(57)【要約】  【課題】  研磨スラリーとのなじみがよく、物性の変化や寿命の劣化の低減を図った研磨パッド、それを用いた研磨方法および研磨装置を提供する。  【解決手段】  プラズマを用いた表面処理によって、研磨パッド２の表面の親水性を、内部に比べて高くし、研磨スラリーとのなじみを改善し、研磨速度の向上あるいは研磨スラリーの消費量の低減を図る一方、研磨パッドの材質自体を親水性にした場合に比べて、研磨を中断しているような場合に、水含浸が内部に進行して研磨パッドが膨潤して物性が変化したり、寿命が短くなるといったことを抑制している。【選択図】        図２
2005342881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面処理によって、表面の親水性を、内部に比べて高めたことを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
前記表面の水膨潤度を、前記内部に比べて高くしたことを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
転落法による前記表面の転落角が、１０°以下であって、前進角が、１２０°以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記表面処理は、表面から１００μｍ以内の部分を処理するものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記表面処理が、プラズマ処理である請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨パッド。
【請求項６】
研磨パッドと被研磨物とを圧接し、研磨スラリーを供給しながら前記研磨パッドおよび前記被研磨物を相対移動させて研磨を行う方法であって、
前記研磨パッドを表面処理して表面の親水性を内部に比べて高める処理工程を含むことを特徴とする研磨方法。
【請求項７】
前記研磨パッド表面の前記被研磨物が圧接されている領域外で、前記処理工程における前記表面処理を行ないながら、前記被研磨物の研磨を行う請求項６に記載の研磨方法。
【請求項８】
前記表面処理が、プラズマ処理である請求項６または７に記載の研磨方法。
【請求項９】
研磨パッドと被研磨物とを圧接し、研磨スラリーを供給しながら前記研磨パッドおよび前記被研磨物を相対移動させて研磨を行う装置であって、
前記研磨パッドを表面処理して表面の親水性を内部に比べて高める表面処理手段を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項１０】
前記表面処理手段が、前記研磨パッドの表面をプラズマ処理するプラズマ発生装置であることを特徴とする請求項９に記載の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程などにおいて、化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：以下「ＣＭＰ」という）法によってウェハ等の被研磨物の平坦化処理などを行う際に用いられる研磨パッド、研磨方法および研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＣＭＰ法では、研磨パッドを定盤に保持し、ウェハ等の被研磨物を研磨ヘッドに保持して、研磨スラリーを供給しながら、研磨パッドと被研磨物とを加圧した状態で相対的に摺動させることによって研磨が行われる。
かかるＣＭＰ法においては、研磨スラリーと研磨パッドとのなじみが良くないと、研磨スラリーが、研磨パッドの全表面に十分に行き渡らないために、研磨パッドの全表面を、研磨に寄与させることができず、研磨速度を十分に高めることができない。研磨速度を高めるために、研磨スラリーを研磨パッドの全表面に十分に行き渡らせるには、研磨スラリーの供給量を多くしなければならず、研磨スラリーの消費量が多くなってしまう。
したがって、研磨速度を高め、研磨スラリーの消費量を低減するには、研磨パッドと研磨スラリーとのなじみを良くする必要があるが、ＣＭＰ法に用いられる研磨パッドは、その素材が主として疎水性のポリウレタンから構成されている。
このため、従来では、研磨パッドの材質を、親水性の高分子材料にしたり、あるいは、親水性改善のための添加剤を加える（例えば、特許文献１参照）ことによって、研磨スラリーとのなじみを良くしたものがある。
【特許文献１】特開２００３−１４５４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような従来例では、研磨パッドの材質自体の親水性を高めるものであるために、研磨を一時的に中断しているような場合でも、研磨スラリー等の水分が接触している限り、研磨パッド内部への水含浸が進行して研磨パッドが膨潤して物性が変化したり、寿命が短くなるという難点がある。
【０００４】
本発明は、上述のような点に鑑みてなされたものであって、研磨スラリーとのなじみが良く、物性の変化や寿命の劣化の低減を図った研磨パッド、それを用いた研磨方法および研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【０００６】
すなわち、本発明の研磨パッドは、表面処理によって、表面の親水性を、内部に比べて高めている。
【０００７】
ここで、内部とは、研磨パッドの表面処理されていない内側の部分をいう。
【０００８】
また、表面の親水性は、転落法による前記表面の転落角が、１０°以下であって、前進角が、１２０°以下であるのが好ましい。
【０００９】
また、表面処理は、表面から１００μｍ以内の部分を処理するものであるのが好ましい。
【００１０】
本発明によると、表面処理によって、表面の親水性を高めているので、表面における研磨スラリーとのなじみが良好となり、研磨スラリーを研磨パッドの全表面に十分に行き渡らせることができる一方、研磨パッドの材質自体の親水性を高めた従来例のように、研磨を一時的に中断しているような場合に、内部への水含浸が進行して研磨パッドが膨潤して物性が変化したり、寿命が短くなるといったことが抑制されることになる。
【００１１】
本発明の好ましい実施態様においては、前記表面の水膨潤度を、前記内部に比べて高くしている。
【００１２】
この実施態様によると、表面の水膨潤度を高めているので、被研磨物にスクラッチ等が生じるのを抑制することができる。
【００１３】
本発明の一実施態様においては、前記表面処理が、プラズマ処理であるのが好ましい。
【００１４】
この実施態様によると、プラズマ処理によって、比較的短時間で研磨パッドの表面の親水性を高めることができる。
本発明の研磨方法は、研磨パッドと被研磨物とを圧接し、研磨スラリーを供給しながら前記研磨パッドおよび前記被研磨物を相対移動させて研磨を行う方法であって、前記研磨パッドを表面処理して表面の親水性を内部に比べて高める処理工程を含むものである。
この表面処理は、研磨パッドの表面の接触角が、１０°以下になるように行うのが好ましい。また、この表面処理は、表面から１００μｍ以内の部分を処理するものであるのが好ましい。
また、表面の親水性を内部に比べて高める処理工程は、ドレッシングの際に行うようにしてもよい。
【００１５】
本発明によると、研磨パッドの表面の親水性を高める表面処理を行う処理工程を含んでいるので、この処理工程によって、研磨パッドの表面の親水性を高めることができ、研磨スラリーが研磨パッドに十分供給されて研磨速度が向上し、あるいは、研磨スラリーの消費量を低減することができる。しかも、研磨パッドの材質自体の親水性を高めた従来例のように、研磨を一時的に中断しているような場合に、水含浸が内部まで進行して研磨パッドが膨潤して物性が変化したり、寿命が短くなるといったことが抑制される。
【００１６】
本発明の好ましい実施態様においては、前記研磨パッド表面の前記被研磨物が圧接されている領域外で、前記処理工程における前記表面処理を行ないながら、前記被研磨物の研磨を行うものである。
【００１７】
この実施態様によると、研磨パッドの表面の親水性を高める表面処理を、被研磨物が圧接されている領域外で行いながら、同時に、被研磨物の研磨を行うことができる。
【００１８】
本発明の好ましい実施態様においては、前記表面処理が、プラズマ処理である。
【００１９】
この実施態様によると、プラズマ処理によって、比較的短時間で研磨パッドの表面処理を行なって、被研磨物の研磨を行うことができる。
また、本発明の研磨装置は、研磨パッドと被研磨物とを圧接し、研磨スラリーを供給しながら前記研磨パッドおよび前記被研磨物を相対移動させて研磨を行う装置であって、前記研磨パッドを表面処理して表面の親水性を内部に比べて高める表面処理手段を備えている。
【００２０】
本発明によると、研磨パッドの表面の親水性を高める表面処理手段を備えているので、この表面処理手段によって、研磨パッドの表面の親水性を高めることができ、研磨スラリーが研磨パッドに十分供給されて研磨速度が向上し、あるいは、研磨スラリーの消費量を低減することができる。しかも、研磨パッドの材質自体の親水性を高めた従来例のように、研磨を一時的に中断しているような場合に、水含浸が内部まで進行して研磨パッドが膨潤して物性が変化したり、寿命が短くなるといったことが抑制される。
【００２１】
本発明の好ましい実施態様においては、前記表面処理手段が、前記研磨パッドの表面をプラズマ処理するプラズマ発生装置である。
【００２２】
このプラズマとしては、空気プラズマや窒素ガスプラズマが好ましい。
【００２３】
この実施態様によると、プラズマ処理によって、比較的短時間で研磨パッドの表面処理を行なって、被研磨物の研磨を行うことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、表面処理によって、研磨パッドの表面の親水性を高めているので、表面における研磨スラリーとのなじみが良好となり、研磨スラリーを研磨パッドの全表面に十分に行き渡らせることができるので、研磨速度を向上させ、あるいは、研磨スラリーの消費量を低減することが可能となる。しかも、研磨パッドの材質自体の親水性を高める従来例のように、内部への水含浸が進行して研磨パッドの物性が変化したり、寿命が短くなるのを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面によって本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は、本発明に係る研磨パッドを用いたＣＭＰ装置の概略構成図である。
【００２７】
同図において、１は本発明に係る研磨パッド２が貼り付けられた円盤状の定盤（プラテン）、３は研磨パッド２の一方側に配置され、半導体基板（ウエハ）等の被研磨物４を保持する円盤状の研磨ヘッド、５は研磨パッド２の中心部に研磨スラリー１５を供給する供給ノズル、６，７は定盤１および研磨ヘッド３を回転可能に支持する回転軸である。
【００２８】
かかるＣＭＰ装置においては、研磨ヘッド３は、被研磨物４を所定圧力で研磨パッド２に圧接させた状態で、回転軸７の回転によって回転し、同時に、供給ノズル５から研磨パッド２の中心部に研磨スラリー１５を供給しつつ、定盤１を回転軸６によって回転させることにより、研磨パッド２および被研磨物４を相対移動させて被研磨物４の表面を研磨する。
【００２９】
研磨パッド２は、ＣＭＰ装置に一般的に使用される研磨パッドであればよく、例えば、発泡ポリウレタン樹脂製であり、独立発泡構造あるいは連続発泡構造の単層パッドであってもよいし、その下地層としてポリウレタン含浸不織布やスポンジを張り合わせた二層パッドであってもよい。
【００３０】
この実施の形態の研磨パッド２では、物性の変化や寿命を劣化させることなく、研磨スラリーとのなじみを良くするために、次のようにしている。
【００３１】
すなわち、この実施の形態の研磨パッド２は、成型後に表面処理され、表面の親水性および水膨潤度を高めている。
【００３２】
この表面処理は、例えば、図２に示されるプラズマ処理装置を用いて行われる。
このプラズマ処理装置は、大気圧下において、誘電体８，９を介して対向するように配置された一対の電極１０，１１間に、パルス電源１２によってＤＣパルス電圧を印加し、矢符で示されるようにプラズマを発生させて研磨パッド２の表面をプラズマ処理するものである。１３はスペーサである。なお、本発明の他の実施の形態として、ＤＣパルス電圧に代えて、高周波電圧を印加してもよい。
【００３３】
このプラズマ処理によって、研磨パッド２の表面の親水性および水膨潤度を、内部に比べて高めることができる。
すなわち、プラズマ処理によって、研磨パッド１２を構成する高分子材料の主鎖の一部が切断されるとともに、水酸基などの親水基に置換されることになり、これによって、親水性が向上するとともに、膨潤し易くなる。
【００３４】
ここで、プラズマ処理される表面の深さは、研磨に対するパッド物性変化の影響が生じないようにするため、および、表面処理に要する時間を短くするために、可及的に浅いのが好ましく、例えば、表面から１００μｍ以内、より好ましくは、１０μｍ以内である。
【００３５】
このプラズマ処理によって、表面の親水性が高まり、水の表面接触角転落法による前記表面の転落角および前進角が、表面処理されていない内部、すなわち、表面処理前の表面の転落角および前進角よりもそれぞれ小さいものである。
【００３６】
ここで、転落法による接触角の測定は、図３に示すように、試料の表面に、水滴２０を滴下し、試料を載せた基台部を水平面２１に対して一定の割合で傾斜させ、水滴２０が移動を開始した時における水滴下部の接触角を前進(接触)角θａ、水滴上部の接触角を後退(接触)角θｂ、試料の傾斜角度を転落角αとして行うものである。
【００３７】
このプラズマ処理によって、表面の親水性が高まり、転落法による表面の転落角αが、１０°以下であって、前進角θａ１２０°以下となるのが好ましい。
【００３８】
なお、表面の転落角αおよび前進角θａは、可及的に小さい方がよい。
【００３９】
また、プラズマ処理によって、表面の水膨潤度が、表面処理されていない内部の水膨潤度、すなわち、表面処理前の表面の水膨潤度よりも高く、好ましくは、３％以上高いものである。この表面の水膨潤度は、可及的に高いものであるのが好ましい。
【００４０】
ここで、水膨潤度は、水に２４時間浸漬した厚さ０.１ｍｍ、一辺１ｍｍの正方形のサンプルの浸漬前後の一辺の長さから次式で算出される。
【００４１】
水膨潤度(％)＝〔（浸漬後の長さ−浸漬前の長さ）／浸漬前の長さ〕×１００
なお、長さの計測については、顕微鏡下における水中において行われる。
【００４２】
次に、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００４３】
発泡ポリウレタン樹脂製の研磨パッドを、上述のプラズマ処理装置を用いて、１０ｋＨｚ、５００ＷのＤＣパルスプラズマによって、空気中で１０秒間、表面処理した。
【００４４】
このプラズマ処理した研磨パッドと、プラズマ処理していない従来の研磨パッドとの比較を行った。
【００４５】
プラズマ処理の直後の上述の転落角αは、０°であった。そこで、プラズマ処理の３ヶ月経過後に、転落法による接触角の測定を行った。このときの転落角α、前進角θａおよび後退角θｂは、それぞれα＝９°、θａ＝９１°、θｂ＝６８°であった。
【００４６】
なお、プラズマ処理を行っていない従来の研磨パッドの場合には、転落法による転落角α、前進角θａおよび後退角θｂは、それぞれα＝１７°、θａ＝１０７°、θｂ＝６５°であった。
【００４７】
このように表面処理後の研磨パッドは、プラズマ処理から３ヶ月を経過した後でも、従来例の研磨パッドに比べて、転落角αおよび前進角θａが、小さくなっており、親水性(濡れ性)が向上していることが分かる。
【００４８】
このようにプラズマ処理した研磨パッドは、従来例の研磨パッドに比べて、親水性(濡れ性)が向上して研磨スラリーとのなじみが良く、研磨速度の向上あるいは研磨スラリーの消費量の低減を図ることができる。
【００４９】
また、定盤に張り替えられた直後の新しい研磨パッドは、被研磨物の研磨に使用する前に、その表面を適度に荒らして研磨スラリーとのなじみを良くして研磨速度を向上させるなどの目的で、ダイヤモンド砥石などを用いたドレッシング、いわゆるブレークイン(ならし)が行われるが、プラズマ処理した研磨パッドは、親水性が向上して研磨スラリーとのなじみが良いので、ブレークインに要する時間の短縮を図ることもできる。
【００５０】
（実施の形態２）
図４は、本発明に係る研磨方法を適用した本発明に係るＣＭＰ研磨装置の概略構成図であり、上述の図１に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００５１】
上述の実施の形態では、研磨パッド２は、成型後にプラズマ処理されていたのに対して、この実施の形態の研磨方法は、被研磨物４の研磨中に、同時に研磨パッド２の表面処理を行うものである。
【００５２】
すなわち、この実施の形態では、研磨パッド２の被研磨物４が圧接される領域外には、研磨パッド２の表面に対向するように、表面処理手段としてのプラズマ発生ヘッド１４が、矢符で示されるように、研磨パッド２の半径方向に移動自在に配置されている。このプラズマ発生ヘッド１４を、回転する研磨パッド２の半径方向に往復移動させながら中性のプラズマエアーを吹き出して研磨パッド２の表面全体を、プラズマ処理するようにしている。なお、図４において、２ａは、プラズマ発生ヘッド１４からのプラズマエアーによってプラズマ処理される領域を示している。
【００５３】
このプラズマ発生ヘッド１４は、一対の電極間に高電圧を印加して強制的にアーク放電させてプラズマを発生し、前記電極間に空気を送風してプラズマを拡張して研磨パッド２に吹き付けるものであり、従来公知（例えば、特開２００３−１０９７９４号参照)のものである。
【００５４】
このように、被研磨物４を研磨しながら同時に研磨パッド２をプラズマ処理して親水性を改善するので、研磨速度の向上を図ることができるとともに、従来例に比べてドレッシング回数を低減することが可能となる。
【００５５】
プラズマ発生ヘッド１４としては、例えば、図５に示す構成であってもよい。この図５に示すプラズマ発生ヘッド１４は、円筒の外管３０内に、環状の支持部材３１を介して円筒の内管３２を同心状に配置した二重管構造となっている。
【００５６】
外管３０は、例えば、ステンレスからなり、内管３２は、表面が絶縁体で覆われたステンレスからなり、また、支持部材３１は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンからなり、この支持部材３１には、ガスの流路となる複数の貫通孔３３が、円周状に形成されている。
【００５７】
矢符で示すように、内管３２と外管３０との間には、空気あるいは窒素を供給するとともに、内管３２内には、冷却用として空気あるいは窒素を供給し、内管３２と外管３０との間に、高周波電源３４から高周波電圧を印加して絶縁体バリア放電によってプラズマを発生し、研磨パッドに吹き付けて表面処理するものである。
【００５８】
本発明の他の実施の形態として、複数のプラズマ発生ヘッド１４を、研磨パッド２の半径方向に並設し、プラズマ発生ヘッド１４を往復移動させることなく、研磨中に、回転する研磨パッド２の表面全体を処理するようにしてもよい。
【００５９】
また、研磨パッド２による被研磨物４の研磨と、プラズマ発生ヘッド１４による研磨パッド２の表面処理とは、必ずしも同時に行う必要はなく、研磨を中断して表面処理を行うようにしてもよい。
【００６０】
研磨中の研磨パッド２の表面には、図６に示されるように、研磨スラリー１５が水膜として存在しているが、プラズマ発生ヘッド１４から吹き出すプラズマ化されたドライエアーなどの圧力を、例えば、５０ｋＰａ以上にすることによって、水を排除しながら表面処理を連続的に行うことができる。
【００６１】
このようにして、被研磨物４の研磨工程中において、研磨パッド２の表面をプラズマ処理して親水性を高めるとともに、水膨潤度を高めるようにしている。
【００６２】
研磨パッド２の表面の親水性が高まって濡れ性が向上するので、研磨スラリー１５が十分に供給され、また、水膨潤度が高まることによって、研磨パッド２の表面が柔らかくなって被研磨物４にスクラッチ等が生じるのを抑制することができる。
【実施例２】
【００６３】
次に、本発明の研磨方法を適用した研磨パッドと従来例の研磨パッドとを用いて研磨試験を次のようにして行った。
【００６４】
すなわち、ウェハの研磨を１枚終了する毎に、研磨を中断してプラズマ処理を行った本発明に係る実施例の研磨パッドと、プラズマ処理を行っていない従来例の研磨パッドとをそれぞれ用いて酸化膜を研磨して研磨速度を測定した。
【００６５】
研磨パッドとしては、ＩＣ１０００（ニッタ・ハース株式会社製）を用い、研磨条件は、定盤直径約２０ｃｍの小型研磨機を用い、研磨圧力：３ｐｓｉ、プラテン回転数：６４ｒｐｍ、定盤回転数：１８０ｒｐｍ、スラリー流量：３０ｃｃ／ｍｉｎとし、砥粒としてシリカを含むスラリーを使用した。
【００６６】
また、プラズマ処理条件は、パルス電源電圧：２０ｋＶ、周波数：１０ｋＨｚ、空気中にて処理時間１０秒とした。
【００６７】
図７は、その結果を示すものであり、横軸はウェハの処理枚数を、縦軸は研磨速度（研磨レート）（Å／ｍｉｎ）を示している。なお、従来例および実施例のいずれもダイヤモンド砥石を用いた初期ドレッシングを行った。
【００６８】
この図７に示すように、ウェハの研磨が終了する度に、プラズマ処理を施した本発明の実施例では、プラズマ処理していない従来例に比べて、ウェハの処理枚数に拘わらず、研磨速度が向上していることが分かる。研磨速度が安定している２枚目以降では、従来例の研磨速度が、約１８００Å／ｍｉｎであるのに対して、本発明の実施例では、研磨速度が、約２６００Å／ｍｉｎと向上している。
【００６９】
すなわち、プラズマ処理した本発明の実施例では、研磨パッドの親水性が向上し、研磨スラリーとのなじみが良好となって研磨パッドの全表面を効率的に研磨に寄与させることができ、これによって、研磨速度を向上させることができる。
【００７０】
また、上述の研磨試験後の従来例の研磨パッドとプラズマ処理した実施例の研磨パッドとを、純水洗浄し、２４時間自然乾燥させたものを測定サンプルとして接触角を測定した。測定には、協和界面科学（株）製の接触角計を用いて、通常の静的接触角測定方法によって測定した。
【００７１】
その結果、従来例の研磨パッドは、接触角が、６４°であったのに対して、実施例の研磨パッドは、接触角が、１°未満であった。
【００７２】
この接触角としては、１０°以下であることが好ましい。すなわち、本発明の研磨方法では、研磨パッド２の表面の接触角が、１０°以下になるように表面処理するのが好ましい。
【００７３】
このように研磨の途中でプラズマ処理を行った実施例の研磨パッドは、プラズマ処理を行わない従来例の研磨パッドに比べて、接触角が大幅に小さくなっており、親水性(濡れ性)が向上していることが分かる。
【００７４】
次に、研磨スラリーの流量を変えて、上述と同様にプラズマ処理した実施例の研磨パッドとプラズマ処理していない従来例の研磨パッドとを用いて上述と同様に酸化膜を研磨してその研磨速度を測定した。研磨スラリーとしては、ＩＬＤ１３００（ニッタ・ハース株式会社製）を用いた。
【００７５】
図８は、その結果を示すものであり、横軸は、スラリー流量（ｍｌ／ｍｉｎ）を、縦軸は研磨速度（研磨レート）（Å／ｍｉｎ）を示している。
【００７６】
この図８に示すように、同一のスラリー流量では、プラズマ処理を行った実施例の研磨速度は、プラズマ処理を行っていない従来例の研磨速度に比べて向上している。言い換えると、プラズマ処理した実施例では、スラリー流量を少なくしても従来例と同様の研磨速度を得ることができ、スラリーの消費量を低減することができる。
【００７７】
すなわち、プラズマ処理を行った実施例の研磨パッドは、親水性が向上して研磨スラリーとのなじみが良くなるので、従来例の研磨パッドに比べて、研磨スラリーの水の膜が、より薄い状態で研磨パッドの全表面に広がることができ、その分、研磨スラリーの消費量を低減することができるものである。
【００７８】
なお、この研磨方法に用いる研磨パッド２は、上述の実施の形態１のように、予め表面処理された研磨パッドであってもよいし、表面処理されていない従来の研磨パッドであってもよい。
【００７９】
(その他の実施の形態)
上述の実施の形態では、プラズマ処理によって、研磨パッド表面の親水性を高めたけれども、プラズマに限らず、紫外線やＸ線などの電磁波を用いるようにしてもよい。
【００８０】
上述の実施の形態では、研磨パッドは、発泡ポリウレタン樹脂製であったけれども、ウレタン樹脂に限らず、研磨パッドに通常使用される他の樹脂、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂などであってもよく、また、非発泡樹脂であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、半導体や電子部品などの研磨に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る研磨パッドを備えるＣＭＰ装置の概略構成図である。
【図２】プラズマ処理装置の概略構成図である。
【図３】転落法による接触角の測定を示す図である。
【図４】本発明に係る研磨方法を適用した本発明に係るＣＭＰ装置の概略構成図である。
【図５】プラズマ発生ヘッドの一例の概略構成図である。
【図６】図４のプラズマ処理を説明する一部拡大図である。
【図７】プラズマ処理を行った場合と行わなかった場合の研磨レートを示す図である。
【図８】スラリー流量と研磨レートとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１    定盤        ２  研磨パッド      ４  被研磨物
１４  プラズマ発生ヘッド    １５  研磨スラリー
【図１】
2005342881.tif 000003
【図２】
2005342881.tif 000004
【図３】
2005342881.tif 000005
【図４】
2005342881.tif 000006
【図５】
2005342881.tif 000007
【図６】
2005342881.tif 000008
【図７】
2005342881.tif 000009
【図８】
2005342881.tif 000010