(57)【要約】【課題】本発明の目的は、所定のパターンの金属膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された金属膜、この金属膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材１上に、所定のパターンの金属膜３を形成する成膜方法であり、基材１の金属膜３を形成する膜形成面側に飛来物３１を飛来させ、飛来物３１を堆積させて金属膜を形成するに際に、基材１の膜形成面に、ソフトリソグラフィー法により金属膜３を形成しない非膜形成領域２２に撥液膜５を形成して、撥液膜５により金属膜３を形成する膜形成領域２１を区画し、膜形成領域２１より非膜形成領域２２の飛来物３１に対する濡れ性が低くなるようにしておき、膜形成領域２１と非膜形成領域２２との飛来物３１に対する濡れ性の違いを利用して、飛来物３１を膜形成領域２１に集めることにより金属膜３を得るものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、所定のパターンの金属膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記金属膜を形成する膜形成面側に飛来物を飛来させ、該飛来物を堆積させて前記金属膜を形成するに際し、
前記基材の前記膜形成面に、ソフトリソグラフィー法により前記金属膜を形成しない非膜形成領域に撥液膜を形成して、該撥液膜により前記金属膜を形成する膜形成領域を区画し、前記膜形成領域より前記非膜形成領域の前記飛来物に対する濡れ性が低くなるようにしておき、
前記膜形成領域と前記非膜形成領域との前記飛来物に対する濡れ性の違いを利用して、前記飛来物を前記膜形成領域に集めることにより、前記金属膜を得ることを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、｜Ａ−Ｂ｜≧１５なる関係を満足する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記ソフトリソグラフィー法は、インクジェット法、ナノインプリント法およびナノインク法のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記基材を加熱した状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させる請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記基材の加熱温度は、８０〜３００℃である請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記基材の前記膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させる請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記膜形成領域に親液膜を形成する請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成膜法またはイオンプレーティング法に適用される請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記飛来物の飛来に指向性を付与する手段を用いる請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記基板と、前記飛来物を発生させる材料供給部との間に、前記膜形成領域の形状に対応する開口部を有するスリット板を介在させた状態で成膜する請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記基板と前記材料供給部との間の距離を３０ｍｍ以上として成膜する請求項９または１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする金属膜。
【請求項１３】
請求項１２に記載の金属膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、金属膜、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定パターンの金属膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３３８１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、所定のパターンの金属膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された金属膜、この金属膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基材上に、所定のパターンの金属膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記金属膜を形成する膜形成面側に飛来物を飛来させ、該飛来物を堆積させて前記金属膜を形成するに際し、
前記基材の前記膜形成面に、ソフトリソグラフィー法により前記金属膜を形成しない非膜形成領域に撥液膜を形成して、該撥液膜により前記金属膜を形成する膜形成領域を区画し、前記膜形成領域より前記非膜形成領域の前記飛来物に対する濡れ性が低くなるようにしておき、
前記膜形成領域と前記非膜形成領域との前記飛来物に対する濡れ性の違いを利用して、前記飛来物を前記膜形成領域に集めることにより、前記金属膜を得ることを特徴とする。
これにより、所定のパターンの金属膜を容易かつ安価に形成することができる。
【０００６】
本発明の成膜方法では、前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、｜Ａ−Ｂ｜≧１５なる関係を満足することが好ましい。
これにより、飛来物をより確実かつ迅速に膜形成領域に集めることができる。
本発明の成膜方法では、前記ソフトリソグラフィー法は、インクジェット法、ナノインプリント法およびナノインク法のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、成膜精度の高い撥液膜を容易に形成することができる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記基材を加熱した状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させることが好ましい。
これにより、金属膜を膜形成領域に、より選択性高く形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記基材の加熱温度は、８０〜３００℃であることが好ましい。
これにより、金属膜を膜形成領域に、特に選択性高く形成することができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記基材の前記膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させることが好ましい。
これにより、金属膜の成長方向を制御することができる。
本発明の成膜方法では、前記膜形成領域に親液膜を形成することが好ましい。
これにより、非膜形成領域の飛来物に対する濡れ性を膜形成領域よりも確実に低くすることができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成膜法またはイオンプレーティング法に適用されることが好ましい。
これらの成膜過程において、飛来物を容易に発生させることができる。
本発明の成膜方法では、前記飛来物の飛来に指向性を付与する手段を用いることが好ましい。
これにより、基材に対して所定の方向から飛来物を飛来させることができる。その結果、金属膜を一定方向に成長させて、成膜精度（寸法精度）の高い金属膜を成長させる（形成する）ことができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記基板と、前記飛来物を発生させる材料供給部との間に、前記膜形成領域の形状に対応する開口部を有するスリット板を介在させた状態で成膜することが好ましい。
これにより、飛来物の飛来に指向性を付与することができる。その結果、基材に対して所定の方向から飛来物を飛来させることができ、金属膜を一定方向に成長させて、成膜精度（寸法精度）の高い金属膜を成長させる（形成する）ことができる。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記基板と前記材料供給部との間の距離を３０ｍｍ以上として成膜することが好ましい。
これにより、飛来物の飛来に指向性を付与することができる。その結果、基材に対して所定の方向から飛来物を飛来させることができ、金属膜を一定方向に成長させて、成膜精度（寸法精度）の高い金属膜を成長させる（形成する）ことができる。
【００１２】
本発明の金属膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、成膜精度（信頼性）の高い金属膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の金属膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の成膜方法、金属膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の成膜方法の第１実施形態について説明する。
図１および図２は、それぞれ、本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１４】
本発明の成膜方法は、基材１上（基材１の金属膜３を形成する膜形成面側）に、金属膜３を形成するための飛来物３１を飛来させ、この飛来物３１を堆積させて所定のパターンの金属膜３を形成する方法である。
ここで、飛来物３１は、金属膜材料（金属膜３の構成材料）またはその前駆体が、例えば、原子、分子、イオン、ラジカル等となったものである。
【００１５】
金属膜材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｒｂ、またはこれらを含む合金のようなものが挙げられる。
また、金属膜材料の前駆体（以下、単に「前駆体」と言う。）としては、種々の反応により、前記金属膜材料に変化するものであり、例えば、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオネート−銅（II）のような有機金属化合物等が挙げられる。
【００１６】
この前駆体を金属膜材料に変化させる反応としては、例えば、熱分解反応、不均等化反応、重合反応、酸化反応、還元反応、窒化反応、炭化反応、ホウ化反応等が挙げられる。
具体的には、飛来物３１としては、例えば、金属膜材料または前駆体を加熱することにより生じた蒸発粒子、または、この蒸発粒子がプラズマやレーザー光等によりイオン化されたもの、スパッタリングにより金属膜材料または前駆体で構成されたターゲットから叩き出されたスパッタ粒子、ガス状の金属膜材料または前駆体が熱、プラズマやレーザー光等によりラジカル化されたもの等が挙げられる。
【００１７】
このような飛来物３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成膜法（ＣＶＤ法）、イオンプレーティング法の成膜過程で容易に発生させることができる。すなわち、本発明は、これらの成膜法に好適に適用される。
図１および図２に示す成膜方法は、基材１の膜形成面に、ソフトリソグラフィー法により、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成する撥液膜形成工程と、膜形成面の膜形成領域２１に金属膜３を形成する金属膜形成工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００１８】
［１］  撥液膜形成工程
まず、基材１を用意する。
この基材１は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、基材１は、これらの材料で構成された層を複数有する多層構成のものであってもよい。
また、基材１は、金属膜３を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、金属膜３と一体的に使用されるものであってもよい。
【００１９】
次に、基材１の上面に、金属膜３を形成しない非膜形成領域２２に撥液膜５を形成して、この撥液膜５により金属膜３を形成する膜形成領域２１を区画する。なお、膜形成領域２１の形状は、形成すべき金属膜３に対応したパターンとされる。
非膜形成領域２２に撥液膜５を設けることにより、膜形成領域２１より非膜形成領域２２の飛来物３１に対する濡れ性が低くなる。
【００２０】
本発明では、この撥液膜５をソフトリソグラフィー法（Langmuir 10,1498-1511（1994）．新しいレジスト材料とナノテクノロジー，シーエムシー出版（2002）第15章．を参照）により形成する。ソフトリソグラフィー法によれば、撥液膜５の膜材料を選択的かつ高い精度で非膜形成領域２２に供給することができる。すなわち、成膜精度の高い撥液膜５を容易に形成することができる。
【００２１】
ソフトリソグラフィー法としては、各種の方法が用いられ、特に限定されないが、インクジェット法、ナノインプリント法およびナノインク法のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。これらの方法は、ソフトリソグラフィー法の中でも特に、成膜精度の高い撥液膜５を容易に形成することができる方法であることから好ましい。以下、これらの方法について、それぞれ詳述する。
【００２２】
Ｉ：インクジェット法
このインクジェット法では、撥液膜５の膜材料を含有する処理液（以下、「インク」と言う。）を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を非膜形成領域２２に吐出することにより行われる。これにより、インクが非膜形成領域２２の形状に描出される。そして、必要に応じて加熱処理等の後処理を施すことにより、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成することができる。
【００２３】
ここで、インクの粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、３〜１０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。インクの粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。
また、インクの１滴の量（平均）も、特に限定されないが、通常、０．１〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。液滴の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、より精密な形状の撥液膜５を形成することができる。
【００２４】
II：ナノインプリント法
このナノインプリント法では、非膜形成領域２２の形状に対応してパターニングされた型にインクを付着させた状態で、非膜形成領域２２にこの型を接触させることにより行われる。これにより、型に付着しているインクが非膜形成領域２２の形状に転写される。そして、必要に応じて加熱処理等の後処理を施すことにより、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成することができる。
【００２５】
この型は、例えば１００ｎｍ以下の微細構造を形成することができる電子線リソグラフィーや集束イオンビームリソグラフィー等を用いて形成（パターニング）される。その結果、転写されるインクの形状も微細なものとすることができる。
インクの粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、０．１〜１００ｃｐｓ程度であるのが好ましく、０．３〜１０ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。インクの粘度をかかる範囲とすることにより、ヘッドから非膜形成領域２２へのインクの転写をより安定的に行うことができる。
【００２６】
III：ナノインク法
このナノインク法では、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）のような走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）に備えられるプローブ（探り針）をペン先として用いることにより行われる。そして、このプローブを基材１に当接した状態で、インクをプローブに伝わせつつ、非膜形成領域２２内を移動させる。これにより、インクが非膜形成領域２２の形状に描出される。そして、必要に応じて加熱処理等の後処理を施すことにより、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成することができる。
【００２７】
このプローブが細い（例えば、数ｎｍ）形状を有していることから、描出されるインクの形状を微細なものとすることができる。
インクの粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、０．１〜１００ｃｐｓ程度であるのが好ましく、０．３〜１０ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。インクの粘度をかかる範囲とすることにより、プローブから非膜形成領域２２へのインクの移動をより安定的に行うことができる。
用いる撥液膜５の膜材料としては、例えば、撥液性を示す官能基を有する各種化合物や各種フッ素系樹脂材料等が挙げられる。
【００２８】
ここで、撥液性を示す官能基を有する各種化合物としては、例えば、撥液性を示す官能基を有するカップリング剤または界面活性剤等が挙げられる。
カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
また、界面活性剤としては、例えば、前記官能基を終端に有する各種界面活性剤等を用いることができる。
撥液性を示す官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられる。
【００２９】
一方、前記フッ素系樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等を用いることができる。
【００３０】
これらの中でも、撥液膜５の膜材料としては、撥液性を示す官能基を有する化合物を、特に、カップリング剤を用いるのが好ましい。カップリング剤を用いることにより、基材１の表面にカップリング剤が化学結合により結合するので、基材１に対して密着性が高い撥液膜５を形成することができる。また、得られる撥液膜５は、緻密なものとなるので、特に高い撥液性が得られる。
【００３１】
また、インクの調製に用いる溶媒、すなわち、撥液膜５の膜材料を溶解する溶媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００３２】
インクにおける撥液膜５の膜材料の濃度は、膜材料の種類に応じて、例えば、次のようにするのが好ましい。
カップリング剤の場合には、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
界面活性剤の場合には、０．０１〜１ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．０５〜０．５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００３３】
また、フッ素系樹脂材料の場合には、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
なお、インクの粘度は、例えば、撥液膜５の膜材料の含有量、溶媒の種類や組成等を適宜設定することにより、前述したような範囲となるように調製することができる。
ここで、撥液膜５を形成する具体的な工程を、シラン系カップリング剤を使用して形成する場合を一例にして説明する。
【００３４】
［Ａ−１］  まず、基材１を用意し、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
［Ａ−２］  次に、基材１の上面に対して、撥液膜５を形成するための前処理を行う。
この前処理には、基材１の上面とシラン系カップリング剤との反応性を向上させる各種の処理が挙げられるが、例えば、基材１の上面に水酸基を導入する水酸基導入処理を用いることができる。
【００３５】
これにより、基材１の上面に水酸基が導入され、シラン系カップリング剤が共有結合により基材１の膜形成面に導入される。このため、得られる撥液膜５の基材１に対する密着性をより向上することができる。
このような水酸基導入処理としては、例えば、紫外線照射、プラズマ照射、電子ビーム照射、加熱による方法（熱酸化法）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３６】
これらの中でも、紫外線照射およびプラズマ照射の少なくとも一方を用いるのが好ましい。これらの方法は、基材１の上面に、紫外線および／またはプラズマを照射して（図１（ａ）参照。）、この上面を酸化することにより、水酸基を導入する（図１（ｂ）参照。）方法である。かかる方法を用いることにより、基材１の表面により均一に水酸基を導入することができる。
【００３７】
以下、紫外線照射およびプラズマ照射を用いる場合について、それぞれ、説明する。
Ａ：水酸基導入処理として紫外線照射を用いる場合
照射する紫外線の波長は、１００〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
紫外線の照度は１〜５０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００３８】
なお、紫外線照射を行う雰囲気は、大気中または減圧状態のいずれであってもよい。
紫外線の照射時間は、１〜３０分程度であるのが好ましく、２〜１０分程度であるのがより好ましい。
紫外線照射の際の条件を上述したような範囲内とすることにより、基材１の上面に水酸基を確実に導入することができる。
【００３９】
Ｂ：水酸基導入処理としてプラズマ照射を用いる場合
プラズマを発生させるガス種としては、例えば、酸素ガス、窒素ガス、不活性ガス（アルゴンガス、ヘリウムガス等）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
高周波電力の出力は、１００〜７００Ｗ程度であるのが好ましく、３００〜５００Ｗ程度であるのがより好ましい。
ガスの流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１００〜３００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００４０】
なお、プラズマ照射を行う雰囲気は、大気中または減圧状態のいずれであってもよいが、減圧状態とするのが好ましい。
特に、プラズマ照射には、プラズマを発生するガス種として、酸素ガスを含むガスを用いる酸素プラズマ照射を用いるのが好適である。酸素プラズマ照射によれば、酸素プラズマが基材１の表面と接触するとともに、水酸基の導入に利用されるため、基材１の表面をより確実に水酸基を導入することができる。
【００４１】
さらに、このプラズマ照射の時間は、１〜１０分間程度であるのが好ましく、３〜７分間程度であるのがより好ましい。
プラズマ照射の際の条件を上述したような範囲内とすることにより、基材１の上面に水酸基を確実に導入することができる。
なお、この前処理は、基材１として、例えば、石英ガラスのようなガラス材料等で構成されたもの、すなわち、表面に水酸基を有するものを用いる場合には、省略することもできる。
【００４２】
［Ａ−３］  次に、シラン系カップリング剤を含有する処理液（インク）を用意する。
ここで、シラン系カップリング剤は、一般式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）（但し、Ｘは、加水分解によりシラノール基を生成する加水分解基、Ｒは撥液性を示す官能基である。また、ｎは１〜３の整数である。）で表される。
この一般式において、Ｘとしては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００４３】
また、Ｒとしては、前述したような撥液性を示す官能基が挙げられる。
なお、複数個のＲ同士またはＸ同士は、互いに同じものであっても、異なるものであってもよい。
このようなシラン系カップリング剤の具体例としては、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４４】
［Ａ−４］  次に、前述したソフトリソグラフィー法により、インクを基材１の膜形成面の非膜形成領域２２に供給する。
［Ａ−５］  次に、基材１を、例えば、加熱することにより、シラン系カップリング剤の加水分解基を加水分解させ、生成したシラノール基と水酸基とを反応させて、シロキサン結合を形成させる。
【００４５】
これにより、非膜形成領域２２の形状に対応した撥液膜５が基材１の上面に形成される。そして、撥液膜５の表面には、撥液性を示す官能基Ｒが露出する。（図１（ｃ）参照。）。
加熱の際の加熱温度は、５０〜２００℃程度であるのが好ましく、８０〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
加熱時間は、１〜５０分程度であるのが好ましく、５〜２０分程度であるのがより好ましい。
【００４６】
［２］  金属膜形成工程
次に、図２（ａ）に示すように、飛来物３１を基材１の膜形成面側（膜形成領域２１および非膜形成領域２２）に飛来させる。
そして、膜形成領域２１と非膜形成領域２２との飛来物３１に対する濡れ性の違いを利用して、飛来物３１を膜形成領域２１に集める。
すなわち、膜形成領域２１に飛来した飛来物３１は、非膜形成領域２２と比較して膜形成領域２１との濡れ性が高いため、膜形成領域２１の外側に拡散する（飛び出す）ことができないことから、そのまま領域２１に付着するか、または先に付着した飛来物３１と凝集（集合）する。
【００４７】
一方、非膜形成領域２２に飛来した飛来物３１は、非膜形成領域２２との濡れ性が低いため、非膜形成領域２２に付着することなく動き回る（表面拡散運動する）。この飛来物３１は、そのままの状態または互いに融合した状態（クラスタ状態）で、膜形成領域２１と非膜形成領域２２との境界部を越えて（通過して）膜形成領域２１に到達すると、この領域２１に付着するか、または先に付着した飛来物３１と凝集する（図２（ｂ）参照。）。
【００４８】
このとき、膜材料の飛来物３１では、膜形成領域２１において凝集し、これを核として、金属膜３の形成が促進される。また、前駆体の飛来物３１では、膜形成領域２１において凝集するとともに、前駆体同士が反応して膜材料に変化し、これを核として、金属膜３の形成が促進される。
このようにして、膜形成領域２１に飛来物３１が集合（堆積）することにより、金属膜３が形成される（図２（ｃ）参照。）。
【００４９】
ここで、膜形成領域２１と非膜形成領域２２とは、次のような関係を満足するのが好ましい。すなわち、非膜形成領域２２に対する純水の接触角をＡ［°］とし、膜形成領域２１に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、｜Ａ−Ｂ｜≧１５なる関係を満足するのが好ましく、｜Ａ−Ｂ｜≧３０なる関係を満足するのがより好ましく、｜Ａ−Ｂ｜≧５０なる関係を満足するのがさらに好ましい。膜形成領域２１と非膜形成領域２２とが、前記関係を満足することにより、飛来物３１をより確実かつ迅速に膜形成領域２１に集めることができる。
なお、本工程［２］では、飛来物３１を基材１の膜形成面側に飛来させる（供給する）のに際して、基材１を加熱した状態とするのが好ましい。これにより、非膜形成領域２２における飛来物３１の運動性を向上させることができ、その結果、金属膜３を膜形成領域２１に、より高い選択性をもって形成することができる。
【００５０】
基材１を加熱する方法としては、図示のようなヒーターによる加熱方法の他、例えば、マイクロ波の照射による加熱方法、レーザー光の照射による加熱方法、赤外線の照射による加熱方法等が挙げられる。
基材１の加熱温度は、特に限定されないが、８０〜３００℃程度であるのが好ましく、８０〜２００℃程度であるのがより好ましい。このような範囲に加熱温度を設定することにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００５１】
また、飛来物３１を基材１の膜形成面側に飛来させるのに際して、図２に示すように、基材１は、その膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態（斜方状態）とするのが好ましい。これにより、金属膜３の成長方向を制御することができるとともに、パーティクルの発生を防止する効果が発揮される。
ここで、より成膜精度（寸法精度）の高い金属膜３を成長させる観点からは、金属膜３を一定方向に成長させるのが好ましい。そのため、基材１に対して所定の方向から飛来物３１を飛来させるのが好ましい。これは、飛来物３１の飛来に指向性を付与する手段を用いることにより行われる。
【００５２】
この手段としては、例えば、Ａ：基材１と材料供給部との間に、膜形成領域２１の形状に対応する開口部を有するスリット板を介在させる方法、Ｂ：基材１と材料供給部とを所定の距離離間させる方法等が挙げられる。このような手段（方法）によれば、基材１に飛来物３１を飛来させる方向の制御を極めて容易に行うことがでる。その結果、成膜精度の高い金属膜３を形成することができる。
【００５３】
なお、Ａの方法を用いることにより、スリット板が非膜形成領域２２に飛来物３１を飛来させることを好適に防止して、膜形成領域２１に選択的または優先的に飛来物３１を飛来させることができる。換言すれば、Ａの方法は、膜形成領域２１に選択的または優先的に飛来物３１が飛来してくるような手段を有しているものである。
また、Ｂの方法を用いる場合には、基材１と材料供給部とをできるだけ離間させるのが好ましく、特に限定されないが、その距離は、３０ｍｍ以上であるのが好ましく、８０ｍｍ以上であるのがより好ましい。これにより、飛来物３１の飛来に、より確実に指向性を付与することができる。
【００５４】
また、この場合、成膜時の雰囲気（チャンバー内）の圧力は、できるだけ低くするのがよく、特に限定されないが、１×１０−５〜１×１０−１Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−３〜１×１０−１Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。これにより、飛来物３１が指向性をもって飛来することがより確実なものとなる。
なお、飛来物３１の飛来に指向性を付与する手段として、Ａの手段とＢの手段とを組み合わせて用いるようにしてもよい。これにより、上述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５５】
また、これらの手段は、真空蒸着法やイオンプレーティング法に適用するのが、特に有効である。すなわち、これらの手段は、材料供給部からの指向性をもった材料の供給が比較的困難な方法に適用するのが好ましい。
なお、本工程［２］の後に、必要に応じて、後処理工程を設けるようにしてもよい。この後処理工程としては、例えば、工程［２］において金属膜３が固化（硬化）に至らない場合に、金属膜３を固化させるための工程等が挙げられる。
【００５６】
以上のような工程を経て、所定のパターンの金属膜（本発明の金属膜）３が得られる。
本発明によれば、基材１上に直接マスク（レジスト層）を形成することを要せず、高い成膜精度で金属膜３を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、容易かつ安価に、成膜精度（信頼性）の高い金属膜３を得ることができる。
【００５７】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の成膜方法の第２実施形態について説明する。
以下、第２実施形態ついて、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、前記工程［１］において、膜形成領域２１に、撥液膜５よりも飛来物３１対する濡れ性が高い親液膜を形成する点が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００５８】
膜形成領域２１に親液膜を形成することにより、膜形成領域２１と非膜形成領域２２との飛来物３１に対する濡れ性の違いをより明確にすることができる。これにより、膜形成領域２２に金属膜３をより確実に形成することができる。
このような親液膜の膜材料としては、例えば、親液性を示す官能基を有する各種化合物や各種酸化物系材料等が挙げられる。
【００５９】
親液性を示す官能基を有する各種化合物としては、例えば、親液性を示す官能基を有するカップリング剤または界面活性剤等が挙げられる。
また、親液性を示す官能基としては、例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基、メルカプト基等またはこれらを含有するもの（例えば、これらを末端に導入させたアルキル基）が挙げられる。
【００６０】
親液性を示す官能基を有するカップリング剤の具体例としては、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
酸化物系材料としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等が挙げられる。
【００６１】
なお、親液膜をシラン系カップリング剤を使用して形成する場合には、前記工程［Ａ−３］、［Ａ−４］および［Ａ−５］において撥液膜５を形成したのと同様の方法を用いて形成することができる。
なお、親液膜は、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成した後に、膜形成領域２１に形成してもよいし、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成する前に、膜形成領域２１に形成してもよい。
【００６２】
また、膜形成面のほぼ全面に親液膜を形成した後に、非膜形成領域２２に撥液膜５を形成してもよい。
また、本実施形態では、膜形成領域２１に親液膜を、非膜形成領域２２に撥液膜５をそれぞれ形成するので、基材１の種類にかかわらず、膜形成領域２１に確実に金属膜３を形成することができる。すなわち、例え、飛来物３１の基材１に対する濡れ性が、飛来物３１の撥液膜５に対する濡れ性よりも高い基材１を用いた場合においても、膜形成領域２１（親液膜）と非膜形成領域２２（撥液膜５）との飛来物３１に対する濡れ性の違いを利用して、膜形成領域２２に確実に金属膜３を形成することができる。
【００６３】
＜電子部品＞
このような金属膜３は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）に適用した場合を代表に説明する。
【００６４】
図３は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下では、図３（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３に示す薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【００６５】
具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【００６６】
この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００６７】
以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。
【００６８】
この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。
【００６９】
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
【００７０】
これらのソース電極３０、ドレイン電極４０、および、後述するゲート電極７０に、本発明の金属膜３を適用することができる。
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。
【００７１】
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。
【００７２】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００７３】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１０におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。
【００７４】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００７５】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
【００７６】
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００７７】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【００７８】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７９】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【００８０】
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。
【００８１】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【００８２】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。
【００８３】
＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。
【００８４】
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。
【００８５】
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００８６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００８７】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００８８】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００８９】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、金属膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００９０】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
＜１Ａ＞  まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
＜２Ａ＞  次に、この石英ガラス基板の膜を形成する側の面のほぼ全面に紫外線を照射した。
なお、紫外線を照射した際の条件は、以下に示すとおりである。
【００９１】
・紫外線の波長：１７２ｎｍ
・紫外線の照度：５Ｗ／ｃｍ２
・雰囲気      ：大気中
・雰囲気温度  ：２５℃
・照射時間    ：５分間
【００９２】
＜３Ａ＞  次に、この石英ガラス基板の非膜形成領域にインクジェット法を用いて、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（撥液性を示す官能基を有するシラン系カップリング剤）を含むインク（処理液）を供給した後、１００℃×１０分で熱処理を施してこの領域に撥液膜を形成した。
なお、インクは、前記シラン系カップリング剤を、メタノールと０．５Ｎ酢酸との混合溶液に溶解して調製した。
膜形成領域の形状は、アルファベットの大文字「Ｅ」とし、各部の幅が約６０μｍとなるように形成した。
また、非膜形成領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、膜形成領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、６０であった。
【００９３】
＜４Ａ＞  次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板と、材料供給部にＡｌをセットした。そして、この状態で、石英ガラス基板を加熱しつつ、真空蒸着法により石英ガラス基板にＡｌを供給した。
また、真空蒸着法により石英ガラス基板にＡｌを供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
【００９４】
・成膜時のチャンバー内の圧力        ：１×１０−２Ｔｏｒｒ
・石英ガラス基板の加熱温度          ：１００℃
・成膜時間                          ：２分
・石英ガラス基板と材料供給部との距離：８０ｍｍ
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｌ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【００９５】
（実施例２）
＜１Ｂ＞  前記工程＜１Ａ＞〜＜３Ａ＞と同様の工程を行った。
＜２Ｂ＞  次に、インクジェット法に用いるインクを３−アミノプロピルトリメトキシシラン（親液性を示す官能基を有するシラン系カップリング剤）に代えて、このものを膜形成領域に供給した以外は、前記工程＜３Ａ＞と同様の工程を行い、膜形成領域に親液膜を形成した。
膜形成領域の形状は、アルファベットの大文字「Ｅ」とし、各部の幅が約６０μｍとなるように形成した。
また、非膜形成領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、膜形成領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、６０であった。
【００９６】
＜３Ｂ＞  次に、材料供給部にＩｎをセットし、石英ガラス基板と材料供給部との間に膜形成領域の形状に対応する開口部を有するスリット板を介在させた以外は、前記工程＜４Ａ＞と同様の工程を行った。
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＩｎ膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【００９７】
（実施例３）
＜１Ｃ＞  前記工程＜１Ａ＞〜＜３Ａ＞と同様の工程を行った。
膜形成領域の形状は、アルファベットの大文字「Ｅ」とし、各部の幅が約６０μｍとなるように形成した。
また、非膜形成領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、膜形成領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、６０であった。
＜２Ｃ＞  次に、材料供給部にＡｇをセットし、石英ガラス基板と材料供給部との距離を５０ｍｍにした以外は、前記工程＜４Ａ＞と同様の工程を行った。
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｇ膜（平均厚さ：約９０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【００９８】
（実施例４）
＜１Ｄ＞  前記工程＜１Ａ＞〜＜２Ａ＞と同様の工程を行った。
＜２Ｄ＞  次に、ナノインプリント法を用いてインクを膜形成領域に供給した以外は、前記工程＜３Ａ＞と同様の工程を行い、非膜形成領域に撥液膜を形成した。
膜形成領域の形状は、アルファベットの大文字「Ｅ」とし、各部の幅が約６０μｍとなるように形成した。
また、非膜形成領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、膜形成領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、６０であった。
【００９９】
＜３Ｄ＞  次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板をセットした。そして、有機金属化学気相成膜法（ＭＯＣＶＤ法）により、このポリイミド基板がセットされたチャンバー内に、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオネート−銅（II）（以下、「Ｃｕ（ｈｆａｃ）２」と略す。）の蒸気をキャリヤーガスとともに供給した。
また、有機化学気相成膜法によりチャンバー内にＣｕ（ｈｆａｃ）２を供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
【０１００】
・Ｃｕ（ｈｆａｃ）２の流量      ：２００ｓｃｃｍ
・キャリヤーガス                ：アルゴンガス
・成膜時のチャンバー内の圧力    ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の加熱温度：１５０℃
・成膜時間                      ：２０分
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＣｕ膜（平均厚さ：約１２０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【０１０１】
（実施例５）
＜１Ｅ＞  前記工程＜１Ａ＞〜＜２Ａ＞と同様の工程を行った。
＜２Ｅ＞  次に、ナノインク法を用いてインクを膜形成領域に供給した以外は、前記工程＜３Ａ＞と同様の工程を行い、非膜形成領域に撥液膜を形成した。
膜形成領域の形状は、アルファベットの大文字「Ｅ」とし、各部の幅が約６０μｍとなるように形成した。
また、非膜形成領域に対する純水の接触角Ａ［°］と、膜形成領域に対する純水の接触角Ｂ［°］との差の絶対値｜Ａ−Ｂ｜は、６０であった。
【０１０２】
＜３Ｅ＞  次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方としたガラス基板と、Ａｌ（膜材料）で構成されたターゲットとをそれぞれセットした。そして、この状態で、石英ガラス基板を加熱しつつ、スパッタリング法により石英ガラス基板にＡｌを供給した。
また、スパッタリング法により石英ガラス基板にＡｌを供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
【０１０３】
・ターゲットに照射したレーザー源：ＫｒＦレーザー
・成膜時のチャンバー内の圧力    ：１×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時間                      ：１０分
・成膜時のガラス基板の加熱温度  ：１００℃
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｌ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
なお、各実施例において、いずれも、非膜形成領域には、金属膜の形成が認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。
【図２】本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。
【図３】本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１……基材  ２１……膜形成領域  ２２……非膜形成領域  ３……金属膜  ３１……飛来物  ５……撥液膜  １００‥‥薄膜トランジスタ  ２０‥‥基板  ３０‥‥ソース電極  ４０‥‥ドレイン電極  ５０‥‥有機半導体層  ５１０‥‥チャネル領域  ６０‥‥ゲート絶縁層  ７０‥‥ゲート電極  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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