(57)【要約】【課題】大型化が容易な表示パネル等を提供すること。【解決手段】光学的に透明な第１の透明電極層１０２、及び第２の透明電極層１０４と、第１の透明電極層１０２の上に設けられた導電率可変層１０３と、導電率可変層１０３と第２の透明電極層１０４との間に設けられ、電圧が印加されることにより発光するエレクトロ・ルミネッセンス層１１０と、を有し、第１の透明電極層１０２と第２の透明電極層１０４との間に、所定の電圧が印加され、導電率可変層１０３は、第１の透明電極層１０２を透過した制御光Ｌの光量に応じて電気的な導電率が変化し、エレクトロ・ルミネッセンス層１１０は、第１の透明電極層１０２を透過した制御光Ｌの光量に応じて導電率可変層１０３の導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層１０３の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光する。【選択図】        図１
2005093223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明な第１の透明電極層、及び第２の透明電極層と、
前記第１の透明電極層の上に設けられた導電率可変層と、
前記導電率可変層と前記第２の透明電極層との間に設けられ、電圧が印加されることにより発光するエレクトロ・ルミネッセンス層と、を有し、
前記第１の透明電極層と前記第２の透明電極層との間に、所定の電圧が印加され、
前記導電率可変層は、前記第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて電気的な導電率が変化し、
前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、前記第１の透明電極層を透過した前記制御光の光量に応じて前記導電率可変層の前記導電率が変化し、前記所定の電圧のうち前記導電率可変層の前記導電率に応じた電圧が印加されることによって発光することを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１の透明電極層の、前記制御光を入射させる面の近傍に設けられ、前記画素に対応して開口部が形成された遮光部を有し、
前記開口部は、前記制御光を通過させることにより、所定の前記画素に対応する前記第１の透明電極層の位置に入射させる位置に配置され、
前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、前記開口部を通過した前記制御光を前記所定の画素に対応する前記第１の透明電極層のみに入射させることにより、前記画素ごとに発光することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、前記導電率可変層の上に設けられた複数の仕切部材によって、前記画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする請求項２又は３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、前記導電率可変層と接する側の面に、前記画素に対応して設けられた反射電極を有し、
前記反射電極は、前記画素に対応する前記エレクトロ・ルミネッセンス層の領域より大きい領域を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記導電率可変層は、前記画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記エレクトロ・ルミネッセンス層の前記複数の領域は、第１色光用画素と、第２色光用画素と、第３色光用画素と、に対応して設けられ、
画素集合体は、１つの前記第１色光用画素と、１つの前記第２色光用画素と、１つの前記第３色光用画素とから構成され、
複数の前記画素集合体が、所定の略直交する２方向に略等間隔で設けられていることを特徴とする請求項２〜６のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項８】
基板上に、第１の透明電極層を形成する第１の透明電極層形成工程と、
前記第１の透明電極層形成工程において形成された前記第１の透明電極層の上に、導電率可変層を形成する導電率可変層形成工程と、
前記導電率可変層形成工程において形成された前記導電率可変層の上に、所定のパターンで仕切部材を形成する仕切部材形成工程と、
前記仕切部材形成工程において形成された前記仕切部材どうしの間にエレクトロ・ルミネッセンス層を形成するエレクトロ・ルミネッセンス層形成工程と、
前記仕切部材形成工程において形成された前記仕切部材と、前記エレクトロ・ルミネッセンス層形成工程において形成された前記エレクトロ・ルミネッセンス層との上に第２の透明電極層を形成する第２の透明電極層形成工程と、
前記第２の透明電極層形成工程において形成された前記第２の透明電極層の上に、保護層を形成する保護層形成工程と、
を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項９】
第１の基板上に、第１の透明電極層を形成する第１の透明電極層形成工程と、
前記第１の透明電極層形成工程において形成された前記第１の透明電極層の上に、導電率可変層を形成する導電率可変層形成工程と、
を含み、前記第１の基板と、前記第１の透明電極層と、前記導電率可変層と、を有する第１の層状構造体を形成する第１の層状構造体形成工程と、
第２の基板上に、第２の透明電極層を形成する第２の透明電極層形成工程と、
前記第２の透明電極層形成工程において形成された前記第２の透明電極層の上に、所定のパターンで仕切部材を形成する仕切部材形成工程と、
前記仕切部材形成工程において形成された前記仕切部材によって囲まれている前記第２の透明電極層上の領域にエレクトロ・ルミネッセンス層を形成するエレクトロ・ルミネッセンス層形成工程と、
を含み、前記第２の基板と、前記第２の透明電極層と、前記仕切部材と、前記エレクトロ・ルミネッセンス層と、を有する第２の層状構造体を形成する第２の層状構造体形成工程と、
前記第１の層状構造体形成工程において形成された前記導電率可変層と、前記第２の層状構造体形成工程において形成された前記エレクトロ・ルミネッセンス層と、を貼り合わせて、前記第１の層状構造体形成工程において形成された前記第１の層状構造体と、前記第２の層状構造体形成工程において形成された前記第２の層状構造体と、を一体にする貼り合せ工程と、
を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
表示パネルと、
前記表示パネルに電圧を印加する電源と、
前記表示パネルに制御光を供給する制御光用光学系と、を有し、
前記表示パネルは、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示パネルであって、
前記電源は、前記表示パネルの前記第１の透明電極層と前記第２の透明電極層との間に電圧を印加し、
前記制御光用光学系は、前記制御光を前記表示パネルの前記第１の透明電極層に入射させることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記制御光用光学系は、前記開口部に前記制御光を通過させることにより、所定の前記画素に対応する前記第１の透明電極層の位置のみに入射させることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記制御光用光学系は、複数の制御光用光源ユニットを有し、
前記制御光用光源ユニットは、前記第１色光用画素に対応する前記第１の透明電極層に第１の制御光を供給する第１制御光用光源部と、前記第２色光用画素に対応する前記第１の透明電極層に第２の制御光を供給する第２制御光用光源部と、前記第３色光用画素に対応する前記第１の透明電極層に第３の制御光を供給する第３制御光用光源部と、からなり、
複数の前記制御光用光源ユニットは、それぞれ前記表示パネルの異なる領域に、前記第１の制御光と、前記第２の制御光と、前記第３の制御光とを供給することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
少なくとも前記制御光用光学系を収納する筐体を有し、
前記表示パネルは、前記筐体に設けられていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１４】
他の画像表示装置からの光を、前記制御光として用いることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル、表示パネルの製造方法及び表示装置、特に、光により制御可能な表示装置に用いられる表示パネルの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像表示装置としては、例えば、有機エレクトロ・ルミネッセンス（以下、「ＥＬ」という。）ディスプレイが用いられる。有機ＥＬディスプレイの技術としては、例えば、非特許文献１に提案されているものがある。
【０００３】
【非特許文献１】「有機ＥＬ材料とディスプレイ」、シーエムシー、ISBN:4-88231-284-0 C3054、第１９章、「有機ＥＬディスプレイの駆動法」、川島進吾、ｐ．２７９−２８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の有機ＥＬディスプレイは、画素に対応する領域ごとに、低温ポリシリコン又はアモルファス・シリコン等により構築された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、「ＴＦＴ」という。）素子を設けている。各ＴＦＴ素子は、電流を用いるアクセスによって、ＯＮ／ＯＦＦが制御される。電流を用いて各ＴＦＴ素子のＯＮ／ＯＦＦを制御することにより、有機ＥＬディスプレイを駆動することができる。しかしながら、画素数を増加する場合、画素ごとにＴＦＴ素子を設けると、画素数の増加に応じてＴＦＴ素子の数も増加する。ＴＦＴ素子の数が増加すると、電流によりアクセスするための電気的な配線も増加する。有機ＥＬディスプレイの構成が複雑となると、歩留まりの増加の原因ともなり得る。従って、画面を大型にするために画素数を増加すると、有機ＥＬディスプレイの製造コストが高騰する場合がある。
【０００５】
ＴＦＴ素子の数を増加させると、電気的な配線も増加することから、電気的な抵抗の増加を引き起こす原因となり得る。電気的な抵抗が増加すると、全ＴＦＴ素子に十分な電流を行き渡らせてアクセスを行うことが困難となる。さらに、ＴＦＴ素子のばらつきが無い大型な画面を製造することは、非常に困難である。画面のＴＦＴ素子にばらつきがあると、表示画像が不均一となってしまう。このように、製造コストが高騰する場合がある上、均一にＴＦＴ素子を製造することが難しいため、大型な画面を製造することは困難である。このように、従来の有機ＥＬディスプレイは、画面を大型にする場合、ＴＦＴ素子のアクセスにおける駆動面での困難や、製造面における困難があるため問題である。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、大型化が容易な表示パネル、その表示パネルの製造方法及びその表示パネルを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、光学的に透明な第１の透明電極層、及び第２の透明電極層と、第１の透明電極層の上に設けられた導電率可変層と、導電率可変層と第２の透明電極層との間に設けられ、電圧が印加されることにより発光するＥＬ層と、を有し、第１の透明電極層と第２の透明電極層との間に、所定の電圧が印加され、導電率可変層は、第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて電気的な導電率が変化し、ＥＬ層は、第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて導電率可変層の導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光することを特徴とする表示パネルを提供することができる。
【０００７】
本発明の表示パネルは、第１の透明電極層に制御光を入射させることにより駆動する。導電率可変層は、制御光を入射させないとき、電気的な導電率が略ゼロの絶縁層として機能する。また、制御光を入射させるとき、導電率可変層は、第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて、電気的な導電率が変化する。第１の透明電極層と、第２の透明電極層との間に所定の電圧を印加させておくと、ＥＬ層に、所定の電圧のうち制御光の光量に応じた電圧を印加させることができる。ＥＬ層は、制御光の光量に応じた電圧が印加されることにより、制御光の光量に応じて発光する。このようにして、表示パネルは、制御光でアクセスすることにより駆動を制御することができる（光アドレッシング）。制御光を入射させることにより制御可能であるから、本発明の表示パネルは、ＴＦＴ素子を設ける必要がない。ＴＦＴ素子は画素に対応する領域ごとに設ける必要があるのに対して、本発明の表示パネルは、導電率可変層、第１の透明電極層、第２の透明電極層を基板全体に一様に成膜できるため容易に製造することができる。また、制御光を走査させる構成によって画素ごとのアクセスが可能であるから、画素ごとに電気的にアクセスする必要もない。このことから、画素ごとに電気的な配線を施すことも不要である。このため、本発明の表示パネルは、従来のＥＬディスプレイより簡易な構成とすることができる。表示パネルを簡易な構成とすることにより、歩留まりを軽減し、製造コストを削減することも可能である。
【０００８】
ＴＦＴ素子を用いると、画面を大型にして画素数が多くなるに従い、ＴＦＴ素子のばらつきが無いディスプレイを製造することが困難となる。また、画面が大型になって画素数が多くなると、ＴＦＴ素子を電気的に接続するための配線も増加することから、電気的な抵抗が増加するという問題がある。これに対して、本発明の表示パネルは、主に、各層を構成する材料を基板の全体に対して一様に成膜することによって製造可能であるから、大型な画面であっても製造が容易である。また、本発明の表示パネルは画素ごとの電気的なアクセスが不要であるから、画素数を増加させても、電気的な抵抗が増加することはない。画素数を増加させても電気的な抵抗が増加しないため、表示パネルの全体に制御光を入射させることが可能であれば、大型な表示パネルであっても容易に駆動を制御することができる。さらに、電気的な抵抗が増加しないうえ、ＥＬ層自体の消費電力が少ないことから、表示パネルを大型とする場合の消費電力を低減することができる。これにより、大型化が容易な表示パネルを得られる。
【０００９】
また、本発明の好ましい態様によれば、ＥＬ層は、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことが望ましい。これにより、画像信号に応じて画素ごとに発光させて表示することが可能な表示パネルを得られる。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様によれば、第１の透明電極層の、制御光を入射させる面の近傍に設けられ、画素に対応して開口部が形成された遮光部を有し、開口部は、制御光を通過させることにより、所定の画素に対応する第１の透明電極層の位置に入射させる位置に配置され、ＥＬ層は、開口部を通過した制御光を所定の画素に対応する第１の透明電極層のみに入射させることにより、画素ごとに発光することが望ましい。制御光は、遮光部に設けられた開口部を通過した後、第１の透明電極層に入射する。開口部は、制御光を通過させ、所定の画素に対応する第１の透明電極層に入射させる位置に配置されている。これにより、所定の画素に対応する第１の透明電極層のみに制御光を入射させることができる。
【００１１】
制御光が所定の画素とは異なる画素に対応する第１の透明電極層の方向へ進行した場合、制御光は、遮光部で遮光される。このように、遮光部と、画素に応じて開口部とを設けることにより、誤って所定の画素以外の画素に対応する領域に制御光が入射することを防止できる。また、複数の制御光をそれぞれ異なる画素に対応する領域に入射させる場合、一つの開口部に複数の制御光を通過させる構成としても良い。このとき、開口部に制御光を入射させることができる精度で制御光をスキャンすることにより、それ以上に制御光の入射位置を高精度に制御しなくても、所定の画素に対応する第１の透明電極層のみに、正確に制御光を入射させることができる。また、制御光のスキャン速度を遅くしなくても良いため、画像の品質を低下することなく正確に光アドレッシングを行うことができる。これにより、正確な制御を容易に行うことができる。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様としては、ＥＬ層は、導電率可変層の上に設けられた複数の仕切部材によって、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことが望ましい。導電率可変層の上に仕切部材を設けることによって、ＥＬ層を、複数の画素に分割された構造とする。これにより、画像信号に応じて画素ごとに発光させて表示することが可能な表示パネルを得られる。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様としては、ＥＬ層は、導電率可変層と接する側の面に、画素に対応して設けられた反射電極を有し、反射電極は、画素に対応するＥＬ層の領域より大きい領域を有することが望ましい。仕切部材は、導電率可変層の上に設けられている。そして、第１の透明電極層のうち仕切部材に対応する位置に制御光が入射すると、導電率可変層は、仕切部材の下部でのみ導電率が変化する。導電率可変層の導電率が仕切部材の下部でのみ変化するとき、ＥＬ層に十分な電圧を印加することができず、ＥＬ層を発光させることができない場合がある。ここで、本発明の表示パネルはＴＦＴ素子を不要とすることから、仕切部材の下部に電気配線を設ける必要がない。このため、反射電極を、仕切部材の下部の空間にまで反射電極の領域を広げることができる。
【００１４】
反射電極の周辺部を、仕切部材と導電率可変層との間に挟むようにして設けると、仕切部材で画素ごとに分割されているＥＬ層の部分より、仕切部材と導電率可変層とに挟まれている領域の分だけ、画素ごとの反射電極の領域が大きくなる。画素ごとの反射電極の領域を、仕切部材で分割されているＥＬ層の部分の領域より大きくできるため、反射電極が、ＥＬ層と同様に、画素に対応して分割されている場合よりも、広い範囲に入射した制御光を利用することができる。また、広い範囲に入射した制御光を利用することができるため、制御光の入射位置を高い精度で制御することが困難であっても、表示パネルの制御を十分に行うことができる。これにより、効率良くＥＬ層を発光させることができる。
【００１５】
また、本発明の好ましい態様としては、導電率可変層は、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことが望ましい。導電率可変層の導電率が変化する領域は、制御光の照射位置を中心として制御光の強度とその照射時間とに比例して周辺へ拡がる傾向がある。導電率可変層を、ＥＬ層と同様に画素に対応する複数の領域に分割された構造とすると、制御光によって所定の画素に対応するＥＬ層を正確に発光させることができる。また、制御光の入射位置を高い精度で制御することが困難であっても、表示パネルの制御を十分に行うことができる。これにより、正確な制御が可能な表示パネルを得られる。
【００１６】
また、本発明の好ましい態様としては、ＥＬ層の複数の領域は、第１色光用画素と、第２色光用画素と、第３色光用画素と、に対応して設けられ、画素集合体は、１つの第１色光用画素と、１つの第２色光用画素と、１つの第３色光用画素とから構成され、複数の画素集合体が、所定の略直交する２方向に略等間隔で設けられていることが望ましい。第１色光用画素と、第２色光用画素と、第３色光用画素とにより、フルカラーの画像を表示する。第１色光用画素と、第２色光用画素と、第３色光用画素とで画素集合体を構成すると、各画素を密に配列できる。各画素を密に配列可能であると、表示パネルの開口率を向上させ、明るい画像を得られる。さらに、複数の画素集合体が２次元方向に略等間隔で配列されていることにより、画像のひずみを低減し、正確に画像を表示することができる。これにより、明るく正確なフルカラー像を得られる。
【００１７】
さらに、本発明によれば、基板上に、第１の透明電極層を形成する第１の透明電極層形成工程と、第１の透明電極層形成工程において形成された第１の透明電極層の上に、導電率可変層を形成する導電率可変層形成工程と、導電率可変層形成工程において形成された導電率可変層の上に、所定の間隔で仕切部材を形成する仕切部材形成工程と、仕切部材形成工程において形成された仕切部材どうしの間にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、仕切部材形成工程において形成された仕切部材と、ＥＬ層形成工程において形成されたＥＬ層との上に第２の透明電極層を形成する第２の透明電極層形成工程と、第２の透明電極層形成工程において形成された第２の透明電極層の上に、保護層を形成する保護層形成工程と、を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法を提供することができる。これにより、上記の表示パネルを製造することができる。また、上記の表示パネルはＴＦＴ素子を不要とするため、画素を構成するための仕切部材や、画素に対応して設けられているＥＬ層以外の部分の層を、基板に対して全面に成膜することによって形成できる。このため、表示パネルを容易に製造することができる。
【００１８】
さらに、本発明によれば、第１の基板上に、第１の透明電極層を形成する第１の透明電極層形成工程と、第１の透明電極層形成工程において形成された第１の透明電極層の上に、導電率可変層を形成する導電率可変層形成工程と、を含み、第１の基板と、第１の透明電極層と、導電率可変層と、を有する第１の層状構造体を形成する第１の層状構造体形成工程と、第２の基板上に、第２の透明電極層を形成する第２の透明電極層形成工程と、第２の透明電極層形成工程において形成された第２の透明電極層の上に、所定のパターンで仕切部材を形成する仕切部材形成工程と、仕切部材形成工程において形成された仕切部材によって囲まれている第２の透明電極層上の領域にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、を含み、第２の基板と、第２の透明電極層と、仕切部材と、エレクトロ・ルミネッセンス層と、を有する第２の層状構造体を形成する第２の層状構造体形成工程と、第１の層状構造体形成工程において形成された導電率可変層と、第２の層状構造体形成工程において形成されたＥＬ層と、を貼り合わせて、第１の層状構造体形成工程において形成された第１の層状構造体と、第２の層状構造体形成工程において形成された第２の層状構造体と、を一体にする貼り合せ工程と、を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法を提供することができる。
【００１９】
表示パネルにＴＦＴ素子を設ける場合、ＴＦＴ素子の電極の位置と、画素に対応させるＥＬ層の位置とを整合させるようにして製造する必要がある。これに対して、上記の表示パネルは、ＴＦＴ素子を不要とする。ＥＬ層は、ＴＦＴ素子を設ける場合のように位置を整合させる必要がなく、第１の基板に対して全面に成膜されている導電率可変層上に、画素に対応させて構成すれば良い。このため、第１の基板に対して全面に成膜可能な第１の層状構造体と、画素に対応した構造の第２の層状構造体と、をそれぞれ別体として形成できる。そして、第１の層状構造体と、第２の層状構造体とを貼り合せて一体にすることにより、表示パネルを製造することができる。この場合、第２の層状構造体は、第２の基板の上に、順次第２の透明電極層と、ＥＬ層とを積層させて形成できる。第２の層状構造体を、第２の基板である保護層の上に順次各層を積層させて形成できると、画素に対応した層状構造の上に保護層を形成する場合より、保護層を強固な部材とすることができる。本発明によると、表示パネルの保護層を強固にできることから、製造された表示パネルを長期間使用することができる。
【００２０】
さらに、本発明によれば、表示パネルと、表示パネルに電圧を印加する電源と、表示パネルに制御光を供給する制御光用光学系と、を有し、表示パネルは、上記の表示パネルであって、電源は、表示パネルの第１の透明電極層と第２の透明電極層との間に電圧を印加し、制御光用光学系は、制御光を表示パネルの第１の透明電極層に入射させることを特徴とする表示装置を提供することができる。本発明の表示装置は、制御光用光学系からの制御光を入射させることにより制御する。ＥＬ層を発光させるための電圧は、第１の透明電極層と第２の透明電極層との間に印加されている。ＥＬ層を発光させるための電圧は電源によって印加されているため、制御光の強度は、導電率可変層の電気的な導電率を変化させる程度で良い。このため、制御光用光学系は、強度が大きい制御光を発生させることが困難であっても、本発明の表示装置に使用することができる。強度の大きい制御光を発生させる必要がないことから、表示装置を安全に使用することができる。また、上記の表示パネルを使用することから、消費電力が少なく表示パネルの大型化も容易である。
【００２１】
さらに、制御光用光学系は、ビーム状の制御光を第１の透明電極層に走査させる。本発明の表示装置は、例えばＣＲＴを用いる表示装置のように真空管を必要としないため、表示パネルを大型としても、表示装置を軽量にできる。また、電子線を用いる場合と異なり、制御光は、ミラーにより進行方向を屈折させることや、レンズにより絞ることが可能である。このため、表示装置を薄型としても、例えばミラーを用いて制御光の進行方向を折り曲げることによって、大型な表示パネル全体に制御光をスキャンすることができる。さらに、制御光の進行方向を折り曲げることによって、表示装置を小型に維持したまま制御光の光路が長くなる。このため、制御光の走査角度を小さくすることができる。これにより、表示パネルを容易に大型化できる表示装置を得られる。
【００２２】
また、本発明の好ましい態様としては、制御光用光学系は、開口部に制御光を通過させることにより、所定の画素に対応する第１の透明電極層の位置に入射させることが望ましい。表示パネルの開口部は、制御光を通過させ、所定の画素に対応する第１の透明電極層に入射させる位置に配置されている。制御光用光学系は、開口部に制御光を通過させることにより所定の画素に対応する第１の透明電極層の位置に入射させる。これにより、制御光を、所定の画素に対応する第１の透明電極層に正確に入射させることができる。また、例えば、Ｒ光用ＥＬ層と、Ｇ光用ＥＬ層と、Ｂ光用ＥＬ層とをそれぞれ異なる制御光によって駆動する場合、一つの開口部に各色光用ＥＬ層に入射させる制御光を通過させる構成とすることもできる。このとき、開口部に制御光を入射させることができる精度で制御光をスキャンさせることにより、それ以上に制御光の入射位置を高精度に制御しなくても、各色光用ＥＬ層に、正確に制御光を入射させることができる。これにより、正確な制御を容易に行うことができる。
【００２３】
また、本発明の好ましい態様としては、制御光用光学系は、複数の制御光用光源ユニットを有し、制御光用光源ユニットは、第１色光用画素に対応する第１の透明電極層に第１の制御光を供給する第１制御光用光源部と、第２色光用画素に対応する第１の透明電極層に第２の制御光を供給する第２制御光用光源部と、第３色光用画素に対応する第１の透明電極層に第３の制御光を供給する第３制御光用光源部と、からなり、複数の制御光用光源ユニットは、それぞれ表示パネルの異なる領域に、第１の制御光と、第２の制御光と、第３の制御光とを供給することが望ましい。
【００２４】
各制御光用光源ユニットによって表示パネルの領域を分担して各制御光を供給することにより、ガルバノミラーから表示パネルまでの距離を短くできる。また、表示パネルの領域を分担して各制御光を供給することにより、各制御光の走査角度を小さくすることもできる。各制御光の走査距離を小さくするため、各制御光の走査速度を小さくしても、画像表示を十分に行うことができる。これにより、表示装置を小型化できるうえ、制御光を容易に走査することができる。
【００２５】
また、本発明の好ましい態様としては、少なくとも制御光用光学系を収納する筐体を有し、表示パネルは、筐体に設けられていることが望ましい。上記の表示パネルを筐体に設けるため、表示パネルを大型としても、筐体を軽量で薄型にすることができる。これにより、表示パネルの大型化が容易な表示装置を得られる。
【００２６】
また、本発明の好ましい態様としては、他の画像表示装置からの光を、制御光として用いることが望ましい。表示パネルの第１の透明電極層と、他の画像表示装置のディスプレイとを対向させて表示パネルを配置し、ディスプレイからの光を制御光として、表示パネルの第１の透明電極層に入射させる。導電率可変層は、ディスプレイからの光が入射した第１の透明電極層の位置に対応する位置において、ディスプレイからの光の光量に応じて導電率を変化させる。このため、ＥＬ層が表示パネルの一面に、一様に設けられている場合であっても、第１の透明電極層に入射したディスプレイからの光の位置及び光量に応じてＥＬ層を発光させ、画像を表示することができる。このようにして、表示パネルは、第１の透明電極層にディスプレイからの光を入射させることにより駆動することができる。さらに、表示パネルの、ディスプレイからの光の入射側と、表示パネルの発光光の射出側とにカラーフィルタを設けることにより、表示パネルにおいてフルカラー像を得ることもできる。これにより、簡易な構成で、他の画像表示装置の画像を表示可能な表示パネルを得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２８】
図１は、本発明の実施例１に係る表示装置１００の概略構成を示す。本実施例では、まず表示装置１００の構成と、制御光による制御について説明し、次に表示装置１００による具体的な画像表示について説明する。表示装置１００は、表示パネル１２０と、電源１３０と、制御光用光学系１４０とから構成されている。表示パネル１２０は、有機ＥＬ層１１０を発光させることによって画像を表示する。
【００２９】
基板１０１は、光学的に透明な硝子部材、ポリマー部材等により構成された平行平板である。基板１０１の上には、光学的に透明な第１の透明電極層１０２、導電率可変層１０３が順次積層されている。第１の透明電極層１０２は、ＩＴＯ膜で構成できる。導電率可変層１０３は、第１の透明電極層１０２を透過した制御光Ｌにより、電気的な導電率を変化させる。導電率可変層１０３は、例えばアモルファス・シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」という。）又は感光性有機膜などを用いることができる。例えば、ａ−Ｓｉは、水素を含んでいることが望ましい。また、ａ−Ｓｉは、気相成長法（ＣＶＤ法）により形成する。ａ−Ｓｉは、制御光Ｌを全く照射させていない状態では、電気的な導電率が略ゼロ（即ち抵抗値が略無限大）の絶縁性部材として機能する。これに対して、ａ−Ｓｉに制御光Ｌを照射させると、その光量に応じて導電率が大きくなる（即ち抵抗値が小さくなる）。導電率可変層１０３において導電率が変化する領域は、制御光Ｌを照射させた第１の透明電極層１０２の領域である。
【００３０】
導電率可変層１０３の上には、有機ＥＬ層１１０が設けられている。有機ＥＬ層１１０は、導電率可変層１０３の側から、反射電極１１１、ＩＴＯ膜１１２、正孔輸送層１１３、有機発光層１１４、電子輸送層１１５が順次積層されて構成されている。反射電極１１１は、金属、例えば、アルミニュウム（Ａｌ）を蒸着することによって構成することができる。ＩＴＯ膜１１２は、反射電極１１１から正孔輸送層１１３への電荷の放出を促すために設けられている。正孔輸送層１１３の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体を用いることができる。有機発光層１１４には、例えば、ベンゾチアゾール系化合物を用いることができる。電子輸送層１１５には、例えば、ジフェニルキノン誘導体等の電子伝達性化合物を用いることができる。正孔輸送層１１３、有機発光層１１４、電子輸送層１１５は、いずれも数十ｎｍ程度の厚みを有することから、光学的に透明である。第２の透明電極層１０４は、第１の透明電極層１０２と同様、ＩＴＯ膜で構成できる。第２の透明電極層１０４の上には、基板１０１と同様の、光学的に透明な部材からなる保護層１０５が設けられている。そして、表示パネル１２０は、第１の透明電極層１０２と、第２の透明電極層１０４との間に、電源１３０によって電圧が印加されている。
【００３１】
表示パネル１２０を構成する各層の積層法としては、抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム加熱真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、キャスト法、スピンコート法等を適宜用いることができる。なお、有機ＥＬ層１１０の構成は、上述のものに限られない。例えば、有機ＥＬ層１１０を構成する各層のいずれかに接着層を設けても良い。また、正孔輸送層１１３、電子輸送層１１５を設けず、有機発光層１１４に正孔輸送材料と、電子輸送材料とを混合することとしても良い。反射電極１１１の電荷を正孔輸送層１１３に十分に放出させることが可能であれば、ＩＴＯ膜１１２を設けないこととしても良い。
【００３２】
制御光用光学系１４０は、ガルバノミラー１４４と、制御光用光源部１４２とから構成されている。制御光用光学系１４０は、表示パネル１２０に対して、基板１０１の側に設けられている。制御光用光源部１４２は、ビーム状の光、例えば、レーザ光である制御光Ｌを供給する。制御光用光源部１４２は、例えば、変調器が設けられた半導体レーザ素子や面発光レーザ素子を用いることができる。そして、制御光用光源部１４２は、制御部１４８からの画像信号に応じて制御光Ｌの強度を変調して、供給することができる。制御光用光源部１４２からの制御光Ｌは、ガルバノミラー１４４により表示パネル１２０の方向に反射される。そして、表示パネル１２０の方向に反射された制御光Ｌは、表示パネル１２０の基板１０１側の面へ入射する。ガルバノミラー１４４は、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により作成することができる。ガルバノミラー１４４は、略直交する所定の２軸を中心として回動することにより、制御光Ｌを二方向に走査させる。ガルバノミラー１４４の回動は、制御部１４８によって、画像信号に応じて制御されている。このようにして、制御光用光学系１４０は、制御光Ｌを表示パネル１２０の基板１０１側の面に走査させる。
【００３３】
制御光Ｌとしては、導電率可変層１０３の電気的な導電率を変化させることが可能な波長領域の光を用いる。このとき、制御光Ｌが、導電率可変層１０３の電気的な導電率を最も効率良く変化させるような波長領域をもつ場合、小さい光量の制御光Ｌを用いることができる。また、制御光Ｌが、導電率可変層１０３の電気的な導電率を最も効率良く変化させる波長領域以外の波長領域である場合であっても、制御光Ｌの光量を大きくすることにより、表示パネル１２０の制御に用いることが可能である。このようにして、制御光Ｌの波長と、光量とを適宜組み合わせることにより表示パネル１２０を制御することができる。制御光Ｌとしては、紫外線レーザ、可視光線レーザ、赤外線レーザを用いることができる。また、レーザ光に限らず、ビーム状の光、例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）からの光を制御光Ｌとして用いることとしても良い。
【００３４】
次に、制御光Ｌによる表示装置１００の制御について説明する。制御光用光学系１４０からの制御光Ｌは、表示パネル１２０の基板１０１と、第１の透明電極層１０２とを透過して、導電率可変層１０３に入射する。画像信号に応じた強度の制御光Ｌが導電率可変層１０３に入射されると、制御光Ｌの入射位置の部分について、制御光Ｌの光量に応じて電気的な導電率が増大する。なお、厳密には、導電率可変層１０３の導電率が変化する領域は、制御光Ｌの強度とその照射時間とに比例して、照射位置を中心として周辺へ拡がる傾向がある。ここでは、ガルバノミラー１４４により制御光Ｌを高速に走査させることとし、制御光Ｌを照射させた領域近傍のみの導電率が変化するものとして扱う。
【００３５】
導電率可変層１０３の導電率が増大することにより、電源１３０の、第１の透明電極層１０２と接続されている一方の電極は、第１の透明電極層１０２と導電率可変層１０３とを経由して、反射電極１１１と電気的に接続される。導電率可変層１０３の導電率は、第１の透明電極層１０２を透過した制御光Ｌの光量に応じて変化するため、反射電極１１１には、制御光Ｌの光量に応じた電圧が印加される。また、電源１３０の他方の電極は、第２の透明電極層１０４に接続されている。反射電極１１１と第２の透明電極層１０４とに電圧が印加されると、反射電極１１１の電荷がＩＴＯ膜１１２を介して正孔輸送層１１３に放出される。正孔輸送層１１３に電荷が放出されると、正孔輸送層１１３から有機発光層１１４へ正孔が輸送される。さらに、反射電極１１１と第２の透明電極層１０４とに電圧が印加されると、電子輸送層１１５から有機発光層１１４へ電子が輸送される。有機発光層１１４では、正孔輸送層１１３からの正孔と、電子輸送層１１５からの電子とが結合する。有機発光層１１４の蛍光物質は、正孔と電子とが結合するときに生じるエネルギーによって、励起される。そして、励起された蛍光物質が基底状態に戻るときに発光現象を起こして、有機発光層１１４から光が発生する。
【００３６】
有機発光層１１４からの光は、制御光Ｌが入射した位置に対応する有機発光層１１４の位置を中心として全方向に進行する。有機発光層１１４の発光位置から保護層１０５の方向へ進行した光は、電子輸送層１１５、第２の透明電極層１０４、保護層１０５を透過して、表示パネル１２０から射出する。また、有機発光層１１４の発光位置から基板１０１の方向へ進行した光は、正孔輸送層１１３、ＩＴＯ膜１１２を透過し、反射電極１１１で反射される。反射電極１１１で反射された光は、各層を透過して保護層１０５の方向へ進行して、表示パネル１２０から射出される。観察者は、表示パネル１２０の保護層１０５から射出される光を観察する。反射電極１１１が、基板１０１の方向へ進行する光を保護層１０５の方向へ反射させることにより、有機発光層１１４からの光を効率良く表示パネル１２０から射出させることができる。
【００３７】
このように、表示パネル１２０に導電率可変層１０３を設けて第１の透明電極層１０２に制御光Ｌを入射させることにより、第１の透明電極層１０２と第２の透明電極層１０４とに印加されている電圧のうち、制御光Ｌの光量に応じた電圧を有機ＥＬ層１１０に印加させる。制御光Ｌの光量に応じた電圧により、有機発光層１１４を、画像信号に応じて発光させることができる。なお、本実施例の表示パネル１２０は、有機ＥＬ層１１０が画素ごとに分割されておらず、有機ＥＬ層１１０は、表示パネル１２０の一面に一様に設けられている。上述のように、導電率可変層１０３は、制御光Ｌを照射させた領域近傍のみの導電率が変化する。制御光Ｌを照射させた領域のみの導電率が変化するため、制御光Ｌを入射させると、制御光Ｌを入射させた位置に対応して有機発光層１１４を発光させることができる。このため、制御光用光学系１４０を用いて制御光Ｌを入射させる位置を制御することにより、画像信号に応じて有機発光層１１４を画素ごとに発光させて画像を表示することができる（光アドレッシング）。
【００３８】
有機発光層１１４を発光させるための電圧は、電源１３０によって第１の透明電極層１０２と、第２の透明電極層１０４との間に印加されている。本実施例において、制御光Ｌを用いて光アドレッシングする場合、制御光Ｌの強度は、導電率可変層１０３の電気的な導電率を変化させる程度で足りる。本実施例では、画像表示のために制御光Ｌのエネルギーをそのまま用いて発光させる場合に比較して、小さい強度の制御光Ｌを用いることができる。このため、制御光用光源部１４２は、強度が大きい制御光Ｌを発生させることが困難なものであっても、表示装置１００に使用可能である。このため、制御光用光学系１４０には、出力量が小さく安価な制御光用光源部１４２を用いても良い。また、強度の大きい制御光Ｌを発生させる必要がないことから、表示装置１００の安全性を向上させることもできる。さらに、本実施例の表示装置１００は、制御光Ｌとしては可視光等を使用できる。例えば、制御光Ｌとして電子線を用いる必要がないから、ＣＲＴを設けた表示装置のように、真空管等の部材を必要としない。真空管等の部材を必要としないため、表示パネル１２０を大型としても、表示装置１００を軽量にできる。これにより、表示パネル１２０を容易に大型化できる表示装置１００を得られるという効果を奏する。
【００３９】
表示装置１００は、制御光Ｌによって表示パネル１２０の駆動を制御する。従って、本実施例の表示パネル１２０は、ＴＦＴ素子を設ける必要がない。ＴＦＴ素子は画素ごとに設ける必要があるのに対して、表示パネル１２０の導電率可変層１０３、第１の透明電極層１０２、有機ＥＬ層１１０、第２の透明電極層１０４は、それぞれ基板１０１全体に一様に成膜することにより形成することができる。このため、表示パネル１２０の製造工程においてパターニングが不要であることから、ＴＦＴ素子を設ける場合に比較して、表示パネル１２０の製造が容易である。また、制御光Ｌを走査させる構成によって画素ごとのアクセスが可能であるから、画素ごとに電気的にアクセスする必要もない。画素ごとに電気的にアクセスする必要がないことから、画素ごとに電気的な配線を施すことも不要である。このため、本実施例の表示パネル１２０は、従来のＥＬディスプレイより簡易な構成とすることができる。表示パネル１２０を簡易な構成とするうえ、製造が容易であることにより、歩留まりを軽減し、製造コストを削減することも可能である。
【００４０】
表示パネル１２０は、各層の材料を基板１０１一面に一様に成膜することによって製造可能であることから、表示パネル１２０を大型にする場合も製造が容易である。また、ＴＦＴ素子を用いると、画面の大型化に伴いＴＦＴ素子を電気的に接続するための配線も増加する。このため、ＴＦＴ素子を用いると、画面の大型化に伴って電気的な抵抗が増加するという問題がある。これに対して、本実施例の表示パネル１２０は、画素ごとの電気的なアクセスを不要とするため、画素数を増加させても電気的な抵抗が増加することはない。電気的な抵抗が増加しないことから、制御光用光学系１４０によって表示パネル１２０の全体に制御光Ｌを入射させることが可能であれば、大型な表示パネル１２０も容易に駆動を制御することができる。また、例えば、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）は、大型化に伴い、消費電力が多くなる。これに比較して、表示パネル１２０を大型にする場合であっても、有機ＥＬ層１１０は低消費電力である。このように、電気的な抵抗が増加しないうえ、有機ＥＬ層１１０自体の消費電力が少ないことから、表示パネル１２０を大型とする場合であっても、表示装置１００の消費電力を低減することができる。これにより、大型化が容易な表示パネル１２０を得られるという効果を奏する。
【００４１】
次に、本実施例の表示装置１００による画像表示について具体的に説明する。表示装置１００の表示パネル１２０は、有機ＥＬ層１１０が画素ごとに分割されておらず、有機ＥＬ層１１０は、表示パネル１２０の一面に一様に設けられている。制御光用光学系１４０を用いて光アドレッシングすると、表示パネル１２０は、有機発光層１１４で励起された蛍光物質が基底状態に戻るときに発生するエネルギーに応じた波長の光によって、同一色のモノクロ画像を表示する。表示パネル１２０は、このように制御光用光学系１４０を用いて画像を表示する表示装置１００に使用するほか、他の画像表示装置のディスプレイの画像を表示パネル１２０に読み込ませて表示するために使用することもできる。
【００４２】
図２−１は、表示装置１００により、他の画像表示装置のディスプレイ２１０の画像を表示する概略構成を示す。ディスプレイ２１０としては、例えば、ＣＲＴディスプレイを用いることができる。表示パネル１２０と、ディスプレイ２１０とは、ディスプレイ２１０の表示面と表示パネル１２０の基板１０１（図１参照）の側とを対向させ、互いに略全面が重なり合うように配置する。ディスプレイ２１０は、画像を表示する光を射出する。ここで、ディスプレイ２１０の画像を構成する１つの画素に対応する光を表示パネル１２０に入射させる場合を考える。ディスプレイ２１０からの光を制御光として表示パネル１２０に入射させると、制御光Ｌをガルバノミラー１４４によって走査させる場合と同様に、導電率可変層１０３（図１参照）の導電率が変化する。導電率可変層１０３は、ディスプレイ２１０の画素に対応する位置において、第１の透明電極層１０２を透過したディスプレイ２１０からの光の光量に応じて電気的な導電率が変化する。
【００４３】
有機ＥＬ層１１０（図１参照）には、導電率可変層１０３の導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層１０３の導電率に応じた電圧が印加される。このため、有機ＥＬ層１１０は、ディスプレイ２１０の画素に対応する位置において、第１の透明電極層１０２を透過したディスプレイ２１０からの光の光量に応じて発光する。ディスプレイ２１０の各画素からの光を表示パネル１２０に入射させて読み込ませると、有機ＥＬ層１１０は、ディスプレイ２１０からの各画素の位置及び光の光量に対応して発光する。ディスプレイ２１０からの各画素の位置及び光の光量に対応して有機ＥＬ層１１０が発光することによって、表示パネル１２０にディスプレイ２１０の画像を表示することができる。これにより、簡易な構成で、他の画像表示装置のディスプレイ２１０の画像を表示することができるという効果を奏する。
【００４４】
図２−２に示すように、表示パネル１２０の、ディスプレイ２１０からの光の入射側と、表示パネル１２０の発光光の射出側とにカラーフィルタを設けることとしても良い。例えば、表示パネル１２０の基板１０１面と、保護層１０５面とのそれぞれに、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１、２３１、Ｇ光透過カラーフィルタ２２２、２３２、Ｂ光透過カラーフィルタ２２３、２３３をアレイ状に配列する。Ｒ光透過カラーフィルタ２２１を施した部分は、ディスプレイ２１０から射出された光のうち、Ｒ成分の光が透過する。これに対して、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１に入射したＧ成分及びＢ成分の光は、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１を透過せず、吸収される。Ｒ光透過カラーフィルタ２２１を施した部分の有機発光層１１４（図１参照）は、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１を透過したＲ成分の光の光量に応じて発光する。
【００４５】
このとき、表示パネル１２０における発光光は、有機発光層１１４で励起された蛍光物質が基底状態に戻るときに発生するエネルギーに応じた色の光である。また、Ｒ光透過カラーフィルタ２３１は、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１に対応する位置に設けられている。このため、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１が施された部分における発光光のうち、Ｒ成分の光のみがＲ光透過カラーフィルタ２３１を透過する。Ｇ成分の光及びＢ成分の光は、Ｒ光透過カラーフィルタ２３１を透過せず、吸収される。このようにして、Ｒ光透過カラーフィルタ２３１が施された部分から、Ｒ光透過カラーフィルタ２２１に入射したＲ成分の光の光量に応じてＲ光が発生する。
【００４６】
Ｇ光、Ｂ光についても、Ｒ光と同様にして、それぞれＧ光透過カラーフィルタ２３２、Ｂ光透過カラーフィルタ２３３が施された部分から発生する。これにより、表示パネル１２０においてフルカラー像を得ることができる。なお、ディスプレイ２１０としてはＣＲＴディスプレイに限らず、他のディスプレイ、例えば液晶パネルや微小ミラーアレイデバイスを用いたプロジェクタを用いても良い。さらに、ディスプレイ２１０を用いる場合に限らず、例えば、透明フィルムに描いた静止画を、光源装置を用いて表示パネル１２０に投影することとしても良い。これにより、透明フィルムに描かれた静止画を、表示パネル１２０で表示することができる。
【実施例２】
【００４７】
図３は、本発明の実施例２に係る表示装置３００の概略構成を示す。上記実施例１の表示装置１００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施例の表示装置３００は、筐体３６０に設けられた表示パネル３２０から射出される光を観察するものである。筐体３６０には、制御光用光学系３４０が収納されている。表示パネル３２０は、有機ＥＬ層が、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする。
【００４８】
第１制御光用光源部３４１、第２制御光用光源部３４２、第３制御光用光源部３４３は、それぞれ第１の制御光Ｌ１、第２の制御光Ｌ２、第３の制御光Ｌ３を発生させる。そして、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、それぞれガルバノミラー３４４、３４５、３４６で反射された後、表示パネル３２０に対向して設けられているミラー３５０の方向に進行する。ミラー３５０の方向に進行した各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、ミラー３５０で反射され、表示パネル３２０の方向に進行する。ガルバノミラー３４４、３４５、３４６が略直交する所定の２軸を中心として回動することにより、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、表示パネル３２０上を走査する。各制御光用光源部３４１、３４２、３４３、各ガルバノミラー３４４、３４５、３４６は、それぞれ実施例１の制御光用光源部１４２、ガルバノミラー１４４と同様の構成である。なお、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３についてそれぞれガルバノミラー３４４、３４５、３４６で走査させる構成に限らず、例えば、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を単独のガルバノミラーを用いて同時に走査させる構成としても良い。単独のガルバノミラーを用いて各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を走査させると、複数のガルバノミラーの回動を正確に同期させなくても良いことから、表示パネル３２０の制御を容易にすることができる。
【００４９】
図４は、表示パネル３２０と、制御光用光学系３４０との概略構成を示す。ここでは、表示パネル３２０と制御光用光学系３４０との関係について簡潔に説明するため、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３がミラー３５０で反射される構成を省略して示している。表示パネル３２０は、基板１０１の側を筐体３６０（図３参照）の内部に、保護層１０５を筐体３６０の外部に向けて設けられている。表示パネル３２０の導電率可変層１０３の上には、仕切部材であるバンク４２５が複数設けられている。バンク４２５は、基板１０１に略平行な面における領域において略直交する２方向に線状に設けられた、電気的な絶縁部材である。バンク４２５は、例えばポリイミドをインクジェット法、もしくはエッチング、パターニングを施すことにより形成することができる。基板１０１に略垂直な面で切断すると、バンク４２５は、図４に示すように、略二等辺三角形形状を有する。
【００５０】
バンク４２５によって仕切られた導電率可変層１０３上の領域には、順次インクジェット法により、反射電極４１１、ＩＴＯ膜４１２、正孔輸送層４１３、有機発光層４１４、電子輸送層４１５が積層される。画素は、バンク４２５によって分割された有機ＥＬ層４１０によって構成されている。そして、各画素は、基板１０１上に、マトリクス状に配列されている。このように、表示パネル３２０は、有機ＥＬ層４１０が、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなしている。なお、反射電極４１１、ＩＴＯ膜４１２、正孔輸送層４１３、電子輸送層４１５は、バンク４２５によって画素に対応する複数の領域に分割されている点以外については、実施例１の反射電極１１１、ＩＴＯ膜１１２、正孔輸送層１１３、電子輸送層１１５と同様の構成である。
【００５１】
また、表示パネル３２０は、基板１０１の、制御光用光学系３４０の側の面に、遮光部４３５が設けられている。遮光部４３５には、制御光用光学系３４０からの各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が通過する位置に、開口部４３７が形成されている。遮光部４３５は、例えば、基板１０１に金属蒸着を施すことにより膜状に形成することができる。開口部４３７は、開口部４３７を設ける位置をマスクして遮光部４３５を金属蒸着することによって形成できる。さらに、蒸着法を用いる以外に、開口部４３７を施した遮光部材を基板１０１に接着させることによって、遮光部４３５と開口部４３７とを形成しても良い。なお、遮光部４３５における開口部４３７の位置についての詳細は、後述する。
【００５２】
有機発光層４１４は、バンク４２５によって第１色光であるＲ光を発生するＲ光用有機発光層４１４Ｒと、第２色光であるＧ光を発生するＧ光用有機発光層４１４Ｇと、第３色光であるＢ光を発生するＢ光用有機発光層４１４Ｂと、に分割されて設けられている。Ｒ光用有機発光層４１４Ｒと、Ｇ光用有機発光層４１４Ｇと、Ｂ光用有機発光層４１４Ｂとは、実施例１の有機発光層１１４と同様にして、発光現象を起こす。Ｒ光用有機発光層４１４Ｒと、Ｇ光用有機発光層４１４Ｇと、Ｂ光用有機発光層４１４Ｂとは、それぞれの蛍光物質が励起された後に基底状態に戻るときに生じるエネルギーに応じて、異なる波長領域の光が生じる。そして、異なる波長領域の光が発生することによって、Ｒ光用有機発光層４１４Ｒと、Ｇ光用有機発光層４１４Ｇと、Ｂ光用有機発光層４１４Ｂとは、それぞれＲ光、Ｇ光、Ｂ光を発生する。第１色光用画素であるＲ光用画素４２０Ｒは、Ｒ光用有機発光層４１４Ｒによって、Ｒ光を発生する。第２色光用画素であるＧ光用画素４２０Ｇは、Ｇ光用有機発光層４１４Ｇによって、Ｇ光を発生する。第３色光用画素であるＢ光用画素４２０Ｂは、Ｂ光用有機発光層４１４Ｂによって、Ｂ光を発生する。なお、説明のために、図４では、表示パネル３２０のうち一つのＲ光用画素４２０Ｒと、一つのＧ光用画素４２０Ｇと、一つのＢ光用画素４２０Ｂとが並列された構成について示している。
【００５３】
次に、図４、図５を用いて、制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３による表示パネル３２０の制御について説明する。図４に示すように、制御光用光学系３４０は、Ｒ光用画素４２０Ｒ、Ｇ光用画素４２０Ｇ、Ｂ光用画素４２０Ｂに対応する第１の透明電極層１０２の位置に、それぞれ第１の制御光Ｌ１、第２の制御光Ｌ２、第３の制御光Ｌ３を入射させる。ガルバノミラー３４４で反射された第１の制御光Ｌ１は、開口部４３７を通過して、Ｒ光用画素４２０Ｒの第１の透明電極層１０２にのみ入射する。開口部４３７は、ガルバノミラー３４４で反射された第１の制御光Ｌ１を、開口部４３７を通過して第１の透明電極層１０２にのみ入射させることができるような位置に設けられている。言い換えると、第１の制御光Ｌ１の進行方向に開口部４３７を見ると、Ｒ光用画素４２０Ｒの第１の透明電極層１０２のみが確認できる。
【００５４】
第１の制御光Ｌ１は、Ｒ光用画素４２０Ｒの第１の透明電極層１０２以外の方向に進行する場合は、遮光部４３５で遮光される。遮光部４３５で遮光されるため、第１の制御光Ｌ１が、誤って、Ｇ光用画素４２０Ｇ、及びＢ光用画素４２０Ｂに入射することがない。第２の制御光Ｌ２と、第３の制御光Ｌ３とについても、第１の制御光Ｌ１と同様にして、それぞれＧ光用画素４２０Ｇ、Ｂ光用画素４２０Ｂの第１の透明電極層１０２にのみ入射する。なお、遮光部４３５の位置は、各画素に正確に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を入射させることが可能な位置であれば、基板１０１の表面の位置に限られない。例えば、遮光部４３５は、第１の透明電極１０２の近傍であれば、基板１０１とは所定の空間的間隔を置いた位置や、基板１０１の表面以外の内部の位置等に配置することとしても良い。
【００５５】
図４に示すように、制御光用光学系３４０は、一組の各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに対応して設けられている開口部４３７の近傍で進行方向が交わるようにして各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を表示パネル３２０の方向に射出させる。このようにして開口部４３７と、制御光用光学系３４０とを配置することにより、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３をそれぞれ各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに正確に入射させることができる。そして、第１の制御光Ｌ１を、Ｒ光用画素４２０Ｒに対応する第１の透明電極層１０２に入射させることにより、Ｒ光用有機ＥＬ層４１４Ｒは、第１の制御光Ｌ１の光量に応じた光量のＲ光を発生させる。このようにして、Ｒ光用画素４２０Ｒは、画像信号に応じてＲ光を保護層１０５面から射出する。Ｇ光用画素４２０Ｇ、Ｂ光用画素４２０Ｂについても、Ｒ光用画素４２０Ｒと同様にして、保護層１０５からＧ光、Ｂ光を射出する。
【００５６】
図５は、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が、それぞれ複数のＲ光用画素４２０Ｒ、Ｇ光用画素４２０Ｇ、Ｂ光用画素４２０Ｂに入射する構成を示している。ここでは、表示パネル３２０の複数の画素のうち、５組の各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂを図示して説明を行う。図５に示すように、開口部４３７は、各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂの各組に対応して設けられている。遮光部４３５に開口部４３７を設け、開口部４３７に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を通過させる。各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、それぞれ異なる位置から開口部４３７を通過し、選択的に、各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に入射する。このようにして、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、それぞれＲ光用画素４２０Ｒ、Ｇ光用画素４２０Ｇ、Ｂ光用画素４２０Ｂにのみ入射することができる。なお、表示パネル３２０は、一組の各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに対して、一つの開口部４３７を設ける構成に限られない。各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに対して正確に各制御光Ｌ１〜Ｌ３を入射させることが可能であれば、画素に対する開口部４３７の位置、数量について適宜変更可能である。
【００５７】
例えば、遮光部４３５を設けない構成とすると、制御光用光学系１４０は、各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂの位置のみに対応して正確に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を入射させなければならない。これに対して、遮光部４３５に開口部４３７を設ける構成とすると、制御光用光学系３４０は、各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに対応して設けられている開口部４３７に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を入射させることが可能であれば、表示装置３００に使用することができる。これにより、制御光用光学系３４０は、各画素の位置レベルまで高精度に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を入射させる必要がなく、各開口部４３７の位置レベルまでの精度で各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を入射させれば良い。各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、照射したまま画像信号に応じて変調させて走査させることも可能となる。
【００５８】
このように、制御光用光学系３４０からの各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の入射位置レベルのオーダーが大きくなること、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を照射したまま画像信号に応じて変調させることにより、表示パネル３２０の制御が容易となる。また、各制御光Ｌ１、Ｌ２のスキャン速度を遅くしなくても、正確に光アドレッシングを行うことができる。このため、高品質な画像を表示するために必要な速度で各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３をスキャンしても、各色光用画素４２０Ｒ、４２０Ｇ、４２０Ｂに、正確に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を入射させることができる。さらに、大型な表示パネル３２０についても、正確な制御を容易に行うことができる。これにより、画像の品質を低下することなく正確な制御を容易に行うことができるという効果を奏する。
【００５９】
電子線を用いる場合と異なり、制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、表示装置３００のようにミラー３５０で進行方向を屈折させることや、レンズにより絞ることが可能である。ミラー３５０で制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の進行方向を折り曲げることが可能であると、表示装置３００を薄型としても、大型な表示パネル３２０全体に各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３をスキャンすることができる。ミラー３５０を設けない場合、表示パネル３２０の入射面に対して、略垂直な方向の位置に制御光用光学系３４０を設ける必要が生じる。ミラー３５０で各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を屈折させて表示パネル３２０に入射させる構成とすると、制御光用光学系３４０を、表示パネルの入射面に対して略垂直な方向の位置に設ける必要がなく、筐体３６０の内部のいずれの位置にも配置することができる。このため、筐体３６０を薄型にすることができる。
【００６０】
さらに、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３をミラー３５０で屈折させると、各ガルバノミラー３４４、３４５、３４６から表示パネル３２０の入射面の略中央部分までの光路をより長くすることができる。表示パネル３２０までの光路がより長くなることにより、筐体３６０の小型化を維持したまま、各ガルバノミラー３４４、３４５、３４６による走査角度をより小さくすることができる。このため、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を容易に表示パネル３２０の入射面の全面に走査させることができる。特に、大型な表示パネル３２０についても、各制御光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を容易に走査させることができる。これにより、表示パネル３２０を容易に大型化できるという効果を奏する。
【００６１】
次に、図６−１、図６−２、図６−３を用いて、Ｒ光用画素４２０Ｒと、Ｇ光用画素４２０Ｇと、Ｂ光用画素４２０Ｂとの配置について説明する。図６−１、図６−２、図６−３は、表示パネル３２０（図４参照）を保護層１０５の側から確認したときの、各画素の配列を示している。図６−１は、それぞれ長方形形状のＲ光用画素６１０Ｒと、Ｇ光用画素６１０Ｇと、Ｂ光用画素６１０Ｂとが略正方形形状に配列された例を示す。Ｒ光用画素６１０Ｒと、Ｇ光用画素６１０Ｇと、Ｂ光用画素６１０Ｂとは、略正方形形状をなす画素集合体６５０を構成している。そして、複数の画素集合体６５０は、基板１０１（図４参照）に略平行な面である所定の２次元方向に、略等間隔で配置されている。
【００６２】
略正方形形状の画素集合体６５０を構成するように各画素が配列されているため、各画素を密に配列できる。各画素が密に配列されていると、表示パネル３２０の開口率を向上させ、明るい画像を得ることができる。さらに、画素集合体６５０を略正方形形状として２次元方向に略等間隔で配列することにより、画像のひずみを低減し、画像信号に正確に対応して画像を表示することができる。これにより、フルカラー像を明るく正確に表示できるという効果を奏する。また、図６−２に示すように、図６−１に示した各画素の配列と、画素集合体６５０の配置を画素一つ分シフトさせても良い。さらに、図６−３に示すように、各画素を円形状として、略正三角形形状の画素集合体６６０を構成するように各画素を配列しても良い。画素集合体６６０の向きを交互に変化させて配列することにより、図６−１に示す各画素の配列と同様に、各画素を密に配列することができる。このため、フルカラー像を明るく正確に表示できる。
【００６３】
次に、本実施例の表示パネル３２０の第１の製造方法と、第２の製造方法とについて説明する。図７−１、図７−２、図７−３は、表示パネル３２０の第１の製造方法の手順を示す。まず、第１の透明電極層形成工程である工程ａにおいて、基板１０１上に、第１の透明電極層１０２を形成する。次に、導電率可変層形成工程である工程ｂにおいて、工程ａにおいて形成された第１の透明電極層１０２上に、導電率可変層１０３を形成する。第１の透明電極層１０２と、導電率可変層１０３とは、基板１０１の全面に、一様に成膜することにより形成できる。次に、仕切部材形成工程である工程ｃにおいて、工程ｂで形成された導電率可変層１０３の上に、所定のパターンでバンク４２５を形成する。バンク４２５は、例えば、インクジェット法、もしくはエッチング、パターニングを施すことにより形成することができる。表示パネル３２０上の各画素は、バンク４２５で分割されることにより構成される。このため、バンク４２５のパターンは、各画素の形状に応じて変更することができる。
【００６４】
次に、ＥＬ層形成工程において、工程ｃで形成されたバンク４２５どうしの間に有機ＥＬ層４１０を形成する。ＥＬ層形成工程では、まず、工程ｄにおいて、反射電極４１１が設けられる。反射電極４１１は、アルミニュウム等の金属を蒸着して形成できる。次に、工程ｄにおいて設けられた反射電極４１１の上に、順次、工程ｅにおいてＩＴＯ膜４１２、工程ｆにおいて正孔輸送層４１３、工程ｇにおいて有機発光層４１４を積層する。反射電極４１１、ＩＴＯ膜４１２、正孔輸送層４１３、有機発光層４１４の各層は、インクジェット技術を用いて積層することができる。特に、工程ｇにおいて、インクジェット技術により、Ｒ光用有機発光層４１４Ｒと、Ｇ光用有機発光層４１４Ｇと、Ｂ光用有機発光層４１４Ｂと（図４参照）を、所望の位置に選択的に成膜することができる。そして、工程ｈにおいて、工程ｃで形成されたバンク４２５と、工程ｇで形成された有機発光層４１４との上に、電子輸送層４１５を成膜する。このようにして、工程ｄ〜工程ｈにおいて、有機ＥＬ層４１０が形成される。
【００６５】
反射電極４１１、ＩＴＯ膜４１２、正孔輸送層４１３、有機発光層４１４の各層は、インクジェット法によらず、転写による印刷技術や、フォトプロセス等により作成しても良い。例えば、パターニングされた正孔輸送層４１３、有機発光層４１４等を金属蒸着により積層することもできる。また、一様に成膜されている導電率可変層１０３の上に、画素に対応して逆テーパ状のパターンを作成し、作成された逆テーパ状のレジスト上に有機ＥＬ層４１０の各層を一様に成膜することとしても良い。逆テーパ状のレジスト上に成膜された各層は、レジストごとに電気的に分離された構造となるため、バンク４２５を設けなくても画素ごとに対応して有機ＥＬ層４１０を設けることができる。
【００６６】
次に、第２の透明電極層形成工程である工程ｉにおいて、工程ｈで形成された電子輸送層４１５の上に、第２の透明電極層１０４を形成する。工程ｈにおける電子輸送層４１５と、工程ｉにおける第２の透明電極層１０４とは、基板１０１の全面に対して一様に成膜することによって形成できる。最後に、保護層形成工程である工程ｊにおいて、工程ｉで成膜した第２の透明電極層１０４の上面を、保護層１０５により封止する。以上により、本実施例の表示パネル３２０を製造することができる。また、表示パネル３２０はＴＦＴ素子が不要である。ＴＦＴを不要とするため、画素を構成するためのバンク４２５や、画素に対応して設けられている有機ＥＬ層４１０以外の部分の層を、基板１０１に対して全面に成膜することによって形成できる。このため、表示パネル３２０を容易に製造することができる。
【００６７】
図８−１、図８−２、図８−３は、表示パネル３２０の第２の製造方法の手順を示す。表示パネル３２０の第２の製造方法は、第１の層状構造体と、第２の層状構造体と別体として製造した後に、第１の層状構造体と、第２の層状構造体とを貼り合せる点が、第１の製造方法と異なる。第１の層状構造体は、第１の基板である基板１０１と、第１の透明電極層１０２と、導電率可変層１０３とから構成される。まず、工程ａと、工程ｂとからなる第１の層状構造体形成工程において、基板１０１と、第１の透明電極層１０２と、導電率可変層１０３とからなる第１の層状構造体を形成する。第１の透明電極層形成工程である工程ａと、導電率可変層形成工程である工程ｂとは、上述の第１の製造方法の工程ａ、工程ｂと同様である。第１の層状構造体形成工程では、基板１０１の全面に対して、各層を一様に成膜することができる。
【００６８】
次に、工程ｃ〜工程ｉからなる第２の層状構造体形成工程において、第２の基板である保護層１０５と、第２の透明電極層１０４と、仕切部材であるバンク４２５と、有機ＥＬ層４１０とからなる第２の層状構造体を形成する。第２の層状構造体形成工程では、第１の製造方法の手順における工程ｄ〜工程ｊとは逆に、保護層１０５から順次、各層を積層していく。第２の透明電極層形成工程である工程ｃにおいて、保護層１０５の上に第２の透明電極層１０４を成膜する。保護層１０５は、基板１０１と同様、光学的に透明な部材からなる平行平板である。そして、工程ｄにおいて、工程ｃで形成した第２の透明電極層１０４の上に、電子輸送層４１５が設けられる。工程ｃにおける第２の透明電極層１０４と、工程ｄにおける電子輸送層４１５とは、保護層１０５の全面に対して、一様に成膜することができる。
【００６９】
次に、仕切部材形成工程である工程ｅにおいて、工程ｄで設けられた電子輸送層４１５の上に、所定のパターンでバンク４２５を設ける。バンク４２５の形成については、第１の製造方法と同様である。そして、ＥＬ層形成工程である工程ｆ〜工程ｉにおいて、工程ｅで形成されたバンク４２５どうしの間に、順次、有機発光層４１４、正孔輸送層４１３、ＩＴＯ膜４１２、反射電極４１１を積層する。このようにして、工程ｄで形成した電子輸送層４１５、工程ｆ〜工程ｉで形成した、有機発光層４１４、正孔輸送層４１３、ＩＴＯ膜４１２、反射電極４１１によって、有機ＥＬ層４１０が構成される。第２の層状構造体形成工程においては、有機ＥＬ層４１０の各層を保護層１０５の側から順次積層する。各層の積層順序が逆となる点以外の、有機ＥＬ層４１０の各層の積層についての詳細は、第１の製造方法の手順における工程ｄ〜ｊと同様である。このようにして、第２の層状構造体形成工程では、画素に対応した第２の層状構造体を形成することができる。
【００７０】
次に、工程ｊにおいて、工程ｉで形成された反射電極４１１の上に、導電性の接着層８５０を設ける。そして、貼り合せ工程である工程ｋにおいて、第２の層状構造体形成工程において形成した第２の層状構造体を、第１の層状構造体形成工程において形成した第１の層状構造体に貼り合せて一体とし、表示パネル３２０とする。このとき、第１の層状構造体の導電率可変層１０３と、第２の層状構造体のバンク４２５及び接着層８５０とが、重なり合うように貼り合せる。工程ｋにおいて、バンク４２５と導電率可変層１０３との間に接着層８５０が入り込むと、入り込んだ接着層８５０によって隣り合う画素に対応する反射電極１１１どうしが電気的に接続されてしまう。隣り合う画素に対応する反射電極１１１どうしが電気的に接続されてしまうと、表示パネル３２０の駆動を画像信号に応じて制御することが困難となる。従って、工程ｋにおいて、バンク４２５と、導電率可変層１０３との間に接着層８５０が入り込まないことを要する。さらに、工程ｊにおいて、インクジェット法を用いて、バンク４２５で囲まれた領域内のみに接着層８５０を設けることとするのが望ましい。このようにして接着層８５０がバンク４２５と導電率可変層１０３との間に入り込むことを防止し、画像信号に応じて正確に制御することができる表示パネル３２０を得られる。
【００７１】
有機ＥＬディスプレイにＴＦＴ素子を設ける場合、ＴＦＴ素子の電極の位置と、画素に対応させる有機ＥＬ層の位置とを整合させるようにして製造する必要がある。これに対して、表示パネル３２０は、ＴＦＴ素子を不要とする。有機ＥＬ層４１０は、ＴＦＴ素子を設ける場合のように位置を整合させる必要がなく、基板１０１に対して全面に成膜されている導電率可変層１０３上に、画素に対応させて構成すれば良い。このため、基板１０１に対して全面に成膜可能な第１の層状構造体と、画素に対応した構造の第２の層状構造体とを、それぞれ別体として形成することができる。そして、第１の層状構造体と、第２の層状構造体とを貼り合せて一体とすることにより、表示パネル３２０を製造することができる。
【００７２】
第２の層状構造体が第１の層状構造体とは別体として形成可能であると、第２の層状構造体は、保護層１０５の上に、順次第２の透明電極層１０４、有機ＥＬ層４１０を積層させて形成することができる。第２の層状構造体を、保護層１０５の上に順次各層を積層させて形成できると、画素に対応した層状構造の上に保護層１０５を形成する場合より、保護層１０５を強固な部材とすることができる。このため、本製造方法によると、表示パネル３２０の保護層１０５を強固にでき、製造された表示パネル３２０を長期間使用できるという効果がある。なお、大型な表示パネル３２０を製造する方法として、ユニット化された表示パネルをタイル状に複数配列する方法をとることとしても良い。これにより、大型かつ高精細な表示パネル３２０を容易に製造することができる。
【実施例３】
【００７３】
図９は、本発明の実施例３に係る表示パネル９２０の概略構成を示す。上記実施例２の表示装置３００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施例の表示パネル９２０は、画素ごとの反射電極９１１の領域が、バンク９２５で仕切られている有機ＥＬ層９１０の部分の領域より大きいことを特徴とする。有機ＥＬ層９１０は、反射電極９１１と、ＩＴＯ膜４１２と、正孔輸送層４１３と、有機発光層４１４と、電子輸送層４１５とからなる。反射電極９１１は、実施例１の反射電極１１１と同様、金属、例えば、アルミニュウム（Ａｌ）を蒸着することによって構成することができる。バンク９２５は、実施例２のバンク４２５と同様、基板１０１に略平行な面における領域において略直交する２方向に線状に設けられた、電気的な絶縁部材である。バンク９２５は、例えばポリイミドをインクジェット法、もしくはエッチング、パターニングを施すことにより形成することができる。
【００７４】
基板１０１に略垂直な面で切断すると、バンク９２５は、図９に示すように、略二等辺三角形形状の底辺近傍の２箇所に反射電極９１１の周辺部９１１ａが入り込んだような形状を有する。有機ＥＬ層９１０のうち、反射電極９１１以外の部分であるＩＴＯ膜４１２、正孔輸送層４１３、有機発光層４１４、電子輸送層４１５は、バンク９２５の略二等辺三角形形状の斜面の部分によって、複数の画素に対応する領域に分割されている。これに対して、反射電極９１１は、反射電極９１１の周辺部９１１ａがバンク９２５と導電率可変層１０３の領域９０３ａとに挟まれるように設けられている。このため、保護層１０５の側から見ると、反射電極９１１は、バンク９２５の斜面部分で分割されている有機ＥＬ層９１０の領域より大きい領域を有する。
【００７５】
例えば、制御光Ｌが、図９に示すように、導電率可変層１０３の領域９０３ａに入射したとする。周辺部９１１ａの位置をバンク９２５の領域が占めているとすると、制御光Ｌによって領域９０３ａの導電率が変化した場合であっても、反射電極９１１に十分電圧を印加することができない。このため、制御光Ｌは、表示パネル９２０の駆動に十分に寄与することができない。これに対して、反射電極９１１の領域を周辺部９１１ａの領域の分大きくすることにより、制御光Ｌによって領域９０３ａの導電率が変化した場合、反射電極９１１に十分電圧を印加することができる。従って、領域９０３ａに入射した制御光Ｌを表示パネル９２０の駆動に十分寄与させることができる。
【００７６】
このように、画素に対応して設けられている反射電極９１１の領域を大きくすることにより、反射電極９１１が有機ＥＬ層９１０と同一の大きさの領域に分割されている場合より、広い範囲に入射した制御光Ｌを利用でき、制御光Ｌの利用効率が向上する。また、広い範囲に入射した制御光Ｌを利用することができるため、制御光Ｌの入射位置を高い精度で制御することが困難であっても、表示パネル９２０の制御を十分に行うことができる。これにより、効率良く有機ＥＬ層９１０を発光させることができるという効果を奏する。
【００７７】
なお、隣り合う画素に対応する反射電極９１１どうしが接触すると、反射電極９１１どうしが電気的に接続されることとなる。反射電極９１１どうしが電気的に接続されると、画素ごとに画像信号に応じて有機発光層４１４を発光させることが困難となる。このため、反射電極９１１の領域の大きさは、隣り合う画素に対応する反射電極９１１どうしが接触することがない程度であることを要する。本実施例のように、隣り合う反射電極９１１どうしの間の空間にバンク９２５が設けられていることにより、隣り合う画素に対応する反射電極９１１どうしが電気的に接続されることを防止できる。これにより、表示パネル９２０を画像信号に応じて正確に制御することができる。
【実施例４】
【００７８】
図１０は、本発明の実施例４に係る表示パネル１０２０の概略構成を示す。上記実施例２の表示装置３００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。表示パネル１０２０は、導電率可変層１００３が、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする。導電率可変層１００３が、有機ＥＬ層４１０と同様にバンク４２５によって画素に対応して分割されている点以外の詳細については、上記実施例２と同様である。表示パネル１０２０の製造方法としては、第１の透明電極層１０２の上にバンク４２５を設け、バンクによって仕切られた第１の透明電極層１０２の上に導電率可変層１００３を積層する点以外は、上記の表示パネル３２０の製造方法と同様である。
【００７９】
導電率可変層１００３は、制御光Ｌの照射位置を中心として制御光Ｌの強度とその照射時間とに比例して、導電率が変化する領域を周辺に拡げる傾向がある。導電率可変層１００３を、有機ＥＬ層４１０と同様に画素に対応して複数の領域に分割することにより、制御光Ｌによって、所定の画素に対応する有機発光層４１４を正確に発光させることができる。また、制御光Ｌの入射位置を高い精度で制御することが困難であっても、表示パネル１０２０の制御を十分に行うことができる。これにより、表示パネル１０２０の駆動を正確に制御することができるという効果を奏する。
【実施例５】
【００８０】
図１１は、本発明の実施例５に係る表示装置１１００の概略構成を示す。上記実施例２の表示装置３００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。表示装置１１００の制御光用光学系１１４０は、２つの制御光用光源ユニット１１５０、１１６０を有することを特徴とする。制御光用光源ユニット１１５０は、第１制御光用光源部１１５１と、第２制御光用光源部１１５２と、第３制御光用光源部１１５３とを有する。第１制御光用光源部１１５１は、Ｒ光用画素４２０Ｒに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に第１の制御光Ｌ４を供給する。第２制御光用光源部１１５２は、Ｇ光用画素４２０Ｇに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に第２の制御光Ｌ５を供給する。第３制御光用光源部１１５３は、Ｂ光用画素４２０Ｂに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に第３の制御光Ｌ６を供給する。各制御光Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６は、各制御光用光源部１１５１、１１５２、１１５３に対応して設けられているガルバノミラー１１５４、１１５５、１１５６により、表示パネル１１２０の第１の領域１１２１を走査する。
【００８１】
制御光用光源ユニット１１６０は、第１制御光用光源部１１６１と、第２制御光用光源部１１６２と、第３制御光用光源部１１６３とを有する。第１制御光用光源部１１６１は、Ｒ光用画素４２０Ｒに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に第１の制御光Ｌ７を供給する。第２制御光用光源部１１６２は、Ｇ光用画素４２０Ｇに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に第２の制御光Ｌ８を供給する。第３制御光用光源部１１６３は、Ｂ光用画素４２０Ｂに対応する第１の透明電極層１０２（図４参照）に第３の制御光Ｌ９を供給する。各制御光Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９は、各制御光用光源部１１６１、１１６２、１１６３に対応して設けられているガルバノミラー１１６４、１１６５、１１６６により、表示パネル１１２０の第２の領域１１２２を走査する。このように、各制御光用光源ユニット１１５０、１１６０は、それぞれ表示パネル１１２０の異なる領域である第１の領域１１２１と第２の領域１１２２とに、それぞれ各制御光Ｌ４〜Ｌ６、Ｌ７〜Ｌ９を供給する。
【００８２】
各制御光用光源ユニット１１５０、１１６０は、表示パネル１１２０の領域を分担して各制御光Ｌ４〜Ｌ６、Ｌ７〜Ｌ９を供給する。このため、各ガルバノミラー１１５４、１１５５、１１５６、１１６４、１１６５、１１６６から表示パネル１１２０までの距離を短くできる。また、表示パネル１１２０の領域を分担して各制御光Ｌ４〜Ｌ９を供給することにより、各制御光Ｌ４〜Ｌ９の走査角度を小さくすることもできる。各制御光Ｌ４〜Ｌ９の走査距離を小さくするため、各制御光Ｌ４〜Ｌ９の走査速度を小さくしても、画像表示を十分に行うことができる。これにより、表示装置１１２０を小型化できるうえ、制御光Ｌ４〜Ｌ９を容易に走査することができるという効果を奏する。なお、本実施例の表示装置１１００は、２つの制御光用光源ユニット１１５０、１１６０を用いることとしたが、３つ以上の制御光用光源ユニットを設け、表示パネル１１２０を３つ以上に分割して制御光を供給することとしても良い。
【００８３】
図１２は、本実施例の表示装置１１００の変形例である表示装置１２００の概略構成を示す。ここでは、表示装置１１００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。表示装置１２００は、３つのガルバノミラー１２５４、１２５５、１２５６を設けることを特徴としている。各制御光用光源ユニット１１５０、１１６０の第１制御光用光源部１１５１、１１６１からの第１の制御光Ｌ４、Ｌ７は、ガルバノミラー１２５４によって、それぞれ第１の領域１１２１、第２の領域１１２２を走査する。第２制御光用光源部１１５２、１１６２からの第２の制御光Ｌ５、Ｌ８は、ガルバノミラー１２５５によって、それぞれ第１の領域１１２１、第２の領域１１２２を走査する。第３制御光用光源部１１５３、１１６３からの第３の制御光Ｌ６、Ｌ９は、ガルバノミラー１２５６によって、それぞれ第１の領域１１２１、第２の領域１１２２を走査する。このように、単独のガルバノミラーが複数の制御光を走査させる構成とすることにより、部品点数を減らすことができる。
【００８４】
なお、上記各実施例の表示パネルには有機ＥＬ層を用いているが、電圧を印加することにより発光するものであれば、これに限られない。例えば、有機ＥＬ層に代えて無機ＥＬ層を用いることとしても良い。また、上記実施例において表示装置は、画像信号に応じて変調された制御光Ｌによって連続的な変化量を表示するアナログ制御を行うこととしている。これに限らず、制御光Ｌを用いてディジタル制御を行うこととしても良い。例えば、制御光ＬのＯＮ、ＯＦＦに応じて不連続な２値のみをとることとし、サブフレーム駆動を用いて階調表現をしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
以上のように、本発明に係る表示装置は、プレゼンテーションや動画を表示する場合に有用であり、特に、投写像を表示する場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施例１に係る表示装置の概略構成図。
【図２−１】表示パネルの使用例の説明図。
【図２−２】ディスプレイの画像を表示パネルに表示する構成の説明図。
【図３】本発明の実施例２に係る表示装置の概略構成図。
【図４】表示パネルと制御光用光学系との概略構成図。
【図５】開口部と制御光用光学系との関係の説明図。
【図６−１】各色光用画素の配置例の説明図。
【図６−２】各色光用画素の配置例の説明図。
【図６−３】各色光用画素の配置例の説明図。
【図７−１】表示パネルの第１の製造方法の手順の説明図。
【図７−２】表示パネルの第１の製造方法の手順の説明図。
【図７−３】表示パネルの第１の製造方法の手順の説明図。
【図８−１】表示パネルの第２の製造方法の手順の説明図。
【図８−２】表示パネルの第２の製造方法の手順の説明図。
【図８−３】表示パネルの第２の製造方法の手順の説明図。
【図９】本発明の実施例３に係る表示パネルの概略構成図。
【図１０】本発明の実施例４に係る表示パネルの概略構成図。
【図１１】本発明の実施例５に係る表示装置の概略構成図。
【図１２】実施例５の変形例に係る表示装置の概略構成図。
【符号の説明】
【００８７】
１００  表示装置、１０１  基板、１０２  第１の透明電極層、１０３  導電率可変層、１０４  第２の透明電極層、１０５  保護層、１１０  有機ＥＬ層、１１１  反射電極、１１２  ＩＴＯ膜、１１３  正孔輸送層、１１４  有機発光層、１１５  電子輸送層、１２０  表示パネル、１３０  電源、１４０  制御光用光学系、１４２  制御光用光源部、１４４  ガルバノミラー、１４８  制御部、２１０  ディスプレイ、２２１、２３１  Ｒ光透過カラーフィルタ、２２２、２３２  Ｇ光透過カラーフィルタ、２２３、２３３  Ｂ光透過カラーフィルタ、３００  表示装置、３２０  表示パネル、３４０  制御光用光学系、３４１  第１制御光用光源部、３４２  第２制御光用光源部、３４３  第３制御光用光源部、３４４、３４５、３４６  ガルバノミラー、３５０  ミラー、３６０  筐体、４１０  有機ＥＬ層、４１１  反射電極、４１２  ＩＴＯ膜、４１３  正孔輸送層、４１４  有機発光層、４１４Ｒ  Ｒ光用有機発光層、４１４Ｇ  Ｇ光用有機発光層、４１４Ｂ  Ｂ光用有機発光層、４１５  電子輸送層、４２０Ｒ  Ｒ光用画素、４２０Ｇ  Ｇ光用画素、４２０Ｂ  Ｂ光用画素、４２５  バンク、４３５  遮光部、４３７  開口部、６１０Ｒ、６３０Ｒ  Ｒ光用画素、６１０Ｇ、６３０Ｇ  Ｇ光用画素、６１０Ｂ、６３０Ｂ  Ｂ光用画素、６５０、６６０  画素集合体、８５０  接着層、９０３ａ  領域、９１０  有機ＥＬ層、９１１  反射電極、９１１ａ  周辺部、９２０  表示パネル、９２５  バンク、１００３  導電率可変層、１０２０  表示パネル、１１００  表示装置、１１２０  表示パネル、１１２１  第１の領域、１１２２  第２の領域、１１４０  制御光用光学系、１１５０、１１６０  制御光用光源ユニット、１１５１、１１６１  第１制御光用光源部、１１５２、１１６２  第２制御光用光源部、１１５３、１１６３  第３制御光用光源部、１１５４、１１５５、１１５６、１１６４、１１６５、１１６６  ガルバノミラー、１２００  表示装置、１２５４、１２５５、１２５６  ガルバノミラー、Ｌ、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９  制御光
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図６−３】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図７−３】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図８−３】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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