(57)【要約】【課題】均一な膜厚の膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に設けられたマスク６の開口部６１内に液状材料７を供給して、所定パターンの膜８を成膜する成膜方法である。この成膜方法において用いる液状材料７は、膜８を形成するための膜材料と、液状材料７の動的接触角を低減させる動的接触角低減剤と、少なくとも１種の水系溶媒とを含んでなるものである。動的接触角低減剤は、含フッ素化合物および含珪素化合物の少なくとも一方を主成分とするものであるのが好ましい。【選択図】図１
2005150046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に設けられたマスクの開口部内に液状材料を供給して、所定パターンの膜を成膜する成膜方法であって、
前記液状材料は、前記膜を形成するための膜材料と、前記液状材料の動的接触角を低減させる動的接触角低減剤と、少なくとも１種の水系溶媒とを含んでなることを特徴とする成膜方法。
［ただし、動的接触角とは、液滴をガラス基板の表面に載置した状態で、ガラス基板の傾斜角度を徐々に増大させたとき、液滴がガラス基板に対して移動を開始した時点において、液滴の移動方向と反対側において測定される接触角のことを言う。］
【請求項２】
前記液状材料の前記開口部内面に対する静的接触角と、前記液状材料から前記動的接触角低減剤を除いた残部の前記開口部内面に対する静的接触角とは、ほぼ等しい請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記液状材料の前記開口部内面に対する静的接触角は、９０°以上である請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記液状材料の動的接触角は、４０°以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記動的接触角低減剤は、前記水系溶媒のうち最も高い沸点のものより沸点が高いものである請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
前記動的接触角低減剤の沸点をＡ［℃］とし、前記最も高い沸点の水系溶媒の沸点をＢ［℃］としたとき、Ａ≧Ｂ＋１０なる関係を満足する請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記液状材料における前記動的接触角低減剤の含有量は、０．００１〜１ｗｔ％である請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記動的接触角低減剤は、含フッ素化合物および含珪素化合物の少なくとも一方を主成分とするものである請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記含フッ素化合物は、水酸基および／またはエステル基を有する化合物のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記含珪素化合物は、シロキサン結合を有する化合物のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項８または９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記膜の平均厚さは、１ｎｍ〜５μｍである請求項１ないし１０のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする膜。
【請求項１３】
前記膜は、正孔を輸送する機能を有するものである請求項１２に記載の膜。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の膜を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、膜、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と言う。）を製造する際には、ＩＴＯ等の透明導電膜上に、各画素（発光部）を区画するバンク（マスク）形成しておき、このバンクにより区画された凹部内に、正孔輸送層や発光層の構成材料を含む液体を供給することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
ところで、前記液体および／または前記バンクの種類等によっては、特許文献１の図４に示すように、バンクの凹部内に供給された液体が、上方に向かって凸状に突出する形状（凸形状）となることがある。
そして、この状態で、液体に対して乾燥や熱処理（アニール）を施すと、液体は、凸形状を保持したままで薄膜化（固化）してしまい、均一な厚さの膜が得られない。
かかる場合、有機ＥＬ素子では、色ムラの発生、膜の厚さが薄い部分における短絡の発生等により、デバイスとしての特性が低下するという問題がある。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３２３２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、均一な膜厚の膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成させる。
本発明の成膜方法は、基材上に設けられたマスクの開口部内に液状材料を供給して、所定パターンの膜を成膜する成膜方法であって、
前記液状材料は、前記膜を形成するための膜材料と、前記液状材料の動的接触角を低減させる動的接触角低減剤と、少なくとも１種の水系溶媒とを含んでなることを特徴とする。
［ただし、動的接触角とは、液滴をガラス基板の表面に載置した状態で、ガラス基板の傾斜角度を徐々に増大させたとき、液滴がガラス基板に対して移動を開始した時点において、液滴の移動方向と反対側において測定される接触角のことを言う。］
これにより、均一な膜厚（正確な形状）の膜を、容易かつ確実に形成することができる。
【０００６】
本発明の成膜方法では、前記液状材料の前記開口部内面に対する静的接触角と、前記液状材料から前記動的接触角低減剤を除いた残部の前記開口部内面に対する静的接触角とは、ほぼ等しいことが好ましい。
これにより、動的接触角低減剤の混合による静的接触角の変化を考慮することを要しないので、液状材料の調整を容易に行うことができる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記液状材料の前記開口部内面に対する静的接触角は、９０°以上であることが好ましい。
本発明は、このような関係を満足するマスクと液状材料とを用いた成膜方法への適用に適する。
本発明の成膜方法では、前記液状材料の動的接触角は、４０°以下であることが好ましい。
これにより、均一な膜厚の膜をより確実に形成することができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記動的接触角低減剤は、前記水系溶媒のうち最も高い沸点のものより沸点が高いものであることが好ましい。
これにより、液状材料の固化物の形状がほぼ確定するまで、動的接触角低減剤が気化することが防止されるので、動的接触角低減剤の作用（効果）が持続され、より均一な膜厚の膜を得ることができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記動的接触角低減剤の沸点をＡ［℃］とし、前記最も高い沸点の水系溶媒の沸点をＢ［℃］としたとき、Ａ≧Ｂ＋１０なる関係を満足することが好ましい。
これにより、動的接触角低減剤が水系溶媒より先に気化するのをより確実に防止することができるとともに、水系溶媒の気化に伴って動的接触角低減剤が除去されるのを防止することもできる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記液状材料における前記動的接触角低減剤の含有量は、０．００１〜１ｗｔ％であることが好ましい。
これにより、液状材料の動的接触角をより確実に低減させることができる。
本発明の成膜方法では、前記動的接触角低減剤は、含フッ素化合物および含珪素化合物の少なくとも一方を主成分とするものであることが好ましい。
これらのものは、液状材料の動的接触角を低減させる効果に優れている。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記含フッ素化合物は、水酸基および／またはエステル基を有する化合物のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらのものは、液状材料の動的接触角を低減する効果に優れるとともに、比較的沸点の高いものの入手が容易である。
本発明の成膜方法では、前記含珪素化合物は、シロキサン結合を有する化合物のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらのものは、液状材料の動的接触角を低減する効果に優れるとともに、比較的沸点の高いものの入手が容易である。
【００１２】
本発明の成膜方法では、前記膜の平均厚さは、１ｎｍ〜５μｍであることが好ましい。
本発明は、このような薄い膜の成膜方法への適用に適する。
本発明の膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、均一な膜厚の膜が得られる。
本発明の膜では、前記膜は、正孔を輸送する機能を有するものであることが好ましい。
これにより、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子に適用した場合には、特性に優れたものとなる。
本発明の電子デバイスは、本発明の膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の成膜方法、膜、電子デバイスおよび電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明の成膜方法を説明するための図（縦断面図）である。
図１に示す成膜方法は、基材５上にマスク６を形成する工程と、マスク６の開口部６１内に液状材料７を供給する工程と、液状材料７を薄膜化させる工程と、マスク６を除去する工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００１４】
［マスク形成工程］
まず、基材５を用意する（図１（ａ）参照）。
この基材５は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。
また、基材５は、膜８を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、膜８と一体的に使用されるものであってもよい。
【００１５】
次に、この基材５上に所定パターンのマスク６、すなわち、開口部６１を有するマスク６を形成する（図１（ｂ）参照）。
マスク６は、所定のパターンの膜８を形成する際の型として用いられるものである。これにより、基材５のマスク６が覆われている部位には膜８を形成せず、これと同じ側の面のマスク６で覆われていない部位に膜８を好適に形成することができる。
【００１６】
このようなマスク６は、例えば、フォトリソグラフィー法、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の気相成膜法（乾式めっき法）等を用いて、所望のパターンに形成することができる。
これらの中でも、マスク６の形成には、フォトリソグラフィー法を用いるのが好ましい。フォトリソグラフィー法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、微細なパターン（形状）のマスク６を容易かつ確実に形成することができる。
【００１７】
なお、マスク６は、基材５上に、直接、所望のパターンとなるように形成されるものに限定されない。例えば、基材５のほぼ全面に、マスク６の構成材料からなる膜を形成した後、この膜の一部を除去することにより、所望のパターンのマスク６としてもよい。
前記膜の一部を除去する方法（除去方法）としては、例えば、紫外線や、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーを照射する方法が挙げられる。
【００１８】
マスク６の平均厚さ（図１中、Ｔ１）は、特に限定されないが、後述するような電子デバイスの製造に適用する場合、１ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、１ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましい。マスク６の平均厚さが前記下限値未満であると、マスク６にピンホールが発生し易くなる傾向を示し、また、マスク６上を液状材料７が完全に覆ってしまい、マスクとして機能しなくなる可能性がある。一方、マスク６の平均厚さが前記上限値を超えると、マスク６の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、マスク６の内部応力が高くなり、結果として、マスク６と基材５との密着性が低下したり、クラックが発生し易くなる。
また、マスク６は透明であることが好ましい。これにより、基材５との密着状態を外部から視認することが可能となる。
【００１９】
［液状材料供給工程］
次に、基材５のマスク６が形成された面側に、膜形成用の液状材料７を供給する（図１（ｃ）参照）。
液状材料７は、膜８を形成するための膜材料（膜８の構成材料またはその前駆体）と、液状材料７の動的接触角を低減させる動的接触角低減剤と、少なくとも１種の水系溶媒（溶媒または分散媒）とを含んでなるものである。
【００２０】
ここで、本明細書中において、「動的接触角」とは、図２に示すように、「液滴１００をガラス基板２００の表面に載置した状態で、ガラス基板２００の傾斜角度を徐々に増大させたとき、液滴１００がガラス基板２００に対して移動を開始した時点において、液滴１００の移動方向（図２中、矢印方向）と反対側において測定される接触角（図２中、θ）」のことを言う。
【００２１】
図７に示すように、一般に、マスク６の開口部６１内面に対して濡れ性の低い液体７’を、開口部６１内に供給すると、この液体７’は、開口部６１内において上方に向かって凸状に突出する形状（凸形状）になってしまう。液体７’が膜形成用の液体である場合、この液体７’を薄膜化（固化）させると、前記凸形状を維持したまま薄膜化し、凸形状の膜８’が形成されることになる。このような膜８’を後述する電子デバイス（表示装置）に適用した場合、色ムラの発生、膜８’の厚さが薄い部分における短絡の発生等により、デバイスとしての特性が低下するという問題がある。
【００２２】
かかる問題点に鑑み、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、液状材料７中に動的接触角低減剤を混合（添加）することにより、マスク６の開口部６１内面に対する濡れ性が低い液状材料７を用いた場合でも、液状材料７を薄膜化（固化）するに際して、液状材料７が前述したような凸形状となるのを防止し得ることを見い出した。
すなわち、本発明によれば、基材５と反対側の面が平坦な膜８（均一な膜厚の膜８）を、容易かつ確実に得ることができる。
【００２３】
具体的には、液状材料７の動的接触角は、４０°以下であるのが好ましく、２０〜４０°程度であるのがより好ましい。動的接触角が大き過ぎると、後述する液状材料７の薄膜化の条件等によっては、均一な膜厚の膜８が得られないおそれがあり、一方、動的接触角を前記下限値より小さくしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
また、液状材料７のマスク６の開口部６１内面に対する濡れ性は、例えば、液状材料７のマスク６の開口部６１内面に対する静的接触角で表すことができ、その静的接触角は、好ましくは９０°以上、より好ましくは９０〜１３０°程度であり、さらに好ましくは９０〜１１０°程度である。このような関係を満足するマスク６と液状材料７とを用いた成膜方法に、本発明を適用することにより、前記効果がより効果的に発揮される。
【００２４】
動的接触角低減剤としては、液状材料７から動的接触角低減剤を除いた残部のマスク６の開口部６１内面に対する静的接触角と、液状材料７のマスク６の開口部６１内面に対する静的接触角とに変化を生じさせないもの、すなわち、それらがほぼ等しくなるようなものを用いるのが好ましい。これにより、動的接触角低減剤の混合による静的接触角の変化を考慮することを要しないので、液状材料７の調整を容易に行うことができる。
【００２５】
また、後述する工程において、液状材料７を薄膜化（固化）させるが、この際、動的接触角低減剤は、水系溶媒より先に気化しないようなものであるのが好ましい。すなわち、動的接触角低減剤は、水系溶媒（複数種の水系溶媒を用いる場合には、それらのうち最も高い沸点のもの）より沸点が高いものであるのが好ましい。これにより、液状材料７が固化（半固化）して形成される形状がほぼ確定するまで、動的接触角低減剤が気化することが防止されるので、動的接触角低減剤の作用（効果）が持続され、より均一な膜厚（より正確な形状）の膜８を得ることができる。
【００２６】
具体的には、動的接触角低減剤の沸点をＡ［℃］とし、最も高い沸点の水系溶媒の沸点をＢ［℃］としたとき、Ａ≧Ｂ＋１０なる関係を満足するのが好ましく、Ａ≧Ｂ＋３０なる関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、動的接触角低減剤が水系溶媒より先に気化するのをより確実に防止することができるとともに、水系溶媒の気化に伴って動的接触角低減剤が除去されるのを防止することもできる。
【００２７】
このような動的接触角低減剤としては、含フッ素化合物および含珪素化合物の少なくとも一方を主成分とするものが好適に使用される。こられのものは、液状材料７の動的接触角を低減させる効果に優れている。
含フッ素化合物および含珪素化合物は、それぞれ、用いる水系溶媒の種類によって適宜選択すればよく、特に限定されないが、例えば、次のようなものが用いられる。
【００２８】
含フッ素化合物としては、例えば、３−（２−ペルフルオロヘキシルエトキシ）−１，２−ジヒドロキシプロパン、Ｎ−プロピル−Ｎ−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ペルフルオロオクタンスルホンアミド、ペンタデカフルオロオクタノールのような水酸基を有する化合物、各種フッ素系脂肪族系ポリマーエステルのようなエステル基を有する化合物、３−（２−ペルフルオロヘキシルエトキシ）−１，２−エポキシプロパン、Ｎ−プロピル−Ｎ−（２，３−エポキシプロピル）ペルフルオロオクタンスルホンアミド、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］−Ｎ−プロピルペルフルオロオクタンスルホンアミド、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］−Ｎ−エチルペルフルオロオクタンスルホンアミド、アクリル酸トリフルオロエチル、メタクリル酸トリフルオロエチル等が挙げられるが、これらの中でも、水酸基および／またはエステル基を有する化合物のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。これらのものは、液状材料７の動的接触角を低減する効果に優れるとともに、比較的沸点の高いものの入手が容易である。
【００２９】
一方、含珪素化合物としては、ポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン（オルガノポリシロキサン）のようなシロキサン結合を有する化合物のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。これらのものは、液状材料７の動的接触角を低減する効果に優れるとともに、比較的沸点の高いものの入手が容易である。
液状材料７における動的接触角低減剤の含有量（添加量）は、０．００１〜１ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．００５〜０．５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。動的接触角低減剤の含有量が少な過ぎると、用いる水系溶媒の種類や、膜材料の種類等によっては、液状材料７の動的接触角を十分に低下させるのが困難となるおそれがあり、一方、動的接触角低減剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【００３０】
また、液状材料７における膜材料の含有量（添加量）は、形成する膜８の種類等によって適宜設定され、特に限定されないが、０．１〜２０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１〜１０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
水系溶媒としては、例えば、水、エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール、トリエタノールアミンのような多価アルコール、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、エチレングリコールモノアセタートのような単価アルコール等が挙げられ、これらを単独または混合液として用いることができる。
【００３１】
また、液状材料７を基材５上に供給する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
［液状材料薄膜化工程］
次に、基材５上に供給された液状材料７を薄膜化（固化）させ、膜８を得る（図１（ｄ）参照）。
この液状材料７の薄膜化は、例えば、液状材料７が供給された基材５を常温・常圧下に放置する方法、減圧（真空）下に置く方法、基材５上の液状材料７に熱処理を施す方法、または、これらのうちの任意の２以上の方法を組み合わせて行うことができる。
【００３３】
基材５上の液状材料７に熱処理を施す場合、処理温度は、液状材料７の組成等により異なるが、２５〜９００℃程度であるのが好ましく、６０〜５００℃程度であるのがより好ましい。
また、熱処理の処理時間は、液状材料７の組成等により異なるが、１〜９０分程度であるのが好ましく、２〜６０分程度であるのがより好ましい。
【００３４】
また、加熱の雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態等、いかなる雰囲気であってもよい。
また、前記熱処理は、異なる条件で、２回以上に分けて行うものであってもよい。例えば、液状材料７中に含まれる水系溶媒の除去を主目的とする、比較的低温（例えば、２５〜１５０℃程度）での第１の熱処理を行い、その後、非酸化性雰囲気下（不活性雰囲気下）で、焼結を主目的とする、比較的高温（例えば、２００〜５００℃程度）での第２の熱処理を行ってもよい。このように、複数回の熱処理を行うことにより、高温度での熱処理が必要な膜８の形成においても、高温によるマスク６の形状変化に伴う膜８の変形を抑えることができるという効果が得られる。
形成する膜８の平均厚さ（図１中、Ｔ２）は、特に限定されないが、膜８が後述するような電子デバイスを構成するものである場合、１ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、１ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましい。本発明によれば、このような薄い膜８であっても、均一な膜厚で形成することができる。
【００３５】
［マスク除去工程］
次に、マスク６を除去する（図１（ｅ）参照）。これにより、所望のパターンの膜８が得られる。
マスク６の除去は、いかなる方法で行うものであってもよいが、例えば、酸素プラズマやオゾンによる、大気圧下または減圧下でのアッシング、紫外線や、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、マスク６を溶解、分解可能な有機溶剤もしくは無機溶液への浸漬等により行うことができる。
【００３６】
なお、本実施形態では、マスク除去工程を有するものとして説明したが、本発明を適用して得られる部材（本発明の膜を備えた部材）の用途等によっては、マスク除去工程を省略してもよい。
以上説明したように、本発明の成膜方法では、液状材料薄膜化工程における条件の設定に依存せず、液状材料７の条件（組成）の設定によって、均一な膜厚の膜８を形成することができる。
このため、液状材料薄膜化工程において設定し得る条件の幅が広がり、例えば、膜８の膜質の改善を目的とした条件等に設定することにより、より性能に優れる膜８を得ることができる。
【００３７】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）＞
前述したような膜（本発明の膜）８は、各種の電子デバイスに適用することができる。
次に、本発明の電子デバイスを有機ＥＬ素子に適用した場合を一例に説明する。
図３は、本発明の電子デバイスを有機ＥＬ素子に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。なお、図３には、１画素分の構成を示してある。
【００３８】
図３に示す有機ＥＬ素子１０は、基板１２と、基板１２上に設けられた陽極（個別電極）１３と、陽極１３を囲むように設けられたバンク１１と、バンク１１内に設けられた有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に設けられた陰極（共通電極）１５とを備えている。
基板１２は、有機ＥＬ素子１０の支持体となるものであり、この基板１２上に各前記層が形成されている。
【００３９】
基板１２の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４０】
基板１２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極１３は、有機ＥＬ層１４（後述する正孔輸送層１４１）に正孔を注入する電極である。
陽極１３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が比較的大きく、導電性に優れ、かつ、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
【００４１】
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明導電性酸化物）、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることができる。
陽極１３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４２】
一方、陰極１５は、有機ＥＬ層１４（後述する電子輸送層１４３）に電子を注入する電極である。
陰極１５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数が比較的小さく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
このような陰極１５としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられる。
【００４３】
陰極１５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
陽極１３と陰極１５との間には、有機ＥＬ層１４が設けられている。有機ＥＬ層１４は、正孔輸送層１４１と、発光層１４２と、電子輸送層１４３とを備え、これらがこの順で陽極１３上に形成されている。
【００４４】
正孔輸送層１４１は、陽極１３から注入された正孔を発光層１４２まで輸送する機能を有するものである。
正孔輸送層１４１の構成材料（正孔輸送材料）は、正孔輸送能力を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、共役系の化合物であるのが好ましい。共役系の化合物は、その特有な電子雲の広がりによる性質上、極めて円滑に正孔を輸送できるため、正孔輸送能力に特に優れる。
【００４５】
このような正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）のようなチオフェン系化合物、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，��，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、高い正孔輸送能力を有している。
【００４６】
これらの化合物は、モノマーやオリゴマー（低分子の正孔輸送材料）や、これらの化合物を主鎖または側鎖に有するプレポリマーやポリマー（高分子の正孔輸送材料）として用いることができる。
その他の正孔輸送材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）系化合物（ポリチオフェン系化合物とポリスチレンスルホン酸系化合物との混合物）等の高分子の正孔輸送材料を用いることもできる。
また、正孔輸送材料は、以上のような化合物のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
正孔輸送層１４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４７】
電子輸送層１４３は、陰極１５から注入された電子を発光層１４２まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１４３の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
電子輸送層１４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
陽極１３と陰極１５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層１４１中を正孔が、また、電子輸送層１４３中を電子が移動し、発光層１４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層１４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４９】
この発光層１４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極１３側から正孔を、また、陰極１５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの１種または任意の２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリノレート）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００５１】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
【００５２】
発光層１４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、バンク１１は、有機ＥＬ素子１０の各画素（陽極１３）を区画するためのものである。
このバンク１１の構成材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
なお、本実施形態では、発光層１４２は、正孔輸送層１４１および電子輸送層１４３と別個に設けられているが、正孔輸送層１４１と発光層１４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層１４３と発光層１４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層１４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層１４１との界面付近が、それぞれ、発光層１４２として機能する。
【００５４】
また、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極１３から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層１４３によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極１５から電子輸送性発光層に注入された電子が正孔輸送層１４１によって閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
【００５５】
また、各層１３、１４、１５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層１４１と陽極１３との間には正孔注入層を、また、発光層１４２と電子輸送層１４３との間には電子注入層等を設けることができる。
以上のような構成の有機ＥＬ素子１０は、例えば、基板１２上に、陽極１３、正孔輸送層１４１、発光層１４２、電子輸送層１４３を、順次形成することにより製造することができる。
【００５６】
この場合、下層（基板１２側）に位置する正孔輸送層１４１の形状が、有機ＥＬ層１４全体の形状に大きく影響を及ぼすことになる。
したがって、正孔輸送層１４１（正孔を輸送する機能を有する層）を形成（成膜）する際に、本発明の成膜方法を適用するのは、特に有効である。
そして、正孔輸送層１４１を、本発明の成膜方法により形成することにより、均一な膜厚とすることができ、これより上層に位置する発光層１４２および電子輸送層１４３も、均一な膜厚とすることができる。
【００５７】
その結果、得られる有機ＥＬ素子１０は、色ムラの発生や、例えば、発光層１４２と陽極１３との間での短絡の発生等が好適に防止され、特性に優れたものとなる。
なお、本発明の成膜方法を用いて、陽極１３、発光層１４２、電子輸送層１４３等を形成するようにしてもよいことは、言うまでもない。
また、本発明の電子デバイスは、有機ＥＬ素子の適用に限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置、電気泳動表示装置等に適用することもでき、本発明の成膜方法は、これらの表示装置を構成する各層の形成（成膜）に適用することができる。
【００５８】
＜電子機器＞
このような有機ＥＬ素子（本発明の電子デバイス）１０は、各種の電子機器に適用することができる。
図４は、有機ＥＬ素子を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００５９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子１０を備えている。
【００６０】
図５は、有機ＥＬ素子を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の有機ＥＬ素子１０を表示部に備えている。
図６は、有機ＥＬ素子を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００６１】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の有機ＥＬ素子１０が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【００６２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００６３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００６４】
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、膜、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の成膜方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【実施例】
【００６５】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．有機ＥＬ素子の製造
（実施例１）
まず、正孔輸送材料であるＰＥＤＴ／ＰＳＳ（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を２ｗｔ％、ペンタデカフルオロオクタノール（動的接触角低減剤）を０．０１ｗｔ％となるように、それぞれ、純水に混合して、正孔輸送層形成用材料（液状材料）を調製した。
なお、この正孔輸送層形成用材料の動的接触角は、２２°であった。
また、ペンタデカフルオロオクタノールの沸点は、１４６℃である。
【００６６】
＜１＞  ＩＴＯ電極（陽極）が、１００画素分形成された透明ガラス基板を用意した。
＜２＞  次に、各ＩＴＯ電極を囲むように、フォトリソグラフィー法によりバンクを形成し、その表面にフルオロカーボンガスプラズマ処理を施した。
なお、バンク材料（レジスト材料）として、感光性ポリイミド樹脂を用いた。
また、正孔輸送層形成用材料のバンクの開口部内面に対する静的接触角は、１０３°であり、正孔輸送層形成用材料からペンタデカフルオロオクタノールを除いた残部のバンクの開口部内面に対する静的接触角も１０５°でほぼ等しいものであった。
【００６７】
＜３＞  次に、正孔輸送層形成用材料を、ＩＴＯ電極上にスピンコート法（回転数２０００ｒｐｍ）により塗布し、加熱することにより、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
なお、加熱の条件は、大気（酸化性雰囲気）中、２００℃×１０分とした。
＜４＞  次に、発光材料であるポリ［９，９’−ジヘキシル−２，７−（２−シアノビニレン）フルオレニン］（重量平均分子量１２０，０００）を、２ｗｔ％となるようにトルエンに溶解して発光層形成用材料を調製した。
この発光層形成用材料を、正孔輸送層上にスピンコート法（回転数２０００ｒｐｍ）により塗布し、加熱することにより、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
なお、加熱の条件は、窒素雰囲気（還元性雰囲気）中、１５０℃×１０分とした。
【００６８】
＜５＞  次に、発光層上に、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾール（電子輸送材料）を真空蒸着し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜６＞  次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ陰極（陰極）を形成した。
以上の工程を経て、図３に示す有機ＥＬ素子を得た。
【００６９】
（実施例２）
ペンタデカフルオロオクタノールに代えて、ジメチルポリシロキサン（重量平均分子量２３０）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。
なお、ジメチルポリシロキサンの沸点は、１８７℃である。
また、正孔輸送層形成用材料の動的接触角は、２８°であった。
また、正孔輸送層形成用材料のバンクの開口部内面に対する静的接触角は、１０４°であり、正孔輸送層形成用材料からジメチルポリシロキサンを除いた残部のバンクの開口部内面に対する静的接触角も１０５°でほぼ等しいものであった。
【００７０】
（実施例３）
ペンタデカフルオロオクタノールに代えて、前記と同様のペンタデカフルオロオクタノールおよびジメチルポリシロキサンの混合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。
なお、ペンタデカフルオロオクタノールとジメチルポリシロキサンとの混合比は、重量比で５０：５０とした。
【００７１】
また、正孔輸送層形成用材料の動的接触角は、２５°であった。
また、正孔輸送層形成用材料のバンクの開口部内面に対する静的接触角は、１０３°であり、正孔輸送層形成用材料からペンタデカフルオロオクタノールおよびジメチルポリシロキサンを除いた残部のバンクの開口部内面に対する静的接触角も１０５°でほぼ等しいものであった。
【００７２】
（実施例４）
正孔輸送層形成用材料の調製に用いる水系溶媒として、純水とエチレングリコールとの混合液を用い、動的接触角低減剤として、フッ素系脂肪族系ポリマーエステル（住友３Ｍ社製、「ＦＣ−４４３０」）用いた以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。
【００７３】
なお、エチレングリコールの沸点は、１９５℃であり、フッ素系脂肪族系ポリマーエステルの沸点は、２０５℃である。
また、純水とエチレングリコールとの混合比は、容量比で５：９５とした。
また、正孔輸送層形成用材料の動的接触角は、２０°であった。
また、正孔輸送層形成用材料のバンクの開口部内面に対する静的接触角は、１０８°であり、正孔輸送層形成用材料からフッ素系脂肪族系ポリマーエステルを除いた残部のバンクの開口部内面に対する静的接触角も１１１°でほぼ等しいものであった。
【００７４】
（比較例１）
ペンタデカフルオロオクタノールを含まない正孔輸送層形成用材料を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。
なお、正孔輸送層形成用材料の動的接触角は、６０°であった。
（比較例２）
フッ素系脂肪族系ポリマーエステルを含まない正孔輸送層形成用材料を用いた以外は、前記実施例４と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。
なお、正孔輸送層形成用材料の動的接触角は、６３°であった。
【００７５】
２．評価
各実施例および各比較例で得られた有機ＥＬ素子について、それぞれ、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に５Ｖの電圧を印加して、発光輝度を測定し、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を求めた。
その結果を表１に示す。
【００７６】
【表１】
2005150046.tif 000003
【００７７】
なお、有機ＥＬ素子の発光輝度の減衰評価結果は、比較例１の有機ＥＬ素子の発光輝度の半減期を「１」とし、各実施例および比較例２の有機ＥＬ素子の発光輝度の半減期を、それぞれ相対値で示した。
表１から明らかなように、各実施例（本発明）の有機ＥＬ素子は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子に対して、発光輝度の半減期が顕著に長くなった。
これは、各実施例の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層が均一な膜厚（正確な形状）で形成されていることを示唆する結果である。
なお、各実施例の有機ＥＬ素子では、いずれも、色ムラの発生も確認されなかった。これに対して、各比較例の有機ＥＬ素子では、いずれも、明らかな色ムラが生じた。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の成膜方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】動的接触角を説明するための図である。
【図３】本発明の電子デバイスを有機ＥＬ素子に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。
【図４】有機ＥＬ素子を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】有機ＥＬ素子を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】有機ＥＬ素子を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図７】従来の方法により形成される膜の形状を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
５……基材  ６……マスク  ６１……開口部  ７……液状材料  ７’……液体  ８……膜  ８’……膜  １０……有機ＥＬ素子  １１……バンク  １２……基板  １３……陽極  １４……有機ＥＬ層  １４１……正孔輸送層  １４２……発光層  １４３……電子輸送層  １５……陰極  １００……液滴  ２００……ガラス基板  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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