(57)【要約】【課題】  垂直配向タイプの液晶表示装置において、液晶分子の配向規制を好適に行うことができ、しかも光漏れ等の表示不具合の生じ難い構成を提供する。【解決手段】  本発明は垂直配向タイプの液晶表示装置であって、画素電極３１とＴＦＤ素子４０とを電気的に接続するためのコンタクトホール３２と、液晶層厚を規制するためのスペーサーＳＰが、基板面内において、それぞれ異なる位置であって、画素電極３１の島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃと枝状部３９の非形成領域に配設されてなることを特徴とする。【選択図】    図３
2005321522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、
前記液晶層が、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、
前記一対の基板が素子基板と対向基板とであって、前記素子基板は、スイッチング素子と、該スイッチング素子上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された画素電極とを有し、前記画素電極が、複数の島状部とこれら複数の島状部間を連結する枝状部とを有して構成されており、前記スイッチング素子と前記画素電極とは、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる一方、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の液晶層側には、前記液晶層の層厚を規制するためのスペーサーが配設されており、
前記コンタクトホール及び前記スペーサーが、基板面内において、それぞれ異なる位置であって、前記画素電極の島状部と枝状部の非形成領域に配設されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スペーサーが配設された基板側には、前記スペーサーを平面的に重畳する遮光部が形成されてなり、該遮光部を平面視した場合の面積が、前記スペーサーを平面視した場合の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記素子基板には、前記スイッチング素子に対して信号を供給するための信号線が配設されており、該信号線が遮光性材料から形成され、且つ前記スペーサーを平面的に重畳する形にて形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記対向基板の液晶層側であって、前記複数の島状部の中心部に平面的に重なる位置には、液晶分子の配向を制御するための配向制御手段が配設されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記島状部の平面形状が、略円形状もしくは略多角形状であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に垂直配向型の液晶を用いた液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、垂直配向タイプの液晶装置が液晶テレビ、携帯電話の表示画面等で実用化されている。垂直配向タイプの液晶表示装置としては、例えば特許文献１に開示されたようなものがある。具体的には、薄膜トランジスタ、信号線を覆って形成された層間絶縁膜（オーバーレイヤ）の上に画素電極を形成し、画素電極と薄膜トランジスタ及び／又は信号線との間の電界（斜め電界）発生を防止ないし抑制することで、垂直配向型液晶の配向乱れを抑える技術が開示されている。
【特許文献１】特開平９−２３６８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の液晶表示装置では、コンタクトホール上も画素電極の一部になっていて、画素電極は略四角形であるので開口率（すなわち透過率）が高くなる構造となってはいるが、コンタクトホールの形成領域においては画素電極表面に凹状の傾斜面が付与されるため、その近傍において垂直配向型液晶の配向乱れが生じる惧れがある。また、コンタクトホール以外にも、液晶層厚を規制するスペーサー周辺においても、垂直配向型液晶の配向乱れが生じる場合がある。このような配向乱れは、光漏れ等を生じ、コントラスト低下等の表示不具合に繋がるものである。
【０００４】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、垂直配向タイプの液晶表示装置において、液晶分子の配向規制を好適に行うことができ、しかも光漏れ等の表示不具合の生じ難い構成を提供することを目的としており、さらには該液晶表示装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記液晶層が、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、前記一対の基板が素子基板と対向基板とであって、前記素子基板は、スイッチング素子と、該スイッチング素子上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された画素電極とを有し、前記画素電極が、複数の島状部とこれら複数の島状部間を連結する枝状部とを有して構成されており、前記スイッチング素子と前記画素電極とは、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる一方、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の液晶層側には、前記液晶層の層厚を規制するためのスペーサーが配設されており、前記コンタクトホール及び前記スペーサーが、基板面内において、それぞれ異なる位置であって、前記画素電極の島状部と枝状部の非形成領域に配設されてなることを特徴とする。
【０００６】
このような液晶表示装置は、垂直配向タイプのアクティブマトリクス型の液晶表示装置であって、スイッチング素子と画素電極との間に絶縁層（層間絶縁層）を形成しているため、該スイッチング素子と画素電極との間に電界が生じるのを防止ないし抑制することができ、その結果、該電界に起因する液晶分子の配向不良発生を防止ないし抑制することが可能となる。
また、画素電極が複数の島状部と該島状部を連結する枝状部とにより構成されているため、対向基板側に形成された電極（対向電極）との間で、島状部の周りに沿って斜め電界を生じせしめることが可能となり、その結果、該斜め電界に沿った液晶分子の配向規制を実現することが可能となる。したがって、島状部毎に液晶分子の配向分割を行うことができ、画素電極内で無秩序な配向が生じる不具合を防止ないし抑制することができるようになる。
また、本発明では上述のようにスイッチング素子と画素電極との間に絶縁層を介在させ、該絶縁層にコンタクトホールを形成することで両者の電気的接続をとっているが、該コンタクトホールの形成領域においては液晶層の挟持面に凹形状が付与されることが多く、該凹形状に起因して液晶分子の配向乱れが生じ易い。したがって、コンタクトホールを画素電極と平面視重畳する形で配設することは好ましくない。そこで、本発明では、該コンタクトホールを上記画素電極の島状部と枝状部の非形成領域に形成するものとし、つまり表示に寄与しない領域にコンタクトホールを形成するものとした。したがって、液晶分子の配向分割を目的として設計した島状部の間に形成される隙間を有効利用することができ、表示領域を無駄な浪費を防止することができる。また、この場合、コンタクトホールの形成に基づいて生じ得る液晶分子の配向不良が、画素電極の形成領域以外で生じるため、画素電極と重畳してコンタクトホールを形成する場合に比して、画素領域での配向不良発生を低減することができるようになる。
さらに、本発明では液晶層厚を規制するために、一対の基板の少なくとも一方にスペーサーを配設しているが、該スペーサーの周辺では液晶分子の配向乱れが生じ易い。そこで、該スペーサーを上記コンタクトホールと同様、画素電極の島状部及び枝状部の非形成領域に形成するものとしており、画素電極の隙間領域を有効利用しつつ、スペーサー周辺での液晶分子の配向不良が表示に与える影響（表示のしみや残像）を低減させることができる。なお、本発明の液晶表示装置に用いるスペーサーは、基板内面に樹脂材料を用いて形成したスペーサーを例示することができ、具体的にはフォトリソグラフィ法を用いて選択的に形成したフォトスペーサーを例示することができる。
【０００７】
本発明の液晶表示装置において、上記コンタクトホール及びスペーサーは４つの島状部で囲まれる領域に形成されているものとすることができる。また、島状部の形状としては平面視円形、多角形のいずれであっても良く、特に正多角形である場合には、秩序高い配向分割を実現することができるようになる。
【０００８】
また、前記スペーサーが配設された基板側には、前記スペーサーを平面的に重畳する遮光部が形成されてなり、該遮光部を平面視した場合の面積が、前記スペーサーを平面視した場合の面積よりも大きいものとすることができる。そして、特に遮光部はスペーサーを配設した基板側に設けることが好ましく、この場合、スペーサーと遮光部との位置合わせを確実なものとすることができる。また、前記素子基板に、前記スイッチング素子に対して信号を供給するための信号線を遮光性材料にて形成し、該信号線を前記スペーサーを平面的に覆う形に形成した場合にも、スペーサーの形成領域を好適に遮光することができる。
【０００９】
一方、前記対向基板の液晶層側であって、前記複数の島状部の中心部に平面的に重なる位置には、液晶分子の配向を制御するための配向制御手段が配設されてなるものとすることができる。この場合、島状部の中心部から略放射状に液晶分子の配向を規制することが可能となる。なお、配向規制手段としては、例えば対向基板に設けられた電極の一部を切り欠いた開口部からなるもの、対向基板から液晶層に向けて突出する凸部からなるもの等を例示することができる。
【００１０】
次に、本発明の電子機器は、上記本発明の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、広視野角で表示不良がなく、応答速度に優れた液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図４を参照して説明する。
本実施の形態の液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode, 以下、ＴＦＤと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例であって、特に垂直配向タイプの透過型液晶表示装置の例である。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１２】
図１は、本実施の形態の液晶表示装置１００についての等価回路を示している。この液晶表示装置１００は、走査信号駆動回路１１０およびデータ信号駆動回路１２０を含んでいる。液晶表示装置１００には、信号線、すなわち複数の走査線１３と、走査線１３と交差する複数のデータ線９とが設けられ、走査線１３は走査信号駆動回路１１０により駆動され、データ線９はデータ信号駆動回路１２０により駆動される。そして、各画素領域１５０において、走査線１３とデータ線９との間にＴＦＤ素子４０と液晶表示要素（液晶層）１６０とが直列に接続されている。なお、図１では、ＴＦＤ素子４０が走査線１３側に接続され、液晶表示要素１６０がデータ線９側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４０をデータ線９側に、液晶表示要素１６０を走査線１３側に設ける構成としても良い。
【００１３】
次に、図２に基づいて、本実施の形態の液晶表示装置１００の電極の平面構成について説明する。
図２に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００では、走査線１３にＴＦＤ素子４０を介して接続された画素電極３１がマトリクス状に設けられており、画素電極３１と紙面の垂直方向に対向して対向電極９が短冊状（ストライプ状）に設けられている。対向電極９は上述したデータ線のことであり、走査線１３と交差する形のストライプ形状を有している。
【００１４】
本実施の形態において、各画素電極３１が形成された個々の領域が１つのドット領域であり、マトリクス状に配置された各ドット領域毎にＴＦＤ素子４０が具備され、ドット領域毎に表示が可能な構造になっている。図２では簡易的に各画素電極３１を略矩形状に図示したが、実際には後述するように島状部と連結部とを有している。
【００１５】
ここで、ＴＦＤ素子４０は走査線１３と画素電極３１とを電気的に接続するスイッチング素子であって、ＴＦＤ素子４０は、Ｔａを主成分とする第１導電膜と、第１導電膜の表面に形成され、Ｔａ２Ｏ５を主成分とする絶縁膜と、絶縁膜の表面に形成され、Ｃｒを主成分とする第２導電膜とを含むＭＩＭ構造を具備して構成されている。そして、ＴＦＤ素子４０の第１導電膜が走査線１３に接続され、第２導電膜が画素電極３１に接続されている。
【００１６】
次に、図３、図４に基づいて本実施の形態の液晶表示装置１００の画素構成について説明する。図３は液晶表示装置１００の画素構成、特に画素電極３１の平面構成を示す模式図、図４は図３のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
本実施の形態の液晶表示装置１００は、図２に示したように、データ線９および走査線１３等にて囲まれた領域の内側に画素電極３１を備えてなるドット領域を有している。このドット領域内には、１つのドット領域に対応して３原色のうちの異なる色の１つの着色層が配設され、図３に示すように、３つのドット領域（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）で３つの着色層（青色Ｂ，緑色Ｇ，赤色Ｒ）を含む１つの画素を形成している。
【００１７】
本実施の形態の液晶表示装置１００は、図４に示すように、下基板（素子基板）１０とこれに対向配置された上基板（対向基板）２５との間に、初期配向状態が垂直配向状態を呈し、誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持されている。
【００１８】
図４の断面構成には全て示されていないが、下基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａの内面（基板本体１０Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０（図３参照）と、該ＴＦＤ素子４０に信号を供給するための走査線１３とを有しており、さらにこれらＴＦＤ素子４０と走査線１３とを覆う形にて形成された層間絶縁膜２９を有している。そして、該層間絶縁膜２９上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極３１が形成され、層間絶縁膜２９に形成されたコンタクトホール３２（図３参照）を介してＴＦＤ素子４０と画素電極３１とが電気的に接続されている。なお、画素電極３１の更に内面側には、ポリイミド等からなる垂直配向機能を持つ配向膜（図示略）が形成されている。
【００１９】
特に本実施の形態では、画素電極３１は、図３に示すように複数の島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃを含んで構成されており、隣接する各島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ同士が枝状の連結部（枝状部）３９を介して電気的に接続されている。つまり、本実施形態では、各ドット領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を、略同じ形状の複数（図３では３つ）のサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に分割して構成している。
【００２０】
通常、カラーフィルターを備えた液晶表示装置では、１つのドット領域の縦横比が約３：１となるので、本実施の形態のように、１つのドット領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３に３つのサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を設けると、１つのサブドット領域の形状が略円形や略正多角形となって全方向に広視野角化するのに好ましい。各サブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３（島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ）の形状は、図３では略正八角形状であるが、これに限らず、例えば円形状、その他の多角形状のものとすることができる。また言い換えると、画素電極３１において、各島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの間には、電極を部分的に切り欠いた形状のスリット（連結部３９，３９を除いた部分）が形成されていることになる。
【００２１】
一方、上基板２５は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの内面（基板本体２５Ａの液晶層側）にカラーフィルタＣＦを有し、該カラーフィルタＣＦは、着色層Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）を有している。カラーフィルタＣＦの内面側には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極９が形成され、対向電極９の更に内面側にはポリイミド等からなる配向膜（図示略）が形成されている。配向膜は液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものであって、ラビングなどの配向処理は施されていない。なお、図４において対向電極９は、紙面垂直方向に延びる形のストライプ状に形成されており、紙面垂直方向に並ぶ複数のドット領域に共通の電極として機能する。また、対向電極９には、配向制御手段としてのスリット（開口部）が形成されている。なお、この配向規制手段としては、スリット以外にも誘電体からなる突起を配設するものとしても良い。
【００２２】
一方、下基板１０の外面側（液晶層５０を挟持する面とは異なる側）に、位相差板１８と偏光板１９が設けられ、上基板２５の外面側にも位相差板１６と偏光板１７が設けられている。さらに、下基板１０に設けられた偏光板１９の外側には、透過表示用光源となるバックライト１５が設けられている。
【００２３】
そして、これら下基板１０と上基板２５との間には、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる液晶層５０が形成され、該液晶層５０の層厚を規制すべくスペーサーＳＰが介在している。なお、スペーサーＳＰは、上基板２５の内面側に配設されたフォトスペーサーであって、アクリル樹脂等を柱状にパターニングしてなるものである。
【００２４】
ここで、本実施の形態の液晶表示装置１００においては、液晶層５０の液晶分子の配向を規制するために、つまり、初期状態において垂直配向状態にある液晶分子について電極間に電圧を印加した際の傾倒方向を規制するために、上基板２５の対向電極９にスリット４３（図３にスリットの位置を例示してある）が形成されており、具体的には、画素電極３１の各島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの中心に対応する位置に形成されている。これにより、各サブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３においては、スリット４３から島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの周縁に沿って斜め電界が生じるため、該スリット４３を中心として放射状に液晶分子の傾倒方向が定められることとなる。
【００２５】
このようにサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３毎に液晶分子の配向を分割化することで、略全方向に均一に液晶分子を配向させることができるようになり、略全方向において均等に視野角を広げることが可能となる。そして、サブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３毎の秩序ある液晶分子の配向規制を実現することができるようになる。
【００２６】
ところで、本実施の形態では、ＴＦＤ素子４０と画素電極３１とが層間絶縁膜２９に形成されたコンタクトホール３２を介して電気的に接続されているが、該コンタクトホール３２の形成領域では、下基板１０の内面側、つまり液晶層５０の挟持面に凹状部が付与されることがある。つまり、コンタクトホール３２の窪みに応じて、液晶層５０の挟持面の一部に傾斜面が付与され、この場合、該傾斜面に沿って液晶分子の配向が乱れる惧れがある。したがって、該コンタクトホール３２の形成領域は遮光する必要があるが、コンタクトホール３２を画素電極３１の下方に形成した場合には、表示領域の一部が遮光されてしまうこととなり、その結果、開口率（透過率）が低下することとなる。
【００２７】
そこで、本実施の形態では、画素電極３１を複数の島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃに分割化したことに起因して生成される隙間領域、つまり１つのドット領域内での画素電極３１の非形成領域にコンタクトホール３２を形成することとしている。具体的には、図３に示すように、画素電極３１の異なる島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ間に形成される隙間領域にコンタクトホール３２を形成して、該隙間の有効利用を図っている。つまり、コンタクトホール３２を表示に寄与しない領域に形成しているため、コンタクトホール３２を遮光した場合にも、表示領域を遮光することにはならず、開口率（透過率）が低下することもない。また、この場合、コンタクトホール３２の形成に基づいて生じ得る液晶分子の配向不良が、画素電極３１の形成領域以外で生じるため、画素電極３１と重畳してコンタクトホール３２を形成する場合に比して、画素領域での配向不良発生を低減することができるようになる。なお、コンタクトホール３２の形成領域は、本実施形態では、金属材料からなるＴＦＤ素子４０の配線にて遮光している。
【００２８】
さらに、本実施の形態では、スペーサーＳＰについても、上記コンタクトホール３２とは異なる位置であって、画素電極３１の島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの間に形成される隙間領域に形成している。この場合も、島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの隙間領域を有効利用することができるようになる。また、スペーサーＳＰの周辺では液晶分子の配向乱れが生じ易いが、これを画素電極３１の島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの隙間領域に形成するものとしているため、スペーサーＳＰ周辺での液晶分子の配向不良が生じたとしても、該配向不良が表示領域に及ぼす影響を小さいものとすることができる。
【００２９】
なお、本実施形態では、スペーサーＳＰが配設された上基板２５側には、金属クロム等の遮光性部材からなる遮光部２８が形成されており、該遮光部２８は、これを平面視した場合の面積が、スペーサーＳＰを平面視した場合の面積よりも大きくなるように形成されている。また、特に本実施形態では、遮光部２８をスペーサーＳＰを配設した上基板２５側に設けているため、上基板２５と下基板１０との貼合せ精度に関係なく、スペーサーＳＰと遮光部２８との位置合わせを確実なものとすることができる。
【００３０】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図５及び図６を参照しつつ説明する。
図５は、第２の実施の形態の液晶表示装置について画素構成を模式的に示す断面図であり、第１の実施の形態の図３に相当する図である。また、図６は、図５のＢ−Ｂ’断面を示す模式図であり、第１の実施の形態の図４に相当する図である。第２の実施の形態の液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であり、画素電極の構成が異なるのみである。したがって、図５及び図６において図３及び図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３１】
第１の実施の形態においては、１つのドット領域を３つのサブドット領域に分けて画素を構成したが、第２の実施の形態では、１つのドット領域を２つのサブドット領域Ｓ１，Ｓ２に分けるものとした。これにより、第１の実施の形態に比して、島状部３１ａ，３１ｂ間の隙間領域の面積が小さくなり、開口率（透過率）を高めることができる。
【００３２】
また、第２の実施の形態では、スペーサーＳＰが下基板１０側に配設されている。さらに、第１の実施の形態では、スペーサーＳＰを上基板２５側の遮光部２８により遮光していたが、ここでは下基板１０側の走査線１３により遮光するものとしている。具体的には、走査線１３を遮光性の金属材料にて構成し、スペーサーＳＰの形成領域において選択的に拡幅することで、スペーサーＳＰを平面視した場合の面積よりも、該スペーサーＳＰと重畳する走査線１３を平面視した場合の面積が大きくなるように、当該走査線１３が設計されている。
【００３３】
なお、本実施の形態の液晶表示装置は、垂直配向タイプでノーマリーブラックの液晶表示装置であるため、スペーサーＳＰの形成領域を走査線１３で遮光し、コンタクトホール３２をＴＦＤ素子４０の配線で遮光することで、カラーフィルタＣＦにブラックマトリクスを形成する必要がなくなる。
【００３４】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態を図７及び図８を参照しつつ説明する。
図７は、本実施の形態の液晶表示装置の等価回路図であり、図８は、本実施の形態の液晶表示装置の１つの画素の平面図を示すものであって、第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。なお、図８において、図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３５】
本実施の形態の液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型で垂直配向タイプの液晶表示装置の例である。
【００３６】
本実施の形態の液晶表示装置において、図７に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極３１と、該画素電極３１を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００３７】
また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極３１はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３８】
画素電極３１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板側に形成された共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極３１と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。
【００３９】
次に、図８に基づいて、本実施の形態の液晶装置を構成する画素の平面構造について説明する。図８に示すように、画素電極３１の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａが設けられており、各画素電極３１および各画素電極３１を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａが形成された領域の内側が一つのドット領域であり、マトリクス状に配置された各ドット領域毎に表示が可能な構成になっている。
【００４０】
そして、第３の実施の形態においても、液晶分子の配向を規制すべく、１つのドット領域を３つのサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に分割するとともに、対向基板側に形成された対向電極（図示略）にスリット４３を形成している。つまり、画素電極３１が、複数の島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃと、これらを連結する枝状の連結部（枝状部）３９，３９から構成されている。
【００４１】
さらに、第１の実施の形態と同様、各島状部の間に形成された隙間領域に、ＴＦＴ３０と画素電極３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール３２と、液晶層厚を規制するためのスペーサーＳＰが形成されている。また、特にスペーサーＳＰをデータ線６ａにより遮光するものとしている。具体的には、データ線６ａを遮光性の金属材料にて構成し、スペーサーＳＰの形成領域において選択的に拡幅することで、スペーサーＳＰを平面視した場合の面積よりも、該スペーサーＳＰと重畳するデータ線６ａを平面視した場合の面積が大きくなるように、当該データ線６ａが設計されている。なお、コンタクトホール３２の形成領域は、ＴＦＴ３０の配線により遮光している。
【００４２】
このような第３の実施の形態においても、画素電極３１を複数の島状部に分割することで形成された隙間領域を有効利用すべく、コンタクトホール３２及びスペーサーＳＰを該隙間領域に形成している。これにより、コンタクトホール３２及びスペーサーＳＰを形成したことに基づく、表示の開口率（透過率）低下を抑えることができるようになる。また、本実施の形態の液晶表示装置は、垂直配向タイプでノーマリーブラックの液晶表示装置であるため、スペーサーＳＰの形成領域をデータ線６ａで遮光し、コンタクトホール３２をＴＦＴ３０の配線で遮光することで、カラーフィルタＣＦにブラックマトリクスを形成する必要がなくなる。また、本実施の形態では、容量線３ｂが、２つのサブドットＳ２，Ｓ３間に位置するように配設されており、これにより容量線３ｂの影響による開口率低下も抑制することができるようになる。
【００４３】
なお、図８に示す実施の形態では、データ線６ａを拡幅することでスペーサーＳＰの形成領域を遮光しているが、例えば図９に示すように容量線３ｂを拡幅することでスペーサーＳＰの形成領域を遮光することもできる。
【００４４】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた場合、広視野角で表示不良がなく、応答速度に優れた液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００４５】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では、配向制御手段として電極にスリット（開口部）を設けた例を示したが、液晶層に向けて突出する凸部を設けた場合でも、同様の作用、効果を得ることができる。また、本実施の形態では透過型の液晶表示装置を示したが、反射型あるいは半透過反射型の液晶表示装置に本発明を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の等価回路図。
【図２】第１の実施の形態の液晶表示装置の電極構成を示す平面図。
【図３】第１の実施の形態の液晶表示装置の画素構成を示す平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置について画素構成を示す平面図。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線に沿う断面図。
【図７】本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の等価回路図。
【図８】第３の実施の形態の液晶表示装置の画素構成を示す平面図。
【図９】第３の実施の形態の液晶表示装置の画素構成について一変形例を示す平面図。
【図１０】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４７】
９…対向電極、１０…下基板（素子基板）、２５…上基板（対向基板）、２９…層間絶縁膜（絶縁層）、３１…画素電極、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…島状部、３２…コンタクトホール、３９…連結部（枝状部）、４０…ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、５０…液晶層、ＳＰ…スペーサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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