(57)【要約】【課題】  精度の高い測定を行うことができる走査型電子顕微鏡を用いた測長方法を提供する。【解決手段】  電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておく。そして、実際に、電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、電子検出器により試料から放出された電子の量を検出する（ステップＳ４）。この結果に基づいて倍率補正係数を定め（ステップＳ６及びＳ７〜Ｓ９）。その後、この倍率補正係数の下で全ての測長の対象箇所の測長を行う（ステップＳ１０）。【選択図】  図３
2005257542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておき、
前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、倍率補正係数を定める工程と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【請求項２】
電子銃の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電子銃電位を予め求めておき、
前記電子銃の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す前記電子銃の電位と前記参照電子銃電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める工程と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【請求項３】
試料台の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照試料台電位を予め求めておき、
前記試料台の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す前記試料台の電位と前記参照試料台電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める工程と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【請求項４】
電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておき、
前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、電子銃の電位及び試料台の電位を定める工程と、
前記電子銃の電位及び前記試料台の電位の下で試料の測長を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【請求項５】
前記電子銃の電位及び前記試料台の電位を定める工程は、前記電子銃の電位を変更する工程を有することを特徴とする請求項４に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の測長及び検査に好適な走査型電子顕微鏡を用いた測長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）、特に測長ＳＥＭは、測長した値が真値であることと、測長した値が資料の構成及び膜種によってばらつきやオフセットを持たないことが必要とされている。従来、測長ＳＥＭの寸法補正手段としては、Ｓｉ上にチャージの発生が少ない材料（例えばＡｌやＷ等）を用いてピッチパターンを作成し、そのピッチパターンに測長値を合わせ込むことで、測長ＳＥＭの測長補正値を求めていた。
【０００３】
また、近年の測長ＳＥＭにおいては、２次電子分解能向上のために１次側の入射電子の加速電圧を高くし、試料側に負の電圧を印加して入射電子の加速電圧を減速させる減速電界方式（以下リターディング方式という）が採用されている。具体的には、従来方式（試料側の電圧０）に対して、リターディング方式では電子銃部から出る電子の加速電圧を「＋Ｖｒ」だけ高くし、試料に「−Ｖｒ」の加速電圧を印加することで、電子銃部から「Ｖ＋Ｖｒ」の加速電圧で放出された電子は、対物レンズを通過した後、試料側に印加された「−Ｖｒ」の電圧により減速され、最終的には加速電圧「Ｖ」で試料に入射するように構成されている。リターディングの効果としては、レンズの色収差を低減することができること、及び２次電子の収集効率が向上することが挙げられる。前者の効果は、１次側の入射電子は加速電圧「Ｖ＋Ｖｒ」で対物レンズの下まで通過するためであり、後者の効果は、試料から発生した２次電子が「−Ｖｒ」の電界によって検出器の方向へ加速されるためである。
【０００４】
しかしながら、上記の様なリターディング方式を採用した走査型電子顕微鏡に関しては、試料側に印加される電圧によって試料に入射する電子ビームの加速電圧（以下、Landing Voltageともいう。）が変化するため、観察を行う試料が絶縁膜に覆われている場合や、表面に絶縁膜が付着している場合、Landing Voltageが変化して倍率（Field of view）がずれることが問題となる。測長ＳＥＭの寸法補正は、Landing Voltage一定、倍率一定の条件下で行うため、そのいずれか一方の値が変化すると、測長された寸法値が変わるといった問題を生じる。つまり、Landing Voltageが変化することによって、寸法誤差が発生してしまい、測長を行った寸法が真値ではないといった問題を生じている。
【０００５】
また、特許文献１（特開２０００−３３７８４６号公報）に記載された発明によれば、上記課題を解決することができるものの、他の方法も要請されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３３７８４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、精度の高い測定を行うことができる走査型電子顕微鏡を用いた測長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００９】
本願発明に係る第１の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法では、電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておく。そして、前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する。次に、前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、倍率補正係数を定める。次いで、前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う。
【００１０】
本願発明に係る第２の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法では、電子銃の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電子銃電位を予め求めておく。そして、前記電子銃の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する。次に、前記電子の量がピークを示す前記電子銃の電位と前記参照電子銃電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める。次いで、前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う。
【００１１】
本願発明に係る第３の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法では、試料台の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照試料台電位を予め求めておく。そして、前記試料台の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する。次に、前記電子の量がピークを示す前記試料台の電位と前記参照試料台電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める。次いで、前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う。
【００１２】
本願発明に係る第４の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法では、電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておく。そして、前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する。次に、前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、電子銃の電位及び試料台の電位を定める。次いで、前記電子銃の電位及び前記試料台の電位の下で試料の測長を行う。
【００１３】
本発明においては、試料の表面の電位の変化に起因する測長誤差を補償して真の寸法値を得ることが可能となる。
【００１４】
リターディング方式を使用しない一般的な測長ＳＥＭにおいては、入射電子照射による試料表面のチャージアップに起因する測長寸法誤差を充分に補正して、試料の構成及び種類を問わず、真値を得ることが可能となる。即ち、試料がチャージアップすると、試料の表面電位が変化し、それに伴って入射ビームのLanding Voltageの誤差に起因する倍率ずれが発生し、測長値にオフセット値が入るが、このオフセット値を補償することにより、この問題が解消される。この結果、電子線の照射によって試料の表面電位に変化が生じても、常に真値を得ることが可能となる。
【００１５】
また、リターディング方式を採用する測長ＳＥＭにおいては、今まで問題となっていたLanding Voltageの設定誤差に起因する倍率ずれの問題が解消される。即ち、従来、試料の裏面に絶縁膜が付着している場合、又は電子ビームを照射する個所の層間構造が変化した場合等、測長の対象となる試料によっては寸法誤差が発生することがあるが、この問題が解消され、常に真値を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、試料の表面の電位の変化に起因する測長の誤差を補正して真の寸法値を得ることができる。即ち、試料の構成及び種類に拘わらず、精度の高い測定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。
【００１８】
先ず、本発明の実施形態で用いるＳＥＭについて説明する。図１は、ＳＥＭの構成を示す模式図である。
【００１９】
本実施形態で用いるＳＥＭは一般的に用いられているものと同様である。具体的には、試料であるウェハ１が載置されるステージ（試料台）２が設けられ、その直上に、対物レンズ３、アパーチャ５及びコンデンサレンズ６が下から順に配置されている。そして、コンデンサレンズ６の上方には、ステージ２上の試料に向けて電子を放出するガン（電子銃）７が配置されている。更に、ステージ２の上方には、ガン７から放出された電子の経路から離れた位置に検出器（電子検出器、シンチレータ）４が配置されている。また、ＳＥＭの制御部にはデータベース（図示せず）を記憶する記憶装置が設けられている。
【００２０】
このように構成されたＳＥＭでは、一般的に、ガン７の電位が３０００Ｖに設定され、ステージ２の電位が−２４００Ｖに設定される。このため、ウェハ１への電子の入射電圧は６００Ｖとなる。
【００２１】
（第１の実施形態）
次に、本発明の第１の実施形態について説明する。第１の実施形態では、ウェハ１上に形成されたパターンの一部の長さを、上述のように構成されたＳＥＭを用いて測定する。
【００２２】
第１の実施形態では、予めＳＥＭの補正に用いるデータベースを作成しておき、長さの測定に当たってデータベースを参照しながらＳＥＭの補正を行う。図２は、第１の実施形態におけるデータベースの作成方法を示すフローチャートであり、図３は、本発明の第１の実施形態に係る測長方法を示すフローチャートである。
【００２３】
データベースの作成に当たっては、先ず、一定のピッチのライン・アンド・スペースパターン等が形成された参照用ウェハをＳＥＭにロードし（ステップＤＳ１）、その後、測定点へ移動する（ステップＤＳ２）。
【００２４】
次に、複数種の入射電圧、例えば４００Ｖ、５００Ｖ、６００Ｖ、７００Ｖ及び８００Ｖの夫々について、参照用ウェハに形成されたパターンのピッチを測定する（ステップＤＳ３）。
【００２５】
そして、ピッチの測定結果に基づいて入射電圧毎に倍率補正係数を算出し、入射電圧毎の入射電圧と倍率補正係数との関係を求める（ステップＤＳ４）。この関係は、例えば図４のようになる。
【００２６】
そして、このようにして求めたデータをＳＥＭのデータベースに転送する（ステップＤＳ５）。
【００２７】
次に、入射電圧を固定したまま、検出器（シンチレータ）４の電子入射側の電界の強度を変化させながら、ウェハ１から放出されて飛来してくる電子の量を検出する（ステップＤＳ６）。この結果、図５に示すような電界と電子の量（強度）との関係が得られる。次いで、図５のような曲線から２次電子のピークが現れる電界の強度（参照電界強度、ピークポイント）を特定する（ステップＤＳ７）。
【００２８】
このような関係を、種々の入射電圧、例えば４００Ｖ、５００Ｖ、６００Ｖ、７００Ｖ及び８００Ｖの夫々について求める。
【００２９】
そして、このようにして求めたデータ、例えば入射電圧毎のピークポイントをＳＥＭのデータベースに転送する（ステップＤＳ８）。
【００３０】
次に、上述のようにして作成されたデータベースを用いた測長方法について説明する。
【００３１】
先ず、測長の対象であるパターンが形成されたウェハをＳＥＭにロードし（ステップＳ１）、グローバルアラインメントを行う（ステップＳ２）。次に、視野の調整を行い、測定箇所を視野内に移動させる（ステップＳ３）。
【００３２】
次いで、入射電圧を例えば６００Ｖに固定したまま、検出器４の電子入射側の電界を変化させながら、ウェハ１から飛来してくる電子を検出する（ステップＳ４）。
【００３３】
続いて、データベースに格納されている２次電子のピーク位置（電界）とステップＳ４で求められた２次電子のピーク位置とが一致しているか否かの判断を行う（ステップＳ５）。このとき、ピークの高さを考慮する必要はない。
【００３４】
ステップＳ５の判断において、ピーク位置が互いに一致している場合には、以降の測長で用いる倍率補正係数の値を、データベースに格納されている入射電圧と倍率補正係数との関係から求められる倍率補正係数の値に確定する（ステップＳ６）。
【００３５】
一方、ステップＳ５の判断において、図６に示す点線のように、ピーク位置が互いに一致していない場合には、データベースを用いてピーク位置のずれの量（移動量）を算出する（ステップＳ７）。
【００３６】
そして、ピークの移動量に相当する入射電圧の誤差をデータベースを参照して求める（ステップＳ８）。このとき、データベースには、入射電圧毎のピークポイントが格納されているため、これに基づいて入射電圧の誤差を求めることができる。
【００３７】
次いで、入射電圧の誤差に基づく倍率補正係数を、図４のようなデータベースに格納されたデータに基づいて求め、即ち真の入射電圧に対応する倍率補正係数を求め、この値を以降の測長で用いる倍率補正係数の値として確定する（ステップＳ９）。
【００３８】
その後、ステップＳ６又はＳ９で確定された倍率補正係数を用いて全ての測定の対象箇所の長さを測定する（ステップＳ１０）。
【００３９】
続いて、測定対象であるウェハ１をＳＥＭからアンロードする（ステップＳ１１）。
【００４０】
このような第１の実施形態によれば、ウェハの裏面に絶縁膜が形成されている等の理由で、入射電圧が変動した場合であっても、実際の入射電圧に対応する倍率補正係数を用いることができる。このため、ウェハの状態に拘わらず、常に正しい測長を行うことができる。
【００４１】
なお、データベースの作成の際に、検出器（シンチレータ）２の電子入射側の電界の強度を変化させる代わりに、電子銃（ガン７）の電位を変化させてもよい。この場合、図５に示すグラフの代わりに、横軸に電子銃の電位又は入射電圧をとり、縦軸に電子の強度をとったグラフが得られる。但し、この場合でも、グラフの形状は図５に示すものと類似したものとなり、２次電子のピーク（参照電子銃電位）及び反射電子のピークが現れる。そして、測長に当たっても、電界の強度を変化させるのではなく、電子銃の電位を変化させればよい。
【００４２】
同様に、データベースの作成及び測長に当たって、電界の強度を変化させる代わりに、ステージ２の電位を変化させて２次電子のピーク（参照試料台電位）を用いてもよい。
【００４３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態でも、ウェハ１上に形成されたパターンの一部の長さを、上述のように構成されたＳＥＭを用いて測定する。但し、データベースの作成方法が第１の実施形態とは異なっており、これに伴って測長方法も第１の実施形態と若干異なっている。図７は、第２の実施形態におけるデータベースの作成方法を示すフローチャートであり、図８は、本発明の第２の実施形態に係る測長方法を示すフローチャートである。
【００４４】
データベースの作成に当たっては、先ず、第１の実施形態と同様に、参照用ウェハをＳＥＭにロードし（ステップＤＳ１）、その後、測定点へ移動する（ステップＤＳ２）。
【００４５】
次に、入射電圧と倍率補正係数との関係を求めることなく、検出器４の電子入射側の電界と電子の量（強度）との関係を入射電圧毎に求める（ステップＤＳ６〜ＤＳ８）。
【００４６】
即ち、第２の実施形態では、入射電圧と倍率補正係数との関係が不要である。
【００４７】
次に、上述のようにして作成されたデータベースを用いた測長方法について説明する。
【００４８】
先ず、第１の実施形態と同様にして、測定対象ウェハのロードからピークの移動の判断までを行う（ステップＳ１〜Ｓ５）。
【００４９】
ステップＳ５の判断において、ピーク位置が互いに一致している場合には、以降の測長で用いる入射電圧の値をそのまま確定する（ステップＳ１２）。
【００５０】
一方、ステップＳ５の判断において、図６に示す点線のように、ピーク位置が互いに一致していない場合には、第１の実施形態と同様に、ピーク位置のずれの量（移動量）の算出及び移動量に基づく入射電圧の誤差の算出を行う（ステップＳ７〜Ｓ８）。
【００５１】
次いで、入射電圧の誤差に相当する電位をステージ２に重畳することとし、重畳された後のステージ２の電位を以降の測長で用いる電位として確定する（ステップＳ１３）。この結果、入射電圧も変更される。
【００５２】
その後、ステップＳ１２又はＳ１３で確定された入射電圧を用いて全ての測定の対象箇所の長さを測定する（ステップＳ１０）。
【００５３】
続いて、測定対象であるウェハ１をＳＥＭからアンロードする（ステップＳ１１）。
【００５４】
このような第２の実施形態によれば、ウェハの裏面に絶縁膜が形成されている等の理由で、入射電圧が変動した場合であっても、入射電圧を所望のものに補正することができる。このため、ウェハの状態に拘わらず、常に正しい測長を行うことができる。
【００５５】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図９は、本発明の第３の実施形態に係る測長方法を示すフローチャートである。
【００５６】
第２の実施形態では、入射電圧の誤差を求めた後（ステップＳ８）、その分の電位をウェハ側の部材、即ちステージ２に重畳して印加することとしているが、第３の実施形態では、電子銃（ガン７）にその分の電位を重畳することとする（ステップＳ１４）。
【００５７】
このような第３の実施形態によっても、第２の実施形態と同様に、適切に入射電圧を補正することができ、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５８】
なお、第１乃至第３の実施形態では、参照ウェハを用いてデータベースを作成し、測定対象ウェハ毎に倍率補正係数又は入射電圧の補正を行っているが、参照チップを用いてデータベースを作成し、測定対象チップ毎に補正を行ってもよい。更に、パターン毎に補正を行ってもよい。パターン毎の補正は、特に、チップ内に孤立パターンと密集パターンとが存在する場合に好適である。
【００５９】
なお、データベースを作成する際に用いるパターン、例えば一定ピッチのパターンは、ウェハに形成されていてもよく、ステージに形成されていてもよい。
【００６０】
また、試料をチャージアップさせた状態で測長を行う場合には、データベースを作成する際の倍率、即ち参照電解強度、参照試料台電位又は参照電子銃電位を求める際の倍率を２万倍乃至３万倍とし、実際に測長を行う際の倍率を、データベース作成時の倍率よりも高くすることが好ましい。
【００６１】
一方、試料をチャージアップする前に測長を完了させる場合には、データベースを作成する際の倍率を高倍率にし、実際に測長を行う際に、複数フレーム毎にビームブランキングを挟むことが好ましい。
【００６２】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００６３】
（付記１）  電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておき、
前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、倍率補正係数を定める工程と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００６４】
（付記２）  電子銃の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電子銃電位を予め求めておき、
前記電子銃の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す前記電子銃の電位と前記参照電子銃電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める工程と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００６５】
（付記３）  試料台の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照試料台電位を予め求めておき、
前記試料台の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す前記試料台の電位と前記参照試料台電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める工程と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００６６】
（付記４）  電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておき、
前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する工程と、
前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、電子銃の電位及び試料台の電位を定める工程と、
前記電子銃の電位及び前記試料台の電位の下で試料の測長を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００６７】
（付記５）  前記電子銃の電位及び前記試料台の電位を定める工程は、前記試料台の電位を変更する工程を有することを特徴とする付記４に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００６８】
（付記６）  前記電子銃の電位及び前記試料台の電位を定める工程は、前記電子銃の電位を変更する工程を有することを特徴とする付記４又は５に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００６９】
（付記７）  前記参照電界強度を求める際の倍率を２万倍乃至３万倍とし、前記試料の測長を行う際の倍率を前記参照電界強度を求める際の倍率よりも高くすることを特徴とする付記１、４、５又は６に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００７０】
（付記８）  前記参照試料台電位を求める際の倍率を２万倍乃至３万倍とし、前記試料の測長を行う際の倍率を前記参照試料台電位を求める際の倍率よりも高くすることを特徴とする付記２に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００７１】
（付記９）  前記参照電子銃電位を求める際の倍率を２万倍乃至３万倍とし、前記試料の測長を行う際の倍率を前記参照電子銃電位を求める際の倍率よりも高くすることを特徴とする付記３に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００７２】
（付記１０）  前記試料の測長を行う際に、複数フレーム毎にビームブランキングを挟むことを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の走査型電子顕微鏡を用いた測長方法。
【００７３】
（付記１１）  電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に、所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておき、
前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する手順と、
前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、倍率補正係数を定める手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長用のプログラム。
【００７４】
（付記１２）  電子銃の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電子銃電位を予め求めておき、
前記電子銃の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する手順と、
前記電子の量がピークを示す前記電子銃の電位と前記参照電子銃電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める手順と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長用のプログラム。
【００７５】
（付記１３）  試料台の電位を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照試料台電位を予め求めておき、
前記試料台の電位を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する手順と、
前記電子の量がピークを示す前記試料台の電位と前記参照試料台電位との相違に基づいて、倍率補正係数を定める手順と、
前記試料の測長を行い、前記倍率補正係数を用いて測長結果の補正を行う手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長用のプログラム。
【００７６】
（付記１４）  電子検出器の電子入射側の電界の強度を変化させた場合に所定の入射電圧で電子が試料に入射したときに前記電子検出器により検出される前記試料から放出された電子の量がピークを示す参照電界強度を予め求めておき、
前記電界の強度を変化させながら、測長の対象であるパターンが形成された試料に電子線を照射し、前記電子検出器により前記試料から放出された電子の量を検出する手順と、
前記電子の量がピークを示す電界の強度と前記参照電界強度との相違に基づいて、電子銃の電位及び試料台の電位を定める手順と、
前記電子銃の電位及び前記試料台の電位の下で試料の測長を行う手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた測長用のプログラム。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるデータベースの作成方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る測長方法を示すフローチャートである。
【図４】入射電圧と倍率補正係数との関係を示すグラフである。
【図５】電界の強度と電子の量（検出器で検出した信号の強度）との関係を示すグラフである。
【図６】２次電子のピークの変動を示すグラフである。
【図７】本発明の第２の実施形態におけるデータベースの作成方法を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る測長方法を示すフローチャートである。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る測長方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７８】
１：ウェハ
２：ステージ
３：対物レンズ
４：検出器（シンチレータ）
５：アパーチャ
６：コンデンサレンズ
７：ガン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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