(57)【要約】【課題】  メインストラットと補助ストラットとを持つステンシルマスクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  メンブレン領域と前記メンブレン領域を限定する境界領域とを持つメンブレン形成用薄膜を含むステンシルマスク。前記メンブレン領域は荷電粒子線が透過できるように開口が形成されている複数のパターン領域およびそれら間に位置する非パターン領域を持つ。前記メンブレン形成用薄膜の境界領域上には前記メンブレン領域を支持できるようにメインストラットが形成されている。前記メンブレン領域内の非パターン領域には前記メンブレン領域が複数の分割メンブレン領域に分けられるように補助ストラットが形成されている。前記補助ストラットによって前記各分割メンブレン領域が支持される。【選択図】  図７Ｉ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線が透過できるように開口が形成されている複数のパターン領域およびそれら間に位置する非パターン領域を持つメンブレン領域と、
前記メンブレン領域を限定する境界領域を含むメンブレン形成用薄膜と、
前記メンブレン領域を支持できるように前記メンブレン形成用薄膜の境界領域上に形成されているメインストラットと、
前記メンブレン領域が複数の分割メンブレン領域に分けられるように前記メンブレン領域内の非パターン領域に形成されて前記各分割メンブレン領域を支持する補助ストラットと、を含むことを特徴とするステンシルマスク。
【請求項２】
前記補助ストラットは前記メンブレン形成用薄膜を貫通して形成されたことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項３】
前記メンブレン形成用薄膜は前記メインストラットと対面している第１面とその反対側の第２面を持ち、
前記補助ストラットは前記第２面を通じて露出されている表面を持つことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項４】
前記補助ストラットは前記メンブレン形成用薄膜の第１面から前記第１面と直交する方向に第１長さだけ延びており、前記第１長さは前記メインストラットの長さより短いことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項５】
前記補助ストラットは前記メインストラットと一部重畳されるように前記境界領域上に延びている重畳部を持つことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項６】
前記メンブレン形成用薄膜はシリコン膜よりなり、
前記補助ストラットはポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜またはそれらの組合わせよりなることを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項７】
前記補助ストラットの少なくとも一部を覆っている保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項８】
前記メンブレン形成用薄膜は前記メインストラットが形成されている第１面と、前記補助ストラットの第１表面を露出させる第２面とを持ち、
前記保護膜は前記補助ストラットの第１表面を除外した残りの表面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項９】
前記保護膜はＴｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜またはそれらの組合わせよりなることを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項１０】
前記メンブレン形成用薄膜の境界領域と前記メインストラット間に介在されている酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項１１】
前記補助ストラットはその内部が完全に充填されたカラム形状を持つことを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項１２】
前記メンブレン形成用薄膜は前記メインストラットと対面している第１面と、前記補助ストラットの第１表面を一部露出させる第２面とを持ち、
前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項１３】
前記補助ストラットは前記メンブレン領域がセルブロック単位で区分される複数の分割メンブレン領域に分けられるように前記非パターン領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項１４】
荷電粒子線によって転写されるパターンを形成するための複数のパターン領域と、前記各パターン領域間に位置する非パターン領域をそれぞれ含む複数のメンブレン領域と、前記メンブレン領域を限定する境界領域とを含んで第１面およびその反対側の第２面を持つメンブレン形成用薄膜、前記メンブレン形成用薄膜に対面する第１面およびその反対側の第２面を持つ基板、そして前記メンブレン形成用薄膜の第１面と前記基板間に介在されている酸化膜を含む複合膜を備える段階と、
前記非パターン領域で前記メンブレン形成用薄膜の第２面から前記複合膜をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内に支持膜を充填して補助ストラットを形成する段階と、
前記基板のうち前記メンブレン領域にある部分のみを除去して前記境界領域で前記メンブレン領域を支持するメインストラットを形成する段階と、を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
【請求項１５】
前記支持膜はポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜またはそれらの組合わせ膜よりなることを特徴とする請求項１４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項１６】
前記補助ストラットがカラム形状を持つように前記支持膜は前記トレンチを完全に充填することを特徴とする請求項１４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項１７】
前記支持膜は前記メンブレン形成用薄膜の第２面を通じて露出される第１表面を持ち、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項１４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項１８】
前記メインストラットを形成する段階は前記補助ストラットが形成された後に行われることを特徴とする請求項１４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項１９】
前記補助ストラットを形成する段階は、
前記トレンチ内壁に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記支持膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２０】
前記保護膜はＴｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜またはそれらの組合わせ膜よりなることを特徴とする請求項１９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２１】
前記支持膜はポリシリコン膜よりなることを特徴とする請求項２０に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２２】
前記補助ストラットがカラム形状を持つように前記支持膜は前記保護膜上で前記トレンチを完全に充填することを特徴とする請求項１９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２３】
前記支持膜は前記メンブレン形成用薄膜の第２面を通じて露出される第１表面を持ち、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項１９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２４】
前記メインストラットを形成する段階は、前記メンブレン形成用薄膜が露出されるまで前記保護膜周囲の前記基板および酸化膜を除去する段階を含むことを特徴とする請求項１９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２５】
前記メンブレン領域のパターン領域に転写パターンが形成されるように前記メンブレン形成用薄膜を貫通する開口を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２６】
前記開口を形成する段階は前記補助ストラットおよびメインストラットが形成された後に行われることを特徴とする請求項２５に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２７】
前記開口を形成する段階は前記補助ストラットおよびメインストラットを形成する前に行われることを特徴とする請求項２５に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項２８】
基板、酸化膜およびシリコン薄膜が順次積層されたＳＯＩ基板を備える段階と、
前記シリコン薄膜上に前記シリコン薄膜を一部露出させる第１マスクパターンを形成する段階と、
前記第１マスクパターンをエッチングマスクとしてシリコン薄膜、酸化膜および基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内に支持膜を充填して補助ストラットを形成する段階と、
前記基板のうち前記酸化膜に対面する面の反対側面に第２マスクパターンを形成する段階と、
前記第２マスクパターンをエッチングマスクとして前記基板をエッチングして前記シリコン薄膜のメンブレン領域を限定するメインストラットを形成する段階と、
前記メンブレン領域で前記補助ストラットによって限定されるパターン領域内に転写パターンが形成されるように前記シリコン薄膜を貫通する開口を形成する段階と、を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
【請求項２９】
前記第１マスクパターンはハードマスクパターンと、前記ハードマスクパターンを覆うフォトレジストパターンとよりなることを特徴とする請求項２８に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３０】
前記トレンチ形成段階では前記基板を前記基板の総厚さより薄い第１深さまでエッチングすることを特徴とする請求項２８に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３１】
前記支持膜はポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜またはそれらの組合わせ膜よりなることを特徴とする請求項２８に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３２】
前記補助ストラットがカラム形状を持つように前記支持膜は前記トレンチを完全に充填することを特徴とする請求項２８に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３３】
前記支持膜は前記シリコン薄膜を通じて露出される第１表面を持ち、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項２８に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３４】
前記補助ストラットを形成する段階は、
前記トレンチ内壁に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記支持膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２８に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３５】
前記保護膜はＴｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜またはそれらの組合わせ膜よりなることを特徴とする請求項３４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３６】
前記支持膜はポリシリコン膜よりなることを特徴とする請求項３５に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３７】
前記補助ストラットがカラム形状を持つように前記支持膜は前記保護膜上で前記トレンチを完全に充填することを特徴とする請求項３４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３８】
前記支持膜は前記シリコン薄膜を通じて露出される第１表面を持ち、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項３４に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３９】
基板、酸化膜およびシリコン薄膜が順次積層されたＳＯＩ基板を備える段階と、
前記シリコン薄膜でパターン領域およびそれら間に位置する非パターン領域を持つ複数のメンブレン領域とそれらを限定する境界領域とを予定する段階と、
前記パターン領域に転写パターンが形成されるように前記シリコン薄膜を貫通する開口を形成する段階と、
前記非パターン領域で前記シリコン薄膜を露出させるように前記開口が形成されたパターン領域および境界領域を覆う第１マスクパターンを形成する段階と、
前記第１マスクパターンをエッチングマスクとしてシリコン薄膜、酸化膜および基板をエッチングして前記非パターン領域にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内に支持膜を充填して補助ストラットを形成する段階と、
前記基板のうち前記酸化膜に対面する面の反対側面に第２マスクパターンを形成する段階と、
前記第２マスクパターンをエッチングマスクとして前記基板をエッチングして前記境界領域に前記メンブレン領域を限定するメインストラットを形成する段階と、を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
【請求項４０】
前記第１マスクパターンはハードマスクパターンと、前記ハードマスクパターンを覆うフォトレジストパターンとよりなることを特徴とする請求項３９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４１】
前記トレンチ形成段階では前記基板を前記基板の総厚さより薄い第１深さまでエッチングすることを特徴とする請求項３９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４２】
前記支持膜はポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜またはそれらの組合わせ膜よりなることを特徴とする請求項３９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４３】
前記補助ストラットがカラム形状を持つように前記支持膜は前記トレンチを完全に充填することを特徴とする請求項３９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４４】
前記支持膜は前記シリコン薄膜を通じて露出される第１表面を持ち、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項３９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４５】
前記補助ストラットを形成する段階は、
前記トレンチ内壁に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記支持膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項３９に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４６】
前記保護膜はＴｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜またはそれらの組合わせ膜よりなることを特徴とする請求項４５に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４７】
前記支持膜はポリシリコン膜よりなることを特徴とする請求項４６に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４８】
前記補助ストラットがカラム形状を持つように前記支持膜は前記保護膜上で前記トレンチを完全に充填することを特徴とする請求項４５に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４９】
前記支持膜は前記シリコン薄膜を通じて露出される第１表面を持ち、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされていることを特徴とする請求項４５に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項５０】
メンブレン領域と、前記メンブレン領域を限定する境界領域とを含むメンブレン形成用薄膜と、
前記メンブレン領域を支持できるように前記メンブレン形成用薄膜の境界領域上に形成されているメインストラットと、
前記メンブレン領域が複数の分割メンブレン領域に分けられるように前記メンブレン領域内に形成されて前記各分割メンブレン領域を支持する補助ストラットと、を含むことを特徴とするステンシルマスク。
【請求項５１】
前記メンブレン領域には複数の開口が形成されていることを特徴とする請求項５０に記載のステンシルマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子ビームのような荷電粒子線(charged particle beam)を使用してリソグラフィ技術によってパターンを形成するのに使われるステンシルマスクおよびその製造方法に関し、特にストラットによって支持される薄膜メンブレンを使用するステンシルマスクおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子が微細化されるにつれて光学系の解像度を向上させるためにＸ線、電子ビーム、またはイオンビームのような荷電粒子線を使用するリソグラフィ技術が開発されつつある。そのうち、電子ビームを利用してパターンを形成する電子ビーム転写型リソグラフィ技術は１μｍまたはそれ以下の微細パターンが形成できるという利点があって、その技術を利用した多様なシステムおよびパターン形成方法が提案された（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
電子ビーム転写型リソグラフィ技術のうちＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）またはＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ ＥＰＬ）ではステンシルマスクに形成された微細な開口を電子ビームが透過することによってレジスト上にパターンが転写される。
【０００４】
図１は、ＥＰＬまたはＬＥＥＰＬ技術で使われる通常的なステンシルマスク１０の一部構成を概略的に図示した斜視図である。図１に図示されたように、通常のステンシルマスク１０ではそれぞれ微細開口（図示せず）によってパターンが形成されている複数のメンブレン領域１２が、パターンが存在していない境界領域によって区画されており、前記境界領域に対応する部分にはステンシルマスクの機械的強度を補強するための支持ストラット１４が十字型に交差されたネットワーク形状に形成されている。
【０００５】
図２は、図１のステンシルマスク１０の一部を拡大図示した断面図である。図２に図示されたように、メンブレン１２には微細なパターンに対応する開口１２ａが形成されている。前記ステンシルマスク１０上に電子ビーム２０が照射されれば前記開口１２ａを電子ビームが通り抜けてウェーハ上のレジスト膜（図示せず）にパターンが転写される。
【０００６】
前記開口１２ａは前記メンブレン１０をエッチングして形成されるものである。高集積化された次世代デバイス製造のための微細パターン、例えば０．１μｍ以下の微細パターンを形成せねばならない場合にはそのために前記開口１２ａを数十ｎｍレベルの線幅を持つように形成する必要がある。ところで、前記開口１２ａ形成のためのメンブレン１２のエッチング工程を行うに当って所望のプロファイルの開口１２ａを精密に形成するためには前記開口１２ａのアスペクト比、すなわち、前記開口１２ａの直径に対するメンブレン１２の厚さの比があまり大きくてはならない。したがって、極微細回路パターンを精密に形成するために前記開口１２ａのアスペクト比を適正レベルに維持する必要があり、そのために前記メンブレン１２の厚さをなるべく薄く、例えば、約１μｍ以下、望ましくは５００ｎｍ以下にせねばならない。
【０００７】
しかし、メンブレン１２の厚さが薄くなればメンブレン１２は容易に曲げられ、かつメンブレン１２の内部で引張応力が発生してメンブレン１２の変形または歪曲をもたらし、メンブレン１２を通じて転写されるパターンの位置がずれるイメージ配置エラー(image placement error)が発生してしまう。
【０００８】
前記のような問題を解決するために多様な構造を持つマスクが提案されたが（例えば、特許文献２および３参照）、いままで提案されたマスクはほとんど通常のストラットを利用してメンブレン領域を支持する構造を持つものであって、そのような構造ではメンブレンの変形または歪曲によるイメージ配置エラーを防止するのに限界がある。
【特許文献１】米国特許第５，８３１，２７２号公報
【特許文献２】米国特許第６，２６１，７２６Ｂ１号公報
【特許文献３】特開平１５（２００３）−５９８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ストラットによって限定されるメンブレン領域のサイズまたは縦横比の設定に制限を加えることなく、メンブレン領域内で内部応力の影響によってメンブレンが変形または歪曲されてイメージ配置エラーが発生したり、またはパターンの位置精密度が低下することを防止できる構造を持つステンシルマスクを提供することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、メンブレン領域のサイズまたは縦横比による制約なしにメンブレン領域を集積回路の設計領域で素子構成に必要なパターン密度によって限定でき、比較的大きい面積のメンブレン領域内でもメンブレン領域内での内部応力変化によるメンブレンの変形または歪曲を防止することによってイメージ配置エラーを最小化し、かつパターンの位置精密度が低下することを防止できるステンシルマスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために本発明によるステンシルマスクは、メンブレン領域と前記メンブレン領域を限定する境界領域とを持つメンブレン形成用薄膜を含む。前記メンブレン領域は、荷電粒子線が透過できるように開口が形成されている複数のパターン領域およびそれら間に位置する非パターン領域を持つ。前記メンブレン形成用薄膜の境界領域上には前記メンブレン領域を支持できるようにメインストラットが形成されている。前記メンブレン領域内の非パターン領域には前記メンブレン領域が複数の分割メンブレン領域に分けられるように補助ストラットが形成されている。前記補助ストラットにより前記各分割メンブレン領域が支持される。
【００１２】
前記補助ストラットは前記メンブレン形成用薄膜を貫通して形成されている。
前記メンブレン形成用薄膜は前記メインストラットと対面している第１面とその反対側の第２面を持ち、前記補助ストラットは前記第２面を通じて露出されている表面を持つ。
また、前記補助ストラットは前記メンブレン形成用薄膜の第１面から前記第１面と直交する方向に第１長さだけ延びており、前記第１長さは前記メインストラットの長さより短い。
【００１３】
望ましくは、前記補助ストラットは前記メインストラットと一部重畳されるように前記境界領域上に延びている重畳部を持つ。
本発明によるステンシルマスクは、前記補助ストラットの少なくとも一部を覆っている保護膜をさらに含む。前記保護膜は前記補助ストラットの第１表面を除外した残りの表面を覆っている。
前記メンブレン形成用薄膜の境界領域と前記メインストラット間には酸化膜が介在されている。
【００１４】
前記補助ストラットはその内部が完全に充填されたカラム形状を持つ。
または、前記補助ストラットが“Ｕ”状断面を持つように前記第１表面の一部がリセスされている。
前記補助ストラットは前記メンブレン領域がセルブロック単位で区分される複数の分割メンブレン領域に分けられるように前記非パターン領域に形成されている。
【００１５】
前記他の目的を達成するために本発明の第１態様によるステンシルマスクの製造方法では、荷電粒子線によって転写されるパターンを形成するための複数のパターン領域と、前記各パターン領域間に位置する非パターン領域をそれぞれ含む複数のメンブレン領域と、前記メンブレン領域を限定する境界領域とを含んで第１面およびその反対側の第２面を持つメンブレン形成用薄膜、前記メンブレン形成用薄膜に対面する第１面およびその反対側の第２面を持つ基板、そして前記メンブレン形成用薄膜の第１面と前記基板間に介在されている酸化膜を含む複合膜を備える。前記非パターン領域で前記メンブレン形成用薄膜の第２面から前記複合膜をエッチングしてトレンチを形成する。前記トレンチ内に支持膜を充填して補助ストラットを形成する。前記基板のうち前記メンブレン領域にある部分のみを除去して前記境界領域で前記メンブレン領域を支持するメインストラットを形成する。
【００１６】
前記メインストラットを形成する段階は前記補助ストラットが形成された後に行われる。
前記補助ストラットを形成する段階は、前記トレンチ内壁に保護膜を形成する段階と、前記保護膜上に前記支持膜を形成する段階と、を含む。
本発明の第１態様によるステンシルマスクの製造方法では、前記メンブレン領域のパターン領域に転写パターンが形成されるように前記メンブレン形成用薄膜を貫通する開口を形成する段階をさらに含む。
前記開口を形成する段階は前記補助ストラットおよびメインストラットが形成された後に行われるか、または前記補助ストラットおよびメインストラットを形成する前に行われる。
【００１７】
また、前記他の目的を達成するために本発明の第２態様によるステンシルマスクの製造方法では、基板、酸化膜およびシリコン薄膜が順次積層されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を備える。前記シリコン薄膜上に前記シリコン薄膜を一部露出させる第１マスクパターンを形成する。前記第１マスクパターンをエッチングマスクとしてシリコン薄膜、酸化膜および基板をエッチングしてトレンチを形成する。前記トレンチ内に支持膜を充填して補助ストラットを形成する。前記基板のうち前記酸化膜に対面する面の反対側面に第２マスクパターンを形成する。前記第２マスクパターンをエッチングマスクとして前記基板をエッチングして前記シリコン薄膜のメンブレン領域を限定するメインストラットを形成する。前記メンブレン領域で前記補助ストラットによって限定されるパターン領域内に転写パターンが形成されるように前記シリコン薄膜を貫通する開口を形成する。
【００１８】
また、前記他の目的を達成するために本発明の第３態様によるステンシルマスクの製造方法では、基板、酸化膜およびシリコン薄膜が順次積層されたＳＯＩ基板を備える。前記シリコン薄膜でパターン領域およびそれら間に位置する非パターン領域を持つ複数のメンブレン領域とそれらを限定する境界領域を予定する。前記パターン領域に転写パターンが形成されるように前記シリコン薄膜を貫通する開口を形成する。前記非パターン領域で前記シリコン薄膜を露出させるように前記開口が形成されたパターン領域および境界領域を覆う第１マスクパターンを形成する。前記第１マスクパターンをエッチングマスクとしてシリコン薄膜、酸化膜および基板をエッチングして前記非パターン領域にトレンチを形成する。前記トレンチ内に支持膜を充填して補助ストラットを形成する。前記基板のうち前記酸化膜に対面する面の反対側面に第２マスクパターンを形成する。前記第２マスクパターンをエッチングマスクとして前記基板をエッチングして前記境界領域に前記メンブレン領域を限定するメインストラットを形成する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるステンシルマスクでは、メインストラットによって限定されるメンブレン領域内に多様な形態および配置を持つ補助ストラットが形成されている。したがって、メンブレン領域がメインストラットおよび補助ストラットによって支持される。本発明によるステンシルマスクは、半導体メモリ素子のセルアレイ領域のように局所的にパターンが密集されている領域をパターニングする時に特に効果的に使われる。すなわち、通常のストラット、すなわちメインストラットが支持する比較的大きいサイズのメンブレン領域内で、半導体メモリ素子のうちセルアレイ領域を除外した残りの領域でパターンが存在していない領域をメンブレン形態に残さず、その領域に補助ストラットを形成することによってメンブレン領域が比較的大きく限定された場合にもメンブレンが変形または歪曲されることを防止でき、それによりイメージ配置エラーが最小化でき、かつパターンの位置精密度が低下することが防止できる。
【００２０】
また、半導体メモリ素子またはロジック素子のレイアウトによって補助ストラットの配置とその幅および長さが多様に設計できてメインストラットの形態および配置、メンブレン領域のサイズおよび縦横比を制限しなくても多様なチップ設計に合致する注文型ステンシルマスクの製作が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例について詳細に説明する。
図３Ａは、本発明の実施例１によるステンシルマスク１００の要部構成を示す平面図であり、図３Ｂは、図３Ａの背面図である。また、図３Ｃおよび図３Ｄは、それぞれ図３Ａおよび図３ＢのIIIｃ−IIIｃ’線およびIIIｄ−IIIｄ’線断面図である。
【００２２】
図３Ａないし図３Ｄを参照すれば、ステンシルマスク１００はメンブレン形成用薄膜１１０を備え、このメンブレン形成用薄膜１１０は、複数のメンブレン領域１１０Ａと、前記メンブレン領域１１０Ａを限定する境界領域１１０Ｂとを備える。前記メンブレン領域１１０Ａは、それぞれ前記メンブレン形成用薄膜１１０の境界領域１１０Ｂに形成されたメインストラット１２０によってその面積が限定される。例えば、前記メンブレン領域１１０Ａは一つのチップ領域単位で構成される。前記メンブレン形成用薄膜１００は前記メインストラット１２０と対面している第１面１１０Ｃとその反対側の第２面１１０Ｄとを持つ。図３Ａには前記メンブレン形成用薄膜１１０の第１面１１０Ｃが示され、図３Ｂには前記メンブレン形成用薄膜の第２面１１０Ｄが示されている。
【００２３】
図３Ｃおよび図３Ｄに図示されたように、前記メンブレン形成用薄膜１１０の境界領域１１０Ｂと前記メインストラット１２０との間には酸化膜１２２が介在されている。
図３Ｂに図示されたように、前記メンブレン領域１１０Ａは荷電粒子線、例えば電子ビームが透過できるように開口１１２が形成されている複数のパターン領域１１４およびそれら間に位置する非パターン領域１１６を持つ。前記非パターン領域１１６には、前記メンブレン領域１１０Ａを前記パターン領域１１４に対応する複数の分割メンブレン領域１１０Ａａ、１１０Ａｂ、１１０Ａｃ、１１０Ａｄ、１１０Ａｅ、１１０Ａｆに分けると共に前記各分割メンブレン領域１１０Ａａ、１１０Ａｂ、１１０Ａｃ、１１０Ａｄ、１１０Ａｅ、１１０Ａｆを支持する補助ストラット１３０が形成されている。前記補助ストラット１３０によって支持される各分割メンブレン領域１１０Ａａ、１１０Ａｂ、１１０Ａｃ、１１０Ａｄ、１１０Ａｅ、１１０Ａｆ、すなわち、パターン領域１１４はそれぞれ半導体メモリ素子の単位セルパターンが密集されているセルブロック単位で構成される。半導体メモリ素子の場合、前記セルブロックは、それぞれ、約１０〜１００μｍの距離だけ隔てられてセルアレイ形態に配列されており、前記各セルアレイは約１００μｍ以上の幅を持つ周辺回路領域によって互いに隔てられている。前記メンブレン領域１１０Ａが一つのセルアレイに対応して構成される場合、前記セルアレイ内で各セルブロック間に存在する離間距離は前記ステンシルマスク１００のメンブレン領域１１０Ａ内に位置する前記非パターン領域１１６の幅に対応し、したがって、前記非パターン領域１１６には約１０〜１００μｍの幅を持つ補助ストラット１３０が形成される。また、それぞれのメンブレン領域１１０Ａは約１００μｍ以上の幅を持つ境界領域１１０Ｂによって隔てられる。ここで、前記メンブレン形成用薄膜１１０はシリコン膜よりなる。前記補助ストラット１３０は前記メンブレン形成用薄膜１１０と類似したストレス特性を持つ物質よりなることが望ましい。例えば、前記補助ストラット１３０はポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜またはそれらの組合わせよりなることが望ましい。実施例１では前記補助ストラット１３０はその内部が完全に充填されたカラム形状を持つ。
【００２４】
図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｄで分かるように、前記補助ストラット１３０は前記メンブレン形成用薄膜１１０を貫通して形成され、したがって、前記補助ストラット１３０は前記メンブレン形成用薄膜１１０の第２面１１０Ｄを通じて露出される。また、前記補助ストラット１３０は前記メインストラット１２０と一部重畳されるように前記境界領域１１０Ｂ上に延びている重畳部１３０ａを持つ。
【００２５】
前記補助ストラット１３０は前記メンブレン形成用薄膜１１０の第１面１１０Ｃから前記第１面１１０Ｃと直交する方向に第１長さＬ１ほど延びており、前記第１長さＬ１は前記メインストラット１２０の長さＬ２より短い。
【００２６】
前記補助ストラット１３０は、その表面のうち前記メンブレン形成用薄膜１１０の第２面１１０Ｄを通じて露出される部分を除いては保護膜１３２で覆われている。前記保護膜１３２は、前記補助ストラット１３０を先に形成してからメインストラット１２０を形成する時、エッチング工程中に前記補助ストラット１３０を保護するために形成するものである。例えば、前記補助ストラット１３０がポリシリコン膜で構成された場合、前記保護膜１３２はＴｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜またはそれらの組合わせで構成することが望ましい。前記メインストラット１２０がシリコン膜で構成され、かつ前記補助ストラット１３０がＴｉＮ膜またはＴｉ膜で構成された場合には前記メインストラット１２０と補助ストラット１３０間には十分なエッチング選択比が確保できるので前記保護膜１３２は省略されうる。
【００２７】
前記のように、本発明では前記メンブレン領域１１０Ａがセルブロック単位で構成される複数のパターン領域１１４に対応する分割メンブレン領域１１０Ａａ、１１０Ａｂ、１１０Ａｃ、１１０Ａｄ、１１０Ａｅ、１１０Ａｆに分けられており、各メンブレン領域１１０Ａ内で各分割メンブレン領域１１０Ａａ、１１０Ａｂ、１１０Ａｃ、１１０Ａｄ、１１０Ａｅ、１１０Ａｆは非パターン領域１１６に形成された補助ストラット１３０によって支持される。したがって、メインストラットの形態および配置、メンブレン領域のサイズおよび縦横比を制限する必要がない。また、通常のステンシルマスクの場合にはメンブレン領域が正方形格子形態に構成されるが、本発明によるメンブレン領域１１０Ａは通常の正方形格子形態に限定される必要がなく、形成しようとする半導体素子のレイアウトによって多様な回路パターンに対応していろいろな形態を持つことができる。そして、半導体メモリ素子またはロジック素子のレイアウトによって補助ストラットの配置とその幅および長さを多様に設計できて多様なチップ設計に合致する注文型ステンシルマスクの製作が可能である。
【００２８】
図３Ａないし図３Ｄに図示した実施例では前記補助ストラット１３０はその内部が完全に充填されたカラム形状を持つと説明したが、本発明によるステンシルマスクの構成はそれに限定されない。
【００２９】
図４Ａないし図４Ｄは、本発明の第２実施例によるステンシルマスク２００を説明するための図面であって、図４ａはステンシルマスク２００の要部を示した平面図であり、図４Ｂは図４Ａの背面図である。また、図４Ｃおよび図４Ｄは、それぞれ図４Ａおよび図４ＢのIVｃ−IVｃ’線およびIVｄ−IVｄ’線断面図である。
【００３０】
本発明の第２実施例によるステンシルマスク２００の構成では、メンブレン形成用薄膜２１０のメンブレン領域２１０Ａが複数の分割メンブレン領域２１０Ａａ、２１０Ａｂ、２１０Ａｃ、２１０Ａｄ、２１０Ａｅ、２１０Ａｆに分けられ、前記各分割メンブレン領域２１０Ａａ、２１０Ａｂ、２１０Ａｃ、２１０Ａｄ、２１０Ａｅ、２１０Ａｆを支持する補助ストラット２３０が“Ｕ”状断面を持つ。このような構成のために、前記補助ストラット２３０の表面のうち前記メンブレン形成用薄膜２１０を通じて露出されている表面の一部２３０ａがリセスされている。前記補助ストラット２３０を除外した残りの構成は実施例１と同一である。
【００３１】
図５は、本発明によるステンシルマスク３００のうちメインストラット３２０によって支持される各メンブレン領域３１２、３１４、３１６、３１８が多様な形態および配置を持つ補助ストラット３３０によって複数の分割メンブレン領域３１４ａ・３１４ｂ、３１６ａ・３１６ｂ・３１６ｃ・３１６ｄ、３１８ａ・３１８ｂ・３１８ｃ・３１８ｄ・３１８ｅ・３１８ｆに分割されて支持される構成を示す。前記補助ストラット３３０は必要に応じてラインパターン、またはラインアンドスペースパターンなどの多様な形態で構成できる。
【００３２】
図６Ａないし図６Ｉは、本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程順序に従って図示した断面図である。
図６Ａを参照すれば、この実施例１は、基板５１２、酸化膜５１４およびメンブレン形成用薄膜５２０が順次積層された複合膜５００を備える。前記基板５１２がシリコン基板で構成されると共に前記メンブレン形成用薄膜５２０がシリコン薄膜で構成されるＳＯＩ基板は前記複合膜５００として使用できる。
【００３３】
前記メンブレン形成用薄膜５２０は前記基板５１２に対面する第１面５２０ａおよびその反対側の第２面５２０ｂを持つ。また、前記基板５１２は前記メンブレン形成用薄膜５２０に対面する第１面５１２ａおよびその反対側の第２面５１２ｂを持つ。前記酸化膜５１４は前記メンブレン形成用薄膜５２０の第１面５２０ａと前記基板５１２の第１面５１２ａ間に介在されている。
【００３４】
前記複合膜５００のうちメンブレン形成用薄膜５２０上にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜で構成されるハードマスク層５３２を形成し、前記ハードマスク層５３２上にフォトレジストパターン５３４を形成する。前記フォトレジストパターン５３４は約１０〜１００μｍの範囲内で選択される多様な幅を持つ開口５３４ａを通じて前記ハードマスク層５３２を露出させる。前記開口５３４ａはラインパターンまたはラインアンドスペースパターンの形態を持つことができる。
【００３５】
図６Ｂを参照すれば、前記フォトレジストパターン５３４をエッチングマスクとして前記ハードマスク層５３２をエッチングして前記メンブレン形成用薄膜５２０を露出させるハードマスクパターン５３２ａを形成する。次いで、前記ハードマスクパターン５３２ａおよびフォトレジストパターン５３４をエッチングマスクとして前記メンブレン形成用薄膜５２０、酸化膜５１４および基板５１２をエッチングして前記基板５１２に約１０〜１００μｍの範囲内で選択される多様な幅を持つトレンチ５３６ａ、５３６ｂを形成する。前記トレンチ５３６ａ、５３６ｂは前記基板５１２の総厚さより薄い深さを持つように形成される。
【００３６】
図６Ｃを参照すれば、前記フォトレジストパターン５３４を除去した後、前記トレンチ５３６ａ、５３６ｂの内壁および前記ハードマスクパターン５３２ａの上面に保護膜５４０を形成し、前記保護膜５４０上に前記トレンチ５３６ａ、５３６ｂを充填する支持膜５５０を形成する。
【００３７】
前記保護膜５４０は後続工程で前記基板５１２をエッチングする時に前記支持膜５５０を保護するために形成するものであって、例えばＴｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜、またはそれらの組合わせ膜よりなる。前記支持膜５５０は補助ストラットの形成に必要なものであって、例えば、ポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜、またはそれらの組合わせ膜よりなる。前記支持膜５５０がＴｉＮ膜、Ｔｉ膜、またはそれらの組合わせ膜よりなる場合、前記保護膜５４０は省略できる。
【００３８】
この時、前記トレンチ５３６ａのようにその幅が比較的狭い場合には前記トレンチ５３６ａの内部が前記支持膜５５０によって完全に充填され、前記トレンチ５３６ｂのようにその幅が比較的広い場合には前記トレンチ５３６ｂ内部のうち一部のみ前記支持膜５５０で充填される。
【００３９】
図６Ｄを参照すれば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）またはエッチバック方法によって前記トレンチ５３６ａ、５３６ｂ外部の支持膜５５０を除去して前記トレンチ５３６ａ、５３６ｂ内部に補助ストラットを構成する支持膜パターン５５０ａ、５５０ｂを形成する。その結果、前記トレンチ５３６ａでは前記トレンチ５３６ａ内部を完全に充填するカラム形状の支持膜パターン５５０ａが形成され、前記トレンチ５３６ｂでは“Ｕ”状断面を持つようにその表面の一部５５０ｃがリセスされた支持膜パターン５５０ｂが得られる。
【００４０】
前記トレンチ５３６ａ、５３６ｂ外部の支持膜５５０を除去するためにエッチバック方法を利用する場合には、前記支持膜パターン５５０ｂのリセスされた一部５５０ｃによって段差が形成された表面を保護するためにエッチバック工程を利用する前にＦＯＸ（Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ）膜またはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜よりなる犠牲膜を前記支持膜５５０上に先に形成した状態でエッチバック工程を行った後、前記犠牲膜を再び除去する。
【００４１】
図６Ｅを参照すれば、前記基板５１２の第２面５１２ｂ上にフォトレジストパターン５６０を形成する。前記フォトレジストパターン５６０は前記メンブレン形成用薄膜５２０に形成されるメンブレン領域を限定するように境界領域上に形成される。
【００４２】
図６Ｆを参照すれば、前記フォトレジストパターン５６０をエッチングマスクとして前記基板５１２をエッチングする。その結果、前記基板５１２のうち前記メンブレン形成用薄膜５２０のメンブレン領域５２２上にある部分のみ除去され、前記基板５１２のうち除去されずに残っている部分によって前記境界領域５２４上で前記メンブレン領域５２２を支持するメインストラット５１２ａが形成される。
【００４３】
図６Ｇを参照すれば、前記フォトレジストパターン５６０を除去した後、前記ウェットまたはドライエッチング方法によって前記酸化膜５１４、前記保護膜５４０の露出部分および前記ハードマスクパターン５３２ａを除去して平坦化工程を経て前記メンブレン形成用薄膜５２０の第２面５２０ｂを露出させる。その結果、複数のメンブレン領域５２２がメインストラット５１２ａによって支持され、前記各メンブレン領域５２２の非パターン領域に形成された前記支持膜パターン５５０ａ、５５０ｂで構成される補助ストラットによって前記各メンブレン領域５２２が複数の分割メンブレン領域５２２ａ、５２２ｂに分けられ、前記各分割メンブレン領域５２２ａ、５２２ｂがそれぞれ前記支持膜パターン５５０ａ、５５０ｂで構成される補助ストラットによって支持される構造が得られる。前記分割メンブレン領域５２２ａ、５２２ｂはそれぞれ荷電粒子線によって転写されるパターンが形成されるパターン領域を構成する。ここで、前記支持膜パターン５５０ａ、５５０ｂで構成される補助ストラットは前記メンブレン形成用薄膜５２０の第１面５２０ａからの延長長さＬ３が前記メインストラット５１２ａの長さＬ４より短い。
【００４４】
図６Ｈを参照すれば、前記分割メンブレン領域５２２ａ、５２２ｂのパターン領域に荷電粒子線によって転写されるパターンを形成するために、まず、前記メンブレン形成用薄膜５２０の第２面５２０ｂ上に前記分割メンブレン領域５２２ａ、５２２ｂの一部を露出させるフォトレジストパターン５７０を形成する。
【００４５】
図６Ｉを参照すれば、前記フォトレジストパターン５７０をエッチングマスクとして前記分割メンブレン領域５２２ａ、５２２ｂで前記メンブレン形成用薄膜５２０をエッチングして前記メンブレン形成用薄膜５２０を貫通する複数の開口５２６を形成する。
【００４６】
図７Ａないし図７Ｉは、本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程順序に従って図示した断面図である。第２実施例は、補助ストラットを形成する前にメンブレン領域内部のパターン領域に転写パターンを形成するためにメンブレン形成用薄膜を貫通する開口を先に形成することを除いては実施例１とほぼ類似している。したがって、第２実施例によるステンシルマスクの製造方法では実施例１と対応する部分に関する詳細な説明は省略する。
【００４７】
図７Ａを参照すれば、この第２実施例は、基板６１２、酸化膜６１４およびメンブレン形成用薄膜６２０が順次積層された複合膜６００を備える。前記複合膜６００がＳＯＩ基板で構成された場合、前記基板６１２はシリコン基板で構成され、前記メンブレン形成用薄膜６２０はシリコン薄膜で構成される。
【００４８】
その後、前記メンブレン形成用薄膜６２０にパターン領域およびそれら間に位置する非パターン領域を持つ複数のメンブレン領域と、それらを限定する境界領域とを形成する。前記パターン領域に転写パターンを形成するために、前記メンブレン形成用薄膜６２０上にフォトレジストパターン６３０を形成し、それをエッチングマスクとして前記メンブレン形成用薄膜６２０をエッチングして前記メンブレン形成用薄膜６２０を貫通する複数の開口６２６を形成する。
【００４９】
図７Ｂを参照すれば、前記フォトレジストパターン６３０を除去する。その後、前記開口６２６の内部およびメンブレン形成用薄膜６２０上にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜で構成されるハードマスク層６３２を形成する。
【００５０】
図７Ｃを参照すれば、前記ハードマスク層６３２上にフォトレジストパターン６３４を形成する。前記フォトレジストパターン６３４は約１０〜１００μｍの範囲内で選択される多様な幅を持つ開口を通じて前記ハードマスク層６３２を露出させる。前記フォトレジストパターン６３４をエッチングマスクとして前記ハードマスク層６３２をエッチングして前記メンブレン形成用薄膜６２０の非パターン領域を露出させると同時にパターン領域および境界領域を覆うハードマスクパターン６３２ａを形成する。
【００５１】
図７Ｄを参照すれば、前記ハードマスクパターン６３２ａおよびフォトレジストパターン６３４をエッチングマスクとして前記メンブレン形成用薄膜６２０、酸化膜６１４および基板６１２をエッチングして前記基板６１２に約１０〜１００μｍの範囲内で選択される多様な幅を持つトレンチ６３６ａ、６３６ｂを形成する。前記トレンチ６３６ａ、６３６ｂは前記基板６１２の総厚さより薄い深さを持つように形成される。
【００５２】
図７Ｅを参照すれば、前記フォトレジストパターン６３４を除去した後、前記トレンチ６３６ａ、６３６ｂの内壁および前記ハードマスクパターン６３２ａの上面に保護膜６４０を形成し、前記保護膜６４０上に前記トレンチ６３６ａ、６３６ｂを充填する支持膜６５０を形成する。
【００５３】
前記保護膜６４０は例えば、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、シリコン窒化膜、またはそれらの組合わせ膜よりなる。前記支持膜６５０は例えば、ポリシリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜、またはそれらの組合わせ膜よりなる。前記支持膜６５０がＴｉＮ膜、Ｔｉ膜、またはそれらの組合わせ膜よりなる場合、前記保護膜６４０は省略できる。
【００５４】
この時、前記トレンチ６３６ａのようにその幅が比較的狭い場合には前記トレンチ６３６ａの内部が前記支持膜６５０によって完全に充填され、前記トレンチ６３６ｂのようにその幅が比較的広い場合には前記トレンチ６３６ｂ内部のうち一部のみが前記支持膜６５０で充填される。
【００５５】
図７Ｆを参照すれば、ＣＭＰまたはエッチバック方法によって前記トレンチ６３６ａ、６３６ｂの外部の支持膜６５０を除去して前記トレンチ６３６ａ、６３６ｂの内部に補助ストラットを構成する支持膜パターン６５０ａ、６５０ｂを形成する。その結果、前記トレンチ６３６ａでは前記トレンチ６３６ａの内部を完全に充填するカラム形状の支持膜パターン６５０ａが形成され、前記トレンチ６３６ｂではほぼ“Ｕ”状断面を持つようにその表面の一部６５０ｃがリセスされた支持膜パターン６５０ｂが得られる。
【００５６】
図７Ｇを参照すれば、前記基板６１２のうち前記メンブレン形成用薄膜６２０と対向する面の反対側の表面上にフォトレジストパターン６６０を形成する。前記フォトレジストパターン６６０は、前記メンブレン形成用薄膜６２０に形成されるメンブレン領域を限定する境界領域上に形成される。
【００５７】
図７Ｈを参照すれば、前記フォトレジストパターン６６０をエッチングマスクとして前記基板６１２をエッチングする。その結果、前記基板６１２のうち前記メンブレン形成用薄膜６２０のメンブレン領域６２２上にある部分のみ除去され、前記基板６１２のうち除去されずに残っている部分によって前記境界領域６２４上で前記メンブレン領域６２２を支持するメインストラット６１２ａが形成される。前記フォトレジストパターン６６０は除去する。
【００５８】
図７Ｉを参照すれば、ウェットまたはドライエッチング方法によって前記酸化膜６１４、前記保護膜６４０の露出部分および前記ハードマスクパターン６３２ａを除去して平坦化工程を経て前記メンブレン形成用薄膜６２０を露出させる。その結果、メンブレン領域６２２がメインストラット６１２ａによって支持され、前記メンブレン領域６２２の非パターン領域に形成された前記支持膜パターン６５０ａ、６５０ｂで構成される補助ストラットによって前記メンブレン領域６２２が複数の分割メンブレン領域６２２ａ、６２２ｂ、６２２ｃ、６２２ｄに分けられ、前記各分割メンブレン領域６２２ａ、６２２ｂ、６２２ｃ、６２２ｄがそれぞれ前記支持膜パターン５５０ａ、５５０ｂで構成される補助ストラットによって支持される構造が得られる。前記分割メンブレン領域６２２ａ、６２２ｂ、６２２ｃ、６２２ｄはそれぞれ前記開口６２６によって形成される転写パターンが形成されたパターン領域を構成する。ここで、前記支持膜パターン６５０ａ、６５０ｂで構成される補助ストラットは、前記メンブレン形成用薄膜６２０の第１面６２０ａからの延長長さＬ５が前記メインストラット６１２ａの長さＬ６よりさらに短い。
【００５９】
以上、本発明を望ましい実施例を詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想および範囲内で当業者によっていろいろな変形および変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は大規模の高集積ＬＳＩ回路素子などを含む高集積化された多様な半導体素子の製造工程に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来技術によるステンシルマスクの一部構成を概略的に図示した斜視図である。
【図２】図１の一部を拡大図示した断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの要部構成を示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの背面図である。
【図３Ｃ】図３Ａおよび図３ＢのIIIｃ−IIIｃ’線断面図である。
【図３Ｄ】図３Ａおよび図３ＢのIIIｄ−IIIｄ’線断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの要部構成を示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの背面図である。
【図４Ｃ】図４Ａおよび図４ＢのIVｃ−IVｃ’線断面図である。
【図４Ｄ】図４Ａおよび図４ＢのIVｄ−IVｄ’線断面図である。
【図５】本発明の第３実施例によるステンシルマスクでメインストラットによって支持される各メンブレン領域が多様な形態および配置を持つ補助ストラットによって分割されて支持される構成を示す平面図である。
【図６Ａ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｃ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程順序を図示した断面図である。
【図６Ｄ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｅ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｆ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｇ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｈ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図６Ｉ】本発明の実施例１によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ａ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｅ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｆ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｇ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程順序によって図示した断面図である。
【図７Ｈ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【図７Ｉ】本発明の第２実施例によるステンシルマスクの製造方法を説明するために工程を図示した断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
６１２ａ  メインストラット
６１４  酸化膜
６２０  メンブレン形成用薄膜
６２０ａ  メンブレン形成用薄膜の第１面
６２２  メンブレン領域
６２２ａ、６２２ｂ、６２２ｃ、６２２ｄ  分割メンブレン領域
６２４  境界領域
６２６  開口
６３２ａ  ハードマスクパターン
６４０  保護膜
６５０ａ、６５０ｂ  支持膜パターン
【図１】
2005020014.tif 000003
【図２】
2005020014.tif 000004
【図３Ａ】
2005020014.tif 000005
【図３Ｂ】
2005020014.tif 000006
【図３Ｃ】
2005020014.tif 000007
【図３Ｄ】
2005020014.tif 000008
【図４Ａ】
2005020014.tif 000009
【図４Ｂ】
2005020014.tif 000010
【図４Ｃ】
2005020014.tif 000011
【図４Ｄ】
2005020014.tif 000012
【図５】
2005020014.tif 000013
【図６Ａ】
2005020014.tif 000014
【図６Ｂ】
2005020014.tif 000015
【図６Ｃ】
2005020014.tif 000016
【図６Ｄ】
2005020014.tif 000017
【図６Ｅ】
2005020014.tif 000018
【図６Ｆ】
2005020014.tif 000019
【図６Ｇ】
2005020014.tif 000020
【図６Ｈ】
2005020014.tif 000021
【図６Ｉ】
2005020014.tif 000022
【図７Ａ】
2005020014.tif 000023
【図７Ｂ】
2005020014.tif 000024
【図７Ｃ】
2005020014.tif 000025
【図７Ｄ】
2005020014.tif 000026
【図７Ｅ】
2005020014.tif 000027
【図７Ｆ】
2005020014.tif 000028
【図７Ｇ】
2005020014.tif 000029
【図７Ｈ】
2005020014.tif 000030
【図７Ｉ】
2005020014.tif 000031