(57)【要約】【課題】  特に裏面側にもレジスト層が形成された被処理体を保持するのに良好なスピンコータ用チャックと、これを用いた蒸着マスクの製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】  スピンコータに用いられて、被処理体Ｗを保持するスピンコータ用チャック１である。スピンコータに接続されるチャック本体２と、被処理体Ｗの外周部のみを、少なくともその底面側を支持した状態で保持する保持部３とを備えている。保持部３が、チャック本体２の上面側に突出した状態で設けられている。【選択図】      図２
2005296705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピンコータに用いられて、被処理体を保持するチャックであって、
スピンコータに接続されるチャック本体と、前記被処理体の外周部のみを、少なくともその底面側を支持した状態で保持する保持部とを備えてなり、
前記保持部が、前記チャック本体の上面側に突出した状態で設けられていることを特徴とするスピンコータ用チャック。
【請求項２】
前記保持部は、前記被処理体の周方向に沿って環状に形成されてなり、その少なくとも一部に、該保持部の内側と外側とを連通させる溝が設けられていることを特徴とする請求項１記載のスピンコータ用チャック。
【請求項３】
前記保持部は、少なくともその表層部がフッ素樹脂からなっていることを特徴とする請求項１又は２記載のスピンコータ用チャック。
【請求項４】
前記保持部は、前記被処理体の底面側を真空吸着法で保持するよう構成されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスピンコータ用チャック。
【請求項５】
前記保持部は、その真空吸着法による真空吸着力を、前記チャック本体の中心側から外周側に向かうように発生させるよう構成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスピンコータ用チャック。
【請求項６】
半導体基板からなる蒸着マスクの製造方法において、
前記半導体基板の裏面側にレジストを設けた状態で、その表面側にもレジストを塗布する際、請求項１〜５のいずれか一項に記載のスピンコータ用チャックを用い、スピンコート法で前記半導体基板の表面側にレジストを塗布することを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の製造方法で得られた蒸着マスクを用い、蒸着パターンを形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト等をスピンコートする際に用いられるスピンコータ用チャックと、これを用いた蒸着マスクの製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬ装置）が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。このような有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、特に発光材料として低分子系のものを用いた場合では、非常に高精度の蒸着マスクが必要となる。そこで、このような要求に応えるものとして、シリコンウエハを用いた蒸着マスクが提供されている（例えば、特許文献１参照）。
この蒸着マスクでは、シリコンウエハに対し、半導体プロセスであるフォトリソグラフィー技術やウエットエッチング等のエッチング技術を用いることで、微細なパターニングにも対応可能な高精度の開口パターンなどを形成している。
【０００３】
ところで、従来のフォトリソグラフィー技術では、スピンコータでウエハ上にレジストを塗布し、レジスト層を形成している。その際、予めウエハの裏面を真空チャックで吸着保持しておき、その状態でウエハ表面にレジスト液を滴下し、スピン回転でレジストを均一に塗布している。ここで、ウエハの裏面を保持する真空チャックとしては、ウエハ裏面のほぼ全面に当接してこれを支持（保持）する保持部を有し、この保持部のほぼ全域に、多数の吸着孔をほぼ均等に分散させた状態で形成されたものが一般的である。
【０００４】
また、このようなスピンコート法等に用いられるチャック機構としては、接触方式である前記の真空チャック以外に、非接触方式のものとしてベルヌーイ法を用いたものも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１８５３５０号公報
【特許文献２】特開平８−２６４６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記の真空チャックを用いた蒸着マスクの製造方法では、以下に述べる課題がある。
シリコンウエハの表面側をウエットエッチングでパターニングする場合、パターニング面となる表面側だけでなく、裏面側にもレジスト層を形成しておかないと、裏面側まで無用にエッチングされてしまうことがある。このように裏面側までエッチングされてしまうと、目的とするパターニング形状が得られなくなってしまう。そこで、特に表裏両面が同じ材質であり、一方の面のみをウエットエッチングで選択的にパターニングしたい場合、パターニング用のレジストマスクとは別に、他方の面にも保護用のレジスト層を設けるのが普通である。
【０００６】
ところが、このように例えば他方の面（裏面）に保護用のレジスト層を形成したシリコンウエハに対し、一方の面（表面）側にパターニング用のレジストマスクを形成するべく、レジスト液をスピンコートする場合、前記の真空チャックを用いた製造方法では、真空チャックの保持部がシリコンウエハを吸着保持することで、シリコンウエハの裏面側に形成されたレジスト層にクラック等のキズが形成されてしまうことがある。このようにキズが形成されてしまうと、ウエットエッチング時、このキズからエッチング液が浸透し、シリコンウエハにもエッチビットと呼ばれるキズが形成されてしまう。
【０００７】
ここで、レジスト層に形成されるキズは、真空チャックの保持部がシリコンウエハの裏面側のほぼ全面に当接することから、この当接する全ての箇所で生じ易くなっており、したがって前記のエッチビットも、シリコンウエハの裏面側のほぼ全面に生じ易くなっている。しかし、このようにシリコンウエハのほぼ全面にエッチビットが形成されてしまうと、特に製品の形成領域となるシリコンウエハの中央部分にもエッチビットが形成されてしまうことになり、したがって得られる製品、すなわち蒸着マスクにエッチビットに起因する製造不良が生じてしまう。
【０００８】
また、前記のベルヌーイ法を用いたものにあっても、シリコウエハの裏面にレジスト層による凹凸が形成されていると、ベルヌーイ効果が十分に得られず、チャックが良好に行えないことが多い。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に裏面側にもレジスト層が形成された被処理体を保持するのに良好なスピンコータ用チャックと、これを用いた蒸着マスクの製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のスピンコータ用チャックは、スピンコータに用いられて、被処理体を保持するチャックであって、スピンコータに接続されるチャック本体と、前記被処理体の外周部のみを、少なくともその底面側を支持した状態で保持する保持部とを備えてなり、前記保持部が、前記チャック本体の上面側に突出した状態で設けられていることを特徴としている。
このスピンコータ用チャックによれば、被処理体を保持する保持部を、被処理体の外周部のみを保持するようにするとともに、この保持部を、チャック本体の上面側に突出させたことで該保持部以外の箇所が被処理体の底面に接触しないようにしたので、被処理体の裏面側にレジスト層が形成されている場合に、このレジスト層は、チャック時、チャックに直接接触する箇所、すなわち被処理体の外周部のみにしかキズが入らないようになる。したがって、ウエットエッチング時、このレジスト層のキズからエッチング液が浸透しても、これによってエッチビットは被処理体の外周部のみ、すなわち製品の形成領域となる中央部分を避けた位置にのみにしか形成されないようになる。よって、このスピンコータ用チャックを用いて形成された製品、すなわち蒸着マスクは、エッチビットに起因する製造不良が防止されたものとなる。
【００１０】
また、前記スピンコータ用チャックにおいては、前記保持部は、前記被処理体の周方向に沿って環状に形成されてなり、その少なくとも一部に、該保持部の内側と外側とを連通させる溝が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、スピンコータ用チャックから被処理体を取り外す際、前記溝を利用して例えばここにピンセット等を差し入れることにより、被処理体の取り外しを容易に行うことが可能になる。
【００１１】
また、前記スピンコータ用チャックにおいては、前記保持部は、少なくともその表層部がフッ素樹脂からなっているのが好ましい。
このようにすれば、フッ素樹脂は発塵性が極めて少ないことから被処理体に異物による悪影響を及ぼすおそれがなく、また、その硬度（例えばビッカース硬度）も比較的低く柔らかいことから、接触する部位（例えばレジスト層）に対する機械的な応力も小となる。
【００１２】
また、前記スピンコータ用チャックにおいては、前記保持部は、前記被処理体の底面側を真空吸着法で保持するよう構成されているのが好ましい。
このように、真空吸着法によるチャック、すなわち真空チャックとすれば、特に被処理体に対してその底面側のみを吸着保持することから、スピンコート面となる被処理体の上面に何等影響を与えることなく、したがってスピンコート処理が良好に行えるようになる。
【００１３】
また、前記スピンコータ用チャックにおいては、前記保持部は、その真空吸着法による真空吸着力を、前記チャック本体の中心側から外周側に向かうように発生させるよう、構成されてなるのが好ましい。
このようにすれば、真空吸着力、すなわち真空引きによる吸着力が、チャック本体の中心側から外周側に向かうように発生させられるので、スピンコート時、被処理体上に滴下された処理液が前記の吸着力に引っ張られ、真空装置側に吸引されてしまうことが防止される。
【００１４】
本発明の蒸着マスクの製造方法は、半導体基板からなる蒸着マスクの製造方法において、前記半導体基板の裏面側にレジストを設けた状態で、その表面側にもレジストを塗布する際、前記のスピンコータ用チャックを用い、スピンコート法で前記半導体基板の表面側にレジストを塗布することを特徴としている。
この蒸着マスクの製造方法によれば、被処理体を保持する保持部を、被処理体の外周部のみを保持するようにするとともに、この保持部を、チャック本体の上面側に突出させたことで該保持部以外の箇所が被処理体の底面に接触しないようにしたスピンコータ用チャックを用い、レジストを塗布するようにしているので、このスピンコータ用チャックを用いて形成された蒸着マスクは、前述したようにエッチビットに起因する製造不良が防止されたものとなる。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記の製造方法で得られた蒸着マスクを用い、蒸着パターンを形成するようにしたので、特にこの蒸着マスクがエッチビットに起因する製造不良が防止されているので、蒸着パターンの形成についてもこれを良好に行うことができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１、図２は本発明のスピンコータ用チャックの一実施形態を示す図であり、これらの図において符号１は、スピンコータ用チャックとしての真空チャックである。この真空チャック１は、特に被処理体としてシリコン基板（シリコンウエハ）を用い、これから蒸着マスクを作製する際に、好適に用いられるものである。
【００１７】
すなわち、この真空チャック１は、シリコン基板（被処理体）に対してスピンコート処理を行う際、スピンコータにセットされて用いられるもので、図１、図２に示すようにスピンコータ（図示せず）に接続されるチャック本体２と、前記シリコン基板Ｗを保持する保持部３とを備えてなるものである。
【００１８】
チャック本体２は、略円盤状の円盤部４と、この円盤部４の底面側に設けられた円筒状の円筒部５とからなるもので、円筒部５がスピンコータ（図示せず）の取付軸（図示せず）に取り付けられることにより、真空チャック１はスピンコータに取り付けられるようになっている。円盤部４は、図２に示したように上円盤６と下円盤７とが螺子止めにより一体化されてなるもので、これら上円盤６と下円盤７との間には、真空引きを行うための空間からなる吸引路８が形成されている。
【００１９】
上円盤６は、その上面側に前記保持部３を一体に形成したもので、フッ素樹脂等からなるものである。ここで、特に保持部３の少なくとも表層部、すなわち、後述するようにシリコン基板に当接する部位については、比較的軟質のもの、例えばビッカース硬度が５０以下のものが好適とされる。具体的には、前記フッ素樹脂を用いた場合、特にポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））を用いるのが好ましい。なお、本実施形態では、前述したように保持部３は、ビッカース硬度が５０以下に調整されたポリテトラフルオロエチレンにより、上円盤６と一体に形成されたものとする。
【００２０】
この上円盤６は、保持部３を形成した上板部６ａと、この上板部６ａの外周部底面側に円環状に形成された下板部６ｂとが一体に形成されたものである。
保持部３は、本実施形態では図１に示したように、シリコン基板Ｗの底面側の、外周部のみを支持した状態で保持するよう、平面視して円環状に形成されたものである。ただし、この保持部３は、本実施形態ではその周方向において３分割されて形成されている。すなわち、この保持部３には、その内側と外側とを連通させる溝９が３本形成されており、これによって後述するようにシリコン基板Ｗを保持状態から取り外す際、これら溝９を利用することで、取り外しが容易になっている。
【００２１】
なお、保持部３としては、本実施形態では前述したようにシリコン基板Ｗの外周部のみ、すなわち、シリコン基板Ｗにおける非製品形成領域となる位置にのみ当接するよう、この非製品形成領域に対応した位置に配設され、またその寸法・形状も非製品形成領域にのみ当接するように設計されている。
【００２２】
また、この保持部３には、その表面に円形に開口し、かつ、図２に示したように前記の吸引路８に連通する吸着孔１０が多数形成されている。これら吸着孔１０は、本実施形態では図１に示したように、円環状の保持部３の長さ方向（周方向）に沿って１列にほぼ等間隔で形成配置されている。なお、これら吸着孔１０の開口径としては、特に限定されることなく任意の径とされる。また、図１では吸着孔１０の開口径を円形としたが、この形状についても特に限定されることなく、長円形や楕円形、さらには角形など種々の形状が採用可能である。
【００２３】
また、このような開口を有する吸着孔１０についても、保持部３の表層部における開口部のみがそれぞれの吸着孔１０毎に独立し、保持部３の内部（上円盤６の内部）においては互いに連通する共通空間となっていてもよい。同様に、吸引路８についても、特に吸着孔１０がそれぞれ独立した空間路となっている場合、これら空間路（吸着孔１０）にそれぞれ連通する複数の空間路からなっていてもよく、また、平面視円形状の一つの空間からなっていてもよい。
【００２４】
下円盤７は、図２に示したように上円盤６の下板部６ｂ内に嵌め込まれ、その状態で螺子１１により固定された円盤状のもので、前記のフッ素樹脂等によって形成された上円盤６に比べ、比較的硬質の樹脂等から形成されたものである。この下円盤７は、上板部６ａに対し所定の間隔をあけて下板部６ｂ内に取り付けられたとにより、上板部６ａとの間に空間からなる前記吸引路８を形成したものとなっている。
【００２５】
また、この下円盤７には、その底面側の中心部に吸引孔１２が形成されており、該下円盤７の底面側には、吸引孔１２に連通して前記円筒部５が取り付けられている。この円筒部５は、前述したようにスピンコータ（図示せず）の取付軸（図示せず）に取り付けられるもので、下円盤７に一体に形成された外筒５ａと、この外筒５ａ内に挿通された内筒５ｂとからなるものである。内筒５ｂは、本実施形態ではステンレス等の金属によって形成されたもので、前記スピンコータの取付軸を内挿させることで該取付軸に直接取り付けられる部位となるものである。
【００２６】
ここで、スピンコータの取付軸は、真空ポンプ等の負圧源に取り付けられるようになっており、これによって真空チャック１は、保持部３の表面に形成された吸着孔１０の開口から吸着孔１０、吸引路８、吸引孔１２を介して負圧源に真空引きされるようになっている。このような構成のもとに真空チャック１は、スピンコータの取付軸に取り付けられた状態で、保持部３表面の吸着孔１０より真空吸着力を発揮し、シリコン基板Ｗを吸着保持するようになっている。
【００２７】
また、このように吸着孔１０の開口から吸着孔１０、吸引路８、吸引孔１２を介して真空引きされることにより、この真空チャック１は、その真空吸着力を、チャック本体２の中心側から外周側に向かうように発生させるようになっている。すなわち、真空吸着力の経路が、外側から内側に向かうようになっていることにより、保持部３の外側において発生する真空吸着力は、その方向性が円盤部４の厚さ方向に沿う吸着孔１０の外周面で反射され、チャック本体２の中心側から外周側に向かうようになっているのである。
【００２８】
次に、このような構成からなる真空チャック１を用いた蒸着マスクの製造方法の一実施形態を説明する。
本実施形態では、蒸着マスクとして、特に有機ＥＬ装置における発光層等の機能層を形成するためのマスクを製造するものとする。
【００２９】
まず、蒸着マスクの製造方法の説明に先立ち、形成する蒸着マスクについて説明する。
図３は蒸着マスクの概略構成を示す斜視図であり、図３中符号２０は蒸着マスクである。この蒸着マスク２０は、平面視正方形状のもので、後述するように有機ＥＬ装置の各画素部に対応した位置に開口２１が形成されている。また、その外周部には、マスクとしての機械的強度を持たすため、開口２１を形成したマスク部２２よりも十分に厚さが厚い枠部２３が形成されている。
【００３０】
このような構成からなる蒸着マスク２０は、図４に示すシリコン基板（シリコンウエハ）Ｗにおいて、例えば二点鎖線で示す正方形状に形成される。すなわち、このシリコン基板Ｗにおいては、その中央部が製品形成領域となり、外周部が非製品形成領域となっているのである。なお、蒸着マスク２０は、図４中二点鎖線で示した正方形状をさらに４分割した正方形状でもよく、あるいは、中央部を適宜な個数に分割した矩形状のものであってもよい。
【００３１】
このような蒸着マスク２０を製造するには、まず、図３に示したシリコン基板Ｗを例えばウエットエッチングおよびドライエッチングし、その表面に形成された酸化膜を除去して形成する。図５は図３における蒸着マスクの製造方法を具体的に示したものである。この図に沿ってスピンコーターの前記の真空チャック１の使用形態を説明して行く。
【００３２】
まず、シリコン基板Ｗを洗浄しウェット熱酸化法により１μｍのＳｉＯ２膜２５を付与する。この時、ＳｉＯ２膜２５はシリコン基板（シリコンウエハ）Ｗの両面に成膜され図５（ａ）のごとくなる。次に、シリコン基板Ｗの両面にスピンコーターにてポジレジスト２４（東京応化製；ＯＦＰＲ−８００ＬＢ-３４ｃP）を塗付する。この時、図１に示す真空チャック１を使用する事により、シリコン基板Ｗの裏面の製品を製造する部分にキズが付かなくなる。両面へのスピンコートは、基板片面をレジストスピンコートした後、クリーンオーブンにて９０℃で１５分間のプレベークを行なった後、もう一方の面にレジストスピンコートし、クリーンオーブンにて９０℃で１５分間のプレベークを行なう。
【００３３】
その後、図３のマスク部２２となる薄板部を作るべき部位にパターン２６を形成する（図５（ｂ）参照）。この後、クリーンオーブンを用いて１２０℃で２０分間のポストベークを行ないレジストのシリコン基板Ｗとの密着性を強化した。そして、ＳｉＯ２膜２５にパターン２６を転写するために緩衝ふっ酸溶液を使用したウェットエッチングを行なう（５（ｃ）参照）。さらにレジストをレジスト剥離液で除去し、図５（ｄ）の形態になる。図５（ｄ）では、図３のマスク部２２になるべき薄板部のＳｉＯ２パターン２５ａが形成されている。このシリコン基板Ｗを８０℃に加熱した２０重量％水酸化カリウム水溶液にて薄板部を形成し、図５（ｅ）の形態になる。
【００３４】
なお、エッチング後のシリコン基板Ｗの厚みとしては、その周辺部の枠部２３においてはほぼエッチング前の厚みであり、枠部２３内のマスク部２２となる領域では、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは３０μｍ以下とされる。これは、厚みが薄いほど、厚みの影響による蒸着ずれが少なくなるからである。ただし、薄すぎると破損してしまう可能性もあるため、下限値としては１０μｍ程度までが限度とされる。なお、エッチング後のシリコン基板Ｗの厚みについては、エッチャントの温度及びエッチング時間によって制御することができる。
【００３５】
続いて、シリコン基板Ｗの裏面に図３の開口２１を形成するべきレジストパターン２４ａを形成するために、前記真空チャック１を用いてレジストをスピンコートする。この時、基板中央部はマスク部２２があり通常のコーターチャックではシリコン基板を保持できないが、前記真空チャック１は基板外周部のみチャックするので可能である。そして、一連のフォトリソグラフィによりレジストパターン２４ａが、図５（ｆ）のごとく完成する。このレジストパターン２４ａにおける開口部の大きさ、すなわち形成する開口パターンの大きさとしては、後述する有機ＥＬ装置における画素領域の大きさにほぼ一致する大きさとする。
【００３６】
その後、レジストパターン２４ａをマスクとし、例えばエッチングガスとしてＣＨＦ３を用いてＳｉＯ２膜２５のドライエッチングを行い、さらにＳＴＳ社製ＩＣＰを使用する事によってＳｉのトレンチエッチングを行い、図５（ｇ）のごとくシリコン基板Ｗに多数の開口２１を形成する。続いて、図５（ｈ）のごとくレジストパターン２４ａを除去する。
そして、不用になったＳｉＯ２膜を除去するためにシリコン基板Ｗを緩衝ふっ酸溶液に浸漬させ、図５（ｉ）のごとく除去する。
さらに、このようにして処理を行ったシリコン基板Ｗに対し、図４に示した二点鎖線の位置で切断し、図３に示した形状の蒸着マスク２０を得る。
【００３７】
前記構成の真空チャック１にあっては、保持部３を、シリコン基板Ｗの外周部のみ、すなわち非製品形成領域のみを保持するようにするとともに、この保持部３を、チャック本体２の上面側に突出させたことで該保持部３以外の箇所がシリコン基板Ｗの底面に接触しないようにしたので、特にシリコン基板Ｗの裏面側にレジスト層２４が形成されている場合に、このレジスト層２４に対し、チャック時、チャックに直接接触する箇所、すなわちその外周部のみにしかキズが入らないようにすることができる。したがって、ウエットエッチング時、このレジスト層２４のキズからエッチング液が浸透しても、これによってエッチビットはシリコン基板Ｗの外周部のみ、すなわち製品の形成領域となる中央部分を避けた位置にのみにしか形成されないようになる。よって、このスピンコータ用チャックにあっては、これを用いて形成された製品、すなわち蒸着マスクの、エッチビットに起因する製造不良を防止することができる。
また、このような真空チャック１を用いた蒸着マスクの製造方法にあっては、前述したようにエッチビットに起因する製造不良を防止することができる。
【００３８】
次に、このようにして得られた蒸着マスクを用いた有機ＥＬ装置の製造方法を説明する。
図６は、前記蒸着マスク２０を用いて一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図であり、まず、この有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図６に示すようにこの有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、ＴＦＴ等からなるアクティブ素子が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【００３９】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【００４０】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、発光層形成工程では、特に発光層形成材料として低分子系の有機発光材料を用いる場合に、前記の蒸着マスク２０が用いられる。すなわち、前記の開口２１をバンク部３４１に囲まれた凹部開口３４４に位置合わせし、その状態で発光材料を蒸着する。なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の蒸着工程は、３種類の材料をそれぞれに蒸着するために３つの工程からなっている。
【００４１】
この発光素子形成工程において、発光層３５３を前記の製造方法で得られた蒸着マスク２０を用いて形成するようにしたので、特にこの蒸着マスク２０がエッチビットに起因する製造不良が防止されているので、発光層３５３の形成についてもこれを精度良く良好に行うことができる。
なお、前記の蒸着マスクについては、発光層の形成以外にも、例えば陰極を素子ごとに形成し分ける場合などに、好適に利用することができる。
【００４２】
（実験例）
８インチのシリコン基板Ｗを用意し、図１、図２に示した真空チャック１を用いて図５に示した蒸着マスクの製造方法により、これらシリコン基板Ｗから蒸着マスクを形成した。なお、真空チャック１としては、その円環状の保持部３の外径が１９９ｍｍ、保持部３の幅が４．０ｍｍ、吸着孔１０の開口径がΦ０．６ｍｍ、３分割されたうちの一つの保持部３に対して吸着孔１０の数が１８個であるものを用いた。
また、比較のため、従来の真空チャック、すなわち、シリコン基板Ｗの裏面のほぼ全面に当接してこれを支持（保持）する保持部を有し、この保持部のほぼ全域に、多数の吸着孔をほぼ均等に分散させた状態で形成された真空チャックを用い、前記真空チャック１を用いた場合と同様にして、蒸着マスクを形成した。
【００４３】
本発明の真空チャック１と従来の真空チャックとを用い、それぞれ２５枚ずつのシリコン基板Ｗ（８インチ）を処理した結果、本発明の真空チャック１を用いた場合には、２５枚中で２４枚の良品が得られた。これに対し、従来の真空チャックとを用いた場合には、２５枚中で２枚しか良品が得られなかった。これより、本発明の真空チャック１は、特にエッチビットに起因する不良を著しく低減し、歩留まりを向上できることが確認された。
【００４４】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、チャック機構についても真空吸着法による保持機構に代えて、機械的なチャック機構、すなわち、被処理体の表裏面を挟持することによるチャック機構を採用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態である真空チャックの概略構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態である真空チャックの概略構成を示す側断面図である。
【図３】蒸着マスクの概略構成を示す斜視図である。
【図４】シリコン基板の平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｉ）は蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図である。
【図６】有機ＥＬ装置の側断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…真空チャック（スピンコータ用チャック）、２…チャック本体、３…保持部、
４…円盤部、１０…吸着孔、２０…蒸着マスク、２１…開口、２２…マスク部、
２４…レジスト層、Ｗ…シリコン基板（被処理体）
【図１】
2005296705.tif 000003
【図２】
2005296705.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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