(57)【要約】【課題】半導体チップ上のＡｌ電極膜や半導体チップに金属疲労やクラック等のダメージが起こりにくく、かつ接合強度および接合の信頼性が高い構造を有する半導体装置と超小型電力変換装置およびそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ１と、半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３と、このスタッドバンプ３を取り囲むように、半導体チップ１上に形成した絶縁性支持薄膜である絶縁性レジスト膜４と、スタットバンプ３を介して半導体チップ１と超音波接合で固着された金属端子６付きセラミック基板５とで構成される。絶縁性レジスト膜４の膜厚はスタッドパンプ３の高さの１／２から１／３程度にすることで、スタッドパンブ３の固定補強が十分になり、接合強度を向上できる【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた導電パターン付き絶縁基板とを有する半導体装置において、
半導体チップ上にバンプ電極が露出するように形成した絶縁性支持薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁性支持薄膜の厚さが、バンプ電極高さの半分以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バンプ電極が，Ａｕのスタッドバンプであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁基板が、ガラスエポキシ基板もしくはセラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた導電パターン付き絶縁基板とを有する半導体装置の製造方法において、
半導体チップ上にバンプ電極が埋没する厚さで絶縁性支持薄膜を形成する工程と、該絶縁性支持薄膜をエッチバックによりバンプ電極が露出するまで薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁性支持薄膜が、絶縁性レジスト、ポリイミドおよびエポキシの有機系絶縁物もしくはＣＶＤ法により４５０℃以下の温度で低温形成されたＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧ等およびＳＯＧ（スピンオングラス）の無機系絶縁物もしくは蒸着またはスパッタ法で堆積させたＡｌ膜を陽極酸化により形成したＡｌ2 Ｏ3 であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた薄膜磁気誘導素子とを有する超小型電力変換装置において、
半導体チップ上にバンプ電極が露出するように形成した絶縁性支持薄膜を有することを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項８】
前記絶縁性支持薄膜の厚さが、バンプ電極高さの半分以下であることを特徴とする請求項７に記載の超小型電力変換装置。
【請求項９】
前記バンプ電極が、Ａｕのスタッドバンプであることを特徴とする請求項７または８に記載の超小型電力変換装置。
【請求項１０】
前記薄膜磁気誘導素子の基板が、フェライト基板であることを特徴とする請求項７に記載の超小型電力変換装置。
【請求項１１】
半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた薄膜磁気誘導素子とを有する超小型電力変換装置の製造方法において、
半導体チップ上にバンプが埋没する厚さで絶縁性支持薄膜を形成する工程と、該絶縁性支持薄膜をエッチバックによりバンプ電極が露出するまで薄くする工程を有することを特徴とする超小型電力変換装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁性支持薄膜が、絶縁性レジスト、ポリイミドおよびエポキシの有機系絶縁物もしくはＣＶＤ法により４５０℃以下の温度で低温形成されたＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧ等およびＳＯＧ（スピンオングラス）の無機系絶縁物もしくは蒸着またはスパッタ法で堆積させたＡｌ膜を陽極酸化により形成したＡｌ2 Ｏ3 であることを特徴とする請求項１１に記載の超小型電力変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は，半導体チップをバンプ電極を介して超音波接合で導電パターン付き絶縁基板と固着した半導体装置や半導体チップとバンプ電極を介して超音波振動で薄膜磁気誘導素子とを固着した超小型電力変換装置およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの携帯機器やパソコンなどのＯＡ機器の小型、軽量化を一層促進するために、これらの機器に搭載する半導体装置の超小型化と低背化やスイッチング電源として用いられるＤＣ−ＤＣコンバータなどの電力変換装置の超小型化と低背化が求められている。
【０００３】
図１７は、ＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。このＤＣ−ＤＣコンバータは、直流の入力電圧を任意の出力電圧に変換する降圧型の電力変換装置である。図中のＶｉは入力電圧、Ｃｉ、ＣＴ、Ｃｏはコンデンサ、Ｌは薄膜磁気誘導素子であるインダクタ、Ｖｏは出力電圧である。ＬとＣｏは出力電圧電流を平滑化するフィルタである。
【０００４】
図１８は、超小型化と低背化された従来の半導体装置の要部断面図である。セラミック基板５に形成された金属端子６（導電パターン）と半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３が超音波接合で直接固着している。このセラミック基板５の金属端子６が点線で示すプリント基板３１の導電パターン３２とはんだ３３などで面実装される。また、このセラミック基板５はガラスエポキシのプリント基板の場合もある。また、このセラミック基板５に固着した半導体チップ１が単体で樹脂ケース（モールド）や樹脂パッケージに収納されて半導体装置となる場合もある。
【０００５】
図１９は、薄膜磁気誘導素子と半導体チップを一体化したＤＣ−ＤＣコンバータなどを超小型化と低背化した従来の超小型電力変換装置の要部断面図である。これは図１７の電源用ＩＣとインダクタとＣｉ、ＣＴ、Ｃｏなどのコンデンサ（セラミックコンデンサアレイ３５）を固着した図である。
【０００６】
フェライト基板１１上にコイル導体１２が形成された薄膜磁気誘導素子１０の金属端子６と半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３が超音波接合で直接固着されている。このフェライト基板１１の金属端子６に、点線で示したセラミックコンデンサアレイ３５などが接続されて超小型半導体装置となる。
【０００７】
この超音波接合により直接固着する接合構造は、フリップチップボンディング（以下ＦＣＢと略す）構造と呼ばれ、この構造を用いた半導体装置（例えば、特許文献１、特許文献２）および超小型電力変換装置（例えば、特許文献３）が報告されている。
【０００８】
また、バンプと半導体チップを異方性導電膜を介して圧接するとき、押圧で半導体チップにダメージが導入されるのを防止し、その接合強度を増すために樹脂層でバンプを補強した例がある（例えば、特許文献４）。
【特許文献１】特開２００２−２５２２５２号公報
【特許文献２】特開２００１−１２７１１０号公報
【特許文献３】特開２００２−２３３１４０号公報
【特許文献４】特開２００３−３１７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
これらの半導体装置および超小型電力変換装置においては，絶縁基板５やフェライト基板１１への半導体チップ１のＦＣＢが、超音波振動と圧着させるための加圧でのみで行われるため生産性が良いという利点がある。しかしその反面、はんだ接合に比べると接合の強度が弱く、ヒートサイクル等の熱ストレスに対する信頼性が低いという問題点があった。
【００１０】
図２０は、半導体チップを超音波によるＦＣＢを行っている様子を示す概念図である。半導体チップ１のＡｌパット２に形成したＡｕのスタッドバンプ３をセラミック基板５の金属端子６に超音波でＦＣＢして直接固着する場合、まず、半導体チップ１をボンディングツール５１に真空吸着させ、このボンディングツール５１でセラミック基板５の金属端子６にスタッドバンプ３を押圧し、超音波発振器５２で発生させた超音波振動を超音波伝達部５３を介してボンディングスール５１に伝達し、この超音波振動が半導体チップ１に伝達し、半導体チップ１が横方向に強制的に揺すられて、スタッドバンプ３とセラミック基板５の金属端子６との接合が進行する。超音波接合が終了するとセラミック基板５を移動させてこの動作を繰り返す。
【００１１】
この超音波接合の進行を早めるために、セラミック基板５が乗っているステージ５４をヒータ５５で加熱する。セラミック基板５の金属端子６とスタッドバンプ３の接合強度を一定の限界値以上に無理に高めようとすると、超音波振動によるストレスが、半導体チップ１上のＡｌパッド２とＡｕのスタッドバンプ３の接合部付近に集中し、超音波振動の横方向に働く力（半導体チップの表面と平行する力）により半導体チップ１からスタッドバンプ３がむしり取られる力が作用して、その近傍のＡｌパッド２やその下の半導体チップ１（母材）に金属疲労やクラック等のダメージが発生するという問題がある。
【００１２】
尚、前記の特許文献４では異方性導電膜を圧接する力（半導体チップに対して縦方向の力）で半導体チップのバンプと導電パターンを固着しており、この縦方向の力で半導体チップにダメージが発生することに対する対策は示されているが、本発明では、超音波接合で半導体チップのバンプと導電パターン（または金属端子）を固着しており、この超音波接合での横方向に働く力（超音波振動）でダメージが発生することに対する対策は特許文献４では示されていない。
【００１３】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、超音波接合での接合強度および接合の信頼性が高い半導体装置と超小型電力変換装置およびそれらの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するために、半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた導電パターン付き絶縁基板とを有する半導体装置において、半導体チップ上にバンプ電極の先端が露出するように形成した該バンプ電極の剥離強度を補強すると共に超音波振動による応力を和らげる働きをする絶縁性支持薄膜を有する構成とする。
【００１５】
また、前記絶縁性支持薄膜の厚さが、バンプ電極高さの半分以下であるとよい。
【００１６】
また、前記バンプ電極が，Ａｕのスタッドバンプであるとよい。
【００１７】
また、前記絶縁基板が、ガラスエポキシ基板もしくはセラミック基板であるとよい。
【００１８】
また、半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた導電パターン付き絶縁基板とを有する半導体装置の製造方法において、半導体チップ上にバンプが埋没する厚さでバンプ電極の剥離強度を補強する絶縁性支持薄膜を形成し、該絶縁性支持薄膜をエッチバックによりバンプ電極先端が露出するまで薄くする製造方法とする。
【００１９】
また、前記絶縁性支持薄膜が、絶縁性レジスト、ポリイミドおよびエポキシの有機系絶縁物もしくはＣＶＤ法により４５０℃以下の温度で低温形成されたＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧ等およびＳＯＧ（スピンオングラス）の無機系絶縁物もしくは蒸着またはスパッタ法で堆積させたＡｌ膜を陽極酸化により形成したＡｌ2 Ｏ3 であるとよい。
【００２０】
また、半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた薄膜磁気誘導素子とを有する超小型電力変換装置において、半導体チップ上にバンプ電極の先端が露出するように形成した該バンプ電極の剥離強度を補強すると共に超音波振動による応力を和らげる働きをする絶縁性支持薄膜を有する構成とする。
【００２１】
また、前記絶縁性支持薄膜の厚さが、バンプ電極高さの半分以下であるとよい。
【００２２】
また、前記バンプ電極が、Ａｕのスタッドバンプであるとよい。
【００２３】
また、前記薄膜磁気誘導素子の基板が、フェライト基板であるとよい。
【００２４】
また、半導体チップと、該半導体チップを該半導体チップに形成されたバンプ電極を介して超音波接合で固着させた薄膜磁気誘導素子とを有する超小型電力変換装置の製造方法において、半導体チップ上にバンプが埋没する厚さでバンプ電極の剥離強度を補強する絶縁性支持薄膜を形成し、該絶縁性支持薄膜をエッチバックによりバンプ電極先端が露出するまで薄くする製造方法とする。
【００２５】
また、前記絶縁性支持薄膜が、絶縁性レジスト、ポリイミドおよびエポキシの有機系絶縁物もしくはＣＶＤ法により４５０℃以下の温度で低温形成されたＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧ等およびＳＯＧ（スピンオングラス）の無機系絶縁物もしくは蒸着またはスパッタ法で堆積させたＡｌ膜を陽極酸化により形成したＡｌ2 Ｏ3 であるとよい。
〔作用〕
バンプ電極を支える絶縁性支持薄膜を、半導体チップの金属パッドおよびバンプ電極下部を被覆するように厚く形成することで、ＦＣＢ時の超音波振動によるバンプ電極の揺れを低減し、パッドや半導体チップに金属疲労やクラック等のダメージが発生することを防止する。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、バンプ電極を絶縁性支持薄膜で固定補強し、超音波接合時のバンプ電極の横揺れを防止することで、半導体チップにダメージを発生させることなく、バンプ電極と導電パターン（金属端子）との接合強度を従来の１．５倍程度に高めることができる。
【００２７】
超音波接合での接合強度を高めることで、接合信頼性の高い半導体装置および超小型電力変換装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
この発明の実施の形態は、半導体チップに形成されたバンプ電極を導電パターン（金属端子）付き絶縁基板やフェライト基板に超音波接合で固着するときに、超音波振動でバンプ電極が横揺れするのを防止するために、バンプ電極の固定補強と超音波振動による応力緩和を目的に絶縁性支持薄膜を半導体チップ上にバンプ電極を取り囲むように形成したことである。
【実施例１】
【００２９】
図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の要部断面図である。図１８と同一部位には同一の符号を付した。
【００３０】
この半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３と、このスタッドバンプ３を取り囲むように、半導体チップ１上に形成した絶縁性支持薄膜である絶縁性レジスト膜４と、スタットバンプ３を介して半導体チップ１と超音波接合で固着された金属端子６付きセラミック基板５と、これらを収納する図示しないパッケージで構成される。
【００３１】
絶縁性レジスト膜４の膜厚はスタッドパンプ３の高さの１／２から１／３程度にする。この絶縁性レジスト膜６の厚さが厚すぎて絶縁性レジスト膜４とセラミック基板１５の隙間が１０μｍ程度となると、アンダーフィル充填が良好に行われない。また、絶縁性レジスト膜４の厚さが薄くなり過ぎるとスタッドパンブ３の固定補強が不十分になり、接合強度が低下する。
【００３２】
この絶縁性レジスト膜４の代わりに、ポリイミド、エポキシ等の有機系絶縁膜、ＳｉＯ2 （酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＰＳＧ（リンガラス）およびＳＯＧ（スピンオングラス）などの無機系絶縁膜およびＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）などを絶縁性支持薄膜として用いてもよい。また、セラミック基板５の代わりにガラスエポキシ基板を絶縁基板として用いてもよい。
【００３３】
セラミック基板５など半導体チップ１との熱膨張係数の違いが大きい絶縁基板を用いる場合には、スタッドバンプ３とセラミック基板５の隙間にアンダーフィル７を充填して、熱膨張による応力を緩和するとよい。
【００３４】
このように絶縁性レジスト膜６などの絶縁性支持薄膜を半導体チップ１上に形成することで、スタッドバンプ３が超音波接合で揺さぶられることが抑制され、スタッドバンプ３と金属端子６との接合強度を従来の１．５倍程度に高めることができる。接合強度が高まることで接合信頼性の高い半導体装置とすることができる。
【００３５】
尚、金属端子６は、端子パターン金属膜６ａと表面側、裏面側の最表面金属膜６ｂ、６ｃで形成される。また、半導体チップ１は集積回路を形成したＩＣチップなどである。
【実施例２】
【００３６】
図２から図８は、この発明の第２実施例の半導体装置の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。この半導体装置は図１に示したものである。
【００３７】
半導体チップ１の外周部にＡｌ（アルミニウム）パッド２を形成する（図２）。つぎに、このＡｌパッド２上にＡｕワイヤのボールボンディングにより高さ７０μｍのスタッドバンプ３を形成する（図３）。つぎに、絶縁性支持薄膜となる液状の保護レジスト剤をコーティングし熱硬化して絶縁性レジスト膜４を形成する（図４）。この場合、絶縁性レジスト膜４の厚さは１００μｍ程度が望ましい。この絶縁性レジスト膜４は、フイルム状のレジストをラミネータで貼付け、熱硬化させて形成してもよい。つぎに、酸素プラズマエッチングによりエッチバックして、スタッドバンプ３を露出させる（図５）。この場合、前記したように残す絶縁性レジスト膜４の厚さは、スタッドバンプ３の高さの１／２から１／３程度が望ましい。
【００３８】
つぎに、セラミック基板５に形成した金属端子６の位置と半導体チップ１に形成したスタッドバンプ３の位置を合わせ、セラミック基板５と半導体チップ１を配置する（図６）。つぎに、半導体チップ１を超音波ＦＣＢにより、スタットバンプ３をセラミック基板５に形成した金属端子６に直接固着する。この固着した後、セラミック基板５を移動させ、再び半導体チップ１を超音波ＦＣＢにより固着する（図７）。このとき、金属端子６として、端子パターン金属膜６ａは厚み５μｍのＮｉが、また表面側、裏面側の最表面金属膜６ｂ、６ｃは厚み１μｍのＡｕがそれぞれめっきにより形成されていることが望ましい。つぎに、アンダーフィル７を半導体チップ１とセラミック基板５の間に充填し、Ｙ−Ｙ線で切断して、セラミック基板５と半導体チップ１がスタットバンプ３で固着したチップ型の半導体素子となる（図８）。つぎに、図示しない樹脂やキャンパッケージに収納するして半導体装置が完成する。
【００３９】
絶縁性支持薄膜として絶縁性レジスト膜７の代わりに用いられるＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧおよびＳＯＧなどの無機系絶縁膜は、ＣＶＤ法により４５０℃以下の温度で低温形成する。また、Ａｌ2 Ｏ3 は、蒸着またはスパッタ法で堆積させたＡｌ膜を陽極酸化して形成する。
【実施例３】
【００４０】
図９は、この発明の第３実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図１９と同一部位には同一の符号を付した。
【００４１】
この超小型電力変換装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３と、このスタッドバンプ３を取り囲むように、半導体チップ１上に形成した絶縁性支持膜である絶縁性レジスト膜４と、スタットバンプ３を介して半導体チップ１と超音波接合で固着された金属端子６付きフェライト基板１１（薄膜磁気誘導素子１０）とで構成される。
【００４２】
絶縁性レジスト膜４の膜厚はスタッドパンプ３の高さの１／２から１／３にすることが望ましい。この絶縁性レジスト膜４の厚さが厚すぎて、絶縁性レジスト膜４とフェライト基板１１との隙間が１０μｍ程度となるとアンダーフィル７の充填が良好に行われない。また絶縁性レジスト膜４の厚さが薄くなり過ぎるとスタッドパンブ３の固定補強が不十分になり、接合強度が低下する。
【００４３】
この絶縁性レジスト膜４の代わりに、ポリイミド、エポキシ等の有機系絶縁膜、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧおよびＳＯＧなどの無機系絶縁膜およびＡｌ2 Ｏ3 などを用いてもよい。
【００４４】
このように絶縁性レジスト膜４などの絶縁性支持薄膜を半導体チップ上に形成することで、スタッドバンプが超音波接合で揺さぶられることが抑制され、スタッドバンプと金属端子との接合強度を従来の１．５倍程度に高めることができる。接合強度が高まることで接合信頼性の高い超小型電力変換装置とすることができる。
【００４５】
前記のアンダーフィル７の充填は、半導体チップ１とフィライト基板１１との密着性を増大される働きと、半導体チップ１とフィライト基板１１の線熱膨張係数の違いにより発生する応力を緩和する働きがある。そのため、半導体チップ１が大きい場合は特に有効であり、小さい場合は不要とすることができる。
【実施例４】
【００４６】
図１０から図１６は、この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。この超小型電力変換装置は図９に示したものである。
【００４７】
半導体チップ１の外周部にＡｌ（アルミニウム）パッド２を形成する（図１０）。つぎに、このＡｌパッド２上にＡｕワイヤのボールボンディングにより高さ７０μｍのスタッドバンプ３を形成する（図１１）。つぎに、絶縁性支持薄膜となる液状の保護レジスト剤をコーティングし熱硬化して絶縁性レジスト膜４を形成する（図１２）。この場合、絶縁性レジスト膜４の厚さは１００μｍ程度が望ましい。この絶縁性レジスト膜４は、フイルム状のレジストをラミネータで貼付け、熱硬化させて形成してもよい。つぎに、酸素プラズマエッチングによりエッチバックして、スタッドバンプ３を露出させる（図１３）。この場合、前記したように残す絶縁性レジスト膜４の厚さは、スタッドバンプ３の高さの１／２から１／３程度が望ましい。ここまでは、図２から図５と同じである。
【００４８】
つぎに、フェライト基板５にコイル導体１２を形成し、その表面を表面保護膜１３で被覆した薄膜磁気誘導素子１０を複数個形成する。このフェライト基板１１に形成した金属端子６の位置と半導体チップ１に形成したスタッドバンプ３の位置を合わせ、フェライト基板１１と半導体チップ１を配置する（図１４）。つぎに、半導体チップ１を超音波ＦＣＢにより、スタットバンプ３をフェライト基板１１に形成した金属端子６に直接固着する。この固着した後、フェライト基板１１を移動させ、再び半導体チップ１を超音波ＦＣＢにより固着する（図１５）。このとき、金属端子６として、端子パターン金属膜６ａの表面にはは厚み５μｍのＮｉが、また表面側、裏面側の最表面金属膜６ｂ、６ｃは厚み１μｍのＡｕがそれぞれめっきにより形成されていることが望ましい。つぎに、アンダーフィル７を半導体チップ１とフェライト基板１１の間に充填し、Ｙ−Ｙ線で切断して、フェライト基板１１と半導体チップ１がスタットバンプ３で固着したチップ型の超小型電力変換装置となる（図１６）。
【００４９】
尚、図１５の工程で複数個の半導体チップ１とそれに対応する数の薄膜磁気誘導素子１０を含むように切断すると、多出力の超小型電力変換装置とすることができる。
【００５０】
また、絶縁性支持薄膜として絶縁性レジスト膜７の代わりに用いられるＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＰＳＧおよびＳＯＧなどの無機系絶縁膜は、ＣＶＤ法により４５０℃以下の温度で低温形成する。また、Ａｌ2 Ｏ3 は、蒸着またはスパッタ法で堆積させたＡｌ膜を陽極酸化して形成する。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
この発明は、半導体チップに形成したバンプと導電パターン（金属端子）付き絶縁基板（セラミック基板やフェライト基板）を超音波接合で直接固着する場合に、バンプの固定を補強するために絶縁性支持薄膜を半導体チップ上にバンプ電極を取り囲むように形成するものであり、半導体装置や超小型電力変換装置に限らず半導体チップとそれを支持する基板とをバンプ電極を介して超音波接合する場合に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の第１実施例の半導体装置の要部断面図
【図２】この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図３】図２に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図４】図３に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図５】図４に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図６】図５に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図７】図６に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図８】図７に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図９】この発明の第３実施例の半導体装置の要部断面図
【図１０】この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１１】図１０に続く、この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１２】図１１に続く、この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１３】図１２に続く、この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１４】図１３に続く、この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１５】図１４に続く、この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１６】図１５に続く、この発明の第４実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図１７】ＤＣ−ＤＣコンバータの回路図
【図１８】超小型化と低背化された従来の半導体装置の要部断面図
【図１９】超小型化と低背化された従来の超小型電力変換装置の要部断面図
【図２０】超音波接合の概念図
【符号の説明】
【００５３】
１    半導体チップ
２    Ａｌパッド
３    スタッドバンプ
４    絶縁性支持基板
５    セラミック基板
６    金属端子
６ａ  端子パターン金属膜
６ｂ  表面側の最表面金属膜
６ｃ  裏面側の最表面金属膜
７    アンダーフィル
１０    薄膜磁気誘導素子
１１    フェライト基板
１２    コイル導体
１３    絶縁保護膜
【図１】
2005093774.tif 000003
【図２】
2005093774.tif 000004
【図３】
2005093774.tif 000005
【図４】
2005093774.tif 000006
【図５】
2005093774.tif 000007
【図６】
2005093774.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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