(57)【要約】【課題】マスクを三つだけ用いる製造工程によるTFT液晶表示器のパネルの製造方法を提供し、製造コストを大幅に減らし、製造工程を簡易化できるTFT液晶表示器のパネルの製造方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、透明基板上に順に透明導電層と、第一絶縁層と、第二金属層と、を形成する工程と、ハーフトーン・リソグラフィ及びエッチング工程によって各画素領域にソース領域と、ドレイン領域と、画素電極領域とを形成し、各画素領域の縁部に複数のデータ信号線を形成する工程と、基板上に半導体層と、第二絶縁層と、を形成する工程と、リソグラフィ及びエッチング工程によって、半導体チャネル領域と複数のコンタクトホールとをソース領域、ドレイン領域、データ資料線上に形成する工程と、第三金属層と第三絶縁層を基板上に形成する工程と、リソグラフィ及びエッチング工程によって走査信号線とゲート線を形成する工程と、を有し、三つのマスクだけでTFT液晶表示器のパネルを製造することができる。【選択図】図３
2005321781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像信号線と、複数の走査信号線と、を有し、二本の隣り合う前記画像信号線と二本の隣り合う前記走査信号線がそれぞれ各画素領域を定義し、前記画素領域内に、TFT領域と透明画素電極領域とを有するTFT液晶表示器のパネルの製造方法であり、
(a)透明基板を提供する工程と、
(b)透明導電層と、第一絶縁層と、第二金属層と、を順に前記透明基板上に形成する工程と、
(c)ハーフトーン・リソグラフィ及びエッチングによって、各前記TFT領域内の前記第二金属層においてソース領域とドレイン領域を形成し、前記画素電極領域内の前記透明導電層において前記画素電極領域を形成し、及び前記第二金属層において、各画素領域の両縁部でデータ信号線を形成する工程と、
(d)半導体層と第二絶縁層を順に前記透明基板上に形成する工程と、
(e)リソグラフィ及びエッチング工程によって、半導体チャネル領域を各TFT領域の半導体層に形成し、及び複数のコンタクトホールを前記ソース領域と、前記ドレイン領域と、前記データ信号線上に形成する工程と、
(f)第三金属層と、第三絶縁層を順に前記透明基板上に形成する工程と、
(g)リソグラフィ及びエッチング工程によって、前記第三金属層を有する前記走査信号線と、前記走査信号線と接続する複数のゲート線と、前記ソース領域及びデータ信号線と接続する複数の第一導線と、前記ドレイン領域及び前記画素電極領域に接続する複数の第二導線と、を形成する工程と、
を含むことを特徴とするTFT液晶表示器のパネルの製造方法。
【請求項２】
前記工程（b）において、更に、前記透明導電層と前記第一絶縁層の間に第一金属層を形成し、前記第一金属層が工程（c）において、前記TFT領域内に位置する遮光層を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記工程（c）において、画素領域の周縁に、更に前記透明導電層の周辺回路のパターンが形成され、前記工程（ｇ）の後、前記周辺回路の少なくとも一端が前記データ信号線或いは走査信号線と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記周辺回路のパターンを介して、外付け駆動回路によって前記データ信号線或いは前記走査信号線の信号を制御することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）において、前記エッチング工程がさらにオーバーエッチングによってアンダーカットを形成するので、前記工程（ｄ）において前記半導体層と前記透明導電層が互いに接続しないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、更にn+型シリコン層を前記第二金属層の表面に形成することによって前記TFT用のオームコンタクト層を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ）において前記画素領域内に、更に前記第二金属層と前記透明導電層とを有する容量の下電極板を形成し、且つ前記工程（ｇ）において、前記第三金属層を有する容量の上電極板を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記工程（c）において前記画素領域内に前記第一金属層と前記透明導電層を有する容量の下電極板を形成し、且つ前記工程（g）において、前記第三金属層を有する容量の上電極板を形成することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項９】
前記容量が前記走査信号線の側辺に形成され、前記TFT液晶表示器の開口率を高めることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記容量が前記走査信号線の側辺に形成され、前記TFT液晶表示器の開口率を増加することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体層がアモルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記透明導電層がITO(Indium Tin Oxide)、或いはIZO(Indium Zinc Oxide)からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第二絶縁層が、SiO2、Si3N4、又はSi（OH）4からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第二絶縁層が有機絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第三絶縁層が、SiO2、Si3N4、又はSi（OH）4からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第三絶縁層が保護層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はTFT液晶表示器のパネルの製造方法に関し、特に三つのマスク工程によるTFT液晶表示器のパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のCRT表示器と比べ、液晶表示器のパネルの利点は電力消費量が低く、体積が小さく、輻射がない点である。また、液晶表示器は液晶に対する作用原理によっていくつかの仕様に分けられるが、主に初期のパッシブマトリックス方式(Passive Matrix LCD, PM LCD)と、現在主流となっているアクティブマトリックス方式（Thin Film Transistor LCD, TFT LCD）の二種類の仕様に分けられ、また、PM LCDはTN（Twisted Nematic）、STN（Super Twisted Nematic）、DSTN（Double layer Twisted Nematic）などの三種に分けることが出来る。前記二種類の仕様の違いは主に液晶分子の配列方法が電流の通過によって変化することにあり、パッシブマトリックス方式は電流が停止した後、自動的に元の位置へ復元し、次回の充電で再配列するため、記憶性質を持たない。アクティブマトリックス方式のLCD液晶は電流が停止した後も、液晶分子の配列は元に戻らないため、記憶性質を持つ。LCD-TVに応用する際、STN液晶表示器であっても、反応速度がやや遅い、色彩数に限りがあるなどの欠点がある。これに対し、TFT-LCDは、液晶分子の配列方向を制御することによって、光線が液晶を通過する時に異なる屈折率を生じさせ、更に、配向膜、偏光板(polarizer, polarizing plate)又はカラーフィルターと作用して画像を生成するため、解析度が高い、視野角が広い、反応速度が速い、画面コントラストが高い、など表示能力の利点を有し、高精細テレビ(HDTV)の主流商品となった。だが、TFT  LCDの主な欠点は価格が高く、まだ市場に普及するに至らず、特に液晶表示器のTFTアレイのリソグラフィ工程はコストが高く、よって、必要なマスク数を可能な限り削減することが、目下の課題である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、製造コストを大幅に減らし、製造工程を簡易化できる、三回のマスクプロセスのみでTFT液晶表示器のパネルを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述の目的を達成するため、本発明の三つのマスクを用いてTFT液晶表示器のパネルを製造する方法は、透明基板を提供する工程と、前記基板上に透明導電層と、第一絶縁層と、第二金属層と、を形成する工程と、ハーフトーン・リソグラフィ及びエッチング工程によって、各画素領域にソース領域、ドレイン領域、画素電極領域を形成し、各画素領域の縁部に複数のデータ信号線を形成する工程と、前記基板上に半導体層と、第二絶縁層と、を形成する工程と、リソグラフィ及びエッチング工程によって、半導体チャネル領域と複数の接触孔を、ソース領域上と、ドレイン領域上と、データ信号線上とに形成する工程と、前記基板上に第三金属層と第三絶縁層を形成する工程と、リソグラフィ及びエッチング工程によって、複数の走査信号線と、複数のゲート線と、ソース領域とデータ信号線を接続する複数の導線と、ドレイン領域と画素電極領域を接続する複数の導線を形成する工程と、を含む。
【０００５】
本発明による三つのマスク工程を利用するTFT液晶表示器のパネルの製造方法において、より好ましくは、画素領域外縁に前記透明導電層で構成され、一端がデータ信号線或いは走査信号線と電気的接続され、もう一端が駆動回路と接続されて、データ信号線或いは走査信号線の信号を制御する複数の外付け周辺回路を形成し、データ信号線の外付け周辺回路と走査信号線の外付け周辺回路の構造は同じ、もしくは異なってもよい。さらに、透明導電層形成の後、且つ第一絶縁層を形成する前に、更に第一金属層を形成し、TFT領域内にさらに前記第一金属層が形成する遮光層を備えることによって、TFTの操作が透明基板から透過した光線の影響を防止するのが好ましい。又、ハーフトーン・リソグラフィ工程後のエッチング工程として、より好ましくはオーバーエッチングを備え、これにより後の工程で形成する半導体層と透明導電層が互いに接触することによって生じる回路のショートを回避することができる。本発明において、第二金属層を形成させた後、より好ましくは更にn+型シリコン層を形成させ、TFTに前記n+型シリコン層によって形成されたオームコンタクト層を備えることで、TFTの操作効率を高める。
【０００６】
TFT液晶表示器のパネルの製造方法は、より好ましくは、各画素領域内に更に信号を記録する容量を形成する工程を含む。前記容量の下電極板は主に画素電極領域の縁部が延伸した部分であるが、更に、第二金属層又は第一金属層を含んでもよく、又、前記容量の上電極板は第三金属層である。前記容量は、好ましくは走査信号線の一側辺にあり、TFT液晶表示器の開口率を上げる。このほか、半導体層は一般にアモルファスシリコン層であるが、ポリシリコン層であってもよい。又、透明導電層は一般的にITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)によって構成される。第一絶縁層、第二絶縁層、第三絶縁層は、好ましくは酸化ケイ素、或いは、窒化ケイ素、水酸化ケイ素である。更に、第二絶縁層は有機絶縁層であってもよい。又、第三絶縁層は保護層であり、TFTを水気や傷から保護する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明をより明瞭にするため実施例を挙げて説明する。
【実施例】
【０００８】
本実施例によるTFT液晶表示器のパネルの完成構造は図３の下半部に示すとおり、主に画素領域内にTFT領域300と、画素電極領域460と、容量領域420と、画素領域上を囲むデータ信号線330と走査信号線380と、を有し、更に、画素領域外に、周縁の駆動回路の信号をそれぞれ走査信号線380とデータ信号線330に送信する複数の外付け周辺回路領域450aと450bとを有する。本実施例において、走査信号線380と連結する外付けの周辺回路領域450aの構造は、データ信号線330と連結する外付け周辺回路領域450bの構造と同じであるため、以下の説明ではデータ信号線330に連結する外付け周辺回路領域450bの製造工程を省く。図３のA-A’線に沿ってTFT上におけるソース領域310からドレイン領域320の断面を表わし、B-B’線に沿ってドレイン領域320から画素電極領域460への断面を表わし、C-C’線に沿って外付け周辺回路領域450aから走査信号線380への断面を表わし、D-D’線に沿ってデータ信号線330からソース領域310への断面を表わし、E-E’線に沿って容量領域420の上下電極板構造の断面を表わす。
【０００９】
本実施例のTFT液晶表示器のパネルの製造方法は、以下の工程を含む。
【００１０】
まず、工程（a）において透明基板110を提供する。
【００１１】
次に、工程（b）において、前記基板110上に透明導電層120と、第一金属層130と、第一絶縁層140と、第二金属層150と、n+型シリコン層160を順に形成する。
【００１２】
工程（c）において、ハーフトーン・リソグラフィ工程によって、ソース領域310と、ドレイン領域320と、TFTチャネル遮光領域350と、画素透明導電領域340と、データ信号線330と、透明周辺回路430と、を定義し、図１に示すように、四角で囲まれた部分の空白領域はスリット式露光を用い、四角で囲まれた部分のうち横線領域は全く露光させない。従って、ハーフトーン・リソグラフィ工程後、A-A’線沿いに、例えば図４Ａに示すようにソース領域310と、TFTチャネル遮光領域350と、ドレイン領域320と、を定義するフォトレジスト層210が形成され、B-B’線沿いに、例えば図４Ｂが示すようにドレイン領域320と画素透明導電領域340を定義するフォトレジスト層210が形成され、C-C’線沿いに、例えば図４Ｃが示すように透明周辺回路430と、周辺第二金属領域470と、を定義するフォトレジスト層210が形成される。C-C’線沿いの透明周辺回路430の目的は走査信号線380と接続することであるため、ここで定義された周辺第二金属領域470は機能を持たないが、透明周辺回路430がデータ信号線330と接続した場合、前記周辺第二金属領域470はデータ信号線330の一部分となる。D-D’線沿いに、図４Ｄが示すようにデータ信号線330と、ソース領域310と、を定義するフォトレジスト層210が形成され、E-E’線沿いに図４Ｅが示すように、画素透明導電領域340において容量領域420の下電極板を定義するフォトレジスト層210が形成される。このハーフトーン・リソグラフィにおいて、画素透明導電領域340は、主に画素電極として用いられるが、その上部末端の縁部は容量領域420の下電極として、ソース領域310と、ドレイン領域320と、TFTチャネル遮光領域350をまとめていわゆるTFT領域300とする。
【００１３】
次いで、エッチング工程の後、図５Ａに示すように、A-A’線に沿って、ソース領域310とドレイン領域320に、それぞれ第二金属層150が形成するソース導線とドレイン導線と、n+型シリコン層160が形成するオームコンタクト層と、TFT領域300全体に位置し、第一金属層130によって形成されるTFT遮光層と、が得られる。B-B’線沿いには、図５Ｂが示すように、図５Ａにあるドレイン領域320の第二金属層150が構成するドレイン導線のほか、画素透明導電領域340には透明導電層120が構成する画素電極が形成される。C-C’線沿いには、図５Ｃが示すように、外付け周辺回路領域450a全体に透明導電層120が構成する透明周辺回路430が形成され、更に、外付け周辺回路領域450aの右側の第二金属層を保留し、外付け周辺回路領域450aと外付け周辺回路領域450bの構造を同じにする。D-D’線沿いは、図５Ｄが示すように、左側が第二金属層150の形成したデータ信号線330であり、右側がソース領域310の第二金属層150が形成したソース導線である。E-E’線沿いは、図５Ｅが示すように、第一金属層130を保留し、第二金属層150を除去して、容量領域420に画素電極と接続した下電極板を形成する。
【００１４】
そして、透明導電層120と第一金属層130をオーバーエッチングすることによりアンダーカットを生成し、その後フォトレジストを除去する。この際透明基板110上方に形成される構造をA-A’線、B-B’線、C-C’線、D-D’線、E-E’線に沿って、それぞれ図６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ、６Ｅの順に示す。
【００１５】
次に、工程（d）においてアモルファスシリコン層170と第二絶縁層180を透明基板110上方全体に形成する。この時、透明導電層120と第一金属層130のアンダーカットのため、アモルファスシリコン層170と透明導電層120及び第一金属層130は互いに接触せず、よって互いの電流は干渉されない。工程（e）では、リソグラフィによって複数のコンタクトホール370b、370c、370a、370dをそれぞれソース領域310と、ドレイン領域320と、外付け周辺回路領域450a及び450bと、データ信号線330上に定義し、さらに、図２の点線領域（図にある楕円形の点線はコンタクトホール又は開口ではない）が示すような、画素透明導電領域340の開口370eも定義する。図７Ａが示すように、A-A’断面沿いに、ソース領域310のソースコンタクトホール370bとドレイン領域320のドレインコンタクトホール370cのフォトレジスト層220を定義し、この二つのコンタクトホール間は、丁度TFT半導体チャネル領域を定義する。図７Ｂが示すように、B-B’断面沿い、即ちドレイン領域320に、コンタクトホール370cを定義するフォトレジスト層220を形成し、更に、画素透明導電領域340の上方に開口370eを定義する。図７Ｃが示すように、C-C’断面沿い、即ち外付け周辺回路領域450aに、コンタクトホール370aを定義するフォトレジスト層220を形成する。図７Ｄが示すように、D-D’断面沿いにそれぞれデータ信号線330とドレイン領域310上にコンタクトホール370dと370bを定義するフォトレジスト層220を形成する。図７Ｅが示すように、E-E’断面沿いは、下電極板領域420aに、アモルファスシリコン層170の容量下電極板を定義するフォトレジスト層220を形成する。
【００１６】
次に、エッチング工程を行う。この際、図８Ａに示すように、A-A’断面に沿って、ソース領域310とドレイン領域320は、底部が共に第二金属層150であるコンタクトホール370bと370cを形成し、更にアモルファスシリコン層170の半導体チャネル領域を形成する。図８Ｂに示すように、B-B’断面沿いにおいて、画素透明導電領域340は主に透明導電層120と第一金属層130である。図８Ｃに示すように、C-C’断面沿いにおいて、外付け周辺回路領域450aはコンタクトホール370aを定義するため、第一金属層130と第二金属層150とがともに露出する。図８Ｄに示すように、D-D’断面沿いにおいて、データ信号線330とソース領域310の上方に、それぞれコンタクトホール370dと370bが形成される。図８Ｅに示すように、E-E’断面沿いにおいて、容量領域420の下電極板領域420aに属するアモルファスシリコン層170が形成される。
【００１７】
フォトレジスト層220を除去した後、工程（f）において、第三金属層190と保護層220を順に透明基板110上に形成する。
【００１８】
工程（g）においては、図３に示す太線領域に示すように、リソグラフィによって走査信号線380と、走査信号線380に接続するゲート線390と、ソース領域310及びデータ信号線330を接続する第一導線400と、ドレイン領域320及び画素透明導電領域340を接続する第二導線410と、容量の下電極板領域420aに位置し、全ての導電層、または半導体層を接続する第三導線440と、を定義し、更に、本実施例において、画素透明導電領域340は、容量の下電極板領域420aに画素電極領域460を加えた領域に相当する。より詳しく説明すると、図９Ａに示すように、A-A’断面沿いにおいて、TFTゲート線390のフォトレジスト層230を定義し、図９Ｂに示すように、B-B’断面沿いにおいて、ドレイン領域320と画素電極領域460を接続する第二導線410のフォトレジスト層230を定義し、図９Ｃに示すように、C-C’断面沿いにおいて、透明周辺回路430と接続する走査信号線380のフォトレジスト層230を定義し、図９Ｄに示すように、D-D’沿いにおいて、ソース領域310とデータ信号線330を接続する第一導線400のフォトレジスト層230を定義し、図９Ｅに示すように、E-E’線沿いでは、容量領域420の上電極板フォトレジスト層230を定義する。前記フォトレジスト層230は、走査信号線380と容量領域420の下電極板アモルファスシリコン層170及び第一金属層130を接続する第三導線440のフォトレジスト層230’でもある。
【００１９】
さらに、エッチング工程を行い、フォトレジストを除去する。この時、TFT領域300において、図１０Ａに示すような構造のTFTが形成される。前記TFTは、n+型シリコン層160のオームコンタクト層と、アモルファスシリコン層170の半導体チャネルと、ソース領域310とドレイン領域320における第二金属層150のソース導線とドレイン導線と、第三金属層190のゲート線390と、第一金属層130の遮光層を有する。図１０Ｂは、ドレイン領域320と画素電極領域460の構造を示す。第二金属層150のドレイン導線は第三金属層190の第二導線140を介して、画素電極領域460内の透明導電層120の画素電極と接続される。図１０Ｃは、外付け周辺回路領域450aの構造を示す。透明導電層120の透明周辺回路430は、第一金属層130を介して、第三金属層190の走査信号線380と電気的に接続しており、さらに、第二金属層150とも電気的に接続しているが、この位置において、第二金属層150は機能を持たず、単に外付け周辺回路領域450aと外付け周辺回路領域450bの構造を同じにするためであるので、第二金属層150が外付け周辺回路領域450bにある場合は、データ信号線330の末端として、データ信号線330を駆動する。図１０Ｄは、データ信号線330とソース領域310の構造を示す図である。第二金属層150のデータ信号線330は、第三金属層190の第一導線400を介して、第二金属層150のソース導線と接続する。さらに、図１０Ｅは、容量の構造を示す図である。下電極板となる透明導電層120と、アモルファスシリコン層170と、第一金属層130とは、第三金属層190’の第三導線440を介して互いに接続して同電位となる。また、第三金属層190は、容量領域420の上電極板である。
【００２０】
本実施例によれば、TFTと画素電極の基板を製造することができ、マスクを三つ用いるだけで、基板上に画素電極とTFTを製造することができるため、製造コストを大幅に低減させ、製造工程を簡易化する。
【００２１】
前記実施例による説明は、本発明の内容を簡単に説明するために過ぎず、本発明をそれらの構造に狭義的に制限するものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法における第一のマスクの実施例を示す平面図。
【図２】本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法における第二のマスクの実施例を示す平面図。
【図３】本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法における第三のマスクの実施例を示す平面図。
【図４Ａ】工程（ｃ）でのハーフトーン・リソグラフィ工程後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図４Ｂ】工程（ｃ）でのハーフトーン・リソグラフィ工程後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図４Ｃ】工程（ｃ）でのハーフトーン・リソグラフィ工程後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図４Ｄ】工程（ｃ）でのハーフトーン・リソグラフィ工程後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図４Ｅ】工程（ｃ）でのハーフトーン・リソグラフィ工程後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図５Ａ】工程（ｃ）でのエッチング後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図５Ｂ】工程（ｃ）でのエッチング後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図５Ｃ】工程（ｃ）でのエッチング後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図５Ｄ】工程（ｃ）でのエッチング後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図５Ｅ】工程（ｃ）でのエッチング後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図６Ａ】工程（ｃ）でのオーバーエッチング後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図６Ｂ】工程（ｃ）でのオーバーエッチング後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図６Ｃ】工程（ｃ）でのオーバーエッチング後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図６Ｄ】工程（ｃ）でのオーバーエッチング後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図６Ｅ】工程（ｃ）でのオーバーエッチング後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図７Ａ】工程（ｅ）でのリソグラフィ後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図７Ｂ】工程（ｅ）でのリソグラフィ後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図７Ｃ】工程（ｅ）でのリソグラフィ後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図７Ｄ】工程（ｅ）でのリソグラフィ後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図７Ｅ】工程（ｅ）でのリソグラフィ後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図８Ａ】工程（e）でのエッチング後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図８Ｂ】工程（e）でのエッチング後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図８Ｃ】工程（e）でのエッチング後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図８Ｄ】工程（e）でのエッチング後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図８Ｅ】工程（e）でのエッチング後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図９Ａ】工程（g）でのリソグラフィ後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図９Ｂ】工程（g）でのリソグラフィ後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図９Ｃ】工程（g）でのリソグラフィ後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図９Ｄ】工程（g）でのリソグラフィ後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図９Ｅ】工程（g）でのリソグラフィ後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図１０Ａ】工程（g）でのエッチング後、A-A’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図１０Ｂ】工程（g）でのエッチング後、B-B’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図１０Ｃ】工程（g）でのエッチング後、C-C’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図１０Ｄ】工程（g）でのエッチング後、D-D’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【図１０Ｅ】工程（g）でのエッチング後、E-E’線沿いに本発明のTFT液晶表示器のパネルの製造方法を用いた断面図。
【符号の説明】
【００２３】
110      透明基板
120      透明導電層
130      第一金属層
140      第一絶縁層
150      第二金属層
160      n+型シリコン層
170      アモルファスシリコン層
180      第二絶縁層
190      第三金属層
190’      第三金属層
200      保護層
210      フォトレジスト層
220      フォトレジスト層
230      フォトレジスト層
230’    フォトレジスト層
300      TFT領域
310      ソース領域
320      ドレイン領域
330      データ信号線
340      画素透明導電領域
350      TFTチャネル遮光領域
370a      コンタクトホール
370b      コンタクトホール
370c      コンタクトホール
370d      コンタクトホール
370e      開口
380      走査信号線
390      ゲート線
400      第一導線
410      第二導線
420      容量領域
420a      下電極板領域
430      透明周辺回路
440      第三導線
450a      外付け周辺回路領域
450b      外付け周辺回路領域
460      画素電極領域
470      周辺第二金属領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2005321781.tif 000007
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2005321781.tif 000009
【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【外国語明細書】
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