(57)【要約】【課題】  形成される薄膜の厚みのムラを低減することができるゾルゲル成膜方法を提供する。【解決手段】  基材５０をゾル液に浸漬して引き上げる際に用いられる治具６０は、ストライプ状の板が図示の如く折り曲げられたものである。使用時に治具６０の上に基材５０が載置された状態では、治具６０の一方の端部の面６１は、基材５０の一方の側面５１と下面５３との間の稜線に接し、治具６０の他方の端部の面６２は、基材５０の他方の側面５２と下面５３との間の稜線に接する。基材５０は、容器９５に容れられたゾル液９６に浸漬され、その後、設計により得られた一定の引き上げ速度でゾル液９６から引き上げられる。この引き上げの際に、基材５０の側面５１，５２において下方に流れるゾルは、側面５１，５２より更に下方に治具６０の面６１，６２を伝わって流れていく。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材をゾルに浸漬した後に該ゾルから引き上げ、その基材の側面に付着したゾルを乾燥させて該側面にゲル膜を形成するゾルゲル成膜方法であって、
前記基材をゾルから引き上げる際に前記基材の前記側面において下方に流れるゾルを該側面より更に下方に流れさせるための治具を用いることを特徴とするゾルゲル成膜方法。
【請求項２】
前記治具の一面が前記基材の前記側面と下面との間の稜線に接するように前記治具を用いて前記基材をゾルから引き上げることを特徴とする請求項１記載のゾルゲル成膜方法。
【請求項３】
前記治具と前記稜線とが接する部分が複数の区間に分割されていることを特徴とする請求項２記載のゾルゲル成膜方法。
【請求項４】
前記治具の側面が前記基材の前記側面と同一の平面上にあって且つ各々の稜線が互いに接するように前記治具を用いて前記基材をゾルから引き上げることを特徴とする請求項１記載のゾルゲル成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はゾルゲル法に拠る成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばＭＯＰＡ（Main Oscillator Power Amplifier）レーザ装置の１構成要素である光増幅器に含まれる固体レーザ媒質は、所定波長の光を高い効率で光増幅することが望まれることから、光入出射面における該所定波長の光の反射率が小さいことが望まれる。そこで、固体レーザ媒質の光入出射面に反射低減膜が施される。固体レーザ媒質を含めて一般に光学部品の面に反射低減膜を形成する方法として、ゾルゲル法に拠る成膜方法が知られている（非特許文献１および非特許文献２を参照）。
【０００３】
一般にゾルゲル成膜方法では、基材をゾルに浸漬した後に該ゾルから引き上げ、その基材の側面に付着したゾルを乾燥させて該側面にゲル膜を形成し、更に該ゲル膜を熱処理することで薄膜を形成する。ゾルゲル成膜方法は、大気中で行うことができ、大面積または複雑な形状の基材にも適用できる、等の特徴を有していて、実用的な成膜方法である。また、ゾルゲル成膜方法により形成される薄膜は、レーザ耐力が高いので、光増幅器に含まれる固体レーザ媒質の光入出射面における反射低減膜として好ましい。
【非特許文献１】權田俊一監修、「２１世紀版薄膜作製応用ハンドブック」、初版第１刷、株式会社エヌ・ティー・エス、２００３年４月２２日
【非特許文献２】K. Hara, et al., "Application of Sol-Gel Derived Silica Films Containing a Methyl Radical to a Slab Laser", Journal of Non-Crystalline Solids 100 (1988) pp.490-493
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のゾルゲル成膜方法では、基材の側面に形成される薄膜の厚みにムラが生じて、該側面の下部領域において膜厚が大きくなる。反射低減膜の場合、設計どおりの膜厚であれば所定波長での反射率が充分に低減されているとしても、膜厚が設計値と異なると所定波長での反射率が大きくなる。したがって、光増幅器に含まれる固体レーザ媒質の光入出射面における反射低減膜の厚みにムラがあると、光増幅器における光増幅の利得が小さくなり、ひいては、ＭＯＰＡレーザ装置からの光出力のパワーが低下することになる。
【０００５】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、形成される薄膜の厚みのムラを低減することができるゾルゲル成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るゾルゲル成膜方法は、基材をゾルに浸漬した後に該ゾルから引き上げ、その基材の側面に付着したゾルを乾燥させて該側面にゲル膜を形成するゾルゲル成膜方法であって、基材をゾルから引き上げる際に基材の側面において下方に流れるゾルを該側面より更に下方に流れさせるための治具を用いることを特徴とする。
【０００７】
治具の一面が基材の側面と下面との間の稜線に接するように治具を用いて基材をゾルから引き上げるのが好適であり、また、治具と稜線とが接する部分が複数の区間に分割されているのが好適である。また、治具の側面が基材の側面と同一の平面上にあって且つ各々の稜線が互いに接するように治具を用いて基材をゾルから引き上げるのも好適である。
【０００８】
このような治具を用いて基材をゾルから引き上げることにより、基材の側面において下方に流れるゾルは該側面より更に下方に流れていくので、形成される薄膜の厚みのムラが低減される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、形成される薄膜の厚みのムラを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１１】
先ず、ＭＯＰＡレーザ装置１について説明する。このＭＯＰＡレーザ装置１は、後に詳述する本実施形態に係るゾルゲル成膜方法により反射低減膜が光入出射面に形成された固体レーザ媒質３１を含む光増幅器１７を備えるものである。図１は、ＭＯＰＡレーザ装置１の構成図である。この図に示されるＭＯＰＡレーザ装置１は、レーザ光源１１、光増幅器１２、ビームエクスパンダ１３、光学マスク１４、スペーシャルフィルタ１５、ファラデーローテータ１６、光増幅器１７、スペーシャルフィルタ１８およびポラライザ１９を備える。
【００１２】
レーザ光源１１は、レーザ光を出力するものである。このレーザ光源１１から出力される光の波長は、光増幅器１２および光増幅器１７それぞれにおいて光増幅され得る波長である。光増幅器１２は、レーザ光源１１から出力された光を入力し光増幅して出力する。ビームエクスパンダ１３は、光増幅器１２から出力されミラー２１により反射されて到達した光を入力し、この光のビーム径を大きくして出力する。光学マスク１４は、開口を有しており、ビームエクスパンダ１３から出力されミラー２２により反射されて到達した光を入力し、開口のみに光を透過させて、この光の空間分布形状を矩形状に整形して出力する。
【００１３】
スペーシャルフィルタ１５は、レンズ１５ａ，レンズ１５ｂおよびピンホール１５ｃを有している。また、スペーシャルフィルタ１８も、レンズ１８ａ，レンズ１８ｂおよびピンホール１８ｃを有している。レンズ１５ａおよびレンズ１５ｂはケプラ型逆望遠系の共焦点光学系を構成しており、レンズ１８ａおよびレンズ１８ｂもケプラ型逆望遠系の共焦点光学系を構成しており、これらは光学マスク１４の位置における光のビーム断面形状を次々に像転送するものである。
【００１４】
ピンホール１５ｃはレンズ１５ａとレンズ１５ｂとの間の焦点位置にあり、ピンホール１８ｃはレンズ１８ａとレンズ１８ｂとの間の焦点位置にある。これらピンホール１５ｃおよびピンホール１８ｃは空間的な高調波成分を除去するために設けられている。また、ピンホール１５ｃおよびピンホール１８ｃそれぞれは、集光位置に設けられることから、耐熱衝撃抵抗が大きく硬度が高い材料からなることが望ましく、セラミックスからなるのが好適であり、そのうちでも、アルミナ、窒化珪素、窒化炭素もしくは窒化ボロン、または、これらの混合物等からなるのが好適である。また、ピンホール１５ｃおよびピンホール１８ｃそれぞれの開口形状は、光学マスク１４の開口形状をフーリエ変換した形状と略相似形であるのが好適である。
【００１５】
光増幅器１７は、固体レーザ媒質３１、励起光源３２ａおよび励起光源３２ｂを含む。固体レーザ媒質３１に照射されるべき励起光を出力する励起光源３２ａおよび励起光源３２ｂは、好適にはレーザダイオードアレイまたはレーザダイオードアレイスタックを含む。固体レーザ媒質３１は、励起光が照射されることにより所定波長の光を誘導放射し得るものであり、スラブ形状のガラスからなる。光増幅されるべき光は、固体レーザ媒質３１の端面に斜めに入射し、固体レーザ媒質３１の側面で繰り返し反射されながら、固体レーザ媒質３１内をジグザグに進む。この光増幅器１７は、ミラー２３から固体レーザ媒質３１の第１端面に入力した光を該固体レーザ媒質３１において光増幅し、その光増幅した後の光を第２端面からミラー２４へ出力する。また、光増幅器１７は、ミラー２４から固体レーザ媒質３１の第２端面に入力した光を該固体レーザ媒質３１において光増幅し、その光増幅した後の光を第１端面からミラー２５へ出力する。固体レーザ媒質３１の第１端面および第２端面それぞれには、ゾルゲル成膜方法に拠り反射低減膜が形成されている。
【００１６】
ファラデーローテータ１６は、スペーシャルフィルタ１５とミラー２６との間の光路上に設けられ、光の偏光方位を２回の通過で９０度回転させ、また、熱複屈折の補償を図る。ポラライザ１９は、スペーシャルフィルタ１５から出力されて到達した光のうち特定方位の偏光成分の光を選択的に反射させて、この反射光をＭＯＰＡレーザ装置１の出力光とする。
【００１７】
このＭＯＰＡレーザ装置１は以下のように動作する。レーザ光源１１から出力された光は、光増幅器１２により光増幅され、ビームエクスパンダ１３によりビーム径が拡大されて、光学マスク１４に入力する。この光学マスク１４によりビーム断面形状が矩形状とされた光は、スペーシャルフィルタ１５、ミラー２３、光増幅器１７、ミラー２４、スペーシャルフィルタ１８、ミラー２７、ミラー２８、スペーシャルフィルタ１８、ミラー２５、光増幅器１７、ミラー２６、ファラデーローテータ１６およびスペーシャルフィルタ１５を順に経て、ミラー２９に到達する。この光学マスク１４からミラー２９に到るまでの光路を往路として、ミラー２９に到達して反射された光は、往路と同一の光路である復路を経てポラライザ１９に到達する。
【００１８】
これら往路（光学マスク１４からミラー２９に到るまでの光路）および復路（ミラー２９からポラライザ１９に到るまでの光路）の間に、光はファラデーローテータ１６を２回通過するので、合計で９０度だけ光の偏光方位が回転する。したがって、復路でポラライザ１９に到達した光はポラライザ１９により反射されて、この反射光がＭＯＰＡレーザ装置１の出力光となる。
【００１９】
また、往路および復路の間に、光学マスク１４の位置における光のビーム断面形状は、スペーシャルフィルタ１５またはスペーシャルフィルタ１８により、８回の像転送が為され、また、熱歪み等に因る空間的な高調波成分が除去される。これにより、ＭＯＰＡレーザ装置１の出力光は、回折が低減されたものとなる。また、往路および復路の間に光は光増幅器１７を４回通過して、その通過の度に光は光増幅器１７において光増幅される。
【００２０】
ＭＯＰＡレーザ装置１のより具体的な構成の一例は以下のとおりである。レーザ光源１１は、Ｎｄ:ＹＬＦを連続発振のレーザダイオードで励起する単一縦横シードレーザ光源と、Ｎｄ:ＹＬＦをレーザダイオードで励起するＱスイッチ光増幅器と、を含む構成のものであり、波長１０５３ｎｍの出力パルス光の立ち上がり時間を最小とするアルゴリズムでフィードバック制御して、単一モードの安定化を図る。光増幅器１２は、ロッド形状のＮｄ:ＹＬＦをレーザダイオードで励起する構成のものである。光増幅器１７に含まれる固体レーザ媒質３１は、スラブ形状のＮｄドープガラスであり、当該長手方向の両端面が光増幅される光の入出射面となる。励起光源３２ａおよび励起光源３２ｂそれぞれはレーザダイオードアレイスタックを含む。固体レーザ媒質３１に照射される励起光の全エネルギは４８Ｊであり、励起効率が０.５である。このとき、ポラライザ１９から出力される光のエネルギは１０Ｊである。
【００２１】
次に、光増幅器１７に含まれる固体レーザ媒質３１の光入出射面（光増幅されるべき光が入射または出射する面）の反射低減膜の膜厚設計方法について説明する。図２に断面図が示されるように、屈折率ｎ３の基材（例えば光学ガラス）の表面に、屈折率ｎ２で膜厚ｈの均一な薄膜が形成されていて、その薄膜の上の媒質（例えば空気）の屈折率をｎ１とする。屈折率ｎ１の媒質から薄膜へ波長λの光を入射角θ１で入射させる場合を考える。このとき、フレネル反射係数ｒは下記(1)式で表される。
【００２２】
【数１】
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垂直入射時（θ１＝０）に反射低減膜とするには、薄膜の厚みは λ／（４ｎ２） の奇数倍であればよい。ただし、色分散が低減された広帯域の反射低減膜を実現するには、薄膜の厚みは λ／（４ｎ２） とされる。以下では、基材および薄膜それぞれは、吸収がなく、各々の屈折率の虚数部が０であるとする。基材が光学ガラスであって、その屈折率ｎ３が１.５３であるとする。薄膜がエチルシリケートを出発原料とするゾルゲル成膜方法で作成されてものであって、その屈折率ｎ２が１.２９であるとする。また、媒質が空気であって、その屈折率ｎ１が１であるとする。
【００２３】
図３は、膜厚ｈが２０４ｎｍであって垂直入射時の透過特性を示す図である。波長１０５３ｎｍにおいて、薄膜の厚みｈが λ／（４ｎ２） と等しくなり、反射率が極小となり、透過率が極大となる。波長１０５３ｎｍで最大透過率は９９.８％である。なお、ＭｇＦ２薄膜（屈折率１.３８）によっても反射低減膜が実現され得るが、この場合の最大透過率は９８.８％であり、これと比べて、ゾルゲル成膜方法により作成される反射低減膜では最大反射率が１％だけ高い。
【００２４】
斜め入射時には、上記(1b)式から判るように位相項βには cosθ２ の因子があるので、反射低減膜を形成するには、垂直入射時の膜厚の １／cosθ２ の膜厚とする必要がある。図４は、膜厚ｈが２０４ｎｍであって入射角θ１が２６ｄｅｇであるときの透過特性を示す図である。図４から判るように、膜厚ｈが２０４ｎｍであって入射角θ１が２６ｄｅｇであるときの最大透過率は、ｐ偏光では９９.９％であり、ｓ偏光では９９.７％である。入射角θ１が２６ｄｅｇであるときに波長１０５３ｎｍで透過率が最大となるためには、垂直入射時に波長１１２０ｎｍ（＝1053／cosθ２）で透過率が最大となる薄膜の厚みとすればよく、その膜厚は２１７ｎｍとなる。図５は、膜厚ｈが２１７ｎｍであって入射角θ１が２６ｄｅｇであるときの透過特性を示す図である。なお、図４および図５それぞれにおいて、Ｔｐはｐ偏光の場合の透過特性を示し、Ｔｓはｓ偏光の場合の透過特性を示す。
【００２５】
基材をゾルから引き上げる際の速度は、透過率がピークとなる波長から求められる。図６は、引き上げ速度を種々変えて作成した薄膜の分光測定結果を示す図である。ここでは、引き上げ速度を１.５ｍｍ／ｓ〜４.５ｍｍ／ｓの範囲で変化させ、７種類の薄膜サンプルを作成して分光測定した。この図から判るように、引き上げ速度が速いほど、透過率ピーク波長は長い。図７は、引き上げ速度と透過率ピーク波長との関係を示す図である。同図中の直線は近似直線を示す。分光測定の際には、光は薄膜に垂直に入射するので、垂直入射時に透過率ピーク波長が１０５３ｎｍとなるようにするには、引き上げ速度を３.８ｍｍ／ｓとしなければならない。入射角２６ｄｅｇで入射するときには、垂直入射時に透過率ピーク波長が１１２０ｎｍとなるように、引き上げ速度を４.１ｍｍ／ｓとする必要がある。
【００２６】
以上のようにして決定された引き上げ速度４.１ｍｍ／ｓで基材をゾルから引き上げることで、入射角２６ｄｅｇで波長１０５３ｎｍの光が入射したときの反射率が最小となるような薄膜が得られる。以下では、光増幅器１７に含まれる固体レーザ媒質３１の光入出射面の反射低減膜の作成方法、すなわち、本発明に係るゾルゲル成膜方法の実施形態について説明する。
【００２７】
初めに、本発明に係るゾルゲル成膜方法の第１実施形態について説明する。図８は、第１実施形態に係るゾルゲル成膜方法におけるゾル液への基材５０の浸漬および引き上げの様子を示す図である。図９は、第１実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具６０を示す斜視図である。基材５０は、スラブ形状の光学ガラスであり、側面５１および側面５２それぞれに反射低減膜が形成されて、前述の光増幅器１７に含まれる固体レーザ媒質３１として用いられるものである。
【００２８】
第１実施形態では、基材５０をゾル液に浸漬して引き上げる際に治具６０が用いられる。治具６０は、例えばステンレスからなるストライプ状の板が図示の如く折り曲げられたものであり、使用時に基材５０を載置する。使用時に治具６０の上に基材５０が載置された状態では、治具６０の一方の端部の面６１は、基材５０の一方の側面５１と下面５３との間の稜線に接し、また、治具６０の他方の端部の面６２は、基材５０の他方の側面５２と下面５３との間の稜線に接する。
【００２９】
治具６０の上に基材５０が載置された状態で、これらは例えばステンレスからなるワイヤ９１で吊り下げられる。このワイヤ９１は、滑車９２および滑車９３を経てモータ９４に繋がっている。モータ９４が回転することで、治具６０の上に載置された基材５０は、容器９５に容れられたゾル液９６に浸漬され、その後、設計により得られた一定の引き上げ速度４.１ｍｍ／ｓでゾル液９６から引き上げられる。この引き上げの際に、基材５０の側面５１，５２において下方に流れるゾルは、側面５１，５２より更に下方に治具６０の面６１，６２を伝わって流れていく。引き上げた後に、基材５０の側面５１，５２に付着したゾルを乾燥させて該側面にゲル膜を形成し、更に該ゲル膜を熱処理することで薄膜を形成する。なお、薄膜形成が不要である面に付着したゾル液は拭き取られる。
【００３０】
治具６０を用いないで基材５０の側面５１，５２に薄膜を形成すると、側面５１，５２の下部の５ｍｍ程度の範囲で、膜厚が設計値より大きくなっていた。これに対して、第１実施形態に係るゾルゲル成膜方法で基材５０の側面５１，５２に薄膜を形成すると、膜厚が設計値より大きくなっていたのは、側面５１，５２の下部の２ｍｍ程度の範囲であった。このように、引き上げの際に基材５０の側面５１，５２において下方に流れるゾルを該側面より更に下方に流れさせるための治具６０を用いることにより、形成される薄膜の厚みのムラを低減することができる。
【００３１】
次に、本発明に係る成膜方法の第２実施形態について説明する。図１０は、第２実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具７０を示す一部斜視図である。この図では、基材５０の一方の側面５１の付近の構成のみ示されているが、基材５０の他方の側面５２の付近の構成も同様である。
【００３２】
第２実施形態では、基材５０をゾル液に浸漬して引き上げる際に治具７０が用いられる。治具７０は、例えばステンレスからなるストライプ状の板が図示の如く折り曲げられたものであり、しかも、端部７１および他方の端部それぞれが鋸歯状または櫛歯状に加工されており、使用時に基材５０を載置する。使用時に治具７０の上に基材５０が載置された状態では、治具７０の一方の端部７１は、基材５０の一方の側面５１と下面５３との間の稜線に接し、また、治具７０の他方の端部は、基材５０の他方の側面５２と下面５３との間の稜線に接する。ただし、本実施形態では、基材５０の側面５１と下面５３との間の稜線と治具７０の端部７１とが接する部分は、連続した１つの区間ではなく、複数の区間に分割されている。他方の端部でも同様である。
【００３３】
治具７０の上に基材５０が載置された状態で、図８に示されたのと同様に、これらは、例えばステンレスからなるワイヤで吊り下げられる。治具７０の上に載置された基材５０は、ゾル液に浸漬され、その後、設計により得られた一定の引き上げ速度４.１ｍｍ／ｓでゾル液から引き上げられる。この引き上げの際に、基材５０の側面５１において下方に流れるゾルは、側面５１より更に下方に治具７０の端部７１を伝わって流れていく。引き上げた後に、基材５０の側面５１，５２に付着したゾルを乾燥させて該側面にゲル膜を形成し、更に該ゲル膜を熱処理することで薄膜を形成する。
【００３４】
このように、引き上げの際に基材５０の側面５１，５２において下方に流れるゾルを該側面より更に下方に流れさせるための治具７０を用いることにより、形成される薄膜の厚みのムラを低減することができる。特に本実施形態では、基材５０の稜線と治具７０とが接する部分が複数の区間に分割されていることに因り、引き上げの際に基材５０の側面５１，５２において下方に流れるゾルは該側面より更に下方に効率よく流れていくので、形成される薄膜の厚みのムラを更に低減することができる。
【００３５】
次に、本発明に係る成膜方法の第３実施形態について説明する。図１１は、第３実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具８０を示す一部斜視図である。図１２は、第３実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具８０の固定の様子を示す側面図である。これらの図では、基材５０の一方の側面５１の付近の構成のみ示されているが、基材５０の他方の側面５２の付近の構成も同様である。
【００３６】
第３実施形態では、基材５０をゾル液に浸漬して引き上げる際に治具８０が用いられる。治具８０は、例えばガラスからなる直方体形状のもので、図示の如く基材５０の一方の側面５１の側において基材５０の下方に取り付けられる。この取り付けられた状態では、治具８０の側面８１は、基材５０の側面５１と同一の平面上にある。また、治具８０の側面８１と上面との稜線は、基材５０の側面５１と下面との稜線に接している。さらに、治具８０の側面８１の幅は、基材５０の側面５１の幅と一致している。基材５０と治具８０とは、例えば粘着テープにより固定されてもよいが、図１２に示されるような構造で固定されてもよい。この図に示される固定構造では、環状のホルダ８２と長方形状のホルダ８３とを用い、ホルダ８２とホルダ８３との間に基材５０および治具８０を挟み、これらを抑えネジ８４で固定する。なお、基材５０に傷がつくのを防ぐために、ホルダ８２，８３は、テフロン（登録商標）等の合成樹脂からなるのが好適である。他方の端部でも同様である。
【００３７】
治具８０が図示のように基材５０の下方に固定された状態で、図８に示されたのと同様に、これらは、例えばステンレスからなるワイヤで吊り下げられる。治具８０が固定された基材５０は、ゾル液に浸漬され、その後、設計により得られた一定の引き上げ速度４.１ｍｍ／ｓでゾル液から引き上げられる。この引き上げの際に、基材５０の側面５１において下方に流れるゾルは、側面５１より更に下方に治具８０の側面８１を伝わって流れていく。引き上げた後に、基材５０の側面５１，５２に付着したゾルを乾燥させて該側面にゲル膜を形成し、更に該ゲル膜を熱処理することで薄膜を形成する。
【００３８】
このように、引き上げの際に基材５０の側面５１，５２において下方に流れるゾルを該側面より更に下方に流れさせるための治具８０を用いることにより、形成される薄膜の厚みのムラを低減することができる。特に本実施形態では、基材５０の側面５１と治具８０の側面８１とが実質的に連続する面となっていることに因り、引き上げの際に基材５０の側面５１において下方に流れるゾルは該側面より更に下方の治具８０の側面８１に効率よく流れていくので、形成される薄膜の厚みのムラを更に低減することができる。
【００３９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、所望の膜厚の薄膜を作成する為に、ゾル液への浸漬および引き上げを１回だけ行うのではなく、複数回繰り返して行ってもよい。後者の場合にも、上記のような治具を用いることにより、厚みのムラが低減された薄膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】ＭＯＰＡレーザ装置１の構成図である。
【図２】薄膜の断面図を示す図である。
【図３】膜厚ｈが２０４ｎｍであって垂直入射時の透過特性を示す図である。
【図４】膜厚ｈが２０４ｎｍであって入射角θ１が２６ｄｅｇであるときの透過特性を示す図である。
【図５】膜厚ｈが２１７ｎｍであって入射角θ１が２６ｄｅｇであるときの透過特性を示す図である。
【図６】引き上げ速度を種々変えて作成した薄膜の分光測定結果を示す図である。
【図７】引き上げ速度と透過率ピーク波長との関係を示す図である。
【図８】第１実施形態に係るゾルゲル成膜方法におけるゾル液への基材５０の浸漬および引き上げの様子を示す図である。
【図９】第１実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具６０を示す斜視図である。
【図１０】第２実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具７０を示す一部斜視図である。
【図１１】第３実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具８０を示す一部斜視図である。
【図１２】第３実施形態に係るゾルゲル成膜方法における基材５０および治具８０の固定の様子を示す側面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…ＭＯＰＡレーザ装置、２…レーザ発振器、１１…レーザ光源、１２…光増幅器、１３…ビームエクスパンダ、１４…光学マスク、１５…スペーシャルフィルタ、１６…ファラデーローテータ、１７…光増幅器、１８…スペーシャルフィルタ、１９…ポラライザ、２１〜２９…ミラー、３１…固体レーザ媒質、３２ａ，３２ｂ…励起光源、５０…基材、６０，７０，８０…治具。
【図１】
2005154173.tif 000004
【図２】
2005154173.tif 000005
【図３】
2005154173.tif 000006
【図４】
2005154173.tif 000007
【図５】
2005154173.tif 000008
【図６】
2005154173.tif 000009
【図７】
2005154173.tif 000010
【図８】
2005154173.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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