(57)【要約】【課題】導体層のビア導体との接続位置にビア導体の突き上げがあっても、コンデンサを内層できるようにする。【解決手段】絶縁層Ｓ１〜Ｓ４と導体層Ｍ１〜Ｍ４とを交互に積層し、対向する一対の導体層Ｍ３，Ｍ４と該対向する一対の導体層Ｍ３，Ｍ４間の絶縁層Ｓ４とで構成されるコンデンサＣを備える多層基板１０において、面導体ＭＧと電極導体ＥＣとがコンデンサＣを構成する一対の電極をなし、面導体ＭＧの、突き上げられたビア導体ＶＡとの接続位置に対向する電極導体ＥＣの部分が導体不在部である抜き孔ＴＨとなっている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導体層とを交互に積層し、対向する一対の導体層と該対向する一対の導体層間の絶縁層とで構成されるコンデンサを備える多層基板において、
前記対向する一対の導体層のうち、少なくとも一方の導体層はビア導体に接続されており、前記一方の導体層のビア導体との接続位置に対向する、他方の導体層の部分が導体不在部となっていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記コンデンサを構成する絶縁層の層厚が、前記対向する一対の導体層の層厚よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記コンデンサを構成する絶縁層の層厚が、３μｍ以上、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記コンデンサを構成する絶縁層の層厚に対する、前記ビア導体に接続された前記一方の導体層の突き上げ高さの割合が、４０％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】
前記他方の導体層の導体不在部の径が、前記ビア導体の径に対して１.５以上、３以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
【請求項６】
前記コンデンサは、前記一方の導体層または前記他方の導体層のいずれかがグランド層または電源層に接続されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
【請求項７】
前記コンデンサは、フィルタの一部を構成することを特徴とする請求項６に記載の多層基板。
【請求項８】
前記コンデンサは、アンテナスイッチモジュールのダイプレクサ，ローパスフィルタまたはハイパスフィルタのいずれかの一部を構成することを特徴とする請求項７に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層基板に関し、特に、絶縁層と導体層とを交互に積層し、導体層間を接続するビア導体を備える多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁層と導体層とを交互に積層する多層基板、例えば積層セラミック基板では、焼成後絶縁層となるセラミックグリーンシートよりも厚さの薄いキャリアシートを用い、キャリアフィルム上にセラミックグリーンシートを配置した後、セラミックグリーンシートとキャリアシートに形成されたビアホールをメタルマスクを使用して導体ペーストで穴埋めしたセラミックグリーンシートを積層し、積層セラミック基板が作成されていた。上述のセラミックグリーンシートは、キャリアシート厚みだけビア導体がセラミックグリーンシート積層体の表面から突き上げているため、複数のセラミックグリーンシートを積層し焼成すると、積層セラミック基板の表面にビア導体が突き上げてしまうといった不具合が生じていた。例えば、セラミックグリーンシートが３０μｍ、キャリアシートが４０μｍの場合、焼成後にビア導体の突き上げが２０〜２５μｍとなっていた。このため、ビア導体表面のメッキ性を損なったり、積層セラミック基板表面の平坦性が損なわれ回路部品を実装する際の妨げになったりしやすかった。また、絶縁間の距離が著しく異なってくるので、最悪の場合にはショートを起こしていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−８７９１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した従来の多層基板では、ビア導体と接続するようにコンデンサを多層基板内に内層する場合、コンデンサを形成する一方の導体層のビア導体との接続位置に対応して絶縁層を介して他方の導体層を設けると、ビア導体の突き上げのために絶縁層の厚みがばらつき、コンデンサの特性（容量値）が変化したり、絶縁層の割れ（クラック）や焼成時の金属（銀、銅等）の拡散でショートが発生したりして、コンデンサを含む多層基板の信頼性が損なわれるという問題点があった。
【０００４】
このため、従来は、一方の導体層のビア導体との接続位置と対向する位置を避けて他方の導体層を配置することによりコンデンサを内層していたが、このことが多層基板の設計上の制約となったり、多層基板の小型化および低背化の制約となったりするという問題点があった。
【０００５】
本発明は、前記問題点を解決するもので、一方の導体層のビア導体との接続位置にビア導体の突き上げがあっても、容易にコンデンサを内層できる多層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
かかる目的を達成するためになされた請求項１に係る多層基板は、絶縁層と導体層とを交互に積層し、対向する一対の導体層と該対向する一対の導体層間の絶縁層とで構成されるコンデンサを備える多層基板において、前記対向する一対の導体層のうち、少なくとも一方の導体層はビア導体に接続されており、前記一方の導体層のビア導体との接続位置に対向する、他方の導体層の部分が導体不在部となっている構成である。この構成により、一方の導体層のビア導体との接続位置にビア導体の突き上げがあってもコンデンサを内層することができ、絶縁層の厚みのばらつきを抑えることができるとともに、多層基板の小型化および低背化を図ることができる。さらに、このことが、多層基板の設計上の制約を取り除き、多層基板の設計を容易化する。
【０００７】
また、ビア導体の突き上げにより、コンデンサの電極間距離が局所的に小さくなると、当該位置での静電容量が過度に増大して、設計通りの静電容量が得られなくなる場合がある。しかし、導体不在部の形成によりこうした不具合を相当程度軽減することができる。コンデンサの静電容量は電極面積に比例し、電極間距離には逆比例するので、導体不在部が突き上げ防止に必要な適性面積にとどまる限り、導体不在部形成による静電容量への影響は、突き上げにより電極同士が接近する場合の逆比例的な容量増加の影響よりも、導体不在部形成による容量減少の影響の方がはるかに小さくて済む。また、導体不在部の内周縁部においては、対向電極の突き上げにより電極間距離が縮小されるので、それによる容量補償を考慮すれば、上記導体不在部による静電容量への影響は少なく済む可能性がある。
【０００８】
請求項２に係る多層基板は、請求項１に記載の多層基板において、前記コンデンサを構成する絶縁層の層厚が、前記コンデンサを構成する導体層の層厚よりも薄い構成である。このような構成の場合、一方の導体層と他方の導体層との間の薄い絶縁層が割れたり、ショートしたりしやすくなるので、本発明が適用された場合は好適となる。
【０００９】
請求項３に係る多層基板は、請求項１または請求項２に記載の多層基板において、前記コンデンサを構成する絶縁層の層厚が、３μｍ以上、３０μｍ以下である構成である。絶縁層の層厚が３μｍ未満では導体不在部があっても導体層間のショートを防止することが困難になる一方、３０μｍを超えるときには導体不在部があるためにコンデンサとしての十分な特性を得ることが難しくなる。
【００１０】
請求項４に係る多層基板は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板において、前記絶縁層の層厚に対する、前記ビア導体に接続された前記一方の導体層または前記他方の導体層の突き上げ高さの割合が、４０％以上、８０％以下である構成である。絶縁層の層厚に対する導体層の突き上げ高さの割合が４０％未満であれば、必ずしも導体不在部を設けなくとも導体層間での絶縁層の割れやショートを防止できる一方、８０％より大きければ導体不在部を設けても導体層間での絶縁層の割れやショートを効果的に防止することは困難になる。
【００１１】
請求項５に係る多層基板は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板において、前記他方の導体層の導体不在部の径が、前記ビア導体の径に対して１.５以上、３以下である構成である。導体不在部の径がビア導体の径に対して１.５未満であれば、導体不在部を設けても導体層間での絶縁層の割れやショートを防止することが難しくなる一方、導体不在部の径がビア導体の径に対して３より大きければ、導体不在部があるためにコンデンサとしての十分な特性を得ることが難しくなる。
【００１２】
請求項６に係る多層基板は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板において、前記一方の導体層と前記他方の導体層とによって構成されるコンデンサが、前記一方の導体層または前記他方の導体層のいずれかがグランド層または電源層に接続されている構成である。多層基板のグランド層または電源層は、多層基板内において層内占有面積率の大きい面導体として形成されるので、コンデンサを構成する一対の導体層のいずれか一方を該面導体に兼用させることで、多層基板のコンパクト化を図ることができる。この場合、該面導体は、ストリップラインやマイクロストリップラインのシールド用導体として使用されることが多い。このとき、該面導体での導体不在部の形成により、ビア導体による該面導体の突き上げを防止ないし抑制できるので、仮にコンデンサの一方の導体層が対向しているのと反対側において、該面導体の導体不在部の近傍に配線部が配置されていても、該面導体との間の容量性結合が過度に増大したり、短絡を生じたりする不具合が生じ難くなる。よって、コンデンサの一方の導体層側のビア導体配置をそれ程気にすることなく配線レイアウトを設定でき、基板設計の自由度を増すことができる。
【００１３】
請求項７に係る多層基板は、請求項６に記載の多層基板において、前記コンデンサが、フィルタの一部を構成する。フィルタを構成するコンデンサは、多層基板に内層させるコンデンサとして好適である。本発明の採用により、コンデンサの静電容量を設計通りの静電容量を有するものとして構成しやすくなり、フィルタ特性（特に、カットオフ周波数や利得などの通過特性）を容易に確保できる。
【００１４】
請求項８に係る多層基板は、請求項７に記載の多層基板において、前記コンデンサが、アンテナスイッチモジュールのダイプレクサ，ローパスフィルタまたはハイパスフィルタのいずれかの一部を構成する。アンテナスイッチモジュールのダイプレクサ，ローパスフィルタまたはハイパスフィルタは、グランド層に接続されていて電荷をグランドに逃がす機能があるので、本発明の適用対象として適している。特に、本発明を送信側のローパスフィルタの接地に落ちるコンデンサに適用したとき、該ローパスフィルタの通過特性が向上することで、送信信号の高調波等の減衰効果が高められる。なお、受信側はダイプレクサでの受信信号の高調波等の減衰特性が多少悪くても、受信回路側のバンドごとのＳＡＷフィルタ等でなる使用周波数抽出用バンドパスフィルタ回路により切り分けられるので、それ程神経質にならなくてよいという事情があるが、送信信号の場合はこうした事情がないので、本発明の効果がより一層高まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例に係る多層基板について図面を参照しながら説明する。
【実施例】
【００１６】
図１（ｂ）は、本発明の実施例に係る多層基板１０に内層されたコンデンサＣの部分を取り出して示す拡大断面図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）中の導体不在部である抜き孔ＴＨ付きの電極導体ＥＣを示す斜視図である。本発明の実施例に係る多層基板１０は、絶縁層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と導体層Ｍｌ，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４とが交互に積層されて構成されており、コンデンサＣは、３層の絶縁層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を貫通するビア導体ＶＡに接続された面導体ＭＧと、該面導体ＭＧに絶縁層Ｓ４を介して対向するように配設された抜き孔ＴＨ付きの電極導体ＥＣとから形成されている。すなわち、面導体ＭＧにはビア導体ＶＡが接続されており、面導体ＭＧの、突き上げられたビア導体ＶＡとの接続位置に対向する電極導体ＥＣの部分が導体不在部である抜き孔ＴＨとなっている。面導体ＭＧは、ビア導体ＶＡを介してグランド層（図示せず）または電源層（図示せず）に接続されている。なお、図１（ａ）では、導体不在部を抜き孔ＴＨとしたが、導体不在部の形態は抜き孔に限られるものではなく、切り欠き等の他の形態であってもよい。また、導体不在部の形状も円形に限られるものではなく、四角形，三角形等の他の形状であってもよい。
【００１７】
絶縁層Ｓ４の層厚Ｈが、対向する面導体ＭＧおよび電極導体ＥＣの層厚よりも薄いときには、電極導体ＥＣに抜き孔ＴＨが設けられることが望ましい。絶縁層Ｓ４の層厚Ｈが薄い場合、面導体ＭＧと電極導体ＥＣとの間の薄い絶縁層が割れたり、ショートしたりしやすくなるからである。
【００１８】
具体的には、絶縁層Ｓ４の層厚Ｈが、３μｍ以上、３０μｍ以下であるときには、電極導体ＥＣに抜き孔ＴＨが設けられることが望ましい。絶縁層Ｓ４の層厚Ｈが３μｍ未満では、抜き孔ＴＨを設けても、面導体ＭＧと電極導体ＥＣとの間での絶縁層Ｓ４の割れやショートを防止することが困難になる一方、３０μｍを超えるときには、抜き孔ＴＨがあるためにコンデンサＣとしての十分な特性を得ることが難しくなる。
【００１９】
また、絶縁層Ｓ４の層厚Ｈに対する、ビア導体ＶＡに接続された面導体ＭＧの突き上げ高さｈ（面導体ＭＧの最も低い表面位置と最も高い表面位置との高低差）の割合ｈ／Ｈは、４０％以上、８０％以下であることが望ましい。割合ｈ／Ｈが４０％未満であれば、必ずしも抜き孔ＴＨを設けなくても、面導体ＭＧと電極導体ＥＣとの間での絶縁層Ｓ４の割れやショートを防止することができる。一方、割合ｈ／Ｈが８０％より大きければ、抜き孔ＴＨを設けても、面導体ＭＧと電極導体ＥＣとの間での絶縁層Ｓ４の割れやショートを防止することが難しくなる。
【００２０】
さらに、電極導体ＥＣの抜き孔ＴＨの径Ｄが、ビア導体ＶＡの径ｄに対して１.５以上、３以下であることが望ましい。抜き孔ＴＨの径Ｄがビア導体ＶＡの径ｄに対して１.５未満であれば、抜き孔ＴＨを設けても、面導体ＭＧと電極導体ＥＣとの間での絶縁層Ｓ４の割れやショートを防止することが難しくなる。一方、抜き孔ＴＨの径Ｄがビア導体ＶＡの径ｈに対して３より大きければ、抜き孔ＴＨがあるためにコンデンサＣとしての十分な特性を得ることが難しくなる。
【００２１】
次に、このように構成された本実施例に係る多層基板１０の製造方法について説明する。
【００２２】
まず、セラミック原料粉末と、有機バインダ，溶媒等とを用いて調製したスラリーを作製し、ドクターブレード法等のシート成形法によりセラミックグリーンシートを成形する。なお、セラミック原料粉末は、低温同時焼成セラミックの場合はアルミナおよびホウ酸・珪酸ガラスの混合物、セラミックの場合はアルミナ等でなる。
【００２３】
次に、セラミックグリーンシートにビアホールを穿設し、このビアホールに金属ペーストを充填し乾燥させて焼成前のビア導体ＶＡを形成する。さらに、セラミクグリンシートの表面に金属ペーストを用いて配線パターンと成る導体層Ｍｌを厚膜印刷して乾燥させ、ビア導体ＶＡと導体層Ｍｌとが接続された絶縁層Ｓ１となるセラミックグリーンシートを形成する。同様にして、絶縁層Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４となるセラミックグリーンシートを形成する。
【００２４】
続いて、絶縁層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４となるセラミックグリーンシートを、積層してセラミックグリーンシート積層体（以下、単に積層体という）とし、この積層体を水蒸気と窒素ガスとの混合雰囲気中において、数１００℃の温度で脱バインダ処理を行って金属ペーストおよびセラミックグリーンシートに含有される有機成分を除去し、略１０００℃に昇温して焼成を行う。
【００２５】
これにより、絶縁層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と導体層Ｍｌ，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４とを交互に積層し、面導体ＭＧおよび抜き孔ＴＨ付きの電極導体ＥＣと、面導体ＭＧおよび電極導体ＥＣ間の絶縁層Ｓ４とで構成されるコンデンサＣを備える多層基板１０が作製される。コンデンサＣは、ビア導体ＶＡとの接続位置で突き上げられた面導体ＭＧと、抜き孔ＴＨ付の電極導体ＥＣとが絶縁層Ｓ４を介して対向することにより形成される。
【００２６】
本実施例によれば、面導体ＭＧのビア導体ＶＡとの接続位置にビア導体ＶＡの突き上げがあってもコンデンサＣを内層することができ、絶縁層Ｓ４の厚みのばらつきを抑えることができるとともに、多層基板１０の小型化および低背化を図ることができる。さらに、このことが、多層基板１０の設計上の制約を取り除き、多層基板１０の設計を容易化する。
【００２７】
さらに、面導体ＭＧは、多層基板１０内において層内占有面積率の大きい面導体として形成されるので、コンデンサＣを構成する一方の電極を面導体ＭＧと兼用させることで、多層基板１０のコンパクト化を図ることができる。
【００２８】
なお、図１（ａ）および（ｂ）においては、ビア導体ＶＡと接続する導体を面導体ＭＧとし、面導体ＭＧのビア導体ＶＡとの接続位置で対向する導体を電極導体ＥＣとしたが、ビア導体ＶＡと接続する導体を電極導体ＥＣとし、電極導体ＥＣの、突き上げられたビア導体ＶＡとの接続位置で対向する導体を面導体ＭＧとすることができる。この場合には、導体不在部である抜き孔ＴＨが、電極導体ＥＣ側ではなしに、面導体ＭＧ側に穿設されることはいうまでもない。
【００２９】
また、図１（ａ）および（ｂ）においては、多層基板１０として、多層セラミック基板を例にとって説明したが、本発明は、多層オーガニック基板等においても同様に適用することができる。ただし、多層オーガニック基板の場合には、絶縁層は、セラミックの焼成で形成されるのではなく、例えば、ＢＴレジン（登録商標）等の有機樹脂で形成され、オーガニック導体層は、導体ペーストの厚膜印刷によって形成されるのではなく、例えば、ニッケル等の金属メッキで形成されることになる。
【００３０】
次に、本発明の実施例に係る多層基板１０が適用される具体例について説明する。
【００３１】
ここでは、本発明の実施例に係る多層基板１０を、携帯電話機等で用いられるアンテナスイッチモジュールに適用した場合を例にして説明する。なお、アンテナスイッチモジュールを例にとったのは、ダイプレクサ，ローパスフィルタ，ハイパスフィルタ等の特性に、コンデンサの容量値が大きく影響するからである。
【００３２】
図２は、アンテナスイッチモジュール２の一例を示す回路図である。アンテナスイッチモジュール２は、第一送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ａ，第二送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ｂと、スイッチ回路２２Ａ，２２Ｂと、分波回路２４とから、その主要部が構成されている。なお、図２中、符号２０Ａ，２０Ｂは使用周波数抽出用バンドパスフィルタ回路、ＡＮＴはアンテナ側入出力端子、ＲＸ１，ＲＸ２は受信出力端子、ＴＸ１，ＴＸ２は送信入力端子、ＶＣ１，ＶＣ２はスイッチ制御用信号端子を、それぞれ示す。
【００３３】
アンテナスイッチモジュール２は、アンテナ（図示せず）に接続して使用されるものであり、アンテナ受信信号とアンテナ送信信号との入出力に共用されるアンテナ側入出力端子ＡＮＴを有する。アンテナ側入出力端子ＡＮＴからのアンテナ受信信号（ａ）は、分波回路２４において低域側分波受信信号（ｂ）と高域側分波受信信号（ｃ）とに分波される。このうち、高域側分波受信信号（ｃ）は、ハイパスフィルタ回路２６により抽出・分波され、低域側分波受信信号（ｂ）は、同じく分波回路側ローパスフィルタ回路２５により抽出・分波される。
【００３４】
分波回路側ローパスフィルタ回路２５は、一次ローパスフィルタ回路機能の要部をなすコンデンサＣ１０７と、これに並列に接続されるコンデンサＣ１０８およびコイルＬ１０６とを含む。コンデンサＣ１０８およびコイルＬ１０６は、通過帯域より高周波側に減衰極を生じさせる並列ＬＣ共振型バンドリジェクトフィルタ回路を構成する。
【００３５】
ハイパスフィルタ回路２６は、一次ハイパスフィルタ回路機能の要部をなすコンデンサＣ２０７，Ｃ２０８と、これに並列に接続されるコンデンサＣ２０９およびコイルＬ２０６とを含む。コンデンサＣ２０９およびコイルＬ２０６は、通過帯域より低周波側に減衰極を生じさせる直列ＬＣ共振型バンドパスフィルタ回路を構成する。
【００３６】
分波回路２４からの各周波数帯域の分波受信信号（ｂ）および（ｃ）は、アンテナ（図示せず）に向かう各周波数帯域の送信信号との間で、対応するスイッチ回路２２Ａ，２２Ｂにより切り換えられる。具体的には、送信入力端子ＴＸ１（低域側），ＴＸ２（高域側）につながる送信入力用信号伝送経路１０９，１１０が、アンテナ側入出力端子ＡＮＴにつながるアンテナ用信号伝送経路１１１，１１２と、受信出力端子ＲＸ１（低域側），ＲＸ２（高域側）につながる受信出力用信号伝送経路１１３，１１４とに、スイッチ回路２２Ａ，２２Ｂを介して切り替え可能に接続されている。
【００３７】
第一送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ａは、コンデンサＣ１０１〜Ｃ１０３と、コイルＬ１０１とにより、分波回路側ローパスフィルタ回路２５と同様に構成されている。送信入力端子ＴＸ１を介して入力される低域側送信信号は、高調波等を含む高周波側のノイズ成分を第一送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ａにて除去された後、スイッチ回路２２Ａに入力される。
【００３８】
第二送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ｂも、コンデンサＣ２０１〜Ｃ２０３と、コイルＬ２０１とにより、分波回路側ローパスフィルタ回路２５と同様に構成されている。送信入力端子ＴＸ２を介して入力される低域側送信信号も、高調波等を含む高周波側のノイズ成分を第二送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ｂにて除去した後、スイッチ回路２２Ｂに入力される。
【００３９】
スイッチ回路２２Ａ，２２Ｂは、受信回路（図示せず）側へ低域側分波受信信号（ｂ）および高域側分波受信信号（ｃ）をそれぞれ出力する受信出力端子ＲＸ１，ＲＸ２と、送信回路（図示せず）からの送信信号が入力される送信入力端子ＴＸ１，ＴＸ２とに接続し、アンテナ側入出力端子ＡＮＴに対する受信出力端子ＲＸ１，ＲＸ２と送信入力端子ＴＸ１，ＴＸ２との接続を切り換えるものである。
【００４０】
スイッチ回路２２Ａは、基本的にストリップライン共振子を内蔵したダイオードスイッチとして構成されている。スイッチ機能の要部を担うのは、送信入力端子ＴＸ１から見て、アンテナ側入出力端子ＡＮＴおよび受信出力端子ＲＸ１に各々向かう経路の分岐点Ａよりも上段に配置されたスイッチングダイオードＤ１と、受信出力端子ＲＸ１側において分岐点Ａよりも下段に配置された、ストリップライン共振子を構成するコイルＬ１０４および共振用ダイオードＤ２とである。
【００４１】
スイッチングダイオードＤ1は、例えばＰＩＮ（P-Intrinsic-N）ダイオードで構成され、順方向バイアス電圧の印加レベルにより、高周波可変抵抗素子として機能するものである。すなわち、スイッチ制御用信号端子ＶＣ１に、該スイッチ制御用信号端子ＶＣ１側が高電圧となるように信号電圧差を与えると、スイッチングダイオードＤ1は高周波に対し低インピーダンス状態となり、送信入力信号がアンテナ側入出力端子ＡＮＴ側へ流れることが許容される。このとき、共振用ダイオードＤ２の接合容量がストリップライン共振子の共振条件に適合する値となるように、スイッチ制御用信号端子ＶＣ１との信号電圧を調整すれば、該共振子の動作により分岐点Ａのインピーダンスが高くなり、送信入力信号が受信出力端子ＲＸ１側に流れることが阻止される。一方、スイッチ制御用信号端子ＶＣ１の信号電圧を十分に小さくすれば、スイッチングダイオードＤ1は高周波に対し高インピーダンス状態となり、送信入力信号がアンテナ側入出力端子ＡＮＴ側へ流れることが阻止される。このとき、コイルＬ１０４および共振用ダイオードＤ２からなるストリップライン共振子も動作しないから、分岐点Ａのインピーダンスは低くなる。その結果、アンテナ側入出力端子ＡＮＴからの受信入力信号は、分岐点Ａを経て受信出力端子ＲＸ１に流れることが許容される。このように、ＶＣ１の信号電圧を調整することにより、アンテナ側入出力端子ＡＮＴに対する受信出力端子ＲＸ１と送信入力端子ＴＸ１との接続を切り換えることができる。
【００４２】
なお、コイルＬ1は直流成分除去用のチョークコイルである。コンデンサＣ５は端子ＶＣ１に入力されるスイッチ制御用信号のノイズ除去用である。また、コンデンサＣ２,Ｃ３は、直流成分除去用のものである。他方、抵抗Ｒ１は、スイッチングダイオードＤ1の抵抗変化が順方向電流値によって決まるため、該順方向電流値をスイッチング動作に適合させるための調整用抵抗として設けられたものである。
【００４３】
スイッチ回路２２Ｂも、基本的にストリップライン共振子を内蔵したダイオードスイッチとして構成されている。スイッチ機能の要部を担うのは、送信入力端子ＴＸ２から見て、アンテナ側入出力端子ＡＮＴおよび受信出力端子ＲＸ２に各々向かう経路の分岐点Ａよりも上段に配置されたスイッチングダイオードＤ３と、受信出力端子ＲＸ２側において分岐点Ａよりも下段に配置された、ストリップライン共振子を構成するコイルＬ２０４および共振用ダイオードＤ４とである。スイッチ回路２２Ｂも、スイッチ回路２２Ａと同様に動作するので、その詳しい説明を省略する。
【００４４】
なお、コイルＬ３は直流成分除去用のチョークコイルである。コンデンサＣ１０は端子ＶＣ２に入力されるスイッチ制御用信号のノイズ除去用である。また、コンデンサＣ７,Ｃ８は、直流成分除去用のものである。他方、抵抗Ｒ２は、スイッチングダイオードＤ３の抵抗変化が順方向電流値によって決まるため、該順方向電流値をスイッチング動作に適合させるための調整用抵抗として設けられたものである。
【００４５】
図２に示したアンテナスイッチモジュール２は、表面実装素子を除いて、図３および図４に示すように、導体よりなる導体層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，…と、高分子材料あるいはセラミックよりなる絶縁層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，…とにより、多層基板１０内に作り込む（内層する）ことができる。例えば、抵抗器は、蛇行した細長い導電体層パターンにより形成できる。コンデンサは、絶縁層を間に挟む形で対向する電極導体により形成できる。さらに、コイルは、複数の絶縁層にまたがる巻線パターンをビア導体により接続する形で形成できる。なお、多層基板１０が、絶縁層の原料となるセラミックグリーンシート上に導電性ペーストを用いて導体層を厚膜印刷し、積層して焼成する方法により製造されることは、図１（ａ）および（ｂ）で既に説明したので、ここではその説明を省略する。
【００４６】
図３は、本実施例に係る多層基板１０を、図２のアンテナスイッチモジュール２に適用した場合におけるコンデンサＣ２０９の部分での断面図である。
【００４７】
図４は、本実施例に係る多層基板１０を、図２のアンテナスイッチモジュール２に適用した場合におけるコンデンサＣ１０３の部分での断面図である。
【００４８】
図５ないし図８は、図３および図４中の導体層Ｍ１〜Ｍ４における導体パターンをそれぞれ示す平面図である。なお、導体層Ｍ５以上の上位層における導体パターンおよび絶縁層Ｓ１の下面（すなわち多層基板１０の下面）における導体パターンについては、本発明とは直接関係ないので、図示および説明を省略する。
【００４９】
図５を参照すると、絶縁層Ｓ１上の導体層Ｍ１には、面積が広く、かつビア導体ＶＡ１によってグランド層（図示せず）または電源層（図示せず）に接続された面導体ＭＧ１が形成されている。この面導体ＭＧ１は、図２中のコンデンサＣ２０９の一方の電極をなすものであり、他方の電極をなす電極導体ＥＣ２との対向位置に抜き孔ＴＨ１が穿設されている。
【００５０】
図６を参照すると、絶縁層Ｓ２上の導体層Ｍ２には、多数の電極導体および配線導体が形成されているが、そのうちの１つが図２中のコンデンサＣ２０９の他方の電極をなす電極導体ＥＣ２となっている。電極導体ＥＣ２は、図６中の「×」位置で、突き上げられた（図３では突き下げられた）ビア導体ＶＡ１と接続している。
【００５１】
図３，図５および図６を併せて考えると、多層基板１０には、ビア導体ＶＡ１との接続位置で突き上げられた電極導体ＥＣ２が、絶縁層Ｓ２を介して、抜け孔ＴＨ１付きの面導体ＭＧ１と対向することにより、コンデンサＣ２０９が形成されている。図２からも分かるように、直列ＬＣ共振型バンドパスフィルタ回路を構成するコンデンサＣ２０９は、グランドに短絡される構成となっており、面導体ＭＧ１がコンデンサＣ２０９のグランドに短絡される側の電極導体を兼ねているので、多層基板１０でなるアンテナスイッチモジュール２のコンパクト化に寄与している。この場合、該面導体ＭＧ１は、ストリップラインやマイクロストリップラインのシールド用導体として使用されることが多い。このとき、面導体ＭＧ１での抜き孔ＴＨ１の形成により、ビア導体ＶＡ１による面導体ＭＧ１の突き上げを防止ないし抑制できるので、仮にコンデンサＣ２０９の電極導体ＥＣ２が対向しているのと反対側において、抜き孔ＴＨ１の近傍に配線導体が配置されていても、面導体ＭＧ１との間の容量性結合が過度に増大したり、短絡を生じたりする不具合が生じ難くなる。よって、コンデンサＣ２０９の電極導体ＥＣ２側のビア導体ＶＡ１の配置をそれ程気にすることなく配線レイアウトを設定でき、基板設計の自由度を増すことができる。また、図３からも分かるように、面導体ＭＧ１，ＭＧ３間に電極導体ＥＣ２が挟み込まれるように形成されている、換言すれば、電極導体ＥＣ２の両面側に面導体ＭＧ１，ＭＧ３が対向して配置されているので、面積が小さくとも比較的容量の大きなコンデンサＣ２０９が実現でき、多層基板１０でなるアンテナスイッチモジュール２のコンパクト化の効果をさらに高めている。
【００５２】
図７を参照すると、絶縁層Ｓ３上の導体層Ｍ３には、面積が広く、かつビア導体ＶＡ２によってグランド層（図示せず）または電源層（図示せず）に接続された面導体ＭＧ３が形成されている。この面導体ＭＧ３は、図２中のコンデンサＣ１０３の一方の電極をなすものであり、他方の電極をなす電極導体ＥＣ４（図８参照）との対向位置に抜き孔ＴＨ３が穿設されている。
【００５３】
図８を参照すると、絶縁層Ｓ４上の導体層Ｍ４には、幾つかの電極導体および配線導体が形成されているが、そのうちの１つが図２中のコンデンサＣ１０３の他方の電極をなす電極導体ＥＣ４となっている。電極導体ＥＣ４は、図８中の「×」位置で、突き上げられた（図４では突き下げられた）ビア導体ＶＡ２と接続している。
【００５４】
図４，図７および図８を併せて考えると、多層基板１０には、ビア導体ＶＡ２との接続位置で突き上げられた電極導体ＥＣ４が、絶縁層Ｓ４を介して、抜け孔ＴＨ３付きの面導体ＭＧ３と対向することにより、コンデンサＣ１０３が形成されている。図２からも分かるように、並列ＬＣ共振型バンドパスフィルタ回路を構成するコンデンサＣ１０３は、グランドに短絡される構成となっており、面導体ＭＧ３がコンデンサＣ２０９のグランドに短絡される側の電極導体を兼ねているので、多層基板１０でなるアンテナスイッチモジュール２のコンパクト化に寄与している。この場合、該面導体ＭＧ３は、ストリップラインやマイクロストリップラインのシールド用導体として使用されることが多い。このとき、面導体ＭＧ３での抜き孔ＴＨ３の形成により、ビア導体ＶＡ２による面導体ＭＧ３の突き上げを防止ないし抑制できるので、仮にコンデンサＣ１０３の電極導体ＥＣ４が対向しているのと反対側において、抜き孔ＴＨ３の近傍に配線導体が配置されていても、面導体ＭＧ３との間の容量性結合が過度に増大したり、短絡を生じたりする不具合が生じ難くなる。よって、コンデンサＣ１０３の電極導体ＥＣ４側のビア導体ＶＡ２の配置をそれ程気にすることなく配線レイアウトを設定でき、基板設計の自由度を増すことができる。また、本発明を第一送信入力用ローパスフィルタ回路２１Ａの接地に落ちるコンデンサＣ１０３に適用したので、該ローパスフィルタ回路２１Ａの通過特性が向上することで、送信信号の高調波等の減衰効果が高められる。
【００５５】
ところで、上記実施例では、コンデンサＣ２０９およびＣ１０３を、ビア導体との接続位置で突き上げられた電極導体が絶縁層を介して抜け孔付きの面導体と対向することにより形成されたコンデンサとして説明したが、コンデンサＣ２０９およびＣ１０３は単なる一例であって、本発明が適用されるコンデンサがこれらのコンデンサに限られるわけではない。本発明を適用すれば、多層基板１０に内層される任意のコンデンサを、ビア導体との接続位置で突き上げられた一方の導体層が絶縁層を介して導体不在部付きの他方の導体層と対向することにより形成されるコンデンサとすることができる。
【００５６】
なお、以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）は抜き孔付きの電極導体を示す斜視図、（ｂ）は本発明の実施例に係る多層基板に内層されたコンデンサの部分を取り出して示す拡大断面図。
【図２】本発明の実施例に係る多層基板が適用されるアンテナスイッチモジュールの一例を示す回路図。
【図３】本実施例に係る多層基板を、図２のアンテナスイッチモジュールに適用した場合におけるコンデンサＣ２０９の部分での断面図。
【図４】本実施例に係る多層基板を、図２のアンテナスイッチモジュールに適用した場合におけるコンデンサＣ１０３の部分での断面図。
【図５】本発明の実施例に係る多層基板を、図２のアンテナスイッチモジュールに適用した場合における導体層Ｍ１のレイアウト図。
【図６】本発明の実施例に係る多層基板を、図２のアンテナスイッチモジュールに適用した場合における導体層Ｍ２のレイアウト図。
【図７】本発明の実施例に係る多層基板を、図２のアンテナスイッチモジュールに適用した場合における導体層Ｍ３のレイアウト図。
【図８】本発明の実施例に係る多層基板を、図２のアンテナスイッチモジュールに適用した場合における導体層Ｍ４のレイアウト図。
【符号の説明】
【００５８】
２  アンテナスイッチモジュール
１０  多層基板
２１Ａ，２１Ｂ  ローパスフィルタ回路
２２Ａ，２２Ｂ  スイッチ回路
２４  分波回路
２５  ローパスフィルタ回路
２６  ハイパスフィルタ回路
Ｃ，Ｃ１０３，Ｃ２０９  コンデンサ
ＥＣ，ＥＣ２，ＥＣ４  電極導体
Ｍ１〜Ｍ４  導体層
ＭＧ，ＭＧ１，ＭＧ３  面導体
Ｓ，Ｓ１〜Ｓ４  絶縁層
ＴＨ，ＴＨ１，ＴＨ３  抜き孔（導体不在部）
ＶＡ，ＶＡ１，ＶＡ２  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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