(57)【要約】【目的】超大型基板を用いた液晶滴下真空合着アライメント工程後の、液晶パネルの検査工程を簡略化し、スピードをはやめかつ検査工程を全自動化することで、投資効率と生産効率と歩留りを向上させる。【構成】液晶滴下真空合着アライメント工程をおえシールをＵＶ硬化させた後、合着された基板を分断せずに合着基板そのままでセルギャップの異常やシミ、ムラ、残留気泡などを検査した後、シールを熱硬化させると同時にアイソトロピック処理をおこない液晶の配向性をととのえる。次に、合着された基板を分断せずに、合着基板の一括駆動用端子部に、液晶パネルの駆動信号波形を印加して、液晶パネルを一括駆動させ、断線，ショート，中間調領域のムラなどの不良を検査する。上記一括駆動検査後に、液晶パネル分断工程に移り、切断部の面取りをおこなう。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリックス液晶パネルの製造方法に関して、カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板のサイズは、ほぼ同じで、真空合着アライメント工程後シールに紫外光を照射し硬化させた後、合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査する。次にシールを熱硬化させ、アイソトロピック処理をおこなった後、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で平行にカラーフィルター基板のみ切りおとし、全面一括駆動用の端子がプローバーの電極でコンタクトできるようにする。次に、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に、合着された液晶パネル基板全体を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後各液晶セルごとに分断することを特徴とするアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
アクティブマトリックス液晶パネルの製造方法に関して、カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板のサイズは、ほぼ同じで、真空合着アライメント工程後シールに紫外光を照射し硬化させた後、さらに加熱処理して硬化反応させると同時に、アイソトロピック処理をおこなう。次に合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査した後、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で平行に、カラーフィルター基板のみ切りおとし、全面一括駆動用の端子がプローバーの電極でコンタクトできるようにする。次に、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板全体を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、各液晶セルごとに分断することを特徴とするアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
アクティブマトリックス液晶パネルの製造方法に関して、カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板のサイズは、ほぼ同じで、真空合着アライメント工程後、シールに紫外光を照射して硬化させた後、合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査した後、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で平行に、カラーフィルター基板のみ切りおとし、全面一括駆動用の端子がプローバーの電極でコンタクトできるようにする。次に走査線と映像信号配線に一括駆動用端子を利用してプラス１５Ｖから３０Ｖ程度の電圧を印加し、共通電極はアース電位に接地する。約１〜３秒程度上記直流電圧を印加して、強電界を用いた再配向処理を室温でおこなった後、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、各液晶セルごとに分断することを特徴とするアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
アクティブマトリックス液晶パネルの製造方法に関して、カラーフィルター基板の一方向のサイズをＴＦＴ基板のサイズよりも約１０〜２０ｍｍ程度最初から小さく作っておき、真空合着アライメントしたとき、一括駆動用の端子部分がＣＦ基板の外側に露出するようにする。真空合着アライメント工程後、シールに紫外光を照射し硬化させた後、合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査する。次にシールを熱硬化させ、アイソトロピック処理をおこなった後、全面一括駆動用端子にプローバーの電極をコンタクトさせ、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板全体を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、各液晶セルごとに分断することを特徴とするアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法
【請求項５】
アクティブマトリックス液晶パネルの製造方法に関して、カラーフィルター基板の一方向のサイズをＴＦＴ基板のサイズよりも約１０〜２０ｍｍ程度、最初から小さく作っておき、真空合着アライメントしたとき、一括駆動用の端子部分がＣＦ基板の外側に露出するようにする。真空合着アライメント後シールに紫外光を照射し硬化させた後、さらに加熱処理して硬化反応させると同時に、アイソトロピック処理をおこなう。次に合着された基板全体を、上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査した後、全面一括駆動用端子にプローバーの電極をコンタクトさせ、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板全体を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、各液晶セルごとに分断することを特徴とするアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
アクティブマトリックス液晶パネルの製造方法に関して、カラーフィルター基板の一方向のサイズをＴＦＴ基板のサイズよりも約１０〜２０ｍｍ程度、最初から小さく作っておき、真空合着アライメントしたとき、一括駆動用の端子部分がＣＦ基板の外側に露出するようにする。真空合着アライメント後、シールに紫外光を照射して硬化させた後、合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査した後、全面一括駆動用端子にプローバーの電極をコンタクトさせる。次に走査線と映像信号配線に一括駆動用端子を利用してプラス１５Ｖから３０Ｖ程度の電圧を印加し、共通電極はアース電位に接地する。約１〜３秒程度上記直流電圧を印加して強電界を用いた再配向処理を室温でおこなった後、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と、偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、各液晶セルごとに分断することを特徴とするアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
液晶滴下真空合着アライメント工程後に用いる液晶パネルの検査装置に関して、合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、薄膜トランジスタ基板側には、バックライト光源を配置し、カラーフィルター基板側には、各画面に対応した検査用カメラを配置し、上下のそれぞれの偏光板を独立に回転させながら、合着された基板全体を同時に検査することを特徴とする、液晶パネルの検査装置。
【請求項８】
液晶滴下真空合着アライメント工程後に用いる液晶パネルの検査装置に関して、一括駆動用の端子部がＣＦ基板の外側に露出している合着基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、薄膜トランジスタ基板側には、バックライト光源を配置し、カラーフィルター基板側には、各画面に対応した検査用のカメラを配置し、上下のそれぞれの偏光板を独立に回転させながら、合着された基板全体のセルギャップを検査した後、次に一括駆動用の端子部にプローバーの電極をコンタクトさせて、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板を駆動しながら上下の偏光板をそれぞれ独立に回転させ、中間調画像を表示し検査することを特徴とする液晶パネルの一括駆動検査装置。
【請求項９】
請求項１から６に記載のアクティブマトリックス液晶パネルの製造方法を用いて作られたことを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
【０００１】本発明は低コスト・大画面・広視野角特性のマクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法と検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】従来の液晶セル工程とＴＡＢ実装工程は図５にあるように、ＴＦＴ−ＬＣＤ工場で、合着アライメントしてシールを硬化した後、各セルごとに分断して液晶を注入し、注入口を封止してから、面取りした後、数千本以上のはりのついたオートプローバーでＴＡＢの実装をおこなう端子部に直接コンタクトして、液晶パネルの点灯駆動をおこない良品をＴＡＢ実装工場に輸送していた。
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】図５にあるような従来の液晶セル工程を、液晶滴下真空合着アライメント装置を導入して工程を短縮しても、ＴＦＴ−ＬＣＤ工場内部で各セルごとに分断して、面取りして、オートプローブ検査をしていたのでは、クリーンルームの有効活用効率は、それほど良くない。各セルごとに分断してから、面取りして、洗浄し、オートプローブ検査するクリーンルームのスペースは液晶セル工程の全体の約１／３をしめている。面取り装置は大型パネル，中型パネル，小型パネルにそれぞれサイズに応じて設置しなければならない。オートプローバーもそれぞれサイズに応じて設置しなければならず、かなりの台数が必要とされている。従来の工程では、各セルごとに分断しなければ液晶を注入できなかったので、液晶注入した後、注入口封止までは、クリーンルームのクリーン度のレベルを高くし、汚染に注意をはらう必要があった。そのため、従来の工程では液晶セル工程のクリーンルーム面積を広く必要とし、クリーンルームのクリーン度も高くしなければならず、ランニングコストが非常に高いものになっていた。
【０００４】さらに従来の場合、ＴＦＴ−ＬＣＤ工場内でオートプローバー検査までおこなわなければ、液晶セル工程とＴＦＴ工程とカラーフィルター工程へのフィードバックが、短時間でなされないためどうしてもオートプローブ検査をＴＡＢ実装工場に移動させることは、できなかった。そのため高価なオートプローブ検査装置を数多くＴＦＴ−ＬＣＤ工場内に設置しなければならなかった。各セルごとに分断しているため、各セルごとに点灯検査しなければならず、検査時間も長くなっていた。さらにオートプローブ検査は数千本以上のはりを使用しておこなわれているため、コンタクト不良が多発しやすく、検査を自動化することは、不可能であった。各セルごとに、目視検査して、オペレーターが、断線とコンタクト不良とを区別しており、検査コストを低減することができなかった。
【０００５】本発明は、上記の問題を解決するものであり、その目的とするところは、クリーンルームの有効活用と設備投資金額の低減と検査コストの低減により、液晶パネルを安価に製造できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】前記課題を解決し、上記目的を達成するため、下記の手段を用いる。
【０００７】〔手段１〕カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板のサイズは、ほぼ同じで、真空合着アライメント工程後シールに紫外光を照射し硬化させた後、合着された基板全体を上下から、それぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査する。次にシールを熱硬化させ、アイソトロピック処理をおこなった後、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で平行にカラーフィルター基板のみ切りおとし、全面一括駆動用の端子がプローバーの電極でコンタクトできるようにする。次に奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に合着された液晶パネル基板全体を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、合着基板をＴＡＢ実装工場に送り各セルごとに分断する。
【０００８】〔手段２〕カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板のサイズは、ほぼ同じで、真空合着アライメント工程後シールに紫外光を照射し硬化させた後、さらに加熱処理して硬化反応させると同時に、アイソトロピック処理をおこなう。次に合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみセルギャップムラを検査した後、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で平行に、カラーフィルター基板のみ切りおとし、全面一括駆動用の端子がプローバーの電極でコンタクトできるようにする。次に奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極の５種類の各電極に、それぞれ５種類の一括駆動用信号電圧を印加して、同時に合着された液晶パネル基板全体を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、合着基板をＴＡＢ実装工場に送り、各セルごとに分断する。
【０００９】〔手段３〕カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板のサイズはほぼ同じで、真空合着アライメント工程後、シールに紫外光を照射して硬化させた後、合着された基板全体を上下からそれぞれ回転可能な偏光板ではさみこみ、セルギャップムラを検査した後、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で平行に、カラーフィルター基板のみ切りおとし、全面一括駆動用の端子がプローバーの電極でコンタクトできるようにする。次に走査線と映像信号配線に一括駆動用端子を利用して、プラス１５Ｖからプラス３０Ｖ程度の電圧を印加し、共通電極はアース電位に接地する。約１〜３秒程度の間上記直流電圧を印加して、強電界を用いた再配向処理を室温でおこなった後、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極に、５種類の一括駆動用信号電圧波形を印加して、同時に、合着された液晶パネル基板を駆動しながら中間調画像を表示し検査する。この後、合着基板をＴＡＢ実装工場に送り各セルごとに分断する。
【００１０】〔手段４〕カラーフィルター基板の一方向のサイズをＴＦＴ−アレイ基板のサイズよりも約１０〜２０ｍｍ程度、最初から小さく作っておき、真空合着アライメントしたとき、一括駆動用の端子部分がＣＦ基板の外側に露出するようにする。これ以後は手段１，２，３に記載した工程を用いて検査した後、合着基板をＴＡＢ実装工場に送り、各セルごとに分断する。
【００１１】〔手段５〕手段１，２，３において、合着基板の左右の周辺部を幅５ｍｍから１０ｍｍ程度の幅で、平行にカラーフィルター基板のみ切りおとすとき、レーザーを用いたガラス切断法を用いる。
【作用】
【００１２】手段１，２，３，４を用いることで、ＴＦＴ−ＬＣＤ工場内で、合着基板を分断することなく、セルギャップ検査と、メインシール幅検査，アライメント精度検査、残留気泡の位置とサイズの検査，シミとムラの検査，画素欠陥検査，ショートと断線検査などほとんど必要な検査をすべておこなうことが、可能となります。真空合着後は、汚染による問題はほとんど発生しなくなるため、合着された基板をＴＡＢ実装工場に移動させて、クリーン度のレベルの悪るい環境でセル分断（パネル分断）をおこなうことが可能です。
【００１３】手段１，２，３，４を用いることで、合着基板全体を同時に検査することが可能となり、不良発生の分布を同時に把握することができるので、どこの工程で不良が発生したかを推定しやすくなった。これによりフィードバックをかけるスピードが早くなり不良品を作る数を激減することが可能となった。
【００１４】手段１，２，３，４を用いることで、合着基板全体を同時にわずかに数十本の一括駆動端子を用いて、中間調表示検査が可能となるため、検査速度が従来のセル分断（パネル分断）して中間調表示検査する方式よりも数倍早くなる。しかもプローブ針のコンタクト不良発生の発生確率を大幅に低減できるため、カメラを用いた全自動検査をすることが可能である。
【００１５】手段５を用いることで、カラーフィルターの一部を切断するときカレットの発生を防止することができるので、洗浄工程を省略することが可能となる。レーザーの寿命は１年以上連続使用可能なためメンテナンスがほとんど必要なくランニングコストを低減できる。
【００１６】手段１，２，３，４を用いることで、いろいろなサイズの液晶パネルを量産する場合、プローバーの針を液晶パネルのサイズにあわせて交換する必要がなくなる。一括駆動用端子の位置を共通化しておくだけで、すべてのサイズの液晶パネルに対応可能なため、クリーンルームのスペース効率が大幅に向上し、プローバー針の交換時間のロスがまったくないため、生産効率を大幅に向上できる。プローバーの針の数もせいぜい数十本で十分なため、プローバーコストも大幅に低減できる。
【実施例】
【００１７】〔実施例１〕図１，図２，図３，図４は、本発明の真空合着工程後に用いる合着基板の一括検査装置の断面図と鳥瞰図と平面図である。図１は、合着基板全体を一括してセルギャップの均一性を検査する装置である。この装置ではさらに残留気泡のサイズと位置、ならびにシミとムラを検査することが可能である。図３の検査装置は、図１の検査装置を発展させたもので、合着基板全体を一括駆動させることで、中間調領域のシミやムラならびにＴＦＴアレイ基板の点欠陥，断線，ショートなどすべての不良モードを検査することが可能である。図３の検査装置で図１の検査装置でおこなえる検査をすべておこなうことは可能であるが、タクトタイムを短縮させるためには、図１の検査装置で液晶Ｃｅｌｌ工程での不良を発見し、次に図３の検査装置でＴＦＴアレイ工程から流出してきた不良を発見する方式が最も効率的で効果が大である。【００１８】図１，図３ともに構造は非常に簡単で大型のバックライトの上に、真空合着された基板を回転可能な偏光板で上下からはさみこんでおり、各画面に対応してＣＣＤカメラを配置している。カメラ側に位置している偏光板は、図１，図３にあるように一体ものである必要はなくＣＣＤカメラの前面にそれぞれ分割してそれぞれが同期して同じ周期で回転できるような構造でも良い。図２にあるように、各画面に対応してＣＣＤカメラを配置することで、画素欠陥の数と位置を正確に計測することが可能である。【００１９】図３，図４にあるように、本発明の合着基板一括駆動検査装置では、カラーフィルター側基板のサイズをＴＦＴアレイ基板よりも一方向だけ小さくしたものを用いている。真空合着工程の前からサイズの小さいカラーフィルター基板を用いてもよいし、同じサイズのカラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板を用いて真空合着アライメントした後、シールを硬化させてからカラーフィルター基板のみを左右５ｍｍから１０ｍｍ程度切りおとしてもよい。とにかく、一括駆動するための端子部にプローブの針がコンタクトできれば良いのである。図４では、左右から一括駆動用のプローブがＴＦＴアレイ基板の一括駆動用端子部にコンタクトしているが、左右両方必要なければ、どちらか片方だけでも良い。片方だけのコンタクトで良い場合には、カラーフィルター基板を切りおとすのも片方だけで良い。もし左右だけでなく上下も含めて４方向からコンタクトする必要がある場合には、カラーフィルター基板の周囲４辺を切りおとすことになる。ほとんどの場合図４にあるようにカラーフィルター基板の左右を切りおとすだけで十分に対応可能である。【００２０】〔実施例２〕図８が本発明の合着基板一括駆動のための駆動電圧波形である。一括駆動をおこなうためには最低でも５種類の一括駆動用プローブ端子が必要となる。図１０にあるように、奇数番走査線と偶数番走査線と奇数番映像信号配線と偶数番映像信号配線と共通電極の５種類の駆動電圧信号波形をＴＦＴアレイ基板とカラーフィルター基板に印加しなければ液晶パネルの実駆動評価をおこなうことができない。映像信号配線を奇数番と偶数番の２種類にわけた時、ＣＣＤカメラのレンズの前に回転可能な色フィルターすなわち、白色（透明フィルター）とレッド（Ｒ）とグリーン（Ｇ）とブルー（Ｂ）の４種類のフィルターを設置して、このフィルターを回転させて、液晶パネルのシミやムラがどの色で発生しているのかを分離できるようにすることも可能である。このような回転色フィルターをＣＣＤカメラの前に設置したくない場合、ＴＦＴアレイ基板側で映像信号配線を奇数番レッド（Ｒｏ）と偶数番レッド（Ｒｅ）と奇数番グリーン（Ｇｏ）と偶数番グリーン（Ｇｅ）と奇数番ブルー（Ｂｏ）と偶数番ブルー（Ｂｅ）の６種類に分割して、それぞれ独立して一括駆動させると良い。この場合には、合着基板には最低でも９種類の一括駆動端子が必要となり、９種類の一括駆動電圧信号波形が必要となる。本発明の請求項では５種類の一括駆動電圧信号波形を印加すると記載しているが、上記のように９種類の一括駆動電圧波形を用いても良い。数には制限がないが、少ないほどコストダウンしやすい。【００２１】図８の走査線のパルス信号幅やパルス信号の大きさを変化させたり、走査線のパルス信号の周期を変化させたりすることで、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴの特性分布を調査することが可能である。液晶パネルを一括駆動させて中間調表示をして画面にムラが発生した時、上記のＴＦＴの特性分布を調査することで、このムラがＴＦＴのアレイ工程が原因なのか、液晶Ｃｅｌｌ工程が原因なのかを短時間で分析可能である。本発明では、合着基板全体を一括して駆動してムラの分布を瞬時に把握することが可能なため、どこの工程で、どの装置に問題が発生しているのかを、推論しやすいので不良解析が非常にしやすい。【００２２】〔実施例３〕図６，図７，図９が本発明の液晶セル工程と液晶パネルモジュールの組み立て工程に関するプロセスフロー図である。従来の場合は図５にあるようにＣｅｌｌ分断をＴＦＴ−ＬＣＤ工場内でおこなっていたため、ＴＦＴ−ＬＣＤ工場内でのクリーンルームスペースの半分ちかくをＣｅｌｌ分断以後の工程がしめていた。液晶滴下真空合着アライメント工程が導入されても、Ｃｅｌｌ分断（パネル分断）は、あいかわらずＴＦＴ−ＬＣＤ工場内でおこなわれており、グラインディング（面とり）してから、洗浄して、オートプローブ検査までやってから良品パネルをＴＡＢ実装工場に輸送して偏光板はりつけをおこなっていた。本発明の工程では、図６，図７にあるように、メインシールをＵＶ硬化し、加熱硬化した後、全面一括駆動検査をおこなうことで、液晶Ｃｅｌｌ工程とＴＦＴ・アレイ工程にフィードバックをかけている。全面一括駆動検査後、合着基板をＴＡＢ実装工場に輸送してからＣｅｌｌ分断（パネル分断）をおこない、グラインディング（面取り）して洗浄してから偏光板はりつけをおこなっている。本発明の工程を採用するとＴＦＴ−ＬＣＤ工場内のスペースをクリーン度の高い工程に大部分利用することができるのでＴＦＴ−ＬＣＤ工場の生産量を３０％以上拡大することが可能となる。液晶滴下真空合着アライメント工程がおわった後は、汚染の心配がないのでクリーンルームのクリーン度はクラス１万程度で十分である。液晶滴下真空合着アライメント工程まではクラス１００程度が必要とされる。【００２３】図９の（Ａ）と（Ｂ）は、シール材がＵＶ硬化処理した後、加熱硬化処理が必要なタイプの場合の工程フロー図である。（Ａ），と（Ｂ）の両方ともに、加熱処理と、アイソトロピック処理の両方を同時におこなっている。１００度〜１２０度で約３０分間から１時間程度の熱処理後に本発明の全面一括駆動検査をおこなっている。【００２４】〔実施例４〕図７，図９の（Ｃ）は、本発明の第４の実施例である。本発明で用いるシール材は、１００％ＵＶ硬化するタイプを用いている。加熱硬化処理は必要ない。本発明では、加熱と冷却処理によるアイソトロピック処理はおこなわないので、そのかわりに強電界を印加することによる再配向処理を室温でおこなっている。図１０にあるようなＴＮモードのＴＦＴアレイ基板では、走査配線と映像信号配線にプラス１５〜３０Ｖを印加し、共通電極とカラーフィルター基板側の共通電極をアースに接地させて、１秒から数秒間程度、強電界を発生させて、液晶分子を電界方向に強制的に配向させた後、瞬時に電界を遮断する。垂直配向モードの場合も、ほとんどＴＮモードと同じ方法が用いられる。横電界モード（ＩＰＳモード）では、カラーフィルター基板側に共通電極はないのでＴＦＴアレイ基板側のみに強電界を印加させることになる。横電界モードでは、走査配線と映像信号配線にプラス８〜１２Ｖ程度を印加し、共通電極をアースに接地させる。強電界印加時間は、０．１秒から１秒間程度に短かくした方が良い。【００２５】上記の室温での強電界を用いた再配向処理は、加熱と冷却処理によるアイソトロピック処理方法よりも、再配向特性ががすぐれており、超大型液晶パネルの再配向処理方法としては最も量産に適しているものと考えられる。本発明の請求項では、強電界印加のために１５〜３０Ｖを印加しているが、３０Ｖ以上でも印加時間を短かくすれば問題は発生しない。０．１秒程度に印加時間短かくすることで配向膜のダメージは低減できる。本発明の室温強電界再配向処理は、ＴＦＴアレイの構造や液晶のモードによっても最適条件がことなってくるので、請求項の条件に特にこだわる必要はない。【００２６】図３や図４にある、合着基板全面一括駆動検査装置を用いて、全面一括駆動検査の前に、強電界を印加して全面一括再配向処理をおこなうことが可能である。本発明を用いることで加熱と冷却の処理が必要なくなり真空合着アライメント工程から全面一括駆動検査までの工程を１時間〜２時間程度短縮することが可能となり生産効率を大幅に向上することができる。加熱のためのオーブンも必要なくなりクリーンルームのスペースを節約でき、電気代も節約できるのでランニングコストを大幅に低減できる。超大型液晶パネルの加熱処理は、ＴＦＴアレイ基板とカラーフィルター基板の温度差が大きいと、シール破壊が生じ液晶がしみ出してしまう不良が発生しやすいので、非常に注意が必要となるが、本発明の工程を採用することでこのような問題はまったく発生しなくなります。強電界再配向処理した後、全面一括駆動検査をおこなった後、ＴＡＢ実装工場に合着基板を輸送して、Ｃｅｌｌ分断（パネル分断）をおこなう。
【発明の効果】
【００２７】本発明の合着基板全面一括駆動検査法を用いることで、液晶パネルのサイズにあわせたプローブ針を用意する必要がなくなり、検査コストを大幅に低減できる。一括駆動検査用のプローブ針の数はせいぜい数十本程度なのでコンタクト不良はほとんど発生しないため、ＣＣＤカメラを用いた全自動検査を実施することが可能となり検査のバラツキが少なくできる。本発明の室温強電界再配向処理法を用いることで液晶Ｃｅｌｌ工程を大幅に短縮でき生産効率を向上できる。本発明の全面一括駆動検査後、合着基板をＴＡＢ実装工場に輸送してから、Ｃｅｌｌ分断（パネル分断）することで、ＴＦＴ・ＬＣＤ工場の生産効率を大幅に拡大することが可能となる。投資金額をおさえることができ、ランニングコストも大幅に低減できるので大型液晶パネルの生産コストを大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセルギャップ・ムラ全自動検査装置の断面構造図
【図２】本発明のセルギャップ・ムラ全自動検査装置の見取り図
【図３】本発明の全面一括駆動検査装置の断面構造図
【図４】本発明の全面一括駆動検査装置の平面図
【図５】従来の液晶セル工程のフロー説明図
【図６】本発明の液晶セル工程のフロー説明図
【図７】本発明の液晶セル工程とＴＡＢ実装工程の説明図
【図８】本発明の全面一括駆動検査で用いる信号波形
【図９】本発明の真空合着アライメントから全面一括駆動検査までの工程のフロー説明図
【図１０】本発明に用いられている薄膜トランジスタアレイ基板の基本単位画素の平面図
【符号の説明】
１−−−ＣＣＤカメラ
２−−−上側回転偏光板
３−−−下側回転偏光板
４−−−カラーフィルター基板
５−−−ＴＦＴ基板
６−−−液晶
７−−−最外周ダミーシール
８−−−メイン・シール
９−−−拡散板
１０−−−蛍光ランプ
１１−−−リフレクター
１２−−−有効表示領域
１３−−−一括駆動検査用プローブ・電極
１４−−−分断されたカラーフィルター基板
１５−−−分断されたＴＦＴ基板
１６−−−カラーフィルター側偏光板
１７−−−ＴＦＴ側偏光板
１８−−−ＴＡＢ−ＩＣ
１９−−−奇数番走査線駆動電圧波形
２０−−−偶数番走査線駆動電圧波形
２１−−−共通電極電位
２２−−−奇数番映像信号駆動電圧波形
２３−−−偶数番映像信号駆動電圧波形
２４−−−走査線駆動パルス幅
２５−−−走査線駆動周期
２６−−−奇数番走査線
２７−−−偶数番走査線
２８−−−奇数番映像信号線
２９−−−偶数番映像信号線
３０−−−薄膜トランジスタ素子
３１−−−画素透明電極
３２−−−共通電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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