(57)【要約】【課題】  高線速、高密度記録に対応でき、繰返し記録特性と保存特性に優れた光記録媒体の提供。【解決手段】  基板上に、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層を有し、記録層を全面結晶化した後、上の層を剥離して記録層を露出させ、銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ線反射率（小角散乱による情報を含む）が、２θ＝０．８〜０．９°（θは反射角）の領域にピークを有しないか、及び／又は、２θ＝０．５〜０．７°の領域にピークを有しないか、或いはピークを有してもピークの低角側の極小値における角度を２θＬ、極小値と同じ強度になる高角側の角度を２θＨ、ピークの極大値の角度を２θＭとした時、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。  Δ２θ＝２θＨ−２θＬ≦０．１１かつＬｎ〔Ｉ（２θＭ）／Ｉ（２θＬ）〕≦０．３〔ここで、Ｌｎは自然対数、Ｉ（２θ）は、角度２θにおける反射率強度を表す。〕【選択図】        図３（ｃ）
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも下部保護層、電磁波の照射により結晶相と非結晶相の間を相転移する記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光記録媒体であって、記録層を全面結晶化した後、記録層の上の層を剥離して記録層を露出させ、該記録層に銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ線反射率（小角散乱による情報を含む）が、２θ＝０．８〜０．９°（θは反射角）の領域にピークを有しないことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
基板上に、少なくとも下部保護層、電磁波の照射により結晶相と非結晶相の間を相転移する記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光記録媒体であって、記録層を全面結晶化した後、記録層の上の層を剥離して記録層を露出させ、該記録層に銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ射反射率（小角散乱による情報を含む）が、２θ＝０．５〜０．７°（θは反射角）の領域にピークを有しないか、或いはピークを有する場合にはピークの低角側の極小値における角度を２θＬ、極小値と同じ強度になる高角側の角度を２θＨ、ピークの極大値の角度を２θＭとしたとき、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
Δ２θ＝２θＨ−２θＬ≦０．１１かつＬｎ〔Ｉ（２θＭ）／Ｉ（２θＬ）〕≦０．３
〔ここで、Ｌｎは自然対数、Ｉ（２θ）は、角度２θにおける反射率強度を表す。〕
【請求項３】
基板上に、少なくとも下部保護層、電磁波の照射により結晶相と非結晶相の間を相転移する記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光記録媒体であって、記録層を全面結晶化した後、記録層の上の層を剥離して記録層を露出させ、該記録層に銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ線反射率（小角散乱による情報を含む）が、請求項１の条件と請求項２の条件を同時に満足することを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
記録層が、Ｓｂと、第４周期及び第５周期の１Ｂ〜６Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも一種の添加元素からなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
Ｓｂの量が、どの添加元素よりも多いことを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
【請求項６】
添加元素の総量が、記録層材料全体の３０原子％以下であることを特徴とする請求項５記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームを照射することにより相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて情報の記録と再生を行う書換え可能な光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザビーム照射による情報の記録、再生及び消去可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶−非結晶相間、又は結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型光ディスクが知られている。このディスクは、単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純で済むため、コンピュータ関連や映像、音響に関する記録媒体として応用されている。
このディスク用の記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等がある。特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、高感度で且つアモルファスマーク部分の輪郭が明確であるという特徴を有し、マークエッジ記録用の記録材料として開発されている（特許文献１〜４等参照）。
また、特許文献１には、ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI族元素として、一般式Ｉ・（III１−γＶγ）・VI２型で表される組成の材料からなる記録層が開示されている。
また、特許文献５にはＳｂＴｅを主成分とし、これにＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加した記録材料で単一なγ相を有する光記録媒体が開示されている。
【０００３】
しかし、上記のような記録層では、繰り返し記録特性に問題があった。
また、上記特許文献２に開示された光記録媒体に使用されている記録層の場合、消去比の向上と高速記録は達成されるものの、繰り返し記録特性に問題があった。
更に、上記特許文献３に開示された光記録媒体の記録層の未記録部分（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ２）と該安定相の周囲に存在するアモルファス相とが混在したものとなっている。そのため、繰返し記録特性は向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発生の原因となっている。
これは、記録再生波長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を使用するＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）等のように比較的低い記録密度を有する光記録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの約７倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の高密度記録を実現する上では障害となるものであった。
【０００４】
上記特許文献４に開示された光記録媒体の記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相（安定結晶相又はアモルファス相）との混相状態である。その他の相がアモルファス相である場合には、上記特許文献３に開示された光記録媒体の場合と同様な問題点があり、その他の相が安定結晶相である場合には、後述するように、良好な記録特性が得られないという問題がある。
また、特許文献５に開示された光記録媒体では、単一なγ相が得られ、良好な繰返し特性が得られたとしているが、このγ相がどのような結晶構造をしているかについては言及しておらず、今後の高線速、高密度対応の光記録媒体を実現する上で問題を有するものであった。
一方、特許文献６では、ＣＤ−ＲＷの８倍速までの高線速記録について、ＧｅＩｎＳｂＴｅを用いた実施例を示して特性が改善されることを開示しているが、ここで開示されている組成、構造を持った光記録媒体でも更なる高線速記録、或いは高密度記録に対しては十分とは言えない。
【０００５】
【特許文献１】特開平３−２３１８８９号公報
【特許文献２】特開平４−１９１０８９号公報
【特許文献３】特開平４−２３２７７９号公報
【特許文献４】特開平４−２６７１９２号公報
【特許文献５】特開平１−３０３６４３号公報
【特許文献６】特開２０００−３１３１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、高線速、高密度化に対応でき、繰返し記録特性と保存特性に優れた光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、次の１）〜６）の発明（以下、本発明１〜６という）によって解決される。
１）  基板上に、少なくとも下部保護層、電磁波の照射により結晶相と非結晶相の間を相転移する記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光記録媒体であって、記録層を全面結晶化した後、記録層の上の層を剥離して記録層を露出させ、該記録層に銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ線反射率（小角散乱による情報を含む）が、２θ＝０．８〜０．９°（θは反射角）の領域にピークを有しないことを特徴とする光記録媒体。
２）  基板上に、少なくとも下部保護層、電磁波の照射により結晶相と非結晶相の間を相転移する記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光記録媒体であって、記録層を全面結晶化した後、記録層の上の層を剥離して記録層を露出させ、該記録層に銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ射反射率（小角散乱による情報を含む）が、２θ＝０．５〜０．７°（θは反射角）の領域にピークを有しないか、或いはピークを有する場合にはピークの低角側の極小値における角度を２θＬ、極小値と同じ強度になる高角側の角度を２θＨ、ピークの極大値の角度を２θＭとしたとき、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
Δ２θ＝２θＨ−２θＬ≦０．１１かつＬｎ〔Ｉ（２θＭ）／Ｉ（２θＬ）〕≦０．３
〔ここで、Ｌｎは自然対数、Ｉ（２θ）は、角度２θにおける反射率強度を表す。〕
３）  基板上に、少なくとも下部保護層、電磁波の照射により結晶相と非結晶相の間を相転移する記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光記録媒体であって、記録層を全面結晶化した後、記録層の上の層を剥離して記録層を露出させ、該記録層に銅のＫα線を光源とするＸ線を照射した際の結晶相のＸ線反射率（小角散乱による情報を含む）が、１）の条件と２）の条件を同時に満足することを特徴とする光記録媒体。
４）  記録層が、Ｓｂと、第４周期及び第５周期の１Ｂ〜６Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも一種の添加元素からなることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  Ｓｂの量が、どの添加元素よりも多いことを特徴とする４）記載の光記録媒体。
６）  添加元素の総量が、記録層材料全体の３０原子％以下であることを特徴とする６）記載の光記録媒体。
【０００８】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明者等は、高線速記録への対応、繰り返し記録特性及び保存特性の課題を解決するための検討を行った結果、基板上に少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層をこの順に有する光記録媒体の結晶化した記録層が、本発明１〜３で規定するようなＸ線反射率（小角散乱の情報を含む）のピークに関する条件を満足すれば、高線速記録に対応でき、繰り返し記録特性や保存特性が向上することを見出した。なお、結晶相とは、記録層にＸ線を照射した際に、鋭い（波長１．５４Åの光源を用いて回折を測定した場合の半値幅が３°以下である）回折ピーク（結晶の格子面からの反射）が現われない状態のことを指す。また、ピークとは高角側の強度が低角側よりも大きくなる場合と定義する。反射角θの定義は図２に示す通りである。
結晶から非結晶（アモルファス）への相変化においては、例えばＳｂと添加元素からなる記録材料の場合、結晶構造中のＳｂ以外の原子がＳｂの並びを壊す働きをするが、結晶化した記録層中に微細な結晶組織が存在すると、このような効果が阻害され、繰り返し記録特性や保存特性が悪くなり、高線速記録に対応できなくなる。
【０００９】
Ｘ線反射率測定では、低角の領域に小角（散漫）散乱の情報も含んでいるため、結晶中の組織の大きさを反映する。組織の大きさは、反射角をθとして、２θに依存し、高角側になればなるほどより微細な結晶組織に対応している。
銅のＫα線を光源とするＸ線を用いると、２θ＝０．５°で３０Å、２θ＝１°で１５Åの大きさに相当する。小角散乱の情報を含む反射率に現われるピークは、上記のような距離からの干渉効果によって強められたことを表している。なお、小角散乱で干渉が生じる角度θと距離ｄの関係は、１／ｄ＝４πｓｉｎ２θ／λ（λはＸ線の波長）の式で与えられる。
従って、高角側の一定範囲にはピークが現れない方がよい。また、低角側にもピークが現れない方がよいが、仮に現れても一定の条件を満たせば問題ない。
【００１０】
本発明１の特徴は、反射角をθとして、２θ＝０．８〜０．９°の領域に前述したＸ線反射率のピークを有しないことである。角度が大きいところは、Åオーダーの非常に短い領域になるため、また角度が大きい領域（２θが１．２°以上）には膜の厚さによる干渉が現れてしまうため好ましくない。
本発明２の特徴は、反射角をθとして、２θ＝０．５〜０．７°（θは反射角）の領域にピークを有しないか、或いはピークを有する場合には、Δ２θ＝２θＨ−２θＬ≦０．１１、かつＬｎ〔Ｉ（２θＭ）／Ｉ（２θＬ）〕≦０．３〔ここで、Ｉ（２θ）は、角度２θにおける反射率強度を表す。〕という条件を満足することである。この条件は、本発明１よりも低角側の条件であり、より大きな結晶組織に関するものであるが、上記条件を満足しない場合には、一定の大きさの微細な結晶組織が存在することになり、保存安定性が失われる。
本発明３の特徴は、上記本発明１の高角側の条件と本発明２の低角側の条件を共に満足する場合であって、高線速記録特性及び保存安定性もよい。
上記本発明１〜３の条件を満足するということは、媒体特性に影響を与える微小な結晶組織が局在していないか多少局在していても殆ど影響を与えない程度であることになる。従って、結晶から非結晶及び非結晶から結晶への構造変化を最適にする結晶構造となり、繰り返し記録特性及び保存特性を良好にすることができる。
【００１１】
Ｘ線反射率測定で評価される結晶相は、結晶化条件や記録材料中の添加元素によって結晶構造及びその組織が制御されるが、好ましい材料例としては、Ｓｂと１種類以上の添加元素からなり、Ｓｂの量がどの添加元素よりも多い材料が挙げられる。
添加元素としては、非結晶相を結晶化した際にＳｂで構成される結晶構造をあまり変化させないものがよく、Ｓｂの原子半径が１４５ｐｍ（ピコメートル）であるから、その原子半径はＳｂの原子半径に近い１００〜１５０ｐｍ程度の範囲にあるものがよい。
添加元素の好ましい例としては、原子半径が１１０〜１２０ｐｍの第４周期の１Ｂ〜６Ｂ族の元素、即ち、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、又は、原子半径が１４０〜１６０ｐｍの第５周期の１Ｂ〜６Ｂ族の元素、即ち、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅが挙げられる。また、結晶化や非結晶化の際に、原子が動き易いものがよい。しかし、上述した記録層の結晶相を測定した場合のＸ線反射率に関する条件さえ満足すれば、これらに限られるものではなく、また同じ組成でも結晶化する条件によっても変化する。
添加元素の総量は、記録材料全体の３０原子％以下とすることが望ましい。これによりＳｂで構成される結晶構造を大きく崩さずに構造を制御できる。
【００１２】
次に、本発明に係る光記録媒体の具体的構成を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の光記録媒体の層構成例を示すもので、基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反射層５が設けられている。
保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料からなる場合には、下部保護層を設けることが望ましい。また上部保護層と反射層の間に中間層を設けることもできる。この中間層により上部保護層と反射層の間の化学的な反応等を抑えることができ、保存特性の改善につながる。更に中間層に光学的な役割を持たせることにより信号特性を改善することも可能である。これは特にＤＯＷ（ダイレクトオーバーライト）特性の改善に有効である。
【００１３】
基板１の材料は、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
また、基板の形状はディスク状、カード状、シート状などの何れであってもよい。
【００１４】
下部保護層２及び上部保護層４の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ・ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの酸化物；Ｓｉ２Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンド状カーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。これらの材料は単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいてもよい。但し、保護層の融点は記録層の融点よりも高いことが必要であり、更に、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が良いことも要求される。また、必要に応じて保護層を多層化することもできる。
下部保護層の膜厚は２０〜３００ｎｍ、好適には３５〜２００ｎｍとする。２０ｎｍよりも薄くなると、保護層としての機能が失われ、また、３００ｎｍよりも厚くなると界面剥離が生じ易くなる。
上部保護層の膜厚は、通常５〜１００ｎｍとする。５ｎｍより薄いと、基本的に層間のバリアとしての効果が低下するので好ましくない。１００ｎｍを越えると、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下によりオーバーライト特性が悪くなる。
【００１５】
記録層３の材料としては、例えば、Ｇｅ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｉｎの中から選ばれた少なくとも一つの元素とＳｂからなるものが挙げられる。
記録層の膜厚は、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。５ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能を果たさなくなる。５０ｎｍより厚いと、記録感度が低下し、膜剥離やクラックが生じ易くなる。
反射層５の特性としては、熱伝導率が高く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求される。
その材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、或いは合金を用いることができる。必要に応じて、異なる金属、合金を複数積層しても良い。反射層は熱を効率的に逃がす機能も重要であり、膜厚は３０〜３００ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍとする。膜厚が厚すぎると放熱効率が良すぎて感度が悪くなり、薄すぎると感度は良いがオーバーライト特性が悪くなる。
【００１６】
上記のような保護層や反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。記録層の形成にはスパッタリング法が好ましいが、スパッタリング法以外の上記保護層や反射層の形成方法によっても作成できる。
また、本発明の光記録媒体は、これまで説明してきたような各種の層を有するものに限定される訳ではなく、例えば反射層の上に有機保護膜を設けてもよく、また、それらを接着剤によって貼り合わせてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高線速、高密度記録に対応でき、繰り返し記録特性及び保存特性の良好な光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００１８】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
ディスク状のポリカーボネート基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、オーバーコート層を順に設けた層構成の試料を作成した。記録層には、下記試料（ａ）〜（ｄ）の材料を用い、実際の光ディスクと同じ１６０〜２００Åの厚さに蒸着した。次いで、ディスクを回転させながらレーザーにより記録層を結晶化させた後、オーバーコート層、反射層、上部保護層を剥離し、記録層をディスクの表面に露出させ、Ｘ線反射率を測定した。
Ｘ線反射率の測定は、回折装置Ｘ′ｐｅｒｔ  ｐｒｏ（ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて行った。Ｘ線の光源には銅のＫα線（波長λ＝１．５４Å）を用いた。光源から出たＸ線は、反射ミラーによって平行光化した。
図３に反射率測定結果を示す。図３（ａ）〜図３（ｄ）は試料（ａ）〜（ｄ）に対応するものであり、各記録層の組成は、（ａ）Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６０Ｔｅ３０、ｂ）Ｓｂ８３Ｇｅ１７、ｃ）Ｓｂ８８Ｇａ１２、（ｄ）Ｓｂ７５Ｔｅ２５である。
図３から分るように、試料（ａ）〜（ｃ）は、２θ＝０．８〜０．９°の領域にピークを有しないから本発明１の条件を満足している。試料（ｄ）は、２θ＝０．８３°にピークを有しているので本発明１の条件を満足していない。試料（ｂ）及び（ｃ）は、２θ＝０．５〜０．７°の領域にピークを有しないから本発明２の条件を満足している。また試料（ａ）は、２θＬ＝０．５２°、２θＨ＝０．６５°、Δ２θ＝０．１２であるから本発明２の条件を満足しない。更に試料（ｄ）は、２θＬ＝０．５５、２θＨ＝０．６５、Δ２θ＝０．１０であるが、Ｌｎ〔Ｉ（２θＭ）／Ｉ（２θＬ）〕＝０．３９であるから本発明２の条件を満足しない。従って、試料（ａ）は本発明１の条件だけを満足し、試料（ｂ）及び（ｃ）は本発明３の条件を満足し、試料（ｄ）は、本発明１〜３の何れの条件も満足しないことが判る。
上記試料（ａ）〜（ｄ）の保存特性、繰り返し記録特性、高線速記録特性を次のようにして測定し四段階評価を行った。
・高線速の評価
記録線速、記録パワーを１１ｍ／ｓ（１３ｍＷ）、１５ｍ／ｓ（１７ｍＷ）の二種とし、ＥＦＭランダムパターンで一回のオーバライトを行ない、３Ｔ信号のジッター値で記録マークの再生信号を評価した。１１ｍ／ｓ（１３ｍＷ）と１５ｍ／ｓ（１７ｍＷ）のジッターの差が０．５％以内は◎、１．０％以内は○、２．５％以内は△、２．５％を超えた場合は×とした。
・繰り返し特性の評価
記録線速、記録パワーを１５ｍ／ｓ（１７ｍＷ）とし、ＥＦＭランダムパターンで１０００回のオーバライトを行ない、３Ｔ信号のジッター値で記録マークの再生信号を評価した。１回と１０００回のジッターの差が０．５％以内は◎、１．０％以内は○、２．５％以内は△、２．５％を超えた場合は×とした。
・保存特性の評価
オーバーライト１回記録の記録媒体を、８０℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の、オーバーライト１回目の記録マークの３Ｔ再生信号のジッター値で評価した。
ジッター値が０．５％以内は◎、１．０％以内は○、２．５％以内は△、２．５％を超えた場合は×とした。
結果を表１に示す。
【表１】
2005141826.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成例を示す図。
【図２】反射角度の定義を説明するための図。
【図３（ａ）】試料（ａ）の反射率強度測定データを示す図。
【図３（ｂ）】試料（ｂ）の反射率強度測定データを示す図。
【図３（ｃ）】試料（ｃ）の反射率強度測定データを示す図。
【図３（ｄ）】試料（ｄ）の反射率強度測定データを示す図。
【符号の説明】
【００２０】
１  基板
２  下部保護層
３  記録層
４  上部保護層
５  反射層
【図１】
2005141826.tif 000004
【図２】
2005141826.tif 000005
【図３（ａ）】
2005141826.tif 000006
【図３（ｂ）】
2005141826.tif 000007
【図３（ｃ）】
2005141826.tif 000008
【図３（ｄ）】
2005141826.tif 000009