(57)【要約】【課題】  チップ面積が増大することなく、ＰＰＣ処理時間を短縮可能なマスクパターンの作製方法を提供する。【解決手段】  以下の工程を含むマスクパターンの作製方法。第１セルライブラリ内に格納された複数のセルパターンのそれぞれに対してプロセス近接効果補正を行うことにより複数の補正セルパターンを格納する第２セルライブラリが準備される。複数の補正セルパターンの１つである第１補正セルパターンおよび第２補正セルパターンが、それぞれの縁が互いに接する、または近接する、または重なるように並べて配置される。第１補正セルパターンと第２補正セルパターンとの境界近傍の境界部パターンが抽出される。境界部パターンに対してプロセス近接効果補正が行われる。【選択図】図１
2005084101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ上でマスクパターンを作製する方法であって、
第１セルライブラリ内に格納された複数のセルパターンのそれぞれに対してプロセス近接効果補正を行うことにより複数の補正セルパターンを格納する第２セルライブラリを準備する工程と、
前記複数の補正セルパターンの１つである第１補正セルパターンおよび第２補正セルパターンを、それぞれの縁が互いに接する、または近接する、または重なるように並べて配置する工程と、
前記第１補正セルパターンと前記第２補正セルパターンとの境界近傍の境界部パターンを抽出する工程と、
前記境界部パターンに対してプロセス近接効果補正を行う工程と、
を具備することを特徴とするマスクパターンの作製方法。
【請求項２】
前記第２セルライブラリを準備する工程は、
前記セルパターンの外側にダミーパターンを配置することにより暫定セルパターンを作製する工程と、
前記暫定セルパターンに対してプロセス近接効果補正を行うことにより補正暫定セルパターンを作製する工程と、
前記補正暫定セルパターンから前記ダミーパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項３】
前記暫定セルパターンを作製する工程は、前記セルパターンの外側の前記セルパターンの近傍に前記ダミーパターンを配置する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項４】
前記セルパターンの近傍は、前記ダミーパターンによるプロセス近接効果が前記セルパターンが有するパターンに及ぶ範囲であることを特徴とする請求項３に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項５】
前記ダミーパターンは、前記セルパターンの縁に沿って延在する直線形状を有することを特徴とする請求項２に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項６】
前記ダミーパターンと、前記セルパターン内の最も外側のパターンと、の間の距離は前記セルパターンに使用されている最小パターン幅の２倍以下であることを特徴とする請求項５に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項７】
前記第２セルライブラリを準備する工程は、
前記セルパターンの外側の前記セルパターンが有するパターンにプロセス近接効果が及ぶ範囲に複数のダミーパターンを配置することにより暫定セルパターンを作製する工程と、
前記暫定セルパターンに対してプロセス近接効果補正を行うことにより補正暫定セルパターンを作製する工程と、
前記補正暫定セルパターンから前記複数のダミーパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項８】
前記複数のダミーパターンは前記セルパターンの縁に沿って、それぞれが第１距離離れて延在する直線形状を有し、
前記ダミーパターンの幅および前記第１距離は、前記セルパターンに使用されている最小パターン幅の２倍以下であることを特徴とする請求項７に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項９】
前記セルパターンと最も近い前記ダミーパターンと、前記セルパターン内の最も外側のパターンと、の間の距離は前記セルパターンに使用されている最小パターン幅の２倍以下であることを特徴とする請求項８に記載のマスクパターンの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９に記載のマスクパターンの作製方法によって作製されたマスクパターンを用いてフォトマスクを作製する工程と、
前記フォトマスクを用いて、半導体装置の製造途中の半導体基板上に形成された被加工膜を露光する工程と、
をさらに具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
データ上でマスクパターンを作製するシステムであって、
第１セルライブラリ内に格納された複数のセルパターンに含まれる１つの選択セルパターンを選択するパターン選択部と、
前記選択セルパターンの外側にダミーパターンを配置することにより暫定セルパターンを作製するダミーパターン生成部と、
前記暫定セルパターンに対してプロセス近接効果補正を行うことにより補正暫定セルパターンを作製する第１プロセス近接効果補正部と、
前記補正暫定セルパターンから前記ダミーパターンを除去することにより補正セルパターンを作製するパターン除去部と、
複数の前記補正セルパターンを格納する第２セルライブラリから、前記複数の補正セルパターンに含まれる第１補正セルパターンおよび第２補正セルパターンをそれぞれの縁が互いに接するか或いは重なるように並べて配置する配置配線部と、
前記第１補正セルパターンと前記第２補正セルパターンとの境界近傍の境界部パターンを抽出する境界抽出部と、
前記境界部パターンに対してプロセス近接効果補正を行う第２プロセス近接効果補正部と、
を具備することを特徴とするマスクパターンの作製システム。
【請求項１２】
複数のセルパターンのデータを有するセルライブラリであって、
前記セルパターンは、フォトマスクに転写されるべき形状のパターンにプロセス近接効果補正が施された複数の補正パターンを具備し、
前記補正パターンは、前記セルパターンの外側に仮置きされたダミーパターンの影響が考慮されたプロセス近接効果補正の結果に応じた形状を有する、
ことを特徴とするセルライブラリ。
【請求項１３】
請求項１乃至９に記載のマスクパターンの作製方法によって作製されたマスクパターンを用いたフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクパターンの作製方法に関し、詳しくは、例えばロジックデバイス（特に特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）に用いられるフォトマスクを作製するためのマスクパターンに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１は、ＡＳＩＣ等のロジックデバイスのレイアウト設計以降の流れを示している。回路設計（ステップＳ３１）の終了後、設計された回路を実現するためのパターンを有するフォトマスクが作製される。すなわち、データ上で、自動配置配線（Place and Routing : P&R）工程によって、複数のセルパターンがセルライブラリから順次選択され、チップ上に配置される（ステップＳ３２）。セルライブラリには、各セルパターンは、個別の回路特性（例：ナンド回路、オア回路等）を実現するための複数のパターンにより構成される。次に、配置されたセルパターンを接続するためのパターンが付加されることによりレイアウトが完成する（ステップＳ３３）。
【０００３】
次に、レイアウト内の全てのパターンに対してプロセス近接効果補正（ＰＰＣ）処理が行われる（ステップＳ３４）。ＰＰＣ処理は、パターンの微細化に伴い、形成されたパターンの寸法が設計通りにならない問題を改善するために行われる。すなわち、リソグラフィおよびエッチング工程で、あるパターンの寸法は、その周辺の他のパターンにより影響を受ける。このため、加工後のパターンの寸法が設計通りになるように予め設計パターンに補助パターンが付加されたり、設計パターンの寸法に補正が施されたりする。プロセス近接効果補正には、エッチング時に発生する設計パターンと作製されるパターンとの差に対する補正、および光近接効果補正（ＯＰＣ）等も含まれる。このような技術は、特開平０９−３１９０６７等に開示されている。ＰＰＣ処理が行われた結果、マスクパターンが完成する。
【０００４】
このマスクパターンを用いて、フォトマスクが形成され（ステップＳ３５）、このフォトマスクのパターンを有するレジストが形成され（ステップＳ３６）、このレジストを用いてエッチングが行われる（ステップＳ３７）。
【０００５】
ＰＰＣ処理は設計された回路情報に基づいて、全てのセルパターンが配置された後で各パターンに対して行われる。このため、高精度な補正が可能である一方、ＰＰＣ処理に莫大な時間が費やされる。そこで、ＰＰＣ処理を高速化するために、特開平８−２７２０７５（第１従来例）、特開平１０−３２２５３（第２従来例）に、セルライブラリ中の各セルパターンにＰＰＣ処理を行うことが開示されている。ＰＰＣ処理済みのセルパターンが配置されるため、セルパターンが配置された後にＰＰＣ処理を行う場合に比べ、ＰＰＣ処理時間を大幅に短縮できる。
【０００６】
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
【特許文献１】特開平9-319067号公報
【特許文献２】特開平8-272075号公報
【特許文献３】特開平10-32253号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、それぞれの従来例ではＰＰＣ処理を行ったセルパターンがチップ上に配置される際に制約条件がある。すなわち、個別のセルパターンにＰＰＣ処理を施したとしても、これらを配置した際に、隣接する他のセルパターン同士で光近接効果により影響を及ぼしあう結果、セルパターンの境界部で所望の寸法精度を確保できない場合がある。この問題に対し、セルパターンを配置する際に、各セルパターンを一定距離だけ離して配置する（特開平８−２７２０７５）、セルパターン間にダミーパターンを挿入する（特開平１０−３２２５３）手法が採られる。しかしながら、この手法を全てのセルパターン間で適用すると、フォトマスクの面積、ひいてはチップの面積が増大する。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、チップ面積が増大することなく、ＰＰＣ処理時間を短縮可能なマスクパターンの作製方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の視点によるマスクパターンの作製方法は、データ上でマスクパターンを作製する方法であって、第１セルライブラリ内に格納された複数のセルパターンのそれぞれに対してプロセス近接効果補正を行うことにより複数の補正セルパターンを格納する第２セルライブラリを作製する工程と、前記複数の補正セルパターンの１つである第１補正セルパターンおよび第２補正セルパターンを、それぞれの縁が互いに接する、または近接する、または重なるように並べて配置する工程と、前記第１補正セルパターンと前記第２補正セルパターンとの境界近傍の境界部パターンを抽出する工程と、前記境界部パターンに対してプロセス近接効果補正を行う工程と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の視点によるマスクパターンの作製システムは、データ上でマスクパターンを作製するシステムであって、第１セルライブラリ内に格納された複数のセルパターンに含まれる１つの選択セルパターンを選択するパターン選択部と、前記選択セルパターンの外側にダミーパターンを配置することにより暫定セルパターンを作製するダミーパターン生成部と、前記暫定セルパターンに対してプロセス近接効果補正を行うことにより補正暫定セルパターンを作製する第１プロセス近接効果補正部と、前記補正暫定セルパターンから前記ダミーパターンを除去することにより補正セルパターンを作製するパターン除去部と、複数の前記補正セルパターンを格納する第２セルライブラリから、前記複数の補正セルパターンに含まれる第１補正セルパターンおよび第２補正セルパターンをそれぞれの縁が互いに接するか或いは重なるように並べて配置する配置配線部と、前記第１補正セルパターンと前記第２補正セルパターンとの境界近傍の境界部パターンを抽出する境界抽出部と、前記境界部パターンに対してプロセス近接効果補正を行う第２プロセス近接効果補正部と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の視点によるセルライブラリは、複数のセルパターンのデータを有するセルライブラリであって、前記セルパターンは、フォトマスクに転写されるべき形状のパターンにプロセス近接効果補正が施された複数の補正パターンを具備し、前記補正パターンは、前記セルパターンの外側に仮置きされたダミーパターンの影響が考慮されたプロセス近接効果補正の結果に応じた形状を有する、ことを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明に係る実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＰＰＣ処理時間を短縮可能なマスクパターン作製方法、マスクパターンの作製システム、セルライブラリを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【００１５】
（第１実施形態）
まず、背景技術でも触れた、データ上で、セルライブラリ中のセルパターンにＰＰＣ処理を行い、新たなセルライブラリを準備する手順について説明する。図１は、セルライブラリから、ＰＰＣ処理が施されたセルパターンを有するセルライブラリの作製方法を示すフローチャートである。図１に示すように、セルライブラリ１（第１セルライブラリ）から１つ目のセルパターンが選択される（ステップＳ１）。セルライブラリ１には、複数のセルパターンが格納されている。各セルパターンは、個別の回路特性（例：ナンド回路、オア回路等）を実現するための複数のパターンにより構成される。
【００１６】
セルパターンの一例として、メタル配線層のセルパターン３を図２に示す。図２に示すように、セルパターン３は、複数のパターン４を有する。メタル配線層のセルパターン３は、典型的には、上下においてセルパターン３を左右に横断する電源線のパターン４ａを有する。
【００１７】
次に、選択されたセルパターンに対して、例えばコンピュータおよび市販のツール等を用いた公知の方法によりＰＰＣ処理が施される（ステップＳ２）。以下、ＰＰＣ処理には、上記したように、エッチング時に発生する設計パターンと作製されるパターンとの差に対する補正、および光近接効果補正（ＯＰＣ）等が含まれるものとする。そしてＰＰＣ処理が施されたセルパターンは、ＰＰＣセルライブラリ２（第２セルライブラリ）に保存される。
【００１８】
ＰＰＣ処理された補正セルパターンの一例（補正セルパターン５）を図３に示す。図３に示すように、ＰＰＣ処理の結果、補正パターン４ｂの線幅は増大する。また、補正パターン４ｂのライン端部では、ラインの延在方向および線幅が大幅に増大する。さらに、補正パターン４ｂの角部の内角部にもパターンが付加される。補正セルパターン５を用いて、フォトマスクを作製することにより、完成したフォトマスクのパターンの形状は、設計時の形状（図２の形状）に近づく。
【００１９】
次いで、全てのセルパターン３に対するＰＰＣ処理が終了したか否かが判定される（ステップＳ３）。全てのセルパターン３に対する処理が終わっていない場合、ステップＳ１、Ｓ２の動作が所定数繰り返される。ステップＳ１、Ｓ２の処理が繰り返された結果、ステップＳ３において、全てのセルパターン３に対するＰＰＣ処理が終了したと判断されると、ＰＰＣセルライブラリ２の作製動作は終了する。
【００２０】
次に、ＰＰＣセルライブラリ２を用いたフォトマスクの製造方法およびこのフォトマスクを用いた被加工膜の処理方法について説明する。図４は、本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。図４に示すように、所望の動作を実現するような回路設計が行われる（ステップＳ１１）。次に、自動配置配線工程において、設計された回路が実現されるように、複数の補正セルパターン５がＰＰＣセルライブラリ２から順次選択され、次いでチップ上に配置される（ステップＳ１２）。この際、複数の補正セルパターン５は、それぞれの縁が互いに接する、または近接する、または重なるように配置される。次に、配置された補正セルパターン５相互間の電気的な接続関係に基づいて接続配線パターンが生成されることにより、レイアウトが完成する（ステップＳ１３）。
【００２１】
次に、各補正セルパターン５の境界近傍に位置するパターン４が抽出される（ステップＳ１４）。ここで、図３に示すように、境界近傍とは、少なくとも補正セルパターン５の端部（縁）から光近接効果による影響が及ぶ距離に含まれる範囲を言うものとする。
【００２２】
次に、抽出された境界近傍のパターン４ｂに対してＰＰＣ処理による補正が行われることにより、マスクパターン（マスクパターンデータ）が完成する（ステップＳ１５）。上記したように、補正セルパターン５を用いて、レイアウトが作製されたとしても、隣接する他の補正セルパターン５により、境界近傍のパターン４に光近接効果による影響が及ぶことは回避できない。このため、少なくとも各補正セルパターン５の境界近傍のパターン４に対してさらにＰＰＣ処理による補正が行われる。この結果、この補正セルパターン５を用いて作製されたフォトマスクのパターンの寸法を設計時の寸法へと近づけることができる。
【００２３】
上記したように、境界近傍とは、補正セルパターン５の端部から光近接効果による影響が及ぶ範囲を意味する。これは、以下の理由による。まず、ある補正セルパターン５に隣接して配置された補正パターン５内のパターンが、この範囲外であれば、対象とされる補正セルパターン５内のパターンに光近接効果による影響は及ばない。したがって、最低限、補正パターン５の端部から、光近接効果による影響が及ぶ範囲に再補正が行われることにより、境界部のパターンを最適形状に近づけることができる。最適形状とは、あるパターン４により形成されるフォトマスクのパターンを設計通りの形状とするためのパターン４の形状である。
【００２４】
次に、マスクパターンのデータがマスク描画装置に入力される。次に、マスク描画装置は、マスクパターンのデータに沿ってフォトマスクを作製する（ステップＳ１６）。次に、このフォトマスクを用いて半導体装置が製造される。すなわち、半導体装置の製造途中において、半導体基板（チップ）上に被処理膜（例：配線層へと加工される導電膜）が形成され、被処理膜上に被加工膜（例：フォトレジスト）が形成される。次に、露光装置において、被加工膜と露光光源との間にフォトマスクが配置される。そして、このフォトマスクを介して、被加工膜が露光装置によって露光されることにより、被加工膜にパターンが転写される（ステップＳ１７）。次に、この被加工膜をマスクとしてエッチングを行うことにより、半導体基板上の被処理膜にパターンが形成される（ステップＳ１８）。
【００２５】
第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法によれば、ＰＰＣ処理が施された補正セルパターン５が準備され、補正セルパターン５が配置された後、補正セルパターン５の境界近傍のパターン４にのみ再度ＰＰＣ処理による補正が施される。したがって、補正セルパターン５を一旦作製しておけば、その後、異なるレイアウトのフォトマスクが形成される場合でも、各補正セルパターン５の境界近傍のパターン４に補正を施すのみで済む。このため、フォトマスクの生成に要する時間は大幅に短縮される。よって、ＰＰＣ処理に要する時間は、ＰＰＣ処理が行われていないセルパターンが配置された後に全パターンに対してＰＰＣ処理が行われた場合の約１／５０にまで低減する。
【００２６】
上記したように、一般に、セルパターンの境界近傍のパターンは、隣接するセルパターン、より詳しくは隣接セルパターンの境界近傍のパターンにより光近接効果の影響を受ける。このため、本実施形態のように、補正セルパターン５の境界近傍のパターン４に対して再度ＰＰＣ処理による補正が施されることにより、この部分に対応するフォトマスクのパターンの寸法が設計時のパターンの寸法から乖離することを回避できる。
【００２７】
また、第１従来例のようにセルパターン相互間にスペースを設けたり、第２従来例のようにセルパターン相互間にダミーパターンを設けたりする必要がない。このため、チップの面積が増大することを回避できる。
【００２８】
なお、補正セルパターン５の境界近傍のパターン４に補正を行う工程において、隣接する補正セルパターン５の境界近傍のパターン４の形状を考慮に入れることも可能である。すなわち、隣接する補正セルパターン５の境界近傍にパターン４が存在しない場合、補正対象の補正セルパターン５の境界近傍のパターン４に補正が施される必要はない。隣接する補正セルパターン５の境界近傍にパターン４が存在しない場合の一例として、補正セルパターン５の中央付近のみに多くパターン４が形成されている場合が挙げられる。
【００２９】
（第２実施形態）
第１実施形態では、セルライブラリ１のセルパターン３そのものにＰＰＣ処理が施されることにより、ＰＰＣセルライブラリ２が作製される。第２実施形態では、セルライブラリ１のセルパターン３の両隣に特定のパターンが配置された状態でセルパターンにＰＰＣ処理が施される。
【００３０】
図５は第２実施形態に係るマスクパターン作製装置（システム）１１を概略的に示している。図５に示すように、マスクパターン作製システム１１は、パターン選択部１２を有する。パターン選択部１２は、セルライブラリ１から任意のセルパターン３を１つ選択し、そのデータを出力する。パターン選択部１２からのデータは、ダミーパターン生成部１３に供給される。ダミーパターン生成部１３は、後述する方法に基づいてセルパターン３の両隣にダミーパターンが配置された暫定セルパターンのデータを作製する。
【００３１】
第１マスクデータ処理部１４は、公知の方法にしたがって暫定セルパターンに対してＰＰＣ処理を行う（ＭＤＰ（Mask Data Processing）処理）。この結果、暫定セルパターンにＰＰＣ処理が行われた補正暫定セルパターンのデータが作製される。マスクデータ処理部１４は、補正暫定セルパターンのデータをダミーパターン除去部１５に供給する。ダミーパターン除去部１５は、補正暫定セルパターンからダミーパターンを除去することにより、補正セルパターンのデータを生成する。ＰＰＣセルライブラリ６は、各セルパターンから生成された補正セルパターンのデータを保持する。
【００３２】
自動配置配線部（Ｐ＆Ｒ部）１６は、セル配置情報格納部１７の情報に従って、補正セルパターンをチップ上に順次配置し、次いで、補正セルパターン間に接続配線パターンを配置する。この結果、レイアウトのデータが形成される。セル配置情報格納部１７は、回路設計の結果得られるセル配置情報を格納する。
【００３３】
セル境界抽出部１８は、第１実施形態に示した方法と同様にして、各補正セルパターンの境界近傍のパターン４を抽出する。抽出されたパターン４のデータは、第２マスクデータ処理部１９に供給される。第２マスクデータ処理部１９は、抽出されたパターン４に対して、ＰＰＣ処理による補正を行う。
【００３４】
次に、セルライブラリ１から、ＰＰＣ処理が施された補正セルパターンを有するＰＰＣセルライブラリ６（第２セルライブラリ）を作製する方法について説明する。図６は、第２実施形態に係る、ＰＰＣセルライブラリ６の作製方法を示すフローチャートである。図６に示すように、セルライブラリ１から、１つ目のセルパターン３が選択される（ステップＳ２１）。
【００３５】
次に、選択されたセルパターン３の両隣に、例えば図７に示すダミーパターン２１が付加されることにより暫定セルパターン２２が形成される（ステップＳ２２）。ダミーパターン２１の特徴等については、後述する。次に、暫定セルパターン２２に対して、ＰＰＣ処理が施されることにより補正暫定セルパターンが形成される（ステップＳ２３）。次に、補正暫定セルパターンからダミーパターン２１が除去される（ステップＳ２４）。この結果、本来のセルパターン３に、ダミーセルパターン２１による光近接効果による影響が加味された上でＰＰＣ処理が施された補正セルパターンが形成される。補正セルパターンは、ＰＰＣセルライブラリ６に格納される。
【００３６】
次に、セルライブラリ１内の全てのセルパターン３に対する処理が終了したか否かが判定される（ステップＳ２５）。全てのセルパターン３に対する処理が終わっていない場合、ステップＳ２１〜Ｓ２４の動作が繰り返される。ステップＳ２１〜Ｓ２４の処理が繰り返され、ステップＳ２５において、全てのセルパターン３に対するＰＰＣ処理が終了したと判断されると、ＰＰＣセルライブラリ６の作製動作は終了する。
【００３７】
フォトマスクの製造方法の全工程は、第１実施形態と同じである。異なるのは、図３のステップＳ１２において、図５の方法に従って作製されたＰＰＣセルライブラリ６から補正セルパターンが採取されることである。
【００３８】
次に、ダミーパターン２１の特徴、形状、配置方法等について、図７、図８を参照しながら説明する。フォトマスクを露光する際、一般に、形成されるパターンは、その周囲のパターンとの間で光近接効果を及ぼしあう。このため、第１実施形態において、補正セルパターン５の境界近傍のパターン４にＰＰＣ処理による補正が施されることにより、境界近傍パターン４の周囲のパターン４に対する光近接効果の影響が変化する。したがって、この周囲のパターン４の最適形状が変化する恐れが生じる。特に、補正セルパターン５の境界近傍およびその周辺にパターンが多く存在する場合、隣接する補正セルパターン５の境界近傍のパターン４は大きく影響を受ける。そこで、各セルパターン３に対するＰＰＣ処理の段階で、隣接するセルパターン３の影響が予め加味される。具体的には、対象とされるセルパターン３の両隣に予めダミーパターン２１を配置した状態で、ＰＰＣ処理が行われる。
【００３９】
ダミーパターン２１は、ＰＰＣ処理対象のセルパターン３に対する影響を考慮すると、隣に実際に配置されるセルパターン３（特に境界近傍のパターン４）を模した形状であることが望ましい。しかしながら、電源線パターン４ａ以外の部分は、実際に隣接するセルパターン３の形状を予測することは困難である。一方、一般に、ＰＰＣ処理による補正が最も困難なパターンは、密に配置されたパターンであることが知られている。そこで、パターンが最も密に配置されたダミーパターンを付加した状態でＰＰＣ処理が施される。
【００４０】
図７は、以上の理由を踏まえて設けられたダミーパターンの一例を示している。図７は、セルパターン３の外側（周囲）にダミーパターン２１が付加された暫定セルパターン２２を示している。図７に示すように、ダミーパターン２１は、２つの電源線を結ぶ方向に延在するラインアンドスペースパターンと、上下に電源線４ａに連続して設けられた電源線４ａと同様のパターンとを有する。
【００４１】
ラインアンドスペースパターンは、セルパターン３の両端から、セルパターン３と離れる方向に向かってパターンおよびスペースが交互に複数配置され、最も密な状態で配置されている。最も密な状態とは、本実施形態が適用される段階の技術を用いて実現可能な範囲で、最も微細なパターン幅およびパターン間隔を言うものとする。そして、この値は、技術の進展に伴い、減少する。また、補正セルパターン５に最も近いダミーパターン２１と、補正セルパターン５中の最も外側のパターン４との距離は、セルパターン３が有するパターン４相互間の最小幅の２倍以下とされる。または、最小幅と同じ距離とすることも可能である。
【００４２】
セルパターン３が最も補正が困難な配置のダミーパターン２１とともにＰＰＣ処理されることにより、補正セルパターン５の境界部の補正が容易になる。実際には、補正はほとんど必要ない。したがって、補正セルパターン５の境界部の補正に伴って、中心部のパターン４の形状が変化することを回避できる。
【００４３】
図８は、暫定セルパターン２２にＰＰＣ処理が施された補正暫定セルパターン２３の一例を概略的に示している。図８に示すように、ＰＰＣ処理が施された結果、補正パターン４ｃおよびＰＰＣダミーパターン２１ａは、角部および端部の形状、線幅が第１実施形態と同様に変化する。暫定補正セルパターン２３からダミーパターン２１ａを除いた部分、すなわち破線に囲まれた部分が、補正セルパターン２４に対応する。この補正セルパターン２４が、ＰＰＣセルライブラリ６に格納される。
【００４４】
第２実施形態による補正パターン４ｃは、第１実施形態による補正パターン４ｂと形状が若干異なる。すなわち、パターン４からの形状の変化の仕方が、第１実施形態と第２実施形態で異なる。これは、第２実施形態では、ダミーパターン２１による光近接効果の影響が加味されたＰＰＣ処理が行われているからである。
【００４５】
図９は、上記した第２実施形態に係る手法に従って作製されたフォトマスクのパターンデータを用いて、被加工膜を露光した場合のパターン形状予測の結果を示している。図９において、実線は形成されたパターンの形状を示しており、破線は設計上の（所望の）パターンの形状を示している。このシミュレーションは、ｋ１値が０．３４の露光条件であり、現像も考慮されている。ここで、ｋ１値とは、ｋ１＝Ｗ／（λ／ＮＡ）の式により表される。式中、Ｗはパターンの最小線幅であり、ＮＡは露光装置のレンズの大きさであり、λは露光装置の光源の波長である。簡単に述べると、ｋ１値が小さいほど、リソグラフィ技術の実施が困難になり、またリソグラフィ時のマージンが減少する。他の条件として、フォーカスはベストから０．１５μｍずれた状態、ドーズはベストから±５％変化させた状態が併せて用いられている。
【００４６】
図９に示すように、第２実施形態によれば、形成されたパターンの形状は、所望のパターン形状にかなり近づく。
【００４７】
なお、上記したように、予め準備された補正セルパターン２４を用いることにより、境界部で再度補正を行う必要性は大幅に減少する。したがって、補正セルパターン２４の配置後、境界部の補正を行わない、すなわち図４のステップＳ１４を省略することも可能である。図１０は、その場合に、図９とのシミュレーションと同様の条件下でのパターン形状予測結果を示している。このような手法によっても、比較的良好なパターン形状を得られる。しかしながら、図９ほどの解像度は得られない。このことは、図９の矢印Ａが差し示すパターン等に顕著に表れている。したがって、補正セルパターン２４の境界部を補正する構成が有効である。
【００４８】
第１、第２実施形態に係る処理をプログラムを用いてコンピュータに実行させることも可能である。この場合、図１、図４、図６のフローチャートに示す処理、および図５のシステムを構成する各部が、コンピュータおよびコンピュータの動作を制御するプログラムにより実現される。すなわち、入力部、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、記憶部、出力部を有する情報処理装置が用意される。記憶部には、第１、第２実施形態に係る処理を行うためのプログラムが格納されている。ＣＰＵは、記憶部からプログラムを読み込み、プログラムに従って上記した動作が制御される。その結果、セルパターン３から、マスクパターンが作製される。そして、マスクパターンのデータが、出力部から出力され、次いで、例えば露光装置に供給される。
【００４９】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】ＰＰＣ処理が施されたセルパターンを有するセルライブラリの作製方法を示すフローチャート。
【図２】セルパターンの一例を示す図。
【図３】補正セルパターンの一例を示す図。
【図４】本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示すフローチャート。
【図５】第２実施形態に係るマスクパターンデータ作製装置を示す図。
【図６】第２実施形態に係る、セルライブラリの作製方法を示すフローチャート。
【図７】セルパターンにダミーパターンが付加された暫定セルパターンの一例を示す図。
【図８】暫定セルパターンにＰＰＣ処理が施された補正暫定セルパターンの一例を示す図。
【図９】被処理膜を露光した場合のパターン形状予測の結果を示す図。
【図１０】境界部補正を行わない場合の、被処理膜を露光した場合のパターン形状予測の結果を示す図。
【図１１】ロジックデバイスのレイアウト設計以降の流れを示すフローチャート。
【符号の説明】
【００５１】
１…セルライブラリ、２、６…ＰＰＣセルライブラリ、３…セルパターン、４…パターン、４ａ…電源配線パターン、４ｂ、４ｃ…補正パターン、５、２４…補正セルパターン、１１…マスクパターン作製システム、１２…パターン選択部、１３…ダミーパターン生成部、１４…第１マスクデータ処理部、１５…ダミーパターン除去部、１６…自動配置配線部、１７…セル配置情報格納部、１８…セル境界抽出部、１９…第２マスクデータ処理部、２１…ダミーパターン、２２…暫定セルパターン、２３…補正暫定セルパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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