(57)【要約】      （修正有）【課題】針状突起の耐久性の高いコネクタを提供する。【解決手段】  絶縁体３の孔３１ａ，３２ａに導電体５を形成し、可撓性を有する樹脂で形成されたピン状体７の下部を導電体５に固定し、このピン状体７及び導電体５の表面を導電被膜９で被覆するとともに導電被膜９を導電体５の表面に固着しピン状体７にその径方向の力を加えて、前記ピン状体７を相対的に相手側コンタクト１０に押し付けるアクチュエータを備えているコネクタ１。【選択図】図１
2005347011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔を有する絶縁体と、
前記孔に収容された導電体と、
可撓性を有する樹脂で形成され、前記導電体に固定されたピン状体と、
このピン状体を被覆するとともに前記導電体の表面に形成された導電被膜と
を備えていることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
前記ピン状体の一端部の外径がそれ以外の部分の外径よりも大きく、この一端部が前記導電体に埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
前記ピン状体にその径方向の力を与えて前記ピン状体を相対的に相手側コネクタのコンタクトに押しつけるアクチュエータを備えていることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はコネクタに関し、特に密に配置された複数のピン状接触部同士を接触させることによって電気的な接続を行なうようにしたコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のコネクタとして、電子部品同士を電気的に接続する異方性導電膜が知られている（下記特許文献１参照）。
【０００３】
この異方性導電膜は多孔性絶縁膜と複数の導電部とを備える。
【０００４】
多孔性絶縁膜はその厚さ方向へ延び、密集した多数の孔を有する。
【０００５】
複数の導電部は多孔性絶縁膜にドットマトリックス状に配置されている。
【０００６】
各導電部はバンプ（突起電極）と密集する多数の針状突起とを有する。バンプは多孔性絶縁膜の一方の面に配置されている。多数の針状突起はバンプを始点として多孔性絶縁膜を貫き、それらの先端部は多孔性絶縁膜の他方の面から突出している。
【０００７】
このように構成された一対の異方性導電膜を互いの針状突起が対向するように重ねると、一方の異方性導電膜の針状突起の間に他方の異方性導電膜の針状突起が入り込み、両方の針状突起同士が多数の接点で接触する。この結果、電子部品同士が電気的に接続される。
【０００８】
また、針状突起の突出方向に沿って異方性導電膜同士を引き離すことによって、容易に電子部品同士の電気的な接続を解くことができる。
【特許文献１】特開平５−４７２１９号公報（段落００１５〜００１６、図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の異方性導電膜では、例えば異方性導電膜同士を接合させたとき、針状突起にその径方向の力が加わるが、導電部が金属（ニッケル）で形成されているので、上述の径方向の力が余り強くなくても針状突起が塑性変形を起こす虞があった。一旦、針状突起部が塑性変形を起こすとその異方性導電性膜は使用できなくなることがある。
【００１０】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は接触部の耐久性が高いコネクタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述の課題を解決するため請求項１の発明のコネクタは、孔を有する絶縁体と、前記孔に収容された導電体と、可撓性を有する樹脂で形成され、前記導電体に固定されたピン状体と、このピン状体を被覆するとともに前記導電体の表面に形成された導電被膜とを備えていることを特徴とする。
【００１２】
上述のようにピン状体とこれを被覆する導電被膜とで塑性変形し難い接触部が構成される。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１記載のコネクタにおいて、前記ピン状体の一端部の外径がそれ以外の部分の外径よりも大きく、この一端部が前記導電体に埋め込まれていることを特徴とする。
【００１４】
上述のようにピン状体の一端部の外径がそれ以外の部分の外径よりも大きく、この一端部が導電体に埋め込まれているので、ピン状体が導電体から脱落し難い。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載のコネクタにおいて、前記ピン状体にその径方向の力を与えて前記ピン状体を相対的に相手側コネクタのコンタクトに押しつけるアクチュエータを備えていることを特徴とする。
【００１６】
ピン状体と相手側コネクタのコンタクトとが強く接触する。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように請求項１の発明のコネクタによれば、コネクタの耐久性を高めることができる。
【００１８】
請求項２の発明のコネクタによれば、コネクタの耐久性をより高めることができる。
【００１９】
請求項３の発明のコネクタによれば、高い接触安定性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
図１はこの発明の一実施形態に係るコネクタの主要な構成を示す断面図である。
【００２２】
図１に示すように、コネクタ１は、絶縁体３と導電体５とピン状体７と導電被膜９とを備える。コネクタ１はプリント配線板同士、プリント配線板と電子部品又は電子部品同士（図示せず）を電気的に接続するためのコネクタである。
【００２３】
絶縁体３は第１絶縁膜３１と第２絶縁膜３２とで構成されている。
【００２４】
第１絶縁膜３１はフォトレジスト膜である。第１絶縁膜３１は複数の円形の孔３１ａを有する。複数の孔３１ａは格子状に配置されている。
【００２５】
第２絶縁膜３２は第１絶縁膜３１の上に形成されたフォトレジスト膜である。第２絶縁膜３１は複数の円形の孔３２ａを有する。複数の孔３２ａは格子状に配置されている。孔３２ａは孔３１ａに対向する。
【００２６】
導電体５は第１導電膜５１と第２導電膜５２とで構成されている。
【００２７】
第１導電膜５１の材料はニッケルである。第１導電膜５１は円板状であり、孔３１内に収容されている。第１導電膜５１の下面は図示しないプリント配線板の電極に接触する。
【００２８】
第２導電膜５２の材料はニッケルである。第２導電膜５２はほぼ円板状であり、孔３２内に収容されている。第２導電膜５２は２本のピン状体７の下端部を覆うようにして第１導電膜５１の上面に固着されている。第２導電膜５２と第１導電膜５１とは導通する。
【００２９】
ピン状体７は第１、第２絶縁膜３１，３２を構成するフォトレジスト膜と同様のフォトレジスト（可撓性を有する樹脂）膜である。このフォトレジストの材料としては例えばポリイミド等の樹脂が適する。
【００３０】
ピン状体７は大径部７１とピン状部７２とを有する。大径部７１とピン状体７２とは一体に形成されている。
【００３１】
大径部７１は第１導電膜５１の上面に配置され、第２導電膜５２に覆われている。大径部７１の外径はピン状部７２の外径よりも大きい。
【００３２】
ピン状部７２は第２導電膜５２の上面から突出している。
【００３３】
導電被膜９の材料は金である。導電被膜９は第２導電膜５２の上面及び第２導電膜５２の上面から突出したピン状部７２を覆う。導電被膜９と第２導電膜５２とは導通する。したがって、導電被膜９は第１、第２導電膜５１，５２を通じてプリント配線板の電極に導通する。
【００３４】
第１、第２導電膜５１，５２、ピン状体７及び導電被膜９でコネクタ１のコンタクト１０が構成される。このコンタクト１０の接触部１０ａはピン状部７２とこれを覆う導電被膜９とで構成される。
【００３５】
図２は図１に示すコネクタ同士が嵌合した状態を示す断面図である。
【００３６】
コネクタ１を用いてプリント配線板同士を電気的に接続するには、一方のプリント配線板に実装されたコネクタ１と他方のプリント配線板に実装されたコネクタ１とを向かい合わせ、この状態で図２に示すようにコネクタ１，１同士を嵌合させる。このとき、一方のコネクタ１の接触部１０ａ間に他方のコネクタ１の接触部１０ａが入り込み、接触部１０ａ同士が接触する。この結果、プリント配線板同士はコネクタ１，１を通じて電気的に電気的に接続される。
【００３７】
コネクタ１，１同士を嵌合させたときや嵌合させた後に、ピン状体７にその径方向の外力が加わることがあるが、このような外力が加わっても接触部１０ａは大きく弾性変形できるので、ピン状の接触部１０ａが塑性変形する虞が従来のコネクタよりも少ない。
【００３８】
この実施形態のコネクタ１によれば、ピン状の接触部１０ａの耐久性を向上させることができる。
【００３９】
図３〜図１７は図１に示すコネクタ１の製造工程を示し、図３はシリコン基板２１の断面図、図４はシリコン基板２１に導電膜２２が形成された状態を示す断面図、図５は導電膜２２上にレジスト膜３１０が形成された状態を示す断面図、図６はフォトリソグラフィにより第１絶縁膜３１を形成した状態を示す断面図、図７は第１絶縁膜３１の孔３１ａに第１導電膜５１が形成された状態を示す断面図、図８は第１絶縁膜３１及び第１導電膜５１上にレジスト膜３２０が形成された状態を示す断面図、図９はフォトリソグラフィにより第２絶縁膜及３２び大径部７１が形成された状態を示す断面図、図１０は第２絶縁膜３２、第１導電膜５１及び大径部７１を覆うようにレジスト膜７２０が形成された状態を示す断面図、図１１はフォトリソグラフィによりピン状部７２が形成された状態を示す断面図、図１２は孔３２ａに第２導電体５２が形成された状態を示す断面図、図１３は第２絶縁膜３２上にレジスト膜２３が形成された状態を示す断面図、図１４はレジスト膜２３、第２導電膜５２及びピン状部７２の表面にスパッタリングにより金の薄膜９０が形成された状態を示す断面図、図１５はレジスト膜２３を除去した状態を示す断面図、図１６はシリコン基板２１を取り除いた状態を示す断面図、図１７はコネクタ１の完成状態を示す断面図である。
【００４０】
このコネクタ１は半導体製造技術を用いて製造される。
【００４１】
まず、図３に示すように、シリコン基板２１を用意する。
【００４２】
次に、図４に示すように、シリコン基板２１上に導電膜２２を形成する。導電膜２２の材料としては例えば、ニッケル、クロム、銅等の金属が適する。
【００４３】
その後、図５に示すように、導電膜上２２にレジスト膜３１０を形成する。
【００４４】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィにより、複数の孔３１ａを有する第１絶縁膜３１を作製する。
【００４５】
その後、導電膜２２を作用電極として電解メッキを行ない、図７に示すように、孔３１ａにニッケルを析出し、第１導電膜５１を形成する。
【００４６】
次に、図８に示すように、第１絶縁膜３１及び第１導電膜５１の上面にレジスト膜３２０を形成する。
【００４７】
その後、図９に示すように、フォトリソグラフィにより、複数の孔３２ａを有する第２絶縁膜３２を作製する。このときレジスト膜３２０の一部が円柱状の大径部７１として孔３２ａ内に残される。
【００４８】
次に、図１０に示すように、第２絶縁膜３２及び大径部７１を覆うようにレジスト膜７２０を形成する。
【００４９】
その後、図１１に示すように、フォトリソグラフィにより、大径部７１の上面にピン状部７２を形成する。これにより、第１導電膜５１上に複数のピン状体７が形成される。
【００５０】
次に、第１導電膜５１を作用電極として電解メッキを行ない、図１２に示すように、孔３２ａにニッケルを析出し、第２導電膜５２を形成する。この結果、大径部７１は導電体５に埋め込まれる。
【００５１】
その後、図１３に示すように、第２絶縁膜３２の上面にレジスト膜２３を形成する。このレジスト膜２３の材料としてはレジスト膜３１０，３２０，７２０の材料よりも耐薬品性の弱いものを用いる。
【００５２】
次に、図１４に示すように、第２導電膜５２、ピン状部７２及びレジスト膜２３の表面にスパッタにより金を付着させ、金の薄膜９０を形成する。
【００５３】
その後、図１５に示すように、レジスト膜２３を除去することにより、薄膜９０の不要な部分を取り除く。これにより、導電被膜９が形成される。
【００５４】
次に、図１６に示すように、シリコン基板２１を導電膜２２から剥離させる。
【００５５】
その後、図１７に示すように、導電膜２２を取り除く。以上の工程を経て、コネクタ１が完成する。
【００５６】
この製造方法によれば、半導体製造技術を用いているので、微細なピン状体７等を精度良く正確に形成することができる。
【００５７】
なお、上述の実施形態では、１つの導電体５に対して２つのピン状体７を設けたが、１つの導電体５に対して多数のピン状体７を設けてもよいし、１つのピン状体７を設けてもよい。
【００５８】
また、導電体５の材料としてニッケルを用いたが、これの代わりに他の導電材料を用いてもよい。
【００５９】
なお、ピン状体７の材料としてフォトレジストを用いたが、可撓性を有する樹脂であればよい。
【００６０】
また、導電被膜９の材料として、金を用いたが、これの代わりに銅等のように導電性に優れ、柔軟性又は可撓性を有する材料であればよい。
【００６１】
このコネクタ１の変形例としては、接触部１０ａを相手側コネクタ１の接触部１０ａに相対的に押し付けるアクチュエータを備えるものが考えられる。
【００６２】
アクチュエータの具体例としては、レバーとカムとで構成される一般的なものがある。レバーを、絶縁体３の厚さ方向と平行な軸を中心にして回転可能に絶縁体３に設ける。円板状のカムを、レバーの回転中心軸に偏心させて設ける。このカムを、相手側コネクタ１に設けられ、接触部１０ａの径方向で対向する一対の挟持片で挟む。このようにすれば、レバーを回すとカムの働きによって一方のコネクタ１が他方のコネクタに対して接触部１０ａの径方向に沿って移動する。この結果、接触部１０ａ同士が強く接触し、十分な接触力が得られる。また、この変形例では、接触部１０ａ同士が強く接触し、この間の摩擦力が大きくなるので、この摩擦力によってコネクタ１同士を機械的に接続することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１はこの発明の一実施形態に係るコネクタの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は図１に示すコネクタ同士が嵌合した状態を示す断面図である。
【図３】図３はシリコン基板の断面図である。
【図４】図４はシリコン基板に導電膜が形成された状態を示す断面図である。
【図５】図５は導電膜上にレジスト膜が形成された状態を示す断面図である。
【図６】図６はフォトリソグラフィにより第１絶縁膜を形成した状態を示す断面図である。
【図７】図７は第１絶縁膜の孔に第１導電膜が形成された状態を示す断面図である。
【図８】図８は第１絶縁膜及び第１導電膜上にレジスト膜が形成された状態を示す断面図である。
【図９】図９はフォトリソグラフィにより第２絶縁膜及び大径部が形成された状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は第２絶縁膜、第１導電膜及び大径部を覆うようにレジスト膜が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】図１１はフォトリソグラフィによりピン状部が形成された状態を示す断面図である。
【図１２】図１２は孔に第２導電体が形成された状態を示す断面図である。
【図１３】図１３は第２絶縁膜上にレジスト膜が形成された状態を示す断面図である。
【図１４】図１４はレジスト膜、第２絶縁膜及びピン状部の表面にスパッタリングにより金の薄膜が形成された状態を示す断面図である。
【図１５】図１５はレジスト膜を除去した状態を示す断面図である。
【図１６】図１６はシリコン基板を取り除いた状態を示す断面図である。
【図１７】図１７はコネクタの完成状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  コネクタ
３  絶縁体
３１  第１絶縁膜
３１ａ  孔
３２  第２絶縁膜
３２ａ  孔
５  導電体
５１  第１導電膜
５２  第２導電膜
７  ピン状体
７１  大径部
７２  ピン状部
９  導電被膜
１０  コンタクト
１０ａ  接触部
【図１】
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【図２】
2005347011.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005347011.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005347011.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2005347011.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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