(57)【要約】【課題】  素子内の特性ばらつきに関して解決する【解決手段】  正常素子特性の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断する【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項２】
基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光している画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記、表示素子に於いて、
ａ．正常画素の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
ｂ．該画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の１部を切断する手段、
ａ．およびｂ．の手段を用いて該画素の回路の１部を遮断することを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記、表示素子に於いて、
ｃ．電圧、電流印加の制御を行なわない場合でも発光、または／および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
ｄ．該画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の１部を切断する手段、
ｃ．およびｄ．の手段を用いて該画素の回路の１部を遮断することを特徴とする請求項２に記載の表示素子の製造方法。
【請求項５】
ｂ．およびｄ．の手段が支燃性の雰囲気中で用いられ該画素の回路の１部を遮断することを特徴とする請求項１および２に記載の表示素子の製造方法。
【請求項６】
基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法。
【請求項７】
基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法。
【請求項８】
前記、表示素子に於いて、
ｅ．正常画素の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
ｆ．該画素の位置を記憶する手段、
ｇ．画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧、または、電流が略０となるビデオ信号を設定する手段、
ｅ．およびｆ．および／または、ｇ．の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略０にすることを特徴とする請求項７に記載の表示素子の駆動方法。
【請求項９】
前記、表示素子に於いて、
ｈ．電圧、電流印加の制御を行なわず発光する画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
ｉ．該画素の位置を記憶する手段、
ｊ．画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧、または、電流が略０となるビデオ信号を設定する手段、
ｈ．およびｉ．および／または、ｊ．の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略０にすることを特徴とする請求項８に記載の表示素子の駆動方法。
【請求項１０】
ｆ．およびｉ．の手段は、前記、表示素子の駆動装置に設けられた記憶装置への該画素位置として記憶されることを特徴とする請求項７および８に記載の表示素子の駆動方法。
【請求項１１】
ｇ．およびｊ．の手段は該駆動装置のビデオ・メモリの該画素位置に電圧、または、電流が略０となる値を書き込むことを特徴とする請求項７および８に記載の表示素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示素子に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略）素子より成る表示素子、詳しくは、長期にわたって駆動可能な高い信頼性を有する有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ（以下ＬＥＤと略）や近年注目されている有機ＥＬ素子などが注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、高輝度発光が可能な薄膜積層の面状の自発光が得られることを特徴とする。このＥＬ素子は有機層の機能積層数を増やすことにより（非特許文献１）、低電圧で高効率な発光を可能としている。
【０００４】
ここで基本となる発光素子構成は、陽極／正孔輸送層／ＥＬ発光層／陰極という構成でなりたっている。その後、図８の様に陽極／正孔輸送層／ＥＬ発光層／電子輸送層／陰極の構成で高効率が図られてきた。更に、ＥＬ発光層を通過するキャリアを阻止する為にＥＬ発光層と電子輸送層の間にブロッキング層が設けられたり、低電圧でキャリアの注入が可能となるよう陰極と電子輸送層の間に電子注入層としての金属薄膜が設けられたりして、発光効率の改善が試みられてきた。
【０００５】
次に、有機ＥＬ素子の発光駆動について述べる。
【０００６】
有機ＥＬ素子の発光性制御手段としては、図９に示される様な電圧、または電流により駆動する手段が知られている。実際に単純マトリクス型では、電圧、電流による発光制御が行なわれている。
【０００７】
然しながら、有機ＥＬ素子は電流注入により発光を得るに適したデバイスであり、液晶ディスプレイなどの電界デバイスと異なり電流を発光素子に流す方が線形な輝度特性を利用できる。このために、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子では各画素単位にＴＦＴで構成される電流駆動回路を有している。
【０００８】
例えば、図５に示すように電圧入力で発光輝度信号をコンデンサ１６２に蓄積して、それを、ＴＦＴ１６３のゲートに与えることにより、ＴＦＴ１６３のソース・ドレイン間電流を一定にして有機ＥＬ発光素子１６４に供給する方法。更に図６で示される如き各画素に作製されるＴＦＴの閾値電圧を入力電流によるゲート電圧決定法でキャンセルする画素回路として特許文献１や特許文献２などが提案されている。
【０００９】
なお、有機ＥＬ発光素子は薄膜の積層デバイスであり、製造後の素子の１部画素に短絡が発生することがある。このような製造後の有機ＥＬ素子の短絡の修復方法としては、高電圧を加えて短絡部を修復する方法などが知られている。また、各画素単位にＴＦＴで構成される電流駆動回路を有する有機ＥＬ素子などでは、駆動用のＴＦＴの故障などにより画素が常に発光状態となる場合がある。
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｉｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，５１巻  ’８７年９１３、６５巻  ’８９年３６１０
【特許文献１】特開２００１−０５６６６７号公報
【特許文献２】米国特許公報第６２２９５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように、薄膜積層により有機ＥＬ素子を製造する場合には、その膜厚の極薄化により短絡するモードで故障する場合が多い。実際のＥＬ素子に用いられる有機層は数十〜数百ｎｍ以下と薄く、ダストの付着や性膜工程などで発生する短絡画素を皆無とすることは工業的には困難である。図２は１つの画素の一部の拡大写真である。丸は短絡個所を示す。このような短絡個所が、電気的にはプロセス中の、前記、ダストなどにより、いくつかの画素に存在している。短絡個所とは一方の電極と他方のコモン電極間で短絡が発生している個所である。
【００１１】
そして、この短絡によるこのリーク電流は、無駄に消費されるだけでなく、図３の様に短絡配線からジュール熱を発生させる。図３は図２の画素部をサーモトロフィーにより観察した写真である。グラデーションは温度分布を示す。サーもトロフィーにより観察すると短絡部の位置が明瞭に特定できる。また、駆動用のＴＦＴの故障などにより画素が常に発光状態となる場合には、導通電流の消費や電流故障ＴＦＴや過電流配線の発熱により上記と同様な作用に及ぶ場合がある。
【００１２】
したがって、短絡により消費電力を増大させるばかりでなく、熱的に比較的弱い有機薄膜層を変質させ短絡部分から周辺画素へ特性劣化拡大を招く恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような課題を鑑みて本発明の表示素子では、
ａ．正常画素の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
ｂ．該画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の１部を切断する手段、
ａ．およびｂ．の手段を用いて該画素の回路の１部を遮断することを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
【００１４】
ｃ．電圧、電流印加の制御を行なわない場合でも発光、または／および、周辺より温度の高い画素を検出する手段、
ｄ．該画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧を印加、または、電流を流す回路の１部を切断する手段、
ｃ．およびｄ．の手段を用いて該画素の回路の１部を遮断することを特徴とする請求項２に記載の表示素子の製造方法。
【００１５】
ｂ．およびｄ．の手段が支燃性の雰囲気中で用いられ該画素の回路の１部を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【００１６】
上記の手段により、基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法、および、基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光している画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の製造方法を用いて課題を解決しようとしている。
【００１７】
さらに、
ｅ．正常画素の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
ｆ．該画素の位置を記憶する手段、
ｇ．画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧、または、電流が略０となるビデオ信号を設定する手段、
ｅ．およびｆ．および／または、ｇ．の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略０にすることを特徴とする表示素子の駆動方法。
【００１８】
ｈ．電圧、電流印加の制御を行なわず発光する画素の検出は光検出器によって光量を測定し判定する手段、
ｉ．該画素の位置を記憶する手段、
ｊ．画素の第１の電極と第２の電極との間の電圧、または、電流が略０となるビデオ信号を設定する手段、
ｈ．およびｉ．および／または、ｊ．の手段を用いて該画素の電圧、または、電流を略０にする表示素子の駆動方法。
【００１９】
ｆ．およびｉ．の手段は、前記、表示素子の駆動装置に設けられた記憶装置への該画素位置として記憶されることを特徴とする表示素子の駆動方法。
【００２０】
ｇ．およびｊ．の手段は該駆動装置のビデオ・メモリの該画素位置に電圧、または、電流が略０となる値を書き込むことを特徴とする表示素子の駆動方法。
【００２１】
上記の手段により、基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しても正常素子特性の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法、および、基板上にマトリクス配置された第１の電極と第２の電極の間に有機薄膜発光層を含む表示素子に於いて、電圧、または、電流を印加制御しない場合でも発光、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断することを特徴とする表示素子の駆動方法を用いて課題を解決しようとしている。
【発明の効果】
【００２２】
薄膜積層により有機ＥＬ素子を製造する場合には、その膜厚の極薄化により短絡するモードで故障する場合が多い。実際のＥＬ素子に用いられる有機層は数十〜数百ｎｍ以下と薄く、ダストの付着や性膜工程などで発生する短絡画素を皆無とすることは工業的には困難である。電気的にはプロセス中の、前記、ダストなどにより、いくつかの画素に一方の電極と他方のコモン電極間で短絡が発生する。本発明によりこのような短絡によるこのリーク電流が無駄に消費される事なく、またジュール熱を発生による熱的に比較的弱い有機薄膜層の変質や短絡部分から周辺画素への特性劣化拡大を防ぐことが可能となる。
【００２３】
さらに、駆動用のＴＦＴの故障などにより画素が常に発光状態となった場合に常時の短絡電流を遮断でき、無効電流の削減と素子の熱劣化を未然に防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（実施例１）
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００２５】
先ず、本実施例で用いた有機ＥＬ発光素子の構成を説明する。
【００２６】
図８，２０は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、１５１はガラス基板、１５２はＩＴＯなどの透明な陽極、１５３は正孔輸送層、１５４は発光層、１５５は電子輸送層、１５６は陰極である。陽極１５２側に正電圧、陰極１５６側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層１５３を通った正孔１５８と電子輸送層１５５を通った電子１５９が発光層１５４で励起子を形成し、再結合により発光する。
【００２７】
これらの発光素子は、図１０の有機ＥＬ発光素子２２３に示されるようにマトリクス上に配置されている。列電極２２０と行電極２２１には電圧、または、電流が印加されこれらの透明電極に狭持された有機ＥＬ発光素子２２３に電流が流れる。それぞれ列電極２２０と行電極２２１には時分割で所定の輝度になるようなタイミングで電圧、または、電流が印加される。
【００２８】
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に有機ＥＬ発光素子２２３の積層膜内へダストの如き微小異物が付着すると有機ＥＬ発光素子２２３からなる画素はショート状態となる。この場合に、有機ＥＬ発光素子２２３に流れる電流は無効となるばかりでなく、行電極２２１や接続部２２１が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
【００２９】
このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、ＣＣＤ光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加しても１／２以下、略０ｃｄ／ｍ２となる画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素の回路の１部２２２をレーザーにより遮断した。これにより有機ＥＬ発光素子２２３からなる非点灯画素の無効電流と行電極２２１や接続部２２１の発熱は観られなくなった。
【００３０】
なお、この遮断のための製造プロセスには図１に示される装置を用いた。ここで１は支燃性の雰囲気の容器、２は有機ＥＬ発光素子２２３の如き画素輝度を測定するためのＣＣＤ光検出器、または／および、熱検出器、さらに、３は欠陥画素の回路の一部を電気的に遮断するためのレーザーである。
【００３１】
（実施例２）
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】
先ず、本実施例で用いた有機ＥＬ発光素子の構成を説明する。
【００３３】
図８，２０は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、１５１はガラス基板、１５２はＩＴＯなどの透明な陽極、１５３は正孔輸送層、１５４は発光層、１５５は電子輸送層、１５６は陰極である。陽極１５２側に正電圧、陰極１５６側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層１５３を通った正孔１５８と電子輸送層１５５を通った電子１５９が発光層１５４で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図７の表示部１８０に示されるようにマトリクス上に配置されている。
【００３４】
図７で１８０は上記発光素子１８９がマトリクス状に配置された表示部である。また、Ｖシフトレジスタ１８２、タイミング変換回路１８３、Ｈシフトレジスタ１８５、ラッチ１８４は、表示部１８０と同一面に設けられ、発光素子１８９に設けられた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略）に映像信号、および、走査信号を供給する。画素１８９内の回路を図５に示す。画素１６９内では、Ｐチャネル型のＴＦＴ１６３のソースが電源に、発光素子１６４の陰極は接地電位に接続される。他方の陽極はＴＦＴ１６３のドレインに接続されている。また、Ｎチャネル型のＴＦＴ１６１のゲートは垂直走査の保持信号線に接続され、ソースは画像信号線に接続され、残りのドレイン線は保持容量１６２、および、ＴＦＴ１６３のゲートに接続されている。画素の発光は、先ず、垂直走査の保持信号線を選択状態とし、画像信号線に水平ラッチ回路１８４にラッチされた映像信号が電圧として印加される。ＴＦＴ１６１のソースとドレインは導通し、保持容量１６２が充電または放電される。そして、ＴＦＴ１６３のゲート電位は、映像信号の電位に一致する。垂直走査の保持信号を非選択状態とすると、ＴＦＴ１６１がオフとなる。このとき、ＴＦＴ１６３は画像信号から切り離されるが、ＴＦＴ１６３のゲートに接続された保持容量１６２により該電位は安定に保持される。こうして、ＴＦＴ１６３のゲート、ソース間の保持容量１６２に応じた電流が発光素子１６４に供給される。
【００３５】
これらの表示駆動装置には、表示制御部１８６からタイミング信号、および、映像信号が供給される。
【００３６】
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に有機ＥＬ発光素子１８９の積層膜内へダストの如き微小異物が付着すると有機ＥＬ発光素子１８９からなる画素はショート状態となる。この場合に、有機ＥＬ発光素子１８９に流れる電流は無効となるばかりでなく、ＴＦＴ１６３や発光素子１６４までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
【００３７】
このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、ＣＣＤ光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加しても１／２以下、略０ｃｄ／ｍ２となる画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素１８９のＴＦＴ１６３から発光素子１６４までの配線回路の１部をレーザーにより遮断した。これにより有機ＥＬ発光素子１６３からなる非点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。
【００３８】
（実施例３）
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】
先ず、本実施例で用いた有機ＥＬ発光素子の構成を説明する。
【００４０】
図８，２０は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、１５１はガラス基板、１５２はＩＴＯなどの透明な陽極、１５３は正孔輸送層、１５４は発光層、１５５は電子輸送層、１５６は陰極である。陽極１５２側に正電圧、陰極１５６側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層１５３を通った正孔１５８と電子輸送層１５５を通った電子１５９が発光層１５４で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図７の表示部１８０に示されるようにマトリクス上に配置されている。
【００４１】
図７で１８０は上記発光素子１８９がマトリクス状に配置された表示部である。また、Ｖシフトレジスタ１８２、タイミング変換回路１８３、Ｈシフトレジスタ１８５、ラッチ１８４は、表示部１８０と同一面に設けられ、発光素子１８９に設けられた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略）に映像信号、および、走査信号を供給する。画素１８９内の回路を図１７９に示す。図６は各画素のＴＦＴ特性のばらつき補償機能を有する駆動回路の一例である。ここで、発光素子１７３は定電流で発光させられる。
【００４２】
図１１のタイミング図を交えて、この駆動回路の動作を説明する。先ず、輝度信号ｉｄａｔａが設定される。その後、Ｖｇ１が低レベルになりＰチャネル型ＴＦＴ１７４がオンする。同時に、Ｖｇ２は高レベルになりＮチャネル型ＴＦＴ１７５はオンしｉｄａｔａの電流をＴＦＴ１７１のソース・ドレイン間に流す、また、Ｐチャネル型ＴＦＴ１７２はオフして発光素子１７３への電流を遮断する。この間に、コンデンサ１７７へは、ソース・ドレイン間にｉｄａｔａの電流を流されたＴＦＴ１７１のゲート電圧が蓄積される。上記の一連の動作によりＰチャネル型ＴＦＴ１７１がｉｄａｔａをコピーして定電流動作を行う。従って、Ｐチャネル型ＴＦＴ１２のゲート電圧が図１１のＶｇ２で示されるように、ＴＦＴ１７２のオン状態を作り出すと、発光素子１７３を発光させるためにｉｄａｔａと同量の電流が流れる。
【００４３】
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に表示部１８０にダメージが加わり有機ＥＬ発光素子１８９からなる画素の駆動回路のＴＦＴ１７１とＴＦＴ１７２が短絡状態なってしまった。この場合に、有機ＥＬ発光素子１８９には電源から常時電流が流れて点灯状態となっていた。この電流は無効となるばかりでなく、ＴＦＴ１７１から発光素子１７３までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
【００４４】
このような画素の欠陥を素子の製造プロセス中で、ＣＣＤ光検出器を用いて検出した。電圧、電流を印加せずにＥＬ素子の電源だけを投入した時に常時点灯している画素は容易に特定できた。有機膜の成膜終了後に支燃性の雰囲気中で該画素１８９のＴＦＴ１７１から発光素子１７３までの配線回路の１部をレーザーにより遮断した。これにより有機ＥＬ発光素子１６３からなる常時点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。
【００４５】
（実施例４）
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００４６】
先ず、本実施例で用いた有機ＥＬ発光素子の構成を説明する。
【００４７】
図８，２０は積層の有機薄膜を陽極および陰極で狭持した構成を示す図であり、１５１はガラス基板、１５２はＩＴＯなどの透明な陽極、１５３は正孔輸送層、１５４は発光層、１５５は電子輸送層、１５６は陰極である。陽極１５２側に正電圧、陰極１５６側に負電圧を印加することにより、正孔輸送層１５３を通った正孔１５８と電子輸送層１５５を通った電子１５９が発光層１５４で励起子を形成し、再結合により発光する。これらの発光素子は、図７の表示部１８０に示されるようにマトリクス上に配置されている。
【００４８】
図７で１８０は上記発光素子１８９がマトリクス状に配置された表示部である。また、Ｖシフトレジスタ１８２、タイミング変換回路１８３、Ｈシフトレジスタ１８５、ラッチ１８４は、表示部１８０と同一面に設けられ、発光素子１８９に設けられた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略）に映像信号、および、走査信号を供給する。画素１８９内の回路を図１７９に示す。図６は各画素のＴＦＴ特性のばらつき補償機能を有する駆動回路の一例である。ここで、発光素子１７３は定電流で発光させられる。
【００４９】
図１１のタイミング図を交えて、この駆動回路の動作を説明する。先ず、輝度信号ｉｄａｔａが設定される。その後、Ｖｇ１が低レベルになりＰチャネル型ＴＦＴ１７４がオンする。同時に、Ｖｇ２は高レベルになりＮチャネル型ＴＦＴ１７５はオンしｉｄａｔａの電流をＴＦＴ１７１のソース・ドレイン間に流す、また、Ｐチャネル型ＴＦＴ１７２はオフして発光素子１７３への電流を遮断する。この間に、コンデンサ１７７へは、ソース・ドレイン間にｉｄａｔａの電流を流されたＴＦＴ１７１のゲート電圧が蓄積される。上記の一連の動作によりＰチャネル型ＴＦＴ１７１がｉｄａｔａをコピーして定電流動作を行う。従って、Ｐチャネル型ＴＦＴ１２のゲート電圧が図１１のＶｇ２で示されるように、ＴＦＴ１７２のオン状態を作り出すと、発光素子１７３を発光させるためにｉｄａｔａと同量の電流が流れる。
【００５０】
このようなマトリクス構成の表示素子において、素子製造中のプロセス中に表示部１８０にダメージが加わり有機ＥＬ発光素子１８９からなる画素の駆動回路のＴＦＴ１７１とＴＦＴ１７２が短絡状態なってしまった。この場合に、有機ＥＬ発光素子１８９には電源から常時電流が流れて点灯状態となっていた。この電流は無効となるばかりでなく、ＴＦＴ１７１から発光素子１７３までの配線が発熱しそのジュール熱で素子の劣化が促進される。
【００５１】
このような画素の欠陥を製造、点灯検査後に図４のビデオメモリ１２０の有機ＥＬ発光素子１８９の電流制御に対応する画素メモリ１２１に常時電流０に相当するコードを記憶させた。これにより有機ＥＬ発光素子１６３からなる常時点灯画素の無効電流と配線の発熱は観られなくなった。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の製造方法を説明するための図。
【図２】短絡による非点灯画素を示す図。
【図３】短絡による４非点灯画素の発熱を示す図。
【図４】本発明の表示素子の駆動方法を説明するための例図。
【図５】アクティブマトリクス型表示素子の電流駆動回路の構成を示す図。
【図６】アクティブマトリクス型表示素子のＴＦＴ補正型電流駆動回路の構成を示す図である。
【図７】従来のアクティブマトリクス型表示素子の駆動装置を示す図。
【図８】有機ＥＬ発光素子の構成を示す図。
【図９】有機ＥＬ発光素子の発光原理を示す図。
【図１０】単純マトリクス型有機ＥＬ発光素子を示す図。
【図１１】画素回路の動作タイミングを説明するための図。
【符号の説明】
【００５３】
１  支燃性ガス雰囲気の容器
２  検出器
３  レーザー
１２０  ビデオメモリ
１２１  画素メモリ
１５１  ガラス基板
１５２  陽極
１５３  正孔輸送層
１５４  発光層
１５５  電子輸送層
１５６  陰極
１５７  電源
１５８  正孔
１５８  電子
１６１  Ｎ型ＴＦＴ
１６２  コンデンサ
１６３  Ｐ型ＴＦＴ
１６４  発光素子
１７１  Ｐ型ＴＦＴ
１７２  Ｐ型ＴＦＴ
１７３  発光素子
１７４  Ｐ型ＴＦＴ
１７５  Ｎ型ＴＦＴ
１８０  表示部
１８２  Ｖシフトレジスタ
１８３  タイミング変換回路
１８４  ラッチ
１８５  Ｈシフトレジスタ
１８６  表示制御装置
１８７  コントローラ
１８８  タイミングジェネレータ
２２０  列電極
２２１  行電極
２２０  コンタクト電極
２３０  発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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