(57)【要約】   【課題】  本発明は、オゾンガスと水等の蒸気を効率的に混合し、オゾンアッシング法の剥離速度を上げるための技術を提供する。  【解決手段】  半導体基板上に形成されたレジストにオゾンガスを接触させてレジストを除去するレジスト除去装置１であって、オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、ミスト化した所定の液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する混合室１０と、気液混合ガスを半導体基板のレジストに吹き付けてレジストを除去する処理室２０と、混合室１０で生成された気液混合ガスを処理室２０に導くためのダクト３０と、を有しており、混合室１０は、所定の液体を、加圧されたオゾンガスと共に混合室１０内に噴射する噴霧ノズル１８を有している。  【選択図】  図１
2005150460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去装置であって、
オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、このミスト化した液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する第１処理室と、
前記気液混合ガスを前記半導体基板上のレジストに接触させることにより当該レジストを除去する第２処理室と、
前記第１処理室で生成された前記気液混合ガスを前記第２処理室に導くためのダクトと、を有しており、
前記第１処理室は、前記所定の液体を、加圧された前記オゾンガスと共に前記第１処理室内に噴射する噴射機構を有する、
レジスト除去装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去装置であって、
オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、このミスト化した液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する第１処理室と、
前記気液混合ガスを前記半導体基板上のレジストに接触させることにより当該レジストを除去する第２処理室と、
前記第１処理室で生成された前記気液混合ガスを前記第２処理室に導くためのダクトと、を有しており、
前記第１処理室は、前記オゾンガスを加圧して前記第１処理室内に送り込むための注入機構と、前記所定の液体を前記第１処理室内に噴射する噴射機構と、を有しており、前記注入機構によって前記第１処理室に送り込まれた前記オゾンガスおよび前記噴射機構によって前記第１処理室内に噴射された前記所定の液体が渦巻状に旋回して混合されるサイクロン構造を有する、
レジスト除去装置。
【請求項３】
前記所定の液体が、水、フッ化水素酸、酢酸、有機アミン系レジスト剥離液、炭酸エチレンのいずれかである、
請求項１または２記載のレジスト除去装置。
【請求項４】
前記レジスト除去装置は、前記ダクト内を通過する前記気液混合ガスを加熱するための熱源を有する、
請求項１ないし３のいずれかの項記載のレジスト除去装置。
【請求項５】
前記第２処理室は、処理対象となる前記半導体基板を保持するための基板保持機構を有しており、
この基板保持機構は、前記半導体基板を保持した状態で所定の速度で回転可能に構成されている、
請求項１ないし４のいずれかの項記載のレジスト除去装置。
【請求項６】
前記第２処理室は、前記基板保持機構において保持されている半導体基板の表面に所定の温度の水または空気を噴射する噴射機構を有する、
請求項１ないし５のいずれかの項記載のレジスト除去装置。
【請求項７】
前記第２処理室は、前記基板保持機構に保持されている半導体基板を所定の温度に加熱するための熱源を有する、
請求項１ないし６のいずれかの項記載のレジスト除去装置。
【請求項８】
前記ダクトまたは前記第１処理室の所定の位置に、ミストトラップが設けられている、
請求項１ないし７のいずれかの項記載のレジスト除去装置。
【請求項９】
半導体基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去方法において、
オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、このミスト化した液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する第１工程と、
生成された前記気液混合ガスを前記半導体基板上のレジストに接触させることにより当該レジストを除去する第２工程と、を含む、
レジスト除去方法。
【請求項１０】
前記第１工程において、前記所定の液体を、加圧された前記オゾンガスと共に、噴射機構から第１処理室内に噴射することによってミスト化する、
請求項９記載のレジスト除去方法。
【請求項１１】
前記第１工程において、前記オゾンガスを注入機構によって前記第１処理室内に送り込むとともに、前記所定の液体を噴射機構によって前記第１処理室内に送り込み、前記第１処理室に送り込まれたオゾンガスおよび前記第１処理室に送り込まれた前記所定の液体を渦巻状に旋回して混合する、
請求項９記載のレジスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の表面に形成されたレジスト、例えば膜状物質であるレジストを、ガスを接触させることによって除去する装置および除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するには、半導体基板に所定の回路を焼き付け、エッチングを行うことが必要である。回路の焼き付けは、半導体基板にその回路の素材となる酸化シリコン等の層を形成し、半導体基板の表面に感光剤を含んだ物質（以下、「レジスト」という。）を塗布した後、回路パターンの原版となるマスクを使用してこのレジストを露光することにより行われる。そして、このようにして所定の回路が焼き付けられた半導体基板上に塗布されているレジストの露光された部分を薬液で溶かして現像し、この溶かした部分の下層を腐食する（エッチングする）ことによって、回路が作られる。すなわち、現像の際、溶けずに残ったレジストの下層はエッチング工程で腐食されずに残り、この部分が回路となる。
このように、溶けずに残ったレジストは、エッチングの際に被膜としての重要な役割を有する。このレジストは、エッチングが終了すれば、その目的を果たし、本来、半導体基板の表面から除去されるべきものとなる。
【０００３】
半導体基板からのレジストの除去は、例えば、アッシング（灰化）と呼ばれる処理によって行われる。このアッシングの方式の一つに、オゾンアッシング法がある。
このオゾンアッシング法は、所定の温度に制御された密閉空間内に、処理対象となる半導体基板を固定し、この半導体基板のレジストを含んだ表面に加熱されたオゾンガスを吹き付けて接触させる方法である。すなわち、半導体基板に吹き付けられたオゾンガスは、半導体基板の有する熱により分解されて反応性の高い酸素ラジカルとなる。レジストは、通常、各種の炭化水素類で構成されているため、このレジストと酸素ラジカルとを反応させると、二酸化炭素、水、酸素に分解されて気体となり、半導体基板から剥離することとなる。
【０００４】
このオゾンアッシング法で使用されるオゾンは、レジストとの反応により分解されて酸素になるため、半導体基板に残留することがなく、環境に優しいという利点を有する。しかし、その一方で、レジストを半導体基板から剥離させる剥離速度が遅いという不都合がある。このことから、オゾンアッシング法の剥離速度を上げるための技術が望まれている。
このような技術として、特公平７−７９１００号公報に示すように、オゾンガスと、水を所定の温度に加熱することで発生する水蒸気とを混合させることによってオゾンの分解速度を速め、レジストの剥離速度を上げることができることが知られている。
すなわち、オゾンガスと水蒸気とを混合させた混合ガスによってアッシング処理を行うと、この水蒸気の存在により、オゾン分子の分解が連鎖的に発生するため、オゾンガスのみを用いた場合よりもオゾンの分解速度を速めることができる。つまり、単にオゾンガスを用いた場合と比べてアッシング処理に必要な酸素ラジカルを短時間でより多く発生させることができる。
【特許文献１】特公平７−７９１００号公報
【０００５】
このように、オゾンガスに水蒸気を混合する場合、両者の混合率は、オゾンガスの分解速度に大きく影響する。すなわち、両者の混合率が高ければ高いほど、オゾンガスの分解速度を上げることができ、レジストの剥離速度を上げることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、オゾンガスと水等の蒸気を効率的に混合し、オゾンアッシング法の剥離速度を上げるための技術を提供することを、その課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去装置であって、オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、このミスト化した液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する第１処理室と、前記気液混合ガスを前記半導体基板上のレジストに接触させることにより当該レジストを除去する第２処理室と、前記第１処理室で生成された前記気液混合ガスを前記第２処理室に導くためのダクトと、を有しており、前記第１処理室は、前記所定の液体を、加圧された前記オゾンガスと共に前記第１処理室内に噴射する噴射機構を有する、レジスト除去装置を提供する。
【０００８】
このレジスト除去装置は、気液混合ガスを生成する第１処理室において、オゾンガスと所定の液体とを共に噴射する噴射機構を有している。この噴射機構によって噴射された液体は、その粒子が非常に小さくなり、オゾンガスとの混合度が高められた気液混合ガスが生成される。このため、オゾンガスと効率よく混合することができ、混合率の高い気液混合ガスを生成することができる。
ここで、気液混合ガスは、薬液の蒸気を大量に含んでおり、酸素ラジカルを大量に発生させるので、効率的にアッシングを行うことができる。
このような気液混合ガスを使用してアッシングすることによって、レジストの剥離速度を上げることができる。
【０００９】
本発明は、また、半導体基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去装置であって、オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、このミスト化した液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する第１処理室と、前記気液混合ガスを前記半導体基板上のレジストに接触させることにより当該レジストを除去する第２処理室と、前記第１処理室で生成された前記気液混合ガスを前記第２処理室に導くためのダクトと、を有しており、前記第１処理室は、前記オゾンガスを加圧して前記第１処理室内に送り込むための注入機構と、前記所定の液体を前記第１処理室内に噴射する噴射機構と、を有しており、前記注入機構によって前記第１処理室に送り込まれた前記オゾンガスおよび前記噴射機構によって前記第１処理室内に噴射された前記所定の液体が渦巻状に旋回して混合されるサイクロン構造を有する、レジスト除去装置を提供する。
【００１０】
このレジスト除去装置は、前記第１処理室に送り込まれた前記オゾンガスおよび前記所定の液体が、渦巻状に旋回して混合されるようになっているので、オゾンガスと効率よく混合することができ、混合率の高い気液混合ガスを生成することができる。
このような気液混合ガスを使用してアッシングすることによって、レジストの剥離速度を上げることができる。
【００１１】
前記所定の液体は、水、フッ化水素酸、酢酸、有機アミン系レジスト剥離液または炭酸エチレンとすることができる。
【００１２】
前記レジスト除去装置は、前記ダクト内を通過する前記気液混合ガスを加熱するための熱源を有していてもよい。
アッシング処理は、一般的に室温に比して高い温度で行うと効率的に処理することができる。このため、ダクト内を通過する前記気液混合ガスを加熱することによって、半導体基板に吹き付ける気液混合ガスを加熱すれば、アッシング処理を効率的に行うことができ、レジストの剥離速度を上げることができる。
【００１３】
前記第２処理室は、処理対象となる前記半導体基板を保持するための基板保持機構を有しており、この基板保持機構は、前記半導体基板を保持した状態で所定の速度で回転可能となっていてもよい。このようにすれば、気液混合ガスが半導体基板Ａの表面に均一に吹き付けられるようになり、アッシング処理が均一に行われるようになる。
【００１４】
前記第２処理室は、前記基板保持機構に保持されている半導体基板の表面に所定の温度の水または空気を噴射する噴射機構を有しているものであってもよい。このような噴射機構を有するレジスト除去装置では、半導体基板のアッシング処理が終わった後、半導体基板の表面に所定の温度の水または空気を噴射すれば、半導体基板をリンスし乾燥させることができる。
【００１５】
前記第２処理室は、前記基板保持機構に保持されている半導体基板を所定の温度に加熱するための熱源を有していてもよい。
上述のように、アッシング処理は、一般的に室温に比して高い温度で行うと効率的に処理することができる。このため、半導体基板を熱源、例えばヒータで加熱することによってアッシングを効率的に行うことができる。
【００１６】
前記ダクトまたは前記第１処理室の所定の位置に、ミストトラップが設けられていてもよい。ミストトラップをダクトまたは第一処理室に設けると、余剰な気液混合ガスを遮断することができ、遮断した気液混合ガスに含まれる所定の液体を再利用することができるため、消費する所定の液体の量を低減することができる。
【００１７】
本発明は、さらに、レジスト除去方法を提供する。
本発明のレジスト除去方法は、半導体基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去方法において、オゾンガスの分解を助勢する所定の液体をミスト化し、このミスト化した液体とオゾンガスとを混合して気液混合ガスを生成する第１工程と、生成された前記気液混合ガスを前記半導体基板上のレジストに接触させることにより当該レジストを除去する第２工程と、を含む、レジスト除去方法である。
【００１８】
前記第１工程において、前記所定の液体を、加圧された前記オゾンガスと共に、噴射機構から第１処理室内に噴射することによってミスト化するようにしてもよい。
【００１９】
また、前記第１工程において、前記オゾンガスを、注入機構によって前記第１処理室内に送り込むとともに、前記所定の液体を噴射機構によって前記第１処理室内に送り込み、前記第１処理室に送り込まれた前記オゾンガスおよび前記第１処理室に送り込まれた前記所定の液体を渦巻状に旋回して混合するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、オゾンガスと、水または薬液の蒸気とを効率的に混合することができるため、レジストの剥離速度を上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
＜第１実施形態＞
本実施形態のレジスト除去装置の構成図を図１に示す。
図示のレジスト除去装置１は、オゾンガスと薬液とを混合するための混合室１０と、この混合室１０でオゾンガスと薬液との混合により生成された気液混合ガスを用いて半導体基板のアッシング処理を行う処理室２０と、混合室１０から処理室２０に気液混合ガスを送り出すダクト３０と、を含んで構成される。
なお、本実施形態では、薬液として、フッ化水素酸を用いるものとする。
【００２２】
まず、混合室１０について、具体的に説明する。
混合室１０は、所定形状の室、本例では内部が空洞とされた円柱形状のものであり、その側面部には、その先端が混合室１０の内側を臨む噴霧ノズル１８と、この噴霧ノズル１８の上方の送気口１９とが設けられている。
噴霧ノズル１８は、薬液とオゾンガスとを共に噴霧して、気液混合ガスを生成する二流体ノズルである。この噴霧ノズル１８は、オゾンガスを生成し、混合室１０内に供給するためのオゾンガス生成部１４と接続されている。
オゾンガス生成部１４は、混合室１０の外側に位置し、オゾンガスを生成するオゾンガス生成装置１５と、このオゾンガス生成装置１５で生成されたオゾンガスを所定の圧力に加圧するための図示しない圧力制御部と、オゾンガスを噴霧ノズル１８に導くための管体１６と、を有している。
また、噴霧ノズル１８は、混合室１０の底面近くから鉛直方向に伸びた管体１７とも接続されている。
送気口１９は、混合室１０内で生成した気液混合ガスを混合室１０から処理室２０に導くためのダクト３０に接続されている。
混合室１０内には、送気口１９を囲むようにして、図示しないミストトラップが設けられている。なお、このミストトラップは、ダクト３０の所定の位置に設けられていてもよい。
なお、オゾンガス生成部１４は、図示しないオゾンガス生成制御部により制御されている。
【００２３】
混合室１０は、その底面が、薬液を混合室１０内に供給するための薬液供給部１１と接続されている。この薬液供給部１１は、薬液を保持する薬液保持室１２と、この薬液保持室１２の薬液を混合室１０内に導くための管体１３と、を有している。本実施形態では、この薬液供給部は、図示しない薬液供給制御部を有している。この薬液供給制御部は、混合室１０内の底部に溜められた薬液の量を監視し、混合室１０内の薬液の量が所定の量以下となった場合に薬液保持室１２から自動的に混合室１０内に薬液を供給するようになっており、混合室１０の底面には、管体１７の開放端の位置よりも高い位置まで薬液が溜め置かれている状態となっている。
【００２４】
次に、処理室２０について、説明する。
この処理室２０は、底部を有する略円筒形状となっており、開口している上端の挿入口２１から、処理対象となる半導体基板Ａの出し入れを行えるようになっている。処理室２０の内部には、半導体基板Ａを保持するための回転保持部２２が設けられている。この回転保持部２２は、図示しない回転保持制御手段によって、半導体基板Ａを保持した状態で、それを所定の速度で回転させることができるように構成されている。
また、この処理室２０は、挿入口２１を塞ぐための上下に移動可能な天蓋２３を有しており、天蓋２３が上下に移動することによって挿入口２１が開閉可能に構成されている。すなわち、天蓋２３の初期位置は、上昇させた位置となっており、挿入口２１が形成されるが、基板処理装置１の稼働時には、下降させた位置に移動するようになっている。この天蓋２３の上下移動は、回転保持制御手段によって制御される。
天蓋２３は、回転保持部２２に保持された半導体基板Ａの表面と向かい合う位置に開口孔２３Ａを有しており、この開口孔２３Ａは、ダクト３０と連結されている。すなわち、開口孔２３Ａを通じて、回転保持部２２に保持された半導体基板Ａの表面に気液混合ガスを吹き付けることができるようになっている。
処理室２０の底面には、処理室２０内でのアッシング処理によって生じる排気、廃液を受け止めるためのタンク部２４が設けられている。このタンク部２４は、排気、廃液を収容するためのタンク２５と、この排気、廃液を処理室２０からタンク２５に導くための管体２６と、タンク２５に溜まった排気を回収する排気回収部２７と、廃液を回収する廃液回収部２８と、を有している。
また、この処理室２０には、図示しないヒータが設けられており、回転保持部２２に保持されている半導体基板Ａを所定の温度に加熱することができるようになっている。
また、この処理室２０は、図示しない噴射機構を有しており、アッシング終了後、回転保持部２２に保持されている半導体基板Ａの表面に、水、空気を噴射することができるようになっている。この噴射機構は、図示しない噴射機構制御手段によって制御される。
【００２５】
ダクト３０は、混合室１０で生成される気液混合ガスを処理室２０に送り出すためのものである。このダクト３０の形状は、これに限られないが、本実施形態では、円筒形のパイプとされている。このダクト３０は、上述したように、混合室１０の送気口１９と処理室２０の開口孔２３Ａと連通されている。
本実施形態では、このダクト３０を外側から加熱する熱源３１を設けている。そして、この熱源３１によってダクト３０を外部から加熱することで、ダクト３０を通過する気液混合ガスを加熱できるようにしている。
【００２６】
［レジスト除去の手順］
次に、本実施形態のレジスト除去装置１による、レジスト除去の手順を説明する。レジスト除去装置１によって、半導体基板の表面のレジストを除去するにあたっては、処理対象となる半導体基板Ａを図示しない搬送手段によって処理室２０の上側の挿入口２１から処理室２０内に挿入する。そして、レジストを有する側の面が天蓋２３側になるようにして、図１のように、回転保持部２２に固定する。
【００２７】
回転保持部２２への半導体基板Ａの保持が完了したら、回転保持制御部は、天蓋２３を下降させ、処理室２０を密閉状態にする。また、オゾンガス生成制御部は、オゾンガスの生成を開始する。これにより、混合室１０内で気液混合ガスが生成されることとなる。
【００２８】
混合室１０において、気液混合ガスは、以下のようにして生成される。
すなわち、オゾンガス生成装置１５によって生成されたオゾンガスは、管体１６から所定の圧力で噴霧ノズル１８に導かれ、噴霧ノズル１８からオゾンガスが噴霧される。このようにすると、混合室１０の底部に溜まっている薬液が管体１７によって吸い上げられ噴霧ノズル１８に導かれ、オゾンガスと共に噴霧ノズル１８から噴霧される。これにより、薬液の粒子は非常に小さくなり、オゾンガスとの混合度が高められた気液混合ガスが生成される。
【００２９】
本実施形態のレジスト除去装置１では、このようにして気液混合ガスを生成することとしたので、密閉容器中で、オゾンガスを、水または薬液を加熱して発生させた水蒸気と混合させて気液混合ガスを生成する場合よりも効率的に気液混合を図ることができる。
【００３０】
以上のように生成された気液混合ガスは、送気口１９からダクト３０を通過して処理室２０に導かれる。このとき、本実施形態では、熱源３１によってダクト３０が所定の温度で加熱されるようになっているため、該ダクト３０を通過して処理室２０に導かれる気液混合ガスは、所定の温度に加熱される。
アッシング処理は、一般的に室温に比して高い温度で行うと効率的に処理することができるため、このようにして加熱された気液混合ガスを用いれば、アッシング処理を効率的に行うことができる。
【００３１】
なお、混合室１０内の気液混合ガスのうち、余剰のものは、混合室１０内のミストトラップまたはダクト３０内のミストトラップによって除去される。このように除去された気液混合ガスに含まれる薬液は、再び混合室１０の底部に溜まるため、これを再度使用することができる。すなわち、消費する薬液の量を低減することができ、ランニングコストを抑えることができる。
【００３２】
ダクト３０を通じて導かれた気液混合ガスは、開口孔２３Ａを通じて処理室２０に導かれ、回転保持部２２に保持された半導体基板Ａの表面に吹き付けられ、アッシング処理が行われる。
すなわち、半導体基板Ａに吹き付けられた気液混合ガスに含まれる酸素ラジカルが半導体基板Ａの表面のレジストと反応し、レジストは、二酸化炭素、水、酸素に分解されて気体となって半導体基板Ａから剥離する。
ここで、本実施形態の気液混合ガスは、薬液の蒸気を大量に含んでおり、酸素ラジカルを大量に発生させるので、効率的にアッシングを行うことができる。
【００３３】
なお、処理室２０では、熱源の一例であるヒータによって、半導体基板Ａが所定の温度に加熱されている。上述のように、アッシング処理は、室温に比して高い温度で行うと効率的に処理することができるため、半導体基板Ａを加熱することによって、アッシングを効率的に行うことができる。
【００３４】
また、回転保持制御部は、所定の速度で回転保持部２２を回転させるようになっており、その結果、半導体基板Ａが回転するため、気液混合ガスが半導体基板Ａの表面に均一に吹き付けられるようになり、アッシング処理が均一に行われるようになる。
【００３５】
以上のアッシング処理が終了すると、図示しない噴射機構によって、回転保持部２２に保持されている半導体基板Ａに向けて、所定温度の水、空気がこの順に噴射されるようになっている。これにより、半導体基板Ａをリンスした後、乾燥させることができる。
【００３６】
本実施形態のレジスト除去装置１は、以上のようなものとして構成したが、混合室１０において、オゾンガスが供給された室内に、薬液をスプレー状に噴射させて気液混合を図るようにされていれば、混合室１０および処理室２０はどのような構造のものであってもよい。すなわち、気液混合ガスを加熱するための熱源、半導体基板Ａを加熱するための熱源（ヒータ）等を有さないものとして構成してもよいし、半導体基板Ａを回転させないように構成することもできる。
【００３７】
また、本実施形態では、薬液としてフッ化水素酸を用いるものとして説明したが、酢酸、有機アミン系レジスト剥離液または炭酸エチレンを薬液として用いてもよい。また、水を用いてもよい。
【００３８】
＜第２実施形態＞
本実施形態のレジスト除去装置は、上述の実施形態のレジスト除去装置１と処理室の構成を共通にするが、混合室の構成において異なるものである。
以下、本実施形態の混合室４０について、説明する。
【００３９】
図２は、本実施形態のレジスト除去装置２の混合室４０と、ダクト５０の一部の構成を示す図である。
図２に示すように、本実施形態の混合室４０は、内部が空洞とされた逆円錐形状のものである。この混合室４０において、薬液供給部４１は、第１実施形態と異なり、混合室４０の底部ではなく、上方の側面に設けられている。
この薬液供給部４１は、図示しない圧力制御部のほか、薬液保持室４２と、管体４３と、を有しており、薬液保持室４２の薬液を、管体４３を通じて混合室４０内部に噴射できるように構成されている。すなわち、第１実施形態のように、混合室４０の底部に薬液が溜め置かれるようになっていない。
また、薬液供給部４１の管体４３およびオゾンガス生成部４４の管体４６は、逆円錐形状とされる混合室４０の接線方向に薬液およびオゾンガスが噴射されるような位置に設置される。
ダクト５０は、送気口４７から、混合室４０の底部付近まで挿入された状態となっている。なお、混合室４０の底面近くの側面には、このダクト５０の先端が、レジスト除去装置２の稼働時に底部に溜まる薬液に接触しないように、ダクト５０の位置決めをするための受け皿４０ａを有している。
【００４０】
以下、本実施形態のレジスト除去装置２における混合室４０において、薬液とオゾンガスとを混合する手順について説明する。
オゾンガス生成装置４５によって生成されたオゾンガスは、所定の圧力で、管体４６から混合室４０内に噴射される。また、薬液保持室４２の薬液も、所定の圧力で、管体４３から混合室４０内に噴射される。
噴射されたオゾンガスおよび薬液は、図２のように、混合室４０の壁面を渦巻状に旋回しながら下降する。
このように、本実施形態の混合室４０では、オゾンガスと薬液を混合室４０内部で渦巻状に旋回させることによって、薬液の微粒子が空中に浮遊する時間を長くし、薬液とオゾンガスとが効率よく混合された気液混合ガスが生成されるようになっている。旋回しながら混合され、混合室４０の下方まで到達した気液混合ガスは、ダクト５０を通じて、図示しない処理室２０に導かれる。また、混合室４０の底部に溜まった薬液は、管体４８を通じて廃液回収部４９に回収されるようになっている。このようにして生成された気液混合ガスにも、薬液の蒸気が大量に含まれており、酸素ラジカルを大量に発生させるので、効率的にアッシングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態によるレジスト除去装置１の構成図。
【図２】本発明の第２実施形態によるレジスト除去装置の一部構成図。
【符号の説明】
【００４２】
１，２  レジスト除去装置
１０，４０  混合室
１１，４１  薬液供給部
１２，４２  薬液保持室
１３，１６，１７，２６，４３，４６  管体
１４，４４  オゾンガス生成部
１５  オゾンガス生成装置
１８  噴霧ノズル
１９，４７  送気口
２０  処理室
２１  挿入口
２２  回転保持部
２３  天蓋
２３Ａ  開口孔
２４  タンク部
２５  タンク
２７  排気回収部
２８，４９  廃液回収部
３０，５０  ダクト
３１  熱源
Ａ  半導体基板
【図１】
2005150460.tif 000003
【図２】
2005150460.tif 000004