(57)【要約】【課題】面内の膜厚分布が均一な２枚の基板を１回の成長操作で成長することが可能な液相エピタキシャル成長装置を提供すること。【解決手段】基板ホルダ１０と原料溶液ホルダ２２を対向させ、且つ相対的に摺動可能とした液相エピタキシャル成長装置において、上記基板ホルダ１０に２つの基板載置部１４、１５を基板ホルダの摺動方向に間隔ｄを置いて並設し、上記原料溶液ホルダ２２の原料溶液溜１を上記２つの基板載置部１４、１５をカバーするように長手方向に広げ、更に、その下部中央に基板載置部１４、１５間にて基板ホルダ１０に接する敷居板１２を設けて、互いに連通する第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂに分け、上記２つの基板載置部１４、１５のｐ型ＧａＡｓ基板８、９に上記第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの原料溶液２が対応して接触し、且つ上記敷居板１２が上記２つの基板載置部間に接するように構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する基板載置部を有する基板ホルダと、原料溶液溜を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダとを対向させ、且つ相対的に摺動可能とし、徐々に温度を下げながら基板に原料溶液を順次接触させることにより基板上にエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長装置において、
上記基板ホルダに、２以上の基板載置部を上記基板ホルダの摺動方向に間隔を置いて並設し、
上記各原料溶液溜を上記２以上の基板載置部をカバーするように長手方向に広げ、
更に、上記原料溶液溜の下部に、上記２以上の基板載置部間にて基板ホルダに接する敷居板を設けて、互いに連通する２以上の溶液溜部に分け、上記２以上の基板載置部の基板に同じ原料溶液溜の上記２以上の溶液溜部の原料溶液が対応して接触し、且つ上記敷居板が上記２以上の基板載置部間にて基板ホルダに接するように構成したことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【請求項２】
請求項１記載の液相エピタキシャル成長装置において、
上記２以上の基板載置部を並設する間隔をできるだけ接近させたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液相エピタキシャル成長装置において、
上記原料溶液溜内に上記敷居板により区分して形成される溶液溜部の大きさを、上記基板ホルダの基板載置部に収容される基板の大きさにほぼ一致させたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の液相エピタキシャル成長装置において、
上記原料溶液ホルダに、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液の原料溶液溜と、ｎ型ＧａＡｌＡｓウインド層原料溶液の原料溶液溜を設け、ｐ型ＧａＡｓ基板上にシングルヘテロ構造のエピタキシャル層の成長を可能としたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の液相エピタキシャル成長装置において、
上記原料溶液ホルダに、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層原料溶液の原料溶液溜と、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液の原料溶液溜と、ｎ型ＧａＡｌＡｓウインド層原料溶液の原料溶液溜を設け、ｐ型ＧａＡｓ基板上にダブルヘテロ構造のエピタキシャル層の成長を可能としたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スライドボート法による液相エピタキシャル成長装置、特にグラファイト治具の改善を図り、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの生産効率を高める技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図２にＧａＡｌＡｓ薄膜を液相エピタキシャル成長させる従来の液相エピタキシャル成長装置の概略を示す。
【０００３】
この液相エピタキシャル成長装置は、台座２１、基板ホルダ１０、原料溶液ホルダ２２、キャップホルダ２３、の４つのグラファイト製部品を上下に積み重ね、台座２１及び原料溶液ホルダ２２に対し基板ホルダ１０を水平方向に摺動させることができるように構成されている。
【０００４】
この相互に摺動する原料溶液ホルダ２２と基板ホルダ１０のうち、下側の基板ホルダ１０には、その摺動面である上面に、表面の一部を掘り込んで、基板３を載置する基板載置部１３が形成されている。
【０００５】
一方、上側の原料溶液ホルダ２２には、成長用の原料溶液２を入れる原料溶液溜１が、スライド方向に複数個（ここではｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層溶液溜、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層溶液溜の２個）順次間隔を置いて形成され、原料溶液ホルダ２２の摺動面と反対側の面である上面はキャップホルダ２３で気密に蓋されている。
【０００６】
上記した従来の液相エピタキシャル成長法に用いられるグラファイト治具に設けられる基板載置部１３は、図２（ｂ）に示すように１個である。液相エピタキシャル成長法で使われる場合、このグラファイト治具での成長は、操作棒１１を操作することにより、治具中にあるスライダの成長基板セット箇所たる基板載置部１３（基板と同じサイズに加工されている。）を原料溶液溜１の真下に来るように、つまり基板３の表面と原料溶液２が接触するようにスライダを移動させ、周囲にある加熱ヒータを降温させながらエピタキシャル成長を行っている。
【０００７】
従来、上記のような液相エピタキシャル成長装置であって基板ホルダの長手方向２箇所に基板を設けた構成例として、製品として採用するｐ型ＧａＡｓ基板の他に別途ＧａＡｓ基板を用意し、この基板にＴｅをドープしたｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長溶液を接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層の成長初期に現れるＴｅの異常偏析を別途設けたＧａＡｓ基板に生じさせ、その後に製品となるｐ型ＧａＡｓをｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長溶液と接触させるようにすることで、ｐ型ＧａＡｓ基板にＴｅの異常偏析層が生じないようにする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１２５６１０号公報（段落番号００１５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１によれば、スライダの長手方向２箇所に基板が設けられる。しかしながら、特許文献１では製品となるのは一方の基板だけであり、他方の基板は、Ｔｅの異常偏析を生じさせるだけの目的で設けられる結果、製品とならない。
【０００９】
既に図２について述べたように、従来の液相エピタキシャル成長法に用いられるグラファイト治具の構造は、グラファイト治具の成長基板のセット箇所が１箇所のため、１回の成長枚数が１枚であり、成長効率が非常に悪い。そこで、１回の成長による生産枚数を２枚にすることが考えられるが、次のような課題がある。
【００１０】
すなわち、１回の成長による生産枚数を２枚にするために、基板のセット箇所を２箇所とし、これに合わせて原料溶液溜を拡大した構成とした場合、２枚の基板の隣接部付近の温度と基板周辺部の温度に大きな差が生じてしまう。このため、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハ面内の膜厚分布が悪くなる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、面内の膜厚分布が均一な２枚の基板を１回の成長操作で成長することが可能な液相エピタキシャル成長装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１３】
請求項１の発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、基板を収容する基板載置部を有する基板ホルダと、原料溶液溜を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダとを対向させ、且つ相対的に摺動可能とし、徐々に温度を下げながら基板に原料溶液を順次接触させることにより基板上にエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長装置において、上記基板ホルダに、２以上の基板載置部を上記基板ホルダの摺動方向に間隔を置いて並設し、上記各原料溶液溜を上記２以上の基板載置部をカバーするように長手方向に広げ、更に、上記原料溶液溜の下部に、上記２以上の基板載置部の間にて基板ホルダに接する敷居板を設けて、互いに連通する２以上の溶液溜部に分け、上記２以上の基板載置部の基板に同じ原料溶液溜の上記２以上の溶液溜部の原料溶液が対応して接触し、且つ上記敷居板が上記２以上の基板載置部の間にて基板ホルダに接するように構成したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の代表的な形態は、次のように２つの基板載置部を基板ホルダを設けるものである。すなわち、基板を収容する基板載置部を有する基板ホルダと、原料溶液溜を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダとを対向させ、且つ相対的に摺動可能とし、徐々に温度を下げながら基板に原料溶液を順次接触させることにより基板上にエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長装置において、上記基板ホルダに、２つの基板載置部を上記基板ホルダの摺動方向に間隔を置いて並設し、上記原料溶液溜を上記２つの基板載置部をカバーするように長手方向に広げ、更に、上記原料溶液溜の下部中央に、上記２つの基板載置部間にて基板ホルダに接する敷居板を設けて、互いに連通する第１溶液溜部と第２溶液溜部に分け、上記２つの基板載置部の基板に同じ原料溶液溜の上記第１溶液溜部と第２溶液溜部の原料溶液が対応して接触し、且つ上記敷居板が上記２つの基板載置部間に接するように構成する。上記基板ホルダと原料溶液ホルダはグラファイトにより製作するとよい。
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１記載の液相エピタキシャル成長装置において、上記２以上の基板載置部を並設する間隔をできるだけ接近させたことを特徴とする。基板載置部が２つの形態では、その２つの基板載置部を並設する間隔をできるだけ接近させる。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の液相エピタキシャル成長装置において、上記原料溶液溜内に上記敷居板により区分して形成される溶液溜部の大きさを、上記基板ホルダの基板載置部に収容される基板の大きさにほぼ一致させたことを特徴とする。基板載置部が２つの形態では、原料溶液溜の下部中央に、上記２つの基板載置部間にて基板ホルダに接する敷居板を設けて、互いに連通する第１溶液溜部と第２溶液溜部に分けるので、その原料溶液溜の第１溶液溜部と第２溶液溜部の大きさを、上記基板ホルダの基板載置部に収容される基板の大きさにほぼ一致させる。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の液相エピタキシャル成長装置において、上記原料溶液ホルダに、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液の原料溶液溜と、ｎ型ＧａＡｌＡｓウインド層原料溶液の原料溶液溜を設け、ｐ型ＧａＡｓ基板上にシングルヘテロ構造のエピタキシャル層の成長を可能としたことを特徴とする。
【００１８】
請求項５の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の液相エピタキシャル成長装置において、上記原料溶液ホルダに、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層原料溶液の原料溶液溜と、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液の原料溶液溜と、ｎ型ＧａＡｌＡｓウインド層原料溶液の原料溶液溜を設け、ｐ型ＧａＡｓ基板上にダブルヘテロ構造のエピタキシャル層の成長を可能としたことを特徴とする。
【００１９】
＜発明の要点＞
本発明の液相エピタキシャル成長装置は、基板ホルダに、２以上の基板載置部を基板ホルダの摺動方向に間隔を置いて並設し、原料溶液溜を上記２以上の基板載置部をカバーするように長手方向に広げたので、２枚以上の基板を１回の成長操作で成長することができる。
【００２０】
また、本発明の液相エピタキシャル成長装置では、原料溶液溜の下部に、上記２以上の基板載置部間にて基板ホルダに接する敷居板を設けて、成長時にその敷居板が上記２以上の基板載置部間にて基板ホルダに接するように構成したので、２以上の基板載置部の基板について、その隣設部付近と基板周辺部の温度を均一化することができる。また、敷居板は原料溶液溜の下部に設けて、これにより分けられる溶液溜部と溶液溜部の上方が互いに連通する構成とした、つまり同じ原料溶液溜に属する各溶液溜部の組成が同じになるように構成したので、例えば２つの基板載置部の基板に同じ原料溶液溜に属する第１溶液溜部と第２溶液溜部の原料溶液が対応して接触することから、それらの基板につき基板面内での膜厚分布が均一な成長を行うことができる。
【００２１】
従って、本発明によれば、例えば、液相エピタキシャル成長法に用いられるグラファイト治具での１回の成長で、従来の成長のＬＥＤ用エピタキシャルウェハと同等に面内膜厚の均一化がなされたＬＥＤ用エピタキシャルウェハを２枚作製し、その成長効率を高めることができる。
【００２２】
本発明において、上記２以上の基板載置部を並設する間隔は、溶液溜の小型化を図るため、できるだけ接近させた形とすることが好ましい。また、原料溶液溜の各溶液溜部の大きさも、基板ホルダの基板載置部に収容される基板の大きさにほぼ一致させるとよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００２４】
本発明の液相エピタキシャル成長装置は、基板ホルダに、２以上の基板載置部を基板ホルダの摺動方向に間隔を置いて並設し、原料溶液溜を上記２以上の基板載置部をカバーするように長手方向に広げたので、２枚以上の基板を１回の成長操作で成長することができる。
【００２５】
しかも、本発明の液相エピタキシャル成長装置は、原料溶液溜の下部に、上記２以上の基板載置部間にて基板ホルダに接する敷居板を設けて、成長時にその敷居板が上記２以上の基板載置部間にて基板ホルダに接するように構成したので、２以上の基板載置部の基板について、その隣設部付近と基板周辺部の温度を均一化することができる。また、敷居板は原料溶液溜の下部に設けて、これにより分けられる溶液溜部と溶液溜部の上方が互いに連通し、各溶液溜部の組成が同じになるように構成したので、基板面内での膜厚分布が均一な成長を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００２７】
図１に本発明の実施形態に係る液相エピタキシャル成長装置を示す。この液相エピタキシャル成長装置は、図２のものと同様に、台座２１、基板ホルダ１０、原料溶液ホルダ２２、キャップホルダ２３、の４つのグラファイト製部品を上下に積み重ねて構成され、台座２１及び原料溶液ホルダ２２に対し基板ホルダ１０を水平方向に摺動させることができるようになっている。
【００２８】
しかし、図２の場合と異なり、この相互に摺動する原料溶液ホルダ２２と基板ホルダ１０のうち、下側の基板ホルダ１０には、その摺動面である上面の一部に、基板たるｐ型ＧａＡｓ基板を収容するする凹部から成る２つの基板載置部１４、１５が形成されている。また、上側の原料溶液ホルダ２２には、原料溶液２を入れる２つの原料溶液溜１が、装置の長手方向に順次間隔を置いて形成され、原料溶液ホルダ２２の摺動面と反対側の面である上面はキャップホルダ２３で気密に蓋されている。
【００２９】
つまり、図１の液相エピタキシャル成長装置は、基板たるｐ型ＧａＡｓ基板８、９を収容する２つの基板載置部１４、１５を有する基板ホルダ１０と、化合物半導体の原料溶液溜１を摺動方向に２つ有する原料溶液ホルダ２２とを対向させ、且つ相対的に摺動可能とした構成であり、徐々に温度を下げながらｐ型ＧａＡｓ基板８、９に原料溶液２を順次接触させることによりｐ型ＧａＡｓ基板８、９上に化合物半導体のエピタキシャル層を成長する構成となっている。
【００３０】
上記基板ホルダ１０の２つの基板載置部１４、１５は、基板ホルダ１０の摺動方向に若干の間隔ｄを置いて並設されている。また上記原料溶液溜１は、この２つの基板載置部１４、１５の全体をカバーするように長手方向に大きく広げられている。
【００３１】
更に、上記原料溶液溜１の下部中央には、上記２つの基板載置部１４、１５間の間隔ｄにほぼ対応する、正確には間隔ｄより若干広い幅の敷居板１２を設けてあり、これにより原料溶液溜１はそれぞれ第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂに分けられている。この第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂにより、上記２つの基板載置部１４、１５のｐ型ＧａＡｓ基板８、９に、同じ原料溶液溜１に属する第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの原料溶液２が同時に接触するようになっている。
【００３２】
上記敷居板１２は、成長時に上記２つの基板載置部１４、１５間において基板ホルダ１０に接するように、この実施形態では２つのｐ型ＧａＡｓ基板８、９の縁同士を架橋するように構成してあり、これにより２つの基板載置部１４、１５のｐ型ＧａＡｓ基板８、９に関し、その隣設部付近と基板周辺部の温度が均一化されるようになっている。また、原料溶液溜１の第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの大きさを、上記基板ホルダ１０の基板載置部１４、１５に収容されるｐ型ＧａＡｓ基板８、９の大きさにほぼ一致させて、小型化している。
【００３３】
また、敷居板１２は原料溶液溜１の下部中央に設けて、これにより分けられる第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの上方が互いに連通する構成となっている。この結果、第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの組成は同じになり、上記２つの基板載置部のｐ型ＧａＡｓ基板８、９に同じ原料溶液溜１の第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの原料溶液が対応して接触することから、ｐ型ＧａＡｓ基板８、９の面内での膜厚分布が均一になる。
【００３４】
このように、基板ホルダに基板セット部分を２箇所設けることにより、多数枚化を図った液相エピタキシャル成長装置が得られる。例えば、ＬＥＤ用液相エピタキシャル成長装置の場合は、図１に示すようにグラファイト製の基板ホルダ１０に基板セット箇所として２箇所の基板載置部１４、１５を長手方向に連ね、また、原料溶液溜１の下面積を長手方向に広げ、更に、各原料溶液溜１の下部中央にグラファイトの敷居板１２を設けることで、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの表面温度の均一化を図り、これにより面内膜厚の均一化を図りつつ２枚の基板に同時に液相エピタキシャル成長させることができる。
【００３５】
本発明の液相エピタキシャル成長装置は、シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャル層のいずれの成長をする場合にも適している。
【００３６】
前者のシングルヘテロ構造の場合は、原料溶液ホルダに、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液の原料溶液溜と、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（ウインド層）原料溶液の原料溶液溜を設け、ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓウインド層を順次形成して、シングルヘテロ構造のエピタキシャルウェハを得る。
【００３７】
後者のダブルヘテロ構造の場合は、原料溶液ホルダに、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層原料溶液の原料溶液溜と、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液の原料溶液溜と、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（ウインド層）原料溶液の原料溶液溜を設け、ｐ型ＧａＡｓ基板上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓウインド層を順次形成して、ダブルヘテロ構造のエピタキシャル層を得る。
【００３８】
〔成長例〕
次に成長例について説明する。液相エピタキシャル成長装置は、図１に示すように、グラファイト製の基板ホルダ１０に、基板セット箇所として２箇所の基板載置部１４、１５を長手方向に間隔ｄを置いて連ねて並設し、他方、これに合わせて原料溶液溜１の下面積を長手方向に広げた構成として、２枚の基板を同時にエピタキシャル成長できるようにした。
【００３９】
詳述するに、この液相エピタキシャル成長装置は、基板ホルダ１０と原料溶液ホルダ２２を対向させ、且つ相対的に摺動可能とした液相エピタキシャル成長装置において、上記基板ホルダ１０に２つの基板載置部１４、１５を基板ホルダの摺動方向に間隔ｄを置いて並設し、上記原料溶液ホルダ２２の原料溶液溜１を上記２つの基板載置部１４、１５をカバーするように長手方向に広げ、更に、その下部中央に基板載置部１４、１５間にて基板ホルダ１０に接する敷居板１２を設けて、互いに連通する第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂに分け、上記２つの基板載置部１４、１５のｐ型ＧａＡｓ基板８、９に上記第１溶液溜部１ａと第２溶液溜部１ｂの原料溶液２が対応して接触し、且つ上記敷居板１２が上記２つの基板載置部間に接するように構成されたものである。
【００４０】
ｐ型ＧａＡｓ基板８、９をグラファイト製の基板ホルダ１０の２箇所の基板載置部１４、１５に収納して、２枚を連ねてセットし、エピタキシャル層の原料であるＧａ、ＧａＡｓ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｅを原料溶液溜１にセットし、液相エピタキシャル成長装置内の所定の位置に設置した。
【００４１】
上記液相エピタキシャル成長装置を水素雰囲気中で９００℃に加熱して、３時間保持後、７００℃まで１℃／ｍｉｎの割合で降温させた。降温中に、上記２枚のｐ型ＧａＡｓ基板８、９を、まず第１溶液溜部１ａ、１ｂにおけるｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液６の原料溶液２に接触させた。次いで、操作棒１１により基板ホルダ１０を水平方向に移動して、上記２枚のｐ型ＧａＡｓ基板８、９を、第１溶液溜部１ａ、１ｂにおけるｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（ウインド層）原料溶液７の原料溶液２に接触させた。このように２枚のｐ型ＧａＡｓ基板８、９を目的とする原料溶液２に順次接触させ、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層とｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を順次液相エピタキシャル成長させた。
【００４２】
得られた２枚のＬＥＤ用エピタキシャルウェハにそれぞれ電極を形成してチップを作製後、ステムに取り付けてエポキシ樹脂でコートし、発光ダイオードを作製した。そして、このｐ型ＧａＡｓ基板８、９上に成長したＬＥＤ用エピタキシャル層の面内の膜厚、発光光度、発光波長を測定した。
【００４３】
また、比較例として、図２に示す基板ホルダ１０の基板載置部が一つである、通常使用される基板ホルダを用いて、上記と同条件でエピタキシャル層を成長させ、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハを作製した。上記と同様に電極を形成してチップを作製後、ステムに取り付けて、エポキシ樹脂でコートし、発光ダイオードを作製した。そして、このｐ型ＧａＡｓ基板３上に成長したＬＥＤ用エピタキシャル層の膜厚、発光光度、発光波長を測定した。
【００４４】
表１に本実施例と比較例の上記測定結果を示す。なおＬＥＤ用エピタキシャルウェハ面内の図３に示す５箇所（四隅と中央）で膜厚の測定を行った。すなわち、一辺が４０mmの基板において、各辺から５mm内側の四隅Ｉ、II、IV、Vと、各辺から２０mm内側の中央部III、という各ポジションの膜厚を測定した。
【００４５】
【表１】
2005347498.tif 000003
【００４６】
表１のＬＥＤ用エピタキシャルウェハの特性結果からわかるように、図２に示す従来の液相エピタキシャル成長装置（１枚／１回成長）で成長を行ったＬＥＤ用エピタキシャルウェハ「ｐ型ＧａＡｓ基板（１）」に較べてみても、図１に示す本実施例の液相エピタキシャル成長装置（２枚／１回成長）で成長を行った２枚のｐ型ＧａＡｓ基板８、９、つまりＬＥＤ用エピタキシャルウェハ「８．ｐ型ＧａＡｓ基板（２）」と「９．ｐ型ＧａＡｓ基板（３）」は、膜厚、発光光度、発光波長ともに特性的に１枚／１回成長の場合と劣るところが無く、有意差のないＬＥＤ用エピタキシャルウェハを成長させることができた。
【００４７】
上記の如く本実施形態の成長装置を用いて液相エピタキシャル成長を行うことにより、１回の成長で２枚のＬＥＤ用エピタキシャルウェハを、従来の液相エピタキシャル成長装置で成長を行ったＬＥＤ用エピタキシャルウェハと有意差なく成長することができ、成長効率を向上させることができた。
【００４８】
上記実施形態ではシングルヘテロ構造のＬＥＤ用エピタキシャルウェハを成長する場合を例にしたが、ダブルヘテロ構造のＬＥＤ用エピタキシャルウェハを成長する成長装置についても本発明を適用することができ、同様に、２枚の基板を同じ１回の成長操作で、良好な面内膜厚の均一性を維持して成長することができる、という効果を得ることができる。
【００４９】
また、上記実施形態では基板載置部を２つ設ける場合について説明したが、３以上の基板載置部を設けることもできる。この場合には、基板ホルダ１０に、３以上の基板載置部を基板ホルダの摺動方向に間隔を置いて並設し、各原料溶液溜１をこの３以上の基板載置部をカバーするように長手方向に広げ、更に、各原料溶液溜１の下部に、上記３以上の各基板載置部間にて基板ホルダ１０に接する敷居板１２を等間隔で設けて、互いに上方が連通する３以上の溶液溜部（１ａ、１ｂ、１ｃ・・・）に分け、上記３以上の基板載置部の基板に同じ原料溶液溜１の上記３以上の溶液溜部（１ａ、１ｂ、１ｃ・・・）の原料溶液２が対応して接触し、且つ上記敷居板１２が上記３以上の基板載置部間にて基板ホルダ１０に接するように構成する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の液相エピタキシャル成長装置（２枚／１回成長）を示したもので、（ａ）は側面断面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ′断面図である。
【図２】従来の液相エピタキシャル成長装置（１枚／１回成長）を示したもので、（ａ）は側面断面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図である。
【図３】本発明の液相エピタキシャル成長装置で試作したＬＥＤ用エピタキシャルウェハを表面から見た図であり、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの膜厚を測定したポジションを示した図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  原料溶液溜
１ａ  第１溶液溜部
１ｂ  第２溶液溜部
２  原料溶液
３  基板
６  ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層原料溶液
７  ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（ウインド層）原料溶液
８  ｐ型ＧａＡｓ基板
９  ｐ型ＧａＡｓ基板
１０  基板ホルダ
１２  敷居板
１４、１５  基板載置部
２２  原料溶液ホルダ
ｄ  間隔
【図１】
2005347498.tif 000004
【図２】
2005347498.tif 000005
【図３】
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