(57)【要約】      （修正有）【課題】共振器端面での吸収損失を低減させた低動作電流駆動かつ高信頼性の半導体レーザを得ること。【解決手段】半導体レーザは、たとえば、基板１と、基板１上に基板１の劈開面と平行でない劈開面を有する窒化物材料からなり、活性層５を含む半導体積層部９が積層されており、レーザ光が出射される共振器端面６が形成されている。そして、共振器端面６近傍で、基板１と活性層４との間に金属部５を有している。【選択図】図１
2005150255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられ該基板の劈開面と平行でない劈開面を有する材料からなり、活性層を含む半導体積層部と、共振器端面近傍で、前記基板と前記活性層との間に金属部とを少なくとも有する半導体レーザ。
【請求項２】
前記金属部が半導体積層部を構成する原子を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
基板上に該基板と劈開面が平行でない劈開面を有する材料からなり、活性層を含む半導体積層部を形成した後、前記半導体積層部の一部分を溶融し金属部を形成し、その後該金属部に沿って劈開することにより共振器端面を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
前記金属部形成の際、半導体積層部の積層面と反対面である基板裏面からレーザ光を照射することにより溶融し金属部を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の劈開面と平行でない劈開面を有する材料からなる半導体積層部を有する半導体レーザおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の光記録密度向上に伴い、読み取り用などに用いられる半導体レーザも短波長化が要求され、高密度ＤＶＤなどの用途には窒化物半導体レーザの開発が盛んに行われている。窒化物半導体レーザは、たとえば図６に示されるように、サファイア基板５１上に、ｎ型半導体層５２、活性層５４、ｐ型半導体層５３からなる半導体積層部５９が形成されている。ｐ型半導体層５３は、電流狭窄のためストライプ状にエッチングされており、ｐ型半導体層５３の最上表面にｐ電極５８が、他方ｎ型半導体層５２は、一部に露出面を有しており、露出面上にｎ電極５７が形成されている。そして、半導体積層部５９の積層面に垂直方向に共振器端面５６が形成されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０８−０９７５０２号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般的に、半導体レーザは、電流注入により発生した光を共振器端面で反射を繰り返すことにより増幅した後、増幅光を主に共振器端面の一方から出射するものである。そして、半導体レーザの低閾値化および低動作電流駆動化のためには、共振器端面での光の吸収を極力減らすことが必要とされる。これを達成するために共振器端面は、一般的に半導体積層部に用いられる結晶材料の劈開面に沿った面が用いられる。しかしながら、窒化物半導体レーザでは、半導体積層部に用いる窒化物材料の劈開面方向に共振器端面を形成したとしてもレーザ発振が起こらない、またはレーザ発振が起こった場合であっても動作電流が大きくなるという問題がある。
【０００４】
すなわち、窒化物半導体レーザ用の基板としては窒化物材料を成長するのに適したサファイア基板などが一般に用いられる。しかしながら、基板によっては、半導体積層部を構成する窒化物材料の劈開面と平行でない劈開面を有するもの、また基板自体に劈開面が存在しないものもある。したがって、半導体積層部の劈開面で共振器端面を形成しようとしても劈開面が平行ではない基板の断面には多数のクラックが入ってしまう。そして、その基板に生じたクラックが半導体積層部の劈開面に伝播し、半導体積層部の劈開面も荒れてしまう結果となる。このように半導体積層部と基板が接している以上、クラックが伝播することを避けられず、半導体積層部に良好な劈開面を得ることができない。よって、共振器端面での光損失が増加し、増幅作用を充分に発揮されずレーザ発振が起こらない、または動作電流を増加させてしまうことになる。
【０００５】
他方、別の共振器端面の形成方法としては、劈開面を用いて共振器端面を形成するのではなく、共振器端面形成箇所の半導体積層部をドライエッチングすることで人工的に共振器端面を得ることも試みられている。しかしながら、ドライエッチングを用いたとしても表面加工には限界があり、劈開面と同程度の面形状は得られない。さらに、ドライエッチング時にはプラズマ処理されることになるが、処理中にプラズマにより共振器端面がダメージを受けてしまい信頼性等の悪化に繋がる畏れもある。
【０００６】
本発明は、このような問題を解決し、共振器端面での吸収損失を低減させた低動作電流駆動かつ高信頼性の半導体レーザを得ることを目的とするものである。また、本発明の他の目的は、上記低動作電流駆動かつ高信頼性の半導体レーザを得るための製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体レーザは、基板と、該基板上に設けられ該基板の劈開面と平行でない劈開面を有する材料からなり、活性層を含む半導体積層部と、共振器端面近傍で、前記基板と前記活性層との間に金属部とを少なくとも有する。
【０００８】
ここで、基板の劈開面と平行でない劈開面を有する材料とは、基板と劈開面が平行な劈開面を有する材料以外の全ての材料のことを意味し、基板自体に劈開面を有しない場合には、劈開面を有する材料であればどのような材料でもよいことを含んでいる。また、共振器端面近傍とは、レーザ光が出射される共振器端面を少なくとも含む意味であり、それ以外の領域にまで金属部が形成されてもよい。
【０００９】
本発明によれば、共振器端面近傍で、基板と活性層との間に金属部を有しているため、基板と活性層とが直接接していない。そのため、半導体積層部の劈開面に合わせて共振器端面を形成する際、基板上で生じたクラックが金属部で吸収され、半導体積層部側に伝播せず活性層にクラックが発生しない。したがって、活性層の共振器端面を鏡面とすることができる。また、ドライエッチングなどにより人工的に加工した共振器端面よりも鏡面化することができる。よって、端面損失が低減でき低動作電流駆動の半導体レーザが得られる。
【００１０】
また、前記金属部が半導体積層部を構成する原子を含むことが好ましい。この構成によれば、活性層の結晶性を悪化させず、また製造工程を複雑化させることを防止できる。
【００１１】
本発明の半導体レーザの製造方法は、基板上に該基板と劈開面が平行でない劈開面を有する材料からなり、活性層を含む半導体積層部を形成した後、前記半導体積層部の一部分を溶融し金属部を形成し、その後該金属部に沿って劈開することにより共振器端面を形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、金属部に合わせて劈開により共振器端面を形成するため、基板上で生じたクラックが金属部で吸収され、半導体積層部に伝播しなくなり半導体積層部中にクラックが生じない。したがって、半導体積層部の共振器端面を鏡面とすることができる。さらに、半導体積層部形成後に半導体積層部の一部を溶融するため、すでに積層された半導体積層部は何ら影響を受けることもなく、良質の半導体積層部が得られる。
【００１３】
より具体的には、前記金属部形成の際、半導体積層部の積層面と反対面である基板裏面からレーザ光を照射することにより溶融し金属部を形成することを特徴とする。これにより簡便に半導体積層部を溶融することができ、製造工程を複雑化させることもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
【００１５】
本発明の半導体レーザは、たとえば図１に示されるように、基板１と、基板１上に基板１の劈開面と平行でない劈開面を有する窒化物材料からなり、活性層５を含む半導体積層部９が積層されており、レーザ光が出射される共振器端面６が形成されている。そして、共振器端面６近傍で、基板１と活性層４との間に金属部５を有している。
【００１６】
金属部５は、共振器端面６近傍で、基板１と活性層４との間に位置しており、劈開をする際、基板１から生じたクラックをその上方の積層された半導体積層部、特に活性層４に到達するのを防ぐ働きを有するものである。ここで共振器端面６近傍とは、レーザ光が出射される端面部分を少なくとも含む意味であり、それ以外の領域にまで金属部５が形成されてもよい。
【００１７】
この金属部５を挿入することで、基板１と活性層４とが直接接していないことになる。したがって、図１の半導体レーザの共振器方向から見た図２（ａ）に示されているように、半導体積層部９の劈開面を共振器端面６とする際、基板との劈開面の相違によって生じたクラック１１が、金属部５の存在により上方の半導体積層部９中に伝播していない。そのため、半導体積層部９にクラック１１は生じなくなり、半導体積層部９、特に活性層４を鏡面とすることができ、共振器端面６での吸収損失を抑えることができる。また、ドライエッチングなど人工的に加工した端面よりも鏡面化でき、端面損失が低減でき低動作電流駆動の半導体レーザが得られる。
【００１８】
金属部５のレーザ共振器方向および半導体積層部９の積層方向と垂直方向に関する幅Ｔは、図２（ａ）に示される例ではチップ幅Ｃと同じであるが、たとえば図２（ｂ）に示されるように、金属部５の幅Ｔがチップ幅Ｃよりも小さくてもよいが、ストライプ幅Ｓ以上あることが好ましい。すなわち、活性層４のうち光密度が高い領域にクラック１１が伝播しなければ、共振器端面での吸収損失はほとんどない。そして、その光密度が高い領域はストライプ幅Ｓとほぼ同じであり、金属部５の幅Ｔは、それ以上の幅を有していれば、必然的に吸収損失は低減するからである。
【００１９】
さらに、図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示される例では、金属層５は基板と接する半導体積層部の一部が金属部５となっているが、必ずしも基板と接する必要はなく、たとえば図２（ｃ）に示されるように、活性層４までの間にある層のいずれの位置に形成してもよい。
【００２０】
好ましくは、金属部５が半導体積層部９を構成する原子を含んでいることが好ましい。この構成によれば、活性層４の結晶性を悪化させにくく、また製造工程を容易になるからである。すなわち、半導体積層部を構成する原子を含む場合には、半導体積層部を成長後に半導体積層部の一部を溶融することで金属部を形成できる。したがって、半導体積層部の結晶性に何ら影響を及ぼさず、良質の半導体積層部を維持することができる。また、後述するように半導体積層部の一部を基板の裏面から溶融するプロセスを追加するだけで、半導体積層部を構成する原子を含む金属部を形成でき、製造工程の複雑化を招かない。具体的には、半導体積層部９がＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ系材料からなる場合には、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎまたはこれらの合金が金属部５となり、その他の材料を用いる場合も同様に考えることができる。なお、上述のように半導体積層部の成長後に形成されることが好ましいがそれに限定されない。
【００２１】
また、図１のＡ−Ａ’方向の断面図である図３に示されるように、金属部５は共振器端面６から内部方向へ形成されているが、その両共振器端面６から半導体レーザの内部方向への合計の長さＷ（＝W１＋W２）は共振器長Ｌの半分以下であることが好ましい。というのも、Ｗを大きくすると基板と半導体積層部との界面での密着面積が低下する。そして、Ｗが共振器長Ｌの半分以上となると、パッケージ化プロセス等において、基板が剥離してしまう確率が急激に大きくなるからである。一方、幅Ｗ（＝Ｗ１＋Ｗ２）は、後述するように、劈開の精度以上の幅を有することが、確実に劈開面に金属部５が形成できる点で好ましい。
【００２２】
基板１は、たとえばｃ面を主面とするサファイア基板が用いられるが、これに限定されず、他の面を主面とするサファイア基板であってもい。また、基板１は、絶縁基板でもｐ型でもｎ型でもよく、また材料もサファイアに限られず、炭化珪素（ＳｉＣ）基板その他のものでもよい。さらに、後述するように裏面からＹＡＧレーザなどによって光を照射されるため、照射用レーザ１１から発せられた光を吸収しない材料であることが好ましい。
【００２３】
半導体積層部９は、基板１と劈開面と平行でない劈開面を有する材料で、活性層４を有し、基板１上に形成される。なお、半導体積層部の材料系は限定されないが、窒化物材料の場合には、特に基板の劈開面と平行でない劈開面を有する材料という要件を満たしやすい。窒化物材料とは、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x＋y≦１）の一般式で表される窒化物材料をいう。たとえば、c面を主面とするサファイア基板を用いてＧａＮを含む半導体積層部を形成し、共振器端面を形成する場合、ＧａＮの劈開面は一般にM面であるのに対して、ｃ面サファイア基板の劈開面もＭ面であるが、これらは平行な関係にはない。また、（０１１２）面を主面とするサファイア基板を用いた場合には、基板の劈開面はＲ面であるが、ＧａＮの劈開面であるＭ面とは平行ではない。したがって、このような関係にあるものは全て本発明の範囲に含まれることになる。なお、基板と劈開面が平行でない劈開面を有する材料には、基板と劈開面が平行な劈開面を有する材料以外の全ての材料のことを意味し、基板自体に劈開面を有しない場合には、劈開面を有する材料であればどのような材料でもよいことを含んでいる。すなわち、劈開面を有さず裂開面を有するような基板を用いる場合には、半導体積層部をどのような材料を用いたとしても本発明の範囲内となる。また、活性層４を挟むように第１導電型半導体層２と第２導電型半導体層３とが形成され、ダブルへテロ接合とすることが発光効率を向上させる点で好ましい。
【００２４】
活性層４は、バルク構造によるもの、あるいは単一量子井戸や多重量子井戸など構造などその種類は問わない。量子井戸構造を採用する場合には、井戸層にはバンドギャップの小さい層、障壁層にはバンドギャップの大きい層を用いることになり、たとえば、井戸層にはＩｎＧａＮ層、障壁層にはＧａＮ層などが用いられる。
【００２５】
第１導電型半導体層２とは、n型またはp型で、単層であっても多層であってもよく、膜厚も要求の応じて適宜調整される。たとえば、図５に示される実施例では、ｎ型ＧａＮコンタクト層２ａ、ｎ型ＡｌｘＧａｙＮクラッド層２ｂ、ｎ型ＧａＮガイド層２ｃとからなる３層構造としているが、それぞれの層は必ずしも必要でないし、またコンタクト層やクラッド層の両機能を発揮する単層とすることもできる。また、超格子構造を有するものであってもよいし、他の働きを持つ層をさらに有していてもよい。
【００２６】
また、第１導電型半導体層２と基板１の間にバッファ層１２が挿入されていてもよい。バッファ層１２は、基板と第１導電型半導体層２の格子不整合などを緩和する役割などがあり、ＡｌxＧａyＩｎ１1-x-yＮからなる材料であることが好ましいが、これに限定されない。
【００２７】
第２導電型半導体層３とは、第１導電型半導体層２と逆の導電型で、単層であっても多層であってもよく、膜厚も要求に応じて適宜調整される。たとえば、図５に示される実施例では、ｐ型Ａｌx'Ｇａy'Ｎ電子バリア層、ｐ型ＧａＮガイド層、ｐ型ＡｌxＧａyＮクラッド層６ａ、ｐ型ＧａＮコンタクト層６ｂとからなる４層構造としているが、コンタクト層やクラッド層の両機能を発揮する単層であってもよい。また、超格子構造を有するものであってもよいし、他の働きを持つ層をさらに有していてもよい。また、ｐ型半導体層は積層しただけでは不活性な場合が多いため、たとえば、半導体積層部９のうちｐ型となっている半導体層をアニールなどにより活性化させることが好ましい。アニールする場合、ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 などの保護膜を第２導電型半導体層４表面全面に設けて行ってもよいし、保護膜を設けることなく行っても良い。また、アニール条件も適宜活性化できるような必要な条件で行えばよい。なお、アニール以外の方法で活性化させてもよいし、特に活性化させる必要がない場合には省略することも可能である。
【００２８】
前述の活性層４、第１導電型半導体層２および第２導電型半導体層３の各層をｎ型に形成するためには、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴｅをＨ２Ｓｅ、ＳｉＨ4 、ＧｅＨ4 、ＴｅＨ4 などの不純物原料ガスとして反応ガス内に混入すれば得られる。ｐ型にするためには、ＭｇやＺｎをＥｔＣｐ2 ＭｇやＤＭＺｎの有機金属ガスとして原料ガスに混入する。ただしｎ型の場合は不純物を混入しなくても、成膜時にＮが蒸発し易く自然にｎ型になるため、その性質を利用してもよい。
【００２９】
また、図１〜図３に示される例では、第１導電型半導体層２のうち、一部露出面上に第１電極７が形成されており、ストライプ状に形成された第２導電型半導体層３の最上表面に第２電極８が形成されている。なお、最上表面および露出面は、たとえばＣｌ2およびＢＣｌ3 の混合ガスの雰囲気の下で反応性イオンエッチングなどのドライエッチングなどを行うことにより得られる。
【００３０】
第１電極7は第１導電型半導体層２の露出面上に、第２電極８は第２導電性半導体層３上に、電気的に接続されている。たとえば、各電極と接する層がｎ型の場合には、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｕなどからなり、ｐ型の場合には、Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕなどからなるが、これらに限定されることはない。図５に示される実施例では、第１電極７は第１導電型半導体層２の露出面であるｎ型ＧａＮからなる高温バッファ層２ａ上にＴｉ／Ａｌが、第２電極8は第２導電型半導体層3の最表面のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層３ａ最表面上にＰｄ／Ａｕが形成されている。
【００３１】
つぎに、本発明の製造方法について、図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法の共振器方向から見た図である。本発明の製造方法は、基板１上に劈開面の異なる材料からなり活性層４を有する半導体積層部９を形成した後、半導体積層部９の一部分を融解し金属部５を形成し、その後、金属部５に沿って劈開し共振器端面６を形成する製造方法である。なお、説明が重複するものに関しては、前述と同様であるためここでの説明を省略する。
【００３２】
まず、図４（ａ）に示されるように、基板１上に基板１の劈開面と平行でない劈開面を有する材料からなり、活性層４を有する半導体積層部９を形成する。これらは、たとえばＭＯＣＶＤ法などを用いて成長されるが、ＭＢＥ法であってもよいし他の成長方法であってもよい。また、半導体積層部９形成後、アニール処理を行ったり、ストライプエッチング、メサエッチング、電極形成、基板裏面のラッピングなどを適宜行う。
【００３３】
次いで、前記基板１と活性層４との間に位置する前記半導体積層部９の一部分を融解する。溶融は、照射用レーザを用いることなどが考えられ、溶融領域の厚さの調整は、後述するようにレーザの出力、照射時間等を調整し適宜行うことができる。図４（ｂ）に示される例では、半導体積層部９の一部をＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの照射用レーザ１３により溶融する。この場合、半導体積層部２の一部を溶融できるだけの出力を有するものである必要であり、また、基板裏面から照射することが、半導体積層部９のダメージを軽減する点で望ましい。さらに、照射用レーザ１１は、基板吸収を避けるため、基板のバンドギャップに対応する波長よりも長波長のものを使用することが望ましい。さらに、半導体積層部９のうち、溶融したい層を構成する材料よりもバンドギャップに対応する波長よりも短波長のものを使用するほうが、確実に所望の層を溶融できる点で好ましい。たとえば、ＧａＮからなる層を溶融する場合には、ＹＡＧレーザもエキシマレーザも用いることができるが、ＡｌxＧａyＮ層を溶融する場合には、ＹＡＧレーザの光は、ＡｌxＧａyＮ層で吸収されないため、ＡｌxＧａyＮ層は溶融できない。したがって、その場合には、エキシマレーザなどＡｌxＧａyＮ層よりも波長の短いレーザを用いる必要がある。
【００３４】
その後、図４（ｃ）に示されるように、溶融された金属部５に沿ってレーザスクライブやダイヤモンドスクライブなどを用いて劈開することによりレーザ光が出射される共振器端面６を形成する。このとき、金属部５の幅Ｗ（＝W１＋W２）は共振器長Ｌの半分以下であることが好ましい。というのも、Ｗを大きくすると基板と半導体積層部との界面での密着面積が低下する、そして、Ｗが共振器長Ｌの半分以上となると、パッケージ化プロセス等において、基板が剥離してしまう確率が急激に大きくなるからである。一方、幅Ｗ（＝Ｗ１＋Ｗ２）は、図４（ｃ）に示されるように、スクライブする際、スクライブの精度以上の幅（およそ１０μｍ）を有しなければ、スクライブずれを生じ確実に共振器端面６に金属部５が形成できないことも生じる。したがって、Ｗは、１０μｍ以上で共振器長Ｌの半分以下であることが特に好ましい。
【実施例】
【００３５】
図５は、以下の実施例で作製した半導体レーザの共振器端面方向から見た図である。サファイア基板１に、ＭＯＣＶＤ法により、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、ＮＨ３を原料として、たとえばｎ型のＧａＮからなるバッファ層１２を０．０１〜０．２μｍ程度成長し、７００〜１２００℃程度に温度をあげ、第１導電型半導体層2である、同じ組成であるｎ型のＧａＮからなるコンタクト層２ａを０．０１〜１０μｍ程度、ｎ型のＡｌxＧａyＮ（たとえば、ｘ＝０．１０  ｘ＋ｙ＝１）からなるクラッド層２ｂを０．０１〜２μｍ程度、ｎ型のＧａＮからなるガイド層２ｃを０．０１〜０．３ｕｍ程度成長する。つぎに、ノンドープまたはｎ型もしくはｐ型のＩｎ1-yＧａyＮ（たとえば、ｙ＝０．９  ｘ＝０）からなる井戸層とＧａＮからなる障壁層とからなる活性層４を合計０．００１〜０．２μｍ程度の厚さに成長させる。ついで、第１導電型半導体層３である、ｐ型のＡｌxＧａy Ｎ（たとえば、ｘ＝０．２０  ｘ＋ｙ＝１）からなる電子バリア層３ａを０．０１〜０．３μｍ程度、ｐ型のＧａＮからなるガイド層３ｂを０．０１〜０．３ｕｍ程度、ｐ型のＡｌxＧａy Ｎ（たとえば、ｘ＝０．１０  ｘ＋ｙ＝１）からなるクラッド層３ｃ  を０．０１〜２ｕｍ程度、さらにｐ型のＧａＮからなるコンタクト層３ｄを０．０５〜２μｍの厚さ成長する。
【００３６】
そののちＳｉＯ2 保護膜をコンタクト層３ｄ表面全面に設け、４００〜８００℃、２０〜６０分間程度のアニールを行う。アニールが完了すると、レジスト膜などのマスクを設けてｐ型のクラッド層３ｃが露出するまでＣｌ2およびＢＣｌ3 の混合ガスの雰囲気の下で反応性イオンエッチング（ドライエッチング）を行いストライプ状にエッチングする。ついで、ストライプ部にレジスト膜などでマスクを設けて、ｎ型のコンタクト層２ａが露出するまで再度、ドライエッチングを行い、メサエッチングする。ついで、Ｐｄ、Ａｕなどの金属膜をスパッタリングや蒸着などにより形成し、ｐ型のコンタクト層３ｄ上に第２電極８、露出したｎ型のコンタクト層２ａに、Ｔｉ、Ａｌなどの金属膜をスパッタリングや蒸着などにより形成し第１電極７を形成する。
【００３７】
その後、基板の裏面側をラッピングすることにより、基板を薄くする。その後、基板裏面からＹＡＧレーザを用いて、ＧａＮからなるバッファ層１２を融解し、Ｇａからなる金属部5を形成する。そして、融解された金属部５に沿ってダイヤモンドを用いてスクライブすることで劈開し共振器端面６を形成し、共振器端面６にスパッタなどにより図示しない保護膜を設ける。最後に、出射方向と平行方向の共振器方向もスクライブしチップ化し半導体レーザが形成される。
【００３８】
なお、図５に示される実施例では、ＧａＮ低温バッファ層１２をＹＡＧレーザ１１を用いて溶融させ、その低温バッファ層１２の構成金属であるＧａが金属部５となっているが既に説明した通りこの構成に限定されない。たとえばコンタクト層の一部まで金属部を形成してもよいし、活性層までの間にある層のいずれを溶融して金属部５を形成してもよい。また、ＧａＮだけでなく、ＩｎＧａＮやＡｌＧａＮなどからなる層が形成されている場合には、金属部５はＧａに限られず、ＩｎとＧａやＡｌとＧａの合金であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る半導体レーザの斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザの共振器端面方向、及び他の実施形態に係る共振器端面方向から見た図である。
【図３】図１の半導体レーザのＡ−Ａ’断面方向から見た図である。
【図４】本発明の半導体レーザの製造方法を表す図であり、共振器形成方向から見た図である。
【図５】本発明の実施例に係る半導体レーザの共振器端面方向から見た図である。
【図６】従来の半導体レーザを説明する斜視図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    基板
４    活性層
５    金属部
６    共振器端面
９    半導体積層部
【図１】
2005150255.tif 000003
【図２】
2005150255.tif 000004
【図３】
2005150255.tif 000005
【図４】
2005150255.tif 000006
【図５】
2005150255.tif 000007
【図６】
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