(57)【要約】【課題】  小型基板を接合して大型化を図った場合でも、接合部分に隙間が目立たず、かつ、画素ピッチを揃えることのできる電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供すること。【解決手段】  ４枚の小型基板２の側端面２６を接合して大型の有機ＥＬ表示装置１を製作するにあたって、接合部分を挟む２枚の小型基板２ａ、２ｂのうち、一方の小型基板２ａについては、その側端面２６を上向きの順テーパ２６ａとし、他方の小型基板２ｂについては、その側端面２６を下向きの逆テーパ２６ｂとする。このため、有機ＥＬ表示装置１を表示光の出射側からみたとき、接合部分の隙間が目立たない。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の画素がマトリクス状に構成された複数枚の小型基板の側端面同士が接合されて当該複数枚の小型基板が平面的に配列された電気光学装置において、
小型基板同士の接合部分では、一方の小型基板において上向きの順テーパをもつ側端面と、他方の小型基板において下向きの逆テーパをもつ側端面とが接合されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記一方の小型基板と前記他方の基板とは、基板厚が等しく、かつ、厚さ方向で同一位置に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２において、前記複数の小型基板は、隣接する２辺に相当する部分が、隣接する小型基板と接合された４枚の矩形の小型基板からなり、
前記小型基板は各々、前記２辺に位置する２つの側端面がそれぞれ前記順テーパと前記逆テーパとになっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１において、前記一方の小型基板と前記他方の小型基板は、接合部分での小型基板同士の平面的な重なりが大きくなる方向に厚さ方向でずれた位置にあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４において、前記一方の小型基板は、前記他方の基板よりも基板厚が薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項４または５において、前記複数の小型基板は、隣接する２辺に相当する部分が、隣接する小型基板と接合された４枚の矩形の小型基板からなり、
前記４枚の小型基板のうち、対角位置にある２枚の小型基板は、前記２辺に位置する２つの側端面が前記順テーパになっており、他の２枚の小型基板は、前記２辺に位置する２つの側端面が前記逆テーパになっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記小型基板は、一方面側に電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス素子を保持していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記小型基板は、一対の基板が所定の隙間を介して貼り合わされ、かつ、基板間に電気光学物質としての液晶を保持していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、例えば、有機ＥＬ表示装置では、マトリクス状に配置された多数の画素の各々に画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子を備えた基板が用いられる。有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。ここで、発光材料である蛍光物質を選択すれば発光色を変化させることができるので、カラー画像を表示できる。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置に対しては、液晶装置と同様、３０インチを越えるようなものが要求されているが、その場合には基板も大型化する。このため、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を製造するためのラインが大型化する。また、基板を大型化すること自体、洗浄工程や成膜工程での歩留まりが低下する。さらに、基板として安価なガラス基板を用いることを目的にＴＦＴを低温ポリシリコンＴＦＴで構成しようとすると、アモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化するためのレーザアニールが不安定となる。そこで、従来の技術や設備で十分、製造可能な大きさの基板（小型基板）を複数枚、平面的に配置し、図７に示すように、小型基板２の側端面２６同士を接合して大型の有機ＥＬ表示装置を製作することが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１０２１７１号公報
【特許文献２】特開２００２−２９７０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７に示すように小型基板２の側端面２６同士を接合するには、図８（Ａ）に示すように、小型基板２の端部にブレード４を直角に当てながら切断し、側端面２６の形状を揃える必要があるが、かかる切断の際、ブレード４による切断位置に誤差が発生することを避けることができない。このため、小型基板２との接合部分では他の領域と比較して画素ピッチがずれてしまうという問題点がある。また、切断の際、ブレード４が、矢印Ｓで示す走行方向に対してヨーイングし、図８（Ｂ）に示すように、小型基板２の切断面に凹凸が発生することを避けることができない。それ故、小型基板２の側端面２６同士を接合した際、図８（Ｃ）に示すように、小型基板２の側端面２６の間に無用な隙間が発生し、設計上での接合代よりも、実際の接合代がかなり大きくなってしまうという問題点がある。
【０００５】
また、小型基板２同士の接合部分においても、他の領域と画素ピッチが一定であることが求められるが、従来技術では、例えば、図７に示すように、接合部分に配線１３０が通る領域が隣接している場合、ここでの画素ピッチＰが他の領域の画素ピッチＰ０の２倍になってしまうという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、小型基板を接合して大型化を図った場合でも、接合部分に隙間が目立たず、かつ、画素ピッチを揃えることのできる電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、多数の画素がマトリクス状に構成された複数枚の小型基板の側端面同士が接合されて当該複数枚の小型基板が平面的に配列された電気光学装置において、小型基板同士の接合部分では、一方の小型基板において上向きの順テーパをもつ側端面と、他方の小型基板において下向きの逆テーパをもつ側端面とが接合されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、小型基板は、順テーパの側端面と逆テーパの側端面とによって接合されているため、接合部分では、小型基板の端部同士が厚さ方向で重なっている。従って、小型基板をブレードで切断した際、切断面に凹凸が発生した場合でも、このような凹凸に起因して接合部分に発生する隙間は、厚さ方向で発生するだけであり、面内方向では発生しない。すなわち、接合部分に隙間が発生した場合でも、表示光の出射側からみたとき、このような隙間は、小型基板端部で覆われるので、目立たない。また、小型基板をブレードで切断した際、切断位置に誤差が発生した場合でも、小型基板を斜め方向でずらすだけで、面内方向における小型基板の相対位置を調整できるので、画素ピッチのずれを抑えることができる。
【０００９】
本発明においては、例えば、前記一方の小型基板と前記他方の基板とは、基板厚が等しく、かつ、厚さ方向で同一位置に配置されている。このような場合、前記複数の小型基板は、隣接する２辺に相当する部分が、隣接する小型基板と接合された４枚の矩形の小型基板からなり、前記小型基板は各々、前記２辺に位置する２つの側端面がそれぞれ順テーパと逆テーパとになっていることが好ましい。このように構成すると、４枚の小型基板のうち、対角に位置する小型基板については同一の構成のものを用いることができる。
【００１０】
本発明において、前記一方の小型基板と前記他方の基板は、平面的な重なりが大きくなる方向に厚さ方向でずれた位置にあることが好ましい。このように構成すると、前記一方の小型基板と前記他方の基板との平面的な重なりが大きいので、前記一方の小型基板と前記他方の基板との境界部分の画素ピッチを他の領域の画素ピッチと揃えることができる。ここで、前記一方の小型基板が前記他方の基板よりも基板厚が薄い場合には、前記一方の小型基板と前記他方の基板を、一方の基板面の厚さ方向における位置が小型基板同士で一致するように配置することができる。このような場合、前記複数の小型基板は、隣接する２辺に相当する部分が隣接する小型基板と接合された４枚の矩形の小型基板からなり、前記４枚の小型基板のうち、対角位置にある２枚の小型基板は、前記２辺に位置する２つの側端面が順テーパになっており、他の２枚の小型基板は、前記２辺に位置する２つの側端面が逆テーパになっていることが好ましい。このように構成すると、４箇所全ての接合部分において、順テーパと逆テーパとの組み合わせをもって接合することができる。
【００１１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置に適用でき、この場合、前記小型基板は、一方面側に電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス素子を保持している。
【００１２】
本発明は、液晶装置にも適用でき、この場合、前記小型基板は、一対の基板が所定の隙間を介して貼り合わされ、かつ、基板間に電気光学物質としての液晶を保持している。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった携帯用電子機器に用いることができるとともに、３０インチを越えるような大型画面を備えた電子機器に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明に係る電気光学装置、およびそれを用いた電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００１５】
［実施の形態１］
（有機ＥＬ表示装置の全体構成）
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図および平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。
【００１６】
図１において、本形態の有機ＥＬ表示装置１は、いわゆるタイリング技術を利用した３０インチ以上の大型のパネル１′を備えており、小型基板２（電気光学装置用基板）が４枚、平面的に配列されている。小型基板２には、その素形成子面２１の側にガスバリア用の封止樹脂４０が塗布されているが、封止樹脂４０は、端子２０の形成領域を避けるように形成されている。従って、小型基板２の素子形成面２１の端部に形成されている端子２０の各々に対して、ＩＣ７０がＣＯＦ実装されたフレキシブル配線基板７を接続することができる。なお、小型基板２の表面側あるいは裏面側に基板が貼られることがあるが、図示を省略してある。
【００１７】
有機ＥＬ表示装置１において、封止樹脂４０が塗布されている領域には、図２に示すように多数の画素１００がマトリクス状に並列されている。図２において、本形態の有機ＥＬ表示装置１も、周知の有機ＥＬ表示装置と同様、４枚の小型基板２の各々に、複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線に並列に延びる複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１３１および信号線１３２の各交点毎に画素１００が形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１にはシフトレジスタおよびレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。
【００１８】
（画素構成）
図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置における画素を拡大して示す断面図である。図２および図３に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置１の各画素１００には、小型基板２の素子形成面２１の側に、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用のＴＦＴ１２３と、このＴＦＴ１２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用（駆動用）のＴＦＴ１２４とが形成されている。このようなＴＦＴ１２３、１２４などを形成するために、小型基板２には、ガラス基板からなる基材上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に低温ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１にはソース領域１４１ａおよびドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成され、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。下地保護膜２ｃおよび半導体膜１４１の表面側にはゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成されている。ゲート電極１４３およびゲート絶縁膜１４２の表面側には、透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース・ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されている。第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＴＦＴ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込むＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状に形成されている。画素電極１１１に対しては、コンタクトホール１４５を介してＴＦＴ１２４が接続されている。
【００１９】
さらに、画素１００には、画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれた発光機能層１１０（有機機能層）を備えた有機ＥＬ素子１０１（自発光素子）が形成されている。有機機能層１１０は、例えば、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層と、正孔注入／輸送層上に形成された発光層（有機ＥＬ層）とから構成されている。なお、発光層と陰極１２との間に電子注入／輸送層が形成される場合もある。正孔注入／輸送層は、正孔を発光層に注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入／輸送層内部において輸送する機能を有する。発光層では、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極１２の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素１００は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応しており、このような色の対応は、有機機能層１１０を構成する材料の種類によって規定されている。
【００２０】
本形態の有機ＥＬ表示装置１は、矢印Ｌで示すように、基材と反対側に向けて表示光を出射するトップエミッション型であり、陰極１２は、カルシウム層１２ａとＩＴＯ層１２ｂとから構成され、小型基板２の端子形成領域を除く略全面に形成されている。ＩＴＯ層１２ｂは、発光層１１０が発した光を透過するものである。また、画素電極１１１の下層側には、Ａｌ膜、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなる反射膜１１３が形成されており、発光層１１０から基材の方に向かう光を反射して出射するようになっている。
【００２１】
画素１００には、画素電極１１１の周縁部を取り囲むように隔壁１１２がバンクとして形成されている。隔壁１１２は、有機機能層１１０を形成する際、インクジェット法（液体吐出法）により吐出、塗布される液状組成物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状組成物が均一な厚さで形成される。隔壁１１２は、例えば、基板側に位置する無機物バンク層と、無機物バンク層の上層に形成された有機物バンク層とから構成される。また、小型基板２の素子形成面２１には、水や酸素の侵入を防ぐことによって陰極１２あるいは有機機能層１１０の酸化を防止する封止樹脂４０が形成されている。
【００２２】
このように構成した有機ＥＬ表示装置１において、走査線１３１が駆動されてＴＦＴ１２３がオン状態になると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５の状態に応じて駆動用のＴＦＴ１２４の導通状態が制御される。また、駆動用のＴＦＴ１２４がオン状態になったとき、そのチャネルを介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに、有機ＥＬ素子１０１では、有機機能層１１０を通じて陰極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層１１０が発光する。そして、有機機能層１１０から陰極１２に向けて発した光は、矢印Ｌで示すように、そのまま観測者側に出射される一方、有機機能層１１０から陰極１２とは反対側（基材の側）に向けて発した光は、反射層１１３によって反射され、矢印Ｌで示すように、観測者側に放出される。
【００２３】
（接合構造）
図４は、本形態の有機ＥＬ表示装置１の小型基板２同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。なお、図４には、小型基板２の素子形成面２１については、有機ＥＬ素子１０１と、走査線１３１、信号線１３２あるいは電源線１３３としての配線１３０のみを図示してある。
【００２４】
本形態では、小型基板２を図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように接合するにあたって、４枚の小型基板２のうち、接合部分を挟む２枚の小型基板２を、図４に示すように、一方の小型基板２ａおよび他方の小型基板２ｂとしたとき、一方の小型基板２ａについては、その側端面２６を上向きの順テーパ２６ａとなるように切断してある一方、他方の小型基板２ｂについては、その側端面２６を下向きの逆テーパ２６ｂとなるように切断してあり、このようなテーパを備えた側端面２６同士を接着剤で接合してある。このような側端面２６の形状は、図８（Ａ）を参照して説明した切断工程で、小型基板２の端部に対してブレード４を、例えば４５°の角度に傾ける。
【００２５】
本形態では、一方の小型基板２ａおよび他方の小型基板２ｂは同一の基板厚を有しており、側端面２６同士を接着剤で接合した際、小型基板２ａ、２ｂは、厚さ方向において同一位置にある。
【００２６】
ここで、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す４枚の小型基板２はいずれも、隣接する２辺に相当する部分が、隣接する小型基板２と接合されており、４枚の小型基板２はいずれも、図１（Ｂ）に示すように、２辺に位置する２つの側端面２６がそれぞれ順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂになっている。従って、本形態の有機ＥＬ表示装置１には、４箇所の接合部分のいずれにおいても、図４に示すように、順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとが接合された構造になっている。
【００２７】
以上説明したように、本形態では、小型基板２同士は、順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとによって接合されている。このため、図８（Ｂ）を参照して説明したように、小型基板２をブレード４で切断した際、矢印Ｓで示す走行方向に対するヨーイングによって小型基板２の切断面に凹凸が発生した場合でも、このような凹凸に起因する隙間は、厚さ方向で発生するだけであり、面内方向では発生しない。すなわち、一方の小型基板２ａと他方の小型基板２ｂとの接合面に隙間が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置１を表示光の出射側からみたとき、このような隙間は、他方の小型基板２ｂで覆われるので、目立たない。それ故、接合代を気にする必要がない。
【００２８】
また、小型基板２をブレード４で切断した際、切断位置に誤差が発生した場合でも、小型基板２ａ、２ｂを斜め方向にずらすだけで、面内方向における小型基板２ａ、２ｂの相対位置を調整できる。それ故、接合部分における画素ピッチのずれを最小限に抑えることができる。ここで、小型基板２ａ、２ｂを斜め方向でずらすと、数十μｍの段差が発生するが、このような段差であれば、基板表面の凹凸の大きさと比較して支障がない。
【００２９】
また、本形態では、小型基板２を順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとによって接合するにあたって、４枚の小型基板２のいずれにも順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとを形成してある。それ故、図１（Ｂ）に示すように、対角位置にある小型基板２については、同一の小型基板２を用いることができるので、２種類の小型基板２を準備すればよいという利点がある。
【００３０】
さらに、本形態では、小型基板２ａ、２ｂとして同一の基板厚のものを用い、かつ、小型基板２ａ、２ｂが厚さ方向において同一位置になるように接合してある。従って、小型基板２ａ、２ｂの素子形成面２１とは反対側の面（背面２２）の位置を厚さ方向で一致させることができる。それ故、４枚の小型基板２の背面２２に対して支持基板を接着し、パネル１′の強度を高めることが容易である。
【００３１】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置１の小型基板２同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図であり、図５には、小型基板２の素子形成面２１については、有機ＥＬ素子１０１と、走査線１３１、信号線１３２あるいは電源線１３３としての配線１３０のみを図示してある。なお、本形態の有機ＥＬ表示装置は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分については、説明を省略する。
【００３２】
本形態では、小型基板２を図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように接合するにあたって、図５に示すように、一方の小型基板２ａについては、その側端面２６を上向きの順テーパ２６ａとなるように切断してある一方、他方の小型基板２ｂについては、その側端面２６を下向きの逆テーパ２６ｂとなるように切断してあり、このようなテーパを備えた側端面２６同士を接着剤で接合してある。このような側端面２６の形状は、図８（Ａ）を参照して説明した切断工程で、小型基板２の端部に対してブレード４を、例えば４５°の角度に傾ける。本形態では、一方の小型基板２ａおよび他方の小型基板２ｂは同一の基板厚を有している。
【００３３】
本形態では、小型基板２ａ、２ｂの側端面２６同士を接着剤で接合する際、一方の小型基板２ａを他方の小型基板２ｂの下方に深く潜り込ませてある。このため、小型基板２ａは、小型基板２ａを他方の小型基板２ｂの下方に深く潜り込んでおり、厚さ方向における位置がずれている。すなわち、一方の小型基板２ａと他方の基板２ｂは、平面的な重なりが大きくなる方向に厚さ方向でずれた位置にある。
【００３４】
ここで、４枚の小型基板２はいずれも、隣接する２辺に相当する部分が隣接する小型基板２と接合されているが、本形態では、４枚の小型基板２のうち、対角位置にある２枚の小型基板２については、２辺に位置する２つの側端面２６の両方を順テーパ２６ａとし、他の２枚の小型基板２については、２辺に位置する２つの側端面２６の両方を逆テーパ２６ｂとしてある。従って、本形態の有機ＥＬ表示装置１には、４箇所の接合部分のいずれにおいても、図４に示すように、順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとが接合された構造になっている。また、対角位置にある小型基板２については、同一の小型基板２を用いることができるので、２種類の小型基板２を準備すればよい。
【００３５】
以上説明したように、本形態では、小型基板２は、順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとによって接合されているため、実施の形態１と同様、小型基板２をブレードで切断した際、切断面に発生した凹凸によって小型基板２ａ、２ｂの接合面に隙間が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置１を表示光の出射側からみたとき、このような隙間は、他方の小型基板２ｂで覆われるので、見えない。また、小型基板２をブレード４で切断した際に切断位置に誤差が発生した場合でも、小型基板２ａ、２ｂを斜め方向でずらすだけで、面内方向における小型基板２ａ、２ｂの相対位置を調整できる。
【００３６】
しかも、本形態では、側端面２６を順テーパ２６ａとした一方の小型基板２ａについては、側端面２６を逆テーパ２６ｂとした他方の小型基板２ｂの下方に深く潜り込ませてあるため、小型基板２ａ、２ｂの平面的な重なりが大きい。従って、一方の小型基板２ａの端部に形成されている配線１３０の位置と、他方の小型基板２ｂの端部に形成されている配線１３０の位置とを平面的に重なることができる。それ故、一方の小型基板２ａと他方の基板２ｂとの境界部分の画素ピッチを他の領域の画素ピッチと完全に揃えることができる。
【００３７】
なお、小型基板２ａ、２ｂにおいて厚さ方向で位置をずらすと、表示光が出射される側からみた場合、画素サイズが小さく見える場合がある。このような場合には、小型基板２ａ、２ｂにおいて画素サイズを変えておいてもよい。
【００３８】
［実施の形態３］
図６は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示装置において、小型基板２同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図であり、図６には、小型基板２の素子形成面２１については、有機ＥＬ素子１０１と、走査線１３１、信号線１３２あるいは電源線１３３としての配線１３０のみを図示してある。なお、本形態の有機ＥＬ表示装置は、基本的な構成が実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分については、説明を省略する。
【００３９】
本形態では、小型基板２を図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように接合するにあたって、図６に示すように、一方の小型基板２ａについては、その側端面２６を上向きの順テーパ２６ａとなるように切断してある一方、他方の小型基板２ｂについては、その側端面２６を下向きの逆テーパ２６ｂとなるように切断してあり、このようなテーパを備えた側端面２６同士を接着剤で接合してある。
【００４０】
本形態では、側端面２６を順テーパ２６ａとした一方の小型基板２ａについては、側端面２６を逆テーパ２６ｂとした他方の小型基板２ｂよりも基板厚が薄くなっている。従って、小型基板２ａ、２ｂの側端面２６同士を接着剤で接合する際、一方の小型基板２ａを他方の小型基板２ｂの下方に深く潜り込ませて基板同士の平面的な重なり大きくした状態で、小型基板２ａ、２ｂでは、素子形成面２１とは反対側の面(背面２２)の位置が厚さ方向で一致している。
【００４１】
ここで、４枚の小型基板２は、いずれも、隣接する２辺に相当する部分が隣接する小型基板２と接合されているが、本形態では、４枚の小型基板２のうち、対角位置にある２枚の小型基板２については、一方の基板２ａとして、基板厚が薄く、かつ、２辺に位置する２つの側端面２６の両方を順テーパ２６ａとしてある。これに対して、他の２枚の小型基板２については、他方の基板２ｂとして、基板厚が厚く、かつ、２辺に位置する２つの側端面２６の両方を逆テーパ２６ｂとしてある。従って、本形態の有機ＥＬ表示装置１には、４箇所の接合部分のいずれにおいても、図４に示すように、順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとが接合された構造になっている。また、対角位置にある小型基板２については、同一の小型基板２を用いることができるので、２種類の小型基板２を準備すればよい。
【００４２】
以上説明したように、本形態では、実施の形態１、２と同様、小型基板２は、順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとによって接合されている。このため、小型基板２をブレードで切断した際に切断面に発生した凹凸によって、小型基板２ａ、２ｂの接合面に隙間が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置１を表示光の出射側からみたとき、このような隙間は、他方の小型基板２ｂで覆われるので、見えない。また、小型基板２をブレード４で切断した際、切断位置に誤差が発生した場合でも、小型基板２ａ、２ｂを斜め方向でずらすだけで、面内方向における小型基板２ａ、２ｂの相対位置を調整できる。
【００４３】
また、本形態では、実施の形態２と同様、側端面２６を順テーパ２６ａとした一方の小型基板２ａについては、側端面２６を逆テーパ２６ｂとした他方の小型基板２ｂの下方に深く潜り込ませてあるため、小型基板２ａ、２ｂの平面的な重なりが大きい。従って、一方の小型基板２ａの端部に形成されている配線１３０の位置と、他方の小型基板２ｂの端部に形成されている配線１３０の位置とを平面的に重なることができる。それ故、一方の小型基板２ａと他方の基板２ｂとの境界部分の画素ピッチを他の領域の画素ピッチと完全に揃えることができる。
【００４４】
さらに、本形態では、側端面２６を順テーパ２６ａとした一方の小型基板２ａについては、側端面２６を逆テーパ２６ｂとした他方の小型基板２ｂよりも基板厚が薄くなっているので、一方の小型基板２ａを他方の小型基板２ｂの下方に深く潜り込ませた状態で、小型基板２ａ、２ｂの素子形成面２１とは反対側の面（背面２２）の位置を厚さ方向で一致させることができる。それ故、４枚の小型基板２の背面２２に対して支持基板を接着して、パネル１′の強度を高めることが容易である。
【００４５】
なお、小型基板２ａ、２ｂにおいて厚さ方向で位置をずらすと、表示光が出射される側からみた場合、画素サイズが小さく見える場合がある。このような場合には、小型基板２ａ、２ｂにおいて画素サイズを変えておいてもよい。
【００４６】
［その他の実施の形態］
上記形態では、基材と反対側に向けて表示光を出射するトップエミッション型の小型基板（有機ＥＬ表示装置）を用いた例であったが、基材の側から表示光を出射するボトムエミッション型の小型基板（有機ＥＬ表示装置）を用いた場合、あるいはトップエミッション型の小型基板（有機ＥＬ表示装置）とボトムエミッション型の小型基板（有機ＥＬ表示装置）とを組み合わせて大型の有機ＥＬ表示装置を製作する場合に本発明を適用してもよい。
【００４７】
また、上記実施の形態は、１枚の電気光学装置用基板（小型基板）に電気光学物質を保持した有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例であったが、２枚の電気光学装置用基板（小型基板）の間に電気光学物質を保持したパネルを複数枚、側端面同士を接合させて大型の液晶装置を製作する場合に本発明を適用してもよい。
【００４８】
［電子機器への適用］
本発明を適用した電気光学装置については、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、３０インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに搭載される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図および平面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬ表示装置における画素を拡大して示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。
【図７】従来の有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の問題点の説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、１′  パネル、２  小型基板（電気光学装置用基板）、２ａ  一方の小型基板、２ｂ  他方の小型基板、２６  側端面、２６ａ  上向きの順テーパ、２６ｂ  下向きの逆テーパ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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