(57)【要約】【課題】一体化された浸漬処理、例えば陽極酸化処理の中で、マガジンが投入されていない待機時にはヒータ電源をオフにして消費される電力を低減できる浸漬処理方法、浸漬処理装置、陽極酸化方法、陽極酸化装置及び液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】薄膜として金属膜が形成された基板に対して浸漬処理（例えば陽極酸化），洗浄及び乾燥を行なう工程を含む浸漬処理方法であって、乾燥を行なうための開始時間を決定するステップと、前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定するステップと、を具備したものである。前記の乾燥を行なうための乾燥開始時間は、浸漬処理（例えば陽極酸化）の処理開始時間に基づいて決定することができる。【選択図】  図１
2005093620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜が形成された基板に対して浸漬処理，洗浄及び乾燥を行なう工程を含む浸漬処理方法であって、
乾燥を行なうための開始時間を決定するステップと、
前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定するステップと、
を具備したことを特徴とする浸漬処理方法。
【請求項２】
前記の乾燥を行なうための開始時間は、浸漬処理の処理開始時間に基づいて決定されることを特徴とする請求項１記載の浸漬処理方法。
【請求項３】
薄膜が形成された基板に対して浸漬処理，洗浄及び乾燥を行なう手段を含む浸漬処理装置であって、
乾燥を行なうための開始時間を決定する手段と、
前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定する手段と、
を具備したことを特徴とする浸漬処理装置。
【請求項４】
金属膜が形成された基板に対して陽極酸化，洗浄及び乾燥を行なう工程を含む陽極酸化方法であって、
乾燥を行なうための開始時間を決定するステップと、
前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定するステップと、
を具備したことを特徴とする陽極酸化方法。
【請求項５】
金属膜が形成された基板に対して陽極酸化，洗浄及び乾燥を行なう手段を含む陽極酸化装置であって、
乾燥を行なうための開始時間を決定する手段と、
前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定する手段と、
を具備したことを特徴とする陽極酸化装置。
【請求項６】
基板上に形成された第１電極と、その第１電極の上に形成された絶縁膜と、その絶縁膜の上に形成された第２電極とを有する２端子型非線形素子を備えた液晶装置の製造方法であって、上記絶縁膜は、請求項４記載の陽極酸化方法によって製造されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浸漬処理方法、浸漬処理装置、陽極酸化方法、陽極酸化装置及び液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電気機器では、表示部として液晶装置が広く用いられている。
【０００３】
液晶装置の種類として、アクティブマトリクス方式によって駆動されるものと、単純マトリクス方式によって駆動されるものがあることは既に知られている。アクティブマトリクス方式の液晶装置というのは、マトリクス状に配列した複数の画素電極のそれぞれに対応して非線形素子、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といったスイッチング素子や、２端子型非線形素子等といった非線形抵抗素子等、を付設した構造の液晶装置である。また、単純マトリクス方式の液晶装置というのは、そのような非線形素子を用いることなく時分割駆動によって各画素電極を駆動するものである。
【０００４】
上記の非線形素子に関しては、所定パターンの金属膜上に絶縁膜を積層する構造が含まれる。例えば、第１電極の上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上に第２電極を形成する構造の２端子型非線形素子に関しては、第１電極の上に絶縁膜を形成する必要がある。
【０００５】
このような絶縁膜の形成方法として、従来、金属膜を形成した基板を所定の化成液の中に浸漬し、その金属膜を陽極として電解処理を行ってその金属膜上に絶縁膜としての酸化膜を形成するという、いわゆる陽極酸化処理が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００６】
陽極酸化処理は、１枚の基板に関する処理方法のほかに、複数個の基板に対して同時に陽極酸化を行なうバッチ処理方法がある。バッチ処理は、金属膜を形成した基板を複数枚同時に化成液に浸漬し、それら複数の基板を少なくとも１つの定電流源に接続して各基板上の金属膜と陰極との間に電圧を印加する方法が採られる。
【０００７】
陽極酸化装置では、マガジンに複数枚の素子基板を立った状態で収納し、素子基板をマガジンに収納した状態のまま、化成液中で陽極酸化を行なう処理槽、化成液を取り除くリンス槽の順に浸漬した後、温水が貯留されている温水槽に浸漬し、しかる後に、素子基板に付着した温水が蒸発乾燥していく速度に合わせて、マガジンを温水中から一定速度で引き上げていく方法が採用されている。このような温水引き上げ乾燥処理によれば、素子基板が温水の液面から引き上げられる際の液面との接触条件が素子基板の表面全体にわたって均一であるため、素子基板の表面全面において乾燥条件の特異点が発生しにくく、乾燥ムラが発生しない。また、複数枚の素子基板をマガジンに収納した状態で各工程を行うため、各処理を効率よく行うことができる。
【特許文献１】特開２００２−２８０３４５号公報
【特許文献２】特開平１１−１５８６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、陽極酸化装置では、処理槽における陽極酸化に２．５時間を要し、洗浄及び乾燥を含めて３〜４時間という長時間の処理時間（サイクルタイム）を有している。一連の製造処理工程の中で、陽極酸化処理を行なうには、マガジンを処理槽に投入する前から前以って温水槽のヒータの電源をオンしておく。このため、マガジンが工程に連続して投入されない場合（待機時）でも、温水槽のヒータ電源がオンしたままのため電力消費が増加し、省エネルギーに反するという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、上記の問題に鑑みてなされたもので、一体化された浸漬処理、例えば陽極酸化処理の中で、マガジンが投入されていない待機時にはヒータ電源をオフにして消費される電力を低減できる浸漬処理方法、浸漬処理装置、陽極酸化方法、陽極酸化装置及び液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による浸漬処理方法は、薄膜が形成された基板に対して浸漬処理，洗浄及び乾燥を行なう工程を含む浸漬処理方法であって、乾燥を行なうための開始時間を決定するステップと、前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定するステップと、を具備したものである。
【００１１】
本発明のこのような方法によれば、一体化された浸漬処理の中で、マガジンが投入されていない待機時にはヒータ電源をオフにして消費される電力を低減することができる。
【００１２】
本発明による浸漬処理装置は、薄膜が形成された基板に対して浸漬処理，洗浄及び乾燥を行なう手段を含む浸漬処理装置であって、乾燥を行なうための開始時間を決定する手段と、前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定する手段と、を具備したものである。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、一体化された浸漬処理の中で、マガジンが投入されていない待機時にはヒータ電源をオフにして消費される電力を低減することができる。
【００１４】
本発明による陽極酸化方法は、金属膜が形成された基板に対して陽極酸化，洗浄及び乾燥を行なう工程を含む陽極酸化方法であって、乾燥を行なうための開始時間を決定するステップと、前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定するステップと、を具備したものである。
【００１５】
本発明のこのような方法によれば、一体化された陽極酸化処理の中で、マガジンが投入されていない待機時にはヒータ電源をオフにして消費される電力を低減できる。
【００１６】
本発明による陽極酸化装置は、金属膜が形成された基板に対して陽極酸化，洗浄及び乾燥を行なう工程を含む陽極酸化装置であって、乾燥を行なうための開始時間を決定するステップと、前記開始時間に所定の温度になるようにヒータをオンする時間を決定するステップと、を具備したものである。
【００１７】
本発明のこのような装置によれば、一体化された陽極酸化処理の中で、マガジンが投入されていない待機時にはヒータ電源をオフにして消費される電力を低減できる。
【００１８】
また、本発明による方法又は装置において、前記の乾燥を行なうための開始時間は、浸漬処理（陽極酸化）の処理開始時間に基づいて決定されることを特徴とする。
【００１９】
このような方法又は構成によれば、乾燥を行なう開始時間を、最初の処理ステップである浸漬処理（陽極酸化）の処理開始時間に基づいて決定できるので、目標温度（設定温度）にするのに比較的長い時間を要する状況（低い温度状態）からでも、後段の乾燥ステップの開始時間までには水温を目標温度となるように制御できる。
【００２０】
本発明による液晶装置の製造方法は、基板上に形成された第１電極と、その第１電極の上に形成された絶縁膜と、その絶縁膜の上に形成された第２電極とを有する２端子型非線形素子を備えた液晶装置の製造方法であって、上記絶縁膜は、前述の陽極酸化方法によって製造されることを特徴とする。
【００２１】
本発明のこのような方法によれば、電力消費を少なくした陽極酸化処理を実現できるので、液晶装置を製造するのに、電力削減による低コスト化を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
本発明の実施の形態では、液晶装置の素子基板を製造するのに用いる浸漬処理方法及び浸漬処理装置の実施例として、陽極酸化方法及び陽極酸化装置について説明する。即ち、薄膜として金属膜が形成された基板に対して陽極酸化処理，洗浄及び乾燥を行なう工程又は手段を含む陽極酸化方法及び陽極酸化装置について説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明の実施例１の陽極酸化装置の概略構成を示すブロック図である。
【００２５】
図１に示す陽極酸化装置１０は、金属膜が形成された素子基板に対して化成液中で陽極酸化を行なう複数（図では４つ）の処理槽１１〜１４と、処理槽１１〜１４から順次に引き上げられた複数枚の素子基板が収納されたマガジンを純水に浸漬し化成液を除き洗浄を行なうリンス槽１５と、このリンス槽１５から引き上げられた複数枚の素子基板が収納されたマガジンを温水に浸漬し、温水引き上げ乾燥するための温水槽１６と、処理対象としての複数枚の素子基板を収納したマガジンを搬送方向（矢印にて示す）に沿って移動させる少なくとも１つの搬送機１７と、搬送機１７及び温水槽１６を制御するコントローラ１８と、が配置されている。なお、陽極酸化処理を行なう処理槽が複数（４つ）存在しているのは、１つの処理槽で１つのマガジンに収納した複数の素子基板に対して陽極酸化を行なうの長い処理時間を要するために、複数枚の素子基板を収納したマガジンを複数個（図では４つ以下）別々に比較的短い時間間隔で複数の処理槽に投入して、並列的に陽極酸化を行なうためである。
【００２６】
ここで、複数枚の素子基板は、同じマガジンに保持されたまま、ワーク搬送ロボット（図示せず）によって、陽極酸化の処理槽１１〜１４のいずれかへの浸漬、リンス槽１５への浸漬、温水槽１６への浸漬がこの順に行われる。また、ワーク搬送ロボットは、素子基板をマガジンに収納した状態のまま温水槽１６の温水中に浸漬した後、素子基板に付着した温水が蒸発して乾燥する速度に合わせてマガジンを温水中から一定速度で引き上げていく引き上げ装置としての機能を有している。処理槽１１〜１４の各処理槽へのマガジンの浸漬時間は例えば１５０分、リンス槽１５への浸漬時間は１０分、温水槽１６への浸漬時間は１０分である。
【００２７】
図２は図１における温水槽１６及びこれを制御するコントローラ１８の制御を説明する図である。
【００２８】
図２に示すように、温水槽１６は、直方体の箱状の断熱構造を有した容器で構成される槽内に純水（図示せず）が追加水可能に貯留されており、槽内部に投げ込みヒータ１６１が配設されている。また、加温された純水の温度を検出するための温度センサ１６２が槽内部に配設されている。温水槽１６は、温水処理する際に必要な設定温度例えば６０°Ｃに設定される必要があるため、温度センサ１６２によって検出された温度信号はコントローラ１８に送られ、コントローラ１８では検出温度と設定温度とを比較して、温水槽使用開始時（即ち温水槽にマガジンが投入される時）には設定温度に達しているように予めヒータ１６１の電源１８１をオンするタイミングを制御することによって加熱時間を制御し、かつ温水槽使用時（即ち温水槽にマガジンが投入されている状態）には設定温度を維持するように制御を行なう。具体的には、マガジンが処理槽（１１〜１４のいずれか）に投入された後、リンス槽１５，温水槽１６の各槽へ浸漬される処理開始時間を前以って演算し、かつ温度センサ１６２による温度計測を行なって、予め演算し算出した時間分だけ温水槽使用開始時より以前にヒータ電源をオンさせる制御を行なう。
【００２９】
次に、上記の陽極酸化装置１０における陽極酸化，洗浄及び乾燥を行なう動作を説明する。
【００３０】
陽極酸化装置１０を用いて陽極酸化，洗浄及び乾燥を行う際には、まず、薄膜として金属膜が形成されている複数枚の素子基板をマガジンに保持したまま、処理槽１１において所定の化成液、例えばクエン酸溶液，リン酸溶液等の中に１５０分間、浸漬し、その金属膜を陽極として電解処理を行ってその金属膜上に絶縁膜としての酸化膜を形成し、次に、素子基板をマガジンに保持したままリンス槽１５の洗浄水（純水）中に１０分間、浸漬して素子基板に付着している化成液を洗い落とす。このような洗浄を行った後、素子基板をマガジンに保持したまま温水槽１６の６０℃の温水に１０分間、浸漬した後、素子基板に付着した温水が蒸発していく速度に合わせてマガジンを温水から一定速度、例えば、３．０〜３．８ｍｍ／ｓｅｃの速度で引き上げていく。その結果、素子基板に付着していた温水が完全に乾燥、除去される。
【００３１】
図３は、上記の陽極酸化装置１０の動作を説明するタイミング図である。横軸は時間ｔを、縦軸には(a)処理槽，(b)リンス槽，(c)温水槽及び(e)ヒータ電源の各動作状態を並べて示している。時間ｔ0で最初の第１のマガジンが処理槽１１に投入され、その後に適宜の時間を隔てて次の第２のマガジンが処理槽１２に投入され、さらにその後に時間をおいて第３のマガジンが処理槽１３に投入され、さらにその後に時間をおいて第４のマガジンが処理槽１４に投入された場合について説明する。
【００３２】
処理槽１１に所定時間（例えば１５０分間）浸漬された複数枚の素子基板を保持した第１のマガジンは、リンス槽１５に搬送され、リンス槽１５で１０分間純水に浸漬して洗浄された後、時間ｔ1において温水槽１６に投入され、温水槽１６で１０分間浸漬し温水引き上げ乾燥が行なわれる。処理槽１２，１３，１４に投入された第２，第３，第４のマガジンについても、同様にリンス槽１５，温水槽１６への浸漬を経て温水引き上げ乾燥されることになる。時間軸ｔ上で、ｔ2，ｔ3，ｔ4は、時間ｔ0を基準にして、第２，第３，第４のマガジンが温水槽１６に投入される時間（時刻）を示している。これらの温水槽１６へ各マガジンが投入される時刻ｔ1，ｔ2，ｔ3，ｔ4が前もって演算できれば、その各時刻ｔ1，ｔ2，ｔ3，ｔ4には温水槽１６の温度を温水処理に必要な温度６０°Ｃに設定しておくように、コントローラ１８はヒータ電源１８１のオン時刻を制御することが可能となる。
【００３３】
そこで、図３(d)に示すように従来は陽極酸化装置の温水槽のヒータ電源をマガジンが処理槽へ投入される前にオンしそのオン状態を常時（待機時も含む）オンにしたままであったのを、本発明の実施例では、温水槽１６の温度センサ１６２の温度計測結果を参照しながら、図３(e)に示すように予め演算し算出した時間分だけ温水槽投入時より以前にヒータ電源をオンさせる制御を行なう。すなわち、第１，第２，第３及び第４の各マガジンの温水槽１６への投入時間ｔ1，ｔ2，ｔ3，ｔ4に対して、ヒータ電源１８１の投入時間は投入時間ｔ1，ｔ2，ｔ3，ｔ4より早い適宜の時間ｔ1’，ｔ2’，ｔ3’（ただし、第３，第４のマガジンの処理槽１３，１４への各投入時刻は互いに近接しているので、ｔ4に対応したｔ4’はｔ3’後のヒータオン状態の時間と連続して存在している）となっている。
【００３４】
次に、温水槽１６のヒータ電源をオンにするタイミング、即ち制御を始めるタイミングのｔ1’，ｔ2’，ｔ3’を決定する方法について説明する。
【００３５】
図４は、コントローラ１８が現時点の温水温度を検出し、予め演算しておいたマガジンの温水槽１６への投入開始時間（処理開始時間）に対応して予めヒータ電源１８１をオンにするタイミングを、その時点の検出温度に応じて変える必要があることを示している。
【００３６】
処理槽１１〜１４の何れかで或るマガジンの陽極酸化を開始した後に、処理槽中のマガジン以外の他のマガジンが現時点以降、温水槽１６において存在しないと予測される状態において、横軸の時間ｔに対して現時点をｔ＝０とすれば、温水槽１６のヒータ電源をオンするタイミングは、ｔ＝Ｔｓ時間後に目標温度（設定温度）を６０°Ｃにするには現在の水温（例えば、２５°Ｃ，４０°Ｃ）に応じてヒータオンする時間が変わってくる。例えば、現時点（ｔ＝０）の温水槽１６の水温が２５°Ｃであれば、温水槽１６へのマガジン投入予定時間をＴｓ（上記の具体例では処理開始時間ｔ1，ｔ2，ｔ3がこれに相当する）に対してヒータ電源１８１をｔ＝Ｔ1（Ｔ1＜＜Ｔｓ）でオンすることが必要であり、以前からの蓄熱量に基因して現時点（ｔ＝０）の温水槽１６の水温が４０°Ｃであれば、ヒータ電源１８１をｔ＝Ｔ2（Ｔ1＜Ｔ2＜Ｔｓ）でオンすることが必要である。
【００３７】
ここで、温水槽１６での処理開始時間ｔ1，ｔ2，ｔ3に対してヒータ電源１８１の投入時間ｔ1’，ｔ2’，ｔ3’を算出するには、(温水槽使用開始時間) −(ヒータオン開始時間) ＝Δｔが分かればよいことになる。（上記の具体例では、ｔ1−ｔ1’，ｔ2−ｔ2’，ｔ3−ｔ3’がΔｔに相当する。）即ち、算出した各Δｔを温水槽使用開始時間（例えば、ｔ1，ｔ2，ｔ3）より引き算してやれば、ヒータオン開始時間（例えば、ｔ1’，ｔ2’，ｔ3’）を算出することができる。
【００３８】
図５は、設定温度６０°Ｃにてヒータ電源をオフにした場合、その後の時間ｔの経過に伴い水温ＴＨが下降していく水温降下直線Ｌと、この水温降下直線Ｌの時間過程の途中で、温水槽１６への次のマガジン投入に備えて、ヒータ電源を再投入して水温を目標温度６０°Ｃにするために要する時間Δｔを算出する方法について説明する。但し、ヒータに供給する電力は一定であり、水温は主としてヒータ電源がオンしている時間にのみ影響されるとする。また、温水槽１６は断熱性の高いものであるとする。
【００３９】
例えば、水温ＴＨが５０°Ｃの状態でヒータ電源をオンにして加温した場合、水温はラインｌ1に沿って上昇し、目標温度６０°Ｃに達するまでの時間Δｔ1は、かなり短い時間となる。水温ＴＨが４０°Ｃの状態でヒータ電源をオンにして加温した場合、水温はラインｌ2に沿って上昇し、目標温度６０°Ｃに達するまでの時間Δｔ2は、Δｔ2＞Δｔ1となる。水温ＴＨが２５°Ｃの状態でヒータ電源をオンにして加温した場合、水温はラインｌ3に沿って上昇し、目標温度６０°Ｃに達するまでの時間Δｔ3は、Δｔ3＞Δｔ2＞Δｔ1となり、かなり長い時間となる。各水温に対するΔｔ1，Δｔ2，Δｔ3…は温水槽１６について実験することで、求めることができる。
【００４０】
図６は、温水槽１６の水温が目標温度６０℃に達した状態で目標温度一定に維持するための制御方法の一例を示すものである。コントローラ１８は、目標温度６０°Ｃに達した後には、ヒータ電源を所定周期（例えば３０秒周期）でオンオフし、６０°Ｃ±αの変化分αを極力少なくして目標値に維持するように制御することが可能である。なお、ヒータ電源をオンオフする周期は温度センサ１６２からの検出温度に応じて適宜に変化させて一定温度を維持するように制御を行なってもよい。
【００４１】
図７は、陽極酸化装置１０の動作を概略的に示すフローチャートである。この動作は、コントローラ１８の制御に基づくものである。
【００４２】
図７に示すように、まず、薄膜として金属膜が形成されている複数枚の素子基板をマガジンに保持したまま、処理槽１１〜１４のいずれかにおいて所定の化成液、例えばクエン酸溶液の中に浸漬を開始する（ステップＳ1）。次に、リンス槽１５、温水槽１６での処理開始時間を演算する（ステップＳ2）。この演算は、処理槽での処理開始時間と、処理槽，リンス槽，温水槽の各槽での処理時間と、搬送時間などとを考慮して行なわれる。次に、温水槽１６での温水温度を計測し（ステップＳ3）、その計測温度に基づいてヒータ電源１８１をオンすべき時刻を演算する（ステップＳ4）。そして、ヒータ電源１８１のオン時刻に達したか否かの判定をし（ステップＳ5）、オン時刻に達していなければ、ステップＳ3に戻ってステップＳ3〜Ｓ5を繰り返す。オン時刻に達していれば、既にオンしているか否かを判定し（ステップＳ6）、既にオンしていれば終了、まだオンしていなければヒータ電源１８１をオンにし（ステップＳ7）、水温を目標温度にまで上昇させる。
【実施例２】
【００４３】
図８は本発明に係る液晶装置の構造を示す分解斜視図である。
【００４４】
液晶装置１００はアクティブマトリクス方式の液晶装置であって、図８に示すように、液晶３４を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板３０（ガラス基板２２を含む）では、複数本の走査線３２が延びており、各走査線３２には、ＴＦＤ素子３１を介して、画素電極２４が電気的に接続している。これに対して、対向基板４０には、素子基板３０の走査線３２と交差する方向に延びた複数列の帯状のデータ線３３が形成され、これらのデータ線３３と画素電極２４が重なり合う位置に画素が形成され、これらのデータ線３３の上層には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成されている。
【００４５】
従って、素子基板３０に形成されている走査線３２の各々に走査信号を供給する一方、対向基板４０に形成されているデータ線３３にデータ信号を供給すると、画素電極２４とデータ線３３とが対向する部分において、そこに保持されている液晶３４を駆動することができる。それ故、バックライト装置５０から出射された光は、素子基板３０および画素電極２４を透過して液晶３４の層に入射した後、この液晶３４によって画素毎に光変調され、この変調された光は、矢印Ｌで示すように、データ線３３および対向基板４０を透過して出射される。この際、光は、カラーフィルタ層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂによって着色されるので、カラー表示を行うことができる。なお、液晶３４として通常のＴＮモードの液晶を用いた場合、この種の液晶３４は、光の偏光方向を変えることにより光変調を行うので、素子基板３０および対向基板４０の各外側表面には偏光板３５、３６が重ねて配置される。
【００４６】
なお、ここに示す例では、素子基板３０に走査線３２を形成し、対向基板４０にデータ線３３を形成したが、素子基板３０にデータ線を形成し、対向基板４０に走査線を形成してもよい。
【００４７】
図９及び図１０は、本発明に係る液晶装置の素子基板３０に用いられる２端子型非線形素子の実施例を示している。図９は平面図であり、図１０は図９のＡ−Ａ線に従った断面図である。
【００４８】
これらの図において、２端子型非線形素子２１は、ガラス基板２２の上に形成された第１電極２１ａと、その第１電極２１ａの上に形成された絶縁層としての陽極酸化膜２１ｂと、そしてその陽極酸化膜２１ｂの上に形成された第２電極２１ｃとによって構成される。第１電極２１ａは例えばＴａ（タンタル）によって形成され、第２電極２１ｃは例えばＣｒ（クロム）によって形成される。第２電極２１ｃの先端にはドット状の画素電極２４がその第２電極２１ｃに重なるように形成される。この画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって形成される。陽極酸化膜２１ｂの形成には、実施例１で述べた陽極酸化方法及び装置が用いられる。
【００４９】
２端子型非線形素子１の隣には配線２３が設けられる。この配線２３は、２端子型非線形素子２１の第１電極２１ａと同時にパターニングされる第1層２３ａと、２端子型非線形素子２１の陽極酸化膜２１ｂと同時に形成されて第１層２３ａの上に積層される第２層２３ｂと、そして２端子型非線形素子２１の第２電極２１ｃと同時にパターニングされて第２層２３ｂの上に積層される第３層２３ｃによって構成される。
【００５０】
次に、図９及び図１０に示した２端子型非線形素子２１に関してその製造方法を説明する。まず、スパッタリングその他の製膜方法を用いてガラス基板２２の表面に一様なＴａ膜を形成し、さらに、周知のフォトリスグラフィ処理によって所定パターンのＴａ膜、すなわち配線２３の第１層２３ａ及び２端子型非線形素子２１の第１電極２１ａを形成する。
【００５１】
なお、このとき、ガラス基板２２の大きさに関しては、それを１個の液晶装置とほぼ同じ大きさに形成してその表面に液晶装置１個分の数の配線及び２端子型非線形素子を形成することもできるし、あるいは、液晶装置数個分に相当する面積の大きなガラス基板２２を用意しておいてその表面に液晶装置数個分の配線及び２端子型非線形素子を同時に形成することもできる。通常の製造工程では、後者のように大面積のガラス基板に液晶装置数個分の２端子型非線形素子等を形成しておいて、最終的にそのガラス基板を適所において切断することによって液晶装置を数個に分断するという、いわゆる多数個取りの方法が採られることが多い。
【００５２】
以上によりガラス基板２２の上に所定パターンのＴａ膜が形成された後、そのようなガラス基板２２を複数枚集めて、それらに対して陽極酸化処理を実行する。すなわち、ガラス基板２２を複数枚収容可能な処理槽の容器の中に化成液、例えばクエン酸溶液、リン酸溶液等を溜めておき、その中に複数枚のガラス基板２２を立てて浸漬させて、陽極酸化を実行する。この陽極酸化処理には、実施例１で述べた陽極酸化方法及び装置が用いられる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の浸漬処理方法、浸漬処理装置、陽極酸化方法、陽極酸化装置及び液晶装置の製造方法は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネル、アクティブマトリクス型の液晶表示パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）に広く応用することが可能である。なお、浸漬処理としては、陽極酸化処理に限定されず、強酸化性液によるレジストマスク除去処理などにも応用することができる。
【００５４】
本発明は、以上述べた実施の形態に限るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で各実施例を適宜変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１の陽極酸化装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】図１における温水槽１６及びこれを制御するコントローラ１８の制御を説明する図。
【図３】図１の陽極酸化装置の動作を説明するタイミング図。
【図４】コントローラが現時点の温水温度を検出し、予め演算しておいたマガジンの温水槽への投入開始時間に対応して予めヒータ電源をオンにするタイミングを示す図。
【図５】温水槽未使用時（待機時）に温水温度が下降している状態で、ヒータ電源を再投入して水温を目標温度６０°Ｃにするために要する時間Δｔを算出する方法を説明する図。
【図６】温水槽の水温が目標温度６０℃に達した状態で目標温度一定に維持するための制御方法の一例を示す動作説明図。
【図７】陽極酸化装置の動作を概略的に示すフローチャート。
【図８】本発明に係る液晶装置の構造を示す分解斜視図。
【図９】本発明に係る液晶装置の素子基板に用いられる２端子型非線形素子の実施例を示す平面図。
【図１０】図９のＡ−Ａ線に従った断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１０…陽極酸化装置、１１〜１４…処理槽、１５…リンス槽、１６…温水槽、１８…コントローラ、２２…ガラス基板、３０…素子基板、４０…対向基板、１６１…ヒータ、１６２…温度センサ、１８１…ヒータ電源。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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