(57)【要約】【課題】  入射した光を無駄なく利用することができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】  半導体基体１内に光電変換素子４が形成され、半導体基体１上に、光電変換素子４からの信号電荷を読み出す回路５が形成され、光電変換素子４に、回路５とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子３０において、半導体基体１上に、オンチップレンズ１０が形成され、隣り合う光電変換素子４を分離する素子分離領域２が、隣り合うオンチップレンズ１０間の無効領域１７を含む位置に形成された構成とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体内に光電変換素子が形成され、
前記半導体基体上に、前記光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路が形成され、
前記光電変換素子に、前記回路とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子であって、
前記半導体基体上にオンチップレンズが形成され、
隣り合う前記光電変換素子を分離する素子分離領域が、隣り合う前記オンチップレンズ間の無効領域を含む位置に形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記無効領域の位置と前記素子分離領域の位置とが重なり合っていると共に、前記無効領域の幅と前記素子分離領域の幅とが同じ幅で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記無効領域の幅よりも前記素子分離領域の幅が広く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記素子分離領域が、前記無効領域に対して、一方の側に広く形成されていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
半導体基体内に光電変換素子が形成され、
前記半導体基体上に、前記光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路が形成され、
前記光電変換素子に、前記回路とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子であって、
前記半導体基体上にオンチップレンズが形成され、
隣り合う前記光電変換素子を分離する素子分離領域の位置と、隣り合う前記オンチップレンズ間の無効領域の位置とが重なり合っていると共に、前記素子分離領域の幅が、前記無効領域の幅より狭く形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
半導体基体内に光電変換素子が形成され、
前記半導体基体上に、前記光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路が形成され、
前記光電変換素子に、前記回路とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子であって、
前記半導体基体上にオンチップレンズが形成され、
隣り合う前記光電変換素子を分離する素子分離領域の位置に対して、隣り合う前記オンチップレンズ間の無効領域の少なくとも一部が重なり合っている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、固体撮像素子としては、半導体基体の表面側に回路素子や配線層等を形成し、半導体基体の裏面側にフォトダイオードを形成して、半導体基体の表面側より光を入射させて撮像する構成が採られていた（例えば非特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、このような表面照射型の固体撮像素子、例えばＣＭＯＳ型の固体撮像素子の構成を、図７を参照して説明する。
なお、図７Ａは固体撮像素子の撮像領域の概略断面図を示し、図７Ｂは図７Ａのオンチップレンズの周辺の拡大断面図を示している。
このＣＭＯＳ型の固体撮像素子５０では、図７Ａに示すように、半導体基体５１（例えば単結晶シリコン層）内に形成された素子分離領域５２により区切られた単位画素領域５３内に、高濃度のＮ型の半導体領域よりなる光電変換素子（いわゆるフォトダイオードＰＤ部）５４が形成されている。
また、単結晶シリコン層５１の一方の面、すなわち表面側（図中上側）には、各光電変換素子５４に蓄積された信号電荷を読み出す回路（読み出し回路）５５がそれぞれ形成され、これら読み出し回路５５上に、内部に配線層５６が形成された絶縁層５７が形成されている。また、絶縁層５７上には、バリア膜（例えばＴｉ膜）５８を介してカラーフィルタ５９が形成され、このカラーフィルタ５９上の各光電変換素子５４に対応する位置にオンチップレンズ６０が形成されている。
【０００４】
読み出し回路５５は、具体的には、Ｐ型の半導体領域よりなる読み出しゲート部６１と、この読み出しゲート部６１に隣接して、光電変換素子５４で蓄積された信号電荷を電圧に変換する、高濃度のＮ型の半導体領域よりなるフローティングディフュージョン部（ＦＤ部）６２と、読み出しゲート部６１上に形成された読み出し電極６３とから構成されている。
なお、６４はＰ型の半導体領域よりなる第２の素子分離領域である。また６５は光電変換素子５４の表面側に形成された高濃度のＰ型の半導体領域よりなる電荷蓄積領域である。
また、図示しないが、この単位画素領域５３内においては、フローティングディフュージョン部６２に蓄積された信号電荷を掃き捨てるリセットゲート部や、フローティングディフュージョン部６２で変換された電圧を出力する出力部（出力アンプ）等が設けられている。
【０００５】
配線層５６は、３層の配線を有している。
具体的には、単結晶シリコン層５１上に形成された絶縁層５７内において、１層目の配線５６１と、この１層目の配線５６１上に絶縁層５７を介して形成された２層目の配線５６２と、この２層目の配線５６２上に絶縁層５７を介して形成された３層目の配線５６３とから形成されている。
【０００６】
そして、このような構成の固体撮像素子５０においては、単結晶シリコン層５１の表面側からオンチップレンズ６０を通じてフォトダイオードＰＤに光が入射される。
【０００７】
ところで、このような表面照射型の固体撮像素子５０においては、図７Ｂの拡大断面図に示すように、隣り合うオンチップレンズ６０間の隙間が無効領域６７となっている。この無効領域６７は、光が入射されても光電変換素子５４には光が集光されない領域である。そして、この無効領域６７が配線層５６上に重なるように形成されて、光が光電変換素子５４に無駄なく集光されるようにしている。
【０００８】
【非特許文献１】「トランジスタ技術」，２００３年２月号，ｐ．１２８−１３１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このような固体撮像素子５０では、光の一部が配線層５６で遮られてしまい、目的とする光電変換素子５４内に入射しない。
【００１０】
また、図８Ａ，Ｂに示す固体撮像素子７０のように、無効領域６７の幅Ｄ１を、図７に示した固体撮像素子５０の場合よりもさらに狭くした構成も考えられるが、このような構成の場合でも、上述したように、光の一部が配線層５６で遮られてしまい、目的とする光電変換素子５４内に入射しない。
なお、これ以外の部分の構成は、図７に示した固体撮像素子５０の場合と同様であるので、対応する部分には同一符号を付している。
【００１１】
このように、図７及び図８に示した構成を有する固体撮像素子５０，７０においては、配線層５６により遮られた分、入射光を無駄なく利用することができなかった。このため、感度の低い構成となっていた。
【００１２】
上述した点に鑑み、本発明は、入射した光を無駄なく利用することができる固体撮像素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る固体撮像素子は、半導体基体内に光電変換素子が形成され、半導体基体上に、光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路が形成され、光電変換素子に、回路とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子であって、半導体基体上にオンチップレンズが形成され、隣り合う光電変換素子を分離する素子分離領域が、隣り合うオンチップレンズ間の無効領域を含む位置に形成されている構成とする。
【００１４】
上述した本発明に係る固体撮像素子によれば、半導体基体上にオンチップレンズが形成され、隣り合う光電変換素子を分離する素子分領域が、隣り合うオンチップレンズ間の無効領域を含む位置に形成されているので、光が入射されても光電変換素子には光が集光しない無効領域と素子分離領域とが略重なり合って形成される。これにより、無効領域以外のオンチップレンズを通じて入射したほとんどの光を光電変換素子に集光させることが可能になる。
【００１５】
また、上述した構成において、無効領域の位置と素子分離領域の位置とが重なり合っていると共に、無効領域の幅と素子分離領域の幅とが同じ幅で形成されている場合は、光電変換素子の幅とオンチップレンズの幅とを略同じにすることができ、光電変換素子とオンチップレンズとが重なり合うように形成される。このため、光電変換素子の略全てをオンチップレンズのレンズ面に対応する領域にすることができるので、特に垂直方向から入射した光を無駄なく利用して光電変換を行うことができる。
【００１６】
また、上述した構成において、無効領域の幅よりも素子分離領域の幅が広く形成されている場合は、素子分離領域の幅が広がる分、隣り合う光電変換素子との間隔を広げることができる。このため、特に斜め方向から入射した光が、隣接する他の光電変換素子に入射することを防ぐことができる。これにより、混色を抑制する効果を高めることができる。
また、素子分離領域に対しての位置合わせを容易に行うことができ、位置合わせずれを少なくできる。
【００１７】
本発明に係る固体撮像素子は、半導体基体内に光電変換素子が形成され、半導体基体上に、光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路が形成され、光電変換素子に、回路とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子であって、半導体基体上に、オンチップレンズが形成され、隣り合う光電変換素子を分離する素子分離領域の位置と、隣り合うオンチップレンズ間の無効領域の位置とが重なり合っていると共に、素子分離領域の幅が、無効領域の幅より狭く形成されている構成とする。
【００１８】
上述した本発明に係る固体撮像素子によれば、半導体基体上に、オンチップレンズが形成され、隣り合う光電変換素子を分離する素子分離領域の位置と、隣り合うオンチップレンズ間の無効領域の位置とが重なり合っていると共に、素子分離領域の幅が、無効領域の幅より狭く形成されているので、オンチップレンズの幅に対して光電変換素子の幅を広げることができる。このため、光電変換に寄与する領域がさらに広がり、オンチップレンズに、特に斜め方向から入射した光を光電変換素子の中心に集光させることができる。
【００１９】
本発明に係る固体撮像素子は、半導体基体内に光電変換素子が形成され、半導体基体上に、光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路が形成され、光電変換素子からの信号電荷を読み出す回路とは反対側より、光が照射される構成の固体撮像素子であって、半導体基体上に、オンチップレンズが形成され、隣り合う光電変換素子を分離する素子分離領域の位置に対して、隣り合うオンチップレンズ間の無効領域の少なくとも一部が重なり合っている構成とする。
【００２０】
上述した本発明に係る固体撮像素子によれば、半導体基体上に、オンチップレンズが形成され、隣り合う光電変換素子を分離する素子分離領域の位置に対して、隣り合うオンチップレンズ間の無効領域の少なくとも一部が重なり合っているので、オンチップレンズの中心を光電変換素子の中心に対してずらして形成することができる。このため、オンチップレンズに、特に斜め方向から入射される光を光電変換素子の中心に集光させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る固体撮像素子によれば、入射光の集光率を高くすることができ、高い感度を有する固体撮像素子を実現することができる。
【００２２】
また、無効領域の位置と素子分離領域の位置とが重なり合っていると共に、無効領域の幅と素子分離領域の幅とが同じ幅で形成されている構成とした場合は、特に垂直方向からの入射光を無駄なく利用して光電変換を行うことが可能になる。
【００２３】
また、無効領域の幅よりも素子分離領域の幅が広く形成されている構成とした場合は、混色を抑制する効果を高めることができ、良好な画質を得ることが可能になる。また、位置合わせずれを少なくすることができるので、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することができる。
【００２４】
また、素子分離領域の位置と無効領域の位置とが重なり合っていると共に、素子分離領域の幅が無効領域の幅より狭く形成されている構成とした場合や、素子分離領域の位置に対して、無効領域の少なくとも一部が重なり合って形成されている構成とした場合は、特に斜め方向からの入射光の集光率を高くすることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２６】
まず、本発明に係る固体撮像素子の一実施の形態、例えば、裏面照射型のＣＭＯＳ型の固体撮像素子の概略構成図を、図１及び図２を参照して説明する。
なお、図１は固体撮像素子の撮像領域の概略断面図を示し、図２は図１のオンチップレンズの周辺の拡大断面図を示している。
【００２７】
ＣＭＯＳ型の固体撮像素子３０では、図１に示すように、半導体基体（例えば単結晶シリコン層）１内に形成された素子分離領域２により区切られた単位画素領域３内に、高濃度のＮ型の半導体領域よりなる光電変換素子（いわゆるフォトダイオードＰＤ）４が形成されている。
また、単結晶シリコン層１の一方の主面側、すなわち裏面側（図中上側）には、バリア膜（Ｔｉ膜）８を介してカラーフィルタ９が形成され、このカラーフィルタ９上の各光電変換素子４に対応する位置にオンチップレンズ１０が形成されている。
また、単結晶シリコン層１の他方の主面側、すなわち表面側（図中下側）には、各光電変換素子４に蓄積された信号電荷を読み出す回路（読み出し回路）５がそれぞれ形成され、これら読み出し回路５上に、内部に配線層１８が形成された絶縁層７が形成されている。
【００２８】
読み出し回路５は、Ｐ型の半導体領域よりなる読み出しゲート部１１と、この読み出しゲート部１１に隣接して、光電変換素子４で蓄積された信号電荷を電圧に変換する、高濃度のＮ型の半導体領域よりなるフローティングディフュージョン部（ＦＤ部）１２と、読み出しゲート部１１上に形成された読み出し電極１３とから構成されている。
なお、１４はＰ型の半導体領域よりなる第２の素子分離領域である。また１５は光電変換素子７の表面側に形成された高濃度のＰ型の半導体領域よりなる正電荷蓄積領域である。
また、図示しないが、この単位画素領域３内においては、フローティングディフュージョン部１２に蓄積された信号電荷を掃き捨てるリセットゲート部や、フローティングディフュージョン部１２で変換された電圧を出力する出力部（出力アンプ）等が設けられている。
【００２９】
配線層１８は、４層の配線を有している。
具体的には、単結晶シリコン層１上に形成された絶縁層７中において、１層目の配線１８１と、この１層目の配線１８１上に絶縁層７を介して形成された２層目の配線１８２と、この２層目の配線１８２上に絶縁層７を介して形成された３層目の配線１８３と、この３層目の配線１８３上に絶縁層７を介して形成された４層目の配線１８４とから形成されている。
なお、絶縁層７上には、図示しないが、パッシベーション膜からなる平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に接着剤層を介して支持基板１６が接着されている。
【００３０】
このような構成の固体撮像素子３０においては、単結晶シリコン層１の裏面側からオンチップレンズ１０を通じてフォトダイオードＰＤに光が照射される。
【００３１】
そして、本実施の形態においては、図２の拡大断面図に示すように、隣り合うオンチップレンズ１０間の無効領域１７の位置と素子分離領域２の位置とが重なり合っていると共に、無効領域１７の幅Ｄ１７と素子分離領域２の幅Ｄ２とが同じ幅で形成されている。
すなわち、素子分離領域２と無効領域１７とが重なり合うように同じ位置に形成されている。
【００３２】
このように、無効領域１７の位置と素子分離領域２の位置とが重なり合っていると共に、無効領域１７の幅Ｄ１７と素子分離領域２の幅Ｄ２とが同じ幅で形成されていることにより、光電変換素子４の幅Ｄ４がオンチップレンズ１０の幅Ｄ１０と略同じとなり、光電変換素子４とオンチップレンズ１０とが重なり合うように同じ位置に形成される。すなわち、光電変換素子４の略全てがレンズ面に対応する領域（レンズ有効領域）となる。このため、オンチップレンズ１０に、特に垂直方向から入射した光のほとんどを光電変換素子４に入射させることができる。
【００３３】
なお、このように、無効領域１７の位置と素子分離領域２の位置とが重なり合っていると共に、無効領域１７の幅Ｄ１７と素子分離領域２の幅Ｄ２とが同じ幅で形成するには、オンチップレンズ１０を形成する工程の際に、オンチップレンズ１０の幅や形成位置を制御すればよい。
【００３４】
このように、本実施の形態の固体撮像素子３０によれば、無効領域１７の位置と素子分離領域２の位置とが重なり合っていると共に、無効領域１７の幅Ｄ１７と素子分離領域２の幅Ｄ２とが同じ幅で形成されているので、光電変換素子４の略全てをレンズ面に対応する領域（レンズ有効領域）とすることができる。このため、オンチップレンズ１０に入射した光を無駄なく光電変換することが可能になる。また、光電変換素子における光の集光率を高くすることが可能になる。
【００３５】
次に、本発明の固体撮像素子の他の実施の形態を、図３を参照して説明する。
なお、図３は、オンチップレンズの周辺の拡大断面図を示している。
本実施の形態の固体撮像素子では、図３に示すように、素子分離領域２の幅Ｄ２が無効領域Ｄ１７の幅Ｄ１７よりも狭く形成されている。
このような構成を形成する場合は、上述した実施の形態の固体撮像素子３０の場合のように、オンチップレンズ１０を形成する工程の際に、オンチップレンズ１０の幅や形成位置を制御すればよい。
なお、これ以外の構成においては、上述した実施の形態の固体撮像素子３０の場合と同様であるので、図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略している。
【００３６】
このような構成の本実施の形態の固体撮像素子によれば、素子分離領域２の幅Ｄ２が無効領域１７の幅Ｄ１７よりも狭く形成されている分、光電変換素子４の幅Ｄ４が、オンチップレンズ１０の幅Ｄ１０に対して両側（図中右側及び左側）に広がる。すなわち、光電変換に寄与する領域を広くすることができる。このため、特にオンチップレンズ１０に対して、特に右方向や左方向より斜めに入射した光も無駄なく光電変換することができる。
【００３７】
次に、本発明の固体撮像素子のさらに他の実施の形態を、図４を参照して説明する。
なお、図４は、オンチップレンズの周辺の拡大断面図を示している。
本実施の形態の固体撮像素子では、図４に示すように、素子分離領域２の幅Ｄ２が、無効領域１７の幅Ｄ１７よりも広く形成された場合である。
なお、これ以外の構成においては、上述した実施の形態の固体撮像素子３０の場合と同様であるので、図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略している。
【００３８】
このような構成の本実施の形態の固体撮像素子によれば、例えば、上述した実施の形態の、無効領域１７の位置と素子分離領域２の位置とが重なり合っていると共に、無効領域１７の幅Ｄ１７と素子分離領域２の幅Ｄ２とが同じ幅で形成されている場合（図２参照）や、素子分離領域２の幅Ｄ２が無効領域Ｄ１７の幅Ｄ１７よりも狭く形成されている場合（図３参照）と比較して、素子分離領域２の幅Ｄ２がさらに広くなる分、隣り合う光電変換素子４との間の間隔を広げることができる。このため、オンチップレンズ１０に対して、特に斜め方向から入射した光が隣接する光電変換素子４内に入射することを防ぐことができる。これにより、混色を抑制する効果を高めることが可能になる。
【００３９】
また、素子分離領域２の幅Ｄ２が無効領域１７の幅Ｄ１７よりも広く形成されているので、製造時において、オンチップレンズ１０を形成する工程の際に、素子分離領域２に対しての位置合わせを容易に行うことが可能になる。このため、位置合わせずれを少なくすることができる。
【００４０】
次に、本発明の固体撮像素子のさらに他の実施の形態を説明する。
本実施の形態の構成は、例えば、撮像領域の周辺部においても、光電変換素子４の中心に光を集光させるためのものである。
すなわち、撮像領域の周辺部においては、中心部と比較して、オンチップレンズ１０の中心に対して斜めに入射する光が多くなる。そのため、周辺部では、オンチップレンズ１０の中心を光電変換素子４の中心に合わせて形成すると、光電変換素子４の中心に光が集光し難くなる。
このため、図５に示したように、素子分離領域２を、無効領域１７に対して、一方の側（図中右側）に広げることで、光電変換素子４がオンチップレンズ１０に対して一方の側（図中右側）に形成されるようにし、オンチップレンズ１０に対して左方向より斜めに入射する光を光電変換素子４の中心に集光させるようにする。
そこで、本実施の形態の固体撮像素子では、図５に示すように、素子分離領域２が無効領域１７に対して一方の側（図中右側）に広く形成されている。
なお、これ以外の構成においては、上述した実施の形態の固体撮像素子３０の場合と同様であるので、図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略している。
【００４１】
なお、図５に示す場合では、オンチップレンズ１０の中心に対して、光が左方向より斜めに入射する場合を想定して、素子分離領域２を、無効領域１７に対して、一方の側（図中右側）に広げたが、例えば、オンチップレンズ１０の中心に対して、右方向より斜めに入射する光が多い場合には、素子分離領域２の幅Ｄ２を、無効領域１７の幅Ｄ１７に対して、他方の側（図中左側）に広く形成する。
【００４２】
このような構成の本実施の形態の固体撮像素子によれば、素子分離領域２が、無効領域１７に対して、一方の側に広く形成されているので、オンチップレンズ１０に対して、特に左方向や右方向より斜めに入射する光を、光電変換素子４の中心に集光させることが可能になる。
【００４３】
なお、このような本実施の形態の構成と、前述した各実施の形態の構成とを組み合わせることもできる。
すなわち、例えば、撮像領域の中心部では、図１及び図２に示した、特に垂直方向からの入射光をほとんど無駄なく利用して光電変換できる構成を用い、撮像領域の周辺部では、本実施の形態の構成を用いる場合である。
このような構成とした場合、撮像領域の中心部では、オンチップレンズ１０に対して、特に垂直方向から入射した光を無駄なく利用して光電変換を行うことができ、撮像領域の中心部と周辺部の両方においては、入射した光を光電変換素子４の中心に集光させて光電変換を行うことができる。
【００４４】
また、このような構成以外にも、図４に示した、特に混色を抑制することができる構成と、本実施の形態の構成とを組み合わせることもできる。
【００４５】
次に、本発明の固体撮像素子のさらに他の実施の形態を説明する。
本実施の形態の固体撮像素子では、図６に示すように、オンチップレンズ１０が、光電変換素子４の中心に対して、一方の側（図中左側）にずれて形成され、また、オンチップレンズ１０間の無効領域１７の一部が素子分離領域２に重なり合っている構成である。
なお、これ以外の構成においては、上述した実施の形態の固体撮像素子３０の場合と同様であるので、図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略している。
【００４６】
すなわち、上述したように、撮像領域の周辺部においては、中心部と比較して、オンチップレンズ１０の中心に対して斜めに入射する光が多くなる。そのため、周辺部では、オンチップレンズ１０の中心を光電変換素子４の中心に合わせて形成すると、光電変換素子４の中心に光が集光し難くなる。
このため、図６に示したように、オンチップレンズ１０が、光電変換素子４の中心に対して、一方の側（図中左側）にずれて形成され、また、オンチップレンズ１０間の無効領域１７の一部が素子分離領域２に重なり合っている構成とすることで、オンチップレンズ１０の中心が光電変換素子４の中心に対してずれて形成されるようにし、オンチップレンズ１０に対して左方向より斜めに入射する光を光電変換素子４の中心に集光させるようにする。
【００４７】
このような構成の本実施の形態の固体撮像素子によれば、オンチップレンズ１０の中心が光電変換素子４の中心に対してずれて形成されているので、オンチップレンズ１０に対して、斜めに入射した光を、光電変換素子４の中心に集光させることが可能になる
【００４８】
なお、このような本実施の形態の構成においても、図５に示した構成の場合のように、前述した各実施の形態の構成とを組み合わせることができる。
例えば、上述した実施の形態の場合のように、撮像領域の中心部では、図１及び図２に示した、特に垂直方向からの入射光を無駄なく利用して光電変換できる構成を用い、撮像領域の周辺部では、本実施の形態の構成を用いる場合である。
このような構成とした場合は、上述したように、撮像領域の中心部では、オンチップレンズ１０に対して、特に垂直方向から入射した光を無駄なく利用して光電変換を行うことができ、撮像領域の中心部と周辺部の両方において、入射した光を光電変換素子４の中心に集光させて光電変換を行うことができる。
【００４９】
また、本実施の形態では、左方向から斜めに入射した光を、光電変換素子４の中心に集光させるために、オンチップレンズ１０を一方の側（図中左側）にずらした場合を説明したが、右方向から斜めに入射した光を、光電変換素子４の中心に集光させる場合は、オンチップレンズ１０を他方の側（図中右側）にずらすようにすればよい。
【００５０】
また、本実施の形態では、オンチップレンズ１０を一方の側にずらす場合を説明したが、例えば、オンチップレンズ１０の位置をずらさずに、オンチップレンズ１０の曲率やレンズ形状等を変えることで、斜め方向から入射した光を光電変換素子４の中心に集光させるようにすることも可能である。
【００５１】
尚、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の固体撮像素子の一実施の形態を示す概略断面図である。
【図２】図１の要部の拡大断面図である。
【図３】本発明の固体撮像素子の他の形態を示す拡大断面図である。
【図４】本発明の固体撮像素子のさらに他の形態を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の固体撮像素子のさらに他の形態を示す拡大断面図である。
【図６】本発明の固体撮像素子のさらに他の形態を示す拡大断面図である。
【図７】Ａ，Ｂ  表面照射型の固体撮像素子の一例の概略断面図である。
【図８】Ａ，Ｂ  表面照射型の固体撮像素子の他の例の概略断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
３０・・・ＣＭＯＳ型の固体撮像素子、１・・・半導体基体（単結晶シリコン層）、２・・・素子分離領域、３・・・単位画素領域、４・・・光電変換素子、５・・・読み出し回路、７・・・絶縁層、８・・・バリア膜、９・・・カラーフィルタ、１０・・・オンチップレンズ、１１・・・読み出しゲート部、１２・・・フローティングディフュージョン部、１３・・・ゲート電極、１６・・・支持基板、１７・・・無効領域、１８（１８１，１８２，１８３，１８４）・・・配線層
【図１】
2005347709.tif 000003
【図２】
2005347709.tif 000004
【図３】
2005347709.tif 000005
【図４】
2005347709.tif 000006
【図５】
2005347709.tif 000007
【図６】
2005347709.tif 000008
【図７】
2005347709.tif 000009
【図８】
2005347709.tif 000010