(57)【要約】【課題】  半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】  半導体チップをタブ上に搭載し、タブの周囲に交互に配置されたリード４，５と半導体チップの電極とをボンディングワイヤを介して電気的に接続し、半導体チップおよびボンディングワイヤを封止する封止樹脂部２を形成したＱＦＮパッケージ形態の半導体装置において、封止樹脂部２の裏面２ａではリード４の下部露出面４ｂが封止樹脂部２の裏面２ａの外周部で露出しかつリード５の下部露出面がリード４の下部露出面４ｂよりも内部側で露出して外部端子を形成し、封止樹脂部２の切断面２ｂではリード４，５の切断面４ｃ，５ｃが露出し、封止樹脂部２の切断面２ｂ近傍ではリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄが封止樹脂部２から露出しており、リード４の上部露出面４ｄの幅はリード４の下部露出面４ｂの幅よりも小さい。【選択図】  図７
2005057067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部と、
導電体により形成され、前記チップ搭載部の周囲に交互に配置された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、
前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部を封止する封止樹脂部と、
を具備し、
前記複数の第１リード部と前記複数の第２リード部との間は、前記封止樹脂部を構成する材料で満たされており、
前記各第１リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出した第１露出面と、その上面が前記封止樹脂部から露出した第２露出面とを有し、
前記各第２リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の前記第１露出面よりも内部側で露出した第３露出面と、その上面が前記封止樹脂部から露出した第４露出面とを有し、
前記各第１リード部の前記第２露出面の幅は前記第１露出面の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記１リード部の前記第１および第２露出面上と前記２リード部の前記第３および第４露出面上に、めっき層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記めっき層は電解めっき法により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記各第１リード部は、その側面が前記封止樹脂部から露出した第５露出面を有し、前記第１、第２および第５露出面は連続しており、
前記各第２リード部は、その側面が前記封止樹脂部から露出した第６露出面を有し、前記第４および第６露出面は連続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部と、
導電体により形成され、前記チップ搭載部の周囲に交互に配置された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、
前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部を封止する封止樹脂部と、
を具備し、
前記各第１リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出した第１露出面を有し、
前記各第２リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の前記第１露出面よりも内部側で露出した第２露出面を有し、
前記第１露出面の面積は前記第２露出面の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記第１露出面の前記第１リード部の延在方向に垂直な方向の幅は、前記第２露出面の前記第２リード部の延在方向に垂直な方向の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置において、
前記第１露出面の前記第１リード部の延在方向に平行な方向の長さは、前記第２露出面の前記第２リード部の延在方向に平行な方向の長さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部と、
導電体により形成され、前記チップ搭載部の周囲に交互に配置された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、
前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部を封止する封止樹脂部と、
を具備し、
前記複数の第１リード部と前記複数の第２リード部との間は、前記封止樹脂部を構成する材料で満たされており、
前記各第１リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出した第１露出面を有し、その上面は前記封止樹脂部から露出しておらず、
前記各第２リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の前記第１露出面よりも内部側で露出した第２露出面と、その上面が前記封止樹脂部から露出した第３露出面とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、
前記１リード部の前記第１露出面上と前記２リード部の前記第２および第３露出面上に、めっき層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置において、
前記各第１リード部は、その側面が前記封止樹脂部から露出した第４露出面を有し、前記第１および第４露出面は連続しており、
前記各第２リード部は、その側面が前記封止樹脂部から露出した第５露出面を有し、前記第３および第５露出面は連続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部と、
導電体により形成され、前記チップ搭載部の周囲に交互に配置された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、
前記複数の第１リード部および前記複数の第２リード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
一端が前記チップ搭載部に接続し、前記チップ搭載部の外方に向かって延在する複数の導体部と、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の導体部を封止する封止樹脂部と、
を具備し、
前記各第１リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出した第１露出面を有し、
前記各第２リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の前記第１露出面よりも内部側で露出した第２露出面を有し、
前記各導体部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面で露出した第３露出面と、前記チップ搭載部に接続する側とは逆側の端部が前記封止樹脂部から露出した第４露出面とを有し、
前記半導体装置を基板に実装した際に、前記封止樹脂部の実装面で露出する前記複数の第１リード部の前記第１露出面、前記複数の第２リード部の前記第２露出面および前記複数の導体部の前記第３露出面を、前記基板に接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置において、
前記複数の導体部は、前記半導体装置の製造に用いたリードフレームの吊りリード部により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部と、
導電体により形成され、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード部と、
前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
一端が前記チップ搭載部に接続し、前記チップ搭載部の外方に向かって延在する複数の導体部と、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数のリード部および前記複数の導体部を封止する封止樹脂部と、
を具備し、
前記各リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面で露出した第１露出面を有し、
前記各導体部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面で露出した第２露出面および第３露出面と、前記チップ搭載部に接続する側とは逆側の端部が前記封止樹脂部から露出した第４露出面とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置において、
前記複数の導体部は、前記半導体装置の製造に用いたリードフレームの吊りリード部により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置において、
前記半導体装置を基板に実装する際に、前記封止樹脂部の実装面で露出する前記各リード部の前記第１露出面と前記各導体部の前記第２および第３露出面とを前記基板に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１６記載の半導体装置において、
前記複数のリード部は、前記チップ搭載部の周囲に交互に配置された複数の第１リード部および複数の第２リード部を有し、
前記各第１リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、
前記各第２リード部は、その下面が前記封止樹脂部の実装面の前記第１リード部の露出面よりも内部側で露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
以下の工程を有することを特徴とするＱＦＮパッケージ形態の半導体装置の製造方法；
（ａ）表面にパラジウムめっき層を形成したリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部上に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記リードフレームの複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｄ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
（ｅ）前記リードフレームを切断する工程。
【請求項２１】
以下の工程を有することを特徴とするＱＦＮパッケージ形態の半導体装置の製造方法；
（ａ）リードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部上に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記リードフレームの複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｄ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
（ｅ）前記リードフレームを切断する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記複数のリード部の前記封止樹脂部から露出する部分上にめっき層を形成する工程。
【請求項２２】
以下の工程を有することを特徴とするＱＦＮパッケージ形態の半導体装置の製造方法；
（ａ）リードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部上に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記リードフレームの複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｄ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
（ｅ）前記リードフレームの前記封止樹脂部を形成した側とは逆側の主面上にめっき層を形成する工程、
（ｆ）前記リードフレームを切断する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、ＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）パッケージ形態の半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームのダイパッド部（タブ）上に半導体チップを搭載し、リードフレームのリード部と半導体チップの表面の電極とをワイヤボンディングした後、樹脂封止を行い、各個片に切断してＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）パッケージ形態の半導体装置が製造される。ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置の実装面では、リードフレームのリード部の一部が、外部端子として封止樹脂から露出している。
【０００３】
特開２００１−２４１３３号公報には、金属板よりなるフレーム枠内に半導体素子を搭載するダイパッド部と、末端でフレーム枠と接続し、先端部でダイパッド部を支持する吊りリード部と、その先端部がダイパッド部に対向し、末端部がフレーム枠と接続して配置されたランドリード部とリード部とよりなり、ランドリード部とリード部とはそれぞれの底面で外部端子を構成し、ダイパッド部は、その略中央部分に開口部を有し、開口部領域内に上方に突出した半導体素子を底面に支持する複数の支持部と、複数の支持部を互いに連結する連結部とを有するリードフレームが記載されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２４１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体パッケージ形態の半導体装置の信頼性向上に対する要求が高まってきている。例えば、ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置では、小型化や多端子化に伴いリードの間隔が狭くなり、リード間にショートが発生しやすくなっている。本発明者の検討によれば、リードの上面の封止樹脂から露出した部分間でショートが発生しやすいことが分かった。また、半導体パッケージ形態の半導体装置を基板に実装した際に、周辺環境の温度変化により基板や半導体装置に繰り返しの反りが発生すると、半導体装置の実装部が基板からはがれてしまう場合がある。このため、半導体装置の信頼性や半導体装置の基板実装の信頼性を向上することが望まれる。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００８】
本発明の半導体装置は、チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に交互に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各第１リード部の下面は封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、各第２リード部の下面は第１リード部よりも封止樹脂部の実装面の内部側（内側）で露出し、第１リード部の上面の封止樹脂部から露出する部分の幅が、第１リード部の下面の封止樹脂部の実装面で露出する部分の幅よりも小さいものである。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に交互に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各第１リード部の下面は封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、各第２リード部の下面は第１リード部よりも封止樹脂部の実装面の内部側で露出し、第１リード部の下面の封止樹脂部の実装面で露出する部分の面積が、第２リード部の下面の封止樹脂部の実装面で露出する部分の面積よりも大きいものである。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に交互に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各第１リード部の下面は封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、各第２リード部の下面は第１リード部よりも封止樹脂部の実装面の内部側で露出し、第１リード部の上面は封止樹脂部から露出していないものである。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に交互に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、端部がチップ搭載部に接続してチップ搭載部の外方に向かって延在する複数の導体部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各第１リード部の下面は封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、各第２リード部の下面は第１リード部よりも封止樹脂部の実装面の内部側で露出し、各導体部の下面は封止樹脂部の実装面で露出し、半導体装置を基板に実装した際に、封止樹脂部の実装面の第１リード部の露出面、第２リード部の露出面および導体部の露出面を基板に接続したものである。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数のリード部と、端部がチップ搭載部に接続してチップ搭載部の外方に向かって延在する複数の導体部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各リード部の下面は封止樹脂部の実装面で露出し、各導体部の下面が封止樹脂部の実装面の複数部分で露出したものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、表面にパラジウムめっき層を形成したリードフレームを用いてＱＦＮパッケージ形態の半導体装置を製造するものである。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームのチップ搭載部上に半導体チップを搭載し、リードフレームのリード部と半導体チップとをワイヤを介して電気的に接続し、それらを封止する封止樹脂部を形成し、リードフレームを切断した後に、リード部の封止樹脂部から露出する部分上にめっき層を形成してＱＦＮパッケージ形態の半導体装置を製造するものである。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームのチップ搭載部上に半導体チップを搭載し、リードフレームのリード部と半導体チップとをワイヤを介して電気的に接続し、それらを封止する封止樹脂部を形成し、リードフレームの封止樹脂部を形成した側とは逆側の主面上にめっき層を形成した後に、リードフレームを切断してＱＦＮパッケージ形態の半導体装置を製造するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に交互に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各第１リード部の下面は封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、各第２リード部の下面は第１リード部よりも封止樹脂部の実装面の内部側で露出する半導体装置において、第１リード部の上面の封止樹脂部から露出する部分の幅を第１リード部の下面の封止樹脂部の実装面で露出する部分の幅よりも小さくしたことにより、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００１８】
チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に交互に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数の第１リード部および複数の第２リード部と、それらを封止する封止樹脂部とを有し、各第１リード部の下面は封止樹脂部の実装面の周辺領域で露出し、各第２リード部の下面は第１リード部よりも封止樹脂部の実装面の内部側で露出する半導体装置において、第１リード部の下面の封止樹脂部の実装面で露出する部分の面積を第２リード部の下面の封止樹脂部の実装面で露出する部分の面積よりも大きくしたことにより、半導体装置の基板実装の信頼性を向上することができる。
【００１９】
チップ搭載部に搭載された半導体チップと、チップ搭載部の周囲に配置され、半導体チップとワイヤを介して電気的に接続された複数のリード部と、端部がチップ搭載部に接続してチップ搭載部の外方に向かって延在する複数の導体部と、それらを封止する封止樹脂部とを有する半導体装置において、各リード部の下面を封止樹脂部の実装面で露出させ、各導体部の下面を封止樹脂部の実装面の複数部分で露出させたことにより、半導体装置の基板実装の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２２】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置を図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図であり、図２はその側面図、図３はその底面図（裏面図）、図４〜図６はその断面図（側面断面図）、図７はその部分拡大側面図、図８はその周辺部近傍の部分拡大上面図、図９はその周辺部近傍の部分拡大底面図（裏面図）である。図１のＡ−Ａ線の断面が図４にほぼ対応し、図１のＢ−Ｂ線の断面が図５にほぼ対応し、図１のＣ−Ｃ線の断面が図６にほぼ対応する。なお、図１および図２は平面図であるが、図面を見やすくするために、導体部分にハッチングを付してある。
【００２５】
本実施の形態の半導体装置１は、樹脂封止形で、面実装形の半導体パッケージであり、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）形態の半導体装置である。
【００２６】
図１〜図９に示される本実施の形態の半導体装置１は、封止樹脂部（封止部）２と、封止樹脂部２によって封止された半導体チップ（半導体素子）３と、導電体によって形成された複数のリード（リード部）４および複数のリード（リード部）５と、封止樹脂部２によって封止されかつ複数のリード４，５と半導体チップ３の表面の複数の電極（ボンディングパッド）３ａとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ６と、半導体チップ３が搭載されたチップ搭載部であるタブ（ダイパッド部、チップ搭載部）７とを備えている。
【００２７】
封止樹脂２は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂２を形成することができる。封止樹脂２により、半導体チップ３、リード４，５、ボンディングワイヤ６およびタブ７が封止され、保護される。封止樹脂２の裏面（実装面）２ａが、半導体装置１の実装面である。
【００２８】
半導体チップ３は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ３に分離したものである。半導体チップ３は、その表面（半導体素子形成側の主面）が上方を向くようにタブ７上に搭載され、半導体チップ３の裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の主面）が導電体からなるタブ７に、例えば銀ペーストまたは絶縁ペーストなどの接合材（図示せず）を介して接着されている。
【００２９】
半導体チップ３の表面には、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）３ａが形成されている。電極３ａは、半導体チップ３に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。半導体チップ３の表面の各電極３ａは、各リード４，５に、例えば金（Ａｕ）線などの金属細線などからなるボンディングワイヤ６を介して電気的に接続されている。
【００３０】
図１０は、本実施の形態の半導体装置の説明図（平面図）であり、図１において封止樹脂部２、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６の図示を省略したものに対応する。図１１は、図１０の部分拡大図、すなわち、リード４，５の上面図（平面図）である。図１２および図１４はリード５の断面図であり、図１３および図１５はリード４の断面図である。図１２は図１１のＤ−Ｄ線の断面に対応し、図１３は図１１のＥ−Ｅ線の断面に対応し、図１４は図１１のＦ−Ｆ線の断面に対応し、図１５は図１１のＧ−Ｇ線の断面に対応する。
【００３１】
リード４とリード５とがタブ７の周囲に交互に配置されている。リード４，５は、その一端がタブ７に対向するように配置されているが、リード４のタブ７に対向する側の端部よりも、リード５のタブ７に対向する側の端部の方が、タブ７に近い位置にまで延在している。
【００３２】
リード４，５は、封止樹脂部２に埋め込まれたインナリードと、封止樹脂部２の裏面２ａに露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。すなわち、封止樹脂部２によって封止され、リード４，５のボンディング部として機能し得るリード４，５の上面４ａ，５ａに、ボンディングワイヤ６が接続（接合）され、封止樹脂部２の裏面２ａに、外部接続用端子部として機能し得るリード４，５の下面の露出部である下部露出面４ｂ，５ｂが露出している。下部露出面４ｂは略長方形状を有し、下部露出面５ｂは、略長方形状または略正方形状を有している。
【００３３】
また、リード４，５のタブ７に対向する側とは逆側の端部として、リード４，５の切断面（側面、端面）４ｃ，５ｃが封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂで露出している。リード４，５の切断面（側面、端面）４ｃ，５ｃおよび封止樹脂部２の切断面２ｂは、半導体装置を製造する際の切断工程により生じた側面（端面）である。
【００３４】
リード４，５の上面４ａ，５ａのうちの切断面４ｃ，５ｃ近傍の部分すなわち上部露出面４ｄ，５ｄは、封止樹脂部２から露出している。隣り合うリード４とリード５との間は、封止樹脂部２を構成する材料により満たされている。従って、封止樹脂部２の周辺部近傍の封止樹脂部２の厚みが薄い領域において、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄが露出している。リード４の上部露出面４ｄ、切断面４ｃおよび下部露出面４ｂは連続しており、リード５の上部露出面４ｄおよび切断面４ｃは連続しているが、下部露出面４ｂには連続していない。また、切断面４ｃ，５ｃを除くリード４，５の封止樹脂部２から露出する部分（すなわち下部露出面４ｂ，５ｂおよび上部露出面４ｄ，５ｄ）上には、めっき層９が形成されているが、理解を簡単にするために、図４〜図７以外ではめっき層９の図示を省略している。
【００３５】
封止樹脂部２の裏面２ａに対応する半導体装置１の裏面が、半導体装置１の実装面となり、各リード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂが封止樹脂部２の裏面２ａ（すなわち半導体装置１の裏面または底面）で露出して半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）を構成する。リード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂ上にめっき層９が形成されていることで、半導体装置１を基板（外部基板、マザーボード）に実装する際に、基板上の端子または導体パターンと半導体装置１の端子（リード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂ）との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。
【００３６】
リード部４の下部露出面４ｂは、封止樹脂部２の裏面２ａ（半導体装置１の裏面）の周辺領域（外周部）に配置され、ここでは封止樹脂部２の裏面２ａの側辺に接する位置に配置され、リード部５の下部露出面５ｂは、封止樹脂部２の裏面２ａの下部露出面４ｂよりも内部側（内側）の位置に配置され、ここでは封止樹脂部２の裏面２ａの側辺から距離Ｌ1（Ｌ1＞０）だけ離れた位置に配置されている。リード４とリード部５とはタブ７（半導体チップ３）の周囲に交互に配置（配列）されており、半導体装置１の外部端子として機能する下部露出面４ｂ，５ｂは、封止樹脂部２の裏面２ａの周辺部近傍領域で側辺に沿って千鳥状（千鳥配列）に２列に配置される。このような配置にすることで、半導体装置１の多端子化を実現できる。
【００３７】
また、タブ７の四隅には、吊りリード（導体部）１０が接続されている。各吊りリード１０は、導電体材料からなり、一端がタブ７に接続され、タブ７の外方に向かって延在している。吊りリード１０は、タブ７をリードフレームに支持するために設けられ、封止樹脂部２の形成後にリードフレームから切断され、吊りリード１０の切断により生じた側面（すなわちタブ７に接続された側の端部とは逆側の端部）である切断面（側面、端面）１０ｃが封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂで露出している。吊りリード１０の下面の一部は封止樹脂部２の裏面２ａで露出しており、ここでは吊りリード１０の切断面１０ｃ近傍領域の下面である下部露出面１０ｂが、封止樹脂部２の裏面２ａで露出している。吊りリード１０には屈曲部１０ａが設けられており、吊りリード１０のうち下部露出面１０ｂよりもタブ７側の部分は上方に持ち上げられて、タブ７とともに封止樹脂部２内に封止されている。リード４，５、タブ７および吊りリード１０は、いずれも導電体材料からなり、例えば半導体装置の製造の際にリードフレームに用いられた共通の導電体材料からなる。
【００３８】
本実施の形態では、図７〜図９などからも分かるように、リード４の切断面４ｃ近傍における上部露出面４ｄの幅Ｗ1（リード部４の切断面４ｃの上辺の幅にほぼ対応する）が、リード４の切断面４ｃ近傍における下部露出面４ｂの幅Ｗ2（リード部４の切断面４ｃの下辺の幅にほぼ対応する）よりも小さい（Ｗ1＜Ｗ2）。このため、リード４の上部露出面４ｄの間隔Ｓ1は、リード４の下部露出面４ｂの間隔Ｓ2よりも大きくなる（Ｓ1＞Ｓ2）。リード４の上部露出面４ｄとリード４の上部露出面４ｄとの間には、リード５の上部露出面５ｄが配置されている。なお、本実施の形態では、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1および下部露出面４ｂの幅Ｗ2は、リード４の延在方向に垂直な方向の幅（距離、長さ）に対応し、また、封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂに沿った（平行な）方向の幅（距離、長さ）にも対応する。
【００３９】
本実施の形態では、上記のようにリード４の切断面４ｃ近傍における上部露出面４ｄの幅Ｗ1を、（下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも）相対的に小さくしたことにより、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3を相対的に大きくすることができる。例えば、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を、リード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2と同じにした場合に比較して、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3を大きくすることができる。
【００４０】
隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3が小さい場合は、後述するように、半導体装置１製造用のリードフレームに樹脂モールド工程を行って封止樹脂部２を形成した後、リードフレームを切断して個片の半導体装置１に分離する際に、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上に形成されているめっき層９が押しつぶされて、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間が押しつぶされためっき層を介して電気的に接続されてしまい、ショートが発生してしまう恐れがある。
【００４１】
本実施の形態では、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも相対的に小さくしたことにより、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3を相対的に大きくすることができるので、リードフレームに樹脂モールド工程を行って封止樹脂部２を形成した後にリードフレームを切断して個片の半導体装置１に分離する際に、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上に形成されているめっき層９が押しつぶされたとしても、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間が押しつぶされためっき層を介して電気的に接続されるのを抑制または防止することができる。このため、隣り合うリード４とリード５との間にショートが発生するのを防止できる。従って、半導体装置１の信頼性を向上することができる。
【００４２】
また、本実施の形態では、図３や図９などからも分かるように、リード４の下部露出面４ｂの面積は、リード５の下部露出面５ｂの面積よりも大きい。半導体装置１を基板（外部基板、マザーボード、ここでは図示せず）などに実装する際に、基板上の端子または導体パターンと半導体装置１の外部端子である下部露出面４ｂ，５ｂとの間を半田などの接合材を介して接続するが、周辺環境の温度変化などにより半導体装置１や基板に反りが発生すると半導体装置１の外部端子と基板の端子または導体パターンとの間の接続が剥がれてしまう恐れがある。これは半導体装置１の基板実装の信頼性を低下させる。半導体装置１が反った場合には、半導体装置１の裏面のより周辺部（外周部）側に配置された端子の接続がより剥がれやすい傾向にある。このため、半導体装置１の基板実装の信頼性を向上させるには、半導体装置１の外部端子として機能する下部露出面４ｂ，５ｂのうち、封止樹脂部２の裏面２ａ（半導体装置１の裏面）のより周辺部側に配置された下部露出面４ｂの基板の端子または導体パターンへの接続の信頼性を向上させることがより重要となる。本実施の形態では、封止樹脂部２の裏面２ａのより周辺部側に配置された外部端子であるリード４の下部露出面４ｂの面積を（リード５の下部露出面５ｂの面積よりも）相対的に大きくしているので、半導体装置１を基板に実装した際に、基板の端子または導体パターンと半導体装置１の下部露出面４ｂとの間の接続の信頼性を向上することができる。このため、基板に実装した半導体装置１に反りが生じたとしても、剥がれが生じやすい半導体装置１の裏面の周辺部側の端子である下部露出面４ｂの基板への接続を良好な状態のまま維持することが可能となる。これにより、半導体装置１の信頼性（基板実装の信頼性）を向上することができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、リード４の下部露出面４ｂの長さＬ2はリード５の下部露出面５ｂの長さＬ3よりも大きければ（Ｌ2＞Ｌ3）より好ましい。また、リード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2はリード５の下部露出面５ｂの幅Ｗ3よりも小さければ（Ｗ2＜Ｗ3）より好ましい。なお、本実施の形態では、リード４の下部露出面４ｂの長さＬ2およびリード５の下部露出面５ｂの長さＬ3は、リード４，５の延在方向に沿った（平行な）方向の長さ（距離）に対応し、また、封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂに垂直な方向の長さ（距離）にも対応する。また、リード５の下部露出面５ｂの幅Ｗ3は、リード５の延在方向に垂直な方向の幅（距離、長さ）に対応し、また、封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂに沿った（平行な）方向の幅（距離、長さ）にも対応する。
【００４４】
リード４の下部露出面４ｂのピッチ（下部露出面４ｂの幅Ｗ2と下部露出面４ｂの間隔Ｓ2との和、すなわちＷ2＋Ｓ2）は規格により一定の値とされており、例えば０．６５ｍｍ程度とすることができる。このため、リード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2を大きくし過ぎると、リード４間の間隔が狭くなり、リード４間に配置されたリード５とその両隣のリード４との間で、上記のようにリードフレームを切断した際にリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ間で押しつぶされためっき層を介してショートが発生する現象が生じやすくなる。本実施の形態では、リード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2を（リード５の下部露出面５ｂの幅Ｗ3よりも）相対的に小さくし、例えば０．１６ｍｍ（Ｗ2＝０．１６ｍｍ）程度にし、リード４の下部露出面４ｂの長さＬ2を（下部露出面５ｂの長さＬ3よりも）相対的に長くすることで、例えば０．３５ｍｍ（Ｌ2＝０．３５ｍｍ）程度とすることで、リード４の下部露出面４ｂの面積を相対的に大きくしている。リード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2を抑制してリード４，５間のショートを防止するとともに、下部露出面４ｂの長さＬ2を長くして下部露出面４ｂの面積を大きくすることで半導体装置１の基板実装の信頼性を向上することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、図１１などからも分かるように、リード５のタブ７に対向する側の端部近傍の幅は、リード５の切断面５ｃ近傍の幅よりも大きいことがより好ましい。例えば、リード５の下部露出面５ｂの幅Ｗ3が、リード５の上部露出面５ｄの幅Ｗ4よりも大き（Ｗ3＞Ｗ4）ければより好ましい。このように、切断面５ｃ近傍におけるリード５の幅（上部露出面５ｄの幅Ｗ4）を抑制することで、リード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3を相対的に大きくして、リードフレーム切断時にリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ間で押しつぶされためっき層を介してショートが発生する現象を抑制するとともに、リード５の下部露出面５ｂの幅Ｗ3を大きくして下部露出面５ｂの面積を大きくすることで、半導体装置１の基板実装の信頼性を向上することができる。また、リード５のタブ７に対向する側の端部近傍の幅を相対的に大きくしたことにより、封止樹脂部２とリード５との密着性を向上でき、半導体装置の信頼性をより向上することができる。
【００４６】
また、本実施の形態では、リード４の上面４ａのタブ７に対向する側の端部近傍の幅Ｗ5は、リード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも大きければ（Ｗ5＞Ｗ2）より好ましい。これにより、封止樹脂部２内にリード４を封止した際に、封止樹脂部２とリード４との密着性を向上でき、半導体装置の信頼性をより向上することができる。
【００４７】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程について説明する。図１６は、本実施の形態の半導体装置の製造に用いられるリードフレーム２１の要部平面図である。図１７〜図２０および図２２は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図であり、図４に対応する断面図が示されている。図２１は、めっき工程の説明図である。図１６には、リードフレーム２１の一つの半導体パッケージに対応する領域が示されており、モールドライン２２が点線で示されている。
【００４８】
リードフレーム２１は、例えば、銅または銅合金、あるいは４２−アロイなどの導電体材料からなる。リードフレーム２１は、半導体チップ３を搭載するためのタブ７と、その一端がフレーム枠２３と接続し他端がタブ７の四隅に接続してタブ７を支持する吊りリード１０と、その一端がタブ７と離間して対向するように配置され他端がフレーム枠２３と接続するリード部４，５とを有している。
【００４９】
リード４とリード５とは交互に配置されており、リード４のタブ７に対向する側の端部よりも、リード５のタブ７に対向する側の端部の方が、タブ７に近い位置にまで延在している。このため、リード４のタブ７に対向する側の端部と、リード５のタブ７に対向する側の端部とが、平面配置上、千鳥状に配置されている。
【００５０】
図１１、図１２および図１４などからも分かるように、リード５は、タブ７に対向する側の端部近傍領域（下部露出面５ｂに対応する領域）においてその厚みが相対的に厚くなり、それ以外の領域ではリード５の下面側をハーフエッチングすることなどにより厚みが相対的に薄くなるように形成されている。このため、封止樹脂部２を形成した際には、封止樹脂部２の裏面２ａでは、リード５の下部露出面５ｂが露出し、厚みが相対的に厚い下部露出面５ｂ以外の領域は封止樹脂部２内に封止される。
【００５１】
また、図１１、図１３および図１５などからも分かるように、リード４の下面（底面）は、タブ７に対向する側の端部近傍領域を除いてほぼ平坦面であり、封止樹脂部２を形成した際には、封止樹脂部２の裏面２ａでリード４の下面が下部露出面４ｂとして露出することになる。封止樹脂部２を形成した際には、リード５の下部露出面５ｂとリード４の下部露出面４ｂとが封止樹脂部２の裏面２ａで２列に千鳥状に配置される。
【００５２】
また、リード４の上面側をハーフエッチングすることなどにより、リード４の上部露出面４ｄとなる領域の上面の幅がリード４の下面の幅よりも小さくなるように（すなわち、上部露出面４ｄの幅Ｗ1が下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくなるように）加工されている。例えば、モールドライン２２近傍の領域において、リード４の上面の幅がリード４の下面の幅よりも小さくなるように加工している。このような加工は、金型により行うことも可能である。
【００５３】
このようなリードフレーム２１を準備した後、例えば次のようにして半導体装置が製造される。
【００５４】
まず、図１７に示されるように、リードフレーム２１のタブ７上に半導体チップ３を銀ペーストまたは絶縁ペーストなどの接合材（図示せず）を介して接着する。
【００５５】
次に、図１８に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の複数の電極３ａとリードフレーム２１の複数のリード４，５の上面４ａ，５ａとを複数のボンディングワイヤ６を介してそれぞれ電気的に接続する。
【００５６】
次に、図１９に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）を行って、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を封止樹脂部２によって封止する。この際、リードフレーム２１のモールドライン２２内にあるリード部４，５、タブ７および吊りリード１０も封止樹脂部２によって封止される。この際、モールドライン２２内の領域では、封止樹脂部２が相対的に厚く形成され、モールドライン２２の周囲近傍領域では、リード４，５間などが封止樹脂部２を構成する材料で満たされる。
【００５７】
次に、図２０に示されるように、リードフレーム２１の露出部分上にめっき層９を形成する。このめっき工程においては、例えば電解めっき法を用いることができる。例えば、図２１に示されるように、めっき槽３１内に貯えられためっき液３２に、封止樹脂部２を形成したリードフレーム２１を浸け、リードフレーム２１とめっき液３２間に電圧を印加することにより、リードフレーム２１の封止樹脂部２から露出する部分（導電体からなる部分）上にめっき層９を形成する。
【００５８】
次に、図２２に示されるように、リードフレーム２１が所定の位置で切断されて、個片に分割された半導体装置１が得られる。
【００５９】
図２３は、このリードフレーム２１を切断する工程の説明図（断面図）である。図２４および図２５は、リードフレーム２１の打ち抜き領域を説明するための平面図である。図２４および図２５は、図１６に示されるリードフレーム２１に、この切断工程で打ち抜かれる領域を示したものである。
【００６０】
上記（図１７〜図２１）のように封止樹脂部２を形成してからめっき処理を行った後、図２３に示されるように、支持台４１にリードフレーム２１を配置し、パンチ（打ち抜き機、切断機）４２でリードフレーム２１の所定の領域を打ち抜く。この際、まず、図２４に示される打ち抜き領域４３ａ（モールド工程のゲート領域に対応）を打ち抜いた後、３つの打ち抜き領域４３ｂを打ち抜く。それから、図２５に示される４つの打ち抜き領域４３ｃを打ち抜く。この、リードフレーム２１の打ち抜き、特に打ち抜き領域４３ｃを打ち抜く際には、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄおよびその近傍領域が支持台４１の切断受けダイ４１ａに強く押し付けられる。このようにして、モールドライン２２内およびモールドライン２２の周囲近傍領域がリードフレーム２１から分離され、図２２に示されるように、個片の半導体装置１が得られる。
【００６１】
図２６〜図２８は、本実施の形態の半導体装置１とは異なり、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1と下部露出面４ｂの幅Ｗ2とを等しくした場合の半導体装置の製造工程中の要部断面図または要部側面図である。図２６は、図２０の工程段階（リードフレームのめっき処理後でリードフレームの切断前）の要部断面図に対応し、図２７は、図２３の工程段階（リードフレームの切断工程）でリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄが支持台４１の切断受けダイ４１ａに接触した状態の要部断面図に対応し、それぞれリードフレームの切断工程での切断予定面の断面図が示されている。図２８は、リードフレームの切断工程後の切断面の要部側面図（部分拡大側面図）に対応する。なお、リードフレームの切断工程は、封止樹脂部２の裏面２ａ側を上方に向けた状態で行うが、理解を簡単にするために、図２６〜図２８では封止樹脂部２の裏面側２ａを下方にして図示している。
【００６２】
本実施の形態とは異なり、図２６に示されるように切断面４ｃ近傍におけるリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1と下部露出面４ｂの幅Ｗ2とを等しくすると、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3は比較的小さくなる。
【００６３】
図２３に示されるように支持台４１上に配置したリードフレーム２１をパンチ４２で打ち抜く際には、封止樹脂部２の裏面２ａ側を上方に向けた状態で支持台４１上にリードフレーム２１を配置するので、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄおよびその近傍領域が支持台４１の切断受けダイ４１ａに押し付けられる。このため、リードフレームをパンチ４２で打ち抜く際には、比較的強い圧力がリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄに対して加えられることになる。従って、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上に形成されているめっき層９が押しつぶされて図２７の横方向に伸びる恐れがある。
【００６４】
また、封止樹脂部２の裏面２ａ側を下方に向けた状態で支持台４１上にリードフレーム２１を配置してリードフレーム２１の切断（打ち抜き）を行うことも考えられるが、この場合、リード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂおよびその近傍領域が支持台４１の切断受けダイ４１ａに強く押し付けられることになり、半導体装置の外部端子として機能すべきリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂに汚れや異物などが付着し、半導体装置の信頼性（例えば半導体装置の基板実装の信頼性）を低下させる恐れがある。このため、封止樹脂部２の裏面２ａ側を上方に向けた状態でリードフレーム２１の打ち抜き（切断）を行うことが好ましい。
【００６５】
従って、リードフレームの切断工程により、図２８に示されるように、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上に形成されていためっき層９が押しつぶされて横方向に伸び、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間がその押しつぶされて伸びためっき層９を介して電気的に接続されてしまい、ショートが発生してしまう恐れがある。また電解めっき法では角部での電界集中により、角部でめっき膜厚が厚くなる傾向にあるので、めっき層９として電解めっき層（電解めっき法で形成しためっき層）を用いた場合に、このような現象は、より顕著になる。また、このような現象は、半導体装置の小型化や多端子化のためにリード４，５間の間隔を狭くすると、より顕著になる。
【００６６】
それに対して、本実施の形態の半導体装置１では、図７〜図９などからも分かるように、切断面４ｃ近傍におけるリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さく（Ｗ1＜Ｗ2）している。このため、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間の間隔Ｓ3を比較的大きくすることができる。従って、図２３に示されるようにしてリードフレーム２１を切断する際に、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上に形成されているめっき層９が押しつぶされて伸びたとしても、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間がその押しつぶされて伸びためっき層を介して電気的に接続されるのを抑制または防止することができる。これにより、隣り合うリード４とリード５との間にショートが発生するのを防止でき、半導体装置１の信頼性を向上することができる。また、リード４，５間の間隔を狭くしても、押しつぶされためっき層を介したリード４，５間のショートを防止できるので、半導体装置の小型化や多端子化が可能になる。また、めっき層９として電解めっき層を用いることが可能となるので、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００６７】
また、リードフレーム２１においてリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくする加工は、種々の手法により行うことができるが、例えば、リードフレーム２１をエッチングなどにより形成する際に、リード４の上面側をハーフエッチングすることなどにより形成することができる。また、金型などを用いて、リードフレーム２１のリード４の上部露出面４ｄ（に対応する領域）の幅Ｗ1を下部露出面４ｂ（に対応する領域）の幅Ｗ2よりも小さくする加工を行うこともできる。
【００６８】
（実施の形態２）
図２９は、本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大側面図であり、図３０は、その周辺部近傍の部分拡大上面図である。また、図３１は本実施の形態の半導体装置におけるリード４の形状を示す平面図、図３２は図３１のＨ−Ｈ線の断面図である。図２９は上記実施の形態１における図７に対応し、図３０は上記実施の形態１における図８に対応し、図３１は上記実施の形態１における図１１の一部に対応し、図３２は上記実施の形態１における図１３に対応する。
【００６９】
本実施の形態では、図２９および図３０に示されるように、リード４の切断面４ｃ近傍において、リード４の上面が封止樹脂部２から露出しないようにする。すなわち、図３１および図３２に示されるように、リード４の上面４ａ側をハーフエッチングすることなどによって、リード４の切断面４ｃ近傍領域のリード４の厚みを相対的に薄くし、封止樹脂部２を形成した際に、リード４の下部露出面４ｂは封止樹脂部２の裏面２ａで露出するが、リード４の上面が封止樹脂部２から露出しないようにする。他の構成は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００７０】
本実施の形態では、リード５の上部露出面５ｄが封止樹脂部２から露出し、リード４の上面は封止樹脂部２から露出しない。このため、封止樹脂部２から露出するリード５の上部露出面５ｄ間の間隔を大きくすることができる。このため、リードフレーム２１を切断する際にリード５の上部露出面５ｄ上に形成されているめっき層９が押しつぶされたとしても、リード５の上部露出面５ｄ間が押しつぶされためっき層を介して電気的に接続されるのを抑制または防止することができる。従って、リード４，５間にショートが発生するのを防止でき、半導体装置の信頼性を向上することができる。また、リード４，５間の間隔を狭くしても、押しつぶされためっき層９を介したリード４，５間のショートを防止できるので、半導体装置の小型化や多端子化が可能になる。また、めっき層９として電解めっき層を用いることができるので、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００７１】
（実施の形態３）
図３３は、本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大側面図であり、上記実施の形態１における図７に対応する。
【００７２】
本実施の形態では、表面（全面）にパラジウム（Ｐｄ）めっき層５１を形成したリードフレームを用いて、半導体装置を製造する。すなわち、エッチングや打ち抜きなどによりリードフレームを形成した後、リードフレームの全面にパラジウムめっき層５１を形成する。その後、封止樹脂部２の形成後にリードフレームのめっき処理（図２０および図２１に対応する工程）を行わないこと以外は上記実施の形態１と同様にして半導体装置を製造する。すなわち、表面（全面）にパラジウムめっき層５１を形成したリードフレームを準備した後、図１７に示されるようにリードフレームのタブ７上に半導体チップ３を搭載し、図１８に示されるように半導体チップ３の複数の電極３ａとリードフレームの複数のリード４，５とを複数のボンディングワイヤ６を介してそれぞれ電気的に接続し、図１９に示されるように半導体チップ３、ボンディングワイヤ６、リード４，５およびタブ７を封止樹脂部２によって封止し、図２２（図２３）に示されるようにリードフレームの不要な部分を切断して除去し、半導体装置を製造する。
【００７３】
また、本実施の形態では、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくしなくともよい。例えば、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2と等しくすることもできる。他の構成および製造工程は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００７４】
本実施の形態では、リードフレームの全面にパラジウムめっき層５１を形成している。このため、図３３からも分かるように、リード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂおよび上部露出面４ｄ，５ｄ上にパラジウムめっき層５１が形成されている。図２３に示されるようにリードフレーム２１を切断する際に、パラジウムめっき層５１は例えば、ＳｎやＡｕといった金属に比較して硬度が高く変形しにくいだけでなく、Ｓｎと比較して融点が高く、かつＣｕと比較して酸化し難いという性質を持つため、リードフレームを形成した後、組立工程を施す前の段階でリードフレームの全面にパラジウムめっき層５１を形成したものを使用することができる。このようにあらかじめめっき層５１が形成されたリードフレームに対してトランスファーモールディング工程を施すことにより、上部露出面４ｄ、５ｄ上に形成されためっき層５１は、少なくともその一部が封止樹脂部２の内部に埋め込まれる構造となるため、めっき層５１が封止樹脂部２から突出する突出量がめっき層５１の膜厚よりも小さくなる。めっき層５１の突出量を小さくすることにより、ードフレーム２１の切断工程時におけるめっき層５１の変形量が小さくなる。すなわち、図２８のようにリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上に形成されているめっき層が押しつぶされて伸びる現象が、パラジウムめっき層５１では生じにくい。このため、隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間がめっき層（ここではパラジウムめっき層５１）を介して電気的に接続されるのを抑制または防止することができる。これにより、隣り合うリード４とリード５との間にショートが発生するのを防止でき、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００７５】
また、本実施の形態では、リードフレームの全面にパラジウムめっき層５１を形成することにより、リードフレームの切断時のめっき層の変形を防止しているので、上記実施の形態１のようにリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくしない場合（例えばリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2と等しくした場合）でも、隣り合うリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ間のショートの発生を防止することが可能である。
【００７６】
また、本実施の形態は、封止樹脂部２の裏面２ａで外部端子としてのリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂが千鳥状に配列した半導体装置だけでなく、封止樹脂部２の裏面２ａの周辺領域で外部端子としてのリードの露出面が単列で配置されている半導体装置（ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置）にも適用することができる。外部端子が単列配置の場合でも、リード間のピッチが小さいとリードの上部露出面間でのショートが発生する恐れがあるが、本実施の形態を適用することで、リードの上部露出面間でのショートの発生を防止し、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００７７】
（実施の形態４）
図３４および図３５は、本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。図１７〜図１９の工程は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略し、図１９に続く製造工程について説明する。
【００７８】
図１９に示されるように封止樹脂部２を形成した後、本実施の形態では、めっき層９を形成する前に、図３４に示されるように、リードフレーム２１を切断して、個片に分割された半導体装置１ａを得る。このリードフレーム２１の切断工程は、上記実施の形態１（図２３〜図２５）と同様にして行うことができる。
【００７９】
次に、図３５に示されるように、個片に切断された半導体装置１ａのリード４，５の封止樹脂部２から露出する部分（ここでは下部露出面４ｂ，５ｂ、切断面４ｃ，５ｃおよび上部露出面４ｄ，５ｄ）上にめっき層９ａを形成する。めっき層９ａは、例えば無電解めっき法などを用いて形成することができる。例えば、めっき層９ａを無電解めっき法で形成したスズ（Ｓｎ）めっき層とすることもできる。
【００８０】
また、本実施の形態では、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくしなくともよい。例えば、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2と等しくすることもできる。他の構成および製造工程は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００８１】
本実施の形態では、リードフレーム２１を切断する際に、図３４に示されるように、めっき層９ａは存在していないので、めっき層が押しつぶされて隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間がめっき層を介して電気的に接続されることがない。このため、隣り合うリード４とリード５との間にショートが発生するのを防止でき、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、リードフレーム２１の切断後にめっき層９ａを形成することにより、リードフレーム２１の切断時のめっき層の変形を防止しているので、上記実施の形態１のようにリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1をリード４の下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくしない場合（例えばリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2と等しくした場合）でも、隣り合うリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ間のショートの発生を防止することが可能である。
【００８３】
また、本実施の形態は、封止樹脂部２の裏面２ａで外部端子としてのリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂが千鳥状に配列した半導体装置だけでなく、封止樹脂部２の裏面２ａの周辺領域で外部端子としてのリードの露出面が単列で配置されている半導体装置（ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置）にも適用することができる。外部端子が単列配置の場合でも、リード間のピッチが小さいとリードの上部露出面間でのショートが発生する恐れがあるが、本実施の形態を適用することで、リードの上部露出面間でのショートの発生を防止し、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００８４】
（実施の形態５）
図３６および図３７は、本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。図１７〜図１９の工程は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略し、図１９に続く製造工程について説明する。また、図３８は、本実施の形態の半導体装置の部分拡大側面図であり、上記実施の形態１の図７に対応する。
【００８５】
図１９に示されるように封止樹脂部２を形成した後、本実施の形態では、図３６に示されるように、リード４，５の封止樹脂分２からの露出部分のうち、下部露出面４ｂ，５ｂ上にはめっき層９を形成するが、上部露出面４ｄ，５ｄ上にはめっき層を形成しない。すなわち、リードフレームの封止樹脂部２を形成した側とは逆側の主面にはめっき層９を形成するが、リードフレームの封止樹脂部２を形成した側の主面にはめっき層９を形成しない。これは、めっき層９を形成する際に、例えば封止樹脂部２を形成したリードフレーム２１にマスクを被せ、そのマスクの開口で露出する封止樹脂部２の裏面２ａおよびその近傍領域に対してだけシャワー状に半田めっき液などを吹きつけて、封止樹脂部２の裏面２ａ側で露出する導体部分上にだけめっき層９を形成することなどにより、実現することができる。
【００８６】
それから、図３７に示されるように、リードフレーム２１を切断して、個片に分割された半導体装置１ｂを得る。このリードフレーム２１の切断工程は、上記実施の形態１（図２３〜図２５）と同様にして行うことができる。
【００８７】
また、本実施の形態では、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくしなくともよい。例えば、リード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2と等しくすることもできる。他の構成および製造工程は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００８８】
本実施の形態では、図３８からも分かるように、リード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂ上にはめっき層９を形成するが、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上にはめっき層９を形成しない。このため、リードフレーム２１を切断する際に、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上にはめっき層９が形成されていないので、めっき層が押しつぶされて隣り合うリード４の上部露出面４ｄとリード５の上部露出面５ｄとの間がめっき層を介して電気的に接続されることがない。このため、隣り合うリード４とリード５との間にショートが発生するのを防止でき、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００８９】
また、本実施の形態では、リード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ上にはめっき層９を形成せず、外部端子として機能するリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂ上にだけめっき層９を形成することにより、リードフレームの切断時のめっき層の変形を防止しているので、上記実施の形態１のようにリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2よりも小さくしない場合（例えばリード４の上部露出面４ｄの幅Ｗ1を下部露出面４ｂの幅Ｗ2と等しくした場合）でも、隣り合うリード４，５の上部露出面４ｄ，５ｄ間のショートの発生を防止することが可能である。
【００９０】
また、本実施の形態は、封止樹脂部２の裏面２ａで外部端子としてのリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂが千鳥状に配列した半導体装置だけでなく、封止樹脂部２の裏面２ａの周辺領域で外部端子としてのリードの露出面が単列で配置されている半導体装置（ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置）にも適用することができる。外部端子が単列配置の場合でも、リード間のピッチが小さいとリードの上部露出面間でのショートが発生する恐れがあるが、本実施の形態を適用することで、リードの上部露出面間でのショートの発生を防止し、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００９１】
（実施の形態６）
図３９および図４０は、上記実施の形態１の半導体装置１を基板６１に実装した状態を示す断面図である。図３９は、上記実施の形態１の図４に対応する断面図であり、図４０は、上記実施の形態１の図６に対応する断面図である。
【００９２】
半導体装置１の構成は、上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略し、半導体装置１と基板（外部基板、マザーボード）６１との接続関係について説明する。半導体装置１を基板６１に実装する際には、図３９に示されるように、基板６１上に形成された導体パターン（端子、導体部）６２に、半導体装置１の外部端子であるリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂを、半田などからなる導電性の接合材６３を介して接続（接合）する。更に、本実施の形態では、図４０に示されるように、半導体装置１の吊りリード１０の下部露出面１０ｂも、基板６１上に形成された端子または導体パターン６２に、接合材６３を介して接続する。
【００９３】
図３に示されるように裏面で外部端子（下部露出面４ｂ，５ｂ）が千鳥状に配列している半導体装置では、各外部端子（下部露出面４ｂ，５ｂ）の面積が比較的小さいので、半導体装置を基板６１に実装した際に、各外部端子（下部露出面４ｂ，５ｂ）と基板６１との接合強度（接続強度）がそれ程大きくない。本実施の形態では、半導体装置１の外部端子としての下部露出面４ｂ，５ｂを基板６１の導体パターン６２に接続するだけでなく、半導体チップ３には電気的に接続されていない吊りリード１０の下部露出面１０ｂも基板６１の導体パターン６２に接続する。吊りリード１０の下部露出面１０ｂも基板６１の導体パターン６２に接続することにより、半導体装置１の基板６１への実装を補強でき、半導体装置１を基板６１に確実に固定することが可能となる。このため、周辺環境の温度変化などにより半導体装置１や基板６１が反ったとしても、半導体装置１の外部端子としての下部露出面４ｂ，５ｂが基板６１の導体パターン６２からはがれることを防止することができる。従って、半導体装置１の基板実装の信頼性を向上することができる。また、吊りリード１０の下部露出面１０ｂは半導体装置１の裏面の四隅に位置しており、その四隅の下部露出面１０ｂを基板６１の導体パターン６２に接続するので、半導体装置１の基板実装の信頼性向上効果は大きい。
【００９４】
（実施の形態７）
図４１は、本発明の他の実施の形態の半導体装置の底面図（裏面図）であり、図４２はその断面図であり、図４３はその部分拡大断面図である。図４１のＪ−Ｊ線の断面が図４２にほぼ対応する。また、図４３は、図４２と同じ断面が示されている。なお、図４１は、上記実施の形態１における図３に対応し、図４２は、上記実施の形態１における図６に対応する。
【００９５】
上記実施の形態１では、各吊りリード１０において、封止樹脂部２の裏面２ａで露出するのは、下部露出面１０ｂの一箇所である。本実施の形態では、封止樹脂部２の裏面２ａにおいて、各吊りリード１０の下面が複数箇所、例えば２箇所で露出する。
【００９６】
図４１〜図４３に示される本実施の形態の半導体装置１ｃでは、タブ７の四隅にその一端が接続されタブ７の外方に向かって延在する吊りリード１０のそれぞれは、上記実施の形態１とは異なり、封止樹脂部２の底面２ａにおいて複数箇所、ここでは２箇所で露出している。すなわち、本実施の形態では、吊りリード１０は、封止樹脂部２の裏面２ａの四隅近傍領域で露出する下部露出面（外側露出面）１０ｂと、下部露出面１０ｂよりも裏面２ａの内部側（内側）で露出する下部露出面（内側露出面）１０ｅとを有している。本実施の形態では、吊りリード１０は、下部露出面１０ｂと下部露出面１０ｅとの間の領域において吊りリード１０の下面側をハーフエッチングすることなどにより厚みを（下部露出面１０ｂ，１０ｅでの厚みよりも）相対的に薄くしてある。他の形態として、吊りリード１０に屈曲部を設けることで下部露出面１０ｂと下部露出面１０ｅとの間の領域を下部露出面１０ｂ，１０ｅよりも上方に持ち上げることもできる。他の構成は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００９７】
図４４および図４５は、本実施の形態の半導体装置１ｃを基板（外部基板、マザーボード）６１に実装した状態を示す断面図である。図４４は、上記実施の形態１の図４に対応する断面図であり、図４５は、図４２に対応する断面図である。
【００９８】
半導体装置１ｃを基板６１に実装する際には、図４４に示されるように、基板６１上に形成された導体パターン（端子、導体部）６２に、半導体装置１ｃの外部端子であるリード４，５の下部露出面４ｂ，５ｂを、半田などからなる導電性の接合材６３を介して接続（接合）する。更に、本実施の形態では、図４５に示されるように、半導体装置１ｃの吊りリード１０の下部露出面１０ｂおよび下部露出面１０ｅを、基板６１上に形成された導体パターン６２に、接合材６３を介して接続する。
【００９９】
図４１に示されるように裏面で外部端子（下部露出面４ｂ，５ｂ）が千鳥状に配列している半導体装置では、各外部端子（下部露出面４ｂ，５ｂ）の面積が比較的小さいので、半導体装置を基板６１に実装した際に、各外部端子（下部露出面４ｂ，５ｂ）と基板６１との接合強度（接続強度）がそれ程大きくない。
【０１００】
本実施の形態では、各吊りリード１０の下面を、複数部分、ここでは２つの下部露出面１０ｂ，１０ｅで封止樹脂部２の裏面２ａから露出させ、半導体装置１ｃを基板６１に実装する際には、半導体装置１ｃの外部端子としての下部露出面４ｂ，５ｂを基板６１の導体パターン６２に接続するだけでなく、半導体チップ３には電気的に接続されていない吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅも基板６１の導体パターン６２に接続する。吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅも基板６１の導体パターン６２に接続することにより、半導体装置１ｃの基板６１への実装を補強でき、半導体装置１ｃを基板６１により確実に固定することが可能となる。このため、周辺環境の温度（変化）などにより半導体装置１ｃや基板６１が反ったとしても、半導体装置１ｃの外部端子としての下部露出面４ｂ，５ｂが基板６１の導体パターン６２からはがれることを防止することができる。従って、半導体装置１ｃの基板実装の信頼性を向上することができる。また、吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅは半導体装置１ｃの裏面の四隅およびその内部（内側）領域に位置しており、その下部露出面１０ｂ，１０ｅを基板６１の導体パターン６２に接続できるので、半導体装置１ｃの基板実装の信頼性向上効果は大きい。また、各吊りリード１０において、複数部分、ここでは２つの下部露出面１０ｂ，１０ｅを封止樹脂部２の裏面２ａから露出させたことにより、吊りリード１０と基板６１の導体パターン６２との接合部の数を増大させることができ、半導体装置１ｃの基板実装の信頼性向上効果をより高めることができる。
【０１０１】
また、吊りリード１０の下部露出面１０ｂと下部露出面１０ｅとの間の領域でも吊りリード１０の下面を封止樹脂部２の裏面から露出させた場合は、吊りリード１０の露出面とリード５の下部露出面５ｂとが近接してしまい、それらの間で接合材６３などを介してショートが発生する恐れが生じてくる。本実施の形態では、吊りリード１０の下部露出面１０ｂと下部露出面１０ｅとの間の領域では、吊りリード１０の下面を封止樹脂部２の裏面から露出させず、封止樹脂部２内に封止させたことにより、吊りリード１０とリード４，５との間のショートの発生を防止でき、半導体装置の信頼性をより向上することができる。
【０１０２】
また、図４１では、吊りリード１０の下部露出面１０ｂの面積と下部露出面１０ｅの面積とがほぼ等しくなっているが、吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅの面積は種々変更可能である。図４６は、他の実施の形態の半導体装置の部分拡大底面図であり、図４７は、更に他の実施の形態の半導体装置の部分拡大底面図である。図４６に示されるように、吊りリード１０の下部露出面１０ｂを下部露出面４ｂ，５ｂよりも大きくし、下部露出面１０ｂの面積を下部露出面１０ｅの面積よりも大きくすることができる。また、図４７に示されるように、吊りリード１０の下部露出面１０ｅを下部露出面４ｂ，５ｂよりも大きくすることもできる。
【０１０３】
（実施の形態８）
図４８は、本発明の他の実施の形態の半導体装置の底面図（裏面図）であり、図４９はその断面図であり、図５０はその部分拡大断面図である。図４８のＫ−Ｋ線の断面が図４９にほぼ対応する。また、図５０は、図４９と同じ断面が示されている。なお、図４８〜図５０は、図４１〜図４３にそれぞれ対応する。
【０１０４】
図４８〜図５０に示される本実施の形態の半導体装置１ｄでは、各吊りリード１０において、上記実施の形態７と同様に下部露出面１０ｂ，１０ｅを封止樹脂部２の裏面２ａから露出させるとともに、更にタブ７の下面７ａも封止樹脂部２の裏面２ａから露出させている。すなわち、本実施の形態では、吊りリード１０に屈曲部（屈曲部１０ａ）を設けず、吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅとタブ７の下面７ａとを略同一平面上に存在するように吊りリード１０を形成し、吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅとタブ７の下面７ａと吊りリード１０のタブ７近傍の領域とを封止樹脂部２の裏面２ａで露出させている。本実施の形態では、吊りリード１０は、下部露出面１０ｂと下部露出面１０ｅとの間の領域、および下部露出面１０ｅと吊りリード１０のタブ７近傍の領域との間の領域において、吊りリード１０の下面側をハーフエッチングすることなどにより厚みを（下部露出面１０ｂ，１０ｅでの吊りリードの厚みよりも）相対的に薄くしてある。他の構成は上記実施の形態７の半導体装置１ｃとほぼ同様であるので、ここではその説明を省略する。
【０１０５】
図示はしないけれども、本実施の形態の半導体装置１ｄも、上記実施の形態７の半導体装置１ｃと同様に、基板６１に実装することができる。この際、本実施の形態でも、上記実施の形態７と同様に、各吊りリード１０において、複数部分、ここでは下部露出面１０ｂ，１０ｅを封止樹脂部２の裏面２ａから露出させ、半導体装置１ｄの外部端子としての下部露出面４ｂ，５ｂを基板６１の導体パターン６２に接合材６３を介して接続（接合）するだけでなく、半導体チップ３には電気的に接続されていない吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅも基板６１の導体パターン６２に接合材６３を介して接続することができ、更に、封止樹脂部２の裏面２ａで露出するタブ７の下面７ａも基板６１の導体パターン６２に接合材６３を介して接続することができる。吊りリード１０の下部露出面１０ｂ，１０ｅやタブ７の下面７ａも基板６１の導体パターン６２に接続することにより、半導体装置１ｄの基板６１への実装を補強でき、半導体装置１ｄを基板により確実に固定することが可能となる。このため、周辺環境の温度変化などにより半導体装置１ｄや基板６１が反ったとしても、半導体装置１ｄの外部端子としての下部露出面４ｂ，５ｂが基板６１の導体パターン６２からはがれることをより確実に防止することができる。従って、半導体装置１ｄの基板実装の信頼性をより向上することができる。
【０１０６】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、例えばＱＦＮパッケージ形態の半導体装置に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１の半導体装置の側面図である。
【図３】図１の半導体装置の底面図である。
【図４】図１の半導体装置の断面図である。
【図５】図１の半導体装置の断面図である。
【図６】図１の半導体装置の断面図である。
【図７】図１の半導体装置の部分拡大側面図である。
【図８】図１の半導体装置の部分拡大上面図である。
【図９】図１の半導体装置の部分拡大底面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置の説明図である。
【図１１】リードの上面図である。
【図１２】リードの断面図である。
【図１３】リードの断面図である。
【図１４】リードの断面図である。
【図１５】リードの断面図である。
【図１６】リードフレームの要部平面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１８】図１７に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図２０】図１９に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図２１】めっき工程の説明図である。
【図２２】図２０に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図２３】リードフレームを切断する工程の説明図である。
【図２４】リードフレームの打ち抜き領域を説明するための平面図である。
【図２５】リードフレームの打ち抜き領域を説明するための平面図である。
【図２６】リードの上部露出面の幅と下部露出面の幅とを等しくした場合の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２７】リードの上部露出面の幅と下部露出面の幅とを等しくした場合の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２８】リードの上部露出面の幅と下部露出面の幅とを等しくした場合の半導体装置の製造工程中の要部側面図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大側面図である。
【図３０】図２９の半導体装置の部分拡大上面図である。
【図３１】リードの形状を示す平面図である。
【図３２】図３１のリードの断面図である。
【図３３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大側面図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３５】図３４に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図３６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３７】図３６に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図３８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大側面図である。
【図３９】半導体装置を基板に実装した状態を示す断面図である。
【図４０】半導体装置を基板に実装した状態を示す断面図である。
【図４１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の底面図である。
【図４２】図４１の半導体装置の断面図である。
【図４３】図４１の半導体装置の部分拡大断面図である。
【図４４】図４１の半導体装置を基板に実装した状態を示す断面図である。
【図４５】図４１の半導体装置を基板に実装した状態を示す断面図である。
【図４６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大底面図である。
【図４７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の部分拡大底面図である。
【図４８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の底面図である。
【図４９】図４７の半導体装置の断面図である。
【図５０】図４７の半導体装置の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１  半導体装置
１ａ  半導体装置
１ｂ  半導体装置
１ｃ  半導体装置
１ｄ  半導体装置
２  封止樹脂部
２ａ  裏面
２ｂ  切断面
３  半導体チップ
３ａ  電極
４  リード
４ａ  上面
４ｂ  下部露出面
４ｃ  切断面
４ｄ  上部露出面
５  リード
５ａ  上面
５ｂ  下部露出面
５ｃ  切断面
５ｄ  上部露出面
６  ボンディングワイヤ
７  タブ
７ａ  下面
９  めっき層
９ａ  めっき層
１０  吊りリード
１０ａ  屈曲部
１０ｂ  下部露出面
１０ｃ  切断面
１０ｅ  下部露出面
２１  リードフレーム
２２  モールドライン
２３  フレーム枠
３１  めっき槽
３２  めっき液
４１  支持台
４１ａ  切断受けダイ
４２  パンチ
４３ａ  打ち抜き領域
４３ｂ  打ち抜き領域
４３ｃ  打ち抜き領域
５１  めっき層
６１  基板
６２  導体パターン
６３  接合材
【図１】
2005057067.tif 000003
【図２】
2005057067.tif 000004
【図３】
2005057067.tif 000005
【図４】
2005057067.tif 000006
【図５】
2005057067.tif 000007
【図６】
2005057067.tif 000008
【図７】
2005057067.tif 000009
【図８】
2005057067.tif 000010
【図９】
2005057067.tif 000011
【図１０】
2005057067.tif 000012
【図１１】
2005057067.tif 000013
【図１２】
2005057067.tif 000014
【図１３】
2005057067.tif 000015
【図１４】
2005057067.tif 000016
【図１５】
2005057067.tif 000017
【図１６】
2005057067.tif 000018
【図１７】
2005057067.tif 000019
【図１８】
2005057067.tif 000020
【図１９】
2005057067.tif 000021
【図２０】
2005057067.tif 000022
【図２１】
2005057067.tif 000023
【図２２】
2005057067.tif 000024
【図２３】
2005057067.tif 000025
【図２４】
2005057067.tif 000026
【図２５】
2005057067.tif 000027
【図２６】
2005057067.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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