(57)【要約】【課題】  小型で、挿入損失特性の良い分波回路を提供する。【解決手段】  分波回路１は、高周波スイッチ１０ａ、第一の周波数帯の信号を通過させる第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ａ、第一のハイパスフィルタ３０ａ、第二のハイパスフィルタ３０ｂ、及び第二の周波数帯の信号を通過させる第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ｂ、第三のハイパスフィルタ４０ａ、第四のハイパスフィルタ４０ｂで構成される。【選択図】  図１
2005323062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不平衡ポートと平衡ポートを備えた平衡−不平衡型分波器であって、
高周波スイッチと、通過周波数帯域の異なる複数の平衡−不平衡型帯域通過フィルタと、ハイパスフィルタを有し、
前記高周波スイッチは、前記平衡−不平衡型分波器の不平衡ポートと接続する第一ポートと、第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの不平衡ポートと接続する第二ポートと、第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの不平衡ポートと接続する第三ポートとを有し、
前記第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの平衡ポートと前記平衡−不平衡型分波器の平衡ポートとの間、及び／又は前記第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの平衡ポートと前記平衡−不平衡型分波器の平衡ポートとの間に前記ハイパスフィルタを配置してなり、
前記ハイパスフィルタはインダクタンス素子とキャパシタンス素子を有し、前記高周波スイッチはスイッチング素子を有し、電極パターンを有する複数の誘電体層からなる積層体に、前記インダクタンス素子と前記キャパシタンス素子の少なくとも一部が、前記電極パターンにより形成され、前記高周波スイッチを構成するスイッチング素子及び前記平衡−不平衡型帯域通過フィルタが前記積層体に実装されていることを特徴とする平衡−不平衡型分波器。
【請求項２】
前記平衡−不平衡型分波器は複数のハイパスフィルタを備え、第１のハイパスフィルタを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素子と、第２のハイパスフィルタを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素子とが、積層方向に重なり合わないことを特徴とする平衡−不平衡型分波器。
【請求項３】
前記ハイパスフィルタのインダクタンス素子及びキャパシタンス素子を構成する電極パターンを、グランド電極パターンで挟まれた領域に形成することを特徴とする請求項２に記載の平衡−不平衡型分波器。
【請求項４】
前記ハイパスフィルタのインダクタンス素子を構成する電極パターンを複数の誘電体層に形成し、前記誘電体層に形成されたビアホールを介して接続し、もって同じ方向に巻かれたスパイラル状の伝送線路としたことを特徴とする請求項２又は３に記載の平衡−不平衡型分波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる通信方式を利用できる携帯電話機等の移動体端末機器の高周波回路に用いる平衡−不平衡型分波器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体端末機器、例えば携帯電話機の普及とともに、様々な周波数帯の通信方式が運用され、複数の通信方式が利用可能なデュアルバンドやトリプルバンド、さらにはクアッドバンド携帯電話機が提案されている。このようなマルチバンド携帯電話機の高周波回路においては、小型化のために複数の通信方式の信号を同一回路で扱うことが考えられている。このような回路部品の一例として分波器が知られている。
【０００３】
図１１は、従来の分波器の構成図である。この分波器は、通過帯域の異なる複数の帯域通過フィルタと複数の移相器を組み合わせてなり、第１の帯域通過フィルタ１１、第２の帯域通過フィルタ１２のそれぞれの入出力端子に、第１の移相器１３、第２の移相器１４を接続し、第１の帯域通過フィルタ１１は、第２の帯域通過フィルタの通過周波数帯における入出力インピーダンスが高インピーダンスとなり、第２の帯域通過フィルタ１２は、第１の帯域通過フィルタの通過周波数帯における入出力インピーダンスが高インピーダンスとなり、それぞれを共通の入出力端子で接続して取り出すとき、第１のフィルタ１１の通過帯域、第２のフィルタ１２の通過帯域の各周波数帯域成分が互いに影響せずに伝送できるものである。
【特許文献１】特開平８−３２１７３８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような分波器を、例えば、ＧＳＭ８５０（送信周波数８２４〜８４９ＭＨｚ  受信周波数８６９〜８９４ＭＨｚ）とＧＳＭ９００（送信周波数８８０〜９１５ＭＨｚ  受信周波数９２５〜９６０ＭＨｚ）の２つの通信方式が利用可能な高周波回路部に採用しようとすると幾つかの問題があった。
例えば、前記分波器は入出力端が不平衡端となっているが、最近の携帯電話の受信回路では、雑音指数を下げて受信感度を上げるために、２本の信号線を有する平衡型の高周波部品（低雑音増幅器やミキサー等）を備える。このため平衡型の高周波部品との接続には、平衡−不平衡変換回路が別途必要であった。
【０００５】
また前記分波器を小型化するように、複数の移相器を多層基板にラインパターンで構成しようとすると、重なり方向においてラインが互いに電磁気的な干渉を起こし易く、インピーダンス調整が困難となるとともに、ライン長に伴い挿入損失が増加するといった問題があった。
【０００６】
そこで本発明では、小型化しても挿入損失特性に優れた平衡―不平衡型分波器を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、不平衡ポートと平衡ポートを備えた平衡−不平衡型分波器であって、高周波スイッチと、通過周波数帯域の異なる複数の平衡−不平衡型帯域通過フィルタと、ハイパスフィルタを有し、前記高周波スイッチは、前記平衡−不平衡型分波器の不平衡ポートと接続する第一ポートと、第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの不平衡ポートと接続する第二ポートと、第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの不平衡ポートと接続する第三ポートとを有し、前記第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの平衡ポートと前記平衡−不平衡型分波器の第一平衡ポートとの間、及び／又は前記第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタの平衡ポートと前記平衡−不平衡型分波器の第二平衡ポートとの間に前記ハイパスフィルタを配置してなり、前記ハイパスフィルタはインダクタンス素子とキャパシタンス素子を有し、前記高周波スイッチはスイッチング素子を有し、電極パターンを有する複数の誘電体層からなる積層体に、前記インダクタンス素子と前記キャパシタンス素子の少なくとも一部が、前記電極パターンにより形成され、前記高周波スイッチを構成するスイッチング素子及び前記平衡−不平衡型帯域通過フィルタが前記積層体に実装された平衡−不平衡型分波器である。
本発明の平衡−不平衡型分波器は、複数のハイパスフィルタを備え、第１のハイパスフィルタを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素子と、第２のハイパスフィルタを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素子とを、積層方向に重なり合わない様に形成するのが好ましい。また、前記ハイパスフィルタのインダクタンス素子及びキャパシタンス素子を構成する電極パターンを、グランド電極パターンで挟まれた領域に形成するのも好ましい。
そして、前記ハイパスフィルタのインダクタンス素子を構成する電極パターンを、複数の誘電体層に形成し、前記誘電体層に形成されたビアホールを介して接続し、もって同じ方向に巻かれたスパイラル状の伝送線路とするのが、より好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、小型で挿入損失特性に優れた平衡―不平衡型分波器を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１に、本発明の一実施例に係る分波器１を示す。この分波器は、通過帯域の異なる複数の平衡−不平衡型帯域通過フィルタを用いて構成され、不平衡ポートＰ１と、平衡ポートＰ２−１，Ｐ２−２を備えるものである。
図２に、その回路ブロックを示す。分波器１の不平衡ポートＰ１には、高周波スイッチ１０ａの第一ポート１００ａが接続し、第二ポート１００ｂに第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ａの不平衡ポート１１０ａが接続し、第三ポート１００ｃに第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ｂの不平衡ポート１２０ａが接続している。また、第一のハイパスフィルタ３０ａの第一ポート１３０ｂには、第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ａの第一平衡ポート１１０ｂが接続し、第二ポート１３０ｃには、分波器１の第一平衡ポートＰ２−１が接続している。第二のハイパスフィルタ３０ｂの第一ポート１４０ｂには、第一の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ａの第二平衡ポート１１０ｃが接続し、第二ポート１４０ｃには、分波器１の第二平衡ポートＰ２−２が接続している。第三のハイパスフィルタ４０ａの第一ポート１３０ｄには、第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ｂの第一平衡ポート１２０ｂが接続し、第二ポート１３０ｅには、分波器１の第一平衡ポートＰ２−１が接続している。そして、第四のハイパスフィルタ４０ｂの第一ポート１４０ｄには、第二の平衡−不平衡型帯域通過フィルタ２０ｂの第二平衡ポート１２０ｃが接続し、第二ポート１４０ｅには、分波器１の第二平衡ポートＰ２−２が接続している。
【００１０】
前記平衡−不平衡型分波器において、ハイパスフィルタは移相器として機能する。本発明におけるハイパスフィルタの役割は以下の通りである。図３（ａ）、（ｂ）は、平衡−不平衡型帯域通過フィルタを、平衡ポートから見たインピーダンス特性の一例を示すスミスチャートである。ここで、図３（ａ）のインピーダンス特性を示す平衡−不平衡型帯域通過フィルタは、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域を通過周波数帯域とするＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタであり、図３（ｂ）のインピーダンス特性を示す平衡−不平衡型帯域通過フィルタは、ＧＳＭ９００の受信周波数帯域を通過周波数帯域とするＳＡＷフィルタである。図中の三角形のマーカーは周波数を示し、マーカー１は８６９ＭＨｚ、マーカー２は８９４ＭＨｚ、マーカー３は９２５ＭＨｚ、マーカー４は９６０ＭＨｚであり、マーカー１、２の間がＧＳＭ８５０の受信周波数帯域であり、マーカー３、４の間がＧＳＭ９００の受信周波数帯域であることを示している。
【００１１】
図３（ａ）において、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域で、インピーダンスはほぼ５０Ωの領域にあり、ＧＳＭ９００の受信周波数帯域では、ほぼ開放の領域（高インピーダンス）にある。また図３（ｂ）においては、ＧＳＭ９００の受信周波数帯域でほぼ５０Ωの領域にあり、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域では、ほぼ開放の領域を外れた領域にある。
ここで「ほぼ開放の領域」とは、インピーダンスＺをＺ＝Ｒ＋ｊＸで表わす時、実数部Ｒが１５０Ω以上で、虚数部Ｘの絶対値が１００Ω以上となる領域である。スミスチャートでは、図中、右端よりの斜線部分が、ほぼ開放状態の領域である。
【００１２】
図３（ａ）のインピーダンス特性を示す平衡−不平衡型帯域通過フィルタでは、ＧＳＭ９００の受信周波数帯域で高インピーダンスであるので、ＧＳＭ９００の高周波信号を実質的に吸収することがなく、あっても極僅かである。従って、このような平衡−不平衡型帯域通過フィルタであれば、積極的にハイパスフィルタを用いる必要はない。
一方、図３（ｂ）インピーダンス特性を示す平衡−不平衡型帯域通過フィルタでは、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域で、インピーダンスがほぼ開放の領域を外れた領域にあるため、ＧＳＭ８５０の高周波信号の一部を吸収してしまい、挿入損失特性が劣化してしまう。そこでハイパスフィルタを用いて、不平衡ポートのインピーダンスをほぼ開放状態となるように位相を回転させインピーダンスの調整を行うことが必要となる。
図３（ｃ）は、ハイパスフィルタによって、インピーダンスを調整した後のスミスチャートである。ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域で、インピーダンスがほぼ開放の領域にあるため、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域の高周波信号を実質的に吸収することがなく、挿入損失特性を減じることがない。
【００１３】
さらに平衡−不平衡型帯域通過フィルタの不平衡ポート側に接続した高周波スイッチ１０ａを切替えることにより、通過させる高周波信号を選択している。このようにして、各帯域通過フィルタ間のアイソレーションを確保できるので、高周波信号の漏洩を実質的に防止することができ、もって優れた挿入損失特性を得ることが出来る。
【００１４】
前記ハイパスフィルタは、インダクタンス素子及びキャパシタンス素子により、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すような、簡単な等価回路で構成することが出来る。
【００１５】
帯域通過フィルタ２０ａ、２０ｂは、平衡−不平衡型ＳＡＷフィルタにより構成するのが好ましい。平衡−不平衡型ＳＡＷフィルタは、インピーダンス変換機能及び平衡−不平衡変換機能を備えるものであり、電極指の交差幅、配列及び結合を調整することにより、入力インピーダンスと出力インピーダンスとを異ならせるとともに、平衡−不平衡変換を行う。また、平衡−不平衡型ＳＡＷフィルタ２０ａ、２０ｂの平衡ポート間にインダクタンス素子を接続して、平衡信号の平衡度（バランス特性）を調整しても良い。なお前記ＳＡＷフィルタの代わりに、ＦＢＡＲフィルタを使用することもできる。
【００１６】
高周波スイッチ１０ａは、スイッチング素子を主構成とし、例えば図５に示すような、インダクタンス素子Ｌｓ１〜Ｌｓ３、キャパシタンス素子Ｃｓ１，Ｃｓ２を備えたダイオードスイッチや、図６及び図７に示すような、ＧａＡｓＦＥＴを用いたＧａＡｓスイッチを用いて構成される単極双投型（ＳＰＤＴ）スイッチである。また分波する周波数帯域に応じて、ＳＰ３Ｔ、ＳＰ４Ｔなどのスイッチも適宜用いられる。
【００１７】
前記平衡−不平衡型分波器は、電極パターンを有する複数の誘電体層からなる積層体に構成するの好ましい。前記ハイパスフィルタは、チップインダクタやチップコンデンサなどの面実装素子を用いて、前記積層体に実装して構成しても良いが、前記電極パターンで積層体内に構成するのが、小型化においてより好ましい。そして、前記高周波スイッチを構成するスイッチング素子及び前記平衡−不平衡型帯域通過フィルタを前記積層体に実装するのも好ましい。さらに前記積層体に、他の高周波部品、例えば他の高周波スイッチやフィルタ、増幅器、分波器、共用器等を、実装したり、電極パターンで構成したりして、一体的に構成しても良い。
【実施例】
【００１８】
本実施例では、分波器を積層体に構成する場合について説明する。図８は、本実施例に係る分波器の等価回路であり、図９は、積層体の主面にダイオードやＳＡＷフィルタを実装してなる分波器の斜視図であり、図１０は分波器を構成する積層体の各層の構成を示す斜視図である。
【００１９】
本実施例では、図３（ａ）に示したインピーダンス特性を有する平衡−不平衡型帯域通過フィルタを、帯域通過フィルタ２０ａとして用いることで、帯域通過フィルタ２０ｂの平衡出力端にのみ、ハイパスフィルタ４０ａ、４０ｂを接続した回路構成としている。
【００２０】
本実施例の分波器１では、高周波スイッチ１０ａのスイッチング素子として、ＰＩＮダイオードを用いたダイオードスイッチを採用している。ダイオードスイッチは、インダクタンス素子、キャパシタンス素子とダイオードを主構成とし、第一ポート１００ａと第三ポート１００ｃの間には積層体２００内に形成されるインダクタンス素子ＬＳ１と、インダクタンス素子ＬＳ１の第三ポート１００ｃ側でグランドとの間に配置されるダイオードＤＤ１及びＤＣカット用のコンデンサＣＳ１と、ダイオードＤＤ１及びコンデンサＣＳ１の間に形成されるコントロールポートＶＣ１とを有する。
第一ポート１００ａと第二ポート１００ｂの間に、インダクタンス素子ＬＳ１を介してダイオードＤＤ１と直列に接続されるダイオードＤＤ２が配置されており、また第二ポート１００ｂ側には、グランドとの間に高周波チョークコイルＬＳ２が配置されている。ダイオードＤＤ２には、ＯＦＦ時のアイソレーション特性を向上するために、並列にインダクタＬＳ３と、これと直列にコンデンサＣＳ２が接続されている。高周波チョークコイルＬＳ２はチップインダクタで構成しても良いし、伝送線路を用いた高インピーダンス線路としても良い。本実施例では伝送線路ＬＳ１以外の回路素子はチップ部品として積層体の表面に形成したランドに実装されている。
そして、コントロールポートＶＣ１から供給される制御電圧により、ダイオードＤＤ１、ＤＤ２をＯＮ／ＯＦＦして、第一ポート１００ａと第二ポート１００ｂとの間、第一ポート１００ａと第三ポート１００ｃとの間の接続を切替える。なお第一ポート１００ａ側にはＤＣカットコンデンサＣＳ３が配置されている。  
なお、スイッチング素子（ダイオードやＦＥＴ等）をベア状態として、積層体に樹脂封止、あるいは管封止することもできる。
【００２１】
第一及び第二の平衡−不平衡帯域通過フィルタ２０ａ、２０ｂとして用いた、面実装型の不平衡入力−平衡出力ＳＡＷフィルタの平衡出力端Ｐ２−１、Ｐ２−２間には、平衡度を１８０°±１０°の範囲に調整するように、インダクタンス素子ＬＦ１、ＬＦ２を接続している。なおＳＡＷフィルタは、ベアチップ状態で積層体２００の表面に実装しても良く、また積層体に形成したキャビティの底面に実装して樹脂封止しても良い。
そして、不平衡入力−平衡出力ＳＡＷフィルタの平衡出力端側に接続されるハイパスフィルタ４０ａ、４０ｂは、インダクタンス素子Ｌｈ３、Ｌｈ４及びキャパシタンス素子Ｃｈ３、Ｃｈ４で構成し、積層体２００に電極パターンで形成した。
【００２２】
チップ部品を実装した積層体２００の主面には、チップ部品を覆うように、めっき処理したＳＰＣＣ等の磁性金属のキャップ（図示せず）を配置する。金属キャップの代わりに樹脂封止材を用いてもよい。樹脂封止材としては、エポキシ樹脂にアミン系、触媒系、酸無水物系の液体の硬化剤と、線膨張率を５〜８ｐｐｍ程度に調整する材料や弾性率を調整する材料等を適宜添加した液状樹脂封止材を用いることが出来る。
【００２３】
積層体２００は、例えば１０００℃以下の低温焼結が可能なセラミック誘電体材料からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電性ペーストを印刷して所定の電極パターンを形成し、複数のグリーンシートを一体的に積層し、焼結することにより製造することができる。誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ等を主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ等を副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒ等を主成分として、Ｃａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋ等を複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄ等を含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ等を含む材料を用いることができる。誘電体材料の比誘電率は５〜１５程度が好ましい。セラミック誘電体材料の他に、樹脂基板や、樹脂とセラミック誘電体粉末の複合材からなる基板を用いても良い。またＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術を用いるために、Ａｌ２Ｏ３系セラミック基板を使用するとともに、タングステンやモリブデン等の高融点金属で伝送線路等を形成しても良い。
【００２４】
図１０に示すように、積層体２００を構成する最下層のグリーンシート１の上面には、広面積のグランド電極ＧＮＤが形成されており、その裏面には、回路基板に実装するための端子電極が形成されている。グランド電極ＧＮＤの外縁部は凹状に切りかかれており、そこには端子電極と接続するビアホールが形成される。端子電極は、不平衡入力ポートＩＮ（Ｐ１）と、平衡出力ポートＯＵＴ１，２（Ｐ２−１、Ｐ２−２）  と、グランドポートＧＮＤと、スイッチ回路制御用のコントロールポートＶＣ１とからなり、それぞれが積層体に形成された電極パターンと、ビアホールで接続されている。本実施例では端子電極をＬＧＡ  （Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）としているが、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等も採用することができる。
【００２５】
グリーンシート１の上に積層されたグリーンシート２、３には、ハイパスフィルタ４０ａ、４０ｂのインダクタンス素子Ｌｈ３、Ｌｈ４を構成するラインパターンと、高周波スイッチ１０ａを構成するインダクタンス素子Ｌｓ１を構成するラインパターンがビアホールとともに形成されている。インダクタンス素子Ｌｈ３、Ｌｈ４はグリーンシート１に形成されたグランド電極ＧＮＤとビアホールを介して接続している。ここで、前記ラインパターンは互いに同じ方向に巻かれており、ビアホールを介して接続してスパイラル状の伝送線路を形成している。これによって伝送線路のインダクタンス成分を高めている。
【００２６】
グリーンシート３の上に積層されたグリーンシート４には、高周波スイッチ１０ａのインダクタンス素子Ｌｓ１を構成するラインパターンが形成されている。
グリーンシート４の上に積層されたグリーンシート５、６には、ハイパスフィルタ４０ａ、４０ｂのキャパシタンス素子Ｃｈ３、Ｃｈ４を構成する電極パターンが形成されている。電極パターンＣｈ３、Ｃｈ４は、伝送線路Ｌｈ３、Ｌｈ４とビアホールを介して接続されている。
【００２７】
グリーンシート６の上に積層されたグリーンシート７には、高周波スイッチ１０ａのインダクタンス素子Ｌｓ１を構成するラインパターンがビアホールとともに形成されている。高周波スイッチの伝送線路Ｌｓも、コイル状に形成することによりインダクタンス成分を高めている。
【００２８】
グリーンシート７の上に積層されたグリーンシート８には広面積のグランド電極ＧＮＤが形成されている。グランド電極ＧＮＤは、ビアホールを介してグリーンシート１に形成されたグランド電極ＧＮＤと接続しており、積層体内に、電磁気的に閉じた領域を形成している。ここに、ハイパスフィルタ４０ａ、４０ｂを構成するインダクタンス素子、キャパシタンス素子、及び高周波スイッチ１０ａを構成するインダクタンス素子を配置し、他の電極パターンや、回路基板に形成された配線パターン等との電磁気的な干渉を極力少なくしている。また、キャパシタンス素子Ｃｈ３、Ｃｈ４を構成する電極パターンは、グランド電極ＧＮＤ及びインダクタンス素子Ｌｈ３、Ｌｈ４のラインパターンとの間の寄生容量を少なくするために積層方向に所定の距離を空けている。
【００２９】
グリーンシート８の上に積層されたグリーンシート９には、チップ部品と積層体内に形成されたインダクタンス素子等の回路素子を接続するための接続線路が形成されている。接続線路Ｌｖは、コントロール端子ＶＣ１から抵抗Ｒに至る接続線路である。本実施例においては、接続線路Ｌｖの近くにグランド電極ＧＮＤを配置することにより、コントロール電源の電圧が変動しても高周波スイッチ１０ａの誤動作を生じにくくしている。
【００３０】
グリーンシート９の上に積層されたグリーンシート１０は、チップ部品を搭載する複数のランド電極を有し、チップ部品はビアホールを介して積層体２００内に形成された接続線路や回路素子と接続する。積層体２００の二つの長辺及び一つの短辺に沿った位置に金属ケースを固定するためのランドＬｃｐが形成されている。
【００３１】
分波器を積層構造とすれば、インピーダンス調整部分の伝送線路を従来よりも短くできるため、上下の伝送線路間の電磁気的な干渉が少なくなり、インピーダンス調整が容易となる。また回路全体の小型化にも有利である。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
以上説明したように、本発明によれば、小型であり、挿入損失特性に優れた平衡―不平衡型分波器を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例に係る分波器を示すブロック図である。
【図２】図１の分波器の回路構成を示すブロック図である。
【図３】（ａ）帯域通過フィルタの不平衡ポートから見たインピーダンス特性を示すスミスチャートであり、（ｂ）他の帯域通過フィルタの不平衡ポートから見たインピーダンス特性を示すスミスチャートであり、（ｃ）ハイパスフィルタによるインピーダンス調整の一例を示すスミスチャートである。
【図４】（ａ）本発明の一実施例に用いるハイパスフィルタの等価回路図であり、（ｂ）他のハイパスフィルタの等価回路図であり、（ｃ）他のハイパスフィルタの等価回路図である。
【図５】本発明の一実施例に用いる高周波スイッチの等価回路図である。
【図６】本発明の他の実施例に用いる高周波スイッチの等価回路図である。
【図７】本発明の他の実施例に用いる高周波スイッチの等価回路図である。
【図８】本発明の一実施例に係る分波器の等価回路図である。
【図９】本発明の一実施例に係る分波器の上面斜視図と裏面斜視図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る分波器を構成する積層体の分解斜視図である。
【図１１】従来の分波器を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  平衡−不平衡型分波器
１０ａ  高周波スイッチ
２０ａ，２０ｂ  平衡−不平衡型帯域通過フィルタ
３０ａ，３０ｂ，４０ｃ，４０ｂ  ハイパスフィルタ
２００  積層体
【図１】
2005323062.tif 000003
【図２】
2005323062.tif 000004
【図３】
2005323062.tif 000005
【図４】
2005323062.tif 000006
【図５】
2005323062.tif 000007
【図６】
2005323062.tif 000008
【図７】
2005323062.tif 000009
【図８】
2005323062.tif 000010
【図９】
2005323062.tif 000011
【図１０】
2005323062.tif 000012
【図１１】
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