(57)【要約】【課題】  優れた結晶特性を示す水晶結晶薄膜を、特にＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜を、簡易な気相反応装置を用いて、高い得率で製造することを可能にする水晶結晶薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】  水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶層の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整される）を形成し、次いで、基板に遠い側の結晶層の表面に、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、エピタキシャル成長した水晶結晶膜を生成させる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ結晶性基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整する）を形成し、次いで、基板に遠い側の水晶層の表面に、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、エピタキシャル成長した水晶結晶膜を生成させることからなる水晶結晶膜の製造方法。
【請求項２】
基板の表面に接する水晶層が１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成され、一方、水晶結晶膜の表面に接する水晶層が５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成されていて、後者の水晶層内の結晶相の比率が前者の水晶層内の結晶相の比率よりも４％以上高くされている請求項１に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項３】
水晶層が、基板の表面に接する側の１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成される下側水晶層と、水晶結晶膜の表面に接する５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成される上側水晶層の二層から構成されていて、上側水晶層内の結晶相の比率が下側水晶層内の結晶相の比率よりも４％以上高くされている請求項１に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項４】
水晶層の形成を、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応を利用して行なう請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項５】
水晶層の形成と水晶結晶膜の製造をいずれも大気圧中でおこなう請求項１乃至４のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項６】
基板が、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、もしくはサファイア基板である請求項１乃至５のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちのいずれかの項に記載の製造方法により製造された水晶結晶膜。
【請求項８】
水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ結晶性基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整する）を形成し、次いで、基板に遠い側の水晶層の表面に、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、ＡＴカット面が優先的に配向して成長するように、エピタキシャル成長した水晶結晶膜を生成させることからなる水晶結晶膜の製造方法。
【請求項９】
基板の表面に接する水晶層が１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成され、一方、水晶結晶膜の表面に接する水晶層が５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成されていて、後者の水晶層内の結晶相の比率が前者の水晶層内の結晶相の比率よりも４％以上高くされている請求項８に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項１０】
水晶層が、基板の表面に接する側の１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成される下側水晶層と、水晶結晶膜の表面に接する５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成される上側水晶層の二層から構成されていて、上側水晶層内の結晶相の比率が下側水晶層内の結晶相の比率よりも４％以上高くされている請求項８に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項１１】
水晶層の形成を、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応を利用して行なう請求項８乃至１０のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項１２】
水晶層の形成と水晶結晶膜の製造をいずれも大気圧中でおこなう請求項８乃至１１のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項１３】
基板が、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、もしくはサファイア基板である請求項８乃至１２のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項１４】
基板が、（１１０）Ａ面を持つサファイア基板である請求項８乃至１３のうちのいずれかの項に記載の水晶結晶膜の製造方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のうちのいずれかの項に記載の製造方法により製造されたＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜。
【請求項１６】
水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整されている）を介して、ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜が積層されている積層体。
【請求項１７】
基板が、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、もしくはサファイア基板である請求項１６に記載の積層体。
【請求項１８】
基板が、（１１０）Ａ面を持つサファイア基板である請求項１６に記載の積層体。
【請求項１９】
ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜、および該水晶結晶膜の一方の側の表面に結晶相と非晶質相とからかなる水晶層を有する積層体。
【請求項２０】
気相成長法により形成したＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶結晶薄膜とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶結晶薄膜は、発振子、振動子、高周波フィルタ用表面弾性波素子、光導波路、半導体基板、あるいはそれらの部品として用いられる。このような有用な水晶結晶薄膜を製造する方法としては、従来より、水熱合成法で得られる水晶単結晶を研磨して薄膜化する方法が知られており、また水晶結晶薄膜を直接的に製造する方法としては、ゾルゲル法、プラズマ化学的気相堆積（ＤＶＤ）法、スパッタ法、そしてレーザアブレーション法などが知られている。しかしながら、これらの製造方法は、実用的に満足できる水晶結晶薄膜の得率が低い、あるいは大規模な装置と厳しい製造条件の管理が必要である等の問題があり、工業的な水晶結晶薄膜の製造方法としては必ずしも有利なものとは言えない。
【０００３】
特許文献１には、工業的に有利に利用できる水晶結晶薄膜の製造方法として、大気圧気相エピタキシャル成長法（ＡＰ−ＶＰＥ）が記載されている。この大気圧気相エピタキシャル成長法は、真空装置を用いない大気圧下で、ケイ素アルコキシドと酸素とを、好ましくは塩化水素などの反応促進剤の存在下に、反応させて、基板上に水晶結晶薄膜をエピタキシャル成長させて堆積させる方法である。この特許公開公報にはさらに、大気圧気相エピタキシャル成長法により基板上に水晶結晶薄膜を生成させる際に、予め基板上にバッファ層を設けることによって、その上に堆積する水晶結晶薄膜の結晶性が向上する旨の記載がある。
【０００４】
一方、ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶薄膜は、これを振動子として用いた場合に、特に温度依存性が低いことが知られており、このため、優れた素子とされているが、そのような特性を持つ水晶結晶薄膜を選択的に製造する方法、特に気相法により製造する方法は、これまでに知られていない。
【特許文献１】特開２００２−８０２９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、優れた結晶特性を示す水晶結晶薄膜を、簡易な気相反応装置を用いて、高い得率で製造することを可能にする水晶結晶薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は特に、ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜を、簡易な気相反応装置を用いて、高い得率で製造することを可能にする水晶結晶薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
本発明はまた、ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜を提供することも、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ結晶性基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整する）を形成し、次いで、基板に遠い側の水晶層の表面に、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、エピタキシャル成長した水晶結晶膜を生成させることからなる水晶結晶膜の製造方法にある。
本発明はまた、上記の製造方法によって製造された水晶結晶膜にもある。
【０００７】
本発明は特に、水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ結晶性基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整する）を形成し、次いで、基板に遠い側の水晶層の表面に、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、ＡＴカット面が優先的に配向して成長するように、エピタキシャル成長した水晶結晶膜を生成させることからなる水晶結晶膜の製造方法にある。
本発明はまた、上記の製造方法により製造されたＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜にもある。
【０００８】
本発明はまた、水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ基板の表面に、少なくとも二層の水晶層（ただし、いずれの水晶層も、結晶相と非晶質相とからなり、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整されている）を介して、ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜が積層されている積層体にもある。
本発明はまた、ＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜、および該水晶結晶膜の一方の側の表面に結晶相と非晶質相とからかなる水晶層を有する積層体にもある。
本発明はまた、気相成長法により形成したＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶膜にもある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の水晶結晶薄膜の製造方法を利用することにより、優れた結晶特性を示す水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶薄膜を、簡易な気相反応装置を用いて、高い得率で製造することが可能となる。また、本発明の水晶結晶薄膜は高い結晶性を持つため、優れた物理的特性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の水晶結晶膜の製造方法の好ましい実施態様は次の通りである。
（１）基板の表面に接する水晶層が１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成され、一方、水晶結晶膜の表面に接する水晶層が５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成されていて、後者の水晶層内の結晶相の比率が前者の水晶層内の結晶相の比率よりも４％以上高くされている。
（２）水晶層が、基板の表面に接する側の１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成される下側水晶層と、水晶結晶膜の表面に接する５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成される上側水晶層の二層から構成されていて、上側水晶層内の結晶相の比率が下側水晶層内の結晶相の比率よりも４％以上高くされている。
（３）水晶層の形成を、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応を利用して行なう。
（４）水晶層の形成と水晶結晶膜の製造をいずれも大気圧中で行なう。
（５）基板が、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、もしくはサファイア基板である。
（６）基板が、（１１０）Ａ面を持つサファイア基板である。
【００１１】
次に、本発明の水晶結晶薄膜の製造方法および水晶結晶薄膜について、図面を参照しながら詳しい説明をする。
【００１２】
本発明の水晶結晶薄膜の製造方法で得られる水晶結晶薄膜を含む積層体の代表的な層構成を図１に示す。すなわち、積層体１０は、基板１１の上に、下側水晶層１２、上側水晶層１３、そして水晶結晶薄膜１４がこの順に積層された構成を有する。なお、下側水晶層１２と上側水晶層１３とは、基板上に水晶結晶薄膜をエピタキシャル成長させる際、特にＡＴカット面が優先的に配向して成長した水晶結晶薄膜をエピタキシャル成長により堆積させる際に、基板の格子定数の影響を維持しながら、その影響を緩和する機能（面配向制御機能）を示すと理解されるため、以下では、それぞれの層を、下側バッファ層と上側バッファ層ということがある。
【００１３】
基板としては、水晶結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ結晶性基板が選ばれる。ただし、結晶性基板は六方晶の結晶構造を持つか、あるいはその表面に六方晶の原子配列が現われていることが好ましい。そのような結晶性基板の例としては、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、及びサファイア基板が挙げられ、特に好ましいのは、（１１０）Ａ面を持つサファイア基板である。
基板は透明であっても、不透明であってもよい。ただし、水晶結晶薄膜を基板から剥離させずに、基板付き水晶結晶薄膜として光学要素部品として用いる場合には、透明な基板を用いることが好ましい。基板の好ましい厚み範囲は、５０〜５００μｍの範囲であり、特に１００〜３００μｍの範囲が好ましい。
【００１４】
本発明の水晶結晶薄膜の製造方法においては、基板の上に、水晶結晶薄膜を生成させる前に、少なくとも二層のバッファ層を形成することが特徴である。これらの少なくとも二層のバッファ層は共に、結晶相と非晶質相とからなる薄層である。そして、基板に遠い側の水晶層内の結晶相の比率が、基板に近い側の水晶層内の結晶相の比率よりも高くなるように調整される。その具体例を云えば、基板の表面に接する側のバッファ層１２（下側バッファ層）が、１〜５０％の結晶相と９９〜５０％の非晶質相とから構成され、その上のバッファ層１３（上側バッファ層）が、５〜９５％の結晶相と９５〜５％の非晶質相から構成される。ただし、上側バッファ層内の結晶相の比率が下側バッファ層内の結晶相の比率よりも４％以上（好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、そして好ましくは、４０％以下、さらに好ましくは３０％以下）高くされている。本発明の水晶結晶薄膜の製造方法で利用する複数層の上記の要件を満たす複数のバッファ層は、その最上層のバッファ層の上に成長する水晶結晶薄膜の成長の面方位を制御する制御層として作用する。
【００１５】
なお、結晶相と非晶質相とからなる水晶層（バッファ層）は、上記の要件を満たす二層のみで、本発明の目的を達成することができるが、必要により、三層以上設けてもよい。三層以上のバッファ層を設ける場合には、基板に接する最下層が上記の下側バッファ層の要件を満たし、最上層が上記の上側バッファ層の要件を満たせばよい。ただし、その中間にある層も、結晶相と非晶質相とからなる水晶層である必要があり、その中間水晶層内の結晶相の比率は、最下層内の結晶相の比率より高く、最上層内の結晶相の比率より低いことが好ましい。そして、中間に二以上の水晶層（中間バッファ層）が存在する場合には、上側の中間バッファ層内の結晶相の比率が、下側の中間バッファ層内の結晶相の比率よりも高いことが好ましい。
【００１６】
バッファ層はいずれも、厚さが１０〜１０００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、１０〜３００ｎｍの範囲内にあることが更に好ましく、特に好ましいのは、２０〜２００ｎｍの範囲内にあることである。また、下側のバッファ層が上側のバッファ層よりも厚いことが好ましい。
【００１７】
基板の上の少なくとも二層の水晶層（バッファ層）は、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により生成させることが好ましい。すなわち、本発明の水晶結晶薄膜は、バッファ層の上に、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、エピタキシャル成長した水晶結晶膜を堆積させる方法で形成されるので、本発明の水晶結晶薄膜の形成に際して、基板の上に、バッファ層と水晶結晶薄膜とを、同一の原料を用いて連続的に形成させることが好ましい。
【００１８】
上記のケイ酸アルコキシドと酸素との反応による二層以上の水晶層（バッファ層）の形成と、そのバッファ層上の水晶結晶薄膜の形成は、大気圧気相エピタキシャル成長法により実施することが好ましい。この大気圧気相エピタキシャル成長法は、前述のように、特開２００２−８０２９６号公報に詳しく記載されている。従って、本明細書では、大気圧気相エピタキシャル成長法については、簡単な記載に止める。大気圧気相エピタキシャル成長法についての詳しい説明は、上記の特開２００２−８０２９６号公報を参照されたい。
【００１９】
大気圧気相エピタキシャル成長法は、容器内に収容した基板に、大気圧（本明細書において、大気圧とは、大気圧のみならず、大気圧に近い圧力（大気圧の二倍以内で、１／２以上の圧力）を意味する）にて、気体化したケイ酸アルコキシドと酸素とを接触させて、ケイ酸アルコキシドの酸化により生成する水晶を基板上に堆積させる方法である。ケイ酸アルコキシドとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、あるいはそれらの任意の組合せの混合物が用いられる。また、酸素は、オゾン、一酸化二窒素、あるいは水などの酸素供給源であってもよい。ケイ酸アルコキシドの酸化は、塩化水素などの反応促進剤を存在させることにより促進されるので、このような反応促進剤の使用も好ましい。
【００２０】
ケイ酸アルコキシドと酸素との反応による基板表面へのバッファ層（結晶相と非晶質相とが混在する層）の堆積は、たとえば、同一のケイ酸アルコキシドと酸素との反応によって水晶結晶薄膜を生成堆積させる温度（基板の温度、以下同じ）に比べて低い温度（たとえば、２０〜２００℃低い温度）で反応を進行させることにより実現することができる。なお、本発明の二層以上のバッファ層の形成に際して、上側バッファ層の形成は、下側のバッファ層の形成の温度よりも低い（例えば、１０〜１００℃低い）温度（例えば、４００〜５３０℃の範囲の温度）で行なう。また、各バッファ層の形成後に、アニール処理を施すことにより結晶性の調整を行なうことが好ましい。
【００２１】
本発明の水晶結晶薄膜の製造方法において、二以上のバッファ層は、基板の格子定数と水晶結晶薄膜の格子定数との中間の格子定数を持ち、特に下側のバッファ層が基板の格子定数に近い格子定数を持ち、上側のバッファ層が水晶結晶薄膜の格子定数に近い格子定数を持ち、基板の格子定数と水晶結晶薄膜の格子定数との相違を緩和する機能を持つものと考えられる。
【００２２】
二以上のバッファ層の上には、ケイ酸アルコキシドと酸素との反応により、エピタキシャル成長した水晶結晶薄膜が形成される。この水晶結晶薄膜は、上記のバッファ層の形成と同様に、大気圧気相エピタキシャル成長法で行なうことが好ましい。ただし、バッファ層上に水晶結晶薄膜を堆積形成させる場合には、基板温度を、バッファ層の形成の際の基板温度にくらべて、２０〜２００℃高い温度に設定することが好ましい。ただし、水晶結晶薄膜の生成に最適な基板温度は、５５０〜６００℃の範囲の温度である。
【００２３】
本発明の水晶結晶薄膜の製造方法に際して、基板として、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、もしくはサファイア基板、特に（１１０）Ａ面を有するサファイア基板を用いると、二層以上のバッファ層の上に、ＡＴカット面が優先的に配向して（すなわち、基板表面、特にサファイア基板の（１１０）Ａ面に、約３゜傾斜した方向にカット面が優先的に配向して）成長した水晶結晶薄膜が容易に生成する。
【００２４】
なお、基板上に二層以上のバッファ層を介して積層された水晶結晶薄膜は、その積層体を加温もしくは冷却することにより、基板、バッファ層、そして水晶結晶薄膜のそれぞれの熱膨張係数の違いによって、基板とバッファ層から剥離させることが可能である。あるいは、同様の温度制御を利用して、一層もしくは二層以上のバッファ層を付けたまま、基板から剥離させることができる。そのように基板から剥離させた水晶結晶薄膜は、その後、所定の加工を行なうことによって、発振子、振動子、高周波フィルタ用表面弾性波素子、光導波路、半導体基板、あるいはそれらの部品として用いることができる。また、基板として透明な基板を用いれば、水晶結晶薄膜は、基板に積層した状態で光学部品として利用することも可能である。
【実施例】
【００２５】
表面を研磨した光学グレードのサファイア基板の表面［（１１０）Ａ面、１０ｍｍ×１０ｍｍ］に、テトラエトキシシラン［Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4：９９．９９９％］と酸素［９９．９９９％］とから、塩化水素の存在下に、大気圧気相エピタキシャル成長法（ＡＰＶＰＥ）を利用して、下記の条件により水晶結晶薄膜を生成させた。
【００２６】
（１）石英製の縦型の反応器を用意し、この反応器の内部に、サファイア基板を装着し、基板を５００℃に加熱した。次に、基板温度を５００℃に維持した状態で３０分間かけ、反応器に、７０℃に加熱したテトラエトキシシラン中を通した窒素ガス（窒素ガス希釈テトラエトキシシランガス）を導入した。また、該反応器に窒素ガス希釈酸素ガスを導入し、同時に窒素ガス希釈した塩化水素ガス（反応促進剤）を該反応器に導入して、テトラエトキシシランガスを分解させ、生成した水晶化合物を基板上に堆積させ、成長させて、下側バッファ層を形成した。なお、これらの気体の反応器内への導入は、互いに異なるガス導入口を用いて行なった。
反応器には、テトラエトキシシランガス、酸素、そして塩化水素ガスの分圧が、それぞれ、３．３×１０2Ｐａ、３．３×１０4Ｐａ、そして１．７×１０2Ｐａとなるように導入した。
形成された下側バッファ層は、厚みが１００ｎｍであり、１０％の結晶相と９０％の非晶質相とからなっていた。
次いで、反応器内への各気体の導入を中断し、基板を１５分間、５５０℃に加熱することにより、下側バッファ層をアニールした。
【００２７】
（２）次に、基板温度を４５０℃に下げ、各気体の導入を再開し、３０分間かけて、テトラエトキシシランガスを分解させ、生成した水晶を基板上の下側バッファ層の上に堆積させ、成長させて、上側バッファ層を形成した。
形成された上側バッファ層は、厚みが５０ｎｍであり、２５％の結晶相と７５％の非晶質相とからなっていた。
次いで、反応器内への各気体の導入を中断し、基板を１５分間、５７０℃に加熱することにより、上側バッファ層をアニールした。
【００２８】
（３）最後に、基板を５７０℃に維持したまま、各気体の導入を再開し、６０分間かけて、テトラエトキシシランガスを分解させ、生成した水晶を基板上の上側バッファ層の上に堆積させ、エピタキシャル成長させて、水晶結晶薄膜を形成した。形成された水晶結晶薄膜は、厚みが１１μｍであった。
【００２９】
（４）形成された水晶結晶薄膜を温度調節を利用して基板から剥離させ、Ｘ線回折とＸ線ポールフィギュア測定とを行なった結果、図２と図３にそれぞれ示すＸ線回折図とＸ線ポールフィギュア図とが得られた。これらの結果から、この水晶結晶薄膜は、（００１）面方向から約３゜傾斜した、すなわち、いわゆるＡＴカット面に優先配向していることが確認された。また、このＸ線回折図の半値幅が狭いことから、この水晶結晶薄膜は高い結晶性を持つことが確認された。
【００３０】
さらに、上記の水晶結晶薄膜をネットワークアナライザによる波形計測にかけたところ、図４に示すように、基本波１５０ＭＨｚの発振が確認された。ＡＴカットに正しく配向した水晶結晶薄膜であれば、膜厚と発振周波数とが、下記の関係を満たすことが知られている。
【００３１】
［数１］
発振周波数ｆ（ＭＨｚ）＝１６６６／膜厚（μｍ）
【００３２】
上記の水晶結晶薄膜は、上記関係式を満たしており、この計測からも、上記の水晶結晶薄膜は、ＡＴカット面に優先配向していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の水晶結晶薄膜の製造方法で得られる水晶結晶薄膜の代表的な層構成を示す図である。
【図２】実施例で得られた水晶結晶薄膜のＸ線回折図である。
【図３】実施例で得られた水晶結晶薄膜のＸ線ポールフィギュア図である。
【図４】実施例で得られた水晶結晶薄膜のネットワークアナライザによる波形計測により得られた計測図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  積層体
１１  基板
１２  下側水晶層（下側バッファ層）
１３  上側水晶層（上側バッファ層）
１４  水晶結晶薄膜
【図１】
2005154210.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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