(57)【要約】【課題】  製造コストの安い複合圧電材料の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法の発明であり、第１の実施の形態は、レーザ光により第１の樹脂型を形成する工程と、第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、金型により第２の樹脂型を形成する工程と、第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。また、本発明の第２の実施の形態は、レーザ光により樹脂型を形成する工程と、樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。レーザ光は、多段階位相回折型光学部品を用いて照射する態様が好ましい。【選択図】        図１
2005150384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法であって、
レーザ光により第１の樹脂型を形成する工程と、
前記第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、
前記金型により第２の樹脂型を形成する工程と、
前記第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする複合圧電材料の製造方法。
【請求項２】
圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法であって、
レーザ光により樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする複合圧電材料の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光は、多段階位相回折型光学部品を用いて照射することを特徴とする請求項１または２に記載の複合圧電材料の製造方法。
【請求項４】
圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法であって、
マイクロドリルにより第１の樹脂型を形成する工程と、
前記第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、
前記金型により第２の樹脂型を形成する工程と、
前記第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする複合圧電材料の製造方法。
【請求項５】
圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法であって、
マイクロドリルにより樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする複合圧電材料の製造方法。
【請求項６】
圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法であって、
放電加工により金型を形成する工程と、
前記金型により樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする複合圧電材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波診断または非破壊検査などに使用される複合圧電材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複合圧電材料は、たとえば、図７に示すように、圧電セラミックスからなる微細な柱状体であるロッド７１ａが、樹脂７１ｂ内に埋め込まれた構造を有する。ロッドの大きさは、柱状体を長手方向に垂直な平面で切断するときの断面の最大径（断面が円形の場合には、直径を指す。）は、典型的には２０μｍ〜５０μｍであり、長手方向の長さは、たとえば４０μｍ〜３５０μｍである。このようなロッド７１ａが、樹脂７１ｂ内に通常、５００個／ｍｍ２〜７００個／ｍｍ２配列している。複合圧電材料７１は、超音波診断装置などの受信用または発振用素子に用いられる。
【０００３】
複合圧電材料の製造方法の１例を図８に示す（特許文献１参照）。まず、図８（ａ）に示すように、導電性基板８１に、Ｘ線に感度のあるレジスト８２を塗布する。つぎに、たとえば、支持膜に窒化シリコンを用い、タングステンを吸収体パターンとするマスク８３を介して、シンクロトロン放射光（以下、「ＳＲ光」という。）を照射し、リソグラフィを行なう。その後、現像して、図８（ｂ）に示すようなレジスト構造体８４を得る。
【０００４】
つぎに、図８（ｃ）に示すように、レジスト構造体８４にニッケルメッキを施し、その後、レジスト構造体８４を除去し、金型８５を得る。つづいて、図８（ｄ）に示すように、金型８５を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型８６を形成する。基板として板状のレジストあるいはアクリル板を用い、その上にレジストを塗布し、ＳＲ光を用いてリソグラフィを行ない、現像し、同様の樹脂型を得ることもできる。
【０００５】
つぎに、金型８５を除き、図８（ｅ）に示すように、樹脂型８６にセラミックススラリ８７を充填し、乾燥させて固化させる。その後、樹脂型８６を熱により焼き飛ばし、セラミックスのみの構造としてから、焼成し、図８（ｆ）に示すような微細セラミックス構造体８８を得、最後に、樹脂８９を充填すると、図８（ｇ）に示すような複合圧電材料が得られる。
【０００６】
このような金型８５により樹脂モールドを行なう方法とは別に、レジスト８２の形成とＳＲ光によるリソグラフィ（図８（ａ））、現像による樹脂型８４の形成（図８（ｂ））後、樹脂型８４にセラミックススラリを充填し、乾燥、固化した後、樹脂型を除去し、焼成し、最後に、樹脂を充填する方法によっても、同様な複合圧電材料を得ることができる。
【特許文献１】特開平８−９７４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ＳＲ光を用いる上述の製造方法は、いずれもＳＲ光の照射コストが高いため、得られる複合圧電材料の製造コストが高い。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、圧電セラミックスを有する複合圧電材料の製造方法の発明であり、
第１の局面は、
レーザ光により第１の樹脂型を形成する工程と、
第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、
金型により第２の樹脂型を形成する工程と、
第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の局面は、
レーザ光により樹脂型を形成する工程と、
樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする。レーザ光は、多段階位相回折型光学部品を用いて照射する態様が好ましい。
【００１０】
本発明の第３の局面は、
マイクロドリルにより第１の樹脂型を形成する工程と、
第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、
金型により第２の樹脂型を形成する工程と、
第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の局面は、
マイクロドリルにより樹脂型を形成する工程と、
樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の局面は、
放電加工により金型を形成する工程と、
金型により樹脂型を形成する工程と、
樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程
とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、製造コストの安い複合圧電材料を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の複合圧電材料の製造方法に係る第１の実施の形態は、レーザ光により第１の樹脂型を形成する工程と、第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、金型により第２の樹脂型を形成する工程と、第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。ＳＲ光を使用するリソグラフィにより樹脂型を形成すると、ＳＲ光の照射コストが高いため、複合圧電材料の製造コストが高くなる。本発明の第１の実施の形態では、ＳＲ装置より安価なレーザ装置を使用して樹脂型を形成するため、複合圧電材料の製造コストを低減することができる。また、金型を形成し、金型を繰り返し使用することにより、第２の樹脂型の大量生産が可能なため、レーザのランニングコストを低減することができる。
【００１５】
本発明の製造方法の第１の実施の形態を、図１に示す。まず、図１（ａ）に示すように、導電性基板１１の上に樹脂層１２を形成する。導電性基板は、銅、ニッケル、ステンレス（ＳＵＳ）などからなる金属製の基板、または、チタン、クロムなどの金属をスパッタ蒸着したシリコン基板などである。樹脂層を形成する材料は、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などのポリメタクリル酸エステルなどである。樹脂層の厚さは、形成する圧電性の柱状体の高さを考慮して、たとえば１０μｍ〜５００μｍとする。
【００１６】
つぎに、図１（ｂ）に示すように、樹脂層１２にレーザ光Ｌを照射し、第１の樹脂型１２ａを形成する。導電性基板１１と樹脂層１２とのアブレーションにおける閾値の相違を利用して、樹脂層１２のみを加熱し、蒸散させて、第２の樹脂型１２ａを形成することができる。たとえば、導電性基板１１と樹脂層１２のそれぞれの閾値の中間の値にレーザ光を設定し、導電性基板に影響を与えることなく、樹脂層のみを蒸散させることができる。
【００１７】
レーザは、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたはエキシマレーザなどを使用することができるが、高出力化が容易であり、小径、高速、高精度の穴開けが可能な点で、炭酸ガスレーザが好適である。レーザ光照射機構の例を図６に示す。図６に示す例では、入射するレーザ光Ｌは、多段階位相回折型光学部品（ Multilevel Phase Diffractive Optical Elements ）（以下、「ＤＯＥ」という。）６３により複数のビームに分岐され、テレセントリックレンズ６４により集光されて、基板６１上の樹脂層６２に照射される。
【００１８】
ＤＯＥは、ＺｎＳｅなどからなる光学部品であり、表面にμｍオーダの微細な凹凸パターンを有し、入射する光の位相を変えることにより、ビームの分岐、形状の変換、強度の均一化などの機能を発揮する。ＤＯＥを使用することにより、基板上の樹脂層の目標とする位置に、同時に多点照射が可能となり、レーザの加工コストを低減できる。
【００１９】
つづいて、図１（ｃ）に示すように、第１の樹脂型１２ａ上に、金属材料からなる層をメッキして金型１３を形成する。導電性基板１１をめっき電極として容易に金属層を堆積することができる。金属材料は、たとえば、ニッケル、銅、金およびそれらの合金などである。つぎに、ウェットエッチングなどにより基板１１を除去し、ウェットエッチングまたはプラズマエッチングにより第１の樹脂型１２ａを除去し、図１（ｄ）に示すような金型１３を得る。金型１３には、第１の樹脂型１２ａの形状が転写されている。
【００２０】
つづいて、図１（ｅ）に示すように、金型１３を用いて、モールドにより第２の樹脂型１４を形成する。たとえば、金型１３を用いて、プレスまたは射出成形などを行ない、第２の樹脂型１４を形成する。または、シロップ状の樹脂液を注入した後、硬化し、第２の樹脂型１４を形成する。これらのモールドは、樹脂型の大量生産が容易である点で、プレスまたは射出成形による態様が好ましい。樹脂には、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオキシメチレンなどのポリアセタール樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ、シロップ状アクリルなどの熱硬化性樹脂などを用いる。第２の樹脂型１４の形成後、金型１３を切り離す。
【００２１】
金型１３を除去した後、図１（ｆ）に示すように、第２の樹脂型１４に、セラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体１５を形成する。セラミックスは、圧電セラミックスが好ましい。圧電セラミックスとは、圧電効果を示すセラミックス材料を指す。圧電セラミックスには、たとえば、チタン酸バリウムまたはジルコン酸鉛−チタン酸鉛系固溶体などの灰チタン石型構造の結晶が含まれ、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）およびチタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）などのチタン酸ジルコン酸塩が好ましく用いられる。さらに、圧電セラミックスとして、チタン酸鉛などを用いることもできる。また、圧電セラミックス以外のセラミックスを使用してもよい。セラミックスのスラリ中の含量は、典型的には２５体積％〜５７体積％であり、水などの溶媒の含量は、典型的には４０体積％〜４５体積％である。また、ポリビニルアルコールなどのバインダを３体積％〜３０体積％配合する態様が好ましい。
【００２２】
つぎに、第２の樹脂型１４を除去し、焼成すると、図１（ｇ）に示すような微細圧電セラミックス構造体１５が得られる。樹脂型の除去は、熱分解により行なうことができるが、溶融した樹脂の高粘度融液により、微細構造体の突起が倒されないようにするために、樹脂を溶融状態にすることなく、気化もしくは昇華させるか、または適当な溶剤に溶解させることにより除去する態様が好ましい。たとえば、酸素プラズマなどのプラズマによりエッチングし、樹脂型を除去することができる。
【００２３】
焼成後、微細圧電セラミックス構造体１５に樹脂１６を含浸し、硬化した後、表面を研磨すると、図１（ｈ）に示すような複合圧電材料が得られる。樹脂材料には、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビニリデンと三フッ化ビニリデンの共重合体またはフッ化ビニリデン樹脂などの圧電性高分子材料のほか、エポキシ樹脂などを使用することができるが、圧電セラミックスの焼結体と圧電性高分子とを組合せることにより、エポキシ樹脂を含浸させた複合圧電材料より、超音波受信感度がより高いものを得ることができる。
【００２４】
本発明の複合圧電材料の製造方法に係る第２の実施の形態は、レーザ光により樹脂型を形成する工程と、樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。高価なＳＲ光照射装置を使用することなく、レーザ加工により樹脂型を形成するため、安価な複合圧電材料を提供することができる。
【００２５】
本発明の製造方法の第２の実施の形態を、図２に示す。まず、図２（ａ）に示すように、樹脂層にレーザ光Ｌを照射し、樹脂型２４を形成する。樹脂には、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオキシメチレンなどのポリアセタール樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシなどの熱硬化性樹脂などを用いる。レーザ、レーザ光照射機構およびＤＯＥは、第１の実施の形態と同様である。
【００２６】
つぎに、図２（ｂ）に示すように、樹脂型２４に、セラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体２５を形成する。その後、樹脂型２４を除去し、焼成すると、図２（ｃ）に示すような微細圧電セラミックス構造体２５が得られる。焼成後、微細圧電セラミックス構造体２５に樹脂２６を含浸し、硬化することにより、図２（ｄ）に示すような複合圧電材料が得られる。セラミックススラリ、樹脂型の除去方法および樹脂材料などは、第１の実施の形態と同様である。
【００２７】
本発明の複合圧電材料の製造方法に係る第３の実施の形態は、マイクロドリルにより第１の樹脂型を形成する工程と、第１の樹脂型に金属材料からなる層をメッキして金型を形成する工程と、金型により第２の樹脂型を形成する工程と、第２の樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。高価なＳＲ光照射装置またはレーザ光照射装置を使用することなく、マイクロドリルにより樹脂型を形成するため、複合圧電材料の製造コストを低減することができる。また、金型を繰り返し使用して、モールドにより第２の樹脂型を大量生産できるから、加工コストを低減することができる。
【００２８】
本発明の製造方法の第３の実施の形態においては、図３（ａ）に示すように、導電性基板３１上に樹脂層３２を形成した後、図３（ｂ）に示すように、マイクロドリル３３により樹脂層３２に穴を開けて、第１の樹脂型３２ａを形成する。マイクロドリルとしては、たとえば、刃径１０μｍ以上、刃長２０μｍ以上のドリル（大和精工製の超硬マイクロドリルＳＣＭＭＲなど）を使用する。導電性基板および樹脂層については、第１の実施の形態と同様である。また、金型の形成以降の各工程も、第１の実施の形態と同様である。
【００２９】
本発明の複合圧電材料の製造方法に係る第４の実施の形態は、マイクロドリルにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。高価なＳＲ光照射装置またはレーザ光照射装置を使用することなく、マイクロドリルにより樹脂型を製作するため、安価な複合圧電材料を提供することができる。
【００３０】
本発明の製造方法の第４の実施の形態においては、図４に示すように、マイクロドリル４３により樹脂層に穴を開けて、樹脂型４４を形成する。マイクロドリルについては、第３の実施の形態と同様である。また、樹脂層および樹脂型形成後の各工程は、第２の実施の形態と同様である。
【００３１】
本発明の複合圧電材料の製造方法に係る第５の実施の形態は、放電加工により金型を形成する工程と、金型を用いて、モールドにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程とを備えることを特徴とする。放電加工により金型を形成するため、レーザ加工またはマイクロドリルによる加工に比べて、加工精度が高く、より微細な加工にも適している。また、金型を繰り返し使用して、モールドにより樹脂型を大量生産できるから、加工コストを低減することができる。
【００３２】
本発明の製造方法の第５の実施の形態においては、図５に示すように、電極５３を用いて、ニッケルなどからなる金属層を放電加工し、金型５４を形成する。金型形成後の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００３３】
実施例１
本実施例では、まず、図１（ａ）に示すように、ＳＵＳ製の導電性基板１１の上に、アクリルシロップを塗布し、硬化させて、厚さ３００μｍの樹脂層（アクリル板）１２を形成した。つぎに、図１（ｂ）に示すように、樹脂層１２に波長３５５ｎｍのＵＶ-ＹＡＧレーザ光Ｌを照射し、直径４０μｍ、深さ３００μｍで、横断面が円形の穴を有する第１の樹脂型１２ａを形成した。導電性基板１１は、スライドステージ上に設置し、レーザ加工が終わる度に、基板をスライドさせ、８０μｍピッチで、４００００個（２００個×２００個）の穴を形成した。
【００３４】
つづいて、図１（ｃ）に示すように、第１の樹脂型１２ａ上に、ニッケル層をメッキして金型１３を形成した。つぎに、ウェットエッチングにより基板１１を除去し、プラズマエッチングにより第１の樹脂型１２ａを除去し、図１（ｄ）に示すような金型１３を得た。金型形成後、図１（ｅ）に示すように、金型１３に、アクリルシロップを注入し、硬化して、第２の樹脂型１４を形成し、金型１３を切り離すと、直径４０μｍ、深さ３００μｍ、ピッチ８０μｍの穴が形成された第２の樹脂型１４が得られた。樹脂型の形成後、図１（ｆ）に示すように、第２の樹脂型１４に、ＰＺＴスラリを充填した。ＰＺＴスラリは、ＰＺＴをスラリ中に４０体積％配合し、バインダとしてポリビニルアルコールを配合した。
【００３５】
つぎに、酸素プラズマにより、第２の樹脂型１４を除去し、焼成し、図１（ｇ）に示すような微細圧電セラミックス構造体１５を得た。得られた微細圧電セラミックス構造体１５にエポキシ樹脂１６を含浸し、硬化してから、表面を研磨すると、図１（ｈ）に示すような複合圧電材料が得られた。この複合圧電材料は、直径４０μｍ、高さ２５０μｍの円柱状の突起を４００００個有していた。
【００３６】
実施例２
本実施では、まず、図２（ａ）に示すように、アクリル板に炭酸ガスレーザ光Ｌ（波長１０.６μｍ）を照射し、直径４０μｍ、深さ３００μｍで、断面が円形の穴を４００００個（２００個×２００個）有する樹脂型２４を形成した。レーザ光照射機構を図６に示す。入射する炭酸ガスレーザ光Ｌは、ＤＯＥ６３により分岐され、テレセントリックレンズ６４により集光されて、基板６１上の樹脂層６２に、同時に多点照射した。つづいて、図２(ｂ）に示すように、樹脂型２４に、セラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体２５を形成した。その後、樹脂型２４を除去し、焼成すると、図２（ｃ）に示すような微細圧電セラミックス構造体２５が得られた。焼成後、微細圧電セラミックス構造体２５に樹脂２６を含浸し、硬化した後、表面を研磨すると、図２（ｄ）に示すような複合圧電材料が得られた。セラミックススラリ、樹脂型の除去方法および樹脂材料は、実施例１と同様とした。得られた複合圧電材料は、直径４０μｍ、高さ２５０μｍの円柱状の突起を４００００個有していた。
【００３７】
実施例３
本実施例では、まず、図３（ａ）に示すように、ＳＵＳ製の導電性基板３１上にアクリルシロップを塗布し、乾燥して、厚さ３００μｍの樹脂層３２を形成した。つぎに、図３（ｂ）に示すように、刃径５０μｍ、刃長５００μｍのマイクロドリル３３（大和精工製の超硬マイクロドリルＳＣＭＭＲ９０００５）により樹脂層３２に穴を開けて、第１の樹脂型３２ａを形成した。第１の樹脂型３２ａに開けられた穴は、直径５０μｍ、深さ３００μｍ、ピッチ１００μｍであり、４００００個（２００個×２００個）形成した。その後の金型形成工程と、第２の樹脂型の形成工程と、微細圧電セラミックス構造体の形成工程などの各工程は、実施例１と同様にして複合圧電材料を形成した。得られた複合圧電材料は、直径５０μｍ、高さ２５０μｍ、ピッチ１００μｍの円柱状の突起を４００００個（２００個×２００個）有していた。
【００３８】
実施例４
本実施例では、図４に示すように、マイクロドリル４３によりアクリル板に穴を開け、樹脂型４４を形成した。マイクロドリルの仕様および穴の形状は実施例３と同様とした。また、レーザ光の代わりにマイクロドリルを使用して樹脂型を形成した以外は実施例２と同様にして複合圧電材料を製造した。得られた複合圧電材料は、直径５０μｍ、高さ２５０μｍ、ピッチ１００μｍの円柱状の突起を４００００個（２００個×２００個）有していた。
【００３９】
実施例５
本実施例では、ニッケル製の板状体に放電加工を行ない、直径５０μｍ、深さ３００μｍ、ピッチ１００μｍで、横断面が円形の穴を４００００個（２００個×２００個）開けて、図５に示すような金型５４を形成した。形成した金型を用いて、モールドにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型にセラミックススラリを充填して微細圧電セラミックス構造体を形成する工程など、金型形成後の各工程は実施例１と同様にして複合圧電材料を製造した。得られた複合圧電材料は、直径５０μｍ、高さ２５０μｍ、ピッチ１００μｍの円柱状の突起を４００００個（２００個×２００個）有していた。
【００４０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によれば、超音波診断または非破壊検査などに使用される圧電素子を安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の製造方法の第１の実施の形態を示す工程図である。
【図２】本発明の製造方法の第２の実施の形態を示す工程図である。
【図３】本発明の製造方法の第３の実施の形態を示す工程図である。
【図４】本発明の製造方法の第４の実施の形態における樹脂型形成工程を示す図である。
【図５】本発明の製造方法の第５の実施の形態における金型形成工程を示す図である。
【図６】本発明において使用するレーザ光照射機構を示す模式図である。
【図７】本発明の複合圧電材料の構造を示す模式図である。
【図８】従来の複合圧電材料の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４３】
１１  導電性基板、１２  樹脂層、１２ａ  第１の樹脂型、１３  金型、１４  第２の樹脂型、１５  微細圧電セラミックス構造体、１６  樹脂、６３  ＤＯＥ、６４  テレセントリックレンズ、Ｌ  レーザ光。
【図１】
2005150384.tif 000003
【図２】
2005150384.tif 000004
【図３】
2005150384.tif 000005
【図４】
2005150384.tif 000006
【図５】
2005150384.tif 000007
【図６】
2005150384.tif 000008
【図７】
2005150384.tif 000009
【図８】
2005150384.tif 000010