(57)【要約】【課題】  ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の書き換え型の光情報記録媒体等の提供。【解決手段】  基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなり、該記録層がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅεを含有し、組成比率（原子％）が、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たし、かつ該記録層が、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタ法により成膜されてなる相変化型光記録媒体である。＜関係式１＞  １／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）  式中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表す。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなり、該記録層がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅεを含有し、組成比率（原子％）が、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たし、かつ該記録層が、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタ法により成膜されてなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
＜関係式１＞
１／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）
ただし、式中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表す。
【請求項２】
成膜ガスがＡｒガスであり、成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）が、５〜２０ｓｃｃｍである請求項１に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
記録層の膜厚が、５〜２０ｎｍである請求項１から２のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
第１保護層及び第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を含有する請求項１から３のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
反射層が、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有する請求項１から４のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項６】
反射層の膜厚が１００ｎｍ以上である請求項１から５のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項７】
第２保護層の膜厚が５〜２０ｎｍである請求項１から６のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項８】
第２保護層と反射層との間にバリア層を有し、該バリア層が硫黄を含まず、ＳｉＣ及びＳｉのいずれかを含有する請求項１から７のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項９】
バリア層の膜厚が２〜１０ｎｍである請求項８に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項１０】
基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなる相変化記録媒体の製造方法において、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅε（ただし、α、β、γ、δ、及びεは、組成比率（原子％）を表す）を含有するターゲットを用い、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタリングを行って記録層を成膜する記録層形成工程を含むことを特徴とする相変化記録媒体の製造方法。
＜関係式１＞
１／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）
ただし、式中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表す。
【請求項１１】
ターゲットにおける組成比率（原子％）が、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たす請求項１０に記載の相変化記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
成膜ガスがＡｒガスであり、成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）が、５〜２０ｓｃｃｍである請求項１０から１１のいずれかに記載の相変化記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
スパッタリング中のチャンバー内のＡｒガス圧が、７．０×１０−３ｍｂａｒ以下である請求項１０から１２のいずれかに記載の相変化記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等に代表される書き換え型の相変化型光記録媒体（以下、「相変化型情報記録媒体」、「光情報記録媒体」、「光記録媒体」と称することもある）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷに代表される書き換え型光記録媒体の最大の特徴は、消去プロセスを踏まないダイレクトオーバーライト（Ｄｏｗ）が可能であることである。
しかし、消去プロセスを含まないため、オーバーライト後の信号特性は記録前の状態に大きく依存し、１回目のダイレクトオーバーライト（Ｄｏｗ１）後の特性向上が課題となっている。また、記録方式が熱的なプロセスによるため、多数回のオーバーライトにより膜の劣化が進行して信号特性が劣化してしまうという課題がある。
【０００３】
前記課題を解決するため、特許文献１〜２１のように数多くの提案がなされているが、これらは、Ａｒガスを主成分としたスパッタガスに窒素や酸素などのガスを数％混合する提案、記録層に混合したガスを反応、又は取り込ませることで記録層材料の組成を変化させて特性を変化させる提案、保護層のスパッタ中のＡｒガスのエネルギーを抑え、保護層にトラップされるＡｒガスを低減させる提案、成膜中の保護層に高エネルギーのＡｒガスが衝突することによる保護層の微小な欠陥を低減させる提案、などが大半であり、いずれも複数回のオーバーライト後による信号特性の劣化を抜本的に解決できるものではなかった。
【０００４】
したがって、記録消去を繰り返すことによる反射率低下、及びジッターの増加を著しく抑制し得、繰り返し記録可能な回数を増大させることができると共に、記録パワーの変動に対するジッターのマージンを拡大できるものではなく、更なる改良が望まれているのが現状である。
【０００５】
【特許文献１】国際公開第９７／０３４２９８号パンフレット
【特許文献２】特開２０００−００６５２４号公報
【特許文献３】特開２０００−０５７６２５号公報
【特許文献４】特開２０００−１７３１１３号公報
【特許文献５】特開２０００−１８２２８６号公報
【特許文献６】特開２００１−０６７７２１号公報
【特許文献７】特開２００２−０９２９７０号公報
【特許文献８】特開２００２−２７９７０３号公報
【特許文献９】特開２００３−００３２２２号公報
【特許文献１０】特開平０５−１５１６１７号公報
【特許文献１１】特開平０６−００４９０４号公報
【特許文献１２】特開平０７−１８２６９４号公報
【特許文献１３】特開平０８−０２２６４４号公報
【特許文献１４】特開平０８−２６７９２５号公報
【特許文献１５】特開平０９−１１５１８１号公報
【特許文献１６】特開平０９−２６３０５５号公報
【特許文献１７】特開平０９−２６５６６１号公報
【特許文献１８】特開平１０−０７９１４５号公報
【特許文献１９】特開平１０−２７５３６０号公報
【特許文献２０】特開平１０−３４０４８９号公報
【特許文献２１】特開平１１−３４８４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、記録消去を繰り返すことによる反射率低下、及びジッターの増加を著しく抑制し得、繰り返し記録可能な回数を増大させることができると共に、記録パワーの変動に対するジッターのマージンを拡大させることができる相変化型光記録媒体及び該相変化型光記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板と、該基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなり、該記録層がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅεを含有し、組成比率（原子％）が、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たし、かつ該記録層が、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタ法により成膜されてなることを特徴とする相変化型光記録媒体である。
＜関係式１＞
１／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）
ただし、式中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表す。
該＜１＞に記載の相変化型記録媒体においては、前記記録層が、上記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタ法により成膜されてなる。その結果、記録消去を繰り返すことによる反射率低下及びジッターの増加を抑制することができ、繰り返し記録可能な回数を増大させることができる。また、記録パワーの変動に対する信号特性のマージンを拡大させることができる。
【０００８】
＜２＞  成膜ガスがＡｒガスであり、成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）が、５〜２０ｓｃｃｍである前記＜１＞に記載の相変化記録媒体である。該＜２＞に記載の相変化型記録媒体においては、成膜ガス流量を５〜２０ｓｃｃｍの範囲とすることで、記録消去を繰り返すことによる反射率低下、ジッターの増加を抑制することができ，繰り返し記録可能な回数を増大させることができる。また、記録パワーの変動に対する信号特性のマージンを拡大させることができる。
【０００９】
＜３＞  記録層の膜厚が、５〜２０ｎｍである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体である。
＜４＞  第１保護層及び第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体である。
＜５＞  反射層が、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体である。
＜６＞  反射層の膜厚が１００ｎｍ以上である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体である。
＜７＞  第２保護層の膜厚が５〜２０ｎｍである前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体である。
＜８＞  第２保護層と反射層との間にバリア層を有し、該バリア層が硫黄を含まず、ＳｉＣ及びＳｉのいずれかを含有する前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体である。
＜９＞  バリア層の膜厚が２〜１０ｎｍである前記＜８＞に記載の相変化型光記録媒体である。
【００１０】
＜１０＞  基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなる相変化記録媒体の製造方法において、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅε（ただし、α、β、γ、δ、及びεは、組成比率（原子％）を表す）を含有するターゲットを用い、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタリングを行って記録層を成膜する記録層形成工程を含むことを特徴とする相変化記録媒体の製造方法である。該＜１０＞に記載の相変化記録媒体の製造方法においては、前記記録層形成工程を含む。前記記録層形成工程においては、スパッタリング中の成膜ガス流量Ｆを適正化することによって、記録消去を繰り返すことによる反射率低下、ジッターの増加を抑制することができ、繰り返し記録可能な回数を増大させることができると共に、記録パワーの変動に対する信号特性のマージンを拡大させることができる光記録媒体を効率よく製造することができる。
＜関係式１＞
１／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）
ただし、式中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表す。
＜１１＞  ターゲットにおける組成比率（原子％）が、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たす前記＜１０＞に記載の相変化記録媒体の製造方法である。
＜１２＞  成膜ガスがＡｒガスであり、成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）が、５〜２０ｓｃｃｍである前記＜１０＞から＜１１＞のいずれかに記載の相変化記録媒体の製造方法である。
＜１３＞  スパッタリング中のチャンバー内のＡｒガス圧が、７．０×１０−３ｍｂａｒ以下である前記＜１０＞から＜１２＞のいずれかに記載の相変化記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、記録消去を繰り返すことによる反射率低下、及びジッターの増加を著しく抑制し、繰り返し記録可能な回数を増大させることができると共に、記録パワーの変動に対するジッターのマージンを拡大させることができる相変化型光記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（相変化型光記録媒体）
本発明の相変化型光記録媒体は、基板と、該基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。この場合、前記相変化型光記録媒体は、第１保護層側からレーザー光を照射して記録再生を行うものである。
【００１３】
−記録層−
前記記録層は、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅεを含有し、組成比率（原子％）が、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たし、０．１≦α≦２．０、２．０≦β≦８．０、６４．０≦γ≦７４．０、１８．０≦δ≦２６．０、０．１≦ε≦４．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０が好ましい。
なお、前記記録層は、更に必要に応じて、その他の元素を含有することができる。その他の元素としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｐｄ、希土類元素、などが挙げられる。
【００１４】
前記記録層は、後述するように、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタ法により成膜される。
＜関係式１＞
１／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）
前記関係式１中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表し、膜組成、成膜ガスの種類などの条件に応じて異なり一概には規定できないが、成膜ガスとしてＡｒガスを用いた場合には、通常３５〜４５ｓｃｃｍである。
【００１５】
前記成膜ガスとしては、Ａｒガスが好適であり、成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）は、５〜２０ｓｃｃｍが好ましく、５〜１５ｓｃｃｍがより好ましい。前記ガス流量が５ｓｃｃｍ未満であると、スパッタリングの放電状態が不安定になり、放電が開始しなかったり、途中で終了したりするなどの異常放電が多発することがあり、２０ｓｃｃｍを超えると、本発明の効果が十分に発揮できなくなることがある。
【００１６】
前記記録層の膜厚は、５〜２０ｎｍが好ましく、１０〜１５ｎｍがより好ましい。前記膜厚が３ｎｍ未満であると、反射率、変調度（記録後の信号振幅）が小さくなることがあり、２０ｎｍを超えると、記録感度が低下する（記録に必要なパワーが大きくなる）ことがある。
【００１７】
次に，本発明の相変化型光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。
ここで、図１は、本発明の相変化型光記録媒体の一例を示す概略断面図であり、基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層４、バリア層５、及び反射層６がこの順に積層されてなる。
【００１８】
−第１保護層及び第２保護層−
前記第１保護層２及び第２保護層４は、前記記録層３の劣化変質を防ぎ、記録層３の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用効果を有し、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。これらの中でも、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が好ましい。前記ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物は、耐熱性、低熱伝導率性、化学的安定性に優れており、膜の残留応力が小さく、記録／消去の繰り返しによっても記録感度、消去比などの特性劣化が起きにくく、記録層との密着性にも優れている点で好ましい。
【００１９】
前記第１保護層２、及び第２保護層４の層形成方法としては、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１保護層２、及び第２保護層４の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、第１保護層の膜厚は５０〜８０ｎｍが好ましく、前記第２保護層の膜厚は１０〜３０ｎｍが好ましい。
【００２０】
−反射層−
前記反射層は光反射層としての役割を果たす一方で、記録時にレーザー光照射により記録層に加わった熱を逃がす放熱層としての役割も担っている。非晶質マークの形成は，放熱による冷却速度により大きく左右されるため，反射層の選択は高線速対応媒体では特に重要である。
【００２１】
前記反射層６は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、又はそれらの合金などを用いることができる。また、これら金属材料への添加元素として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用できる。これらの中でも、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有することが好ましい。それは、前記相変化型光記録媒体を構成する反射層は通常、記録時に発生する熱の冷却速度を調整する熱伝導性の観点と、干渉効果を利用して再生信号のコントラストを改善する光学的な観点から、高熱伝導率／高反射率の金属が望ましく、純Ａｇ又はＡｇ合金はＡｇの熱伝導率が４２７Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、記録時に記録層が高温に達した後直ぐに、アモルファスマーク形成に適した急冷構造を実現できるからである。
なお、このように高熱伝導率性を考慮すると純銀が最良であるが、耐食性を考慮しＣｕを添加しても良い。この場合Ａｇの特性を損なわないためには銅の添加量範囲は０．１〜１０原子％程度が好ましく、特に０．５〜３原子％が好適である。過剰の添加は逆にＡｇの耐食性を劣化させてしまう。
【００２２】
前記反射層６は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記反射層の放熱能力は基本的には層の厚さに比例するが、反射層の膜厚は、１００ｎｍ以上が好ましく、１００〜１５０ｎｍがより好ましい。
【００２３】
なお、前記反射層上には、必要に応じて樹脂保護層を設けることができる。該樹脂保護層は、工程内及び製品となった時点で記録層を保護する作用効果を有し、通常、紫外線硬化性の樹脂により形成する。前記樹脂保護層の膜厚は２〜２０μｍが好ましい。
【００２４】
−バリア層−
前記保護層と前記反射層との間に、硫黄を含まない第３保護層５をバリア層として設けることが好ましい。
第３保護層５の材料としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＺｒＯ２、などが挙げられ、これらの中でも、Ｓｉ又はＳｉＣがバリア性が特に高い点で好ましい。
純Ａｇ又はＡｇ合金を反射層に用いると、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物のような硫黄を含む保護層を用いた場合、硫黄がＡｇへ拡散しディスク欠陥となる不具合が生じてしまう（Ａｇの硫化反応）。従って、このような反応を防止する第３保護層としては、（１）Ａｇの硫化反応を防ぐ、バリア能力があること、（２）レーザー光に対して光学的に透明であること、（３）アモルファスマーク形成のため、熱伝導率が低いこと、（４）保護層や反射層と密着性が良いこと、（５）形成が容易であること、などの観点から適切な材料を選定することが望ましく、上記要件を満たすＳｉ又はＳｉＣを主成分とする材料が第３保護層の構成材料としては好ましい。
【００２５】
前記バリア層の膜厚は、２〜１０ｎｍが好ましく、２〜６ｎｍがより好ましい。前記膜厚が２ｎｍ未満であると、バリア層として機能しなくなることがあり、１０ｎｍを超えると、反射率の低下や記録感度の低下を招くおそれがある。
【００２６】
−基板−
前記基板１の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂、などが用いられるが、成形性、コストの点から、樹脂製基板が好適である。前記樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。成形性、光学特性、コストの点から、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【００２７】
前記基板１の厚みは、特に制限はなく、通常使用するレーザーの波長やピックアップ・レンズの集光特性により決定される。波長７８０ｎｍのＣＤ系では１．２ｍｍの基板厚み、波長６５０〜６６５ｎｍのＤＶＤ系では０．６ｍｍの板厚の基板が用いられている。
【００２８】
なお、情報信号が書き込まれる基板１と貼り合せ用基板とを貼り合わせるための接着層は、ベースフィルムの両側に粘着剤を塗布した両面粘着性のシート、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂により形成する。前記接着層の膜厚は、通常５０μｍ程度である。
【００２９】
前記貼り合せ用基板（ダミー基板）は、接着層として粘着性シート又は熱硬化性樹脂を用いる場合は、透明である必要はないが、接着層に紫外線硬化樹脂用いる場合は紫外線を透過する透明基板とする。前記貼り合せ用基板の厚みは、通常、情報信号を書き込む透明基板１と同じ０．６ｍｍのものが用いられている。
【００３０】
（相変化記録媒体の製造方法）
本発明の相変化記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層をこの順及び逆順のいずれかに積層してなる相変化記録媒体の製造方法において、記録層形成工程を少なくとも含んでなり、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００３１】
−記録層形成工程−
前記記録層形成工程は、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＧｅε（ただし、α、β、γ、δ、及びεは組成比率（原子％）を表す）を含有するターゲットを用い、下記関係式１を満たす成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）でスパッタリングを行って記録層を成膜する工程である。
＜関係式１＞
１／１０Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）≦Ｆ（ｓｃｃｍ）≦１／２Ｆｍａｘ（ｓｃｃｍ）
ただし、式中、Ｆｍａｘは、スパッタリング電力を固定して、成膜ガス流量を徐々に増加させたとき、スパッタリングの成膜速度が最大となるときの成膜ガス流量を表す。
【００３２】
前記ターゲットにおける組成比率（原子％）は、０．０≦α≦７．０、２．０≦β≦１０．０、６４．０≦γ≦９２．０、５．０≦δ≦２６．０、０．０≦ε≦７．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０を満たし、０．１≦α≦２．０、２．０≦β≦８．０、６４．０≦γ≦７４．０、１８．０≦δ≦２６．０、０．１≦ε≦４．０、α＋β＋γ＋δ＋ε≧９７．０が好ましい。
前記成膜ガスとしては、Ａｒガスが好適であり、成膜ガス流量Ｆ（ｓｃｃｍ）が、５〜２０ｓｃｃｍが好ましく、５〜１５ｓｃｃｍがより好ましい。
また、スパッタリング中のチャンバー内のＡｒガス圧は、７．０×１０−３ｍｂａｒ以下が好ましい。前記Ａｒガス圧が７．０×１０−３ｍｂａｒより高い圧力であると、本発明の効果が十分に発揮できなくなることがある。
【００３３】
以上、本発明の相変化型光記録媒体及びその製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更しても差支えない。例えば、成膜の順序が逆になる表面記録型の書換え型情報相変化型光記録媒体、ＤＶＤ系に見られるような貼り合せ用基板に代えて樹脂保護層を介し同一又は異なる相変化型光記録媒体が互いに２枚貼り合わされた相変化型光記録媒体等の場合に対しても適用しうる。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００３５】
（実験例１〜８）
スパッタ装置（Ｂｉｇ  Ｓｐｒｉｎｔｅｒ（Ｕｎａｘｉｓ製、旧社名Ｂａｌｚｅｒｓ製）を用いて、ポリカーボネート樹脂製ＤＶＤ＋ＲＷ用基板上に第１保護層としてのＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を厚みが８０ｎｍになるようにスパッタ法により成膜した。第一誘電体層上にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅを主成分とする記録層を膜厚が２０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。記録層上に第２保護層としてＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を膜厚が３０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。第２保護層上にバリア層としてＳｉＣを厚みが５ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。バリア層上に反射層としてＡｇを厚みが１５０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。
スパッタ成膜終了後、反射層上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、次いで、紫外線硬化して樹脂保護層を３μｍの厚みとなるように形成した。次に、樹脂保護層上にダミー基板を接着シートで貼り合せた。以上により、光記録媒体を作製した。
【００３６】
ここで、前記記録層の成膜は、ターゲットとしてＡｇ０．５Ｉｎ５．０Ｓｂ６８．５Ｔｅ２４．０Ｇｅ２．０を用い、スパッタする際のＡｒガス流量を５〜４０ｓｃｃｍの範囲（Ｆｍａｘ＝４０ｓｃｃｍ）で変化させたときの成膜速度、Ａｒガス圧、及びスパッタ電圧を測定した。結果を表１、図２及び図３に示す。
【００３７】
【表１】
2005267742.tif 000002
【００３８】
また、実験例１、２、４、６、及び８について、記録パワーを１２．０〜１５．０ｍＷの範囲で変化させたときの、オーバーライト後のジッター（％）を調べた。結果を表２及び図４に示す。
【００３９】
【表２】
2005267742.tif 000003
表２及び図４の結果から，Ａｒガス流量が５ｓｃｃｍのサンプルのジッターが最小となり、Ａｒガス流量が少ない程、記録パワー変化、特に高パワー領域に対するマージンが広いことが分かる。
【００４０】
次に、実験例１〜８の光記録媒体について、以下のようにして記録特性の評価を行った。結果（ｎ＝３）を表３、図５及び図６に示す。
【００４１】
＜記録特性の評価＞
波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製、ＤＤＵ−１０００）を用いて、記録線速度８．４ｍ／ｓ（ＤＶＤの２．４倍速に相当）、線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔの条件で、未記録時、初回記録時、１０００回目のダイレクトオーバーライト（Ｄｏｗ１０００）後の反射率、ジッターを測定した。評価結果を表３に示す。
【００４２】
【表３】
2005267742.tif 000004
【００４３】
表３、図５及び図６の結果から、未記録時、初回記録時の反射率に関して、実験例１〜８の光記録媒体に有意差は認められなかった。しかし、オーバーライト１０００回後の反射率において、Ａｒガス流量が多い光記録媒体ほど、反射率の低下が大きいことが認められる。また，ジッターに関しても、Ａｒガス流量が多いディスクほど、高い値を示している。
つまり、Ａｒガス流量が光記録媒体の記録特性、特にオーバーライト特性に大きく影響していると考えられる。
したがって、ＤＶＤ＋ＲＷのジッターの規格（９％以下）を満足し、且つスパッタの安定性（電圧）、生産性（成膜速度）を考慮すると、Ｆｍａｘは４０ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量は、５〜２０ｓｃｃｍに設定することが望ましいことが認められる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の相変化型光記録媒体は、書き換え型の相変化型光記録媒体、例えば、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭに好適であり、動画の相変化型光記録媒体やパーソナルコンピュータの外部記憶媒体などに幅広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、本発明の相変化型光記録媒体の層構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、実験例１〜８におけるＡｒガス流量と成膜速度とスパッタ電圧との関係を示すグラフである。
【図３】図３は、実験例１〜８におけるＡｒガス流量と成膜速度とＡｒガス圧との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、実験例におけるＡｒガス流量を変化させたときの記録パワーとジッターとの関係を示すグラフである。
【図５】図５は、実験例１〜８におけるＡｒガス流量と反射率との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、実験例１〜８におけるＡｒガス流量とジッターとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１      基板
２      第１保護層
３      記録層
４      第２保護層
５      バリア層
６      反射層
１      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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