(57)【要約】【課題】送信信号および受信信号を処理するための積層型高周波モジュールであって、挿入損失の増加を抑え、且つ小型化できるようにした積層型高周波モジュールを実現する。【解決手段】積層型高周波モジュール１は、高周波スイッチ１０と、ローパスフィルタ３０と、バンドパスフィルタ４０と、整合回路５０と、これらを複合化する多層基板を備えている。バンドパスフィルタ４０は、弾性表面波素子を含むフィルタ素子４１を有している。多層基板６０は、フィルタ素子４１が接続される複数の表面パッド電極を有している。整合回路５０はキャパシタ５１，５２を有している。キャパシタ５１は、表面パッド電極とこれに対向するように配置された内部導体層とによって構成されている。キャパシタ５２は、キャパシタ５１を構成する内部導体層とグランド用の内部導体層とによって構成されている。【選択図】          図１
2005020154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信信号と受信信号とを切り替えるための切替回路と、
前記切替回路に接続されたフィルタ素子と、
前記切替回路およびフィルタ素子を集積するための多層基板とを備えた積層型高周波モジュールであって、
前記多層基板は、多層基板の表面に形成されて前記フィルタ素子が接続される表面パッド電極と、多層基板の内部に形成された複数の内部導体層とを有し、
前記フィルタ素子は、前記表面パッド電極に接続されるように前記多層基板に搭載され、
積層型高周波モジュールは、更に、前記切替回路とフィルタ素子との間に設けられ、前記表面パッド電極とこれに対向するように配置された内部導体層とによって構成されたキャパシタを備えたことを特徴とする積層型高周波モジュール。
【請求項２】
送信信号と受信信号とを切り替えるための切替回路と、
前記切替回路に接続されたフィルタ素子と、
前記切替回路およびフィルタ素子を集積するための多層基板とを備えた積層型高周波モジュールであって、
前記多層基板は、多層基板の表面に形成されて前記フィルタ素子が接続される表面パッド電極と、多層基板の内部に形成された複数の内部導体層とを有し、
前記フィルタ素子は、前記表面パッド電極に接続されるように前記多層基板に搭載され、
積層型高周波モジュールは、更に、前記切替回路とフィルタ素子との間に設けられ、前記表面パッド電極に接続された内部導体層とこれに対向するように配置された他の内部導体層とによって構成されたキャパシタを備えたことを特徴とする積層型高周波モジュール。
【請求項３】
送信信号と受信信号とを切り替えるための切替回路と、
前記切替回路に接続されたフィルタ素子と、
前記切替回路およびフィルタ素子を集積するための多層基板とを備えた積層型高周波モジュールであって、
前記多層基板は、多層基板の表面に形成されて前記フィルタ素子が接続される表面パッド電極と、多層基板の内部に形成された複数の内部導体層とを有し、
前記フィルタ素子は、前記表面パッド電極に接続されるように前記多層基板に搭載され、
積層型高周波モジュールは、更に、前記切替回路とフィルタ素子との間に設けられ、前記表面パッド電極およびこれに接続された内部導体層とこれらに対向するように配置された他の内部導体層とによって構成されたキャパシタを備えたことを特徴とする積層型高周波モジュール。
【請求項４】
前記フィルタ素子は、バンドパスフィルタを構成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型高周波モジュール。
【請求項５】
前記バンドパスフィルタは、前記受信信号を濾波することを特徴とする請求項４記載の積層型高周波モジュール。
【請求項６】
前記フィルタ素子は、弾性表面波素子を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型高周波モジュール。
【請求項７】
前記キャパシタは、前記表面パッド電極とグランド用の内部導体層との間の位置に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の積層型高周波モジュール。
【請求項８】
更に、前記キャパシタを含み、前記切替回路とフィルタ素子との間のインピーダンスの整合を行う整合回路を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の積層型高周波モジュール。
【請求項９】
前記整合回路は、更に、前記キャパシタを構成する内部導体層とグランド用の内部導体層とによって構成される第２のキャパシタを含むことを特徴とする請求項８記載の積層型高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機等の通信装置において送信信号および受信信号を処理するための積層型高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機等の移動体通信機器は、飛躍的に普及してきている。移動体通信機器には、１つのアンテナを送信と受信とに共用させるために送信信号の経路と受信信号の経路とを切り替える高周波モジュールを備えているものがある。
この高周波モジュールは、例えば、送受信の経路を切り替える高周波スイッチと、送信信号における高調波成分を除去するローパスフィルタ（以下、ＬＰＦとも記す。）と、受信信号を濾波するバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦとも記す。
）とを備えている。ＢＰＦとしては、例えば弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタとも記す。）が用いられる。
【０００３】
以下、高周波スイッチと、ＬＰＦと、ＢＰＦとしてのＳＡＷフィルタとを備えた高周波モジュールについて説明する。従来の高周波モジュールでは、例えば、高周波スイッチ、ＬＰＦおよびＳＡＷフィルタはディスクリート部品になっており、これらは個別に配線基板上に実装されていた。このような構成の高周波モジュールでは、各部品間に、インピーダンスの整合を行うための整合回路を設ける必要があった。そのため、この高周波モジュールでは、使用部品の点数が多くなり、その結果、実装面積および配線基板が大きくなっていた。
【０００４】
携帯電話機等の移動体通信機器では、年々、小型化が進められている。そのため、移動体通信機器では、より高密度の部品実装技術が要求されている。このような事情から、例えば特許文献１ないし３に示されるように、多層基板を用いて、高周波スイッチおよびＳＡＷフィルタを一体化してなる高周波部品も提案されている。
【０００５】
特許文献１ないし３に記載された各高周波部品では、高周波スイッチの少なくとも一部は多層基板内において構成され、ＳＡＷフィルタは多層基板上に搭載されている。特許文献１に記載された高周波部品では、高周波スイッチとＳＡＷフィルタとの間の線路とグランドとの間に、これらの間に発生する浮遊容量を打ち消すためのインダクタンス素子が設けられている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平７−２８３４９６号公報
【特許文献２】
特開平１０−３２５２１号公報
【特許文献３】
特開２００１−１０２９５７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献２および３には、多層基板を用いて高周波スイッチおよびＳＡＷフィルタを一体化することにより、高周波スイッチとＳＡＷフィルタとの間に整合回路を設ける必要がなくなる旨が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載されているように、実際には、多層基板の表面に形成されＳＡＷフィルタに接続される表面パッド電極と、多層基板内部のグランド用の導体層との間で浮遊容量が発生する。その結果、高周波スイッチとＳＡＷフィルタとの間においてインピーダンスの不整合が発生し、高周波スイッチとＳＡＷフィルタとを含む経路の挿入損失が増加する。
【０００８】
特許文献１には、上記の浮遊容量を打ち消すために、高周波スイッチとＳＡＷフィルタとの間の線路とグランドとの間にインダクタンス素子を設ける技術が記載されている。しかしながら、この技術では、インダクタンス素子の分だけ、高周波部品が大型化してしまうという問題点がある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、送信信号および受信信号を処理するための積層型高周波モジュールであって、挿入損失の増加を抑え、且つ小型化できるようにした積層型高周波モジュールを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールは、送信信号と受信信号とを切り替えるための切替回路と、切替回路に接続されたフィルタ素子と、切替回路およびフィルタ素子を集積するための多層基板とを備えている。多層基板は、多層基板の表面に形成されてフィルタ素子が接続される表面パッド電極と、多層基板の内部に形成された複数の内部導体層とを有している。フィルタ素子は、表面パッド電極に接続されるように多層基板に搭載されている。本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールは、更に、切替回路とフィルタ素子との間に設けられたキャパシタを備えている。
【００１１】
本発明の第１の積層型高周波モジュールでは、上記キャパシタは、表面パッド電極とこれに対向するように配置された内部導体層とによって構成されている。
【００１２】
本発明の第２の積層型高周波モジュールでは、上記キャパシタは、表面パッド電極に接続された内部導体層とこれに対向するように配置された他の内部導体層とによって構成されている。
【００１３】
本発明の第３の積層型高周波モジュールでは、上記キャパシタは、表面パッド電極およびこれに接続された内部導体層とこれらに対向するように配置された他の内部導体層とによって構成されている。
【００１４】
本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールでは、表面パッド電極に接続されるように上記キャパシタを設けることにより、表面パッド電極とグランド用の内部導体層との間に浮遊容量が発生することを防止したり、上記キャパシタを用いて切替回路とフィルタ素子との間のインピーダンスの整合を行うことが可能になる。
【００１５】
本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールにおいて、フィルタ素子はバンドパスフィルタを構成してもよい。この場合、バンドパスフィルタは受信信号を濾波するものであってもよい。
【００１６】
また、本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールにおいて、フィルタ素子は弾性表面波素子を含んでいてもよい。
【００１７】
また、本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールにおいて、キャパシタは、表面パッド電極とグランド用の内部導体層との間の位置に配置されていてもよい。
【００１８】
また、本発明の第１ないし第３の積層型高周波モジュールは、更に、上記キャパシタを含み、切替回路とフィルタ素子との間のインピーダンスの整合を行う整合回路を備えていてもよい。この場合、整合回路は、更に、上記キャパシタを構成する内部導体層とグランド用の内部導体層とによって構成される第２のキャパシタを含んでいてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係る積層型高周波モジュールの回路構成の一例について説明する。ここでは、一例として、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）方式の携帯電話機に用いられる積層型高周波モジュールについて説明する。図１に示した積層型高周波モジュール１は、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号を処理する。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域は８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の受信信号の周波数帯域は９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚである。
【００２０】
積層型高周波モジュール１は、アンテナ端子２と、送信信号端子３と、受信信号端子４と、高周波スイッチ１０と、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す。
）３０と、バンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと記す。）４０と、整合回路５０とを備えている。アンテナ端子２は、図示しないアンテナに接続される。送信信号端子３は、図示しない送信回路に接続され、この送信回路からの送信信号を入力する。受信信号端子４は、図示しない受信回路に接続され、この受信回路に対して受信信号を出力する。
【００２１】
高周波スイッチ１０は、アンテナ端子２に接続されている。ＬＰＦ３０は、高周波スイッチ１０と送信信号端子３との間に配置されている。ＢＰＦ４０は、受信信号端子４に接続されている。整合回路５０は、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０との間に配置されている。
【００２２】
高周波スイッチ１０は、３つのポート１１〜１３を有している。ポート１１は、アンテナ端子２に接続されている。ポート１２は、ＬＰＦ３０に接続されている。ポート１３は、整合回路５０に接続されている。
【００２３】
高周波スイッチ１０は、更に、一端がポート１１に接続され、他端が接地されたキャパシタ１４と、一端がポート１１に接続され、他端がポート１３に接続されたインダクタ１５と、アノードがポート１３に接続されたダイオード１６と、一端がダイオード１６のカソードに接続され、他端が接地されたキャパシタ１７と、一端がダイオード１６のカソードに接続され、他端が接地された抵抗器１８とを有している。
【００２４】
高周波スイッチ１０は、更に、カソードがポート１１に接続され、アノードがポート１２に接続されたダイオード１９と、一端がポート１２に接続されたインダクタ２０と、一端がインダクタ２０の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ２１と、インダクタ２０とキャパシタ２１との接続点に接続された制御端子２２とを有している。ダイオード１６，１９としては、例えばＰＩＮダイオードが用いられる。
【００２５】
高周波スイッチ１０では、制御端子２２に印加される制御信号がハイレベルのときには、２つのダイオード１６，１９が共に導通状態となり、ポート１２がポート１１に接続される。一方、制御端子２２に印加される制御信号がローレベルのときには、２つのダイオード１６，１９が共に非導通状態となり、ポート１３がポート１１に接続される。
【００２６】
高周波スイッチ１０においてポート１２がポート１１に接続されると、ＬＰＦ３０と高周波スイッチ１０とを介して、送信信号端子３がアンテナ端子２に接続される。また、高周波スイッチ１０においてポート１３がポート１１に接続されると、高周波スイッチ１０、整合回路５０およびＢＰＦ４０を介して、受信信号端子４がアンテナ端子２に接続される。このように、高周波スイッチ１０は、送信信号と受信信号とを切り替える。高周波スイッチ１０は、本発明における切替回路に対応する。
【００２７】
ＬＰＦ３０は、一端が送信信号端子３に接続され、他端が高周波スイッチ１０のポート１２に接続されたインダクタ３１と、一端が送信信号端子３に接続され、他端がポート１２に接続されたキャパシタ３２と、一端が送信信号端子３に接続され、他端が接地されたキャパシタ３３と、一端がポート１２に接続され、他端が接地されたキャパシタ３４とを有している。ＬＰＦ３０は、送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
【００２８】
ＢＰＦ４０は、弾性表面波素子を含むフィルタ素子４１を有している。フィルタ素子４１の一端は、整合回路５０に接続されている。フィルタ素子４１の他端は、受信信号端子４に接続されている。ＢＰＦ４０は、受信信号を濾波する。
【００２９】
整合回路５０は、一端が高周波スイッチ１０のポート１３に接続され、他端がフィルタ素子４１の一端に接続されたキャパシタ５１と、一端がポート１３に接続され、他端が接地されたキャパシタ５２とを有している。整合回路５０は、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０とのインピーダンスの整合を行う。
【００３０】
次に、図２を参照して、本実施の形態に係る積層型高周波モジュール１の構造について説明する。図２は、本実施の形態に係る積層型高周波モジュールの外観の一例を示す斜視図である。積層型高周波モジュール１は、その構成要素を複合化するための１つの多層基板６０を備えている。多層基板６０は、誘電体層と、パターン化された導体層とが交互に積層された構造になっている。積層型高周波モジュール１の構成要素は、多層基板６０の内部に形成された内部導体層と多層基板６０の表面に形成された表面導体層と、多層基板６０に搭載された素子とを用いて構成されている。図２には、多層基板６０にフィルタ素子４１とダイオード１６，１９が搭載された例を示している。
【００３１】
多層基板６０は、例えば低温焼成セラミック多層基板になっている。この場合、多層基板６０は、例えば以下のようにして製造される。すなわち、まず、予めスルーホール用の孔が形成されたセラミックグリーンシート上に、例えば銀を主成分とする導電性ペーストを用いて、所定のパターンの導体層を形成する。次に、このように導体層が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層し、これらを同時に焼成する。これにより、スルーホールも同時に形成される。また、積層体の側面または底面に、図示しない端子電極を形成して、多層基板６０を完成させる。端子電極は、外部装置との接続に用いられる。例えば、多層基板６０は、プリント配線基板等の他の基板に実装され、その際、端子電極は、他の基板の導体層に対して、例えば半田付けによって接続される。
【００３２】
フィルタ素子４１は、例えばフリップチップボンディング法によって多層基板６０に実装されている。
【００３３】
次に、図３ないし図５を参照して、本実施の形態における整合回路５０の具体的な構成の第１ないし第３の例について説明する。図３ないし図５は、それぞれ、フィルタ素子４１とその近傍における多層基板６０の一部とを示している。図３ないし図５に示したように、多層基板６０は、その表面に形成されてフィルタ素子４１が接続される複数の表面パッド電極を有している。図３ないし図５には、複数の表面パッド電極のうちの２つの表面パッド電極６１，６２のみを示している。フィルタ素子４１は、表面パッド電極６１，６２に接続されるように多層基板６０に搭載されている。多層基板６０は、複数の内部導体層を有している。この複数の内部導体層には、グランド用の内部導体層６３，６４，６５が含まれている。表面パッド電極６２は、グランド用の内部導体層６３に接続されている。
【００３４】
図３に示したように、第１の例では、表面パッド電極６１とこれに対向するように配置された内部導体層６６とによって、キャパシタ５１が構成されている。
内部導体層６６は、高周波スイッチ１０のポート１３に接続されている。また、第１の例では、内部導体層６６とグランド用の内部導体層６４とによって、キャパシタ５２が構成されている。キャパシタ５１は、表面パッド電極６１とグランド用の内部導体層６４との間の位置に配置されている。
【００３５】
図４に示したように、第２の例では、表面パッド電極６１に接続された内部導体層７１ａ，７１ｂ，７１ｃと、これらに対向するように配置された内部導体層７２ａ，７２ｂ，７２ｃとによって、キャパシタ５１が構成されている。内部導体層７１ａ，７１ｂ，７１ｃと内部導体層７２ａ，７２ｂ，７２ｃとは、交互に配置されている。内部導体層７１ａ，７１ｂ，７１ｃは互いに接続されている。
内部導体層７２ａ，７２ｂ，７２ｃも互いに接続されている。内部導体層７２ａ，７２ｂ，７２ｃは、高周波スイッチ１０のポート１３に接続されている。また、第２の例では、内部導体層７２ｃとグランド用の内部導体層６４とによって、キャパシタ５２が構成されている。なお、例えば内部導体層７２ａをグランド用の内部導体層６３に対向する位置まで伸ばし、内部導体層７２ａと内部導体層６３とによって、キャパシタ５２の少なくとも一部を構成してもよい。キャパシタ５１は、表面パッド電極６１とグランド用の内部導体層６４との間の位置に配置されている。
【００３６】
図５に示したように、第３の例では、表面パッド電極６１およびこれに接続された内部導体層８１ａ，８１ｂ，８１ｃと、これらに対向するように配置された内部導体層８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄとによって、キャパシタ５１が構成されている。表面パッド電極６１、内部導体層８１ａ，８１ｂ，８１ｃと内部導体層８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄとは、交互に配置されている。内部導体層８１ａ，８１ｂ，８１ｃは互いに接続されている。内部導体層８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄも互いに接続されている。内部導体層８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄは、高周波スイッチ１０のポート１３に接続されている。また、第３の例では、内部導体層８２ｄとグランド用の内部導体層６４とによって、キャパシタ５２が構成されている。なお、例えば内部導体層８２ｂをグランド用の内部導体層６３に対向する位置まで伸ばし、内部導体層８２ｂと内部導体層６３とによって、キャパシタ５２の少なくとも一部を構成してもよい。キャパシタ５１は、表面パッド電極６１とグランド用の内部導体層６４との間の位置に配置されている。
【００３７】
以上説明したように、本実施の形態では、表面パッド電極６１に接続されるように、多層基板６０内にキャパシタ５１を設けている。このキャパシタ５１は、表面パッド電極６１とグランド用の内部導体層６４との間の位置に配置されている。これにより、表面パッド電極６１とグランド用の内部導体層６４との間に浮遊容量が発生することを防止することができる。
【００３８】
また、本実施の形態では、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０との間に整合回路５０を設けている。これにより、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０との間でインピーダンスの整合を行うことができる。また、整合回路５０は、上記のキャパシタ５１と、キャパシタ５２とによって構成されている。キャパシタ５２は、キャパシタ５１を構成する内部導体層と、グランド用の内部導体層６４とによって構成されている。このように、整合回路５０の構成は極めて簡単であり、整合回路５０の占有スペースは小さい。
【００３９】
以上のことから、本実施の形態によれば、積層型高周波モジュール１において、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０とを含む経路の挿入損失の増加を抑えることができると共に、積層型高周波モジュール１を小型化することができる。
【００４０】
また、キャパシタ５１は、直流電流の通過を阻止する機能も有する。従って、本実施の形態によれば、弾性表面波素子を含むフィルタ素子４１に直流電圧やサージ電圧が印加されることを防止でき、これにより、フィルタ素子４１の特性の劣化を防止することができる。
【００４１】
次に、本実施の形態に係る積層型高周波モジュール１の効果を具体的に示す。ここでは、比較例の積層型高周波モジュール１０１と本実施の形態に係る積層型高周波モジュール１とについて、それぞれ挿入損失を測定した結果を示す。
【００４２】
まず、比較例の積層型高周波モジュール１０１の構成について説明する。図７は、比較例の積層型高周波モジュール１０１の回路構成を示す回路図である。この積層型高周波モジュール１０１では、整合回路５０は設けられておらず、高周波スイッチ１０のポート１３は、線路１０２を介して、フィルタ素子４１に接続されている。また、比較例の積層型高周波モジュール１０１では、線路１０２とグランドとの間に浮遊容量１０３が発生している。比較例の積層型高周波モジュール１０１におけるその他の構成は、図１に示した積層型高周波モジュール１と同様である。
【００４３】
図８は、比較例の積層型高周波モジュール１０１について、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０とを含む経路の挿入損失および反射損失の周波数特性の一例を示している。なお、浮遊容量１０３のキャパシタンスは、約０．２４ｐＦである。
図８において、符号１１１で示した線は挿入損失を表わし、符号１１２で表した線は反射損失を表わしている。図８から分かるように、比較例の積層型高周波モジュール１０１では、ＧＳＭ方式の受信信号に使用される周波数である９６０ＭＨｚ付近では、挿入損失が約−５．０ｄＢ、反射損失が約−６．４ｄＢとなっている。比較例の積層型高周波モジュール１０１では、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０との間におけるインピーダンスの不整合により、挿入損失が大きくなっている。
【００４４】
図６は、本実施の形態に係る積層型高周波モジュール１について、高周波スイッチ１０とＢＰＦ４０とを含む経路の挿入損失および反射損失の周波数特性の一例を示している。なお、キャパシタ５１のキャパシタンスは８．５ｐＦであり、キャパシタ５２のキャパシタンスは１．８ｐＦである。図６において、符号９１で示した線は挿入損失を表わし、符号９２で表した線は反射損失を表わしている。図６から分かるように、本実施の形態に係る積層型高周波モジュール１では、ＧＳＭ方式の受信信号に使用される周波数である９６０ＭＨｚ付近では、挿入損失が約−２．８ｄＢ、反射損失が約−１５．４ｄＢとなっている。このように、本実施の形態に係る積層型高周波モジュール１によれば、比較例の積層型高周波モジュール１０１に比べて、挿入損失を低減することができる。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、フィルタ素子４１は、弾性表面波素子を含むものに限らず、例えば、バルク弾性波素子を含むものでもよいし、誘電体フィルタを含むものでもよい。
【００４６】
また、フィルタ素子４１を多層基板６０に実装する方法は、フリップチップボンディング法に限らず、ワイヤボンディング法等の他の実装方法であってもよい。また、多層基板６０の上面にフィルタ素子４１を収納する凹部を設け、この凹部内にフィルタ素子４１を配置してもよい。
【００４７】
また、本発明は、１つの周波数帯域の送信信号および受信信号を処理するモジュールに限らず、２以上の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理するモジュールにも適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の積層型高周波モジュールでは、表面パッド電極に接続されるように、多層基板内にキャパシタを設けている。これにより、本発明によれば、表面パッド電極とグランド用の内部導体層との間に浮遊容量が発生することを防止したり、上記キャパシタを用いて切替回路とフィルタ素子との間のインピーダンスの整合を行うことが可能になる。従って、本発明によれば、積層型高周波モジュールの挿入損失の増加を抑え、且つ積層型高周波モジュールを小型化することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る積層型高周波モジュールの回路構成の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る積層型高周波モジュールの外観の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態における整合回路の構成の第１の例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態における整合回路の構成の第２の例を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態における整合回路の構成の第３の例を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る積層型高周波モジュールにおける高周波スイッチとＢＰＦとを含む経路の挿入損失および反射損失の周波数特性の一例を示す特性図である。
【図７】比較例の積層型高周波モジュールの回路構成を示す回路図である。
【図８】図７に示した比較例の積層型高周波モジュールにおける高周波スイッチとＢＰＦとを含む経路の挿入損失および反射損失の周波数特性の一例を示す特性図である。
【符号の説明】
１…積層型高周波モジュール、１０…高周波スイッチ、３０…ローパスフィルタ、４０…バンドパスフィルタ、４１…フィルタ素子、５０…整合回路、５１，５２…キャパシタ、６０…多層基板、６１，６２…表面パッド電極、６３〜６６…内部導体層。
【図１】
2005020154.tif 000003
【図２】
2005020154.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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