(57)【要約】    【課題】端縁にチッピングが発生するのを防止できるとともに、分割用溝の交差部においても、溝に沿って、確実に分割できるセラミック基板を提供する。    【解決手段】分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）のそれぞれは、第１の溝部分５１と、第２の溝部分５２とを含んでいる。第１の溝部分５１は、奥部に位置する狭幅溝である。第２の溝部分５２は、先端が第1の溝部分５１に連なり、溝幅Ｗ１が一面に向かって次第に拡がる部分を含む。【選択図】      図４
2005347646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝を有するセラミック基板であって、
前記分割用溝のそれぞれは、第１の溝部分と、第２の溝部分とを含んでおり、
前記第１の溝部分は、奥部に位置する狭幅溝であり、
前記第２の溝部分は、先端が前記第1の溝部分に連なり、溝幅が前記一面に向かって次第に拡がる部分を含む
セラミック基板。
【請求項２】
請求項１に記載されたセラミック基板であって、セラミックスとガラスとを含有する低温同時焼成セラミックス材料からなるセラミック基板。
【請求項３】
請求項1または２に記載されたセラミック基板であって、前記第２の溝部分は、Ｖ状部分を含むセラミック基板。
【請求項４】
請求項３に記載されたセラミック基板であって、前記Ｖ状部分は、開き角度が２０度〜１４０度の範囲内にあるセラミック基板。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載されたセラミック基板であって、基板厚みをＴ１とし、前記分割用溝のない部分の厚みをＴ２としたとき、
１／３≦Ｔ２／Ｔ１≦９／１０
を満たすセラミック基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載されたセラミック基板であって、
整列された多数の素子を含んでおり、
前記分割用溝は、前記素子のそれぞれの間に設けられている
セラミック基板。
【請求項７】
請求項1乃至６の何れかに記載されたセラミック基板を製造する方法であって、
未焼成のセラミック基板に、前記第１の溝部分を形成し、
次に、前記第２の溝部分を形成し、
その後、焼成する
工程を含むセラミック基板の製造方法。
【請求項８】
請求項1乃至６の何れかに記載されたセラミック基板を製造する方法であって、
未焼成のセラミック基板に、前記第２の溝部分を形成し、
次に、前記第１の溝部分を形成し、
その後、焼成する
工程を含むセラミック基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載された製造方法であって、
前記第1の溝部分は、ナイフ状刃を用いて押し込むことにより形成し、
前記第２の溝部分は、ダイサーを用いて研削することにより形成する
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種のセラミックス電子部品の製造に用いられるセラミック基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種のセラミックス電子部品を製造する場合、一般には、多数個の電子部品要素を、格子状に配置したウエハ状セラミック基板が用いられる。積層タイプのセラミックス電子部品を対象とする場合は、セラミック基板は多層化され、基板の表面のみならず、層間にも、電子部品要素を構成する回路要素、例えば、導体パターンなどが配置される。
上述したウエハ状セラミック基板を製造する方法としては、従来より種々の手法が知られている。基本的には、未焼成のセラミックスグリーンシートの一面上に、スクリーン印刷などの手段によって、回路要素となる導体パターンを形成し、こうして得られたグリーンシートの複数枚を積層し、圧着し、未焼成セラミック基板を得る。
【０００３】
次に、乾燥工程などを経た後、焼成炉に通し、焼成する。そして、焼成後に基板を切断し、電子部品要素の単品を取り出す。
【０００４】
焼成工程においては、未焼成セラミック基体自体の焼結とともに、導体パターンの焼結も同時に進行させなければならない。そこで、一般には、導体パターンと同時に焼結可能なセラミックスス材料が選択される。このようなセラミックス材料は、低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics  以下、ＬＴＣＣという）と称されるもので、一般には、セラミック材料とガラス材料との複合材料で構成される。
【０００５】
ところで、ウエハ状セラミック基板を用いるのは、勿論、電子部品の量産性確保のためであるが、ウエハ状セラミック基板を用いる限り、何れかの段階で、電子部品要素を単品として取り出すための切断．分割プロセスを実行しななければならない。切断．分割プロセスの実行タイミングとしては、例えば、積層セラミックコンデンサの製造方法で採用されているように、未焼成の段階で実行する場合と、焼成後に実行する場合の2つがあり、ＬＴＣＣを用いたセラミック基板では、切断．分割プロセスは焼成後に実行されることが多い。
【０００６】
この場合の切断．分割の手法としては、ダイサーなどの切断工具を用いる手法も知られているが、未焼成セラミック基板の段階で、その一面又は両面に、横分割用溝（又は縦分割用溝）を入れ、焼成後に、これらの分割用溝に沿って折る、いわゆる「チョコレートブレーク」方式が、簡便であることから、多用されている。
【０００７】
ところが、分割操作時又は分割後に、端縁にチッピング等が発生し、製品歩留りが著しく低下してしまうという重大な問題があった。特に、ＬＴＣＣを用いたセラミック基板は、材料的性質に起因する脆性のために、この問題が発生し易かった。
【０００８】
その上、近年の電子部品の小型化や高機能化に伴い、分割後のチップ基板の小型化や多層化が促進されたため、端縁にチッピング等が発生し、製品歩留りが著しく低下してしまうという問題は益々増加する傾向にある。
【０００９】
上述した問題点又はこれに類似する問題点を解決することを目的として、従来より、種々の技術が提案されている。例えば、特許文献１には、回路基板の表面及び裏面の切断溝について、一方側端面を表裏対向して垂直に立ち上がり・立ち下がった垂直面とし、他方側端面を表裏対向して斜めに傾斜した傾斜面とした断面レ字形に形成し、切断時にバリが生じるのを回避する技術が開示されている。
【００１０】
特許文献２には、製品領域の外側に、製品領域に形成されている縦横の分割用溝が延設されたダミー領域を設け、このダミー領域の分割用溝の深さを製品領域の分割用溝より浅くしたセラミック基板が開示されている。
【００１１】
特許文献３には、製品領域の外側に、製品領域に形成されている縦横の分割用溝が延設されたダミー領域を設け、このダミー領域の分割用溝の端部がセラミック基板の最外辺にまで達しないようにしたセラミック基板が開示されている。
【００１２】
特許文献４には、セラミック基板に設定されたダミー領域を、製品領域側の第１ダミー領域と、この第１ダミー領域の外側にある第２ダミー領域とから構成し、第１ダミー領域の表面には縦横の分割用溝を形成するとともに、第２ダミー領域の表面には、第１ダミー領域と第２ダミー領域とを区画する境界の延長線上で外辺に達する縦及び／又は横の切断溝を形成することにより、分割用溝部にクラックが発生するのを防止する技術が開示されている。
【００１３】
特許文献５には、プレスカット用切断刃の位置決め用ガイドとして、プリント基板の切断するラインを所定間隔で挟むようにラインの両側に沿って複数箇所にはんだバンプを形成し、はんだバンプを、プレスカット用切断刃の位置決め用ガイドとして働かせるようにした技術が開示されている。
【００１４】
特許文献６には、第１レジンダイヤモンドブレードを用いて、シリコンウエハに第１のダイシングを施して切断溝を形成した後、これよりも広い幅の第２レジンダイヤモンドブレードを用い、切断溝に沿ってシリコンウエハに第２のダイシングを施して光導波路端面を研磨する方法が開示されている。
【００１５】
しかし、特許文献１〜４には、ＬＴＣＣでなるセラミック基板への適用において、分割操作時又は分割後に端縁にチッピングが発生するのを防止する手段は開示されていない。特許文献５、６も同様である。
【００１６】
また、何れの従来技術によっても、特に、ＬＴＣＣでなるセラミック基板においては、横分割用溝と縦分割用溝との交差部分において、予期せぬ方向にクラックや割れが走ることがあった。
【特許文献１】特開平１１−１７２８９号公報
【特許文献２】特開平１０−２６４１３０号公報
【特許文献３】特開平９−１１２２１号公報
【特許文献４】特開２００２−２９２６１９号公報
【特許文献５】特開平８−１６２７３３号公報
【特許文献６】特開２００３−１７２８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の課題は、端縁にチッピングが発生するのを防止できるセラミック基板、及び、その製造方法を提供することである。
【００１８】
本発明のもう一つの課題は、分割用溝の交差部においても、溝に沿って、確実に分割できるセラミック基板、及び、その製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述した課題を解決するため、本発明は、セラミック基板とその製造方法とを開示する。
（１）セラミック基板
本発明に係るセラミック基板は、少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝を有する。前記分割用溝のそれぞれは、第１の溝部分と、第２の溝部分とを含んでいる。前記第１の溝部分は、奥部に位置する狭幅溝である。前記第２の溝部分は、先端が前記第1の溝部分に連なり、溝幅が前記一面に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。
【００２０】
上述したように、本発明に係るセラミック基板は、少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝を有するから、分割用溝に沿って、縦横に分割することができる。分割用溝によって囲まれた領域内に、素子形成領域を有していて、前記素子形成領域が、整列された多数の素子を含んでいるセラミック基板においては、分割操作により、素子のそれぞれを個別的に単品として取り出すことができる。
【００２１】
分割用溝のそれぞれは、第２の溝部分を含んでおり、第２の溝部分は、溝幅が一面に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。この第２の溝部分の存在により、基体の一面に現れる開口端が、第１の溝部分によって生じる側端面よりも内側に位置することになるから、分割後に基体の一面に現れる開口端にチッピングが発生するのを防止し得る。
【００２２】
しかも、分割用溝のそれぞれは、第１の溝部分を含んでおり、第１の溝部分は、奥部に位置する狭幅溝である。従って、分割操作において、第１の溝部分が主導的な役割を担い、セラミック基板を分割する際の分割力が第１の溝部分に集中することになるから、第１の溝部分に沿って正確に分割できる。もし、第1の溝部分がなければ、広幅の第２の溝部分の最底部で分割せざるを得ず、分割力が分散し、予期せぬ方向にクラックが走るなどの問題を生じる。
【００２３】
本発明に係るセラミック基板は、典型的には、整列された多数の素子を含んでおり、前記分割用溝は、前記素子のそれぞれの間に設けられている。このようなセラミック基板では、電子部品の小型化や高機能化に伴い、分割後のチップ素子の小型化や多層化の進展が激しく、その分、端縁にチッピング等が発生し易く、製品歩留りが著しく低下してしまうという問題を抱えている。本発明に係るセラミック基板によれば、このような問題を確実に回避できる。
【００２４】
本発明は、ＬＴＣＣ材料でなるセラミック基板に適用して、特に有効である。ＬＴＣＣ材料でなるセラミック基板は、材料的性質に起因する脆性のために、上述したチッピングの問題が発生し易いところ、本発明によれば、そのような問題を回避できるからである。
第２の溝部分は、典型的には、Ｖ状部分を含む。第２の溝部分は、全体がＶ状であってもよいし、部分的にＶ状であってもよい。
【００２５】
（２）セラミック基板の製造方法
上述したセラミック基板の製造に当たっては、まず、未焼成セラミック基板の少なくとも一面に、ナイフ状刃を押し当てて、第１の方向Ｘに延びる第１の分割用溝を形成し、次に、前記未焼成セラミック基板の少なくとも一面に、ナイフ状刃を押し当てて、前記第１の方向Ｘと交差する第２の方向Ｙに延び、かつ、前記第１の分割用溝と交差する第２の分割用溝を形成し、次に、前記第１の分割用溝にナイフ状刃を押し当てる工程を含む。
【００２６】
別の手法として、第１の分割用溝の形成工程と、第２の分割用溝の形成工程とを、時間的に逆にしてもよい。即ち、未焼成のセラミック基板に、前記第２の溝部分を形成し、次に、前記第１の溝を形成し、その後、焼成するのである。
【００２７】
上記２つの何れの方法を適用しても、本発明に係るセラミック基板を、効率よく、かつ、確実に製造することができる。
【００２８】
具体的には、第1の溝部分は、ナイフ状刃を用いて未焼成のセラミック基板内に押し込むことにより形成し、第２の溝部分は、ダイサーを用いて研削することにより形成することができる。このダイサーの回転刃は、外周の研削刃部分の形状がＶ字状となっており、このダイサーの回転刃の形状が第２の分割用溝の形状となる。
【発明の効果】
【００２９】
以上述べたように、本発明によれば、分割操作時又は分割後に端縁にチッピングが発生するのを防止できるセラミック基板、及び、その製造方法を提供することができる。
【００３０】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
（１）セラミック基板
図１は本発明に係るセラミック基板の一例を示す平面図、図２は図１に示したセラミック基板の正面断面図である。セラミック基板の主要部分である基体１は、各種のセラミック材料、例えば、誘電体セラミック材料、磁性セラミックなどの材料のほか、セラミック粉末とガラス粉末とを混合したガラスセラミック材料などで構成することができる。本発明において用いられるセラミック基板は、ＬＴＣＣ材料であることが好ましい。本発明では、焼成後に分割することを前提としているからである。ＬＴＣＣ材料は、既に知られているので、その中から選択使用することができる。一例として、（Ｓｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ）系ガラス５０ｗｔ％と、アルミナ５０ｗｔ％の組み合わせを挙げることができる。セラミック基板は、単層タイプ、多層タイプの何れでもよい。
【００３２】
基体１の一面上に設定された素子形成領域２は、整列された多数の素子２１を含んでおり、素子２１のそれぞれは導体パターンを含んでいる。図示の素子形成領域２は、四角形状の領域となっているが、必ずしも、このような形状には限定されない。
【００３３】
基体１の少なくとも一面側において、素子形成領域２の内部において、素子２１の間に、互いに直交する分割用溝３１、４１が形成されている。図示実施例は、他面側にも、分割用溝３１、４１と対向する位置に、分割用溝３２、４２を設けた例を示している。
【００３４】
図１及び図２では、一つの素子形成領域２が示されているだけであるが、一枚の基体１上に多数の素子形成領域２を、横縦に並べた形態をとることもあり、このような場合は、同様の分割用溝を設けることができる。
【００３５】
図３は図１及び図２に示したセラミック基板の一部を拡大して示す一部拡大平面図、図４は同じくその一部拡大正面図、図５は図４を更に拡大した図である。これらの図を参照すると、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）のそれぞれは、第１の溝部分５１と、第２の溝部分５２とを含んでいる。
【００３６】
第１の溝部分５１は、奥部に位置する狭幅溝で、例えば、ナイフ状刃によって形成される。第１の溝部分５１の深さＨ１は、基体１の全体の厚さＴ１、及び、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）を片面に設けるか、両面に設けるか、などによっても変化する。一例であるが、図示実施例の両面溝構造において、基体１の厚さＴ１（焼成前）を１．２ｍｍ前後とした場合、第１の溝部分５１の深さＨ１（焼成前）は０．０２ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲に設定することができる。また、第１の溝部分５１の溝幅は、０．１ｍｍ〜０．７ｍｍ程度である。
【００３７】
第２の溝部分５２は、先端が第１の溝部分５１に連なり、溝幅Ｗ１が一面（表面）に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。図示実施例において、第２の溝部分５２は、開き角度θ１で、両側に開く傾斜面５３、５４を有する。傾斜面５３、５４には、それぞれ、側壁面５５、５６が連なっている。側壁面５５、５６は、図示では、ほぼ垂直であるが、傾斜面となっていてもよい。従って、図示実施例の第２の溝部分５２は、部分的にＶ状となるが、全体にわたってＶ状であってもよい。第２の溝部分５２の深さＨ２（焼成前）は、図示実施例の両面溝構造において、基体１の厚さＴ１（焼成前）を１．２ｍｍ前後とした場合、０．１ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲に設定することができる。また、第１の溝部分５１の溝幅は、０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。
【００３８】
上述したように、本発明に係るセラミック基板は、少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）を有するから、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）に沿って、縦横に分割することができる。図示実施例では、素子形成領域２において、整列された多数の素子２１のそれぞれの間に分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）を有するから、分割操作により、素子２１のそれぞれを個別的に単品として取り出すことができる。
【００３９】
分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）のそれぞれは、第２の溝部分５２を含んでおり、第２の溝部分５２は、溝幅Ｗ１が一面に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。この第２の溝部分５２の存在により、基体１の一面に現れる開口端Ｅ１（図５参照）が、第１の溝部分５１によって生じる側端面よりも内側に位置することになるから、分割後に基体１の一面に現れる開口端Ｅ１にチッピングが発生するのを防止し得る。
【００４０】
しかも、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）のそれぞれは、第１の溝部分５１を含んでおり、第１の溝部分５１は、奥部に位置する狭幅溝である。従って、分割操作において、第１の溝部分５１が主導的な役割を担い、セラミック基板を分割する際の分割力が第１の溝部分５１に集中することになるから、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）の交差部においても、溝に沿って、確実に分割できる。もし、図６に示すように、第1の溝部分がなければ、広幅の第２の溝部分５２の最底部Ｒ１で分割されることになるため、分割力が集中せずに分散し、予期せぬ方向にクラックが走るなどの問題を生じる。
【００４１】
Ｖ状部分は、開き角度θ１が２０度〜１４０度の範囲内にあることが好ましい。Ｖ状部分の開き角度θ１が２０度未満であると、分割後の基板エッジが９０度に近くなるため、チッピングを発生しやすい。１４０度を超過すると、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）による基板占有面積が増えるため、その分、素子取個数が減少し、生産効率が低下する。
【００４２】
セラミック基板の分割性の良否は、基板厚みＴ１（焼成前厚み）と、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）のない部分の厚みＴ２（焼成前厚み）の比（Ｔ２／Ｔ１）に左右される。実験によると、
１／３≦Ｔ２／Ｔ１≦９／１０
を満たせば、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）に沿って、確実に分割できることが分かった。
【００４３】
一例として、焼成後厚みＴ１が焼成前厚み１．２６１ｍｍ（焼成後厚み１．０１９ｍｍ）の基体１において、第２の溝部分５２の深さＨ２（焼成前深さ）を０．３ｍｍとし、第１の溝部分５１の深さＨ１（焼成前深さ）を０．５５ｍｍとしたセラミック基板では、分割用溝に沿って、ほぼ正確に分割することができた。この場合のＴ２／Ｔ１は、
Ｔ２／Ｔ１＝０．３２６
であり、上記条件式を満たしている。（Ｔ２／Ｔ１）の比が１に近づくにつれて、分割性がよくなるが、反面、セラミック基板が分割操作以外の場面でさえも折れてしまうような事態になりかねない。このような事態を回避するためには、Ｔ２／Ｔ１≦９／１０を満たす必要がある。
【００４４】
次に、表１に記載した実験データを参照して、更に詳しく説明する。表１は、焼成前厚みＴ１＝１．２６１ｍｍのセラミック基板に、表１で示される条件で分割用溝を形成し、これを焼成した後分割した場合の分割良否を示している。分割不良の一例を図７に示し、分割の良好な例を図８に示す。
【００４５】
【表１】
2005347646.tif 000003
【００４６】
表１を参照すると、焼成前厚みＴ１＝１．２６１ｍｍについて、基板表面に深さH２＝０．３ｍｍの第２の溝部分５２を設けたが、第１の溝部分５１を設けなかったサンプル１は、分割不良を生じた。分割不良の態様は、図７に示すようなものであった。
【００４７】
また、基板表面のみならず、裏面にも、深さH２＝０．３ｍｍの第２の溝部分５２を設けたが、第１の溝部分５１を設けなかったサンプル２でも、分割不良が生じた。
【００４８】
サンプル１，２は、基板厚みＴ１と、分割用溝のない部分の厚みＴ２との比（T2/T1）はそれぞれ、０．７６２，０．５２４であり、１／３≦Ｔ２／Ｔ１≦９／１０を満たしてはいるが、第１の溝部分５１を持たないために、上述したような結果になったものである。
【００４９】
これに対して、基板表面又は基板裏面の少なくとも一方に、第１の溝部分５１及び第２の溝部分５２の両者を設けたサンプル３〜８は、何れも、良好に分割することができた。その良好な分割の態様は、図８に示すようなものであった。また、サンプル２〜８は、何れも、１／３≦Ｔ２／Ｔ１≦９／１０の条件を満たしている。
【００５０】
従って、焼成後、図８に示すような良好な分割ができるようにするためには、基板表面又は基板裏面の少なくとも一方に、第１の溝部分５１及び第２の溝部分５２を設けること、好ましくは、１／３≦Ｔ２／Ｔ１≦９／１０の条件を満たすべきことが必要になる。
【００５１】
次に、図９〜図１３を参照し、本発明に係るセラミック基板の他の実施例を説明する。これらの図において、図１〜図６に現れた構成部分と対応する部分については、同一の参照符号を付してある。
【００５２】
まず、図９の実施例では、基体１の一面側にある分割用溝３１、４１は、第１の溝部分５１を備えているが、基体１の他面側にある分割用溝３２、４２は、第１の溝部分を備えていない。
【００５３】
次に、図１０の実施例では、分割用溝３１、４１は、基体１の一面側にのみ、備えられており、基体１の他面側には備えられていない。
【００５４】
図１１に示した実施例では、第２の溝部分５２は、その全体がＶ状溝で構成されている。
【００５５】
図１２に示した実施例では、分割用溝３１、４１は、基体１の一面側にのみ、備えられており、基体１の他面側には備えられていない。
【００５６】
図１３に示した実施例では、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）は、第２の溝部分５２が片方の傾斜面５４を備えるだけの変形されたＶ状溝となっている。
【００５７】
図９〜図１３に示した構成であっても、基体１の厚み、分割用溝（３１、４１）及び（３２、４２）の形状、深さなどを選択することによって、先に述べた実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【００５８】
（２）セラミック基板の製造方法
次に、上述したセラミック基板の製造方法について説明する。
【００５９】
まず、図１４、図１５に示すように、未焼成セラミック基体１の一面に、例えば、ナイフ状刃７を用いて、第1の溝部分５１を形成する。この第１の溝部分５１は、縦横に交差するように形成する（図１、図２参照）。
【００６０】
次に、図１５、図１６に示すように、第１の溝部分５１をトレースするようにして、即ち、第１の溝部分５１を基準にして、これに重なるように、第２の溝部分５２を形成する。
【００６１】
第２の溝部分５２は、ダイサー８などを用いて形成することができる。ダイサー８は中心軸Ｏ１の周りに矢印Ｒ１で示すように回転させる。ダイサー８の先端は、第２の溝部分５２の開き角に相当する開き角θ２を有するＶ状となっている。開き角θ２を与える両傾斜面８１、８２により、第２の溝部分５２の傾斜面５３、５４が形成される。
【００６２】
この後、通常の工程に従って、焼成する。そして、焼成工程を終了することにより、図１〜図１３に示した本発明に係るセラミック基板が得られる。勿論、ダイサー８は、図１〜図１３などに示されたセラミック基板の分割用溝に適合するようなものが用意される。
【００６３】
図１４〜図１６とは異なって、未焼成セラミック基体１に、第２の溝部分５２を形成し、次に、第１の溝部分５１を形成するプロセスを採用してもよい。
【００６４】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る製造方法が適用されるセラミック基板の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示したセラミック基板の正面断面図である。
【図３】図１及び図２に示したセラミック基板の一部拡大平面図である。
【図４】図１及び図２に示したセラミック基板の一部拡大正面図である。
【図５】図４を更に拡大した図である。
【図６】比較例としての分割用溝の構成を示す図である。
【図７】分割不良の一例を示す図（写真）である。
【図８】分割の良好な例を示す図（写真）である。
【図９】本発明に係るセラミック基板の別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。
【図１０】本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。
【図１１】本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。
【図１２】本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。
【図１３】本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。
【図１４】本発明に係るセラミック基板の製造方法を示す図である。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１６】図１５に示した工程の後の工程を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１                            基体
２                            素子形成領域
３１〜３４、４１〜４４        分割用溝
５１                          第１の溝部分
５２                          第２の溝部分
【図１】
2005347646.tif 000004
【図２】
2005347646.tif 000005
【図３】
2005347646.tif 000006
【図４】
2005347646.tif 000007
【図５】
2005347646.tif 000008
【図６】
2005347646.tif 000009
【図９】
2005347646.tif 000010
【図１０】
2005347646.tif 000011
【図１１】
2005347646.tif 000012
【図１２】
2005347646.tif 000013
【図１３】
2005347646.tif 000014
【図１４】
2005347646.tif 000015
【図１５】
2005347646.tif 000016
【図１６】
2005347646.tif 000017
【図７】
2005347646.tif 000018
【図８】
2005347646.tif 000019