(57)【要約】【課題】  長尺型の塗布ノズルに良好なウエットラインを常時安定に得られるようにして、被処理基板上に膜厚が一定で塗布ムラのない塗布膜を形成する。【解決手段】  ウエットライン下地処理部１２５は、前面よりレジスト液のしみ出るように構成された塗布パッド１６２にユーティリティユニット１７２内のレジスト液供給部よりレジスト液または希釈レジスト液を供給しつつ、ユーティリィユニット１７２内の押圧部により塗布パッド１６２をノズル部背面１６０の下半部に所定の圧力で押し付けながら、直進駆動部１７６の直進駆動により塗布パッド１６２をノズル長手方向（Ｙ方向）にレジストノズル１２０の一端から他端まで直線的かつ一気に摺動させる。【選択図】    図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ水平な被処理基板と長尺状の塗布ノズルの下端面に設けられた吐出口との間に所望の微小なギャップを設定し、塗布処理中に前記吐出口より前記基板上に吐出された塗布液で前記塗布ノズルの背面下端部がぬれる状態で前記塗布ノズルをノズル長手方向とほぼ直交する水平方向に相対的に移動させて、前記基板上に前記塗布液を塗布する塗布方法であって、
塗布処理に先立ち前記塗布ノズルの背面下端部に塗布液またはこれを希釈した希釈塗布液をノズル長手方向に塗り付けるウエットライン下地処理工程を有する塗布方法。
【請求項２】
前記ウエットライン下地処理工程が、前記塗布ノズルの背面下端部に対して、前記塗布液または希釈塗布液のしみ出る塗布パッドを押し当てながらノズル長手方向に相対的に摺動させる請求項１に記載の塗布方法。
【請求項３】
前記塗布パッドが、海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を前記塗布ノズルの背面下端部に接触させて摺動する請求項２に記載の塗布方法。
【請求項４】
前記塗布パッドを前記塗布ノズルの背面下端部の一端から他端まで一気に摺動させる請求項２または請求項３に記載の塗布方法。
【請求項５】
前記塗布ノズルの背面下端部にノズル長手方向に延びる前記塗布液または希釈塗布液の液溜まり部が形成される請求項２〜４のいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項６】
前記ウエットライン下地処理工程が、前記塗布ノズルの背面下端部に対して、前記塗布液または希釈塗布液を供給しつつ擦りパッドを押し当てながらノズル長手方向に相対的に摺動させる請求項１に記載の塗布方法。
【請求項７】
前記擦りパッドが、海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を前記塗布ノズルの背面下端部に接触させて摺動する請求項６に記載の塗布方法。
【請求項８】
前記擦りパッドを前記塗布ノズルの背面下端部の一端から他端まで直線的かつ一気に摺動させる請求項６または請求項７に記載の塗布方法。
【請求項９】
下端面に吐出口を有する長尺状の塗布ノズルと、
前記塗布ノズルに塗布液を供給するための第１の塗布液供給部と、
被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
塗布処理中に前記基板支持部に支持される前記基板に対して所望の微小なギャップを隔てて前記塗布ノズルを支持するためのノズル支持部と、
塗布処理中に前記塗布ノズルの吐出口より前記基板上に吐出された塗布液で前記塗布ノズルの背面下端部がぬれる状態で前記塗布ノズルをノズル長手方向とほぼ直交する水平方向に相対的に移動するように前記基板支持部と前記ノズル支持部との間で相対的な水平移動を行わせるための走査部と、
塗布処理に先立ち前記塗布ノズルの背面下端部に塗布液またはこれを希釈した希釈塗布液をノズル長手方向に塗り付けるためのウエットライン下地処理部と
を有する塗布装置。
【請求項１０】
前記ウエットライン下地処理部が、前記塗布液または希釈塗布液のしみ出る塗布パッドと、前記塗布ノズルの背面下端部に前記塗布パッドを押し当ててノズル長手方向に相対的に摺動させるための塗布パッド摺動部とを有する請求項９に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記ウエットライン下地処理部が、前記塗布パッドに前記塗布液または希釈塗布液を供給する第２の塗布液供給部を有する請求項１０に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記塗布パッドが海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を有し、前記塗布ノズルの背面下端部に前記パッド部材が接触する請求項１０または請求項１１に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記塗布パッドが、前記塗布ノズルの背面下端部と接触するパッド主面の下端部にノズル長手方向と平行に延びる凹部を有する請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記塗布パッド摺動部が、前記塗布パッドを前記塗布ノズルの背面下端部の一端から他端まで直線的かつ一気に摺動させるための直進駆動部を有する請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１５】
前記ウエットライン下地処理部が、前記塗布ノズルの背面下端部に前記塗布液または希釈塗布液を付けるための塗布液付与手段と、前記塗布ノズルの背面下端部を擦るための擦りパッドと、前記塗布ノズルの背面下端部に前記擦りパッドを押し当ててノズル長手方向に相対的に摺動させるための擦りパッド摺動とを有する請求項９に記載の塗布装置。
【請求項１６】
前記擦りパッドが海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を有し、前記塗布ノズルの背面下端部に前記パッド部材が接触する請求項１５に記載の塗布装置。
【請求項１７】
前記擦りパッド摺動部が、前記擦りパッドを前記塗布ノズルの背面下端部の一端から他端まで一気に摺動させるための直進駆動部を有する請求項１５または請求項１６に記載の塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺型の塗布ノズルを用いて被処理基板上に液体を塗布して塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＣＤや半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板（ガラス基板、半導体ウエハ等）上にレジスト液を塗布するために用いるレジストノズルの一形式として、たとえば特許文献１に開示されるようなスリット状の吐出口を有する長尺型のレジストノズルが知られている。
【０００３】
このような長尺型のノズルを用いるレジスト塗布装置では、図１３に示すように、載置台または保持板（図示せず）上に水平に載置される基板Ｇと長尺型レジストノズル２００の下端面の吐出口との間に数百μｍ以下の微小ギャップを設定し、基板Ｇの上方でレジストノズル２００を走査方向（一般にノズル長手方向と直交する水平方向）に移動させながら基板Ｇ上にレジスト液を吐出させる。その際、基板Ｇ上に吐出されたレジスト液がぬれ(wet)現象によりレジストノズル２００の背面下部２００ａに付着して高さ方向に広がり（盛り上がり）、ノズル長手方向に延びる凸面状のメニスカスが形成される。このメニスカスの形状はレジスト液の表面張力および粘度やノズル吐出部ないし背面部の形状等によって決まり、定常状態ではメニスカスの頂上位置が或る一定の高さのラインつまりウエットラインＷＬで安定する。このウエットラインＷＬが一定の高さ位置で水平にある限り、基板Ｇ上には一定の膜厚でレジスト液の塗布膜が形成される。
【特許文献１】特開平８−１３８９９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、長尺型のレジストノズル２００を用いるレジスト塗布装置では、塗布処理中にレジストノズル２００の背面下部にぬれ現象で付着するレジスト液の頂上ラインまたはウエットラインＷＬが基板上のレジスト塗布膜のプロファイルに関係し、ウエットラインＷＬが一定の高さ位置で水平一直線に保たれている限り基板上には一定の膜厚でレジスト塗布膜が形成される。しかしながら、従来のこの種のレジスト塗布装置においては、水平一直線のウエットラインＷＬを常時安定に得るのが難しいという問題や、レジスト液の種類によっては波状のメニスカスが形成されやすいものがあり、図１３に示すようにそのような波状メニスカスの波頭部２０２に対応する基板Ｇ上の位置で走査方向に延びる筋状の塗布ムラ２０４が生じるという問題があった。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、長尺型の塗布ノズルに良好なウエットラインを常時安定に得られるようにして、被処理基板上に膜厚が一定で塗布ムラのない塗布膜を形成できるようにした塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の塗布方法は、ほぼ水平な被処理基板と長尺状の塗布ノズルの下端面に設けられた吐出口との間に所望の微小なギャップを設定し、塗布処理中に前記吐出口より前記基板上に吐出された塗布液で前記塗布ノズルの背面下端部がぬれる状態で前記塗布ノズルをノズル長手方向とほぼ直交する水平方向に相対的に移動させて、前記基板上に前記塗布液を塗布する塗布方法であって、塗布処理に先立ち前記塗布ノズルの背面下端部に塗布液またはこれを希釈した希釈塗布液をノズル長手方向に塗り付けるウエットライン下地処理工程を有する。
【０００７】
本発明の塗布装置は、下端面に吐出口を有する長尺状の塗布ノズルと、前記塗布ノズルに塗布液を供給するための第１の塗布液供給部と、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布処理中に前記基板支持部に支持される前記基板に対して所望の微小なギャップを隔てて前記塗布ノズルを支持するためのノズル支持部と、塗布処理中に前記塗布ノズルの吐出口より前記基板上に吐出された塗布液で前記塗布ノズルの背面下端部がぬれる状態で前記塗布ノズルをノズル長手方向とほぼ直交する水平方向に相対的に移動するように前記基板支持部と前記ノズル支持部との間で相対的な水平移動を行わせるための走査部と、塗布処理に先立ち前記塗布ノズルの背面下端部に塗布液またはこれを希釈した希釈塗布液をノズル長手方向に塗り付けるためのウエットライン下地処理部とを有する。
【０００８】
本発明では、塗布処理に先立ちウエットライン下地処理部において、塗布ノズルの背面下端部に塗布液またはこれを希釈した希釈塗布液をノズル長手方向に塗り付けることにより、塗布処理時に塗布ノズルより吐出された塗布液のぬれ現象による塗布ノズル背面下端部における広がりを円滑にすると同時に液面頂上位置またはウエットラインを塗り付け方向に倣わせて安定化させることができる。
【０００９】
本発明の好適な一態様によれば、ウエットライン下地処理工程において、塗布ノズルの背面下端部に対して、塗布液または希釈塗布液のしみ出る塗布パッドを押し当てながらノズル長手方向に相対的に摺動させる。この場合、塗布パッドは塗布ノズルの背面下端部に塗布液または希釈塗布液をしみ出して擦り付けながらノズル長手方向に摺動することより、ウエットラインを一直線に倣わせるための擦りラインを含む塗布液塗り付け領域を良好かつ効果的に形成することができる。好ましくは、塗布パッドが海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を有し、塗布ノズルの背面下端部に該パッド部材を接触させて摺動するようにしてよい。また、良好な直線的擦りラインを得るために、塗布パッドを塗布ノズルの背面下端部の一端から他端まで一気に摺動させるのが好ましい。
【００１０】
本発明の好適な一態様によれば、塗布パッドが塗布ノズルの背面下端部と接触するパッド主面の下端部にノズル長手方向と平行に延びる凹部を有し、塗布ノズルの背面下端部にノズル長手方向に延びる塗布液または希釈塗布液の液溜まり部が形成されるようにする。塗布ノズルの背面下端部にこのような塗布液または希釈塗布液の液溜まり部を付けた状態で次の塗布処理を開始することで、塗布ノズルの吐出口より基板上に吐出された塗布液がぬれ現象によりノズル部背面の下端部に付着して高さ方向に広がる時間を短縮し、ノズル走査の開始を早めることができる。
【００１１】
本発明の好適な一態様によれば、ウエットライン下地処理工程において、塗布ノズルの背面下端部に対して、塗布液または希釈塗布液を供給しつつ擦りパッドを押し当てながらノズル長手方向に相対的に摺動させる。この場合、擦りパッドは先に塗布ノズルの背面下端部に付いている塗布液または希釈塗布液をノズル長手方向に延ばしながら摺動することより、ウエットラインを一直線に倣わせるための擦りラインを含む塗布液塗り付け領域を良好かつ効果的に形成することができる。好ましくは、擦りパッドが海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を有し、塗布ノズルの背面下端部に該パッド部材を接触させて摺動するようにしてよい。また、良好な直線的擦りラインを得るために、擦りパッドを塗布ノズルの背面下端部の一端から他端まで一気に摺動させるのが好ましい。
【００１２】
本発明において、ウエットライン下地処理工程で塗布ノズルの背面下端部に塗り付ける塗布液は基板上に塗布する塗布液と同じものであるのが最も好ましいが、基本成分を同じくするものであれば成分比や濃度等に多少の違いがあってもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の塗布方法および塗布装置によれば、上記のような構成と作用により、長尺型の塗布ノズルに良好なウエットラインを常時安定に得ることが可能であり、これによって被処理基板上に膜厚が一定で塗布ムラのない塗布膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図１〜図１２を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００１５】
図１に、本発明の塗布方法および塗布装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、この処理システムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１６】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１７】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、角型のガラス基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１８】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１９】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２０】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２１】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の枚葉式オーブンユニットを基板受け渡し用のパスユニットと一緒に多段に積層配置してなる多段ユニット部またはオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８を設けている。
【００２２】
たとえば、図２に示すように、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）４４には、基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳL）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳL）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２からの洗浄処理の済んだ基板Ｇを第１の熱的処理部２６内に搬入するためのスペースを提供する。下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８には、基板搬出用のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０、基板温度調整用の冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳR）６０は、第１の熱的処理部２６で所要の熱処理の済んだ基板Ｇを下流側の塗布プロセス部２８へ搬出するためのスペースを提供する。
【００２３】
図２において、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２４】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２５】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４とをプロセスラインＡに沿って一列に配置している。塗布プロセス部２８内の構成は後に詳細に説明する。
【００２６】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方のオーブンタワー（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方のオーブンタワー（ＴＢ）９２を設けている。
【００２７】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側のオーブンタワー（ＴＢ）８８には、最下段に基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳL）が配置され、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２には、最下段に基板搬出用のパスユニット（ＰＡＳＳR）が配置され、その上に基板温度調整用の冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。
【００２８】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両オーブンタワー（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳL），（ＰＡＳＳR）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００２９】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３０】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３１】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対のオーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３２】
図示省略するが、たとえば、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）９８には、最下段に基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳL）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側のオーブンタワー（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板搬出および冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。
【００３３】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳL）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３４】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３５】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれかのカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３６】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３７】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００３８】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳL）５０に平流しで搬入される。
【００３９】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のオーブンユニットに順次移送される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳL）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０に移される。
【００４０】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段オーブンタワー（ＴＢ）４４と下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作が行なわれる。
【００４１】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８の搬入ユニット（ＩＮ）８１へ移され、搬入ユニット（ＩＮ）８１からレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４２】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２において、基板Ｇは、後述するようにスリット型のレジストノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布される。次いで、基板Ｇは、下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ8）。
【００４３】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側オーブンタワー（ＴＢ）８８内のパスユニット（ＰＡＳＳL）に搬入される。
【００４４】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットに順次移送される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳL）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでプリベーキングの加熱処理を受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳR）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４５】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４６】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４７】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳR）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４８】
現像プロセス部３２では、該オーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳR）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００４９】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ平流しで搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳL）に搬入される。
【００５０】
第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳL）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングの加熱処理を受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５１】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをステージ２０上のいずれかのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５２】
この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部２８、特にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１２を参照して本発明を塗布プロセス部２８に適用した一実施形態を説明する。
【００５３】
図４に示すように、塗布プロセス部２８は、支持台１１２の上にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４とをＸ方向に（プロセスラインＡに沿って）一列に配置している。Ｘ方向に延びる一対のガイドレール１１４，１１４が支持台１１２の両端部に平行に敷設され、両ガイドレール１１４，１１４に案内されて移動する一組または複数組の搬送アーム１１６，１１６により、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２から減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４へ基板Ｇを転送できるようになっている。さらに、両ガイドレール１１４，１１４は、塗布プロセス部２８と隣接する上流側および下流側のユニット、つまり第１の熱的処理部２６の下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳR）６０と、第２の熱的処理部３０の上流側オーブンタワー（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳL）とに引き込まれ、搬送アーム１１６，１１６が両側のパスユニット（ＰＡＳＳR），（ＰＡＳＳL）に出入り可能となっている。かくして、搬送アーム１１６，１１６により、オーブンタワー（ＴＢ）４８のパスユニット（ＰＡＳＳR）から塗布処理前の基板Ｇをレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に搬入し、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４からオーブンタワー（ＴＢ）８８のパスユニット（ＰＡＳＳL）へ塗布処理済みの基板Ｇを搬出するようになっている。
【００５４】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ１１８と、このステージ１１８上に載置される基板Ｇの上面（被処理面）に長尺型のレジストノズル１２０を用いてスピンレス法でレジスト液を塗布するための塗布処理部１２２と、レジストノズル１２０のレジスト液吐出機能を正常状態に維持またはリフレッシュするためのノズルリフレッシュ部１２４と、塗布処理の際にレジストノズル１２０において水平一直線のウエットラインＷＬを安定確実に得るためのウエットライン下地処理を行うためのウエットライン下地処理部１２５等を有している。この実施形態では、ウエットライン下地処理部１２５がノズルリフレッシュ部１２４内に設けられている。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２内の各部の構成および作用は図５〜図１２を参照して後に詳述する。
【００５５】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ１２６と、この下部チャンバ１２６の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ（図示せず）とを有している。下部チャンバ１２６はほぼ四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して支持するためのステージ１２８が配設され、底面の四隅には排気口１３０が設けられている。各排気口１３０は排気管（図示せず）を介して真空ポンプ（図示せず）に通じている。下部チャンバ１２６に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。
【００５６】
図５に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２における塗布処理部１２２の構成を示す。塗布処理部１２２は、レジストノズル１２０を含むレジスト液供給部１３２と、塗布処理時にレジストノズル１２０をステージ１１８の上方で矢印方向（Ｘ-方向）に水平移動つまり走査させる走査部１３４とを有する。レジスト液供給部１３２において、レジストノズル１２０は、ステージ１１８上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さでＹ方向に延びる長尺状のノズル本体１５０を有し、レジスト液供給源（図示せず）からのレジスト液供給管１３６に接続されている。ノズル本体１５０の下端面にはノズル長手方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の吐出口１５２が形成されている。走査部１３４は、レジストノズル１２０を水平に支持する逆さコ字状の支持体１３８と、この支持体１３８をＸ方向で双方向に直進移動させる走査駆動部１４０とを有する。この走査駆動部１４０は、たとえばガイド付きのリニアモータ機構またはボールねじ機構で構成されてよい。Ｘ方向において支持体１３８を固定し、ステージ１１８側を直進移動させる構成も可能である。支持体１３８とレジストノズル１２０とを接続するジョイント部１４２には、レジストノズル１３４の高さ位置を変更または調節するためのガイド付きの昇降機構を設けるのが好ましい。レジストノズル１２０の高さ位置を調節することで、レジストノズル１２０の下端面または吐出口１５２とステージ１１８上の基板Ｇの上面（被処理面）との間の距離間隔つまりギャップの大きさを任意に設定または調整することができる。
【００５７】
図６および図７に、一実施例によるレジストノズル１２０およびウエットライン下地処理部１２５の構成を示す。ウエットライン下地処理部１２５は、ステージ１２８とノズル走査方向の下流側（上流側でもよい）で隣接するノズルリフレッシュ部１２４内に設けられている。
【００５８】
レジストノズル１２０において、ノズル本体１５０は、たとえばステンレス鋼等の対錆性と加工性に優れた金属からなり、角筒状のバッファ部１５４と、このバッファ部１５４から下端面の吐出口１５２に向ってテーパ状に延びるノズル部１５６とを有する。ノズル部１５６の相対向するテーパ面１５８，１６０のうち、一方のテーパ面１５８が前面で、他方のテーパ面１６０が背面となる。すなわち、レジストノズル１２０は、塗布処理中にノズル部１５６の前面１５８をノズル走査方向（Ｘ-方向）の前方に向け、ノズル部１５６の背面１６０を同方向の後方にそれぞれ向けて移動する（図５、図９、図１０）。バッファ部１５４の内部には、レジスト液供給管１３６より導入したレジスト液をいったん貯留してノズル長手方向の圧力を均一化するためのバッファ室またはキャビティ（図示せず）が設けられている。ノズル部１５２の内部には、バッファ部１５４内のキャビティから下端の吐出口１５２まで垂直下方に延びるスリット状の流路１６１が設けられている。
【００５９】
ウエットライン下地処理部１２５は、前面よりレジスト液のしみ出るように構成された塗布パッド１６２と、この塗布パッド１６２をレジストノズル１２０のノズル部１５６の背面１６０の下半部に押し当ててノズル長手方向に相対的に摺動させるための塗布パッド摺動部１６４とを有している。
【００６０】
塗布パッド１６２は、図７に示すように、前面の開口した筐体１６６と、この筐体１６６内に充填されたパッド部材１６８とを有している。パッド部材１６８は、膨潤性と弾力性とを備えた繊維質の物質が好ましく、たとえば海綿状物質または多孔性物質からなるものであってよい。筐体１６６の背面には剛性の中空管からなる支持管１７０が結合されている。ウエットライン下地処理中には、後述するユーティリティボックス１７２内のレジスト液供給部からのレジスト液がこの支持管１７０の流路を通って筐体１６６内のパッド部材１６８に供給されるようになっている。パッド部材１６８の内部には、筐体１６６の背部側より導入されたレジスト液をパッド部材全体に均一に広めるためのキャビティ１６８ａが設けられてよい。
【００６１】
塗布パッド摺動部１６４は、ノズルリフレッシュ部１２４内に設定されたウエットライン下地処理用のステーションでレジストノズル１２０のノズル背面部１６０と対面する位置に配置されており、各種駆動部や用力部等を含むユーティリティユニット１７２と、このユーティリティユニット１７２を載置するキャリッジ１７４と、このキャリッジ１７４をレジストノズル１２０の長手方向（Ｙ方向）と平行な水平方向に一直線に移動させるための直進駆動部１７６とを有している。直進駆動部１７６は、たとえばガイド（図示せず）付きのボールねじ機構で構成されてよく、あるいはリニアモータ機構やベルト機構等で構成されてもよい。Ｙ方向においてユーティリティユニット１７２側を固定し、レジストノズル１２０を直進移動させる構成も可能である。ユーティリティユニット１７２内には、塗布パッド１６２に支持管１７０内の流路を介してレジスト液を供給するためのレジスト液供給部や、塗布パッド１６２を支持管１７０を介して前後方向で移動可能にかつ水平に支持する支持部や、塗布パッド１６２を支持管１７０と一体に前方へ押し出すための押圧部等が収容されている。図示の例では、塗布パッド１６２とユーティリティユニット１７２側のバネ受け部（図示せず）との間に支持管１７０を支持軸とするコイルばね１７８が架け渡されている。ユーティリティユニット１７２内の上記押圧部は、たとえばエアシリンダを有し、コイルばね１７４のバネ変形量に応じた所望の圧力で塗布パッド１６２をレジストノズル１２０のノズル部背面１６０の下半部に押し付けるようになっている。
【００６２】
ここで、図６〜図８につきウエットライン下地処理部１２５における作用を説明する。ステージ１１８上の基板Ｇに対する塗布処理が終わると、次の被処理基板Ｇに対する塗布処理のために走査部１３４がレジストノズル１２０をノズルリフレッシュ部１２４まで移送し、ウエットライン下地処理用のステーションで位置決めする。ウエットライン下地処理部１２５では、位置決めされたレジストノズル１２０の一端に近接した場所で、塗布パッド摺動部１６４が塗布パッド１６２をノズル部背面１６０の下半部に対向させる。そして、ユーティリティユニット１７２内のレジスト液供給部より塗布パッド１６２にレジスト液を供給しつつ、ユーティリィユニット１７２内の押圧部により塗布パッド１６２をノズル部背面１６０の下半部に所定の圧力で押し付けながら、直進駆動部１７６の直進駆動により塗布パッド１６２をノズル長手方向（Ｙ方向）にレジストノズル１２０の一端から他端まで直線的かつ一気に摺動させる。好ましくは、塗布パッド１６２を一定の速度で摺動させ、レジストノズル１２０の他端付近で止めたり減速することなく走り抜けさせてよい。
【００６３】
その結果、図８に示すように、ノズル部背面１６０の下半部には塗布パッド１６２の通り過ぎた領域１８０にレジスト液がノズル長手方向（Ｙ方向）に塗り付けられる。このノズル部背面１６０におけるレジスト液塗り付け領域１８０内には、塗布パッド１６２のパッド部材１６８が擦った跡としてノズル長手方向（Ｙ方向）に平行かつ水平一直線に延びる多数ないし無数のライン１８２が形成される。これらの擦りライン１８２は、次の塗布処理を開始する時に基板Ｇ上に吐出されたレジスト液がぬれ現象でレジスト液塗り付け領域１８０上を高さ方向に広がる際の液面頂上位置を水平一直線に規制するための水平ガイドライン機能を奏するものである。ここで、レジストノズル１２０の下端面（吐出口１５２）を基準として、レジスト液塗り付け領域１８０の上端高さ位置ＨをウエットラインＷＬの高さ位置（予想値）ｈよりも十分高く（たとえば２倍以上）するのが好ましい。一例として、ｈ＝０．５ｍｍに対してＨ＝１．０〜２．０ｍｍに設定してよい。
【００６４】
このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２において、ウエットライン下地処理部１２５で上記のようなウエットライン下地処理が行なわれた後、レジストノズル１２０を走査部１２２によりステージ１１８の上流側に移送しておく。そして、次の未処理の被処理基板Ｇがステージ１１８上に載置されると、走査部１３４によりレジストノズル１２０を該基板Ｇ上の上流側端部に位置合わせし、次いで図５に示すようにステージ１１８の上方をＸ-方向で縦断するようにレジストノズル１２０を一定の速度で走査させながら、レジスト液供給部１３２においてレジストノズル１２０の吐出口１５２よりノズル長手方向（Ｙ方向）に延びるライン状の吐出流でレジスト液Ｒをステージ１１８上の基板Ｇの上面に供給する。
【００６５】
その際、図９および図１０に示すように、ノズル吐出口１５２より基板Ｇ上に吐出されたレジスト液Ｒがぬれ現象によりレジストノズル１２０のノズル部背面１６０の下端部に付着して高さ方向に広がり（盛り上がり）、ノズル長手方向に延びる凸面状のメニスカスが形成される。この際、ノズル部背面１６０の下半部には先のウエットライン下地処理によりレジスト液塗り付け部１８０が形成されているため、基板Ｇ上のレジスト液Ｒはノズル部背面１６０の下端からレジスト液塗り付け部１８０に沿って同領域内の無数の水平一直線の擦りライン１８２による水平ガイドラインの規制を受けながら高さ方向に広がり、いずれかの擦りライン１８２に倣うようにして液面頂上位置が安定化し、水平一直線のウエットラインＷＬが確立される。このことにより、ウエットラインＷＬの下流側で基板Ｇ上に形成されるレジスト塗布膜ＲＭの膜厚ｄが所期の値で一定に維持される。
【００６６】
また、塗布処理に使用されるレジスト液の種類により粘性が不安定で波状のメニスカスが形成されやすい場合でも、この実施形態によれば上記のようなレジスト液塗り付け部１８０における水平ガイドライン機能によりメニスカスの頂上位置を水平一直線に規制することができる。このことにより、レジスト塗布膜ＲＭ上に筋状の塗布ムラが生じる可能性を大幅に低減できる。
【００６７】
ノズルリフレッシュ部１２４においては、図示省略するが、レジストノズル１２０のノズル部１５６を洗浄するためのノズル洗浄部や、レジストノズル１２０にノズル内のレジスト液を吐出して入れ替えさせるためのダミーディスペンス部等も設けられている。ノズル洗浄またはダミーディスペンスを行うときは、その後に上記のようなウエットライン下地処理部１２５によるウエットライン下地処理を行ってよい。
【００６８】
図１１に、上記した実施例におけるウエットライン下地処理部１２５の一変形例を示す。この変形例は、塗布パッド１６２の前面（主面）の下端部にノズル長手方向と平行に延びる凹部１８４を設けている。図示の例では、図１１の（Ａ），（Ｂ）に示すように、筐体１６６およびパッド部材１６８の双方にそれぞれ凹部１８４を設けている。
【００６９】
かかる構成によれば、塗布パッド１６２をノズル部背面１６０の下端部に押し付けながらノズル長手方向に摺動させる際に、パッド部１６８よりしみ出たレジスト液が凹部１８４に溜まった状態でノズル部背面１６０の下端部に付着する。その結果、図１１の（Ｃ）に示すように、ノズル部背面１６０の下端部にノズル長手方向に延びるレジスト液の液溜まり部１８６が形成される。この状態で次の塗布処理を開始させると、レジストノズル１２０の吐出口１５２より基板Ｇ上に吐出されたレジスト液がぬれ現象によりノズル部背面１６０の下端部に付着して高さ方向に広がる時間が短縮される。このことにより、ノズル走査の開始を早めることができる。
【００７０】
図１２に、別の実施例によるウエットライン下地処理部１２５の要部の構成を示す。この実施例は、レジスト液のしみ出る塗布パッド１６２に替えて擦り専用の擦りパッド１６３を用いる。この擦りパッド１６３を支持する支持部材１７１にレジスト液を通す流路を設ける必要はない。代わりに、レジストノズル１２０のノズル部背面１６０の下端部にレジスト液をたとえば降り掛けて与えるためのレジスト液付与部１８８を擦りパッド１６３の摺動方向上流側に配置し、レジスト液付与部１８８と擦りパッド１６３とを共通の直進駆動部１７６（図６）によりノズル長手方向に並進駆動する。レジスト液付与部１８８はユーティリテイユニット１７２（図６）内のレジスト液供給部に接続されていてよい。擦りパッド１６３は、上記実施例の塗布パッド１６２と同様に筐体内にたとえば海綿状物質または多孔質物質からなるパッド部材を充填したものでよく、先にレジスト液付与部１８８よりノズル部背面１６０に付けられていたレジスト液をノズル長手方向に延ばしながら摺動する。この擦りパッド１６３をノズル部背面１６０の下半部に所定の圧力で押し付けながら、ノズル長手方向にレジストノズル１２０の一端から他端まで一定の速度で直線的かつ一気に摺動させてよい。
【００７１】
この実施例でも、ノズル部背面１６０の下半部には擦りパッド１６３の通り過ぎた後に、上記実施例と同様にノズル長手方向に平行かつ水平一直線に延びる多数ないし無数の擦り跡ライン（図示せず）を含むレジスト液塗り付け領域１８０が形成される。したがって、レジストノズル１２０において水平一直線のウエットラインＷＬを常時安定に確立できるとともに、被処理基板上に膜厚が一定で塗布ムラのないレジスト塗布膜を形成できる。
【００７２】
上記した実施形態では、ウエットライン下地処理部１２５においてレジストノズル１２０のノズル部背面１６０の下端部に塗り付ける液としてレジスト液を用いたが、レジスト液を適当な溶剤で希釈してなる希釈レジスト液も使用可能である。ウエットライン下地処理部１２５で使用するレジスト液は塗布処理部１２２で使用するレジスト液と同じものであるのが最も好ましいが、主成分を同じくするものであれば成分比や濃度等に多少の違いがあってもよい。
【００７３】
また、上記実施形態では、レジストノズル１２０のノズル部前面１５８とノズル部背面１６０とを固定し、片面のノズル部背面１６０側だけにウエットライン下地処理を施すようにした。しかし、双方向（Ｘ-方向、Ｘ+方向）のノズル走査で塗布処理を行う場合には、ノズル部１５６の両面１５８，１６０に上記実施形態のウエットライン下地処理を施してよい。また、一方向または固定式の場合でも、ノズル部背面１６０と一緒にノズル部前面１５８にもウエットライン下地処理を施すことは構わない。
【００７４】
また、本発明におけるレジスト液塗り付け部１８０における擦りライン１８２は、通常は上記実施形態のようにノズル長手方向に水平一直線に延ばすのが好ましいが、アプリケーションに応じて斜めに一直線に延ばす形態や湾曲して（たとえば中心部よりも周辺部の方が高くなるように）延ばす形態等も可能である。
【００７５】
また、ウエットライン下地処理において、ノズル部背面１６０にレジスト液を塗った後、たとえばＣＣＤカメラ等の撮像装置でノズル部背面１６０を撮像してレジスト液の塗り残しがあるか否かを検査してよい。塗り残しがあるときは、ノズル部背面１６をノズル洗浄部（図示せず）で洗浄し、その後でノズル部背面１６０にレジスト液を再度塗布する。撮像装置は、ノズルリフレッシュ部１２４またはその近傍に配置されてよい。このような検査機能および再塗布機能により、ウエットライン下地処理の信頼性を一層向上させ、ひいては塗布膜品質の信頼性を一層向上させることができる。
【００７６】
上記した実施形態はスリット状の吐出口を有する長尺型の塗布ノズルに係わるものであったが、本発明はノズル長手方向に配列された多数の微細孔からなる吐出口を有する長尺型の塗布ノズルにも適用可能である。また、上記実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に塗布液を供給する任意のアプリケーションに適用可能である。本発明における塗布液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の種々の塗布液が含まれる。本発明における被処理基板にはＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】実施形態の塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態の塗布現像処理システムにおける塗布プロセス部の構成を示す上面図である。
【図５】実施形態の塗布プロセス部における塗布処理部の構成を示す図である。
【図６】一実施例によるレジストノズルの外観構成とウエットライン下地処理部の構成とを示す斜視図である。
【図７】一実施例によるレジストノズルの要部の構成とウエットライン下地処理部の要部の構成とを示す要部断面図である。
【図８】実施例におけるウエットライン下地処理部の作用を模式的に示す側面図である。
【図９】実施例におけるウエットライン下地処理の作用効果を示す断面図である。
【図１０】実施例におけるウエットライン下地処理の作用効果を示す斜視図である。
【図１１】一変形例によるウエットライン下地処理部の要部の構成と作用を示す斜視図である。
【図１２】別の実施例によるウエットライン下地処理部の要部の構成と作用を示す斜視図である。
【図１３】従来のスリット型レジストノズルの外観構成と作用を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０    プロセスステーション
２８    塗布プロセス部
８１    搬入ユニット（ＩＮ）
８２    レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
１１８    ステージ
１２０    レジストノズル
１２２    塗布処理部
１２５    ウエットライン下地処理部
１５０    ノズル本体
１５２    吐出口
１５６    ノズル部
１５８    ノズル部前面
１６０    ノズル部背面
１６２    塗布パッド
１６３    擦りパッド
１６８    パッド部材
１７０    支持管
１７１    支持部材
１７２    ユーティリティユニット
１７６    直進駆動部
１８４    凹部
【図１】
2005087777.tif 000003
【図２】
2005087777.tif 000004
【図３】
2005087777.tif 000005
【図４】
2005087777.tif 000006
【図５】
2005087777.tif 000007
【図６】
2005087777.tif 000008
【図７】
2005087777.tif 000009
【図８】
2005087777.tif 000010
【図９】
2005087777.tif 000011
【図１０】
2005087777.tif 000012
【図１１】
2005087777.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2005087777.tif 000015