(57)【要約】【課題】  印刷方法を用いて基板上に配線パターンを形成する配線形成方法を提供すること。【解決手段】  基板に配線を形成する方法は、銅基板を用意すること、銅基板上の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板にエッチングをすることを含む。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配線を形成する方法であって、銅基板を用意すること、ドライフィルム又はフォトレジストの工程を行って基板上に回路パターンを形成すること、銅基板の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、ドライフイルム又はフォトレジストを除去し、メッキされた銅基板を熱処理すること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板にエッチングをすることを含む、基板に配線を形成する方法。
【請求項２】
前記メッキの前にドライフィルム工程を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記銅基板の全体にエッチングをする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記銅基板の部分にエッチングをする、請求項１又は２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板上に配線を形成する方法に関し、特に基板上に配線を印刷する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、すなわち１）テープ・キャリヤー・パッケージ（ＴＣＰ）、２）チップ・オン・フレックス（ＣＯＦ）、３）チップ・オン・グラス（ＣＯＧ）上でドライブＩＣ（集積回路）をカプセル化するために３つの方法がある。第１及び第２の方法は、ディスプレイ上でガラス板と印刷回路基板（ＰＣＢ）とを結合するためにキャリヤー基板として機能する軟回路基板を必要とする。ドライブＩＣのための軟回路基板は３つの種類に分けられる。
【０００３】
第１の軟回路基板    図１Ａ、１Ｂを参照するに、底部の第１層は銅層５１である。第２層は接着材層５２，第３層は軟ポリアミド（ＰＩ）層５３である。特に、図１Ｂに示す構造は、図１Ａに示したと同じ構造部分を除き、接着材層５２がポリアミド層５３のフリーサイドに取り付けられ、第１の銅層５１が第２の銅層５２ａのフリーサイドに取り付けられている。銅層５１上に配線を形成するために必要なエッチング工程のために、銅層５１上に配線を形成する間、銅層５１の厚さは、有効な製品歩留まりが高いように、少なくとも１２μｍでなければならない。しかし、銅層の厚さが大きい場合、細長い配線をするのが非常に困難である。例えば、銅層の厚さが大きくかつ配線が平均４０〜５０μｍピッチ（幅２５μｍ、中間で２０μｍ）である場合、製品歩留まりは低下する。これは産業における今日の標準が４５μｍピッチの範囲にあることによる。すなわち、薄い銅箔は配線形成工程中に容易にしわを生じ、高い不良率となり、コストを高くする。
【０００４】
第２の軟回路基板    図２Ａ，２Ｂを参照するに、図１Ａ，１Ｂの例に比較すると接着材の層がない。図示の構造はポリアミド基板５４として、該ポリアミド基板の表面上のモネル層（ニッケルと銅の合金層）及び該モネル層に取り付けられた銅層５５を含む。その後、銅層５５の厚さは、６又は９μｍ達するようにメッキをすることによって制御される。この方法では、４０μｍより小さい小ピッチ電気回路構成において、有効な歩留まりが高くなるように、ポリアミド基板５４に銅箔を圧する必要はない。さらに、メッキによって制御される銅箔の厚さのために、オペレーターは必要とされるピッチ及び幅の配線をすることができ、しばしば３０μｍより十分に小さい標準に達する。しかし、金属層と軟ポリアミド基板とを接着するために使用される接着材層はないので、金属層は時々基板から剥がれる。さらに、メッキされた銅層は容易に壊れ、被包されたエレメントの信頼性は満足できない。その上の不利益は、モネルとクロムの層がＰＩフィルムへの良好な化学接着のために容易にエッチング除去されないで、漏電を生じることである。
【０００５】
第３の軟回路基板    第３の軟ポリアミド基板は、接着剤層のない基板に似た基板を作るように銅箔に直接にポリアミド（ＰＩ）を適用することにより得られる。しかし、この種の基板は、養生工程における銅箔厚の収縮や１２μｍの下の厚さに適用できないという問題がある。その結果、製品は市場性がない。この欠点を克服するために、本発明は、上記の問題に解決を与える、改良された配線形成方法を提供する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主な目的は、基板上に配線パターンを形成するために、印刷方法を用いる改良された配線形成方法を提供することにある。基板の平らな面と剛性とにより、配線パターンは基板から良好な支持が与えられ、養生工程中に容易には壊れない。
【０００７】
本発明の他の目的は、銅基板に銅−ニッケル層をメッキする前に、ドライフィルを形成することにある。
【０００８】
本発明のさらに他の目的は、エッチングのステップにおいて、銅基板全体にエッチングをすることにある。
【０００９】
本発明の他の目的および新規な特徴は、図面を参照しての以下の説明により一層明らかとなろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の方法は次のステップを含む。すなわち、銅基板を用意すること、ドライフィルム又はフォトレジストの工程を適用して基板上に回路パターンを形成すること、銅基板の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、ドライフイルム又はフォトレジストを除去し、メッキされた銅基板を所望の性能に熱処理すること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板をエッチングすることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の基本技術は、銅基板１に配線パターンを印刷することである。銅の性質のために、銅基板１は、配線が形成された後、配線に十分な支持を与えることができる。さらに、銅基板１のフラット面のために、基板上に細い配線をすることが容易で、有効な製品歩留まりが向上する。
【００１２】
図３を参照するに、配線パターンは銅基板１の表面に印刷される。ついで、銅基板１は、銅−ニッケルメッキ工程において銅基板表面への銅及びニッケルの付着を止めるために、銅基板１の表面にフォトレジスト材料１ａを及ぼすように、ドライフィルム工程を経て処理される。
【００１３】
その後、フォトレジスト材料１ａは、洗浄ステップで除去される。表面に銅−ニッケル層２を備えた銅基板１は、プレス工程において接着材層３ａを備えたポリアミド基板３に圧せられる。プレス工程の後、銅−ニッケル層２は配線の用意が整い、基板は銅基板１の剛性により支持され、これにより養生中の収縮又は膨張は配線の有効性に影響しない。
【００１４】
その後、銅基板１の一部分が、接着剤層３ａを有する軟ポリアミド基板３上に銅−ニッケル層２を残して図示のステップ６Ａによりエッチングが施されるか、銅基板の一部分のみが図示のステップ６Ｂによりエッチングが施される。
【００１５】
ステップ６Ａと同６Ｂとの相違は、ユーザーの選択に依存する。
【００１６】
前記ステップを経た後、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）又は錫（Ｓｎ）がメッキをされ、溶接除け膜４がポリアミド基板３に適用される。ステップ８Ａ，８Ｂは、集積回路（ＩＣ）６がボス６１により本発明に係る配線に溶接されることを示している。
【００１７】
要約するに、本発明は次のステップを含む。すなわち、銅基板を用意すること、ドライフィルム又はフォトレジストの工程を適用して基板上に回路パターンを形成すること、銅基板の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、ドライフイルム又はフォトレジストを除去し、メッキされた銅基板を所望の性能に熱処理すること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板をエッチングすることである。
【００１８】
図４Ａ，４Ｂを参照して、本発明の有利な点は次のとおりである。すなわち、配線は、ポリアミド基板に形成されるが、銅基板への養生工程の後、配線が良好な延長性、電気伝導性および弾性の各特徴を備えるように、銅基板に形成される。その結果、配線の物理的な位相変化は銅基板によって支持され、製品歩留まりが向上する。
【００１９】
製造工程中、配線は銅基板に形成され、該銅基板は接着材層を有するポロアミド基板３に圧せられ、これにより配線は接着材層に埋められかつ保護される。
【００２０】
電子移動問題はない。ＣＯＦ構造において、銅基板とポリアミド基板との間に金属接着層がないので、胴を基板に付着する（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）前に、ポリアミド基板との接着力が大きいクロムのような付加された接着金属がポリアミド基板に適用される。しかし、エッチング処理中、前記付加された接着金属は容易に除去されない。本発明の方法によれば、電子移動問題は解決される。
【００２１】
細い配線が高剛性の銅基板１に形成され、該銅基板は接着材層３ａを有するポリアミド基板３に圧せられるため、金属の選択はもはや重要ではない。その結果、製造コストは小さい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】従来の３層の銅基板の構造を示す概略図。
【図１Ｂ】従来の３層の銅基板の構造を示す概略図。
【図２Ａ】従来の２層の銅基板の構造を示す概略図。
【図２Ｂ】従来の２層の銅基板の構造を示す概略図。
【図３】本発明の方法を示すフローチャート。
【図４Ａ】本発明に従って配線パターンを備えた基板の適用を示す概略図。
【図４Ｂ】本発明に従って配線パターンを備えた基板の適用を示す概略図。
【符号の説明】
【００２３】
１    銅基板
１ａ    フォトレジスト材料
２    銅−ニッケル層２
３    ポリアミド基板
３ａ    接着材層３ａ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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