(57)【要約】【課題】  高画質、高精細の表示特性が実現可能となる電気光学装置、電気光学装置の製造方法を提供し、更に、当該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】  複数の画素電極９と、前記複数の画素電極９の各々に対応して設けられるスイッチング素子４とが形成された電気光学装置であって、前記スイッチング素子４に信号を供給する第１の配線１３と、当該第１の配線１３が延設されて形成され、表示領域の周辺部に配置された配線部と、前記画素電極９の表示領域は反射表示領域３１を備え、該反射表示領域３１に形成され前記第１の配線１３より低抵抗の反射膜とを具備し、前記配線部は前記第１の配線１３に前記反射膜が積層されて構成されることを特徴とする。【選択図】  図４
2005084249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられるスイッチング素子とが形成された電気光学装置であって、
前記スイッチング素子に信号を供給する第１の配線と、
当該第１の配線が延設されて形成され、表示領域の周辺部に配置された配線部と、
前記画素電極の表示領域は反射表示領域を備え、該反射表示領域に形成され前記第１の配線より低抵抗の反射膜と、
を具備し、
前記配線部は、前記第１の配線に前記反射膜が積層されて構成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の配線は、Ｃｒ、Ｍｏ、もしくはＣｒを主成分とするＣｒ合金、Ｍｏを主成分とするＭｏ合金からなる単層膜であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子と前記画素電極とを導通させる第２の配線と、前記反射表示領域に形成された樹脂膜と、を更に具備し、
前記第２の配線は前記樹脂膜によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記反射表示領域に形成されたオーバーコート膜を更に具備し、
当該オーバーコート膜は、前記配線部のパシベーション膜としての機能を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
複数の画素電極と、前記複数の画素電極各々に対応して設けられるスイッチング素子と、が形成された電気光学装置を製造する方法であって、
前記スイッチング素子に信号を供給する第１の配線を形成する工程と、
表示領域は反射表示領域を有し、該反射表示領域に前記第１の配線より低抵抗の反射膜を形成する工程と、
を具備し、
前記第１の配線を前記表示領域の周辺に延設し、前記第１の配線の上に前記反射膜を積層することにより配線部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＴＦＤアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置では、各画素に設けられる画素電極をスイッチング駆動するための薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）が、ＴＦＤアレイ基板上における各画素電極に隣接した領域に配置される。ここで、各ＴＦＤは、Ｃｒ（クロム）等を用いた配線が形成され、また、Ｔａ（タンタル）等の金属膜を用いた下電極が形成され、当該Ｔａ上にＴａ酸化物による絶縁膜が形成され、更にその上にＣｒ等の金属膜から上電極が形成されることにより、ＭＩＭ（金属（Metal）−絶縁体(Insulator)−金属(Metal)）構造を持つように構成される。更に、上電極と画素電極とが接続されており、画素電極に駆動電圧が供給するようになっている。他方で、このように形成されたＴＦＤにおいては、各画素の開口領域（即ち、各画素において表示に寄与する光が透過又は反射により出射する領域）に配置されるように、各画素電極が、ＩＴＯ等の透明導電膜により別途形成される。
【０００３】
特に、半透過反射型の電気光学装置の場合、ＴＦＤアレイ基板の裏側にバックライトが置かれ、このバックライトからの光源光を透過するためのスリットや微細孔等の開口部が画素電極に設けられる。そして、反射型表示時には、対向基板側から入射される外光を画素電極の開口部を除く部分で反射することにより反射型表示を行い、透過型表示時には、バックライトからの光源光を画素電極の開口部を通して対向基板側から出射することで透過型表示を行うように構成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−０８３５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、最近ではいわゆる高精細、高画質の表示特性を有する電気光学装置が要求されてきている。上記のように配線としてＣｒ、スイッチング駆動素子としてＴａを用いた場合には、Ｃｒの配線抵抗が障壁となり、高画質の動画を表示することが困難であるという問題がある。
更に、高精細な表示を達成するためには、画素隣接間ピッチを狭く設定する必要があるが、異物の混入による線間ショートや、高温高湿環境での配線間の放電界によるイオンマイグレーション等の問題がある。
【０００５】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、高画質、高精細の表示特性が実現可能となる電気光学装置、電気光学装置の製造方法を提供し、更に、当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の電気光学装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられるスイッチング素子とが形成された電気光学装置であって、前記スイッチング素子に信号を供給する第１の配線と、当該第１の配線が延設されて形成され、表示領域の周辺部に配置された配線部と、前記画素電極の表示領域は反射表示領域を備え、該反射表示領域に形成され前記第１の配線より低抵抗の反射膜とを具備し、前記配線部は前記第１の配線に前記反射膜が積層されて構成されることを特徴とする。
ここで、前記複数の画素電極においては、当該画素電極の各１ドット領域内に反射表示領域と透過表示領域とからなる表示領域が設けられていることが好ましく、半透過反射型の表示を可能とする電気光学装置であることが好ましい。
また、第１の配線に積層される反射膜は、前記反射表示領域における反射膜とは非導通状態になっていることが好ましい。
また、画素電極は、１ドット領域毎に透過表示領域及び反射表示領域を覆うように設けられており、ＩＴＯ等の透明金属材料を用いることが好ましい。
また、第１の配線とは、薬品等に対する腐食性に優れ、化学的に安定な金属であり、ＩＴＯ等の画素電極と接続させても、電池腐食等を引き起こすことがない材料からなる配線であり、当該材料としてＣｒ等が好適に採用される。但し、配線部分での電池腐食や耐薬品性確保等の対策が施されている場合には、当該材料の選択肢も広がり、Ｍｏ等の採用も可能となる。
また、反射膜とは、反射表示領域において自然光等を反射する機能を有する膜であり、例えば、Ａｌ等によって形成されたものである。
【０００７】
従って、本発明によれば、前記配線部が第１の配線の材料であるＣｒと、前記反射膜の材料であるＡｌとによる積層構造を有しているので、Ｃｒ単層の構造よりも配線の低抵抗化を達成することができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、前記第１の配線は、Ｃｒ、Ｍｏ、もしくはＣｒを主成分とするＣｒ合金、Ｍｏを主成分とするＭｏ合金からなる単層膜であることを特徴とする。
従って、本発明によれば、第１の配線としてＣｒ系材料を採用するので、薬品等に対する腐食性に優れ、化学的に安定な配線となる。更に、ＩＴＯ等からなる画素電極と接続した場合に、電池腐食の発生を抑制することが可能となる。あるいは、配線部分での電池腐食や耐薬品性確保等の対策を施すことで、Ｍｏ系材料の採用も可能となる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、前記スイッチング素子と前記画素電極とを導通させる第２の配線と、前記反射表示領域に形成された樹脂膜とを更に具備し、前記第２の配線は前記樹脂膜によって覆われていることを特徴とする。
ここで、樹脂膜は、第２の配線と共にスイッチング素子を覆っていることが好ましい。
このようにすれば、樹脂膜とスイッチング素子とが樹脂膜によって覆われているので、第２の配線及びスイッチング素子は、反射膜に対する電気的絶縁性を確実に得ることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、前記反射表示領域に形成されたオーバーコート膜を更に具備し、当該オーバーコート膜は、前記配線部のパシベーション膜としての機能を有することを特徴とする。
ここで、オーバーコート膜とは、反射膜の上層に配置される所謂保護膜であり、画素電極と反射膜とを電気的に絶縁する機能を有するものである。
従って、本発明によれば、反射表示領域におけるオーバーコート膜を形成する工程と同一の工程によって、パシベーション膜を形成することが可能となるので、工程の簡略化を達成できる。
また、パシベーション膜を形成することにより、配線部のＡｌ材料を保護することが可能となる。ここで、パシベーション膜の種類を選択することにより、Ａｌ以外の種種の金属に対しても腐食に対する保護を施すことができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極各々に対応して設けられるスイッチング素子と、が形成された電気光学装置を製造する方法であって、前記スイッチング素子に信号を供給する第１の配線を形成する工程と、表示領域は反射表示領域を有し、該反射表示領域に前記第１の配線より低抵抗の反射膜を形成する工程とを具備し、前記第１の配線を前記表示領域の周辺に延設し、前記第１の配線の上に前記反射膜を積層することにより配線部を形成することを特徴とする。
【００１２】
従って、本発明によれば、前記配線部がＣｒ系材料あるいはＭｏ系材料である第１の配線の材料と、前記金属反射膜の材料であるＡｌとによる積層構造を有しているので、従来のＣｒ単層の構造よりも配線の低抵抗化を達成することができる。
【００１３】
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を用いた表示部を備えているので、低抵抗化が達成され、表示特性が低下することがない電子機器となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１５】
［電気光学装置］
図１は、本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ'線に沿う断面図である。図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
ここで、本実施形態における電気光学装置は、後述するように１ドット毎に反射表示領域と透過表示領域とを備えた半透過反射型であり、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子（二端子型非線形素子）を用いたアクティブマトリクス方式であるが、本発明は本実施形態に限定されることなく、反射型の表示装置や、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor)等を用いた電気光学装置にも適用できる。また、本発明は電気光学装置として、ＥＬ（Electro Luminescence)装置、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等に適用してもよい。
【００１６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２には、製造時において素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶を注入するための液晶注入口５５が形成されており、該液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。なお、対向基板２０の内面側には対向電極２３が形成され、素子基板１０の内面側には画素電極９が形成されている。
【００１７】
シール材５２の内側の領域には、画像表示領域（表示領域）ＤＳＰが形成される一方、シール材５２の外側の領域には、データ信号駆動回路１２と、実装端子（外部接続端子）１８と、当該データ信号駆動回路１２及び実装端子１８を接続する配線部２０５ａとが素子基板１０の一辺に沿って形成されている。また、この一辺に隣接する２辺に沿って走査信号駆動回路１１が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域ＤＳＰの両側に設けられた走査信号駆動回路１１の間を接続するための複数の配線からなる配線部２０５ｂが設けられている。
更に、配線部２０５ａ、２０５ｂには、これらを被覆するパシベーション膜２０６が形成されており、電気的絶縁性が得られた構造となっている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０７が配設されている。
【００１８】
なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわちＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。さらに、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、素子基板１０の各画素電極９に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
ここで、カラーフィルタは、対向基板２０側に形成することが好ましい。カラーフィルタを素子基板１０側に形成する場合には、当該カラーフィルタを形成するための熱処理工程（２００℃以上）を素子基板１０に施す必要があり、素子基板１０に形成する樹脂材料の熱ダレが問題となるが、当該カラーフィルタを対向基板２０側に形成するので、樹脂材料に対する熱負荷を軽減することが可能となる。
【００１９】
本実施形態の液晶表示装置１００においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３ドットで１画素が構成されており、素子基板１０側においては各ドット領域に対応して、透過表示領域（後述）と反射表示領域（後述）が設けられている。
【００２０】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域ＤＳＰにおいては、図３に示すように、複数の画素１５がマトリクス状に構成されている。また、図３に示すように、液晶表示装置１００は走査信号駆動回路１１及びデータ信号駆動回路１２を含んでおり、複数の走査線１４と、該走査線１４と交差する複数のデータ線（第１の配線）１３とが設けられ、走査線１４は走査信号駆動回路１１により、データ線１３はデータ信号駆動回路１２により駆動される。そして、各画素１５において、走査線１４とデータ線１３との間にＴＦＤ素子４と液晶表示要素１６（液晶層）とが直列に接続されている。なお、図３では、ＴＦＤ素子４がデータ線１３側に接続され、液晶表示要素１６が走査線１４側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４を走査線１４側に、液晶表示要素１６をデータ線１３側に設ける構成としても良い。
【００２１】
以上のような回路構成により、ＴＦＤ素子４のスイッチング特性に基づいて液晶表示要素１６が駆動制御されるとともに、その液晶表示要素１６の駆動に基づいて画素１５毎に明暗表示がなされ、液晶表示装置１００の表示領域ＤＳＰにおいて画像表示が行われるものとされている。そして、本実施形態では、１ドット毎にＭＩＭ型のＴＦＤ素子４が配置されると共に、反射表示領域と透過表示領域とが設けられた構成となっている。以下、このＴＦＤ素子４を備えた素子基板１０の構成について詳細に説明する。
【００２２】
［素子基板］
次に、図４から図９を参照して、上記液晶表示装置１００に採用した素子基板１０について詳細に説明する。
図４は、素子基板１０における１ドット当りの平面構造を示すと共に、ＴＦＤ素子４と、画素電極９と、実装端子（外部接続端子）１８とを備えた構造を説明するため図、図５は図４のＡ−Ａ'線に沿う断面図、図６は図４のＢ−Ｂ'線に沿う断面図、図７はＴＦＤ素子を示す断面拡大図、及び当該ＴＦＤ素子と画素電極との接続部を示す断面拡大図、図８はデータ線１３の引き回し配線の断面図（図１に示した配線部２０５ａ、２０５ｂの断面図）、図９は図４のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
【００２３】
図４に示すように、本実施形態のＴＦＤ素子４は、いわゆるBack to Back構造を有してなり、Ｃｒにより形成されたデータ線１３と、透明導電膜より形成された画素電極９とが当該ＴＦＤ素子４を介して接続されている。なお、データ線１３はシール材５２の外側領域（非表示領域）において実装端子（外部接続端子）１８に接続され、各種データの入出力が可能な構成となっている。
ここで、本発明においては、シール材５２の外側領域（後述では配線部）のデータ線１３を覆うように、Ａｌ−Ｎｄ（ネオジウム）合金からなるＡｌ−Ｎｄ配線４２が積層形成されているという最大の特徴点を有している。当該Ａｌ−Ｎｄ配線４２は、後述する金属反射膜３３と同一工程で形成され、かつ、当該金属反射膜３３とは非導通状態となっている。
なお、データ線の材料としては、Ｃｒ以外にも、Ｍｏ、もしくはＣｒを主成分とするＣｒ合金、Ｍｏを主成分とするＭｏ合金が採用されることが好ましい。
【００２４】
また、素子基板１０においては、１ドット毎に透過表示領域３０及び反射表示領域３１が形成されており、当該透過表示領域３０及び反射表示領域３１は、画素電極９によって覆われた構成となっている。更に、透過表示領域３０の一部に形成された接続部３２（図７参照）においては、ＴＦＤ素子４に延設された金属配線（第２の配線）３５と画素電極９とが接続されており、データ線１３からＴＦＤ素子４に供給される駆動電圧が金属配線３５を介して画素電極９に供給されるようになっている。ここで、金属配線３５はＣｒの単層により形成されると共に、当該金属配線３５が樹脂散乱膜（樹脂膜）３４によって覆われていることが本発明の特徴点となっている。
【００２５】
素子基板１０は、絶縁性及び透明性を有する、例えばガラス基板、プラスチック基板等からなる。また、ＴＦＤ素子４は、後に詳述するようにＴａ及びＣｒによって絶縁膜を狭持した構成となっている。また、画素電極９は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる。なお、画素電極としては、ＩＴＯの他にも金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）を採用してもよい。
【００２６】
図５に示すように、透過表示領域３０及び反射表示領域３１の断面構造は、両者とも画素電極９によって覆われた構成となっている。透過表示領域３０は、素子基板１０と接触配置されており、バックライト等の光源光が透過可能となっている。また、反射表示領域３１は、画素電極９と素子基板１０との間にオーバーコート膜１７と、金属反射膜（反射膜）３３と、樹脂散乱膜３４とが積層形成された構成となっており、表示面側から入射した自然光等が金属反射膜３３で反射すると共に樹脂散乱膜３４によって当該反射光が散乱するようになっている。
なお、樹脂散乱膜３４、金属反射膜３３、及びオーバーコート膜１７の積層構造においては、光散乱や透過率等の表示特性を良好に保ちつつ、反射表示領域３１が形成されていることが好ましい。
【００２７】
ここで、樹脂散乱膜３４は、その表面が凹凸形状を有しており、当該凹凸形状に沿って形成された反射膜に自然光が照射することにより、自然光の散乱機能を備えたものである。
また、金属反射膜３３の材料としては、Ａｌ等が採用され、本実施形態ではＡｌ−Ｎｄ（ネオジウム）合金を採用している。このような樹脂散乱膜３４及び金属反射膜３３を備えることにより、表示面に対して視野角が大きい表示装置、いわゆる広視野角表示装置を提供することが可能となる。
また、オーバーコート膜１７は、反射膜の上層に配置される所謂保護膜であり、画素電極と反射膜とを電気的に絶縁する機能を有するものである。当該オーバーコート膜１７の材料としては、透明樹脂材料が好適に採用される。
【００２８】
更に、図６に示すように、ＴＦＤ素子４が上記の反射表示領域３１の積層膜によって覆われた構成となっている。このようにＴＦＤ素子４が樹脂散乱膜３４によって覆われ、金属反射膜３３と非導通状態に保持されていることも本発明の特徴点となっている。
【００２９】
次に、図７を参照し、ＴＦＤ素子４の構造について詳述する。
当該ＴＦＤ素子４は、素子基板１０上に下地絶縁膜３を介して形成されている。ＴＦＤ素子４の具体的な構成は、Ｔａにて構成された第１導電膜６と、導電膜６の表面を酸化してなるＴａ２Ｏ５にて構成された絶縁膜７と、絶縁膜７の表面に形成されたＣｒにて構成された第２導電膜８とを備えてなるものである。
【００３０】
このようなＴＦＤ素子は、上述したように反射表示領域３１内に配置されていることから、第２導電膜８上には上記の散乱樹脂膜３４、金属反射膜３３、オーバーコート膜１７が形成されている。更に、第２導電膜８に延設して形成された金属配線３５と画素電極９は、透過表示領域３０における接続部３２を介して接続されている。
第２導電膜８は、上述した通り画素毎に所定のパターンにて形成され、例えばウェットエッチングを用いたパターニングによりマトリクス状に形成されている。なお、オーバーコート膜１７は、Ｃｒにて構成された第２導電膜８及びデータ線１３上を覆う形にて形成されており、ウェットエッチングの際のエッチャント液から第２導電膜８及びデータ線１３を保護する保護膜としての機能を具備している。
【００３１】
図８に示すように、データ線１３の引き回し配線により構成された配線部２０５ａ、２０５ｂにおいては、絶縁膜４０、Ｃｒ配線４１、Ａｌ−Ｎｄ配線４２、パッシベーション膜２０６が積層された構成となっている。
具体的には、絶縁膜４０は上記の絶縁膜７を形成する同一の工程でＴａ２Ｏ５により形成され、Ｃｒ配線４１は上記の第２導電膜８を形成する同一の工程で形成され、Ａｌ−Ｎｄ配線４２は上記の金属反射膜３３を形成する同一の工程で形成され、パッシベーション膜２０６は上記のオーバーコート膜１７を形成する同一の工程により形成されている。
ここで、パッシベーション膜２０６がＡｌ−Ｎｄ配線４２を覆うように形成されていることが本発明の特徴点となっている。
【００３２】
また、図４及び図９に示すように、データ線１３は表示領域からシール材５２を超えて非表示領域まで延設され、当該非表示領域において、第２導電膜８及びデータ線１３上に形成されたパシベーション膜２０６のコンタクトホール１７ｂを介して実装端子（外部接続端子）１８に接続されている。実装端子（外部接続端子）１８は、上述の画素電極９と同一工程に形成されるものであってＩＴＯ等の透明導電膜から構成されている。この場合も、オーバーコート膜１７は、実装端子（外部接続端子）１８をパターニングする際のエッチャント液からデータ線１３を保護する保護膜として機能している。なお、オーバーコート膜１７は、第２導電膜８及びデータ線１３上のうち、少なくとも画素電極９及び実装端子（外部接続端子）１８が形成されない領域に形成されていれば、エッチャント液からの保護機能を実現することが可能である。
【００３３】
このように構成された電気光学装置においては、データ線１３に延設している配線部２０５ａ、２０５ｂは、ＣｒとＡｌ−Ｎｄとの積層構造となっているので、Ｃｒ単層の構造よりも配線の低抵抗化を達成することができる。
【００３４】
また、金属配線３５が樹脂散乱膜３４によって覆われているので、金属反射膜３３と金属配線３５との電気的絶縁性を確実に確保することができる。
また、ＴＦＤ素子４及び金属配線３５が樹脂散乱膜３４によって覆われているので、金属反射膜３３と、ＴＦＤ素子４及び金属配線３５との電気的絶縁性を確実に確保することができる。
【００３５】
また、金属配線３５の材料としてＣｒを採用するので、薬品等に対する腐食性に優れ、化学的に安定な配線となる。更に、ＩＴＯ等からなる画素電極と接続した場合に、電池腐食の発生を抑制することが可能となる。
なお、Ｃｒ以外にも、Ｃｒ系材料あるいはＭｏ系材料を採用しても同様の効果を奏する。
【００３６】
また、ＴＦＤ素子４が、樹脂散乱膜３４によって覆われており、金属反射膜３３と非導通状態に保持されているので金属反射膜３３とスイッチング素子３４との電気的絶縁性を確実に確保することができる。
【００３７】
また、オーバーコート膜１７は、配線部２０５ａ、２０５ｂのパシベーション膜２０６としての機能を有するので、オーバーコート膜１７を形成する工程と同一の工程によって、パシベーション膜２０６を形成することが可能となるので、工程の簡略化を達成できる。また、パシベーション膜を形成することにより、腐食に弱い（耐食性が劣る）材料を保護することが可能となる。
【００３８】
［電気光学装置の製造方法］
次に、上述の素子基板１０を備える電気光学装置の製造方法について、図４から図９を参照して説明する。
【００３９】
［ＴＦＤ素子の製造方法］
まず、最初に素子基板１０上にＴＦＤ素子を形成する方法について説明する。
図７に示すように、ガラス又はプラスチックからなる基材１０の全面に下地絶縁膜３を形成する。更に、Ｔａ或いはＴａ合金からなるＴａ導電膜を全面に成膜する。そして、当該Ｔａ導電膜をウェットエッチングにてパターニングし、所定形状の第１導電膜６を得る。
【００４０】
続いて、第１導電膜６に対して陽極酸化を行い、第１導電膜６の表面にＴａ２Ｏ５を主体として構成される絶縁膜７を形成する。具体的には、第１導電膜６の一端部を電源に繋ぎ、クエン酸等の水溶液中で所定の電圧まで定電流法で行い、その後定電圧法にして数時間放置することによって陽極酸化が行われる。
【００４１】
次に、表面に絶縁膜７を備えた第１導電膜６及びデータ線１３が形成された基材１０の全面に、Ｃｒからなる導電膜を成膜する。そして、当該導電膜をウェットエッチングにてパターニングし、所定形状の第２導電膜８を得る。このように、第１導電膜６、絶縁膜７、第２導電膜８を形成することにより、上記のＭＩＭ型のＴＦＤ素子４が形成される。
また、第２導電膜８を形成する工程においては、ＴＦＤ素子４と後述の画素電極９とを接続するために金属配線３５を同時に形成する。
また、上述の絶縁膜７、第２導電膜８を形成する同一の工程により、配線部２０５ａ、２０５ｂにおける絶縁膜４０、Ｃｒ配線４１をそれぞれ形成する。
【００４２】
［透過表示領域及び反射表示領域の製造方法］
次に、スピンコート工程、フォトリソグラフィ工程、及び焼成工程等を用いることにより、ＴＦＤ素子４を覆うように反射表示領域３１において樹脂散乱膜３４を形成する。なお、本工程においては、引き回し配線部２０５ａ、２０５ｂに対して樹脂散乱膜３４を形成しないでおく。
このように樹脂散乱膜３４によりＴＦＤ素子４を覆うことにより、ＴＦＤ素子４に対する後のプロセスダメージを極力受けないよう保護することが可能となる。
【００４３】
次に、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等を用いることにより、反射表示領域３１における樹脂散乱膜３４上にＡｌ−Ｎｄからなる金属反射膜３３を形成する。ここで、当該金属反射膜３３を形成する工程においては、引き回し配線部２０５ａ、２０５ｂにおけるＣｒ配線４１上に対してもＡｌ−Ｎｄ配線４２を積層形成する。
このように金属反射膜３３を樹脂散乱膜３４上に形成することにより、光散乱・反射機能を有する反射表示領域３１を形成することができる。
更に、配線部２０５ａ、２０５ｂにおけるＣｒ配線４１上にＡｌ−Ｎｄ配線４２を形成する。これにより、Ｃｒ配線４１とＡｌ−Ｎｄ配線４２との電気的接触が容易に得られるので、配線部２０５ａ、２０５ｂにおける低抵抗化が実現する。
【００４４】
更に、樹脂散乱膜３４及び金属反射膜３３を覆うようにオーバーコート膜１７を形成する。ただし、透過表示領域３０には、オーバーコート膜１７が形成されないものとし、この樹脂散乱膜３４の膜厚＋金属反射膜３３の膜厚＋オーバーコート膜１７の膜厚の総厚が、反射表示時の最大コントラスト、及び透過表示時の最大コントラストより算出される膜厚差に相当した膜厚となるように制御する。
ここで、金属反射膜３３上にオーバーコート膜１７を形成することにより、金属反射膜３３を電気的にフローティング状態に保持することが好ましい。
また、配線部２０５ａ、２０５ｂにおけるＡｌ−Ｎｄ配線４２上に当該オーバーコート膜１７を形成することにより、パッシベーション膜２０６が形成される。
【００４５】
次に、オーバーコート膜１７を形成した後に、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等により画素電極９やパネルシール外配線のＩＴＯパターンを形成する。
ここで、透過表示領域３０における接続部３２において、金属配線３５と画素電極９とが電気的に接続され、ＴＦＤ素子４と画素電極４とが導通した状態になる。
【００４６】
以上の工程により、ＴＦＤ素子４を含む素子基板１０を備えた電気光学装置が製造される。本実施形態の電気光学装置においては、上述したようにデータ線１３に延設している配線部２０５ａ、２０５ｂがＣｒとＡｌ−Ｎｄとの積層構造となっているので、Ｃｒ単層の構造よりも配線の低抵抗化を達成することができる。
なお、Ａｌ−Ｎｄ配線４２と金属反射膜３３とは、同一材料からなるので、同一工程で両者を形成することにより、工程の簡略化を施すことができる。
【００４７】
［電子機器］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているので、表示特性が低下することがない、有効画素面積が最大となった電子機器となる。
また、上記の電子機器は、携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストであり、かつ広視野角の表示が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の電気光学装置の一実施形態として液晶表示装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶表示装置の等価回路を示す図。
【図４】素子基板１０における１ドット当りの平面構造を示す図。
【図５】図４のＡ−Ａ'線に沿う断面図。
【図６】図４のＢ−Ｂ'線に沿う断面図。
【図７】ＴＦＤ素子と、当該ＴＦＤ素子と画素電極との接続部を示す断面拡大図。
【図８】データ線の引き回し配線の断面図。
【図９】図４のＣ−Ｃ’線に沿う断面図。
【図１０】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４９】
４…ＴＦＤ素子（スイッチング素子）
９…画素電極
１３…データ線（第１の配線）
１７…オーバーコート膜
３０…透過表示領域
３１…反射表示領域
３３…金属反射膜（反射膜）
３４…樹脂散乱膜（樹脂膜）
３５…金属配線（第２の配線）
１００…液晶表示装置（電気光学装置）
２０５ａ、２０５ｂ…配線部
２０６…パシベーション膜
５００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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