(57)【要約】【課題】  十分な光量を確保することができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  液晶表示装置は、基板としてのガラス基板１と、ガラス基板１上に形成された下地導電体膜としての下地電極２０ａと、反射電極４と、透過電極３とを備える。反射電極４は、下地電極２０ａ上に、下地電極２０ａと電気的に接続するように形成されている。透過電極３は、ガラス基板１上において反射電極４が形成された領域以外の領域に位置する部分と、下地電極２０ａの一部（端部３７）に接触する部分（下地電極２０ａの端部３７の上部表面上に乗り上げた端部３８）を含む。【選択図】        図１
2005084248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下地導電体膜と、
前記下地導電体膜上に、前記下地導電体膜と電気的に接続するように形成された反射電極と、
前記基板上において前記反射電極が形成された領域以外の領域に位置する部分と、前記下地導電体膜の一部に電気的に接続する部分とを含む透過電極とを備える、液晶表示装置。
【請求項２】
前記下地導電体膜の前記一部は、前記下地導電体膜の端部に位置する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記透過電極において前記下地導電体膜の前記一部と電気的に接続する前記部分は、前記透過電極の端部に位置する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射電極と液晶を介して対向し、前記透過電極と同じ材料により構成される対向電極を備え、
前記透過電極は、前記反射電極の全体を覆うように形成されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記透過電極下に下地膜を備え、
前記透過電極は前記下地膜にセリウム水酸化物を介することなく接触するように形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記基板は、前記反射電極および前記透過電極が形成された表示画素領域と、端子領域とを含み、
前記端子領域において、前記基板上に形成され、前記下地導電体膜と同一レイヤにより構成される端子用下地導電体膜と、
前記端子用下地導電体膜上に形成され、前記透過電極と同一レイヤにより構成される端子電極とを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記端子電極はスズ添加酸化インジウムを含む、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記下地導電体膜は、クロムを主成分とする金属およびモリブデンを主成分とする金属の少なくともいずれか一方を含み、
前記反射電極は、アルミニウムおよび銀の少なくともいずれか一方を含み、
前記透過電極はスズ添加酸化インジウムを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
基板上に、クロムを主成分とする金属膜を形成する工程と、
前記クロムを主成分とする金属膜をウエットエッチングにより部分的に除去することにより前記基板の一部を露出させる加工工程と、
前記基板の露出した部分上に透明性導電体膜を形成する工程と、
前記透明性導電体膜をエッチングにより部分的に除去することにより、前記基板の一部を露出させる工程とを備え、
前記加工工程において用いられるエッチング液は、リン酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも１つを０．１規定以上含有する硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液であることを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、クロムを主成分とする金属膜を形成する工程と、
前記クロムを主成分とする金属膜をウエットエッチングにより部分的に除去することにより前記基板の一部を露出させる加工工程と、
前記基板の露出した部分上に透明性導電体膜を形成する工程と、
前記透明性導電体膜をエッチングにより部分的に除去することにより、前記基板の一部を露出させる工程とを備え、
前記加工工程において用いられるエッチング液は、過塩素酸を１０質量％以上含有する硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液であることを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
基板上に、クロムを主成分とする金属膜を形成する工程と、
前記クロムを主成分とする金属膜上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が存在する状態で、前記クロムを主成分とする金属膜を部分的に除去する加工工程と、
前記加工工程の後、前記マスク層が存在する状態で前記クロムを主成分とする金属膜が形成された基板の表面を洗浄する表面処理工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記表面処理工程では、燐酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも１つを含有する水溶液で前記基板の表面を洗浄する、請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記表面処理工程では、酸素を反応ガスとして用いたプラズマを前記基板の表面に接触させることにより前記基板の表面を洗浄する、請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記表面処理工程では、４フッ化炭素ガス、トリフルオロメタンガス、６フッ化硫黄ガスおよび塩素ガスからなる群から選択される少なくとも１つを反応ガスとして用いたプラズマを前記基板の表面に接触させることにより前記基板の表面を洗浄する、請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、より特定的には、反射電極と透過電極とを備えた半透過型の液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反射電極と透過電極とを備えた半透過型の液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００３】
特許文献１の図１２では、基板と、基板上に形成されて画素を調節する薄膜トランジスタと、トランジスタのソース領域に２つのコンタクトホールを有して形成される保護膜と、前記２つのコンタクトホールのうちの一方を通じてソース電極と直接に連結される透過電極と、前記２つのコンタクトホールのうちの他方を通じてソース電極と直接に連結される反射電極とを備えた半透過型の液晶表示装置（反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置）が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２の図１では、基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上の少なくとも一部に形成された反射電極と、層間絶縁膜および反射電極上に形成された透過電極とを備える半透過型の液晶表示装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２０１７６８号公報
【特許文献２】特開２００２−２２９０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１に開示された液晶表示装置では、２つのコンタクトホールを形成して、透過電極と反射電極とをそれぞれソース電極に接続しているため、コンタクトホールのための比較的広いスペースを準備する必要がある。つまり、液晶表示装置の表示画素領域において、コンタクトホールを形成するためのスペースについて制約が発生する。また、このようなコンタクトホールが形成された部分は、光を反射するための反射部として用いる場合に光の反射効率が低下するため、液晶表示装置において十分な光量を得られないという問題が発生し得る。なお、コンタクトホールが形成された部分はソース電極が存在するため光の透過部としても利用できない。
【０００６】
また、特許文献２に開示された液晶表示装置のように、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）膜からなる透過電極で反射電極を覆うようにした場合、透過電極が存在することにより反射電極での光の反射効率が低下する場合があった。
【０００７】
また、液晶表示装置を構成するトランジスタに電源電流や信号などを供給するため、基板上に端子電極を形成する場合がある。この端子電極が接続された基板上の配線を介して、トランジスタなどへ電源電流や信号が供給される。ここで、中小型液晶表示パネルに多い、低温ポリシリコントランジスタを用いた、駆動回路を内蔵するようなタイプの液晶表示装置では、電源ラインから相対的に大きな値の電流を、上記端子電極を介して供給する必要がある。このため、端子電極と基板上の配線との間の電気抵抗値（接続コンタクト抵抗値）はより低いことが望まれる。
【０００８】
また、近年、狭額縁の液晶表示パネルを実現するべく、直接ガラス基板上に集積回路（ＩＣ）を実装する方式も利用されてきている。このような方式においても、上記接続コンタクト抵抗値は低い値とすることが好ましい。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、十分な光量を確保することができる液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【００１０】
また、この発明の他の目的は、接続コンタクト抵抗値を十分低くすることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
液晶表示装置は、基板と、下地導電体膜と、反射電極と、透過電極とを備える。下地導電体膜は基板上に形成されている。反射電極は、下地導電体膜上に、下地導電体膜と電気的に接続するように形成されている。透過電極は、基板上において反射電極が形成された領域以外の領域に位置する部分と、下地導電体膜の一部に電気的に接続する部分を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、反射効率が良く十分な光量を確保できるとともに、透過電極や反射電極などの画素電極と下層の導電層などとの接続部について、接続コンタクト抵抗値を小さくすることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、本発明による液晶表示装置の実施の形態１を示す断面模式図である。図１を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態１を説明する。
【００１５】
図１に示すように、液晶表示装置は、半透過型の液晶表示装置であって、表示画素領域と端子領域とを備える。表示画素領域から端子領域にまで延在するガラス基板１上において、表示画素領域では薄膜電界効果トランジスタ２、蓄積容量１１、薄膜電界効果トランジスタ２上に位置する透過電極３および反射電極４が形成されている。透過電極３は、光を透過させることが可能な透明または半透明の導電体からなる電極である。また、反射電極４は、その表面で光を反射させることができるような、十分な反射率を備える導電体からなる電極である。また、端子領域においては、ガラス基板１上に実装接続用の端子電極５が形成されている。端子電極５は、薄膜電界効果トランジスタ２などに電源電流や信号を外部から供給するためのものである。
【００１６】
液晶表示装置の表示画素領域における構造をまず説明する。液晶表示装置の表示画素領域においては、ガラス基板１上に下地膜６が形成されている。下地膜６は、ガラス基板１の表面上に形成されたシリコン窒化膜５１と、このシリコン窒化膜５１上に形成されたシリコン酸化膜５２とから構成されている。この下地膜６上には、薄膜電界効果トランジスタ２のソース／ドレイン領域７ａ、７ｂと、このソース／ドレイン領域７ａ、７ｂの間に位置するチャネル領域８、さらに蓄積容量１１を構成する下部電極９が形成されている。ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ、チャネル領域８および下部電極９は、同一レイヤの半導体膜としてのポリシリコン膜により形成されている。
【００１７】
ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ、チャネル領域８および下部電極９上から下地膜６上にまで延在するように絶縁膜１０が形成されている。この絶縁膜１０は、チャネル領域８上に位置し薄膜電界効果トランジスタ２のゲート絶縁膜として作用する部分、および下部電極９上に位置し蓄積容量１１の誘電体膜として作用する部分を含む。
【００１８】
チャネル領域８上に位置する領域では、絶縁膜１０上にゲート電極１２が形成されている。また、下部電極９上に位置する領域においては、誘電体膜として作用する絶縁膜１０上に共通電極１３が形成されている。ゲート電極１２および共通電極１３は、同一レイヤの導電体膜により構成されている。ゲート電極１２と共通電極１３との上から絶縁膜１０上にまで延在するように、保護膜１４が形成されている。保護膜１４と絶縁膜１０との一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１５ａ〜１５ｃが形成されている。具体的には、下部電極９上であって共通電極１３から間隔を隔てた部分にコンタクトホール１５ａが形成されている。また、ソース／ドレイン領域７ａ上にコンタクトホール１５ｂが形成されている。また、ソース／ドレイン領域７ｂ上にコンタクトホール１５ｃが形成されている。
【００１９】
このコンタクトホール１５ａ〜１５ｃの内部から保護膜１４の上部表面上にまで延在するように、電極１６ａ〜１６ｃが形成されている。電極１６ａは、具体的にはコンタクトホール１５ａの内部から保護膜１４の上部表面上にまで延在するモリブデン（Ｍｏ）膜５３、Ｍｏ膜５３上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）系合金膜５４、およびアルミニウム系合金膜５４上に形成されたモリブデン（Ｍｏ）膜５５により構成されている。また、電極１６ｂ、１６ｃも、電極１６ａと同様の構造を備えている。ここで、アルミニウム系合金膜５４は、アルミニウムを主成分とする合金膜である。
【００２０】
電極１６ａ〜１６ｃ上から保護膜１４上にまで延在するように絶縁膜１７が形成されている。また、絶縁膜１７上には有機絶縁膜１８が形成されている。有機絶縁膜１８および絶縁膜１７を部分的にエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ａが形成されている。コンタクトホール１９ａの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように、下地電極２０ａと、この下地電極２０ａ上に形成され、画素電極を構成する反射電極４が配置されている。コンタクトホール１９ａの内部において、下地電極２０ａは電極１６ｃと電気的に接続されている。また、反射電極４は下地電極２０ａと電気的に接続されている。
【００２１】
下地電極２０ａはクロム（Ｃｒ）などの金属からなる。なお、下地電極２０ａの材料としては、クロムを主成分とする金属膜、または後述するモリブデンを主成分とする金属膜を用いることができる。クロムを主成分とする金属膜とは、クロム膜およびクロムを主成分とし、他の成分も含む合金膜を包含するものである。また、モリブデンを主成分とする金属膜とは、モリブデン膜およびモリブデンを主成分として他の成分も含む合金膜を包含するものである。
【００２２】
反射電極４は、反射率の高い材料であるアルミニウム系合金により構成される。また、反射電極４を構成する材料としては、アルミニウムを主成分とする金属膜および銀を主成分とする金属膜を用いることができる。アルミニウムを主成分とする金属膜とは、アルミニウム膜およびアルミニウムを主成分として他の成分を含む合金膜を包含する。また、銀を主成分とする金属膜とは、銀膜および銀を主成分として他の成分を含む合金膜を包含する。
【００２３】
また、表示画素領域において、蓄積容量１１および薄膜電界効果トランジスタ２が形成されていない領域に、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７の一部をエッチングにより除去することによりコンタクトホール１９ｂが形成されている。なお、下地電極２０ａは、コンタクトホール１９ｂの内部にまでは延在していない。すなわち、下地電極２０ａには、コンタクトホール１９ｂが形成された部分の有機絶縁膜１８を露出させるような開口部２２が形成されている。そして、この開口部２２の内部においてコンタクトホール１９ｂの内壁上から下地電極２０ａおよび反射電極４の端部上にまで延在するように透明性導電材料からなる透過電極３が形成されている。透過電極３を構成する材料として、たとえばスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）膜を用いることができる。下地電極２０ａのコンタクトホール１９ｂ側に位置する側面３６の位置は、反射電極４の側面３５の位置よりもコンタクトホール１９ｂ側にずれた位置に配置されている（下地電極２０ａの端部３７は、反射電極４の側面３５の位置よりも突出した状態となっている）。このため、透過電極３は下地電極２０ａと接触することにより、電気的に接続された状態となっている。また、ガラス基板１の表示画素領域においては、反射電極４および透過電極３上を覆うように配向膜２８ａが形成されている。
【００２４】
ここで、電極１６ｃには下地電極２０ａが直接接続されている。電極１６ｃはソース／ドレイン領域７ｂと電気的に接続されている。そして、電極１６ｃから下地電極２０ａを介して反射電極４および透過電極３に電荷が供給される。
【００２５】
なお、反射電極４を構成するアルミニウム系合金と、透過電極３を構成するＩＴＯとは、直接接合した場合、その接合部に高抵抗のアルミニウム酸化物が生成する。そのため、アルミニウム系合金とＩＴＯとを直接接続することによって電気的な導通を図ることは困難である。このため、アルミニウム系合金からなる反射電極４とＩＴＯからなる透過電極３との両方と電気的導通を図ることが可能な材料により構成された下地電極２０ａを配置している。この下地電極２０ａの材料としてはクロム（Ｃｒ）膜を用いることができる。また、下地電極２０ａを構成するＣｒ膜は有機絶縁膜１８および絶縁膜１７に形成されたコンタクトホール１９ａを介して、安定して下層の電極１６ｃと電気的抵抗の低い接続部を形成できる。
【００２６】
ガラス基板１上の表示画素領域以外の領域である端子領域においては、液晶表示装置へ電源電流などを供給する、あるいは外部の駆動ＩＣなどを接続するための端子電極５が形成されている。具体的には、端子領域において、ガラス基板１上に、シリコン窒化膜５１およびシリコン酸化膜５２からなる下地膜６上に位置する絶縁膜１０、絶縁膜１０上に位置する保護膜１４、保護膜１４上に位置する絶縁膜１７、絶縁膜１７上に位置する有機絶縁膜１８が形成されている。上述したそれぞれの膜は、基本的に表示画素領域から延在するように形成されている。
【００２７】
また、保護膜１４と絶縁膜１７との間には、配線２１が形成されている。配線２１は、基本的に表示画素領域における電極１６ａ〜１６ｃと同一レイヤからなり、電極１６ａ〜１６ｃと同様の構造を有する。すなわち、配線２１は、保護膜１４上に形成されたモリブデン膜５３、モリブデン膜５３上に形成されたアルミニウム系合金膜５４、アルミニウム系合金膜５４上に形成されたモリブデン膜５５とからなる。
【００２８】
絶縁膜１７は、配線２１上から保護膜１４上にまで延在するように配置されている。配線２１上においては、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７の一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ｃが形成されている。コンタクトホール１９ｃの底部においては、配線２１の上部表面が露出した状態となっている。そして、コンタクトホール１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように、下地電極２０ｂが形成されている。下地電極２０ｂは、表示画素領域における下地電極２０ａと同一レイヤからなり、たとえばクロム膜により構成される。下地電極２０ｂ上には、端子電極５が形成されている。端子電極５は、透過電極３と同一レイヤにより構成されていてもよい。ここでは、端子電極５は透過電極３を構成する材料と同じ材料であるＩＴＯにより構成されている。下地電極２０ｂは、コンタクトホール１９ｃの内部において配線２１の上部表面上と直接接続されている。また、端子電極５は、下地電極２０ｂの上部表面の少なくとも一部を覆った状態で配置されている。
【００２９】
ガラス基板１において上述した反射電極４などが形成された面と対向するように、対向ガラス基板２５が配置されている。対向ガラス基板２５においてガラス基板１と対向する面上にはカラーフィルタ２３が形成されている。カラーフィルタ２３においてガラス基板１と対向する面上には対向電極２４が形成されている。対向電極２４においてガラス基板１と対向する面上には配向膜２８ｂが形成されている。そして、このようなカラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂが形成された対向ガラス基板２５と、反射電極４、透過電極３、端子電極５および配向膜２８ａなどが形成されたガラス基板１とは、シール剤２６を介して対向するように貼り合わされている。配向膜２８ａ、２８ｂおよびシール剤２６により囲まれた領域には液晶２７が注入封止されている。なお、対向ガラス基板２５は、ガラス基板１の表示画素領域を覆うような形状となっている。
【００３０】
次に、図２〜図１６を参照して、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。図２〜図１６は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【００３１】
まず、ガラス基板１（図２参照）を準備する。このガラス基板１上に、一般的な方法を用いて下地膜６を形成する。具体的には、たとえばＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いてシリコン窒化膜５１（図２参照）およびシリコン酸化膜５２（図２参照）を形成する。下地膜６としては、このようなシリコン窒化膜５１およびシリコン酸化膜５２からなる２層膜を用いることができるが、他の構造の膜を用いてもよい。
【００３２】
次に、この下地膜６上に連続的にアモルファスシリコン膜を形成する。そして、エキシマレーザ装置を用いて、薄膜電界効果トランジスタ２（図１参照）のチャネル領域８およびソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ（図１参照）および蓄積容量１１の下部電極９（図１参照）となるべきアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射することにより、熱処理を実施する。この結果、アモルファスシリコン膜が結晶化することによりポリシリコン膜が形成される。
【００３３】
このポリシリコン膜上に写真製版加工工程によりパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングによりポリシリコン膜を部分的に除去することにより、ポリシリコン膜２９ａ、２９ｂ（図２参照）を形成する。この後レジスト膜を除去する。そして、ポリシリコン膜２９ａ、２９ｂ上から下地膜６上にまで延在するように、絶縁膜１０（図２参照）を形成する。この絶縁膜１０は、ポリシリコン膜２９ｂ上に位置する部分が薄膜電界効果トランジスタ２（図１参照）のゲート絶縁膜として作用し、ポリシリコン膜２９ａ上に位置する部分が蓄積容量１１（図１参照）の誘電体膜として作用する。絶縁膜１０を構成する材料としては、たとえばＰＥＣＶＤ法を用いて形成したＴＥＯＳ（Tetra Ethoxy Silane）シリコン酸化膜を用いることができる。このようにして、図２に示すような構造を得る。
【００３４】
次に、ポリシリコン膜２９ａ（図２参照）にリン（Ｐ）イオンを選択的に注入する。この結果、蓄積容量１１（図１参照）の下部電極９（図３参照）を形成できる。なお、ここでリンイオンを選択的に注入する方法としては、たとえば絶縁膜１０上に、ポリシリコン膜２９ａ上において開口パターンを有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてリンイオンをポリシリコン膜２９ａに注入するといった方法を用いることができる。
【００３５】
次に、絶縁膜１０上にスパッタリング法を用いてクロム膜（図示せず）を形成する。このクロム膜上に写真製版加工工程を用いてパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとしてクロム膜をエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、クロム膜からなるゲート電極１２（図３参照）および共通電極１３（図３参照）を得ることができる。その後、ｎ型の導電性不純物をポリシリコン膜２９ｂに注入することにより、ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ（図３参照）を形成する。このとき、ゲート電極１２がｎ型の導電性不純物を注入する際のマスクとして作用する。ｎ型の導電性不純物としてはたとえばリンイオンを用いることができる。また、ゲート電極１２下に位置するポリシリコン膜２９ｂの部分は、リンイオンが注入されず、チャネル領域８（図３参照）となる。この結果、図３に示すように、ｎ型の薄膜電界効果トランジスタ２および蓄積容量１１を形成することができる。
【００３６】
次に、ゲート電極１２、共通電極１３上から絶縁膜１０上にまで延在するように保護膜１４（図４参照）を形成する。このようにして、図４に示すような構造を得る。ここで、保護膜１４としては、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成されたＴＥＯＳシリコン酸化膜を用いることができる（ＴＥＯＳ  ＰＥＣＶＤを用いて形成されたシリコン酸化膜を用いることができる）。
【００３７】
この後、ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂなどに注入された導電性不純物を活性化するための活性化アニール処理を行なう。この活性化アニール処理における加熱温度はたとえば４００℃という値を用いることができる。
【００３８】
次に、保護膜１４上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、保護膜１４および絶縁膜１０を部分的にエッチングにより除去する。このようにして、コンタクトホール１５ａ〜１５ｃ（図５参照）を形成する。このコンタクトホール１５ａ〜１５ｃの内部から保護膜１４の上部表面上にまで延在するように、スパッタリング法を用いてモリブデン（Ｍｏ）膜を形成する。このモリブデン膜上にスパッタリング法を用いてアルミニウム系合金膜を形成する。このアルミニウム系合金膜上にスパッタリング法を用いてモリブデン膜を形成する。
【００３９】
このようにして形成された３層からなる金属膜上に、パターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして３層からなる金属膜を部分的にエッチングにより除去することにより、電極１６ａ〜１６ｃおよび配線２１（図５参照）を形成する。その後レジスト膜を除去する。この結果、図５に示すような構造を得る。図５からもわかるように、電極１６ａ〜１６ｃおよび配線２１は、それぞれ保護膜１４側からモリブデン膜５３、アルミニウム系合金膜５４およびモリブデン膜５５が順次積層された３層構造の積層体（３層膜）からなる。
【００４０】
この後、水素プラズマを用いてチャネル領域８の水素化を行なう。このようにして、薄膜電界効果トランジスタ２（図１参照）の特性の向上および安定化を図る。そして、電極１６ａ〜１６ｃ、配線２１上から保護膜１４上にまで延在するように絶縁膜１７（図６参照）を形成する。この絶縁膜１７としては、たとえばシリコン窒化膜を用いることができる。
【００４１】
次に、絶縁膜１７上に有機絶縁膜１８（図６参照）を形成する。この有機絶縁膜１８上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７を部分的にエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ａ〜１９ｃを形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図６に示すような構造を得る。
【００４２】
図６からもわかるように、コンタクトホール１９ａは電極１６ｃ上に形成され、コンタクトホール１９ａの底部においては電極１６ｃの上部表面の一部が露出している。また、コンタクトホール１９ｃは配線２１上に形成され、コンタクトホール１９ｃの底部において配線２１の上部表面が部分的に露出している。
【００４３】
この後、以下の工程に従って半透過パネル用の画素電極と端子電極とを形成する。具体的には、まず図７に示すように、クロム（Ｃｒ）膜５６とアルミニウム（Ａｌ）系合金膜５７とをスパッタリング法を用いて連続的に形成する。ここで、クロム膜５６の膜厚は、たとえば５０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。
【００４４】
次に、図８に示すように、反射電極４（図１参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８を１回目の写真製版加工により形成する。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、アルミニウム系合金膜５７を部分的にエッチングにより除去することにより、反射電極４（図９参照）を形成する。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図９に示すような構造を得る。
【００４５】
次に、２回目の写真製版加工により、有機絶縁膜１８においてコンタクトホール１９ｂが形成された部分を露出させる開口部２２（図１１参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８（図１０参照）を形成する。この結果、図１０に示すような構造を得る。
【００４６】
そして、この図１０に示したレジスト膜５８をマスクとして用いて、エッチングによりクロム膜５６を部分的に除去することにより、クロム膜５６における開口部２２（図１１参照）を形成する。その後レジスト膜５８（図１０参照）を除去する。この結果、図１１に示すような構造を得る。
【００４７】
次に、スパッタリング法を用いて、反射電極４上からクロム膜５６および有機絶縁膜１８のコンタクトホール１９ｂ内部にまで延在するアモルファス状態のＩＴＯ膜５９（図１２参照）を形成する。この結果、図１２に示すような構造を得る。なお、ＩＴＯ膜５９の膜厚は、たとえば１００ｎｍ程度とすることができる。
【００４８】
次に、ＩＴＯ膜５９上に、透過電極３（図１参照）および端子電極５（図１参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８を形成することにより、図１３に示すような構造を得る。そして、上述のように３回目の写真製版加工により形成されたレジスト膜５８（図１３参照）をマスクとして用いて、ＩＴＯ膜５９をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３（図１４参照）および端子電極５（図１４参照）を形成する。このエッチングにおいては、シュウ酸系のエッチャントを用いてウエットエッチングを実施する。その後、レジスト膜５８（図１３参照）を除去する。この結果、図１４に示すような構造を得る。ここで、透過電極３の端部３８は下地電極２０ａ（図１参照）となるべきクロム膜５６の端部３７および反射電極４の端部上にまで延在するように形成されている。
【００４９】
次に、図１５に示すように、下地電極２０ａ、２０ｂ（図１参照）を形成するためのマスクとして用いる、パターンを有するレジスト膜５８を４回目の写真製版加工により形成する。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、クロム膜５６を部分的にエッチングにより除去する。この結果、表示画素領域の画素電極と端子領域の端子電極とをそれぞれ構成する下地電極２０ａ、２０ｂを互いに分離することができる。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図１６に示すような構造を得る。このように、合計４回の写真製版加工を用いることにより、半透過タイプの液晶表示装置における画素電極（下地電極２０ａ、反射電極４および透過電極３からなる画素電極）と端子電極（端子電極５と下地電極２０ｂとからなる端子電極）とが完成する。
【００５０】
なお、ここでクロム膜５６（図１０参照）などのエッチング（ウエットエッチング）においては、いずれも一般的なクロム膜に対するエッチャント（エッチング液）である硝酸第２セリウムアンモニウム（化学式：Ｃｅ（ＮＨ4）2（ＮＯ3）6）の水溶液に過塩素酸（化学式：ＨＣｌＯ4）を含むエッチャント（エッチング液）を用いることができる。
【００５１】
そして、ガラス基板１の表示画素領域においては、通常の方法を用いて、反射電極４および透過電極３上に配向膜２８ａ（図１参照）が形成される。また、通常の方法を用いて、カラーフィルタ２３（図１参照）、対向電極２４（図１参照）および配向膜２８ｂ（図１参照）が形成された対向ガラス基板を準備する。そして、ガラス基板１と対向ガラス基板２５とを、それぞれの配向膜２８ａ、２８ｂが対向するようにシール剤２６（図１参照）を介して貼り合わせる。そして、このガラス基板１と対向ガラス基板２５との間にシール剤２６が存在することによって形成された間隙に液晶２７（図１参照）を注入封止する。このような所定の工程を実施することにより、図１に示すような液晶表示装置を得ることができる。
【００５２】
図１に示した液晶表示装置においては、反射電極４を構成するアルミニウム系合金膜と透過電極３を構成するＩＴＯとの双方と電気的な導通を図ることのできるクロム膜を用いて下地電極２０ａを形成している。この下地電極２０ａは、反射電極４および透過電極３の双方と接続するように配置されている。このため、１つのコンタクトホール１９ａから、この下地電極２０ａを介して反射電極４および透過電極３のそれぞれに必要な電気的導通を図ることができる（反射電極４および透過電極３のそれぞれに電荷を供給することができる）。したがって、アルミニウム系合金からなる反射電極４上を覆うようにＩＴＯ膜からなる透過電極３を延在させる必要がないので、このＩＴＯ膜の存在によって反射電極４の表面での光の反射効率が低下するといった問題の発生を避けることができる。
【００５３】
また、１つのコンタクトホール１９ａから反射電極４および透過電極３に対して電荷を供給することができるので、光の反射効率が低下するコンタクトホールを電極１６ｃ上に２つ形成する必要がない（つまり、反射電極４に対するコンタクトホールと透過電極３に対するコンタクトホールとを別々に形成する必要がない）。このため、光の反射効率のよい液晶表示装置を得ることができる。
【００５４】
また、反射電極４および透過電極３を含む画素電極と、端子電極５とは、それぞれクロム膜からなる下地電極２０ａ、２０ｂに接続されている。この下地電極２０ａ、２０ｂを構成するクロム膜は、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ａ、１９ｃを介して下層に位置する電極１６ｃおよび配線２１と低抵抗の接続を安定して実現することができる。つまり、表示画素領域および端子領域のそれぞれにおいて、電極１６ｃと画素電極との間の電気的接続部および配線２１と端子電極５との間の電気的接続部が高抵抗化するといったような問題の発生確率を低減できる。このため、駆動回路を内蔵した液晶表示装置（駆動回路内蔵タイプの液晶表示装置）や、直接ガラス基板１上にＩＣを実装する方式を採用した液晶表示装置など、さまざまな種類の半透過型液晶表示装置（半透過タイプ液晶パネル）に本発明を適用することができる。
【００５５】
また、上述した液晶表示装置においては、能動素子として作用する薄膜電界効果トランジスタ２のタイプとして、低温ポリシリコンタイプを用いた場合について説明したが、本発明はノートパソコンや液晶モニタなどで多用されているアモルファスシリコンタイプの薄膜電界効果トランジスタ２を有する液晶表示装置に適用しても、同様の効果を得ることができる。
【００５６】
また、上述した半導体装置の製造方法では、反射電極４、透過電極３および端子電極５を形成するため、写真製版加工を４回実施している。単純に考えれば、３種類の電極材料を用いた構造であることから、反射電極４を構成するアルミニウム系合金膜５７（図８参照）の加工、下地電極２０ａ、２０ｂを構成するクロム膜５６（図９参照）の加工、透過電極３および端子電極５を構成するＩＴＯ膜５９（図１２参照）の加工と、３回の写真製版加工により反射電極４、透過電極３および端子電極５を形成することができる筈である。つまり、図１２に示したように透過電極３および端子電極５を構成するためのＩＴＯ膜５９を形成する前に、下地電極２０ａ、２０ｂを構成するクロム膜５６について、開口部２２が形成された下地電極２０ａ、２０ｂとなるように（最終形状となるように）写真製版加工を用いてパターンを有するレジスト膜を形成し、エッチング加工を行なうといった方法が考えられる。
【００５７】
しかし、発明者の研究によれば、このような方法を採用した場合には、透過電極３を形成する際に不具合が発生し得ることがわかった。以下、この不具合について具体的に説明する。
【００５８】
通常、クロム膜５６やアルミニウム系合金膜５７の加工後にＩＴＯ膜５９を成膜、加工する場合、加工されたアルミニウム系合金膜やクロム膜に対して選択的にウエットエッチングが可能なように、アモルファス状態のＩＴＯ膜５９を形成する必要がある。これは、結晶化したＩＴＯ膜は、王水系のエッチャントによってしか溶解できないためである。しかし、このような王水系のエッチャントは、アルミニウム系合金膜なども溶解してしまう。つまり、結晶化したＩＴＯ膜については、アルミニウム系合金膜やクロム膜に対して選択的に（ＩＴＯ膜のみを）加工することができない。そこで、アルミニウム系合金膜などを溶解しないシュウ酸系のエッチャントでエッチング可能なアモルファス状態のＩＴＯ膜を、ＩＴＯ膜５９として成膜、加工する方法が用いられる。
【００５９】
しかし、クロム膜をエッチングにより除去した部分においては、上述したアモルファス状態のＩＴＯ膜を成膜した後エッチングによってそのＩＴＯ膜を除去しようとしても、ＩＴＯ膜が完全にエッチングにより除去できない（ＩＴＯの残渣が発生する）ことがわかった。このようなＩＴＯの残渣が発生する部分は、下地電極２０ａ、２０ｂ間や端子電極５の間の分離部分である。つまり、導体であるＩＴＯ膜の残渣によって画素電極や端子電極間において短絡が発生する可能性があった。
【００６０】
このようなＩＴＯ膜の残渣について解析した結果、当該残渣はＩＴＯ膜が結晶化することにより、シュウ酸系のエッチャントによってはエッチング不可能な状態となったものであった。そして、さらに解析した結果、上述のような結晶化したＩＴＯ膜は、クロム膜のエッチング後に非常に微量に析出することがわかっているセリウム水酸化物の析出物とＩＴＯ膜とが反応することにより形成されることがわかった。
【００６１】
上述した問題について、図１７〜図２０を参照してより詳しく説明する。図１７〜図２０は、本発明による液晶表示装置の製造方法の効果を説明するための、第１の参考例としての液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【００６２】
まず、図２〜図９で示した工程を実施した後、反射電極４およびクロム膜５６上に下地電極２０ａ、２０ｂを形成するためのパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして、クロム膜５６を部分的にエッチングにより除去する。この結果、下地電極２０ａ、２０ｂが形成される。その後レジスト膜を除去する。この結果、図１７に示すような構造を得る。ここで、クロム膜５６が除去された部分の有機絶縁膜１８の上部表面およびコンタクトホール１９ｂの内壁面上には上述したセリウム水酸化物３０が微量に析出している。
【００６３】
この後、図１８に示すように、透過電極３および端子電極５を形成するためにアモルファス状態のＩＴＯ膜５９を形成する。このとき、セリウム水酸化物３０と接触したＩＴＯ膜５９の部分が結晶化することにより、結晶化したＩＴＯ膜３１が形成される。
【００６４】
この後、図１９に示すように、透過電極３および端子電極５を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８を形成する。このレジスト膜５８をマスクとして、エッチングによりＩＴＯ膜５９を部分的に除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図２０に示すような構造を得る。しかし、上述したＩＴＯ膜を除去するためのエッチング工程によっては、結晶化したＩＴＯ膜３１を十分除去することができない。したがって、下地電極２０ａ、２０ｂが結晶化したＩＴＯ膜３１を介して他の電極などの導電体部と短絡（ショート）することになる。
【００６５】
このように、透過電極３および端子電極５を形成する前に下地電極２０ａ、２０ｂを分離するようなエッチングを行なった場合には、下地電極２０ａ、２０ｂが他の導電体部とショートする恐れがあったため、図１７〜図２０に示したような工程を採用することは実質的に困難であった。このため、図２〜図１６に示した本発明による液晶表示装置の製造方法では、クロム膜からなる下地電極２０ａ、２０ｂの加工を、透過電極３を形成するためのＩＴＯ膜５９の成膜前に形成すべき開口部２２を形成するための加工工程（図１０および図１１に示した工程）と、ＩＴＯ膜５９に対する加工が終了した後（透過電極３および端子電極５の形成が完了した後）に行なう下地電極２０ａ、２０ｂの分離のための２回目の加工工程（図１５および図１６に示した工程）とに分けている。この結果、本発明による液晶表示装置の製造方法では、上述のような結晶化したＩＴＯ膜による電極間のショートの発生といった問題が起きる可能性を低減している。
【００６６】
なお、本発明のように下地電極２０ａ、２０ｂを用いない場合には、図２１に示すような構造の液晶表示装置も考えられる。図２１は、本発明による液晶表示装置の効果を説明するための第２の参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。図２１を参照して、第２の参考例としての液晶表示装置を説明する。
【００６７】
図２１に示した液晶表示装置は、基本的には、図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、反射電極４、透過電極３および端子電極５の形状が異なっている。すなわち、図２１に示した液晶表示装置では、電極１６ｃ上において、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７を部分的に除去することにより２つのコンタクトホール１９ａ、１９ｄが形成されている。アルミニウム系合金膜からなる反射電極４は、コンタクトホール１９ａの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように形成されている。反射電極４は、コンタクトホール１９ａの底部において電極１６ｃと電気的に接続されている。
【００６８】
また、ＩＴＯ膜からなる透過電極３は、コンタクトホール１９ｄの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上を介してコンタクトホール１９ｂの内部にまで延在するように形成されている。透過電極３は、コンタクトホール１９ｄの底部において電極１６ｃと電気的に接続されている。また、端子領域においては、ＩＴＯ膜からなる端子電極５がコンタクトホール１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように形成されている。端子電極５は、コンタクトホール１９ｃの底部において配線２１と電気的に接続されている。
【００６９】
図２２〜図２４は、図２１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図２２〜図２４を参照して、図２１に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００７０】
まず、図２〜図５に示した工程と同様の工程を実施した後、絶縁膜１７（図２２参照）上に有機絶縁膜１８（図２２参照）を形成する。有機絶縁膜１８上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７の一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ａ〜１９ｄ（図２２参照）を形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図２２に示すような構造を得る。
【００７１】
次に、有機絶縁膜１８の上部表面上からコンタクトホール１９ａ〜１９ｄの内部にまで延在するように反射電極４（図２３参照）となるべきアルミニウム系合金膜（図示せず）を形成する。このアルミニウム系合金膜上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして、アルミニウム系合金膜を部分的にエッチングにより除去することにより、反射電極４（図２３参照）を形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図２３に示すような構造を得る。
【００７２】
次に、反射電極４および有機絶縁膜１８の上部表面上からコンタクトホール１９ｂ〜１９ｄの内部にまで延在するように透過電極３（図２４参照）および端子電極５（図２４参照）となるべきＩＴＯ膜（図示せず）を形成する。このＩＴＯ膜上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングによりＩＴＯ膜を部分的に除去する。この結果、透過電極３（図２４参照）および端子電極５（図２４参照）を得る。その後、レジスト膜を除去する。この結果、図２４に示すような構造を得る。
【００７３】
この後、透過電極３および反射電極４上に配向膜２８ａ（図２１参照）を形成するとともに、図２１に示すようなカラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂが形成された対向ガラス基板２５を準備する。この対向ガラス基板２５をガラス基板１と対向するようにシール剤２６（図２１参照）を介して配置し貼り合わせる。そして、ガラス基板１と対向ガラス基板２５との間においてシール剤２６により形成された間隙に液晶２７を注入封止することにより、図２１に示すような液晶表示装置を得ることができる。
【００７４】
このように、図２１に示した液晶表示装置によれば、本発明による液晶表示装置のように下地電極２０ａ（図１参照）を用いずに反射電極４および透過電極３に電極１６ｃから電荷をそれぞれ供給することができる。しかし、図２１に示した液晶表示装置では、２つのコンタクトホール１９ａ、１９ｄを電極１６ｃ上に形成する必要があるため、表示画素領域におけるスペース（コンタクトホール１９ａ、１９ｄのレイアウト）に関して制約が発生する。
【００７５】
また、コンタクトホール１９ａ、１９ｄが形成された部分を、対向ガラス基板２５側から入射する光を反射する反射部として用いることを考えた場合、この部分に形成された反射電極における光の反射効率は有機絶縁膜１８の上部表面上に形成された反射電極４における光の反射効率より悪くなる。このため、上記部分に形成された反射電極の部分については反射電極としての効果をあまり期待できない。また、コンタクトホール１９ａ、１９ｄ下には電極１６ｃが形成されているため、ガラス基板１側から液晶２７へと入射する光を透過させる領域として用いることもできない。一方、このような図２１に示した液晶表示装置に比べて、図１に示した本発明による液晶表示装置では、電極１６ｃ上に１つのコンタクトホール１５ａを形成するだけであるので、図２１に示した液晶表示装置よりもコンタクトホールを形成する際のスペース上の制約を少なくできる。
【００７６】
また、液晶表示装置の他の構造としては、たとえば図２５に示したような構造も考えられる。図２５は、本発明による液晶表示装置の効果を説明するための第３の参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。図２５を参照して、第３の比較例としての液晶表示装置を説明する。
【００７７】
図２５に示すように、第３の参考例としての液晶表示装置は、基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、反射電極４、透過電極３および端子電極５の形状が図１に示した液晶表示装置とは異なっている。すなわち、図２５に示した液晶表示装置では、図１に示した液晶表示装置のように下地電極２０ａ、２０ｂを形成していない。そして、図２５に示した液晶表示装置では、アルミニウム系合金からなる反射電極４は有機絶縁膜１８の上部表面上のみに形成され、ＩＴＯ膜からなる透過電極３がコンタクトホール１９ａ、１９ｂの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上、さらに反射電極４の上部表面を覆うように形成されている。また、端子電極５は、コンタクトホール１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように形成されている。
【００７８】
このように、透過電極３のみがコンタクトホール１９ａを介して電極１６ｃと電気的に接続され、反射電極４へは透過電極３を介して電極１６ｃから電荷が供給されるようになっている。しかし、実際には反射電極４を構成するアルミニウム系合金と透過電極３を構成するＩＴＯとの間にはほとんど電気的導通が得られない。したがって、液晶２７を駆動するための電界を発生させる電極としては透過電極３のみが作用しており、電荷がほとんど供給されない反射電極４はもっぱら光を反射するための反射板としての機能を発揮していると考えられる。
【００７９】
このように、図２５に示したような構造の液晶表示装置においても、本発明の液晶表示装置における下地電極２０ａ、２０ｂは形成されていないが、図２５に示した液晶表示装置では反射板として作用する反射電極４の表面をＩＴＯ膜からなる透過電極３が覆った状態となっている。そのため、反射電極４の表面における光の反射効率が透過電極３の存在によって低下するという問題があった。一方、図１に示した本発明による液晶表示装置においては、図２５に示した液晶表示装置と対比して、反射電極４の上部表面の全体を覆うように透過電極３は形成されていないので、反射電極４における光の反射効率を低下させるといったような問題は発生しない。
【００８０】
図２〜図１６に示した、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の製造方法では、反射電極４における反射効率の低下の防止や、端子電極５および画素電極（反射電極４および透過電極３）と配線２１および電極１６ｃとの間の接続部の低抵抗化を実現できたが、反射電極４、透過電極３、端子電極５および下地電極２０ａ、２０ｂを形成するために４回の写真製版加工を行なう必要があった。１回の写真製版加工工程では、レジスト膜の塗布、露光、現像処理の３工程が必要であり、さらに加工対象の金属膜などのエッチング加工が終了した後に上述したレジスト膜の除去工程が必要となる。つまり、１回の写真製版加工工程を実施するためには実質的に４工程を行なう必要がある。このため、写真製版加工工程の数が増えることは、液晶表示装置の製造工程数が増加することにより、液晶表示装置の製造コストが増大する要因となり得る。
【００８１】
また、上述した露光工程に必要な高精度露光装置は非常に高価な設備であり、写真製版加工工程が増えると、これらの装置の必要台数も増加する。したがって、設備投資が増え結果的に液晶表示装置の製造コストが上昇する原因となる。また、上述した写真製版加工工程で使用するレジスト現像液、またはレジスト剥離液などの使用量も写真製版加工工程が増加すれば増加する。これらの材料の使用量の増加も液晶表示装置の製造コストの上昇原因となる。また、工程数が増えることは製造工期の長期化に繋がり、納期の遅れ、トラブルのフィードバックの遅れなど製造上のデメリットが発生するおそれがある。
【００８２】
また、図１７で説明したようなセリウム水酸化物３０は、図２〜図１６で示した工程によっても透過電極３の下に微量に残存する場合が考えられる。このような微量なセリウム水酸化物は、電極間のショートのような製品の動作不良に繋がる致命的な不具合を引起すことはないものの、透過電極３における光の透過効率を低下させる要因ともなり得る。このように透過電極３の光の透過効率が低下すると、液晶表示装置における必要な輝度を確保するため、ガラス基板１の背面（透過電極３などが形成された面と反対側の面）側に配置されるバックライトの輝度を大きくするといった対応が必要となる。この結果、液晶表示装置の消費電力が増えるといったデメリットも考えられる。
【００８３】
このような不具合を解消し、本発明をより効果的にするために、発明者はさらなる検討を行なった結果、以下のような液晶表示装置の構造および製造方法を案出するに至った。以下説明する。
【００８４】
（実施の形態２）
図２６〜図３０は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２を説明するための断面模式図である。図２６〜図３０を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２を説明する。なお、図２６〜図３０に示した工程によって得られる液晶表示装置は、基本的に図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。
【００８５】
まず、図２〜図９に示した工程と同様の工程を実施した後、図２６に示すように反射電極４およびクロム膜５６上に写真製版加工工程によりレジスト膜５８を形成する。なお、画素電極および端子電極５（図１参照）を形成する工程について考えた場合、反射電極４を形成するために１回目の写真製版加工が既に実施されており、図１に示したレジスト膜５８を形成するための写真製版加工は２回目の写真製版加工工程である。また、図２６に示したレジスト膜５８は、後述するエッチング工程において、クロム膜５６から下地電極２０ａ、２０ｂを分離するとともに開口部２２（図２８参照）を形成するためのマスクとして作用する。
【００８６】
次に、図２７に示すように、レジスト膜５８が形成された状態で、ウエットエッチングによりクロム膜５６を部分的に除去する。このとき、ウエットエッチングのエッチャント（エッチング液６０）として、硝酸第２セリウムアンモニウム（化学式：Ｃｅ（ＮＨ4）2（ＮＯ3）6）の水溶液に、たとえば硝酸を１規定（１Ｎ）含むものを用いる。
【００８７】
このようなエッチング液６０を用いたエッチングにより、図２８に示すようなクロム膜からなる下地電極２０ａ、２０ｂを得ることができる。その後レジスト膜５８（図２７参照）を除去する。この結果、図２８に示すような構造を得る。
【００８８】
この後、コンタクトホール１９ｂの内部から下地電極２０ａ、２０ｂおよび反射電極４上にまで延在するようにＩＴＯ膜５９（図２９参照）を形成する。このＩＴＯ膜５９の膜厚はたとえば１００ｎｍとすることができる。そして、このＩＴＯ膜５９上に透過電極３（図３０参照）および端子電極５（図３０参照）を形成するためのエッチングの際のマスクとして用いるレジスト膜５８（図２９）を、３回目の写真製版加工により形成する。この結果、図２９に示すような構造を得る。
【００８９】
そして、レジスト膜５８をマスクとしてウエットエッチングによりＩＴＯ膜５９を部分的に除去する。このウエットエッチングにおいては、エッチング液として、たとえばシュウ酸系のエッチング液を用いることができる。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図３０に示すような構造を得る。図３０に示すように、上述したエッチングによりＩＴＯ膜からなる透過電極３および端子電極５が形成される。
【００９０】
この後、本発明の実施の形態１の図１６において説明したように、配向膜２８ａの形成工程、カラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂが形成された対向ガラス基板２５の準備工程、この対向ガラス基板２５とガラス基板１とをシール剤２６を介して接続固定し、対向ガラス基板２５とガラス基板１との間の間隙に液晶２７を注入封止する工程を実施することにより、図１に示したような構造の液晶表示装置を得ることができる。
【００９１】
上述した図２７に示した工程のように、クロム膜５６をエッチングするためのウエットエッチングの際に硝酸第２セリウムアンモニウムの水溶液に硝酸を１規定含むようなエッチング液を用いることによって、エッチング工程後において、有機絶縁膜１８の表面に微量に析出するセリウム水酸化物の発生を抑制することができる。
【００９２】
すなわち、通常のクロム膜５６のウエットエッチングにおいては、一般的なクロム膜用エッチング液である硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸（化学式：ＨＣｌＯ4）との水溶液を用いる。このような水溶液をエッチング液として用いてクロム膜をエッチングすると、エッチング工程中においては、過塩素酸の作用によりエッチング液が酸性に保たれているため、セリウム水酸化物は発生することはない。しかし、エッチングが完了した後に、ガラス基板上のエッチング液を水洗除去する場合、ガラス基板上に存在する液の水素イオン活性度（ｐＨ）のバランスが崩れる。この結果、液中にセリウム水酸化物が生成する。この生成したセリウム水酸化物が、ガラス基板１の表面上（有機絶縁膜１８の表面上）に微量に析出残存すると考えられる。
【００９３】
しかし、本発明による液晶表示装置の製造方法のように、エッチング液に高濃度の硝酸が含まれている場合には、ガラス基板上からエッチング液をエッチング後に洗浄・除去する際に、その除去される液を安定して酸性に保つことができる。この結果、セリウム水酸化物が発生することや、基板表面（有機絶縁膜１８の表面）へセリウム水酸化物が残存することを防止することができる。つまり、図２８に示すように、コンタクトホール１９ｂの内部や露出した有機絶縁膜１８の上部表面上にセリウム水酸化物は析出しない。
【００９４】
このため、有機絶縁膜１８の表面上にセリウム水酸化物の残存がない状態で、図２９に示したようにアモルファス状態のＩＴＯ膜５９を成膜できる。この結果、セリウム水酸化物とアモルファス状態のＩＴＯ膜５９とが反応して結晶化したＩＴＯ膜が発生するといった問題の発生確率を低減できる。このため、透過電極３および端子電極５を形成するためのエッチングの際にも、結晶化したＩＴＯ膜が残渣として残存する可能性を低減できる。
【００９５】
また、上述のようにセリウム水酸化物が発生しないので、透過電極３下にセリウム水酸化物が存在することもない。そのため、セリウム水酸化物の存在に起因して透過電極３における光の透過率が低下するといった問題の発生確率を低減できる。この結果、セリウム水酸化物が残存したような液晶表示装置に比べて、透過電極３における光の透過率を向上させることができる。したがって、同じ消費電力においてもセリウム水酸化物が残存したような半透過液晶表示装置に比べて、得られる表示画面の輝度を大きくすることができる。
【００９６】
また、図２７に示したクロム膜５６をエッチングするためのエッチング液６０として、硝酸第２セリウムアンモニウムの水溶液に硝酸を１規定含むようなエッチング液を用いたが、上述のようにエッチング液の洗浄工程においてガラス基板１の表面上での液の酸性を保つことが可能であれば、硝酸以外の他の添加物を硝酸第２セリウムアンモニウムに添加してもよい。たとえば、添加する添加物としてはリン酸、酢酸、塩酸等の強酸性の溶液を用いることができる。これらの強酸性の溶液の添加量としては１規定程度であればよい。このようにしても、上述した硝酸を１規定含む硝酸第２セリウムアンモニウムのエッチング液を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
【００９７】
また、上述した実施の形態２においては、硝酸を１規定程度加えたエッチング液を用いたが、硝酸や他の強酸性の溶液の添加量としては０．１規定（０．１Ｎ）以上であればセリウム水酸化物の発生の抑制効果が得られる。したがって、これらの強酸性の溶液の添加量としては０．１規定以上、より好ましくは１規定以上であることが好ましい。
【００９８】
また、硝酸第２セリウムアンモニウムに過塩素酸を添加する場合であっても、市販のクロム膜用エッチング液に過塩素酸を追加して、過塩素酸の濃度を１０質量％以上という高濃度にすることにより、上述した本発明による液晶表示装置の製造方法における硝酸を１規定程度含むエッチング液とほぼ同様の効果を得ることができる。
【００９９】
また、上述した説明では、反射電極４の材料としてアルミニウム系合金膜を用いた場合で説明したが、反射電極４の材料としては、高い反射率を示す銀、あるいは銀を主成分として含む合金（銀（Ａｇ）系の合金）を用いてもよい。なお、このような銀または銀系の合金膜を反射電極４の構成材料として用いることは、既に説明した実施の形態１および以下で説明する実施の形態３〜実施の形態６においても同様に適用できる。
【０１００】
（実施の形態３）
図３１は、本発明による液晶表示装置の実施の形態３を示す断面模式図である。図３２および図３３は、図３１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図３１〜図３３を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態３およびその製造方法を説明する。
【０１０１】
図３１に示すように、液晶表示装置は基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、透過電極３の延在部６１が反射電極４を覆うように配置されている点が異なる。
【０１０２】
図３１に示した液晶表示装置の製造方法としては、まず図２〜図９に示した工程を実施した後、図２６〜図２８に示した工程を実施する。その後、図３２に示すように、コンタクトホール１９ｂの内部から反射電極４および下地電極２０ａ、２０ｂ上にまで延在するようにアモルファス状態のＩＴＯ膜５９を形成する。このＩＴＯ膜５９上に写真製版加工工程を用いてパターンを有するレジスト膜５８を形成する。この結果、図３２に示すような構造を得る。
【０１０３】
そして、図３２に示したレジスト膜５８をマスクとしてＩＴＯ膜５９をエッチングにより部分的に除去する。この結果、透過電極３および端子電極５（図３３参照）が形成される。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図３３に示すような構造を得る。
【０１０４】
この後、図１６において説明したように配向膜２８ａ（図３１参照）の形成工程、カラーフィルタ２３などを備える対向ガラス基板２５の準備工程およびガラス基板１と対向ガラス基板２５との貼り合わせ工程、さらにガラス基板１と対向ガラス基板２５との間の間隙に液晶２７を注入封止する工程などを実施することにより、図３１に示す液晶表示装置を得ることができる。
【０１０５】
図３１に示したような構造の液晶表示装置によれば、図１に示した液晶表示装置によって得られる効果に加えて、反射電極４の表面が対向電極２４を構成する材料と同じ材料であるＩＴＯ膜（透過電極３の延在部６１）によって覆われているため、反射電極４に電荷が供給されている場合にも（つまり液晶２７に対して電界を印加して液晶２７を駆動しているときにも）電池効果が起こらないというメリットがある。すなわち、図１に示した液晶表示装置では、対向電極２４がＩＴＯ膜により構成され、反射電極４がアルミニウム系合金膜によって構成されている。このように対向電極２４と、この対向電極２４との間で電界を形成するためのもう一方の電極である反射電極４とが異なる材料によって構成されている場合に、酸化還元電位差によるオフセット電圧が対向電極２４および反射電極４の間に発生する。液晶２７にこのような直流電圧が印加された状態が継続すると、液晶２７にいわゆる焼付き不良が発生する。しかし、図３１に示した液晶表示装置においては、反射電極４がＩＴＯ膜によって覆われた状態となっているので、上述のような電極間の酸化還元電位差によるオフセット電圧の発生を抑制できる。この結果、液晶に直流電圧が印加され続けることを防止できるので、液晶２７における焼付き不良の発生確率を低減できる。
【０１０６】
なお、上述した焼付き不良は、シール剤２６などの外的要因から液晶２７へ浸入する不純物と電池効果との複合的な作用によって発生するが、図３１に示した液晶表示装置では、一方の要因である電池効果の発生を抑制することにより、上述のような焼付き不良の発生確率を低減している。このため、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。
【０１０７】
また、電池効果によるオフセット電圧の発生を抑制しているので、液晶２７の材料やシール剤２６の材料について不純物などの含有を厳しく管理する必要性を低くできる。このため、液晶２７の材料やシール剤２６の材料についての選択の自由度を従来よりも大きくすることができる。また、液晶２７の材料やシール剤２６からの不純物を抑制するためのプロセス管理の精度もある程度緩和することが可能となるため、プロセス管理を容易にすることができる。
【０１０８】
（実施の形態４）
図３４〜図３６は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態４を説明するための断面模式図である。図３４〜図３６を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態４を説明する。なお、図３４〜図３６に示した製造方法によって得られる液晶表示装置は、基本的に図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。
【０１０９】
まず、図２〜図９に示した液晶表示装置の製造方法の工程を実施した後、さらに図２６に示した工程を実施する。図２６に示したような、画素電極および端子電極５を形成する工程における２回目の写真製版加工によってレジスト膜５８が形成された状態で、図３４に示すようにエッチング液６２を用いたウエットエッチングによりクロム膜５６を部分的に除去する。この結果、下地電極２０ａ、２０ｂ（図３５参照）が形成される。ここで、エッチング液６２としては、通常のクロム膜用エッチング液を用いる。たとえば、エッチング液６２として、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸との水溶液を用いることができる。この結果、図３５に示すような構造を得る。
【０１１０】
図３５からもわかるように、エッチング液６２を用いたエッチングによって、コンタクトホール１９ｂの内壁上および有機絶縁膜１８の上部表面上にセリウム水酸化物３０が析出した状態となっている。
【０１１１】
そこで、下地電極２０ａ、２０ｂを形成するために用いたレジスト膜５８を除去する前に、つまりエッチング液６２を用いたエッチングに続けて、図３６に示すようにエッチング液３３によってセリウム水酸化物３０を除去する表面処理を実施する。このエッチング液３３としてはセリウム水酸化物３０を除去できればどのような薬液を用いてもよい。セリウム水酸化物３０はある程度の酸性溶液を用いて溶解除去することができるため、たとえばリン酸、硝酸、酢酸、塩酸の少なくとも１つを含有する水溶液などの酸性溶液をエッチング液３３として用いることができる。また、エッチング液３３として、たとえばアルミニウム用エッチング液として入手可能なリン酸、硝酸、酢酸および水の混合液（容量比がリン酸：硝酸：酢酸：水＝８０：５：５：１０）を用いてもよい。このリン酸、硝酸、酢酸および水の混合液を用いた場合の上記表面処理の処理時間はたとえば３０秒程度とすることができる。この結果、有機絶縁膜１８の表面からセリウム水酸化物３０（図３５参照）を除去することができる。
【０１１２】
この後、図２９および図３０に示した工程と同様の工程を実施することにより、図１に示したような液晶表示装置を得ることができる。
【０１１３】
このようにしても、本発明の実施の形態２に示した液晶表示装置の製造方法と同様に、透過電極３、反射電極４、端子電極５、および下地電極２０ａ、２０ｂを形成するために、図８、図２６および図２９で示した３回の写真製版加工工程を実施すればよい。この結果、本発明による液晶表示装置の実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
【０１１４】
また、クロム膜５６（図３４参照）のエッチング後に、図３６に示したように酸性溶液であるエッチング液３３で表面処理を実施することにより、有機絶縁膜１８の表面に微量に析出したセリウム水酸化物３０（図３５参照）を溶解除去することができる。また、このようなエッチング液３３による表面処理の際にレジスト膜５８によって反射電極４の表面は覆われているので、このような酸性溶液であるエッチング液３３による表面処理を実施してもアルミニウム系合金で構成された反射電極４がこのエッチング液３３によって腐食などのダメージを受けるといった問題の発生を避けることができる。
【０１１５】
そして、有機絶縁膜１８の表面にセリウム水酸化物３０が残存しない状態で（セリウム水酸化物３０を有機絶縁膜１８の表面から除去した状態で）アモルファス状態のＩＴＯ膜５９（図２９参照）を成膜するので、セリウム水酸化物の存在に起因してこのアモルファス状態のＩＴＯ膜５９が部分的に結晶化することはない。したがって、このＩＴＯ膜５９をエッチングするためのシュウ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングにおいて、結晶化したＩＴＯ膜が部分的に残渣として残るといった問題の発生確率を低減できる。
【０１１６】
また、図３６に示した工程では、上述のようにアルミニウム合金用のエッチング液として入手可能なリン酸、硝酸、酢酸、水の混合液をエッチング液３３として用いることができるが、このような水溶液を用いた場合には、他の工程でのアルミニウム合金膜に対するエッチング処理において用いる処理装置を図３６に示した工程を実施するための処理装置として流用することができる。つまり、図３６に示した工程を実施するために、新たなエッチング装置などの処理装置や薬液供給ラインなどを新設する必要がない。したがって、液晶表示装置の製造コストの増大を抑制できる。なお、上述のようなアルミニウム合金用のエッチング液に代えて、リン酸、酢酸、塩酸、硝酸等の酸性溶液を単独あるいは混合液等の形態でエッチング液３３（図３６参照）として用いても、ほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１１７】
（実施の形態５）
図３７は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５を説明するための断面模式図である。図３７を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５を説明する。なお、図３７に示した製造方法を用いて製造される液晶表示装置は、基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。
【０１１８】
まず、図２〜図９に示した製造方法を実施した後、図２６に示した工程を実施する。さらに、図３４および図３５に示した工程を実施した後、図３７に示すように、有機絶縁膜１８の表面に析出したセリウム水酸化物３０（図３５参照）を除去するため、矢印３４で示すように酸素プラズマ（酸素を反応ガスとするプラズマ）を用いて表面処理を実施する。この表面処理の処理条件としては、たとえば処理を行なっている反応容器への反応ガスとしての酸素の流量を０．５リットル／分（５００ｓｃｃｍ）、ＲＦパワーを１２００Ｗ、反応容器内の圧力を２２０Ｐａとして、処理時間を１２０秒とすることができる。このような酸素プラズマを用いた処理によっても、有機絶縁膜１８の表面からセリウム水酸化物３０を除去することができる。
【０１１９】
この後、本発明の実施の形態４における製造方法と同様に、図２９に示した工程および図３０に示した工程と同様の工程を実施することにより、図１に示したような構造の液晶表示装置を得ることができる。
【０１２０】
このように、下地電極２０ａ、２０ｂを形成するためのクロム膜５６（図３４参照）のエッチング後に、レジスト膜５８を除去することなくそのまま続けて酸素プラズマによる表面処理を行なうことにより、有機絶縁膜１８の表面に微量に析出したセリウム水酸化物３０（図３５参照）を除去することができる。また、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態４の場合と同様に、レジスト膜５８で反射電極４が覆われているため、酸素プラズマによる表面処理を行なっても、アルミニウム系合金膜によって形成された反射電極４に酸素プラズマによる処理に起因するダメージが発生する可能性を低減できる。
【０１２１】
また、図３７に示した工程では、セリウム水酸化物３０を除去するために酸素プラズマを用いたが、セリウム水酸化物３０を除去することができれば他の方法を用いてもよい。たとえば、セリウム水酸化物３０を除去するため、通常のドライエッチングに使用される４フッ化炭素ガス（ＣＦ4）、トリフルオロメタンガス（ＣＨＦ3）、６フッ化硫黄ガス（ＳＦ6）、塩素ガス（Ｃｌ2）などのエッチングガスを用いてドライエッチング処理を行なってもよい。この場合も、図３７に示したような酸素プラズマを用いた表面処理を実施した場合と同様の効果を得ることができる。なお、上述した実施の形態では、クロムを画素電極の下地電極２０ａ、２０ｂの材料として用い、また、ＩＴＯを透過電極３の材料として用いた場合を示しているが、クロムおよびＩＴＯを他の用途に用いる場合であっても、先にクロム膜を成膜、エッチング加工し、その後ＩＴＯ膜の成膜を行なうような工程であれば、本発明を適用できる。
【０１２２】
（実施の形態６）
図３８は、本発明による液晶表示装置の実施の形態６を示す断面模式図である。図３８を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態６を説明する。
【０１２３】
図３８に示すように、液晶表示装置は、基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、図１に示したクロム膜からなる下地電極２０ａ、２０ｂに代えて、モリブデン（Ｍｏ）系合金膜からなる下地電極６３ａ、６３ｂが形成されている点が異なる。モリブデン系合金膜は、反射電極４を構成するアルミニウム系合金膜および透過電極３を構成するＩＴＯ膜との両方と電気的導通を図ることができる。また、モリブデン系合金膜は、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ａ、１９ｃを介して下層の電極１６ｃおよび配線２１と低抵抗の接続部を安定して形成することができる。なお、ここでモリブデン系合金膜とは、モリブデンを主成分とする合金膜（金属膜）をいう。
【０１２４】
図３９〜図４３は、図３８に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図３９〜図４３を参照して、図３８に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。
【０１２５】
まず、図２〜図６に示した工程を実施した後、図３９に示すようにモリブデン系合金膜６４およびアルミニウム系合金膜５７を、スパッタリング法を用いて連続的に形成する。モリブデン系合金膜６４の膜厚はたとえば５０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。
【０１２６】
次に、図４０に示すように、画素電極および端子電極５を形成する工程における１回目の写真製版加工工程によりレジスト膜５８を形成する。このレジスト膜５８は、反射電極４（図３８参照）を形成するためのエッチングにおけるマスクとして作用する。
【０１２７】
そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、ウエットエッチングによりアルミニウム系合金膜５７を部分的に除去する。このウエットエッチングにおいて用いるエッチング液としては、たとえばリン酸と酢酸との水溶液等を用いることができる。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図４１に示すように、反射電極４を形成することができる。
【０１２８】
次に、図２６に示した工程と同様に、下地電極６３ａ、６３ｂ（図３８参照）を形成するためのレジスト膜５８（図２６参照）を、２回目の写真製版加工工程を実施することによって形成する。このレジスト膜５８をマスクとして用いてモリブデン系合金膜６４を部分的にウエットエッチングにより除去する。このエッチングにおいて用いるエッチング液としては、たとえばリン酸と硝酸と酢酸との水溶液などを用いることができる。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図４２に示すように、下地電極６３ａ、６３ｂを形成することができる。また、下地電極６３ａ、６３ｂの端部側壁によって構成される開口部２２においては、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ｂが露出している。
【０１２９】
次に、図２９に示した工程と同様の工程を実施することにより、アモルファス状態のＩＴＯ膜５９（図２９参照）を形成する。このＩＴＯ膜５９上に３回目の写真製版加工工程によりレジスト膜５８（図２９参照）を形成する。このレジスト膜５８をマスクとしてＩＴＯ膜５９をウエットエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜５８を除去する。なお、このエッチングにおいて用いるエッチング液としては、たとえばシュウ酸系のエッチング液を用いることができる。この結果、図４３に示すようにＩＴＯ膜からなる透過電極３および端子電極５を形成することができる。このようにして、合計３回の写真製版加工により半透過型の液晶表示装置における画素電極（透過電極３、端子電極５、下地電極６３ａ）と端子電極（下地電極６３ｂおよび端子電極５）とを形成することができる。
【０１３０】
この後、図１６に示した工程後の工程と同様に、配向膜２８ａの形成工程、カラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂが形成された対向ガラス基板２５を準備する工程、ガラス基板１と上述の対向ガラス基板２５とをシール剤２６を介して貼り合わせる工程、対向ガラス基板２５とガラス基板１との間に形成された間隙に液晶２７を注入封止する工程を実施することにより、図３８に示すような液晶表示装置を得ることができる。
【０１３１】
このように、下地電極６３ａ、６３ｂを構成する材料としてモリブデン系合金膜を用いることにより、クロム膜からなる下地電極２０ａ、２０ｂを形成するために使用していたセリウムを含むクロム膜用のエッチング液をエッチング工程において使用する必要がなくなる。このため、セリウム水酸化物３０（図３５参照）が発生することはない。そして、このように有機絶縁膜１８上にセリウム水酸化物がない状態で、アモルファス状態のＩＴＯ膜を成膜するので、セリウム水酸化物の存在に起因するアモルファス状態のＩＴＯ膜の部分的な結晶化を抑制することができる。このため、ＩＴＯ膜をエッチングする際に、通常のシュウ酸系のエッチング液を用いても、結晶化したＩＴＯ膜が残渣として残存することはない。
【０１３２】
また、モリブデン系合金膜やモリブデン膜は、上述したクロムと同様に反射電極４を構成するアルミニウム系合金膜および透過電極３を構成するＩＴＯとの両方と問題なく電気的な導通を図ることができる。さらに、モリブデン系合金膜やモリブデン膜は、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ａを介して下層の電極１６ｃと低抵抗の接続部を形成することができる。つまり、モリブデンは下地電極６３ａ、６３ｂの材料として適した材料である。
【０１３３】
ここで、本発明に従った液晶表示装置の一例としての図１に示した半透過型の液晶表示装置の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置は、基板としてのガラス基板１と、ガラス基板１上に形成された下地導電体膜としての下地電極２０ａと、反射電極４と、透過電極３とを備える。反射電極４は、下地電極２０ａ上に、下地電極２０ａと電気的に接続するように形成されている。たとえば、反射電極４は下地電極２０ａに接触するとともに下地電極２０ａの一部（下地電極２０ａ端部３７の上部表面）が露出するように形成されていてもよい。反射電極４は、液晶２７を駆動する電界を形成するためのものである。透過電極３は、ガラス基板１上において反射電極４が形成された領域以外の領域（反射電極４と重ならない領域）に位置する部分（コンタクトホール１９ｂの内部に位置する部分）と、下地電極２０ａの一部（端部３７）に電気的に接続する部分（たとえば、透過電極３において下地電極２０ａと接触する部分、より具体的には下地電極２０ａの端部３７上に乗り上げてその上部表面と接触する端部３８）を含む。透過電極３は、液晶２７を駆動する電界を形成するためのものである。下地電極２０ａを構成する材料は、透過電極３および反射電極４の両方と接触することにより電気的導通をとることが可能な材料であることが好ましい。
【０１３４】
このようにすれば、下地電極２０ａから透過電極３および反射電極４のそれぞれに電荷を供給できる。このため、下地電極２０ａをガラス基板１上の導電層（電極１６ｃ）に接続するために１つのコンタクトホール１９ａを形成すればよい。したがって、導電層（電極１６ｃ）と透過電極３および反射電極４のそれぞれとを接続するために、図２１に示すように２つのコンタクトホール１９ａ、１９ｄを形成する場合より、コンタクトホールの数を少なくできる。このようなコンタクトホールが形成された部分は、反射電極４における光の反射効率が他の部分より低い。そのため、本発明に従った液晶表示装置ではコンタクトホールが形成された部分により光の反射効率が低下する程度を軽減できる。この結果、相対的に反射効率の良い（十分な光量を確保できる）液晶表示装置を実現できる。
【０１３５】
また、下地電極２０ａ下に位置する導電層（電極１６ｃ）と、透過電極３および反射電極４とを下地電極２０ａを介して電気的に接続することができる。そのため、透過電極３または反射電極４の材料として、電極１６ｃとの接続部の電気抵抗値が高くなるような材料を用いても、下地電極２０ａの材料を適宜選択することにより、電極１６ｃと下地電極２０ａとの接続部の接続コンタクト抵抗値を十分小さくできる。このため、電極１６ｃと透過電極３および反射電極４との電気的接続を確実に行なうことができる。
【０１３６】
上記液晶表示装置において、下地電極２０ａの一部（端部３７）は、下地電極２０ａの端部に位置していてもよい。
【０１３７】
この場合、下地電極２０ａの端部３７に下地電極２０ａと透過電極３との電気的な接続部が位置することになる。そのため、上記接続部が下地電極２０ａのたとえば中央部に位置する場合より、透過電極３と下地電極２０ａとの重なる領域の面積（つまり、透過電極３のうち下地電極２０ａの存在により光を透過できない領域の面積）を小さくできる。この結果、透過電極３において有効に光を透過する部分の面積の割合を大きくできるので、液晶表示装置において十分な光量を確保することができる。
【０１３８】
上記液晶表示装置では、透過電極３において下地電極２０ａの一部（端部３７）と電気的に接続する部分（端部３７の表面と接触する部分）が透過電極３の端部に位置していてもよい。
【０１３９】
この場合、透過電極３と下地電極２０ａとの重なる領域の面積を最も小さくできる。このため、透過電極３において有効に光を透過する部分の面積の割合を最も大きくできるので、液晶表示装置において十分な光量を確保することができる。
【０１４０】
上記液晶表示装置は、図３１に示すように、反射電極４と液晶２７を介して対向し、透過電極３と同じ材料により構成される対向電極２４を備えていてもよい。透過電極３は、図３１に示すように反射電極４の全体を覆うように形成されていてもよい。
【０１４１】
この場合、反射電極４を覆う透過電極３と対向電極２４とが同じ材料により構成されるので、液晶２７を駆動中にいわゆる電池効果は起こらない。このため、電池効果による電圧に起因して、いわゆる液晶の焼付き不良が発生する可能性を低減できる。
【０１４２】
上記液晶表示装置は、透過電極３下に下地膜としての有機絶縁膜１８を備えていてもよい。上述した本発明の実施の形態２〜６における製造方法により形成された液晶表示装置のように、透過電極３は有機絶縁膜１８にセリウム水酸化物を介することなく接触するように形成されていることが好ましい。
【０１４３】
この場合、透過電極３における光の透過率が、セリウム水酸化物の存在に起因して低下するという問題の発生を抑制できる。
【０１４４】
上記液晶表示装置において、ガラス基板１は、反射電極４および透過電極３が形成された表示画素領域と、端子領域とを含むことが好ましい。液晶表示装置は、端子領域において、ガラス基板１上に形成され、下地電極２０ａと同一レイヤにより構成される端子用下地導電体膜としての下地電極２０ｂと、下地電極２０ｂ上に形成され、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５とを備えていることが好ましい。
【０１４５】
この場合、下地電極２０ｂ下に位置する下層導電層（配線２１）と、端子電極５とを下地電極２０ｂを介して電気的に接続することができる。そのため、端子電極５の材料として、配線２１との接続部の電気抵抗値が高くなるような材料を用いても、下地電極２０ｂの材料を適宜選択することにより、配線２１と下地電極２０ｂとの接続部の接続コンタクト抵抗値を十分小さくできる。このため、配線２１と端子電極５との電気的接続を確実に行なうことができる。
【０１４６】
また、下地電極２０ａおよび透過電極３と同時に、下地電極２０ｂおよび端子電極５を形成できるので、この下地電極２０ｂおよび端子電極５を形成するために製造工程数が増加することはない。その為、液晶表示装置の製造コストが増大することを避けることができる。
【０１４７】
上記液晶表示装置において、端子電極５はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）を含んでいてもよい。
【０１４８】
この場合、ＩＴＯ膜は耐腐食性に優れ、また接触抵抗も安定しているため、端子電極５の材料として特に適している。
【０１４９】
上記液晶表示装置において、下地電極２０ａは、クロム（Ｃｒ）を主成分とする金属およびモリブデン（Ｍｏ）を主成分とする金属の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。反射電極４は、アルミニウムを主成分とする金属（たとえばアルミニウムまたはアルミニウム系合金）および銀を主成分とする金属（たとえば銀または銀系合金）の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。透過電極３はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）を含んでいてもよい。
【０１５０】
この場合、アルミニウムや銀は、光の反射率が高いため、反射電極４の材料として適している。また、スズ添加酸化インジウムは透明性導電材料であるため、光を透過させる透過電極３の材料として適している。そして、クロムまたはモリブデンは、上記したアルミニウムや銀およびスズ添加酸化インジウムと電気的に接続可能な材料であるため、下地電極２０ａの材料として適している。
【０１５１】
また、本発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例である、半透過型の液晶表示装置の製造方法では、上述した実施の形態２において説明したように、図２に示すような構造がその表面に形成されたガラス基板１を準備する工程の後、ガラス基板１上に（具体的にはガラス基板１上に形成された有機絶縁膜１８上に）、クロムを主成分とする金属膜としてのクロム膜５６を形成する工程（図７に示した工程）を実施する。このクロム膜５６は、液晶表示装置の画素を構成する画素電極（透過電極３および反射電極４）の下地導電体膜（下地電極２０ａ）となるべき膜である。そして、クロム膜５６をウエットエッチングにより部分的に除去することにより基板の一部（具体的には有機絶縁膜１８の表面の一部）を露出させる加工工程（図２６および図２７に示した工程）を実施する。そして、図２９に示すように、基板の露出した部分（有機絶縁膜１８の露出した部分）上に透明性導電体膜としてのＩＴＯ膜５９を形成する工程を実施する。そして、図３０に示すように、透明性導電体膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、基板の一部（具体的には有機絶縁膜１８の表面の一部）を露出させる工程を実施する。加工工程において用いられるエッチング液６０（図２７参照）は、リン酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも１つを０．１規定以上含有する硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液である。
【０１５２】
このようにすれば、加工工程の後エッチング液をガラス基板１上から除去するときにも、エッチング液がリン酸などを十分含んでいるので、エッチング液を安定して酸性に保つことができる。このため、ガラス基板１表面にセリウム水酸化物が析出残存する可能性を低減できる。したがって、ガラス基板１上に透過電極３を形成する場合に、セリウム水酸化物の存在に起因して透過電極３での光の透過率が低下する可能性を低減できる。
【０１５３】
また、本発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例である、半透過型の液晶表示装置の製造方法では、上述した実施の形態２において説明したように、ガラス基板１を準備する工程（図２に示すような構造がその表面に形成されたガラス基板１を準備する工程）の後、有機絶縁膜１８が形成されたガラス基板１上に（つまり有機絶縁膜１８上に）、クロムを主成分とする金属膜としてのクロム膜５６を形成する工程（図７に示した工程）を実施する。なお、このクロム膜５６は、液晶表示装置の画素を構成する画素電極（透過電極３および反射電極４）の下地導電体膜（下地電極２０ａ）となるべき膜である。そして、クロム膜５６をウエットエッチングにより部分的に除去することにより基板の一部（つまり有機絶縁膜１８の表面の一部）を露出させる加工工程（図２６および図２７に示した工程）を実施する。そして、図２９に示すように、基板の露出した部分（有機絶縁膜１８の露出した部分）上に透明性導電体膜としてのＩＴＯ膜５９を形成する工程を実施する。そして、図３０に示すように、透明性導電体膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、基板の一部（具体的には有機絶縁膜１８の表面の一部）を露出させる工程を実施する。加工工程において用いられるエッチング液は、過塩素酸を１０質量％以上含有する硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液である。
【０１５４】
このようにすれば、加工工程の後エッチング液をガラス基板１上から除去するときにも、エッチング液が過塩素酸を十分含んでいるので、エッチング液を安定して酸性に保つことができる。このため、ガラス基板１表面にセリウム水酸化物が析出残存する可能性を低減できる。したがって、上述した液晶表示装置の製造方法と同様に、ガラス基板１上に透過電極３を形成する場合、セリウム水酸化物の存在に起因して透過電極３での光の透過率が低下する可能性を低減できる。なお、透明性導電体膜としてＩＴＯ以外の材料からなる膜を用いてもよい。
【０１５５】
また、本発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例である、半透過型の液晶表示装置の製造方法では、上述した実施の形態４および５において説明したように、図２に示すような構造が表面に形成されたのガラス基板１を準備する工程の後、ガラス基板１上に（ガラス基板１上に形成された有機絶縁膜１８上に）、クロムを主成分とする金属膜としてのクロム膜５６を形成する工程（図７に示した工程）を実施する。なお、クロム膜５６は液晶表示装置の画素を構成する画素電極（透過電極３および反射電極４）の下地導電体膜（下地電極２０ａ）となるべき膜である。そして、クロム膜５６上にマスク層としてのレジスト膜５８を形成する工程（図２６に示した工程）を実施する。さらに、レジスト膜５８が存在する状態で、クロム膜５６を部分的にエッチングにより除去する加工工程（図３４に示した工程）を実施する。加工工程の後、レジスト膜５８が存在する状態でクロム膜５６が形成されたガラス基板１の表面（具体的には、クロム膜５６が形成された有機絶縁膜１８の表面）を洗浄する表面処理工程（図３６または図３７に示した工程）を実施する。
【０１５６】
このようにすれば、加工工程の後、ガラス基板１上にセリウム水酸化物が析出していても、表面処理工程によりそのセリウム水酸化物を除去することができる。このため、セリウム水酸化物の析出に起因する不具合の発生確率を低減できる。
【０１５７】
また、表面処理工程を実施するときにはレジスト膜５８が形成されたままの状態であるので、この表面処理により反射電極４などが損傷を受ける可能性を低減できる。
【０１５８】
上記液晶表示装置の製造方法において、表面処理工程では、燐酸、硝酸、酢酸および塩酸からなる群から選択される少なくとも１つを含有する水溶液（エッチング液３３）でガラス基板１の表面（具体的には有機絶縁膜１８の表面）を洗浄してもよい。
【０１５９】
この場合、酸性溶液である水溶液（エッチング液３３）でガラス基板１の表面を洗浄することになる。そして、セリウム水酸化物は酸性溶液により溶解されるため、表面処理工程によりガラス基板１の表面からセリウム水酸化物を確実に除去することができる。
【０１６０】
上記液晶表示装置の製造方法において、表面処理工程では、酸素を反応ガスとして用いたプラズマ（酸素プラズマ）をガラス基板１の表面（具体的には有機絶縁膜１８の表面）に接触させることによりガラス基板１の表面（有機絶縁膜１８の表面）を洗浄してもよい。
【０１６１】
また、上記液晶表示装置の製造方法において、表面処理工程では、４フッ化炭素ガス（ＣＦ4）、トリフルオロメタンガス（ＣＨＦ3）、６フッ化硫黄ガス（ＳＦ6）および塩素ガス（Ｃｌ2）からなる群から選択される少なくとも１つを反応ガスとして用いたプラズマをガラス基板１の表面（具体的には有機絶縁膜１８の表面）に接触させることにより、ガラス基板１の表面（有機絶縁膜１８の表面）を洗浄してもよい。
【０１６２】
この場合、上述のような酸素や４フッ化炭素ガスなどを反応ガスとして用いたプラズマにより、セリウム水酸化物をガラス基板１の表面から容易に除去することができる。
【０１６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【０１６４】
【図１】本発明による液晶表示装置の実施の形態１を示す断面模式図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図３】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図４】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。
【図５】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第４工程を説明するための断面模式図である。
【図６】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第５工程を説明するための断面模式図である。
【図７】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第６工程を説明するための断面模式図である。
【図８】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第７工程を説明するための断面模式図である。
【図９】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第８工程を説明するための断面模式図である。
【図１０】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第９工程を説明するための断面模式図である。
【図１１】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１０工程を説明するための断面模式図である。
【図１２】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１１工程を説明するための断面模式図である。
【図１３】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１２工程を説明するための断面模式図である。
【図１４】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１３工程を説明するための断面模式図である。
【図１５】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１４工程を説明するための断面模式図である。
【図１６】図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１５工程を説明するための断面模式図である。
【図１７】第１の参考例としての液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図１８】第１の参考例としての液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図１９】第１の参考例としての液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。
【図２０】第１の参考例としての液晶表示装置の製造方法の第４工程を説明するための断面模式図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の効果を説明するための第２の参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。
【図２２】図２１に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図２３】図２１に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図２４】図２１に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。
【図２５】本発明による液晶表示装置の効果を説明するための第３の参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。
【図２６】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図２７】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図２８】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２の第３工程を説明するための断面模式図である。
【図２９】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２の第４工程を説明するための断面模式図である。
【図３０】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態２の第５工程を説明するための断面模式図である。
【図３１】本発明による液晶表示装置の実施の形態３を示す断面模式図である。
【図３２】図３１に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図３３】図３１に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図３４】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態４の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図３５】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態４の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図３６】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態４の第３工程を説明するための断面模式図である。
【図３７】本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５を説明するための断面模式図である。
【図３８】本発明による液晶表示装置の実施の形態６を示す断面模式図である。
【図３９】図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。
【図４０】図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。
【図４１】図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。
【図４２】図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第４工程を説明するための断面模式図である。
【図４３】図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第５工程を説明するための断面模式図である。
【符号の説明】
【０１６５】
１  ガラス基板、２  薄膜電界効果トランジスタ、３  透過電極、４  反射電極、５  端子電極、６  下地膜、７ａ，７ｂ  ソース／ドレイン領域、８  チャネル領域、９  下部電極、１０，１７  絶縁膜、１１  蓄積容量、１２  ゲート電極、１３  共通電極、１４  保護膜、１５ａ〜１５ｃ，１９ａ〜１９ｄ  コンタクトホール、１６ａ〜１６ｃ  電極、１８  有機絶縁膜、２０ａ，２０ｂ，６３ａ，６３ｂ  下地電極、２１  配線、２２  開口部、２３  カラーフィルタ、２４  対向電極、２５  対向ガラス基板、２６  シール剤、２７  液晶、２８ａ，２８ｂ  配向膜、２９ａ，２９ｂ  ポリシリコン膜、３０  セリウム水酸化物、３１  結晶化したＩＴＯ膜、３３，６０，６２  エッチング液、３４  矢印、３５，３６  側面、３７，３８  端部、５１  シリコン窒化膜、５２  シリコン酸化膜、５３，５５  モリブデン膜、５４，５７  アルミニウム系合金膜、５６  クロム膜、５８  レジスト膜、５９  ＩＴＯ膜、６１  延在部、６４  モリブデン系合金膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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