(57)【要約】【課題】  被検査物の高周波特性を高精度に測定することができるウエハプローバ及び高周波特性の測定方法を提供する。【解決手段】  ウエハプローバ１は、被検査物９０を載置するチャック１０を備えている。チャック１０は、基台部１２と表層部１４とから構成されている。基台部１２は、金属等の導体からなっている。基台部１２には、被検査物９０を吸引吸着するための吸引孔１６が複数形成されている。基台部１２の被検査物９０側となる面Ｓ３上には、表層部１４が設けられている。表層部１４は、絶縁体からなっている。これにより、チャック１０は、被検査物９０の吸着する側の表層に、絶縁体からなる表層部１４が設けられた構造となっている。【選択図】  図１
2005093612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物を載置するチャックと、
前記チャック上に載置された前記被検査物に接触させるプローブニードルと、を備え、
前記チャックは、全体が絶縁体によって形成されていることを特徴とするウエハプロ−バ。
【請求項２】
被検査物を載置するチャックと、
前記チャック上に載置された前記被検査物に接触させるプローブニードルと、を備え、
前記チャックは、導体からなる基台部と、該基台部の前記被検査物側となる面上に設けられた１層の絶縁体とを有して構成されていることを特徴とするウエハプローバ。
【請求項３】
被検査物を載置するチャックと、
前記チャック上に載置された前記被検査物に接触させるプローブニードルと、を備え、
前記チャックは、前記被検査物を吸引吸着するための吸引孔が形成されているとともに、前記被検査物を載置する側の表層に絶縁体が設けられていることを特徴とするウエハプローバ。
【請求項４】
前記絶縁体は、セラミックスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のウエハプローバ。
【請求項５】
被検査物と該被検査物を載置するチャックとの間を絶縁体で隔てた状態で、前記被検査物にプローブニードルを接触させて、前記被検査物の高周波特性を測定することを特徴とする高周波特性の測定方法。
【請求項６】
前記被検査物は、弾性表面波デバイスであることを特徴とする請求項５に記載の高周波特性の測定方法。
【請求項７】
前記チャックは、前記被検査物を吸引吸着するための吸引孔を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の高周波特性の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハプローバ及び高周波特性の測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、セラミックス基板上に導体層が形成されてなる真空チャックを有するウエハプローバが記載されている。このウエハプローバは、チャックに設けられた吸引孔を介して被検査物をチャックに対して吸引吸着させている。
【０００３】
一方、特許文献２には、静電チャックが開示されている。この静電チャックは、サセプタ上に設けられ複数の絶縁膜が重ね合わされてなる静電チャックシートと、静電チャックシートに埋設された電極板とを備えている。この静電チャックにおいては、静電チャックの絶縁膜上に被検査物を載置した状態で、被検査物と電極板との間に電圧を印加することにより、被検査物及び絶縁膜それぞれの表面に正負の電荷を帯電させ、正負の電荷の静電作用により被検査物をチャックに対して静電吸着させている。
【特許文献１】特開２００１−３３４８４号公報
【特許文献２】特開平６−２０４３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたウエハプローバにおいては、半導体ウエハ等の被検査物の高周波特性を測定する際に、被検査物に接触させるプローブニードルとチャック表面との間に寄生容量が生じる。チャックには、吸引吸着のための吸引孔、及び被検査物を下から突き上げて支持する支持ピンを収容するための貫通孔等が形成されているため、チャックの表面状態は必ずしも平坦ではない。すると、チャックにおいて、吸引孔又は貫通孔等が形成されている部分における寄生容量は、他の平坦な部分における寄生容量と大きさが異なってしまう。そのため、特許文献１に記載されたウエハプローバにおいては、このようなチャックの表面状態による寄生容量の変化が測定しようとする高周波特性に影響を及ぼすために、高周波特性の高精度な測定が妨げられてしまうという問題がある。
【０００５】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、従来のウエハプローバにおける電界分布の様子を示す模式図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）において、チャック１００上に載置された被検査物９０の電極９２に対して、プローブニードルＧ，Ｓを接触させて被検査物９０の電気的特性を測定している。ここで、チャック１００は、全体が金属によって形成されたチャックである。また、プローブニードルＧはグランド用のニードルであり、プローブニードルＳはシグナル用のニードルである。電気力線を図中に破線で示している。この図から、一部の電気力線は、チャック１００の表面に達しており、チャック１００の表面状態の影響を受けることがわかる。ＧＳＧタイプ及びＧＳタイプ共に、電気力線がチャック１００の表面に達するためチャック１００の影響を受けやすいが、特に図１２（ｂ）に示すＧＳタイプでは、図１２（ａ）に示すＧＳＧタイプに比して、多くの電気力線がチャック１００の表面に達するため、よりチャック１００の表面状態の影響を受けやすい。近年、デバイスの小型化に伴いＧＳＧタイプで測定することが難しくなっており、ＧＳタイプで測定することが多くなっている。
【０００６】
また、近年では、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスが高周波域で使用されるようになりつつあり、それに伴い、ＳＡＷデバイスの高周波特性を高精度で測定できるウエハプローバの必要性が高まっている。ＳＡＷデバイスにおいては、ＳＡＷを発生させるために、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）又はＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）等の圧電基板が用いられる。しかしながら、これらの圧電基板は誘電率が高いため、被検査物とした場合、プローブニードルとチャック表面との間に発生する寄生容量が特に大きくなり、それゆえ上述したチャックの表面状態による寄生成分の変化も大きくなる。そのため、特許文献１のウエハプローバでは、圧電基板を被検査物とした場合に、高周波特性の高精度な測定が特に困難となってしまう。
【０００７】
一方、特許文献２に記載された静電チャックにおいては、被検査物を静電チャックに対して吸着させるために静電気を発生させる必要がある。それゆえ、被検査物の高周波特性を測定しようとしても、プローブニードルとサセプタとの間の寄生容量が非常に大きくなってしまうため、高周波特性の高精度な測定は困難である。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができるウエハプローバ及び高周波特性の測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明によるウエハプローバは、被検査物を載置するチャックと、チャック上に載置された被検査物に接触させるプローブニードルと、を備え、チャックは、全体が絶縁体によって形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明によるウエハプローバは、被検査物を載置するチャックと、チャック上に載置された被検査物に接触させるプローブニードルと、を備え、チャックは、導体からなる基台部と、該基台部の被検査物側となる面上に設けられた１層の絶縁体とを有して構成されていることを特徴としてもよい。
【００１１】
本発明によるウエハプローバは、被検査物を載置するチャックと、チャック上に載置された被検査物に接触させるプローブニードルと、を備え、チャックは、被検査物を吸引吸着するための吸引孔が形成されているとともに、被検査物を載置する側の表層に絶縁体が設けられていることを特徴としてもよい。
【００１２】
これらのウエハプローバにおいては、チャックにおける被検査物を載置する側の少なくとも表層に絶縁体が設けられている。これにより、その絶縁体による容量が被検査物による容量と直列に接続されることとなるため、プローブニードルとチャックとの間の寄生容量が全体として小さくなる。したがって、チャックの表面状態による寄生容量の変化も小さくなる。このため、これらのウエハプローバによれば、寄生容量の変化が被検査物の高周波特性に及ぼす影響が小さいため、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができる。
【００１３】
絶縁体は、セラミックスであることが好適である。この場合、セラミックスは剛性が高いため、チャックの機械的強度を向上させることができる。
【００１４】
また、上記課題を解決するために、本発明による高周波特性の測定方法は、被検査物と該被検査物を載置するチャックとの間を絶縁体で隔てた状態で、被検査物にプローブニードルを接触させて、被検査物の高周波特性を測定することを特徴とする。
【００１５】
この測定方法においては、被検査物とチャックとの間を絶縁体で隔てた状態で、高周波特性の測定を行っている。これにより、その絶縁体による容量が被検査物による容量と直列に接続されることとなるため、プローブニードルとチャックとの間の寄生容量が全体として小さくなる。したがって、チャックの表面状態による寄生容量の変化も小さくなる。このため、この測定方法によれば、寄生容量の変化が被検査物の高周波特性に及ぼす影響が小さいため、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができる。
【００１６】
被検査物は、弾性表面波デバイスであることが好適である。上記測定方法によれば、誘電率の高い圧電基板を備える弾性表面波デバイスを被検査物とした場合であっても、寄生容量の変化が被検査物の高周波特性に及ぼす影響が小さいため、弾性表面波デバイスの高周波特性を高精度に測定することが可能である。
【００１７】
高周波特性の測定方法において、チャックは、被検査物を吸引吸着するための吸引孔を有することが好適である。この場合、高周波特性の測定中に、被検査物をチャックに対して強固に固定しておくことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができるウエハプローバ及び高周波特性の測定方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面とともに本発明によるウエハプローバ及び高周波特性の測定方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２０】
図１は、本発明によるウエハプローバの一実施形態を模式的に示す断面図である。ウエハプローバ１は、被検査物９０の高周波特性等の電気的特性を測定するものであり、主として、被検査物９０を載置するチャック１０及びこれに対向配置されたプローブカード２０を備えている。被検査物９０としは、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス用のウエハや、半導体ウエハ等が挙げられる。
【００２１】
チャック１０は、載置された被検査物９０を吸引して吸着することにより、被検査物９０をチャック１０に対して固定する。チャック１０は、基台部１２と表層部１４とから構成されている。図２には、チャック１０の斜視図を示している。図２からわかるように、チャック１０は円柱状をしている。また、図１は、図２のＩ−Ｉ線に沿った断面を示している。
【００２２】
基台部１２は、金属等の導体からなっている。基台部１２には、被検査物９０を吸引吸着するための吸引孔１６が複数形成されている。吸引孔１６の端部のうち、基台部１２の底面Ｓ１（チャック１０の底面と共通）側の一端から図示を省略するポンプ等で吸引することにより（図１中、白抜き矢印で示す）、吸引孔１６内部を低圧状態あるいは真空状態とし、吸引孔１６の他端において被検査物９０を吸着することができる。吸引孔１６は、図２に示すように、チャック１０表面Ｓ２の全体に渡って散在している。吸引孔１６は、チャック１０の表面Ｓ２における中心部付近において比較的密に形成されており、縁部付近において比較的疎に形成されている。また、基台部１２には、３つの貫通孔１８が形成されている。３つの貫通孔１８は、チャック１０の表面Ｓ２の中心を重心とする正三角形の各頂点に略一致する位置に形成されている。各貫通孔１８の内部には、支持ピン１９が収容されている。支持ピン１９は、貫通孔１８の軸方向に沿って可動に設けられており、必要に応じて、その先端部１９ａをチャック１０の表面Ｓ２から突出させた状態で被検査物９０を支持する。これにより、例えば、半導体製造工程において、チャック１０と搬送機との間で被検査物９０の受け渡しをすることができる。
【００２３】
表層部１４は、基台部１２の被検査物９０側となる面Ｓ３上に設けられている。表層部１４は、例えば絶縁性フィルムやセラミックス等の絶縁体からなっている。これにより、チャック１０は、被検査物９０の吸着面となる表面Ｓ２側の表層に、絶縁体が設けられた構造となっている。本実施形態において、表層部１４は、吸引孔１６及び貫通孔１８の部分を除いて、基台部１２の略全面を覆っている。また、基台部１２上において表層部１４の厚さは略一様である。表層部１４として絶縁性のフィルムを用いた場合、絶縁性フィルムの厚みは厚い方が望ましく、必要に応じて複数枚の絶縁性フィルムを重ねて表層部１４を構成してもよい。また、絶縁性フィルムにおける基台部１２の吸引孔１６及び貫通孔１８に対応する部分は、くり抜く等して開口を形成することにより、吸引孔１６及び貫通孔１８がチャック１０の表面Ｓ２に露出するようにする。
【００２４】
プローブカード２０は、基板２２と、これに保持された複数のプローブニードル２４とを有している。プローブカード２０は、プローブニードル２４を被検査物９０に接触させた状態で、電気的特性を測定するために必要な信号を被検査物９０に入力する。例えば、被検査物９０がＳＡＷデバイスの場合であれば、そのＩＤＴ電極にプローブニードル２４を接触させる。基板２２には、被検査物９０に入力する信号の信号源が接続されている。
【００２５】
チャック１０及びプローブカード２０は、駆動装置（図示せず）により、互いの位置関係が調整される。駆動装置により、例えば、チャック１０とプローブカード２０との間隔、或いはチャック１０の表面Ｓ２内方向におけるチャック１０とプローブカード２０との相対位置等を所望に調整することができる。駆動装置は、チャック１０を移動させることにより、プローブカード２０との位置関係を調整することが好ましいが、プローブカード２０を移動させてもよいし、或いはチャック１０とプローブカード２０の両方を移動させてもよい。なお、本実施形態においては、プローブニードル２４が備えられていればよく、プローブカード２０のようにカード状のものに限られず、種々の形状のプローブヘッドを利用することができる。
【００２６】
続いて、ウエハプローバ１の動作を説明し、併せて本発明による高周波特性の測定方法の一実施形態についても説明する。ここでは、ＳＡＷデバイスの製造工程において、ウエハ状態のＳＡＷデバイスの高周波特性を測定する場合を例にとる。まず、チャック１０は、その表面Ｓ２から支持ピン１９を突出させた状態でＳＡＷデバイスのウエハ（被検査物９０）を搬送機から受け取り、その後、支持ピン１９を降下させることにより、ウエハを表面Ｓ２上に載置する。また、チャック１０は、吸引孔１６から吸引することによりウエハを吸着する。次に、駆動装置によりチャック１０をプローブカード２０に向けてオーバードライブさせて、ウエハに形成された電極にプローブニードル２４を接触させる。この状態で、信号源からプローブニードル２４を介してウエハの電極に信号を入力して、ウエハの高周波特性を測定する。
【００２７】
次に、ウエハプローバ１及び本実施形態に係る高周波特性の測定方法の効果を説明する。ウエハプローバ１には、チャック１０の表面Ｓ２側の表層に絶縁体からなる表層部１４が設けられている。このため、被検査物９０とチャック１０との間を絶縁体で隔てた状態で、高周波特性の測定が行われる。これにより、その絶縁体による容量が被検査物９０による容量と直列に接続されることとなるため、プローブニードル２４とチャック１０との間の寄生容量が全体として小さくなる。したがって、チャック１０において、吸引孔１６及び貫通孔１８が形成されている部分における寄生容量と、他の部分における寄生容量との差も小さくなる。このため、ウエハプローバ１によれば、チャック１０の表面状態による寄生容量の変化が被検査物９０の高周波特性に及ぼす影響が小さいため、被検査物９０の高周波特性を高精度に測定することができる。
【００２８】
なお、「被検査物とチャックとの間を絶縁体で隔てた状態」には、上記実施形態に係る測定方法ようにチャックの表層に絶縁体が設けられている状態に加えて、被検査物とチャックとの間に絶縁体を挟んだ状態も含まれる。例えば、被検査物とチャックとの間に絶縁体を挟んだ状態の例としては、被検査物におけるチャックと対向する側の面に、絶縁性のダイシングテープ等を貼った状態が挙げられる。
【００２９】
また、ウエハに形成された電極にプローブニードル２４を接触させる方法としては、ウエハに形成されたＩＤＴ電極に接触させる方法、ＩＤＴ電極で構成されるフィルタの入出力部或いはこの入出力部の近傍にあるプローブ接触用電極に接触させる方法、及び上記入出力部に設けられたバンプに接触させる方法等がある。
【００３０】
また、ウエハプローバ１によれば、誘電率の高い圧電基板を備えるＳＡＷデバイスを被検査物とした場合であっても、寄生容量の変化が被検査物９０の高周波特性に及ぼす影響が小さいため、ＳＡＷデバイスの高周波特性を高精度に測定することができる。したがって、ウエハプローバ１は、ＳＡＷデバイスの高周波特性を高い精度で安定して測定することができるため、ＳＡＷデバイスの歩留まり向上に寄与する。
【００３１】
また、チャック１０には、吸引孔１６が形成されている。このため、被検査物９０の高周波特性の測定中に、被検査物９０をチャック１０に対して吸引吸着により強固に固定しておくことができる。また、このように、ウエハプローバ１は、いわゆる真空チャックを用いているため、静電チャックを用いる場合と異なり、被検査物をチャックに吸着させるために静電気を発生させる必要がない。したがって、ウエハプローバ１においては、静電気の発生により、プローブニードルとチャックとの間の寄生容量が非常に大きくなってしまうという問題が生じない。なお、吸引孔９０を設けず、静電吸着型のチャックにしてもよいが、寄生容量を低減するためには吸引吸着型にすることが好適である。
【００３２】
また、チャック１０は、金属等の導体からなる基台部１２と、絶縁体からなる表層部１４とから構成されている。このため、チャック１０は、例えば、既存の金属製のチャックの表面に絶縁性フィルム等の絶縁体を設けることにより作製することができる。このため、チャック１０、ひいてはウエハプローバ１を容易に製造することができる。
【００３３】
また、基台部１２上に設ける絶縁体を１層だけとした場合、２層以上の絶縁体を形成する場合に比して、チャック１０及びウエハプローバ１の製造が容易となる。
【００３４】
また、表層部１４の絶縁体としてセラミックスを用いた場合、セラミックスは剛性が高いため、チャック１０の機械的強度を向上させることができる。
【００３５】
また、チャック１０には、貫通孔１８に収容されて支持ピン１９が設けられている。このため、搬送機等との間で被検査物９０の受け渡しをスムーズに行うことができる。なお、チャック１０に支持ピン１９及び貫通孔１８を形成することは必須ではない。
【００３６】
次に、図３〜図７を参照して、本発明の変形例を説明する。まず、図３を参照して、第１の変形例を説明する。本例においてチャック１０ａは、基台部１２と、基台部１２の面Ｓ３上に設けられた表層部１４ａ，１４ｂとから構成されている。表層部１４ａ，１４ｂは、絶縁体からなる。２つの表層部１４ａ，１４ｂとしては、同一の絶縁性材料が用いられていてもよいし、相異なる絶縁性材料が用いられていてもよい。
【００３７】
本例においては、２層の絶縁体（表層部１４ａ，１４ｂ）を設けることにより、チャック１０ａにおける絶縁体部分の厚さを増大させ、それにより寄生容量を一層低く抑えている。したがって、チャック１０ａを備えるウエハプローバによれば、被検査物の高周波特性を特に高精度に測定することができる。なお、本変形例においては、絶縁体からなる表層部を２層設けた例を示したが、表層部は２層に限らず３層以上設けてもよい。
【００３８】
図４を参照して、第２の変形例を説明する。本例においてチャック１０ｂは、絶縁体からなる基台部１３のみから構成されている。したがって、チャック１０は、被検査物を載置する側の表層を含めて全体が絶縁体によって形成されている。基台部１３の絶縁体としては、例えばセラミックスを用いることができる。
【００３９】
チャック１０ｂを備えるウエハプローバによれば、絶縁体（基台部１３）の容量が被検査物の容量と直列に接続されるため、図１のチャック１０と同様に、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができる。さらに、チャック１０ｂは、単層の絶縁体のみから構成することができるため、容易に製造することができる。なお、本例の如く、チャックの全体が絶縁体からなる態様も、「チャックの表層に絶縁体が設けられている」という態様に含まれる。
【００４０】
図５を参照して、第３の変形例を説明する。本例においてチャック１０ｃは、図１のチャック１０と同様に、導体からなる基台部１２と、これを覆う絶縁体からなる表層部１４とから構成されている。チャック１０ｃにおいては、表層部１４が基台部１２よりも厚く形成されている。かかる構成のチャック１０ｃを備えるウエハプローバによっても、図１のチャック１０と同様に、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができる。
【００４１】
図６を参照して、第４の変形例を説明する。本例においてチャック１０ｄは、図１のチャック１０と同様に、基台部１２と、これを覆う表層部１４とから構成されている。チャック１０ｄにおいては、表層部１４が、基台部１２上の一部にのみ設けられている。ただし、表層部１４は、基台部１２のうち少なくとも被検査物９０が載置される部分を覆っていることが好ましい。かかる構成のチャック１０ｄを備えるウエハプローバによっても、図１のチャック１０と同様に、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができる。なお、本例の如く、表層部１４が基台部１２上の一部にのみ設けられている態様も、「チャックの表層に絶縁体が設けられている」という態様に含まれる。
【００４２】
図７を参照して、第５の変形例を説明する。本例においてチャック１０ｅは、基台部１２と表層部１４とから構成されている。表層部１４がチャック１０ｅにおける被検査物を載置する側の表層に設けられている点は図１のチャック１０と同様であるが、基台部１２の表面に形成された溝（窪み）１２ａに表層部１４が嵌め込まれている点でチャック１０ｅはチャック１０と相違している。かかる構成のチャック１０ｅを備えるウエハプローバによっても、図１のチャック１０と同様に、被検査物の高周波特性を高精度に測定することができる。
【００４３】
次に、図８〜図１１を参照して、本発明の効果を確認するために行った実験結果を説明する。本実験においては、ＳＡＷデバイスを被検査物としており、高周波特性としてそのフィルタ特性を測定した。まず、図８（ａ）及び図８（ｂ）は、ＳＡＷデバイスの周波数特性の測定結果を示すグラフである。グラフの縦軸は損失（ｄＢ）を表し、横軸は周波数（ＭＨｚ）を表している。図８（ａ）は、全体が金属によって形成されている従来のチャックを備えるウエハプローバを用いたときの測定結果を示している。一方、図８（ｂ）は、その従来のチャックを基台部として、その上に絶縁性のフィルム（ダイシングテープ）を貼り付けることにより構成したチャックを備える本発明によるウエハプローバを用いたときの測定結果を示している。なお、本実験では複数の被検査物を測定対象としたことに対応して、各グラフ中には複数の曲線が示されている。
【００４４】
これらのグラフからわかるように、本実験で用いたＳＡＷデバイスは、概ね２１５０〜２２５０ＭＨｚにバンドパスフィルタとしての通過帯域を有している。また、図８（ａ）のグラフを見ると、特に２１００ＭＨｚ以下の周波数領域において、周波数特性が不安定になっている。これは、チャックがその表層部を含めて金属によって形成されているために、チャックの表面状態による寄生容量の変化が大きくなり、それが測定結果に影響したからであると考えられる。一方、図８（ｂ）では、図８（ａ）に比して周波数特性が安定している。これは、チャックの表層部に設けられた絶縁性フィルムが寄生容量を低減したことにより、チャックの表面状態による寄生容量の変化が測定結果に与える影響が緩和されたからであると考えられる。
【００４５】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、それぞれＳＡＷデバイスの最小挿入損失（ｄＢ）、中心周波数（ＭＨｚ）、及び帯域幅（ＭＨｚ）を測定した結果を示している。グラフの横軸は、ウエハ上におけるウエハから切り出す前の一次元的なチップ配置、すなわち何個目のチップに対応する位置であるのかを表している。各グラフにおいて、折線Ｃ１は、図８（ａ）と同様に、従来の金属製チャックを用いた場合の結果を示す。一方で、折線Ｃ２及び折線Ｃ３は、本発明によるチャックを用いた場合の結果を示しており、折線Ｃ２では、図８（ｂ）と同様に、従来の金属製チャック上に絶縁性フィルムを貼り付けた構成のチャックを用い、折線Ｃ３では、全体が絶縁性のセラミックスによって形成されたチャックを用いている。なお、ウエハ内にはウエハから切り出す前のチップが二次元的に配列されるが、測定は複数の列を対象とした（各列における一次元的なチップ配置をグラフの横軸としている）ことに対応して、折線Ｃ１〜Ｃ３のそれぞれに相当する折線が複数示されている。
【００４６】
各グラフを見ると、従来の金属製チャックを用いた場合（折線Ｃ１）、チップによって縦軸の値が大きく異なっている。特に、１８〜２６個目のチップに対応する位置では、他の位置に対する値の相違が顕著となっている。これは、この位置が、チャックに形成された支持ピンを収容するための貫通孔の位置と一致しており、寄生容量の変化の影響が測定結果に現れたからであると考えられる。また、折線同士の関係（つまり測定した列同士の関係）を見ても、列が異なると対応する位置におけるチャックの表面状態も異なることに起因して特性が様々に変化している。一方で、本発明によるチャックを用いた場合（折線Ｃ２，Ｃ３）は、チップ間で縦軸の値が略一致している。また、測定した列が異なっていても、値のばらつきが小さい。これは、チャックを構成する絶縁体が寄生容量を低減したことにより、チャックの表面状態による寄生容量の変化が測定結果に与える影響が緩和されたからであると考えられる。また、各グラフにおいて、折線Ｃ２と折線Ｃ３とを比べると、全体が絶縁体によって形成されたチャックの方が、表層にのみ絶縁体が設けられたチャックよりも寄生容量の変化の影響を緩和する効果が高いことがわかる。
【００４７】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、ＳＡＷデバイスのウエハ面内における最小挿入損失（ｄＢ）の分布を測定した結果を示すグラフである。グラフの高さ方向の軸は最小挿入損失（ｄＢ）を表し、それに垂直な２軸はウエハ面内における二次元的なチップ配置を表している。図１０（ａ）は、図８（ａ）と同様に、従来の金属製チャックを用いた場合の結果を示している。一方、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、従来の金属製チャック上に絶縁性フィルムを貼り付けた構成のチャックを用いた場合の結果を示しており、前者ではフィルムを２枚貼り付け、後者では４枚貼り付けた。なお、ここで用いたチャックは何れも、上述の吸引孔は形成されておらず、貫通孔のみが形成されている。
【００４８】
図１０（ａ）においては、グラフが突出した部分が３箇所見られる。これは、チャックにおける上述の貫通孔の形成位置に対応する部分で寄生容量が変化し、その影響が測定結果に現れたからであると考えられる。一方で、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）のグラフでは、ウエハの位置によらず、最小挿入損失が略一定の値をとっている。これは、絶縁性フィルムが寄生容量を低減したことにより、チャックの表面状態による寄生容量の変化が測定結果に与える影響が緩和されたからであると考えられる。
【００４９】
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、ＳＡＷデバイスのウエハ面内における最小挿入損失（ｄＢ）の分布を測定した結果を示すグラフである。グラフの各軸は、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）と同様である。図１１（ａ）は、図１０（ａ）と同様に、従来の金属製チャックを用いた場合、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）は、それぞれ従来の金属製チャック上に絶縁性フィルムを１枚及び４枚貼り付けた場合の結果を示している。なお、ここで用いたチャックは何れも、上述の貫通孔が形成されておらず、吸引孔のみが形成されている。
【００５０】
図１１（ａ）においては、グラフの中心部が盛り上がっている。これは、チャックにおける上述の吸引孔の形成位置に対応する部分で寄生容量が変化し、その影響が測定結果に現れてからであると考えられる。一方で、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）では、グラフ全体が略平坦である。これは、絶縁性フィルムが寄生容量を低減したことにより、チャックの表面状態による寄生容量の変化が測定結果に与える影響が緩和されたからであると考えられる。また、絶縁性フィルムを４枚設けた図１１（ｃ）のグラフの方が、絶縁性フィルムが１枚の図１１（ｂ）に比してより平坦性が高いことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明によるウエハプローバの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】図１のチャック１０を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の変形例を説明するための図である。
【図４】本発明の第２の変形例を説明するための図である。
【図５】本発明の第３の変形例を説明するための図である。
【図６】本発明の第４の変形例を説明するための図である。
【図７】本発明の第５の変形例を説明するための図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の効果を確認するために行った実験結果を説明するための図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の効果を確認するために行った実験結果を説明するための図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の効果を確認するために行った実験結果を説明するための図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の効果を確認するために行った実験結果を説明するための図である。
【図１２】従来のウエハプローバにおける電界分布の様子を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…ウエハプローバ、１０…チャック、１２…基台部、１４…表層部、１６…吸引孔、１８…貫通孔、１９…支持ピン、２０…プローブカード、２２…基板、２４…プローブニードル、２６…孔部、２８…コネクタ、２９…シールド板、９０…被検査物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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