(57)【要約】【課題】高い信頼性とワイヤボンディング適性とパッケージ適性とを備えた多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】コア基板５０の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１及びガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１を積層し、平板プレス機により平滑化処理を行って、コア基板５０の両面に絶縁層４６を形成する。次に、レーザー加工により、絶縁層４６の所定位置にビア用孔５３を形成し、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１６ａ、１６ｂ及びビア１７を形成し、絶縁層４６を用いた４層のビルドアップ配線基板３００を得ることができる。【選択図】図８
2005150424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と配線層を有するビルドアップ多層配線基板の製造方法であって、
シート状補強材の片面もしくは両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して積層体を形成して絶縁層を形成する工程と、配線層及びビアを形成する工程とを少なくとも備えていることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記シート状補強材がクロスもしくは不織布からなることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記不織布がアラミド不織布、液晶ポリマー不織布からなることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁樹脂フィルムの膜厚が２０μｍ〜１００μｍの厚さであることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁樹脂フィルム及びシート状補強材の加熱、圧着工程が真空プレスまたは真空ラミネーターで行われることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法で作製された複数の絶縁層と配線層を有するビルドアップ多層配線基板であって、前記絶縁層がシート状補強材と絶縁樹脂フィルムとを熱圧着して形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板板の製造方法及び多層配線基板に関し、特に、シート状補強材と絶縁樹脂フィルムからなる絶縁層と配線層をビルドアップ方式にて形成する多層配線基板板の製造方法及び多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴いプリント配線板の高密度化、多層化が急速に進行している。しかしながら、配線層が形成されたコア基材とプリプレグ及び銅箔とを積層プレスすることにより多層化し、スルーホールにより各層間の接続を行うようにした従来の製造方法では、スルーホールの形成により回路設計の自由度の低下や高密度化が困難となり、また、スルーホール内のめっきを行わなければならないため、導体厚が厚くなりファインパターンの形成には不利となる。これらの問題を多少でも改良するために、二枚の樹脂フィルムの間に補強材を挟んで絶縁層を形成し、配線層を形成した片面配線基板を積層プレスによって一括積層して多層配線板とする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、この場合もファインパターンの形成には不向きである。
【０００３】
このような問題を解決する方法として、近年、コア基材の導体層上に有機絶縁層を交互に積み上げていくビルドアップ方式の多層プリント配線板製造技術が注目されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
これは、回路形成された内層回路板にエポキシ樹脂組成物を塗布、加熱硬化後、粗化剤により表面に凹凸の粗化面を形成し、この粗化面上に導体層をめっきにより形成する多層プリント配線板の製造法が開示されている。これによると、導体層と樹脂絶縁層の十分な密着強度を確保する目的で絶縁層表面に凹凸を形成する方法は、過マンガン酸カリウム等の酸化剤、アルカリ、有機溶剤といった粗化剤により分解もしくは溶解する成分を含有した樹脂層を、浸漬やスプレー等の方法で粗化液（粗化剤）と接触させる湿式処理によって行われている。
【０００４】
ここで、従来の多層プリント配線板の製造方法について簡単に説明する。図１２（ａ）〜（ｆ）は、従来のビルドアップ方式の多層プリント配線板の製造方法の一例を示す模式構成部分断面図である。
【０００５】
まず、絶縁基材１１１の両面に配線層１２１ａ及び配線層１２１ｂが形成されたコア基板１１０（図１２（ａ）参照）の両面に、樹脂溶液を塗布するか、絶縁樹脂フィルムをラミネートする等の方法で、絶縁層１３１を形成する（図１２（ｂ）参照）。
【０００６】
次に、ＣＯ2レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いたレーザー加工により、絶縁層１３１の所定の位置にビア用孔１４１を形成する（図１２（ｃ）参照）。さらに、アルカリ性の粗化薬液、例えば過マンガン酸カリウム水溶液等を用いてビア用孔及び絶縁層表面のデスミア、粗面化処理を行う。さらに、全面に無電解銅めっきを行ってめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行い、導体層１２２及びビア１２３を形成する（図１２（ｄ）参照）。
【０００７】
次に、導体層１２２上に所定のレジストパターン１５１を形成し（図１２（ｅ）参照）、レジストパターン１５１をマスクにして導体層１２２をエッチングし、レジストパターン１５１を専用の剥離液で剥離することにより、コア基板１１０の両面に絶縁層１３１を介して配線層１２２ａ及び配線層１２２ｂが形成され、配線層１２２ａ及び配線層１２２ｂと配線層１２１ａ及び配線層１２１ｂとがビア１２３にて電気的に接続された４層の配線基板７００を得ることができる（図１２（ｆ）参照）。
【０００８】
しかし、一方でこれらのビルドアップ方式の配線基板は微細配線形成には優れるものの、絶縁層の強度がないため、半導体パッケージ基板として用いる場合、ワイヤーボンディング適性に難点があるとの問題も一部指摘されている。
【０００９】
さらに近年、厚いコア基材を廃したビルドアップ方式の半導体パッケージ基板が注目されており、さかんに開発が行われている。この厚いコアを廃したビルドアップ方式の半導体パッケージ基板は、従来に比べ薄く、層数を減少させることができる。このことにより、ＬＳＩの動作周波数を向上でき、低コストかつ超薄型半導体パッケージを実現できる利点がある（例えば、非特許文献１参照）。
しかしながら、従来の樹脂フィルム、特にビルドアップ用絶縁樹脂フィルムは高い信頼性特性を持つが、強度の点で劣ることから、半導体パッケージ基板としてのさらなる改良が望まれている。
【特許文献１】特開２００１−５３１９８号公報
【特許文献２】特開平７−３０４９３１号公報
【特許文献３】特開平７−３０４９３３号公報
【非特許文献１】日経エレクトロニクス  ２００３年２月号  Ｐ３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで本発明は、上記問題点に鑑み鋭意検討した結果考案されたもので、高い信頼性とワイヤボンディング適性とパッケージ適性とを備えた多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、複数の絶縁層と配線層を有するビルドアップ多層配線基板の製造方法であって、シート状補強材の片面、もしくは両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを加熱、圧着して積層体を形成して絶縁層を形成する工程と、配線層及びビアを形成する工程とを少なくとも備えていることを特徴とする多層配線基板の製造方法としたものである。
【００１２】
また、請求項２においては、前記シート状補強材がクロスもしくは不織布からなることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法としたものである。
【００１３】
また、請求項３においては、前記不織布がアラミド不織布、液晶ポリマー不織布からなることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法としたものである。
【００１４】
また、請求項４においては、前記絶縁樹脂フィルムの膜厚が２０μｍ〜１００μｍの厚さであることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法としたものである。
【００１５】
また、請求項５においては、前記絶縁樹脂フィルム及びシート状補強材の加熱、圧着工程が真空プレスまたは真空ラミネーターで行われることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法としたものである。
【００１６】
さらにまた、請求項６においては、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の多層配線基
板の製造方法で作製された複数の絶縁層と配線層を有するビルドアップ多層配線基板であって、前記絶縁層がシート状補強材と絶縁樹脂フィルムとを熱圧着して形成されていることを特徴とする多層配線基板としたものである
【発明の効果】
【００１７】
本発明の多層配線基板は、絶縁層をシート状補強材と絶縁樹脂フィルムとを加熱、圧着して形成しているので、レーザー加工性を有し、絶縁層に強靱性を簡便に付与することができ、クラック耐性等の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
また、本発明における多層配線基板の製造方法によれば、ビルドアッププロセスで強靱性を有する絶縁層及び配線層を形成しているので、高い信頼性とワイヤボンディング適性を有する半導体パッケージ用の極薄の多層配線基板を容易に提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１、図２、図３は、本発明の多層配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。図1（ａ）に示す多層配線基板１００は、絶縁層４１、４２がシート状補強材の片面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して形成されており、配線層１１ａ、１１ｂ、１３ａ、１３ｂ及びビア１４が形成された４層配線基板の事例である。
【００２０】
図1（ｂ）に示す多層配線基板２００は、絶縁層４３、４４がシート状補強材の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して形成されており、配線層１１ａ、１１ｂ、１３ａ、１３ｂ及びビア１４が形成された４層配線基板の事例である。
【００２１】
図２（ａ）に示す多層配線基板３００は、絶縁基材４５の両面に配線層１５ａ及び１５ｂが形成されたコア基板の両面にシート状補強材の片面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して絶縁層４６と、配線層１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂ及びビア１７とが形成された４層配線基板の事例である。
【００２２】
図２（ｂ）に示す多層配線基板４００は、絶縁基材４５の両面に配線層１５ａ及び１５ｂが形成されたコア基板５０の両面にシート状補強材の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して絶縁層４７と、配線層１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂ及びビア１７とが形成された４層配線基板の事例である。
【００２３】
図３（ａ）に示す多層配線基板５００は、シート状補強材の片面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して形成した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９及び配線層１８が、他方の面にはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の配線基板の事例である。
【００２４】
図３（ｂ）に示す多層配線基板６００は、シート状補強材の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して形成した絶縁層４９の一方の面に半導体実装パッド１９及び配線層１８が、他方の面にはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の配線基板の事例である。
【００２５】
上記に示すように、本発明の多層配線基板は、いずれも絶縁層がシート状補強材の片面もしくは両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルムを積層し、加熱、圧着して形成されているので、絶縁層に強靱性を簡便に付与することができ、ファインパターン、高信頼性かつ、高強度の極薄の多層配線基板を得ることができる。
【００２６】
以下本発明の多層配線基板の製造方法について説明する。
まず、シート状補強材の片面に絶縁樹脂フィルムを積層して作製した絶縁層を用いた多層配線基板の製造方法の事例について説明する。
図4（ａ）〜（ｆ）及び図５（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実
施例を示す模式構成断面図である。
【００２７】
まず、銅箔等からなる導体層１１上に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１及びガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１を積層し（図４（ａ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、導体層１１上に絶縁層４１を形成する（図４（ｂ）参照）。
【００２８】
ここで、絶縁樹脂フィルム２１の膜厚は、２０〜１００μｍの間が好適である。
【００２９】
上記絶縁樹脂フィルム２１としては、加熱により軟化し、かつフィルム形成能のある樹脂であって、さらに耐熱性、電気特性を有する層間絶縁材であれば問題ない。このような絶縁材として熱硬化性樹脂を主成分としてなると、良い特性を有することが多い。例えば、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、ポリイミド樹脂系、ポリアミドイミド樹脂系、ポリシアネート樹脂系、ポリエステル樹脂系、熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂系等が挙げられるが特にこれらに限定されるものではない。さらに、これらを２種以上組み合わせて使用したり、多層構造を有する絶縁材フィルムとすることも可能である。絶縁樹脂フィルムに銅箔を張り合わせたものを用いても良い。その中でも、機械的、電気的、化学的特性、及びコストの問題から樹脂フィルムにエポキシ樹脂を用いることが好ましく、特に多官能エポキシ樹脂が好ましい。
【００３０】
前記多官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂など公知慣用のものを、単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。さらには難燃性を付与するために臭素化した上記エポキシ樹脂が用いられる。
【００３１】
また、特に限定されるものではないが、熱硬化性樹脂の選択によってそれに対応する硬化剤を選ぶことができる。例えば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、エポキシ樹脂硬化剤を用いることができる。エポキシ樹脂硬化剤には触媒型と重付加型があるが、共に公知のものを使用することができる。例えば、重付加型のエポキシ樹脂硬化剤としては、フェノールノボラック等の多価フェノール類、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等のアミン系硬化剤、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水物硬化剤、またはこれらの混合物等を用いることができる。中でも低吸水性、高耐熱性の点からフェノールノボラック等の多価フェノール類の使用が好ましい。これらの硬化剤の配合比は使用する硬化剤と熱硬化性樹脂の選択によって異なり、通常は硬化物のガラス転移温度が高くなるように決定される。例えばフェノールノボラックを用いる場合には、エポキシ当量と水酸基当量が１：１前後で配合するのが好ましい。
【００３２】
また、絶縁樹脂フィルム２１には機械的、熱的、または電気的性質の改質を目的として公知の無機または有機フィラーを加えることができる。また、その配合比は熱硬化性樹脂の選択によって異なり、添加する場合には絶縁樹脂層全体に対して５〜４０ｗｔ％の範囲内であることが好ましい。有機フィラーとしては、エポキシ樹脂粉末、メラミン樹脂粉末、尿素樹脂粉末、グアナミン樹脂粉末、ポリエステル樹脂粉末等を、無機フィラーとしては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、チタン酸カリウム等を挙げることができる。シリカフィラーは誘電率が低いこと、線膨張率が低いこと、アルカリ処理により絶縁樹脂中から離脱しやすいといった理由から良く用いられている。
【００３３】
また、絶縁樹脂フィルム２１には熱可塑性樹脂を場合に応じて添加することができる。
このことにより、特に樹脂の強靱性を向上することができる。例えば、エポキシ樹脂は銅とのめっき密着性や耐熱性に優れるが、固くて脆い特性を有しており、冷熱衝撃試験での樹脂クラック等の不具合を生じることがある。熱可塑性樹脂を加えることにより、さらに優れたプリント配線板用層間絶縁材フィルムとすることができる。このような熱可塑性樹脂とは、耐熱性を有すること、上述した熱硬化性樹脂、硬化剤と同一の溶媒に溶解して混合できることが望ましい。
【００３４】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリイミド、ポリエーテルスルホンを用いることができる。通常これらの熱可塑性樹脂を添加する場合、配合比は絶縁樹脂層全体に対して５〜５０ｗｔ％の割合で加えられる。この理由として、５ｗｔ％以下では添加による靱性アップの効果が乏しく、５０ｗｔ％以上では熱硬化性樹脂の特性が生かされず、めっき特性に劣ること、さらには２００℃以上の高温域での耐熱性の低下などの不具合を生じる恐れがある。
【００３５】
また、絶縁樹脂フィルム２１には、硬化反応を促進させる目的から公知の硬化触媒を加えることができる。例えば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を、硬化剤として重付加型のエポキシ樹脂硬化剤を用いる場合には、トリフェニルホスフィン、トリ−４−メチルフェニルホスフィン、トリ−４−メトキシフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリ−２−シアノエチルホスフィン等の有機ホスフィン化合物及びこれらのテトラフェニルボレート塩；トリブチルアミン、トリエチルアミン、トリアミルアミン等の３級アミン；塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウムテトラフェニルボレート等の４級アンモニウム塩；２−エチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類等が挙げられるが、これらに限定されない。また、これらの中でも本発明の目的達成には有機ホスフィン化合物やイミダゾール類の使用が特に好ましい。これら硬化触媒の配合割合は、所望のゲルタイムが得られるように任意の割合で加えることができる。通常、組成物のゲルタイムが８０℃〜２５０℃の各所定温度で１〜１５分となるように配合するのが好ましい。
【００３６】
また、市販されている絶縁樹脂フィルムとして、味の素ファインテクノ社製のＡＢＦシリーズ、日立化成社製のＡＳ、ＧＸＡシリーズ、新日鐵化学社製のＥＹＳシリーズ、住友化学社製のエスフレックスシリーズなどがある。
【００３７】
シート状補強材３１としては、クロスもしくは不織布とからなり、クロスとしてはガラスクロスがあり、不織布としてはアラミド不織布、液晶ポリマー不織布、ガラス不織布、ポリテトラフロロエチレン多孔質、ポリフェニレンサルファイドレジン等があり、これらを単独、若しくは二つ以上用いても良い。この補強材を入れることにより、機械的な強度が増す他、絶縁層の熱膨張率が銅の膨張率と近くなり、クラック耐性などの信頼性も向上する。
【００３８】
絶縁樹脂フィルム２１とシート状補強材３１の加熱圧着にはラミネーターやプレス機等を用いることができるが、特に限定しない。これらの中でも真空ラミネーターや真空プレス機が好適に用いられる。また、加圧式や減圧式、それらを併用したタイプも用いることができ、バッチ式であっても連続式のロール加圧方式であってもよい。
【００３９】
真空ラミネーターを用いるとき、ラミネート条件は、絶縁樹脂層の熱時溶融粘度、厚さと内層回路基板のスルーホール径、深さ及び／または表面ビアホール径、深さにより異なるが、一般的には圧着温度が７０〜２００℃、圧着圧力が１〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2であって、２０ｍｍＨｇ以下の減圧下で積層する。
【００４０】
一方、真空プレスを用いた場合には、積層体を真空プレスの熱板間にセットする工程と
、熱板間を排気する工程と、所定のプレス圧を付加する工程と、熱板を所定温度に昇温する工程と、所定のプレス圧と温度とを保持する工程と、プレス圧付加状態の下で積層体を冷却した後、この積層体をプレスから取り出す工程とを有する。
【００４１】
上記平盤プレス工程の平滑化処理について説明する。プレスの圧力は一般的に５〜１００ｋｇ／ｃｍ2であるが、より好ましくは５〜１０ｋｇ／ｃｍ2である。処理温度は使用する絶縁樹脂フィルム２１にもよるが、９０〜２００℃である。例えば、ＳＵＳ板の上にラバーを敷いたものや、逆にラバーの上にＳＵＳ板をかぶせたものがある。
【００４２】
次に、絶縁層４１表面にめっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層を形成し、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、絶縁層４１上に所定厚の導体層１２を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００４３】
ここで、絶縁層４１と導体層１２の接着性を強固なものにするため、絶縁層４１表面の粗化処理を行っても良い。
【００４４】
次に、絶縁層４１の導体層１１及び１２上に感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、導体層１１及び１２上にレジストパターン６１を形成する（図４（ｄ）参照）。
さらに、レジストパターン６１をマスクにして導体層１１及び１２をエッチングして、絶縁層４１の両面に配線層１１ａ及び配線層１２ａが形成された両面配線板３０を作製する（図４（ｅ）参照）。
【００４５】
次に、両面配線板３０の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１及びシート状補強材３１を積層し（図４（ｆ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、両面配線板３０の両面に絶縁層４２を形成する（図５（ｇ）参照）。
【００４６】
次に、レーザー加工により、絶縁層４２の所定位置にビア用孔５１を形成し、ビア用孔底、またはビア用孔内壁に付着した樹脂残渣を除去するためのドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理を行い、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図５（ｈ）参照）。
【００４７】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１３ａ、１３ｂ及びビア１４を形成し、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４１、４２を用いた４層のビルドアップ配線基板１００を得ることができる。
【００４８】
さらに、必要に応じて、上記絶縁層、配線層及びビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の層数の多層配線基板を得ることができる。
【００４９】
次は、シート状補強材の両面に絶縁樹脂フィルムを積層して作製した絶縁層を用いた多層配線基板の製造方法の事例にについて説明する。
図６（ａ）〜（ｆ）及び図７（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００５０】
まず、銅箔等からなる導体層１１上に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１及び常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１を積層し（図６（ａ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、導体層１１上に絶縁層４３を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００５１】
ここで、縁樹脂フィルム２１及びシート状補強材３１については、上記詳細に述べたので、ここでは省略する。
【００５２】
次に、絶縁層４３表面にめっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層を形成し、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、絶縁層４３上に所定厚の導体層１２を形成する（図６（ｃ）参照）。
【００５３】
ここで、絶縁層４３と導体層１２の接着性を強固なものにするため、絶縁層４３表面の粗化処理を行っても良い。
【００５４】
次に、絶縁層４３上の導体層１１及び１２上に感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、導体層１１及び１２の所定位置にレジストパターン６３を形成する（図６（ｄ）参照）。
さらに、レジストパターン６３をマスクにして導体層１１及び１２をエッチングして、絶縁層４３の両面に配線層１１ａ及び配線層１２ａが形成された両面配線板４０を作製する（図６（ｅ）参照）。
【００５５】
次に、両面配線板４０の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１及び常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１を積層し（図６（ｆ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、両面配線板４０の両面に絶縁層４４を形成する（図７（ｇ）参照）。
【００５６】
次に、レーザー加工により、絶縁層４４の所定位置にビア用孔５２を形成し、ビア用孔底、またはビア用孔内壁に付着した樹脂残渣を除去するためのドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理を行い、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図７（ｈ）参照）。
【００５７】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１３ａ、１３ｂ及びビア１４を形成し、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１の両面に絶縁樹脂フィルム２２を積層して作製した絶縁層４３、４４を用いた４層のビルドアップ配線基板２００を得ることができる。
【００５８】
さらに、必要に応じて、上記絶縁層、配線層及びビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の層数の多層配線基板を得ることができる。
【００５９】
次は、コア基板の両面にシート状補強材の片面に絶縁樹脂フィルムを積層して絶縁層を形成した多層配線基板の製造方法の事例にについて説明する。
図８（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００６０】
まず、両面銅張り積層板の銅箔をパターニング処理して、エポキシ樹脂等からなる絶縁基材４５の両面に配線層１５ａ及び１５ｂを形成し、コア基板５０を作製する（図８（ａ）参照）。
【００６１】
ここで、コア基板５０として両面配線版を用いたが、これはコア基板の一例であって、構成及び配線層の層数等には限定されるものではない。
【００６２】
次に、コア基板５０の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１及びガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１を積層し（図８（ｂ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、コア基板５０の両
面に絶縁層４６を形成する（図８（ｃ）参照）。
【００６３】
次に、レーザー加工により、絶縁層４６の所定位置にビア用孔５３を形成し、ビア用孔底、またはビア用孔内壁に付着した樹脂残渣を除去するためのドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理を行い、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図８（ｄ）参照）。
【００６４】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１６ａ、１６ｂ及びビア１７を形成し、コア基板５０の両面にガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４６を用いた４層のビルドアップ配線基板３００を得ることができる（図８（ｅ）参照）。
【００６５】
さらに、上記絶縁層、配線層及びビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の層数の多層配線基板を得ることができる。
【００６６】
次は、コア基板の両面にシート状補強材の両面に絶縁樹脂フィルムを積層して絶縁層を形成した多層配線基板の製造方法の事例にについて説明する。
図９（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００６７】
まず、両面銅張り積層板の銅箔をパターニング処理して、エポキシ樹脂等からなる絶縁基材４５の両面に配線層１５ａ及び１５ｂを形成し、コア基板５０を作製する（図９（ａ）参照）。
【００６８】
ここで、コア基板５０として両面配線版を用いたが、これはコア基板の一例であって、構成及び配線層の層数等には限定されるものではない。
【００６９】
次に、コア基板５０の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１及び常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１を積層し（図９（ｂ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、コア基板５０の両面に絶縁層４７を形成する（図９（ｃ）参照）。
【００７０】
次に、レーザー加工により、絶縁層４７の所定位置にビア用孔５３を形成し、ビア用孔底、またはビア用孔内壁に付着した樹脂残渣を除去するためのドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理を行い、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図９（ｄ）参照）。
【００７１】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層１６ａ、１６ｂ及びビア１７を形成し、コア基板５０の両面にガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１の両面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４７を用いた４層のビルドアップ配線基板４００を得ることができる（図９（ｅ）参照）。
【００７２】
さらに、必要に応じて、上記絶縁層、配線層及びビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の層数の多層配線基板を得ることができる。
【００７３】
次は、シート状補強材の片面に絶縁樹脂フィルムを積層して絶縁層を形成した半導体パッケージ用の多層配線基板の製造方法の事例について説明する。
図１０（ａ）〜（ｇ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００７４】
まず、粗面化処理された銅基板７１の他方の面にドライフィルム等をラミネートする等
の方法で保護層６４を形成し、銅基板７１の一方の面に電解ニッケルめっきにより、０．５〜２μｍ厚のバリヤ層８１を形成する（図１０（ａ）参照）。
【００７５】
このバリヤ層８１は、プロセスの最後に銅基板７１をエッチングで除去する際のエッチングバリア層となる。
【００７６】
次に、銅基板７１のバリア層８１上にドライフィルムをラミネートする等の方法で、感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、開口部を有するパターンめっき用のレジストパターン６５を形成し、サブトラクティブ、もしくはセミアディティブ法にてパターン形成を行い、配線層１８及びパッド電極１９を形成する（図１０（ｂ）参照）。
【００７７】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１及びガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１を積層し（図１０（ｃ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４８を形成する（図１０（ｄ）参照）。
【００７８】
次に、レーザー加工により、絶縁層４８の所定位置にビア用孔５４を形成し、ビア用孔底、またはビア用孔内壁に付着した樹脂残渣を除去するためのドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理を行い、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図１０（ｅ）参照）。
【００７９】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層２０ａ及びビア２５を形成し、スクリーン印刷にてソルダーレジスト溶液を塗布して、ソルダー感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ソルダーパターン９１を形成し、ハンダボール用パッド２０ａを形成する。また、必要に応じて、ハンダボール用パッド２０ａ上にニッケル、金皮膜等を形成する（図１０（ｆ）参照）。
【００８０】
次に、保護層６４を専用の剥離液で除去し、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、シート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルムを積層して作製した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板５００を得る（図１０（ｇ）参照）。
【００８１】
さらに、必要に応じて、上記絶縁層、配線層及びビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の層数の半導体パッケージ用の多層配線基板を得ることができる。
【００８２】
次は、シート状補強材の両面に絶縁樹脂フィルムを積層して絶縁層を形成した半導体パッケージ用の多層配線基板の製造方法の事例について説明する。
図１１（ａ）〜（ｇ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００８３】
まず、粗面化処理された銅基板７１の他方の面にドライフィルム等をラミネートする等の方法で保護層６４を形成し、銅基板７１の一方の面に電解ニッケルめっきにより、０．５〜２μｍ厚のバリヤ層８１を形成する（図１１（ａ）参照）。
【００８４】
このバリヤ層８１は、プロセスの最後に銅基板７１をエッチングで除去する際のエッチングバリア層となる。
【００８５】
次に、銅基板７１のバリア層８１上にドライフィルムをラミネートする等の方法で、感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、開口部を有するパターンめっき用のレジストパターン６５を形成し、サブトラクティブ法、もしくはセ
ミアディティブ法にてパターン形成を行い、配線層１８及びパッド電極１９を形成する（図１１（ｂ）参照）。
【００８６】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１及び常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１を積層し（図１１（ｃ）参照）、真空ラミネーター等により加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４９を形成する（図１１（ｄ）参照）。
【００８７】
次に、レーザー加工により、絶縁層４９の所定位置にビア用孔５５を形成し、ビア用孔底、またはビア用孔内壁に付着した樹脂残渣を除去するためのドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理を行い、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図１１（ｅ）参照）。
【００８８】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層及びビア２５を形成し、スクリーン印刷にてソルダーレジスト溶液を塗布して、ソルダー感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ソルダーパターン９１を形成し、ハンダボール用パッド２０ａを形成する。また、必要に応じて、ハンダボール用パッド２０ａ上にニッケル、金皮膜等を形成する（図１１（ｆ）参照）。
【００８９】
次に、保護層６４を専用の剥離液で除去し、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、シート状補強材３１の両面に絶縁樹脂フィルムを積層して作製した絶縁層４９の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用のビルドアップ配線基板６００を得る（図１１（ｇ）参照）。
【００９０】
さらに、必要に応じて、上記絶縁層、配線層及びビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の層数の半導体パッケージ用の多層配線基板を得ることができる。
【実施例１】
【００９１】
まず、粗面化処理された銅基板７１の他方の面にドライフィルムをラミネートして保護層６４を形成し、銅基板７１の一方の面に電解ニッケルめっきにより、０．５〜２μｍ厚のバリヤ層８１を形成した（図１０（ａ）参照）。
【００９２】
次に、銅基板７１のバリア層８１上にドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、開口部を有するパターンめっき用のレジストパターン６５を形成し、セミアディティブ法にて一連のパターニング処理を行って、配線層１８及びパッド電極１９を形成した（図１０（ｂ）参照）。
【００９３】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に４５μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（ＡＢＦ−ＳＨ：味の素社製）２１及び３０μｍ厚のアラミド不織布からなるシート状補強材３１を積層し（図１０（ｃ）参照）、真空ラミネーターにてに１７０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４８を形成した（図１０（ｄ）参照）。
【００９４】
次に、レーザー加工により、絶縁層４８の所定位置にビア用孔５４を形成し、絶縁層４８表面及びビア用孔５４内をデスミア処理し、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図１０（ｅ）参照）。
【００９５】
次に、はセミアディティブ法により、一連のパターニング処理を行って、配線層及びビア２５を形成し、スクリーン印刷にてソルダーレジスト溶液を塗布して、ソルダー感光層
を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ソルダーパターン９１を形成し、ハンダボール用パッド２０ａを形成した（図１０（ｆ）参照）。
【００９６】
次に、保護層６４を専用の剥離液で除去し、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、アラミド不織布からなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た（図１０（ｇ）参照）。
【実施例２】
【００９７】
まず、実施例１と同様な工程、方法で、銅基板７１の一方の面に、バリア層８１、配線層１８及びパッド電極１９を、他方の面に保護層６４を形成した（図１０（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００９８】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に４５μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（ＡＢＦ−ＳＨ：味の素社製）２１及び２０μｍ厚のガラスクロスからなるシート状補強材３１を積層し（図１０（ｃ）参照）、真空ラミネーターにてに１７０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４８を形成した（図１０（ｄ）参照）。
【００９９】
実施例１と同様な工程、方法で、配線層、ビア２５、ソルダーパターン９１を形成し（図１０（ｅ）及び（ｆ）参照）、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、ガラスクロスからなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た（図１０（ｇ）参照）。
【実施例３】
【０１００】
まず、実施例１と同様な工程、方法で、銅基板７１の一方の面に、バリア層８１、配線層１８及びパッド電極１９を、他方の面に保護層６４を形成した（図１０（ａ）及び（ｂ）参照）。
【０１０１】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に    μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（ＡＢＦ−ＳＨ：味の素社製）２１及び    μｍ厚の液晶ポリマー不織布からなるシート状補強材３１を積層し（図１０（ｃ）参照）、真空ラミネーターにてに１８０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４８を形成した（図１０（ｄ）参照）。
【０１０２】
実施例１と同様な工程、方法で、配線層、ビア２５、ソルダーパターン９１を形成し（図１０（ｅ）及び（ｆ）参照）、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、ガラスクロスからなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た（図１０（ｇ）参照）。
【実施例４】
【０１０３】
まず、実施例１と同様な工程、方法で、銅基板７１の一方の面に、バリア層８１、配線層１８及びパッド電極１９を、他方の面に保護層６４を形成した（図１０（ａ）及び（ｂ）参照）。
【０１０４】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に４５μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（エスフレックス：住友化学工業社製）２１及び３５μｍ厚の液晶ポリマー不織布からなるシート状補強材３１を積層し（図１０（ｃ）参照）、真空ラミネーターにてに１７０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４８を形成した（図１０（ｄ）参照）。
【０１０５】
実施例１と同様な工程、方法で、配線層、ビア２５、ソルダーパターン９１を形成し（図１０（ｅ）及び（ｆ）参照）、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、ガラスクロスからなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た（図１０（ｇ）参照）。
【実施例５】
【０１０６】
まず、実施例１と同様な工程、方法で、銅基板７１の一方の面に、バリア層８１、配線層１８及びパッド電極１９を、他方の面に保護層６４を形成した（図１０（ａ）及び（ｂ）参照）。
【０１０７】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に４５μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（エスフレックス：住友化学工業社製）２１及び３０μｍ厚のアラミド不織布からなるシート状補強材３１を積層し（図１０（ｃ）参照）、真空ラミネーターにてに１８０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層４８を形成した（図１０（ｄ）参照）。
【０１０８】
実施例１と同様な工程、方法で、配線層、ビア２５、ソルダーパターン９１を形成し（図１０（ｅ）及び（ｆ）参照）、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、ガラスクロスからなるシート状補強材３１の片面に絶縁樹脂フィルム２１を積層して作製した絶縁層４８の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た（図１０（ｇ）参照）。
【実施例６】
【０１０９】
まず、実施例１と同様な工程、方法で、銅基板７１の一方の面に、バリア層８１、配線層１８及びパッド電極１９を、他方の面に保護層６４を形成した。
【０１１０】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に４５μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（ＡＢＦ−ＳＨ：味の素社製）を積層し、真空ラミネーターにてに１７０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層を形成した。
【０１１１】
実施例１と同様な工程、方法で、配線層、ビア２５、ソルダーパターン９１を形成し、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、絶縁樹脂フィルム（ＡＢＦ−ＳＨ：味の素社製）からなる絶縁層の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された比較例の半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た。
【実施例７】
【０１１２】
まず、実施例１と同様な工程、方法で、銅基板７１の一方の面に、バリア層８１、配線層１８及びパッド電極１９を、他方の面に保護層６４を形成した。
【０１１３】
次に、配線層１８及びパッド電極１９上に４５μｍ厚の絶縁樹脂フィルム（エスフレックス：住友化学工業社製）を積層し、真空ラミネーターにてに１８０℃、３０分間加熱、圧着して積層体を形成し、さらに、平板プレス機により平滑化処理を行って、絶縁層を形成した。
【０１１４】
実施例１と同様な工程、方法で、配線層、ビア２５、ソルダーパターン９１を形成し、銅基板７１及びバリヤ層８１をエッチングで除去し、絶縁樹脂フィルム（エスフレックス：住友化学工業社製）からなる絶縁層の一方の面に半導体実装パッド１９が、他方の面にソルダーパターン９１及びはんだボール用パッド２０ａが形成された比較例の半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板を得た。
【０１１５】
上記実施例１から実施例７で得られた半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板について、内部応力、強靱性、レーザー加工性について評価し、評価結果を表１に示す
。評価項目と評価内容は以下の通りである
・内部応力
半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板の４隅の高さを計測した。
【０１１６】
○：２ｍｍ未満  ×：２ｍｍ以上
・強靱性
半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板の折り曲げ、靭性を測った。
○：靭性があるもの  ×：靭性がないもの
・レーザー加工性
半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板にＵＶ−ＹＡＧレーザーで孔を開け、孔形状をＳＥＭで観察し、評価した。
○：孔形状が良かったもの  △：孔形状が劣るもの
【０１１７】
【表１】
2005150424.tif 000003
不織布もしくはガラスクロスからなるシート状の補強材と絶縁樹脂フィルムを積層して絶縁層を形成して作製した実施例１〜５の半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板は、従来の絶縁層を用いた半導体パッケージ用の２層のビルドアップ配線基板に比べて、強靭であり折り曲げても切断しにくかった。また内部応力も激減することがわかった。レーザー加工性はガラスクロスが幾分劣っていたが、アラミド不織布や液晶ポリマー不織布は良好な形状の孔明けができ、従来の絶縁層を用いた場合と同様、優れていた。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の多層配線基板の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の多層配線基板の他の実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の多層配線基板の他の実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図５】（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図７】（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図１２】従来の多層配線基板の製造工程の一例を示す模式構成部分断面図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１１……導体層（銅箔）
１１ａ、１２ａ、１３ａ、１３ｂ、１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂ、１８、１２１ａ、１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂ……配線層
１２、１２２……導体層
１４、１７、２５、１２３……ビア
１９……実装パッド電極
２０ａ……はんだボール用パッド
２１……絶縁樹脂フィルム
３０、４０……両面配線板
３１……シート状補強材
４１、４２、４３、４４、４６、４７、４８、４９……絶縁層
４５、１１１……絶縁基材
５０、１１０……コア基板
５１、５２、５３、５４、１４１……ビア用孔
６１、６３、６５、１５１……レジストパターン
６４……保護層
７１……銅基板
８１……バリア層
９１……ソルダーパターン
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００……多層配線基板
１３１……絶縁層
【図１】
2005150424.tif 000004
【図２】
2005150424.tif 000005
【図３】
2005150424.tif 000006
【図４】
2005150424.tif 000007
【図５】
2005150424.tif 000008
【図６】
2005150424.tif 000009
【図７】
2005150424.tif 000010
【図８】
2005150424.tif 000011
【図９】
2005150424.tif 000012
【図１０】
2005150424.tif 000013
【図１１】
2005150424.tif 000014
【図１２】
2005150424.tif 000015