(57)【要約】【課題】  基材がＸＹ平面中でどのような姿勢になっていても、試料を基材の表面の正確な位置に点着することができる点着装置及び点着方法並びに点着装置の制御装置を提供すること。【解決手段】  点着装置１は、スポットピン４と、基材９１の上方においてＸＹ平面に沿ってスポットピン４を駆動するＸＹＺ駆動装置７と、ＸＹＺ駆動装置７を制御する制御装置１１と、を備える。制御装置１１が、フォトセンサ２０ａ，２０ｂのＸＹ座標を検出し、フォトセンサ２０ａ，２０ｂのＸＹ座標に基づいて、スポット位置のｕｖ座標をＸＹ座標に変換し、変換されたスポット位置のＸＹ座標にスポットピン４を移動させるようにＸＹＺ駆動装置７を動作させ、その位置においてスポットピン４を下降させるように前記ＸＹＺ駆動装置７を動作させる。【選択図】  図１
2005214733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を吸着するスポットピンと、基材の上方において前記スポットピンの上下方向に交差したＸＹ平面に沿って前記スポットピンを駆動する駆動装置と、前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置で前記駆動装置を制御することにより前記スポットピンをＸＹ平面に沿って移動させて試料を基材に点着する点着装置において、
前記制御装置が、
基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する座標検出手段と、
前記座標検出手段によって検出された二点のＸＹ座標に基づいて、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置についてｕｖ表面におけるｕｖ座標をＸＹ平面におけるＸＹ座標に変換する座標変換手段と、
前記座標変換手段によって変換されたＸＹ座標に前記スポットピンを移動させるように前記駆動装置を動作させるＸＹ移動制御手段と、を有することを特徴とする点着装置。
【請求項２】
前記座標検出手段により検出された二点のＸＹ座標のうち一方を（Ｘ0，Ｙ0）とし、他方を（Ｘ1，Ｙ1）とした場合に、前記座標変換手段は、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標を次式（１）で表せるＸＹ座標に変換することを特徴とする請求項１に記載の点着装置。
【数１】
2005214733.tif 000007
但し、
【数２】
2005214733.tif 000008
である。
【請求項３】
前記制御装置は、前記ＸＹ移動制御手段により前記スポットピンが移動した位置において前記スポットピンを下降させるように前記駆動装置を動作させる上下移動制御手段を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の点着装置。
【請求項４】
基材に向かって投光する投光素子が前記駆動装置によって前記スポットピンと一体となってＸＹ平面に沿って駆動され、
二つのフォトセンサが互いに離れた状態で基材のｕｖ表面に配置され、
前記座標検出手段が、前記駆動装置に前記投光素子をＸＹ平面に沿って駆動させて前記投光素子で基材のｕｖ表面を走査し、走査中にそれぞれのフォトセンサで前記投光素子の光を受光することによって基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の点着装置。
【請求項５】
基材が複数の光電変換素子をｕｖ表面に沿ってマトリクス状に配列してなる固体撮像デバイスであり、前記複数の光電変換素子のうち二つの光電変換素子を前記二つのフォトセンサとして用いることを特徴とする請求項４に記載の点着装置。
【請求項６】
試料を吸着するスポットピンを基材の上方において駆動装置によりＸＹ平面に沿って移動させ、前記スポットピンにより試料を基材に点着する点着方法において、
基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する座標検出工程と、
前記座標検出工程によって検出された二点のＸＹ座標に基づいて、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置についてｕｖ表面におけるｕｖ座標をＸＹ平面におけるＸＹ座標に変換する座標変換工程と、
前記座標変換工程によって変換されたＸＹ座標に前記スポットピンを移動させるように前記駆動装置を動作させるＸＹ移動制御工程と、を含むことを特徴とする点着方法。
【請求項７】
前記座標検出工程において検出された二点のＸＹ座標のうち一方を（Ｘ0，Ｙ0）とし、他方を（Ｘ1，Ｙ1）とした場合に、前記座標変換工程では、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標を次式（１）で表せるＸＹ座標に変換することを特徴とする請求項６に記載の点着方法。
【数３】
2005214733.tif 000009
但し、
【数４】
2005214733.tif 000010
である。
【請求項８】
前記ＸＹ移動制御工程により前記スポットピンが移動した位置において前記スポットピンを下降させるように前記駆動装置を動作させる上下移動制御工程を更に含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の点着方法。
【請求項９】
前記座標検出工程では、基材に向かって投光する投光素子を前記スポットピンと一体にして前記駆動装置によりＸＹ平面に沿って駆動させることによって前記投光素子で基材のｕｖ表面を走査し、互いに離れた状態で基材のｕｖ表面に配置されたフォトセンサにより前記投光素子の光を走査中に受光することによって基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出することを特徴とする請求項６から８の何れか一項に記載の点着方法。
【請求項１０】
基材が複数の光電変換素子をｕｖ表面に沿ってマトリクス状に配列してなる固体撮像デバイスであり、前記複数の光電変換素子のうち二つの光電変換素子を前記二つのフォトセンサとして用いることを特徴とする請求項９に記載の点着方法。
【請求項１１】
試料を吸着するスポットピンを基材の上方において該スポットピンの上下方向に交差したＸＹ平面に沿って前記スポットピンを駆動する駆動装置を制御する制御装置において、
基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する座標検出手段と、
前記座標検出手段によって検出された二点のＸＹ座標に基づいて、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置についてｕｖ表面におけるｕｖ座標をＸＹ平面におけるＸＹ座標に変換する座標変換手段と、
前記座標変換手段によって変換されたＸＹ座標に前記スポットピンを移動させるように前記駆動装置を動作させるＸＹ移動制御手段と、を備えることを特徴とする点着装置の制御装置。
【請求項１２】
前記座標検出手段により検出された二点のＸＹ座標のうち一方を（Ｘ0，Ｙ0）とし、他方を（Ｘ1，Ｙ1）とした場合に、前記座標変換手段は、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標を次式（１）で表せるＸＹ座標に変換することを特徴とする請求項１１に記載の点着装置の制御装置。
【数５】
2005214733.tif 000011
但し、
【数６】
2005214733.tif 000012
である。
【請求項１３】
前記ＸＹ移動制御手段により前記スポットピンが移動した位置において前記スポットピンを下降させるように前記駆動装置を動作させる上下移動制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の点着装置の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スポットピンの移動によってスポットピンに吸着した試料を基材に点着する点着装置及び点着方法並びに点着装置の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、医療分野、農業分野等の幅広い分野で生物の遺伝子情報が利用されるようになってきているが、遺伝子の利用に際しては、ＤＮＡの塩基配列を特定することが不可欠である。ＤＮＡは螺旋状によじれあった２本のポリヌクレオチド鎖を有し、それぞれのポリヌクレオチド鎖は４種の塩基（アデニン：Ａ、グアニン：Ｇ、シトシン：Ｃ、チミン：Ｔ）が一次元的に並んだ塩基配列を有し、アデニンとチミン、グアニンとシトシンという相補性に基づいて一方のポリヌクレオチド鎖の塩基が他方のポリヌクレオチド鎖の塩基に結合している。
【０００３】
ＤＮＡの塩基配列を特定するためにＤＮＡマイクロアレイが開発されている。ＤＮＡマイクロアレイとは、既知の塩基配列を有した一本鎖ＤＮＡプローブからなる複数種のスポットを基板の表面にアレイ状に配列したものである。ＤＮＡマイクロアレイを用いてＤＮＡの塩基配列を特定するためには、未知の塩基配列を有し且つ蛍光標識された一本鎖ＤＮＡ試料を相補的なスポットにハイブリダイズさせ、アレイ状に配列された複数のスポットの中から蛍光を発するスポットを特定する。これにより、蛍光を発するスポットと相補的な塩基配列を一本鎖ＤＮＡ試料が有することを特定することができる。
【０００４】
ところで、ＤＮＡマイクロアレイを製造するにあたっては、特許文献１に記載された点着装置（特許文献１では、バイオチップ作成装置と称されている。）が用いられている。特許文献１に記載された点着装置は、一本鎖ＤＮＡプローブを吸着するスポットピンと、基板を載置する基板載置台と、その基板載置台の上方でスポットピンをＸＹＺ方向（ＸＹ平面が基板載置台に平行であり、Ｚ方向が基板載置台に直角である。）に駆動するＸＹＺ駆動装置と、ＸＹＺ駆動装置をコントロールする駆動コントローラと、を具備する。
【０００５】
特許文献１に記載された点着装置は、駆動コントローラでＸＹＺ駆動装置をコントロールすることにより、ＸＹＺ駆動装置でＸＹ平面中のスポットピンの位置決めを行い、更に駆動コントローラでＸＹＺ駆動装置をコントロールすることにより、ＸＹＺ駆動装置でスポットピンを下降させる。スポットピンが下降すると、一本鎖ＤＮＡプローブが基板の表面に点着される。
【特許文献１】特開２００２−１８１８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の点着装置では、基板が正確な姿勢で基板載置台に載置されている場合には、ＸＹＺ駆動装置によってスポットピンの位置決めがＸＹ座標で規定されるから、一本鎖ＤＮＡプローブを基板の表面の正確な位置に点着することができる。しかしながら、基板が不正確な姿勢で基板載置台に載置されている場合には、一本鎖ＤＮＡプローブを基板の表面の正確な位置に点着することができない。例えば、基板が基板載置台上の正確な位置からＺ軸周りに所定角度だけ回転した位置に載置された場合、ＸＹ座標では一本鎖ＤＮＡプローブが正確な位置に点着されるが、基板を基準にすると一本鎖ＤＮＡプローブが点着すべき位置よりも所定角度だけ回転した位置に点着されることになる。
【０００７】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、基板等の基材がＸＹ平面中でどのような姿勢になっていても、一本鎖ＤＮＡプローブ等の試料を基材の表面の正確な位置に点着することができる点着装置及び点着方法並びに点着装置の制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するために、本発明の点着装置は、
試料を吸着するスポットピンと、基材の上方において前記スポットピンの上下方向に交差したＸＹ平面に沿って前記スポットピンを駆動する駆動装置と、前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置で前記駆動装置を制御することにより前記スポットピンをＸＹ平面に沿って移動させて試料を基材に点着する点着装置において、
前記制御装置が、
基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する座標検出手段と、
前記座標検出手段によって検出された二点のＸＹ座標に基づいて、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置についてｕｖ表面におけるｕｖ座標をＸＹ平面におけるＸＹ座標に変換する座標変換手段と、
前記座標変換手段によって変換されたＸＹ座標に前記スポットピンを移動させるように前記駆動装置を動作させるＸＹ移動制御手段と、を有することを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記座標検出手段により検出された二点のＸＹ座標のうち一方を（Ｘ0，Ｙ0）とし、他方を（Ｘ1，Ｙ1）とした場合に、前記座標変換手段は、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標を次式（１）で表せるＸＹ座標に変換する。
【数７】
2005214733.tif 000003
但し、
【数８】
2005214733.tif 000004
である。
【００１０】
好ましくは、前記制御装置は、前記ＸＹ移動制御手段により前記スポットピンが移動した位置において前記スポットピンを下降させるように前記駆動装置を動作させる上下移動制御手段を更に有する。
【００１１】
好ましくは、基材に向かって投光する投光素子が前記駆動装置によって前記スポットピンと一体となってＸＹ平面に沿って駆動され、
二つのフォトセンサが互いに離れた状態で基材のｕｖ表面に配置され、
前記座標検出手段が、前記駆動装置に前記投光素子をＸＹ平面に沿って駆動させて前記投光素子で基材のｕｖ表面を走査し、走査中にそれぞれのフォトセンサで前記投光素子の光を受光することによって基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する。
【００１２】
好ましくは、基材が複数の光電変換素子をｕｖ表面に沿ってマトリクス状に配列してなる固体撮像デバイスであり、前記複数の光電変換素子のうち二つの光電変換素子を前記二つのフォトセンサとして用いる。
【００１３】
また、本発明の点着方法は、
試料を吸着するスポットピンを基材の上方において駆動装置によりＸＹ平面に沿って移動させ、前記スポットピンにより試料を基材に点着する点着方法において、
基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する座標検出工程と、
前記座標検出工程によって検出された二点のＸＹ座標に基づいて、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置についてｕｖ表面におけるｕｖ座標をＸＹ平面におけるＸＹ座標に変換する座標変換工程と、
前記座標変換工程によって変換されたＸＹ座標に前記スポットピンを移動させるように前記駆動装置を動作させるＸＹ移動制御工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
好ましくは、前記座標検出工程において検出された二点のＸＹ座標のうち一方を（Ｘ0，Ｙ0）とし、他方を（Ｘ1，Ｙ1）とした場合に、前記座標変換工程では、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標を上記式（１）で表せるＸＹ座標に変換する。
【００１５】
好ましくは、上記点着方法は、前記ＸＹ移動制御工程により前記スポットピンが移動した位置において前記スポットピンを下降させるように前記駆動装置を動作させる上下移動制御工程を更に含む。
【００１６】
好ましくは、前記座標検出工程では、基材に向かって投光する投光素子を前記スポットピンと一体にして前記駆動装置によりＸＹ平面に沿って駆動させることによって前記投光素子で基材のｕｖ表面を走査し、互いに離れた状態で基材のｕｖ表面に配置されたフォトセンサにより前記投光素子の光を走査中に受光することによって基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する。
【００１７】
好ましくは、基材が複数の光電変換素子をｕｖ表面に沿ってマトリクス状に配列してなる固体撮像デバイスであり、前記複数の光電変換素子のうち二つの光電変換素子を前記二つのフォトセンサとして用いる。
【００１８】
また、本発明の点着装置の制御装置は、
試料を吸着するスポットピンを基材の上方において該スポットピンの上下方向に交差したＸＹ平面に沿って前記スポットピンを駆動する駆動装置を制御する制御装置において、
基材のｕｖ表面中の二点についてＸＹ平面におけるＸＹ座標を検出する座標検出手段と、
前記座標検出手段によって検出された二点のＸＹ座標に基づいて、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置についてｕｖ表面におけるｕｖ座標をＸＹ平面におけるＸＹ座標に変換する座標変換手段と、
前記座標変換手段によって変換されたＸＹ座標に前記スポットピンを移動させるように前記駆動装置を動作させるＸＹ移動制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
好ましくは、前記座標検出手段により検出された二点のＸＹ座標のうち一方を（Ｘ0，Ｙ0）とし、他方を（Ｘ1，Ｙ1）とした場合に、前記座標変換手段は、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標を上記式（１）で表せるＸＹ座標に変換する。
【００２０】
好ましくは、上記制御装置は、前記ＸＹ移動制御手段により前記スポットピンが移動した位置において前記スポットピンを下降させるように前記駆動装置を動作させる上下移動制御手段を更に備える。
【００２１】
本発明では、基材のｕｖ表面中の二点のＸＹ座標が検出されることによって、ＸＹ平面における基材の姿勢を把握することができ、ＸＹ平面において基材が正確な姿勢からどの程度ずれているかがわかる。そして、基材のｕｖ表面に試料を点着するスポット位置のｕｖ座標が二点のＸＹ座標に基づきＸＹ座標に変換されるから、基材が正確な姿勢からずれた分だけスポット位置のＸＹ座標が補正される。そして、スポット位置のＸＹ座標が補正され、その位置にスポットピンを移動させているため、試料を基材のｕｖ表面中の正確な位置に試料を点着することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、スポット位置が基材のｕｖ表面中の二点のＸＹ座標に基づいてｕｖ座標からＸＹ座標に座標変換されるから、基材がＸＹ平面中でどのような姿勢になっていても、基材のｕｖ表面中の正確な位置に試料を点着することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００２４】
図１は、本発明を適用した実施形態における点着装置１の斜視図であり、図２は、点着装置１の回路構成のブロック図である。図１、図２に示すように、この点着装置１は、複数の基材９１，９１，…を載置する載置台２と、複数種の試料９２，９２，…の入ったプレート９３を載置するプレート載置台３と、試料９２を吸着するスポットピン４と、スポットピン４を洗浄する洗浄槽５と、スポットピン４を乾燥させる乾燥機６と、載置台２、プレート載置台３、洗浄槽５及び乾燥機６の上方において載置台２の上面に平行なＸＹ平面に沿ってスポットピン４を駆動するとともにＸＹ平面に直交した上下方向にスポットピン４を駆動するＸＹＺ駆動装置７と、基材９１，９１，…のそれぞれに設けられた複数の光電変換素子２０，２０，…（図３に図示。）と、ＸＹＺ駆動装置７に設けられた投光素子８と、表示を行う表示装置９と、キーボード等からなる入力装置１０と、投光素子８、光電変換素子２０，２０，…、ＸＹＺ駆動装置７、表示装置９及び入力装置１０を制御する制御装置１１と、を備える。そして、点着装置１は、制御装置１１でＸＹＺ駆動装置７を制御することによって、点着しようとするスポット位置までスポットピン４をＸＹＺ駆動装置７により移動させ、更に制御装置１１でＸＹＺ駆動装置７を制御することによってＸＹＺ駆動装置７をもってその位置でスポットピン４を下降させる。即ち、点着装置１は、ＸＹＺ駆動装置７によるスポットピン４の移動によってスポットピン４の先端に吸着した試料９２を基材９１に点着するものである。
【００２５】
まず、図３〜図５を用いて基材９１について説明する。ここで、図３は、基材９１の平面図であり、図４は、基材９１に設けられた光電変換素子２０の電極構造を示した平面図であり、図５は、光電変換素子２０の断面図である。
【００２６】
基材９１は、画素としての光電変換素子２０，２０，…を透明基板１７上にマトリクス状に配列してなる固体撮像デバイスであり、全体として板状を呈している。光電変換素子２０，２０，…は保護絶縁層３１によってまとめて被覆されている。
【００２７】
透明基板１７は、石英ガラス等といったガラス基板又はポリカーボネート、ＰＭＭＡ等といったプラスチック基板である。透明基板１７は、光を透過する性質（以下、光透過性という。）を有するとともに絶縁性を有する。
【００２８】
光電変換素子２０，２０，…は、ダブルゲートトランジスタ構造をした素子である。即ち、光電変換素子２０，２０，…はそれぞれ、透明基板１７上に形成されたボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１上に形成されたボトムゲート絶縁膜２２と、ボトムゲート電極２１に対向するとともにボトムゲート絶縁膜２２をボトムゲート電極２１と挟む真性な半導体膜２３と、半導体膜２３の中央部上に形成されたチャネル保護膜２４と、半導体膜２３の両端部上に互いに離間して形成された不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、ソース電極２７及びドレイン電極２８上に形成されたトップゲート絶縁膜２９と、半導体膜２３に対向するとともにトップゲート絶縁膜２９及びチャネル保護膜２４を半導体膜２３と挟むトップゲート電極３０と、を具備する。
【００２９】
ボトムゲート電極２１は、光電変換素子２０ごとに透明基板１７上に形成されている。また、透明基板１７上には横方向に延在する複数本のボトムゲートライン４１，４１，…が形成されており、横方向に配列された同一の行の光電変換素子２０，２０，…のそれぞれのボトムゲート電極２１は共通のボトムゲートライン４１と一体となって形成されている。ボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１は、導電性及び遮光性を有し、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００３０】
ボトムゲート絶縁膜２２は、全ての光電変換素子２０，２０，…に共通して形成されており、光電変換素子２０，２０，…のボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１，４１，…をまとめて被覆している。ボトムゲート絶縁膜２２は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる。
【００３１】
ボトムゲート絶縁膜２２上には、半導体膜２３が光電変換素子２０ごとに形成されている。半導体膜２３は、平面視して略矩形状を呈しており、受光した光量に応じた量の電子−正孔対を生成するアモルファスシリコン又はポリシリコンで形成された層である。半導体膜２３上には、チャネル保護膜２４が形成されている。チャネル保護膜２４は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。チャネル保護膜２４は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜２３の界面を保護するものである。半導体膜２３に光が入射すると、入射した光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜２４と半導体膜２３との界面付近を中心に発生するようになっている。この場合、半導体膜２３側にはキャリアとして正孔が発生し、チャネル保護膜２４側には電子が発生する。
【００３２】
半導体膜２３の一端部上には、不純物半導体膜２５が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されており、半導体膜２３の他端部上には、不純物半導体膜２６が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されている。不純物半導体膜２５，２６は、光電変換素子２０ごとにパターニングされている。不純物半導体膜２５，２６は、ｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコン（ｎ+シリコン）からなる。
【００３３】
不純物半導体膜２５上には、光電変換素子２０ごとにパターニングされたソース電極２７が形成されている。不純物半導体膜２６上には、光電変換素子２０ごとにパターニングされたドレイン電極２８が形成されている。また、縦方向に延在する複数本のソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…がボトムゲート絶縁膜２２上に形成されている。縦方向に配列された同一の列の光電変換素子２０，２０，…のそれぞれのソース電極２７は共通のソースライン４２と一体に形成されており、縦方向に配列された同一の列の光電変換素子２０，２０，…のそれぞれのドレイン電極２８は共通のドレインライン４３と一体に形成されている。ソース電極２７、ドレイン電極２８、ソースライン４２及びドレインライン４３は、導電性及び遮光性を有しており、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００３４】
トップゲート絶縁膜２９は、全ての光電変換素子２０，２０，…に共通して形成されており、光電変換素子２０，２０，…のチャネル保護膜２４、ソース電極２７及びドレイン電極２８並びにソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…をまとめて被覆している。トップゲート絶縁膜２９は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００３５】
トップゲート絶縁膜２９上には、光電変換素子２０ごとにパターニングされたトップゲート電極３０が形成されている。また、トップゲート絶縁膜２９上には横方向に延在する複数本のトップゲートライン４４，４４，…が形成されており、横方向に配列された同一の行の光電変換素子２０，２０，…のそれぞれのトップゲート電極３０は共通のトップゲートライン４４と一体に形成されている。トップゲート電極３０及びトップゲートライン４４は、導電性及び光透過性を有し、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）で形成されている。
【００３６】
保護絶縁層３１は、光電変換素子２０，２０，…のトップゲート電極３０及びトップゲートライン４４，４４，…をまとめて被覆している。保護絶縁層３１は、絶縁性及び光透過性を有し、窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００３７】
以上のように構成された基材９１は保護絶縁層３１の表面を受光面としており、光電変換素子２０，２０，…は受光面に沿ってマトリクス状に配列されている。そして、それぞれの光電変換素子２０は半導体膜２３において受光した光量を電気信号に変換するように設けられている。以下では、基材９１の受光面をｕｖ表面と述べる。
【００３８】
ここで、基材９１は、載置台２に対して着脱可能となって載置台２に載置される。制御装置１１は、固体撮像デバイスである基材９１を駆動する駆動回路を具備している。そして、制御装置１１は、載置台２に載置された基材９１を駆動回路によって駆動することにより、その基材９１に設けられた複数の光電変換素子２０，２０，…のそれぞれで測定された光量を電気信号として入力可能に設けられている。
【００３９】
また、基材９１の四つ角に配置された光電変換素子２０，２０，２０，２０のうち、一辺の両端に配置され且つ対角関係にない２つのフォトセンサ２０ａ，２０ｂによって測定される光量が制御装置１１の処理に用いられる。フォトセンサ２０ａとフォトセンサ２０ｂとを結んだ辺をｖ軸とした場合、そのｖ軸と、ｖ軸に直交するｕ軸とからなるｕｖ座標が基材９１のｕｖ表面に規定される。
【００４０】
次に、点着装置１の各部について説明する。
【００４１】
図１に示すように、載置台２の上面は平坦に形成されている。
【００４２】
プレート載置台３の上面も平坦に形成されている。プレート載置台３に載置されたプレート９３には、マトリクス状に配列された複数の凹部が形成されている。１つの凹部につき、一種類の試料９２が貯留されている。一種の試料９２に含まれる多数の一本鎖ＤＮＡプローブは既知の同じ塩基配列となっている。
【００４３】
洗浄槽５は上方に開放した容器であり、洗浄槽５内に水が貯留されている。
【００４４】
乾燥機６は、ヒータで発した熱を温風としてファンによって上方に向かって吹き出すものである。
【００４５】
スポットピン４は上下に延在した針状を呈しており、スポットピン４の下側先端が尖鋭に形成され、スポットピン４の下側先端から内部まで中心線に沿って通じる内部流路が形成されている。このスポットピン４は先端及び内部流路に試料９２を吸着するものである。なお、針状のスポットピン４の代わりに、試料９２を吸い上げることにより試料９２を吸着するスポイト構造のスポットピンを設けても良い。
【００４６】
図１、図２に示すように、ＸＹＺ駆動装置７は、ＸＹ平面を規定するＹ方向に延在したＹガイド部材７１と、Ｙ方向に直交するＸ方向に延在するとともにＹ方向に沿って移動可能となってＹガイド部材７１に取り付けられたＸガイド部材７２と、Ｘ方向に沿って移動可能となってＸガイド部材７２に取り付けられたヘッド７３と、Ｙガイド部材７１に沿ってＸガイド部材７２をＹ方向に駆動するＹ駆動部７４と、Ｘガイド部材７２に沿ってヘッド７３をＸ方向に駆動するＸ駆動部７５と、ＸＹ平面に直交する上下方向にスポットピン４をヘッド７３に対して駆動するＺ駆動部７６と、を備える。Ｘ駆動部７５、Ｙ駆動部７４の何れも、例えばモータと無端ベルトとプーリーとの組み合わせ、モータとボールネジとの組み合わせ等を適用することができる。スポットピン４はＺ駆動部７６を介してヘッド７３に取り付けられており、Ｚ駆動部７６としては例えばエアシリンダ、電磁ソレノイド等を適用することができる。
【００４７】
ここで、Ｘ座標はＸガイド部材７２の延在方向によって規定され、Ｙ座標はＹガイド部材７１の延在方向によって規定され、Ｚ座標はＺ駆動部７６によるスポットピン４の移動方向によって規定される。従って、Ｘガイド部材７２の延在方向とＹガイド部材７１の延在方向とによって規定される平面がＸＹ平面となる。なお、Ｙガイド部材７１及びＸガイド部材７２が載置台２の載置面に対して平行であり且つ基材９１が平板状に設けられているため、ＸＹ平面はｕｖ表面に対して実質的に平行である。
【００４８】
投光素子８は、ヘッド７３に取り付けられており、スポットピン４とともにＸＹ平面に沿って移動可能に設けられている。投光素子８は、レーザーダイオード、ＬＥＤ又は陰極管からなる光電変換素子２０を励起する波長域の光を光電変換素子２０に向けて出射する光源である。
【００４９】
表示装置９としては、液晶ディスプレイ装置、ＣＲＴ又は有機ＥＬディスプレイ装置を適用することができる。この表示装置９は、制御装置１１から入力した表示信号に応じた表示を行うように設けられている。
【００５０】
入力装置１０は、ユーザ等によって操作されることにより操作に応じた操作信号を制御装置１１に出力するように設けられている。
【００５１】
制御装置１１は、ＣＰＵと、ＣＰＵにとって読取可能な制御プログラムを記憶したＲＯＭと、ＣＰＵの作業領域を提供するＲＡＭと、を備える。制御装置１１は、ＲＡＭを作業領域としてＣＰＵでＲＯＭの制御プログラムに従った演算処理を行うように設けられている。これにより、制御装置１１は、Ｙ駆動部７４及びＸ駆動部７５を制御してスポットピン４及び投光素子８をＸＹ平面に沿って移動させたり、Ｚ駆動部７６を制御してスポットピン４を上下に移動させたり、投光素子８を点灯したり、入力装置１０から操作信号を入力したり、表示装置９に表示動作を行わせたりする。
【００５２】
また、制御装置１１は、制御プログラムに従ったＣＰＵの処理により以下のような手段として機能する。
【００５３】
制御装置１１は、ＸＹＺ駆動装置７のＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御することによりＸＹＺ駆動装置７をもって投光素子８をＸＹ平面に沿って移動させ、投光素子８の移動により投光素子８で基材９１のｕｖ表面を走査し、その走査中にフォトセンサ２０ａで最大強度を検出した時の投光素子８のＸＹ座標を検出する第一座標検出手段として機能する。制御装置１１がフォトセンサ２０ａで最大強度を検出した時に投光素子８がフォトセンサ２０ａの上においてフォトセンサ２０ａに対向しているので、制御装置１１の第一座標検出手段により検出された投光素子８のＸＹ座標はフォトセンサ２０ａのＸＹ座標と同じである。図６に示すように、第一座標検出手段によって検出されたフォトセンサ２０ａのＸＹ座標を（Ｘ0，Ｙ0）とする。ここで、図６には、ＸＹＺ駆動装置７によって規定されたＸＹ平面のＸＹ座標系と、そのＸＹ座標系に配置された基材９１のｕｖ表面のｕｖ座標系とが示されている。
【００５４】
また、制御装置１１は、ＸＹＺ駆動装置７のＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御することによりＸＹＺ駆動装置７をもって投光素子８をＸＹ平面に沿って移動させ、投光素子８の移動により投光素子８で基材９１のｕｖ表面を走査し、その走査中にフォトセンサ２０ｂで最大強度を検出した時の投光素子８のＸＹ座標を検出する第二座標検出手段として機能する。第二座標検出手段により検出された投光素子８のＸＹ座標はフォトセンサ２０ｂのＸＹ座標と同じである。図６に示すように、第二座標検出手段によって検出されたフォトセンサ２０ｂのＸＹ座標を（Ｘ1，Ｙ1）とする。
【００５５】
ここで、ｕｖ座標系においてフォトセンサ２０ａの位置を原点とした場合（フォトセンサ２０ａのｕｖ座標を（０，０）とした場合）、フォトセンサ２０ｂのｕｖ座標は（０，Ｂ）となる。Ｂはフォトセンサ２０ａからフォトセンサ２０ｂまでの直線距離であり、Ｂ＝｛（Ｘ1−Ｘ0）2＋（Ｙ1−Ｙ0）2｝1/2となる。このようにフォトセンサ２０ａ，２０ｂのｕｖ座標とＸＹ座標とがわかるので、ｕｖ座標からＸＹ座標に変換する変換式が求まる。つまり、制御装置１１は、フォトセンサ２０ａの座標（Ｘ0，Ｙ0）及びフォトセンサ２０ｂの座標（Ｘ1，Ｙ1）からｕｖ座標をＸＹ座標に変換する変換式（１）を求め、ｕｖ座標で表されたスポット位置を変換式（１）に代入することによりスポット位置をＸＹ座標で表す座標変換手段として機能する。
【数９】
2005214733.tif 000005
但し、
【数１０】
2005214733.tif 000006
である。
【００５６】
また、制御装置１１は、座標変換手段によってＸＹ座標に変換されたスポット位置にスポットピン４を移動させるようにＸＹＺ駆動装置７のＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を動作させるＸＹ移動制御手段として機能する。また、制御装置１１は、ＸＹ移動制御手段によりスポットピン４が移動した位置においてスポットピン４を下降させるようにＸＹＺ駆動装置７のＺ駆動部７６を動作させるＺ移動制御手段として機能する。
【００５７】
なお、試料９２を点着しようとするスポット位置のｕｖ座標は、予め制御プログラムに組み込まれていても良いし、ユーザによる入力装置１０の操作によって設定されても良い。どちらにしても、制御装置１１は、座標変換手段によってスポット位置のｕｖ座標をＸＹ座標に変換する。
【００５８】
次に、図７を用いて制御プラグラムに従った制御装置１１の制御処理の流れ、制御装置１１の制御処理に伴った点着装置１の動作、及び、点着装置１を用いた試料の点着方法について説明する。図７は、制御装置１１の処理の流れのチャートである。
【００５９】
まず、作業者が基材９１，９１，…を載置台２に載置し、試料９２，９２，…の入ったプレート９３をプレート載置台３に載置し、点着装置１の電源をオンにする。
【００６０】
そして、図７に示すように、制御装置１１がＸＹＺ駆動装置７のＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御することにより、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４及び投光素子８とともにヘッド７３が待機位置に移動され、その待機位置でスポットピン４、投光素子８及びヘッド７３が待機する（ステップＳ１）。この待機位置がＸＹ平面における原点である。
【００６１】
次に、制御装置１１が図８に示すような入力画面を表示装置９に表示させる（ステップＳ２：入力画面表示制御工程）。図８の画面が表示されると、『チップ数』、『スポット間隔』、『開始スポット位置』、『針押し込み距離』、『針接触時間』、『スポット針』の各項目について数値入力が可能となる。『チップ数』とは、載置台２に載置する基材９１の数である。『スポット間隔』とは、ｕｖ表面のｕ軸方向に沿って隣り合う二つのスポット位置間の距離ｄｕと、ｕｖ表面のｖ軸方向に沿って隣り合う二つのスポット位置間の距離ｄｖとである（図９参照。）。『開始位置』とは、フォトセンサ２０ａに最も近い最初のスポット位置であって、ｕｖ座標で表されたスポット位置（座標（ｕ1，ｖ1））である（図９参照。）。『針押し込み距離』とは、スポットピン４を基材９１に押し込む距離であり、スポットピン４を基材９１のｕｖ表面に点着する強さと同じ意味合いである。『針接触時間』とは、スポットピン４を基材９１のｕｖ表面に接触させている間の時間である。『スポット針』とは、スポットピン４の種類を意味し、そのスポットピン４によって形成されるスポットの直径である。
【００６２】
入力画面に従ってユーザが『チップ数』、『スポット間隔』、『開始スポット位置』、『針押し込み距離』、『針接触時間』、『スポット針』の各項目について数値入力の操作を入力装置１０に対して行うと、入力装置１０から制御装置１１へ操作信号が出力され、制御装置１１が各項目の数値を入力装置１０から入力する（ステップＳ３：入力工程）。
【００６３】
次に、制御装置１１は、点着しようとするスポット位置のｕｖ座標を『スポット間隔』、『開始スポット位置』の各項目の入力数値から設定する（ステップＳ４：ｕｖ座標設定工程）。スポット位置のｕｖ座標の設定について図９を用いて説明する。図９は、制御装置１１によって設定されたスポット位置のｕｖ座標について説明するための図である。
【００６４】
図９に示すように、制御装置１１は、フォトセンサ２０ａが原点となり且つフォトセンサ２０ａとフォトセンサ２０ｂとを結ぶ線がｖ軸となるようにｕｖ座標系を設定する。そして、制御装置１１は、『開始スポット位置』の入力数値から最初に点着しようとするスポット位置の座標（ｕ1，ｖ1）を設定する。次に、制御装置１１は、最初に点着しようとするスポット位置を始点として、ｕ軸の正方向に距離ｄｕごとに且つｖ軸の正方向に距離ｄｖごとにスポット位置のｕｖ座標を設定する。距離ｄｕ及び距離ｄｖは、『スポット間隔』の入力数値である。以上により、マトリクス状に配列された複数のスポット位置のそれぞれのｕｖ座標が設定され、ｕ軸方向に隣り合うスポット位置の間隔は距離ｄｕとなり、ｖ軸方向に隣り合うスポット位置の間隔はｄｖとなる。なお、図９において、白抜きの四角がｕｖ座標系におけるフォトセンサ２０ａの位置を表し、黒塗りの四角がｕｖ座標系におけるフォトセンサ２０ｂの位置を表し、白抜きの円が、点着しようとするスポット位置を表す。
【００６５】
それぞれのスポット位置のｕｖ座標の設定後、制御装置１１は、ｕｖ座標系をＸＹ座標系に座標変換する変換式（１）を算出する（ステップＳ５）。ステップＳ５の処理について図１０を用いて説明する。図１０は、ステップＳ５におけるサブルーチンの流れのチャートである。
【００６６】
図１０に示すように、制御装置１１は、ＸＹ座標系におけるフォトセンサ２０ａの位置を検出する（ステップＳ５１：第一座標検出工程）。詳細には、制御装置１１がＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御すると、ＸＹＺ駆動装置７によって投光素子８とともにヘッド７３がＸＹ平面に沿って移動され、投光素子８の移動により投光素子８で基材９１のｕｖ表面が走査される。制御装置１１が走査中にフォトセンサ２０ａで測定される光強度を入力するが、光強度が最大になった時のＸＹ座標系におけるヘッド７３の位置（投光素子８の位置）をフォトセンサ２０ａのＸＹ座標として制御装置１１が検出する。つまり、投光素子８がフォトセンサ２０ａの上に位置すれば、フォトセンサ２０ａで検出される光強度が最大になるので、その時の投光素子８の位置をもってフォトセンサ２０ａのＸＹ座標を検出することができる。ここで、検出されたフォトセンサ２０ａのＸＹ座標を（Ｘ0，Ｙ0）とする。
【００６７】
次に、制御装置１１が、フォトセンサ２０ａのＸＹ座標を検出することと同様に、ＸＹ座標系におけるフォトセンサ２０ｂの位置を検出する（ステップＳ５２：第二座標検出工程）。検出されたフォトセンサ２０ｂのＸＹ座標を（Ｘ1，Ｙ1）とする。
【００６８】
次に、制御装置１１が、フォトセンサ２０ａの座標（Ｘ0，Ｙ0）及びフォトセンサ２０ｂの座標（Ｘ1，Ｙ1）から変換式（１）を求める（ステップＳ５３）。この変換式（１）がｕｖ座標系をＸＹ座標系に変換する式となる。なお、ステップＳ５１の処理の前にステップＳ５２の処理が行われても良い。
【００６９】
変換式（１）の算出後、制御装置１１がＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御すると、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４とともにヘッド７３が洗浄槽５の上にまで移動され、その後制御装置１１がＺ駆動部７６を制御すると、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４が上下動される（ステップＳ６：前洗浄工程）。ここで、スポットピン４が下降する時に、スポットピン４の先端が洗浄槽５の水に浸漬し、スポットピン４が洗浄される。
【００７０】
次に、制御装置１１がＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御すると、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４とともにヘッド７３が乾燥機６の上にまで移動される（ステップＳ７：前乾燥工程）。乾燥機６の上にスポットピン４が位置している時に、乾燥機６からスポットピン４に向かって温風が吹き出し、スポットピン４が乾燥する。
【００７１】
次に、制御装置１１がＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御すると、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４とともにヘッド７３がプレート載置台３の上にまで移動され、その後制御装置１１がＺ駆動部７６を制御すると、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４が上下動される（ステップＳ８：試料吸着工程）。ここで、スポットピン４が下降する時に、スポットピン４の先端が試料９２に浸漬し、スポットピン４の先端に試料９２が吸着される。
【００７２】
次に、制御装置１１が、上記ステップＳ４で求めた最初のスポット位置のｕｖ座標を変換式（１）のｕ、ｖのそれぞれに代入し、そのスポット位置のｕｖ座標をＸＹ座標に変換する（ステップＳ９：座標変換工程）。
【００７３】
次に、制御装置１１が、変換して得られたスポット位置のＸＹ座標にスポットピン４を移動させるようにＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御して、Ｘ駆動部７５及びＹ駆動部７４を動作させる（ステップＳ１０：ＸＹ移動制御工程）。これにより、ヘッド７３とともにスポットピン４が変換されたＸＹ座標に移動する。
【００７４】
次に、制御装置１１が、その位置でスポットピン４を上下動させるようにＺ駆動部７６を制御してＺ駆動部７６を動作させる（ステップＳ１１：Ｚ移動制御工程）。これにより、変換されたＸＹ座標においてスポットピン４が上下動し、スポットピン４が下降した時にスポットピン４の先端が基材９１のｕｖ表面に接触して、試料９２が基材９１のｕｖ表面に点着される。なお、スポットピン４の下降後、制御装置１１は『針接触時間』の入力数値分だけスポットピン４を停止した状態を維持させ、その後Ｚ駆動部７６によりスポットピン４を上昇させる。
【００７５】
次に、上記ステップＳ６の場合と同様に、制御装置１１がＸ駆動部７５、Ｙ駆動部７４及びＺ駆動部７６を制御することにより、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４とともにヘッド７３が洗浄槽５の上にまで移動され、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４が上下動され、スポットピン４が洗浄される（ステップＳ１２：後洗浄工程）。
【００７６】
次に、上記ステップＳ７の場合と同様に、制御装置１１がＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御することにより、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４が乾燥機６の上にまで移動され、スポットピン４が乾燥する（ステップＳ１３：後洗浄工程）。
【００７７】
次に、制御装置１１がＸＹＺ駆動装置７のＸ駆動部７５及びＹ駆動部７４を制御することにより、ＸＹＺ駆動装置７によってスポットピン４が待機位置に移動される（ステップＳ１４）。
【００７８】
以後、全てのスポット位置について試料９２の点着を終了していない場合には（ステップＳ１５：Ｎｏ）、制御装置１１が上記ステップＳ６〜ステップＳ１４の処理を繰り返すことにより上記ステップＳ４で設定された各スポット位置のＸＹ座標に点着することを順次行う。全てのスポット位置について試料９２の点着を終了した場合には（ステップＳ１５：Ｙｅｓ）、制御装置１１の処理の流れが終了する。
【００７９】
以上のような実施形態では、フォトセンサ２０ａ，２０ｂのＸＹ座標が検出されることによって、ＸＹ平面における基材９１の姿勢を把握することができ、ＸＹ平面において基材９１が正確な姿勢からどの程度ずれているかがわかる。そして、設定されたスポット位置のｕｖ座標がフォトセンサ２０ａ，２０ｂのＸＹ座標に基づきＸＹ座標に変換されるから、基材９１が正確な姿勢からずれた分だけスポット位置のＸＹ座標が補正される。そのため、基材９１がＸＹ平面中でどのような姿勢になっていても、基材９１のｕｖ表面中の正確な位置に試料を点着することができる。
【００８０】
また、一本鎖ＤＮＡプローブを点着する対象が固体撮像デバイスである基材９１であり、その基材９１のフォトセンサ２０ａ，２０ｂを用いてｕｖ表面中の二点のＸＹ座標を検出するので、ｕｖ表面中の二点のＸＹ座標を検出するためのハードウェアを点着装置１に設ける必要がない。そのため、点着装置１の構造がシンプルになる。
【００８１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
【００８２】
例えば、上記実施形態ではヘッド７３に投光素子８が設けられているが、ヘッド７３に投光素子８を設けなくても良い。但し、基材９１の下側から上方に向けて光を面照射する面照射装置を載置台２の上面に設ける必要がある。この場合、ダブルゲートトランジスタ２０，２０，…のボトムゲート電極２１が遮光性を有しているため、面照射装置から発した光が半導体膜２３に直接入射することはない。一方、ダブルゲートトランジスタ２０，２０，…の間では光が透過して、更に基材９１の上へ透過する。そして、スポットピン４が上に位置しているダブルゲートトランジスタ２０は、基材９１を透過してスポットピン４で反射した光を受光することによりスポットピン４を検出する。一方、スポットピン４が上に位置していないダブルゲートトランジスタ２０は、反射光を受光しないのでスポットピン４を検出しない。従って、走査中にフォトセンサ２０ａで最大強度が検出された時のスポットピン４のＸＹ座標がフォトセンサ２０ａのＸＹ座標であり、フォトセンサ２０ｂで最大強度が検出された時のスポットピン４のＸＹ座標がフォトセンサ２０ｂのＸＹ座標である。
【００８３】
また、上記実施形態ではフォトセンサ２０ａ，２０ｂによって基材９１のｕｖ表面の所定の二点のＸＹ座標を検出したが、その代わりに基材９１のｕｖ表面を電子撮像装置（ＣＣＤ型カメラ、ＣＭＯＳ型カメラ等）を設けても良い。この場合、基材９１のｕｖ表面中の所定の二箇所に印しを施し、基材９１のｕｖ表面を電子撮像装置で撮像することによって、ｕｖ表面に印した二点のＸＹ座標を検出する。
【００８４】
また、上記実施形態では針状のスポットピン４２を用いたが、針状のスポットピン４の代わりに、ピエゾ素子、加熱素子等によって試料９２を吐出するインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）をスポットピンとして設けても良い。この場合、インクジェットヘッドは必ずしも上下方向（Ｚ軸方向）に移動する手段を備えなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施の形態における点着装置１の斜視図である。
【図２】点着装置１の回路構成のブロック図である。
【図３】基材９１の平面図である。
【図４】基材９１の一画素の平面図である。
【図５】図４の面V−Vに沿う断面図である。
【図６】ＸＹ座標系に配置された基材９１を基材９１のｕｖ座標系とともに示した図である。
【図７】点着装置１の制御装置１１による制御処理の流れを示したチャートである。
【図８】制御装置１１によって制御された表示装置９に表示される入力画面の図である。
【図９】スポット位置のｕｖ座標の設定方法について説明するための説明図である。
【図１０】図７のステップＳ５におけるサブルーチンの流れを示したチャートである。
【符号の説明】
【００８６】
１  …  点着装置
４  …  スポットピン
７  …  ＸＹＺ駆動装置
１１  …  制御装置（座標検出手段、座標変換手段、ＸＹ移動制御手段、Ｚ移動制御手段）
２０  …  光電変換素子
２０ａ、２０ｂ  …  フォトセンサ
９１  …  基材
９２  …  試料
【図１】
2005214733.tif 000013
【図２】
2005214733.tif 000014
【図３】
2005214733.tif 000015
【図４】
2005214733.tif 000016
【図５】
2005214733.tif 000017
【図６】
2005214733.tif 000018
【図７】
2005214733.tif 000019
【図８】
2005214733.tif 000020
【図９】
2005214733.tif 000021
【図１０】
2005214733.tif 000022