(57)【要約】【課題】  液相法による機能性薄膜の形成において、特にコンビナトリアル・プロセスを適用することにより、機能性薄膜の特性の膜厚に対する依存性評価を容易にかつ効率的に行えるようにした、評価用薄膜の形成方法と、この形成方法を用いた電子デバイスの評価方法を提供する。【解決手段】  機能性薄膜の特性の、膜厚に対する依存性を評価するための評価用薄膜の形成方法である。基板１上に液状体を配して液状膜２を形成する工程と、基板１を真空装置３内に配し、真空装置３内を真空引きしつつ真空装置内にガスを流入させることで液状膜２の表面上に気流を生じさせ、これにより液状膜２を乾燥して気流方向に膜厚差のある評価用薄膜を形成する工程と、を備えている。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能性薄膜の特性の、膜厚に対する依存性を評価するための評価用薄膜の形成方法であって、
基板上に液状体を配して液状膜を形成する工程と、
前記基板を真空装置内に配し、該真空装置内を真空引きしつつ該真空装置内にガスを流入させることで前記液状膜の表面上に気流を生じさせ、これにより該液状膜を乾燥して前記気流方向に膜厚差のある評価用薄膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする評価用薄膜の形成方法。
【請求項２】
前記真空装置での真空引きを行うための吸引口を前記基板上の液状膜の一方の側に配し、前記ガスの流入口を前記前記基板上の液状膜の他方の側で、かつ前記吸引口と対向する側に配することにより、前記液状膜の表面上に気流を生じさせることを特徴とする請求項１記載の評価用薄膜の形成方法。
【請求項３】
前記ガスが不活性ガスであることを特徴とする請求項１又は２記載の評価用薄膜の形成方法。
【請求項４】
前記評価用薄膜の形成方法によって得られた評価用薄膜が、電子デバイスにおける機能性薄膜であり、この評価用薄膜からなる機能性薄膜の特性を評価することにより、前記電子デバイスの特性の膜厚依存性を評価することを特徴とする電子デバイスの評価方法。
【請求項５】
前記電子デバイスにおける機能性薄膜が、有機ＥＬ装置における機能層となる機能性薄膜であることを特徴とする請求項４記載の電子デバイスの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能性薄膜の特性の、膜厚に対する依存性を評価するための評価用薄膜の形成方法と、この形成方法を用いた電子デバイスの評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電子デバイスでは、系統的な特性評価を行う場合、複数の基板を用意して異なる条件でデバイスを作製し、これらデバイスの特性を調べることでその製造条件等についての評価を行っている。例えば有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）のように、その機能層を形成する薄膜、すなわち発光層や正孔注入層となる機能性薄膜の膜厚が、発光特性等について大きく影響するような場合では、複数の基板にそれぞれ膜厚を変えて機能層（発光層や正孔注入層）を形成し、機能層の膜厚のみが異なる複数種の有機ＥＬ装置を形成する。そして、これら有機ＥＬ装置についてそれぞれに発光特性等の測定を行い、得られた結果から膜厚依存性についての評価を行うようにしている。
【０００３】
しかしながら、このような評価方法では、膜厚毎に独立した有機ＥＬ装置をそれぞれ独立した基板上に形成する必要があることから、評価試験を行うごとに多くの基板を必要とし、さらに評価後大量の基板を廃棄することになってしまうため、評価にあたっての、特にコスト面での効率が極めて悪いといった問題があった。
【０００４】
ところで、例えば化学合成の分野においては、コンビナトリアル・ケミストリーと呼ばれるプロセスとして、複数の化合物を同時合成で得る手法が確立されている。このようなコンビナトリアル・プロセスとは、一度の実験において複数の条件を満たすことができるものであり、近年では薄膜形成の分野においても一部に採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３２９３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
また、近年では、電子デバイスにおける機能性薄膜の形成方法として、気相法に代えて液滴吐出法等の液相法を採用することが、ＣＶＤ装置などの高価な装置を必要とせず、したがってイニシャルコストを抑えることができるなどの理由により、有利であるとされている。
しかしながら、気相法（ＣＶＤ法）による膜形成に対しては、前述したように例えば前記特許文献１でコンビナトリアル・プロセスを適用することが知られているものの、液相法による膜形成に対しては、コンビナトリアル・プロセスを適用した例が現在のところ知られていない。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、液相法による機能性薄膜の形成において、特にコンビナトリアル・プロセスを適用することにより、機能性薄膜の特性の膜厚に対する依存性評価を容易にかつ効率的に行えるようにした、評価用薄膜の形成方法と、この形成方法を用いた電子デバイスの評価方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため本発明の評価用薄膜の形成方法は、機能性薄膜の特性の、膜厚に対する依存性を評価するための評価用薄膜の形成方法であって、
基板上に液状体を配して液状膜を形成する工程と、
前記基板を真空装置内に配し、該真空装置内を真空引きしつつ該真空装置内にガスを流入させることで前記液状膜の表面上に気流を生じさせ、これにより該液状膜を乾燥して前記気流方向に膜厚差のある評価用薄膜を形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
この評価用薄膜の形成方法によれば、液状膜の表面上に気流を生じさせつつ該液状膜を乾燥することにより、前記気流方向に膜厚差のある評価用薄膜を形成するようにしたので、一つの基板上に膜厚の異なる機能性薄膜（評価用薄膜）を同時にしかも容易に形成することができ、したがって液相法による膜形成に対してコンビナトリアル・プロセスを適用することが可能になる。
【０００８】
また、前記評価用薄膜の形成方法においては、前記真空装置での真空引きを行うための吸引口を前記基板上の液状膜の一方の側に配し、前記ガスの流入口を前記前記基板上の液状膜の他方の側で、かつ前記吸引口と対向する側に配することにより、前記液状膜の表面上に気流を生じさせるのが好ましい。
このようにすれば、液状膜の表面上に生じる気流が、流入口から吸引口に向けて乱れのない良好な気流となることから、得られる評価用薄膜を、前記流入口側から吸引口側に行くに連れてその膜厚が漸次厚くなるよう、その膜厚差をより良好に形成することができる。
【０００９】
また、前記評価用薄膜の形成方法においては、前記ガスが不活性ガスであってもよい。
このようにすれば、特に形成する機能性薄膜（評価用薄膜）が水分や酸素によって変質するものである場合に、これら水分や酸素の影響を排除して良好な機能性薄膜（評価用薄膜）を形成することが可能になる。
【００１０】
本発明の電子デバイスの評価方法は、前記評価用薄膜の形成方法によって得られた評価用薄膜が、電子デバイスにおける機能性薄膜であり、この評価用薄膜からなる機能性薄膜の特性を評価することにより、前記電子デバイスの特性の膜厚依存性を評価することを特徴としている。
この電子デバイスの評価方法によれば、前述したように液相法による膜形成に対してコンビナトリアル・プロセスが適用された評価方法となるので、評価試験を行うごとに多くの基板を必要とし、さらに評価後大量の基板を廃棄するといった不都合が解消されて効率的な評価が可能なる。
【００１１】
また、前記電子デバイスの評価方法においては、前記電子デバイスにおける機能性薄膜が、有機ＥＬ装置における機能層となる機能性薄膜であってもよい。
このようにすれば、特に機能層の膜厚依存性が高い有機ＥＬ装置について、その特性の膜厚依存性評価を効率的に行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明をその実施形態に基づいて詳しく説明する。 
まず、本実施形態では、図１に示すように基板１上に液状体を配し、液状膜２を形成する。ここで配する液状体としては、機能性材料、すなわち目的とする機能性薄膜となる固形材料と、これを溶解しあるいは分散させる溶媒（あるいは分散媒）とからなる溶液（あるいは分散液）とされる。
【００１３】
このような液状体の配置方法、すなわち塗布方法としては、特に限定されないものの、インクジェット法等の液滴吐出法が好適とされる。これは、例えばスピンコート法のように多量の材料を用いて大面積の薄膜を形成する方法に対し、少量の材料を所望箇所に選択的に配して所望パターンの薄膜を形成することができ、生産性や材料効率の点で有利だからである。なお、スピンコート法は、均質な膜厚の薄膜を形成するのには有利であるものの、塗布の終了と同時に乾燥もほぼ終了してしまうことから、本発明のごとく最終的に膜厚差のある薄膜を形成するためには不適である。
【００１４】
ここで、液滴吐出法の一種である前記インクジェット法は、例えば図２（ａ）、（ｂ）に示す吐出ヘッド３４を用い、これから液状体を液滴として吐出する方法である。
吐出ヘッド３４は、図２（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート１２と振動板１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１４を介して接合したものである。ノズルプレート１２と振動板１３との間には、仕切部材１４によって複数のキャビティ１５…とリザーバ１６とが形成されており、これらキャビティ１５…とリザーバ１６とは流路１７を介して連通している。
【００１５】
各キャビティ１５とリザーバ１６の内部とは液状体で満たされるようになっており、これらの間の流路１７はリザーバ１６からキャビティ１５に液状体を供給する供給口として機能するようになっている。また、ノズルプレート１２には、キャビティ１５から液状体を噴射するための孔状のノズル１８が縦横に整列した状態で複数形成されている。一方、振動板１３には、リザーバ１６内に開口する孔１９が形成されており、この孔１９には液状体タンク（図示せず）がチューブ（図示せず）を介して接続されるようになっている。
【００１６】
また、振動板１３のキャビティ１５に向く面と反対の側の面上には、図２（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）２０が接合されている。この圧電素子２０は、一対の電極２１、２１間に挟持され、通電により外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。
【００１７】
このような構成のもとに圧電素子２０が接合された振動板１３は、圧電素子２０と一体になって同時に外側へ撓曲し、これによりキャビティ１５の容積を増大させる。すると、キャビティ１５内とリザーバ１６内とが連通しており、リザーバ１６内に液状体が充填されている場合には、キャビティ１５内に増大した容積分に相当する液状体が、リザーバ１６から流路１７を介して流入する。
そして、このような状態から圧電素子２０への通電を解除すると、圧電素子２０と振動板１３はともに元の形状に戻る。よって、キャビティ１５も元の容積に戻ることから、キャビティ１５内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル１８から液状体の液滴２２が吐出される。
【００１８】
なお、吐出ヘッドの吐出手段としては、前記の圧電素子（ピエゾ素子）２０を用いた電気機械変換体以外でもよく、例えば、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた方式や、帯電制御型、加圧振動型といった連続方式、静電吸引方式、さらにはレーザーなどの電磁波を照射して発熱させ、この発熱による作用で液状体を吐出させる方式を採用することもできる。
また、液滴吐出法としては、前記のインクジェット法によることなく、単にピペットなどを用いて基板上に液滴を滴下する方法を採ることもできる。
【００１９】
このような吐出ヘッド３４等によって基板１上に液状体を配し、液状膜２を形成したら、この基板１を図３（ａ）、（ｂ）に示すように真空装置３内に収容する。真空装置３は、図３（ｂ）に示すように平面視矩形状のもので、基板１を載置する矩形状の載置台４を内部に有したものである。この真空装置３の一方の側には吸引口５が設けられ、この吸引口５には配管６を介して真空ポンプ７が接続されている。また、真空装置３の他方の側には流入口８が設けられ、この流入口８には配管９を介してガス供給源１０が接続されている。
【００２０】
吸引口５は、前記載置台４の一方の側で載置台４の載置面よりやや上方（基板１の厚さよりもやや大きい高さ）に配置されたもので、これにより載置台４上の基板１の、液状膜２の一方の側に配置されるよう構成されたものである。この吸引口５は、例えば図３（ｂ）に示したように、載置台４の短辺方向、すなわちＸ方向に沿って細長く形成されたもので、これによって載置台４上に載置された基板１の、液状膜２に対しＸ方向で均一に吸引するようになっている。
【００２１】
流入口８は、前記載置台４の他方の側で載置台４の載置面よりやや上方（基板１の厚さよりもやや大きい高さ）に配置され、すなわち前記吸引口５と対向する側に配置されたもので、これにより載置台４上の基板１の、液状膜２の他方の側に配置されるよう構成されたものである。この流入口８も、前記Ｘ方向に沿って細長く形成されたもので、これにより液状膜２に対してＸ方向でガスを均一に流入するようになっている。
【００２２】
真空ポンプ７は、従来公知の一般的なもので、特に真空装置３内を、例えば３０秒以内に１Ｐａ以下の真空度にすることができるタイプのものが、好適に用いられる。
ガス供給源１０は、ガスを充填してなるガスシリンダー等からなるもので、ガスとして例えば窒素等の不活性ガスを供給したり、あるいは空気を供給するものである。ここで、供給するガスの種類については、前記の液状膜２の性状に応じて適宜選択され用いられる。すなわち、液状膜２から形成される機能性薄膜（評価用薄膜）が水分や酸素によって変質するものである場合には、これら水分や酸素の影響を排除し得るよう、窒素等の不活性ガスが用いられ、酸素や水分により影響を受けないものに対しては、安価である等の理由によって空気が用いられる。
【００２３】
また、ガス供給源１０から供給・流入させるガスの流量については、前記真空ポンプ７の吸引量より十分に少ない量とされる。したがって、流入口８から流入したガスは、前記基板１の液状膜２上を通過して吸引口５に吸引され、そのまま真空装置３の外に排出されるようになり、これにより真空装置３内は後述するように真空に近い減圧雰囲気に調整されるようになっている。また、このように流入口８から流入したガスが液状膜２上を通過して吸引口５に吸引されることにより、前記液状膜２の表面上には前記ガスによる気流が生じるようになっている。
【００２４】
このような構成の真空装置３内に前記基板１を入れ、載置台４上にこれを載置したら、真空装置３内の蓋（図示せず）を閉じ、真空ポンプ７をオンにするとともに、ガス供給源１０の開閉弁（図示せず）を開いて所定量のガスを真空装置３内に供給・流入させる。すると、前述したように流入口８から流入したガスが液状膜２上を通過して吸引口５に吸引されることにより、前記液状膜２の表面上には前記ガスによる気流が生じる。また、ガス供給源１０からのガスの流量が真空ポンプ７の吸引量より十分に少ないことから、真空装置３内は真空ポンプ７によって脱気されることによって真空に近い減圧雰囲気、すなわち、液状膜２中の溶媒あるいは分散媒や、ガス供給源１０から供給・流入したガスが一時的に滞留している分のみが真空装置３内に存在する、減圧雰囲気となる。
【００２５】
このようにして真空ポンプ７による吸引とガス供給源１０からのガスの供給・流入を続けると、液状膜２中の溶媒あるいは分散媒は液状膜２上に生じた気流にのって吸引口５に吸引され、真空装置３の外に排出される。したがって、液状膜２は乾燥し、機能性薄膜（評価用薄膜）となる。
このとき、液状膜２は図４（ａ）に示すように基板１上において矢印Ａで示す気流の影響を受けることから、液状膜２中においても、矢印Ｂに示すように気流と同じ方向に液状体の流動が起こる。そして、この流動によって液状体の量が少なくなった側（流入口８側）から徐々に乾燥による固化が起こり、最終的に吸引口５側まで乾燥され、図４（ｂ）に示すように機能性薄膜２ａとなる。
【００２６】
このようにして形成された機能性薄膜２ａは、前述したように気流による液状体の流動によって乾燥による固化が矢印Ｂで示す方向に進むなどの理由により、気流方向（矢印Ａ方向）に沿って膜厚差を形成したものとなる。具体的には、常温にて１Ｐａ以下の減圧雰囲気（略真空雰囲気）で前記の乾燥処理を２０分間行ったところ、得られた機能性薄膜２ａは、吸引口５側の端部５ａと流入口８側の端部８ａとの間で約２０ｎｍの膜厚差が形成されていた。したがって、このようにして得られた機能性薄膜２ａを評価用薄膜として用い、その膜厚の異なる部位間での特性値の差を調べることにより、機能性薄膜２ａの特性の膜厚依存性を調べることができる。
【００２７】
なお、機能性薄膜２ａの特性値を調べる際、この機能性薄膜２ａが独立している必要がある場合には、例えば公知のフォトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて機能性薄膜２ａを、図４（ｃ）に示すように平均膜厚が異なる複数の評価用薄膜２ｂ…に分離し、これら評価用薄膜２ｂ…の特性値ををそれぞれ調べるようにすればよい。
また、例えば図５の平面図に示すように、予め基板１上に複数の領域に分けてそれぞれに独立した液状膜２…を形成しておき、これらを乾燥する際、前述した真空装置３内にて矢印Ａ方向に気流を生じさせることにより、この矢印Ａ方向に徐々に膜厚が厚くなった評価用薄膜２ｂ…を形成するようにしてもよい。
【００２８】
このような評価用薄膜の形成方法にあっては、液状膜２の表面上に気流を生じさせつつ該液状膜２を減圧乾燥（真空乾燥）することにより、前記気流方向に膜厚差のある機能性薄膜２ａ（評価用薄膜２ｂ）を形成するようにしたので、一つの基板１上に膜厚の異なる機能性薄膜２ａ（評価用薄膜２ｂ）を同時にしかも容易に形成することができる。したがって、液相法による膜形成に対してコンビナトリアル・プロセスを適用することができ、これにより評価試験を行うごとに多くの基板を必要とし、さらに評価後大量の基板を廃棄するといった不都合を解消して特にコスト面で効率的な評価を可能にすることができる。
【００２９】
次に、前記の評価用薄膜の形成方法を用いた本発明の電子デバイスの評価方法について説明する。なお、前記評価用薄膜の形成方法を適用する電子デバイスとしては、特に有機ＥＬ装置や太陽電池が好適に挙げられる。そこで、本実施形態では、電子デバイスを有機ＥＬ装置とした場合について説明する。
【００３０】
まず、有機ＥＬ装置の概略構成について図６を参照して説明する。
図６に示すようにこの有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、ＴＦＴ等からなるアクティブ素子が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【００３１】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【００３２】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための液状体材料を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための液状体材料を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。
【００３３】
なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。また、発光素子３５１については、正孔注入層３５２と発光層３５３とからのみ形成することなく、例えば発光層３５３の上に電子注入層（図示せず）を設けるようにしてもよい。
【００３４】
ここで、発光素子３５１を構成する機能層、すなわち正孔注入層３５２、発光層３５３、さらには電子注入層は、有機ＥＬ装置の発光特性、例えば輝度や寿命、電圧に対する効率等に大きく影響する。したがって、これら機能層となる機能性薄膜（正孔注入層３５２、発光層３５３、電子注入層）の膜厚については、要求される特性を満足させるための適正範囲を決定しておく必要がある。
そこで、このような機能性薄膜の膜厚決定を行うため、この機能性薄膜の特性の膜厚依存性を調べる必要があるが、これを調べるにあたって、前述した評価用薄膜の形成方法を用いることができる。
【００３５】
すなわち、例えば図５に示したようにガラス基板１上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる陽極パターンを、評価用薄膜２ｂに対応した状態に形成しておき、この陽極パターン上にそれぞれ独立した状態で正孔注入層（図示せず）を形成しておく。なお、本例では特に発光層の膜厚依存性を調べるものとし、正孔注入層については従来と同様に、液状膜上に気流を生じさせることなく、単なる真空乾燥、あるいは加熱乾燥（さらには加熱減圧乾燥）を行うものとする。
【００３６】
次いで、このようにしてそれぞれ独立して形成した正孔注入層上に、発光層形成材料としての液状体を例えば前述した液滴吐出法によって配し、液状膜を形成する。ここで、発光層形成材料としては、ポリフルオレンやポリフェニレンビニレンなどの高分子化合物、もしくはその誘導体が好適に用いられ、その溶媒としては、トリメチルベンゼンやシクロヘキシルベンゼンなどが用いられる。図５に示した例では、特に（１）〜（４）に示す列毎に、それぞれ相対向して一対の液状膜を形成した。なお、図５中の符号１１は、陰極取り出し用の配線部であり、例えば前記の陽極パターン形成の際に同時に形成したものである。
【００３７】
このようにして基板１上にそれぞれ独立した発光層形成材料からなる液状膜を形成したら、この基板１を図３に示した真空装置３内の載置台４上に載置し、真空ポンプ７をオンすることによって真空装置３内を３０秒以内で１Ｐａにまで減圧するとともに、ガス供給源１０から窒素ガスを微量ずつ連続して供給・流入させ、液状膜上に気流を生じさせる。なお、温度については、加熱することなく常温のままとした。そして、このような状態のまま真空装置３内を１Ｐａ以下に保持しつつ、液状膜上に気流を生じさせて減圧乾燥（略真空乾燥）を２０分間行った。
すると、得られた評価用薄膜２ｂ（発光層）の膜厚は、図５中の（１）が７５ｎｍ、（２）が８０ｎｍ、（３）が８５ｎｍ、（４）が９０ｎｍとなり、これら評価用薄膜２ｂの膜厚をそれぞれ所望の膜厚に制御することができた。
【００３８】
その後、得られた評価用薄膜２ｂ上に共通の陰極（図示せず）を形成し、これにより各評価用薄膜２ｂごとに有機ＥＬ素子を完成させた。
そして、このようにして得られた有機ＥＬ素子の各発光特性を調べることにより、膜厚が７５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲での、発光特性の発光層膜厚に対する依存性を調べることができた。
なお、この例では機能性薄膜として発光層を選択し、前述した形成方法でこれの膜厚を変えるようにしたが、発光層に代えて正孔注入層の膜厚を変えるようにし、あるいは電子注入層の膜厚を変えるようにしてもよいのはもちろんである。
【００３９】
このような有機ＥＬ装置の評価方法にあっては、前述した評価用薄膜の形成方法を採用して機能性薄膜を形成するので、液相法による膜形成に対してコンビナトリアル・プロセスを適用した評価方法となり、したがって評価試験を行うごとに多くの基板を必要とし、さらに評価後大量の基板を廃棄するといった不都合を解消して特にコスト面で効率的な評価を行うことができる。
また、特に機能層の膜厚依存性が高い有機ＥＬ装置について本発明の評価方法を適用したので、その発光特性についての膜厚依存性評価を効率的に行うことができ、したがってより高品質な有機ＥＬ装置の開発に大きく寄与することができる。
【００４０】
なお、本発明の電子デバイスの評価方法では、電子デバイスが有機ＥＬ装置に限定されることなく太陽電池やその他のデバイスにも適用可能であり、その場合にも、機能性薄膜（評価用薄膜）の特性の膜厚依存性の評価を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の評価用薄膜の形成方法を説明するための側面図である。
【図２】（ａ）は液滴吐出ヘッドの要部斜視図、（ｂ）は要部側断面図である。
【図３】真空装置の概略構成図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の評価用薄膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図５】本発明の評価用薄膜の形成方法を説明するための別の模式図である。
【図６】有機ＥＬ装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…基板、２…液状膜、２ａ…機能性薄膜、２ｂ…評価用薄膜、３…真空装置、
５…吸引口、７…真空ポンプ、８…流入口、１０…ガス供給源
【図１】
2005141971.tif 000003
【図２】
2005141971.tif 000004
【図３】
2005141971.tif 000005
【図４】
2005141971.tif 000006
【図５】
2005141971.tif 000007
【図６】
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