(57)【要約】【課題】  大判ガラス板Ｇとメタルマスク１６との間に生じる静電気を弱め或いは無くし、少ない回数で大判ガラス板Ｇに対する正規の位置関係に精度良くメタルマスク１６をアライメントする。【解決手段】  電極Ｅ等で構成される通電パターンとは別個に、除電パターンを大判ガラス板Ｇ上に設ける。たとえば、ガラス板中央及び／又はガラス板周縁部に形成された除電用導電体Ｒで除電パターンが構成される。除電用導電体Ｒにより、メタルマスク１６のアライメントに及ぼす静電力の悪影響がなくなるので、メタルマスク１６のアライメントが容易になる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気で生じた電荷を軽減又は解放する除電用導電体が表示パネル基板となる部分を除く表面領域に形成されていることを特徴とする表示パネル基板切出し用の大判ガラス板。
【請求項２】
除電用導電体の形成領域がガラス板の中央部及び／又は周縁部に設定されている請求項１記載の大判ガラス板。
【請求項３】
ガラス板の中央部及び／又は周縁部に設けられた除電用導電体が、表示パネル基板の通電パターンとは別の除電パターンを介して外部に導通している請求項１記載の大判ガラス板。
【請求項４】
表示パネル基板の通電パターンと同じ材料で除電用導電体が形成されている請求項１記載の大判ガラス板。
【請求項５】
表示パネル基板の通電パターンと同じ材料で除電パターンが形成されている請求項３記載の大判ガラス板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタルマスクの移動が容易で高精度にアライメントできる表示パネル基板切出し用の大判ガラス板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話，OA機器，家電製品等の画像表示パネルとして、液晶表示パネルや有機EL表示パネルが使用されている。液晶表示パネルや有機EL表示パネルは、下部電極，上部電極に挟む層が液晶層，発光機能層と違うものの、ほぼ同様な工程で製造される。
たとえば、単純マトリックス方式では、ガラス基板にストライプ状の下部電極を設けた後、画素領域となる部分を除いて絶縁膜を設け、液晶層又は発光機能層を積層し、上部電極が形成される。アクティブマトリックス方式では、TFT回路及びコンデンサを下部電極に接続し、コンデンサの保持容量で電圧を維持するため、層間絶縁膜を介して下部電極，TFT回路が設けられる。走査電極として働く上部電極を分離する陰極隔壁を形成する場合もある。
【０００３】
絶縁層の形成には、ガラス基板に絶縁塗料を塗布し、所定形状にパターニングするフォトリソグラフィ法が通常採用されている。絶縁層のパターニング後、発光機能層（正孔注入層，正孔輸送層，有機発光層，電子輸送層，電子注入層等），上部電極，引出配線等を所望パターンで蒸着している。
発光機能層，上部電極，引出配線となる物質をガラス基板上の目標領域に蒸着させるため、蒸着物質通過孔が形成されたメタルマスクを大判ガラス板にアライメントする。メタルマスクは、たとえば次の手順でアライメントされている。（図１）塗り分けが必要な場合には、発光機能層の層数だけアライメント作業が繰り返される。
【０００４】
大判ガラス板Ｇをホルダ１１にクランプピン１２で固定し、マグネット板１３にベローズ１４を介して装着された冷却板１５を大判ガラス板Ｇの背面に対向させてアライメント工程に搬入する。ホルダ１１は、大判ガラス板Ｇの被蒸着面を開放するように、図１で水平方向に接近・離間可能な分割型になっている。大判ガラス板Ｇの被蒸着面にメタルマスク１６を近づけ、大判ガラス板Ｇに対するメタルマスク１６の位置関係を計測・確認する。位置関係が設定値からずれていると、メタルマスク１６を大判ガラス板Ｇから離し、ＸＹ方向に関してメタルマスク１６を調整する。調整後のメタルマスク１６を大判ガラス板Ｇに再度接近させ、大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６の位置関係を計測・確認する。
【０００５】
大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６が正規の位置関係に保たれていることが確認されると、マグネット板１３を下降させ、冷却板１５を大判ガラス板Ｇの背面に押し付ける。次いで、クランプピン１２を上昇させ、大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６を一体として蒸着高さまで持ち上げてホルダ１１を開放する。ホルダ１１から開放された大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６は、所定の位置関係を維持したまま蒸着工程に移行する。
メタルマスク１６のアライメントに関し、従来から種々の方法が提案されている。たとえば、特許文献１では、メタルマスクの表面に０.１〜０.５μｍの凹凸を付けると、剥離帯電に起因する静電気で発生する吸着力が弱められ、RGB各色に対応するメタルマスクの移動が容易になることを紹介している。
【特許文献１】特開2003-213401号公報
【０００６】
高精度のアライメントが要求される蒸着では、一回の位置合せで大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６が正規の位置関係になることは実操業上で稀であり、〔計測・確認〕→〔調整〕→〔計測・確認〕の繰返しが余儀なくされている。繰返し回数が多くなると、大判ガラス板Ｇや透明導電膜が疵付きやすく、ゴミ付着の危険も高くなる。また、ラインの停滞を意味し、特に経時変化しやすい薬液を使用している有機EL表示パネルや液晶表示パネルの製造ラインでは生産性は勿論、製造歩留や表示品質の劣化を招きやすい。この点、可能な限り少ない繰返し回数でメタルマスク１６を大判ガラス板Ｇに精度良くアライメントすることが望まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、大判ガラス板や絶縁膜とメタルマスクとの間に発生する静電気が高精度のアライメントを阻害する要因であることに着目し、帯電した電荷をガラス基板側から逃すことにより、或いは帯電しがたい構造にすることにより、アライメントに及ぼす静電気の影響をなくし、より少ない回数で精度良くメタルマスクをアライメントできる表示パネル基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
表示パネル基板が切り出される大判ガラス板は、表示パネル基板となる複数領域を縦横方向に区分し、各領域がスクライブ線で仕切られている。本発明では、複数領域に区分したガラス板の表面一部に除電用導電体を形成している。除電用導電体の形成領域には、たとえば部分の中から安定品質の表示パネル基板が得られがたいガラス板中央部，一定膜厚の透明導電膜を形成しがたいガラス板周縁部等が選定される。或いは、一つの表示パネル基板形成領域を除電用導電体の形成領域に代えても良い。
【０００９】
除電用導電体は、好ましくは表示パネル基板の通電パターンとなる透明導電膜と同じ材料から成膜される。この場合、透明導電膜と同時に除電用導電体を形成すると、工程数の増加を招くこともない。除電用導電体が外部に導通する除電パターンを設けることも可能である。ガラス板周縁に設けた除電用導電体はそのままで外部に導通する除電パターンを形成するが、ガラス板中央に除電用導電体を設けた大判ガラス板にあっては、スクライブ線に沿った除電パターンを介して外部に導通させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
静電気がメタルマスク１６のアライメントを阻害するメカニズムは、次のように推察される。
アライメント工程では、搬送中にメタルマスク１６と擦れること，アライメント工程自体での接触等により大判ガラス板Ｇや絶縁膜Ｉが帯電し、メタルマスク１６との間に電界が発生する。発生した静電気の一部は、導体である電極Ｅに一部引き寄せられ自由電子になる（図２a）。メタルマスク１６と大判ガラス板Ｇとの間の電界で絶縁膜Ｉ中の誘電体が分極することによる電界の発生もある（図２b）。電界により絶縁膜Ｉ，大判ガラス板Ｇとメタルマスク１６との間に電気力線Ｃが生じ、電気力線数が多いと不測の静電力がメタルマスク１６に作用して強い吸引力が発生する。強い吸引力は、大判ガラス板Ｇに対する正規の位置関係からメタルマスク１６を変移させ、或いは微調整に必要とされる正確な移動を困難にする。
【００１１】
電荷を逃がす機能を大判ガラス板Ｇや絶縁膜Ｉに付与し、或いは大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６を帯電し難い構造にすると、静電気の悪影響を排除できる。しかし、表示素子の設計変更，製造ラインの大幅変更等を伴う新規構造の組込みや表示パネル基板切出し個数の低減は望ましくない。そこで、本発明では、大判ガラス板Ｇや絶縁膜Ｉを帯電し難い構造、或いは帯電しても大判ガラス板Ｇから電荷を逃す構造を採用することにより、アライメントに悪影響を及ぼさない程度まで大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６に作用する静電力を減少させている。
【００１２】
除電用導電体Ｒは、大判ガラス板Ｇから表示パネル基板が取り出されない大判ガラス板Ｇの表面域に形成される（図３）。たとえば、スピンコート法で大判ガラス板Ｇ上にITO等の透明導電膜を形成する場合、スクライブ線Ｓで区画された単位表示パネル基板ＵごとにITO配線Ｌ（通電パターン）が配列されるが、ガラス板中央部では安定した透明導電膜を形成し難いため空域とすることが多い。そこで、ガラス板中央部を除電用導電体Ｒの形成領域に使用する。大判ガラス板Ｇの周縁部も同様に安定した透明導電膜を形成しがたい個所であるため、除電用導電体Ｒの形成領域に選定できる。場合によっては、ITO配線Ｌがある部分Ｘにも、除電用導電体Ｒを設けることができる。
【００１３】
除電用導電体Ｒは、ITO配線Ｌと異なる材料で形成できるが、ITO配線Ｌと同じ材料を用い透明導電膜と同時に形成することも可能である。除電用導電体Ｒ，ITO配線Ｌを同じ材料から成膜する場合、一工程で形成した透明導電膜をフォトリソグラフィで除電用導電体Ｒ，ITO配線Ｌに区分けできる。
【００１４】
除電用導電体Ｒで構成される除電パターンは、ITO配線Ｌで構成される通電パターンと別個に大判ガラス板Ｇ上に形成される。除電用導電体Ｒを設けることにより導電体面積が増加し、静電気が導電体に引き付けられるため電界が弱くなる（図４a）。また、導電体がシールドとして働き、絶縁膜Ｉを通る電界を弱め、絶縁膜Ｉ内での分極を起こりにくくする（図４b）。その結果、発生する静電力が大判ガラス板Ｇに対するメタルマスク１６のアライメントを妨げない程度に減少し、位置合せの繰り返し工程数を減らせる。
【００１５】
単位表示パネル基板Ｕに使用されない大判ガラス板Ｇの表面域に除電用導電体Ｒを形成するだけで、アライメントに悪影響を及ぼす静電気を減少できるので、回路設計や製造ラインを大幅に変更することなくメタルマスク１６のアライメントを容易にする。
帯電した大判ガラス板Ｇから電荷を外部に逃す除電パターンを形成すると、静電力による悪影響が一層排除される。大判ガラス板Ｇの周縁部に形成された除電用導電体Ｒは、アライメント工程で大判ガラス板Ｇが冷却板１５，クランプピン１２，ホルダ１１等と接触する際に電荷を外部に解放するので、そのまま除電パターンとなる。ガラス板中央部に除電用導電体Ｒを形成する場合、周縁部と同様に絶縁膜のない構造やメタルマスク１６との直接接触で電荷をメタルマスク１６に逃がす構造の除電用導電体Ｒもあるが、外部に至る適宜の導通路を大判ガラス板Ｇ上に形成することにより除電パターンを設けることもできる。ガラス板中央の除電用導電体Ｒから外部に至る導通路は、たとえばスクライブ線Ｓに沿って形成できる。
【００１６】
大判ガラス板Ｇは、除電用導電体Ｒを設けることにより帯電し難い構造になり、更に外部に導通した除電パターンを設けることにより電荷を解放する構造になる。そのため、大判ガラス板Ｇとメタルマスク１６との間に発生する静電力が大幅に減少し、或いは静電力そのものが発生しなくなり、静電力に起因したミスアライメントが防止される。その結果、少ない繰返し回数で大判ガラス板Ｇに対する正規の位置関係でメタルマスク１６をアライメントでき、短時間で次工程に入ることが可能となる。
【００１７】
少ない繰返し回数でメタルマスク１６のアライメントが可能なことは、大判ガラス板Ｇとメタルマスク１６との接触回数が少なくなることを意味し、その分だけ露出した成膜面へのゴミ付着や疵付きの危険性が低くなる。しかも、大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６の電荷が減少或いは逃がされるため、雰囲気中に浮遊しているパーティクルが搬送中の大判ガラス板Ｇ，メタルマスク１６に付着することも抑制される。したがって、蒸着後の大判ガラス板Ｇから高品質の表示パネル基板が高い歩留で得られる。
【実施例】
【００１８】
３６０ｍｍ×３００ｍｍの無アルカリガラスを大判ガラス板Ｇに用い、スパッタリングによってITO薄膜を大判ガラス板Ｇの全面に形成した。ITO薄膜を表面研磨した後、Ｃｒをスパッタリングし、単位表示パネル基板Ｕを３０ｍｍ×２５ｍｍのサイズに設定してエッチングにより通電パターン，除電パターンを形成した。除電パターンの形成領域として、大判ガラス板Ｇの中央部，周縁部を選定した。
除電パターン，通電パターンが形成された大判ガラス板Ｇに絶縁膜をフォトリソグラフィで設け、更に走査電極を分離する陰極隔壁を絶縁膜上に設けた後、UV洗浄した。
【００１９】
この大判ガラス板Ｇをホルダ１１（図１）に取り付け、メタルマスク１６をアライメントしたところ、１〜２回の繰返しで正規の位置関係にメタルマスク１６をセットでき、静電力による影響がみられなかった。
比較のため、除電用導電体Ｒのない大判ガラス板Ｇにメタルマスク１６をアライメントしたところ、調整工程を６回繰り返した後で初めてメタルマスク１６が正規の位置関係にセットされた。調整工程の繰返し回数が多いことは、静電力がアライメントに悪影響を及ぼした結果であり、その分だけ大判ガラス板Ｇに疵付きやゴミ付着が生じる危険性が高くなった。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】アライメント工程のフロー図
【図２】大判ガラス板とメタルマスクとの間に発生した電界がメタルマスクのアライメントに悪影響を及ぼすことを説明する図
【図３】静電力を減少或いは解放する除電用導電体を設けた大判ガラス板の平面図
【図４】大判ガラス板とメタルマスクとの間の電界が除電用導電体により減少することを説明する図
【符号の説明】
【００２１】
１１：ホルダ    １２：クランプピン    １３：マグネット板    １４：ベローズ    １５：冷却板    １６：メタルマスク
Ｇ：大判ガラス板    Ｅ：通電用電極    Ｒ：除電用導電体    Ｉ：絶縁膜    Ｕ：単位表示パネル基板    ITO配線    Ｃ：電気力線    Ｓ：スクライブ線    Ｘ：ITO配線がある部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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