(57)【要約】【課題】  合成石英ガラスからなるペリクルを洗浄液により効率よく洗浄可能なペリクルの提供を目的とする。【解決手段】  略矩形のペリクルフレーム２の一方の面にペリクル板３を貼り付けて覆い、他方の面が開放された合成石英ガラスからなるペリクル１であって、前記ペリクルフレーム２と前記ペリクル板３の貼付面に前記ペリクルフレーム２の内部と外部を連通する溝４を前記ペリクルフレーム２のコーナー部に切欠いた。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
略矩形のペリクルフレームの一方の面にペリクル板を貼り付けて覆い、他方の面が開放された合成石英ガラスからなるペリクルであって、
前記ペリクルフレームと前記ペリクル板の貼付面に前記ペリクルフレームの内部と外部を連通する溝が前記ペリクルフレームのコーナー部に切欠かれたことを特徴とするペリクル。
【請求項２】
前記ペリクルフレームは、開放面が広がるように該ペリクルフレームの内側面がテーパ状に形成されることを特徴とする請求項に記載のペリクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の基板に回路パターンを露光形成する等の集積回路の製造工程で使用されるフォトマスク又はレチクル（以下、レチクルという）に異物付着防止の目的で装着される、とりわけ波長２２０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザー（波長１５７．６ｎｍ）等の光を用いる光リソグラフィに好適な合成石英ガラスからなるペリクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造工程で使用される光リソグラフィ工程においては、レジスト材を塗布した半導体ウェーハを露光することによりパターン形成が行われる。この際に用いるレチクルに傷・異物が存在していると、パターンとともに傷・異物がウェーハ上に転写され、回路の短絡・断線等の原因となる。このため、回路パターンが形成されたレチクルの表面の傷や異物混入を防止するため、レチクルの片面又は両面にペリクルが装着される。
【０００３】
従来、ペリクルはアルミニウム等からなるペリクルフレームにニトロセルロース又はフッ素樹脂等の有機樹脂からなる数ｎｍ〜数μｍの厚みのペリクル膜を接着剤で貼り付けたものが用いられており、これをレチクル上のパターンを覆うように固定して用いられていた。しかし、このような有機樹脂膜等を使用したペリクルは、露光精度を上げるために使用される波長が短くなると、光学的エネルギーが強大であることから、有機成分が分解し実際の露光で使用するエネルギーでのショット数、換言すれば使用時間に対して十分な耐久性をもっていない。
【０００４】
したがって、近年のパターン微細化や高密度化により短波長の光を用いた露光光に対する耐久性を考慮して、合成石英ガラスからなるペリクル板をペリクルフレームに貼り付けたペリクル（ハードペリクル）を使用することが検討されている。
【０００５】
一方、半導体の製造コストを抑えるために露光の障害となる巨大な異物が付着したペリクルの再生や、使用しなくなったレチクルからペリクルを取り外して使う再利用が可能なことが望ましい。この場合、ペリクルに付着した異物を除去するための洗浄を行う必要がある。
【０００６】
従来のペリクル膜の洗浄方法が特許文献１に記載されている。この特許文献１に記載の洗浄方法は、ペリクル膜を音波等で共振させてその反動を利用し、異物をペリクル面から除去しやすくした状態でガスを吹きつけてブロー洗浄するものである。しかし、特許文献１の洗浄方法はペリクル膜上の異物を見ながら異物をめがけてエアガンでエアを吹きつけて吹き飛ばすものであるため、異物を見逃す場合があり、また、除去力にも限界があるため、十分信頼性の高い洗浄が期待できない。ペリクル全体を確実にかつ簡易に洗浄するには、洗浄液を用いて、ペリクルを洗浄液槽に浸漬したり、あるいはペリクルを回転させながら洗浄液を塗布するスピン洗浄法、あるいはブラシ等をこすりつけることで物理的に除去するスクラブ洗浄法等により洗浄することが好ましい。
【０００７】
一方、合成石英ガラスからなるペリクルが特許文献２に記載されている。この特許文献２には、ペリクルの洗浄法として紫外線を照射して有機物を分解して除去することが記載されている。しかしながら、紫外線照射によっても、有機物以外の分解されない異物が残る可能性がある。したがって、十分信頼性の高い洗浄を行うためには、このような紫外線照射方法とともに（又はこれに代えて）、前述のように洗浄液を用いて洗浄することが好ましい。従来の有機樹脂膜からなるペリクルでは膜の強度がないため、このような洗浄方法を実施することは不可能であり、ここでもハードペリクルの優位性を見出すことができる。
【０００８】
しかしながら、単に洗浄液を用いてペリクルを洗浄したのでは、洗浄液がペリクルフレーム内に溜まり、これを除いたり乾燥させるために手間と時間を要するため、洗浄の作業効率が低下し、露光プロセスを含む半導体製造プロセス全体の生産性が低下する。また、ペリクルとフレームを分離した後、個別に洗浄し、これを組立て直すといった方法は工数がかかり結果的にコスト高となる。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１４３０５４号公報
【特許文献２】特開２００３−１６７３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記従来技術を考慮したものであり、合成石英ガラスからなるペリクルを洗浄液により効率よく洗浄可能なペリクルの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、請求項１の発明では、略矩形のペリクルフレームの一方の面にペリクル板を貼り付けて覆い、他方の面が開放された合成石英ガラスからなるペリクルであって、前記ペリクルフレームと前記ペリクル板の貼付面に前記ペリクルフレームの内部と外部を連通する溝が前記ペリクルフレームのコーナー部に切欠かれたことを特徴とするペリクルを提供する。
【００１２】
請求項２の発明では、前記ペリクルフレームは、開放面が広がるように該ペリクルフレームの内側面がテーパ状に形成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、ペリクルフレームのペリクル板貼付面に溝が切欠かれているので、このフレームとペリクル板との境界面（貼付面）にフレームを貫通する孔が形成される。したがって、ペリクルのフレーム開放面を上にして洗浄液により洗浄した際にペリクルフレームの内部に溜まった洗浄液が上記孔から排出される。このため、ペリクルフレーム内の洗浄液は速やかに外部に排出され、洗浄作業を効率よく行うことができる。また、この溝がペリクルフレームのコーナー部に切欠かれるので、ペリクル板を下にして開放面を上にした状態でペリクルを回転させて洗浄（乾燥）させるスピン式の洗浄機（乾燥機）を用いた場合、遠心力で洗浄液が集まって溜まりやすいコーナー部分から、効率よく迅速にペリクルフレーム内の水切りを行うことができる。また、浸漬洗浄においても、ペリクルを洗浄液面から引き上げた際、洗浄液が集まりやすいコーナー部の孔を通して速やかに洗浄液が流出する。
【００１４】
請求項２の発明によれば、ペリクルフレームの開放面を上にしたとき、フレーム内側面が下に向かって挟まるように傾斜するため、ペリクルフレーム内側面に付着した洗浄液が下面のペリクル板側に流れ落ちやすくなり、ペリクルフレーム内側面に洗浄液が残らず確実に排出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は本発明に係るペリクルの斜視図であり、図２はペリクルフレームの上面図である。
本発明に係るペリクル１は、略矩形枠体の合成石英ガラスからなるペリクルフレーム２と、その上に接着剤（不図示）を介して貼り付けられた合成石英ガラスからなるペリクル板３で構成される。図の状態では、ペリクルフレーム２の上面がペリクル板３で覆われた貼付面であり、下面が開放面となる。ペリクルフレーム２のペリクル板３との接着面（貼付面）は切欠かれ、溝４が形成される。この溝４はペリクルフレーム２の内部と外部を連通して形成される。ペリクルフレーム２の上側はペリクル板３で塞がれるので、溝４によりペリクル１の枠体を貫通する貫通孔が形成される。この貫通孔は、後述するように水切り用の孔として利用される。
【００１６】
このペリクル１を洗浄液に浸漬して洗浄する浸漬式の洗浄機を用いる場合、ペリクル１はペリクル板３を下側にして洗浄液に浸漬される。この後、ペリクル１を引き上げるとペリクルフレーム２に切欠かれた溝４からなる貫通孔から洗浄液が排出される。また、ペリクル１を回転させて洗浄し、乾燥させるスピン式の洗浄機（乾燥機）を用いる場合、ペリクル１の回転による遠心力でペリクル板３上の洗浄液が外周縁側に移動し、溝４（貫通孔）から排出される。このように、ペリクルフレーム２に溝４を切欠くことにより、洗浄液を溝４（貫通孔）から確実に排出できる。
【００１７】
スピン式の洗浄機を用いる場合、洗浄液はペリクルフレーム２のコーナー部に溜まりやすいが、このコーナー部に溝４を形成することにより、排液性を向上させて効率よく迅速に洗浄液を排出させることができる。この場合、溝４はペリクルフレーム２の４隅のコーナー部それぞれに４箇所設けてもよいし、いずれか１箇所のコーナー部にのみ設けてもよい。なお、図２では溝４を６箇所（４隅のコーナー部と対向する長辺の中央）に切欠いたものを示すが、溝４の形成位置、個数は必要に応じて自由に選択することができる。
【００１８】
図３は本発明に係るペリクルの排液用貫通孔形成部分の断面図である。
図示したように、ペリクルフレーム２に形成された溝４の外側開口部を塞ぐようにフィルタ５を接着剤６によりペリクル１に貼り付けてもよい。すなわち、溝４により形成される貫通孔を露光時にペリクル１内にガスをパージするためのガス置換用の孔として使用してもよい。フィルタ５はこのガス置換の際にペリクル１内に塵埃が侵入すること（コンタミネーション）を防ぐためのものである。
【００１９】
図４は本発明に係る別のペリクルの溝形成部分の段面図である。
図示したように、ペリクルフレーム２の内側面２ａが、ペリクル板３との接着面側（図の下側）が徐々に広がるテーパ状に形成されるため、洗浄時にペリクルフレーム２の内側面２ａに付着した洗浄液が下側のペリクル板３上に流れ落ちやすくなり、ペリクルフレーム２の内側面に洗浄液を残すことなく確実に排出できる。その他の構成、作用、効果は図３と同様である。
【００２０】
本発明に係るペリクルはレチクルから取外して再利用するときに特に有用である。レチクルの下面にペリクルはペリクル板を下にして装着されるため、合成石英ガラスからなるペリクル板は使用時に自重でたわむ。このたわみは露光光の光路変動を生じ、露光精度の悪化の要因となるが、露光装置による露光はペリクル付きのレチクルが一方向に移動してレチクルのパターンをウェーハ上に転写するものであるため、垂直方向のペリクル板の変位は偶数次数の関数で表すことのできる曲率であれば光学系で補正が可能であり、この曲率がレチクルの移動方向に対して一定であればよい。
【００２１】
したがって、レチクルの移動方向と平行なペリクル板の対辺が、ペリクルフレームのレチクルに対する接着面と平行に接着されていれば、レチクルの移動方向と垂直なペリクル板の対辺がペリクルフレームに対してたわんでいても、このたわみを光学的に補正して半導体ウェーハへのパターン形成が可能である。あるいは、ペリクル板とフレームを接着するときに、接着圧や接着剤の厚みなどを部分的に制御してたわみの少ないペリクルを作成することも試みられている。
【００２２】
このとき、本発明に係るペリクルは、このように制御されたたわみを変化させないで洗浄することが可能である。すなわち、ペリクルに異物が付着した場合、レチクルからペリクルを取外し、ペリクルを構成するペリクルフレームとペリクル板を分離することなくペリクル自体を洗浄できるので、洗浄後に再びレチクルに取付ければそのまま同じ状態値で露光することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明は、半導体集積回路の製造工程で使用される光リソグラフィ工程において使用されるレチクルに取付けられるペリクルに適用可能であり、特にペリクルをレチクルから取外して洗浄後、再利用する場合に有効に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るペリクルの斜視図。
【図２】ペリクルフレームの上面図。
【図３】本発明に係るペリクルの排液用貫通孔形成部分の段面図。
【図４】本発明に係る別のペリクルの溝形成部分の段面図。
【符号の説明】
【００２５】
１：ペリクル、２：ペリクルフレーム、２ａ：内側面、３：ペリクル板、４：溝、５：フィルタ、６：接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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