(57)【要約】【課題】極めて高い効率で、かつ、均一に基板の処理面に形成されたレジストを除去することができるオゾン水噴射ノズルを提供する。【解決手段】オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使用されるオゾン水噴射ノズルであって、前記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができる複数の噴射孔と、前記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射させることができる紫外線照射手段とを有するオゾン水噴射ノズル。【選択図】    図１
2005150165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使用されるオゾン水噴射ノズルであ
って、
前記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができる複数の噴射孔
と、前記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射させることができる紫外線照射
手段とを有する
ことを特徴とするオゾン水噴射ノズル。
【請求項２】
紫外線照射手段は、オゾン水の噴射方向と基板の処理面とが垂直になるように配置したと
きに、噴射孔と同じ位置か、又は、前記噴射孔よりも前記基板の処理面に近い位置にある
ことを特徴とする請求項１記載のオゾン水噴射ノズル。
【請求項３】
噴射孔から噴射されたオゾン水は、棒流となることを特徴とする請求項１又は２記載のオ
ゾン水噴射ノズル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極めて高い効率で、かつ、均一に基板の処理面に形成されたレジストを除去す
ることができるオゾン水噴射ノズルに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に回路を形成する場合や、液晶基板上に色相の異なる複数の着色画素をパタ
ーン状に形成する場合には、フォトリソグラフィー工程が必須の工程である。例えば、半
導体基板上に回路を形成する場合は、基板上にレジストを塗布し、通常のフォトプロセス
にてレジストパターンからなる画像を形成し、これをマスクとしてエッチングした後、不
要となったレジストを除去して回路を形成し、次の回路を形成するために、再度レジスト
を塗布して、画像形成−エッチング−レジストの除去というサイクルを繰り返し行う。
【０００３】
不要となったレジストを除去するレジスト除去工程では、従来、半導体基板のレジスト除
去には、アッシャー（灰化手段）や、硫酸や過酸化水素等を用いたＲＣＡ洗浄法が用いら
れており、液晶基板のレジスト除去には、有機溶媒とアミンとの混合溶液等が用いられて
いた。しかし、レジストの除去にアッシャーを用いると、高温のため半導体にダメージを
与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や
薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、十数バッチごとに新たな薬液に交換しなければ
ならないことから、大量の薬液が必要とされ薬液コストがかさむとともに、大量の廃液が
生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな不利益があった。
【０００４】
オゾンガスを水に溶解して得られるオゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱
臭・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時間とともに無害な酸素（気体）
に自己分解して残留性がないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等として注目
されている。近年、環境への関心が高まる中、上述のレジスト除去方法に代わる方法とし
て、オゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されている。
【０００５】
オゾン水を用いたレジスト除去装置としては、例えば、特許文献１には、基板の回路非形
成面を高圧ジェットノズルにて供給されるオゾン水とともに回転ブラシにより洗浄し、基
板の回路形成面を高圧ジェットノズルにて供給されるオゾン水にて洗浄するレジスト装置
が開示されている。また、例えば、特許文献２には、オゾンガスが気泡状態で混合された
ガス混合オゾン水を回転させた基板の中心部に供給し、基板の遠心力によりガス混合オゾ
ン水を基板の中心部から外周部へ流動させる方法が開示されている。
しかしながら、これらの文献に開示されたオゾン水を用いたレジスト除去装置やレジスト
除去方法により基板表面のレジストを除去しようとすると、何れも実用的なレジスト除去
速度が得られなかった。また、基板の全表面にわたって均一にレジストを除去することも
困難であるという問題があった。更に、高濃度のオゾン水を大量に製造することは困難で
あることから、より少量のオゾン水で効率よくレジスト除去を行うという要請もあった。
【０００６】
また、オゾン水を用いて基板表面のレジストをより効率よく除去する方法として、オゾン
水とともに紫外線を照射することで、オゾンの分解速度を促進させる方法が知られている
。例えば、特許文献３には、オゾンを溶解した液体中に被洗浄物を斜めに浸漬し、該被洗
浄物に紫外線を照射する方法が開示されている。
しかしながら、この方法によっても、充分なレジスト除去速度が得られるとはいい難く、
また、基板表面のレジストを均一に除去することは非常に困難なものであった。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−１２０１９２号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１８９３号公報
【特許文献３】特許第３０１６３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、極めて高い効率で、かつ、均一に基板の処理面に形成された
レジストを除去することができるオゾン水噴射ノズルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のオゾン水噴射ノズルは、オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使
用されるオゾン水噴射ノズルであって、前記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水
を噴射させることができる複数の噴射孔と、前記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外
線を照射させることができる紫外線照射手段とを有するオゾン水噴射ノズルである。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
本発明のオゾン水噴射ノズルは、オゾン水を用いて基板表面のレジストの除去を行う際に
使用されるものである。
本明細書においてオゾン水には、水溶液にオゾンガスを溶解させたもののほか、酢酸又は
その誘導体等の有機酸を溶解した水にオゾンガスを溶解させたものも含む。また、上記基
板としては特に限定されず、例えば、半導体装置に用いられる各種シリコンウエハ、ディ
スプレイパネルに用いられるガラス基板、その他樹脂基板等が挙げられる。
【００１１】
本発明者らは、レジスト除去速度に優れ、より少量のオゾン水でより均一に基板表面のレ
ジストを除去できる方法について鋭意検討した結果、基板の処理面の略全表面に対して一
定以上の線速度でオゾン水を噴射することにより、高い効率で均一にレジストを除去でき
ることを見出した。これは、基板上のレジストは、オゾン水が基板の処理面上の一点に対
して一定以上の線速度で到達したときに、その到達点において最も効率よく除去され、更
に、この到達点間の距離を一定以下の間隔にした場合には、全体として均一にレジストを
除去できるためと考えられる。
【００１２】
また、このように基板の処理面の略全表面に対して一定以上の線速度でオゾン水を噴射さ
せることのできるオゾン水噴射ノズルについて検討した結果、上記基板の処理面の略全表
面に対応する位置に多数の噴射孔が形成されていればよいことを見出した。
【００１３】
このような本発明者らが見出したオゾン水噴射ノズルを用いた基板表面のレジストの除去
において、紫外線を照射して活性化させたオゾン水を用いればより効率よく上記基板表面
のレジスト除去ができる。しかし、上記活性化させたオゾン水は、レジスト除去効率を向
上させることができるが、極めて短い時間で失活するものであったため、予め紫外線を照
射して活性化させたオゾン水を上記オゾン水噴射ノズルから噴射させると、上記基板の処
理面に到達する前にオゾン水が失活してしまい充分なレジスト除去効率の向上が得られな
いものであった。また、オゾン水噴射ノズルと基板の処理面との間から紫外線を照射する
方法も考えられるが、この方法では、基板の処理面の外縁部付近に到達するオゾン水のみ
が活性化され、基板の処理面に到達するオゾン水全体を充分に活性化させることができな
い。
【００１４】
そこで、本発明者らは、上記オゾン水噴射ノズルを用いた基板表面のレジストの除去にお
いて、紫外線を照射して活性化させたオゾン水を用いて、より効率よく基板表面のレジス
トの除去を行う方法について鋭意検討した結果、上記オゾン水噴射ノズルに、上記基板の
処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射させることのできる紫外線照射手段を形成し、
基板表面のレジストの除去において、オゾン水の噴射と紫外線の照射とを同時に行えばよ
いことを見出し、本発明を完成させた。
【発明の効果】
【００１５】
すなわち、本発明のオゾン水噴射ノズルは、上記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾ
ン水を噴射させることができる複数の噴射孔と、上記基板の処理面の略全表面に略均一に
紫外線を照射させることができる紫外線照射手段を有する。このような本発明のオゾン水
噴射ノズルを用いて基板の処理面に形成されたレジストの除去を行うと、基板の処理面の
略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができるとともに、オゾン水が基板の処理
面に到達するのと略同時に上記オゾン水に紫外線を照射させることができる。従って、充
分に活性化されたオゾン水を基板の処理面の略全表面に到達させることができ、極めて高
い効率で、かつ、均一にレジストの除去を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明のオゾン水噴射ノズルの実施形態の一例を模式的に示す断面図であり、図
２は、本発明のオゾン水噴射ノズルの一例を模式的に示す平面図である。
【００１７】
図１及び図２に示すように、本発明のオゾン水噴射ノズル１０は、略円板状の本体部１１
のオゾン水１４を噴射する側の面（以下、噴射面ともいう）に、複数の噴射孔１２が形成
されており、更に、紫外線照射手段１３の一部が露出するように形成されている。
【００１８】
噴射孔１２は、本体部１１の内部を貫通するように形成されており、本体部１１の噴射面
に露出した噴射孔１２は、直線状に略等間隔に配置されて列を形成しており、上記噴射面
において、噴射孔１２が形成する列は、平行に複数列形成されている。
また、本体部１１の噴射面において、噴射孔１２が形成する一の列と他の列との間には、
該列に平行な溝が形成されており、紫外線照射手段１３は、一部が上記噴射面から突出し
た状態で上記溝に埋め込まれている。
【００１９】
このような構造のオゾン水噴射ノズル１０は、本体部１１の噴射面と処理基板２０の処理
面とが対向するように所定の間隔を空けて処理基板２０の上方に配置される。また、オゾ
ン水は、本体部１１の噴射面の反対側面に形成されたオゾン水供給部１５から導入され、
本体部１１の噴射面に露出した噴射孔１２より処理基板２０の処理面に向けて噴射される
ようになっている。このとき、オゾン水１４の噴射方向は、上記噴射面と垂直な方向とな
る。
【００２０】
本発明のオゾン水噴射ノズルの構造は、基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴
射させることができるとともに、上記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射さ
せることができるものであれば、図１に示すノズル１０のような構造に限定されず、例え
ば、円板状の本体部の噴射面において、放射状、同心円状又は格子状等に配列した噴射孔
と、該噴射孔の配列と略同形状の紫外線照射手段とが形成されたもの等であってもよい。
また、その外形も円板状のほか、例えば、平面視多角形の板状や、外周の大きさの異なる
複数の板状部材が一体化されてなるもの等であってもよい。
更に、本発明のオゾン水噴射ノズルは、その内部に複数の噴射孔が形成されるとともに、
噴射面に紫外線照射手段が形成された本体部を有する構造に限定されることはなく、例え
ば、管状部材の側面に多数の噴射孔を設けたものを並列に複数個配列させ、これらの間に
紫外線照射手段を設けた構造や、複数の中空糸をノズルとし、これらのノズルを石英ガラ
ス等で所定の間隔を空けて平行に固定し、上記石英ガラスの上面であって、上記ノズルの
間に紫外線照射手段を配設した構造等であってもよい。この場合、ノズルのオゾン水を噴
射させる側の端部は、必ずしもオゾン水の噴射方向に垂直な方向に同じ位置になくてもよ
い。
なお、以下の説明では、特に示した場合を除き、本発明のオゾン水噴射ノズルの構造は、
図１及び図２に示したようなその内部に複数の噴射孔が形成されるとともに、噴射面に紫
外線照射手段が形成された本体部を有する構造であるものとする。
【００２１】
本発明のオゾン水噴射ノズルにおいて、噴射孔は、基板の処理面の略全表面に略均一にオ
ゾン水を噴射させることができる位置に形成されている。
ここで、「基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射」とは、本発明のオゾン水
噴射ノズルの噴射孔より噴射させたオゾン水が基板の処理面に到達する際、基板の処理面
の全表面に略等間隔で到達することを意味する。
【００２２】
上記噴射孔の口径の好ましい下限は０．０５ｍｍ、好ましい上限は０．５ｍｍである。０
．０５ｍｍ未満であると、噴射孔の目詰まりが発生しやすなり、０．５ｍｍを超えると、
噴射孔から噴射されるオゾン水が一定の流速を得るためには、大量のオゾン水が必要とな
り、オゾン水の使用量に対するレジスト除去の効率が低下することがある。
【００２３】
このような本発明のオゾン水噴射ノズルにおいて、上記噴射孔から噴射されたオゾン水は
棒流となることが好ましい。更に高い効率でレジストを除去することができるからである
。
なお、本明細書において、上記オゾン水が棒流であるとは、噴射孔から噴射されたオゾン
水が噴射孔の口径を大きく超えて広がることなく、噴射孔の口径と略同径で基板の処理面
に到達することを意味する。上記噴射孔から噴射されるオゾン水の噴射角、即ち噴射孔よ
り噴射されたオゾン水の広がり角度の好ましい上限は１０°、より好ましい上限は５°で
ある。
【００２４】
また、隣接する上記噴射孔の中心間距離は、高いレジスト除去効率と均一なレジスト除去
とを実現するために、上記基板の処理面に到達したオゾン水の到達点間の距離が所定の範
囲内となるように調整されていることが好ましい。具体的には、上記オゾン水の到達点間
の距離の好ましい下限は２．５ｍｍ、好ましい上限は１０ｍｍである。２．５ｍｍ未満で
あると、オゾン水の使用量が増大するうえ、オゾン水流同士の干渉、例えば処理面ではね
かえるオゾン水により隣のオゾン水の線速度が低下してしまうこと等によりかえってレジ
スト除去効率が悪くなることがあり、１０ｍｍを超えると、均一なレジスト除去ができな
いことがある。
【００２５】
また、本発明のオゾン水噴射ノズルにおいて、紫外線照射手段は、基板の処理面の略全表
面に略均一に紫外線を照射させることができるように形成されている。
ここで、「基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射」とは、本発明のオゾン水噴
射ノズルの紫外線照射手段より照射させた紫外線が基板の処理面に影を作ることなく略全
表面に到達することを意味する。
【００２６】
上記紫外線照射手段としては、所定の強度の紫外線を基板の処理面に照射することができ
るものであれば特に限定されず、例えば、従来公知のＵＶランプ等が挙げられる。
【００２７】
上記紫外線照射手段は、上記オゾン水の噴射方向と上記基板の処理面とが垂直になるよう
に配置したときに、上記噴射孔と同じ位置か、又は、上記噴射孔よりも上記基板の処理面
に近い位置にあることが好ましい。すなわち、上記紫外線照射手段は、上記噴射面におい
て、上記噴射孔と同じ位置か、より突出したように形成されていることが好ましい。上記
紫外線照射手段が上記噴射孔よりも窪んでいると、上記紫外線照射手段から上記基板の処
理面に照射された紫外線の一部が、上記噴射孔で遮蔽されてしまい、上記基板の処理面の
略全表面に紫外線を略均一に照射させることができなくなることがある。
【００２８】
また、上記紫外線照射手段は、オゾン水がかかることによって損傷することを防止するた
めに、石英ガラス等により保護されていることが好ましい。
【００２９】
このような本発明のオゾン水噴射ノズルにおいて、上記噴射孔や紫外線照射手段が形成さ
れる本体部を構成する材料としては、耐オゾン性を有するものであれば特に限定されない
が、例えば、フッ素系樹脂からなるものが好適である。上記フッ素系樹脂としては、例え
ば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシ樹脂（ＰＦ
Ａ）、フッ化エチレンプロピレン樹脂（ＦＥＰ）等の４フッ化エチレン共重合体；フッ素
系ゴム等が挙げられる。
【００３０】
このような本体部の形状及び大きさとしては特に限定されず、処理対象である基板の形状
及び大きさに合わせて適宜決定されるが、通常、処理対象である基板は略円板状であるた
め、上記本体部も上記基板と略同じ大きさの円板状である。
【００３１】
本発明のオゾン水噴射ノズルを用いて基板表面のレジストの除去を行うに際には、例えば
、図１に示したオゾン水噴射ノズル１０及び処理基板２０のように、オゾン水噴射ノズル
と基板とを所定の位置に配置した後、オゾン水噴射ノズル及び／又は基板をその外周方向
に回転させながらオゾン水の噴射と紫外線照射とを行うことが好ましい。本発明のオゾン
水噴射ノズルより噴射させたオゾン水を基板の処理面の略全表面に略均一に噴射させるこ
とができるとともに、照射させた紫外線を基板の処理面の略全表面に略均一に照射するこ
とができるからである。
【００３２】
本発明のオゾン水噴射ノズルと基板の処理面との距離としては、本発明のオゾン水噴射ノ
ズルの大きさ等に合わせて適宜調整されるが、好ましい下限は１ｍｍであり、好ましい上
限は４ｍｍである。１ｍｍ未満であると、本発明のオゾン水噴射ノズルと基板とが接触す
ることがあり、４ｍｍを超えると、隣接するオゾン水同士が合体し、棒流状で基板の処理
面に到達しないことがあり、また、オゾン水が基板の処理面に到達する前に紫外線により
活性化され、該活性化されたオゾン水が基板の処理面に到達した時点で失活してしまうこ
とがある。
【００３３】
上記基板の処理面に噴射させるオゾン水の線速度の好ましい下限は４６０ｃｍ／ｓｅｃで
あり、好ましい上限は４０００ｃｍ／ｓｅｃである。４６０ｃｍ／ｓｅｃ未満であると、
効率よくレジストを除去することができないことがあり、４０００ｃｍ／ｓｅｃを超える
と、オゾンとレジストとの反応速度から、もはや線速度を上げてもレジスト除去速度は向
上せず、オゾン水の使用量に対するレジスト除去の効率がかえって低下することがある。
また、現行の技術では、４０００ｃｍ／ｓｅｃを超えるシステムの構築自体が困難であり
、更に、オゾン水の使用量が増加すると、オゾン水を高濃度に維持することも困難となる
。より好ましい下限は５００ｃｍ／ｓｅｃ、より好ましい上限は２０００ｃｍ／ｓｅｃ、
更に好ましい下限は８００ｃｍ／ｓｅｃであり、更に好ましい上限は１５００ｃｍ／ｓｅ
ｃである。
【００３４】
また、上記紫外線照射手段が照射する紫外線の強度の好ましい下限は０．０１ｍＷ／ｃｍ
２であり、好ましい上限は５ｍＷ／ｃｍ２である。０．０１ｍＷ／ｃｍ２未満であると、
オゾン水を充分に活性化させることができずレジスト除去効率の改善がほとんど得られず
、５ｍＷ／ｃｍ２を超えると、急激にレジストが除去されて基板自体が損傷することがあ
る。より好ましい下限は０．０５ｍＷ／ｃｍ２であり、より好ましい上限は２ｍＷ／ｃｍ
２である。
【００３５】
更に、上記基板表面のレジストを除去する際には、本発明のオゾン水噴射ノズル及び／又
は基板を、上記基板の処理面と平行な方向に揺動させることが好ましい。より均一に基板
の処理面にオゾン水を噴射させることができるからである。なお、この場合、必ずしもオ
ゾン水噴射ノズル及び／又は基板をその外周方向に回転させながらオゾン水の噴射と紫外
線照射とを行う必要はない。
【００３６】
次に、本発明のオゾン水噴射ノズルの作製方法として、図１及び図２に示したオゾン水噴
射ノズル１０と同じ構造のオゾン水噴射ノズルの作製方法について簡単に説明する。
【００３７】
本発明のオゾン水噴射ノズルを作製するには、まず、上述した本体部を構成する原料樹脂
を用いて圧縮成形、押し出し成形、溶融成形等により円板状の本体部を作製する。
【００３８】
次に、作製した本体部の所定の位置に噴射孔を形成する。
上記噴射孔を形成する方法としては特に限定されず、例えば、ドリル加工、レーザ加工等
任意の加工法により形成することができるが、噴射孔から噴射されるオゾン水が棒流とな
る口径の小さな噴射孔を高精度で形成することができることからレーザ加工により形成す
ることが好ましい。
【００３９】
次に、上記本体部の噴射面となる面に、上記噴射孔の非形成部分に紫外線照射手段を埋め
込むための溝を形成する。
上記溝を形成する方法としては特に限定されず、例えば、ドリル加工、レーザ加工等任意
の加工法により形成することができる。
なお、上記溝は、紫外線照射手段を埋め込んだ際に、その一部が上記噴射孔よりも突出す
る大きさであることが好ましい。
【００４０】
そして、形成した上記溝に紫外線照射手段を埋め込み、所定の接着剤等で固定することで
本発明のオゾン水噴射ノズルを作製することができる。
【００４１】
本発明のオゾン水噴射ノズルは、基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させ
ることができる複数の噴射孔と、上記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射さ
せることができる紫外線照射手段とを有するため、基板表面のレジストの除去を行う際、
上記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができるとともに、オ
ゾン水が基板の処理面に到達するのと略同時に上記オゾン水に紫外線を照射させることが
できる。
従って、充分に活性化されたオゾン水を基板の処理面の略全表面に到達させることができ
、極めて高い効率で、かつ、均一にレジストの除去を行うことができる。
【実施例】
【００４２】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定
されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
パーフルオロアルコキシ樹脂製の直径１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍで円板状の本体部に、炭
酸ガスレーザを用いて直径０．５ｍｍの噴射孔を縦方向に２．５ｍｍ間隔、横方向に５ｍ
ｍ間隔で形成した。
次に、横方向に隣接する噴射孔の間に炭酸ガスレーザを用いて噴射孔の縦方向の列に平行
な溝を形成し、石英ガラス製ランプケースで保護したＵＶランプを接着剤を介して固定し
てオゾン水噴射ノズルを作製した（図１参照）。
【００４４】
作製したオゾン水噴射ノズルの噴射孔より噴射させた水流について、噴射孔から３０ｃｍ
離れた点に到達した水流の直径を測定したところ約０．５ｍｍであった。このことから、
この噴射孔から噴射させた水流は棒流であることがわかった。
【００４５】
作製したオゾン水噴射ノズルを従来公知のレジスト除去装置に取り付け、表面に厚さ０．
５μｍのレジストが形成されたＳｉウエハを処理基板とし、紫外線強度３．１ｍＷ／ｃｍ
２、オゾン水濃度１２７ｐｐｍ、オゾン水圧０．２６２ＭＰａ、オゾン水流量１０８ｍＬ
／ｍｉｎ（１５本）、オゾン水温６０℃、オゾンガス濃度７８０ｐｐｍ、オゾンガス圧０
．２７７ＭＰａの処理条件で、処理基板をＸＹ２軸方向に５ｍｍ揺動させながら処理基板
のレジスト除去を行った。
膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いてレジストの残厚を測定した。
その結果、レジスト除去開始後４５秒でレジストが完全に除去された。
【００４６】
（比較例１）
ＵＶランプを形成しなかったほかは、実施例１と同様にしてオゾン水噴射ノズルを作製し
た。
その後、実施例１と同条件で処理基板のレジスト除去を行った。
膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いてレジストの残厚を測定した。
その結果、レジスト除去開始後７０秒でレジストが完全に除去された。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、極めて高い効率で、かつ、均一に基板の処理面に形成されたレジストを
除去することができるオゾン水噴射ノズルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明のオゾン水噴射ノズルの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明のオゾン水噴射ノズルの一例を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  オゾン水噴射ノズル
１１  本体部
１２  噴射孔
１３  紫外線照射手段
１４  オゾン水
１５  オゾン水供給部
２０  処理基板
【図１】
2005150165.tif 000003
【図２】
2005150165.tif 000004