(57)【要約】【課題】フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンのうち、斜めに配置されたパターンの補正について、平行に配置されたパターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量を低減する。【解決手段】平行配置形態にある基準パターンの補正では、基準パターンのエッジを多数の領域に分割し、この各領域毎にそれぞれ設定された補正値だけエッジを移動させる補正を行う。斜め配置形態にある基準パターンの補正では、基準パターンのエッジを近接領域と遠隔領域との２つの領域に分割し、この各領域毎にそれぞれ設定された補正値だけエッジを移動させる補正を行う。【選択図】図６
2005084280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンを補正するステップを含むフォトマスクの設計方法であって、
補正対象となる基準パターンのエッジが、該基準パターンのエッジに対向する隣接パターンのエッジに平行に配置されているような平行配置の基準パターンを抽出する平行パターン抽出ステップと、
補正対象となる基準パターンのエッジが、該基準パターンのエッジに対向する隣接パターンのエッジに対して斜めに配置されているような斜め配置の基準パターンを抽出する斜めパターン抽出ステップと、
前記平行パターン抽出ステップで抽出された平行配置の基準パターンのエッジを、予め設定された補正ルールを適用して補正する平行パターン補正ステップと、
前記斜めパターン抽出ステップで抽出された斜め配置の基準パターンのエッジを、前記平行パターン補正ステップにおける補正ルールとは異なる補正ルールを適用して補正する斜めパターン補正ステップとを有しているフォトマスクの設計方法。
【請求項２】
平行配置の基準パターンのエッジは、多数の領域に分割され、
前記平行パターン補正ステップにおける補正ルールは、前記分割された各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正を行うように構成され、
斜め配置の基準パターンのエッジは、該基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとの間隔が近接効果の生ずる間隔以下となる近接領域と、これ以外の領域である遠隔領域との２領域にのみ分割され、
前記斜めパターン補正ステップにおける補正ルールは、前記近接領域にあるエッジ及び遠隔領域にあるエッジについて各領域毎に設定された補正値で補正を行うように構成されている請求項１に記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項３】
前記近接領域は、露光波長をλとし、露光させる光の投影レンズの開口数をＮＡとし、前記基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとの間隔をＳとしたときに、以下の関係式
Ｓ≦０．７λ／ＮＡ
を満足する範囲とされている請求項２に記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項４】
前記平行配置の基準パターンのエッジは、多数の領域に分割され、
前記平行パターン補正ステップにおける補正ルールは、前記分割された各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正を行うように構成され、
前記斜め配置の基準パターンのエッジは、該基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとのなす角度を二分する直線に対して直交する方向のパターン間隔が近接効果の生ずる間隔以下となる近接領域と、これ以外の領域である遠隔領域とに分割され、
前記斜めパターン補正ステップにおける補正ルールは、前記近接領域にあるエッジ及び遠隔領域にあるエッジについて各領域毎に設定された補正値で補正を行うように構成されている請求項１に記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項５】
フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンを補正するステップを含むフォトマスクの設計方法であって、
補正対象となる基準パターンのエッジが、該基準パターンのエッジに対向する隣接パターンのエッジに対して斜めに配置されているような斜め配置の基準パターンを抽出する斜めパターン抽出ステップと、
前記斜めパターン抽出ステップで抽出された基準パターンのエッジについて、該基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとのなす角度を二分する直線に対して直交する方向のパターン間隔が近接効果の生ずる間隔以下となる近接領域と、これ以外の領域である遠隔領域とに分割し、前記近接領域にあるエッジ及び遠隔領域にあるエッジについて各領域毎に設定された補正値で補正を行う斜めパターン補正ステップとを有しているフォトマスクの設計方法。
【請求項６】
フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンを補正するステップを含むフォトマスクの設計方法であって、
補正対象となる基準パターンの先端部が、該基準パターンの先端部に対向する隣接パターンのエッジに対して斜めに配置されているような斜め配置の基準パターンを抽出する斜めパターン抽出ステップと、
前記斜めパターン抽出ステップで抽出された基準パターンについて、前記隣接パターンとの近接効果の影響が許容限度を超える近接領域内に位置する基準パターンの先端部を隣接パターンのエッジと平行な線分で分割して切除する補正を行う斜めパターン補正ステップとを有しているフォトマスクの設計方法。
【請求項７】
前記近接領域は、露光波長をλとし、露光させる光の投影レンズの開口数をＮＡとし、前記基準パターンの先端部と隣接パターンのエッジとの間隔をＳとしたときに、以下の関係式
Ｓ≦０．４λ／ＮＡ
を満足する範囲とされている請求項６に記載のフォトマスクの設計方法。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項に記載のフォトマスクの設計方法を用いて作成されたフォトマスク。
【請求項９】
請求項１から７の何れか１項に記載のフォトマスクの設計方法をコンピュータにより実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの設計方法、フォトマスク及びプログラムに関し、特にフォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンの補正に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ技術の進歩によって半導体集積回路が大規模化、高集積化されるにしたがって、回路パターンの微細化が急速に進んでいる。このため、従来は縦方向及び横方向のパターンのみで構成されているところ、配線抵抗を低減するための方策としてポイント間を最短距離で結ぶべく、斜め方向に延びるパターンを用いて配線することが行われ始めており、この斜め方向にパターンを配置することは、例えば特許文献１に記載されている。
【０００３】
ところで、近年の集積回路パターンをウェーハに焼き付けるフォトリソグラフィ工程においては、露光機の解像力の進歩が集積回路の微細化の進歩速度に追いついておらず、フォトマスクの設計パターンと、実際にウェーハに転写されるパターンとの乖離が無視できない状況にある。そのために、乖離分を補うための近接効果補正が必須となっている。この近接効果補正とは、パターン密度の違いによって実際に転写されるパターン寸法に変化が生じることから、設計通りのパターンを得るために、描画パターンの形状や露光量を変化させることをいう。
【０００４】
近接効果補正には、ルールベースの補正とモデルベースの補正とがある。このルールベースの補正は、互いに隣り合うパターン間の間隔に基づき、予め設定された所定の補正ルールテーブルに則ってパターンの線幅を変更するものである。例えば、描画パターンのうち補正対象となるパターン（基準パターン）について、この基準パターンに平行に配置された隣接パターンのエッジまでの距離を基準パターンのエッジに対して直交する方向に測長する。そして、この測長結果に基づいて、補正ルールテーブルに則って基準パターンのエッジを移動させることで線幅を変更する処理を行う。つまり、パターンを転写する際の寸法変化がエッジ間隔によって異なるので、この測長結果に基づいて線幅を変更するようにしている。このルールベースの補正は、図形処理であることからデータ処理が簡便で且つ補正時間が短く、さらにはデータ量が少なくて済むという特長を有している。しかしながら、集積回路のレイアウトパターンが複雑なときに、このレイアウトパターンを補正ルールとして表現できない場合があり、このような場合において表現しきれない部分が補正残渣として残り、補正精度が低下してしまうという欠点がある。
【０００５】
一方、モデルベースの補正は、フォトマスクの設計パターンエッジに対し、光学シミュレーションによって予測されるパターンエッジとの差分を移動させる補正を行うものである。このモデルベースの補正では、光学シミュレーションを利用するため、複雑なパターンレイアウト環境を考慮して補正をすることが可能であり、補正精度が高いことが特長となっている。しかしながら、半導体チップの全面に補正をかけるには膨大な処理時間を要するという欠点がある。
【特許文献１】特開２００２−３２９７８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、パターンが縦方向及び横方向に延びる縦横配置パターン以外に、パターンが斜め方向に延びる斜め配置パターンが混在する場合には、ある基準パターンのエッジに対して、この基準パターンと隣り合う隣接パターンのエッジが、直交方向（９０度）、平行（１８０度）、斜め方向（例えば４５度、１３５度）に配置されることとなる。この斜め方向の配置では、基準パターンのエッジと、このエッジに対して例えば４５度方向に延びる隣接パターンのエッジとの間隔は、基準パターンの長さ方向に連続的に変化する。このため、ルールベースの補正では、基準パターンのエッジに対して直交する方向でのエッジ間隔に基づいて基準パターンのエッジをこの方向に移動させる補正を行うことから、このような補正では、基準パターンのエッジを該基準パターンの長さ方向に非常に細かく分割する必要が生じ、データ量が膨大になってしまうという問題がある。
【０００７】
また、描画パターンにおいてパターン先端部については、このパターン先端部の後退を防ぐためにハンマーヘッド形状とする補正が一般的に行われている。すなわち、パターン先端部の線幅を拡大するとともに先端部をパターンの延びる方向に延長するようにハンマーヘッドセリフを付加することにより、パターン先端部をハンマーヘッド形状とし、これにより転写したときのパターン先端部の後退を防止している。そして、斜め配置パターンの基準パターンに付加されたハンマーヘッドセリフのエッジと、隣接パターンのエッジとの間隔が所定値以下になったときに、ハンマーヘッドセリフのエッジを移動させることにより、両エッジ間の間隔を一定値以上に維持するようにしている。このとき、エッジの移動は、縦横配置パターンのときには、ハンマーヘッドセリフのエッジを、このエッジに直交する方向に移動させることにより行っており、また斜め配置パターンでも縦横配置パターンの補正と同様に行うのが一般的となっている。斜め配置パターンにおいて、基準パターンのパターン先端部におけるエッジと、隣接パターンのエッジとのエッジ間隔は、パターンの長さ方向に連続的に変化する。このため、転写時におけるパターン寸法の変化がパターンの長さ方向に異なることとなる。したがって、斜め配置パターンでは、ハンマーヘッドセリフのエッジを、このエッジに直交する方向に移動させる補正の仕方では、エッジを細かく分割する必要が生じ、この結果、ハンマーヘッドセリフの形状が複雑化するとともに、データ量が膨大になってしまうという問題が生ずる。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、斜め配置のパターンのルールベースの補正について、縦横配置のパターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンを補正するステップを含むフォトマスクの設計方法を前提として、補正対象となる基準パターンのエッジが、該基準パターンのエッジに対向する隣接パターンのエッジに平行に配置されているような平行配置の基準パターンを抽出する平行パターン抽出ステップと、補正対象となる基準パターンのエッジが、該基準パターンのエッジに対向する隣接パターンのエッジに対して斜めに配置されているような斜め配置の基準パターンを抽出する斜めパターン抽出ステップと、前記平行パターン抽出ステップで抽出された平行配置の基準パターンのエッジを、予め設定された補正ルールを適用して補正する平行パターン補正ステップと、前記斜めパターン抽出ステップで抽出された斜め配置の基準パターンのエッジを、前記平行パターン補正ステップにおける補正ルールとは異なる補正ルールを適用して補正する斜めパターン補正ステップとを有している。
【００１０】
この構成では、斜め配置の基準パターンのエッジの補正において、平行配置の基準パターンのエッジの補正における補正ルールとは異なる補正ルールを適用する。この斜め配置では、両パターン間の間隔が基準パターンの長さ方向に変化するために、この方向に対する近接効果の変化の割合が大きい。このため、斜め配置にある基準パターンの補正では、平行配置のときのようにエッジを細かく分割しなくても、基準パターンのエッジの全体に亘って補正を行うことが可能となる。この結果、斜め配置にある基準パターンのエッジの補正では、エッジを細かく分割することを余儀なくされるという事態を回避することができる。したがって、斜め配置の基準パターンに対する補正において平行配置のときとは異なる補正ルールを適用することにより、平行配置の補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、平行配置の基準パターンのエッジは、多数の領域に分割され、前記平行パターン補正ステップにおける補正ルールは、前記分割された各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正を行うように構成され、斜め配置の基準パターンのエッジは、該基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとの間隔が近接効果の生ずる間隔以下となる近接領域と、これ以外の領域である遠隔領域との２領域にのみ分割され、前記斜めパターン補正ステップにおける補正ルールは、前記近接領域にあるエッジ及び遠隔領域にあるエッジについて各領域毎に設定された補正値で補正を行うように構成されている。
【００１２】
この構成では、斜め配置にある基準パターンのエッジの補正に際し、この基準パターンのエッジを近接領域にあるエッジと遠隔領域にあるエッジとの２領域にのみ分割し、各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正するようにしている。つまり、斜め配置の場合には、両パターン間の間隔が基準パターンの長さ方向で連続的に異なっているために、パターン間隔の違いによる転写時のパターン寸法の変化の割合が平行配置に比べて大きくなる。このため、斜め配置の基準パターンの補正では、エッジを近接領域に位置するエッジと遠隔領域に位置するエッジとの２領域にのみ分割し、これら各領域毎にそれぞれ補正値を設定することで、エッジの全体に亘って補正をすることができる。したがって、平行配置にある基準パターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。
【００１３】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載のフォトマスクの設計方法において、前記近接領域は、露光波長をλとし、露光させる光の投影レンズの開口数をＮＡとし、前記基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとの間隔をＳとしたときに、以下の関係式
Ｓ≦０．７λ／ＮＡ
を満足する範囲とされている。
【００１４】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、前記平行配置の基準パターンのエッジは、多数の領域に分割され、前記平行パターン補正ステップにおける補正ルールは、前記分割された各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正を行うように構成され、前記斜め配置の基準パターンのエッジは、該基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとのなす角度を二分する直線に対して直交する方向のパターン間隔が近接効果の生ずる間隔以下となる近接領域と、これ以外の領域である遠隔領域とに分割され、前記斜めパターン補正ステップにおける補正ルールは、前記近接領域にあるエッジ及び遠隔領域にあるエッジについて各領域毎に設定された補正値で補正を行うように構成されている。
【００１５】
この構成では、斜め配置の基準パターンにおける補正において、平行配置のときと同様にエッジを細かく分割することを余儀なくされるという事態を回避することができる。また、斜め配置の基準パターンの補正に際し、両エッジのなす角度を二分する直線に対して直交する方向に測長したパターン間隔が所定値以下となる近接領域と、これ以外の遠隔領域とに分割するようにしている。このため、斜め配置の基準パターンの補正において、平行配置にある基準パターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。さらに、両エッジのなす角度を二分する直線に対して直交する方向にパターン間隔を測長するようにしているので、何れのエッジから他方のエッジに向かって測長しても同じパターン間隔となるために、相手側から測長したときにパターン間隔が異なるという矛盾を回避できる。そして、斜め配置関係にある両パターンのエッジの補正において、一方のエッジからのみの測長で足りるために、データ量を低減することができる。
【００１６】
また、請求項５の発明は、フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンを補正するステップを含むフォトマスクの設計方法を前提として、補正対象となる基準パターンのエッジが、該基準パターンのエッジに対向する隣接パターンのエッジに対して斜めに配置されているような斜め配置の基準パターンを抽出する斜めパターン抽出ステップと、前記斜めパターン抽出ステップで抽出された基準パターンのエッジについて、該基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとのなす角度を二分する直線に対して直交する方向のパターン間隔が近接効果の生ずる間隔以下となる近接領域とこれ以外の領域である遠隔領域とに分割し、前記近接領域にあるエッジ及び遠隔領域にあるエッジについて各領域毎に設定された補正値で補正を行う斜めパターン補正ステップとを有している。
【００１７】
この構成では、斜め配置の基準パターンの補正に際し、パターン間隔が所定値以下となる近接領域と、これ以外の遠隔領域との２領域にのみ分割し、各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正するようにしている。つまり、斜め配置の場合には、両パターン間の間隔が基準パターンの長さ方向で連続的に異なっているために、パターン間隔の違いによる転写時のパターン寸法の変化の割合が平行配置に比べて大きくなる。このため、斜め配置の基準パターンの補正では、エッジを近接領域に位置するエッジと遠隔領域に位置するエッジとの２領域にのみ分割し、これら各領域毎にそれぞれ補正値を設定することで、エッジの全体に亘って補正をすることができる。したがって、斜め配置の基準パターンの補正において、平行配置にある基準パターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。さらに、両エッジのなす角度を二分する直線に対して直交する方向にパターン間隔を測長するようにしているので、何れのエッジから他方のエッジに向かって測長しても同じパターン間隔となるために、相手側から測長したときにパターン間隔が異なるという矛盾を回避できる。そして、斜め配置関係にある両パターンのエッジの補正において、一方のエッジからのみの測長で足りるために、データ量を低減することができる。
【００１８】
また、請求項６の発明は、フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンを補正するステップを含むフォトマスクの設計方法を前提として、補正対象となる基準パターンの先端部が、該基準パターンの先端部に対向する隣接パターンのエッジに対して斜めに配置されているような斜め配置の基準パターンを抽出する斜めパターン抽出ステップと、前記斜めパターン抽出ステップで抽出された基準パターンについて、前記隣接パターンとの近接効果の影響が許容限度を超える近接領域内に位置する基準パターンの先端部を隣接パターンのエッジと平行な線分で分割して切除する補正を行う斜めパターン補正ステップとを有している。
【００１９】
この構成では、斜めパターン補正ステップにおいて、隣接パターンとの近接効果の影響が許容限度を超える近接領域内に位置する基準パターンの先端部を隣接パターンのエッジに平行な線分で分割して切除する補正を行う。つまり、本発明は、基準パターンの先端部に平行な方向にこの基準パターンの先端部を移動させることにより、近接効果が生じないように隣接パターンのエッジとの間隔を所定幅以上に維持するものとは異なっている。そして、基準パターンの先端部を隣接パターンのエッジと平行な線分で２つに分割して近接領域内にあるものを切除するようにしているので、基準パターンの先端部が補正後に複雑な形状になるのを回避することができ、また、先端部を細かく分割するのを回避できるので、データ量の低減化を図ることができる。
【００２０】
また、請求項７の発明は、請求項６に記載のフォトマスクの設計方法において、前記近接領域は、露光波長をλとし、露光させる光の投影レンズの開口数をＮＡとし、前記基準パターンの先端部と隣接パターンのエッジとの間隔をＳとしたときに、以下の関係式
Ｓ≦０．４λ／ＮＡ
を満足する範囲とされている。
【００２１】
また、請求項８の発明は、請求項１から７の何れか１項に記載のフォトマスクの設計方法を用いて作成されたフォトマスクとしている。
【００２２】
また、請求項９の発明は、請求項１から７の何れか１項に記載のフォトマスクの設計方法をコンピュータにより実行させるためのプログラムとしている。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１，８及び９の発明によれば、斜め配置の基準パターンのエッジの補正において、平行配置の基準パターンのエッジの補正における補正ルールとは異なる補正ルールを適用するようにしたので、斜め配置の基準パターンの補正では、平行配置のときと同様にエッジを細かく分割することを余儀なくされるという事態を回避することができる。この結果、平行配置の補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。
【００２４】
請求項２の発明によれば、斜め配置にある基準パターンのエッジの補正において、このエッジを近接領域にあるエッジと遠隔領域にあるエッジとの２領域にのみ分割し、各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正するようにしたので、平行配置にある基準パターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。
【００２５】
請求項３の発明によれば、近接領域の範囲を露光波長及び投影レンズの開口数によって特定するようにしたので、基準パターンのエッジを近接領域にあるエッジと遠隔領域にあるエッジとに正確に分割することができる。
【００２６】
請求項４の発明によれば、基準パターンのエッジを近接領域にあるエッジと遠隔領域にあるエッジとの２領域にのみ分割し、各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正するようにしたので、平行配置にある基準パターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。さらに、基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとのなす角度を二分する直線に対して直交する方向のパターン間隔によってエッジを近接領域と遠隔領域とに分割するようにしたので、何れのエッジから他方のエッジに向かって測長しても同じパターン間隔となるために、相手側から測長したときにパターン間隔が異なるという矛盾を回避できる。そして、斜め配置関係にある両パターンのエッジの補正において、一方のエッジからのみの測長で足りるために、データ量を低減することができる。
【００２７】
請求項５，８及び９の発明によれば、基準パターンのエッジと隣接パターンのエッジとのなす角度を二分する直線に対して直交する方向のパターン間隔によってエッジを近接領域と遠隔領域とに分割するようにしたので、何れのエッジから他方のエッジに向かって測長しても同じパターン間隔となるために、相手側から測長したときにパターン間隔が異なるという矛盾を回避できる。そして、斜め配置関係にある両パターンのエッジの補正において、一方のエッジからのみの測長で足りるために、データ量を低減することができる。
【００２８】
請求項６，８及び９の発明によれば、基準パターンの先端部を隣接パターンのエッジと平行な線分で分割して近接領域内にあるものを切除するようにしているので、基準パターンの先端部が補正後に複雑な形状になるのを回避することができ、また、先端部を細かく分割するのを回避できるので、データ量の低減化を図ることができる。
【００２９】
請求項７の発明によれば、近接領域の範囲を露光波長及び投影レンズの開口数によって特定するようにしたので、基準パターンの先端部を近接領域にある先端部とそれ以外の領域にある先端部とに正確に分割することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３１】
《発明の実施形態１》
図１は、本発明の実施形態１におけるフォトマスクに描かれるマスクパターンの作成フローを示している。この図に示すように、マスクパターンを形成するには、まずステップＳＴ１において、設計データを読み込む。この設計データは、例えばｇｄｓIIフォーマットあるいはＭＥＢＥＳ等のフォーマットで表記された設計パターンに関するデータである。そして、ステップＳＴ２において、設計データとして表されたパターンについて近接効果補正処理を行い、ステップＳＴ３においてマスクパターンを形成するためのマスクデータとし、このマスクデータを用いてステップＳＴ４において、電子ビーム露光等によりフォトマスクにマスクパターンを形成する。近接効果補正処理についての詳細は後述する。
【００３２】
まず、設計データに表すためのパターンについて説明する。図２に示すように、このパターンは、２つの配置形態２１，２２に分けることができる。すなわち、配置形態には、隣り合う２つのパターンが互いに平行に配置される平行配置の配置形態（以下、平行配置形態という）２１と、隣り合う２つのパターンが互いに斜めに配置される斜め配置の配置形態（以下、斜め配置形態という）２２とがある。この斜め配置形態２２では、隣り合う２つのパターンのなす角度は、４５度、４５±５度、１３５度、１３５±５度等どのような角度であってもよい。
【００３３】
平行配置形態２１において、補正対象となる基準パターン１１と、この基準パターン１１と隣り合う隣接パターン１２との間隔をパターン間隔Ｓとする。具体的に、基準パターン１１のエッジ１１ａにある点２５を設定する。このエッジ１１ａとは、基準パターン１１の線幅方向のエッジであって隣接パターン１２に対向するエッジを差している。そして、点２５を通るようにエッジ１１ａに垂線２７を引くと、この垂線２７が隣接パターン１２のエッジ１２ａと交差する点２３が得られる。この点２３と点２５との間隔がパターン間隔Ｓとなる。また、基準パターン１１における直線部分の幅を線幅Ｌとする。
【００３４】
一方、斜め配置形態２２では、平行配置形態２１と同様に、基準パターン１１のエッジ１１ａにある点２４を設定し、この点２４を通るエッジ１１ａの垂線２８が隣接パターン１２のエッジ１２ａと交差する点２６を取得すると、これらの点２４、２６の間隔がパターン間隔Ｓとなる。また、基準パターン１１における直線部分の幅を線幅Ｌとする。
【００３５】
尚、図２における上側のパターンが基準パターンであるときには、この基準パターンのエッジのある点から図２における下側の隣接パターンに向かって上側のパターンのエッジに対して直交する垂線を引き、この垂線とエッジとの交点間の間隔が前記基準パターンのある点におけるエッジ間隔となる。
【００３６】
ここで、図３及び図４を参照しながら、パターン間隔Ｓに対する近接効果の影響について説明する。図３は、平行配置形態２１の場合であり、また図４は、斜め配置形態２２の場合である。これらの図では、横軸にパターン間隔Ｓを取り、また縦軸に線幅Ｌを取っている。そして、図中に示す破線３０は、レジスト又はエッチング加工後の線幅（目標値）を示している。
【００３７】
図３では、近接効果補正処理を施さないで実際に転写されたマスクパターンの線幅を実線３２で示している。この実線３２は、ポジマスク（クロム又はハーフトーンパターンが設計パターンと一致しているマスク）を用いて転写したときの結果であり、パターン間隔Ｓに対するパターンの線幅Ｌの依存性（近接効果）を示している。具体的に説明すると、平行配置形態２１の場合を示す図３において、パターン間隔Ｓの小さな領域Ｐでは、マスクパターンの線幅Ｌは、目標値である破線３０よりも大きく、即ち線幅Ｌが太くなっており、線幅Ｌは、パターン間隔Ｓの増大に伴って減少する傾向にある。領域Ｐよりもパターン間隔Ｓの大きな領域Ｑでは、マスクパターンの線幅Ｌは、目標値よりも小さくなっており、パターン間隔Ｓの増大に伴って減少する傾向にある。この領域Ｑよりもさらにパターン間隔Ｓの大きな領域Ｒでは、マスクパターンの線幅Ｌは、目標値よりも小さいが、パターン間隔Ｓの増大に伴って増大し、目標値に近づく傾向にある。そして、この領域Ｒよりもパターン間隔Ｓの大きな領域では、マスクパターンの線幅Ｌは、目標値とほぼ一致し、近接効果が生じない領域となる。この領域におけるパターン間隔Ｓの最小値を最小孤立間隔Soとする。パターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soよりも大きい領域では、線幅変動の傾きがほぼゼロとなる。パターン間隔Ｓが最小孤立間隔So以下である領域Ｐ，Ｑ，Ｒは、近接効果の生ずる近接領域を構成している。この近接領域において、マスクパターンの線幅Ｌは、光学条件、レジストプロセス、エッチングプロセス等の影響を受ける。また、これら各領域の境界、即ち実線３２の屈曲位置は、近接効果の影響を受ける。これに対し、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soを越える領域は、近接効果の影響を受けない遠隔領域を構成する。パターン間隔Ｓがこの遠隔領域にあるときには、このパターンを孤立パターンという。
【００３８】
一方、図４では、斜め配置形態２２において、近接効果補正処理を施さないで実際に転写されたマスクパターンの線幅を実線３１で示している。この実線３１は、前記同様に、ポジマスクを用いて転写したときの結果である。図４に示すように、パターン間隔Ｓの小さな領域Ｍでは、マスクパターンの線幅Ｌは、目標値である破線３０よりも大きくなっており、パターン間隔Ｓの増大に伴って減少し、目標値に近づいていく傾向にある。この領域Ｍよりもパターン間隔Ｓの大きな領域Ｎでは、マスクパターンの線幅Ｌは、目標値とほぼ一致している。この領域Ｎにおけるパターン間隔Ｓの最小値を最小孤立間隔Soとする。領域Ｎでは、線幅変動の傾きがほぼゼロとなる。パターン間隔Ｓが最小孤立間隔So以下である領域Ｍは、近接効果の生ずる近接領域を構成している。そして、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soを越える領域Ｎは、近接効果の影響を受けない遠隔領域を構成している。斜め配置形態２２では、平行配置形態２１における領域Ｑ，Ｒに相当する領域が見られないことが分かる。
【００３９】
領域Ｍでは、パターン間隔Ｓに対する線幅Ｌの減少の割合は、平行配置形態２１での領域Ｐ，Ｑにおける線幅Ｌの減少割合よりも非常に大きくなっている。つまり、斜め配置形態２２では、平行配置形態２１に比べ、パターン間隔Ｓの違いに対する線幅Ｌの変動が大きい。言い換えると、斜め配置形態２２では、線幅Ｌは、平行配置形態２１の場合よりもパターン間隔Ｓの違いに大きな影響を受ける。これは、斜め配置形態２２の場合には、パターン間隔Ｓが基準パターン１１の長さ方向に連続的に変化することによるものと考えられる。そして、図５に示すように、斜め配置形態２２における最小孤立間隔Soは、平行配置形態２１における最小孤立間隔Soよりも小さくなっている。この最小孤立間隔Soの値は、レジストプロセス、エッチングプロセスによる近接効果の影響を受け得るが、この影響以上に露光機の波長、投影レンズの開口数、照明等の光学パラメータの影響を受ける。例えば、図５に示すように、斜め配置形態２１における最小孤立間隔Soは、０．２８９μｍとなっている。このときの露光機の波長λは０．２４８μｍ、投影レンズの開口数ＮＡは０．６であるので、最小孤立間隔Soは、波長λ及び開口数ＮＡで規格化すると、以下の関係式（１）
So＝０．７λ／ＮＡ    ・・・（１）
を満足することとなる。したがって、斜め配置形態２１における近接領域は、パターン間隔Ｓが、以下の関係式（２）
Ｓ≦０．７λ／ＮＡ    ・・・（２）
を満足する範囲となる。
【００４０】
続いて、前記ステップＳＴ２で行われる近接効果補正処理の詳細について図６を参照しながら説明する。この補正処理は、基準パターン１１の線幅補正を行うものであり、この補正処理では、まず、ステップＳＴ１１において、平行配置形態２１における補正ルールＡを決定する。この補正ルールＡの決定では、例えば、図７に示すように、全てのパターンの線幅L1,L2,…,Lnに対してそれぞれパターン間隔S1,S2,…,Sn毎に補正値が定められた補正値テーブルを決定する。補正値テーブルの各補正値は、近接効果の影響を考慮して定められている。これら各補正値は、マスクパターンの目標値と設計データにおける線幅との差分にパターン間隔毎のマスクリニアリティを加味して定められたものである。このマスクリニアリティとは、マスクデータの線幅の変動量に対するマスクパターンの線幅の変動量の割合をいう。例えば、マスクリニアリティの大きな領域に対しては前記差分よりも補正値を小さくする一方、マスクリニアリティが１に近い領域に対しては前記差分を補正値としてそのまま用いるようにしている。
【００４１】
そして、ステップＳＴ１２において、斜め配置形態２２における補正ルールＡ’を決定する。この補正ルールＡ’の決定では、例えば、図８に示すように、全てのパターンの線幅L1,L2,…,Lnに対し、前述した領域Ｍ及び領域Ｎに対応して分割されたパターン間隔S1,S2毎に補正値が定められた補正値テーブルを決定する。つまり、この補正値テーブルには、各線幅L1,L2,…,Ln毎に近接領域及び遠隔領域の各領域毎に補正値が設定されている。斜め配置形態２２では、図４及び図５に示した近接効果の影響を受けるので、この影響を考慮するとともに、前記同様にマスクリニアリティを加味して各補正値が定められている。そして、ステップＳＴ１３に移る。
【００４２】
ステップＳＴ１３において、平行配置形態２１の基準パターン１１のエッジ１１ａを抽出する。ここで抽出される基準パターン１１のエッジ１１ａとは、該基準パターン１１の隣りに位置する隣接パターン１２のエッジ１２ａと平行に配置されているエッジ１１ａである。つまり、このステップＳＴ１３は、隣接パターン１２のエッジ１２ａと平行に配置された基準パターン１１のエッジ１１ａを抽出する平行パターン抽出ステップを構成している。そして、ステップＳＴ１４に移る。
【００４３】
ステップＳＴ１４では、平行配置形態２１の基準パターン１１のエッジ１１ａについて、補正ルールＡを適用した補正を行う。つまり、このステップＳＴ１４は、平行配置形態２１の基準パターン１１のエッジ１１ａを補正する平行パターン補正ステップを構成している。補正を行うに際し、まず基準パターン１１の線幅Ｌを測長し、隣接パターン１２とのパターン間隔Ｓを測長する。このとき、パターン間隔Ｓは、基準パターン１１のエッジ１１ａに垂直な方向に測長する。そして、図７に示す補正値テーブルを用いて補正を行う。例えば、線幅L2の基準パターン１１について、パターン間隔ＳがS3であるときには、設計データに対して２ｎｍ加算することにより、線幅Ｌが２ｎｍ太くなるようにエッジ１１ａを該エッジ１１ａに直交する方向に移動させる補正を行う。そして、ステップＳＴ１５に移る。
【００４４】
ステップＳＴ１５では、斜め配置形態２２の基準パターン１１のエッジ１１ａを抽出する。ここで抽出される基準パターン１１のエッジ１１ａとは、該基準パターン１１の隣りに位置する隣接パターン１２のエッジ１２ａに対して斜めに配置されているエッジ１１ａである。つまり、このステップＳＴ１５は、隣接パターン１２のエッジ１２ａに対して斜めに配置された基準パターン１１のエッジ１１ａを抽出する斜めパターン抽出ステップを構成している。そして、ステップＳＴ１６に移る。
【００４５】
ステップＳＴ１６では、斜め配置形態２２の基準パターン１１のエッジ１１ａについて、補正ルールＡ’を適用した補正を行う。つまり、このステップＳＴ１６は、平行配置形態２１の補正ルールＡとは異なる補正ルールを適用して斜め配置形態２２の基準パターン１１のエッジ１１ａを補正する斜めパターン補正ステップを構成している。補正を行うに際し、まず基準パターン１１の線幅Ｌを測長し、隣接パターン１２とのパターン間隔Ｓを測長する。このとき、パターン間隔Ｓは、基準パターン１１のエッジ１１ａに垂直な方向に測長する。そして、図８に示す補正値テーブルを用いて補正を行う。例えば、線幅L3の基準パターン１１について、パターン間隔ＳがS1であるときには、設計データに対して４ｎｍ減算することにより、線幅Ｌが４ｎｍ細くなるようにエッジ１１ａを該エッジ１１ａに直交する方向に移動させる補正を行う。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態１では、斜め配置形態２２の基準パターン１１のエッジ１１ａの補正に際し、この基準パターン１１のエッジ１１ａを近接領域にあるエッジ１１ａと遠隔領域にあるエッジ１１ａとの２領域にのみ分割し、各領域に対してそれぞれ設定された補正値で補正するようにしている。つまり、斜め配置形態２２の場合には、両パターン１１，１２間のパターン間隔Ｓが基準パターン１１の長さ方向で連続的に異なっているために、パターン間隔Ｓの違いによる転写時のパターン寸法の変化の割合が平行配置形態２１の場合に比べて大きくなる。このため、斜め配置形態２２の基準パターン１１の補正では、エッジ１１ａを近接領域に位置するエッジ１１ａと遠隔領域に位置するエッジ１１ａとの２領域にのみ分割し、これら各領域毎にそれぞれ補正値を設定することで、エッジ１１ａの全体に亘って補正をすることができる。したがって、斜め配置形態２２にある基準パターン１１のエッジ１１ａの補正において、エッジ１１ａを細かく分割することを余儀なくされるという事態を回避することができ、平行配置形態２１での補正と同等の精度を維持しつつ、データ量が増大するのを防止することができる。
【００４７】
また、本実施形態１によれば、近接領域の範囲を露光波長λ及び投影レンズの開口数ＮＡによって特定するようにしたので、基準パターン１１のエッジ１１ａを近接領域にあるエッジ１１ａと遠隔領域にあるエッジ１１ａとに正確に分割することができる。
【００４８】
尚、本実施形態１では、平行配置形態２１の基準パターン１１について補正を行った後、斜め配置形態２２の基準パターン１１について補正を行う構成としているが、この順序が逆になるように構成してもよい。あるいは、各パターン毎に平行配置形態２１であるか、斜め配置形態２２であるかを判断し、その都度、当該パターンについて補正を行う構成としてもよい。
【００４９】
《発明の実施形態２》
図９及び図１０は本発明の実施形態２を示す。ここでは、実施形態１と同じ構成要素には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。この実施形態２は、斜め配置形態２２において、基準パターン１４４と隣接パターン１４５とのなす角度を二分する直線１４３に対して直交する方向にパターン間隔Ｓを測長するようにしたものである。
【００５０】
図１０(ａ)に示すように、基準パターン１４４のエッジ１４４ａと、隣接パターン１４５のエッジ１４５ａとのなす角度をθとすると、両エッジ１４４ａ，１４５ａの交点から距離ｔの位置にある基準パターン１４４のエッジ１４４ａについては、隣接パターン１４５のエッジ１４５ａとのパターン間隔Ｓを以下の式（３）
Ｓ＝２ｔsin（θ／２）  ・・・（３）
のように表すことができる。そして、このパターン間隔Ｓが実施形態１で述べた最小孤立間隔So（＝０．７λ／ＮＡ）以下であるようなエッジ１４４ａについては、近接領域にあると判断される一方、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soを越えるようなエッジ１４４ａについては、遠隔領域にあると判断される。
【００５１】
近接効果補正処理では、図９に示すように、ステップＳＴ２１において斜め配置形態２２の基準パターン１４４のエッジ１４４ａを抽出する。つまり、このステップＳＴ２１は、斜めパターン抽出ステップを構成している。そして、ステップＳＴ２２に移り、このステップＳＴ２２において、基準パターン１４４のエッジ１４４ａと隣接パターン１４５のエッジ１４５ａとのパターン間隔Ｓを測長する。このパターン間隔Ｓの測長は、基準パターン１４４のエッジ１４４ａについて、その長さ方向の全体に亘って行われる。そして、パターン間隔Ｓが予め設けられた補正値テーブルに示されたパターン間隔Ｓ1,S2,…,Snに合致するようにエッジ１４４ａの分割を行う。この補正値テーブルは、図７に示す補正値テーブルと同様に構成されている。エッジ１４４ａの分割は、図１０(ｂ)に示すように、基準パターン１４４の長さ方向に行われるものである。そして、分割された各エッジ１４４ａ毎にパターン間隔Ｓが、最小孤立間隔So以下であるか否が判断される。そして、ステップＳＴ２３に移る。
【００５２】
ステップＳＴ２３において、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔So以下となっているエッジ１４４ａ同士をマージするとともに、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soよりも大きくなっているエッジ１４４ａ同士をマージする。このパターン間隔Ｓが最小孤立間隔So以下となっているエッジ１４４ａは、近接領域にあるエッジとなっており、またパターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soよりも大きくなっているエッジ１４４ａは、遠隔領域にあるエッジとなっている。そして、ステップＳＴ２４において、マージされたエッジ１４４ａについて、補正ルールに従って補正を行う。このステップＳＴ２４は、斜めパターン補正ステップを構成している。つまり、図１０(ｃ)に示すように、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔So以下のところに位置する近接領域のエッジ１４４ａについての補正を一括して行うとともに、パターン間隔Ｓが最小孤立間隔Soよりも大きくなっているところに位置する遠隔領域のエッジ１４４ａについての補正を一括して行う。
【００５３】
この補正を行うことによりマスクデータとし、このマスクデータを用いて電子ビーム露光等によりフォトマスクにマスクパターンを形成する。
【００５４】
したがって、本実施形態２によれば、基準パターン１４４のエッジ１４４ａと隣接パターン１４５のエッジ１４５ａとのなす角度θを二分する直線１４３に対して直交する方向のパターン間隔Ｓによってエッジ１４５ａを近接領域と遠隔領域とに分割するようにしたので、何れのエッジ１４４ａ，１４５ａから他方のエッジ１４５ａ，１４４ａに向かって測長しても同じパターン間隔Ｓとなるために、相手側から測長したときにパターン間隔Ｓが異なるという矛盾を回避できる。そして、斜め配置関係にある２つのパターン１４４のエッジ１４４ａの補正において、一方のエッジ１４４ａからのみの測長で足りるために、データ量を低減することができる。
【００５５】
尚、本実施形態２では、近接領域内にあるエッジ１４４ａ及び遠隔領域内にあるエッジ１４４ａをそれぞれ一括して補正するようにしたが、これに代え、近接領域内のエッジ１４４ａの一部のみをマージし、それ以外のエッジ１４４ａについてはマージすることなく分割されたままとし、この状態で補正を行う構成としてもよい。また、遠隔領域内のエッジ１４４ａの一部のみをマージし、それ以外のエッジ１４４ａについてはマージすることなく分割されたままとし、この状態で補正を行う構成としてもよい。例えば分割された後の長さが所定値以下のエッジ１４４ａのみをマージする構成とすることができる。
【００５６】
また、本実施形態２では、斜め配置形態２２のみを抽出して基準パターン１１を補正する構成としているが、これに代え、平行配置形態２１及び斜め配置形態２２を抽出し、平行配置形態２１の基準パターン１１に対しては実施形態１と同様の補正を行う一方、斜め配置形態２２の基準パターン１１に対しては本実施形態２で述べた補正を行う構成としてもよい。
【００５７】
また、本実施形態２では、エッジ１４４ａを一旦多数のエッジ１４４ａに分割した後、隣接するエッジ１４４ａをマージする構成としたが、これに代え、エッジ１４４ａを多数のエッジ１４４ａに分割する手順を省略し、エッジ１４４ａを近接領域にあるエッジ１４４ａと、遠隔領域にあるエッジ１４４ａとにのみ分割する構成としてもよい。このような構成とすると、エッジ１４４ａを分割した後にこの分割されたエッジ１４４ａをマージするという手順を省略することができ、近接効果補正処理を簡素化することができる。
【００５８】
その他の構成、作用及び効果は上記実施形態１と同様である。
【００５９】
《発明の実施形態３》
図１１〜図１５に示すように、本発明の実施形態３は、基準パターン１０１の先端部１０２を補正するための補正ステップを含んでいる。この基準パターン１０１の先端部１０２の補正では、線幅補正と異なる補正を行う。尚、ここでは、実施形態１と同じ構成要素には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
図１１(ａ)に示すような斜め配置形態にある基準パターン１０１及び隣接パターン１０５について、この基準パターン１０１の先端部１０２を補正する際には、図１１(ｂ)に示すように、この先端部１０２に、先ずハンマーヘッドセリフ１０３を付加する補正が行われる。ハンマーヘッドセリフ１０３とは、転写の際のパターン１０１の後退を補うべく、パターン１０１の先端部１０２の線幅を拡大するとともに先端部１０２をパターン１０１の延びる方向に延長するように先端部１０２に付加されるものである。付加されるハンマーヘッドセリフ１０３の大きさは、隣り合うパターンが互いに平行に配置される平行配置形態、又は隣り合うパターンが互いに直交する方向に配置される直交配置形態においてパターンの先端部の後退量が最も大きくなる配置のときの後退量を基準として決定される。このため、斜め配置形態においては、隣り合うパターン１０１，１０５間の間隔Ｓが露光機（図示省略）の解像度よりも狭くなる場合が発生し得る。この場合には、隣り合う両パターン１０１，１０５が転写の際に短絡してしまうこととなるので、パターン間隔Ｓとして所定の間隔を維持できるように、ハンマーヘッドセリフ１０３が付加されたパターン１０１の先端部１０２の一部を切除する補正が必要となる。この補正では、図１１(ｃ)に示すように、ハンマーヘッドセリフ１０３が付加された基準パターン１０１の先端部１０２のうち、隣接パターン１０５のエッジ１０６との間隔Ｓが所定値Ｓ’以下となる近接部位１０４を隣接パターン１０５のエッジ１０６に平行な線分で分割して切除する補正が行われる。
【００６１】
ここで、前記所定値Ｓ’の決定方法について説明する。この所定値Ｓ’は、露光機の光学パラメータ、レジストの解像性に依存するものであり、基準パターン１０１の先端部１０２と隣接パターン１０５のエッジ１０６とのパターン間隔Ｓがこの所定値Ｓ’以下であれば、近接効果の影響が許容限度を超える近接領域となる。一方、前記パターン間隔Ｓが所定値Ｓ’を越えるときには、近接効果の影響が許容限度内である遠隔領域となる。図１２に示すように、隣接パターン１０５のエッジ１０６とのパターン間隔Ｓが所定値Ｓ’以下となる位置に基準パターン１０１の先端部１０２が配置されるときには、両パターン１０１，１０５の近接により光強度分布が歪み、隣接パターン１０５のエッジ１０６の一部が突出するように変形する。尚、図１２では、基準パターン１０１の先端部１０２について光学シミュレーション像を鎖線にて示している。
【００６２】
隣接パターン１０５のエッジ１０６の変形部位１０７の変形量、即ちエッジ１０６の変形した部位１０７の突出量とパターン間隔Ｓとの関係を図１３に示している。この図から分かるように、変形部位１０７の突出量は、パターン間隔Ｓが大きくなるに従って次第に小さくなる傾向にある。そして、この変形部位１０７の突出量が２０ｎｍ以下であれば、リソグラフィ工程での解像力等を含めて無視できる範囲内となる。このため、図１３より明らかなようにパターン間隔Ｓが１６０ｎｍ以上であれば、隣接パターン１０５のエッジ１０６における変形量が許容値以下となる。前述の如く、露光機の波長λは０．２４８μｍ、投影レンズの開口数ＮＡは０．６であるので、パターン間隔Ｓを波長λ、開口数ＮＡで規格化し、以下の関係式（４）
Ｓ≦Ｓ’＝０．４λ／ＮＡ    ・・・（４）
を満足するときには、斜め配置形態において、近接効果の影響が許容限度を超える近接領域の範囲内となる。
【００６３】
近接効果補正処理では、図１４に示すように、ステップＳＴ３１において、斜め配置形態の基準パターン１０１の先端部１０２を抽出する。つまり、ステップＳＴ３１は、斜めパターン抽出ステップを構成している。そして、ステップＳＴ３２に移り、このステップＳＴ３２において、基準パターン１０１の先端部１０２にハンマーヘッドセリフ１０３を付加する。そして、ステップＳＴ３３に移り、先端部補正を行う。この先端部補正では、基準パターン１０１の先端部１０２のうち、隣接パターン１０５のエッジ１０６から所定間隔Ｓ’以下である近接領域の範囲内にある近接部位１０４を隣接パターン１０５のエッジ１０６と平行な線分で分割して削除する補正を行う。つまり、このステップＳＴ３３は、隣接パターン１０５との近接効果の影響が許容限度を超える近接領域内に位置する基準パターン１０１の先端部１０２を隣接パターン１０５のエッジ１０６と平行な方向に切除する補正を行う斜めパターン補正ステップを構成している。この補正は、従来の如く、基準パターンの先端部に平行な方向にこの基準パターンの先端部を移動させることにより、隣接パターンのエッジとの間隔を所定幅以上に維持するものとは異なっている。
【００６４】
この補正を行うことによりマスクデータとし、このマスクデータを用いて電子ビーム露光等によりフォトマスクにマスクパターンを形成する。
【００６５】
したがって、本実施形態３によれば、基準パターン１０１の先端部１０２を隣接パターン１０５のエッジ１０６と平行な線分で２つに分割して近接領域内にあるものを切除するようにしているので、基準パターン１０１の先端部１０２が補正後に複雑な形状になるのを回避することができ、また、先端部１０２を細かく分割するのを回避できるので、データ量の低減化を図ることができる。
【００６６】
また、本実施形態３によれば、近接領域の範囲を露光波長λ及び投影レンズの開口数ＮＡによって特定するようにしたので、基準パターン１０１の先端部１０２を近接領域にある先端部１０２とそれ以外の領域にある先端部１０２とに正確に分割することができる。
【００６７】
その他の構成、作用及び効果は上記実施形態１と同様である。
【００６８】
《その他の実施形態》
尚、上記各実施形態では、近接効果補正処理を含むフォトマスクの設計方法について説明したが、これに代え、この補正処理ステップを含み、コンピュータに実行させるためのプログラムに構成してもよい。この場合には、図１、図６、図９又は図１４に示すフロー図に従ってコンピュータプログラムを構成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上説明したように、本発明は、フォトマスクの設計に際し、平行配置及び斜め配置のパターンを描くときに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態１に係るフォトマスクの設計方法を示すフロー図である。
【図２】基準パターン及び隣接パターンの２つの配置形態を示す図である。
【図３】平行配置形態における近接効果に対するパターン間隔Ｓの影響を示す特性図である。
【図４】斜め配置形態における図３相当図である。
【図５】平行配置形態と斜め配置形態での最小孤立間隔Soを示す特性図である。
【図６】本発明の実施形態１における近接効果補正処理ステップの構成を示すフロー図である。
【図７】補正ルールＡの構成を示す図である。
【図８】補正ルールＡ’の構成を示す図である。
【図９】本発明の実施形態２における近接効果補正処理ステップの構成を示すフロー図である。
【図１０】本発明の実施形態２における近接効果補正を行うときの基準パターン及び隣接パターンを示す模式図であり、(ａ)はパターン間隔Ｓを測長している状態を示し、(ｂ)はエッジを分割し、線幅補正を行っている状態を示し、(ｃ)は分割されたエッジをマージした状態を示している。
【図１１】本発明の実施形態３における近接効果補正を行うときの基準パターン及び隣接パターンを示す模式図であり、(ａ)は補正前の状態を示し、(ｂ)はハンマーヘッドセリフを付加した状態を示し、(ｃ)は削除補正する部位を示している。
【図１２】斜め配置形態における基準パターン及び隣接パターンの寸法変形を示す模式図である。
【図１３】斜め配置形態における寸法変形に対するパターン間隔Ｓの影響を示す特性図である。
【図１４】本発明の実施形態３における近接効果補正処理ステップの構成を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００７１】
１１，１０１，１４４      基準パターン
１１ａ，１４４ａ          エッジ
１２，１０５，１４５      隣接パターン
１２ａ，１０６，１４５ａ  エッジ
１０２    先端部
１４３    直線
ＳＴ１３  平行パターン抽出ステップ
ＳＴ１４  平行パターン補正ステップ
ＳＴ１５，ＳＴ２１，ＳＴ３１  斜めパターン抽出ステップ
ＳＴ１６，ＳＴ２４，ＳＴ３３  斜めパターン補正ステップ
【図１】
2005084280.tif 000003
【図２】
2005084280.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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