全般の制御を司るコントロール装置２４とを有しており、ヘッド位置制御装置１７、基板位置制御装置１８、主走査駆動装置１９、および副走査駆動装置２１によって、液滴吐出ヘッド２２（キャリッジ２６）と電気光学装置用基板１２とを相対移動させる移動手段が構成されている。ヘッド位置制御装置１７、基板位置制御装置１８、主走査駆動装置１９、および副走査駆動装置２１はベース９の上に設置され、それらの各装置は必要に応じてカバー１４によって覆われる。コントロール装置２４は、プロセッサを収容したコンピュータ本体部６６と、入力装置６７としてのキーボードと、表示装置としてのＣＲＴディスプレイ６８とを有している。
【００２２】
ヘッド位置制御装置１７は、詳細な図示および説明を省略するが、液滴吐出ヘッド２２を面内回転させるαモータ、液滴吐出ヘッド２２を副走査方向Ｙと平行な軸線回りに揺動回転させるβモータ、液滴吐出ヘッド２２を主走査方向と平行な軸線回りに揺動回転させるγモータ、そして液滴吐出ヘッド２２を上下方向へ平行移動させるＺモータなどを備えている。基板位置制御装置１８は、電気光学装置用基板１２を載せるテーブル４９を備え、そのテーブル４９に対しては、それを面内回転させるθモータを備えている。主走査駆動装置１９は、主走査方向Ｘへ延びるＸガイドレール５２と、パルス駆動されるリニアモータを内蔵したＸスライダ５３とを備えている。Ｘスライダ５３は、内蔵するリニアモータが作動するときにＸガイドレール５２に沿って主走査方向へ平行移動する。副走査駆動装置２１は、副走査方向Ｙへ延びるＹガイドレール５４と、パルス駆動されるリニアモータを内蔵したＹスライダ５６とを備えている。Ｙスライダ５６は、内蔵するリニアモータが作動するときにＹガイドレール５４に沿って副走査方向Ｙへ平行移動する。
【００２３】
Ｘスライダ５３およびＹスライダ５６内においてパルス駆動されるリニアモータは、該モータに供給するパルス信号によって出力軸の回転角度制御を精細に行うことができ、従って、Ｘスライダ５３に支持された液滴吐出ヘッド２２の主走査方向Ｘ上の位置やテーブル４９の副走査方向Ｙ上の位置などを高精細に制御できる。なお、液滴吐出ヘッド２２やテーブル４９の位置制御は、パルスモータを用いた位置制御に限られず、サーボモータを用いたフィードバック制御や、その他任意の制御方法によって実現することもできる。
【００２４】
基板供給装置２３は、電気光学装置用基板１２を収容する基板収容部５７と、電気光学装置用基板１２を搬送するロボット５８とを備えている。ロボット５８は、床、地面などといった設置面に置かれる基台５９と、基台５９に対して昇降移動する昇降軸６１と、昇降軸６１を中心として回転する第１アーム６２と、第１アーム６２に対して回転する第２アーム６３と、第２アーム６３の先端下面に設けられた吸着パッド６４とを備えており、吸着パッド６４は、空気吸引などによって電気光学装置用基板１２を吸着できる。
【００２５】
主走査駆動装置１９によって駆動されて主走査移動する液滴吐出ヘッド２２の軌跡下であって副走査駆動装置２１の一方の脇位置には、キャッピング装置７６およびクリーニング装置７７が配置され、他方の脇位置には電子天秤７８が配置されている。クリーニング装置７７は、液滴吐出ヘッド２２を洗浄するための装置である。電子天秤７８は、液滴吐出ヘッド２２内の個々のノズルから吐出される液滴の重量をノズル毎に測定する機器である。キャッピング装置７６は、液滴吐出ヘッド２２が待機状態にあるときにノズルの乾燥を防止するための装置である。
【００２６】
液滴吐出ヘッド２２の近傍には、その液滴吐出ヘッド２２と一体に移動する関係でヘッド用カメラ８１が配置されている。また、電気光学装置用基板１２に対しては基板用カメラ８２が配置され、基板用カメラ８２は、電気光学装置用基板１２を撮影可能である。
【００２７】
熱処理装置２００は、ホットプレート２６０を備えた加熱装置２５０と、電気光学装置用基板１２を搬送するロボット２１０とを備えている。ロボット２１０は、床、地面などといった設置面に置かれる基台２１２と、基台２１２に対して昇降移動する昇降軸２１４と、昇降軸２１４を中心として回転する第１アーム２１６と、第１アーム２１６に対して回転する第２アーム２１８と、第２アーム２１８の先端下面に設けられた基板保持具２２０とを備えており、基板保持具２０は、空気吸引などによって電気光学装置用基板１２を吸着し、テーブル４９上で液滴が塗布された電気光学装置用基板１２をテーブル４９上から搬送して加熱装置２５０に設置する。
【００２８】
（基板保持具２２０の構成および熱処理方法）
図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【００２９】
本形態の電気光学装置製造装置１を用いて電気光学装置を製造する場合には、まず、電気光学装置用基板１２の各画素となるべき箇所に所定の液滴を吐出する。かかる液滴とは、有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）を製造する場合には、ＥＬ素子の発光層を形成するための有機材料である。なお、電気光学装置用基板１２を液滴吐出装置１０に仕掛ける際、電気光学装置用基板１２には、半導体プロセスなどを利用して所定の構成構成が既に形成されている。次に、液滴を吐出した電気光学装置用基板１２を熱処理装置２００に搬送し、加熱装置２５０のホットプレート２６０で熱処理を施す。次に、電気光学装置用基板１２に対して、半導体プロセスなどを利用して他の構成構成を形成した後、この電気光学装置用基板１２を用いて有機ＥＬ表示装置を組み立てる。
【００３０】
ここで、電気光学装置用基板１２は、図２（Ａ）に示すように、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、外周領域１２６には画素が一切、形成されない。従って、電気光学装置用基板１２において、外周領域１２６は、表示に直接、寄与しないので、加熱の際、温度ムラなどがあってもよいが、内側領域１２３の画像表示領域１００は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。また、有機ＥＬ表示装置において各画素に形成される発光層は、基板内の温度分布が一定の条件下で熱処理しないと、膜質が基板内でばらつき、その結果、発光素子の発光特性がばらつき、輝度むらの原因となる。
【００３１】
そこで、本形態では、かかる不具合の発生を防止するために、基板保持具２２０は、矩形の電気光学装置用基板１２の対角方向に延びる２本の支持バー２２１を備え、その先端部の各々に、空気吸引などによって電気光学装置用基板１２を吸着する吸着パッド２２２が形成されている。従って、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１の外周領域１２６の４隅を吸着保持することになる。
【００３２】
このような基板保持具２２０を用いて、電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１を吸着保持して、電気光学装置用基板１２の他方面側１２１を加熱装置２５０のホットプレート２６０の上面２６１に対向させた状態で電気光学装置用基板１２を下降させ、電気光学装置用基板１２をホットプレート２６０上に載置する。次に、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２を開放して上昇する（ローディング工程／設置工程）。
【００３３】
そして、図２（Ｂ）に示すように、電気光学装置用基板１２は、ホットプレート２６０の上面２６１で加熱され、電気光学装置用基板１２に吐出された液滴に乾燥が施される（加熱工程）。
【００３４】
次に、基板保持具２２０が下降して電気光学装置用基板１２の一方面側１２１を吸着保持した後、上昇し、電気光学装置用基板１２を次に工程に搬送する（アンローディング工程）。
【００３５】
なお、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２がホットプレート２６０上で加熱される間、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１を吸着保持し続けていてもよい。
【００３６】
（本形態の主な効果）
このように本形態において、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０の加熱面（ホットプレート２５０の上面２５１）に対向させた状態で加熱装置２５０に設置する際、加熱対象領域１２５とホットプレート２５０との間を遮ることなく電気光学装置用基板１２を保持する。このため、電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置する際、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０の影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を吸着保持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０が接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生しない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、加熱面に接近し始めた時点から温度が上昇していくが、その間の昇温速度は、加熱対象領域１２５内の位置にかかわらず一定である。このため、液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しい。それ故、液滴から形成した発光層の膜質が位置によってばらつくことがないので、電気光学装置用基板１２において液滴に熱処理を行って発光素子を形成した場合、輝度ばらつきが発生しない。
【００３７】
［実施の形態１の変形例］
図３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１の変形例に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。なお、本形態および以下に説明する形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００３８】
本形態でも、図１を参照して説明した電気光学装置製造装置１の液滴吐出装置１０によって、有機ＥＬ表示装置の電気光学装置用基板１２の各画素となるべき箇所に所定の液滴を吐出した後、電気光学装置用基板１２を熱処理装置２００に搬送し、加熱装置２５０のホットプレート２６０上で熱処理を施す。
【００３９】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態において、電気光学装置用基板１２は、１枚から有機ＥＬ表示装置２台分の電気光学装置用基板を形成する大型基板であり、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３に基板２枚分の画像表示領域１００が形成されている。このため、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す電気光学装置用基板１２では、内側領域１２３に、所定の境界領域１２７を挟んで２つの加熱対象領域１２５が構成されていることになる。
【００４０】
このような構成に対応して、本形態の基板保持具２２０は、実施の形態１と同様、矩形の電気光学装置用基板１２の対角方向に延びる２本の支持バー２２１を備え、その先端部の各々に、空気吸引などによって電気光学装置用基板１２を吸着する吸着パッド２２２が形成されている。さらに、本形態の基板保持具２２０は、２本の支持バー２２１の交差部分にも、空気吸引などによって電気光学装置用基板１２を吸着する吸着パッド２２３を備えている。従って、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１の外周領域１２６の４隅と、電気光学装置用基板１２の境界領域１２７のうち、一方面側１２１の中央位置も吸着保持する。
【００４１】
このような基板保持具２２０を用いて、電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際も、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１を吸着保持して、電気光学装置用基板１２の他方面側１２１を加熱装置２５０のホットプレート２６の上面２６１に対向させた状態で電気光学装置用基板１２を下降させ、電気光学装置用基板１２をホットプレート２６０上に載置する（ローディング工程／設置工程）。このため、電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置する際、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０の影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０は、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を吸着保持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０が接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００４２】
また、本形態では、基板保持具２２０が吸着パッド２２３によって電気光学装置用基板１２の中央も保持する。従って、基板保持具２２０が電気光学装置用基板１２を保持した際、電気光学装置用基板１２に反りや撓みなどが発生しない。
【００４３】
［実施の形態１の別の変形例］
図４（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１の別の変形例に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【００４４】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示した例では、１枚の大型の電気光学装置用基板１２から２枚の電気光学装置用基板を形成する例であったが、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、１枚の大型の電気光学装置用基板１２から４枚、あるいは９枚の電気光学装置用基板を形成する場合がある。このような場合も、電気光学装置用基板１２では、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３に対して、所定の境界領域１２７を挟んで複数の加熱対象領域１２５が構成されることになる。
【００４５】
このような電気光学装置用基板１２に対応するには、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板保持具２２０には、電気光学装置用基板１２の一方面側１２１の外周領域１２６の４隅、および境界領域１２７に吸着パッド２２２、２２３を配置して電気光学装置用基板１２を吸着保持すればよい。
【００４６】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【００４７】
本形態の電気光学装置製造装置を用いて電気光学装置を製造する場合も、実施の形態１と同様、電気光学装置用基板１２の各画素となるべき箇所に所定の液滴（発光層を形成するための有機材料）を吐出した後、図５に示す加熱装置２５０のホットプレート２６０で熱処理を施す。ここで、電気光学装置用基板１２は、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、かかる領域は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。
【００４８】
そこで、本形態の基板保持具２２０Ａは、液滴が吐出された一方面側１２１を下向きにした電気光学装置用基板１２の外周領域１２６を下方から支持する平板部２２４を備えた枠状の搬送トレイにより構成されており、その中央には、電気光学装置用基板１２の外形寸法よりも小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きな矩形穴２２５が形成されている。一方、加熱装置２５０において、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ａの上方に位置し、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。
【００４９】
このように構成した基板保持具２２０Ａを用いて電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、ローディング工程（設置工程）では、基板保持具２２０Ａの平板部２２４が電気光学装置用基板１２の一方面側１２１の外周領域１２６を下面側から支持し、電気光学装置用基板１２の他方面側１２１を加熱装置２５０のホットプレート２６０の下面２６２に対向させた状態で電気光学装置用基板１２を上昇させ、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の下面２６２に当接させる。ここで、ホットプレート２６０を下降させ、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の下面２６２に当接させてもよい。
【００５０】
このようにして電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置した場合も、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ａの影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０Ａは、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を支持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ａが接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５１】
［実施の形態２の変形例］
図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２の変形例に係る基板保持具を用いて加熱工程を行う様子を示す説明図である。
【００５２】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態でも、電気光学装置用基板１２は、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、かかる領域は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。
【００５３】
本形態の基板保持具２２０Ａは、液滴が吐出された一方面側１２１を上向きにした電気光学装置用基板１２の他方面側１２２を下方から支持する。ここで、基板保持具２２０Ａは、他方面側１２２において外周領域１２６と平面的に重なる領域を下方から支持する平板部２２４を備えた枠状の搬送トレイであり、その中央には、電気光学装置用基板１２の外形寸法よりも小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きな矩形穴２２５が形成されている。一方、加熱装置２５０において、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ａの下方に位置し、その外形寸法は、矩形穴２２５よりは小さいが、加熱対象領域１２５よりも大きい。
【００５４】
このように構成した基板保持具２２０Ａを用いて電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、ローディング工程（設置工程）では、基板保持具２２０Ａの平板部２２４が電気光学装置用基板１２の他方面側１２２で外周領域１２６と平面的に重なる領域を下面側から支持し、電気光学装置用基板１２の他方面側１２１を加熱装置２５０のホットプレート２６０の上面２６１に対向させた状態で電気光学装置用基板１２を下降させる。その結果、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ａの矩形穴２２５から上方に突き出す。従って、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の上面２６１に向けた状態で電気光学装置用基板１２をホットプレート２６０上に載置した状態となり、電気光学装置用基板１２に吐出した液滴は加熱される。
【００５５】
このようにして電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置した場合も、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ａの影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０Ａは、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６と平面的に重なる領域を支持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ａが接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５６】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【００５７】
本形態の電気光学装置製造装置を用いて電気光学装置を製造する場合も、実施の形態１と同様、電気光学装置用基板１２の各画素となるべき箇所に所定の液滴（発光層を形成するための有機材料）を吐出した後、図７に示す加熱装置２５０のホットプレート２６０で熱処理を施す。ここで、電気光学装置用基板１２は、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、かかる領域は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。
【００５８】
本形態の基板保持具２２０Ｂは、液滴が吐出された一方面側１２１を下向きにした電気光学装置用基板１２の外周領域１２６を下方から支持する一対のローラ列２２６から構成されている。一対のローラ列２２６の離間距離は、電気光学装置用基板１２の外形寸法よりも小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。一方、加熱装置２５０において、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ｂの上方に位置し、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。
【００５９】
このように構成した基板保持具２２０Ｂを用いて電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、ローディング工程（設置工程）では、基板保持具２２０Ｂのローラ列２２６上を電気光学装置用基板１２がホットプレート２６０の真下まで搬送されてくると、上方に退避していたホットプレート２６０が下降し、その下面２６２が電気光学装置用基板１２の他方面側１２２に当接する。ここで、基板保持具２２０Ｂのローラ列２２６を上昇させて、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の下面２６２に当接させてもよい。
【００６０】
このようにして電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置した場合も、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｂの影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０Ｂは、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を支持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｂが接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６１】
［実施の形態３の変形例］
図８は、本発明の実施の形態３の変形例に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【００６２】
図８に示すように、本形態でも、電気光学装置用基板１２は、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、かかる領域は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。
【００６３】
本形態の基板保持具２２０Ｂは、液滴が吐出された一方面側１２１を上向きにした電気光学装置用基板１２の他方面側１２２を下方から支持する一対のローラ列２２６を有している。ここで、一対のローラ列２２６の離間距離は、電気光学装置用基板１２の外形寸法よりも小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。一方、加熱装置２５０において、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ｂの下方に位置し、一対のローラ列２２６の離間距離より小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。
【００６４】
このように構成した基板保持具２２０Ｂを用いて電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、ローディング工程（設置工程）では、基板保持具２２０Ｂのローラ列２２６上を電気光学装置用基板１２がホットプレート２６０の真上まで搬送されてくると、下方に退避していたホットプレート２６０が上昇し、その上面２６１が電気光学装置用基板１２の他方面側１２２に当接する。ここで、基板保持具２２０Ｂのローラ列２２６を下降させて、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の上面２６１に当接させてもよい。いずれも場合も、ホットプレート２６０は、一対のローラ列２２６の離間距離より小さいので、ローラ列２２６より上方に突出し、その上面２６１に電気光学装置用基板１２が載置された状態となる。
【００６５】
このようにして電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置した場合も、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｂの影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０Ｂは、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を支持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｂが接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６６】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【００６７】
本形態の電気光学装置製造装置を用いて電気光学装置を製造する場合も、実施の形態１と同様、電気光学装置用基板１２の各画素となるべき箇所に所定の液滴（発光層を形成するための有機材料）を吐出した後、図９に示す加熱装置２５０のホットプレート２６０で熱処理を施す。ここで、電気光学装置用基板１２は、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、かかる領域は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。
【００６８】
本形態の基板保持具２２０Ｃは、液滴が吐出された一方面側１２１を下向きにした電気光学装置用基板１２の側面から下方に潜り込んで外周領域１２６を下方から支持する複数のフック２２７から構成されている。ここで、互い対向するフック２２７の先端部の離間距離は、電気光学装置用基板１２の外形寸法よりも小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。一方、加熱装置２５０において、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ｃの上方に位置し、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。
【００６９】
このように構成した基板保持具２２０Ｃを用いて電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、ローディング工程（設置工程）では、基板保持具２２０Ｃのフック２２７で支持された電気光学装置用基板１２がホットプレート２６０の真下まで搬送されてくると、上方に退避していたホットプレート２６０が下降し、その下面２６２が電気光学装置用基板１２の他方面側１２２に当接する。ここで、基板保持具２２０Ｃのフック２２７を上昇させて、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の下面２６２に当接させてもよい。
【００７０】
このようにして電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置した場合も、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｃの影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０Ｃは、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を支持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｃが接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７１】
［実施の形態４の変形例］
図１０は、本発明の実施の形態４の変形例に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【００７２】
図１０に示すように、本形態でも、電気光学装置用基板１２は、一方面側１２１の外周領域１２６を避けた内側領域１２３が、多数の画素がマトリクス状に配置された画像表示領域１００とされ、かかる領域は、加熱の際、温度管理の必要な加熱対象領域１２５である。
【００７３】
本形態の基板保持具２２０Ｃは、液滴が吐出された一方面側１２１を上向きにした電気光学装置用基板１２の他方面側１２２を下方から支持する複数のフック２２７を有している。ここで、互い対向するフック２２７の先端部の離間距離は、電気光学装置用基板１２の外形寸法よりも小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。一方、加熱装置２５０において、ホットプレート２６０は、基板保持具２２０Ｃの下方に位置し、互い対向するフック２２７の先端部の離間距離より小さいが、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５よりも大きい。
【００７４】
このように構成した基板保持具２２０Ｃを用いて電気光学装置用基板１２に熱処理を行う際、ローディング工程（設置工程）では、基板保持具２２０Ｃのフック２２７で支持された電気光学装置用基板１２がホットプレート２６０の真上まで搬送されてくると、下方に退避していたホットプレート２６０が上昇し、その上面２６１が電気光学装置用基板１２の他方面側１２２に当接する。ここで、基板保持具２２０Ｃのフック２２７を下降させて、電気光学装置用基板１２の他方面側１２２をホットプレート２６０の上面２６１に当接させてもよい。いずれも場合も、ホットプレート２６０は、フック２２７の離間距離より小さいので、フック２２７の先端部より上方に突出し、その上面２６１に電気光学装置用基板１２が載置された状態となる。
【００７５】
このようにして電気光学装置用基板１２を加熱装置２５０に設置した場合も、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｃの影になる部分が発生しない。また、基板保持具２２０Ｃは、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５を避けた外周領域１２６を支持するため、加熱対象領域１２５には、基板保持具２２０Ｃが接触しているか否かに起因する熱容量のばらつきが発生することもない。従って、電気光学装置用基板１２の加熱対象領域１２５に定着させた液滴は、その位置に関わらず、熱履歴が一定であるため、熱処理の効果が等しいなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７６】
［電気光学装置の構成、および製造方法の例］
電気光学装置の一例として、有機ＥＬ表示装置の構成およびその製造工程を説明する。図１１は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置のブロック図である。図１２〜図１４は、有機ＥＬ表示装置の製造工程の手順を示す製造工程断面図であり、有機ＥＬ表示装置の１画素分の断面に相当する。
【００７７】
図１１において、有機ＥＬ表示装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ素子をＴＦＴで駆動制御する表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線５０４と、これらのデータ線５０４に並列する複数の共通給電線５０５と、データ線５０４と走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成され、画素１１５ｐは、画像表示領域１００にマトリクス状に配置されている。データ線５０４に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ５０９と、このスイッチング薄膜トランジスタ５０９を介してデータ線５０４から供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ５１０と、カレント薄膜トランジスタ５１０を介して共通給電線５０５に電気的に接続したときに共通給電線５０５から駆動電流が流れ込む発光素子５１３とが構成されている。発光素子５１３は、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機ＥＬ材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線５０４などを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００７８】
このような構成の有機ＥＬ表示装置１００ｐを製造するには、基板を用意する。ここで、有機ＥＬ表示装置１００ｐでは、後述する発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能であり、また基板と反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特にガラスが好適に用いられる。また、基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。なお、基板と反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００７９】
本例では、図１２（Ａ）に示すように、基板としてガラスからなる透明基板５０２を用意し、透明基板５０２に対して、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。
【００８０】
次に、透明基板５０２の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜５２０ａを形成する。次に、半導体膜５２０ａに対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜５２０ａをポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００８１】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）５２０ａをパターニングして島状の半導体膜５２０ｂとし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜５２１ａを形成する。なお、半導体膜５２０ｂは、図１１に示したカレント薄膜トランジスタ５１０のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング薄膜トランジスタ５０９のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図１２〜図１４に示す製造工程では二種類のトランジスタ５０９、５１０が同時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下の説明ではトランジスタに関しては、カレント薄膜トランジスタ５１０についてのみ説明し、スイッチング薄膜トランジスタ５０９についてはその説明を省略する。
【００８２】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極５１０ｇを形成する。次に、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜５２０ｂに、ゲート電極５１０ｇに対して自己整合的にソース・ドレイン領域５１０ａ、５１０ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１０ｃとなる。
【００８３】
次に、図１２（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜５２２を形成した後、コンタクトホール５２３、５２４を形成し、これらコンタクトホール５２３、５２４内に中継電極５２６、５２７を埋め込む。次に、層間絶縁膜５２２上に信号線、共通給電線及び走査線（図示せず）を形成する。ここで、中継電極５２７と各配線とは、同一工程で形成してもよく、その場合、中継電極５２６は、後述するＩＴＯ膜で形成されることになる。
【００８４】
次に、図１２（Ｅ）に示すように、各配線の上面を覆うように層間絶縁膜５３０を形成した後、層間絶縁膜５３０に対して中継電極５２６に対応する位置にコンタクトホール５３２を形成する。次に、コンタクトホール５３２を埋めるようにＩＴＯ膜を形成し、さらにそのＩＴＯ膜をパターニングして、信号線、共通給電線及び走査線に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域５１０ａに電気的に接続する画素電極５１１を形成する。ここで、信号線及び共通給電線、さらには走査線に挟まれた部分が、後述する正孔注入層や発光層の形成場所となる。
【００８５】
次に、図１３（Ａ）に示すように、正孔注入層や発光層の形成場所を囲むように隔壁５０５を形成する。この隔壁５０５は、仕切り部材として機能するものであり、例えばポリイミド等の絶縁性有機材料で形成するのが好ましい。隔壁５０５の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。また、隔壁５０５は、図１を参照して説明した液滴吐出ヘッドから吐出される液体に対して撥液性を示すものが好ましい。隔壁５０５に撥液性を発現させるためには、例えば隔壁５０５の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ４、ＳＦ５、ＣＨＦ３などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。このようにして、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわち、これらの形成材料の塗布位置とその周囲の隔壁５０５との間には、十分な高さの段差５３５が形成される。
【００８６】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、透明基板５０２の上面を上に向けた状態で、正孔注入層の形成材料５４０ａを、図１を参照して説明した液滴吐出装置１０の液滴吐出ヘッド２２より、前記隔壁５０５に囲まれた塗布位置、すなわち隔壁５０５内に選択的に塗布する。その際、形成材料５４０ａは、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁５０５が形成されているので、形成材料５４０ａは隔壁５０５を越えてその外側に広がることがない。ここで、正孔注入層の形成材料５４０ａとしては、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を正孔注入材料として用い、これを分散媒としての水に分散させてなる分散液が好適に用いられる。但し、正孔注入材料としては、前記のものに限定されることなく、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等を用いることもできる。
【００８７】
このようにして形成材料５４０ａを液滴吐出ヘッド３４から吐出して所定位置に配置した後、図１に示す熱処理装置２００での加熱工程で液状の形成材料５４０ａに対して乾燥処理としての熱処理を行い、形成材料５４０ａ中の分散媒を蒸発させる。その結果、図１３（Ｃ）に示すように、画素電極５１１上に固形の正孔注入層５１３ａが形成される。
【００８８】
次に、図１４（Ａ）に示すように、透明基板５０２の上面を上に向けた状態で、図１を参照して説明した液滴吐出装置１０の液滴吐出ヘッド２２より液状材料として発光層の形成材料５４０ｂを、前記隔壁５０５内の正孔注入層５１３ａ上に選択的に塗布する。発光材料としては、例えば分子量が１０００以上の高分子材料が用いられる。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープしたものが用いられる。なお、このような高分子材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平１１−４０３５８号公報に示される有機ＥＬ素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる有機ＥＬ素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。このような発光材料を溶解する溶媒としては、非極性溶媒が好適とされ、特に発光層が正孔注入層の上に形成されることから、この正孔注入層に対して不溶なものが用いられる。具体的には、キシレン、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等が好適に用いられる。なお、形成材料５４０ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素に吐出し塗布することによって行う。また、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
【００８９】
このようにして各色の発光層形成材料５４０ｂを吐出した後、図１に示す熱処理装置２００での加熱工程で液状の発光層形成材料５４０ｂに対して乾燥処理としての熱処理を行い、発光層形成材料５４０ｂ中の分散媒を蒸発させる。その結果、図１４（Ｂ）に示すように、正孔層注入層５１３ａ上に固形の発光層５１３ｂが形成される。これにより、正孔層注入層５１３ａと発光層５１３ｂとからなる発光素子５１３を得る。
【００９０】
なお、形成材料５４０ｂの乾燥処理については、形成材料５４０ｂのガラス転移点未満の温度、例えば１００°未満の温度で加熱することにより、乾燥するのが好ましい。このような温度で乾燥することにより、形成材料５４０ｂ中の溶剤の蒸発速度を比較的低く抑えることができるとともに、形成材料５４０ｂの液状化による流動も抑えることができ、その結果、得られる発光層５１３ｂについても十分に平坦化することができる。また、発光層形成の際の乾燥処理によって生じる熱的ダメージが、発光層５１３ｂだけでなく正孔注入層５１３ａに対しても小さくなり、初期輝度の低下などによる表示性能の低下が抑制される。
【００９１】
次に、図１４（Ｃ）に示すように透明基板５０２の表面全体に、あるいはストライプ状に、ＬｉＦ／Ａｌ（ＬｉＦとＡｌとの積層膜）やＭｇＡｇ、あるいはＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ（ＬｉＦとＣａとＡｌとの積層膜）を蒸着法等によって成膜し、対向電極５１２を形成する。その後、封止を行った後、さらに配線等の各種要素を形成することにより、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置１００ｐ（電気光学装置）を製造する。
【００９２】
なお、乾燥処理においては、必要に応じて減圧下での熱処理（減圧乾燥）を行ってもよい。また、乾燥処理においては、熱処理と凍結乾燥処理とを行ってもよい。
【００９３】
［電子機器］
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置を備えた電子機器について説明する。図１５（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５（Ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記実施形態の有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置からなる表示部を示している。図１５（Ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５（Ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置からなる表示部を示している。図１５（Ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１５（Ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記実施形態の有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置からなる表示部を示している。
【００９４】
［その他の適用例］
なお、上記形態では、電気光学装置用基板に液状物を定着させる方法としては、液滴吐出ヘッドから吐出する方法の他、印刷などで電気光学装置用基板に転写した液状物であってもよい。また、上記形態では、本発明を有機ＥＬ表示装置の製造工程に用いた例であったが、液晶表示装置のカラーフィルタの形成などに用いてもよい。さらに、本発明の加熱対象となる被加熱物質は、液状物に限らず、半導体プロセスなどで形成した薄膜であってもよい。
【００９５】
また、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置製造装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１の変形例に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１の別の変形例に係る熱処理装置に用いた基板保持具の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２の変形例に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３の変形例に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態４の変形例に係る熱処理装置で電気光学装置用基板に熱処理を施す様子を示す説明図である。
【図１１】有機ＥＬ表示装置のブロック図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置の製造工程の手順を示す断面図である。
【図１３】有機ＥＬ表示装置の製造工程の手順を示す断面図である。
【図１４】有機ＥＬ表示装置の製造工程の手順を示す断面図である。
【図１５】有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９７】
１  電気光学装置製造装置、１０  液滴吐出装置、１２、５０２  電気光学装置用基板、２２  液滴吐出ヘッド、１００  画像表示領域、１００ｐ  有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、１２１  電気光学装置用基板の一方面側、１２２  電気光学装置用基板の他方面側、１２３  電気光学装置用基板の内側領域、１２５  電気光学装置用基板の加熱対象領域、１２６  電気光学装置用基板の外周領域、２００  熱処理装置、２２０、２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃ  基板保持具、２２２、２２３  吸着パッド、２２４  平板部、２２５  矩形穴、２２６  ローラ、２２７  フック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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