(57)【要約】【課題】  マルチビーム発光素子および光走査装置において、発光点同士を近接させることなく走査面上の走査線間隔を狭めることができ、しかもクロストークを格段に低減でき、それにより、高解像度、高画質の光走査を行うことができるようにする。【解決手段】  マルチビームＬＤ２において、基板１０上に活性層１１ｃが基板１０に略平行となるようにレーザ発光部１１を設け、基板１０上に設けた段部１３上に、活性層１１ｃと略平行に活性層１２ｃが位置するようにレーザ発光部１２を設ける。そして、レーザ発光部１１、１２の発光点を基板１０に沿う方向に所定距離ｄだけ離す。所定距離ｄは走査線の副走査方向の間隔とし、段部１３の高さＨを、レーザ発光部１１、１２にクロストーク十分低減される距離とする。そしてマルチビームＬＤ２を用いて光走査装置を構成する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部材上に、Ｎ型電極層とＰ型電極層とで挟まれた活性層を有することにより略同一波長光を放射する半導体レーザにより複数のレーザ発光部が形成されたマルチビーム発光素子であって、
前記複数のレーザ発光部の活性層が、それぞれ前記基板部材と略平行に配置され、前記基板部材に沿う方向に所定間隔だけ離間されるとともに、前記基板部材の法線方向に離間して配置されたことを特徴とするマルチビーム発光素子。
【請求項２】
前記レーザ発光部が放射する光の波長が、６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム発光素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマルチビーム発光素子と、
該マルチビーム発光素子から放射された発散光をそれぞれ略平行光束とするコリメート素子と、
該平行光束の光束径を、主走査方向に比して副走査方向が相対的に小さくなるように整形するビーム整形部材と、
該ビーム整形部材を透過した前記平行光束を副走査方向に集光する集光素子と、
該集光素子により副走査方向に集光された光束を主走査方向に偏向する光偏向手段と、
該光偏向手段で偏向された光束をそれぞれ走査面上で副走査方向に所定ピッチ離して略平行に走査する走査光学系とを備える光走査装置であって、
前記マルチビーム発光素子の活性層が主走査方向と略直交するように配置されたことを特徴とする光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチビーム発光素子および光走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、同一基板上に複数の発光部を有しマルチビームを放射する半導体レーザ（ＬＤ）が知られている。また、そのようなＬＤ素子を用いて複数の走査線上を同時露光するマルチビーム光走査装置が実用化されている。そのようなマルチビーム光走査装置では、走査線の本数に応じて光偏向手段の駆動速度、例えばポリゴンミラーなどの回転数を低減することができるから、高解像度であっても高速に印字でき、低騒音で信頼性の高い装置とすることができる。そのため、例えば、レーザプリンタ、複写機、ファックスなどの画像形成システムに応用されている。
例えば、特許文献１には、このようなマルチビームＬＤ素子の一例が記載されている。すなわち、サファイア基板上の所定高さにサファイア基板と平行な活性領域を最小１６μｍピッチで４つを整列した構成が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−６９１５２号公報（第９−１０頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のような従来のマルチビーム発光素子および光走査装置には以下のような問題があった。
マルチビーム発光素子を画像形成システムに応用する場合、例えば、今日の一般的な画素密度（解像度）である６００ｄｐｉで印字するには、走査線の間隔Ｄを、Ｄ＝４２．３３μｍとする必要がある。通常用いられる走査光学系の倍率は４〜１０倍であるから、副走査発光点ピッチｄは、１０μｍより小さいことが要求される。
【０００４】
一方特許文献１に記載の技術では、発光点間隔が最小でも１６μｍあるから、次のようにして見かけ上の発光点間隔を狭めることが行われる。図３（ａ）は、そのような従来のマルチビーム発光素子の配置を説明するための模式説明図である。
ＬＤ素子２０は、基板２１上に、レーザ発光部２２、２３が基板上発光点ピッチＬ１に配置されたものである。一方、走査面における解像度に対応した走査線ピッチに対応した副走査発光点ピッチをｄとすると、ｄ＜Ｌ１となっている。そこで、基板２１を主走査方向に対して、角度θ１だけ傾斜させて、見かけ上のビームピッチを副走査発光点ピッチｄに一致させる。このような角度は、ｄ＝Ｌ１・ｔａｎθ１から求められる。このようにすれば、Ｌ１＞ｄであっても走査面上では解像度に対応した走査線間隔となる。
【０００５】
ところが、レーザ発光部２２（２３）から射出される光束は、活性層２２ｃ（２３ｃ）で回折するため、活性層２２ｃ（２３ｃ）と直交する方向に長い略楕円ビームとなる。そのため、図３（ａ）のように、角度θ１が浅いと、ＬＤ素子２０からは副走査方向に光束径の大きいビームが出射される。一方、光走査光学系では、主・副走査方向の像面位置とスポット径を適切にするために入射光束を主走査方向に延びる楕円または矩形のアパーチャにより整形する必要があるから、光量損失が大きくなるという問題がある。
また、ＬＤ素子では、活性層の延びる方向に直線偏光しているから、このような構成では、ポリゴンミラーなどの光偏向手段に対してｐ偏光として入射する。ｐ偏光は反射率の角度依存性が大きくなるので、走査角度による反射ムラが大きくなり、それを補償するために高価な反射膜コートを施す必要が生じるという問題がある。
図３（ｂ）に示したように、θ２＞θ１の傾斜にすれば、漸次光量損失が低減されるが基板上発光点ピッチＬ２は、逆に副走査発光点ピッチｄに接近していく。この場合には、発光点が近づくことにより熱的・電気的なクロストークが起こり、発光が不安定になる。特に１つが発光している時に他方が発光すると１つ目の発光出力が低下する現象が発生する。
図３（ｃ）に示したように、例えば副走査発光点ピッチｄを走査線の間隔Ｄから２・Ｄに対応する値として、いわゆる飛び越し走査を行うことも考えられるが、この場合、データ処理が煩雑となり画像処理回路などが高価になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであって、発光点同士を近接させることなく走査面上の走査線間隔を狭めることができ、しかもクロストークを格段に低減でき、それにより、高解像度、高画質の光走査を行うことができるマルチビーム発光素子および光走査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、基板部材上に、Ｎ型電極層とＰ型電極層とで挟まれた活性層を有することにより略同一波長光を放射する半導体レーザにより複数のレーザ発光部が形成されたマルチビーム発光素子であって、前記複数のレーザ発光部の活性層が、それぞれ前記基板部材と略平行に配置され、前記基板部材に沿う方向に所定間隔だけ離間されるとともに、前記基板部材の法線方向に離間して配置された構成とする。
この発明によれば、レーザ発光部から活性層と直交する方向に回折し基板部材の延長方向に長軸を有する楕円状の発散光束が、基板部材に沿う方向に所定間隔だけ離れて複数放射される。一方、基板部材の法線方向では、それぞれの活性層が離間して配置される。その結果、基板部材の法線方向の離間距離を大きくとることにより、レーザ発光部の熱的、電気的相互作用を低減することができる。また、各レーザ発光部を、活性層に略直交する方向である基板部材の法線方向に離間させることにより互いに干渉しないように配置することができるので、複数のレーザ発光部を活性層における発光中心を基板部材に沿う方向に、レーザ発光部を形成する最小限の幅で決まる間隔までの範囲で、必要に応じて所定間隔に詰めて配置することができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のマルチビーム発光素子において、前記レーザ発光部が放射する光の波長が、６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にある構成する。
この発明によれば、画像形成システムに比較的多用される露光材料の感度範囲において、比較的小径のスポット径とすることができる波長範囲となるので、高解像度、高画質を備える画像形成システムに好適なマルチビーム発光素子とすることができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、光走査装置において、請求項１または２に記載のマルチビーム発光素子と、該マルチビーム発光素子から放射された発散光をそれぞれ略平行光束とするコリメート素子と、該平行光束の光束径を、主走査方向に比して副走査方向が相対的に小さくなるように整形するビーム整形部材と、該ビーム整形部材を透過した前記平行光束を副走査方向に集光する集光素子と、該集光素子により副走査方向に集光された光束を主走査方向に偏向する光偏向手段と、該光偏向手段で偏向された光束をそれぞれ走査面上で副走査方向に所定ピッチ離して略平行に走査する走査光学系とを備える光走査装置であって、前記マルチビーム発光素子の活性層が主走査方向と略直交するように配置された構成とする。
この発明によれば、請求項１または２に記載のマルチビーム発光素子の活性層を主走査方向と略直交するように配置するので、マルチビーム発光素子から主走査方向に光束径の大きい発散光が、副走査方向に所定距離だけ離れて放射される。それぞれの発散光はコリメート素子により平行光束とされる。そしてビーム整形部材により、主走査方向に比して副走査方向が相対的に小さい光束径となるように整形される。そして、集光素子により副走査方向に集光され、光偏向手段により主走査方向に偏向される。さらに走査光学系により、走査面上で副走査方向に所定ピッチ離して略平行に走査される。
したがって、ビーム整形部材により整形される方向と光束の拡がり方向が一致しているので光量損失が低減できる。また、請求項１または２に記載の発明と同様の作用効果を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のマルチビーム発光素子によれば、複数のレーザ発光部において、それぞれの活性層の延びるの所定間隔を狭めるとともに、活性層に略直交する方向では離間させることができるので、発光点同士を近接させることなく活性層が延びる方向には近接させることができるから、クロストークを格段に低減できるという効果を奏する。
本発明の光走査装置によれば、本発明のマルチビーム発光素子を用いることにより、走査線間隔を狭めて高解像度に対応した光走査を行うことができ、しかもクロストークが低減されるので高画質の光走査を行うことができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。なおすべての図面において、実施形態が異なる場合であっても、同一または相当する部材には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
本発明の実施形態に係るマルチビーム発光素子および光走査装置について説明する。
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る光走査装置の概略構成について説明するための平面視の模式光路図である。図１（ｂ）は、同じく正面視の模式説明図である。図１（ｃ）は、同じく副走査方向に沿う断面における模式光路図である。図２は、本発明の実施形態に係るマルチビーム素子の概略構成を説明するための斜視模式説明図である。図２では、方向を簡潔に参照するための光軸方向をＺ軸方向とし、主走査方向、副走査方向に対応させてそれぞれＹ軸、Ｘ軸を設けたＸＹＺ右手直角座標系に基づいて説明する場合がある。
【００１２】
本実施形態に係る光走査ユニット１（光走査装置）は、画像信号で変調制御されるとともに、走査面上で適宜のスポット径に集光されたレーザ光束３０を、例えば一方向に回転される感光体ドラム９など像担持体上で一方向に走査し、感光体ドラム９の表面をラスタスキャンして潜像を形成することができるものである。例えば、レーザプリンタ、複写機、レーザファックスなどの画像形成システムの潜像形成手段として好適に用いることができるものであり、特に、高速、高画質の画像形成に好適なものである。
光走査ユニット１の概略構成は、適宜の筐体８に保持された、マルチビームＬＤ２（マルチビーム発光素子）、コリメートレンズ３（コリメート素子）、アパーチャ４（ビーム整形部材）、シリンドリカルレンズ５（集光素子）、ポリゴンミラー６（光偏向手段）およびｆθレンズ７（走査光学系）からなる。
【００１３】
まず本実施形態に係るマルチビームＬＤ２について説明する。
図２に示したように、マルチビームＬＤ２の概略構成は、基板１０（基板部材）、レーザ発光部１１、１２、段部１３からなる。
基板１０は、マルチビームＬＤ２の支持部材であり、表面に後述するレーザ発光部１１の半導体材料層を成長させることができる部材が採用できる。基板１０が後述するレーザ発光部１１、１２の負電極を兼ねる場合、それらの配置面と反対側の面などに金属電極が形成される。
段部１３は、後述するレーザ発光部１１、１２が、熱的、電気的に相互の影響を低減し、クロストークを改善するためのもので、基板１０の法線方向に高さＨだけ突出して形成される。高さＨは、熱的、電気的相互作用の程度に応じて適宜に決めることができるが、少なくともレーザ発光部１１、１２のそれぞれの厚みより大きくすることが好ましい。
【００１４】
また段部１３は、基板１０と同材質として一体に設けることもできるし、別材質からなる部材を固定して形成することもできる。
段部１３を別材質で設ける場合、特に温度特性に優れた材質、形状とすることが好ましい。例えば、熱伝導率が高く放熱性の高い材質・形状、熱容量が大きく温度平衡状態を維持しやすい材質・形状、熱伝導率が低く断熱効果の大きい材質・形状、およびそれらが複合されたものが採用できる。材質の例としては、適宜の金属、半導体、セラミックスなどが採用できる。
【００１５】
レーザ発光部１１、１２は、波長λのレーザ光束を発振する半導体レーザ素子（ＬＤ素子）を構成するもので、それぞれ基板１０、段部１３上に設けられる。波長λは適宜の値を採用することができる。例えばレーザプリンタなどの画像形成システムでは、従来、λ＝７８０ｎｍ程度の赤外レーザが用いられることが多く、そのような範囲としてもよいことは言うまでもない。ただし、より高解像度で高コントラストの画像を形成するためには、結像性能、感光体ドラム９の感度特性などの関係から、λ＝６００ｎｍ〜７００ｎｍとすることが好ましい。
レーザ発光部１１の概略構成は、基板１０側からＮ型電極層１１ａ、活性層１１ｃ、Ｐ型電極層１１ｂからなる。それらの構成は、発振波長・最大出力などに応じてどのようなタイプのＬＤ素子を用いてもよいが、例えば、ダブルヘテロ構造ファブリ−ペロー型ＬＤの例では以下のように構成される。なお、上・下方向は図２のＹ軸の負・正方向に対応する方向を指す。
基板１０は、Ｎ型ＧａＡｓ結晶により設けられ、前述のように例えばその下側面に負電極が形成される。
Ｎ型電極層１１ａは、基板１０上にＮ型ＡｌＧａＡｓからなる下部クラッド層として設けられる。
活性層１１ｃは、Ｎ型電極層１１ａの上に厚さ約０．１〜０．２μｍ程度のＰ型またはＮ型のＧａＡｓ層を設けてなる。活性層１１ｃの延びる方向は基板１０の延びる方向と略平行とする。
Ｐ型電極層１１ｂは、活性層１１ｃ上にＰ型ＡｌＧａＡｓからなる上部クラッド層、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層をそれぞれ順次エピタキシャル成長させ、その上に活性層１１ｃの発光部を形成するためのストライプを設けて、適宜の金属により正電極を形成して設ける。
レーザ発光部１１の側面には劈開面が形成される。特に図示しないが、その一方の近傍に光量制御を行うために後側射出光を検出するフォトダイオードが形成される。
これらの構造は周知の半導体製造プロセスにより容易に形成される。その際、段部１３は、基板１０を形成する際に同時に形成することができるものである。
【００１６】
レーザ発光部１２は、基板１０の代わりに段部１３が設けられる以外は、Ｎ型電極層１１ａ、活性層１１ｃ、Ｐ型電極層１１ｂに対応して、同様な構成を有するＮ型電極層１２ａ、活性層１２ｃ、Ｐ型電極層１２ｂがそれぞれ設けられる。そして活性層１２ｃを基板１０の延長方向と略平行となるように段部１３上に固定される。
なお段部１３を基板１０と別材質で構成する場合は、Ｎ型電極層１２ａに負電極を形成したＮ型ＧａＡｓ結晶からなる基板層を設ける。
このように、レーザ発光部１１、１２は、基板１０、段部１３と一体に設けてもよいし、それぞれ独立したＬＤ素子を基板１０、段部１３に固定してもよい。
【００１７】
活性層１１ｃ、１２ｃのＸ軸方向の距離は、副走査発光点ピッチｄとなるようにする。ここでの発光点は、射出側の劈開面における光出力の強度中心の位置として定義される。
副走査発光点ピッチｄは、光学系の副走査方向の倍率から決まる距離であり、走査面上で所望の走査ピッチ（副走査方向の走査線間隔）が得られる値とする。例えば、画素密度（解像度）６００ｄｐｉの場合、走査ピッチを、Ｄ＝４２．３３μｍとする必要があるが、光学系の副走査方向の倍率をβＳとすれば、ｄ＝Ｄ／βＳである。例えばβＳ＝４の場合、ｄ＝１０．５μｍである。
【００１８】
そして、図１（ａ）に示したようにレーザ発光部１１、１２の正・負電極には、放射される光束を画像信号などに対応して変調駆動するためのＬＤ駆動手段２ａが電気的に接続される。
【００１９】
コリメートレンズ３は、活性層１１ｃ、１２ｃにおける発光点を結ぶ線分を垂直二等分する軸上に光軸３０を有する正のパワーを有する光学素子である。そして、コリメートレンズ３の光軸方向の位置を適宜調整することにより、レーザ発光部１１、１２から放射される光束を所定の光利用効率で略平行光束にすることができるものである。
例えば、球面または非球面のレンズ、またはレンズ群、フレネルレンズ、ホログラム素子などを採用することができる。
アパーチャ４は、コリメートレンズ３の像側に配置され、略楕円状の開口を有する開口絞りであり、コリメートレンズ３から射出される平行光束をＹ軸方向に長径を有する略楕円状のビームに整形するものである。その開口形状は、走査面上で主・副走査方向のスポット径、ビームプロファイルが画素密度に応じて適宜の大きさ、形状となるようにする。本実施形態では、Ｙ軸方向（主走査方向）に長径を有する略楕円状としたが、Ｙ軸方向に大きく開口するならば、例えば長円状、矩形状などであってもよい。
【００２０】
シリンドリカルレンズ５は、図１（ａ）、（ｃ）に示したように、アパーチャ４を透過する略楕円状の光束を副走査方向に線状に集光し、焦点位置に結像するものである。
ポリゴンミラー６は、図１（ａ）、（ｂ）に示したように、例えば六角形などの正多角形のミラー面を備え、モータ６ａにより画素密度に応じた回転数で回転されるものである。そして、シリンドリカルレンズ５を透過した光束を、副走査方向の結像位置近傍で主走査方向に偏向できるように配置される。そのため、偏向面と走査面とが副走査方向に共役となり面倒れ補正を行えるようになっている。
ｆθレンズ７は、ポリゴンミラー６で偏向される光束を走査面上で主走査方向に結像するとともに、主走査方向の走査速度を等速走査とするために、ｆθ特性を付与されたレンズまたはレンズ群である。
なお、光走査ユニット１は、画像の書き出し制御を行う同期検知センサ、マルチビームＬＤ２を駆動する駆動制御手段、モータ６ａを駆動するモータ駆動手段などは当然に備えるが、いずれも周知のことなので説明を省略する。
【００２１】
次に、本実施形態の光走査ユニット１の動作を本実施形態のマルチビームＬＤ２の作用を中心に簡単に説明する。
図２に示したように、レーザ発光部１１、１２が点灯されると、活性層１１ｃ、１２ｃからレーザ光がＺ軸方向に放射される。このとき、活性層１１ｃ、１２ｃがＹ軸方向の厚みが薄いために回折作用により、Ｙ軸方向に長径を有する略楕円状に広がる発散光が放射される。この光束は活性層１１ｃ、１２ｃが延びるＸ軸方向（副走査方向）に偏光している。
レーザ発光部１１、１２は、画像信号により断続的に発光するので、それぞれに発熱量や駆動電流が異なる結果、多少とも熱的、電気的なクロストークが生じる可能性があるが、本実施形態では、段部１３を介してレーザ発光部１１、１２が離間されているので、クロストークを格段に低減できる利点がある。
例えば、段部１３を、熱伝導率が高く放熱性の高い材質・形状とすれば、放熱作用によりレーザ発光部１１、１２の温度変化を低減することができる。また熱容量が大きく温度平衡状態を維持しやすい材質・形状とすれば、発光量のばらつきが大きい場合に温度変動を低減できる。また熱伝導率が低く断熱効果の大きい材質・形状とすれば、互いの発熱の影響を遮断できる。これらは、光走査ユニット１の使用条件、稼働環境などに応じて適宜選択したり、複合させたりすることが好ましい。
【００２２】
そして、それら発散光が、それぞれ光束径を拡大しつつ、コリメートレンズ３に到達すると、コリメートレンズ３により屈折され、Ｙ軸方向に長径を有する略楕円状の平行光束として像側に出射される。長径の大きさは、例えば画素密度６００ｄｐｉでは、波長や焦点距離にもよるが、数ミリ以上の大きさとされる。
このとき、２つの光束は、光軸３０からそれぞれ距離Δ＝｛（１／２）・√（Ｈ２＋ｄ２）｝だけ離間しているので、その距離Δだけ光軸ずれした光束として伝搬する。これらは、コリメートレンズ３の焦点距離に比べて著しく小さいので、光軸ずれのない場合に比べてカップリング効率が低下する割合もごくわずかとなる。
また、距離Δは、アパーチャ４の大きさに比べて非常に小さいので、それぞれの光束は互いに略重なりながら、アパーチャ４の開口を透過する。したがって、アパーチャ４の開口と光束の広がりが略一致し、アパーチャ４による光量損失を光束の長径方向がアパーチャ４の長径方向と一致しない場合に比べて小さくできるという利点がある。
【００２３】
アパーチャ４を透過した距離Δだけ光軸ずれした平行光束は、シリンドリカルレンズ５により副走査方向に集光されてポリゴンミラー６の反射面に到達する（図１（ａ）参照）。
そしてポリゴンミラー６により図示矢印方向に偏向される。このとき、入射光束はｓ偏光となるので、反射率の偏向角依存性がｐ偏光より小さくなり、ポリゴンミラー６の反射膜コーティングなどが容易となり、光量ムラを低減できるという利点がある。
そして、ｆθレンズ７の光学作用を受けて、感光体ドラム９の表面上に向けて主・副走査方向にそれぞれ集光され、所定のスポット径を形成しつつ走査される。その際、それぞれの走査線は、副走査方向に距離Ｄだけ離れて走査される。
距離Ｄを画素密度に応じた走査ピッチとすることにより、飛び越し走査することなく、隣接する２本の走査線を同時に形成できるので、シングルビーム走査する場合に比べてポリゴンミラー６の回転数を半分に低減でき、ポリゴンミラー６の静音化や長寿命化が図れるという利点がある。
また、回転速度をそのままとしてポリゴンミラー６の面数を低減するようにすれば、ポリゴンミラー６の製作コストを低減することができるという利点がある。
【００２４】
このように、本実施形態に係る光走査ユニット１、マルチビームＬＤ２によれば、クロストークの影響を受けることなく、高解像度に対応した光走査を行うことができる。また光量損失は光量ムラを低減することができる。その結果、高画質の画像形成システムに好適な光走査装置、マルチビーム発光素子とすることができるという利点がある。
【００２５】
なお、マルチビームＬＤ２、ＬＤ駆動手段２ａ、コリメートレンズ３、アパーチャ４などは、筐体８に設けられるとして説明したが、それらの一部または全部を筐体８に着脱可能な他の支持部材に固定することにより、光源ユニットなどを形成してもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態に係る光走査装置の概略構成について説明するための平面視の模式光路図、正面視の模式説明図、および副走査方向に沿う断面における模式光路図である。
【図２】本発明の実施形態に係るマルチビーム素子の概略構成を説明するための斜視模式説明図である。
【図３】従来のマルチビーム発光素子の配置、および飛び越し走査について説明するための模式説明図である。
【符号の説明】
【００２７】
１  光走査ユニット（光走査装置）
２  マルチビームＬＤ（マルチビーム発光素子）
２ａ  ＬＤ駆動手段
３  コリメートレンズ（コリメート素子）
４  アパーチャ（ビーム整形部材）
５  シリンドリカルレンズ（集光素子）
６  ポリゴンミラー（光偏向手段）
７  ｆθレンズ（走査光学系）
８  筐体
１０  基板（基板部材）
１１、１２  レーザ発光部
１１ａ、１２ａ  Ｎ型電極層
１１ｂ、１２ｂ  Ｐ型電極層
１１ｃ、１２ｃ  活性層
１３  段部
３０  光軸
【図１】
2005150451.tif 000003
【図２】
2005150451.tif 000004
【図３】
2005150451.tif 000005