(57)【要約】【課題】  走査線とデータ線との容量結合に起因した表示品位の低下を抑制する。【解決手段】  液晶装置は、選択電圧が印加される走査線２１と、走査線２１に交差するデータ線１１とを具備する。走査線２１に選択電圧が印加される期間のうち表示階調に応じた期間にて非点灯電圧が、その残余の期間にて非点灯電圧がそれぞれデータ線１１に印加される。走査線２１のうちデータ線１１と対向する領域には、データ線１１に沿うように長尺状の切欠２１１が設けられている。【選択図】        図６
2005266574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線と当該走査線に交差するデータ線とを具備する電気光学装置において、
前記走査線および前記データ線の一方の配線のうち他方の配線に対向する領域に切欠が
設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記切欠は、前記一方の配線のうち当該配線の幅方向における一方の周縁に設けられて
いる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記切欠は、前記他方の配線に沿うように長尺状に設けられ、
前記切欠の幅は前記他方の配線の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
走査線と当該走査線に交差するデータ線とを具備する電気光学装置において、
前記走査線および前記データ線の一方の配線は、他方の配線に対向する第１の領域と前
記他方の配線に対向しない第２の領域とを有し、前記一方の配線の延在方向における前記
第１の領域の単位長さ当たりの面積は、当該延在方向における前記第２の領域の単位長さ
当たりの面積よりも小さい
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記他方の配線に一端が接続された二端子型スイッチング素子と、
前記二端子型スイッチング素子の他端に接続されて前記一方の配線に対向する画素電極
と
を具備する請求項１から４の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記一方の配線は前記画素電極とほぼ重なる
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れかに記載の電気光学装置を表示装置として具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置などの電気光学装置において表示品位の低下を抑えるための技術に
関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学物質を利用して画像を表示する電気光学装置は、行方向に延在する
複数の走査線とこれに交差する列方向に延在する複数のデータ線とを具備する。この種の
電気光学装置においては、各走査線と各データ線とが相互に対向するため、これらの配線
は容量的に結合することとなる。このような結合容量は、走査線やデータ線に供給される
駆動信号の波形に歪みを発生させ、ひいては表示品位の低下を招く原因となり得る。
【０００３】
この問題は、特にＰＷＭ（パルス幅変調）駆動方を採用した電気光学装置において顕著
となる。ＰＷＭ駆動方式は、複数の走査線の各々を走査信号の供給により順次に選択する
とともに各データ線に対して点灯電圧または非点灯電圧の何れかを印加し、各走査線が選
択される期間のうち各データ線に点灯電圧が印加される期間（あるいは非点灯電圧が印加
される期間）の時間長を表示階調に応じて制御する方式である。この駆動方式が採用され
た電気光学装置においては、データ線に印加される電圧が点灯電圧および非点灯電圧の一
方から他方に切り替わるタイミングにおいて、走査線とデータ線との結合容量に起因して
選択電圧にスパイクが発生する。この結果、画素に印加される電圧実効値が所期値から変
動し、表示品位の差異が横（行）方向に現れるいわゆる横クロストークが発生する。
【０００４】
この横クロストークを抑制するための技術として、例えば、電圧が切り替わるデータ線
の本数に応じて走査信号のパルス幅を変化させることにより画素への印加電圧を補正する
技術（特許文献１参照）や、走査信号の歪み（スパイク）を検出したうえでデータ信号に
補正信号を加算する技術（特許文献２参照）が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−５２９２２号公報（図１、図２および段落００２７）
【特許文献２】特開２０００−５６２９２号公報（図１および段落００１７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これらの技術のもとでは、横クロストークを抑制するための回路として
本来の駆動回路とは別個の回路（例えば特許文献２において走査信号のスパイクを検出す
るための回路）が必要となるため、電気光学装置の構成の煩雑化や回路規模の肥大化とい
った問題が生じ得る。なお、ここではＰＷＭ駆動方式に注目して走査線とデータ線との容
量結合に起因した問題点を説明したが、この種の結合容量に起因した表示品位の低下は、
他の駆動方式が採用された電気光学装置においても同様に生じ得る問題である。本発明は
、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、走査線とデータ線との容量
結合に起因した表示品位の低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明は、走査線と当該走査線に交差するデータ線と
を具備する電気光学装置において、走査線およびデータ線の一方の配線のうち他方の配線
に対向する領域に切欠を設けたことを特徴としている。この構成によれば、走査線および
データ線の一方の配線に切欠が設けられているから、当該一方の配線を切欠のない単純な
帯状の配線とした構成と比較して、走査線とデータ線とが対向する面積が低減される。し
たがって、走査線とデータ線との結合容量が低減され、この結合容量に起因した表示品位
の低下が抑制される。なお、電気光学装置の典型的な例は、電気光学物質として液晶を用
いた液晶装置であるが、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）素子に代表されるＯＬＥＤ（Or
ganic Light Emitting Diode）素子など液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に
も本発明は適用され得る。
【０００７】
また、ＰＷＭ変調駆動方式の電気光学装置においては、基板の板面上に設けられて選択
電圧が印加される走査線と、この板面に垂直な方向からみて走査線に交差するデータ線と
が設けられる一方、走査線に選択電圧が印加される期間のうち表示階調に応じた期間にて
非点灯電圧が、その残余の期間にて非点灯電圧がそれぞれデータ線に印加されることとな
る。この種の電気光学装置においても、走査線およびデータ線の一方の配線のうち他方の
配線に対向する領域に切欠を設ければ、当該一方の配線を切欠のない単純な帯状の配線と
した構成と比較して走査線とデータ線とが対向する面積が低減される。このため、走査線
と各データ線との結合容量が低減され、データ線への印加電圧が点灯電圧および非点灯電
圧の一方から他方に切り替わるタイミングにて走査線に発生するスパイクが低減される。
したがって、データ線への印加電圧の切り替えに伴なって発生するスパイクに起因した表
示品位の低下（横クロストーク）を抑えて良好な表示品位が実現される。なお、本発明に
おける点灯電圧（オン電圧）は、データ線に印加されるデータ信号の電圧のうち、走査線
に印加される選択電圧とは逆極性の電圧である。これに対し、非点灯電圧（オフ電圧）と
は、データ線に印加されるデータ信号の電圧のうち、走査線に印加される選択電圧と同極
性の電圧である。
【０００８】
本発明の望ましい態様において、切欠は、一方の配線のうち当該配線の幅方向における
一方の周縁に設けられる。この構成によれば、例えば配線の幅方向における両側に切欠を
設けた場合と比較して、配線の機械的な強度を維持することができる。しかも、導電膜を
エッチングすることによって上記一方の配線を形成するときに、切欠を容易かつ確実に形
成することができるという利点がある。また、本発明の他の態様において、切欠は、他方
の配線に沿うように長尺状に設けられる一方、切欠の幅は他方の配線の幅よりも広くなさ
れる。この構成によれば、例えば製造工程において一方の配線と他方の配線との位置が所
期の位置からずれたとしても、双方の配線が相互に対向する面積を確実に低減することが
できる。
【０００９】
他の観点において、本発明は、走査線と当該走査線に交差するデータ線とを具備する電
気光学装置において、前記走査線および前記データ線の一方の配線は、他方の配線に対向
する第１の領域と前記他方の配線に対向しない第２の領域とを有し、前記一方の配線の延
在方向における前記第１の領域の単位長さ当たりの面積は、当該延在方向における前記第
２の領域の単位長さ当たりの面積よりも小さい。この構成においても、走査線とデータ線
とが対向する面積が低減されるから、データ線への印加電圧の切り替えに伴なって発生す
るスパイクに起因した表示品位の低下が抑制される。なお、この構成を適用したＰＷＭ駆
動方式の電気光学装置は、基板の板面上に設けられて選択電圧が印加される走査線と、板
面に垂直な方向からみて走査線に交差するデータ線とを具備し、走査線に選択電圧が印加
される期間のうち表示階調に応じた期間にて点灯電圧が、その残余の期間にて非点灯電圧
がそれぞれデータ線に印加される電気光学装置であって、走査線およびデータ線の一方の
配線は、他方の配線に対向する第１の領域と他方の配線に対向しない第２の領域とを有し
、一方の配線の延在方向における第１の領域の単位長さ当たりの面積は、当該延在方向に
おける第２の領域の単位長さ当たりの面積よりも小さい。
【００１０】
本発明の望ましい態様においては、さらに、他方の配線に一端が接続された二端子型ス
イッチング素子と、二端子型スイッチング素子の他端に接続されて一方の配線に対向する
画素電極とが設けられる。この構成によれば、一方の配線と画素電極とからなる液晶容量
の電圧を二端子型スイッチング素子によって維持することができるから、良好な表示品位
が実現される。この構成のもとでは、一方の配線が画素電極とほぼ重なることが望ましい
。
【００１１】
本発明に係る電子機器は、上述した各態様の電気光学装置を表示装置として具備する。
本発明に係る電気光学装置によれば走査線とデータ線との結合容量に起因した表示品位の
低下が抑制されるから、高い表示品位が要求される電子機器の表示装置として特に好適で
ある。このような電子機器としては、例えば携帯電話機やパーソナルコンピュータなどが
挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に示す各図においては、各
構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実
際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１３】
＜Ａ：液晶装置の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置の構成を示すブロック図である。同図に示さ
れるように、液晶装置１００は、Ｘ方向（行方向）に延在して走査線駆動回路５２に接続
された合計ｍ本の走査線２１と、Ｙ方向（列方向）に延在してデータ線駆動回路５１に接
続された合計ｎ本のデータ線１１とを有する（ｍおよびｎはともに自然数）。走査線２１
とデータ線１１とが交差する各地点には画素３１が形成される。したがって、これらの画
素３１は、縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に配列される。図１に示されるように、各画素
３１は、二端子型スイッチング素子たるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子１５と、このＴ
ＦＤ素子１５に直列接続された液晶容量３３とを有する。なお、本実施形態の液晶装置１
００は、電圧が印加されないときに白色を表示するノーマリホワイトモードを採用してい
る。
【００１４】
次に、図２は、液晶装置１００のうちデータ線１１と走査線２１とが交差する部分を拡
大して示す図である。同図に示されるように、液晶装置１００は、相互に対向する素子基
板１０および対向基板２０とを有する。図１に示した走査線駆動回路５２およびデータ線
駆動回路５１は素子基板１０の板面上に実装されている。図２に示されるように、素子基
板１０および対向基板２０は、図示しないシール材によって一定の間隔を保って貼り合わ
されており、両基板の間隙には例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶３５が封止され
ている。なお、素子基板１０や対向基板２０のうち液晶３５と反対側の板面には入射光を
偏光させる偏光板などが貼着されるが、図２においてはその図示が省略されている。
【００１５】
上述したデータ線１１の各々は素子基板１０のうち液晶３５と対向する板面上に形成さ
れている。さらに、素子基板１０の板面上には略矩形状の画素電極１３がマトリクス状に
形成されており、同じく素子基板１０の板面上に形成されたＴＦＤ素子１５を介してデー
タ線１１に接続されている。各ＴＦＤ素子１５は、図２に示されるように、データ線１１
から分岐した第１の導電体１５２と、第１の導電体１５２の表面を陽極酸化してなる絶縁
体１５４と、画素電極１３に接続された第２の導電体１５６とが素子基板１０側からこの
順番に積層されたサンドイッチ構成となっている。したがって、各ＴＦＤ素子１５は、電
流−電圧特性が正負双方向にわたって非線形となるダイオードスイッチング特性を有する
。一方、上述した走査線２１の各々は対向基板２０のうち液晶３５と対向する板面上に形
成されている。各走査線２１は、素子基板１０の板面上においてＸ方向に並ぶ複数（ｎ個
）の画素電極１３と対向するようにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電体によっ
て形成された帯状の電極である。図１に示した液晶容量３３は、データ線１１と走査線２
１との交差において、当該走査線２１と画素電極１３と両者に挟まれた液晶３５とによっ
て構成される。なお、実際には、素子基板１０および対向基板２０の液晶３５側の板面が
それぞれ配向膜によって覆われているが、図２においてはその図示が省略されている。
【００１６】
図１に示される走査線駆動回路５２は、第１行目、第２行目、…、第ｍ行目の各走査線
２１に対して走査信号Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙmをそれぞれ供給する回路である。一方、データ
線駆動回路５１は、第１列目、第２列目、…、第ｎ列目の各データ線１１に対し、画素３
１の表示内容（階調）に応じたデータ信号Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘnをそれぞれ供給する回路で
ある。以下、走査信号Ｙi（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）およびデータ信号Ｘj（ｊは１
≦ｊ≦ｎを満たす整数）の具体的な波形を説明する。
【００１７】
走査線駆動回路５２は、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初から１水平走査期間（１Ｈ）ご
とに合計ｍ本の走査線２１の各々を順番に選択するとともに、選択した走査線２１に対し
、その水平走査期間の後半期間において選択電圧＋Ｖsまたは−Ｖsを印加する一方、それ
以外の期間においては非選択電圧＋Ｖdまたは−Ｖdを印加する。選択電圧±Ｖsは、この
電圧が走査線２１に印加されたときに、データ線１１に供給されるデータ信号Ｘjの電圧
の如何に拘わらずＴＦＤ素子１５が導通状態となる電圧である。これに対し、非選択電圧
±Ｖdは、この電圧が走査線２１に印加されたとき、データ線１１に供給されるデータ信
号Ｘjの電圧の如何に拘わらずＴＦＤ素子１５が非導通状態となる電圧である。
【００１８】
さらに詳述すると、図３に示されるように、走査信号Ｙiの電圧は、第１に、第ｉ行目
の走査線２１が選択される水平走査期間を２分割した後半期間（１／２Ｈ）において選択
電圧＋Ｖsとなり、第２に、この水平走査期間の経過後には直前の選択電圧と同極性の非
選択電圧＋Ｖdを維持する一方、第３に、選択電圧＋Ｖsが印加されてから１垂直走査期間
が経過して再び第ｉ行目の走査線２１が選択されると、その垂直走査期間の後半期間にお
いて前回の選択電圧＋Ｖsとは逆極性の選択電圧−Ｖsとなり、第４に、この水平走査期間
の経過後には非選択電圧−Ｖdとなる。そして、以後も同様のサイクルが繰り返される。
また、第ｉ行目の次の第（ｉ＋１）行目の走査線２１に供給される走査信号Ｙi+1は、走
査信号Ｙiが選択電圧＋Ｖsとなった直後の水平走査期間において逆極性の選択電圧−Ｖs
となる一方、走査信号Ｙiが選択電圧−Ｖsとなった直後の水平走査期間においては逆極性
の選択電圧＋Ｖsとなる。すなわち、走査信号Ｙ1ないしＹmは、水平走査期間ごとに選択
電圧＋Ｖsおよび−Ｖsの何れかとなる。
【００１９】
一方、データ線駆動回路５１は、走査線駆動回路５２が選択した走査線２１に接続され
た１行分の画素３１に対し、電圧＋Ｖdおよび−Ｖdを各画素３１の表示内容に応じた時間
の比率にてデータ信号Ｘjとして各データ線１１に供給する。なお、ここでは電圧±Ｖdを
データ信号Ｘjの電圧および走査信号Ｙiの非選択電圧として兼用する構成を例示するが、
各信号の電圧が別個の電圧とされた構成も採用され得る。また、以下では、３ビットの画
像データによって８通りの階調の何れかが各画素の表示内容として指示される場合を想定
する。
【００２０】
図４は、画像データの二進数表示と、各画像データが与えられたときに第ｊ列目のデー
タ線１１に供給されるデータ信号Ｘjの波形との関係を示すタイミングチャートである。
同図に示されるように、第ｊ列目の画素３１の画像データが白色を表す［０００］である
場合（すなわち当該画素３１をオフ表示する場合）、データ信号Ｘjは、当該画素３１に
対応する走査線２１が選択される水平走査期間の前半期間において、その直後の後半期間
に当該走査線２１に印加される選択電圧±Ｖsと逆極性の電圧±Ｖdとなる一方、この後半
期間においては選択電圧±Ｖsと同極性の電圧±Ｖdとなる。また、第ｊ列目の画素３１の
画像データが黒色を表す［１１１］である場合（すなわち当該画素３１をオン表示する場
合）、データ信号Ｘjは、当該画素３１に対応する走査線２１が選択される水平走査期間
の前半期間において、その直後の後半期間に当該走査線２１に印加される選択電圧±Ｖs
と同極性の電圧±Ｖdとなる一方、この後半期間においては選択電圧±Ｖsと逆極性の電圧
±Ｖdとなる。
【００２１】
また、画像データが白色および黒色を除く中間階調（画像データ［００１］ないし［１
１０］により示される灰色の階調）を示す場合、データ信号Ｘjは、水平走査期間のうち
電圧＋Ｖdとなる時間長と電圧−Ｖdとなる時間長とが画像データの内容に応じた比率とな
るように定められる。すなわち、各走査線２１に選択電圧±Ｖsが印加される水平走査期
間の後半期間の始点において、データ信号Ｘjは、その選択電圧±Ｖsと同極性の電圧±Ｖ
dとされ、その後に画像データに応じたタイミングにて逆極性の電圧±Ｖdに切り替えられ
る。後半期間におけるデータ信号Ｘjは、画素３１に指示される階調が暗いほど、選択電
圧±Ｖsとは逆極性の点灯電圧（±Ｖd）となる期間が長くなる。一方、前半期間における
データ信号Ｘjは、その直後の後半期間におけるデータ信号Ｘjの電圧の極性を反転させた
ものとなる。以上の構成のもと、選択期間の後半期間において走査線２１に選択電圧±Ｖ
sが印加されることによりＴＦＤ素子１５がオン状態となるとともに、このときにデータ
線１１に供給されているデータ信号Ｘjに応じた電圧が液晶容量３３に書き込まれ、それ
以外の期間ではＴＦＤ素子１５がオフ状態となって液晶容量３３の電圧が保持されること
となる。
【００２２】
ところで、走査線２１は抵抗率の大きいＩＴＯなどの導電体によって形成されるため、
例えば第ｉ行目の走査線２１に着目すると、図５に示されるように、当該走査線２１は第
１列目から第ｎ列目までの総てのデータ線１１と容量的に結合する。このため、データ線
１１のデータ信号Ｘjが電圧＋Ｖdおよび−Ｖdの一方から他方に切り替わると、走査信号
Ｙiにスパイク（微分波形ノイズ）が重畳される。行方向に隣接する複数の画素３１の階
調が共通する場合には、これらの画素３１に対応するデータ信号Ｘjの電圧が同一のタイ
ミングにて一斉に切り替えられるから、走査信号Ｙiに発生するスパイクは特に大きくな
る。このようなスパイクによって走査信号Ｙiの電圧が変動すると、液晶容量３３に印加
される電圧実効値が変化するため、目的とする本来の階調とは異なった階調にて画像が表
示されるという問題が生じ得る。この階調の誤差は行方向に発生することから横クロスト
ークと呼ばれる。液晶容量３３がデータ線１１と走査線２１との結合容量Ｃ_bと比較して
充分に大きいのであれば、走査線２１に発生するスパイクはそれほど重大な問題とならな
い。しかしながら、表示画像の高精細化のために液晶容量３３が低減されると容量Ｃ_bの
影響が相対的に増大するから、この容量Ｃ_bに起因したスパイクの影響を無視することは
できない。
【００２３】
この横クロストークの原因となるスパイクは、走査線２１の時定数に応じた大きさとな
る。そこで、本実施形態においては、図２に示されるように、各走査線２１のうちデータ
線１１と対向する部分に切欠（スリット）２１１を設けることによって走査線２１の時定
数を低減し、これによりデータ線１１の電圧切り替えに伴なうスパイクを抑制する構成と
なっている。
【００２４】
図６は、素子基板１０（あるいは対向基板２０）の板面に垂直な方向からみたときの各
走査線２１の平面形状を特に各データ線１１と位置関係に着目して示す図である。この図
においては、走査線２１にハッチングが施されている（後掲する図８および図９において
も同様）。同図に示されるように、走査線２１の幅方向（Ｙ方向）における一方の周縁の
うちデータ線１１と対向する部分には、このデータ線１１に沿うようにＹ方向に延在する
長尺状の切欠２１１が設けられている。換言すると、各走査線２１は、データ線１１と対
向する領域（以下「交差領域」という）２１ａとそれ以外の領域（以下「非交差領域」と
いう）２１ｂとが当該走査線２１の延在方向であるＸ方向にわたって交互に連結された配
線であり、かつ、交差領域２１ａの幅（Ｙ方向の長さ）が非交差領域２１ｂ（Ｙ方向の長
さ）の幅よりも小とされた配線として把握することもできる。
【００２５】
切欠２１１のＸ方向における幅（すなわち交差領域２１ａの長さ）ｔは、データ線１１
の幅よりも僅かに大となるように選定されている。この構成によれば、素子基板１０と対
向基板２０とを貼り合わせるときに両基板の相対的な位置がずれたとしても、データ線１
１のＸ方向の位置を切欠２１１の幅方向の範囲内に収めることができる。換言すると、切
欠２１１の幅は、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせるときに生じ得る誤差の最
大値の分だけデータ線１１の幅よりも大となるように選定されることが望ましい。もっと
も、切欠２１１の幅をデータ線１１の幅と略同一としてもよい。
【００２６】
いま、走査線２１の幅を「１」とし、切欠２１１のＹ方向における長さを「ｋ（０＜ｋ
＜１）」とすると、交差領域２１ａのＹ方向における幅は「１−ｋ」と表現される。この
定義によれば、Ｘ方向における単位長さ当たりの交差領域２１ａの面積は、「１−ｋ（＝
（１−ｋ）・ｔ／ｔ）」となる一方、Ｘ方向における単位長さ当たりの非交差領域２１ｂ
の面積は「１（＝１・（Ｔ−ｔ）／（Ｔ−ｔ））」となる。なお、「Ｔ」はデータ線１１
のピッチ（すなわち、各データ線１１の一方の周縁から当該データ線１１に隣接するデー
タ線１１の一方の周縁までの距離）である。このように、走査線２１は、その延在方向（
Ｘ方向）における交差領域２１ａの単位長さ当たりの面積が、同方向における非交差領域
２１ｂの単位長さ当たりの面積よりも小さい配線としても特定され得る。
【００２７】
切欠２１１の幅ｔは、上述したように素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせると
きの誤差に応じて選定されるが、切欠２１１の長さｋは、走査線２１の時定数が低減され
るように選定される。この時定数は、走査線２１の抵抗Ｒと容量Ｃとに対応した数値とな
る。ここで、上述したように切欠２１１を設けることにより、切欠２１１のない単純な帯
状の配線を走査線２１とした場合と比較して走査線２１とデータ線１１とが対向する面積
が減少するから、走査線２１の容量Ｃは確かに低減される。しかしながら、この切欠２１
１を形成した場合には、単純な帯状の配線を走査線２１とした場合と比較して走査線２１
の抵抗値が増加することとなる。すなわち、走査線２１の抵抗Ｒおよび容量Ｃは時定数に
対してトレードオフの関係にある。したがって、切欠２１１の長さｋは、抵抗値Ｒと容量
Ｃとの乗算値が最少となるように選定されることが望ましい。この選定の方法について詳
述すると以下の通りである。
【００２８】
いま、走査線駆動回路５２の出力抵抗値をＲ_dr、走査線駆動回路５２と走査線２１と
を接続するために素子基板１０上に引き廻される配線の抵抗値をＲ_wire、走査線２１に
切欠２１１を設けずに幅を「１」としたときの抵抗値をＲ_comとすると、素子基板１０上
の配線を含めた走査線２１全体の抵抗値Ｒは、以下の式（１）によって表される。なお、
抵抗値Ｒ_wireには、走査線駆動回路５２を有するＩＣチップを素子基板１０上に実装す
るときに当該ＩＣチップと素子基板１０との間に介挿される異方性導電膜の抵抗値を含ん
でいる。
Ｒ＝Ｒ_dr＋Ｒ_wire＋α・Ｒ_com［Ｔ＋ｔ・｛ｋ／（ｋ−１）｝］  ……（１）
この式（１）において、係数αは、走査線２１と総てのデータ線１１との結合容量を抵
抗値Ｒ_comに反映させるための係数である。すなわち、交流信号たる走査信号Ｙiが走査
線２１に供給されたとき、この走査線２１自体の抵抗に対して並列に形成される結合容量
は抵抗として作用する。この結合容量を抵抗値Ｒに反映させるための方法としては、デー
タ線１１ごとに走査線２１との結合容量を算定し、これらの結合容量のインピーダンスを
抵抗値Ｒ_comに合成することも考えられる。しかしながら、本実施形態においては、各デ
ータ線１１との結合容量を影響を近似的に表現するために係数αを適宜に選定し、これを
抵抗値Ｒ_comに乗算するものとしている。この係数αとしては、例えば「１／３」程度の
数値が選定される。
【００２９】
次に、図７は、走査線２１とデータ線１１との関係を走査線２１の容量を考慮したうえ
で示す等価回路図である。同図に示される容量Ｃ_tfdはＴＦＤ素子１５の容量であり、容
量Ｃ_lcdは液晶容量３３である。また、容量Ｃ_aはデータ線１１と画素電極１３との結合
容量であり、容量Ｃ_bは走査線２１を幅「１」の帯状の配線としたとき（すなわち切欠２
１１を設けないとき）のデータ線１１と走査線２１との結合容量である。この回路図から
、走査線２１に形成される合成容量Ｃは、以下の式（２）によって表されることが判る。
Ｃ＝（Ｃ_tfd＋Ｃ_a）・Ｃ_lcd／（Ｃ_tfd＋Ｃ_lcd＋Ｃ_a）＋Ｃ_b（１−ｋ）  ……（
２）
【００３０】
なお、ここでは、画素電極１３と当該画素電極１３の一方に隣接するデータ線１１との
間で形成される容量Ｃ_aのみを考慮した場合を想定したが、実際には、図７に破線で示さ
れるように、各画素電極１３の他方の側にもデータ線１１（データ信号Ｘj-1が供給され
るデータ線１１）が延在しており、このデータ線１１との間においても容量Ｃ_aが形成さ
れることとなる。このように画素電極１３に対して両側に形成されたデータ線１１を考慮
する場合、走査線２１に形成される合成容量Ｃは、容量Ｃ_aを２倍した項を含む式（２ａ
）によって表される。
Ｃ＝（Ｃ_tfd＋Ｃ_a）・Ｃ_lcd／（Ｃ_tfd＋Ｃ_lcd＋２・Ｃ_a）＋Ｃ_b（１−ｋ）  …
…（２ａ）
以上の式（１）と式（２）または（２ａ）とによって表される抵抗Ｒと容量Ｃとの乗算
値「Ｒ・Ｃ」が最小となるように、切欠２１１の長さｋが選定される。なお、切欠２１１
の幅ｔについても、乗算値「Ｒ・Ｃ」の最小化という観点から選定され得る。
【００３１】
以上に説明したように、本実施形態によれば、切欠２１１の形成によって走査線２１の
時定数が低減されるから、走査線２１とデータ線１１との容量的な結合に起因して走査信
号Ｙiに生じるスパイクの影響が有効に抑制される。したがって、横クロストークを抑え
た良好な表示品位が実現される。一方、この構成のもとでは、スパイクを検出する回路や
この検出結果に基づいて走査信号Ｙiやデータ信号Ｘjを補正する回路など横クロストーク
を抑制するための回路を独立して設ける必要はない。したがって、これらの回路によって
横クロストークを抑制する従来の技術と比較して、構成の簡素化を促進するとともに回路
規模の肥大化を回避することができるという利点がある。もっとも、本実施形態のように
走査線２１に切欠２１１が設けられた構成に加えて、スパイクの検出結果に基づいて走査
信号Ｙiやデータ信号Ｘjを補正する回路を配設してもよい。こうすれば、さらに確実にス
パイクの影響を低減することができる。
【００３２】
＜Ｂ：変形例＞
上記実施形態に対しては種々の変形が加えられ得る。具体的な変形の態様を挙げれば以
下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせた構成も採用され得る。
【００３３】
＜Ｂ−１：変形例１＞
上記実施形態においては、走査線２１の幅方向における一方の周縁に連なるように切欠
２１１が設けられた構成を例示したが、走査線２１における切欠２１１の位置は任意であ
る。例えば、図８に示されるように、走査線２１とデータ線１１とが対向する領域のうち
走査線２１の幅方向における中央部の近傍に切欠２１１（開口）が設けられた構成として
もよい。あるいは、走査線２１のうち１本のデータ線１１と対向する領域に複数の切欠２
１１が設けられた構成としてもよい。また、図９に示されるように、走査線２１の幅方向
における両側の周縁に連なるように切欠２１１が設けられた構成も採用され得る。なお、
図８や図９に示される構成においても、各切欠２１１の寸法（幅および長さ）は、上式（
１）と式（２）または（２ａ）とから時定数「Ｒ・Ｃ」が最小となるように定められるこ
とが望ましい。
【００３４】
また、上記実施形態においては、総てのデータ線１１の各々に対応するように切欠２１
１が設けられた構成を例示したが、データ線１１と切欠２１１との対応関係はこれに限ら
れない。例えば、走査線２１のうち、１本おきに選定されたデータ線１１に対向する部分
のみに切欠２１１を設けてもよい。また、走査線２１に設けられた総ての切欠２１１が同
様の形状である必要は必ずしもなく、例えば表示領域内における位置に応じて切欠２１１
の形状が相違する構成も採用され得る。
【００３５】
このように、本発明における切欠とは、帯状の配線たる走査線２１の一部が切り欠かれ
た部分（あるいは配線となる導電体が形成されていない部分）を意味し、走査線２１のう
ちデータ線１１と対向する部分に設けられてさえいれば、その態様（例えば平面形状）や
走査線２１における位置の如何は不問である。
【００３６】
＜Ｂ−２：変形例２＞
上記実施形態においては、データ線１１に対してＴＦＤ素子１５が接続され、走査線２
１と画素電極１３とによって液晶容量３３が形成される構成を例示したが、図１０に示さ
れるように、走査線２１に対してＴＦＤ素子１５が接続され、データ線１１と画素電極１
３とによって液晶容量３３が形成される構成としてもよい。この構成においては、図１１
に示されるように、Ｘ方向に延在する走査線２１に対してＴＦＤ素子１５を介して画素電
極１３が接続される一方、Ｙ方向に並ぶｍ個の画素電極１３と対向するようにＹ方向に延
在する帯状のデータ線１１が設けられる。なお、同図においてはデータ線１１にハッチン
グが施されている。
【００３７】
図１１に示されるように、データ線１１のうち走査線２１と対向する領域には切欠１１
１が設けられている。より具体的には、データ線１１の幅方向（Ｘ方向）における一方の
周縁には、走査線２１に沿うようにＸ方向に延在する長尺状の切欠１１１が設けられる。
この切欠１１１の幅（Ｙ方向の長さ）は、走査線２１の幅と略同一かこれよりも大となる
ように選定されている。また、切欠１１１の長さは、上記実施形態と同様に、データ線１
１の時定数（すなわちデータ線１１の抵抗値と容量との乗算値）が低減されるように選定
される。なお、図８や図９に示した変形例と同様に、本変形例においても、切欠１１１が
データ線１１の幅方向における中央部の近傍に設けられた構成や、切欠１１１がデータ線
１１の幅方向における両側の周縁に連なるように設けられた構成も採用され得る。このよ
うに、本発明において切欠が設けられる配線は、データ線１１および走査線２１の何れで
あってもよい。また、データ線１１および走査線２１の双方に切欠が設けられた構成も採
用され得る。
【００３８】
＜Ｂ−３：変形例３＞
上記実施形態においては、背面側に位置する素子基板１０にデータ線１１が設けられる
とともに観察側に位置する対向基板２０に走査線２１が設けられた構成を例示したが、こ
れとは逆に、素子基板１０に走査線２１が設けられて対向基板２０にデータ線１１が設け
られた構成も採用され得る。また、走査線駆動回路５２およびデータ線駆動回路５１が実
装される位置は任意である。例えば、素子基板１０に接合されたフレキシブル配線基板や
、このフレキシブル配線基板に接続されたプリント基板に走査線駆動回路５２およびデー
タ線駆動回路５１が実装された構成も採用され得る。
【００３９】
また、上記実施形態においては、水平走査期間の後半期間において走査線２１に選択電
圧±Ｖsが印加される構成を例示したが、水平走査期間を分割しない構成も採用され得る
。この構成においては、水平走査期間ごとに、当該水平走査期間の始点から終点までにわ
たって走査線２１に選択電圧±Ｖsが印加される一方、各水平走査期間のうち画像データ
に応じたタイミングにてデータ信号Ｘjの電圧が点灯電圧および非点灯電圧の一方から他
方に切り替えられる。
【００４０】
＜Ｂ−４：変形例４＞
上記実施形態においては液晶への印加電圧を制御するためのスイッチング素子としてＴ
ＦＤ素子１５を備えた液晶装置１００を例示したが、これに代えてＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）素子が採用された液晶装置にも本発明は適用され得る。また、上記実施形態に
おいては液晶装置１００を例示したが、液晶以外の電気光学物質を用いた装置にも本発明
は適用される。電気光学物質とは、電気信号（電流信号または電圧信号）の供給によって
透過率や輝度といった光学的特性が変化する物質である。例えば、有機ＥＬや発光ポリマ
ーなどのＯＬＥＤ素子を電気光学物質として用いた表示装置や、着色された液体と当該液
体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳
動表示装置、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気
光学物質として用いたツイストボールディスプレイ、黒色トナーを電気光学物質として用
いたトナーディスプレイ、あるいはヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質とし
て用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置に対しても上記実施形態と
同様に本発明が適用され得る。
【００４１】
＜Ｃ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を表示装置として備える電子機器について説明する。
図１２は、上記実施形態に係る液晶装置１００を有する携帯電話機の構成を示す斜視図で
ある。この図に示されるように、携帯電話機１２００は、利用者により操作される複数の
操作ボタン１２０２、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口１２０４、および
他の端末装置に送信される音声を入力する送話口１２０６のほかに、各種の画像を表示す
る液晶装置１００を有する。
【００４２】
なお、本発明に係る液晶装置１００が利用され得る電子機器としては、図１２に示され
る携帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、ビューフ
ァインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページ
ャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末
、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同液晶装置のうち走査線とデータ線とが交差する領域を拡大して示す斜視図である。
【図３】走査信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図４】データ信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図５】走査線とデータ線とが容量的に結合した様子を示す回路図である。
【図６】走査線の平面形状をデータ線との関係に着目して示す平面図である。
【図７】走査線とデータ線との間の容量に着目した等価回路図である。
【図８】変形例に係る走査線の平面形状を示す平面図である。
【図９】変形例に係る走査線の平面形状を示す平面図である。
【図１０】変形例に係る液晶装置のうち表示領域の構成を示す回路図である。
【図１１】データ線の平面形状を走査線との関係に着目して示す平面図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１００……液晶装置（電気光学装置）、１０……素子基板、１１……データ線、１３……
画素電極、１５……ＴＦＤ素子、２０……対向基板、２１……走査線、１１１，２１１…
…切欠、ｔ……切欠の幅、ｋ……切欠の長さ、２１ａ……交差領域（第１の領域）、２１
ｂ……非交差領域（第２の領域）、３１……画素、３３……液晶容量、３５……液晶、５
１……データ線駆動回路、５２……走査線駆動回路、Ｘj……データ信号、Ｙi……走査信
号。
【図１】
2005266574.tif 000003
【図２】
2005266574.tif 000004
【図３】
2005266574.tif 000005
【図４】
2005266574.tif 000006
【図５】
2005266574.tif 000007
【図６】
2005266574.tif 000008
【図７】
2005266574.tif 000009
【図８】
2005266574.tif 000010
【図９】
2005266574.tif 000011
【図１０】
2005266574.tif 000012
【図１１】
2005266574.tif 000013
【図１２】
2005266574.tif 000014