(57)【要約】【課題】下部基板アレイ領域の各アレイ素子に電圧を印加する電源ラインをメッシュ形状すなわち、網形態で形成して、電源ラインの電圧降下現象を克服する有機電界発光素子を提供する。【解決手段】本発明による有機電界発光素子は、相互に一定間隔離隔されて配置された第１、２基板と；第１基板内部面にサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタを有するアレイ素子と；第２基板内部面に共通電極としての第１電極と、第１電極下部に位置する有機電界発光層及びサブピクセル別にパターン化された第２電極が次々と形成されて成り立った有機電界発光ダイオードと；アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、第１基板上にマトリックス形態で複数具備されたアレイ素子に電源を供給する電源ラインが網形状で構成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に一定間隔離隔されて配置された第１、２基板と；
前記第１基板内部面にサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタを有するアレイ素子と；
前記第２基板内部面に共通電極としての第１電極と、前記第１電極下部に位置する有機電界発光層及びサブピクセル別にパターン化された第２電極が順次形成されて成る有機電界発光ダイオードと；
前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、前記第１基板上にマトリックス形態で複数具備された前記アレイ素子に電源を供給する電源ラインが網形状で構成されることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記アレイ素子は第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインと、
前記ゲートラインと所定間隔離隔されて前記ゲートラインと平行するように羅列された第２電源ラインが相互に交差するように形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第１電源ラインと第２電源ラインは相互に交差する部位でコンタクトホールを介して電気的に連結されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記第１電源ラインは前記データラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記第２電源ラインは前記ゲートラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
第１電源ラインまたは第２電源ラインは低抵抗金属で形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記低抵抗金属は銅（Ｃｕ）であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義されるアレイ素子がマトリックス形態で複数形成された第１基板と；
有機電界発光層が含まれた有機電界発光ダイオードが形成された第２基板と；
前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、
前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインと、前記ゲートラインと所定間隔離隔されて前記ゲートラインと平行するように羅列された第２電源ラインが相互に交差するように形成されることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記第１電源ラインと第２電源ラインは相互に交差する部位でコンタクトホールを介して電気的に連結されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記第１電源ラインは前記データラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記第２電源ラインは前記ゲートラインと同一な層に、同一な材質の金属で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
第１電源ラインまたは第２電源ラインは低抵抗金属で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記低抵抗金属は銅（Ｃｕ）であることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
前記ゲートラインとデータラインの交差部位に形成されたスイッチング薄膜トランジスタと；
前記スイッチング薄膜トランジスタ及び第１電源ラインと連結されるストレージキャパシターと；
前記ストレージキャパシター及び第１電源ラインと連結されており、前記有機電界発光ダイオードと電気的に連結される駆動薄膜トランジスタがさらに含まれることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子に係り、特にデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
新しい平板ディスプレー（ＦＰＤ）のうち一つである有機電界発光素子は自体発光型であるため液晶表示装置に比べて視野角、コントラストなどが優秀であってバックライトが要らなくて軽量薄形が可能であって、消費電力側面でも有利である。
【０００３】
また、直流低電圧駆動が可能であって応答速度が迅速で全部固体であるため外部衝撃に強くて使用温度範囲も広いし特に製造費用側面でも低廉な長所を有している。
【０００４】
特に、前記有機電界発光素子の製造工程は、液晶表示装置やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）と違って蒸着及びカプセル封じ装備を用いることにより実行できるため、工程が非常に単純である。
【０００５】
従来、このような有機電界発光素子の駆動方式においては、別途のスイッチング素子を具備しないパッシブマトリックス型が主に利用された。
【０００６】
しかし、前記パッシブマトリックス方式ではゲートラインとデータラインが交差するマトリックス形態で素子を構成するので、それぞれのピクセルを駆動するためにゲートラインを時間によって次々と駆動するため、要求される平均輝度を示すためには平均輝度にライン数を掛けた瞬間輝度を出さなければならない。
【０００７】
しかし、アクティブマトリックス方式では、ピクセルをオン（ｏｎ）／オフ（ｏｆｆ）するスイッチング素子である薄膜トランジスタがサブピクセル別に位置し、この薄膜トランジスタと連結された第１電極はサブピクセル単位でオン／オフされて、この第１電極と対向する第２電極は共通電極になる。
【０００８】
そして、前記アクティブマトリックス方式ではピクセルに印加された電圧がストレージキャパシターＣＳＴに充電されていて、その次のフレーム（ｆｒａｍｅ）信号が印加される時まで電源を印加させることによって、ゲートライン数に関係なく一画面の間続いて駆動する。
【０００９】
したがって、アクティブマトリックス方式によれば低い電流を印加しても同一な輝度を示すので低消費電力、高精細、大型化が可能な長所を有する。
【００１０】
以下、このようなアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性にについて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
図１は一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した回路図である。
【００１２】
図示したように、第１方向にゲートラインＧＬ  ２が形成されていて、この第１方向と交差する第２方向に形成されて、相互に一定間隔離隔されたデータラインＤＬ  ３及び電源ラインＶＤＤ  ４が形成され、一つのサブピクセル領域を定義する。
【００１３】
前記ゲートライン２とデータライン３の交差地点にはアドレッシングエレメントであるスイッチング薄膜トランジスタ５が形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタ５及び電源ライン４と連結されてストレージキャパシターＣＳＴ ６が形成されており、このストレージキャパシターＣＳＴ ６及び電源ライン４と連結されて、電流源エレメントである駆動薄膜トランジスタ７が形成されていて、この駆動薄膜トランジスタ７と連結されて有機電界発光ダイオード有機電界発光ダイオード８が構成されている。
【００１４】
この有機電界発光ダイオード８は有機発光物質に順方向に電流を供給すると、正孔提供層である陽極と電子提供層である陰極間のＰ−Ｎ接合部分を介して電子と正孔が移動しながら相互に再結合して、前記電子と正孔が離れている時より小さいエネルギーを有するようになるので、この時発生するエネルギー差によって光を放出する原理を利用するものである。
【００１５】
前記有機電界発光素子は有機電界発光ダイオードで発光した光の進行方向によって上部発光方式と下部発光方式とに分けられる。
【００１６】
図２は従来の下部発光方式有機電界発光素子に対する概略的な断面図である。
【００１７】
図示したように、有機電界発光素子は透明な第１基板１２の上部に薄膜トランジスタＴアレイ部１４と、前記薄膜トランジスタアレイ部１４の上部に第１電極１６と有機発光層１８と第２電極２０が構成される。
【００１８】
この時、前記発光層１８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーを表現するようになるが、一般的な方法では前記各サブピクセルＰ毎に赤、緑、青色を発光する別途の有機物質をパターニングして用いる。
【００１９】
前記第１基板１２が吸湿剤２２が付着された第２基板２８とシーラント２６を介して合着されてカプセル化された有機電界発光素子が完成される。
【００２０】
ここで、前記吸湿剤２２はカプセル内部に浸透できる水分と酸素を除去するためのもので、基板２８の一部をエッチングしてエッチングされた部分に吸湿剤２２を充填してテープ２５で固定する。
【００２１】
図３は図２に示した有機電界発光素子に含まれる薄膜トランジスタアレイ部の一サブピクセルを概略的に示した平面図である。ただし、図３に示した薄膜トランジスタはトップゲート構造であるが、これは一つの実施形態であって必ずこれに限られるのではない。
【００２２】
一般に、アクティブマトリックス型有機電界発光素子の薄膜トランジスタアレイ部は基板１２には定義された複数のサブピクセルＰ毎にスイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤとストレージキャパシター（ＣＳＴ）が構成され、動作の特性によって前記スイッチング素子ＴＳまたは駆動素子ＴＤはそれぞれ一つ以上の薄膜トランジスタの組み合わせで構成されることができる。
【００２３】
この時、前記基板１２は透明な絶縁基板を用いており、その材質としてはガラスやプラスチックを例に挙げることができる。
【００２４】
図示したように、基板１２上に相互に所定間隔離隔して一方向に構成されたゲートライン３２と、前記ゲートライン３２と絶縁膜を間に置いて相互に交差するデータライン３４が構成される。
【００２５】
同時に、前記データライン３４と平行するように離隔された位置に一方向に電源ライン３５が構成される。
【００２６】
前記スイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤでそれぞれゲート電極３６、３８とアクティブ層４０、４２とソース電極４６、４８及びドレイン電極５０、５２を含む薄膜トランジスタが使われる。
【００２７】
前述した構成で、前記スイッチング素子ＴＳのゲート電極３６は前記ゲートライン３２と連結されて、前記ソース電極４６は前記データライン３４と連結される。
【００２８】
前記スイッチング素子ＴＳのドレイン電極５０は前記駆動素子ＴＤのゲート電極３８とコンタクトホール５４を介して連結される。
【００２９】
前記駆動素子ＴＤのソース電極４８は前記電源ライン３５とコンタクトホール５６を介して連結される。
【００３０】
また、前記駆動素子ＴＤのドレイン電極５２はサブピクセル部Ｐに構成された第１電極１６と接触するように構成される。
【００３１】
この時、前記電源ライン３５とその下部の多結晶シリコーンパターン１５は絶縁膜を間に置いて重なってストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
【００３２】
前記のような従来の下部発光方式有機電界発光素子は、アレイ素子及び有機電界発光ダイオードが形成された第１基板１２と別途のカプセル封じ用第２基板２８の合着を介して素子を製作した。
【００３３】
この場合、アレイ素子の収率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光素子の収率を決定するため、既存の有機電界発光素子構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工程により全体工程収率が大きく制限される問題点があった。
【００３４】
例えば、アレイ素子が良好に形成されたとしても、１０００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時異物やその他の要素により不良が発生するようになれば、有機電界発光素子は不良等級と判定される。
【００３５】
これによって、良品のアレイ素子を製造することに必要とした諸般経費及び材料費損失が招来されて、生産収率が低下する問題点があった。
【００３６】
そして、下部発光方式はカプセル封じによる安定性及び工程の自由度が高い反面開口率の制限があって高解像度製品に適用するのは難しい問題点がある。
【００３７】
また、前記有機電界発光素子の場合アレイ部の各サブピクセルに電源を供給する電源ライン（図１の４、図３の３５）における電圧降下が少ない場合にパネル上の画質を均一に維持することができる。
【００３８】
しかし、図３に示したように従来の場合パネル構成上の問題により前記電源ライン線幅を広げたり、厚くすることに限界があって、実際に最初段の電源ラインに接続されるサブピクセルと、最終段の電源ラインに接続されるサブピクセルに印加される電源に差が発生（電圧降下現象）して均一な画質を得られなくなる短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
本発明はデュアルパネルタイプの有機電界発光素子において、下部基板アレイ領域の各アレイ素子に電圧を印加する電源ラインをメッシュ形状すなわち、網形態で形成して、前記電源ラインの電圧降下現象を克服する有機電界発光素子を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
前記目的を達成するために本発明の一実施形態による有機電界発光素子は、相互に一定間隔離隔されて配置された第１、２基板と；前記第１基板内部面にサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタを有するアレイ素子と；前記第２基板内部面に共通電極としての第１電極と、前記第１電極下部に位置する有機電界発光層及びサブピクセル別にパターン化された第２電極が順次形成されて成る有機電界発光ダイオードと；前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、前記第１基板上にマトリックス形態で複数具備された前記アレイ素子に電源を供給する電源ラインが網形状で構成されることを特徴とする。
【００４１】
また、本発明の他の実施形態による有機電界発光素子は、第１方向へのゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向へのデータラインによりその領域が定義されるアレイ素子がマトリックス形態で複数形成された第１基板と；有機電界発光層が含まれた有機電界発光ダイオードが形成された第２基板と；前記アレイ素子及びこれに対応する有機電界発光ダイオードを電気的に連結する伝導性スペーサーが含まれて構成され、前記データラインと所定間隔離隔されて前記データラインと平行するように羅列された第１電源ラインと、前記ゲートラインと所定間隔離隔されて前記ゲートラインと平行するように羅列された第２電源ラインが相互に交差するように形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００４２】
本発明による有機電界発光素子によれば、アレイ領域の各アレイ素子に電圧を印加する電源ラインの電圧降下現象を克服することによって、パネル全体画質の均一度を向上させることができるという長所がある。これはパネルが大面積化されることにおいて画質改善に大きく貢献する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下添付した図面を参照して本発明による実施形態を詳細に説明する。
【００４４】
図４は本発明の一実施形態によるデュアルパネルタイプの有機電界発光素子の概略的な断面図であって、ただし、図４の場合説明の便宜上一つのピクセル領域を中心に図示した。
【００４５】
図４に示したように、第１、２基板１１０、１３０が相互に対向されるように配置されていて、第１、２基板１１０、１３０の縁部はシールパターン１４０により封止している。
【００４６】
前記第１基板１１０の透明基板１００上部にはアレイ素子１２０が形成されていて、第２基板１３０の透明基板１０１下部には有機電界発光ダイオードＥが形成されている。
【００４７】
前記有機電界発光ダイオードＥは、共通電極として利用される第１電極１３２と、第１電極１３２下部に位置する有機電界発光層１３４と、有機電界発光層１３４下部に位置しており、サブピクセル別にパターン化された第２電極１３６で構成される。
【００４８】
前記有機電界発光層１３４はサブピクセル別に赤、緑、青カラーを帯びる発光物質が配列された発光層１３４ｂと、発光層１３４ｂの上部及び下部にそれぞれ位置する第１有機物質層１３４ａ及び第２有機物質層１３４ｃで構成される。
【００４９】
前記第１有機物質層１３４ａ及び第２有機物質層１３４ｃを形成する有機電界発光物質は陽極及び陰極の配置構造によって決まり、一例として、第１電極１３２を陽極、第２電極１３６を陰極で構成する場合には第１有機物質層１３４ａは正孔注入層、正孔輸送層を含み、第２有機物質層１３４ｃは電子注入層、電子輸送層を含むことができる。
【００５０】
そして、前記第１基板１１０に形成されたアレイ素子１２０はサブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタＴ及び薄膜トランジスタＴと連結される第２電極連結パターン１１２で構成されるが、第２電極連結パターン１１２は薄膜トランジスタＴを形成するソース電極またはドレイン電極から延びて形成されたりまたは別途の金属物質をパターン化して形成されることができる。
【００５１】
ここで、前記薄膜トランジスタＴは有機電界発光ダイオードＥと連結される駆動用薄膜トランジスタに該当する。そして、前記第２基板１３０上に形成された第２電極１３６と前記第１基板１１０上に形成された第２電極連結パターン１１２間の区間には前述したシールパターン１４０と平行した方向に第２電極１３６と薄膜トランジスタＴを連結させる伝導性スペーサー１１４が形成されている。
【００５２】
前記伝導性スペーサー１１４は伝導性物質から選択され、望ましくは軟性を帯びて、抵抗率値が低い金属物質から選択されることが望ましく、このような伝導性スペーサー１１４は第１基板１１０のアレイ素子１２０製造工程で形成することができる。
【００５３】
そして、前記有機電界発光層１３４で発光した光を第２基板１３０側に発光させる上部発光方式であることを特徴とする。
【００５４】
前記第１電極１３２が陽極で用いられる場合これはＩＴＯのような投光導電性物質から選択されて、前記第２電極１３６は下部に発光する光の反射により補償干渉が発生することを防止するために、不透明金属物質から選択されることが望ましい。
【００５５】
ただし、前記第１電極１３２が陰極で用いられる場合は前記第１電極１３２は透光性または半透光性を有する導電性物質から選択され、一例で前記第１電極１３２を陰極で構成する場合仕事関数値が低い金属物質から選択されることが望ましい。
【００５６】
これのために、前記有機電界発光層１３４と接する陰極用第１電極１３２の物質層は仕事関数値が低い半透明金属物質を薄膜で形成することが望ましい。
【００５７】
また、前記半透明金属物質としてはアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）とアルミニウムの合金（以下、マグネシウム：アルミニウムで表示する）、アルミニウム：リチウム（Ｌｉ）、アルミニウム：安息香酸のうちいずれか一つから選択されることが望ましい。
【００５８】
そして、前記第２電極１３６は下部に発光する光の反射により補償干渉が発生することを防止するために、不透明金属物質から選択されることが望ましい。
【００５９】
また、前記第１、２基板１１０、１３０間の離隔空間Ｉは窒素（Ｎ２）雰囲気を形成することが望ましい。
【００６０】
このようなデュアルパネルタイプの有機電界発光素子は、アレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なる基板上に構成するため、既存のアレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を同一基板上に形成する場合と比較する時、アレイ素子の収率に有機電界発光ダイオード素子が影響を受けないので各素子の生産管理側面でも優良な特性を示すことができる。
【００６１】
また、前述した条件下で上部発光方式で画面を具現するようになれば、開口率を念頭に置かないで薄膜トランジスタを設計できてアレイ工程効率を高めることができ、高開口率／高解像度製品を提供することができ、デュアルパネル（ｄｕａｌｐａｎｅｌ）タイプで有機電界発光ダイオード素子を形成するため、既存の上部発光方式より外気を效果的に遮断することができることから製品の安全性を高めることができる。
【００６２】
また、従来の下部発光方式製品で発生した薄膜トランジスタ設計に対しても有機電界発光ダイオード素子と別途の基板に構成することによって、薄膜トランジスタ配置に対する自由度を十分に得ることができ、有機電界発光ダイオード素子の第１電極を透明基板上に形成するため、既存のアレイ素子上部に第１電極を形成する構造と比較してみる時、第１電極に対する自由度を高めることができる長所を有するようになる。
【００６３】
図面で提示しなかったが、前記アレイ素子１２０は前記第１基板１１０のアレイ領域上でマトリックス形態で具備しており、これはゲートラインと、前記ゲートラインに交差して、相互に一定間隔離隔されるデータライン及び電源ラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタそして、ストレージキャパシターを含む。
【００６４】
本発明の場合前記電源ラインが、前記アレイ素子がマトリックス形態で具備したアレイ領域上でメッシュ形状すなわち、網形態に形成されていることをその特徴としており、前記のような構造により前記電源ラインの電圧降下現象を克服することによって、パネル全体画質の均一度を向上させることができるようになる。
【００６５】
これは以下図５及び図６を通じてさらに詳細に説明する。
【００６６】
図５は図４に示した本発明による有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した回路図である。
【００６７】
図５を参照すると、これは図１に示した従来の有機電界発光素子の基本ピクセル構造と比較すると、電源ラインＶＤＤ  ５２０、５２２がデータライン５００と水平である方向だけに羅列されなくて、ゲートライン５１０と水平である方向でも羅列されていて、結果的にアレイ領域上でメッシュ形状、すなわち、網形状で具備されていることが分かる。
【００６８】
言い換えれば、本発明による前記電源ライン５２０、５２２はデータライン５００と水平である方向に羅列された第１電源ライン５２０と、ゲートライン５１０と水平である方向に羅列された第２電源ライン５２２が相互に交差してメッシュ形状で構成され、前記第１電源ライン５２０と第２電源ライン５２２は相互の交差地点すなわち、相互にオーバーラップされる地点でコンタクトホール５２４を介して電気的に連結されている。
【００６９】
また、前記第２電源ライン５２２はゲートライン５１０と同一な層に同一な材質の金属で形成されることができて、第１電源ライン５２０はデータライン５００と同一な層に同一な材質の金属で形成されることができる。
【００７０】
また、第１電源ライン５２０または第２電源ライン５２２としては電源ラインの電圧降下現象を效率的に克服するために銅（Ｃｕ）配線が使われることができる。
【００７１】
このように前記電源ラインをメッシュ形状で構成することによって、これを通じて全体電源ラインの面積を広げるようになることによって全体抵抗を低くめるようになって、結果的に電源ラインを介した電圧降下現象を克服できるものである。
【００７２】
本発明による有機電界発光素子の基本ピクセル構造を説明すると、図示したように、第１方向にゲートラインＧＬ  ５１０及び第２電源ライン５２２が形成されていて、前記第１方向と交差する方向で相互に一定間隔離隔されたデータラインＤＬ  ５００及び第１電源ライン５２０が形成されていて、一つのサブピクセル領域を定義する。この時、前記ゲートライン５１０と第２電源ライン５２２は一定間隔離隔されている。
【００７３】
また、前記第１電源ライン５２０と第２電源ライン５２２はその交差点でコンタクトホール５２４を介して相互に電気的に連結されている。
【００７４】
また、前記ゲートライン５１０とデータライン５００の交差地点にはアドレッシングエレメントであるスイッチング薄膜トランジスタ５３０が形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタ５３０及び第１電源ライン５２０と連結されてストレージキャパシターＣＳＴ ５５０が形成されており、このストレージキャパシターＣＳＴ ５５０及び第１電源ライン５２０と連結されて、電流源エレメントである駆動薄膜トランジスタ５４０が形成されていて、この駆動薄膜トランジスタ５４０と連結されて有機電界発光ダイオード有機電界発光ダイオード５７０が構成されている。
【００７５】
また、本発明は図４に示したようにデュアルパネルタイプであるので、前記有機電界発光ダイオード５７０は第２基板（図４の１３０）すなわち、上部基板上に形成されていることをその特徴とする。
【００７６】
図６は図４に示した有機電界発光素子に含まれる薄膜トランジスタアレイ部の一サブピクセルを概略的に示した平面図である。ただし、図６に示した薄膜トランジスタはトップゲート構造であるが、これは一つの実施形態であって必ずこれに限られるのではない。
【００７７】
本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子のアレイ素子は、有機電界発光ダイオードＥが形成された第２基板（図４の１３０）と、前記有機電界発光ダイオードＥに対応するアレイ素子（図４の１２０）が形成された第１基板（図４の１１０）で構成されて、前記アレイ素子（図４の１２０）と有機電界発光ダイオードＥが伝導性スペーサーにより電気的に連結される構造で形成されるものである。
【００７８】
ここで、図６は図４に示した第１基板１１０上の一つのアレイ素子すなわち、薄膜トランジスタＴＤ及び薄膜トランジスタＴＤと連結される第２電極連結パターン１１２で構成されたアレイ素子に対する平面図である。
【００７９】
図６を参照すると、本発明による第１基板上のアレイ素子は前記有機電界発光ダイオードに対応する領域Ｐサブピクセル毎にスイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤ及びストレージキャパシターＣＳＴが構成される。ここで、動作の特性によって前記スイッチング素子ＴＳまたは駆動素子ＴＤはそれぞれ一つ以上の薄膜トランジスタの組み合わせで構成されることができる。
【００８０】
この時、前記第１基板上に定義された複数のサブピクセルアレイ素子は第２基板すなわち、上部基板に形成された第１電極（図４の１３２）、有機電界発光層（図４の１３４）、第２電極（図４の１３６）で構成された有機電界発光ダイオードＥに対応し、前記第１基板上には前記複数のサブピクセルアレイ素子領域に前記上部基板の第２電極と連結される第２電極連結パターン１１２が形成されていることを特徴とする。
【００８１】
また、この時前記第２基板の第２電極１３６と、第１基板の第２電極連結パターン１１２はその間に形成された伝導性スペース１１４により電気的に連結される。
【００８２】
前記アレイ素子は基板６１２上に相互に所定間隔離隔して一方向に構成されたゲートライン６３２と、前記ゲートライン６３２と絶縁膜を間に置いて相互に交差するデータライン６３４が構成される。
【００８３】
同時に、前記ゲートライン６３２と平行するように離隔された位置に一方向で形成された第２電源ライン６７２と、前記データライン６３４と平行するように離隔された位置に一方向で形成された第１電源ライン６７０が具備されている。
【００８４】
また、前記第１電源ライン６７０と第２電源ライン６７２は相互の交差地点でコンタクトホール６７４を介して電気的に連結される。
【００８５】
このように電源ラインは複数の第１電源ライン６７０及び第２電源ライン６７２が相互に交差、形成されてメッシュ形状を形成しており、これを通じて全体電源ラインの面積を広げるようになることによって、電源ラインの抵抗を低くめるようになって電源ラインによる電圧降下現象が克服されるものである。
【００８６】
この場合、前記第１電源ライン６７０または第２電源ライン６７２は抵抗値が低い金属材質で構成されることが望ましく、前記抵抗値が低い金属としては銅（Ｃｕ）をその例に挙げることができる。
【００８７】
または、前記第１電源ライン６７０及び第２電源ライン６７２はそれぞれデータライン６３４及びゲートライン６３２と同一な材質の金属で形成されることができる。
【００８８】
そして、前記スイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤにおいてそれぞれゲート電極６３６、６３８とアクティブ層６４０、６４２とソース電極６４６、６４８及びドレイン電極６５０、６５２を含む薄膜トランジスタが使われる。
【００８９】
前述した構成で、前記スイッチング素子ＴＳのゲート電極６３６は前記ゲートライン６３２と連結されて、前記ソース電極６４６は前記データライン６３４と連結される。
【００９０】
前記スイッチング素子ＴＳのドレイン電極６５０は前記駆動素子ＴＤのゲート電極６３８とコンタクトホール６５４を介して連結される。
【００９１】
前記駆動素子ＴＤのソース電極６４８は前記第１電源ライン６７０とコンタクトホール６５６を介して連結される。
【００９２】
また、前記駆動素子ＴＤのドレイン電極６５２はサブピクセル第２電極連結パターン１１２と接触するように構成される。
【００９３】
ここで、前記第２電極連結パターン１１２はその上部に形成された伝導性スペーサー１１６により第２基板（図４の１３０）、すなわち上部基板に形成された第２電極（図４の１３６）と電気的に連結される。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した回路図。
【図２】従来の下部発光方式有機電界発光素子に対する概略的な断面図。
【図３】図２に示した有機電界発光素子に含まれる薄膜トランジスタアレイ部の一サブピクセルを概略的に示した平面図。
【図４】本発明によるデュアルパネルタイプの有機電界発光素子の概略的な断面図。
【図５】図４に示した本発明による有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した回路図。
【図６】図４に示した有機電界発光素子に含まれる薄膜トランジスタアレイ部の一サブピクセルを概略的に示した平面図。
【符号の説明】
【００９５】
５２０、６７０：第１電源ライン
５２２、６７２：第２電源ライン
５２４、６７４：コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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