(57)【要約】【課題】スクリーンマスクを不要とし、かつ高アスペクト比を備えた電極の形成方法、この形成方法を用いて形成された電極及びこの電極を有している太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の受光面電極形成に用いる装置は、Ｘ軸及びＹ軸に沿って移動することができるとともにシリコン基板２を載置・固定することができるテーブル１と、テーブル１の上方に角度可変部品７で固定されたノズル３と、導電性電極材料すらなるペースト５を封入したシリンジ１０とが、保持されてなる。そして、シリンジ１０の内面に密に接しながら移動することのできるピストン６、ノズル３とシリンジ１０とに接続された耐圧性チューブ８、ピストン６を移動可能に加圧することのできる加圧機構９で構成された装置を用いて、シリコン基板２の表面に、線状パターンを、その線幅がノズル３の吐出口内径よりも小さくなるように描画する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に細線状電極を形成するためのペーストを吐出口から吐出するノズルを、その中心軸線が基板の表面に対して所定の傾斜角度で傾斜するように、かつ、その吐出口が基板の表面に近接するように配置し、ノズルからペーストを吐出して基板の表面に細線パターンを描画するに際し、ノズル及び基板を細線パターンの描画方向へ相対移動させるとともに、ノズル及び基板の相対移動速度を調整することで、細線パターンの線幅がノズルの吐出口内径よりも小さくなるように描画することを特徴とする電極形成方法。
【請求項２】
ノズルを静止させて基板を移動させ、かつ、ノズルに対する基板の相対移動速度を、ノズルからペーストを吐出する速度よりも大きくした請求項１記載の電極形成方法。
【請求項３】
基板を静止させてノズルを移動させ、かつ、基板に対するノズルの相対移動速度を、ノズルからペーストを吐出する速度よりも大きくした請求項１記載の電極形成方法。
【請求項４】
ノズル及び基板を互いに遠ざかるように移動させ、かつ、ノズル及び基板の相対移動速度を、ノズルからペーストを吐出する速度よりも大きくした請求項１記載の電極形成方法。
【請求項５】
ノズルの所定傾斜角度が、２０°〜８０°の範囲にある請求項１〜４のいずれか１つに記載の電極形成方法。
【請求項６】
ペーストが、５Pa・ｓ〜３０００Pa・ｓの範囲にある粘度を有している請求項１〜５のいずれか１つに記載の電極形成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の電極形成方法を用いて形成され、横断面のアスペクト比が０．３０〜０．８０の範囲にあることを特徴とする電極。
【請求項８】
少なくとも金属成分を含有している請求項７に記載の電極。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の電極形成方法を用いて形成された電極、あるいは請求項７または８の電極を備えていることを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極形成方法、電極及び太陽電池に関するものであり、更に詳しくは、太陽電池などに用いられる電極の形成方法、この形成方法を用いて形成された電極及びこの電極を有している太陽電池に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池製造工程の１つである電極形成の方法としては、蒸着法、メッキ法、印刷法、描画法等が挙げられる。現在では、太陽電池の低コスト化と大量生産性の観点から、スクリーン印刷法が多く用いられている。
【０００３】
このスクリーン印刷法によれば、ｎ+ｐ型の太陽電池セルに対しては、受光面（ｎ+面）電極の形成時に、Ａｇ粉末、ガラス粉末及び有機樹脂を溶媒と共に混合して作製したＡｇペーストを用いて、その受光面に、メイン電極（幅１〜２ｍｍ程度）とこれに垂直に接するサブ電極（幅５０〜２００μｍ程度）とからなるパターンでスクリーン印刷を行ない、その後、乾燥、焼成して受光面電極を形成する。従来、電極横断面のアスペクト比（高さ／幅）は０．１〜０．２程度であり、サブ電極の単位長さ当たりの抵抗値はおおよそ０．２５Ω／ｃｍである。
【０００４】
また、その裏面電極の形成時には、Ａｌ粉末、ガラス粉末及び有機樹脂を溶媒と共に混合して作製したＡｌペーストを用いて、裏面ほぼ全面にスクリーン印刷を行ない、その後、乾燥、焼成して裏面電極を形成している。この裏面電極形成時には、開放電圧を向上させかつ短絡電流を向上させるためのBSF（Back Surface Field）層も同時に形成している。
【０００５】
【特許文献１】特開昭５８−２７３７５号公報
【特許文献２】特開平６−２９５５９号公報
【特許文献３】特表２００３−５３６２４０号公報
【０００６】
従来、特許文献１及び特許文献２に示されるように、ノズルからペーストを吐出して描画する方法がある。これらは、ノズルを基板の表面に対して垂直に配置している。その描画の線幅は概ね１００μｍ程度が可能であり、これらの描画法は、印刷法と同様に低コストな方法とされている。
【０００７】
また、特許文献３の方法では、ノズル開口形状のアスペクト比が異なるノズルを用いてメイン電極を形成している。これにより、電極厚さがスクリーン印刷法のそれよりも厚いメイン電極を形成することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
太陽電池を高効率化するためには、その発電層にできるだけ多くの光を吸収させ、かつ抵抗損失を極力小さくして、電力を取り出すことが必要とされている。このことを満たすためには、電極の線幅を細線化し、かつ電極の高さを高くすればよいこと、つまり、電極のアスペクト比を高くすればよいことが知られている。
【０００９】
スクリーン印刷法においては、サブ電極の線幅を細くすると、スクリーンメッシュが目詰まりしてしまい、断線するかあるいは所定の線幅が得られない等の問題が生じるため、細線化が困難である。また、スクリーンマスクは、少しの衝撃でも破れやすく、取り扱いに注意を要するという欠点がある。
【００１０】
特許文献２に示された電極形成装置では、電極の線幅変化、スクリーンの破れによるマスク交換等の欠点は解消されているものの、電極線幅はノズル径に依存している。そして、電極線幅を細くするためにノズル径を細くすると、ペーストの詰まりが生じ、電極断線の原因となってしまう。一方、特許文献３に示された方法では、メイン電極は形成することができるものの、より細い線からなるサブ電極は形成することができない。
【００１１】
本発明の目的は、このような従来技術の課題を解決し、スクリーンマスクを不要とし、かつ高アスペクト比を備えた電極の形成方法、この形成方法を用いて形成された電極及びこの電極を有している太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の１つの観点によれば、基板の表面に細線状電極を形成するためのペーストを吐出口から吐出するノズルを、その中心軸線が基板の表面に対して所定の傾斜角度で傾斜するように、かつ、その吐出口が基板の表面に近接するように配置し、ノズルからペーストを吐出して基板の表面に細線パターンを描画するに際し、ノズル及び基板を細線パターンの描画方向へ相対移動させるとともに、ノズル及び基板の相対移動速度を調整することで、細線パターンの線幅がノズルの吐出口内径よりも小さくなるように描画することを特徴とする電極形成方法が提供される。
【００１３】
本発明の別の観点によれば、本発明の１つの観点により得られた電極形成方法を用いて形成され、横断面のアスペクト比（高さ／線幅）が０．３０〜０．８０の範囲にあることを特徴とする電極が提供される。
【００１４】
本発明の更に別の観点によれば、本発明の１つの観点により得られた電極形成方法を用いて形成された電極、または本発明の別の観点により得られた電極を備えていることを特徴とする太陽電池が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る電極形成方法にあっては、電極材料であるペーストをノズルから吐出して基板の表面に細線パターンを描画することで、印刷法におけるスクリーンマスクを不要にすることができるとともに、ノズル及び基板を細線パターンの描画方向へ相対移動させることで、線幅に対する高さの比率がより高い高アスペクト比の電極を得ることができる。
更に、ノズル及び基板の相対移動速度を調整して、電極をより細い細線に形成することにより、有効発電面積が増大するので電流が増加し、太陽電池の高効率化にもつながる。
【００１６】
本発明に係る電極にあっては、本発明に係る電極形成方法により形成されていることで、アスペクト比が高いものである。更に、電極がより細い細線にされていることにより、有効発電面積が増大するので電流が増加し、太陽電池の高効率化にもつながる。
【００１７】
本発明に係る太陽電池にあっては、本発明に係るより細い細線にされた電極を備えていることで、有効発電面積が増大するので電流が増加し、太陽電池の高効率化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明に係る電極形成方法の一例としては、ノズルを静止させて基板を移動させ、かつ、基板の移動速度（ノズルに対する基板の相対移動速度）を、ノズルからペーストを吐出する速度よりも大きくしたものがある。このような電極形成方法によれば、ノズルのペースト吐出速度よりも大きい速度で基板を移動させて描画することにより、吐出されたペーストがいっそう引き伸ばされるので、より細く細線化することができる。また、描画速度をより速くしているので高スループットとなり、生産性の向上を図ることもできる。
【００１９】
本発明に係る電極形成方法の他の一例としては、基板を静止させてノズルを移動させ、かつ、ノズルの移動速度（基板に対するノズルの相対移動速度）を、ノズルからペーストを吐出する速度よりも大きくしたものがある。このような電極形成方法によれば、ノズルのペースト吐出速度よりも大きい速度でノズルを移動させて描画することにより、吐出されたペーストがいっそう引き伸ばされるので、より細く細線化することができる。また、描画速度をより速くしているので高スループットとなり、生産性の向上を図ることもできる。
【００２０】
本発明に係る電極形成方法の更に他の一例としては、ノズル及び基板を互いに遠ざかるように移動させ、かつ、ノズル及び基板の相対移動速度を、ノズルからペーストを吐出する速度よりも大きくしたものがある。このような電極形成方法によれば、ノズルのペースト吐出速度よりも大きい速度でノズルと基板とを相対移動させて描画することにより、吐出されたペーストがいっそう引き伸ばされるので、より細く細線化することができる。また、描画速度をより速くしているので高スループットとなり、生産性の向上を図ることもできる。
【００２１】
本発明に係る電極形成方法において、ノズルは基板の表面に対して所定の傾斜角度だけ傾斜させて配置されるが、その所定傾斜角度は２０°〜８０°の範囲にあるのが好ましい。すなわち、基板に対するノズルの傾斜角度は、断線をなくすためにはより小さい方がよく、描画のスタート点を精度よく決めるためには大きい方（基板表面とノズル吐出口との距離が短い方）がよい。実用的なノズル傾斜角度は２０〜８０°の範囲にあり、このとき、高アスペクト比の電極を形成することができる。
【００２２】
本発明に係る電極形成方法において、使用する電極材料であるペーストは、金属とガラスフリット等とを含み、例えば約６００℃の高温で焼成される焼成型ペーストや、金属とエポキシ樹脂等とを含み、例えば約１００℃の低温で焼成される熱硬化型ペースト等を使用することができる。
【００２３】
このようなペーストは、５Pa・ｓ〜３０００Pa・ｓの範囲にある粘度を有しているものが好ましい。使用するペーストの粘度を、５Pa・ｓ以上とすることにより、塗布後にペーストが基板上に広がりすぎることがなく電極幅のいっそうの細線化を可能とし、３０００Pa・ｓ以下とすることにより、ノズル詰りによる断線不良に起因する歩留まりの低下を抑制することができる。ペーストの粘度が上記の範囲内であれば、描画速度が極端に小さくなるということがない。より好ましい粘度は１００〜１０００Pa・ｓの範囲であり、このとき、電極細線化と高速描画との両方が可能となる。また、粘度を１０００Pa・ｓよりも高くすることで、０．７０を超えるアスペクト比を得ることができる。
【００２４】
本発明に係る電極において、電極横断面のアスペクト比（高さ／線幅）は０．３０〜０．８０の範囲にあるのが好ましい。アスペクト比がこのような範囲にある電極によれば、太陽電池に使用されたときに、高い変換効率を確保することができる。
【００２５】
本発明に係る電極は、導電性を高めるために、少なくとも金属成分を含有しているのが好ましい。
【００２６】
本発明の電極形成については、図１に示されたように描画法を用いた。すなわち、ペースト吐出用ノズル３２を静止させておくとともに基板３１を図１における右方向へ移動させるように構成するとともに、ノズル３２の中心軸線３３と基板３１の表面とで形成される角度―ノズルの傾斜角度―３４を２０°〜８０°とし、基板３１の移動速度をノズル３２からのペースト吐出速度よりも大きくすることにより、基板３１の表面にペーストを適切に塗布することができるようにした。
【００２７】
次に、図２の断面構造がある本発明の太陽電池の構造について述べる。基板２１としては、キャスト法シリコンインゴットをマルチワイヤー法でスライスした第１導電層であるｐ型シリコン基板や、ＣＺ法あるいはＦＺ法におけるインゴットからスライスしたｐ型単結晶シリコン基板を用いる。
【００２８】
受光面側には、ｎ型の第２導電層２２が形成される。その表面には反射防止膜２３が形成される。受光面電極２４は描画法により形成される。焼成型ペーストを用いて描画する際の、焼成後の電極における単位長さ当たりの抵抗値は、例えば０．１５〜０．２０Ω／ｃｍである。一方、裏面側には、裏面ｐ+層２５及び裏面電極２６が、基板裏面全体にそれぞれ形成される。なお、裏面ｐ+層２５は、裏面電界効果（ＢＳＦ）を得るように構成することもできる。更には、裏面での内部反射を高めるため、いわゆる裏面反射層としての裏面電極２６を構成することも可能である。
【００２９】
次に、図３に基づいて、本発明を適用することのできる典型的な太陽電池プロセス全体のフローを説明する。
【００３０】
最初に、シリコン塊（Ｆ−１）としての、ＦＺ法、ＣＺ法、キャスト法などで得られる半導体特性を有する塊を、マルチワイヤー法でスライス切断して、第１導電層であるｐ型シリコン板を準備する（Ｆ−２）。次に、凹凸形成を、少なくとも光入射側の片面に対して行なう（Ｆ−３）。引き続き、第２導電層（ｎ型）の形成（Ｆ−４）、反射防止膜の形成（Ｆ−５）、裏面電極・p+層の形成（Ｆ−６）、及び表面電極の形成（Ｆ−７）を行ない、太陽電池を完成する。
【００３１】
以上に説明された太陽電池作製プロセスは、現在、多結晶シリコン太陽電池などで一般的に用いられるプロセスであるが、その順序を変えることや、真空を用いるプロセスを部分的に採用することも可能である。Ｆ−７において、本発明の電極及び電極形成方法を適用することができる。
【００３２】
本発明は、上記のシリコン基板以外にも、シリコンゲルマニウム基板、ガリウム砒素基板等の化合物半導体基板などの公知材料を使用することもできる。例えば、基本的な構造としては、光入射側からｎ、ｐでも、あるいは光入射側からｐ、ｎでも可能である。更には、光入射側をｎでなく高濃度化したｎ+に、あるいは、光入射側をｐでなく高濃度化したｐ+とすることもできる。これらの第２導電層は、従来から用いられている熱拡散法、イオンインプランテーション法などによっても形成することができる。
【００３３】
また、第２導電層の表面には、別の反射防止膜を追加形成してもよい。一方、光入射側とは反対側の裏面には、上述したＢＳＦ層の他に、裏面反射層（back surface reflector）、表面再結合を防止するための酸化膜または窒化膜の形成を行なってもよい。なお、反射防止膜や裏面反射膜としては、各種酸化膜などを用いることができる。
【００３４】
本発明の受光面電極の形成に用いる装置は、図４に示すように、Ｘ軸及びＹ軸（Ｙ軸は、図示されていないが、Ｘ軸に直交して紙面奥方向へ伸びている）に沿って移動することができるとともにシリコン基板２を載置・固定することができるテーブル１と、テーブル１の上方に角度可変部品７で固定されたノズル３と、導電性電極材料からなるペースト５が封入されたシリンジ１０とが、図示しない手段で保持されてなる。そして、シリンジ１０の内面に密に接しながら移動することのできるピストン６、両端がそれぞれノズル３及びシリンジ１０に接続された耐圧性チューブ８、ピストン６を移動可能に加圧することのできる加圧機構９で構成された装置を用いて、本発明の電極を形成する。なお、保持部品１２・１３はノズル３を保持するためのものである。
【００３５】
次に、基本的な電極パターン描画動作について説明する。ピストン６が加圧されると、シリンジ１０の中に封入されたペーストが、ノズル３の先端における吐出口から押し出し状に吐出される。そして、テーブル１に載置・固定された、第１導電層、第２導電層、ＳｉＮ層の順に積層構成されたシリコン基板２の一方端１１から描画が開始される。同時に、シリコン基板２が載置・固定されたテーブル１をＸ方向（細線パターンの描画方向）へ所定速度で移動させることで、シリコン基板２の表面に連続してペースト４の細線パターンを、シリコン基板２の一方端１１から他方端まで、直線で描画することができる。  次に、テーブル１を、紙面の奥方向へ伸びているＹ軸に沿って、サブ電極間距離分だけ奥方向に移動させ、同時にＸ軸に関して開始点まで戻す。そして、再び同様にして直線の描画を行なう。
【００３６】
以上のような動作を繰り返して、シリコン基板２の表面にサブ電極となるペースト４の
細線パターンを描画する。このとき、テーブル１を移動させることなくノズル３を移動させて描画するか、もしくは、テーブル１及びノズル３の両方を互いに逆方向へ移動させて描画することも可能である。
【００３７】
テーブル１のＸ方向への移動速度を、ノズル３からのペースト吐出速度よりも大きくすることで、吐出されたペースト４の横断面直径をノズル３の吐出口内径よりも小さくすることができる。例えば、ノズル３の吐出口から吐出されたばかりのペースト４の横断面直径がノズル３の吐出口内径に等しい１００μｍであっても、テーブル１の移動速度をペースト吐出速度の２倍とすることで、その後のペースト４の横断面直径を、ノズル３の吐出口内径の１／倍≒０．７１倍にすることができる。
【００３８】
また、分子粒径が約１〜５μｍの、少なくとも金属成分を含有するペーストで、粘度が例えば２０００Pa・ｓであるペーストにあっては、ノズル３の吐出口における横断面積に対する、シリコン基板２の表面に着地するときのペースト横断面積の比率が１／５０となるときのシリコン基板２の移動速度は、おおよそ１０００ｍｍ／ｓｅｃである。
【００３９】
角度可変部品７で、シリコン基板２の表面に対するノズル３の傾斜角度を垂直に近くした場合、テーブル１を高速で移動させているためにノズル３の吐出口から吐出されたペーストの横断面形状は楕円状になってしまい、その分、高さが低くなってしまう。一方、ノズル３の傾斜角度を小さくした場合は、ペーストの横断面形状が円形により近くなり、高アスペクト比を得ることが可能となる。
【００４０】
ノズル３の吐出口とシリコン基板２の表面との距離は、０．５〜３０ｍｍが可能であるが、好ましくは０．５〜５ｍｍである。同距離がこの範囲にあるときには、ノズル３の吐出口とシリコン基板２との間に、ペーストを十分に引っ張ることのできるスペースがあるので、電極の細線化が可能である。ノズル３の形状は、材質が金属であってペースト吐出用微小孔が穿たれたものが好ましい。微小孔の直径は２０〜５００μｍが可能である。この直径は、電極の細線化を可能にするためとノズル詰りを防止するためには、５０〜１００μｍであるのが好ましい。
【００４１】
なお、本発明では、単一のノズルで太陽電池の電極を描画形成すること以外に、多数のノズルを配置し、複数の電極を同時に描画することができることはいうまでもない。更に、使用するノズルは、ＳＵＳ製、ガラス製等の硬質な種類のものを使用することができ、ノズルの内面を加工してペーストの吐出をスムーズにさせることもできる。一方、メイン電極については、印刷法や描画法などの種々の方法で形成することができる。
【００４２】
更に、受光面電極のためのペーストは、導電性材料により形成されるものである限り、その材料は特に限定されない。このペーストは例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、タングステン、鉄、タンタル、チタン、モリブデン等の金属またはこれらの合金、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の透明導電材等からなる単層のものまたは積層されたものにより、あるいは、上記の金属及び合金の併用により、形成することができる。これらは、例えば、粉末状態としてペーストを調製し、これを印刷、焼成することにより形成することができる。ペーストは、例えば、金属、ガラスフリット、有機樹脂及び溶媒を混合して調製することができる。
【００４３】
裏面電極は、一般に裏面全面に形成されるが、グリッド状の裏面電極とすることも可能である。この場合には、裏面のグリッド電極以外の部分にいわゆる裏面反射層を形成することも可能になる。
【実施例１】
【００４４】
実施例１で示す太陽電池セルは、大略、図２のような横断面構造を呈しているが、このセルの作製は、図３に示された工程フロー図に基づいて行なった。
【００４５】
先ず、スライスされてなる、外形１０×１０ｃｍ、厚さ０．３５ｍｍ、比抵抗約２Ωｃｍのｐ型多結晶シリコン基板２１を用意し、シリコン基板２１の表面を、５％ＮａＯＨアルカリ水溶液に対し７％アルコールを加えた溶液の中で８０℃、１０分間、深さ２０μｍまでエッチングを行ない、破砕層の除去と同時に表面凹凸の形成を行なった。この凹凸は高さ５〜１０μｍの微細形状であるが、シリコン基板２１全体は平坦である。
【００４６】
次に、ＰＯＣｌ3を含む雰囲気の８４０℃電気炉における治具に、上記エッチング後のシリコン基板２１を載置して、２０分間のリン拡散を行なうことで、ｎ+層２２がシリコン基板２１の表面に形成される。ＨＦ水溶液中でＰＳＧ（リンガラス）層などを除去した後、洗浄、乾燥して、拡散層のシート抵抗６０Ω／ｃｍ、接合深さ約０．３μｍ、表面付近のドーパント濃度１０20ｃｍ-3程度の受光面側ｎ+拡散層２２を得た。次に、プラズマＣＶＤ装置を用いて、このｎ+拡散層２２の表面に反射防止膜２３としてのＳｉＮ層を形成した。その厚みは７２０Åである。なお、ガス種としてシラン及びアンモニアを用いた。  次に、裏面ＢＳＦ層の形成では、Ａｌ粉末を含むペーストを印刷し、乾燥した。そして、近赤外線炉の中で焼成することによって、ｐ+層及び裏面電極を得た。
【００４７】
メイン電極は、サブ電極を描画する前に、スクリーン印刷法により、約２ｍｍの幅で、サブ電極と直交する方向に印刷し、乾燥することで得られた。次いで、受光面側の表面電極形成として、ノズルの吐出口内径１５０μｍ、吐出圧力５ｋｇ／ｃｍ2、ペースト粘度１００Pa・ｓ、細線電極ピッチ２．５ｍｍの条件で行なった。
【００４８】
ノズルの傾斜角度を２０°、４０°、６０°、８０°に設定した各条件で描画した。このときのノズルからのペースト吐出速度はほぼ４５ｍｍ／ｓｅｃであったが、これに対して、テーブルの移動速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。その後、約７００℃で焼成して形成された電極の線幅を測定した結果、約１１０μｍであった。
【００４９】
アスペクト比は、ノズルの傾斜角度によって異なり、表１に示されたようになった。なお、電極の比抵抗はほぼ０．２０Ω／ｃｍであった。また、ノズル傾斜角度が９０°のときは、多数の断線が見られ、セル化が不可能であった。
【００５０】
その後、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光（ＪＩＳ標準光ＡＭ１．５Ｇ）の下において、製作した太陽電池セルの電流電圧特性を測定した（表１）。
（比較例１）
【００５１】
ノズルからのペースト吐出速度とテーブルの移動速度とを等しくしたときの比較例を記す（表１）。この比較例１では、両方の速度を４５ｍｍ／ｓｅｃ、基板面に対するノズルの傾斜角度を２０°とし、他の条件は上記実施例の条件とすべて同じとした。この結果、焼成後の線幅は約１８５μｍとなり、ノズル吐出口内径１５０μｍよりも太くなってしまった。その理由は、ペーストを加圧して吐出しているためにノズルの吐出口から吐出された直後のペーストの直径がノズルの吐出口内径よりも太くなってしまっているため、更に、テーブル移動速度が実施例１よりも遅く、ペーストが十分に引き伸ばされていないためと考えられる。
（比較例２）
【００５２】
サブ電極及びメイン電極が１つのスクリーンパターンを用いた印刷法で同時に形成される太陽電池を作製した（表１）。この比較例２では、サブ電極の長さは４８ｍｍで、線幅としては、先端幅、根元幅ともに１４０μｍである、印刷法の実用上の最小線幅とした。なお、その他の条件は上記実施例と同じであった。
【００５３】
【表１】
2005347628.tif 000003
【００５４】
表１から、基板面に対するノズルの傾斜角度（ノズル角度）を低くすることにより、アスペクト比を高くすることができることがわかる。また、アスペクト比が高いセルほど、電流密度（Ｊsc）及び曲線因子（Ｆ.Ｆ）が高くなり、結果として変換効率が高くなることがわかる。更に、比較例１のセルは、ノズル角度２０°の電極に近いアスペクト比が得られたものの、線幅が大きくなったために、Ｊscがノズル角度２０°のときよりも低い結果となった。なお、比較例２は、従来技術であるスクリーン印刷法によって作製された太陽電池セルであり、本発明によって作製されたノズル電極セルの方が高効率となった。
【実施例２】
【００５５】
実施例２では、実施例１で使用したｐ型多結晶シリコン基板２１の厚さを０．１５ｍｍ、ノズル角度を２０°とし、他の条件はすべて実施例１と同じである。その結果、線幅及びアスペクト比はそれぞれ、実施例１と同等の約１１０μｍ、０．３５であった（表２）。
（比較例３）
【００５６】
実施例２と同様に、ｐ型多結晶シリコン基板２１の厚さを０．１５ｍｍとし、サブ電極及びメイン電極は、１つのスクリーンパターンを用いて印刷法で同時形成した（表２）。
【００５７】
【表２】
2005347628.tif 000004
【００５８】
表面電極形成を印刷法で行なうと、印圧等で基板にストレスが加えられる。特に、薄型太陽電池の場合は裏面電極を基板全面に形成する際に、裏面電極焼成後の基板の反りが大きいので、小さい印圧でも基板の破損やクラックが生じて、歩留が低下する（表２）。これに対して、描画法では、印圧等で基板にストレスを与えることがないので、そのような心配がない。また、描画法では、高アスペクト比の電極を形成することができるので、直列抵抗を低減することができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本発明による電極形成方法における、基板に対するノズルの傾斜角度を説明する正面図である。
【図２】図２は、本発明による太陽電池の断面構造を説明する正面断面図である。
【図３】図３は、本発明による電極形成方法における製造工程フロー図である。
【図４】図４は、本発明による電極形成方法に使われる装置の正面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１：テーブル
２：シリコン基板
３：ノズル
４：吐出されたペースト
５：封入されたペースト
６：ピストン
７：角度可変部品
８：チューブ
９：加圧機構
１０：シリンジ
１１：シリコン基板の一方端
１２：保持部品
１３：保持部品
２１：基板
２２：第２導電層
２３：反射防止膜
２４：受光面電極
２５：裏面ｐ+層
２６：裏面電極
３１：基板
３２：ノズル
３３：中心軸線
３４：傾斜角度
【図１】
2005347628.tif 000005
【図２】
2005347628.tif 000006
【図３】
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【図４】
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