(57)【要約】【課題】不揮発性メモリのデータが誤って書き変わったことを的確に検知し、正規のデータの再書込みで復旧させる。【解決手段】ＥＥＰＲＯＭ６は３つの異なるアドレスに同じデータを書込んでおく。比較器７は３つのデータの一致／不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みが発生したか否かを判定する。書込回路８は比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、ＥＥＰＲＯＭに正しいデータを再書込みする。  ＥＥＰＲＯＭ、ＦＰＧＡ等の複数種類の不揮発性メモリを搭載し、各不揮発性メモリのいずれかに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧に、各不揮発性メモリには複数種類の異なるデバイスに同じデータを書込んでおき、各データの一致／不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みがいずれの不揮発性メモリに発生したか否かを判定することも含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリを搭載し、該不揮発性メモリに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧方式であって、
前記不揮発性メモリは、３つの異なるアドレスに同じデータを書込んでおき、
前記３つのデータの一致／不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みが発生したか否かを判定する比較器と、
前記比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、前記不揮発性メモリに正しいデータを再書込みする書込回路とを備えたことを特徴とする不揮発性メモリのデータ復旧方式。
【請求項２】
ＥＥＰＲＯＭ等の複数種類の不揮発性メモリを搭載し、各不揮発性メモリのいずれかに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧方式であって、
前記各不揮発性メモリは、複数種類の異なるデバイスに同じデータを書込んでおき、
前記異なるデバイスから読出した３以上のデータの一致／不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みがいずれの不揮発性メモリに発生したか否かを判定する比較器と、
前記比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、当該不揮発性メモリに正しいデータを再書込みする書込回路とを備えたことを特徴とする不揮発性メモリのデータ復旧方式。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリで誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧方式に関するものであり、ＥＥＰＲＯＭデバイス等を搭載している各種装置に適用できる。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータを中枢部とする各種装置は、ＥＥＰＲＯＭが実装されている場合が多い。この場合、電源投入／遮断時にプロテクト機能が必要な場合が多く存在する。ここで言うプロテクト機能とは、電源の投入／遮断時等にＥＥＰＲＯＭ内部に保存されているデータを誤った書込み等により変更することがないように保護する機能を言う。
【０００３】
方法としては、ＥＥＰＲＯＭデバイス等のＩＣ選択信号等をリセット信号で抑えたりして誤った書込みが発生しにくくする等の手段が一般的に多く用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、ＥＥＰＲＯＭの全エリアのデータチェックサムを用いてデータが、一部またはそれ以上書き変わったことを認識する方法が用いられている場合もある。この場合、異常を認識することができるが、修正は自動でできない。このため、ファクトリーリターンや現地メンテナンスによる修理が必要となる。
【０００５】
ＥＥＰＲＯＭには、例えばＭＡＣアドレスのような重要なデータを保存しておく場合も考えられ、電源の投入／遮断時の誤った書込み等によって保存データが変化してしまうことは致命的な異常となる場合が多い。
【特許文献１】特開２０００−１８１５１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
現行の方式は、ＥＥＰＲＯＭ等に保存されているデータが誤った書込み等により変更されない方式を採っている場合が多い。これらの方式は、完全にデータの誤った書込み等を防ぐことはできない。また、誤ったデータ書込みを検知することができない。
【０００７】
そこで、万が一にデータが書き変わってしまった場合にそれを検知し、そのデータを復旧させることを考える。この場合、仮に、データが書き変わっても、すぐに正しいデータに復旧できれば、データの信頼性はかなり高いものとなる。さらに、従来の誤った書込み防止方式に併用して使用すれば、かなりの信頼性向上に繋がると考えられる。
【０００８】
本発明の目的は、データが誤って書き変わったことを的確に検知し、正規のデータの再書込みで復旧させることができる不揮発性メモリのデータ復旧方式を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記の課題を解決するため、同じデータを１つの不揮発性メモリの３つの異なるアドレスに書込んでおき、または複数の不揮発性メモリに書込んでおき、各データの一致／不一致の多数決を取ることによってデータが誤って書き変わったか否かを検知し、データが誤って書き変わっている場合には正しいデータに再書込みすることでデータ復旧を得るようにしたもので、以下の方式を特徴とする。
【００１０】
（１）ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリを搭載し、該不揮発性メモリに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧方式であって、
前記不揮発性メモリは、３つの異なるアドレスに同じデータを書込んでおき、
前記３つのデータの一致／不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みが発生したか否かを判定する比較器と、
前記比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、前記不揮発性メモリに正しいデータを再書込みする書込回路とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
（２）ＥＥＰＲＯＭ等の複数種類の不揮発性メモリを搭載し、各不揮発性メモリのいずれかに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧方式であって、
前記各不揮発性メモリは、複数種類の異なるデバイスに同じデータを書込んでおき、
前記異なるデバイスから読出した３以上のデータの一致／不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みがいずれの不揮発性メモリに発生したか否かを判定する比較器と、
前記比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、当該不揮発性メモリに正しいデータを再書込みする書込回路とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
以上のとおり、本発明によれば、同じデータを１つの不揮発性メモリの３つの異なるアドレスに書込んでおき、または複数の不揮発性メモリに書込んでおき、各データの一致／不一致の多数決を取ることによってデータが誤って書き変わったか否かを検知し、データが誤って書き変わっている場合には正しいデータに再書込みすることでデータ復旧を得るようにしたため、電源投入時などの動作で、万が一に重要なデータが書き変わった場合、それを的確に検知でき、直ちに正規のデータに復旧できるため、より一層信頼性の高いデータ保護ができる。さらに、従来の誤った書込み防止方式に併用して使用すれば、かなりの信頼性向上に繋がるし、この種の不揮発性メモリを搭載する装置の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施形態１）
本実施形態は、ＥＥＰＲＯＭ等の１種類のデバイスで誤ったデータの検知とデータ復旧を実現する方式である。
【００１４】
ＥＥＰＲＯＭのデータが電源投入時などで誤った書込みによって書き変わる場合は、全データ領域でなく一部（例えば、１アドレス）のみが変化する場合がほとんどである。この場合、ＥＥＰＲＯＭの重要なデータのみを、３箇所の異なるアドレスに保存しておけば、２／３以上のデータが正しい値で保持することができる。そして、リセット等の装置起動後に、重要なデータについて多数決をとってその確認を行い、もし１箇所のみ誤っている場合は修正して３箇所に同じデータを格納し直すことでデータ復旧ができる。また、３箇所とも異なる場合は、異常であることをＣＰＵに知らせたり、外部異常通知回路等を設けて、異常表示させたりするなどの対策をとることも可能となる。
【００１５】
図１は、本実施形態によるデータ復旧方式を説明するための要部構成図である。ＣＰＵ１と揮発性メモリ２と不揮発性メモリ３とＦＰＧＡ４等をローカルバス結合したマイクロコンピュータ構成において、バッファ５を介してＥＥＰＲＯＭ６をローカルバス結合する。この他に、比較器７と書込み回路８を設ける。
【００１６】
比較器７は、電源投入／遮断が発生したときに、または定周期で、バッファ５をネゲート状態にし、ＣＰＵ１等からのデータアクセスを禁止しておく。この状態で、比較器７は、ＥＥＰＲＯＭ６から同じデータが書き込まれている３箇所からデータを読み出して比較し、互いの一致／不一致を判定する。このとき、３箇所は決まった法則、例えば下記表の様に、連続した３つのアドレス等にしておくことによって、容易に３箇所を設定できる。
【００１７】
【表１】
2005196515.tif 000003
【００１８】
比較器７による３つのデータ比較で１箇所間違っている場合、書込回路８はＥＥＰＲＯＭ６を制御して正しいデータを再書込みする。この書込み終了で、比較器７はバッファ５をイネーブルにし、ＣＰＵ１からＥＥＰＲＯＭ６へのアクセスが可能な通常状態に戻す。
【００１９】
したがって、電源投入時の動作等で、ＥＥＰＲＯＭ６に書き込まれている重要なデータが、万が一に書き変わっても、正しいデータに復旧できる。
【００２０】
（実施形態２）
本実施形態は、重要データを複数のデバイスに書込んでおき、その誤ったデータの検知とデータ復旧を実現する方式である。
【００２１】
図２は、本実施形態によるデータ復旧方式を説明するための要部構成図である。同図が図１と異なる部分は、保存する必要性のある重要なデータは異なる３種類のデバイス、すなわち、不揮発性メモリ３とＦＰＧＡ４およびＥＥＰＲＯＭ６に保存し、それぞれはバッファ５Ａ，５Ｂ，５Ｃを介してローカルバスに結合し、比較器７は各デバイス３、４、６のデータを比較し、誤ったデータがある場合に書込回路８でその復旧を行う点にある。
【００２２】
比較器７は、電源投入／遮断が発生したときに、または定周期で、バッファ５Ａ，５Ｂ，５Ｃをネゲート状態にし、ＣＰＵ１等からのデータアクセスを禁止しておく。この状態で、比較器７は、同じデータを３箇所から読み出して比較する。この時、３箇所は決まった法則、例えば下記表の様に、各メモリ領域の決まったアドレスから順番に並べる等にしておくことによって、容易に３箇所を設定できる。
【００２３】
【表２】
2005196515.tif 000004
【００２４】
比較器７による３つのデータ比較で１箇所間違っている場合、書込回路８から、ＦＰＧＡ４かＥＥＰＲＯＭ６か不揮発性メモリ３のどれか修正したいデバイスを制御して正しいデータを再書込みする。この書込み終了で、比較器７は３箇所のバッファ５Ａ，５Ｂ，５Ｃをイネーブルにし、ＣＰＵ１から各デバイスへのアクセスが可能な通常状態に戻す。
【００２５】
じたがって、本実施形態では、実施形態１に比べて、多重性の誤ったデータ書込みが発生する可能性を十分に低くして、その検知とデータ復旧が可能となる。
【００２６】
なお、本実施形態の変形例として、３種類のデバイスではなく、２種類または４種類以上の場合も同様に考えることができる。２種類の場合は、それらの３箇所以上に同じデータを書込んでおき、各データの多数決をとることで誤ったデータ書込みを検知することができる。また、４種類以上の場合は、５以上の奇数の箇所に同じデータを書込んでおくことで多数決をとることができる。これらの場合は、処理がより複雑だが、より信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態１を示す不揮発性メモリのデータ復旧方式を説明するための要部構成図。
【図２】本発明の実施形態２を示す不揮発性メモリのデータ復旧方式を説明するための要部構成図。
【符号の説明】
【００２８】
１  ＣＰＵ
２  揮発性メモリ
３  不揮発性メモリ
４  ＦＰＧＡ
５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ  バッファ
６  ＥＥＰＲＯＭ
７  比較器
８  書込回路
【図１】
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【図２】
2005196515.tif 000006