(57)【要約】【課題】  屋内・屋外如何なる照明環境下においても光の干渉による色づきがなく、明るく、かつ高コントラストの画像表示を行う透過及び反射型カラー液晶表示装置を提供する。【解決手段】  カラー液晶表示装置において、透過及び反射表示兼用の透明な画素電極16下に光散乱機能及び光反射機能を有する微小な反射体17を分散配置する。この反射体17を上方向から見た形状が大略円、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似した形状である。また、この反射体17の配置パターンが高分子ブロック共重合等で発現する相分離パターンである。さらに、この反射体17が反射表示部となり、他の領域が透過表示部となる。これにより、１画素の反射表示部と透過表示部の面積比率が高精度で、かつ任意に制御できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数のゲート配線と、該ゲート配線と直行するように配置された複数のソース配線とによって包囲される複数の画素からなり、該画素内に前記ゲート配線と前記ソース配線に接続され、両配線の交差点付近に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極とで、透過型表示と反射型表示とが同時に行なわれる液晶表示装置において、
透明な導電層からなる前記画素電極下に、光散乱機能及び光反射機能を有する微小な反射体を分散配置したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射体を前記画素電極の直下又は前記画素電極下に配置された絶縁層下に配置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射体を前記画素電極下の画素電極に対応する領域の全領域内又は特定領域内に、分散配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射体を無秩序に分散配置したことを特徴とする請求項１ないし３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射体は断面形状が凸又は凹で、かつ連続的に変化する傾斜面を有することを特徴とする請求項１ないし４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記反射体は上方から見た形状が円状、多角形、楕円、棒状あるいは紐状、又は、それらに近似する形状であることを特徴とする請求項１ないし５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記円状、多角形、楕円、棒状あるいは紐状、又は、それらに近似な形状の前記反射体の分散パターンが高分子ブロック共重合体で発現する相分離パターン、又は、それに近似するパターンであることを特徴とする請求項１ないし６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射体が微細な銀、銀合金又は金の金属粒子、樹脂、溶媒からなる導電性ペースト材で形成されたことを特徴とする請求項１ないし７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射体が配置された領域が反射表示領域、その他の領域が透過表示領域であることを特徴とする請求項１ないし８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、透過表示と反射表示とを同時に表示する機能を備えた液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の透過表示と反射表示とを同時に表示する機能を備えたカラー液晶表示装置として、下記特許文献１に示されるように、表面に凹凸形状を有する反射板において凹凸形状の凹部がフィボナッチ数列を利用して配置することにより、凹凸形状に規則性が現れないようにした反射板及びそれを液晶素子内に備えた液晶表示装置が提案されている。
【０００３】
また、下記非特許文献１に示されるように、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という。）上に形成された凹凸部の最適傾斜面のみに反射膜を形成し、他を透過部とすることにより光利用効率を向上させ、さらに、フィボナッチ数列を反射板の凹凸設計に適用することにより、反射表示時に白色度の高い表示を可能にした透過表示と反射表示とを同時に表示する機能を備えたカラー液晶表示装置が提案されている。
【０００４】
さらに、従来の透過表示と反射表示を同時に表示する機能を備えたカラー液晶表示装置として、下記特許文献２に示されるように、粒状体が積層されて形成された導電性の下層膜と、該下層膜上に形成された金属の上層膜からなる表示用電極を有する液晶表示装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００２−１４２１１号公報
【特許文献２】特開２０００−２８４３０５号公報
【非特許文献１】松下電気産業（株）のニュースリリース（2002.3.12）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記背景技術は、ＴＦＴ上に樹脂等で形成された凹凸部の最適傾斜面にのみ反射膜を形成し、他を透過部とすることにより、光利用効率を向上させた透過表示と反射表示とを同時に表示する機能を備えたカラー液晶表示装置である。
【０００６】
しかし、前記背景技術は、凹凸部の最適傾斜面にのみ反射膜を形成するため、単に、この特定領域のみに反射膜を形成するためのフォトマスクとパターニングプロセスが増えてコストアップになるだけでなく、透過部の開口率及び反射特性が前記フォトマスクと凹凸パターンの位置合せ精度に依存して変化するという課題を有していた。
【０００７】
また、前記背景技術は、凹凸部の最適傾斜面（特定領域）にのみ反射膜を配置するので、この反射膜を画素電極として兼用することができず、別個に透明な導電層が必要になるなど、構造及び製作プロセスが複雑になるのでコストアップになるという課題も有していた。
【０００８】
本発明の目的は、上記課題を解決し、良好な透過及び反射表示が可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は基板上に複数のゲート配線と、該ゲート配線と直行するように配置された複数のソース配線とによって包囲される複数の画素からなり、該画素内に前記ゲート配線と前記ソース配線の交差点付近に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極が形成され、透過表示と反射表示とが同時に行われる液晶表示装置において、複数の光散乱機能と反射機能を有する微小な導電体からなる反射体を、前記画素電極下に分散配置すると共に、透過表示部となる前記反射体が配置されていない領域の総面積と、反射表示部となる前記反射体が配置された領域の総面積の比率が所定の比率になるように、前記反射体を配置したことを特徴とする液晶表示装置である。
【００１０】
特に、透明な画素電極下の、画素電極領域に対応する領域の全面又は特定領域に複数の光散乱機能と反射機能を有する微小な反射体を分散配置させた画素構造にすることにより、前記画素電極が前記反射体の保護膜として作用するだけでなく、前記画素電極と前記反射体間に絶縁層を介在させることにより、透過表示部と反射表示部とで液晶層の厚みを変えるための厚み制御層を形成することができるので、信頼性が高く、かつ反射表示と透過表示特性が両立できる液晶表示装置が提供できる。
【００１１】
また、反射表示部となる複数の微小な反射体を、画素電極となる透明な導電層の下に形成する構造なので、反射体と画素電極間に絶縁層を介在させることにより、透過表示部及び反射表示部の液晶厚みを変えるための厚み制御層の形成が容易なだけでなく、反射体の形状及びサイズの制御が容易に行えるインクジェット方式や印刷方式が利用できる。
【００１２】
さらに、透明な画素電極と光散乱機能及び光反射機能を有する微小な反射体のみで構成する、最も単純な透過/反射兼用の画素電極構造にすることにより、製作工数が大幅に削減できる。
【００１３】
また、反射表示部となる前記反射体を所定サイズの凸又は凹形状にして、前記画素電極下に分散配置する画素電極構造とすることにより、透過表示部（反射体が配置されていない部分）と反射表示部（反射体が配置されている部分）の面積比率が高精度、かつ任意に制御できる。
【００１４】
さらに、画素電極下に形成される反射体の形状を、連続的に変化する傾斜面を有する凸又は凹形状とすることにより、観察する角度に依存しない反射及び透過表示が得られる。
【００１５】
また、画素電極下に形成される微小な凸又は凹形状の反射体を、上方向から見た形状が円状、楕円状、棒状、紐状、又はそれに近似する形状にすることにより、明るい反射・透過表示が得られる。
【００１６】
さらに、画素電極下に形成される微小な凸又は凹形状の反射体を、上方向から見た形状が円状、楕円状、棒状、紐状、又はそれに近似する形状の凸又は凹を高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンにすることにより、着色のない明るい反射・透過表示が得られる。
【００１７】
さらにまた、画素電極下に形成される光散乱機能と光反射機能を有する反射体を、直径が１〜10nmの銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の微細な金属粒子、樹脂、溶剤等からなる低粘度（1〜20cps程度）のペースト材を用いて形成することにより、低温（200〜250℃程度）で形成できる。
【００１８】
前記反射体の配置パターンが高分子ブロック共重合等で発現する相分離パターン、又はそれに近似するパターンである。なお、本発明は、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象を利用したパターン、又はそれらに近似したパターンに限定されるものでなく、従来のフィボナッチ数列や乱数表を利用して光散乱機能と光反射機能を有する反射体を配置してもよい。
【００１９】
また、本発明は、反射体を上方から見た形状についても、円、楕円、縦横比が比較的小さな棒状や縦横比が比較的大きな紐状、又はそれらに近似した形状に限定されるものでなく、多角形等でもよい。
【００２０】
さらに、本発明は光散乱機能と光反射機能を有する反射体として銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等に限定されるものでなく、その他の金属又は非金属材料でも反射率が高い物質であれよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、（１）透明な画素電極と光散乱機能及び光反射機能を有する反射体のみで、透過及び反射表示兼用の画素電極を形成することにより、反射層の形成及びパターニングの工程が不要になるだけでなく、透過表示領域と反射表示領域の比率を使用する照明環境に合わせて、高精度に設定できるだけでなく、配置パターンも任意に選択でき、しかも、簡単なプロセスで透過/反射表示兼用の画素電極が形成できるので、屋内、屋外何れの照明環境下においても明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００２２】
（２）透明な画素電極下に、光反射機能を有する微小な金属粒子を主体とするペーストを用いて、光散乱機能及び光反射機能を有する微小な反射体を分散配置・形成することにより、簡単なプロセスで透過/反射表示兼用の液晶表示装置ができるので、屋内、屋外何れの照明環境下においても明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能で、低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００２３】
（３）反射表示部となる光反射体を、光反射機能を有する微小な金属粒子を主体とする低粘度、かつ低焼成温度のペースト材を用いて無秩序に分散配置及び形成することにより、屋内、屋外何れの照明環境下においても光の干渉による色づきのない、明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能で、低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００２４】
（４）透明な画素電極下に、光反射機能を有する微小な金属粒子と熱硬化性樹脂をバインダーとする低粘度、かつ低硬化温度のペースト材を用いて、連続的に変化する曲面を有する微小な凸又は凹形状の反射体を無秩序に分散配置及び形成することにより、屋内、屋外何れの照明環境下においても光の干渉による色づきのない、明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能な、低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００２５】
（５）透明な画素電極下に、光反射機能を有する微小な金属粒子と熱硬化性樹脂をバインダーとする低粘度、かつ低硬化温度の導電材を用いて、連続的に変化する曲面を有する微小な凸又は凹を上方向から見た形状が大略円形、多角形、楕円、棒状、紐状、又はそれらに近似する形状にすることにより、使用する照明環境に適した反射特性にすることができるので、屋内、屋外何れの照明環境下においても光の干渉による色づきのない、明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能な、低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００２６】
（６）大略円形、多角形、楕円、棒状、紐状、又はそれらに近似する形状の凸又は凹形状の反射体を、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用して配置することにより、使用する照明環境に適した反射特性にすることができるので、屋内、屋外何れの照明環境下においても光の干渉による色づきのない、明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能な、低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００２７】
（７）光反射機能を有する微小な金属粒子と熱硬化性樹脂をバインダーとする低粘度、かつ低硬化温度のペースト材と相分離現象解析シミュレーションデータを用いて作製した高精度の階調露光用フォトマスクを用いることにより、大略円形、多角形、楕円、棒状、紐状、又はそれらに近似する形状の反射体を無秩序に分散配置することができるので、光の干渉による色づきのない、明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００２９】
図１ないし図５は、本発明に係る透過/反射表示兼用電極を内蔵した液晶表示装置であって、反射機能を有する凸形状の反射体17が、所望の密度で配置されている。
【００３０】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の断面構造であって、同図（a）は、反射体17が、透明な導電層からなる画素電極16下に配置され、同図（b）は、反射体17が、薄膜トランジスタ19のゲート絶縁膜12下に配置される点が異なり、他の構造は同じである。
【００３１】
ガラス基板10上に汎用の真空蒸着法とフォトリソグラフィ方法により、複数の薄膜トランジスタ19を形成する。この薄膜トランジスタ19は、ゲート電極11、ゲート絶縁膜12、ｎ型不純物とリンをドーピングしたアモルファスシリコン層13、ドレイン電極14及びソース電極15から構成され、以下の材質、膜厚を有する。
【００３２】
ゲート電極11の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
ゲート絶縁膜12の材質：窒化シリコン、膜厚：100〜1000nm、好ましくは200〜500nm。
アモルファスシリコン層13の材質：アモルファスシリコン、膜厚：5〜100nm、好ましくは10〜50nm。
ドレイン電極14の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
ソース電極15の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００３３】
次に、画素電極16を形成する前に、この画素電極16下の領域全面、又は、図４に示すように特定の領域に、銀粒子を主体とする反射材17をインクジェット法又はオフセット印刷法を使用して、微小な凸（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm、直径と高さ(深さ)の比：12〜18)、多角形、棒状、紐状、又は、それに近似した形状）を配置し、焼成を行い、光散乱機能及び光反射機能を有する反射体17を形成する。この反射材17は、以下に示すもので構成される。
【００３４】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：熱硬化性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
で構成され、例えば、ハリマ化成製銀ナノペースト、型式：NPS-J等が挙げられる。
【００３５】
その後、薄膜トランジスタ19に電気的に接続するように透明な画素電極16（材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成した後、さらに、画素電極16上に配向制御膜18（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成してなる一方の電極基板を作製する。
【００３６】
次に、ガラス基板20上に汎用の真空蒸着法とフォトリソグラフィ方法により、遮光層21、着色層22、保護層23、透明電極24、配向制御膜25が形成された他方の電極基板を作製する。これらの材質、膜厚を以下に示す。
【００３７】
遮光層21の材質：クロム及び酸化クロム、膜形成法：スパッタ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
着色層22の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
保護層23の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極24の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
配向制御膜25の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００３８】
この他方の電極基板の配向制御膜25と一方の電極基板の配向制御膜18とが互いに対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：５μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板10,20の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、該両電極基板10,20の間隙に液晶1を充填させて液晶素子を形成し、さらに、液晶素子の両ガラス基板面に所望の位相差板3,5と偏光板4,6を貼り合せると共に、液晶駆動用ＩＣが搭載されたテープ・キャリア・パッケージ（以下「ＴＣＰ」という。）及び駆動用外部回路等を接続して液晶表示素子30を形成し、この液晶表示素子30に光源41（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体42（材質：アクリル）、プリズムシート43、拡散シート44等から構成されるバックライト40をフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで液晶表示装置50を作製する。
【００３９】
以上、本発明によれば、透明な導電層からなる画素電極下に光散乱及び光反射機能を有する反射材からなる微小な凸又は凹を配置するため、画素電極と反射材とは電気的に接続されていなくても透過及び反射表示が可能なので、反射材として金属酸化物等の絶縁体でも使用できるようになるので安価で、高信頼性の液晶表示装置が提供できる。
【００４０】
また、本発明によれば、透明な画素電極と反射表示体となる光散乱及び光反射機能を有する反射材間に絶縁層を配置した構造ができるので、透過表示部と反射表示部の液晶厚みを変えるための厚み制御層が形成できるため、透過及び反射表示共にコントラストの高い画像表示が可能な液晶表示装置が提供できる。
【００４１】
次に、本発明の特徴となる画素電極16の詳細を図２に示す。同図に示すように、ゲート配線11'とドレイン配線14'に囲まれた領域内に形成された薄膜トランジスタ19のソース電極に接続された透明な画素電極16下に光散乱機能及び光反射機能を有する反射体17を配置した画素電極であり、黒で表示された部分が反射表示部であり、その他の白で表示された部分が透過表示部である。
【００４２】
なお、同図に示す反射体17の分散配置パターンは、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用したものであるが、本発明は、この形状やパターンに限定されるものでなく、形状については円形、多角形、棒状、紐状、又はそれに近似する形状でも良く、反射体17の分散配置パターンは乱数表を利用するもの、フィボナッチ数列を利用するものでも良い。ただし、反射体17の分散配置パターンについては、１画素の面積に対する反射表示部の面積（黒で表示された部分の総面積）の占有率が任意に制御できる方法が望ましいので、本実施例では高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用した。
【００４３】
次に、本発明の特徴である光散乱機能及び反射機能を有する反射材体の配置例を図３ないし図５に示す。図３は、反射体17を画素電極16の全面に分散配置した場合であり、同図（ａ）が透過表示（白で表示した部分が透過表示部）を優先した分散配置パターン、同図（ｂ）が反射表示（黒で表示した部分が反射表示部）を優先した分散配置パターン例である。同図に示すように、透明な画素電極16下の全面に大略円形の凸状又は凹状の反射体17を分散配置したものであり、（ａ）は反射体17の表示部（黒で表示した部分）よりも透過表示部17'（白で表示した部分）の方が多い、所謂、透過表示優位の分散配置パターン例、（ｂ）は透過表示部17'（白で表示した部分）よりも反射表示部17（黒で表示した部分）よりの方が多い、所謂、反射表示優位の分散配置パターンである。
【００４４】
また、図４は、凸状又は凹状の反射体17を画素電極16の特定領域にのみ分散配置した場合であり、同図（ａ）は透過表示部が短冊状に分割配置され、その周辺にのみ反射体を分散配置したパターン、同図（ｂ）は透過表示部が円状に分割配置され、その周辺にのみ反射体を分散配置したパターン、同図（ｃ）は同図（ａ）のA-A'部における断面図、同図（ｄ）は同図（ｂ）のA-A'部における断面図である。
【００４５】
図４に示すように、同図（ａ）、（ｃ）は透明な画素電極16内の３箇所に短冊状の透過表示部17'を設け、その周辺にのみ反射体17を分散配置した例であり、透過表示部17'（白で表示した部分）に大きな面積を割り当て、反射体17の表示部（黒で表示した部分）の面積を小さく割り当てた場合のパターン配置で、所謂、透過表示重視のパターン配置、同図（ｂ）、（ｄ）は透明な画素電極16下に比較的大きな面積の円形状の透過表示部17'を設け、それ以外の部分に反射体17を分散配置した例であり、透過表示部17'（白で表示した部分）を複数箇所に設け、反射体17の表示部（黒で表示した部分）の面積をやや小さくした場合のパターン配置で、所謂、透過表示重視型のパターン配置である。なお、本実施例では比較的大きな透過表示部17'内には反射体17を配置しなかったが、これに限定されることなく反射体17を配置しても同様の効果が得られる。
【００４６】
さらに、図５は、反射体17の別の形状を示す図であり、同図（ａ）は反射体17を上方向から見たときの形状が紐状パターンの場合、同図（ｂ）は反射体17を上方向から見たときの形状が棒状パターンの場合である。図５に示すように、同図(ａ)は紐状（凸又は凹形状）の反射体17を分散配置したパターンであり、透過表示部17'（白で表示した部分）と反射体17の表示部（黒で表示した部分）をほぼ同じ面積にした場合のパターン配置、同図（ｂ）は棒状（凸又は凹形状）の反射体17を分散配置したパターンであり、透過表示部17'（白で表示した部分）と反射体17の表示部（黒で表示した部分）をほぼ同じ面積にした場合のパターン配置である。この紐あるいは棒形状反射体17の配置パターンの特徴は、液晶表示装置の反射表示特性に指向性（方位角方位）を付与できることであり、モバイルタイプの液晶表示装置では反射表示部の面積が小さくても、明るい反射表示が得られる効果が得られる。
【００４７】
次に、本発明の液晶表示装置の構成を示す模式図を図６に示す。同図に示すように、本発明の液晶表示装置50は液晶表示素子30、走査側駆動回路51、信号側駆動回路52及び信号処理回路53で構成した。なお、図示していないが、前述したように液晶表示素子30の背面には冷陰極管、導光体、プリズムシート及び拡散シートからなるバックライトを配置した。
【００４８】
以上、本発明によれば、反射機能を有する導電性反射材を使用して、微小な凸又は凹形状の光散乱及び反射機能を有する反射体17を形成すると共に、この反射体17を無秩序に分散配置することにより、画素電極16の面積に対して反射表示部となる複数の反射体17の総面積が占める割合を任意に制御できるので、屋内・屋外等照明条件によらず、干渉による着色が発生せずに明るく、コントラストの高い画像表示が可能な液晶表示装置が提供できる。
【００４９】
なお、本発明における光散乱及び光反射機能を有する反射体17の配置方法については、乱数表を利用するもの、フィボナッチ数列を利用するもの、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用するもの等、無秩序に分散配置できる方法であれば同様の効果は得られるが、より好ましくは、透過表示部及び反射表示部の開口率が高精度、かつ任意に制御できる相分離パターンを利用する配置方法が望ましい。
【００５０】
また、光散乱機能及び光反射機能を有する反射体17を無秩序に配置できるだけでなく、反射体17の占有する総面積を任意に制御できる方法であれば、本発明のように、所望の透過/反射表示の開口率を決定することができるので、使用する照明条件で高輝度、高コントラストの画像が表示可能な液晶表示装置が提供できる効果が得られる。
【実施例２】
【００５１】
図７は、透明な画素電極66下に、光散乱機能及び光反射機能を有する反射体67が、所望の密度で配分散置された透過及び反射表示兼用の画素電極66を内蔵した本発明の別の液晶表示装置を示す。同図に示すように、ガラス基板60上に汎用の真空蒸着法とフォトリソグラフィ方法により、複数の薄膜トランジスタ19を形成する。この薄膜トランジスタ19は、ゲート電極61、ゲート絶縁膜62、アモルファスシリコン層63、ｎ型不純物としてリンをドーピングしたアモルファスシリコン層63'、ドレイン電極64及びソース電極65で構成され、以下に示す材質、膜厚を有する。
【００５２】
ゲート電極61の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
ゲート絶縁膜62の材質：窒化シリコン、膜厚：100〜1000nm、好ましくは200〜500nm。
アモルファスシリコン層63の膜厚：50〜1000nm、好ましくは100〜500nm。
ｎ型不純物としてリンをドーピングしたアモルファスシリコン層63'の膜厚：5〜100nm、好ましくは10〜50nm。
ドレイン電極64の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
ソース電極65の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
なお、図示しないがドレイン配線の材質：クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００５３】
次に、絶縁層兼液晶厚み制御層68（材質：アクリル系樹脂、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm）及びコンタクトホール部68'を形成する。
【００５４】
その後、反射表示用厚み制御層68部のみに銀微粒子を用いたペーストをインクジェット法又はオフセット印刷法を使用して、光散乱機能及び光反射機能を有する微小な凸又は凹形状の反射体67（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似した形状）を形成する。このペーストは、例えば、ハリマ化成製、型式：NPS-Jを使用し、以下、その材質や特性を示す。
【００５５】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：熱硬化性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは2〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
【００５６】
さらに、薄膜トランジスタ19に電気的に接続するように透明な画素電極66（材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成し、この画素電極66上に配向制御膜69（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成して、一方の電極基板を作製する。
【００５７】
次に、ガラス基板70上に汎用の真空蒸着法とフォトリソグラフィ法により、遮光層71、着色層72、保護層73、透明電極74、配向制御膜75を形成し、他方の電極基板を作製する。以下、これらの材質、膜厚を示す。
【００５８】
遮光層71の材質：クロム及び酸化クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
着色層72の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
保護層73の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極74の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
配向制御膜75の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００５９】
ここで、一方の電極基板の配向制御膜69と他方の電極基板の配向制御膜75とが互いに対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：５μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板60,70の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、この両電極基板60,70の間隙に液晶1を充填させて半透過反射型液晶素子を形成する。
【００６０】
さらに、半透過反射型液晶素子の両ガラス基板面に所望の位相差板3,5と偏光板4,6を貼り合せると共に、液晶駆動用ＩＣが搭載されたＴＣＰ及び駆動用外部回路等を接続して半透過反射型液晶表示素子30を形成し、この液晶表示素子30に光源41（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体42（材質：アクリル）、プリズムシート43、拡散シート44等から構成されるバックライト40をフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで半透過反射型液晶表示装置50を作製する。
【００６１】
なお、画素電極66の構成、反射体67の配置パターン及び液晶表示装置の構成等については実施例１と同じであり、詳細な説明は省略する。
【００６２】
以上、本発明によれば、画素電極66内に光散乱機能及び光反射機能を有する微小な反射体67を無秩序、かつ任意の密度に分散配置・形成できるので、反射表示部となる微小な反射体67の総面積を高精度で制御することが可能であり、画素電極の面積に対して反射表示部の占める割合を任意に制御できるので、屋内・屋外等照明条件によらず、干渉による着色が発生せずに明るく、コントラストの高い画像表示が可能な液晶表示装置が提供できる。
【００６３】
なお、本発明における微小な反射体67の配置方法については、乱数表を利用するもの、フィボナッチ数列を利用するもの、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用するもの等、無秩序に配置できる方法であればよく、より好ましくは、１画素の面積に対して透過表示部と反射表示部の面積が占める割合を任意に制御できる相分離パターンを利用するのが望ましい。
【００６４】
すなわち、反射体67を任意の位置に、任意の形状及び密度で配置できるだけでなく、画素電極66の面積に占める反射体67の総面積の比率を任意に制御できる方法であれば、本発明のように、所望の透過及び反射表示の開口率を決定することができるので、使用する照明条件において高輝度、高コントラストの画像表示が可能な液晶表示装置が提供できる。
【実施例３】
【００６５】
図８は、透明電極81下に、光散乱機能及び光反射機能を有する反射体82が、所望の密度で分散配置された透過表示/反射表示兼用の透明電極81を内蔵したパッシブ駆動方式の本発明の液晶表示装置を示す。
【００６６】
同図に示すように、ガラス基板80（材質：ソーダガラス、板厚：0.5 mm）上に、透明電極81に対応する領域に、銀微粒子を主体としたペーストを、インクジェット法を使用して、微小な凸又は凹形状の反射体82（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれに近似した形状）を分散配置して形成する。このペーストは、例えば、ハリマ化成製銀ナノペースト、型式：NPS-Jを使用し、以下に示す材質、特性を有する。
【００６７】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：熱硬化性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
【００６８】
その後、透明電極81（材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜付法：スパッタ法、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成し、さらに、この透明電極81上に配向制御膜83（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成し、一方の電極基板を作製する。
【００６９】
次に、他方のガラス基板90（材質：ソーダガラス、板厚：0.5mm）上に、遮光層91、着色層92、保護層93、透明電極94、配向制御膜95を形成し、他方の電極基板を作製する。以下、これらの材質や膜厚を示す。
【００７０】
遮光層91の材質：クロム及び酸化クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm、又は、母材：アクリル系樹脂、分散材：黒顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
着色層92の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
保護層93の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極94の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600 nm、好ましくは100〜300 nm）。
配向制御膜95の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００７１】
ここで、一方の電極基板の配向制御膜83と他方の電極基板の配向制御膜95とが互いに対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：５μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、この両電極基板の間隙に液晶1を充填させた液晶素子を形成する。
【００７２】
次に、液晶素子の両ガラス基板80,90面に所望の位相差板3,5と偏光板4,6を貼り合せると共に、液晶駆動用ＩＣが搭載されたＴＣＰ及び駆動用外部回路等を接続して液晶表示素子30を形成し、この液晶表示素子30に光源41（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体42（材質：アクリル）、プリズムシート43、拡散シート44等から構成されるバックライト40をフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで液晶表示装置50を作製する。
【００７３】
なお、透明電極81下への反射体82の配置及び液晶表示装置の構成等については基本的に実施例１と同じであり、詳細な説明は省略する。
【００７４】
本発明は透明電極81下に光散乱機能及び光反射機能を有する微小な反射体82を分散配置した、透過及び反射表示兼用の透明電極81を備えた液晶表示装置であり、微小な反射体82を反射表示部として使用し、その他の部分を透過表示部として使用する透過及び反射表示兼用の透明電極81にすることにより、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００７５】
本発明の光散乱機能及び光反射機能を備えた透過及び反射表示兼用の透明電極81を内蔵した液晶表示装置は、特に、観察者が手に持って使用する携帯電話、PDAをはじめ、机上に置いて使用するノートブック型ＰＣやモニタ用途の液晶表示装置まで幅広く有効であり、使用する照明環境に最適な透過及び反射表示兼用電極の設計、製作が容易に行えるので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【実施例４】
【００７６】
本発明の透過/反射表示兼用の電極を内蔵する携帯機器用液晶表示装置に好適な製造方法を図９に示す。本発明の製造方法は、特に、同図（ａ）ないし（ｄ）の工程からなる。
【００７７】
同図（ａ）は、汎用の真空蒸着法及びフォトリソグラフィ法により、ガラス基板10上にゲート電極11、ゲート絶縁膜12、アモルファス層13、ドレイン電極14、ソース電極15からなる薄膜トランジスタ19を複数形成する工程である。
【００７８】
同図（ｂ）は、ソース電極15に接続されるように形成される画素電極16に対応する領域のゲート絶縁膜12上に、インクジェット方式のパターン形成装置100を使用し、銀微粒子を主体とするペーストで、光散乱機能及び光反射機能を有する微小な凸又は凹形状の反射体17（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似した形状）を分散配置して形成し、さらに、ソース電極15に接続させた画素電極16を形成する工程である。ここで用いるペーストは、例えば、ハリマ化成製であり、以下の材質、特性を有する。
【００７９】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：熱硬化性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
【００８０】
同図（ｃ）は、同図（ｂ）で形成された画素電極16上に配向制御膜18（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成する工程である。以上の工程を経て一方の電極基板が作製される。
【００８１】
同図（ｄ）は、他方のガラス基板20（材質：ＡＮガラス、板厚：0.5mm）上に、遮光層21、着色層22、保護層23、透明電極24、配向制御膜25を形成する工程であり、この工程で、他方の電極基板が作製される。これらの材質、膜厚を以下に示す。
【００８２】
遮光層21の材質：クロム及び酸化クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
着色層22の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
保護層23の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極24の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
配向制御膜25の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００８３】
ここで、同図（ｄ）に示すように、互いの配向制御膜18,25が対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：５μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、この両電極基板の間隙に液晶1を充填させた液晶素子を形成する。
【００８４】
さらに、図示していないが、液晶素子の両ガラス基板10,20面に所望の位相差板と偏光板を貼り合せる工程と、液晶駆動用ＩＣが搭載されたＴＣＰ及び駆動用外部回路等を接続して液晶表示素子を形成する工程と、この液晶表示素子に光源（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体（材質：アクリル）、プリズムシート、拡散シート等から構成されるバックライトをフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで液晶表示装置を形成する工程とを含む工程からなる。
【００８５】
なお、本実施例では透過/反射表示兼用電極として、透明導電層下に光散乱機能及び光反射機能を有する微小な凸状の反射体を無秩序に分散配置し、しかも、透明電極と凸状の導電材が電気的に接続形されるように構成したものであるが、予め、凸状反射体が形成される部分を除いた部分の透明導電層上に導電材が塗れないような、撥導電材性の材料を塗布しておき、パターン形成装置等により撥反射体性材料のない部分にのみ反射体を配置する製造方法でもよく、本実施例と同様に、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００８６】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、従来法のようにフォトリソグラフィ法や真空蒸着法等を使用せず、印刷方式、転写方式又はディスペンサー方式等で簡単に透過表示/反射表示兼用の電極形成ができるので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００８７】
また、従来の透過/反射兼用電極の形成方法は、１）感光性樹脂の塗布工程（スピンコート法）、２）樹脂膜表面への凹凸（コンタクトホール含む）形成工程（フォトリソグラフィ法）、３）反射膜々付工程（真空蒸着法）、４）反射膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）、５）透明導電膜々付工程（真空蒸着法）、６）透明導電膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）とからなる複雑なものであったが、本発明の製造方法は、単に工数が少ないだけでなく、透過表示/反射表示に対して透過率又は反射率を低下させる部材を必要としない製造方法なので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００８８】
さらに、前述のように、本発明の透過/反射兼用電極の製造方法は、透明な画素電極と光散乱機能及び光反射機能を有する反射体で透過/反射兼用電極を構成する単純な構造なので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能で、低価格、信頼性の高い液晶表示装置が提供できる。
【実施例５】
【００８９】
本発明の透過/反射表示兼用の電極を内蔵する携帯機器用液晶表示装置に好適な別の製造方法を図１０に示す。ここでは、アクティブ駆動型の液晶表示装置を例にとり説明するが、パッシブ駆動型でも透過/反射表示兼用電極の製作工程は基本的に同じである。本発明の製造方法は、特に、同図（ａ）ないし（ｄ）の工程からなる。
【００９０】
同図（ａ）は、汎用の真空蒸着法及びフォトリソグラフィ法により、ガラス基板10（材質：アルカリレスガラス、板厚：0.5mm）上にゲート電極11、ゲート絶縁膜12、アモルファス層13、ドレイン電極14、ソース電極15からなる薄膜トランジスタ19上に、銀微粒子を主体とした感光性ペースト17'の薄膜を形成し、フォトマスク105を介して所定の条件により露光・現像する工程である。この感光性ペースト17'の材料、特性を以下に示す。
【００９１】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：ポジ型感光性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
【００９２】
同図（ｂ）は、同図（ａ）でゲート絶縁膜12上に形成された感光性ペースト17'を所定の条件により焼結し、光散乱機能及び光反射機能を有する微小な凸又は凹形状の反射体17（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似した形状）を分散配置する工程である。
【００９３】
同図（ｃ）は、同図（ｂ）で形成された反射体17及びゲート絶縁膜12上に透明な画素電極16（材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成し、さらに、画素電極16上に配向制御膜18（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成する工程である。以上の工程を経て一方の電極基板が作製される。
【００９４】
同図（ｄ）は、他方のガラス基板20（材質：アルカリレスガラス、板厚：0.5mm）上に、遮光層21、着色層22、保護層23、透明電極24、配向制御膜25を形成する工程である。この工程で他方の電極基板が作製される。これらの材質、膜厚を以下に示す。
【００９５】
遮光層21の材質：クロム及び酸化クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm、又は母材：アクリル系樹脂、分散材：黒顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
着色層22の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm）。
保護層23の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極24の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
配向制御膜25の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【００９６】
ここで、同図（ｃ）に示すように、両電極基板の互いの配向制御膜18,25が対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：5μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、この両電極基板の間隙に液晶1を充填させた液晶素子を形成する。
【００９７】
さらに、図示していないが、液晶素子の両ガラス基板10,20面に所望の位相差板と偏光板を貼り合せる工程と、液晶駆動用ＩＣが搭載されたＴＣＰ及び駆動用外部回路等を接続して半透過反射型液晶表示素子を形成する工程と、この液晶表示素子に光源（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体（材質：アクリル）、プリズムシート、拡散シート等から構成されるバックライトをフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで透過及び反射表示を同時に行う液晶表示装置を形成する工程とを含む工程からなる。
【００９８】
本発明の半透過反射型液晶表示装置の製造方法によれば、従来法のようにフォトリソグラフィ法や真空蒸着法等を使用せず、印刷方式、転写方式又はディスペンサー方式等で簡単に透過表示/反射表示兼用の電極形成ができるので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【００９９】
また、従来の透過/反射兼用電極の形成方法は、１）感光性樹脂の塗布工程（スピンコート法）、２）樹脂膜表面への凹凸（コンタクトホール含む）形成工程（フォトリソグラフィ法）、３）反射膜々付工程（真空蒸着法）、４）反射膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）、５）透明導電膜々付工程（真空蒸着法）、６）透明導電膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）とからなる複雑なものであったが、本発明の製造方法は単に工数が少ないだけでなく、透過表示/反射表示に対して透過率又は反射率を低下させる部材を必要としない製造方法なので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１００】
さらに、前述のように、本発明の透過/反射兼用電極の製造方法は、透明な画素電極と光散乱機能及び光反射機能を有する反射体で透過/反射兼用電極を構成する単純な構造なので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能で、低価格、信頼性の高い液晶表示装置が提供できる。
【実施例６】
【０１０１】
本発明の透過/反射表示兼用の電極を内蔵する携帯機器用液晶表示装置に好適な別の製造方法を図１１に示す。ここでは、パッシブ駆動型の液晶表示装置を例にとり説明するが、アクティブ駆動型でも透過/反射兼用電極の製作工程は基本的に同じである。本発明の製造方法は、特に、同図（ａ）ないし（ｅ）の工程からなる。
【０１０２】
同図（ａ）は、所望の微小な凹形状（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似の形状）を備え、かつ表面をシリコン処理等で剥離機能付与させた転写型110と、この転写型110の凹部に充填させた銀微粒子を主体とするペースト82'からなるパターン形成装置である。このペースト82'は、以下の材質、特性を有する。
【０１０３】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：熱硬化性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
【０１０４】
同図（ｂ）は、ガラス基板80（材質：ソーダガラス、板厚：0.5mm）上の透明電極に対応する領域に分散配置・焼結させて、光散乱機能及び光反射機能を有する微小な凸形状の反射体82（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似した形状）を形成する工程である。
【０１０５】
同図（c）は、ガラス基板80上の反射体82上に透明電極81（材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成する工程である。
【０１０６】
同図（ｄ）は、透明電極81上に配向制御膜18（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成する工程である。以上の工程を経て一方の電極基板が作製される。
【０１０７】
同図（ｅ）は、他方のガラス基板90（材質：ソーダガラス、板厚：0.5mm）上に、遮光層91、着色層92、保護層93、透明電極94、配向制御膜95を形成する工程である。この工程で他方の電極基板が作製される。これらの材質、膜厚を以下に示す。
【０１０８】
遮光層91の材質：クロム及び酸化クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm、又は母材：アクリル系樹脂、分散材：黒顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
着色層92の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
保護層93の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極94の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
配向制御膜95の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【０１０９】
ここで、同図（ｅ）に示すように、両電極基板の互いの配向制御膜83,95が対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：５μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、この両電極基板の間隙に液晶1を充填させた液晶素子を形成する。
【０１１０】
さらに、図示していないが、液晶素子の両ガラス基板80,90面に所望の位相差板と偏光板を貼り合せる工程と、液晶駆動用ＩＣが搭載されたＴＣＰ及び駆動用外部回路等を接続して液晶表示素子を形成する工程と、この液晶表示素子に光源（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体（材質：アクリル）、プリズムシート、拡散シート等から構成されるバックライトをフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで透過表示及び反射表示が同時に行える液晶表示装置が作製される。
【０１１１】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、従来法のようにフォトリソグラフィ法や真空蒸着法等を使用せず、印刷方式、転写方式又はディスペンサー方式等で簡単に透過表示/反射表示兼用の電極形成ができるので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１１２】
また、従来の透過/反射兼用電極の形成方法は、１）感光性樹脂の塗布工程（スピンコート法）、２）樹脂膜表面への凹凸（コンタクトホール含む）形成工程（フォトリソグラフィ法）、３）反射膜々付工程（真空蒸着法）、４）反射膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）、５）透明導電膜々付工程（真空蒸着法）、６）透明導電膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）とからなる複雑なものであったが、本発明の製造方法は、単に工数が少ないだけでなく、透過表示/反射表示に対して透過率又は反射率を低下させる部材を必要としない製造方法ので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１１３】
さらに、前述のように、本発明の透過/反射兼用電極の製造方法は、透明な電極と光散乱機能及び光反射機能を有する反射体で透過/反射兼用電極を構成する単純な構造なので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能で、低価格、信頼性の高い液晶表示装置が提供できる。
【実施例７】
【０１１４】
本発明の透過/反射兼用の電極を内蔵する携帯機器用液晶表示装置に好適な別の製造方法を図１２に示す。ここでも、パッシブ駆動型の液晶表示装置を例にとり説明するが、アクティブ駆動型でも透過/反射兼用電極の製作工程は基本的に同じである。本発明の製造方法は、特に、同図（ａ）ないし（ｅ）の工程からなる。
【０１１５】
同図（ａ）は、所望の微小な凹形状（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似の形状）を備えたシート状の転写型を有するパターン形成装置120と、このパターン形成装置120のシート状転写型に形成された凹部に充填された銀微粒子を主体としたペースト82'からなるパターン形成装置である。このペースト82'の材質、特性を以下に示す。
【０１１６】
材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm。
バインダー：熱硬化性樹脂。
溶剤：テトラデカン、ドデカン等の非極性溶剤。
粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps。
表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm。
硬化温度：150〜300℃、好ましくは200〜250℃。
抵抗率：１〜50μΩ・cm（膜厚：01〜10μm）、好ましくは5〜30μΩ・cm。
【０１１７】
同図（ｂ）は、ガラス基板80（材質：ソーダガラス、板厚：0.5mm）上に、シート状の転写型を重ね合わせ、ロール130により加熱・加圧して、ガラス基板80上にペースト82'を分散配置した後、焼結して、光散乱機能及び光反射機能を有する凸形状の微小な反射体82（形状：円(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)、多角形、棒状、紐状、又はそれらに近似の形状）を形成する工程である。
【０１１８】
同図（ｃ）は、ガラス基板80上に形成された反射体82上に透明電極81（材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成する工程である。
【０１１９】
同図（ｄ）は、同図（ｃ）で形成された透明電極81上に配向制御膜83（材質：ポリイミド樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）を形成する工程である。以上の工程を経て一方の電極基板が作製される。
【０１２０】
同図（ｅ）は、他方のガラス基板90（材質：ソーダガラス、板厚：0.5mm）上に、遮光層91、着色層92、保護層93、透明電極94、配向制御膜95を形成する工程である。この工程で他方の電極基板が作製される。これらの材質、膜厚を以下に示す。
【０１２１】
遮光層91の材質：クロム及び酸化クロム、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm、又は母材：アクリル系樹脂、分散材：黒顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
着色層92の母材：アクリル系樹脂、分散材：顔料、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜3000nm、好ましくは1000〜2000nm。
保護層93の材質：アクリル系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：500〜4000nm、好ましくは1000〜3000nm。
透明電極94の材質：ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
配向制御膜95の材質：ポリイミド系樹脂、塗布法：スピンコート、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm。
【０１２２】
ここで、同図（ｅ）に示すように、両電極基板の互いの配向制御膜83,95が対向するようにスペーサ材2（材質：ポリマービーズ、シリカビーズ、粒子径：５μm、分散法：水分散）を介して組合せ、両電極基板の周辺をシーリング材（図示せず、材質：エポキシ樹脂、分散材：スペーサ粒子）で接着させ、この両電極基板の間隙に液晶1を充填させた液晶素子を形成する。
【０１２３】
さらに、図示していないが、液晶素子の両ガラス基板80,90面に所望の位相差板と偏光板を貼り合せる工程と、液晶駆動用ＩＣが搭載されたＴＣＰ及び駆動用外部回路等を接続して液晶表示素子を形成する工程と、この液晶表示素子に光源（冷陰極管、ＬＥＤ）、導光体（材質：アクリル）、プリズムシート、拡散シート等から構成されるバックライトをフレーム、ケース等からなる筐体に組込んで透過表示及び反射表示を同時に行う液晶表示装置が作製される。
【０１２４】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、従来法のようにフォトリソグラフィ法や真空蒸着法等を使用せず、印刷方式、転写方式又はディスペンサー方式等で簡単に透過表示/反射表示兼用の電極形成ができるので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１２５】
また、従来の透過/反射兼用電極の形成方法は、１）感光性樹脂の塗布工程（スピンコート法）、２）樹脂膜表面への凹凸（コンタクトホール含む）形成工程（フォトリソグラフィ法）、３）反射膜々付工程（真空蒸着法）、４）反射膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）、５）透明導電膜々付工程（真空蒸着法）、６）透明導電膜のパターン形成工程（フォトリソグラフィ法）とからなる複雑なものであったが、本発明の製造方法は、単に工数が少ないだけでなく、透過表示/反射表示に対して透過率又は反射率を低下させる部材を必要としない製造方法ので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１２６】
さらに、前述のように、本発明の透過/反射兼用電極の製造方法は、透明電極と光散乱機能及び光反射機能を有する反射体で透過/反射兼用電極（透過/反射表示兼用の電極）を構成する単純な構造なので、屋内、屋外を問わず明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能で、低価格、信頼性の高い液晶表示装置が提供できる。
【０１２７】
以上、本発明は、光散乱機能と光反射機能を有する反射体の形状制御に高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象によるパターン、又はそれらに近似したパターンを利用する。前記相分離パターンを計算機シミュレーションで創生し、その濃度分布データを利用することにより、階調露光用マスク(例えば、HEBS-Glass Plate CANYON MATERIALS,INC)が作製できるだけでなく、所望の形状の拡散反射体が感光性樹脂を使用して露光、現像、硬化の工程だけで形成できる効果も得られる。また、前記階調露光用マスクを用いて樹脂パターンを作製すると共に、その樹脂パターンを利用して転写用金型あるいは印刷版を作製し、転写法あるいは印刷法により透過及び反射表示兼用の画素電極構造を形成すること等により、低コスト化が可能になる効果もある。
【０１２８】
また、反射体を無秩序に配置するためのパターンとして、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用するため、その相分離パターンを計算機シミュレーション手法により生成する。
【０１２９】
さらに、樹脂パターンを形成する際に使用する階調露光あるいは２値用フォトマスクの遮光パターン（又は透過パターン）、あるいは転写用金型に形成される凸又は凹パターン用マスターマスク形成等に用いる。
【０１３０】
また、本発明は、高分子共重合体等で発現する相分離パターン生成のシミュレーション手法が、１）Cahn-Hilliard-Cook方程式、２）時間依存Ginzburg-Landau方程式、３）Cell-Dyamical-System方程式等を用いた数値シミュレーションである。
【０１３１】
さらに、本発明の光散乱機能と光反射機能を有する反射体やその配置パターン形成に用いるフォトマスク用の遮光部あるいは透過部のパターンは、数値シミュレーションにより生成された相分離の濃度分布パターン（数値データ）と、拡散反射体とをコンピュータを用いてデータ（画像）処理したパターンである。
【０１３２】
なお、本発明における光散乱機能と光反射機能を有する微小な反射体の配置方法については、乱数表を利用するもの、フィボナッチ数列を利用するもの、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離パターンを利用するもの等、無秩序に配置できる方法であれば何れでもよいが、より好ましくは、透過表示領域と反射表示領域の割合を任意に制御できる配置方法が望ましい。
【０１３３】
言い換えれば、本発明によれば、光散乱機能と光反射機能を有する反射体を無秩序に配置できるだけでなく、反射体の占有する総領域（総面積）を任意に制御できる方法であれば、使用する照明条件や用途に合わせて、１画素内における透過及び反射表示領域の占める割合を決定することができるので、使用する環境の照明条件において最適な表示が得られる。
【０１３４】
まず、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象を解析するためのCell-Dynamical-System model等の数値解析法より、半球状の凸あるいは凹が無秩序、かつ所望の密度に配置されたパターンを濃度分布データとして創出し、この濃度分布データを利用して遮光量（透過光量）に対応させた階調露光用フォトマスクを製作する。次に、前記階調露光用フォトマスクと露光量に比例して除去され、かつ熱だれし難い感光性樹脂を用いることにより、微小で複雑な形状の前記反射材の形状を精度良く形成できる。
【０１３５】
また、上記濃度分布データ（座標データ含む）を利用して、インクジェット方式のパターン形成装置を制御することにより、金属微粒子を主体とするペースト材からなる反射体を画素電極内の任意の位置に、任意のサイズで、任意の数量だけ分散配置できる。
【０１３６】
より具体的には、Cell-Dynamical-System model等の数値解析法を用いて、１）反射表示部となる反射体が配置された総面積と、透過表示部となる反射体が配置されていない部分の総面積との比率が所望の数値になる円状、棒状、紐状、又はそれらに近似した形状の相分離パターンを創生及び濃度分布データを創生、２）前記濃度分布データをフォトマスク用階調露光データに変換、３）電子ビームあるいはレーザ描画装置を使用してフォトマスク用ガラスブランクス（HEBS-Glass Photo mask Blanks：電子ビームあるいはレーザの照射光量に応じて透過率が変化するガラス、 CANYON MATERIALS社製）に階調露光用パターンを形成、４）前記階調露光用フォトマスクを用い、フォトリソグラフィ法で連続的に変化する傾斜面を有する曲面反射部からなる微小な凸又は凹の光拡散反射体が所望の密度、かつ無秩序に配置された樹脂パターンを形成、５）前記樹脂パターン上に導電層を形成する、６）メッキ法で凹部が無秩序に配置されたニッケル薄膜の転写版を作製、７）前記ニッケル薄膜の凹部面に撥反射材性処理、８）前記ニッケル薄膜を転写ドラムに装着、９）前記転写ドラムを備えたパターン形成装置により、透明な画素電極下に微小な半球状の反射体を無秩序に配置・形成、からなるプロセスで、本発明の透明な画素電極下に形成する微小な反射体を形成・配置するに好適な転写金型が作製でき、この金型を使用することで簡単に透過/反射表示兼用電極が形成できる。
【０１３７】
同様に、Cell-Dynamical-System model等の数値解析法を用いて、１）反射表示部となる反射体の総面積と、透過表示部となる反射体以外の部分の総面積との比率が所望の数値になる円状、棒状、紐状、又はそれらに近似の形状の相分離パターンを創生及び濃度分布データを創生、２）前記濃度分布データをインクジェット方式のパターン形成装置用吐出圧力にデータ変換、３）前記インクジェット方式のパターン形成装置を使用して、透明な画素電極下に微小な半球状の反射体を無秩序に配置・形成、からなるプロセスで、本発明の透明な画素電極下に形成する反射表示部となる光散乱機能と光反射機能を有する微小な反射体を配置・形成するに好適なパターン形成装置の転写金型が作製でき、この装置を使用することで簡単に透過/反射表示兼用電極が形成できる。
【０１３８】
本発明の透過/反射表示兼用電極の特徴は、光散乱機能及び光反射機能を有する反射体を無秩序、かつ任意の密度に配置できるというだけでなく、Cell-Dynamical-System model等の数値解析手法を用いて濃度分布パターンが生成できるので、断面形状が２次曲線になるような微小な凸あるいは凹形状の反射体を形成するに好適な階調露光用フォトマスク、転写方式及びインクジェット方式パターン形成装置が簡単に製作できることである。
【０１３９】
また、数値解析手法を用いて濃度分布パターンを生成するため、特定濃度でのパターン切出しが容易に行えるので、使用する樹脂の特性に適合したマスクパターン（パターンサイズ及びパターン間隙等）、任意にパターン密度が変えられる転写方式及びインクジェット方式パターン形成装置が簡単に製作できることである。
【０１４０】
さらに、前述した円状、棒状、紐状、又はそれらに近似の形状の相分離パターンをガイドにして前記反射体を無秩序、かつ任意の密度に配置するフォトマスク、転写方式及びインクジェット方式パターン形成装置が簡単に製作できる。
【０１４１】
特に、本発明の特徴は、連続的に変化する傾斜面を有する反射体を無秩序、かつ任意の密度に配置するため、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象をCell-Dynamical-System model等の数値解析手法を用いて濃度分布パターンを生成し、この相分離パターンの濃度分布データを利用して、３次元の形状制御が可能な階調露光用フォトマスク、転写方式及びインクジェット方式のパターン形成装置を簡単に作製することである。
【０１４２】
また、本発明によれば、反射材である前記凸又凹を配置するためのパターンとして、計算機シミュレーションによりパターン創生が可能な高分子共重合体等で発現する相分離現象によるパターンを用いることにより、光の干渉による着色が発生しないだけでなく、１画素内の透過表示領域と反射領域の比率を任意に制御することができる。
【０１４３】
さらに、本発明によれば、コンピュータ・シミュレーションにより創生した相分離パターンデータを利用して転写用ロール/プレートあるいは階調露光用フォトマスク等を作製し、反射材である前記凸又凹を転写法、印刷法又はフォトリソグラフィ法等で形成することにより、低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１４４】
また、本発明によれば、コンピュータ・シミュレーションにより任意に制御できる反射材を紐状、棒状あるいは円状で無秩序に配置したパターンを前記転写ロール/プレート金型あるいはフォトマスクパターンとして利用できるので、連続的に変化する曲面反射部の断面形状を変化させずに、反射材の配列方向を制御することにより、特定の照明環境に対応した明るく、かつコントラストの高い画像表示が可能な低価格の液晶表示装置が提供できる。
【０１４５】
なお、高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象により創出される前記パターンの形成については、下記に詳述する。
【０１４６】
（１）高分子共重合体や高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象の数値解析手法（Cahn-Hilliard(-Cook)方程式、時間依存Ginzburg-Landau方程式あるいはCell-Dynamical-System model(CDS) 方程式等）を利用して、円状、多角形、棒状あるいは紐状等、所望の濃度分布パターン及び数値データを創出する。
【０１４７】
（２）前記数値解析手法により創出した濃度分布パターンデータをインクジェット方式パターン形成装置用データに変換する。
【０１４８】
（３）前記インクジェット方式パターン形成装置と反射機能を有する反射材（材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm、粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps、表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm）を用いて、透明な導電層（導電材：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）上に、インクジェット方式パターン形成装置により光拡散反射要素となる反射機能を有する導電性を凸状又は凹状(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)に配置・形成し、互いに電気的に接続された透過/反射兼用の画素電極を形成する。
【０１４９】
または、反射材である前記凸又は凹(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)をインクジェット方式のパターン形成装置を使わずに、印刷法や転写法を用いて形成する場合については、前述した（３）以降を下記のようにすれば良い。
【０１５０】
(３)前記フォトマスク使用して、連続的に変化する傾斜角を有する微小な凸又は凹(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)の反射材が無秩序に配置されたパターンをフォトレジストで形成する。
【０１５１】
（４）フォトレジストで形成した前記凸又は凹(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)上に透明な導電層からなる画素電極を形成すると共に、メッキ法によりフォトレジストで形成した前記凸又は凹上にニッケル厚膜を形成して、ニッケル厚膜にフォトレジストで形成した凸又は凹(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)の形状を転写する。
【０１５２】
（５）反射機能を有する反射材（反射材：銀、アルミ、金粒子等、粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm）を主体とした反射材である凸又は凹(直径：3〜15μm、高さ（又は深さ）：0.2〜１μm)を精度良く形成するため、前記ニッケル厚膜の凹凸表面にシリコン処理を施して剥離機能を付与する。
【０１５３】
（６）剥離機能有する前記ニッケル層をロール等に巻きつけた転写ロールを用いると共に、各種コーター等により該転写ロール表面の凹部に低粘度の反射材（材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm、粘度：1〜50cps、好ましくは2〜20cps、表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm）を充填する。
【０１５４】
（７）転写ロール表面の凹部（又は凸部）に充填した低粘度の前記反射材を透明な導電層（導電材：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）からなる画素電極下に直接形成することにより、互いに電気的に接続された画素電極を形成する。
【０１５５】
なお、入射光を特定の方向に集光させるための連続した傾斜面を有する凸又は凹の微小な光拡散反射体を無秩序、かつ任意の位置に、任意の密度で配置した光反射機能を有する導電材の形成については、下記に詳述する。
【０１５６】
（１）高分子共重合体や高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象の数値解析手法（Cahn-Hilliard(-Cook)方程式、時間依存Ginzburg-Landau方程式あるいはCell-Dynamical-System model(CDS) 方程式等）により生成される円状、多角形、棒状あるいは紐状の濃度分布パターンデータを利用して作製されたフォトマスクを使用して、１）連続的に変化する傾斜面を有する光拡散反射体を無秩序、かつ任意の位置に、任意の密度で配置、２）前記拡散反射体を上方から見た形状が円形、多角形、棒状及び紐状、又はそれらに近似した形状、これらの等の条件を満たすように、透明な導電層からなる画素電極（材質：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）下に、反射機能を有する反射材（材質：銀、銀・パラジウム・銅の合金、アルミ、チタン、金等の金属、金属粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm、バインダー：感光性樹脂、粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps、表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm）をパターニングした後、熱（200〜250℃、時間：30〜60分）を加えて、前記透明導電層又は透明電極と前記導電材が互いに電気的に接続するように、画素電極に対応する任意の領域に無秩序、かつ、任意の密度になるように配置した透過/反射表示兼用の電極を作製する。
【０１５７】
（２）高分子共重合体や高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象の数値解析手法（Cahn-Hilliard(-Cook)方程式、時間依存Ginzburg-Landau方程式あるいはCell-Dynamical-System model(CDS) 方程式等）により生成される円状、多角形、棒状あるいは紐状の濃度分布パターンデータを利用して形成されたフォトマスクを使用して、１）連続的に変化する傾斜面を有する光拡散反射要素を無秩序、かつ任意の位置に、任意の密度で配置、２）前記拡散反射要素を上方から見た形状が円形、多角形、棒状及び紐状、これらの等の条件を満たすように形成された凸又は凹が複数形成された転写用高分子シート、転写用ロール、転写用プレート及び印刷版等を用いて、透明な導電層（材質：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）又は透明電極（材質：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）上に、光反射機能を有する導電材（導電材：銀、アルミ、金粒子等、粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm、粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps）を、前記転写用ロール状金型（ロール速度：0.1〜3ｍ／分）あるいは平板状金型を用いる転写法、さらには前記印刷版を用いる印刷法等により、前記透明導電層又は透明電極上に転写したのち、熱（200〜250℃、時間：30〜60分）を加えて、前記透明導電層又は透明電極と前記導電材が互いに電気的に接続するように、画素電極に対応する任意の領域に無秩序、かつ、任意の密度になるように配置した透過/反射兼用の電極を作製する。
【０１５８】
（３）高分子共重合体や高分子ブロック共重合体等で発現する相分離現象の数値解析手法（Cahn-Hilliard(-Cook)方程式、時間依存Ginzburg-Landau方程式あるいはCell-Dynamical-System model(CDS) 方程式等）により生成される円状、多角形、棒状あるいは紐状の濃度分布パターンデータを利用してインクジェット方式パターン形成装置のパターン描画データ（ＸＹ座標値、濃度値→銀ペースト吐出圧力）を作製し、１）連続的に変化する傾斜面を有する光拡散反射要素を無秩序、かつ任意の位置に、任意の密度で配置、２）前記拡散反射要素を上方から見た形状が円形、多角形、棒状及び紐状、又はそれらに近似した形状、これらの等の条件を満たすように、透明な導電層（材質：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300nm）又は透明電極（材質：ＩＴＯ、膜厚：50〜600nm、好ましくは100〜300 nm）上に、光反射機能を有する導電材（導電材：銀、アルミ、金粒子等、粒子径：1〜20nm、好ましくは2〜10nm、バインダー：感光性樹脂、粘度：1〜50cps、好ましくは2〜10cps、表面張力：1〜60dyn/cm、好ましくは5〜30dyn/cm）で光拡散反射体を直接描画した後、熱（200〜250℃、時間：30〜60分）を加えて、前記透明導電層又は透明電極と前記導電材が互いに電気的に接続するように、画素電極に対応する任意の領域に無秩序、かつ、任意の密度になるように配置した透過/反射表示兼用の電極を作製する。
【０１５９】
ただし、本発明は、液晶の駆動方式には依存するものではないので、アクティブ駆動方式、パッシブ駆動方式等、いずれの駆動方式の液晶表示装置にも適応でき、アクティブ駆動方式半透過反射型液晶表示装置に限定されるものではない。また、本発明の透過/反射兼用電極はフォトリソ法、転写法、印刷法及びインクジェット法等のいずれも製作法でも適応でき、製作方式に限定されるものでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明に係るアクティブ駆動方式における液晶表示装置の断面構造図。
【図２】本発明に係るアクティブ駆動方式における液晶表示装置の画素電極部の詳細図。
【図３】本発明に係る液晶表示装置における反射体の画素内配置パターンを示す模式図。
【図４】本発明に係る液晶表示装置における反射体の画素内配置パターンの別の配置パターンを示す図。
【図５】本発明に係る液晶表示装置における反射体の画素内配置パターンのさらに別の配置パターンを示す図。
【図６】本発明に係るアクティブ駆動方式における半透過型液晶表示装置の構成を示す模式図。
【図７】本発明に係る液晶表示装置における反射体を、無秩序に分散配置させたアクティブ駆動方式における液晶表示装置の別の断面構造を示す図。
【図８】本発明に係る液晶表示装置における反射体を、無秩序に分散配置させたパッシブ駆動方式における液晶表示装置の断面構造を示す図。
【図９】本発明に係る液晶表示装置における反射体を、無秩序に分散配置させたアクティブ駆動方式における液晶表示装置の製造方法を示す図。
【図１０】本発明に係る液晶表示装置における反射体を、無秩序に分散配置させたアクティブ駆動方式における液晶表示装置の別の製造方法を示す図。
【図１１】本発明に係る液晶表示装置における反射体を、無秩序に分散配置させたパッシブ駆動方式における液晶表示装置の製造方法を示す図。
【図１２】本発明に係る液晶表示装置における反射体を、無秩序に分散配置させたパッシブ駆動方式における液晶表示装置の別の製造方法を示す図。
【符号の説明】
【０１６１】
１…液晶、２…スペーサ、３,５…位相差板、４,６…偏光板、１０,２０,６０,７０,８０,９０…ガラス基板、１１,６１…ゲート電極、１１'…ゲート配線、１２,６２…ゲート絶縁層、１３,６３…アモルファスシリコン層、１４,６４…ドレイン電極、１４'…ドレイン配線、１５,６５…ソース電極、１５'…ソース配線、１６,６６…画素電極、１７,６７,８２…反射体(導電材からなる反射表示部)、１７'…透過表示部、１８,２５,６９,７５,８３,９５…配向制御膜、１９…薄膜トランジスタ、２１,７１,９１…遮光層、２２,７２,９２…着色層、２３,７３,９３…保護層、２４,７４,８１,９４…透明電極、３０…液晶表示素子、４０…バックライト、４１…光源、４２…導光体、４３…プリズムシート、４４…拡散シート、５０…液晶表示装置、５１…走査側駆動回路、５２…信号側駆動回路、５３…信号処理回路、６８…絶縁層、１００…滴下装置、１１０…転写型、１２０…フィルム型
【図１】
2005266206.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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