(57)【要約】【課題】非導電性基体を金属化する方法およびそれにより形成される金属化非導電性基体【解決手段】非導電性基体を金属化する方法が開示される。本法は、（ａ）露出した非導電性表面を有する非導電性基体を提供する工程；（ｂ）非導電性表面上に遷移金属層を形成する工程；および（ｃ）遷移金属層を６以上の炭素原子を有する、ホスホン酸およびその塩、およびリン酸およびその塩のモノエステルの１以上から選択された化合物の液体溶液に暴露する工程を含む。非導電性基体は、例えば、光ファイバーとすることができる。また、本発明により調製される金属化非導電性基体および金属化光ファイバー、ならびに前記の金属化光ファイバーを含むオプトエレクトロニクス・パッケージが開示される。光ファイバーの金属化におけるオプトエレクトロニクス工業において、およびハーメチックシールオプトエレクトロニクス・デバイス・パッケージにおいての特別の適用性が見出された。【選択図】図２
2005196100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）露出した非導電性表面を有する非導電性基体を提供する工程；
（ｂ）非導電性表面上に遷移金属層を形成する工程；および
（ｃ）該遷移金属層を６以上の炭素原子を有する、ホスホン酸およびその塩、ならびにリン酸のモノエステルおよびその塩の１以上から選択された化合物の液体溶液に暴露する工程
を含む非導電性基体を金属化する方法。
【請求項２】
該非導電性基体が光ファイバーである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該金属層がニッケルまたはニッケル合金層である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該化合物が複数の炭化水素鎖を含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
該化合物が少なくとも部分的にフッ素化されている請求項２〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該化合物が６〜１４のペルフルオロ化炭素原子を有するホスホン酸である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
該ホスホン酸が式：
ＣＦ３（ＣＦ２）ｍ（ＣＨ２）ｎＰＯ（ＯＨ）２
を有する請求項６に記載の方法
（式中ｍは５、７、９または１１に等しく、およびｎは０、１または２に等しい）。
【請求項８】
さらに（ｃ）の工程の前にニッケルまたはニッケル合金層上に金属層を形成することを含み、ここで該金属層が金、パラジウム、白金およびこれらの合金から選択される物質で形成される請求項２〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
請求項２〜８のいずれか一項に記載の方法により形成される金属化光ファイバー。
【請求項１０】
請求項９に記載の金属化光ファイバーおよびオプトエレクトロニクス・デバイスを含むオプトエレクトロニクス・パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非導電性基体を金属化する方法に関する。本発明はまた、金属化表面を有する非導電性基体に関する。特別な用途が、光ファイバーを金属化し、金属化光ファイバーを含むハーメチック・オプトエレクロニクス・デバイス・パッケージ（ｈｅｒｍｅｔｉｃ  ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ  ｐａｃｋａｇｅ）を形成するオプトエレクトロニクス工業において、見出された。
【背景技術】
【０００２】
光のパルスシーケンスを使用するシグナルトランスミッションは、高速通信において益々重要になりつつある。光ファイバーは、光通信に必要とされるインフラストラクチャーにおける礎石であった。光ファイバーは、典型的にはデバイス・パッケージ内でレーザーダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、光検出器およびモジュレーター等のオプトエレクトロニクスコンポーネントに接続される。得られる光ファイバーおよびパッケージ間のガラス−金属接続は、ハーメチックシール構造を創出する。ハーメチック・パッケージは、封入されたデバイスの封入および保護を提供し、これは典型的には環境条件に敏感である。この点において、光学およびオプトエレクトロニクスコンポーネントの運転における劣化は、環境汚染物、例えば湿度、塵埃、化学蒸気およびフリーイオンにより引き起こされる可能性がある。パッケージ内のコンポーネントの光学入力／出力表面は特に汚染を受け易く、一方パッケージの金属表面は腐食を受け易い。これらの両方の影響は、信頼性の課題を提起する可能性がある。パッケージのハーメチックシールは、外部雰囲気との接触を防止し、従って望ましい。
【０００３】
光ファイバーをオプトエレクトロニクス・デバイス・パッケージに接合させ、ハーメチックシールを形成させるため、金属構造が光ファイバーの非導電性シリカ表面上に形成される。光ファイバーを金属化する数種の技術が当該技術分野において知られている。例えば、スパッタリングおよび蒸着をはじめとする物理的蒸着（ＰＶＤ）技術、無電解メッキ、ならびに無電解および電解メッキ技術の組み合わせが提案されてきた。ファイバーの金属化に採用される典型的な金属構造には、金をはじめとする１以上のさらなる金属層との組み合わせを伴う１以上のニッケル層が挙げられる。米国特許第６，２５１，２５２号は、例えば、光ファイバーシリカ表面上における第一無電解ニッケル層の形成、その第一ニッケル層上における第二の電解ニッケル層の形成、および第二ニッケル層上における電解金層の形成を開示する。
【０００４】
ニッケルが外部金属として使用される場合、ファイバーのはんだ付け性はニッケル表面における酸化物形成によって大いに減少する。ニッケル上への金キャップ層がはんだ可能仕上げを維持する試みにおいて使用されるが、これはニッケルの酸化傾向によるものである。金のみの使用は、しかしながら、はんだ付け性の問題を排除するには完全に満足の行くものではない。この点において、金は多孔性材料であり、下層のニッケル表面の酸化を結果的に防止しない場合があり、これは非常に薄い膜として存在する場合に著しい。金の厚さに依存するが、これらの酸化したニッケル領域は、金の表面の上に突出する場合がある。加えて、露出したニッケル領域はその領域が容易に酸化され易く、コーティング均一性の問題ゆえに金形成の後でさえ残存し得る。追加の課題が、ニッケルおよび金の多孔度の結果として生じ得る。この点において、水蒸気は、金およびニッケル層からファイバークラッドへと通過することができる。水蒸気はファイバー中にマイクロクラック形成をもたらす可能性があり、結果として光損失および他の信頼性の問題を生じさせる。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，２５１，２５２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、当該最新の技術と関連した１以上の前述の課題を克服し、著しく改善する金属化ファイバーを形成する改良された方法に対する継続する必要性が当該技術分野において存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第一の態様に従い、本発明は非導電性基体を金属化する方法を提供する。本方法は、（ａ）露出した非導電性表面を有する非導電性基体を提供する工程；（ｂ）非導電性表面上に遷移金属層を形成する工程；および（ｃ）遷移金属層を６以上の炭素原子を有する、ホスホン酸およびその塩、ならびにリン酸のモノエステルおよびその塩の１以上から選択された化合物の液体溶液に暴露することを含む。非導電性基体は、例えば光ファイバーとすることができる。
【０００８】
さらなる態様に従い、本発明は、本方法により調製される金属化非導電性基体および金属化光ファイバーを提供する。
【０００９】
さらなる態様に従い、本発明は、本方法により調製される金属化光ファイバーを含むオプトエレクトニクス・パッケージを提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の他の特徴および利点は、下記の記載、特許請求の範囲、およびここに添付される図面の検討により当業者にとって明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、下記の図面を参照して検討され、その中で、同じ参照番号は同じ形態を表す。
本発明は、光ファイバー、レンズ、他の光学素子、および一般的な非導電性基体をはじめとする非導電性基体を金属化する方法を提供する。本発明の方法は光ファイバーの金属化に関して記載されるが、その原理は一般的な非導電性基体の金属化により広く適用可能であるべきことが明白である。典型的な非導電性基体物質としては、例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂、シリカ、ドープトシリカ、ガラスおよびドープトガラスが挙げられる。種々の方法が光ファイバーの化学物質浴への浸漬に関して検討される一方で、ファイバーを化学物質と接触させる他の技術、例えば液体または霧化形態での化学物質のスプレーによるものが想定される。本明細書において、用語「ａ」および「ａｎ」は１以上を意味する。
【００１２】
簡単に云えば、本発明の方法は、露出した非導電性表面を有する非導電性基体を提供する工程、非導電性表面上に遷移金属層を形成する工程、ならびに６以上の炭素原子を有するホスホン酸およびその塩の１以上から選択される化学化合物の液体溶液にその遷移金属層を暴露する工程を含む。本法は、光ファイバーの金属化を可能にし、それらを他のコンポーネントおよびハーメチック・パッケージをはじめとするデバイス・パッケージにはんだ付け可能とする。良好なはんだ付け特性を有する光ファイバーをはじめとする金属化構造が本方法から生じ得る。
【００１３】
本発明の一態様に従い形成される金属化光ファイバー２を例示的に図示する図１を参照すると、金属化される光ファイバーはクラッドにより包囲されるコアを含み、双方とも典型的にはガラス、例えば、シリカから形成される。典型的には、アクリレートのようなポリマージャケット４がクラッドを包囲する。金属化の調製において、望ましい長さＬのポリマージャケットが、金属化されるファイバーの一部から剥離され、それによってクラッドのガラス表面が露出する。金属化されるファイバーの一部は、典型的には端部であるが、他の部分、例えば、ファイバーの中央部でもよい。ある種の環境、例えば、リール−ツー−リール−タイプ（ｒｅｅｌ−ｔｏ−ｒｅｅｌ−ｔｙｐｅ）プロセスにおいては、ファイバーの全長からジャケットを剥離するのが望ましい場合がある（代替的に、この場合にはジャケットフリーのファイバーを使用することができる）。機械的および／または化学的剥離技術を使用することができる。化学的剥離がより有益である場合があり、これは化学的剥離が製品の寿命にわたってマイクロクラック形成および信頼性の問題をもたらす可能性のあるガラスニッキング（ｇｌａｓｓ  ｎｉｃｋｉｎｇ）を減少しまたは排除することができるためである。剥離のために使用される特定の化学物質は、ジャケット物質に依存する。アクリレートジャケットの場合においては、例えば、１５０〜１９０℃においてジャケットを完全に除去するのに有効な時間の間、濃硫酸溶液（例えば、約９５重量％）との接触を使用することができる。剥離時間は、例えば、特定のジャケット物質、厚さ、ならびに酸溶液の温度および濃度に依存する。典型的な剥離時間は、１０秒〜９０秒である。ファイバーの剥離された部分は、次にファイバーから残存する酸を除去するのに有効な時間、例えば、４５秒〜２分の間、脱イオン水中ですすがれ、ファイバーは典型的には次いでアクリレートを脱膨潤するまで乾燥される。乾燥は周囲条件下で、典型的には約６０秒間、遂行することができる
【００１４】
１以上の金属層８は、公知の技術、例えば、スパッタリング、蒸着、無電解メッキ、電解メッキ、浸漬メッキまたはこれらの組み合わせを使用してファイバー上に形成される。金属層の少なくとも一つは、遷移金属またはそれらの合金、例えばニッケルおよび／またはクロムの層である。例示の目的のためだけに、例示的な無電解ニッケル／電解ニッケル／金プロセスが記載される。
【００１５】
第一ニッケル層は、ファイバーの露出したガラス表面に無電解メッキプロセスにより適用される。典型的には、第一ニッケル層および引き続き堆積する金属層はまた、露出したガラス表面に隣接したジャケット４’の部分または複数部分上に堆積し、クラッドおよびジャケット間の界面をシールする。無電解メッキプロセスは、典型的に例えば、感受性化、活性化およびメッキを含む一連の工程によって遂行されるが、これらの１以上を共に組み合わせることが可能である。プロセスは任意に、ファイバーの露出シリカ部分を室温で１０重量％のフッ化水素酸をはじめとする酸に浸漬させ、引き続き脱イオン水ですすぐことにより最初にマイクロエッチングする工程を含む。前記のマイクロエッチング処理は、引き続いての感受性化工程の過程で形成されるシード層のガラス表面への接着を増加させるのに役立つ。このマイクロエッチング工程は、任意に、感受性化工程の過程において、例えば、下記のフッ化第一スズでの感受性化プロセスにより遂行することができる。
【００１６】
光ファイバーの露出部分は、次に典型的には室温において、塩化第一スズまたはフッ化第一スズをはじめとするハロゲン化第一スズを含有する水性感受性化溶液に浸漬され、続いて脱イオン水によるすすぎが行われ未吸着のハロゲン化第一スズを除去する。感受性化コーティングがこのようにファイバー上に形成される。本発明に有用な塩化第一スズおよびフッ化第一スズ感受性化溶液ならびに技術は当該技術分野において公知であり、例えば米国特許第６，３５５，３０１号および第５，３８０，５５９号にそれぞれ記載されており、その内容は参照として本明細書に援用される。塩化第一スズ溶液は、例えば、１リットル当たり３５重量％の塩酸４０ｍｌを含有する酸性化脱イオン水中に、例えば５ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌの塩化第一スズを有することができる。フッ化第一スズ溶液は、例えば、水中に約１ｇ／Ｌのフッ化第一スズ濃度を有することができる。感受性化浴中への浸漬時間は、例えば、特定の浴化学物質に依存する一方で、３〜１０分が典型的である。フッ化第一スズ感受性化プロセスを使用する場合、感受性化および引き続きの活性化工程は浴の寿命を延長する窒素雰囲気下をはじめとする不活性雰囲気中で遂行することができる。
【００１７】
ファイバーの感受性化された部分は、次に典型的には室温において水性活性化溶液中に浸漬され、続いて脱イオン水ですすがれ、さらにジャケットを含むファイバーの乾燥がなされる。この浸漬の過程において、ハロゲン化第一スズ感受性化コーティングは、活性化溶液と反応し、感受性化コーティング上に溶液からパラジウムまたは他の貴金属の堆積を引き起こす。好適な活性化溶液が、例えば、上記の米国特許第５，３８０，５５９号および第６，３５５，３０１号に記載されている。活性化溶液は、典型的に、塩化パラジウム（または他の貴金属）および希釈塩酸を含む水溶液、例えば、希釈水性塩酸中に０．１〜１０ｇ／Ｌの塩化パラジウムを含有する水溶液である。酸強度は、典型的に、塩酸０．０１Ｍ〜０．１Ｍ、例えば、塩酸０．０３Ｍである。浸漬時間は、浴化学物質に依存するが、典型的に１〜６分である。好適な活性化化学物質および成分は、商業的に入手可能であり、例えば、Ｓｈｉｐｌｅｙ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌ．Ｌ．Ｃ．（米国、マサチューセッツ州マールボロ）からのＲｏｎａｍｅｒｓｅ  ＳＭＴ（商標）触媒である。
【００１８】
任意に、ファイバーの部分６は、その後の加工の過程でその上に金属層の形成を防止するためにマスクすることができる。例えば、ファイバーの端部において金属フィルム形成の防止が一般に望ましい。マスキング技術は当該技術分野において公知であり、例えば、上記の米国特許第５，３８０，５５９号および第６，３５５，３０１号に記載されている。マスキングは、例えば、感受性化のために使用されるようなハロゲン化第一スズの酸性化水溶液を使用して、予め活性化されたファイバーの部分を選択的に不活性化することにより化学的に達成することができる。代替的に、マスクされるファイバーの活性化された部分は、ファイバーの機械的不活性化を提供するために剥離可能なポリマーでコートすることができる。前記のコーティングは、例えば、アミルアセテート中のＫＥＬ−Ｆ８００樹脂（３Ｍ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能）からなる溶液から形成することができる。コーティングは、約５〜約１０分の間、７５℃において動いている空気中で乾燥される。さらに、商業的に入手可能なメッキマスク混合物が利用可能である。
【００１９】
次に、無電解ニッケルメッキ浴に活性化された部分を浸漬することにより、第一ニッケル層をファイバーの活性化された部分上に堆積させる。好適な成分および化学物質は当該技術分野で公知であり、例えば上記の米国特許第５，３８０，５５９号および第６，３５５，３０１号に記載されている。無電解メッキ化学物質は商業的に入手可能であり、例えば、Ｓｈｉｐｌｅｙ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌ．Ｌ．Ｃ．からのＥｖｅｒｏｎ（商標）ＢＰ無電解メッキプロセス、Ｕｙｅｍｕｒａ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎからのＮＩＭＤＥＮ  ＳＸ、およびＦｉｄｅｌｉｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（米国ニュージャーシー州ニューアーク）からのタイプ４８６５が挙げられる。これらの商業的な無電解ニッケルメッキ化学物質は、典型的には硫酸ニッケルおよび次リン酸ナトリウムを含有する２−パック組成物である。さらに好適な無電解メッキ化学物質は、８０〜９０℃の温度において３０〜３５ｇ／Ｌの硫酸ニッケル、１５〜２０ｇ／Ｌの次亜リン酸ナトリウム、８０〜９０ｇ／Ｌのクエン酸ナトリウムおよび４５〜５５ｇ／Ｌの塩化アンモニウムを含む。さらなる無電解ニッケルメッキ化学物質が米国特許第６，２５１，２５２号に記載されており、これは約１３０°Ｆ（５４℃）の温度において５００部の脱イオン水と共に１部のフッ化ナトリウム、８０部のコハク酸ナトリウム、１００部の硫酸ニッケルおよび１６９部の次亜リン酸ナトリウムを含有する。この第一ニッケル層は、形成される第二の電解ニッケル層のためのシード層として機能する。第一ニッケル層の厚さは、典型的に金属構造の全体的な延性に深刻に寄与しないように０．２５〜２μｍである。目標のフィルム厚に達した後、ファイバーはメッキ浴から取り出され、脱イオン水ですすがれる。
【００２０】
第二ニッケル層が次に第一ニッケル層上に、金属化ファイバー部分を電解メッキ浴に浸漬し、ファイバーを電解メッキすることにより形成される。浴は典型的にニッケル錯体およびニッケル塩、例えば７５ｇ／Ｌ〜４００ｇ／Ｌのニッケル錯体としてのニッケル、例えばＮｉＳＯ４・６Ｈ２ＯまたはＮｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２、ならびに３ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの塩化ニッケル塩、例えばＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを含有する。浴は、３０ｇ／Ｌ〜４５ｇ／Ｌのバッファー、例えばバッファー塩としてホウ酸、および０．２５〜２重量％の、例えば０．５〜２重量％の商業的に入手可能な湿潤剤、例えばペルフルオロ化第四級アミン湿潤剤、例えばペルフルオロドデシルトリメチルアンモニウムフルオリドを含むことができる。浴は、ペルフルオロ化第四級アミン１０ｐｐｍを含有する水溶液を基準にして５ｍｌ／ｌ〜２０ｍｌ／ｌの湿潤剤を含有することができる。さらに、浴は、３０ｐｐｍ以下の特定の金属不純物、例えば、鉄、銅、スズ、亜鉛および鉛を含有することができる。第二ニッケル層の厚さは、典型的に１〜６μｍ、例えば、２〜４μｍまたは約３μｍである。浴の温度は典型的に５０〜６５℃である。ｐＨを低下させることが必要な場合、２０重量％の希釈スルファミン酸溶液を使用することができる。ｐＨは、典型的に約２〜４．５、例えば約２〜２．５である。
【００２１】
金または他の貴金属、例えば白金もしくはパラジウムが、任意に公知技術を使用して第二のニッケル層の上にコートされる。この層は、浸漬メッキまたは電解メッキを使用して第二ニッケル層の上に形成することができる。典型的な厚さは、１μｍ未満である。
【００２２】
ファイバーの金属化部分は、次に任意に、耐腐食性を向上させるために、クロメート溶液に暴露される。クロメート処理は、例えば、水、４ｇ／Ｌのクロム酸、２ｇ／Ｌの硝酸および０．５ｇ／Ｌの硫酸からなる沸騰した水溶液中に１分間浸漬することを含むことができる。ファイバーは、次いで脱イオン水中ですすがれ、空気で送風乾燥される。
【００２３】
光ファイバーの金属化部分は、次にホスホネート処理により不動態化される。任意の特定の理論に拘束されることを望むわけではないが、保護コーティングとして作用するホスホネートの薄い吸着層は金属構造の外表面ならびに金属層の細孔内部に形成され、その結果、細孔ブロッカーとして作用すると考えられる。その結果、ファイバークラッドと水蒸気との接触を有効に防止することができ、ニッケル酸化も同様に防止することができる。従って、ファイバーのマイクロクラッキングおよび貧弱なはんだ付け性に起因する信頼性の問題を最小化しまたは排除することができる。
【００２４】
ファイバーの金属化部分は、典型的に室温において、６以上の炭素原子を有する、ホスホン酸およびそれらの塩（例えば、ナトリウムもしくはカリウムホスホネート）、ならびにリン酸のモノエステルおよびそれらの塩から選択される化学化合物の溶液に浸漬される。化合物は、複数の炭化水素鎖を有することができる。
【００２５】
好適なホスホン酸としては、例えば、式
ＣＨ３（ＣＨ２）ｍ（ＣＨ２）ｎＰＯ（ＯＨ）２
のホスホン酸が挙げられ、式中、ｍは５、７，９または１１およびｎは０、１または２である。本発明に有用なホスフェートモノエステルの例示的種類は、下記式： 
【００２６】
【化１】
2005196100.tif 000003
【００２７】
を有するホスファチジン酸であり、ここで、ｎは１０〜１６の整数である。
【００２８】
その化合物は、典型的には、少なくとも部分的にフッ素化され、例えば、６以上のフッ化炭素原子、例えば、６〜１４のフッ化炭素原子を有する。吸着した物質により提示される保護の程度は一般にフッ素化の程度と共に増加すると考えられる。フッ化ホスホン酸の例としては、式
ＣＦ３（ＣＦ２）ｍ（ＣＨ２）ｎＰＯ（ＯＨ）２
のフッ化ホスホン酸が挙げられ、例えば
Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＰＯ（ＯＨ）２
および
ＣＦ３（ＣＦ２）１１（ＣＨ２）２ＰＯ（ＯＨ）２
をはじめとする。
【００２９】
上記化合物は、非腐食性溶媒、例えば、アルコール、例えばメチル、エチルおよびプロピルアルコール、ならびにクロロホルム等と共に溶液中で使用することができる。溶液中の化合物の濃度は、典型的には約１〜約１０ミリモル、例えば、１〜５ミリモルまたは２〜４ミリモルである。
【００３０】
ファイバーは、リン化合物を遷移金属に結合させるのに有効な時間の間、例えば、１０秒〜３０分の間、浸漬される。浸漬時間は、例えば、特定の浴化学物質および金属層の種類および厚さに依存する。ファイバーは、次いで脱イオン水中ですすがれ、空気乾燥される。
【００３１】
本発明のさらなる態様に従い、オプトエレクトロニクス・パッケージが提供される。オプトエレクトロニクス・パッケージは、例えば、バタフライ・パッケージ、シリコン光学ベンチ等とすることができる。本発明の本態様は、図２を参照して記載され、これは例示的なバタフライ・パッケージ１０を図示する。本パッケージは、上記した様な１以上の金属化光ファイバー２および１以上のオプトエレクトロニクス・デバイス１２、１４を含む。光ファイバー２およびオプトエレクトロニクス・デバイス１２、１４は、お互いに光学的に連絡し、パッケージは典型的にハーメチックシールされている。オプトエレクトロニクス・デバイスは、例えば、レーザーダイオード、ＬＥＤ、光検知器、モジュレーターまたはこれらの組み合わせとすることができる。例示的パッケージにおいて、オプトエレクトロニクス・デバイスはレーザーダイオード１２および光検知器１４である。オプトエレクトロニクス・デバイスはキャリヤー１６に結合され、これは例えば、セラミックまたはケイ素とすることができる。キャリヤーは、パッケージケーシング底部表面１８に結合される。パッケージケーシング２０は、典型的にはＫＯＶＡＲ、ＣｕＷをはじめとする金属、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）をはじめとするセラミック、またはシリコンまたはガリウムアルセナイドをはじめとする半導体で形成されている。リード線２２は、パッケージおよび外装コンポーネント間の電気接続を提供するためのパッケージケーシングの側壁を通って提供される。パッケージは、波長ロッカー、バックファセット（ｂａｃｋｆａｃｅｔ）モニター、電気デバイス、電子デバイス、レンズおよび鏡等をはじめとする他のコンポーネントを含むことができ、これらもキャリヤーに結合される。基体は、パッケージ温度を調節するために熱電クーラー（ＴＥＣ）をはじめとする温度調節器（図示されていない）に結合することができる。パッケージリッド（図示されていない）および金属化ファイバー２０は、パッケージをハーメチックシールするためにはんだ技術によってしかるべき場所に結合される。金属化光ファイバーは、しかるべき場所に結合される前および／または後に能動的および受動的にオプトエレクトロニクス・デバイスに配列される。
【００３２】
下記の予想的な実施例は、本発明をさらに例示するが、如何なる観点においても本発明の範囲を制限する意図ではない。
【実施例】
【００３３】
実施例１
Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｉｎｃ．（ニューヨーク州コーニング）から商業的に入手可能な、アクリレートジャケットを有する２メートルのＳＭＦ２８シングルモード光ファイバーが提供される。アクリレートジャケットは、１８０℃において１分間、９５重量％の硫酸溶液にファイバーの端部を浸漬することにより５ｃｍの長さに亘りそのファイバーの一端から除去される。露出したファイバーの端部は、ファイバーから残存する酸を除去するため９０秒間、脱イオン水浴に導入され、そしてファイバーおよびジャケットは乾燥される。
【００３４】
次にファイバーの端部は、８分間室温において水性塩化第一スズ感受性化浴に浸漬されるが、ここで浴は１０ｇの塩化第一スズを脱イオン水中の３５重量％の塩酸４０ｍｌに加え、脱イオン水で１Ｌに希釈することにより形成される。ファイバー端部は次に脱イオン水浴中で３分間すすがれる。
【００３５】
感受性化されたファイバー端部は、次に３分間室温において水性塩化パラジウム活性化浴中に浸漬されるが、ここで浴は０．２５ｇの塩化パラジウムを０．３Ｍの塩酸１００ｍｌに加え、脱イオン水で１Ｌに希釈することにより形成される。活性化されたファイバー端部は次に脱イオン水浴中で５分間すすがれ、そしてジャケットを含むファイバーは乾燥される。
【００３６】
乾燥されたファイバーの端部は剥離可能なポリマーに浸漬され、ファイバーの端部を金属化から保護するコーティングを提供し、そして移動空気中、７５℃において８分間乾燥される。
【００３７】
ニッケル層は、次に無電解メッキにより活性化されたファイバー表面に堆積する。ファイバーの活性化された部分は、約５４℃において、０．７５μｍのニッケルコーティングを形成する時間の間、５００部の脱イオン水と共に１部のフッ化ナトリウム、８０部のコハク酸ナトリウム、１００部の硫酸ニッケルおよび１６９部の次亜リン酸ナトリウムから形成される無電解ニッケル溶液中で処理される。ファイバーは、脱イオン水中ですすがれる。
【００３８】
厚さ３μｍのニッケルの第二層は、電解メッキにより第一層上に形成される。電解メッキ浴は、ニッケル錯体、Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２としての１２０ｇのニッケル、５ｇのニッケル塩（ＮｉＣｌ２６Ｈ２Ｏ）、および３０ｇのバッファー、Ｈ３ＢＯ３を混合し、および混合物を１リットルの容量に脱イオン水で希釈することにより形成される。１０ｐｐｍのペルフルオロドデシルトリメチルアンモニウムフルオリドを含有する２０ｍＬ／Ｌの水溶液が混合物に加えられる。浴の温度は６０℃に維持され、浴のｐＨはメッキ過程において２である。浴は２５ｃｍ／秒の速度で撹拌される。
【００３９】
ニッケルコートされたファイバーは次に、１０分間無電解金メッキ溶液中に７０℃において撹拌されながら浸漬され、続いて脱イオン水中ですすがれる。アクリレートジャケットの端部は、７５℃において１０分間、空気で送風乾燥される。
【００４０】
次にファイバーは、室温において１５分間、エタノール中４ミリモラーのＣ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＰＯ（ＯＨ）２を含有するホスホン酸浴に浸漬される。ファイバーは、脱イオン水中ですすがれ、空気で送風乾燥される。
【００４１】
実施例２
最終工程でエタノール中２ミリモラーのＣＦ３（ＣＦ２）１１（ＣＨ２）２ＰＯ（ＯＨ）２を含有するホスホン酸浴を使用することを除き、実施例１が繰り返される。
【００４２】
本発明はそれらの具体的な態様に関して詳細に記載されたが、種々の変更および修正が特許請求の範囲から逸脱することなくなされ、同等物が採用され得ることは当業者にとって明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、本発明の一つの態様に従い形成される例示的な金属化光ファイバーを図示する。
【図２】図２は、本発明のさらなる態様に従うオプトエレクトロニクス・パッケージを図示する。
【符号の説明】
【００４４】
２      金属化光ファイバー
４      ポリマージャケット
４’    露出したガラス表面に隣接したジャケット
６      ファイバー
８      金属層
１０    バタフライ・パッケージ
１２    オプトエレクトロニクス・デバイス（レーザーダイオード）
１４    オプトエレクトロニクス・デバイス（光検知器）
１６    キャリヤー
１８    パッケージケーシング底部表面  
２０    パッケージケーシング
２２    リード線
【図１】
2005196100.tif 000004
【図２】
2005196100.tif 000005
【外国語明細書】
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