(57)【要約】【課題】  熱型赤外センサ素子において、熱容量を増加させることなく赤外吸収効率を向上させる。【解決手段】  熱型赤外センサ素子は、凹部１２を有する基板１と、この基板１に対して支持脚３を介して接続されることによって凹部１２の上部の空中に保持された温度検知部２と、この温度検知部２と熱的に接続されない状態で支持脚３の少なくとも一部の上方を覆うように配置された赤外反射膜９と、温度検知部２とは熱的に接続され、赤外反射膜９とは熱的に接続されない状態で赤外反射膜９よりも上方に保持され、赤外反射膜９の少なくとも一部を覆い隠すように側方に板状に広がる吸収傘部６とを備える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する基板と、
前記基板に対して支持脚を介して接続されることによって前記凹部の上部の空中に保持された温度検知部と、
前記温度検知部と熱的に接続されない状態で前記支持脚の少なくとも一部の上方を覆うように配置された赤外反射膜と、
前記温度検知部とは熱的に接続され、前記赤外反射膜とは熱的に接続されない状態で前記赤外反射膜よりも上方に保持され、前記赤外反射膜の少なくとも一部を覆い隠すように側方に板状に広がる吸収傘部とを備える、熱型赤外センサ素子。
【請求項２】
前記基板のうち前記凹部でない部分の上側に配置された配線と、
前記配線を直接覆う配線保護絶縁膜と、
前記配線保護絶縁膜の上側に直接形成され、側方に延在する平坦な板状の支持体とを備え、
前記赤外反射膜は前記支持体の上側に接して配置されている、請求項１に記載の熱型赤外センサ素子。
【請求項３】
前記赤外反射膜は、前記支持体のうち前記配線保護絶縁膜の上方を避けた部分に配置されている、請求項２に記載の熱型赤外センサ素子。
【請求項４】
前記吸収傘部の前記温度検知部に対する熱的接続は、前記温度検知部の上側に接して配置された上下方向に延在する筒型の支柱部を介することによって行なわれており、
前記支柱部の側面を含む領域が開口されることによって前記凹部の内部空間と前記吸収傘部の上側の空間とを連通させる除去孔が設けられている、請求項１に記載の熱型赤外センサ素子。
【請求項５】
前記除去孔が、平面的に見た前記凹部のほぼ中央に配置されている、請求項４に記載の熱型赤外センサ素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の熱型赤外センサ素子を複数個備え、前記複数個の熱型赤外センサ素子はアレイ状に配列されている、熱型赤外センサアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱型赤外センサ素子および熱型赤外センサアレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の熱型赤外センサ素子としては、たとえば特開２００３−２０７３９１号公報（特許文献１）の段落００１１〜００１２および図１（ａ），（ｂ）に示されるように、μｍ単位の立体構造を構築することによって実効的反射率を低減し、赤外線吸収効率を高める技術が提案されている。また、たとえば特開平７−１９０８５４号公報（特許文献２）の段落０００７に示されるように、入射した赤外光を検知部としての凹部の内部で多数回反射させ、実質的に赤外吸収効率を高めた熱型赤外センサ素子も提案されている。これらの熱型赤外センサ素子は、シリコン基板の表面を掘り下げて凹部を形成する技術であるバルクマイクロマシニング技術を用いて作製されている。
【０００３】
さらに、たとえば特許第３０６２６２７号公報（特許文献３）の第２頁右欄第４４行〜第３頁左欄第２７行および図１に示されるように、基板上面に反射層１８を形成し、その上方に吸収材コーティング層２３を形成し、同公報の第４頁左欄第１１〜１５行および図３に示されるように赤外吸収効率を高くする技術も提案されている。この熱型赤外センサ素子は、基板の上側に犠牲層を形成してこの犠牲層を加工することによって基板上面の上側に構造物を設ける技術である表面マイクロマシニング技術を用いて作製されている。
【特許文献１】特開２００３−２０７３９１号公報（段落００１１〜００１２および図１（ａ），（ｂ））
【特許文献２】特開平７−１９０８５４号公報（段落０００７）
【特許文献３】特許第３０６２６２７号公報（第２頁右欄第４４行〜第３頁左欄第２７行、第４頁左欄第１１〜１５行、図１および図３）
【特許文献４】米国特許６，５７６，５５６号公報（図１〜図７）
【特許文献５】特開２０００−３２１１２５号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような従来の熱型赤外センサ素子では、高い吸収効率を得るために、複雑な構造を必要としている。複雑な構造やμｍオーダーという大きな膜厚を有するために、熱型赤外センサ素子全体の熱容量が大きくなっていた。しかし、熱型赤外センサ素子の高性能化のためには、断熱特性を向上させること、および、受光した赤外線（熱線）をより大きな温度変化に変換することが必要である。断熱特性を向上させても応答性を良好に保つためには、熱型赤外センサ素子全体の熱容量を小さくしなければならない。
【０００５】
一方、表面マイクロマシニング技術を用いた従来の熱型赤外センサ素子においては、複雑な構造を必要とせずに高い赤外吸収効率が実現できるが、特殊材料が必要であるので、生産性に問題がある。
【０００６】
一方、米国特許６，５７６，５５６号公報（特許文献４）の図１〜図７では、バルクマイクロマシニング技術と表面マイクロマシニング技術とを組み合わせたバルク表面複合マイクロマシニング技術によって半導体生産設備で作製可能なダイオード型赤外センサ素子が提案されている。同公報の図１〜図７は製造工程を示しており、これらのうち図７が完成品である。この赤外センサ素子では、高い赤外吸収効率を実現している。さらに、特開２０００−３２１１２５号公報（特許文献５）の図１では、特性向上を目指して検知部に反射層１０を設けた構造が示されている。しかし、特許文献５の構造では、特許文献４の構造に比べれば熱容量が増加してしまっており、応答性の低下が問題となる。
【０００７】
そこで、本発明は、熱容量を増加させることなく赤外吸収効率を向上させた熱型赤外センサ素子および熱型赤外センサアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に基づく熱型赤外センサ素子は、凹部を有する基板と、上記基板に対して支持脚を介して接続されることによって上記凹部の上部の空中に保持された温度検知部と、上記温度検知部と熱的に接続されない状態で上記支持脚の少なくとも一部の上方を覆うように配置された赤外反射膜と、上記温度検知部とは熱的に接続され、上記赤外反射膜とは熱的に接続されない状態で上記赤外反射膜よりも上方に保持され、上記赤外反射膜の少なくとも一部を覆い隠すように側方に板状に広がる吸収傘部とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、上方から照射される赤外線は、吸収傘部に直接入射する以外に赤外反射膜によって反射されて下側からも吸収傘部に入射することとなるので、吸収傘部による赤外線の吸収効率が向上する。しかも、赤外反射膜は、温度検知部とは熱的に隔離されているため、センサの熱容量を増大させることなく吸収効率を上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
（構成）
図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子について説明する。この熱型赤外センサ素子は、上方から見ると図１のように、赤外反射膜９の上にかぶさるように設けられた吸収傘部６が見える。吸収傘部６のほぼ中央には支柱部１３の凹みがあり、この凹みからやや離れた位置でこの凹みを挟むように除去孔１１が２つ設けられている。図１のＩＩ−ＩＩ線に関する矢視端面図を図２に示す。吸収傘部６の下方では基板１を掘り下げて凹部１２が形成されている。基板１はたとえばシリコン基板である。
【００１１】
この熱型赤外センサ素子は、温度変化を電気信号に変換するための温度検知部２を備えている。温度検知部２は、基板１に対して支持脚３を介して接続されることによって凹部１２の上部の空中に保持されている。支持脚３は、この例では２本あり、上方から見ると図３に示すようにそれぞれＬ字形に折れ曲がった橋のような形状をしている。支持脚３は薄膜金属配線８とこれを支える誘電体膜とを含んでいる。
【００１２】
温度検知部２は検知膜７を含んでいる。検知膜７はたとえば結晶シリコンを用いたダイオードである。薄膜金属配線８は、検知膜７とアルミ配線５とを電気的に接続している。薄膜金属配線８はたとえば厚み１００ｎｍのチタン合金の膜によって形成される。検知膜７が出力した電気信号は、支持脚３に含まれる薄膜金属配線８を経由してアルミ配線５に伝わり、さらに図示しない検出回路によって取り出される。薄膜金属配線８と検知膜７との間、および、薄膜金属配線８とアルミ配線５との間の電気的接続は、必要に応じて上下方向に延在する導電体（図示せず）を介在させて行なわれている。
【００１３】
赤外反射膜９は支持体１０の上面に形成され、赤外反射膜９は支持体１０によって凹部１２の上部をほぼ覆うように支持されている。ただし、赤外反射膜９および支持体１０は、温度検知部２とは熱的に接続されない状態で、支持脚３の少なくとも一部の上方を覆うように配置されている。支持体１０はアンカ部２０を介してアルミ配線５を内部に収める配線保護絶縁膜２８に固定されている。したがって、赤外反射膜９は配線保護絶縁膜２８に熱的にも機械的にも接続されている。
【００１４】
吸収傘部６は、吸収膜となる金属薄膜とこれを支える誘電体膜とを含む。図中では吸収膜と誘電体膜との区別は詳細に図示していないが、これらはたとえば２層構造となっている。吸収膜はたとえばクロムで厚み５ｎｍに形成した膜であり、誘電体膜はたとえば酸化シリコンで厚み２００ｎｍに形成した膜である。吸収傘部６は、図２に示すように温度検知部２の上側に支柱部１３を介して取り付けられている。これは吸収傘部６が温度検知部２に対して熱的に接続されていることを意味する。吸収傘部６は、赤外反射膜９および支持体１０とは熱的に接続されない状態で赤外反射膜９よりも上方に保持され、赤外反射膜９の少なくとも一部を覆い隠すように側方に板状に広がっている。
【００１５】
除去孔１１においては、吸収傘部６に貫通孔があいているだけでなく、赤外反射膜９および支持体１０にも貫通孔があいている。その結果、吸収傘部６の上側の空間から凹部１２の内部にかけて連通している。
【００１６】
吸収傘部６の吸収膜と、赤外反射膜９との間の上下方向の距離を以下「吸収膜間隔」というものとする。吸収膜間隔は、検出対象である赤外線の波長の約１／４の光学長さになるように設計されている。たとえば、遠赤外線を対象とする熱型赤外センサ素子の場合、吸収膜間隔は約２μｍとする。
【００１７】
（作用・効果）
本実施の形態では、上方から照射される赤外線は、上側から直接吸収傘部６に吸収される以外に、赤外反射膜９によって反射されて下側からも吸収傘部６に入射して吸収傘部６に吸収されることとなる。凹部１２は赤外反射膜９によってほぼ覆われているので赤外線が直接凹部１２に入ることはほとんどなくなる。こうして、赤外線は吸収傘部６によって効率良く吸収される。一例としては、本実施の形態における構成によって、７０％以上の吸収効率を実現することができる。上方から降り注ぐ多くの赤外線が入射することとなる赤外反射膜９は、温度検知部２とは熱的に隔離されているため、センサの熱容量を増大させることなく吸収効率を上げることができる。なお、吸収傘部６と温度検知部２との間は筒型の支柱部１３によって熱的に接続されているので、吸収傘部６で赤外線を吸収したことによる温度変化は温度検知部２に迅速に正確に伝えられ、正確に温度を検出することができる。
【００１８】
（製造方法）
図３〜図７、図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子の製造方法について説明する。まず、図３、図４に示す構造を作製する。図４は図３のＩＶ−ＩＶ線に関する矢視端面図である。図４に示すように、基板１に溝を形成し、この溝を埋めるように耐エッチング壁４を形成する。耐エッチング壁４の上側にアルミ配線５を形成する。一方、上から見て耐エッチング壁４同士の間に相当する領域の中央に公知技術を利用して温度検知部２を形成する。温度検知部２は検知膜７を含むように形成されている。温度検知部２は、支持脚３によってアルミ配線５を内部に収める配線保護絶縁膜２８とつながるように支持脚３が形成されている。支持脚３に含まれる薄膜金属配線８はアルミ配線５と電気的に接続されている。
【００１９】
図５、図６に示すように、基板１の上側を覆うように犠牲層２２を形成する。図６は図５のＶＩ−ＶＩ線に関する矢視端面図である。犠牲層２２は、耐熱性のある有機系の膜を用いてフォトリソグラフィ法によって形成することができる。犠牲層２２のうち、のちに凹部２１およびアンカ部２０（図６参照）となる領域に開口部を設ける。
【００２０】
さらに、犠牲層２２の上側を覆うように支持体１０および赤外反射膜９を形成する。このとき、配線保護絶縁膜２８の上側に設けられていた開口部の内部は支持体１０と同じ材料で埋められてアンカ部２０となる。その結果、支持体１０はアンカ部２０を介して配線保護絶縁膜２８の上側に載るように形成される。赤外反射膜９の最表面にはアルミニウム、金、白金などの反射率の高い金属を用いることができる。支持体１０はたとえば酸化シリコンで形成してよい。必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）法やプラズマドライエッチングによるエッチバック法などの公知技術によって犠牲層２２をさらに平坦化する。
【００２１】
中央部において赤外反射膜９、支持体１０および犠牲層２２を貫通するように凹部２１を設ける。凹部２１の両側に少し離れた位置にのちに除去孔となるべき開口部２７をそれぞれ設ける。これらの開口部２７においては、支持体１０および赤外反射膜９が除去され、犠牲層２２が露出している。
【００２２】
図７に示すように、赤外反射膜９の上側を覆うように有機系材料で犠牲層２３を形成する。必要に応じて公知技術によって犠牲層２３をさらに平坦化する。さらに、犠牲層２３を貫通するように凹部を延長し、この凹部の内部および犠牲層２３の上面を覆うように膜を形成する。この膜が支柱部１３および吸収傘部６となる。さらに吸収傘部６の上側を覆うように保護レジスト２６を形成する。この保護レジスト２６をパターニングし、保護レジスト２６をマスクとして除去孔１１を形成する。除去孔１１は、犠牲層２３、開口部２７、犠牲層２２を順に貫通するように形成される。その結果、除去孔１１の底には基板１が露出する。
【００２３】
保護レジスト２６をマスクとしてフッ酸または気相フッ化水素によるエッチングを行なう。シリコンからなる基板１に対しては、除去孔１１を通じてたとえば２フッ化キセノンガスによる自発的等方性エッチングが行なわれ、耐エッチング壁４同士に挟まれた領域の基板１が等方的に除去される。犠牲層２２，２３に対しては、除去孔１１を通じてたとえば酸素ガスを主体とした等方性エッチングが行なわれ、吸収傘部６の下側の犠牲層２２，２３が除去される。
【００２４】
こうして、図１、図２に示す構造の熱型赤外センサ素子が得られる。
【００２５】
なお、犠牲層２２，２３は有機系のものをスピンコート法で形成し、フォトリソグラフィ法でパターニングすることとすれば、従来の熱型赤外センサ素子に比べても容易に作製することができる。
【００２６】
なお、上述の例では、支柱部１３となる凹部は、犠牲層２２と犠牲層２３とでそれぞれ別個の工程によって形成することとしたが、犠牲層２２、赤外反射膜９、支持体１０および犠牲層２３を積み重ねるように形成してから一括して凹部を形成することとしてもよい。
【００２７】
（実施の形態２）
（構成）
図８を参照して、本発明に基づく実施の形態２における熱型赤外センサ素子について説明する。この熱型赤外センサ素子は、基本的には、実施の形態１におけるものと同様の構造であるが、実施の形態１におけるものにはアンカ部２０（図２参照）があったのに対して、本実施の形態における熱型赤外センサ素子では、アンカ部に相当するものがなく、図８に示すように支持体１０が配線保護絶縁膜２８の上側に直接設けられている。
【００２８】
この熱型赤外センサ素子は、実施の形態１で示した製造方法の一部を変更することによって得られる。すなわち、犠牲層２２を形成する際に犠牲層２２の高さを配線保護絶縁膜２８の高さと同程度にし、犠牲層２２のうち凹部２１となる領域に開口部を設け、さらに、犠牲層２２の上側を覆うように支持体１０および赤外反射膜９を形成することによって得ることができる。
【００２９】
（作用・効果）
本実施の形態では、実施の形態１で示した構造に比べてアンカ部２０の段差がなくなるため、素子全体の高さを小さくすることができる。また、製造時のフォトリソグラフィ工程の簡便化を図ることができる。
【００３０】
さらに、赤外反射膜９を形成する際には、図８に示すように、支持体１０のうちアルミ配線５の上側に相当する領域を避けるように赤外反射膜９を形成することがより好ましい。こうすれば、赤外反射膜９とアルミ配線５との間に生じる電気浮遊容量の低減を図ることができる。また、この構造にした場合、赤外反射膜９の面積が小さくなるが、その分、アルミ配線５自体が赤外反射膜９の代りの役割を果たし、上方からの赤外線を吸収傘部６に向けて反射することとなるので、赤外吸収特性の劣化は回避できる。
【００３１】
（実施の形態３）
（構成）
図９、図１０を参照して、本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子について説明する。この熱型赤外センサ素子は、上方から見ると図９のように、赤外反射膜９の上にかぶさるように設けられた吸収傘部６が見える。吸収傘部６のほぼ中央には支柱部１３の凹みがあり、この凹みに一部重なる位置でこの凹みを挟むように除去孔１１が２つ設けられている。図９におけるＸ−Ｘ線に関する矢視端面図を図１０に示す。吸収傘部６の下方で基板１に凹部１２が形成されている点などその他の構成は実施の形態１で説明したものと同様である。
【００３２】
本実施の形態では、図１０に示すように、除去孔１１は、支柱部１３の側面を含む領域を開口させることによって形成されており、このことによって凹部１２の内部空間と吸収傘部６の上側の空間とは連通している。
【００３３】
（作用・効果）
除去孔１１は赤外線が入射しても吸収できない部分に該当するが、本実施の形態では、上から見たときに除去孔１１が支柱部１３と一部重なるように配置されているので、赤外線が入射しても吸収できない部分の合計面積を小さくすることができる。特に支柱部１３の側面に相当する部分を利用して大きく開口しておけば、上から見たときの除去孔１１の面積は小さくすることができ、しかも、支柱部１３の側面に相当する部分は、もともと赤外線の吸収にはほとんど寄与していない部分であるので、赤外線の吸収効率を低下させることなく除去孔１１を設けることができる。しかも、本実施の形態では、付加的な構造を作製する必要もなく、熱容量を増大させることもない。
【００３４】
凹部１２を形成するエッチングにおいては、基板１は除去孔１１から等方的にエッチングされるので、凹部１２の底面は一般に、除去孔１１の真下が最も深くえぐれた形となる。本実施の形態では、除去孔１１が中央付近にあるので、凹部１２の底面は図１０に示すように中央部付近が最も深くなる傾向にある。その分、周縁部では凹部１２の底面は浅くなる。したがって、耐エッチング壁４の下端の位置は浅くてもよくなる。よって、耐エッチング壁４の形成が容易になる。
【００３５】
（製造方法）
図１１〜図１４、図９、図１０を参照して、本発明に基づく実施の形態３における熱型赤外センサ素子の製造方法について説明する。まず、図１１に示す構造を作成する。図１１に示すのは、のちの吸収傘部６（図１０参照）の材料となる膜２９を全面に形成し、吸収傘部６の形状を規定するためのフォトレジスト２５を形成したところである。等方的なエッチングを行なうことによって、フォトレジスト２５に覆われない部分の膜２９は除去されて図１２に示す構造となる。すなわち、吸収傘部６が形成される。このとき、たとえば４フッ化炭素ガスを用いた等方性エッチングによれば、支柱部１３のほぼ鉛直な面に、のちに除去孔１１となる開口部３０が形成される。さらに等方的な酸素を主体としたプラズマエッチングを行なうことによって、やがて凹部は図１３に示すように基板１に到達し、除去孔１１となる。この凹部の底には基板１が露出するようになる。ここで、図１４に示すように保護レジスト２６を形成し、基板１のエッチングを行なう。エッチングは除去孔１１を通じて行なわれる。その結果、図９、図１０に示す構造の熱型赤外センサ素子が得られる。
【００３６】
なお、保護レジスト２６としては、感光した部分だけが残るネガ型のフォトレジストを用いることが好ましい。ネガ型のフォトレジストを用いた場合は、赤外反射膜９より下側にはフォトリソグラフィ工程における露光光はほぼ到達しないため、赤外反射膜９より下側では保護レジスト２６は感光せず現像時に洗い流される。したがって、赤外反射膜９より下側において除去孔１１が保護レジスト２６で埋まってしまうことが防止でき、円滑にエッチングを行なうことができる。
【００３７】
（実施の形態４）
（構成）
実施の形態１〜３においては、１個の熱型赤外センサ素子のみに注目して説明してきたが、この熱型赤外センサ素子をアレイ状に配置した熱型赤外センサアレイとして用いることができる。
【００３８】
図１５、図１６を参照して、本発明に基づく実施の形態４における熱型赤外センサアレイについて説明する。図１５は本実施の形態における熱型赤外センサアレイの平面図である。ここでは説明を簡明にするため３行３列の合計９個の熱型赤外センサ素子からなる熱型赤外センサアレイを例示している。各々の熱形赤外センサ素子は、実施の形態１で説明したものである。図１５からわかるように、熱形赤外センサ素子が基板１表面に配列されることによって、各々の熱形赤外センサ素子が備える吸収傘部６が規則正しく配列される形となり、アレイをなす領域のほぼ全面を被覆している。図１５におけるＸＶＩ−ＸＶＩ線に関する矢視端面図を図１６に示す。
【００３９】
（作用・効果）
本実施の形態では、熱型赤外センサアレイの上面の大部分を吸収傘部６が覆うこととなるので、入射する赤外光を有効に検出に利用することができる。図１５に示される熱形赤外センサアレイはこの図に示されていない外部のたとえば走査回路により、各行および各列の熱型赤外センサ素子を選択して、各熱型赤外センサ素子が検出している内容を時系列信号として取り出すこととしてもよい。
【００４０】
ここでは、３行３列のアレイの例を示したが、アレイを構成する個数はこれに限らない。２次元的に広がる配列とする代わりに１行Ｎ列またはＮ行１列になるように熱型赤外センサ素子が配置されたリニアアレイセンサであってもよい。信号の読み出し方式も上述の方式のほかに、各々の熱型赤外センサ素子から並列に読み出す方式などであってもよい。
【００４１】
この構成によれば、赤外領域での熱画像イメージャとしての機能を有するセンサの作製が可能となる。
【００４２】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に関する矢視端面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第１の段階での平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に関する矢視端面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第２の段階での平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に関する矢視端面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第３の段階での端面図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における熱型赤外センサ素子の端面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態３における熱型赤外センサ素子の平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に関する矢視端面図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態３における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第１の段階での端面図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態３における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第２の段階での端面図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態３における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第３の段階での端面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態３における熱型赤外センサ素子の製造工程のうち第４の段階での端面図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態４における熱型赤外センサアレイの平面図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態４における熱型赤外センサアレイのＸＶＩ−ＸＶＩ線に関する矢視端面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  基板、２  温度検知部、３  支持脚、４  耐エッチング壁、５  アルミ配線、６  吸収傘部、７  検知膜、８  薄膜金属配線、９  赤外反射膜、１０  支持体、１１  除去孔、１２  凹部、１３  支柱部、２０  アンカ部、２１  （支柱部を形成するための）凹部、２２，２３  犠牲層、２５  フォトレジスト、２６  保護レジスト、２７  開口部、２８  配線保護絶縁膜、２９  （吸収傘部の材料となる）膜、３０  （除去孔形成のために支柱部に設けられた）開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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