(57)【要約】【課題】  光軸方向に沿って複数の光起電力セルを積層したセル群を備え、光起電力セルの両端に発生する光電変換信号を検出し、光起電力セルに入射する光の色成分情報を得る撮像素子を備えた撮像装置において、カラーバランスが環境温度に左右されることのない撮像装置を得る。【解決手段】  温度を検知する温度センサと、光起電力セルの層のうち、所望の層を選択する層選択手段を備え、層選択手段は、温度センサより得られる温度データに基づいて、光起電力セルの層を選択する撮像装置とする。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸方向に沿って複数の光起電力セルを積層したセル群を備え、前記光起電力セルの両端に発生する光電変換信号を検出し、前記光起電力セルに入射する光の色成分情報を得る撮像素子を備えた撮像装置において、
温度を検知する温度センサと、
前記複数の光起電力セルの層のうち、所望の層を選択する層選択手段を備え、
前記層選択手段は、前記温度センサより得られる温度データに基づいて、前記光起電力セルの層を選択することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記層選択手段は、前記温度データと選択する層とを対応づけた変換テーブルに基づいて、前記光起電力セルの層を選択することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記層選択手段は、前記温度データが関係する所定の演算式により、前記光起電力セルの層を選択することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置を備えたことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子を使用して被写体画像を得る撮像装置、特に異なる波長の光を異なる深さで吸収する特性の撮像素子を備えた撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カメラ内蔵携帯端末、スキャナー等の撮像装置において、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサやＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型イメージセンサ等の撮像素子が広く使用されている。
【０００３】
これらの撮像素子は、カラー画像を得るために、撮像部の最小単位であるフォトセンサ個々の上にカラーフィルタを被せ、色を検出するようになっている。このカラーフィルタには、Ｒ（レッド）・Ｇ（グリーン）・Ｂ（ブルー）を用いた原色系タイプと、Ｙ（イエロー）・Ｍ（マゼンタ）・Ｃ（シアン）・Ｇ（グリーン）を用いた補色系タイプの２種が知られている。
【０００４】
これらＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサは、温度特性を有するため、温度センサを内蔵し、この温度センサで検出した温度に応じて、得られた色データの補正量を決め、得られた画像を補正して最適な画像とする撮像装置は公知である。
【０００５】
一方、新方式のＣＭＯＳ撮像素子が開発されカメラに搭載されて販売されている。この方式の撮像素子は、シリコンが持つ、異なる波長（色）の光を異なる深さで吸収する、という特性を利用し、一つのフォトセンサから、Ｒ・Ｇ・Ｂの３原色の色成分情報を得るようにしたものである（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平６−５２８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の特許文献１に記載の撮像素子は、光起電力セル上にカラーフィルタを被せずとも色情報を取り出すことができる。このため従来の撮像素子で偽色やモアレ現象の発生を防ぐために不可欠であったオプチカルローパスフィルタ（ＯＬＰＦ）を不要とでき、撮像素子の前方に配置される撮像光学系の解像力等の性能をそのまま生かした撮影ができるという特徴を有している。
【０００７】
図１は、特許文献１に記載された従来の撮像素子の、１画素分の断面構造を示す模式図である。
【０００８】
同図において、Ｂ（ブルー）とＧ（グリーン）とＲ（レッド）を感知する光起電力セル６１、Ｇ（グリーン）とＲ（レッド）を感知する光起電力セル６２、Ｒ（レッド）を感知する光起電力セル６３が透明導電層６４、６５、６６、及び６０の接続端子を介して接続される。５４は電源であり５５はダイオード或いは抵抗で構成される。
【０００９】
このような構成の光起電力セル群に、光が透明導電層６４側より入射した場合、光起電力セル６１の両端の端子４８ａと４８ｂ間の電圧は、入射光の色成分のうち（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）に相当する電圧Ｅ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）を発生し、光起電力セル６２の両端の端子４８ｂと４８ｃ間の電圧は、入射光の色成分のうち（Ｇ＋Ｒ）に相当する電圧Ｅ（Ｇ＋Ｒ）を発生し、光起電力セル６３の両端の端子４８ｃと４８ｄ間の電圧は、入射光の色成分のうち（Ｒ）に相当する電圧Ｅ（Ｒ）を発生するようになっている。
【００１０】
これ故、入射光の色成分は、Ｅ（Ｒ）に加え、｛Ｅ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）−Ｅ（Ｇ＋Ｒ）｝の演算によりＥ（Ｂ）が得られ、｛Ｅ（Ｇ＋Ｒ）−Ｅ（Ｒ）｝の演算によりＥ（Ｇ）が得られ、Ｂ・Ｇ・Ｒの３つの色成分に分離することができるようになっている。
【００１１】
しかし、この撮像素子は、従来のＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサと異なり、光軸方向に沿って複数の光起電力セルを積層しているため、撮像素子の温度が高い場合には各層の分子が活性化することにより、より上層で、入射光の光電変換される確率が上がることになる。また低温下では、この逆となる。
【００１２】
図２は、特許文献１に記載されている従来の撮像素子の、温度特性を示す図である。同図は、異なる温度下で、同一白色光を入射させた時の層の深さと検出出力の関係を示しており、同図（ａ）は常温時の状態を示し、同図（ｂ）は高温時の状態を示している。
【００１３】
同図に示すように、常温下（図２（ａ））においては、適切なバランスで色成分が検出されていたものが、同一光であっても高温下（図２（ｂ））においては、短波長側での検出出力が増加すると共に、同波長の光がより層の浅い位置で検出されるようになる。
【００１４】
即ち、このような特性の撮像素子を用いて同一被写体を撮影した場合、高温下では冷色系の画像となり、低温下では暖色系の画像が得られ、カラーバランスが環境温度に左右され、安定した画質を得られないという欠点がある。
【００１５】
本発明は上記問題を鑑み、光軸方向に沿って複数の光起電力セルを積層したセル群を備え、光起電力セルの両端に発生する光電変換信号を検出し、光起電力セルに入射する光の色成分情報を得る撮像素子を備えた撮像装置において、カラーバランスが環境温度に左右されることのない撮像装置を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題は、以下のようにすることで解決できる。
【００１７】
１）  光軸方向に沿って複数の光起電力セルを積層したセル群を備え、前記光起電力セルの両端に発生する光電変換信号を検出し、前記光起電力セルに入射する光の色成分情報を得る撮像素子を備えた撮像装置において、温度を検知する温度センサと、前記光起電力セルの層のうち、所望の層を選択する層選択手段を備え、前記層選択手段は、前記温度センサより得られる温度データに基づいて、前記光起電力セルの層を選択することを特徴とする撮像装置。
【００１８】
２）  前記層選択手段は、前記温度データと選択する層とを対応づけた変換テーブルに基づいて、前記光起電力セルの層を選択する１）の撮像装置。
【００１９】
３）  前記層選択手段は、前記温度データが関係する所定の演算式により、前記光起電力セルの層を選択する１）の撮像装置。
【００２０】
４）  １）〜３）のいずれかの撮像装置を備えたカメラ。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、温度センサより得られる温度データに基づいて、光起電力セルの層を選択することにより、カラーバランスが環境温度に左右されることのない撮像装置を得ることが可能になる。
【００２２】
また、温度に対応した変換テーブルを用いることで、撮像素子の個体差に応じて適宜テーブルの内容の変更を容易におこなえ、個々に最適のカラーバランスに設定することが可能になる。
【００２３】
また、温度データから所定の演算により光起電力セルの層を求めることにより、内蔵するメモリの記憶容量を削減することが可能となる。
【００２４】
更に、上記の撮像装置を備えることにより、カラーバランスが環境温度に左右されることのないカメラを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、実施の形態により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
図３は、本発明の撮像装置を備えたカメラの外観図の一例である。図３（ａ）はカメラ前面の斜視図、図３（ｂ）はカメラ背面の斜視図である。
【００２７】
図３（ａ）において、８１はズーム変倍撮像光学系でありこの後方に本発明の撮像装置が内蔵される。８２はファインダ窓、８３はレリーズ釦、８４はフラッシュ発光部、８６はマイク、８７はストラップ取り付け部、８８はＵＳＢ端子である。８９はレンズカバーであり、不使用時はズーム変倍撮像光学系８１は沈胴する。
【００２８】
レリーズ釦８３はその１段の押し込み（以後スイッチＳ１のＯＮという）によりカメラの撮影準備動作、即ち焦点合わせ動作や測光動作が行われ、その２段の押し込み（以後スイッチＳ２のＯＮという）により撮影露光動作が行われる。
【００２９】
図３（ｂ）において、９１はファインダ接眼部、９２は赤と緑の表示ランプであり、ＡＦやＡＥの情報をスイッチＳ１がＯＮされた時、点灯もしくは点滅により撮影者に表示するものである。９３はズーム釦であり、ズームアップ、ズームダウンをおこなう釦である。９４はスピーカであり、マイク８６で録音した音声の再生や、レリーズ音等を発するものである。９５はメニュー／セット釦、９６は選択釦で４方向スイッチであり、１００は画像表示部であり画像やその他文字情報等を表示する。メニュー／セット釦９５で、画像表示部１００上に各種のメニューを表示させ、選択釦９６で選択し、メニュー／セット釦９５で確定させる機能を有している。９７は再生釦で、撮影した画像の再生をおこなう釦である。９８はディスプレイ釦で、画像表示部１００に表示された画像やその他文字情報の表示や消去を選択する釦である。９９は消去釦で、撮影記録した画像の消去をおこなう釦である。１０１は三脚穴、１０２は電池／カード蓋である。電池／カード蓋１０２の内部には、本カメラの電源を供給する電池と、撮影した画像を記録するカード型のリムーバブルメモリが装填されるようになっている。
【００３０】
図４は、本発明の撮像装置を備えたデジタルカメラの概略ブロック図である。
【００３１】
同図において、１２は各回路を制御するＣＰＵである。ズーム変倍撮像光学系８１は前群レンズ２９、後群レンズ１、絞りシャッターユニット２と、この絞りシャッターユニット２を駆動する第１モータ１５、後群レンズ１を駆動する第２モータ１７、前群レンズ２９を駆動する第３モータ２７で構成されている。これら３つのモータはそれぞれ第１モータ駆動回路１６、第２モータ駆動回路１８、第３モータ駆動回路２６を介し、ＣＰＵ１２からの信号によりそれぞれ個別に駆動制御される。２８は赤外カットフィルタである。
【００３２】
３ａは撮像素子であり、３ｂはＡ／Ｄ変換回路であり撮像素子からの光電変換信号をデジタルデータに変換する。４はスイッチング回路でありＣＰＵ１２からの指令に応じデジタルデータを撮像回路５又はＡＥ／ＡＦ処理回路１３へ送るかを切り替える回路である。５の撮像回路はデジタルデータを所定の処理を施しデジタル画像データとするものである。６はバッファメモリ等からなるメモリである。
【００３３】
７はメモリ制御回路であり、撮像回路５からの出力をメモリ６に格納する。８はＤ／Ａ変換回路であり、メモリ６に一時的に記憶された画像信号を読み出してアナログ信号に変換すると共に、再生出力に適する形態の画像信号に変換する。１００はＬＣＤやＥＬディスプレイ等からなる画像表示部であり、Ｄ／Ａ変換回路８より出力された画像信号を画像として表示する。
【００３４】
１１は半導体メモリ等からなる記録用メモリであり、データ化された画像信号を記録する記録媒体である。例えば、フラッシュメモリ等の固定型の半導体メモリ、着脱自在のカード形状若しくはスティック形状の半導体メモリ等が適用される。
【００３５】
１０は圧縮・伸長回路であり、メモリ６に一時的に記憶された画像信号を読み出して記録用メモリ１１に記録するのに適した形態とするために圧縮処理や符号化等のデータ化を施す圧縮回路と、記録用メモリ１１に格納された画像データを再生表示するのに最適な形態とするための復号化や伸長処理を施す伸長処理回路とからなる。１３はＡＥ・ＡＦ処理回路であり、Ａ／Ｄ変換回路３ｂからの出力を受けて、撮像光学系８１の焦点状態の確認と露光条件の設定に用いられる。
【００３６】
１４は温度センサであり、例えばサーミスタで構成され、撮像素子３ａの近傍に配置される。この温度センサ１４により、撮像素子３ａの温度もしくは撮像素子３ａの周囲の温度を検知することができるようになっている。
【００３７】
２０は電気的に書き換え可能な読み出し専用メモリであるＥＥＰＲＯＭである。このＥＥＰＲＯＭ２０には、予め記憶されている各種の制御を行うプログラムや各種動作に使用するデータ等が書き込まれており、これらは接続されたＣＰＵ１２により読み出される。
【００３８】
２１は各種操作スイッチからなる操作スイッチ群であり、ＣＰＵ１２に接続され、各種動作の指令信号を発生させる。例えば、本デジタルカメラを起動させ電源供給を行う指示信号を発生させるパワースイッチ、撮影動作（記録動作）等を開始させるための指示信号を発生させるレリーズスイッチを始め、各操作部材の操作によって作動する各種のスイッチから構成されている。１９は各回路に電力を供給する電池である。
【００３９】
８４は撮影補助光としてのフラッシュ発光部であり、スイッチング回路２３によってフラッシュ発光のオンオフや発光量が制御される。
【００４０】
図５は、撮像素子の１画素分の断面構造の一例を示した模式図である。本発明に適用される撮像素子は、図５に示す画素が２次元的に配置されたものである。
【００４１】
同図の例においては、撮像素子は光軸方向に沿って４０層の光起電力セルで構成されており、１Ｓ〜４０Ｓは光起電力セル、１Ａ〜４０Ａは透明導電層である。この透明導電層１Ａ〜４０Ａには、それぞれ接続端子１Ｂ〜４０Ｂが設けられ、最下層６０には接続端子６０Ｂが設けられている。これらの接続端子１Ｂ〜４０Ｂ及び６０Ｂのうちから、適宜選択して接続することにより、入射光の波長に応じた光電変換信号を得ることができる。
【００４２】
以上のように構成された撮像素子及びデジタルカメラにおける撮影時の概略動作について以下に説明する。
【００４３】
図６は、本発明に係る撮影及び記録動作時の概略動作を示すフローチャートである。
【００４４】
図６に示すフローは、図３に示すデジタルカメラのレンズカバー８９が開かれ、連動してメインスイッチがＯＮされ、撮像光学系８１が繰り出された状態からのものである。
【００４５】
まずメインスイッチの状態を確認し（Ｓ１０１）、ＯＮ状態ならばレリーズ釦のスイッチＳ１がＯＮされるのを待機する（Ｓ１０２）。スイッチＳ１がＯＮされると温度センサ１４（図４参照）により撮像素子の温度もしくはカメラ内の撮像素子周辺の環境温度を検出し、撮影時に接続する撮像素子の接続端子を決定する（Ｓ１０３）。この接続端子の決定方法は後述の、予め用意されたテーブルにより選択する層を決定する方法と、演算により選択する層を決定する方法のいずれかが用いられる。
【００４６】
更に撮影準備動作、即ち上述のＡＥ・ＡＦ処理動作を行う（Ｓ１０４）。この後、再度スイッチＳ１がＯＮされているか確認（Ｓ１０５）し、ＯＦＦの場合はＳ１０２へ戻り、スイッチＳ１がＯＮされている場合は、レリーズ釦のスイッチＳ２がＯＮされるのを待機する（Ｓ１０６）。スイッチＳ２がＯＮされると撮影動作を行う（Ｓ１０７）。この時、撮像素子の接続端子は、上記のＳ１０４で決定された３種の接続端子の組み合わせを選択し、選択した端子間の光電変換信号を取り込むことで、Ｅ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）、Ｅ（Ｇ＋Ｒ）、Ｅ（Ｒ）の光電変換信号を得る。
【００４７】
次に、この撮像素子３ａから得られた光電変換信号をＡ／Ｄ変換回路３ｂでＡ／Ｄ変換する（Ｓ１０８）。次いで、得られたＡ／Ｄ変換後のデジタルデータを、撮像回路５で上述の公知の方法、即ち、Ｅ（Ｒ）に加え、｛Ｅ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）−Ｅ（Ｇ＋Ｒ）｝の演算と、｛Ｅ（Ｇ＋Ｒ）−Ｅ（Ｒ）｝の演算によりＥ（Ｂ）、Ｅ（Ｇ）を求め、Ｂ・Ｇ・Ｒの３つの色成分データに分離する（Ｓ１０９）。この色成分データをメモリ６へ一時格納（Ｓ１１０）し、圧縮・伸張回路１０で圧縮（Ｓ１１１）を行った後、記録用メモリ１１へ格納する（Ｓ１１２）。これで１枚の画像の撮影が終了し、画像データが記録用メモリ１１内に記憶される。
【００４８】
この後、Ｓ１０１へ戻り、メインスイッチがＯＮされていれば、２画像目の撮影のために上記と同様の動作を行い、ＯＦＦされれば撮像光学系８１を沈胴させる等の終了のための処理（Ｓ１１３）を行い終了する。
【００４９】
なお、上述のフローチャートでは、ＡＥ・ＡＦ処理動作前に、温度検知して撮像素子の接続端子を決定するようにしたが、逆の順序であってもよいし、また撮影動作の直前であってもよい。
【００５０】
次に、図６のＳ１０３に適用される、撮像素子を構成する光起電力セルの層の選択方法、即ち接続端子の決定方法について説明する。
【００５１】
図７は、温度センサが検出した温度に対応し、選択する層を予め決めた変換テーブルの例を示す図である。同図は、撮像素子又はその近傍の温度と、その時に選択される層を示すテーブルであり、カメラ組み立て工程中に図４に示すＥＥＰＲＯＭ２０内に予め書き込む内容を示したものである。このテーブルは、カメラ組み立て工程中で実測して決められるものであるが、撮像素子の個体差が許容範囲内であれば、一律に書き込んでもよい。このテーブルは以下のように使用される。
【００５２】
上述の図６のフローのＳ１０３において、図４に示す温度センサ１４によりＣＰＵ１２は撮像素子の温度もしくはカメラ内の撮像素子周辺の環境温度を検出する。ＣＰＵ１２は、検出した温度に対応して、撮像素子のどの層を選択するかを、ＥＥＰＲＯＭ２０に書き込まれたテーブルを参照し、撮影時に出力を取り出す接続端子を決定する。即ち本例においては層選択手段にはＣＰＵ１２が相当する。
【００５３】
温度センサ１４により、検知した温度が例えば２０℃の場合は、図７のテーブルに従い、図５に示す４０層の光起電力セルのうちの１Ｓ〜１０Ｓの層と１１Ｓ〜２０Ｓの層と２１Ｓ〜３０Ｓの層を用いて光電変換信号を得る。即ち接続端子としては、１Ｂと１１Ｂ、２１Ｂ、３１Ｂを選択し、１Ｂと１１Ｂから光電変換信号Ｅ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）、１１Ｂと２１ＢからＥ（Ｇ＋Ｒ）、２１Ｂと３１ＢからＥ（Ｒ）の３つの光電変換信号を得る。
【００５４】
また、検知した温度が０℃の場合は、テーブルに従い、４０層の光起電力セルのうちの１Ｓ〜１２Ｓの層と１３Ｓ〜２４Ｓの層と２５Ｓ〜３６Ｓの層を用いて光電変換信号を得る。即ち接続端子としては、１Ｂと１３Ｂ、２５Ｂ、３７Ｂを選択し、１Ｂと１３Ｂ、１３Ｂと２５Ｂ、２５Ｂと３７Ｂの３つの接続端子の組み合わせから光電変換信号を得る。
【００５５】
また、検知した温度が４０℃の場合は、テーブルに従い、４０層の光起電力セルのうちの１Ｓ〜８Ｓの層と９Ｓ〜１６Ｓの層と１７Ｓ〜２４Ｓの層を用いて光電変換信号を得る。即ち接続端子としては、１Ｂと９Ｂ、１７Ｂ、２５Ｂを選択し、１Ｂと９Ｂから光電変換信号Ｅ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）、９Ｂと１７ＢからＥ（Ｇ＋Ｒ）、１７Ｂと２５ＢからＥ（Ｒ）の３つの光電変換信号を得るということである。
【００５６】
また、層数は整数値であるため、例えば１３℃等の中間の値については、四捨五入等で丸めてテーブルを参照するよう構成するか、より細かいテーブルを用意して対応することが望ましい。
【００５７】
このようにして、温度データに対応して選択する層の決められた変換テーブルに基づき、光起電力セルの層を選択することができ、環境温度に対応して光起電力セルの層を適宜変更することにより、環境温度にカラーバランスが左右されない撮像装置を得ることができる。
【００５８】
なお、上述の境界となる層は重複して選択されるよう設定することも可能であるのは勿論であり、選択する層数についてもそれぞれ同数である必要はなく、異なる層数に設定してもよい。また、０℃〜４０℃のテーブルで説明したが、これに限るものではなく、光起電力セルを４０層に積層した撮像素子で説明したがこれに限るものでないのは勿論である。
【００５９】
次に、温度データから所定の演算により求められる層に基づいて、光起電力セルの層を選択する方法の一例について説明する。即ち本例においても層選択手段にはＣＰＵが相当するものである。
【００６０】
例えば、ＣＰＵで以下の演算をおこなうようにする。
【００６１】
Ｒの層数＝Ｒ係数×（（撮影時の温度−基準温度）／基準温度）＋（基準層数）
Ｇの層数＝Ｇ係数×（（撮影時の温度−基準温度）／基準温度）＋（基準層数）
Ｂの層数＝Ｂ係数×（（撮影時の温度−基準温度）／基準温度）＋（基準層数）
ここで、基準温度とは組み立て工程内での調整時の気温であり、基準層数とは基準温度の時に適切なカラーバランスとなる層数を指し、組み立て工程中で決定される数値である。
【００６２】
ここで、３つの係数と基準温度と基準層数は、工程中で決定されるものであり、撮影時の温度は前述の温度センサにより検知できるため、上記の演算式にそれぞれ撮影時の温度、基準温度、基準層数を代入することで、Ｒ・Ｇ・Ｂそれぞれの層数を演算により得ることができる。
【００６３】
例えば、Ｒ係数＝Ｇ係数＝Ｂ係数＝−２、基準温度２０℃、基準層数１０、撮影時の温度が３０℃の場合は、それぞれ代入することで、Ｒの層数＝９、Ｇの層数＝９、Ｂの層数＝９となり、この層数となるように図５に示す撮像素子の接続端子を選択することになる。
【００６４】
即ち、この場合、図５に示す４０層の光起電力セルのうちの１Ｓ〜９ＳがＲに対応する層となり、１０Ｓ〜１８ＳがＧに対応する層となり、１９Ｓ〜２７ＳがＢに対応する層となり、接続端子１Ｂと１０ＢからＥ（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）を得、接続端子１０Ｂと１９ＢからＥ（Ｇ＋Ｒ）を得、１９Ｂと２８ＢからＥ（Ｒ）を得ることになる。
【００６５】
なお、説明をわかりやすくするため係数に同一の数値を用いたが、それぞれ異なる係数であってもよい。また、層数は整数値であるため、演算値が小数を伴う場合には、四捨五入等で整数値に丸めて層数とするのが望ましい。
【００６６】
以上のように、撮影時の温度を検知し、この検知した温度に基づき演算もしくはテーブルを参照することで、必要な層数を得、この層数となるように撮像素子の接続端子を選択することで、いかなる環境温度においても最適のカラーバランスとなる光電変換出力が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】特許文献１に記載された従来の撮像素子の、１画素分の断面構造を示す模式図である。
【図２】特許文献１に記載された従来の撮像素子の、温度特性を示す図である。
【図３】本発明の撮像装置を備えたカメラの外観図の一例である。
【図４】本発明の撮像装置を備えたデジタルカメラの概略ブロック図である。
【図５】撮像素子の１画素分の断面構造の一例を示した模式図である。
【図６】本発明に係る撮影及び記録動作時の概略動作を示すフローチャートである。
【図７】温度センサが検出した温度に対応し、選択する層を予め決めた変換テーブルの例を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１Ａ〜４０Ａ  透明導電層
１Ｂ〜４０Ｂ  接続端子
１Ｓ〜４０Ｓ  光起電力セル
【図１】
2005093855.tif 000003
【図２】
2005093855.tif 000004
【図３】
2005093855.tif 000005
【図４】
2005093855.tif 000006
【図５】
2005093855.tif 000007
【図６】
2005093855.tif 000008
【図７】
2005093855.tif 000009