(57)【要約】【課題】  低コストかつメンテナンスの容易な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】  傾斜するＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズル５７からレジストを流出させることができ、その上、レジストが斜めに傾斜するＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに接するように流出される。これにより、ノズル５７の先端の吐出口５７ｄから流出するレジストの表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズル５７の吐出口５７ｄから流出して滴り無駄となるレジストの量を減少させて低コスト化を図ることができる。このとき、例えば簡単な構造のノズル５７を利用することができる。このため、ノズル５７の製造コストを抑えて低コスト化を図ることができる。また、例えば吐出口５７ｄに洗浄液を流入させてノズル５７を洗浄することができるので、ノズル５７のメンテナンスが容易となる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理面を下に向けて傾斜するように当該基板を保持可能な保持機構と、
流出した処理液が前記処理面に接するように、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構と、
前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、
処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、
前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部と
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記回収部は、
前記保持機構に保持される前記基板に向けて前記吐出口より突出して設けられ、前記吐出口から流出した処理液を受ける受け部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記回収部は、前記吐出口から流出した処理液を斜め下方に流通させるための流路を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記吐出口の開口面は、鉛直方向に対する傾斜角が１０度乃至２０度であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記保持機構は、鉛直方向に対する前記基板の傾斜角を１０度乃至２０度にして前記基板を保持することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記保持機構は、前記基板上に塗布される処理液の種類に応じて前記基板の鉛直方向に対する傾斜角を可変する手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記保持機構は、前記基板を加熱するための加熱部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
少なくとも前記保持機構に保持された前記基板の周囲の雰囲気を密閉可能な筐体と、
前記筐体内を窒素雰囲気とするための窒素供給機構と
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板の処理面を下に向けて傾斜するように当該基板を保持可能な保持機構と、
前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置され、かつ、該処理面に対向するように処理液を吐出する吐出口が設けられたノズルを有する処理液の供給機構と、
前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
基板を保持可能な保持機構と、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、
（ａ）前記保持機構により基板を保持する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記基板を前記処理面が下に向くように傾ける工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記ノズルを当該処理面に沿って上方から下方に移動させることにより当該処理面に当該処理液を塗布する工程と
を具備する基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理方法であって、
前記ノズルは、処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部とを有し、
前記工程（ｃ）の途中で、前記吐出口から流出した処理液の一部を、前記回収部により回収する工程を更に具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ）又は工程（ｂ）の後に、前記基板を加熱するための工程を更に具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｃ）を窒素雰囲気中で行うことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を処理するための基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の製造においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
従来、ガラス基板が大型化する場合には、例えばガラス基板をレジスト塗布処理装置のプレートに鉛直に固定した状態で、塗布ノズルを上下動させてガラス基板の表面側からレジストをガラス基板に塗布する。これにより、ガラス基板の表面に、レジスト膜を形成していた。このとき用いられる塗布ノズルは、複雑かつ複数の部品で構成されていた。（例えば、特許文献１参照）。  
【特許文献１】特開平７−１１２１５１号公報（段落[００２３]、[００２４]、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の技術では、塗布ノズルが複雑かつ複数の部品で構成されているためコスト高となると共に、ノズルの構造が複雑なのでメンテナンスが容易ではないという問題がある。
【０００５】
また、基板の処理面が鉛直又は処理面を上に向けた状態で、塗布処理が施されるため、レジストが滴り易く、無駄になるレジスト量が多いという問題がある。
【０００６】
上記事情に鑑み、本発明は、低コストかつメンテナンスの容易な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の更なる目的は、レジスト等の処理液の無駄を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板の処理面を下に向けて傾斜するように当該基板を保持可能な保持機構と、流出した処理液が前記処理面に接するように、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構と、前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部とを具備する。
【０００９】
このような構成によれば、傾斜する基板の処理面に、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズルから処理液を流出させることができ、その上、その処理液が斜めに傾斜する基板の処理面に接するように流出される。これにより、ノズルの先端から流出する処理液の表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズルの先端から流出して滴り無駄になる処理液の量を減少させることができる。またこれにより低コスト化を図ることができる。このとき、例えば略矩形状の開口を有する簡単な構造のノズルを利用することができる。このため、ノズルの製造コストを抑えて低コスト化を図ることができると共に、例えばノズルに洗浄液を流入させてノズルを洗浄することができるので、ノズルのメンテナンスが容易となる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部とを有することを特徴とする。これにより、塗布処理時に吐出口へ向けて斜め上方に導かれ吐出口から滴る処理液を、回収部で回収し再利用することができる。また、例えば、洗浄液を導出部内に流入させることで、容易に導出部内及び回収部内を洗浄することができるので、メンテナンスが容易となる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記回収部は、前記保持機構に保持される前記基板に向けて前記吐出口より突出して設けられ、前記吐出口から流出した処理液を受ける受け部を有することを特徴とする。これにより、吐出口から滴る処理液を確実に回収することができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記回収部は、前記吐出口から流出した処理液を斜め下方に流通させるための流路を有することを特徴とする。これにより、回収部で回収した処理液を重力により斜め下方にスムーズに流すことができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記吐出口の開口面は、鉛直方向に対する傾斜角が１０度乃至２０度であることを特徴とする。これにより、例えば、吐出口の開口面の傾斜角が１０度未満又は２０度を超えるときに処理液が滴り易くなることを抑制することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記保持機構は、鉛直方向に対する前記基板の傾斜角を１０度乃至２０度にして前記基板を保持することを特徴とする。これにより、例えば、基板の傾斜角が１０度未満又は２０度を超えるときに処理液が滴り易くなることを抑制することができる。また、例えば、吐出口の開口面の傾斜角と、基板の処理面の傾斜角とを同じに設定することができる。このため、例えば、ノズルの先端を基板の処理面に近づけるようにすることで、処理液の滴りを更に効果的に抑制することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記保持機構は、前記基板上に塗布される処理液の種類に応じて前記基板の鉛直方向に対する傾斜角を可変する手段を有することを特徴とする。これにより、例えば、粘度が小さい処理液のときには傾斜角を大きくすることで処理液の滴りを抑制し、粘度が大きい処理液のときには傾斜角を小さくすることで、スムーズに処理液を流して効率的に塗布処理を行うことができる。本発明において、例えば、作業員が処理液の種類に応じて予め保持機構の角度設定を基板処理装置に入力し、処理を開始するようにすればよい。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記保持機構は、前記基板を加熱するための加熱部を有していることを特徴とする。これにより、例えば、処理液の塗布処理時に、基板を加熱して処理液の固形化を促進させることができるので、より効果的に無駄となる処理液を減少させることができる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記保持機構に保持された前記基板の周囲の雰囲気を密閉可能な筐体と、前記筐体内を窒素雰囲気とするための窒素供給機構とを更に具備することを特徴とする。これにより、例えば、処理液の塗布処理時に、筐体内を窒素雰囲気とすることで、塗布処理を窒素雰囲気中で行い、処理液の酸化を防止することができる。
【００１８】
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、基板の処理面を下に向けて傾斜するように当該基板を保持可能な保持機構と、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置され、かつ、該処理面に対向するように処理液を吐出する吐出口が設けられたノズルを有する処理液の供給機構と、前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部とを具備する。
【００１９】
本発明では、保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置され、かつ、該処理面に対向するようにノズルの吐出口が設けられている。このため、傾斜する基板の処理面に、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズルから処理液を流出させることができ、その上、その処理液を斜めに傾斜する基板の処理面に接するように流出させることができる。これにより、ノズルの先端から流出する処理液の表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズルの先端から流出して滴り無駄になる処理液の量を減少させることができる。またこれにより低コスト化を図ることができる。このとき、例えば略矩形状の開口を有する簡単な構造のノズルを利用することができる。このため、ノズルの製造コストを抑えて低コスト化を図ることができると共に、例えばノズルに洗浄液を流入させてノズルを洗浄することができるので、ノズルのメンテナンスが容易となる。
【００２０】
本発明に係る基板処理方法は、基板を保持可能な保持機構と、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、（ａ）前記保持機構により基板を保持する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記基板を前記処理面が下に向くように傾ける工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記駆動部を作動させ前記ノズルを当該処理面に沿って上方から下方に移動させることにより当該処理面に当該処理液を塗布する工程とを具備する。
【００２１】
これにより、基板を保持機構により保持した後傾けるので、基板の処理面が下に向くように傾いた状態とすることができる。また、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズルから処理液を流出させることができ、その上、その処理液が斜めに傾斜する基板の処理面に接するように流出される。これにより、ノズルの先端から流出する処理液の表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズルの先端から流出して滴り無駄となる処理液の量を減少させて低コスト化を図ることができる。このとき、例えば簡単な構造のノズルを利用することができるので、低コスト化を図ることができると共に、ノズル洗浄などのメンテナンスが容易となる。また、ノズルを基板の処理面に沿って上方から下方に移動させて塗布する。このため、例えば、ノズルを下方から上方に移動させるときに、基板に塗布された処理液の表面に再び塗布中の処理液が滴り、処理液の膜厚が不均一となることを回避することができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部とを有し、前記工程（ｃ）の途中で、前記吐出口から流出した処理液の一部を、前記回収部により回収する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、塗布処理時に吐出口から滴り無駄となる処理液を減少させることができる。また、例えば、洗浄液を導出部内に流入させることで、回収部内も容易に洗浄することができる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記工程（ａ）又は工程（ｂ）の後に、前記基板を加熱するための工程を更に具備することを特徴とする。これにより、処理液の固形化を促進させて処理液の滴りを更に抑制することができる。
【００２４】
本発明の一の形態によれば、前記工程（ｃ）を窒素雰囲気中で行うことを特徴とする。これにより、例えば、処理液の酸化などを防止することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、基板処理装置の低コスト化を図ることができかつメンテナンスが容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【００２７】
このレジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ユニットステーション２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション３とを備えている。処理ユニットステーション２の両端にはそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２８】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ユニットステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ユニットステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００２９】
処理ユニットステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇの搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有している。搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００３０】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが従来のように回転されることなく搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中でＬＣＤ基板Ｇが回転されることなく、搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００３１】
レジスト処理ユニット２３は、レジスト液をＬＣＤ基板Ｇ上に塗布するためのレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、および図示を省略したステージに載置されたＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されている。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺にＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口が設けられており、図示を省略した搬送ローラによりＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが可能となっている。
【００３２】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。図２の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。
【００３３】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３４】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６の４段積層されて構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３４，３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３５】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。図４の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３，８４の４段積層されて構成されている。第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３６】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２へのＬＣＤ基板Ｇの搬入は、カセットステーション１の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１のＬＣＤ基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３３によりＬＣＤ基板Ｇがパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に受け渡された後、搬入口から行われる。レジスト処理ユニット２３では、ＬＣＤ基板Ｇが搬出口を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上にＬＣＤ基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５のＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇが第３の搬送装置３９により搬送される。さらに全ての処理が終了した後のＬＣＤ基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１により搬出される。
【００３７】
処理ユニットステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には、空間部４０が設けられている。そして、この空間部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間でＬＣＤ基板Ｇが受け渡し可能となっている。
【００３８】
インターフェイスステーション３は、処理ユニットステーション２と露光装置４との間での間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ユニットステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３９】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ユニットステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、ＬＣＤ基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、ＬＣＤ基板Ｇが従来のように回転されることなく搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００４０】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、ＬＣＤ基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。
【００４１】
その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇが例えば搬送ローラによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、ＬＣＤ基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこでＬＣＤ基板Ｇに対するレジスト液の塗布が実施され、次いで搬送ローラにより減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに搬送ローラにより周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送ローラによりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布したＬＣＤ基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状がＬＣＤ基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００４２】
このようにして塗布処理が終了し、搬送ローラによりレジスト処理ユニット２３から搬出されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００４３】
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００４４】
露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ユニットステーション２に搬入される。すなわち、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３においてピンを突出させてＬＣＤ基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることによりＬＣＤ基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、ＬＣＤ基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００４５】
現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５にコロ搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００４６】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１，８３，８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４７】
図５はレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの断面図である。レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａは、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａを下に向けて傾斜するようにＬＣＤ基板Ｇを保持可能な保持機構５０Ａと、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａにレジストを供給するためのノズル５７を有するレジスト供給機構５０Ｂと、ノズル案内板５５に沿ってノズル５７を移動させるための例えばエアシリンアやモータ５５ｄを有するノズル駆動部５５Ｃを具備している。
【００４８】
保持機構５０Ａは、ＬＣＤ基板Ｇを保持するためのチャックプレート５１、チャックプレート５１を回動軸５１ａの回りに回動させるための回動モータ５１ｃ、ＬＣＤ基板Ｇを処理面Ｇａ側から固定するためのクリップ５３、及び、ＬＣＤ基板Ｇをチャックプレート５１に吸着するための真空ポンプ５８を有している。
【００４９】
チャックプレート５１には、Ｘ方向に渡る回動軸５１ａが設けられており、チャックプレート５１が回動軸５１ａの回りに回動可能に構成されている。チャックプレート５１の回動軸５１ａの回りの回動は、例えば、回動モータ５１ｃによって行われる。チャックプレート５１は、鉛直方向に対する傾斜角θが１０度以上２０度以下になるように変更可能とされている。すなわち、チャックプレート５１に保持されたＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａは、鉛直方向に対する傾斜角が１０度以上２０度以下となる。レジストの塗布処理時の傾斜角θは、ＬＣＤ基板Ｇ上に塗布されるレジストの種類（粘度）、膜厚などに応じて決定されている。
【００５０】
チャックプレート５１の略中央には、貫通孔５１ｂが形成されている。この貫通孔５１ｂは、例えば導通管を介して真空ポンプ５８に接続されている。真空ポンプ５８の駆動によりチャックプレート５１上のＬＣＤ基板Ｇは、チャックプレート５１に吸着される。
【００５１】
チャックプレート５１には、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａ側の四隅を保持するためのクリップ５３が位置調整可能に設けられている。クリップ５３の位置を調整することで、ＬＣＤ基板Ｇを処理面Ｇａ側から保持できるように構成されている。
【００５２】
チャックプレート５１には、ＬＣＤ基板Ｇを搬送するための複数の搬送ローラ５２ａが回転可能に配設されている。搬送ローラ５２ａにより上流工程からＬＣＤ基板Ｇが搬送されてチャックプレート５１上に載置される。
【００５３】
従って、ＬＣＤ基板Ｇは、真空ポンプ５８によりチャックプレート５１に吸着され、真空チャックされる。このため、レジスト塗布時に、ＬＣＤ基板Ｇの傾斜角が１０度以上２０度以下となっても、ＬＣＤ基板Ｇがチャックプレート５１に保持される。
【００５４】
チャックプレート５１内には、例えば、吸着したＬＣＤ基板Ｇを加熱するためのヒータ５４が埋設されている。なお、例えば、回動モータ５１ｃの回転パルス数、搬送ローラ５２ａの回転速度、タイミング、ヒータ５４の温度及び真空ポンプ５８の圧力などの制御は、制御部Ｔにより行われている。
【００５５】
レジスト供給機構５０Ｂは、ノズル５７をＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに沿って案内するための板状のノズル案内板５５、ノズル案内板５５を回動軸５５ａの回りに回動させる回動モータ５５ｃ及びノズル５７にレジストを供給するためのレジスト供給部４９とを有している。
【００５６】
ノズル案内板５５は、チャックプレート５１から後述する所定距離離れた位置に配置されており、例えば下端部に回動軸５５ａを有している。ノズル案内板５５内には、例えば、回動軸５５ａの回りにノズル案内板５５を回動させるための回動モータ５５ｃが配置されている。回動モータ５５ｃの駆動により、ノズル案内板５５は、回動軸５５ａの回りに回動可能とされている。ノズル案内板５５の鉛直方向に対する傾斜角は、レジスト塗布処理時にＬＣＤ基板Ｇと略平行となるように変更可能とされている。
【００５７】
ノズル案内板５５には、ノズル５７がＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに沿って移動可能に設けられている。ノズル５７は、ノズル５７にレジストを供給するための後述するレジスト供給部４９に接続されている。なお、回動モータ５５ｃの回転パルス数やレジスト供給部４９の例えば後述するポンプの駆動タイミングなどの制御は、制御部Ｔにより行われている。
【００５８】
ノズル駆動部５５Ｃのエアシリンアやモータ５５ｄなどは、例えば、ノズル案内板５５内に設けられている。ノズル５７は、モータ５５ｄの駆動により例えば図示を省略したベルトなどを介して上方から斜め下方に移動可能に構成されている。エアシリンダやモータ５５ｄの駆動は制御部Ｔにより制御されている。
【００５９】
筐体５０によりチャックプレート５１に保持されたＬＣＤ基板Ｇの周囲は密閉状態とされる。筐体５０は、例えば、筐体５０内を窒素雰囲気とするための窒素供給機構４７に接続されている。窒素供給機構４７は、例えば図示しない真空ポンプと窒素ボンベとを有している。例えば、この真空ポンプにより筐体５０内を真空にし、窒素ボンベにより筐体５０内を窒素雰囲気とすることができるように構成されている。
【００６０】
図６は、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａのノズル５７の外観斜視図である。図６に示すように、ノズル５７は、レジストを吐出する吐出口５７ｄを有し、吐出口５７ｄに向けて下方から斜め上方にレジストを導く導出部５７ａと、導出部５７ａの下方に配置され導出部５７ａの吐出口５７ｄから流出したレジストを回収する回収部５７ｂとを有している。ノズル５７は、導出部５７ａと回収部５７ｂとにより断面略Ｖ字状の形状を有している。ノズル５７の幅（Ｘ方向の長さ）は、例えばＬＣＤ基板Ｇの塗布幅とほぼ等しい幅に設定されている。
【００６１】
図７は、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａのノズル５７の側面図である。図７に示すように、導出部５７ａのレジストを導出する方向の長さは、導出部５７ａの吐出口５７ｄから流出するレジストＳがＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに接して塗布されるように設定されている。この長さに合うように、チャックプレート５１とノズル案内板５５との間隔が設定されている。吐出口５７ｄの開口面５７ｃは、鉛直方向に対する傾斜角θが、１０度以上２０度以下に設定されている。回動モータ５１ｃにより、吐出口５７ｄの開口面５７ｃの傾斜角θと、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａの傾斜角とを同じに設定することができる。水平面に対する導出部５７ａの傾斜角θ１は、例えば、１０度以上２０度以下に設定されている。回収部５７ｂは、水平面に対して傾斜角θ２の角度で傾斜している（θ１>θ２>０）。吐出口５７ｄの開口面５７ｃは、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに対向するように傾斜している。なお、ＬＣＤ基板Ｇの傾斜角と開口面５７ｃの傾斜角θとが同じとなる例を示したが、両者の角度を厳密に同じにする必要はなく、ある程度対向するように配置されていればよい。
【００６２】
回収部５７ｂは、チャックプレート５１に保持されたＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出口５７ｄより突出して設けられている。これにより、確実に吐出口５７ｄから流出されるレジストＳを回収することができる。回収部５７ｂの先端部には、レジストＳが回収部５７ｂから溢れ出ないようにするための受け口５７ｈが形成されている。これにより、吐出口５７ｄから流出するレジストＳを受け口５７ｈにより確実に受けることができる。回収部５７ｂには、吐出口５７ｄから流出し受け口５７ｈで受けたレジストを、斜め下方に流通させるための流路５７ｒが形成されている。レジスト塗布処理時にレジストが滴らないように、ノズル５７の移動速度、レジストの種類、膜厚、傾斜角θ、θ１などが調整されている。
【００６３】
レジスト供給部４９は、レジストを蓄えるためのレジストタンク６０ａと、回収部５７ｂで回収したレジストを一時的に貯留するレジスト回収タンク６０ｂとを有している。レジストタンク６０ａは、レジスト供給チューブ５９ａを介して導出部５７ａに接続されている。また、レジスト回収タンク６０ｂは、レジスト回収チューブ５９ｂを介して回収部５７ｂに接続されている。レジストタンク６０ａとレジスト回収タンク６０ｂとは、連結チューブにより連結されている。図示を省略したポンプなどによりレジストタンク６０ａから導出部５７ａにレジストを供給することができるように構成されている。また、図示を省略したポンプなどによりレジスト回収タンク６０ｂからレジストタンク６０ａにレジストを供給することができるように構成されている。
【００６４】
次に、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの動作について図８を参照しながら説明する。
【００６５】
まず、図８（Ａ）に示すように、搬送ローラ５２ａによりローラ搬送されたＬＣＤ基板Ｇをチャックプレート５１で受け取る。このとき、チャックプレート５１は、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａが上を向くように配置されている。次いで、真空ポンプ５８を作動させＬＣＤ基板Ｇをチャックプレート５１に吸着し、クリップ５３よりＬＣＤ基板Ｇをチャックプレート５１に固定する。次いで、チャックプレート５１内のヒータ５４を加熱する。
【００６６】
続いて、図８（Ｂ）に示すように、回動モータ５１ｃを駆動させてチャックプレート５１を回動軸５１ａの回りに回動し、チャックプレート５１の鉛直方向に対する傾斜角θを１０度以上２０度以下とする。これにより、ＬＣＤ基板Ｇの傾斜角θと、ノズル案内板５５の傾斜角とがほぼ同じとなる。また、ＬＣＤ基板Ｇは処理面Ｇａを下に向けて傾斜し、処理面Ｇａはノズル５７の開口面５７ｃに近接する。なお、チャックプレート５１を傾けた後に、チャックプレート５１内のヒータ５４を加熱するようにしてもよい。
【００６７】
次いで、図８（Ｃ）に示すように、図示を省略したポンプを駆動させレジストタンク６０ａ内のレジストをレジスト供給チューブ５９ａを介してノズル５７の導出部５７ａに供給する。続いて、モータ５５ｄを駆動して、ノズル５７をチャックプレート５１に沿って上方から下方に（矢印方向に）移動させる。これにより、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａ上にレジストが一定の膜厚で塗布される。このとき、導出部５７ａの吐出口５７ｄから滴るレジストＳを回収部５７ｂの受け口５７ｈで受け、レジスト回収チューブ５９ｂ、レジスト回収タンク６０ｂを介してレジストタンク６０ａ内に回収する。
【００６８】
レジストの吐出が終了すると、モータ５５ｄを駆動させ、ノズル５７を図８（Ｃ）に示す初期設定位置に帰還させる。そして、回動モータ５１ａを駆動させチャックプレート５１をＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａが上方を向くように傾け、チャックプレート５１の搬送ローラ５２ａを駆動させ、ＬＣＤ基板Ｇを次の工程に搬送する。
【００６９】
このように本実施形態によれば、傾斜するＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズル５７からレジストを流出させることができ、その上、レジストが斜めに傾斜するＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに接するように流出される。これにより、ノズル５７の先端の吐出口５７ｄから流出するレジストの表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズル５７の吐出口５７ｄから流出して滴り無駄となるレジストの量を減少させて低コスト化を図ることができる。このとき、例えば簡単な構造のノズル５７を利用することができる。このため、ノズル５７の製造コストを抑えて低コスト化を図ることができる。また、例えば吐出口５７ｄに洗浄液を流入させてノズル５７を洗浄することができるので、ノズル５７のメンテナンスが容易となる。
【００７０】
本実施形態によれば、ノズル５７は、導出部５７ａと回収部５７ｂとを有している。これにより、塗布処理時に導出部５７ａの吐出口５７ｄから滴るレジストを回収部５７ｂで回収し再利用することができる。また、例えば、洗浄液を導出部５７ａに流入させることで、容易に吐出口５７ｄ内及び回収部５７内を洗浄することができる。従って、ノズル５７のメンテナンス時間や機器調整時間を短縮することができるので、低コスト化を図ることができる。
【００７１】
本実施形態によれば、導出部５７ａの開口面５７ｃは、鉛直方向に対する傾斜角θが１０度以上２０度以下に設定されている。これにより、例えば、傾斜角θが１０度未満又は２０度を超えるときにレジストが滴り易くなることを抑制することができる。例えば、図９に示すように、ノズル５７の吐出口５７ｄから流出するレジストには、鉛直下方に大きさＳｇの力が働く。大きさＳｇの力を、ＬＣＤ基板Ｇに沿う斜め下方の成分Ｓｖと、処理面Ｇａに垂直な方向の成分Ｓｔとに分解して考えると、ＬＣＤ基板Ｇが鉛直に配置された場合に比べて成分Ｓｖの大きさが小さくなる。すなわち、ＬＣＤ基板Ｇを斜めにして塗布処理を施すことで、レジストの表面張力を利用しながら傾斜したＬＣＤ基板Ｇに沿ってレジストが滴ることを抑制することができる。
【００７２】
本実施形態によれば、チャックプレート５１は、回動軸５１ａの回りに傾斜角θを変更可能に構成されている。これにより、例えば、レジストの膜厚が大きいときには傾斜角θを大きくすることでレジストの滴りを抑制し、膜厚が小さいときには傾斜角θを小さくすることでスムーズにレジストを流して効率的に塗布処理を行うことができる。
【００７３】
本実施形態によれば、チャックプレート５１をＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａが下に向くように傾けた後、チャックプレート５１をヒータ５４により加熱する。これにより、チャックプレート５１を介してＬＣＤ基板Ｇの温度を上昇させ、レジストの固形化を促進させてレジストの滴りを抑制することができる。従って、塗布処理時に滴り無駄となるレジストの量を更に減少させて、塗布処理の低コスト化を図ることができる。
【００７４】
本実施形態によれば、窒素雰囲気中でレジストをＬＣＤ基板Ｇに塗布する。これにより、例えば、ノズル５７の吐出口５７ｄから流出するレジストの酸化などを防止することができる。従って、より品質のよいレジスト塗布済みＬＣＤ基板Ｇを得ることができる。また、回収部５７ｂで回収されるレジストの酸化を防止することができるので、再利用されるレジストの品質を維持することができる。
【００７５】
本実施形態によれば、ノズル５７をＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに沿って上方から下方に移動させてレジストを塗布する。このため、例えば、ノズル５７を下方から上方に移動させるときに、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに塗布されたレジストの表面に再び塗布中のレジストが滴り、レジストの膜厚が不均一となることを回避することができる。
【００７６】
本実施形態によれば、水平面に対して回収部５７ｂが傾斜角θ２（θ２>０）の角度で傾斜している。また、回収部５７ｂには流路５７ｒが形成されている。このため、受け口５７ｈで受けたレジストを重力を利用して流路５７ｒに沿って流し、レジスト回収タンク６０ｂ内にスムーズに導くことができる。
【００７７】
本実施形態によれば、回動モータ５１ｃにより、ノズル５７の開口面５７ｃの傾斜角θと、ＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａの傾斜角とを同じに設定することができる。これにより、例えば、ノズル５７の開口面５７ｃをＬＣＤ基板Ｇの処理面Ｇａに近づけるように設定することで、レジストの滴りを更に効果的に抑制することができる。
【００７８】
本実施形態によれば、回収部５７ｂは、チャックプレート５１に保持されたＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出口５７ｄより突出して設けられている。これにより、重力により鉛直下方に滴るレジストを確実に受け口５７ｈで受けることができる。
【００７９】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００８０】
なお、本実施形態では、図７に示す断面略Ｖ字状のノズル５７を用いる例を示した。しかしながら、ノズルの形状はこれに限定されず、例えば、図１０に示すように、図７に示す導出部５７ａと同形状の導出部５７ｆと、導出部５７ｆから流出するレジストを回収するための回収部５７ｇとがほぼ平行となるように構成されたノズル５７Ａを用いてもよい。このようにすることで、ノズルの構造がより単純になるので、ノズルの低コスト化を図ることができる。
【００８１】
本実施形態では、レジスト回収チューブ５９ｂがレジスト回収タンク６０ｂに接続されている例を示した。しかしながら、レジスト回収チューブ５９ｂをレジスト回収タンク６０ｂを介さずに直接レジストタンク６０ａに接続するようにしてもよい。このようにすれば、レジスト回収タンク６０ｂが不要となるので、更に低コスト化を図ることができる。
【００８２】
本実施形態では、図６に示すノズル５７の長手方向がＸ方向となるように、ノズル５７をノズル案内板５５に固定する例を示した。しかしながら、ノズルの長手方向がノズル案内板５５の上下方向となるようにノズル５７をノズル案内板５５に固定し、レジスト塗布時にノズル５７をＸ方向（ほぼ水平方向）に移動するようにしてもよい。このようにしても、簡単な構造のノズル５７などを利用してレジストをＬＣＤ基板Ｇに塗布することができる。
【００８３】
本実施形態では、図５に示すようにチャックプレート５１に搬送ローラ５２ａが配設されている例を示した。しかしながら、搬送ローラ５２ａは、必ずしも必要でない。例えば、上、下流工程の基板搬送用のサブアームにより、基板Ｇの搬送を行うようにしてもよい。このようにしても同様に基板Ｇを搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図５】レジスト塗布現像処理装置のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）を示す断面図である。
【図６】レジスト塗布処理装置（ＣＴ）のノズルを示す外観斜視図である。
【図７】レジスト塗布処理装置（ＣＴ）のレジスト供給機構を示す側面図である。
【図８】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理装置（ＣＴ）を用いたレジスト塗布処理手順を示す断面図である。
【図９】レジスト塗布処理装置（ＣＴ）のノズルの先端から流出するレジストに働く力を示す側面図である。
【図１０】レジスト塗布処理装置（ＣＴ）のノズルの変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
Ｇ…ＬＣＤ基板
Ｇａ…処理面
θ…傾斜角
ＣＴ…レジスト塗布処理装置
Ｔ…制御部
４７…窒素供給機構
５０…筐体
５０Ａ…保持機構
５０Ｂ…レジスト供給機構
５０Ｃ…ノズル駆動部
５１…チャックプレート
５１ａ…回動軸
５１ｃ…回動モータ
５４…ヒータ
５５Ｃ…ノズル駆動部
５５ｄ…モータ
５７、５７Ａ…ノズル
５７ａ…導出部
５７ｂ…回収部
５７ｃ…開口面
５７ｄ…吐出口
５７ｈ…受け口
５７ｒ…流路
１００…レジスト塗布現像処理装置
【図１】
2005093787.tif 000003
【図２】
2005093787.tif 000004
【図３】
2005093787.tif 000005
【図４】
2005093787.tif 000006
【図５】
2005093787.tif 000007
【図６】
2005093787.tif 000008
【図７】
2005093787.tif 000009
【図８】
2005093787.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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