(57)【要約】【課題】光ファイバの加熱プロセスが不適切であり特性変動や損失不良の光ファイバカプラが存在する。【解決手段】被覆を除去した複数本の光ファイバ１０、２０を整列し、入力光ファイバ１０に光源から光を入力し、入力光ファイバ１０および他の光ファイバ２０から出力される光パワーを検出しながら、各光ファイバ１０、２０を融着、延伸してなる光ファイバカプラの製造方法であって、上記入力光ファイバ１０から出力される光パワーが時間経過に伴って一次低下した後、回復し、さらに分岐開始と同時に二次低下する変化をなし、且つ上記一次低下が０．３ｄＢ以下とすることで、得られた光ファイバカプラの損失を低いものとする。【選択図】図１
2005241694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆を除去した複数本の光ファイバを整列し、入力光ファイバに光源から光を入力し、入力光ファイバおよび他の光ファイバから出力される光パワーを検出しながら、各光ファイバを融着、延伸してなる光ファイバカプラの製造方法であって、上記入力光ファイバから出力される光パワーが時間経過に伴って一次低下した後、回復し、さらに分岐開始と同時に二次低下する変化をなし、且つ上記一次低下が０．３ｄＢ以下であることを特徴とする光ファイバカプラの製造方法。
【請求項２】
上記光ファイバを予め一定ガス流量にて加熱しながら融着、延伸させ、分岐が完了するまでの各光ファイバから出力される光パワーの時間経過に伴う変化を測定した後、上記入力光ファイバの光パワーが上記一次低下する以前にガス流量を初期ガス流量より５％以上低下させることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバカプラの製造方法。
【請求項３】
上記光パワーの回復時で、且つ二次低下の直前にさらにガス流量を低下させることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバカプラの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単一波長もしくは複数波長の光を分岐あるいは結合する、または複数波長の光を合波あるいは分波させる融着延伸型光ファイバカプラの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より光通信システム、光伝送技術の進展に伴い、作製方法が容易であり、量産性の高い融着延伸型光ファイバカプラあるいは融着延伸型光合分波器等がさまざまな光通信システム、光計測システム等で利用されている。
【０００３】
ここで、光ファイバカプラとは単一波長もしくは複数波長の光を分岐あるいは結合するものであり、また光合分波器とは複数波長の光を合波あるいは分波させるものであるが、以下本発明では両者を総称して光ファイバカプラという。
【０００４】
融着延伸型光ファイバカプラは、図１（ａ）に示すような構造をなし、先ず、各光ファイバ１０、２０の端部の被覆を除去し、芯線部１、２をアルコール等で洗浄する。次に、芯線部１、２を整列し、その中央部を酸素−プロパン、もしくは水素等のバーナで加熱しながら、光ファイバ１０、２０を長手方向に左右に延伸し、芯線部１、２の中央部に融着延伸部３を形成する。このように作製された光ファイバ１０、２０および融着延伸部３からなるカプラ本体４を石英ガラス等の基板５に載置し、紫外線や可視光線等のエネルギ−線にて硬化する接着剤６を介して接合する。この接合箇所は、基板５の両端部Ａが一般的であるが、さらに融着延伸部３の両端部Ｂで芯線部１、２と基板５を接合することも行われている。また、図示していないが、この基板５の上に基板５と同様な材質である石英ガラス等の基板で蓋をし、さらに金属、セラミック、ガラス等の筒状体で覆うことにより、光ファイバカプラの補強構造が完成する。
【０００５】
しかし、一定のガス流量で融着・延伸した場合、延伸が進み光ファイバ１０、２０が細くなっても熱量が同じなため、熱量が強すぎて光ファイバ１０、２０の芯線部１、２が変形してマイクロベンド損失が発生し過剰損失が増大する危険性があった。
【０００６】
また、この問題を防止するため、始めから熱量をある程度抑えて延伸する方法もあるが、その場合は延伸初期の段階で熱量不足となり、加工に長時間要するという問題や、完全には芯線部１、２の変形や、マイクロベンド損失の発生による過剰損失の増大を防止することができないという問題があった。
【０００７】
そこで近年、その原因の一端として光ファイバカプラを融着・延伸する際の加熱プロセスによって特性変動や損失不良等を防止する提案がされている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、図３に示すように、あらかじめヒーターは１０００℃程度まで熱しておき、作製開始とともに光ファイバを徐歪温度まで熱し、光ファイバのひずみを取り除く。そして、温度を１６００℃程度まで上げて、光ファイバ同士を融着する。融着が終了したら、加熱温度を落として、延伸ステージを動かし、光ファイバの延伸工程に入る。延伸工程は、その延伸スピード、延伸中の加熱温度により４段階設けることで、温度変化を緩やかににすることで特性変動や損失不良を小さくすることが提案されている。（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３２４６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の提案では、加熱時間と加熱温度の関係だけで、光ファイバがどのような状況の時に加熱温度を下げていくのかが不明である。そのため、光ファイバ径がまだ太い段階で加熱温度を下げてしまい熱量不足となり、その歪みにより光ファイバにマイクロクラックが発生し過剰損失が増大したり、また逆に光ファイバ径が細い段階で加熱温度が高すぎ熱量過多となり、光ファイバのコアが変形してマイクロベンド損失が発生し過剰損失が増大する危険性があった。
【００１０】
また、２本の光ファイバ１０、２０を融着・延伸する工程中で分岐が進んでいくエバネッセント結合において、コア間同士の距離がだんだん近づき一定間隔に近づくまでの課程でクラッドに漏れる光が存在し、その漏れによって分岐開始前に一旦光パワーが低下して回復する現象が生じることが知られており、特許文献１のように段階的に温度を下げていっても、分岐開始前の光パワーの低下に合せた温度変化となっていないため、上記エバネッセント結合状態が悪くコアのマイクロベンドやマイクロクラックが発生し、この一次低下が０．５ｄＢ程度の大きなものとなり、完成後の光ファイバカプラの過剰損失が０．１ｄＢ程度を越えるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光ファイバカプラの製造方法は、被覆を除去した複数本の光ファイバを整列し、入力光ファイバに光源から光を入力し、入力光ファイバおよび他の光ファイバから出力される光パワーを検出しながら、各光ファイバを融着、延伸してなる光ファイバカプラの製造方法であって、上記入力光ファイバから出力される光パワーが時間経過に伴って一次低下した後、回復し、さらに分岐開始と同時に二次低下する変化をなし、且つ上記一次低下が０．３ｄＢ以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、上記光ファイバを予め一定ガス流量にて加熱しながら融着、延伸させ、分岐が完了するまでの各光ファイバから出力される光パワーの時間経過に伴う変化を測定した後、上記入力光ファイバの光パワーが上記一次低下する以前にガス流量を初期ガス流量より５％以上低下させることを特徴とする。
【００１３】
さらに、上記光パワーの回復時で、且つ二次低下の直前にさらにガス流量を低下させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光ファイバカプラの製造方法によれば、被覆を除去した複数本の光ファイバを整列し、入力光ファイバに光源から光を入力し、入力光ファイバおよび他の光ファイバから出力される光パワーを検出しながら、各光ファイバを融着、延伸してなる光ファイバカプラの製造方法であって、上記入力光ファイバから出力される光パワーが時間経過に伴って一次低下した後、回復し、さらに分岐開始と同時に二次低下する変化をなし、且つ上記一次低下が０．３ｄＢ以下であることから、光ファイバの延伸による径の変化に適正な加熱条件となっているため、完成後の光ファイバカプラの過剰損失を０．１ｄＢ以下に抑えることができる。
【００１５】
また、上記光ファイバを予め一定ガス流量にて加熱しながら融着、延伸させ、分岐が完了するまでの各光ファイバから出力される光パワーの時間経過に伴う変化を測定した後、上記入力光ファイバの光パワーが上記一次低下する以前にガス流量を初期ガス流量より５％以上低下させることから、上記一次低下の量を０．３ｄＢ以下とできるため、完成した光ファイバカプラの損失をより低いものとすることができる。
【００１６】
さらに、上記光パワーの回復時で、且つ二次低下の直前にさらにガス流量を低下させることから、光ファイバの延伸による径の変化により適正な加熱条件となっているため、さらに低損失の光ファイバカプラを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
光ファイバカプラは、図１（ａ）に示すように、基板５上に被覆された光ファイバ１０、２０の被覆部を除去した芯線部１、２の一部に融着延伸してなる融着延伸部３を形成し、石英ガラス等の基板５の凹溝５ａ上に接着剤６を介して接合してなるものである。
【００１９】
なお、本発明の光ファイバカプラとは、単一波長もしくは複数波長の光を分岐あるいは結合するものであり、また光合分波器とは複数波長の光を合波あるいは分波させるものであるが、ここでは両者を総称して光ファイバカプラという。
【００２０】
本発明は、このような光ファイバカプラの製造方法に関し、図１（ｂ）に示すように例えば２本の光ファイバ１０、２０から形成する場合、先ず、1番目の工程に示すように被覆された光ファイバ１０、２０の被覆部を除去し、露出された芯線部１、２をアルコール等で洗浄する。その後、２番目の工程に示すように芯線部１、２を整列治具等で並行もしくはクロスさせることにより密着整列し、３番目の工程に示すように酸素−プロパン、もしくは水素等のバーナにより加熱しながら、光ファイバ１０、２０を長手方向に左右に延伸しテーパ状の融着延伸部３を形成する。このようにして得られたカプラ本体４を図１（ａ）に示すように石英ガラス等の基板５に設けられた凹溝５ａ上に載置し、紫外線や可視光線等のエネルギ−線にて硬化する接着剤６を介して接合するものである。
【００２１】
ここで、上記３番目の工程に示す融着・延伸のプロセスについて１５５０ｎｍの分散シフト光ファイバ１０、２０を用いた場合を例に詳細に説明する。
【００２２】
光ファイバ１０、２０の芯線部１、２を加熱する際、一方の光ファイバ１０に１５５０ｎｍのＬＤ光源からの光を例えば１００μＷ程度入射させる。この光パワーを初期値としてコンピューターに記憶する。ここで、光源から光を入射する光ファイバ１０を入力光ファイバ１０として、光ファイバカプラにおけるスルーポートとなる光ファイバを示す。
【００２３】
出力側の光ファイバ１０、２０にはパワーメータを接続して常時、出力される光パワーを検出しながら分岐が完了するまで損失の状態を把握する。
【００２４】
加熱には、酸素を１６×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを８×１０−６ｍ3／ｓｅｃの流量にてなる酸素−プロパンの混合ガスを、直径０．５ｍｍの吹き出し口から噴出するバーナを左右４ｍｍの範囲で光ファイバ１０、２０の長手方向に２．４ｍｍ／ｓｅｃのスピードで摺動させて４０秒間加熱した。
【００２５】
バーナと芯線部１、２との距離は光ファイバ１０、２０の上方からバーナの炎をあてた場合、炎の最先端が芯線部１、２の最下部から若干出る程度が好ましい。
【００２６】
そして、４０秒間の融着後、光ファイバ１０、２０を０．０８ｍｍ／ｓｅｃの速度で延伸を開始する。
【００２７】
以上の条件にて光１０、２０の光パワーの分岐比が５０％となる時点、延伸長が１２．５ｍｍ程度となった時点で延伸を停止させた。
【００２８】
このときの光ファイバ１０、２０の光パワーの時間経過を図２に示す。
【００２９】
入力光ファイバ１０は、時間経過に伴ってＡ領域までは一定値をなし、Ｂ領域において一次低下した後、回復し、さらにＣ領域において分岐開始と同時に二次低下する変化をなす。これは、２本の光ファイバ１０、２０を融着・延伸する工程中でエバネッセント結合が生じ、コア間同士の距離がだんだん近づき、一定間隔となるまでの過程でクラッドに漏れる光が存在し、その漏れによって分岐開始前に一旦光パワーが低下した後、回復するものである。
【００３０】
なお、入力光ファイバ１０の光パワーが低下を開始するまでをＡ領域とＢ領域の境界とし、Ｂ領域における一次低下は光パワーが低下して再度増加を開始するまでを、また、回復は光パワーが増加して光ファイバ１０、２０が分岐開始するまでを示し、Ｃ領域は分岐開始から完了までとする。
【００３１】
ここで、本発明の光ファイバカプラの製造方法において、上記入力光ファイバ１０の一次低下が０．３ｄＢ以下とすることが重要である。
【００３２】
これにより、完成した光ファイバカプラの過剰損失が０．１ｄＢ以下とすることができる。その理由としては、２本の光ファイバ１０、２０を融着・延伸する工程中で分岐が進んでいくエバネッセント結合において、コア間同士の距離がだんだん近づき一定間隔に近づくまでの課程でクラッドに漏れる光が存在し、その漏れによって分岐開始前に一旦光パワーが低下して回復する現象が生じるが、その漏れ量を０．３ｄＢ以下とすることで、マイクロベンドやマイクロクラック等のストレスが無いカプラを得ることができるため、コア間で光の屈折、移動がスムーズに起こり過剰損失がより少なくなる。
【００３３】
一次低下の量が０．３ｄＢを越えると、分岐終了までに光パワーが回復せず完成した光ファイバカプラの過剰損失が０．１ｄＢ以上となりやすい。その理由としては、分岐が進むにつれ、図２におけるＢ領域、Ｃ領域においてもエバネッセント結合による分岐損失が発生するため、Ａ領域、Ｂ領域では可能な限り損失は少ないほうが好ましいが、上記エバネッセント結合状態が悪くなり、コアのマイクロベンドやマイクロクラックが生じるため、コアからクラッドへの光の漏れ以外の損失が生じることとなる。
【００３４】
例えば、加熱条件が強い場合、コアが僅かに変形しその変形部分から光が漏れ、漏れ角度がイレギュラーなためクラッドモードの光となり再びコアには戻らない光となる。
【００３５】
また加熱条件が弱い場合、コアにマイクロクラックが生じその部分から光が漏れ、漏れ角度がイレギュラーなためクラッドモードの光となり再びコアには戻らない光となる。
【００３６】
なお、１５５０ｎｍ用分散シフトファイバの場合は、一次低下の損失量を０．３ｄＢ以下、より好ましくは０．２ｄＢ以下とし、１３１０ｎｍ用シングルモードファイバの場合は０．２ｄＢ以下、好ましくは０．１ｄＢ以下にすることがより好ましい。
【００３７】
また、光パワーを測定するには、パワーメータを用いて常時パワーをモニターしながら分岐が完了するまで損失の状態を把握し、この光パワーから損失量を算出するには、例えば、光パワーの初期値が１００μＷとし、途中の延伸工程で９８μＷまで光パワーが落ちたとすると、計算式：損失（ｄＢ）＝−１０Ｌｏｇ１０９８／１００より損失は０．０８８ｄＢとなる。
【００３８】
なお、上記一次低下の量は、１５５０ｎｍ用分散シフトファイバの場合は０．３ｄＢ以下、好ましくは０．２ｄＢ以下とし、１３１０ｎｍ用シングルモードファイバの場合は一次低下の量を０．２ｄＢ以下、好ましくは０．１ｄＢ以下とすることが好ましい。
【００３９】
この一次低下を０．３ｄＢ以下とするには、芯線部１、２が融着開始前に綺麗に洗浄されていることが重要である。コンタミ等不純物が付着しているとその部分から光が屈折し漏れてしまい損失の増加となる。
【００４０】
また、芯線部１、２が同一のテンションにてクランプされていること、密着してクランプされていることが重要である。テンションが不均一であったり密着性が悪かったりすると延伸中にその異なる境界点にストレスが生じ、マイクロベンドとなり損失が発生してしまう。
【００４１】
さらに、一次低下を低減させるには、延伸速度、バーナの摺動速度、芯線部１、２からバーナまでの距離を微調整して最適な条件とすること、さらに火炎を安定させるため無風状態に環境を整備すること、環境温度を一定化して酸素−プロパン混合ガスの流量変化誤差を小さくすることなどが重要となる。
【００４２】
上述のように様々な火炎条件等の適正化が必要だが、その中でも最も大きく影響してくるのが延伸されている光ファイバ１０、２０の芯線部１、２を加熱する際の熱量の適正化である。熱量が弱すぎると延伸中の光ファイバ１０、２０にマイクロクラック等のマイクロベンドが発生してその部分から光が漏れだし損失となる。逆に熱量が強すぎると延伸長が短くなりテーパ形状が急峻となりコアから光が漏れやすくなり損失が増大する。
【００４３】
さらに低損失化を計るためには、図２に示すようなに芯線部１、２を一定ガス流量にて加熱しながら融着、延伸させ、分岐が完了するまでの上記入力光ファイバ１０の光パワーの時間経過に伴う変化を測定した後、光パワーが一次低下する以前にガス流量を初期ガス流量の５％以上低下させることが好ましい。さらに好ましい条件としては５％以上１０％未満である。
【００４４】
これにより、光ファイバ１０、２０が延伸により細くなっても上述のように火炎条件等の適正化が得られ、一次低下を最小限に抑えることができる。一方、ガス流量を初期ガス流量より５％未満の範囲で低下させると、光ファイバ１０、２０に加わる熱量の低減量が乏しく、延伸長が短くなりテーパ形状が急峻となりコアから光が漏れやすくなるため、損失が増大したり、コアが熱量過多のため変形してマイクロベンドとなりコアから光が漏れやすくなり損失が増大する。また、ガス流量を初期ガス流量より１０％以上低下させた場合は、光ファイバ１０、２０に加わる熱量の低減量が多すぎ、熱量が弱すぎて延伸中の光ファイバ１０、２０にマイクロクラック等のマイクロベンドが発生してその部分から光が漏れだし損失が大きくなる。
【００４５】
さらに、ガス流量を低下させる時期としては、一次低下が開始する５秒以上前、より好ましくは１０〜２０秒前が好ましく、例えば、初期ガス流量が酸素を１６×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを８×１０−６ｍ3／ｓｅｃとして場合は、酸素を１５×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを７．５×１０−６ｍ3／ｓｅｃ程度と低下させることが好ましい。
【００４６】
これは、延伸が進むにつれ光ファイバ芯線部１、２の径も細くなってくるため熱量も下げなければならない。その時期として２０秒以上前だと未だ光ファイバ１０、２０の芯線部１、２の径は細くなっておらず加熱量が少なくなりマイクロベンド損失が発生する。５秒より短くなると径が既に細くなっておりコアとクラッド間の適正距離が崩れてしまいマイクロベンド損失が発生する。
【００４７】
さらに、上記図２に示す光パワーの回復時で、且つ二次低下の直前にさらにガス流量を低下させることが好ましい。
【００４８】
上述の適正条件にて延伸を継続していくと、図２におけるＣ領域のように、光パワーが回復した後、芯線部１から芯線部２へ光が移行し始める。この分岐開始前にさらにガス流量を低下させて光ファイバ１０、２０を加熱することにより、さらに損失発生を抑えることができる。これは、延伸が進むにつれ光ファイバ１０、２０の芯線部１、２の径がより細くなるため熱量もあわせて低下させることで、コアに生じるマイクロベンド損失をより有効に防止できるものである。
【００４９】
なお、この際のガス流量は一次低下以前に低下させたガス流量に対し、さらに２〜６％程度低下させることが好ましい。
【００５０】
例えば、一次低下より以前に酸素１５×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを７．５×１０−６ｍ3／ｓｅｃとした場合には、二次低下の直前に酸素１４．５×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを７．２×１０−６ｍ3／ｓｅｃ程度にすることが好ましい。
【００５１】
このように、光ファイバ１０、２０の径の変化に合わせて加熱条件を適性化することで、一次低下の量を０．３ｄＢ以下と小さなものとして、得られた光ファイバカプラの損失を０．１ｄＢ以下の小さなものとすることができる。
【００５２】
なお、本発明の光ファイバカプラの製造方法は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【実施例】
【００５３】
次いで、本発明の実施例を説明する。
【００５４】
ここでは図１（ａ）に示すような光ファイバカプラ試料を１５５０ｎｍ用分散シフトファイバを用いて１０本作製した。
【００５５】
なお、分岐比が５０±３％、過剰損失が０．１ｄＢ以下を目標値として作製した。
【００５６】
本発明の実施例として、まずは一定ガス流量、酸素を１６×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを８×１０−６ｍ3／ｓｅｃにて光パワーの時間経過に伴う変化を測定した。
【００５７】
この場合光パワーの一次低下は融着開始から１１０秒後に発生した。そこでその１０秒前の融着開始から１００秒後に酸素１５×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを７．５×１０−６ｍ3／ｓｅｃに低減した。さらに光パワーが回復し分岐開始する前に酸素１４．５×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを７．２×１０−６ｍ3／ｓｅｃに低減した。
【００５８】
その他、光パワーの一次低下が０．２ｄＢ以下となるようにさまざまな加熱条件を設定した。
【００５９】
直径０．５ｍｍの吹き出し口から噴出するバーナを左右４ｍｍの範囲で光ファイバ１０、２０の長手方向に２．４ｍｍ／ｓｅｃのスピードで摺動させて４０秒間加熱した。
【００６０】
バーナと芯線部１、２との距離は光ファイバ１０、２０の上方からバーナの炎をあて、初期ガス流量で炎の最先端が芯線部１、２の最下部から１．５ｍｍ出る様設定した。
【００６１】
そして、４０秒間の融着後、光ファイバ１０、２０を０．０８５ｍｍ／ｓｅｃの速度で延伸を開始した。
【００６２】
この場合光パワーの一次低下は０．１ｄＢ〜０．２ｄＢに抑えることができた。
【００６３】
以上の条件にて光１０、２０の光パワーの分岐比が５０％となる時点で延伸を停止させた。
【００６４】
また、比較例として、図１に示すような光ファイバカプラ試料を１５５０ｎｍ用分散シフトファイバを用いて１０本作製した。
【００６５】
分岐比が５０±３％、過剰損失が０．１ｄＢ以下を目標値として作製した。
【００６６】
分岐前の光パワーの一次低下量は考慮しなかった。
【００６７】
ここで、初期のガス流量は酸素を１６×１０−６ｍ3／ｓｅｃ、プロパンを８×１０−６ｍ3／ｓｅｃのまま最後まで融着・延伸を行った。その他条件は上記と同一とした。
【００６８】
この場合分岐前の光パワーの一次低下は０．３ｄＢを越えるものが殆どであり０．３ｄＢ〜０．５ｄＢ程度であった。
【００６９】
以上それぞれの融着・延伸完了後の分岐比、過剰損失を測定比較した。
【００７０】
ここで分岐比、過剰損失の測定は以下の様に行った。
【００７１】
入力側光ファイバ１０にＬＤ光源を接続し、１００μＷ程度の光を入力した。出力側光ファイバ１０，２０をパワーメータに接続し、常時出力側光ファイバ１０，２０の光パワーをモニターしながら分岐が完了するまでコンピューター制御しながら監視した。
【００７２】
分岐比は、延伸終了後の出力側光ファイバ１０の光パワーをＰ１，出力側光ファイバ２０の光パワーをＰ２とすると、計算式：分岐比（％）＝Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）×１００（％）で計算した。
【００７３】
過剰損失は、延伸開始前の入力側光ファイバ１０の光パワーをＰ０、延伸終了後の出力側光ファイバ１０の光パワーをＰ１，出力側光ファイバ２０の光パワーをＰ２とすると、計算式：過剰損失（ｄＢ）＝−１０Ｌｏｇ１０（Ｐ１＋Ｐ２）／Ｐ０で計算した。
【００７４】
その結果は表１に示す通りであった。
【表１】
2005241694.tif 000003
【００７５】
表１の結果より本発明の試料は、分岐比が全て５０％±２％以内、過剰損失も全て０．１ｄＢ以下と小さくすることができた。
【００７６】
これに対し従来例の試料は、分岐比、過剰損失共ばらつきが大きかった。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】（ａ）は光ファイバカプラの構造を示す平面図であり、（ｂ）は本発明の光ファイバカプラの製造方法を説明するための平面図である。
【図２】光ファイバカプラの時間経過と光パワー推移との関係図である。
【図３】従来の光ファイバカプラの製造方法における加熱時間と加熱温度との関係図である。
【符号の説明】
【００７８】
１、２：芯線部
３：融着延伸部
４：カプラ本体
５：基板
５ａ：凹溝
６：接着剤
７：接着剤
８：他の接着剤
１０、２０：光ファイバ
Ａ、Ｂ：接着剤の位置
【図１】
2005241694.tif 000004
【図２】
2005241694.tif 000005
【図３】
2005241694.tif 000006