(57)【要約】【課題】基材への影響を効果的に抑制しつつ、効果的に膜を除去することができる膜除去方法および膜除去装置を提供すること。【解決手段】本発明の膜除去方法は、基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する方法であって、少なくとも基材の近傍に、オゾンガスと水蒸気とを供給するガス供給工程と、膜の除去反応を停止させる反応停止液に基材を浸漬する浸漬工程とを有することを特徴とする。オゾンガスと水蒸気とは、混合された混合ガスとして供給される。基材の近傍に供給するオゾンガスと水蒸気との比は、体積比で１：１〜１：１０である。基材の近傍における雰囲気圧は、２０〜１５０ｋＰａである。基材の近傍における雰囲気の温度は、９０〜１６０℃である。基材の近傍にオゾンガスと水蒸気とを供給してから、基材を反応停止液に浸漬するまでの時間は、３〜５分である。【選択図】無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する方法であって、
少なくとも前記基材の近傍に、オゾンガスと水蒸気とを供給するガス供給工程と、
前記膜の除去反応を停止させる反応停止液に前記基材を浸漬する浸漬工程とを有することを特徴とする膜除去方法。
【請求項２】
前記オゾンガスと前記水蒸気とは、混合された混合ガスとして供給される請求項１に記載の膜除去方法。
【請求項３】
前記基材の近傍に供給する前記オゾンガスと前記水蒸気との比は、体積比で１：１〜１：１０である請求項１または２に記載の膜除去方法。
【請求項４】
前記基材の近傍における雰囲気圧は、２０〜１５０ｋＰａである請求項１ないし３のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項５】
前記基材の近傍における雰囲気の温度は、９０〜１６０℃である請求項１ないし４のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項６】
前記基材の近傍に前記オゾンガスと前記水蒸気とを供給してから、前記基材を反応停止液に浸漬するまでの時間は、３〜５分である請求項１ないし５のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項７】
前記反応停止液に浸漬する浸漬時間は、１〜２分である請求項１ないし６のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項８】
前記反応停止液の温度は、２０〜１００℃である請求項１ないし７のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項９】
前記反応停止液は、水である請求項１ないし８のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項１０】
チャンバを有する装置内で膜を除去する方法であって、
前記反応停止液の液面を上昇させることにより、前記チャンバ内から前記オゾンガスを排気する請求項１ないし９のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項１１】
前記ガス供給工程の後、前記基材の表面に向けて洗浄液を噴射し、前記基材を洗浄する洗浄工程を有する請求項１ないし１０のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項１２】
前記洗浄工程の後、前記基材を前記反応停止液に浸漬する請求項１１に記載の膜除去方法。
【請求項１３】
前記基材は、少なくとも、主として水晶で構成された基部と、
主としてクロムで構成された層と、
主として金で構成された層とを有する積層体である請求項１ないし１２のいずれかに記載の膜除去方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の膜除去方法に用いられることを特徴とする膜除去装置。
【請求項１５】
基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する膜除去装置であって、
前記基材を設置するチャンバと、
前記チャンバに接続され、主としてオゾンガスと水蒸気とで構成された混合ガスを前記チャンバ内に供給する混合ガス供給部と、
前記チャンバ内に前記膜の除去反応を停止させる反応停止液を貯留する反応停止液貯留部とを有することを特徴とする膜除去装置。
【請求項１６】
前記混合ガス供給部は、前記オゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、
前記水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記オゾンガス供給部と前記水蒸気供給部とを連結させて、前記オゾンガスと前記水蒸気とを混合する混合部とを有する請求項１５に記載の膜除去装置。
【請求項１７】
基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する膜除去装置であって、
前記基材を設置するチャンバと、
前記チャンバに接続され、前記チャンバ内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、
前記チャンバ内に水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記チャンバ内に前記膜の除去反応を停止させる反応停止液を貯留する反応停止液貯留部とを有することを特徴とする膜除去装置。
【請求項１８】
前記反応停止液貯留部は、前記反応停止液を供給する反応停止液供給部に接続されている請求項１５ないし１７のいずれかに記載の膜除去装置。
【請求項１９】
前記反応停止液供給部より前記反応停止液を前記反応停止液貯留部に供給し、前記反応停止液貯留部における前記反応停止液の液面を上昇させる請求項１８に記載の膜除去装置。
【請求項２０】
前記チャンバは、前記チャンバ内の温度を調節する温度調節部を有する請求項１５ないし１９のいずれかに記載の膜除去装置。
【請求項２１】
前記チャンバは、前記基材の表面に洗浄液を噴射する洗浄液噴射部を有する請求項１５ないし２０のいずれかに記載の膜除去装置。
【請求項２２】
前記チャンバ内に供給された前記オゾンガスと前記水蒸気とを排気する排気部を有する請求項１５ないし２１のいずれかに記載の膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜除去方法および膜除去装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体、実装基板などに配線などの所定パターンの膜を形成する際に、フォトレジストや電子線レジスト等の各種有機膜が用いられている。しかし、配線等を形成した後には、これらの膜は不要となり、不要になった膜をそれらの基板から除去・洗浄することが必要となる。このような膜を除去する方法としては、薬液を使用した除去方法、プラズマを使用した剥離方法などが知られている。
【０００３】
しかしながら、薬液を用いた除去方法の場合には、薬液そのものが非常に高価であるという問題点がある。また、環境や人体に悪影響を与える有害物質を大量に使用するので排液や排気の処理に特別の配慮が必要となる。また、基材として複数の積層体、例えば、クロム等の金属層を有するようなものに対して、このような薬液を使うと、クロム等の金属層に悪影響を及ぼす場合がある。
【０００４】
また、プラズマを用いた剥離方法の場合には、安定したプラズマを発生させる放電の制御や電極設備に特別な装置が必要となり、装置全体が複雑となりコスト高となったり、均一な放電を得ることが困難なため、薄膜除去にむらが生じたり、剥離した異物が基板上に再付着し、再汚染してしまうなどの問題がある。
上述のような問題を改善する剥離装置として、オゾンガスおよび水蒸気を用いた剥離装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、特許文献１に記載の剥離装置では、オゾンガス等を装置外に除去するのに時間がかかるため、オゾン等との接触時間を厳密に制御するのが困難であり、その結果、半導体、実装基板等を傷つけるという問題がある。また、このようにオゾンガス等の除去に時間がかかるため、作業効率が低下するという問題もある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１１０７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、基材への影響を十分に抑制しつつ、効果的に膜を分解・除去することができる膜除去方法および膜除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の膜除去方法は、基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する方法であって、
少なくとも前記基材の近傍に、オゾンガスと水蒸気とを供給するガス供給工程と、
前記膜の除去反応を停止させる反応停止液に前記基材を浸漬する浸漬工程とを有することを特徴とする。
これにより、基材への影響を十分に抑制しつつ、効果的に膜を分解・除去することができる。
【０００８】
本発明の膜除去方法では、前記オゾンガスと前記水蒸気とは、混合された混合ガスとして供給されることが好ましい。
これにより、より効果的に膜を分解・除去することができる。
本発明の膜除去方法では、前記基材の近傍に供給する前記オゾンガスと前記水蒸気との比は、体積比で１：１〜１：１０であることが好ましい。
これにより、膜の上に効果的に高濃度のオゾン水の薄膜を形成することができ、より効果的に膜を分解・除去することができる。
【０００９】
本発明の膜除去方法では、前記基材の近傍における雰囲気圧は、２０〜１５０ｋＰａであることが好ましい。
これにより、膜上にオゾン水の膜をより効果的に形成することができる。また、膜上に形成されるオゾン水の薄膜におけるオゾンの濃度をより高いものとすることができ、その結果、より効果的に膜を分解・除去することができる。
【００１０】
本発明の膜除去方法では、前記基材の近傍における雰囲気の温度は、９０〜１６０℃であることが好ましい。
これにより、より効果的に膜を分解・除去することができる。
本発明の膜除去方法では、前記基材の近傍に前記オゾンガスと前記水蒸気とを供給してから、前記基材を反応停止液に浸漬するまでの時間は、３〜５分であることが好ましい。
これにより、オゾンの基材への影響をより効果的に抑制することができる。
【００１１】
本発明の膜除去方法では、前記反応停止液に浸漬する浸漬時間は、１〜２分であることが好ましい。
これにより、基材表面に残存するオゾンを効果的に除去することができ、残存するオゾンの基材への影響を十分に抑制することができる。
本発明の膜除去方法では、前記反応停止液の温度は、２０〜１００℃であることが好ましい。
これにより、反応停止液中にオゾンがとけ込むのを効果的に防止することができ、その結果、オゾンの基材への影響をより効果的に抑制することができる。
【００１２】
本発明の膜除去方法では、前記反応停止液は、水であることが好ましい。
純水は、取り扱いが容易で、かつ、安全性も高く、また、オゾンを分解する能力を有することから、本発明の方法に好適に用いることができる。
本発明の膜除去方法では、チャンバを有する装置内で膜を除去する方法であって、
前記反応停止液の液面を上昇させることにより、前記チャンバ内から前記オゾンガスを排気することが好ましい。
これにより、チャンバ内に残存するオゾンガス等をより効果的にチャンバの外へ強制的に排気することができ、オゾンの基材への影響をさらに小さいものとすることができる。
【００１３】
本発明の膜除去方法では、前記ガス供給工程の後、前記基材の表面に向けて洗浄液を噴射し、前記基材を洗浄する洗浄工程を有することが好ましい。
これにより、基材上に残存するオゾン水、分解された膜等を効果的に除去することができる。その結果、残存するオゾン等による基材への影響を効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明の膜除去方法では、前記洗浄工程の後、前記基材を前記反応停止液に浸漬することが好ましい。
これにより、残存するオゾン等による基材への影響をより確実に抑制することができる。
本発明の膜除去方法では、前記基材は、少なくとも、主として水晶で構成された基部と、
主としてクロムで構成された層と、
主として金で構成された層とを有する積層体であることが好ましい。
本発明の方法は、このような積層体に好適に適用することができる。
【００１５】
本発明の膜除去装置は、本発明の記載の膜除去方法に用いられることを特徴とする。
これにより、本発明の膜除去方法に好適に用いられる膜除去装置を提供することができる。
本発明の膜除去装置は、基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する膜除去装置であって、
前記基材を設置するチャンバと、
前記チャンバに接続され、主としてオゾンガスと水蒸気とで構成された混合ガスを前記チャンバ内に供給する混合ガス供給部と、
前記チャンバ内に前記膜の除去反応を停止させる反応停止液を貯留する反応停止液貯留部とを有することを特徴とする。
これにより、基材への影響を十分に抑制しつつ、効果的に膜を分解・除去することができる。
【００１６】
本発明の膜除去装置では、前記混合ガス供給部は、前記オゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、
前記水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記オゾンガス供給部と前記水蒸気供給部とを連結させて、前記オゾンガスと前記水蒸気とを混合する混合部とを有することが好ましい。
これにより、より効果的に膜を分解・除去することができる。
【００１７】
本発明の膜除去装置は、基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する膜除去装置であって、
前記基材を設置するチャンバと、
前記チャンバに接続され、前記チャンバ内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、
前記チャンバ内に水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記チャンバ内に前記膜の除去反応を停止させる反応停止液を貯留する反応停止液貯留部とを有することを特徴とする。
これにより、基材への影響を十分に抑制しつつ、効果的に膜を分解・除去することができる。
【００１８】
本発明の膜除去装置では、前記反応停止液貯留部は、前記反応停止液を供給する反応停止液供給部に接続されていることが好ましい。
これにより、残存するオゾンガス等をより効果的に除去することができ、オゾンの基材への影響をさらに小さいものとすることができる。
本発明の膜除去装置では、前記反応停止液供給部より前記反応停止液を前記反応停止液貯留部に供給し、前記反応停止液貯留部における前記反応停止液の液面を上昇させることが好ましい。
これにより、残存するオゾンガス等をより効果的に除去することができ、オゾンの基材への影響をさらに小さいものとすることができる。
【００１９】
本発明の膜除去装置では、前記チャンバは、前記チャンバ内の温度を調節する温度調節部を有することが好ましい。
これにより、より効果的に膜を分解・除去することができる。
本発明の膜除去装置では、前記チャンバは、前記基材の表面に洗浄液を噴射する洗浄液噴射部を有することが好ましい。
これにより、基材上に残存するオゾン水、分解された膜等を効果的に除去することができる。その結果、残存するオゾン等による基材への影響を効果的に抑制することができる。
本発明の膜除去装置では、前記チャンバ内に供給された前記オゾンガスと前記水蒸気とを排気する排気部を有することが好ましい。
これにより、残存するオゾンガス等の影響をより効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の膜除去方法および膜除去装置の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の膜除去装置について説明する。
図１は、本発明の膜除去装置の実施形態を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００２１】
図１に示す膜除去装置１００は、チャンバ１と、少なくとも表面の一部に膜が形成された基材（以下、被処理部材とも言う。）をチャンバ１内に保持する被処理部材ホルダ２と、チャンバ１内にオゾンガスと水蒸気との混合ガスを供給する混合ガス供給部３と、膜の除去反応を停止する反応停止液を貯留する反応停止液貯留部４とを有している。
混合ガス供給部３は、オゾンガスを供給するオゾンガス供給部３１と、水蒸気を供給する水蒸気供給部３２と、オゾンガス供給部３１と水蒸気供給部３２とを連結させて、オゾンガスと水蒸気とを混合する混合部３３とを有する。
【００２２】
オゾンガス供給部３１と混合部３３との間には、バルブ３４が設けられている。また、水蒸気供給部３２と混合部３３との間には、バルブ３５が設けられている。
これらバルブ３４およびバルブ３５の開度を調節することにより、チャンバ１内に供給されるオゾンガスと水蒸気との比率（混合比）を調節することができる。また、チャンバ１内の雰囲気圧を調節することができる。
【００２３】
反応停止液貯留部４は、チャンバ１内に設けられている。また、図示の構成のように、反応停止液貯留部４は、反応停止液を供給する反応停止液供給部５に接続されている。
反応停止液貯留部４と反応停止液供給部５の間には、バルブ５１が設けられている。
このバルブ５１の開くことにより、反応停止液貯留部４内の反応停止液の液面を上昇させることができる。
【００２４】
なお、本実施形態では、反応停止液の液面を上昇させることで、チャンバ１内のほぼ全体を反応停止液貯留部４とすることができる。
また、チャンバ１は、チャンバ１内の温度を調節する温度調節部６と、被処理部材（基材）の表面に洗浄液を噴射する洗浄液噴射部７と、チャンバ１内に供給されたオゾンガスと水蒸気とを排気する排気部８とを有している。
【００２５】
排気部８は、図示の構成のように、バルブ８３を介して接続されたポンプ８２と、バルブ８１を介して接続された排気処理部（図示せず）とを有している。
また、本実施形態の膜除去装置１００は、反応停止液貯留部４（チャンバ１）内に供給された反応停止液を外に排出するドレイン９を有している。
次に、本発明の膜除去方法について説明する。
【００２６】
本発明の膜除去方法では、基材の表面の少なくとも一部に形成された膜を除去する方法であって、少なくとも基材の近傍に、オゾンガスと水蒸気とを供給するガス供給工程と、膜の除去反応を停止させる反応停止液に基材を浸漬する浸漬工程とを有することを特徴とする。基材の近傍にオゾンガスと水蒸気とを供給することにより、基材表面の膜上に効果的に高濃度のオゾン水の薄膜を形成することができる。その結果、基材上の膜を効果的に除去することができる。また、本発明では、上述したように反応停止液に基材を浸漬することにより、膜を除去した後に、基材の近傍よりオゾンを効果的に除去することができるため、基材への影響をより小さいものとすることができる。
【００２７】
以下の説明では、一例として、上述した膜除去装置１００を用いて膜の除去を行う場合について説明する。なお、膜の除去は、膜除去装置１００のバルブ３４、バルブ３５、バルブ５１、バルブ８１およびバルブ８３を閉じた状態で開始するものとする。
本実施形態では、ガス供給工程と洗浄工程と浸漬工程とを有している。
まず、表面の少なくとも一部に膜が形成された基材（被処理部材）を用意する。
次に、チャンバ１内の被処理部材ホルダ２に、被処理部材を設置する。
【００２８】
［ガス供給工程（膜除去処理）］
次に、バルブ８３を開き、ポンプ８２によりチャンバ１内をほぼ真空状態とし、バルブ８３を閉じる。
その後、バルブ３４およびバルブ３５を開き、チャンバ１内に、オゾンガスと水蒸気との混合ガスを供給し、混合ガスでチャンバ１内を満たす。
オゾンガスと水蒸気とでチャンバ１内を満たしつつ、チャンバ１内のガスを温度調節部６により、チャンバ１内を所定の温度となるように加熱する。これにより、より効果的に膜を分解・除去することができる。
【００２９】
チャンバ１内を混合ガスで満たした後、さらに混合ガスをチャンバ１内に供給することにより、チャンバ１内を加圧する。
所定の圧力となった時点で、バルブ３４およびバルブ３５を閉じる。
このように供給された混合ガスによって、基材上の膜が分解・除去される。より詳しく説明すると、本発明では、オゾンガスと水蒸気との混合ガスを用いているから、単にオゾンガスを使った場合や、オゾン水に浸漬する場合等に比べて、効率よく高濃度のオゾンと膜とを接触させることができ、その結果、効率よく膜を除去することができる。
【００３０】
チャンバ１内に供給するオゾンガスと水蒸気との比は、体積比で１：１〜１：１０であるのが好ましい。オゾンガスと水蒸気との体積比をこのような範囲のものとするにより、被処理部材の膜上に効果的に高濃度のオゾン水の薄膜を形成することができ、より効果的に膜を分解・除去することができる。これに対し、水蒸気に対するオゾンガスの量が少なすぎると、十分に膜を除去できない場合がある。一方、オゾンガスに対する水蒸気の少なすぎると、被処理部材の膜上にオゾン水の薄膜を十分に形成するのが困難となり、十分に膜を除去できない場合がある。
【００３１】
チャンバ１内の雰囲気圧は、１０〜２００ｋＰａであるのが好ましく、２０〜１５０ｋＰａであるのがより好ましい。これにより、より効果的に被処理部材の膜上にオゾン水の膜を形成することができる。また、被処理部材の膜上に形成されるオゾン水の薄膜におけるオゾンの濃度をより高いものとすることができ、その結果、より効果的に膜を分解・除去することができる。これに対し、雰囲気圧が前記下限値未満であると、混合ガス中のオゾンガスの濃度によっては、十分な膜の除去効果が得られない可能性がある。一方、雰囲気圧が前記上限値を超えると、圧力に見合うだけの効果が得られない可能性がある。
【００３２】
チャンバ１内の（基材近傍での）雰囲気の温度は、特に限定されないが、９０〜２００℃であるのが好ましく、９０〜１６０℃であるのがより好ましい。これにより、より効果的に膜を分解・除去することができる。これに対し、雰囲気の温度が前記下限値未満であると、十分な膜除去効果が得られない可能性がある。一方、雰囲気の温度が前記上限値を超えると、被処理部材の膜上にオゾン水の膜を形成するのが困難となる場合があり、結果として十分に膜を分解・除去することができない場合がある。
なお、バルブ３４およびバルブ３５を閉じた後、必要に応じて、所定時間放置することによって、目的とする膜の除去を完全に進行させることができる。
【００３３】
［洗浄工程］
次に、洗浄液噴射部７より、膜を除去した基材に対し、洗浄液を噴霧する。これにより、基材上に残存するオゾン水、分解された膜等を効果的に除去することができる。その結果、残存するオゾン等による基材への影響を効果的に抑制することができる。
このような洗浄液としては、特に限定されないが、例えば、純水、脂肪族ポリカルボン酸およびその塩、アミノカルボン酸およびその塩等を含む液体（例えば、水溶液等）のうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３４】
［浸漬工程（浸漬処理）］
次に、バルブ８１を開き、チャンバ１と排気部８とを連通させる。
その後、バルブ５１を開き、反応停止液供給部５より、反応停止液貯留部４（チャンバ１）に反応停止液を供給する。バルブ５１を開いた状態にしておき、反応停止液の液面を上昇させ、基材全体を反応停止液に浸漬させる。
【００３５】
このように、本発明の膜除去方法は、膜除去処理を施した後、基材を反応停止液に浸漬させる点に特徴を有している。
従来は、膜除去処理を施した後に、オゾンガス等を排気ポンプ等で強制的にチャンバの外に排気しつつ、不活性ガス等でチャンバ内を置換して、オゾンの基材への影響の抑制を試みていた。しかし、従来の方法では、チャンバ内を不活性ガス等で置換するのには、時間がかかるため、オゾンの基材への影響を十分に抑制することができなかった。また、コスト面でも非常に不利であった。
【００３６】
本発明者は、このような問題を鑑み、鋭意検討した結果、膜除去処理を施した後に、基材を反応停止液に浸漬させることで、基材をオゾンガス等と速やかに隔離することができるため、膜の分解・除去後における、オゾンの基材への影響を効果的に抑制することを見出した。
チャンバ１内に残存するオゾンガス等は、反応停止液の液面の上昇とともに、排気部８よりチャンバ１（膜除去装置１００）の外へ排気される。これにより、オゾンの基材への影響をより効果的に抑制することができる。
【００３７】
浸漬処理をした後、ドレイン９より反応停止液を排出する。
なお、本実施形態においては、反応停止液は、基材全体が反応停止液内に浸漬するまで供給されるものであればよいが、チャンバ１内のほぼ全体を満たすように供給されるのが好ましい。これにより、チャンバ１内に残存するオゾンガス等をより効果的にチャンバ１の外へ強制的に排気することができ、オゾンの基材への影響をさらに小さいものとすることができる。
【００３８】
なお、浸漬する方法としては、上述したような方法に限定されず、例えば、反応停止液貯留部４の液面を予め所定の高さとしておき、基材を保持した被処理部材ホルダ１を図中のＸ方向に移動させることによって、基材を浸漬させるものであってもよい。このように被処理部材ホルダ１を移動させることにより、反応停止液を供給し始めてから、浸漬するまでの時間を短縮することができるため、より確実に膜除去反応を制御することができる。また、基材を浸漬した後に、反応停止液を供給して液面を上昇させるものであってもよい。これにより、チャンバ１からオゾンガスを強制的に排気することができる。
【００３９】
また、混合ガスを供給する時から反応停止液貯留部４内に反応停止液が所定量ある場合には、反応停止液貯留部４とチャンバ１とを仕切るシャッター等が設けられていてもよい。このような構成であると、反応停止液内へのオゾンガスの溶解を防止することができるため、反応停止液の機能をより効果的に発揮させることができる。
オゾンガスと水蒸気とをチャンバ１内に供給してから、基材が反応停止液に浸漬するまでの時間は、３〜５分であるのが好ましい。これにより、オゾンの基材への影響をより効果的に抑制することができる。これに対し、浸漬するまでの時間が前記下限値未満であると、供給するオゾンガスの量、チャンバ１内の雰囲気圧、雰囲気温度等によっては、膜を十分に除去できない場合がある。一方、浸漬するまでの時間が前記上限値を超えると、供給するオゾンガスの量、チャンバ１内の雰囲気圧、雰囲気温度等によっては、オゾンの基材への影響を十分に抑制するのが困難となる場合がある。
【００４０】
基材を反応停止液に浸漬する浸漬時間は、特に限定されないが、１〜２分であるのが好ましい。これにより、基材表面に残存するオゾンを効果的に除去することができ、残存するオゾンの基材への影響を十分に抑制することができる。
上述したような反応停止液としては、実質的に除去反応を停止させるものであって、基材に影響を及ぼさない液体であれば、特に限定されず、例えば、水、各種アルカリ溶液、各種有機溶媒等を用いることができる。中でも、反応停止液として、特に、水を用いるのが好ましい。水は、取り扱いが容易で、安全性も高く、また、オゾンの溶解度が低く、溶解したオゾンを分解する能力も有することから、本発明の方法に好適に用いることができる。
【００４１】
このような反応停止液の温度は、特に限定されないが、２０〜１００℃であるのが好ましい。これにより、反応停止液中にオゾンがとけ込むのを効果的に防止することができ、その結果、オゾンの基材への影響をより効果的に抑制することができる。
上述したような方法に適用される膜としては、特に限定されず、例えば、フォトレジストや電子線レジスト等の各種有機膜等が挙げられる。
【００４２】
また、上述したような方法に適用される基材としては、特に限定されず、例えば、半導体に用いられるウエハや、音叉等に用いられる水晶基板等が挙げられる。特に、本発明の膜除去方法は、水晶基板、例えば、主として水晶で構成された基部と、基部上に設けられた主としてクロムで構成されたクロム層と、クロム層上に設けられた主として金で構成された金層とを有する積層体等に好適に適用することができる。このような構成の積層体は、電解腐食等が起こりやすく、従来の方法では、クロム層がダメージを受けやすかった。
【００４３】
しかし、本発明の方法では、従来の方法でダメージを受けやすいものであっても、好適に処理することができる。
以上、本発明の膜除去方法および膜除去装置の好適な実施形態について説明したが、本発明の膜除去方法および膜除去装置はこれに限定されない。
例えば、本発明の膜除去方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【００４４】
また、前述した実施形態では、膜除去方法として、洗浄工程を有するものとして説明したが、このような洗浄工程はなくてもよい。
また、前述した実施形態では、オゾンガスと水蒸気とを混合した混合ガスとして、チャンバ１内に供給するものとして説明したが、オゾンガスと水蒸気とは別々にチャンバ１内に供給し、チャンバ１内でものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の膜除去装置の実施形態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１００……膜除去装置  ２……被処理部材  ３……ガス供給部  ３１……オゾンガス供給部  ３２……水蒸気供給部  ３４、３５……バルブ  ４……反応停止液貯留部  ５……反応停止液供給部  ５１……バルブ  ６……温度調節部  ７……洗浄液噴射部  ８……排気部  ８１、８３……バルブ  ８２……ポンプ  ９……ドレイン
【図１】
2005150135.tif 000002