(57)【要約】【課題】高周波電気信号に反射等を起こして伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】高周波の電気信号を送受信する半導体素子６が搭載される搭載部１ａを有する基体１と、基体１の搭載部１ａより導出されているグランド配線導体２ｂおよび第１配線導体２ａと、グランド配線導体２ｂおよび第１配線導体２ａに電気的に接続しているグランド用パッド３ｂおよび入出力用パッド３ａと、基体１の搭載部１ａより導出されている第２配線導体４と、導電性の線材５ａと絶縁性の外囲体５ｂとから成り、線材５ａが第２配線導体４に電気的に接続されているコネクター５とで形成され、第２配線導体４は、９０乃至９８質量部の金属成分と２乃至１０質量部のガラス成分とから成り、基体１の上部に形成された第１の導体層４ａと、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成り、第１の導体層４ａ上に形成された第２の導体層４ｂとで形成されている。【選択図】図１
2005150574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の前記搭載部より下面にかけて導出されている複数個のグランド配線導体および第１配線導体と、前記基体の下面に形成され、前記グランド配線導体および第１配線導体に電気的に接続している複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、前記基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、線材が前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとで形成され、前記第２配線導体は、９０乃至９８質量部の金属成分と２乃至１０質量部のガラス成分とから成り前記基体の上部に形成された第１の導体層と、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成り前記第１の導体層上に形成された第２の導体層とで形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子収納用パッケージと４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とから成り、前記パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の各電極を第１配線導体および第２配線導体に電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波の電気信号を送受信する半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ、およびその半導体素子収納用パッケージを用いて成る半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信や無線通信等の機器には多数の半導体装置が使用されており、かかる半導体装置は一般に、高周波の電気信号を送受信する半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密に収容することによって形成されている。
【０００３】
前記半導体素子収納用パッケージは、通常、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミック、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部が形成された基体と、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属成分を主成分とするものから成り、基体の半導体素子搭載部から下面にかけて被着導出された複数の電気信号の入出力用およびグランド用の配線導体と、この配線導体と電気的に接続するようにして基体の下面に形成された複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている出入力用の配線導体と、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、線材の一端が出入力用配線導体に接続され、他端が外部に導出されているコネクターとにより構成されている。
【０００４】
かかる半導体素子収納用パッケージは、その搭載部に電気信号を送受信する半導体素子がＡｕ−Ｓｎろう材あるいは半田等の接合材を介して接着固定されるとともに、半導体素子の電極が入出力配線導体、グランド用配線導体および出入力配線導体にボンディングワイヤや接続用リボン、半田等の導電性接続材を介して接続され、その後、必要に応じて蓋体等で半導体素子を封止することによって半導体装置となる。
【０００５】
また前記半導体装置は基体の下面に形成されているグランド用パッドおよび入出力用パッドを外部電気回路基板の回路導体に半田バンプ等を介し接続させることによって内部に収容する半導体素子が外部電気回路に接続され、同時にコネクターに同軸ケーブル等を介し外部の通信装置等の外部機器を接続させることによって半導体素子と外部機器とが接続するようになっている。
【０００６】
なお、前記半導体装置に使用されている半導体素子は複数の電気信号を合成して一つの電気信号に変換する、或いは一つの電気信号を分離して複数の電気信号に変換する機能を有しており、第１配線導体を介して入力される複数の周波数帯域が低い電気信号は半導体素子で合成されて一つの周波数帯域が高い電気信号となり、この周波数帯域の高い電気信号は第２配線導体を介してコネクターに伝送されるとともにコネクターより外部の通信装置等の外部機器に伝送され、またコネクターを介して外部機器より伝送された周波数帯域の高い電気信号は半導体素子で複数の周波数帯域が低い電気信号に変換され、各々の周波数帯域の低い電気信号は第１配線導体を介して外部電気回路に伝送されることとなる。
【０００７】
前記コネクターは鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材の周囲をガラス等の絶縁性材料から成る外囲体で取り囲んだ構造を有しており、コネクターの線材と第２配線導体とは、通常、２ｍｍ（２０００μｍ）以上の長さにわたって接続されている。
【０００８】
前記半導体素子収納用パッケージは、基体が酸化アルミニウム質焼結体の場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、ガラス成分等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシートを得、次に例えば金属成分がタングステンから成る場合であれば、タングステン粉末に有機溶剤を添加して成る導電ペーストを基体となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷し、しかる後、それらセラミックグリーンシートを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【０００９】
なお、前記第１配線導体や第２配線導体を形成するための導電ペーストには、通常、セラミックグリーンシートと同様のガラス成分が２乃至１０質量部程度添加混合されている。このガラス成分が、焼成時に導電ペーストとセラミックグリーンシートとの界面で相互に拡散し、第１配線導体や第２配線導体と基体との界面にガラス成分が介在するため、基体と第２配線導体との界面の接合を強固に保持することができる。
【特許文献１】特開２００２−１６４４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置においては、第２配線導体が導電ペーストをスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用し、所定パターンに印刷することによって形成されており、焼成時のガラス成分の拡散により第２配線導体の外表面にガラスが析出しやすいこと、４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚという高い周波数帯域の信号は、そのほとんどが第２配線導体の表層部分を伝って伝送されること等から、第２配線導体に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、その高周波の電気信号は第２配線導体の外表面に析出しているガラス成分で反射を起こし、伝送特性が大きく劣化してしまうという欠点を有していた。
【００１１】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、第２配線導体で高周波電気信号が反射するのを有効に防止し、伝送特性の優れた半導体素子収納用パッケージおよび導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の前記搭載部より下面にかけて導出されている複数個のグランド配線導体および第１配線導体と、前記基体の下面に形成され、前記グランド配線導体および第１配線導体に電気的に接続している複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、前記基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、線材が前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとで形成され、前記第２配線導体は、９０乃至９８質量部の金属成分と２乃至１０質量部のガラス成分とから成り前記基体の上部に形成された第１の導体層と、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成り前記第１の導体層上に形成された第２の導体層とで形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また本発明の半導体装置は、上記構成の半導体素子収納用パッケージと４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とから成り、前記パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに半導体素子の各電極を第１配線導体および第２配線導体に電気的に接続したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、第２配線導体を９０乃至９８質量部の金属成分と２乃至１０質量部のガラス成分とから成り、前記基体の上部に形成された第１の導体層と、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成り前記第１の導体層上に形成された第２の導体層とで形成したことから、第２配線導体に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても、第２配線導体のうち信号が伝送される表面部分の第２の導体層のガラスの含有率が低いため、その高周波の電気信号は第２配線導体の表面で大きな反射を起こすことはほとんどなく、その結果、電気信号の伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００１５】
また、第１の導体層は、２乃至１０質量部のガラス成分を含むものから成り、ガラス成分が十分にあるため基体と第１の導体層との界面でガラス成分が相互に十分に浸透し、その結果アンカー効果（ガラス成分が表面の孔の中に入り込むことで錨のように抜けにくくすること）を発現するため、基体と第１の導体層との界面で高い接合強度が得られる。
【００１６】
また、第２の導体層は、０．５乃至１質量部のガラス成分を含むものから成るため、第１の導体層と第２の導体層との界面でガラス成分が相互に十分に浸透し、その結果アンカー効果を発現するため、また第１の導体層と第２の導体層との界面では、第１および第２の導体層中の金属成分どうしが金属結合（金属が放出した自由電子と、金属イオン間に生じたクーロン相互作用が主要な凝集力となって、金属原子が結びついている結合のこと）をなすため、第１の導体層と第２の導体層との界面で高い接合強度が得られる。その結果、第１の導体層と第２の導体層とから成る第２配線導体を基体に強固に接合させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明をする。
【００１８】
図１乃至図３は本発明の半導体装置の一実施例を示し、半導体素子収納用パッケージ７内に半導体素子６を収容して構成されている。
【００１９】
前記半導体素子収納用パッケージ７は、基体１、第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂ、第２配線導体４、第１の導体層４ａ、第２の導体層４ｂ、コネクター５により基本的に形成されている。
【００２０】
前記基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、ガラス成分等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００２１】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから下面にかけて複数個の第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂが形成されており、各配線導体２ａ、２ｂは半導体素子の電気信号入出力用、接地用の各電極を、入出力用パッド３ａやグランド用パッド３ｂに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電気信号入出力用、接地用の各電極が導電性接続材を介して電気的に接続される。
【００２２】
前記第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂは、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属成分を主成分とするものから成り、例えば金属成分が銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る導電ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷しておくことにより形成される。
【００２３】
この第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂの基体１下面側の一端は、それぞれ対応する入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂと電気的に接続しており、これらの入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂを外部電気回路の所定の信号用や接地用等の回路導体に接続することにより、半導体素子６の電気信号入出力用、接地用の各電極が外部電気回路と電気的に接続される。
【００２４】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから上面や側面等にかけて第２配線導体４が形成されており、第２配線導体４は半導体素子６の電極をコネクター５の線材５ａに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電極がボンディングワイヤ８を介して電気的に接続される。
【００２５】
また前記第２配線導体４は、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属成分を主成分として形成されている。
【００２６】
なお、この第２配線導体４は、前記基体１の上部に形成された第１の導体層４ａと、この第１の導体層４ａ上に積層された第２の導体層４ｂとから形成される。
【００２７】
またこの第２配線導体４の基体１外表面側の一端はコネクター５の線材５ａと電気的に接続しており、このコネクター５を同軸ケーブル等を介して通信装置等の外部機器に接続することにより半導体素子６と外部機器との間で高周波信号の送受信が行われる。
【００２８】
前記コネクター５は、半導体素子収納用パッケージ７の第２配線導体４を同軸ケーブル等を介して外部機器に接続するための接続体として作用し、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材の周囲を、絶縁性の外囲体５ｂで取り囲んだ構造である。
【００２９】
前記線材５ａと外囲体５ｂとから成るコネクター５は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る線材５ａを、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の容器の中央にセットし、容器内にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を充填した後、ガラス粉末を加熱溶融させて線材５ａの周囲に被着させることによって製作される。
【００３０】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、基体１の搭載部１ａに半導体素子６を搭載するとともにガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して固定し、しかる後、半導体素子６の各電極を第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂに、ボンディングワイヤ８を介して接続し、最後に蓋体１０を基体１の上面に封止材を介して接合させ、半導体素子６を気密に封入することによって半導体装置１１となる。
【００３１】
この半導体装置１１は基体１下面の入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂが外部電気回路基板の所定の信号用や接地用等の回路導体に半田バンプ等の外部端子を介して接続され、これによって半導体素子６の信号用、接地用の各電極は外部電気回路と電気的に接続される。
【００３２】
また、この半導体装置１１に取着されているコネクター５の線材５ａに同軸ケーブル等の外部接続用の導線を接続することにより、半導体素子６の電極が通信装置等の外部機器に接続される。
【００３３】
そしてかかる半導体装置１１は、外部電気回路から供給される複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号を第１配線導体２ａを介して半導体素子６に入力させ、半導体素子６でこれら入力された電気信号を合成して、一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号とするとともにこれを第２配線導体４を介してコネクター５に出力し、コネクター５の線材５ａを介して外部の通信装置等の外部機器に伝送する、或いは、外部の通信装置等の外部機器から伝送された一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号をコネクター５の線材５ａ及び第２配線導体４を介して半導体素子６に入力し、半導体素子６で入力された周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号を複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号に変換するとともにこれらの個々の周波数帯域が低い電気信号を第１配線導体２ａを介して外部電気回路に供給することとなる。
【００３４】
本発明の半導体素子収納用パッケージ７およびこれを用いた半導体装置６においては、
図３に示すように、前記第２配線導体４が、９０乃至９８質量部の金属成分と２乃至１０質量部のガラス成分とから成り前記基体１の上部に形成された第１の導体層４ａと、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成り前記第１の導体層４ａ上に形成された第２の導体層４ｂとで形成されていることが重要である。
【００３５】
第１の導体層４ａは、２乃至１０質量部のガラス成分を含むものから成り、ガラス成分が十分にあるため基体１と第１の導体層４ａとの界面でガラス成分が相互に十分に浸透し、その結果アンカー効果（ガラス成分が表面の孔の中に入り込むことで錨のように抜けにくくすること）を発現するため、基体１と第１の導体層４ａとの界面で高い接合強度が得られる。
【００３６】
第１の導体層４ａにおいて、ガラス成分の含有量が２質量部未満の場合には、基体１と第１の導体層４ａとの接合に必要なガラス成分が不足するため、接合強度が低下するという不具合が生じる。
【００３７】
他方、ガラス成分の含有量が１０質量部を超えると、基体１と第１の導体層４ａとの焼成時の収縮挙動の差による内部応力が増加しやすく、基体１の反りや基体１と第１の導体層４ａとの接合強度の低下等の不具合が発生し、その結果半導体装置とのワイヤボンディング性やコネクター等のチップ部品の実装信頼性の低下等の不具合が生じる。
【００３８】
従って、第１の導体層４ａのガラス成分の含有量は、２乃至１０質量部の範囲に特定される。
【００３９】
第２の導体層４ｂは、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成るため第２配線導体４に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしてもその高周波の電気信号は、ガラス成分の少ない第２の導体層４ｂを通り、第２配線導体４で大きな反射を起こすことはほとんどなく、その結果、電気信号の伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００４０】
さらに第２の導体層４ｂは、０．５乃至１質量部のガラス成分を含むものから成るため、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面でガラス成分が相互に十分に浸透し、その結果アンカー効果を発現するため、また第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面では、第１および第２の導体層中の金属成分どうしが金属結合をなすため、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面で高い接合強度が得られる。その結果、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとから成る第２配線導体４を基体１に強固に接合させることが可能となる。
【００４１】
第２の導体層４ｂにおいて、ガラス成分の含有量が０．５質量部未満の場合には、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面でガラス成分が相互に十分に浸透せずに、十分なアンカー効果が発現されず、また第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面での金属結合だけでは第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面での接合強度が確保できないため、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの界面で剥がれ等の不具合が生じてしまう。その結果、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとから成る第２配線導体４の強度劣化が発生し、半導体素子６と接続するボンディングワイヤ８の接続の信頼性やコネクター５の第２配線導体４に対する接続の信頼性が大きく低下するという不具合が生じる。
【００４２】
他方、ガラス成分の含有量が１質量部を超えると、第２配線導体４の表面へのガラス成分析出が増加しやすく、この第２配線導体４に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号は第２配線導体４の表面に析出しているガラス成分で反射を起こし、伝送特性が大きく劣化するという不具合が生じる。
【００４３】
従って、第２の導体層４ｂのガラス成分の含有量は、０．５乃至１質量部の範囲に特定される。
【００４４】
さらに、第１および第２の導体層中の金属成分は、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとの接合強度を強固に確保し、また生産性を良好にする上で、第１および第２の導体層中の金属成分は同じもの（例えば、銅）を用いることがより好ましい。
【００４５】
なお、基体１は、搭載部１ａを取り囲む枠状の部位１２の一部が、第２配線導体４の上面側で、ガラス成分の少ない第２の導体層４ｂと接するため、この接した部分で基体１と第２配線導体４との接合強度が低いものとなるが、このように接合強度の低い部分は、基体１の枠状の部位１２を平面視したときの面積のごく一部であるため、基体１の枠状の部位１２全体の接合強度は十分に確保することができ、基体１から枠状の部位１２が剥がれるような不具合が生じることはない。
【００４６】
このように、第２配線導体４を、９０乃至９８質量部の金属成分と２乃至１０質量部のガラス成分とから成り前記基体１の上部に形成された第１の導体層４ａと、９９乃至９９．５質量部の金属成分と０．５乃至１質量部のガラス成分とから成り第１の導体層４ａ上に積層された第２の導体層４ｂとから成るものとするには、例えば、以下のような方法を用いることができる。
【００４７】
第１の導体層４ａは、基体１の表面に形成されており、例えば金属成分が銅から成る場合であれば、銅粉末にガラス成分を２乃至１０質量部の範囲で含有させ、適当な有機バインダ，有機溶剤を混練して作製した導電ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷塗布して形成される。
【００４８】
さらに、第２の導体層４ｂは、第１の導体層４ａの表面に形成されており、例えば金属成分が銅から成る場合であれば、銅粉末にガラス成分を０．５乃至１質量部の範囲で含有させ、適当な有機バインダ，有機溶剤を混練して作製した導電ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等により第１の導体層４ａの表面に所定パターンに印刷塗布し、セラミックグリーンシートと、セラミックグリーンシートの表面に形成された第１の導体層４ａと同時に焼成されて形成される。
【００４９】
その際、第１の導体層４ａを印刷塗布して形成した後、常温で乾燥し、その後第２の導体層４ｂを形成することで、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとが界面で混ざり合うことなく、第１の導体層４ａと第２の導体層４ｂとを良好に形成することが可能となる。
【００５０】
また、導電ペーストに含有させるガラス成分としては、例えばＳｉ２−Ｂ２Ｏ３系、Ｓｉ２−Ｂ２Ｏ３―Ａｌ２Ｏ３系、Ｓｉ２−Ｂ２Ｏ３―Ａｌ２Ｏ３―ＭＯ系（但しＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）・ＳｉＯ２―Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但しＭ１およびＭ２はＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示し、同一または異なってもよい）・Ｓｉ２−Ｂ２Ｏ３―Ａｌ２Ｏ３―Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但しＭ１およびＭ２は前記と同じである）・Ｓｉ２−Ｂ２Ｏ３―Ｍ３２Ｏ系（但しＭ３はＬｉ、ＮａまたはＫを示す）・Ｓｉ２−Ｂ２Ｏ３―Ａｌ２Ｏ３―Ｍ３２Ｏ系（但しＭ３は前記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。なお、自然環境保護を考慮すると、Ｐｂ系ガラスは使用しないほうがより好ましい。
【００５１】
かくして、基体１の上部に形成された第１の導体層４ａと、第１の導体層４ａ上に積層された第２の導体層４ｂとから成る第２配線導体４が形成される。
【００５２】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージおよびこの半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の搭載部周辺の拡大平面図である。
【図３】図１に示す半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・・・基体
１ａ・・・・搭載部
２ａ・・・・第１配線導体
２ｂ・・・・グランド配線導体
３ａ・・・・入出力用パッド
３ｂ・・・・グランド用パッド
４・・・・・第２配線導体
４ａ・・・・第１の導体層
４ｂ・・・・第２の導体層
５・・・・・コネクター
５ａ・・・・線材
５ｂ・・・・外囲体
６・・・・・半導体素子
７・・・・・半導体素子収納用パッケージ
８・・・・・ボンディングワイヤ
１０・・・・蓋体
１１・・・・半導体装置
１２・・・・枠状の部位
【図１】
2005150574.tif 000003
【図２】
2005150574.tif 000004
【図３】
2005150574.tif 000005