(57)【要約】【課題】  非線形素子を備える素子基板について、該非線形素子の素子特性を高めることができ、しかも全体として欠陥の少ない信頼性の高い素子基板を提供することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の素子基板の製造方法は、基板上に第１導電層と第２導電層との間に絶縁層を備える構成の非線形素子４を形成する工程と、形成した非線形素子４に対して熱処理を行う工程と、該熱処理工程後、前記非線形素子４を含む基板上に絶縁層３４を形成する工程と、形成した絶縁層３４に対して、コンタクトホール３２を形成する工程と、前記絶縁層３４上に、前記コンタクトホール３２を介して前記非線形素子４と電気的に接続する画素電極９を所定パターンに形成する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】  図５
2005321501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非線形素子を具備してなる素子基板の製造方法であって、
前記基板上に、第１導電層と第２導電層との間に絶縁層を備える構成の非線形素子を形成する工程と、
形成した非線形素子に対して熱処理を行う工程と、
該熱処理工程後、前記非線形素子を含む基板上に層間絶縁層を形成する工程と、
形成した層間絶縁層に対して、コンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁層上に、前記コンタクトホールを介して前記非線形素子と電気的に接続する画素電極を所定パターンに形成する工程と、を含むことを特徴とする素子基板の製造方法。
【請求項２】
基板上に第１導電層と第２導電層との間に絶縁層を備える構成の非線形素子を具備してなる素子基板の製造方法であって、
前記基板上に、前記第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層に前記絶縁層を形成する工程と、
前記第１導電層及び前記絶縁層に対して熱処理を行う工程と、
前記第１導電層及び前記絶縁層に第２導電層を積層し非線形素子を形成する工程と、
前記非線形素子を含む基板上に層間絶縁層を形成する工程と、
形成した層間絶縁層に対して、コンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁層上に、前記コンタクトホールを介して前記非線形素子と電気的に接続する画素電極を所定パターンに形成する工程と、を含むことを特徴とする素子基板の製造方法。
【請求項３】
前記非線形素子を形成した後に、該非線形素子から延設してなる配線を前記基板上に形成する工程を含み、前記コンタクトホールは、前記配線上であって該配線まで貫通する形にて形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の素子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の方法を用いて素子基板を製造する工程と、
第２の基板上にストライプ状の対向電極を形成し、対向基板を製造する工程と、
電気光学層を介して、前記製造した素子基板と対向基板とを貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板の製造方法、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に開示されているように、液晶装置等の電気光学装置に用いるスイッチング素子として二端子型の非線形素子が知られている。
【特許文献１】特開平１１−１５３８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１及び特許文献２では、二端子型の非線形素子としてＭＩＭ素子を備えた液晶表示装置が開示されており、該ＭＩＭ素子と画素電極とが絶縁層を介して接続されている。ところで、ＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いる場合、その素子特性を向上させるために、当該ＭＩＭ素子を形成した後、熱処理を行うことが好ましい。しかしながら、各特許文献の構成のように、ＭＩＭ素子と画素電極とを絶縁層を介して形成したような構成では、絶縁層が耐熱性に乏しいため、これに素子特性を向上させるための熱を付与すると、該絶縁層の変質が生じる惧れがある。
【０００４】
本発明は上述の問題を解決するためになされたもので、非線形素子を備える素子基板について、該非線形素子の素子特性を高めることができ、しかも全体として欠陥の少ない信頼性の高い素子基板を提供することが可能な製造方法を提供することを目的としている。また、本発明は、このような素子基板の製造方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の素子基板の製造方法は、基板上に半導体素子を具備してなる素子基板の製造方法であって、前記基板上に、第１導電層と第２導電層との間に絶縁層を備える構成の非線形素子を形成する工程と、形成した非線形素子に対して熱処理を行う工程と、該熱処理工程後、前記非線形素子を含む基板上に絶縁層を形成する工程と、形成した絶縁層に対して、コンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁層上に、前記コンタクトホールを介して前記非線形素子と電気的に接続する画素電極を所定パターンに形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
このような製造方法によると、非線形素子を基板上に形成した後に、これに熱処理を付与しているため、該非線形素子の素子特性を向上させることができ、したがって、応答性が高く、信頼性の高い素子基板を提供することができるようになる。また、非線形素子と画素電極との間に介在する絶縁層を形成する前に熱処理を行うものとしているため、該熱処理により絶縁層が変質してしまう等の不具合発生も防止ないし抑制することができるようになる。したがって、素子特性に優れるとともに、欠陥が少なく、高信頼性の素子基板を提供することができるようになる。なお、本発明において、絶縁層は、画素電極と非線形素子の間に介在する層であって、これにより、画素電極と非線形素子が同一平面上に形成される場合に比して、画素電極と非線形素子とを平面的に重なる形にて形成することが可能となり、有効画素領域の面積（画素電極の面積）を大きくとることができるようになる。
【０００７】
また、本発明の製造方法において、前記非線形素子を形成した後に、該非線形素子から延設してなる配線を前記基板上に形成する工程を含むものとすることができ、この場合、前記コンタクトホールは、前記配線上であって該配線まで貫通する形にて形成することができる。スイッチング素子として非線形素子を用いた場合、該非線形素子は第１導電層と第２導電層との間の容量によって駆動電圧が定まるが、各導電層の対向する面積が大きくなると、容量が大きくなって大きな駆動電圧を必要とする。したがって、高速、高精細な駆動を行うために、各導電層の対向する面積は小さい方が好ましい。一方、非線形素子と画素電極とを接続するためのコンタクトホールは、その開口面積が大きいほど、コンタクト抵抗が小さくなって高速、高精細な駆動が可能となる。つまり、高速、高精細な駆動を行うためには、非線形素子は小さくしたい一方で、コンタクトホールは大きくしたい要求がある。そこで、上述のように非線形素子と画素電極とを接続するためのコンタクトホールを、非線形素子から延設された配線上に形成し、つまり絶縁層のうち非線形素子の直上以外の領域（非線形素子から配線により延設された領域）に形成することで、非線形素子の導電層の面積を小さくする一方、コンタクトホールの開口面積を十分に大きくすることができるようになる。したがって、上述のような方法によると高速で高精細な駆動が可能となり、例えば製造された素子基板を表示装置用の基板として用いた場合には、高速動画に適した表示特性に優れるものとなる。なお、詳しくは、前記コンタクトホールは、前記非線形素子のうち前記層間絶縁層側に形成された第２導電層上以外の領域に形成することができる。
【０００８】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、上述した本発明に係る方法により素子基板を製造する工程と、第２の基板上にストライプ状の対向電極を形成し、対向基板を製造する工程と、電気光学層を介して、前記製造した半導体素子と対向基板とを貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする。このような方法によると、素子特性が高く、しかも信頼性に優れた電気光学装置を提供することができるようになる。なお、電気光学層として液晶層を採用し、当該電気光学装置を液晶装置として構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１０】
［電気光学装置］
図１は、本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は、その要部の断面図である。図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。ここで、本実施形態の電気光学装置は、図示しないバックライトからの光を用いる透過型液晶表示装置であって、スイッチング素子として二端子型非線形素子、ここではＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。
【００１１】
図１及び図２に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、対をなす下基板１１０と上基板１２０とが紫外線硬化性のシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内において閉ざされた環状（枠状）に形成されており、液晶注入口を備えていない構成となっている。つまり、液晶注入口を封止する封止材を備えておらず、環状全体が同一の材料にて連続的に構成されている。なお、液晶注入口を備え、これを封止材により封止した構成のシール材を用いることもできる。
【００１２】
矩形環状のシール材５２のうち、図１に示す下基板１１０の右辺、左辺（対向した２つの辺）に沿う部分には、下基板１１０と上基板１２０との間で電気的に導通するための導電性粒子（基板間導通部）２０６が含有されている。なお、この導電性粒子２０６は異方性導電粒子にて構成されている。
【００１３】
下基板１１０の内面側には複数の画素電極９がマトリクス状に形成される一方、上基板１２０の内面側には短冊状のストライプ電極２３が形成されており、各電極９，２３の内面側には更に配向膜（図示略）が形成されている。なお、画素電極９にはスイッチング素子としてＴＦＤ素子４（薄膜ダイオード素子、図４参照）が接続されている。
【００１４】
また、本実施の形態では、上基板１２０よりも下基板１１０の外形寸法の方が大きく、上基板１２０と下基板１１０の３辺（図１における上辺、右辺、左辺）ではほぼ縁（基板の端面）が揃っているが、上基板１２０の残りの１辺（図１における下辺）からは下基板１１０の周縁部が張り出すように配置され、張出領域９０を形成している。
張出領域９０には、下基板１１０側に形成された画素電極９を駆動するための第１駆動ＩＣ２０１と、上基板１２０側に形成されたストライプ電極２３を駆動するための第２駆動ＩＣ２０２とが実装されている。なお、各駆動ＩＣ２０１，２０２には図示しない外部接続端子が形成され、当該液晶表示装置１００とは異なる外部機器から表示制御信号等を受信可能な構成となっている。
【００１５】
第１駆動ＩＣ２０１及び第２駆動ＩＣ２０２は、ともに下基板１１０上に配設され、しかも矩形状の下基板１１０の同一の張出領域９０に形成されている。第１駆動ＩＣ２０１は、下基板１１０側に形成された信号線を介してＴＦＤ素子４（図４参照）、ひいては画素電極９に信号を送信するためのＩＣであって、該下基板１１０に形成された配線２０５を介して信号供給が行われている。
【００１６】
第２駆動ＩＣ２０２は下基板１１０に形成される一方、上基板１２０に形成されたストライプ電極２３に信号を送信するためのＩＣであるため、下基板１１０に形成された引き廻し配線２０７を介し、さらにシール材５２に形成された導通性粒子２０６を介してストライプ電極２３に信号が供給されるものとなっている。ここで、引き廻し配線２０７は、図１に示したシール材５２の下辺部を跨いで、該シール材５２の環状内側から導通性粒子２０６に接続されている。
【００１７】
上下基板間の電気的導通は、以下のように行われている。
まず、上基板１２０に形成されたストライプ電極２３は、その一端若しくは両端がシール材５２の内部に食い込む形にて延在しており、シール材５２内部で導電性粒子２０６に電気的に接続されている。
一方、下基板１１０側には、上述した第２駆動ＩＣ２０２（図１参照）と接続する引き廻し配線２０７が形成されており、引き廻し配線２０７は、図１に示すように、下基板１１０の下辺側の張出領域９０に実装された第２駆動ＩＣ２０２から、下基板１１０の左右辺方向に延びるように屈曲して形成されており、下基板１１０の下辺部においてシール材５２を跨いで、該シール材５２の内側領域を下基板１１０の左右辺に沿って縦方向に延びている。そして、所定のストライプ電極２３と接続する位置にてシール材５２の内部に導通し、導電性粒子２０６に電気的に接続されている。
【００１８】
ここで、導電性粒子２０６は、異方性導電粒子を用いて構成されており、上下方向の接続が確実なものとなるように、上下に弾性変形した形にて配設されている。該粒子２０６は、基板貼り合わせ前において、液晶層厚を規定するスペーサー（図示略）の直径よりも０．１μｍ〜１．０μｍ程度大きな直径を有したものを用いるのが良く、これを上下に１％〜１０％程度圧縮させて用いるのが良い。
【００１９】
なお、液晶表示装置１００においては、液晶５０は垂直配向モード（ＶＡＮモード）のものを採用しているが、その他にもＴＮ（Twisted Nematic）モード等を採用することができる。
【００２０】
このような構成を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１５がマトリクス状に構成されている。また、図３に示すように、液晶表示装置１００は第１駆動ＩＣ２０１及び第２駆動ＩＣ２０２を含んでおり、複数の走査線１４（対向電極２３に相当）と、該走査線１４と交差する複数のデータ線１３とが設けられ、データ線１３は第１駆動ＩＣ２０１からの信号を、走査線１４は第２駆動ＩＣ２０２からの信号を各画素１５に供給する。そして、各画素１５において、データ線１３と走査線１４との間にＴＦＤ素子４と液晶表示要素１６（液晶層）とが直列に接続されている。なお、図３では、ＴＦＤ素子４がデータ線１３側に接続され、液晶表示要素１６が走査線１４側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４を走査線１４側に、液晶表示要素１６をデータ線１３側に設ける構成としても良い。
【００２１】
以上のような回路構成により、ＴＦＤ素子４のスイッチング特性に基づいて液晶表示要素１６が駆動制御されるとともに、その液晶表示要素１６の駆動に基づいて画素１５毎に明暗表示がなされ、液晶表示装置１００の表示領域において画像表示が行われるものとされている。
【００２２】
次に、画素構成について説明する。図４は１画素当りの平面構成を示す図であって、図５は１画素当りの断面構成を示す図（図４のＡ−Ａ’断面に相当）である。本実施形態の液晶表示装置１００に用いたＴＦＤ素子４は、いわゆるBack to Back構造を有してなり、データ線１３と画素電極９とがＴＦＤ素子４を介して接続されている。なお、データ線１３は、図１及び図２に示すようにシール材５２の外側領域（非表示領域）において実装端子（外部接続端子）１８に接続され、各種データの入出力が可能な構成となっている。これらＴＦＤ素子４、データ線１３は、図５に示すように素子基板１１０上に形成されている。
【００２３】
素子基板１１０は、絶縁性及び透明性を有するガラス基板或いはプラスチック基板等からなり、該素子基板１１０上には、下地絶縁膜３を介してデータ線１３及びＴＦＤ素子４が形成されている。データ線１３は、クロムによって形成されてなり、画素電極９の非形成領域に配設されており、同じく画素電極９の非形成領域に配設されたＴＦＤ素子４と電気的に接続されている。
【００２４】
データ線１３と接続されてなるＴＦＤ素子４は、ＴａＷ及びＣｒによって絶縁膜を狭持した構成を有している。詳しくは、図８に示すように、ＴＦＤ素子４は、素子基板１１０上に下地絶縁膜３を介して形成されており、ＴａＷにて構成された第１導電膜６と、該第１導電膜６の表面を酸化してなる酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）にて構成された絶縁膜（絶縁層）７と、該絶縁膜７上に配設されクロムにて構成された第２導電膜８とを素子基板１１０側から備えてなるものである。そして、第２導電膜８の一部がデータ線１３と接続され、異なる一部が画素電極９と電気的に繋がる金属配線３５と接続されている。
【００２５】
図５に戻り、データ線１３、ＴＦＤ素子４及び金属配線３５を含む素子基板１１０には、これらを覆う形にて層間絶縁膜３４（絶縁層）が形成されている。層間絶縁膜３４はシリコン酸化膜或いはアクリル樹脂等の透光性絶縁膜にて構成されている。そして、この層間絶縁膜３４上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。なお、層間絶縁膜３４には、画素電極９とＴＦＤ素子４とを電気的に接続するためのコンタクトホール３２が、ＴＦＤ素子４とは重ならない位置（つまりＴＦＤ素子４の直上以外の領域）であって、画素電極９と平面的に重なる位置に配設されている。
【００２６】
上述の通り、画素電極９はコンタクトホール３２を介してＴＦＤ素子４と電気的に接続されているわけであるが、ＴＦＤ素子４の第２導電膜８から上記コンタクトホール３２までは、金属配線３５が素子基板１１０（詳しくは下地絶縁膜３）上に設けられており、該金属配線３５によって電気的接続が図られている。また、図４に示すように、金属配線３５はコンタクトホール３２との接続部において平面視拡径のコンタクト部３６を有しており、該コンタクト部３６においてコンタクトホール３２内の画素電極９と接続されている。つまり、ＴＦＤ素子４からの信号は、金属配線３５を介して画素電極９に供給されるようになっている。ここで、金属配線３５はＣｒにより形成されている。
【００２７】
また、本実施の形態では、液晶５０としてＶＡＮモードのものを採用しているため、画素電極９として、図４に示したように、略正八角形の平面形状を有する複数の島状部９ａと、これら島状部９ａを連結する枝状の連結部９ｂとから構成されたものを用いている。この場合、各島状部９ａ内で垂直配向性の液晶分子が配向分割されることとなる。
【００２８】
ＶＡＮモードの液晶表示装置では、液晶５０が誘電異方性が負の液晶材料にて構成される。したがって、初期配向状態で液晶分子が基板面に対して垂直に立っているものを、電界印加により倒すわけであるから、何も工夫をしなければ（プレチルトが付与されていなければ）液晶分子の倒れる方向を制御できず、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じて光抜け等の表示不良が生じ、表示特性を落としてしまう。そのため、ＶＡＮモードの採用にあたっては、電界印加時の液晶分子の配向方向の制御が重要な要素となる。
【００２９】
そこで、本実施の形態では、画素電極９を略正八角形からなる島状部９ａを主体として構成し、各島状部９ａにおいて液晶分子の配向方向を規制している。具体的には、画素電極９を八角形に切り欠いたことで対向する電極２３との間で斜め電界を生じさせ、該斜め電界に応じたプレチルトを付与するものとしており、その結果、略正八角形の島状部９ａの中心から外側に向かって、略同心円状に液晶分子が倒れるようになる。なお、コンタクトホール３２は、液晶５０の挟持面に凹部を付与するため、これを島状部９ａの中心に設計するものとしている。したがって、コンタクトホール３２を中心とするプレチルトの付与が一層確実なものとなっている。
【００３０】
一方、上基板（以下、対向基板とも言う）１２０には、図５に示すように赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）からなる各着色層（本実施の形態では赤色のみ示す）がブラックマトリクス（ＢＭ）にて区画された態様で形成されてなるカラーフィルタＣＦが配設されている。また、カラーフィルタＣＦの内面側（液晶５０側）には、絶縁材料からなる平坦化膜２４が形成され、該平坦化膜２４の更に内面側にはストライプ状の対向電極２３が形成されている。なお、対向基板１２０の内面側には、素子基板１１０側の層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール３２と平面的に重なる位置にクロム等の遮光性材料からなる遮光部２５が形成されている。
【００３１】
［電気光学装置の製造方法］
以上のような本実施の形態の液晶表示装置１００の製造方法について、図５を参照しつつ説明する。ここでは、まず素子基板１１０の製造方法、及び対向基板１２０の製造方法を説明し、次いで各基板１１０，１２０の貼合せ方法を説明するものとする。
【００３２】
（素子基板の製造方法）
まず、ガラス基板を用意して、該ガラス基板の全面に下地絶縁膜３を形成する。下地絶縁膜３は、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなるものであって、例えば高周波スパッタリング法等により形成することができる。
【００３３】
次に、下地絶縁膜３上にデータ線１３及びＴＦＤ素子４を形成する。具体的には、データ線１３は、下地絶縁膜３上にＡｌを全面に形成した後、これをフォトリソグラフィにより所定の配線パターン（図４参照）に形成するものとしている。また、ＴＦＤ素子４は、下地絶縁膜３上に第１導電膜６（図８参照）としてＴａＷを所定パターン（図４参照）に形成した後、該第１導電膜６（図８参照）を陽極酸化することで絶縁膜７（図８参照）たるＴａ２Ｏ５を形成し、さらに絶縁膜７（図８参照）上にＣｒからなる第２導電膜８を所定パターン（図４参照）に形成する。このような方法により、図４及び図８に示したＴＦＤ素子４を得ることができる。
【００３４】
次に、形成したＴＦＤ素子４に対し、素子特性の調整を目的として、熱処理（２５０℃で３０分間）を施した後、ＴＦＤ素子４、配線２３及び下地絶縁膜３を覆うように、層間絶縁膜３４を形成する。具体的には、ポジ型の透明アクリル材料を用いて、厚さ２μｍ程度の層間絶縁膜３４をスピンコート等により形成するものとしている。
【００３５】
続いて、形成した層間絶縁膜３４に対し、画素毎にコンタクトホール３２を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ法により開口径８μｍ〜１２μｍ程度のコンタクトホール３２を形成するものとしている。
【００３６】
次に、形成した層間絶縁膜３４上に、スパッタリング等により膜厚５０ｎｍ程度のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜を形成する。この場合のＩＴＯの成膜温度は、層間絶縁膜３４を構成するアクリル樹脂の最終焼成温度（例えば２１０℃）以下とする。その後、ポジレジストを用いたフォトリソグラフィ法、および混合酸薬液（塩酸系薬液）を用いたウェットエッチングにより、ＩＴＯ膜を画素形状にパターニングして、画素電極９を得る。そして、レジストを剥離した後、配向膜を形成して、目的とする素子基板１１０を得るものとしている。なお、得られた素子基板１１０上には、図４に示すように、液晶層厚を調整するためのフォトスペーサーＳＰをアクリル樹脂等にて形成するものとしている。
【００３７】
（対向基板の製造方法）
まず、ガラス基板を用意して、該ガラス基板上にブラックマトリクスＢＭ及び遮光層２５を同一層で所定パターンに形成した後、各着色層Ｒ，Ｇ，Ｂを液滴吐出法等により配置してカラーフィルタＣＦを形成する。その後、平坦化膜２４をアクリル樹脂等に形成し、さらにストライプ状の対向電極２３及び配向膜を形成して、目的とする対向基板１２０を得るものとしている。
【００３８】
（貼合せ工程）
次に、対向基板１２０上に、紫外線硬化性のシール材５２を図１に示したような閉ざされた環状（枠状）に形成する。一方、素子基板１１０上であって、これを対向基板１２０と貼り合わせた際に上記シール材５２の内側となる領域に液晶５０を配置する。そして、これら対向基板１２０と素子基板１１０とを貼り合わせることで、本実施の形態に係る液晶表示装置１００を得ることができる。
【００３９】
以上のような製造方法では、ＴＦＤ素子４を基板上に形成した後に、これに熱処理を付与しているため、該ＴＦＤ素子の素子特性を向上させることができる。また、ＴＦＤ素子４と画素電極９との間に介在する層間絶縁膜３４を形成する前に熱処理を行うものとしているため、該熱処理により層間絶縁膜３４が変質してしまう等の不具合発生も防止ないし抑制することができる。したがって、得られる液晶表示装置１００は、素子特性に優れるとともに、欠陥が少なく、高信頼性の高いものとなる。
【００４０】
以上、本発明の製造方法を用いて得られる電気光学装置の一実施形態として液晶表示装置を示したが、本発明はこれに限定されることなく、反射型の液晶表示装置や、反射表示と透過表示の双方を可能にした半透過反射型の液晶表示装置等についても本発明の方法により製造することができる。
【００４１】
また、上記ＶＡＮモード以外にもＴＮモードを採用した液晶表示装置を本発明の方法により製造することができる。図６は、ＴＮモードを用いた液晶表示装置について、その画素構成を示す平面模式図であって、併せて画素電極９と対向基板１２０側の遮光部２５との平面的位置関係を示す説明図である。このようにＴＮモードの液晶表示装置では、画素電極９として図４に示したような略正八角形の島状部と枝状の連結部を有することなく、平面視長方形の構成を有している。なお、対向基板１２０側に形成する遮光部２５は、コンタクトホール３２を平面的に覆って、該コンタクトホール３２の形成領域を遮光している。
【００４２】
［電子機器］
次に、本発明の製造方法により得られる液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図７は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図７において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているので、視認性に優れた表示を実現可能な電子機器となる。
また、上記の電子機器は、携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても視認性に優れた表示が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の製造方法により得られた電気光学装置の一実施形態たる液晶表示装置の平面構成を示す模式図。
【図２】図１の液晶表示装置の断面構成を示す図。
【図３】図１の液晶表示装置の等価回路を示す図。
【図４】図１の液晶表示装置の画素構成について示す平面模式図。
【図５】図１の液晶表示装置の画素構成について示す断面模式図。
【図６】画素構成の一変形例について示す平面模式図。
【図７】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【図８】ＴＦＤ素子の断面構成を示す模式図。
【符号の説明】
【００４４】
４…ＴＦＤ素子（非線形素子）、９…画素電極、１３…データ線、３２…コンタクトホール、３４…層間絶縁膜（絶縁層）、３５…金属配線、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、１１０…素子基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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