(57)【要約】  【課題】  プロセスチューブの昇降温時間およびクリーニング時間を短縮する。  【解決手段】  バッチ式ホットウオール形ＣＶＤ装置１０はアウタチューブ１２とインナチューブ１３とを有しウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１１と、熱線を照射する加熱ランプ４２とを備えており、アウタチューブ１２は加熱ランプ４２からの熱線６０を透過するように構成され、インナチューブ１３は加熱ランプ４２の熱線６０の照射で昇温し、ウエハ１を輻射熱線６１で加熱するように構成されている。  【効果】  アウタチューブを処理温度まで上昇させずに済むため、昇降温時間を短縮でき、アウタチューブの内面への成膜の抑制で、クリーニング時間を短縮できる。  【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アウタチューブとインナチューブとを備え基板を処理する処理室を構成するプロセスチューブと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給管と、前記処理室に供給された処理ガスを前記インナチューブの上部および前記インナチューブと前記アウタチューブとの間に形成された排気路を通過させて排気する排気管と、前記インナチューブを加熱する加熱手段とを備えており、前記インナチューブは前記加熱手段によって加熱されて昇温するとともに、前記基板を輻射によって加熱するように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法に使用されるＣＶＤ装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置（furnace ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコンおよびポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するのに、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている。
【０００３】
従来のこの種のＣＶＤ装置においては、ヒータユニットはセラミックファイバ等の断熱材が円筒形状に形成されて成る断熱槽の内周面に抵抗発熱体（珪化モリブデン、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金等）が敷設されて構成されているのが、一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１１０５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
断熱槽の内周面に抵抗発熱体が敷設されて成るヒータユニットを備えたＣＶＤ装置においては、熱容量がきわめて大きい断熱槽を含めてプロセスチューブ設置室全体を抵抗発熱体によって加熱する必要があるために、プロセスチューブの昇降温時間が遅延するという問題点がある。また、処理温度に加熱されたプロセスチューブの内面には成膜されるために、クリーニング面積が大きくなってしまうという問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は、従来の技術のこれらの問題点を解決し、スループットを向上させることができるとともに、クリーニング時間を短縮することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、アウタチューブとインナチューブとを備え基板を処理する処理室を構成するプロセスチューブと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給管と、前記処理室に供給された処理ガスを前記インナチューブの上部および前記インナチューブと前記アウタチューブとの間に形成された排気路を通過させて排気する排気管と、前記インナチューブを加熱する加熱手段とを備えており、前記インナチューブは前記加熱手段によって加熱されて昇温するとともに、前記基板を輻射によって加熱するように構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
前記手段によれば、基板をインナチューブの輻射によって加熱することにより、アウタチューブを含めてプロセスチューブ設置室全体を処理温度まで上昇させずに済むために、処理室の昇降温時間を短縮することができ、その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、アウタチューブの温度を処理温度未満に抑制することにより、アウタチューブの内面に成膜されるのを防止することができるために、クリーニング時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、図１に示されているように、本発明に係る基板処理装置はＩＣの製造方法における成膜工程を実施するＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）１０として構成されている。
【００１０】
図１に示されたＣＶＤ装置１０は、中心線が垂直になるように縦に配されて支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えており、プロセスチューブ１１は互いに同心円に配置されたアウタチューブ１２とインナチューブ１３とから構成されている。アウタチューブ１２は後記する加熱ランプの熱線（赤外線や遠赤外線等）を透過する材料の一例である石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。インナチューブ１３は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１３の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１４を実質的に形成している。インナチューブ１３の下端開口はウエハを出し入れするための炉口１５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ１３の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、直径３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。インナチューブ１３は後記する加熱ランプによって加熱されて昇温するとともに、処理室１４のウエハを輻射によって加熱するように構成されている。すなわち、図２（ｂ）に示されているように、インナチューブ１３は炭素（Ｃ）部材１３ａを石英部材１３ｂによって封止した複合体（以下、輻射体という。）に構成されている。
【００１１】
アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間の下端部は、上下端部に外向きの鍔部を有する円筒形状に構築されたマニホールド１６によって気密封止されており、マニホールド１６はアウタチューブ１２およびインナチューブ１３の交換等のためにアウタチューブ１２およびインナチューブ１３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド１６がＣＶＤ装置の筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１２】
図１に示されているように、アウタチューブ１２とインナチューブ１３との隙間によって排気路１７が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。マニホールド１６の側壁の上部には排気管１８の一端が接続されており、排気管１８は排気路１７の最下端部に連通した状態になっている。排気管１８の他端には圧力コントローラ２１によって制御される排気装置１９が接続されており、排気管１８の途中には圧力センサ２０が接続されている。圧力コントローラ２１は圧力センサ２０からの測定結果に基づいて排気装置１９をフィードバック制御するように構成されている。
【００１３】
マニホールド１６の下方にはガス導入管２２がインナチューブ１３の炉口１５に連通するように接続されており、ガス導入管２２にはガス流量コントローラ２４によって制御される原料ガス供給装置および不活性ガス供給装置（以下、ガス供給装置という。）２３が接続されている。ガス導入管２２によって炉口１５に導入されたガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。
【００１４】
マニホールド１６には下端開口を閉塞するシールキャップ２５が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２５はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に構築されており、プロセスチューブ１１の外部に垂直に設備されたボートエレベータ２６によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ２６はモータ駆動の送りねじ軸装置によって構成されており、ボートエレベータ２６のモータ２７は駆動コントローラ２８によって制御されるように構成されている。シールキャップ２５の中心線上には回転軸３０が挿通されて回転自在に支承されており、回転軸３０は駆動コントローラ２８によって制御されるモータ２９によって回転駆動されるように構成されている。回転軸３０の上端にはボート３１が垂直に立脚されて支持されている。
【００１５】
ボート３１は上下で一対の端板３２、３３と、両端板３２と３３との間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材３４とを備えており、三本の保持部材３４には多数の保持溝３５が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート３１は三本の保持部材３４の保持溝３５間にウエハ１を挿入されることにより、複数枚のウエハ１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。ボート３１と回転軸３０との間には断熱キャップ部３６が配置されている。断熱キャップ部３６はボート３１をシールキャップ２５の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート３１の下端を炉口１５の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、プロセスチューブ１１の外側にはヒータユニット４０が設置されている。ヒータユニット４０はプロセスチューブ１１を全体的に被覆する熱容量の小さい断熱槽４１を備えており、断熱槽４１はＣＶＤ装置の筐体２に垂直に支持されている。断熱槽４１の内側にはインナチューブ１３を加熱する加熱手段としての直管形ハロゲンランプ（以下、加熱ランプという。）４２が複数本、周方向に等間隔に配置されてアウタチューブ１２の周囲を包囲するように同心円に設備されている。加熱ランプ４２は熱エネルギーのピーク波長が１．０μｍ程度の熱線を照射するように構成されており、アウタチューブ１２を殆ど加熱することなく、インナチューブ１３に熱エネルギーを供給することによってインナチューブ１３を昇温させるとともに、ウエハ１を輻射によって加熱することができるように設定されている。加熱ランプ４２は半円筒形状の凹面鏡に形成された反射鏡４３を備えており、反射鏡４３は加熱ランプ４２からの熱線をインナチューブ１３の方向に全て反射させるように構成されている。加熱ランプ４２の駆動装置４４は温度コントローラ４５によって制御されるように構成されている。インナチューブ１３の内側にはカスケード熱電対４６が垂直方向に敷設されており、カスケード熱電対４６は計測結果を温度コントローラ４５に送信するようになっている。温度コントローラ４５はカスケード熱電対４６からの計測温度によって加熱ランプ駆動装置４４をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ４５は加熱ランプ駆動装置４４の目標温度とカスケード熱電対４６の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
【００１７】
断熱槽４１とプロセスチューブ１１との間には冷却エア５０を流通させるための冷却エア通路５１が、プロセスチューブ１１を全体的に包囲するように形成されている。断熱槽４１の下端部には冷却エア５０を冷却エア通路５１に供給する給気管５２の一端が接続されており、給気管５２に供給された冷却エア５０は冷却エア通路５１の全周に拡散するようになっている。給気管５２の他端は冷却エア供給装置５３に接続されている。図１に示されているように、断熱槽４１の天井壁の中央部には冷却エア５０を冷却エア通路５１から排出する排気口５４が開設されており、排気口５４には排気装置（図示せず）に接続された排気路５５が接続されている。
【００１８】
前記構成に係るＣＶＤ装置によるＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。
【００１９】
図１に示されているように、複数枚のウエハ１を整列保持したボート３１はシールキャップ２５の上にウエハ１群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータ２６によって差し上げられてインナチューブ１３の炉口１５から処理室１４に搬入（ボートローディング）されて行き、シールキャップ２５に支持されたままの状態で処理室１４に存置される。この際、プロセスチューブ１１の内部には窒素ガス等のパージガスがガス供給装置２３によって予め充填されている。
【００２０】
続いて、プロセスチューブ１１の内部が排気管１８によって排気されるとともに、加熱ランプ４２群によって温度コントローラ４５のシーケンス制御の目標温度に加熱される。加熱ランプ４２群の加熱によるプロセスチューブ１１の内部の実際の上昇温度と加熱ランプ４２のシーケンス制御の目標温度との誤差は、カスケード熱電対４６の計測結果に基づくフィードバック制御によって補正される。また、ボート３１がモータ２９によって回転される。プロセスチューブ１１の内部の圧力および温度、ボート３１の回転が全体的に一定の安定した状態になると、プロセスチューブ１１の処理室１４には原料ガスがガス供給装置２３によってガス導入管２２から導入される。ガス導入管２２によって炉口１５に導入された原料ガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。処理室１４を流通する際に、原料ガスが所定の処理温度に加熱されたウエハ１に接触することによる熱ＣＶＤ反応により、ウエハ１にはＣＶＤ膜が形成される。ちなみに、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）が成膜される場合の処理条件の一例は、次の通りである。処理温度は７００〜８００℃、原料ガスとしてのＳｉＨ2 Ｃｌ2 の流量は０．１〜０．５ＳＬＭ（スタンダード・リットル・分）、ＮＨ3 の流量は０．３〜５ＳＬＭ、処理圧力は２０〜１００Ｐａである。
【００２１】
所定の処理時間が経過すると、例えば、処理ガスの導入が停止された後に、窒素ガス等のパージガスがプロセスチューブ１１の内部にガス導入管２２から導入されるとともに、冷却エア５０が冷却エア通路５１に流通される。冷却エア通路５１における冷却エア５０の流通により、ＣＶＤ装置１０の全体が冷却されるために、プロセスチューブ１１の温度は大きいレート（速度）をもって急速に下降することになる。この際、断熱槽４１は熱容量が通例に比べて小さく設定されているので、急速に冷却することができる。なお、冷却エア通路５１は処理室１４から隔離されているので、冷媒として冷却エア５０を使用することができるが、冷却効果をより一層高めるためや、エア内の不純物による高温下での腐食を防止するために、窒素ガス等の不活性ガスを冷媒ガスとして使用してもよい。
【００２２】
処理室１４の温度が所定の温度に下降すると、シールキャップ２５に支持されたボート３１はボートエレベータ２６によって下降されることにより、処理室１４の炉口１５から搬出（ボートアンローディング）される。以降、前記作用が繰り返されることにより、ＣＶＤ装置１０によってウエハ１に対する成膜処理が実施されて行く。
【００２３】
以上の成膜工程における成膜ステップにおいて、ウエハ１は次のような原理によって加熱される。図２（ｂ）に示されているように、加熱ランプ４２から照射された熱線（赤外線や遠赤外線等）６０のうち径方向外向きに向かった熱線は、径方向外側に配置された反射鏡４３によって反射されることにより径方向内向きに向かうために、加熱ランプ４２から照射された全ての熱線６０が径方向内向きに向かう。加熱ランプ４２から照射される熱線６０の熱エネルギーのピーク波長は１．０μｍ程度に設定されているために、加熱ランプ４２から照射されて径方向内向きに向かった熱線６０は、石英によって形成されたアウタチューブ１２を透過し、インナチューブ１３に熱エネルギーを供給する。インナチューブ１３において石英部材１３ｂによって封止された炭素部材１３ａは熱線６０の熱エネルギーを吸収するために、インナチューブ１３の温度は全体的に上昇する。温度上昇したインナチューブ１３は輻射熱線６１を全体的に放射（輻射）する。この輻射熱線６１はウエハ１の全方位から照射するために、ウエハ１は輻射熱線６１によってきわめて効果的に加熱される。
【００２４】
以上の原理により、ウエハ１はインナチューブ１３の輻射熱線６１によってきわめて効果的に加熱されるために、大きいレート（速度）をもって急速に昇温する。また、ウエハ１はインナチューブ１３の輻射熱線６１を全方位から照射されるために、ウエハ１の面内温度分布はボート３１による回転と相俟って全体的に均一になる。したがって、ウエハ１の温度分布に依存するウエハ１の成膜の分布は、ウエハ１の面内において均一になる。さらに、インナチューブ１３が加熱ランプ４２からの熱線６０によって全体的に加熱されることにより、インナチューブ１３の温度は全体的に均一に上昇するために、ボート３１の全長におけるウエハ１群の温度分布が全体的に均一になり、ウエハ１、１相互間の温度が均等になる。したがって、ウエハ１、１相互間の温度に依存するウエハ１、１相互間の成膜の程度は均等になる。なお、ウエハ１を加熱ランプ４２の熱線６０によって直接的に加熱するように構成した場合には、加熱ランプ４２からの熱線６０を直接的に照射されたウエハ１の部分が急激に温度上昇することにより、ウエハ面内の温度分布が不均一になり、成膜の分布状態が不均一になるばかりでなく、ウエハ１自体が反る等の変形が発生してしまう。
【００２５】
インナチューブ１３の輻射熱線６１は径方向外向きにも放射するので、アウタチューブ１２も加熱されることになるが、アウタチューブ１２は処理温度以上に加熱する必要はない。したがって、アウタチューブ１２を保温するのに必要であった断熱槽４１の省略ないしは熱容量の大幅な低減が可能になり、プロセスチューブ設置室全体の熱容量の低減が可能になり、その分、ウエハ１の昇降温性能を相対的に向上させることができる。ちなみに、輻射体としてのインナチューブ１３の熱容量が大きくならないように構成するためには、インナチューブ１３の厚さを小さく設定することになる。また、石英部材１３ｂと炭素部材１３ａは間に空間を設けることにより、石英部材１３ｂの温度を処理温度未満になるよう調整することができる。また、インナチューブ１３の炭素部材１３ａは石英部材１３ｂによって封止されているので、発塵したり、ウエハ１を汚染したりしない。さらに、インナチューブ１３は石英部材１３ｂによって封止されているため、熱伝導率の炭素部材１３ａと石英部材１３ｂとの相違により、石英部材１３ｂへの成膜や副生成物（シリコン窒化膜の場合にはＮＨ4 Ｃｌ）の付着を防止することができる。
【００２６】
アウタチューブ１２の温度は成膜条件にもよるが、例えば、シリコン窒化膜の場合には５００℃以下に維持することが可能である。この場合には、アウタチューブ１２の内面への成膜や副生成物（シリコン窒化膜の場合には、ＮＨ4 Ｃｌ）の付着を防止することができる。石英部材１３ｂおよびアウタチューブ１２の内面への成膜や副生成物の付着を防止することにより、パーティクルの発生を低減することができるばかりでなく、加熱ランプ４２からの熱線６０の石英部材１３ｂおよびアウタチューブ１２の堆積膜による透過率の低下を防止することができ、堆積膜の増加によるウエハ１の温度変化を防止することができる。その結果、ＣＶＤ装置１０の製造歩留りを向上させることができるとともに、スループットを向上させることができる。さらに、石英部材１３ｂおよびアウタチューブ１２への成膜や副生成物の付着を防止することにより、プロセスチューブ１１全体としてのクリーニング面積を低減することができるので、クリーニング時間を短縮することができる。
【００２７】
特に、アウタチューブ１２およびヒータユニット４０の温度は処理温度以上に維持する必要がないばかりでなく、かえって処理温度未満に下げることが好ましいために、前述した成膜ステップにおいては、冷却エア５０が冷却エア通路５１に流通される。冷却エア通路５１における冷却エア５０の流通によってアウタチューブ１２およびヒータユニット４０を強制的に冷却することにより、例えば、シリコン窒化膜であればＮＨ4 Ｃｌの付着を防止することができる１５０℃程度にアウタチューブ１２を温度を維持することができる。なお、アウタチューブ１２の温度の抑制は、アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間隔を増加の方向に調整することによっても可能である。
【００２８】
ところで、成膜処理においてはウエハ１に成膜することが求められるのであるが、実際においては、プロセスチューブ１１内のアウタチューブ１２やインナチューブ１３等にも成膜される。さらに、成膜処理の際に求められる反応とは別の反応により、所謂副生成物を生じさせ、この副生成物においてもアウタチューブ１２やインナチューブ１３等に付着する。これら成膜や副生成物の１回において生ずる量は、次回における成膜処理に及ぼす影響は許容可能範囲となる。しかし、数回もしくは数十回にわたって成膜処理を行うと、許容可能範囲外となる。そこで、蓄積された成膜や副生成物を除去するために、弗素（Ｆ2 ）や弗化塩素（ＣｌＦ3 ）等のクリーニングガスをプロセスチューブ１１内に供給し、所定の時間、所定の温度でプロセスチューブ１１内および排気ラインをクリーニングすることになる。特に、プロセスチューブ１１内に炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる部材を設ける場合、ＳｉＣは不純物を多く含むため、表面をＣＶＤコーティング等によってコーティングして用いる。通常、クリーニングにおいては、アウタチューブ１２、インナチューブ１３等をエッチングすることになる。ここで、ＣＶＤコーティングしてあるＳｉＣ部材を特にインナチューブ１３に用いたりすると、わざわざクリーニングの度に取り外す必要がある。しかし、石英部材１３ｂによる炭素部材１３ａを封止することにより、取り付けたままでのクリーニングが可能となり、スループットを向上させることができる。
【００２９】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1)  ウエハをインナチューブの輻射によって加熱することにより、アウタチューブを含めてプロセスチューブ設置室全体を処理温度まで上昇させずに済むために、処理室の昇降温時間を短縮することができ、その結果、ＣＶＤ装置のスループットを向上させることができる。
【００３０】
2)  処理室を熱エネルギーの消費を低減しつつ効率よく昇降温させることにより、ＣＶＤ装置の総処理時間を短縮させて性能を向上させることができるとともに、電力消費の費用を低減させることができるので、ＣＶＤ装置のランニングコストひいてはＩＣの製造方法の製造コストを低減させることができる。
【００３１】
3)  アウタチューブの温度を処理温度未満に抑制することにより、アウタチューブの内面に成膜されたり副生成物が付着したりするのを防止することができるので、パーティクルの発生を防止することができるとともに、クリーニング時間を短縮することができる。
【００３２】
4)  成膜ステップに際して、断熱槽の空間に冷却エアを流通することにより、断熱槽を強制的に冷却することができるので、パーティクルの発生を確実に防止することができるとともに、クリーニング時間をより一層短縮することができる。
【００３３】
5)  ウエハをインナチューブの輻射熱線によって加熱することにより、大きいレート（速度）をもって急速に昇温させることができ、また、ウエハをインナチューブの輻射熱線によって全方位から加熱することができるために、ウエハ面内温度分布を全体的に均一化することができ、その結果、ウエハ面内の成膜分布を均一化することができる。
【００３４】
6)  インナチューブを加熱ランプからの熱線によって全体的に加熱することにより、インナチューブの温度を全体的に均一に上昇させることができるので、ボートの全長におけるウエハ群の温度分布を全体的に均一化させることができ、ウエハ相互間の温度を均等化させることができ、その結果、ウエハ相互間の成膜の程度を均一化することができる。
【００３５】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３６】
加熱手段としては、熱エネルギーのピーク波長が１．０μｍのハロゲンランプを使用するに限らず、熱線（赤外線や遠赤外線等）の波長（例えば、０．５〜３．５μｍ）を照射する他の加熱ランプ（例えば、カーボンランプ）を使用してもよいし、誘導加熱ヒータ、珪化モリブデンやＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金等の金属発熱体を使用してもよい。
【００３７】
アウタチューブは石英によって形成するに限らず、熱線の波長を透過することができる材料であって、ウエハの汚染を防止することができる材料によって形成してもよい。
【００３８】
インナチューブは炭素部材を石英部材によって封止した複合体によって形成するに限らず、加熱手段によって加熱されて昇温するとともに、ウエハを輻射によって加熱することができる材料、例えば、炭化シリコンやシリコン、これらを石英によって被覆した材料等によって形成してもよい。
【００３９】
断熱槽および冷却エア通路は省略してもよい。
【００４０】
前記実施の形態においては、ＣＶＤ装置について説明したが、酸化・拡散装置やアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４１】
被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す正面断面図である。
【図２】（ａ）は平面断面図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う一部省略拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…ウエハ（基板）、２…筐体、１０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…プロセスチューブ、１２…アウタチューブ、１３…インナチューブ、１４…処理室、１５…炉口、１６…マニホールド、１７…排気路、１８…排気管、１９…排気装置、２０…圧力センサ、２１…圧力コントローラ、２２…ガス導入管、２３…ガス供給装置、２４…ガス流量コントローラ、２５…シールキャップ、２６…ボートエレベータ、２７…モータ、２８…駆動コントローラ、２９…モータ、３０…回転軸、３１…ボート、３２、３３…端板、３４…保持部材、３５…保持溝、３６…断熱キャップ部、４０…ヒータユニット、４１…断熱槽、４２…加熱ランプ（加熱手段）、４３…反射鏡、４４…加熱ランプ駆動装置、４５…温度コントローラ、４６…カスケード熱電対、５０…冷却エア、５１…冷却エア通路、５２…給気管、５３…冷却エア供給装置、５４…排気口、５５…排気路、６０…熱線（赤外線・遠赤外線等）、６１…輻射熱線。
【図１】
2005093911.tif 000003
【図２】
2005093911.tif 000004