(57)【要約】【課題】読み出し時の回り込み電流を抑制する。【解決手段】磁気記憶装置は、少なくとも第１の磁性層１１と第２の磁性層１３と第１及び第２の磁性層１１，１３間に設けられた非磁性層１２とを有する磁気抵抗効果素子１０と、第１の面と第２の面とを有し、第１の面が第１の磁性層１１に接する第１の有機半導体層１４とを具備する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の磁性層と第２の磁性層と前記第１及び第２の磁性層間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、
第１の面と第２の面とを有し、前記第１の面が前記第１の磁性層に接する第１の有機半導体層と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】
前記第１の有機半導体層は、ＰＮ接合ダイオードを形成していることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記第２の面に接する第１の金属層をさらに具備し、
前記第１の有機半導体層と前記第１の磁性層とで第１のショットキー接合ダイオードが形成され、
前記第１の有機半導体層と前記第１の金属層とで第２のショットキー接合ダイオードが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
第１の方向に延在し、前記第２の磁性層に接する第１の配線と、
前記第１の方向と異なる第２の方向に延在し、前記第２の面に接する第２の配線と
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果素子と前記第１の有機半導体層とを有する素子群が基板に垂直方向に複数個配置され、
前記素子群の一端にそれぞれ接続された複数の第１の配線と、
前記素子群の他端をつなぐ第２の配線と、
前記第２の配線に接続されたスイッチング素子と
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記第１の有機半導体層は、前記磁気抵抗効果素子の下に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記第１の有機半導体層は、前記磁気抵抗効果素子の上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記第１の有機半導体層の平面形状は、前記磁気抵抗効果素子の平面形状とほぼ同じであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
前記第１の有機半導体層の平面形状は、前記磁気抵抗効果素子の平面形状よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記第１の有機半導体層の平面形状は、前記磁気抵抗効果素子の平面形状より小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１１】
前記第１の有機半導体層と前記第１の磁性層との間に設けられたバリアメタル膜をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１２】
前記第２の磁性層と接する第２の有機半導体層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１３】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、低分子材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１４】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、高分子材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１５】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、ペンタセンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１６】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、ＣｕＰｃで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１７】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、ポリチオフェン系材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１８】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、金属錯体系有機物で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１９】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、ＰＢＤで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項２０】
前記第１の有機半導体層の少なくとも一部は、トリアゾール系化合物で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子と有機半導体層とを有する磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、新たな半導体メモリとして、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）が注目されている。このＭＲＡＭは読み出し信号が比較的大きくとれるメタルのみで形成できるため、ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子を配線のクロスポイントに配置するだけでメモリセルが形成できる。従って、セルの積層化等による大容量化の期待がある。このような構造のＭＲＡＭは、クロスポイント型のＭＲＡＭと言う。
【０００３】
図３７は、従来技術によるクロスポイント型のＭＲＡＭの概略的な斜視図を示す。図３７に示すように、クロスポイント型のメモリセルは、基本的に、ビット線１６と、ワード線１５と、ビット線１６及びワード線１５に挟まれたＭＴＪ素子１０とで構成される。ここで、ＭＴＪ素子１０は、自由層１１と、固定層１３と、自由層１１及び固定層１３に挟まれたトンネル絶縁層１２とからなる。
【０００４】
しかしながら、上記従来のクロスポイント型のＭＲＡＭでは、メモリセルアレイを形成した場合、次のような問題が生じていた。
【０００５】
図３８に示すように、選択セルのＭＴＪ素子１０ａに書き込まれたデータを読み出す場合、スイッチＳＷ（ｊ），ＳＷ（ｉ）をオンし、ビット線ＢＬ（ｊ）及びワード線ＷＬ（ｉ）が選択される。その結果、読み出し電流が、実線の矢印の向きに沿って、選択セルのＭＴＪ素子１０ａに流れる。
【０００６】
ところが、クロスポイント型の構造上、選択されたビット線ＢＬ（ｊ）及びワード線ＷＬ（ｉ）には、選択セルのＭＴＪ素子１０ａ以外に、複数のＭＴＪ素子が接続されている。このため、ＭＴＪ素子１０ｂ，１０ｃ，１０ｄに、点線の矢印の向きに沿って、回り込み電流が流れてしまう。
【０００７】
このように、クロスポイント型のＭＲＡＭでは、実際の選択セルに流れる読み出し電流に対し、最短距離を通らない回り込み電流の割合が多くなり、誤読み出しが生じるという問題がある。さらに、この問題は、メモリセルアレイの規模が大きくなる程、顕在化してしまう。
【０００８】
尚、図３８に示すように、ＭＴＪ素子１０ａには、紙面の上向きに電流が流れるのに対し、ＭＴＪ素子１０ｃには、紙面の下向きに電流が流れる。このような選択セルのＭＴＪ素子１０ａと逆向きに流れる回り込み電流を防止する対策として、アモルファスシリコンダイオードを用いる例もある。しかし、ＭＲＡＭ材料は、現在３００℃程度の熱処理で界面拡散が生じて特性劣化するため、アモルファスシリコンやポリシリコンの堆積温度に耐えられないという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、読み出し時の回り込み電流を抑制することが可能な磁気記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記目的を達成するために以下に示す手段を用いている。
【００１１】
本発明の一視点による磁気記憶装置は、少なくとも第１の磁性層と第２の磁性層と前記第１及び第２の磁性層間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、第１の面と第２の面とを有し、前記第１の面が前記第１の磁性層に接する第１の有機半導体層とを具備する。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば、読み出し時の回り込み電流を抑制することが可能な磁気記憶装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の各実施形態に係る磁気記憶装置では、磁気抵抗効果素子である例えばＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子の上下の少なくとも一方に、有機半導体層を含んだダイオードが設けられている。
【００１４】
本発明の各実施形態を以下に図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１５】
１．第１の実施形態
第１の実施形態は、クロスポイント型のＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）でにおいて、有機半導体層からなるＰＮ接合ダイオードをＭＴＪ素子の下側に設けた例である。
【００１６】
（基本構造１）
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態に係る基本構造１の磁気記憶装置を示す。図１及び図２に示すように、ビット線（ＢＬ）１６とワード線（ＷＬ）１５との交点にＭＴＪ素子１０が配置され、ＭＴＪ素子１０とワード線１５との間に有機半導体層１４形成されている。そして、この有機半導体層１４は、ｎ型層とｐ型層とで構成され、ＰＮ接合ダイオードＤｐｎになっている。このＰＮ接合ダイオードＤｐｎは、例えば、図２の下向き（ビット線１６からワード線１５の向き）に読み出し電流が流れる場合、図２の下向きに流れる電流に対しては順方向のダイオードとして機能し、図２の上向きに流れる電流に対しては逆方向のダイオードとして機能する。
【００１７】
ここで、有機半導体層１４の材料として例えばペンタセンを用いれば、ｎ型層とｐ型層をそれぞれ形成することができる。また、有機半導体層１４の正孔注入層（ｐ型層）としては、例えばＣｕＰｃ等が用いられ、有機半導体層１４の電子注入層（ｎ型層）としては、例えばＰＢＤ等が用いられ、これら正孔注入層及び電子注入層を接合することによりＰＮ接合ダイオードＤｐｎが形成できる。
【００１８】
また、有機半導体層１４は、例えばＭＴＪ素子１０をマスクとしてパターニングすることにより、ＭＴＪ素子１０とほぼ同じ平面形状になっている。
【００１９】
また、ＭＴＪ素子１０は、固定層１１と、自由層１３と、これら固定層１１及び自由層１３間に配置されたトンネル接合層（例えばＡｌＯ３層）１２とを有している。ここで、ＭＴＪ素子１０は、図２に示すようなトンネル接合層１２が１層からなる１重トンネル接合構造でもよいが、トンネル接合層１２が２層からなる２重トンネル接合構造でも勿論よい。
【００２０】
また、ＭＴＪ素子１０の磁化容易軸方向（長手方向）は、ビット線１６の延在方向を向いている。尚、ＭＴＪ素子１０の位置を９０度回転させて、ＭＴＪ素子１０の磁化困難軸方向（長手方向に対して垂直方向）をビット線１６の延在方向に向けてもよい。
【００２１】
また、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の周囲に埋め込まれた絶縁膜１７の材料としては、例えば有機絶縁膜を用いるのが望ましい。この有機絶縁膜の例としては、有機ＳＯＧ（例えばＭＳＧ）や有機ポリマー（例えばポラジン−ケイ素ポリマー）等があげられる。
【００２２】
上記のような基本構造１は、例えば次のようなプロセスで形成される。まず、所望のパターンのワード線１５が形成される。このワード線１５上に有機半導体層１４が形成され、この有機半導体層１４上にＭＴＪ素子１０となるＭＴＪ材料層が形成される。このＭＴＪ材料層上にレジストが形成され、このレジストが所望のパターンに加工される。次に、パターニングされたレジストをマスクとしてＭＴＪ材料層が加工され、所望のパターンのＭＴＪ素子１０が形成される。そして、このＭＴＪ素子１０をマスクとして有機半導体層１４が加工される。その後、所望のパターンのビット線１６が形成される。
【００２３】
尚、上記プロセスにおいて、レジストを用いて有機半導体層１４をパターニングした後、ＭＴＪ材料層を形成し、このＭＴＪ材料層を加工してＭＴＪ素子１０を形成してもよい。
【００２４】
また、上記プロセスにおいて、有機半導体層１４のパターニングは、ハードマスク及びレジストを用いてもよい。この場合、ハードマスク上に所望パターンのレジストを形成し、このレジストをマスクとしてハードマスクを加工した後、このハードマスクを用いて有機半導体層１４を加工するとよい。
【００２５】
また、上記プロセスにおいて、ＭＴＪ材料層のパターニングは、ハードマスク及びレジストを用いてもよい。この場合、ハードマスク上に所望パターンのレジストを形成し、このレジストをマスクとしてハードマスクを加工した後、このハードマスクを用いてＭＴＪ材料層を加工するとよい。この後、ハードマスクを剥離せずに、このハードマスクを有機半導体層１４の加工時のマスクとして使用することも可能である。
【００２６】
上記第１の実施形態の基本構造１によれば、ＭＴＪ素子１０下に有機半導体層１４からなるＰＮ接合ダイオードＤｐｎを形成している。このため、ＰＮ接合ダイオードＤｐｎの整流特性により、選択ＭＴＪ素子以外の非選択ＭＴＪ素子において、選択ＭＴＪ素子に流れる読み出し電流と逆方向に流れる回り込み電流のパスを遮断することができる。従って、読み出し時の回り込み電流を抑制することができるため、選択ＭＴＪ素子のみの抵抗信号変化をモニターすることが可能となり、誤読み出しを抑制することができる。
【００２７】
また、ＭＲＡＭにおけるＭＴＪ素子の材料は、高温になると相互拡散によって特性劣化がおこる。よって、ＭＴＪ素子に積層するダイオードも低温で形成しなければならない。そこで、有機半導体材料は、一般的に室温で塗布し、１００℃程度の熱処理で形成できることが知られている。従って、アモルファスシリコンやポリシリコンのＴＦＴ構造に比べ、有機半導体層１４は低温で形成できる。このため、現在３００℃程度の熱処理で界面拡散が生じて特性劣化する恐れのあるＭＲＡＭにおいて、ＭＴＪ素子１０の特性を劣化させることなく、ＰＮ接合ダイオードＤｐｎとＭＴＪ素子１０との積層を実現することが可能となる。
【００２８】
また、有機半導体層１４がＭＴＪ素子１０の下側に位置している。この場合、ＭＴＪ素子１０の加工途中でＭＴＪ素子１０のマスクであるレジストを剥離し、ＭＴＪ素子１０の加工部分をマスクとして有機半導体層１４の加工を行うことができる。従って、レジスト剥離時に有機半導体層１４が削れることが防げるため、非常に有利である。
【００２９】
また、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の周囲の絶縁膜１７を有機絶縁膜とすることで、この有機絶縁膜と有機半導体層１４の加工がほぼ同じ工程を経るため、どちらかを有機半導体プロセスとしたとき、このプロセスを使用する整合性が得られやすくなる。
【００３０】
（変形例１−１）
図３及び図４は、本発明の第１の実施形態に係る変形例１−１の磁気記憶装置を示す。図３及び図４に示すように、変形例１−１において、上記基本構造１と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも大きくなっている点である。この場合、有機半導体層１４のビット線１６の延在方向における幅を、ワード線１５の幅と一致させてもよいし、有機半導体層１４のワード線１５の延在方向における幅を、ビット線１６の幅と一致させてもよい。
【００３１】
上記第１の実施形態の変形例１−１によれば、基本構造１と同様の効果を得ることができるだけでなく、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０よりも大きくなっていることでさらに次のような効果も得ることができる。
【００３２】
有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０とを確実にコンタクトでき、また、このコンタクト抵抗を低減できるという利点もある。さらに、ＭＴＪ素子１０のパターニングの際に、有機半導体層１４をエッチングストッパーとして機能させることができる。
【００３３】
（変形例１−２）
図５及び図６は、本発明の第１の実施形態に係る変形例１−２の磁気記憶装置を示す。図５及び図６に示すように、変形例１−２において、基本構造１と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも小さくなっている点である。
【００３４】
上記第１の実施形態の変形例１−２によれば、基本構造１と同様の効果を得ることができるだけでなく、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも小さくなっていることでさらに次のような効果も得ることができる。
【００３５】
ＭＴＪ素子１０のパターニングの際、ＭＴＪ素子１０のエッジ下に有機半導体層１４が存在しないため、有機半導体層１４にエッチングダメージを与えてしまうことを防止できる。また、有機半導体層１４が加工により所望の大きさよりも小さくなってしまった場合であっても、有機半導体層１４よりもＭＴＪ素子１０を大きくすることで、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０とのコンタクト抵抗が増加することを抑制できる。
【００３６】
（変形例１−３）
図７及び図８は、本発明の第１の実施形態に係る変形例１−３の磁気記憶装置を示す。図７及び図８に示すように、変形例１−３において、基本構造１と異なる点は、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間にバリアメタル膜１８を形成している点である。
【００３７】
ここで、バリアメタル膜１８の材料としては、有機半導体層１４の有機半導体材料との界面、固定層１１の電極材料との界面を考慮して、例えば、Ｔａ，ＴａＮ，ＴｉＮ等が望ましい。これらＴａ，ＴａＮ，ＴｉＮは、固定層１１の電極材料の一部として使用される可能性が高いため、バリアメタル膜１８として機能させる確率も高いと考えられる。
【００３８】
上記第１の実施形態の変形例１−３によれば、基本構造１と同様の効果を得ることができるだけでなく、バリアメタル膜１８を設けることでさらに次のような効果も得ることができる。
【００３９】
ＭＴＪ素子１０と有機半導体層１４との界面で何らかの反応が生じた場合や、双方の材料からガスが発生した場合であっても、これらをバリアメタル膜１８で抑制することができる。また、ＭＴＪ１０の加工時に、バリアメタル膜１８をストッパーとして利用することもできる。
【００４０】
尚、ここでは、バリアメタル膜１８を上記基本構造１に適用した場合を示したが、上記変形例１−１，１−２において、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間に設けることも可能である。この際、バリアメタル膜１８は、ＭＴＪ素子１０と同じパターンにしてもよいし、有機半導体層１４と同じパターンにしてもよいし、さらに、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の両方と異なるパターンにしても勿論よい。
【００４１】
２．第２の実施形態
第２の実施形態は、クロスポイント型のＭＲＡＭにおいて、有機半導体層からなるＰＮ接合ダイオードをＭＴＪ素子の上側に設けた例である。
【００４２】
（基本構造２）
図９は、本発明の第２の実施形態に係る基本構造２の磁気記憶装置の断面図を示す。図９に示すように、基本構造２において、基本構造１と異なる点は、ＭＴＪ素子１０とビット線１６との間に有機半導体層１４からなるＰＮ接合ダイオードＤｐｎが形成されている点である。つまり、有機半導体層１４がＭＴＪ素子１０の上に配置されている。
【００４３】
上記第２の実施形態の基本構造２によれば、基本構造１と同様に、回り込み電流が抑制できるという効果が得られる。そして、基本構造２では、基本構造１と異なり、ＭＴＪ素子１０の上側に有機半導体層１４が設けられているため、次のような効果が得られる。
【００４４】
ＭＲＡＭでは、ＭＴＪ素子１０を挟むクロスした上下の書き込み配線（ビット線１６及びワード線１５）に大電流を流す必要があるため、書き込み配線としてダマシンプロセスによるＣｕ配線が用いられる可能性が高い。また、ロジック側では、Ｃｕ配線と低誘電率の層間絶縁膜とを使用することが多く、低誘電率の層間絶縁膜の有力候補として、有機系の絶縁膜が上げられている。
【００４５】
そこで、下側配線（ワード線１５）にダマシンプロセスによるＣｕ配線、層間絶縁膜１７に有機絶縁膜を使用した場合、図２の基本構造１では、有機半導体層１４がＭＴＪ素子１０の下側にあるため、この有機半導体層１４のエッチング時にＣｕ配線の周囲の有機絶縁膜１７も同時にエッチングしてしまう恐れがあるのに対し、図９の基本構造１では、有機半導体層１４がＭＴＪ素子１０の上側にあるため、上記のような恐れがない。
【００４６】
（変形例２−１）
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る変形例２−１の磁気記憶装置を示す。図１０に示すように、変形例２−１において、上記基本構造２と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも大きくなっている点である。
【００４７】
上記第２の実施形態の変形例２−１によれば、基本構造２と同様の効果を得ることができるだけでなく、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも大きくなっていることでさらに次のような効果も得ることができる。
【００４８】
有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０とを確実にコンタクトでき、また、このコンタクト抵抗を低減できるという利点もある。また、有機半導体層１４のパターニングの際、有機半導体層１４のエッジ下にＭＴＪ素子１０が存在しないため、ＭＴＪ素子１０にエッチングダメージを与えてしまうことを防止できる。
【００４９】
（変形例２−２）
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る変形例２−２の磁気記憶装置を示す。図１１に示すように、変形例２−２において、基本構造２と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも小さくなっている点である。
【００５０】
上記第２の実施形態の変形例２−２によれば、基本構造２と同様の効果を得ることができるだけでなく、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも小さくなっていることでさらに次のような効果も得ることができる。
【００５１】
有機半導体層１４のパターニングの際に、ＭＴＪ素子１０をエッチングストッパーとして機能させることができる。さらに、有機半導体層１４が加工により所望の大きさよりも小さくなってしまった場合であっても、有機半導体層１４よりもＭＴＪ素子１０を大きくすることで、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０とのコンタクト抵抗が増加することを抑制できる。
【００５２】
（変形例２−３）
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る変形例２−３の磁気記憶装置を示す。図１２に示すように、変形例２−３において、基本構造２と異なる点は、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間にバリアメタル膜１８を形成している点である。ここで、バリアメタル膜１８の材料としては、上記変形例１−３と同様の材料が考えられる。
【００５３】
上記第２の実施形態の変形例２−３によれば、基本構造２と同様の効果を得ることができるだけでなく、上記変形例１−３と同様の特有の効果も得られる。
【００５４】
尚、ここでは、バリアメタル膜１８を上記基本構造２に適用した場合を示したが、上記変形例２−１，２−２において、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間に設けることも可能である。この際、バリアメタル膜１８は、ＭＴＪ素子１０と同じパターンにしてもよいし、有機半導体層１４と同じパターンにしてもよいし、さらに、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の両方と異なるパターンにしても勿論よい。
【００５５】
３．第３の実施形態
第３の実施形態は、クロスポイント型のＭＲＡＭにおいて、有機半導体層を含むショットキー接合ダイオードをＭＴＪ素子の下側に設けた例である。
【００５６】
（基本構造３）
図１３及び図１４は、本発明の第３の実施形態に係る基本構造３の磁気記憶装置を示す。図１３及び図１４に示すように、ビット線１６とワード線１５との交点にＭＴＪ素子１０が配置され、ＭＴＪ素子１０とワード線１５との間に有機半導体層１４及び金属層２０が形成されている。そして、有機半導体層１４の上面及び下面は、固定層１１と金属層２０にそれぞれ接している。
【００５７】
ここで、有機半導体層１４は、ＰＮ接合を形成せずに、ｎ型又はｐ型の１物質で形成される。そして、有機半導体層１４と金属層２０とでショットキー接合ダイオードＤｓ１が構成され、有機半導体層１４と固定層１１とでショットキー接合ダイオードＤｓ２が構成されている。これらのショットキー接合ダイオードＤｓ１，Ｄｓ２では、ショットキー障壁を構成する有機半導体層１４の不純物濃度を調整したり、金属層２０や固定層１１のメタルの材料を選択したりすることで、読み出し電流が流れる方向に対して順方向となるように形成されている。
【００５８】
尚、上述するように金属と半導体を接合したショットキー接合ダイオードＤｓ１，Ｄｓ２では、金属側から半導体側に流れるキャリアによる電流と、半導体側から金属側に流れるキャリアによる電流との差が、ショットキー接合に流れる電流となる。そして、ショットキー接合にバイアスを印加すると、金属側の障壁は不変で、半導体側の電位障壁が変化するため、半導体側から金属に流れる電流値が変化する。従って、順方向バイアスの場合は、半導体側の電位障壁が小さくなるため、半導体側から金属に流れる電流が増加する。一方、逆方向バイアスの場合は、半導体側の電位障壁が大きくなるため、半導体側からの電流が減少する。このようなショットキー接合の特性を利用して、読み出し電流を流す方向に対して順方向となるように、ショットキー接合に対する印加バイアスを調整する。
【００５９】
また、有機半導体層１４及び金属層２０は、例えばＭＴＪ素子１０をマスクとしてパターニングすることにより、ＭＴＪ素子１０とほぼ同じ平面形状になっている。
【００６０】
上記第３の実施形態の基本構造３によれば、ＭＴＪ素子１０下に有機半導体層１４及び金属層２０を設けることで、ショットキー接合ダイオードＤｓ１，Ｄｓ２を形成している。このため、ショットキー接合ダイオードＤｓ１，Ｄｓ２の整流特性により、選択ＭＴＪ素子以外の非選択ＭＴＪ素子において、選択ＭＴＪ素子に流れる読み出し電流と逆方向に流れる回り込み電流のパスを遮断することができる。従って、読み出し時の回り込み電流を抑制することができるため、選択ＭＴＪ素子のみの抵抗信号変化をモニターすることが可能となり、誤読み出しを抑制することができる。
【００６１】
また、ショットキー接合における特性の優劣は、金属と半導体との２つの材料の選択によって決まるため、ショットキー接合を構成する材料の選択性が向上するという利点もある。その他、上記第１の実施形態の基本構造１と同様の効果も得ることができる。
【００６２】
尚、金属層２０は、必ずしも設ける必要はない。つまり、ワード線１５と有機半導体層１４との界面でショットキー障壁を形成することも可能である。
【００６３】
（変形例３−１）
図１５及び図１６は、本発明の第３の実施形態に係る変形例３−１の磁気記憶装置を示す。図１５及び図１６に示すように、変形例３−１において、上記基本構造３と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも大きくなっている点である。この場合、有機半導体層１４のビット線１６の延在方向における幅を、ワード線１５の幅と一致させてもよいし、有機半導体層１４のワード線１５の延在方向における幅を、ビット線１６の幅と一致させてもよい。
【００６４】
また、金属層２０は、ＭＴＪ素子１０と同じパターンにしてもよいし、有機半導体層１４と同じパターンにしてもよいし、さらに、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の両方と異なるパターンにしても勿論よい。
【００６５】
上記第３の実施形態の変形例３−１によれば、基本構造３と同様の効果を得ることができるだけでなく、さらに、上記変形例１−１と同様の特有の効果も得られる。
【００６６】
（変形例３−２）
図１７及び図１８は、本発明の第３の実施形態に係る変形例３−２の磁気記憶装置を示す。図１７及び図１８に示すように、変形例３−２において、基本構造３と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも小さく、金属層２０の平面形状が有機半導体層１４の平面形状よりも小さくなっている点である。
【００６７】
上記第３の実施形態の変形例３−２によれば、基本構造３と同様の効果を得ることができるだけでなく、上記変形例１−２と同様の特有の効果も得られる。
【００６８】
尚、図１８の構造では、金属層２０の平面形状は、有機半導体層１４の平面形状よりも小さくしているが、有機半導体層１４と同じ平面形状にしてもよい。
【００６９】
（変形例３−３）
図１９及び図２０は、本発明の第３の実施形態に係る変形例３−３の磁気記憶装置を示す。図１９及び図２０に示すように、変形例３−３において、基本構造３と異なる点は、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間にバリアメタル膜１８を形成している点である。この場合、ショットキー接合ダイオードＤｓ１は、有機半導体層１４と金属層２０とで構成され、ショットキー接合ダイオードＤｓ２は、有機半導体層１４とバリアメタル膜１８とで構成される。
【００７０】
ここで、例えば、ＴｉＮはＰ型Ｓｉ半導体に対してショットキー接合をすることが知られているため、有機半導体層１４をＰ型Ｓｉ半導体で形成した場合、バリアメタル膜１８の材料としてＴｉＮを用いるとよい。
【００７１】
上記第３の実施形態の変形例３−３によれば、基本構造３と同様の効果を得ることができるだけでなく、上記変形例１−３と同様の特有の効果も得られる。
【００７２】
尚、ここでは、バリアメタル膜１８を上記基本構造３に適用した場合を示したが、上記変形例３−１，３−２において、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間に設けることも可能である。この際、バリアメタル膜１８は、ＭＴＪ素子１０と同じパターンにしてもよいし、有機半導体層１４と同じパターンにしてもよいし、さらに、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の両方と異なるパターンにしても勿論よい。
【００７３】
４．第４の実施形態
第４の実施形態は、クロスポイント型のＭＲＡＭにおいて、有機半導体層を含むショットキー接合ダイオードをＭＴＪ素子の上側に設けた例である。
【００７４】
（基本構造４）
図２１は、本発明の第４の実施形態に係る基本構造４の磁気記憶装置の断面図を示す。図２１に示すように、基本構造４において、基本構造３と異なる点は、ＭＴＪ素子１０とビット線１６との間に有機半導体層１４及び金属層２０が形成され、そして、有機半導体層１４の上面及び下面は金属層２０と自由層１３にそれぞれ接している点である。つまり、有機半導体層１４及び金属層２０がＭＴＪ素子１０の上に配置されている。
【００７５】
ここで、有機半導体層１４は、ＰＮ接合を形成せずに、ｎ型又はｐ型の１物質で形成される。そして、有機半導体層１４と金属層２０とでショットキー接合ダイオードＤｓ１が構成され、有機半導体層１４と自由層１３とでショットキー接合ダイオードＤｓ２が構成されている。これらのショットキー接合ダイオードＤｓ１，Ｄｓ２では、ショットキー障壁を構成する有機半導体層１４の不純物濃度を調整したり、金属層２０や自由層１３のメタルの材料を選択したりすることで、読み出し電流が流れる方向に対して順方向となるように形成されている。
【００７６】
また、有機半導体層１４及び金属層２０は、ＭＴＪ素子１０とほぼ同じ平面形状になっている。
【００７７】
上記第４の実施形態の基本構造４によれば、基本構造３と同様に、回り込み電流が抑制できるという効果が得られる。そして、基本構造４では、ＭＴＪ素子１０の上側に有機半導体層１４及び金属層２０が設けられているため、基本構造２と同様に、絶縁膜１７として有機絶縁膜を使用した場合に加工性で有利となる。
【００７８】
尚、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０（自由層１３）との間には、コンタクト用のキャップ層が形成されていてもよい。この場合、キャップ層と有機半導体層１４とでショットキー接合ダイオードＤｓ２が構成される。
【００７９】
（変形例４−１）
図２２は、本発明の第４の実施形態に係る変形例４−１の磁気記憶装置を示す。図２２に示すように、変形例４−１において、上記基本構造４と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも大きくなっている点である。
【００８０】
上記第４の実施形態の変形例４−１によれば、基本構造４と同様の効果を得ることができるだけでなく、さらに、上記変形例２−１と同様の特有の効果も得られる。
【００８１】
尚、図２２の構造では、金属層２０は、ＭＴＪ素子１０と同じ平面形状になっているが、有機半導体層１４と同じ平面形状にしてもよい。
【００８２】
（変形例４−２）
図２３は、本発明の第４の実施形態に係る変形例４−２の磁気記憶装置を示す。図２３に示すように、変形例４−２において、基本構造４と異なる点は、有機半導体層１４の平面形状がＭＴＪ素子１０の平面形状よりも小さく、金属層２０の平面形状が有機半導体層１４の平面形状よりも小さくなっている点である。
【００８３】
上記第４の実施形態の変形例４−２によれば、基本構造４と同様の効果を得ることができるだけでなく、上記変形例２−２と同様の特有の効果も得られる。
【００８４】
尚、図２３の構造では、金属層２０の平面形状は、有機半導体層１４の平面形状よりも小さくしているが、有機半導体層１４と同じ平面形状にしてもよい。
【００８５】
（変形例４−３）
図２４は、本発明の第４の実施形態に係る変形例４−３の磁気記憶装置を示す。図２４に示すように、変形例４−３において、基本構造４と異なる点は、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間にバリアメタル膜１８を形成している点である。
【００８６】
そして、ショットキー接合ダイオードＤｓ１は、有機半導体層１４と金属層２０とで構成され、ショットキー接合ダイオードＤｓ２は、有機半導体層１４とバリアメタル膜１８とで構成される。
【００８７】
ここで、例えば、ＴｉＮはＰ型Ｓｉ半導体に対してショットキー接合を形成することが知られているため、有機半導体層１４をＰ型Ｓｉ半導体で形成した場合、バリアメタル膜１８の材料としてＴｉＮを用いるとよい。
【００８８】
上記第４の実施形態の変形例４−３によれば、基本構造４と同様の効果を得ることができるだけでなく、上記変形例１−３と同様の特有の効果も得られる。
【００８９】
尚、ここでは、バリアメタル膜１８を上記基本構造４に適用した場合を示したが、上記変形例４−１，４−２において、有機半導体層１４とＭＴＪ素子１０との間に設けることも可能である。この際、バリアメタル膜１８は、ＭＴＪ素子１０と同じパターンにしてもよいし、有機半導体層１４と同じパターンにしてもよいし、さらに、ＭＴＪ素子１０及び有機半導体層１４の両方と異なるパターンにしても勿論よい。
【００９０】
５．第５の実施形態
第５の実施形態では、各実施形態における有機半導体層の材料や結晶状態について説明する。
【００９１】
（１）材料
有機半導体層１４は、低分子系の材料を用いてもよい。有機半導体層１４として、現在広く開発されている材料は、低分子系のペンタセンである。ペンタセンは、上述したように一物質でｎ型とｐ型の半導体を作ることができる上、さらに、現状の材料では移動度が高く、電流を多く取れるため、非常に優位な材料である。
【００９２】
有機半導体層１４は、高分子系の材料を用いてもよい。ポリチオフェン系等の高分子系の材料は、低分子系の材料と異なり、高濃度の溶液を作り易いため、量産性に優れているという利点がある。尚、高濃度の高分子系の材料を形成する場合は、長時間の蒸着を必要としないため、製造時間の短縮にもつながる。
【００９３】
また、ＰＮ接合ダイオードＤｐｎを形成する場合、有機半導体層１４の正孔注入層（ｐ型層）としては、例えば、ＣｕＰｃ等が用いられ、有機半導体層１４の電子注入層（ｎ型層）としては、例えば、金属錯体系有機物，ＰＢＤ，トリアゾール系化合物等が用いられる。
【００９４】
尚、ここで示した有機半導体層１４の材料は、現在の一般的な例であり、抵抗や耐熱性等において有利な材料が今後開発されて使用される可能性があり得ることは言うまでもない。また、上述する有機半導体層１４の材料は、有機半導体層１４の少なくとも一部に含まれていればよい。
【００９５】
（２）結晶状態
有機半導体層１４の結晶状態は、アモルファス状態でもよい。ペンタセン等の有機半導体層１４の材料は、塗布した時、アモルファス状態になっている。このアモルファス状態の場合、移動度は低いという多少の難点はあるものの、低温で作製することができるため、ＭＲＡＭで問題となる高温で作製しなくてよいという点で有利である。
【００９６】
有機半導体層１４の結晶状態は、単結晶状態でもよい。この場合、形成熱処理が多くなりＭＲＡＭおよび有機半導体の耐熱性の観点では問題があるものの、移動度は高くなるという利点がある。
【００９７】
有機半導体層１４の結晶状態は、多結晶状態でもよい。この場合、アモルファス状態と単結晶状態との中間の状態であり、両者の利点をうまく取り入れられるため、最も利用度の高い結晶状態と考えられる。
【００９８】
尚、有機半導体層１４の少なくとも一部が、上述するような結晶状態になっていればよい。
【００９９】
６．第６の実施形態
第６の実施形態では、張り合わせ式の有機半導体層の製造方法について説明する。
【０１００】
（張り合わせ式１）
図２５乃至図２８は、本発明の第６の実施形態に係る有機半導体層の張り合わせ式１の製造工程を示す。
【０１０１】
まず、図２５に示すように、加工が容易な転写用基板３１の上部がパターニングされ、微細なパターンが刻み込まれた凸部３２が形成される。次に、図２６に示すように、凸部３２上に有機半導体材からなるインク３３が塗布される。このインク３３の塗布は、全面にインクが塗布された基板（図示せず）と凸部３２とを張り合わせたり、液体インク部に凸部３２を漬けたりすることで行われる。次に、図２７に示すように、転写用基板３１と有機加工希望基板３４とが張り合わされ、判を押すようにインク３３を有機加工希望基板３４に印刷する。その結果、図２８に示すように、有機加工希望基板３４にインク３３からなる有機半導体層１４が形成される。
【０１０２】
（張り合わせ式２）
図２９乃至図３２は、本発明の第６の実施形態に係る有機半導体層の張り合わせ式２の製造工程を示す。
【０１０３】
まず、図２９に示すように、有機加工希望基板３４上に、微細なパターンが刻み込まれた凸部３２が形成される。次に、図３０に示すように、転写用基板３１の表面に有機半導体材からなるインク３５が塗布される。このインク３３の塗布は、全面にインクが塗布された基板（図示せず）と転写用基板３１とを張り合わせたり、液体インク部に転写用基板３１を漬けたりすることで行われる。次に、図３１に示すように、転写用基板３１と凸部３２とが張り合わされる。その結果、図３２に示すように、転写用基板３１上のインク３５の一部が凸部３２上に付着することで、所望パターンのインク３５ａからなる有機半導体層１４が形成される。
【０１０４】
上記第６の実施形態の張り合わせ式１，２によれば、有機半導体層１４の所望パターンになるように凸部３２を加工し、この凸部３２上に有機半導体材を付着することで、セルフアラインで微細加工された有機半導体層１４の構造が実現できる。
【０１０５】
７．第７の実施形態
第７の実施形態では、インクジェットプリンタ式の有機半導体層の製造方法について説明する。
【０１０６】
図３３及び図３４は、本発明の第７の実施形態に係る有機半導体層のインクジェットプリンタ式の製造方法を説明するための図を示す。
【０１０７】
図３３及び図３４に示すように、インクジェットプリンタは、一般に、インクカートリッジ３６と印字ヘッド３７が左右に往復し、インク３８の粒子を用紙３９に噴射することで印刷が行われる。そこで、第７の実施形態では、有機半導体層１４の形成に、インクジェットプリンタの印字ヘッド３７の原理を利用する。つまり、半導体高分子材料等の有機半導体材を溶液に溶かし、この溶液をインクジェットプリンタの印字ヘッド３７の原理を利用して、この溶液を所望箇所に噴射することで、所望のパターンの有機半導体層１４を形成する。
【０１０８】
尚、インクジェットプリンタの印字ヘッド３７の原理は、有機半導体層１４の形成だけでなく、導電性材料などを溶液に溶かし、この溶液を噴射することで、微細領域にソース／ドレインやゲートといった半導体部分、又は電極などを形成することも可能である。但し、各部分のショートを防ぐために、「にじみ」には注意が必要である。
【０１０９】
上記第７の実施形態のインクジェットプリンタ式によれば、有機半導体層１４などをインクジェットプリンタの印字ヘッド３７の原理を利用して形成することで、微細加工が可能となる。
【０１１０】
８．第８の実施形態
上記第１乃至第４の実施形態では、クロスポイント型のＭＲＡＭを例にあげて説明したが、この構造に限定されず、例えば、積層型のＭＲＡＭに適用することも可能である。
【０１１１】
第８の実施形態は、積層型のＭＲＡＭにおいて、有機半導体層からなるＰＮ接合ダイオードをＭＴＪ素子の下側に設けた例である。
【０１１２】
図３５及び図３６は、本発明の第８の実施形態に係る積層型のＭＲＡＭを示す。以下では、ブロックＢＫ１１を例にあげて説明する。
【０１１３】
図３５及び図３６に示すように、積層型のＭＲＡＭにおける１つのブロックＢＫ１１では、１つの読み出し用のスイッチング素子（トランジスタ）ＲＳＷ上に複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４が積層化され、この積層化された複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４がスイッチング素子ＲＳＷに接続されている。つまり、１つの読み出しスイッチ素子ＲＳＷを複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４で共有し、この複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４を半導体基板４１の表面に対して垂直な方向（縦方向）に複数段に積み重ねて１ブロックＢＫ１１を構成している。
【０１１４】
そして、ブロックＢＫ１１の各構成において、複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の一端には、独立してワード線ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３，ＷＬ４がそれぞれ接続されている。複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の他端には、読み出し副ビット線ＲＢＬ１’が共通して接続されている。この読み出し副ビット線ＲＢＬ’は、読み出しスイッチ素子ＲＳＷを介して、読み出し主ビット線ＲＢＬ１に接続されている。このように、読み出し用のビット線が、主ビット線ＲＢＬ１と副ビット線ＲＢＬ１’とに分割されている。尚、書き込みビット線ＷＢＬ１，ＷＢＬ２，ＷＢＬ３，ＷＢＬ４は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の下方にそれぞれ配置されている。
【０１１５】
このような積層型のＭＲＡＭにおいて、複数のＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の他端側に、有機半導体層５０−１，５０−２，５０−３，５０−４からなるＰＮ接合ダイオードがそれぞれ形成されている。この有機半導体層５０−１，５０−２，５０−３，５０−４の上面及び下面は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４と下部金属層４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄとにそれぞれ接続している。そして、この有機半導体層５０−１，５０−２，５０−３，５０−４の平面形状は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の平面形状とほぼ同じになっている。
【０１１６】
上記第８の実施形態によれば、上記第１の実施形態の基本構造１と同様の効果を得ることができる。
【０１１７】
尚、有機半導体層５０−１，５０−２，５０−３，５０−４は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の上側に配置してもよい。また、有機半導体層からなるＰＮ接合ダイオードの代わりに、有機半導体層を含むショットキー接合ダイオードを用いることも可能である。また、有機半導体層５０−１，５０−２，５０−３，５０−４の平面形状は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１，ＭＴＪ２，ＭＴＪ３，ＭＴＪ４の平面形状より大きくしたり、小さくしたりすることも可能である。また、ここでは、一つのブロックに４つのＭＴＪ素子が積層された構造を例にあげるが、ＭＴＪ素子の数はこれに限定されない。
【０１１８】
その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。例えば、ＰＮ接合ダイオードやショットキー接合ダイオードを構成する有機半導体層は、ＭＴＪ素子の上側又は下側の一方に配置されることに限定されず、ＭＴＪ素子の上面及び下面の両側に配置することも可能である。
【０１１９】
さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる基本構造１の磁気記憶装置を示す平面図。
【図２】図１のII−II線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係わる変形例１−１の磁気記憶装置を示す平面図。
【図４】図３のIV−IV線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係わる変形例１−２の磁気記憶装置を示す平面図。
【図６】図５のVI−VI線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係わる変形例１−３の磁気記憶装置を示す平面図。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係わる基本構造２の磁気記憶装置を示す断面図。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係わる変形例２−１の磁気記憶装置を示す断面図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係わる変形例２−２の磁気記憶装置を示す断面図。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係わる変形例２−３の磁気記憶装置を示す断面図。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係わる基本構造３の磁気記憶装置を示す平面図。
【図１４】図１３のXIV−XIV線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係わる変形例３−１の磁気記憶装置を示す平面図。
【図１６】図１５のXVI−XVI線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係わる変形例３−２の磁気記憶装置を示す平面図。
【図１８】図１７のXVIII−XVIII線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図１９】本発明の第３の実施形態に係わる変形例３−３の磁気記憶装置を示す平面図。
【図２０】図１９のXX−XX線に沿った磁気記憶装置の断面図。
【図２１】本発明の第４の実施形態に係わる基本構造４の磁気記憶装置を示す断面図。
【図２２】本発明の第４の実施形態に係わる変形例４−１の磁気記憶装置を示す断面図。
【図２３】本発明の第４の実施形態に係わる変形例４−２の磁気記憶装置を示す断面図。
【図２４】本発明の第４の実施形態に係わる変形例４−３の磁気記憶装置を示す断面図。
【図２５】本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式１の製造工程を示す断面図。
【図２６】図２５に続く、本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式１の製造工程を示す断面図。
【図２７】図２６に続く、本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式１の製造工程を示す断面図。
【図２８】図２７に続く、本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式１の製造工程を示す断面図。
【図２９】本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式２の製造工程を示す断面図。
【図３０】図２９に続く、本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式２の製造工程を示す断面図。
【図３１】図３０に続く、本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式２の製造工程を示す断面図。
【図３２】図３１に続く、本発明の第６の実施形態に係わる有機半導体層の張り合わせ式２の製造工程を示す断面図。
【図３３】本発明の第７の実施形態に係わる有機半導体層のインクジェット式のプリンタを示す概略図。
【図３４】本発明の第７の実施形態に係わるインクジェット式の印字ヘッドを示す概略図。
【図３５】本発明の第８の実施形態に係わる積層型の磁気記憶装置を示す概略的な回路図。
【図３６】本発明の第８の実施形態に係わる積層型の磁気記憶装置を示す断面図。
【図３７】従来技術によるクロスポイント型の磁気記憶装置を示す斜視図。
【図３８】従来技術によるクロスポイント型の磁気記憶装置における回り込み電流の問題を示す図。
【符号の説明】
【０１２１】
１０…ＭＴＪ素子、１１…固定層、１２…トンネル接合層、１３…自由層、１４，５０-ｎ…有機半導体層、１５…ワード線、１６…ビット線、１７…絶縁膜、１８…バリアメタル膜、２０…金属層、３１…転写用基板、３２…凸部、３３，３５，３５ａ，３５ｂ，３８…インク、３４…有機加工希望基板、３６…インクカートリッジ、３７…印字ヘッド、３９…用紙、４０…メモリセル部、４１…半導体基板、Ｄｐｎ…ＰＮ接合ダイオード、Ｄｓ１，Ｄｓ２…ショットキー接合ダイオード、ＢＫｊｎ…ブロック、ＲＳＷ…スイッチング素子、ＭＴＪｎ…ＭＴＪ素子、ＷＬｎ…ワード線、ＲＢＬｎ’…読み出し副ビット線、ＲＢＬｎ…読み出し主ビット線、ＷＢＬｎ…書き込みビット線。
【図１】
2005150156.tif 000003
【図２】
2005150156.tif 000004
【図３】
2005150156.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005150156.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005150156.tif 000009
【図８】
2005150156.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
2005150156.tif 000037
【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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