(57)【要約】【課題】テープ走行性に問題がなく、高密度で記録再生可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】表面に複数のくぼみを有する長尺状の非磁性支持体の該表面に磁性層３を備える磁気記録媒体において、磁性層３の表面に複数のくぼみ３１を有し、くぼみ３１の平均直径が３０〜２００ｎｍ、平均深さが４〜１０ｎｍであって、磁性層３の平坦面の面積に対するくぼみ３１の開口部面積の占める割合が、３〜１５％であることを特徴とする。【選択図】図２
2005196913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のくぼみを有する長尺状の非磁性支持体の該表面に磁性層を備える磁気記録媒体において、
前記磁性層の表面に複数のくぼみを有し、該くぼみの平均直径が３０〜２００ｎｍ、平均深さが４〜１０ｎｍであって、前記磁性層の平坦面の面積に対する前記くぼみの開口部面積の占める割合が、３〜１５％であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記くぼみの平均直径が、３０〜６０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いたシステムにより信号の再生が行われることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度磁気記録媒体に関するものであり、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）、若しくは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）を用いたシステムにおいて、信号の再生がなされる磁気記録媒体に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオテープレコーダー等の分野における磁気記録媒体としては、さらなる高画質化及び高記録密度化を達成するために、直接非磁性支持体上に磁性金属材料、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−ＣｏＯ系金属酸化物等の各種磁性材料を真空薄膜形成技術により被着させて磁性層を形成した構成の、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が適用されている。
【０００３】
この金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力や角型比に優れ、また磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さい。また、磁性粉を結合剤に分散させた磁性塗料を非磁性支持体に塗布して磁性層を形成するいわゆる塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料である結合剤が混入しないので、強磁性金属材料の充填密度が高められ、高記録密度化を図る際に有利であるという利点を有している。
【０００４】
また、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着技術が提案されている。この方法により形成された磁性層を有する磁気記録媒体は、磁気記録媒体の電磁変換特性が向上し、より大きな出力が得られるようになり、ハイバンド８ｍｍビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用の蒸着テープとして実用化されている。
【０００５】
さらに、斜方蒸着による磁気テープは、例えば長尺状の非磁性支持体を長手方向に走行させ、走行状態で非磁性支持体の一主面側に磁性材料を堆積させて磁性層を形成する方法によって作製され、高い生産性と優れた磁気特性を確保することも可能である。
【０００６】
一方、磁気テープ等の磁気記録媒体のデータストリーマーとしての需要が高まるに伴い、さらなる磁気記録媒体の高記録密度化が要求されてきている。さらに記録情報の再生を行う際に用いる磁気ヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が適用されるようになってきている。このＭＲヘッドは磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出することができるので、記録密度の向上を図るために有効である。
【０００７】
ところで、近年のハードディスクドライブ用記録媒体の高記録密度化の流れの中で、バックアップ用途としての磁気記録テープシステムもさらなる高記録密度化が要求されており、再生を行う磁気ヘッドとしても従来のＭＲヘッドに代わり、より高感度の巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッドが実用化されようとしている。
【０００８】
しかしながら、上記ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドは、検出感度が非常に高い利点を持つ一方で、磁気テープと摺動した際の摩耗に対する許容量が非常に少ない問題点がある。
通常、金属薄膜型の磁気テープの表面には、磁気テープを磁気記録テープシステムで走行させた場合に摩擦を低減させるため表面突起を設けてあり、走行耐久性を確保している。この表面突起は、非磁性支持体であるフィルムを作製する際に、シリカ粒子などを拡散させた塗料により、非磁性支持体表面にコーティングすることにより形成されている。このようにして形成された表面突起は非常に堅い材料であり、これら表面突起を持つ磁気テープ表面を磁気ヘッドと摺動させることはヘッド摩耗の要因となっていた。また、このような表面突起形成手法を用いている限り、フィラー粒子の粒径、個数、密度を調整したとしても、ヘッド摩耗に対する本質的な解決手法とはならなかった。
【０００９】
上記問題を解決する方策の一つとして、表面にくぼみを設けたフィルムを支持体として使用して磁性層の表面形状を改善することにより、摺動するガイド等との摩擦を抑制し、磁気ヘッドとのスペーシングを抑制することが可能な磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この磁気記録媒体は表面にフィラー粒子をコーティングする必要が無いため、磁気ヘッドとの摺動においてもその摩耗量を抑制することが原理的に可能であり、次世代の超高記録密度磁気記録テープシステムへの応用が期待されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−３４４９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、このようなくぼみをもつフィルムを用いて磁気テープ媒体を作製した場合でも、電磁変換特性が劣化し、遷移性ノイズの増大や信号出力の低下につながることやテープ走行性に問題が発生することがあり、信頼性のある磁気記録媒体が得られなかった。
【００１２】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、テープ走行性に問題がなく、高密度で記録再生可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
発明者らは、上記くぼみ形状を表面に持つフィルムを使用した場合の磁気記録媒体の特性について検討したところ、くぼみの形態に関する条件のうち、くぼみの平均直径、平均深さ及び磁性層の平坦面の面積に対するくぼみの開口部面積の占める割合が、電磁変換特性やテープ走行性に影響を及ぼしていることを見出し、さらに鋭意検討を進めることにより、電磁変換特性を劣化させること無く走行耐久性を確保し、磁気ヘッド摩耗を抑制することが可能な磁気記録媒体を発明するに至った。
【００１４】
すなわち、前記課題を解決するために提供する本発明は、表面に複数のくぼみを有する長尺状の非磁性支持体の該表面に磁性層を備える磁気記録媒体において、前記磁性層の表面に複数のくぼみを有し、該くぼみの平均直径が３０〜２００ｎｍ、平均深さが４〜１０ｎｍであって、前記磁性層の平坦面の面積に対する前記くぼみの開口部面積の占める割合が、３〜１５％であることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１５】
ここで、前記くぼみの平均直径が、３０〜６０ｎｍであることが好ましい。
【００１６】
また、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いたシステムにより信号の再生が行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電磁変換特性を劣化させること無く走行耐久性を確保し、磁気ヘッド摩耗を抑制することが可能となり、高記録密度に対応した磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明に係る磁気記録媒体について説明する。
図１は、本発明に係る磁気記録媒体の構成例を示す断面図である。
磁気記録媒体１０は、長尺状の非磁性支持体１上に、磁性層２および保護層３が順次形成されてなる。また、保護層３上に所定の潤滑剤によって潤滑剤層４を形成してもよく、磁性層２形成面側とは反対側にバックコート層５を形成してもよい。
【００１９】
非磁性支持体１は、主面に複数のくぼみを有する芳香族ポリアミドより成るフィルムである。
ここでいう芳香族ポリアミドとしては、次の一般式（Ｉ）および／または一般式（ＩＩ）で表わされる繰り返し単位を５０モル％以上含むものが好ましく、７０モル％以上からなるものがより好ましい。
【００２０】
【化１】
2005196913.tif 000003
【００２１】
【化２】
2005196913.tif 000004
【００２２】
ここで、Ａｒ1，Ａｒ2、Ａｒ3は、例えば、つぎのものなどが挙げられる。
【００２３】
【化３】
2005196913.tif 000005
【００２４】
Ｘ、Ｙは、−Ｏ−，−ＣＨ2−，−ＣＯ−，−ＳＯ2−、−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3）2−等から選ばれるが、これらに限定されるものではない。更にこれらの芳香環上の水素原子の一部が、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン基（特に塩素）、ニトロ基、およびメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基（特にメチル基）、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基などのアルコキシ基などの置換基で置換されているものも含み、また、重合体を構成するアミド結合中の水素が他の置換基によって置換されているものも含む。
【００２５】
特性面からは上記の芳香環がパラ配向位で結合されたものが、全芳香環の５０％以上、好ましくは７５％以上を占める重合体が、フィルムの剛性が高く耐熱性も良好となるため好ましい。ここで言うパラ配向位とは結合位が直線となるものである。また芳香環上の水素原子の一部がハロゲン基（特に塩素）で置換された芳香環が全体の３０％以上であると耐湿性が向上し、吸湿による寸法変化、剛性低下などの特性が改善されるために好ましい。
【００２６】
また、芳香族ポリアミドは、一般式（Ｉ）および／または一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を５０モル％以上含むものであって、５０モル％未満は他の繰り返し単位が共重合、またはブレンドされていても差し支えない。
【００２７】
非磁性支持体１は、上記組成物を主要成分とするが、本発明の目的を阻害しない範囲で、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、紫外線吸収剤、核生成剤等の無機または有機の添加剤がブレンドされていてもよい。
【００２８】
また、非磁性支持体１は、厚みが１〜２０μｍの薄膜フィルムである場合に、本発明の効果をより奏することができるので好ましい。より好ましくは１〜１０μｍ、更に好ましくは、１〜５μｍである。
【００２９】
なお、本発明で使用する非磁性支持体１表面のくぼみは、後述する磁性層２表面のくぼみの必要条件を満たすように形成されていればよい。
【００３０】
非磁性支持体１の表面のくぼみの成形法について、芳香族ポリアミドフィルムの場合を例にとって説明する。
非磁性支持体１を作成するための所定成分の製膜原液を用いて、いわゆる溶液製膜法によりフィルム化を行う。溶液製膜法には乾湿式法、乾式法、湿式法があるが、本発明で使用する芳香族ポリアミドフィルムを得るには、相分離による表面突起形成を制御しやすい点で、乾湿式法または乾式法が好ましい。乾湿式法で製膜する場合は該原液を口金からドラム、エンドレスベルト等の支持体上に押し出して薄膜とし、次いでかかる薄膜層から溶媒を飛散させ薄膜が自己保持性をもつまで乾燥する。本発明で使用する芳香族ポリアミド系フィルムを得るには、この乾燥工程条件が重要なポイントの１つであり、得られるフィルムの表面性に大きな影響を与える。すなわち、原液キャスト時の支持体温度Ｔｂ（℃）とキャストフィルム上に導入される熱風温度Ｔａ（℃）が、下式を充たす範囲であると異種重合体が、均一に、且つ望ましい大きさで相分離を発生するために、均一な表面くぼみを持つ芳香族ポリアミド系フィルムを好適に得ることが可能となる。
【００３１】
２０≦Ｔａ−Ｔｂ
【００３２】
Ｔａ−Ｔｂが２０℃未満では、相分離構造が顕著に現れないため、充分なくぼみを形成できないことがあり、より好ましくは４０℃以上であり、更に好ましくは５０℃以上である。Ｔａ−Ｔｂの上限は極端な乾燥斑が発生しない範囲として１００℃程度である。支持体としてエンドレスベルトを使用する場合、エンドレスベルト上下の加熱温度を調整すること、あるいは、フィルム剥離後にエンドレスベルトを冷却することで、ポリマーキャスト時の温度差を好適に付与できる。
【００３３】
こうして自己支持性を得たフィルムは、次いで湿式工程に導入される。湿式浴は一般に水系媒体からなるものであり、該浴温度は通常０〜１００℃で使用され、湿式浴を通すことでフィルム中に含有された塩類、溶媒の抽出が行なわれる。
【００３４】
フィルムは次いでテンターに導入され乾燥および／または熱処理が行なわれる。乾燥および／または熱処理は、一般にスリット状あるいは円筒状のノズルから熱風をフィルム面に吹き付けることにより行われるが、最高温度が異種重合体のガラス転移温度（℃）をＴｇとして、（Ｔｇ＋５０℃）以上で行われると本発明のフィルムを形成する上で好ましい。最高温度はより好ましくは、（Ｔｇ＋１００℃）を超える条件であり、更に好ましくは（Ｔｇ＋１２０℃）を超える条件である。
以上のように形成されるフィルムはその製膜工程中で、延伸が行なわれる。
【００３５】
磁性層２は、強磁性金属材料からなる薄膜であり、強磁性金属材料として磁気記録媒体の作製に通常用いられる従来公知の金属材料や磁性合金のいずれをも適用可能である。例えば、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金等の各種材料、あるいはこれらの材料を酸素雰囲気中で成膜し、膜中に酸素を含有させたもの、またはこれらの材料に一種または２種以上のその他の元素を含有させたものが挙げられる。また、これら強磁性金属を非磁性材料によって分離させた、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２などの、いわゆるグラニュラー構造を持つものも挙げられる。さらには、上記強磁性金属を用いた層を、２層以上で重ね合わせた構造となっていても良い。
【００３６】
また、磁性層２表面には非磁性支持体１の主面のくぼみに対応したくぼみ３１が形成され、磁性層２表面のくぼみ３１として、平均直径が３０〜２００ｎｍ、平均深さが４〜１０ｎｍであって、磁性層２の平坦面の面積に対するくぼみ３１の開口部面積の占める割合が、３〜１５％であることが好ましい。
【００３７】
さらに、くぼみ３１の平均直径は、磁気記録テープシステム（磁気記録媒体）における最短記録波長の半分以下であることが望ましく、例えば、最短記録波長０．１２μｍのシステムでは、３０〜６０ｎｍであることが望ましい。
【００３８】
ここで、平均直径、平均深さ及び磁性層２の平坦面の面積に対するくぼみの開口部面積の占める割合を求める方法を以下に示す。
図２は、磁性層２表面のくぼみ３１の平均直径と平均深さを求める模式図である。
まず、磁性層２表面（図２（ａ））を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、表面形状プロファイルを得る（図２（ｂ））。
【００３９】
ついで、得られた表面形状プロファイルについて、平坦面を基準面として、該平坦面より球状に窪んでいる部分を「くぼみ」３１とみなし（図２（ｂ））、その直径と深さを求める。ここで、くぼみの開口部が真円でない場合には、その長径と短径との平均値を直径とする。
走査範囲内のすべてのくぼみ３１それぞれについて直径と深さを求め、求めた直径と深さの平均値を平均直径Ｄと平均深さとする。
【００４０】
つぎに、得られた平均直径の値を下記の式（１）に代入し、磁性層２の平坦面の面積に対するくぼみの開口部面積の占める割合（くぼみ占有面積比）を算出する。
【００４１】
（くぼみ占有面積比）＝  {円周率π×（Ｄ／２）２×（くぼみ総個数）／（磁性層２の平坦面の面積）}×１００（％）  ・・・  （１）
【００４２】
なお、磁性層２の平坦面の面積とは、磁性層２の表面形状を求める際のＡＦＭ走査範囲の面積のことであり、例えばＡＦＭ走査範囲５μｍ×５μｍであれば２５μｍ２である。
【００４３】
また、本発明の磁気記録媒体は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを有する記録再生装置に適用するものであって、ノイズの低減化を図り、ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）の向上を図るために、磁性層２は適度に薄層に形成することが望ましく、特に５５ｎｍ以下とすることが好適である。磁性層２が５５ｎｍよりも厚く形成すると、磁性膜の表面形状の凸凹が大きくなりノイズ発生の要因となり、ＭＲヘッド若しくはＧＭＲヘッドを適用した場合に所望の記録密度を達成できないことがある。
【００４４】
磁性層２は、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させて被着させる真空蒸着法によって形成する。長尺状の非磁性支持体１を長手方向に走行させ、走行する非磁性支持体１の一主面側に磁性微粒子を堆積させて磁性層を形成する斜方蒸着の製法は、成膜性が良好で、生産性が高く、操作も容易であるという利点を有している。
図３に、上記磁性層２を形成する真空蒸着装置として連続巻き取り式の真空蒸着装置２０の断面構成図を示す。
【００４５】
真空蒸着装置２０においては、いわゆる斜方蒸着用として構成され、内部が例えば１×１０-3Ｐａ程度の真空にされた真空室２１内に、例えば−２０℃程度に冷却され、図中矢印Ａで示す方向に回転する冷却キャン２２と、これに対向するように強磁性金属薄膜用の蒸着源２３が配置されている。
【００４６】
この真空蒸着装置２０においては、真空室２１内に、図中の供給ロール２４と、巻き取りロール２５も配設されており、非磁性支持体１は供給ロール２４から図中矢印Ｂで示す方向に繰り出され、冷却キャン２２の周面に沿って走行した後、巻き取りロール２５に巻き取られる。なお、供給ロール２４と冷却キャン２２との間、及び冷却キャン２２と巻き取りロール２５との間にはそれぞれガイドローラー２７、２８が配置され、供給ロール２４から冷却キャン２２、及びこの冷却キャン２２から巻き取りロール２５に従って走行する非磁性支持体１に所定のテンションをかけ、非磁性支持体１が円滑に走行するようになされている。
【００４７】
蒸着源２３は坩堝等の容器にＣｏ等の強磁性金属材料が収容されたものであり、この真空蒸着装置２０においては、この蒸着源２３の強磁性金属材料を加熱、蒸発させるための電子ビーム発生源２９も配設されている。すなわち、電子ビーム発生源２９から電子ビーム３０を蒸着源２３の強磁性金属材料に加速照射して加熱し、これを図中矢印Ｃで示すように蒸発させる。すると強磁性金属材料は蒸着源２３と対向する冷却キャン２２の周面に沿って走行する非磁性支持体１上に被着し、強磁性金属薄膜が形成される。
【００４８】
なお、真空蒸着装置２０においては、蒸着源２３と冷却キャン２２との間に第１のシャッタ３１、および第２のシャッタ３２が設けられている。第１のシャッタ３１は走行する非磁性支持体１の前段側に位置し、第２のシャッタ３２は走行する非磁性支持体１の後段側に位置する。これら第１のシャッタ３１および第２のシャッタ３２は冷却キャン２２の周面に沿って走行する非磁性支持体１のうちの所定領域のみを外方に露出させている。
【００４９】
さらに、このような強磁性金属薄膜の蒸着に際し、図示しない酸素ガス導入口を介して非磁性支持体１の表面近傍に酸素ガスを供給し、これによって強磁性金属薄膜の磁性特性、耐久性及び耐候性の向上が図られるようにすることが好ましい。また、蒸着源を加熱するためには、上述のような電子ビームによる加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用できる。
【００５０】
このように構成された真空蒸着装置２０においては、蒸着源２３から強磁性金属材料を蒸発させるとともに冷却キャン２２の周面に非磁性支持体１を走行させる。蒸発した強磁性金属材料は、第１のシャッタ３１および第２のシャッタ３２の間から外方に露出した部分のみに堆積することとなる。
【００５１】
また、この真空蒸着装置２０は、第１のシャッタ３１側から第２のシャッタ３２側に向かって非磁性支持体１を走行させるため、蒸発した強磁性金属材料は、先ず第１のシャッタ３１側の非磁性支持体１上に堆積する。そして第１のシャッタ３１側から第２のシャッタ３２側に向かって非磁性支持体１が走行するに連れて、蒸発した強磁性金属材料が順次堆積することとなる。このため、強磁性金属材料は先ず最大入射角で非磁性支持体１上に堆積することとなり、最終的に最小入射角で堆積し終わることとなる。
【００５２】
なお、酸素ガス導入口を介して、酸素ガスを導入し蒸発した強磁性金属材料と反応させて、磁気特性、耐久性及び耐侯性に優れた媒体を得る手法としては、通常、第1のシャッタまたは第２のシャッタに酸素ガス導入口を付随させた構造により行う。
【００５３】
また、磁気記録媒体１０においては、上記磁性層２と非磁性支持体１との間に、磁性層２の結晶粒子の微細化と配向性向上を目的として真空薄膜形成技術を用いて中間層（図示せず）を形成してもよい。
【００５４】
中間層を構成する材料としては、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ等の金属材料の他、これらの任意の２種類以上を組み合わせた合金、またはこれらの金属材料と酸素や窒素との化合物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＩＴＯ（indium tin oxide）、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ等の化合物、カーボン、ダイヤモンドライクカーボン等が挙げられる。
【００５５】
また、中間層を形成する真空薄膜形成技術としては、真空下で所定の材料を加熱蒸発させて被処理体に被着させる真空蒸着法、所定の材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、およびアルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでターゲットの表面原子をたたき出すスパッタリング法等のいわゆる物理的成膜法（ＰＶＤ法）等が挙げられる。
【００５６】
保護層３は、磁気記録媒体１０の良好な走行耐久性および耐食性を確保するための層であり、例えばダイヤモンドライクカーボン等の薄膜からなる。
【００５７】
また、保護層３は、例えばプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)連続膜形成装置を用いて、ＣＶＤ法によって形成すればよい。ＣＶＤ方式としては、メッシュ電極ＤＣプラズマ方式、電子ビーム励起プラズマソース方式、冷陰極イオンソース方式、イオン化蒸着方式、触媒ＣＶＤ方式等の従来公知の方式をいずれも使用することができる。
このＣＶＤ方式に使用する炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等の従来公知の材料をいずれも使用することができる。また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分化を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｈ2等が導入されていてもよい。
【００５８】
潤滑剤層４は、磁気記録媒体１０の走行性を良好ならしめるために設けられる層である。例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して形成すれば良い。
【００５９】
バックコート層５は、磁気記録媒体１０の走行性の向上や帯電防止等を目的として、非磁性支持体１の磁性層２形成面側とは反対面に設けられる層であり、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体１の裏面側に塗布して形成される。
このバックコート層５は、膜厚０．２〜０．７μｍ程度であることが好適である。
なお、バックコート層５の表面にも所定の潤滑剤を塗布することが望ましい。
【００６０】
上述のようにして作製される本発明の磁気記録媒体１０は、ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドを用いた磁気記録再生システム用の磁気記録媒体として好適である。
【００６１】
ここでＭＲヘッドとは、磁気記録媒体からの信号を磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用の磁気ヘッドである。
一般にＭＲヘッドとは、電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドよりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録の磁気記録媒体に好適である。
ＭＲヘッドは、例えばＮｉ−Ｚｎ多結晶フェライトのような軟磁性材料からなる一対の磁気シールドに絶縁体を介して挟持された略矩形状のＭＲ素子部を備えるものである。なおＭＲ素子部の両端からは、一対の端子が導出されており、これらの端子を介してＭＲ素子部にセンス電流を供給できるようになされている。
【００６２】
ＭＲヘッドを用いて磁気記録媒体１０からの信号を再生する際には、磁気記録媒体１０にＭＲ素子部を摺動させる。そしてこの状態でＭＲ素子部の両端に接続された端子を介して、ＭＲ素子部にセンス電流を供給し、当該センス電流の電圧変化を検出する。磁気記録媒体１０にＭＲ素子部を摺動させた状態でＭＲ素子部にセンス電流を供給すると磁気記録媒体１０からの磁界に応じて、ＭＲ素子部の磁化方向が変化し、ＭＲ素子部に供給されたセンス電流と磁化方向との相対角度が変化する。そして、ＭＲ素子部の磁化方向とセンス電流の方向とがなす相対角度に依存して抵抗値が変化する。このため、ＭＲ素子部に供給するセンス電流の値を一定にすることにより、センス電流に電圧変化が生じることになる。そこでこのセンス電流の電圧変化を検出することにより、磁気記録媒体１０からの信号磁界が検出され、磁気記録媒体１０に記録されている信号が再生される。
なお、再生用磁気ヘッドとしては、いわゆる巨大磁気抵抗効果方磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）も適用可能である。
【００６３】
ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する手法は、ＳＡＬバイアス方式の他、例えば永久磁石バイアス方式、シャント電流バイアス方式、自己バイアス方式、交換バイアス方式、バーバーポール方式、分割素子方式、サーボバイアス方式等、種々の手法が適用可能である。なお、巨大磁気抵抗効果素子や各種バイアス方式については、例えば丸善株式会社発行の「磁気抵抗ヘッド−基礎と応用  林和彦  訳」に詳細に記載されている。
【実施例】
【００６４】
本発明の磁気記録媒体を実際に作製した例を以下に示す。なお、本発明は以下の実施例に限定されるわけではない。
【００６５】
（実施例１）
実施例１の磁気記録媒体の作製方法を以下に示す。
非磁性支持体として、膜厚４．４μｍ、幅１５０ｍｍで、くぼみを有するポリアミドフィルムを用い、この非磁性支持体の主面上に、図３に示した真空蒸着装置２０を用いて磁性層を形成した。原料である金属磁性材料をＣｏとし、第２シャッタに付随した酸素ガス導入管から酸素を６．０×１０-4ｍ3／ｍｉｎ導入し、電子ビーム発生源２９から電子ビーム３０を照射して加熱し、反応性真空蒸着により、Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層を４０ｎｍの膜厚に形成した。
次に、上述のようにして形成した磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層をプラズマＣＶＤ法によって膜厚１０ｎｍに形成した。さらに、保護層上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して膜厚２ｎｍの潤滑剤層を形成した。
また、磁性層形成面側とは反対側の主面に、平均粒径２０ｎｍのカーボン粒子とウレタン樹脂からなる塗料をダイレクトグラビア法による塗布装置を用いて塗布し、膜厚０．５μｍのバックコート層を形成し、磁気記録媒体の原反を得た。
得られた原反を８ｍｍ幅に裁断してサンプルテープ（磁気記録媒体）を得た。
【００６６】
（実施例２〜５）
非磁性支持体１のポリアミドフィルムのくぼみの条件を変化させ、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルテープ（磁気記録媒体）を得た。
【００６７】
（参考例１）
本発明の磁気記録媒体を評価する上で、従来の突起形成法により表面に突起を形成した磁気記録媒体を参考例として作製した。
非磁性支持体として、膜厚６．３μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、この非磁性支持体の主面上に膜厚５ｎｍの下地層を形成した。下地層は、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスに直径が２０ｎｍのシリカ粒子を分散させた塗料を非磁性支持体上に、密度が１×１０7個／ｍｍ2程度となるように塗布して形成した。
それ以外の条件は実施例１と同じ条件で参考例のサンプルテープ（磁気記録媒体）を得た。
【００６８】
（比較例１〜６）
非磁性支持体１のポリアミドフィルムのくぼみの条件を変化させ、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルテープ（磁気記録媒体）を得た。
【００６９】
得られたサンプルテープについて以下の測定・評価を行った。
（１）くぼみ測定
実施例１〜５、比較例１〜６のサンプルテープの磁性層表面について、原子間力顕微鏡（AFM：Digital Instruments社製、製品名NanoScopeIII）を用いて、以下の測定条件で表面形状プロファイルを得て、くぼみの平均直径、平均深さ、占有面積比、並びに密度を求めた。なお、くぼみの占有面積比は、式（１）より求めた。
カンチレバー：シリコン単結晶
走査モード：タッピングモード
走査範囲：５μｍ×５μｍ
【００７０】
（２）ＣＮＲ評価
得られた磁気記録媒体について、電磁変換特性の評価した。記録ヘッドはギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのＭＩＧヘッド(Metal In Gapヘッド)を使用した。電磁変換特性の測定は、ＭＩＧヘッドで記録周波数２３．３ＭＨｚ、記録波長０．３μｍにて記録し、トラック幅５μｍのＮｉＦｅＭＲヘッドを用いて再生することにより測定した。また、再生周波数２３．３ＭＨｚのキャリア出力と再生周波数６ＭＨｚでのノイズとの比よりＣＮＲを算出した。なお、磁気テープとＭＲヘッドとの相対速度は７ｍ／ｓｅｃとした。
磁気記録媒体の評価に当っては、参考例１のＣＮＲを基準としたＣＮＲの差分を求め、その差分が−０．５ｄＢより大きければ、実用上問題のないものとした。
【００７１】
（３）テープ走行性評価
ソニー（株）製AITフォーマットに対応した８mm幅テープカセットにサンプルテープを組み込み、磁気テープドライブ「AITe90（ソニー（株）製）」における走行確認テストを行った。評価は、磁気テープドライブの再生スイッチを押した際に、サンプルテープが問題なく走行すれば良好とし、サンプルテープが走行しなければ不良とした。
【００７２】
測定・評価結果を表１に示す。
実施例はすべて電磁変換特性、テープ走行性の両方で良い結果が得られた。
それに対して、比較例はつぎのように電磁変換特性、テープ走行性のいずれかが悪い結果であった。
・比較例１：くぼみ占有面積比が大きく、磁気記録媒体の遷移性ノイズが増大し、良好なＣＮＲが得られなかった。
・比較例２：くぼみ深さが深く、スペーシングロスを生じ、良好なＣＮＲが得られなかった。
・比較例３：くぼみ直径が大きく、占有面積比を所望の範囲に収めようとするとくぼみ密度数が不十分となり、良好な摩擦特性が得られず、磁気テープドライブにて走行不可であった。
・比較例４：くぼみ占有面積比が極端に少なく、良好な摩擦特性が得られず、磁気テープドライブにて走行不可であった。
・比較例５：くぼみ深さが不十分であり、良好な摩擦特性が得られず、磁気テープドライブにて走行不可であった。
・比較例６：平均くぼみ直径が不十分であり、良好な摩擦特性が得られず、磁気テープドライブにて走行不可であった。
【００７３】
【表１】
2005196913.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】磁性層表面のくぼみの平均直径と平均深さを求める模式図である。
【図３】連続巻き取り式の真空蒸着装置の断面構成図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…非磁性支持体、２…磁性層、３…保護層、４…潤滑剤層、５…バックコート層、１０…磁気記録媒体、３１…くぼみ、２０…真空蒸着装置、２１…真空室、２２…冷却キャン、２３…蒸着源、２４…供給ロール、２５…巻き取りロール、２７，２８…ガイドローラー、２９…電子ビーム発生源、３０…電子ビーム、３１，３２…シャッタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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